(57)【要約】【課題】シール部において、無機絶縁膜とシール材との間に形成されている配向膜が無機絶縁膜から剥離する現象を防止する。【解決手段】上記課題は、次のような構成によって実現することができる。表示領域と端子部を有し、有機パッシベーション膜１０３の上に無機絶縁膜１０４が形成され、無機絶縁膜１０４を覆って配向膜１０６が形成されたＴＦＴ基板１００と、対向基板２００が、表示領域を囲むシール部に形成されたシール材３０によって接着し、内部に液晶３００が封入された液晶表示装置であって、シール部においては、透明酸化物導電膜１０５が無機絶縁膜１０４と配向膜１０６の間に形成され、透明酸化物導電膜１０５はＴＦＴ基板１００の端部より内側に存在し、ＴＦＴ基板１００の端部には透明酸化物導電膜１０５は存在しないことを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と端子部を有し、有機パッシベーション膜の上に無機絶縁膜が形成され、前記無機絶縁膜を覆って配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、対向基板が、前記表示領域を囲むシール部に形成されたシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、
前記無機絶縁膜と前記配向膜との間に位置し、前記シール部と重畳するように透明導電膜が形成され、
前記透明導電膜の端部は、前記ＴＦＴ基板の端部より前記表示領域側に位置し、
前記シール部の前記表示領域と前記端子部との間において、前記透明導電膜は形成されていないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記透明導電膜は、前記シール部の前記表示領域と前記端子部との間を除く３辺に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シール部において、前記有機パッシベーション膜には前記表示領域を囲むように、溝が形成されており、前記透明導電膜は、前記溝よりも前記表示領域側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透明導電膜はＩＴＯであることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記透明導電膜はＩＺＯであることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記透明導電膜は前記表示領域を囲んで、連続して形成されており、前記シール材が前記透明導電膜とオーバーラップしている幅は１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記透明導電膜は前記表示領域を囲んで、連続して複数形成されており、前記シール材と前記連続して複数形成された前記透明導電膜がオーバーラップしている幅は合計で１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記透明導電膜が前記シール材とオーバーラップしている面積は、前記シール材が前記ＴＦＴ基板側で接着している全接着面積の２０％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記配向膜はシランカップリング材を含有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記配向膜は光配向処理がなされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
表示領域と端子部を有し、有機パッシベーション膜の上に無機絶縁膜が形成され、前記無機絶縁膜を覆って配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、対向基板が、前記表示領域を囲むシール部に形成されたシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、
前記シール部と重畳し、前記無機絶縁膜と前記配向膜との間に透明導電膜が形成され、
前記透明導電膜の端部は、前記ＴＦＴ基板の端部より前記表示領域側に位置し、
前記シール部の前記表示領域と前記端子部との間においては、前記無機絶縁膜と前記配向膜とが接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
前記シール部の前記表示領域と前記端子部との間において、前記透明導電膜は形成されていないことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記端子部には、ドライバＩＣが位置しており、
前記シール部の前記表示領域と前記ドライバＩＣとの間においては、前記透明導電膜は形成されていないことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記透明導電膜は、前記シール部の前記表示領域と前記端子部との間を除く３辺に形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記配向膜は光配向処理がなされていることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、狭額縁としても、シール部の信頼性を確保出来る液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている構成となっている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。中小型の液晶表示パネルでは、外形を小さく保ったまま、表示領域を大きくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域の端部から液晶表示パネルの端部までの幅が小さくなり、いわゆる狭額縁となる。狭額縁では、ＴＦＴ基板と対向基板を接着しているシール材のシール幅が小さくなり、シール部の接着力が問題となる。
【０００４】
ＴＦＴ基板と対向基板が液晶と接する面には、液晶を初期配向させるために配向膜が形成されている。従来は、シール部における接着力の信頼性を向上させるために、シール部には配向膜を形成しないような構成がとられてきた。しかし、狭額縁となると、配向膜をシール部から排除することが難しくなる。したがって、シール部における接着の信頼性を考える場合は、シール材と配向膜の接着強度、配向膜とその下地膜との接着強度を考える必要がある。
【０００５】
特許文献１には、表示領域において、配線によって凸部ができた部分の上の配向膜がラビングで剥離することを防止するために、凸部にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｎ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を配置して、配向膜の接着強度を上げることが記載されている。また、特許文献２には、ＩＴＯによって配線を形成し、このＩＴＯ配線をシール部の下を通過して端子部に延在させる構成が記載されている。特許文献２には、配向膜の塗布範囲については記載が無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１８９８５６号公報
【特許文献２】特開平１０−２０６８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
シール部の信頼性について、従来は、シール材と配向膜の接着力のみに関心が払われてきた。しかし、シール材と配向膜の接着力が向上すると、配向膜とその下地膜の接着が問題となる。従来は、配向膜と下地膜は十分な接着強度があると考えられてきたが、狭額縁となるにしたがって、配向膜とその下地膜との接着力が問題となってきたのである。
【０００８】
配向膜の下地膜は、ＴＦＴ基板側と対向基板側とでは異なる。対向基板側は、オーバーコート膜という有機膜が下地膜になっているのに対し、ＴＦＴ基板側ではＳｉＮ等の無機絶縁膜が下地膜となっている場合が多い。配向膜はポリイミド等で形成された有機膜である。一般に、有機膜と有機膜の接着強度は強いが、有機膜と無機膜の接着強度は比較的弱い。したがって、配向膜と下地膜の接着力は、ＴＦＴ基板側で問題となる。
【０００９】
本発明の課題は、特に、ＴＦＴ基板側において、配向膜と下地膜との接着強度を上げ、狭額縁としても、シール部の信頼性を確保した液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１１】
（１）表示領域と端子部を有し、有機パッシベーション膜の上に無機絶縁膜が形成され、前記無機絶縁膜を覆って配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、対向基板が、前記表示領域を囲むシール部に形成されたシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、前記シール部においては、透明酸化物導電膜が前記無機パッシベーション膜と前記配向膜の間に形成され、前記透明酸化物導電膜は前記ＴＦＴ基板の端部より内側に存在し、前記ＴＦＴ基板の端部には前記透明酸化物導電膜は存在しないことを特徴とする液晶表示装置。
【００１２】
（２）前記有機パッシベーション膜には前記シール部において、前記表示領域を囲むように、溝状スルーホールが形成されており、前記透明酸化物導電膜は、前記溝状スルーホールよりも外側には存在しないことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１３】
（３）前記透明酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
（４）前記透明酸化物導電膜はＩＺＯであることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（５）前記透明酸化物導電膜は前記表示領域を囲む４辺に形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（６）前記透明酸化物導電膜は前記端子部側の辺には形成されていないことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１７】
（７）前記透明酸化物導電膜は表示領域を囲んで、連続して形成されており、前記シール材と前記透明酸化物導電膜とオーバーラップしている幅は１００μｍ以上であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（８）前記透明酸化物導電膜は前記表示領域を囲んで、連続して複数形成されており、前記シール材と前記連続して複数形成された前記透明酸化物導電膜がオーバーラップしている幅は合計で１００μｍ以上であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１９】
（９）前記透明酸化物導電膜が前記シール材とオーバーラップしている面積は、前記シール材が前記ＴＦＴ基板側で接着している全接着面積の２０％以上であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００２０】
（１０）前記配向膜はシランカップリング材を含有していることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００２１】
（１１）前記配向膜は光配向処理がなされていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、狭額縁であって、シール部に配向膜が塗布されている構成であっても、配向膜とその下地膜との接着力を確保することができるので、シール部の信頼性が確保された液晶表示装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の液晶表示装置の平面図である。
【図２】実施例１における図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図２に対応するＴＦＴ基板の平面模式図である。
【図４】実施例１における図１の他の形態のＡ−Ａ断面図である。
【図５】実施例１における図１のさらに他の形態のＡ−Ａ断面図である。
【図６】実施例１における図１のさらに他の形態のＡ−Ａ断面図である。
【図７】実施例２における図１のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図７に対応するＴＦＴ基板の平面模式図である。
【図９】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板の平面模式図である。
【図１０】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板の他の例による平面模式図である。
【図１１】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１２】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１３】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１４】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１５】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１６】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１７】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１８】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図１９】ＩＴＯの形成範囲を示すＴＦＴ基板のさらに他の例による平面模式図である。
【図２０】従来例における図１のＡ−Ａ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、従来の液晶表示装置の構成について簡単に説明する。図２０は、従来の液晶表示装置におけるシール部の断面図の例である。図２０において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶３００が挟持され、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の液晶３００が接する面には配向膜１０６が形成されている。狭額縁においては、配向膜１０６はシール部にまで形成されている。シール部においてＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材３０によって接着している。従来は、シール材３０と配向膜１０６の接着強度が問題とされてきたが、狭額縁となるにしたがって、配向膜１０６とその下地膜との接着強度が問題となり、特に、ＴＦＴ基板１００側において、配向膜１０６とその下地膜であるＳｉＮ等で形成された無機絶縁膜１０４の接着力が問題となる。
【００２５】
一方、液晶表示装置は、いわゆる視野角が問題である。視野角については、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。配向膜１０６に対する配向処理は、従来のラビング法と偏光紫外線を照射して配向膜に一軸異方性を形成する、いわゆる光配向がある。ＩＰＳ方式では、配向膜１０６上におけるプレティルト角が必要ないので、光配向法が適している。
【００２６】
しかし、光配向を行う場合、配向膜１０６に紫外線を照射するが、紫外線が配向膜１０６とその下地膜であるＳｉＮ膜１０４との界面にまで達し、この影響による接着力の低下も起こりうる。したがって、配向膜１０６と下地膜１０４との接着力の問題はＩＰＳ方式において、より重要な問題となりうる。
【００２７】
以下に述べる本発明は、以上の課題を解決するものである。以下に実施例を用いて、本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２８】
図１は本発明が適用される液晶表示パネルの平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材３０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は端子部１５０となっている。端子部１５０には、液晶表示パネルを駆動するＩＣドライバ１６０、液晶表示パネルに、電源、映像信号、走査信号等を供給するためのフレキシブル配線基板を接続するための端子等が形成されている。
【００２９】
図１において、表示領域１０００には走査線１０が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１０と映像信号線２０とで囲まれた領域が画素２５となっている。狭額縁では、表示領域１０００の端部と液晶表示装置の端部の距離ｗは１ｍｍ程度にまで小さくなっている。この場合、シール材３０の接着幅は０．５ｍｍ程度しか確保することが出来ない。したがって、シール部における接着強度は重要な問題となる。
【００３０】
図２は、図１のＡ−Ａ断面に相当するシール部の詳細断面図である。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００に第１の絶縁膜１０１が形成されている。第１の絶縁膜１０１はガラスからの不純物がＴＦＴの半導体層を汚染することを防止するために形成されるアンダーコート膜である場合もある。第１の絶縁膜１０１の上に第２の絶縁膜１０２が形成されている。第２の絶縁膜１０２は、ＴＦＴにおけるゲート絶縁膜である場合もある。第２の絶縁膜１０２の上に走査線１０および走査線引出し線１１が形成されている。矩形の走査線引き出し線は、図１における、図面の上側からの走査線引出し線１１の断面である。
【００３１】
走査線１０および走査線引出し線１１を覆って有機パッシベーション膜１０３が形成されている。有機パッシベーション膜１０３は２乃至３μｍと、厚く形成され、平坦化膜としての役割も有している。有機パッシベーション膜１０３は感光性樹脂で形成され、パターニングにフォトレジストを必要としない。
【００３２】
有機パッシベーション膜１０３の上にＳｉＮで形成された層間絶縁膜１０４が形成されている。この層間絶縁膜１０４は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示領域において、平面べたで形成された下層電極とスリットを有する上層電極の層間の絶縁膜である。下層電極がコモン電極で、上層電極が画素電極である場合もあるし、その逆の場合もあるが、下層電極も上層電極もＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で代表される透明酸化物導電膜１０５で形成されている。以下の説明は、透明酸化物導電膜１０５はＩＴＯであるとして説明するが、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される場合もある。
【００３３】
図２において、層間絶縁膜１０４の上にＩＴＯ１０５が形成されている。これが本発明の特徴である。このＩＴＯ１０５は少なくとも、表示領域１０００における画素電極のＩＴＯとは絶縁されている。しかし、ＩＴＯ１０５は、表示領域における上層電極を形成するときに同時に形成される。
【００３４】
ＩＴＯ１０５を覆って配向膜１０６が形成されている。配向膜１０６とＩＴＯ１０５との接着力は強いので、シール幅が狭くとも、配向膜１０６とＩＴＯ１０５との接着強度は確保することができる。なお、配向膜１０６とＩＴＯ１０５との接着力は、他の部分においても重要であるが、シール部においてはシール材３０との間に応力が生ずるので、接着力が特に問題となる。
【００３５】
配向膜１０６がシランカップリング材を有している場合は、配向膜１０６とＩＴＯ１０５との接着力をさらに向上させることができる。シランカップリング材のＯＨ基とＩＴＯ１０５のOH基が強く結びつくからである。なお、ＩＴＯ１０５は、その下地膜であるＳｉＮで形成された層間絶縁膜１０４とも強く接着する。ＩＴＯ１０５はＴＦＴ基板１００の端部までには形成されていないので、ＩＴＯ１０５と接触する他の層との界面から水分が浸入するということも無い。
【００３６】
配向膜１０６は、当初液体である配向膜材料を、フレキソ印刷、インクジェット等によって塗布するが、配向膜材料がシール部の外側端部にまで達しないように、ストッパーとして、有機パッシベーション膜１０３に凹部６５，６６，６７を形成している。そして、凹部のさらに外側に形成されている溝状スルーホール６０も配向膜材料に対するストッパーの役割を有する。図２においては、配向膜材料は３個ある凹部６５，６６，６７を乗り越えて、最後の溝状スルーホール６０において止まっている。
【００３７】
図２において、対向基板２００側にはブラックマトリクス２０１が形成されている。図２におけるブラックマトリクス２０１はシール部３０からの光漏れを防止するために設けられている。ブラックマトリクス２０１は樹脂で形成されているので、樹脂を浸透してくる水分を遮断するためにブラックマトリクス溝２０１１が形成されている。ブラックマトリクス２０１の上には、カラーフィルタ２０２が紙面垂直方向にストライプ状に形成されている。カラーフィルタ２０２はオーバーコート膜２０３の上に形成される柱状スペーサ４０に対応して形成されている。
【００３８】
カラーフィルタ２０２の上にオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３には、カラーフィルタ２０２の部分に対応して凸部が形成されている。この凸部は、配向膜材料を塗布した時に配向膜材料が基板外側方向に広がろうとするのを防止する役割を有する。オーバーコート膜２０３の凸部に第１柱状スペーサ４０が形成されている、第１柱状スペーサ４０はシール部における対向基板２００とＴＦＴ基板１００の間隔を規定する役割を有する。第１柱状スペーサ４０と第１柱状スペーサ４０の間には、第１柱状スペーサ４０よりも高さが低い第２柱状スペーサ４５が形成されている。第２柱状スペーサ４５は対向基板２００に外部から圧力が加わった場合、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔が過度に小さくなることを防止する役割を有する。
【００３９】
オーバーコート膜２０３を覆って配向膜１０６が形成されている。シール部の端部には壁状スペーサ５０が形成されている。壁状スペーサ５０は、液晶表示パネルが複数形成されたマザー基板において、隣接する液晶表示パネルの境界に配置され、壁状スペーサ５０の中心に沿ってスクライビングをいれ、その後、破断することによって個々の液晶表示パネルを分離する。壁状スペーサ５０が無い場合、この部分はシール材３０となるが、シール材３０が存在すると、スクライビングを入れても破断が出来ないからである。図２において、壁状スペーサ５０とＴＦＴ基板１００側との間のわずかな隙間にシール材３０が存在しているが、この部分のシール材の厚さが１μｍ以下であれば、破断作業に大きな影響を与えない。また、シール材３０厚さが１μｍ以下であっても、対向基板２００とＴＦＴ基板１００の接着に寄与する場合もある。
【００４０】
図２において、対向基板２００側の配向膜１０６はオーバーコート膜２０３に形成された凸部を乗り越えて壁状スペーサ５０において、止まっている。対向基板２００側では、配向膜１０６はオーバーコート膜２０３の上に形成されている。オーバーコート膜２０３も配向膜１０６も有機材料であり、有機材料同士の接着力は強いので、配向膜１０６とオーバーコート膜２０３との接着力は大きな問題にはならない。
【００４１】
シール部において、シール材３０によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００が接着している。図２では、シール材３０は配向膜１０６と接着しているが、シール材３０と配向膜１０６の接着は実用的には維持できるようになっている。図２において、シール材３０の内側には液晶３００が充填されている。
【００４２】
図３は、図１および図２のＴＦＴ基板１００の平面図である。図３は、シール部、表示領域１０００、層間絶縁膜１０４、溝状スルーホール６０、ＩＴＯ１０５の関係を示す模式図である。図３において、点線３１より外側がシール部となっており、シール材が形成されている。表示領域を囲んでＩＴＯ１０５が形成され、ＩＴＯ１０５の外側を溝状スルーホール６０が囲み、その外側に有機パッシベーション膜を覆う層間絶縁膜１０４が存在している。
【００４３】
配向膜１０６は表示領域１０００から溝状スルーホール６０まで覆っている。シール部において、配向膜１０６はＩＴＯ１０５の上に形成されている。ＩＴＯ１０５と配向膜１０６、およびＩＴＯ１０５とＳｉＮで形成されている層間絶縁膜１０４との接着力は強い。したがって、図３のシール部における配向膜１０６の接着の信頼性は高い。また、ＩＴＯ１０５は、ＴＦＴ基板１００の端部までは形成されていないので、ＴＦＴ基板１００の端部からＩＴＯ１０５の界面を通して水分が浸入するということも無い。
【００４４】
図４は、本実施例の他の形態を示す断面図である。図４が図２と異なる点は、ＴＦＴ基板１００の有機パッシベーション膜１０６に凹部が形成されていない点である。図４において、配向膜１０６は有機パッシベーション膜１０３の溝状スルーホール６０で止まっている。図４においても、ＩＴＯ１０５が層間絶縁膜１０４と配向膜１０６の間に形成されているので、配向膜１０６の接着性は確保することができる。また、ＩＴＯ１０５はＴＦＴ基板１００の端部までは形成されていないので、ＴＦＴ基板１００の端部からＩＴＯ１０５の界面を通して水分が浸入するということも無い。
【００４５】
図５は本実施例のさらに他の形態を示す断面図である。図５が図２と異なる点は、対向基板２００側において、オーバーコート膜２０３に溝７０が形成されていることである。この溝７０は、表示領域１０００を囲む形で形成されている。オーバーコート膜溝７０の役割は、ＴＦＴ基板１００における有機パッシベーション膜１０３に形成された溝状スルーホール６０の役割と同様である。すなわち、オーバーコート膜２０３を通して外部から浸透してくる水分をこの溝において遮断している。
【００４６】
図５において、配向膜１０６はオーバーコート膜溝７０において止まっている。また、オーバーコート膜溝７０の中にもシール材３０が充填されている。その他の構成は図２と同様であり、効果も図２の構成と同様である。
【００４７】
図６は本実施例におけるさらに他の形態を示す断面図である。図６が図５と異なるところは、配向膜１０６がシール材３０の端部付近まで形成されず、シール材３０の途中で止まっている点である。シール材３０と配向膜１０６の接着に多少問題がある場合は、図６のような形態のほうがシール部の信頼性を増すことができる。
【００４８】
図６において、配向膜１０６はＴＦＴ基板１００側では、第３の凹部６７で止まっており、対向基板２００側では、表示領域側から２番目の凸部で止まっている。ＴＦＴ基板１００側において、シール材３０は配向膜１０６、ＩＴＯ１０５、層間絶縁膜１０４と接着しており、対向基板２００側では、シール材３０は配向膜１０６、オーバーコート膜２０３と接着している。シール材３０とＩＴＯ１０５との接着強度、シール材３０と層間絶縁膜１０４との接着強度、シール材３０とオーバーコート膜２０３との接着強度は、シール材３０と配向膜１０６との接着強度よりも大きい。
【００４９】
以上のように、本実施例によれば、ＴＦＴ基板１００側のシール部において、配向膜１０６の剥がれを防止することができるので、シール部の信頼性を向上させることができる。
【実施例２】
【００５０】
図７は、実施例２を示す断面図である。図７も図１のＡ−Ａ断面に相当する断面図である。図７が実施例１の図２と異なる点は、ＴＦＴ基板１００側に形成されたＩＴＯ１０５の範囲がシール材３０の内側のエッジには達していない点である。この場合も、シール材３０の主要部では、配向膜１０６と層間絶縁膜１０４の間にＩＴＯ１０５が存在しているので、シール部３０における配向膜１０６の剥がれは防止することができる。図７におけるその他の構成は図２と同じである。
【００５１】
図８は、図７の構成に対応するＴＦＴ基板１００の平面図であり、本実施例における表示領域１０００、ＩＴＯ１０５の範囲、層間絶縁膜１０４、溝状スルーホール６０等の関係を示す模式図である。図８において、点線３１より外側がシール部となっており、シール材３０が形成されている。ＩＴＯ１０５はシール材３０の幅の範囲内に存在しており、シール材３０の内側端部にまでは存在していない。
【００５２】
配向膜１０６の塗布範囲は表示領域１０００を含み有機パッシベーション膜１０３に形成された溝状スルーホール６０よりも内側全面に形成されている。本実施例においても、シール幅の主要部において、配向膜１０６と層間絶縁膜１０４との間にＩＴＯ１０５が存在しているので、配向膜剥がれは防止することができる。したがって、本実施例も、実施例１と同様に、シール部の信頼性を向上させることができる。
【実施例３】
【００５３】
図９乃至１９は、本発明において、ＴＦＴ基板１００におけるＩＴＯ１０５の形成範囲を示す例である。各図において、配向膜１０６は、表示領域１０００を含み有機パッシベーション膜１０６に形成された溝状スルーホール６０より内側全面に形成されている。しかし、配向膜１０６の形成範囲はシール部を含むＴＦＴ基板１００全面に形成してもよい。また、配向膜１０６の外側エッジは、シール材３０と重なる範囲において、有機パッシベーション膜１０３の溝状スルーホール６０よりも内側のこともありうる。しかし、ＩＴＯ１０５の形成範囲は全ての例において、有機パッシベーション膜１０３に形成された溝状スルーホール６０の内側である。すなわち、ＩＴＯ１０５は、シール材３０の外側端部よりは内側に形成されている。
【００５４】
図９は、ＩＴＯ１０５の塗布範囲を２列に分けて、シール材３０の内側エッジ３１を内側のＩＴＯ１０５の上に形成した例である。この場合はシール材３０の一部は層間絶縁膜１０４と接着しているが、シール材３０の大部分はＩＴＯ１０５とオーバーラップしているので、シール部における配向膜の剥がれを防止でき、シール部の接着強度は確保することができる。
【００５５】
ＩＴＯ１０５がシール材３０とオーバーラップする範囲は、幅にして１００μｍ以上とすることが望ましい、図９のように、ＩＴＯ１０５がシール材１０６とオーバーラップする範囲が２つの範囲に分かれる場合は、ＩＴＯ１０５の２つの範囲の合計の幅が１００μｍ以上とすればよい。ＩＴＯが３個以上から形成される場合も同様である。
【００５６】
図１０は、ＩＴＯ１０５の形状を連続でなく、多数の島状に形成した例である。すなわち、図１０において、シール材３０の内側エッジの位置は任意でよいが、シール材３０とＩＴＯ１０５がオーバーラップする範囲は、シール材３０の接着面積の２０％以上とすることが好ましい。
【００５７】
図１１は、ＩＴＯ１０５を枠状に形成するが、各辺のＩＴＯ１０５には、ＴＦＴ基板の外側に向かう隙間が存在している。配線の都合等により、図１１のようにする場合もあるが、この場合もＩＴＯ１０５とシール材３０のオーバーラップする面積をシール材３０の接着面積の２０％以上とすればよい。
【００５８】
図１２は、端子部１５０側の辺を除く３辺は図３と同様な形状であるが、端子部１５０側の辺には、ＩＴＯ１０５を形成しない例である。端子部１５０側は、映像信号線２０、走査線１０等の引出し線が集中しており、レイアウト的に、層間絶縁膜１０４を覆ってＩＴＯ１０５を形成することが困難な場合もある。一方、端子部１５０側のシール部は他の３辺と比べて額縁の幅を比較的広くとることができるので、シール幅も大きくすることや製造ばらつきを加味してもシール部と配向膜をオーバーラップさせない事が可能であり、端子部１５０側においては、ＩＴＯ１０５を設けなくとも接着力を確保することができる場合もあるからである。図１３および図１４は、端子部１５０側の辺において、ＩＴＯ１０５を除去する範囲の変形例である。作用は図１２で説明したのと同様である。
【００５９】
図１５は、端子部１５０側の辺を除く３辺を図８と同じ構成とし、端子部１５０側の辺にはＩＴＯ１０５を形成しない例である。図１６および図１７は、図１５における端子部１５０側においてＩＴＯ１０５を除去する範囲の変形例である。作用は図１２で説明したのと同様である。
【００６０】
図１８は端子部１５０側の辺を除く３辺において、図９のように、表示領域１０００を囲んでＩＴＯ１０５を２列形成する例において、端子部１５０側の辺は、内側のＩＴＯ１０５のみシール材３０とオーバーラップさせた例である。図１８では、走査線１０と外側のＩＴＯ１０５は、端子部１５０側の辺と平行には延在していないが、層間絶縁膜１０４の端部までは形成されている。図１９は、端子部１５０側の辺において、内側のＩＴＯ１０５のみをシール材３０とオーバーラップさせる例の変形例であり、外側ＩＴＯ１０５は層間絶縁膜１０４の端子部１５０側の端部までは延在していない。
【００６１】
以上、ＩＴＯ１０５の形成範囲を種々の場合について説明したが、共通している点は、表示領域１０００を囲むようにしてＩＴＯ１０５を形成する場合は、ＩＴＯ１０５のシール材３０とオーバーラップする幅が１００μｍ以上であり、ＩＴＯ１０５が連続して形成されていない場合は、ＩＴＯ１０５とシール材３０とがオーバーラップする面積が、シール材３０の接着面積の２０％以上であるということである。ここで、シール材３０の接着面積とは、接着材３０がＴＦＴ基板１００側において、接着している面積を言う。また、環状のＩＴＯ１０５が複数形成されており、複数のＩＴＯ１０５がシール材３０とオーバーラップしている場合は、シール材３０とオーバーラップしている複数のＩＴＯ１０５の幅の合計が１００μｍ以上であるということである。
【００６２】
以上の説明では、層間絶縁膜１０４と配向膜１０６の間には透明酸化物導電膜１０５としてのＩＴＯ１０５が形成されているとして説明した。ＩＴＯ１０５は、表示領域においてＩＴＯで形成された画素電極またはコモン電極を形成するときに同時に形成することができる。しかし、画素電極あるいはコモン電極がＩＺＯで形成される場合は、層間絶縁膜１０４と配向膜１０６の間に形成する透明酸化物導電膜１０５としては、ＩＺＯでもよい。
【００６３】
以上説明したように、本発明によれば、シール部における配向膜の剥離を防止することができるので、狭額縁になっても、シール部の信頼性を確保することができる。なお、ＩＰＳ方式において、配向膜に対して光配向処理を行う場合、配向膜とその下地膜との接着力が弱くなる。したがって、光配向を用いたＩＰＳ方式においては、本発明は特に効果がある。
【符号の説明】
【００６４】
１０…走査線、  １１…走査線引出し線、  ２０…映像信号線、  ２５…画素、  ３０…シール材、  ３１…シール材内側端部、  ４０…第１柱状スペーサ、  ４５…第２柱状スペーサ、  ５０…壁状スペーサ、  ６０…溝状スルーホール、  ６５…第１の凹部、  ６６…第２の凹部、  ６７…第３の凹部、  ７０…オーバーコート膜溝、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１の絶縁膜、  １０２…第２の絶縁膜、  １０３…有機パッシベーション膜、  １０４…層間絶縁膜、  １０５…透明導電膜、  １０６…配向膜、  １５０…端子部、  １６０…ＩＣドライバ、  ２００…対向基板、  ２０１…ブラックマトリクス、  ２０２…カラーフィルタ、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶、  ２０１１…ブラックマトリクス溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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