(57)【要約】【課題】ＩＣモジュールの載せ替えによる偽造を防止可能な電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体を提供する事。【解決手段】電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、ＩＣモジュール１には、コアシート８上において主アンテナコイル５と接続されたＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４が備えられており、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、ＩＣモジュールの基材１６とＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４を介して接着されており、コアシートとはコアシート側接着樹脂層１５を介して接着されており、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとＩＣモジュール基板側接着樹脂層との接着強度は、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとコアシート側接着樹脂層との接着強度などより小さいことを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体。【選択図】図１
2019212018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイルを備えたコアシートの表裏面に、接着樹脂層を介してオーバーシートが積層されたカードの一部に形成された凹部に、主アンテナコイルと電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュールを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、
デュアルインターフェースＩＣモジュールには、コアシート上において主アンテナコイルと接続されたカード側電磁結合用アンテナコイルと電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが備えられており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材とＩＣモジュール基板側接着樹脂層を介して接着されており、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとＩＣモジュール基板側接着樹脂層との接着強度は、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとコアシート側接着樹脂層およびコアシート側接着樹脂層とコアシートとの接着強度より小さいことを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体。
【請求項２】
少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイルを備えたコアシートの表裏面に、接着樹脂層を介してオーバーシートが積層されたカードの一部に形成された凹部に、主アンテナコイルと電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュールを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、
デュアルインターフェースＩＣモジュールには、コアシート上において主アンテナコイルと接続されたカード側電磁結合用アンテナコイルと電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが備えられており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材とＩＣモジュール基板側接着樹脂層を介して接着されており、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されており、
デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材には、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが破断される位置に、且つ基材の端部には至らない位置に、切れ込みが備えられていることを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体。
【請求項３】
少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイルを備えたコアシートの表裏面に、接着樹脂層を介してオーバーシートが積層されたカードの一部に形成された凹部に、主アンテナコイルと電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュールを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、
デュアルインターフェースＩＣモジュールには、コアシート上において主アンテナコイルと接続されたカード側電磁結合用アンテナコイルと電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが備えられており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材上に印刷された印刷アンテナコイルであり、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されていることを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デュアルインターフェースＩＣ媒体に関する。更に詳しくは、ＩＣ媒体のコアシートに形成された非接触通信用のアンテナコイルと、デュアルインターフェースＩＣモジュールと、が双方の結合アンテナコイルによって電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体は、ＩＣモジュールの電磁結合用アンテナコイルとカード側の電磁結合用アンテナコイルが、トランスと同様に電磁結合することによって電力供給と通信を行うことを特徴とするＩＣ媒体である。
【０００３】
図４に、ＩＣ媒体の例として、電磁結合タイプのデュアルインターフェースカード４０の断面構成の一例を示した。電磁結合タイプのデュアルインターフェースカード４０は、少なくとも、片面にリーダー・ライターから電力の供給を受けると共に、通信を行う主アンテナコイル５と、ＩＣモジュール１と電磁結合可能とするカード側結合用アンテナコイル３と、を備えたコアシート８の表裏面にそれぞれ接着樹脂層７−１、７−２を介してオーバーシート６−１、６−２が積層された積層体に一部に、凹部９を備えている。
電磁結合タイプのデュアルインターフェースカード４０は、その凹部９に、ＩＣモジュール１を配置した構成となっている。ＩＣモジュール１の一方の面には外部装置との通信を行う電極である複数の外部接触端子２が形成されている。ＩＣモジュール１のもう一方の面には、樹脂モールドされたＩＣチップ１１と、ＩＣモジュール側結合用アンテナコイル４が備えられている。各外部接触端子２は、ＩＣモジュール１の基材１６の表裏面を貫通した図示していないスルーホールに形成された導体と表裏面に形成された導体配線（図示省略）を介して、ＩＣチップ１１の電極と接続されている。このＩＣモジュール側結合用アンテナコイル４と、カード側結合用アンテナコイル３と、が電磁結合する事によって、ＩＣモジュール１と外部装置との通信が可能となっている。また、図示を省略したが、コアシート８には、主アンテナコイル５とカード側電磁結合用アンテナコイル３の他に、コアシート８を挟み込んだ電極を形成して容量性素子をそれらのアンテナコイルと例えば、直列に形成する。この容量性素子とキャパシタンスと主アンテナコイル５のインダクタンスにより、共振回路を形成し、電磁結合可能となる。
【０００４】
また、ＩＣモジュール１の外部接触端子２が配置されている側のオーバーシート６−１の表面には絵柄１２が形成されているのが通常である。その面の反対側のオーバーシート６−２の表面に絵柄などが形成されていても良い。
【０００５】
また、ＩＣモジュール１は、通常、その周縁部にＩＣモジュール側結合用アンテナコイル４が備えられており、その内側にＩＣチップが実装され、その上から樹脂モールドされている。そのため、凹部９は２段となっている。１段目はオーバーシート６−１の表面からコアシート８の表面が露出するまでの凹部であり、更にその凹部の内側に、更に深い凹部が形成され、樹脂モールドされたＩＣチップ１１の凸部を収容可能な深さを備えた凹部９が形成されている。この凹部９にＩＣモジュール１が収容され、外部接触端子２と、オーバーシート６−１の表面がほぼ面一となっている。
【０００６】
電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードでは、図４に例示した様に、カード側電磁結合用アンテナコイル３が、ＩＣモジュール１側の結合用アンテナコイル４−１と電磁的に結合しているため、ＩＣモジュール１のＩＣチップに直接的に接続されていない。そのため、ＩＣカード４０のカード基材から不正使用を目的にＩＣモジュール１を剥離し、そのＩＣモジュール１を偽造したＩＣカード基材に載せ替えることによって、ＩＣカードを偽造することが可能である。
【０００７】
このような偽造を防止する技術に類似した先行技術としては、例えば、紙を基材とした非接触ＩＣ媒体の中のＩＣインレットを故意に剥がそうとするとアンテナが確実に破壊される非接触ＩＣ媒体を提供することを目的にして、樹脂基材上に形成した金属箔をエッチングにより形成したアンテナと、そのアンテナに接合された印刷により形成したアンテナと、その印刷により形成したアンテナと情報を記録したＩＣチップが接続されたインレットを、紙基材に接着剤層を形成した基材の接着剤層を内側にして挟み込むようにして積層した非接触ＩＣ媒体が開示されている（特許文献１）。
【０００８】
しかしながらこの技術は、カード側のアンテナコイルが、ＩＣモジュールのＩＣチップに直接的に接続されている非接触ＩＣ媒体に関する技術であり、ＩＣモジュールの電磁結合用アンテナコイルとカード側の電磁結合用アンテナコイルを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードとは異なる技術である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２５９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記の事情に鑑み、本発明は、ＩＣモジュールの載せ替えによる偽造を防止可能な電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体を提供する事を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項１に記載の発明は、少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイルを備えたコアシートの表裏面に、接着樹脂層を介してオーバーシートが積層されたカードの一部に形成された凹部に、主アンテナコイルと電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュールを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、
デュアルインターフェースＩＣモジュールには、コアシート上において主アンテナコイルと接続されたカード側電磁結合用アンテナコイルと電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが備えられており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材とＩＣモジュール基板側接着樹脂層を介して接着されており、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとＩＣモジュール基板側接着樹脂層との接着強度は、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとコアシート側接着樹脂層およびコアシート側接着樹脂層とコアシートとの接着強度より小さいことを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体である。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイルを備えたコアシートの表裏面に、接着樹脂層を介してオーバーシートが積層されたカードの一部に形成された凹部に、主アンテナコイルと電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュールを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、
デュアルインターフェースＩＣモジュールには、コアシート上において主アンテナコイルと接続されたカード側電磁結合用アンテナコイルと電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが備えられており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材とＩＣモジュール基板側接着樹脂層を介して接着されており、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されており、
デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材には、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが破断される位置に、且つ基材の端部には至らない位置に、切れ込みが備えられていることを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体である。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイルを備えたコアシートの表裏面に、接着樹脂層を介してオーバーシートが積層されたカードの一部に形成された凹部に、主アンテナコイルと電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュールを備えた電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体において、
デュアルインターフェースＩＣモジュールには、コアシート上において主アンテナコイルと接続されたカード側電磁結合用アンテナコイルと電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが備えられており、
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材上に印刷された印刷アンテナコイルであり、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されていることを特徴とする電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体である。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載した本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体は、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材とＩＣモジュール基板側接着樹脂層を介して接着されており、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されている。ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとＩＣモジュール基板側接着樹脂層との接着強度が、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルとコアシート側接着樹脂層およびコアシート側接着樹脂層とコアシートとの接着強度より小さいため、デュアルインターフェースＩＣモジュールをＩＣ媒体から引き剥がすと、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルはＩＣモジュールの基材から剥離し、コアシート側に残留する。そのため、デュアルインターフェースＩＣモジュールからＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが除去されるため、正常に機能しなくなり、ＩＣモジュールの載せ替えによる偽造を防止することができる。
【００１５】
請求項２に記載した本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードは、請求項１に記載の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体と同様の層構成からなるが、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材には、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが破断される位置に、且つ基材の端部には至らない位置に、切れ込みが備えられているため、ＩＣモジュールを剥離して取り出す際に、切れ込みによりＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが破断される。そのため、正常に機能しなくなり、ＩＣモジュールの載せ替えによる偽造を防止することができる。
【００１６】
請求項３に記載した本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体は、請求項１に記載の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体と同様の層構成からなるが、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルは、デュアルインターフェースＩＣモジュールの基材上に印刷された印刷アンテナコイルであり、コアシートとはコアシート側接着樹脂層を介して接着されているため、ＩＣモジュールを剥離して取り出す際に、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイルが容易に破壊される。そのため、正常に機能しなくなり、ＩＣモジュールの載せ替えによる偽造を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のデュアルインターフェースＩＣ媒体のＩＣモジュール部の断面構成を例示した説明図であって、（ａ）はＩＣモジュール部の全体図、（ｂ）はＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル部の拡大図（点線で囲った部分）、をそれぞれ示している。
【図２】本発明のデュアルインターフェースＩＣ媒体のＩＣモジュール部の断面構成を例示した説明図であって、（ａ）はＩＣモジュール部の全体図、（ｂ）はＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル部の拡大図（点線で囲った部分）、をそれぞれ示している。
【図３】本発明のデュアルインターフェースＩＣ媒体のＩＣモジュール部の断面構成を例示した説明図であって、（ａ）はＩＣモジュール部の全体図、（ｂ）はＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル部の拡大図（点線で囲った部分）、をそれぞれ示している。
【図４】従来のデュアルインターフェースＩＣ媒体の断面構成を例示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体について、ＩＣカードを例として、図１〜図３を使用して説明する。
【００１９】
＜第一の実施形態＞
[電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカード]
図１を用いて、本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカードの第一の実施形態について説明する。
本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカード１０は、少なくとも、外部装置から電力供給を受け、且つ外部装置との通信を可能とする主アンテナコイル５を備えたコアシート８の表裏面に、接着樹脂層７−１、７−２を介してオーバーシート６−１、６−２が積層されたカードの一部に形成された凹部９に、主アンテナコイル５と電磁結合可能にデュアルインターフェースＩＣモジュール１を備えたＩＣカードである。
【００２０】
本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカード１０が使用するデュアルインターフェースＩＣモジュール１には、コアシート８上において主アンテナコイル５と接続されたカード側電磁結合用アンテナコイル３と電磁結合可能なＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４が備えられている。
【００２１】
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４は、デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６とＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４を介して接着されており、コアシート８とはコアシート側接着樹脂層１５を介して接着されている。
【００２２】
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４とＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４との接着強度は、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４とコアシート側接着樹脂層１５およびコアシート側接着樹脂層とコアシートとの接着強度より小さいことが特徴である。
【００２３】
このことにより、ＩＣモジュール１を凹部９から引き剥がす時に、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４がＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４から剥離し、コアシート側接着樹脂層１５に接着したまま、コアシート８側に残留する。そのため、ＩＣモジュール１はＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４を失い、通信機能を喪失する。この様にして、ＩＣモジュール１を載せ替えることによるＩＣカードの偽造を防止することができる。
【００２４】
（デュアルインターフェースＩＣモジュール）
電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣモジュール１では、それを形成するＩＣモジュール１の基材１６の上面に、外部の読取装置と接触型通信をするための外部接触
端子２を形成する。
【００２５】
デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基板１６の上面の外部接触端子２は、スルーホール（図示省略）によって基材１６の下面の配線パターン（図示省略）に接続することにより、ＩＣチップ１１と各外部接触端子２が電気的に接続され、接触型ＩＣカードとして機能することができる。
【００２６】
（コアシートおよびアンテナシート）
コアシート８は、厚み１５〜５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の絶縁性のベース基板を用いることができる。そのコアシート８の表裏には、厚み５〜５０μｍの銅箔、あるいはアルミ箔を材料としてエッチングにより、外部機器等との間で非接触型通信を行うためのアンテナとして、主アンテナコイル５と、デュアルインターフェースＩＣモジュール１のＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４と電磁結合するためのカード側電磁結合用アンテナコイル３および容量性素子（図示省略）を形成する。
【００２７】
この主アンテナコイル８及びカード側電磁結合用アンテナコイル３は、直径３０μｍ〜１５０μｍ程度の銅などのワイヤーにより形成してもよい。
【００２８】
容量性素子は、非接触型通信を行うための主アンテナコイル８の共振周波数を設定する静電容量を形成する回路要素である。容量性素子は、アンテナシートの表面と裏面で対向させた幅広パターンによって形成する。その容量性素子により、主アンテナコイル８のインダクタンスによる共振回路を形成する。
【００２９】
カード側電磁結合用アンテナコイル３の最内周の端部は、容量性素子と導通する略円形のランド部（図示省略）に接続する。ランド部は、クリンピングによりアンテナシートの裏面側に形成されたランド部に電気的に接続する。これらのランド部は、導電性ペースト、抵抗溶接やレーザー溶接等により電気的に接続してもよい。
【００３０】
（主アンテナコイル）
主アンテナコイル８は、外部装置等との間で非接触型通信を行うためのアンテナである。上記のアンテナシートを作製する時に、カード側電磁結合用アンテナコイル３と同時に主アンテナコイル８を形成することができる。
【００３１】
（オーバーシート）
オーバーシート６−１、６−２は、ＰＥＴ−Ｇ基材もしくは塩化ビニールシート等からなる。例えば、０．３ｍｍ厚のＰＥＴ−Ｇ基材とすることができる。
【００３２】
（接着樹脂層）
例えば、オーバーシート６−１、６−２の片面に、ポリエステル樹脂溶液をグラビアコーターにて塗工して塗膜を形成し、乾燥して２〜３μｍ厚の接着樹脂層７−１、７−２とすることができる。接着樹脂層７−１、７−２としては、ポリエステル樹脂溶液のような各種の熱可塑性樹脂溶液をグラビア印刷等にて塗工して塗膜を形成し、乾燥して接着樹脂層を形成することができる。
【００３３】
（カード側電磁結合用アンテナコイル）
カード側電磁結合用アンテナコイル３は、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４と電磁結合することにより、リーダー・ライターの様な外部装置との無線通信を行う、コアシート８上に形成されたアンテナである。
【００３４】
（ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル）
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４は、カード側電磁結合用アンテナコイル３と電磁結合することにより、ＩＣモジュール１がリーダー・ライターの様な外部装置との無線通信を行うための、デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６の上面の外部接触端子２とは反対側に形成されたアンテナである。
【００３５】
（ＩＣモジュールの基材）
デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６としては、厚み５０〜２００μｍのガラスエポキシやＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の絶縁基板の片面に銅箔が形成された片面基板を用いることができる。銅箔の代わりにアルミニウム箔を使用しても構わない。それらの金属箔を、フォトリソグラフィを用いてエッチング加工することによってＩＣモジュールの基板上に配線パターンやＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４を形成することができる。
【００３６】
（ＩＣモジュール基板側接着樹脂層およびコアシート側接着樹脂層）
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４の材料として、例えば銅箔を使用した場合は、ＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４およびコアシート側接着樹脂層１５として、エポキシ樹脂系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、シリコーンゴム系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、アクリレート系接着剤、などを、挙げることができる。これらの接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤と、充填材と、溶剤と、を含むワニス配合液の形で用意され、基材１６に塗布され、接着樹脂層１４となる。また、銅箔の代わりにアルミニウム箔を使用した場合は、適宜、適切な接着樹脂層を選択すれば良い。
【００３７】
これらの接着樹脂の組合せとしては、特に限定する必要はなく、銅箔とコアシート側接着樹脂層１５との接着力が、銅箔とＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４の接着力より大きい組合せであれば、いかなる組合せでも良い。
【００３８】
[電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法]
まず、ＩＣモジュールの製造方法について説明する。
（電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣモジュールの製造方法）
本実施形態では、デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６として、厚み５０〜００μｍのガラスエポキシやＰＥＴ等の絶縁基板の片面に銅箔が形成された片面基板を用いることができる。その片面基板の銅箔形成面をデュアルインターフェースＩＣモジュール１の上面にすることができる。
【００３９】
（工程１）
その片面基板の上面の銅箔をエッチングすることによって１５〜５０μｍの複数の銅箔パターンで外部接触端子２のパターンを形成する。
【００４０】
（工程２）
次に、その外部接触端子２の銅箔パターンの露出部分に、例えば、０．５〜３．０μｍのニッケルめっき層を形成し、さらにその上に０．０１〜０．３μｍの金めっきを形成する。ただし、外部接触端子２の表面に形成するめっき層の構成および膜厚はこの限りではない。
【００４１】
（工程３）
次に、デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６の下面には、ＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４を介して接着した銅箔をエッチング加工することにより、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４と、配線（図示省略）と、バンプ接続端子（図示省略）とを形成し、そして、導電性インキをスルーホール（図示省略）へ充填して外部接触端子２とＩＣチップを導通する導電体を形成する。
【００４２】
ここで、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４のパターンの寸法を、例えば１１．８ｍｍ×１３ｍｍ以内に形成する。ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４のパターンをこの寸法に形成することによって、通常のＩＣカード製造用設備を用いてデュアルインターフェースＩＣモジュール１を製造することができる。
【００４３】
導電性インキは、銀あるいは銅などのフィラーを含んだ導電性に優れた物がよく、体積抵抗率が５．０×１０−４Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。
【００４４】
その導電性インキを充填したスルーホールにより、デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６の上面の外部接触端子２と、基材１６の下面のＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４のパターンと配線パターン（図示省略）を電気接続させることができる。
【００４５】
（工程４）
次に、接触型インターフェースと非接触型インターフェースとを内蔵したＩＣチップ（図示省略）を、デュアルインターフェースＩＣモジュール１の基材１６の裏面へフリップチップ実装する。すなわち、ＩＣチップの接続バンプを基材１６のバンプ接続端子（図示省略）に電気接続させる。
【００４６】
（工程５）
そして、基材１６の面とＩＣチップの面の間隙にアンダーフィル樹脂を流し込んで充填させて硬化させる。それにより、ＩＣチップを実装し、その接続バンプをアンダーフィル樹脂に埋め込んで封止し保護したデュアルインターフェースＩＣモジュール１を製造することができる。
【００４７】
（アンテナシートの製造方法）
次に、アンテナシートの製造方法について説明する。
アンテナシートのベース基材であるコアシート８としては、厚み１５〜５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の絶縁性のベース基板を用いることができる。
【００４８】
そのアンテナシートのベース基材であるコアシート８の表裏には、厚み５〜５０μｍの銅箔、あるいはアルミ箔を材料としてエッチングにより、外部装置等との間で非接触型通信を行うためのアンテナ回路として、主アンテナ５と、デュアルインターフェースＩＣモジュール１のＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４と電磁結合するためのカード側電磁結合用アンテナコイル３と、容量性素子（図示省略）を形成する。
【００４９】
この主アンテナ５及びＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４は、直径３０μｍ〜１５０μｍ程度の銅などのワイヤーにより形成してもよい。
【００５０】
容量性素子（図示省略）は、非接触型通信を行うための主アンテナ５の共振周波数を設定する静電容量を形成する回路要素である。容量性素子は、アンテナシートの表面と裏面で対向させた幅広パターンによって形成する。その容量性素子により、主アンテナ５のインダクタンスによる共振回路を形成する。
【００５１】
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４の最内周の端部は、容量性素子と導通する略円形のランド部（図示省略）に接続する。ランド部は、クリンピングによりＩＣモジュール１の基板の裏面側に形成されたランド部に電気的に接続する。これらのランド部は、導電性ペースト、抵抗溶接やレーザー溶接等により電気的に接続してもよい。
【００５２】
（電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法）
次に、電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカード１０の製造方法について説明する。
【００５３】
上記の工程で作製した、電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣモジュール１とアンテナシートを用いて、電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカード１０を製造する事ができる。
【００５４】
まず、コアシート８の片面に主アンテナ５と、カード側電磁結合用アンテナコイル３、容量素子と、が形成されたアンテナシートの表裏面に、オーバーシート６−１、６−２を、接着層７−１、７−２を介して接着して熱ラミネートすることにより積層体を作製することができる。この積層体が、打ち抜き加工や外形加工を経て、カード本体となる。
【００５５】
次に、積層体のカード側電磁結合用アンテナコイル３が形成されている部位に、電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣモジュール１を嵌め込む凹部９を形成する。凹部９の形成は、ザグリ加工（ミーリング加工とも言う。）により、カード側電磁結合用アンテナコイル３とＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４が電磁結合して通信可能な位置に、ＩＣモジュール１を嵌め込む事ができる平面寸法および深さの凹部９を形成する。
【００５６】
凹部９は、２段となっている。まずオーバーシート６−１の表面から、ＩＣモジュール１を嵌め込み可能な平面寸法にてザグリ加工を行う。その深さは、オーバーシート６−１と接着層７−１を除去し、コアシート８が露出する深さである。
【００５７】
次に、ＩＣモジュール１の樹脂モールドされたＩＣチップ１１のＩＣモジュール１の基材１６からの盛り上がり高さを収納するため、その盛り上がり高さより深く、且つ反対側のオーバーシート６−２には達しない深さまでザグリ加工する。
【００５８】
次に、露出したコアシート８の表面にコアシート側接着樹脂層１５を形成する。コアシート側接着樹脂層１５の形成方法は特に限定されないが、例えばディスペンサを使用して接着樹脂層を塗布することができる。
【００５９】
次に、凹部９にホットメルトシートなどの接着樹脂層を介して、ＩＣモジュール１を嵌め込み、加熱してホットメルトシートを溶融後、固化させることにより接着する。この際、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４が、コアシート側接着樹脂層１５と接着するように、ホットメルトシートの大きさと量を調整して、熱圧着することによりＩＣモジュール１を固定する。
【００６０】
以上の様にして、本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカード１０を製造することができる。
【００６１】
＜第二の実施形態＞
次に、本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードＩＣカードの第二の実施形態について、図２を用いて説明する。
【００６２】
本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードＩＣカード２０が、第一の実施形態における電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードＩＣカード１０と異なるのは、ＩＣモジュール側接着樹脂層１４´とコアシート側接着樹脂層１５´が、第一
の実施形態におけるＩＣモジュール側接着樹脂層１４とコアシート側接着樹脂層１５と異なっている点である。また、ＩＣモジュールの基材１６のＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４側に、切れ込み部１３が形成されている点である。
【００６３】
ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４に対するＩＣモジュール側接着樹脂層１４´とコアシート側接着樹脂層１５´の接着強度の関係が、第一の実施形態における接着強度の関係を満たしていなくても良い。ＩＣモジュールの基材１６のＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４側に形成された切れ込み部１３により、ＩＣカード２０からＩＣモジュール１−１を引き剥がして取り出す時に、切れ込み部１３からＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４が破断する。そのため、ＩＣモジュール１−１はアンテナ機能を失い、通信不能となる。
【００６４】
また、切れ込み部１３は、第一の実施形態における工程３におけるのと同様に、第二の実施形態においては、デュアルインターフェースＩＣモジュール１−１の基材１６の下面に、ＩＣモジュール基板側接着樹脂層１４´を介して接着した銅箔をエッチング加工することにより、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４と、配線（図示省略）と、バンプ接続端子（図示省略）とを形成した後、切れ込み部１３を形成すれば良い。その他は第一の実施形態と同様である。切れ込み部１３を形成する部位は、切れ込み部１３によりＩＣモジュールの基材１６が破断する際に、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４が破断する位置であれば良い。例えば、巻回して形成されたアンテナコイル４の隣接するパターン間に切れ込み部１３を形成することにより、確実にＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４を破断することができる。
【００６５】
＜第三の実施形態＞
次に、本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードＩＣカードの第三の実施形態について、図３を用いて説明する。
【００６６】
本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードＩＣカード３０が、第一の実施形態における電磁結合タイプのデュアルインターフェースカードＩＣカード１０と異なるのは、ＩＣモジュール側接着樹脂層１４が備えられておらず、また、コアシート側接着樹脂層１５´´が、第一の実施形態におけるコアシート側接着樹脂層１５と異なっていても良い点である。ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４−１が、導電性インキを印刷したアンテナコイルである点である。
【００６７】
そのため、第一の実施形態における工程３が、次のようになる点が異なっている。すなわち、デュアルインターフェースＩＣモジュール１−２の基材１６の下面には、ＩＣモジュールの基材１６上に、直接、導電性インキを印刷することにより、ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル４−１と、配線（図示省略）と、バンプ接続端子（図示省略）とを形成し、そして、導電性インキをスルーホール（図示省略）へ充填して外部接触端子２とＩＣチップを導通する導電体を形成する。その他は、第一の実施形態と同様である。
【００６８】
以上、本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体を分かり易くする目的で、電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣカードを例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はＩＣカードに限定するものではなく、ＩＣカード以外の幅広い用途にも適用することができる。例えば、本発明の電磁結合タイプのデュアルインターフェースＩＣ媒体は、パスポートなどに使用するＩＣ媒体として好適に使用することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１、１−１、１−２、１´・・・（電磁結合タイプのデュアルインターフェース）ＩＣモ
ジュール
２・・・外部接触端子
３・・・カード側電磁結合用アンテナコイル
４、４−１・・・ＩＣモジュール側電磁結合用アンテナコイル
５・・・主アンテナコイル
６−１、６−２・・・オーバーシート
７−１、７−２・・・接着樹脂層
８・・・コアシート
９・・・凹部
１０、２０、３０、４０・・・（電磁結合タイプのデュアルインターフェース）ＩＣカード
１１・・・（樹脂モールドされた）ＩＣチップ
１２・・・絵柄
１３・・・切れ込み部
１４、１４´・・・ＩＣモジュール基板側接着樹脂層
１５、１５´、１５´´・・・コアシート側接着樹脂層
１６・・・（ＩＣモジュールの）基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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