(57)【要約】【課題】除去工程において、ウエハのうち第１溝部または第２溝部によって挟まれている部位を損傷することなく、ウエハの裏面に対して研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を精度良く行うことができる、半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】接着剤４０を、第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填すると共に、ウエハ１０の表面１０ｂと支持部材３０の表面３０ｂとの間に配置して、ウエハ１０と支持部材３０とを接着して、ウエハ１０が支持部材３０に支持された状態にする接着工程Ｓ２と、ウエハ１０が支持部材３０に支持された状態で、ウエハ１０の裏面１０ｃの全体にわたって研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行って、ウエハ１０の裏面１０ｃ側の部位を一定の厚さだけ除去する除去工程Ｓ３とを備える。支持部材３０は、除去工程Ｓ３の期間中に変形しない剛性を有している。【選択図】図４
2019220578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体デバイスが隣接して形成されているウエハから、各々の前記半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法において、
前記ウエハとして、
前記複数の半導体デバイスが、前記ウエハの表面側において前記ウエハの前記表面に沿った平面方向に隣接して形成されており、且つ、
前記ウエハの前記表面側に開口する有底の溝部であって、前記平面方向に隣接する前記半導体デバイスの境界部に形成された第１溝部と、
前記ウエハの前記表面側に開口する有底の溝部であって、平面視で各々の前記半導体デバイスの内側に複数本ずつ形成された第２溝部と、を有するウエハを用意し、
用意した前記ウエハの前記表面を、接着剤を介して、平板状の支持部材の表面に接着する接着工程であって、前記接着剤を、前記第１溝部及び前記第２溝部の内部に充填すると共に、前記ウエハの前記表面と前記支持部材の前記表面との間に配置して、前記ウエハと前記支持部材とを接着して、前記ウエハが前記支持部材に支持された状態にする接着工程と、
前記ウエハが前記支持部材に支持された状態で、前記ウエハの裏面の全体にわたって、研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行って、前記ウエハの前記裏面側の部位を一定の厚さだけ除去する工程であって、前記接着剤のうち前記第１溝部及び前記第２溝部の内部に充填した充填接着剤を露出させることなく、前記ウエハの裏面が、前記ウエハの厚さ方向について前記第１溝部及び前記第２溝部の底よりも前記ウエハの前記裏面側に位置する第１基準位置に達するまで、前記加工を行う除去工程と、
ドライエッチングによって前記ウエハの前記裏面側の部位を一定の厚さだけ除去し、前記第１溝部及び前記第２溝部を、前記ウエハの厚さ方向に貫通する第１貫通溝部及び第２貫通溝部にすると共に、前記充填接着剤の一部を前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部から前記ウエハの前記裏面側に露出させるドライエッチング工程と、を備え、
前記支持部材は、前記除去工程において前記ウエハに対して前記加工を行っている期間中に変形しない剛性を有しており、
前記接着剤は、特定の液体に溶解する接着剤であり、
前記製造方法は、さらに、
前記ドライエッチング工程の後、前記接着剤を介して前記ウエハと前記支持部材とが接着されている接着体の前記接着剤に、前記接着剤が溶解する前記特定の液体を接触させることで、前記接着剤を溶解し、前記ウエハと前記支持部材を分離すると共に、前記ウエハに形成されている各々の前記半導体デバイスを、前記第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする分離工程、を備える
半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法であって、
前記ウエハのうち前記ドライエッチング工程によって除去される部位は、シリコンを主成分とする材料からなり、
前記接着剤は、樹脂を主成分とする材料からなり、
前記ドライエッチング工程では、前記ウエハの裏面が、前記ウエハの厚さ方向について前記第１溝部及び前記第２溝部の底と開口との間に位置する第２基準位置に達するまで、前記ドライエッチングを行うことで、前記充填接着剤の一部が前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部から前記ウエハの前記裏面側に突出した状態となり、
前記ドライエッチング工程の後、前記分離工程の前に、
酸素アッシングによって、前記充填接着剤のうち、少なくとも前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部から前記ウエハの前記裏面側に突出した部位を除去し、前記充填接着剤が、前記ウエハの前記裏面から外部に突出することなく前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部の内部に配置された状態にする酸素アッシング工程と、
前記酸素アッシング工程を終えた前記接着体のうち前記ウエハの前記裏面を、粘着部材に貼り付けた状態にする粘着部材貼付工程と、を備え、
前記分離工程では、各々の前記半導体デバイスを、前記粘着部材に貼り付けた状態で、前記第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする
半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法であって、
前記接着剤は、紫外線硬化型の接着剤であり、
前記支持部材は、紫外線透過性を有する支持部材であり、
前記接着工程では、硬化前の前記接着剤を、前記第１溝部及び前記第２溝部の内部に充填すると共に、前記ウエハの前記表面と支持部材の前記表面との間に配置した状態で、前記支持部材のうち前記ウエハが配置されていない裏面に向けて紫外線を照射することで、前記接着剤を硬化させて前記ウエハと前記支持部材とを接着する
半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体デバイスの製造方法であって、
前記支持部材は、透明なガラスからなる支持部材である
半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の半導体デバイスの製造方法であって、
前記接着剤は、水溶性の接着剤であり、
前記分離工程では、前記接着体の前記接着剤に水を接触させることで、前記接着剤を溶解し、前記ウエハと前記支持部材を分離すると共に、前記ウエハに形成されている各々の前記半導体デバイスを、前記第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする
半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体デバイスの製造方法が開示されている。具体的には、複数の半導体デバイスが隣接して形成されているウエハから、各々の半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２７３０８２号公報
【０００４】
より具体的には、まず、ウエハとして、複数の半導体デバイスが、ウエハの表面側において平面方向に隣接して形成されているウエハを用意する。このウエハは、ウエハ本体（半導体基板）の表面に、金属層（例えば、回路パターン）などが形成されているものである。そして、用意したウエハの表面にレジスト層を設ける。なお、レジスト層は、ウエハの表面のうち、平面方向に隣接する半導体デバイスの境界部を除いた領域に配置される。その後、ドライエッチングを行って、平面方向に隣接する半導体デバイスの境界部に溝部を形成する。なお、この溝部は、ウエハを厚さ方向に貫通するものではなく、ウエハの表面側のみに開口する有底の溝部である。
【０００５】
次いで、レジスト層をアッシングにより除去した後、溝部を形成したウエハの表面をテープ材に貼り付ける。その後、除去工程において、この状態で、ウエハの裏面の全体にわたって、研磨加工を行って、ウエハの裏面側の部位を一定の厚さだけ除去する。なお、この工程では、ウエハの裏面側に溝部を露出させることなく、ウエハの裏面が、ウエハの厚さ方向について溝部の底よりもウエハの裏面側に位置する所定の位置に達するまで、研磨加工を行う。
【０００６】
その後、ドライエッチング工程において、ドライエッチングによってウエハの裏面側の部位を一定の厚さだけ除去する。より具体的には、ウエハの裏面が、ウエハの厚さ方向について溝部の底と開口との間に位置する所定の位置に達するまで、ドライエッチングを行って、有底の溝部を、ウエハの厚さ方向に貫通する貫通溝部にする。これにより、ウエハに形成されている各々の半導体デバイスを、貫通溝部を境界にして分離した状態にすることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１の製造方法では、溝部を形成したウエハの表面をテープ材に貼り付けた状態で、ウエハの裏面の全体にわたって研磨加工を行う。すなわち、研磨加工をする際にウエハを支持する支持部材として、変形し易い（剛性の低い）テープ材を用いている。このため、特許文献１の製造方法では、研磨加工によってウエハに力が加えられると、テープ材が変形してしまい、ウエハの裏面を、精度良く研磨加工することができない虞があった。
【０００８】
さらに、ウエハの裏面を精度良く研磨加工できない場合には、その後、ドライエッチングにより、有底の溝部をウエハの厚さ方向に貫通する貫通溝部にして、ウエハに形成されている各々の半導体デバイスを貫通溝部を境界にして分離した状態にしたときに、各々の半導体デバイスの厚さにバラツキが生じる虞があった。
【０００９】
また、半導体デバイスとして、厚さ方向に貫通する貫通溝部（スリット）が複数本形成された半導体デバイスを製造する場合がある。この場合は、例えば、ウエハとして、複数の半導体デバイスが、ウエハの表面側において平面方向に隣接して形成されており、且つ、ウエハの表面側に開口する有底の溝部であって、平面方向に隣接する半導体デバイスの境界部に形成された第１溝部と、ウエハの表面側に開口する有底の溝部であって、平面視で各々の半導体デバイスの内側に複数本ずつ形成された第２溝部と、を有するウエハを用意する。その後、特許文献１と同様に、除去工程及びドライエッチング工程を行う。
【００１０】
しかしながら、このようなウエハでは、第１溝部または第２溝部によって挟まれている部位の強度が低くなっている。このため、ウエハの裏面に対して研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行って、ウエハの裏面側の部位を一定の厚さだけ除去する除去工程において、前記加工によってウエハに力が加えられると、当該部位が破損する等の不具合が生じる虞があった。
【００１１】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、除去工程において、ウエハのうち第１溝部または第２溝部によって挟まれている部位を損傷することなく、ウエハの裏面に対して研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を精度良く行うことができる、半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様は、複数の半導体デバイスが隣接して形成されているウエハから、各々の前記半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法において、前記ウエハとして、前記複数の半導体デバイスが、前記ウエハの表面側において前記ウエハの前記表面に沿った平面方向に隣接して形成されており、且つ、前記ウエハの前記表面側に開口する有底の溝部であって、前記平面方向に隣接する前記半導体デバイスの境界部に形成された第１溝部と、前記ウエハの前記表面側に開口する有底の溝部であって、平面視で各々の前記半導体デバイスの内側に複数本ずつ形成された第２溝部と、を有するウエハを用意し、用意した前記ウエハの前記表面を、接着剤を介して、平板状の支持部材の表面に接着する接着工程であって、前記接着剤を、前記第１溝部及び前記第２溝部の内部に充填すると共に、前記ウエハの前記表面と前記支持部材の前記表面との間に配置して、前記ウエハと前記支持部材とを接着して、前記ウエハが前記支持部材に支持された状態にする接着工程と、前記ウエハが前記支持部材に支持された状態で、前記ウエハの裏面の全体にわたって、研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行って、前記ウエハの前記裏面側の部位を一定の厚さだけ除去する工程であって、前記接着剤のうち前記第１溝部及び前記第２溝部の内部に充填した充填接着剤を露出させることなく、前記ウエハの裏面が、前記ウエハの厚さ方向について前記第１溝部及び前記第２溝部の底よりも前記ウエハの前記裏面側に位置する第１基準位置に達するまで、前記加工を行う除去工程と、ドライエッチングによって前記ウエハの前記裏面側の部位を一定の厚さだけ除去し、前記第１溝部及び前記第２溝部を、前記ウエハの厚さ方向に貫通する第１貫通溝部及び第２貫通溝部にすると共に、前記充填接着剤の一部を前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部から前記ウエハの前記裏面側に露出させるドライエッチング工程と、を備え、前記支持部材は、前記除去工程において前記ウエハに対して前記加工を行っている期間中に変形しない剛性を有しており、前記接着剤は、特定の液体に溶解する接着剤であり、前記製造方法は、さらに、前記ドライエッチング工程の後、前記接着剤を介して前記ウエハと前記支持部材とが接着されている接着体の前記接着剤に、前記接着剤が溶解する前記特定の液体を接触させることで、前記接着剤を溶解し、前記ウエハと前記支持部材を分離すると共に、前記ウエハに形成されている各々の前記半導体デバイスを、前記第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする分離工程、を備える半導体デバイスの製造方法である。
【００１３】
上述の製造方法では、まず、ウエハとして、複数の半導体デバイスが、（ウエハの表面側に露出する態様で）ウエハの表面側において平面方向（ウエハの表面に沿った方向）に隣接して形成されたウエハを用意する。このウエハは、ウエハの表面側に開口する有底の溝部（ウエハの厚さよりも深さが浅い溝部）であって、平面方向に隣接する半導体デバイスの境界部に形成された第１溝部と、ウエハの表面側に開口する有底の溝部（ウエハの厚さよりも深さが浅い溝部）であって、平面視で各々の半導体デバイスの内側に複数本ずつ形成された第２溝部と、を有する。なお、第１溝部及び第２溝部は、ウエハの表面に沿った平面方向に延びる形態をなしている。また、上述の製造方法において、「ウエハ」には、シリコンを主成分とするウエハ本体（半導体基板）の表面に、金属層（例えば、回路パターン）などが形成されているものが含まれる。
【００１４】
なお、このようなウエハは、例えば、以下のようにして得ることができる。具体的には、例えば、シリコンを主成分とするウエハ本体（半導体基板）を用意し、このウエハ本体の表面に所定の処理（例えば、ウエハ本体の表層をエピタキシャル層にする処理や、このエピタキシャル層の表面に金属層を形成する処理など）を行った後、さらに、その表面側をドライエッチングすることで、第１溝部及び第２溝部を形成する。これにより、上述のようなウエハを用意することができる。
【００１５】
さらに、上述の製造方法は、用意したウエハの表面を、接着剤を介して、支持部材の表面に接着する接着工程を備える。この接着工程では、接着剤を、第１溝部及び第２溝部の内部に充填すると共に、ウエハの表面と支持部材の表面との間に配置して、ウエハと支持部材とを接着して、ウエハが支持部材に支持された状態にする。なお、「接着剤を、第１溝部及び第２溝部の内部に充填する」には、第１溝部及び第２溝部の内部に配置された接着剤中に気泡等の空隙が部分的に存在するものが含まれる。
【００１６】
なお、上述の製造方法では、接着剤として、特定の液体（水や有機溶剤）に溶解する接着剤を用いる。このような接着剤としては、例えば、特定の液体が「水」である水溶性の接着剤を挙げることができる。
【００１７】
さらに、上述の製造方法は、ウエハが支持部材に支持された状態で、ウエハの裏面の全体にわたって、研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行って、ウエハの裏面側の部位を一定の厚さだけ除去する除去工程を備える。この除去工程では、第１溝部及び第２溝部の内部に充填した接着剤を外部（ウエハの裏面側）に露出させることなく、ウエハの裏面が、ウエハの厚さ方向（平面方向に直交する方向）について、第１溝部及び第２溝部の底よりもウエハの裏面側に位置する第１基準位置（第１溝部及び第２溝部の底の手前の位置）に達するまで、前記加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）を行う。
【００１８】
ところで、支持部材として、変形し易い（剛性の低い）部材（例えば、フィルム材やテープ材）からなる支持部材を用いた場合は、除去工程において、研削または研磨によってウエハに力が加えられると、支持部材が変形する虞がある。これにより、ウエハの裏面側を、精度良く加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）することができない虞がある。
【００１９】
これに対し、上述の製造方法では、支持部材として、除去工程においてウエハに対して前記加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）を行っている期間中に変形しない剛性を有する支持部材を用いる。これにより、除去工程において、ウエハの裏面側を、精度良く加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）することができる。
【００２０】
なお、「除去工程において、ウエハに対して加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）を行っている期間中、変形しない剛性を有する」支持部材としては、例えば、平板状のガラスからなる支持部材、平板状のセラミックからなる支持部材などを挙げることができる。
【００２１】
また、上述の製造方法では、前述したように、ウエハとして、平面方向に隣接する半導体デバイスの境界部に形成された第１溝部と、平面視で各々の半導体デバイスの内側に複数本ずつ形成された第２溝部とを有するウエハを用いている。このようなウエハでは、第１溝部または第２溝部によって挟まれている部位の強度が低くなっているので、このままの状態で、前述の除去工程において研削または研磨によってウエハに力が加えられると、当該部位が破損する等の不具合が生じる虞がある。
【００２２】
これに対し、上述の製造方法では、接着剤を第１溝部及び第２溝部の内部に充填した状態で、除去工程において、ウエハに対して前記加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）を行うようにしている。接着剤を第１溝部及び第２溝部の内部に充填した状態にすることで、ウエハのうち第１溝部または第２溝部によって挟まれている部位を強固にする（接着剤により補強して変形し難くする）ことができるので、前記加工によって当該部位が損傷する等の不具合を防止することができる。
【００２３】
さらに、上述の製造方法は、ドライエッチングによってウエハの裏面側の部位を一定の厚さだけ除去し、第１溝部及び第２溝部を、ウエハを厚さ方向に貫通する第１貫通溝部及び第２貫通溝部にすると共に、充填接着剤の一部を第１貫通溝部及び第２貫通溝部からウエハの裏面側に露出させるドライエッチング工程を備える。このようなドライエッチングを行うことで、先の除去工程の加工によってウエハの裏面にチッピング等が発生していた場合でも、当該チッピング等を除去して、ウエハの裏面を平滑な面にすることができる。
【００２４】
さらに、上述の製造方法は、ドライエッチング工程の後、接着剤を介してウエハと支持部材とが接着されている接着体の接着剤に対し、当該接着剤が溶解する特定の液体（水など）を接触させることで、接着剤を溶解し、ウエハと支持部材を分離すると共に、ウエハに形成されている各々の半導体デバイスを、第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする分離工程を備えている。より具体的には、接着体の接着剤の全体に対し、当該接着剤が溶解する特定の液体（水など）を接触させることで、ウエハと支持部材との間に介在している接着剤が溶解して除去されて、ウエハと支持部材を分離することができ、第１貫通溝部内に配置されていた接着剤が溶解して除去されて、各々の半導体デバイスを第１貫通溝部を境界にして分離した状態にすることができる。なお、このとき、第２貫通溝内に配置されていた接着剤も溶解して除去される。
【００２５】
このように、上述の製造方法では、接着剤に水等の液体を接触させるだけで、接着剤を溶解して除去することができ、これによって、ウエハと支持部材を分離することができると共に、ウエハに形成されている各々の半導体デバイスを、第１貫通溝部を境界にして分離した状態にすることができる。従って、上述の製造方法では、ウエハに大きな力を加えることなく、ウエハと支持部材を分離することができると共に、ウエハに形成されている各々の半導体デバイスを、第１貫通溝部を境界にして分離した状態にすることができる。従って、分離する際に、半導体デバイスに大きな力が加わって半導体デバイスが損傷する等の不具合が発生することを防止できる。
【００２６】
なお、半導体デバイスとしては、例えば、歪みゲージを有する圧力検知素子を挙げることができる。この圧力検知素子では、歪みゲージを構成する複数の線状をなす検知部が隙間を空けて並び、平面視で、隣り合う検知部の間に第２貫通溝部（スリット）が形成されている。
【００２７】
さらに、前記の半導体デバイスの製造方法であって、前記ウエハのうち前記ドライエッチング工程によって除去される部位は、シリコンを主成分とする材料からなり、前記接着剤は、樹脂を主成分とする材料からなり、前記ドライエッチング工程では、前記ウエハの裏面が、前記ウエハの厚さ方向について前記第１溝部及び前記第２溝部の底と開口との間に位置する第２基準位置に達するまで、前記ドライエッチングを行うことで、前記充填接着剤の一部が前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部から前記ウエハの前記裏面側に突出した状態となり、前記ドライエッチング工程の後、前記分離工程の前に、酸素アッシングによって、前記充填接着剤のうち、少なくとも前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部から前記ウエハの前記裏面側に突出した部位を除去し、前記充填接着剤が、前記ウエハの前記裏面から外部に突出することなく前記第１貫通溝部及び前記第２貫通溝部の内部に配置された状態にする酸素アッシング工程と、前記酸素アッシング工程を終えた前記接着体のうち前記ウエハの前記裏面を、粘着部材に貼り付けた状態にする粘着部材貼付工程と、を備え、前記分離工程では、各々の前記半導体デバイスを、前記粘着部材に貼り付けた状態で、前記第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする半導体デバイスの製造方法とすると良い。
【００２８】
上述の製造方法では、分離工程の前に、接着体（接着剤を介してウエハと支持部材とが接着されている物体）のうちウエハの裏面を、粘着部材に貼り付けた状態にする粘着部材貼付工程を備えている。これにより、分離工程において各々の半導体デバイスを分離したときに、各々の半導体デバイスが分散することなく、粘着部材の表面に配置された状態になる。
【００２９】
ところで、上述の製造方法では、ウエハとして、ドライエッチング工程によって除去される部位がシリコンを主成分とする材料からなるウエハを用いている。また、接着剤として、樹脂を主成分とする材料からなる接着剤を用いている。シリコンをドライエッチングする工程では、シリコンは、樹脂に比べて、エッチングレートが高い（エッチングされ易いため、上述の製造方法では、ドライエッチング工程において、ウエハの裏面が、ウエハの厚さ方向について第１溝部及び第２溝部の底と開口との間に位置する第２基準位置に達するまで、ドライエッチングを行うことで、充填接着剤の一部が第１貫通溝部及び第２貫通溝部からウエハの裏面側に突出した状態となる。
【００３０】
この状態では、粘着部材貼付工程において、ウエハの裏面に粘着部材に貼り付ける際、充填接着剤のうち第１貫通溝部及び第２貫通溝部からウエハの裏面側に突出した部位が邪魔になって、ウエハの裏面に粘着部材を適切に貼り付けることができないことがある。
【００３１】
これに対し、上述の製造方法では、ドライエッチング工程の後、粘着部材貼付工程の前に、酸素アッシング（酸素プラズマアッシング）によって、充填接着剤のうち、少なくとも第１貫通溝部及び第２貫通溝部からウエハの裏面側に突出した部位を除去する酸素アッシング工程を備えている。この酸素アッシング工程により、充填接着剤が、ウエハの裏面から外部に突出することなく第１貫通溝部及び第２貫通溝部の内部に配置された状態にすることができる。
【００３２】
従って、後の粘着部材貼付工程において、ウエハの裏面に粘着部材を適切に貼り付けることができる。これにより、分離工程において各々の半導体デバイスを分離したときに、各々の半導体デバイスが分散することなく、粘着部材の表面に配置された状態にすることができる。従って、その後、各々の半導体デバイスを粘着部材から取り外すことで、各々の半導体デバイスを適切に得ることができる。
【００３３】
なお、ドライエッチング工程としては、例えば、エッチングガスとしてＳＦ６を用いたプラズマエッチングを挙げることができる。
また、粘着部材としては、基材シートの表面に粘着剤が積層されたもの（例えば、ダイシングテープ、バックグラインドテープなど）を挙げることができる。
【００３４】
さらに、前記いずれかの半導体デバイスの製造方法であって、前記接着剤は、紫外線硬化型の接着剤であり、前記支持部材は、紫外線透過性を有する支持部材であり、前記接着工程では、硬化前の前記接着剤を、前記第１溝部及び前記第２溝部の内部に充填すると共に、前記ウエハの前記表面と支持部材の前記表面との間に配置した状態で、前記支持部材のうち前記ウエハが配置されていない裏面に向けて紫外線を照射することで、前記接着剤を硬化させて前記ウエハと前記支持部材とを接着する半導体デバイスの製造方法とすると良い。
【００３５】
上述の製造方法では、接着剤として、紫外線硬化型の接着剤を用いる。さらに、支持部材として、紫外線透過性の支持部材を用いる。
そして、接着工程では、硬化前の接着剤（紫外線硬化型の接着剤）を、第１溝部及び第２溝部の内部に充填すると共に、ウエハの表面と支持部材の表面との間に配置した状態で、支持部材のうちウエハが配置されていない裏面に向けて（裏面に対し）紫外線を照射する。これにより、紫外線が支持部材を透過して、ウエハの表面と支持部材の表面との間に配置されている接着剤、及び、第１溝部及び第２溝部の内部に充填されている接着剤に照射され、これらの接着剤が硬化すると共に、ウエハと支持部材とが適切に接着される。
【００３６】
さらに、前記の半導体デバイスの製造方法であって、前記支持部材は、透明なガラスからなる支持部材である半導体デバイスの製造方法とすると良い。
【００３７】
透明なガラスからなる支持部材は、紫外線透過性を有する。従って、支持部材として、透明なガラスからなる支持部材を用いることで、接着工程において、硬化前の接着剤（紫外線硬化型の接着剤）を、第１溝部及び第２溝部の内部に充填すると共に、ウエハの表面と支持部材の表面との間に配置した状態で、支持部材のうちウエハが配置されていない裏面に向けて紫外線を照射することで、適切に、接着剤を硬化させると共にウエハと支持部材とを接着することができる。
【００３８】
さらには、透明なガラスからなる支持部材は、除去工程においてウエハに対して加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）を行っている期間中に変形しない剛性を有する。従って、支持部材として、透明なガラスからなる支持部材を用いることで、ウエハの裏面側を、精度良く加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）することができる。
【００３９】
さらに、前記いずれかの半導体デバイスの製造方法であって、前記接着剤は、水溶性の接着剤であり、前記分離工程では、前記接着体の前記接着剤に水を接触させることで、前記接着剤を溶解し、前記ウエハと前記支持部材を分離すると共に、前記ウエハに形成されている各々の前記半導体デバイスを、前記第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする半導体デバイスの製造方法とすると良い。
【００４０】
上述の製造方法では、接着剤として、水溶性の接着剤を用いる。すなわち、接着剤が溶解する特定の液体が「水」である接着剤を用いる。
そして、分離工程では、接着体（接着剤を介してウエハと支持部材とが接着されている物体）の接着剤に水を接触させることで、接着剤を溶解し、ウエハと支持部材を分離すると共に、ウエハに形成されている各々の半導体デバイスを、第１貫通溝部を境界にして分離した状態にする。水は、有機溶剤に比べて、安全性が高く、環境にも優しいので、上述の製造方法は、安全性が高く、環境にも優しい製造方法となる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図２】実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法を説明する図である。
【図３】同製造方法を説明する他の図である。
【図４】同製造方法を説明する他の図である。
【図５】同製造方法を説明する他の図である。
【図６】同製造方法を説明する他の図である。
【図７】同製造方法を説明する他の図である。
【図８】同製造方法を説明する他の図である。
【図９】同製造方法を説明する他の図である。
【図１０】同製造方法により製造される半導体デバイスの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
次に、本発明の実施形態にかかる半導体デバイス２０の製造方法について、図面を参照して説明する。図１は、実施形態にかかる半導体デバイス２０の製造方法の流れを示すフローチャートである。図２〜図９は、実施形態にかかる半導体デバイス２０の製造方法を説明する図である。なお、図２〜図９では、ウエハ１０及びウエハ１０に形成されている半導体デバイス２０を簡略化して図示しており、これらを模式的に断面図として示している。
【００４３】
図１に示すように、まず、ステップＳ１において、ウエハ１０を用意する。ウエハ１０には、図２に示すように、複数の半導体デバイス２０が、ウエハ１０の表面１０ｂ側に露出する態様で、ウエハ１０の表面１０ｂ側において平面方向（ウエハ１０の表面１０ｂに沿った方向、図２においてウエハ１０の厚さ方向Ｄ１に直交する方向）に隣接して形成されている。なお、図２は、ウエハ１０の模式断面図である。図２には、左右方向に隣接する３つの半導体デバイス２０が図示されている。
【００４４】
このウエハ１０は、図２に示すように、ウエハ１０の表面１０ｂ側に開口する有底の溝部（ウエハ１０の厚さよりも深さが浅い溝部）として、第１溝部１１と第２溝部１２とを有する。このうち、第１溝部１１は、平面方向に隣接する半導体デバイス２０の境界部に形成されている。第２溝部１２は、平面視（図２において上面視）で各々の半導体デバイス２０の内側に複数本ずつ形成されている。換言すれば、第２溝部１２は、平面視で、第１溝部１１によって囲まれた各領域（１つの半導体デバイス２０を構成する領域）内に、複数本ずつ形成されている。図２には、各々の半導体デバイス２０の内側に、第２溝部１２が４本ずつ図示されている。なお、第１溝部１１及び第２溝部１２は、平面方向（図２においてウエハ１０の厚さ方向Ｄ１に直交する方向）に延びる形態をなしている。
【００４５】
また、図２には図示を省略しているが、ウエハ１０は、シリコンを主成分とするウエハ本体（半導体基板）の表面に、金属層（例えば、回路パターン）などが形成されているものである。なお、このようなウエハ１０は、例えば、以下のようにして得ることができる。具体的には、例えば、シリコンを主成分とするウエハ本体（半導体基板）を用意し、このウエハ本体の表面に所定の処理（例えば、ウエハ本体の表層をエピタキシャル層にする処理や、このエピタキシャル層の表面に金属層を形成する処理など）を行った後、さらに、その表面側をドライエッチングすることで、第１溝部１１及び第２溝部１２を形成する。これにより、上述のようなウエハ１０を用意することができる。
【００４６】
次に、ステップＳ２（接着工程）に進み（図１参照）、図３に示すように、用意したウエハ１０の表面１０ｂを、接着剤４０を介して、支持部材３０の表面３０ｂに接着する。具体的には、接着剤４０を、第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填すると共に、ウエハ１０の表面１０ｂと支持部材３０の表面３０ｂとの間に配置して、ウエハ１０と支持部材３０とを接着して、ウエハ１０が支持部材３０に支持された状態にする。なお、図３は、ステップＳ２（接着工程）の処理を行っているときの模式断面図である。
【００４７】
なお、本実施形態では、接着剤４０として、紫外線硬化型の接着剤４０を用いている。また、この接着剤４０は、樹脂を主成分とする材料からなり、特定の液体（具体的には、水）に溶解する性質（水溶性）を有している。
さらに、本実施形態では、支持部材３０として、紫外線透過性の支持部材３０を用いている。より具体的には、平板状の透明なガラスからなる支持部材３０を用いている。
【００４８】
従って、ステップＳ２（接着工程）では、まず、硬化前の接着剤４０（紫外線硬化型の接着剤）を、第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填すると共に、ウエハ１０の表面１０ｂと支持部材３０の表面３０ｂとの間に配置するようにして、硬化前の接着剤４０を介してウエハ１０と支持部材３０とを重ね合わせる。そして、この状態で、支持部材３０のうちウエハ１０が配置されていない裏面３０ｃに向けて（裏面３０ｃに対し）、厚さ方向Ｄ１に紫外線ＵＶを照射する（図３参照）。これにより、紫外線ＵＶが、支持部材３０を、裏面３０ｃ側から表面３０ｂ側に透過して、ウエハ１０の表面１０ｂと支持部材３０の表面３０ｂとの間に配置されている接着剤４０、及び、第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填されている接着剤４０に照射されて、これらの接着剤４０が硬化すると共に、ウエハ１０と支持部材３０とが接着剤４０によって接着される。
【００４９】
次に、ステップＳ３（除去工程）に進み、図４に示すように、ウエハ１０が支持部材３０に支持された状態で、ウエハ１０の裏面１０ｃの全体にわたって、研削及び研磨のうち少なくともいずれかの機械的な加工を行って、ウエハ１０の裏面１０ｃ側の部位を一定の厚さＴ１（図３参照）だけ除去する。具体的には、ウエハ１０の裏面１０ｃを上方に向けて、支持部材３０の裏面３０ｃを、図示しない加工台の表面に接触させる態様で、接着剤４０を介してウエハ１０と支持部材３０とが接着されている接着体５０を、図示しない加工台の上に載置した状態で、ウエハ１０の裏面１０ｃに対し、研削及び研磨のうち少なくともいずれかの機械的な加工を行う。
【００５０】
より具体的には、第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填した接着剤４０（以下、充填接着剤４１ともいう）を外部（ウエハ１０の裏面１０ｃ側）に露出させることなく、ウエハ１０の裏面１０ｃが、ウエハ１０の厚さ方向Ｄ１（平面方向に直交する方向、図４において上下方向）について、第１溝部１１の底１１ｂ及び第２溝部１２の底１２ｂよりもウエハ１０の裏面１０ｃ側に位置する第１基準位置Ｐ１（第１溝部１１の底１１ｂ及び第２溝部１２の底１２ｂの手前の位置、図３参照）に達するまで、機械的な研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行う。
【００５１】
従って、図４に示すように、ステップＳ３（除去工程）の処理を行った後のウエハ１０は、全体の厚さが、第１溝部１１の深さ（厚さ方向Ｄ１にかかる寸法）よりも、厚さＴ２だけ厚くなる。すなわち、ステップＳ３（除去工程）では、第１溝部１１及び第２溝部１２が露出するまで（第１溝部１１の底１１ｂ及び第２溝部１２の底１２ｂに到達するまで）加工を行うことなく、第１溝部１１の底１１ｂの位置よりも裏面１０ｃ側に、厚さＴ２の厚さを有する部位を残すように、機械的な研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工を行っている。なお、図４は、ステップＳ３（除去工程）の処理を終えたときの接着体５０の模式断面図である。
【００５２】
なお、本実施形態のステップＳ３（除去工程）では、機械的な加工として、研削と研磨の両方の加工を行っている。具体的には、初めに、研削加工によって、除去する厚さＴ１のうち大半の厚さを除去し、その後、研磨加工によって、ウエハ１０の裏面１０ｃを滑らかにしつつ、ウエハ１０の裏面１０ｃが第１基準位置Ｐ１に到達するように（すなわち、一定の厚さＴ１だけウエハ１０の裏面１０ｃ側が除去されるように）調整する。
【００５３】
また、本実施形態では、第１溝部１１の深さと第２溝部１２の深さを等しくしている。従って、ウエハ１０の厚さ方向Ｄ１（図４において上下方向）について、第１溝部１１の底１１ｂの位置と第２溝部１２の底１２ｂとは等しくなっている。
【００５４】
なお、第１溝部１１の深さと第２溝部１２の深さは、異なっていても良いが、その場合は、第１溝部１１の深さを第２溝部１２の深さよりも深くするのが好ましい。その理由は、後述するドライエッチング工程において、第１溝部１１内の充填接着剤４１が、第２溝部１２内の充填接着剤４１よりも先に露出して、第２溝部１２が第２貫通溝部２２（半導体デバイス２０内のスリット）になるよりも先に、第１溝部１１が第１貫通溝部２１（隣り合う半導体デバイス２０を分離するためのスリット）になるからである。これにより、ウエハ１０に形成されている複数の半導体デバイス２０を分離できる状態にする（第１溝部１１を第１貫通溝部２１にする）までに、ウエハ１０のうち半導体デバイス２０が形成されている部位を過剰にエッチングすることがないからである。
【００５５】
ところで、支持部材として、変形し易い（剛性の低い）部材（例えば、フィルム材やテープ材）からなる支持部材を用いた場合は、除去工程において、研削または研磨によってウエハ１０に力が加えられると、支持部材が変形する虞がある。これにより、ウエハ１０の裏面１０ｃ側を、精度良く加工（研削及び研磨のうち少なくともいずれかの加工）することができない虞がある。
【００５６】
これに対し、本実施形態では、支持部材として、除去工程（ステップＳ３）においてウエハ１０に対して加工（研削及び研磨）を行っている期間中に変形しない剛性を有する支持部材３０を用いている。具体的には、平板状のガラスからなる支持部材３０を用いている。これにより、除去工程（ステップＳ３）において、ウエハ１０の裏面１０ｃ側を、精度良く加工（研削及び研磨）することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、前述したように、ウエハとして、平面方向に隣接する半導体デバイス２０の境界部に形成された第１溝部１１と、平面視で各々の半導体デバイス２０の内側に複数本ずつ形成された第２溝部１２とを有するウエハ１０を用いている。このようなウエハ１０では、第１溝部１１または第２溝部１２によって挟まれている部位の強度（特に、隣り合う２つの第２溝部１２に挟まれている細長形状の部位の強度）が低くなっているので、このままの状態で、除去工程（ステップＳ３）において研削または研磨によってウエハ１０に力が加えられると、当該部位が破損する等の不具合が生じる虞がある。
【００５８】
これに対し、本実施形態では、接着剤４０を第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填した状態で、除去工程（ステップＳ３）において、ウエハ１０に対して前記加工（研削及び研磨）を行うようにしている。接着剤４０を第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填した状態にすることで、ウエハ１０のうち第１溝部１１または第２溝部１２によって挟まれている部位を強固にすることができる（当該部位が接着剤４０によって補強されて変形し難くなる）ので、前記加工によって当該部位が損傷する等の不具合を防止することができる。
【００５９】
次に、ステップＳ４（ドライエッチング工程）に進み、公知のドライエッチングによって、ウエハ１０の裏面１０ｃ側の部位を一定の厚さＴ３（図４参照）だけ除去し、図５に示すように、第１溝部１１及び第２溝部１２を、ウエハ１０を厚さ方向Ｄ１に貫通する第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２にすると共に、充填接着剤４１の一部を第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２からウエハ１０の裏面１０ｃ側に露出させる。このようなドライエッチングを行うことで、先の除去工程（ステップＳ３）の加工によってウエハ１０の裏面１０ｃにチッピング等が発生していた場合でも、当該チッピング等を除去して、ウエハ１０の裏面１０ｃを平滑な面にすることができる。
【００６０】
より具体的には、ステップＳ４（ドライエッチング工程）では、ウエハ１０の裏面１０ｃが、ウエハ１０の厚さ方向Ｄ１について、第１溝部１１の底１１ｂと開口１１ｃとの間（第２溝部１２の底１２ｂと開口１２ｃとの間）に位置する第２基準位置Ｐ２（図４参照）に達するまで、ドライエッチングを行う。なお、本実施形態のステップＳ４（ドライエッチング工程）では、エッチングガスとしてＳＦ６を用いたプラズマエッチングを行っている。
【００６１】
ところで、前述したように、ウエハ１０は、シリコンを主成分とするウエハ本体（半導体基板）の表面に、金属層（例えば、回路パターン）などが形成されたものである。従って、ドライエッチング工程（ステップＳ４）において除去される部位（裏面１０ｃ側の部位）は、シリコンを主成分とする材料からなる部位となる。また、接着剤として、樹脂を主成分とする材料からなる接着剤４０を用いている。このため、エッチングガスとしてＳＦ６を用いたプラズマエッチングを行う本実施形態のステップＳ４（ドライエッチング工程）では、シリコンは、樹脂に比べて、エッチングレートが高い（エッチングされ易い）。
【００６２】
このため、ドライエッチング工程（ステップＳ４）において、ウエハ１０の裏面１０ｃが、ウエハ１０の厚さ方向Ｄ１について第１溝部１１の底１１ｂと開口１１ｃとの間（第２溝部１２の底１２ｂと開口１２ｃとの間）に位置する第２基準位置Ｐ２に達するまで、ドライエッチングを行うことで、図５に示すように、充填接着剤４１の一部が第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２からウエハ１０の裏面１０ｃ側に突出した状態となる。なお、図５は、ステップＳ４（ドライエッチング工程）の処理を終えたときの接着体５０の模式断面図である。
【００６３】
次に、ステップＳ５（酸素アッシング工程）に進み、公知の酸素アッシング（酸素プラズマアッシング）によって、充填接着剤４１のうち、少なくとも第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２からウエハ１０の裏面１０ｃ側に突出した部位を除去する。この酸素アッシング工程（ステップＳ５）を行うことで、図６に示すように、充填接着剤４１が、ウエハ１０の裏面１０ｃから外部に突出することなく第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２の内部に配置された状態にすることができる。
【００６４】
このようにすることで、後の粘着部材貼付工程（ステップＳ６）において、ウエハ１０の裏面１０ｃに、粘着部材６０を適切に貼り付けることができる。すなわち、後の粘着部材貼付工程（ステップＳ６）において、ウエハ１０の裏面１０ｃに粘着部材６０に貼り付ける際、充填接着剤４１のうち第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２からウエハ１０の裏面１０ｃ側に突出した部位が存在している場合には、当該突出した部位が邪魔になって、ウエハ１０の裏面１０ｃに粘着部材６０を適切に貼り付けることができないが、ステップＳ５（酸素アッシング工程）において当該突出した部位を除去することで、後の粘着部材貼付工程（ステップＳ６）において、ウエハ１０の裏面１０ｃに、粘着部材６０を適切に貼り付けることができるようになる。
【００６５】
なお、図６は、ステップＳ５（酸素アッシング工程）の処理を終えたときの接着体５０の模式断面図である。図６に示すように、本実施形態のステップＳ５（酸素アッシング工程）では、充填接着剤４１のうち、第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２からウエハ１０の裏面１０ｃ側に突出した部位のみならず、第１貫通溝部２１及び第２貫通溝部２２の内部に位置する部位の一部（裏面１０ｃ側の部位）も除去している。
【００６６】
次に、ステップＳ６（粘着部材貼付工程）に進み、図７に示すように、接着体５０のうちウエハ１０の裏面１０ｃを、粘着部材６０の表面６０ｂに貼り付けた状態にする。これにより、後の分離工程（ステップＳ７）において各々の半導体デバイス２０を分離したときに、各々の半導体デバイス２０が分散することなく、粘着部材６０の表面６０ｂに配置された状態にすることができる。
【００６７】
なお、図７は、粘着部材６０に貼り付けられた接着体５０（接着剤４０を介してウエハ１０と支持部材３０とが接着されている物体）の模式断面図である。粘着部材６０としては、例えば、基材シートの表面に粘着剤が積層されたもの（ダイシングテープ、バックグラインドテープなど）を用いることができる。
【００６８】
次に、ステップＳ７（分離工程）に進み、粘着部材６０に貼り付けられた接着体５０（図７参照）の接着剤４０に対し、接着剤４０が溶解する特定の液体を接触させる。なお、本実施形態では、水溶性の接着剤４０を使用しているため、「特定の液体」として水を使用する。水は、有機溶剤等の他の液体に比べて、安全性が高く、環境にも優しいので、本実施形態の製造方法は、安全性が高く、環境にも優しい製造方法となる。
【００６９】
具体的には、粘着部材６０に貼り付けられた接着体５０を水洗することにより、接着体５０に含まれている接着剤４０に対し、水を接触させる。これにより、図８に示すように、接着剤４０を溶解させて、ウエハ１０と支持部材３０を分離すると共に、ウエハ１０に形成されている各々の半導体デバイス２０を、第１貫通溝部２１を境界にして分離した状態にする。
【００７０】
より具体的には、接着体５０に含まれる接着剤４０の全体に対し、水を接触させることで、ウエハ１０と支持部材３０との間に介在している接着剤４０が溶解して除去されて、ウエハ１０と支持部材３０を分離することができ、第１貫通溝部２１内に配置されていた接着剤４０が溶解して除去されて、各々の半導体デバイス２０を第１貫通溝部２１を境界にして分離した状態にすることができる。なお、このとき、第２貫通溝部２２内に配置されていた接着剤４０も、溶解して除去される。
【００７１】
このように、本実施形態の製造方法では、接着剤４０に液体（具体的には、水）を接触させるだけで、接着剤４０を溶解して除去することができ、これによって、ウエハ１０と支持部材３０を分離することができると共に、ウエハ１０に形成されている各々の半導体デバイス２０を、第１貫通溝部２１を境界にして分離した状態にすることができる。従って、本実施形態の製造方法では、ウエハ１０に大きな力を加えることなく、ウエハ１０と支持部材３０を分離することができると共に、ウエハ１０に形成されている各々の半導体デバイス２０を、第１貫通溝部２１を境界にして分離した状態にすることができる。従って、ウエハ１０と支持部材３０を分離する際に、半導体デバイス２０に大きな力が加わって半導体デバイス２０が損傷する等の不具合が発生することを防止できる。
【００７２】
なお、ステップＳ７（分離工程）を行うときの接着体５０は、粘着部材６０に貼り付けられた状態になっているので、ステップＳ７（分離工程）において各々の半導体デバイス２０を分離したとき、図８に示すように、各々の半導体デバイス２０が分散することなく、粘着部材６０の表面６０ｂに配置された状態になる。
その後、ステップＳ８において、図９に示すように、各々の半導体デバイス２０を粘着部材６０から取り外すことで、各々の半導体デバイス２０を適切に得ることができる。
【００７３】
なお、本実施形態の製造方法により製造される半導体デバイス２０としては、例えば、図１０に示すような、歪みゲージ２３，２４を有する圧力検知素子を挙げることができる。なお、図１０は、圧力検知素子（半導体デバイス２０）の平面図である。この半導体デバイス２０は、図１０に示すように、平面視矩形状をなす圧力検知素子である。詳細には、この圧力検知素子（半導体デバイス２０）は、平面視で４つの角部が全て直角をなす厳格な矩形状ではなく、平面視で４つの角部が丸く（弧状に）された矩形状（略矩形状）をなしている。
【００７４】
この圧力検知素子（半導体デバイス２０）では、第１歪みゲージ２３を構成する複数の線状をなす第１検知部２３ｂが、平面方向（図１０において紙面に平行な方向）に隙間（スリット）を空けて並んでおり、さらに、第２歪みゲージ２４を構成する複数の線状をなす第２検知部２４ｂが、平面方向に隙間（スリット）を空けて並んでいる。平面方向に隣り合う（図１０において上下方向に隣り合う）２つの第１検知部２３ｂの間に位置する隙間（スリット）、及び、平面方向に隣り合う（図１０において左右方向に隣り合う）２つの第２検知部２４ｂの間に位置する隙間（スリット）は、第２貫通溝部２２である。
【００７５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
【００７６】
例えば、実施形態では、接着剤として、紫外線硬化型の接着剤４０を用いたが、本発明における接着剤は、紫外線硬化型に限定されるものではなく、例えば、熱硬化型の接着剤を用いるようにしても良い。この場合、ステップＳ２（接着工程）では、硬化前の接着剤４０を、第１溝部１１及び第２溝部１２の内部に充填すると共に、ウエハ１０の表面１０ｂと支持部材３０の表面３０ｂとの間に配置するようにして、硬化前の接着剤４０を介してウエハ１０と支持部材３０とを重ね合わせた状態で、加熱して、接着剤４０を硬化させる。
【００７７】
また、実施形態では、接着剤として、水溶性の接着剤４０を用いたが、本発明における接着剤は、水溶性に限定されるものではなく、特定の液体に溶解する性質を有していれば良い。例えば、特定の有機溶剤に溶解する接着剤を用いるようにしても良い。この場合、ステップＳ７（分離工程）では、粘着部材６０に貼り付けられた接着体５０（図７参照）の接着剤４０に対し、特定の有機溶剤を接触させることで、接着剤４０を溶解させる。
【符号の説明】
【００７８】
１０  ウエハ
１０ｂ  表面
１０ｃ  裏面
２０  半導体デバイス
１１  第１溝部
１１ｂ  底
１１ｃ  開口
１２  第２溝部
１２ｂ  底
１２ｃ  開口
２１  第１貫通溝部
２２  第２貫通溝部
３０  支持部材
３０ｂ  表面
３０ｃ  裏面
４０  接着剤
４１  充填接着剤
５０  接着体
６０  粘着部材
Ｄ１  厚さ方向
Ｐ１  第１基準位置
Ｐ２  第２基準位置
Ｓ２  接着工程
Ｓ３  除去工程
Ｓ４  ドライエッチング工程
Ｓ５  酸素アッシング工程
Ｓ６  粘着部材貼付工程
Ｓ７  分離工程
【図１】
2019220578.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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