(57)【要約】【課題】例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことのできるウェーハ用スペーサを提供する。【解決手段】吸着装置１に半導体ウェーハ１０が吸着されてバックグラインドされる場合に、吸着装置１と半導体ウェーハ１０の間に介在されるウェーハ用スペーサであり、吸着装置１の多孔質テーブル４と半導体ウェーハ１０の周縁部１３の間に介在される厚さ３０μｍ以下のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１と、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に積層される剥離可能な粘着層とを備え、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１が半導体ウェーハ１０の周縁部１３に沿う平面リング形である。ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に補強機能の粘着層が積層されるので、ハンドリング時にポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の剛性を確保し、形態を容易に維持できる。【選択図】図２
2019212803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着装置に精密ウェーハが吸着される場合に、これら吸着装置と精密ウェーハとの間に介在されるウェーハ用スペーサであって、
吸着装置の搭載テーブルと精密ウェーハの周縁部との間に介在される厚さ３０μｍ以下のポリエーテルエーテルケトンフィルムと、このポリエーテルエーテルケトンフィルムに積層される剥離可能な粘着層とを含み、ポリエーテルエーテルケトンフィルムがエンドレスであることを特徴とするウェーハ用スペーサ。
【請求項２】
粘着層に積層される保持層を含んでなる請求項１記載のウェーハ用スペーサ。
【請求項３】
吸着装置は、多孔質の搭載テーブルと負圧とを利用して搭載テーブルの表面に精密ウェーハを着脱自在に真空吸着し、
精密ウェーハは、半導体ウェーハである請求項１又は２記載のウェーハ用スペーサ。
【請求項４】
粘着層は、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの周方向に分割して複数配列される請求項１、２、又は３記載のウェーハ用スペーサ。
【請求項５】
複数の粘着層は、粘着層の一端部上に隣接する他の粘着層の他端部が重ねて粘着され、この他の粘着層の他端部が剥離開始の契機部となる請求項４記載のウェーハ用スペーサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハのバックグラインド時等に使用されるウェーハ用スペーサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、ウェーハ処理工程（前工程）が終了すると、半導体チップを個々に分離するダイシング工程に移されるが、肉厚が約７５０μｍと厚く、そのままでは薄型化が必要な半導体パッケージには適さないので、ダイシング工程の前にバックグラインド工程で裏面が削られ、１００μｍ以下の厚さに薄化される（特許文献１参照）。
【０００３】
半導体ウェーハ１０をバックグラインドする場合、図１２に部分的に示すように、先ず、半導体ウェーハ１０の回路パターン１１が形成された表面に保護テープ（バックグラインドテープともいう）１５を着脱自在に粘着してその周縁部付近を半導体ウェーハ１０の周縁部１３付近に揃え、バックグラインド装置の吸着装置１に半導体ウェーハ１０を搭載してその保護テープ１５側を下向きとする。
なお、図１２には、説明の便宜上、吸着装置１と半導体ウェーハ１０の保護テープ１５とが僅かに離れて図示されている。
【０００４】
半導体ウェーハ１０の表面の表面周縁部１４を除く大部分の領域には、回路パターン１１として集積回路がパターニングされるとともに、この集積回路に接続される多数のバンプ１２が突出形成され、この多数のバンプ１２が外部の回路基板用の接続端子として用いられる。また、吸着装置１は、例えば背の低いケース２と、このケース２表面の開口部に嵌着される多孔質テーブル４と、この多孔質テーブル４に排気管を介して接続される真空発生装置とを備え、多孔質テーブル４の露出した表面に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５が面接触する。
【０００５】
バックグラインド装置の吸着装置１に半導体ウェーハ１０を搭載したら、吸着装置１の真空発生装置を作動させて多孔質テーブル４の表面に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着し、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削し、エッチングあるいはポリッシングして半導体ウェーハ１０の裏面のダメージ層を除去した後、半導体ウェーハ１０を吸着装置１の多孔質テーブル４から取り外して表面の保護テープ１５を剥離すれば、半導体ウェーハ１０をバックグラインドして薄化することができる。
【０００６】
ところで、半導体ウェーハ１０は、表面に回路パターン１１が形成されると、この回路パターン１１のバンプ１２等と表面周縁部１４との間に高低差が生じるが、この高低差により、吸着装置１の多孔質テーブル４に真空吸着された場合、周縁部１３が多孔質テーブル４の表面から浮き、周縁部１３と多孔質テーブル４の表面との間に隙間Ｇが生じる。その結果、半導体ウェーハ１０の周縁部１３の姿勢が不安定化し、チッピングが発生して半導体ウェーハ１０が破損することがある。
【０００７】
また、半導体ウェーハ１０の周縁部１３と多孔質テーブル４の表面との間に隙間Ｇが生じると、研削時の研磨塵等が多孔質テーブル４の孔に流入し、多孔質テーブル４に目詰まりが生じて吸着装置１の性能低下を招くおそれがある。さらに、多孔質テーブル４に目詰まりが生じると、半導体ウェーハ１０の全面を均一に真空吸着することができず、半導体ウェーハ１０が位置ずれしてバックグラインドに支障を来すおそれがある。
【０００８】
係る問題に鑑み、従来においては、半導体ウェーハ１０の周縁部１３と吸着装置１の多孔質テーブル４表面との間に平面リング形のウェーハ用スペーサを介在し、このウェーハ用スペーサにより、半導体ウェーハ１０の周縁部１３と多孔質テーブル４表面との間の隙間Ｇを埋める方法が提案されている。
【０００９】
ウェーハ用スペーサの材質としては、例えば透明性や強度に優れるポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）があげられるが、優れた耐溶剤性、耐薬品性、寸法安定性等を得たい場合には、欠点の少ないポリエーテルエーテルケトンフィルム（ＰＥＥＫ）の採用が考えられる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２‐０２０３７４号公報
【特許文献２】特開２０００‐２１２５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来におけるウェーハ用スペーサは、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの場合、熱可塑性樹脂の中できわめて優れた性能が期待できるものの、薄型化の観点から、３０μｍ以下、特に１０μｍ以下の薄さが要求されるときには、剛性に乏しくなるので、形態の維持が容易でなく、製造や取り扱いが困難になる。
【００１２】
具体的には、ウェーハ用スペーサに１０μｍ以下の薄さが要求されるとき、薄いポリエーテルエーテルケトンフィルムで製造しようとすると、折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じる。また、ハンドリング時にも、折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じ、半導体ウェーハ１０の周縁部１３と吸着装置１の多孔質テーブル４表面との間に、ウェーハ用スペーサを平面リング形の形状を維持しながら適切にセットすることがきわめて困難となる。
【００１３】
本発明は上記に鑑みなされたもので、例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことのできるウェーハ用スペーサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明においては上記課題を解決するため、吸着装置に精密ウェーハが吸着される場合に、これら吸着装置と精密ウェーハとの間に介在されるものであり、
吸着装置の搭載テーブルと精密ウェーハの周縁部との間に介在される厚さ３０μｍ以下のポリエーテルエーテルケトンフィルムと、このポリエーテルエーテルケトンフィルムに積層される剥離可能な粘着層とを含み、ポリエーテルエーテルケトンフィルムがエンドレスであることを特徴としている。
【００１５】
なお、粘着層に積層される保持層を含むと良い。
また、吸着装置は、多孔質の搭載テーブルと負圧とを利用して搭載テーブルの表面に精密ウェーハを着脱自在に真空吸着し、
精密ウェーハは、半導体ウェーハとすることができる。
【００１６】
また、粘着層は、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの周方向に分割して複数配列されるようにすることができる。
また、複数の粘着層は、粘着層の一端部上に隣接する他の粘着層の他端部が重ねて粘着され、この他の粘着層の他端部が剥離開始の契機部となるようにすることができる。
さらに、複数の粘着層は、粘着層の一端部上に隣接する他の粘着層の他端部が保持層を介して重ねて粘着され、この他の粘着層の他端部が剥離開始の契機部となるようにすることができる。
【００１７】
ここで、特許請求の範囲における精密ウェーハには、少なくとも各種の半導体ウェーハ（例えば、φ２００、３００、４５０ｍｍのシリコンウェーハ等）、液晶基板、ガラス板等が含まれる。吸着は、真空吸着でも良いし、静電気を利用した吸着でも良い。また、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、粘着層、及び保持層は、透明、不透明、半透明を特に問うものではない。ポリエーテルエーテルケトンフィルムは、精密ウェーハの形状に応じ、リング形や枠形等に形成することができる。
【００１８】
粘着層は、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの片面の全部あるいは一部に着脱自在に粘着することができる。この粘着層の露出面には、必要に応じ、保護用の剥離部材を剥離可能に粘着することができる。また、粘着層は、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの周方向に二分割、三分割、四分割、六分割、八分割等することが可能である。粘着層は自己粘着性を有していても良く、この場合の材質はウレタン系、特殊なアクリル系、特殊なオレフィン系等があげられる。
【００１９】
本発明によれば、例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、ポリエーテルエーテルケトンフィルムに補強機能の粘着層が積層されるので、製造時やハンドリング時に薄いポリエーテルエーテルケトンフィルムの機械的強度を確保し、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの形態を維持することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、ウェーハ用スペーサの形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことができるという効果がある。
【００２１】
請求項２記載の発明によれば、保持層を加えた多層構造により、ウェーハ用スペーサの剛性を向上させることができる。
請求項３記載の発明によれば、半導体ウェーハの周縁部と吸着装置の搭載テーブルとの間に、ウェーハ用スペーサをエンドレスの形状を維持しながら適切にセットすることができる。
【００２２】
請求項４記載の発明によれば、粘着層を分割し、各粘着層の長さを、粘着層を分割しない場合の長さよりも短縮するので、困難な粘着層の剥離作業が容易となる。
請求項５記載の発明によれば、粘着層と隣接する他の粘着層との間に段差が生じるので、他の粘着層の他端部を切っ掛けとして剥がせば、粘着層を簡単に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態における使用状態を模式的に示す断面説明図である。
【図２】本発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態における使用状態を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図４】本発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図５】本発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態におけるポリエーテルエーテルケトンフィルムを模式的に示す斜視説明図である。
【図６】本発明に係るウェーハ用スペーサの第２の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図７】本発明に係るウェーハ用スペーサの第２の実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図８】本発明に係るウェーハ用スペーサの第３の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図９】本発明に係るウェーハ用スペーサの第４の実施形態を模式的に示す平面説明図である。
【図１０】本発明に係るウェーハ用スペーサの第５の実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図１１】本発明に係るウェーハ用スペーサの第６の実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図１２】吸着装置に半導体ウェーハを搭載してその保護テープ側を下向きとした状態を示す断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態におけるウェーハ用スペーサ２０は、図１ないし図５に示すように、バックグラインド装置の吸着装置１に半導体ウェーハ１０が吸着されてバックグラインドされる場合に、吸着装置１と半導体ウェーハ１０との間に介在されるスペーサであり、吸着装置１の多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の周縁部１３との間に介在される厚さ３０μｍ以下のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１と、このポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に積層される剥離可能な粘着層２２とを二層構造に備え、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１が半導体ウェーハ１０に沿うエンドレスのリング形である。
【００２５】
吸着装置１は、図１や図２に示すように、例えば背の低いケース２と、このケース２表面の取付穴３に嵌着されるセラミック製の多孔質テーブル４と、この多孔質テーブル４に排気管５を介して連通される真空発生装置とを備え、多孔質テーブル４上に半導体ウェーハ１０が着脱自在に真空吸着される。ケース２は、例えば所定の金属材料（例えば、ステンレスやアルミ等）を用いて平面円形の箱構造に形成され、表面の中央部に平面円形の取付穴３が設けられており、この取付穴３内に多孔質テーブル４が接着剤を用いて嵌着される。
【００２６】
多孔質テーブル４は、多数の気孔径を揃えることのできるアルミナセラミック等により円板に形成され、ケース２の平坦な表面に平坦な表面が揃えられて露出しており、この表面の平面度が５μｍ以下の高精度に設定される。また、真空発生装置は、例えば真空ポンプやコンプレッサ等からなり、排気管５がケース２の取付穴３中央部に接続されており、多孔質テーブル４に負圧を発生させるよう機能する。
【００２７】
半導体ウェーハ１０は、図１や図２に示すように、例えばφ３００ｍｍのシリコンウェーハ等からなり、表面の表面周縁部１４を除く大部分の円形領域に、回路パターン１１として集積回路がパターニングされるとともに、この集積回路に接続される多数のバンプ１２が突出形成され、この突起である多数のバンプ１２が外部の回路基板用の接続端子として機能する。このような半導体ウェーハ１０は、裏面がバックグラインドされる場合に、表面に保護テープ１５が着脱自在に粘着されてその周縁部付近が表面周縁部１４付近に揃えられ、この保護テープ１５が多孔質テーブル４の平坦な表面に面接触する。
【００２８】
保護テープ１５としては、特に限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルムにアクリル系の粘着剤が塗布されたタイプ、紫外線の照射で粘着力が大幅に低下するタイプ等が使用される。
【００２９】
ウェーハ用スペーサ２０のポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）フィルム２１は、図２ないし図５に示すように、熱可塑性樹脂であるポリエーテルエーテルケトン樹脂が無延伸で製膜されることにより、厚さ３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、さらに好ましくは６μｍ以下の透明の薄膜に製膜され、多孔質テーブル４表面の周縁部付近と半導体ウェーハ１０の表面周縁部１４との間に介在される。
【００３０】
結晶性樹脂であるポリエーテルエーテルケトンの物性としては、例えば比重１．３１、ガラス転移点／融点が１４６／３３９℃、弾性率（ＭＤ）が３７２０Ｎ／ｍｍ２、弾性率（ＴＤ）が２９４０Ｎ／ｍｍ２、降伏強度（ＭＤ）が８０Ｎ／ｍｍ２、降伏強度（ＴＤ）が７５Ｎ／ｍｍ２、最大強度（ＭＤ）が１３５Ｎ／ｍｍ２、最大強度（ＴＤ）が８３Ｎ／ｍｍ２、破断伸び（ＭＤ）が７２％、破断伸び（ＴＤ）が２３９％、絶縁耐力１６ｋＶ／ｍｍ、誘電率３．３０、誘電正接０．００３、吸水率（２３℃、２４時間）０．１等とされる。
【００３１】
ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１は、融点３４３℃、ガラス転移点が１４３℃であり、５００℃まで安定して耐熱性に優れる。また、濃硫酸には酸化するものの、溶かせる溶剤が無いので耐溶剤性に優れ、超音波シールが容易であり、レーザにより溶着や印字が可能である。ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１は、難燃性に優れ、吸水率が低く（０．０５％）、純度が高いので、例え燃焼しても毒性ガスの発生することがないという特徴を有する。
【００３２】
ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１は、半導体ウェーハ１０の周縁部１３や表面周縁部１４に沿う平面リング形に形成され、所定の幅に形成される。具体的には、ケース２の取付穴３周縁部から多孔質テーブル４表面の周縁部に亘る長さの幅に形成される。
【００３３】
粘着層２２は、図３ないし図５に示すように、弱粘着性の粘着材２３によりポリエーテルエーテルケトンフィルム２１と略同じ大きさの平面リング形に形成され、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の形態を維持する場合には、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の片面である表面あるいは裏面に再剥離可能に積層され、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１のみを使用する場合には、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１から剥離される。
【００３４】
粘着材２３は、特に限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム製の基材にアクリル系やウレタン系の粘着剤が塗布されることでポリエーテルエーテルケトンフィルム２１よりも肉厚に形成され、弱粘着性が付与される。この弱粘着性は、特に限定されるものではないが、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の損傷防止の観点からすると、好ましくは吸着装置１の真空吸着力よりも弱く設定される。また、粘着材２３は、必要に応じ、ポリエチレンテレフタレートフィルムの肉厚が変更等されることで剛性が付与され、粘着性と機械的強度との両立が図られる。粘着材２３の露出面には、必要に応じ、保護用の剥離紙が剥離可能に粘着される。
【００３５】
粘着層２２の厚さは、全体の厚さが１００μｍ以上のウェーハ用スペーサ２０が取り扱いしやすく、ハンドリング性に優れるので、例えばウェーハ用スペーサ２０が二層構造の場合、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の厚さが３０μｍのときには７０μｍ以上、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の厚さが１０μｍのときには９０μｍ以上、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の厚さが６μｍのときには９４μｍ以上とされる。
【００３６】
粘着層２２は、その全面がポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の片面に隙間なく粘着されても良いが、面倒な剥離を容易にする観点から、大部分の面がポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の片面に粘着されるとともに、一部の面がポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の片面に粘着されずに浮き、この一部の面が困難な剥離開始作業の契機とされても良い。
【００３７】
このようなウェーハ用スペーサ２０は、例えばポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に粘着層２２を粘着して樹脂フィルムを製造し、この樹脂フィルムを打ち抜くことにより製造される。具体的には、先ず、ポリエーテルエーテルケトン樹脂含有の溶融した成形材料により帯形のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を連続して押出成形するとともに、この長尺のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を巻取機に巻き取り、この巻取機から別の巻取機に長尺のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を繰り出しながらその片面に長尺の粘着層２２を粘着し、別の巻取機に巻き取ることで樹脂フィルムが製造される。
【００３８】
樹脂フィルムの製造が終了したら、別の巻取機から長尺の樹脂フィルムが所定の長さ分繰り出され、この樹脂フィルムが連続的に打ち抜かれることで大量、かつ迅速に製造される。この際、別の巻取機から長尺の樹脂フィルムを所定の長さ分繰り出し、この樹脂フィルムを一定の大きさ（例えば、Ａ０，Ａ１，Ａ２，Ａ４のサイズ、Ｂ０，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ４のサイズ等）の枚葉に裁断した後、この枚葉の樹脂フィルムを打ち抜くことで製造することも可能である。
【００３９】
樹脂フィルムが打ち抜かれる場合、例えポリエーテルエーテルケトンフィルム２１が３０μｍ以下の薄さでも、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に補強機能の粘着層２２が積層されているので、薄膜のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の剛性を確保し、形態を容易に維持することができる。したがって、ウェーハ用スペーサ２０の製造時に折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じるのを防止することができる。
【００４０】
上記構成において、半導体ウェーハ１０をバックグラインドする場合、先ず、半導体ウェーハ１０の回路パターン１１が形成された表面に保護テープ１５を着脱自在に粘着し、この保護テープ１５の周縁部付近を半導体ウェーハ１０の表面周縁部１４付近に揃える。また、吸着装置１の多孔質テーブル４表面の周縁部付近にウェーハ用スペーサ２０を配置してその粘着層２２を露出させ、ウェーハ用スペーサ２０の粘着層２２を徐々に剥離してポリエーテルエーテルケトンフィルム２１のみ残存させる。
【００４１】
粘着層２２を剥離する際、吸着装置１の真空発生装置を作動させ、多孔質テーブル４の表面周縁部付近にポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を真空吸着する必要はないが、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の変形をより確実に防止するため、吸着装置１の真空発生装置を作動させ、多孔質テーブル４の表面周縁部付近にポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を真空吸着することができる。
【００４２】
次いで、吸着装置１の多孔質テーブル４表面に半導体ウェーハ１０を搭載してその保護テープ１５側を下向きとし、多孔質テーブル４表面の周縁部付近と半導体ウェーハ１０の表面周縁部１４との間に、ウェーハ用スペーサ２０のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を位置決めして介在させる。
なお、図２には、説明の便宜上、吸着装置１の多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の保護テープ１５とが僅かに離れて図示される。
【００４３】
吸着装置１の多孔質テーブル４表面に半導体ウェーハ１０を搭載し、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を介在させたら、吸着装置１の真空発生装置を作動させて多孔質テーブル４表面に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着し、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削し、エッチングあるいはポリッシングして半導体ウェーハ１０の裏面のダメージ層を除去した後、半導体ウェーハ１０を多孔質テーブル４から取り外して表面の保護テープ１５を剥離すれば、半導体ウェーハ１０をバックグラインドして薄化することができる。
【００４４】
この際、多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の周縁部１３との間の隙間Ｇがウェーハ用スペーサ２０により埋められるので、半導体ウェーハ１０の周縁部１３の姿勢が安定化する。また、研削時の研磨塵等が多孔質テーブル４の孔に流入し、多孔質テーブル４に目詰まりが生じて吸着装置１の性能低下を招くおそれがない。
【００４５】
上記構成によれば、例えポリエーテルエーテルケトンフィルム２１が３０μｍ以下の薄さでも、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に補強機能の粘着層２２が積層されているので、ハンドリング時に薄膜のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の剛性を確保し、形態を容易に維持することができる。したがって、ハンドリング時の折れ、シワ、弛み、捩れ等を防止することができ、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の取り扱いが実に簡便となる。
【００４６】
また、静電気の発生に伴うシワ、弛み、捩れ等の抑制が期待できる。また、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の採用により、優れた耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性、耐摩耗性、摺動性、寸法安定性、難燃性等を得ることが可能になる。さらに、ピンホール欠陥がなく、電気抵抗値を導電〜半導電の範囲で制御することが可能になる。
【００４７】
次に、図６と図７は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、ウェーハ用スペーサ２０を、厚さ３０μｍ以下のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１と、このポリエーテルエーテルケトンフィルム２１に積層される剥離可能な粘着層２２と、この粘着層２２の表面に積層粘着される剛性の保持層２４とを備えた三層構造の平面リング形とするようにしている。
【００４８】
粘着層２２としては、特に限定されるものではないが、片面粘着テープではなく、例えば粘着性には優れるが、機械的強度に乏しい厚さ１０μｍ以上４０μｍ以下の両面粘着テープ等が使用される。また、保持層２４は、特に限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が使用され、粘着層２２と共に剥離される。
【００４９】
これらの材料の中では、機械的強度に優れ、伸びにくいポリエチレンテレフタレートフィルムが最適である。この保持層２４の厚さは、入手のし易さの観点から、３８μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１２５μｍ前後が良い。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、保持層２４を加えた三層構造により、ウェーハ用スペーサ２０の剛性向上が期待できるのは明らかである。
【００５０】
次に、図８は本発明の第３の実施形態を示すもので、この場合には、粘着層２２をポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の周方向に二分割して複数配列し、各粘着層２２を平面略Ｃ字形に湾曲形成してその表面に剛性の保持層２４を積層粘着するようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、粘着層２２や保持層２４を二分割し、各粘着層２２の長さを、粘着層２２を分割しない場合の長さよりも短縮するので、困難な粘着層２２の剥離開始作業が実に容易となる。
【００５１】
次に、図９は本発明の第４の実施形態を示すもので、この場合には、粘着層２２をポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の周方向に十二分割して多数配列し、細分化された各粘着層２２の表面に剛性の保持層２４を積層粘着するようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５２】
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、粘着層２２や保持層２４を分割して多数とし、各粘着層２２の長さを、粘着層２２を分割しない場合の長さよりも大幅に短縮するので、困難な粘着層２２の剥離開始作業が非常に容易となる。また、剥離時の粘着層２２にポリエーテルエーテルケトンフィルム２１が引き寄せられ、変形して損傷することがない。
【００５３】
次に、図１０は本発明の第５の実施形態を示すもので、この場合には、粘着層２２がポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の周方向に分割された場合、粘着層２２の一端部２２ａ上に隣接する他の粘着層２２の他端部２２ｂを保持層２４を介し短く重ねて粘着し、この他の粘着層２２の他端部２２ｂを剥離開始の契機部とするようにしている。
他の粘着層２２の他端部２２ｂは、隣接する粘着層２２上の保持層２４に短く重ねて粘着されるが、例えば、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の長さで隣接する保持層２４上に重ねて粘着される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５４】
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、粘着層２２と隣接する他の粘着層２２との間に段差が生じるので、他の粘着層２２の他端部２２ｂを摘まんで端から徐々に引っ張り上げれば、粘着層２２を簡単に剥離することができ、実に便利である。また、他の粘着層２２の他端部２２ｂが長く重ねて粘着されるのではなく、短く重ねて粘着されるので、粘着層２２の剥離に伴い、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１にシワや捩れ等が生じるのを防止することができる。
【００５５】
次に、図１１は本発明の第６の実施形態を示すもので、この場合には、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の表面に、低粘着の粘着層２２、剛性の保持層２４、粘着層２２Ａ、及び剛性の保持層２４Ａを順次積層するようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、粘着層２２Ａと保持層２４Ａを新たに加えた五層構造により、ウェーハ用スペーサ２０の大幅な剛性向上が期待できる。
【００５６】
なお、上記実施形態では半導体ウェーハ１０の裏面をバックグラインドするバックグラインド装置を示したが、運搬可能な各種のグラインド装置でも良い。また、吸着装置１を回転させ、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削しても良い。また、上記実施形態ではバックグラインド装置の吸着装置１を示したが、バックグラインド装置から独立した別の吸着装置１でも良い。また、吸着装置１の多孔質テーブル４表面を複数の吸着領域に区画し、この複数の吸着領域に半導体ウェーハ１０をそれぞれ搭載してその保護テープ１５側を下向きとしても良い。
【００５７】
また、精密ウェーハが半導体ウェーハ１０ではない場合、精密ウェーハの形状に応じ、ウェーハ用スペーサ２０を平面枠形等としても良い。また、ウェーハ用スペーサ２０は、半導体ウェーハ１０の僅かな寸法公差に基づき、僅かに径が異なるタイプを複数種用意することができる。また、半導体ウェーハ１０の表面周縁部１４と保護テープ１５の周縁部１３の間にウェーハ用スペーサ２０のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を介在させることができる。また、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１と粘着層２２との幅を僅かに相違させ、剥離作業を容易にすることができる。
【００５８】
また、リング形のポリエーテルエーテルケトンフィルム２１よりも粘着層２２や保持層２４を大型の平面矩形に形成し、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１と粘着層２２とを剥離可能に粘着することも可能である。また、多孔質テーブル４よりもポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を大きく形成し、このポリエーテルエーテルケトンフィルム２１の多孔質テーブル４から食み出た部分に粘着層２２と保持層２４とを積層し、多孔質テーブル４の表面にポリエーテルエーテルケトンフィルム２１を配置した後、粘着層２２と保持層２４とを剥離することが可能である。この場合、多孔質テーブル４の表面周縁部にポリエーテルエーテルケトンフィルム２１用の固定治具や吸着治具を設けると、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２１から粘着層２２と保持層２４とを剥離する作業が容易となる。
【００５９】
また、保持層２４の外周縁部に、剥離操作用の摘み片を突出形成することも可能である。また、粘着層２２の粘着面を平坦な鏡面ではなく、凹凸に形成して粘着力を弱めることが可能である。さらに、粘着層２２は、紫外線の照射や熱を加えることにより、粘着力が低下するタイプとしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明に係るウェーハ用スペーサは、半導体の製造分野等で使用される。
【符号の説明】
【００６１】
１        吸着装置
２        ケース
４        多孔質テーブル（搭載テーブル）
５        排気管
１０      半導体ウェーハ（精密ウェーハ）
１１      回路パターン
１２      バンプ
１３      周縁部
１４      表面周縁部（周縁部）
１５      保護テープ
２０      ウェーハ用スペーサ
２１      ポリエーテルエーテルケトンフィルム
２２      粘着層
２２Ａ    粘着層
２２ａ    一端部
２２ｂ    他端部
２４      保持層
２４Ａ    保持層
Ｇ        隙間
【図１】
2019212803.tif 000003
【図２】
2019212803.tif 000004
【図３】
2019212803.tif 000005
【図４】
2019212803.tif 000006
【図５】
2019212803.tif 000007
【図６】
2019212803.tif 000008
【図７】
2019212803.tif 000009
【図８】
2019212803.tif 000010
【図９】
2019212803.tif 000011
【図１０】
2019212803.tif 000012
【図１１】
2019212803.tif 000013
【図１２】
2019212803.tif 000014