(57)【要約】【課題】板状部材の表面の温度分布の制御性を向上させる。【解決手段】保持装置は、板状部材と、ヒータ電極と、給電端子対と、第１のドライバ電極と第２のドライバ電極とから構成されたドライバ電極対とを備える。第１のドライバ電極は、板状部材の中心点を中心とする仮想円の円周の一部分に沿って延びる第１の円弧状部分であって、ヒータ電極に接続されたヒータ側接続点と、該ヒータ側接続点に対して上記仮想円の円周方向に離間し、かつ、第１の給電端子に接続された端子側接続点とを含む第１の円弧状部分を有する。第２のドライバ電極は、上記仮想円の円周の他の一部分に沿って延びる第２の円弧状部分であって、ヒータ電極に接続されたヒータ側接続点と、該ヒータ側接続点に対して上記仮想円の円周方向に離間し、かつ、第２の給電端子に接続された端子側接続点とを含む第２の円弧状部分を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に略直交する略平面状の第１の表面を有する板状部材と、
前記板状部材の内部に配置された少なくとも１つのヒータ電極と、
第１の給電端子と第２の給電端子とから構成された給電端子対と、
前記板状部材の前記第１の方向における第１の位置の内部に配置されたドライバ電極対であって、前記第１の給電端子と前記ヒータ電極とに電気的に接続された第１のドライバ電極と、前記第２の給電端子と前記ヒータ電極とに電気的に接続された第２のドライバ電極と、から構成されたドライバ電極対と、
を備え、前記板状部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記第１のドライバ電極は、前記第１の方向視で、前記板状部材の中心点を中心とする仮想円の円周の一部分に沿って延びる第１の円弧状部分であって、前記ヒータ電極に電気的に接続された第１のヒータ側接続点と、前記第１のヒータ側接続点に対して前記仮想円の円周方向に離間し、かつ、前記第１の給電端子に電気的に接続された第１の端子側接続点と、を含む第１の円弧状部分を有し、
前記第２のドライバ電極は、前記第１の方向視で、前記仮想円の円周の他の一部分に沿って延びる第２の円弧状部分であって、前記ヒータ電極に電気的に接続された第２のヒータ側接続点と、前記第２のヒータ側接続点に対して前記仮想円の円周方向に離間し、かつ、前記第２の給電端子に電気的に接続された第２の端子側接続点と、を含む第２の円弧状部分を有する、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、
前記第１のドライバ電極の前記第１の円弧状部分において、前記第１のヒータ側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った一方の端部に位置し、前記第１の端子側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った他方の端部に位置し、
前記第２のドライバ電極の前記第２の円弧状部分において、前記第２のヒータ側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った一方の端部に位置し、前記第２の端子側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った他方の端部に位置し、
前記ドライバ電極対は、前記第１の方向視で、前記仮想円の円周の全長に対する、前記第１の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さと前記第２の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さとの合計の比が、２分の１以上となるように構成されている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項３】
請求項２に記載の保持装置において、
前記ドライバ電極対は、前記第１の方向視で、前記第１の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さと前記第２の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さとの合計が、前記仮想円の円周の全長と略等しくなるように構成されている、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置において、
複数の前記給電端子対と、
前記複数の給電端子対に対応して設けられた複数の前記ドライバ電極対と、
を備え、
前記複数のドライバ電極対のそれぞれについて、前記仮想円の径は互いに異なる、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項５】
請求項４に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記複数のドライバ電極対の１つを構成する前記第１のドライバ電極上の前記第１の端子側接続点と前記板状部材の前記中心点とを結ぶ仮想線分は、前記複数のドライバ電極対の他の１つを構成する前記第１のドライバ電極上の前記第１の端子側接続点と前記板状部材の前記中心点とを結ぶ仮想線分と重ならない、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記板状部材の前記第１の方向における前記第１の位置の内部に配置されたダミー電極であって、前記板状部材より熱伝導率の高い材料により形成され、前記第１の方向視で前記仮想円の円周と重ならず、前記給電端子と電気的に接続されていないダミー電極を備える、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の保持装置において、さらに、
前記板状部材の前記第１の方向における前記第１の位置の内部に配置されたダミー電極であって、前記板状部材より熱伝導率の高い材料により形成され、前記第１の方向視で前記仮想円の円周と重なり、前記給電端子と電気的に接続されていないダミー電極を備える、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記板状部材の前記第１の方向における前記第１の位置とは異なる第２の位置の内部に配置された他層ドライバ電極であって、前記第１のドライバ電極の前記第１の円弧状部分の前記第１の端子側接続点と電気的に接続されていると共に、前記第１の方向視で前記第１の端子側接続点より前記板状部材の前記中心点に近い位置において、前記第１の給電端子と電気的に接続されている、他層ドライバ電極を備える、
ことを特徴とする保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略直交する略平面状の表面（以下、「吸着面」という）を有するセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。
【０００３】
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、例えば、セラミックス部材の内部にヒータ電極が設けられる。ヒータ電極に電圧が印加されると、ヒータ電極が発熱することによってセラミックス部材が加熱され、これにより、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が実現される。
【０００４】
ヒータ電極への給電のため、静電チャックには、ヒータ電極に電気的に接続されたドライバ電極と、ドライバ電極に電気的に接続された給電端子とが設けられる。このような構成では、電源から、給電端子およびドライバ電極を介して、ヒータ電極に電力が供給される。上記第１の方向視でのドライバ電極の形状は、例えば、セラミックス部材の中心点付近を頂点とする扇形である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１７／１１５７５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、ドライバ電極において、給電端子に電気的に接続された点（以下、「端子側接続点」という）と、ドライバ電極におけるヒータ電極に電気的に接続された点（以下、「ヒータ側接続点」という）とが、セラミックス部材の径方向（セラミックス部材の中心点から外周側に向かう方向）に離間する構成が採用されることがある。このような構成では、ヒータ電極への給電の際に、ドライバ電極において上記径方向に電流が流れ、ドライバ電極における電流経路付近の領域が局所的に発熱する。このようなドライバ電極におけるセラミックス部材の径方向に沿った局所的な発熱は、セラミックス部材の吸着面における局所的な温度特異点の発生を招き、セラミックス部材の吸着面における温度分布の制御性が低下するおそれがある。このように、従来の静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、吸着面に保持されるウェハの温度分布の制御性）の点で向上の余地がある。
【０００７】
なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、板状部材を備え、板状部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
【０００８】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【００１０】
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略直交する略平面状の第１の表面を有する板状部材と、前記板状部材の内部に配置された少なくとも１つのヒータ電極と、第１の給電端子と第２の給電端子とから構成された給電端子対と、前記板状部材の前記第１の方向における第１の位置の内部に配置されたドライバ電極対であって、前記第１の給電端子と前記ヒータ電極とに電気的に接続された第１のドライバ電極と、前記第２の給電端子と前記ヒータ電極とに電気的に接続された第２のドライバ電極と、から構成されたドライバ電極対と、を備え、前記板状部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記第１のドライバ電極は、前記第１の方向視で、前記板状部材の中心点を中心とする仮想円の円周の一部分に沿って延びる第１の円弧状部分であって、前記ヒータ電極に電気的に接続された第１のヒータ側接続点と、前記第１のヒータ側接続点に対して前記仮想円の円周方向に離間し、かつ、前記第１の給電端子に電気的に接続された第１の端子側接続点と、を含む第１の円弧状部分を有し、前記第２のドライバ電極は、前記第１の方向視で、前記仮想円の円周の他の一部分に沿って延びる第２の円弧状部分であって、前記ヒータ電極に電気的に接続された第２のヒータ側接続点と、前記第２のヒータ側接続点に対して前記仮想円の円周方向に離間し、かつ、前記第２の給電端子に電気的に接続された第２の端子側接続点と、を含む第２の円弧状部分を有する。本保持装置では、ヒータ電極への給電の際に、第１のドライバ電極の第１の円弧状部分において、第１の端子側接続点と第１のヒータ側接続点とを結ぶ電流経路が、板状部材の中心点を中心とする上記仮想円の円周方向に略平行になり、かつ、第２のドライバ電極の第２の円弧状部分において、第２のヒータ側接続点と第２の端子側接続点とを結ぶ電流経路も、上記仮想円の円周方向に略平行になる。そのため、本保持装置では、各ドライバ電極の円弧状部分において、上記仮想円の円周方向に沿って局所的に発熱するが、そのような円周方向に沿った局所的な発熱を原因とする第１の表面における局所的な温度特異点の発生は、上記仮想円の円周方向に略平行に延びるヒータ電極の配置や形状を工夫することによって容易に抑制することができる。従って、本保持装置によれば、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、第１の表面に保持される対象物の温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００１１】
（２）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記第１のドライバ電極の前記第１の円弧状部分において、前記第１のヒータ側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った一方の端部に位置し、前記第１の端子側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った他方の端部に位置し、前記第２のドライバ電極の前記第２の円弧状部分において、前記第２のヒータ側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った一方の端部に位置し、前記第２の端子側接続点は、前記仮想円の円周方向に沿った他方の端部に位置し、前記ドライバ電極対は、前記第１の方向視で、前記仮想円の円周の全長に対する、前記第１の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さと前記第２の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さとの合計の比が、２分の１以上となるように構成されている構成としてもよい。本保持装置では、ヒータ電極への給電の際に、各ドライバ電極の円弧状部分において、上記仮想円の円周の２分の１以上に沿って電流が流れる。従って、本保持装置によれば、各ドライバ電極の円弧状部分において、上記仮想円の円周方向における発熱のばらつきを抑制することができるため、該円周方向に沿った発熱のばらつきを原因とする第１の表面における局所的な温度特異点の発生を抑制することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性を向上させることができる。
【００１２】
（３）上記保持装置において、前記ドライバ電極対は、前記第１の方向視で、前記第１の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さと前記第２の円弧状部分と重なる前記仮想円の円周の部分の長さとの合計が、前記仮想円の円周の全長と略等しくなるように構成されている構成としてもよい。本保持装置では、ヒータ電極への給電の際に、各ドライバ電極の円弧状部分において、上記仮想円の円周の略全体に沿って電流が流れる。従って、本保持装置によれば、各ドライバ電極の円弧状部分において、上記仮想円の円周方向における発熱のばらつきを効果的に抑制することができるため、該円周方向に沿った発熱のばらつきを原因とする第１の表面における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００１３】
（４）上記保持装置において、複数の前記給電端子対と、前記複数の給電端子対に対応して設けられた複数の前記ドライバ電極対と、を備え、前記複数のドライバ電極対のそれぞれについて、前記仮想円の径は互いに異なる構成としてもよい。本保持装置によれば、互いに独立して電圧が印加される複数のドライバ電極対のそれぞれについて、各ドライバ電極の円弧状部分に電流が流れることによる発熱に起因する板状部材の第１の表面における局所的な温度特異点の発生を、互いに径の異なる各仮想円の円周方向に略平行に延びるヒータ電極の配置や形状を工夫することによって容易に抑制することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性を向上させることができる。
【００１４】
（５）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記複数のドライバ電極対の１つを構成する前記第１のドライバ電極上の前記第１の端子側接続点と前記板状部材の前記中心点とを結ぶ仮想線分は、前記複数のドライバ電極対の他の１つを構成する前記第１のドライバ電極上の前記第１の端子側接続点と前記板状部材の前記中心点とを結ぶ仮想線分と重ならない構成としてもよい。本保持装置では、互いに独立して電圧が印加される複数のドライバ電極対のそれぞれについて、第１の給電端子と接続される各第１の端子側接続点の位置が、円周方向に互いに離間している。従って、本保持装置によれば、各第１の端子側接続点の位置が集中することに起因する板状部材の第１の表面における局所的な温度特異点の発生を抑制することができ、板状部材の第１の表面における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００１５】
（６）上記保持装置において、さらに、前記板状部材の前記第１の方向における前記第１の位置の内部に配置されたダミー電極であって、前記板状部材より熱伝導率の高い材料により形成され、前記第１の方向視で前記仮想円の円周と重ならず、前記給電端子と電気的に接続されていないダミー電極を備える構成としてもよい。本保持装置では、各ドライバ電極対を構成するドライバ電極に電流が流れることによる発熱が、ダミー電極の存在によって面方向に良好に伝達される。従って、本保持装置によれば、ドライバ電極に電流が流れることによる発熱に起因する板状部材の第１の表面における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができ、板状部材の第１の表面における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００１６】
（７）上記保持装置において、さらに、前記板状部材の前記第１の方向における前記第１の位置の内部に配置されたダミー電極であって、前記板状部材より熱伝導率の高い材料により形成され、前記第１の方向視で前記仮想円の円周と重なり、前記給電端子と電気的に接続されていないダミー電極を備える構成としてもよい。本保持装置によれば、ドライバ電極対を構成するドライバ電極に電流が流れることによる発熱が、ダミー電極の存在によって上記仮想円の円周方向に沿って良好に伝達される。従って、本保持装置によれば、ドライバ電極対を構成するドライバ電極に電流が流れることによる発熱に起因する板状部材の第１の表面における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができ、板状部材の第１の表面における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００１７】
（８）上記保持装置において、さらに、前記板状部材の前記第１の方向における前記第１の位置とは異なる第２の位置の内部に配置された他層ドライバ電極であって、前記第１のドライバ電極の前記第１の円弧状部分の前記第１の端子側接続点と電気的に接続されていると共に、前記第１の方向視で前記第１の端子側接続点より前記板状部材の前記中心点に近い位置において、前記第１の給電端子と電気的に接続されている、他層ドライバ電極を備える、ことを特徴とする構成としてもよい。本保持装置によれば、板状部材の第１の表面における温度分布の制御性を向上させつつ、第１の給電端子を板状部材の中心点付近に配置することができる。
【００１８】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図５】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図６】比較例における静電チャック１００ＸのＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図７】第２実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図８】第３実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３から図５は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されており、図４には、図２のＩＶ−ＩＶの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されており、図５には、図２のＶ−Ｖの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００２１】
静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。
【００２２】
セラミックス部材１０は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略円形平面状の上面（以下、「吸着面」という）Ｓ１を有する板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１０の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。セラミックス部材１０は、特許請求の範囲における板状部材に相当し、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を「面方向」という。
【００２３】
図２に示すように、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０に電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に吸着固定される。
【００２４】
セラミックス部材１０の内部には、また、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）のためのヒータ電極層５００と、ヒータ電極層５００への給電のための構成とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。なお、このような構成のセラミックス部材１０は、例えば、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートにビア孔の形成やメタライズペーストの充填および印刷等の加工を行い、これらのセラミックスグリーンシートを熱圧着し、切断等の加工を行った上で焼成することにより作製することができる。
【００２５】
ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０と同径の、または、セラミックス部材１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００２６】
ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着層３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接着層３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００２７】
ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着層３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。
【００２８】
Ａ−２．ヒータ電極層５００等の構成：
次に、ヒータ電極層５００の構成およびヒータ電極層５００への給電のための構成について詳述する。上述したように、静電チャック１００は、ヒータ電極層５００を備える（図２参照）。ヒータ電極層５００は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。なお、本実施形態では、Ｚ軸方向において、ヒータ電極層５００は、チャック電極４０より下側に配置されている。
【００２９】
ここで、図３に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０に、面方向（Ｚ軸方向に直交する方向）に並ぶ４つの仮想的な領域であるセグメントＳＥ（ＳＥａ，ＳＥｂ，ＳＥｃ，ＳＥｄ）が設定されている。より詳細には、セラミックス部材１０が、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする同心円状の境界線ＢＬによって４つの仮想的な円環状領域（ただし、中心点Ｐ０を含む領域のみは円状領域）であるセグメントＳＥに分割されている。以下では、各セグメントＳＥに対応して設けられた構成を示す符号の末尾に、対応するセグメントＳＥの添え字（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）を付すことがある。
【００３０】
図３に示すように、ヒータ電極層５００は、複数のヒータ電極５０（５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ）を含んでいる。本実施形態では、ヒータ電極層５００は、各セグメントＳＥに２つずつ、合計８つのヒータ電極５０を含んでいる。各ヒータ電極５０は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５６と、ヒータライン部５６の各端部に接続された第１のヒータパッド部５１および第２のヒータパッド部５２とを有する。以下では、第１のヒータパッド部５１および第２のヒータパッド部５２を、まとめてヒータパッド部５１，５２ともいう。Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５１，５２の幅は、ヒータライン部５６の幅より大きい。また、Ｚ軸方向視での各ヒータ電極５０のヒータライン部５６の形状は、略円形である。
【００３１】
また、静電チャック１００は、ヒータ電極層５００を構成する各ヒータ電極５０への給電のための構成を備えている。具体的には、図２に示すように、静電チャック１００は、給電端子対８１を備える。なお、図２には、１つの給電端子対８１のみが示されているが、本実施形態では、静電チャック１００は、４つのセグメントＳＥに対応する４つの給電端子対８１を備えている。
【００３２】
各給電端子対８１は、第１の給電端子８１１と、第２の給電端子８１２とから構成されている。第１の給電端子８１１および第２の給電端子８１２は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。以下では、第１の給電端子８１１および第２の給電端子８１２を、まとめて給電端子８１１，８１２ともいう。
【００３３】
各給電端子対８１を構成する給電端子８１１，８１２は、ベース部材２０の下面Ｓ４からセラミックス部材１０の内部に至る端子用孔１１０内に収容されている。各端子用孔１１０は、ベース部材２０を上下方向に貫通する貫通孔２２と、接着層３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成された凹部１２とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。各端子用孔１１０を構成するセラミックス部材１０の凹部１２の底面には、導電性材料により形成された電極パッド８２が設けられている。給電端子８１１，８１２は、例えばろう付け等により、電極パッド８２に接合されている。
【００３４】
また、図２に示すように、静電チャック１００は、ヒータ電極層５００を構成する各ヒータ電極５０への給電のための構成として、上層ドライバ電極層６００と下層ドライバ電極層７００とを備える。上層ドライバ電極層６００および下層ドライバ電極層７００は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。本実施形態では、Ｚ軸方向において、下層ドライバ電極層７００は、ヒータ電極層５００より下側に配置されており、上層ドライバ電極層６００は、ヒータ電極層５００と下層ドライバ電極層７００との間に配置されている。すなわち、下層ドライバ電極層７００は、上層ドライバ電極層６００より下面Ｓ２側（吸着面Ｓ１とは反対側）に配置されている。
【００３５】
図４に示すように、上層ドライバ電極層６００は、４つのセグメントＳＥに対応する（換言すれば、４つの給電端子対８１に対応する）４つの上層ドライバ電極対６０（６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ）を有している。各上層ドライバ電極対６０は、第１の上層ドライバ電極６１と、第２の上層ドライバ電極６２とから構成されている。以下では、第１の上層ドライバ電極６１および第２の上層ドライバ電極６２を、まとめて上層ドライバ電極６１，６２ともいう。上層ドライバ電極対６０は、特許請求の範囲におけるドライバ電極対に相当し、セラミックス部材１０のＺ軸方向における上層ドライバ電極対６０が配置された位置は、特許請求の範囲における第１の位置に相当し、第１の上層ドライバ電極６１は、特許請求の範囲における第１のドライバ電極に相当し、第２の上層ドライバ電極６２は、特許請求の範囲における第２のドライバ電極に相当する。上層ドライバ電極層６００に含まれる各上層ドライバ電極対６０の構成については、後にさらに詳述する。
【００３６】
図５に示すように、下層ドライバ電極層７００は、４つのセグメントＳＥに対応する４つの下層ドライバ電極対７０（７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄ）を有している。各下層ドライバ電極対７０は、第１の下層ドライバ電極７１と、第２の下層ドライバ電極７２とから構成されている。以下では、第１の下層ドライバ電極７１および第２の下層ドライバ電極７２を、まとめて下層ドライバ電極７１，７２ともいう。下層ドライバ電極７１，７２は、特許請求の範囲における他層ドライバ電極に相当し、セラミックス部材１０のＺ軸方向における下層ドライバ電極対７０が配置された位置は、特許請求の範囲における第２の位置に相当する。また、以下では、第１の上層ドライバ電極６１、第２の上層ドライバ電極６２、第１の下層ドライバ電極７１および第２の下層ドライバ電極７２を、まとめてドライバ電極６１，６２，７１，７２ともいう。下層ドライバ電極層７００に含まれる各下層ドライバ電極対７０の構成については、後にさらに詳述する。
【００３７】
図２から図４に示すように、各上層ドライバ電極対６０を構成する第１の上層ドライバ電極６１は、第１のヒータ側接続点６５において、ヒータ電極層５００と上層ドライバ電極層６００との間を接続するビア８５を介して、対応するセグメントＳＥに配置された各ヒータ電極５０の第１のヒータパッド部５１に電気的に接続されている。また、図２、図４および図５に示すように、各上層ドライバ電極対６０を構成する第１の上層ドライバ電極６１は、第１の端子側接続点６３において、上層ドライバ電極層６００と下層ドライバ電極層７００との間を接続するビア８４と、下層ドライバ電極対７０を構成する第１の下層ドライバ電極７１と、下層ドライバ電極層７００と電極パッド８２との間を接続するビア８３と、電極パッド８２とを介して、第１の給電端子８１１に電気的に接続されている。同様に、図２から図４に示すように、各上層ドライバ電極対６０を構成する第２の上層ドライバ電極６２は、第２のヒータ側接続点６６において、ビア８５を介して、対応するセグメントＳＥに配置された各ヒータ電極５０の第２のヒータパッド部５２に電気的に接続されている。また、図２、図４および図５に示すように、各上層ドライバ電極対６０を構成する第２の上層ドライバ電極６２は、第２の端子側接続点６４において、ビア８４と、下層ドライバ電極対７０を構成する第２の下層ドライバ電極７２と、ビア８３と、電極パッド８２とを介して、第２の給電端子８１２に電気的に接続されている。
【００３８】
各給電端子対８１を構成する給電端子８１１，８１２は、電源（図示せず）に接続されている。電源からの電圧は、給電端子対８１を構成する給電端子８１１，８１２、電極パッド８２、ビア８３、下層ドライバ電極対７０を構成する下層ドライバ電極７１，７２、ビア８４、上層ドライバ電極対６０を構成する上層ドライバ電極６１，６２、および、ビア８５を介して、各ヒータ電極５０に印加される。各ヒータ電極５０に電圧が印加されると、各ヒータ電極５０が発熱してセラミックス部材１０が加熱され、これにより、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。なお、本実施形態では、セグメントＳＥ毎に独立した経路でヒータ電極５０に電圧が印加されるため、セグメントＳＥ毎に独立してヒータ電極５０の発熱量を制御することができ、吸着面Ｓ１の温度分布の高精度での制御を実現することができる。
【００３９】
なお、ドライバ電極６１，６２，７１，７２は、下記の（１）から（３）までの少なくとも１つを満たすという点で、ヒータ電極５０と相違する。
（１）ドライバ電極６１，６２，７１，７２の電流が流れる方向に対して垂直方向の断面積は、ヒータ電極５０の同様の断面積の１０倍以上である。
（２）面方向において、ドライバ電極６１，６２，７１，７２は１つのセグメントＳＥより大きな面積を有する。
（３）ドライバ電極６１，６２，７１，７２における、ヒータ電極５０側につながるビアから給電端子８１１，８１２側につながるビアまでの間の抵抗は、ヒータ電極５０における、ドライバ電極６１，６２につながる一方のビアから他方のビアまでの間の抵抗の５分の１以下である。
【００４０】
Ａ−３．上層ドライバ電極層６００に含まれる各上層ドライバ電極対６０および下層ドライバ電極層７００に含まれる各下層ドライバ電極対７０の詳細構成：
次に、上層ドライバ電極層６００に含まれる各上層ドライバ電極対６０の構成、および、下層ドライバ電極層７００に含まれる各下層ドライバ電極対７０の構成について、さらに詳細に説明する。
【００４１】
上述したように、上層ドライバ電極層６００に含まれる各上層ドライバ電極対６０は、第１の上層ドライバ電極６１と第２の上層ドライバ電極６２とから構成されている。図４に示すように、本実施形態では、Ｚ軸方向視で、第１の上層ドライバ電極６１の形状は、おおよそ、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする仮想円ＶＣに沿った１つの円環を半分に分割した一方の半円環形状であり、第２の上層ドライバ電極６２の形状は、該円環を半分に分割した他方の半円環形状である。そのため、第１の上層ドライバ電極６１は、Ｚ軸方向視で、上記仮想円ＶＣの円周の一部分に沿って延びる第１の円弧状部分を有し、かつ、第２の上層ドライバ電極６２は、Ｚ軸方向視で、上記仮想円ＶＣの円周の他の一部分に沿って延びる第２の円弧状部分を有する。本実施形態では、第１の上層ドライバ電極６１の全体が、上述した第１の円弧状部分に該当し、第２の上層ドライバ電極６２の全体が、上述した第２の円弧状部分に該当するため、以下では、第１の円弧状部分６１および第２の円弧状部分６２ともいう。なお、第１の円弧状部分６１および第２の円弧状部分６２は、Ｚ軸方向視で、線状であってもよいし、径方向に幅を持ったベタ形状であってもよい。
【００４２】
上述したように、第１の円弧状部分（第１の上層ドライバ電極）６１は、ヒータ電極５０に電気的に接続された第１のヒータ側接続点６５と、第１の下層ドライバ電極７１や電極パッド８２等を介して第１の給電端子８１１に電気的に接続された第１の端子側接続点６３とを含んでいる。第１の円弧状部分６１において、第１の端子側接続点６３は、第１のヒータ側接続点６５に対して、上記仮想円ＶＣの円周方向に離間している。本実施形態では、Ｚ軸方向視で、第１の円弧状部分６１において、第１のヒータ側接続点６５は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第１の端子側接続点６３は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置している。
【００４３】
また、上述したように、第２の円弧状部分（第２の上層ドライバ電極）６２は、ヒータ電極５０に電気的に接続された第２のヒータ側接続点６６と、第２の下層ドライバ電極７２や電極パッド８２等を介して第２の給電端子８１２に電気的に接続された第２の端子側接続点６４とを含んでいる。第２の円弧状部分６２において、第２の端子側接続点６４は、第２のヒータ側接続点６６に対して、上記仮想円ＶＣの円周方向に離間している。本実施形態では、Ｚ軸方向視で、第２の円弧状部分６２において、第２のヒータ側接続点６６は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第２の端子側接続点６４は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置している。
【００４４】
上述したように、本実施形態では、Ｚ軸方向視で、第１の上層ドライバ電極６１の形状は、おおよそ、上記仮想円ＶＣに沿った１つの円環を半分に分割した一方の半円環形状であり、第２の上層ドライバ電極６２の形状は、該円環を半分に分割した他方の半円環形状である。そのため、本実施形態では、上層ドライバ電極対６０を構成する第１の上層ドライバ電極６１および第２の上層ドライバ電極６２は、Ｚ軸方向視で、第１の円弧状部分６１と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さと第２の円弧状部分６２と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さとの合計が、仮想円ＶＣの円周の全長と略等しくなるように構成されている。なお、ここで言う「略等しい」とは、上記各円周部分の長さの合計が、上記円周の全長の９０％以上であることを意味する。
【００４５】
なお、上層ドライバ電極層６００に含まれる複数の上層ドライバ電極対６０のそれぞれについて、上記仮想円ＶＣの径は互いに異なっている。より具体的には、より外周側に位置するセグメントＳＥに配置されたヒータ電極５０に電気的に接続された上層ドライバ電極対６０ほど、上記仮想円ＶＣの径が大きくなっている。
【００４６】
また、本実施形態では、Ｚ軸方向視で、１つの上層ドライバ電極対６０（例えば、上層ドライバ電極対６０ａ）を構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬ（例えば、仮想線分ＶＬａ）は、他の１つの上層ドライバ電極対６０（例えば、上層ドライバ電極対６０ｂ）を構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬ（例えば、仮想線分ＶＬｂ）と重なっていない。このことは、１つの上層ドライバ電極対６０（例えば、上層ドライバ電極対６０ａ）を構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３の位置と、他の上層ドライバ電極対６０（例えば、上層ドライバ電極対６０ｂ）を構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３の位置とが、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とした周方向に離間していることを意味する。本実施形態では、すべての上層ドライバ電極対６０について、第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３の位置が、上記周方向に互いに離間している。
【００４７】
同様に、本実施形態では、Ｚ軸方向視で、１つの上層ドライバ電極対６０を構成する第２の上層ドライバ電極６２上の第２の端子側接続点６４とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分は、他の１つの上層ドライバ電極対６０を構成する第２の上層ドライバ電極６２上の第２の端子側接続点６４とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分と重なっていない。本実施形態では、すべての上層ドライバ電極対６０について、第２の上層ドライバ電極６２上の第２の端子側接続点６４の位置が、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とした周方向に互いに離間している。
【００４８】
また、図５に示すように、本実施形態では、各下層ドライバ電極対７０を構成する第１の下層ドライバ電極７１は、Ｚ軸方向視で、ビア８４を介した第１の上層ドライバ電極６１との接続位置（すなわち、第１の上層ドライバ電極６１における第１の端子側接続点６３の位置）よりセラミックス部材１０の中心点Ｐ０に近い位置において、ビア８３および電極パッド８２を介して第１の給電端子８１１と電気的に接続されている。同様に、本実施形態では、各下層ドライバ電極対７０を構成する第２の下層ドライバ電極７２は、Ｚ軸方向視で、ビア８４を介した第２の上層ドライバ電極６２との接続位置（すなわち、第２の上層ドライバ電極６２における第２の端子側接続点６４の位置）よりセラミックス部材１０の中心点Ｐ０に近い位置において、ビア８３および電極パッド８２を介して第２の給電端子８１２と電気的に接続されている。
【００４９】
Ａ−４．本実施形態の効果：
以上説明したように、第１実施形態の静電チャック１００は、Ｚ軸方向に略直交する略平面状の吸着面Ｓ１を有するセラミックス部材１０を備え、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１上に対象物（例えばウェハＷ）を保持する保持装置である。静電チャック１００は、セラミックス部材１０の内部に配置された少なくとも１つのヒータ電極５０と、第１の給電端子８１１と第２の給電端子８１２とから構成された給電端子対８１と、セラミックス部材１０のＺ軸方向における所定の位置の内部に配置された上層ドライバ電極対６０とを備える。上層ドライバ電極対６０は、第１の給電端子８１１とヒータ電極５０とに電気的に接続された第１の上層ドライバ電極６１と、第２の給電端子８１２とヒータ電極５０とに電気的に接続された第２の上層ドライバ電極６２とから構成されている。第１の上層ドライバ電極６１は、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする仮想円ＶＣの円周の一部分に沿って延びる第１の円弧状部分６１を含む。第１の円弧状部分６１は、ヒータ電極５０に電気的に接続された第１のヒータ側接続点６５と、第１のヒータ側接続点６５に対して上記仮想円ＶＣの円周方向に離間し、かつ、第１の給電端子８１１に電気的に接続された第１の端子側接続点６３とを含む。また、第２の上層ドライバ電極６２は、Ｚ軸方向視で、上記仮想円ＶＣの円周の他の一部分に沿って延びる第２の円弧状部分６２を含む。第２の円弧状部分６２は、ヒータ電極５０に電気的に接続された第２のヒータ側接続点６６と、第２のヒータ側接続点６６に対して上記仮想円ＶＣの円周方向に離間し、かつ、第２の給電端子８１２に電気的に接続された第２の端子側接続点６４とを含む。本実施形態の静電チャック１００は、このような構成を有しているため、以下に説明するように、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００５０】
図６は、比較例における静電チャック１００ＸのＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図６には、図４に示された本実施形態の静電チャック１００のＸＹ断面構成に対応する比較例の静電チャック１００ＸのＸＹ断面構成が示されている。図６に示す比較例の静電チャック１００Ｘでは、本実施形態の静電チャック１００と同様に、上層ドライバ電極層６００が、複数のセグメントＳＥに対応する複数の上層ドライバ電極対６０を有しており、各上層ドライバ電極対６０は、第１の上層ドライバ電極６１と、第２の上層ドライバ電極６２とから構成されている。ただし、比較例の静電チャック１００Ｘでは、セラミックス部材１０に設定されたセグメントＳＥの数は２つであり、上層ドライバ電極層６００が、２つのセグメントＳＥに対応する２つの上層ドライバ電極対６０（６０ａ，６０ｃ）を有している。また、比較例の静電チャック１００Ｘでは、各第１の上層ドライバ電極６１および各第２の上層ドライバ電極６２の構成が、本実施形態の静電チャック１００とは異なる。具体的には、比較例の静電チャック１００Ｘでは、第１の上層ドライバ電極６１が、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０付近を頂点とする扇形であり、第１の上層ドライバ電極６１において、ヒータ電極５０に電気的に接続された第１のヒータ側接続点６５と、第１の給電端子８１１に電気的に接続された第１の端子側接続点６３とが、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする仮想円の円周方向ではなく、セラミックス部材１０の径方向（セラミックス部材１０の中心点Ｐ０から外周側に向かう方向）に離間している。すなわち、比較例の静電チャック１００Ｘでは、第１の上層ドライバ電極６１が、本実施形態における第１の円弧状部分（Ｚ軸方向視で、上記仮想円の円周の一部分に沿って延びる部分であり、ヒータ電極５０に電気的に接続された第１のヒータ側接続点６５と、第１のヒータ側接続点６５に対して上記仮想円の円周方向に離間し、かつ、第１の給電端子８１１に電気的に接続された第１の端子側接続点６３とを含む部分）を有していない。同様に、比較例の静電チャック１００Ｘでは、第２の上層ドライバ電極６２が、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０付近を頂点とする扇形であり、第２の上層ドライバ電極６２において、ヒータ電極５０に電気的に接続された第２のヒータ側接続点６６と、第２の給電端子８１２に電気的に接続された第２の端子側接続点６４とが、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする仮想円の円周方向ではなく、セラミックス部材１０の径方向に離間している。すなわち、比較例の静電チャック１００Ｘでは、第２の上層ドライバ電極６２が、本実施形態における第２の円弧状部分（Ｚ軸方向視で、上記仮想円の円周の一部分に沿って延びる部分であり、ヒータ電極５０に電気的に接続された第２のヒータ側接続点６６と、第２のヒータ側接続点６６に対して上記仮想円の円周方向に離間し、かつ、第２の給電端子８１２に電気的に接続された第２の端子側接続点６４とを含む部分）を有していない。
【００５１】
比較例の静電チャック１００Ｘは上記構成であるため、図６において白抜き矢印で示すように、ヒータ電極５０への給電の際に、上層ドライバ電極６１，６２において、セラミックス部材１０の径方向に電流が流れ、上層ドライバ電極６１，６２における電流経路付近の領域が局所的に発熱する。このような上層ドライバ電極６１，６２におけるセラミックス部材１０の径方向に沿った局所的な発熱は、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を招く。また、そのような上層ドライバ電極６１，６２におけるセラミックス部材１０の径方向に沿った局所的な発熱を原因とする吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を、ヒータ電極５０の配置や形状を工夫することによって抑制することは容易ではない。従って、比較例の静電チャック１００Ｘでは、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性が低下するおそれがある。なお、図６には、上層ドライバ電極層６００が２つのセグメントＳＥに対応する２つの上層ドライバ電極対６０を有している比較例を示したが、上層ドライバ電極層６００が３つ以上のセグメントＳＥに対応する３つ以上の上層ドライバ電極対６０を有している構成においても、第１の上層ドライバ電極６１が本実施形態における第１の円弧状部分を有しておらず、第２の上層ドライバ電極６２が本実施形態における第２の円弧状部分を有していなければ、同様に、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性が低下するおそれがある。
【００５２】
これに対し、本実施形態の静電チャック１００は上述のような構成を有しているため、図４において白抜き矢印で示すように、ヒータ電極５０への給電の際に、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分６１において、第１の端子側接続点６３と第１のヒータ側接続点６５とを結ぶ電流経路が、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする上記仮想円ＶＣの円周方向に略平行になり、かつ、第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分６２において、第２のヒータ側接続点６６と第２の端子側接続点６４とを結ぶ電流経路も、上記仮想円ＶＣの円周方向に略平行になる。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、各上層ドライバ電極６１，６２の円弧状部分において、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿って局所的に発熱するが、そのような円周方向に沿った局所的な発熱を原因とする吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生は、上記仮想円ＶＣの円周方向に略平行に延びるヒータ電極５０の配置や形状を工夫することによって容易に抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。なお、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が高いとは、吸着面Ｓ１全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントＳＥ毎に吸着面Ｓ１の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。
【００５３】
また、本実施形態の静電チャック１００では、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分６１において、第１のヒータ側接続点６５は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第１の端子側接続点６３は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置する。また、第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分６２において、第２のヒータ側接続点６６は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第２の端子側接続点６４は、上記仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置する。また、本実施形態の静電チャック１００では、上層ドライバ電極対６０（第１の上層ドライバ電極６１および第２の上層ドライバ電極６２）は、Ｚ軸方向視で、第１の円弧状部分６１と重なる上記仮想円ＶＣの円周の部分の長さと第２の円弧状部分６２と重なる上記仮想円ＶＣの円周の部分の長さとの合計が、上記仮想円ＶＣの円周の全長と略等しくなるように構成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、ヒータ電極５０への給電の際に、各上層ドライバ電極６１，６２の円弧状部分６１，６２において、上記仮想円ＶＣの円周の略全体に沿って電流が流れる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、各上層ドライバ電極６１，６２の円弧状部分６１，６２において、上記仮想円ＶＣの円周方向における発熱のばらつきを効果的に抑制することができるため、該円周方向に沿った発熱のばらつきを原因とする吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００５４】
また、本実施形態の静電チャック１００は、複数の給電端子対８１と、複数の給電端子対８１に対応して設けられた複数の上層ドライバ電極対６０とを備え、複数の上層ドライバ電極対６０のそれぞれについて、上記仮想円ＶＣの径が互いに異なる。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、互いに独立して電圧が印加される複数の上層ドライバ電極対６０のそれぞれについて、各上層ドライバ電極６１，６２の円弧状部分６１，６２に電流が流れることによる発熱に起因するセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を、互いに径の異なる各仮想円ＶＣの円周方向に略平行に延びるヒータ電極５０の配置や形状を工夫することによって容易に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性を向上させることができる。
【００５５】
また、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、複数の上層ドライバ電極対６０の１つを構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬは、複数の上層ドライバ電極対６０の他の１つを構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬと重ならない。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、互いに独立して電圧が印加される複数の上層ドライバ電極対６０のそれぞれについて、第１の給電端子８１１と接続される各第１の端子側接続点６３の位置が、円周方向に互いに離間していると言える。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、各第１の端子側接続点６３の位置が集中することに起因するセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。なお、本実施形態の静電チャック１００では、第２の上層ドライバ電極６２についても同様の構成となっている。すなわち、Ｚ軸方向視で、複数の上層ドライバ電極対６０の１つを構成する第２の上層ドライバ電極６２上の第２の端子側接続点６４とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分は、複数の上層ドライバ電極対６０の他の１つを構成する第２の上層ドライバ電極６２上の第２の端子側接続点６４とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分と重ならない。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、各第２の端子側接続点６４の位置が集中することに起因するセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００５６】
また、本実施形態の静電チャック１００は、さらに、セラミックス部材１０のＺ軸方向における上層ドライバ電極対６０が配置された位置とは異なる位置の内部に配置された下層ドライバ電極対７０を備える。下層ドライバ電極対７０を構成する第１の下層ドライバ電極７１は、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分６１の第１の端子側接続点６３と電気的に接続されていると共に、Ｚ軸方向視で第１の端子側接続点６３よりセラミックス部材１０の中心点Ｐ０に近い位置において、第１の給電端子８１１と電気的に接続されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性を向上させつつ、第１の給電端子８１１をセラミックス部材１０の中心点Ｐ０付近に配置することができる。なお、本実施形態の静電チャック１００では、第２の下層ドライバ電極７２についても同様の構成となっている。すなわち、下層ドライバ電極対７０を構成する第２の下層ドライバ電極７２は、第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分６２の第２の端子側接続点６４と電気的に接続されていると共に、Ｚ軸方向視で第２の端子側接続点６４よりセラミックス部材１０の中心点Ｐ０に近い位置において、第２の給電端子８１２と電気的に接続されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性を向上させつつ、第２の給電端子８１２をセラミックス部材１０の中心点Ｐ０付近に配置することができる。なお、下層ドライバ電極対７０の位置は、上層ドライバ電極対６０の位置より、下面Ｓ２側（吸着面Ｓ１とは反対側）であることが好ましい。下層ドライバ電極対７０においては、セラミックス部材１０の径方向に電流が流れ、該電流経路付近の領域が局所的に発熱するため、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を招くおそれがあるところ、該下層ドライバ電極対７０を上層ドライバ電極対６０と比較して吸着面Ｓ１から離れた位置に配置することにより、下層ドライバ電極対７０における局所的な発熱が、吸着面Ｓ１までの比較的長い伝熱経路を経てなじみ、かつ、上層ドライバ電極対６０による発熱によってもなじむため、吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を抑制することができるからである。
【００５７】
Ｂ．第２実施形態：
図７は、第２実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図７には、図４に示された第１実施形態の静電チャック１００のＸＹ断面構成に対応する第２実施形態の静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。以下では、第２実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００５８】
図７に示すように、第２実施形態の静電チャック１００では、上層ドライバ電極層６００が、２つの上層ドライバ電極対６０（６０ａ，６０ｂ）を有している。２つの上層ドライバ電極対６０ａ，６０ｂの構成は、上述した第１実施形態における２つの上層ドライバ電極対６０ａ，６０ｂの構成と同一である。
【００５９】
第２実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０のＺ軸方向における上層ドライバ電極対６０が配置された位置（図７に示す位置）におけるセラミックス部材１０の中心点Ｐ０付近に、上層ドライバ電極対６０が配置されていない領域が存在する。第２実施形態の静電チャック１００では、該領域（上述した各上層ドライバ電極対６０に対応する仮想円ＶＣに重ならない領域）に、ダミー電極６９が配置されている。ダミー電極６９は、給電端子対８１（第１の給電端子８１１および第２の給電端子８１２）と電気的に接続されていない（すなわち、電力が供給されない）電極であり、セラミックス部材１０より熱伝導率の高い材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。本実施形態では、ダミー電極６９は、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする略円形であり、上述した上層ドライバ電極対６０が配置されていない領域のほとんどすべてを埋めるように配置されている。
【００６０】
このように、第２実施形態の静電チャック１００は、セラミックス部材１０のＺ軸方向における上層ドライバ電極対６０が配置された位置の内部に配置されたダミー電極６９を備える。ダミー電極６９は、セラミックス部材１０より熱伝導率の高い材料により形成されており、Ｚ軸方向視で上述した各上層ドライバ電極対６０に対応する仮想円ＶＣと重ならない。そのため、第２実施形態の静電チャック１００によれば、各上層ドライバ電極対６０を構成する上層ドライバ電極６１，６２に電流が流れることによる発熱が、ダミー電極６９の存在によって面方向に良好に伝達される。従って、第２実施形態の静電チャック１００によれば、上層ドライバ電極６１，６２に電流が流れることによる発熱に起因するセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００６１】
Ｃ．第３実施形態：
図８は、第３実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図８には、図４に示された第１実施形態の静電チャック１００のＸＹ断面構成に対応する第３実施形態の静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。以下では、第３実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００６２】
図８に示すように、第３実施形態の静電チャック１００では、上層ドライバ電極層６００が、４つの上層ドライバ電極対６０（６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ）を有している。４つの上層ドライバ電極対６０の内、最も外周側に位置するセグメントＳＥａに対応する上層ドライバ電極対６０ａ以外の３つの上層ドライバ電極対６０ｂ，６０ｃ，６０ｄの構成は、上述した第１実施形態における３つの上層ドライバ電極対６０ｂ，６０ｃ，６０ｄの構成と同一である。
【００６３】
第３実施形態の静電チャック１００では、上層ドライバ電極対６０ａは、Ｚ軸方向視で、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分６１と重なる仮想円ＶＣａの円周の部分の長さと第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分６２と重なる仮想円ＶＣａの円周の部分の長さとの合計が、仮想円ＶＣの円周の全長と略等しくない。すなわち、上記仮想円ＶＣａ上に、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分６１も、第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分６２も配置されていない領域が存在する。第３実施形態の静電チャック１００では、該領域に、ダミー電極６９が配置されている。ダミー電極６９は、給電端子対８１（第１の給電端子８１１および第２の給電端子８１２）と電気的に接続されていない（すなわち、電力が供給されない）電極であり、セラミックス部材１０より熱伝導率の高い材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。本実施形態では、ダミー電極６９は、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする略円弧状であり、上述した第１の上層ドライバ電極６１も第２の上層ドライバ電極６２も配置されていない領域のほとんどすべてを埋めるように配置されている。
【００６４】
このように、第３実施形態の静電チャック１００は、セラミックス部材１０のＺ軸方向における上層ドライバ電極対６０が配置された位置の内部に配置されたダミー電極６９を備える。ダミー電極６９は、セラミックス部材１０より熱伝導率の高い材料により形成されており、Ｚ軸方向視で上述した上層ドライバ電極対６０ａに対応する仮想円ＶＣａと重なる。そのため、第３実施形態の静電チャック１００によれば、上層ドライバ電極対６０ａを構成する上層ドライバ電極６１，６２に電流が流れることによる発熱が、ダミー電極６９の存在によって上記仮想円ＶＣａの円周方向に沿って良好に伝達される。従って、第３実施形態の静電チャック１００によれば、上層ドライバ電極対６０ａを構成する上層ドライバ電極６１，６２に電流が流れることによる発熱に起因するセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
【００６５】
Ｄ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００６６】
上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の静電チャック１００は、上層ドライバ電極層６００および下層ドライバ電極層７００を備えるが、静電チャック１００が上層ドライバ電極層６００のみを備えるとしてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態において、セラミックス部材１０に設定されたセグメントＳＥの個数や形状、ヒータ電極５０の個数や形状、給電端子対８１の個数や形状、上層ドライバ電極対６０の個数や形状、下層ドライバ電極対７０の個数や形状等は、あくまで一例であり、種々変更可能である。例えば、セラミックス部材１０に１００個以上のセグメントＳＥが設定されているとしてもよいし、セラミックス部材１０に１つのみのセグメントＳＥが設定されている（換言すれば、セラミックス部材１０がセグメント分けされていない）としてもよい。また、上記実施形態では、上層ドライバ電極対６０を構成する第１の上層ドライバ電極６１の全体が、Ｚ軸方向視でセラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする仮想円ＶＣの円周の一部分に沿って延びる第１の円弧状部分に該当するとしているが、第１の上層ドライバ電極６１の一部分が第１の円弧状部分に該当するとしてもよい。同様に、上記実施形態では、上層ドライバ電極対６０を構成する第２の上層ドライバ電極６２の全体が、Ｚ軸方向視でセラミックス部材１０の中心点Ｐ０を中心とする仮想円ＶＣの円周の一部分に沿って延びる第２の円弧状部分に該当するとしているが、第２の上層ドライバ電極６２の一部分が第２の円弧状部分に該当するとしてもよい。
【００６８】
また、上記実施形態では、Ｚ軸方向視で、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分において、第１のヒータ側接続点６５は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第１の端子側接続点６３は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置しており、第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分において、第２のヒータ側接続点６６は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第２の端子側接続点６４は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置しており、かつ、第１の上層ドライバ電極６１および第２の上層ドライバ電極６２は、Ｚ軸方向視で、第１の円弧状部分と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さと第２の円弧状部分と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さとの合計が、仮想円ＶＣの円周の全長と略等しくなるように構成されている。しかし、必ずしもこのような構成が採用される必要はなく、少なくとも第１の上層ドライバ電極６１が上述した第１の円弧状部分に該当する部分を有し、かつ、第２の上層ドライバ電極６２が上述した第２の円弧状部分に該当する部分を有する構成を採用すれば、上述したように、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性を向上させることができるという効果を奏する。ただし、Ｚ軸方向視で、第１の上層ドライバ電極６１の第１の円弧状部分において、第１のヒータ側接続点６５は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第１の端子側接続点６３は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置しており、第２の上層ドライバ電極６２の第２の円弧状部分において、第２のヒータ側接続点６６は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った一方の端部に位置し、第２の端子側接続点６４は、仮想円ＶＣの円周方向に沿った他方の端部に位置しており、かつ、第１の上層ドライバ電極６１および第２の上層ドライバ電極６２は、Ｚ軸方向視で、仮想円ＶＣの円周の全長に対する、第１の円弧状部分と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さと第２の円弧状部分と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さとの合計の比が、２分の１以上となる構成を採用すれば、上記仮想円ＶＣの円周方向における発熱のばらつきを抑制して、吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を抑制することができるため、好ましい。さらに、このような構成であって、かつ、上記実施形態のように、第１の上層ドライバ電極６１および第２の上層ドライバ電極６２は、Ｚ軸方向視で、第１の円弧状部分と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さと第２の円弧状部分と重なる仮想円ＶＣの円周の部分の長さとの合計が、仮想円ＶＣの円周の全長と略等しい構成を採用すれば、上記仮想円ＶＣの円周方向における発熱のばらつきを効果的に抑制して、吸着面Ｓ１における局所的な温度特異点の発生を効果的に抑制することができるため、さらに好ましい。
【００６９】
また、上記実施形態では、Ｚ軸方向視で、１つの上層ドライバ電極対６０を構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬが、他の１つの上層ドライバ電極対６０を構成する第１の上層ドライバ電極６１上の第１の端子側接続点６３とセラミックス部材１０の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬと重ならない構成が採用されているが、必ずしもこのような構成が採用される必要はない。
【００７０】
また、上記第２実施形態および第３実施形態におけるダミー電極６９の個数や形状等は、あくまで一例であり、種々変更可能である。
【００７１】
また、上記実施形態の静電チャック１００における各部材の形成材料は、あくまで一例であり、任意に変更可能である。例えば、上記実施形態では、静電チャック１００は、セラミックスにより形成されたセラミックス部材１０を備えているが、セラミックス部材１０に代えて、セラミックス以外の材料（例えば、樹脂材料）により形成された板状部材を備えているとしてもよい。
【００７２】
また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成（例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成）であってもよい。
【００７３】
また、上記実施形態では、セラミックス部材１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス部材１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。
【００７４】
また、本発明は、セラミックス部材１０とチャック電極４０とを備え、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、板状部材を備え、板状部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置や真空チャック等）にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０：セラミックス部材  １２：凹部  ２０：ベース部材  ２１：冷媒流路  ２２：貫通孔  ３０：接着層  ３２：貫通孔  ４０：チャック電極  ５０：ヒータ電極  ５１：第１のヒータパッド部  ５２：第２のヒータパッド部  ５６：ヒータライン部  ６０：上層ドライバ電極対  ６１：第１の円弧状部分（第１の上層ドライバ電極）  ６２：第２の円弧状部分（第２の上層ドライバ電極）  ６３：第１の端子側接続点  ６４：第２の端子側接続点  ６５：第１のヒータ側接続点  ６６：第２のヒータ側接続点  ６９：ダミー電極  ７０：下層ドライバ電極対  ７１：第１の下層ドライバ電極  ７２：第２の下層ドライバ電極  ８１：給電端子対  ８２：電極パッド  ８３：ビア  ８４：ビア  ８５：ビア  １００：静電チャック  １１０：端子用孔  ５００：ヒータ電極層  ６００：上層ドライバ電極層  ７００：下層ドライバ電極層  ８１１：第１の給電端子  ８１２：第２の給電端子  ＢＬ：境界線  Ｐ０：中心点  Ｓ１：吸着面  Ｓ２：下面  Ｓ３：上面  Ｓ４：下面  ＳＥ：セグメント  ＶＣ：仮想円  ＶＬ：仮想線分  Ｗ：ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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