(57)【要約】【課題】水分から保護しつつ優れた気圧感度を有する圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、前記ダイアフラムに設けられているセンサー部と、前記センサー部と電気的に接続されている配線と、前記基板の一方の主面側に配置され、前記センサー部の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第１保護層と、前記基板の一方の主面側に配置され、前記配線の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第２保護層と、を有する。前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さよりも小さい。【選択図】図１
2019174171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムに設けられているセンサー部と、
前記センサー部と電気的に接続されている配線と、
前記基板の一方の主面側に配置され、前記センサー部の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第１保護層と、
前記基板の一方の主面側に配置され、前記配線の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第２保護層と、を有し、
前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さよりも小さいことを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記ダイアフラムの前記第１保護層とは反対側に位置する圧力基準室を有する請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記基板は、他方の主面側に開口する凹部を有し、前記凹部と重なる部分が前記ダイアフラムとなり、
前記凹部の開口を塞ぐように、前記基板に接合されているベース基板を有し、
前記凹部内が前記圧力基準室となっている請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記ダイアフラムと前記第１保護層との間に配置され、前記センサー部の少なくとも一部を覆い、酸化シリコンを含む第３保護層を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記ダイアフラムは、前記センサー部が設けられ、シリコンを含む第１層と、
前記第１層の前記第１保護層と反対側に位置し、酸化シリコンを含む第２層と、を有し、
前記第１層の厚さは、前記第２層の厚さおよび前記第１保護層の厚さよりも大きい請求項１ないし４のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記ダイアフラムにおいて、
前記第１層の前記第２層側に積層されている各層のヤング率、前記第１層との線膨張係数の差および厚さの積の和をＡとし、
前記第１層の前記第１保護層側に積層されている各層のヤング率、前記第１層との線膨張係数の差および厚さの積の和をＢとしたとき、
Ａ≧Ｂの関係を満足する請求項５に記載の圧力センサー。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納するパッケージと、を有することを特徴とする圧力センサーモジュール。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力センサーとして、例えば、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１に記載された圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを備える基板と、ダイアフラム上に形成されたピエゾ抵抗素子と、基板の上面に配置された保護層と、を有し、ダイアフラムの撓みに基づいてピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化することを利用して、圧力を検出するように構成されている。なお、保護層は、ＳｉＯ２膜とＳｉＮ膜との積層膜から構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０５５７３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、特許文献１の圧力センサーでは、ダイアフラムをより撓み易くして検出感度を向上させるために、保護層のダイアフラム全域と重なる部分に凹部を形成し、ダイアフラム上の保護層を薄くしている。しかしながら、凹部を形成するためにダイアフラム上のＳｉＮ膜を除去しているために、ダイアフラム上のピエゾ抵抗素子を水分から保護することが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムに設けられているセンサー部と、
前記センサー部と電気的に接続されている配線と、
前記基板の一方の主面側に配置され、前記センサー部の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第１保護層と、
前記基板の一方の主面側に配置され、前記配線の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第２保護層と、を有し、
前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さよりも小さいことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。
【図３】図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。
【図４】図１に示す圧力センサーが有するダイアフラムの拡大断面図である。
【図５】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図６】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図７】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図８】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図９】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。
【図１２】図１１に示す圧力センサーの使用例を示す断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る圧力センサーモジュールを示す断面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【図１５】本発明の第６実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【図１６】本発明の第７実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【０００９】
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。図３は、図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーが有するダイアフラムの拡大断面図である。図５ないし図９は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」とも言い、下側を「下」とも言う。また、基板２の厚さ方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
【００１０】
図１に示す圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５に設けられたセンサー部５と、基板２の下面に接合されたベース基板４と、基板２の上面に配置された保護層３と、を有する。
【００１１】
基板２は、第１シリコン層２１と、第１シリコン層２１の上側に配置された第２シリコン層２３と、第１シリコン層２１および第２シリコン層２３の間に配置された酸化シリコン層２２と、を有するＳＯＩ基板である。基板２としてＳＯＩ基板を用いることにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができる。ただし、基板２としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。また、基板２は、シリコン以外の半導体材料、例えばゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等で構成された基板（半導体基板）であってもよい。
【００１２】
基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が形成されている。基板２には下面に開口する有底の凹部２４が形成され、この凹部２４によって薄くなっている部分がダイアフラム２５となる。そして、ダイアフラム２５の上面側が圧力を受ける受圧面となる。凹部２４は、例えば、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチング（ボッシュプロセス）で形成することができる。
【００１３】
なお、本実施形態では、ダイアフラム２５の平面視形状が略正方形であるが、ダイアフラム２５の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、四隅が面取りされていてもよいし、円形、三角形、正方形以外の四角形、五角形以上の多角形等であってもよい。また、本実施形態では、ダイアフラム２５に酸化シリコン層２２が残っているが、酸化シリコン層２２は、除去してもよい。すなわち、ダイアフラム２５が第２シリコン層２３の単層で構成されていてもよい。これにより、ダイアフラム２５をより薄くすることができ、より撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。また、凹部２４が第１シリコン層２１の途中まで形成され、第１シリコン層２１、酸化シリコン層２２および第２シリコン層２３の３層でダイアフラム２５が構成されていてもよい。
【００１４】
ダイアフラム２５の幅（一辺の長さ）としては、特に限定されず、ダイアフラム２５の厚さ等によっても異なるが、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であることがより好ましい。これにより、過度な大型化を抑制しつつ、十分に撓み易いダイアフラム２５とすることができる。また、ダイアフラム２５の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム２５の幅によっても異なるが、前述したように、ダイアフラム２５の幅が１００μｍ以上５００μｍ以下の場合には、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。これにより、機械的な強度を十分に保ちつつ、十分に薄く、受圧により撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。
【００１５】
ダイアフラム２５には受圧面に作用する圧力を検出し得るセンサー部５が設けられている。図２に示すように、センサー部５は、ダイアフラム２５に設けられた４つのピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を有する。そして、ピエゾ抵抗素子５１〜５４は、配線５５を介して互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路５０を構成している。このようなブリッジ回路５０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子５１〜５４の抵抗値変化に応じた検出信号を出力する。したがって、ブリッジ回路５０から出力された検出信号に基づいて受圧面が受けた圧力を検出することができる。
【００１６】
ピエゾ抵抗素子５１〜５４は、第２シリコン層２３にリン、ボロン、砒素等の不純物をドープ（拡散または注入）することにより形成されている。また、配線５５の拡散配線部は、第２シリコン層２３に、ピエゾ抵抗素子５１〜５４よりも高濃度でリン、ボロン、砒素等の不純物をドープ（拡散または注入）することにより形成されている。
【００１７】
なお、センサー部５の構成としては、ダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができれば、特に限定されない。例えば、ブリッジ回路５０を構成していない少なくとも１つのピエゾ抵抗素子がダイアフラム２５に配置されている構成であってもよい。また、センサー部５としては、本実施形態のようなピエゾ抵抗型の他にも、静電容量の変化に基づいて圧力を検出する静電容量型を用いてもよい。
【００１８】
図１に示すように、基板２の下面にはベース基板４が接合されている。そして、ベース基板４によって凹部２４の開口が塞がれ、これにより、ダイアフラム２５とベース基板４との間に圧力基準室Ｓとして機能する空洞部が形成される。なお、基板２とベース基板４とは、例えば、表面活性化接合により接合されている。
【００１９】
圧力基準室Ｓは、密閉された空間であり圧力基準室Ｓ内の圧力が検出圧力の基準値となる。そのため、圧力センサー１は、絶対圧センサーとして機能する。圧力基準室Ｓは、減圧状態、特に真空状態または真空状態により近い状態（１０Ｐａ以下）であることが好ましい。ただし、圧力基準室Ｓは、一定の圧力に保たれていれば減圧状態でなくてもよい。
【００２０】
ベース基板４としては、シリコン基板が用いられている。これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができるベース基板４となる。ただし、ベース基板４としては、シリコン基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス基板等を用いることもできる。
【００２１】
図１に示すように、保護層３は、基板２の上面に配置されたセンサー保護層３１と、センサー保護層３１の上面に配置された配線保護層３２と、を有する。
【００２２】
センサー保護層３１は、基板２の上面に配置され、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で構成された第３保護層としての第１センサー保護層３１１と、第１センサー保護層３１１の上面に配置され、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）で構成された第１保護層としての第２センサー保護層３１２と、を有する。なお、第１センサー保護層３１１は、主材料として酸化シリコンを含んでいればよく、例えば、製造上混入し得る他の成分を含んでいてもよい。同様に、第２センサー保護層３１２は、主材料として窒化シリコンを含んでいればよく、例えば、製造上混入し得る他の成分を含んでいてもよい。
【００２３】
センサー保護層３１は、センサー部５（ピエゾ抵抗素子５１〜５４）を覆うようにダイアフラム２５上に配置されている。これにより、第１センサー保護層３１１によってピエゾ抵抗素子５１〜５４の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。また、第２センサー保護層３１２によってセンサー部５を水分、ガス等から保護することができる。なお、本実施形態では、センサー保護層３１は、センサー部５の全域を覆うようにダイアフラム２５上に配置されているが、これに限定されず、センサー部５の少なくとも一部を覆うようにダイアフラム２５上に配置されていてもよい。
【００２４】
センサー保護層３１の構成は、少なくとも第２センサー保護層３１２を有していれば特に限定されず、例えば、第１センサー保護層３１１を省略してもよいし、第１センサー保護層３１１が酸化シリコン以外の材料で構成されていてもよい。また、センサー保護層３１は、第１、第２センサー保護層３１１、３１２に加えて、さらに別の膜を有していてもよい。すなわち、センサー保護層３１は、３層以上の積層体であってもよい。
【００２５】
センサー保護層３１は、第１、第２センサー保護層３１１、３１２がその機能を発揮することができる限りにおいて、なるべく薄く形成することが好ましい。そのため、図４に示すように、センサー保護層３１の厚さＴ’は、ダイアフラム２５の厚さＴに対して十分に小さく、例えば、Ｔ’／Ｔ≦０．２の関係を満足していることが好ましく、Ｔ’／Ｔ≦０．１の関係を満足していることがより好ましい。これにより、センサー保護層３１によって、ダイアフラム２５の実質的な厚さ（ダイアフラム２５と保護層３との積層体の厚さ）が不必要に厚くなるのを抑制することができる。そのため、ダイアフラム２５が変形し難くなるのを効果的に抑制することができる。
【００２６】
第２センサー保護層３１２の厚さＴ１は、第１センサー保護層３１１の厚さＴ２よりも大きい。すなわち、Ｔ１＞Ｔ２の関係を満足している。Ｔ１＞Ｔ２の関係を満足することにより、第２センサー保護層３１２によって、センサー部５を水分、ガス等からより効果的に保護することができる。そのため、優れた耐湿性を有する圧力センサー１となる。なお、Ｔ１、Ｔ２は、Ｔ１／Ｔ２≧１．５の関係を満足することが好ましく、Ｔ１／Ｔ２≧２．０の関係を満足することがより好ましい。これにより、上記の効果をより顕著に発揮することができる。例えば、ダイアフラム２５の厚さＴが２μｍ程度の場合には、第１センサー保護層３１１の厚さＴ２を０．０５μｍ程度とすることができ、第２センサー保護層３１２の厚さＴ１を０．１μｍ程度とすることができる。
【００２７】
なお、Ｔ１、Ｔ２の関係は、特に限定されず、Ｔ１＝Ｔ２であってもよいし、Ｔ１＜Ｔ２であってもよい。窒化シリコンで構成された第２センサー保護層３１２のヤング率（３１７ＧＰａ）は、酸化シリコンで構成された第１センサー保護層３１１のヤング率（７２ＧＰａ）に比べて大きいため、例えば、Ｔ１＜Ｔ２の関係を満足することにより、センサー保護層３１を十分に柔らかく保つことができ、センサー保護層３１によってダイアフラム２５が撓み難くなるのを効果的に抑制することができる。
【００２８】
配線保護層３２は、センサー保護層３１の上面側に配置され、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で構成された第１配線保護層３２１と、第１配線保護層３２１の上面に配置され、窒化シリコン窒化（Ｓｉ３Ｎ４）で構成された第２保護層としての第２配線保護層３２２と、を有する。この構成により、配線保護層３２を平面視したとき、第２配線保護層３２２の内縁と第１配線保護層３２１の外縁とが重なる配置となっている。なお、第１配線保護層３２１は、主材料として酸化シリコンを含んでいればよく、例えば、製造上混入し得る他の成分を含んでいてもよい。同様に、第２配線保護層３２２は、主材料として窒化シリコンを含んでいればよく、例えば、製造上混入し得る他の成分を含んでいてもよい。
【００２９】
配線保護層３２は、配線５５を覆うようにセンサー保護層３１上に配置されている。これにより、配線５５を水分、ガス等から保護することができる。なお、本実施形態では、配線保護層３２は、それぞれ、配線５５の全域を覆うようにセンサー保護層３１上に配置されているが、これに限定されず、配線５５の少なくとも一部を覆うようにセンサー保護層３１上に配置されていてもよい。
【００３０】
配線保護層３２は、ダイアフラム２５と重ならないように枠状となっており、平面視で、配線保護層３２の内側にダイアフラム２５が位置している。このように、配線保護層３２をダイアフラム２５と重ならないように配置することにより、配線保護層３２によって、ダイアフラム２５の実質的な厚さが不必要に厚くなるのを抑制することができる。そのため、ダイアフラム２５が変形し難くなるのを効果的に抑制することができる。
【００３１】
配線保護層３２の構成は、少なくとも第２配線保護層３２２を有していれば、特に限定されず、例えば、第１配線保護層３２１を省略してもよいし、第１配線保護層３２１が酸化シリコン以外の材料で構成されていてもよい。また、配線保護層３２は、第１、第２配線保護層３２１、３２２に加えて、さらに別の層を有していてもよい。すなわち、配線保護層３２は、３層以上の積層体であってもよい。
【００３２】
前述したように、第２センサー保護層３１２および第２配線保護層３２２は、共に、窒化シリコンで構成されている。そのため、センサー部５および配線５５を水分、ガス等から保護することができ、圧力センサー１は、優れた耐湿性を発揮することができる。ここで、第２センサー保護層３１２および第２配線保護層３２２の厚さを比べると、第２センサー保護層３１２の厚さＴ１は、第２配線保護層３２２の厚さＴａよりも小さい。すなわち、Ｔ１＜Ｔａの関係を満足している。このような関係を満足することにより、センサー保護層３１を十分に薄くすることができ、センサー保護層３１によって、ダイアフラム２５の実質的な厚さが不必要に厚くなるのを抑制することができる。そのため、ダイアフラム２５が変形し難くなるのを効果的に抑制することができる。一方、配線保護層３２を十分に厚くすることができるため、配線５５を水分、ガス等からより効果的に保護することができる。
【００３３】
また、厚さＴ１、Ｔａは、０．１≦Ｔ１／Ｔａ≦０．５の関係を満足することが好ましく、０．１≦Ｔ１／Ｔａ≦０．４の関係を満足することがより好ましく、０．１≦Ｔ１／Ｔａ≦０．３の関係を満足することがさらに好ましい。これにより、上述した効果をより顕著に発揮することができる。また、第２センサー保護層３１２が過度に薄くなるのを防止することができ、第２センサー保護層３１２によって、センサー部５を水分、ガス等からより確実に保護することができる。なお、厚さＴａとしては、特に限定されないが、例えば、０．２μｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００３４】
次に、ダイアフラム２５の構成について説明する。図４に示すように、ダイアフラム２５は、第２シリコン層２３と、その下側に位置する酸化シリコン層２２と、の積層体で構成されている。そして、このダイアフラム２５上には、第１センサー保護層３１１と、第２センサー保護層３１２と、が積層されている。すなわち、ダイアフラム２５と重なる領域は、下側から、酸化シリコン層２２、第２シリコン層２３、第１センサー保護層３１１および第２センサー保護層３１２が積層されてなる積層体６（多層体）で構成されている。
【００３５】
また、図４から分かるように、積層体６では、ダイアフラム２５に含まれる第２シリコン層２３が支配的な構造体となっており、第２シリコン層２３の厚さＴ３（平均厚さ）は、酸化シリコン層２２の厚さＴ４（平均厚さ）、第１センサー保護層３１１の厚さＴ２（平均厚さ）および第２センサー保護層３１２の厚さＴ１（平均厚さ）よりも大きい。すなわち、Ｔ３＞Ｔ１、Ｔ３＞Ｔ２、Ｔ３＞Ｔ４の関係を全て満足している。
【００３６】
また、第２シリコン層２３の厚さＴ３は、積層体６に含まれる他の層の合計厚さ（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ４）よりも大きい。すなわち、Ｔ３＞（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ４）の関係を満足している。特に、５≧Ｔ３／（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ４）の関係を満足していることが好ましく、１０≧Ｔ３／（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ４）の関係を満足していることがより好ましい。これにより、積層体６内で第２シリコン層２３をより支配的な構造体とすることができ、他の層との線膨張係数の差により生じる熱応力に起因したダイアフラム２５の歪みを低減することができる。
【００３７】
また、積層体６は、下記の式（１）を満足している。積層体６が式（１）を満足することにより、酸化シリコン層２２の剛性がセンサー保護層３１の剛性よりも高くなる。そのため、第２シリコン層２３が熱応力の影響を受け難くなり、熱応力に起因したダイアフラム２５の歪みを低減することができる。また、第２シリコン層２３とセンサー保護層３１との線膨張係数差に起因して生じるせん断応力を十分に小さくすることができ、圧力センサーの温度感度を鈍くすることができる。温度感度が鈍くなれば、その分、温度補償回路（補正回路）による温度補正をより精度よく行うことができるため、圧力センサー１によれば、圧力を精度よく検出することができる。
【００３８】
【数１】
2019174171.tif 000003
ただし、
Ｅ１：第２センサー保護層３１２のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ２：第１センサー保護層３１１のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ４：酸化シリコン層２２のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｔ１：第２センサー保護層３１２の厚さ〔μｍ〕
Ｔ２：第１センサー保護層３１１の厚さ〔μｍ〕
Ｔ４：酸化シリコン層２２の厚さ〔μｍ〕
Δα１：第２センサー保護層３１２の線膨張係数α１〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α１−α３｜）
Δα２：第１センサー保護層３１１の線膨張係数α２〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α２−α３｜）
Δα４：酸化シリコン層２２の線膨張係数α４〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α４−α３｜）
【００３９】
すなわち、上記の式（１）は、第２シリコン層２３の下側に積層されている各層（本実施形態では酸化シリコン層２２）のヤング率Ｅ、第２シリコン層２３との線膨張係数の差Δαおよび厚さＴの積の和をＡとし、第２シリコン層２３の上側に積層されている各層（本実施形態では第１、第２センサー保護層３１１、３１２）のヤング率Ｅ、第２シリコン層２３との線膨張係数の差Δαおよび厚さＴの積の和をＢとしたとき、Ａ≧Ｂの関係を満足していることを意味する。
【００４０】
なお、圧力センサー１の特性を現すパラメーターとして、気圧感度（μＶ／ｋＰａ）と温度感度（μＶ／℃）とがある。圧力センサー１の高精度化を図るには、気圧感度を高めつつ温度感度を鈍くする必要がある。しかしながら、センサー保護層３１を薄く柔らくすれば、ダイアフラム２５が撓み易くなるため、気圧感度が高まるものの温度感度が過敏となる。反対に、センサー保護層３１を厚く硬くすれば、ダイアフラム２５が撓み難くなるため、温度感度が鈍くなるものの気圧感度が低下する。このように、気圧感度と温度感度とはトレードオフの関係にあり、両者を共に向上させるのは困難である。
【００４１】
しかしながら、上記の式（１）を満足することにより、センサー保護層３１を薄く柔らかく保ちつつ、すなわち、気圧感度を十分に大きく保ちつつ、温度感度を鈍くすることができる。
【００４２】
Δα４×Ｔ４×Ｅ４（＝Ａ）の上限値としては、特に限定されないが、例えば、下記式（２）の関係を満足することが好ましく、下記式（３）の関係を満足することがより好ましい。式（２）、（３）の関係を満足することにより、酸化シリコン層２２の剛性が過度に大きくなることを防止できる。そのため、ダイアフラム２５が変形し難くなるのを効果的に抑制することができる。
【００４３】
【数２】
2019174171.tif 000004
【００４４】
【数３】
2019174171.tif 000005
【００４５】
以上、圧力センサー１の構成について簡単に説明した。次に、圧力センサー１の製造方法について簡単に説明する。まず、図５に示すように、基板２を準備して、第２シリコン層２３の表面を熱酸化することにより第１センサー保護層３１１を成膜する。次に、図６に示すように、第２シリコン層２３の上面にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することによりセンサー部５と拡散配線部とを形成する。次に、第１センサー保護層３１１上に第２センサー保護層３１２を成膜する。次に、図７に示すように、拡散配線部上に絶縁層３９を形成し、さらに絶縁層３９上に配線５５を形成する。次に、図８に示すように、絶縁層３９上に、配線５５を覆うように配線保護層３２を成膜する。次に、図９に示すように、基板２の下面に開口する凹部２４を形成し、基板２の下面にベース基板４を接合することにより、圧力センサー１が得られる。
【００４６】
第２センサー保護層３１２の成膜方法としては、特に限定されないが、例えば、減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）を用いることができる。減圧ＣＶＤは、例えば、成長時の圧力を０．１Ｔｏｒｒ以上３０Ｔｏｒｒ以下程度に減圧して行うＣＶＤであり、水素含有量が少なく、良好で均質な膜質の第２センサー保護層３１２を成膜することができる。したがって、第２センサー保護層３１２をより薄くすることができる。なお、減圧ＣＶＤは、例えば、７００℃以上（具体的には、アンモニアとジクロルシランガスとを用いた減圧ＣＶＤによれば７８０℃程度）の環境下で行われるが、第２センサー保護層３１２の成膜時にはアルミニウム等の金属材料で構成されている配線５５が形成されていないため、配線５５にダメージ（例えば軟化、溶融による断線）を与えることがない。
【００４７】
ここで、第２センサー保護層３１２の水素（Ｈ）含有量としては、特に限定されないが、１０原子％以下であることが好ましく、６原子％以下であることがより好ましく、４原子％以下であることがさらに好ましい。これにより、より良好で均質な膜質の第２センサー保護層３１２を成膜することができる。
【００４８】
一方、第２配線保護層３２２の成膜方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマＣＶＤを用いることができる。プラズマＣＶＤによれば、比較的低温（例えば、４００℃以下）で第２配線保護層３２２を成膜することができる。そのため、アルミニウム等の金属配線で構成されている配線５５への熱ダメージ（軟化、溶融等による断線等）を抑制することができる。
【００４９】
以上、圧力センサー１について説明した。このような圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５に設けられているセンサー部５と、センサー部５と電気的に接続されている配線５５と、基板２の上面（一方の主面）側に配置され、センサー部５の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第１保護層としての第２センサー保護層３１２と、基板２の上面（一方の主面）側に配置され、配線５５の少なくとも一部を覆い、窒化シリコンを含む第２保護層としての第２配線保護層３２２、を有する。そして、第２センサー保護層３１２の厚さＴ１は、第２配線保護層３２２の厚さＴａよりも小さい。このように、センサー部５を覆う第２センサー保護層３１２および配線５５を覆う第２配線保護層３２２を有することにより、これらを水分、ガス等から効果的に保護することができる。また、Ｔ１＜Ｔａの関係を満足することにより、第２センサー保護層３１２を十分に薄くすることができ、第２センサー保護層３１２によって、ダイアフラム２５の実質的な厚さが不必要に厚くなるのを抑制することができる。そのため、ダイアフラム２５が変形し難くなるのを効果的に抑制することができる。すなわち、上記のような構成によれば、信頼性と高い気圧感度とを兼ね備えた圧力センサー１が得られる。
【００５０】
また、前述したように、圧力センサー１は、ダイアフラム２５の下面側（第２センサー保護層３１２とは反対側）に位置する圧力基準室Ｓを有する。これにより、圧力センサー１を絶対圧センサーとして用いることができる。
【００５１】
また、前述したように、基板２は、下面（他方の主面）側に開口する凹部２４を有する。そして、基板２の凹部２４と重なる部分がダイアフラム２５となっている。また、圧力センサー１は、凹部２４の開口を塞ぐように、基板２に接合されているベース基板４を有する。そして、凹部２４内が圧力基準室Ｓとなっている。このような構成によれば、簡単に圧力基準室Ｓを形成することができる。
【００５２】
また、前述したように、圧力センサー１は、ダイアフラム２５と第２センサー保護層３１２との間に配置され、センサー部５の少なくとも一部を覆い、酸化シリコンを含む第３保護層としての第１センサー保護層３１１を有する。これにより、センサー部５の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。
【００５３】
また、前述したように、ダイアフラム２５は、センサー部５が設けられ、シリコンを含む第１層としての第２シリコン層２３と、第２シリコン層２３の下側（第２センサー保護層３１２と反対側）に位置し、酸化シリコンを含む第２層としての酸化シリコン層２２と、を有する。すなわち、第２センサー保護層３１２との間に第２シリコン層２３を挟むようにして酸化シリコン層２２が配置されている。そして、第２シリコン層２３の厚さＴ３は、酸化シリコン層２２の厚さＴ４および第２センサー保護層３１２の厚さＴ１よりも大きい。このような構成によれば、酸化シリコン層２２の厚さ等を調整することにより、第２シリコン層２３とセンサー保護層３１との線膨張係数差に起因して生じるせん断応力を十分に小さくすることができる。そのため、圧力センサーの温度感度を鈍くすることができ、より精度よく圧力を検出することができる。
【００５４】
また、前述したように、ダイアフラム２５において、第２シリコン層２３の下側（酸化シリコン層２２側）に積層されている各層（本実施形態では、酸化シリコン層２２）のヤング率Ｅ、第２シリコン層２３との線膨張係数の差Δαおよび厚さＴの積の和をＡとし、第２シリコン層２３の上側（第２センサー保護層側）に積層されている各層（本実施形態では、第１、第２センサー保護層３１１、３１２）のヤング率Ｅ、第２シリコン層２３との線膨張係数の差Δαおよび厚さＴの積の和をＢとしたとき、圧力センサー１は、Ａ≧Ｂの関係を満足する。これにより、第２シリコン層２３とセンサー保護層３１との線膨張係数差に起因して生じるせん断応力を十分に小さくすることができ、圧力センサーの温度感度を鈍くすることができる。温度感度が鈍くなる分、温度補正をより精度よく行うことができるため、圧力センサー１によれば、圧力を精度よく検出することができる。
【００５５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００５６】
図１０は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。
【００５７】
本実施形態に係る圧力センサー１は、センサー保護層３１の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の圧力センサー１とほぼ同様である。以下、第２実施形態の圧力センサー１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００５８】
図１０に示すように、本実施形態のセンサー保護層３１は、第１センサー保護層３１１と、第１センサー保護層３１１上に配置された第２センサー保護層３１２と、第２センサー保護層３１２上に配置された第３センサー保護層３１３と、を有する。第３センサー保護層の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等が挙げられる。このような材料で構成された第３センサー保護層３１３を配置することにより、さらに効果的に、センサー部５を水分、ガスから保護することができる。
【００５９】
なお、第３センサー保護層３１３の形成方法としては、特に限定されないが、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）により形成することが好ましい。これにより、より緻密な第３センサー保護層３１３が得られる。なお、第３センサー保護層３１３の厚さＴ０としては、特に限定されないが、例えば、酸化ハフニウムで構成されている場合には、０．０２μｍ程度とすることができる。
【００６０】
このような構成の積層体６では、以下の式（４）を満足していることが好ましい。これにより、前述した第１実施形態の式（１）と同様の効果を発揮することができる。
【００６１】
【数４】
2019174171.tif 000006
ただし、
Ｅ０：第３センサー保護層３１３のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ１：第２センサー保護層３１２のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ２：第１センサー保護層３１１のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ４：酸化シリコン層２２のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｔ０：第３センサー保護層３１３の厚さ〔μｍ〕
Ｔ１：第２センサー保護層３１２の厚さ〔μｍ〕
Ｔ２：第１センサー保護層３１１の厚さ〔μｍ〕
Ｔ４：酸化シリコン層２２の厚さ〔μｍ〕
Δα０：第３センサー保護層３１３の線膨張係数α０〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α０−α３｜）
Δα１：第２センサー保護層３１２の線膨張係数α１〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α１−α３｜）
Δα２：第１センサー保護層３１１の線膨張係数α２〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α２−α３｜）
Δα４：酸化シリコン層２２の線膨張係数α４〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α４−α３｜）
【００６２】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００６４】
図１１は、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図１２は、図１１に示す圧力センサーの使用例を示す断面図である。
【００６５】
本実施形態に係る圧力センサー１は、ベース基板４に貫通孔４１が形成され、差圧センサーとして用いられること以外は、前述した第１実施形態の圧力センサー１とほぼ同様である。以下、第３実施形態の圧力センサー１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００６６】
図１１に示すように、本実施形態の圧力センサー１では、ベース基板４に凹部２４の内外を連通する貫通孔４１が形成されている。このような構成によれば、例えば、ダイアフラム２５の両側に位置する空間Ｓ１、Ｓ２を筐体Ｐによって仕切ることにより、空間Ｓ１、Ｓ２の圧力差を検出することができる。すなわち、圧力センサー１を差圧センサーとして用いることができる。
【００６７】
このような圧力センサー１は、例えば、図１２に示すように、インクジェットプリンターが有するインクジェットヘッドや使用インクを貯留するインクタンク内等のインク流路Ｑに搭載することができる。図１２の構成では、空間Ｓ１がインク流路Ｑに臨んでおり、空間Ｓ２が大気圧となっている。このような構成によれば、圧力センサー１によってインクＩの背圧を検知して、インク吐出を安定化させたり、インクの正確な残量をお知らせしたりすることができる。なお、図１２の構成では、酸化シリコン層２２の下面に耐インク性に優れたダイアフラム保護層２０を配置している。ダイアフラム保護層２０の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、酸化タンタル（ＴａＯｘ）を用いることができる。これにより、優れた耐インク性を発揮することができるダイアフラム保護層２０が得られる。
【００６８】
なお、ダイアフラム保護層２０の形成方法としては、特に限定されないが、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）により形成することが好ましい。これにより、より緻密なダイアフラム保護層２０が得られる。なお、ダイアフラム保護層２０の厚さＴ５としては、特に限定されないが、例えば、酸化タンタルで構成されている場合には、０．０６μｍ程度とすることができる。また、ダイアフラム保護層２０は、インクＩに触れるシリコン部材となる基板２１やベース基板４等の表面に均一な厚みで配置してもよい。シリコン部材表面に保護層を同時に形成して配置する事で、シリコンのインクＩによる腐食を防止し、より優れた耐インク性を発揮することができる（図示せず）。
【００６９】
このような構成の積層体６では、以下の式（５）を満足していることが好ましい。これにより、前述した第１実施形態の式（１）と同様の効果を発揮することができる。
【００７０】
【数５】
2019174171.tif 000007
ただし、
Ｅ１：第２センサー保護層３１２のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ２：第１センサー保護層３１１のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ４：酸化シリコン層２２のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｅ５：ダイアフラム保護層２０のヤング率〔ＧＰａ〕
Ｔ１：第２センサー保護層３１２の厚さ〔μｍ〕
Ｔ２：第１センサー保護層３１１の厚さ〔μｍ〕
Ｔ４：酸化シリコン層２２の厚さ〔μｍ〕
Ｔ５：ダイアフラム保護層２０の厚さ〔μｍ〕
Δα１：第２センサー保護層３１２の線膨張係数α１〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α１−α３｜）
Δα２：第１センサー保護層３１１の線膨張係数α２〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α２−α３｜）
Δα４：酸化シリコン層２２の線膨張係数α４〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α４−α３｜）
Δα５：ダイアフラム保護層２０の線膨張係数α５〔ｐｐｍ／℃〕と第２シリコン層２３の線膨張係数α３〔ｐｐｍ／℃〕との差（＝｜α５−α３｜）
【００７１】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る圧力センサーモジュールについて説明する。
【００７３】
図１３は、本発明の第４実施形態に係る圧力センサーモジュールを示す断面図である。
【００７４】
以下、第４実施形態の圧力センサーモジュールについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７５】
図１３に示す圧力センサーモジュール１００は、収納空間Ｓ３を有するパッケージ７と、収納空間Ｓ３に収納された圧力センサー１と、を有する。また、パッケージ７は、ベース７１と、ベース７１に接合された防水部材７２と、を有する。なお、本実施形態では、圧力センサー１として、前述した第１実施形態のものを用いている。ただし、圧力センサー１の構成としては、これに限定されず、前述した他の実施形態のものや、それ以外のもの等を用いることができる。
【００７６】
ベース７１は、その上面に開口する凹部７１１を有する。そして、凹部７１１の底面に圧力センサー１が接合されている。なお、図示しないが、圧力センサー１のセンサー部５は、ボンディングワイヤーを介してベース７１に形成された端子と電気的に接続されている。このようなベース７１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスを用いることができる。
【００７７】
防水部材７２は、ベース７１の上面に接合され、凹部７１１の開口を塞いでいる。防水部材７２は、パッケージ７の外側から収納空間Ｓ３内への水（液体）の通過を阻止すると共に空気（気体）の通過を許容する。そのため、収納空間Ｓ３内の圧力センサー１を水分から保護することができると共に、圧力センサー１によって圧力センサーモジュール１００が受ける圧力を検出することができる。
【００７８】
防水部材７２は、板状をなし、その上下面を貫通する複数の貫通孔７２１が形成されている。各貫通孔７２１は、水の通過を阻止すると共に空気の通過を許容する程度に小さい径を有する。防水部材７２としては、特に限定されず、例えば、シリコン基板を用いることができる。シリコン基板を用いることにより、防水部材７２の加工精度が優れたものとなり、貫通孔７２１の形成が容易となる。貫通孔７２１の形成方法としては、特に限定されないが、防水部材７２としてシリコン基板を用いる場合には、例えば、メタルアシストエッチングにより形成することができる。また、防水部材７２として金属のアルミニウム基板を用いる場合には、例えば、陽極酸化法により形成することができる。いずれも、直径１００ｎｍ程度の均一で微小な貫通孔７２１を形成することができ、また、シリコン基板を用いることにより、剛性を確保して１０気圧以上の耐圧を確保し、耐食性にも優れたモジュールを提供することができる。
【００７９】
以上、圧力センサーモジュール１００について説明した。このような圧力センサーモジュール１００は、前述したように、圧力センサー１と、圧力センサー１を収納するパッケージ７と、を有する。そのため、圧力センサーモジュール１００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００８０】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。
【００８１】
図１４は、本発明の第５実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【００８２】
図１４に示すように、電子機器としての高度計２００は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
【００８３】
このような電子機器の一例である高度計２００は、圧力センサー１を有している。そのため、高度計２００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００８４】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る電子機器について説明する。
【００８５】
図１５は、本発明の第６実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【００８６】
図１５に示すように、電子機器としてのナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【００８７】
このナビゲーションシステム３００によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかを判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することにより、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【００８８】
このような電子機器の一例としてのナビゲーションシステム３００は、圧力センサー１を有している。そのため、ナビゲーションシステム３００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００８９】
なお、本発明の電子機器は、前述の高度計およびナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、ドローン、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００９０】
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態に係る移動体について説明する。
【００９１】
図１６は、本発明の第７実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【００９２】
図１６に示すように、移動体としての自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２（タイヤ）と、を有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。また、自動車４００は、車体４０１に搭載されている電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）４０３を有しており、この電子制御ユニット４０３に圧力センサー１が内蔵されている。電子制御ユニット４０３は、圧力センサー１が車体４０１の加速度や傾斜等を検出することにより、移動状態や姿勢等を把握し、車輪４０２等の制御を的確に行うことができる。これにより、自動車４００は、安全で安定した移動をすることができる。なお、圧力センサー１は、自動車４００に備えられているナビゲーションシステム等に搭載されていてもよい。
【００９３】
このような移動体の一例としての自動車４００は、圧力センサー１を有している。そのため、自動車４００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００９４】
以上、本発明の圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９５】
１…圧力センサー、２…基板、２０…ダイアフラム保護層、２１…第１シリコン層、２２…酸化シリコン層、２３…第２シリコン層、２４…凹部、２５…ダイアフラム、３…保護層、３１…センサー保護層、３１１…第１センサー保護層、３１２…第２センサー保護層、３１３…第３センサー保護層、３２…配線保護層、３２１…第１配線保護層、３２２…第２配線保護層、３９…絶縁層、４…ベース基板、４１…貫通孔、５…センサー部、５０…ブリッジ回路、５１〜５４…ピエゾ抵抗素子、５５…配線、６…積層体、７…パッケージ、７１…ベース、７１１…凹部、７２…防水部材、７２１…貫通孔、１００…圧力センサーモジュール、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、４０３…電子制御ユニット、Ｉ…インク、Ｐ…筐体、Ｑ…インク流路、Ｓ…圧力基準室、Ｓ１、Ｓ２…空間、Ｓ３…収納空間、Ｔ、Ｔ’、Ｔａ、Ｔ０〜Ｔ５…厚さ
【図１】
2019174171.tif 000008
【図２】
2019174171.tif 000009
【図３】
2019174171.tif 000010
【図４】
2019174171.tif 000011
【図５】
2019174171.tif 000012
【図６】
2019174171.tif 000013
【図７】
2019174171.tif 000014
【図８】
2019174171.tif 000015
【図９】
2019174171.tif 000016
【図１０】
2019174171.tif 000017
【図１１】
2019174171.tif 000018
【図１２】
2019174171.tif 000019
【図１３】
2019174171.tif 000020
【図１４】
2019174171.tif 000021
【図１５】
2019174171.tif 000022
【図１６】
2019174171.tif 000023