(57)【要約】      （修正有）【課題】集積回路装置のピッチを、リソグラフィによって作成される最小ピッチのピッチ未満へと低減する回路構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】回路構造は、第１の方向に延伸する複数の第１の導線２１６ａ，２１６ｂであって、第１の方向に直交する第２の方向に第１のピッチ２１９を有する複数の第１の導線と、第２の方向に延伸する複数のリンク線であって、第１の方向に第２のピッチ２２９を有し、第２のピッチは第１のピッチよりも大きい複数のリンク線と、電流を各リンク線に流すため、各第１の導線を接続する複数の接続構造であって、それぞれ、第１の方向に延伸する複数のセグメント２３１ａ〜２３５ｃを備え、複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、第２の方向に移行ピッチを有し、移行ピッチは、第１のピッチ以上であり、第２のピッチ未満である複数の接続構造と、を備える。【選択図】図２
2019220663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延伸する複数の第１の導線であって、前記第１の方向に直交する第２の方向に第１のピッチを有する複数の第１の導線と、
前記第２の方向に延伸する複数のリンク線であって、前記第１の方向に第２のピッチを有し、前記第２のピッチは前記第１のピッチよりも大きい複数のリンク線と、
電流を各前記リンク線に流すための各前記第１の導線を接続する複数の接続構造であって、それぞれ、前記第１の方向に延伸する複数のセグメントを備え、前記複数のセグメントにおけるセグメントは、前記複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、前記第２の方向に移行ピッチを有し、前記移行ピッチは、前記第１のピッチ以上であり、前記第２のピッチ未満である複数の接続構造と、
を備えることを特徴とする回路構造。
【請求項２】
前記複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のピッチを有し、
前記リンク線の近傍の前記複数のピッチにおける２つのセグメントの間の前記移行ピッチは、前記第１の導線の近傍の前記複数のピッチにおける２つのセグメントの間の前記移行ピッチより大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項３】
前記複数のピッチにおけるピッチは、前記複数のセグメントにおけるセグメントの距離が前記第１の導線から離間するとともに大きくなる、ことを特徴とする請求項２に記載の回路構造。
【請求項４】
前記複数の接続構造における接続構造は、前記第１の方向に接続構造ピッチを有し、
前記複数のセグメントにおけるセグメントは、前記接続構造ピッチの大部分に延伸する長さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項５】
前記複数の接続構造のうち隣接する接続構造は、前記第２の方向に前記第１のピッチの２倍だけオフセットされ、
前記複数の第１の導線のうち隣接する複数の対の第１の導線は、前記複数の接続構造における各隣接する接続構造で終端する、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項６】
前記複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端と、前記第１の方向において前記第１の端と対向する第２の端とを備え、
前記複数のセグメントは、それぞれが前記第１の端で前記第２の方向に延伸する各第１のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第１のセットと、それぞれが前記第２の端で前記第２の方向に延伸する各第２のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第２のセットとを備え、
前記第１のセットにおける前記複数の対のセグメントは、前記第２の方向において、前記第２のセットにおける前記複数の対のセグメントと互いにかみ合う、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項７】
前記複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端と、前記第１の方向において前記第１の端と対向する第２の端とを備え、
前記複数のセグメントは、前記第１の端で前記第２の方向に第１のセグメントを介して接続され、前記第２の端で前記第２の方向に延伸する第２のセグメントを介して接続される１つの複数の対のセグメントを少なくとも備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項８】
前記複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端と、前記第１の方向において前記第１の端と対向する第２の端とを備え、
前記複数のセグメントは、前記第２の端で位置合わせされ、前記第１の端で前記第２の方向に延伸する各第１のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第１のセットと、前記第１の端で位置合わせされ、前記第２の端で前記第２の方向に延伸する各第２のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第２のセットと、を備え、
前記第２の方向に延伸する前記第１及び第２のセグメントは、前記第１の方向においては位置合わせされていない、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項９】
前記複数の接続構造における接続構造は、前記複数の接続構造のうち隣接する接続構造に対して、前記第１の方向に接続構造ピッチを有し、
前記複数の対のセグメントの第１のセットにおけるセグメントの第１対の第１の長さと、前記第２の方向において前記セグメントの第１対と位置合わせされた前記複数の対のセグメントの第２のセットにおけるセグメントの第２対の第２の長さとの合計は、前記接続構造ピッチの大部分に延伸する、ことを特徴とする請求項８に記載の回路構造。
【請求項１０】
メモリセルの複数のブロックであって、各ローカルワード線として構成された前記第１の導線を備える前記複数のブロックにおけるブロックと、
複数のファンアウト構造であって、各接続構造及び各リンク線を備える前記複数のファンアウト構造におけるファンアウト構造と、
複数のランディングパッドであって、それぞれ、前記リンク線に接続される前記複数のランディングパッドにおけるランディングパッドと、
複数のグローバルワード線であって、それぞれ、前記ランディングパッドに接続される前記複数のグローバルワード線におけるグローバルワード線と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の回路構造。
【請求項１１】
回路構造を製造する方法であって、
基板上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記基板に自己整合ダブルパターニング処理を行い、
前記マスクは、
第１の方向に延伸する複数の第１のマスク線であって、前記第１の方向に直交する第２の方向にマスク線ピッチを有する前記複数の第１のマスク線と、
前記マスク線ピッチよりも大きいマスク領域ギャップ幅を前記第１の方向に有するマスク領域ギャップによって分離された複数のマスク領域と、
前記マスク線ピッチよりも大きく前記マスク線ピッチの２倍未満のマスク線幅を有し、前記第２の方向に延伸する複数のマスクリンク線であって、各前記マスク領域を各前記第１のマスク線に接続する前記複数のマスクリンク線と、
各対の前記マスクリンク線の間にそれぞれ配置される複数の移行構造であって、それぞれ、前記第１の方向に延伸する複数のマスクセグメントを備え、前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、前記複数のマスクセグメントのうち隣接するマスクセグメントに対して前記第２の方向に移行ピッチを有し、前記移行ピッチは前記マスク線ピッチ以上であり、前記マスク領域ギャップ幅未満である複数の移行構造と、を備える、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、複数のピッチを有し、
前記マスク領域の近傍の前記複数のピッチにおける２つのセグメントの間の前記移行ピッチは、前記第１のマスク線の近傍の前記複数のピッチにおける２つのセグメントの間の前記移行ピッチより大きい、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のピッチにおけるピッチは、前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントの距離が前記第１のマスク線から離間するとともに大きくなる、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のマスク領域におけるマスク領域は、前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントに対して平行でかつ隣接する第１の側を備え、
前記複数のマスクセグメントは、前記マスク領域の前記第１の側に隣接するマスクセグメントを備え、前記隣接マスクセグメントは、前記マスク領域の前記第１の側から離間する第１の側と、前記マスク領域の前記第１の側の近傍の第２の側とを備え、
前記マスク領域の前記第１の側と前記隣接マスクセグメントの前記第１の側との間の複数のピッチのうちのピッチは、前記マスク線ピッチより大きく前記マスク線ピッチの２倍未満である、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の移行構造における移行構造は、前記複数の移行構造のうち隣接する移行構造に対して前記第１の方向に移行構造ピッチを有し、
前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、前記移行構造ピッチの大部分で延伸する長さを有する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の移行構造のうち隣接する移行構造は、前記第２の方向に前記マスク線ピッチだけオフセットされ、
前記複数の第１のマスク線のうち隣接する第１のマスク線は、前記複数の移行構造のうち各隣接する移行構造で終端する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、それぞれ、第１の端と、前記第１の方向において前記第１の端と対向する第２の端とを備え、
一対の前記マスクリンク線の間に配置された前記複数のマスクセグメントは、前記第１の端で前記対における第１のマスクリンク線と接続され、前記第２の端で前記対における第２のマスクリンク線から分離されたマスクセグメントの第１のセットと、前記第２の端で前記対における前記第２のマスクリンク線と接続され、前記第１の端で前記対における前記第１のマスクリンク線から分離されたマスクセグメントの第２のセットと、を備え、
前記第１のセットのマスクセグメントは、前記第２の方向において、前記第２のセットのマスクセグメントと互いにかみ合う、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、それぞれ、第１の端と、前記第１の方向において前記第１の端と対向する第２の端とを備え、
一対の前記マスクリンク線の間に配置された前記複数のマスクセグメントは、前記第１の端で前記対における第１のマスクリンク線から分離され、前記第２の端で前記対における第２のマスクリンク線から分離される少なくとも一つのマスクセグメントを備える、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、それぞれ、第１の端と、前記第１の方向において前記第１の端と対向する第２の端とを備え、
一対の前記マスクリンク線の間に配置された前記複数のマスクセグメントは、前記第１の端で前記対における第１のマスクリンク線と接続され、前記第２の端で位置合わせされないマスクセグメントの第１のセットと、前記第２の端で前記対における第２のマスクリンク線と接続され、前記第１の端で位置合わせされないマスクセグメントの第２のセットと、を備え、
前記マスクセグメントの前記第１のセットにおけるマスクセグメントは、それぞれ、前記第２の方向において、前記マスクセグメントの前記第２のセットにおけるマスクセグメントと位置合わせされる、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の移行構造における移行構造は、前記複数の移行構造のうち隣接する移行構造に対して、前記第１の方向に移行構造ピッチを有し、
前記マスクセグメントの前記第１のセットにおける第１マスクセグメントの第１の長さと、前記第２の方向において前記第１のマスクセグメントと位置合わせされた前記マスクセグメントの前記第２のセットにおける第２マスクセグメントの第２の長さとの合計は、前記移行構造ピッチの大部分で延伸する、
ことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板は、導電材料の層の上のハードマスク材料の層の上に犠牲材料の層を備え、前記自己整合ダブルパターニング処理を実行するステップは、
前記マスクを用いて前記犠牲材料の層をエッチングして犠牲パターンを形成し、
前記ハードマスク材料の層の上の前記犠牲パターンの上に、側壁スペーサを形成し、
前記側壁スペーサを残しつつ、前記犠牲パターンを除去し、
前記側壁スペーサをエッチングマスクとして用いて前記ハードマスク材料の層をエッチングしてハードマスクを形成し、
前記ハードマスクを用いて前記導電材料の層をエッチングして導線を形成する、
ことを含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示される技術は、集積回路を組み立てるための自己整合マルチパターニング法の使用を含む、集積回路上の材料のパターンストリップ及びその組み立てに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、メモリチップ等の種々様々な電子デバイスを作るために一般的に使用される。集積回路のサイズを低減することで、個別の要素の密度を増加させ、ひいては集積回路の機能を向上したい、という強い要望がある。集積回路上の最小ピッチ（同一種の２つの隣接する構造の同じポイント間、例えば、２つの隣接ワード線間の最小距離）が、しばしば、回路密度の代表的な寸法として用いられる。
【０００３】
回路密度の増加は、しばしば、利用可能なフォトリソグラフィ機器の分解能によって制限される。フォトリソグラフィ機器の任意のピースが作成可能な特徴及びスペースの最小サイズは、その分解能キャパシティと関連している。
【０００４】
フォトリソグラフィ機器の任意のピースが作成可能な最小特徴幅及び最小スペース幅の合計は、当該機器のピースが作成可能な最小ピッチである。最小特徴幅は、しばしば、最小スペース幅とおおよそ等しいため、フォトリソグラフィ機器の任意のピースが作成可能な最小ピッチは、作成可能な最小特徴幅の略２倍に等しい。
【０００５】
集積回路装置のピッチを、リソグラフィによって作成される最小ピッチのピッチ未満へと低減する方法の一つは、ダブルあるいはクアドラプルパターニングを用いることであり、マルチパターニングとしばしば呼ばれる。この方法では、単一のマスクが、典型的には基板上に一連の材料の平行ストリップを作成することに用いられる。その後、材料の各平行ストリップを材料の複数の平行ストリップに変換するため、異なる手法が用いられる。様々な手法は、変換を達成するために、典型的には、一連の堆積及びエッチングステップを採用する。
【０００６】
光リソグラフィにおいて、光学近接効果が生じ得る。光学近接効果は、他の隣接する特徴の近接度の作用としての特徴の線幅のばらつきである。
【０００７】
マルチパターニング処理を用いて集積回路を製造するためのマスクにおいて、ファンアウトパターンは、メモリアレイにおけるワード線のアレイパターンを、パッドを搭載するためのパッドパターンに接続する。アレイパターンは、均一のピッチと、ワード線に対する限界寸法バイアス（例えば、一つのピッチにおける線／スペース比）とを有する。ファンアウトパターンは、ワード線に対する均一なピッチとは異なるピッチと、アレイパターンのそれよりも大きな限界寸法バイアスを有する。光学近接効果のために、ファンアウトパターンにおけるピッチの不均一さと、ファンアウトパターンの大きな限界寸法バイアスとは、例えば、ファンアウトパターン近傍での狭くなったワード線やファンアウトパターン近傍でのワード線の限界寸法を低減によって引き起こされる隣接ワード線の短絡等のワード線に対する信頼性の問題を生じさせる。
【０００８】
ファンアウト領域において光学近接効果を最小限にしてファンアウトパターン近傍のワード線を確実に製造できる技術を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、ワード線等の第１の方向に延伸する複数の第１の導線と、例えばランディングパッド等の大きなピッチを有する特徴と対応する第１の導線とを接続する第２の方向に延伸する複数のリンク線と、各第１の導線をそれぞれのリンク線に接続して電流が流れるようにする複数の接続構造と、を有する回路構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の導線は、例えば、自己整合ダブルパターニング処理の結果、あるいはデバイス上の構造のレイアウトの目的のために、複数の対で構成されてよい。同様に、リンク線は、第１の導線と同様の製造ステップの結果として、複数の対で構成されてよい。複数の対の第１の導線は、それぞれ、第１の方向に直交する第２の方向に第１のピッチを有する。複数の対のリンク線は、それぞれ、第１のリンク線と第２のリンク線とを備える。複数の対のリンク線は、第１の方向に第２のピッチを有し、第２のピッチは第１のピッチよりも大きい。
【００１１】
各接続構造は、第１の方向に延伸する複数のセグメントを備え、複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、第２の方向に移行ピッチを有し、移行ピッチは、第１のピッチ以上であり、第２のピッチ未満である。
【００１２】
複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のピッチを有し、リンク線の近傍の複数のピッチにおける２つのセグメントの間の移行ピッチは、第１の導線の近傍の複数のピッチにおける２つのセグメントの間の移行ピッチより大きい。複数のピッチにおけるピッチは、複数のセグメントにおけるセグメントの距離が第１の導線から離間するとともに大きくなる。
【００１３】
複数の接続構造における接続構造は、第１の方向に接続構造ピッチを有し、複数のセグメントにおけるセグメントは、接続構造ピッチの大部分に延伸する長さを有する。複数の接続構造のうち隣接する接続構造は、第２の方向の第１のピッチの２倍だけオフセットされてよい。複数の第１の導線のうち隣接する複数の対の第１の導線は、複数の接続構造における各隣接する接続構造で終端されてよい。
【００１４】
複数のランディングパッドが、複数のリンク線における各リンク線と接続されてよい。
【００１５】
複数のセグメントにおけるセグメントは、第１の方向に、それぞれ、第１の端と、第１の端と対向する第２の端とを備える。複数のセグメントは、それぞれが前記第１の端で第２の方向に延伸する各第１のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第１のセットと、それぞれが第２の方向に延伸する各第２のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第２のセットとを備えてよい。第１のセットにおける前記複数の対のセグメントは、第２の方向において、第２のセットにおける前記複数の対のセグメントと互いにかみ合ってよい。
【００１６】
複数のセグメントは、第１の端と第２の方向の第１のセグメントを介して接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメントを介して接続される少なくとも１つの複数の対のセグメントを備えてよい。
【００１７】
複数のセグメントは、第２の端で位置合わせされ、第１の端で第２の方向に延伸する各第１のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第１のセットと、第１の端で位置合わせされ、第２の端で第２の方向に延伸する各第２のセグメントを介して接続される複数の対のセグメントの第２のセットと、を備えてよく、第２の方向に延伸する第１及び第２のセグメントは、第１の方向においては位置合わせされていない。
【００１８】
複数の接続構造における接続構造は、複数の接続構造における隣接する接続構造に対して、第１の方向に接続構造ピッチを有する。複数の対のセグメントの第１のセットにおけるセグメントの第１対の第１の長さと、第２の方向においてセグメントの第１対と位置合わせされた複数の対のセグメントの第２のセットにおけるセグメントの第２対の第２の長さとの合計は、接続構造ピッチの大部分に延伸してよい。
【００１９】
回路構造は、メモリセルの複数のブロックであって、複数のブロックにおけるブロックが各ローカルワード線として構成された第１の導線を備える複数のブロックと、複数のファンアウト構造であって、複数のファンアウト構造におけるファンアウト構造が各接続構造及び各リンク線を備える複数のファンアウト構造と、複数のランディングパッドであって、複数のランディングパッドにおけるランディングパッドが各リンク線に接続される複数のランディングパッドと、複数のグローバルワード線であって、複数のグローバルワード線におけるグローバルワード線が各ランディングパッドに接続される複数のグローバルワード線と、を備えてよい。
【００２０】
本明細書で開示する回路構造を製造する方法も提供される。この方法は、基板上にマスクを形成し、マスクを用いて基板に自己整合ダブルパターニング処理を行う、ことを含む。
【００２１】
マスクは、第１の方向に延伸する複数の第１のマスク線を備え、第１のマスク戦は、第１の方向に直交する第２の方向にマスク線ピッチを有する。マスクは、マスク線ピッチよりも大きいマスク領域ギャップ幅を第１の方向に有するマスク領域ギャップによって分離された複数のマスク領域を備える。
【００２２】
マスクは、マスク線ピッチよりも大きくマスク線ピッチの２倍未満のマスク線幅を有し、第２の方向に延伸する複数のマスクリンク線を備え、マスクリンク線は、前記マスク領域を各第１のマスク線に接続する。
【００２３】
マスクは、各対のマスクリンク線の間にそれぞれ配置される複数の移行構造を備え、各移行構造は、前記第１の方向に延伸する複数のマスクセグメントを有する。複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、複数のマスクセグメントのうち隣接するマスクセグメントに対して第２の方向に移行ピッチを有してよく、この移行ピッチはマスク線ピッチ以上であり、マスク領域ギャップ幅未満である。
【００２４】
複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、複数のピッチを有してよく、マスク領域の近傍の複数のピッチにおける２つのセグメントの間の移行ピッチは、第１のマスク線の近傍の複数のピッチにおける２つのセグメントの間の移行ピッチより大きい。複数のピッチにおけるピッチは、複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントの距離が第１のマスク線から離間するとともに大きくなってよい。
【００２５】
複数のマスク領域におけるマスク領域は、複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントに対して平行かつ近傍の第１の側を備える。複数のマスクセグメントは、マスク領域の第１の側に隣接する隣接マスクセグメントを備え、隣接マスクセグメントは、マスク領域の第１の側の遠方の第１の側と、マスク領域の第１の側の近傍の第２の側とを備える。マスク領域の第１の側と隣接マスクセグメントの第１の側との間の複数のピッチにおけるピッチは、マスク線ピッチより大きくマスク線ピッチの２倍未満である。
【００２６】
複数の移行構造における移行構造は、複数の移行構造のうち隣接する移行構造に対して第１の方向に移行構造ピッチを有し、複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、移行構造ピッチの大部分に延伸する長さを有する。複数の移行構造のうち隣接する移行構造は、第２の方向にマスク線ピッチだけオフセットされてよい。複数の第１のマスク線のうち隣接する第１のマスク線は、複数の移行構造のうち各隣接する移行構造で終端されてよい。
【００２７】
複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、第１の方向に、それぞれ、第１の端と、第１の端と対向する第２の端とを備えてよい。一対のマスクリンク線の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線と接続され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線から分離されるマスクセグメントの第１のセットと、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線と接続され、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線から分離されるマスクセグメントの第２のセットと、を備えてよい。第１のセットのマスクセグメントは、第２の方向において、第２のセットのマスクセグメントと互いにかみ合ってよい。
【００２８】
一対のマスクリンク線の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線から分離される少なくとも一つのマスクセグメントを備えてよい。
【００２９】
一対のマスクリンク線の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線と接続され、第２の端で位置合わせされないマスクセグメントの第１のセットと、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線と接続され、第１の端で位置合わせされないマスクセグメントの第２のセットと、を備えてよい。マスクセグメントの第１のセットにおけるマスクセグメントは、それぞれ、第２の方向において、マスクセグメントの第２のセットにおけるマスクセグメントと位置合わせされる。マスクセグメントの第１のセットにおける第１マスクセグメントの第１の長さと、第２の方向において第１のマスクセグメントと位置合わせされたマスクセグメントの第２のセットにおける第２のマスクセグメントの第２の長さとの合計は、移行構造ピッチの大部分に延伸してよい。
【００３０】
基板は、導電材料の層の上のハードマスク材料の層の上に犠牲材料の層を備える。自己整合ダブルパターニング処理の実行は、上記のマスクを用いて犠牲材料の層をエッチングして犠牲パターンを形成してよい。ハードマスク材料の層の上に側壁スペーサを形成してよい。犠牲パターンは除去されてよいが、側壁スペーサは残される。ハードマスク材料の層は、側壁スペーサをエッチングマスクとして用いてエッチングして、ハードマスクを形成してよい。ハードマスクを用いて導電材料の層をエッチングして、導線を形成してよい。
【００３１】
本発明の他の観点及び利点については、以下の図面、実施の形態並びに特許請求の範囲を参照することで明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線と、複数のマスク領域と、複数のマスクリンク線と、複数の移行構造とを備えるマスクを示す。
【００３３】
【図２】図１を参照して説明されるマスクを用いて製造可能な回路構造の一例を示す。
【００３４】
【図３】第２の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線と、複数のマスク領域と、複数のマスクリンク線と、複数の移行構造とを備えるマスクを示す。
【００３５】
【図４】図３を参照して説明されるマスクを用いて製造可能な回路構造の一例を示す。
【００３６】
【図５】前記第２の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線と、複数のマスク領域と、複数のマスクリンク線と、複数の移行構造とを備えるマスクを示す。
【００３７】
【図６】図５を参照して説明されるマスクを用いて製造可能な回路構造の一例を示す。
【００３８】
【図７】前記第２の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線と、複数のマスク領域と、複数のマスクリンク線と、複数の移行構造とを備えるマスクを示す。
【００３９】
【図８】図７を参照して説明されるマスクを用いて製造可能な回路構造の一例を示す。
【００４０】
【図９】第３の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線と、複数のマスク領域と、複数のマスクリンク線と、複数の移行構造とを備えるマスクを示す。
【００４１】
【図１０】図９を参照して説明されるマスクを用いて製造可能な回路構造の一例を示す。
【００４２】
【図１１Ａ−１１Ｇ】図１を参照して説明されるマスクを用いて、図２に示す回路構造を作成する自己整合ダブルパターニングによる製造プロセスを示す。
【００４３】
【図１２】ローカルワード線／グローバルワード線構造を備えるメモリアレイにおけるメモリセルの複数のブロックを示す概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下の説明は、典型的には、特定の構造の実施の形態及び方法に関連する。本技術を説明する特定の実施の形態及び方法に限定する目的はなく、本技術は、他の特徴、要素、方法及び実施の形態を用いて実行可能である点、理解されるべきである。好ましい実施の形態は、本技術を説明するが、特許請求の範囲によって画定される技術的範囲を限定するものではない。以下の説明に関して、様々な同等のバリエーションが認識可能である点、当業者にとって明らかである。
【００４５】
本明細書で説明する技術は、ダブルパターニングを含むマルチパターニングに適用可能である。当該技術を、ダブルパターニングを例にして説明する。当該例は、複数の対にグループ化されたワード線等の、複数の対にグループ化された第１の導線を備える。ダブルパターニング以外のマルチパターニングでは、ワード線は複数の対でグループ化されない場合もある。
【００４６】
図１は、第１の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線（１１１、１１２、１１３、１１４、１１５）と、複数のマスク領域（１４１、１４２、１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１、１２２、１２３）と、複数の移行構造（１６０、１６１、１６２）とを備えるマスク１００を示す。マスクは、本明細書に記載する回路構造を組み立てるためのパターンを画定するフォトリソグラフィマスクであってよい。パターンは、第１のマスク線と、マスク領域と、マスクリンク線と、透光性で光が差すことが可能なオープン空間である移行構造とを備える。マスクは、図２に示すように、複数の第１の導線と、複数のリンク線と、複数の接続構造とを製造するための自己整合ダブルパターニング処理に用いることができる。
【００４７】
複数の第１のマスク線（１１１−１１５）は、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する。第１のマスク線は、それぞれ、第１の側（１１１ａ、１１２ａ）と、第１の側の反対の第２の側（１１１ｂ、１１２ｂ）とを有する。第１のマスク線は、隣接する第１のマスク線の第１の側（１１１ａ及び１１２ａ）の間に、第１の方向に直交する第２の方向（Ｘ方向）のマスク線ピッチ１１０Ｐを有する。例えば、マスク線ピッチ１１０Ｐは、第１のマスク線の第１及び第２の側の間の４８ｎｍのライン幅１１０Ｌと、隣接するマスク線間の３０ｎｍのスペース幅１１０Ｓを含む、７８ｎｍ（ナノメートル）であり得る。
【００４８】
複数のマスク領域（例えば、１４１、１４２、１４３）のうち隣接するマスク領域は、マスク領域ギャップ（１５１、１５２）によって分離され、このマスク領域ギャップは、第１の方向に、マスク線ピッチ１１０Ｐより大きいマスク領域ギャップ幅１５７を有する。複数のマスク領域におけるマスク領域（例えば、１４１）は、複数のマスクセグメント（１３１−１３５）におけるマスクセグメントに平行及び近接する第１の側１４１ａと、第２の方向において第１の側と反対でマスクセグメントの遠方の第２の側１４１ｂとを備える。複数のマスク領域のうち隣接するマスク領域（例えば、１４１、１４２）は、第１の側１４１ａと第２の側１４１ｂとの間の距離を変えることにより、第１の方向に分離することができる。マスク領域ギャップ幅１５７は、変更する距離のうちの最小に相当し得る。
【００４９】
複数のマスクリンク線（１２１、１２２、１２３）は、第２の方向（Ｘ方向）に延伸し、マスク線ピッチ１１０Ｐより大きく、またマスク線ピッチ１１０Ｐの２倍未満であるマスク線幅１２７を有する。例えば、マスク線幅１２７は、１００ｎｍ−１５０ｎｍの範囲であり、マスク線ピッチ１１０Ｐは、約７８ｎｍであってよい。マスクリンク線（例えば、１２１、１２２）は、マスク領域（例えば、１４１、１４２）を各第１のマスク線（例えば、１１４、１１５）に接続する。
【００５０】
複数の移行構造（例えば、１６１）は、各対のマスクリンク線（例えば、１２１、１２２）の間に配置される。移行構造は、それぞれ、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する複数のマスクセグメント（１３１−１３５）を備える。複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、第２の方向（Ｘ方向）に、複数のマスクセグメントのうち隣接するマスクセグメントに対し移行ピッチを備え、移行ピッチ（例えば、１３１Ｐ−１３５Ｐ）は、マスク線ピッチ１１０Ｐ以上であり、マスク領域ギャップ幅１５７未満である。マスクセグメントは、それぞれ、第１の側と、当該第１の側と反対の第２の側とを備える。移行ピッチ（例えば、１３１Ｐ）は、例えば、隣接する一対のマスクセグメント（例えば、１３１、１３２）の第１の側の間であり得る。
【００５１】
複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、複数のピッチ（１３１Ｐ−１３５Ｐ）を有することができ、マスク領域に近接する複数のピッチにおける２つのセグメント間の移行ピッチは、第１のマスク線に近接する複数のピッチにおける２つのセグメント間の移行ピッチより大きくてよい。例えば、マスク領域１４１及び１４２に近接する２つのセグメント１３４及び１３５間の移行ピッチ１３４Ｐは、９０ｎｍであってよく、これは、第１のマスク線１１４に近接する２つのセグメント１３１及び１３２の間の７８ｎｍの移行ピッチ１３１Ｐよりも大きい。複数のピッチにおけるピッチ（例えば、１３１Ｐ、１３２Ｐ、１３３Ｐ）は、各対の隣接するマスクセグメント（例えば、１３１と１３２、１３２と１３３，ならびに１３３と１３４）の第１の側の間であってよい。
【００５２】
複数のピッチ（１３１Ｐ−１３５Ｐ）におけるピッチは、複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントの距離が第１のマスク線から離間するとともに第２の方向に大きくすることができる。例えば、複数のピッチ（１３１Ｐ−１３５Ｐ）におけるピッチは、マスクセグメント（１３１−１３５）の距離が第１のマスク線から、１３１Ｐについては７８ｎｍから８４ｎｍに、１３２Ｐから１３５Ｐについてはそれぞれ８４ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍへと大きくすることができる。
【００５３】
複数のマスク領域におけるマスク領域（例えば、１４１）は、複数のマスクセグメント（１３１−１３５）におけるマスクセグメントと平行かつ近傍の第１の側（例えば、１４１ａ）と、第２の方向において第１の側と反対でマスクセグメントの遠方の第２の側１４１ｂとを有する。複数のマスクセグメントは、マスク領域の第１の側１４１ａに隣接する隣接マスクセグメントを備える。隣接マスクセグメント１３５は、マスク領域１４１の遠方の第１の側１３５ａと、マスク領域１４１の第１の側１４１ａの近傍の第２の側１３５ｂとを備える。マスク領域１４１の第１の側１４１ａと隣接マスクセグメント１３５の第１の側１３５ａとの間の複数のピッチにおけるピッチ１３５Ｐは、マスク線ピッチ１１０Ｐより大きく、マスク線ピッチ１１０Ｐの２倍未満である。ピッチ１３５Ｐは、複数のピッチにおける他のピッチより大きくてよい。例えば、ピッチ１３５Ｐは、１２０ｎｍであってよく、他のピッチは７８ｎｍから９０ｎｍの間である。
【００５４】
複数の移行構造（例えば、１６１）における移行構造は、複数の移行構造のうち隣接する移行構造に対して第１の方向に移行構造ピッチ１４９を有する。複数のマスクセグメント（１３１−１３５）におけるマスクセグメントは、第１の方向（Ｙ方向）の移行構造ピッチの大部分に延伸する長さ１５９を有する。ここで、移行構造ピッチの大部分とは移行構造ピッチの５０％超を意味する。例えば、８００ｎｍの移行構造ピッチについては、移行構造ピッチの大部分は４００ｎｍ超を意味する。
【００５５】
複数の移行構造のうち隣接する移行構造（例えば、１６０、１６１）は、第２の方向（Ｘ方向）におけるマスク線ピッチ１１０Ｐだけオフセットすることができる。複数の第１のマスク線のうち隣接する第１のマスク線（例えば、１１４、１１５）は、複数の移行構造における各隣接する移行構造（例えば、１６０、１６１）で終端することができる。
【００５６】
複数のマスクセグメント（１３１−１３５）におけるマスクセグメントは、それぞれ、第１の端（左端）と、第１の方向（Ｙ方向）において第１の端の反対の第２の端（右端）とを有する。一対のマスクリンク線（例えば、１２１、１２２）の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１に接続され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２からギャップ幅１３７だけ離間したマスクセグメントの第１のセット（例えば、１３２、１３４）と、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２に接続され、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１からギャップ幅１３７だけ離間したマスクセグメントの第２のセット（例えば、１３１、１３３、１３５）とを有する。第１のセット（例えば、１３２、１３４）におけるマスクセグメントは、第２の方向に、第２のセット（例えば、１３１、１３３、１３５）におけるマスクセグメントと互いにかみ合うように設けられてもよい。
【００５７】
ギャップ幅１３７とマスク線幅１２７との合計は、マスク線ピッチ１１０Ｐより大きくてよく、マスク線ピッチ１１０Ｐの４倍未満であってよい。例えば、ギャップ幅１３７は約３０ｎｍから１００ｎｍの範囲を有し、マスク線幅１２７は約１００ｎｍから１５０ｎｍの幅を有し、マスク線ピッチ１１０Ｐは７８ｎｍであってよい。この例では、ギャップ幅１３７とマスク線幅１２７との合計は、略１３０ｎｍから２５０ｎｍの幅を有し、これは、７８ｎｍのマスク線ピッチ１１０Ｐより大きく、マスク線ピッチ１１０Ｐの４倍未満である。
【００５８】
図２は、図１を参照して説明したマスクを用いて製造可能な回路構造の一例を示す。回路構造２００は、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する複数の第１の導線（２１５ａ及び２１５ｂ、２１４ａ及び２１４ｂ、２１３ａ及び２１３ｂ、２１２ａ及び２１２ｂ）を有する。第１の導線は、例えば、自己整合ダブルパターニングによる形成によって、複数の対で形成され得る。一対の第１の導線は、導線２１５ａ及び２１５ｂを有する。前記対の第１の導線は、第１の方向に直交する第２の方向（Ｘ方向）に第１のピッチ２１９を有する。第１のピッチ２１９は、複数の第１の導線のうち隣接する導線に対して相対し得る。例えば、第１のピッチ２１９は、一対の導線（例えば、２１４ａ、２１４ｂ）における第１及び第２の導線間に配置される。第１のピッチ２１９については、図１１Ｇを参照してさらに詳細に説明する。
【００５９】
回路構造２００は、第２の方向（Ｘ方向）に延伸する複数のリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）を備える。リンク線は、例えば、自己整合ダブルパターニングによる形成によって、複数の対で形成され得る。一対のリンク線は、第１のリンク線と、第２のリンク線と（例えば、２２１ａ、２２１ｂ）を備える。リンク線は、一対のリンク線における第１及び第２のリンク線の間に、第１の方向（Ｙ方向）に第２のピッチ２２９を有し、第２のピッチ２２９は、第１のピッチ２１９よりも大きい。一対のリンク線における第１及び第２のリンク線（例えば、２２１ａ、２２１ｂ）は、第１の導線に対して直角に配置されない、あるいは、直線ではない場合、第１の方向において、接続構造（例えば、２６１）と一対のランディングパッド（例えば、２５１ａ、２５１ｂ）との間の異なる距離だけ離間することができる。第２のピッチ２２９は、異なる距離の最小に対応し、最小ピッチと称することができる。
【００６０】
回路構造２００は、各対の電流をリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）に流すための各対の第１の導線（２１５ａ及び２１５ｂ、２１６ａ及び２１６ｂ）を接続する複数の接続構造（２６１、２６２）を備える。複数の接続構造における接続構造（例えば、２６１、２６２）は、接続構造ギャップ幅２２７によって分離される。接続構造は、それぞれ、第１の方向に延伸する複数のセグメント（２３１ａ、２３１ｂ、２３２ａ、２３２ｂ、２３３ａ、２３３ｂ、２３４ａ、２３４ｂ、２３５ａ、２３５ｂ）を備える。複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、第２の方向に移行ピッチ（例えば、２３９Ｐ）を有し、このピッチは、第１のピッチ２１９以上であり、第２のピッチ２２９未満である。
【００６１】
複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のピッチ（例えば、２３１Ｐ、２３９Ｐ）を有し、リンク線（例えば、２２１ａ、２２１ｂ）の近傍の複数のピッチにおける２つのセグメント（例えば、２３５ａ、２３５ｂ）間の移行ピッチ（例えば、２３９Ｐ）は、第１の導線（例えば、２１５ａ、２１５ｂ）の近傍の複数のピッチにおける２つのセグメント（例えば、２３１ａ、２３１ｂ）間の移行ピッチ（例えば、２３１Ｐ）より大きい。複数のピッチにおけるピッチは、複数のセグメントにおけるセグメントの距離が第１の導線から離間するとともに第２の方向（Ｘ方向）に大きくなってよい。
【００６２】
複数の接続構造（例えば、２６１）における接続構造は、隣接する接続構造（例えば、２６１、２６２）に対して、第１の方向（Ｙ方向）に接続構造ピッチ２４９を有し、複数のセグメントにおけるセグメントは、第１の方向に接続構造ピッチの大部分に延伸する長さ２５９を有する。ここで、接続構造ピッチの大部分とは、接続構造ピッチの５０％超を意味する。例えば、８００ｎｍの接続構造ピッチについては、接続構造ピッチの大部分は、４００ｎｍ超を意味する。
【００６３】
複数の接続構造のうち隣接する接続構造（例えば、２６１、２６２）は、第２の方向で第１のピッチ２１９の２倍だけオフセットすることができる。複数の第１の導線における隣接する対の第１の導線（例えば、２１６ａ及び２１６ｂ、２１５ａ及び２１５ｂ）は、複数の接続構造における各隣接する接続構造（２６２、２６１）で終端できる。複数の第１の導線における他の隣接する対の第１の導線（例えば、２１４ａ及び２１４ｂ、２１３ａ及び２１３ｂ、２１２ａ及び２１２ｂ）は、複数の接続構造におけるより隣接する接続構造のそれぞれで終端することができる。
【００６４】
複数のランディングパッド（例えば、２５１ａ及び２５１ｂ、２５２ａ及び２５２ｂ）は、複数のリンク線における各リンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）に接続され得る。例えば、複数のランディングパッドにおける複数の対のランディングパッド（例えば、２５１ａ及び２５１ｂ）は、複数のリンク線における各対のリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ）に接続することができる。
【００６５】
複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端（左端）と、第１の方向において第１の端と対向する第２の端（右端）とを有する。複数のセグメントは、それぞれ、第１の端で第２の方向に延伸する各第１のセグメント（２３１ｃ、２３３ｃ、２３５ｃ）に接続された複数の対のセグメントの第１のセット（例えば、２３１ａ及び２３１ｂ、２３３ａ及び２３３ｂ、２３５ａ及び２３５ｂ）と、それぞれ、第２の端で第２の方向に延伸する各第２のセグメント（例えば、２３２ｄ、２３４ｄ）を介して接続される複数の対のセグメントの第２のセット（２３２ａ及び２３２ｂ、２３４ａ及び２３４ｄ）とを備える。第１のセットにおける前記複数の対のセグメントは、第２の方向において、第２のセットにおける前記複数の対のセグメントとかみ合わされてよい。
【００６６】
複数の対のセグメントの第１のセットにおける複数の対は、それぞれ、第１のセグメントと、第２の方向において第１のセグメントと反対の第２のセグメントとを備える。第１のセットにおける第１対（２３１ａ及び２３１ｂ）の第２のセグメント（２３１ｂ）は、第２の端で、第１対に隣接する第１のセットにおける第２対（２３３ａ及び２３３ｂ）の第１のセグメント（２３３ａ）に、第２の方向において第３のセグメント（２３１ｄ）を介して接続される。
【００６７】
複数の対のセグメントの第２のセットにおける複数の対は、それぞれ、第１のセグメントと、第２の方向において第１のセグメントと反対の第２のセグメントとを備える。第２のセットにおける第１対（２３２ａ及び２３２ｂ）の第２のセグメント（２３２ｂ）は、第１の端で、第１対に隣接する第２のセットの第２対（２３４ａ及び２３４ｂ）の第１のセグメント（２３４ａ）に、第２の方向において第４のセグメント（２３２ｃ）を介して接続される。
【００６８】
複数の対のセグメントの第１のセットにおけるセグメントの第１の端は、複数の対のセグメントの第２のセットにおけるセグメントの第１の端から、第１の方向におけるギャップ幅２３７だけ離間する。同様に、複数の対のセグメントの第１のセットにおけるセグメントの第２の端は、複数の対のセグメントの第２のセットにおけるセグメントの第２の端から、第１の方向におけるギャップ幅２３７だけ離間する。ギャップ幅２３７と接続構造ギャップ幅２２７との合計は、第１のピッチ２１９より大きく、第１のピッチ２１９の８倍未満である。
【００６９】
図３は、第２の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、複数の移行構造（３６０−３６２）とを備えるマスク３００を示す。図１に示す同様の要素についての詳細な説明が、図３に示す同様の要素に適用でき、ここでは省略する。同様の要素は、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、第２の方向（Ｘ方向）における移行構造の複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントの複数のピッチ（１３１Ｐ−１３５Ｐ）とを含む。図１及び３に示すマスクの違いは、移行構造におけるマスクセグメントの配置である。
【００７０】
複数の移行構造（例えば、３６０、３６１、３６２）は、マスクリンク線（例えば、１２１、１２２）の各対間に配置される。移行構造は、それぞれ、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する複数のマスクセグメント（３３１−３３５）を備える。
【００７１】
複数の移行構造（例えば、３６１）における移行構造は、複数の移行構造のうち隣接する移行構造に対して、第１の方向に移行構造ピッチ１４９を有する。複数のマスクセグメント（３３１−３３５）におけるマスクセグメントは、第１の方向（Ｙ方向）における移行構造ピッチの大部分に延伸する長さ３５９を有する。ここで、移行構造ピッチの大部分とは、移行構造ピッチの５０％超を意味する。例えば、８００ｎｍの移行構造ピッチについては、移行構造ピッチの大部分は、４００ｎｍ超を意味する。
【００７２】
複数のマスクセグメント（３３１−３３５）におけるマスクセグメントは、それぞれ、第１の端（左端）と、第１の方向（Ｙ方向）において第１の端と対向する第２の端（右端）とを有する。一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対のうちの第１のマスクリンク線１２１から離間し、第２の端で前記対のうちの第２のマスクリンク線１２２から離間するマスクセグメント（３３５）を少なくとも備える。
【００７３】
図３の例に示すように、一対のマスクリンク線１２１及び１２２の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対のうち第１のマスクリンク線１２１から離間し、第２の端で前記対のうちの第２のマスクリンク線１２２から離間する４つのマスクセグメント（例えば、３３２−３３５）を備える。比較すると、図５及び７の例に示すように、一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対のうちの第１のマスクリンク線１２１から離間し、第２の端で前記対のうちの第２のマスクリンク線１２２から離間する異なる数のマスクセグメントを備える。
【００７４】
図４は、図３を参照して説明したマスクを用いて製造可能な回路構造４００の一例を示す。図２に示す同様の要素についての詳細な説明が、図４に示す同様の要素に適用でき、ここでは省略する。同様の要素は、複数の第１の導線（例えば、２１５ａ、２１５ｂ、２１６ａ、２１６ｂ）と、複数のリンク線（例えば、２２１ａ、２２１ｂ、２２２ａ、２２２ｂ）と、複数の接続構造における複数のセグメントにおけるセグメントの複数のピッチ（２３１Ｐ、２３９Ｐ）における移行ピッチと、複数のランディングパッド（２５１ａ、２５１ｂ、２５２ａ、２５２ｂ）とを含む。図２及び４の回路構造の違いは、接続構造におけるセグメントの配置である。
【００７５】
回路構造４００は、電流を各対のリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）に流すための各対の第１の導線（２１５ａ及び２１５ｂ、２１６ａ及び２１６ｂ）を接続する複数の接続構造（４６１、４６２）を備える。接続構造は、それぞれ、第１の方向に延伸する複数のセグメント（４３１ａ、４３１ｂ、４３２ａ、４３２ｂ、４３３ａ、４３３ｂ、４３４ａ、４３４ｂ、４３５ａ、４３５ｂ）を備える。複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、第２の方向に移行ピッチ（例えば、２３９Ｐ）を有し、このピッチは、第１のピッチ２１９以上であり、第２のピッチ２２９未満である。
【００７６】
複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端と、第１の方向において第１の端と対向する第２の端とを備える。複数のセグメントにおけるセグメント４３１ａ及び４３１ｂは、それぞれ、第２の方向において第１のセグメント４３１ｃを介して第１の端で接続される。さらに、複数のセグメントは、第１の端で第２の方向において第１のセグメントを介して接続され、第２の端で第２の方向において第２のセグメントを介して接続された少なくとも１つの対のセグメントを備える。例えば、一対におけるセグメント４３５ａ及び４３５ｂは、第２の方向において第１のセグメント４３５ｃを介して第１の端で接続され、第２の方向において第２のセグメント４３５ｄを介して第２の端で接続される。例えば、複数の対のセグメント４３４ａ及び４３４ｂ、４３３ａ及び４３３ｂ、４３２ａ及び４３２ｂは、それぞれ、第２の方向において第１のセグメント４３４ｃ、４３３ｃ及び４３２ｃを介して第１の端で接続され、第２の方向において第２のセグメント４３４ｄ、４３３ｄ及び４３２ｄを介して第２の端で接続される。
【００７７】
図５は、第２の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、複数の移行構造（５６０−５６２）とを備えるマスク５００を示す。図３に示す同様の要素についての詳細な説明が、図５に示す同様の要素について適用でき、ここでは省略する。同様な要素は、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク線（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１、１２２、１２３）と、第２の方向（Ｘ方向）における移行構造の複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントの複数のピッチ（１３１Ｐ、１３２Ｐ）とを含む。
【００７８】
複数の移行構造（例えば、５６０、５６１、５６２）は、マスクリンク線（例えば、１２１、１２２）の各対の間に配置される。移行構造は、それぞれ、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する複数のマスクセグメント（５３１、５３２）を備える。
【００７９】
図３及び５の例の間の違いは、第１の端で一対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離された前記対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置されたマスクセグメントの数である。
【００８０】
図５の例で示すように、一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離された一つのマスクセグメント（例えば、５３２）を備える。比較として、図３の例で示すように、一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離された４つのマスクセグメント（例えば、３３２−３３５）を備える。
【００８１】
図６は、図５を参照して説明したマスクを用いて製造可能な回路構造６００の一例を示す。図４に示す同様の要素についての詳細な説明が、図６に示す同様の要素に適用でき、ここでは省略する。図４及び図６に示す回路構造の一例の間の違いは、接続構造におけるダミー構造の数である。ここで、接続構造のダミー構造は、第１の方向に延伸し、第２の方向において第１のセグメントを介して第１の端で接続され、第２の方向に延伸する第２のセグメントを介して第２の端で接続される一対のセグメントを備える。
【００８２】
回路構造６００は、電流を各対のリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）に流すための複数の対の第１の導線（２１５ａ及び２１５ｂ、２１６ａ及び２１６ｂ）を接続する複数の接続構造（６６１、６６２）を備える。接続構造は、それぞれ、第１の方向に延伸する複数のセグメント（６３１ａ、６３１ｂ、６３２ａ、６３２ｂ）を備える。複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対し、第２の方向に移行ピッチ（例えば、２３３Ｐ）を有し、このピッチは、第１のピッチ２１９以上であり、第２のピッチ２２９未満である。
【００８３】
複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端と、第１の方向において第１の端の反対に第２の端を有する。図６の例に示すように、接続構造（例えば、６６１）における複数のセグメントは、セグメント６３１ａ及び６３１ｂと、一つの対のセグメント６３２ａ及び６３２ｂとを備える。セグメント６３１ａ、６３１ｂは、それぞれ、第２の方向において第１のセグメント６３１ｃを介して第１の端で接続される。セグメント６３２ａ、６３２ｂは、第１の端で第１のセグメント６３２ｃを介して第２の方向に接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメント６３２ｄに接続される。換言すると、図６の例は、接続構造（例えば、６６１）の一つのダミー構造を示す。比較として、図４の例は、接続構造（例えば、４６１）の４つのダミー構造を示す。図４及び６は、共に、接続構造における複数のセグメントは、第１の端で第２の方向に第１のセグメントを介して接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメントを介して接続される少なくとも一つの対のセグメントを備えることを示す。
【００８４】
図７は、第２の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、複数の移行構造（７６０−７６２）とを備えるマスク７００を示す。図３に示す同様の要素についての詳細な説明が、図７に示す同様の要素に適用でき、ここでは省略する。同様な要素は、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、第２の方向（Ｘ方向）において移行構造における複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントの複数のピッチ（１３１Ｐ、１３２Ｐ、１３３Ｐ）とを備える。
【００８５】
複数の移行構造（例えば、７６０、７６１、７６２）は、各対のマスクリンク線（例えば、１２１、１２２）の間に配置される。移行構造は、それぞれ、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する複数のマスクセグメント（７３１、７３２、７３３）を備える。
【００８６】
図３及び７の例の間の違いは、第１の端で一対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離される、前記対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置されるマスクセグメントの数である。
【００８７】
図７の例に示すように、一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間で配置される複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離される２つのマスクセグメント（例えば、７３２、７３３）を備える。比較として、図３の例に示すように、一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置される複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離される４つのマスクセグメント（例えば、３３２、３３３、３３４、３３５）を備える。
【００８８】
図３、５及び７は、一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置される複数のマスクセグメントが、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１から分離され、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２から分離される一つのマスクセグメントを少なくとも備えることを示す。
【００８９】
図８は、図７を参照して説明したマスクを用いて製造可能な回路構造８００の一例を示す。図４に示す同様の要素についての詳細な説明が、図８に示す同様の要素に適用でき、ここでは省略する。図４及び図８に示す回路構造の一例の間の違いは、接続構造におけるダミー構造の数である。ここで、接続構造におけるダミー構造は、第１の方向に延伸し、第１の端で第２の方向において第１のセグメントを介して接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメントを介して接続される一対のセグメントを備える。
【００９０】
回路構造８００は、電流を各対のリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）に流すための各対の第１の導線（２１５ａ及び２１５ｂ、２１６ａ及び２１６ｂ）を接続する複数の接続構造（８６１、８６２）を備える。接続構造は、それぞれ、第１の方向に延伸する複数のセグメント（８３１ａ、８３１ｂ、８３２ａ、８３２ｂ、８３３ａ、８３３ｂ）を備える。複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、第２の方向に移行ピッチ（例えば、２３５Ｐ）を有し、このピッチは、第１のピッチ２１９より大きく、第２のピッチ２２９未満である。
【００９１】
複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端と、第１の方向において第１の端と対向する第２の端を有する。複数のセグメントにおけるセグメント８３１ａ及び８３１ｂは、それぞれ、第２の方向において第１のセグメント８３１ｃを介して第１の端で接続される。さらに、図８の例に示すように、接続構造（例えば、８６１）における複数のセグメントは、第１の端で第２の方向において第１のセグメント８３２ｃを介して接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメント８３２ｄを介して接続されるセグメントの第１対８３２ａ及び８３２ｂと、第１の端で第２の方向において第１のセグメント８３３ｃを介して接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメント８３３ｄを介して接続されるセグメントの第２対８３３ａ及び８３３ｂと、を備える。換言すると、図８の例は、接続構造（例えば、８６１）において２つのダミー構造を示す。比較として、図４の例は、接続構造（例えば、４６１）の４つのダミーの構造を示す。図４及び８は、共に、接続構造における複数のセグメントが、第１の端で第１のセグメントを介して第２の方向に接続され、第２の端で第２の方向に延伸する第２のセグメントを介して接続される少なくとも１つの対のセグメントを備えることができることを示す。
【００９２】
図９は、第３の実施の形態に係る、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、複数の移行構造（９６０−９６２）とを備えるマスク９００を示す。図１に示す同様の要素についての詳細な説明が、図９に示す同様の要素について適用でき、ここでは省略する。同様な要素は、複数の第１のマスク線（１１１−１１５）と、複数のマスク領域（１４１−１４３）と、複数のマスクリンク線（１２１−１２３）と、移行構造における複数のマスクセグメントにおける複数のピッチ（１３１Ｐ−１３５Ｐ）とを含む。
【００９３】
複数の移行構造（例えば、９６０、９６１、９６２）は、各対のマスクリンク線（例えば、１２１、１２２、１２３）の間に配置される。移行構造は、それぞれ、第１の方向（Ｙ方向）に延伸する複数のマスクセグメント（９３１ａ、９３１ｂ、９３２ａ、９３２ｂ、９３３ａ、９３３ｂ、９３４、９３５）を備える。複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、図１を参照して説明したように、第２の方向（Ｘ方向）に移行ピッチ（例えば、１３１Ｐ−１３５Ｐ）を有する。
【００９４】
複数のマスクセグメントにおけるマスクセグメントは、それぞれ、第１の端（左端）と、第１の方向（Ｙ方向）において第１の端と反対に第２の端（右端）とを備える。一対のマスクリンク線（１２１、１２２）の間に配置された複数のマスクセグメントは、第１の端で前記対における第１のマスクリンク線１２１に接続されて第２の端で位置合わせされていないマスクセグメントの第１のセット（９３１ａ、９３２ａ、９３３ａ）と、第２の端で前記対における第２のマスクリンク線１２２に接続されて第１の端で位置合わせされていないマスクセグメントの第２のセット（９３１ｂ、９３２ｂ、９３３ｂ）とを備える。マスクセグメント（９３１ａ、９３２ａ、９３３ａ）の第１のセットにおけるマスクセグメントは、第２の方向（Ｘ方向）においてマスクセグメント（９３１ｂ、９３２ｂ、９３３ｂ）の第２のセットにおける各マスクセグメントと位置合わせされる。
【００９５】
複数の移行構造（例えば、９６１）の移行構造は、複数の移行構造のうち隣接する移行構造に対して、第１の方向（Ｙ方向）に移行構造ピッチ１４９を有する。マスクセグメントの第１のセットにおける第１のマスクセグメント（例えば、９３１ａ）の第１の長さと、第２の方向において第１のマスクセグメントと位置合わせされたマスクセグメントの第２のセットの第２のマスクセグメント（例えば、９３１ｂ）の第２の長さとの合計は、第１の方向（Ｙ方向）における移行構造ピッチ１４９の大部分に延伸する。ここで、移行構造ピッチの大部分とは、移行構造ピッチの５０％超を意味する。例えば、８００ｎｍの移行構造ピッチについては、移行構造ピッチの大部分は４００ｎｍ超を意味する。
【００９６】
マスクセグメントの第１のセットにおける第１のマスクセグメント（例えば、９３２ａ）と、第２の方向において第１のマスクセグメントと位置合わせされたマスクセグメントの第２のセットにおける第２のマスクセグメント（例えば、９３２ｂ）は、ギャップ幅１３７だけ互いに分離される。一つの実施の形態において、ギャップ幅１３７とマスク線幅１２７との合計は、マスク線ピッチ１１０Ｐより大きく、マスク線ピッチ１１０Ｐの４倍未満である。例えば、ギャップ幅１３７は約３０ｎｍから１００ｎｍの範囲を有し、マスク線幅１２７は約１００ｎｍから１５０ｎｍの範囲を有し、マスク線ピッチ１１０Ｐは７８ｎｍであってよい。この例では、ギャップ幅１３７とマスク線幅１２７との合計は約１３０ｎｍから２５０ｎｍの幅を有し、これは７８ｎｍのマスク線ピッチ１１０Ｐより大きく、マスク線ピッチ１１０Ｐの４倍未満である。
【００９７】
図１０は、図９を参照して説明したマスクを用いて製造可能な回路構造１０００の一例を示す。図２に示す同様の要素のついての詳細な説明が、図１０に示す同様の要素の適用でき、ここでは省略する。同様な要素は、複数の第１の導線（例えば、２１３ａ、２１３ｂ、２１４ａ、２１４ｂ、２１５ａ、２１５ｂ、２１６ａ、２１６ｂと、複数のリンク線（例えば、２２１ａ、２２１ｂ、２２２ａ、２２２ｂ）と、複数の接続構造における複数のセグメントのうちのセグメントの複数のピッチ（例えば、２３１Ｐ、２３９Ｐ）における移行ピッチと、複数のランディングパッド（２５１ａ、２５１ｂ、２５２ａ、２５２ｂ）とを含む。図２及び図１０に示される回路構造の間の違いは、接続構造におけるセグメントの配置である。
【００９８】
回路構造１０００は、電流を各対のリンク線（２２１ａ及び２２１ｂ、２２２ａ及び２２２ｂ）に流すための各対の第１の導線（２１５ａ及び２１５ｂ、２１６ａ及び２１６ｂ）を接続する複数の接続構造（１０６１、１０６２）を備える。接続構造は、それぞれ、第１の方向に延伸する複数のセグメント（１０３３ａ、１０３３ｂ、１０３４ａ、１０３４ｂ、１０３５ａ、１０３５ｂ、１０３６ａ、１０３６ｂ）を備える。複数のセグメントにおけるセグメントは、複数のセグメントのうち隣接するセグメントに対して、第２の方向に移行ピッチ（例えば、２３９Ｐ）を有し、このピッチは、第１のピッチ２１９より大きく、第２のピッチ２２９未満である。
【００９９】
複数のセグメントにおけるセグメントは、それぞれ、第１の端（左端）と、第１の方向において第１の端と対向する第２の端（右端）を有する。図１０の例に示すように、複数のセグメントは、第２の端で位置合わせされ、それぞれが第１の端で第２の方向に延伸する各第１のセグメント（例えば、１０３３ｃ、１０３５ｃ）を介して接続される複数の対のセグメントの第１のセット（例えば、１０３３ａ及び１０３３ｂ、１０３５ａ及び１０３５ｂ）を備える。複数のセグメントは、第１の端で位置合わせされ、それぞれが第２の端で第２の方向に延伸する各第２のセグメント（例えば、１０３４ｄ、１０３６ｄ）を介して接続される複数の対のセグメントの第２のセット（例えば、１０３４ａ及び１０３４ｂ、１０３６ａ及び１０３６ｂ）を備える。第２の方向に延伸する第１及び第２のセグメント（例えば、１０３３ｃ、１０３４ｄ、１０３５ｃ、１０３６ｄ）は、第１の方向において位置合わせされていない。
【０１００】
複数の接続構造における接続構造は、複数の接続構造のうち隣接する接続構造（例えば、１０６１、１０６２）に対して、第１の方向に接続構造ピッチ２４９を有する。複数の対のセグメントの第１のセットにおけるセグメントの第１対（例えば、１０３３ａ、１０３３ｂ）の第１の長さＬ１と、第２の方向においてセグメントの第１対と位置合わせされた複数の対のセグメントの第２のセットにおけるセグメントの第２対（例えば、１０３４ａ、１０３４ｂ）の第２の長さＬ２との合計は、接続構造ピッチ２４９の大部分に延伸してよい。
【０１０１】
図１１Ａ−１１Ｇは、図２を参照して説明した回路構造を得るための、図１を参照して説明したマスクを用いる自己整合ダブルパターニング処理の製造ステップの例を示す。図１１Ａは、図１に示すマスク１００において、第２の方向において、複数の第１のマスク線（１１１−１１４）と、移行構造（１６１）における複数のマスクセグメント（１３１−１３５）を通るＡＡ’線での基板の断面を示す。製造ステップは、図３、５、７、９を参照して説明したマスクを用いて図２、４、６、８、１０を参照して説明した各回路構造を得るための自己整合ダブルパターニング処理に適用可能である。
【０１０２】
基板は材料の様々な好適な組み合わせであってよいが、この例における基板は、上から下に、アモルファスカーボンを含むＡＰＦ（アドバンスドパターニングフィルム）等の犠牲材料１１４０の層と、ＴｉＮ等のハードマスク材料１１３０の層と、ポリシリコン等の導電材料１１２０の層と、ＳｉＯ２等の絶縁材料１１１０の層と、を備える。マスク線１１５０は、基板上に形成され、図１を参照して説明した、移行構造における複数の第１のマスク線及び複数のマスク線の例である。
【０１０３】
図１１Ｂは、マスク線１１５０をトリミングして得られる、隣接する２つのトリミングされたマスク線の間でマスク線幅１１６１とマスクスペース幅１１６２との比が１：３であるトリミングされたマスク線１１５５を示す。マスク線ピッチ１１６３はマスク線幅１１６１とマスクスペース幅１１６２とを有してよい。
【０１０４】
図１１Ｃは、本明細書で説明したマスク（例えば、図１の１００）を用いて、トリミングされたマスク線１１５５を備える犠牲材料１１４０の層をエッチングし、ハードマスク材料１１３０の層でエッチングをストップし、マスクを除去することを示す。エッチングステップにより、犠牲線１１４５を含む犠牲パターンが得られる。
【０１０５】
図１１Ｄは、ハードマスク材料１１３０上に犠牲線１１４５を備える犠牲パターン上に側壁スペーサ１１６０を形成することを示す。このステップは、化学蒸着等の手法によって、犠牲線１１４５を含む、部分的に製造された回路構造上に低温酸化物等のスペーサ材料の層を堆積することを含む。その後、スペーサ材料の層は、エッチングされて犠牲線１１４５上に側壁スペーサ１１６０が形成される。
【０１０６】
図１１Ｅは、側壁スペーサ１１６０が犠牲線１１４５上に形成された後、犠牲線１１４５を含む犠牲パターンを除去することを示す。犠牲パターンが除去された後、側壁スペーサ１１６０は、ハードマスク材料１１３０の層上に残る。
【０１０７】
図１１Ｆは、側壁スペーサ１１６０をエッチングマスクとして用いてハードマスク材料１１３０の層をエッチングして、ハードマスク１１３５を形成することを示す。側壁スペーサ１１６０は、ハードマスク１１３５を形成するプロセスにおいて除去される。
【０１０８】
図１１Ｇは、図２を参照して説明した、複数の第１の導線等の導線１１２５と、接続構造における複数のセグメントとを形成するため、ハードマスク１１３５を用いて導電材料１１２０の層をエッチングすることを示す。図２を参照して説明した第１のピッチ２１９は、導線１１２５のライン幅１１７１及び２つの隣接する導線の間におけるスペース幅１１７２を備えてよい。
【０１０９】
図１２は、ローカルワード線／グローバルワード線構造を含むメモリアレイにおけるメモリセルの複数のブロックの概要図である。ローカルワード線／グローバルワード線構造の一例は、２０１６年５月３日に発行された、リンらの米国特許第９３３０７６４Ｂ２号、発明の名称「アレイファンアウトパストランジスタ構造」に開示されており、この文献の内容を、参照として本明細書に組み込む。
【０１１０】
図１２の例に示すように、回路構造１２００は、メモリセルの複数のブロック（１２０１−１２０３）を備え、複数のブロックにおけるブロックは、各ローカルワード線（１２１４−１、１２１４−２、１２１４−３）として構成された第１の導線（例えば、図２の２１５ａ、２１５ｂ）を備える。回路構造１２００は、複数のファンアウト構造（例えば、１２１２−１、１２１２−２、１２１２−３）を備え、複数のファンアウト構造におけるファンアウト構造は、各接続構造（例えば、図２の２６１）と、各リンク線（例えば、図２の２２１ａ、２２１ｂ）とを備える。回路構造１２００は、複数のランディングパッド（例えば、図２の２５１ａ、２５１ｂ）を備え、複数のランディングパッドにおけるランディングパッドは、各リンク線（例えば、図２の２２１ａ、２２１ｂ）に接続される。回路構造１２００は、複数のグローバルワード線（１２２１）を備え、複数のグローバルワード線におけるグローバルワード線は、各ランディングパッドに接続される。
【０１１１】
ブロック１２０１は、Ｘ−ＤＥＣ（Ｘデコーダ）回路１２１０−１と、レベルシフタ１２１１−１と、パストランジスタを含むローカルワード線ファンアウト構造１２１２−１と、メモリセルのサブアレイ１２１３−１を介して延伸するローカルワード線のセット１２１４−１とを備える。ブロック１２０２は、Ｘ−ＤＥＣ回路１２１０−２と、レベルシフタ１２１１−２と、パストランジスタを含むローカルワード線ファンアウト構造１２１２−２と、サブアレイ１２１３−２を介して延伸するローカルワード線のセット１２１４−２とを備える。ブロック１２０３は、Ｘ−ＤＥＣ回路１２１０−３と、レベルシフタ１２１１−３と、パストランジスタを含むローカルワード線ファンアウト構造１２１２−３と、サブアレイ１２１３−３を介して延伸するローカルワード線のセット１２１４−３とを備える。
【０１１２】
グローバルワード線デコーダ１２２０は、アレイの全てあるいは一部のブロックにおいて、アレイを介してローカルワード線ファンアウト構造１２１２−１、１２１２−２、１２１２−３に延伸するグローバルワード線のセット１２２１へのワード線電圧を生成する。Ｘ−ＤＥＣ回路（例えば、１２１０−３）は、集積回路上のブロックデコーダからブロック選択信号Ｘ−ＳＥＬを受信し、グローバルワード線の選択したブロックへの接続を可能にするように制御する。レベルシフタ（例えば、１２１１−３）は、ファンアウト構造におけるパストランジスタへの制御信号を生成し、パストランジスタのゲート電圧が、グローバルワード線上で供給されるワード線電圧に対して十分に高くなるようにし、選択したブロックにおけるパストランジスタをオンする。
【０１１３】
本発明を上述したかつ好適な実施の形態及び例を参照して詳細に説明したが、これらは例として提示されたものであり、限定を意図したものではない。当業者にとっては、応用や変更が容易であり、当該応用や変更も本発明の技術的範囲に含まれ、また、添付の特許請求の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１４】
１００、３００、５００、７００、９００  マスク
１１０Ｌ  ライン幅
１１０Ｐ  マスク線ピッチ
１１０Ｓ  スペース幅
１１１−１１５  マスク線
１１１ａ、１１２ａ、１３５ａ、１４１ａ  第１の側
１１１ｂ、１１２ｂ、１３５ｂ、１４１ｂ  第２の側
１２１−１２３  マスクリンク線
１２７  マスク線幅
１３１−１３５、３３１−３３５、５３１、５３２、７３１、７３２、７３３、９３１ａ、９３１ｂ、９３２ａ、９３２ｂ、９３３ａ、９３３ｂ、９３４、９３５  マスクセグメント
１３１Ｐ−１３５Ｐ、２３１Ｐ、２３９Ｐ  移行ピッチ
１３７、２３７  ギャップ幅
１４１−１４３  マスク領域
１４９  移行構造ピッチ
１５１、１５２  マスク領域ギャップ
１５７  マスク領域ギャップ幅
１５９、３５９  長さ
１６０−１６２、３６０−３６２、５６０−５６２、７６０−７６２、９６０−９６２  移行構造
２００、４００、６００、８００、１０００、１２００  回路構造
２１２ａ、２１２ｂ、２１３ａ、２１３ｂ、２１４ａ、２１４ｂ、２１５ａ、２１５ｂ、２１６ａ、２１６ｂ  第１の導線
２１９  第１のピッチ
２２１ａ、２２１ｂ、２２２ａ、２２２ｂ  リンク線
２２７  接続構造ギャップ幅
２２９  第２のピッチ
２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄ、２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄ、２３３ａ、２３３ｂ、２３３ｃ、２３４ａ、２３４ｂ、２３４ｄ、２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃ、４３１ａ、４３１ｂ、４３１ｃ、４３２ａ、４３２ｂ、４３２ｃ、４３２ｄ、４３３ａ、４３３ｂ、４３３ｃ、４３３ｄ、４３４ａ、４３４ｂ、４３４ｃ、４３４ｄ、４３５ａ、４３５ｂ、４３５ｃ、４３５ｄ、６３１ａ、６３１ｂ、６３１ｃ、６３２ａ、６３２ｂ、６３２ｃ、６３２ｄ、８３１ａ、８３１ｂ、８３１ｃ、８３２ａ、８３２ｂ、８３２ｃ、８３２ｄ、８３３ａ、８３３ｂ、８３３ｃ、８３３ｄ、１０３３ａ、１０３３ｂ、１０３３ｃ、１０３４ａ、１０３４ｂ、１０３４ｄ、１０３５ａ、１０３５ｂ、１０３５ｃ、１０３６ａ、１０３６ｂ、１０３６ｄ  セグメント
２４９  接続構造ピッチ
２５１ａ、２５１ｂ、２５２ａ、２５２ｂ  ランディングパッド
２６１、２６２、４６１、４６２、６６１、６６２、８６１、８６２、１０６１、１０６２  接続構造
１１１０  絶縁材料
１１２０  導電材料
１１２５  導線
１１３０  ハードマスク材料
１１３５  ハードマスク
１１４０  犠牲材料
１１４５  犠牲線
１１５０、１１５５  マスク線
１１６０  側壁スペーサ
１１６１  マスク線幅
１１６２  マスクスペース幅
１１６３  マスク線ピッチ
１１７１  ライン幅
１１７２  スペース幅
１２０１−１２０３  ブロック
１２１０−１、１２１０−２、１２１０−３  Ｘ−ＤＥＣ回路
１２１１−１、１２１１−２、１２１１−３  レベルシフタ
１２１２−１、１２１２−２、１２１２−３  ファンアウト構造
１２１３−１、１２１３−２、１２１３−３  サブアレイ
１２１４−１、１２１４−２、１２１４−３  ローカルワード線
１２２０  グローバルワード線デコーダ
１２２１  グローバルワード線
【図１】
2019220663.tif 000003
【図２】
2019220663.tif 000004
【図３】
2019220663.tif 000005
【図４】
2019220663.tif 000006
【図５】
2019220663.tif 000007
【図６】
2019220663.tif 000008
【図７】
2019220663.tif 000009
【図８】
2019220663.tif 000010
【図９】
2019220663.tif 000011
【図１０】
2019220663.tif 000012
【図１１Ａ】
2019220663.tif 000013
【図１１Ｂ】
2019220663.tif 000014
【図１１Ｃ】
2019220663.tif 000015
【図１１Ｄ】
2019220663.tif 000016
【図１１Ｅ】
2019220663.tif 000017
【図１１Ｆ】
2019220663.tif 000018
【図１１Ｇ】
2019220663.tif 000019
【図１２】
2019220663.tif 000020
【外国語明細書】
2019220663000001.pdf