(57)【要約】【課題】集積度の高い半導体装置を提供する。【解決手段】基板と、角柱状の絶縁体と、直列に接続された複数のトランジスタを有するメモリセルストリングと、を有し、角柱状の絶縁体は、基板上に配置され、メモリセルストリングは、角柱状の絶縁体の側面に配置され、複数のトランジスタは、それぞれゲート絶縁体と、ゲート電極と、を有し、ゲート絶縁体は、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、電荷蓄積層と、を有し、電荷蓄積層は、第１の絶縁体と第２の絶縁体と、の間に配置される半導体装置である。【選択図】図１
2019201214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、複数のトランジスタと、を有し、
前記複数のトランジスタのチャネル形成領域は、同じ酸化物半導体に設けられ、
前記複数のトランジスタは、前記基板と垂直方向に重ねて設けられ、
前記酸化物半導体は、ｃ軸配向した複数の結晶を有する半導体装置。
【請求項２】
基板と、複数のトランジスタと、を有し、
前記複数のトランジスタのチャネル形成領域は、同じ酸化物半導体に設けられ、
前記複数のトランジスタは、前記基板と垂直方向に重ねて設けられ、
前記酸化物半導体は、ナノ結晶を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記ナノ結晶の大きさは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数のトランジスタのチャネル長方向は、前記基板の上面に対する垂直方向である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基板の表面にチャネル形成領域が形成されたＳｉトランジスタを有し、
前記Ｓｉトランジスタは、前記複数のトランジスタと電気的に接続された半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、を含む半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体、トランジスタおよび半導体装置に関する。または、本発明は
、例えば、半導体、トランジスタおよび半導体装置の製造方法に関する。または、本発明
は、例えば、半導体、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサ
、電子機器に関する。または、半導体、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、
電子機器の製造方法に関する。または、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置
、記憶装置、電子機器の駆動方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。
【０００３】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器
は、半導体装置を有する場合がある。
【背景技術】
【０００４】
コンピュータなどに用いる大容量記憶装置として、半導体を用いた記憶装置に注目が集ま
っている。特に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、メモリセル当たりの配線や電極の数が
少なく、集積度を高めやすいことが知られている。また、多値化などの技術も実現され、
年々記憶容量の増大が為されてきた。近年では、平面的なメモリセルの配置による高集積
化の限界を迎えており、三次元的にメモリセルを配置する技術に置き換わりつつある（特
許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−９６３４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
集積度の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。または、三次元的にメモリセ
ルを配置した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、記憶容量の大きい半
導体装置を提供することを課題の一とする。または、保持期間の長いメモリセルを有する
半導体装置を提供することを課題の一とする。
【０００７】
または、該半導体装置を有するモジュールを提供することを課題の一とする。または、該
半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供することを課題の一とする。ま
たは、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規なモジュールを
提供することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課題の一とす
る。
【０００８】
または、ノーマリーオフの電気特性を有するトランジスタを提供することを課題の一とす
る。または、非導通時のリーク電流の小さいトランジスタを提供することを課題の一とす
る。または、サブスレッショルドスイング値の小さいトランジスタを提供することを課題
の一とする。または、短チャネル効果の小さいトランジスタを提供することを課題の一と
する。または、電気特性の優れたトランジスタを提供することを課題の一とする。または
、信頼性の高いトランジスタを提供することを課題の一とする。または、高い周波数特性
を有するトランジスタを提供することを課題の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）
本発明の一態様は、基板と、角柱状の絶縁体と、直列に接続された複数のトランジスタを
有するメモリセルストリングと、を有し、角柱状の絶縁体は、基板上に配置され、メモリ
セルストリングは、角柱状の絶縁体の側面に配置される半導体装置である。
【００１１】
（２）
本発明の一態様は、基板と、角柱状の絶縁体と、複数の、直列に接続された複数のトラン
ジスタを有するメモリセルストリングと、を有し、角柱状の絶縁体は、基板上に配置され
、複数のメモリセルストリングは、角柱状の絶縁体の側面に配置されることを特徴とする
半導体装置である。
【００１２】
（３）
本発明の一態様は、（１）または（２）において、複数のトランジスタは、それぞれゲー
ト絶縁体と、ゲート電極と、を有し、ゲート絶縁体は、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と
、電荷蓄積層と、を有し、電荷蓄積層は、第１の絶縁体と第２の絶縁体と、の間に配置さ
れる半導体装置である。
【００１３】
（４）
本発明の一態様は、（１）乃至（３）のいずれか一において、複数のトランジスタは、酸
化物半導体を有する半導体装置である。
【００１４】
（５）
本発明の一態様は、（４）において、酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（アルミニウ
ム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）および亜鉛を有する半導体装置である。
【００１５】
（６）
本発明の一態様は、（１）乃至（５）のいずれか一において、さらに基板に配置された第
１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタのソース端子
は、メモリセルストリングの第１の端子と電気的に接続され、第２のトランジスタのドレ
イン端子は、メモリセルストリングの第２の端子と電気的に接続される半導体装置である
。
【００１６】
（７）
本発明の一態様は、（６）において、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタは、
単結晶シリコンを有する半導体装置である。
【発明の効果】
【００１７】
集積度の高い半導体装置を提供することができる。または、三次元的にメモリセルを配置
した半導体装置を提供することができる。または、記憶容量の大きい半導体装置を提供す
ることができる。または、保持期間の長いメモリセルを有する半導体装置を提供すること
ができる。
【００１８】
または、該半導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、該半導体装
置、または該モジュールを有する電子機器を提供することができる。または、新規な半導
体装置を提供することができる。または、新規なモジュールを提供することができる。ま
たは、新規な電子機器を提供することができる。
【００１９】
または、ノーマリーオフの電気特性を有するトランジスタを提供することができる。また
は、非導通時のリーク電流の小さいトランジスタを提供することができる。または、サブ
スレッショルドスイング値の小さいトランジスタを提供することができる。または、短チ
ャネル効果の小さいトランジスタを提供することができる。または、電気特性の優れたト
ランジスタを提供することができる。または、信頼性の高いトランジスタを提供すること
ができる。または、高い周波数特性を有するトランジスタを提供することができる。
【００２０】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置の断面図および回路図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する模式図および断面図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の動作を説明する回路図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の断面図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置の断面図。
【図１２】本発明の一態様に係るトランジスタのチャネル形成領域近傍のバンド図。
【図１３】Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の組成を説明する三角図。
【図１４】ＣＡＡＣ−ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図、ならびにＣＡＡＣ−ＯＳの制限視野電子回折パターンを示す図。
【図１５】ＣＡＡＣ−ＯＳの断面ＴＥＭ像、ならびに平面ＴＥＭ像およびその画像解析像。
【図１６】ｎｃ−ＯＳの電子回折パターンを示す図、およびｎｃ−ＯＳの断面ＴＥＭ像。
【図１７】ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの断面ＴＥＭ像。
【図１８】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に
理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるもの
ではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異
なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じく
し、特に符号を付さない場合がある。
【００２３】
なお、図において、大きさ、膜（層）の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて
いる場合がある。
【００２４】
なお、本明細書において、「膜」という表記と、「層」という表記と、を互いに入れ替え
ることが可能である。
【００２５】
また、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ）またはソース電位）
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。一般的に、電位（電圧）は、相対的なものであり、基準の電位からの相対的な大きさに
よって決定される。したがって、「接地電位」などと記載されている場合であっても、電
位が０Ｖであるとは限らない。例えば、回路で最も低い電位が、「接地電位」となる場合
もある。または、回路で中間くらいの電位が、「接地電位」となる場合もある。その場合
には、その電位を基準として、正の電位と負の電位が規定される。
【００２６】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜的に用いるものであり、工程順または積層
順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」な
どと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書などに記載されている序数詞
と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００２７】
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度
が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導
体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｔａｔｅ）が形成されることや、キャリア移動度
が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導
体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族
元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、
水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素
などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形
成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純
物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５
族元素などがある。
【００２８】
なお、本明細書において、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載する場合、上面図ま
たは断面図において、Ａの少なくとも一端が、Ｂの少なくとも一端よりも外側にある形状
を有することを示す場合がある。したがって、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載
されている場合、例えば上面図において、Ａの一端が、Ｂの一端よりも外側にある形状を
有すると読み替えることができる。
【００２９】
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置さ
れている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平
行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。ま
た、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態を
いう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二
つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
【００３０】
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
【００３１】
＜半導体装置＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置について説明する。
【００３２】
なお、以下では、ｎチャネル型トランジスタを想定して説明する。ただし、ｐチャネル型
トランジスタに適用するために、適宜用語または符号などを読み替えても構わない。
【００３３】
＜半導体装置の構造＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置の構造を例示する。
【００３４】
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係る半導体装置の断面図である。また、図１（Ｂ）は、
図１（Ａ）に示した半導体装置に対応する回路図である。
【００３５】
図１（Ａ）に示す半導体装置は、基板１００と、絶縁体１２０と、絶縁体１２２と、絶縁
体１２４と、絶縁体１２６と、絶縁体１２８と、絶縁体１３０と、導電体１４０と、導電
体１４２と、導電体１４４と、導電体１４６と、導電体１４８と、導電体１３２と、導電
体１３４と、導電体１３６と、導電体１３８と、トランジスタＴｒ＿Ｓ１と、トランジス
タＴｒ＿Ｓ２と、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎ（ｎは２以上の整数
）と、を有する。
【００３６】
トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２は、基板１００に設けられる。具
体的には、トランジスタＴｒ＿Ｓ１は、基板１００に設けられた一対の不純物領域１６６
と、不純物領域１６６に挟まれたチャネル形成領域と、チャネル形成領域と重なる領域を
有する導電体１５４と、チャネル形成領域と導電体１５４とに挟まれた絶縁体１６２と、
を有する。ここで、導電体１５４はゲート電極としての機能を有し、絶縁体１６２はゲー
ト絶縁体としての機能を有する。トランジスタＴｒ＿Ｓ１のゲート電極として機能する導
電体１５４は、配線ＳＥＬ＿１と電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ＿Ｓ２の
ゲート電極として機能する導電体１５４は、配線ＳＥＬ＿２と電気的に接続される。トラ
ンジスタＴｒ＿Ｓ２は、トランジスタＴｒ＿Ｓ１と同様の構造を有するものとして説明は
省略するが、異なる構造を有していてもよい。トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジス
タＴｒ＿Ｓ２は、絶縁体１２０によって素子分離されている。素子分離の方法としては、
ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法やＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃ
ａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法などが挙げられる。なお、トラン
ジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２の構造としては、図１（Ａ）に示した構
造に限定されない。例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板
に設けたトランジスタであってもよいし、ＦＩＮ型のトランジスタであってもよい。
【００３７】
トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２上には、絶縁体１２２が配置され
る。絶縁体１２２上には、絶縁体１３０と、導電体１４４と、導電体１４６と、導電体１
４８と、が配置される。絶縁体１３０は、角柱状または壁状であり、側面にトランジスタ
Ｔｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎ（ｎは２以上の整数）が配置される。なお、トラン
ジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿ｎのそれぞれのチャネル長方向は基板の上面に対
する垂直方向と平行であり、トランジスタＴｒ＿ｎ＋１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎのそ
れぞれのチャネル長方向は基板の上面に対する垂直方向と平行である。ただし、絶縁体１
３０が角柱状または壁状でなくてもよく、例えば円柱状であってもよい。なお、絶縁体１
３０の一側面にはトランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿ｎが配置され、別の側面
にはトランジスタＴｒ＿ｎ＋１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎが配置される。ｎが大きいほ
ど半導体装置の集積度は高くなる。例えば、ｎは２、４、８、１６、３２、６４、１２８
などの数とすればよい。
【００３８】
なお、導電体１３２は、絶縁体１３０を介してトランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴ
ｒ＿２ｎと面する領域を有する。導電体１３２は、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジス
タＴｒ＿２ｎのバックゲート電極（第２のゲート電極ともいう。）としての機能を有し、
配線ＢＧＬと電気的に接続される。
【００３９】
例えば、トランジスタＴｒ＿１は、絶縁体１０６ａと、半導体１０６ｂと、絶縁体１０６
ｃと、導電体１１６ａと、導電体１１６ｂと、絶縁体１１２ａと、電荷蓄積層１１２ｂと
、絶縁体１１２ｃと、導電体１０４と、を有する。絶縁体１０６ａは、絶縁体１３０の側
面に沿って配置される。半導体１０６ｂは、絶縁体１０６ａを介して絶縁体１３０の側面
に沿って配置される。絶縁体１０６ｃは、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ａを介して
絶縁体１３０の側面に沿って配置される。絶縁体１１２ａ、導電体１１６ａおよび導電体
１１６ｂは、絶縁体１０６ｃ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ａを介して絶縁体１３
０と面する領域を有する。なお、絶縁体１１２ａは、導電体１１６ａと導電体１１６ｂと
の間に配置される。電荷蓄積層１１２ｂは、絶縁体１１２ａ、絶縁体１０６ｃ、半導体１
０６ｂおよび絶縁体１０６ａを介して絶縁体１３０と面する領域を有する。絶縁体１１２
ｃは、電荷蓄積層１１２ｂ、絶縁体１１２ａ、絶縁体１０６ｃ、半導体１０６ｂおよび絶
縁体１０６ａを介して絶縁体１３０と面する領域を有する。導電体１０４は、絶縁体１１
２ｃ、電荷蓄積層１１２ｂ、絶縁体１１２ａ、絶縁体１０６ｃ、半導体１０６ｂおよび絶
縁体１０６ａを介して絶縁体１３０と面する領域を有する。
【００４０】
よって、トランジスタＴｒ＿１において、半導体１０６ｂはチャネル形成領域としての機
能を有し、導電体１０４はゲート電極としての機能を有し、絶縁体１１２ａ、電荷蓄積層
１１２ｂおよび絶縁体１１２ｃはゲート絶縁体としての機能を有し、導電体１１６ａはソ
ース電極としての機能を有し、導電体１１６ｂはドレイン電極としての機能を有する。ま
た、絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃは、半導体１０６ｂの界面における欠陥準位密
度を低減する機能を有する。絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃに用
いられる材料の組み合わせについては後述する。トランジスタＴｒ＿１のゲート電極とし
て機能する導電体１０４は、配線ＷＬ＿１と電気的に接続される。なお、配線ＷＬ＿１は
、ワード線としての機能を有する。なお、トランジスタＴｒ＿１は、図１（Ａ）に示す構
造に限定されるものではない。例えば、絶縁体１０６ａ、絶縁体１０６ｃなどの一部の構
成要素を有さなくてもよい。
【００４１】
トランジスタＴｒ＿１は、導電体１０４と半導体１０６ｂとの間に電荷蓄積層１１２ｂを
有する。そのため、トランジスタＴｒ＿１は、電荷蓄積層１１２ｂの有する電荷の極性お
よび量に対応するしきい値電圧となる。トランジスタＴｒ＿１は電荷蓄積層１１２ｂによ
ってしきい値電圧を制御できるため、しきい値電圧に応じたデータを記憶するメモリセル
（記憶素子ともいう。）としての機能を有する。
【００４２】
図２（Ａ）の左側に示すように、例えば、電荷蓄積層１１２ｂに電子が蓄積されていない
状態ではトランジスタＴｒ＿１のしきい値電圧はマイナスの値である。そして、図２（Ｂ
）に示すように、電荷蓄積層１１２ｂに電子が蓄積されると、電子から生じる電界を打ち
消すためにしきい値電圧は変動し、図２（Ａ）の右側のようにしきい値電圧はプラスの値
となる。即ち、トランジスタＴｒ＿１は、電荷蓄積層１１２ｂに電子が蓄積されていない
状態では導通するためｄａｔａ”１”を、電子が蓄積された状態では導通しないためｄａ
ｔａ”０”をとる。ここでは、メモリセルが２値の場合について説明したが、３値以上（
例えば、４値、８値、１６値および３２値など）の多値メモリセルとしてもよい。なお、
電荷蓄積層１１２ｂへの電子の注入については後述する。
【００４３】
なお、トランジスタＴｒ＿２乃至トランジスタＴｒ＿２ｎは、トランジスタＴｒ＿１と同
様の構成を有する。ただし、トランジスタＴｒ＿２乃至トランジスタＴｒ＿２ｎのゲート
電極は、それぞれ配線ＷＬ＿２乃至配線ＷＬ＿２ｎと電気的に接続される。なお、配線Ｗ
Ｌ＿２乃至配線ＷＬ＿２ｎは、それぞれワード線としての機能を有する。
【００４４】
このように、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎは、それぞれがメモリセ
ルの機能を有する。そして、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎは直列に
接続されていることから、それらをまとめて一つのメモリセルストリングと呼ぶことがで
きる。また、メモリセルストリングは、例えば、基板１００上にマトリクス状に配列させ
ることができ、それぞれのメモリセルストリングには選択トランジスタが電気的に接続さ
れる。具体的には、基板１００上の第１の方向に伸びる複数の直線と、第２の方向に伸び
る複数の直線と、が交わる点上にメモリセルストリングを配列させればよい。第１の方向
と第２の方向とが為す角度は、代表的には４５°または９０°とすればよいが、例えば、
１０°以上９０°以下、３０°以上９０°以下、４５°以上９０°以下または６０°以上
９０°以下の範囲であればよく、メモリセルストリングの形状によって密度が高くなる配
列が好ましい。ここで、例えば、第１の方向に沿って配線ＳＬおよび配線ＢＬを配置すれ
ば、第１の方向に沿って形成されたメモリセルストリング間で配線ＳＬおよび配線ＢＬを
共用することができる。ただし、メモリセルストリングの配列はマトリクス状に限定され
るものではない。なお、配線ＳＬはソース線としての機能を有する。また、配線ＢＬはビ
ット線としての機能を有する。
【００４５】
また、複数のメモリセルストリングをまとめてブロックと呼ぶ。一つのブロックは、例え
ば、第１の方向にａ個（ａは自然数。）、第２の方向にｂ個（ｂは自然数。）のａ×ｂ個
のメモリセルストリングをまとめたものとする。ただし、各ブロックでメモリセルストリ
ングの数が異なっていてもよい。また、ブロックのまとめ方を任意に定めてもよい。ブロ
ック内では、例えば、配線ＢＧＬと導電体１３２が互いに電気的に接続される。また、異
なるブロック間で、配線ＢＧＬと導電体１３２が電気的に分離されていてもよい。一つの
ブロックにおいて、例えば、第２の方向に沿って配線ＷＬ＿１乃至配線ＷＬ＿２ｎを配置
すれば、第２の方向に沿って形成されたメモリセルストリング間で配線ＷＬ＿１乃至配線
ＷＬ＿２ｎを共用することができる。配線ＷＬ＿１乃至配線ＷＬ＿２ｎは、ブロックごと
に分割してもよいし、第２の方向に沿って配置されるブロック間で共用してもよい。配線
ＷＬ＿１乃至配線ＷＬ＿２ｎを共有するメモリセルのまとまりをページと呼ぶ。なお、配
線ＢＬおよび配線ＳＬは、第１の方向に沿って配置されるブロック間で共用することがで
きる。
【００４６】
トランジスタＴｒ＿Ｓ１は、ソース端子が配線ＳＬと電気的に接続され、ドレイン端子が
メモリセルストリングの第１の端子と電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ＿Ｓ
２は、ドレイン端子が配線ＢＬと電気的に接続され、ソース端子がメモリセルストリング
の第２の端子と電気的に接続される。このように、メモリセルストリングとの導通、非導
通を選択するトランジスタであるため、トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ
＿Ｓ２を選択トランジスタと呼ぶことができる。
【００４７】
以下では、図１に示した半導体装置へのデータの書き込み動作および読み出し動作につい
て説明する。
【００４８】
＜リセット動作＞
各メモリセルにデータを書き込む場合は、書き込み動作の前にデータを消去（ｄａｔａ”
１”を書き込む）しておくことが好ましい。データを消去する動作をリセット動作ともい
う。リセット動作は、ブロックごとに行う。例えば、データを消去したいブロックを選択
し、図３（Ａ）に示すように、導電体１３２と電気的に接続する配線ＢＧＬに消去電位Ｖ
Ｅ（例えば１５Ｖ）を印加し、配線ＷＬ＿１乃至配線ＷＬ＿２ｎには低電位（トランジス
タＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎが非導通となる電位、例えば０Ｖ）を印加し、ト
ランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２を導通させることで行うことができ
る。なお、導電体１３２を設けない場合は、配線ＳＬおよび配線ＢＬに消去電位ＶＥを印
加することでもリセット動作を行うことができる。リセット動作により、トランジスタＴ
ｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎのそれぞれの電荷蓄積層１１２ｂに蓄積された電子を
引き抜くことができる。
【００４９】
一方、データを消去しないブロックについては、導電体１３２と配線ＢＧＬとの電気的な
接続を切り、導電体１３２に消去電位ＶＥが印加されないようにすればよい。または、図
３（Ｂ）に示すようにデータを消去しないブロックと電気的に接続する配線ＷＬ＿１乃至
配線ＷＬ＿２ｎに、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎが導通となる電位
、例えば消去電位ＶＥを印加すればよい。即ち、電荷蓄積層１１２ｂに、電子の引き抜き
が起こる電位差を与えなければよい。
【００５０】
なお、データの書き換えを行わないメモリセルのデータは、ブロックのリセット動作の前
に別の領域に格納しておくことが好ましい。
【００５１】
＜書き込み動作＞
次に、各メモリセルへのデータの書き込み動作について図４、図５および図６を用いて説
明する。
【００５２】
データの書き込み動作は、上述したページごとに行うことができる。まず、書き込みを行
うページのワード線に書き込み電位（例えば１５Ｖ）を印加し、書き込みを行わないペー
ジのワード線に正電位（トランジスタが導通する電位、例えば３Ｖ）を印加する。ここで
は、図４に示すように、まず配線ＷＬ＿１に書き込み電位を印加し、配線ＷＬ＿２乃至配
線ＷＬ＿２ｎに正電位を印加する。そして、配線ＳＬと電気的に接続するトランジスタＴ
ｒ＿Ｓ１を非導通状態とし、配線ＢＬと電気的に接続するトランジスタＴｒ＿Ｓ２を導通
状態とする。そうすることで、書き込みを行うページのメモリセルには配線ＢＬの電位が
与えられる。したがって、配線ＢＬの電位に応じたデータがメモリセルに書き込まれる。
具体的には、配線ＢＬの電位が低い電位（例えば０Ｖ）である場合、配線ＷＬ＿１に印加
された書き込み電位との電位差が大きくなることによって電荷蓄積層１１２ｂに電子が注
入される。また、配線ＢＬの電位が正電位である場合、配線ＷＬ＿１に印加された書き込
み電位との電位差が小さくなることによって電荷蓄積層１１２ｂには電子が注入されない
。即ち、配線ＢＬに低い電位が印加された場合にはメモリセルにｄａｔａ”０”が書き込
まれ、正電位が印加された場合にはメモリセルはｄａｔａ”１”のままとなる。
【００５３】
ここで、配線ＢＬにメモリセルストリングごとに異なる電位を印加することで、ページご
とのデータの書き込みを行うことができる。そして、同様のデータの書き込みを、図５お
よび図６に示すように配線ＷＬ＿２乃至配線ＷＬ＿２ｎに対しても行うことで、ブロック
または半導体装置全体のデータの書き込みを行うことができる。
【００５４】
なお、メモリセルにｄａｔａ”０”およびｄａｔａ”１”以外のデータを書き込むことも
できる。例えば、配線ＢＬなどの電位や、電位を印加する時間によって電荷蓄積層１１２
ｂに注入される電子量を制御すればよい。
【００５５】
＜読み出し動作＞
次に、各メモリセルに書き込まれたデータの読み出し動作について図７、図８および図９
を用いた説明する。
【００５６】
データの読み出し動作も、ページごとに行うことができる。まず、読み出しを行うページ
のワード線に低い電位（例えば０Ｖ）を印加し、読み出しを行わないページのワード線に
正電位（トランジスタが導通する電位、例えば３Ｖ）を印加する。ここでは、図７に示す
ように、まず配線ＷＬ＿１に低い電位を印加し、配線ＷＬ＿２乃至配線ＷＬ＿２ｎに正電
位を印加する。そして、配線ＳＬと電気的に接続するトランジスタＴｒ＿Ｓ１、および配
線ＢＬと電気的に接続するトランジスタＴｒ＿Ｓ２を導通状態とする。また、配線ＢＬに
読み出し電位（例えば１Ｖ）を印加し、配線ＳＬに低い電位（例えば０Ｖ）を印加する。
このとき、メモリセルがｄａｔａ”１”であればメモリセルストリングに電流が流れ、ｄ
ａｔａ”０”であればメモリセルストリングに電流は流れない。したがって、このときの
電流値を検出するか、配線ＢＬの電位降下を検出することで、メモリセルのデータを読み
出すことができる。
【００５７】
ここで、各メモリセルストリングのデータを配線ＢＬに読み出すことで、ページ単位でデ
ータを読み出すことができる。そして、同様のデータの読み出しを、図８および図９に示
すように配線ＷＬ＿２乃至配線ＷＬ＿２ｎに対しても行うことで、ブロックまたは半導体
装置全体のデータの読み出しを行うことができる。
【００５８】
以上に示したように、本発明の一態様に係る半導体装置は、三次元にメモリセルが配置さ
れることで高い集積度を有する。したがって、投影面積辺りの記憶容量の大きい半導体装
置である。例えば、１Ｔｂｙｔｅ以上、３Ｔｂｙｔｅ以上または１０Ｔｂｙｔｅ以上の記
憶容量を有する半導体装置である。また、データを長期間保持できるため、不揮発または
実質的に不揮発な記憶素子を有する半導体装置と呼ぶこともできる。
【００５９】
本発明の一態様に係る半導体装置は、書き換えが可能であり、記憶容量が大きく、データ
を長期間保持することが可能であるため、コンピュータなどの記憶装置に好適である。例
えば、コンピュータの内部でデータを保存する主記憶装置（メインメモリまたはメモリと
もいう。）や、コンピュータの外部でデータを保存する外部記憶装置（ストレージ、二次
記憶装置ともいう。）などに用いることができる。外部記憶装置としては、メモリカード
やＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）などがある。
【００６０】
＜半導体装置の変形例＞
本発明の一態様に係る半導体装置は、図１（Ａ）に示した構造に限定されるものではない
。例えば、図１０に示すように、絶縁体１０６ｃを半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ａ
を介して絶縁体１３０に沿った形状で配置してもよい。また、絶縁体１１２ａを、絶縁体
１０６ｃ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ａを介して絶縁体１３０に沿った形状で配
置してもよい。また、電荷蓄積層１１２ｂを、絶縁体１１２ａ、絶縁体１０６ｃ、半導体
１０６ｂおよび絶縁体１０６ａを介して絶縁体１３０に沿った形状で配置してもよい。ま
た、図１（Ａ）に示した導電体１１６ａおよび導電体１１６ｂを有さなくてもよい。
【００６１】
または、図１１に示すように、トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２が
ＦＩＮ型トランジスタであってもよい。
【００６２】
＜半導体装置の構成要素＞
以下では、半導体装置の構成要素について説明する。
【００６３】
絶縁体１２０、絶縁体１２２、絶縁体１２４、絶縁体１２６、絶縁体１２８および絶縁体
１３０としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニ
ウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジル
コニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、ま
たは積層で用いればよい。例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン
、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウ
ム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウ
ムまたは酸化タンタルを用いればよい。なお、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として
、窒素よりも酸素の含有量が多い膜を指し、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、
酸素よりも窒素の含有量が多い膜を指す。
【００６４】
なお、絶縁体１２０、絶縁体１２２、絶縁体１２４、絶縁体１２６、絶縁体１２８および
絶縁体１３０は、隣接する素子や配線などを分離する機能を有する場合があるため、比誘
電率の低い絶縁体を用いることが好ましい。例えば、比誘電率が５以下、好ましくは４以
下、さらに好ましくは３以下の絶縁体を用いる。具体的には、シリコンと、酸素と、を有
する絶縁体や、さらにフッ素を有する絶縁体などを用いることが好ましい。また、絶縁体
１２０、絶縁体１２２、絶縁体１２４、絶縁体１２６、絶縁体１２８および絶縁体１３０
のいずれか一以上が空間であってもよい。
【００６５】
絶縁体１２０、絶縁体１２２、絶縁体１２４、絶縁体１２６、絶縁体１２８および絶縁体
１３０のいずれか一以上は、水素などの不純物および酸素をブロックする機能（透過させ
ない）を有する絶縁体を有することが好ましい。トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタ
Ｔｒ＿２ｎの近傍に、水素などの不純物および酸素をブロックする機能を有する絶縁体を
配置することによって、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎの電気特性を
安定にすることができる。
【００６６】
例えば、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎが酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタである場合、近接する絶縁体１３０または／および絶縁体１２６が過剰酸素を有
する絶縁体であることが好ましい。過剰酸素は、酸化物半導体の酸素欠損の低減のために
用いることができる。なお、過剰酸素とは、絶縁体中などに存在し、かつ絶縁体などと結
合していない（遊離した）酸素、または絶縁体などとの結合エネルギーの低い酸素をいう
。
【００６７】
過剰酸素を有する絶縁体は、昇温脱離ガス分光法分析（ＴＤＳ分析）にて、１００℃以上
７００℃以下または１００℃以上５００℃以下の表面温度の範囲で１×１０１８ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３以上、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上または１×１０２０ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以上の酸素（酸素原子数換算）を放出することもある。
【００６８】
ＴＤＳ分析を用いた酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。
【００６９】
測定試料をＴＤＳ分析したときの気体の全放出量は、放出ガスのイオン強度の積分値に比
例する。そして標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
【００７０】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコン基板のＴＤＳ分析結果、および
測定試料のＴＤＳ分析結果から、測定試料の酸素分子の放出量（ＮＯ２）は、下に示す式
で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量電荷比３２で検出されるガス
の全てが酸素分子由来と仮定する。ＣＨ３ＯＨの質量電荷比は３２であるが、存在する可
能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の
酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比
率が極微量であるため考慮しない。
【００７１】
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α
【００７２】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試
料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ
Ｈ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、測定試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値で
ある。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。上に示す式の詳細に
関しては、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記酸素の放出量は、電子科
学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として一
定量の水素原子を含むシリコン基板を用いて測定する。
【００７３】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
【００７４】
なお、ＮＯ２は酸素分子の放出量である。酸素原子に換算したときの放出量は、酸素分子
の放出量の２倍となる。
【００７５】
または、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、過酸化ラジカルを含むこともある。
具体的には、過酸化ラジカルに起因するスピン密度が、５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３
以上であることをいう。なお、過酸化ラジカルを含む絶縁体は、電子スピン共鳴法（ＥＳ
Ｒ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｉｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）にて、ｇ値が２．０１近傍に非
対称の信号を有することもある。
【００７６】
ここで、トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２が単結晶シリコンまたは
多結晶シリコンなどのシリコンを用いたトランジスタである場合、過剰酸素は電気特性を
劣化させる要因となる場合がある。したがって、トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジ
スタＴｒ＿Ｓ２に過剰酸素を混入させないために、絶縁体１２２が酸素透過性の低い絶縁
体を有することが好ましい。
【００７７】
一方、水素は、シリコンのダングリングボンドを終端させるために用いることができる。
その結果、トランジスタＴｒ＿Ｓ１およびトランジスタＴｒ＿Ｓ２の電気特性を向上させ
ることができる。ただし、水素は、トランジスタＴｒ＿１乃至トランジスタＴｒ＿２ｎの
電気特性を劣化させる要因となる場合があるため、絶縁体１２２が水素透過性の低い絶縁
体を有することが好ましい。
【００７８】
水素は、原子半径などが小さいため絶縁体中を拡散しやすい（拡散係数が大きい）。例え
ば、密度の低い絶縁体は、水素透過性が高くなる。言い換えれば、密度の高い絶縁体は水
素透過性が低くなる。密度の低い絶縁体は、絶縁体全体の密度が低い必要はなく、部分的
に密度が低い場合も含む。これは、密度の低い領域が水素の経路となるためである。水素
を透過しうる密度は一意には定まらないが、代表的には２．６ｇ／ｃｍ３未満などが挙げ
られる。密度の低い絶縁体としては、例えば、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンなど
の無機絶縁体、ならびにポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミ
ドなど）、ポリイミド、ポリカーボネートおよびアクリルなどの有機絶縁体などがある。
密度の高い絶縁体としては、例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ゲルマ
ニウム、酸化ガリウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオ
ジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどがある。なお、密度の低い絶縁体および密
度の高い絶縁体は、上述の絶縁体に限定されない。例えば、これらの絶縁体に、ホウ素、
窒素、フッ素、ネオン、リン、塩素またはアルゴンから選ばれた一種以上の元素が含まれ
ていてもよい。
【００７９】
また、結晶粒界を有する絶縁体は、水素透過性が高い場合がある。言い換えれば、結晶粒
界を有さない（または結晶粒界が少ない）絶縁体は水素を透過させにくい。例えば、非多
結晶絶縁体（非晶質絶縁体など）は、多結晶絶縁体と比べて水素透過性が低くなる。
【００８０】
また、水素との結合エネルギーが高い絶縁体は、水素透過性が低い場合がある。例えば、
水素と結合して水素化合物を作る絶縁体が、装置の作製工程または装置の動作における温
度で水素を脱離しない程度の結合エネルギーを有すれば、水素透過性の低い絶縁体といえ
る。例えば、２００℃以上１０００℃以下、３００℃以上１０００℃以下、または４００
℃以上１０００℃以下で水素化合物を作る絶縁体は、水素透過性が低い場合がある。また
、例えば、水素の脱離温度が、２００℃以上１０００℃以下、３００℃以上１０００℃以
下、または４００℃以上１０００℃以下である水素化合物を作る絶縁体は、水素透過性が
低い場合がある。一方、水素の脱離温度が、２０℃以上４００℃以下、２０℃以上３００
℃以下、または２０℃以上２００℃以下である水素化合物を作る絶縁体は、水素透過性が
高い場合がある。また、容易に脱離する水素、および遊離した水素を過剰水素と呼ぶ場合
がある。
【００８１】
電荷蓄積層１１２ｂとしては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウ
ム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イット
リウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を
、単層で、または積層で用いればよい。例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、
酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸
化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、
酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【００８２】
絶縁体１１２ａおよび絶縁体１１２ｃとしては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フ
ッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲル
マニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタ
ルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、酸化アルミニウム、酸
化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、
酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【００８３】
電荷蓄積層１１２ｂは、絶縁体１１２ａおよび絶縁体１１２ｃに挟まれて配置される。電
荷蓄積層１１２ｂは、電子を蓄積する機能を有すればよい。例えば、電子トラップを有す
る絶縁体などが好適である。電子トラップは、不純物の添加やダメージを与えることなど
によって形成することができる。また、電荷蓄積層１１２ｂと絶縁体１１２ａとの界面、
または電荷蓄積層１１２ｂと絶縁体１１２ｃとの界面に電子トラップを有してもよい。こ
の場合、電荷蓄積層１１２ｂと絶縁体１１２ａおよび電荷蓄積層１１２ｂと絶縁体１１２
ｃ、が異種接合であることが好ましい。電荷蓄積層１１２ｂと絶縁体１１２ａとの界面に
電子トラップを有する場合、絶縁体１１２ｃを設けなくてもよい場合がある。また、電荷
蓄積層１１２ｂと絶縁体１１２ｃとの界面に電子トラップを有する場合、絶縁体１１２ａ
を設けなくてもよい場合がある。なお、電荷蓄積層１１２ｂは、隣接するメモリセル間で
共用されているため、電荷蓄積層１１２ｂ内での電子の移動が起こりにくいことが好まし
い。ただし、隣接するメモリセルと電荷蓄積層１１２ｂを分離させた場合は、電荷蓄積層
１１２ｂ内で電子の移動が起こってもよい。即ち、電荷蓄積層１１２ｂが半導体または導
電体であってもよい。
【００８４】
電荷蓄積層１１２ｂに電子を注入するために、絶縁体１１２ａおよび絶縁体１１２ｃは、
ゲート電圧またはバックゲート電圧によって電子のトンネリングを起こす厚さであること
が好ましい。ただし、メモリセルがデータを保持している状態での電子の流出を抑制する
ために、ゲート電圧またはバックゲート電圧が印加されていない状態での電子のトンネリ
ングが起こらない厚さであることが好ましい。ただし、電子のトンネリングを完全になく
すことは困難であるため、データが保持できる程度に電子のトンネリングが起こらない厚
さとすればよい。例えば、絶縁体１１２ａおよび絶縁体１１２ｃの厚さは、３ｎｍ以上１
５ｎｍ以下、好ましくは４ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすればよい。また、電子の流出を抑制
するために、エネルギーギャップの大きい絶縁体を用いることが好ましい。例えば、絶縁
体１１２ａおよび絶縁体１１２ｃのエネルギーギャップは、６ｅＶ以上１０ｅＶ以下、好
ましくは７ｅＶ以上１０ｅＶ以下、さらに好ましくは８ｅＶ以上１０ｅＶ以下とすればよ
い。
【００８５】
具体的には、電荷蓄積層１１２ｂとしては、欠陥準位密度の高い窒化シリコン、窒化酸化
シリコンまたは酸化ハフニウムが好適である。また、絶縁体１１２ａおよび絶縁体１１２
ｃとしては、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンが好適である。
【００８６】
導電体１５４、導電体１４０、導電体１４２、導電体１４４、導電体１４６、導電体１４
８、導電体１０４、導電体１１６ａ、導電体１１６ｂ、導電体１３２、導電体１３４、導
電体１３６および導電体１３８としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコ
ン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、
ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、ス
ズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いれ
ばよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチ
タンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む
導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【００８７】
以下では、絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃについて説明する。
【００８８】
半導体１０６ｂの上下に絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃを配置することで、トラン
ジスタの電気特性を向上させることができる場合がある。
【００８９】
絶縁体１０６ａはＣＡＡＣ−ＯＳを有することが好ましい。半導体１０６ｂはＣＡＡＣ−
ＯＳを有することが好ましい。絶縁体１０６ｃはＣＡＡＣ−ＯＳを有することが好ましい
。
【００９０】
半導体１０６ｂは、例えば、インジウムを含む酸化物である。半導体１０６ｂは、例えば
、インジウムを含むと、キャリア移動度（電子移動度）が高くなる。また、半導体１０６
ｂは、元素Ｍを含むと好ましい。元素Ｍは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム、イッ
トリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、
シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン
、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどがある。ただし、元素
Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Ｍは、例えば、酸
素との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エネルギーがインジウム
よりも高い元素である。または、元素Ｍは、例えば、酸化物のエネルギーギャップを大き
くする機能を有する元素である。また、半導体１０６ｂは、亜鉛を含むと好ましい。酸化
物は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
【００９１】
ただし、半導体１０６ｂは、インジウムを含む酸化物に限定されない。半導体１０６ｂは
、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物などの、インジウムを含まず、亜鉛を含
む酸化物、ガリウムを含む酸化物、スズを含む酸化物などであっても構わない。
【００９２】
半導体１０６ｂは、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物を用いる。半導体１０６
ｂのエネルギーギャップは、例えば、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８
ｅＶ以上３．８ｅＶ以下、さらに好ましくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下とする。
【００９３】
例えば、絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃは、半導体１０６ｂを構成する酸素以外の
元素一種以上、または二種以上から構成される酸化物である。半導体１０６ｂを構成する
酸素以外の元素一種以上、または二種以上から絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃが構
成されるため、絶縁体１０６ａと半導体１０６ｂとの界面、および半導体１０６ｂと絶縁
体１０６ｃとの界面において、欠陥準位が形成されにくい。
【００９４】
絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃは、少なくともインジウムを含む
と好ましい。なお、絶縁体１０６ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を
１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０
ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａ
ｔｏｍｉｃ％より高いとする。また、半導体１０６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、Ｉ
ｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ
％より高く、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％
より高く、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。また、絶縁体１０６ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ
酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが
５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２
５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より高くする。なお、絶縁体１０６ｃは
、絶縁体１０６ａと同種の酸化物を用いても構わない。ただし、絶縁体１０６ａまたは／
および絶縁体１０６ｃがインジウムを含まなくても構わない場合がある。例えば、絶縁体
１０６ａまたは／および絶縁体１０６ｃが酸化ガリウムであっても構わない。なお、絶縁
体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃに含まれる各元素の原子数が、簡単な
整数比にならなくても構わない。
【００９５】
半導体１０６ｂは、絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃよりも電子親和力の大きい酸化
物を用いる。例えば、半導体１０６ｂとして、絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃより
も電子親和力の０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下、好ましくは０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ
以下、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下大きい酸化物を用いる。なお、
電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
【００９６】
なお、インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する
。そのため、絶縁体１０６ｃがインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原
子割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さら
に好ましくは９０％以上とする。
【００９７】
このとき、ゲート電圧を印加すると、絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂ、絶縁体１０６ｃ
のうち、電子親和力の大きい半導体１０６ｂにチャネルが形成される。
【００９８】
ここで、絶縁体１０６ａと半導体１０６ｂとの間には、絶縁体１０６ａと半導体１０６ｂ
との混合領域を有する場合がある。また、半導体１０６ｂと絶縁体１０６ｃとの間には、
半導体１０６ｂと絶縁体１０６ｃとの混合領域を有する場合がある。混合領域は、欠陥準
位密度が低くなる。そのため、絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃの
積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する（連続接合とも
いう。）バンド図となる（図１２参照。）。なお、絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよ
び絶縁体１０６ｃは、それぞれの界面を明確に判別できない場合がある。
【００９９】
このとき、電子は、絶縁体１０６ａ中および絶縁体１０６ｃ中ではなく、半導体１０６ｂ
中を主として移動する。なお、絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃは、単独で存在した
場合には導体、半導体または絶縁体のいずれの性質も取りうるが、トランジスタの動作時
においてはチャネルを形成しない領域を有する。具体的には、絶縁体１０６ａと半導体１
０６ｂとの界面近傍、および絶縁体１０６ｃと半導体１０６ｂとの界面近傍のみにチャネ
ルが形成され、そのほかの領域にはチャネルが形成されない。したがって、トランジスタ
の動作上は絶縁体と呼ぶことができるため、本明細書中では半導体および導電体ではなく
絶縁体と表記する。ただし、絶縁体１０６ａと、半導体１０６ｂと、絶縁体１０６ｃと、
は相対的な物性の違いによって半導体と絶縁体とを呼び分けられるだけであって、例えば
、絶縁体１０６ａまたは絶縁体１０６ｃとして用いることのできる絶縁体を、半導体１０
６ｂとして用いることができる場合がある。上述したように、絶縁体１０６ａと半導体１
０６ｂとの界面における欠陥準位密度、および半導体１０６ｂと絶縁体１０６ｃとの界面
における欠陥準位密度を低くすることによって、半導体１０６ｂ中で電子の移動が阻害さ
れることが少なく、トランジスタのオン電流を大きくすることができる。
【０１００】
また、トランジスタのオン電流は、電子の移動を阻害する要因を低減するほど、高くする
ことができる。例えば、電子の移動を阻害する要因のない場合、効率よく電子が移動する
と推定される。電子の移動は、例えば、チャネル形成領域の物理的な凹凸が大きい場合に
も阻害される。
【０１０１】
トランジスタのオン電流を大きくするためには、例えば、半導体１０６ｂの上面または下
面（被形成面、ここでは絶縁体１０６ａの上面）の、１μｍ×１μｍの範囲における二乗
平均平方根（ＲＭＳ：Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）粗さが１ｎｍ未満、好ましく
は０．６ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未満、より好ましくは０．４ｎｍ未満と
すればよい。また、１μｍ×１μｍの範囲における平均面粗さ（Ｒａともいう。）が１ｎ
ｍ未満、好ましくは０．６ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未満、より好ましくは
０．４ｎｍ未満とすればよい。また、１μｍ×１μｍの範囲における最大高低差（Ｐ−Ｖ
ともいう。）が１０ｎｍ未満、好ましくは９ｎｍ未満、さらに好ましくは８ｎｍ未満、よ
り好ましくは７ｎｍ未満とすればよい。ＲＭＳ粗さ、ＲａおよびＰ−Ｖは、エスアイアイ
・ナノテクノロジー株式会社製走査型プローブ顕微鏡システムＳＰＡ−５００などを用い
て測定することができる。
【０１０２】
また、トランジスタのオン電流を大きくするためには、絶縁体１０６ｃの厚さは小さいほ
ど好ましい。例えば、１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以
下の領域を有する絶縁体１０６ｃとすればよい。一方、絶縁体１０６ｃは、チャネルの形
成される半導体１０６ｂへ、隣接する絶縁体を構成する酸素以外の元素（水素、シリコン
など）が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、絶縁体１０６ｃは、あ
る程度の厚さを有することが好ましい。例えば、０．３ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上
、さらに好ましくは２ｎｍ以上の厚さの領域を有する絶縁体１０６ｃとすればよい。また
、絶縁体１０６ｃは、他の絶縁体から放出される酸素の外方拡散を抑制するために、酸素
をブロックする性質を有すると好ましい。
【０１０３】
また、信頼性を高くするためには、絶縁体１０６ａは厚く、絶縁体１０６ｃは薄いことが
好ましい。例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ
以上、より好ましくは６０ｎｍ以上の厚さの領域を有する絶縁体１０６ａとすればよい。
絶縁体１０６ａの厚さを、厚くすることで、隣接する絶縁体と絶縁体１０６ａとの界面か
らチャネルの形成される半導体１０６ｂまでの距離を離すことができる。ただし、半導体
装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは１２０ｎ
ｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下の厚さの領域を有する絶縁体１０６ａとすればよ
い。
【０１０４】
例えば、半導体１０６ｂと絶縁体１０６ａとの間に、例えば、二次イオン質量分析法（Ｓ
ＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において
、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましく
は１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好
ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のシ
リコン濃度となる領域を有する。また、半導体１０６ｂと絶縁体１０６ｃとの間に、ＳＩ
ＭＳにおいて、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下のシリコン濃度となる領域を有する。
【０１０５】
また、半導体１０６ｂは、ＳＩＭＳにおいて、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×
１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×
１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以上５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素濃度となる領域を有する。また、半導
体１０６ｂの水素濃度を低減するために、絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃの水素濃
度を低減すると好ましい。絶縁体１０６ａおよび絶縁体１０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、
１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは
１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好まし
くは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに
好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の
水素濃度となる領域を有する。また、半導体１０６ｂは、ＳＩＭＳにおいて、１×１０１
５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１
５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１
０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは
１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度と
なる領域を有する。また、半導体１０６ｂの窒素濃度を低減するために、絶縁体１０６ａ
および絶縁体１０６ｃの窒素濃度を低減すると好ましい。絶縁体１０６ａおよび絶縁体１
０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１９ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度となる領域を有する。
【０１０６】
上述の３層構造は一例である。例えば、絶縁体１０６ａまたは絶縁体１０６ｃのない２層
構造としても構わない。または、絶縁体１０６ａの上もしくは下、または絶縁体１０６ｃ
上もしくは下に、絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃとして例示した
半導体のいずれか一を有する４層構造としても構わない。または、絶縁体１０６ａの上、
絶縁体１０６ａの下、絶縁体１０６ｃの上、絶縁体１０６ｃの下のいずれか二箇所以上に
、絶縁体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび絶縁体１０６ｃとして例示した半導体のいずれ
か一を有するｎ層構造（ｎは５以上の整数）としても構わない。
【０１０７】
＜組成＞
以下では、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の組成について説明する。なお、元素Ｍは、アルミニウ
ム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素
としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モ
リブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどが
ある。
【０１０８】
図１３は、各頂点にＩｎ、ＭまたはＺｎを配置した三角図である。また、図中の［Ｉｎ］
はＩｎの原子濃度を示し、［Ｍ］は元素Ｍの原子濃度を示し、［Ｚｎ］はＺｎの原子濃度
を示す。
【０１０９】
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の結晶はホモロガス構造を有することが知られており、ＩｎＭＯ３
（ＺｎＯ）ｍ（ｍは自然数。）で示される。また、ＩｎとＭとを置き換えることが可能で
あるため、Ｉｎ１＋αＭ１−αＯ３（ＺｎＯ）ｍで示すこともできる（−１≦α≦１）。
これは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−α：１、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ
］＝１＋α：１−α：２、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−α：３、［Ｉｎ］
：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−α：４、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α
：１−α：５と表記した破線で示される組成である。なお、破線上の太線は、例えば、原
料となる酸化物を混合し、１３５０℃で焼成した場合に固溶体となりうる組成である。
【０１１０】
よって、上述の固溶体となりうる組成に近づけることで、結晶性を高くすることができる
。なお、スパッタリング法によってＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜する場合、ターゲットの
組成と膜の組成とが異なる場合がある。例えば、ターゲットとして原子数比が「１：１：
１」、「１：１：１．２」、「３：１：２」、「４：２：４．１」、「１：３：２」、「
１：３：４」、「１：４：５」のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を用いた場合、膜の原子数比はそ
れぞれ「１：１：０．７（０．５から０．９程度）」、「１：１：０．９（０．８から１
．１程度）」、「３：１：１．５（１から１．８程度）」、「４：２：３（２．６から３
．６程度）」、「１：３：１．５（１から１．８程度）」、「１：３：３（２．５から３
．５程度）」、「１：４：４（３．４から４．４程度）」となる。したがって、所望の組
成の膜を得るためには、組成の変化を考慮してターゲットの組成を選択すればよい。
【０１１１】
＜酸化物半導体の構造＞
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
【０１１２】
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けら
れる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ
ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物
半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌ
ｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および非晶質酸化物半導体などがあ
る。
【０１１３】
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半
導体と、に分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−
ＯＳ、多結晶酸化物半導体およびｎｃ−ＯＳなどがある。
【０１１４】
非晶質構造は、一般に、等方的であって不均質構造を持たない、準安定状態で原子の配置
が固定化していない、結合角度が柔軟である、短距離秩序は有するが長距離秩序を有さな
い、などといわれている。
【０１１５】
即ち、安定な酸化物半導体を完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ
）酸化物半導体とは呼べない。また、等方的でない（例えば、微小な領域において周期構
造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物半導体とは呼べない。一方、ａ−ｌｉ
ｋｅ  ＯＳは、等方的でないが、鬆（ボイドともいう。）を有する不安定な構造である。
不安定であるという点では、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、物性的に非晶質酸化物半導体に近い
。
【０１１６】
＜ＣＡＡＣ−ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
【０１１７】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半
導体の一種である。
【０１１８】
ＣＡＡＣ−ＯＳをＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって解
析した場合について説明する。例えば、空間群Ｒ−３ｍに分類されるＩｎＧａＺｎＯ４の
結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行う
と、図１４（Ａ）に示すように回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる。このピー
クは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳで
は、結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともい
う。）、または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。なお、２θが３１°
近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近
傍のピークは、空間群Ｆｄ−３ｍに分類される結晶構造に起因する。そのため、ＣＡＡＣ
−ＯＳは、該ピークを示さないことが好ましい。
【０１１９】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、被形成面に平行な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａ
ｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、Ｉ
ｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。そして、２θを５６°近傍に固定し
、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を
行っても、図１４（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。一方、単結晶ＩｎＧａＺ
ｎＯ４に対し、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合、図１４（Ｃ）に示すよ
うに（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。したがって、Ｘ
ＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であるこ
とが確認できる。
【０１２０】
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面に平行にプロー
ブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、図１４（Ｄ）に示すような回折パターン（制
限視野電子回折パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、Ｉｎ
ＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回
折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面
または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に
垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図１４（Ｅ）
に示す。図１４（Ｅ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、プロー
ブ径が３００ｎｍの電子線を用いた電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレ
ットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図１４（Ｅ）における第
１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面および（１００）面などに起因する
と考えられる。また、図１４（Ｅ）における第２リングは（１１０）面などに起因すると
考えられる。
【０１２１】
また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析像
（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができる
。一方、高分解能ＴＥＭ像であってもペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウ
ンダリーともいう。）を明確に確認することができない場合がある。そのため、ＣＡＡＣ
−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０１２２】
図１５（Ａ）に、試料面と略平行な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能Ｔ
ＥＭ像を示す。高分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ａｂ
ｅｒｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分
解能ＴＥＭ像を、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像は、
例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによ
って観察することができる。
【０１２３】
図１５（Ａ）より、金属原子が層状に配列している領域であるペレットを確認することが
できる。ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上のものや、３ｎｍ以上のものがあることがわ
かる。したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこと
もできる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎ
ｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。ペレットは、ＣＡＡＣ
−ＯＳの被形成面または上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上
面と平行となる。
【０１２４】
また、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡＣ
−ＯＳの平面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図１５（Ｄ）および図１５（Ｅ）は、
それぞれ図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）を画像処理した像である。以下では、画像処理
の方法について説明する。まず、図１５（Ｂ）を高速フーリエ変換（ＦＦＴ：Ｆａｓｔ  
Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理することでＦＦＴ像を取得する。次に、取得
したＦＦＴ像において原点を基準に、２．８ｎｍ−１から５．０ｎｍ−１の間の範囲を残
すマスク処理する。次に、マスク処理したＦＦＴ像を、逆高速フーリエ変換（ＩＦＦＴ：
Ｉｎｖｅｒｓｅ  Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）処理することで画像
処理した像を取得する。こうして取得した像をＦＦＴフィルタリング像と呼ぶ。ＦＦＴフ
ィルタリング像は、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像から周期成分を抜き出した像であり、格子
配列を示している。
【０１２５】
図１５（Ｄ）では、格子配列の乱れた箇所を破線で示している。破線で囲まれた領域が、
一つのペレットである。そして、破線で示した箇所がペレットとペレットとの連結部であ
る。破線は、六角形状であるため、ペレットが六角形状であることがわかる。なお、ペレ
ットの形状は、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が多い。
【０１２６】
図１５（Ｅ）では、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間を点線
で示している。点線近傍においても、明確な結晶粒界を確認することはできない。点線近
傍の格子点を中心に周囲の格子点を繋ぐと、歪んだ六角形や、五角形または／および七角
形などが形成できる。即ち、格子配列を歪ませることによって結晶粒界の形成を抑制して
いることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において原子配列が稠密で
ないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、
歪みを許容することができるためと考えられる。
【０１２７】
以上に示すように、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複
数のペレット（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳを、ＣＡＡ  ｃｒｙｓｔａｌ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ａ−ｂ−ｐｌ
ａｎｅ−ａｎｃｈｏｒｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもでき
る。
【０１２８】
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の混
入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（
酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
【０１２９】
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属
元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素
との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を
乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二
酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を
乱し、結晶性を低下させる要因となる。
【０１３０】
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合があ
る。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャリ
ア発生源となる場合がある。例えば、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップと
なる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
【０１３１】
不純物および酸素欠損の少ないＣＡＡＣ−ＯＳは、キャリア密度の低い酸化物半導体であ
る。具体的には、８×１０１１個／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、
さらに好ましくは１×１０１０個／ｃｍ３未満であり、１×１０−９個／ｃｍ３以上のキ
ャリア密度の酸化物半導体とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性
または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度が低く
、欠陥準位密度が低い。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
【０１３２】
＜ｎｃ−ＯＳ＞
次に、ｎｃ−ＯＳについて説明する。
【０１３３】
ｎｃ−ＯＳをＸＲＤによって解析した場合について説明する。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し
、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、配向性を示すピークが現れない
。即ち、ｎｃ−ＯＳの結晶は配向性を有さない。
【０１３４】
また、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するｎｃ−ＯＳを薄片化し、厚さが３４ｎｍ
の領域に対し、被形成面に平行にプローブ径が５０ｎｍの電子線を入射させると、図１６
（Ａ）に示すようなリング状の回折パターン（ナノビーム電子回折パターン）が観測され
る。また、同じ試料にプローブ径が１ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターン（ナ
ノビーム電子回折パターン）を図１６（Ｂ）に示す。図１６（Ｂ）より、リング状の領域
内に複数のスポットが観測される。したがって、ｎｃ−ＯＳは、プローブ径が５０ｎｍの
電子線を入射させることでは秩序性が確認されないが、プローブ径が１ｎｍの電子線を入
射させることでは秩序性が確認される。
【０１３５】
また、厚さが１０ｎｍ未満の領域に対し、プローブ径が１ｎｍの電子線を入射させると、
図１６（Ｃ）に示すように、スポットが略正六角状に配置された電子回折パターンを観測
される場合がある。したがって、厚さが１０ｎｍ未満の範囲において、ｎｃ−ＯＳが秩序
性の高い領域、即ち結晶を有することがわかる。なお、結晶が様々な方向を向いているた
め、規則的な電子回折パターンが観測されない領域もある。
【０１３６】
図１６（Ｄ）に、被形成面と略平行な方向から観察したｎｃ−ＯＳの断面のＣｓ補正高分
解能ＴＥＭ像を示す。ｎｃ−ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において、補助線で示す箇所など
のように結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない
領域と、を有する。ｎｃ−ＯＳに含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさで
あり、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の大きさであることが多い。なお、結晶部の大きさが１
０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である酸化物半導体を微結晶酸化物半導体（ｍｉｃｒｏ
ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶことがある
。ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合が
ある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ−ＯＳにおけるペレットと起源を同じくする可能性が
ある。そのため、以下ではｎｃ−ＯＳの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
【０１３７】
このように、ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に
１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは
、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見ら
れない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳや非晶質
酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
【０１３８】
なお、ペレット（ナノ結晶）間で結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−ＯＳを、
ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物
半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有す
る酸化物半導体と呼ぶこともできる。
【０１３９】
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、
ｎｃ−ＯＳは、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる
。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため
、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０１４０】
＜ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ＞
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半
導体である。
【０１４１】
図１７に、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像を示す。ここで、図１７（Ａ）は
電子照射開始時におけるａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの高分解能断面ＴＥＭ像である。図１７（Ｂ
）は４．３×１０８ｅ−／ｎｍ２の電子（ｅ−）照射後におけるａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの高
分解能断面ＴＥＭ像である。図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）より、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ
は電子照射開始時から、縦方向に延伸する縞状の明領域が観察されることがわかる。また
、明領域は、電子照射後に形状が変化することがわかる。なお、明領域は、鬆または低密
度領域と推測される。
【０１４２】
鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ−ｌｉｋｅ
ＯＳが、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すため
、電子照射による構造の変化を示す。
【０１４３】
試料として、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳを準備する。いずれ
の試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。
【０１４４】
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試料
は、いずれも結晶部を有する。
【０１４５】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−
Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている
。これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同
程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、以
下では、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺｎ
Ｏ４の結晶部と見なした。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応す
る。
【０１４６】
図１８は、各試料の結晶部（２２箇所から３０箇所）の平均の大きさを調査した例である
。なお、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図１８より、ａ−ｌｉｋｅ
ＯＳは、ＴＥＭ像の取得などに係る電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなってい
くことがわかる。図１８より、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさ
だった結晶部（初期核ともいう。）が、電子（ｅ−）の累積照射量が４．２×１０８ｅ−
／ｎｍ２においては１．９ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎｃ
−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８
ｅ−／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。図１８よ
り、電子の累積照射量によらず、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳの結晶部の大きさは、
それぞれ１．３ｎｍ程度および１．８ｎｍ程度であることがわかる。なお、電子線照射お
よびＴＥＭの観察は、日立透過電子顕微鏡Ｈ−９０００ＮＡＲを用いた。電子線照射条件
は、加速電圧を３００ｋＶ、電流密度を６．７×１０５ｅ−／（ｎｍ２・ｓ）、照射領域
の直径を２３０ｎｍとした。
【０１４７】
このように、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合があ
る。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとんど
見られない。即ち、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、
不安定な構造であることがわかる。
【０１４８】
また、鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べ
て密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶
の密度の７８．６％以上９２．３％未満である。また、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ
−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満である。単結晶
の密度の７８％未満である酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
【０１４９】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱
面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３である。よっ
て、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において
、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満である。また
、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、
ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３
未満である。
【０１５０】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わ
せることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所
望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、
加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組
み合わせて見積もることが好ましい。
【０１５１】
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。な
お、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、
ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【符号の説明】
【０１５２】
１００    基板
１０４    導電体
１０６ａ    絶縁体
１０６ｂ    半導体
１０６ｃ    絶縁体
１１２ａ    絶縁体
１１２ｂ    電荷蓄積層
１１２ｃ    絶縁体
１１６ａ    導電体
１１６ｂ    導電体
１２０    絶縁体
１２２    絶縁体
１２４    絶縁体
１２６    絶縁体
１２８    絶縁体
１３０    絶縁体
１３２    導電体
１３４    導電体
１３６    導電体
１３８    導電体
１４０    導電体
１４２    導電体
１４４    導電体
１４６    導電体
１４８    導電体
１５４    導電体
１６２    絶縁体
１６６    不純物領域
【図１】
2019201214.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019201214.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019201214.tif 000007
【図６】
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【図７】
2019201214.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2019201214.tif 000014
【図１３】
2019201214.tif 000015
【図１４】
2019201214.tif 000016
【図１５】
2019201214.tif 000017
【図１６】
2019201214.tif 000018
【図１７】
2019201214.tif 000019
【図１８】
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