(57)【要約】【課題】複数のイオン化方式を実施することができるとともに、高いイオン強度を得ることができるイオン源を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るイオン源は、第１プローブに対して試料溶液と電圧を供給する第１モードと、第２プローブに対して試料溶液と電圧を供給する第２モードとを有する。前記第１モードと前記第２モードとの間では、前記第１プローブと前記第２プローブそれぞれに対して供給する試料溶液の流量と電圧が互いに異なる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料溶液が通過する第１および第２プローブ、
前記第１および第２プローブを通過する試料溶液の流量を制御する流量制御部、
前記第１および第２プローブに対して電圧を供給する電源、
を備え、
前記流量制御部は、前記第１プローブに第１流量の試料溶液を流すとともに前記第２プローブに第２流量の試料溶液を流す第１モードと、前記第１プローブに第３流量の試料溶液を流すとともに前記第２プローブに第４流量の試料溶液を流す第２モードとを切り替えることができるように構成されており、
前記電源は、前記流量制御部が前記第１モードを実施するときは、前記第１プローブに対して第１電圧を供給するとともに、前記第２プローブに対して第２電圧を供給し、
前記電源は、前記流量制御部が前記第２モードを実施するときは、前記第１プローブに対して第３電圧を供給するとともに、前記第２プローブに対して第４電圧を供給する
ことを特徴とするイオン源。
【請求項２】
前記イオン源はさらに、前記第１および第２プローブの下流端の近傍に対してガスを供給するガス供給部を備え、
前記ガス供給部は、前記流量制御部が前記第１モードを実施するときは、前記第１プローブの下流端の近傍に対して第１ガス流量の前記ガスを供給するとともに、前記第２プローブの下流端の近傍に対して第２ガス流量の前記ガスを供給し、
前記ガス供給部は、前記流量制御部が前記第２モードを実施するときは、前記第１プローブの下流端の近傍に対して第３ガス流量の前記ガスを供給するとともに、前記第２プローブの下流端の近傍に対して第４ガス流量の前記ガスを供給する
ことを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項３】
前記ガス供給部は、前記第１プローブの下流端の近傍に対して第１種別の前記ガスを供給するとともに、前記第２プローブの下流端の近傍に対して前記第１種別とは異なる第２種別の前記ガスを供給する
ことを特徴とする請求項２記載のイオン源。
【請求項４】
前記流量制御部は、前記試料溶液を前記第２プローブに対して供給するタイミングを制御する制御機構を備え、
前記制御機構は、前記流量制御部が前記第２モードを実施しているとき、前記第４流量の前記試料溶液を前記第２プローブに対して間欠的に供給し、
前記ガス供給部は、前記流量制御部が前記第２モードを実施するとともに前記制御機構が前記第４流量の前記試料溶液を前記第２プローブに対して供給しているとき、前記第１プローブの下流端の近傍に対して前記第３ガス流量の前記ガスを供給し、
前記ガス供給部は、前記制御機構が前記第４流量の前記試料溶液を前記第２プローブに対して供給していないとき、前記第１プローブの下流端の近傍に対して前記第１ガス流量の前記ガスを供給し、
前記第３ガス流量は前記第１ガス流量よりも小さい
ことを特徴とする請求項２記載のイオン源。
【請求項５】
前記流量制御部は、前記第１モードから前記第２モードへ切り替わるとき、前記第１プローブに流す試料溶液の流量を前記第１流量から前記第３流量へ漸変させ、
前記流量制御部は、前記第２モードから前記第１モードへ切り替わるとき、前記第２プローブに流す試料溶液の流量を前記第４流量から前記第２流量へ漸変させる
ことを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項６】
前記第２プローブは、前記第１プローブの下流端の近傍に配置された電極を備え、
前記電源は、前記流量制御部が前記第１モードを実施するときは、前記電極に対して、前記第１電圧と同じ極性でありかつゼロではない電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項７】
前記イオン源はさらに、前記第１プローブを通過する前記試料溶液を加熱する加熱ブロックを備え、
前記加熱ブロックは、加熱ガスを通過させる第１および第２流路を備え、
前記第１流路は、前記第１プローブの下流端に向かって前記加熱ガスを通過させるように配置されており、
前記第２流路は、前記第１プローブの下流端から離れかつ前記第２プローブの下流端からも離れる方向に向かって前記加熱ガスを通過させるように配置されており、
前記加熱ブロックはさらに、前記加熱ガスを前記第１流路と前記第２流路のいずれに流すかを切り替えるガス切替部を備え、
前記ガス切替部は、前記流量制御部が前記第１モードを実施するときは前記第１流路に前記加熱ガスを流し、前記流量制御部が前記第２モードを実施するときは前記第２流路に前記加熱ガスを流す
ことを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項８】
前記第１プローブは、第１イオン化方式を用いて前記試料溶液をイオン化させるように構成されており、
前記第２プローブは、前記第１イオン化方式とは異なる第２イオン化方式を用いて前記試料溶液をイオン化させるように構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項９】
請求項１記載のイオン源、
前記試料溶液を収容した容器から前記試料溶液を取り出して前記第１および第２プローブに対して引き渡す分注機構、
前記分注機構が前記容器から前記試料溶液を取り出すとき、前記流量制御部が前記第１モードと前記第２モードのいずれを実施すべきかを指定する条件を取得する条件取得部、
を備え、
前記流量制御部は、前記条件取得部が取得した前記条件にしたがって、前記第１モードと前記第２モードを実施する
ことを特徴とする分析装置。
【請求項１０】
前記流量制御部は、前記第１モードを複数回連続して実施するように前記条件が指定している場合は、前記第１モードを実施する回のうち一部において、前記第２プローブに前記第２流量の試料溶液を流し、前記第１モードを実施する回のうち残部において、前記第２流量よりも少ない試料溶液を流すかまたは全く流さない
ことを特徴とする請求項９記載の分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン源およびこれを用いる分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
質量分析などに用いるイオン化法としては、エレクトロスプレー法（以下「ＥＳＩ法」という）、大気圧化学イオン化法（以下「ＡＰＣＩ法」という）などがある。大気圧イオン化質量分析計においては、ＥＳＩやＡＰＣＩなどを用いることにより、大気圧下で生成したイオンを真空系に導入してイオンの質量を分析する。
【０００３】
ＥＳＩ法は、高電圧を印加したキャピラリーに試料溶液を流してキャピラリー先端から試料溶液を噴霧することにより帯電液滴を生成し、この帯電液滴が蒸発と分裂を繰り返すことによりイオンを生成する方式である。ＥＳＩ法は、高分子量試料や高極性試料などに対応することができるイオン化法である。ＥＳＩ法においては一般に、加熱したガスなどを大量に噴霧して液滴の蒸発・気化を促進させる方式が併用される。
【０００４】
ＡＰＣＩ法は、試料溶液を加熱気化し、試料分子をコロナ放電によりイオン化する方式である。この方式の場合、コロナ放電により生成された１次イオン（試料分子とは別のイオン）と試料分子との間で電荷の移動が生じ、これにより試料分子がイオン化される。ＡＰＣＩ法は、ＥＳＩ法に比べて分子量の小さい低分子量試料や極性が小さい低極性試料に対して適用できる。
【０００５】
このように対象となる試料や原理が異なるイオン化方式（例えばＥＳＩ法とＡＰＣＩ法）を１つのイオン源において実現できれば、測定対象とする物質の範囲やイオン源の応用範囲を拡大することができる。下記特許文献１〜２は、このように１つのイオン源が複数のイオン化方式を実現するための技術を記載している。これら文献においては、ＥＳＩ法によるイオン化とＡＰＣＩ法によるイオン化を１つのイオン源で実行するための方式が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５５３０１１号
【特許文献２】米国特許第７４８８９５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１においては、ＥＳＩ法による静電噴霧部とＡＰＣＩ法による針電極とが同じ空間内に配置され、ＥＳＩ法によるイオン化とＡＰＣＩ法によるイオン化が同時に実行される。同文献においては、ＥＳＩプローブから噴霧した試料を針電極のコロナ放電によってイオン化する。ＥＳＩプローブは、キャピラリー自体を加熱しすぎると試料が突沸する可能性があるので、キャピラリーをあまり加熱しない構造になっている。これに対してＡＰＣＩプローブは一般に、キャピラリー先端を積極的に加熱する必要がある。したがって同文献のように、ＥＳＩプローブをＡＰＣＩイオン化においても共用すると、ＡＰＣＩイオン化工程において加熱による気化が不十分となり、感度が低下する可能性がある。
【０００８】
特許文献２においても特許文献１と同様にＥＳＩプローブをＡＰＣＩイオン化においても共用している。ただし同文献においては、ＥＳＩプローブの噴霧領域を加熱する手段を設けており、これによりＡＰＣＩ感度を向上させることを図っている。他方でＥＳＩプローブとＡＰＣＩプローブとの間で電界が相互干渉することにより、ＥＳＩイオン化時の電界が乱れ、ＥＳＩ感度が低下する可能性がある。同様の課題は特許文献１においても存在している。
【０００９】
このように、ＥＳＩ法とＡＰＣＩ法の両方を実施することができるイオン源が提案されてはいるものの、これら従来の手法は、各イオン化方式それぞれにおいて低いイオン強度しか得ることができない可能性がある。したがって従来は、高い感度を必要とする分析用途においては、単独のイオン化方式を用いるイオン源を使用するのが一般的である。
【００１０】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、複数のイオン化方式を実施することができるとともに、高いイオン強度を得ることができるイオン源を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るイオン源は、第１プローブに対して試料溶液と電圧を供給する第１モードと、第２プローブに対して試料溶液と電圧を供給する第２モードとを有する。前記第１モードと前記第２モードとの間では、前記第１プローブと前記第２プローブそれぞれに対して供給する試料溶液の流量と電圧が互いに異なる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るイオン源によれば、第１プローブと第２プローブそれぞれに対して供給する電圧を第１モードと第２モードとの間で切り替えることにより、プローブ先端における電界干渉を抑制して、高いイオン強度を得ることができる。さらに試料溶液の流量を切り替えることにより、試料溶液の消費量を抑えつつ、不使用中のプローブにおいて試料溶液が詰まるなどの不具合を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１に係るマルチイオン源１の構成図である。
【図２】第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＥＳＩプローブとして構成されている例である。
【図３】第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブとして構成されている例である。
【図４】マルチイオン源１の動作手順を説明するタイムチャートである。
【図５】実施形態２に係るマルチイオン源１の構成図である。
【図６】第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＥＳＩプローブとして構成されている例である。
【図７】第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブとして構成されている例である。
【図８】マルチイオン源１の動作手順を説明するタイムチャートである。
【図９】実施形態３に係るマルチイオン源１の構成図である。
【図１０】第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＥＳＩプローブとして構成されている例である。
【図１１】第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブとして構成されている例である。
【図１２】マルチイオン源１の動作手順を説明するタイムチャートである。
【図１３】第１イオン源プローブ３に対して供給する噴霧ガス流量と、第２イオン源プローブ４によるイオン強度との間の関係を示すグラフである。
【図１４】実施形態４において第１溶液５と第１溶液流量制御部７（または第２溶液６と第２溶液流量制御部８）に代えて用いる構成を説明する図である。
【図１５】液体クロマトグラフィ（ＬＣ）の動作シーケンスである。
【図１６】ＡＰＣＩプローブに対して供給される試料物質のピークと、ＥＳＩプローブにおける噴霧ガス流量との間の関係を説明する図である。
【図１７】実施形態５に係るマルチイオン源１の動作を説明するタイムチャートである。
【図１８】マルチイオン源１を用いる分析装置１００の概略構成図である。分析装置１００は、複数の検体試料４１を連続して分析する装置である。
【図１９】制御部１０がプローブに対して供給する試料溶液量を決定する手順を説明するフローチャートである。
【図２０】第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩイオン源である場合の構成例である。
【図２１】図２０のＸＺ断面図である。
【図２２】第１イオン源プローブ３がＥＳＩイオン源である場合における、ＥＳＩモードのイオン強度と針電極２１の電圧との間の関係を例示するグラフである。
【図２３】実施形態８に係るマルチイオン源１の構成図である。
【図２４】図１０のＥＳＩプローブにおいて、ＥＳＩイオン化を実施している間にガス供給をＯＮ／ＯＦＦしたときのヒートブロック２９の温度変化を示す図である。
【図２５】実施形態９に係るマルチイオン源１が備えるヒートブロック２９の構成例である。
【図２６】ガス切替部５３がガスを供給する流路を切り替える動作を説明するタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施形態１に係るマルチイオン源１の構成図である。マルチイオン源１は、イオン源チャンバ２、第１イオン源プローブ３、第２イオン源プローブ４を備える。イオン源チャンバ２に第１イオン源プローブ３と第２イオン源プローブ４が装着される。第１イオン源プローブ３および第２イオン源プローブ４としては、ＥＳＩ方式、ＡＰＣＩ方式、大気圧光方式（ＡＰＰＩ）、ソニックスプレー方式（ＳＳＩ）など、様々な方式のイオン化プローブを用いることができる。
【００１５】
マルチイオン源１はさらに、第１溶液５の流量を制御する第１溶液流量制御部７、第２溶液６の流量を制御する第２溶液流量制御部８、溶液流路切替部９を備える。溶液流路切替部９は、各プローブに対して供給する試料溶液を切り替える。例えば第１イオン源プローブ３に第１溶液５が流れる時は第２イオン源プローブ４には第２溶液６が流れ、第１イオン源プローブ３に第２溶液６が流れる時は第２イオン源プローブ４には第１溶液５が流れるように、溶液供給を制御することができる。つまり、どちらのイオン源プローブにも常にどちらかの溶液が流れるように制御することができる。例えば、第１溶液５および第２溶液６のどちらか一方が分析対象成分を含んだ試料溶液であり、他方が洗浄用の溶液、などの組み合わせを使用することができる。
【００１６】
制御部１０は、各流量制御部と溶液流路切替部９を制御することにより、各溶液の流量や切替タイミングを制御する。制御部１０はさらに、各プローブに対して電圧を印加する電源１２、２０を備える。
【００１７】
図１では説明の便宜上、図示した通りにＸＹＺ軸を定義した。第１イオン源プローブ３の長手方向をＺ軸、第２イオン源プローブ４の長手方向をＹ軸、ＹＺ軸の両方に直交する方向をＸ軸とした。イオン源プローブによってイオン化したイオンは、Ｘ軸の延長方向に進行し、例えば、質量分析計などの検出器によって検出／分析される。
【００１８】
図２は、第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＥＳＩプローブとして構成されている例である。ＥＳＩイオン源においては、キャピラリー１１に試料溶液を導入し、電源１２からキャピラリー１１に対して高電圧を印加しつつ、キャピラリー１１の下流端１３からイオンを噴霧する。キャピラリー１１に印加する高電圧の値は、数ｋＶ程度（絶対値）が一般的である。正イオンを生成する場合、キャピラリー１１には、＋数ｋＶの電圧が印加される。負イオンを生成する場合、キャピラリー１１には、−数ｋＶの電圧が印加される。一般に、キャピラリー１１の内径は１ｍｍ以下に設定される。キャピラリー１１の内径に依存するが、一般には、試料溶液の流量は、ｎＬ／分オーダーからｍＬ／分オーダー程度の範囲に設定される。配管１４の上流から矢印１５の向きで導入した試料溶液が、コネクタ１６を経由してキャピラリー１１へ導入される。
【００１９】
図３は、第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブとして構成されている例である。ＡＰＣＩイオン源に対して試料溶液を導入する方法はＥＳＩ法と同様であるが、キャピラリー１１には高電圧を印加しない。キャピラリー１１の下流端１３から出た試料溶液は、加熱管１７によって気化され、加熱管１７の下流端１８からガス状になって噴霧される。加熱管１７はヒータ１９を有し、試料溶液を最大８００度程度の高温に加熱することができる。電源２０から針電極２１に対して高電圧を印加して生成するコロナ放電により一次イオンを生成する。一次イオンと試料分子の間で電荷の移動が生じることにより、試料分子がイオン化される。針電極２１に対して印加する高電圧の値は、数ｋＶ程度（絶対値）が一般的である。正イオンを生成する場合、針電極２１には、＋数ｋＶの電圧が印加される。負イオンを生成する場合、針電極２１には、−数ｋＶの電圧が印加される。
【００２０】
このように複数のプローブが存在するマルチイオン源においては、各イオン源でイオン化を実施するタイミングに合わせて、試料溶液の流路を切り替えることにより試料溶液を供給するプローブを切替える必要がある。また各イオン源における電界が相互干渉することによる感度低下を抑制するためには、後述するように各イオン源に対して供給する電圧を切り替える必要があると考えられる。
【００２１】
図４は、マルチイオン源１の動作手順を説明するタイムチャートである。ここでは第１イオン源プローブ３がＥＳＩイオン源として構成されており、第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩイオン源として構成されているものとする。第１溶液流量制御部７、第２溶液流量制御部８、および制御部１０は、図４に示すモード１とモード２を切り替えながら動作する。
【００２２】
モード１においては、第１イオン源プローブ３がＥＳＩ方式によって試料溶液をイオン化し、モード２においては、第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩ方式によって試料溶液をイオン化する。使用していないモード側はイオンを生成しないので、試料溶液を流す必要はない。しかし、キャピラリー１１に溶液を流さないと、下流端１３が乾燥する。標準試料などの比較的夾雑物などが少ない溶液の場合は乾燥による影響も少ないが、例えば生体試料のように塩や脂質などの夾雑物を多く含む試料の場合、乾燥により夾雑物が析出し、下流端１３が詰まる恐れがある。この問題を防ぐために、使用していないモード側のプローブにも洗浄液などの溶液を流す必要がある。そこでいずれのモードにおいても、キャピラリー１１内に試料溶液を流すこととした。
【００２３】
イオン化動作時と同量の溶液をイオン化不実施時にも流すと、イオン化動作を実施している側に対して悪影響を及ぼす可能性がある。そこで第１溶液流量制御部７と第２溶液流量制御部８は、試料溶液の流量を以下のように制御する：モード１（ＥＳＩイオン化）の時、第１イオン源プローブ３にはＥＳＩイオン化に最適な流量Ａを流し、第２イオン源プローブ４にはＥＳＩイオン化への影響が少ない流量Ｄを流す。モード２（ＡＰＣＩイオン化）の時、第２イオン源プローブ４にはＡＰＣＩイオン化に最適な流量Ｃを流し、第１イオン源プローブ３にはＡＰＣＩイオン化への影響が少ない流量Ｂを流す。
【００２４】
電源１２と２０が供給する電圧についても同様にモード間で切り替える。モード１の時は、キャピラリー１１に対してＥＳＩイオン化に最適な電圧Ａを供給し、針電極２１に対してＥＳＩイオン化への影響が少ない電圧Ｄを供給する。モード２の時は、針電極２１に対してＡＰＣＩイオン化に最適な電圧Ｃを供給し、キャピラリー１１に対してＡＰＣＩイオン化への影響が少ない電圧Ｂを供給する。
【００２５】
＜実施の形態１：まとめ＞
本実施形態１に係るマルチイオン源１は、モード１においては第１イオン源プローブ３に対して流量Ａの試料溶液と電圧Ａを提供するとともに第２イオン源プローブ４に対して流量Ｄの試料溶液と電圧Ｄを提供し、モード２においては第１イオン源プローブ３に対して流量Ｂの試料溶液と電圧Ｂを提供するとともに第２イオン源プローブ４に対して流量Ｃの試料溶液と電圧Ｃを提供する。これにより、イオン化動作を実施している側のプローブにおけるイオン化感度が他方側からの電界干渉により低下することを抑制するとともに、イオン化動作を実施していない側のプローブにおけるキャピラリー１１の詰まりを防止することができる。したがって、幅広い試料に対応可能なマルチイオン源が高感度かつ高ロバスト性で実現できる。
【００２６】
以上の説明においては、第１イオン源プローブ３がＥＳＩプローブであり、第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブである例を説明したが、両プローブに関してはこれら方式のイオン源に限らない。両プローブが同一方式を用いるイオン源であってもよい。この場合は、一方を洗浄しながら一方でイオン化を実施するなどのように、高スループット化が可能となる。また、両プローブが同一方式を用いるとともに、イオン化を実施する流量条件が異なる構成であってもよい。具体的には、キャピラリーの内径が異なるなどの例がある。これにより、流量条件の異なるイオン化を同一イオン源で実施できる。以下の実施形態においても同様である。
【００２７】
図４で示した流量や電圧に関しては、同一モード（イオン化法）間で異なる値に設定してもよい。例えば、一回目のモード１と二回目のモード１との間で、対象とする成分が異なる場合、流量や電圧の最適条件が互いに異なることもあるので、そのような手法が有効である。以下の実施形態においても同様である。
【００２８】
＜実施の形態２＞
図５は、本発明の実施形態２に係るマルチイオン源１の構成図である。本実施形態２に係るマルチイオン源１は、各イオン化プローブに対して噴霧ガスを供給する。マルチイオン源１は、ガス源２２、第１ガス流量制御部２３、第２ガス流量制御部２４を備える。その他構成は実施形態１と同様であるので、以下では主に差異点について説明する。
【００２９】
ガス源２２から供給されるガスは、第１ガス流量制御部２３と第２ガス流量制御部２４へ分岐される。各流量制御部はガスの流量を後述する手順にしたがって制御し、制御された流量のガスが第１イオン源プローブ３と第２イオン源プローブ４に導入される。ガス源２２から供給するガスとしては一般に、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが使用される。図５は両プローブに対して同一ガスを供給する例を示しているが、両プローブに対して互いに異なるガスを供給する場合は、ガスの流路系も溶液の流路系（５〜９）と同様な構成にすればよい。
【００３０】
図６は、第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＥＳＩプローブとして構成されている例である。図６において、キャピラリー１１と同心円状に噴霧管２５が配置されている。ポート２６を介して噴霧管２５に対して矢印２７のようにガスが導入される。導入されたガスは、キャピラリー１１の外径と、噴霧管２５の下流端２８の内径との間の隙間から噴霧される（噴霧ガス）。このガスにより、キャピラリー１１の下流端１３から噴霧された試料溶液の気化を促進し、イオン化効率が向上する。つまり感度が向上する。
【００３１】
図７は、第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブとして構成されている例である。図７においてもキャピラリー１１と同心円状に噴霧管２５が配置されており、噴霧ガスの流れによって試料溶液を針電極２１に対して効率よく向かわせることができる。これにより試料溶液の気化を促進し感度が向上する。
【００３２】
図８は、マルチイオン源１の動作手順を説明するタイムチャートである。溶液流量制御と電圧制御については図４と同様なので説明を割愛する。第１ガス流量制御部２３と第２ガス流量制御部２４は、噴霧ガスの流量を以下のように制御する：モード１の時は第１イオン源プローブ３にはＥＳＩイオン化に最適な流量Ｅを供給し、第２イオン源プローブ４にはＥＳＩイオン化への影響が少ない流量Ｈを供給する。モード２の時は第２イオン源プローブ４にはＡＰＣＩイオン化に最適な流量Ｇを供給し、第１イオン源プローブ３にはＡＰＣＩイオン化への影響が少ない流量Ｆを供給する。
【００３３】
図４で示したように、イオン化動作を実施していない側のプローブに試料溶液を流し続けた場合、流量によっては液垂れなどが起きる。したがって本実施形態２のように、イオン化動作を実施していない側のプローブにも噴霧ガスを流して試料溶液を気化することは有効である。
【００３４】
＜実施の形態３＞
図９は、本発明の実施形態３に係るマルチイオン源１の構成図である。本実施形態３に係るマルチイオン源１は、第１イオン源プローブ３に対して２系統のガスを供給するとともに、第２イオン源プローブ４に対して２系統のガスを供給する。本実施形態３においてガス源２２から供給されるガスは４分岐される。第１ガス流量制御部２３は２３−ａと２３−ｂの２つに分かれて構成され、第２ガス流量制御部２４は２４−ｃと２４−ｄの２つに分かれて構成されている。その他構成は実施形態２と同様であるので、以下では主に差異点について説明する。
【００３５】
図１０は、第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＥＳＩプローブとして構成されている例である。図１０において、キャピラリー１１の外側にヒートブロック２９が配置されている。ヒートブロック２９はヒータ３０を有し、ヒートブロック２９内を流れる加熱ガスを最大８００度程度の高温に加熱することができる。ポート３１を介してヒートブロック２９に対して矢印３２のように加熱ガスが導入される。導入された加熱ガスはヒートブロック２９の下流端３３から噴霧される。この加熱ガスにより、キャピラリー１１の下流端１３から噴霧された試料溶液の気化をさらに促進し、イオン化効率が更に向上する。つまり感度が更に向上する。
【００３６】
図１１は、第１イオン源プローブ３または第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブとして構成されている例である。図１１において、ポート３１から矢印３２のように補助ガスが導入される。加熱管１７の内側に補助ガスを流すことにより、加熱管１７の内部のガス流が安定化し、これにより感度が向上する。
【００３７】
図１２は、マルチイオン源１の動作手順を説明するタイムチャートである。溶液流量制御と電圧制御については図８と同様なので説明を割愛する。第１ガス流量制御部２３−ａと第２ガス流量制御部２４−ｃは、図８で説明したように噴霧ガスの流量ａ、ｃをそれぞれ制御する。第１ガス流量制御部２３−ｂは第１イオン源プローブ３に対して供給する加熱ガス流量ｂを制御し、第２ガス流量制御部２４−ｄは第２イオン源プローブ４に対して供給する補助ガス流量ｄを制御する。モード１の時は第１イオン源プローブ３にはＥＳＩイオン化に最適な流量Ｉの加熱ガスを供給し、第２イオン源プローブ４にはＥＳＩイオン化への影響が少ない流量Ｌの補助ガスを供給する。モード２の時は第２イオン源プローブ４にはＡＰＣＩイオン化に最適な流量Ｋの補助ガスを供給し、第１イオン源プローブ３にはＡＰＣＩイオン化への影響が少ない流量Ｊの加熱ガスを供給する。
【００３８】
図１３は、第１イオン源プローブ３に対して供給する噴霧ガス流量と、第２イオン源プローブ４によるイオン強度との間の関係を示すグラフである。ここでは図６などで示した噴霧ガスを用いたＥＳＩイオン源を第１イオン源プローブ３として用い、図３などで示したＡＰＣＩイオン源を第２イオン源プローブ４として用いた。
【００３９】
図１３から、噴霧ガス流量が０の時が感度最大で、噴霧ガス流量の増加にしたがって感度が低下していく傾向を読み取ることができる。ＡＰＣＩ感度低下の原因は、第１イオン源プローブ３の噴霧ガスにより、ＡＰＣＩイオンが生成するエリアに存在する試料分子を希釈していることが理由であると考えられる。通常、ＥＳＩの噴霧ガスは０．５〜１０Ｌ／ｍｉｎ程度流すのが一般的であるので、ＡＰＣＩモード時においてＥＳＩイオン源に対してＥＳＩ法のために最適な噴霧ガス流量を流すと、ＡＰＣＩイオン感度が大幅に低下する。したがって図８などに示したような、モード間での流量切り替えが必須となる。図１３の結果を例とした場合、例えば、ＡＰＣＩモードにおいて最大感度の８割程度の感度を得たければ、第１イオン源プローブ３の噴霧ガスを０．３Ｌ／ｍｉｎ程度に抑える必要があるといえる。
【００４０】
＜実施の形態４＞
図１３に示した結果によれば、ＡＰＣＩモード（モード２）における感度を最大限に維持したい場合は、ＥＳＩプローブにおける噴霧ガス流量を０にする必要がある。他方でモード２を実施中の全期間においてＥＳＩプローブにおける噴霧ガス流量を０にすると、実施形態２で説明したように液垂れなどが生じる可能性がある。そこで本発明の実施形態４では、ＡＰＣＩモードにおいてＡＰＣＩプローブに対して試料溶液をパルス状に供給するとともに、そのパルスピーク近傍においてのみＥＳＩプローブにおける噴霧ガス流量を０にする構成例を説明する。マルチイオン源１のその他構成は実施形態２〜３と同様であるので、以下では差異点について主に説明する。
【００４１】
図１４は、本実施形態４において第１溶液５と第１溶液流量制御部７（または第２溶液６と第２溶液流量制御部８）に代えて用いる構成を説明する図である。試料注入部３９に対して試料が注入される。移動相３４と３５は、ポンプ３６と３７によって各々送液されてミキサー３８により混合される。移動相３４と３５の流れによって試料が分離カラム４０に対して送られる。ミキサー３８における混合比は、ポンプ３６と３７の流量比によって調節される。移動相３４と３５としては、例えば一方が水、もう一方がメタノールやアセトニトリルなどの有機溶媒を使用することが多い。
【００４２】
図１５は、液体クロマトグラフィ（ＬＣ）の動作シーケンスである。図１４に示す構成により、液体クロマトグラフィを実施することができる。移動相３４と３５として使用する水や有機溶媒などで分離カラム４０を洗浄・平衡化した後、分離カラム４０に対して試料を注入する。移動相３４、３５、またはこれら双方を混合した溶液により、分離カラム４０から試料成分を溶出する。溶出の際、移動相３４と３５の混合比を時間的に変化させていくことにより、図１５のように溶出する試料物質のピークをそれぞれ異なる時刻において得ることができる（ＬＣ分離）。図１４の構成の下流に図１のようなマルチイオン源１を配置することにより、モード２においてＡＰＣＩプローブに対して試料物質をパルス状に供給することができる。
【００４３】
図１６は、ＡＰＣＩプローブに対して供給される試料物質のピークと、ＥＳＩプローブにおける噴霧ガス流量との間の関係を説明する図である。分離カラム４０の種類、移動相３４と３５の混合比、配管類の長さなどから、試料成分に対応したＬＣピークのタイミング（保持時間）を一義的に定義できる。つまり、分析対象成分ごとに、イオン化されるタイミングを特定することができる。したがってモード２において、ＡＰＣＩプローブに対して供給される試料物質がピークになる近傍において、ＥＳＩプローブにおける噴霧ガス流量を０にし、モード２におけるそれ以外の期間においてはＥＳＩプローブに噴霧ガスを流し続ける。
【００４４】
図１３の結果を例にすると、第２イオン源プローブ４におけるＡＰＣＩイオン生成（ＬＣピーク）に合わせて第１イオン源プローブ３（ＥＳＩ）における噴霧ガスを０（または低流量）に切り替える。これにより、ＡＰＣＩイオンの感度低下を防ぐことができる。同時にイオン化動作を実施していない側における試料溶液の流量を切り替えてもよい。噴霧ガス以外のガス流量に関しても同様の制御を実施してもよい。
【００４５】
第１溶液５と第１溶液流量制御部７を図１４の構成によって置き換えるとともに、第２溶液６と第２溶液流量制御部８を図１４の構成によって置き換えてもよい。これら両方を置き換える場合、分離カラム４０は溶液流路切替部９の下流に設置してもよい。これら両方を置き換えることにより、いずれのモードにおいてもイオン感度低下を防ぐことができる。
【００４６】
本実施形態４においては、液体クロマトグラフィの構成により、プローブに対して試料溶液をパルス状に供給することを説明した。同様の動作を実現できればその他構成を用いてもよい。例えばインジェクション機構を用いて試料溶液を供給することにより、試料溶液をプローブに対してパルス状に供給してもよい。すなわち、プローブに対して試料溶液を供給するタイミングを調整できればよい。
【００４７】
＜実施の形態５＞
図１７は、本発明の実施形態５に係るマルチイオン源１の動作を説明するタイムチャートである。本実施形態５においては、イオン化動作を実施していない側のイオン化プローブに対して試料溶液を供給することにより洗浄した後、溶液流量を０（または低流量）に切り替える。マルチイオン源１の構成は実施形態１〜４と同様である。
【００４８】
本実施形態５においては、イオン化動作を実施していない側の試料溶液を、イオン化動作を実施している側に対して影響を与えない流量で流した後、０（または低流量）に切り替える。すなわち試料溶液の流量を０に向かって漸変させる。実施形態１で説明したように、夾雑物による詰まりなどを抑制するためには、不使用側のプローブに対してある程度の時間試料溶液を供給することにより洗浄することが望ましい。他方で十分に洗浄完了した後は、試料溶液の流量を０（または低流量）に切り替えても支障ないと考えられる。そこで図１７において、イオン化動作を実施していない側の試料溶液は、流量を即座に０にするのではなく、０に向かって次第に変化させることにした。次第に変化させるのであれば同様の効果を発揮できるので、必ずしも流量をステップ状に切り替える必要はない。同様の切り替えを、各種ガスについて実施してもよい。
【００４９】
図１７においては、不使用側から使用側へ移行するタイミングで流量を使用状態に復帰させているが（第１イオン源プローブ３のＯＦＦから流量Ａに遷移する箇所、または、第２イオン源プローブ４のＯＦＦから流量Ｃに遷移する箇所）、タイミングをずらして流量を復帰させてもよい。例えばモード２からモード１へ移行するよりも少し早めに、第１イオン源プローブ３の試料溶液を復帰させてもよい。
【００５０】
本実施形態５によれば、イオン化動作を実施していない側のプローブを洗浄することにより、試料溶液の詰まりなどを抑制するとともに、イオン化動作を実施していない側のプローブに試料溶液やガスを流し続けることによる余分な消費を抑制することができる。
【００５１】
＜実施の形態６＞
マルチイオン源１を用いる分析装置は、複数の検体を連続して検査する場合がある。このときの分析手順によっては、同じイオン化プローブを連続して用いる場合もある。例えばＥＳＩプローブを用いて試料をイオン化する検体を９個連続して検査し、その次にＡＰＣＩプローブを用いて試料をイオン化する検体を１個検査する、などのパターンが考えられる。この分析手順において、実施形態１〜５で説明したように、ＥＳＩプローブを用いている間にＡＰＣＩプローブを洗浄し続けると、試料溶液を過剰に消費してしまう。そこで本発明の実施形態６では、イオン化動作を実施していない側のプローブを洗浄するために用いる試料溶液量を抑制する手順を説明する。マルチイオン源１の構成は実施形態１〜５と同様である。
【００５２】
図１８は、マルチイオン源１を用いる分析装置１００の概略構成図である。分析装置１００は、複数の検体試料４１を連続して分析する装置である。検体試料４１の容器にはバーコードラベル４２が貼付されている。認識手段４３（例えばバーコードリーダ）は、バーコードラベル４２が記述している情報（検体種類、測定条件など）を読み取ることができる。制御部１０は、認識手段４３が読み取ったデータにしたがって、使用するイオン化プローブを選定し、試料溶液・ガスの流量や電圧などを設定する。分注装置４４は、検体試料４１を吸引した後、矢印４５のように移動させ、試料注入部３９に対して吐出する。
【００５３】
認識手段４３を複数配置するか、または矢印４６のように検体試料４１もしくは認識手段４３を移動させることにより、分析前の複数の検体試料４１のバーコードラベル４２を読み取ることができる。これにより制御部１０は、これから実施する分析手順をあらかじめ把握することができる。すなわち制御部１０は、同じプローブを連続して使用する回数をあらかじめ把握することができる。制御部１０は以下に説明する手順により、イオン化動作を実施しない側のプローブ洗浄のために用いる試料溶液を節約する。
【００５４】
図１９は、制御部１０がプローブに対して供給する試料溶液量を決定する手順を説明するフローチャートである。第１イオン源プローブ３がＥＳＩプローブであり、第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩプローブであるものとする。以下図１９の各ステップについて説明する。
【００５５】
（図１９：ステップＳ１９０１）
制御部１０は、バーコードラベル４２の記述にしたがって、ＥＳＩプローブを連続して用いる回数を取得する。ＥＳＩプローブを連続して用いる回数がｎ回以上である場合はステップＳ１９０４へ進み、ｎ回未満であればステップＳ１９０２へ進む。ｎの数値は試料溶液を節約したい程度に応じて適宜定めておく。
【００５６】
（図１９：ステップＳ１９０２〜Ｓ１９０３）
制御部１０は、第１イオン源プローブ３を用いてＥＳＩ分析を実施するとともに、第２イオン源プローブ４に対して試料溶液を流すことにより洗浄する（Ｓ１９０２）。ＥＳＩ分析を実施する全ての検体試料４１に対してＥＳＩ分析を完了した場合はステップＳ１９０９へ進み、完了していない場合はステップＳ１９０２を繰り返す（Ｓ１９０３）。
【００５７】
（図１９：ステップＳ１９０４〜Ｓ１９０５）
制御部１０は、第２イオン源プローブ４に対して供給する試料溶液を停止する（Ｓ１９０４）。洗浄を実施した後に停止してもよい。制御部１０は、第１イオン源プローブ３を用いてＥＳＩ分析を実施する（Ｓ１９０５）。
【００５８】
（図１９：ステップＳ１９０６〜Ｓ１９０７）
制御部１０は、現在実施しているＥＳＩ分析がｎ−１回目であるか否かを判定する（Ｓ１９０６）。ｎ−１回目である場合、制御部１０は、第２イオン源プローブ４に対して試料溶液を流すことにより、ＡＰＣＩ分析を開始する前に第２イオン源プローブ４を洗浄する（Ｓ１９０７）。
【００５９】
（図１９：ステップＳ１９０６〜Ｓ１９０７：補足）
第２イオン源プローブ４を複数回洗浄する必要がある場合は、例えばステップＳ１９０６における判定基準をｎ−２回などに変更してもよい。すなわちＥＳＩ分析を実施している間の一部においてＡＰＣＩプローブを洗浄し、残部において洗浄を停止すればよい。
【００６０】
（図１９：ステップＳ１９０８〜Ｓ１９０９）
制御部１０は、現在実施しているＥＳＩ分析がｎ回目であるか否かを判定する（Ｓ１９０８）。ｎ回目である場合、制御部１０は第１イオン源プローブ３に対して試料溶液を流すことにより洗浄してＥＳＩ分析を終了するとともに、第２イオン源プローブ４を用いてＡＰＣＩ分析を実施する。
【００６１】
以上説明した手順により、ＥＳＩ分析を連続して実施する場合において、ＡＰＣＩプローブを洗浄するために用いる試料溶液量を節約することができる。ここではＥＳＩプローブを所定回数以上連続して用いるか否かによりＡＰＣＩ洗浄の回数を調整する手順を説明したが、ＡＰＣＩプローブを連続して用いる場合においてもプローブを入れ替えて同様の手順を用いることができる。その他プローブを用いる場合も同様である。さらにガス流量についても同様の手順を実施することができる。
【００６２】
＜実施の形態７＞
ＡＰＣＩプローブは、実施形態１で説明したように、キャピラリー１１の先端から噴霧される試料溶液に対して放電する針電極２１を備える。ＥＳＩ分析を実施する際に印加する電圧により、ＥＳＩプローブと針電極２１との間（または後述する入口電極４７と針電極２１との間）において電界が生じ、その電界がＥＳＩ分析に対して悪影響を与える場合がある。本発明の実施形態７では、そのような悪影響を抑制する手順を説明する。
【００６３】
図２０は、第２イオン源プローブ４がＡＰＣＩイオン源である場合の構成例である。図２０に示す構成は実施形態１で説明したものと同じだが、説明の便宜上、針電極２１の配置を模式的に図示した。
【００６４】
図２１は、図２０のＸＺ断面図である。図２１において、Ｚ方向に第１イオン源プローブ３が延伸し、Ｙ方向に第２イオン源プローブ４が延伸し、Ｘ方向に向かった先に質量分析計などの検出器が配置されている。検出器が質量分析計である場合、生成したイオンは真空中に導入されるのが一般的である。例えば入口電極４７の穴４８からイオンを導入する。真空を維持するため、入口電極４７の穴４８は内径１ｍｍ以下程度にするのが一般的である。イオン源チャンバ２の内部は試料溶液が噴霧されるので、図２１のようにカバー４９などで覆われている場合が多い。カバー４９を耐熱ガラスなどの透明な素材で構成することにより、イオン源チャンバ２の内部を観察することができる。
【００６５】
図２２は、第１イオン源プローブ３がＥＳＩイオン源である場合における、ＥＳＩモードのイオン強度と針電極２１の電圧との間の関係を例示するグラフである。図２２に示すように、０．１ｋＶ以上の電圧を針電極２１に印加しないと大幅な感度低下が起きる。この原因は以下のように考えられる。
【００６６】
ＥＳＩイオン化は、キャピラリー１１と入口電極４７との間の電界によって生じる。入口電極４７に対して印加される電圧は、数十〜数百Ｖ程度である。このとき針電極２１が０Ｖであると、電位差や先端形状などにより、キャピラリー１１と針電極２１との間の電界が相対的に強くなり、その電界の影響により、入口電極４７の方向に向かって噴霧されるイオン量が極端に低下すると考えられる。これが感度低下の原因となる。そこでＥＳＩ分析を実施している間において針電極２１に対してキャピラリー１１と同じ極性の電圧を印加することにより、針電極２１とキャピラリー１１との間で反発する電界を生じさせ、これによりイオン流が針電極２１へ向かわないようにすることができる。したがって図４で示した電圧Ｂは、少なくとも０ではなく、例えば０．１ｋＶ以上程度に設定することが望ましい。
【００６７】
＜実施の形態８＞
図２３は、本発明の実施形態８に係るマルチイオン源１の構成図である。本実施形態８に係るマルチイオン源１は、実施形態１〜７で説明した構成に加えて、第３イオン源プローブ５０を備える。イオン源の種類によっては、洗浄溶液により洗浄効率が異なる場合があるので、その場合はさらに第３溶液５１と第３溶液流量制御部５２を備え、第３イオン源プローブ５０に対して異なる洗浄液を流してもよい。あるいは第１溶液５と第２溶液６を切り替えることにより、イオン化動作を実施していない２つのプローブに対して同じ洗浄液を流してもよい。第３イオン源プローブ５０に対して電圧を印加する電源５８を備えてもよい。図５、図９などのようなガス供給も必要な場合は、第３イオン源プローブ５０にもガスを供給してもよい。
【００６８】
イオン源プローブの数は任意であり、４本以上のイオン源プローブを設けてもよい。各イオン源プローブに対する制御手順は実施形態１〜７と同様である。また、複数のイオン化プローブが同時にイオン化を実施することもできる。
【００６９】
＜実施の形態９＞
図２４は、図１０のＥＳＩプローブにおいて、ＥＳＩイオン化を実施している間にガス供給をＯＮ／ＯＦＦしたときのヒートブロック２９の温度変化を示す図である。ヒータ３０によって加熱されたヒートブロック２９の内部にガスを流すことによりバランスしていたヒートブロック２９の温度が、ガスをＯＦＦしたことにより瞬間的に上昇し、元の温度に復帰するまで３分程度要している。反対に、再度ガスをＯＮした場合は瞬間的に温度が低下し、やはり温度復帰まで３分程度要する。
【００７０】
以上の前提の下で図１２のような制御を実施する場合、モード間の切り替え時において温度が不安定な時間が数分程度生じることになる。切替時の流量差が大きいほど、不安定状態は顕著になる。温度のバラつきは感度のバラつきにつながるので、極力抑えることが望ましい。各種流体の流量切替タイミングとモード切替（分析開始）タイミングをずらすことにより（例えば、温度安定後に分析開始する）、感度バラつきの影響をある程度抑えられるが、他方で待ち時間によるスループットの低下が懸念される。そこで本発明の実施形態９では、ヒートブロック２９の温度を安定化させる構成例について説明する。
【００７１】
図２５は、本実施形態９に係るマルチイオン源１が備えるヒートブロック２９の構成例である。本実施形態９において、ヒートブロック２９は内部に２系統のガス流路を有している。図面を簡易化するため、ヒータ類は図示していない。ガス切替部５３は、いずれの流路に対してガスを供給するかを切り替える。
【００７２】
図２６は、ガス切替部５３がガスを供給する流路を切り替える動作を説明するタイムチャートである。ＥＳＩプローブを使用するときは、流路５４に対してガスを供給し、矢印５６が示す加熱ガスによってイオン化を促進する。ＥＳＩプローブを使用しないときは、ガス流量はそのままで流路５５に対してガスを供給し、矢印５７の方向（使用側のイオン源プローブがない方向）に向かってガス噴霧する。これにより、使用中のイオン源プローブに対して希釈などの影響を与えないようにすることができる。ガス流量は変えず流路のみを切り替えるので、ヒートブロック２９の温度変化を抑えることができる。これにより図２４で説明したような温度不安定を抑制し、スループットを確保することができる。このような流路切替は、その他ガスや溶液に関しても有効である。
【００７３】
＜本発明の変形例について＞
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【００７４】
以上の実施形態においては、第１イオン源プローブ３がＺ方向に延伸し、第２イオン源プローブ４がＹ方向に延伸する例を説明したが、この配置は必須ではなく、例えば第１イオン源プローブ３と第２イオン源プローブ４が反対でもよい。さらには両者が直交する配置関係に限らず、その他角度の配置関係であってもよい。
【００７５】
実施形態６において、分析手順をバーコードラベル４２が記述する例を説明したが、その他のデータ記録手段を用いてもよい。例えばバーコードに代えてＲＦＩＤタグなどを用いることが考えられる。
【００７６】
制御部１０は、その一部又は全部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。あるいはプロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）等の記録装置、または、ＩＣカード、ＳＤカード等の記録媒体に置くことができる。
【符号の説明】
【００７７】
１…マルチイオン源
２…イオン源チャンバ
３…第１イオン源プローブ
４…第２イオン源プローブ
５…第１溶液
６…第２溶液
７…第１溶液流量制御部
８…第２溶液流量制御部
９…溶液流路切替部
１０…制御部
１１…キャピラリー
１２…電源
１３…下流端
１４…配管
１６…コネクタ
１７…加熱管
１８…下流端
１９…ヒータ
２０…電源
２１…針電極
２２…ガス源
２３…第１ガス流量制御部
２４…第２ガス流量制御部
２５…噴霧管
２６…ポート
２８…下流端
２９…ヒートブロック
３０…ヒータ
３１…ポート
３３…下流端
３４…移動相
３５…移動相
３６…ポンプ
３７…ポンプ
３８…ミキサー
３９…試料注入部
４０…分離カラム
４１…検体試料
４２…バーコードラベル
４３…認識手段
４４…分注装置
４７…入口電極
４８…穴
４９…カバー
５０…第３イオン源プローブ
５１…第３溶液
５２…第３溶液流量制御部
５３…ガス切替部
５４…流路
５５…流路
５８…電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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