(57)【要約】【課題】ウェハの最外周の処理レートの非対称性を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置は、チャンバ内で基板を支持する支持テーブルと、前記基板が載置される載置面側の前記支持テーブルの外周部に設けられるエッジリングと、前記基板を前記支持テーブル上に搬送する搬送アームと、前記エッジリングの位置を検出するセンサと、前記搬送アームを駆動する駆動部と、前記駆動部を制御するコントローラと、を備える。前記コントローラは、前記センサから出力された情報に基づいて前記エッジリングの中心位置と前記搬送アームで搬送中の前記基板の中心位置とのオフセット量を算出し、前記オフセット量を用いて前記搬送アームの移動量を補正する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で基板を支持する支持テーブルと、
前記基板が載置される載置面側の前記支持テーブルの外周部に設けられるエッジリングと、
前記基板を前記支持テーブル上に搬送する搬送アームと、
前記エッジリングの位置を検出するセンサと、
前記搬送アームを駆動する駆動部と、
前記駆動部を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記センサから出力された情報に基づいて前記エッジリングの中心位置と前記搬送アームで搬送中の前記基板の中心位置とのオフセット量を算出し、前記オフセット量を用いて前記搬送アームの移動量を補正するプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記センサは、前記搬送アームの前記基板が載置される面とは反対側の面に複数設けられる請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記支持テーブルの前記載置面は円形状を有し、
前記エッジリングは、円環状を有する請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記搬送アームは、前記基板を保持するピックと、一端で前記ピックを支持し、他端で前記駆動部に接続されるアームと、を有し、
前記センサは前記ピックの前記基板が載置される面とは反対側の面に設けられる請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記センサは、前記チャンバの内壁に複数設けられ、前記内壁と前記エッジリングの側面との間の距離を計測する距離センサである請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
チャンバ内に基板を搬送アームで搬入し、
前記チャンバ内の前記基板を支持する支持テーブルの外周側に設けられるエッジリングの位置を検知し、
前記搬送アーム上の前記基板の位置を検知し、
前記エッジリングの中心位置と搬送中の前記基板の中心位置とのオフセット値を算出し、
前記オフセット値から前記搬送アームの移動量を補正し、
前記支持テーブル上の前記補正した位置に前記基板を載置し、
前記チャンバ内で前記基板をプラズマ処理する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置では、ウェハは支持部材上に支持される。支持部材は、円形状の外形を有する支持テーブルと、支持テーブルの上面の外周部に沿って設けられるエッジリングと、を備える。支持テーブルの中心とエッジリングの中心とが一致していない場合には、ウェハの最外周の処理レートが非対称となり、プラズマ処理にムラが生じてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１８４６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、ウェハの最外周の処理レートの非対称性を低減することができるプラズマ処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、プラズマ処理装置は、チャンバ内で基板を支持する支持テーブルと、前記基板が載置される載置面側の前記支持テーブルの外周部に設けられるエッジリングと、前記基板を前記支持テーブル上に搬送する搬送アームと、前記エッジリングの位置を検出するセンサと、前記搬送アームを駆動する駆動部と、前記駆動部を制御するコントローラと、を備える。前記コントローラは、前記センサから出力された情報に基づいて前記エッジリングの中心位置と前記搬送アームで搬送中の前記基板の中心位置とのオフセット量を算出し、前記オフセット量を用いて前記搬送アームの移動量を補正する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態による搬送アームの一例を示す図である。
【図３】図３は、理想的な状態での被処理基板の搬送方法の一例を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施形態によるエッジリングの位置の検出の一例を示す図である。
【図５】図５は、第１の実施形態による被処理基板の載置位置の補正方法の概要を示す図である。
【図６】図６は、第１の実施形態によるプラズマ処理方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図７】図７は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す図である。
【図８】図８は、第２の実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるプラズマ処理装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。図２は、第１の実施形態による搬送アームの一例を示す図であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は下面図である。ここでは、プラズマ処理装置１０として、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）装置を例示している。プラズマ処理装置１０は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ１１を有している。このチャンバ１１は接地されている。
【０００９】
チャンバ１１内には、処理対象としての被処理基板１００を水平に支持するとともに、下部電極として機能する支持テーブル２１が設けられている。支持テーブル２１の表面上には、被処理基板１００を静電吸着する静電チャック機構などの図示しない保持機構が設けられている。支持テーブル２１は、径の異なる円柱が２段重ねにされた形状を有する。すなわち、支持テーブル２１は、第１の径を有する大径部２１ａと、第１の径よりも小さい第２の径を有する小径部２１ｂと、が一体的に構成された構造を有する。小径部２１ｂが上側に配置され、小径部２１ｂの上面が被処理基板１００の載置面となる。すなわち、被処理基板１００の載置面は、支持テーブル２１上に載置される被処理基板１００の面積よりも小さい円形を有している。なお、大径部２１ａの上面は、上部エッジリング２２２の載置面となる。
【００１０】
支持テーブル２１の側面に沿って、エッジリング２２が設けられる。エッジリング２２は、被処理基板１００のエッチング時に、電界が被処理基板１００の周縁部で鉛直方向（被処理基板面に垂直な方向）に対して偏向しないように電界を調整するために設けられる部材である。エッジリング２２は、支持テーブルの大径部２１ａの側面に沿って設けられる下部エッジリング２２１と、小径部２１ｂの側面に沿って設けられる上部エッジリング２２２と、を有する。下部エッジリング２２１の上面の位置は、大径部２１ａの上面、すなわち支持テーブル２１のエッジリング載置面の位置と略同じである。下部エッジリング２２１は、大径部２１ａの側面に固定される。上部エッジリング２２２は、支持テーブル２１のエッジリング載置面上と下部エッジリング２２１の上面上とに、着脱可能に載置される。上部エッジリング２２２の内周側の上面は、外周側の上面よりも低い段差構造２２３を有する。段差構造２２３のテラス２２３ａは、被処理基板１００の載置面となる。段差構造２２３のテラス２２３ａの位置は、支持テーブル２１の上面の位置と略同じである。支持テーブル２１は、円柱状を有しているので、下部エッジリング２２１および上部エッジリング２２２は、円環状を有している。
【００１１】
また、支持テーブル２１は、チャンバ１１内の中央付近に位置するように、支持部１２によって固定されている。支持テーブル２１には、高周波電力を供給する給電線３１が接続されており、この給電線３１にブロッキングコンデンサ３２、整合器３３および高周波電源３４が接続されている。高周波電源３４からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル２１に供給される。
【００１２】
下部電極として機能する支持テーブル２１に対向するように、支持テーブル２１の上部に上部電極４２が設けられる。上部電極４２は支持テーブル２１と平行に対向するように、支持テーブル２１から所定の距離を隔てたチャンバ１１の上部付近の部材４１に固定される。このような構造によって、上部電極４２と支持テーブル２１とは、一対の平行平板電極を構成している。また、上部電極４２には、上部電極４２の厚さ方向を貫通する図示しない複数のガス供給路が設けられている。上部電極４２は、例えば円板状を有している。上部電極４２は、例えばシリコンにより形成された電極である。
【００１３】
チャンバ１１の上部電極４２の配置位置の上方には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口１３が設けられている。ガス供給口１３には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。
【００１４】
チャンバ１１の下方にはガス排気口１４が設けられている。ガス排気口１４には配管を通じて図示しない真空ポンプが接続されている。
【００１５】
チャンバ１１の側面には、たとえば被処理基板１００を出し入れする開口部１５が設けられ、開口部１５にはシャッタ５２が設けられる。シャッタ５２は、チャンバ１１の外部と内部との間を仕切る役割を有し、被処理基板１００を出し入れする際に、開口部１５とチャンバ１１内とを接続するように開かれる。開口部１５には、チャンバ１１内に搬送アーム７０によって搬送される被処理基板１００の搬送アーム７０に対する位置を検出するセンサ５３が設けられる。センサ５３は、例えば距離センサである。センサ５３は、後述するコントローラ７６と信号線を介して接続される。
【００１６】
被処理基板１００の搬送は、搬送アーム７０によって行われる。図２に示されるように、搬送アーム７０は、アーム７１と、アーム７１の一方の端部に設けられるＵ字状のピック７２と、を有する。ピック７２は、搬送方向に延在する２本の基板保持部材７２１ａ，７２１ｂと、基板保持部材７２１ａ，７２１ｂの一方の端部間を接続する接続部材７２２と、を有する。
【００１７】
２本の基板保持部材７２１ａ，７２１ｂのそれぞれの下面の先端にはセンサ７３ａ，７３ｂが設けられている。センサ７３ａ，７３ｂは、高さセンサ（距離センサ）であり、センサ７３ａ，７３ｂの下方に存在する物体の位置（高さ）を検出する。上記したように、上部エッジリング２２２の外周側の上面の位置は、支持テーブル２１の基板載置面の位置よりも高い位置にあるので、搬送アーム７０の移動に伴うセンサ７３ａ，７３ｂでの高さに関するデータによって、上部エッジリング２２２の位置を特定することが可能である。なお、センサ７３ａ，７３ｂが設けられる位置は、アーム７１をピック７２側に延長した仮想的な線Ｌに対して、線対称な関係にある。このような関係を有するためには、仮想的な線Ｌに対して、アーム７１が線対称な形状を有することが望ましい。
【００１８】
搬送アーム７０には、駆動部７５と、コントローラ７６と、が接続される。駆動部７５は、アーム７１の一端に接続され、コントローラ７６からの指示に従って、搬送アーム７０を駆動し、被処理基板１００を所定の位置に搬送する。なお、搬送アーム７０は、チャンバ１１の開口部１５内の予め定められた位置を通過するものとする。
【００１９】
コントローラ７６は、駆動部７５を制御して、被処理基板１００を支持テーブル２１上に搬送する。このとき、コントローラ７６は、支持テーブル２１上までは、支持テーブル２１の中心に搬送中の被処理基板１００の中心が一致するように搬送する指示を駆動部７５に対して出す。また、支持テーブル２１上に到達した後には、センサ７３ａ，７３ｂからの情報にしたがって、エッジリング２２の中心を検出し、検出したエッジリング２２の中心位置に搬送中の被処理基板１００の中心位置が一致するように搬送する指示を駆動部７５に対して出す。ただし、このとき、アーム７１の基準位置に対する被処理基板１００の中心位置のずれが開口部１５に設けられたセンサ５３と、開口部１５を通過するときのアーム７１の位置と、によってコントローラ７６によって算出されているものとする。
【００２０】
なお、コントローラ７６は、プラズマ処理装置１０の全体の動作を制御してもよい。たとえば、チャンバ１１の内外への被処理基板１００の搬送、シャッタ５２の開閉、チャンバ１１内の減圧、およびプラズマ処理などを予め定められたレシピにしたがって行う。本実施形態では、被処理基板１００の搬送位置の制御について、以下に詳しく説明する。
【００２１】
図３は、理想的な状態での被処理基板の搬送方法の一例を示す図である。図４は、第１の実施形態によるエッジリングの位置の検出の一例を示す図である。図５は、第１の実施形態による被処理基板の載置位置の補正方法の概要を示す図である。ピック７２に被処理基板１００が載置された状態で、被処理基板１００が支持テーブル２１上に位置するように搬送アーム７０が駆動される。搬送アーム７０は、支持テーブル２１の中心位置に被処理基板１００の中心位置が重なるように駆動される。なお、搬送アーム７０上の被処理基板１００の中心位置は、チャンバ１１の開口部１５を通過する際にセンサ５３によって算出されている。
【００２２】
図３に示されるように、エッジリング２２の中心が支持テーブル２１の中心と一致する場合には、搬送アーム７０で被処理基板１００を搬送していると、搬送アーム７０の２つの基板保持部７２１に設けられたセンサ７３ａ，７３ｂは、同時にエッジリング２２を検出する。このように、支持テーブル２１の中心とエッジリング２２の中心とが一致する場合には、センサ７３ａ，７３ｂは同時にエッジリング２２を検出することになる。
【００２３】
一方、エッジリング２２の中心が支持テーブル２１の中心とずれている場合には、搬送アーム７０の移動によって２つのセンサ７３ａ，７３ｂでエッジリング２２を検知するタイミングにずれが生じる。たとえば、図４（ａ）〜（ｄ）に示されるように、紙面手前側を前方とした場合に、エッジリング２２の中心が支持テーブル２１の中心よりも右後方にずれている場合には、搬送アーム７０が移動されると、図４（ａ）に示されるように、エッジリング２２を最初に検知するのは右側の基板保持部材７２１ａに設けられたセンサ７３ａとなる。しばらくした後、図４（ｂ）に示されるように、左側の基板保持部材７２１ｂに設けられたセンサ７３ｂによってエッジリング２２が検知される。さらに移動されると、図４（ｃ）に示されるように、左側の基板保持部材７２１ｂに設けられたセンサ７３ｂによってエッジリング２２が検知される。その後しばらくして、図４（ｄ）に示されるように右側の基板保持部材７２１ａに設けられたセンサ７３ａによってエッジリング２２が検知される。このように、センサ７３ａ，７３ｂによる検出結果はコントローラ７６に送信され、エッジリング２２が検出される。
【００２４】
図５に示されるように、コントローラ７６は、搬送アーム７０の２つのセンサ７３ａ，７３ｂで検出されたエッジリング２２の４点Ｆ１〜Ｆ４を通る円を計算し、この円の中心位置をエッジリング２２の中心位置２２Ｃとして算出する。ついで、コントローラ７６は、支持テーブル２１の中心位置２１Ｃに対するエッジリング２２の中心位置２２Ｃの方向を含めたオフセットを算出する。そして、コントローラ７６は、エッジリング２２の中心位置２２Ｃに搬送アーム７０で搬送中の被処理基板１００の中心位置が位置するように、算出したオフセットに基づいた位置補正の指示を搬送アーム７０の駆動部７５に出力する。
【００２５】
つぎに、このようなプラズマ処理装置でのプラズマ処理方法および半導体装置の製造方法について説明する。図６は、第１の実施形態によるプラズマ処理方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、コントローラ７６による制御の下、チャンバ１１内に半導体装置の製造に使用される被処理基板１００が搬入される（ステップＳ１１）。たとえば、搬送アーム７０のピック７２に被処理基板１００が載置され、シャッタ５２が開かれた開口部１５からチャンバ１１内へと搬送される。
【００２６】
また、開口部１５を通過する際のセンサ５３からの信号によって、搬送アーム７０の基準位置に対する被処理基板１００の中心位置が検知される（ステップＳ１２）。
【００２７】
ついで、コントローラ７６は、搬送アーム７０に設けられたセンサ７３ａ，７３ｂからの信号を用いて、エッジリング２２の中心位置を検知する（ステップＳ１３）。ここでは、図４（ａ）〜（ｄ）で説明したように、コントローラ７６は、センサ７３ａ，７３ｂによる検知結果から４点のエッジリング２２の検出位置を取得する。また、コントローラ７６は、４点のエッジリング２２の検出位置を通る円を算出し、この円の中心位置をエッジリング２２の中心位置として算出する。このとき、搬送アーム７０は、被処理基板１００の中心位置が支持テーブル２１の中心位置に重なる位置で停止状態となる。
【００２８】
その後、コントローラ７６は、被処理基板１００（支持テーブル２１）の中心位置に対するエッジリング２２の中心位置のオフセット値を算出する（ステップＳ１４）。具体的には、コントローラ７６は、エッジリング２２の中心位置が、被処理基板１００（支持テーブル２１）の中心位置からどの方向にどの距離だけずれているかを算出する。
【００２９】
その後、コントローラ７６は、オフセット値に基づいて搬送アーム７０の移動量を補正する指示を搬送アーム７０の駆動部７５に出力する（ステップＳ１５）。搬送アーム７０は、コントローラ７６からの指示に従って駆動され、指示された支持テーブル２１上の位置に被処理基板１００を載置する（ステップＳ１６）。これによって、被処理基板１００の中心位置は、エッジリング２２の中心位置と一致する。
【００３０】
ついで、コントローラ７６による制御の下、プラズマ処理が実行される（ステップＳ１７）。たとえば、チャンバ１１内が減圧処理され、所定の真空度に到達すると、チャンバ１１内にプラズマ処理で使用されるガスが導入され、支持テーブル２１と上部電極４２との間に電圧を印加してプラズマが生成され、支持テーブル２１上の被処理基板１００にプラズマ処理（ここではエッチング処理）が施される。その後、コントローラ７６による制御の下、被処理基板１００がチャンバ１１から搬出され（ステップＳ１８）、つぎの被処理基板１００が選択され（ステップＳ１９）、ステップＳ１１へと処理が戻る。
【００３１】
図７は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す図である。コントローラ７６は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）３１１と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）３１２と、主記憶装置であるＲＡＭ（Random  Access  Memory）３１３と、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）、ＳＳＤ（Solid  State  Drive）またはＣＤ（Compact  Disc）ドライブ装置などの外部記憶装置３１４と、ディスプレイ装置などの表示部３１５と、キーボードまたはマウスなどの入力部３１６と、を備えており、これらがバスライン３１７を介して接続された、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。
【００３２】
本実施形態のコントローラ７６で実行されるプログラムは、図４に示される方法を実行するものであり、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。
【００３３】
また、本実施形態のコントローラ７６で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態のコントローラ７６で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。
【００３４】
また、本実施形態のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。
【００３５】
第１の実施形態では、ピック７２の基板載置面とは反対側の面（裏面）の線対称となる位置にセンサ７３ａ，７３ｂを設けた。被処理基板１００の中心が支持テーブル２１の中心に一致するように搬送した場合のセンサ７３ａ，７３ｂによるエッジリング２２の検出結果に基づいて、エッジリング２２の中心位置が検出される。エッジリング２２の中心位置と被処理基板１００の中心位置との間のオフセット値が算出され、このオフセット値に基づいて、搬送アーム７０の移動量を補正し、被処理基板１００の中心位置がエッジリング２２の中心位置と重なるように搬送アーム７０による搬送が行われる。これによって、エッジリング２２の中心位置が支持テーブル２１の中心位置に対してずれて配置されてしまった場合でも、支持テーブル２１に対するエッジリング２２の位置ずれによって生じる被処理基板１００の最外周の処理レートの非対称性を低減することができるという効果を有する。
【００３６】
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第２の実施形態では、円筒状のチャンバ１１の内面の所定の位置には、チャンバ１１の内面からのエッジリング２２の距離を計測するセンサ５４ａ〜５４ｄが設けられる。たとえば、支持テーブル２１の基板載置面の中心を通り、基板載置面に平行な面内で互いに直交する２つの方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする）がチャンバ１１の内壁と交わる点にセンサ５４ａ〜５４ｄが配置される。センサ５４ａ〜５４ｄは、上部エッジリング２２２の配置位置の高さの範囲に設けられる。なお、第１の実施形態では、搬送アーム７０のピック７２にセンサ７３ａ，７３ｂが設けられていたが、第２の実施形態では、搬送アーム７０のピック７２にはセンサ７３ａ，７３ｂは設けられない。
【００３７】
コントローラ７６は、センサ５４ａ〜５４ｄから出力される距離情報にしたがって、支持テーブル２１の中心に対するエッジリング２２の中心のオフセット量（ずれ）を算出する。すなわち、それぞれのセンサ５４ａ〜５４ｄで測定されたチャンバ１１の内壁からの距離ａ，ｂ，ｃ，ｄにある４点Ｆ１１〜Ｆ１４を通る円を算出し、この円の中心位置をエッジリング２２の中心位置とする。そして、支持テーブル２１の中心位置に対するエッジリング２２の中心位置のずれにしたがって、搬送アーム７０で搬送する被処理基板１００の中心位置がエッジリング２２の中心位置となるように、コントローラ７６は、フィードバック制御を行う。
【００３８】
なお、図５の例では、チャンバ１１が円筒状を有する場合を例に挙げているが、角筒状でもよい。また、第１の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略している。さらに、第２の実施形態によるプラズマ処理装置１０でのプラズマ処理方法も、第１の実施形態の図４で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。
【００３９】
第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
なお、上記した説明では、上部エッジリング２２２が下部エッジリング２２１上に直接載置される構造のプラズマ処理装置１０について説明したが、実施形態がこれに限定されるものではない。例えば、下部エッジリング２２１の上面に上下動可能なピンを設け、ピン上に上部エッジリング２２２を載置してもよい。このような構造のエッジリング２２では、例えば上部エッジリング２２２の上面が消耗した場合には、ピンの高さを変えることで上部エッジリング２２２の上面の位置を調節することができる。このようなピンで上部エッジリングを支える構造の場合には、プラズマ処理装置１０の振動などによって、支持テーブル２１の中心位置に対する上部エッジリング２２２の中心位置が経時的に変化する。このような場合でも、上記した実施形態のプラズマ処理装置１０によれば、被処理基板１００の中心位置をエッジリング２２の中心位置と一致させることができる。その結果、被処理基板１００の最外周の処理レートの非対称性を低減することができるという効果を有する。
【００４１】
また、上記した説明では、プラズマ処理装置１０として、ＲＩＥ装置を例に挙げたが、プラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）装置、スパッタ装置などにも適用することができる。
【００４２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１０  プラズマ処理装置、１１  チャンバ、１２  支持部、１３  ガス供給口、１４  ガス排気口、１５  開口部、２１  支持テーブル、２１ａ  大径部、２１ｂ  小径部、２２  エッジリング、３１  給電線、３２  ブロッキングコンデンサ、３３  整合器、３４  高周波電源、４２  上部電極、５２  シャッタ、５３，５４ａ〜５４ｄ，７３ａ，７３ｂ  センサ、７０  搬送アーム、７１  アーム、７２  ピック、７５  駆動部、７６  コントローラ、１００  被処理基板、２２１  下部エッジリング、２２２  上部エッジリング、２２３  段差構造、２２３ａ  テラス、７２１  基板保持部、７２１ａ，７２１ｂ  基板保持部材、７２２  接続部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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