(57)【要約】      （修正有）【課題】ヒステリシスの小さい感湿膜及びそれを用いたセンサを提供する。【解決手段】感湿膜３は、ポリイミド樹脂成分を含有する樹脂組成物からなる。ポリイミド樹脂成分は、フッ素化ポリイミド樹脂を含む。ポリイミド樹脂成分は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環とを含み、ポリイミド樹脂成分の総量に対する、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環の質量分率Ｗ（Ｂｅ）、及び、フタルイミド環の質量分率Ｗ（ＰｈＩ）は、式（Ｉ）：Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）≧１．２（Ｉ）を満たす。【選択図】図１
2019174464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド樹脂成分を含有する樹脂組成物から形成される感湿膜であって、
前記ポリイミド樹脂成分は、フッ素化ポリイミド樹脂を含み、
前記ポリイミド樹脂成分は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環とを含み、
前記ポリイミド樹脂成分の総量に対する、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環の質量分率Ｗ（Ｂｅ）、及び、フタルイミド環の質量分率Ｗ（ＰｈＩ）は、下記式（Ｉ）：
Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）≧１．２      （Ｉ）
を満たす、感湿膜。
【請求項２】
前記質量分率Ｗ（Ｂｅ）は、２０質量％以上である、請求項１に記載の感湿膜。
【請求項３】
前記フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環を有するフッ素化ポリイミド樹脂を含む、請求項１又は２に記載の感湿膜。
【請求項４】
前記フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環とを有するフッ素化ポリイミド樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感湿膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の感湿膜を含むセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感湿膜及びそれを用いたセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、湿度センサ用の感湿膜としてポリイミドを用いることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２０２７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
静電容量式の湿度センサでは電極間に感湿膜を設け、この感湿膜の誘電率変化を電極間の静電容量の変化に基づいて検出することにより、環境湿度を検知する。湿度センサでは、吸湿（加湿）過程での静電容量の変化と除湿（乾燥）過程での静電容量の変化との差を小さくすること、すなわちヒステリシスを小さくすることが求められている。
【０００５】
本発明は、ヒステリシスの小さい感湿膜及びそれを用いたセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の感湿膜及びセンサを提供する。
〔１〕  ポリイミド樹脂成分を含有する樹脂組成物から形成される感湿膜であって、
前記ポリイミド樹脂成分は、フッ素化ポリイミド樹脂を含み、
前記ポリイミド樹脂成分は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環とを含み、
前記ポリイミド樹脂成分の総量に対する、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環の質量分率Ｗ（Ｂｅ）、及び、フタルイミド環の質量分率Ｗ（ＰｈＩ）は、下記式（Ｉ）：
Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）≧１．２      （Ｉ）
を満たす、感湿膜。
【０００７】
〔２〕  前記質量分率Ｗ（Ｂｅ）は、２０質量％以上である、〔１〕に記載の感湿膜。
〔３〕  前記フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環を有するフッ素化ポリイミド樹脂を含む、〔１〕又は〔２〕に記載の感湿膜。
【０００８】
〔４〕  前記フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環とを有するフッ素化ポリイミド樹脂を含む、〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の感湿膜。
【０００９】
〔５〕  〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の感湿膜を含むセンサ。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ヒステリシスの小さい感湿膜及びそれを用いたセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本発明のセンサの一例を模式的に示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（感湿膜）
本発明の感湿膜は、ポリイミド樹脂成分を含有する樹脂組成物から形成される感湿膜であって、
前記ポリイミド樹脂成分は、フッ素化ポリイミド樹脂を含み、
前記ポリイミド樹脂成分は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環とを含み、
前記ポリイミド樹脂成分の総量に対する、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環の質量分率Ｗ（Ｂｅ）、及び、フタルイミド環の質量分率Ｗ（ＰｈＩ）は、下記式（Ｉ）を満たすものである。
Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）≧１．２      （Ｉ）
【００１３】
樹脂組成物は、少なくともポリイミド樹脂成分を含有する。樹脂組成物は、ポリイミド樹脂成分以外にさらに、ポリイミド樹脂以外の樹脂、酸化防止剤、難燃剤、可塑剤、紫外線吸収剤等の添加剤を含んでいてもよい。樹脂組成物は、ポリイミド樹脂成分の含有量が、樹脂組成物の総量に対して、９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることがさらに好ましく、１００質量％であってもよい。樹脂組成物の総量とは、樹脂組成物に含まれる固形成分を意味し、溶剤以外の成分の総量となる。
【００１４】
ポリイミド樹脂成分は、１種以上のポリイミド樹脂を含み、少なくともフッ素化ポリイミド樹脂を含む。ここで、樹脂組成物が含有するポリイミド樹脂成分とは、樹脂組成物に含まれるポリイミド樹脂をさす。すなわち、ポリイミド樹脂成分が１種のポリイミド樹脂を含む場合、樹脂組成物が含有するポリイミド樹脂成分とはこの１種のポリイミド樹脂を意味し、ポリイミド樹脂成分が２種以上のポリイミド樹脂を含む場合、樹脂組成物が含有するポリイミド樹脂成分とはこの２種以上のポリイミド樹脂を意味する。
【００１５】
フッ素化ポリイミド樹脂は、ポリイミド構造とフルオロ基（フッ素原子）とを有する樹脂であれば特に限定されず、２種以上のフッ素化ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環を有するフッ素化ポリイミド樹脂を１種又は２種以上含んでいてもよい。また、フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環（以下、「ベンゼン環（Ｂｅ）」ということがある。）を有するフッ素化ポリイミド樹脂を１種又は２種以上含んでいてもよい。フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）を有するフッ素化ポリイミド樹脂を１種又は２種以上含んでいてもよい。
【００１６】
フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環を含むフッ素化ポリイミド樹脂、ベンゼン環（Ｂｅ）を含むフッ素化ポリイミド樹脂、フタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）を含むフッ素化ポリイミド樹脂、及びフタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）を含まないフッ素化ポリイミド樹脂のうちの少なくとも１つを含んでいればよい。フッ素化ポリイミド樹脂は、これらフッ素化ポリイミド樹脂のうち２つ以上を含んでいてもよく、これらフッ素化ポリイミド樹脂の全てを含んでいてもよい。フッ素化ポリイミド樹脂は、フタルイミド環を有するフッ素化ポリイミド樹脂を含むことが好ましく、フタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）を有するフッ素化ポリイミド樹脂を含むことがより好ましい。
【００１７】
フッ素化ポリイミド樹脂は、ポリイミド樹脂成分の総量に対して、７０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましく、１００質量％であってもよい。フッ素化ポリイミド樹脂が、フタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）を含むフッ素化ポリイミド樹脂である場合や、フタルイミド環を含むフッ素化ポリイミド樹脂とベンゼン環（Ｂｅ）を含むフッ素化ポリイミド樹脂とを含む場合は、ポリイミド樹脂成分の総量に対するフッ素化ポリイミド樹脂の含有量は、１００質量％であることが好ましい。
【００１８】
また、ポリイミド樹脂成分は、フタルイミド環と、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環であるベンゼン環（Ｂｅ）とを含む。ポリイミド樹脂成分が含むフタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）は、ポリイミド樹脂成分に含まれる１種のポリイミド樹脂が有するフタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）であってもよい。また、ポリイミド樹脂成分は、フタルイミド環を有するポリイミド樹脂及びベンゼン環（Ｂｅ）を有するポリイミド樹脂を含み、これらのポリイミド樹脂のそれぞれが有するフタルイミド環又はベンゼン環（Ｂｅ）が、ポリイミド樹脂成分が含むフタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）であってもよい。フタルイミド環を有するポリイミド樹脂、及びベンゼン環（Ｂｅ）を有するポリイミド樹脂は、上記したようにフルオロ基を有していてもよく、フルオロ基を有していなくてもよい。
【００１９】
ポリイミド樹脂成分が有するフタルイミド環とは、下記式（ｉ）で表される構造である。この構造において、Ｎ原子及びベンゼン環を形成するＣ原子は、ポリイミド樹脂中のフタルイミド環以外の他の構造単位や置換基と結合していてもよい。この他の構造単位や置換基と結合しているＮ原子及びＣ原子には、水素原子が結合していなくてもよい。フタルイミド環は、フタルイミド環を有するポリイミド樹脂の主鎖及び側鎖のいずれか一方、又は両方に導入されていてもよいが、主鎖に導入されていることが好ましい。なお、主鎖とは、ポリイミド樹脂の最長の鎖をいう。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
ポリイミド樹脂成分が有するフタルイミド環は、下記式（ｉｉ）で表される構造を有していることが好ましい。式（ｉｉ）中、＊１及び＊２は、それぞれ隣接する主鎖構造との結合手を表す。式（ｉｉ）中、＊２で表される結合手の位置は、４位又は５位であることがより好ましい。
【００２２】
【化２】
2019174464.tif 000004
【００２３】
ポリイミド樹脂成分が有するベンゼン環（Ｂｅ）は、ポリイミド樹脂中のベンゼン環以外の他の構造単位や置換基と結合していてもよい。この他の構造単位や置換基と結合しているベンゼン環を形成するＣ原子には、水素原子が結合していなくてもよい。ベンゼン環は、ポリイミド樹脂の主鎖及び側鎖のいずれか一方、又は両方に導入されていてもよいが、主鎖に導入されていることが好ましい。
【００２４】
ポリイミド樹脂成分は、ポリイミド樹脂成分の総量に対する、フタルイミド環に含まれるベンゼン環とは異なるベンゼン環（Ｂｅ）の質量分率Ｗ（Ｂｅ）、及びフタルイミド環の質量分率Ｗ（ＰｈＩ）が、下記式（Ｉ）を満たす。
Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）≧１．２      （Ｉ）
【００２５】
質量分率Ｗ（Ｂｅ）は、ポリイミド樹脂成分の総量に対する、ベンゼン環（Ｂｅ）の総量の割合である。質量分率Ｗ（Ｂｅ）は、式「ベンゼン環（Ｂｅ）の総質量／ポリイミド樹脂成分の総質量」から算出することができ、例えば、ポリイミド樹脂中の繰返し単位の分子量、及び、繰返し単位に含まれるベンゼン環（Ｂｅ）の分子量に基づいて算出することができる。ここで、繰り返し単位とは、ポリイミド樹脂において繰り返されるポリイミドの構造、すなわち後述するジアミン及びテトラカルボン酸などの原料成分に由来する構造単位が結合した構造を意味する。
【００２６】
上記ベンゼン環（Ｂｅ）１つあたりの分子量は、ベンゼン環（Ｂｅ）における、ポリイミド樹脂中のベンゼン環（Ｂｅ）以外の他の構造単位との結合数及び置換基の結合数に関わらず、７６とする。また、ナフタレン等のように複数のベンゼン環が一辺を共有して縮合した構造を有する場合、縮合した複数のベンゼン環それぞれをベンゼン環として数え、それぞれのベンゼン環の分子量を７６とする。
【００２７】
上記ポリイミド樹脂成分の総質量は、ポリイミド樹脂中の繰返し単位の分子量に基づいて算出される。このとき、ベンゼン環（Ｂｅ）部分の分子量については、他の構造単位との結合数及び置換基の結合数に応じて算出されるため、７６とは限らない。
【００２８】
質量分率Ｗ（ＰｈＩ）は、ポリイミド樹脂成分の総量に対する、フタルイミド環の総量の割合である。質量分率Ｗ（ＰｈＩ）は、式「フタルイミド環の総質量／ポリイミド樹脂成分の総質量」から算出することができ、例えば、ポリイミド樹脂中の繰返し単位の分子量、及び、繰返し単位に含まれるフタルイミド環の分子量に基づいて算出することができる。
【００２９】
上記フタルイミド環１つあたりの分子量は、フタルイミド環における、ポリイミド樹脂中のフタルイミド環以外の他の構造単位との結合数及び置換基の結合数に関わらず、１４５とする。また、複数のフタルイミド環がフタルイミド環の一辺を共有して縮合した構造を有する場合、縮合した複数のフタルイミド環それぞれをフタルイミド環として数え、それぞれのフタルイミド環の分子量を１４５とする。フタルイミド環とベンゼン環（Ｂｅ）とが一辺を共有して縮合した構造を有する場合、縮合したフタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）のそれぞれを、フタルイミド環及びベンゼン環（Ｂｅ）として数え、それぞれの分子量を１４５及び７６とする。ピロメリット酸ジイミドの構造を有する場合は、フタルイミド環１つとして数え、分子量は１４５とする。
【００３０】
上記ポリイミド樹脂成分の総質量は、ポリイミド樹脂中の繰返し単位の分子量に基づいて算出される。このとき、フタルイミド環部分の分子量については、他の構造単位との結合数及び置換基の結合数に応じて算出されるため、１４５とは限らない。
【００３１】
式（Ｉ）において、「Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）」は、１．３以上であることがより好ましく、１．６以上であることがさらに好ましく、また、通常、５以下である。「Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ）」が１．２以上であることにより、感湿膜のヒステリシスを低減することができる。この理由は明らかではないが、ポリイミド樹脂の分子パッキングにおいて、ベンゼン環のπ−πスタッキング相互作用による分子パッキングの寄与よりも、フタルイミド環の共役アミド結合による分子パッキングの寄与が大きいためと考えられる。感湿膜は、環境の湿度に応じて水分を吸脱着するため、分子パッキングが促進されているほど水分の吸脱着に伴う感湿膜の寸法変化が生じにくくなり、ヒステリシスが低減できると推測される。
【００３２】
質量分率Ｗ（Ｂｅ）は、２０質量％以上であることが好ましく、２０．５質量％以上であってもよく、２１質量％以上であってもよい。質量分率Ｗ（Ｂｅ）は、通常４５質量％以下であり、４０質量％以下であってもよく、３０質量％以下であってもよい。質量分率Ｗ（Ｂｅ）が２０質量％以上であることにより、ポリイミド樹脂成分に一定量以上のベンゼン環を導入することができ、また、上記した式（Ｉ）から、ポリイミド樹脂成分に一定量以上のフタルイミド環を導入することができるため、感湿膜におけるヒステリシスが低減される傾向にある。
【００３３】
ポリイミド樹脂成分は、さらに、フルオロ基、フタルイミド環、及びベンゼン環（Ｂｅ）のいずれも有さないポリイミド樹脂を含んでいてもよい。
【００３４】
フルオロ基、フタルイミド環、及びベンゼン環（Ｂｅ）のうちの少なくとも１つを有するポリイミド樹脂の含有量は、ポリイミド樹脂成分の総量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることがさらに好ましく、１００質量％であってもよい。
【００３５】
ポリイミド樹脂成分に含まれるポリイミド樹脂はいずれも、重量平均分子量が２０，０００以上であることが好ましく、５０，０００以上であることがより好ましく、また、１，０００，０００以下であることが好ましく、５００，０００以下であることがより好ましい。重量平均分子量は、サイズ排除クロマトグラフ装置によって求めることができる。
【００３６】
ポリイミド樹脂成分に含まれるポリイミド樹脂は、製膜性等の観点から、溶剤に可溶であることが好ましい。これにより、塗布法により感湿膜を得ることができる。溶剤に可溶であるとは、室温で溶剤１００質量部にポリイミド樹脂を添加した撹拌した際に、ポリイミド樹脂が１質量部以上溶解することをいう。
【００３７】
溶剤としては特に限定されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ，２−トリメチルプロピオンアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、ジメチルスルホキシド、ｍ−クレゾ−ル、フェノ−ル、ｐ−クロルフェノール、２−クロル−４−ヒドロキシトルエン、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、ジオキサン、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジオキソラン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン（ＣＹＰ）、１，４−ジオキサン、イプシロンカプロラクタム、ジクロロメタン、クロロホルム等を用いることができ、これらを単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
【００３８】
ポリイミド樹脂成分に含まれるポリイミド樹脂は、例えば、ジアミンとテトラカルボン酸とを反応させることによって得ることができる。ジアミン及びテトラカルボン酸は、例えば、後述する例示化合物の中から選択することができる。ここで、上記ジアミン及びテトラカルボン酸は、それぞれの誘導体も含むものである。本明細書中で単に「ジアミン」と記載した場合、ジアミン及びその誘導体を意味し、単に「テトラカルボン酸」と記載したときも同様にその誘導体も意味する。
【００３９】
フッ素化ポリイミド樹脂は、ジアミン及びテトラカルボン酸のうちの少なくとも一方にフルオロ基を有する化合物を用いて得ることができる。ジアミン及びテトラカルボン酸それぞれフルオロ基を有していてもよい。
【００４０】
フタルイミド環を有するポリイミド樹脂は、ジアミンとテトラカルボン酸との反応によりフタルイミド環が導入されるように、例えば、テトラカルボン酸の誘導体である無水フタル酸構造を有する化合物と、ジアミンとを用いて得ることができる。
【００４１】
ベンゼン環（Ｂｅ）を有するポリイミド樹脂は、ジアミン及びテトラカルボン酸のうちの少なくとも一方にベンゼン環（Ｂｅ）を有する化合物を用いて得ることができる。ジアミン及びテトラカルボン酸がそれぞれベンゼン環（Ｂｅ）を有していてもよい。
【００４２】
ポリイミド樹脂成分に含まれるポリイミド樹脂を得るために用いるジアミンとしては、ジアミン、ジアミノジシラン類等を挙げることができ、このうちジアミンを用いることが好ましい。ジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、又はこれらの混合物を挙げることができ、このうち芳香族ジアミンが好ましい。芳香族ジアミンとは、アミノ基が芳香族環に直接結合しているジアミンをいい、その構造の一部に脂肪族基や脂環基、その他の置換基を含んでいてもよいものである。脂肪族ジアミンとは、アミノ基が脂肪族基又は脂環基に直接結合しているジアミンをいい、その構造の一部に芳香族基、その他の置換基を含んでいてもよいものである。
【００４３】
芳香族ジアミンとしては、例えば、フェニレンジアミン、ジアミノトルエン、ジアミノビフェニル、ビス（アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノナフタレン、ジアミノジフェニルエ−テル、ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ジアミノジフェニルスルフィド、ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ジアミノジフェニルスルホン、ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノジフェニルメタン、ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビスアミノフェニルプロパン、ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビスアミノフェノキシベンゼン、ビス［（アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）ベンゼン、ビスアミノフェニルジイソプロピルベンゼン、ビスアミノフェニルフルオレン、ビスアミノフェニルシクロペンタン、ビスアミノフェニルシクロヘキサン、ビスアミノフェニルノルボルナン、ビスアミノフェニルアダマンタン、上記化合物中の１個以上の水素原子がフッ素原子又はフッ素原子を含む炭化水素基（トリフルオロメチル基等）に置き換わった化合物などが挙げられる。芳香族ジアミンは、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
フェニレンジアミンとしては、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンなどが挙げられる。
ジアミノトルエンとしては、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエンなどが挙げられる。
ジアミノビフェニルとしては、ベンジジン（別称：４，４’−ジアミノビフェニル）、ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＡ）、 ３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニルなどが挙げられる。
ビス（アミノフェノキシ）ビフェニルとしては、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、３，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（２−メチル−４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルなどが挙げられる。
【００４５】
ジアミノナフタレンとしては、２，６−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレンなどが挙げられる。
ジアミノジフェニルエ−テルとしては、３，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テルなどが挙げられる。
ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］エーテルとしては、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エ−テル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エ−テル、ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エ−テル、ビス（４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル）エーテル、ビス（４−（２，６−ジメチル−４−アミノフェノキシ）フェニル）エーテルなどが挙げられる。
【００４６】
ジアミノジフェニルスルフィドとしては、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィドが挙げられる。
ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］スルフィドとしては、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィドなどが挙げられる。
ジアミノジフェニルスルホンとしては、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］スルホンとしては、ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェニル）スルホン、ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェニル）スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（２，６−ジメチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホンなどが挙げられる。
ジアミノベンゾフェノンとしては、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００４７】
ジアミノジフェニルメタンとしては、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。
ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］メタンとしては、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタンなどが挙げられる。
ビスアミノフェニルプロパンとしては、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）プロパン等が挙げられる。
ビス［（アミノフェノキシ）フェニル］プロパンとしては、２，２−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（２，６−ジメチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、などが挙げられる。
【００４８】
ビスアミノフェノキシベンゼンとしては、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチル−４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−メチル−４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェノキシ）ベンゼンなどが挙げられる。
ビス（アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）ベンゼン（別称：ビスアミノフェニルジイソプロピルベンゼン）としては、１，４−ビス（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）ベンゼン（ＢｉＳＡＰ、別称：α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン）、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−メチルフェノキシ）−α，α’−ジメチルベンジル］ベンゼン、α，α’−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（３−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（３−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼンなどが挙げられる。
【００４９】
ビスアミノフェニルフルオレンとしては、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）フルオレンなどが挙げられる。
ビスアミノフェニルシクロペンタンとしては、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）シクロペンタンなどが挙げられる。
ビスアミノフェニルシクロヘキサンとしては、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）４−メチル−シクロヘキサンなどが挙げられる。
【００５０】
ビスアミノフェニルノルボルナンとしては、１，１−ビス（４−アミノフェニル）ノルボルナン、１，１−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）ノルボルナン、１，１−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）ノルボルナンなどが挙げられる。
ビスアミノフェニルアダマンタンとしては、１，１−ビス（４−アミノフェニル）アダマンタン、１，１−ビス（２−メチル−４−アミノフェニル）アダマンタン、１，１−ビス（２，６−ジメチル−４−アミノフェニル）アダマンタンなどが挙げられる。
【００５１】
脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、ポリプロピレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、４，４’−メチレンビス（２−メチルシクロヘキシルアミン）（ＭＣＨＭ）、メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミン、１，４−ビス（２−アミノ−イソプロピル）ベンゼン、１，３−ビス（２−アミノ−イソプロピル）ベンゼン、イソフォロンジアミン、ノルボルナンジアミン、シロキサンジアミン類を挙げることができる。また、上記化合物において１個以上の水素原子がフッ素原子又はフッ素原子を含む炭化水素基（トリフルオロメチル基等）に置き換わった化合物も挙げることができる。これらは、単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
【００５２】
ポリイミド樹脂成分に含まれ得るベンゼン環（Ｂｅ）を有するフッ素化ポリイミド樹脂を得るためには、ジアミンとして、フルオロ基を有する芳香族ジアミンを用いることが好ましく、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンシジン（ＴＦＭＢ）を用いることがより好ましい。
【００５３】
ポリイミド樹脂成分に含まれるポリイミド樹脂を得るために用いるテトラカルボン酸としては、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸エステル類、テトラカルボン酸二無水物等を挙げることができ、このうちテトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。
【００５４】
テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，４−ヒドロキノンジベンゾエ−ト−３, ３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物（ＨＰＭＤＡ）、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、４，４−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物；
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン等のテトラカルボン酸の二無水物；
上記化合物において１個以上の水素原子がフッ素原子又はフッ素原子を含む炭化水素基（トリフルオロメチル基等）に置き換わった化合物；
等を挙げることができる。これらは、単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
【００５５】
ポリイミド樹脂成分に含まれ得るフタルイミド環を有するフッ素化ポリイミド樹脂を得るためには、フルオロ基を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましく、４，４’−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２，２−ジイル）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）を用いることがより好ましい。
【００５６】
（センサ）
本発明のセンサは、上記した感湿膜を含むものである。感湿膜は、感湿膜が置かれる環境の湿度に応じて、その環境雰囲気に含まれる水分を吸脱着することができる。そのため、感湿膜を含むセンサは、感湿膜の誘電率の変化に基づいて湿度を検出する静電容量式のセンサとすることができる。
【００５７】
本発明のセンサを、図を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明のセンサの一例を模式的に示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、センサ１０は、絶縁性基板１、下部電極２、感湿膜３、上部電極４、下部電極用リード線７、上部電極用リード線９を有する。下部電極２は絶縁性基板１上に形成されており、下部電極２には下部電極用リード線７が接続されている。感湿膜３は、下部電極２の下部電極用リード線７との接続部分を除く領域を覆うように、絶縁性基板１上に形成されている。上部電極４は、感湿膜３上において、下部電極２が延在する方向と直交する方向に延在するように形成されている。上部電極４には上部電極用リード線９が接続されている。
【００５８】
絶縁性基板１は、絶縁性を有するガラス基板、酸化アルミニウムや酸化ケイ素等の金属酸化物で形成された金属酸化物基板であってもよい、また、導電性基板の表面を金属酸化物等の絶縁性材料で被覆したものであってもよい。
【００５９】
下部電極２は、導電性金属を用いて形成することができる。下部電極２は、例えば、金、銅、アルミニウム、鉄、錫、亜鉛、ニッケル、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、鉛、及び、これらから選択される２種以上の金属を含む合金、アルミニウム−ケイ素合金、多結晶シリコンからなる群より選択される１種以上によって形成することができる。下部電極２は、絶縁性基板１上に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、めっき法等、公知の方法によって形成することができる。下部電極２の厚みは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６０】
感湿膜３は、上記したフッ素化ポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物と溶剤とを含む塗布液を、下部電極２が形成された絶縁性基板１上に塗布して乾燥することによって形成することができる。下部電極２と下部電極用リード線７との接続部分を形成するために、この接続部分をマスク等して塗布液の塗布を行ってもよく、塗布液を塗布した後に接続部分に塗布された塗布液を溶剤等で溶かして下部電極２を露出させてもよい。塗布方法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ディップコート法、エアーナイフコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ブレードコート法等の公知の塗布方法を採用することができる。感湿膜３の厚みは、０．３μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。
【００６１】
上部電極４は、絶縁性基板１に形成された感湿膜３上に形成することができ、下部電極２で例示した材料及び形成方法によって形成することができる。上部電極４の厚みは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６２】
上記したように、感湿膜３は、水分を吸脱着することによって誘電率が変化する。センサ１０では、下部電極２と上部電極４との交差部分がコンデンサとして機能するため、この部分における感湿膜３の誘電率の変化を、下部電極２と上部電極４との間の静電容量の変化として検出することによって、湿度を測定することが可能になる。センサ１０は、上記した感湿膜３を含むため、湿度変化に対するヒステリシスを低減することができる。
【００６３】
ヒステリシスは、以下の方法で評価することができる。まず、感湿膜３を含むセンサを作製し、センサを、室温で湿度の高い雰囲気下に静置する。その後、センサを同じ温度で通常の湿度（湿度４０〜６０％）である雰囲気下に所定の時間静置し、静電容量Ｃｐ（Ｈ）を測定する。続いて、センサを、同じ温度で相対湿度がより低い雰囲気下に静置し、その後センサを同じ温度で通常の湿度である雰囲気下に所定の時間静置し、静電容量Ｃｐ（Ｌ）を測定する。
【００６４】
後述の実施例では、静電容量Ｃｐ（Ｈ）は、センサを温度３０℃で相対湿度９０％ＲＨの雰囲気下で約１時間静置した後、すぐに温度３０℃で相対湿度６０％の条件下に置き、１０分後に測定している。また、静電容量Ｃｐ（Ｌ）は、センサを温度３０℃で相対湿度３０％ＲＨの雰囲気下で約１時間静置した後、すぐに温度３０℃で相対湿度６０％の条件下に置き、１０分後に測定している。
【００６５】
ヒステリシス（単位：％）は、測定した静電容量に基づき、下記式（ＩＩ）から算出することができる。
ヒステリシス＝｛（Ｃｐ（Ｈ）−Ｃｐ（Ｌ））／Ｃｐ（Ｌ）｝×１００    （ＩＩ）
【００６６】
ヒステリシスは、小さいことが好ましく、６％未満であることが好ましい。より好ましくは、５％以下であり、さらに好ましくは３％以下であり、ことさら好ましくは１％以下であり、ことさらさらに好ましくは０．６％以下であり、特に好ましくは０％である。ヒステリシスが上記の範囲であると、感湿膜は、高湿環境で水分を吸着しても、水分が感湿膜中に入り込みにくいか又は水分が感湿膜中に入り込んでも抜けやすい。そのため、膨張などの寸法変化が生じにくく、また感湿膜中に水分が留まりにくい。これにより、感湿膜を備えるセンサは、高湿環境下で静置した後に低湿環境下に静置しても、低湿環境下で静置した後に高湿環境下に静置しても、一定の湿度に対して一定の静電容量の数値を検知することができる。したがって、より正確に湿度を検出することができ、また寸法変化などに起因する感湿膜の劣化を抑制することができる。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。実施例、比較例中の「％」及び「部」は、特記しない限り、質量％及び質量部である。
【００６８】
［ヒステリシスの評価］
実施例及び比較例で得られたセンサを用いて、次のようにヒステリシスの評価を行った。まず、センサを、温度３０℃、相対湿度９０％ＲＨの雰囲気下で約１時間調湿した後、すぐに温度３０℃、相対湿度６０％の条件下に置き、１０分後に静電容量Ｃｐ（Ｈ）を測定した。続いて、センサを、温度３０℃、相対湿度３０％ＲＨの雰囲気下で約１時間調湿した後、すぐに温度３０℃、相対湿度６０％の条件下に置き、１０分後に静電容量Ｃｐ（Ｌ）を測定した。測定した静電容量に基づき、ヒステリシス（単位：％）を下記式（ＩＩ）で算出した。
ヒステリシス＝｛（Ｃｐ（Ｈ）−Ｃｐ（Ｌ））／Ｃｐ（Ｌ）｝×１００    （ＩＩ）
【００６９】
［樹脂１の作製］
国際公開２０１７／１７９３６７号の実施例１の記載にしたがって、式（３）で表されるポリイミド粉体を得た。ジアミンとして式（１）で表される２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンシジン（ＴＦＭＢ）を、テトラカルボン酸二無水物として式（２）で表される４，４’−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２，２−ジイル）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）をそれぞれ用いて、ポリイミド粉体を得た。
【００７０】
【化３】
2019174464.tif 000005
【００７１】
［樹脂２の作製］
ジアミンとして式（４）で表される４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、及び式（５）で表される１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン（ＢｉＳＡＰ）を用い、テトラカルボン酸二無水物として式（６）で表される１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物（ＨＰＭＤＡ）を用いた。ＢＡＰＢ：ＢｉＳＡＰ：ＨＰＭＤＡのモル比を、０．５：０．５：１としたこと以外は、特開２０１６−１８６００４号公報の合成例２の記載にしたがってポリイミド樹脂溶液を得、特開２０１６−１８６００４号公報の実施例２の記載にしたがってポリイミド粉体を得た。
【００７２】
【化４】
2019174464.tif 000006
【００７３】
［樹脂３の作製］
撹拌機を備えた４つ口フラスコに、ジアミンとして式（７）で表される４，４’−メチレンビス（２−メチルシクロヘキシルアミン）（ＭＣＨＭ）（東京化成工業株式会社製）を４．６８ｇ（０．０２ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を４５ｇ、酢酸を０．１１ｇ加えて撹拌した。これに、ジアミンとして式（８）で表される２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＡ）（東京化成工業株式会社製）を１５．０５ｇ（０．０６ｍｏｌ）、テトラカルボン酸二無水物として式（９）で表される３，３'，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）（東京化成工業株式会社製）を２２．９３ｇ（０．０７８ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を４５ｇ加え、温度８０℃のオイルバスで８時間撹拌した。次に、トルエンを２４．５ｇ加え、温度１９０℃のオイルバスで１２時間重合反応を行い、トルエンを常圧蒸留してポリイミド溶液を得た。得られたポリイミド溶液にメタノールを加えて全量を１５００ｇとした。析出物を洗浄し、乾燥させてポリイミド粉体を得た。
【００７４】
【化５】
2019174464.tif 000007
【００７５】
〔実施例１〜６、比較例１〜３〕
（ワニスの作製）
溶媒として、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）１９．６ｇと、シクロペンタノン（ＣＹＰ）８ｇとの混合溶媒を用意した。混合溶媒において、ＧＢＬとＣＹＰとの質量比はＧＢＬ：ＣＹＰ＝７１：２９とした。この混合溶媒に、表１に示す添加量で樹脂１、樹脂２及び／又は樹脂３を溶解してワニスを作製した。いずれのワニスも全量を３０ｇとし、固形分濃度は８％とした。
【００７６】
各ワニスに含まれる樹脂のフタルイミド環の含有量、ベンゼン環（Ｂｅ）の含有量、ベンゼン環（Ｂｅ）の質量分率Ｗ（Ｂｅ）とフタルイミド環の質量分率Ｗ（ＰｈＩ）との比（Ｗ（ＰｈＩ）／Ｗ（Ｂｅ））を表１に示す。
【００７７】
これらの含有量及び質量分率の比は、フタルイミド環の分子量を１４５、ベンゼン環（Ｂｅ）の分子量を７６、樹脂１の繰返し単位の分子量を７２８、樹脂２の繰返し単位の分子量を５４５、樹脂３の繰返し単位の分子量を５１１、樹脂１の繰返し単位中のフタルイミド環の数を２、樹脂１の繰返し単位中のベンゼン環（Ｂｅ）の数を２、樹脂２の繰返し単位中のフタルイミド環の数を０、樹脂２の繰返し単位中のベンゼン環（Ｂｅ）の数を３．５、樹脂３の繰返し単位中のフタルイミド環の数を２、樹脂３の繰返し単位中のベンゼン環（Ｂｅ）の数を１．５とし、ワニス作製時の樹脂１及び樹脂２の添加量に基づいて算出した値である。
【００７８】
（センサの作製）
次の手順で図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すセンサを作製した。絶縁性基板としては、２．５ｃｍ角のアルミナ基板を用いた。この絶縁性基板の中央部分に対し、１ｃｍ（幅）×２．５ｃｍ（絶縁性基板の辺に沿う方向の長さ）のサイズの下部電極が形成できる領域が露出するように、絶縁性基板にテープを貼り付けて、絶縁性基板の表面をマスクした。絶縁性基板のテープでマスクされた面に、イオンコーターＩＢ−３（株式会社エイコー製）を用い、蒸着源をＡｕ、蒸着条件を５〜８ｍＡで１０分間として、蒸着を行った。その後、マスク用のテープを剥離して、１ｃｍ×２．５ｃｍのサイズの下部電極が形成された絶縁性基板を得た。
【００７９】
下部電極が形成された絶縁性基板をアセトンで洗浄した後、下部電極用リード線との接合部分を形成するために、下部電極の一部をテープでマスクした。続いて、絶縁性基板の下部電極が形成された面に、上記で作製したワニスをスピンコートした。スピンコートは、乾燥後の感湿膜の厚みが３μｍとなるように、表１に示す回転数で３０秒間行った。その後、マスク用のテープを剥離して、温度１７０℃で０．５時間乾燥した後、さらに温度２５０℃で１時間乾燥して、感湿膜を形成した。いずれの実施例及び比較例においても、得られた感湿膜の厚みは３μｍであった。
【００８０】
絶縁性基板上の感湿膜が形成された面の中央部分において、下部電極に直交しかつ１ｃｍ（幅）×２．５ｃｍ（絶縁性基板の辺に沿う方向の長さ）のサイズの上部電極が形成できる領域が露出するように、絶縁性基板にテープを貼り付けて、感湿膜が形成された絶縁性基板の表面をマスクした。次いで、絶縁性基板の感湿膜が形成された面に、イオンコーターＩＢ−３（株式会社エイコー製）を用い、蒸着源をＡｕ、蒸着条件を５〜８ｍＡで５分間として、蒸着を行った後、マスク用のテープを剥離して、感湿膜上に１ｃｍ×２．５ｃｍのサイズの上部電極が形成されたセンサを得た。得られたセンサを用いてヒステリシスの評価を行った。その結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】
2019174464.tif 000008
【符号の説明】
【００８２】
１  絶縁性基板、２  下部電極、３  感湿膜、４  上部電極、７  下部電極用リード線、９  上部電極用リード線、１０  センサ。
【図１】
2019174464.tif 000009