(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置の構成部品を容易に再生することができるプラズマ処理装置の再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置の再生装置は、塗布部と、固化部と、制御部と、を備える。前記塗布部は、プラズマ処理装置を構成する部品の消耗部に再生液を塗布する。前記固化部は、前記部品に塗布された前記再生液を固化させる。前記制御部は、前記部品の消耗部への前記塗布部による前記再生液の塗布を制御する。【選択図】図４
2019220500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置を構成する部品の消耗部に再生液を塗布する塗布部と、
前記部品に塗布された前記再生液を固化させる固化部と、
前記部品の消耗部への前記塗布部による前記再生液の塗布を制御する制御部と、
を備えるプラズマ処理装置の再生装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記部品の前記プラズマ処理による過去の損傷位置から求められる損傷位置情報にしたがって、所定の量の前記再生液を前記部品に塗布する請求項１に記載のプラズマ処理装置の再生装置。
【請求項３】
新しい状態の部品の形状である第１部品形状情報と、プラズマ処理で使用された前記部品の形状である第２部品形状情報と、を取得する形状取得部をさらに備え、
前記制御部は、前記第１部品形状情報と前記第２部品形状情報との差分から前記部品の消耗部を取得し、前記消耗部にしたがって前記塗布部による前記部品上への前記再生液の塗布を制御する請求項１に記載のプラズマ処理装置の再生装置。
【請求項４】
前記形状取得部は、カメラであり、
前記第１部品形状情報および前記第２部品形状情報は、画像データを含み、
前記制御部は、前記第１部品形状情報および前記第２部品形状情報の差分から前記消耗部を取得する請求項３に記載のプラズマ処理装置の再生装置。
【請求項５】
前記形状取得部は、前記部品の表面形状を取得する３次元計測器であり、
前記第１部品形状情報および前記第２部品形状情報は、前記部品の凹凸情報を含み、
前記制御部は、前記第１部品形状情報および前記第２部品形状情報の差分から前記消耗部を取得し、前記部品上の各位置での前記消耗部の深さに応じて前記再生液の塗布量を変化させる請求項３に記載のプラズマ処理装置の再生装置。
【請求項６】
前記再生液は、液体ＳｉＣまたはＳＯＧ溶液である請求項１に記載のプラズマ処理装置の再生装置。
【請求項７】
プラズマ処理装置を構成する部品の消耗部への塗布部からの再生液の塗布を前記部品と前記塗布部との位置および前記再生液の塗布量とを制御して行い、
前記部品に塗布された前記再生液を固化させるプラズマ処理装置の再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置の再生装置および再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミックの表面を、ＳｉＣを含む層でコーティングする技術が知られている。
【０００３】
ところで、プラズマ処理装置では、支持部材上にプラズマを生成してエッチング処理を行うため、ウェハだけではなく、ウェハの周囲のエッジリングなどの部品もエッチングされてしまう。そのため、エッチングされた部品を容易に再生する技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００３−５２７２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、プラズマ処理装置の構成部品を容易に再生することができるプラズマ処理装置の再生装置および再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、プラズマ処理装置の再生装置は、塗布部と、固化部と、制御部と、を備える。前記塗布部は、プラズマ処理装置を構成する部品の消耗部に再生液を塗布する。前記固化部は、前記部品に塗布された前記再生液を固化させる。前記制御部は、前記部品の消耗部への前記塗布部による前記再生液の塗布を制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、プラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、プラズマ処理時のエッジリングの様子を模式的に示す一部断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態によるプラズマ処理装置の再生方法の概要を説明する図である。
【図４】図４は、第１の実施形態によるプラズマ処理装置の再生装置の構成の一例を模式的に示す図である。
【図５】図５は、第１の実施形態による部品再生方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図６】図６は、第２の実施形態によるプラズマ処理装置の再生装置の構成の一例を模式的に示す図である。
【図７】図７は、第２の実施形態による部品再生方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図８】図８は、第３の実施形態による部品再生方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるプラズマ処理装置の再生装置および再生方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、プラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、プラズマ処理装置として、ドライエッチング装置の一例であるＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）装置を例示している。プラズマ処理装置１０は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ１１を有している。このチャンバ１１は接地されている。
【００１０】
チャンバ１１内には、処理対象としての被処理基板１００を水平に支持するとともに、下部電極として機能する支持テーブル２１が設けられている。支持テーブル２１の表面上には、被処理基板１００を静電吸着する静電チャック機構などの図示しない保持機構が設けられている。支持テーブル２１は、径の異なる円柱が２段重ねにされた形状を有する。すなわち、支持テーブル２１は、第１の径を有する大径部２１ａと、第１の径よりも小さい第２の径を有する小径部２１ｂと、が一体的に構成された構造を有する。小径部２１ｂが上側に配置され、小径部２１ｂの上面が被処理基板１００の載置面となる。すなわち、被処理基板１００の載置面は、支持テーブル２１上に載置される被処理基板１００の面積よりも小さい円形を有している。なお、大径部２１ａの上面は、エッジリング２２の載置面となる。
【００１１】
支持テーブル２１の大径部の上面には、エッジリング２２が設けられる。支持テーブル２１の上面とエッジリング２２の上面とが略面一となるように、小径部２１ｂの高さが調整されている。エッジリング２２は、被処理基板１００のエッチング時に、電界が被処理基板１００の周縁部で鉛直方向（被処理基板１００面に垂直な方向）に対して偏向しないように電界を調整するために設けられる部材である。エッジリング２２は、例えばＳｉＣなどの絶縁材料からなる。エッジリング２２が載置された支持テーブル２１の側面と、エッジリング２２の上面の周縁部分と、を覆うように石英などの絶縁材料からなるインシュレータリング２３が設けられる。
【００１２】
また、支持テーブル２１は、チャンバ１１内の中央付近に位置するように、支持部２４によって固定されている。支持テーブル２１には、高周波電力を供給する給電線３１が接続されており、この給電線３１にブロッキングコンデンサ３２、整合器３３および高周波電源３４が接続されている。高周波電源３４からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル２１に供給される。
【００１３】
下部電極として機能する支持テーブル２１に対向するように、支持テーブル２１の上部に上部電極４２が設けられる。上部電極４２は支持テーブル２１と平行に対向するように、支持テーブル２１から所定の距離を隔てたチャンバ１１の上部付近の部材４１に固定される。このような構造によって、上部電極４２と支持テーブル２１とは、一対の平行平板電極を構成している。また、上部電極４２には、上部電極４２の厚さ方向を貫通する図示しない複数のガス供給路が設けられている。上部電極４２は、例えば円板状を有している。上部電極４２は、例えばシリコンにより形成された電極である。
【００１４】
チャンバ１１の上部電極４２の配置位置の上方には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口１２が設けられている。ガス供給口１２には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。
【００１５】
チャンバ１１の下方にはガス排気口１４が設けられている。ガス排気口１４には配管を通じて図示しない真空ポンプが接続されている。
【００１６】
チャンバ１１の側面には、たとえば被処理基板１００を出し入れする開口部１５が設けられ、開口部１５にはシャッタ５２が設けられる。シャッタ５２は、チャンバ１１の外部と内部との間を仕切る役割を有し、被処理基板１００を出し入れする際に、開口部１５とチャンバ１１内とを接続するように開かれる。
【００１７】
このように構成されたプラズマ処理装置１０での処理の概要について説明する。図２は、プラズマ処理時のエッジリングの様子を模式的に示す一部断面図である。まず、支持テーブル２１上に処理対象である被処理基板１００が載置され、たとえば静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口１４に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ１１内が真空引きされる。
【００１８】
その後、チャンバ１１内が所定の圧力に達すると、図示しないガス供給装置から上部電極４２のガス吐出口を介して上部電極４２と支持テーブル２１との間の空間に処理ガスが供給される。ついで、上部電極４２を接地した状態で、支持テーブル２１（下部電極）に高周波電圧を印加して、上部電極４２と支持テーブルとの間の空間にプラズマを生成させる。ここで、下部電極側には高周波電圧による自己バイアスにより、プラズマと被処理基板１００との間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンが支持テーブル２１へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。  
【００１９】
このとき、被処理基板１００だけでなく、その周囲のエッジリング２２もエッチングされる。エッジリング２２を長期間使用続けると、図２に示されるように、プラズマに曝されるエッジリング２２の上面の一部分がエッチングされ、損傷される。図２に示されるように、損傷個所は凹部２２１となる。新品時のエッジリング２２を使用したときのプラズマ処理特性に比較して、損傷したエッジリング２２を使用した場合のプラズマ処理特性は悪化する。そこで、本実施形態では、プラズマ処理で損傷したエッジリング２２などの部品を再生して再利用する方法について説明する。
【００２０】
図３は、第１の実施形態によるプラズマ処理装置の再生方法の概要を説明する図である。第１の実施形態では、プラズマ処理装置１０の部品の再生を行う際に、架橋または重合することで、無機膜となる成分を含む再生液を用いる。このような再生液として、液体ＳｉＣまたはＳＯＧ（Spin  On  Glass）溶液を用いることができる。
【００２１】
液体ＳｉＣは、シリコンを含むシリコン含有材料と、炭素を含む液状の炭素含有材料と、の混合溶液であり、架橋または重合することによって、ＳｉＣ膜となる材料である。シリコン含有材料は、シクロペンタシラン（Cyclopentasilane）、シクロヘキサシラン（Cyclohexasilane）、ネオペンタシラン（Neo-pentasilane）およびポリジヒドロシラン（Polyhydrosilane）の群から選択される少なくとも１種類である。
【００２２】
炭素含有材料は、常温常圧（例えば、２５℃、１０１３ｈＰａ）において液状であり、かつｎが５以上であって一般式ＣnＨ2n-2またはＣnＨ2n-4の環式炭化水素化合物、およびｎが５以上であって一般式ＣnＨ2nまたはＣnＨ2n-2の鎖式炭化水素化合物の群から選択される少なくとも１種類の材料である。また、前述の環式炭化水素化合物または鎖式炭化水素化合物の一部の水素が、公知の置換基によって置き換えられていてもよい。炭素含有材料は、例えば、シクロヘキセン（Cyclohexene）、１−ヘキシン（1-Hexyne）、２−ヘキシン（2-Hexyne）、３−ヘキシン（3-Hexyne）、シクロペンテン（Cyclopenten）、シクロオクテン（Cyclooctene）、１，３−シクロペンタジエン（1,3-Cyclopentadiene）、１，３−シクロヘキサジエン（1,3-Cyclohexadiene）、１，４−シクロヘキサジエン（1,4-Cyclohexadiene）、１−ヘキセン（1-Hexene）、２−ヘキセン（2-Hexene）、３−ヘキセン（3-Hexene）、１，３−ヘキサジエン（1,3-Hexadiene）、１，４−ヘキサジエン（1,4-Hexadiene）、および１，５−ヘキサジエン（1,5-Hexadiene）の群から選択される少なくとも１種類である。
【００２３】
ＳＯＧ溶液は、架橋または重合することでガラス状のＳｉＯ2膜となる材料である。ＳＯＧ溶液として、例えば、ポリシラザン系ＳＯＧ、シリケート系ＳＯＧおよびアルコキシシリケート系ＳＯＧなどを例示することができる。
【００２４】
以下では、再生液として、液体ＳｉＣを用いる場合を例に挙げる。図３（ａ）に示されるように、損傷した部品であるエッジリング２２に液体ＳｉＣ１２２ａを塗布する。例えば、図２で説明したようにプラズマ処理によってエッジリング２２に凹部２２１が生じた場合には、凹部２２１を満たすように液体ＳｉＣ１２２ａを塗布する。
【００２５】
ついで、図３（ｂ）に示されるように、液体ＳｉＣ１２２ａに熱を加えたり、あるいは光を照射したりする。これによって、液体ＳｉＣ１２２ａは脱水素化され、凹部２２１にＳｉＣ膜１２２が形成される。このように形成されたＳｉＣ膜１２２では、金属触媒が不要であるので、金属のコンタミネーションが生じない。その結果、高純度に物性制御されたＳｉＣを得ることが可能となる。このようにして、損傷した部品が再生される。ＳｉＣは、大きな硬度を有し、耐熱性を有し、さらに化学的に安定な物質であるので、再生された部品は、再びプラズマ処理装置１０で使用可能となる。
【００２６】
図４は、第１の実施形態によるプラズマ処理装置の再生装置の構成の一例を模式的に示す図である。再生装置１０１は、ステージ１１０と、再生液貯蔵部１２０と、塗布部１３０と、固化部１４０と、追加工部１５０と、洗浄部１６０と、制御装置１７０と、を備える。
【００２７】
ステージ１１０は、処理対象である部品２００を載置する。部品２００は、プラズマ処理装置１０を構成する部品であり、例えばエッジリング２２またはインシュレータリング２３である。部品は、プラズマ処理装置１０で所定の時間使用された後のプラズマによって損傷された部品である。
【００２８】
再生液貯蔵部１２０は、再生液を貯蔵する。塗布部１３０は、再生液を部品２００上に塗布する。塗布部１３０は、例えばノズルである。塗布部１３０と再生液貯蔵部１２０とは、配管１２１によって接続されている。塗布部１３０は、制御装置１７０からの指示に従って、部品２００の消耗部に再生液貯蔵部１２０からの再生液を塗布する。ステージ１１０および塗布部１３０は、相対的に位置を変えることができるように構成されている。
【００２９】
固化部１４０は、部品２００に塗布された再生液を熱または光によって固化する。固化部１４０は、例えばヒータ、または再生液を固化することができる波長の光を出射する光源などである。部品２００上で熱または光によって固化した再生液を、以下では再生部という。
【００３０】
追加工部１５０は、再生部が形成された部品２００を新しい状態の部品２００と同じ形状となるように加工する。これは、部品２００上で固化した再生部は、所望の形状になっていないこともあるためである。追加工部１５０は、部品２００の設計図または寸法図にしたがって、再生部が形成された部品２００の加工を行う。追加工として、例えば切削、研磨などが行われる。追加工部１５０は、例えば旋盤またはマシニングセンタである。洗浄部１６０は、追加工された部品２００の洗浄を行う。
【００３１】
制御装置１７０は、再生装置１０１全体を制御する。制御装置１７０は、例えばステージ１１０と塗布部１３０とを相対的に移動させたり、塗布部１３０から吐出する再生液の量を制御したり、固化部１４０の動作を制御したりする。また、制御装置１７０は、追加工部１５０での追加工および洗浄部１６０での洗浄を制御する。
【００３２】
制御装置１７０は、記憶部１７１と、制御部１７２と、を有する。記憶部１７１は、部品２００ごとの損傷位置を示す損傷位置情報と、新品状態の部品の形状を示す部品設計情報と、を記憶する。損傷位置情報は、例えば部品２００ごとにプラズマ処理装置１０で損傷される位置を示す情報である。例えば、図２に示されるように、エッジリング２２の場合の損傷位置は、略決まっている。そのため、このような場合に、損傷位置情報を予め記憶部１７１に登録しておく。部品設計情報は、部品２００の寸法、角度、曲がり具合などを示す設計情報である。部品設計情報は、部品２００が新品状態で有する形状を示す情報である。なお、複数種類の部品２００がある場合には、損傷位置情報は、部品２００の種類を示す識別情報と損傷位置とを対応付けた情報となり、部品設計情報は、部品２００の種類を示す識別情報と部品２００の形状とを対応付けた情報となる。
【００３３】
制御部１７２は、部品２００について、記憶部１７１から損傷位置情報を取得して、部品の損傷位置に所定の量の再生液が塗布されるように、塗布部１３０の部品２００に対する位置および再生液貯蔵部１２０からの再生液の供給量を制御する。複数種類の部品２００が存在する場合には、制御部１７２は、ステージ１１０上に載せられた部品２００の識別情報に対応する損傷位置情報を記憶部１７１から取得し、取得した損傷位置情報に基づいて制御を行う。
【００３４】
また、制御部１７２は、熱で再生液を固化させる場合には、部品２００側から昇温して再生液の固化温度よりも低い温度で昇温を停止し、その温度を所定の時間維持する。所定の温度に維持する時間は、例えば１０秒〜１０分である。所定の時間が経過した後、徐々に温度を上げて再生液の固化温度よりも高い温度まで昇温する。その後、昇温を停止し、その温度を所定の時間維持する。所定の温度に維持する時間は、例えば１０秒〜１０分である。なお、ランプ加熱を用いる場合には、制御部１７２は、再生液ではなく部品２００で吸収し易い波長を選択して、加熱を行う。このような加熱を行うことで、再生液の固化が部品２００との界面から進み、固化した再生部内の歪が小さくなる。その結果、再生部が部品２００から剥がれ難くなる。
【００３５】
また、制御部１７２は、光で再生液を固化させる場合には、再生液の吸収端よりも近傍の波長の光を選択して、部品２００への照射を制御する。このような波長の光を使用することで、再生液の固化は光を照射した面から進行するが、固化スピードが遅いため、固化した再生部内での歪を小さくすることができる。
【００３６】
追加工部１５０での処理については、通常の旋盤またはマシニングセンタと同様に、制御部１７２は、部品２００の識別情報に対応する部品設計情報を記憶部１７１から取得し、部品設計情報にしたがって、部品２００を追加工する。
【００３７】
つぎに、このような再生装置１０１での部品再生方法について説明する。図５は、第１の実施形態による部品再生方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、未使用の新しい部品が、プラズマ処理装置１０に取り付けられ（ステップＳ１１）、プラズマ処理が行われる（ステップＳ１２）。その後、部品がプラズマ処理装置１０に取り付けられてから、プラズマ処理が所定の時間行われたかを判定する（ステップＳ１３）。プラズマ処理が所定の時間行われていない場合（ステップＳ１３でＮｏの場合）には、待ち状態となり、ステップＳ１２に戻る。また、プラズマ処理が所定の時間行われた場合（ステップＳ１３でＹｅｓの場合）には、部品がプラズマ処理装置１０から取り外される（ステップＳ１４）。
【００３８】
ついで、部品が再生装置１０１へと搬送され、ステージ１１０上に載置される。その後、制御部１７２は、部品の種類に対応する損傷位置情報を記憶部１７１から取得し、損傷位置情報にしたがって部品上に再生液が塗布部１３０から塗布される（ステップＳ１５）。例えば、損傷位置情報の損傷位置に、所定量の再生液が塗布されるように、部品と塗布部１３０との位置および再生液の塗布量とが制御される。
【００３９】
ついで、制御部１７２による制御の下、固化部１４０は、部品上の再生液を固化し、再生部を形成する（ステップＳ１６）。再生液の固化は、例えば部品上の再生液を加熱することによって、あるいは部品上の再生液に所定の波長の光を照射することによって行われる。再生液の固化によって、部品の消耗部上には、再生部が形成される。このとき、固化部１４０としてステージ１１０にヒータが埋め込まれている場合には、制御部１７２は、ヒータの制御を行う。例えば、制御部１７２は、再生液の固化温度よりも低い温度で昇温を停止し、その温度を例えば１０秒〜１０分の間維持し、その後、再生液の固化温度よりも高い温度で昇温を停止し、その温度を例えば１０秒〜１０分の間維持するように、ヒータを制御する。また、固化部１４０としてランプ加熱が用いられる場合には、制御部１７２は、再生液ではなく部品の吸収し易い波長を選択して、部品に照射するように制御する。あるいは、固化部１４０として光源が用いられる場合には、制御部１７２は、再生液の吸収端よりも近傍の波長の光を選択して、部品に照射するように制御する。
【００４０】
その後、制御部１７２による制御の下、追加工部１５０は、部品設計情報に登録された部品形状となるように、再生部が形成された部品を追加工する（ステップＳ１７）。追加工部１５０は、例えば周囲の表面よりも凸となっている箇所の研削または研磨などの追加工処理を行ったりする。追加工処理後に、制御部１７２による制御の下、洗浄部１６０は、追加工した部品を洗浄する（ステップＳ１８）。これによって、部品が再生される。
【００４１】
そして、再生された部品が再びプラズマ処理装置１０に取り付けられ、再利用される（ステップＳ１９）。その後、ステップＳ１２へと処理が戻る。
【００４２】
なお、再生部は、部品と同じ材料であってもよいし、部品とは異なる材料であってもよい。例えば、ＳｉＣから構成されるエッジリングの場合には、再生部はＳｉＣでもよいし、ＳｉＯ2でもよい。また、ＳｉＯ2から構成されるインシュレータリング２３の場合には、再生部は、ＳｉＯ2でもよいし、ＳｉＣでもよい。
【００４３】
また、ステップＳ１５で再生液を塗布する前に、部品を加熱してもよい。加熱条件は、例えば１００〜数百℃の温度で、５〜３０分の時間とすることができる。加熱方法は、ヒータによる加熱、ランプ加熱など種々の方法を用いることができる。これによって、部品の界面の水分を除去することができる。さらに、ステップＳ１９で部品を再利用する時、エッジリング２２のように、部品の形状が左右対称および上下対称である場合には、再生部を形成した面を上側に向けて配置してもよいし、下側に向けて配置してもよい。例えば、再生部をＳｉＣで構成した場合には、再生部を形成した面を上側に向けて配置しても、下側に向けて配置してもよい。また、再生部をＳｉＯ2で構成した場合には、再生部を下側に向けて配置することが望ましい。
【００４４】
以上のように、第１の実施形態では、プラズマ処理装置１０の部品の消耗部に再生液を塗布し、さらに固化することで、部品を再生する。これによって、部品を再度プラズマ処理装置１０に取り付けて、再利用することができるという効果を有する。
【００４５】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、損傷位置が部品によって略一定であるとした場合のプラズマ処理装置の再生装置および再生方法について説明した。第２の実施形態では、再生する部品ごとに損傷位置を確認して部品の再生を行う場合について説明する。
【００４６】
図６は、第２の実施形態によるプラズマ処理装置の再生装置の構成の一例を模式的に示す図である。再生装置１０１ａは、第１の実施形態の場合に比して、部品２００の形状を取得する部品形状取得部１８０をさらに備える。部品形状取得部１８０は、新しい状態の部品２００の形状と、損傷した部品２００の形状と、を取得し、制御装置１７０の記憶部１７１に保存する。部品形状取得部１８０は、例えばカメラなどの撮像装置であり、この場合には、部品２００の形状に関する情報は、画像データとなる。画像データは、例えば部品２００のプラズマ処理時に曝される面を撮像したものである。
【００４７】
また、制御装置１７０は、記憶部１７１と、制御部と、を有する。記憶部１７１には、部品設計情報と、第１部品形状情報と、第２部品形状情報と、が記憶される。部品設計情報は、第１の実施形態で説明したものと同様である。第１部品形状情報は、例えば部品の種類を示す識別情報と、新しい状態の部品２００の形状データと、を含む。第２部品形状情報は、例えば部品の種類を示す識別情報と、プラズマ処理された部品の形状データと、を含む。
【００４８】
制御部１７２は、第１の実施形態で説明した再生装置１０１ａ全体の制御の他に、消耗部の位置を取得する機能をさらに備える。すなわち、制御部１７２は、部品形状取得部１８０によって第２部品形状情報が取得された場合に、この第２部品形状情報と、対応する部品の第１部品形状情報とを比較して、消耗部の位置を取得する。例えば、第１部品形状情報および第２部品形状情報が画像データである場合に、部品２００のエッジの位置を取得し、第１部品形状情報のエッジから第２部品形状情報のエッジの差分を取った部分が消耗部とされる。また、第１部品形状情報と消耗部の位置とを重ねることで、消耗部の部品２００上での位置を特定することもできる。制御部１７２は、再生液の塗布の際には、この消耗部の位置に基づいて、再生液を塗布する。なお、第１の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
つぎに、このような再生装置１０１ａでの部品再生方法について説明する。図７は、第２の実施形態による部品再生方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、未使用の部品、すなわち新しい部品が再生装置１０１のステージ１１０上に載置され、その形状データである第１部品形状情報が、部品形状取得部１８０によって取得される（ステップＳ３１）。取得された第１部品形状情報は、記憶部１７１に保存される（ステップＳ３２）。
【００５０】
その後は、第１の実施形態の図５のステップＳ１１〜Ｓ１４と同様の処理が実行される（ステップＳ３３〜Ｓ３６）。すなわち、部品は、プラズマ処理装置１０に取り付けられ、プラズマ処理が行われる。その後、部品がプラズマ処理装置１０に取り付けられてから、プラズマ処理が所定の時間実行された場合に、部品がプラズマ処理装置１０から取り外される。
【００５１】
ついで、プラズマ処理後の部品が再生装置１０１ａのステージ１１０上に載置され、その形状である第２部品形状情報が、部品形状取得部１８０によって取得される（ステップＳ３７）。取得された第２部品形状情報は、記憶部１７１に保存される（ステップＳ３８）。その後、制御部１７２は、記憶部１７１から第１部品形状情報と第２位部品形状情報とを読み出し、第２部品形状情報と第１部品形状情報との差分を消耗部として算出する（ステップＳ３９）。
【００５２】
ついで、制御部１７２による制御の下、塗布部１３０は、算出した消耗部に、所定の量の再生液を塗布する（ステップＳ４０）。その後、第１の実施形態の図５のステップＳ１６〜Ｓ１９と同様の処理が実行される（ステップＳ４１〜Ｓ４４）。すなわち、固化部１４０は、部品上の再生液を固化させ、追加工部１５０は、部品設計情報に登録された部品形状となるように、部品を追加工し、洗浄部１６０は、追加工が終了した部品を洗浄する。そして、再生された部品が再びプラズマ処理装置１０に取り付けられ、再利用される。その後、ステップＳ３４へと処理が戻る。
【００５３】
以上のように、第２の実施形態では、新しい部品の第１部品形状情報と、プラズマ処理後の部品の第２部品形状情報と、を比較して、消耗部の位置を取得し、この消耗部の位置に基づいて再生液を部品上に塗布するようにした。これによって、消耗していない部分には、再生液が塗布されないので、第１の実施形態の場合に比して、再生液の使用量を抑えることができる。
【００５４】
（第３の実施形態）
第２の実施形態では、第１部品形状情報および第２部品形状情報が画像データである場合を想定していた。そのため、両者を比較して消耗部の位置を取得することはできるが、例えば図２に示されるように消耗部の深さまでは取得することはできない。第３の実施形態では、消耗部の深さ情報を含めて取得することができるプラズマ処理装置の再生装置および再生方法について説明する。
【００５５】
第３の実施形態によるプラズマ処理装置の再生装置１０１ａの構成は、第２の実施形態の図６に示したものと同様の構成である。ただし、部品形状取得部１８０は、少なくとも部品中のプラズマ処理に曝される面の凹凸状態を、部品の形状データとして取得する。このような部品形状取得部１８０として、３次元計測器などを例示することができる。
【００５６】
また、制御部１７２は、第１部品形状情報と第２部品形状情報との差分から消耗部を取得するが、この消耗部に関する情報は、部品の平面的な位置における消耗部の位置に加えて、平面的な各位置における消耗部の深さを含む。そして、制御部１７２は、消耗部に再生液を塗布する際に、塗布位置の消耗部の深さに応じて塗布する再生液の量を変化させるように塗布部１３０および再生液貯蔵部１２０を制御する。なお、その他の構成は、第１および第２の実施形態で説明したものと同様である。
【００５７】
このようなプラズマ処理装置の再生装置１０１における再生方法について説明する。図８は、第３の実施形態による部品再生方法の手順の一例を示すフローチャートである。基本的には、第２の実施形態の図７で説明したフローチャートとほぼ同様であるが、図７のステップＳ４０のところが異なる。すなわち、第３の実施形態では、図８に示されるように、制御部１７２による制御の下、塗布部１３０は、消耗部の平面的な位置における深さに応じて変化させた量の再生液を部品上に塗布する（ステップＳ４０ａ）。その他は、図７と同様であるので、説明を省略する。
【００５８】
第３の実施形態では、消耗部の平面的な位置の深さに応じて再生液の塗布量を変化させるようにした。これによって、消耗部の形状に応じて適量の再生液を滴下することが可能になる。その結果、第２の実施形態に比して再生液の使用量を抑えることができる。
【００５９】
図９は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す図である。制御装置１７０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）３１１と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）３１２と、主記憶装置であるＲＡＭ（Random  Access  Memory）３１３と、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）、ＳＳＤ（Solid  State  Drive）またはＣＤ（Compact  Disc）ドライブ装置などの外部記憶装置３１４と、ディスプレイ装置などの表示部３１５と、キーボードまたはマウスなどの入力部３１６と、を備えており、これらがバスライン３１７を介して接続された、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。
【００６０】
本実施形態の制御装置１７０で実行されるプログラムは、図５、図７または図８に示される方法を実行するものであり、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。
【００６１】
また、本実施形態の制御装置１７０で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態の制御装置１７０で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。
【００６２】
また、本実施形態のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。
【００６３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６４】
１０…プラズマ処理装置、１１…チャンバ、１２…ガス供給口、１４…ガス排気口、１５…開口部、２１…支持テーブル、２１ａ…大径部、２１ｂ…小径部、２２…エッジリング、２３…インシュレータリング、２４…支持部、３１…給電線、３２…ブロッキングコンデンサ、３３…整合器、３４…高周波電源、４２…上部電極、５２…シャッタ、１００…被処理基板、１０１，１０１ａ…再生装置、１１０…ステージ、１２０…再生液貯蔵部、１２１…配管、１２２…ＳｉＣ膜、１２２ａ…液体ＳｉＣ、１３０…塗布部、１４０…固化部、１５０…追加工部、１６０…洗浄部、１７０…制御装置、１７１…記憶部、１７２…制御部、１８０…部品形状取得部、２００…部品、２２１…凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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