(57)【要約】【課題】単結晶育成中の固液界面形状を制御可能とする。【解決手段】単結晶育成方法は、坩堝１の内部に配置された種結晶３及び単結晶原料４を融解する融解ステップＳ４と、融解ステップＳ４にて生成された坩堝１内の融液に固液界面制御部１１を挿入し、坩堝１内部の固液界面の直上に固液界面制御部１１を配置する配置ステップＳ５と、配置ステップＳ５にて固液界面の直上に配置された固液界面制御部１１により固液界面を加熱して、固液界面の形状を制御する形状制御ステップＳ６と、を含む。固液界面制御部１１は、固液界面の中央部分を加熱する円柱状制御部６と、固液界面の周縁部分を加熱する円筒状制御部７の少なくとも一方を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝の内部に配置された種結晶及び単結晶原料を融解する融解ステップと、
前記融解ステップにて生成された前記坩堝内の融液に固液界面制御部を挿入し、前記坩堝内部の固液界面の直上に前記固液界面制御部を配置する配置ステップと、
・前記配置ステップにて固液界面の直上に配置された前記固液界面制御部により前記固液界面を加熱して、前記固液界面の形状を制御する形状制御ステップと、
を含み、
前記固液界面制御部は、前記固液界面の中央部分を加熱する円柱状制御部と、前記固液界面の周縁部分を加熱する円筒状制御部の少なくとも一方を有する、単結晶育成方法。
【請求項２】
前記配置ステップにおいて
前記円柱状制御部と前記円筒状制御部の中心軸が前記坩堝の中心軸と一致するよう配置される、
請求項１に記載の単結晶育成方法。
【請求項３】
前記円柱状制御部及び前記円筒状制御部は、外殻と、前記外殻の内部に収容される発熱体とを有する、
請求項１または２に記載の単結晶育成方法。
【請求項４】
前記発熱体は、カーボンまたは二珪化モリブデンである、
請求項３に記載の単結晶育成方法。
【請求項５】
単結晶原料を収容する坩堝と、
前記坩堝の外周側に配置されるヒータと、
前記坩堝内部の固液界面の直上に配置され、前記固液界面を加熱して前記固液界面の形状を制御する固液界面制御部と、
を備え、
前記固液界面制御部は、前記固液界面の中央部分を加熱する円柱状制御部と、前記固液界面の周縁部分を加熱する円筒状制御部の少なくとも一方を有する、
単結晶育成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、単結晶育成方法及び単結晶育成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
単結晶の育成方法には、一般的にチョクラルスキー法（回転引き上げ法）が代表される。その他の育成法としてＥＦＧ法（Ｅｄｇｅ−ｄｅｆｉｎｅｄ  Ｆｉｌｍ−ｆｅｄ  Ｇｒｏｗｔｈ  Ｍｅｔｈｏｄ：リボン状結晶成長法）に代表される、融液から単結晶を引上げて固化させる引き上げ法、垂直ブリッジマン法（垂直温度勾配凝固法）やＶＧＦ法（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ  Ｆｒｅｅｚｅ  Ｍｅｔｈｏｄ：垂直式温度傾斜凝固法）に代表される、融液を坩堝中で固化させる方法（一方向凝固結晶成長法）などがある。
【０００３】
このうち、引き上げ法は、育成された単結晶を引き上げるためのスペースとその装置が必要であり、結晶育成装置が大型化せざるを得ず、初期投資費用が大きくなる。これに対して、ブリッジマン法などは、育成された単結晶を引き上げる必要がないため、結晶育成装置の小型化や簡略化が可能であり、初期投資費用を抑えることができる。
【０００４】
一方、垂直ブリッジマン法などの一方向凝固結晶成長法では、坩堝中で固化させながら育成を行うが、得ようとする結晶の直径が大きくなるにつれ、結晶径内の中央部と外周部の温度差も大きくなる。その際、育成時の固液界面形状は極端な凸形状や凹形状になる場合がある。固液界面形状が凸形状になると、結晶の内部応力差でクラックが発生しやすくなり、また凹形状では種結晶からの転位もしくは育成時に発生する転位などが結晶中央に集中し、結晶欠陥の増大により、結晶の歩留りが低下する傾向にある。
【０００５】
この問題に対して、例えば特許文献１では、坩堝底にある支持棒に設けられるヒータによって坩堝の底面を加熱して温度制御を行い、所望の固液界面形状を得る単結晶育成方法が提案されている。また特許文献２では、坩堝の底部より下方に断熱材などの遮蔽部材を設け、遮蔽部材により坩堝底部での低温側からの輻射熱の影響を受けなくすることにより、坩堝の中心と壁面の温度勾配をより均一にして、所望の固液界面形状を得る手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１９５３７５号公報
【特許文献２】特開２０１２−２４０８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１の手法では、温度制御する坩堝底位置がシーディング直後の育成初期と坩堝を降下させた育成終盤の時とでは大きく異なる。すなわち一定の温度勾配でないことから、育成途中で固液界面形状が変化する可能性が高く、安定した結晶成長が出来ない問題がある。
【０００８】
また、特許文献２のように育成炉内に配備されている保温材や耐火物などで作り上げた固液界面形状は、育成を繰り返すことで、保温材などやヒータの劣化により固液界面形状が崩れてしまうため、その都度、高価な保温材や耐火物を作製しなければならず、コスト高となっている。
【０００９】
本開示は、垂直ブリッジマン法やＶＧＦ法などの一方向凝固結晶成長法において、単結晶育成中の固液界面形状を制御可能とする単結晶育成方法及び単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態の一観点に係る単結晶育成方法は、坩堝の内部に配置された種結晶及び単結晶原料を融解する融解ステップと、前記融解ステップにて生成された前記坩堝内の融液に固液界面制御部を挿入し、坩堝内部の固液界面の直上に前記固液界面制御部を配置する配置ステップと、前記配置ステップにて固液界面の直上に配置された前記固液界面制御部により前記固液界面を加熱して、前記固液界面の形状を制御する形状制御ステップと、を含み、前記固液界面制御部は、前記固液界面の中央部分を加熱する円柱状制御部と、前記固液界面の周縁部分を加熱する円筒状制御部の少なくとも一方を有する、単結晶育成方法。
【００１１】
同様に、本発明の実施形態の一観点に係る単結晶育成方法は、単結晶原料を収容する坩堝と、前記坩堝の外周側に配置されるヒータと、前記坩堝内部の固液界面の直上に配置され、前記固液界面を加熱して前記固液界面の形状を制御する固液界面制御部と、を備え、前記固液界面制御部は、前記固液界面の中央部分を加熱する円柱状制御部と、前記固液界面の周縁部分を加熱する円筒状制御部の少なくとも一方を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本開示によれば、垂直ブリッジマン法やＶＧＦ法などの一方向凝固結晶成長法において、単結晶育成中の固液界面形状を制御可能とする単結晶育成方法及び単結晶育成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る単結晶育成装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１中の円柱状制御部の内部構成を示す断面図である。
【図３】図１中の円筒状制御部の内部構成を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る単結晶育成方法のフローチャートである。
【図５】固液界面が極端な凸形状のときの円柱状制御部による形状制御を示す模式図である。
【図６】固液界面が極端な凹形状のときの円筒状制御部による形状制御を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【００１５】
まず本実施形態に係る単結晶育成方法及び単結晶育成装置を着想した経緯について説明する。
【００１６】
本発明者らは、結晶育成時の結晶径内の温度差が小さい３インチ以下の結晶は、固液界面形状に大きな差は見られないが、４インチ以上については結晶径が大きくなるにつれ、結晶径の内外差の温度も大きくなることが分かり、坩堝外周部（結晶外周部）を覆うように熱源となるヒータが配置されていることから、熱源から最も離れる結晶中央部の温度が結晶外周部より小さくなることで、固液界面が凸形状になると知見を得た。
【００１７】
本発明者は、この知見を出発点として、単結晶育成方法について鋭意研究を重ねた結果、結晶外周部からの熱が伝わりにくい結晶中央部に、側面のヒータからだけではなく、上方から新たに円柱状のヒータによっても熱を加えて結晶中央部を加熱することを試みた。その結果、結晶径内の温度差は小さくなり、固液界面形状をフラットに近い凸形状とすることができた。
【００１８】
また、炉内構造や坩堝形状などが異なるケースでは、坩堝側面からの輻射熱の影響等で結晶外周より結晶中央の方の温度が高くなることによって、固液界面が凹形状となるとの知見も得た。本発明者らは、結晶外周に合わせたリング状（円筒状）のヒータを用いて上方から熱を加えて結晶外周を加熱することで、固液界面形状をフラットに近い凸形状とすることができた。また、円柱や円筒状のヒータのどちらか一つで所望の固液界面形状が得られなかった場合は、円柱と円筒状のヒータの両方を組み合わせたり、ヒータ出力や円柱と円筒状の位置を調整することで、所望の固液界面形状を得ることができた。本実施形態はこのような経緯で完成に至ったものである。
【００１９】
［実施形態］
図１〜図３を参照して本実施形態に係る単結晶育成装置１０について説明する。図１は、本実施形態に係る単結晶育成装置１０の概略構成を示す断面図である。
【００２０】
本実施形態に係る単結晶育成装置１０は、基本的には、固液界面制御部１１を備える点を除いて、従来のＶＧＦ法用や垂直ブリッジマン法用の育成炉と同様の構成である。
【００２１】
図１に示すように、単結晶育成装置１０は、図示しないチャンバや断熱材の内側に、筒状のヒータ５が配置される。結晶育成時には、チャンバ内はアルゴンガスなどの不活性ガスで満たされ、ヒータ５の内部側にホットゾーン９が形成される。また、ヒータ５は、高さ方向の上側から下側に沿って上段ヒータ５ａ、中段ヒータ５ｂ、下段ヒータ５ｃを有し、これらの各ヒータ５ａ，５ｂ，５ｃへの投入電力を調整することにより、ホットゾーン９内の温度勾配を制御することができる。例えばヒータ５の上側が高く、下側が低い温度勾配とする。
【００２２】
坩堝１は、ホットゾーンに配置される坩堝台２の上に載置される。坩堝台２は、支持軸８などによって上下方向に移動可能、または、回転可能に構成することができる。坩堝１は、例えば有底の容器であり、結晶育成前の設置時には、下部に種結晶３が配置され、種結晶３の上に単結晶原料４が配置される。
【００２３】
ホットゾーン９の上部には固液界面制御部１１が設けられる。固液界面制御部１１は、坩堝１内の固液界面を加熱して固液界面の形状を制御する。固液界面制御部１１は、例えば育成初期に坩堝１が最も高温の上段ヒータ５ａの位置にあるときに、坩堝１の内部の溶融した単結晶原料４に沈み、固液界面の直上に配置されるように配置される。
【００２４】
固液界面制御部１１は、固液界面の中央部分を加熱する円柱状制御部６と、固液界面の周縁部分を加熱する円筒状制御部７とを有する。円柱状制御部６と円筒状制御部７は、下面が同一平面上となるように配置される。また、円柱状制御部６と円筒状制御部７は、それぞれの中心軸が一致する同心円状に配置されている。円柱状制御部６と円筒状制御部７は、中心軸が坩堝１の中心軸と一致するよう配置されるのが好ましい。
【００２５】
固液界面制御部１１は、例えば図示しない移動手段によって上下方向に移動可能に構成される。
【００２６】
図２は、図１中の円柱状制御部６の内部構成を示す断面図である。図３は、図１中の円筒状制御部７の内部構成を示す断面図である。図２、図３では、（ａ）は切断線が鉛直方向の鉛直断面図であり、（ｂ）は切断線が水平方向の水平断面図である。
【００２７】
図２に示すように、円柱状制御部６は、円柱形状の外殻６ａと、この外殻６ａの内部に収容される発熱体６ｂとを有する。発熱体６ｂは、例えば複数個から成り、円柱形状の外殻６ａの底面に対して略均等に配置される。発熱体６ｂは、例えば、図２（ｂ）に示すように、底面の中心周りに同心円状に略等間隔で配置される。
【００２８】
図３に示すように、円筒状制御部７は、円筒形状の外殻７ａと、この外殻７ａの内部に収容される発熱体７ｂとを有する。外殻７ａは、内周面と外周面との間に内部空間を有し、この内部空間に発熱体７ｂが収容される。発熱体７ｂは、例えば複数個から成り、円筒形状の外殻７ａの底面に対して略均等に配置される。発熱体７ｂは、例えば、図３（ｂ）に示すように、外殻７ａの円環状の内部空間の周方向に沿って略等間隔で配置される。
【００２９】
外殻６ａ，７ａは例えば金属など熱伝導率の高い材料で形成される。発熱体６ｂ、７ｂは、例えばカーボンまたは二珪化モリブデンで形成される。
【００３０】
図４を参照して本実施形態に係る単結晶育成方法を説明する。図４は、本実施形態に係る単結晶育成方法のフローチャートである。本実施形態に係る単結晶育成方法も、基本的には、固液界面制御部１１を用いる点を除いて、従来の一方向凝固法による単結晶の製造方法と同様である。
【００３１】
本実施形態に係る単結晶育成方法では、まず、坩堝１を坩堝台２の上に置き（ステップＳ１）、上部の開口からから坩堝１の底に種結晶３を収容する（ステップＳ２）。
【００３２】
種結晶３の上には、同じく上部の開口から顆粒状もしくは単結晶を粉砕した単結晶原料４（例えばサファイア）を必要量配置する（ステップＳ３）。
【００３３】
次に、坩堝１の周りのヒータ５を作動して、坩堝１の内部で単結晶を育成する。まずは、ヒータ５を用いて、種結晶３及び単結晶原料４が収納された坩堝１を高さ方向の上方が高く、下方が低い温度分布となるように加熱する。この状態で炉内の温度を種結晶３が高さ方向の上半分位まで融解するまで昇温し、シーディングを行う（ステップＳ４：融解ステップ）。結晶育成時には炉内はアルゴンガスを使用して不活性雰囲気となる。
【００３４】
次に、固液界面制御部１１を坩堝１内の融液に挿入させて固液界面の近傍まで近づけ、固液界面制御部１１を固液界面の直上に配置する（ステップＳ５：配置ステップ）。例えば、図示しない移動手段によって固液界面制御部１１を上方から坩堝１に近づけることによって固液界面制御部１１を坩堝１内に挿入する。固液界面制御部１１は、円柱状制御部６と円筒状制御部７の中心軸が坩堝１の中心軸と一致するよう配置される。
【００３５】
次に、固液界面の直上に配置された固液界面制御部１１により、固液界面を加熱して、固液界面の形状を所望の形状に制御する（ステップＳ６：形状制御ステップ）。
【００３６】
ステップＳ６では、ヒータ５により生成される固液界面の形状が凸形状か凹形状かに応じて、固液界面制御部１１の円柱状制御部６及び円筒状制御部７の一方を用いて固液界面を加熱する。例えば固液界面の形状が極端な凸形状である場合には、円柱状制御部６により固液界面の中央部を加熱することで、所望の凸形状の固液界面に制御できる。また、固液界面の形状が極端な凹形状である場合には、円筒状制御部７により固液界面の外周部を加熱することで、所望の凸形状の固液界面に制御できる。
【００３７】
ヒータ５により生成される固液界面の形状が凸形状か凹形状かに応じて、固液界面制御部１１の円柱状制御部６及び円筒状制御部７の一方を事前に加熱しておいてもよい。なお、ヒータ５により生成される固液界面の形状が極端は凸形状や凹形状でなく所望の凸形状の場合には、本ステップでは固液界面制御部１１による固液界面の加熱を行わなくてもよい。
【００３８】
次に、炉内温度勾配を維持しながら、坩堝台２の支持軸８を用いて坩堝１を下方に降下させて、すべての融液を固化させた後、所定速度で冷却を行う（ステップＳ７）。
【００３９】
次に、炉内温度が室温程度になったことを確認した後、育成された単結晶が入った坩堝１を坩堝台２から取り外し、坩堝１の上部開口から育成された単結晶を取り出す（ステップＳ８）。
【００４０】
図５、図６を参照して本実施形態の効果を説明する。図５は、固液界面が極端な凸形状のときの円柱状制御部６による形状制御を示す模式図である。図６は、固液界面が極端な凹形状のときの円筒状制御部７による形状制御を示す模式図である。
【００４１】
図５に示すように、ステップＳ４においてヒータ５により形成される固液界面の形状が極端な凸形状であれば、結晶中央部が結晶外周部より温度が低い。このため、結晶中央部に加熱された円柱状制御部６を固液界面に近づけることで、結晶中央部と外周部との温度差が緩和されて、フラットに近い凸形状の固液界面が得られる。
【００４２】
図６に示すように、ステップＳ４においてヒータ５により形成される固液界面の形状が極端な凹形状であれば、図６の凸形状とは逆に結晶外周部が結晶中央部より温度が低い。このため、結晶外周部に加熱された円筒状制御部７に近づけることで、結晶中央部と外周部との温度差が緩和されて、同様にフラットに近い凸形状の固液界面が得られる。
【００４３】
なお円柱状制御部６と円筒状制御部７の両方を組み合わせたり、加熱出力や固液界面からの距離を調整することで所望の固液形状を形成することも可能である。
【００４４】
このように、本実施形態では、固液界面制御部１１より固液界面を加熱することによって、一方向凝固結晶成長法において単結晶育成中の固液界面形状を任意に制御することが可能となる。育成初期に固液界面制御部１１によって固液界面形状を所望の形状に制御することによって、育成初期から終盤まで略一定の固液界面形状で育成が行うことができる。これにより、内部応力が小さく、また結晶欠陥が少ない結晶を安定して得られることができる。また保温材などやヒータの経時劣化による固液界面形状が崩れるケースに対しても対応できることから、保温材などやヒータの寿命延長ができ、コスト低減にもつながる。
【００４５】
また、配置ステップＳ４において、円柱状制御部６と円筒状制御部７の中心軸が坩堝１の中心軸と一致するよう配置される。これにより、円柱状制御部６が正確に結晶中央部を加熱でき、また、円筒状制御部７が正確に結晶外周部を加熱できるので、固液界面をより所望の形状に制御できる。
【００４６】
また、円柱状制御部６及び円筒状制御部７はそれぞれ、外殻６ａ，７ａと、外殻６ａ，７ａの内部に収容される発熱体６ｂ，７ｂと、を有する。これにより、発熱体６ｂ、７ｂが結晶の融液に直接触れて反応することを防止できる。また、外殻６ａ，７ａを介して発熱体６ｂ，７ｂが発した熱を放射するので、円柱状制御部６及び円筒状制御部７の表面の温度分布をより均一にできる。
【００４７】
なお、固液界面制御部１１は、円柱状制御部６または円筒状制御部７の一方のみを有する構成でもよい。
【実施例】
【００４８】
以下、サファイア育成での実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【００４９】
（実施例１）
図１に示す単結晶育成装置１０を用いて、図４に示す単結晶育成方法の手順で単結晶の育成を行った。
【００５０】
Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、またはＭｏ５０％とＷ５０％の合金からなる、４インチ結晶が得られるサイズ（外径１５０ｍｍ、高さ４００ｍｍ、内径１１０〜１３０ｍｍ、取り出し口のテーパ角２°）の坩堝１を用意した。坩堝台２に坩堝１を置き、坩堝１内の底に外径１１０ｍｍ、高さ３０ｍｍの種結晶３を収納した。その上に顆粒もしくは結晶を粉砕した単結晶原料４を必要量入れた。
【００５１】
坩堝１の周りにはカーボン製のヒータ５があり、このヒータ５は上方が高く、下方が低い温度分布となるよう整備し、炉内はアルゴンガスを使用して不活性雰囲気で行った。この状態で炉内の温度を単結晶原料４および種結晶３が高さ半分位まで融解するよう坩堝１を上昇させ、シーディングを行った。
【００５２】
そこから本実施形態に係る固液界面制御部１１を事前に加熱しておき、ゆっくりと坩堝１内の融液に挿入させ、固液界面の近傍まで近づけた。今回は極端な凸形状（結晶外周部から結晶中央部まで高さ３５ｍｍ）をフラットに近い凸形状（結晶外周部から結晶中央部まで高さ５〜１０ｍｍ）となるよう制御するため、カーボン製の発熱体６ｂを内部に有する円柱状制御部６（円柱径φ５０ｍｍ）を用いた。
【００５３】
その後、育成を行うため、坩堝１を５ｍｍ／ｈの速度で降下させるが、円柱状制御部６についてはシーディングと同じ位置で固定させておく。坩堝１を所定位置まで降下させ、すべての融液を固化させた後、５０℃／ｈの速度で冷却を行った。同時に円柱状制御部６の加熱出力を落とし、所定の位置まで上昇移動させた。取り出せる温度を確認した後、坩堝１から結晶が取り出し、シーディング位置の固液界面形状をＸ線トポグラフィーで確認できるようにウエハ状に加工した。このような単結晶の育成を２０ロット行い、結晶端部から結晶中央部までの固液界面の高さを測定し、クラックの発生率を算出した。
【００５４】
（比較例１）
固液界面制御部１１（円柱状制御部６）を用いた固液界面の形状の制御を行わなかった点以外は、実施例１と同様の手法で単結晶の育成を２０ロット行い、結晶端部から結晶中央部までの固液界面の高さを測定し、クラックの発生率を算出した。
【００５５】
実施例１、比較例１の固液界面高さとクラック発生率を比較したものを表１に示す。
【表１】
2019043788.tif 000003
【００５６】
（実施例２）
固液界面が極端な凹形状をフラットに近い凸形状（結晶外周部から結晶中央部まで高さ５〜１０ｍｍ）となるよう制御するため、カーボン製の発熱体７ｂを内部に有する円筒状制御部７を用いた点以外は、実施例１と同様の手法で単結晶の育成を行った。結晶長２５０ｍｍに対して育成初期、中盤、終盤のエリアをウエハ状に加工し、ＥＰＤ（転位密度）を算出した。
【００５７】
（比較例２）
固液界面制御部１１（円筒状制御部７）を用いた固液界面の形状の制御を行わなかった点以外は、実施例２と同様の手法で単結晶の育成を行い、結晶長２５０ｍｍに対して育成初期、中盤、終盤のエリアをウエハ状に加工し、ＥＰＤ（転位密度）を算出した。
【００５８】
実施例２、比較例２の固液界面高さと転位密度を比較したものを表２に示す。
【表２】
2019043788.tif 000004
【００５９】
（評価）
表１の比較例１（制御無）は、固液界面高さが４０ｍｍで、クラックの発生率が２０％に対し、実施例１（制御有）は、固液界面高さが８ｍｍで、クラック発生率が５％であった。これらの差は固液界面高さが示すとおり、比較例１は結晶端部と内部との温度差が大きいことで、結晶の内部応力も大きくなり、クラックが発生しやすくなったと考えられる。
【００６０】
表２は転位密度について調査した結果である。育成初期は種結晶から伝播される転位やシーディング時に起因した転位が発生するため、比較例２（制御無）と実施例２（制御有）に差は見られないが、結晶が成長する育成中盤、終盤については、比較例２は転位密度が徐々に増える傾向にある。要因として固液界面が凹形状であることから育成初期では見られなかった結晶外周部に潜んでいた転位が結晶成長することで中央部に集まって、転位密度が増加したと考えられる。一方、実施例２については、固液界面が凸形状であることから、転位は外周部へ抜けるため、転位密度は減少したと考えられる。
【００６１】
実施例１，２及び比較例１，２に示す結果より、本実施形態による、固液界面制御部１１を用いて育成初期に固液界面を加熱する手法は、一方向凝固結晶成長法において単結晶育成中の固液界面形状を任意に制御できる点で極めて有効であることが示された。また、これにより育成時の固液界面形状が極端な凸形状になる場合の単結晶のクラック発生や、育成時の固液界面形状が極端な凹形状になる場合の単結晶の転位密度の増加を抑制でき、単結晶の歩留まり低下を抑制できることが示された。
【００６２】
以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１    坩堝
３    種結晶
４    単結晶原料
５    ヒータ
１０    単結晶育成装置
１１    固液界面制御部
６    円柱状制御部
６ａ    外殻
６ｂ    発熱体
７    円筒状制御部
７ａ    外殻
７ｂ    発熱体
【図１】
2019043788.tif 000005
【図２】
2019043788.tif 000006
【図３】
2019043788.tif 000007
【図４】
2019043788.tif 000008
【図５】
2019043788.tif 000009
【図６】
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