(57)【要約】【課題】微細な凹凸パターンを高精度に形成することができるテンプレートの製造方法を提供する。【解決手段】ハードマスク層が表面に設けられた非導電性透明基材を準備する基材準備工程と、電子線レジスト層形成工程と、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンが形成されていない未形成領域に、反転材パターンを形成する反転材パターン形成工程と、上記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、上記レジストパターン除去工程後に、上記反転材パターンから露出する上記ハードマスク層の部位をドライエッチングを用いて除去するハードマスクパターン形成工程と、上記ハードマスクパターンから露出する上記非導電性透明基材の部位をエッチングする凹凸パターン形成工程と、を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハードマスク層が表面に設けられた非導電性透明基材を準備する基材準備工程と、
前記ハードマスク層の表面に電子線によりパターニング可能な電子線レジスト層を形成する電子線レジスト層形成工程と、
前記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、前記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記ハードマスク層の表面における前記レジストパターンが形成されていない未形成領域に、シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料または前記ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が前記電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料を有する反転材パターンを形成する反転材パターン形成工程と、
前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、
前記レジストパターン除去工程後に、前記反転材パターンから露出する前記ハードマスク層の部位をドライエッチングを用いて除去することにより、ハードマスクパターンを形成するハードマスクパターン形成工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記非導電性透明基材の部位をエッチングすることにより、前記非導電性透明基材の表面側に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、
を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。
【請求項２】
前記ハードマスク層の厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項３】
前記電子線レジスト層の厚みが２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項４】
前記反転材パターン形成工程は、前記レジストパターンおよび前記未形成領域を覆うように、前記反転材レジスト材料および溶媒を含有する反転材組成物を塗布し、前記反転材組成物を乾燥することにより、前記レジストパターンおよび前記未形成領域を覆う反転材層を形成する反転材層形成工程と、前記反転材層の表面側をエッチングすることにより、前記レジストパターンの表面を露出させる反転材層エッチング工程と、を有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載のテンプレートの製造方法。
【請求項５】
前記反転材層の厚みが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項４に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項６】
前記反転材組成物の固形分の濃度が１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項７】
前記レジストパターン形成工程において、マルチビーム電子線描画装置を用いて、電子線により前記パターンを描画することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかに記載のテンプレートの製造方法。
【請求項８】
表面側に凹凸パターンが設けられた非導電性透明基材を有し、前記凹凸パターンのハーフピッチが２０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とするテンプレート。
【請求項９】
前記凹凸パターンの凸部の表面に設けられたハードマスクパターンをさらに有し、
前記ハードマスクパターンの厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項８に記載のテンプレート。
【請求項１０】
前記非導電性透明基材の側面に反転材レジスト材料またはハードマスク材料が付着したことを特徴とする請求項８または請求項９に記載のテンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレートの製造方法およびテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリントリソグラフィは、表面側に所望の凹凸パターンが設けられたテンプレートを、被転写体の硬化性樹脂層と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、硬化性樹脂層にパターンを転写する方法である。
【０００３】
ナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの凹凸パターンを形成する時には、透明基材の表面に設けられたハードマスク層の表面にレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したハードマスク層の部位をエッチングしてハードマスクパターンを形成した後に、ハードマスクパターンから露出した透明基材の表面の部位をエッチングする。
【０００４】
近年では、ナノインプリントリソグラフィにより数十ｎｍ程度の微細なパターンを転写可能とするために、テンプレートの凹凸パターンの微細化が求められており、微細なレジストパターンを形成する必要がある。このような要求に応えるために、例えば、特許文献１に記載されているように、例えば、α−クロロアクリル酸エステル系化合物とα−メチルスチレン系化合物との共重合体等を主成分とする電子線レジストを使用するテンプレートの製造方法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０８０４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
微細なレジストパターンを形成するときには、微細なレジストパターンが倒れることを抑制するためにレジストパターンを薄くする試みがなされている。この場合には、レジストパターンの耐性がハードマスク層をエッチングする時に不足するおそれがあるので、ハードマスク層を出来る限り薄くすることにより、レジストパターンの耐性不足を招かないようにしている。
【０００７】
一方、微細なレジストパターンを形成するために電子線によりパターンを描画する時には、電荷がハードマスク層にチャージすることにより描画精度が低下する影響が生じることがあり、この影響はハードマスク層を薄くすることにより大きくなる傾向がある。このため、上述したように、ハードマスク層を出来る限り薄くする場合には、微細な凹凸パターンを高精度に形成することができなくなるおそれがある。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、微細な凹凸パターンを高精度に形成することができるテンプレートの製造方法およびテンプレートを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、ハードマスク層が表面に設けられた非導電性透明基材を準備する基材準備工程と、上記ハードマスク層の表面に電子線によりパターニング可能な電子線レジスト層を形成する電子線レジスト層形成工程と、上記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、上記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記ハードマスク層の表面における上記レジストパターンが形成されていない未形成領域に、シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料または上記ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料を有する反転材パターンを形成する反転材パターン形成工程と、上記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、上記レジストパターン除去工程後に、上記反転材パターンから露出する上記ハードマスク層の部位をドライエッチングを用いて除去することにより、ハードマスクパターンを形成するハードマスクパターン形成工程と、上記ハードマスクパターンから露出する上記非導電性透明基材の部位をエッチングすることにより、上記非導電性透明基材の表面側に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、を有することを特徴とするテンプレートの製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。
【００１１】
また、上記発明においては、上記ハードマスク層の厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。パターンの描画精度の低下を抑制でき、上記反転材パターンのエッチングマスクとしての耐性が不足することを回避できるからである。
【００１２】
また、上記発明においては、上記電子線レジスト層の厚みが２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００１３】
また、上記発明においては、上記反転材パターン形成工程は、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆うように、上記反転材レジスト材料および溶媒を含有する反転材組成物を塗布し、上記反転材組成物を乾燥することにより、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆う反転材層を形成する反転材層形成工程と、上記反転材層の表面側をエッチングすることにより、上記レジストパターンの表面を露出させる反転材層エッチング工程と、を有するものでもよい。
【００１４】
また、上記発明においては、上記反転材層の厚みが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００１５】
また、上記発明においては、上記反転材組成物の固形分の濃度が１０質量％以下の範囲内であることが好ましい。上記反転材組成物の粘度が低くなり、上記未形成領域に上記反転材組成物が充填され易くなるからである。
【００１６】
また、上記発明においては、上記レジストパターン形成工程において、マルチビーム電子線描画装置を用いて、電子線により上記パターンを描画することが好ましい。描画精度が低下する影響を効果的に抑制することができるからである。
【００１７】
また、本発明は、表面側に凹凸パターンが設けられた非導電性透明基材を有し、上記凹凸パターンのハーフピッチが２０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とするテンプレートを提供する。
【００１８】
本発明によれば、上記テンプレートから被転写体に微細な凹凸パターンを転写することができる。
【００１９】
また、上記発明は、上記凹凸パターンの凸部の表面に設けられたハードマスクパターンをさらに有し、上記ハードマスクパターンの厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２０】
また、上記発明においては、上記非導電性透明基材の側面に反転材レジスト材料またはハードマスク材料が付着したものが好ましい。微細な凹凸パターンが高精度に形成されたものとなるからである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明においては、微細な凹凸パターンを高精度に形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のテンプレートの製造方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図２】本発明のテンプレートの製造方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図３】本発明のテンプレートの一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明のテンプレートの他の例を示す概略断面図である。
【図５】本発明のテンプレートの他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明のテンプレートの製造方法およびテンプレートについて詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．テンプレートの製造方法
本発明のテンプレートの製造方法は、ハードマスク層が表面に設けられた非導電性透明基材を準備する基材準備工程と、上記ハードマスク層の表面に電子線によりパターニング可能な電子線レジスト層を形成する電子線レジスト層形成工程と、上記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、上記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記ハードマスク層の表面における上記レジストパターンが形成されていない未形成領域に、シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料または上記ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料を有する反転材パターンを形成する反転材パターン形成工程と、上記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、上記レジストパターン除去工程後に、上記反転材パターンから露出する上記ハードマスク層の部位をドライエッチングを用いて除去することにより、ハードマスクパターンを形成するハードマスクパターン形成工程と、上記ハードマスクパターンから露出する上記非導電性透明基材の部位をエッチングすることにより、上記非導電性透明基材の表面側に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
本発明のテンプレートの製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）〜図２（ｅ）は、本発明のテンプレートの製造方法の一例を示す概略工程断面図である。
【００２６】
この一例の製造方法においては、まず、図１（ａ）に示されるように、ハードマスク層１２が表面１０ａに設けられた非導電性透明基材１０を準備する。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示されるように、ハードマスク層１２の表面１２ａに電子線によりパターニング可能な電子線レジスト層１４を形成する。
【００２８】
次に、図１（ｃ）に示されるように、電子描画装置（図示せず）を使用して、電子線レジスト層１４に電子線により未露光部分のパターン１４ａと露光部分のパターン１４ｂを描画した後に、図１（ｄ）に示されるように、電子線レジスト層１４を現像することにより、露光部分のパターン１４ｂを除去し、未露光部分のパターン１４ａを残すことで、レジストパターン１６を形成する。
【００２９】
次に、図１（ｅ）に示されるように、ハードマスク層１２の表面１２ａにおけるレジストパターン１６およびレジストパターン１６が形成されていない未形成領域１２ａ’を覆うように、シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料および溶媒を含有する反転材組成物を塗布し、反転材組成物を乾燥することにより、レジストパターン１６および未形成領域１２ａ’を覆う反転材層１８を形成する。
【００３０】
次に、図２（ａ）に示されるように、反転材層１８の表面１８ａ側をエッチングすることにより、レジストパターン１６の表面１６ａを露出させる。これにより、未形成領域１２ａ’に、シリコーン樹脂を含む反転材パターン２０（反転材層１８の一部）を形成する。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示されるように、レジストパターン１６を除去する。これにより、反転材パターン２０をレジストパターン１６が反転した形状にする。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示されるように、反転材パターン２０から露出するハードマスク層１２の部位をドライエッチングを用いて除去することにより、ハードマスクパターン２２（ハードマスク層１２の一部）を形成する。
【００３３】
次に、図２（ｄ）に示されるように、ハードマスクパターン２２から露出する非導電性透明基材１０の部位をエッチングすることにより、非導電性透明基材１０の表面１０ａ側に凹凸パターン１０ｐを形成する。
【００３４】
次に、図２（ｅ）に示されるように、ハードマスクパターン２２を除去する。これにより、テンプレート１を形成する。
【００３５】
本発明においては、上記一例に示されるように、反転プロセスを用いて、上記ハードマスク層の表面に形成された上記電子線レジスト層に対し、電子線でパターンを描画することにより、上記レジストパターンを形成した後に、上記レジストパターンが形成されていない未形成領域に上記シリコーン樹脂を含む上記反転材レジスト材料または上記ハードマスク層をエッチングする際の上記ドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となる上記反転材レジスト材料を有する反転材パターンを形成する。
【００３６】
上記反転材レジスト材料の上記ドライエッチング耐性は上記レジストパターンよりも大幅に高いために、上記反転材パターンを上記ハードマスクパターン形成時のエッチングマスクとして使用することにより、上記レジストパターンを上記エッチングマスクとして使用する場合よりも厚い上記ハードマスク層から上記ハードマスクパターンを形成することができる。このため、電子線によりパターンを描画する時に、電荷が上記ハードマスク層にチャージすることにより描画精度が低下する影響を抑制することができる。この結果、微細な上記ハードマスクパターンを高精度に形成することができるので、微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。
【００３７】
１．基材準備工程
上記基材準備工程においては、ハードマスク層が表面に設けられた非導電性透明基材を準備する。
【００３８】
（１）非導電性透明基材
本発明における非導電性透明基材とは、非導電性および光透過性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００３９】
ここで、非導電性透明基材の非導電性としては、表面電気抵抗率が１×１０１０Ω／ｓｑ〜１×１０３０Ω／ｓｑの範囲内であるものが好ましく、中でも１×１０１２Ω／ｓｑ〜１×１０１９Ω／ｓｑの範囲内であるものが好ましい。
【００４０】
また、上記非導電性透明基材の光透過性としては、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内における光線の透過率が８５％以上であるもの好ましく、中でも９０％以上であるものが好ましい。
【００４１】
上記非導電性透明基材の材料としては、例えば、合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。中でも、テンプレート形成用基板での使用実績が高く品質が安定しており、微細な凹凸パターンを高精度に形成できるため、合成石英が好適に用いられる。
【００４２】
上記非導電性透明基材の形状は、特に限定されないが、通常、矩形状である。この場合、上記非導電性透明基材の縦および横の長さは、用途等に応じて異なるものであるが、例えば１４２ｍｍ〜１６２ｍｍ程度である。また、上記非導電性透明基材の厚みは、材料や用途等に応じて異なるものであるが、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００４３】
（２）ハードマスク層
上記ハードマスク層の材料としては、クロム系材料を主成分とするものであれば良いが、必要に応じて、クロム系材料以外の材料を含むことができる。クロム系材料は、クロム、窒化クロム、酸化クロム、炭化クロム、炭化窒化クロム等のクロムを含む化合物を含むものである。
【００４４】
上記ハードマスク層の厚みとしては、上記非導電性透明基材を高精度に加工できれば特に限定されるものではないが、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも１．２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、特に１．５ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲より薄いと、電子線でパターンを描画する時に電荷が上記ハードマスク層にチャージされて描画精度が低下する影響が大きくなるからであり、上記範囲より厚いと、上記ハードマスクパターン形成時の上記反転材パターンのエッチングマスクとしての耐性が不足するおそれがあるからである。
【００４５】
上記ハードマスク層を形成する方法としては、所望のハードマスク層を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）や、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等のＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を挙げることができ、中でもスパッタリング法が好ましい。均一なハードマスク層を得ることができるからである。
【００４６】
２．電子線レジスト層形成工程
上記電子線レジスト層形成工程においては、上記ハードマスク層の表面に電子線によりパターニング可能な電子線レジスト層を形成する。
【００４７】
本発明において、「電子線によりパターニング可能な電子線レジスト層」とは、電子線の照射により溶解性等の物性が変化するレジスト（以下、「電子線レジスト」ということがある。）を含むことにより、電子線により、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートのパターンを描画することができる層を意味する。
【００４８】
なお、電子線レジストとは、例えば、レジストを構成する高分子が電子との衝突によってエネルギーを受け、該高分子の鎖の一部が切断されて分子量が小さくなるか、あるいは他の高分子と結合して大きな分子量の高分子に重合されるもの等をいう。
【００４９】
上記電子線レジストとしては、後述するように上記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、上記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成可能なものであれば特に限定されず、ネガ型でもポジ型でもよく、化学増幅型レジストでも非化学増幅型レジストでもよいが、非化学増幅型レジストが好ましい。解像力が高いので微細なレジストパターンを高精度に形成できる。これにより、上記反転材パターンをレジストパターンの形状に沿って微細かつ高精度に形成することができる結果、微細な凹凸パターンを高精度に形成できる効果が顕著となるからである。一方で非化学増幅型レジストは感度が低いため、描画時間が長くなる欠点がある。しかしながら、近年はマルチビーム電子線描画装置の開発が進み、描画時間が短縮されてきているため、非化学増幅型レジストの微細パターン形成への適用が見直されてきている。
【００５０】
上記非化学増幅型レジストとしては、例えば、α−クロロアクリル酸エステル系化合物とα−メチルスチレン系化合物との共重合体を主成分とするレジスト等が挙げられる。中でもα−クロロアクリル酸エステル系化合物とα−メチルスチレン系化合物との共重合体を主成分とするレジストが好ましい。解像力が中でも高いからである。
【００５１】
α−クロロアクリル酸エステル系化合物とα−メチルスチレン系化合物との共重合体を主成分とするレジストは、非化学増幅型かつポジ型の電子線レジストとして知られている。上記共重合体が上記レジストの「主成分」であるとは、上記レジストに対する上記共重合体の含有量が８０質量％以上であることを意味する。α−クロロアクリル酸エステル系化合物とα−メチルスチレン系化合物との共重合体を主成分とするレジストとしては、例えば、日本ゼオン（株）製ＺＥＰ５２０Ａ等を挙げることができる。上記レジストに対する上記共重合体の含有量としては、９０質量％以上が好ましく、特に９５質量％以上が好ましい。
【００５２】
なお、α−クロロアクリル酸エステル系化合物とα−メチルスチレン系化合物との共重合体を主成分とするレジストは、上記共重合体の他に界面活性剤、増感剤等の添加材を含有することができる。
【００５３】
また、上記電子線レジストとしては、後述するように上記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、上記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成可能なものであれば特に限定されないが、ハーフピッチ（ｈｐ）が２０ｎｍ以下のレジストパターンを形成可能な電子線レジストが好ましい。上記非導電性透明基材にハーフピッチ（ｈｐ）が２０ｎｍ以下の凹凸パターンを高精度に形成したテンプレートを得ることができるからである。
【００５４】
本発明において、「ハーフピッチ（ｈｐ）が２０ｎｍ以下のレジストパターンを形成可能な電子線レジスト」とは、上記ハードマスク層の表面に形成された厚みが２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である上記電子線レジスト層に対して、以下の試験条件において、電子線によりパターンを描画して現像することにより、ハーフピッチ（ｈｐ）が２０ｎｍ以下のラインアンドスペースのレジストパターンを形成可能なものを意味する。
（試験条件）
電子線描画装置：日本電子社製ＪＢＸ９３００
加速電圧：１００ＫＶ
現像液：日本ゼオン社製ＺＥＤ−Ｎ５０
現像時間：６０秒間
【００５５】
なお、後述する反転材レジスト材料に含まれるシリコーン樹脂を含んだ電子線レジスト材料は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの凹凸パターンを形成することができるような解像力が高い材料にすることは難しいとされている。特に、例えば、ハーフピッチ（ｈｐ）が２０ｎｍ以下のレジストパターンを形成できる程度に解像力が高い、シリコーン樹脂を含んだ電子線レジスト材料を得ることは難しい。
【００５６】
上記電子線レジスト層の厚みとしては、特に限定されないが、２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも２５ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内、特に３０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲より薄いと、後述する反転材パターンが薄くなり過ぎてエッチングマスクとして耐えられなくなるおそれがあるからであり、上記範囲より厚いと、後述するレジストパターンが厚くなり過ぎて倒れるおそれがあるからである。
【００５７】
上記電子線レジスト層を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記電子線レジストおよび溶媒を含有するレジスト組成物を、上記ハードマスク層の表面に塗布した後、加熱（プリベーク）して溶媒を除去する方法が用いられる。
【００５８】
上記溶媒としては、上記電子線レジストを溶解可能なものであれば特に限定されず、レジスト組成物の溶媒として一般に用いられているものから適宜選択することができる。上記レジスト組成物における上記溶媒の含有量は、特に限定されず、上記レジスト組成物が塗布可能となる含有量および上記レジスト組成物を塗布する厚み等に応じて適宜選択することができる。
【００５９】
上記レジスト組成物を塗布する方法としては、上記ハードマスク層の表面に均一に塗布できる方法であれば特に限定されないが、例えば、スプレー法、ロールコート法、スリットコート法、回転塗布等を挙げることができる。
【００６０】
上記ハードマスク層の表面に塗布した上記レジスト組成物を加熱（プリベーク）する温度は、温度は、上記レジスト組成物の成分および上記溶媒の種類等により適宜選択すればよいが、通常、８０℃〜２００℃程度である。また、上記レジスト組成物を加熱する時間は、通常、３０秒〜１５分程度である。
【００６１】
３．レジストパターン形成工程
上記レジストパターン形成工程においては、上記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、上記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成する。
【００６２】
上記電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画する場合には、通常は、電子線描画装置を用いて、マスクを介さない電子線の直接照射によりパターンを描画する。
【００６３】
上記電子線描画装置としては、例えば、スポットビーム電子線描画装置、可変成形電子線描画装置、マルチビーム電子線描画装置等が挙げられ、中でもマルチビーム電子線描画装置が好ましい。多数の電子線ビームを用いてパターンを描画するため、電荷が上記ハードマスク層にチャージされ易いので、本発明により描画精度が低下する影響を効果的に抑制することができるからである。
【００６４】
上記電子線レジスト層を現像することによりレジストパターンを形成する場合には、通常は、上記パターンが描画された上記電子線レジスト層を現像液で現像して、上記電子線レジスト層の不要な部分を溶解除去することによりレジストパターンを形成する。
【００６５】
上記現像液としては、特に限定されないが、例えば、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、１−ブトキシ−２−プロパノール、３−メトキシ−１−ブタノール、２−ブトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、およびｏ−キシレンなる群から選択される１種以上等が挙げられる。中でも、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、および４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンよりなる群から選択される１種以上が好ましい。感度および感度マージンが良好であるからである。特に、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、または４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンが好ましい。感度および感度マージンが良好であり、かつパターン形状が良好になるからである。
【００６６】
上記現像液としては、混合溶剤でもよいし、１種の溶剤のみからなるものでもよいが、混合溶剤が好ましい。面内均一性の点で問題が生じ難く、パターン形状がより良好になり易いからである。
【００６７】
上記電子線レジスト層を現像する現像時間としては、特に限定されないが、例えば、５秒〜２００秒の範囲内となる。中でも２０秒〜９０秒の範囲内が好ましい。上記電子線レジスト層を現像する現像温度としては、特に限定されないが、例えば、０℃〜３０℃の範囲内となる。中でも０℃〜２３℃の範囲内が好ましい。
【００６８】
上記レジストパターン形成工程においては、上記電子線レジスト層を現像した後に、通常、上記電子線レジスト層にリンス処理を行う。この時に用いられるリンス液としては、通常は、上記電子線レジストの貧溶媒から適宜選択して用いられる。このようなリンス液としては、例えば、２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン等、またはこれらの混合液等が挙げられる。このようなリンス液としては、より表面張力が低いものを用いることにより、乾燥時に表面張力が原因で生じる上記レジストパターンの倒壊を抑制することができる。
【００６９】
上記レジストパターンの形状については、後述する「７．凹凸パターン形成工程」の項目に記載された上記凹凸パターンの形状に応じて適宜選択される。
【００７０】
上記レジストパターンのハーフピッチ（ｈｐ）としては、後述する「７．凹凸パターン形成工程」の項目に記載された上記凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）に応じて適宜選択される。
【００７１】
本発明において、「レジストパターンのハーフピッチ（ｈｐ）」とは、上記凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）に対応する長さを意味し、例えば、図１（ｄ）に示されるレジストパターン１６のハーフピッチ（ｈｐ）である。
【００７２】
４．反転材パターン形成工程
上記反転材パターン形成工程においては、上記ハードマスク層の表面における上記レジストパターンが形成されていない未形成領域に、シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料または上記ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料を有する反転材パターンを形成する。
【００７３】
（１）反転材パターン
上記反転材パターンは、上記レジストパターンと同一の厚みまたは上記レジストパターンよりも薄い厚みに形成される。
本発明において、「レジストパターンと同一の厚みまたはレジストパターンよりも薄い厚み」とは、上記レジストパターンの表面を露出させる厚みであれば特に限定されず、後述するレジストパターン除去工程において、上記反転材パターンおよび上記レジストパターンのうち上記レジストパターンを選択的に除去できる厚みであればよい。
【００７４】
（２）反転材レジスト材料
上記反転材レジスト材料は、シリコーン樹脂を含むものまたは上記ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となるもののどちらかであればよい。
【００７５】
ａ．シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料
以下、シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料について詳細に説明する。
【００７６】
本発明において、「シリコーン樹脂」とは、シロキサン結合を有する樹脂を意味する。また、「シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料」とは、シリコーン樹脂を含むことによって、上記反転材パターンから露出する上記ハードマスク層の部位をドライエッチングを用いて除去することでハードマスクパターンを形成可能なパターンを意味する。
【００７７】
上記シリコーン樹脂としては、例えば、下記一般式（１）で表される構成単位を有するシリコーン樹脂等が好ましい。上記反転材レジスト材料のドライエッチング耐性を効果的に高くすることができるからである。下記一般式（１）で表される構成単位を有するシリコーン樹脂としては、例えば、かご型等の形状を有するシルセスキオキサン等が挙げられる。
【００７８】
【化１】
2019201079.tif 000003
【００７９】
なお、上記一般式（１）中のＲで示される置換基としては、特に限定されないが、例えば、Ｈ、ＯＨ、アルキル基、アリール基、等の有機基が挙げられる。
【００８０】
上記シリコーン樹脂としては、具体的には、例えば、特許第５６９６４２８号公報に記載されたＪＳＲ社製ポリシロキサン、特許第５７２１６００号公報に記載された富士フィルム社製アルコキシシラン、特許第５７７３１７６号公報に記載された日産化学社製ポリシロキサン、特許第５４３８９５８号公報に記載された東京応化工業製シロキサンポリマー等を挙げることができる。中でも東京応化工業製シロキサンポリマーが好ましい。
【００８１】
ｂ．ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料
以下、上記ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料について詳細に説明する。
【００８２】
本発明において、「ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性」とは、後述するハードマスクパターン形成工程において用いられるドライエッチングを用いて、上記ハードマスク層の一部の部位を除去するために使用されるエッチングマスクとしての耐性を意味する。また、「ハードマスク層をエッチングする際のドライエッチング耐性が電子線レジスト層の１５倍以上となる反転材レジスト材料」とは、上記ハードマスク層をエッチングする同一条件かつ同一時間のドライエッチングを行うときに、上記電子線レジスト層から形成される上記レジストパターンをエッチングマスクとして用いた場合の上記レジストパターンの減膜量に対して、上記レジストパターンと同一の厚みの上記反転材パターンをエッチングマスクとして用いた場合の上記反転材パターンの減膜量が１／１５倍となるような反転材レジスト材料を意味する。
【００８３】
このような反転材レジスト材料としては、特に限定されないが、例えば、上記シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料等を用いることができる。上記シリコーン樹脂を含む反転材レジスト材料としては、具体的には、例えば、上記シリコーン樹脂を溶剤に溶解させた材料や上記シリコーン樹脂を含む光硬化性材料等を用いることができる。また、上記シリコーン樹脂を溶剤に溶解させた材料としては、例えば、東京応化工業社製ＯＣＮＬシリーズ等が挙げられる。また、上記シリコーン樹脂を含む光硬化性材料としては、例えば、東京応化工業社製ＴＰＩＲ−２００シリーズ等が挙げられる。
【００８４】
上記反転材レジスト材料としては、上記ドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１５倍以上となるものであれば特に限定されないが、上記ドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の２０倍以上となるものが好ましい。
なお、上記ドライエッチング耐性が上記電子線レジスト層の１０倍以上１５倍未満となる反転材レジスト材料を上記反転材レジスト材料の代わりに用いたとしても、本発明と同様の作用効果が得られることもある。
【００８５】
（３）反転材パターン形成工程
上記反転材パターン形成工程は、上記未形成領域に上記反転材パターンを形成する工程であれば特に限定されないが、通常は、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆うように、上記反転材レジスト材料および溶媒を含有する反転材組成物を塗布し、上記反転材組成物を乾燥することにより、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆う反転材層を形成する反転材層形成工程と、上記反転材層の表面側をエッチングすることにより、上記レジストパターンの表面を露出させる反転材層エッチング工程と、を有する。
【００８６】
ａ．反転材層形成工程
上記反転材層形成工程においては、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆うように、上記反転材レジスト材料および溶媒を含有する反転材組成物を塗布し、上記反転材組成物を乾燥することにより、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆う反転材層を形成する。
【００８７】
上記反転材組成物としては、上記反転材レジスト材料および上記溶媒を含有するものであれば特に限定されないが、上記反転材組成物の固形分の濃度が１０質量％以下であるものが好ましく、中でも８質量％以下であるものが好ましい。上記反転材組成物の粘度が低くなり、上記未形成領域に上記反転材組成物が充填され易くなるため、欠陥のない上記反転材パターンが形成可能となるからである。
【００８８】
上記反転材組成物の粘度としては、上記未形成領域に上記反転材組成物が充填可能であれば特に限定されないが、５ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、中でも２ｍＰａ・ｓ以下が好ましい。上記反転材組成物が充填され易くなるからである。
【００８９】
上記溶媒としては、上記反転材組成物を塗布する時に上記レジストパターンを溶解させないものであれば特に限定されないが、有機溶剤、アルコール、水、アルコールと水の混合溶媒等が挙げられる。
【００９０】
上記溶媒としては、アルコールを主成分とする溶媒が好ましい。電子線レジスト材料を溶かさないからである。
なお、上記アルコールを主成分とする溶媒とは、上述したアルコールの効果を奏する程度の濃度でアルコールが含有されていることを意味し、例えば、上記溶媒中のアルコールの濃度が６０質量％以上の範囲内であるものを意味する。
【００９１】
上記アルコールとしては、分子内に含まれるＯＨ基の数が１つである一価アルコールでもＯＨ基の数が２以上である多価アルコールでもよいが、中でも一価アルコールが好ましい。また、上記アルコールとしては、一級アルコール、二級アルコール、および三級アルコールのいずれでもよいが、中でも一級アルコールが好ましい。
【００９２】
上記アルコールの中でも好ましいアルコールの具体例としては、ｎ−ペンチルアルコール（沸点１３８．０℃）、ｓ−ペンチルアルコール（沸点１１９．３℃）、ｔ−ペンチルアルコール（１０１．８℃）、イソペンチルアルコール（沸点１３０．８℃）、イソブタノール（イソブチルアルコール又は２−メチル−１−プロパノールとも呼ぶ）（沸点１０７．９℃）、イソプロピルアルコール（沸点８２．３℃）、２−エチルブタノール（沸点１４７℃）、ネオペンチルアルコール（沸点１１４℃）、ｎ−ブタノール（沸点１１７．７℃）、ｓ−ブタノール（沸点９９．５℃）、ｔ−ブタノール（沸点８２．５℃）、１−プロパノール（沸点９７．２℃）、ｎ−ヘキサノール（沸点１５７．１℃）、２−ヘプタノール（沸点１６０．４℃）、３−ヘプタノール（沸点１５６．２℃）、２−メチル−１−ブタノール（沸点１２８．０℃）、２−メチル−２−ブタノール（沸点１１２．０℃）、４−メチル−２−ペンタノール（沸点１３１．８℃）等が挙げられる。これらうち、特に（Ｓ１’）成分を含有することによる効果が良好であることから、イソブタノール（２−メチル−１−プロパノール）、４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ブタノール等が好ましい。中でもイソブタノール、ｎ−ブタノールが好ましく、特にイソブタノールが好ましい。
【００９３】
上記反転材層形成工程においては、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆うように塗布された上記反転材組成物を乾燥する。これにより、上記溶媒が短時間で除去され、上記反転材層が短時間で形成可能となる。上記反転材組成物を乾燥する条件としては、一般的な条件でよいが、例えば、１００℃〜２００℃の範囲内の温度で１０分〜３０分の範囲内の時間だけ加熱する条件等が挙げられる。
【００９４】
上記反転材層の厚みとしては、上記レジストパターンおよび上記未形成領域を覆うことができれば特に限定されないが、７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも８０ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲内、特に９０ｎｍ〜１３０ｎｍの範囲内が好ましい。パターンの粗密差や大きさ依存しない反転プロセスが可能となるからである。
【００９５】
ｂ．反転材層エッチング工程
上記反転材層エッチング工程においては、上記反転材層の表面側をエッチングすることにより、上記レジストパターンの表面を露出させる。
【００９６】
上記反転材層の表面側をエッチングする方法としては、上記反転材層の表面側を除去して上記レジストパターンの表面を露出させることが可能な方法であれば特に限定されないが、例えば、ドライエッチング等が挙げられる。上記ドライエッチングに用いられるエッチングガスとしては、例えば、上記反転材層が上記シリコーン樹脂を含む場合には、フッ素系のガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６等）またはこれらの混合ガス等が挙げられる。
【００９７】
５．レジストパターン除去工程
上記レジストパターン除去工程においては、上記レジストパターンを除去する。これにより、上記反転材パターンを上記レジストパターンが反転した形状にする。
【００９８】
上記レジストパターンを除去する方法としては、上記反転材パターンおよび上記レジストパターンのうち上記レジストパターンを選択的に除去できる方法であれば特に限定されないが、例えば、酸素含有ガスを用いたプラズマアッシング等が挙げられる。
【００９９】
６．ハードマスクパターン形成工程
上記ハードマスクパターン形成工程においては、上記レジストパターン除去工程後に、上記反転材パターンから露出する上記ハードマスク層の部位をドライエッチングを用いて除去することにより、ハードマスクパターンを形成する。
【０１００】
上記ハードマスク層の部位を除去するドライエッチングの方法としては、上記反転材パターンおよび上記ハードマスク層のうち上記ハードマスク層を選択的に除去できる方法であれば特に限定されないが、例えば、塩素系ガスと酸素との混合ガスを使用した反応性イオンエッチング等が挙げられる。
【０１０１】
７．凹凸パターン形成工程
上記凹凸パターン形成工程においては、上記ハードマスクパターンから露出する上記非導電性透明基材の部位をエッチングすることにより、上記非導電性透明基材の表面側に凹凸パターンを形成する。
【０１０２】
上記非導電性透明基材の部位をエッチングする方法としては、上記ハードマスクパターンおよび上記非導電性透明基材のうち上記非導電性透明基材を選択的に除去できる方法であれば特に限定されないが、例えば、上記非導電性透明基材を選択的にエッチング可能なエッチングガスを用いたドライエッチング等が挙げられる。上記ドライエッチングに用いられるガスの種類としては、上記非導電性透明基材および上記ハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、フッ素系のガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６等）を用いることができ、酸素、ヘリウムガスをさらに混合してもよい。
【０１０３】
本発明において、「凹凸パターン」とは、ナノインプリントリソグラフィにより上記テンプレートから被転写体に転写されるパターンを意味する。
【０１０４】
上記凹凸パターンの形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、ラインアンドスペース、ドット、ホール、アイソレートスペース、アイソレートライン、ピラー、レンズ、複数の段差を有する凹凸パターン等を挙げることができる。中でもラインアンドスペース等が好ましい。有用性の高いパターンだからである。
【０１０５】
上記凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）およびハーフピッチ（ｈｐ）以外の寸法については、後述する「Ｂ．テンプレート  １．非導電性透明基材」の項目に記載されたハーフピッチ（ｈｐ）と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１０６】
８．その他の工程
本発明のテンプレートの製造方法は、通常は、上記凹凸パターン形成工程後に上記テンプレートから上記ハードマスクパターンを除去する除去工程をさらに有する。通常は、上記ハードマスクパターンが除去されたインプリントモールド製造用基板を製品として出荷するからである。
【０１０７】
上記ハードマスクパターンを除去する方法としては、上記非導電性透明基材にダメージを与えない方法であれば特に限定されないが、上記ハードマスクパターンがクロム系材料を主成分とする上記ハードマスク層から形成されたものである場合には、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液等を剥離液として用いて剥離する方法が用いられる。
【０１０８】
Ｂ．テンプレート
本発明のテンプレートは、表面側に凹凸パターンが設けられた非導電性透明基材を有し、上記凹凸パターンのハーフピッチが２０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする。
【０１０９】
本発明のテンプレートの一例について図面を参照しながら説明する。図３は、本発明のテンプレートの一例を示す概略断面図である。
【０１１０】
図３に示されるように、表面１０ａ側に凹凸パターン１０ｐが設けられた非導電性透明基材１０を有する。凹凸パターン１０ｐはラインアンドスペースであり、凹凸パターン１０ｐのハーフピッチ（ｈｐ）は２０ｎｍ以下の範囲内である。
【０１１１】
本発明によれば、上記凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）が２０ｎｍ以下の範囲内であるために、ナノインプリントリソグラフィにより上記テンプレートから被転写体に微細な凹凸パターンを転写することができる。
【０１１２】
１．非導電性透明基材
上記非導電性透明基材は、表面側に凹凸パターンが設けられ、上記凹凸パターンのハーフピッチが２０ｎｍ以下の範囲内であるものである。
【０１１３】
本発明において、「凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）」とは、上記凹凸パターンを平面視した時の一周期の凹凸の幅の半分の長さを意味し、例えば、図３に示されるラインアンドスペースの凹凸パターン１０ｐのハーフピッチ（ｈｐ）である。
【０１１４】
上記凹凸パターンの形状については、上記「Ａ．テンプレートの製造方法  ７．凹凸パターン形成工程」の項目に記載された上記凹凸パターンの形状と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１１５】
上記凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）としては、２０ｎｍ以下の範囲内であれば特に限定されない。微細な凹凸パターンを被転写体に転写することができるからである。
【０１１６】
上記凹凸パターンのハーフピッチ以外の寸法としては、特に限定されるものではなく、一般的なナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートと同様とすることができる。
【０１１７】
上記非導電性透明基材については、上記凹凸パターンを除いて、上記「Ａ．テンプレートの製造方法  １．基材準備工程  （１）非導電性透明基材」の項目に記載された非導電性透明基材と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１１８】
２．その他
本発明のテンプレートのその他の構成について図面を参照しながら説明する。図４および図５は、本発明のテンプレートの他の例を示す概略断面図である。
【０１１９】
図４に示されるテンプレート１は、図３に示されるテンプレート１とは異なり、凹凸パターン１０ｐの凸部の表面に設けられたハードマスクパターン２２をさらに有するものである。テンプレート１は、図２（ｄ）に示されるハードマスクパターン２２付きの非導電性透明基材１０に相当する。
【０１２０】
上記テンプレートとしては、図４に示されるように、上記凹凸パターンの凸部の表面に設けられたハードマスクパターンをさらに有するものでもよい。
【０１２１】
上記ハードマスクパターンの材料および厚みについては、上記凹凸パターンを除いて、上記「Ａ．テンプレートの製造方法  １．基材準備工程  （２）ハードマスク層」の項目に記載されたハードマスク層と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１２２】
図５に示されるテンプレート１は、図３に示されるテンプレート１とは異なり、非導電性透明基材１０の側面１０ｂに反転材レジスト材料２４が付着したものである。また、図５に示されるテンプレート１においては、反転材レジスト材料２４の下部に、図１（ａ）に示されるようなハードマスク層１２がエッチングされずに残ってしまったハードマスク材料２６も付着している。反転材レジスト材料２４は、透明な材料または透明に近い材料であるが、ハードマスク材料２６は有色であるため、視認性がある。
【０１２３】
上記テンプレートとしては、図５に示されるように上記非導電性透明基材の側面に反転材レジスト材料またはハードマスク材料が付着したものが好ましい。上記「Ａ．テンプレートの製造方法」の項目に記載された製造方法により製造されたものとなるため、微細な凹凸パターンが高精度に形成されたものとなるからである。
【０１２４】
上記反転材レジスト材料については、上記「Ａ．テンプレートの製造方法  ４．反転材パターン形成工程  （２）反転材レジスト材料」の項目に記載された反転材レジスト材料と同様であるため、ここでの説明を省略する。上記ハードマスク材料については、上記「Ａ．テンプレートの製造方法  １．基材準備工程  （２）ハードマスク層」の項目に記載されたハードマスク層の材料と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１２５】
上記テンプレートとしては、例えば、上記「Ａ．テンプレートの製造方法」の項目に記載された製造方法等により製造されたマスターテンプレートでもよいし、上記マスターテンプレートの凹凸パターンを、ナノインプリントリソグラフィにより被転写体に転写することにより製造されたレプリカテンプレートでもよい。
【０１２６】
３．テンプレートの製造方法
本発明のテンプレートの製造方法としては、上記テンプレートを製造できれば特に限定されないが、上記「Ａ．テンプレートの製造方法」の項目に記載された製造方法が好ましい。上記テンプレートを微細な凹凸パターンが高精度に形成されたものにすることができるからである。
【０１２７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１２８】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【０１２９】
［実施例］
まず、厚みが２ｎｍのＣｒ膜（ハードマスク層）が表面に設けられた合成石英（非導電性透明基材）を準備した。
【０１３０】
次に、日本ゼオン（株）製ＺＥＰ５２０Ａを日本ゼオン（株）製ＺＥＰ−Ａに適度に溶解させることによりレジスト組成物を調製した。そして、レジスト組成物をＣｒ膜の表面にスピンナーを用いて均一に塗布した後に、２００℃で６００秒間プリベーク処理（ＰＡＢ）を行い、Ｃｒ膜の表面に厚みが３０ｎｍの電子線レジスト層を形成した。
【０１３１】
次に、日本電子社製ＪＢＸ９３００（電子線描画装置）を用いて、加速電圧１００ＫＶにて、電子線レジスト層に電子線によりパターンを描画した後に、電子線レジスト層を日本ゼオン（株）製ＺＥＤ−Ｎ５０（現像液）により３０秒間（現像時間）現像し、さらにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）にて６０秒間リンス処理を行い、ハーフピッチ（ｈｐ）が所定値のラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。
【０１３２】
次に、シルセスキオキサン（反転材レジスト材料）を２−メチル−１−プロパノール（溶媒）に８質量％の濃度で溶解させることにより反転材組成物を調製した。そして、Ｃｒ膜の表面におけるレジストパターンおよびレジストパターンが形成されていない未形成領域を覆うように、反転材組成物を塗布した後に、１６０℃で３０分間乾燥することにより、レジストパターンおよび未形成領域を覆う厚みが１００ｎｍの反転材層を形成した。
【０１３３】
次に、ＣＦ４の混合ガスを用いたドライエッチングにより、反転材層の表面側をエッチングすることにより、レジストパターンの表面を露出させた。これにより、未形成領域にシリコーン樹脂を含む厚みが３０ｎｍの反転材パターン（反転材層の一部）を形成した。
【０１３４】
次に、酸素含有ガスを用いたプラズマアッシングにより、レジストパターンを除去した。これにより、反転材パターンをレジストパターンが反転した形状にした。
【０１３５】
次に、塩素系ガスと酸素との混合ガスを使用した反応性イオンエッチングを用いて、反転材パターンから露出するＣｒ膜の部位を除去することにより、ハードマスクパターン（ハードマスク層の一部）を形成した。
【０１３６】
次に、ＣＦ４の混合ガスを用いたドライエッチングにより、ハードマスクパターンから露出する非導電性透明基材の部位をエッチングすることにより、非導電性透明基材の表面側にハーフピッチ（ｈｐ）が所定値のラインアンドスペースの凹凸パターンを形成した。
【０１３７】
次に、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液等を剥離液として用いて、ハードマスクパターンを剥離することで除去した。これにより、テンプレートを形成した。
【０１３８】
［比較例１］
まず、電子線レジスト層の厚みを４０ｎｍとした点を除いて、実施例と同様に、Ｃｒ膜が表面に設けられた合成石英を準備した後にレジストパターンを形成した。
【０１３９】
次に、塩素系ガスと酸素との混合ガスを使用した反応性イオンエッチングを用いて、レジストパターンから露出するＣｒ膜の部位を除去することにより、ハードマスクパターンを形成しようと試みた。しかしながら、Ｃｒ膜の露出部位が除去される前にレジストパターンが消失してしまい、ハードマスクパターンを形成することができなかった。
【０１４０】
［比較例２］
まず、Ｃｒ膜の厚みを１ｎｍとし、電子線レジスト層の厚みを４０ｎｍとした点を除いて、実施例と同様に、Ｃｒ膜が表面に設けられた合成石英を準備した後にレジストパターンを形成した。
【０１４１】
次に、塩素系ガスと酸素との混合ガスを使用した反応性イオンエッチングを用いて、レジストパターンから露出するＣｒ膜の部位を除去することにより、ハードマスクパターンを形成した。
【０１４２】
次に、実施例１と同様に、ハードマスクパターンから露出する非導電性透明基材の部位をエッチングすることにより、非導電性透明基材の表面側にハーフピッチ（ｈｐ）が所定値のラインアンドスペースの凹凸パターンを形成した。
【０１４３】
次に、実施例１と同様に、ハードマスクパターンを除去した。これにより、テンプレートを形成した。
【０１４４】
［評価］
ア．反転材パターンのドライエッチング耐性
上述した通り、実施例においては、反応性イオンエッチングを用いて、反転材パターンから露出するＣｒ膜の部位を除去することにより、ハードマスクパターンを形成することができた。これに対して、比較例１においては、反転材パターンではなくレジストパターンを用いて、実施例と厚みが同一のＣｒ膜からハードマスクパターンを形成しようと試みたが、Ｃｒ膜の露出部位が除去される前にレジストパターンが消失してしまい、ハードマスクパターンを形成することができなかった。
【０１４５】
イ．凹凸パターンの解像限界および位置精度
実施例のテンプレートの製造方法において、以下の測定方法により、テンプレートに形成することができる凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）の下限値（解像限界）を測定した。また、実施例のテンプレートの製造方法において、以下の測定方法により、ハーフピッチ（ｈｐ）が下限値となった凹凸パターンの位置精度（３σ）を測定した。これらの測定結果を、以下の表１に示す。
【０１４６】
比較例２のテンプレートの製造方法において、以下の測定方法により、テンプレートに形成することができる凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）の下限値（解像限界）を測定した。また、比較例２のテンプレートの製造方法において、以下の測定方法により、ハーフピッチ（ｈｐ）が下限値となった凹凸パターンの位置精度（３σ）を測定した。これらの測定結果を、以下の表１に示す。
【０１４７】
（解像限界の測定方法）
・実施例または比較例２において、ハーフピッチ（ｈｐ）を１０ｎｍから２０ｎｍまでの１ｎｍ刻みの値にそれぞれ設定して、上述した手順にて、電子線レジスト層へのラインアンドスペースのパターンの描画および現像を行うことで、ラインアンドスペースのレジストパターンを形成する。これにより、ハーフピッチ（ｈｐ）が１０ｎｍから２０ｎｍまでの１ｎｍ刻みの値となるようにした１１パターンの凹凸パターンをそれぞれ有する１１個のテンプレートを形成する。
・該１１個のテンプレートを、（株）ホロン製電子顕微鏡ＥＭＵ−２２０にて２００Ｋ倍で観察する。
・観察視野内で欠損のない凹凸パターンのハーフピッチ（ｈｐ）のうちの最も小さいものを解像限界として求める。
【０１４８】
（位置精度の測定方法）
例えば、特開２００８−８５１２０号公報および特開２００８−８５１２０号公報等に記載された位置精度の測定方法と同様の測定方法を用いて、以下の手順で測定する。
・実施例または比較例２において、ハーフピッチ（ｈｐ）が下限値（解像限界）となったラインアンドスペースのレジストパターンの形成条件と同一の試験条件にて、電子線レジスト層に対して、数μｍ程度（例えば、２μｍ）の幅を有するパターンの描画および現像を行うことにより、数μｍ程度（例えば、２μｍ）の幅を有する凹凸パターンである位置精度計測用のパターンを有するテンプレートを形成する。
・ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯを用いて、テンプレートに形成された位置精度計測用のパターンの各位置の座標測定を行う。
・測定された位置精度計測用のパターンの各位置の座標と位置精度計測用のパターンの各位置の設計座標との差分を各位置の描画位置ずれ量として算出して、該各位置の描画位置ずれ量の平均を位置精度として求める。
【０１４９】
【表１】
2019201079.tif 000004
【０１５０】
上記表１に示されるように、実施例は、比較例２と比較して解像限界および位置精度（３σ）のどちらも小さくなった。これは、実施例の方が、比較例２よりもＣｒ膜が厚いために、電子線でパターンを描画する時に電荷がＣｒ膜にチャージされて描画精度が低下する影響が抑制されたためと考えられる。
【符号の説明】
【０１５１】
１…テンプレート
１０…非導電性透明基材
１０ｐ…凹凸パターン
１４…電子線レジスト層
１６…レジストパターン
１８…反転材層
２０…反転材パターン
【図１】
2019201079.tif 000005
【図２】
2019201079.tif 000006
【図３】
2019201079.tif 000007
【図４】
2019201079.tif 000008
【図５】
2019201079.tif 000009