(57)【要約】【課題】半導体装置の製造におけるランニングコストを低減させ、かつ半導体装置の量産性を向上させる。【解決手段】半導体装置の組立ては、（ａ）下面電極４０上に半導体チップを搭載する工程、（ｂ）上記半導体チップ上に上面電極３０を搭載する工程、（ｃ）上記半導体チップを覆うように凸部７４を備えた樹脂製の封止体７０を形成する工程、（ｄ）封止体７０の表面において上面電極３０の電極面３１を露出させ、かつ、封止体７０の裏面において下面電極４０の電極面４１を露出させる工程、を有する。上記（ｄ）工程では、封止体７０の表面と裏面のうちの少なくとも何れかにレーザ１１０を照射して、電極面３１か電極面４１のうちの少なくとも何れか一方を封止体７０から露出させる。【選択図】図３１
2019212833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面のそれぞれに接続用電極が配置された半導体チップと、
前記半導体チップの前記裏面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記裏面側に配置された第１板状導体部と、
前記半導体チップの前記表面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記表面側に配置された第２板状導体部と、
前記半導体チップ、前記第１および第２板状導体部それぞれを覆う樹脂製の封止体と、
を有し、
前記第１板状導体部は、前記封止体の前記裏面に露出する第１電極面を備え、
前記第２板状導体部は、前記封止体の前記表面に露出する第２電極面を備え、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で前記第１または第２電極面を囲むように溝が形成され、かつ、前記溝の内側と外側とに前記封止体の平坦面が形成されており、
前記溝の外側の前記平坦面は、前記溝の内側の前記平坦面より前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置されている、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記溝の下部または上部に、前記第１または第２板状導体部の一部が配置されている、半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面に、前記第１または第２電極面を囲むように溝が形成されている、半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、前記溝の外側の前記平坦面は、前記第１または第２電極面よりも前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置されている、半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面における前記溝の外側の前記平坦面は、前記第１または第２電極面よりも前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置された第１平坦面と、前記第１平坦面よりも前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置された第２平坦面と、を有している、半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記溝の下部または上部に、前記第１または第２板状導体部の一部が配置されている、半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で前記第１または第２電極面を囲むように第１溝が形成され、かつ、前記第１溝の外側に前記第１溝を囲むように第２溝が形成されている、半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、前記第２溝の外側の前記平坦面は、前記第１または第２電極面よりも前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置された第１平坦面と、前記第１平坦面よりも前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置された第２平坦面と、を有している、半導体装置。
【請求項９】
表面と裏面のそれぞれに接続用電極が配置された半導体チップと、
前記半導体チップの前記裏面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記裏面側に配置された第１板状導体部と、
前記半導体チップの前記表面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記表面側に配置された第２板状導体部と、
前記半導体チップ、前記第１および第２板状導体部それぞれを覆う樹脂製の封止体と、
を有し、
前記第１板状導体部は、前記封止体の前記裏面に露出する第１電極面を備え、
前記第２板状導体部は、前記封止体の前記表面に露出する第２電極面を備え、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で前記第１または第２電極面の一部に沿って溝が形成されており、
前記溝の下部または上部に、前記第１または第２板状導体部の一部が配置されている、半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面に、前記第１または第２電極面を囲むように溝が形成されている、半導体装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で前記第１または第２電極面を囲むように第１溝が形成され、かつ、前記第１溝の外側に前記第１溝を囲むように第２溝が形成されている、半導体装置。
【請求項１２】
（ａ）第１板状導体部上に半導体チップを搭載する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記半導体チップ上に第２板状導体部を搭載する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１板状導体部、前記半導体チップおよび前記第２板状導体部を覆うように樹脂製の封止体を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記封止体の表面において前記第２板状導体部の一部を露
出させ、かつ、前記封止体の裏面において前記第１板状導体部の一部を露出させる工程、
を有し、
前記（ｄ）工程では、前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面にレーザを照射して、少なくとも前記第１または第２板状導体部のうちの何れか一方の一部を前記封止体から露出させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記第１または前記第２板状導体部の形状に沿って前記封止体を凸状に形成し、前記（ｄ）工程で前記封止体の前記凸状の部分に前記レーザを照射する、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記封止体の前記表面と前記裏面に前記レーザを照射し、前記封止体の前記表面に前記第２板状導体部の一部を露出させ、前記封止体の前記裏面に前記第１板状導体部の一部を露出させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、前記第１または前記第２板状導体部に対応した領域に第１レーザを照射し、かつ、前記第１または前記第２板状導体部の外側の領域に前記第１レーザより出力を小さくして第２レーザを照射する、もしくは前記第１レーザの照射回数に比べて照射回数を少なくして前記第２レーザを照射する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、樹脂封止体の表面と裏面に電極が露出する構造の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００７−７３７４３号公報（特許文献１）には、樹脂モールドタイプの半導体装置において、モールド樹脂の表面のうち、モールド樹脂から露出する放熱面と端子の一部との間の部位に、モールド樹脂の表面における放熱面と端子の一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部を設けた構造が開示されている。
【０００３】
特開２０１５−１３８８４３号公報（特許文献２）には、発熱素子と、発熱素子を封止する封止樹脂体と、発熱素子と熱的に接続されるヒートシンクとを備え、樹脂封止体の側面は、樹脂封止体の切削により第１放熱面を露出させる際に厚み方向に押圧するために、第１放熱面に平行とされた第１平坦部を有する構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−７３７４３号公報
【特許文献２】特開２０１５−１３８８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１および２に開示された半導体装置では、樹脂封止体からヒートシンクや電極を露出させる技術として切削加工が開示されている。しかしながら、切削加工を採用した場合、砥石などの切削刃の価格、交換頻度からランニングコストが大きく、近年の半導体装置の開発に適用させることは困難である。さらに、上述の切削加工を適用した場合、半導体装置の量産性を向上させることができない。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態の半導体装置は、表面と裏面に接続用電極が配置された半導体チップと、上記半導体チップの裏面側の上記接続用電極と電気的に接続されて裏面側に配置された第１板状導体部と、上記半導体チップの表面側の上記接続用電極と電気的に接続されて表面側に配置された第２板状導体部と、上記半導体チップ、上記第１および第２板状導体部を覆う樹脂製の封止体と、を有する。また、上記第１板状導体部は、上記封止体の裏面に露出する第１電極面を備え、上記第２板状導体部は、上記封止体の表面に露出する第２電極面を備えている。さらに、上記封止体の表面と裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で上記第１または第２電極面を囲むように溝が形成され、かつ、上記溝の内側と外側とに上記封止体の平坦面が形成されており、上記溝の外側の上記平坦面は、上記溝の内側の上記平坦面より上記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置されている。
【０００８】
また、一実施の形態の半導体装置は、表面と裏面に接続用電極が配置された半導体チップと、上記半導体チップの裏面側の上記接続用電極と電気的に接続されて裏面側に配置された第１板状導体部と、上記半導体チップの表面側の上記接続用電極と電気的に接続されて表面側に配置された第２板状導体部と、上記半導体チップ、上記第１および第２板状導体部を覆う樹脂製の封止体と、を有する。また、上記第１板状導体部は、上記封止体の裏面に露出する第１電極面を備え、上記第２板状導体部は、上記封止体の表面に露出する第２電極面を備えている。さらに、上記封止体の表面と裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で上記第１または第２電極面の一部に沿って溝が形成されており、上記溝の下部または上部に、上記第１または第２板状導体部の一部が配置されている。
【０００９】
また、一実施の形態の半導体装置の製造方法は、（ａ）第１板状導体部上に半導体チップを搭載する工程、（ｂ）上記半導体チップ上に第２板状導体部を搭載する工程、（ｃ）上記第１板状導体部、上記半導体チップおよび上記第２板状導体部を覆うように樹脂製の封止体を形成する工程を有する。さらに、（ｄ）上記封止体の表面において上記第２板状導体部の一部を露出させ、かつ、上記封止体の裏面において上記第１板状導体部の一部を露出させる工程、を有し、上記（ｄ）工程では、上記封止体の表面と裏面のうちの少なくとも何れか一方の面にレーザを照射して、少なくとも上記第１または第２板状導体部のうちの何れか一方の一部を上記封止体から露出させる。
【発明の効果】
【００１０】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の製造におけるランニングコストを低減させることができ、かつ半導体装置の量産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体装置の内部構造を封止体を透過して示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の組立て順の一例を示すフロー図である。
【図６】図５に示す半導体装置の組立てに用いられるリードフレームの構造を示す部分平面図である。
【図７】図６に示す構造のＡ矢視図である。
【図８】図５に示す半導体装置の組立てのダイボンディング後の構造を示す部分平面図である。
【図９】図８に示す構造のＡ矢視図である。
【図１０】図５に示す半導体装置の組立てのスペーサ搭載後の構造を示す部分平面図である。
【図１１】図１０に示す構造のＡ矢視図である。
【図１２】図５に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング後の構造を示す部分平面図である。
【図１３】図１２に示す構造のＡ矢視図である。
【図１４】図５に示す半導体装置の組立ての上面電極搭載後の構造を示す部分平面図である。
【図１５】図１４に示す構造のＡ矢視図である。
【図１６】図５に示す半導体装置の組立ての樹脂モールディング後の構造を示す部分平面図である。
【図１７】図１６に示す構造のＡ矢視図である。
【図１８】図５に示す半導体装置の組立てのレーザ照射後の構造を示す部分平面図である。
【図１９】図１８に示す構造のＡ矢視図である。
【図２０】図５に示す半導体装置の組立てのめっき形成後の構造を示す部分平面図である。
【図２１】図２０に示す構造のＡ矢視図である。
【図２２】図５に示す半導体装置の組立てのマーキング後の構造を示す部分平面図である。
【図２３】図２２に示す構造のＡ矢視図である。
【図２４】図５に示す半導体装置の組立ての切断後の構造を示す平面図である。
【図２５】図２４に示す構造のＡ矢視図である。
【図２６】本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の形状を示す断面図である。
【図２７】図２６の半導体装置のレーザ照射後の形状を示す断面図である。
【図２８】図２６の半導体装置のレーザ照射後の他の形状を示す断面図である。
【図２９】本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射範囲を示す斜視図である。
【図３０】図２９に示すレーザ照射範囲にレーザを照射した後の半導体装置の状態を示す斜視図である。
【図３１】図５に示す半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図３２】図５に示す半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図３３】実施の形態１の半導体装置の組立てのレーザ照射における照射範囲の一例を示す斜視図である。
【図３４】図３３の照射範囲にレーザを照射した後の構造を示す斜視図である。
【図３５】実施の形態１の半導体装置を三相インバータ回路に適用した構成を示す回路図である。
【図３６】実施の形態１の半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図である。
【図３７】実施の形態２の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図３８】実施の形態２の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図３９】実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図４０】本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図４１】本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図４２】実施の形態３の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図４３】実施の形態３の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図４４】実施の形態３の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図４５】実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図４６】本発明者が比較検討した半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図である。
【図４７】本発明者が比較検討した半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図である。
【図４８】実施の形態３の半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図である。
【図４９】本発明者が比較検討した半導体装置のレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図５０】本発明者が比較検討した半導体装置のレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図５１】実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図５２】実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図５３】実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図５４】実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図５５】実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図５６】本発明者が比較検討した半導体装置のレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図５７】実施の形態４の変形例の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図５８】実施の形態４の変形例の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図５９】実施の形態４の変形例の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【図６０】実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を示す斜視図である。
【図６１】実施の形態５の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図６２】実施の形態５の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。
【図６３】実施の形態５の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１３】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１４】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１５】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００１８】
＜用語の説明＞
本明細書において、「パワートランジスタ」とは、複数の単位トランジスタ（セルトランジスタ）を並列接続することによって（例えば、数千個から数万個の単位トランジスタを並列接続する）、単位トランジスタの許容電流よりも大きな電流においても、単位トランジスタの機能を実現する単位トランジスタの集合体を意味する。例えば、単位トランジスタがスイッチング素子として機能する場合、「パワートランジスタ」は、単位トランジスタの許容電流よりも大きな電流にも適用可能なスイッチング素子となる。スイッチング素子を構成する「パワートランジスタ」として、ＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransistor) と、パワーＭＯＳＦＥＴとが例示できる。本明細書において、「パワートランジスタ」という用語は、例えば、「パワーＭＯＳＦＥＴ」と「ＩＧＢＴ」の両方を包含する上位概念を示す語句として使用している。
【００１９】
（実施の形態１）
＜半導体装置の構造＞
図１は実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す斜視図、図２は図１の半導体装置の内部構造を封止体を透過して示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図４は図２のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【００２０】
図１〜図４に示す本実施の形態１の半導体装置は、例えば、エアコンなどに使用される３相誘導モータの駆動回路に使用されるものである。具体的に、この駆動回路には、インバータ回路が含まれ、このインバータ回路は直流電力を交流電力に変換する機能を有する回路である。
【００２１】
本実施の形態１では、半導体装置に内蔵されるパワートランジスタがＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransistor) の場合であり、インバータ回路を構成するＩＧＢＴが形成された複数の半導体チップのそれぞれを「ＩＧＢＴチップ１０」と呼ぶ。同様に、インバータ回路を構成するダイオードが形成された複数の半導体チップのそれぞれを「ダイオードチップ２０」と呼ぶ。本実施の形態１では、上記半導体装置の一例として、１つのＩＧＢＴチップ１０と１つのダイオードチップ２０とが横並びで搭載され、かつ封止体７０の表面と裏面に電極面が露出した構造を備えるＭＣＰ（Multi-Chip Package）１００を取り上げて説明する。
【００２２】
本実施の形態１のＭＣＰ１００の構成を図１〜図４を用いて説明する。
【００２３】
ＭＣＰ１００には、図２に示すように、ＩＧＢＴチップ（第１半導体チップ）１０とダイオードチップ（第２半導体チップ）２０とが組み込まれている。ダイオードチップ２０は、例えば、ファストリカバリダイオードである。これらＩＧＢＴチップ１０とダイオードチップ２０は、横並びの状態で、チップ搭載部である下面電極（第１板状導体部）４０上に搭載されている。
【００２４】
下面電極４０は板状の導体部材であり、主要部の平面視が略長方形となっている。そして、その長手方向の一方の側面に吊りリード８１が繋がっている。また、平面視で、吊りリード８１の両側にそれぞれ複数のリード８０が配置されている。
【００２５】
図３に示すように、下面電極４０上には、導電性接合材６０を介してＩＧＢＴチップ１０が搭載されている。さらに、ＩＧＢＴチップ１０上には、導体部材からなるスペーサ１４が導電性接合材６０を介して搭載されている。また、スペーサ１４上には、導電性接合材６０を介して上面電極（第２板状導体部）３０が搭載されている。
【００２６】
一方、図２に示すＩＧＢＴチップ１０の横の位置には、図４に示すように、下面電極４０上に導電性接合材６０を介して搭載されたダイオードチップ２０が配置されている。さらに、ダイオードチップ２０上には、導体部材からなるスペーサ２３が導電性接合材６０を介して搭載されている。また、スペーサ２３上には、導電性接合材６０を介して上面電極（第２板状導体部）３０が搭載されている。
【００２７】
なお、導電性接合材６０は、例えば、焼結Ａｇなどのろう材である。
【００２８】
また、ＩＧＢＴチップ１０、ダイオードチップ２０、スペーサ１４、スペーサ２３、下面電極４０の一部および上面電極３０の一部は、樹脂製の封止体７０によって覆われている。そして、複数のリード８０のそれぞれのインナリード８０ａは、封止体７０内に埋め込まれている。したがって、複数のリード８０のそれぞは、封止体７０内に埋め込まれるインナリード８０ａと、これら複数のインナリード８０ａのそれぞれに繋がり、かつ封止体７０の外部に露出するアウタリード８０ｂと、からなる。
【００２９】
また、図２に示すように、ＩＧＢＴチップ１０には、その表面に面積の広い接続用電極である電極パッド（エミッタ電極）１１と、電極パッド１１より面積が小さな複数の接続用電極である電極パッド（ゲート電極）１２と、が形成（配置）されており、さらに図３に示すように、表面と反対側の裏面にも接続用電極である電極パッド（コレクタ電極）１３が形成（配置）されている。
【００３０】
そして、ＩＧＢＴチップ１０の表面に形成された複数の電極パッド（ゲート電極）１２のそれぞれは、これら電極パッド１２のそれぞれと対応する複数のリード８０のそれぞれのインナリード８０ａと、アルミニウムワイヤ５０を介して電気的に接続されている。
【００３１】
一方、図２に示すように、ダイオードチップ２０には、その表面に接続用電極である電極パッド（アノード電極）２１が形成（配置）されており、また、表面と反対側の裏面にも図４に示すように、接続用電極である電極パッド（カソード電極）２２が形成（配置）されている。
【００３２】
なお、図３に示すように、ＩＧＢＴチップ１０の表面に形成された電極パッド１１は、導電性接合材６０およびスペーサ１４を介して上面電極３０と電気的に接続されている。さらに、ＩＧＢＴチップ１０の裏面に形成された電極パッド１３は、導電性接合材６０を介して下面電極４０に電気的に接続されている。
【００３３】
一方、図４に示すように、ダイオードチップ２０の表面に形成された電極パッド２１は、導電性接合材６０およびスペーサ２３を介して上面電極３０と電気的に接続されている。さらに、ダイオードチップ２０の裏面に形成された電極パッド２２は、導電性接合材６０を介して下面電極４０に電気的に接続されている。
【００３４】
したがって、ＩＧＢＴチップ１０の表面側の電極パッド（エミッタ電極）１１と、ダイオードチップ２０の表面側の電極パッド（アノード電極）２１とは、板状の上面電極３０を介して電気的に接続されている。そして、ＩＧＢＴチップ１０の裏面側の電極パッド（コレクタ電極）１３と、ダイオードチップ２０の裏面側の電極パッド（カソード電極）２２とは、板状の下面電極４０を介して電気的に接続されている。
【００３５】
つまり、板状の上面電極３０は、ＩＧＢＴチップ１０とダイオードチップ２０のそれぞれの表面側（上面側）に、ＩＧＢＴチップ１０およびダイオードチップ２０のそれぞれと電気的に接続されて配置されている。そして、上面電極３０は、図１に示すように、封止体７０の表面（上面）に露出する電極面（第２電極面）３１を備えている。
【００３６】
一方、板状の下面電極４０は、ＩＧＢＴチップ１０とダイオードチップ２０のそれぞれの裏面側（下面側）に、ＩＧＢＴチップ１０およびダイオードチップ２０のそれぞれと電気的に接続されて配置されている。そして、下面電極４０は、図３や図４に示すように、封止体７０の裏面（下面）に露出する電極面（第１電極面）４１を備えている。
【００３７】
したがって、ＭＣＰ１００では、封止体７０の側面から露出する複数のアウタリード８０ｂに加えて、封止体７０の表面に露出する上面電極３０の電極面３１と、封止体７０の裏面に露出する下面電極４０の電極面４１とが、外部接続用端子となっている。
【００３８】
なお、封止体７０の表面に露出する電極面３１を有した上面電極３０は、放熱板の機能も有しており、ＩＧＢＴチップ１０から発せられた熱をスペーサ１４を介して上面電極３０に伝達し、そして、上面電極３０の電極面３１から外部に放出している。同様に、封止体７０の裏面に露出する電極面４１を有した下面電極４０も放熱板の機能を有しており、ＩＧＢＴチップ１０から発せられた熱を下面電極４０の電極面４１から外部に放出している。
【００３９】
＜半導体装置の製造方法＞
図５は図１に示す半導体装置の組立て順の一例を示すフロー図、図６は図５に示す半導体装置の組立てに用いられるリードフレームの構造を示す部分平面図、図７は図６に示す構造のＡ矢視図、図８は図５に示す半導体装置の組立てのダイボンディング後の構造を示す部分平面図、図９は図８に示す構造のＡ矢視図である。また、図１０は図５に示す半導体装置の組立てのスペーサ搭載後の構造を示す部分平面図、図１１は図１０に示す構造のＡ矢視図、図１２は図５に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング後の構造を示す部分平面図、図１３は図１２に示す構造のＡ矢視図、図１４は図５に示す半導体装置の組立ての上面電極搭載後の構造を示す部分平面図、図１５は図１４に示す構造のＡ矢視図である。さらに、図１６は図５に示す半導体装置の組立ての樹脂モールディング後の構造を示す部分平面図、図１７は図１６に示す構造のＡ矢視図、図１８は図５に示す半導体装置の組立てのレーザ照射後の構造を示す部分平面図、図１９は図１８に示す構造のＡ矢視図、図２０は図５に示す半導体装置の組立てのめっき形成後の構造を示す部分平面図、図２１は図２０に示す構造のＡ矢視図である。また、図２２は図５に示す半導体装置の組立てのマーキング後の構造を示す部分平面図、図２３は図２２に示す構造のＡ矢視図、図２４は図５に示す半導体装置の組立ての切断後の構造を示す平面図、図２５は図２４に示す構造のＡ矢視図である。
【００４０】
本実施の形態１の半導体装置（ＭＣＰ１００）の製造方法を、図５に示すフローに沿って説明する。
【００４１】
１．リードフレーム準備
まず、図５に示すリードフレーム準備を行う。すなわち、図６および図７に示すようなリードフレーム９０を準備する。図６は、リードフレーム９０のうち、１つの半導体装置（ＭＣＰ１００）の組立てに使用される領域（以降、パッケージ領域とも言う）のみを示すものであり、リードフレーム９０は、図６に示す構造が複数個連なった板状の部材である。リードフレーム９０の上記パッケージ領域は、チップ搭載部でもある板状の下面電極４０と、下面電極４０を支持する吊りリード８１と、吊りリード８１の両側に配置された複数のリード８０と、吊りリード８１および複数のリード８０のそれぞれが繋がるタイバ９０ａおよび枠部９０ｂと、を有している。
【００４２】
なお、リードフレーム９０は、例えば、銅（Ｃｕ）を主成分とする基材によって形成され、図６に示すリードパターンは、エッチング加工またはプレス加工などによって形成されたものである。
【００４３】
２．ダイボンディング
リードフレーム準備の後、図５に示すダイボンディングを行う。まず、図８に示すようなＩＧＢＴチップ１０とダイオードチップ２０を準備し、その後、ダイボンディングを行う。本実施の形態１では、下面電極４０上にＩＧＢＴチップ１０とダイオードチップ２０とを搭載する。各チップは、図９に示す導電性接合材６０を介して下面電極４０上に搭載されている。導電性接合材６０は、例えば、焼結Ａｇなどのろう材である。
【００４４】
ダイボンディング時は、例えば、各チップに熱と荷重を印加してダイボンディングする。
【００４５】
３．スペーサ搭載
ダイボンディング後、図５に示すスペーサ搭載を行う。上記スペーサ搭載では、図１０および図１１に示すように、ＩＧＢＴチップ１０の上に導電性接合材６０を介してスペーサ１４を搭載し、一方、ダイオードチップ２０の上に導電性接合材６０を介してスペーサ２３を搭載する。
【００４６】
４．ワイヤボンディング
スペーサ搭載後、図５に示すワイヤボンディングを行う。上記ワイヤボンディングでは、図１２および図１３に示すように、ＩＧＢＴチップ１０の複数の電極パッド１２のそれぞれと、これらに対応する複数のリード８０のインナリード８０ａのそれぞれと、をアルミニウムワイヤ５０によって電気的に接続する。なお、アルミニウムワイヤ５０とは、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電性のワイヤである。
【００４７】
５．上面電極搭載
ワイヤボンディング後、図５に示す上面電極搭載を行う。上記上面電極搭載では、図１４および図１５に示すように、スペーサ１４およびスペーサ２３（図１２参照）の上に導電性接合材６０を介して板状の上面電極３０を搭載する。すなわち、スペーサ１４とスペーサ２３に跨がる大きさの１枚の板状の上面電極３０を、スペーサ１４およびスペーサ２３上に搭載する。これにより、スペーサ１４とスペーサ２３は、１枚の板状の上面電極３０によって覆われた状態となる。
【００４８】
６．樹脂モールディング
上面電極搭載後、図５に示す樹脂モールディングを行う。上記樹脂モールディングでは、下面電極４０、ＩＧＢＴチップ１０、ダイオードチップ２０、スペーサ１４、スペーサ２３および上面電極３０を覆うように、図１６および図１７に示す樹脂製の封止体７０を形成する。すなわち、封止用樹脂を用いて樹脂モールディングを行い、下面電極４０、ＩＧＢＴチップ１０、ダイオードチップ２０、スペーサ１４、スペーサ２３および上面電極３０が上記封止用樹脂によって覆われるように封止体７０を形成する。
【００４９】
７．電極露出（レーザ照射）
樹脂モールディング後、図５に示す電極露出（レーザ照射）を行う。上記電極露出（レーザ照射）では、図１９に示すように、封止体７０の表面および裏面に後述する図３に示すレーザ１１０を照射し、封止体７０の表面と裏面の樹脂を削って除去する。すなわち、封止体７０の表面および裏面にレーザ１１０を照射し、上面電極３０および下面電極４０を覆う樹脂を除去する。レーザ照射では、図１に示すＸ方向とＹ方向とにレーザ１１０を走査、あるいは被加工物を走査させながら被加工物にレーザ１１０を照射する。そして、レーザ１１０の照射により、図１８に示すように、封止体７０の表面に上面電極３０の電極面３１を露出させる。一方、図示はしていないが封止体７０の裏面側においても、レーザ照射により、下面電極４０の電極面４１を露出させる。
【００５０】
８．めっき形成
電極露出（レーザ照射）後、図５に示すめっき形成を行う。上記めっき形成では、図２０および図２１に示すように、封止体７０から露出した複数のアウタリード８０ｂ、電極面３１および電極面４１（図３参照）に、外装めっき１７０を施す。
【００５１】
９．マーキング
めっき形成後、図５に示すマーキングを行う。上記マーキングでは、図２２および図２３に示すように、封止体７０の表面の電極面３１の外側の領域に所望のマーク７２を付す。マーク７２は、例えば、レーザ照射により行う。マーク７２は、例えば、製造番号などの管理用の文字であってもよい。
【００５２】
１０．切断
マーキング後、図５に示す切断を行う。上記切断では、図２４および図２５に示すように、複数のリード８０を図２２に示すタイバ９０ａや枠部９０ｂから分離する。すなわち、複数のリード８０のそれぞれにおいてタイバ９０ａで切断を行うとともに、枠部９０ｂからも切断してそれぞれのリード８０を切り離す。
【００５３】
以上により、ＭＣＰ１００の組立てを完了する。
【００５４】
本実施の形態１のＭＣＰ１００の組立てでは、上述のように樹脂モールディングにより封止体７０を形成し、その後、封止体７０の表面と裏面にレーザ１１０を照射して上面電極３０の電極面３１および下面電極４０の電極面４１を、封止体７０から露出させる。
【００５５】
これにより、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、レーザ照射の場合、切削刃を使用しないためＭＣＰ１００の組立てにおけるランニングコストを低減化させることができ、ＭＣＰ１００などの半導体装置の開発に適用させることが可能となる。
【００５６】
また、上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用することにより、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いため、半導体装置の量産性を向上させることができる。
【００５７】
次に、更なる電極露出（レーザ照射）技術の向上を目的として、本発明者が検討を行ったレーザ照射による電極露出技術について説明する。
【００５８】
図２６は本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の形状を示す断面図、図２７は図２６の半導体装置のレーザ照射後の形状を示す断面図、図２８は図２６の半導体装置のレーザ照射後の他の形状を示す断面図である。また、図２９は本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射範囲を示す斜視図、図３０は図２９に示すレーザ照射範囲にレーザを照射した後の半導体装置の状態を示す斜視図である。
【００５９】
本発明者が検討したところ、図２６に示す樹脂モールディング後の構造において、導体部からなる上面電極３０や下面電極４０をレーザ照射により樹脂製の封止体７０から露出させる場合、図２７のレーザ照射後の形状に示すように、電極面（電極面３１、４１）と、その外側のレーザ照射が行われなかった樹脂面７５と、の間に段差が形成され易い。すなわち、電極面３１、４１が樹脂面７５より引っ込んだ状態となり、ＭＣＰ２００（半導体装置）を基板などに実装する際に、実装不良が引き起こされることを本発明者は見出した。
【００６０】
なお、図２８のレーザ照射後の形状に示すように、レーザ照射を封止体７０の表面および裏面の全体に亘って行うことが考えられるが、この場合、封止体７０の表裏それぞれの全面にレーザ照射を行う必要があるため、レーザ照射に時間がかかってしまい効率が悪くなることを本発明者は見出した（効率悪化）。
【００６１】
さらに、図２９のレーザ照射範囲１２０に示すように、封止体７０の表面の全体に亘ってレーザ照射が行われると、図３０に示すように封止体７０に露出する電極面３１の周囲に付されるマーク７２が、上記レーザ照射により粗い面となった樹脂の面に形成されるため、見づらい（判別しにくい）。具体的には、マーク７２のコントラストが出にくく、確認しにくいことを本発明者は見出した（マーク視認性不良）。
【００６２】
そこで上述の実装不良、効率悪化およびマーク視認性不良の課題の対策となる実施の形態１について説明する。
【００６３】
図３１は図５に示す半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図３２は図５に示す半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図、図３３は実施の形態１の半導体装置の組立てのレーザ照射における照射範囲の一例を示す斜視図、図３４は図３３の照射範囲にレーザを照射した後の構造を示す斜視図である。
【００６４】
図３１は、図５に示す半導体装置の製造フローの電極露出（レーザ照射）工程におけるレーザ照射前の構造を示しており、図５の樹脂モールディング工程で、上面電極３０および下面電極４０の形状に沿って封止体７０を凸状に形成し、図５の電極露出（レーザ照射）工程で封止体７０の前記凸状の部分にレーザ１１０を照射するものである。
【００６５】
すなわち、図５の樹脂モールディング工程で、上面電極３０および下面電極４０のそれぞれの形状に沿って封止体７０を凸状に形成する。具体的には、封止体７０を形成する際に、レーザ１１０を照射する領域であるレーザ照射領域１１１として凸部７４を形成する。凸部７４は、電極露出工程でレーザ照射により除去される樹脂部分であり、樹脂モールディング工程で封止用樹脂によって形成される封止体７０の一部分である。なお、凸部７４が形成されるレーザ照射領域１１１は、上面電極３０や下面電極４０よりそれらの外側まで僅かに迫り出させた領域であり、上面電極３０や下面電極４０より広い領域となっている。
【００６６】
このように図５に示す半導体装置の製造フローの電極露出工程で、封止体７０の表面と裏面のそれぞれの凸部７４にレーザ１１０を照射して凸部７４の樹脂を除去し、これにより、上面電極３０や下面電極４０を露出させることで、図３２に示すように上面電極３０の電極面３１の高さと樹脂面７５との高さを同じにすることができる。また、下面電極４０の電極面４１の高さと樹脂面７５との高さを同じにすることができる。
【００６７】
その結果、上述の実装不良を回避することができ、ＭＣＰ１００の基板などへの実装を可能にすることができる。
【００６８】
また、封止体７０の表面と裏面のそれぞれの全体にレーザ照射を行うのではなく、上面電極３０や下面電極４０より僅かに広い領域のみにレーザ照射を行うため、封止体７０の表面と裏面それぞれの全体にレーザ照射を行うのと比べてレーザ１１０の照射面積を少なくすることができ、レーザ照射の効率を向上させることができる（上述の効率悪化を回避することができる）。
【００６９】
また、封止体７０の表面と裏面において限られた領域であるレーザ照射領域１１１のみにレーザ照射が行われるため、レーザ照射が行われない樹脂面７５は荒れることがない。すなわち、図３３に示すように、封止体７０の表面においてレーザ照射範囲１２０が限定されるため、レーザ照射が行われない上記樹脂面７５は荒れることがなく、この樹脂面７５に付された図３４に示すマーク７２が見易くなり、マーク７２の視認性を向上させることができる（上述のマーク視認性不良を回避することができる）。
【００７０】
なお、図３１に示す構造へのレーザ照射においても、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、切削刃を使用しないためＭＣＰ１００の組立てにおけるランニングコストを低減化させることができる。さらに、上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用するため、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いことから、半導体装置（ＭＣＰ１００）の量産性を向上させることができる。
【００７１】
次に、本実施の形態１のＭＣＰ１００の適用例について説明する。図３５は実施の形態１の半導体装置を三相インバータ回路に適用した構成を示す回路図、図３６は実施の形態１の半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図である。
【００７２】
図３５に示すように、本実施の形態１のＭＣＰ１００は、図示しない三相誘導モータなどで使用される三相インバータ回路１３０などに適用できる。図３５に示す三相インバータ回路１３０には、６つのＭＣＰ１００が搭載されている。
【００７３】
また、図３５に示す三相インバータ回路１３０には、三相に対応してＩＧＢＴＱ１とダイオードＦＲＤが設けられている。すなわち、ＩＧＢＴＱ１とダイオードＦＲＤを逆並列接続した構成により、三相インバータ回路１３０の構成要素となるスイッチング素子を実現している。
【００７４】
言い換えれば、三相インバータ回路１３０では、正電位端子ＰＴと上記三相誘導モータの各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）との間にＩＧＢＴＱ１とダイオードＦＲＤが逆並列に接続されており、かつ、上記三相誘導モータの各相と負電位端子ＮＴとの間にもＩＧＢＴＱ１とダイオードＦＲＤが逆並列に接続されている。すなわち、単相ごとに２つのＩＧＢＴＱ１と２つのダイオードＦＲＤが設けられている。この結果、三相インバータ回路１３０は、合計６つのＩＧＢＴＱ１と６つのダイオードＦＲＤを有している。そして、三相インバータ回路１３０において、ＩＧＢＴＱ１のスイッチング動作により、直流電力を三相交流電力に変換して、この三相交流電力を上記三相誘導モータに供給するようになっている。
【００７５】
また、図３６に示す構造は、本実施の形態１のＭＣＰ１００をインバータ回路に組み込んだ際の実装構造を示すものである。例えば、複数のＭＣＰ１００に跨がって上面側の冷却器１４０と下面側の冷却器１４０とが搭載されている。冷却器１４０は、例えば、水冷式のものである。
【００７６】
また、複数のＭＣＰ１００のそれぞれの上面電極３０および下面電極４０を電気的に接続するためのバスバー９１が、上面側と下面側とにそれぞれ設けられている。それぞれの上面電極３０と上面側のバスバー９１、およびそれぞれの下面電極４０と下面側のバスバー９１とは、それぞれ実装はんだ１５０を介して接合されている。
【００７７】
また、上面側のバスバー９１と上面側の冷却器１４０とは、および下面側のバスバー９１と下面側の冷却器１４０とは、それぞれ放熱グリス１６０によって接合されている。
【００７８】
このように本実施の形態１のＭＣＰ１００は、冷却器１４０と接合し、かつバスバー９１によって複数個のＭＣＰ１００が電気的に接続されることで、インバータ回路であっても搭載することが可能になる。
【００７９】
（実施の形態２）
図３７は実施の形態２の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図３８は実施の形態２の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図、図３９は実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【００８０】
本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１のＭＣＰ１００と同様のものであるが、実施の形態１のＭＣＰ１００と異なる点は、図５の樹脂モールディング工程で形成される図３７に示す封止体７０の凸部７４の平面方向の大きさを、レーザ照射領域１１１より小さくするものである。これにより、図５に示す半導体装置の製造フローの電極露出（レーザ照射）工程では、レーザ１１０が、封止体７０の凸部７４とこの凸部７４の外側の領域にも照射される。
【００８１】
言い換えると、封止体７０の凸部７４の幅方向の長さをレーザ照射領域１１１の幅より小さくする。その結果、レーザ照射工程（電極露出工程）で、封止体７０の凸部７４のエッジ部と、照射されるレーザ１１０の端部と、の間にクリアランスを形成することができ、ＭＣＰ１００の量産の安定性を向上させることができる。すなわち、ＭＣＰ１００の生産性を向上させることができる。
【００８２】
また、図３７に示すレーザ照射領域１１１を封止体７０の凸部７４の広さより大きくしてレーザ１１０を照射すると、封止体７０において凸部７４の外側の部分がレーザ１１０によって削られるため、図３８に示すように、封止体７０の表面や裏面において、電極面３１、４１の外側に、この電極面３１、４１を囲むように溝７１が形成される。例えば、図３９に示すＭＣＰ１００のように、平面視で、封止体７０の表面において、上面電極３０の電極面３１を囲むように溝７１が形成される。なお、図３８に示す封止体７０の裏面側においても、上面側と同様に、下面電極４０の電極面４１を囲むように溝７１が形成される。
【００８３】
なお、レーザ照射工程では、封止体７０の表面および裏面にレーザ１１０を照射し、上面電極３０および下面電極４０を覆う樹脂を除去する。その際、図１に示すＸ方向とＹ方向とにレーザ１１０を走査、あるいは被加工物を走査させながら被加工物にレーザ１１０を複数回照射する。図３７に示すレーザ照射では、レーザ照射領域１１１が封止体７０の凸部７４の広さより僅かに大きくなるようにレーザ１１０を照射する。これにより、封止体７０の表面の凸部７４の樹脂が削り取られて上面電極３０の電極面３１がするとともに、凸部７４がなくなる。その際、凸部７４の僅かに外側の領域（Ｐ部）にもレーザ１１０が照射されるため、凸部７４の高さと略同様の深さで領域（Ｐ部）に図３８に示す溝７１が形成される。
【００８４】
その際、レーザ１１０はその指向性が強いため、Ｘ方向とＹ方向とにレーザ１１０を走査させながら照射すると、Ｘ方向とＹ方向において同じように削られるため、凸部７４が削り取られるのに加えてその周囲の図３７に示す領域（Ｐ部）も削られ、その結果、図３８に示すように電極面３１または電極面４１を囲むように溝７１が形成される。
【００８５】
また、図３８に示す構造では、封止体７０の表面において、溝７１の内側と外側とに樹脂の平坦面７３が形成されている。同様に、封止体７０の裏面においても、溝７１の内側と外側とに樹脂の平坦面７３が形成されている。
【００８６】
さらに、封止体７０の内部において、上面側の溝７１の下部に上面電極３０の迫り出し部（一部）３２が配置されており、かつ、下面側の溝７１の上部に下面電極４０の迫り出し部（一部）４２が配置されている。
【００８７】
本実施の形態２のレーザ照射においても、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、切削刃を使用しないためランニングコストを低減化させることができる。また、上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用することにより、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いため、半導体装置（ＭＣＰ１００）の量産性を向上させることができる。
【００８８】
（実施の形態３）
図４０は本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図、図４１は本発明者が比較検討した半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。また、図４２は実施の形態３の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図４３は実施の形態３の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図４４は実施の形態３の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図、図４５は実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【００８９】
図４０に示すレーザ照射において、半導体装置の組立ての量産性を考慮（樹脂を電極面から確実に取り除く）すると、図４０のＣ部に示すように、上面電極３０の電極面３１よりその周囲の樹脂面７６の高さが低くなる場合がある。すなわち、上面電極３０の平坦性や電極面３１の高さの製造バラツキなどにより、露出された電極面３１の高さよりその周囲の樹脂面７６の高さが低くなる場合がある。
【００９０】
つまり、溝７１より外側の樹脂面７５は、図示しないモールド金型によって成形されるため、電極面３１と同じ高さに形成することは困難である。この場合、溝７１の外側の樹脂面７５と溝７１の内側の樹脂面７６とで段差が形成され、上面電極３０の電極面３１がはんだ付けされない場合が考えられる。
【００９１】
そこで、本実施の形態３では、レーザ照射前の封止体７０の形状において、図４２に示すように封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さＲを、予め上面電極３０の電極面３１の高さＱより低くしておく。すなわち、図４１に示す比較検討を行ったレーザ照射の構造では、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが上面電極３０の電極面３１の高さと同じであったのに対して、図４２の実施の形態３のレーザ照射の構造では、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さＲが、予め上面電極３０の電極面３１の高さＱより低く形成されている（Ｑ部の高さ＞Ｒ部の高さ）。
【００９２】
この構造は、図５に示す樹脂モールディングの工程で封止体７０を形成する際に、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが、上面電極３０の電極面３１の高さより低くなるように封止体７０を形成する。
【００９３】
そして、この構造に、図４３に示すようにレーザ１１０を照射する。すなわち、図４３に示すレーザ照射領域１１１を封止体７０の凸部７４の広さより大きくしてレーザ１１０を照射する。これにより、封止体７０において凸部７４の外側の部分がレーザ１１０によって削られるため、図４４と図４５に示すように、封止体７０の表面や裏面において、電極面３１、４１の外側に、この電極面３１、４１を囲むように溝７１が形成される。
【００９４】
さらに、樹脂モールディングの工程において、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが、上面電極３０の電極面３１の高さより低くなるように封止体７０が形成されるため、電極露出工程におけるレーザ照射により、図４４に示すように、溝７１の外側に位置する樹脂面７５の高さが、溝７１の内側に位置する樹脂面７６の高さより低く形成される（Ｑ部の高さ＞Ｒ部の高さ）。
【００９５】
別の表現で述べると、封止体７０において、溝７１の外側に位置する平坦面７３は、溝７１の内側に位置する平坦面７３よりも封止体７０の厚さ方向（図４５に示すＺ方向）の中央寄りに配置されている。さらに、別の表現で述べると、封止体７０において、溝７１の外側に位置する平坦面７３は、上面電極３０の電極面３１または下面電極４０の電極面４１よりも封止体７０の厚さ方向の中央寄りに配置されている。
【００９６】
このように封止体７０において、溝７１の外側に位置する樹脂面７５の高さが、溝７１の内側に位置する樹脂面７６の高さより低く形成されていることにより、溝７１の外側に位置する樹脂面７５が上面電極３０の電極面３１や下面電極４０の電極面４１より引っ込んだ位置となるため、ＭＣＰ１００の実装性を確保（向上）することができる。
【００９７】
また、本実施の形態３のＭＣＰ１００においても、封止体７０の内部において、上面側の溝７１の下部に上面電極３０の迫り出し部（一部）３２が配置されており、かつ、下面側の溝７１の上部に下面電極４０の迫り出し部（一部）４２が配置されている。
【００９８】
なお、本実施の形態３のレーザ照射においても、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、切削刃を使用しないためランニングコストを低減化させることができる。また、上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用することにより、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いため、半導体装置（ＭＣＰ１００）の量産性を向上させることができる。
【００９９】
次に、本実施の形態３の半導体装置（ＭＣＰ１００）の適用例によって得られる効果について説明する。
【０１００】
図４６と図４７はそれぞれ本発明者が比較検討した半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図、図４８は実施の形態３の半導体装置の冷却器搭載構造を示す断面図である。
【０１０１】
図４６に示すＭＣＰ１００の構造では、上面電極３０の電極面３１と下面電極４０の電極面４１との間の封止体７０に沿った距離が沿面距離Ｕとなっいる。そして、図４７に示すように、ＭＣＰ１００に実装はんだ１５０を用いてバスバー９１を実装する際などに、飛散したはんだによりはんだボール２１０が形成される場合があり、このはんだボール２１０が封止体７０上に配置されると、封止体７０とバスバー９１との間に挟まることがある。
【０１０２】
その場合、上面電極３０の電極面３１と下面電極４０の電極面４１との間の封止体７０に沿った距離が沿面距離Ｖとなり、沿面距離Ｕより距離が短くなる（沿面距離Ｖ＜沿面距離Ｕ）。すなわち、はんだボール発生により、沿面距離が短くなり、上面電極３０と下面電極４０との間でショートが発生する可能性が高くなる。
【０１０３】
そこで、図４８に示す本実施の形態３のＭＣＰ１００では、電極面３１、４１と樹脂面７５との間に段差が設けられているため、はんだボール２１０が存在してもこのはんだボール２１０の影響を受けることはない。すなわち、図４８のＭＣＰ１００では、上面電極３０の電極面３１と下面電極４０の電極面４１との間の封止体７０に沿った距離が沿面距離Ｗとなり、はんだボール発生によるショートの発生を回避することができる。
【０１０４】
なお、電極面３１、４１と樹脂面７５との間の段差は、絶縁性を確保する空間距離の観点から、例えば、耐圧が６００Ｖの場合、上記段差＝０．０６ｍｍ以上であることが好ましく、また、例えば、耐圧が１２００Ｖの場合、上記段差＝０．４５ｍｍ以上であることが好ましい。
【０１０５】
（実施の形態４）
図４９は本発明者が比較検討した半導体装置のレーザ照射後の構造を示す断面図、図５０は本発明者が比較検討した半導体装置のレーザ照射後の構造を示す断面図、図５１は実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図５２は実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図である。また、図５３は実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図、図５４は実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す斜視図、図５５は実施の形態４の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【０１０６】
図４９の構造に示すように、上面電極３０や下面電極４０の厚さが薄くなった場合、上面電極３０の迫り出し部３２上の樹脂部分（Ｈ１部）の厚さ（下面電極４０の迫り出し部４２の下部も同様）も薄くなる。上記Ｈ１部の樹脂厚さが薄くなると、絶縁耐圧を確保可能な最小樹脂厚さに至らなくなり、その結果、沿面距離も確保できなくなる。さらに、溝７１から上面電極３０の迫り出し部３２や下面電極４０の迫り出し部４２が露出し、耐湿性の低下を招く。
【０１０７】
また、図５０の構造に示すように、下面電極４０に接合されるバスバー９１上に、例えば、ゲートリード８０ｃなどの下面電極４０と電位が異なるリードが配置されている場合、Ｈ２部に示すように、溝７１を介してゲートリード８０ｃとバスバー９１との間でショートが発生する。
【０１０８】
そこで、本実施の形態４では、レーザ照射前の封止体７０の形状において、図５１に示すように封止体７０の凸部７４の外側の領域の樹脂面７７の高さを２段階にしている。すなわち、凸部７４の外側に電極面３１、４１より高さが低い樹脂面７７ａが形成されており、さらに樹脂面７７ａの外側に樹脂面７７ａより高さが低い樹脂面７７ｂが形成されている。
【０１０９】
この構造は、図５に示す樹脂モールディングの工程で封止体７０を形成する際に、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが２段階となるように封止体７０を形成するものである。つまり、樹脂モールディングの工程で、図５１に示すように、凸部７４の外側に電極面３１、４１より高さが低い樹脂面７７ａ（中段の樹脂面７７ａ）と、樹脂面７７ａの外側に樹脂面７７ａより高さが低い樹脂面７７ｂとを有する封止体７０を形成しておく（Ｑ部の高さ＞Ｒ部の高さ＞Ｓ部の高さ）。
【０１１０】
そして、この構造に、図５２に示すようにレーザ１１０を照射する。すなわち、レーザ照射領域１１１を封止体７０の凸部７４の広さより大きくしてレーザ１１０を照射する。これにより、封止体７０において凸部７４の外側の部分（中段の樹脂面７７ａ）がレーザ１１０によって削られるため、図５３と図５４に示すように、封止体７０の表面や裏面において、電極面３１、４１の外側の位置に、この電極面３１、４１を囲むように溝７１が形成される。
【０１１１】
さらに、樹脂モールディングの工程において、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが２段階となるように封止体７０が形成されるため、電極露出工程におけるレーザ照射により、図５３に示すように、溝７１の外側の領域に電極面３１、４１より高さが低い平坦面（第１平坦面）７３ａが形成される。そして、平坦面７３ａより外側の領域に平坦面７３ａより高さが低い平坦面（第２平坦面）７３ｂが形成される。
【０１１２】
別の表現で述べると、封止体７０において、溝７１の外側に位置する平坦面７３は、電極面３１または電極面４１よりも封止体７０の厚さ方向の中央寄りに配置された平坦面（第１平坦面）７３ａと、平坦面７３ａよりも外側の位置で、かつ封止体７０の厚さ方向（図５４に示すＺ方向）のさらに中央寄りに配置された平坦面（第２平坦面）７３ｂと、を有している。
【０１１３】
つまり、電極露出工程でのレーザ照射により、溝７１の外側に２段階の高さとなる平坦面７３ａ（中段の高さの平坦面７３ａ）と平坦面７３ｂとが形成される。
【０１１４】
なお、本実施の形態４のＭＣＰ１００においても、封止体７０の内部において、上面側の溝７１の下部に上面電極３０の迫り出し部（一部）３２が配置されており、かつ、下面側の溝７１の上部に下面電極４０の迫り出し部（一部）４２が配置されている。
【０１１５】
このように封止体７０において、溝７１の外側に中段の高さの平坦面７３ａが形成されていることにより、図５３に示すように、溝７１の底部Ｊと上面電極３０の迫り出し部３２の上面Ｋとのクリアランスを確保することができる。さらに、迫り出し部３２、４２の上部に中段の高さの平坦面７３ａが形成されているため、絶縁耐圧を確保することができる。
【０１１６】
また、図５３のＭ部に示すように、溝７１と中段の高さの平坦面７３ａとにより、樹脂面に凹凸を形成することができるため、上面電極３０と下面電極４０との封止体７０に沿った沿面距離も確保することができる。
【０１１７】
また、溝７１の外側に中段の高さの平坦面７３ａが形成されていることにより、上面電極３０や下面電極４０の迫り出し部３２、４２が露出することを防止でき、耐湿性劣化を防止することができる。
【０１１８】
また、図５５に示すように、ＭＣＰ１００において、下面電極４０の近傍で、かつ封止体７０の裏面近くにゲートリード８０ｃなどの下面電極４０と電位が異なるリードが配置されている場合、溝７１の外側に中段の高さの平坦面７３ａが形成されていることにより、図５０に示すバスバー９１とゲートリード８０ｃとの間でのショートを防止することができる。また、溝７１の底部Ｊとゲートリード８０ｃの下面Ｋとのクリアランスを確保することができる。さらに、ＭＣＰ１００の実装基板への実装時に、ゲートリード８０ｃと実装基板の配線などとのショートを防止することができる。
【０１１９】
なお、本実施の形態４のレーザ照射においても、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、切削刃を使用しないためランニングコストを低減化させることができる。また、上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用することにより、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いため、半導体装置（ＭＣＰ１００）の量産性を向上させることができる。
【０１２０】
次に、本実施の形態４の変形例について説明する。
【０１２１】
図５６は本発明者が比較検討した半導体装置のレーザ照射後の構造を示す断面図、図５７は実施の形態４の変形例の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図５８は実施の形態４の変形例の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図５９は実施の形態４の変形例の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。また、図６０は実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を示す斜視図である。
【０１２２】
図５７の構造に示すように、封止体７０の凸部７４において、電極面３１、４１上の樹脂を確実に除去するためにレーザ１１０の出力を高めると、樹脂の削れ量が増え、図５６に示す溝７１の底部Ｊと上面電極３０の迫り出し部３２の上面Ｋとのクリアランスを確保することが困難となる。また、絶縁耐圧の確保も困難となる。
【０１２３】
そこで、本実施の形態４の変形例では、レーザ照射前の封止体７０の形状において、図５７に示すように封止体７０の凸部７４の外側の領域の樹脂面７７の高さを２段階にしている。すなわち、凸部７４の外側に電極面３１、４１より高さが低い樹脂面７７ａが形成されており、さらに樹脂面７７ａの外側に樹脂面７７ａより高さが低い樹脂面７７ｂが形成されている。
【０１２４】
この構造は、図５に示す樹脂モールディングの工程で封止体７０を形成する際に、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが２段階となるように封止体７０を形成するものである。つまり、樹脂モールディングの工程で、図５７に示すように、凸部７４の外側に電極面３１、４１より高さが低い樹脂面７７ａ（中段の樹脂面７７ａ）と、樹脂面７７ａの外側に樹脂面７７ａより高さが低い樹脂面７７ｂとを有する封止体７０を形成しておく（Ｑ部の高さ＞Ｒ部の高さ＞Ｓ部の高さ）。
【０１２５】
そして、この構造に、図５８に示すようにレーザ１１０を照射する。すなわち、レーザ照射領域１１１を封止体７０の凸部７４の広さより大きくしてレーザ１１０を照射する。その際、本実施の形態４の変形例では、凸部７４の上面電極３０や下面電極４０に対応した領域に第１レーザ１１０ａを照射し、かつ、上面電極３０や下面電極４０の外側の領域に第１レーザ１１０ａより出力が小さい第２レーザ１１０ｂを照射する。あるいは、第１レーザ１１０ａを複数回照射し、そして第２レーザ１１０ｂを第１レーザ１１０ａの照射回数より少ない照射回数で照射する。
【０１２６】
つまり、電極面３１、４１上の樹脂に対しては出力を高くして第１レーザ１１０ａを照射する。もしくは照射回数を多くして第１レーザ１１０ａを照射する。一方、電極面３１、４１の外側に対応する樹脂には、第１レーザ１１０ａの出力より小さい出力で第２レーザ１１０ｂを照射する。もしくは照射回数を第１レーザ１１０ａの照射回数より少なくして第２レーザ１１０ｂを照射する。
【０１２７】
これにより、図５８に示す封止体７０において凸部７４の外側の部分（中段の樹脂面７７ａ）がレーザ１１０によって削られるとともに、凸部７４における電極面３１、４１の外側の部分も出力が小さい第２レーザ１１０ｂによって削られる。その結果、図５９および図６０に示すように、封止体７０の表面や裏面において、電極面３１、４１の外側の位置に、この電極面３１、４１を囲むように第１溝７１ａが形成され、さらに第１溝７１ａの外側に第１溝７１ａを囲むように第２溝７１ｂが形成される。すなわち、電極面３１、４１の周囲に二重の溝７１（第１溝７１ａと第２溝７１ｂ）が形成される。
【０１２８】
さらに、樹脂モールディングの工程において、封止体７０の凸部７４の周囲の樹脂面７７の高さが２段階となるように封止体７０が形成されるため、電極露出工程におけるレーザ照射により、図５９に示すように、第２溝７１ｂの外側の領域に電極面３１、４１より高さが低い平坦面（第１平坦面）７３ａが形成される。そして、平坦面７３ａより外側の領域に平坦面７３ａより高さが低い平坦面（第２平坦面）７３ｂが形成される。
【０１２９】
別の表現で述べると、封止体７０において、第２溝７１ｂの外側に位置する平坦面７３は、電極面３１または電極面４１よりも封止体７０の厚さ方向の中央寄りに配置された平坦面（第１平坦面）７３ａと、平坦面７３ａよりも外側の位置で、かつ封止体７０の厚さ方向（図６０に示すＺ方向）のさらに中央寄りに配置された平坦面（第２平坦面）７３ｂと、を有している。
【０１３０】
つまり、実施の形態４の変形例においても、電極露出工程でのレーザ照射により、第２溝７１ｂの外側に２段階の高さとなる平坦面７３ａ（中段の高さの平坦面７３ａ）と平坦面７３ｂとが形成される。
【０１３１】
なお、実施の形態４の変形例のＭＣＰ１００においても、封止体７０の内部において、上面側の第２溝７１ｂの下部に上面電極３０の迫り出し部（一部）３２が配置されており、かつ、下面側の第２溝７１ｂの上部に下面電極４０の迫り出し部（一部）４２が配置されている。
【０１３２】
このように封止体７０において、第１溝７１ａより外側に位置する第２溝７１ｂのさらに外側に中段の高さの平坦面７３ａが形成されていることにより、第２溝７１ｂの底部Ｊと上面電極３０の迫り出し部３２の上面Ｋとのクリアランスを確保することができる。さらに、迫り出し部３２、４２の上部に中段の高さの平坦面７３ａが形成されているため、絶縁耐圧を確保することができる。
【０１３３】
また、図５９のＮ部に示すように、第２溝７１ｂと中段の高さの平坦面７３ａとにより、樹脂面に凹凸を形成することができるため、上面電極３０と下面電極４０との封止体７０に沿った沿面距離も確保することができる。
【０１３４】
また、第２溝７１ｂの外側に中段の高さの平坦面７３ａが形成されていることにより、上面電極３０や下面電極４０の迫り出し部３２、４２が露出することを防止でき、耐湿性劣化を防止することができる。
【０１３５】
また、図５５に示すように、ＭＣＰ１００において、下面電極４０の近傍で、かつ封止体７０の裏面近くにゲートリード８０ｃなどの下面電極４０と電位が異なるリードが配置されている場合、図５９に示すように、第２溝７１ｂの外側に中段の高さの平坦面７３ａが形成されていることにより、図５０に示すバスバー９１とゲートリード８０ｃとの間でのショートを防止することができる。さらに、ＭＣＰ１００の実装基板への実装時に、ゲートリード８０ｃと実装基板の配線などとのショートを防止することができる。
【０１３６】
なお、本実施の形態４の変形例のレーザ照射においても、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、切削刃を使用しないためランニングコストを低減化させることができる。また、上面電極３０や下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用することにより、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いため、半導体装置（ＭＣＰ１００）の量産性を向上させることができる。
【０１３７】
（実施の形態５）
図６１は実施の形態５の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図６２は実施の形態５の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射前の構造を示す断面図、図６３は実施の形態５の半導体装置の組立てにおけるレーザ照射後の構造を示す断面図である。
【０１３８】
本実施の形態５は、電極露出工程において封止体７０の表面もしくは裏面の片面のみにレーザ照射を行って電極面３１または電極面４１の何れかを露出させるものである。本実施の形態５では、封止体７０の表面にレーザ照射を行って上面電極３０の電極面３１を露出させる場合を説明するが、裏面の下面電極４０の電極面４１のみを露出させる場合も同様である。
【０１３９】
電極露出工程で上面電極３０の電極面３１のみをレーザ照射によって露出させる場合、図５に示す樹脂モールディングの工程で封止体７０を形成する際に、図６１に示すように、封止体７０の裏面に下面電極４０の電極面４１が露出するように封止体７０を形成する。その際、樹脂モールディングでは、封止体７０の裏面側、すなわち下面電極４０の電極面４１にフィルムを配置した状態、あるいは図示しないモールド金型のキャビティに下面電極４０を押し付けた状態で樹脂モールディングを行う。
【０１４０】
これにより、樹脂モールディングの工程で、図６１に示すように、封止体７０の裏面に下面電極４０の電極面４１が露出するように封止体７０を形成することができる。
【０１４１】
また、樹脂モールディングでは、図６２に示すように、平面方向において、上面電極３０の大きさより僅かに広くなる程度の大きさで上面電極３０上に凸部７４が配置されるように封止体７０を形成する。
【０１４２】
そして、電極露出工程で、図６２に示すようにレーザ照射を行う。すなわち、レーザ照射領域１１１が封止体７０の凸部７４の平面方向の大きさより僅かに広くなるように、封止体７０の表面にレーザ１１０を照射する。これにより、レーザ１１０が、封止体７０の凸部７４とこの凸部７４の外側の領域にも照射される。
【０１４３】
言い換えると、封止体７０の凸部７４の幅方向の長さをレーザ照射領域１１１の幅より小さくする。その結果、電極露出工程（レーザ照射工程）で、封止体７０の凸部７４のエッジ部と、照射されるレーザ１１０の端部と、の間にクリアランスを形成することができ、ＭＣＰ１００の量産の安定性を向上させることができる。すなわち、ＭＣＰ１００の生産性を向上させることができる。
【０１４４】
また、図６２に示すように、レーザ照射領域１１１を封止体７０の凸部７４の広さより大きくしてレーザ１１０を照射すると、封止体７０において凸部７４の外側の部分がレーザ１１０によって削られるため、図６３に示すように、封止体７０の表面において、電極面３１の外側に、この電極面３１を囲むように溝７１が形成される。
【０１４５】
本実施の形態５の組立てでは、封止体７０の片面のみにレーザ１１０を照射して電極面３１または電極面４１を封止体７０から露出させる。これにより、電極露出工程における加工時間の短縮化を図ることができる。その結果、半導体装置（ＭＣＰ１００）の生産性を向上させることができる。
【０１４６】
なお、本実施の形態５のレーザ照射においても、砥石などの切削刃を用いて切削加工により上面電極３０もしくは下面電極４０を封止体７０から露出させる場合と比較して、切削刃を使用しないためランニングコストを低減化させることができる。また、上面電極３０もしくは下面電極４０を封止体７０から露出させるのにレーザ照射を採用することにより、砥石などの切削刃を用いた切削加工に比べてレーザ照射の方が生産性が高いため、半導体装置（ＭＣＰ１００）の量産性を向上させることができる。
【０１４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４８】
なお、上記実施の形態１〜５で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲において、上記各実施の形態同士、さらに変形例を組み合わせて適用することができる。
【０１４９】
また、上記実施の形態１〜５では、半導体装置に組み込まれるパワー素子として、パワーバイポーラトランジスタ(Bipolar Transistor)など、ＩＧＢＴを例に示して説明したが、組み込む素子としてはパワーＭＯＳＦＥＴなどであってもよい。
【０１５０】
また、上記実施の形態１〜４では、封止体７０の表面と裏面の電極面３１、４１をレーザ照射によって封止体７０から露出させる場合を説明した。また、実施の形態５では、封止体７０の表面と裏面のうちの片面において電極面３１または電極面４１の何れかをレーザ照射によって露出させる場合を説明した。すなわち、レーザ照射によって封止体７０から電極面を露出させるのは、封止体７０の表面と裏面の両方であってもよく、また表面と裏面のうちの何れか片方の面だけであってもよい。
【０１５１】
さらに、封止体７０に形成される溝７１についても、封止体７０の表面と裏面の両方であっても、あるいは表面と裏面のうちの何れか片方の面だけであってもよい。その際、溝７１は、電極面の何れか１つの辺、すなわち、溝７１は、電極面の一部分のみに沿った状態で形成されていてもよいし、また、電極面の全体を覆うように形成されていてもよい。
【０１５２】
また、上記実施の形態１〜５では、ＭＣＰ１００がＩＧＢＴチップ１０とダイオードチップ２０の２つの半導体チップを有している場合を説明したが、ＭＣＰ１００は、封止体７０の表面と裏面に電極が露出する構造であれば、搭載される半導体チップの数は１つであってもよい。
【０１５３】
なお、実施の形態は、以下の形態を含む。
【０１５４】
（付記１）
各々の表面と裏面のそれぞれに接続用電極が配置された第１および第２半導体チップと、
前記第１および第２半導体チップのそれぞれの前記裏面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記裏面側に配置された第１板状導体部と、
前記第１および第２半導体チップのそれぞれの前記表面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記表面側に配置された第２板状導体部と、
前記第１および第２半導体チップ、前記第１および第２板状導体部それぞれを覆う樹脂製の封止体と、
を有し、
前記第１板状導体部は、前記封止体の前記裏面に露出する第１電極面を備え、
前記第２板状導体部は、前記封止体の前記表面に露出する第２電極面を備え、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で前記第１または第２電極面を囲むように溝が形成され、かつ、前記溝の内側と外側とに前記封止体の平坦面が形成されており、
前記溝の外側の前記平坦面は、前記溝の内側の前記平坦面より前記封止体の厚さ方向の中央寄りに配置されている、半導体装置。
【０１５５】
（付記２）
各々の表面と裏面のそれぞれに接続用電極が配置された第１および第２半導体チップと、
前記第１および第２半導体チップのそれぞれの前記裏面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記裏面側に配置された第１板状導体部と、
前記第１および第２半導体チップのそれぞれの前記表面側の前記接続用電極と電気的に接続されて前記表面側に配置された第２板状導体部と、
前記第１および第２半導体チップ、前記第１および第２板状導体部それぞれを覆う樹脂製の封止体と、
を有し、
前記第１板状導体部は、前記封止体の前記裏面に露出する第１電極面を備え、
前記第２板状導体部は、前記封止体の前記表面に露出する第２電極面を備え、
前記封止体の前記表面と前記裏面のうちの少なくとも何れか一方の面において、平面視で前記第１または第２電極面の一部に沿って溝が形成されており、
前記溝の下部または上部に、前記第１または第２板状導体部の一部が配置されている、半導体装置。
【符号の説明】
【０１５６】
１０  ＩＧＢＴチップ（半導体チップ、第１半導体チップ）
１１、１２、１３  電極パッド（接続用電極）
１４  スペーサ
２０  ダイオードチップ（半導体チップ、第２半導体チップ）
２１、２２  電極パッド（接続用電極）
２３  スペーサ
３０  上面電極（第２板状導体部）
３１  電極面（第２電極面）
３２  迫り出し部（一部）
４０  下面電極（第１板状導体部）
４１  電極面（第１電極面）
４２  迫り出し部（一部）
５０  アルミニウムワイヤ
６０  導電性接合材
７０  封止体
７１  溝
７１ａ  第１溝
７１ｂ  第２溝
７２  マーク
７３  平坦面
７３ａ  平坦面（第１平坦面）
７３ｂ  平坦面（第２平坦面）
７４  凸部
７５、７６、７７、７７ａ、７７ｂ  樹脂面
８０  リード
８０ａ  インナリード
８０ｂ  アウタリード
８０ｃ  ゲートリード
８１  吊りリード
９０  リードフレーム
９０ａ  タイバ
９０ｂ  枠部
９１  バスバー
１００  ＭＣＰ（半導体装置）
１１０  レーザ
１１０ａ  第１レーザ
１１０ｂ  第２レーザ
１１１  レーザ照射領域
１２０  レーザ照射範囲
１３０  三相インバータ回路
１４０  冷却器
１５０  実装はんだ
１６０  放熱グリス
１７０  外装めっき
２００  ＭＣＰ
２１０  はんだボール
【図１】
2019212833.tif 000003
【図２】
2019212833.tif 000004
【図３】
2019212833.tif 000005
【図４】
2019212833.tif 000006
【図５】
2019212833.tif 000007
【図６】
2019212833.tif 000008
【図７】
2019212833.tif 000009
【図８】
2019212833.tif 000010
【図９】
2019212833.tif 000011
【図１０】
2019212833.tif 000012
【図１１】
2019212833.tif 000013
【図１２】
2019212833.tif 000014
【図１３】
2019212833.tif 000015
【図１４】
2019212833.tif 000016
【図１５】
2019212833.tif 000017
【図１６】
2019212833.tif 000018
【図１７】
2019212833.tif 000019
【図１８】
2019212833.tif 000020
【図１９】
2019212833.tif 000021
【図２０】
2019212833.tif 000022
【図２１】
2019212833.tif 000023
【図２２】
2019212833.tif 000024
【図２３】
2019212833.tif 000025
【図２４】
2019212833.tif 000026
【図２５】
2019212833.tif 000027
【図２６】
2019212833.tif 000028
【図２７】
2019212833.tif 000029
【図２８】
2019212833.tif 000030
【図２９】
2019212833.tif 000031
【図３０】
2019212833.tif 000032
【図３１】
2019212833.tif 000033
【図３２】
2019212833.tif 000034
【図３３】
2019212833.tif 000035
【図３４】
2019212833.tif 000036
【図３５】
2019212833.tif 000037
【図３６】
2019212833.tif 000038
【図３７】
2019212833.tif 000039
【図３８】
2019212833.tif 000040
【図３９】
2019212833.tif 000041
【図４０】
2019212833.tif 000042
【図４１】
2019212833.tif 000043
【図４２】
2019212833.tif 000044
【図４３】
2019212833.tif 000045
【図４４】
2019212833.tif 000046
【図４５】
2019212833.tif 000047
【図４６】
2019212833.tif 000048
【図４７】
2019212833.tif 000049
【図４８】
2019212833.tif 000050
【図４９】
2019212833.tif 000051
【図５０】
2019212833.tif 000052
【図５１】
2019212833.tif 000053
【図５２】
2019212833.tif 000054
【図５３】
2019212833.tif 000055
【図５４】
2019212833.tif 000056
【図５５】
2019212833.tif 000057
【図５６】
2019212833.tif 000058
【図５７】
2019212833.tif 000059
【図５８】
2019212833.tif 000060
【図５９】
2019212833.tif 000061
【図６０】
2019212833.tif 000062
【図６１】
2019212833.tif 000063
【図６２】
2019212833.tif 000064
【図６３】
2019212833.tif 000065