(57)【要約】【課題】  半導体ユニットのナットのネジ径と接続用のボルトのネジ径とが異なる場合であっても、半導体ユニット及び外部機器を滞りなく接続できるインターフェースユニットを提供する。【解決手段】  インターフェースユニット１は、第１の貫通孔５ａ１を有する第１の端部領域５ａ、第１の貫通孔５ａ１とは異なる口径の第２の貫通孔５ｂ１を有する第２の端部領域５ｂ、及び、第１の端部領域５ａと第２の端部領域５ｂとの間の中央領域５ｃを有するバスバー５と、中央領域５ｃを封止し第２の貫通孔５ｂ１と対向する領域に第２の貫通孔５ｂ１の口径より幅の広いナット収容穴２５が配置された封止樹脂部材２と、第１のナット５５のネジ径と異なるネジ径を有しナット収容穴２５に配置された第２のナット９５と、を備え、第１の端部領域５ａは封止樹脂部材２から外側に延在し、第１の貫通孔５ａ１と第２の貫通孔５ｂ１が同じ方向に開口している。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のナットを有する半導体ユニットに接続されるインターフェースユニットであって、
前記第１のナットのネジ孔と対向する第１の貫通孔を有する第１の端部領域、前記第１の貫通孔とは異なる口径の第２の貫通孔を有する第２の端部領域、及び、前記第１の端部領域と前記第２の端部領域との間の中央領域を有するバスバーと、
前記中央領域を封止し、前記第２の貫通孔と対向する領域に前記第２の貫通孔の口径より幅の広いナット収容穴が配置された封止樹脂部材と、
前記第１のナットのネジ径と異なるネジ径を有し、前記ナット収容穴に配置された第２のナットと、を備え、
前記第１の端部領域は、前記封止樹脂部材から外側に延在し、
前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔が同じ方向に開口していること
を特徴とするインターフェースユニット。
【請求項２】
前記バスバーの前記中央領域は、前記封止樹脂部材の側壁に沿って内側に封止され、
前記第１の端部領域と前記第２の端部領域は、前記中央領域との境界でそれぞれ反対側へ屈曲して互いに平行に配置されていること
を特徴とする請求項１に記載のインターフェースユニット。
【請求項３】
前記ナット収容穴の幅が前記第２のナットの最大径より大きく、かつ、
前記第２のナットの外周を固定し、前記ナット収容穴に収容して回転を制約するソケットを備えること
を特徴とする請求項１又は２に記載のインターフェースユニット。
【請求項４】
前記第２の端部領域が平行に配置された複数の前記バスバーを有し、
前記封止樹脂部材は、複数の前記バスバーを横切り前記封止樹脂部材の側面まで延在する溝部を有し、
前記第２の端部領域のいずれか少なくとも１つに隣接して配置されたセンサを有し、前記センサの配線が前記溝部に配置されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のインターフェースユニット。
【請求項５】
前記封止樹脂部材は、前記溝部が部分的に張り出すように設けられた収納部を有し、
前記センサが前記収納部に収納されていること
を特徴とする請求項４に記載のインターフェースユニット。
【請求項６】
前記収納部内に配置され前記センサを前記第２の端部領域に当接させる位置決め部材を備えること
を特徴とする請求項５に記載のインターフェースユニット。
【請求項７】
前記収納部内に設けられ前記センサの周囲の隙間を埋める充填材を備えること
を特徴とする請求項５又は６に記載のインターフェースユニット。
【請求項８】
前記センサはＵ字状であり、Ｕ字の内側に前記第２の端部領域を挟み込んで取り付けられていること
を特徴とする請求項４に記載のインターフェースユニット。
【請求項９】
前記センサは、電流センサ又は温度センサであること
を特徴とする請求項４〜８のいずれか一項に記載のインターフェースユニット。
【請求項１０】
複数の前記バスバーを備え、
前記第１の貫通孔の中心の間隔と前記第２の貫通孔の中心の間隔とが異なること
を特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のインターフェースユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を製造するために、半導体ユニットと外部機器とを接続するインターフェースユニットの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、特に電力用半導体装置（パワー半導体装置）は、半導体素子が搭載された半導体ユニットが、汎用インバータ等の外部機器に、外部機器側に設けられたプリント板やバスバー等を介して接続されることで実現される。半導体ユニットと外部機器とをボルトでネジ締めして接続する際、半導体ユニットが備えるナットのネジ径と接続用のボルトのネジ径とが異なる可能性が懸念される。そのため、ボルトのネジ径に合わせたネジ径のナットを備えた半導体ユニットを改めて別に用意する、或いは接続用のボルトや外部機器のバスバーの仕様を変更するといった必要が生じ、負担が大きい。
【０００３】
半導体ユニット及び外部機器の接続に関する技術として、例えば特許文献１には、冷却器と、冷却器上に並べて固定された複数のパワー半導体ユニットと、パワー半導体ユニットを電気的に接続するバスバーユニットとが開示されている。このバスバーユニットは、各パワー半導体ユニットのコレクタ側の外部端子、又はエミッタ側の外部端子を相互に接続する複数のバスバーを備えている。
【０００４】
また特許文献２には、並列に接続された複数のパワー半導体モジュールにおける外部端子を連結して電気的に接続するプリント基板が開示されている。プリント基板には、制御用又は計測用の外部端子と電気的に接続するための回路パターンが形成されていると共に、プリント基板上にはこの回路パターンに接続され上下方向に延びる外部端子が設けられている。
【０００５】
また特許文献３及び４には、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、バスバーと、封止部材と、電流センサとを備える電力変換装置が開示されている。バスバーは半導体モジュールに接続するためのモジュール接続端子及び外部機器に接続するための外部出力端子を有している。また特許文献５には、バスバーとバスバーを貫通するコアがケースにモールドされた、電力変換装置の端子台を兼ねる電流センサが開示されている。コアのギャップ部にはホール素子が配置され、ホール素子を搭載する回路基板がケースに固定されている。バスバーには外部機器との接続に用いられる貫通孔が形成され、この貫通孔にボルトが挿し込まれることで電力変換装置と外部機器とが接続されている。
【０００６】
しかし特許文献１〜５のいずれの場合においても半導体ユニットと外部機器とをネジ締めする際、半導体ユニットのナットのネジ径と半導体ユニット及び外部機器の接続用のボルトのネジ径とが異なる場合における具体的な接続手段は開示されていない。そのためネジ径同士が異なる場合の接続における有効な解決手段が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０３１４６２号
【特許文献２】特開２０１４−２３６１５０号公報
【特許文献３】特開２０１３−２５８８４３号公報
【特許文献４】特開２０１３−０５５７６３号公報
【特許文献５】特開２００６−１９４６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記した問題に着目して為されたものであって、半導体ユニットのナットのネジ径と接続用のボルトのネジ径とが異なる場合であっても、外部機器及び半導体ユニットを滞りなく接続できるインターフェースユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係るインターフェースユニットのある態様は、第１のナットを有する半導体ユニットに接続されるインターフェースユニットであって、第１のナットのネジ孔と対向する第１の貫通孔を有する第１の端部領域、第１の貫通孔とは異なる口径の第２の貫通孔を有する第２の端部領域、及び、第１の端部領域と第２の端部領域との間の中央領域を有するバスバーと、中央領域を封止し、第２の貫通孔と対向する領域に第２の貫通孔の口径より幅の広いナット収容穴が配置された封止樹脂部材と、第１のナットのネジ径と異なるネジ径を有し、ナット収容穴に配置された第２のナットと、を備え、第１の端部領域は封止樹脂部材から外側に延在し、第１の貫通孔と第２の貫通孔が同じ方向に開口していることを要旨とする。
【００１０】
前記バスバーの前記中央領域は、前記封止樹脂部材の側壁に沿って内側に封止され、前記第１の端部領域と前記第２の端部領域は、前記中央領域との境界でそれぞれ反対側へ屈曲して互いに平行に配置されていてもよい。
【００１１】
前記ナット収容穴の幅が前記第２のナットの最大径より大きく、かつ、前記第２のナットの外周を固定し、前記ナット収容穴に収容して回転を制約するソケットを備えていてもよい。
【００１２】
前記第２の端部領域が平行に配置された複数の前記バスバーを有し、前記封止樹脂部材は、複数の前記バスバーを横切り前記封止樹脂部材の側面まで延在する溝部を有し、前記第２の端部領域のいずれか少なくとも１つに隣接して配置されたセンサを有し、前記センサの配線が前記溝部に配置されていてもよい。
【００１３】
前記封止樹脂部材は、前記溝部が部分的に張り出すように設けられた収納部を有し、前記センサが前記収納部に収納されていてもよい。
【００１４】
前記収納部内に配置され前記センサを前記第２の端部領域に当接させる位置決め部材を備えていてもよい。
【００１５】
前記収納部内に設けられ前記センサの周囲の隙間を埋める充填材を備えていてもよい。
【００１６】
前記センサはＵ字状であり、Ｕ字の内側に前記第２の端部領域を挟み込んで取り付けられていてもよい。
【００１７】
前記センサは、例えば、電流センサ又は温度センサである。
【００１８】
複数の前記バスバーを備え、前記第１の貫通孔の中心の間隔と前記第２の貫通孔の中心の間隔とが異なっていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るインターフェースユニットによれば、半導体ユニットのナットのネジ径と接続用のボルトのネジ径とが異なる場合であっても、外部機器及び半導体ユニットを滞りなく接続できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットの構成の概略を模式的に説明する斜視図（鳥瞰図）である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットで接続される半導体ユニットの構成の概略を模式的に説明する平面図である。
【図３】図３は、図２中のＡ−Ａ線方向から見た断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットの構成の概略を模式的に説明する平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットの封止樹脂部材及びバスバーの配置関係説明する模式的な斜視図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットをバスバーの厚みが表れる方向から見た模式的な側面図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットの封止樹脂部材に１個のセンサが収納された状態を、バスバーを除いて模式的に説明する平面図である。図７（ｂ）は、３個のセンサが収納された状態を、バスバーを除いて模式的に説明する平面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットを作製する際、バスバーの第２の端部領域を折り曲げる前の状態を模式的に説明する断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施形態に係るインターフェースユニットを用いて、半導体ユニット及び外部機器を接続する工程を模式的に説明する断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施形態の第１変形例に係るインターフェースユニットで用いられるソケットの構成の概略を模式的に説明する斜視図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施形態の第２変形例に係るインターフェースユニットの構成の概略を模式的に説明する断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施形態の第３変形例に係るインターフェースユニットの構成の概略を模式的に説明する斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施形態の第４変形例に係るインターフェースユニットの構成の概略を模式的に説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各装置や各部材の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判定すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下の説明における「左右」や「上下」の方向は、単に説明の便宜上の定義であって、本発明の技術的思想を限定するものではない。よって、例えば、紙面を９０度回転すれば「左右」と「上下」とは交換して読まれ、紙面を１８０度回転すれば「左」が「右」に、「右」が「左」になることは勿論である。
【００２２】
実施形態に係るインターフェースユニット１は、図１に示すように、汎用インバータ等の外部機器１００と、この外部機器１００に供給される電力を制御する半導体装置としての半導体ユニット３０との間に介在して設けられる。半導体ユニット３０には、外部機器１００とのネジ締結に用いられるナットが収納されている。この半導体ユニット３０のナットのネジ径（口径）は、外部機器１００のバスバー１０５，１０７，１０９の貫通孔の口径に応じた第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂのネジ径と異なる。そのため第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂを用いて半導体ユニット３０及び外部機器１００を直接接続することができない。ネジ径同士が異なる両者の接続を実現するため、実施形態に係るインターフェースユニット１は半導体ユニット３０及び外部機器１００間に介在する連結装置として機能する。
【００２３】
図１に例示したインターフェースユニット１は、筐体としての封止樹脂部材２及びこの封止樹脂部材２に取り付けられた３本のバスバー５，７，９を備える。封止樹脂部材２は全体がほぼ直方体状であり、例えばエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の成形材料で作製できる。封止樹脂部材２の上部には、３本のバスバー５，７，９の下を３本のバスバー５，７，９に直交するように横切って封止樹脂部材２の長手方向の側端面間を延在する溝部３が設けられている。
【００２４】
インターフェースユニット１のバスバー５，７，９は、封止樹脂部材２の半導体ユニット３０側に張り出して延在する第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａ及び封止樹脂部材２の上面上に設けられた第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂを有する。第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａと第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂとの間に設けられた中央領域５ｃ，７ｃ，９ｃは、封止樹脂部材２の鉛直な側壁に沿って内側に封止されている。
【００２５】
半導体ユニット３０は直方体状であって、図３に示すようなパワー半導体チップ７５，８５を搭載した半導体モジュール（パワー半導体モジュール）７０，８０が、封止樹脂である本体３０ａの内側に密封されている。半導体ユニット３０の上面上には３本のバスバー３５，３７，３９が設けられ、これらのバスバー３５，３７，３９の上面とインターフェースユニット１のバスバー５，７，９の第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａの下面とは部分的に重ね合わせられている。インターフェースユニット１のバスバー５，７，９の第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａ及び半導体ユニット３０のバスバー３５，３７，３９には第１のボルト１５ａ，１７ａ，１９ａがそれぞれ挿し込まれている。図１中のネジ頭の寸法を比較して分かるように、第１のボルト１５ａ，１７ａ，１９ａのネジ径は第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂのネジ径より大きい。
【００２６】
外部機器１００の本体１０１には３本のバスバー１０５，１０７，１０９が外側に延びるように設けられている。これらのバスバー１０５，１０７，１０９の下面とインターフェースユニット１のバスバー５，７，９の第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂの上面とは部分的に重ね合わせられている。インターフェースユニット１のバスバー５，７，９の第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａ及び外部機器１００のバスバー１０５，１０７，１０９には第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂがそれぞれ挿し込まれている。
【００２７】
＜半導体ユニット＞
まず半導体ユニット３０の構造を具体的に説明する。図２に示すように、半導体ユニット３０の本体３０ａの上面上で長手方向の両端には、半導体ユニット３０を他の部材や装置等に取り付ける際にネジ等が挿し込まれる取付孔４０ａ，４０ｂが設けられている。取付孔４０ａ，４０ｂの周囲には、本体３０ａの上面上から上方に鉛直に起立する側壁が袴部３３ａ，３３ｂとして設けられ、袴部３３ａ，３３ｂの内壁面は、本体３０ａの上面に垂直な方向から見た平面パターンで取付孔４０ａ，４０ｂを囲むようにそれぞれ円弧を描いている。
【００２８】
図２中の下側の袴部３３ａの両側であって中央寄り位置には、内部の半導体モジュール７０，８０から上方に延びる棒状の上アーム用のソース信号用端子３１ａ及び下アーム用のソース信号用端子３１ｂのそれぞれの上端が円形状に示されている。上アーム用のソース信号用端子３１ａ及び下アーム用のソース信号用端子３１ｂは、半導体ユニット３０の短辺方向に沿って同一直線上に、袴部３３ａを中心に左右対称的に設けられている。上アーム用のソース信号用端子３１ａ及び下アーム用のソース信号用端子３１ｂはソース側電圧を検出する。
【００２９】
また袴部３３ａの両側で本体３０ａの下端寄りの位置には、半導体モジュール７０，８０から上方に延びる棒状の左側のゲート信号用端子３２ａ及び右側のゲート信号用端子３２ｂのそれぞれの上端が円形状に示されている。左側のゲート信号用端子３２ａ及び右側のゲート信号用端子３２ｂは、半導体ユニット３０の短辺方向に沿った同一直線上に、袴部３３ａを中心に左右対称的に設けられている。左側のゲート信号用端子３２ａ及び右側のゲート信号用端子３２ｂはパワー半導体チップ７５，８５のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
【００３０】
半導体ユニット３０の本体３０ａの上面の中央には、平面パターンで、矩形で板状のバスバー３５，３７，３９が等間隔で、それぞれの長手方向が半導体ユニット３０の短辺方向に沿って延びるように設けられている。バスバー３５，３７，３９は銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の板状の導電性材料で作製されている。図２中に例示した最下段のバスバー３５はプラス極用であり、中央のバスバー３７はマイナス極用であり、最上段のバスバー３９は出力用である。３本のバスバー３５，３７，３９は、いずれもＣｕやＡｌ等で作製され導電性を有している。
【００３１】
本体３０ａの上面上で最下段のプラス極用のバスバー３５の中央には、バスバー３５を下側から支持する台座６５が、またこの台座６５の外側の左右両側には棒状のドレイン用の外部端子３４ａ，３４ｂの上端が円形状で、それぞれ点線で示されている。ドレイン用の外部端子３４ａ，３４ｂは２本で一組であり、溶接又ははんだ付け等によりプラス極用のバスバー３５の下面に接合されている。台座６５の内側にはナットグローブ４５及びこのナットグローブ４５に格納された第１のナット５５の外縁がそれぞれ点線で示されている。
【００３２】
同様に中央のマイナス極用のバスバー３７の内側には、台座６７、ソース用の外部端子３６ａ，３６ｂ、ナットグローブ４７及び第１のナット５７の外縁がそれぞれ点線で示されている。また同様に中央の出力用のバスバー３９の内側には、台座６９、出力用の外部端子３８ａ，３８ｂ、ナットグローブ４９及び第１のナット５９の外縁がそれぞれ点線で示されている。
【００３３】
第１のナット５５のそれぞれのネジ孔は、バスバー３５，３７，３９の中央に設けられた第３の貫通孔３５ａ，３７ａ，３９ａとほぼ同径である。またバスバー３５，３７，３９のそれぞれの第３の貫通孔３５ａ，３７ａ，３９ａは、図１に示したインターフェースユニット１のバスバー５，７，９に設けられた第１の貫通孔とほぼ同径である。また図３に示すように、第３の貫通孔３５ａ，３７ａ，３９ａは本体３０ａの上部にほぼ埋め込まれた第１のナット５５，５７，５９のネジ孔とほぼ同心である。
【００３４】
図３に示すように、半導体ユニット３０の本体３０ａの内部には、半導体ユニット３０の長手方向に沿って半導体モジュール７０，８０が２個設けられている。すなわち半導体ユニット３０は、２個の半導体モジュールを組み合わせて用いる、いわゆる「２ｉｎ１」用（２ｉｎ１型）である。
【００３５】
２個のパワー半導体モジュール７０，８０のうち、図３中の右側に示す半導体モジュール７０は、セラミック基板等で作製された絶縁層７１と、絶縁層７１の表面側に設けられた表面導電箔７２と、絶縁層７１の裏面側に設けられた裏面導電箔７３とを有する。表面導電箔７２及び裏面導電箔７３は銅板等で作製できる。表面導電箔７２の上面上には、はんだ７４を介してパワー半導体チップ７５が搭載されている。
【００３６】
パワー半導体チップ７５の上方には、プリント基板９０が設けられ、プリント基板９０の下面とパワー半導体チップ７５の上面との間には、棒状のポスト電極９１が複数本、下側に延びるように設けられている。ポスト電極９１は、パワー半導体チップ７５の上面上に設けられたはんだ７６と接合し、パワー半導体チップ７５とプリント基板９０との電気的な接合が確保されている。
【００３７】
一方、図３中の左側に示す半導体モジュール８０は、右側の半導体モジュール７０と同様に、絶縁層８１と、絶縁層８１の表面上の表面導電箔８２と、絶縁層８１の裏面上の裏面導電箔８３とを有する。表面導電箔８２の上面上には、はんだ８４を介してパワー半導体チップ８５が搭載されている。パワー半導体チップ８５の上面上には、プリント基板９０から下側に延びる棒状のポスト電極９２の下端がはんだ８６を介して電気的に接合されている。
【００３８】
パワー半導体チップ７５の裏面には、ドレイン用の外部端子３４ａ，３４ｂを介して電流が供給され、パワー半導体チップ８５のおもて面からはソース用の外部端子３６ａ，３６ｂを介して外部に電流が流れる。出力用の外部端子３８ａ，３８ｂは、パワー半導体チップ７５のおもて面（ソース側）とパワー半導体チップ８５の裏面（ドレイン側）を接続する配線に接続されている。
【００３９】
＜インターフェースユニット＞
次にインターフェースユニット１の構造を具体的に説明する。インターフェースユニット１の３本のバスバー５，７，９は、ＣｕやＡｌ等の板状の導電性材料で作製されている。図４に示すように、３本のバスバー５，７，９は、平面パターンで封止樹脂部材２の短辺方向に沿って延び、封止樹脂部材２の長辺方向に沿って等間隔で平行であるため、第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａ及び第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂはそれぞれ互いに平行配置されている。
【００４０】
バスバー５，７，９の第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａには第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１が、また第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂには第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１がそれぞれ設けられている。第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１及び第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１はいずれも、図５中の上下方向に延びる３本の破線状の直線（中心線）に沿って円形状に開口している。
【００４１】
第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１及び第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１は口径が互いに異なる。図４中に例示した第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１は６ｍｍ程度、第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１は４ｍｍ程度であり、第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１の口径より第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の口径の方が小さく設定されている。
【００４２】
第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の下側で、第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１と対向する封止樹脂部材２の上部領域には３個のナット収容穴２５，２７，２９が設けられている。図４中には開口部の平面パターンが正六角形状のナット収容穴２５，２７，２９が点線で例示されている。それぞれのナット収容穴２５，２７，２９には、第２のナット９５，９７，９９が配置されている。第２のナット９５，９７，９９のネジ径は上側の第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１とほぼ同径の４ｍｍ程度に設定され、半導体ユニット３０側でのネジ締結に用いられる第１のナットのネジ径とはネジ径が異なる。
【００４３】
開口部が正六角形状のナット収容穴２５，２７，２９の場合、「ナット収容穴の幅」とは、正六角形の中心を挟んで正対する２個の頂点を結ぶ、正六角形中で最大長を形成する対角線の長さを意味する。また「第２のナットの最大径」は、ネジ頭の上面が正六角形状の第２のナット９５，９７，９９の場合、正六角形の中心を挟んで正対する２個の頂点を結ぶ対角線の長さと定義する。
【００４４】
第２のナット９５，９７，９９のネジ径は第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の口径とほぼ同径である一方、ネジ頭の上面において定義される第２のナット９５，９７，９９の最大径はネジ径より大きくなる。そのためネジ頭を含めて第２のナット９５，９７，９９を収容するナット収容穴２５，２７，２９の幅も第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の口径より広くなる。
【００４５】
図５に示すように、封止樹脂部材２の上部で溝部３のナット収容穴２５，２７，２９が配置された位置と反対側となる溝部３の領域には３個の収納部４ａ，４ｂ，４ｃがそれぞれ溝部３に連続して設けられている。収納部４ａ，４ｂ，４ｃは、溝部３が部分的に第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１側に張り出すように形成された窪みであり、平面パターンで矩形状である。収納部４ａ，４ｂ，４ｃ及び溝部３の窪みの深さはほぼ同じである。
【００４６】
バスバー５，７，９の第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａと第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂは、中央領域５ｃ，７ｃ，９ｃとの境界でそれぞれ反対側へ屈曲して、厚みが表れる側方から見てＺ字状をなす。第１の端部領域５ａ，７ａ，９ａ及び第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂは、Ｚ字の両端の延長方向によって２つの段差が形成されるように、互いに平行に配置されている。図６に示すように、第１の端部領域５ａは、主面が封止樹脂部材２の下部の高さで、中央領域５ｃの主面に対して約９０°をなすように折り曲げられ、封止樹脂部材２の側壁の下部から外側へ突出している。第１の端部領域５ａの下面と封止樹脂部材２の下面とはほぼ同じ高さに揃えられている。
【００４７】
図６では図示を省略しているが、図５に示した第１の端部領域７ａ，９ａも同様に、主面が封止樹脂部材２の下部の高さで、中央領域７ｃ，９ｃの主面に対して約９０°をなすように折り曲げられ、封止樹脂部材２の側壁の下部から外側へ突出する。また図５に示した第１の端部領域７ａ，９ａの下面と封止樹脂部材２の下面もほぼ同じ高さに揃えられている。
【００４８】
第２の端部領域５ｂは、主面が封止樹脂部材２の上面より僅かに高い位置で中央領域５ｃの主面に対して約９０°をなすように折り曲げられ、下面の位置が封止樹脂部材２の上面の位置とほぼ重るように延びている。図示を省略しているが、第２の端部領域７ｂ，９ｂも同様に、主面が封止樹脂部材２の上面より僅かに高い位置で中央領域７ｃ，９ｃの主面に対して約９０°をなすように折り曲げられ、下面の位置が封止樹脂部材２の上面の位置とほぼ重って延びている。バスバー５，７，９の第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂは、図５に示したナット収容穴２５，２７，２９を覆うと共に、図１に示すように、溝部３及び収納部４ａ，４ｂ，４ｃを部分的に覆うように封止樹脂部材２の上に架け渡されている。
【００４９】
図７（ａ）中には、封止樹脂部材２の右端の収納部４ａにセンサ６ａが収納されると共に、このセンサ６ａの配線６ａ１が溝部３に配置された状態が例示されている。収納部４ａにセンサ６ａが収納されることにより、封止樹脂部材２にバスバー５が取り付けられるとセンサ６ａはバスバー５の対応する第２の端部領域５ｂに隣接する。収納されるセンサの個数は適宜変更でき、例えば図７（ｂ）に示すように３個の収納部４ａ，４ｂ，４ｃのそれぞれにセンサ６ａ，６ｂ，６ｃを配置できる。また溝部３にセンサ６ａ，６ｂ，６ｃの配線６ａ１，６ｂ１，６ｃ１をすべてまとめて配置することもできる。３個のセンサ６ａ，６ｂ，６ｃが配置される場合においても、封止樹脂部材２にバスバー５，７，９が取り付けられると３個のセンサ６ａ，６ｂ，６ｃはそれぞれ対応するバスバー５，７，９の第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂに隣接する。
【００５０】
センサ６ａ，６ｂ，６ｃとしてはバスバー５，７，９に流れる電流を測定する電流センサや、バスバー５，７，９の温度を測定する温度センサ等、各種のセンサ６ａ，６ｂ，６ｃが採用できる。電流センサとしては例えば巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を利用した電流測定センサ等があり、例えばＧＭＲ電流センサを出力用のバスバー９の下に配置すれば出力電流を測定できる。
【００５１】
＜インターフェースユニットの製造方法＞
バスバー５に着目した図８に示すように、インターフェースユニット１を組み立てるには例えばまず、第１の端部領域５ａのみ中央領域５ｃとの境界で屈曲させたＬ字状の銅板等をバスバー素材として用意する。そしてこのバスバー素材の中央領域５ｃが封止樹脂部材２の側壁に沿って内側に封止されるように、トランスファー成形装置等を用いてバスバー素材と樹脂とを一体成形する。一体成形により封止樹脂部材２の上部に、ナット収容穴２５、溝部３及び収納部４ａも同時に形成する。一体成形の時点では第２の端部領域５ｂが折り曲げられていないので、ナット収容穴２５、溝部３及び収納部４ａのそれぞれの開口部は第２の端部領域５ｂによって覆われることなく大きく外部に露出する。
【００５２】
次に露出したナット収容穴２５に第２のナット９５を収容し、収納部４ａにセンサ６ａを配置すると共に溝部３にセンサ６ａの配線を整理して収納する。そして第２の端部領域５ｂを中央領域５ｃとの境界で、第１の端部領域５ａとは反対側に約９０度折り曲げて屈曲させる。バスバー７，９についても同様で、バスバー７，９の第２の端部領域７ｂ，９ｂを中央領域７ｃ，９ｃとの境界で折り曲げ、第１の端部領域７ａ，９ａとは反対側へ屈曲させれば、図１に例示したようなインターフェースユニット１を得ることができる。
【００５３】
尚、第２のナット９５，９７，９９は上下にスライド可能であり、ボルトを締めることでナット９５，９７，９９は第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂに密着して固定される。
【００５４】
＜半導体ユニット及び外部機器の接続方法＞
次にインターフェースユニット１を用いて半導体ユニット３０と外部機器１００を接続する手順を、バスバー５に着目した図９を参照して説明する。図９は半導体ユニット３０、インターフェースユニット１及び外部機器１００を、図７（ａ）中のＢ−Ｂ線と同じの位置で、第１のボルト１５ａ及び第２のボルト１５ｂ以外の部材を断面して表す図である。またバスバー５に接続される外部機器１００のバスバー１０５には接続用の第４の貫通孔１０５ｂが形成されている。
【００５５】
まず半導体ユニット３０のバスバー３５とインターフェースユニット１のバスバー５の第１の端部領域５ａとを重ね合わせる。そして半導体ユニット３０の本体３０ａの上部に収容されている第１のナット５５のネジ孔及び第３の貫通孔３５ａに、第１の端部領域５ａの第１の貫通孔５ａ１を重ね合わせて対向させ第１のボルト１５ａを挿し込む。第１のナット５５のネジ孔の内径は、半導体ユニット３０のバスバー３５の第３の貫通孔３５ａ及びインターフェースユニット１のバスバー５の第１の貫通孔５ａ１とほぼ同じである。そして第１のボルト１５ａと半導体ユニット３０の第１のナット５５とをネジ締結し、半導体ユニット３０とインターフェースユニット１を接続する。
【００５６】
また、外部機器１００のバスバー１０５とインターフェースユニット１のバスバー５の第２の端部領域５ｂとを重ね合わせる。そしてインターフェースユニット１の封止樹脂部材２の上部に格納されている第２のナット９５のネジ孔に第２の端部領域５ｂの第２の貫通孔５ｂ１及び外部機器１００のバスバー１０５の第４の貫通孔１０５ｂを重ね合わせて対向させ第２のボルト１５ｂを挿し込む。第２のナット９５のネジ孔の内径は、外部機器１００のバスバー１０５の第４の貫通孔１０５ｂ及びインターフェースユニット１のバスバー５の第２の貫通孔５ｂ１とほぼ同じである。そして第１のボルト１５ａよりネジ径の小さな第２のボルト１５ｂと封止樹脂部材２の第２のナット９５とをネジ締結し、外部機器１００とインターフェースユニット１を接続する。
【００５７】
尚、図９中にはバスバー５における接続方法が示されていたが、バスバー７及びバスバー９における接続方法も同様である。上記の一連の工程により、インターフェースユニット１を介して半導体ユニット３０及び外部機器１００は物理的に堅固に一体化されると共に電気的な接続も実現される。
【００５８】
本発明の実施形態に係るインターフェースユニット１によれば、封止樹脂部材２には外部機器１００側の第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂのネジ径に応じた第２のナット９５，９７，９９が格納される。また封止樹脂部材２に取り付けられたバスバー５，７，９には半導体ユニット３０の第１のナット５５，５７，５９のネジ径に応じた第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１が形成される。よって半導体ユニット３０の第１のナット５５，５７，５９のネジ径と外部機器１００側で用意した第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂのネジ径とが異なる場合であっても、半導体ユニット３０及び外部機器１００を滞りなく連結して接続できる。
【００５９】
互いにネジ径が異なる間の半導体ユニット３０及び外部機器１００の接続に際しては、半導体ユニット３０よりも遥かに簡易な構造のインターフェースユニット１を用意すれば済む。すなわち外部機器１００側で用意した第２のボルト１５ｂ，１７ｂ，１９ｂのネジ径に応じたナットを備えた半導体ユニット３０を一つ一つ用意する手間を省くことができる。同時に、外部機器１００を有する納入先では半導体ユニット３０の第１のナット５５，５７，５９のネジ径に応じて、接続用のボルトのネジ径やバスバー１０５，１０７，１０９の第４の貫通孔１０５ｂ，１０７ｂ，１０９ｂの口径を都度変更する手間を省略できる。
【００６０】
また実施形態に係るインターフェースユニット１では、バスバー５，７，９の両端に設けられた第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１及び第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１が同じ方向に開口する。そのため接続作業時に、同一方向から締結作業を行うことが可能になる。例えば一方の貫通孔で締結作業を実施した後、続けて他方の貫通孔において締結作業を実施するために、締結対象物の天地を反転させたり、ボルト締め装置等の向きを変えたりする作業が生じないので、作業負担を軽減できる。
【００６１】
また実施形態に係るインターフェースユニット１では、バスバー５，７，９の両端が中央領域５ｃ，７ｃ，９ｃを挟んで折り曲げられ、中央領域５ｃ，７ｃ，９ｃが封止樹脂部材２の側壁に沿って取り付けられる。バスバー５，７，９を折り曲げずにインターフェースユニット１の封止樹脂部材２を半導体ユニット３０の横に配置する場合に比べて、インターフェースユニット１の封止樹脂部材２を半導体ユニット３０に対して積み上げているので、両端の第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１及び第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１間の平面パターン上の間隔が短くなる。よって半導体ユニット３０と外部機器１００との接続部におけるバスバー５，７，９のフットプリント（占有面積）が小さく抑えられ、コンパクトで取り扱い性を高めることができる。また締結作業時に、一方の貫通孔から他方の貫通孔へボルト締め装置を移動させる距離や、ボルト締めを実施する作業者が移動する距離を短縮できるので、作業時間を低減できる。
【００６２】
また実施形態に係るインターフェースユニット１によれば、収納部４ａ，４ｂ，４ｃ内に選択的にセンサ６ａ，６ｂ，６ｃが収納可能であるため、必要な個数だけセンサ６ａ，６ｂ，６ｃを取り付けたインターフェースユニット１を必要に応じて提供できる。また収納されるセンサ６ａ，６ｂ，６ｃの種類としては、電流センサや温度センサ等、各種のセンサを選択できるため、汎用性が高い。
【００６３】
また実施形態に係るインターフェースユニット１によれば、箱状の封止樹脂部材２の内部空間を利用して収納部４ａ，４ｂ，４ｃが形成されているため、収納領域を別途確保する必要がなく、センサ６ａ，６ｂ，６ｃをコンパクトに収納できる。同様に封止樹脂部材２の内部空間を利用して溝部３が形成されているため、センサ６ａ，６ｂ，６ｃの配線６ａ１，６ｂ１，６ｃ１もコンパクトに収納できる。
【００６４】
＜第１変形例＞
図１０に示すように、本発明に係るインターフェースユニット１は、第２のナット９５の最大幅ｗ１より大きな最大幅ｗ２のナット収容穴２５を有し、かつ、第２のナット９５の外周に固定されるソケット１１５を備えてもよい。図１０中には開口部を正面から見て、内縁及び外縁がいずれも正六角形状のリング状のソケット１１５が例示されている。ソケット１１５は、第２のナット９５をナット収容穴２５に収容して回転を制約する。
【００６５】
例えば、第２のナット９５の最大幅ｗ１が４ｍｍであり、対応するナット収容穴２５の最大幅ｗ２が６ｍｍの場合、第２のナット９５をそのままではナット収容穴２５の中に安定して配置できない。しかし図１０に例示したようなソケット１１５を第２のナット９５に装着することで第２のナット９５の最大幅ｗ１を６ｍｍに拡幅できる場合、第２のナット９５をナット収容穴２５の中に密に嵌め合わせることができる。第１変形例に係るインターフェースユニット１の他の構成については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１における同名の部材とそれぞれと等価であるため重複説明を省略する。
【００６６】
第１変形例に係るインターフェースユニット１によれば、第２のナット９５に拡幅可能なソケット１１５を装着させることにより、ナット収容穴２５の最大幅ｗ２と異なる最大幅ｗ１の第２のナット９５であっても接続に用いることができる。また寸法が異なるソケット１１５を用意しておくことにより、１個のナット収容穴２５の中に収容できるナットの幅のバリエーションを拡大できる。すなわち複数のネジ径のボルトに一つ一つ応じたナット収容穴２５を都度形成する手間が軽減されるので、設計負担及び在庫負担を低減できる。第１変形例に係るインターフェースユニット１の他の効果については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１の場合と同様である。
【００６７】
＜第２変形例＞
図１１に示すように、本発明に係るインターフェースユニット１は、上側にセンサ６ａを載置してセンサ６ａの上面をバスバー５の第２の端部領域５ｂの下面に当接させる位置決め部材８を備えてもよい。位置決め部材８は樹脂等で作製でき、収納部４ａの底面上及び溝部３の底面上に亘って配置され、収納部４ａ内でのセンサ６ａの位置を決定する。位置決め部材８の上部のバスバー５の中央領域５ｃ寄りの領域には、センサ６ａの下部の形状に応じて窪んだ第１凹部８ａが設けられ、この第１凹部８ａ内にセンサ６ａがほぼ密に嵌め込まれ固定される。位置決め部材８は弾性部材であってもよい。
【００６８】
また位置決め部材８の上部のナット収容穴２５寄りの領域には、上面が滑らかに湾曲した窪みが第２凹部８ｂとして設けられ、この第２凹部８ｂ内にセンサ６ａの配線が、他のセンサの配線６ｂ１，６ｃ１と共に配置される。また収納部４ａ内で位置決め部材８の上側には、センサ６ａ及び配線６ｂ１，６ｃ１の周囲の隙間を埋めるように、樹脂等の充填材１０が密に設けられている。第２変形例に係るインターフェースユニット１の他の構成については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１における同名の部材とそれぞれと等価であるため重複説明を省略する。
【００６９】
第２変形例に係るインターフェースユニット１によれば、位置決め部材８の上にセンサ６ａが載置されることにより、製造や接続等の際、センサ６ａに加わる衝撃を低減できる。また位置決め部材８の第１凹部８ａ内にセンサ６ａが固定されることにより、センサ６ａの収納部４ａ内における平面内の位置及び上下方向の高さ位置が正確に決定される。また位置決め部材８及び充填材１０を用いることにより、収納時のセンサ６ａの安定性を高めることができる。尚、位置決め部材８及び充填材１０はいずれか一方のみが採用されてもよく、それぞれ単独使用であっても収納時のセンサ６ａの安定性が高められる。第２変形例に係るインターフェースユニット１の他の効果については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１の場合と同様である。
【００７０】
＜第３変形例＞
図１２に示すように、本発明の実施形態の第３変形例に係るインターフェースユニット１ａの封止樹脂部材２ａは、バスバー５ｗ，７ｗ，９ｗの厚みが表れる側方から見てＬ字状をなす２段の階段状である。バスバー５ｗ，７ｗ，９ｗの第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂは、中央領域５ｃ，７ｃ，９ｃとの境界部及び第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１との間で約９０度ずつ２回折り曲げられ、Ｚ字状をなしている。折り曲げられた中央部分は封止樹脂部材２ａのＬ字の縦棒に相当する側壁に沿って封止されている。すなわちバスバー５ｗ，７ｗ，９ｗの第２の端部領域５ｂ，７ｂ，９ｂは、封止樹脂部材２ａの上面上では、階段の１段目に配置された領域と２段目に配置された領域とに分割配置され、異なる高さで互いに平行である。
【００７１】
バスバー５ｗ，９ｗの第２の端部領域５ｂ，９ｂの、封止樹脂部材２ａの階段の１段目の上面上に配置される被挟持部５ｂｗ，９ｂｗには、Ｕ字状のセンサ１１ａ，１１ｃがそれぞれ搭載されている。図１２中には２個のＵ字状のセンサ１１ａ，１１ｃが、それぞれのＵ字の内側に、ドレイン用のバスバー５ｗ及び出力用のバスバー９ｗの被挟持部５ｂｗ，９ｂｗを挟み込んだ状態で取り付けられた状態が例示されている。Ｕ字状のセンサ１１ａ，１１ｃは、Ｕ字の開口幅が被挟持部５ｂｗ，９ｂｗの厚みより僅かに小さくなるように作製されている。そのため、Ｕ字状のセンサ１１ａ，１１ｃを被挟持部５ｂｗ，９ｂｗに挟み込む際には、Ｕ字の開口幅を僅かに拡げて挿し込めばよく、Ｕ字の側壁の復元力によってＵ字状のセンサ１１ａ，１１ｃが被挟持部５ｂｗ，９ｂｗに固定される。反対にＵ字状のセンサ１１ａ，１１ｃを被挟持部５ｂｗ，９ｂｗから取り外す際には、Ｕ字の開口幅を僅かに拡げながら被挟持部５ｂｗ，９ｂｗから抜き取ればよい。尚、図１２中の左側に示すＵ字状のセンサ１１ｃが取り付けられている出力用のバスバー９ｗは説明のため、部分的に切り欠いて描かれている。
【００７２】
また被挟持部５ｂｗ，９ｂｗの下側の収納部４ａ１，４ｃ１はそれぞれ封止樹脂部材２ａの側端面に開口し、それぞれの側端面において収納部４ａ１，４ｃ１及び溝部３の開口部が一体となって全体の開口領域が大きく確保されている。第３変形例に係るインターフェースユニット１ａの他の構成については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１における同名の部材とそれぞれ等価であるため重複説明を省略する。
【００７３】
第３変形例に係るインターフェースユニット１ａでは、被挟持部５ｂｗ，９ｂｗに挟み込むだけで着脱可能なＵ字状のセンサ１１ａ，１１ｃが用いられるため、図１に示したインターフェースユニット１のようにセンサがバスバーによって覆い隠されない。そのためセンサ１１ａ，１１ｃをバスバー５ｗ，９ｗから分離する場合に、バスバー５ｗ，９ｗを封止樹脂部材２ａから取り外す必要が無いので、修理や交換を容易に行うことができ、経済性を高めることができる。また収納部４ａ１，４ｃ１が側方に大きく開口されていることにより、Ｕ字状のセンサ１１ａ，１１ｃをバスバー５ｗ，９ｗから一層容易に着脱できる。第３変形例に係るインターフェースユニット１ａの他の効果については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１の場合と同様である。
【００７４】
＜第４変形例＞
図１３に示すように、本発明の実施形態の第４変形例に係るインターフェースユニット１ｂでは、バスバー５ｘ，７，９ｘの第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１の中心の間隔ｄ１と、第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の中心の間隔ｄ２とが異なる。第４変形例に係るインターフェースユニット１ｂでは、間隔ｄ１及び間隔ｄ２が異なるように３本のバスバー５ｘ，７，９ｘが形成されていることにより、外部機器のバスバー間隔と半導体ユニットのバスバー間隔とが異なる場合であっても接続が可能になる。
【００７５】
３本のバスバー５ｘ，７，９ｘのうち中央のソース用のバスバー７を除く、右側のドレイン用のバスバー５ｘと左側の出力用のバスバー９ｘはいずれも平面パターンでＺ字状をなすように屈曲した部分である傾斜部５ｂｘ，９ｂｘを有する。傾斜部５ｂｘ，９ｂｘは、ドレイン用のバスバー５ｘ及び出力用のバスバー９ｘのそれぞれの第２の端部領域５ｂ，９ｂにおいて、中央領域との境界近傍の位置と第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の近傍の位置との間に位置する。傾斜部５ｂｘ及び傾斜部９ｂｘは、ソース用のバスバー７を中心に左右対称的に配置されている。傾斜部５ｂｘ，９ｂｘが形成されていることにより、ドレイン用のバスバー５ｘ及び出力用のバスバー９ｘにおいて、それぞれの第２の貫通孔５ｂ１，９ｂ１は上面側から見て第１の貫通孔５ａ１，９ａ１より外側に配置され同一直線上に並ばない。
【００７６】
ドレイン用のバスバー５ｘの傾斜部５ｂｘは平行四辺形状であり、傾斜部５ｂｘの下には、傾斜部５ｂｘの平面パターンに応じて平行四辺形状のセンサの収納部４ａ１が設けられている。同様に、出力用のバスバー９ｘの傾斜部９ｂｘも平行四辺形状であり、傾斜部９ｂｘの下にも、傾斜部９ｂｘの平面パターンに応じて平行四辺形状のセンサの収納部４ｃ１が設けられている。第４変形例に係るインターフェースユニット１ｂの他の構成については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１における同名の部材とそれぞれ等価であるため重複説明を省略する。
【００７７】
第４変形例に係るインターフェースユニット１ｂでは平面パターン上、バスバー５ｘ，７，９ｘの第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１は、下側の半導体ユニット側の第１のナットのネジ孔に重ね合わせ対向配置される。またインターフェースユニット１ｂのバスバー５ｘ，７，９ｘの第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１は、上側の外部機器側から第２のボルトが挿し込まれる第２のナット９５，９７，９９のネジ孔に重ね合わせ対向配置されている。そのため半導体ユニット側の第１のナットの間隔が外部機器側で用いる第２のボルトの間隔と異なる場合であっても、半導体ユニット及び外部機器を滞りなく接続できる。第４変形例に係るインターフェースユニット１ｂの他の効果については、図１〜図９を用いて説明したインターフェースユニット１の場合と同様である。
【００７８】
＜その他の実施形態＞
本発明は上記の開示した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかになると考えられるべきである。例えばインターフェースユニットのバスバーの本数は３本に限定されず、適宜変更することができる。また図１に例示したインターフェースユニット１のバスバー５，７，９はＺ字状をなすように折り曲げられていたが、バスバーは一切折り曲げられることなく、例えば一直線状のような平坦な形状であってもよい。
【００７９】
またインターフェースユニットのバスバーに設けられる第１の貫通孔及び第２の貫通孔のそれぞれの口径は、上記の例示の値に限定されず、適宜設定できる。また本発明の実施形態では第１の貫通孔５ａ１，７ａ１，９ａ１より第２の貫通孔５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１の方の口径が小さく設定されていたが、第２の貫通孔より第１の貫通孔の方の口径が小さくてもよい。また実施形態では、第１のボルト及び第２のボルトのネジ頭の上面の形状、第１のナット及び第２のナットの上面の形状並びにナット収容穴の開口部の形状としては正六角形状のものを例示したが、これに限定されない。正方形、正八角形等の多角形を含んだ他の幾何学形状のものを適宜採用できる。
【００８０】
また図１〜図１３に示したそれぞれの実施形態及び変形例に係るインターフェースユニットの構成を部分的に組み合わせて、本発明に係るインターフェースユニットを実現してもよい。以上のとおり本発明は、上記に記載していない様々な実施形態等を含むとともに、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００８１】
１，１ａ，１ｂ…インターフェースユニット
２，２ａ，２ｂ…封止樹脂部材
３…溝部
４ａ，４ｂ，４ｃ…収納部
４ａ１，４ｃ１…収納部
５，７，９…バスバー
５ａ，７ａ，９ａ…第１の端部領域
５ａ１，７ａ１，９ａ１…第１の貫通孔
５ｂ，７ｂ，９ｂ…第２の端部領域
５ｂ１，７ｂ１，９ｂ１…第２の貫通孔
５ｂｗ，９ｂｗ…被挟持部
５ｂｘ，９ｂｘ…傾斜部
５ｃ，７ｃ，９ｃ…中央領域
５ｗ，７ｗ，９ｗ…バスバー
５ｘ，９ｘ…バスバー
６ａ，６ｂ，６ｃ…センサ
６ａ１，６ｂ１，６ｃ１…配線
８…位置決め部材
８ａ…第１凹部
８ｂ…第２凹部
１０…充填材
１１ａ，１１ｃ…センサ
１５ａ，１７ａ，１９ａ…第１のボルト
１５ｂ，１７ｂ，１９ｂ      …第２のボルト
２５，２７，２９…ナット収容穴
３０…半導体ユニット
３０ａ…本体
３１ａ，３１ｂ…ソース信号用端子
３２ａ，３２ｂ…ゲート信号用端子
３３ａ，３３ｂ…袴部
３４ａ，３４ｂ…ドレイン用の外部端子
３５，３７，３９…バスバー
３６ａ，３６ｂ…ソース用の外部端子
３８ａ，３８ｂ…出力用の外部端子
４０ａ，４０ｂ…取付孔
４５，４７，４９…ナットグローブ
５５，５７，５９…第１のナット
６５，６７，６９…台座
７０，８０…半導体モジュール
７１，８１…絶縁層
７２，８２…表面導電箔
７３，８３…裏面導電箔
７４，７６，８４，８６…はんだ
７５，８５…パワー半導体チップ
９０…プリント基板
９１，９２…ポスト電極
９５，９７，９９…第２のナット
１００…外部機器
１０１…本体
１０５，１０７，１０９…バスバー
１０５ｂ…第４の貫通孔
１１５…ソケット
ｄ１，ｄ２…間隔
ｗ１，ｗ２…最大幅
【図１】
2019082792.tif 000003
【図２】
2019082792.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2019082792.tif 000010
【図９】
2019082792.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2019082792.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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