(57)【要約】【課題】中心導体の面方向が実装方向に対して水平となるよう実装可能な構成を有する非可逆回路素子において、外部端子が永久磁石を横切ることによる特性の悪化を防止することを目的とする。【解決手段】永久磁石Ｍと、絶縁性を有する磁性体３１と、永久磁石Ｍと磁性体３１に挟まれた磁気回転子４０と、外部端子２１〜２３とを備える。磁気回転子４０は、外部電極２１〜２３に接続された中心導体７０と、中心導体７０を挟み込むフェライトコア４１，４２とを含む。外部端子２１〜２３は、永久磁石Ｍの側面を覆うことなく磁性体３１の側面を覆うように設けられている。本発明によれば、外部端子２１〜２３が永久磁石Ｍと接することによる高周波特性の劣化を防止することが可能となる。【選択図】図１
2019220784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石と、
絶縁性を有する磁性体と、
前記永久磁石と前記磁性体に挟まれた磁気回転子と、
外部端子と、を備え、
前記磁気回転子は、前記外部電極に接続された中心導体と、前記中心導体を挟み込む第１及び第２のフェライトコアとを含み、
前記外部端子は、前記永久磁石の側面を覆うことなく、前記磁性体の側面を覆うように設けられていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
グランド端子と、
前記第１のフェライトコアと前記磁性体の間に設けられ、前記グランド端子に接続された第１の接地導体と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記第２のフェライトコアと前記永久磁石との間に設けられ、前記グランド端子に接続された第２の接地導体をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記磁性体の飽和磁化は、前記第１及び第２のフェライトコアの飽和磁化以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記磁性体は、前記第１及び第２のフェライトコアと同じ磁性材料からなることを特徴とする請求項４に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記第２のフェライトコアと前記永久磁石との間に設けられた第１の金属磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記永久磁石から見て前記第１の金属磁性体とは反対側に設けられた第２の金属磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記第２のフェライトコアと前記永久磁石との間に設けられた、絶縁性を有する別の磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記永久磁石から見て前記別の磁性体とは反対側に設けられた金属磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の非可逆回路素子を備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置に関し、特に、マイクロ波帯又はミリ波帯での使用に好適なアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子は、例えば、携帯電話のような移動体通信機器や、基地局で使用される通信装置などに組み込まれて使用される。一般的な非可逆回路素子は、特許文献１に記載されているように、中心導体及びこれを挟み込む一対のフェライトコアからなる磁気回転子と、磁気回転子に磁界を与える永久磁石によって構成される。
【０００３】
また、特許文献２には、集合基板を切断することにより多数個取り可能な非可逆回路素子が開示されている。特許文献２に記載された非可逆回路素子は、積層方向に対して９０°寝かせた状態で基板に搭載される。これにより、永久磁石の存在しない部分に外部端子を配置できることから、外部端子が永久磁石を横切ることによる特性の悪化を防止することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第６２３１５５５号公報
【特許文献２】特開２０１８−８２２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２のように、積層方向に対して９０°寝かせた状態で基板に搭載すると、中心導体の面方向が実装方向に対して垂直となることから、周波数が数ＧＨｚ以下のような低周波領域では、製品の高さが非常に高くなるという問題があった。
【０００６】
したがって、本発明は、中心導体の面方向が実装方向に対して水平となるよう実装可能な構成を有する非可逆回路素子において、外部端子が永久磁石を横切ることによる特性の悪化を防止することを目的とする。また、本発明は、このような非可逆回路素子を用いた通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による非可逆回路素子は、永久磁石と、絶縁性を有する磁性体と、永久磁石と磁性体に挟まれた磁気回転子と、外部端子とを備え、磁気回転子は、外部電極に接続された中心導体と、中心導体を挟み込む第１及び第２のフェライトコアとを含み、外部端子は、永久磁石の側面を覆うことなく磁性体の側面を覆うように設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明による通信装置は、上記の非可逆回路素子を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、磁気回転子が永久磁石と磁性体によって挟まれていることから、永久磁石の側面を覆うことなく磁性体の側面を覆うように外部端子を設けることができる。これにより、外部端子が永久磁石と接することによる高周波特性の劣化を防止することが可能となる。しかも、中心導体の面方向が実装方向に対して水平となるよう実装可能であることから、周波数帯が低い場合であっても、製品の高さが高くなることもない。
【００１０】
本発明による非可逆回路素子は、グランド端子と、第１のフェライトコアと磁性体の間に設けられ、グランド端子に接続された第１の接地導体とをさらに備えていても構わない。これによれば、第１のフェライトコアと磁性体の間に設けられた第１の接地導体によって、第１のフェライトコアと磁性体が電気的に分離される。これにより、磁性体の存在による電気的特性の変化を防止することが可能となる。
【００１１】
本発明による非可逆回路素子は、第２のフェライトコアと永久磁石との間に設けられ、グランド端子に接続された第２の接地導体をさらに備えていても構わない。これによれば、第２のフェライトコアと永久磁石を電気的に分離することが可能となる。
【００１２】
本発明において、磁性体の飽和磁化は、第１及び第２のフェライトコアの飽和磁化以下であっても構わない。これによれば、通過損失を低減することが可能となる。この場合、磁性体は、第１及び第２のフェライトコアと同じ磁性材料からなるものであっても構わない。これによれば、材料コストの増加を抑制することが可能となる。
【００１３】
本発明による非可逆回路素子は、第２のフェライトコアと永久磁石との間に設けられた第１の金属磁性体をさらに備えていても構わない。これによれば、第２のフェライトコアに印加される磁界分布をより均一にすることが可能となる。この場合、本発明による非可逆回路素子は、永久磁石から見て第１の金属磁性体とは反対側に設けられた第２の金属磁性体をさらに備えていても構わない。これによれば、第１のフェライトコアに印加される磁界をより強くすることが可能となる。
【００１４】
本発明による非可逆回路素子は、第２のフェライトコアと永久磁石との間に設けられた、絶縁性を有する別の磁性体をさらに備えていても構わない。これによれば、第２のフェライトコアに印加される磁界分布をより均一にすることが可能となる。この場合、本発明による非可逆回路素子は、永久磁石から見て別の磁性体とは反対側に設けられた金属磁性体をさらに備えていても構わない。これによれば、第１のフェライトコアに印加される磁界をより強くすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明によれば、外部端子が永久磁石と接することによる高周波特性の劣化が防止された非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置を提供することが可能となる。しかも、中心導体の面方向が実装方向に対して水平となるよう実装可能であることから、周波数帯が低い場合であっても、製品の高さが高くなることもない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による非可逆回路素子１の構成を示す略斜視図である。
【図２】図２は、非可逆回路素子１の略分解斜視図である。
【図３】図３は、内部直流磁界と円偏波透磁率との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態による非可逆回路素子２の構成を示す略斜視図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態による非可逆回路素子３の構成を示す略斜視図である。
【図６】図６は、本発明の第４の実施形態による非可逆回路素子４の構成を示す略斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第５の実施形態による非可逆回路素子５の構成を示す略斜視図である。
【図８】図８は、本発明の第６の実施形態による通信装置８０の構成を示すブロック図である。
【図９】図９は、実施例１のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例２のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】図１１は、実施例３のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による非可逆回路素子１の構成を示す略斜視図である。また、図２は、非可逆回路素子１の略分解斜視図である。
【００１９】
図１及び図２に示す非可逆回路素子１は分布定数型の非可逆回路素子であり、携帯電話のような移動体通信機器や、基地局で使用される通信装置などに組み込まれて、アイソレータ又はサーキュレータとして使用される。特に限定されるものではないが、本実施形態による非可逆回路素子１は、基地局で使用される通信装置に使用することが好適である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、本実施形態による非可逆回路素子１は略直方体形状を有する表面実装型のチップ部品であり、ｘｚ面を構成する第１及び第２の側面１１、１２と、ｙｚ面を構成する第３及び第４の側面１３、１４と、ｘｙ面を構成する実装面１５及び上面１６とを有している。そして、第１の側面１１には第１の外部端子２１が設けられ、第２の側面１２には第２の外部端子２２が設けられ、第３の側面１３には第３の外部端子２３が設けられている。その他、第１〜第４の側面１１〜１４には、それぞれ複数のグランド端子２０が設けられている。外部端子２１〜２３及び複数のグランド端子２０は、一部が実装面１５に回り込んで形成されている。
【００２１】
これら３つの外部端子２１〜２３は、本実施形態による非可逆回路素子１をサーキュレータとして使用する場合にはそれぞれ対応する信号配線に接続される。一方、本実施形態による非可逆回路素子１をアイソレータとして使用する場合には、例えば、外部端子２１及び２２がそれぞれ対応する信号配線に接続され、外部端子２３が終端抵抗を介して接地される。同様に、終端抵抗を介して外部端子２１又は２２を接地した場合も、本実施形態による非可逆回路素子１をアイソレータとして使用することができる。複数のグランド端子２０には、接地電位が共通に与えられる。
【００２２】
さらに、非可逆回路素子１は、永久磁石Ｍと絶縁性を有する磁性体３１を備え、これらの間に磁気回転子４０が積層方向であるｚ方向に挟み込まれた構成を有している。永久磁石Ｍは、絶縁性を有するフェライト磁石であっても構わないし、導電性を有する希土類磁石であっても構わない。絶縁性を有する磁性体３１の材料としてはフェライトを用いることが好ましく、誘電正接（ｔａｎδ）の小さい高周波用フェライト、例えば、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）を用いることが特に好ましい。
【００２３】
磁気回転子４０は、２つのフェライトコア４１及び４２と、これらによってｚ方向に挟まれた中心導体７０を含む。フェライトコア４１及び４２の材料としては、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）等の軟磁性材料を用いることが好ましい。つまり、フェライトコア４１及び４２と磁性体３１は、同じ磁性材料を用いることができる。但し、フェライトコア４１及び４２と磁性体３１が同じ磁性材料からなる点は必須でなく、互いに異なる磁性材料を用いても構わない。この場合、磁性体３１を構成する磁性材料としては、フェライトコア４１及び４２を構成する磁性材料の飽和磁化以下である磁性材料を用いることが好ましい。
【００２４】
中心導体７０の平面形状は図２に示すとおりであり、中心点から放射状に導出された３つのポート７１〜７３と、電気的特性を調整するための分岐導体７４〜７６とを有している。中心導体７０とフェライトコア４１，４２は、接着性を有する誘電体４３を介して互いに接着されている。誘電体４３の材料については特に限定されないが、フェライトコア４１，４２の誘電率とほぼ同じ誘電率を有する材料を用いることが好ましい。
【００２５】
ここで、中心導体７０から導出された第１のポート７１の先端は第１の側面１１に露出し、これにより第１の外部端子２１に接続されている。また、中心導体７０から導出された第２のポート７２の先端は第２の側面１２に露出し、これにより第２の外部端子２２に接続されている。さらに、中心導体７０から導出された第３のポート７３の先端は第３の側面１３に露出し、これにより第３の外部端子２３に接続されている。
【００２６】
本実施形態による非可逆回路素子１は、磁性体３１と磁気回転子４０によってｚ方向に挟まれた接地導体５１と、永久磁石Ｍと磁気回転子４０によってｚ方向に挟まれた接地導体５２をさらに備えている。このため、中心導体７０は２つの接地導体５１、５２によって挟まれ、磁性体３１及び永久磁石Ｍから電気的に隔離される。接地導体５１には、外部端子２１〜２３と重なる部分に切り欠き５１ａ〜５１ｃが設けられ、接地導体５２には、外部端子２１〜２３と重なる部分に切り欠き５２ａ〜５２ｃが設けられており、これによって外部端子２１〜２３との干渉が防止されている。接地導体５１、５２のその他の部分は、第１〜第４の側面１１〜１４から露出している。このため、複数のグランド端子２０はいずれも接地導体５１、５２に接続される。
【００２７】
本実施形態においては、接地導体５１がフェライトコア４１の下面に印刷されており、接地導体５２がフェライトコア４２の上面に印刷されている。このため、接地導体５１とフェライトコア４１はほぼ隙間なく密着し、接地導体５２とフェライトコア４２はほぼ隙間なく密着している。そして、磁性体３１と接地導体５１は接着性を有する誘電体６１を介して互いに接着され、永久磁石Ｍと接地導体５２は接着性を有する誘電体６２を介して互いに接着される。誘電体６１，６２としては、誘電体４３と同じ材料を用いることができる。
【００２８】
このように、本実施形態においては、接地導体５１、５２によって磁気回転子４０が磁性体３１及び永久磁石Ｍから電気的に分離されていることから、例えば磁性体３１の厚みを変えても磁気回転子４０自体の電気的特性が変化することはない。
【００２９】
本実施形態においては、フェライトコア４１とフェライトコア４２の間に誘電体４３が充填される。そして、誘電体４３の材料として、フェライトコア４１，４２の誘電率とほぼ同じ誘電率を持つ材料を選択すれば、中心導体７０にゆがみや膜厚分布などが存在している場合であっても、ほぼ設計通りの電気的特性を得ることが可能となる。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態による非可逆回路素子１は、磁気回転子４０の上側に永久磁石Ｍが配置されている一方、磁気回転子４０の下側には永久磁石が配置されておらず、その代わりに絶縁性を有する磁性体３１が配置されている。このため、永久磁石Ｍの側面を覆うことなく、磁性体３１の側面を覆うように外部端子２１〜２３を配置できることから、外部端子２１〜２３が永久磁石Ｍの側面を覆うことによる高周波特性の劣化を防止することが可能となる。しかも、磁気回転子４０と磁性体３１が接地導体５１によって電気的に分離されていることから、磁性体３１の厚みを変化させても磁気回転子４０の電気的特性が変化しない。
【００３１】
本実施形態による非可逆回路素子１は、磁気回転子４０の下側に永久磁石が配置されていないことから、磁気回転子４０を２つの永久磁石で挟み込んだ場合に比べると、特に、下側に位置するフェライトコア４１に印加される磁界が弱くなるとともに、磁界の垂直性が低下する傾向がある。この影響を低減するためには、磁性体３１のｚ方向における厚みをある程度確保することが好ましい。これは、磁性体３１の厚みを大きくするほど、磁性体３１により多くの磁束が流れるため、フェライトコア４１に印加される磁界が強くなるとともに、磁界の垂直性が向上するからである。具体的には、磁性体３１の厚みをフェライトコア４１の厚みと同じまたはそれ以上とすることが好ましい。
【００３２】
但し、磁性体３１の厚みを十分に厚くしても、磁性体３１の代わり永久磁石を用いた場合に比べると、フェライトコア４１に印加される磁界は弱く、磁界の垂直性も低い。しかしながら、磁気回転子４０をいわゆるBelow Resonance領域で動作させれば、弱い磁界で十分に非可逆回路動作を実現可能である。図３は、内部直流磁界と円偏波透磁率との関係を示すグラフであり、μ＋'とμ−'がいずれも正の値を採るときに非可逆回路動作が実現される。つまり、図３に示すグラフでは、レンジ１（Below Resonance）とレンジ３（Above Resonance）で非可逆回路動作が可能である。多くの非可逆回路素子ではレンジ３（Above Resonance）にて動作が行われるが、レンジ１（Below Resonance）にて動作を行うことにより、比較的弱い磁界で非可逆回路動作が可能である。したがって、本実施形態による非可逆回路素子１は、レンジ１（Below Resonance）にて動作させることが好ましいといえる。また、Below Resonance領域においては、周波数が決まると使用できる飽和磁化の上限が決まる。一般的に、Below Resonanceのような低磁界領域においては、低い周波数でフェライトを使用すると損失が急激に増大することが知られており、その周波数ｆは、以下の式で与えられる。
【００３３】
【数１】
2019220784.tif 000003
【００３４】
ここで、Ｈａは異方性磁界、Ｍｓは飽和磁化、｜γ｜＝１．７６×１０３［Ｔ−１・Ｓ−１］、μ０は真空の透磁率である。ＹＩＧは異方性が無いため、Ｈａ＝０と近似してＭｓについて解くと、
【００３５】
【数２】
2019220784.tif 000004
【００３６】
と表せる。したがって、周波数が決まれば使用できる飽和磁化の上限が決まる。一般的にフェライトコア４１は、上限に近い飽和磁化を選択するため、磁性体３１の材料として、フェライトコア４１の飽和磁化よりも大きな飽和磁化を有する材料を使用すると通過損失が増加する。したがって、磁性体３１の材料としては、飽和磁化がフェライトコア４１と同じかそれ以下の材料を用いることが好ましいと言える。
【００３７】
＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態による非可逆回路素子２の構成を示す略斜視図である。
【００３８】
図４に示すように、第２の実施形態による非可逆回路素子２は、接地導体５２と永久磁石Ｍの間に金属磁性体１０１が挿入されている点において、第１の実施形態による非可逆回路素子１と相違している。金属磁性体１０１と永久磁石Ｍは、接着性を有する誘電体６３を介して互いに接着されている。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による非可逆回路素子１と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３９】
金属磁性体１０１は、例えば鉄（Ｆｅ）からなり、永久磁石Ｍからフェライトコア４２に与えられる磁束を均一化する役割を果たす。これは、磁気回転子４０の片側にのみ永久磁石Ｍを配置した場合、特に永久磁石Ｍに隣接するフェライトコア４２の磁界分布が不均一となりやすいが、金属磁性体１０１を設けることにより、フェライトコア４２に印加される磁界がより均一化され、局所的な磁界の集中を防止することが可能となる。
【００４０】
＜第３の実施形態＞
図５は、本発明の第３の実施形態による非可逆回路素子３の構成を示す略斜視図である。
【００４１】
図５に示すように、第３の実施形態による非可逆回路素子３は、接地導体５２と永久磁石Ｍの間に絶縁性を有する別の磁性体３２が挿入されている点において、第１の実施形態による非可逆回路素子１と相違している。磁性体３２と永久磁石Ｍは、接着性を有する誘電体６３を介して互いに接着されている。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による非可逆回路素子１と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４２】
磁性体３２は磁性体３１と同じ材料、例えばイットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）からなり、第２の実施形態において用いた金属磁性体１０１と同様に、永久磁石Ｍからフェライトコア４２に与えられる磁束を均一化する役割を果たす。磁性体３２のｚ方向における厚みについては、磁性体３１よりも薄くても構わない。一例として、磁性体３２の厚みを磁性体３１の厚みの半分とすることができる。これは、磁性体３２の近傍に永久磁石Ｍが存在するため、永久磁石Ｍから遠い磁性体３１ほど十分に厚みを確保する必要がないからである。
【００４３】
＜第４の実施形態＞
図６は、本発明の第４の実施形態による非可逆回路素子４の構成を示す略斜視図である。
【００４４】
図６に示すように、第４の実施形態による非可逆回路素子４は、永久磁石Ｍの上部に金属磁性体１０２が追加されている点において、第２の実施形態による非可逆回路素子２と相違している。金属磁性体１０２と永久磁石Ｍは、接着性を有する誘電体６４を介して互いに接着されている。その他の基本的な構成は、第２の実施形態による非可逆回路素子２と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
金属磁性体１０２は、例えば鉄（Ｆｅ）からなり、漏洩磁束を低減する役割を果たす。これにより、磁界が弱くなりやすいフェライトコア４１への磁界を補うことが可能となる。金属磁性体１０２の厚みは、金属磁性体１０１と同じ厚みとすればよい。
【００４６】
＜第５の実施形態＞
図７は、本発明の第５の実施形態による非可逆回路素子５の構成を示す略斜視図である。
【００４７】
図７に示すように、第５の実施形態による非可逆回路素子５は、永久磁石Ｍの上部に金属磁性体１０２が追加されている点において、第３の実施形態による非可逆回路素子３と相違している。金属磁性体１０２と永久磁石Ｍは、接着性を有する誘電体６４を介して互いに接着されている。その他の基本的な構成は、第３の実施形態による非可逆回路素子３と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４８】
本実施形態においても、金属磁性体１０２を追加することにより漏洩磁束が低減され、フェライトコア４１への磁界を補うことが可能となる。
【００４９】
＜第６の実施形態＞
【００５０】
図８は、本発明の第６の実施形態による通信装置８０の構成を示すブロック図である。
【００５１】
図８に示す通信装置８０は、例えば移動体通信システムにおける基地局に備えられるものであって、受信回路部８０Ｒと送信回路部８０Ｔとを含み、これらが送受信用のアンテナＡＮＴに接続されている。受信回路部８０Ｒは、受信用増幅回路８１と、受信された信号を処理する受信回路８２とを含んでいる。送信回路部８０Ｔは、音声信号、映像信号などを生成する送信回路８３と、電力増幅回路８４とを含んでいる。
【００５２】
このような構成を有する通信装置８０において、アンテナＡＮＴから受信回路部８０Ｒに到る経路や、送信回路部８０ＴからアンテナＡＮＴに至る経路に、上述した第１〜第５の実施形態による非可逆回路素子１〜５と同じ構成を有する９１、９２が用いられる。非可逆回路素子９１は、サーキュレータとして機能し、非可逆回路素子９２は終端抵抗器Ｒ０を有するアイソレータとして機能する。
【００５３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５４】
例えば、上記実施形態においては、分布定数型の非可逆回路素子を例に説明したが、本発明がこれに限定されるものではなく、集中定数型の非可逆回路素子に適用することも可能である。
【実施例】
【００５５】
＜実施例１＞
図１と同一又は類似の構造を有する非可逆回路素子のサンプル１Ａ〜１Ｆを想定し、発生する磁界をシミュレーションによって評価した。いずれのサンプルも平面形状を８．０ｍｍ×８．０ｍｍとし、フェライトコア４１，４２及び磁性体３１として、厚さ０．８ｍｍのＹＩＧを用いた。また、永久磁石Ｍについては厚さ０．８ｍｍの永久磁石を用い、中心導体７０の厚さは０．１ｍｍとした。
【００５６】
そして、サンプル１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅにおいて、磁性体３１の厚さをそれぞれ０ｍｍ（磁性体３１なし）、０．４ｍｍ、０．８ｍｍ、１．６ｍｍ、５．０ｍｍとし、サンプル１Ｆについては、磁性体３１の代わり永久磁石を用いた。
【００５７】
シミュレーションの結果を図９に示す。図９の（ａ）〜（ｆ）は、それぞれサンプル１Ａ〜１Ｆのシミュレーション結果である。図９（ｆ）に示すように、上下に永久磁石を配置したサンプル１Ｆでは、フェライトコア４１，４２に印加される磁界の垂直性が高いのに対し、下側の永久磁石を削除したサンプル１Ａ〜１Ｅでは、フェライトコア４１，４２に印加される磁界の垂直性が低下するとともに、特に下側のフェライトコア４１において磁界の強度が低下することが分かる。しかしながら、磁性体３１の厚みを増大させることにより、磁界の垂直性が高まるとともに、下側のフェライトコア４１に印加される磁界の強度が増加することが確認できた。
【００５８】
＜実施例２＞
図１又は図４と同じ構造を有する非可逆回路素子のサンプル２Ａ〜２Ｃを想定し、発生する磁界をシミュレーションによって評価した。いずれのサンプルも平面形状を８．０ｍｍ×８．０ｍｍとし、フェライトコア４１，４２及び磁性体３１として、厚さ０．８ｍｍのＹＩＧを用いた。また、永久磁石Ｍについては厚さ０．８ｍｍの永久磁石を用い、中心導体７０の厚さは０．１ｍｍとした。
【００５９】
そして、サンプル２Ａ，２Ｂ，２Ｃにおいて、金属磁性体１０１の厚さをそれぞれ０ｍｍ（金属磁性体１０１なし）、０．１ｍｍ、０．２ｍｍとした。
【００６０】
シミュレーションの結果を図１０に示す。図１０の（ａ）〜（ｃ）は、それぞれサンプル２Ａ〜２Ｃのシミュレーション結果である。図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、金属磁性体１０１の厚さが厚くなるほど、上側のフェライトコア４２に印加される磁界がより均一化されることが確認できた。
【００６１】
＜実施例３＞
それぞれ図１、図４、図６と同じ構造を有する非可逆回路素子のサンプル３Ａ〜３Ｃを想定し、発生する磁界をシミュレーションによって評価した。いずれのサンプルも平面形状を８．０ｍｍ×８．０ｍｍとし、フェライトコア４１，４２及び磁性体３１として、厚さ０．８ｍｍのＹＩＧを用いた。また、永久磁石Ｍについては厚さ０．８ｍｍの永久磁石を用い、中心導体７０の厚さは０．１ｍｍとした。
【００６２】
サンプル３Ｂ，３Ｃにおいては、金属磁性体１０１又は１０２の厚さをいずれも０．１ｍｍとした。
【００６３】
シミュレーションの結果を図１１に示す。図１１の（ａ）〜（ｃ）は、それぞれサンプル３Ａ〜３Ｃのシミュレーション結果である。図１１（ｃ）に示すように、永久磁石Ｍの上下に金属磁性体１０１，１０２を配置したサンプル３Ｃは、サンプル３Ａ，３Ｂに比べて、下側のフェライトコア４１に印加される磁界が若干強くなることが確認できた。
【符号の説明】
【００６４】
１〜５    非可逆回路素子
１１    第１の側面
１２    第２の側面
１３    第３の側面
１４    第４の側面
１５    実装面
１６    上面
２０    グランド端子
２１    第１の外部端子
２２    第２の外部端子
２３    第３の外部端子
３１，３２    磁性体
４０    磁気回転子
４１    第１のフェライトコア
４２    第２のフェライトコア
４１ａ    フェライトコアの上面
４２ｂ    フェライトコアの下面
４３    誘電体
５１    第１の接地導体
５２    第２の接地導体
５１ａ〜５１ｃ，５２ａ〜５２ｃ    切り欠き
６１〜６４    誘電体
７０    中心導体
７０ａ    中心導体の下面
７０ｂ    中心導体の上面
７０ｃ    中心導体のエッジ部
７１    第１のポート
７２    第２のポート
７３    第３のポート
７４〜７６    分岐導体
８０    通信装置
８０Ｒ    受信回路部
８０Ｔ    送信回路部
８１    受信用増幅回路
８２    受信回路
８３    送信回路
８４    電力増幅回路
９１    非可逆回路素子
９２    非可逆回路素子
１０１    第１の金属磁性体
１０２    第２の金属磁性体
ＡＮＴ    アンテナ
Ｍ    永久磁石
Ｒ０    終端抵抗器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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