(57)【要約】      （修正有）【課題】金属製締結具からの金属汚染を低減又は排除する改良型の基板支持体を提供する。【解決手段】基板支持体１２４に使用するためのプロセスキット構成要素及びそれを組み込んだ基板支持体は、本体２０８と、本体の周囲に配置され、導電性材料で形成された接地シェル２４６と、接地シェルの周囲に配置され、導電性材料で形成されたライナ２５４とを備える。ライナは、本体に向かって内側に延びる上側リップ部２５６と、上側リップ部を貫通して配置され、ライナを接地シェルに連結する金属製締結具２６２と、ライナの上側リップ部の上に配置され、金属製締結具を覆う第１絶縁体リング２３０とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、
本体の周囲に配置され、導電性材料で形成された接地シェルと、
接地シェルの周囲に配置され、導電性材料で形成されたライナであって、本体に向かって内側に延びる上側リップ部を備えるライナと、
上側リップ部を貫通して配置され、ライナを接地シェルに接続する金属製締結具と、
ライナの上側リップ部の上に配置され、金属製締結具を覆う第１絶縁体リングとを備える基板支持体。
【請求項２】
第１絶縁体リングと本体との間に配置された第２絶縁体リングをさらに備える、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
第１絶縁体リングの外径が第２絶縁体リングの外径と同じである、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項４】
第１絶縁体リングの外径が第２絶縁体リングの外径よりも大きい、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項５】
トップリングが第２絶縁体リングの上面に配置されている、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項６】
第２絶縁体リングは、第１絶縁体リングの切欠き付き上側内側周縁部に配置されている、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項７】
第２絶縁体リングは石英を含んでいる、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項８】
第１絶縁体リングは、石英、酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、又は酸化イットリウムで被覆されたアルミニウムのうちの少なくとも１つを含んでいる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項９】
第１絶縁体リングは、Ｌ字形の断面を有している、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１０】
接地シェルと本体との間に配置された絶縁体シェルであって、接地シェルを本体から電気的に絶縁する絶縁体シェルをさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１１】
金属製締結具はねじを備えている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１２】
第１絶縁体リングは第１部分と第２部分とを備え、
第２部分は、第２絶縁体リングの切欠き付き下側外側周縁部に配置されている、請求項２〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１３】
第１絶縁体リングと第２絶縁体リングとの間に非直線界面がある、請求項２〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１４】
第２絶縁体リングの上面の上に配置されたトップリングをさらに備える、請求項２〜７のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１５】
基板支持体を内部に配置するチャンバ本体であって、基板支持体は前述の請求項のいずれか１項に記載の基板支持体であるチャンバ本体を備える処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して基板処理装置に関し、より具体的には基板処理装置で使用される基板支持体に関する。
【背景】
【０００２】
金属製締結具をしばしば使用して、プラズマ処理チャンバなどの処理チャンバ内で基板支持体を構成する様々な構造体を連結する。本発明者らは、基板支持体の導電性構造体の近くにあるチタン（Ｔｉ）ねじなどの金属製締結具が処理チャンバ内でＴｉ汚染を引き起こす可能性があることを発見した。
【０００３】
したがって、本発明者らは、金属製締結具からの金属汚染を低減又は排除し得る、改良型の基板支持体を提供した。
【概要】
【０００４】
基板支持体に使用するためのプロセスキット構成要素、及びそれを組み込んだ基板支持体の実施形態が本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、基板支持体は、本体と、本体の周囲に配置され、導電性材料で形成された接地シェルと、接地シェルの周囲に配置され、導電性材料で形成されたライナとを備える。ライナは、本体に向かって内側に延びる上側リップ部を備える。金属製締結具は上側リップ部を貫通して配置され、ライナを接地シェルに連結する。第１絶縁体リングはライナの上側リップ部の上に配置され、金属製締結具を覆う。
【０００５】
いくつかの実施形態では、基板支持体は、本体と、本体から下方に延びるシャフトと、本体の周囲に配置された導電性ライナであって、導電性ライナは、接地シェルの上面を覆って内側に延びる上側リップ部を有している導電性ライナと、上側リップ部を貫通して配置され、導電性ライナを接地シェルに連結する締結具と、ライナの上側リップ部の上に配置され、金属製締結具を覆う第１絶縁体リングと、本体を囲む第２絶縁体リングであって、第２絶縁体リングは、第１絶縁体リングの切欠き付き上側内側周縁部に配置されている第２絶縁体リングとを備える。
【０００６】
いくつかの実施形態では、基板支持体は、円筒形の形状及び本体の側壁に垂直な第１表面によって画定された切欠き付き上側周縁部を有する本体と、本体の周囲に配置された上面を有する導電性シェルと、導電性シェルの周囲に配置され、導電性シェルを覆って延びる内側リップ部を有する導電性ライナと、導電性ライナを貫通して配置され、導電性ライナを導電性シェルに連結する複数の締結具と、導電性ライナの上面に配置され、複数の締結具を覆う第１絶縁体リングと、第１絶縁体リングと本体との間に配置された第２絶縁体リングであって、第２絶縁体リングは、本体の切欠き付き上側周縁部に部分的に配置され、導電性ライナに向かって外側に延びている第２絶縁体リングとを備える。
【０００７】
本開示の他の及びさらなる実施形態を以下に記載する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上記に簡単に要約され、以下により詳細に論じられる本開示の実施形態は、添付の図面に示される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容し得るため、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定すると解釈すべきではないことに留意すべきである。
【図１】本開示のいくつかの実施形態による、基板支持体と共に使用するためのプラズマ処理チャンバの概略断面図を示す。
【図２】本開示のいくつかの実施形態による、図１の基板支持体の部分概略側面図を示す。
【図３】本開示のいくつかの実施形態による、図１の基板支持体の部分概略側面図を示す。
【０００９】
理解を容易にするため、可能な場合には、同一の符号を使用して、これらの図面に共通の同一の要素を示す。これらの図は一定の縮尺で描かれておらず、明快さを優先して簡略化されている場合がある。１つの実施形態の要素及び構成は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。
【詳細な説明】
【００１０】
処理チャンバ内の金属汚染（チタン（Ｔｉ）汚染など）を有益にも低減又は防止し得る基板支持体のためのプロセスキット構成要素の実施形態が、本明細書で提供される。具体的には、基板支持体の実施形態は、１つ以上の金属製締結具を覆うように構成された絶縁体リングを含んでもよく、このようにして、処理チャンバ内のプラズマが１つ以上の金属製締結具に接触するのを防ぐ。図１は、本開示のいくつかの実施形態による、基板支持体と共に使用するためのプラズマ処理チャンバの概略断面図を示す。図２は、図１に示す基板支持体のいくつかの実施形態による、部分的に詳細な概略側面図を示す。図３は、図１に示す基板支持体のいくつかの実施形態による、部分的に詳細な概略側面図を示す。
【００１１】
図１は、本開示のいくつかの実施形態による、プラズマ処理チャンバなどのチャンバ１００の概略断面図である。いくつかの実施形態では、プラズマ処理チャンバはエッチング処理チャンバである。しかしながら、他の種類の処理チャンバもまた、本明細書に記載の基板支持体の実施形態と共に使用するか、又は使用するために変更され得る。本明細書に記載のエッチング処理チャンバ及び基板支持体は、例えば、約５０℃から約５００℃の温度で、約１３ＭＨｚから約６０ＭＨｚの周波数の電力が約５００Ｗから約１０ｋＷの間の電力レベルで稼働してもよい。
【００１２】
チャンバ１００は真空チャンバであり、この真空チャンバを適切に適合させて、高温又は高出力の基板処理中に、チャンバ内部容積１２０内を大気圧未満の圧力に維持する。チャンバ１００は、蓋１０４によって覆われたチャンバ本体１０６を備え、この蓋１０４は、チャンバ内部容積１２０の上半分に配置された処理容積１２２を囲んでいる。チャンバ本体１０６及び蓋１０４は、アルミニウムなどの金属で作られてもよい。チャンバ本体１０６を、アース１１６に接続することで接地させてもよい。蓋１０４は、電気的に浮遊させることも、接地させることも可能である。
【００１３】
基板支持体１２４をチャンバ内部容積１２０内に配置して、基板１０８を支持し、保持する。この基板１０８は、例えば、半導体基板、又は静電的に保持され得る他の基板である。基板支持体１２４は、一般に、台座１３６と、台座１３６を支持するための中空支持シャフト１１２とを備えてもよい。中空支持シャフト１１２は導管を備えて、例えば処理ガス、流体、冷却液、電力などを台座１３６へ供給する。
【００１４】
いくつかの実施形態では、ベローズアセンブリ１１０が、中空支持シャフト１１２の周囲に配置され、台座１３６とチャンバ１００の底面１２６との間に接続されて、台座１３６の垂直方向の動きを可能にする可撓性シールを提供しながらも、チャンバ１００内から真空が失われることを防いでいる。ベローズアセンブリ１１０はまた、底面１２６と接するＯリング１２８又は他の適切なシール要素と接触するベローズ１３４を備えて、チャンバの真空度の低下を防ぐのに役立っている。
【００１５】
チャンバ１００は、真空システム１１４に接続され、かつ流体的に連通している。この真空システム１１４は、スロットルバルブ（図示せず）及び真空ポンプ（図示せず）を備えており、これを使用して、チャンバ１００を排気する。チャンバ１００内の圧力は、スロットルバルブ及び／又は真空ポンプを調整することによって調節し得る。チャンバ１００はまた、処理ガス供給源１１８に接続され、かつ流体的に連通している。処理ガス供給源１１８はチャンバ１００に１つ以上の処理ガスを供給して、チャンバ１００内に配置された基板を処理し得る。
【００１６】
運転にあたっては、基板１０８を、チャンバ本体１０６の開口部を通してチャンバ１００に入れてもよい。開口部は、スリットバルブ１３２又は他の装置によって選択的に封止されて、開口部を通るチャンバ１００の内部へのアクセスを選択的に提供してもよい。さらに、運転の間、プラズマ１０２をチャンバ内部容積１２０内に生成して、１つ以上の処理を実行してもよい。プラズマ１０２を、チャンバ内部容積１２０に近接しているか又はその内部にある１つ以上の電極によって、プラズマ電源（例えば、高周波プラズマ電源１３０）から処理ガスへ電力を接続し、処理ガスを点火してプラズマ１０２を生成することで、発生させてもよい。
【００１７】
図２は、図１に示す基板支持体のいくつかの実施形態による、部分的に詳細な概略側面図を示す。基板支持体１２４は、上面２１０を有する本体２０８を備えて誘電体部材２２４を支持し、誘電体部材２２４が形成されて、上に配置する基板２０２を静電的に保持する。
【００１８】
本体２０８は、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を含んでもよい。本体２０８は、段付き又は切欠き付き上側周縁部２０６を有する。本体２０８の上側周縁部２０６は、本体２０８の側壁２１１に垂直な第１表面２１４と、本体２０８の第１表面２１４と上面２１０との間に配置された段付き第２表面２１５とによって、画定される。
【００１９】
本体２０８は、本体２０８の下面近くに配置された１つ以上の熱伝達流体導管（図示せず）を備えてもよい。熱伝達流体導管を、熱伝達流体源（図示せず）に接続して、熱伝達流体をすべての隣接する導管に供給してもよい。熱伝達流体を導管に通して流れさせ、使用の間に基板支持体１２４の温度及び／又は温度分布を制御してもよい。
【００２０】
いくつかの実施形態では、誘電体部材２２４を用いて、ＤＣ電源（図示せず）によって電極２０４に供給されるＤＣ電圧で基板２０２を保持する。本開示の実施形態による変更から有益にも恩恵を受けることができる適切な処理装置の例には、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から販売されている処理装置ＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標名）シリーズのいずれかを含むプラズマ反応器などの処理装置が挙げられるが、これに限定されない。上述の処理装置は例示にすぎず、他のプラズマ反応器、及び非プラズマ装置（ＣＶＤ反応器又は他のエッチング処理装置など）もまた、本教示に従って適切に変更され得る。
【００２１】
誘電体部材２２４は、誘電体部材２２４の下部から（例えば、本体２０８の上面２０９に隣接して）誘電体部材２２４の周囲に半径方向に延びるリップ部２２５をさらに備えてもよい。リップ部２２５は、本体２０８の上面２１０の周縁部まで（例えば、本体２０８の上側周縁部２０６の半径方向内側端部まで）延びてもよい。接着層（図示せず）を本体２０８の上面２１０と誘電体部材２２４の下面との間に配置して、本体２０８を誘電体部材２２４に接着してもよい。接着層を使用する場合には、接着層は、本体２０８の上面２１０の周縁部まで完全に延びていなくてもよい。したがって、リップ部２２５の一部は、接着層によって支持される代わりに、空間に吊り下げられてもよい。
【００２２】
基板支持体１２４のさらなる構成要素は、本体２０８を囲む絶縁体シェル２７０を備え得る。絶縁体シェル２７０を、セラミック、石英、ケイ素、炭化ケイ素などのうちの少なくとも１つから製造してもよい。絶縁体シェル２７０は、本体２０８を接地シェル２４６から電気的に絶縁している。接地シェル２４６は絶縁体シェル２７０を囲んでいる。ライナ２５４で接地シェル２４６を囲んでもよい。ライナ２５４と接地シェル２４６との間に間隙２７６が存在してもよい。ライナ２５４は導電性材料から製造される。ライナ２４５は、基板支持体１２４の中心軸に向かって内側へ延びるリップ部２５６を備える。いくつかの実施形態では、リップ部２５６は接地シェル２４６の上面２７４に載っている。いくつかの実施形態では、リップ部２５６は、内側に延びて絶縁体シェル２７０の外側側壁２５８に当接する。
【００２３】
リップ部２５６は、リップ部を貫通して配置された１つ以上の穴２６０を備える。リップ部２５６に沿って配置された各穴２６０は任意の適切な形状であり、この各穴２６０を通して配置されたそれぞれの締結具２６２を収容する。たとえば、図２に示すように、穴２６０は座ぐりを備えて、各締結具２６２の頭部（例えば、締結具がボルト、ねじなどである場合）がリップ部２５６の上面２６８の下に沈み込むようにしてもよい。接地シェル２４６は、穴２６０に対応する１つ以上の開口部２７２を備える。各開口部２７２は、開口部２７２内に配置されたそれぞれの締結具２６２を収容するための任意の適切な形状であり得る。いくつかの実施形態では、開口部２７２にはねじが切られて、締結具２６２の対応するねじ山と噛み合わせてもよい。
【００２４】
締結具２６２は穴２６０を通って配置され、開口部２７２によりライナ２５４を接地シェル２４６に連結する。各締結具は、ねじ、ボルト、クランプなどでもよい。いくつかの実施形態では、締結具はねじである。各締結具は、チタン（Ｔｉ）、鋼合金などの金属を含み得る。いくつかの実施形態では、締結具はチタン（Ｔｉ）を含む。いくつかの実施形態では、ワッシャ（図示せず）を各締結具２６２の周囲に配置してもよい。ワッシャは、締結具２６２と同じ材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ワッシャはチタン（Ｔｉ）である。
【００２５】
基板支持体１２４は、本体２０８の周囲かつライナ２５４のリップ部２５６上に配置された第１絶縁体リング２３０をさらに備える。第１絶縁体リング２３０は、１つ以上の穴２６０を覆う大きさになっている。第１絶縁体リング２３０の底面２７８は、締結具２６２を覆って、ライナ２５４の上面２６８とシールを形成する。使用の間には、第１絶縁体リング２３０によって設けられたシールのおかげで、締結具２６２がチャンバ１００内のプラズマ１０２に曝されることが、有益にも制限又は防止される。いくつかの実施形態では、第１絶縁体リング２３０は絶縁体シェル２７０を囲んでいる。第１絶縁体リング２３０は、石英、酸化アルミニウム、陽極酸化金属（例えば、陽極酸化アルミニウム、酸化イットリウムで被覆されたアルミニウムなど）を含んでもよい。
【００２６】
基板支持体１２４は、本体２０８の周囲に配置された第２絶縁体リング２４０をさらに備える。第２絶縁体リング２４０は、本体２０８の切欠き付き上側周縁部２０６に配置されている。いくつかの実施形態では、第２絶縁体リング２４０は、石英などから製造されてもよい。第２絶縁体リング２４０は、上側周縁部２０６の段付き第２表面２１５と嵌合する段付き内側側壁２１２を備えて、その間に非直線界面を画定する。この非直線界面によって、プラズマには蛇行した経路が加わり、プラズマから、第２絶縁体リング２４０の下の本体２０８の至る所に配置された任意の締結具への見通しを遮断する。
【００２７】
第２絶縁体リング２４０の段付き内側側壁２１２はさらに、第２絶縁体リング２４０から本体２０８の上側周縁部２０６の第１表面２１４に向かって下方に延びる第１部分２１８を備えてもよい。第１部分２１８は、約０．０２インチから１．００インチの間の長さ２２０を有してもよい。段付き内側側壁２１２はさらに、本体２０８の上側周縁部２０６の段付き第２表面２１５に沿って第２絶縁体リング２４０から横方向に延びる第２部分２２２を備えてもよい。第２部分２２２は、約０．０２インチから１．００インチの間の長さを有してもよい。
【００２８】
第２絶縁体リング２４０は、第２絶縁体リング２４０の上側内側端部の周囲に配置された棚部２４８を備えてもよい。棚部２４８の上面を、誘電体部材２２４のリップ部２２５と同じ高さに又はリップ部２２５よりも上に配置してもよい。インサートリング２１６を第２絶縁体リング２４０の棚部２４８上に配置してもよい。インサートリング２１６を、シリコン（Ｓｉ）などから製造してもよい。インサートリング２１６の内側部分２２６は、基板支持体１２４の中心軸に向かって内側に延び、誘電体部材２２４のリップ部２２５の上に載っていてもよい。インサートリング２１６の内側部分２２６と誘電体部材２２４との間に間隙２４２が存在してもよい。
【００２９】
インサートリング２１６は、インサートリング２１６の上側内側端部の周囲に配置された棚部２４４をさらに備えてもよい。基板１０８の周縁部は、インサートリング２１６の棚部２４４内に延びてもよい。しかしながら、典型的には、棚部２４４を形成して、基板１０８はインサートリング２１６と接触せず、誘電体部材２２４によって完全に支持されるようにしている。
【００３０】
選択的に、トップリング２５０が、第２絶縁体リング２４０の上面２５２の上に配置されている。トップリングは、図２に示すように、トップリング２５０の下側外側端部に沿って下方突出部を備え得る。トップリング２５０を、シリコン（Ｓｉ）などから製造してもよい。トップリング２５０は、プラズマ及び／又は処理環境からの劣化又は損傷から第１絶縁体リング２３０を保護し得る。
【００３１】
第１絶縁体リング２３０は、第１部分２８０及び第２部分２８２を備えてもよい。いくつかの実施形態では、第１絶縁体リング２３０は、Ｌ字形の断面を有する。第１部分２８０は、ライナ２５４のリップ部２５６と第２絶縁体リング２４０との間に配置されている。第１部分２８０は、絶縁体シェル２７０の外径よりも大きい内径を有して、これにより、第１絶縁体リング２３０を絶縁体シェル２７０の上部の周囲に配置し得る。第１絶縁体リング２３０は、切欠き付き上側内側周縁部２８６を備える。第２絶縁体リング２４０は、第１絶縁体リング２３０の切欠き付き上側内側周縁部２８６に配置されて、その間に非直線界面を形成する。この非直線界面によって、上述と同様に、プラズマには蛇行した経路が加わる。第２部分２８２は、第２絶縁体リング２４０の一部を囲む。例えば、第１絶縁体リング２３０の第２部分２８２は、第２絶縁体リング２４０の切欠き付き下側外側周縁部２８４に配置し得る。いくつかの実施形態では、図２に示すように、第１絶縁体リング２３０は、第２絶縁体リング２４０の外径と同等の（例えば、実質的に同じ）外径を有する。いくつかの実施形態では、第１絶縁体リング２３０は、第２絶縁体リング２４０の外径と同等の（例えば、実質的に同じ）外径を有しており、これにより、第１絶縁体リング２３０が第２絶縁体リング２４０の切欠き付き下側外側周縁部２８４内に配置される場合、第１絶縁体リング２３０の最も外側の側壁と第２絶縁体リング２４０の最も外側の側壁は実質的に垂直方向に一直線上に揃うことになる（例えば、共通の仮想円柱にほぼ沿うことになる）。
【００３２】
図３は、本開示のいくつかの実施形態による、図１の基板支持体の部分的に詳細な概略側面図を示す。図３と一致する実施形態は、以下の説明において明確に反対の記載がない限り、図１及び図２に関する上記の説明と同一であり得る。いくつかの実施形態では、第１絶縁体リング３３０は、Ｌ字形の断面を有する。いくつかの実施形態では、図３に示されるように、第１絶縁体リング３３０は、第２絶縁体リング３４０の外径よりも大きい外径を有する。第１絶縁体リング３３０は、第１部分３１０（例えば、環状ベース）と第２部分３２０（例えば、環状ベースから垂直上方に延びるリップ部）とを備える。第１部分３１０は、第２絶縁体リング３４０とライナ２５４のリップ部２５６との間に配置されている。したがって、第１部分３１０の内径は、第２絶縁体リング３４０の外径よりも小さく、図３に示すように、第２絶縁体リング３４０の半径方向外側部分が第１部分３１０の半径方向内側部分と重なるようになっている。
【００３３】
第２部分３２０は、第２絶縁体リング３４０を囲んでいる。したがって、第２部分３２０の内径は、第２絶縁体リング３４０の外径よりも大きく、図３に示すように、第２絶縁体リング３４０の半径方向外側部分は、第２部分３２０の半径方向内側部分の半径方向内側に配置されるようになっている。
【００３４】
いくつかの実施形態では、第２部分３２０はトップリング２５０に近接するように延びる。いくつかの実施形態では、第２部分３２０は、トップリング２５０に近接するように延びるが、トップリング２５０とは接触せず、したがって、第２部分３２０の上面とトップリング２５０の底面との間に小さな間隙を画定する。
【００３５】
いくつかの実施形態では、図２及び図３に示されるように、第１絶縁体リング２３０は第２絶縁体リング２４０と接触せず、狭い間隙が、第１絶縁体リング２３０と第２絶縁体リング２４０の対向面間に画定される。いくつかの実施形態では、図２及び図３に示されるように、第１絶縁体リング２３０は、ライナ２５４のリップ部２５６にのみ接触するが、任意選択で、リップ部２５６を貫通して配置された締結具２６２の上部にも、皿穴ではない場合に、接触する。
【００３６】
図２及び図３における第１絶縁体リング２３０及び第２絶縁体リング２４０の構成は、第１絶縁体リング２３０を含まない実施形態と同じトップダウンプロセス図を有益にも提供する。したがって、既存のプロセスキットを変更して、第１絶縁体リング２３０及び第２絶縁体リング２４０を収容するときに、処理の完全性が維持される。言い換えると、処理チャンバ内を上から見ると、第１絶縁体リング２３０は視界から隠れており、プラズマから、有益にも、第１絶縁体リング２３０は「見えない」。それ故に、チャンバ内の汚染は、基板上処理結果への影響なしに、又は最小限の影響で低減され得る。図２と一致する実施形態では、第１絶縁体リング２３０は、トップリング２５０を用いない処理の間にも、さらに有益にも視界から隠れている。したがって、処理の柔軟性がさらに向上する。
【００３７】
いくつかの実施形態では、図２及び図３に示されるように、上述した基板支持体１２４の他の構成要素は、対向する非シール界面間に小さな間隙を備え得る。例えば、本体２０８と絶縁体シェル２７０との間、第１絶縁体リング２３０と第２絶縁体リング２４０との間などに小さな間隙を画定してもよい。
【００３８】
したがって、本明細書では、金属汚染を低減した基板支持体１２４の実施形態を提供した。金属製締結具を絶縁材料で覆うことで、基板支持体１２４の導電性構成要素間の金属製締結具が処理チャンバ内のプラズマに曝されることが、有益にも低減又は防止される。
【００３９】
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のさらなる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく創作され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【外国語明細書】
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