(57)【要約】【課題】メンブレン領域の形状を安定して維持することができるシンプルな構造の電子線露光用マスクを提供すること。【解決手段】電子線露光用マスクは、電子線を透過させる透過部、及び前記透過部の周囲に存在し前記電子線を遮断する非透過部を有する薄板部と、前記薄板部を支持する枠状の支持部と、を有する。前記薄板部の厚さは、１０μｍ以下である。前記薄板部の平面視における形状は、略矩形形状である。前記略矩形形状の角部は曲率半径が１０μｍ以上のラウンド形状である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を透過させる透過部、及び前記透過部の周囲に存在し前記電子線を遮断する非透過部を有する薄板部と、
前記薄板部を支持する枠状の支持部と、
を有し、
前記薄板部の厚さは、１０μｍ以下であり、
前記薄板部の平面視における形状は、略矩形形状であり、
前記略矩形形状の角部は曲率半径が１０μｍ以上のラウンド形状である電子線露光用マスク。
【請求項２】
前記ラウンド形状の曲率半径は５０μｍ以下である、請求項１に記載の電子線露光用マスク。
【請求項３】
前記透過部は矩形形状であり、平面視における前記矩形形状のアスペクト比が３０以上である、請求項１に記載の電子線露光用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子線露光用マスク及び電子線露光用マスクの製造方法に関し、開示される一実施形態はメンブレン領域に電子線の透過部が設けられた電子線露光用マスク及び電子線露光用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置などの集積回路を大量生産するために集積回路のパターンの微細化が進められている。微細パターンの線幅が露光光源の波長よりも小さくなると露光に使用する光が微細パターンによって回折されてしまい、設計通りに露光することができない。したがって、露光光源として、パターンによって回折されない電子線やイオンビームを用いた荷電粒子線露光装置の開発が進められている。
【０００３】
荷電粒子線露光装置用のマスクとしてステンシル型の転写マスクが用いられるが、ステンシル型マスクにおいて、メンブレン領域（薄板部）は数μｍの薄さであるため、メンブレン領域の機械的強度が低い。したがって、製造工程における応力や基板の歪みの影響を受けて、メンブレン領域が変形してしまう問題が発生する。この問題を解消するために、例えば特許文献１では、メンブレン領域内に開口部付近に比べて膜厚が厚い補強部が配置された構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−１７８８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術では、異なる厚さのメンブレン領域を形成するために、複雑な工程を必要とする。そのため、工程が長期化し、それに伴う製造コストの増加や歩留まりの低下などの問題が発生する。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑み、メンブレン領域の形状を安定して維持することができる電子線露光用マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る電子線露光用マスクは、電子線の進行方向に複数の電子線露光用マスクが重ねて配置される露光装置に使用される電子線露光用マスクであって、電子線を透過する矩形形状の第１透過部及び第２透過部と、第１透過部及び第２透過部の周囲に存在し電子線を遮断する非透過部と、を有する薄板部と、薄板部を支持する枠状の支持部と、を有し、薄板部は、３μｍ以上１０μｍ以下の略均一の厚さであり、薄板部の平面視における形状は、略矩形形状であり、略矩形形状の角部はラウンド形状である。
【０００８】
上記の電子線露光用マスクによれば、メンブレン領域の形状を安定して維持することができるシンプルな構造の電子線露光用マスクを提供することができる。
【０００９】
また、別の態様において、第１透過部は、平面視における矩形形状のアスペクト比が３０以上であってもよい。
【００１０】
上記の電子線露光用マスクによれば、短辺方向と長辺方向とを有するパターンにおいて、短辺方向に比べて長辺方向の長さが非常に長いパターンであっても、一度でパターニングすることができる。
【００１１】
また、別の態様において、第１透過部と第２透過部とは、平面視において互いに異なるアスペクト比を有してもよい。
【００１２】
上記の電子線露光用マスクによれば、多様な形状のパターンを１つの電子線露光用マスクで実現することができる。
【００１３】
また、別の態様において、ラウンド形状は、曲率半径が５μｍ以上１００μｍ以下の曲線形状であってもよい。
【００１４】
上記の電子線露光用マスクによれば、薄板部にかかる応力を緩和することができ、１つの薄板部に平面アスペクト比が大きい透過部を多数配置することができる。
【００１５】
また、別の態様において、薄板部はシリコンであってもよい。
【００１６】
上記の電子線露光用マスクによれば、応力によって歪みにくい薄板部を実現することができる。
【００１７】
本発明の一実施形態に係る電子線露光用マスクの製造方法は、電子線の進行方向に複数の電子線露光用マスクが重ねて配置される露光装置において、電子線を透過する透過部と透過部の周囲に存在し電子線を遮断する非透過部とを有する薄板部と、薄板部を支持する枠状の支持部と、を有する電子線露光用マスクを基板から製造する製造方法であって、基板の第１面側に、薄板部に対応する領域に透過部に対応するパターンを形成し、第１面側に、パターンを覆う樹脂層を形成し、薄板部に対応する領域の基板が３μｍ以上１０μｍ以下の略均一の厚さとなり、パターンが透過部となるように、第１面側の反対側の第２面側から基板をエッチングし、樹脂層を除去する。
【００１８】
上記の電子線露光用マスクの製造方法によれば、製造工程においてメンブレン領域の変形を抑制することができる。
【００１９】
また、別の態様において、樹脂層の厚さは１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
【００２０】
上記の電子線露光用マスクの製造方法によれば、支持基板のエッチング工程時に基板が歪むことを抑制することができ、また、後に透過部となるパターンを保護することができる。
【００２１】
また、別の態様において、基板は、支持基板と、支持基板上に配置された第１酸化シリコン層と、第１酸化シリコン層上に配置されたシリコン層とを有するＳＯＩ基板であり、薄板部は、シリコン層に形成されてもよい。
【００２２】
上記の電子線露光用マスクの製造方法によれば、支持基板、第１酸化シリコン層、及びシリコン層のエッチングレートの差を利用して各層をエッチングすることができるため、薄板部の膜厚を精度よく制御することができる。
【００２３】
また、別の態様において、第２面側から基板をエッチングする前に、ＳＯＩ基板の第２面側に第２酸化シリコン層を形成し、第２面側から、薄板部に対応する領域の第２酸化シリコン層及び支持基板を第１酸化シリコン層に達するまでエッチングし、第２酸化シリコン層及び薄板部に対応する領域の第１酸化シリコン層を同一工程でエッチングしてもよい。
【００２４】
上記の電子線露光用マスクの製造方法によれば、工程をより短縮することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によると、メンブレン領域の形状を安定して維持することができるシンプルな構造の電子線露光用マスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの概要を示す断面図及び平面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法を示すプロセスフローである。
【図３】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、基板の表裏面にハードマスクを形成する工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、表面にレジストマスクを形成する工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、表面のハードマスクをエッチングする工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、表面のシリコン層をエッチングする工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、表面のレジストマスクを除去する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、表面に樹脂層を形成する工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、裏面にレジストマスクを形成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、裏面のハードマスクをエッチングする工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、支持基板をエッチングする工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、裏面のレジストマスクを除去する工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法において、ボックス層及び表裏面のハードマスクを除去する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施形態１の変形例に係る電子線露光用マスクの概要を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態に係る電子線露光用マスク及び電子線露光用マスクの製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【００２８】
〈実施形態１〉
本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクについて、図１を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの概要を示す断面図及び平面図である。図１では、基板として単結晶シリコン基板上に酸化シリコン層（埋め込み酸化シリコン層；ボックス層ともいう） が配置され、当該酸化シリコン層上に薄膜の単結晶シリコン層が配置されたＳＯＩ基板を使用し、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層にメンブレン領域（薄板部）が設けられた構造について説明する。ただし、基板はＳＯＩ基板に限定されず、他の多様な基板を使用することができる。
【００２９】
［電子線露光用マスクの構成］
本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスク１０は、集積回路のパターンとしてよく使用される図形を装置のアパーチャの集まりとして登録するＣＰ（Character Projection又はCell Projection）方式の露光装置に使用される。ＣＰ方式において、電子線露光用マスク１０は、電子線の進行方向に複数の電子線露光用マスクが重ねて配置される。
【００３０】
図１に示すように、電子線露光用マスク１０は、電子線を透過する矩形形状の複数の透過部１１０と、透過部１１０の周囲に存在し電子線を遮断する非透過部１２０と、を有する薄板部１００と、薄板部１００を支持する枠状の支持部２００と、を有する。ここで、薄板部１００は、３μｍ以上１０μｍ以下の略均一の厚さである。ここで、略均一とは、薄板部１００の厚さのばらつきが、薄板部１００の厚さに対して±１０％の範囲内、より好ましくは±５％の範囲内であることを意味する。また、支持部２００と薄板部１００との境界によって規定される薄板部１００の平面視における形状は、略矩形形状であり、略矩形形状の角部はラウンド形状である。換言すると、薄板部１００の平面視における形状は、矩形の４辺となる４つの直線と、近接する辺となる直線を滑らかに接続する４つの曲線によって形成された環形状である。上記のラウンド形状は、曲率半径が５μｍ以上１００μｍ以下の曲線形状であるとよい。薄板部１００の略矩形形状の角部への応力集中を避けるために好ましくは、ラウンド形状の曲率半径は１０μｍ以上５０μｍ以下の曲線形状であるとよい。また、ラウンド形状の曲率半径は、薄板部１００の略矩形形状の長辺方向の長さ又は短辺方向の長さの１／２０以上１／５以下の曲線形状であるとよい。
【００３１】
ここで、薄板部１００は、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層１３０を有している。また、支持部２００は、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層１３０、ボックス層１４０、及び支持基板１５０を有している。透過部１１０は単結晶シリコン層１３０の表裏面を貫通するように設けられた開口部に対応し、非透過部１２０は単結晶シリコン層１３０に対応する。また、ボックス層１４０は酸化シリコンを含み、支持基板１５０は単結晶シリコンを含む。
【００３２】
また、薄板部１００は、機械的強度を維持するために一定以上の剛性を有していることが好ましい例えば、薄板部１００は１００ＧＰａ以上のヤング率を有しているとよい。また、露光の際、薄板部１００の非透過部１２０には多くの電子線が衝突して薄板部１００の温度が上昇し、透過部に近い非透過部の寸法変動等を来す虞があるため、薄板部１００は一定以上の熱伝導率を有していることが好ましい。例えば、１００℃の環境下で１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有していると良い。
【００３３】
薄板部１００に設けられた透過部１１０は、平面視における矩形形状のアスペクト比（平面アスペクト比）が３０以上であってもよい。好ましくは、平面アスペクト比が５０以上であってもよい。また、より好ましくは、平面アスペクト比が１００以上であってもよい。なお、アスペクト比は、平面視上の開口部の図形の長辺を短辺で除した値をさす。また、開口部が矩形以外の図形である場合、開口部が外接する矩形を定義し、その長辺と短辺からアスペクト比を導くものとする。電子線露光用マスク１０は、上記の平面アスペクト比を有することで短辺方向と長辺方向とを有するパターンにおいて、短辺方向に比べて長辺方向の長さが非常に長いパターンであっても、一度でパターニングすることができる。
【００３４】
また、透過部１１０の矩形形状の長辺及び短辺が単結晶シリコン層１３０の（１１１）面又は（１１０）面と平行になるように、単結晶シリコン層１３０と透過部１１０との位置が調整されてもよい。単結晶シリコンは、（１１１）面又は（１１０）面に沿って劈開しやすいため、単結晶シリコン層１３０に透過部１１０をより正確に精度よく形成することができる。
【００３５】
以上のように、本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクによると、薄板部１００が３μｍ以上１０μｍ以下の略均一の厚さを有することで、一定以上の剛性の薄板部をより簡易的に形成することができる。また、薄板部が平面視においてラウンド形状を有することで、薄板部にかかる応力を緩和することができる。また、１の薄板部に複数の矩形形状の透過部が設けられることで、１つの電子線露光用マスクで多様なパターンを露光することができる。したがって、薄板部（メンブレン領域）の形状を安定して維持することができるシンプルな構造の電子線露光用マスクを提供することができる。
【００３６】
［電子線露光用マスクの製造方法］
図２乃至図１３を用いて、本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法を説明する。図２に電子線露光用マスクのプロセスフローを示し、図３乃至図１３に図２の各プロセスフローにおける電子線露光用マスクの断面図を示す。また、以降の説明において、説明の便宜上、図の紙面上方を基板の表面側、図の紙面下方を基板の裏面側という。
【００３７】
まず、電子線露光用マスクを形成するための基板を準備する（ステップＳ２０１）。ここでは、基板として、支持基板１５０と、支持基板１５０上に配置された酸化シリコンを含むボックス層１４０と、ボックス層１４０上に配置された厚さが３μｍ以上１０μｍ以下の単結晶シリコン層と、を有するＳＯＩ基板を準備する。ただし、準備する基板はＳＯＩ基板に限定されず、例えば、シリコン基板、炭化シリコン等のシリコン化合物基板、ガリウム砒素等の化合物半導体基板、及びステンレスやアルミニウム等の金属基板を使用することができる。また、これらが積層されたものであってもよい。
【００３８】
基板の厚さは、特に制限はないが、例えば１００μｍ以上８００μｍ以下の厚さの基板を使用することができる。基板の厚さは、加工性を考慮すると好ましくは２００μｍ以上４００μｍ以下であるとよい。基板が薄くなると、基板の撓みが大きくなる。その影響で、製造過程におけるハンドリングが困難になるとともに、基板を加工して電子線露光用マスクを形成したときに内部応力によって基板に歪みが生じ、その影響で薄板部１００が変形してしまう。一方、基板が厚くなると、支持基板１５０をエッチングする工程が長くなる。その影響で、製造工程が長期化し、製造コストも上昇してしまう。
【００３９】
次に、基板の表裏面にハードマスクを形成する（ステップＳ２０２）。ここで、ステップＳ２０２における基板の断面構造を図３に示す。図３に示すように、単結晶シリコン層１３０上に表面ハードマスク３００を形成し、支持基板１５０上に裏面ハードマスク３１０を形成する。表裏面ハードマスク３００、３１０としては、例えば酸化シリコン、クロムやアルミニウム等の金属材料を使用することができる。当該ハードマスクとして使用する材質としては、ボックス層１４０と当該ハードマスクとが同じエッチャントでエッチングできるように選択することができる。以降、当該ハードマスクとしてボックス層１４０と同じ酸化シリコンを使用したプロセスについて説明する。
【００４０】
次に、表面ハードマスク３００上に表面レジストマスク３２０を形成する（ステップＳ２０３）。ここで、ステップＳ２０３における基板の断面構造を図４に示す。図４に示すように、表面ハードマスク３００上に形成された表面レジストマスク３２０は、電子線露光用マスクの透過部１１０に対応する箇所に開口部３２１を有している。
【００４１】
次に、表面ハードマスク３００をエッチングする（ステップＳ２０４）。ここで、ステップＳ２０４における基板の断面構造を図５に示す。図５に示すように、表面レジストマスク３２０の開口部３２１に対応する位置の表面ハードマスク３００が除去されて開口部３０１が形成される。表面ハードマスク３００のエッチングはウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ウェットエッチングによって酸化シリコンである表面ハードマスク３００をエッチングする場合、エッチャントとしてフッ化水素酸又はフッ化水素酸を含む薬液を使用することができる。一方、ドライエッチングによって酸化シリコンである表面ハードマスク３００をエッチングする場合、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）ガスや六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）ガスを使用したドライエッチングを行うことができる。ドライエッチングは異方性を有するため、ほぼ設計値通りのサイズのパターンを形成することができる。
【００４２】
次に、単結晶シリコン層１３０をエッチングする（ステップＳ２０５）。ここで、ステップＳ２０５における基板の断面構造を図６に示す。図６に示すように、表面レジストマスク３２０の開口部３２１及び表面ハードマスク３００の開口部３０１に対応する位置の単結晶シリコン層１３０をエッチングして、後に電子線露光用マスクの透過部１１０となるパターン１３１を形成する。換言すると、基板の表面側に、電子線露光用マスクの薄板部１００に対応する領域に透過部１１０に対応するパターン１３１が形成されるともいう。
【００４３】
単結晶シリコン層１３０のエッチングはウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ウェットエッチングによって単結晶シリコン層１３０をエッチングする場合、ＫＯＨ水溶液、エチレンジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）、又は４メチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用することができる。一方、ドライエッチングによって単結晶シリコン層１３０をエッチングする場合、４フッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、臭化水素（ＨＢｒ）を使用したドライエッチングを行うことができる。
【００４４】
次に、表面レジストマスク３２０を除去する（ステップＳ２０６）。ここで、ステップＳ２０６における基板の断面構造を図７に示す。レジストの除去は、有機溶媒を用いてもよく、また、酸素プラズマ処理などのアッシングを用いてもよい。ここで、レジストの除去の後はＩＰＡ乾燥によって基板を乾燥してもよい。
【００４５】
ここで、図２のプロセスフローでは、単結晶シリコン層１３０のエッチングは表面レジストマスク３２０が配置された状態で処理し、単結晶シリコン層１３０にパターン１３１が形成されてから表面レジストマスク３２０を除去するプロセスを例示したが、パターン１３１が形成される前に表面レジストマスク３２０を除去し、表面ハードマスク３００のみをマスクとして単結晶シリコン層１３０のエッチング処理を行ってもよい。
【００４６】
次に、基板の表面側にパターン１３１を覆う樹脂層３３０を形成する（ステップＳ２０７）。ここで、ステップＳ２０７における基板の断面構造を図８に示す。図８に示すように、樹脂層３３０は基板全域に亘って形成されているが、樹脂層３３０は少なくとも電子線露光用マスクが完成したときの薄板部１００に対応する領域に形成されていればよい。樹脂層３３０としては、多様なレジスト等として用いられる樹脂を使用することができる。
【００４７】
ここで、樹脂層３３０はパターン１３１の表面保護する目的、及び後の工程で薄板部１００を形成するために支持基板１５０をエッチングする際の歪みを抑制する目的、又は形成した後の基板の歪みを抑制する目的で形成される。したがって、樹脂層３３０は一定の剛性を得るのに十分な厚さで形成することが好ましく、具体的には樹脂層３３０の厚さは１０μｍ以上３０μｍ以下とするとよい。
【００４８】
樹脂層３３０は、溶媒に溶けた樹脂材料の溶液をスピンコート法などの塗布法で形成し、熱処理を行うことで硬化させる。樹脂層３３０の厚さは、樹脂材料や添加剤の濃度調整により溶液の粘度を調整し、さらに溶液塗布時の基板の回転速度を調整することで制御することができる。一度の塗布で所望の厚さを得ることができない場合は、樹脂層が所望の厚さになるまで塗布と硬化を複数回繰り返してもよい。
【００４９】
次に、裏面ハードマスク３１０上に裏面レジストマスク３４０を形成する（ステップＳ２０８）。ここで、ステップＳ２０８における基板の断面構造を図９に示す。図９に示すように、裏面ハードマスク３１０上に形成された裏面レジストマスク３４０は、電子線露光用マスクの薄板部１００に対応する箇所に開口部３４１を有している。
【００５０】
次に、裏面ハードマスク３１０をエッチングする（ステップＳ２０９）。ここで、ステップＳ２０９における基板の断面構造を図１０に示す。図１０に示すように、裏面レジストマスク３４０の開口部３４１に対応する位置の裏面ハードマスク３１０が除去されて開口部３１１が形成される。裏面ハードマスク３１０のエッチングはウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ここで、ウェットエッチング及びドライエッチングはステップＳ２０４の表面ハードマスク３００のエッチングと同様の条件で処理することができる。
【００５１】
次に、支持基板１５０をエッチングする（ステップＳ２１０）。ここで、ステップＳ２１０における基板の断面構造を図１１に示す。図１１に示すように、裏面レジストマスク３４０の開口部３４１及び裏面ハードマスク３１０の開口部３１１に対応する位置の支持基板１５０を少なくともボックス層１４０に達するまでエッチングして開口部１５１を形成する。支持基板１５０のエッチングはウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ここで、ウェットエッチング及びドライエッチングはステップＳ２０５の単結晶シリコン層１３０のエッチングと同様の条件で処理することができる。
【００５２】
次に、樹脂層３３０及び裏面レジストマスク３４０を除去する（ステップＳ２１１）。ここで、ステップＳ２１１における基板の断面構造を図１２に示す。樹脂層３３０及び裏面レジストマスク３４０の除去は、有機溶媒を用いてもよく、また、酸素プラズマ処理などのアッシングを用いてもよい。樹脂層３３０及び裏面レジストマスク３４０の除去は同一工程で行ってもよく、それぞれ別の工程で行ってもよい。
【００５３】
上記有機溶媒としては、例えばレジストリムーバを使用することができる。レジストリムーバを用いて樹脂層３３０及び裏面レジストマスク３４０を除去した後に、露出された表面ハードマスク３００、裏面ハードマスク３１０、及び開口部１５１の内部で露出したボックス層１４０の表面に残留した有機物を除去するためにＳＰＭ洗浄を行ってもよい。ＳＰＭ洗浄は、硫酸過酸化水素水洗浄ともいい、Ｈ2Ｏ2：Ｈ2ＳＯ4＝３：１で混合した薬液を７０℃〜８０℃に加熱して使用するもので、強力な酸化作用を利用して有機物の除去に効果がある洗浄方法である。ＳＰＭ洗浄の後はＩＰＡ乾燥によって基板を乾燥してもよい。
【００５４】
次に、表面ハードマスク３００、裏面ハードマスク３１０、及び開口部１５１の内部で露出したボックス層１４０を除去する（ステップＳ２１２）。ここで、ステップＳ２１２における基板の断面構造を図１３に示す。ここで、表面ハードマスク３００、裏面ハードマスク３１０、及び開口部１５１の内部で露出したボックス層１４０の除去は全てを同一工程で行ってもよく、表面ハードマスク３００と、裏面ハードマスク３１０及び開口部１５１の内部で露出したボックス層１４０と、をそれぞれ別の工程で行ってもよい。上記の工程はウェットエッチング又はドライエッチングによって行うことができる。ここで、ウェットエッチング及びドライエッチングはステップＳ２０４の表面ハードマスク３００のエッチングと同様の条件で処理することができる。
【００５５】
ステップＳ２１２の工程によって、厚さが３μｍ以上１０μｍ以下の単結晶シリコン層１３０が残り、薄板部１００が形成される。ステップＳ２１０の支持基板１５０のエッチング及びステップＳ２１２のボックス層１４０のエッチングの２つステップを併せて基板を裏面側からエッチングするということもできる。つまり、ステップＳ２１０及びステップＳ２１２は、薄板部１００に対応する領域の基板が３μｍ以上１０μｍ以下の略均一の厚さとなり、単結晶シリコン層１３０に形成されたパターン１３１が透過部１１０となるように、裏面側から基板をエッチングする、ということができる。
【００５６】
次に、図１３に示す状態の基板を洗浄する（ステップＳ２１３）。ステップＳ２１３における洗浄は、ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄、及びフッ酸洗浄を行うことができる。また、洗浄後はＩＰＡ乾燥によって基板を乾燥してもよい。ここで、ＡＰＭ洗浄は、アンモニア過酸化水素水洗浄ともいい、アンモニア（ＮＨ4ＯＨ）：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：２：５で混合した薬液を７０℃〜８０℃に加熱して使用するもので、有機物の除去及び不溶性のパーティクルの除去に効果がある洗浄方法である。
【００５７】
そして、最後に完成した基板（電子線露光用マスク）の検査を行う（ステップＳ２１４）。基板の検査は、光学顕微鏡を使用することができ、基板に照射した検査光のうち基板によって反射された光を検出する反射モードや、基板を透過した検査光を検出する透過モードによって行うことができる。また、その他の方法として、電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を使用して、光学顕微鏡より高倍率の画像で基板を検査してもよい。
【００５８】
以上のように、本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクの製造方法によると、支持基板１５０を裏面側からエッチングする際に表面側に樹脂層３３０が形成されていることで、外力によって基板が歪むことを抑制することができる。その結果、薄板部１００の形状が変形することを抑制することができる。つまり、製造工程において、薄板部の変形を抑制することができる。
【００５９】
〈実施形態１の変形例〉
本発明の実施形態１の変形例に係る電子線露光用マスクについて、図１４を用いて詳細に説明する。図１４は、本発明の実施形態１の変形例に係る電子線露光用マスクの概要を示す平面図である。図１４に示す電子線露光用マスク１１の断面構造は、図１に示す電子線露光用マスク１０の断面構造と同様の構造とすることができる。
【００６０】
図１４に示すように、電子線露光用マスク１１は、形状の異なる第１透過部４００、第２透過部４１０、第３透過部４２０、及び第４透過部４３０を有している。ここで、第１透過部４００と第２透過部４１０とは、平面視において互いに異なる平面アスペクト比を有している。また、第３透過部４２０及び第４透過部４３０はそれぞれ非透過部４２１及び４３１が支持部材４２２及び４３２によって支持されることで、疑似的な中空構造が構成されている。
【００６１】
以上のように、本発明の実施形態１に係る電子線露光用マスクによると、１つの薄板部に形状の異なる複数の透過部を設けることができる。したがって、１つの電子線露光用マスクで多くの組み合わせのパターンを実現することができるため、電子線露光用マスクに要する費用を低減することができ、また、異なるパターンを形成する際に電子線露光用マスクを取り換える必要がないため、工程を短縮化することができ、製造コストを低減することができる。
【００６２】
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０、１１：電子線露光用マスク
１００：薄板部
１１０：透過部
１２０：非透過部
１３０：単結晶シリコン層
１３１：パターン
１４０：ボックス層
１５０：支持基板
１５１、３０１、３１１、３２１、３４１：開口部
２００：支持部
３００：表面ハードマスク
３１０：裏面ハードマスク
３２０：表面レジストマスク
３３０：樹脂層
３４０：裏面レジストマスク
４００：第１透過部
４１０：第２透過部
４２０：第３透過部
４２１、４３１：中空構造
４２２、４３２：支持部材
４３０：第４透過部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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