(57)【要約】【課題】溝を備えた絶縁膜を少なくとも有する基板における溝の壁面に対して、膜厚を所望に調整する、成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】本開示の成膜方法は、溝を備えた絶縁膜を少なくとも有する基板に対して、少なくとも原料ガスを供給して成膜処理を行う成膜方法であって、前記原料ガスの時間当たり供給量を変化させながら成膜処理を行う。【選択図】図８Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝を備えた絶縁膜を少なくとも有する基板に対して、少なくとも原料ガスを供給して成膜処理を行う成膜方法であって、
前記原料ガスの時間当たり供給量を変化させながら成膜処理を行う、成膜方法。
【請求項２】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最大量にした後、前記時間当たり供給量を一定勾配で徐々に減少させる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最大量にした後、前記時間当たり供給量を複数の勾配で徐々に減少させる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最大量にした後、前記時間当たり供給量を徐々に減少させる処理と前記時間当たり供給量を一定に保持する処理をシーケンス処理として、１つもしくは２つ以上の前記シーケンス処理を行う、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最大量にした後、前記時間当たり供給量を一定勾配で徐々に減少させ、前記時間当たり供給量を再び最大量に増加させて維持する、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最小量から徐々に最大量まで増加させる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最小量で一定に保持した後、前記時間当たり供給量を徐々に最大量まで増加させる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記原料ガスの前記時間当たり供給量を最小量とし、前記時間当たり供給量を徐々に増加させる処理と前記時間当たり供給量を一定に保持する処理をシーケンス処理として、１つもしくは２つ以上の前記シーケンス処理を行う、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記溝の壁面に成膜される膜の厚みに関し、前記壁面の上端から下端にかけて、前記厚みが徐々に薄くなるように成膜処理を行う、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記基板上に、前記絶縁膜と電極膜が積層した多層膜が形成されており、前記溝が深溝である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１１】
処理容器内に回転自在に収容され、複数の前記基板を上面に載置する載置部を有する回転テーブルと、
前記回転テーブルの前記上面において、前記回転テーブルの前記上面に向けて原料ガスを供給するガス供給部を有する処理領域を少なくとも備える成膜装置を用いて、前記載置部に複数の前記基板を載置し、前記回転テーブルを回転させつつ、少なくとも前記原料ガスを前記複数の基板に供給する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記溝が、ホールまたはトレンチである、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１３】
処理容器と、
前記処理容器内に回転自在に収容され、複数の基板を上面に載置する載置部を有する回転テーブルと、
前記回転テーブルの前記上面において、前記回転テーブルの前記上面に向けて原料ガスを供給するガス供給部を有する処理領域を少なくとも備える成膜装置であって、
前記成膜装置は制御部をさらに備え、
前記制御部は、
前記原料ガスの時間当たり供給量を変化させながら成膜処理を実行する、成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜方法及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板に形成される凹部に酸化シリコン膜を成膜する成膜方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、溝を備えた絶縁膜を少なくとも有する基板における溝の壁面に対して、膜厚を所望に調整するのに有利な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による成膜方法は、
溝を備えた絶縁膜を少なくとも有する基板に対して、少なくとも原料ガスを供給して成膜処理を行う成膜方法であって、
前記原料ガスの時間当たり供給量を変化させながら成膜処理を行う。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、溝を備えた絶縁膜を少なくとも有する基板における溝の壁面に対して、膜厚を所望に調整する、成膜方法及び成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る成膜装置の縦断面図である。
【図２】図１の成膜装置の内部の概略構成を示す斜視図である。
【図３】図１の成膜装置の内部の概略構成を示す平面図であって、制御部の内部構成を共に示す図である。
【図４Ａ】図１の成膜装置における供給領域及び分離領域の一例を示す縦断面図であって、ウエハが載置された載置部を通る縦断面図である。
【図４Ｂ】図１の成膜装置における供給領域及び分離領域の一例を示す縦断面図であって、載置部を通らない縦断面図である。
【図５】図１の成膜装置の他の縦断面図である。
【図６】図１の成膜装置のさらに他の縦断面図である。
【図７Ａ】成膜対象である、ウエハ上に形成された溝を有する多層膜の一例を示す図である。
【図７Ｂ】多層膜の溝の壁面に対して、溝の深度方向に膜厚が調整された保護膜が形成されている状態を示す図である。
【図８Ａ】第１の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図８Ｂ】第２の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図８Ｃ】第３の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図８Ｄ】第４の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図９Ａ】第５の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図９Ｂ】第６の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図９Ｃ】第７の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図１０】第８の実施形態に係る成膜方法のプロセスシーケンスの一例を示す図である。
【図１１】膜のステップカバレッジの、サセプタの回転数依存性を検証した実験結果を示す図である。
【図１２】膜のステップカバレッジの、原料ガスの流量依存性を検証した実験結果を示す図である。
【図１３】膜のステップカバレッジの、成膜時のランピング率依存性を検証した実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態に係る成膜方法及び成膜装置について、添付の図面を参照しながら説明する。尚、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く場合がある。
【０００９】
［実施形態に係る成膜装置］
はじめに、本開示の各実施形態に係る成膜方法に適用される、実施形態に係る成膜装置の一例について図１乃至図６を参照して説明する。ここで、図１は、実施形態に係る成膜装置の縦断面図であり、図２は、図１の成膜装置の内部の概略構成を示す斜視図である。また、図３は、図１の成膜装置の内部の概略構成を示す平面図であって、制御部の内部構成を共に示す図である。また、図４は、図１の成膜装置における供給領域及び分離領域の一例を示す縦断面図であり、図５及び図６は成膜装置の他の縦断面図である。
【００１０】
図１（図３のＡ−Ａ線に沿った断面図）及び図２に示すように、成膜装置３００は、平面視円形（もしくは略円形）で扁平な処理室１と、処理室１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備える処理容器１００と、装置全体の動作を制御する制御部２００とを有する。処理室１は、基板であるウエハＷを内部に収容し、ウエハＷの表面上に成膜処理を施すための処理室である。処理室１は、容器本体１２と、容器本体１２から分離可能な天板１１とを有する。天板１１は、例えばＯ−リングなどの封止部材１３を介して容器本体１２に取り付けられており、封止部材１３にて処理室１が気密に密閉されている。天板１１及び容器本体１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で作製することができる。また、回転テーブル２は、例えば、石英で作製することができる。
【００１１】
図１に示すように、回転テーブル２は円盤状を呈し、中央に円形の開口部を有しており、開口部の周りにおいて、円筒形状のコア部２１によって上下から挟まれて保持されている。コア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は容器本体１２の底部１４を貫通しており、回転軸２２の下端は、回転軸２２を鉛直軸回りに回転させる駆動部２３に取り付けられている。駆動部２３を駆動させることにより、回転テーブル２はその中心軸を回転中心として回転することができる。尚、回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。このケース体２０は、その上面に設けられているフランジ部分を介して処理室１の底部１４の下面に気密に取り付けられており、ケース体２０の内部雰囲気が外部雰囲気から隔離されている。
【００１２】
図２及び図３に示すように、回転テーブル２の上面には、複数（図示例では５つ）の平面視円形で下方に窪んでいる載置部２４が等角度間隔に形成されている。各載置部２４にウエハＷが収容され、載置される。ただし、図３には、１つの載置部２４にウエハＷが載置された状態を示している。
【００１３】
図４Ａに、回転テーブル２における載置部２４に載置されたウエハＷの縦断面を示し、図４Ｂに、回転テーブル２における載置部２４を通らない縦断面を示す。図示するように、載置部２４は、ウエハＷの直径よりも僅かに（例えば４ｍｍ）大きな直径を有している。さらに、載置部２４の深さはウエハＷの厚さにほぼ等しい深さとなっている。載置部２４の深さとウエハＷの厚さがほぼ等しいことにより、ウエハＷが載置部２４に載置された際に、ウエハＷの表面は、回転テーブル２の載置部２４以外の領域の表面とほぼ同じ高さになる。仮に、ウエハＷと、回転テーブル２の載置部２４以外の領域との間に比較的大きな段差があると、この段差によってガスの流れに乱流が生じる可能性があり、ウエハＷ上での膜厚均一性が影響を受け得る。この影響を低減するために、ウエハＷと、回転テーブル２の載置部２４以外の領域との表面をほぼ同じ高さにしている。ここで、「ほぼ同じ高さ」とは、高さの差が例えば５ｍｍ以下程度を意味しているが、加工精度が許容する範囲内において可及的にゼロに近いことが好ましい。
【００１４】
図２乃至図４に示すように、回転テーブル２の回転方向（例えば図３の矢印ＲＤ）に沿って、互いに離間した２つの凸部４が設けられている。尚、図２及び図３では、処理室１の内部の説明を容易にするべく、天板１１の図示を省略している。図４に示すように、凸部４は天板１１の下面に設けられている。また、図３から分かるように、凸部４は、略扇形の平面形状を有しており、略扇形の頂部は処理室１の略中心に位置しており、略扇形の円弧は容器本体１２の内周壁に沿って位置している。さらに、図４Ａに示すように、凸部４は、その下面４４が回転テーブル２や載置部２４内に載置されたウエハＷから高さｈ１に位置するように配置されている。
【００１５】
また、図３及び図４に示すように、凸部４は、自身が二分割されるように半径方向に延びる溝部４３を有しており、溝部４３には分離ガスノズル４１（４２）が収容されている。本実施形態において、溝部４３は凸部４を二等分するように形成されているが、例えば、凸部４における回転テーブル２の回転方向上流側が広くなるように溝部４３を形成してもよい。図３に示すように、分離ガスノズル４１（４２）は、容器本体１２の周壁部から処理室１内へ導入され、その基端部であるガス導入ポート４１ａ（４２ａ）を容器本体１２の外周壁に取り付けることにより支持されている。
【００１６】
分離ガスノズル４１（４２）は、分離ガスのガス供給源（図示せず）に接続されている。分離ガスとしては、例えばチッ素（Ｎ２）ガスなどの不活性ガスが適用できるが、成膜に影響を与えないガスであればその種類は特に限定されない。本実施形態においては、分離ガスとしてＮ２ガスが適用されるが、このＮ２ガスは、分離ガスとしての機能の他に、原料ガスを押し込む押し込み用ガスとしての機能も有する。また、分離ガスノズル４１（４２）は、回転テーブル２の表面に向けてＮ２ガスを吐出するための吐出孔４０（図４）を有している。吐出孔４０は、長さ方向に所定の間隔で配置されている。本実施形態において、吐出孔４０は、約０．５ｍｍの口径を有し、分離ガスノズル４１（４２）の長さ方向に沿って約１０ｍｍの間隔で配列されている。
【００１７】
以上の構成により、分離ガスノズル４１とこれに対応する凸部４とにより、分離空間Ｈを画成する分離領域Ｄ１が提供される。同様に、分離ガスノズル４２とこれに対応する凸部４とにより、分離空間Ｈを画成する分離領域Ｄ２が提供される。また、分離領域Ｄ１に対して回転テーブル２の回転方向下流側には、分離領域Ｄ１，Ｄ２と、回転テーブル２と、天板１１の下面４５（以下、天井面４５）と、容器本体１２の内周壁とにより概ね囲まれる第１の領域４８Ａ（第１の供給領域）が形成されている。さらに、分離領域Ｄ１に対して回転テーブル２の回転方向上流側には、分離領域Ｄ１，Ｄ２と、回転テーブル２と、天井面４５と、容器本体１２の内周壁とにより概ね囲まれる第２の領域４８Ｂ（第２の供給領域）が形成されている。分離領域Ｄ１，Ｄ２において、分離ガスノズル４１，４２からＮ２ガスが吐出されると、分離空間Ｈは比較的高い圧力となり、Ｎ２ガスは分離空間Ｈから第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂに向かって流れる。すなわち、分離領域Ｄ１，Ｄ２における凸部４により、分離ガスノズル４１，４２から提供されるＮ２ガスが第１の領域４８Ａと第２の領域４８Ｂへ案内される。
【００１８】
また、図２及び図３に示すように、第１の領域４８Ａにおいて、容器本体１２の周壁部から回転テーブル２の半径方向に原料ガスノズル３１が導入されている。さらに、第２の領域４８Ｂにおいて、容器本体１２の周壁部から回転テーブルの半径方向に水（Ｈ２Ｏ）等の酸化ガスを供給する反応ガスノズル３２が導入されている。これら原料ガスノズル３１と反応ガスノズル３２は、分離ガスノズル４１，４２と同様に、基端部であるガス導入ポート３１ａ，３２ａを容器本体１２の外周壁に取り付けることにより支持されている。尚、適用される酸化ガスとしては、水の他に、酸素やオゾン等であってもよい。また、本実施形態の成膜装置３００は、ウエハＷ上に形成されている絶縁膜等の有する溝の壁面に対して、酸化アルミ膜（ＡｌＯ膜）の他、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）といったシリコン含有膜を例えば保護膜として成膜する際に適用できる。
【００１９】
原料ガスノズル３１と反応ガスノズル３２は、回転テーブル２の上面（ウエハＷを載置する載置部２４のある面）に向けて原料ガスと反応ガスを吐出するための複数の吐出孔３３，３４を有している（図４参照）。本実施形態において、吐出孔３３、３４は、約０．５ｍｍの口径を有するとともに、原料ガスノズル３１及び反応ガスノズル３２の長さ方向に沿って約１０ｍｍの間隔で配設されている。
【００２０】
原料ガスノズル３１は原料ガス供給源（図示せず）に接続されて原料ガス供給部（ガス供給部）を形成し、反応ガスノズル３２は反応ガス供給源（図示せず）に接続されて反応ガス供給部（ガス供給部）を形成する。原料ガスとしては種々のガスを使用でき、Ａｌ含有有機金属ガスの一種であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスが適用できる。また、その他、シリコン含有ガスである、ＤＩＰＡＳ（ジイソプロピルアミノシラン）ガス、３ＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガス等のアミノシランガスを適用することもできる。以下、ＴＭＡガスを適用する形態を説明する。また、以下の説明において、原料ガスノズル３１の下方の領域に関し、ＴＭＡガスをウエハＷに吸着させる領域を処理領域Ｐ１と称する場合がある。また、反応ガスノズル３２の下方の領域に関し、Ｈ２ＯガスをウエハＷに吸着したＴＭＡガスと反応（酸化）させるための領域を処理領域Ｐ２と称する場合がある。
【００２１】
図４に示すように、分離領域Ｄ１には平坦な低い天井面４４があり（図示していないが分離領域Ｄ２においても同様）、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂには、天井面４４よりも高い天井面４５がある。そのため、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂの容積は、分離領域Ｄ１，Ｄ２における分離空間Ｈの容積よりも大きい。また、後述するように、本実施形態による処理室１には、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂをそれぞれ排気するための排気口６１，６２が設けられている。これらの排気口６１，６２により、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂを、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈに比べて低い圧力に維持することができる。この場合、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力が高いために、第１の領域４８Ａにおいて原料ガスノズル３１から吐出されるＴＭＡガスは、分離空間Ｈを通り抜けて第２の領域４８Ｂへ到達することができない。また、同様に、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力が高いために、第２の領域４８Ｂにおいて反応ガスノズル３２から吐出されるＯ３ガスは、分離空間Ｈを通り抜けて第１の領域４８Ａへ到達することができない。従って、両反応ガスは、分離領域Ｄ１，Ｄ２によって分離され、処理室１内の気相中で混合されることは殆ど無い。
【００２２】
尚、低い天井面４４の回転テーブル２の上面から測った高さｈ１（図４Ａ参照）は、分離ガスノズル４１（４２）からのＮ２ガスの供給量にもよるが、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力を第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂの圧力よりも高くできるように設定される。高さｈ１は、例えば０．５ｍｍ乃至１０ｍｍに設定されていることが好ましく、中でも可及的に低く設定されていることが好ましい。ただし、回転テーブル２の回転ぶれによって回転テーブル２が天井面４４に衝突することを避けるべく、高さｈ１は、上記数値範囲の中でも３．５ｍｍ乃至６．５ｍｍ程度に設定されることがより好ましい。また、凸部４の溝部４３に収容される分離ガスノズル４２（４１）の下端から回転テーブル２の表面までの高さｈ２（図４Ａ参照）は、高さｈ１と同様の理由から、０．５ｍｍ乃至４ｍｍに設定されることがよい。
【００２３】
図１乃至図３を再び参照すると、天板１１の天井面４５には、コア部２１を取り囲むように環状の突出部５が設けられている。突出部５は、コア部２１よりも外側の領域において回転テーブル２と対向している。本実施形態においては、図６に明瞭に示すように、空間５０の下面の回転テーブル２からの高さｈ１５は、空間Ｈの高さｈ１よりも僅かに低い。これは、回転テーブル２の中心部近傍での回転ぶれが小さいためである。具体的には、高さｈ１５は１．０ｍｍ乃至２．０ｍｍ程度に設定されてよい。尚、他の実施形態においては、高さｈ１５とｈ１は等しくてもよく、また、突出部５と凸部４は一体に形成されても、別体として形成されて結合されてもよい。尚、図２及び図３は、凸部４を処理室１内に残したまま天板１１を取り外した処理室１の内部を示している。
【００２４】
図１の約半分の領域を拡大した図５を参照すると、処理室１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されており、分離ガス供給管５１により、天板１１とコア部２１との間の空間５２にＮ２ガスが供給される。空間５２に供給されたＮ２ガスにより、突出部５と回転テーブル２との狭い隙間５０は、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂに比べて高い圧力に維持され得る。そのため、第１の領域４８Ａにおいて原料ガスノズル３１から吐出されるＴＭＡガスは、圧力の高い隙間５０を通り抜けて第２の領域４８Ｂへ到達することができない。また、第２の領域４８Ｂにおいて反応ガスノズル３２から吐出されるＨ２Ｏガスは、圧力の高い隙間５０を通り抜けて第１の領域４８Ａへ到達することができない。したがって、双方のガスは、隙間５０により分離され、処理室１内の気相中で混合されることは殆ど無い。すなわち、本実施形態の成膜装置３００においては、ＴＭＡガスとＨ２Ｏガスとを分離するために、回転テーブル２の回転中心部と処理室１とにより画成されて、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂよりも高い圧力に維持される中心領域Ｃが設けられている。
【００２５】
図６は、図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図の約半分を示しており、ここには、凸部４と、凸部４と一体に形成された突出部５とが図示されている。図示するように、凸部４は、その外縁においてＬ字状に屈曲する屈曲部４６を有している。屈曲部４６は、回転テーブル２と容器本体１２との間の空間を概ね埋めており、原料ガスノズル３１からのＴＭＡガスと反応ガスノズル３２からのＨ２Ｏガスとがこの隙間を通して混合するのを阻止する。屈曲部４６と容器本体１２との間の隙間、及び屈曲部４６と回転テーブル２との間の隙間は、例えば、回転テーブル２から凸部４の天井面４４までの高さｈ１とほぼ同一に設定されてよい。また、屈曲部４６があるため、分離ガスノズル４１，４２（図３参照）からのＮ２ガスは、回転テーブル２の外側に向かう方向には流れ難い。従って、分離領域Ｄ１，Ｄ２から第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８ＢへのＮ２ガスの流れが促進される。尚、屈曲部４６の下方にブロック部材７１ｂを設けることにより、分離ガスが回転テーブル２の下方まで流れるのを更に抑制することができる。尚、屈曲部４６と回転テーブル２との間の隙間は、回転テーブル２の熱膨張を考慮し、回転テーブル２が後述するヒータユニットにより加熱された場合に、上記の間隔（ｈ１程度）となるように設定することが好ましい。
【００２６】
一方、図３に示すように、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂにおいて、容器本体１２の内周壁は外方側に窪み、ここに排気領域６が形成されている。この排気領域６の底部には、図３及び図５に示すように、例えば排気口６１，６２が設けられている。これら排気口６１，６２は、それぞれ排気管６３を介して真空排気装置である例えば共通の真空ポンプ６４（図１参照）に接続されている。この構成により、主に第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂが排気され、上述の通り、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂの圧力を、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力よりも低くすることができる。尚、図３では、容器本体１２の内周壁が外方側に窪んだ箇所に排気領域６が設けられているが、底部に排気口６１、６２が設けられている等の他の形態であってもよい。
【００２７】
また、図３に示すように、第１の領域４８Ａに対応する排気口６１は、回転テーブル２の外側（排気領域６）において原料ガスノズル３１の下方に位置している。この構成により、原料ガスノズル３１の吐出孔３３（図４）から吐出されるＴＭＡガスは、回転テーブル２の上面に沿って、原料ガスノズル３１の長手方向に排気口６１へ向かって流れることができる。
【００２８】
再び図１を参照すると、排気管６３には圧力調整器６５が設けられ、圧力調整器６５により処理室１内の圧力が調整される。複数の圧力調整器６５を、対応する排気口６１，６２に設けてもよい。また、排気口６１，６２は、排気領域６の底部（処理室１の底部１４）に限らず、処理室１の容器本体１２の周壁部に設けてもよい。また、排気口６１，６２は、排気領域６における天板１１に設けてもよい。ただし、天板１１に排気口６１，６２を設ける場合、処理室１内のガスが上方へ流れるため、処理室１内のパーティクルが巻き上げられて、ウエハＷが汚染され得る。そのため、排気口６１，６２は、図示するように底部に設けるか、容器本体１２の周壁部に設けることが好ましい。また、排気口６１，６２を底部に設けることにより、排気管６３、圧力調整器６５、及び真空ポンプ６４を処理室１の下方に設置することができるため、成膜装置３００のフットプリントを縮小する点で有利となる。
【００２９】
図１、図５及び図６に示すように、回転テーブル２と容器本体１２の底部１４との間の空間には、加熱部として環状のヒータユニット７が設けられ、ヒータユニット７により、回転テーブル２上に載置されるウエハＷが所定の温度に加熱される。また、回転テーブル２の下方及び外周の近傍に、ヒータユニット７を取り囲むようにしてブロック部材７１ａが設けられていることにより、ヒータユニット７が置かれている空間がヒータユニット７の外側の領域から区画される。また、ブロック部材７１ａより内側にガスが流入することを防止するために、ブロック部材７１ａの上面と回転テーブル２の下面との間には僅かな隙間が形成されている。ヒータユニット７が収容される領域には、この領域をパージするべく、複数のパージガス供給管７３が、容器本体１２の底部を貫通するように所定の角度間隔を置いて接続されている。尚、ヒータユニット７の上方において、ヒータユニット７を保護する保護プレート７ａが、ブロック部材７１ａと、後述する隆起部Ｒとにより支持されている。この構成により、ヒータユニット７が設けられる空間にＴＭＡガスやＨ２Ｏガスが仮に流入したとしても、ヒータユニット７をこれらのガスから保護することができる。保護プレート７ａは、例えば石英から作製することが好ましい。
【００３０】
図５に示すように、底部１４は、環状のヒータユニット７の内側に隆起部Ｒを有している。隆起部Ｒの上面は、回転テーブル２及びコア部２１に接近しており、隆起部Ｒの上面と回転テーブル２の裏面との間、及び隆起部Ｒの上面とコア部２１の裏面との間に僅かな隙間を残している。また、底部１４は、回転軸２２が通り抜ける中心孔を有している。この中心孔の内径は、回転軸２２の直径よりも僅かに大きく、フランジ部２０ａを通してケース体２０と連通する隙間を残している。また、フランジ部２０ａの上部にはパージガス供給管７２が接続されている。
【００３１】
このような構成により、回転軸２２と底部１４の中心孔との間の隙間、コア部２１と底部１４の隆起部Ｒとの間の隙間、及び底部１４の隆起部Ｒと回転テーブル２の裏面との間の隙間を通して、パージガス供給管７２から回転テーブル２の下方空間へＮ２ガスが流れる。また、パージガス供給管７３からヒータユニット７の下方空間へＮ２ガスが流れる。そして、これらのＮ２ガスは、ブロック部材７１ａと回転テーブル２の裏面との間の隙間を通して排気口６１へ流れ込む。このように流れるＮ２ガスは、ＴＭＡガス（もしくはＨ２Ｏガス）が、回転テーブル２の下方空間を回流してＨ２Ｏガス（もしくはＴＭＡガス）と混合することを防止する分離ガスとして働く。また、原料ガスであるＴＭＡガスを押し込む押し込みガスとして働く。
【００３２】
図２、図３及び図６に示すように、容器本体１２の周壁部には搬送口１５が形成されている。ウエハＷは、搬送口１５を通して搬送アーム１０により処理室１の中へ、又は処理室１から外へと搬送される。この搬送口１５にはゲートバルブ（図示せず）が設けられ、ゲートバルブにより搬送口１５が開閉される。また、載置部２４の底面には３つの貫通孔（図示せず）が形成されており、これらの貫通孔を介して、３本の昇降ピン（図示せず）が上下動することができる。昇降ピンは、ウエハＷの裏面を支えて当該ウエハＷを昇降させ、ウエハＷの搬送アーム１０との間で受け渡しを行う。
【００３３】
また、図３に示すように、実施形態に係る成膜装置３００は、装置全体の動作の制御を行う制御部２００を備えている。この制御部２００は、例えばコンピュータで構成されるプロセスコントローラ２００ａと、ユーザインタフェース部２００ｂと、メモリ装置２００ｃとを有する。ユーザインタフェース部２００ｂは、成膜装置の動作状況を表示するディスプレイや、成膜装置の操作者がプロセスレシピを選択したり、プロセス管理者がプロセスレシピのパラメータを変更したりするためのキーボードやタッチパネル（図示せず）等を有する。
【００３４】
また、制御部２００は、以下で詳説する各実施形態に係る成膜方法を実行するための制御を行う。メモリ装置２００ｃは、プロセスコントローラ２００ａに種々のプロセスを実施させる制御プログラム、プロセスレシピ、及び各種プロセスにおけるパラメータなどを記憶している。また、これらのプログラムには、例えば以下で詳説する各実施形態に係る成膜方法を行わせるためのステップ群を有しているものがある。これらの制御プログラムやプロセスレシピは、ユーザインタフェース部２００ｂからの指示に従って、プロセスコントローラ２００ａにより読み出されて実行される。また、これらのプログラムは、コンピュータ可読記憶媒体２００ｄに格納され、これらに対応した入出力装置（図示せず）を通してメモリ装置２００ｃにインストールしてよい。コンピュータ可読記憶媒体２００ｄは、ハードディスク、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、フレキシブルディスク、半導体メモリなどであってよい。また、プログラムは通信回線を通してメモリ装置２００ｃへダウンロードしてもよい。
【００３５】
［実施形態に係る成膜方法］
次に、本開示の各実施形態に係る成膜方法の一例について、図７乃至図９を参照して説明する。各実施形態に係る成膜方法は、いずれも、成膜時間中に、ウエハＷに供給される原料ガスの時間当たり供給量を変化させる処理（以下、「ランピング処理」という場合がある）を含んでいる。そして、以下、回転テーブル２を回転させてから、成膜処理が終了するまでの全時間を処理時間とする。また、回転テーブル２を回転させた後、原料ガスの供給と反応ガスの供給、さらにはパージガス（もしくは押込みガス）の供給を行うことにより、処理容器１００内にて成膜処理を行う時間を成膜時間（Ｘ（秒））とする。また、ランピング処理に要する時間をランピング時間（Ｙ（秒））とする。成膜時間（Ｘ）に対するランピング時間（Ｙ）の比率（％）を、「ランピング比」とする。さらに、本明細書において、「カバレッジ」もしくは「ステップカバレッジ」とは、段差被覆性といった通常の意味を有する。さらに、「カバレッジ」等は、その他、多層膜に形成されているホール（溝の一例）の頂部の膜厚（図７Ｂのｔ２）に対する、深さ位置における膜厚（図７Ｂにおいて、深さ位置の一例である下端深さにおける膜厚はｔ３）の比率（％）のことをも意味する。
【００３６】
また、以下、第１の実施形態乃至第４の実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０にて、原料ガスの供給量を最大量にし、時間経過に伴い供給量を低減させる点において共通する。一方、以下、第５の実施形態乃至第７の実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０にて、原料ガスの供給量を最小量にし、時間経過に伴い供給量を増加させる点で共通する。
【００３７】
＜第１の実施形態に係る成膜方法＞
第１の実施形態に係る成膜方法の一例を、図８Ａを参照して説明する。まず、各実施形態に係る成膜方法に適用される基板Ｗについて、図７Ａを参照して説明する。図７Ａに示すように、基板Ｗの表面には、シリコン（Ｓｉ）膜である膜Ａが成膜され、膜Ａの上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）にて形成される絶縁膜Ｂと、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜にて形成される電極膜Ｃとが順次積層された多層膜Ｍが形成されている。例えば、３Ｄ（3 dimension）-ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ用のウエハが一例として挙げられる。
【００３８】
多層膜Ｍには、深いホールＨ（溝（深溝）の一例であって、他にトレンチなどもある）がエッチング処理にて予め形成されている。ホールＨの内径がｔ０、多層膜Ｍの厚みがｔ１であり、アスペクト比（ｔ１／ｔ０）は４０以上である。例えば、ｔ１を７μｍ以上に設定でき、ｔ０を１５０ｎｍ乃至２００ｎｍ程度に設定できる。
【００３９】
本実施形態に係る成膜方法の適用例として、このようにアスペクト比が大きく、異種膜の互層構造を有する多層膜ＭのホールＨの壁面に、例えば保護膜を成膜する例を取り上げて成膜方法を説明する。
【００４０】
図７Ｂに示すように、本実施形態に係る成膜方法では、ホールＨの壁面に保護膜Ｐを成膜するに当たり、保護膜Ｐの膜厚を、多層膜Ｍの頂部から底部に向かって徐々に薄くなるように（好ましくは、リニアに膜厚が変化するように）成膜を行う。図７Ｂにおいて、頂部の保護膜Ｐの膜厚はｔ２であり、下端の膜厚はｔ３であって、ホールＨの底部の膜厚もｔ３となる。保護膜Ｐの頂部の膜厚ｔ２に対する下端の膜厚ｔ３の割合は様々に設定でき、一例として２０％乃至７０％程度が挙げられる。
【００４１】
例えば、図示例のようにホールＨの頂部から下端に向かって膜厚が徐々に薄くなる保護膜Ｐを成膜した後、異方性エッチングすることにより、ホールＨの壁面を保護膜Ｐで保護しながら、シリコン（Ｓｉ）膜である膜Ａを異方性エッチングする。この異方性エッチングにより、内径ｔ０が維持されたホールＨを、多層膜Ｍの頂部からウエハＷの表面まで形成することができる。この際、ホールＨの底部の保護膜Ｐが薄膜に成膜されていることにより、異方性エッチングの際にホールＨの下方の膜Ａのエッチングレートが高くなる。さらに、ホールＨの上方からエッチングガスが提供されることから、ホールＨの頂部側の保護膜Ｐはエッチングされ易く、ホールＨの下端側に向かってエッチングされ難くなる。これに対して、図示例の保護膜ＰはホールＨの頂部側で厚く、下端に向かって薄くなるように膜厚が変化した態様で成膜されていることにより、ホールＨの等方性エッチングが防止される。
【００４２】
図８Ａに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量を一気に最大量Ｑ２（ｓｃｃｍ：standard cc/min）に上げる。次に、成膜時間の終了時刻Ｔ１において最小量Ｑ１となるように、一次関数的（一定勾配）に供給量を低減する調整の下で成膜処理を行う。従って、ランピング比（Ｙ／Ｘ×１００）は１００％である。尚、原料ガスとしてＴＭＡガスを適用する場合を例示するが、原料ガスとしては、ＤＩＰＡＳガス、３ＤＭＡＳガス、ＢＴＢＡＳガス等のアミノシランガスを適用することもできる。尚、原料ガスにＴＭＡガスを適用し、水（Ｈ２Ｏ）等の酸化ガスである反応ガスと反応させることにより、酸化アルミ膜（ＡｌＯ膜）からなる保護膜Ｐが形成される（図７Ｂ参照）。この酸化アルミ膜は、ドライエッチングの際の選択比が高く、さらには、ドライエッチングの後で洗浄処理を行う際の被除去性に優れていることから、高いスループットに寄与できる保護膜を形成できる。また、図８Ａでは、時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量がゼロから最大量Ｑ２まで経過時間なく到達しているように図示しているが、最大量Ｑ２に到達するまでに僅かながら時間を要することも図８Ａのグラフが含むものとする。
【００４３】
多層膜Ｐに形成されているホールＨの上方から原料ガスであるＴＭＡガスが供給されることにより、ホールＨの壁面の上端から下端にかけて、徐々に膜付きが行われる。そして、保護膜Ｐの膜厚は、原料ガスの供給量が相対的に多くなる上端側から下端側にかけて徐々に薄くなる傾向にある。しかしながら、ランピング処理を行うことなく、原料ガスの供給量を一定にして成膜した場合には、図７Ｂに示すように、例えばリニアに膜厚が変化する態様で保護膜Ｐを成膜するのは難しい。例えば、原料ガスの供給量を多目に設定して供給した場合、ホールＨの底部に厚い膜厚の保護膜が形成され易くなり、保護膜形成後のエッチング処理によりＡ層をエッチングする際に、保護膜がＡ層のエッチングを阻害し得る。一方、原料ガスの供給量を少な目に設定して供給した場合、ホールＨの下端側に原料ガスが提供され難くなり、ホールＨの下端側の壁面に等方性エッチング防止用の保護膜Ｐを良好に成膜し難くなる。
【００４４】
図８Ａに示すランピング処理を行うことにより、ホールＨの底部の保護膜の膜厚を可及的に薄く成膜しながら、ホールＨの上端から下端にかけて膜厚が徐々に変化する、連続した保護膜Ｐを成膜することが可能になる。
【００４５】
尚、最大量Ｑ２は、ホールＨの壁面の下端及び底部の保護膜Ｐの膜厚ｔ３を規定し得る。また、成膜時間は、ホールＨの壁面の上端の保護膜Ｐの膜厚ｔ２を規定し得る。ランピング処理の際の勾配や、ランピング比（本実施形態では１００％）を調整することにより、所望のステップカバレッジを有するリニアに膜厚が調整された保護膜Ｐを成膜することが可能になる。
【００４６】
＜第２の実施形態に係る成膜方法＞
第２の実施形態に係る成膜方法の一例を、図８Ｂを参照して説明する。図８Ｂに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量を一気に最大量Ｑ２に上げた後、終了時刻Ｔ１よりも前の時刻Ｔ２において、最小量Ｑ１となるように一次関数的に供給量を低減する。そして、時刻Ｔ２から終了時刻Ｔ１にかけて、供給量を最小量Ｑ１に一定に保持する調整の下で成膜処理を行う。ランピング比（Ｙ／Ｘ×１００）はＴ２の設定時刻により変化するが、例えば３０％乃至９０％程度の範囲で調整することができる。
【００４７】
＜第３の実施形態に係る成膜方法＞
第３の実施形態に係る成膜方法の一例を、図８Ｃを参照して説明する。図８Ｃに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量を一気に最大量Ｑ２に上げた後、終了時刻Ｔ１よりも前の時刻Ｔ３において、最大量Ｑ２と最小量Ｑ１の間の供給量Ｑ３まで一次関数的に供給量を低減する。そして、時刻Ｔ３から終了時刻Ｔ１よりも前の時刻Ｔ４において、最小量Ｑ１となるように一次関数的に供給量を低減する。そして、時刻Ｔ４から終了時刻Ｔ１にかけて、供給量を最小量Ｑ１に一定に保持する調整の下で成膜処理を行う。このように、本実施形態に係る成膜方法は、供給量の低減勾配が途中で変化するランピング処理を行う方法である。尚、図示例は、２つの異なる供給量の低減勾配を有するランピング処理を含む成膜方法であるが、３つ以上の異なる低減勾配を有するランピング処理を含む成膜方法であってもよい。
【００４８】
＜第４の実施形態に係る成膜方法＞
第４の実施形態に係る成膜方法の一例を、図８Ｄを参照して説明する。図８Ｄに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量を一気に最大量Ｑ２に上げた後、終了時刻Ｔ５にて供給量Ｑ４まで一次関数的に供給量を低減し、時刻Ｔ６まで供給量Ｑ４を一定に保持する。次に、時刻Ｔ７にて供給量Ｑ５まで一次関数的に供給量を低減し、時刻Ｔ８まで供給量Ｑ５を一定に保持する。次に、時刻Ｔ９にて供給量Ｑ６まで一次関数的に供給量を低減し、時刻Ｔ１０まで供給量Ｑ６を一定に保持する。さらに、時刻Ｔ１１にて最小量の供給量Ｑ１まで一次関数的に供給量を低減し、成膜終了時刻の時刻Ｔ１まで供給量Ｑ１を一定に保持する。
【００４９】
このように、本実施形態に係る成膜方法は、供給量を徐々に減少させる処理と供給量を一定に保持する処理をシーケンス処理として、複数のシーケンス処理（図示例は４つのシーケンス処理）を実行する方法である。尚、各シーケンス処理における供給量の低減勾配は、同一の勾配であってもよいし、異なる勾配であってもよいし、複数のシーケンス処理のうちの一部が同一の勾配であってもよい。また、ランピング時間は、供給量が低減する複数の時間のトータル時間となる。
【００５０】
＜第５の実施形態に係る成膜方法＞
第５の実施形態に係る成膜方法の一例を、図９Ａを参照して説明する。図９Ａに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量を最小量Ｑ１とし、成膜時間の終了時刻Ｔ１で最大量Ｑ２となるように、一次関数的（一定勾配）に供給量を増加させる調整の下で成膜処理を行う。従って、第１の実施形態の成膜方法と同様に、ランピング比（Ｙ／Ｘ×１００）は１００％である。
【００５１】
＜第６の実施形態に係る成膜方法＞
第６の実施形態に係る成膜方法の一例を、図９Ｂを参照して説明する。図９Ｂに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０から時刻Ｔ１２まで、原料ガスの時間当たり供給量を最小量Ｑ１に保持した後、終了時刻Ｔ１において、最大量Ｑ２となるように一次関数的に供給量を増加させる調整の下で成膜処理を行う。ランピング比（Ｙ／Ｘ×１００）はＴ１２の設定時刻により変化するが、例えば３０％乃至９０％程度の範囲で調整することができる。
【００５２】
＜第７の実施形態に係る成膜方法＞
第７の実施形態に係る成膜方法の一例を、図９Ｃを参照して説明する。図９Ｃに示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０から時刻Ｔ１３までは供給量を最小量Ｑ１に保持した後、時刻Ｔ１４にて供給量Ｑ８まで一次関数的に供給量を増加させる。次に、時刻Ｔ１５まで供給量Ｑ８を保持した後、時刻Ｔ１６にて供給量Ｑ９まで一次関数的に供給量を増加させる。次に、時刻Ｔ１７まで供給量Ｑ９を保持した後、時刻Ｔ１８にて最大量である供給量Ｑ２まで一次関数的に供給量を増加させ、成膜終了時刻の時刻Ｔ１まで供給量Ｑ２を一定に保持する。
【００５３】
このように、本実施形態に係る成膜方法は、供給量を一定に保持する処理と、供給量を徐々に増加させる処理をシーケンス処理として、複数のシーケンス処理（図示例は３つのシーケンス処理）を実行する方法である。
【００５４】
＜第８の実施形態に係る成膜方法＞
第８の実施形態に係る成膜方法の一例を、図１０を参照して説明する。図１０に示すように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜開始時刻Ｔ０で原料ガスの時間当たり供給量を一気に最大量Ｑ２に上げた後、終了時刻Ｔ１よりも前の時刻Ｔ１９において、最小量Ｑ１となるように一次関数的に供給量を低減する。そして、時刻Ｔ１９において、再度、供給量を一気に最大量Ｑ２に上げた後、成膜終了時刻の時刻Ｔ１まで供給量Ｑ２を一定に保持する調整の下で成膜処理を行う。このように、本実施形態に係る成膜方法は、原料ガスの供給量を増加させ、低減させた後、再度増加させるといった調整を行う方法である。
【００５５】
［膜のステップカバレッジの、成膜時のランピング率依存性を検証した実験］
本発明者等は、膜のステップカバレッジの、成膜時のランピング率依存性を検証する実験を行った。また、この実験と共に、膜のステップカバレッジの、サセプタの回転数依存性に関する実験、及び、膜のステップカバレッジの、原料ガスの流量依存性に関する実験を行った。
【００５６】
＜実験概要＞
いずれの実験においても、サセプタの温度を３５０℃に設定し、処理容器内の圧力を２Ｔｏｒｒ（２６６Ｐａ）に設定し、原料ガスとしてＴＭＡガスを使用し、反応ガスとしてＨ２Ｏガスを使用した。また、パージガス（押し込みガスでもある）としてＮ２ガスを使用し、Ｈ２Ｏガスは１０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスは８５００ｓｃｃｍの一定量を供給した。
【００５７】
ウエハの表面にはホールを有する多層膜が成膜されており、ホールの高さは７．５μｍ、ホールの頂部の径は１７５ｎｍ、ホールの底部の径は７５ｎｍとした。
【００５８】
膜のステップカバレッジとサセプタの回転数依存性に関する実験を、実験１とする。実験１では、サセプタの回転数を、１５ＲＰＭ、６０ＲＰＭ、１２０ＲＰＭ、２００ＲＰＭ、及び２４０ＲＰＭの５種類の回転数で回転させた際の、ホールの深さ位置におけるステップカバレッジを測定した。尚、既述するように、各深度におけるカバレッジは、ホールの上端における膜厚に対する、各深度における膜厚の比率（％）のことである。
【００５９】
一方、膜のステップカバレッジと原料ガスの流量依存性に関する実験を、実験２とする。実験２では、原料ガスの流量をいずれも一定値として、５０ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍ、及び３００ｓｃｃｍの４種類の流量で供給した際の、ホールの深さ位置におけるステップカバレッジを測定した。
【００６０】
一方、膜のステップカバレッジと成膜時のランピング時間依存性を検証する実験を、実験３とする。実験３では、図８Ｂに示すプロセスシーケンスによる成膜方法を適用し、ランピング率が、３０％、６０％、及び９０％の際の、ホールの深さ位置におけるステップカバレッジを測定した。
【００６１】
＜実験結果＞
図１１、図１２、及び図１３はそれぞれ、実験１、実験２、及び実験３の結果を示す。まず、図１１より、回転数が遅い６０ＲＰＭ以下では、ホールの底部におけるカバレッジが８０％以上となり、ホール底部の保護膜を薄膜に成膜できないことが実証されている。また、１２０ＲＰＭ以上の速い回転数においては、ホールの底部の保護膜を薄膜に成膜できるものの、ホールの途中深度までカバレッジが一気に下がり、途中深度以深ではカバレッジが変化しない傾向を示すことが実証されている。このことは、ホールの壁面において、ホールの上端から下端にかけて保護膜の膜厚をリニアに制御できていないことを意味する。
【００６２】
また、図１２より、原料ガスの供給量が２００ｓｃｃｍ以上の一定量で供給される場合、ホールの底部におけるカバレッジが９０％以上となり、ホール底部の保護膜を薄膜に成膜できないことが実証されている。また、１００ｓｃｃｍ以下の一定量で原料ガスが供給される場合、ホールの底部の保護膜を薄膜に成膜できるものの、ホールの途中深度までカバレッジが一気に下がり、途中深度以深ではカバレッジが変化しない傾向を示すことが実証されている。このことは、図１１と同様に、ホールの壁面において、ホールの上端から下端にかけて保護膜の膜厚をリニアに制御できていないことを意味する。
【００６３】
一方、図１３より、ランピング率が、３０％、６０％、及び９０％といずれのランピング処理においても、ホールの底部の保護膜を薄膜に成膜でき、さらに、ホールの上端から下端にかけて保護膜の膜厚を可及的にリニアに制御できることが実証されている。
【００６４】
また、図１３より、ランピング率を調整することにより、要求されるカバレッジ（ステップカバレッジ）を充足可能であることが分かる。
【００６５】
さらに、ホールの底部の膜厚を可及的に薄膜にしたい場合は、ランピング率の低いランピング制御が好ましいことが分かる。
【００６６】
上記実施形態に挙げた構成等に対し、その他の構成要素が組み合わされるなどした他の実施形態であってもよく、また、本開示はここで示した構成に何等限定されるものではない。この点に関しては、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【００６７】
１                処理室
２                回転テーブル
２４              載置部
３１              原料ガスノズル（ガス供給部）
１００            処理容器
２００            制御部
３００            成膜装置
Ｗ                基板（ウエハ）
Ｂ                絶縁膜
Ｈ                ホール（溝）
【図１】
2019220656.tif 000003
【図２】
2019220656.tif 000004
【図３】
2019220656.tif 000005
【図４Ａ】
2019220656.tif 000006
【図４Ｂ】
2019220656.tif 000007
【図５】
2019220656.tif 000008
【図６】
2019220656.tif 000009
【図７Ａ】
2019220656.tif 000010
【図７Ｂ】
2019220656.tif 000011
【図８Ａ】
2019220656.tif 000012
【図８Ｂ】
2019220656.tif 000013
【図８Ｃ】
2019220656.tif 000014
【図８Ｄ】
2019220656.tif 000015
【図９Ａ】
2019220656.tif 000016
【図９Ｂ】
2019220656.tif 000017
【図９Ｃ】
2019220656.tif 000018
【図１０】
2019220656.tif 000019
【図１１】
2019220656.tif 000020
【図１２】
2019220656.tif 000021
【図１３】
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