(57)【要約】【課題】偏光分離性能に影響を及ぼさずに、ワイヤー状金属層の腐食を抑制することのできるワイヤーグリッド偏光装置、および該ワイヤーグリッド偏光装置を備えた投射型表示装置を提供すること。【解決手段】ワイヤーグリッド偏光装置１では、透光性基板２の光が入射する有効領域２１の一方面２ａ側に、複数のワイヤー状金属層４１が並列したワイヤーグリッド４が形成されている。ワイヤー状金属層４１は各々、アルミニウムまたは銀を主成分とする。有効領域２１の外側では、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５がワイヤー状金属層４１に電気的に接続している。このため、高温多湿条件下でのワイヤー状金属層４１の腐食を犠牲電極５によって抑制することができる。犠牲電極５は、有効領域２１の外側に設けられているため、偏光分離性能に影響を及ぼさない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、
前記透光性基板の光が入射する有効領域の一方面側で複数のワイヤー状金属層が並列して延在するワイヤーグリッドと、
前記有効領域の外側に設けられ、前記ワイヤー状金属層よりイオン化傾向が大きい金属によって構成された犠牲電極と、
を有することを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項２】
請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記ワイヤー状金属層と前記犠牲電極とは、前記有効領域の外側で電気的に接続されていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記犠牲電極は、前記透光性基板に設けられていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項４】
請求項３に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記犠牲電極は、前記透光性基板の前記一方面に設けられていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項５】
請求項３に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記犠牲電極は、前記透光性基板の側面に設けられていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項６】
請求項３に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記犠牲電極は、前記透光性基板の前記一方面とは反対側の面に設けられていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項７】
請求項１または２に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記透光性基板を支持する支持部材を有し、
前記犠牲電極は、前記支持部材に設けられていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項８】
請求項７に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記支持部材が前記ワイヤー状金属層よりイオン化傾向が大きい金属によって構成され、前記支持部材によって前記犠牲電極が構成されていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項９】
請求項１から８までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記ワイヤー状金属層は、主成分がアルミニウムであり、
前記犠牲電極は、主成分がマグネシウムであることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項１０】
請求項１から８までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光装置において、
前記ワイヤー状金属層は、主成分が銀であり、
前記犠牲電極は、主成分がマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、タンタル、亜鉛、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマス、および銅のいずれかであることを特徴とするワイヤーグリッド偏光装置。
【請求項１１】
請求項１から１０までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光装置を備えた投射型表示装置であって、
液晶パネルと、
前記液晶パネルに供給される光を出射する光源部と、
前記液晶パネルによって変調された光を投射する投射光学系と、
を有し、
前記光源部から前記液晶パネルを経由して前記投射光学系に到る光路に前記ワイヤーグリッド偏光装置が配置されていることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のワイヤー状金属層が並列して延在するワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光装置、および該ワイヤーグリッド偏光装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
投射型表示装置は、液晶パネルと、液晶パネルに供給される光を出射する光源部と、ライドバルブによって変調された光を投射する投射光学系とを有しており、光源部から液晶パネルを経由して投射光学系に到る光路に偏光装置が配置されている。かかる偏光装置として、透光性基板の一方面に、アルミニウムまたは銀を主成分とする複数の細線が並列して延在するワイヤーグリッドが形成されたワイヤーグリッド偏光装置（無機偏光装置）が提案されている。
【０００３】
一方、ワイヤーグリッド偏光装置では、アルミニウムまたは銀を主成分とするワイヤー状金属層が高温多湿条件下で腐食すると、腐食生成物の影響で偏光分離性能が低下するおそれがあることから、ワイヤー状金属層の表面をアミノホスホネートの単分子層からなる保護層で覆うことが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００６−５０７５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ワイヤー状金属層の表面をアミノホスホネートの単分子層からなる保護層で覆うと、保護層の偏光特性の影響でワイヤーグリッド偏光装置の偏光分離性能が低下するという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、偏光分離性能に影響を及ぼさずに、ワイヤー状金属層の腐食を抑制することのできるワイヤーグリッド偏光装置、および該ワイヤーグリッド偏光装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係るワイヤーグリッド偏光装置は、透光性基板と、前記透光性基板の光が入射する有効領域の一方面側で複数のワイヤー状金属層が並列して延在するワイヤーグリッドと、前記有効領域の外側に設けられ、前記ワイヤー状金属層よりイオン化傾向が大きい金属によって構成された犠牲電極と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るワイヤーグリッド偏光装置では、ワイヤー状金属層よりイオン化傾向が大きい金属によって構成された犠牲電極が設けられているため、ワイヤー状金属層と犠牲電極とを電気的に接続しておけば、高温多湿条件下でワイヤー状金属層に水が接触しても、ワイヤー状金属層と犠牲電極との間に水分が介在した状態では、犠牲電極が陽極となり、ワイヤー状金属層が負極となる。このため、ワイヤー状金属層の腐食を抑制することができる。また、犠牲電極は、有効領域の外側に設けられているため、ワイヤーグリッド偏光装置の偏光分離性能に影響を及ぼさない。
【０００９】
本発明において、前記ワイヤー状金属層と前記犠牲電極とは、前記有効領域の外側で電気的に接続されている態様を採用することができる。かかる態様によれば、ワイヤーグリッドと犠牲電極とが予め、電気的に接続されているため、ワイヤー状金属層と犠牲電極とを電気的に接続する作業等を行わなくても、ワイヤー状金属層の腐食を抑制することができる。
【００１０】
本発明において、前記犠牲電極は、前記透光性基板に設けられている態様を採用することができる。
【００１１】
この場合、前記犠牲電極は、前記透光性基板の前記一方面に設けられている態様を採用することができる。また、前記犠牲電極は、前記透光性基板の側面に設けられている態様を採用してもよい。また、前記犠牲電極は、前記透光性基板の前記一方面とは反対側の面に設けられている態様を採用してもよい。
【００１２】
本発明において、ワイヤーグリッド偏光装置が前記透光性基板を支持する支持部材を有する場合、前記犠牲電極は、前記支持部材に設けられている態様を採用することができる。
【００１３】
本発明において、前記支持部材が前記ワイヤー状金属層よりイオン化傾向が大きい金属によって構成され、前記支持部材によって前記犠牲電極が構成されている態様を採用してもよい。
【００１４】
本発明において、前記ワイヤー状金属層は、主成分がアルミニウムであり、前記犠牲電極は、主成分がマグネシウムである態様を採用することができる。この場合、マグネシウムの標準酸化還元電位が−２．３７Ｖであり、アルミニウムの標準酸化還元電位が−１．６６Ｖであり、イオン化傾向に大きな差がある。また、マグネシウムであれば、イオン化傾向が大きい他の金属より化学的安定性が高いという利点がある。
【００１５】
本発明において、前記ワイヤー状金属層は、主成分が銀であり、前記犠牲電極は、主成分がマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、タンタル、亜鉛、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマス、および銅のいずれかである態様を採用することができる。ワイヤー状金属層の主成分が銀であれば、ワイヤー状金属層の主成分がアルミニウムよりイオン化傾向が小さいので、犠牲電極に用いることができる金属材料の選択範囲が広いという利点がある。
【００１６】
本発明に係るワイヤーグリッド偏光装置は投射型表示装置に用いることができる。投射型表示装置は、液晶パネルと、前記液晶パネルに供給される光を出射する光源部と、前記液晶パネルによって変調された光を投射する投射光学系と、を有し、前記光源部から前記液晶パネルを経由して前記投射光学系に到る光路に前記ワイヤーグリッド偏光装置が配置されている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態１に係るワイヤーグリッド偏光装置の斜視図である。
【図２】図１に示すワイヤーグリッド偏光装置の平面図である。
【図３】本発明の実施形態２に係るワイヤーグリッド偏光装置の斜視図である。
【図４】図３に示すワイヤーグリッド偏光装置の平面図である。
【図５】本発明の実施形態３に係るワイヤーグリッド偏光装置を裏面側からみたときの斜視図である。
【図６】図５に示すワイヤーグリッド偏光装置の底面図である。
【図７】本発明の実施形態４に係るワイヤーグリッド偏光装置の斜視図である。
【図８】透過型の液晶パネルを用いた投射型表示装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、ワイヤーグリッド４（ワイヤー状金属層４１）が延在している方向をＹ方向とし、ワイヤー状金属層４１が並列している方向をＸ方向としてある。
【００１９】
［実施形態１］
（ワイヤーグリッド偏光装置１の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係るワイヤーグリッド偏光装置１の斜視図である。図２は、図１に示すワイヤーグリッド偏光装置１の平面図である。
【００２０】
図１および図２に示すワイヤーグリッド偏光装置１は、透光性基板２と、透光性基板２の光が入射する有効領域２１の一方面２ａ側でＹ方向に延在する複数のワイヤー状金属層４１（金属細線）がＸ方向で並列したワイヤーグリッド４とを有している。複数のワイヤー状金属層４１は各々、アルミニウムまたは銀を主成分とする。このため、可視光波長領域においてワイヤーグリッド４での吸収損失を小さく抑えることができる。透光性基板２としては、ガラス基板、石英基板、水晶基板等が用いられる。本実施形態において、透光性基板２は水晶基板である。透光性基板２は、例えば１辺が約２０ｍｍから３０ｍｍの四角形状を有しており、厚さは０．５ｍｍから０．８ｍｍである。ワイヤー状金属層４１の太さ、およびスペース（ワイヤー状金属層４１の間隔）は、例えば４００ｎｍ以下である。本実施形態において、ワイヤー状金属層４１の太さおよびスペースは各々、例えば５０ｎｍから２００ｎｍである。例えば、ワイヤー状金属層４１の太さおよびスペースは各々、５０ｎｍであり、ワイヤー状金属層４１の厚さは、２００ｎｍである。
【００２１】
このように構成したワイヤーグリッド４において、ワイヤー状金属層４１のピッチが入射光の波長よりも十分短ければ、入射光のうち、ワイヤー状金属層４１の長手方向に直交する電場ベクトルを有する成分である第１偏光の光は透過し、ワイヤー状金属層４１の長手方向と平行な電場ベクトルを有する成分である第２偏光の光は反射される。
【００２２】
（犠牲電極５の構成）
ワイヤーグリッド偏光装置１において、有効領域２１の外側には、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が設けられている。本形態において、犠牲電極５は、透光性基板２に設けられている。より具体的には、透光性基板２の一方面２ａにおいて、有効領域２１と透光性基板２の側面２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆとの間は、有効領域２１の周りを囲む枠状の周辺領域２２になっており、周辺領域２２には、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が設けられている。本形態において、ワイヤー状金属層４１は、一部が有効領域２１からＹ方向に突出して周辺領域２２まで延在しており、犠牲電極５は、周辺領域２２においてワイヤー状金属層４１のＹ方向の端部４１１に被さってワイヤー状金属層４１と接している。従って、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とは電気的に接続している。
【００２３】
かかる態様は、透光性基板２の一方面２ａにワイヤーグリッド４（ワイヤー状金属層４１）を形成した後、有効領域２１をマスクで覆った状態で犠牲電極５を成膜することによって実現することができる。
【００２４】
ここで、各種金属の標準酸化還元電位Ｅ０は、以下に示す通りであり、標準酸化還元電位Ｅ０が低い方が、イオン化傾向が大きい。
リチウム        Ｌｉ＝Ｌｉ＋＋ｅ−      Ｅ０＝−３．０５Ｖ
セシウム        Ｃｓ＝Ｃｓ＋＋ｅ−      Ｅ０＝−２．９３Ｖ
ルビジウム      Ｒｂ＝Ｒｂ＋＋ｅ−      Ｅ０＝−２．９３Ｖ
カリウム        Ｋ＝Ｋ＋＋ｅ−          Ｅ０＝−２．９３Ｖ
バリウム        Ｂａ＝Ｂａ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−２．９０Ｖ
ストロンチウム  Ｓｒ＝Ｓｒ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−２．８９Ｖ
カルシウム      Ｃａ＝Ｃａ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−２．８７Ｖ
ナトリウム      Ｎａ＝Ｎａ＋＋ｅ−      Ｅ０＝−２．７１Ｖ
マグネシウム    Ｍｇ＝Ｍｇ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−２．３７Ｖ
ベリリウム      Ｂｅ＝Ｂｅ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−１．８５Ｖ
アルミニウム    Ａｌ＝Ａｌ３＋＋３ｅ−  Ｅ０＝−１．６６Ｖ
チタン          Ｔｉ＝Ｔｉ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−１．６３Ｖ
ジルコニウム    Ｚｒ＝Ｚｒ４＋＋４ｅ−  Ｅ０＝−１．５３Ｖ
チタン          Ｔｉ＝Ｔｉ３＋＋３ｅ−  Ｅ０＝−１．２１Ｖ
マンガン        Ｍｎ＝Ｍｎ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−１．１８Ｖ
クロム          Ｃｒ＝Ｃｒ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．９１Ｖ
バナジウム      Ｖ＝Ｖ３＋＋３ｅ−      Ｅ０＝−０．８８Ｖ
亜鉛            Ｚｎ＝Ｚｎ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．７６Ｖ
クロム          Ｃｒ＝Ｃｒ３＋＋３ｅ−  Ｅ０＝−０．７４Ｖ
鉄              Ｆｅ＝Ｆｅ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．４４Ｖ
カドミウム      Ｃｄ＝Ｃｄ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．４０Ｖ
インジウム      Ｉｎ＝Ｉｎ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．３４Ｖ
マンガン        Ｍｎ＝Ｍｎ３＋＋３ｅ−  Ｅ０＝−０．２８Ｖ
ニッケル        Ｎｉ＝Ｎｉ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．２５Ｖ
スズ            Ｓｎ＝Ｓｎ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．１４Ｖ
鉛              Ｐｂ＝Ｐｂ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝−０．１３Ｖ
鉄              Ｆｅ＝Ｆｅ３＋＋３ｅ−  Ｅ０＝−０．０４Ｖ
銅              Ｃｕ＝Ｃｕ２＋＋２ｅ−  Ｅ０＝＋０．３４Ｖ
銅              Ｃｕ＝Ｃｕ＋＋ｅ−      Ｅ０＝＋０．５２Ｖ
銀              Ａｇ＝Ａｇ＋＋ｅ−      Ｅ０＝＋０．８０Ｖ
【００２５】
従って、ワイヤー状金属層４１の主成分がアルミニウムである場合、主成分がマグネシウムである金属等によって犠牲電極５が構成されている。この場合、マグネシウムの標準酸化還元電位が−２．３７Ｖであり、アルミニウムの標準酸化還元電位が−１．６６Ｖであり、イオン化傾向に大きな差がある。また、マグネシウムであれば、イオン化傾向が大きい他の金属より化学的安定性が高いという利点がある。また、ワイヤー状金属層４１の主成分が銀である場合、主成分がマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、タンタル、亜鉛、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマス、および銅のいずれかである金属等によって犠牲電極５が構成されている。ワイヤー状金属層４１の主成分が銀であれば、ワイヤー状金属層４１の主成分がアルミニウムよりイオン化傾向が小さいので、犠牲電極５に用いることができる金属材料の選択範囲が広いという利点がある
【００２６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態のワイヤーグリッド偏光装置１では、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい金属によって構成された犠牲電極５が設けられている。このため、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とを電気的に接続しておけば、高温多湿条件下でワイヤー状金属層４１に水が接触しても、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５との間に水分が介在した状態では、犠牲電極５が陽極となり、ワイヤー状金属層４１が負極となる。このため、ワイヤー状金属層４１が、水分中の不純物によって腐食することを抑制することができる。また、犠牲電極５は、有効領域２１の外側に設けられているため、ワイヤーグリッド偏光装置１の偏光分離性能に影響を及ぼさない。
【００２７】
また、本形態では、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とが予め、電気的に接続されているため、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とを電気的に接続する作業等を行わなくても、ワイヤー状金属層４１の腐食を抑制することができる。
【００２８】
［実施形態２］
図３は、本発明の実施形態２に係るワイヤーグリッド偏光装置１の斜視図である。図４は、図３に示すワイヤーグリッド偏光装置１の平面図である。なお、本形態および後述する各実施形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００２９】
図３および図４に示すように、本実施形態のワイヤーグリッド偏光装置１も、実施形態１と同様、透光性基板２と、透光性基板２の光が入射する有効領域２１の一方面２ａ側でＹ方向に延在する複数のワイヤー状金属層４１がＸ方向で並列したワイヤーグリッド４とを有している。複数のワイヤー状金属層４１は各々、アルミニウムまたは銀を主成分とする。本実施形態のワイヤーグリッド偏光装置１においても、実施形態１と同様、有効領域２１の外側には、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が設けられている。より具体的には、ワイヤー状金属層４１がアルミニウムである場合、主成分がマグネシウムである金属等によって犠牲電極５が構成されている。また、ワイヤー状金属層４１が銀である場合、主成分がマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、タンタル、亜鉛、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマス、および銅のいずれかである金属等によって犠牲電極５が構成されている。
【００３０】
本形態において、犠牲電極５は、透光性基板２に設けられている。より具体的には、透光性基板２の側面２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆの少なくとも１つの側面には、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が設けられている。本形態では、透光性基板２の側面２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆのいずれにも犠牲電極５が設けられている。また、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とは電気的に接続している。より具体的には、ワイヤー状金属層４１は、一部が有効領域２１からＹ方向に突出して周辺領域２２の外縁まで延在しており、犠牲電極５は、周辺領域２２の外縁においてワイヤー状金属層４１のＹ方向の端面４１２に被さってワイヤー状金属層４１と接している。
【００３１】
かかる態様は、透光性基板２の一方面２ａにワイヤーグリッド４（ワイヤー状金属層４１）を形成した後、有効領域２１をマスクで覆った状態で透光性基板２の側面２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆに犠牲電極５を形成することにより実現することができる。
【００３２】
このように構成したワイヤーグリッド偏光装置１でも、実施形態１と同様、犠牲電極５によってワイヤー状金属層４１の腐食を抑制することができる。また、犠牲電極５は、有効領域２１の外側に設けられているため、ワイヤーグリッド偏光装置１の偏光分離性能に影響を及ぼさない等、実施形態１と同様な効果を奏する。
【００３３】
［実施形態３］
図５は、本発明の実施形態３に係るワイヤーグリッド偏光装置１を裏面側からみたときの斜視図である。図６は、図５に示すワイヤーグリッド偏光装置１の底面図である。図５および図６に示すように、本実施形態のワイヤーグリッド偏光装置１も、実施形態１と同様、透光性基板２と、透光性基板２の光が入射する有効領域２１の一方面２ａ側でＹ方向に延在する複数のワイヤー状金属層４１がＸ方向で並列したワイヤーグリッド４とを有している。複数のワイヤー状金属層４１は各々、アルミニウムまたは銀を主成分とする。本実施形態のワイヤーグリッド偏光装置１においても、実施形態１と同様、有効領域２１の外側には、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が設けられている。より具体的には、ワイヤー状金属層４１がアルミニウムである場合、主成分がマグネシウムである金属等によって犠牲電極５が構成されている。また、ワイヤー状金属層４１が銀である場合、主成分がマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、タンタル、亜鉛、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマス、および銅のいずれかである金属等によって犠牲電極５が構成されている。
【００３４】
本形態において、犠牲電極５は、透光性基板２に設けられている。より具体的には、透光性基板２において、ワイヤー状金属層４１が形成されている一方面２ａとは反対側の他方面２ｂ（裏面）には、周辺領域２２と平面視で重なるようにワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が枠状に設けられている。
【００３５】
ここで、ワイヤー状金属層４１は、一部が有効領域２１からＹ方向に突出して周辺領域２２の外縁まで延在している。また、透光性基板２の側面２ｃ、２ｅにも犠牲電極５が設けられており、犠牲電極５は、周辺領域２２の外縁においてワイヤー状金属層４１のＹ方向の端面４１２にも形成されている。従って、ワイヤー状金属層４１と、透光性基板２の他方面２ｂに形成された犠牲電極５とは、透光性基板２の側面２ｃ、２ｅおよびワイヤー状金属層４１のＹ方向の端面４１２に形成された犠牲電極５を介して電気的に接続されている。
【００３６】
かかる態様は、透光性基板２の一方面２ａにワイヤーグリッド４（ワイヤー状金属層４１）を形成した後、有効領域２１をマスクで覆った状態で透光性基板２の他方面２ｂおよび側面２ｃ、２ｅに犠牲電極５を形成することにより実現することができる。
【００３７】
このように構成したワイヤーグリッド偏光装置１でも、実施形態１と同様、犠牲電極５によってワイヤー状金属層４１の腐食を抑制することができる。また、犠牲電極５は、有効領域２１の外側に設けられているため、ワイヤーグリッド偏光装置１の偏光分離性能に影響を及ぼさない等、実施形態１と同様な効果を奏する。
【００３８】
［実施形態４］
図７は、本発明の実施形態４に係るワイヤーグリッド偏光装置１を斜視図である。図７に示すように、本実施形態のワイヤーグリッド偏光装置１も、実施形態１と同様、透光性基板２と、透光性基板２の光が入射する有効領域２１の一方面２ａ側でＹ方向に延在する複数のワイヤー状金属層４１がＸ方向で並列したワイヤーグリッド４とを有している。複数のワイヤー状金属層４１は各々、アルミニウムまたは銀を主成分とする。
【００３９】
本形態において、ワイヤーグリッド偏光装置１は、透光性基板２の他方面２ｂに接する状態で透光性基板２を支持する支持部材６を有しており、支持部材６は、透光性基板２の有効領域２１に平面視で重なる領域に開口部（図示せず）が設けられた枠状部材である。本形態において、透光性基板２と支持部材６とは、透光性基板２の側面２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆと支持部材６とに跨るように塗布された接着剤（図示せず）によって固定されている。なお、透光性基板２と支持部材６とは、透光性基板２の他方面２ｂと支持部材６との間に塗布された導電性の接着剤（図示せず）によって固定されている場合もある。
【００４０】
このように構成したワイヤーグリッド偏光装置１でも、実施形態１と同様、有効領域２１の外側には、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい犠牲電極５が設けられている。より具体的には、ワイヤー状金属層４１がアルミニウムである場合、主成分がマグネシウムである金属等によって犠牲電極５が構成されている。また、ワイヤー状金属層４１が銀である場合、主成分がマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、タンタル、亜鉛、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビスマス、および銅のいずれかである金属等によって犠牲電極５が構成されている。
【００４１】
本形態において、犠牲電極５は、支持部材６に設けられている。本形態において、支持部材６は、ワイヤー状金属層４１よりイオン化傾向が大きい金属によって構成されており、支持部材６によって第１犠牲電極５１が構成されている。
【００４２】
第１犠牲電極５１は、ワイヤー状金属層４１に電気的に接続されている。本形態では、第１犠牲電極５１をワイヤー状金属層４１に電気的に接続するにあたって、透光性基板２に第２犠牲電極５２を設け、第２犠牲電極５２を介して第１犠牲電極５１をワイヤー状金属層４１に電気的に接続している。より具体的には、透光性基板２では、実施形態３と同様、ワイヤー状金属層４１は、一部が有効領域２１からＹ方向に突出して周辺領域２２の外縁まで延在している。また、透光性基板２の側面２ｃ、２ｅ、および透光性基板２の他方面２ｂには、第２犠牲電極５２が設けられており、第２犠牲電極５２は、周辺領域２２の外縁においてワイヤー状金属層４１のＹ方向の端面４１２にも形成されている。また、透光性基板２の他方面２ｂに形成された第２犠牲電極５２は支持部材６と接している。従って、ワイヤー状金属層４１と支持部材６（第１犠牲電極５１）とは、透光性基板２の他方面２ｂ、透光性基板２の側面２ｃ、２ｅ、およびワイヤー状金属層４１のＹ方向の端面４１２に形成された第２犠牲電極５２を介して電気的に接続されている。それ故、犠牲電極５は、第１犠牲電極５１と第２犠牲電極５２とによって構成されている。
【００４３】
このように構成したワイヤーグリッド偏光装置１でも、実施形態１と同様、犠牲電極５によってワイヤー状金属層４１の腐食を抑制することができる。また、犠牲電極５は、有効領域２１の外側に設けられているため、ワイヤーグリッド偏光装置１の偏光分離性能に影響を及ぼさない等、実施形態１と同様な効果を奏する。
【００４４】
［実施形態４］
上記実施形態１〜３において、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とはワイヤーグリッド偏光装置１の段階で電気的に接続されている。但し、ワイヤーグリッド偏光装置１の状態では、ワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とが電気的に接続されておらず、ワイヤーグリッド偏光装置１が高温多湿条件下に置かれる際にワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とが電気的に接続する態様であってもよい。例えば、実施形態４において、透光性基板２に第２犠牲電極５２が形成されておらず、ワイヤーグリッド偏光装置１が高温多湿条件下に置かれる際、導通部材（図示せず）によって、ワイヤー状金属層４１と支持部材６（犠牲電極５、第１犠牲電極５１）とが電気的に接続する態様であってもよい。また、実施形態３において、透光性基板２の側面２ｃ、２ｅおよび他方面２ｂに犠牲電極５が形成されておらず、ワイヤーグリッド偏光装置１が高温多湿条件下に置かれる際、導通部材（図示せず）によってワイヤー状金属層４１と犠牲電極５とが電気的に接続する態様であってもよい。
【００４５】
［実施形態５］
上記実施形態では、ワイヤーグリッド４がアルミニウムや銀等からなるワイヤー状金属層４１のみによって構成されていたが、ワイヤー状金属層４１の透光性基板２とは反対側の端面に光吸収層が積層されている場合に本発明を適用してもよい。この場合、光吸収層については、高温多湿条件下でワイヤー状金属層４１と光吸収層との間で局部電池が形成されてワイヤー状金属層４１および光吸収層の一方が腐食することを抑制するという観点から、光吸収層については、シリコンやゲルマニウム等の半導体膜からなることが好ましい。
【００４６】
［投射型表示装置の構成例］
上述した実施形態に係るワイヤーグリッド偏光装置１を用いた投射型表示装置（液晶プロジェクター）を説明する。図８は、透過型の液晶パネルを用いた投射型表示装置の説明図である。なお、図８に示す投射型表示装置２１００では、液晶パネルと、液晶パネルに供給される光を出射する光源部と、液晶パネルによって変調された光を投射する投射光学系とが設けられ、光源部から液晶パネルを経由して投射光学系に到る光路に、図１〜図７を参照して説明したワイヤーグリッド偏光装置１が配置される。
【００４７】
図８に示す投射型表示装置２１００には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは各々、液晶パネル１００に対して入射側で重なる入射側偏光分離素子１１１と、液晶パネル１００に対して出射側で重なる出射側偏光分離素子１１２とを有している。
【００４８】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
【００４９】
このように構成した投射型表示装置２１００（電子機器）において、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに用いた入射側偏光分離素子１１１および出射側偏光分離素子１１２の一方または双方に本発明を適用したワイヤーグリッド偏光装置１が用いられる。
【００５０】
（他の投射型表示装置）
投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。また、図８に示す投射型表示装置２１００では、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに透過型の液晶パネル１００を用いたが、反射型の液晶パネルを用いた投射型表示装置において、光源部から液晶パネルを経由して投射光学系に到る光路に、図１〜図７を参照して説明したワイヤーグリッド偏光装置１が配置してもよい。
【００５１】
（他の電子機器）
本発明を適用したワイヤーグリッド偏光装置１を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１…ワイヤーグリッド偏光装置、２…透光性基板、２ａ…一方面、２ｂ…他方面、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ…側面、４…ワイヤーグリッド、５…犠牲電極、６…支持部材、２１…有効領域、２２…周辺領域、４１…ワイヤー状金属層、５１…第１犠牲電極、５２…第２犠牲電極、１００…液晶パネル、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１１１…入射側偏光分離素子、１１２…出射側偏光分離素子、４１１…端部、４１２…端面、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）、２１２０…スクリーン、２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４…出射レンズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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