(57)【要約】【課題】工程を追加せずに画素領域における埋め込み膜の厚みを調整する。【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像素子（１００）の製造方法は、周辺回路領域（３０）の感光性材料（Ｍ）を除去するとともに、画素領域（２０）の感光性材料（Ｍ）のうち多層配線層（５）上の感光性材料（Ｍ）の厚みを減少させて所望の膜厚（Ｔ１）に調整する現像工程を含む。【選択図】図２
2019220682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域および当該画素領域からの信号を処理する回路が配された周辺回路領域を含み、前記画素領域に光導波路が形成された固体撮像素子の製造方法であって、
前記画素領域および前記周辺回路領域にわたって形成され、かつ前記光導波路を形成するための開口部を有する多層配線層に対し、感光性材料を塗布する塗布工程と、
前記感光性材料の一部を露光する露光工程と、
前記周辺回路領域における前記感光性材料を除去するとともに、前記画素領域における前記感光性材料のうち前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを減少させて所望の膜厚に調整する現像工程と、
を含むことを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記現像工程にて、前記画素領域における前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを３分の１以下に減少させることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記塗布工程と前記現像工程との間に、前記感光性材料を親水化処理する親水化処理工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記親水化処理工程と前記現像工程との間に、前記感光性材料を水洗処理する水洗処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記露光工程と前記現像工程との間に、前記多層配線層に塗布した前記感光性材料を水洗処理する水洗処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記現像工程は、前記感光性材料を現像液に浸液するものであり、
前記現像工程にて、前記感光性材料の前記現像液への浸液時間を制御することにより、前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを減少させて所望の膜厚に調整することを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子の製造方法に関するものであり、特に光導波路を備えた固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光電変換部に入射する光量を増やすための光導波路を備えた固体撮像素子が提案されている。例えば、特許文献１には、光導波路を形成する感光性材料（導波路材）の一部を除去した溝を画素領域に設けた固体撮像素子の製造方法が開示されている。また、特許文献２には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等によって画素領域における感光性材料を平坦化する工程を含む固体撮像素子の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−４３６８号公報
【特許文献２】特開２０１５−１４４２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
感光性材料を光導波路に埋め込むためには、通常、光導波路の開口径に対して略２分の１〜４分の１の膜厚で感光性材料を塗布することが必要である。そのため、特許文献１の製造方法では、画素領域における層間絶縁膜上に形成される感光性材料の埋め込み膜の膜厚が大きくなる。これにより、埋め込み膜上に配されたカラーフィルタおよびマイクロレンズが光導波路から遠ざかり、隣接画素への光漏れが増加する等の不具合がある。また、特許文献２の製造方法では、ＣＭＰ等で埋め込み膜の膜厚を調整する工程を追加することが必要となる。そのため、製造コストや歩留まりの面で不利となる。
【０００５】
本発明の一態様は、工程を追加せずに画素領域における埋め込み膜の厚みを調整可能な固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明の一態様に係る固体撮像素子の製造方法は、画素領域および当該画素領域からの信号を処理する回路が配された周辺回路領域を含み、前記画素領域に光導波路が形成された固体撮像素子の製造方法であって、前記画素領域および前記周辺回路領域にわたって形成され、かつ前記光導波路を形成するための開口部を有する多層配線層に対し、感光性材料を塗布する塗布工程と、前記感光性材料の一部を露光する露光工程と、前記周辺回路領域における前記感光性材料を除去するとともに、前記画素領域における前記感光性材料のうち前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを減少させて所望の膜厚に調整する現像工程と、含むことを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【０００７】
（２）本発明の一態様に係る固体撮像素子の製造方法は、前記（１）の構成に加え、前記現像工程にて、前記画素領域における前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを３分の１以下に減少させることを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【０００８】
（３）本発明の一態様に係る固体撮像素子の製造方法は、前記（１）または前記（２）の構成に加え、前記塗布工程と前記現像工程との間に、前記感光性材料を親水化処理する親水化処理工程をさらに含むことを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【０００９】
（４）本発明の一態様に係る固体撮像素子の製造方法は、前記（３）の構成に加え、前記親水化処理工程と前記現像工程との間に、前記感光性材料を水洗いする水洗処理工程をさらに含むことを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【００１０】
（５）本発明の一態様に係る固体撮像素子の製造方法は、前記（１）または前記（２）の構成に加え、前記露光工程と前記現像工程との間に、前記多層配線層に塗布した前記感光性材料を水洗処理する水洗処理工程をさらに含むことを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【００１１】
（６）本発明の一態様に係る固体撮像素子の製造方法は、前記（１）から前記（５）の構成に加え、前記現像工程は、前記感光性材料を現像液に浸液するものであり、前記現像工程にて、前記感光性材料の前記現像液への浸液時間を制御することにより、前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを減少させて所望の膜厚に調整することを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様によれば、工程を追加せずに画素領域における埋め込み膜の厚みを調整可能な固体撮像素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像素子を示す断面図である。
【図２】上記固体撮像素子の製造工程のフローを示す断面図である。
【図３】比較対照である固体撮像素子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態について、図１〜３に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
（固体撮像素子の構成）
本発明の一形態に係る固体撮像素子の構成について、図１を参照して以下に説明する。図１は、本発明の一形態に係る固体撮像素子１００を示す断面図である。固体撮像素子１００は、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型イメージセンサーである。固体撮像素子１００は、半導体基板１、光電変換部３、多層配線層５、光導波路７、埋め込み膜９、カラーフィルタ１１、およびマイクロレンズ１３を備える。
【００１６】
固体撮像素子１００は、複数の光電変換部３が配された画素領域２０、および画素領域２０からの信号を処理する回路が配された周辺回路領域３０を含む。画素領域２０には、光電変換部３、多層配線層５の開口部（貫通孔）５３内に形成された光導波路７、埋め込み膜９、カラーフィルタ１１、およびマイクロレンズ１３が配される。
【００１７】
光電変換部３は、画素領域２０において、シリコン等などからなる半導体基板１に複数形成される。各光電変換部３上には、光の伝播路となる光導波路７がそれぞれ配される。
【００１８】
多層配線層５は半導体基板１上に形成され、層間絶縁膜５１および配線５２を含む。層間絶縁膜５１は、プラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）工程等によって形成される酸化膜等である。層間絶縁膜５１の材料は、配線５２の材料に応じて、最適なものが適宜選択される。配線５２は、導電部材からなる。配線５２は多層に配されており、各配線５２の間に層間絶縁膜５１が存在する。これにより、配線５２の各々が絶縁される。配線５２として、例えば、Ａｌ（アルミニウム）配線、Ｃｕ（銅）配線等が挙げられる。なお、Ａｌ配線に適した層間絶縁膜５１の材料として、例えば、酸化シリコン膜等が挙げられる。また、Ｃｕ配線に適した層間絶縁膜５１の材料として、例えば、酸化シリコン膜または炭化シリコン膜等が挙げられる。
【００１９】
多層配線層５は、光導波路７を形成するための開口部５３を有する。開口部５３は、各光電変換部３に対応して複数形成される。開口部５３は、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程等を用いて形成される。
【００２０】
光導波路７および埋め込み膜９は、いずれも感光性材料（導波路材）Ｍから形成される。光導波路７は、感光性材料Ｍが開口部５３内に埋め込まれることによって形成される。また、埋め込み膜９は、開口部５３内に埋め込まれず、開口部５３上および多層配線層５上に配された感光性材料Ｍによって形成される。感光性材料Ｍは例えばポリイミドやポリシロキサンが挙げられ、ポジ型、ネガ型のいずれの感光剤を用いてもよい。
【００２１】
カラーフィルタ１１は、埋め込み膜９上に光電変換部３に対応して配される。カラーフィルタは、用途によって画素ごとに色を変更することができる。マイクロレンズ１３は、カラーフィルタ１１上に形成される。カラーフィルタ１１およびマイクロレンズ１３は、いずれもフォトリソグラフィ工程等によって形成される。
【００２２】
固体撮像素子１００は、マイクロレンズ１３が集光した入射光を、カラーフィルタ１１により分光する。分光された入射光は、埋め込み膜９および光導波路７を通じて光電変換部３に入射する。
【００２３】
ここで、埋め込み膜９の厚みが大きい場合、埋め込み膜９上に配されたカラーフィルタ１１およびマイクロレンズ１３が光導波路７から遠ざかり、隣接画素への光漏れが増加する。そのため、従来、上述のような光漏れを抑制するためにＣＭＰ等によって埋め込み膜９の厚みを小さくすることが提案されている。しかしながら、従来の方法では、埋め込み膜の厚みを小さくする工程を別途追加する必要性があり、製造コストや歩留まりの面で不利となる。本実施形態に係る固体撮像素子１００の製造方法は、工程を追加せずに、埋め込み膜９の厚みを調整することを実現したものである。
【００２４】
（固体撮像素子の製造方法）
本実施形態に係る固体撮像素子１００の製造方法について、図２を参照して以下に説明する。なお、以下に説明する固体撮像素子の製造方法における各工程は、一般的な固体撮像素子用の製造装置によって実施可能である。
【００２５】
図２の（ａ）〜（ｄ）は、固体撮像素子１００の製造工程のフローを示す断面図である。図２の（ａ）に示すように、まず、半導体基板１の画素領域２０に、複数の光電変換部３を形成する。光電変換部３は、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程を繰り返し実施して形成することができる。なお、半導体基板１には、画素や周辺回路の動作用ゲート電極等も形成するが、その説明は省略する。
【００２６】
次に、ＣＶＤ工程、ＣＭＰ工程等により、半導体基板１上に層間絶縁膜５１を形成する。続けて、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程等により配線５２を形成する。層間絶縁膜５１と配線５２とを形成する工程を複数回実施することにより、配線５２が多層化された多層配線層５を形成する。配線５２がＡｌ配線の場合、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程等により配線５２を形成する。配線５２がＣｕ配線の場合、溝埋め込み配線構造とし、例えば、フォトリソグラフィ工程、ＣＶＤ工程、ＣＭＰ工程等により配線５２を形成する。なお、半導体基板１と配線５２とを導通するコンタクトホール等も多層配線層５に形成するが、その説明は省略する。
【００２７】
次に、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程等により、光電変換部３に対応する位置に開口部５３を形成する。このとき、層間絶縁膜５１をテーパー形状に除去することで、光導波路７の効果をより大きくすることができる。なお、ドライエッチング工程等により開口部５３を形成する際のストッパ膜等も半導体基板１上に形成するが、その説明を省略する。開口部５３の形成後に、パッシベーション膜としてＳｉＮ膜等をＣＶＤ工程等で形成し、シンター処理等を施すことで、ゲート電極等のダングリングボンドを終端させることができる。
【００２８】
次に、図２の（ｂ）に示すように、多層配線層５の上面５ａ側から感光性材料Ｍを塗布する（塗布工程）。開口部５３に埋め込まれた感光性材料Ｍによって、光導波路７が形成される。また、開口部５３内に埋め込まれなかった多層配線層５上（すなわち、開口部５３上および上面５ａ上）の感光性材料Ｍによって埋め込み膜９が形成される。
【００２９】
感光性材料Ｍは高屈折率の特性を有する酸化チタン等を含んだ有機材料（例えばポリイミドやポリシロキサン）に感光剤を加えて生成することができる。感光剤は、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。
【００３０】
なお、塗布工程にて、光導波路７内に空洞が発生しないよう、材料粘度や塗布回転数に留意して、感光性材料Ｍを塗布することが望ましい。例えば、開口部５３の開口幅が３．５μｍである場合、粘度６ｍＰａ・ｓ、塗布回転数５００ｒｐｍにて、感光性材料Ｍが良好に塗布される。この塗布条件によると、埋め込み膜９の膜厚Ｔ２は、略１２００ｎｍとなる。これは、多層配線層５の上面５ａにおける開口部５３の開口幅の略３分の１となる。
【００３１】
次に、感光性材料Ｍ（埋め込み膜９）を露光（光照射）する（塗布工程）。感光性材料Ｍがポジ型の場合、露光工程にて周辺回路領域３０を光照射する。これにより、後の現像工程にて、露光された周辺回路領域３０における感光性材料Ｍが除去される。一方、感光性材料Ｍがネガ型の場合、露光工程にて画素領域２０を光照射する。これにより、後の現像工程にて、露光されたかった周辺回路領域３０における感光性材料Ｍが除去される。
【００３２】
次に、図２の（ｃ）に示すように、周辺回路領域３０における埋め込み膜９を除去するとともに、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みを調整する（現像工程）。現像工程は、例えば、添加剤を加えた現像液に埋め込み膜９を浸液することによって行う。現像工程にて、周辺回路領域３０から埋め込み膜９を除去することにより、マイクロレンズ１３の形成後に実施する、ワイヤボンド用のパッド開口が容易になる。なお、周辺回路領域３０における埋め込み膜９（感光性材料Ｍ）は、パッド開口の作業を妨げない程度に残存していてもよく、完全に除去することを要しない。
【００３３】
また、現像工程にて、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みを減少させて所望の膜厚Ｔ１に調整する。感光性材料Ｍがポジ型の場合、露光工程にて露光しなかった画素領域２０における埋め込み膜９を現像工程にて上記現像液に浸液することで、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みを減少させることができる。一方、感光性材料Ｍがネガ型の場合、露光工程にて露光した埋め込み膜９を現像工程にて上記現像液に浸液することで、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みを減少させることができる。
【００３４】
例えば、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みは、現像液浸液時間に略比例して減少する。そのため、現像工程における現像液浸液時間を適切に制御することによって、画素領域２０における埋め込み膜９の膜厚Ｔ１を調整可能である。また、埋め込み膜９の厚みを調整するために、現像液濃度、添加剤、現像方法等を適宜選択してもよい。例えば、現像液としてＴＭＡＨ（Tetramethylammonium hydroxide）、添加剤として界面活性剤を挙げることができる。界面活性剤として、例えば、非イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、両性界面活性剤のいずれか１種類を添加してもよいし、これらのうち２種類以上を組み合わせて添加してもよい。さらに、適切な埋め込み膜９の厚みに対応する現像条件を選択するため、現像液浸液時間、現像液の濃度、剤添剤の有無や濃度の各要素は、いずれか１つを変更してもよいし、複数の要素を変更してもよい。
【００３５】
現像条件の具体例として、例えば、ＴＭＡＨ１．８質量％濃度の水溶液を現像液とし、これに添加剤として界面活性剤を加えて、パドル法による現像液浸液時間を８０秒とする。この現像条件によれば、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みを、現像工程前の略１２００ｎｍ（膜厚Ｔ２）から略３００ｎｍ（膜厚Ｔ１）まで減少させることができる。これにより、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みを４分の１以下に調整することができる。
【００３６】
なお、現像工程後の画素領域２０における埋め込み膜９の膜厚Ｔ１としては、現像工程前における埋め込み膜９の膜厚Ｔ２の３分の１以下に調整することが好ましく、１０分の１以下に調整することがより好ましい。これにより、固体撮像素子１００の集光効率を好適に向上させることができる。
【００３７】
次に、図２の（ｄ）に示すように、埋め込み膜９上にカラーフィルタ１１、マイクロレンズ１３を順次形成する。これらは、感光性のカラーフィルタ材料やマイクロレンズ材料により、フォトリソグラフィ工程等によって形成される。なお、埋め込み膜９上やカラーフィルタ１１上に平坦化膜を形成してもよいし、マイクロレンズ１３上に反射防止膜を形成してもよい。
【００３８】
さらに、図示しないが、続けて周辺回路領域３０に配するワイヤボンド用のパッド開口を、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程等により実施する。周辺回路領域３０には、埋め込み膜９、カラーフィルタ１１、マイクロレンズ１３が残存しないため、前記パッド開口を容易に実施することができる。
【００３９】
（効果）
このように、本実施形態に係る固体撮像素子１００の製造方法は、画素領域２０および当該画素領域２０からの信号を処理する回路が配された周辺回路領域３０を含み、画素領域２０に光導波路７が形成された固体撮像素子１００の製造方法であって、画素領域２０および周辺回路領域３０にわたって形成され、かつ光導波路７を形成するための開口部を有する多層配線層５に対し、感光性材料Ｍを塗布する塗布工程と、感光性材料Ｍの一部を露光する露光工程と、周辺回路領域３０における感光性材料Ｍを除去するとともに、画素領域２０における感光性材料Ｍのうち多層配線層５上の感光性材料Ｍの厚みを減少させて所望の膜厚Ｔ１に調整する現像工程と含む。
【００４０】
固体撮像素子１００の製造方法では、現像工程にて、周辺回路領域３０における感光性材料Ｍを除去するとともに、画素領域２０における多層配線層５上の感光性材料Ｍ（埋め込み膜９）の厚みを減少させて所望の膜厚Ｔ１に調整する。そのため、従来のように画素領域における埋め込み膜を薄膜化する工程を別途追加する必要性がなく、製造コストや歩留まりを改善することができる。
【００４１】
すなわち、固体撮像素子１００の製造方法によれば、適切な現像条件を設定することで、現像工程にて画素領域２０における埋め込み膜９を所望の膜厚Ｔ１に調整することができる。本実施形態による効果を、図１および図３を参照して説明する。
【００４２】
図３は、現像工程にて、比較対照である固体撮像素子１０１を示す断面図である。図３に示すように、従来の現像工程を採用した場合、画素領域２０における埋め込み膜９は、塗布工程時の膜厚Ｔ２がほぼそのまま残存する。そのため、固体撮像素子１０１では、カラーフィルタ１１およびマイクロレンズ１３が光導波路７から遠ざかり、隣接画素への光漏れが増加する不具合がある。一方、本実施形態に係る現像工程を採用した場合、図１に示すように、埋め込み膜９が膜厚Ｔ２よりも厚みが小さい膜厚Ｔ１に形成される。そのため、固体撮像素子１００では、上述のような光漏れが抑制され、集光効率が向上する。
【００４３】
（変形例）
本実施形態に係る固体撮像素子１００の製造方法は、塗布工程と現像工程との間に、埋め込み膜９（感光性材料Ｍ）を親水化処理する親水化処理工程をさらに含んでいてもよい。
【００４４】
現像工程における不均一な薄膜化の進行により、画素領域２０における埋め込み膜９の厚みにばらつきが生じえる。このばらつきが素子間の集光差を生むことで、画像ムラの原因となることがある。現像工程前に埋め込み膜９を親水化処理する親水化処理工程を追加することで、厚みが均一となるよう埋め込み膜９を形成することができる。
【００４５】
親水化処理工程として、例えば、プラズマ装置にて、埋め込み膜９の表面に、酸素プラズマを１０秒照射することで、良好な親水化処理が施される。続けて現像工程を実施することで、埋め込み膜９の薄膜化が均一に進行し、厚みのばらつきの少ない埋め込み膜９が形成される。なお、親水化処理工程は、露光工程前に実施してもよいし、現像工程前に実施してもよい。
【００４６】
また、本実施形態に係る固体撮像素子１００の製造方法は、親水化処理工程と現像工程との間に、埋め込み膜９（感光性材料Ｍ）を水洗いする水洗処理工程をさらに含んでいてもよい。水洗処理工程を実施することによって、埋め込み膜９の薄膜化がさらに均一に進行し、厚みのばらつきの少ない埋め込み膜９が形成される。水洗処理工程において、例えば、現像装置にて水洗を５秒行い、埋め込み膜９表面に水分が残存しているままの状態で現像工程を実施することにより、埋め込み膜９表面において、現像液滴下環境差による薄膜化の不均一な進行が抑制される。結果として、厚みのばらつきの少ない埋め込み膜９が形成される。
【００４７】
なお、水洗処理工程と親水化処理工程とは、片方のみ実施してもよく、両方の工程を実施してもよい。
【００４８】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る固体撮像素子の製造方法は、画素領域および当該画素領域からの信号を処理する回路が配された周辺回路領域を含み、前記画素領域に光導波路が形成された固体撮像素子の製造方法であって、前記画素領域および前記周辺回路領域にわたって形成され、かつ前記光導波路を形成するための開口部を有する多層配線層に対し、感光性材料を塗布する塗布工程と、前記感光性材料の一部を露光する露光工程と、前記周辺回路領域における前記感光性材料を除去するとともに、前記画素領域における前記感光性材料のうち前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを減少させて所望の膜厚に調整する現像工程と、含むことを特徴とする。
【００４９】
上記の方法では、現像工程にて、周辺回路領域における感光性材料を除去するとともに、画素領域における多層配線層上の感光性材料（埋め込み膜）の厚みを減少させて所望の膜厚に調整する。そのため、従来のように画素領域における埋め込み膜を薄膜化する工程を別途追加する必要性がなく、製造コストや歩留まりを改善することができる。
【００５０】
したがって、上記の方法によれば、工程を追加せずに画素領域における埋め込み膜の厚みを調整可能な固体撮像素子を製造することができる。
【００５１】
本発明の態様２に係る固体撮像素子の製造方法は、前記態様１において、前記現像工程にて、前記画素領域における前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを３分の１以下に減少させてもよい。
【００５２】
上記の方法によれば、工程を追加せずに画素領域における埋め込み膜の厚みを調整して、集光効率が優れた固体撮像素子を製造することができる。
【００５３】
本発明の態様３に係る固体撮像素子の製造方法は、前記態様１および２において、前記塗布工程と前記現像工程との間に、前記感光性材料を親水化処理する親水化処理工程をさらに含んでもよい。
【００５４】
画素領域における多層配線層上の感光性材料（埋め込み膜）の厚みにばらつきが生じた場合、集光差が生じて画像ムラの原因となる。上記の方法では、塗布工程と現像工程との間に感光性材料の親水化処理することにより、現像工程にて厚みのばらつきの少ない埋め込み膜を画素領域に形成することができる。したがって、上記の方法によれば、画像ムラを抑制した固体撮像素子を製造することができる。
【００５５】
本発明の態様４に係る固体撮像素子１００の製造方法は、前記態様３において、前記親水化処理工程と前記現像工程との間に、前記感光性材料を水洗いする水洗処理工程をさらに含んでもよい。
【００５６】
上記の方法によれば、親水化処理工程と現像工程との間に、感光性材料を水洗処理工程することにより、より厚みのばらつきの少ない埋め込み膜を画素領域に形成することができる。したがって、上記の方法によれば、画像ムラをさらに抑制した固体撮像素子を製造することができる。
【００５７】
本発明の態様５に係る固体撮像素子１００の製造方法は、前記態様１および２において、前記露光工程と前記現像工程との間に、前記多層配線層に塗布した前記感光性材料を水洗処理する水洗処理工程をさらに含んでもよい。
【００５８】
画素領域における多層配線層上の感光性材料（埋め込み膜）の厚みにばらつきが生じた場合、集光差が生じて画像ムラの原因となる。上記の方法では、露光工程と現像工程との間に感光性材料を水洗処理することにより、現像工程にて厚みのばらつきの少ない埋め込み膜を画素領域に形成することができる。したがって、上記の方法によれば、画像ムラを抑制した固体撮像素子を製造することができる。
【００５９】
本発明の態様６に係る固体撮像素子の製造方法は、前記態様１から５において、前記現像工程は、前記感光性材料を現像液に浸液するものであり、前記現像工程にて、前記感光性材料の前記現像液への浸液時間を制御することにより、前記多層配線層上の前記感光性材料の厚みを減少させて所望の膜厚に調整してもよい。
【００６０】
上記の方法では、現像工程における現像液浸液時間を制御することによって、画素領域における多層配線層上の感光性材料（埋め込み膜）を所望の膜厚に調整することができる。したがって、上記の方法によれば、現像工程における現像液浸液時間を変更することにより、埋め込み膜を所望の膜厚に調整することができる。
【００６１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体基板
３  光電変換部
５  多層配線層
５ａ  上面
７  光導波路
９  埋め込み膜
１１  カラーフィルタ
１３  マイクロレンズ
２０  画素領域
３０  周辺回路領域
５１  層間絶縁膜
５２  配線
５３  開口部
１００  固体撮像素子
Ｍ  感光性材料
Ｔ１  膜厚
Ｔ２  膜厚
【図１】
2019220682.tif 000003
【図２】
2019220682.tif 000004
【図３】
2019220682.tif 000005