(57)【要約】【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、デバイスが形成されたデバイス領域と外周余剰領域とを備えデバイスにバンプが配設されたウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法である。ウェーハの加工方法は、外周余剰領域に対応した接着材層を有するフィルムをウェーハの表面に貼着する保護部材配設ステップＳＴ１と、ウェーハの裏面に機能層に至らない深さの切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップＳＴ２と、ウェーハの裏面側にプラズマ化したエッチングガスを供給し切削溝の底に残存する基板を除去するプラズマエッチングステップＳＴ３と、ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点を切削溝の底に位置づけて照射し、機能層を切断する機能層切断ステップＳＴ４とを備える。【選択図】図２
2019212825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に積層された機能層によって複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該基板の表面の該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイスにはバンプが配設されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの該外周余剰領域に対応した接着材層を有する保護部材をウェーハの表面に貼着し、該ウェーハの表面を覆う保護部材配設ステップと、
該ウェーハの該保護部材側を切削装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、
該ウェーハの該保護部材側をプラズマ装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該基板を該分割予定ラインに沿って分割するプラズマエッチングステップと、
ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点をエッチングした該切削溝の底に位置づけて照射し、該機能層を切断する機能層切断ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
【請求項２】
該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備える請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該保護部材配設ステップでは、該接着材層を有するフィルムを該ウェーハの表面に密着させ、キャリアシートの表面に配設された硬化性樹脂に該フィルムを介して該バンプを埋め込んだ後に該硬化性樹脂を硬化させ、該キャリアシートと該硬化性樹脂と該フィルムとで該ウェーハの表面を覆うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、を備える請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン（ストリート）を１本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように１０ｍｍを超えるようなデバイスチップから２ｍｍ以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、１枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、１ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。
【０００３】
そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【０００５】
また、ウェーハは、デバイスの電極として直径が１００μｍを超えるような高いバンプを備えるもの（例えば、特許文献４参照）が増加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１１４８２５号公報
【特許文献２】特開２０１３−０５５１２０号公報
【特許文献３】特開２０１４−１９９８３３号公報
【特許文献４】特開２０１７−０５０５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特に、特許文献２及び特許文献３に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。
【０００８】
また、特許文献４に示されたウェーハは、切削装置によりデバイス面側から切削されるには、バンプと干渉するのを避けるための切削ブレードの刃先出し量を長くする必要がある。切削装置は、切削ブレードの刃先出し量を長くすると、切削ブレードの曲がりなどの問題が発生するために、バンプを備えるウェーハを個々のデバイスチップに分割しにくい虞がある。
【０００９】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に積層された機能層によって複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該基板の表面の該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイスにはバンプが配設されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの該外周余剰領域に対応した接着材層を有する保護部材をウェーハの表面に貼着し、該ウェーハの表面を覆う保護部材配設ステップと、該ウェーハの該保護部材側を切削装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、該ウェーハの該保護部材側をプラズマ装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該基板を該分割予定ラインに沿って分割するプラズマエッチングステップと、ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点をエッチングした該切削溝の底に位置づけて照射し、該機能層を切断する機能層切断ステップと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
前記ウェーハの加工方法おいて、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。
【００１２】
前記ウェーハの加工方法において、該保護部材配設ステップでは、該接着材層を有するフィルムを該ウェーハの表面に密着させ、キャリアシートの表面に配設された硬化性樹脂に該フィルムを介して該バンプを埋め込んだ後に該硬化性樹脂を硬化させ、該キャリアシートと該硬化性樹脂と該フィルムとで該ウェーハの表面を覆っても良い。
【００１３】
前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、を備えても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、保護部材により覆われたバンプをキャリアシート上の硬化性樹脂と対向させた状態を示す断面図である。
【図４】図４は、図３中のＩＶ部を拡大して示す断面図である。
【図５】図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、ウェーハと硬化性樹脂とを固定した状態を示す断面図である。
【図６】図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。
【図７】図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図８】図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。
【図９】図９は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１０】図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。
【図１１】図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１２】図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。
【図１３】図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。
【図１４】図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。
【図１５】図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１６】図１６は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。
【図１８】図１８は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１９】図１９は、実施形態３に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図２０】図２０は、実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ及び機能層エッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１７】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１８】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面に積層された機能層３によって複数のデバイス４が形成されたデバイス領域１−１と、基板２の表面のデバイス領域１−１を囲繞する外周余剰領域１−２とを備えている。機能層３は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）により構成されている。なお、機能層３の表面は、ウェーハ１の表面５である。
【００１９】
デバイス４は、表面の交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン６は、複数のデバイス４を区画するものである。デバイス４を構成する回路は、機能層３により支持されている。また、デバイス４には、ウェーハ１の表面５上から突出した電極であるバンプ７が複数配設されている。なお、実施形態１において、デバイス４は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさである。また、ウェーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、表面５に図示しない金属膜とＴＥＧ（Test  Element  Group）とのうち少なくとも一方が形成されている。ＴＥＧは、デバイス４に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。
【００２０】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス４に分割するとともに、デバイス４を仕上がり厚さ１００まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護部材配設ステップＳＴ１と、切削ステップＳＴ２と、プラズマエッチングステップＳＴ３と、機能層切断ステップＳＴ４と、研削ステップＳＴ５と、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７とを備える。
【００２１】
（保護部材配設ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、保護部材により覆われたバンプをキャリアシート上の硬化性樹脂と対向させた状態を示す断面図である。図４は、図３中のＩＶ部を拡大して示す断面図である。図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、ウェーハと硬化性樹脂とを固定した状態を示す断面図である。
【００２２】
保護部材配設ステップＳＴ１は、保護部材であるフィルム２００をウェーハ１の表面５に貼着し、ウェーハ１の表面５を覆うステップである。実施形態１の保護部材配設ステップＳＴ１において用いられるフィルム２００は、ウェーハ１よりも大径な円板状に形成され、ＰＶＣ（Polyvinyl  Chloride）又はＥＶＡ（Ethylene  Vinyl  Acetate）等の可撓性及び伸縮性を有する樹脂により構成された基材層２０１と、基材層２０１上に積層された接着材層２０２とを有する。
【００２３】
接着材層２０２は、フィルム２００がウェーハ１と同軸となる位置に配置されると、基材層２０１のウェーハ１の表面５と対向する面２０１−１の外周余剰領域１−２と対応した位置に円環状に設けられている。また、実施形態１において、接着材層２０２は、フィルム２００がウェーハ１と同軸となる位置に配置されると、前述した面２０１−１の外周余剰領域１−２と対応する位置と外縁とに亘って設けられている。即ち、接着材層２０２は、フィルム２００がウェーハ１と同軸となる位置に配置されると、基材層２０１のデバイス領域１−１と対向する位置には設けられていない（即ち、デバイス領域１−１を避けた位置に設けられている）。接着材層２０２は、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂により形成されている。接着材層２０２は、ＵＶ（紫外）線、熱、電界及び化学剤の少なくとも一つの外的刺激が付与されると硬化する硬化型樹脂であるのが好ましい。接着材層２０２は、紫外線により硬化する紫外線硬化型樹脂として、例えば、ウレタンアクリレートオリゴマーを用いることができる。さらに、接着材層２０２は、例えば、水溶性樹脂で構成されてもよい。
【００２４】
保護部材配設ステップＳＴ１では、図示しない周知の真空ラミネート装置が、真空チャンバ内でウェーハ１とフィルム２００とを同軸となる位置に配置し、ウェーハ１の表面５にフィルム２００を重ねる。保護部材配設ステップＳＴ１では、真空ラミネート装置が、真空チャンバ内を減圧するとともに、真空チャンバ内でかつフィルム２００に重ねられたゴム製膜に空気を供給して、ゴム製膜を拡張する。保護部材配設ステップＳＴ１では、真空ラミネート装置が、ゴム製膜でフィルム２００をウェーハ１の表面５の機能層３の全面に密着させる。また、保護部材配設ステップＳＴ１では、図３に示すように、接着材層２０２を機能層３の外周余剰領域１−２に貼着するとともに、環状フレーム２０３に貼着し、接着材層２０２に外的刺激を付与して、接着材層２０２を硬化する。このとき、フィルム２００の基材層２０１は、バンプ７の外表面に密着する。なお、環状フレーム２０３の内径は、ウェーハ１の外径よりも大きい。
【００２５】
保護部材配設ステップＳＴ１では、外的刺激が付与されると硬化する硬化性樹脂２０４が表面５に設けられたキャリアシート２０５を用意し、図３及び図４に示すように、取り付けチャンバ内で、キャリアシート２０５の表面５に配設された硬化性樹脂２０４をウェーハ１の表面５と対向させる。なお、キャリアシート２０５は、ＰＥＴ（Polyethylene  Terephthalate）樹脂、ＰＯ（Polyolefin）樹脂、シリコン、ガラス、ステンレス鋼のような剛性材料から形成され、外径がウェーハ１の外径よりも大きく、環状フレーム２０３の内径よりも小さな円板形状に形成されて、ウェーハ１と同軸となる位置に配置される。また、硬化性樹脂２０４は、ＵＶ（紫外）線、熱、電界及び化学剤の少なくとも一つの外部刺激によって硬化可能な樹脂である。
【００２６】
保護部材配設ステップＳＴ１では、キャリアシート２０５の表面５とウェーハ１の表面５とをこれらに直交する方向に移動させて、互いに近づけて、図５に示すように、キャリアシート２０５の表面５に配設された硬化性樹脂２０４にフィルム２００を介してバンプ７を埋め込み、キャリアシート２０５の裏面８とウェーハ１の裏面とを平行にする。保護部材配設ステップＳＴ１では、硬化性樹脂２０４にフィルム２００を介してバンプ７を埋め込んだ後、硬化性樹脂２０４に外的刺激を付与して、硬化性樹脂２０４を硬化させて、硬化性樹脂２０４とウェーハ１とを固定する。こうして、保護部材配設ステップＳＴ１では、キャリアシート２０５と硬化性樹脂２０４とフィルム２００とでウェーハ１の表面５を覆う。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の表面５をキャリアシート２０５と硬化性樹脂２０４とフィルム２００とで覆うと、切削ステップＳＴ２に進む。
【００２７】
（切削ステップ）
図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００２８】
切削ステップＳＴ２は、ウェーハ１のフィルム２００側を図６に示す切削装置１０のチャックテーブル１３で保持し、ウェーハ１の裏面８に切削ブレード１２を切り込ませ、機能層３に至らない深さの切削溝３００を分割予定ライン６に沿って基板２に形成するステップである。実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、図６に示すように、切削ユニット１１を２つ備えた、即ち、２スピンドルのダイサ、いわゆるフェイシングデュアルタイプの切削装置１０のチャックテーブル１３の保持面１４にキャリアシート２０５、硬化性樹脂２０４、及びフィルム２００を介してウェーハ１の機能層３側を吸引保持する。切削ステップＳＴ２では、切削装置１０の図示しない赤外線カメラがウェーハ１の裏面８を撮像して、ウェーハ１と各切削ユニット１１の切削ブレード１２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００２９】
切削ステップＳＴ２では、ウェーハ１と各切削ユニット１１の切削ブレード１２とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら切削ブレード１２を裏面８に切り込ませて、ウェーハ１の裏面８側に切削溝３００を形成する。実施形態１で用いる切削装置１０の一対の切削ユニット１１のうちの一方の切削ユニット１１（以下、符号１１−１で記す）の切削ブレード１２（以下、符号１２−１で記す）の厚さは、他方の切削ユニット１１（以下、符号１１−２で記す）の切削ブレード１２（以下、符号１２−２で記す）の厚さよりも厚い。実施形態１の切削ステップＳＴ２では、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面８に仕上げ厚さ１００分切り込ませて、第１切削溝３０１をウェーハ１の裏面８に形成する。なお、実施形態１では、切削ステップＳＴ２において、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面８に仕上げ厚さ１００分切り込ませるが、本発明は、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面８に仕上がり厚さ１００よりも浅い深さ切り込ませても良く、要するに、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面８に仕上がり厚さ１００以下の深さ切り込ますのが望ましい。
【００３０】
切削ステップＳＴ２では、第１切削溝３０１を形成した後、他方の切削ユニット１１−２の切削ブレード１２−２を第１切削溝３０１の底３０３に切り込ませて、第１切削溝３０１より細い第２切削溝３０２を第１切削溝３０１の底３０３に形成する。切削ステップＳＴ２では、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２とを形成して、ウェーハ１の裏面８にウェーハ１の仕上がり厚さ１００を超えるとともに機能層３に至らない深さの切削溝３００を形成して、プラズマエッチングステップＳＴ３でのプラズマ化したエッチングガスの切削溝３００への侵入を促進させる。なお、実施形態１において、切削溝３００は、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２とで構成される。ウェーハの加工方法は、図７に示すように、ウェーハ１の全ての分割予定ライン６の裏面８側に第１切削溝３０１及び第２切削溝３０２を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、ウェーハ１を太い切削ブレード１２−１で切削した後に、細い切削ブレード１２−２で切削する所謂ステップカットを実施したが、本発明は、ウェーハ１を１枚の切削ブレードで切削する所謂シングルカットを実施しても良い。
【００３１】
（プラズマエッチングステップ）
図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。図９は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００３２】
プラズマエッチングステップＳＴ３は、ウェーハ１のフィルム２００側を図８に示すプラズマ装置２０のチャックテーブル２１で保持し、ウェーハ１を裏面８側にプラズマ化したエッチングガスを供給し、切削溝３００の底３０４（図７に示す）に残存する基板２をエッチングして除去し、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するステップである。
【００３３】
プラズマエッチングステップＳＴ３では、プラズマ装置２０の制御ユニット２２が、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を図８中の下方に移動させ、ハウジング２５の開口２６を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって切削ステップＳＴ２が実施されたウェーハ１を開口２６を通してハウジング２５内の密閉空間２７に搬送し、下部電極２８を構成する被加工物保持部２９のチャックテーブル２１（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic  chuck）上にキャリアシート２０５、硬化性樹脂２０４、及びフィルム２００を介してウェーハ１の機能層３側を載置する。このとき、制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を上昇させておく。制御ユニット２２は、被加工物保持部２９内に設けられた電極３２，３３に電力を印加してチャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持する。
【００３４】
制御ユニット２２は、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を上方に移動させ、ハウジング２５の開口２６を閉じる。制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を下降させ、上部電極３１を構成するガス噴出部３４の下面と下部電極２８を構成するチャックテーブル２１に保持されたウェーハ１との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。
【００３５】
制御ユニット２２は、ガス排出ユニット３５を作動してハウジング２５内の密閉空間２７を真空排気して、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させて下部電極２８内に設けられた冷媒導入通路３７、冷却通路３８及び冷媒排出通路３９に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。
【００３６】
次に、制御ユニット２２は、ウェーハ１に対してプラズマ化したＳＦ６ガスを供給してウェーハ１の裏面８全体をエッチングするとともに切削溝３００を基板２の表面に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでプラズマ化したＣ４Ｆ８ガスをウェーハ１に供給してウェーハ１の裏面８、切削溝３０１，３０２の内面及び切削溝３００の底３０４に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す。なお、被膜堆積ステップ後のエッチングステップは、切削溝３００の底３０４の被膜を除去して切削溝３００の底３０４をエッチングする。このように、プラズマエッチングステップＳＴ３は、所謂ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。
【００３７】
なお、エッチングステップでは、制御ユニット２２は、ＳＦ６ガス供給ユニット４０を作動しエッチングガスであるＳＦ６ガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、プラズマ発生用のＳＦ６ガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にＳＦ６ガスからなる等方性を有するプラズマ化したエッチングガスが発生し、このプラズマ化したエッチングガスがウェーハ１に引き込まれて、ウェーハ１の裏面８、切削溝３０１，３０２の内面及び切削溝３００の底３０４をエッチングして、切削溝３００を基板２の表面に向かって進行させる。
【００３８】
また、被膜堆積ステップでは、制御ユニット２２は、Ｃ４Ｆ８ガス供給ユニット４３を作動しエッチングガスであるＣ４Ｆ８ガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、プラズマ発生用のＣ４Ｆ８ガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にＣ４Ｆ８ガスからなるプラズマ化したエッチングガスが発生し、このプラズマ化したエッチングガスがウェーハ１に引き込まれて、ウェーハ１に被膜を堆積させる。
【００３９】
プラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２は、切削溝３００の深さ即ちウェーハ１の厚さに応じて、エッチングステップと被膜堆積ステップとを繰り返す回数が予め設定されている。プラズマエッチングステップＳＴ３において、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返されたウェーハ１は、図９に示すように、始めのエッチンングステップによって裏面８全体がエッチングされて、厚さ１０１分薄化されている。また、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返されたウェーハ１は、図９に示すように、エッチングステップにおいて切削溝３００の底に残存する基板２がエッチングされ除去され、切削溝３００が機能層３に到達している。ウェーハ１は、基板２が切削溝３００により分割され、切削溝３００内に機能層３が露出して、切削溝３００の底に機能層３が残っている。ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３を終了すると、機能層切断ステップＳＴ４に進む。
【００４０】
（機能層切断ステップ）
図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００４１】
機能層切断ステップＳＴ４は、プラズマエッチングステップＳＴ３を実施した後、ウェーハ１の裏面８側から図１０に示すレーザー加工装置５０が機能層３に対して吸収性を有する波長のレーザー光線５１の集光点５１−１をエッチングした切削溝３００の底の機能層３に位置付けて、レーザー光線５１を照射し、機能層３を切削溝３００に沿って切断するステップである。
【００４２】
機能層切断ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が、チャックテーブルにキャリアシート２０５、硬化性樹脂２０４、及びフィルム２００を介してウェーハ１の機能層３側を保持し、図１０に示すように、レーザー光線照射ユニット５２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット５２から機能層３に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線５１の集光点５１−１を切削溝３００の底に露出した機能層３に設定して、レーザー光線５１を機能層３に照射する。機能層切断ステップＳＴ４では、各分割予定ライン６において、切削溝３００の底で露出した機能層３にアブレーション加工を施して、切削溝３００の底で露出した機能層３を切断して、ウェーハ１を個々のデバイス４に分割する。なお、機能層切断ステップＳＴ４では、図示しない分割予定ライン６に形成された金属膜やＴＥＧも分割する。ウェーハの加工方法は、図１１に示すように、全ての分割予定ライン６において切削溝３００の底で露出した機能層３を分割すると、研削ステップＳＴ５に進む。
【００４３】
（研削ステップ）
図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。研削ステップＳＴ５は、プラズマエッチングステップＳＴ３及び機能層切断ステップＳＴ４の後に、ウェーハ１の裏面８を研削してウェーハ１を仕上がり厚さ１００にするステップである。
【００４４】
研削ステップＳＴ５では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２にキャリアシート２０５、硬化性樹脂２０４、及びフィルム２００を介してウェーハ１の機能層３側を吸引保持する。研削ステップＳＴ５では、図１２に示すように、スピンドル６３により研削用の研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、研削用砥石６５でウェーハ１即ちデバイス４の裏面８を研削する。研削ステップＳＴ５では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス４を研削する。研削ステップＳＴ５では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス４を研削すると、第１切削溝３０１が除去されて、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２との間の段差が除去される。ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００までウェーハ１即ちデバイス４を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６に進む。
【００４５】
（ダイアタッチフィルム貼着ステップ）
図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６は、プラズマエッチングステップＳＴ３、機能層切断ステップＳＴ４及び研削ステップＳＴ５の後に、ウェーハ１の裏面８にダイアタッチフィルム２１０を貼着するステップである。
【００４６】
ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６では、研削ステップＳＴ５において研削されたウェーハ１即ちデバイス４の裏面８にデバイス４を接着するためのダイアタッチフィルム２１０を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６では、図１３に示すように、外周縁に環状フレーム２１２が貼着されたダイシングテープ２１１に積層されたダイアタッチフィルム２１０をウェーハ１の裏面８に貼着するとともに、機能層３からフィルム２００、硬化性樹脂２０４、及びキャリアシート２０５を剥がす。ウェーハの加工方法は、フィルム２００、硬化性樹脂２０４、及びキャリアシート２０５を機能層３から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７に進む。
【００４７】
（ダイアタッチフィルム分割ステップ）
図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７は、切削溝３００に沿ってダイアタッチフィルム２１０に図１４に示すレーザー加工装置７０がレーザー光線７１を照射してダイアタッチフィルム２１０を分割するステップである。
【００４８】
ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７では、レーザー加工装置７０が、チャックテーブルにダイシングテープ２１１を介してウェーハ１の裏面８側を保持し、図１４に示すように、レーザー光線照射ユニット７２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット７２からダイアタッチフィルム２１０に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線７１を切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２１０に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７では、各分割予定ライン６において、切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２１０にアブレーション加工を施して、切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２１０を分割する。ウェーハの加工方法は、図１５に示すように、全ての分割予定ライン６において切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２１０を分割すると、終了する。なお、その後、デバイス４は、ダイアタッチフィルム２１０毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ２１１からピックアップされる。
【００４９】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面８から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面８側からプラズマエッチングすることで、切削溝３００を基板２の表面に向かって進行させて、ウェーハ１を分割するため、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス４を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス４に分割することができる。
【００５０】
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２及び研削ステップＳＴ５前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層３側がフィルム２００等で覆われている。このために、切削ステップＳＴ２及び研削ステップＳＴ５時に生じるコンタミがデバイス４に付着することを抑制することができる。
【００５１】
また、ウェーハの加工方法は、デバイス４に搭載されたバンプ７が機能層３から突出していても、フィルム２００、硬化性樹脂２０４及びキャリアシート２０５でウェーハ１の表面５が覆われているので、裏面８に対して直交する方向に切削溝３００を形成し、プラズマエッチングを進行させることができる。その結果、ウェーハの加工方法は、デバイス４に搭載されたバンプ７が機能層３から突出していても、ウェーハ１を個々のデバイス４に分割することができる。
【００５２】
また、ウェーハの加工方法は、外周余剰領域１−２に対応した接着材層２０２を有し、接着材層２０２がデバイス領域１−１を避けた位置に設けられている。その結果、ウェーハの加工方法は、フィルム２００でウェーハ１の表面を保護しても、バンプ７に接着材層２０２が貼着しないので、バンプ７に接着材の残渣が残ることなく、ウェーハ１を保護出来るという効果を奏する。
【００５３】
また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４において、切削溝３００の底に残った機能層３にレーザー光線５１を照射して分割するので、Ｌｏｗ−ｋ膜等の機能層３が積層されたウェーハ１を個々のデバイス４に分割することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層３側がフィルム２００等で覆われ、機能層切断ステップＳＴ４において、裏面８側からレーザー光線５１を切削溝３００の底の機能層３に照射するので、アブレーション加工時に生じるデブリがデバイス４に付着することを抑制することができる。
【００５４】
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、第１切削溝３０１を形成した後に第１切削溝３０１の底３０３に第１切削溝３０１よりも細い第２切削溝３０２を形成すると共に、プラズマエッチングステップＳＴ３においてボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。このために、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３のエッチングステップにおいて、ＳＦ６ガスからなるプラズマを第２切削溝３０２の底を通してウェーハ１に引き込むことができる。その結果、ウェーハの加工方法は、効率的にウェーハ１の基板２を分割することができる。
【００５５】
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、ウェーハ１の仕上がり厚さ１００より深い切削溝３００を形成することで、裏面８側に仕上がり厚さ１００以上の段差を設け、プラズマエッチングステップＳＴ３後に残されるウェーハ１の厚さが仕上がり厚さ１００になりつつ、所望の深さの切削溝３００を形成できる。
【００５６】
また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス４の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス４の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス４を製造できる、という効果も奏する。
【００５７】
また、ウェーハの加工方法は、研削ステップＳＴ５において、ウェーハ１の裏面８を研削して、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２との間の段差を除去するので、所定寸法のデバイス４を得ることができる。
【００５８】
また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス４を得ることができる。
【００５９】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１６は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１７は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図１８は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１６、図１７及び図１８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００６０】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、図１６に示すように、予備研削ステップＳＴ１０を備えること以外、実施形態１と同じである。予備研削ステップＳＴ１０は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に、ウェーハ１の裏面８を予め研削するステップである。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップＳＴ１０を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつ切削ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前又は切削ステップＳＴ２の後に実施しても良い。
【００６１】
予備研削ステップＳＴ１０では、研削装置８０が、チャックテーブル８１の保持面８２にキャリアシート２０５、硬化性樹脂２０４、及びフィルム２００を介してウェーハ１の機能層３側を吸引保持する。予備研削ステップＳＴ１０では、図１７に示すように、スピンドル８３により粗研削用の研削ホイール８４を回転しかつチャックテーブル８１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、粗研削用砥石８５をチャックテーブル８１に所定の送り速度で近づけることによって、粗研削用砥石８５でウェーハ１の裏面８を粗研削する。なお、粗研削用砥石８５は、研削用砥石６５よりも大きな砥粒を有する研削砥石である。
【００６２】
予備研削ステップＳＴ１０では、図１８に示すように、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削する。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削するとプラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０では、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ１を薄化するのが望ましい。
【００６３】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面８から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面８側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス４に分割することができる。
【００６４】
また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３時のウェーハ１の基板２の除去量を抑制することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において生じる所謂アウトガスの量を抑制することができる。
【００６５】
また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１の裏面８を研削するので、予備研削ステップＳＴ１０の前においてウェーハ１の裏面８が梨地面（細かい凹凸を有する面）であっても、切削ステップＳＴ２の前に裏面８を平坦化することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、赤外線カメラが撮像した画像に基づいてアライメントを遂行した際の切削ブレード１２−１，１２−２と分割予定ライン６との位置ずれを抑制することができる。
【００６６】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１９は、実施形態３に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００６７】
実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、ボッシュ法の代わりに、異方性エッチングによりウェーハ１をエッチングすること以外、実施形態１と同じである。実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３では、図１９に点線で示すエッチング前のウェーハ１の裏面８及び切削溝３００の形状を維持した状態で、図１９に実線で示すように、基板２全体を裏面８側からエッチングして、基板２を分割予定ライン６に沿って分割する。
【００６８】
実施形態３に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面８から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面８側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス４に分割することができる。
【００６９】
また、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、異方性エッチングによりウェーハ１の基板２を裏面８側からエッチングするので、ボッシュ法でエッチングする場合よりもウェーハ１の基板２を薄化することができる。その結果、ウェーハ１の加工方法は、研削ステップＳＴ５における基板２の研削量を抑制することができる。
【００７０】
なお、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。
【００７１】
〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図２０は、実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。なお、図２０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００７２】
実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３で用いられる図２０に示すプラズマ装置２０−４の構成が、プラズマ装置２０と異なること以外、実施形態１と同じである。
【００７３】
プラズマ装置２０−４は、電極２８，３１に高周波電力を印加して密閉空間２７内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ化したエッチングガスなどをハウジング２５内の密閉空間２７に導入するリモートプラズマ方式のプラズマ装置である。プラズマ装置２０−４は、図２０に示すように、図示しない不活性ガス供給ユニットから不活性ガスが供給される配管４５がハウジング２５の外壁を貫通して接続している。なお、不活性ガス供給ユニットが供給する不活性ガスは、アルゴンガス（Ａｒ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスや、希ガスに窒素ガス（Ｎ２）、又は水素ガス（Ｈ２）等を混合した混合ガス等で構成することができる。
【００７４】
また、プラズマ装置２０−４は、図２０に示すように、ガス供給ユニット４０，４３からのエッチングガス又はオゾンを含むガスが供給される供給管４６がハウジング２５の上壁に貫通して接続し、供給管４６内を流れるガスに高周波電力を加えるための電極４７が供給管４６に設けられている。供給管４６は、ガス供給ユニット４０，４３から供給されるガスをハウジング２５内の密閉空間２７に導入する。電極４７は、高周波電源４２から高周波電力が印加されて、供給管４６内を流れるガスをプラズマ化する。また、プラズマ装置２０−４は、供給管４６から密閉空間２７に供給されるプラズマ化されたガスを分散させる分散部材４８を備える。
【００７５】
実施形態４に係るウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、プラズマエッチングステップＳＴ３において、プラズマ装置２０−４の制御ユニット２２が、ウェーハ１をハウジング２５内の密閉空間２７に収容した後、チャックテーブル２１上に吸着保持する。実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２が、ガス排出ユニット３５を作動して密閉空間２７を真空排気するとともに、不活性ガス供給ユニットを作動して密閉空間２７内に不活性ガスを供給し、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させてヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。
【００７６】
実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、実施形態１と同様に、ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。なお、プラズマエッチングステップＳＴ３のエッチングステップでは、制御ユニット２２は、ＳＦ６ガス供給ユニット４０を作動するとともに高周波電源４２から電極４７にプラズマを作り維持する高周波電力を印加して、ＳＦ６ガスをプラズマ化して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１の裏面８、切削溝３０１，３０２の内面及び切削溝３００の底３０４をエッチングする。
【００７７】
また、プラズマエッチングステップＳＴ３の被膜堆積ステップでは、制御ユニット２２は、Ｃ４Ｆ８ガス供給ユニット４３を作動しＣ４Ｆ８ガスを高周波電源４２から電極４７に印加する高周波電力でプラズマ化して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１に被膜を堆積させる。
【００７８】
実施形態４に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面８から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面８側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス４に分割することができる。
【００７９】
また、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、リモートプラズマ方式のプラズマ装置２０−４を用いるので、プラズマ装置２０−４ではプラズマ化したガスに混入するイオンが供給管４６の内面に衝突してハウジング２５内の密閉空間２７に到達することを抑制できるので、より幅の狭い切削溝３００であっても基板２をデバイス４毎に分割することができる。
【００８０】
なお、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。
【００８１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン６に形成される機能層３、金属膜及びＴＥＧを切削ステップＳＴ２の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３において、プラズマエッチングガスに樹脂で構成される機能層３をエッチングするために酸素ガスを混入しても良い。この場合、機能層切断ステップＳＴ４を実施することなく、切削溝３００の底に残った機能層３を除去することができる。また、本発明は、ウェーハ１の裏面８に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップＳＴ３において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。また、本発明は、研削ステップＳＴ５及び予備研削ステップＳＴ１０の双方において、粗研削用砥石８５を用いてウェーハ１の裏面８を粗研削した後に、研削用砥石６５でウェーハ１の裏面８を仕上げ研削しても良いし、ウェーハ１の裏面８を租研削のみしても良いし、ウェーハ１の裏面８を仕上げ研削のみしても良い。
【符号の説明】
【００８２】
１  ウェーハ
１−１  デバイス領域
１−２  外周余剰領域
２  基板
３  機能層
４  デバイス
５  表面
６  分割予定ライン
７  バンプ
８  裏面
１０  切削装置
１２，１２−１，１２−２  切削ブレード
１３  チャックテーブル
２０，２０−４  プラズマ装置
２１  チャックテーブル
５１  レーザー光線
５１−１  集光点
２００  フィルム（保護部材）
２０２  接着材層
２０４  硬化性樹脂
２０５  キャリアシート
３００  切削溝
３０４  底
ＳＴ１  保護部材配設ステップ
ＳＴ２  切削ステップ
ＳＴ３  プラズマエッチングステップ
ＳＴ４  機能層切断ステップ
ＳＴ５  研削ステップ
ＳＴ１０  予備研削ステップ
【図１】
2019212825.tif 000003
【図２】
2019212825.tif 000004
【図３】
2019212825.tif 000005
【図４】
2019212825.tif 000006
【図５】
2019212825.tif 000007
【図６】
2019212825.tif 000008
【図７】
2019212825.tif 000009
【図８】
2019212825.tif 000010
【図９】
2019212825.tif 000011
【図１０】
2019212825.tif 000012
【図１１】
2019212825.tif 000013
【図１２】
2019212825.tif 000014
【図１３】
2019212825.tif 000015
【図１４】
2019212825.tif 000016
【図１５】
2019212825.tif 000017
【図１６】
2019212825.tif 000018
【図１７】
2019212825.tif 000019
【図１８】
2019212825.tif 000020
【図１９】
2019212825.tif 000021
【図２０】
2019212825.tif 000022