(57)【要約】【課題】  使用するモールドの劣化情報をより適切に取得し、好適なインプリントを行う方法と装置を提供することを目的とする。【解決手段】  インプリント材を基板上に吐出し、該インプリント材をモールドと接触させた状態で硬化させ、硬化物を基板上に形成するインプリント装置であって、前記モールドに配置されたマークの劣化情報を取得する劣化情報取得手段と、前記劣化情報取得手段により取得された前記マークの劣化情報に基づいてインプリント材の吐出条件を設定する吐出条件設定手段と、を有することを特徴とするインプリント装置。【選択図】  図５
2019220552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント材を基板上に吐出し、該インプリント材をモールドと接触させた状態で硬化させ、硬化物を基板上に形成するインプリント装置であって、
前記モールドに配置されたマークの劣化情報を取得する劣化情報取得手段と、
前記劣化情報取得手段により取得された前記マークの劣化情報に基づいてインプリント材の吐出条件を設定する吐出条件設定手段と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記吐出条件設定手段は、前記劣化情報取得手段によって取得された前記マークの劣化情報に基づいて、前記モールドの劣化度合いを算出する算出手段を有しており、
前記マークの劣化度合いと、前記モールドの劣化度合いと、インプリント材の吐出条件と、が対応付けられていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記算出手段は、洗浄方法に対応する前記モールドのパターン形状変化と、洗浄方法に対応する前記マークの計測値に関する情報から前記モールドの劣化度合いを算出する手段であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記マークの劣化情報は、マークのコントラスト値、マークからの反射光量、マークの線幅の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記マークは、前記モールドと前記基板とのアライメントのためのアライメントマークであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記吐出条件設定手段は、前記マークの劣化情報に基づいてドロップレシピを変更する手段であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記吐出条件設定手段は、前記モールドの劣化度合いが閾値内であった場合、前記モールドの劣化度合いに基づいて前記インプリント材のドロップ量を制御し、
前記モールドの劣化度合いが閾値から外れた場合、モールドの交換を促す合図を出力する手段である請求項１から６のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記アライメントマークは、単一の凹部または繰り返し構造の凹凸のパターンを有する請求項１から７のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記アライメントマークは、前記凹部に金属が配置された構造を有する請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
インプリント材を基板上に吐出する工程、
モールドを該インプリント材と接触させた状態で硬化させる工程、
硬化後のインプリント材とモールドとを離間させ、硬化物パターンを基板上に形成する工程、
を有するインプリント方法であって、
前記モールドに配置されたマークから前記マークの劣化情報を取得する工程と、
取得した前記マークの劣化情報に基づいてインプリント材の吐出条件を設定する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
前記吐出条件を設定する工程は、前記取得する工程で取得された前記マークの劣化情報に基づいて、前記モールドの劣化度合いを算出する算出工程を有しており、
前記マークの劣化度合いと、前記モールドの劣化度合いと、インプリント材の吐出条件と、が対応付けられていることを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記吐出条件を設定する工程は、洗浄方法に対応する前記モールドのパターン形状変化と、洗浄方法に対応する前記モールドのマーク計測値に関する情報から前記モールドの劣化度合いを算出する工程であることを特徴とする請求項１０または１１に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
前記マークを用いて前記モールドと前記基板のアライメントを行うアライメント工程をさらに有することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
前記吐出条件を設定する工程は、ドロップレシピを変更する工程であることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれか一項に記載のインプリント方法を用いて、基板を加工して物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０から１４のいずれか一項に記載のインプリント方法を用いて、半導体基板を加工することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０から１４のいずれか一項に記載のインプリント方法を用いて、光学部材を加工することを特徴とする光学部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、およびインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術の一つである光インプリント方式では、まず基板（例えば半導体ウェハ）上に光硬化性組成物（以下、インプリント材）から成る層を配置形成する。次にこのインプリント材と所望の微細な凹凸構造（パターン）が形成されたモールドとを接触させる。次にインプリント材とモールドとを接触させたまま、紫外線を照射する事でインプリント材を硬化させる。インプリント材を硬化させた後、インプリント材とモールドを引き離す（離型する）ことで基板上にパターンを形成する。
【０００３】
インプリント材の配置形成から離型するまでの一連の工程単位を「ショット」と称し、モールドがインプリント材と接触する領域、つまり、基板上でパターンが形成される領域を「ショット領域」と称する。
【０００４】
インプリントに使用するモールドは、従来の投影光を用いた露光装置でのレチクルとは異なり、ショット毎に被転写材料のインプリント材と直接接触し、その後引き離し（離型）が行われる。インプリント材との直接的な接触と離型の繰り返しは、モールドの凹凸パターンそのものの破壊や摩耗の原因となる。また、離型の際に硬化したインプリント材の一部がウェハから剥がれ、モールド側に付着したままになる事がある。このようなモールドの凹凸パターンの破壊・摩耗・組成物の付着は、以降のショットのインプリント結果に悪影響を与える。
【０００５】
特に、組成物や異物の付着は大きな問題であり、これらが付着したまま次のショットのインプリントが行われると、モールドの凹凸パターンが破壊される原因となり得る。
【０００６】
そのため、モールドは付着した組成物や異物を取り除くため、定期的もしくは非定期的に洗浄される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１６−２７６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
繰り返しモールド洗浄を行うと、モールドの凹凸パターンは次第に劣化し凸部が細る。
【０００９】
モールドの凸部が細ると、充填時に凹部内にインプリント材が想定より多く入ることになり、当初のインプリント材の供給量では所望のパターンが形成されなくなってしまう。
【００１０】
また、インプリント材の残膜厚（ＲＬＴ）が面内で均一に保たれるように、凹凸パターンの粗密に応じてレジストの供給量は厳密に制御されている。しかし、劣化で凸部が細くなり、凹部で充填されるインプリント材が増加した場合、この増加量はパターンの粗密により面内で異なる。このためＲＬＴを均一に保てなくなってしまい、その後の工程で行うエッチングにばらつきが生じ、結果として製品の欠陥原因となる。
【００１１】
これを避けるため、特許文献１では、モールド洗浄と形成されたパターンの形状変化の関係を求めて、モールド洗浄回数に応じてドロップレシピを変更する方法が開示されている。
【００１２】
しかし、モールドの凹凸の状態を直接観察するには装置内または外部に相応の観察手段が必要となる。さらに、モールドの洗浄回数と実際のモールド劣化状態との関係は、モールド個体差や洗浄の条件によって異なることから、モールドの洗浄回数だけでは実際の劣化状態を予測するのは困難である。
【００１３】
本発明は、使用するモールドの劣化情報をより適切に取得し、好適なインプリントを行う方法と装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明に係るインプリント装置は、インプリント材を基板上に吐出し、該インプリント材をモールドと接触させた状態で硬化させ、硬化物を基板上に形成するインプリント装置であって、前記モールドに配置されたマークの劣化情報を取得する劣化情報取得手段と、前記劣化情報取得手段により取得された前記マークの劣化情報に基づいてインプリント材の吐出条件を設定する条件設定手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、モールドと共に洗浄等の処理に曝されてきたマークの劣化情報を取得し、これを用いてモールドの劣化状況を算出することで、モールドの凹凸の状態を直接観察する手段などを別途設ける必要がなく、簡便にモールドの使用可否およびモールドの劣化状態に基づいたインプリント条件を決定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態のインプリント装置を示した図である。
【図２】本発明の実施形態の位置合わせ方法を示した図である。
【図３】本発明の実施形態のモールドを示した図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の実施形態のモールドのパターン構成部を拡大して示した図であり、（Ｂ）は、本発明の実施形態のモールドの劣化したパターン構成部を拡大して示した図である。
【図５】本発明の実施例をフローチャートで示した図である。
【図６】（Ａ）は、劣化前の本発明の実施形態のインプリント材の塗布量を模式的に示した図であり、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の実施形態の行ったときのインプリント材の塗布量を模式的に示した図である。
【図７】本発明の実施形態のコントラスト値とドロップ係数対応表を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明の一側面としてのインプリント装置３５の構成を示す概略図である。インプリント装置３５は基板１上のインプリント材（硬化性組成物）とモールド１１を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールド１１を離型（剥離）することで基板上にパターンを形成（転写）するインプリント処理を行う。
【００１９】
本発明においては、モールド１１に配置されたマークの劣化情報を取得する劣化情報取得手段（アライメントスコープ）２３と、前記劣化情報取得手段２３により取得された前記マークの劣化情報に基づいてインプリント材の吐出条件を設定する吐出条件設定手段３６（制御部）と、を有する。
【００２０】
吐出条件設定手段３６は、劣化情報取得手段２３によって取得されたマークの劣化情報に基づいて、モールドの劣化度合いを算出する算出手段を有すると良く、マークの劣化度合いと、前記モールドの劣化度合いと、インプリント材の吐出条件と、が対応付けられていると良い。
【００２１】
また算出手段は、洗浄方法に対応するモールドのパターン形状変化と、洗浄方法に対応するマークの計測値に関する情報からモールドの劣化度合いを算出する手段であると良い。
【００２２】
マークの劣化情報は、マークのコントラスト値、マークからの反射光量、マークの線幅の少なくとも一つを含むことが好ましい。
【００２３】
マークは、モールドと基板とのアライメントのためのアライメントマークであることが好ましい。
【００２４】
吐出条件設定手段は、マークの劣化情報に基づいてドロップレシピを変更する手段であると良い。
【００２５】
吐出条件設定手段は、モールドの劣化度合いが閾値内であった場合、モールドの劣化度合いに基づいてインプリント材のドロップ量を制御し、モールドの劣化度合いが閾値から外れた場合、モールドの交換を促す合図を出力する手段であると良い。
【００２６】
アライメントマークは、単一の凹部または繰り返し構造の凹凸のパターンを有すると良い。アライメントマークは、凹部に金属が配置された構造を有すると良い。
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２８】
［インプリント装置の構成］
本実施形態に係るインプリント装置について詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態のインプリント装置３５の構成を示す概略図である。インプリント装置３５は、例えば、モールドチャック１２を介してモールド１１を保持するモールドステージ１３（モールド保持部）と、基板チャック２を介して基板１を保持して移動可能な基板ステージ３（基板保持部）と、ＵＶ光源である硬化部２４と、インプリント材供給部２０（ディスペンサ）と、制御部３６とを含みうる。制御部３６は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント装置３５の各部を制御してインプリント処理を制御する。
【００３０】
図１を参照するに、基板１は搬送ハンドなどを含む基板搬送部２２によってインプリント装置３５の外部から搬入され、基板チャック２に保持される。基板ステージ３はベース定盤４に載置され、基板１をＸ軸方向およびＹ軸方向の所定の位置に位置決めするための移動動作を行う。
【００３１】
モールド１１は基板１に転写すべきパターンを表面に有し、モールドチャック１２に固定される。モールドチャック１２はモールドステージ１３に載置され、モールド１１のＺ軸回りの傾きを補正する機能を有する。モールドチャック１２およびモールドステージ１３のそれぞれはＵＶ光源２４からコリメータレンズを介して照射されるＵＶ光を通過させる開口（不図示）を有する。またモールドチャック１２（またはモールドステージ１３）にはモールド１１の押し付け力（押印力）を検出するためのロードセルが配置されている。
【００３２】
ガイドバー８は一端がガイドバープレート７に固定され、天板６を貫通し、もう一方の端部はモールドステージ１３に固定される。モールド昇降エレベータ９はガイドバー８をＺ軸方向に駆動して、モールドチャック１２に保持されたモールド１１を基板１に押し付けたり、基板１から引き離（離型）したりする。アライメント棚１４はアライメント棚支柱１０を介して天板６に懸架される。アライメント棚１４はガイドバー８が貫通している。
【００３３】
またアライメント棚１４にはたとえば斜入射像ずれ方式を用いてチャック２に保持された基板１の高さ、または平坦度を計測するための高さ計測系（不図示）が配置されている。
【００３４】
モールドアライメント用のアライメントスコープ２３は、基板１上のマークとモールド１１に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系および撮像系を有する。アライメントスコープ２３は、ショット毎に基板上のマークとモールドに設けられたアライメントマークとの相対位置を計測し、その位置ずれを補正する、所謂ダイバイダイ方式のアライメントに使用される。
【００３５】
インプリント材供給部であるディスペンサ２０は基板１の表面に液状のインプリント材を吐出するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板上の複数のショット領域のそれぞれにインプリント材を配置（供給）する機能、より具体的には吐出（塗布）する機能を有する。
【００３６】
ディスペンサ２０は、たとえばピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板１上に１ｐＬ（ピコリットル）程度の非常に微小な容積のインプリント材を供給することができる。また、ディスペンサ２０を構成するディスペンサヘッドはシングルノズルであってもよいし、ノズルの数が１００を超えるリニアノズルアレイ、さらにいくつかのリニアノズルアレイを配置した構成であってもよい。
【００３７】
オフアクシスアライメントスコープ２１は、アライメント棚１４に載置され、基板上の複数のショット領域に−設けられたアライメントマークを計測し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理を行う。アライメントスコープ２３によってモールド１１と基板ステージ３との位置関係を求め、オフアクシスアライメントスコープ２１によって基板ステージ３と基板１との位置関係を求めることでモールド１１と基板１との相対的な位置合わせを行う事ができる。
【００３８】
スプレッドカメラ２５はインプリント材を介して押印されたモールド１１と基板１を同じ画角上で重ね合わせて観察できるようにモールド１１を俯瞰する位置に配置される。スプレッドカメラ２５は基板１上に吐出されたインプリント材がモールド１１に押し広げられる様子を撮像することにより、インプリント材が充填される様子を観察する。
【００３９】
距離計測部２６は基板ステージとモールドチャック１２に保持されたモールド１１の表面との距離をステージ３とモールド１１を相対的に移動しながら複数回計測し、モールド１１が正常にモールドチャック１２に正常に保持されているかを判定する事ができる。モールド１１が正常に保持されていない場合には、意図せずモールド１１が落ちたり、基板１上に供給されたインプリント材と意図しない角度でモールド１１が接触したりすることがある。この場合、インプリント後のパターン、例えば厚さなどが不正になるため、インプリント動作を停止する事ができる。
【００４０】
基板１上のインプリント材とモールドの位置合わせが終わると、ＵＶ光源２４によりインプリント材を硬化する波長をもった光が照射される。インプリント材の硬化が終わるとモールド昇降エレベータ９によりモールド１１はインプリント材から引き剥がされる。このようにして基板１上にモールド１１のパターンを転写したインプリント材の硬化物が形成される。
【００４１】
図２を用いて基板１とモールド１１のアライメント方法に関して詳細に説明する。
【００４２】
図２はモールド１１と基板１の位置合わせの様子の側面視図である。モールド１１には位置合わせで観察するマーク３１が設けられている。また基板１にも位置合わせで観察するマーク３２が設けられている。位置合わせは、モールド１１と基板１を重ね合わせて観察可能な位置（図２では上）からアライメントスコープ２３によってマーク３１と、基板１に設けられたマーク３２とをひとつの画角で重ねて観察し、モールド１１と基板１の相対位置を検出する。アライメント用照明光源（不図示）から照明されたマーク３１、３２で回折した光はモアレ（モアレ縞）としてアライメントスコープの撮像素子に結像する。モアレに基づいてマーク３１とマーク３２との相対位置を求める。相対位置情報を基板ステージ３に指令しモールド１１に対し基板１が駆動する事で位置合わせが行われる。
【００４３】
図３にモールドの実施形態を示す。モールド１１は、融解石英、有機ポリマー、金属を含んで良いが、それらの材料のみに限定される必要はない。モールド１１は中央部に掘り込まれたくぼみ部３０２を有すると良い。くぼみ部３０２の厚みは１ｍｍ程度が適当である。くぼみ部３０２の無い側のモールド面を第１面、くぼみ部３０２の有る側のモールド面を第２面とする。パターン部３０１は第１面側のくぼみ領域の中心に形成される。パターン部３０１はパターン基板３０５とパターンからなり、パターン基部３０５は３０ｕｍ程度の厚みで構成される。パターンは、例えば微小なパターンでは数ｎｍ、十数ｎｍのパターンが形成されることもあり、その場合、パターン凸部３０４からパターン凹部３０３のパターン深さは数十ｎｍから数百ｎｍ程度で構成される。また、パターン基部３０５にはアライメントスコープ２３で観察するためのモールド側マーク３０６が具備される。アライメントスコープ２３でモールド側マーク３０６を観察して、マーク３０６のコントラスト値を得る。
【００４４】
図３ではマーク３０６はモールド１１の四隅に配置したが、自在にマーク個数、配置場所を変更しても良い。
【００４５】
図４にパターン基部３０５を拡大した図を示す。パターン基部３０５に新たにモールド観察用マーク（不図示）を取り付けても良いが、アライメントスコープ２３で観察するためのモールド側マーク（アライメントマーク）３０６でモールド観察用マークを併用しても良い。
【００４６】
その場合、アライメントマークは、単一の凹部のみで構成されていても良いが、繰り返し構造の凹凸のパターンを有しても良い。凹部にＣｒなどの金属が配置された構造を有すると良い。
【００４７】
図６にモールドやプロセスの組み合わせで決まるレイアウト情報、インプリント材の吐出量（塗布量）を示す。レイアウト情報、インプリント材の吐出量（塗布量）からなるドロップ情報をドロップレシピと呼ぶ。ディスペンサ２０はドロップレシピに従いインプリント材を吐出（塗布）する。
【００４８】
［インプリント方法について］
以下に、本発明に係るインプリント方法について述べる。
【００４９】
本実施形態のインプリント方法は、インプリント材を基板上に吐出する工程、モールドを該インプリント材と接触させた状態で硬化させる工程、硬化後のインプリント材とモールドとを離間させ、硬化物パターンを基板上に形成する工程、を有する。
【００５０】
そして、前記モールドに配置されたマークから前記マークの劣化情報を取得する工程と、取得した前記マークの劣化情報に基づいてインプリント材の吐出条件を設定する工程と、をさらに有する。
【００５１】
これにより、使用するモールドの劣化情報をより適切に取得し、好適なインプリントを行うことができる。
【００５２】
吐出条件を設定する工程は、取得する工程で取得されたマークの劣化情報に基づいて、モールドの劣化度合いを算出する算出工程を有しており、マークの劣化度合いと、モールドの劣化度合いと、インプリント材の吐出条件と、が対応付けられていることが好ましい。
【００５３】
また、吐出条件を設定する工程は、洗浄方法に対応するモールドのパターン形状変化と、洗浄方法に対応するモールドのマーク計測値に関する情報からモールドの劣化度合いを算出する工程であることが好ましい。
【００５４】
また、マークを用いてモールドと基板のアライメントを行うアライメント工程をさらに有することが好ましい。
【００５５】
吐出条件を設定する工程は、ドロップレシピを変更する工程であると良い。
【００５６】
また、上述のインプリント方法を用いて、基板を加工して物品を製造することができ、半導体基板、光学部材を加工することで、それぞれ半導体素子、光学部品を製造することができる。
【００５７】
以下に実施形態を用いて、本発明をより詳細に説明する。
【００５８】
（第一の実施形態）
本形態は、モールドの劣化に対して変更されるインプリント条件がドロップレシピである形態を用いて詳細に説明する。
【００５９】
以下に本発明の第一の実施形態を図５のフローチャートに沿って述べる。
【００６０】
Ｓ５０１では、マークの劣化情報取得手段であるアライメントスコープ２３でモールド１１のモールド側マーク３０６を計測する。マーク３０６は、パターン基部３０５に新たにモールド観察専用のマーク（不図示）を取り付けても良いが、アライメントスコープ２３で観察するためのモールド側マーク３０６でモールド観察用マークを併用しても良い。マーク３０６を計測するタイミングは生産性を考慮して、装置が非生産の時に実施することが望ましいが、ディスペンサ２０でインプリント材を塗布する前であれば、タイミングはどこでも良い。
【００６１】
Ｓ５０２ではアライメントスコープに接続する算出手段（コンピュータ）を用いて前記Ｓ５０１で得た計測結果からコントラスト値を求める。ここではインプリント装置内でモールド１１のマーク３０６を計測してコントラスト値を求めたが、あらかじめモールド１１を装置外で計測して得たコントラスト値をインプリント装置に入力する形式をとってもよい。
【００６２】
Ｓ５０３では、コンストラスト値が低くなりあらかじめ設定した閾値から外れたとき、そのモールドでインプリントを行うと不良ロットを作るものと判断し、交換を促すための合図（エラーメッセージ）をユーザに通知（出力）する（モールド寿命の通知）。さらに自動でモールド交換を行えば、不良ロットの製造を防ぎ、さらに生産性の低下を最小限に抑えることができる。
【００６３】
Ｓ５０４では、コンストラスト値があらかじめ設定した閾値内にあった場合に、コントラスト値からモールドの劣化状態を予測（計算）し、インプリント材の塗布量を補正するためのドロップ補正係数を求める。図４はモールドが新品の時を示す図である。コントラスト値から図４Ａに第一パターン凸面３０４にあるようなモールドの劣化状態を予測計算して、ドロップ補正係数を求める。下記にドロップ補正係数を計算で求めるときの一例を示す。
【００６４】
まず、モールドの設計値で決まる基準線幅Ｘ、モールド個体差やモールド洗浄の条件で変化する劣化係数Ｚと、モールドのマーク３０６のコントラスト値Ｗから現在の線幅Ｙ（ｎｍ）を算出する。
Ｙ＝Ｘ−（１００−Ｗ×Ｙ）＋Ｑ      （式１）
【００６５】
式１において、基準線幅Ｘ（ｎｍ）は、モールドの設計値で決まるパラメータで必須パラメータであり、劣化係数Ｚはモールド個体差やモールド洗浄の条件に依存するパラメータで必須パラメータである。オフセット値Ｑ（ｎｍ）はコントラスト値Ｗの全域（０％〜１００％）に効く値であるが、これは必須パラメータではないので０．０でも良い。
【００６６】
現在の線幅Ｙが求まったら、基準線幅Ｘと現在の線幅Ｙの比率からドロップ補正係数Ｄを求めることができる。
Ｄ＝Ｘ／Ｙ    （式２）
【００６７】
各数式に数値を入力した計算例を以下に示す。
【００６８】
あるモールドの基準線幅Ｘが１００ｎｍ、劣化係数Ｚが１．５、オフセットＱが０．０であり、コントラスト値Ｗが１００％の場合、現在の線幅Ｙは１００ｎｍになり、ドロップ補正係数Ｄは１．０となる。一方で、コントラスト値Ｗが５０％の時、現在の線幅Ｙは２５ｎｍになり、ドロップ補正係数Ｄは４．０となる。
【００６９】
Ｓ５０４でドロップ補正係数の計算方法について述べたが、図７で示すようにコンストラスト値Ｗとドロップ補正係数Ｄとを紐づける対応表を用意して、コンストラスト値Ｗからドロップ補正係数Ｄを直接導き出す方法でも良い。コントラスト値Ｗとドロップ補正量の対応づけは、例えば前述の（式１）、および（式２）に示す式で算出した結果を用いることで実現できる。なお対応表を用いるなら、モールド個別で対応表を用意することが望ましい。
【００７０】
Ｓ５０５では、ここまでに求めたドロップ補正係数Ｄをドロップレシピに反映する。具体的には、図６（Ａ）にあるドロップレシピのドロップ量ＬにＳ５０４で求めたドロップ補正係数Ｄを反映する。
Ｍ＝Ｌ×Ｄ  （式３）
【００７１】
式３において、Ｍは補正後のドロップ量（新ドロップ量）である。
【００７２】
各数式に数値を入力した計算例を以下に示す。
【００７３】
あるモールドの基準線幅Ｘが１００ｎｍ、劣化係数Ｚが１．５、オフセットＱが０．０であり、コントラスト値Ｗが５０％の場合、現在の線幅Ｙは２５ｎｍになり、ドロップ補正係数Ｄは４．０となる。
【００７４】
図６を例にすると、ドロップレシピの旧ドロップ量Ｌは１．０［ｐｌ］である。これにドロップ補正係数Ｄ（＝４．０）を反映させると新ドロップ量Ｍは４．０［ｐｌ］となる。ここで求めた新ドロップ量Ｍをドロップレシピに反映すると図６（Ｂ）に示すドロップレシピとなる。
【００７５】
１つのマーク３０６から得たコントラスト値Ｗから、全てのドロップレシピを一律で補正することができるが、仮にモールド１１上にアライメントスコープ２３で測れるマークが４つ（モールド１１の左上ＬＦ，  左下ＬＢ，  右下ＲＢ，  右上ＲＦ）あるなら、４つのコントラスト値Ｗをそれぞれ求めることができる。この４つのマークのコントラスト値Ｗを用い、各マーク位置からの距離に対応した重み付けを行うことで、マーク位置とドロップ位置に応じたドロップ量の補正が可能となり、より細やかな補正ができる。
【００７６】
図６（Ｃ）ではモールド１１の左上のコントラストが高く、左下、右上、右下のコントラスト値が低く出た時に補正したドロップレシピを示す。
【００７７】
上記で設定（変更）されたインプリント条件（吐出条件）を用い、ディスペンサ２０により基板上にインプリント材を塗布する。ドロップレシピを変更し、異なる吐出量や吐出位置を制御することは従来のインクジェット技術を用いて容易に実施することができ、これらを制御、変更が可能な制御手段もコンピュータ制御で実現できる。
【００７８】
（その他の実施形態）
第一の実施形態では、マークのコントラスト値をマークの劣化情報として用いる形態を説明したが、劣化情報およびその取得手段についてはこれに限らず、本発明は種々の形態をとり得る。
【００７９】
例えば、マークからの反射光量をマークの劣化およびモールドの劣化と関連付けることや、マークの線幅もこれらの劣化情報と関連付けることができる。
【００８０】
またこれらを組み合わせてより詳細な相関係数を導き出し、モールドの劣化度合いを算出するようにしてもよい。
【００８１】
以上に述べたように本発明は、モールドの劣化状態を把握し、モールドの劣化状態からドロップレシピの設定をできるものである。
【符号の説明】
【００８２】
１  基板
２  基板チャック
３  基板ステージ
４  ベース定盤
５  支柱
６  天板
７  ガイドバープレート
８  ガイドバー
９  モールド昇降エレベータ
１０  アライメント棚支柱
１１  モールド
１２  モールドチャック
１３  モールドステージ
１４  アライメント棚
２０  インプリント材供給部（ディスペンサ）
２１  オフアクシスアライメントスコープ
２２  基板搬送部
２３  アライメントスコープ
２４  硬化部（ＵＶ光源）
２５  スプレッドカメラ
２６  距離計測部
３１、３２  マーク
３５  インプリント装置
３０１  第１パターン部
３０２  くぼみ部
３０３  第１パターン凹面
３０４  第１パターン凸面
３０５  第１パターン基部
３０６  モールド側マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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