(57)【要約】【課題】粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保することができる配線回路基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】磁性配線回路基板１の製造方法は、第１絶縁層２と、第１絶縁層２の第１絶縁面７に配置される配線部３であって、第１絶縁面７に間隔を隔てて対向配置される第１配線面９と、第１配線面９の両端縁に連続し、両端縁から厚み方向他方側に延びる配線側面１１とを有する配線部３とを準備する第１工程と、第２絶縁層４を、配線部３の第１配線面９および配線側面１１に形成する第２工程と、アスペクト比が２以上である導電性粒子を含有する磁性シート１７を、第２絶縁層４に対して熱プレスして、磁性層５を第２絶縁層４の絶縁表面１６に形成する第３工程とを備える。ナノインデンテーション試験により測定される第３工程の熱プレスの温度における第２絶縁層４の押込み硬さが、６０ＭＰａ以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線であって、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記厚み方向一方面の両端縁に連続し、前記両端縁から前記厚み方向他方側に延びる側面とを有する前記配線とを準備する第１工程と、
第２絶縁層を、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面に形成する第２工程と、
アスペクト比が２以上である導電性粒子を含有する粒子含有シートを、前記第２絶縁層に対して熱プレスして、粒子含有層を前記第２絶縁層の表面に形成する第３工程とを備え、
ナノインデンテーション試験により測定される前記第３工程の熱プレスの温度における前記第２絶縁層の押込み硬さが、６０ＭＰａ以上であることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電性粒子が、磁性粒子であり、
前記粒子含有層が、磁性層であり、
前記粒子含有シートが、磁性シートであり、
前記配線回路基板の製造方法が、磁性配線回路基板の製造方法であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程では、前記第２絶縁層を電着塗装により形成することを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２絶縁層の厚みが、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２または３に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線であって、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記厚み方向一方面の両端縁に連続し、前記両端縁から前記厚み方向他方側に延びる側面とを有する前記配線と、
前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面に形成される第２絶縁層と、
アスペクト比が２以上である導電性粒子を含有し、前記第２絶縁層の表面に形成される粒子含有層とを備え、
ナノインデンテーション試験により測定される前記第２絶縁層の１７０℃における押込み硬さが、６０ＭＰａ以上であることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項６】
前記導電性粒子が、磁性粒子であり、
前記粒子含有層が、磁性層であり、
前記配線回路基板が、磁性配線回路基板であることを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力を無線により伝送する無線通信や無線電力伝送に、コイルモジュールが用いられることが知られている。
【０００３】
例えば、コイルパターンと、それを埋設し、扁平形状の磁性粒子を含有する磁性層とを備えるコイルモジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
このようなコイルモジュールは、例えば、まず、導体パターンニングによってコイルパターンを形成し、次いで、磁性粒子を含有する磁性シートをコイルパターンに対して熱プレスすることにより得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−００５１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、コイルパターンに大電流を流す場合があり、その場合には、絶縁層に含有される扁平形状の磁性粒子がコイルパターン間を短絡させることがあるため、コイルパターンと磁性層との間における絶縁性が求められる。
【０００７】
そこで、コイルパターンと磁性層との間に、絶縁層を樹脂組成物から形成することが試案される。
【０００８】
しかるに、断面略矩形状のコイルパターンの上面および側面の稜線部を含むコイルパターンに絶縁層を形成し、その後、磁性粒子を含有する磁性シートを、かかる絶縁層にプレスすれば、磁性粒子が、稜線部に対応する絶縁層を貫通し易く、ついには、稜線部に接触してしまい、その結果、かかる接触によって、磁性層とコイルパターンとの絶縁性を確保できないという不具合がある。
【０００９】
本発明は、粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保することができる配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明（１）は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線であって、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記厚み方向一方面の両端縁に連続し、前記両端縁から前記厚み方向他方側に延びる側面とを有する前記配線とを準備する第１工程と、第２絶縁層を、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面に形成する第２工程と、アスペクト比が２以上である導電性粒子を含有する粒子含有シートを、前記第２絶縁層に対して熱プレスして、粒子含有層を前記第２絶縁層の表面に形成する第３工程とを備え、ナノインデンテーション試験により測定される前記第３工程の熱プレスの温度における前記第２絶縁層の押込み硬さが、６０ＭＰａ以上である、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１１】
この配線回路基板の製造方法では、第３工程における熱プレスの温度においてナノインデンテーション試験により測定される第２絶縁層の押込み硬さが、６０ＭＰａ以上と高く、つまり、熱プレス時の第２絶縁層が硬いので、熱プレス時に、粒子含有層における粒子が第２絶縁層を貫通することを抑制することができる。そのため、粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保することができる。
【００１２】
本発明（２）は、前記導電性粒子が、磁性粒子であり、前記粒子含有層が、磁性層であり、前記粒子含有シートが、磁性シートであり、前記配線回路基板の製造方法を含む。
【００１３】
この配線回路基板の製造方法では、粒子含有層が、磁性層であるので、配線の周囲の実効透磁率を向上させることができる。そのため、高いインダクタンスを有する配線回路基板を製造することができる。
【００１４】
本発明（３）は、前記第２工程では、前記第２絶縁層を電着塗装により形成する、（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１５】
この配線回路基板の製造方法において、第２工程では、第２絶縁層を電着塗装により形成するので、薄い第２絶縁層を確実に形成することができる。そのため、かかる第２絶縁層を介して配線を被覆する磁性層の実効透磁率の低下を抑制することができる。その結果、この配線回路基板は、高いインダクタンスを有する。
【００１６】
一方で、第２絶縁層の厚みが薄い場合には、磁性粒子が、薄い第２絶縁層を貫通して配線に接触し易い。しかし、この配線回路基板では、熱プレス時の第２絶縁層は、上記したように硬いので、熱プレス時に、磁性粒子による第２絶縁層の貫通を抑制して、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【００１７】
本発明（４）は、前記第２絶縁層の厚みが、１０μｍ以下である、（２）または（３）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１８】
この配線回路基板の製造方法において、第２絶縁層の厚みが、１０μｍ以下と薄いので、磁性層の実効透磁率の低下を抑制することができる。そのため、高いインダクタンスを有する配線回路基板を製造することができる。
【００１９】
一方で、第２絶縁層の厚みが１０μｍ以下と薄い場合には、磁性粒子が、薄い第２絶縁層を貫通して配線に接触し易い。しかし、この配線回路基板では、熱プレス時の第２絶縁層は、上記したように硬いので、熱プレス時に、磁性粒子による第２絶縁層の貫通を抑制して、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【００２０】
本発明（５）は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線であって、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記厚み方向一方面の両端縁に連続し、前記両端縁から前記厚み方向他方側に延びる側面とを有する前記配線と、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面に形成される第２絶縁層と、アスペクト比が２以上である導電性粒子を含有し、前記第２絶縁層の表面に形成される粒子含有層とを備え、ナノインデンテーション試験により測定される前記第２絶縁層の１７０℃における押込み硬さが、６０ＭＰａ以上である、配線回路基板を含む。
【００２１】
配線回路基板では、ナノインデンテーション試験により測定される第２絶縁層の１７０℃における押込み硬さが、６０ＭＰａ以上と高く、つまり、第２絶縁層が硬いので、粒子含有層を１７０℃の熱プレスで第２絶縁層の表面に形成するときには、粒子含有層における粒子が第２絶縁層を貫通することを抑制することができる。そのため、粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保することができる。
【００２２】
本発明（６）は、前記導電性粒子が、磁性粒子であり、前記粒子含有層が、磁性層であり、前記配線回路基板が、磁性配線回路基板である、（５）に記載の配線回路基板を含む。
【００２３】
この磁性配線回路基板では、粒子含有層が、磁性層であるので、配線の周囲の実効透磁率を向上させることができる。そのため、配線回路基板は、高いインダクタンスを有する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、粒子含有層の配線に対する絶縁性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である磁性配線回路基板の断面図を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、図１に示す磁性配線回路基板の製造工程図であり、図２Ａが、第１絶縁層および配線部を準備する第１工程、図２Ｂが、第２絶縁層を形成する第２工程、図２Ｃが、磁性層を形成する第３工程を示す。
【図３】図３は、実施例の第２絶縁層の押込み硬さおよび絶縁性評価の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜一実施形態＞
本発明の配線回路基板の一実施形態である磁性配線回路基板１を、図１を参照して説明する。
【００２７】
磁性配線回路基板１は、厚み方向に互いに対向する厚み方向一方面および他方面を有し、面方向（厚み方向に直交する方向）に延びるシート形状を有する。磁性配線回路基板１は、第１絶縁層２と、配線の一例としての配線部３と、第２絶縁層４と、粒子含有層の一例としての磁性層５とを備える。
【００２８】
第１絶縁層２は、面方向に延びるシート形状を有する。第１絶縁層２は、次に説明する配線部３を支持する支持材であり、ひいては、磁性配線回路基板１を支持する支持層でもある。第１絶縁層２は、厚み方向一方面である第１絶縁面７および他方面である第２絶縁面８を有する。第１絶縁面７および第２絶縁面８のそれぞれは、面方向に沿う平坦面である。
【００２９】
第１絶縁層２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などの樹脂（絶縁材料）が挙げられる。また、第１絶縁層２は、単層および複層のいずれであってもよい。第１絶縁層２の厚みは、特に限定されず、例えば、０．１μｍ以上、１０００μｍ以下である。
【００３０】
配線部３は、第１絶縁層２の第１絶縁面７において、例えば、厚み方向および第１方向（図１における左右方向に相当し、面方向に含まれる方向）に沿って切断した切断面において、第１方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。配線部３の平面視（厚み方向に見たときの）形状としては、特に限定されず、例えば、ループ形状（コイル形状など）を含む。
【００３１】
配線部３は、第１絶縁層２の第１絶縁面７に対して厚み方向一方側に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面である第１配線面９と、第１絶縁層２の第１絶縁面７に接触する第２配線面１０と、第１配線面９および第２配線面１０の第１方向両端縁を連結する側面である配線側面１１とを備える。
【００３２】
第１配線面９は、第１方向に沿う平坦面である。
【００３３】
第２配線面１０は、第１配線面９と厚み方向に間隔を隔てて対向配置されており、第１配線面９に平行する平坦面である。
【００３４】
配線側面１１は、厚み方向に沿って延びる。また、配線側面１１は、第１配線面９の第１方向両端縁に連続しており、そこから厚み方向他方側に向かって延び、第２配線面１０の第１方向両端縁に連続する。配線側面１１は、１つの配線部３に２つ備えられる。２つの配線側面１１は、第１方向に互いに間隔を隔てて対向（互いに向かい合って）配置される。
【００３５】
また、この配線部３は、角部２１を有する。角部２１は、配線部３において、第１配線面９および配線側面１１によって形成される稜線部である。角部２１は、１つの配線部３につき、２つ形成される。
【００３６】
配線部３の材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだなどの金属やそれら金属の合金などの導体が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。
【００３７】
配線部３の厚みは、第１配線面９および第２配線面１０間の長さであって、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【００３８】
配線部３の幅は、互いに向かい合う２つの第１配線面９間の長さであって、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【００３９】
隣り合う配線部３間の間隔は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【００４０】
なお、配線部３は、上記した第１絶縁層２とともに、後述する配線回路基板準備体６（とくに、図２Ａ参照）に備えられる。
【００４１】
第２絶縁層４は、複数の配線部３に対応して複数設けられている。具体的には、１つの第２絶縁層４は、１つの配線部３に１つ、つまり、１対１対応で設けられている。第２絶縁層４は、配線部３の第１配線面９および配線側面１１（角部２１を含む）に沿って薄膜状に形成されている。第２絶縁層４は、厚み方向他方側に開放される断面略コ字（Ｕ字）形状を有する。
【００４２】
第２絶縁層４は、絶縁上壁１２と、絶縁側壁２６と、絶縁角部１３とを一体的に有する。
【００４３】
絶縁上壁１２は、断面視において、第１配線面９に沿う略直線形状を有する。
【００４４】
絶縁側壁２６は、断面視において、配線側面１１に沿う略直線形状を有する。
【００４５】
絶縁角部１３は、絶縁上壁１２の第１方向一端縁と、第１方向一方側の絶縁側壁２６の厚み方向一端縁とを連結してしている。また、絶縁角部１３は、絶縁上壁１２の第１方向他端縁と、第１方向他方側の絶縁側壁２６の厚み方向一端縁とを連結してしている。絶縁角部１３は、配線部３の角部２１に対向しており、これにより、角部２１に接触して被覆している。
【００４６】
また、第２絶縁層４は、配線部３に間隔を隔てて位置する絶縁表面１６を有する。絶縁上壁１２における絶縁表面１６は、第１配線面９の上側に間隔を隔てて対向配置されている。絶縁側壁２６における絶縁表面１６は、配線側面１１の第１方向外側（配線部３から遠ざかる側）に間隔を隔てて対向配置されている。絶縁角部１３における絶縁表面１６は、角部２１厚み方向一方向斜め第１方向外側に間隔を隔てて対向配置されている。
【００４７】
第２絶縁層４は、例えば、電着層、塗布層などであり、好ましくは、電着層である。なお、「電着」および「塗布」については、後の製造方法で説明する。
【００４８】
第２絶縁層４は、例えば、磁性を有さない。
【００４９】
第２絶縁層４の材料としては、磁性粒子１８（後の磁性層５で詳述される）を含有しない樹脂などが挙げられる。第２絶縁層４の樹脂としては、好ましくは、水中でイオン性を有する樹脂であって、具体的には、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、熱硬化性樹脂、より好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。なお、エポキシ樹脂は、イミド−エポキシ樹脂を含む。
【００５０】
ナノインデンテーション試験により測定される第２絶縁層４の１７０℃における押込み硬さＨ１７０℃は、６０ＭＰａ以上、好ましくは、８０ＭＰａ以上、より好ましくは、９０ＭＰａ以上、さらに好ましくは、１００ＭＰａ以上であり、また、例えば、５００ＭＰａ以下である。
【００５１】
第２絶縁層４の１７０℃における押込み硬さＨ１７０℃が上記した下限を下回れば、後述する磁性シート１７の熱プレスを１７０℃またはそれを超過する温度（例えば、１７０℃超過、２００℃以下、さらには、１９０℃以下の高温）で実施するときに、磁性シート１７における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通してしまう。換言すれば、第２絶縁層４の１７０℃における押込み硬さＨ１７０℃が上記した下限以上であれば、磁性シート１７の熱プレスを１７０℃またはそれを超過する温度で実施しても、磁性シート１７における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通することを抑制することができる。
【００５２】
また、ナノインデンテーション試験により測定される第２絶縁層４の１１０℃における押込み硬さＨ１１０℃は、例えば、６０ＭＰａ以上、好ましくは、８０ＭＰａ以上、より好ましくは、９０ＭＰａ以上、さらに好ましくは、１７５ＭＰａ以上、とりわけ好ましくは、２００ＭＰａ以上であり、また、例えば、７５０ＭＰａ以下である。
【００５３】
第２絶縁層４の１１０℃における押込み硬さＨ１１０℃が上記した下限を下回れば、後述する磁性シート１７の熱プレスを１１０℃またはそれをわずかに超過する温度（例えば、１１０℃超過、１３０℃以下、さらには、１２０℃以下の低温）で実施するときに、磁性シート１７における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通することを抑制することができる。
【００５４】
なお、第２絶縁層４では、１００℃以上、２００℃以下の測定温度範囲においては、測定温度が低いときの押込硬さが、測定温度が高いときの押込硬さに比べて、高くなる。そのため、第２絶縁層４の１１０℃における押込み硬さＨ１１０℃の、第２絶縁層４の１７０℃における押込み硬さＨ１７０℃に対する比（Ｈ１１０℃／Ｈ１７０℃）は、例えば、１超過、さらには、１．２５以上、さらには、１．７５以上、さらには、２以上であり、また、例えば、５以下、さらには、３以下である。
【００５５】
ナノインデンテーション試験では、ナノインデンター（圧子）を第２絶縁層４に直接押し込んで押込み硬さＨ１７０℃およびＨ１１０℃のそれぞれを得る。
【００５６】
第２絶縁層４の厚みは、比較的薄く、その平均厚みとして、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、７．５μｍ、とりわけ好ましくは、５μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上、より好ましくは、１μｍ以上である。
【００５７】
第２絶縁層４の厚みが上記した上限以下と薄ければ、次に説明する磁性層５の実効透磁率を向上させて、磁性配線回路基板１のインダクタンスを高くすることができる。
【００５８】
一方、第２絶縁層４が過度に薄いと、後述する磁性層５における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触し易い。
【００５９】
しかし、この磁性配線回路基板１では、第２絶縁層４が上記した高い押込み硬さを有するので、第２絶縁層４が過度に薄くても、第２絶縁層４が磁性粒子１８に貫通されることを抑制して、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる。
【００６０】
磁性層５は、磁性配線回路基板１のインダクタンスを向上させるために、磁性配線回路基板１に備えられる。磁性層５は、面方向に延びるシート形状を有する。
【００６１】
磁性層５は、第２絶縁層４を介して配線部３を埋設している。具体的には、磁性層５は、第２絶縁層４を介して、配線部３の第１配線面９および配線側面１１（角部２１を含む）を被覆している。磁性層５は、第２絶縁層４の絶縁表面１６に接触している。つまり、磁性層５は、絶縁表面１６に直接形成されている。なお、磁性層５は、第１絶縁層２の第１絶縁面７において、第２絶縁層４から露出する露出面３６を被覆している。
【００６２】
磁性層５は、第１磁性面１４と、第２磁性面１５とを有する。
【００６３】
第１磁性面１４は、第１配線面９に対向する第２絶縁層４に対して厚み方向一方側に間隔を隔てて配置されている。第１磁性面１４は、厚み方向一方側に露出している。
【００６４】
第２磁性面１５は、第１磁性面１４の厚み方向他方側に間隔を隔てて配置されている。第２磁性面１５は、第２絶縁層４の絶縁表面１６と、第１絶縁層２の露出面３６とに接触している。
【００６５】
磁性層５は、磁性粒子１８を含有する。具体的には、磁性層５の材料としては、例えば、アスペクト比が２以上である磁性粒子１８および樹脂成分１９を含有する磁性組成物が挙げられる。
【００６６】
磁性粒子１８としては、例えば、センダストなどの軟磁性粒子１８が挙げられる。磁性粒子１８の形状としては、例えば、厚みが薄くて面が広い扁平形状（板形状）、例えば、針形状などが挙げられる。
【００６７】
磁性粒子のアスペクト比は、２以上、好ましくは、５以上、より好ましくは、１０以上、さらに好ましくは、２０以上であり、また、１００以下である。
【００６８】
なお、磁性粒子１８が扁平状である場合における扁平率（扁平度）は、例えば、８以上、好ましくは、１５以上であり、また、例えば、５００以下、好ましくは、４５０以下である。扁平率は、例えば、磁性粒子１８の平均粒子径（平均長さ）を磁性粒子１８の平均厚さで除したアスペクト値である。
【００６９】
磁性粒子１８の磁性層５（磁性組成物）における含有割合は、例えば、５０体積％以上、好ましくは、５５体積％以上であり、また、例えば、９５体積％以下、好ましくは、９０体積％以下である。
【００７０】
樹脂成分１９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂を含む。なお、このような磁性組成物は、例えば、特開２０１７−００５１１５号公報、特開２０１５−０９２５４３号公報などに記載されている。
【００７１】
磁性配線回路基板１の厚みは、その最大厚みとして、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【００７２】
次に、この磁性配線回路基板１の製造方法を、図２Ａ〜図２Ｃを参照して説明する。
【００７３】
この磁性配線回路基板１の製造方法は、第１絶縁層２および配線部３を準備する第１工程（図２Ａ参照）と、第２絶縁層４を形成する第２工程（図２Ｂ参照）と、磁性層５を形成する第３工程（図２Ｃおよび図１参照）とを備える。
【００７４】
図２Ａに示すように、第１工程では、第１絶縁層２および配線部３を備える配線回路基板準備体６を準備する。配線回路基板準備体６は、第２絶縁層４および磁性層５をまだ備えず、第１絶縁層２と、配線部３とを備える。好ましくは、配線回路基板準備体６は、第１絶縁層２と、配線部３とのみからなる。
【００７５】
例えば、上記した樹脂のフィルムなどを第１絶縁層２として準備し、続いて、公知の導体パターンニング法によって、配線部３を、第１絶縁層２の第１絶縁面７に形成する。これにより、配線回路基板準備体６を準備する。
【００７６】
図２Ｂに示すように、第２工程では、続いて、第２絶縁層４を、上記した配線回路基板準備体６に形成する。具体的には、第２絶縁層４により、配線部３の第１配線面９および配線側面１１を被覆する。
【００７７】
第２絶縁層４を形成する方法としては、例えば、電着塗装（電着）、例えば、印刷などの塗布などが挙げられる。
【００７８】
電着塗装では、配線回路基板準備体６（製造途中の磁性配線回路基板１）を、上記した樹脂（具体的には、電着塗料）を含有する電着液に浸漬し、続いて、配線部３に電流を印加することによって、配線部３の第１配線面９および配線側面１１に樹脂の被膜を析出させる。
【００７９】
電着時間は、電着液における樹脂の割合、印加する電流などに応じて適宜設定され、例えば、１分以上、好ましくは、２分以上、より好ましくは、３分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１０分以下である。
【００８０】
電着塗装によって、第２絶縁層４が電着層として形成される。第２絶縁層４は、樹脂が熱硬化性樹脂を含有すれば、例えば、Ｂステージ（半硬化）である。その後、第２絶縁層４がＢステージの熱硬化性樹脂であれば、第２絶縁層４を、焼き付けにより、加熱硬化（Ｃステージ化、完全硬化）させる。
【００８１】
塗布の一例である印刷では、上記した樹脂を含有するワニスを、スクリーンを介して、配線部３の第１配線面９および配線側面１１に被膜を塗布する（スクリーン印刷）。その後、被膜がＢステージであれば、加熱により加熱硬化させる。
【００８２】
加熱温度（硬化温度）は、特に限定されず、例えば、１００℃以上、好ましくは、１５０℃以上であり、また、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２２５℃以下である。
【００８３】
第２絶縁層４を形成する方法として、好ましくは、電着塗装が挙げられる。
【００８４】
電着塗装であれば、第２絶縁層４を厚みを薄く（但し、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる程度の厚みに設定）することができる。また、電着塗装であれば、第２絶縁層４が、露出面３６を確実に露出することができ、そのため、隣り合う配線部３間において、次の第３工程において、磁性層５を、厚み方向全体にわたって配置することができるので、磁性層５の実効透磁率を向上させて、磁性配線回路基板１のインダクタンスが高くなる。
【００８５】
図２Ｃに示すように、第３工程では、その後、磁性層５を配線回路基板準備体６に形成する。具体的には、磁性層５によって、第２絶縁層４を介して、配線部３の第１配線面９および配線側面１１を被覆する。
【００８６】
第３工程では、図２Ｂに示すように、まず、粒子含有シートの一例としての磁性シート１７を準備する。磁性シート１７を準備するには、例えば、上記した磁性粒子１８および樹脂成分１９（好ましくは、Ｂステージの熱硬化性樹脂）を含有する磁性組成物から、シート形状に形成する。磁性シート１７において、磁性粒子１８は、例えば、磁性シート１７の面方向（厚み方向に直交する方向）に配向（配列）されている。
【００８７】
その後、図２Ｃの矢印に示すように、磁性シート１７を、配線回路基板準備体６の第２絶縁層４に対して熱プレスする。磁性シート１７を、配線回路基板準備体６の厚み方向一方側（具体的には、第２絶縁層４の絶縁上壁１２）に配置し、磁性シート１７を配線回路基板準備体６の厚み方向一方面（第２絶縁層４の絶縁上壁１２）に対して熱プレスする。具体的には、下プレス板２３および上プレス板２４を備えるプレス２５を準備し、
配線回路基板準備体６および磁性シート１７をプレス２５に設置する。具体的には、第１絶縁層２を下プレス板２３に載置するとともに、磁性シート１７を第２絶縁層４の厚み方向一方側に対向配置する。その後、上プレス板２４を下プレス板２３に近づくように（降下させて）、熱プレスする。
【００８８】
熱プレスでは、プレス２５（具体的には、上プレス板２４）に備えられる図示しない熱源を用いて、磁性シート１７を加熱する。熱プレスの温度は、磁性シート１７が十分軟化にする温度以上であるが、第２絶縁層４が過度に軟化しない温度以下である。詳しくは、磁性シート１７の熱プレスの温度は、第２絶縁層４の若干の軟化は許容するが、熱プレスにおいて磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通しない程度硬さを維持できる温度以下である。
【００８９】
さらに、熱プレスの温度は、第２絶縁層４の押込硬さが低温になれば高くなることを考慮すると、比較的低いことが好適である。
【００９０】
具体的には、熱プレスの温度は、例えば、２００℃以下、好ましくは、１９０℃以下、さらには、１７０℃以下、１５０℃以下、１３０℃以下、１２０℃以下、１１０℃以下が好適であり、また、例えば、６０℃以上、さらには、８０℃以上、さらには、１００℃以上である。
【００９１】
一方、上記した熱プレスの温度で測定される第２絶縁層４の押込み硬さ、具体的には、ナノインデンテーション試験により測定される第３工程の熱プレスの温度における第２絶縁層４の押込み硬さは、６０ＭＰａ以上、好ましくは、８０ＭＰａ以上、より好ましくは、９０ＭＰａ以上、さらに好ましくは、１００ＭＰａ以上であり、また、例えば、５００ＭＰａ以下である。
【００９２】
第２絶縁層４の、第３工程の熱プレスにおける押込み硬さが上記した下限を下回れば、第３工程の熱プレスの際に、磁性シート１７における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通してしまう。換言すれば、第２絶縁層４の、第３工程の熱プレスにおける押込み硬さが上記した下限以上であれば、第３工程の熱プレスの際に、磁性シート１７における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通することを抑制することができる。
【００９３】
上記した熱プレスの温度における第２絶縁層４の押込み硬さは、上記した１７０℃における第２絶縁層４の押込み硬さＨ１７０℃、および、１１０℃における第２絶縁層４の押込み硬さＨ１１０℃を含む。具体的には、熱プレスを１１０℃で実施するときの第２絶縁層４の押込硬さが、押込み硬さＨ１１０℃に相当し、熱プレスを１７０℃で実施するときの第２絶縁層４の押込硬さが、押込み硬さＨ１７０℃に相当する。
【００９４】
これにより、磁性シート１７は、第２絶縁層４を介して配線部３を埋設する。具体的には、磁性シート１７は、配線部３の第１配線面９（角部２１を含む）を、第２絶縁層４を介して被覆するとともに、互いに隣り合う配線部３の配線側面１１の間（露出面３６に対向する部分）に、進入（沈下）して、かかる間（部分）を充填する。
【００９５】
例えば、熱プレスの前後における磁性シート１７では、絶縁上壁１２に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、変動しない。また、熱プレスの前後における磁性シート１７では、露出面３６の第１方向中央部に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、変動しない。一方、熱プレスの前後における磁性シート１７では、絶縁角部１３および絶縁側壁２６に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、絶縁角部１３および絶縁側壁２６の絶縁表面１６に沿う。
【００９６】
これによって、磁性シート１７は、第２絶縁層４を介して、配線部３を被覆する磁性層５として形成（成型）される。
【００９７】
これによって、配線回路基板準備体６および磁性層５を備える磁性配線回路基板１が得られる。磁性配線回路基板１は、好ましくは、配線回路基板準備体６および磁性層５のみからなる。
【００９８】
その後、磁性層５がＢステージの熱硬化性樹脂を含む場合には、必要により、磁性層５を、例えば、加熱により、Ｃステージ化（完全硬化）させる。
【００９９】
なお、図１および図２Ｃに示す磁性配線回路基板１において、第２絶縁層４は、磁性層５に被覆されているが、１７０℃における第２絶縁層４の押込み硬さＨ１７０℃は、磁性配線回路基板１における断面から測定される。その値は、製造途中であって、まだ、磁性層５に被覆されていない図２Ｂに示す第２絶縁層４の１７０℃の押込み硬さＨ１７０℃と実質的に同一である。１１０℃における第２絶縁層４の押込み硬さＨ１１０℃についても同様である。
【０１００】
この磁性配線回路基板１は、例えば、無線電力伝送（無線給電および／または無線受電）、無線通信、センサ、受動部品などに用いられる。
【０１０１】
そして、この磁性配線回路基板１の製造方法では、第３工程における熱プレスの温度においてナノインデンテーション試験により測定される第２絶縁層４の押込み硬さが、６０ＭＰａ以上と高く、つまり、熱プレス時の第２絶縁層４が硬いので、熱プレス時に、磁性層５における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通することを抑制することができる。そのため、磁性層５の配線に対する絶縁性を確保することができる。
【０１０２】
また、この磁性配線回路基板１の製造方法では、磁性層５によって、配線部３の周囲の実効透磁率を向上させることができる。そのため、高いインダクタンスを有する磁性配線回路基板１を製造することができる。
【０１０３】
また、この磁性配線回路基板１の製造方法では、第２工程では、第２絶縁層４を電着塗装により形成すれば、薄い第２絶縁層４を確実に形成することができる。そのため、かかる第２絶縁層４を介して配線部３を被覆する磁性層５の実効透磁率の低下を抑制することができる。その結果、この磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有する。
【０１０４】
一方で、第２絶縁層４の厚みが薄い場合には、磁性磁性粒子１８が、薄い第２絶縁層４を貫通して磁性層５に接触し易い。しかし、この磁性配線回路基板１では、第２絶縁層４は、上記したように硬いので、磁性磁性粒子１８による第２絶縁層４の貫通を抑制して、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる。
【０１０５】
また、この磁性配線回路基板１では、第２絶縁層４の厚みが、１０μｍ以下と薄いので、磁性層５の実効透磁率の低下を抑制することができる。そのため、高いインダクタンスを有する配線回路基板１を製造することができる。
【０１０６】
また、この磁性配線回路基板１では、第２絶縁層４は、上記したように硬いので、例えば、第２絶縁層４の厚みが１０μｍ以下と薄くても、磁性磁性粒子１８による第２絶縁層４の貫通を抑制して、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる。
【０１０７】
この磁性配線回路基板１では、ナノインデンテーション試験により測定される第２絶縁層４の１７０℃における押込み硬さが、６０ＭＰａ以上と高く、つまり、磁性層５を１７０℃で熱プレスで形成するときの第２絶縁層４が硬いので、磁性層５における磁性粒子１８が第２絶縁層４を貫通することを抑制することができる。そのため、磁性層５の配線部３に対する絶縁性を確保することができる。
【０１０８】
また、この磁性配線回路基板１では、磁性層５によって、配線部３の周囲の実効透磁率を向上させることができる。そのため、磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有する。
【０１０９】
＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例を適宜組み合わせることができる。さらに、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１１０】
一実施形態では、本発明の配線回路基板の一例として、磁性層５を備える磁性配線回路基板１を挙げて説明している。しかし、図示しないが、これに限定されず、磁性層５以外の粒子含有層を備える配線回路基板を挙げることもできる。
【０１１１】
粒子含有層は、上記した磁性粒子以外の導電性粒子を適宜の割合で含有する。導電性粒子としては、特に限定されず、銅粒子、銀粒子、金粒子、鉄粒子、半田粒子などの金属粒子などが挙げられる。
【０１１２】
一実施形態では、磁性粒子１８が、磁性シート１７の面方向に配向しているが、磁性シート１７の配向方向は特に限定されない。
【実施例】
【０１１３】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１１４】
実施例１
図２Ａに示すように、厚み５μｍの第１絶縁層２、および、厚み１００μｍ、幅３３５μｍの配線部３を備える配線回路基板準備体６を準備した。第１絶縁層２は、ポリイミド樹脂からなる。配線部３は、銅からなる。
【０１１５】
図２Ｂに示すように、次いで、第２絶縁層４を配線部３に配置した。具体的には、エポキシ樹脂からなる電着塗料（エレコートＰＩ−Ａ、イミド−エポキシ樹脂、シミズ社製）を用いる電着塗装によって、電着層である第２絶縁層４を第１配線面９および配線側面１１に配置した。第２絶縁層４は、厚みが５μｍであり、Ｂステージであった。その後、第２絶縁層４を、１１０℃で５分間、乾燥した後、２１０℃で、７０分間加熱（焼き付け、焼成）した。この第２絶縁層４は、Ｃステージであった。
【０１１６】
その後、図２Ｃに示すように、表１に記載の磁性組成物から、厚み１００μｍの磁性シート１７を作製し、これを１１０℃で、１５分間、第２絶縁層４に対して熱プレスした。これにより、Ｂステージの磁性層５を配線回路基板準備体６に配置した。
【０１１７】
これにより、磁性配線回路基板１を製造した。
【０１１８】
実施例２〜比較例２
第２工程における電着塗料の種類、焼成時間（加熱時間）、および、第２工程における熱プレスの測定温度を表２および表３の通りに変更した以外は、実施例１と同様に処理して磁性配線回路基板１を製造した。
【０１１９】
＜評価＞
下記の項目を評価した。その結果を表２および図３に示す。
【０１２０】
押込み硬さ
ナノインデンテーション試験により第２絶縁層４の押込み硬さを測定した。なお、測定対象は、磁性層５を形成する前のＣステージの第２絶縁層４である。
【０１２１】
ナノインデンテーション試験では、ナノインデンター（探針、圧子）を第２絶縁層４（具体的には、第１配線面９に配置された第２絶縁層４）に押し込み、これにより得られる変位―荷重ヒステリシス曲線を、測定装置付帯のソフトウェア（ｔｒｉｂｏｓｃａｎ）で数値処理することで押込み硬さを得た。
【０１２２】
ナノインデンター装置および測定条件は下記の通りである。
ナノインデンター装置：「Ｔｒｉｂｏ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ」、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ  Ｉｎｃ社製
測定方法：単一押込み法
押込み速度：６０μＮ／秒
最大押込み力：３００μＮ
最大押込み力保持時間：２秒
探針：三角錐型（バーコビッチ型）
絶縁性評価
デジタルマルチメータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製、「Ｒ６５５２  ＤＩＧＩＴＡＬ  ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ」）に接続されたプローブを配線部３において磁性層５で被覆されていない評価用Pad部と、配線部３を被覆している磁性層５とにそれぞれ接触させ、２端子抵抗モードにて、導通の有無をデジタルマルチメータの抵抗値に基づいて確認した。
【０１２３】
導通有りの場合には、デジタルマルチメータの液晶表示部に何らかの数値（数字）が表示される。
【０１２４】
一方、導通無しの場合、デジタルマルチメータの液晶表示部に「．ＯＬ」（ＯｖｅｒＬｏａｄの意）と表示される。
【０１２５】
各実施例および各比較例にて作製される複数の配線部３のそれぞれに対して、上記導通確認を実施し、導通なしであった配線部の割合（百分率）を求めた。
【０１２６】
これにより、磁性層５の配線部３に対する絶縁性を評価した。
【０１２７】
【表１】
2019212791.tif 000003
【０１２８】
【表２】
2019212791.tif 000004
【０１２９】
【表３】
2019212791.tif 000005
【符号の説明】
【０１３０】
１     磁性配線回路基板
２     第１絶縁層
３     配線部
４     第２絶縁層
５     磁性層
７     第１絶縁面
９     第１配線面
１１   配線側面
１７   磁性シート
１８   磁性粒子
【図１】
2019212791.tif 000006
【図２】
2019212791.tif 000007
【図３】
2019212791.tif 000008