(57)【要約】【課題】レジストヒーティング補正の補正データを出力する。【解決手段】本実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置は、描画位置及び該描画位置における照射量を含む描画データを一時的に格納する記憶部と、基板の描画領域を複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく該温度計算領域の基板温度を算出して前記照射量を変調する照射量変調部と、変調された照射量を含む描画データを用いて基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う描画部と、指定されたレイアウト上の座標を、前記描画部による描画位置に変換する座標変換部と、前記座標変換部により変換された描画位置にそれぞれ対応する、照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出する描画情報抽出部と、前記指定された座標に対応する前記描画情報を出力する温度情報出力部と、を備える。【選択図】図１
2019201071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画位置及び該描画位置における照射量を含む描画データを一時的に格納する記憶部と、
基板の描画領域を複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく該温度計算領域の基板温度を算出し、該基板温度に基づいて前記照射量を変調する照射量変調部と、
変調された照射量を含む描画データを用いて基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う描画部と、
指定されたレイアウト上の座標を、前記描画部による描画位置に変換する座標変換部と、
前記座標変換部により変換された描画位置にそれぞれ対応する、照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出する描画情報抽出部と、
前記指定された座標に対応する前記描画情報を出力する温度情報出力部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記指定されたレイアウト上の座標が、複数の描画位置を含む場合、前記描画情報抽出部は、前記複数の描画位置にそれぞれ対応する照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出し、
前記温度情報出力部は、抽出された描画情報の値の平均値を出力することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記描画データはショットデータであり、前記荷電粒子ビームはシングルビームである請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記描画データはピクセルデータであり、前記荷電粒子ビームはマルチビームである請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画位置及び該描画位置における照射量を含む描画データを記憶部に格納する工程と、
基板の描画領域を複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく該温度計算領域の基板温度を算出し、該基板温度に基づいて前記照射量を変調する工程と、
変調された照射量を含む描画データを用いて基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画処理を行う工程と、
指定されたレイアウト上の座標を、前記描画処理における描画位置に変換する工程、
前記変換された描画位置にそれぞれ対応する、照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出する工程と、
前記指定された座標に対応する前記描画情報を出力する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
光リソグラフィ技術の進展や、ＥＵＶによる短波長化に伴い、マスク描画に必要な電子ビームのショット数が増加している。一方で、微細化に必要な線幅精度を確保するために、レジストを低感度化し、照射量を上げることで、ショットノイズやパターンのエッジラフネスの低減を図っている。ショット数と照射量の増加に伴い、描画時間が増加している。そのため、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図ることが検討されている。
【０００４】
しかし、増加した照射エネルギー量を、より高密度な電子ビームで短時間に照射しようとすると、基板温度が上昇してレジスト感度が変化し、線幅精度が劣化する、いわゆるレジストヒーティングと呼ばれる現象が生じるという問題がある。そのため、レジストヒーティングによる寸法変動を抑制するための照射量変調を含むレジストヒーティング補正が実施されている。例えば、電子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく当該最小偏向領域の代表温度を算出し、代表温度を用いて照射量を変調する（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
レジストヒーティング補正は描画装置内で行われる処理であり、ユーザは、照射量がどの程度変調されたか等の補正データを確認できなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−６９６７５号公報
【特許文献２】特開２００８−２３３６８７号公報
【特許文献３】特開２０００−１５６３４２号公報
【特許文献４】特開２０１０−２１９３７１号公報
【特許文献５】特開２０１１−２２１５５５号公報
【特許文献６】特開２０１６−５８５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、レジストヒーティング補正の補正データを出力する荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、描画位置及び該描画位置における照射量を含む描画データを一時的に格納する記憶部と、基板の描画領域を複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく該温度計算領域の基板温度を算出し、該基板温度に基づいて前記照射量を変調する照射量変調部と、変調された照射量を含む描画データを用いて基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う描画部と、指定されたレイアウト上の座標を、前記描画部による描画位置に変換する座標変換部と、前記座標変換部により変換された描画位置にそれぞれ対応する、照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出する描画情報抽出部と、前記指定された座標に対応する前記描画情報を出力する温度情報出力部と、を備えるものである。
【０００９】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記指定されたレイアウト上の座標が、複数の描画位置を含む場合、前記描画情報抽出部は、前記複数の描画位置にそれぞれ対応する照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出し、前記温度情報出力部は、抽出された描画情報の値の平均値を出力する。
【００１０】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記描画データはショットデータであり、前記荷電粒子ビームはシングルビームである。
【００１１】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記描画データはピクセルデータであり、前記荷電粒子ビームはマルチビームである。
【００１２】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、描画位置及び該描画位置における照射量を含む描画データを記憶部に格納する工程と、基板の描画領域を複数の温度計算領域に分割し、温度計算領域毎に、描画順が前の温度計算領域からの伝熱に基づく該温度計算領域の基板温度を算出し、該基板温度に基づいて前記照射量を変調する工程と、変調された照射量を含む描画データを用いて基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画処理を行う工程と、指定されたレイアウト上の座標を、前記描画処理における描画位置に変換する工程、前記変換された描画位置にそれぞれ対応する、照射量の変調量及び前記基板温度を含む描画情報を抽出する工程と、前記指定された座標に対応する前記描画情報を出力する工程と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レジストヒーティング補正の補正データを出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る描画装置の概略図である。
【図２】偏向領域を説明する概念図である。
【図３】（ａ）は座標指定ファイルの例を示す図であり、（ｂ）はレイアウト上の指定された座標を示す図である。
【図４】（ａ）は座標指定ファイルの例を示す図であり、（ｂ）はレイアウト上の指定された範囲を示す図である。
【図５】同実施形態に係る描画方法を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１６】
図１は、実施の形態における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカ）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６が配置されている。
【００１７】
描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる基板１０１が配置される。基板１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２，１１４、偏向制御回路１２０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプ１３０，１３２，１３４，１３６、１３８（偏向アンプ）、及び記憶装置１４０を有している。
【００１９】
偏向制御回路１２０にはＤＡＣアンプ１３０，１３２，１３４，１３６，１３８が接続されている。ＤＡＣアンプ１３０は、ブランキング偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣアンプ１３２は、副偏向器２０９に接続されている。ＤＡＣアンプ１３４は、主偏向器２０８に接続されている。ＤＡＣアンプ１３６は、副副偏向器２１６に接続されている。ＤＡＣアンプ１３８は、成形偏向器２０５に接続されている。
【００２０】
制御計算機１１０は、ショットデータ生成部５０、照射量変調部５１、照射時間演算部５２、描画制御部５３、座標変換部５４、描画情報抽出部５５、及び温度情報出力部５６を備える。ショットデータ生成部５０、照射量変調部５１、照射時間演算部５２、描画制御部５３、座標変換部５４、及び描画情報抽出部５５の各機能は、ソフトウェアで構成されてもよいし、ハードウェアで構成されてもよい。
【００２１】
図２は、偏向領域を説明するための概念図である。図２において、基板１０１の描画領域１０は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。そして、主偏向器２０８の偏向可能幅で、ストライプ領域２０をｘ方向に分割した領域が主偏向器２０８の偏向領域（主偏向領域）となる。
【００２２】
この主偏向領域は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０に仮想分割される。そして、各ＳＦ３０は、副副偏向器２１６の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のアンダーサブフィールド（ここでは第３の偏向を意味するＴｅｒｔｉａｒｙ  Ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄの略語を用いて「ＴＦ」とする。以下、同じ）４０に仮想分割される。
【００２３】
各ＴＦ４０の各ショット位置４２にショット図形が描画される。このように、電子ビーム２００を偏向する３段の偏向器によって、各偏向領域は、それぞれ偏向される領域サイズの異なる大きい方から順に主偏向領域、ＳＦ３０、ＴＦ４０となる。
【００２４】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３０に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３０では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのブランキング制御が行われる。
【００２５】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３８に対して、成形偏向用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３８では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、偏向器２０５に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム２００が第２成形アパーチャ２０６の特定の位置に偏向され、所望の寸法及び形状の電子ビームが形成される。
【００２６】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３４に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器２０８に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）の基準位置Ａ（例えば、該当するＳＦの中心位置或いは左下の角位置等）に偏向される。また、ＸＹステージ１０５が連続移動しながら描画する場合には、かかる偏向電圧には、ステージ移動に追従するトラッキング用の偏向電圧も含まれる。
【００２７】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３２に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３２は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器２０９に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが最小偏向領域となるＴＦ４０の基準位置Ｂ（例えば、該当するＴＦの中心位置或いは左下の角位置等）に偏向される。
【００２８】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３６に対して、副副偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３６は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副副偏向器２１６に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがＴＦ４０内の各ショット位置４２に偏向される。
【００２９】
描画装置１００では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６といった３段偏向器が用いられる。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。
【００３０】
主偏向器２０８が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。また、副偏向器２０９が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、ＴＦ４０の基準位置Ｂに電子ビーム２００を順に偏向する。そして、副副偏向器２１６が、各ＴＦ４０の基準位置Ｂから、当該ＴＦ４０内に照射されるビームのショット位置４２に電子ビーム２００を偏向する。
【００３１】
このように、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６は、サイズの異なる偏向領域をもつ。ＴＦ４０は、複数段の偏向器の偏向領域のうち、最小偏向領域となる。
【００３２】
記憶装置１４０は、例えば磁気ディスク装置であり、基板１０１にパターンを描画するための描画データを記憶する。この描画データは、設計データ（レイアウトデータ）が描画装置１００用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から記憶装置１４０に入力されて保存されている。
【００３３】
ショットデータ生成部５０、照射量変調部５１、照射時間演算部５２、描画制御部５３、座標変換部５４、描画情報抽出部５５、及び温度情報出力部５６による処理を図５に示すフローチャートに沿って説明する。
【００３４】
上述のように、記憶装置１４０に描画データを格納する。さらに、後述するユーザが作成した座標指定ファイルを併せて格納する（ステップＳ１）。ショットデータ生成部５０が、記憶装置１４０に格納されている描画データに対して、複数段のデータ変換処理を行い、描画対象となる各図形パターンを１回のショットで照射可能なサイズのショット図形に分割し、描画装置固有のフォーマットとなるショットデータを生成する（ステップＳ２）。ショットデータには、ショット毎に設定された、例えば、各ショット図形の図形種を示す図形コード、図形サイズ、ショット位置、照射量等が含まれる。照射量は、これを電流密度で除した照射時間で表してもよい。生成されたショットデータはメモリ１１２に一時的に記憶される。なお、ショットデータ生成部５０は必ずしも制御計算機１１０内に設ける必要はなく、外部でショットデータを生成した後、メモリ１１２に記憶してもよい。
【００３５】
ショットデータ生成部５０は、ショットデータの生成にあたり、各種補正を行う。例えば、描画対象の基板１０１の撓み等によるショット位置の誤差を補正する処理を行う。
【００３６】
また、ショットデータ生成部５０は、近接効果、フォギング効果、ローディング効果といった、パターンの寸法変動を引き起こす要因を考慮して描画領域１０の各位置における電子ビームの照射量を算出し、算出した照射量を電流密度で割って照射時間を求める。
【００３７】
描画領域１０の各位置における電子ビームの照射量は、公知の方法を用いて算出することができる。例えば、特開２００７−１５０２４３号公報に記載の方法を用いることができる。この方法では、まず、描画領域を第１寸法でメッシュ状に分割した第１メッシュ領域におけるフォギング効果補正照射量を計算する。また、描画領域を第２寸法でメッシュ状に分割した第２メッシュ領域におけるローディング効果補正寸法値を計算する。そして、この補正寸法値に基づいて、第２メッシュ領域における電子ビームの基準照射量マップと近接効果補正係数マップを作成する。次いで、これらのマップを用いて、描画領域を第１寸法及び第２寸法よりも小さい第３寸法でメッシュ状に分割した第３メッシュ領域における近接効果補正照射量を計算する。そして、フォギング効果補正照射量と近接効果補正照射量とに基づいて、描画領域の各位置における電子ビーム照射量を計算する。
【００３８】
照射量変調部５１は、描画領域１０を所定サイズのメッシュ状の小領域（温度計算領域）に仮想分割する（ステップＳ３）。分割された小領域毎に、当該小領域よりも前に描画される他の小領域からの伝熱により生じる温度上昇量を算出する。小領域は、例えばＴＦ４０である。
【００３９】
照射量変調部５１は、各小領域について、当該小領域よりも前に描画される他の複数の小領域からの伝熱により生じる各温度上昇量を累積加算して、当該小領域の基板温度を算出する（ステップＳ４）。そして、照射量変調部５１は、各小領域について、算出した基板温度を用いて、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動が抑制されるように、照射量を変調する（ステップＳ５）。変調前の照射量は、上述した近接効果等による寸法変動を補正する照射量である。
【００４０】
照射時間演算部５２は、変調後の照射量を電流密度で割って、レジストヒーティング補正後の照射時間を算出する。
【００４１】
描画工程（ステップＳ６）では、変調後の照射量より照射時間演算部５２で求められた照射時間を含むショットデータを用いて描画処理が行われる。描画制御部５３が、ショットデータを偏向制御回路１２０に転送する。偏向制御回路１２０は、所望の照射時間になる偏向データをブランキング偏向器２１２用のＤＡＣアンプ１３０に出力する。
【００４２】
偏向制御回路１２０は、ビームがＸＹステージ１０５の移動に追従するように、偏向データを主偏向器２０８用のＤＡＣアンプ１３４に出力する。偏向制御回路１２０は、ＳＦ３０内の相対位置へとビームを偏向する副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ１３２に偏向データを出力する。偏向制御回路１２０は、ＴＦ４０内の相対位置へとビームを偏向する副副偏向器２１６用のＤＡＣアンプ１３６に偏向データを出力する。
【００４３】
また、偏向制御回路１２０は、ビームが所望の形状となるよう、偏向データを成形偏向器２０５用のＤＡＣアンプ１３８に出力する。
【００４４】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際に、ブランキング偏向器２１２によって、例えば、ビームＯＮの状態ではブランキングアパーチャ２１４を通過し、ビームＯＦＦの状態ではビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮蔽されるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。
【００４５】
ブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。
【００４６】
第１成形アパーチャ２０３を通過した第１アパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２成形アパーチャ２０６上に投影される。成形偏向器２０５によって、第２成形アパーチャ２０６上での第１アパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行う）ことができる。このような可変成形はショット毎に行なわれ、ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形することができる。
【００４７】
第２成形アパーチャ２０６を通過した第２アパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８、副偏向器２０９及び副副偏向器２１６によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された基板１０１の所望の位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板となる基板１０１上へと偏向される。
【００４８】
本実施形態に係る描画装置１００は、描画処理と並行して、ショットデータ単位で、レジストヒーティング補正により照射時間がどの程度補正されたか等の描画情報を作成・出力する。しかし、描画領域１０の全てのショットデータに対し、描画情報を作成すると、データ量が膨大となる。そのため、本実施形態では、指定された座標のショットデータに対応する描画情報を作成して出力する。
【００４９】
上述したように、記憶装置１４０は、描画データと共に、ユーザが作成した座標指定ファイルを格納する（ステップＳ１）。例えば、ユーザは、図３（ａ）に示すようなフォーマットの座標指定ファイルを作成する。図３（ｂ）は、図３（ａ）の座標指定ファイルで指定されたレイアウト上の座標（位置）を示す。
【００５０】
指定される座標は、例えば、描画パターンの線幅測定箇所となる複数の座標である。
【００５１】
上述したように、ショットデータの生成にあたり、基板１０１の撓み等によるショット位置の誤差を補正する処理が行われており、実際のショットは座標がシフトしている。座標指定ファイルで指定した座標のままでは、対応するショットデータを検索できない。そのため、座標変換部５４が、座標指定ファイルで指定された座標に対し、座標変換処理を施し、指定された座標に対応するショット位置を算出する（ステップＳ１０）。
【００５２】
描画情報抽出部５５は、座標変換部５４が算出した位置に対応するショットデータについて、例えば、変調照射量に基づく照射量の変調量に対応して演算される補正後の照射時間と照射時間の補正の割合と、照射後のショット位置における基板１０１の温度（基板温度）等の描画情報を抽出する（ステップＳ１１）。照射時間の補正の割合は、ショットデータに基づく補正前の照射時間と、変調照射量に基づく補正後の照射時間とから求めることができる。基板温度は、例えば、指定された位置を含む小領域の代表温度で表される。基板温度は、基板温度の変化量（温度上昇量）で表すことができる。
【００５３】
ショットデータの生成、照射時間の演算と並行して、描画情報抽出部５５が変換された位置に対応する描画情報の抽出を行う（ステップＳ１１）。
【００５４】
温度情報出力部５６は、座標指定ファイルで指定された座標に対応する描画情報抽出部５５が抽出した描画情報をメモリ１１４に格納する（ステップＳ１２）。温度情報出力部５６は、描画情報を描画装置１００の外部へ出力できる（ステップＳ１３）。メモリ１１２内のショットデータは、偏向制御回路１２０への転送後、（座標指定ファイルで指定された座標に対応する場合は、さらに描画情報の作成後に）消去される。
【００５５】
このように、本実施形態によれば、指定された座標におけるレジストヒーティング補正による照射量の変調量に基づく照射時間の補正量と、基板温度の上昇量とを、可視化できるデータとして描画直後に取得することができる。描画パターンの線幅と照射時間の補正量とに基づいて、レジストヒーティング補正の効果を検証することができる。
【００５６】
座標指定ファイルでは、１点の座標でなく、図４（ａ）（ｂ）に示すような範囲を指定してもよい。描画情報抽出部５５は、この範囲に含まれる全てのショットデータについて、例えば補正後の照射時間、照射時間の補正の割合、照射後の基板温度の上昇量等を抽出し、メモリ１１４に格納する。
【００５７】
温度情報出力部５６は、さらに各項目について、抽出された複数の値の平均値、最大値、最小値、標準偏差等を求めてもよい。
【００５８】
多重描画の場合は、各パスに対応するショットデータから補正情報を抽出する。
【００５９】
上記実施形態ではシングルビームを用いた描画装置の例について説明したが、マルチビームを使った描画装置にも適用できる。マルチビーム描画装置では、各ビームの照射領域（ピクセル）毎に照射時間が設定される。レジストヒーティング補正により、各ピクセルの照射時間が補正される。シングルビーム描画装置の場合と同様に、座標変換部５４が、座標指定ファイルで指定された座標に対してマルチビーム用の座標変換処理を施し、指定された座標に対応するショット位置を算出する。描画情報抽出部５５は、座標変換部５４が算出した位置に対応するピクセルのショットデータ（ピクセルデータ）について、補正後の照射時間、照射時間の補正の割合、基板温度等の描画情報を抽出する。
【００６０】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
５０  ショットデータ生成部
５１  照射量変調部
５２  照射時間演算部
５３  描画制御部
５４  座標変換部
５５  描画情報抽出部
５６  温度情報出力部
１００  描画装置
１１０  制御計算機
１５０  描画部
１６０  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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