(57)【要約】【課題】耐湿性の向上を図る。【解決手段】弾性波装置１は、圧電薄膜１２２を備える。ＩＤＴ電極１３は、圧電薄膜１２２上に形成されている。絶縁層１６は、支持基板１１の一の主面１１１上に形成され、圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電薄膜１２２を囲んでいる。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。スペーサ層１７は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で、外側端１７１と、外側端１７１よりも圧電薄膜１２２に近い側の内側端１７２と、を有する。絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１は、厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の一の主面上に直接又は間接的に設けられている圧電薄膜と、
前記圧電薄膜上に形成されているＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている配線層と、
前記支持基板の前記一の主面上に形成され、前記圧電薄膜を囲んでいる絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層上に形成され、前記支持基板の厚さ方向からの平面視において前記圧電薄膜を囲んでいるスペーサ層と、
前記スペーサ層上に配置され、前記厚さ方向において前記ＩＤＴ電極から離れているカバー部材と、を備え、
前記スペーサ層は、前記厚さ方向からの平面視で、外側端と、前記外側端よりも前記圧電薄膜に近い側の内側端と、を有し、
前記絶縁層における前記スペーサ層側の一の主面は、前記厚さ方向からの平面視で前記スペーサ層と重なる範囲において、前記外側端から前記内側端に向かって前記厚さ方向における前記支持基板の前記一の主面との距離が漸次増加する領域を含む、
弾性波装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記圧電薄膜における前記支持基板側とは反対の一の主面の一部と前記圧電薄膜の側面とを覆っている、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記絶縁層の前記一の主面は、前記領域よりも前記圧電薄膜側において凸面となっている、
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記領域は、前記スペーサ層の周方向に直交する面内において、前記外側端側で前記支持基板側に凸となる曲線と前記内側端側で前記カバー部材側に凸となる曲線との変曲点を含む、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記領域は、前記圧電薄膜を全周に亘って囲んでいる、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記スペーサ層は、前記絶縁層の全周に亘って前記絶縁層と接している、
請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記配線層は、
前記ＩＤＴ電極上に位置している第１接続部と、
前記絶縁層と前記スペーサ層との間に介在し、前記絶縁層の外周よりも内側に位置している第２接続部と、を含み、
前記配線層の前記第２接続部上に形成され、前記配線層に電気的に接続された外部接続電極を更に備え、
前記外部接続電極は、前記支持基板の前記厚さ方向において前記スペーサ層と前記カバー部材とを貫通している貫通電極部を含む、
請求項６に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記支持基板と前記圧電薄膜との間において前記支持基板の前記一の主面上に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を更に備え、
前記圧電薄膜は、前記低音速膜上に設けられており、
前記支持基板は、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記支持基板と前記圧電薄膜との間において前記支持基板の前記一の主面上に直接的に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、
前記支持基板と前記圧電薄膜との間において前記高音速膜上に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、を更に備え、
前記圧電薄膜は、前記低音速膜上に設けられている、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記圧電薄膜は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
前記圧電薄膜は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなり、
前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
請求項８に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
前記高音速支持基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
請求項１１に記載の弾性波装置。
【請求項１３】
前記圧電薄膜は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなり、
前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
請求項９に記載の弾性波装置。
【請求項１４】
前記高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
請求項１３に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、支持基板と圧電薄膜とを有する弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置として、支持基板上に、圧電薄膜を含む積層膜が積層されている弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載された弾性波装置は、支持基板と、積層膜と、ＩＤＴ電極と、外部接続端子（外部接続電極）と、絶縁層と、支持層（スペーサ層）と、カバー部材と、を備える。積層膜は、前記支持基板上に設けられており、圧電薄膜と前記圧電薄膜以外の層とを含む。ＩＤＴ電極は、圧電薄膜の一方面に設けられている。外部接続端子は、ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続される。絶縁層は、平面視において、ＩＤＴ電極が設けられている領域の外側の領域内であって、かつ外部接続端子が接合されている部分の下方の領域において、積層膜が部分的に除去された領域の少なくとも一部に設けられている。外部接続端子は、アンダーバンプメタル層及び金属バンプの内の少なくとも一方を含む。支持層は、絶縁層上に、ＩＤＴ電極が設けられている領域を囲むように設けられている。カバー部材は、支持層により形成された開口部を封止するように支持層上に固定されている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により励振される弾性波を拘束しないために、中空空間が設けられている。弾性波装置では、カバー部材と支持層とにより、中空空間が封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−０１１６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された弾性波装置では、例えば空気中の水分が絶縁層と支持層との界面等を通して中空空間へ浸入して、弾性波装置の特性に影響を与える懸念があった。
【０００６】
本発明の目的は、耐湿性の向上を図ることが可能な弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、支持基板と、圧電薄膜と、ＩＤＴ電極と、配線層と、絶縁層と、スペーサ層と、カバー部材と、を備える。前記圧電薄膜は、前記支持基板の一の主面上に直接又は間接的に設けられている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電薄膜上に形成されている。前記配線層は、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。前記絶縁層は、前記支持基板の前記一の主面上に形成されている。前記絶縁層は、前記圧電薄膜を囲んでいる。前記スペーサ層は、少なくとも一部が前記絶縁層上に形成されている。前記スペーサ層は、前記支持基板の厚さ方向からの平面視において前記圧電薄膜を囲んでいる。前記カバー部材は、前記スペーサ層上に配置されている。前記カバー部材は、前記厚さ方向において前記ＩＤＴ電極から離れている。前記スペーサ層は、前記厚さ方向からの平面視で、外側端と、前記外側端よりも前記圧電薄膜に近い側の内側端と、を有する。前記絶縁層における前記スペーサ層側の一の主面は、前記厚さ方向からの平面視で前記スペーサ層と重なる範囲において、前記外側端から前記内側端に向かって前記厚さ方向における前記支持基板の前記一の主面との距離が漸次増加する領域を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の断面図である。
【図２】図２は、同上の弾性波装置の別の断面図である。
【図３】図３は、同上の弾性波装置に関し、カバー部材を省略した平面図である。
【図４】図４Ａ及び４Ｂは、同上の弾性波装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態の変形例１に係る弾性波装置の要部断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置の断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態の変形例３に係る弾性波装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。
【００１１】
以下の実施形態等において参照する図１〜７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１２】
（実施形態）
（１）弾性波装置の全体構成
以下、実施形態に係る弾性波装置１について、図面を参照して説明する。
【００１３】
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１〜３に示すように、支持基板１１と、圧電薄膜１２２と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３と、２つの配線層１５と、絶縁層１６と、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、を備える。図１は、図３のＸ１−Ｘ１線断面に対応する断面図である。図２は、図３のＸ２−Ｘ２線断面に対応する断面図である。図３は、後述のカバー部材１８（図１及び２参照）の図示を省略してある。
【００１４】
圧電薄膜１２２は、支持基板１１の一の主面１１１上に設けられている。圧電薄膜１２２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において支持基板１１の一の主面１１１の外周から離れている。ＩＤＴ電極１３は、圧電薄膜１２２上に設けられている。したがって、圧電薄膜１２２は、厚さ方向Ｄ１において支持基板１１の一の主面１１１とＩＤＴ電極１３との間に介在している。弾性波装置１は、支持基板１１の一の主面１１１とＩＤＴ電極１３との間に、少なくとも圧電薄膜１２２を含む機能膜１２を備えている。ＩＤＴ電極１３は、圧電薄膜１２２上に形成されている。配線層１５は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。絶縁層１６は、支持基板１１の一の主面１１１上に形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。スペーサ層１７は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、枠状である。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。弾性波装置１では、スペーサ層１７が、絶縁層１６とカバー部材１８の周部との間に介在している。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。
【００１５】
弾性波装置１は、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の積層体（圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間Ｓ１を有する。
【００１６】
また、弾性波装置１は、複数（図示例では、２つ）の外部接続電極１４を有する。外部接続電極１４は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。上述の配線層１５は、外部接続電極１４とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。
【００１７】
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
【００１８】
（２．１）支持基板
支持基板１１は、図１及び２に示すように、機能膜１２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体を支持している。支持基板１１は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある一の主面１１１（以下、第１主面１１１ともいう）及び第２主面１１２を有する。支持基板１１の材料は、シリコンである。支持基板１１は、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。高音速支持基板は、シリコンに限らず、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかにより形成されていてもよい。
【００１９】
（２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極１３は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極１３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
【００２０】
ＩＤＴ電極１３は、図３に示すように、一対のバスバー１３１、１３２（以下、第１バスバー１３１及び第２バスバー１３２ともいう）と、複数の電極指１３３（以下、第１電極指１３３ともいう）と、複数の電極指１３４（以下、第２電極指１３４ともいう）と、を含む。
【００２１】
第１バスバー１３１及び第２バスバー１３２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１に直交する一方向を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極１３では、第１バスバー１３１と第２バスバー１３２とは、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１と上記一方向との両方に直交する方向において対向し合っている。
【００２２】
複数の第１電極指１３３は、第１バスバー１３１に接続され第２バスバー１３２に向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指１３３は、第１バスバー１３１から第１バスバー１３１の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第１電極指１３３の先端と第２バスバー１３２とは離れている。例えば、複数の第１電極指１３３は、互いの長さ及び幅が同じである。
【００２３】
複数の第２電極指１３４は、第２バスバー１３２に接続され第１バスバー１３１に向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指１３４は、第２バスバー１３２から第２バスバー１３２の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第２電極指１３４のそれぞれの先端は、第１バスバー１３１とは離れている。例えば、複数の第２電極指１３４は、互いの長さ及び幅が同じである。図３の例では、複数の第２電極指１３４の長さ及び幅は、複数の第１電極指１３３の長さ及び幅それぞれと同じである。
【００２４】
ＩＤＴ電極１３では、複数の第１電極指１３３と複数の第２電極指１３４とが、第１バスバー１３１と第２バスバー１３２との対向方向に直交する方向において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー１３１の長手方向において隣り合う第１電極指１３３と第２電極指１３４とは離れている。ＩＤＴ電極１３の電極指周期は、隣り合う第１電極指１３３と第２電極指１３４との互いに対応する辺間の距離の２倍の値である。
【００２５】
（２．３）機能膜
機能膜１２は、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜１２１と、低音速膜１２１上に直接的に設けられている圧電薄膜１２２と、で構成されている。要するに、圧電薄膜１２２は、高音速支持基板を構成する支持基板１１上に間接的に設けられている。この場合、低音速膜１２１が、高音速支持基板である支持基板１１と圧電薄膜１２２との間に形成されることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電薄膜１２２内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極１３内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、低音速膜１２１が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
【００２６】
圧電薄膜１２２は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。
【００２７】
低音速膜１２１は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料のいずれかからなる。
【００２８】
低音速膜が酸化ケイ素の場合、温度特性を改善することができる。リチウムタンタレートの弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、周波数温度特性（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。加えて、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスはリチウムタンタレートの固有音響インピーダンスより小さい。したがって、弾性波装置１では、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。
【００２９】
圧電薄膜１２２の膜厚は、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下であることが望ましい。なぜならば、Ｑ値が高くなるためである。また、圧電薄膜１２２の膜厚を２．５λ以下とすることで、周波数温度特性が良くなる。さらに、圧電薄膜１２２の膜厚を１．５λ以下とすることで、音速の調整が容易になる。
【００３０】
低音速膜１２１の膜厚は、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが望ましい。低音速膜１２１の膜厚を２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減することができ、その結果、製造時に支持基板１１の元になるシリコンウェハを含むウェハの反りを低減することが可能となり、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。
【００３１】
（２．４）配線層
配線層１５は、外部接続電極１４とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。配線層１５は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、配線層１５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
【００３２】
配線層１５は、支持基板１１の厚さ方向において、ＩＤＴ電極１３の一部と圧電薄膜１２２の一部と絶縁層１６の一部とに重なっている。配線層１５は、第１接続部１５１と、第２接続部１５２と、を含む。第１接続部１５１は、ＩＤＴ電極１３上に位置している。第２接続部１５２は、絶縁層１６とスペーサ層１７との間に介在し、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。弾性波装置１では、配線層１５のうち絶縁層１６上に形成されている第２接続部１５２上に、外部接続電極１４が形成されている。
【００３３】
（２．５）絶縁層
絶縁層１６は、電気絶縁性を有する。図１〜３に示すように、絶縁層１６は、支持基板１１の第１主面１１１上において支持基板１１の外周に沿って形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２の側面を囲んでいる。ここにおいて、絶縁層１６は、機能膜１２の側面を囲んでいる。絶縁層１６の平面視形状は、枠状である。絶縁層１６の側面は、支持基板１１の側面と略面一となっている。絶縁層１６の一部は、圧電薄膜１２２の周部に重なっている。ここにおいて、絶縁層１６の一部は、機能膜１２の周部に重なっている。また、圧電薄膜１２２の側面は、絶縁層１６により覆われている。ここにおいて、機能膜１２の側面は、絶縁層１６により覆われている。
【００３４】
絶縁層１６の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。
【００３５】
（２．６）スペーサ層
スペーサ層１７は、平面視において、機能膜１２を囲んでいる。スペーサ層１７は、平面視において、支持基板１１の外周に沿って形成されている。スペーサ層１７の平面視形状は、枠状である。スペーサ層１７の外周形状及び内周形状は、長方形状である。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６に重なっている。スペーサ層１７の外周形は、絶縁層１６の外周形よりも小さい。スペーサ層１７の内周形は、絶縁層１６の内周形よりも大きい。スペーサ層１７の一部は、絶縁層１６の一の主面１６１上の第２接続部１５２も覆っている。要するに、スペーサ層１７は、絶縁層１６の一の主面１６１上に直接形成されている第１部分と、絶縁層１６の一の主面１６１上に第２接続部１５２を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。ここにおいて、第１部分は、絶縁層１６の一の主面１６１の全周に亘って形成されている。
【００３６】
スペーサ層１７は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１７の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。スペーサ層１７の材料は、絶縁層１６の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。
【００３７】
スペーサ層１７の厚さと絶縁層１６の厚さとの合計厚さは、機能膜１２の厚さとＩＤＴ電極１３の厚さとの合計厚さよりも大きい。
【００３８】
（２．７）カバー部材
カバー部材１８は、平板状である。カバー部材１８の平面視形状（支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。カバー部材１８の外周形は、支持基板１１の外周形と略同じ大きさである。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。
【００３９】
弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の積層体（機能膜１２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間Ｓ１を、不活性ガス雰囲気としてある。不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素ガス雰囲気である。
【００４０】
（２．８）外部接続電極
弾性波装置１は、複数（２つ）の外部接続電極１４を有する。外部接続電極１４は、弾性波装置１において、回路基板、パッケージ用の実装基板（サブマウント基板）等と電気的に接続するための電極である。また、弾性波装置１は、ＩＤＴ電極１３には電気的に接続されていない複数（２つ）の実装用電極１９を有している。実装用電極１９は、回路基板、実装基板等に対する弾性波装置１の平行度を高めるための電極であり、電気的接続を目的とした電極とは異なる。つまり、実装用電極１９は、弾性波装置１が回路基板、実装基板等に対して傾いて実装されるのを抑制するための電極であり、外部接続電極１４の数及び配置、弾性波装置１の外周形状等によっては必ずしも設ける必要はない。
【００４１】
弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、カバー部材１８の４つの角部のうち互いに対向する２つの角部の近くに２つの外部接続電極１４が１つずつ配置され、残りの２つの角部の近くに２つの実装用電極１９が１つずつ配置されている。弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、２つの外部接続電極１４及び２つの実装用電極１９のそれぞれが、機能膜１２に重なっていない。
【００４２】
外部接続電極１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部１４１を含む。貫通電極部１４１は、配線層１５の第２接続部１５２上に形成されており、第２接続部１５２と電気的に接続されている。また、外部接続電極１４は、貫通電極部１４１上に形成されているバンプ１４２を更に含む。したがって、貫通電極部１４１は、アンダーバンプメタル層を構成する。バンプ１４２は、導電性を有する。バンプ１４２は、貫通電極部１４１と接合されており、貫通電極部１４１と電気的に接続されている。実装用電極１９は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部を含む。また、実装用電極１９は、貫通電極部上に形成されているバンプを更に含む。
【００４３】
貫通電極部１４１は、例えば、銅、ニッケル又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料により形成することができる。バンプ１４２は、例えば、はんだ、金、銅等により形成することができる。実装用電極１９の貫通電極部は、外部接続電極１４の貫通電極部１４１と同じ材料により形成されている。また、実装用電極１９のバンプは、外部接続電極１４のバンプ１４２と同じ材料により形成されている。
【００４４】
（２．９）機能膜と絶縁層とスペーサ層と配線層との関係
スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、圧電薄膜１２２から遠い側の外側端１７１と、外側端１７１よりも圧電薄膜１２２に近い側の内側端１７２と、を有する。絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって支持基板１１の厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。
【００４５】
低音速膜１２１の厚さは、例えば、６００ｎｍである。また、圧電薄膜１２２の厚さは、例えば、６００ｎｍである。また、ＩＤＴ電極１３の厚さは、例えば、１５０ｎｍである。絶縁層１６の厚さは、低音速膜１２１と圧電薄膜１２２とを含む機能膜１２の厚さよりもやや大きく、例えば、１．３μｍ以上１．５μｍ以下である。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２における支持基板１１側とは反対の一の主面１２２６の一部と圧電薄膜１２２の側面１２２７とを覆っている。絶縁層１６の一の主面１６１は、領域１６２よりも圧電薄膜１２２側において凸面となっている。ここにおいて、絶縁層１６の一の主面１６１は、領域１６２よりも機能膜１２側において凸面となっている。
【００４６】
絶縁層１６の一の主面１６１の領域１６２は、圧電薄膜１２２を全周に亘って囲んでいる。ここにおいて、絶縁層１６の一の主面１６１の領域１６２は、機能膜１２を全周に亘って囲んでいる。
【００４７】
配線層１５は、スペーサ層１７の外側端１７１と内側端１７２とのうち内側端１７２のみを横切っている。要するに、配線層１５は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。これにより、スペーサ層１７は、絶縁層１６の全周に亘って絶縁層１６と接している。
【００４８】
（３）弾性波装置の製造方法
以下では、弾性波装置１の製造方法の一例について簡単に説明する。
【００４９】
弾性波装置１の製造方法では、まず、複数の弾性波装置１それぞれの支持基板１１の元になるシリコンウェハ１１０（図４Ａ参照）を準備する。
【００５０】
弾性波装置１の製造方法では、シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１（図４Ａ参照）上に機能膜１２を形成してから、絶縁層１６、スペーサ層１７を順次形成し、その後、カバー部材１８をスペーサ層１７に接着し、続いて、カバー部材１８及びスペーサ層１７における外部接続電極１４の形成予定部位に貫通孔を形成し、貫通孔を埋めるように外部接続電極１４を形成する。これにより、弾性波装置１の製造方法では、シリコンウェハ１１０に複数の弾性波装置１が形成されたウェハを得ることができる。シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１は、支持基板１１の一の主面１１１に対応する。
【００５１】
上述の絶縁層１６の形成にあたっては、シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１側に、シリコンウェハ１１０の一の主面１１０１のうち機能膜１２により覆われていない領域及び機能膜１２を覆い絶縁層１６の元になる絶縁膜１６０を例えばスピンコート法等によって形成する。その後、グレースケールマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を利用して絶縁膜１６０を３次元的にパターニングするためのレジスト層１６９を形成する（図４Ａ参照）。その後、エッチング技術を利用してレジスト層１６９と絶縁膜１６０の一部とをエッチングすることにより、絶縁層１６を形成する（図４Ｂ参照）。
【００５２】
弾性波装置１の製造方法では、ウェハをダイシングするダイシング工程を行うことにより、１枚のウェハから複数の弾性波装置１を得ることができる。ダイシング工程では、例えば、ダイシングソー（Dicing Saw）、レーザ等を用いる。
【００５３】
（４）効果
実施形態に係る弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電薄膜１２２と、ＩＤＴ電極１３と、配線層１５と、絶縁層１６と、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、を備える。圧電薄膜１２２は、支持基板１１の一の主面１１１上に間接的に設けられている。配線層１５は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。絶縁層１６は、支持基板１１の一の主面１１１上に形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電薄膜１２２を囲んでいる。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。スペーサ層１７は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で、外側端１７１と、外側端１７１よりも圧電薄膜１２２に近い側の内側端１７２と、を有する。絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１は、厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。
【００５４】
これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１が領域１６２を含むので、絶縁層１６とスペーサ層１７との界面に関して、スペーサ層１７の外側端１７１から内側端１７２に向かう距離が長くなる。したがって、実施形態に係る弾性波装置１は、耐湿性の向上を図ることが可能となり、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００５５】
また、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６は、圧電薄膜１２２における支持基板１１側とは反対の一の主面１２２６の一部と圧電薄膜１２２の側面１２２７とを覆っている。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、圧電薄膜１２２と支持基板１１との間で剥離が発生するのを抑制することができる。ここにおいて、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６は、機能膜１２における支持基板１１側とは反対の一の主面１２６の一部と機能膜１２の側面１２７とを覆っている。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、機能膜１２が支持基板１１から剥れるのを抑制することができる。ここにおいて、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６におけるスペーサ層１７側の一の主面１６１が、厚さ方向Ｄ１からの平面視でスペーサ層１７と重なる範囲において、外側端１７１から内側端１７２に向かって厚さ方向Ｄ１における支持基板１１の一の主面１１１との距離が漸次増加する領域１６２を含む。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層におけるスペーサ層側の表面が、厚さ方向からの平面視でスペーサ層と重なる範囲において、内側端から外側端に向かって厚さ方向における支持基板の表面との距離が漸次増加する場合と比べて、絶縁層１６の厚さを薄くでき、支持基板１１からカバー部材１８までの高さの増加を抑制しつつ耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００５６】
また、実施形態に係る弾性波装置１では、絶縁層１６の一の主面１６１は、領域１６２よりも機能膜１２側において凸面となっている。これにより、弾性波装置１では、絶縁層１６の一の主面１６１が領域１６２よりも機能膜１２側において凸面となっていない場合と比べて、外部からの水分がＩＤＴ電極１３に到達しにくくなる。
【００５７】
また、弾性波装置１では、領域１６２は、圧電薄膜１２２を全周に亘って囲んでいる。これにより、弾性波装置１では、領域１６２が圧電薄膜１２２を全周に亘って囲んでいない場合と比べて、耐湿性の更なる向上を図ることが可能となる。ここにおいて、弾性波装置１では、領域１６２は、機能膜１２を全周に亘って囲んでいる。これにより、弾性波装置１では、領域１６２が機能膜１２を全周に亘って囲んでいない場合と比べて、耐湿性の更なる向上を図ることが可能となる。
【００５８】
また、弾性波装置１では、スペーサ層１７は、絶縁層１６の全周に亘って絶縁層１６と接している。これにより、弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体と、で囲まれた空間Ｓ１の気密性を更に高めることができ、信頼性を更に向上させることが可能となる。
【００５９】
また、弾性波装置１では、配線層１５は、第１接続部１５１と、第２接続部１５２と、を含む。第１接続部１５１は、ＩＤＴ電極１３上に位置している。第２接続部１５２は、絶縁層１６とスペーサ層１７との間に介在し、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。弾性波装置１は、外部接続電極１４を更に備える。外部接続電極１４は、配線層１５の第２接続部１５２上に形成されている。外部接続電極１４は、配線層１５に電気的に接続されている。外部接続電極１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部１４１を含む。これにより、弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、支持基板１１上の圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体と、で囲まれた空間Ｓ１の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。
【００６０】
上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【００６１】
（５）変形例
（５．１）変形例１
図５に示す実施形態の変形例１に係る弾性波装置１ａでは、領域１６２は、スペーサ層１７の周方向に直交する面内において、外側端１７１側で支持基板１１側に凸となる曲線１６２１と内側端１７２側でカバー部材１８側に凸となる曲線１６２２との変曲点１６２３を含む。変形例１に係る弾性波装置１ａの他の構成は実施形態に係る弾性波装置１と同様なので図示及び説明を省略する。
【００６２】
変形例１に係る弾性波装置１ａでは、耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００６３】
（５．２）変形例２
実施形態の変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、図６に示すように、機能膜１２ｂが、高音速膜１２３と、低音速膜１２１と、圧電薄膜１２２と、を含む。高音速膜１２３は、支持基板１１上に直接的に設けられており、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜１２１は、高音速膜１２３上に設けられており、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜１２２は、低音速膜１２１上に設けられている。変形例２に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態に係る弾性波装置１（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００６４】
変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、高音速膜１２３は、弾性波を圧電薄膜１２２及び低音速膜１２１が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜１２３より下の構造に漏れないように機能している。
【００６５】
この構造では、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電薄膜１２２及び低音速膜１２１の全体に分布し、高音速膜１２３の低音速膜１２１側の一部にも分布し、支持基板１１には分布しないことになる。高音速膜１２３により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
【００６６】
高音速膜１２３は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
【００６７】
高音速膜１２３の膜厚に関しては、弾性波を圧電薄膜１２２及び低音速膜１２１に閉じ込める機能を高音速膜１２３が有するため、高音速膜１２３の膜厚は厚いほど望ましい。
【００６８】
変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００６９】
（５．３）変形例３
実施形態の変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、図７に示すように、機能膜１２ｃが、圧電薄膜１２２のみにより構成され、支持基板１１上に直接的に形成されている。つまり、実施形態の変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、圧電薄膜１２２が支持基板１１の一の主面１１１上に直接的に設けられている。変形例３に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態に係る弾性波装置１（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７０】
支持基板１１は、圧電薄膜１２２を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。
【００７１】
変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００７２】
（５．４）その他の変形例
弾性波装置１、１ａでは、機能膜１２が、低音速膜１２１と支持基板１１との間に介在する膜を含んでもよい。また、弾性波装置１ｂでは、機能膜１２が、高音速膜１２３と支持基板１１との間に介在する膜と、低音速膜１２１と圧電薄膜１２２との間に介在する膜と、の少なくとも一方を含んでもよい。また、弾性波装置１、１ａでは、機能膜１２が、圧電薄膜１２２と支持基板１１との間に、低音速膜１２１の代わりに、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、ＩＤＴ電極１３で励振された弾性波が支持基板１１に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも１つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ構造である。
【００７３】
高音響インピーダンス層は、例えば、白金、タングステン、窒化アルミニウム、リチウムタンタレート、サファイア、リチウムニオベイト、窒化シリコン又は酸化亜鉛からなる。
【００７４】
低音響インピーダンス層は、例えば、酸化ケイ素、アルミニウム又はチタンからなる。
【００７５】
また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃでは、圧電薄膜１２２上に１つのＩＤＴ電極１３が形成されているが、ＩＤＴ電極１３の数は１つに限らず、複数であってもよい。弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃでは、複数のＩＤＴ電極１３を備える場合、例えば、複数のＩＤＴ電極１３それぞれを含む複数の弾性表面波共振子が電気的に接続されて帯域通過型フィルタが構成されていてもよい。また、外部接続電極１４の数は、２つに限らず、３つ以上でもよい。
【００７６】
また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃでは、少なくとも貫通電極部１４１を含む外部接続電極１４を設ける代わりに、配線層１５が、平面視においてスペーサ層１７の外側まで延長されていて、スペーサ層１７よりも外側に位置している部分の少なくとも一部が外部接続電極を構成していてもよい。
【００７７】
また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃにおける絶縁層１６及びスペーサ層１７の材料は、合成樹脂等の有機材料に限らず、無機材料であってもよい。
【００７８】
（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。
【００７９】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、支持基板（１１）と、圧電薄膜（１２２）と、ＩＤＴ電極（１３）と、配線層（１５）と、絶縁層（１６）と、スペーサ層（１７）と、カバー部材（１８）と、を備える。圧電薄膜（１２２）は、支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に直接又は間接的に設けられている。ＩＤＴ電極（１３）は、圧電薄膜（１２２）上に形成されている。配線層（１５）は、ＩＤＴ電極（１３）に電気的に接続されている。絶縁層（１６）は、支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に形成されている。絶縁層（１６）は、圧電薄膜（１２２）を囲んでいる。スペーサ層（１７）は、少なくとも一部が絶縁層（１６）上に形成されている。スペーサ層（１７）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において圧電薄膜（１２２）を囲んでいる。カバー部材（１８）は、スペーサ層（１７）上に配置されている。カバー部材（１８）は、厚さ方向（Ｄ１）においてＩＤＴ電極（１３）から離れている。スペーサ層（１７）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、外側端（１７１）と、外側端（１７１）よりも圧電薄膜（１２２）に近い側の内側端（１７２）と、を有する。絶縁層（１６）におけるスペーサ層（１７）側の一の主面（１６１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視でスペーサ層（１７）と重なる範囲において、外側端（１７１）から内側端（１７２）に向かって厚さ方向（Ｄ１）における支持基板（１１）の一の主面（１１１）との距離が漸次増加する領域（１６２）を含む。
【００８０】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００８１】
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１の態様において、絶縁層（１６）は、圧電薄膜（１２２）における支持基板（１１）側とは反対の一の主面（１２２６）の一部と圧電薄膜（１２２）の側面（１２２７）とを覆っている。
【００８２】
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、圧電薄膜（１２２）と支持基板（１１）との間で剥離が発生するのを抑制することができる。ここにおいて、第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、絶縁層（１６）におけるスペーサ層（１７）側の一の主面（１６１）が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視でスペーサ層（１７）と重なる範囲において、外側端（１７１）から内側端（１７２）に向かって厚さ方向（Ｄ１）における支持基板（１１）の一の主面（１１１）との距離が漸次増加する領域（１６２）を含む。これにより、第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、絶縁層におけるスペーサ層側の一の主面が、厚さ方向からの平面視でスペーサ層と重なる範囲において、内側端から外側端に向かって厚さ方向における支持基板の一の主面との距離が漸次増加する場合と比べて、絶縁層（１６）の厚さを薄くでき、支持基板（１１）からカバー部材（１８）までの高さの増加を抑制しつつ耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００８３】
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第２の態様において、絶縁層（１６）の一の主面（１６１）は、領域（１６２）よりも圧電薄膜（１２２）側において凸面となっている。
【００８４】
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、絶縁層（１６）の一の主面（１６１）が領域（１６２）よりも圧電薄膜（１２２）側において凸面となっていない場合と比べて、外部からの水分がＩＤＴ電極（１３）に到達しにくくなる。
【００８５】
第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、第１〜３の態様のいずれか一つにおいて、領域（１６２）は、スペーサ層（１７）の周方向に直交する面内において、外側端（１７１）側で支持基板（１１）側に凸となる曲線（１６２１）と内側端（１７２）側でカバー部材（１８）側に凸となる曲線（１６２２）との変曲点（１６２３）を含む。
【００８６】
第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、弾性波装置（１ａ）の厚さの増大を抑制しつつ、耐湿性の向上を図ることが可能となる。
【００８７】
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜４の態様のいずれか一つにおいて、領域（１６２）は、圧電薄膜（１２２）を全周に亘って囲んでいる。
【００８８】
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、領域（１６２）が圧電薄膜（１２２）を全周に亘って囲んでいない場合と比べて、耐湿性の更なる向上を図ることが可能となる。
【００８９】
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第５の態様において、スペーサ層（１７）は、絶縁層（１６）の全周に亘って絶縁層（１６）と接している。
【００９０】
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、カバー部材（１８）と、スペーサ層（１７）と、絶縁層（１６）と、支持基板（１１）上の圧電薄膜（１２２）とＩＤＴ電極（１３）とを含む積層体と、で囲まれた空間（Ｓ１）の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。
【００９１】
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第６の態様において、配線層（１５）は、第１接続部（１５１）と、第２接続部（１５２）と、を含む。第１接続部（１５１）は、ＩＤＴ電極（１３）上に位置している。第２接続部（１５２）は、絶縁層（１６）とスペーサ層（１７）との間に介在し、絶縁層（１６）の外周よりも内側に位置している。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、外部接続電極（１４）を更に備える。外部接続電極（１４）は、配線層（１５）の第２接続部（１５２）上に形成されている。外部接続電極（１４）は、配線層（１５）に電気的に接続されている。外部接続電極（１４）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）においてスペーサ層（１７）とカバー部材（１８）とを貫通している貫通電極部（１４１）を含む。
【００９２】
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、カバー部材（１８）と、スペーサ層（１７）と、支持基板（１１）上の圧電薄膜（１２２）とＩＤＴ電極（１３）とを含む積層体と、で囲まれた空間（Ｓ１）の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。
【００９３】
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１〜７の態様のいずれか一つにおいて、低音速膜（１２１）を更に備える。低音速膜（１２１）は、支持基板（１１）と圧電薄膜（１２２）との間において支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に設けられており、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜（１２２）は、低音速膜（１２１）上に設けられている。支持基板（１１）は、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。
【００９４】
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、低音速膜（１２１）が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
【００９５】
第９の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１〜７の態様のいずれか一つにおいて、高音速膜（１２３）と、低音速膜（１２１）と、を更に備える。高音速膜（１２３）は、支持基板（１１）と圧電薄膜（１２２）との間において支持基板（１１）の一の主面（１１１）上に直接的に設けられており、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜（１２１）は、支持基板（１１）と圧電薄膜（１２２）との間において高音速膜（１２３）上に設けられており、圧電薄膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜（１２２）は、低音速膜（１２１）上に設けられている。
【００９６】
第９の態様に係る弾性波装置（１ｂ）では、弾性波が支持基板（１１）に漏れるのを抑制することが可能となる。
【００９７】
第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜９の態様のいずれか一つにおいて、圧電薄膜（１２；１２ｂ；１２ｃ）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。
【００９８】
第１１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第８の態様において、圧電薄膜（１２２）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。低音速膜（１２１）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
【００９９】
第１２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１１の態様において、高音速支持基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
【０１００】
第１３の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第９の態様において、圧電薄膜（１２２）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。低音速膜（１２１）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
【０１０１】
第１４の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１３の態様において、高音速膜（１２３）は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
【符号の説明】
【０１０２】
１ａ、１ｂ、１ｃ  弾性波装置
１１  支持基板
１１１  一の主面（第１主面）
１１２  第２主面
１２、１２ｂ、１２ｃ  機能膜
１２１  低音速膜
１２２  圧電薄膜
１２２６  一の主面
１２２７  側面
１２３  高音速膜
１２６  一の主面
１２７  側面
１３  ＩＤＴ電極
１４  外部接続電極
１４１  貫通電極部
１４２  バンプ
１５  配線層
１５１  第１接続部
１５２  第２接続部
１６  絶縁層
１６１  一の主面
１６２  領域
１６２１  曲線
１６２２  曲線
１６２３  変曲点
１７  スペーサ層
１７１  外側端
１７２  内側端
１８  カバー部材
Ｄ１  厚さ方向
Ｓ１  空間
【図１】
2019103127.tif 000003
【図２】
2019103127.tif 000004
【図３】
2019103127.tif 000005
【図４】
2019103127.tif 000006
【図５】
2019103127.tif 000007
【図６】
2019103127.tif 000008
【図７】
2019103127.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月16日(2018.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
圧電薄膜１２２は、支持基板１１の一の主面１１１上に設けられている。圧電薄膜１２２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において支持基板１１の一の主面１１１の外周から離れている。ＩＤＴ電極１３は、圧電薄膜１２２上に設けられている。したがって、圧電薄膜１２２は、厚さ方向Ｄ１において支持基板１１の一の主面１１１とＩＤＴ電極１３との間に介在している。弾性波装置１は、支持基板１１の一の主面１１１とＩＤＴ電極１３との間に、少なくとも圧電薄膜１２２を含む機能膜１２を備えている。配線層１５は、ＩＤＴ電極１３に電気的に接続されている。絶縁層１６は、支持基板１１の一の主面１１１上に形成されている。絶縁層１６は、圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。スペーサ層１７は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電薄膜１２２を囲んでいる。スペーサ層１７は、枠状である。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に配置されている。弾性波装置１では、スペーサ層１７が、絶縁層１６とカバー部材１８の周部との間に介在している。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（２．６）スペーサ層
スペーサ層１７は、平面視において、機能膜１２を囲んでいる。スペーサ層１７は、平面視において、支持基板１１の外周に沿って形成されている。スペーサ層１７の平面視形状は、枠状である。スペーサ層１７の外周形状及び内周形状は、長方形状である。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６に重なっている。スペーサ層１７の外周形は、絶縁層１６の外周形よりも小さい。スペーサ層１７の内周形は、絶縁層１６の内周形よりも大きい。スペーサ層１７の一部は、絶縁層１６の一の主面１６１上の第２接続部１５２も覆っている。要するに、スペーサ層１７は、絶縁層１６の一の主面１６１上に直接形成されている第１部分と、絶縁層１６の一の主面１６１上に配線層１５の第２接続部１５２を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。ここにおいて、第１部分は、絶縁層１６の一の主面１６１の全周に亘って形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、弾性波装置１では、配線層１５は、第１接続部１５１と、第２接続部１５２と、を含む。第１接続部１５１は、ＩＤＴ電極１３上に位置している。第２接続部１５２は、絶縁層１６とスペーサ層１７との間に介在し、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。弾性波装置１は、外部接続電極１４を更に備える。外部接続電極１４は、配線層１５の第２接続部１５２上に形成されている。外部接続電極１４は、配線層１５に電気的に接続されている。外部接続電極１４は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している貫通電極部１４１を含む。これにより、弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の圧電薄膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体と、で囲まれた空間Ｓ１の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
（５．４）その他の変形例
弾性波装置１、１ａでは、機能膜１２が、低音速膜１２１と支持基板１１との間に介在する膜を含んでもよい。また、弾性波装置１ｂでは、機能膜１２ｂが、高音速膜１２３と支持基板１１との間に介在する膜と、低音速膜１２１と圧電薄膜１２２との間に介在する膜と、の少なくとも一方を含んでもよい。また、弾性波装置１、１ａでは、機能膜１２が、圧電薄膜１２２と支持基板１１との間に、低音速膜１２１の代わりに、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、ＩＤＴ電極１３で励振された弾性波が支持基板１１に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも１つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ構造である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、カバー部材（１８）と、スペーサ層（１７）と、絶縁層（１６）と、支持基板（１１）上の圧電薄膜（１２２）とＩＤＴ電極（１３）とを含む積層体と、で囲まれた空間（Ｓ１）の気密性を高めることができ、信頼性を向上させることが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜９の態様のいずれか一つにおいて、圧電薄膜（１２２）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる。