(57)【要約】【課題】非接触で積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出する。【解決手段】積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００は、磁気を発生する磁気発生部３１と、磁気発生部３１との間に、内部電極の積層方向が所定の方向と一致している積層セラミックコンデンサが位置する状態で、積層セラミックコンデンサと非接触で磁束密度を測定する磁束密度測定部３２と、磁束密度測定部３２によって測定される磁束密度に基づいて、積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出する積層数検出部３６とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の内部電極を有する積層セラミックコンデンサの前記内部電極の積層数を検出する装置であって、
磁気を発生する磁気発生部と、
前記磁気発生部との間に、前記内部電極の積層方向が所定の方向と一致している前記積層セラミックコンデンサが位置する状態で、前記積層セラミックコンデンサと非接触で磁束密度を測定する磁束密度測定部と、
前記磁束密度測定部によって測定される磁束密度に基づいて、前記積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出する積層数検出部と、
を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置。
【請求項２】
前記積層セラミックコンデンサの内部電極の積層方向を前記所定の方向に一致させる方向調整部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置。
【請求項３】
前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生部と前記磁束密度測定部との間を通過させる搬送部をさらに備え、
前記磁束密度測定部は、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生部と前記磁束密度測定部との間を通過したときの最大磁束密度および累積磁束密度のうちの少なくとも一方を求めるように構成されており、
前記積層数検出部は、前記磁束密度測定部によって求められる最大磁束密度および累積磁束密度のうちの少なくとも一方に基づいて、前記内部電極の積層数を検出するように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置。
【請求項４】
前記磁気発生部は、永久磁石および電磁石のうちのいずれか一方であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置。
【請求項５】
前記積層数検出部は、外形寸法が略同一である複数の前記積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出するように構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
内部電極が誘電体層を介して複数積層された構造を有する積層セラミックコンデンサが知られている。
【０００３】
そのような積層セラミックコンデンサなどの電子部品に、測定端子を接触させて、電子部品の電気的特性を測定する装置が特許文献１に記載されている。
【０００４】
ここで、積層セラミックコンデンサの外部電極に測定端子を接触させて、積層セラミックコンデンサの静電容量を検出する方法が知られている。また、積層セラミックコンデンサの静電容量を検出することによって、内部電極の積層数を求めることもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１５３３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、外部電極に測定端子を接触させると、外部電極に傷がつく可能性や、積層セラミックコンデンサに想定外の衝撃荷重が加わる可能性がある。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するものであり、非接触で積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出することができる装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置は、積層された複数の内部電極を有する積層セラミックコンデンサの前記内部電極の積層数を検出する装置であって、
磁気を発生する磁気発生部と、
前記磁気発生部との間に、前記内部電極の積層方向が所定の方向と一致している前記積層セラミックコンデンサが位置する状態で、前記積層セラミックコンデンサと非接触で磁束密度を測定する磁束密度測定部と、
前記磁束密度測定部によって測定される磁束密度に基づいて、前記積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出する積層数検出部と、
を備えることを特徴とする。
【０００９】
前記積層セラミックコンデンサの内部電極の積層方向を前記所定の方向に一致させる方向調整部をさらに備えていてもよい。
【００１０】
前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生部と前記磁束密度測定部との間を通過させる搬送部をさらに備え、
前記磁束密度測定部は、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生部と前記磁束密度測定部との間を通過したときの最大磁束密度および累積磁束密度のうちの少なくとも一方を求めるように構成されており、
前記積層数検出部は、前記磁束密度測定部によって求められる最大磁束密度および累積磁束密度のうちの少なくとも一方に基づいて、前記内部電極の積層数を検出するように構成されていてもよい。
【００１１】
前記磁気発生部は、永久磁石および電磁石のうちのいずれか一方とすることができる。
【００１２】
前記積層数検出部は、外形寸法が略同一である複数の前記積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出するように構成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置によれば、磁気発生部と磁束密度測定部との間に、内部電極の積層方向が所定の方向と一致している積層セラミックコンデンサが位置する状態で、積層セラミックコンデンサと非接触で磁束密度を測定し、測定された磁束密度に基づいて、内部電極の積層数を検出するので、積層セラミックコンデンサと非接触で内部電極の積層数を検出することができる。したがって、積層セラミックコンデンサの外部電極に傷がつくこと、および、積層セラミックコンデンサに想定外の衝撃荷重が加わることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサをＩＩ−ＩＩ線で切断したときの断面図である。
【図３】第１の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置の全体構成を模式的に示す側面図である。
【図４】積層セラミックコンデンサを含むコンデンサ連の構成を示す断面図である。
【図５】１つの積層セラミックコンデンサが磁気発生部と磁束密度計測部との間を通過するときに、磁束密度計測部で計測される磁束密度の変化を示す図である。
【図６】積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数が異なる場合に、磁束密度計測部によって計測される磁束密度の違いを模式的に示す図である。
【図７】静電容量Ａと静電容量Ｂの２種類の積層セラミックコンデンサを対象として、内部電極の積層数と、その積層数を有する積層セラミックコンデンサの個数との関係を示すヒストグラムである。
【図８】第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置の構成を示す平面図である。
【図９】図８の点線で囲まれた部分ＩＸの拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところを具体的に説明する。
【００１６】
初めに、本発明の積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置の構成について説明する前に、積層セラミックコンデンサの構成について説明する。
【００１７】
図１は、積層セラミックコンデンサ１の斜視図である。また、図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１をＩＩ−ＩＩ線で切断したときの断面図である。
【００１８】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０と一対の外部電極１１（１１ａ，１１ｂ）とを備える。一対の外部電極１１（１１ａ，１１ｂ）は、図１および図２に示すように、対向するように配置されている。
【００１９】
セラミック素体１０は、第１の主面１０ａおよび第２の主面１０ｂと、第１の側面１０ｃおよび第２の側面１０ｄと、第１の端面１０ｅおよび第２の端面１０ｆとを備える。
【００２０】
ここでは、第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとが対向する方向を長さ方向Ｌ、第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとが対向する方向を幅方向Ｗ、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとが対向する方向を厚さ方向Ｔと定義する。
【００２１】
積層セラミックコンデンサ１は、全体として略直方体の形状を有する。ただし、略直方体には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれる。
【００２２】
セラミック素体１０は、例えば、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などが挙げられる。セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
【００２３】
図２に示すように、セラミック素体１０の内部には、第１の内部電極１２ａおよび第２の内部電極１２ｂが複数設けられている。第１の内部電極１２ａと第２の内部電極１２ｂは、厚さ方向Ｔに沿って交互に設けられている。
【００２４】
なお、以下の説明では、第１の内部電極１２ａと第２の内部電極１２ｂとをまとめて、「内部電極１２」と呼ぶ場合もある。
【００２５】
厚さ方向Ｔにおいて、第１の内部電極１２ａと第２の内部電極１２ｂの間には、誘電体セラミック層１３が配されている。すなわち、厚み方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１２ａと第２の内部電極１２ｂは、誘電体セラミック層１３を介して対向している。
【００２６】
第１の内部電極１２ａは、第１の端面１０ｅに引き出されている。また、第２の内部電極１２ｂは、第２の端面１０ｆに引き出されている。第１の内部電極１２ａおよび第２の内部電極１２ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、およびＡｕなどのうちの少なくとも１つを含有している。第１の内部電極１２ａおよび第２の内部電極１２ｂは、さらに誘電体セラミック層１３に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
【００２７】
第１の外部電極１１ａは、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅの全体に形成されているとともに、第１の端面１０ｅから、第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第１の側面１０ｃ、および第２の側面１０ｄに回り込むように形成されている。第１の外部電極１１ａは、第１の内部電極１２ａと電気的に接続されている。
【００２８】
第２の外部電極１１ｂは、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆの全体に形成されているとともに、第２の端面１０ｆから、第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第１の側面１０ｃ、および第２の側面１０ｄに回り込むように形成されている。第２の外部電極１１ｂは、第２の内部電極１２ｂと電気的に接続されている。
【００２９】
第１の外部電極１１ａおよび第２の外部電極１１ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、およびＡｕなどのうちの少なくとも１つを含有している。
【００３０】
＜第１の実施形態＞
図３は、第１の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００の全体構成を模式的に示す側面図である。積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００は、後述するコンデンサ連２に含まれる積層セラミックコンデンサの内部電極の積層数を検出する。
【００３１】
図４は、上述した積層セラミックコンデンサ１を含むコンデンサ連２の構成を示す断面図である。図４は、コンデンサ連２のうち、後述する磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間を通過する部分の断面図を示している。
【００３２】
コンデンサ連２は、複数の積層セラミックコンデンサ１と、複数の積層セラミックコンデンサ１を１つずつ収容する複数の収容部２１ａを有するテープ２０とを備える。テープ２０は、キャリアテープ２１とカバーテープ２２とから構成されている。
【００３３】
キャリアテープ２１には、所定の間隔で複数の収容部２１ａが設けられている。複数の収容部２１ａに、複数の積層セラミックコンデンサ１が１つずつ収容された状態で、キャリアテープ２１にカバーテープ２２が貼り付けられることによって、積層セラミックコンデンサ１が収容部２１ａ内に封入されている。
【００３４】
第１の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００は、磁気発生部３１と、磁束密度計測部３２と、搬送部３５と、積層数検出部３６とを備える。
【００３５】
搬送部３５は、第１のロール３３と、第２のロール３４とを備える。第１のロール３３には、コンデンサ連２が巻き取られている。第１のロール３３に巻き取られているコンデンサ連２は送り出されて、第２のロール３４に巻き取られる。
【００３６】
搬送部３５は、磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間を通過するように、コンデンサ連２を搬送する。これにより、積層セラミックコンデンサ１は、磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間を通過する。
【００３７】
複数の積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極１２ａおよび第２の内部電極１２ｂの積層方向が所定の方向と一致している状態で、キャリアテープ２１の収容部２１ａに収容されている。第１の内部電極１２ａおよび第２の内部電極１２ｂの積層方向は、磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間をテープ２０が通過する方向、または、テープ２０が通過する方向と垂直な方向である。
【００３８】
本実施形態では、磁気発生部３１と磁束密度計測部３２は、鉛直方向に互いに対向するように配置されており、テープ２０は、水平方向に搬送される。図４に示すように、全ての積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向は、鉛直方向に一致している。ただし、全ての積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向が水平方向に一致するようにしてもよい。
【００３９】
磁気発生部３１は、永久磁石または電磁石により構成されており、磁気を発生する。磁気発生部３１によって発生する磁界の強さは略一定である。ただし、磁気発生部３１が永久磁石または電磁石に限定されることはない。
【００４０】
磁束密度計測部３２は、磁気プローブを備え、磁気発生部３１で発生した磁束の密度を計測する。磁気プローブの先端には、例えば直径０．７６ｍｍのホール素子が設けられている。
【００４１】
本実施形態では、磁束密度計測部３２は、磁気発生部３１との間に、内部電極１２の積層方向が所定の方向と一致している積層セラミックコンデンサ１が位置する状態で、積層セラミックコンデンサ１と非接触で磁束密度を測定する。磁束密度の測定は、所定時間毎、または、積層セラミックコンデンサ１が所定距離移動する毎に行う。
【００４２】
また、磁束密度計測部３２は、積層セラミックコンデンサ１が磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間を通過したときの最大磁束密度および累積磁束密度のうちのいずれか一方を求める。
【００４３】
図５は、１つの積層セラミックコンデンサ１が磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間を通過するときに、磁束密度計測部３２で計測される磁束密度の変化を示す図である。例えば、コンデンサ連２に含まれる積層セラミックコンデンサ１が磁気発生部３１と磁束密度計測部３２との間を通過する間に、磁束密度計測部３２によって所定時間毎に複数回、磁束密度を計測することによって、最大磁束密度と累積磁束密度を求めることができる。
【００４４】
図６は、積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数が異なる場合に、磁束密度計測部３２によって計測される磁束密度の違いを模式的に示す図である。図６では、積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向が、磁気発生部３１と磁束密度計測部３２とが対向する方向（鉛直方向）である例を示している。
【００４５】
図６の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にそれぞれ示す積層セラミックコンデンサ１のうち、図６（ａ）に示す積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数が最も少なく、図６（ｃ）に示す積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数が最も多い。
【００４６】
図６に示すように、内部電極１２の積層数が多くなるほど、磁束密度計測部３２によって計測される磁束密度は高くなる。したがって、磁束密度計測部３２によって計測される磁束密度に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数を求めることができる。
【００４７】
なお、内部電極１２の積層方向が、磁気発生部３１と磁束密度計測部３２とが対向する方向と直交する方向（水平方向）である場合も同様である。
【００４８】
積層数検出部３６は、磁束密度計測部３２によって計測された磁束密度に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数を検出する。好ましくは、積層数検出部３６は、磁束密度計測部３２によって求められる最大磁束密度および累積磁束密度のうちの少なくとも一方に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数を検出する。最大磁束密度および累積磁束密度のうちの少なくとも一方に基づいて、内部電極１２の積層数を検出することにより、精度よく積層数を求めることができる。
【００４９】
積層数検出部３６によって内部電極１２の積層数を検出することにより、静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１を区別することができる。例えば、コンデンサ連２に、外形寸法が略同一であるが静電容量の異なる、複数種類の積層セラミックコンデンサ１が含まれている場合でも、積層数検出部３６によって内部電極１２の積層数を検出することにより、静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１を区別することができる。
【００５０】
コンデンサ連２に静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１が含まれていることを検出することにより、コンデンサ連２から静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１を取り除くことが可能となる。
【００５１】
図７は、静電容量Ａと静電容量Ｂ（Ｂ＞Ａ）の２種類の積層セラミックコンデンサ１を対象として、内部電極の積層数と、その積層数を有する積層セラミックコンデンサの個数との関係を示すヒストグラムである。静電容量Ａの複数の積層セラミックコンデンサは、静電容量が完全に同一ではなく、略同一であるものとする。同様に、静電容量Ｂの複数の積層セラミックコンデンサは、静電容量が完全に同一ではなく、略同一であるものとする。
【００５２】
図７に示すように、静電容量Ａの積層セラミックコンデンサ、および、静電容量Ｂの積層セラミックコンデンサは、ともに内部電極の積層数にばらつきはあるものの、内部電極の積層数と度数との関係は明確に異なる。したがって、積層数検出部３６によって内部電極の積層数を検出することにより、静電容量Ａの積層セラミックコンデンサと、静電容量Ｂの積層セラミックコンデンサとを明確に区別することができる。
【００５３】
上述したように、本実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００によれば、積層セラミックコンデンサ１と非接触で、内部電極１２の積層数を検出することができる。したがって、内部電極１２の積層数を検出する際に、積層セラミックコンデンサ１の外部電極１１に傷がつくこと、および、積層セラミックコンデンサ１に想定外の衝撃荷重が加わることを防ぐことができる。
【００５４】
また、磁気発生部３１を永久磁石および電磁石のうちのいずれか一方により構成することにより、発生する磁界の強さを略一定とすることができ、内部電極１２の積層数を精度よく検出することができる。
【００５５】
また、積層数検出部３６は、外形寸法が略同一である複数の積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数を検出することができるので、外形寸法が略同一であるが静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１を区別することができる。
【００５６】
＜第２の実施形態＞
図８は、第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００Ａの構成を示す平面図である。また、図９は、図８の点線で囲まれた部分ＩＸの拡大図である。
【００５７】
第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００Ａは、ボールフィーダー８０と、リニアフィーダー８１と、搬送部８２と、方向調整部８３と、磁気発生部３１Ａと、磁束密度計測部３２Ａと、積層数検出部３６Ａとを備える。
【００５８】
ボールフィーダー８０には、複数の積層セラミックコンデンサ１が収容されている。ボールフィーダー８０は、振動することにより、リニアフィーダー８１に積層セラミックコンデンサ１を順次供給する。
【００５９】
リニアフィーダー８１は、積層セラミックコンデンサ１を搬送して、搬送部８２に供給する。
【００６０】
方向調整部８３は、例えば永久磁石または電磁石であり、リニアフィーダー８１によって搬送される積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向が所定の方向と一致するように調整する。所定の方向は、水平方向または鉛直方向である。例えば、内部電極１２の積層方向が水平方向となっていて、内部電極１２の積層方向を鉛直方向と一致させる場合には、方向調整部８３から発生する磁気によって積層セラミックコンデンサ１が９０°回転し、内部電極１２の積層方向を鉛直方向と一致させる。
【００６１】
方向調整部８３が積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向を所定の方向と一致させることにより、後述するように、内部電極１２の積層方向が所定の方向と一致した状態の積層セラミックコンデンサ１を、磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａとの間を通過させることができる。
【００６２】
搬送部８２は、中心軸８４Ｃを中心として回転する円板状の搬送テーブル８４を有する。本実施形態では、搬送テーブル８４は、中心軸８４Ｃを中心として、時計回りに回転する。搬送テーブル８４は、磁気の影響を受けにくい素材により構成されている。
【００６３】
搬送テーブル８４は、複数の凹部８４ａを備えている。複数の凹部８４ａは、搬送テーブル８４の外周に沿って、所定の間隔で設けられている。
【００６４】
搬送テーブル８４の凹部８４ａには、ポジションＰ１において、リニアフィーダー８１から積層セラミックコンデンサ１が振り込まれる。凹部８４ａに振り込まれた積層セラミックコンデンサ１は、搬送テーブル８４が回転することによって、中心軸８４Ｃを中心として周方向に沿って移動し、ポジションＰ３まで搬送される。
【００６５】
積層セラミックコンデンサ１は、ポジションＰ３において、搬送テーブル８４から、キャリアテープ８５の収容部８５ａに収容される。キャリアテープ８５の収容部８５ａに積層セラミックコンデンサ１が収容された後、積層セラミックコンデンサ１を封止するように、図示しないカバーテープがキャリアテープ８５に貼り付けられることによって、第１の実施形態で説明したコンデンサ連２と同じ構造を有するコンデンサ連が作製される。
【００６６】
図９に示すように、ポジションＰ２には、磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａが設けられている。具体的には、搬送テーブル８４を挟むように、磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａが設けられている。本実施形態では、搬送テーブル８４の下方に磁気発生部３１Ａが設けられており、搬送テーブル８４の上方に磁束密度計測部３２Ａが設けられている。ただし、搬送テーブル８４の上方に磁気発生部３１Ａが設けられ、下方に磁束密度計測部３２Ａが設けられる構成としてもよい。
【００６７】
磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａの配置位置をより詳しく説明すると、鉛直方向において、搬送テーブル８４の凹部８４ａに収容された積層セラミックコンデンサ１の移動経路を挟むように、磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａが設けられている。
【００６８】
なお、磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａの配置位置が図９に示す位置に限定されることはない。例えば、リニアフィーダー８１を挟むように、磁気発生部３１Ａと磁束密度計測部３２Ａが設けられていてもよい。
【００６９】
第１の実施形態と同様に、磁束密度計測部３２Ａは、磁気発生部３１Ａとの間に積層セラミックコンデンサ１が位置する状態で、積層セラミックコンデンサ１と非接触で磁束密度を測定する。搬送テーブル８４の凹部８４ａに収容されている積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向は所定の方向に一致している。
【００７０】
積層数検出部３６Ａは、磁束密度計測部３２Ａによって計測された磁束密度に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層数を検出する。
【００７１】
なお、第１の実施形態で説明したように、検出した内部電極１２の積層数に基づいて、容量の異なる積層セラミックコンデンサ１を区別することができる。例えば、ボールフィーダー８０に、外形寸法が略同一であるが、静電容量の異なる複数の積層セラミックコンデンサ１が収容されている場合でも、積層数検出部３６Ａによって内部電極の積層数を検出することにより、静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１を区別することができる。
【００７２】
本実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置１００Ａはさらに、排出部８６を備える。積層数検出部３６Ａによって検出された内部電極１２の積層数に基づいて、静電容量の異なる積層セラミックコンデンサ１が混入していることを検出すると、排出部８６は、気体を吹き出すことによって、凹部８４ａから積層セラミックコンデンサ１を排出させる。気体は、例えば空気である。凹部８４ａから排出された積層セラミックコンデンサ１は、排出部８６の径方向外側に位置する退避エリア９０に収容され、その後取り除かれる。
【００７３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００７４】
例えば、積層セラミックコンデンサ１を、磁気発生部と磁束密度計測部との間を移動させる方法が上述した実施形態で説明した方法に限定されることはない。例えば、磁気発生部と磁束密度計測部との間に設けられた直線経路上を積層セラミックコンデンサ１が通過するようにしてもよい。
【００７５】
第１の実施形態では、キャリアテープ２１の収容部２１ａに収容されている積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向が所定の方向に一致しているものとして説明した。しかし、収容部２１ａに積層セラミックコンデンサ１が収容されたときに、内部電極１２の積層方向が所定の方向以外の方向に向いていることを許容しつつ、収容部２１ａに収容された積層セラミックコンデンサ１の内部電極１２の積層方向を所定の方向に一致させる方向調整部をさらに備える構成としてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１      積層セラミックコンデンサ
２      コンデンサ連
１０    セラミック素体
１１（１１ａ，１１ｂ）  外部電極
１２ａ  第１の内部電極
１２ｂ  第２の内部電極
１３    誘電体セラミック層
２０    テープ
２１    キャリアテープ
２１ａ  収容部
２２    カバーテープ
３１、３１Ａ    磁気発生部
３２、３２Ａ    磁束密度計測部
３３    第１のロール
３４    第２のロール
３５    搬送部
３６、３６Ａ    積層数検出部
８０    ボールフィーダー
８１    リニアフィーダー
８２    搬送部
８３    方向調整部
８４    搬送テーブル
８４ａ  凹部
８５    キャリアテープ
８６    排出部
９０    退避エリア
１００  第１の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置
１００Ａ  第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの内部電極積層数検出装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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