(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の波長域の電磁遮蔽保護機能を備えるＳｉＰモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板の上面に、ＳｉＰモジュールに必要となる電子素子を溶接し、ＳｉＰモジュールのプリント回路板デバイスを作成するステップと、プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップと、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材を充填して封止し、プラスチック材によってプリント回路板デバイス上面での電子素子及び機能性フィルムを覆い、プラスチック材を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得るステップと、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数の上記ＳｉＰモジュールを得るステップとを含む。【選択図】図１
2019220674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板の上面に、ＳｉＰモジュールに必要となる電子素子を溶接し、ＳｉＰモジュールのプリント回路板デバイスを作成するステップと、
前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップと、
前記プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材を充填して封止し、前記プラスチック材によって前記プリント回路板デバイス上面での電子素子及び機能性フィルムを覆い、前記プラスチック材を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得るステップと、
前記硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数の前記ＳｉＰモジュールを得るステップと、
を含むことを特徴とする、ＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記した前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップは、更に、
前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、
外部から前記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、
前記プリント回路板デバイスを加熱し、前記機能性フィルムを前記電子素子の表面に強固に貼り付けるステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記した前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップは、更に、
前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の上面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、
上方から下へ前記機能性フィルムに圧力を印加し、前記機能性フィルムを前記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付けるステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項４】
上方から下へ前記機能性フィルムに圧力を印加し、前記機能性フィルムを前記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付けるステップは、更に、
上方から下へ前記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、
前記プリント回路板デバイスを加熱し、ゴム層を硬化させた後、前記機能性フィルムを前記電子素子の上面に強固に貼り付けるステップとを含むことを特徴とする、請求項３に記載のＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記ＳｉＰモジュールの四周及び上面に金属をスパッタリングして電磁遮蔽層を形成するステップを更に含むことを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記機能性フィルムは、カットラインで区画された複数のフィルムユニットを含み、
前記カットラインは、一部が空け、もう一部が前記フィルムユニットに接続され、
前記フィルムユニットはＳｉＰモジュール毎に対応することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか1項に記載のＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記カットラインは、縦方向カットラインと横方向カットラインを含み、
前記縦方向カットラインと前記横方向カットラインとの非交差領域が空け、前記縦方向カットラインと前記横方向カットラインとの交差領域が前記フィルムユニットに接続されることを特徴とする、請求項６に記載のＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項８】
上面にＳｉＰモジュールに必要となる電子素子が溶接され、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板と、
前記電子素子の表面に強固に貼り付けられ、前記電子素子と一緒にプラスチック材に覆われる機能性フィルムとを含むことを特徴とする、ＳｉＰモジュール。
【請求項９】
前記機能性フィルムは、電磁遮蔽機能を有することを特徴とする、請求項８に記載のＳｉＰモジュール。
【請求項１０】
前記プラスチック材の上面及び四周に電磁遮蔽層が設けられることを特徴とする、請求項８に記載のＳｉＰモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＰモジュール及びその製造方法に関し、特に、簡略化されたＳｉＰモジュール製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今のところ、通信分野における電子製品がますます集積化・微小化している上に、電子製品の機能的な整合のため、電子製品の内部素子の配列ピッチは、必ず小さくようになっている。実際な適用において、電子素子とプリント回路板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）との接続の強化、外部ダストなどの電子素子内への進入防止、電子素子の電気漏れや各電子素子の間の干渉などの回避のために、プラスチック材で電子素子を封止しなければならない。
【０００３】
目の前、熱によってプラスチック材で封止する技術の製作過程としては、表面マウント技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＳＭＴ）によってＰＣＢに素子を実装し、プリント回路板デバイス（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ、ＰＣＢＡ）を作成し、ＰＣＢＡの上面にプラスチック材を充填して封止し、モールディング層（Ｍｏｌｄｉｎｇ）を形成し、硬化させた後、カットしてシステム・イン・パッケージ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ、ＳｉＰ）モジュールを形成することであるが、ＰＣＢに溶接された電子素子には、他の付属薄膜又は物質がない。電磁遮蔽としては、一般的に、プラスチック材で封止されたＳｉＰモジュールに金属層をスパッタリングし、又はゴムフィルムを貼り付け、電磁保護という効果を達成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、電子産業の発展に伴って、電磁保護等に対する要求が高まっていて、プラスチック材で封止してから電磁遮蔽を行う（ゴムフィルムを貼り付ける又はフィルムとしてスパッタリングする）プロセスでは、単一の波長域に対する電磁遮蔽だけが実現でき、複数の波長域の電磁遮蔽が実現し難く、また、フィルムとしてスパッタリングする場合、プラスチック材による封止体との結合力の制御も比較的に難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、ＳｉＰモジュール及びその製造方法を開示し、ＳｉＰモジュールのプロセスフローを簡略化させた。本発明により提供される技術手段は、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板の上面に、ＳｉＰモジュールに必要となる電子素子を溶接し、ＳｉＰモジュールのプリント回路板デバイスを作成するステップと、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップと、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材を充填して封止し、上記プラスチック材によって上記プリント回路板デバイス上面での電子素子及び機能性フィルムを覆い、上記プラスチック材を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得るステップと、上記硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数の上記ＳｉＰモジュールを得るステップとを含むＳｉＰモジュールの製造方法である。
【０００６】
上記した技術手段において、直接的にプラスチック材で電磁遮蔽機能を有する機能性フィルムを電子素子と一緒に封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたＳｉＰモジュールは、電磁遮蔽保護などの機能を備えるようになり、ＳｉＰモジュールの製造フローを簡略化させた。
【０００７】
更に、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子表面に、上記機能性フィルムを強固に貼り付ける方法は、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の表面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、外部から上記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、上記プリント回路板デバイスを加熱し、上記機能性フィルムを上記電子素子の表面に強固に貼り付けるステップとを含む。上記技術手段において、上記機能性フィルムの粘性層は、熱硬化性ゴム層であり、外部圧力と加熱硬化を同時に採用するという手法によって、機能性フィルムを電子素子の表面に強固に貼り付け、貼り付け効果がより一層良くなる。
【０００８】
更に、上記した上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子表面に機能性フィルムを強固に貼り付ける具体的な方法は、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の上面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、上方から下へ上記機能性フィルムに圧力を印加し、上記機能性フィルムを上記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付けるステップである。上記技術手段において、上方から下へ機能性フィルムに印加する圧力によって、機能性フィルムを凸凹不平の各電子素子の上面を比較的に強固に貼り付けることができ、後にプラスチック材で封止する場合に機能性フィルムが衝撃を受けて電子素子の上面から離れる確率を低減し、プロセスの歩留まりを向上させた。
【０００９】
更に、上記した上方から下へ上記機能性フィルムに圧力を印加し、上記機能性フィルムを上記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付ける具体的な方法は、上方から下へ上記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、上記プリント回路板デバイスを加熱し、ゴム層を硬化させた後、上記機能性フィルムを上記電子素子の上面に強固に貼り付けるステップである。
【００１０】
更に、当該方法は、上記ＳｉＰモジュールの四周及び上面に金属をスパッタリングして電磁遮蔽層を形成するステップを更に含む。上記技術手段において、機能性フィルムと金属スパッタリングという手法によって、ＳｉＰモジュールは、複数の波長域の電磁波に対する遮蔽機能を有するようになり、ＳｉＰモジュールの電磁遮蔽の能力と効果を向上させた。
【００１１】
更に、上記機能性フィルムは、カットラインで区画された複数のフィルムユニットを含み、上記カットラインは、その一部が空け、もう一部が上記フィルムユニットに接続され、上記フィルムユニットはＳｉＰモジュール毎に対応する。上記技術手段において、機能性フィルムのカットラインは、その一部が空け、もう一部がフィルムユニットに接続される構成であることによって、カットする場合に機能性フィルムが刃具に粘着する確率を低減するだけでなく、機能性フィルムが互いに繋がっていた複数のフィルムユニットを有することを保証し、後の利用が便利になり、また保存が比較的に便宜である。
【００１２】
更に、上記カットラインは、縦方向カットラインと横方向カットラインを含み、上記縦方向カットラインと上記横方向カットラインとの非交差領域が空け、上記縦方向カットラインと上記横方向カットラインとの交差領域が上記フィルムユニットに接続される。上記技術手段において、機能性フィルムのカットラインは、その空け処が異なる位置に設けられてもよく、形状、サイズが多種あり、広くて活用される。
【００１３】
また、本発明は、上面にＳｉＰモジュールに必要となる電子素子が溶接され、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板と、上記電子素子の表面に強固に貼り付け、上記電子素子と一緒にプラスチック材に覆われる機能性フィルムとを含むＳｉＰモジュールを提供した。
【００１４】
更に、上記機能性フィルムは、電磁遮蔽機能を有する。上記技術手段において、機能性フィルムは電磁遮蔽機能を有するため、直接的に電子素子と一緒にプラスチック材に封止されることによって、プラスチック材で封止した完成されたＳｉＰモジュールは、一定の電磁遮蔽効果を有するようになる。
【００１５】
更に、上記プラスチック材の上面及び四周に、電磁遮蔽層が設けられる。上記技術手段において、電磁遮蔽層と機能性フィルムとの併用によって、ＳｉＰモジュールは、異なる波長域の電磁波に対して遮蔽することができ、ＳｉＰモジュールの電磁遮蔽機能を向上させた。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のＳｉＰモジュール及びその製造方法は、従来技術に比べると、その有利な効果として、直接的に電磁遮蔽機能を有する機能性フィルムを電子素子と一緒にプラスチック材で封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたＳｉＰモジュールは、電磁遮蔽保護機能を備えるようになり、ＳｉＰモジュールの製造フローを簡略化させることにある。金属スパッタリングと組み合わせて利用することによって、ＳｉＰモジュールの電磁遮蔽効果がより良くなることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明ＳｉＰモジュールの製造方法の１つの実施例のフローチャートである。
【図２】本発明ＳｉＰモジュールの製造方法のもう１つの実施例のフローチャートである。
【図３】本発明ＳｉＰモジュールの製造方法のまた１つの実施例のフローチャートである。
【図４ａ】本発明ＳｉＰモジュールの一部の製造フロー模式図である。
【図４ｂ】本発明ＳｉＰモジュールの一部の製造フロー模式図である。
【図４ｃ】本発明ＳｉＰモジュールの一部の製造フロー模式図である。
【図５ａ】本発明ＳｉＰモジュールのもう一部の製造フロー模式図である。
【図５ｂ】本発明ＳｉＰモジュールのもう一部の製造フロー模式図である。
【図５ｃ】本発明ＳｉＰモジュールのもう一部の製造フロー模式図である。
【図６】本発明に係る繋がっていた２つのＰＣＢにおけるＳｉＰモジュール領域の構成模式図である。
【図７】図６におけるＳｉＰモジュール領域設計に対する機能性フィルム構成模式図である。
【図８ａ】本発明ＳｉＰモジュールの構成模式図である。
【図８ｂ】本発明ＳｉＰモジュールの構成模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明が所定の目的を達成するために採用される技術、方法及び効果を更に理解するように、以下に本発明に関する詳細な説明と添付図面を参照するが、これによって本発明の目的、特徴と特点を深くて具体的に理解できると信じられるが、添付図面は参照として本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
【００１９】
本明細書には、システム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）モジュールの製造方法が提出され、開示された技術の目的は、以下にある。
図１に示すように、本発明の１つの実施例は、ＳｉＰモジュールの製造方法であり、以下のステップを含む。
ステップＳ１１０では、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板１の上面に、ＳｉＰモジュールに必要となる電子素子８を溶接し、ＳｉＰモジュールのプリント回路板デバイス、即ち、ＰＣＢＡを作成する。
ステップＳ１２０では、プリント回路板デバイスにおける電子素子８の表面に機能性フィルム９を強固に貼り付ける。
ステップＳ１３０では、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材１０を充填して封止し、プラスチック材１０によってプリント回路板デバイス上面での電子素子８及び機能性フィルム９を覆い、プラスチック材１０を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得る。
ステップＳ１４０では、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数のＳｉＰモジュール３を得る。
【００２０】
具体的には、プロセス効率を高めるように、プリント回路板１上にＳｉＰモジュール３に必要となる電子素子８を複数実装し、プラスチック材で封止してカットし、複数のＳｉＰモジュール３を得るようになる。
【００２１】
ＰＣＢは、表面マウント技術（ＳＭＴ）によって素子を実装することによって、プリント回路板デバイス、即ち、ＰＣＢＡが作成される。ＰＣＢＡを得た後、ＰＣＢＡにおける電子素子８の表面に機能性フィルム９を貼り付け、例えば、電子素子８の上面だけに貼り付けてもよいし、電子素子８の上面と側面に貼り付けてもよい。
【００２２】
機能性フィルム９が貼り付けられたＰＣＢＡをプラスチック材で封止し、プラスチック材１０によってプリント回路板１デバイス上面での電子素子８及び機能性フィルム９を覆い、プラスチック材１０を硬化させた後、ＳｉＰモジュールを作成する。硬化されたＰＣＢＡをカットすることによって、複数のＳｉＰモジュール３が得られるようになる。
【００２３】
例えば、ＰＣＢ上は１６個の領域に分けられ、領域毎には１つのＳｉＰモジュールが設けられ、１６個のＳｉＰモジュールに必要となる電子素子８をマウントし、後のカットのために、領域毎の間に余裕がある。
【００２４】
機能性フィルム９は、実際な需要に基づいて異なる材料を採用して製作されるフィルムを意味し、採用される材料が異なるため、異なる機能を有するようになる。本実施例において、直接的に電磁遮蔽機能を有する機能性フィルム９を電子素子８と一緒にプラスチック材で封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたＳｉＰモジュール３は、後に金属をスパッタリングしなくても電磁遮蔽の機能を有し、ＳｉＰモジュール３の製造フローを簡略化させた。異なる材料の機能性フィルム９によって、ＳｉＰモジュール３は異なる電磁遮蔽機能を有することができる。
【００２５】
図２に示すように、本発明のもう１つの実施例は、ＳｉＰモジュールの製造方法であり、以下のステップを含む。
ステップＳ２１０では、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板１の上面に、ＳｉＰモジュールに必要となる電子素子８を溶接し、ＳｉＰモジュールのプリント回路板デバイスを作成する。
ステップＳ２２０では、プリント回路板デバイスにおける電子素子８の表面に機能性フィルム９を強固に貼り付ける。
ステップＳ２３０では、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材１０を充填して封止し、プラスチック材１０によってプリント回路板デバイス上面での電子素子８及び機能性フィルム９を覆い、プラスチック材１０を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得る。
ステップＳ２４０では、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数のＳｉＰモジュール３を得る。
【００２６】
その中、ステップＳ２２０の具体的な方法は、以下の通りである。
ステップＳ２２１において、プリント回路板デバイスにおける電子素子８の表面に機能性フィルム９を貼り付ける。
Ｓ２２２において、外部から機能性フィルム９に圧力を印加する。
Ｓ２２３において、プリント回路板デバイスを加熱し、機能性フィルム９を電子素子８の表面に強固に貼り付ける。
【００２７】
具体的には、ＰＣＢＡにおける電子素子８の上面と側面に機能性フィルム９を貼り付ける必要が有る場合、適当なサイズの機能性フィルム９を1つずつ採用して各電子素子８に貼り付けてもよい。
【００２８】
機能性フィルム９の粘性層は、一般的にゴム層であり、貼り付けられた後、フィルムの外部から一定の圧力を印加することによって強固に貼り付けるすることができる。ゴム層が熱硬化性ゴムであれば、ＰＣＢＡを加熱することによって、機能性フィルム９を電子素子８の表面に更に強固に貼り付けることができる。
【００２９】
機能性フィルム９を電子素子８の表面に強固に貼り付ける理由としては、後でプラスチック材で封止する場合、プラスチック材１０により生成されるモールディングフロー圧力によって機能性フィルム９が一定の衝撃を受けるが、もし機能性フィルム９が電子素子８に強固に貼り付けられないと、プラスチック材で封止する際に、衝撃を受けて電子素子８の表面から離れ、プラスチック材１０の表面に浮くようになることによって、プラスチック材で封止し、カットして得られたＳｉＰモジュールは、有効な電磁遮蔽保護効果を得られないようになるからである。
【００３０】
本実施例によって、外部圧力と加熱硬化を併用するという手法によって、機能性フィルム９を電子素子８の表面に強固に貼り付け、プラスチック材で封止して得たれたＳｉＰモジュール３は、比較的良い電磁遮蔽保護効果を得ることができる。
【００３１】
図３、図４ａ〜４ｃ及び図５ａ〜５ｃに示すように、本発明のまた１つの実施例は、ＳｉＰモジュールの製造方法であり、以下のステップを含む。
Ｓ３１０では、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板１の上面に、ＳｉＰモジュールに必要となる電子素子８を溶接し、ＳｉＰモジュールのプリント回路板デバイスを作成する（図４ａを参照）。
Ｓ３２０では、プリント回路板デバイスにおける電子素子８の表面に機能性フィルム９を強固に貼り付ける（図４ｂを参照）。
Ｓ３３０では、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材１０を充填して封止し、プラスチック材１０によってプリント回路板デバイス上面での電子素子８及び機能性フィルム９を覆い、プラスチック材１０を硬化させた後、ＳｉＰモジュールを作成する。
【００３２】
具体的には、以下の通りである。
Ｓ３３１において、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材１０を充填して封止し、プラスチック材１０によってプリント回路板デバイス上面での電子素子８及び機能性フィルム９を覆い、プラスチック材１０を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得る。
図４ｃは、側面からＰＣＢＡの上面にプラスチック材を充填する過程であり、図５ａは、プラスチック材１０が硬化されたプリント回路板デバイスである。
【００３３】
Ｓ３３２において、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数のＳｉＰモジュール３を得る。
図５ｃは、カットして得られた２つのＳｉＰモジュールであり、単一のＳｉＰモジュール３を図８ａに示す。
【００３４】
その中、ステップＳ３２０の具体的な方法は、以下の通りである。
Ｓ３２１において、プリント回路板デバイスにおける電子素子８の上面に機能性フィルム９を貼り付ける。
Ｓ３２２において、上方から下へ機能性フィルム９に圧力を印加し、機能性フィルム９をプリント回路板デバイスにおける電子素子８の上面に強固に貼り付ける（図４ｂを参照）。
具体的には、ＰＣＢＡにおける電子素子８は、凸凹不平、大小不均一の可能性があると考えて、その側面に全部に機能性フィルム９を貼り付ける工程が比較的大きいため、機能性フィルム９を電子素子８の上面だけに貼り付ける場合もある。
【００３５】
機能性フィルム９を電子素子８の上面に貼り付ける場合、ベタの機能性フィルム９を採用してＰＣＢＡ全体における電子素子８に一度に貼り付けてもよいし（即ち、機能性フィルム９のサイズとＰＣＢＡのサイズが対応し、ＰＣＢＡにおける全ての電子素子８を一括に貼り付ける）、ＰＣＢＡにおける１つのＳｉＰモジュール領域のサイズに対応する機能性フィルム９を採用し、ＰＣＢＡ全体における各ＳｉＰモジュール領域に1つずつ貼り付けてもよい。機能性フィルム９を電子素子８の上面だけに貼り付ける場合、各電子素子８の高さが異なる可能性があるため、上から下へ機能性フィルム９に一定の圧力を印加することによって、機能性フィルム９が電子素子８の高さに応じて変動し、各電子素子８の上面に比較的に強固に貼り付けることができる。上から下へ機能性フィルム９に圧力を印加するによって各電子素子８の上面に比較的に強固に貼り付けることは、ＰＣＢＡ全体への機能性フィルム９の貼り付けに適用されてもよいし、各ＳｉＰモジュールに対応する機能性フィルム９の貼り付けに適用されてもよい。
【００３６】
機能性フィルム９は、例えば、変形可能な材質であり、電子素子８の上面に貼り付けられた後、機能性フィルム９の上面に耐熱泡綿を置き、耐熱泡綿上に重りを置き、重りの圧力によって耐熱泡綿を加圧して一定の形状変化を生成させることによって、耐熱泡綿の下の機能性フィルム９も形状が変化し、高さが異なる電子素子８の上面に貼り付けることができる。
【００３７】
上方から下へ機能性フィルム９に印加する圧力によって、機能性フィルム９は、凸凹不平の各電子素子８の上面に比較的に強固に貼り付けることができ、後でプラスチック材で封止する場合に機能性フィルム９が衝撃を受けて電子素子８の上面から離れる確率を低減し、プロセスの歩留まりを向上させた。
【００３８】
他の実施例において、もし機能性フィルムのゴム層が熱硬化性ゴムであれば、ステップＳ３２２は、具体的に、以下の通りである。
Ｓ３２２１において、上方から下へ機能性フィルム９に圧力を印加する。
Ｓ３２２２において、プリント回路板デバイスを加熱し、ゴム層を硬化させた後、機能性フィルム９を電子素子８の上面に強固に貼り付ける。
【００３９】
ＳｉＰモジュールの製造方法は、以下のステップを更に含むことが好ましい。
Ｓ３４０では、カットされたＳｉＰモジュール３の四周及び上面に金属をスパッタリングし、電磁遮蔽層１１を形成する。
【００４０】
具体的には、実際な要求に応じて、多種の電磁遮蔽効果を同時に満たす必要である場合があり、この場合、機能性フィルム９とスパッタリング電磁遮蔽層１１を併用するという手段によってＳｉＰモジュール３を製作することができる。
【００４１】
例えば、ＳｉＰモジュールは、低周波の波長域と中高周波の波長域において同時に電磁波を遮蔽する必要がある。この場合、低周波の波長域を吸収するための酸化鉄材質の機能性フィルム９をＰＣＢＡにおける各電子素子８の上面に貼り付け、プラスチックで封止してカットし、複数のＳｉＰモジュール３を得、各ＳｉＰモジュール３の四周及び上面にそれぞれ金属をスパッタリングし、中高周波の波長域を吸収する電磁遮蔽層を形成することができる。このように金属でスパッタリングされたＳｉＰモジュール３は、低周波の波長域と中高周波の波長域において同時に電磁遮蔽を実現することができる。
【００４２】
図７に示すように、本発明に係る機能性フィルム９は、
カットライン４で区画された複数のフィルムユニット５を有し、カットライン４は、一部が空け、もう一部がフィルムユニット５に接続され、フィルムユニット５がＳｉＰモジュール毎に対応する。
【００４３】
具体的には、図７は、図６における繋がっていた２つのプリント回路板１におけるＳｉＰモジュール領域２に基づいて設計される対応する2枚の同じ機能性フィルム９である。左の機能性フィルム９で釈明する。
【００４４】
機能性フィルム９は、一般的に、ゴム層と機能フィルム層を含み、機能フィルム層がゴム層の上面にあり、機能性フィルム９がゴム層を介して電子素子８の表面に貼り付けられる。
【００４５】
機能性フィルム９は、ＰＣＢＡのサイズに基づいて製作され、機能性フィルム９には、ＰＣＢＡにおける単一のＳｉＰモジュール領域２のサイズに対応する複数のフィルムユニット５、及び各フィルムユニット５に区画するカットライン４があることが好ましい。プラスチックで封止した後、プリント回路板１におけるカットライン（即ち、機能性フィルム９のカットライン４）に沿って、ＰＣＢＡを単一のＳｉＰモジュール３にカットする。プラスチックで封止してカットする際に、機能性フィルム９がカットのための刃具上に粘着してバリが生じることを回避するために、機能性フィルム９を製作する時に、カットライン４に対応する位置の一部が空け、一部がフィルムユニット５に接続されるようにすることができる。また、カットライン４に対応する位置の一部がフィルムユニット５に接続されることによって、機能性フィルム９は、複数のフィルムユニット５を有する1枚のフィルムになり、複数のＳｉＰモジュール領域２を有するＰＣＢＡに一括に貼り付けることができ、加工プロセスを簡略化させた。
【００４６】
本実施例において、機能性フィルム９のカットライン４は、一部が開け、もう一部がフィルムユニット５に接続される構成であるため、カットする際に機能性フィルム９が刃具に粘着する確率を低減するだけでなく、機能性フィルム９が複数のフィルムユニット５を有することができるように保証し、後の利用が便利であり、また保存が比較的に便宜である。
【００４７】
他の実施例において、カットライン４は、複数の縦方向カットラインと複数の横方向カットラインを含み、縦方向カットラインと横方向カットラインとの非交差領域が空け、縦方向カットラインと横方向カットラインの交差領域がフィルムユニット５に接続される。
【００４８】
具体的には、交差領域６は、縦方向カットラインと横方向カットラインとが交差する中心を中点として、一定のサイズの領域を構成する。非交差領域は、縦方向カットライン、横方向カットラインにおける交差領域以外の領域を意味する。
【００４９】
一定のサイズは、実際な要求に基づいて設置され、隣り合いフィルムユニット５が交差領域を通して接続されることを保証すればよい。交差領域の形状は制限されない。
【００５０】
例えば、交差領域６は、図７に示すように、予め設定される半径（例えば、２０ｕｍ）で円を描いて得られた円形領域であり、カットラインにおける他の領域は非交差領域７である。
【００５１】
本実施例の機能性フィルム９は、そのカットライン４の空け処が異なる位置に設けられてもよく、形状、サイズが多種あり、広く活用される。
【００５２】
図８ａに示すように、本発明のもう１つの実施例は、ＳｉＰモジュール３であり、
上面にＳｉＰモジュールに必要となる電子素子８が溶接され、下面に溶接点（図示せず）が予め準備されたプリント回路板１と、
電子素子８の表面に強固に貼り付け、電子素子８と一緒にプラスチック材１０に覆われる機能性フィルム９と、を含む。
【００５３】
電子素子８の上面には、電磁遮蔽機能を有する機能性フィルム９が強固に貼り付けられることが好ましい。機能性フィルム９を電子素子８毎の上面と側面に貼り付ければ、その工程が比較的大きくて、効率が比較的低いため、機能性フィルム９を電子素子８の上面だけに貼り付けることによって、ＳｉＰモジュールは、機能性フィルム９が貼り付けられるため電磁遮蔽機能を有し、また、製造プロセスを簡略化させた。
【００５４】
図８ｂに示すように、プラスチック材１０の上面の四周に電磁遮蔽層１１が設けられることが好ましい。
【００５５】
具体的には、プラスチック材１０の四周及び上面の電磁遮蔽層１１は、多種の手法で製作されてもよく、例えば、金属スパッタリング、金属薄膜の貼り付け、電磁遮蔽マスクの取付などがある。
【００５６】
総じて言えば、本発明のＳｉＰモジュール及びその製造方法は、従来技術に比べると、その有利な効果として、直接的に電磁遮蔽機能を有する機能性フィルムを電子素子と一緒にプラスチック材で封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたＳｉＰモジュールは、電磁遮蔽保護機能を備えるようになり、ＳｉＰモジュールの製造フローを簡略化させることにある。金属スパッタリングと組み合わせて利用することによって、ＳｉＰモジュールの電磁遮蔽効果がより良くなることができる。
【００５７】
上述したのは本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するためのものではなく、本発明の明細書及び添付図面の内容基づき為された均等の構成変形は、全て本発明の保護範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００５８】
１    プリント回路板
２    ＳｉＰモジュール領域
３    ＳｉＰモジュール
４    カットライン
５    フィルムユニット
６    交差領域
７    非交差領域
８    電子素子
９    機能性フィルム
１０    プラスチック材
１１    電磁遮蔽層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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