(57)【要約】【課題】一対の基板を接着する光硬化型のシール材の硬化を阻害することなく、シール材の少なくとも線幅が所望の状態にあるか否かを確認可能な電気光学装置を提供すること。【解決手段】画素ごとにスイッチング素子としてのトランジスターが設けられた素子基板１０と、素子基板１０に対して対向配置され、額縁状に配置された光硬化型のシール材４０を介して接着された対向基板２０と、対向基板２０に設けられ、シール材の幅方向に配置された目盛パターン６０と、を備え、目盛パターン６０は、透光性の絶縁材料からなる。【選択図】図９
2019082524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ごとにスイッチング素子としてのトランジスターが設けられた素子基板と、
前記素子基板に対して対向配置され、額縁状に配置された光硬化型のシール材を介して接着された対向基板と、
前記対向基板に設けられ、前記シール材の幅方向に配置された目盛パターンと、を備え、
前記目盛パターンは、透光性の絶縁材料からなる、電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板と前記対向基板とに挟持された液晶層を有し、
前記対向基板は、透光性の基材と、前記基材に設けられ、少なくとも複数の前記画素が配列する表示領域に亘って配置された透光性の共通電極とを有し、
前記目盛パターンは、前記共通電極に対して前記シール材側または前記基材側に設けられている、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記対向基板は、前記基材と前記共通電極との間に透光性の層間絶縁膜を有し、
前記目盛パターンは、前記層間絶縁膜がパターニングされたものである、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記目盛パターンは、複数のストライプパターンの集合体からなる目盛を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記目盛パターンは、中抜きの帯状パターンからなる目盛を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記目盛パターンは、前記シール材の延在方向における長さが他の目盛よりも長い目盛を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、一対の基板間に電気光学素子である液晶層を備えた液晶装置が知られている。このような液晶装置では、一対の基板は、液晶層の厚みを一定の状態とすべく、一対の基板間の隙間を規定するスペーサーあるいはギャップ剤と呼ばれる部材を含んだ接着剤を介して接着されている。接着剤は、液晶層を囲んで封止する役目も果たしていることから、所望の幅を有して所定の位置に配置され、確実に硬化していることが求められる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、一対の電極基板間に光学部材が挟持され、該基板の周縁に設けられた接着材により光学部材を密閉してなり、該基板上の接着材が設けられる領域に、接着材の位置と線幅を確認可能な検査部が設けられた表示装置が開示されている。また、検査部として、接着材の線幅方向に目盛りが記されてなる検査パターンが例示されている。さらに、検査パターンは、該基板上に形成された電極の少なくとも一つの層と同一の層からなることが例示されている。なお、接着材として熱硬化性のエポキシ樹脂などが挙げられている。
【０００４】
また、例えば、特許文献２には、複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に位置するシール領域に配置された光硬化型のシール材によって一対の基板が相互に接着されてなり、一対の基板のうち一方の基板に、層間絶縁膜を介して互いに重なるようにシール領域に形成された複数の遮光層を備えた電気光学装置が開示されている。該電気光学装置において、複数の遮光層のうち一の遮光層の外形形状は、該一方の基板上で平面的に見て、一の遮光層よりも上層側に形成された他の遮光層の外形形状よりも広いとしている。これにより、該一方の基板の裏面側からシール材を硬化するための紫外光が照射された場合であっても、最下層に配置された遮光層によって紫外光は遮光されるものの、最下層の遮光層の隙間を透過した紫外光は上層に配置された他の遮光層によって遮光されないので、光硬化型のシール材の硬化を進めることができるとしている。なお、特許文献２では、光硬化型のシール材の硬化を確実に進めるため、一対の基板のうちの他方の基板である対向基板側からも紫外光を照射するとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１０９３０１号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９１３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１及び特許文献２に示されているように、一対の基板を接着するための接着材あるいはシール材は、熱硬化型や光硬化型の材料が用いられている。また、熱硬化型と光硬化型の両方を併用することも考えられる。したがって、上記特許文献１の検査パターンを上記特許文献２の電気光学装置に適用することが考えられるものの、検査パターンを基板上に形成された電極の少なくとも一つの層と同一の層とする場合、検査パターンが遮光性を有していると、光硬化型のシール材を硬化させるための紫外光が検査パターンによって遮光されるおそれがある。つまり、シール材の線幅や位置を検査パターンによって確認できるものの、検査パターンと重なるシール材の部分の硬化が進まずに未硬化となるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、画素ごとにスイッチング素子としてのトランジスターが設けられた素子基板と、前記素子基板に対して対向配置され、額縁状に配置された光硬化型のシール材を介して接着された対向基板と、前記対向基板に設けられ、前記シール材の幅方向に配置された目盛パターンと、を備え、前記目盛パターンは、透光性の絶縁材料からなる。
【０００９】
本適用例によれば、対向基板に設けられた目盛パターンによって、少なくともシール材の幅が所望の状態となっているか否かを確認することができる。さらに、目盛パターンは透光性の絶縁材料からなるため、シール材を硬化させるために対向基板側から照射される光は目盛パターンを透過する。したがって、シール材において目盛パターンに起因する未硬化は発生しないので、シール材を確実に硬化させることができる。すなわち、所望の幅を有し、確実に硬化したシール材を備え、高い信頼性品質を有する電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記素子基板と前記対向基板とに挟持された液晶層を有し、前記対向基板は、透光性の基材と、前記基材に設けられ、少なくとも複数の前記画素が配列する表示領域に亘って配置された透光性の共通電極とを有し、前記目盛パターンは、前記共通電極に対して前記シール材側または前記基材側に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、目盛パターンが透光性を有していたとしても、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜からなる共通電極との屈折率差によって、目盛パターンの外形を目視によって視認することができる。なお、目視とは直視だけでなく、顕微鏡や拡大鏡などを介して見る場合も含む。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記対向基板は、前記基材と前記共通電極との間に透光性の層間絶縁膜を有し、前記目盛パターンは、前記層間絶縁膜がパターニングされたものであるとしてもよい。
この構成によれば、目盛パターンをあらたな絶縁材料を用いずに、基材と共通電極との間の層間絶縁膜をパターニングすることで構成するので、対向基板における構成が複雑にならない。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記目盛パターンは、複数のストライプパターンの集合体からなる目盛を含むことが好ましい。
この構成によれば、目盛パターンが透光性であっても、外形を視認し易くなる。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記目盛パターンは、中抜きの帯状パターンからなる目盛を含むとしてもよい。
この構成によれば、目盛パターンが透光性であっても、外形を視認し易くなる。
【００１４】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記目盛パターンは、前記シール材の延在方向における長さが他の目盛よりも長い目盛を含むことが好ましい。
この構成によれば、シール材の幅に対応して、所定の間隔で長い目盛を配置すれば、シール材の幅が所望の状態にあるか否かを容易に判別することができる。
【００１５】
［適用例］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、所望の幅を有し、確実に硬化したシール材によって素子基板と対向基板とが接着された電気光学装置を備えているので、高い信頼性品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置における目盛パターンの配置位置を示す概略平面図。
【図５】一例の目盛パターンの構成を示す拡大平面図。
【図６】一例の目盛パターンが設けられた対向基板の構造を示す概略断面図。
【図７】他の例の目盛パターンが設けられた対向基板の構造を示す概略断面図。
【図８】他の例の目盛パターンが設けられた対向基板の構造を示す概略断面図。
【図９】光硬化型のシール材を硬化させる工程を示す概略断面図。
【図１０】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】変形例の目盛パターンの構成を示す概略平面図。
【図１２】変形例の目盛パターンの構成を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１８】
本実施形態では、電気光学装置として、スイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素ごとに備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１９】
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図である。図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを備えた液晶パネル１１０を有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。対向基板２０の基材２０ｓは、本発明における透光性の基材の一例である。本明細書における透光性とは、可視光波長範囲（波長が３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ）における光の透過率が５０％以上であることに加えて、波長が２００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の近紫外光における透過率が５０％以上であることを言う。
【００２１】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール材４０の内側に液晶が注入され液晶層５０が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール材４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）法が挙げられる。
【００２２】
本実施形態では、ＯＤＦ法によって所定量の液晶を滴下した後に、素子基板１０と対向基板２０とを素早く接着させるため、シール材４０として光硬化型の接着剤が用いられている。光硬化型の接着剤としては、例えば、紫外線硬化型のエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を挙げることができる。なお、シール材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２３】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１が設けられている。また、シール材４０と表示領域Ｅ１との間に表示領域Ｅ１を取り囲んで遮光性の見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅ１は表示に寄与する有効な画素Ｐ以外に、有効な画素Ｐを囲む複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００２４】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。
【００２５】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線（図示省略）は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅ１との間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
【００２６】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００２７】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された層間絶縁膜としての平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、基材２０ｓのほぼ全面に亘って設けられ共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。また、対向基板２０には、素子基板１０と対向基板２０とを接着した後のシール材４０の線幅及び位置を確認可能な目盛パターンが設けられている。目盛パターンの詳しい構成については後述する。
【００２８】
見切り部２１は、図１に示すように表示領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。なお、本実施形態では紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール材４０が形成されているため、見切り部２１は平面視でシール材４０と重ならないように配置されている。よって、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度とシール材４０の紫外線硬化性とを考慮して、わずかではあるが隙間がある（図１参照）。
【００２９】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機絶縁材料からなり、透光性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３０】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３１】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３２】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００３３】
次に図３を参照して、液晶装置１００（液晶パネル１１０）の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行に配置された容量線７とを有する。走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。
【００３４】
走査線３、データ線６及び容量線７と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３５】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００３６】
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００３７】
データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００３９】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００４０】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。
【００４１】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４２】
＜目盛パターン＞
次に、対向基板２０に設けられている目盛パターンについて、図４〜図８を参照して説明する。図４は液晶装置における目盛パターンの配置位置を示す概略平面図、図５は一例の目盛パターンの構成を示す拡大平面図、図６は一例の目盛パターンが設けられた対向基板の構造を示す概略断面図、図７及び図８は他の例の目盛パターンが設けられた対向基板の構造を示す概略断面図である。
【００４３】
図４に示すように、本実施形態の目盛パターンは、表示領域Ｅ１を囲む見切り部２１の外側であって、シール材４０と重なる８つの領域４０ａ〜領域４０ｈに配置されている。領域４０ａと領域４０ｂとは、液晶装置１００（液晶パネル１１０）の端子部１０ａに対してＹ方向の反対側でシール材４０がＸ方向に延在する部分において互いに離間した位置にある。領域４０ｃと領域４０ｄとは、液晶装置１００の端子部１０ａに沿ってシール材４０がＸ方向に延在する部分において互いに離間した位置にある。領域４０ａ，４０ｂと領域４０ｃ，４０ｄとはＹ方向において互いに対向した位置にある。
【００４４】
領域４０ｅ，４０ｆ，４０ｇ，４０ｈは、Ｘ方向に見切り部２１を挟んでシール材４０がＹ方向に延在する部分において互いに離間した位置にある。領域４０ｅ，４０ｆと領域４０ｇ，４０ｈとはＸ方向において互いに対向した位置にある。このように、対向基板２０の四辺に沿って延在するシール材４０に対して重なる８つの領域４０ａ〜４０ｈに目盛パターンを配置することで、シール材４０が所望の幅で且つ所定の範囲に形成されているか否かを対向基板２０の四辺に亘って確認可能としている。なお、目盛パターンを設ける領域の数は、８つであることに限定されず、対向基板２０の四辺に対してそれぞれ少なくとも１つ、合計４つ設けることが好ましい。
【００４５】
８つの領域４０ａ〜領域４０ｈのそれぞれに配置される目盛パターンの構成は、基本的に同じであるため、シール材４０がＹ方向に延在する部分の領域４０ｅにおける目盛パターンの構成を例に挙げて説明する。図５は領域４０ｅにおける本実施形態の一例の目盛パターンの構成を示すものである。
【００４６】
図５に示すように、Ｙ方向に延在するシール材４０の部分をシール材４０の幅方向（Ｘ方向）に横断する領域４０ｅに目盛パターン６０が設けられている。目盛パターン６０は、所定の間隔でＸ方向に配置されたストライプ状の複数本の目盛を含んで構成されている。複数本の目盛は、シール材４０の延在方向であるＹ方向における長さが他に比べて長い第１の目盛６１と、第１の目盛６１よりもＹ方向における長さが短い第２の目盛６２とを含んでいる。本実施形態では、領域４０ｅに３本の第１の目盛６１と、１０本の第２の目盛６２とが配置されている。Ｘ方向に離間して配置された第１の目盛６１の間には等間隔で４本の第２の目盛６２が配置されている。第１の目盛６１とＸ方向に隣り合う第２の目盛６２との間隔がｄ１であり、２つの第１の目盛６１の間の間隔はｄ２となっている。Ｘ方向における間隔ｄ２の長さは間隔ｄ１の長さの５倍である。より具体的には、間隔ｄ１の長さは０．１ｍｍであり、間隔ｄ２の長さは０．５ｍｍである。素子基板１０と対向基板２０とを接着した後の、シール材４０のＸ方向の幅、すなわちシール材４０の線幅は設計上で例えば０．８ｍｍである。この場合、第１の目盛６１の幅と第２の目盛６２の幅とは同じであって例えば５μｍ〜２０μｍ、第１の目盛６１の長さは例えば５０μｍ〜１００μｍである。
【００４７】
前述したように本実施形態のＯＤＦ法では、素子基板１０の所定の位置に光硬化型の接着剤を額縁状に塗布して、液晶を滴下し、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せて接着剤を硬化させることでシール材４０が形成される。その際に、設計上では、３本の第１の目盛６１のうちＸ方向における中央の第１の目盛６１を中心に接着剤がつぶれて広がりシール材４０の線幅が０．８ｍｍとなるように、接着剤の塗布量が設定されている。素子基板１０に接着剤を塗布する際の位置精度によってもシール材４０のＸ方向における位置が、目盛パターン６０に対してずれることになる。すなわち、素子基板１０と対向基板２０との接着後におけるシール材４０と目盛パターン６０とを比較することにより、シール材４０の線幅と目盛パターン６０すなわち対向基板２０に対するシール材４０の相対的な位置関係とを確認することができる。
【００４８】
なお、本実施形態において、シール材４０の設計上における線幅を０．８ｍｍとすると、接着における信頼性を考慮したときの線幅の許容範囲は、例えば０．８±０．２４ｍｍに設定されている。つまり、シール材４０の線幅における許容範囲は設計値に対して±３０％である。シール材４０の線幅は、液晶装置１００（液晶パネル１１０）の大きさに係り、０．８ｍｍであることに限定されないので、シール材４０の設計上の線幅を考慮して、所定の間隔を置いて第１の目盛６１を配置し、その間にシール材４０の線幅における許容範囲を考慮してサブ目盛として機能する第２の目盛６２を等間隔で配置すればよい。このような目盛パターン６０の配置とすることで、シール材４０の線幅と対向基板２０に対するシール材４０の相対的な位置とを容易に確認することができる。
【００４９】
図６に示すように、本実施形態の一例の第１の目盛６１と第２の目盛６２とを含む目盛パターン６０は、対向基板２０において、対向電極２３のシール材４０側に形成され、配向膜２４によって覆われている。本実施形態の目盛パターン６０は、透光性の絶縁材料により形成されている。透光性の絶縁材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）を挙げることができる。これらの絶縁材料の屈折率は成膜方法によっても変化するが、一般的に酸化シリコンの屈折率は窒化シリコンの屈折率よりも小さい。酸窒化シリコンの屈折率は、窒素の含有割合によって酸化シリコンの屈折率と窒化シリコンの屈折率の間の値となる。
【００５０】
対向電極２３は、前述したようにＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜からなり、上述した透光性の絶縁材料に比べて屈折率は大きい。また、目盛パターン６０及び対向電極２３の表面を覆う配向膜２４は、この場合、無機配向膜であって、例えば酸化シリコンを所定の方向から斜め蒸着することにより形成されている。したがって、対向基板２０の基材２０ｓ側から目盛パターン６０を視認する観点から、目盛パターン６０を構成する透光性の絶縁材料としては、酸化シリコンよりも屈折率が大きく、対向電極２３よりも屈折率が小さい、酸窒化シリコンまたは窒化シリコンを用いることが好ましい。これにより、対向電極２３及び配向膜２４との屈折率の差によって、目盛パターン６０の外形を認識し易くなる。
【００５１】
目盛パターン６０の膜厚は、外形を視認する観点ではできるだけ厚いほうが好ましいが、配向膜２４で覆うことを考慮すると、配向膜２４の膜厚よりも小さいことが好ましい。本実施形態では、配向膜２４の膜厚をおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとしていることから、目盛パターン６０の膜厚をおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍとした。
【００５２】
目盛パターン６０は、上述したように第１の目盛６１と、第１の目盛６１よりも長さが短い第２の目盛６２とを含むものであるが、以降、説明の都合上、一括して目盛６１，６２と呼ぶこともある。
【００５３】
対向基板２０における目盛パターン６０の形成場所は、図６に示したように、対向電極２３と配向膜２４との間であることに限定されない。例えば、図７に示すように、基材２０ｓと対向電極２３との間に形成してもよい。具体的には、基材２０ｓの対向電極２３側に、まず、目盛６１，６２を含む目盛パターン６０を形成する。その後、目盛パターン６０と基材２０ｓとを覆うように透光性の層間絶縁膜を形成して、その表面に例えばＣＭＰなどの平坦化処理を施して平坦化層２２とする。そして、平坦化層２２に対向電極２３と配向膜２４とを順に形成する。平坦化層２２を設けることによって、対向電極２３や対向電極２３を覆う配向膜２４の表面が平坦な状態となることから、素子基板１０側の画素電極１５と対向電極２３との間の液晶層５０の厚みばらつきが低減される構成となっている。対向電極２３の平坦性を確保する観点から、平坦化層２２の膜厚はおよそ１μｍ〜２μｍに設定されている。したがって、図６に示したように目盛パターン６０を対向電極２３に設ける場合に比べて、図７に示したように目盛パターン６０を基材２０ｓに設ける場合は、目盛パターン６０の膜厚を厚くすることが可能である。よって、目盛パターン６０の屈折率と平坦化層２２の屈折率との差が小さくても、目盛パターン６０の外形を視認可能である。
【００５４】
また、目盛パターン６０は、透光性の絶縁材料を用いて形成することに限定されない。例えば、図８に示すように、平坦化層２２の対向電極２３と接する表面を目盛６１，６２に対応するように部分的にエッチングして取り除いて溝を形成することで目盛パターン６０を構成してもよい。この後に平坦化層２２に対向電極２３を形成すると、上記の溝が対向電極２３で埋められて対向電極２３の表面が凹状となるが、この部分の対向電極２３の膜厚は他の部分とほぼ同じである。結果的に断面視では、対向電極２３が屈曲した状態となることから、目盛パターン６０の外形を視認可能である。この場合の溝の深さは、溝によって対向電極２３が電気的に分断されないように、対向電極２３で溝を十分に被覆することが可能な深さであることが好ましい。本実施形態では、対向電極２３の膜厚をおよそ１５０ｎｍとしていることから、溝の深さは、平坦化層２２の膜厚よりも小さく、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であることが好ましい。
【００５５】
例えば、目盛パターン６０を対向電極２３と同様に透明導電膜を用いて形成すると、結果的に、目盛パターン６０と対向電極２３とに対応する部分の透明導電膜の膜厚が厚くなる。そうすると、目盛パターン６０の部分を透過する光（紫外光）の透過率が低下して、光硬化型のシール材４０の硬化に影響を及ぼすことが考えられる。言い換えれば、目盛パターン６０は、透明導電膜ではなく、図６及び図７に示したように透光性の絶縁材料を用いて形成する、あるいは図８に示したように、基材２０ｓと対向電極２３との間の層間絶縁膜（平坦化層２２）をパターニングして形成することが好ましい。
【００５６】
図９は光硬化型のシール材を硬化させる工程を示す概略断面図である。詳しくは、図４におけるシール材４０がＹ方向に延在した部分の領域４０ｇに対応した概略断面図である。図９に示すように、光硬化型のシール材４０は、対向基板２０に設けられた見切り部２１よりも外側において、素子基板１０と対向基板２０との間に設けられている。シール材４０の厚み、すなわち素子基板１０と対向基板２０とのＺ方向における間隔は、液晶層５０の厚みに関連しておおよそ１．０μｍ〜３．０μｍの範囲で設定される。
【００５７】
素子基板１０には、前述したように、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、外部接続用端子１０４が設けられている（図１参照）。したがって、素子基板１０のシール材４０と重なる領域には、データ線駆動回路１０１と各画素ＰのＴＦＴ３０とを接続させるデータ線６などの配線や、外部接続用端子１０４と走査線駆動回路１０２とを接続させる配線などが設けられている。これらの配線は一般的に低抵抗配線材料からなるため遮光性を有している。図９ではこのような遮光性を有する配線に符号１１を付して示している。
【００５８】
光硬化型のシール材４０によって素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せて硬化させる場合、素子基板１０には上述した遮光性の配線１１が設けられていることから、素子基板１０側から紫外光（ＵＶ）を照射すると配線１１によって遮光されるので、複数の配線１１の間に隙間があったとしてもシール材４０を完全に硬化させることは難しい。シール材４０の硬化は、紫外光（ＵＶ）の単位面積当たりの光量と照射時間との積で得られる仕事量（ジュール）に依存する。また、紫外光（ＵＶ）の光量や照射時間は、紫外光（ＵＶ）によって液晶層５０中の液晶が化学変化しない範囲で設定される。液晶の化学変化を考慮すると照射時間はできるだけ短いことが好ましい。したがって、本実施形態では、厚みがミクロン単位のシール材４０に対して、素子基板１０側と対向基板２０側との両方から紫外光（ＵＶ）を照射することにより、シール材４０を硬化させている。
【００５９】
対向基板２０において、シール材４０と重なる領域４０ｇに設けられた目盛パターン６０は、上述したように、透光性の絶縁材料からなる、あるいは透光性の層間絶縁膜としての平坦化層２２をパターニングしてなることから、対向基板２０側から照射される紫外光（ＵＶ）が減衰し難く、シール材４０を確実に硬化させることができる。よって、シール材４０と液晶層５０とが接していても、シール材４０から未硬化による重合剤や重合開始剤などが液晶層５０に拡散して、表示に不具合などが生ずることが防止される。
また、目盛パターン６０を遮光性の導電材料を用いて構成する場合に比べて、目盛パターン６０の形状や配置に係る規制を受け難く、目盛パターン６０の設計における自由度が高い。
【００６０】
また、硬化後のシール材４０の線幅や相対的な位置を目盛パターン６０によって確認することができる。液晶装置１００（液晶パネル１１０）の製造工程は、シール材４０の線幅や相対的な位置の確認する検査工程を有している。シール材４０の線幅や相対的な位置の確認は、実態顕微鏡やルーペなどの拡大鏡を用いて作業者が実施する。作業者は、シール材４０の線幅が許容範囲内にあれば良品として扱い、許容範囲外であれば不良品として取り扱う。すなわち、信頼性品質が確保された液晶装置１００（液晶パネル１１０）を提供できる。
【００６１】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図１０は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００６２】
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６３】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６４】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００６５】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００６６】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６７】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した本実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００６８】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、少なくともシール材４０が所望の線幅を有し、確実に硬化していることから、明るい表示が可能であると共に、優れた信頼性品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。
【００６９】
なお、本実施形態の投射型表示装置１０００では、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応した例えばレーザー光源やＬＥＤなどの固体光源を設けてもよい。
【００７０】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００７１】
（変形例１）上記実施形態における目盛パターン６０は、単純なストライプパターンの目盛６１，６２により構成されていたが、これに限定されない。図１１及び図１２は変形例の目盛パターンの構成を示す概略平面図である。例えば、図１１に示すように、変形例の目盛パターン７０は、所定の間隔ｄ１で配置された目盛７１，７２を含む。目盛７１は複数（奇数本；図１１では３本）のストライプパターン７１ａの集合体からなり、目盛７２もまた複数（奇数本；図１１では３本）のストライプパターン７２ａの集合体からなる。目盛７１のストライプ方向における長さは目盛７２よりも長い。これによれば、単純なストライプパターンからなる場合に比べて、目盛７１，７２の外形や中心位置を識別し易い。また、例えば、図１２に示すように、変形例の目盛パターン８０は、所定の間隔ｄ１で配置された目盛８１，８２を含む。目盛８１は中抜き部８１ｂを有する帯状パターン８１ａからなり、目盛８２もまた中抜き部８２ｂを有する帯状パターン８２ａからなる。目盛８１の帯状パターン８１ａの長さは目盛８２の帯状パターン８２ａの長さよりも長い。これによれば、単純なストライプパターンからなる場合に比べて、目盛８１，８２の外形や中心位置を識別し易い。
【００７２】
（変形例２）目盛パターン６０が設けられる対向基板２０の構成は、これに限定されない。例えば、対向基板２０は、対向基板２０側から入射する光を画素Ｐに集光させるマイクロレンズなどの集光手段と、集光手段における焦点距離を調整するための透光性のパス層とを備える構成としてもよい。上記パス層を、上述した平坦化層２２に置き替えて機能させてもよい。
【００７３】
（変形例３）上記実施形態の液晶装置１００が適用される電子機器は、投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置１００として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【００７４】
（変形例４）上記実施形態の目盛パターン６０が適用される電気光学装置は、液晶装置１００に限定されない。例えば、素子基板に電気光学素子として有機ＥＬ素子などの発光素子を備え、対向基板は発光素子を封止する透光性の封止基板である発光装置であっても、素子基板と封止基板とを光硬化型のシール材で接着する場合に、目盛パターン６０を適用することができる。
【符号の説明】
【００７５】
１０…素子基板、２０…対向基板、２２…層間絶縁膜としての平坦化層、２３…共通電極としての対向電極、３０…トランジスターとしての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、４０…光硬化型のシール材、５０…液晶層、６０…目盛パターン、６１，６２…目盛、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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