(57)【要約】【課題】高温または低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御する。【解決手段】保持装置は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備える。セラミックス部材の第１の表面のうち、突起が形成されていない非形成部分は、第１の表面領域と、表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面領域の表面粗さに比べて小さい第２の表面領域と、を含んでいる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、
前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記セラミックス部材の前記第１の表面のうち、前記突起が形成されていない非形成部分は、第１の表面領域と、表面粗さ（Ｒａ）が前記第１の表面領域の表面粗さに比べて小さい第２の表面領域と、を含んでいる、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記セラミックス部材は、前記第１の方向において前記第１の表面の反対側に配置された第２の表面を有し、
前記保持装置は、さらに、
前記セラミックス部材の内部に設けられた複数の導電体と、
前記セラミックス部材の前記第２の表面側に配置され、前記複数の導電体に電気的に接続された給電端子と、
を備え、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記給電端子と重なっておらず、前記第２の表面領域は、前記給電端子の少なくとも一部と重なっている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記セラミックス部材には、ガス流路が形成されており、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記ガス流路におけるガスの流入口側に位置しており、前記第２の表面領域は、前記第１の表面領域よりも前記流入口から離れている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記セラミックス部材は、前記第１の方向において前記第１の表面の反対側に配置された第２の表面を有し、
前記保持装置は、さらに、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面に対向するように配置されたベース部材と、
前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備える、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項５】
請求項４に記載の保持装置において、
前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間には、前記接合部が介在する接合領域と、前記接合部が介在しない非接合領域とが存在しており、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記接合領域に重なっており、前記第２の表面領域は、前記非接合領域の少なくとも一部に重なっている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の保持装置において、
前記ベース部材には、冷媒流路が形成されており、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記冷媒流路における冷媒の流入口側に位置しており、前記前記第２の表面領域は、前記第１の表面領域よりも前記流入口から離れている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記セラミックス部材に設けられた発熱抵抗体を備え、
前記発熱抵抗体は、第１の発熱部分と、前記第１の発熱部分より単位発熱量が多い第２の発熱部分と、を有し、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記発熱抵抗体における前記第１の発熱部分と重なっており、前記第２の表面領域は、前記発熱抵抗体における前記第２の発熱部分と重なっている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記セラミックス部材には空洞が形成されており、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記空洞に重なっておらず、前記第２の表面領域は、前記空洞の少なくとも一部に重なっている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
少なくとも一部が前記セラミックス部材の内部に配置され、気孔率が前記セラミックス部材の気孔率より高い多孔質部を備え、
前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記多孔質部の少なくとも一部と重なっており、前記第２の表面領域は、前記多孔質部と重なっていない、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項１０】
第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、
前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
加工後に前記第１の表面となる第１の中間面を有する中間セラミックス部材を準備する工程と、
前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面における温度分布を評価する工程と、
前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面に含まれる第１の中間面領域と、前記温度分布の評価において温度が前記第１の中間面領域の温度より高い第２の中間面領域とのうち、前記第１の中間面領域に対して、前記突起を形成し、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面粗さになるように加工する工程と、
前記第１の中間面領域と前記第２の中間面領域とのうち、前記第２の中間面領域に対して、前記突起を形成し、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さが、前記第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さになるように加工する工程と、
を含む、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、
前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
加工後に前記第１の表面となる第１の中間面を有する中間セラミックス部材を準備する工程と、
前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面における温度分布を評価する工程と、
前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面に含まれる第１の中間面領域と、前記温度分布の評価において温度が前記第１の中間面領域の温度より高い第２の中間面領域と、の両方に対して、前記突起を形成し、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面粗さになるように加工する工程と、
前記第１の中間面領域と前記第２の中間面領域とのうち、前記第２の中間面領域だけに対して、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さが、前記第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さになるように加工する工程と、
を含む、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の保持装置の製造方法において、
前記保持装置は、さらに、前記セラミックス部材における前記第１の方向の反対側の第２の表面に接合されるベース部材を備え、
前記第１の中間面における温度分布を評価する工程では、前記中間セラミックス部材における前記第１の方向の反対側の表面に前記ベース部材が接合された状態で、前記第１の中間面における温度分布を評価する、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略垂直な略平面状の表面（以下、「吸着面」という）を有するセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。このような静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面に複数の突起が形成されており、複数の突起によって半導体ウェハが支持される。また、セラミックス部材の吸着面と半導体ウェハとの間に存在するガスを介して、セラミックス部材と半導体ウェハとの間の熱伝達が行われる（下記特許文献１，２参照）。
【０００３】
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１５６６１９号
【特許文献２】特開２００２−２２２８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数の突起が吸着面に形成されたセラミックス部材を備える静電チャックでは、例えばセラミックス部材の内部構造に起因して高温または低温の温度特異点が存在することがある。そのため、従来の静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、ウェハの温度分布の制御性）の点で向上の余地がある。
【０００６】
なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、複数の突起が形成された表面を有するセラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
【０００７】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書に開示される技術は、以下の形態として実現することが可能である。
【０００９】
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記セラミックス部材の前記第１の表面のうち、前記突起が形成されていない非形成部分は、第１の表面領域と、表面粗さ（Ｒａ）が前記第１の表面領域の表面粗さに比べて小さい第２の表面領域と、を含んでいる。保持装置では、セラミックス部材の第１の表面に形成された複数の突起によって対象物が支持される。また、セラミックス部材の第１の表面と対象物との間に存在するガスを介して、セラミックス部材と対象物との間の熱伝達が行われる。本保持装置では、セラミックス部材の第１の表面のうち、突起が形成されていない非形成部分は、第１の表面領域と、第２の表面領域と、を含んでいる。第２の表面領域の表面粗さ（Ｒａ）は、第１の表面領域の表面粗さに比べて小さいため、第２の表面領域の熱放射率は、第１の表面領域の熱放射率に比べて低い。したがって、本保持装置によれば、第１の表面の非形成部分に、表面粗さが互いに異なる第１の表面領域と第２の表面領域とが含まれることにより、高温または低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１０】
（２）上記保持装置において、前記セラミックス部材は、前記第１の方向において前記第１の表面の反対側に配置された第２の表面を有し、前記保持装置は、さらに、前記セラミックス部材の内部に設けられた複数の導電体と、前記セラミックス部材の前記第２の表面側に配置され、前記複数の導電体に電気的に接続された給電端子と、を備え、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記給電端子と重なっておらず、前記第２の表面領域は、前記給電端子の少なくとも一部と重なっている構成としてもよい。複数の導電体に電気的に接続される給電端子は、電流集中によって高温になる。これに対して、本保持装置では、相対的に熱放射率が低い第２の表面領域が、第１の方向視で給電端子に重なっており、相対的に熱放射率が高い第１の表面領域が、第１の方向視で給電端子に重なっていない。これにより、本保持装置によれば、給電端子における電流集中に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１１】
（３）上記保持装置において、前記セラミックス部材には、ガス流路が形成されており、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記ガス流路におけるガスの流入口側に位置しており、前記第２の表面領域は、前記第１の表面領域よりも前記流入口から離れている構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面の非形成部分において、相対的に低温となるガス流路の流入口側に対応する位置に、相対的に表面粗さが大きく、熱放射率が大きい第１の表面領域が位置することにより、ガス流路の流入口の存在に起因する低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１２】
（４）上記保持装置において、前記セラミックス部材は、前記第１の方向において前記第１の表面の反対側に配置された第２の表面を有し、前記保持装置は、さらに、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面に対向するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備える構成としてもよい。例えばベース部材の構造等に起因して、ベース部材の第３の表面上の特定位置と他の位置との間でセラミックス部材からベース部材への吸熱効果に差が生じ、いわゆる吸熱ムラが発生することがある。このような吸熱ムラがベース部材に生じる場合でも、本保持装置では、例えば、第１の表面の非形成部分において、相対的に熱放射率が高い第１の表面領域が、吸熱効果が大きい箇所に対応した位置に配置され、相対的に熱放射率が低い第２の表面領域が、吸熱効果が小さい箇所に対応した位置に配置される。これにより、本保持装置によれば、高温または低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１３】
（５）上記保持装置において、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間には、前記接合部が介在する接合領域と、前記接合部が介在しない非接合領域とが存在しており、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記接合領域に重なっており、前記第２の表面領域は、前記非接合領域の少なくとも一部に重なっている構成としてもよい。セラミックス部材の第２の表面とベース部材の第３の表面との間において接合部が介在する接合領域と接合部が介在しない非接合領域とでは、セラミックス部材からベース部材への吸熱効果に差が生じ、吸熱ムラが生じることがある。このような吸熱ムラが生じる場合でも、本保持装置によれば、第１の表面の非形成部分において、例えば非接合領域に対応した位置に、相対的に熱放射率が低い第２の表面領域が位置することにより、非接合領域の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１４】
（６）上記保持装置において、前記ベース部材には、冷媒流路が形成されており、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記冷媒流路における冷媒の流入口側に位置しており、前記前記第２の表面領域は、前記第１の表面領域よりも前記流入口から離れている構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面の非形成部分において、相対的に吸熱効果が高い冷媒の流入口側に対応する位置に、相対的に表面粗さが大きく、熱放射率が大きい第１の表面領域が位置することにより、冷媒流路の流入口の存在に起因する低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１５】
（７）上記保持装置において、さらに、前記セラミックス部材に設けられた発熱抵抗体を備え、前記発熱抵抗体は、第１の発熱部分と、前記第１の発熱部分より単位発熱量が多い第２の発熱部分と、を有し、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記発熱抵抗体における前記第１の発熱部分と重なっており、前記第２の表面領域は、前記発熱抵抗体における前記第２の発熱部分と重なっている構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面の非形成部分において、相対的に単位発熱量が多い発熱抵抗体における第２の発熱部分に対応した位置に相対的に表面粗さが小さい第２の表面領域が位置することにより、第２の発熱部分の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１６】
（８）上記保持装置において、さらに、前記セラミックス部材には空洞が形成されており、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記空洞に重なっておらず、前記第２の表面領域は、前記空洞の少なくとも一部に重なっている構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面の非形成部分において、セラミックス部材に形成された空洞に対応した位置に、相対的に熱放射率が低い第２の表面領域が位置することにより、空洞の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１７】
（９）上記保持装置において、さらに、少なくとも一部が前記セラミックス部材の内部に配置され、気孔率が前記セラミックス部材の気孔率より高い多孔質部を備え、前記第１の方向視で、前記第１の表面領域は、前記多孔質部の少なくとも一部と重なっており、前記第２の表面領域は、前記多孔質部と重なっていない構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面領域の非形成部分において、多孔質部に対応した位置に、相対的に熱放射率が高い第１の表面領域が位置することにより、多孔質部の存在に起因する低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することができる。
【００１８】
（１０）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、加工後に前記第１の表面となる第１の中間面を有する中間セラミックス部材を準備する工程と、前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面における温度分布を評価する工程と、前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面に含まれる第１の中間面領域と、前記温度分布の評価において温度が前記第１の中間面領域の温度より高い第２の中間面領域とのうち、前記第１の中間面領域に対して、前記突起を形成し、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面粗さになるように加工する工程と、前記第１の中間面領域と前記第２の中間面領域とのうち、前記第２の中間面領域に対して、前記突起を形成し、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さが、前記第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さになるように加工する工程と、を含む。本保持装置の製造方法では、中間セラミックス部材の第１の中間面における第１の中間面領域と第２の中間面領域とに対して、個別に、突起が形成されつつ、非形成部分の表面粗さが異なるように加工される。このため、本保持装置の製造方法によれば、各中間面領域に対して、突起を形成しつつ、非形成部分の表面粗さを、温度分布の測定結果に応じた表面粗さにすることができる。
【００１９】
（１１）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、加工後に前記第１の表面となる第１の中間面を有する中間セラミックス部材を準備する工程と、前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面における温度分布を評価する工程と、前記中間セラミックス部材の前記第１の中間面に含まれる第１の中間面領域と、前記温度分布の評価において温度が前記第１の中間面領域の温度より高い第２の中間面領域と、の両方に対して、前記突起を形成し、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面粗さになるように加工する工程と、前記第１の中間面領域と前記第２の中間面領域とのうち、前記第２の中間面領域だけに対して、前記突起が形成されない非形成部分の表面粗さが、前記第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さになるように加工する工程と、を含む。本保持装置の製造方法では、中間セラミックス部材の第１の中間面における第１の中間面領域と第２の中間面領域との両方に対して突起が形成され、その後に、第２の中間面領域における非形成部分に対して表面粗さを変える加工が施される。このため、本保持装置の製造方法によれば、先に突起を形成した後に、非形成部分における表面粗さを、温度分布の測定結果に応じた表面粗さに調整することができる。
【００２０】
（１２）上記保持装置の製造方法において、前記保持装置は、さらに、前記セラミックス部材における前記第１の方向の反対側の第２の表面に接合されるベース部材を備え、前記第１の中間面における温度分布を評価する工程では、前記中間セラミックス部材における前記第１の方向の反対側の表面に前記ベース部材が接合された状態で、前記第１の中間面における温度分布を評価するとしてもよい。本保持装置の製造方法では、中間セラミックス部材にベース部材が接合された状態で第１の中間面における温度分布が評価され、その後に、第１の中間面に対する加工がされる。このため、本保持装置の製造方法によれば、中間セラミックス部材にベース部材が接合された保持装置の完成体に近い状態で、温度分布を測定し、その結果に基づき、中間セラミックス部材からベース部材を離間させることを要することなく、第１の中間面に対して加工を施すことにより、非形成部分における表面粗さを、温度分布の測定結果に応じた表面粗さに調整することができる。
【００２１】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置、真空チャック、その他の第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備える保持装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図５】静電チャック１０の吸着面Ｓ１上の構成を概略的に示す説明図である。
【図６】静電チャック１０の吸着面Ｓ１上の構成を概略的に示す説明図である。
【図７】本実施形態における静電チャック１０の第１の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】図７の第１の製造方法における一部の工程を模式的に示す説明図である。
【図９】本実施形態における静電チャック１０の第２の製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】図９の第２の製造方法における一部の工程を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１０の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３および図４は、本実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図２には、図３および図４のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１０のＸＺ断面構成が示されており、図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されており、図４には、図２のＩＶ−ＩＶの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００２４】
静電チャック１０は、対象物（例えば半導体ウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１０は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１００およびベース部材２００を備える。セラミックス部材１００とベース部材２００とは、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。セラミックス部材１００の下面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、ベース部材２００の上面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当する。
【００２５】
セラミックス部材１００は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１００の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１００の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００２６】
セラミックス部材１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対のチャック電極４００が設けられている（図２には一方のチャック電極４００のみ図示）。一対のチャック電極４００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によって半導体ウェハＷがセラミックス部材１００における下面Ｓ２とは反対側の表面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略垂直な略平面状の表面である。ただし、本実施形態では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に複数の微小な突起１７０（図１および図２では省略）が形成されている。複数の突起１７０は、少なくともＺ軸に垂直な一の方向において互いに等間隔に配置されていることが好ましい。半導体ウェハＷが吸着面Ｓ１に吸着固定された状態では、複数の突起１７０の先端が半導体ウェハＷに接触するとともに、吸着面Ｓ１のうちの突起１７０が形成されていない非形成部分１７２と半導体ウェハＷの表面との間にわずかな空間が存在する。なお、突起１７０の先端の形状は、例えば略平坦状でもよいし、略凸状でもよい。セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸に垂直な方向（すなわち、吸着面Ｓ１に平行な方向）を「面方向」という。
【００２７】
ベース部材２００は、例えばセラミックス部材１００と同径の、または、セラミックス部材１００より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２００の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜４７０ｍｍ）であり、ベース部材２００の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００２８】
ベース部材２００の内部には冷媒流路２１０が形成されている（図２参照）。ベース部材２００の下壁には、外部から冷媒流路２１０内に冷媒ＣＦを供給する冷媒供給孔２２６と、冷媒流路２１０内から外部に冷媒ＣＦを排出する冷媒排出孔２２８とが形成されている。冷媒流路２１０に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２００が冷却され、接着層３００を介したベース部材２００とセラミックス部材１００との間の伝熱によりセラミックス部材１００が冷却され、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷが冷却される。これにより、半導体ウェハＷの温度制御が実現される。
【００２９】
セラミックス部材１００とベース部材２００とは、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３との間に配置された接着層３００によって互いに接合されている。接着層３００は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤により構成されている。接着層３００の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。接着層３００は、特許請求の範囲における接合部に相当する。
【００３０】
図２および図４に示すように、セラミックス部材１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ電極５００が設けられている。ヒータ電極５００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５００が発熱することによってセラミックス部材１００が温められ、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷが温められる。これにより、半導体ウェハＷの温度制御が実現される。ヒータ電極５００は、特許請求の範囲における発熱抵抗体に相当する。
【００３１】
本実施形態では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１の温度制御を精度良く行うため、ヒータ電極５００は、第１のヒータ５００Ｌと第２のヒータ５００Ｒとを含んでいる。第１のヒータ５００Ｌと第２のヒータ５００Ｒとは、Ｚ軸方向に略垂直な一の仮想平面（例えば図４のＸＹ平面）上において互いに独立に配置されている。換言すれば、各ヒータ５００Ｌ，５００Ｒは、セラミックス部材１００の少なくとも一部をＺ軸方向に略垂直な方向に並ぶ複数のセグメント（領域）に仮想的に分割したときの各セグメント（領域）内に配置された発熱用抵抗体である。セグメントの設定態様としては、セラミックス部材１００の全部または一部を、吸着面Ｓ１の中心点を中心とする円周方向に並ぶ複数のセグメントに分割する態様が用いられる。各ヒータ５００Ｌ，５００Ｒは、上下方向（Ｚ方向）視で線状のヒータライン部５０６と、ヒータライン部５０６の両端に接合された一対のヒータパッド部５０８とを含む。ヒータライン部５０６は、吸着面Ｓ１の中心点を中心とし、互いに径が異なる円弧部分５０６Ｃと、円弧部分５０６Ｃ同士をつなぐ直線部分５０６Ｄとを含んでいる。
【００３２】
また、静電チャック１０には、ベース部材２００の下面Ｓ４からセラミックス部材１００の下面Ｓ２に至る複数の端子用孔（１つの端子用孔２２４のみ図示）が形成されており、各端子用孔には接続端子（端子用孔２２４に収容された共通接続端子５３０のみ図示）が収容されている。少なくとも、端子用孔２２４および共通接続端子５３０は、上下方向（Ｚ軸方向）視で、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における中央部に配置されている（図５および図６参照）。２つのヒータ５００Ｌ，５００Ｒのそれぞれの一方のヒータパッド部５０８は、ビアや電極パッド（共に図示しない）等を介して互いに異なる個別接続端子（図示せず）に電気的に接続されている。一方、２つのヒータ５００Ｌ，５００Ｒのそれぞれの他方のヒータパッド部５０８は、いずれも、ビア５１０および電極パッド５２０等を介して、共通接続端子５３０に電気的に接続されている。２つの個別接続端子のそれぞれと共通接続端子との間に、互いに異なる電源が接続されることより、２つのヒータ５００Ｌ，５００Ｒのそれぞれに互いに異なる電圧を印加可能となっている。このような構成によれば、各セグメントに配置されたヒータ５００Ｌ，５００Ｒを個別に制御することにより、セグメント毎に温度制御を行うことができ、その結果、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１の温度制御を精度良く行うことができる。ヒータ５００Ｌ，５００Ｒは、特許請求の範囲における複数の導電体に相当し、共通接続端子５３０は、特許請求の範囲における給電端子に相当する。
【００３３】
Ａ−２．ガスを供給するための構成：
また、静電チャック１０は、セラミックス部材１００と半導体ウェハＷとの間の伝熱性を高めて半導体ウェハＷの温度分布の均一性をさらに高めるため、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間に存在する空間にガスを供給するための構成を備えている。なお、本実施形態では、このようなガスとして、ヘリウムガス（Ｈｅガス）が用いられる。以下、ヘリウムガスを供給するための構成について、図１〜図３を参照して説明する。
【００３４】
Ａ−２−１．ベース部材２００におけるガスを供給するための構成：
図２および図４に示すように、ベース部材２００の下面Ｓ４には、図示しないヘリウムガス源と接続されるガス源接続孔２２１が形成されており、ベース部材２００の上面Ｓ３には、ガス供給孔２２２が開口している。ベース部材２００の内部には、ガス源接続孔２２１とガス供給孔２２２とを連通するガス供給流路２２０が形成されている。
【００３５】
Ａ−２−２．接着層３００におけるガスを供給するための構成：
また、図２に示すように、接着層３００には、ベース部材２００に形成されたガス供給孔２２２に連通すると共に、接着層３００を厚さ方向（上下方向）に貫通する貫通孔３１０が形成されている。
【００３６】
Ａ−２−３．セラミックス部材１００におけるガスを供給するための構成：
また、図１および図２に示すように、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１には、８つのガス噴出孔１０２が開口している。また、セラミックス部材１００の内部には、セラミックス部材１００に形成された収容室１４０の上面と、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に開口するガス噴出孔１０２とを接続するガス噴出流路１１０が形成されている。図２および図３に示すように、ガス噴出流路１１０は、収容室１４０の上面から上方に延びる第１の縦流路１１１と、第１の縦流路１１１と連通すると共に面方向に環状に延びる横流路１１４と、横流路１１４から上方に延びてガス噴出孔１０２に連通する第２の縦流路１１２とから構成されている。ガス噴出流路１１０は、特許請求の範囲におけるガス流路に相当する。
【００３７】
なお、本実施形態の静電チャック１０では、ヘリウムガスの供給経路が２系統存在する。すなわち、図３に示すように、セラミックス部材１００の内部には２つの横流路１１４が形成されている。図２および図３に示すように、２つの横流路１１４の内のセラミックス部材１００の中心に近い方の横流路１１４は、第１の縦流路１１１を介して、図２に示す収容室１４０と連通しており、かつ、第２の縦流路１１２を介して、吸着面Ｓ１に開口する８つのガス噴出孔１０２の内のセラミックス部材１００の中心に近い４つのガス噴出孔１０２と連通している。また、２つの横流路１１４の内のセラミックス部材１００の中心から遠い方の横流路１１４は、第１の縦流路１１１を介して、図示しない収容室１４０と連通しており、かつ、第２の縦流路１１２を介して、吸着面Ｓ１に開口する８つのガス噴出孔１０２の内のセラミックス部材１００の中心から遠い４つのガス噴出孔１０２と連通している。本実施形態では、セラミックス部材１００の中心から遠い方の横流路１１４に連通している第１の縦流路１１１と、第２の縦流路１１２とは、上下方向視で互いに異なる位置に位置している（図３、図５および図６参照）。なお、後述の充填部材１６０は、ヘリウムガスの供給経路の２系統のそれぞれに配置されるとしてもよいし、２系統のうちの一方だけに配置されるとしてもよい。
【００３８】
また、図２に示すように、セラミックス部材１００の内部には、収容室１４０が形成されている。上述したように、収容室１４０の上面には、ガス噴出流路１１０（ガス噴出流路１１０を構成する第１の縦流路１１１）が開口している。一方、収容室１４０の下端側は、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に開口し、接着層３００の貫通孔３１０に連通している。
【００３９】
図２および図４に示すように、セラミックス部材１００に形成された収容室１４０には、絶縁材料により形成され、かつ、通気性を有する充填部材（「通気性プラグ」とも呼ばれる）１６０が充填されている。充填部材１６０は、セラミックス部材１００よりも気孔率が高いため、充填部材１６０の熱伝導率は、比較的緻密なセラミックス部材１００の熱伝導率より低い。充填部材１６０の形成材料としては、例えば、セラミックス多孔質体やグラスファイバー、耐熱性ポリテトラフルオロエチレン樹脂スポンジ等を用いることができる。本実施形態では、充填部材１６０の形状は、収容室１４０の形状と同様、略円柱状である。また、充填部材１６０は、収容室１４０内にほぼ隙間無く埋設されている。充填部材１６０は、特許請求の範囲における多孔質部に相当する。
【００４０】
このように、収容室１４０内に絶縁材料により形成された充填部材１６０が充填されていることにより、収容室１４０内を経由したセラミックス部材１００とベース部材２００との間の放電や収容室１４０内でのヘリウムガスの放電の発生が抑制される。
【００４１】
図２および図３に示すように、図示しないヘリウムガス源から供給されたヘリウムガスが、ガス源接続孔２２１からベース部材２００内部のガス供給流路２２０内に流入する。ガス供給流路２２０内に流入したヘリウムガスは、ガス供給流路２２０からガス供給孔２２２を経て接着層３００の貫通孔３１０内に流入する。貫通孔３１０内に流入したヘリウムガスは、セラミックス部材１００の収容室１４０内に充填された充填部材１６０の内部を通過して、セラミックス部材１００の内部のガス噴出流路１１０を構成する第１の縦流路１１１内に流入し、横流路１１４および第２の縦流路１１２を経て吸着面Ｓ１に形成された各ガス噴出孔１０２から噴出する。このようにして、吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間に存在する空間に、ヘリウムガスが供給される。
【００４２】
Ａ−３．セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布を制御するための構成：
図５および図６は、静電チャック１０の吸着面Ｓ１上の構成を概略的に示す説明図である。図５には、静電チャック１０を上方から見た構成が示されるとともに、吸着面Ｓ１上における３つの表面領域Ｘ１〜Ｘ３の構成が拡大して示されている。図６には、静電チャック１０を上方から見た構成が示されるとともに、吸着面Ｓ１上における４つの表面領域Ｘ４〜Ｘ７の構成が拡大して示されている。各表面領域Ｘ１〜Ｘ７は、例えば、互いに同数（２以上  図５および図６では４つ）の突起１７０をそれぞれ含む。
【００４３】
Ａ−３−１．吸着面Ｓ１上における端子対応領域Ｘ１の構成：
図５に示すように、吸着面Ｓ１上における端子対応領域Ｘ１は、複数の突起１７０を含むと共に、上述の共通接続端子５３０に対応する領域である。端子対応領域Ｘ１のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、端子重複領域Ｅ１と、を含んでいる。基準領域Ｅ０は、上下方向（Ｚ方向）視で、共通接続端子５３０と重なっておらず、端子重複領域Ｅ１は、上下方向視で、共通接続端子５３０の少なくとも一部と重なっている。具体的には、端子重複領域Ｅ１は、非形成部分１７２のうち、上下方向視で共通接続端子５３０に重なる端子重複部分（共通接続端子５３０の直上に位置する部分）を含む領域である。図５の例では、端子重複領域Ｅ１は、第１の仮想区画線Ｌ１内の領域であり、上下方向視で、電極パッド５２０の全体に重なり、かつ、電極パッド５２０の全周にわたって電極パッド５２０からはみ出ている。基準領域Ｅ０は、端子重複領域Ｅ１に隣接し、かつ、端子重複領域Ｅ１の周囲を囲んでいる。端子重複領域Ｅ１の表面粗さＲａ１は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて小さい。端子対応領域Ｘ１では、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、端子重複領域Ｅ１は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。
【００４４】
Ａ−３−２．吸着面Ｓ１上におけるガス流入口対応領域Ｘ２の構成：
図５に示すように、吸着面Ｓ１上におけるガス流入口対応領域Ｘ２は、複数の突起１７０を含むと共に、セラミックス部材１００の中心から遠い方の横流路１１４に連通している第１の縦流路１１１に対応する領域である。ガス流入口対応領域Ｘ２のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、流入口重複領域Ｅ２と、を含んでいる。基準領域Ｅ０は、上下方向（Ｚ方向）視で、第１の縦流路１１１と重なっておらず、流入口重複領域Ｅ２は、上下方向視で、第１の縦流路１１１の少なくとも一部と重なっている。具体的には、流入口重複領域Ｅ２は、非形成部分１７２のうち、上下方向視で第１の縦流路１１１に重なる流入口重複部分（第１の縦流路１１１の直上に位置する部分）を含む領域である。図５の例では、流入口重複領域Ｅ２は、第２の仮想区画線Ｌ２内の領域であり、上下方向視で、第１の縦流路１１１の全周にわたって第１の縦流路１１１からはみ出ている。基準領域Ｅ０は、流入口重複領域Ｅ２に隣接し、かつ、流入口重複領域Ｅ２の周囲を囲んでいる。流入口重複領域Ｅ２の表面粗さＲａ２は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて大きい。ガス流入口対応領域Ｘ２では、流入口重複領域Ｅ２は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。
【００４５】
Ａ−３−３．吸着面Ｓ１上における孔形成領域Ｘ３の構成：
図５に示すように、吸着面Ｓ１上における孔形成領域Ｘ３は、複数の突起１７０を含むと共に、ガス噴出流路１１０（ガス噴出孔１０２）の開口部を含む。具体的には、孔形成領域Ｘ３のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、孔周囲領域Ｅ３と、を含んでいる。孔周囲領域Ｅ３は、上下方向（Ｚ方向）視で、基準領域Ｅ０よりガス噴出孔１０２に近い。図５の例では、孔周囲領域Ｅ３は、上下方向視で、第３の仮想区画線Ｌ３内の領域であり、孔周囲領域Ｅ３の内周は、全周にわたってガス噴出孔１０２に隣接し、かつ、ガス噴出孔１０２の全周を囲む環状の領域である。基準領域Ｅ０は、孔周囲領域Ｅ３に隣接し、かつ、孔周囲領域Ｅ３の周囲を囲んでいる。ここで、上述したように、ガス噴出流路１１０に連通する収容室１４０内には充填部材１６０が充填されている。孔周囲領域Ｅ３は、上下方向視で、ガス噴出流路１１０と充填部材１６０と接着層３００に形成された貫通孔３１０とに重なっている。また、上下方向視で、孔周囲領域Ｅ３の外周線と充填部材１６０の外周線とが全周にわたって互いに重なっている。孔周囲領域Ｅ３の表面粗さＲａ３は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて小さい。孔形成領域Ｘ３では、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、孔周囲領域Ｅ３は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。また、ガス噴出流路１１０は、特許請求の範囲における空洞に相当する。接着層３００における貫通孔３１０以外の部分は、特許請求の範囲における接合領域に相当し、接着層３００における貫通孔３１０は、特許請求の範囲における非接合領域に相当する。
【００４６】
Ａ−３−４．吸着面Ｓ１上における冷媒流入口対応領域Ｘ４の構成：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上における冷媒流入口対応領域Ｘ４は、複数の突起１７０を含むと共に、ベース部材２００に形成された冷媒供給孔２２６に対応する領域である。冷媒流入口対応領域Ｘ４のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、冷媒流入口重複領域Ｅ４と、を含んでいる。基準領域Ｅ０は、上下方向（Ｚ方向）視で、冷媒供給孔２２６と重なっておらず、冷媒流入口重複領域Ｅ４は、上下方向視で、冷媒供給孔２２６の少なくとも一部と重なっている。具体的には、冷媒流入口重複領域Ｅ４は、非形成部分１７２のうち、上下方向視で冷媒供給孔２２６に重なる流入口重複部分（冷媒供給孔２２６の直上に位置する部分）を含む領域である。図６の例では、冷媒流入口重複領域Ｅ４は、第４の仮想区画線Ｌ４内の領域であり、上下方向視で、冷媒供給孔２２６の全周にわたって冷媒供給孔２２６からはみ出ている。基準領域Ｅ０は、冷媒流入口重複領域Ｅ４に隣接し、かつ、冷媒流入口重複領域Ｅ４の周囲を囲んでいる。冷媒流入口重複領域Ｅ４の表面粗さＲａ４は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて大きい。冷媒流入口対応領域Ｘ４では、冷媒流入口重複領域Ｅ４は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。
【００４７】
Ａ−３−５．吸着面Ｓ１上における冷媒流出口対応領域Ｘ５の構成：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上における冷媒流出口対応領域Ｘ５は、複数の突起１７０を含むと共に、ベース部材２００に形成された冷媒排出孔２２８に対応する領域である。冷媒流出口対応領域Ｘ５のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、冷媒流出口重複領域Ｅ５と、を含んでいる。基準領域Ｅ０は、上下方向（Ｚ方向）視で、冷媒排出孔２２８と重なっておらず、冷媒流出口重複領域Ｅ５は、上下方向視で、冷媒排出孔２２８の少なくとも一部と重なっている。具体的には、冷媒流出口重複領域Ｅ５は、非形成部分１７２のうち、上下方向視で冷媒排出孔２２８に重なる流出口重複部分（冷媒排出孔２２８の直上に位置する部分）を含む領域である。図６の例では、冷媒流出口重複領域Ｅ５は、第５の仮想区画線Ｌ５内の領域であり、上下方向視で、冷媒排出孔２２８の全周にわたって冷媒排出孔２２８からはみ出ている。基準領域Ｅ０は、冷媒流出口重複領域Ｅ５に隣接し、かつ、冷媒流出口重複領域Ｅ５の周囲を囲んでいる。冷媒流出口重複領域Ｅ５の表面粗さＲａ５は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて小さい。冷媒流出口対応領域Ｘ５では、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、冷媒流出口重複領域Ｅ５は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。
【００４８】
Ａ−３−６．吸着面Ｓ１上におけるヒータ高温対応領域Ｘ６の構成：
図６に示すように、ヒータライン部５０６では、円弧部分５０６Ｃと直線部分５０６Ｄとが折れ線部分５０６Ｅを介して繋がっている。折れ線部分５０６Ｅの単位発熱量は、円弧部分５０６Ｃや直線部分５０６Ｄの単位発熱量より多い。吸着面Ｓ１上におけるヒータ高温対応領域Ｘ６は、複数の突起１７０を含むとともに、折れ線部分５０６Ｅに対応する領域である。ヒータ高温対応領域Ｘ６のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、高温重複領域Ｅ６と、を含んでいる。基準領域Ｅ０は、上下方向（Ｚ方向）視で、折れ線部分５０６Ｅと重なっておらず、高温重複領域Ｅ６は、上下方向視で、折れ線部分５０６Ｅの少なくとも一部と重なっている。具体的には、高温重複領域Ｅ６は、非形成部分１７２のうち、上下方向視で折れ線部分５０６Ｅに重なる高温重複部分（折れ線部分５０６Ｅの直上に位置する部分）を含む領域である。図６の例では、高温重複領域Ｅ６は、第６の仮想区画線Ｌ６内の領域である。基準領域Ｅ０は、高温重複領域Ｅ６に隣接し、かつ、高温重複領域Ｅ６の周囲を囲んでいる。高温重複領域Ｅ６の表面粗さＲａ６は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて小さい。ヒータ高温対応領域Ｘ６では、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、高温重複領域Ｅ６は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。また、円弧部分５０６Ｃおよび直線部分５０６Ｄは、特許請求の範囲における第１の発熱部分に相当し、折れ線部分５０６Ｅは、特許請求の範囲における第２の発熱部分に相当する。
【００４９】
Ａ−３−７．吸着面Ｓ１上における経路対応領域Ｘ７の構成：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上における経路対応領域Ｘ７は、複数の突起１７０を含むと共に、セラミックス部材１００に形成された横流路１１４に対応する領域である。経路対応領域Ｘ７のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、基準領域Ｅ０と、経路重複領域Ｅ７と、を含んでいる。基準領域Ｅ０は、上下方向（Ｚ方向）視で、横流路１１４と重なっておらず、経路重複領域Ｅ７は、上下方向視で、横流路１１４の少なくとも一部と重なっている。具体的には、経路重複領域Ｅ７は、非形成部分１７２のうち、上下方向視で横流路１１４に重なる経路重複部分（横流路１１４の直上に位置する部分）を含む領域である。図６の例では、経路重複領域Ｅ７は、第７の仮想区画線Ｌ７内の領域であり、上下方向視で、横流路１１４と略同一の形状である。基準領域Ｅ０は、経路重複領域Ｅ７に隣接し、かつ、経路重複領域Ｅ７の周囲を囲んでいる。経路重複領域Ｅ７の表面粗さＲａ７は、基準領域Ｅ０の表面粗さＲａ０に比べて小さい。経路対応領域Ｘ７では、基準領域Ｅ０は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当し、経路重複領域Ｅ７は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当する。横流路１１４は、特許請求の範囲における空洞に相当する。
【００５０】
なお、第１の表面領域の表面粗さは、０．３５以上、０．４５以下であることが好ましく、第２の表面領域の表面粗さは、０．２８以上、０．２９以下であることが好ましい。
【００５１】
Ａ−４．静電チャック１０の製造方法：
図７は、本実施形態における静電チャック１０の第１の製造方法を示すフローチャートであり、図８は、図７の第１の製造方法における一部の工程を模式的に示す説明図である。また、図９は、本実施形態における静電チャック１０の第２の製造方法を示すフローチャートであり、図１０は、図９の第２の製造方法における一部の工程を模式的に示す説明図である。なお、図８および図１０では、静電チャック１０のうち、後述する中間セラミックス部材９０Ａおよびセラミックス部材１００のみ図示し、その他の構成は省略されている。
【００５２】
Ａ−４−１．第１の製造方法：
本実施形態における静電チャック１０は、次に例示する第１の製造方法によって製造することができる。
【００５３】
（中間セラミックス部材９０Ａの準備工程：Ｓ１１０）
初めに、中間セラミックス部材９０Ａを準備する（Ｓ１１０  図８（Ａ）参照）。中間セラミックス部材９０Ａは、後述する表面加工等によってセラミックス部材１００となる加工前の部材であり、少なくとも、突起１７０が形成される前の略平坦状の中間面Ｓ１Ａを有する点で、セラミックス部材１００と異なる。中間セラミックス部材９０Ａは、公知の作製方法によって作製可能である。例えば、中間セラミックス部材９０Ａは、以下の方法で作製される。すなわち、複数のセラミックスグリーンシート（例えばアルミナグリーンシート）を準備し、各セラミックスグリーンシートに、チャック電極４００やヒータ電極５００等を構成するためのメタライズインクの印刷等を行う。その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で例えば１５００〜１６００℃で焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、中間セラミックス部材９０Ａが作製される。
【００５４】
（中間セラミックス部材９０Ａとベース部材２００との接合工程：Ｓ１２０）
次に、中間セラミックス部材９０Ａとベース部材２００とを接合する（Ｓ１２０）。具体的には、中間セラミックス部材９０Ａの下面（セラミックス部材１００の下面Ｓ２と同じ）とベース部材２００の上面Ｓ３とを、接着剤を介して貼り合わせた状態で、接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、接着層３００を形成する。なお、中間セラミックス部材９０Ａとベース部材２００との間に接着剤を配置する際には、上述した貫通孔３１０に対応する孔を設け、接着剤の硬化処理によってできる接着層３００に貫通孔３１０が形成されるようにする。これにより、中間セラミックス部材９０Ａとベース部材２００との中間接合体（図示せず）が作製される。
【００５５】
（温度分布の測定工程：Ｓ１３０）
次に、中間接合体における中間セラミックス部材９０Ａの中間面Ｓ１Ａの面方向の温度分布を測定する（Ｓ１３０）。このとき、静電チャック１０の使用時の状態で中間面Ｓ１Ａの温度分布を測定することが好ましい。例えば、中間接合体の中間セラミックス部材９０Ａに備えられたチャック電極４００およびヒータ電極５００に電力を供給し、かつ、ベース部材２００に形成された冷媒流路２１０に冷媒ＣＦを供給した状態で、中間面Ｓ１Ａの温度分布を測定する。温度分布の測定は、例えば、赤外線放射温度計や、熱電対付きウェハを用いて行うことができる。以下の説明では、この温度分布の測定結果において、中間面Ｓ１Ａには、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とが含まれており、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１の温度が、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２の温度に比べて低いものとする。
【００５６】
次に、中間面Ｓ１Ａの温度分布の測定結果に基づき、中間面Ｓ１Ａの温度分布が所望の分布（例えば面方向における温度が略均一）になるように中間面Ｓ１Ａに加工を施す（Ｓ１４０，Ｓ１５０）。
【００５７】
（第１の中間面領域Ｓ１Ａ１に対する加工処理：Ｓ１４０）
中間セラミックス部材９０Ａの中間面Ｓ１Ａに含まれる第１の中間面領域Ｓ１Ａ１に対して、突起１７０を形成しつつ、突起１７０が形成されない非形成部分１７２の表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面粗さになるように加工する（Ｓ１４０）。このとき、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２には、突起１７０を形成するための加工を施さない。具体的には、図８（Ａ）に示すように、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１における突起１７０が形成される部分と、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２の全体とを、第１のマスク９２を用いてマスキングする。次に、中間面Ｓ１Ａのうち、マスキングされていない部分（第１の中間面領域Ｓ１Ａ１における非形成部分１７２）に加工を施すことにより、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１に複数の突起１７０が形成される（図８（Ｂ）参照）。第１の中間面領域Ｓ１Ａ１における加工後の非形成部分１７２Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、第１の表面粗さであるとする。この際の加工の例としては、ブラスト処理、砥石による表面処理等が挙げられる。
【００５８】
（第２の中間面領域Ｓ１Ａ２に対する第１の加工処理：Ｓ１５０）
次に、中間セラミックス部材９０Ａの中間面Ｓ１Ａに含まれる第２の中間面領域Ｓ１Ａ２に対して、突起１７０を形成しつつ、突起１７０が形成されない非形成部分１７２の表面粗さ（Ｒａ）が、第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さになるように加工する（Ｓ１５０）。具体的には、図８（Ｃ）に示すように、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１に形成された各突起１７０の上面に残存する第１のマスク９２を残し、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２に配置された第１のマスク９２を取り除き、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１における非形成部分１７２Ａと第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における突起１７０が形成される部分とを、第２のマスク９４を用いてマスキングする。次に、中間面Ｓ１Ａのうち、マスキングされていない部分（第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における非形成部分１７２）に加工を施すことにより、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２に複数の突起１７０が形成される（図８（Ｄ）参照）。第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における加工後の非形成部分１７２Ｂの表面粗さ（Ｒａ）は、第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さである。この際の加工の例としては、ブラスト処理、砥石による表面処理等が挙げられる。例えば、ブラスト処理の場合、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１における非形成部分１７２Ａを形成する際に用いた研磨材の番手（粒径）とは異なる番手を用いることにより、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における加工後の非形成部分１７２Ｂの表面粗さを、第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さとすることができる。
【００５９】
その後、中間面Ｓ１Ａ上に残存した第１のマスク９２および第２のマスク９４を取り除くことにより、図８（Ｅ）に示すように、セラミックス部材１００が作製される。以上の工程により、上述した構成の静電チャック１０の製造が完了する。
【００６０】
Ａ−４−２．第２の製造方法：
また、本実施形態における静電チャック１０は、次に例示する第２の製造方法によっても製造することができる。第２の製造方法は、上述の第１の製造方法に対して、Ｓ１１０〜Ｓ１３０までの工程が共通し、中間面Ｓ１Ａを加工するための工程が異なる。以下、第２の製造方法について、第１の製造方法と共通する工程の説明を省略する。
【００６１】
（中間面Ｓ１Ａに対する第１の加工処理：Ｓ１４０ａ）
上述のＳ１３０で作製された中間セラミックス部材９０Ａの中間面Ｓ１Ａに含まれる第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２との両方に対して、突起１７０を形成しつつ、突起１７０が形成されない非形成部分１７２の表面粗さ（Ｒａ）が第１の表面粗さになるように加工する（Ｓ１４０ａ）。具体的には、図１０（Ａ）に示すように、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とにおける突起１７０が形成される部分を、第３のマスク９６を用いてマスキングする。次に、中間面Ｓ１Ａのうち、マスキングされていない部分（第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とにおける非形成部分１７２）に加工を施すことにより、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とに複数の突起１７０が形成される（図１０（Ｂ）参照）。第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とにおける加工後の非形成部分１７２Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、第１の表面粗さであるとする。この際の加工の例としては、ブラスト処理、砥石による表面処理等が挙げられる。
【００６２】
（第２の中間面領域Ｓ１Ａ２に対する第１の加工処理：Ｓ１５０ａ）
次に、中間セラミックス部材９０Ａの中間面Ｓ１Ａに含まれる第２の中間面領域Ｓ１Ａ２だけに対して、突起が形成されない非形成部分１７２の表面粗さが、第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さになるように加工する（Ｓ１５０ａ）。具体的には、図１０（Ｃ）に示すように、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とに形成された各突起１７０の上面に残存する第３のマスク９６を残しつつ、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１における加工後の非形成部分１７２Ａを、第４のマスク９８を用いてマスキングする。このとき、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における加工後の非形成部分１７２Ａに対してはマスキングしない。次に、中間面Ｓ１Ａのうち、マスキングされていない部分（第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における非形成部分１７２Ａ）に加工を施す。第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における加工後の非形成部分１７２Ｂの表面粗さ（Ｒａ）は、第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さである。この際の加工の例としては、ブラスト処理、砥石による表面処理等が挙げられる。例えば、ブラスト処理の場合、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とにおける非形成部分１７２Ａを形成する際に用いた研磨材の番手（粒径）とは異なる番手を用いることにより、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における加工後の非形成部分１７２Ｂの表面粗さを、第１の表面粗さに比べて小さい第２の表面粗さとすることができる。
【００６３】
その後、中間面Ｓ１Ａ上に残存した第１のマスク９２および第２のマスク９４を取り除くことにより、図１０（Ｅ）に示すように、セラミックス部材１００が作製される。以上の工程により、上述した構成の静電チャック１０の製造が完了する。
【００６４】
Ａ−５．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態における静電チャック１０では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に形成された複数の突起１７０によって半導体ウェハＷが支持される。吸着面Ｓ１における非形成部分１７２と半導体ウェハＷの表面との間にわずかな空間が存在し、この空間にガス噴出孔１０２からガスが供給される。このため、吸着面Ｓ１（特に非形成部分１７２）と半導体ウェハＷとの間の熱伝達は、主としてガスを介して行われる。ここで、図５および図６に示すように、本実施形態における静電チャック１０では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１のうち、突起１７０が形成されていない非形成部分１７２は、第１の表面領域と、第２の表面領域と、を含んでいる。第２の表面領域の表面粗さは、第１の表面領域の表面粗さに比べて小さいため、第２の表面領域の熱放射率は、第１の表面領域の熱放射率に比べて低い。したがって、本保持装置によれば、吸着面Ｓ１の非形成部分１７２に、表面粗さが互いに異なる第１の表面領域と第２の表面領域とが含まれることにより、高温または低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布を制御することができる。また、本実施形態によれば、セラミックス部材１００のうち、吸着面Ｓ１以外の表面に対して表面粗さの差が形成される構成に比べて、温度制御の対象である吸着面Ｓ１における温度特異点の発生を直接的かつ効果的に抑制することができる。この点について、後で具体的に説明する。
【００６５】
また、第１の表面領域の表面粗さは、第２の表面領域の表面粗さに比べて大きいため、第１の表面領域では、第２の表面領域に比べて高温の温度特異点の発生を抑制する効果が大きい。すなわち、吸着面Ｓ１に配置された半導体ウェハＷと吸着面Ｓ１の非形成部分１７２との間にガスが供給されると、非形成部分１７２が有する熱は、相対的に温度が低いガスへと伝達され、ガスによって熱エネルギーが分散されることにより、吸着面Ｓ１における高温の温度特異点が低減される。ここで、第１の表面領域の表面粗さは、第２の表面領域の表面粗さに比べて大きいため、第１の表面領域に接するガスの量は、第２の表面領域に接するガスの量より多い。その結果、第１の表面領域からガスに伝達される熱量は、第２の表面領域からガスに伝達される熱量より多い。したがって、第１の表面領域では、第２の表面領域に比べて高温の温度特異点の発生を抑制する効果が大きい。
【００６６】
Ａ−５−１．吸着面Ｓ１上における端子対応領域Ｘ１による効果：
図５に示すように、吸着面Ｓ１上における端子対応領域Ｘ１の直下には、共通接続端子５３０が存在する。共通接続端子５３０は、複数のヒータ電極５００に電気的に接続されているため、電流集中によって高温になる。したがって、端子対応領域Ｘ１における端子重複領域Ｅ１は、静電チャック１０の内部構造（ヒータ電極５００）に起因する高温の温度特異点になり易い。
【００６７】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が低い端子重複領域Ｅ１が、上下方向（Ｚ方向）視で共通接続端子５３０と重なっており、相対的に熱放射率が高い基準領域Ｅ０が、上下方向視で共通接続端子５３０と重なっていない。これにより、本実施形態によれば、共通接続端子５３０における電流集中に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００６８】
Ａ−５−２．吸着面Ｓ１上におけるガス流入口対応領域Ｘ２による効果：
図５に示すように、吸着面Ｓ１上におけるガス流入口対応領域Ｘ２の直下には、第１の縦流路１１１が存在する。第１の縦流路１１１は、横流路１１４へのガスの流入口であり、ヒータ電極５００によって暖められる前の比較的に低温のガスが第１の縦流路１１１から横流路１１４に流入する。このため、第１の縦流路１１１は、横流路１１４において低温になる。したがって、ガス流入口対応領域Ｘ２における流入口重複領域Ｅ２は、静電チャック１０の内部構造（第１の縦流路１１１）に起因する低温の温度特異点になり易い。
【００６９】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が高い流入口重複領域Ｅ２が、上下方向（Ｚ方向）視で第１の縦流路１１１と重なっており、相対的に熱放射率が低い基準領域Ｅ０が、上下方向視で、第１の縦流路１１１と重なっていない。これにより、本実施形態によれば、第１の縦流路１１１（横流路１１４の流入口）の存在に起因する低温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００７０】
Ａ−５−３．吸着面Ｓ１上における孔形成領域Ｘ３による効果：
図５に示すように、静電チャック１０における孔形成領域Ｘ３の直下には、空洞（ガス噴出流路１１０、接着層３００に形成された貫通孔３１０、ベース部材２００に形成されたガス供給流路２２０）が存在する。一般に、空洞内に存在する空気の熱伝導率は、セラミックス部材１００、ベース部材２００や接着層３００の形成材料（セラミックスや金属など）の熱伝導率より低い。このため、静電チャック１０のうち、上下方向（Ｚ方向）視で空洞と重なる孔周囲領域Ｅ３の直下の部分におけるセラミックス部材１００からベース部材２００への吸熱効果は、空洞と重ならない基準領域Ｅ０の直下の部分におけるセラミックス部材１００からベース部材２００への吸熱効果に比べて低い。したがって、孔形成領域Ｘ３における孔周囲領域Ｅ３は、静電チャック１０の内部構造（空洞）に起因する高温の温度特異点になり易い。また、静電チャック１０における孔周囲領域Ｅ３の直下に、さらに、充填部材１６０が存在する。上述したように、充填部材１６０の熱伝達率は、比較的に低く、形成材料等によっては、空洞の熱伝達率より低いことがある。このため、孔周囲領域Ｅ３の直下の部分におけるセラミックス部材１００からベース部材２００への吸熱効果は特に低くなり、孔形成領域Ｘ３における空洞の直上の孔周囲領域Ｅ３は、静電チャック１０の内部構造（空洞）に起因する高温の温度特異点になり易い。
【００７１】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が低い孔周囲領域Ｅ３が、上下方向（Ｚ方向）視で空洞と重なっており、相対的に熱放射率が高い基準領域Ｅ０が、上下方向視で空洞と重なっていない。これにより、本実施形態によれば、空洞の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００７２】
Ａ−５−４．吸着面Ｓ１上における冷媒流入口対応領域Ｘ４による効果：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上における冷媒流入口対応領域Ｘ４の直下には、ベース部材２００に形成された冷媒供給孔２２６が存在する。冷媒供給孔２２６は、冷媒流路２１０への冷媒ＣＦの流入口であり、セラミックス部材１００からベース部材２００に移動する熱によって暖められる前の比較的に低温の冷媒ＣＦが冷媒供給孔２２６から冷媒流路２１０に流入する。このため、冷媒供給孔２２６は、ベース部材２００において低温になる。したがって、冷媒流入口対応領域Ｘ４における冷媒流入口重複領域Ｅ４は、静電チャック１０の内部構造（冷媒供給孔２２６）に起因する低温の温度特異点になり易い。
【００７３】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が高い冷媒流入口重複領域Ｅ４が、上下方向（Ｚ方向）視で冷媒供給孔２２６と重なっており、相対的に熱放射率が低い基準領域Ｅ０が、上下方向視で、冷媒供給孔２２６と重なっていない。これにより、本実施形態によれば、冷媒供給孔２２６（冷媒流路２１０の流入口）の存在に起因する低温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００７４】
Ａ−５−５．吸着面Ｓ１上における冷媒流出口対応領域Ｘ５による効果：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上における冷媒流出口対応領域Ｘ５の直下には、ベース部材２００に形成された冷媒排出孔２２８が存在する。冷媒排出孔２２８は、冷媒流路２１０からの冷媒ＣＦの流出口であり、セラミックス部材１００からベース部材２００に移動する熱によって暖められた後の比較的に高温の冷媒ＣＦが冷媒排出孔２２８から流出入する。このため、冷媒排出孔２２８は、ベース部材２００において高温になる。したがって、冷媒流出口対応領域Ｘ５における冷媒流出口重複領域Ｅ５は、静電チャック１０の内部構造（冷媒排出孔２２８）に起因する高温の温度特異点になり易い。
【００７５】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が低い冷媒流出口重複領域Ｅ５が、上下方向（Ｚ方向）視で冷媒排出孔２２８と重なっており、相対的に熱放射率が高い基準領域Ｅ０が、上下方向視で、冷媒排出孔２２８と重なっていない。これにより、本実施形態によれば、冷媒排出孔２２８（冷媒流路２１０の流出口）の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００７６】
Ａ−５−６．吸着面Ｓ１上におけるヒータ高温対応領域Ｘ６による効果：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上におけるヒータ高温対応領域Ｘ６の直下には、ヒータライン部５０６の折れ線部分５０６Ｅが存在する。この折れ線部分５０６Ｅは、ヒータライン部５０６における折れ線部分５０６Ｅ以外の部分（円弧部分５０６Ｃ、直線部分５０６Ｄ）に比べて、角部に電流が集中することによって高温になる。したがって、ヒータ高温対応領域Ｘ６における折れ線部分５０６Ｅの直上の部分は、静電チャック１０の内部構造（ヒータ電極５００）に起因する高温の温度特異点になり易い。
【００７７】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が低い高温重複領域Ｅ６が、上下方向（Ｚ方向）視で折れ線部分５０６Ｅと重なっており、相対的に熱放射率が高い基準領域Ｅ０が、上下方向視で折れ線部分５０６Ｅと重なっていない。これにより、本実施形態によれば、ヒータ電極５００における高温部（折れ線部分５０６Ｅ）の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００７８】
Ａ−５−７．吸着面Ｓ１上における経路対応領域Ｘ７による効果：
図６に示すように、吸着面Ｓ１上における経路対応領域Ｘ７の直下には、横流路１１４が存在する。横流路１１４も空洞であるため、静電チャック１０のうち、上下方向（Ｚ方向）視で横流路１１４と重なる経路重複領域Ｅ７の直下の部分におけるセラミックス部材１００からベース部材２００への吸熱効果は、横流路１１４と重ならない基準領域Ｅ０の直下の部分におけるセラミックス部材１００からベース部材２００への吸熱効果に比べて低い。したがって、経路対応領域Ｘ７における横流路１１４の直上の部分は、静電チャック１０の内部構造（横流路１１４）に起因する高温の温度特異点になり易い。
【００７９】
これに対して、本実施形態では、相対的に熱放射率が低い孔周囲領域Ｅ３が、上下方向（Ｚ方向）視で横流路１１４と重なっており、相対的に熱放射率が高い基準領域Ｅ０が、上下方向視で横流路１１４と重なっていない。これにより、本実施形態によれば、空洞（横流路１１４）の存在に起因する高温の温度特異点の発生を抑制することができ、例えばセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００８０】
また、本実施形態の第１の製造方法では、中間セラミックス部材９０Ａの中間面Ｓ１Ａにおける第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とに対して、個別に、突起１７０が形成されつつ、非形成部分１７２の表面粗さが異なるように加工される。このため、第１の製造方法によれば、各中間面領域Ｓ１Ａ１，Ｓ１Ａ２に対して、突起１７０を形成しつつ、非形成部分１７２の表面粗さを、温度分布の測定結果に応じた表面粗さにすることができる。また、第１の製造方法によれば、第２の製造方法とは異なり、非形成部分１７２における同一の箇所に対してブラスト処理等の加工を複数回施すことを要しない。すなわち、第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２とのそれぞれの非形成部分１７２に対して、同じ回数だけ加工を施すことにより、上述の構成の静電チャック１０を製造することができる。
【００８１】
また、本実施形態の第２の製造方法では、中間セラミックス部材９０ＡのＳ１Ａにおける第１の中間面領域Ｓ１Ａ１と第２の中間面領域Ｓ１Ａ２との両方に対して突起１７０が形成され、その後に、第２の中間面領域Ｓ１Ａ２における非形成部分１７２Ａに対して表面粗さを変える加工が施される。このため、本保持装置の製造方法によれば、先に突起１７０を形成した後に、非形成部分１７２における表面粗さを、温度分布の測定結果に応じた表面粗さに調整することができる。
【００８２】
また、本実施形態の各製造方法では、中間セラミックス部材９０Ａにベース部材２００が接合された状態で中間面Ｓ１Ａにおける温度分布が評価され、その後に、中間面Ｓ１Ａに対する加工がされる。このため、本実施形態の各製造方法によれば、中間セラミックス部材９０Ａにベース部材２００が接合された静電チャック１０の完成体に近い状態で、温度分布を測定し、その結果に基づき、中間セラミックス部材９０Ａからベース部材２００を離間させることを要することなく、中間面Ｓ１Ａに対して加工を施すことにより、非形成部分１７２における表面粗さを、温度分布の測定結果に応じた表面粗さに調整することができる。
【００８３】
Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００８４】
上記実施形態における静電チャック１０の構成は、あくまでも一例であり、種々変形可能である。上記実施形態において、共通接続端子５３０は、上下方向視で、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における中央部とは異なる位置に配置されているとしてもよい。この場合、端子重複領域Ｅ１の少なくとも一部が、上下方向視で、共通接続端子５３０と重なる構成が好ましい。
【００８５】
また、上記実施形態において、端子重複領域Ｅ１は、上下方向視で、電極パッド５２０の外形線より内側に位置する構成であるとしてもよいし、さらには、共通接続端子５３０の外形線より内側に位置する構成であるとしてもよい。また、上記実施形態において、端子重複領域Ｅ１および基準領域Ｅ０は、いずれも、上下方向視で、共通接続端子５３０と重なっておらず、端子重複領域Ｅ１が、基準領域Ｅ０よりも、共通接続端子５３０の近くに位置しているとしてもよい。
【００８６】
また、上記実施形態において、流入口重複領域Ｅ２は、上下方向視で、第１の縦流路１１１の外形線より内側に位置する構成であるとしてもよい。また、上記実施形態において、流入口重複領域Ｅ２および基準領域Ｅ０は、いずれも、上下方向視で、第１の縦流路１１１と重なっておらず、流入口重複領域Ｅ２が、基準領域Ｅ０よりも、第１の縦流路１１１の近くに位置しているとしてもよい。
【００８７】
また、上記実施形態において、冷媒流入口重複領域Ｅ４は、上下方向視で、冷媒供給孔２２６の外形線より内側に位置する構成であるとしてもよい。また、上記実施形態において、冷媒流入口重複領域Ｅ４および基準領域Ｅ０は、いずれも、上下方向視で、冷媒供給孔２２６と重なっておらず、冷媒流入口重複領域Ｅ４が、基準領域Ｅ０よりも、冷媒供給孔２２６の近くに位置しているとしてもよい。
【００８８】
また、上記実施形態において、冷媒流出口重複領域Ｅ５は、上下方向視で、冷媒排出孔２２８の外形線より内側に位置する構成であるとしてもよい。また、上記実施形態において、冷媒流出口重複領域Ｅ５および基準領域Ｅ０は、いずれも、上下方向視で、冷媒排出孔２２８と重なっておらず、冷媒流出口重複領域Ｅ５が、基準領域Ｅ０よりも、冷媒排出孔２２８の近くに位置しているとしてもよい。
【００８９】
また、上記実施形態において、高温重複領域Ｅ６は、上下方向視で、ヒータ電極５００の折れ線部分５０６Ｅの外形線より内側に位置する構成であるとしてもよい。また、上記実施形態において、高温重複領域Ｅ６および基準領域Ｅ０は、いずれも、上下方向視で、折れ線部分５０６Ｅと重なっておらず、高温重複領域Ｅ６が、基準領域Ｅ０よりも、折れ線部分５０６Ｅの近くに位置しているとしてもよい。
【００９０】
また、上記実施形態において、経路重複領域Ｅ７は、上下方向視で、横流路１１４の外形線より内側に位置する構成であるとしてもよい。また、上記実施形態において、経路重複領域Ｅ７および基準領域Ｅ０は、いずれも、上下方向視で、横流路１１４と重なっておらず、高温重複領域Ｅ６が、基準領域Ｅ０よりも、横流路１１４の近くに位置しているとしてもよい。
【００９１】
また、上記実施形態において、第２の発熱部分は、ヒータライン部５０６の折れ線部分５０６Ｅに限らず、例えばヒータライン部５０６の円弧部分５０６Ｃまたは直線部分５０６Ｄにおける高温部分（例えば断面積が他の部分より小さい部分）であるとしてもよい。
【００９２】
また、例えば、上記実施形態において、上下方向視で、ヒータ電極５００が充填部材１６０を避けるように配置された構成（具体的には、上下方向視で、一対のヒータ同士の距離が充填部材１６０を挟む部分だけ広くなっている構成）では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における充填部材１６０の直上の部分が低温の温度特異点になる。このような構成では、吸着面Ｓ１における充填部材１６０の直上の部分に、相対的に表面粗さが大きい第１の表面領域を形成することが好ましい。
【００９３】
また、上記実施形態において、セラミックス部材１００の内部に、チャック電極４００とヒータ電極５００との少なくとも１つを備えないとしてもよい。また、ヒータ電極５００は、セラミックス部材１００の内部ではなく、セラミックス部材１００のベース部材２００側（セラミックス部材１００と接着層３００との間）に配置されるとしてもよい。
【００９４】
また、上記実施形態では、冷媒流路２１０がベース部材２００の内部に形成されるとしているが、冷媒流路２１０が、ベース部材２００の内部ではなく、ベース部材２００の表面（例えばベース部材２００と接着層３００との間）に形成されるとしてもよい。
【００９５】
また、上記実施形態において、セラミックス部材１００とベース部材２００とが、一体の接着層３００ではなく、複数の接合部分によって接合されているとしてもよい。具体的には、セラミックス部材１００とベース部材２００との間に、セラミックス部材１００とベース部材２００との対向方向に直交する一の仮想平面上に配置された複数の接合部分が離散的に形成されているとしてもよい。これらの複数の接合部分は、特許請求の範囲における接合部に相当する。また、上記実施形態では、セラミックス部材１００とベース部材２００とが、接着層３００により接合されるとしているが、セラミックス部材１００とベース部材２００との接合方法として、他の方法（例えば、ろう付けや機械的接合等）が採用されてもよい。
【００９６】
また、上記実施形態では、セラミックス部材１００の内部に一対のチャック電極４００が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス部材１００の内部に１つのチャック電極４００が設けられた単極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
【００９７】
上記実施形態における静電チャック１０の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、温度分布の測定工程（Ｓ１３０）を、中間セラミックス部材９０Ａとベース部材２００との工程（Ｓ１２０）の前に行うとしてもよい。
【００９８】
また、本発明は、静電引力を利用して半導体ウェハＷを保持する静電チャック１０に限らず、他の保持装置（真空チャックなど）や、ベース部材を備えないヒータ装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１０：静電チャック  ９０Ａ：中間セラミックス部材  ９２：第１のマスク  ９４：第２のマスク  ９６：第３のマスク  ９８：第４のマスク  １００：セラミックス部材  １０２：ガス噴出孔  １１０：ガス噴出流路  １１１：第１の縦流路  １１２：第２の縦流路  １１４：横流路  １４０：収容室  １６０：充填部材  １７０：突起  １７２，１７２Ａ，１７２Ｂ：非形成部分  ２００：ベース部材  ２１０：冷媒流路  ２２０：ガス供給流路  ２２１：ガス源接続孔  ２２２：ガス供給孔  ２２４：端子用孔  ２２６：冷媒供給孔  ２２８：冷媒排出孔  ３００：接着層  ３１０：貫通孔  ４００：チャック電極  ５００：ヒータ電極  ５０６：ヒータライン部  ５０６Ｃ：円弧部分  ５０６Ｄ：直線部分  ５０６Ｅ：折れ線部分  ５０８：ヒータパッド部  ５１０：ビア  ５２０：電極パッド  ５３０：共通接続端子  ＣＦ：冷媒  Ｅ０：基準領域  Ｅ１：端子重複領域  Ｅ２：流入口重複領域  Ｅ３：孔周囲領域  Ｅ４：冷媒流入口重複領域  Ｅ５：冷媒流出口重複領域  Ｅ６：高温重複領域  Ｅ７：経路重複領域  Ｌ１：第１の仮想区画線  Ｌ２：第２の仮想区画線  Ｌ３：第３の仮想区画線  Ｌ４：第４の仮想区画線  Ｌ５：第５の仮想区画線  Ｌ６：第６の仮想区画線  Ｌ７：第７の仮想区画線  Ｓ１：吸着面  Ｓ１Ａ１：第１の中間面領域  Ｓ１Ａ２：第２の中間面領域  Ｓ１Ａ：中間面  Ｓ２：下面  Ｓ３：上面  Ｓ４：下面  Ｗ：半導体ウェハ  Ｘ１：端子対応領域  Ｘ２：ガス流入口対応領域  Ｘ３：孔形成領域  Ｘ４：冷媒流入口対応領域  Ｘ５：冷媒流出口対応領域  Ｘ６：ヒータ高温対応領域  Ｘ７：経路対応領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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