(57)【要約】【課題】配線と樹脂層との密着性を高めつつ、配線における信号の遅延を抑えることを可能とした表面処理方法、プリント配線板の製造方法、および、表面処理装置を提供する。【解決手段】気相中において、処理対象Ｓにおける配線を有した表面ＳＦにヒドロキシ基を付加することと、気相中において、ヒドロキシ基が付加された表面ＳＦに、ヒドロキシ基に対する反応性を有した官能基を末端に有するシランカップリング剤を供給して、表面ＳＦにおいてヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることとを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相中において、処理対象における配線を有した表面にヒドロキシ基を付加することと、
前記気相中において、前記ヒドロキシ基が付加された前記表面に、前記ヒドロキシ基に対する反応性を有した官能基を末端に有するシランカップリング剤を供給して、前記表面において前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることと、を含む
表面処理方法。
【請求項２】
前記ヒドロキシ基を付加することは、酸素と水素とを含むガスから生成されたプラズマに含まれるラジカルを前記表面に供給する
請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることは、前記処理対象の温度が７０℃以上１５０℃以下であることを含む
請求項１または２に記載の表面処理方法。
【請求項４】
前記表面に前記ヒドロキシ基を付加することは、前記処理対象の温度が７０℃以上１５０℃以下であることを含む
請求項３に記載の表面処理方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の表面処理方法によって前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることと、
前記表面に、エポキシ樹脂を含む樹脂層を貼り付けることと、を含み、
前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることは、アミノ基を末端に有する前記シランカップリング剤を供給することを含む
プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
配線を有した表面を含む処理対象を収容する気相空間を区画する処理槽と、
前記気相空間に収容された前記処理対象に対して、ヒドロキシ基を付加するヒドロキシ基付加部と、
前記気相空間において、前記ヒドロキシ基が付加された前記表面に前記ヒドロキシ基に対する反応性を有した官能基を末端に有するシランカップリング剤を供給するシランカップリング剤供給部と、を備える
表面処理装置。
【請求項７】
前記ヒドロキシ基付加部は、前記気相空間に対して、前記シランカップリング剤供給部が供給する前記シランカップリング剤とは別々に、酸素と水素とを含むガスを供給するガス供給部と、
前記ガスからプラズマを生成して、前記プラズマに含まれるラジカルを前記表面に供給するラジカル供給部と、を含む
請求項６に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理方法、プリント配線板の製造方法、および、表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板は、プリプレグなどから形成された基材の両面に、配線と樹脂層とが交互に積層された多層配線層を備えている。基材に多層配線層が形成されるときには、まず、基材の各面において、配線を形成するための金属膜が形成され、次いで、金属膜がパターニングされることによって配線が形成される。そして、樹脂層が、配線が位置する基板の面に貼り付けられることによって、配線と樹脂層とが積層された構造が形成される。これらの処理が複数回繰り返されることによって、基材の両面に多層配線層が形成される。
【０００３】
プリント配線板の製造では、配線と樹脂層との密着性を高める目的で、配線の表面における表面粗さを高める処理が行われている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８２２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、プリント配線板に高周波デバイスが実装された場合には、デバイスに入力される信号、および、デバイスから出力される信号は、表皮効果によって配線の表面近傍を伝播する。そのため、配線の表面粗さを高めるために配線の表面に形成された凹凸によって、信号が遅延する。
【０００６】
本発明は、配線と樹脂層との密着性を高めつつ、配線における信号の遅延を抑えることを可能とした表面処理方法、プリント配線板の製造方法、および、表面処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための表面処理方法は、気相中において、処理対象における配線を有した表面にヒドロキシ基を付加することと、前記気相中において、前記ヒドロキシ基が付加された前記表面に、前記ヒドロキシ基に対する反応性を有した官能基を末端に有するシランカップリング剤を供給して、前記表面において前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることと、を含む。
【０００８】
上記課題を解決するための表面処理装置は、配線を有した表面を含む処理対象を収容する気相空間を区画する処理槽と、前記気相空間に収容された前記処理対象に対して、ヒドロキシ基を付加するヒドロキシ基付加部と、前記気相空間において、前記ヒドロキシ基が付加された前記表面に前記ヒドロキシ基に対する反応性を有した官能基を末端に有するシランカップリング剤を供給するシランカップリング剤供給部と、を備える。
【０００９】
上記各構成によれば、処理対象の表面に対して樹脂層を貼り付ける場合に、樹脂層を形成する樹脂が含む官能基と、処理対象の表面に付加されたシランカップリング剤が含む官能基であって、有機物と反応することが可能な官能基とが縮合する。言い換えれば、処理対象の表面と樹脂層とが化学的に結合する。そのため、処理対象の表面に凹凸を形成せずとも、処理対象の表面と樹脂層との密着性を高めることが可能である。結果として、配線と樹脂層との密着性を高めつつ、配線における信号の遅延を抑えることが可能である。
【００１０】
上記表面処理方法において、前記ヒドロキシ基を付加することは、酸素と水素とを含むガスから生成されたプラズマに含まれるラジカルを前記表面に供給してもよい。上記構成によれば、プラズマに含まれるイオンを表面に供給する場合に比べて、処理対象の表面における粗さが高まることがより抑えられる。
【００１１】
上記表面処理方法において、前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることは、前記処理対象の温度が７０℃以上１５０℃以下であることを含んでもよい。上記構成によれば、処理対象の温度を７０℃以上に設定することによって、シランカップリング剤とヒドロキシ基との縮合を確実に生じさせ、かつ、処理対象の温度を１５０℃以下に設定することで、シランカップリング剤同士が重合することが抑えられる。
【００１２】
上記表面処理方法において、前記表面に前記ヒドロキシ基を付加することは、前記処理対象の温度が７０℃以上１５０℃以下であることを含んでもよい。上記構成によれば、シランカップリング剤を供給するよりも前から処理対象の温度が７０℃以上１５０℃以下であることによって、ヒドロキシ基が表面に付加された後に、処理対象の温度がシランカップリング剤とヒドロキシ基との反応を高める温度にまで高めるまでの待機時間が生じない。
【００１３】
上記課題を解決するためのプリント配線板の製造方法は、上記表面処理方法によって前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることと、前記表面に、エポキシ樹脂を含む樹脂層を貼り付けることと、を含み、前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させることは、アミノ基を末端に有する前記シランカップリング剤を供給することを含む。上記構成によれば、シランカップリング剤に由来するアミノ基が処理対象の表面に付加されるため、エポキシ樹脂が含むエポキシ基とアミノ基とが縮合する。
【００１４】
上記表面処理装置は、前記ヒドロキシ基付加部は、前記気相空間に対して、前記シランカップリング剤供給部が供給する前記シランカップリング剤とは別々に、酸素と水素とを含むガスを供給するガス供給部と、前記ガスからプラズマを生成して、前記プラズマに含まれるラジカルを前記表面に供給するラジカル供給部と、を含んでもよい。
【００１５】
上記構成によれば、酸素と水素とを含むガスの通路にシランカップリング剤が混入しないため、酸素と水素を含むガスから生成されたラジカルが、シランカップリング剤のために失活することが抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一実施形態における表面処理装置の構造を模式的に示す断面図。
【図２】一実施形態における表面処理方法を説明するための工程図。
【図３】一実施形態における表面処理方法を説明するための工程図。
【図４】一実施形態における表面処理方法を説明するための工程図。
【図５】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図６】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図７】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図８】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図９】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図１０】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図１１】一実施形態におけるプリント配線板の製造方法を説明するための工程図。
【図１２】プリント配線板の適用例の構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１から図１２を参照して、表面処理方法、プリント配線板の製造方法、および、表面処理装置の一実施形態を説明する。以下では、表面処理装置の構成、表面処理方法、プリント配線板の製造方法、および、プリント配線板の適用例を順番に説明する。
【００１８】
［表面処理装置の構成］
図１を参照して、表面処理装置の構成を説明する。
表面処理装置１０は、処理槽１１と、ヒドロキシ基付加部１０Ａと、シランカップリング剤供給部１０Ｂと、を備えている。処理槽１１は、配線を有した表面ＳＦを含む処理対象Ｓを収容する気相空間１１Ａを区画する。ヒドロキシ基付加部１０Ａは、気相空間１１Ａに収容された処理対象Ｓに対して、ヒドロキシ基を付加する。シランカップリング剤供給部１０Ｂは、気相空間１１Ａにおいて、ヒドロキシ基が付加された表面ＳＦにシランカップリング剤を供給する。以下、図１を参照して、表面処理装置１０の構成をより詳しく説明する。
【００１９】
処理槽１１は、処理槽１１を貫通する供給口１１ａと２つの排気口１１ｂとを有している。供給口１１ａは、処理対象Ｓの表面ＳＦにヒドロキシ基を付加するためのプラズマを生成する空間を構成する。排気口１１ｂには、気相空間１１Ａ内を排気する排気部が接続されている。そのため、気相空間１１Ａ内の流体は、供給口１１ａから排気口１１ｂに向かう方向に沿って流れる。
【００２０】
処理槽１１内には、処理対象Ｓを支持する支持部１２が位置している。支持部１２は、例えば処理対象Ｓを支持するステージである。支持部１２は、処理槽１１のなかで、処理槽１１に形成された供給口１１ａと対向する位置に配置されている。支持部１２内には、加熱部１３が位置している。加熱部１３は、支持部１２を加熱することによって、支持部１２に配置された処理対象Ｓを加熱する。加熱部１３は、例えば、処理対象Ｓを７０℃以上１５０℃以下の温度に加熱する。
【００２１】
処理槽１１の供給口１１ａ内には、通路部材１４が位置している。通路部材１４は、処理槽１１に固定されている。通路部材１４は、通路部材１４を厚さ方向に沿って貫通する貫通孔１４ａを有している。通路部材１４は、供給口１１ａに嵌まる形状を有し、通路部材１４のなかで、支持部１２と対向する面とは反対側の面が、供給口１１ａを区画する面とともにプラズマが生成されるプラズマ生成空間を構成している。貫通孔１４ａは、プラズマ生成空間に接続され、プラズマの通路を構成している。
【００２２】
通路部材１４は、接地電位であることが好ましい。これにより、プラズマ中に含まれる電荷を有したイオンが、貫通孔１４ａを通る間に通路部材１４によって補足される。そのため、処理槽１１が区画する気相空間１１Ａにイオンが供給されにくくなり、かつ、気相空間１１Ａに供給される活性種の多くがラジカルになる。
【００２３】
通路部材１４には、シャワープレート１５が固定されている。シャワープレート１５は、通路部材１４の貫通孔１４ａを通じてシャワープレート１５に到達したラジカルを気相空間１１Ａ内に拡散させる。
【００２４】
処理槽１１の外表面には、供給口１１ａを塞ぐ透過窓１６が位置している。透過窓１６を形成する材料は、例えば石英（ＳｉＯ２）などであってよい。透過窓１６には、マイクロ波を透過窓１６に導くための導波管１７が接続されている。
【００２５】
表面処理装置１０は、さらに、ガス供給部２１およびマイクロ波源２２を備えている。ガス供給部２１は、処理槽１１と通路部材１４とが構成するプラズマ生成空間にプラズマを生成するためのガスを供給する。ガス供給部２１は、例えば酸素ガスと水素ガスとを供給する。なお、ガス供給部２１は、酸素と水素をと含み、かつ、処理対象Ｓの表面ＳＦにヒドロキシ基を付加することが可能なガスであれば、酸素ガスと水素ガス以外のガスを供給してもよい。例えば、酸素と水素とを含むガスは、水蒸気であってもよい。ガス供給部２１が気相空間１１Ａに供給するガスは、処理槽１１内に形成された通路、および、通路部材１４の一部と処理槽１１とによって形成される通路を通じて、プラズマ生成空間に供給される。
【００２６】
マイクロ波源２２は、導波管１７に接続されている。マイクロ波源２２が導波管１７にマイクロ波を照射することによって、マイクロ波は、透過窓１６を介してプラズマ生成空間に照射される。
【００２７】
表面処理装置１０では、ガス供給部２１が水素ガスと酸素ガスとをプラズマ生成空間に供給した後に、マイクロ波源２２が、導波管１７および透過窓１６を通じてプラズマ生成空間にマイクロ波を照射することによって、プラズマ生成空間にプラズマが生成される。プラズマには、気相空間１１Ａにおいて、処理対象Ｓの表面にヒドロキシ基を付加するためのラジカルが含まれている。すなわち、本実施形態では、ガス供給部２１、および、マイクロ波源２２が、ヒドロキシ基付加部１０Ａを構成している。
【００２８】
処理槽１１内には、シャワープレート１５と支持部１２とが対向する方向において、シャワープレート１５と支持部１２との間に、ガス供給リング１８が位置している。ガス供給リング１８は、処理対象Ｓの表面ＳＦと対向する平面視において環状である。ガス供給リング１８は、ガス供給リング１８の周方向において、複数のガス供給口を有している。
【００２９】
ガス供給リング１８には、原料タンク３１が、バッファ室３２、２つのバルブ３３、および、可変流量バルブ３４を介して接続されている。原料タンク３１は、気液平衡の状態で、シランカップリング剤を保持している。そのため、シランカップリング剤の蒸気が、原料タンク３１から供給される。シランカップリング剤は、有機物と反応する官能基と、無機物と反応する官能基とを１つの分子中に有した有機ケイ素化合物である。シランカップリング剤は、以下の式で表すことができる。
Ｙ‐Ｒ‐Ｓｉ‐（Ｘ）３
【００３０】
なお、上述の式において、Ｙは有機物を反応する官能基であり、Ｘは無機物と反応する官能基であり、Ｒは脂肪族炭化水素基などの有機基である。Ｙは、例えば、ビニル基、エポキシ基、および、アミノ基などであってよい。Ｘは、水などによって加水分解する官能基である。Ｘは、例えば、アルコキシ基、クロロシリル基、および、アセトキシ基などであってよい。
【００３１】
原料タンク３１からガス供給リング１８に向けてシランカップリング剤が供給される通路において、バッファ室３２は、２つのバルブ３３に挟まれている。バッファ室３２は、原料タンク３１から可変流量バルブ３４に供給されるシランカップリング剤の流量におけるばらつきを抑える。可変流量バルブ３４は、シランカップリング剤が供給される通路において、２つのバルブ３３よりも下流に位置している。可変流量バルブ３４は、ガス供給リング１８に供給されるシランカップリング剤の流量を制御する。すなわち、本実施形態では、原料タンク３１、バッファ室３２、バルブ３３、可変流量バルブ３４、および、ガス供給リング１８が、シランカップリング剤供給部を構成している。
【００３２】
このように、表面処理装置１０において、ヒドロキシ基付加部１０Ａは、気相空間１１Ａに対して、シランカップリング剤供給部１０Ｂが供給するシランカップリング剤とは別々に、酸素と水素とを含むガスを供給するガス供給部２１を含んでいる。また、ヒドロキシ基付加部１０Ａは、酸素と水素とを含むガスからプラズマを生成して、プラズマに含まれるラジカルを表面に供給するラジカル供給部を含んでいる。
【００３３】
すなわち、ヒドロキシ基の付加に用いられる酸素ガスおよび水素ガスは、上述したように、処理槽１１および通路部材１４によって構成される通路を通じて、気相空間１１Ａに供給される。一方で、シランカップリング剤は、原料タンク３１からガス供給リング１８までを繋ぐ通路によって気相空間１１Ａに供給される。酸素ガスおよび水素ガスと、シランカップリング剤とが、個別の通路を通じて気相空間１１Ａに供給されるため、酸素と水素とを含むガスの通路にシランカップリング剤が混入しない。それゆえに、酸素と水素を含むガスから生成されたラジカルが、シランカップリング剤のために失活することが抑えられる。なお、本実施形態では、マイクロ波源２２と通路部材１４とが、ラジカル供給部を構成する。
【００３４】
本実施形態の表面処理装置１０によれば、処理対象Ｓの表面にヒドロキシ基を付加することと、ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることとを１つの処理槽１１内で行うことが可能である。そのため、処理対象Ｓの表面にヒドロキシ基を付加することと、ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることとが各別の処理槽において行われる場合と比べて、装置の設置面積を小さくすることが可能である。
【００３５】
［表面処理方法］
図２から図４を参照して、表面処理方法を説明する。図２から図４では、表面処理方法において実施される工程が、模式的に示されている。
【００３６】
表面処理方法は、ヒドロキシ基を付加することと、処理対象Ｓの表面ＳＦにおいて、ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることとを含む。ヒドロキシ基を付加することは、気相中において、処理対象Ｓにおける配線を有した表面にヒドロキシ基を付加する。ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることは、気相中において、ヒドロキシ基が付加された表面に、シランカップリング剤を供給して、前記表面において前記ヒドロキシ基と前記シランカップリング剤とを縮合させる。
【００３７】
これにより、処理対象Ｓの表面ＳＦに対して樹脂層を貼り付ける場合に、樹脂層を形成する樹脂が含む官能基と、処理対象Ｓの表面ＳＦに付加されたシランカップリング剤が含む官能基であって、有機物と反応することが可能な官能基とが縮合する。言い換えれば、処理対象Ｓの表面ＳＦと樹脂層とが化学的に結合する。そのため、処理対象Ｓの表面ＳＦに凹凸を形成せずとも、処理対象Ｓの表面ＳＦと樹脂層との密着性を高めることが可能である。結果として、配線と樹脂層との密着性を高めつつ、配線における信号の遅延を抑えることが可能である。以下、図２から図４を参照して、表面処理方法をより詳しく説明する。
【００３８】
図２が示すように、表面処理方法では、まず、水素ガスおよび酸素ガスから生成されたプラズマに含まれるラジカルＲが、処理対象Ｓの表面ＳＦに供給される。そのため、プラズマに含まれるイオンを表面に供給する場合に比べて、処理対象Ｓの表面ＳＦにおける粗さが高まることがより抑えられる。水素ガスおよび酸素ガスの混合ガスは、水素と酸素とを含むガスの一例である。これにより、処理対象Ｓの表面ＳＦにヒドロキシ基（ＯＨ基）が付加される。上述したように、処理対象Ｓの表面ＳＦは、配線を含む。そのため、配線にもヒドロキシ基が付加される。配線を形成するための材料は、例えば金属であってよく、金属は例えば銅であってよい。
【００３９】
図３が示すように、ヒドロキシ基が付加された処理対象Ｓの表面ＳＦにシランカップリング剤ＳＣが供給される。シランカップリング剤ＳＣは、例えば、上述したＸとして例えばメトキシ基（ＣＨ３Ｏ基）を有してよい。メトキシ基を有するシランカップリング剤ＳＣは、以下の式で表すことができる。
Ｙ‐Ｒ‐Ｓｉ‐（ＯＣＨ３）３
【００４０】
メトキシ基は、ヒドロキシ基と反応性を有する官能基である。メトキシ基とヒドロキシ基とは縮合する。
【００４１】
ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることは、処理対象Ｓの温度が７０℃以上１５０℃以下であることを含むことが好ましい。すなわち、ヒドロキシ基とシランカップリング剤ＳＣとを縮合させるときには、上述した加熱部１３によって、処理対象Ｓを７０℃以上１５０℃以下に含まれる温度に加熱することが好ましい。処理対象Ｓの温度を７０℃以上に設定することによって、シランカップリング剤とヒドロキシ基との縮合を確実に生じさせ、かつ、処理対象Ｓの温度を１５０℃以下に設定することで、シランカップリング剤同士が重合することが抑えられる。
【００４２】
なお、表面ＳＦにヒドロキシ基を付加することは、処理対象Ｓの温度が７０℃以上１５０℃以下であることを含むことが好ましい。すなわち、表面ＳＦにヒドロキシ基を付加するときには、加熱部１３によって、処理対象Ｓを７０℃以上１５０℃以下に含まれる温度に加熱することが好ましい。これにより、シランカップリング剤を供給するよりも前から処理対象Ｓの温度が７０℃以上１５０℃以下であることによって、ヒドロキシ基が表面ＳＦに付加された後に、処理対象Ｓの温度がシランカップリング剤とヒドロキシ基との反応を高める温度にまで高めるまでの待機時間が生じない。
【００４３】
図４が示すように、メトキシ基とヒドロキシ基との縮合によって、処理対象Ｓの表面ＳＦには、シリコンを含む有機基が付加される。これにより、表面ＳＦに付加された複数の有機基によって、表面ＳＦに単分子層が形成される。表面ＳＦに付加された有機基は、有機物との反応性を有した官能基であるＹを含む。そのため、単分子層は、単分子層上に貼り付けられる樹脂層に対する反応性を有する。
【００４４】
処理対象Ｓの表面ＳＦにヒドロキシ基を付加することと、ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることとを液相中で行った場合には、処理対象Ｓに対して水分が吸着する。そのため、表面処理以降の工程や、プリント配線板の特性に水分が影響することを避ける上で、処理対象Ｓを十分に乾燥させる必要がある。これに対して、本実施形態の表面処理方法によれば、処理対象Ｓの表面にヒドロキシ基を付加することと、ヒドロキシ基とシランカップリング剤とを縮合させることとを気相中で行う。そのため、処理対象Ｓに対して水分が吸着しない。それゆえに、処理対象Ｓを乾燥するための時間を省略することができる。
【００４５】
［プリント配線板の製造方法］
図５から図１１を参照して、プリント配線板の製造方法を説明する。以下では、プリント配線板の製造方法のなかで、処理対象Ｓの表面ＳＦに単分子層が形成される工程と、単分子層を介して処理対象Ｓの表面ＳＦに樹脂層が貼り付けられる工程とについてのみ詳しく説明する。なお、図６および図７では、図示の便宜上、有機基から構成される単分子層を所定の厚さを有した１つの層として図示している。
【００４６】
プリント配線板の製造方法は、上述した表面処理方法によってヒドロキシ基とシランカップリング剤ＳＣとを縮合させることと、処理対象Ｓの表面に、エポキシ樹脂を含む樹脂層を貼り付けることとを含む。ヒドロキシ基とシランカップリング剤ＳＣとを縮合させることは、アミノ基を末端に有するシランカップリング剤ＳＣを供給することを含む。これにより、シランカップリング剤に由来するアミノ基が処理対象Ｓの表面ＳＦに付加されるため、エポキシ樹脂が含むエポキシ基とアミノ基とが縮合する。以下、図５から図１１を参照して、プリント配線板の製造方法をより詳しく説明する。
【００４７】
図５が示すように、プリント配線板を製造するときには、まず、プリプレグなどから形成された基材４１を準備する。そして、基材４１が有する貫通孔４１ａを埋め、かつ、処理対象Ｓの表面ＳＦを構成する配線４２を基材４１に形成する。これにより、処理対象Ｓを得ることができる。本実施形態では、配線４２が、基材４１の表面４１Ｆおよび裏面４１Ｒの両方に位置することによって、処理対象Ｓにおける第１面ＳＦ１の一部と、第２面ＳＦ２の一部とを構成している。すなわち、本実施形態では、処理対象Ｓの第１面ＳＦ１と第２面ＳＦ２との両方が、処理対象Ｓの表面ＳＦにおける一例である。
【００４８】
図６が示すように、処理対象Ｓの第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２に対するヒドロキシ基の付加と、ヒドロキシ基とシランカップリング剤ＳＣとの縮合とを行うことによって、処理対象Ｓの第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２に、上述した有機基から構成される単分子層４３を形成する。なお、図６では、配線４２上にのみ単分子層４３が図示されているが、実際には、基材４１のなかで配線４２から露出した部分にも、単分子層４３が形成されている。
【００４９】
図７が示すように、エポキシ樹脂を含む樹脂層４４を処理対象Ｓの第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２の各々に貼り付ける。これにより、単分子層４３を構成する有機基が含むアミノ基と、エポキシ樹脂の末端に位置するエポキシ基とが反応することによって、アミノ基とエポキシ基とが化学的に結合する。以下、図８から図１１を参照して、アミノ基とエポキシ基との結合についてより詳しく説明する。
【００５０】
図８は、樹脂層４４を形成するエポキシ樹脂の構造における一例を示している。
図８が示すように、エポキシ樹脂の各末端には、エポキシ基（Ｃ２Ｈ４Ｏ基）が位置している。図８において、一方の末端におけるエポキシ基が、破線で囲まれている。樹脂層４４は、所定の分子量を有した複数のエポキシ樹脂、言い換えればポリマーによって形成されている。
【００５１】
図９が示すように、樹脂層４４の表面には、樹脂層４４を構成するポリマーのなかで、一部のポリマーの末端に位置するエポキシ基が露出している。処理対象Ｓの表面ＳＦを構成する配線４２には、シリコンを含む有機基が付加されている。なお、処理対象Ｓの第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２に有機基を付加するために用いされたシランカップリング剤ＳＣは、アミノ基（ＮＨ２基）を末端に有する。そのため、第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２に付加された有機基も、アミノ基を末端に有している。
【００５２】
図１０が示すように、アミノ基はエポキシ基に対する反応性を有しているため、アミノ基とエポキシ基との縮合によって、樹脂層４４が含むポリマーが、有機基を介して処理対象Ｓの第１面ＳＦ１または第２面ＳＦ２の各々に結合する。
【００５３】
図１１が示すように、アミノ基は２つのエポキシ基と縮合することが可能であるため、アミノ基が他のポリマーが有するエポキシ基とさらに縮合することによって、樹脂層４４が含む他のポリマーが、同一の有機基を介して第１面ＳＦ１または第２面ＳＦ２に結合する。
【００５４】
なお、プリント配線板が製造されるときには、図６および図７を用いて先に説明した工程と、樹脂層４４に形成済の配線に接続する新たな配線を形成する工程とが、各面に対して交互に複数回繰り返される。これによって、基材４１の表面４１Ｆおよび裏面４１Ｒの各々に多層配線層が形成される。
【００５５】
［プリント配線板の適用例］
図１２を参照して、プリント配線板の適用例を説明する。
図１２が示すように、プリント回路板５０は、プリント配線板５１と、複数のモールドチップ６０とを備えている。各モールドチップ６０は、はんだ５２によってプリント配線板５１に実装されている。本実施形態のプリント配線板は、プリント配線板５１に適用することが可能である。
【００５６】
各モールドチップ６０は、プリント配線板６１、複数のＩＣチップ６２、はんだ６３、および、モールド樹脂６４を備えている。各ＩＣチップ６２は、はんだ６３によってプリント配線板６１に実装されている。モールド樹脂６４は、複数のＩＣチップ６２の全体と、各ＩＣチップ６２をプリント配線板６１に接続するはんだ６３とを覆っている。本実施形態のプリント配線板は、プリント配線板６１に適用することが可能である。
【００５７】
プリント配線板５１，６１を備えるプリント回路板５０によれば、ＩＣチップ６２として、高周波を信号として用いる高周波デバイスが実装されたとしても、プリント配線板５１，６１において信号の遅延が生じることが抑えられる。
【００５８】
以上説明したように、表面処理方法、プリント配線板の製造方法、および、表面処理装置の一実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）樹脂層４４を形成する樹脂が含む官能基と、処理対象Ｓの表面ＳＦに付加されたシランカップリング剤が含む官能基であって、有機物と反応することが可能な官能基とが縮合する。言い換えれば、処理対象Ｓの表面ＳＦと樹脂層４４とが化学的に結合する。そのため、処理対象Ｓの表面ＳＦに凹凸を形成せずとも、処理対象Ｓの表面ＳＦと樹脂層４４との密着性を高めることが可能である。結果として、配線４２と樹脂層４４との密着性を高めつつ、配線４２における信号の遅延を抑えることが可能である。
【００５９】
（２）プラズマに含まれるイオンを表面に供給する場合に比べて、処理対象Ｓの表面ＳＦにおける粗さが高まることがより抑えられる。
（３）処理対象Ｓの温度を７０℃以上に設定することによって、シランカップリング剤ＳＣとヒドロキシ基との縮合を確実に生じさせ、かつ、処理対象Ｓの温度を１５０℃以下に設定することで、シランカップリング剤ＳＣ同士が重合することが抑えられる。
【００６０】
（４）シランカップリング剤ＳＣを供給するよりも前から処理対象Ｓの温度が７０℃以上１５０℃以下であることによって、ヒドロキシ基が表面に付加された後に、処理対象Ｓの温度がシランカップリング剤とヒドロキシ基との反応を高める温度にまで高めるまでの待機時間が生じない。
【００６１】
（５）シランカップリング剤ＳＣに由来するアミノ基が処理対象Ｓの表面ＳＦに付加されるため、エポキシ樹脂が含むエポキシ基とアミノ基とが縮合する。
（６）酸素と水素とを含むガスの通路にシランカップリング剤ＳＣが混入しないため、酸素と水素を含むガスから生成されたラジカルが、シランカップリング剤ＳＣのために失活することが抑えられる。
【００６２】
なお、上述した実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
［ヒドロキシ基付加部］
・ヒドロキシ基付加部１０Ａは、紫外線照射部と、オゾン供給部とから構成されてもよい。オゾン供給部が処理対象Ｓの表面にオゾンを供給し、かつ、紫外線照射部が、オゾンが供給されている表面ＳＦに紫外線を照射することによって、表面ＳＦにヒドロキシ基を付加することが可能である。
【００６３】
・ヒドロキシ基付加部１０Ａは、プラズマ中に含まれるイオンを処理対象Ｓの表面ＳＦに供給することによって、表面ＳＦにヒドロキシ基を付加してもよい。こうした構成であっても、処理対象Ｓの表面ＳＦを荒らすことによって処理対象Ｓと樹脂層４４との密着性を高める場合と比べて、プリント配線板における信号の遅延を抑えることは可能である。
【００６４】
［シランカップリング剤供給部］
・シランカップリング剤の蒸気圧が、シランカップリング剤を気相空間１１Ａに供給する期間にわたってシランカップリング剤の流量を安定に維持できる程度に高い場合には、シランカップリング剤供給部１０Ｂにおいて、バッファ室３２と、バッファ室３２よりも上流に位置するバルブ３３とを省略することができる。
【００６５】
［シランカップリング剤］
・シランカップリング剤は、有機物と反応する官能基としてアミノ基以外の官能基を有してもよい。この場合には、シランカップリング剤が含む官能基として、樹脂層に含まれるポリマーの末端に位置する官能基と縮合することが可能な官能基が選択されればよい。
【符号の説明】
【００６６】
１０…表面処理装置、１０Ａ…ヒドロキシ基付加部、１０Ｂ…シランカップリング剤供給部、１１…処理槽、１１Ａ…気相空間、１１ａ…供給口、１１ｂ…排気口、１２…支持部、１３…加熱部、１４…通路部材、１４ａ，４１ａ…貫通孔、１５…シャワープレート、１６…透過窓、１７…導波管、１８…ガス供給リング、２１…ガス供給部、２２…マイクロ波源、３１…原料タンク、３２…バッファ室、３３…バルブ、３４…可変流量バルブ、４１…基材、４１Ｒ…裏面、４２…配線、４３…単分子層、４４…樹脂層、５０…プリント回路板、５１，６１…プリント配線板、５２，６３…はんだ、６０…モールドチップ、６２…ＩＣチップ、６４…モールド樹脂、Ｒ…ラジカル、Ｓ…処理対象、ＳＣ…シランカップリング剤、４１Ｆ，ＳＦ…表面、ＳＦ１…第１面、ＳＦ２…第２面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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