(57)【要約】【課題】スルーホール実装タイプの半導体装置において、リード端子に対してはんだめっきを施しても、リード端子の先端部の面内方向における位置を良好に検査可能とすること。【解決手段】リード端子３５は、半導体パッケージ３４から外部に突出するように設けられた金属部材であってプリント基板２に形成されたスルーホール２３に挿入可能に延設された直棒状の挿入部５２を有する。複数のリード端子３５が、挿入部５２の延設方向と直交する面内方向に配列されている。挿入部５２は、延設方向と直交する面内方向における位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって延設方向と交差する反射面５９を有する先端部５４と、先端部５４よりも半導体パッケージ３４側の部分であって表面にはんだめっきが施された基部５３とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置（３）であって、
半導体チップ（３２）と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ（３３）とを有する、半導体パッケージ（３４）と、
前記半導体パッケージから外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板（２）に形成されたスルーホール（２３）に挿入可能に延設された直棒状の挿入部（５２）を有する、リード端子（３５）と、
を備え、
複数の前記リード端子が、前記挿入部の延設方向と直交する面内方向に配列され、
前記挿入部は、
前記延設方向と直交する面内方向における前記挿入部の位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって前記延設方向と交差する反射面（５９）を有する、先端部（５４）と、
前記先端部よりも前記半導体パッケージ側の部分であって、表面にはんだめっきが施された、基部（５３）と、
を有する、
半導体装置。
【請求項２】
前記反射面は、前記はんだめっきが施されていない、前記挿入部の前記延設方向における先端面（５８）によって形成された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記先端部は、前記照射光が透過可能な合成樹脂によって形成された保護被膜（５７）により被覆された、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記先端面は、前記はんだめっきの濡れ性が前記基部よりも低くなるように形成された、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記挿入部の前記延設方向における先端面（５８）は、前記延設方向に開口する凹部（５８１）を有し、
前記先端面上に、前記反射面を構成するはんだめっき層（５６）が形成された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凹部は、凹面状に形成された表面を有する、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップ（３２）と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ（３３）とを有する、半導体パッケージ（３４）と、
前記半導体パッケージから外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板（２）に形成されたスルーホール（２３）に挿入可能に延設された直棒状の挿入部（５２）を有する、リード端子（３５）と、
を備え、複数の前記リード端子が前記挿入部の延設方向と直交する面内方向に配列された構成を有する、半導体装置（３）の製造方法であって、
前記延設方向における前記挿入部の先端面（５８）を含む前記挿入部の先端部（５４）の表面にははんだめっきを施さない一方で、前記挿入部における前記先端部よりも前記半導体パッケージ側の部分である基部（５３）の表面には前記はんだめっきを施すことで、前記先端部に、前記延設方向と直交する面内方向における前記挿入部の位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって前記延設方向と交差する反射面（５９）を設ける、
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記挿入部における前記先端部の前記表面に前記はんだめっきが施されないように、前記先端部を、保護被膜（５７）により被覆する、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護被膜を、前記照射光が透過可能な合成樹脂によって形成する、
請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記挿入部における前記先端部の前記表面に前記はんだめっきが施されないように、前記先端面を、前記はんだめっきの濡れ性が前記基部よりも低くなるように形成する、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体チップ（３２）と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ（３３）とを有する、半導体パッケージ（３４）と、
前記半導体パッケージから外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板（２）に形成されたスルーホール（２３）に挿入可能に延設された直棒状の挿入部（５２）を有する、リード端子（３５）と、
を備え、複数の前記リード端子が前記挿入部の延設方向と直交する面内方向に配列された構成を有する、半導体装置（３）の製造方法であって、
前記挿入部の前記延設方向における先端面（５８）に、前記延設方向に開口する凹部（５８１）を形成し、
前記挿入部にはんだめっきを施すことで、前記先端面上に、前記延設方向と直交する面内方向における前記挿入部の位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって前記延設方向と交差する反射面（５９）を構成するはんだめっき層（５６）を形成する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
凹面状の表面を有するように、前記凹部を形成する、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージから外方に突出しつつ下方に屈曲した金属製のリード端子を、プリント基板に設けられたスルーホールに挿入して、はんだ接合した構成が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３９１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
周知の通り、半導体装置においては、半導体パッケージからリード端子が多数突設されている。このため、プリント基板に設けられた多数のスルーホールの各々に、対応するリード端子を良好に挿入するためには、リード端子の先端部の面内方向における位置誤差を、所定範囲内に収める必要がある。なお、「面内方向」とは、リード端子の先端部における延設方向と直交する方向である。
【０００５】
そこで、通常、半導体装置がプリント基板に実装される前に、リード端子の先端部の面内方向における位置が、光学的に検査される。この検査は、半導体装置を検査装置にセットし、リード端子の先端部を光源からの照射光で照射し、反射光をカメラ等の受光部で検出することによって行われる。
【０００６】
一方、リード端子を構成する金属材料の保護、あるいは、はんだ接合性の向上のために、リード端子の表面に対して、はんだめっきが施される場合がある。しかしながら、リード端子の先端部に付着したはんだめっきの外表面は、はんだの表面張力により、部分球面状に凸状に湾曲する湾曲面となる。すると、凸状の湾曲面における反射光が受光部に入射し難くなることで、リード端子の先端部の面内方向における位置が検知され難くなるという問題が生じ得る。
【０００７】
本発明は、上記に例示した事情等に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、いわゆるスルーホール実装タイプの半導体装置において、リード端子に対してはんだめっきを施しても、リード端子の先端部の面内方向における位置を良好に検査可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の半導体装置（３）は、
半導体チップ（３２）と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ（３３）とを有する、半導体パッケージ（３４）と、
前記半導体パッケージから外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板（２）に形成されたスルーホール（２３）に挿入可能に延設された直棒状の挿入部（５２）を有する、リード端子（３５）と、
を備え、
複数の前記リード端子が、前記挿入部の延設方向と直交する面内方向に配列され、
前記挿入部は、
前記延設方向と直交する面内方向における前記挿入部の位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって前記延設方向と交差する反射面（５９）を有する、先端部（５４）と、
前記先端部よりも前記半導体パッケージ側の部分であって、表面にはんだめっきが施された、基部（５３）と、
を有する。
【０００９】
前記半導体装置においては、複数の前記リード端子の各々における、前記プリント基板に形成された前記スルーホールに挿入される直棒状の前記挿入部は、前記先端部と前記基部とを有している。前記先端部よりも前記半導体パッケージ側の前記基部においては、前記はんだめっきが前記表面に施される。
【００１０】
一方、複数の前記リード端子の各々における前記挿入部の、前記延設方向における前記先端部には、当該延設方向と交差する平坦面である前記反射面が設けられる。かかる反射面は、前記面内方向における前記挿入部の位置検査用の前記照射光を反射可能に、平滑に形成されている。
【００１１】
このため、上記構成においては、前記照射光の前記反射面による反射光の方向が、良好に安定化され得る。これにより、前記反射光が、検査装置の受光部に良好に入射し得る。したがって、上記構成によれば、前記リード端子の前記挿入部に対して前記はんだめっきを施しても、前記リード端子の前記挿入部すなわち前記先端部の、前記面内方向における位置を、良好に検査可能とすることができる。
【００１２】
請求項７に記載の製造方法は、
半導体チップ（３２）と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ（３３）とを有する、半導体パッケージ（３４）と、
前記半導体パッケージから外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板（２）に形成されたスルーホール（２３）に挿入可能に延設された直棒状の挿入部（５２）を有する、リード端子（３５）と、
を備え、複数の前記リード端子が前記挿入部の延設方向と直交する面内方向に配列された構成を有する、半導体装置（３）の製造方法であって、
前記延設方向における前記挿入部の先端面（５８）を含む前記挿入部の先端部（５４）の表面にははんだめっきを施さない一方で、前記挿入部における前記先端部よりも前記半導体パッケージ側の部分である基部（５３）の表面には前記はんだめっきを施すことで、前記先端部に、前記延設方向と直交する面内方向における前記挿入部の位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって前記延設方向と交差する反射面（５９）を設ける。
【００１３】
請求項１１に記載の製造方法は、
半導体チップ（３２）と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ（３３）とを有する、半導体パッケージ（３４）と、
前記半導体パッケージから外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板（２）に形成されたスルーホール（２３）に挿入可能に延設された直棒状の挿入部（５２）を有する、リード端子（３５）と、
を備え、複数の前記リード端子が前記挿入部の延設方向と直交する面内方向に配列された構成を有する、半導体装置（３）の製造方法であって、
前記挿入部の前記延設方向における先端面（５８）に、前記延設方向に開口する凹部（５８１）を形成し、
前記挿入部にはんだめっきを施すことで、前記先端面上に、前記延設方向と直交する面内方向における前記挿入部の位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって前記延設方向と交差する反射面（５９）を構成するはんだめっき層（５６）を形成する。
【００１４】
これらの製造方法によれば、前記リード端子の前記挿入部に対して前記はんだめっきを施しても、前記リード端子の前記挿入部すなわち先端部の前記面内方向における位置を良好に検査可能な、前記半導体装置を、可及的に簡略な製造工程を用いて良好に製造することが可能となる。
【００１５】
なお、出願書類中の各欄において、各要素に括弧付きの参照符号が付されている場合、かかる参照符号は、単に、同要素と後述する実施形態に記載の具体的構成との対応関係の一例を示すものである。よって、本発明は、かかる参照符号の記載によって、何ら限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態の半導体装置を備えた電子装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】図１に示されたリード端子の先端部近傍を拡大した側断面図である。
【図３】図１に示された半導体装置の検査工程の概略を示す側面図である。
【図４】図２に示されたリード端子の一変形例を示す側断面図である。
【図５】図２に示されたリード端子の他の一変形例を示す側断面図である。
【図６】図２に示されたリード端子のさらに他の一変形例を示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（実施形態）
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、一つの実施形態に対して適用可能な各種の変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中に挿入されると当該実施形態の理解が妨げられるおそれがあるため、当該実施形態の説明の後にまとめて記載する。
【００１８】
（構成）
まず、図１を参照しつつ、電子装置１の概略構成について説明する。なお、説明の便宜上、図１において、図示の通りに右手系ＸＹＺ直交座標を設定する。かかる直交座標は、技術的な矛盾あるいは特段の言及がない限り、図２以降の他の図面においても共通に用いられるものとする。
【００１９】
電子装置１は、プリント基板２と半導体装置３とを備えている。プリント基板２は、図中Ｚ軸方向に厚さ方向を有する板状部材であって、当該厚さ方向と直交する一対の主面である第一主面２１および第二主面２２を有している。第一主面２１と第二主面２２とは、互いに表裏の関係を有するように設けられている。
【００２０】
第一主面２１および第二主面２２には、不図示の金属箔（例えば銅箔）製の配線パターンが形成されている。また、プリント基板２には、多数のスルーホール２３が形成されている。スルーホール２３は、プリント基板２を厚さ方向に貫通するように設けられている。
【００２１】
半導体装置３は、リードフレーム３１と、半導体チップ３２と、樹脂パッケージ３３とを備えている。金属部材であるリードフレーム３１は、銅板の表面に、はんだの濡れ性が良好となる表面処理（例えば無電解ニッケルめっき等）を施すことによって形成されている。リードフレーム３１上には、半導体チップ３２を含む複数の回路素子が実装されている。
【００２２】
半導体チップ３２、および、リードフレーム３１における半導体チップ３２等の回路素子を実装する部分は、樹脂パッケージ３３によって被覆されている。半導体チップ３２等の回路素子を封止する樹脂パッケージ３３は、エポキシ系の合成樹脂によって形成されている。
【００２３】
樹脂パッケージ３３は、図中Ｚ軸方向に厚さ方向を有する板状に形成されている。以下、樹脂パッケージ３３の厚さ方向である図中Ｚ軸方向を、単に「厚さ方向」と称する。また、厚さ方向と直交する方向、すなわち、図中ＸＹ平面内にて任意の線分を描いた場合の当該線分と平行な方向を、「面内方向」と称する。
【００２４】
上記の説明から明らかなように、半導体装置３は、半導体チップ３２と樹脂パッケージ３３とを有する半導体パッケージ３４から、リードフレーム３１を構成する複数のリード端子３５が突出した形状を有している。リード端子３５は、半導体パッケージ３４から外部に突出するように設けられた金属部材であって、プリント基板２とはんだ接続されることでプリント基板２と半導体チップ３２とを電気接続するように設けられている。複数のリード端子３５は、面内方向に配列されている。
【００２５】
リード端子３５は、非挿入部５１と挿入部５２とを有している。非挿入部５１は、スルーホール２３に挿入されない部分であって、半導体パッケージ３４と挿入部５２との間に設けられている。非挿入部５１は、半導体パッケージ３４の面内方向における端部から面内方向に延出するとともに厚さ方向に折り曲げられることで、側面視にて略Ｌ字状に形成されている。
【００２６】
挿入部５２は、スルーホール２３に挿入可能に、厚さ方向に延設された直棒状に形成されている。本実施形態において樹脂パッケージ３３の厚さ方向と平行な、挿入部５２の延設方向を、以下単に「延設方向」と称する。
【００２７】
挿入部５２は、基部５３と先端部５４とを有している。基部５３は、先端部５４よりも半導体パッケージ３４側の部分であって、本実施形態においては四角棒状に形成されている。先端部５４は、リードフレーム３１および挿入部５２の末端部を構成する部分であって、本実施形態においては延設方向に向かって先細となる四角錐台状に形成されている。
【００２８】
基部５３の表面すなわち外周面には、はんだめっきが施されている。一方、本実施形態においては、先端部５４の表面には、はんだめっきが施されていない。
【００２９】
図１および図２を参照すると、本実施形態においては、挿入部５２は、本体部５５と、はんだめっき層５６と、保護被膜５７とによって形成されている。本体部５５は、上記のリードフレーム３１の母材、すなわち、はんだの濡れ性が良好となる表面処理が施された銅材からなる部分であって、厚さ方向に延設されている。
【００３０】
本実施形態においては、本体部５５の外表面における基部５３に対応する部分は、はんだめっき層５６によって被覆されている。一方、本体部５５の外表面における先端部５４に対応する部分は、保護被膜５７によって被覆されている。保護被膜５７は、可視光が透過可能な合成樹脂材料によって形成されている。
【００３１】
リード端子３５における挿入部５２の、延設方向における先端面５８は、反射面５９を有している。反射面５９は、挿入部５２すなわち先端部５４の、面内方向における位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって、延設方向と交差するように設けられている。
【００３２】
本実施形態においては、反射面５９は、はんだめっきが施されていない、リード端子３５の先端面５８によって形成されている。この先端面５８は、本体部５５の外表面の一部であって、先端部５４に対応する部分における延設方向側の端面である。また、反射面５９は、延設方向と略直交する、すなわち、延設方向に沿った法線方向を有するように設けられている。
【００３３】
（製造方法）
次に、本実施形態の半導体装置３の製造方法について説明する。図１に示されているような、半導体パッケージ３４からリード端子３５が突設された構造は、周知の製造方法により形成される。したがって、以下、同構造が形成された後に行われる、リード端子３５に対する各種の処理を中心に説明する。
【００３４】
まず、延設方向における挿入部５２の先端面５８を含む、挿入部５２の先端部５４の表面に、はんだめっきが施されないようにする。具体的には、先端部５４を、保護被膜５７により被覆する。保護被膜５７は、位置検査用の照射光である可視光が良好に透過可能な、良好な透明性を有する合成樹脂によって形成する。保護被膜５７の形成には、例えば、ディップ工法等が用いられ得る。
【００３５】
次に、挿入部５２に対して、はんだめっきを施す。このとき、先端部５４の表面は保護被膜５７により被覆されている。一方、先端部５４よりも非挿入部５１側の基部５３の表面には、はんだの濡れ性が良好となる表面処理が施されている。このため、基部５３の表面には、はんだめっきが施される。一方、先端部５４の表面には、はんだめっきは施されない。すなわち、はんだめっき層５６は、基部５３の表面を被覆する一方、先端面５８を含む先端部５４の表面を被覆しない。
【００３６】
このように、本実施形態の製造方法においては、挿入部５２における先端部５４の表面には、はんだめっきを施さない。一方、基部５３の表面には、はんだめっきを施す。これにより、プリント基板２のスルーホール２３に挿入されてはんだ付けされる基部５３には、はんだめっき層５６が設けられる。一方、先端部５４には、位置検査用の照射光を反射可能な平滑な平坦面であって延設方向と交差する反射面５９が設けられる。
【００３７】
（検査工程）
続いて、リード端子３５の挿入部５２における先端部５４の、面内方向における位置検査の概要について、本実施形態により奏される効果とともに、図３を用いて説明する。なお、図３において、図中Ｚ軸負方向は、重力作用方向に沿った方向であるものとする。
【００３８】
図３に示されている検査装置１００は、固定台１０１と、光源１０２と、受光部１０３とを備えている。固定台１０１は、半導体装置３を、リード端子３５における先端部５４が上方に突出した状態で保持するように設けられている。固定台１０１の上方には、光源１０２および受光部１０３が配置されている。
【００３９】
光源１０２は、挿入部５２すなわち先端部５４の位置検査用の照射光である可視光を、固定台１０１に保持された半導体装置３に向かって照射するように、固定台１０１と対向配置されている。光源１０２としては、例えば、照射光としての白色光を放射可能なランプ等が用いられ得る。
【００４０】
受光部１０３は、照射光の反射面５９による反射光を検出するように、所定位置にて固定台１０１と対向配置されている。受光部１０３は、例えば、いわゆるデジタルカメラ装置であって、ＣＣＤセンサまたはＣＭＯＳセンサ等のイメージセンサを内部に備えている。ＣＣＤはCharge  Coupled  Deviceの略である。ＣＭＯＳはComplementary  Metal  Oxide  Semiconductorの略である。
【００４１】
検査工程においては、まず、固定台１０１に、半導体装置３を、リード端子３５における先端部５４が光源１０２および受光部１０３に向かって突出した状態で保持する。そして、光源１０２から照射光を半導体装置３に向けて照射しつつ、照射光のリード端子３５による反射光を受光部１０３により検出する。
【００４２】
半導体装置３においては、複数のリード端子３５の各々における、プリント基板２に形成されたスルーホール２３に挿入される直棒状の挿入部５２は、基部５３と先端部５４とを有している。先端部５４よりも半導体パッケージ３４側の基部５３においては、はんだめっきが表面に施される。
【００４３】
一方、複数のリード端子３５の各々における挿入部５２の、延設方向における先端部５４には、当該延設方向と交差する平坦面である反射面５９が設けられる。かかる反射面５９は、面内方向における挿入部５２すなわち先端部５４の位置検査用の照射光を反射可能に、平滑に形成されている。
【００４４】
このため、上記構成においては、照射光の反射面５９による反射光の方向が、良好に安定化され得る。すなわち、凸面状の表面による拡散的な反射の発生が、可及的に抑制され得る。これにより、反射光が、検査装置１００の受光部１０３に良好に入射し得る。したがって、上記構成によれば、リード端子３５の挿入部５２に対してはんだめっきを施しても、リード端子３５の挿入部５２すなわち先端部５４の、面内方向における位置を、良好に検査可能とすることができる。
【００４５】
本実施形態においては、反射面５９は、はんだめっきが施されていない、リード端子３５の先端面５８によって形成されている。この先端面５８は、パンチを用いた打ち抜き等の切断加工により、平滑な平坦面として形成することが可能である。このため、反射面５９は、位置検査用の照射光を良好に反射可能な、平滑な平坦面となる。したがって、位置検査用の照射光を良好に反射可能な反射面５９を、簡易に形成することが可能となる。
【００４６】
本実施形態においては、反射面５９を含む先端部５４は、照射光が透過可能な合成樹脂によって形成された保護被膜５７により被覆されている。この保護被膜５７は、基部５３にはんだめっき層５６を形成する際のマスクとして機能する。一方、この保護被膜５７は、照射光が透過可能であるため、反射面５９からの反射光が保護被膜５７を透過して受光部１０３に良好に入射することが可能となる。したがって、位置検査用の照射光を良好に反射可能な反射面５９を、簡易に形成することが可能となる。
【００４７】
本実施形態の製造方法によれば、リード端子３５に対してはんだめっきを施しても、はんだめっき層５６は、基部５３を被覆する一方、先端部５４を被覆しない。このため、先端部５４には、位置検査用の照射光を良好に反射可能な平滑な平坦面である反射面５９が良好に形成される。したがって、リード端子３５の先端部５４の面内方向における位置を良好に検査可能な半導体装置３を、可及的に簡略な製造工程を用いて良好に製造することが可能となる。
【００４８】
（変形例）
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。故に、上記実施形態に対しては、適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。また、上記実施形態と変形例とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
【００４９】
上記実施形態においては、挿入部５２の延設方向は、半導体パッケージ３４の厚さ方向と平行であった。しかしながら、本発明は、かかる態様に限定されない。すなわち、例えば、挿入部５２の延設方向は、半導体パッケージ３４の厚さ方向と直交する方向であってもよい。
【００５０】
上記実施形態においては、先端部５４は、反射面５９に向かって先細となる四角錐台状に形成されていた。しかしながら、本発明は、かかる態様に限定されない。すなわち、例えば、先端部５４は、反射面５９に向かって先細となる円錐台状に形成されていてもよい。
【００５１】
あるいは、例えば、先端部５４の形状は、先細形状に限定されない。すなわち、本体部５５における、基部５３を構成する部分と、先端部５４を構成する部分とは、同一の断面形状を有していてもよい。換言すれば、本体部５５における、基部５３を構成する部分と、先端部５４を構成する部分とは、継目なく一体で太さが一定の直棒状に形成され得る。
【００５２】
保護被膜５７は、照射光が透過困難であってもよい。すなわち、保護被膜５７は、はんだめっき層５６を基部５３に形成する際のマスクとして機能する以外の、光学的機能を有していなくてもよい。この場合、はんだめっき層５６を基部５３に形成した後、保護被膜５７は除去される。図４は、保護被膜５７が除去された状態に対応する。
【００５３】
先端面５８を含む、先端部５４の表面を、はんだめっきの濡れ性が基部５３の表面よりも低くなるように形成することで、保護被膜５７は省略され得る。具体的には、例えば、先端部５４の表面を、はんだの濡れ性が良好となる表面処理（例えば無電解ニッケルめっき等）が施されていない状態とすることで、先端部５４の表面をはんだめっき層５６で被覆しないようにすることが可能である。あるいは、先端部５４の表面に対して、レーザ粗化等の、はんだの濡れ性を悪化させる処理を施すことも可能である。図４は、これらの場合に対応する。
【００５４】
図５に示されているように、先端部５４の表面における、先端面５８すなわち反射面５９以外は、はんだめっき層５６で被覆されていてもよい。あるいは、先端面５８すなわち反射面５９の一部が、はんだめっき層５６で被覆されていてもよい。
【００５５】
先端部５４を含む挿入部５２の全体を被覆するように一旦はんだめっき層５６を設けた後に、少なくとも本体部５５の外表面を構成する先端面５８が露出するように、先端部５４におけるはんだめっき層５６を除去してもよい。これにより、図４または図５に示された構成が、簡易に実現され得る。先端部５４におけるはんだめっき層５６の除去方法としては、例えば、研磨、レーザ加工、はんだ吸い取り、等を用いることが可能である。
【００５６】
上記の説明から明らかなように、先端面５８が平坦面である場合は、はんだめっき層５６を先端面５８上に設けると、表面張力の作用で、先端面５８上のはんだめっき層５６の外表面は、部分球面状に凸状に湾曲する湾曲面となる。この凸状の湾曲面における、光源１０２から照射された照射光の反射光は、受光部１０３に入射し難くなる。このため、リード端子３５の先端部５４の面内方向における位置が検知され難くなるという問題が生じ得る。
【００５７】
そこで、図６に示されているように、先端面５８は、延設方向に開口する凹部５８１を有していてもよい。凹部５８１は、例えば、凹面状に形成された表面を有している。具体的には、延設方向に露出する凹部５８１の表面は、例えば、部分球面状に凹状に湾曲する湾曲面として形成されている。凹部５８１は、例えば、塑性加工（例えばパンチ等）、放電加工、等の周知の方法によって、簡易に形成することが可能である。
【００５８】
そして、先端面５８を含む、挿入部５２の全体にはんだめっきを施すことで、先端面５８上に、平坦で平滑な反射面５９を構成するはんだめっき層５６が形成される。すなわち、この場合、反射面５９は、はんだめっき層５６の外表面により形成される。
【００５９】
かかる構成および製造方法によれば、はんだめっきを挿入部５２の全体に対して施しても、先端部５４には、位置検査用の照射光を良好に反射可能な反射面５９が良好に形成される。したがって、リード端子３５の挿入部５２すなわち先端部５４の面内方向における位置を良好に検査可能な半導体装置３を、可及的に簡略な製造工程を用いて良好に製造することが可能となる。
【００６０】
反射面５９の面積が広いほど、挿入部５２すなわち先端部５４の面内方向における位置を良好に検査することが可能となる。このため、反射面５９の面積は、例えば、基部５３の延設方向と直交する断面における断面積の２５％以上であることが好適である。より好適には、例えば、反射面５９の面積は、基部５３の延設方向と直交する断面における断面積の３０％以上である。さらに好適には、例えば、反射面５９の面積は、基部５３の延設方向と直交する断面における断面積の４０％以上である。
【００６１】
光源１０２の種類についても、特段の限定はない。すなわち、例えば、光源１０２は、照射光として、可視光範囲の波長を有するレーザ光を放射可能に構成されていてもよい。
【００６２】
上記実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に本発明が限定されることはない。
【００６３】
同様に、構成要素等の形状、方向、位置関係等が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に特定の形状、方向、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、方向、位置関係等に本発明が限定されることはない。各部を構成する材料についても、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の材料に限定される場合等を除き、特段の限定はない。
【００６４】
変形例も、上記の例示に限定されない。また、複数の実施形態が、互いに組み合わされ得る。同様に、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。さらに、複数の実施形態のうちの少なくとも１つと、複数の変形例のうちの少なくとも１つとが、互いに組み合わされ得る。
【符号の説明】
【００６５】
３        半導体装置
３２      半導体チップ
３３      樹脂パッケージ
３４      半導体パッケージ
３５      リード端子
５２      挿入部
５３      基部
５４      先端部
５６      先端面
５９      反射面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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