(57)【要約】【課題】基板の熱処理温度を変更するためのエネルギー消費を抑制するのに有効な基板処理装置を提供する。【解決手段】塗布・現像装置２は、ウェハＷに対向する熱板３０を有し、熱板３０の温度を調節してウェハＷの熱処理を行う熱処理装置２０と、熱板３０の温度を第一温度に調節してウェハＷに第一熱処理を行い、第一熱処理の後に、熱板３０の温度を第二温度に調節してウェハＷに第二熱処理を行うように熱処理装置２０を制御する熱処理制御部１１１と、第一熱処理と第二熱処理との間において、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うように熱処理装置２０を制御する温度変更制御部１１２と、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように、温度変更制御部１１２による温度変更処理の実行条件を設定する変更条件設定部１１３と、を備える。【選択図】図３
2019212757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対向する対向部を有し、前記対向部の温度を調節して基板の熱処理を行う熱処理部と、
前記対向部の温度を第一温度に調節して基板に第一熱処理を行い、前記第一熱処理の後に、前記対向部の温度を第二温度に調節して基板に第二熱処理を行うように前記熱処理部を制御する熱処理制御部と、
前記第一熱処理と前記第二熱処理との間において、前記対向部の温度を前記第一温度から前記第二温度に変化させる温度変更処理を行うように前記熱処理部を制御する温度変更制御部と、
前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記第一熱処理の完了時刻から前記温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように、前記温度変更制御部による前記温度変更処理の実行条件を設定する変更条件設定部と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記変更条件設定部は、前記第二温度が前記第一温度よりも低い場合に、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じ、前記温度変更処理における温度の変更速度を遅くするよう前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記熱処理部は、前記対向部に冷却用のガスを吹き付ける冷却部を更に有し、
前記温度変更制御部は、前記第二温度が前記第一温度よりも低い場合に、前記温度変更処理において前記冷却部により前記対向部に冷却用のガスを吹き付けるように前記熱処理部を制御し、
前記変更条件設定部は、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記温度変更処理における前記冷却用のガスの吹き付け量を減らすように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記変更条件設定部は、前記第二温度が前記第一温度よりも高い場合に、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記第一熱処理の完了時刻から前記温度変更処理の開始時刻までの時間を長くするように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項２又は３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記変更条件設定部は、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が予め設定された基準時間よりも短い場合には、前記対向部への温度調節用のエネルギーの供給を停止させず、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が前記基準時間よりも長い場合には、前記対向部への温度調節用のエネルギーの供給を一時停止させるように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板に対向する対向部の温度を第一温度に調節して基板に第一熱処理を行うことと、
前記第一熱処理の後に、前記対向部の温度を第二温度に調節して基板に第二熱処理を行うことと、
前記第一熱処理と前記第二熱処理との間において、前記対向部の温度を前記第一温度から前記第二温度に変化させる温度変更処理を行うことと、
前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記第一熱処理の完了時刻から前記温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように前記温度変更処理の実行条件を設定することと、を含む基板処理方法。
【請求項７】
前記第二温度が前記第一温度よりも低い場合に、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記温度変更処理における温度の変更速度を遅くするように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項６記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第二温度が前記第一温度よりも低い場合に、前記温度変更処理において前記対向部に冷却用のガスを吹き付け、
前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記温度変更処理における前記冷却用のガスの吹き付け量を減らすように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第二温度が前記第一温度よりも高い場合に、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、前記第一熱処理の完了時刻から前記温度変更処理の開始時刻までの時間を長くするように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項７又は８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が予め設定された基準時間よりも短い場合には、前記対向部への温度調節用のエネルギーの供給を停止させず、前記第一熱処理と前記第二熱処理との間の時間が前記基準時間よりも長い場合には、前記対向部への前記温度調節用のエネルギーの供給を一時停止させるように前記温度変更処理の実行条件を設定する、請求項６〜９のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板を熱処理するための熱板を有し、熱板の温度設定が変更された場合に、新しい設定温度と同じ温度に調整された気体を熱板の裏面に供給する基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１６６６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の例示的実施形態は、基板の熱処理温度を変更するためのエネルギー消費を抑制するのに有効な基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの例示的実施形態によれば、基板処理装置は、基板に対向する対向部を有し、対向部の温度を調節して基板の熱処理を行う熱処理部と、対向部の温度を第一温度に調節して基板に第一熱処理を行い、第一熱処理の後に、対向部の温度を第二温度に調節して基板に第二熱処理を行うように熱処理部を制御する熱処理制御部と、第一熱処理と第二熱処理との間において、対向部の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うように熱処理部を制御する温度変更制御部と、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように、温度変更制御部による温度変更処理の実行条件を設定する変更条件設定部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の例示的実施形態によれば、基板の熱処理温度を変更するためのエネルギー消費を抑制するのに有効な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一つの例示的実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】一つの例示的実施形態に係る基板処理装置の内部構成を示す模式図である。
【図３】熱処理装置の概略構成を例示する模式図である。
【図４】制御装置のハードウェア構成を例示するブロック図である。
【図５】熱処理手順を例示するフローチャートである。
【図６】降温処理手順を例示するフローチャートである。
【図７】昇温処理手順を例示するフローチャートである。
【図８】降温処理による熱板の温度の推移を例示するグラフである。
【図９】昇温処理による熱板の温度の推移を例示するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００１０】
〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。
【００１１】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
【００１２】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００１３】
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１４】
処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１５】
処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１６】
処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００１７】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００１８】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００１９】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００２０】
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２１】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２２】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２３】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
【００２４】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００２５】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００２６】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、熱処理ユニットＵ２又は熱処理ユニットＵ４と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００２７】
〔熱処理装置〕
続いて、熱処理ユニットＵ２，Ｕ４を構成する熱処理装置２０を例示する。熱処理装置２０（熱処理部）は、ウェハＷに対向する対向部を有し、対向部の温度を調節してウェハＷの熱処理を行う。熱処理は、ウェハＷを加熱する処理及びウェハＷを冷却する処理のいずれであってもよい。加熱とは、熱処理装置２０に搬入される前に比較してウェハＷの温度を高くするように、ウェハＷに熱エネルギーを付与することを意味する。冷却とは、熱処理装置２０に搬入される前に比較してウェハＷの温度を低くするように、ウェハＷから熱エネルギーを吸収することを意味する。以下、ウェハＷを加熱するための熱処理装置２０の構成を例示する。
【００２８】
図３に示すように、熱処理装置２０は、熱板３０（対向部）と、温度センサ４０と、熱板保持部５０と、冷却部６０と、昇降部７０と、温調回路８０とを備える。熱板３０は、水平に配置されたウェハＷを支持し、当該ウェハＷの裏面に対向する。熱板３０は、発熱要素の一例として、電力の供給に応じて発熱する電熱線３１を内蔵している。電熱線３１を発熱させることによって、ウェハＷの加熱用の温度まで熱板３０の温度を上昇させることができる。また、電熱線３１への供給電力を調節することによって、熱板３０の温度を所望の温度に維持することもできる。
【００２９】
温度センサ４０は、例えば熱電対等により構成され、熱板３０の温度情報を電気信号に変換して出力する。熱板保持部５０は熱板３０を保持する。熱板保持部５０は、底板５１と周壁５２とを有する。底板５１は、熱板３０の裏面（下面）に隙間をもって対向している。周壁５２は、熱板３０と底板５１との間の空間（以下、「冷却空間５４」という。）を包囲している。
【００３０】
冷却部６０は、熱板３０に冷却用のガスを吹き付ける。例えば冷却部６０は、複数のノズル６１と、送気源６２と、複数のバルブ６３とを有する。複数のノズル６１は、熱板３０及び底板５１の間において、熱板３０に平行な面に沿って点在し、底板５１に固定されている。複数のノズル６１のそれぞれは、上方（斜め上方を含む）に開口しており、熱板３０の裏面側に冷却用のガスを吹き付ける。送気源６２は、複数のノズル６１に冷却用のガスを供給する。冷却用のガスは、熱板３０の熱を吸収可能な温度に調節されたガスである。冷却用のガスは、例えば窒素ガス等の不活性ガスであってもよく、空気であってもよい。送気源６２は、塗布・現像装置２の専用に設けられたガスタンク又は送風機等であってもよいし、塗布・現像装置２の設置場所において複数の装置により共用される送気設備であってもよい。バルブ６３は、例えば電磁バルブ等、電力により駆動可能なバルブであり、送気源６２から複数のノズル６１への流路の開度を調節する。
【００３１】
昇降部７０は、熱板３０上のウェハＷを昇降させる。昇降部７０は、熱板３０の下方に設けられており、複数の昇降ピン７１と、昇降駆動部７２とを有する。複数の昇降ピン７１は上方に突出しており、熱板３０には複数の昇降ピン７１をそれぞれ通す複数の貫通孔３０ａが形成されている。昇降駆動部７２は、例えば電動モータ又はエアシリンダ等を動力源として複数の昇降ピン７１を昇降させる。これにより、複数の昇降ピン７１の端部が熱板３０の上方に出没してウェハＷを昇降させる。温調回路８０は、熱板３０の温度（例えば温度センサ４０による検出温度）を目標温度に近付けるように電熱線３１への供給電力を調節する回路である。
【００３２】
以上のように構成された熱処理装置２０は、制御装置１００により制御される。制御装置１００は、熱板３０の温度を第一温度に調節してウェハＷに第一熱処理を行い、第一熱処理の後に、熱板３０の温度を第二温度に調節してウェハＷに第二熱処理を行うように熱処理装置２０を制御することを実行するように構成されている。制御装置１００は、第一熱処理と第二熱処理との間において、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うように熱処理装置２０を制御することを更に実行するように構成されている。制御装置１００は、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように、温度変更処理の実行条件を設定することを更に実行するように構成されている。例えば制御装置１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、熱処理制御部１１１と、温度変更制御部１１２と、変更条件設定部１１３とを有する。
【００３３】
熱処理制御部１１１は、複数のウェハＷに対して順次熱処理を行うように熱処理装置２０を制御する。熱処理制御部１１１は、熱板３０の温度を所定温度に調節して各ウェハＷの熱処理を行うように熱処理装置２０を制御する。所定温度は、ウェハＷの種類等によって異なる場合がある。換言すると、熱処理制御部１１１は、少なくとも熱板３０の温度を第一温度に調節してウェハＷに第一熱処理を行い、第一熱処理の後に、熱板３０の温度を第二温度に調節してウェハＷに第二熱処理を行うように熱処理装置２０を制御する。第一温度と第二温度とは異なる場合がある。
【００３４】
温度変更制御部１１２は、第一熱処理と第二熱処理との間において、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うように熱処理装置２０を制御する。例えば温度変更制御部１１２は、第二温度が第一温度よりも低い場合に、温度変更処理において、電熱線３１への供給電力を小さくし、冷却部６０により熱板３０に冷却用のガスを吹き付けるように熱処理装置２０を制御する。温度変更制御部１１２は、第二温度が第一温度よりも高い場合に、温度変更処理において電熱線３１への供給電力を大きくするように熱処理装置２０を制御する。温度変更処理は、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させるまでの間に昇温及び降温の両方を行う場合も含む。例えば、第二温度が第一温度よりも低い場合の温度変更処理は、熱板３０の温度を第一温度から第二温度よりも低い温度まで降温させた後に、熱板３０の温度を第二温度まで昇温させる処理を含んでもよい。
【００３５】
変更条件設定部１１３は、第一熱処理と第二熱処理との間の時間（以下、「インターバル時間」という。）が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように、温度変更制御部１１２による温度変更処理の実行条件を設定する。第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くすることは、温度変更処理における温度の変更速度を遅くすること、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の開始時刻までの時間を長くすること、及びこれらを組み合わせて行うことを含む。なお、温度変更処理の完了時刻とは、熱板３０の温度が第二温度に達する時刻であって、当該時刻以後の熱板３０の温度が第二温度に保たれる時刻を意味する。すなわち、熱板３０の温度が第二温度に達する時刻であっても、当該時刻の後に熱板３０の温度が直ちに第二温度から乖離する場合、当該時刻は温度変更処理の完了時刻に該当しない。
【００３６】
変更条件設定部１１３は、第二温度が第一温度よりも低い場合に、インターバル時間が長くなるのに応じ、温度変更処理における温度の変更速度（以下、「温度変更速度」という。）を遅くするよう温度変更処理の実行条件を設定してもよい。例えば変更条件設定部１１３は、温度変化速度の大きさを定める制御パラメータを、インターバル時間が長くなるのに温度変更速度を遅くするように設定してもよい。変更条件設定部１１３は、当該制御パラメータを、インターバル時間の長さに対して線形又は非線形に相関させてもよいし、インターバル時間が所定の閾値を超えるのに応じてステップ状に変化させてもよい。
【００３７】
例えば変更条件設定部１１３は、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、温度変更処理における冷却用のガスの吹き付け量を減らすように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。変更条件設定部１１３は、冷却用のガスの吹き付け量を、インターバル時間の長さに対して線形又は非線形に減少させてもよいし、インターバル時間が所定の閾値を超えるのに応じてステップ状に減少させてもよい。
【００３８】
変更条件設定部１１３は、第二温度が第一温度よりも高い場合に、インターバル時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の開始時刻までの時間を長くするように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。この際に、変更条件設定部１１３は、温度変更処理が第二熱処理の開始時刻までに完了する範囲にて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の開始時刻までの時間を長くする。
【００３９】
変更条件設定部１１３は、インターバル時間が基準時間よりも長い場合には、電熱線３１への電力供給を一時停止させるように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。一方、変更条件設定部１１３は、インターバル時間が予め設定された基準時間よりも短い場合には、熱板３０への温度調節用のエネルギーの供給（例えば電熱線３１への電力供給）を停止させないように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。
【００４０】
電熱線３１への電力供給を一時停止させると、停止期間中におけるエネルギー消費を削減することができる。以下、この削減分を「削減エネルギー」という。一方、電熱線３１への電力供給を一時停止させると、熱板３０の温度を再上昇させるためにエネルギー消費が増加する可能性がある。以下、この増加分を「増加エネルギー」という。削減エネルギーは、電熱線３１への電力供給の停止期間が長くなるのに応じて大きくなる。例えば上記基準時間は、削減エネルギーを増加エネルギーと同等以上にするために必要な長さに設定されている。
【００４１】
なお、変更条件設定部１１３は、第二温度が第一温度よりも低い場合と、第二温度が第一温度よりも高い場合とで、上記基準時間を変えてもよい。また、変更条件設定部１１３は、第一温度と第二温度との差の大きさに応じて上記基準時間を変えてもよい。
【００４２】
制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図４に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の熱処理手順を熱処理装置２０に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、昇降部７０、温調回路８０及び冷却部６０との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
【００４３】
なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００４４】
〔基板処理方法〕
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理装置１０が熱処理装置２０により実行する熱処理手順を説明する。この熱処理手順は、熱板３０の温度を第一温度に調節してウェハＷに第一熱処理を行うことと、第一熱処理の後に、熱板３０の温度を第二温度に調節してウェハＷに第二熱処理を行うことと、を含む。この熱処理手順は、第一熱処理と第二熱処理との間において、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うことを更に含む。この熱処理手順は、上記インターバル時間（第一熱処理と第二熱処理との間の時間）が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように温度変更処理の実行条件を設定することと、を更に含む。
【００４５】
図５に示すように、制御装置１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、熱処理制御部１１１が、熱板３０の温度（例えば温度センサ４０による検出温度）の目標温度を設定する。以後、温調回路８０は、熱板３０の温度を目標温度に近付けるように電熱線３１への供給電力を調節する。
【００４６】
次に、制御装置１００はステップＳ０２，Ｓ０３，Ｓ０４，Ｓ０５，Ｓ０６を順に実行する。ステップＳ０２，Ｓ０３，Ｓ０４，Ｓ０５，Ｓ０６では、熱処理制御部１１１が、熱板３０の温度の目標温度の近傍に維持してウェハＷの熱処理を行うように熱処理装置２０を制御する。例えば、ステップＳ０２では、熱処理制御部１１１が、昇降駆動部７２により複数の昇降ピン７１の端部を熱板３０上に突出させた状態にて、ウェハＷの搬入を待機する。ステップＳ０３では、熱処理制御部１１１が、搬入されたウェハＷを支持した複数の昇降ピン７１を昇降駆動部７２により下降させるように熱処理装置２０を制御する。これにより、ウェハＷが熱板３０上に配置される。ステップＳ０４では、熱処理制御部１１１が、予め設定された熱処理時間の経過を待機する。ステップＳ０５では、熱処理制御部１１１が、昇降駆動部７２により複数の昇降ピン７１を上昇させ、複数の昇降ピン７１によりウェハＷを熱板３０上から浮上させるように熱処理装置２０を制御する。ステップＳ０６では、熱処理制御部１１１が、昇降駆動部７２により複数の昇降ピン７１の端部を熱板３０上に突出させた状態にて、ウェハＷの搬出を待機する。以上で、ウェハＷの熱処理が完了する。
【００４７】
次に、制御装置１００はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、熱処理制御部１１１が、次に熱処理を行うべきウェハＷがあるか否かを確認する。
【００４８】
ステップＳ０７において次に熱処理を行うべきウェハＷがある場合、制御装置１００はステップＳ０８、Ｓ０９を実行する。ステップＳ０８では、熱処理制御部１１１が、次の熱処理用に予め設定された目標温度を確認する。以下、ステップＳ０６までで完了した熱処理を「第一熱処理」といい、第一熱処理用の熱板３０の目標温度を「第一温度」という。また、以下、次の熱処理を「第二熱処理」といい、第二熱処理用の熱板３０の目標温度を「第二温度」という。
【００４９】
ステップＳ０９では、温度変更制御部１１２が、第二温度が第一温度よりも低いか否かを確認する。ステップＳ０９において第二温度が第一温度よりも低い場合、制御装置１００はステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、変更条件設定部１１３及び温度変更制御部１１２が、第一温度を第二温度まで低下させる処理（以下、「降温処理」という。）を行う。降温処理の具体的内容は後述する。ステップＳ０９において第二温度が第一温度以上である場合、制御装置１００はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、温度変更制御部１１２が、第二温度が第一温度よりも高いか否かを確認する。
【００５０】
ステップＳ１３において第二温度が第一温度よりも高い場合、制御装置１００はステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、変更条件設定部１１３及び温度変更制御部１１２が、第一温度を第二温度まで上昇させる処理（以下、「昇温処理」という。）を行う。昇温処理の具体的内容は後述する。
【００５１】
ステップＳ１１，Ｓ１５の実行後、制御装置１００は処理をステップＳ０２に戻す。ステップＳ１３において第二温度が第一温度以下である場合、制御装置１００は、ステップＳ１１，Ｓ１５を実行することなく処理をステップＳ０２に戻す。以後、次に熱処理を行うべきウェハＷがある限り、必要に応じ降温処理又は昇温処理を行いながら熱処理が繰り返される。ステップＳ０７において次に熱処理を行うべきウェハＷがない場合、制御装置１００は熱処理を完了する。
【００５２】
続いて、ステップＳ１１の降温処理の具体的な手順を例示する。降温処理手順は、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うことと、インターバル時間が長くなるのに応じて、温度変更処理における温度の変更速度を遅くするように温度変更処理の実行条件を設定することとを含む。降温処理手順は、温度変更処理において熱板３０に冷却用のガスを吹き付けることと、インターバル時間が長くなるのに応じて、温度変更処理における冷却用のガスの吹き付け量を減らすように温度変更処理の実行条件を設定することと、を含んでもよい。降温処理手順は、インターバル時間が上記基準時間よりも長い場合には、電熱線３１への供給電力を一時停止させるように温度変更処理の実行条件を設定することを含んでもよい。一方、降温処理手順は、インターバル時間が上記基準時間よりも短い場合には、電熱線３１への供給電力を停止させないように温度変更処理の実行条件を設定することを含んでもよい。
【００５３】
図６に示すように、制御装置１００は、まずステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３を実行する。ステップＳ２１では、温度変更制御部１１２が、熱板３０の目標温度を第一温度から第二温度に変更する。以後、温調回路８０は、熱板３０の温度を第二温度に近付けるように、電熱線３１への供給電力を調節する。ステップＳ２２では、変更条件設定部１１３がインターバル時間を算出する。ステップＳ２３では、変更条件設定部１１３が、インターバル時間が基準時間以下であるか否かを確認する。
【００５４】
ステップＳ２３においてインターバル時間が基準時間以下である場合、制御装置１００はステップＳ２４，Ｓ２５，Ｓ２６，Ｓ２７を実行する。ステップＳ２４では、変更条件設定部１１３が、インターバル時間が長くなるのに応じて、温度変更処理における冷却用のガスの吹き付け量を減らすように温度変更処理の実行条件を設定する。ステップＳ２５では、温度変更制御部１１２が、ステップＳ２４で設定された吹き付け量にて、冷却部６０により熱板３０に冷却用のガスを吹き付けることを開始するように熱処理装置２０を制御する。ステップＳ２６では、温度変更制御部１１２が、熱板３０の温度が第二温度に到達するのを待機する。ステップＳ２７では、温度変更制御部１１２が、冷却部６０による熱板３０への冷却用のガスの吹き付けを停止するように熱処理装置２０を制御する。
【００５５】
ステップＳ２３においてインターバル時間が基準時間を超えている場合、制御装置１００はステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３，Ｓ３４，Ｓ３５を実行する。ステップＳ３１では、変更条件設定部１１３が、電熱線３１への電力供給を停止する期間（以下、「オフ期間」という。）を設定する。例えば変更条件設定部１１３は、第二熱処理の開始時刻までに熱板３０の温度を第二温度に調節し得る範囲で、オフ期間を最大の値に設定する。ステップＳ３２では、温度変更制御部１１２が、温調回路８０から電熱線３１への電力供給を停止するように熱処理装置２０を制御する。ステップＳ３３では、温度変更制御部１１２が、オフ期間の経過を待機する。ステップＳ３４では、温度変更制御部１１２が、温調回路８０から電熱線３１への電力供給を開始するように熱処理装置２０を制御する。ステップＳ３５では、温度変更制御部１１２が、熱板３０の温度が第二温度に到達するのを待機する。以上で降温処理が完了する。
【００５６】
図８は、上述の降温処理手順による熱板の温度の推移及び冷却用エネルギーの推移を例示するグラフである。横軸は経過時間を示し、縦軸は熱板３０の温度及び単位時間当たりの消費エネルギーの大きさを示す。ラインＬ１１は、温度の推移を示し、ラインＬ１２は単位時間当たりの冷却用エネルギーの推移を示し、ラインＬ１３は電熱線３１への供給電力の推移を示す。冷却用エネルギーとは、冷却用のガスを吹き付けるための消費エネルギーである。時刻ｔ１１は、第一熱処理の完了時刻であり、時刻ｔ１２は、第二熱処理の開始時刻である。
【００５７】
図８の（ａ）及び図８の（ｂ）は、いずれも時刻ｔ１１と時刻ｔ１２との間のインターバル時間が基準時間以下である場合の熱板３０の温度推移を例示している。図８の（ｂ）では、時刻ｔ１１と時刻ｔ１２との間のインターバル時間が図８の（ａ）に比較して長いので冷却用のガスの吹き付け量が減らされ、これに応じて温度の降下速度が遅くなっている。降下速度の低下により温度変更処理の実行期間は長くなるが、単位時間当たりの消費エネルギーは低くなり、温度変更処理における冷却用の消費エネルギーは削減されている。自然放熱により第一温度Ｔ１から第二温度Ｔ２まで冷却するのに要する時間ｔｃに比べてインターバル時間が長い場合には、冷却用のガスの吹き付け量をゼロにし、冷却用の消費エネルギーをゼロにすることも可能である。
【００５８】
図８の（ｃ）は、時刻ｔ１１と時刻ｔ１２との間のインターバル時間が基準時間より長い場合の熱板３０の温度推移を例示している。インターバル時間が基準時間より長い場合には、オフ期間が定められた上で、オフ期間中は電熱線３１への電力供給が停止される。このため、オフ期間が完了する時刻ｔ１３までは、熱板３０の温度が自然放熱により低下する。図８の（ｃ）の例では、時刻ｔ１３での熱板３０の温度は第二温度Ｔ２よりも低くなっている。その後、電熱線３１への電力供給が再開され、熱板３０の温度は第二温度Ｔ２に調節される。
【００５９】
オフ期間中に電熱線３１への電力供給を停止すると、その分エネルギー消費が削減される（上記削減エネルギー）。一方、オフ期間の完了する時刻ｔ１３から時刻ｔ１２までの間に、熱板３０の温度を再上昇させるための追加エネルギーが必要となる（上記増加エネルギー）。削減エネルギーの大きさが増加エネルギーの大きさを超える場合には、その分エネルギー消費が削減される。
【００６０】
続いて、ステップＳ１５の昇温処理の具体的な手順を例示する。昇温処理手順は、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うことを含む。昇温手順は、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の開始時刻までの時間を長くするように温度変更処理の実行条件を設定することを更に含む。昇温処理手順は、インターバル時間が上記基準時間よりも長い場合には、電熱線３１への供給電力を一時停止させるように温度変更処理の実行条件を設定することを含んでもよい。一方、昇温処理手順は、インターバル時間が上記基準時間よりも短い場合には、電熱線３１への供給電力を停止させないように温度変更処理の実行条件を設定することを含んでもよい。
【００６１】
図７に示すように、制御装置１００は、まずステップＳ４１，Ｓ４２を実行する。ステップＳ４１では、変更条件設定部１１３が、インターバル時間を算出する。ステップＳ４２では、変更条件設定部１１３が、インターバル時間が基準時間以下であるか否かを確認する。
【００６２】
ステップＳ４２においてインターバル時間が基準時間以下である場合、制御装置１００はステップＳ４３，Ｓ４４を実行する。ステップＳ４３では、変更条件設定部１１３が、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から昇温処理の開始時刻までの時間を長くする。この際に、変更条件設定部１１３は、昇温処理が第二熱処理の開始時刻までに完了する範囲にて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の開始時刻までの時間を長くする。ステップＳ４４では、温度変更制御部１１２が、昇温処理の開始時刻を待機する。
【００６３】
ステップＳ４２においてインターバル時間が基準時間を超えている場合、制御装置１００はステップＳ４５，Ｓ４６，Ｓ４７，Ｓ４８を実行する。ステップＳ４５では、変更条件設定部１１３が、電熱線３１への電力供給を停止する期間（以下、「オフ期間」という。）を設定する。例えば変更条件設定部１１３は、第二熱処理の開始時刻までに熱板３０の温度を第二温度に調節し得る範囲で、オフ期間を最大の値に設定する。ステップＳ４６では、温度変更制御部１１２が、温調回路８０から電熱線３１への電力供給を停止させるように熱処理装置２０を制御する。ステップＳ４７では、温度変更制御部１１２が、オフ期間の経過を待機する。ステップＳ４８では、温度変更制御部１１２が、温調回路８０から電熱線３１への電力供給を開始する。
【００６４】
ステップＳ４４又はステップＳ４８を実行した後、制御装置１００はステップＳ５１，Ｓ５２を実行する。ステップＳ５１では、温度変更制御部１１２が、熱板３０の目標温度を第一温度から第二温度に変更する。以後、温調回路８０は、熱板３０の温度を第二温度に近付けるように、電熱線３１への供給電力を調節する。ステップＳ５２では、温度変更制御部１１２が、熱板３０の温度が第二温度に到達するのを待機する。以上で昇温処理が完了する。
【００６５】
図９は、上述の昇温処理手順による熱板の温度の推移を例示するグラフである。横軸は経過時間を示し、縦軸は熱板３０の温度及び単位時間当たりの消費エネルギーの大きさを示す。ラインＬ２１は、温度の推移を示し、ラインＬ２３は電熱線３１への供給電力の推移を示す。時刻ｔ２１は第一熱処理の完了時刻を示し、時刻ｔ２２は第二熱処理の開始時刻を示す。
【００６６】
図９の（ａ）及び図９の（ｂ）は、いずれも時刻ｔ２１と時刻ｔ２２との間のインターバル時間が基準時間以下である場合の熱板３０の温度推移を例示している。図９の（ｂ）では、時刻ｔ２１と時刻ｔ２２との間のインターバル時間が図９の（ａ）に比較して長い。
【００６７】
上述した昇温処理手順によれば、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から昇温処理の開始時刻までの時間が長くされる。図９の（ａ）においては時刻ｔ２１で直ちに熱板３０の昇温が開始されているのに対し、図９の（ｂ）においては、時刻ｔ２１以降も時刻ｔ２３までは熱板３０の温度が昇温前の第一温度Ｔ１に保たれている。このため、図９の（ｂ）ではインターバル時間中における熱板３０の電力消費が低く抑えられている。
【００６８】
図９の（ｃ）は、時刻ｔ２１と時刻ｔ２２との間のインターバル時間が基準時間より長い場合の熱板３０の温度推移を例示している。インターバル時間が基準時間より長い場合には、オフ期間が定められた上で、オフ期間中は電熱線３１への電力供給が停止される。このため、オフ期間が完了する時刻ｔ２４までは、熱板３０の温度が自然放熱により低下する。その後、電熱線３１への電力供給が再開され、熱板３０の温度は第二温度Ｔ２に調節される。オフ期間中に電熱線３１への電力供給を停止すると、その分エネルギー消費が削減される（上記削減エネルギー）。一方、オフ期間の完了する時刻ｔ２４から、熱板３０の温度が第一温度Ｔ１まで回復する時刻ｔ２５までの間に、熱板３０の温度を再上昇させるための追加エネルギーが必要となる（上記増加エネルギー）。削減エネルギーの大きさが増加エネルギーの大きさを超える場合には、その分エネルギー消費が削減される。
【００６９】
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷに対向する熱板３０を有し、熱板３０の温度を調節してウェハＷの熱処理を行う熱処理装置２０と、熱板３０の温度を第一温度に調節してウェハＷに第一熱処理を行い、第一熱処理の後に、熱板３０の温度を第二温度に調節してウェハＷに第二熱処理を行うように熱処理装置２０を制御する熱処理制御部１１１と、第一熱処理と第二熱処理との間において、熱板３０の温度を第一温度から第二温度に変化させる温度変更処理を行うように熱処理装置２０を制御する温度変更制御部１１２と、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の完了時刻までの時間を長くするように、温度変更制御部１１２による温度変更処理の実行条件を設定する変更条件設定部１１３と、を備える。
【００７０】
この塗布・現像装置２によれば、温度変更処理におけるエネルギー消費を削減することができる。例えば、第一温度で熱板３０が保持する第一熱エネルギーが、第二温度で熱板３０が保持する第二熱エネルギーよりも高い場合、熱板３０の温度は自然放熱によっても第一温度から第二温度に変化する。このため、温度変更処理における温度の変更速度を遅くすることで、温度変更を早めるためのエネルギー消費を削減することができる。一方、第一熱エネルギーが第二熱エネルギーよりも低い場合には、温度変更処理の開始時刻を遅らせることで、熱板３０の熱エネルギーが低い時間を長くし、これによりエネルギー消費を抑制することができる。したがって、ウェハＷの熱処理温度を変更するためのエネルギー消費を抑制するのに有効である。
【００７１】
熱板３０が保持する熱エネルギーとは、熱板３０が現在の温度から周囲と同じ温度まで変化する場合に放出又は吸収する熱量である。第一温度が第二温度よりも高い場合であっても、第一熱エネルギーと第二熱エネルギーとの高低は、第一温度及び第二温度と熱板３０の周囲の温度との関係によって変わる。例えば、第一温度及び第二温度がいずれも熱板３０の周囲の温度よりも高い場合、第一熱エネルギーは第二熱エネルギーよりも高い。一方、第一温度及び第二温度がいずれも熱板３０の周囲の温度よりも低い場合、第二熱エネルギーは第一熱エネルギーよりも高い。
【００７２】
ウェハＷの熱処理において想定される熱板３０の温度範囲においては、温度が高くなるほど熱エネルギーも高くなる傾向がある。このため、変更条件設定部１１３は、第二温度が第一温度よりも低い場合に、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じ、温度変更処理における温度の変更速度を遅くするよう温度変更処理の実行条件を設定してもよい。この場合、温度変更を早めるためのエネルギー消費を削減することができる。
【００７３】
熱処理装置２０は、熱板３０に冷却用のガスを吹き付ける冷却部６０を更に有し、温度変更制御部１１２は、第二温度が第一温度よりも低い場合に、温度変更処理において冷却部６０により熱板３０に冷却用のガスを吹き付けるように熱処理装置２０を制御し、変更条件設定部１１３は、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、温度変更処理における冷却用のガスの吹き付け量を減らすように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。この場合、冷却用のガスを吹き付けるためのエネルギー消費を削減することができる。
【００７４】
変更条件設定部１１３は、第二温度が第一温度よりも高い場合に、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるのに応じて、第一熱処理の完了時刻から温度変更処理の開始時刻までの時間を長くするように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。この場合、熱板３０の熱エネルギーが低い時間を長くし、これによりエネルギー消費を抑制することができる。
【００７５】
変更条件設定部１１３は、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が予め設定された基準時間よりも短い場合には、熱板３０への温度調節用のエネルギーの供給を停止させず、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が基準時間よりも長い場合には、熱板３０への温度調節用のエネルギーの供給を一時停止させるように温度変更処理の実行条件を設定してもよい。
【００７６】
上記温度調節用のエネルギーの供給を一時停止させると、停止期間中におけるエネルギー消費を削減することができる（上記削減エネルギー）。一方、上記温度調節用のエネルギーの供給を一次停止させると、上記温度調節用のエネルギーの供給を再開するときにエネルギー消費が増加する可能性がある（上記増加エネルギー）。第一熱処理と第二熱処理との間の時間が長くなるにつれて、上記停止期間を長くし、削減エネルギーを大きくすることができる。このため、第一熱処理と第二熱処理との間の時間の長さがある時間を超えると、増加エネルギーよりも削減エネルギーを大きくすることが可能となる。したがって、第一熱処理と第二熱処理との間の時間が基準時間よりも長い場合に温度調節用のエネルギーの供給を一時停止させる構成によれば、基準時間の調節によってエネルギー消費を更に削減することができる。
【００７７】
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などであってもよい。
【符号の説明】
【００７８】
２…塗布・現像装置（基板処理装置）、２０…熱処理装置（熱処理部）、３０…熱板（対向部）、６０…冷却部、１１１…熱処理制御部、１１２…温度変更制御部、１１３…変更条件設定部、Ｗ…ウェハ（基板）。
【図１】
2019212757.tif 000003
【図２】
2019212757.tif 000004
【図３】
2019212757.tif 000005
【図４】
2019212757.tif 000006
【図５】
2019212757.tif 000007
【図６】
2019212757.tif 000008
【図７】
2019212757.tif 000009
【図８】
2019212757.tif 000010
【図９】
2019212757.tif 000011