(57)【要約】【課題】使用環境による温度変化が生じても、液面位置の検出精度が良好な液面位置検出装置を提供する。【解決手段】液面位置検出装置は、液体９０の深さ方向に延びるケース１０と、液体９０の液面９１の変位に応じてケース１０に沿って移動するフロート３０と、フロート３０の内部に設けられた磁石と、ケース１０の内部に設けられ、フロート３０の移動に伴って変化する磁石による磁束密度に応じた電圧信号を出力するホールＩＣと、電圧信号に応じた値に基づいて液面９１の位置を検出する制御部と、を備える。好ましくは、制御部は、第１ホールＩＣから出力された第１電圧信号に応じた第１の値と、第２ホールＩＣから出力された第２電圧信号に応じた第２の値との差が予め定めた閾値を超えた場合に、液面９１の位置が所定範囲にあることを検出する。【選択図】図２
2019174258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体の深さ方向に延びるケースと、
前記液体の液面の変位に応じて前記ケースに沿って移動するフロートと、
前記フロートの内部に設けられた磁石と、
前記ケースの内部に設けられ、前記フロートの移動に伴って変化する前記磁石による磁束密度に応じた電圧信号を出力するホールＩＣ（Integrated Circuit）と、
前記電圧信号に応じた値に基づいて前記液面の位置を検出する制御部と、を備える、
液面位置検出装置。
【請求項２】
前記ホールＩＣは、複数あり、前記深さ方向において互いに異なる位置に設けられた第１ホールＩＣ及び第２ホールＩＣを含み、
前記第１ホールＩＣは、前記フロートの移動に伴って変化する前記磁石による磁束密度に応じた第１電圧信号を出力し、
前記第２ホールＩＣは、前記フロートの移動に伴って変化する前記磁石による磁束密度に応じた第２電圧信号を出力し、
前記制御部は、前記第１電圧信号に応じた第１の値と前記第２電圧信号に応じた第２の値との差が予め定めた閾値を超えた場合に、前記液面の位置が所定範囲にあることを検出する、
請求項１に記載の液面位置検出装置。
【請求項３】
前記深さ方向において前記第２ホールＩＣは、前記所定範囲に含まれない位置にあり、
前記深さ方向において前記第１ホールＩＣは、前記所定範囲に含まれる位置にあるか、前記第２ホールＩＣよりも前記所定範囲に近い位置にあり、
前記制御部は、前記第１の値が前記第２の値よりも大きく、且つ、前記第１の値から前記第２の値を減じた値が前記閾値を超えた場合に、前記液面の位置が前記所定範囲にあることを検出する、
請求項２に記載の液面位置検出装置。
【請求項４】
前記ケースは、前記深さ方向に延びる角筒部を有し、
前記フロートは、前記角筒部の外周を囲むとともに、その内周部が前記角筒部の外周形状と対応した形状である、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液面位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液面位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液面位置検出装置として、例えば、特許文献１には、液体中に設けられるサーミスタ素子の抵抗値出力に応じて当該液体の液面位置を検出するものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開昭６３−１６７２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サーミスタ素子の抵抗値出力は、温度が上昇するに連れて下がる特性があり、温度依存性が顕著である。そのため、サーミスタ素子を利用した液面位置検出装置は、使用環境による温度変化によっては液面位置の検出精度が悪くなる場合がある。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、使用環境による温度変化が生じても、液面位置の検出精度が良好な液面位置検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る液面位置検出装置は、
液体の深さ方向に延びるケースと、
前記液体の液面の変位に応じて前記ケースに沿って移動するフロートと、
前記フロートの内部に設けられた磁石と、
前記ケースの内部に設けられ、前記フロートの移動に伴って変化する前記磁石による磁束密度に応じた電圧信号を出力するホールＩＣ（Integrated Circuit）と、
前記電圧信号に応じた値に基づいて前記液面の位置を検出する制御部と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、使用環境による温度変化が生じても、液面位置の検出精度が良好な液面位置検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る液面位置検出装置の斜視図などを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液面位置検出装置の正面図などを示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る液面位置検出装置の図２に示すＡ−Ａ線概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る液面位置検出手法を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る液面位置検出処理のフローチャートである。
【図６】本発明の変形例に係る液面位置検出手法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る液面位置検出装置について図面を参照して説明する。
【００１０】
本発明の一実施形態に係る液面位置検出装置１００は、例えば、乗り物（自動車等）が備えるタンク内の液体９０の液面９１（図２参照）を検出する装置である。液体９０は、例えば、ガソリンや軽油などの乗り物の燃料である。なお、液体９０の種類は限られず、水、洗浄液など任意である。
【００１１】
液面位置検出装置１００は、図１〜図３に示すように、ケース１０と、カバー２０と、フロート３０と、磁石４０と、回路基板５０と、制御部６０と、を備える。なお、制御部６０は、図１でのみ模式的に示したが、例えば、後述のように回路基板５０に実装される。
【００１２】
ケース１０は、液体９０の深さ方向に延びており、例えば、ＰＯＭ（ポリアセタール）などの合成樹脂から形成されている。ケース１０は、角筒部１１と、第１フランジ部１２と、第２フランジ部１３と、を有する。
【００１３】
角筒部１１は、四角筒状に形成された部分であり、図１に示すように外形が四角柱状となる部分である。角筒部１１は、液体９０の深さ方向に延びるとともに、図３に断面で示すように、上部開口の有底筒状に形成されている。
【００１４】
角筒部１１は、図３の左右方向において互いに対向する第１壁部１１ａ及び第２壁部１１ｂと、図２の左右方向において互いに対向する第３壁部１１ｃ及び第４壁部１１ｄと、を有する。第１壁部１１ａは、角筒部１１の中空部側において回路基板５０を保持する。
【００１５】
第１フランジ部１２は、角筒部１１の底部から外側に向かって迫り出した部分であり、フロート３０をケース１０から脱落させないストッパとして機能する。第１フランジ部１２は、図３に示すように、第１壁部１１ａ及び第２壁部１１ｂの各々から離れる方向に突出している。
【００１６】
第２フランジ部１３は、角筒部１１の開口端部から外側に向かって迫り出した部分である。第２フランジ部１３は、図３に示すように、第１壁部１１ａ及び第２壁部１１ｂの各々から離れる方向に突出している。
【００１７】
カバー２０は、例えば、ＰＯＭなどの合成樹脂から形成され、第２フランジ部１３を覆ってケース１０に取り付けられる。このようにケース１０に取り付けられたカバー２０は、角筒部１１の開口部を水密に封止する。なお、例えば、ケース１０におけるカバー２０の近傍部分が、公知の固定手法により図示しないタンクに固定されることで、角筒部１１及び第１フランジ部１２がタンク内の液体９０に浸る格好となる。
【００１８】
フロート３０は、液体９０から浮力を受けて液面９１に浮き、液面９１の変位に応じて、液体９０の深さ方向に沿って移動する。
【００１９】
フロート３０は、例えば、ＮＢＲ（ニトリルゴム）などの合成樹脂から形成されている。フロート３０は、角筒部１１の外周を囲む四角筒状に形成されている。つまり、フロート３０は、その内周部が角筒部１１の外周形状と対応して形成されている。これにより、フロート３０は、ケース１０に対して液体９０の深さ方向に沿う軸周りに回転してしまうことがなく、且つ、角筒部１１の長手方向（つまり、液体９０の深さ方向）に沿って移動可能となっている。フロート３０の内周と角筒部１１の外周との間隔は、液面９１の変位に応じたフロート３０の移動を妨げず、且つ、フロート３０が角筒部１１に沿って滑らかに移動可能に設定されている。
【００２０】
磁石４０は、図３に示すように、フロート３０の内周部に位置し、例えば、２極着磁された永久磁石からなる。磁石４０は、フロート３０にインサート成形されており、フロート３０と一体になっている。磁石４０としては、アルニコ（Al-Ni-Co）磁石、サマリウムコバルト（Samarium-Cobalt）磁石、ネオジム（Neodymium）磁石などを用いることができる。
【００２１】
磁石４０は、フロート３０の内周部のうち、少なくとも第１壁部１１ａと対向する部分に設けられ、回路基板５０と対向しつつ、液面９１の変位に応じてフロート３０と共に移動可能となっている。磁石４０は、例えば、回路基板５０と対向する方向（第１壁部１１ａ側がＳ極、第２壁部１１ｂ側がＮ極）に着磁されている。磁石４０は、後述の第１ホールＩＣ（Integrated Circuit）５１及び第２ホールＩＣ５２の各々に磁界を与える。この磁界は、液面９１の変位に応じたフロート３０の移動に伴い変化する。
【００２２】
回路基板５０は、例えば、リジッド基板に各種回路を形成してなるプリント回路板から構成される。回路基板５０は、角筒部１１の中空部側における第１壁部１１ａに保持されている。
【００２３】
回路基板５０は、第１ホールＩＣ５１と、第２ホールＩＣ５２と、制御部６０と、通電コード５３と、を有する。
【００２４】
第１ホールＩＣ５１は、例えば、ホール素子と、増幅回路を含む信号処理回路とを有する１チップのセンサＩＣから構成されている。第１ホールＩＣ５１は、磁束密度の大きさに応じて線形に増減する電圧を示すアナログ電圧信号を出力するリニアホールＩＣから構成されている。以下、第１ホールＩＣ５１が、磁石４０によって形成される磁場の磁束密度の大きさに応じて出力するアナログ電圧信号を「第１電圧信号」と言う。
【００２５】
第２ホールＩＣ５２は、第１ホールＩＣ５１と同じ１チップのリニアホールＩＣから構成されている。以下、第２ホールＩＣ５２が、磁石４０によって形成される磁場の磁束密度の大きさに応じて出力するアナログ電圧信号を「第２電圧信号」と言う。
【００２６】
第１ホールＩＣ５１と第２ホールＩＣとは、液体９０の深さ方向において互いに異なる位置に設けられている。具体的には、図３に示すように、第１ホールＩＣ５１は、第２ホールＩＣ５２よりもケース１０の第１フランジ部１２側、つまり、液体９０の減少する方向に位置している。なお、第１壁部１１ａの幅方向（図２での左右方向）においては、第１ホールＩＣ５１と第２ホールＩＣ５２とは、同じ位置（例えば、第１壁部１１ａの中央部）に位置している。
【００２７】
制御部６０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、及びＲＡＭ（Random Access Memory）を備えるマイクロコンピュータや、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）を含んで構成される。ＲＯＭには後述する液面位置検出処理を実行するための動作プログラムや、後述の閾値を示す固定データなどが予め記憶されている。ＲＡＭは、各種の演算結果などを一時的に記憶する。
【００２８】
制御部６０のＡＤＣは、第１ホールＩＣ５１が出力した第１電圧信号をデジタル信号（以下、第１検出信号と言う。）に変換し、ＣＰＵに供給する。また、ＡＤＣは、第２ホールＩＣ５２が出力した第２電圧信号をデジタル信号（以下、第２検出信号と言う。）に変換し、ＣＰＵに供給する。
【００２９】
制御部６０のＣＰＵは、取得した第１検出信号及び第２検出信号に基づいて、液面９１の位置を検出する。具体的には、制御部６０は、取得した第１検出信号及び第２検出信号に基づいて、液面９１が所定範囲Ｌ（図３参照）内にあるか否かを判別する。当該所定範囲Ｌは、液体９０の残量が予め定められた所定位置ＰＬ（図３参照）よりも少なくなったことをユーザに報知するための範囲として定められている。
【００３０】
制御部６０による液面９１の検出手法について図３及び図４を参照して説明する。
図３に示す第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２までの範囲は、液体９０の深さ方向においてフロート３０と共に移動する磁石４０の可動範囲のうち、第１ホールＩＣ５１及び第２ホールＩＣ５２の少なくともいずれかが、磁石４０による磁束密度を検出可能な範囲を概略的に示したものである。
図４は、液体９０の深さ方向における磁石４０の位置と、磁束密度Ｂ１及び磁束密度Ｂ２との関係を示したグラフである。磁束密度Ｂ１は、磁石４０が第１ホールＩＣ５１に与える磁場の磁束密度の大きさを示している。磁束密度Ｂ２は、磁石４０が第２ホールＩＣ５２に与える磁場の磁束密度の大きさを示している。
【００３１】
ここで、タンク内の液体９０が満タン状態から徐々に減少していく場合を考える。液体９０が満タン状態から減少していき、フロート３０と共に磁石４０が第２位置Ｐ２に達すると、第２ホールＩＣ５２が磁束密度Ｂ２を検出可能となる。第２位置Ｐ２から第２ホールＩＣ５２のホール素子に磁石４０が近づくに連れ、磁束密度Ｂ２は大きくなる。さらに液体９０が減少していくと、磁石４０が第２ホールＩＣ５２のホール素子に最も接近して磁束密度Ｂ２が極大となった後に、徐々に磁束密度Ｂ２は減少していく。
【００３２】
上記のように第２ホールＩＣ５２が磁束密度Ｂ２を検出している過程で、第１ホールＩＣ５１が磁束密度Ｂ１を検出可能となる。液体９０の減少に伴い第１ホールＩＣ５１のホール素子に磁石４０が近づくに連れ、磁束密度Ｂ１は大きくなる。さらに液体９０が減少していくと、磁石４０が第１ホールＩＣ５１のホール素子に最も接近して磁束密度Ｂ１が極大となった後に、徐々に磁束密度Ｂ１は減少していく。
【００３３】
この実施形態では、以上のように磁石４０の位置に応じて変化する磁束密度Ｂ１及び磁束密度Ｂ２を利用して液面９１の位置を検出する。具体的には、所定位置ＰＬにおける磁束密度Ｂ１と磁束密度Ｂ２との差ＢＤを予め実験により求める。そして、磁束密度Ｂ１と磁束密度Ｂ２との差が、差ＢＤを超えた場合に、液面９１が所定範囲Ｌにあること（つまり、所定位置ＰＬよりも低い位置にあること）を検出する。このようにした理由は、磁束密度には温度依存性があることによる。つまり、磁束密度Ｂ１及び磁束密度Ｂ２は、共に温度に応じて変動するが、同じ磁石４０の位置における磁束密度Ｂ１と磁束密度Ｂ２との差を考えれば、温度による磁束密度の変動分をキャンセルできるためである。
【００３４】
以上の検出手法を具体的に説明する。図４に示したように、磁束密度Ｂ１と磁束密度Ｂ２の各々の大きさは、フロート３０と共に液体９０の深さ方向に移動する磁石４０の位置に応じて変化する。第１ホールＩＣ５１は、磁束密度Ｂ１の大きさに応じた線形の第１電圧信号を制御部６０に出力する。第２ホールＩＣ５２は、磁束密度Ｂ２の大きさに応じた線形の第２電圧信号を制御部６０に出力する。制御部６０は、第１ホールＩＣ５１が出力した第１電圧信号をＡＤＣによってデジタル信号である第１検出信号に変換し、当該第１検出信号をＣＰＵで取得する。また、制御部６０は、第２ホールＩＣ５２が出力した第２電圧信号をＡＤＣによってデジタル信号である第２検出信号に変換し、当該第２検出信号をＣＰＵで取得する。そして、ＣＰＵは、第１検出信号が示す値（以下、「第１検出値」と言う。）と第２検出信号が示す値（以下、「第２検出値」と言う。）との差が、ＲＯＭ内に予め記憶した閾値を超えた場合に、液面９１が所定範囲Ｌにあることを検出する。なお、閾値は、予め定めた所定位置ＰＬにおける第１検出値と第２検出値との差（つまり、磁束密度Ｂ１と磁束密度Ｂ２との差ＢＤに応じた値）であり、予めＲＯＭ内に格納しておく。
【００３５】
制御部６０は、液面９１が所定範囲Ｌにあることを検出すると、通電コード５３から当該検出結果を示す出力を外部装置（図示せず）へ出力する。外部装置は、当該出力に応じて、液面９１が所定範囲Ｌにあることを点灯や画像表示により報知する表示部を備える。当該表示部は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を有する警告灯や、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode）等の画像表示ディスプレイから構成されるものであればよい。表示部による報知態様は、任意であり、例えば、「ＬＯＷ  ＬＥＶＥＬ」、「ＬＯＷ  ＦＵＥＬ」といった文字、警告用のアイコン、バーグラフ等の点灯又は表示であればよい。なお、通電コード５３の配設位置や配設態様は任意であるが、液体９０内を通らないことが好ましい。
【００３６】
液面位置検出装置１００の構成の説明は以上である。続いて、制御部６０のＣＰＵが実行する液面位置検出処理について、主に図５を参照して説明する。
【００３７】
まず、制御部６０は、第１ホールＩＣ５１の出力に対応する第１検出信号が示す第１検出値と、第２ホールＩＣ５２の出力に対応する第２検出信号が示す第２検出値を取得する（ステップＳ１）。
【００３８】
続いて、制御部６０は、第１検出値が第２検出値よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ２）。当該判別は、図４を参照すれば、磁束密度Ｂ１が磁束密度Ｂ２よりも大きくなる位置に磁石４０があるか否かの判別に相当する。
【００３９】
第１検出値が第２検出値よりも大きくない場合（ステップＳ２；Ｎｏ）、制御部６０は、現在の液面９１が所定位置ＰＬよりも低くないことを示すＯＦＦ信号を通電コード５３を介して外部装置に出力する（ステップＳ３）。当該ＯＦＦ信号を取得した外部装置は、例えば「ＬＯＷ  ＬＥＶＥＬ」といった報知を行わないことになる。
【００４０】
一方、第１検出値が第２検出値よりも大きい場合（ステップＳ２；Ｙｅｓ）、制御部６０は、第１検出値から第２検出値を減じることで、双方の差を算出する（ステップＳ４）。
【００４１】
続いて、制御部６０は、ステップＳ４で算出した差が、予めＲＯＭ内に記憶した前述の閾値（図４における差ＢＤに対応した値）よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ５）。ステップＳ４で算出した差が閾値よりも大きくない場合（ステップＳ５；Ｎｏ）、制御部６０は、前述のＯＦＦ信号を通電コード５３を介して外部装置に出力する（ステップＳ３）。
【００４２】
一方、ステップＳ４で算出した差が閾値よりも大きい場合（ステップＳ５；Ｙｅｓ）、制御部６０は、現在の液面９１が所定位置ＰＬよりも低いことを示すＯＮ信号を通電コード５３を介して外部装置に出力する（ステップＳ６）。当該ＯＮ信号を取得した外部装置は、例えば「ＬＯＷ  ＬＥＶＥＬ」といった報知を表示部により実行する。
【００４３】
制御部６０は、ステップＳ６又はＳ３の実行後、ステップＳ１に戻って処理を実行する。制御部６０は、以上の処理を継続して実行することにより、液面９１が所定位置ＰＬよりも低い場合はＯＮ信号を出力し、液面９１が所定位置ＰＬ以上である場合はＯＦＦ信号を出力する。以上が液面検出処理である。
【００４４】
なお、本発明は以上の実施形態、変形例、及び図面によって限定されるものではない。本発明の要旨を変更しない範囲で、適宜、変更（構成要素の削除も含む）を加えることが可能である。以下に変形の一例を説明する。
【００４５】
（変形例）
以上では、液面位置検出装置１００にホールＩＣを２つ設けた例を説明したが、これに限られない。例えば、図３における第２ホールＩＣ５２を省略して、第１ホールＩＣ５１を１つのみ設ける構成であってもよい。この場合、図６に示すように、所定位置ＰＬにおける磁束密度ＢＴに応じた値を閾値として予めＲＯＭ内に格納し、制御部６０は、第１検出信号が示す第１検出値が当該閾値を超えた場合に、現在の液面９１が所定位置ＰＬよりも低いことを示すＯＮ信号を通電コード５３を介して外部装置に出力すればよい。この構成の場合、前述の手法により磁束密度の温度依存性の影響を排除することはできないが、ホールＩＣは、従来のサーミスタを用いた装置に比べると温度依存性が少ないため、従来に比べて使用環境による温度変化が生じても液面位置の検出精度を良好とすることができる。
【００４６】
なお、ホールＩＣを１つとした構成の場合、前述の手法の代わりに温度特性補償機能を有するセンサＩＣを用いてもよい。当該センサＩＣは、検出電圧が環境温度に対して変動する特性を有するため、この特性を考慮して構成されている。具体的には、センサＩＣは、ある温度Ｔに対しての検出電圧Ｖが所望の電圧Ｖ０よりもΔＶ大きくなる特性の場合は、当該温度Ｔにおいては、当該変動分ΔＶを打ち消すように、出力する検出電圧が（Ｖ−ΔＶ）となるように構成される。
【００４７】
また、所定範囲Ｌを一つでなく、複数設けてもよい。つまり、所定範囲が複数段階あり、現在の液面９１の位置がどの範囲に属するかを検出する構成としてもよい。この場合、例えば、第１検出値と第２検出値の差と、液面９１が位置する範囲とを対応付けて構成したテーブルを予めＲＯＭ内に格納し、制御部６０は、当該テーブルを参照して第１検出値と第２検出値の差に応じた液面９１の位置を特定すればよい。また、所定の２つのホールＩＣの出力差を用いて、液面９１の位置を検出することができれば、ホールＩＣを３つ以上設けてもよい。
【００４８】
また、以上では、液面９１が所定範囲Ｌ内にあることを検出する例を示したが、これに限られず、液面９１の詳細な位置を検出する構成としてもよい。この場合、例えば、第１検出信号が示す第１検出値と、液面９１の位置とを対応付けて構成したテーブルを予めＲＯＭ内に格納し、制御部６０は、当該テーブルを参照して第１検出値に応じた液面９１の位置を特定すればよい。そして、制御部６０は、特定結果を外部装置の表示部に表示させればよい。これと併せて、制御部６０は、ステップＳ４で算出した差が閾値よりも大きい場合（ステップＳ５；Ｙｅｓ）に、現在の液面９１が所定位置ＰＬよりも低いことを示すＯＮ信号を通電コード５３を介して外部装置に出力する（ステップＳ６）ようにしてもよい。
【００４９】
また、第１検出値と第２検出値との差を用いて液面９１の位置を検出することができれば、第１ホールＩＣ５１と第２ホールＩＣ５２との配置は、図３に示す例に限られない。液体９０の深さ方向において第２ホールＩＣ５２は、所定範囲Ｌに含まれない位置にあればよい。また、液体９０の深さ方向において第１ホールＩＣ５１は、図３に示すように所定範囲Ｌに含まれる位置になくともよく、第２ホールＩＣ５２よりも所定範囲Ｌに近い位置にあればよい。
【００５０】
また、以上では、液体９０の液面９１が所定位置ＰＬよりも低い位置にあることを検出した例を示したが、これに限られない。図３における第１ホールＩＣ５１と第２ホールＩＣ５２との配置を上下で入れ替え、制御部６０は、液面９１が所定位置よりも高い位置にあることを検出する構成としてもよい。
【００５１】
以上のように、液面位置検出装置１００による液面９１の位置の検出は、液面９１の位置が所定範囲Ｌ内にあるかを検出することだけでなく、液面９１の詳細な位置を検出することを含むようにしてもよい。また、制御部６０が表示部に表示させる画像は、液面位置そのものを示していなくともよく、液面位置に応じた液体９０の量を示していてもよい。
【００５２】
以上では、ケース１０の角筒部１１を四角筒状に形成した例を示したが、これに限られず、三角筒や、六角筒状などに形成してもよい。こうした場合においても、フロート３０の内周部を角筒部１１の外周形状と対応した形状に形成すればよい。
【００５３】
また、以上では、ケース１０をＰＯＭから形成した例を示したが、ケース１０の材料は任意である。例えば、ケース１０をＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の合成樹脂により形成してもよい。同様に、フロート３０もＮＢＲ以外の材料により形成してもよい。ケース１０及びフロート３０の材料は、磁石４０から第１ホールＩＣ５１や第２ホールＩＣ５２への磁界供与を妨げない限りにおいては、任意である。
【００５４】
また、磁石４０の形状、材質、又は着磁態様も、第１ホールＩＣ５１や第２ホールＩＣ５２が磁石４０により与えられる磁界の磁束密度を検出することができる限りにおいては任意である。例えば、磁石４０の着磁態様は、回路基板５０と対向する方向の着磁に限られず、両面４極、片面多極など、目的に応じて任意である。
【００５５】
以上の説明では、制御部６０をケース１０内に設ける例を示したが、ケース１０外に設けてもよい。この場合、第１ホールＩＣ５１が出力する第１電圧信号と、第２ホールＩＣ５２が出力する第２電圧信号とを、通電コード５３を介して、ケース１０外に位置する制御部６０に供給する構成とすればよい。また、制御部６０のＡＤＣをケース１０内に設け、制御部６０のマイクロコンピュータをケース１０外に設ける構成としてもよい。この場合、ケース１０内において第１電圧信号をデジタル信号としての第１検出信号に変換し、第２電圧信号をデジタル信号としての第２検出信号に変換する。そして、第１検出信号と第２検出信号とを、通電コード５３を介して、ケース１０外に位置するマイクロコンピュータのＣＰＵに供給するようにすればよい。
【００５６】
（１）以上に説明した液面位置検出装置１００は、液体９０の深さ方向に延びるケース１０と、液体９０の液面９１の変位に応じてケース１０に沿って移動するフロート３０と、フロート３０の内部に設けられた磁石４０と、ケース１０の内部に設けられ、フロート３０の移動に伴って変化する磁石４０による磁束密度に応じた電圧信号を出力するホールＩＣと、電圧信号に応じた値に基づいて液面９１の位置を検出する制御部６０と、を備える。
このようにホールＩＣを用いたため、前述のように、従来のサーミスタを用いた装置に比べて使用環境による温度変化が生じても液面位置の検出精度を良好とすることができる。
【００５７】
（２）また、ホールＩＣは、複数あり、液体９０の深さ方向において互いに異なる位置に設けられた第１ホールＩＣ５１及び第２ホールＩＣ５２を含む。第１ホールＩＣ５１は、磁束密度Ｂ１に応じた第１電圧信号を出力し、第２ホールＩＣ５２は、磁束密度Ｂ２に応じた第２電圧信号を出力する。制御部６０は、第１電圧信号に応じた第１の値（第１検出信号が示す第１検出値）と前記第２電圧信号に応じた第２の値（第２検出信号が示す第２検出値）との差が予め定めた閾値を超えた場合に、液面９１の位置が所定範囲Ｌにあることを検出する。
このようにしたから、温度による磁束密度の変動分をキャンセルでき、使用環境による温度変化が生じても液面位置の検出精度がより良好である。
【００５８】
（３）具体的には、液体９０の深さ方向において第２ホールＩＣ５２は、所定範囲Ｌに含まれない位置にあり、液体９０の深さ方向において第１ホールＩＣ５１は、所定範囲Ｌに含まれる位置にあるか、第２ホールＩＣ５２よりも所定範囲Ｌに近い位置にある。そして、制御部６０は、第１の値（第１検出値）が第２の値（第２検出値）よりも大きく、且つ、第１の値から第２の値を減じた値が閾値を超えた場合に、液面９１の位置が所定範囲Ｌにあることを検出する。
【００５９】
（４）また、ケース１０は、液体９０の深さ方向に延びる角筒部１１を有し、フロート３０は、角筒部１１の外周を囲むとともに、その内周部が角筒部１１の外周形状と対応した形状である。
これにより、フロート３０は、ケース１０に対して液体９０の深さ方向に沿う軸周りに回転してしまうことがなく、結果的に、液面位置の検出精度の低減を防止することができる。
【００６０】
以上の説明では、本発明の理解を容易にするために、重要でない公知の技術的事項の説明を適宜省略した。
【符号の説明】
【００６１】
１００…液面位置検出装置
１０…ケース
１１…角筒部、１１ａ〜１１ｄ…第１〜第４壁部
１２…第１フランジ部
１３…第２フランジ部
２０…カバー
３０…フロート
４０…磁石
５０…回路基板
５１…第１ホールＩＣ
５２…第２ホールＩＣ
５３…通電コード
６０…制御部
９０…液体、９１…液面
Ｐ１…第１位置、Ｐ２…第２位置、ＰＬ…所定位置
Ｌ…所定範囲
Ｂ１、Ｂ２…磁束密度、ＢＤ…差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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