(57)【要約】【課題】半導体チップの割れを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１は、ダイパッド２０と、半導体チップ４とを備えている。ダイパッド２０は、ダイボンド領域ＤＬを有する第１表面２０Ａと第１表面２０Ａに対して板厚方向に対向する第２表面２０Ｂとを有する。半導体チップ４は、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬ上にダイボンド材３を介して配設されている。そして、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬに貫通部２５が配設されている。貫通部２５は、ダイパッド２０の第１表面２０Ａから第２表面２０Ｂへ貫通し、ダイボンド材３の一部３０を第１表面２０Ａ側から第２表面２０Ｂ側へ至る構成とされている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンド領域を有する第１表面と当該第１表面に対して板厚方向に対向する第２表面とを有するダイパッドと、
前記ダイボンド領域上にダイボンド材を介して配設された半導体チップと、
前記ダイボンド領域において前記第１表面から前記第２表面へ貫通し、前記ダイボンド材の一部が前記第１表面側から前記第２表面側へ至る貫通部と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記ダイボンド材の一部が、前記第２表面において、前記貫通部の周囲に広がって形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記貫通部は、第１表面側から見て、円形状に形成されている請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記貫通部は、等間隔において複数個配設されている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップは、前記ダイパッドの板厚と同一の厚さ、又は前記ダイパッドの板厚よりも薄い厚さに形成されている請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
ダイボンド領域を有する第１表面と当該第１表面に対して板厚方向に対向する第２表面とを有し、前記ダイボンド領域において前記第１表面から前記第２表面へ貫通する貫通部を有するダイパッドの前記ダイボンド領域上に、流動性を有するダイボンド材を形成する第１工程と、
前記ダイボンド領域上にダイボンド材を介して押圧しながら半導体チップを搭載し、前記押圧により前記ダイボンド材の一部を前記貫通部を通して前記第１表面側から前記第２表面側へ至らせる第２工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程における前記ダイボンド領域上のダイボンド材は、前記第１工程における前記ダイボンド領域上のダイボンド材の厚さに比し、半分以下の厚さに形成されている請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特にダイパッド上にダイボンド材を介して半導体チップが搭載された半導体装置及びその製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には半導体装置が開示されている。この半導体装置は、ダイパッド（タブ）上に接着剤を介して半導体チップを搭載し、ダイパッド及び半導体チップを樹脂封止部により封止する構造とされている。
【０００３】
ところで、大電流用半導体チップ、例えば縦型構造のバイポーラトランジスタを含む半導体チップでは、チップサイズを大きくし、電流密度を小さくする設計がなされている。さらに、半導体チップのダイパッド側の裏面はバイポーラトランジスタのコレクタ電極とされ、半導体チップの厚さを薄くし、コレクタ抵抗を小さくする設計がなされている。
一方、半導体装置の製造プロセスでは、接着剤として、例えば銀（Ag）ペーストが使用され、ダイパッド上に銀ペーストが塗布された後に、半導体チップが銀ペーストを介してダイパッド上に押し付けられ、ダイボンディングが行われている。
しかしながら、製造プロセスのダイボンディングにおいて、大電流用半導体チップのチップサイズが大きく、かつ、厚さが薄いので、大電流用半導体チップの割れを防止するためには、改善の余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２７３２７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事実を考慮し、半導体チップの割れを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１実施態様に係る半導体装置は、ダイボンド領域を有する第１表面と第１表面に対して板厚方向に対向する第２表面とを有するダイパッドと、ダイボンド領域上にダイボンド材を介して配設された半導体チップと、ダイボンド領域において第１表面から第２表面へ貫通し、ダイボンド材の一部が第１表面側から第２表面側へ至る貫通部と、を備えている。
【０００７】
第１実施態様に係る半導体装置は、ダイパッドと、半導体チップとを備える。ダイパッドは、ダイボンド領域を有する第１表面と、第１表面に対して板厚方向に対向する第２表面とを有する。半導体チップは、ダイボンド領域上にダイボンド材を介して配設される。
【０００８】
ここで、半導体装置は、ダイパッドのダイボンド領域において貫通部を備える。貫通部は、ダイパッドの第１表面から第２表面へ貫通し、ダイボンド材の一部がダイパッドの第１表面側から第２表面側へ至る構成とされる。
仮に、ダイボンディングにおいて、ダイパッドのダイボンド領域にダイボンド材を介して半導体チップを押圧しても、貫通部を通してダイボンド材の一部が第２表面側へ至る。このため、半導体チップに加わる押圧による応力が、貫通部を備えない場合に比し、小さくなるので、半導体チップの割れを防止することができる。
【０００９】
本発明の第２実施態様に係る半導体装置では、第１実施態様に係る半導体装置において、ダイボンド材の一部が、第２表面において、貫通部の周囲に広がって形成されている。
【００１０】
第２実施態様に係る半導体装置によれば、ダイボンド材の一部が第２表面において貫通部の周囲に広がって形成されるので、この広がったダイボンド材の一部が係止部位となり、ダイパッドの第１表面とダイボンド材との接合力を向上させることができる。
【００１１】
本発明の第３実施態様に係る半導体装置では、第１実施態様又は第２実施態様に係る半導体装置において、貫通部は、第１表面側から見て、円形状に形成されている。
【００１２】
第３実施態様に係る半導体装置によれば、貫通部は円形状に形成されるので、ダイボンド材の一部が貫通部を通して抜けるときの流動抵抗が、例えば矩形状に比し、小さくなる。このため、ダイボンド材の一部がスムーズに抜けるので、半導体チップに加わる応力が小さくなり、半導体チップの割れを一層防止することができる。
【００１３】
本発明の第４実施態様に係る半導体装置では、第３実施態様に係る半導体装置において、貫通部は、等間隔において複数個配設されている。
【００１４】
第４実施態様に係る半導体装置では、貫通部が等間隔において複数個配設されているので、ダイボンド材の一部が貫通部を通して均等に抜け易くなる。このため、ダイボンド材の一部がスムーズに抜けるので、半導体チップに加わる応力が小さくなり、半導体チップの割れを一層防止することができる。
【００１５】
本発明の第５実施態様に係る半導体装置は、第１実施態様〜第４実施態様のいずれか１つに係る半導体装置において、半導体チップは、ダイパッドの板厚と同一の厚さ、又はダイパッドの板厚よりも薄い厚さに形成されている。
【００１６】
第５実施態様に係る半導体装置では、半導体チップは、ダイパッドの板厚と同一の厚さ、又はダイパッドの板厚よりも薄い厚さに形成される。このため、ダイパッドの板厚と同一か、それよりも薄い厚さを有する半導体チップの割れを防止することができる。
【００１７】
本発明の第６実施態様に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンド領域を有する第１表面と第１表面に対して板厚方向に対向する第２表面とを有し、ダイボンド領域において第１表面から第２表面へ貫通する貫通部を有するダイパッドのダイボンド領域上に、流動性を有するダイボンド材を形成する第１工程と、ダイボンド領域上にダイボンド材を介して押圧しながら半導体チップを搭載し、押圧によりダイボンド材の一部を貫通部を通して第１表面側から前記第２表面側へ至らせる第２工程と、を備えている。
【００１８】
第６実施態様に係る半導体装置の製造方法では、まず、第１工程として、ダイパッドのダイボンド領域上に、流動性を有するダイボンド材を形成する。ダイパッドは、ダイボンド領域を有する第１表面と、第１表面に対して板厚方向に対向する第２表面とを有する。そして、第２工程として、ダイボンド領域上にダイボンド材を介して押圧しながら半導体チップを搭載する。
【００１９】
ここで、ダイパッドのダイボンド領域は、第１表面から第２表面へ貫通する貫通部を有する。第２工程において、ダイボンド領域上にダイボンド材を介して押圧しながら半導体チップが搭載されると、ダイボンド材の一部が貫通部を通して第１表面側から第２表面側へ至る。
このため、半導体チップに加わる押圧による応力が、貫通部を備えない場合に比し、小さくなるので、ダイボンディングにおける半導体チップの割れを防止することができる。
【００２０】
本発明の第７実施態様に係る半導体装置の製造方法では、第６実施態様に係る半導体装置の製造方法において、第２工程におけるダイボンド領域上のダイボンド材は、前記第１工程におけるダイボンド領域上のダイボンド材の厚さに比し、半分以下の厚さに形成されている。
【００２１】
第７実施態様に係る半導体装置の製造方法では、第２工程におけるダイボンド領域上のダイボンド材は、第１工程におけるダイボンド領域上のダイボンド材の厚さに比し、半分以下の薄い厚さに形成することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、半導体チップの割れを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る半導体装置の概略断面構造図である。
【図２】第１実施の形態に係る半導体装置の要部を拡大した拡大断面構造図（半導体装置の製造方法を説明する第２工程断面図）である。
【図３】第１実施の形態に係る半導体装置のダイパッド部位を拡大した拡大平面図である。
【図４】第１実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図２に対応する第１工程断面図である。
【図５】本発明の第２実施の形態に係る半導体装置のダイパッド部位を拡大した図３に対応する拡大平面図である。
【図６】本発明の第３実施の形態に係る半導体装置のダイパッド部位を拡大した図３に対応する拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［第１実施の形態］
以下、図１〜図４を用いて、本発明の第１実施の形態に係る半導体装置について説明する。
【００２５】
（半導体装置１の全体構成）
図１に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１は、リード２と、ダイボンド材３と、半導体チップ（半導体ペレット）４と、ボンディングワイヤ５と、樹脂封止体６とを備えている。つまり、半導体装置１は、樹脂封止（レジンモールド）型半導体装置として構成されている。
【００２６】
図１及び図２に示されるように、半導体装置１のリード２は、ダイパッド（タブ）２０と、インナーリード２１と、アウターリード２２とを含んで構成されている。ダイパッド２０は、図３に示されるように、インナーリード２１の一部としての吊りリード２３により支持されている。インナーリード２１は、樹脂封止体６の内部において、ダイパッド２０の板面方向の周囲に配置されている。
一方、アウターリード２２は、インナーリード２１のダイパッド２０側とは反対側に一体に形成され、樹脂封止体６の外側に引き延ばされている。このアウターリード２２は、半導体装置１の実装方式に応じて、面実装型又はピン挿入型に成形されている。必ずしも限定されるものではないが、ここでは、アウターリード２２は面実装型のガルウィング形状に成形されている。
リード２には、銅（Cu）若しくはCu合金、又は鉄−ニッケル（Fe-Ni）合金の板材が使用され、この板材に機械加工又はエッチング加工を施してリード２が形成されている。ここでは、リード２の厚さｔ１は、図２に示されるように、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍに設定されている。
【００２７】
ダイボンド材３は、ここでは導電性を有するAgペーストが使用されている。Agペーストは、本実施の形態において、塗布法により、ダイボンド領域に塗布されている。半導体装置１の製造プロセスにおいて、Agペーストは、塗布時には流動性を有し、半導体チップ４のダイボンディング時には押圧されて薄く引き延ばされ、その後に硬化させている。
ここでは、ダイボンド材３の硬化後の厚さｔ２は、例えば１０μｍ〜１５μｍに設定されている。厚さｔ２は、半導体チップ４とダイパッド２０との間のダイボンド材３の厚さである。
【００２８】
半導体チップ４は半導体基板４０を主体に構成され、半導体チップ４には大電流用として使用可能な縦型構造のバイポーラトランジスタが搭載されている。詳細な断面構造は省略するが、バイポーラトランジスタは、エミッタ領域として使用される第１主電極と、コレクタ領域として使用される第２主電極と、ベース領域として使用される制御電極とを含んで構成されている。
半導体基板４０には、ここではシリコン単結晶基板が使用されている。
【００２９】
図１及び図２には概略的に示されているが、半導体基板４０の表面（主面）側には、バイポーラトランジスタの第１主電極に電気的に接続された外部端子４１及び制御電極に電気的に接続された外部端子４２が配設されている。外部端子４１及び外部端子４２は例えばアルミニウム合金膜により形成され、実際には最終保護膜に形成されたボンディング開口から外部端子４１、外部端子４２のそれぞれの表面の一部が露出されている。
一方、半導体基板４０の表面に対して厚さ方向に対向する裏面には裏面電極４３が配設され、この裏面電極はバイポーラトランジスタの第２主電極に電気的に接続されている。すなわち、バイポーラトランジスタの第２主電極はダイボンド材３を介在させてダイパッド２０に電気的に接続され、バイポーラトランジスタのコレクタ電流が裏面電極４３とダイパッド２０との間に流れる構成とされている。
ここで、一例として、半導体チップ４は、１辺を３ｍｍ〜５ｍｍとするチップサイズに形成され、表面側から見て正方形の矩形状に形成されている。また、半導体チップ４の厚さｔ３は、ダイパッド２０の厚さｔ１と同一、又は厚さｔ１よりも薄い例えば０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定されている。
【００３０】
図１に示されるように、１つのボンディングワイヤ５の一端部は半導体チップ４の外部端子４１に電気的に接続され、このボンディングワイヤ５の他端部は１つのインナーリード２１に電気的に接続されている。また、他の１つのボンディングワイヤ５の一端部は半導体チップ４の外部端子４２に電気的に接続され、このボンディングワイヤ５の他端部は他の１つのインナーリード２１に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ５には例えば金（Au）ワイヤが使用されている。
【００３１】
樹脂封止体６は、ダイパッド２０、ダイパッド２０上にダイボンディングされた半導体チップ４、インナーリード２１及びボンディングワイヤ５を気密封止する構成とされている。樹脂封止体６には例えばエポキシ系樹脂材が使用され、樹脂封止体６は例えばレジンモールド法により樹脂成形されている。
【００３２】
（貫通部の構成）
図１及び図２に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１は、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬにおいて、ダイパッド２０に貫通部２５を備えている。
詳しく説明すると、貫通部２５は、ダイパッド２０の半導体チップ４のダイボンディング側の第１表面２０Ａから、第１表面２０Ａに対してダイパッド２０の板厚方向に対向する第２表面２０Ｂへ貫通する貫通孔として構成されている。図３に示されるように、貫通部２５は、第１表面２０Ａ側から見て、円形状に形成されている。また、図２に示されるように、貫通部２５は、第１表面２０Ａにおける開口径をそのまま第２表面２０Ｂまで維持したストレートな断面形状に形成されている。貫通部２５は、ここでは複数個となる４個配置され、ダイパッド２０の辺に沿った間隔を各辺において等間隔としている。図２に示されるように、貫通部２５の直径Ｌは、ダイパッド２０の厚さｔ１よりも小さい寸法になると機械加工が難しくなるので、厚さｔ１と同一寸法か、又は若干大きい寸法に設定されている。
【００３３】
図２に示されるように、貫通部２５は、ダイパッド２０に半導体チップ４がダイボンディングされるときに、ダイパッド２０の第１表面２０Ａ側から第２表面２０Ｂ側へダイボンド材３の一部３０を至らせる（一部３０を抜く）構成とされている。すなわち、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬにダイボンド材３を介在させて半導体チップ４をダイボンディングしたときの押圧力により、半導体チップ４がダイボンド材３の一部３０を貫通部２５を通して押し出す構成とされている。ダイボンド材３の一部３０は、ダイパッド２０の第２表面２０Ｂ側まで押し出され、第２表面２０Ｂに沿って貫通部２５の周囲に広かって形成されている。
【００３４】
（半導体装置１の製造方法）
ここで、上記半導体装置１の製造方法、主にダイボンディング工程を含む半導体装置１の製造方法について、簡単に説明する。
【００３５】
まず、図１に示されるリード２が形成される（図１〜図４参照）。リード２は、樹脂封止体６が成形される前工程までは図示省略のリードフレームの状態とされ、このリードフレームにはダイパッド２０、インナーリード２１及び成形前のアウターリード２２が連結されている。そして、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬには、リードフレームを形成する工程と同一工程、又はリードフレームを形成する工程の前若しくは後に貫通部２５が形成される。
【００３６】
図４に示されるように、ダイパッド２０の第１表面２０Ａ上において、ダイボンド領域ＤＬにダイボンド材３１が塗布される。ダイボンド材３１には前述の通りAgペーストが使用され、Agペーストは塗布法を用いて塗布される。ここで、塗布されたダイボンド材３１の厚さｔ４は例えば２０μｍ〜３０μｍに設定される。
【００３７】
次に、ダイボンド領域ＤＬにおいて、ダイパッド２０の第１表面２０Ａ上にダイボンド材３１を介して半導体チップ４を配設し、ダイボンディングが行われる（図２参照）。ダイボンディングは半導体チップ４をダイボンド材３１に押圧して行われ、ダイボンド材３１の一部３０は貫通部２５を通してダイパッド２０の第２表面２０Ｂ側へ至る（図２参照）。ここでは、ダイボンド材３１の一部３０は、ダイパッド２０の第２表面２０Ｂに沿って貫通部２５の周囲に広がって形成される。
ダイボンド材３１を硬化させると、図１及び図２に示されるように、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬに半導体チップ４を機械的に接合し、かつ、ダイパッド２０と半導体チップ４の裏面電極４３とを電気的に接続したダイボンド材３が形成される。
【００３８】
この後、半導体チップ４の外部端子４１とインナーリード２１との間、外部端子４２とインナーリード２１との間のそれぞれを電気的に接続するボンディングワイヤ５が形成される。そして、ダイパッド２０、インナーリード２１、半導体チップ４及びボンディングワイヤ５が樹脂封止体６により封止される（図１参照）。樹脂封止体６は前述の通り樹脂封止法を用いて形成される。
【００３９】
引き続き、図示省略のリードフレームからリード２のアウターリード２２等が切り離され、図１に示されるように、アウターリード２２が所定の実装形状に成形される。これら一連の製造工程が終了すると、図１及び図２に示される本実施の形態に係る半導体装置１が完成する。
【００４０】
（本実施の形態の作用及び効果）
本実施の形態に係る半導体装置１は、図１及び図２に示されるように、ダイパッド２０と、半導体チップ４とを備える。ダイパッド２０は、ダイボンド領域ＤＬを有する第１表面２０Ａと、第１表面２０Ａに対して板厚方向に対向する第２表面２０Ｂとを有する。半導体チップ４は、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬ上にダイボンド材３を介して配設される。
【００４１】
ここで、半導体装置１は、特に図２に示されるように、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬにおいて貫通部２５を備える。貫通部２５は、ダイパッド２０の第１表面２０Ａから第２表面２０Ｂへ貫通し、ダイボンド材３の一部３０がダイパッド２０の第１表面２０Ａ側から第２表面２０Ｂ側へ至る構成とされる。
仮に、ダイボンディングにおいて、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬにダイボンド材３（製造プロセス中では、ダイボンド材３１）を介して半導体チップ４を押圧しても、貫通部２５を通してダイボンド材３の一部３０が第２表面２０Ｂ側へ至る。このため、半導体チップ４に加わる押圧による応力が、貫通部２５を備えない場合に比し、小さくなるので、半導体チップ４の割れを防止することができる。
【００４２】
特に、大電流用としての半導体チップ４は、チップサイズが大きく、かつ、厚さが薄いので、割れ易いが、貫通部２５を通してダイボンド材３が抜け易く、割れを生じ難い。表現を代えれば、半導体チップ４の割れを防止することができるので、半導体チップ４の半導体基板４０の厚さを薄くすることができ、半導体チップ４に搭載された縦型構造のバイポーラトランジスタのコレクタ抵抗成分を小さくすることができる。
【００４３】
また、本実施の形態に係る半導体装置１では、図１及び図２に示されるように、ダイボンド材３の一部３０がダイパッド２０の第２表面２０Ｂにおいて貫通部２５の周囲に広がって形成される。
このため、この広がったダイボンド材３の一部３０が係止部位となり、ダイパッド２０の第１表面２０Ａとダイボンド材３との接合力を向上させることができる。
【００４４】
さらに、本実施の形態に係る半導体装置１では、図３に示されるように、貫通部２５は円形状に形成されるので、ダイボンド材３の一部３０が貫通部２５を通して抜けるときの流動抵抗が、例えば矩形状に比し、小さくなる。このため、ダイボンド材３の一部３０が貫通部２５をスムーズに抜けるので、半導体チップ４に加わる応力が小さくなり、半導体チップ４の割れを一層防止することができる。
【００４５】
また、本実施の形態に係る半導体装置１では、図３に示されるように、貫通部２５が等間隔において複数個配設されているので、ダイボンド材３の一部３０が貫通部２５を通して均等に抜け易くなる。このため、ダイボンド材３の一部３０がスムーズに抜けるので、半導体チップ４に加わる応力が小さくなり、半導体チップ４の割れを一層防止することができる。
【００４６】
さらに、本実施の形態に係る半導体装置１では、図２に示されるように、半導体チップ４は、ダイパッド２０の板厚（厚さｔ１）と同一、又はダイパッド２０の板厚よりも薄い厚さｔ３に形成される。このため、ダイパッド２０の板厚と同一か、それよりも薄い厚さｔ３を有する半導体チップ４の割れを防止することができる。
【００４７】
また、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法は、まず、第１工程として、図４に示されるように、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬ上に、流動性を有するダイボンド材３１を形成する。ダイパッド２０は、ダイボンド領域ＤＬを有する第１表面２０Ａと、第１表面２０Ａに対して板厚方向に対向する第２表面２０Ｂとを有する。そして、第２工程として、ダイボンド領域ＤＬ上にダイボンド材３１を介して押圧しながら半導体チップ４を搭載する（図１及び図２参照）。
【００４８】
ここで、図２及び図３に示されるように、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬは、第１表面２０Ａから第２表面２０Ｂへ貫通する貫通部２５を有する。第２工程において、ダイボンド領域ＤＬ上にダイボンド材３１を介して押圧しながら半導体チップ４が搭載されると、ダイボンド材３１の一部３０が貫通部２５を通して第１表面２０Ａ側から第２表面２０Ｂ側へ至る。
このため、半導体チップ４に加わる押圧による応力が、貫通部２５を備えない場合に比し、小さくなるので、ダイボンディングにおける半導体チップ４の割れを防止することができる。半導体チップ４の割れを防止することができる結果、半導体装置１の製造上の歩留まりを向上させることができる。
【００４９】
さらに、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法では、第２工程におけるダイボンド領域ＤＬ上のダイボンド材３は、第１工程におけるダイボンド領域ＤＬ上のダイボンド材３１の厚さｔ４に比し、半分以下の薄い厚さｔ２に形成することができる。
このように形成される半導体装置１によれば、ダイボンド材３の厚さｔ２が薄くなることにより、半導体チップ４とダイパッド２０との間の抵抗値を小さくすることができる。具体的には、半導体チップ４に搭載された縦型構造のバイポーラトランジスタのコレクタ電流経路の抵抗値を小さくすることができる。
【００５０】
従って、本実施の形態では、半導体チップ４の割れを防止することができる半導体装置１及びその製造方法を提供することができる。特に、半導体チップ４のチップサイズを大きくすることができ、半導体チップ４の半導体基板４０の厚さｔ３を薄くすることができるので、大電流に適した半導体装置１を製造することができる。
【００５１】
［第２実施の形態］
図５を用いて、本発明の第２実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法について説明する。なお、本実施の形態並びに後述する第３実施の形態において、第１実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法の構成要素と同一の構成要素又は実質的に同一の構成要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５２】
本実施の形態に係る半導体装置１は、第１実施の形態に係る半導体装置１の貫通部２５の構成を変えた例を説明するものである。本実施の形態に係る半導体装置１は、図５に示されるように、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬに、第１実施の形態における貫通部２５の直径Ｌよりも大きい直径Ｌ２を有する１個の貫通部２６を備えている。貫通部２６は、ダイボンド領域ＤＬの中心部分に配設されている。
【００５３】
貫通部２６は、第１実施の形態に係る半導体装置１の貫通部２５と同様に、ダイボンド材３の一部３０を第１表面２０Ａ側から第２表面２０Ｂ側へ至らせ、ダイボンド材３の一部３０は第２表面２０Ｂに沿って貫通部２６の周囲に広がって形成されている。
【００５４】
本実施の形態に係る半導体装置１では、貫通部２６以外の構成要素は第１実施の形態に係る半導体装置１の構成要素と同一である。また、半導体装置１の製造方法は第１実施の形態に係る半導体装置１の製造方法と同一であるので、ここでの説明は省略する。
【００５５】
このように構成される本実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法では、第１実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
【００５６】
［第３実施の形態］
図６を用いて、本発明の第３実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法について説明する。
【００５７】
本実施の形態に係る半導体装置１は、第１実施の形態に係る半導体装置１の貫通部２５の構成を変えた例を説明するものである。本実施の形態に係る半導体装置１は、図６に示されるように、ダイパッド２０のダイボンド領域ＤＬに、第１実施の形態における貫通部２５の直径Ｌよりも小さい直径Ｌ３を有し、かつ、貫通部２５よりも多くの貫通部２７を備えている。
それぞれの貫通部２７は、仮想線（一点鎖線）を用いて理解し易く記載されているように、第１表面２０Ａ側から見て、複数の正三角形を組み合わせた図形において各頂点に中心位置を一致させて配列されている。すなわち、隣接する貫通部２７の配置間隔はすべて等間隔に設定されている。
【００５８】
貫通部２７は、第１実施の形態に係る半導体装置１の貫通部２５と同様に、ダイボンド材３の一部３０を第１表面２０Ａ側から第２表面２０Ｂ側へ至らせ、ダイボンド材３の一部３０は第２表面２０Ｂに沿って貫通部２６の周囲に広がって形成されている。
【００５９】
本実施の形態に係る半導体装置１では、貫通部２７以外の構成要素は第１実施の形態に係る半導体装置１の構成要素と同一である。また、半導体装置１の製造方法は第１実施の形態に係る半導体装置１の製造方法と同一であるので、ここでの説明は省略する。
【００６０】
このように構成される本実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法では、第１実施の形態に係る半導体装置１及びその製造方法により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
【００６１】
［上記実施の形態の補足説明］
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、例えば下記の通り変形可能である。
本発明は、半導体チップの半導体基板として、III族−V族化合物半導体基板を使用してもよい。
また、本発明は、貫通部の平面形状として、楕円形状、角部が円弧状に形成されたスリット形状に形成してもよい。さらに、貫通部の平面形状として、ダイボンド材の流動抵抗が許容範囲内となる多角形状、具体的には六角形状、八角形状又はそれよりも多角形状に形成してもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１…半導体装置、２…リード、２０…ダイパッド、２１…インナーリード、２２…アウターリード、２５、２６、２７…貫通部、２０Ａ…第１表面、２０Ｂ…第２表面、３、３１…ダイボンド材、３０…一部、４…半導体チップ、４０…半導体基板、４１、４２…外部端子、４３…裏面電極、５…ボンディングワイヤ、６…樹脂封止体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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