(57)【要約】      （修正有）【課題】金属磁性粒子の充填率が高く、且つ、許容電流が改善された磁性成形体を提供する。【解決手段】コイル部品の磁性基体は、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子３１と、第１平均粒径よりも小さな第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子３２と、を備える。第１金属磁性粒子３１の表面に第１厚さを有する第１絶縁層が設けられており、第２金属磁性粒子３２の表面に第１厚さよりも薄い第２厚さを有する第２絶縁層が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子と、
前記第１平均粒径よりも小さな第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子と、
を備え、
前記第１金属磁性粒子の表面に、第１厚さを有する第１絶縁層が設けられており、
前記第２金属磁性粒子の表面に、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有する第２絶縁層が設けられている、
磁性基体。
【請求項２】
前記第１平均粒径に対する前記第２平均粒径の比である平均粒径比と前記第１厚さに対する前記第２厚さの比である厚さ比との比が０．５〜１．５の範囲内である、請求項１に記載の磁性基体。
【請求項３】
前記第１金属磁性粒子及び前記第２金属磁性粒子はいずれもＦｅを含み、
前記第２金属磁性粒子におけるＦｅの含有比率は、前記第１金属磁性粒子におけるＦｅの含有比率よりも高い、
請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項４】
前記第１金属磁性粒子及び前記第２金属磁性粒子はいずれもＳｉを含み、
前記第１金属磁性粒子におけるＳｉの含有比率は、前記第２金属磁性粒子におけるＳｉの含有比率よりも高い、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項５】
前記第２平均粒径よりも小さな第３平均粒径を有する第３金属磁性粒子をさらに備える請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項６】
前記第３金属磁性粒子は、Ｎｉ及びＣｏの少なくとも一方を含む、
請求項５に記載の磁性基体。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、Ｓｉを含む、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項８】
前記第２絶縁層は、Ｓｉを含む、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項９】
前記第２平均粒径よりも小さな第３平均粒径を有し、その表面に第３絶縁層が形成された第３金属磁性粒子をさらに備え、
前記第３絶縁層は、Ｓｉを含む、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項１０】
前記第１金属磁性粒子は、Ｆｅを含み、
前記第１絶縁層は、Ｆｅの酸化物を含む、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項１１】
結合材をさらに備える、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の磁性基体。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の磁性基体を含む電子部品。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の磁性基体と、
前記磁性基体内に設けられたコイルと、
を備える電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属磁性粒子を含む磁性基体及び当該磁性基体を含む電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタなどの電子部品においては、従来から様々な磁性材料が用いられている。例えば、インダクタは、通常、磁性材料からなる磁性基体と、当該磁性基体に埋設されたコイル導体と、当該コイル導体の端部に接続された外部電極とを有する。
【０００３】
コイル部品用の磁性材料としては、フェライトがよく用いられている。フェライトは透磁率が高いことから、インダクタ用の磁性材料として適している。
【０００４】
フェライト以外の電子部品用の磁性材料として、金属磁性粒子が知られている。金属磁性粒子の表面には、低透磁率の絶縁膜が設けられる。金属磁性粒子を含む磁性基体は、加圧成形により作製可能である。金属磁性粒子を含む磁性基体は、例えば、金属磁性粒子と結合材とを混練して得られたスラリーを型に流し込み、この型内でスラリーに圧力を加えることにより作製される。
【０００５】
金属磁性粒子を含む磁性基体の透磁率を向上させるためには、当該磁性基体における金属磁性粒子の充填率を高めればよい。従来から、透磁率向上のために磁性基体における磁性粒子の充填率を高めるための提案がなされている。例えば、特開２００６−１７９６２１号公報には、第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を含む複合磁性材料が開示されており、この第２の磁性粒子の平均粒径が当該第１の磁性粒子の平均粒径の５０％以下であり、当該第１の磁性粒子の含有率をＸ［ｗｔ％］、当該第２の磁性粒子の含有率をＹ［ｗｔ％］としたとき、０．０５≦Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）≦０．３０の関係を満足させることにより、磁性粒子が高密度で充填された成形体が得られるとされている。また、特開２０１０−３４１０２号公報には、２種類以上の平均粒子径が異なる非晶質金属磁性粒子と絶縁性の結合材とが混ぜ合わされた粘土状の磁性基体が開示されている。かかる磁性基体によれば、高い充填率と低いコア損失が実現できるとされている。
【０００６】
特開２０１５−０２６８１２号公報には、磁性基体に含まれる第１の金属磁性粒子及び第２の金属磁性粒子を鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属製とし、当該第１の磁性粒子を長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉とし、当該第２の磁性粒子を長軸の長さが５μｍ以下の微粉とすることにより、金属磁性粒子の充填率を向上させることが開示されている。
【０００７】
特開２０１６−２０８００２号公報には、磁性本体が３種類以上の粒度分布を有する磁性粒子を含むことにより、磁性粒子の充填率を高めることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１７９６２１号公報
【特許文献２】特開２０１０−０３４１０２号公報
【特許文献３】特開２０１５−０２６８１２号公報
【特許文献４】特開２０１６−２０８００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
互いに平均粒径が異なる複数種の金属磁性粒子を含む磁性基体においては、より大きな平均粒径を有する金属磁性粒子の方がより小さな平均粒径を有する金属粒子よりも透磁率が高くなるため、磁束は、より大きな平均粒径を有する金属磁性粒子の存在比率が高い経路を通過しやすい。このため、かかる磁性基体内にコイル導体が設けられたコイル部品においては、当該コイル導体に流れる直流電流が増えると、当該磁性基体内を通過する磁束の複数の磁路のうち、平均粒径が大きな金属磁性粒子の存在比率が高い磁路から順に磁気飽和が起こる。このように、従来の磁性基体においては、磁気飽和が起こりやすい経路と起こりにくい経路とがある。このため、コイル導体に流れる直流電流が増えると、複数の磁束経路において、磁気飽和が起こりやすい経路から順に段階的に磁気飽和が発生するため、コイル部品のインダクタンスが徐々に低下する。このように、金属磁性粒子を含む磁性基体には、磁束の分布が不均一になるという問題がある。また、金属磁性粒子を含む磁性基体がコイル部品に用いられる場合には、磁束分布の不均一性に起因してインダクタンスの低下が徐々に低下する。このため、金属磁性粒子を含む磁性基体を有するコイル部品においては、許容電流を高くすることが困難である。
【００１０】
本発明の目的は、上述した問題の少なくとも一部を解決又は緩和することである。より具体的な本発明の目的の一つは、金属磁性粒子の充填率が高く、且つ、許容電流が改善された磁性成形体を提供することである。本発明のこれ以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態による磁性基体は、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子と、前記第１平均粒径よりも小さな第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子と、を備える。当該実施形態において、前記第１金属磁性粒子の表面に第１厚さを有する第１絶縁層が設けられており、前記第２金属磁性粒子の表面に前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有する第２絶縁層が設けられている。
【００１２】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第１平均粒径に対する前記第２平均粒径の比である平均粒径比と前記第１厚さに対する前記第２厚さの比である厚さ比との比が０．５〜１．５の範囲内である。
【００１３】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第１金属磁性粒子及び前記第２金属磁性粒子はいずれもＦｅを含み、前記第２金属磁性粒子におけるＦｅの含有比率は、前記第１金属磁性粒子におけるＦｅの含有比率よりも高い。
【００１４】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第１金属磁性粒子及び前記第２金属磁性粒子はいずれもＳｉを含み、前記第１金属磁性粒子におけるＳｉの含有比率は、前記第２金属磁性粒子におけるＳｉの含有比率よりも高い。
【００１５】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第２平均粒径よりも小さな第３平均粒径を有する第３金属磁性粒子をさらに備える。当該第３金属磁性粒子の表面には第３絶縁層が設けられてもよい。
【００１６】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第３金属磁性粒子は、Ｎｉ及びＣｏの少なくとも一方を含む。
【００１７】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層の少なくとも一つは、Ｓｉを含む。
【００１８】
本発明の一実施形態による磁性基体において、前記第１金属磁性粒子は、Ｆｅを含み、前記第１絶縁層は、Ｆｅの酸化物を含む。
【００１９】
本発明の一実施形態による磁性基体は、結合材をさらに備える。
【００２０】
本発明の一実施形態は、電子部品に関する。当該電子部品は、上記の磁性基体を含む。
【００２１】
本発明の一実施形態による電子部品は、上記の磁性基体と、前記磁性基体内に設けられたコイルと、を備える。
【発明の効果】
【００２２】
本明細書の開示によれば、金属磁性粒子の充填率が高く、且つ、許容電流が改善された磁性成形体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態によるコイル部品の斜視図である。
【図２】図１のコイル部品をＩ−Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。
【図３】図２の磁性本体の領域Ａを拡大して模式的に示す図である。
【図４ａ】図２の磁性本体に含まれる第１金属磁性粒子の断面を模式的に示す図である。
【図４ｂ】図２の磁性本体に含まれる第２金属磁性粒子の断面を模式的に示す図である。
【図５ａ】図２の磁性本体に含まれる金属磁性粒子の体積基準の粒度分布を示すグラフである。
【図５ｂ】図２の磁性本体に含まれるに含まれる金属磁性粒子の体積基準の粒度分布を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施形態による磁性体の電流−インダクタ特性を模式的に示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施形態による磁性本体の領域Ａを拡大して模式的に示す図である。
【図８】図７の磁性本体に含まれる第３金属磁性粒子の断面を模式的に示す図である。
【図９】本発明の他の実施形態によるコイル部品の斜視図である。
【図１０】図９のコイル部品の断面を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。なお、複数の図面において共通する構素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。
【００２５】
図１及び図２を参照して本発明の一実施形態に係るコイル部品１０について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るコイル部品１の斜視図であり、図２は、図１のコイル部品１をＩ−Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。図１においては、コイル部品の構成要素のうち一部を透過させてコイル部品１０の内部構造を図示している。
【００２６】
本発明は、様々なコイル部品に適用され得る。本発明は、例えば、インダクタ、フィルタ、リアクトル及びこれら以外の様々なコイル部品並びにこれ以外の電子部品に適用され得る。本発明は、大電流が印可されるコイル部品及びそれ以外の電子部品に適用されることで、その効果がより顕著に発揮する。ＤＣ−ＤＣコンバータに用いられるインダクタは、大電流が印可されるコイル部品の例である。図１及び図２には、本発明が適用されるコイル部品１０の一例として、ＤＣ−ＤＣコンバータに用いられる磁気結合型のインダクタが示されている。本発明は、磁気結合型のインダクタ以外にも、トランス、コモンモードチョークコイル、カップルドインダクタ及びこれら以外の様々な磁気結合型コイル部品にも適用することができる。
【００２７】
図示のように、本発明の一実施形態におけるコイル部品１０は、磁性基体２０と、磁性基体２０内に設けられたコイル導体２５と、絶縁基板５０と、４つの外部電極２１〜２４と、を備える。コイル導体２５は、絶縁基板５０の上面に形成されたコイル導体２５ａと、当該絶縁基板５０の下面に形成されたコイル導体２５ｂと、を含む。
【００２８】
外部電極２１は、コイル導体２５ａの一端と電気的に接続され、外部電極２２は、当該コイル導体２５ａの他端と電気的に接続されている。外部電極２３は、コイル導体２５ｂの一端と電気的に接続され、外部電極２４は、当該コイル導体２５ｂの他端と電気的に接続されている。
【００２９】
本明細書においては、文脈上別に解される場合を除き、コイル部品１０の「長さ」方向、「幅」方向、及び「厚さ」方向はそれぞれ、図１の「Ｌ」方向、「Ｗ」方向、及び「Ｔ」方向とする。コイル部品１０の上下方向に言及する際には、図１の上下方向を基準とする。
【００３０】
本発明の一実施形態において、コイル部品１０は、長さ寸法（Ｌ方向の寸法）が１．０ｍｍ〜２．６ｍｍ、幅寸法（Ｗ方向の寸法）が０．５〜２．１ｍｍ、高さ寸法（Ｈ方向の寸法）が０．５〜１．０ｍｍとなるように形成される。
【００３１】
絶縁基板５０は、磁性材料から板状に形成された部材である。絶縁基板５０用の磁性材料は、例えば、結合材及びフィラー粒子を含む複合磁性材料である。この結合材は、例えば、絶縁性に優れた熱硬化性樹脂であり、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）樹脂、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリフッ化ビニルデン（ＰＶＤＦ）樹脂、フェノール（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ）樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂である。
【００３２】
本発明の一実施形態において、絶縁基板５０に含まれる用いられるフィラー粒子は、フェライト材料の粒子、金属磁性粒子、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの無機材料粒子、ガラス系粒子、又はこれら以外の任意の公知のフィラー粒子である。本発明に適用可能なフェライト材料の粒子は、例えば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粒子またはＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトの粒子である。
【００３３】
本発明の一実施形態において、絶縁基板５０は、磁性基体２０よりも大きな抵抗値を有するように構成される。これにより、絶縁基板５０を薄くしても、コイル導体２５ａとコイル導体２５ｂとの間の電気的絶縁を確保することができる。
【００３４】
コイル導体２５ａは、絶縁基板５０の上面に、所定のパターンを有するように形成される。図示の実施形態では、コイル導体２５ａは、コイル軸ＣＬの周りに巻回された複数ターンの周回部を有するように形成される。
【００３５】
同様に、コイル導体２５ｂは、絶縁基板５０の下面に、所定のパターンを有するように形成される。図示の実施形態では、コイル導体２５ｂは、コイル軸ＣＬの周りに巻回された複数ターンの周回部を有するように形成される。本発明の一実施形態において、コイル導体２５ｂは、その周回部の上面がコイル導体２５ａの周回部の下面と対向するように形成される。
【００３６】
コイル導体２５ａの一方の端部には、引出導体２６ａが設けられ、他方の端部には、引出導体２７ａが設けられている。コイル導体２５ａは、この引出導体２６ａを介して外部電極２１と電気的に接続され、引出導体２７ａを介して外部電極２２と電気的に接続される。同様に、コイル導体２５ｂの一方の端部には、引出導体２６ｂが設けられ、他方の端部には、引出導体２７ｂが設けられている。コイル導体２５ｂは、この引出導体２６ｂを介して外部電極２３と電気的に接続され、引出導体２７ｂを介して外部電極２４と電気的に接続される。
【００３７】
一実施形態において、コイル導体２５ａ及びコイル導体２５ｂは、パターニングされたレジストを絶縁基板５０の表面に形成し、このレジストの開口部をめっき処理により導電性金属で充填することで形成される。
【００３８】
本発明の一実施形態において磁性基体２０は、第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂ、第１の端面２０ｃ、第２の端面２０ｄ、第１の側面２０ｅ、及び第２の側面２０ｆを有する。磁性基体２０は、これらの６つの面によってその外面が画定される。
【００３９】
外部電極２１及び外部電極２３は、磁性基体２０の第１の端面２０ｃに設けられる。外部電極２２及び外部電極２４は、磁性基体２０の第２の端面２０ｄに設けられる。各外部電極は、図示のように、磁性基体２０の上面２０ａ及び下面２０ｃまで延伸する。
【００４０】
本発明の一実施形態において、磁性基体２０は、結合材に多数の金属磁性粒子を混練して得られる複合樹脂材料から形成される。本発明の一実施形態において、磁性基体２０に含まれる結合材は、樹脂であり、例えば絶縁性に優れた熱硬化性の樹脂である。磁性基体２０用の熱硬化性樹脂として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリフェニレンエーテルオキサイド樹脂（ＰＰＯ）、ビスマレイミドトリアジンシアネートエステル樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、又はポリビニルベンジルエーテル樹脂が用いられ得る。
【００４１】
上述したように、磁性基体２０には多数の金属磁性粒子が含まれる。この金属磁性粒子は、互いに平均粒径の異なる２種類以上の金属磁性粒子を含む。本発明の一実施形態において、磁性基体２０は、互いに平均粒径の異なる２種類の金属磁性粒子を含んでいる。互いに平均粒径の異なる２種類の金属磁性粒子を含む磁性基体２０の断面の拡大図が図３に示されている。図３は、磁性本体２０の図２に示されている領域Ａを拡大して模式的に示す図である。領域Ａは、磁性本体２０内の任意の領域である。図３に示されている実施形態において、磁性基体２０は、複数の第１金属磁性粒子３１及び複数の第２金属磁性粒子３２を含んでいる。
【００４２】
別の実施形態において、磁性基体２０は、互いに平均粒径の異なる３種類の金属磁性粒子を含んでもよい。互いに平均粒径の異なる３種類の金属磁性粒子を含む磁性基体２０の断面の拡大図が図７に示されている。図７に示されているように、磁性基体２０は、複数の第１金属磁性粒子３１及び複数の第２金属磁性粒子３２に加えて、複数の第３金属磁性粒子３３を含んでいてもよい。
【００４３】
図３及び図７に示されている各金属磁性粒子は、平均粒径の相違を強調して表現するために、正確な寸法比率で記載されていない点に留意されたい。図３及び図７において、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３以外の領域は結合剤で充填されている。この結合材により、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３が互いと結合している。
【００４４】
３種類の磁性粒子の中では、第１金属磁性粒子３１が最も大きな平均粒径を有する。第１金属磁性粒子３１の平均粒径は、例えば、１μｍ〜２００μｍとされる。第２金属磁性粒子３２の平均粒径は、第１金属磁性粒子３１の平均粒径よりも小さい。
【００４５】
一実施形態において、第２金属磁性粒子３２の平均粒径は、第１金属磁性粒子３１の平均粒径の１／１０以下とされる。第２金属磁性粒子３２の平均粒径は、例えば、０．１μｍ〜２０μｍとされる。第２金属磁性粒子３２の平均粒径が第１金属磁性粒子３１の平均粒径の１／１０以下の場合、第２金属磁性粒子３２が隣接する第１金属磁性粒子３１の間に入り込み易く、その結果、磁性基体２０における金属磁性粒子の充填率（Density）を高めることができる。
【００４６】
一実施形態において、第３金属磁性粒子３３の平均粒径は、第２金属磁性粒子３２の平均粒径よりも小さい。一実施形態において、第３金属磁性粒子３３の平均粒径は、２μｍ未満とされる。第３金属磁性粒子３３の平均粒径は、０．５μｍ以下としてもよい。これにより、高周波でコイル部品を励磁する場合でも、第３金属磁性粒子３３内における渦電流の発生を抑制することができる。これにより、優れた高周波特性を有するコイル部品１０が得られる。
【００４７】
第１金属磁性粒子３１の平均粒径は、第２金属磁性粒子３２の平均粒径よりも大きく、また、第２金属磁性粒子３２の平均粒径は、第３金属磁性粒子３３の平均粒径よりも大きいので、必要に応じて、第１金属磁性粒子３１を大粒子、第２金属磁性粒子３２を中粒子、第３金属磁性粒子３３を小粒子と呼んでもよい。
【００４８】
磁性基体２０に含まれる金属磁性粒子に設けられた金属磁性粒子の平均粒径は、当該磁性基体をその厚さ方向（Ｔ方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍〜２０００倍の倍率で撮影した写真に基づいて粒度分布を求め、この粒度分布に基づいて定められる。例えば、ＳＥＭ写真に基づいて求められた粒度分布の５０％値を金属磁性粒子の平均粒径とすることができる。
【００４９】
磁性基体２０が互いに異なる平均粒径を有する２種類の金属磁性粒子を含む場合には、ＳＥＭ写真に基づいて求める粒度分布は、後述する図５ａ又は図５ｂに示すような形状となる。図５ａ及び図５ｂは、磁性基体２０に含まれる第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２の粒度分布の一例を示すグラフである。図示のとおり、この粒度分布のグラフは、２つのピーク、すなわち、第１ピークＰ１、及び第２ピークＰ２を含む。この第１ピークＰ１を含む粒度分布は、第１金属磁性粒子３１の粒度分布を表し、第２ピークＰ２を含む粒度分布は、第２金属磁性粒子３２の粒度分布を表す。一実施形態における磁性基体２０は、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を所定の割合で混合して得られたものである。図５ａ又は図５ｂは、この混合された２種類の磁性粒子の粒度分布を示している。本発明の一実施形態においては、図５ａに示されているように、第１磁性粒子３１の粒度分布は、第２金属磁性粒子３２の粒度分布と全く重複していないか、ほとんど重複していない。本発明の一実施形態においては、図５ｂに示されているように、第１磁性粒子３１の粒度分布が第２金属磁性粒子３２の粒度分布と重複していてもよい。例えば、第１金属磁性粒子３１の粒度分布の５％値が、第２磁性粒子３２の粒度分布の９５％値以上となるように、両者の粒度分布が重複していてもよい。このような粒度分布に基づいて、実際に製作された磁性基体に含まれる２種類（又は３種類以上）の金属磁性粒子の平均粒径を求めることができる。
【００５０】
磁性基体２０が第３金属磁性粒子３３も含む場合には、当該３金属磁性粒子３３の粒度分布を示す３番目のピークが現れる。第２磁性粒子３２の粒度分布と第３金属磁性粒子３３の粒度分布とは重複していてもよいし、重複していなくてもよい。
【００５１】
以上のように、平均粒径が互いに異なる２種類以上の金属磁性粒子を混合させることにより、磁性基体２０における金属磁性粒子の充填率を高めることができる。本発明の一実施形態においては、前記磁性基体における前記金属磁性粒子の充填率が８７％以上とされる。これにより、透磁率に優れた磁性基体を得ることができる。
【００５２】
本明細書においては、第１金属磁性粒子３１の平均粒径を第１平均粒径、第２金属磁性粒子３２の平均粒径を第２平均粒径、第３金属磁性粒子３３の平均粒径を第３平均粒径とそれぞれ呼ぶことがある。
【００５３】
一実施形態において、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３は、球形に形成されてもよく、扁平形状に形成されてもよい。磁性基体２０は、互いに異なる平均粒径を有する４種類以上の金属磁性粒子を含んでいてもよい。
【００５４】
図４ａに示されているように、第１金属磁性粒子３１の表面には第１絶縁層４１が設けられている。第１絶縁層４１は、第１金属磁性粒子３１が他の金属磁性粒子とショートしないように、第１金属磁性粒子３１の表面全体を覆うように形成されることが望ましい。第１絶縁層４１は、第１金属磁性粒子３１の表面の全部ではなく、その一部のみを覆っていることもある。コイル部品１の製造工程において、第１絶縁層４１の一部が第１金属磁性粒子３１から脱落することがあり、このような場合には、第１絶縁層４１は、第１金属磁性粒子３１の表面の全部ではなくその一部のみを覆うこととなる。
【００５５】
図４ｂに示されているように、第２金属磁性粒子３２の表面には第２絶縁層４２が設けられている。第２絶縁層４２は、第２金属磁性粒子３２の表面の全部又は一部を覆う。
【００５６】
図８に示されているように、第３金属磁性粒子３３の表面には第３絶縁層４３が設けられている。第３絶縁層４３は、第３金属磁性粒子３３の表面の全部又は一部を覆う。第３絶縁層４３は、磁性基体２０において求められる絶縁性によっては省略可能である。
【００５７】
本発明の一実施形態において、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びコバルト（Ｃｏ）のうち少なくとも一つの元素を含む結晶質又は非晶質の金属又は合金から形成される。第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３は、さらに、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも一つの元素を含んでもよい。第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３は、Ｆｅ及び不可避不純物から成る純鉄の粒子であってもよい。第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３は、鉄（Ｆｅ）を含むＦｅ基非晶質合金であってもよい。このＦｅ基非晶質合金には、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｆｅ―Ｓｉ−Ｃｒ−Ｂ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ、及びＦｅ−Ｓｉ−Ｐ−Ｂ−Ｃが含まれる。第１金属磁性粒子３１は、単一の種類の金属又は単一の種類の合金の粒子のみを含んでいてもよい。例えば、第１金属磁性粒子３１は全て、純鉄又は特定の種類のＦｅ基非晶質合金から成る粒子であってもよい。このことは、第２金属磁性粒子３２及び第３金属磁性粒子３３についても当てはまる。第１金属磁性粒子３１は、複数の異なる種類の金属又は合金の粒子を含んでいてもよい。例えば、第１金属磁性粒子３１は、純鉄から成る第１金属磁性粒子３１を有する複数の粒子と、Ｆｅ−Ｓｉから成る第１金属磁性粒子３１を有する複数の粒子と、を含んでいても良い。このことは、第２金属磁性粒子３２及び第３金属磁性粒子３３についても当てはまる。
【００５８】
一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子はいずれもＦｅを含有し、第２金属磁性粒子３２におけるＦｅの含有比率は、第１金属磁性粒子３１におけるＦｅの含有比率より高い。
【００５９】
上述したように、一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、純鉄又はＦｅを含む合金から形成されてもよい。この場合、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、第２金属磁性粒子３２におけるＦｅの含有比率が第１金属磁性粒子３１におけるＦｅの含有比率よりも高くなるように形成されてもよい。例えば、第１金属磁性粒子３１は、Ｆｅを７２ｗｔ％〜８０ｗｔ％含み、第２金属磁性粒子３２は、Ｆｅを８７ｗｔ％〜９９．８ｗｔ％含む。第３金属磁性粒子３３は、例えば、Ｆｅを５０ｗｔ％〜９３ｗｔ％含んでもよい。第２金属磁性粒子３２及び第３金属磁性粒子３３におけるＦｅの含有比率は、９２ｗｔ％以上としてもよい。
【００６０】
上記のように、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３はいずれもＳｉを含んでも良い。一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、第１金属磁性粒子３１におけるＳｉの含有比率が第２金属磁性粒子３２におけるＳｉの含有比率よりも高くなるように形成される。一実施形態において、第２金属磁性粒子３２及び第３金属磁性粒子３３は、第２金属磁性粒子３２におけるＳｉの含有比率が第３金属磁性粒子３３におけるＳｉの含有比率よりも高くなるように形成される。
【００６１】
上記のように、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３はいずれもＮｉ及びＣｏの少なくとも一方を含んでも良い。一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、第２金属磁性粒子３２におけるＮｉの含有比率が第１金属磁性粒子３１におけるＮｉの含有比率よりも高くなるように形成される。一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、第２金属磁性粒子３２におけるＣｏの含有比率が第１金属磁性粒子３１におけるＣｏの含有比率よりも高くなるように形成される。一実施形態において、第２金属磁性粒子３２及び第３金属磁性粒子３３は、第３金属磁性粒子３３におけるＮｉの含有比率が第２金属磁性粒子３２におけるＮｉの含有比率よりも高くなるように形成される。一実施形態において、第２金属磁性粒子３２及び第３金属磁性粒子３３は、第３金属磁性粒子３３におけるＣｏの含有比率が第２金属磁性粒子３２におけるＣｏの含有比率よりも高くなるように形成される。
【００６２】
続いて、第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３について説明する。第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３は、有機材料又は無機材料から形成される。第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３の材料として、非磁性材料又は第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３よりも透磁率が低い磁性材料が用いられ得る。
【００６３】
第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３用の有機材料として、エポキシ、フェノール、シリコーン、ポリイミド、又はこれら以外の熱硬化性樹脂を用いることができる。第１絶縁層４１用の有機材料としてシリコーンを使用する場合には、シリコーン樹脂をキシレン等の石油系有機溶剤に溶解させたシリコーン樹脂溶液中に第１金属磁性粒子３１を投入し、その後当該シリコーン樹脂溶液から有機溶剤を蒸発させることで、当該第１金属磁性粒子３１の表面にシリコーンから成る第１絶縁層４１が形成される。膜厚の均一性を向上させるために、必要に応じて、シリコーン樹脂溶液を攪拌してもよい。第２絶縁層４２及び第３絶縁層４３も第１絶縁層４１と同様にして形成され得る。
【００６４】
第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３用の無機材料として、リン酸塩、ホウ酸塩、クロム酸塩、ガラス（例えば、ＳｉＯ２）、及び金属酸化物（例えば、Ｆｅ２Ｏ３又はＡｌ２Ｏ３）を用いることができる。
【００６５】
第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３は、粉末混合法、浸漬法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、又は前記以外の公知の様々な方法により形成され得る。
【００６６】
ＳｉＯ２層は、例えば、ゾルゲル法を用いたコートプロセスによって、金属磁性粒子の表面に形成され得る。具体的には、まず、金属磁性粒子、エタノール、及びアンモニア水を含む混合液中に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、エタノール、及び水を含む処理液を混合して混合液を作成し、次に、この混合液を撹拌した後に濾過することで、表面にＳｉＯ２からなる絶縁層が形成された金属磁性粒子が分離される。
【００６７】
第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３がガラスまたは金属酸化物から成る場合には、これらの絶縁層が設けられた第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３に熱処理を行ってもよい。この熱処理は、大気雰囲気下で行われてもよく、真空雰囲気下で行われてもよく、不活性ガス雰囲気下で行われてもよい。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、又はアルゴンなどの希ガスが用いられ得る。加熱温度は、例えば、４００℃〜８５０℃、又は、５００℃〜７５０℃とされる。この熱処理により、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３における応力歪みを小さくすることができる。例えば、加熱温度が６５０℃以下の場合には、６０分以上加熱が行われる。加熱温度が６５０℃より高い場合には、加熱時間は６０分より短い時間とされる。この加熱温度及び加熱時間によって熱処理が行われることにより、第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３において所望の体積抵抗率が実現される。第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３の体積的効率は、例えば、１０６Ω・ｃｍ以上とされる。また、上記の加熱温度及び加熱時間によって熱処理が行われることにより、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３における過剰な酸化反応の発生を抑制できる。これにより、加熱処理によって第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３の透磁率が低下することを防止または抑制できる。上記の熱処理の方法及び加熱温度は限定的なものではない。
【００６８】
有機材料からから形成された第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３の厚さはそれぞれ、１μｍ〜５０μｍ、又は、１０〜３０μｍとされてもよい。無機材料から形成された第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３の厚さはそれぞれ、１ｎｍ〜５００ｎｍ、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１ｎｍ〜５０ｎｍ、又は１ｎｍ〜２０ｎｍとされてもよい。１ｎｍ〜５０ｎｍ又は１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する絶縁層は、ゾルゲル法により実現され得る。
【００６９】
実際に製作された磁性基体に含まれる金属磁性粒子に設けられた絶縁層の厚さは、当該磁性基体をその厚さ方向（Ｔ方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により５００００倍〜１０００００倍の倍率で撮影した写真に基づいて測定することができる。例えば、ＳＥＭ写真に含まれる一の金属磁性粒子に設けられた絶縁層の厚さは、当該一の金属磁性粒子の当該ＳＥＭ写真における幾何学的な重心と当該金属磁性粒子と隣接する他の金属磁性粒子の幾何学的な重心とを結ぶ仮想的な直線に沿った方向における当該絶縁層の寸法としてもよい。ＳＥＭ写真に含まれるある金属磁性粒子に設けられた絶縁層の厚さは、当該金属磁性粒子の当該ＳＥＭ写真における幾何学的な重心から当該ＳＥＭ写真の上下方向に伸びる仮想線に沿った当該絶縁層の寸法としてもよい。この場合、当該重心より上側の位置における寸法と下側の位置における寸法とが測定されるため、この平均を当該金属磁性粒子の絶縁層の厚さとしてもよい。ＳＥＭ写真中に第１金属磁性粒子が複数ある場合には、当該複数の金属磁性粒子の各々について絶縁層の厚さを求め、その平均値を磁性基体における第１金属磁性粒子に設けられた絶縁層の厚さとしてもよい。
【００７０】
第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３用の材料は、磁性基体２０において求められる絶縁性に応じて選択される。第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３用の材料として、複数の材料を用いてもよい。第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３用は、異なる材料から成る２層以上の層であってもよい。
【００７１】
第２絶縁層４２は、第１絶縁層４１よりも薄く形成される。第２絶縁層４２の厚さは、例えば、第１絶縁層４１の厚さの１／１０以下とされる。第３絶縁層４３は、第１絶縁層４２よりも薄く形成される。第３絶縁層４３の厚さは、例えば、第２絶縁層４２の厚さの１／１０以下とされる。
【００７２】
本明細書においては、第１絶縁層４１の厚さを第１厚さ、第２絶縁層４２の厚さを第２厚さ、第３絶縁層４３の厚さを第３厚さと呼ぶことがある。
【００７３】
後述するように、第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３が設けられた第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３を含む複合樹脂材料を加圧成形することにより磁性基体２０が形成されてもよい。無機材料から形成された絶縁層は、有機材料から形成された絶縁層と比べて、加圧成形時の膜厚の変化が小さい。したがって、所望の範囲にある膜厚を得るためには、第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３の材料として無機材料を用いることが望ましい。
【００７４】
本発明の一実施形態において、第１金属磁性粒子３１の平均粒径である第１平均粒径に対する第２金属磁性粒子３２の平均粒径である第２平均粒径の比である平均粒径比と、当該第１金属磁性粒子３１に設けられた第１絶縁層４１の厚さである第１厚さに対する当該第１金属磁性粒子３２に設けられた第２絶縁層４２の厚さである第２厚さの比である厚さ比と、の比が０．５〜１．５の範囲とされる。説明の便宜のために、図４ａにおけるｒ１が第１金属磁性粒子３１の平均粒径を表すとともにｔ１が第１絶縁層４１の第１厚さを表し、図４ｂにおけるｒ２が第２金属磁性粒子３２の平均粒径を表すとともにｔ２が第２絶縁層４２の第２厚さを表しているとすると、平均粒径比はｒ２／ｒ１で表され、厚さ比はｔ２／ｔ１で表される。この場合、平均粒径比ｒ２／ｒ１と厚さ比ｔ２／ｔ１との比は、ｒ２・ｔ１／ｒ１・ｔ２となる。上記のように、一実施形態において、ｒ２はｒ１の１／１０以下とされ、ｔ２はｔ１の１／１０以下とされるので、仮にｒ２がｒ１の１／２０でありｔ２がｔ１の１／１５とすると、この場合、平均粒径比ｒ２／ｒ１と厚さ比ｔ２／ｔ１との比であるｒ２・ｔ１／ｒ１・ｔ２は、０．７５となる。
【００７５】
次に、コイル部品１０の製造方法の一例を説明する。まず磁性材料から板状に形成された絶縁基板を準備する。この絶縁基板は、例えば、上述した絶縁基板５０と同様に構成される。次に、当該絶縁基板の上面及び下面にフォトレジストを塗布し、続いて、当該絶縁基板の上面及び下面の各々に導体パターンを露光・転写し、現像処理を行う。これにより、当該絶縁基板の上面及び下面の各々に、コイル導体を形成するための開口パターンを有するレジストが形成される。絶縁基板の上面に形成される導体パターンは、例えば、上述したコイル導体２５ａに対応する導体パターンであり、絶縁基板の下面に形成される導体パターンは、例えば、上述したコイル導体２５ｂに対応する導体パターンである。
【００７６】
次に、めっき処理により、当該開口パターンの各々を導電性金属で充填する。続いて、エッチングにより上記絶縁基板からレジストを除去することで、当該絶縁基板の上面及び下面の各々にコイル導体が形成される。
【００７７】
次に、上記コイル導体が形成された絶縁基板の両面に、磁性基体を形成する。この磁性基体は、例えば、前述した磁性基体２０に対応する。この磁性基体は、例えば、シート成形により作成される。具体的には、成型金型に上記のコイル導体が形成された絶縁基板を配し、３種類の金属磁性粒子と熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）とを混練して得られた樹脂組成物（スラリー）を当該成型金型に入れ、圧力を加えることで、当該絶縁基板に磁性基体が形成された成型品を得ることができる。樹脂組成物への加圧することに代えて、または樹脂組成物への加圧に加えて、当該樹脂組成物へ加熱してもよい。この３種類の磁性粒子は、例えば、前述の第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３である。
【００７８】
次に、当該絶縁基板に磁性基体が形成された成型品に所定数の外部電極を形成する。この外部電極は、例えば、前述の外部電極２１〜２４を対応するものである。各外部電極は、磁性基体の表面に導電性ペーストを塗布して下地電極を形成し、この下地電極の表面にめっき層を形成することにより形成される。めっき層は、例えば、ニッケルを含むニッケルめっき層と、スズを含むスズめっき層の２層構造とされる。
【００７９】
以上の工程により、本発明の一実施形態に係るコイル部品１０が得られる。上述したコイル部品１の製造方法は一例に過ぎず、コイル部品１０の製造方法は上述したものに限られない。
【００８０】
次に、図９及び図１０を参照して、本発明の他の実施形態に係るコイル部品１１０について説明する。コイル部品１１０は、インダクタである。図示のように、コイル部品１１０は、磁性基体１２０と、磁性基体１２０に埋設されたコイル導体１２５と、外部電極１２１と、外部電極１２２と、を備える。コイル導体１２５は、その一端が外部電極１２１電気的に接続され、その他端が外部電極１２２と電気的に接続されるように構成されている。
【００８１】
磁性基体１２０は、磁性基体２０と同様に、互いに平均粒径の異なる２種類以上の金属磁性粒子を含んでいる。本明細書における磁性基体２０に関する説明は、文脈に反しない限り、磁性基体１２０にも当てはまる。
【００８２】
次に、上記の実施形態による作用効果について説明する。上記の一実施形態において、磁性基体２０は、互いに平均粒径の異なる２種類以上の金属磁性粒子（例えば、第１金属磁性粒子３１と第２金属磁性粒子３２）を含んでいる。これにより、１種類の金属磁性粒子のみを含む磁性基体と比べて、磁性基体２０における金属磁性粒子の充填率を高めることができる。
【００８３】
上記の一実施形態において、磁性基体２０は、第１平均粒径を有する第１金属磁性粒子３１と、当該第１平均粒径よりも小さな第２平均粒径を有する第２金属磁性粒子３２と、を備えている。当該実施形態において、当該第１金属磁性粒子の表面には、第１厚さを有する第１絶縁層４１が設けられており、第２金属磁性粒子の表面に第１厚さよりも薄い第２厚さを有する第２絶縁層４２が設けられている。一般に、互いに平均粒径の異なる複数の金属磁性粒子を含む磁性基体において、磁束は、平均粒径の小さな粒子よりも平均粒径の大きな粒子を通過しやすい。このため、金属磁性粒子にその平均粒径の大小にかかわらず均一な厚さの絶縁層が形成されると、磁性基体内での磁束分布が不均一となる。このような磁性基体内での磁束分布の不均一さは、平均粒径が大きな金属磁性粒子と平均粒径が小さな金属磁性粒子とが同じ厚みの絶縁層を有する結果、平均粒径が大きな金属磁性粒子同士の粒子間距離と平均粒径が小さな金属磁性粒子同士の粒子間距離とが同程度となることにより起こる。ここでは、金属磁性粒子同士の粒子間距離は、隣り合う金属磁性粒子の外表面間の距離を意味してもよい。よって、磁性基体において、金属磁性粒子にその平均粒径の大小にかかわらず均一な厚さの絶縁層が形成されると、平均粒径の大きな金属磁性粒子を経由する磁路において最初に磁気飽和が起こり、順次平均粒径が小さな金属磁性粒子を経由する磁路において磁気飽和が起こるようになる。これに対して、上記実施形態においては、第１金属磁性粒子３１に形成される第１絶縁層４１が第２金属磁性粒子３２に形成される第２絶縁層４２よりも厚く形成されるので、第１金属磁性粒子３１を含む磁路への磁束の集中を抑制することができる。これにより、磁性基体における磁束分布をより均一にすることができる。このため、磁性基体の磁気飽和特性を改善することができる。当該磁性基体がコイル部品において用いられる場合には、当該コイル部品の許容電流を大きくすることができる。
【００８４】
上記の一実施形態においては、第１金属磁性粒子３１の平均粒径である第１平均粒径に対する第２金属磁性粒子３２の平均粒径である第２平均粒径の比である平均粒径比と、第１絶縁層４１の第１厚さに対する第２絶縁層４２の第２厚さの比である厚さ比と、の比が０．５〜１．５の範囲内である。上記実施形態によれば、磁性基体２０における複数の磁路の各々において、透磁率が高い金属磁性粒子（第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２）が占める磁路長と、透磁率が低い絶縁層（第１絶縁層４１及び第２絶縁層３２）が占める磁路長との割合が０．５〜１．５の範囲内となる。これにより、磁性基体２０内の複数の磁路の各々における実効透磁率の違いを小さくすることができる。これにより、磁性基体２０における磁束分布をより均一にすることができる。
【００８５】
磁性基体２０における金属磁性粒子の充填率が低いと、磁性基体２０内の磁路において結合材の占める割合が高くなる。磁路において結合材が存在する領域の磁路全長に対する割合が大きくなると、結合材の割合に応じて各磁路の実効透磁率が変化してしまう。よって、磁性基体２０における金属磁性粒子の充填率を高めることにより、結合材が各磁路の実効透磁率に与える影響を小さくすることができる。これにより、金属磁性粒子の平均粒径及び当該金属磁性粒子に形成される絶縁層の膜厚の調整による磁束分布の均一化の効果がより顕著に得られるようになる。
【００８６】
上記の一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はいずれもＦｅを含み、第２金属磁性粒子３２におけるＦｅの含有比率は、第１金属磁性粒子３１におけるＦｅの含有比率よりも高い。第２金属磁性粒子３２に形成された第２絶縁層４２は、第１絶縁層４１よりも薄いため、加圧成形時に破壊されやすい。第２絶縁層４２が破壊されると、当該第２絶縁層４２により被覆されていた第２金属磁性粒子３２は隣り合う他の金属磁性粒子（第１金属磁性粒子、第２金属磁性粒子、又はそれ以外の金属磁性粒子）と電気的に接続されやすくなる。電気的に接続された２つの金属磁性粒子には接続前よりも磁束が集中しやすくなるため、第２絶縁層４２の破壊は磁束分布を不均一にする要因となる。そこで、第２金属磁性粒子４１において飽和磁束密度が高いＦｅの含有比率を高くすることで、第２絶縁層４２が破壊された場合でも、当該第２絶縁層４２に被覆されていた第２金属粒子４２への磁束の集中を緩和することができる。
【００８７】
上記の一実施形態において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はいずれもＳｉを含み、第１金属磁性粒子３１におけるＳｉの含有比率は、第２金属磁性粒子３２におけるＳｉの含有比率よりも高い。第１金属磁性粒子３１におけるＳｉの含有比率が第２金属磁性粒子３２におけるＳｉの含有比率よりも高いため、第１金属磁性粒子３１は加圧成形時により変形しづらく、逆に、第２金属磁性粒子３２は加圧成形時により変形しやすい。これにより、当該磁性体の成形時における加圧により、第２金属磁性粒子を第１金属磁性粒子間の隙間を埋めるように配置することができる。この結果、磁性体における金属磁性粒子の充填率を高めることができる。また、加圧時に第１金属磁性粒子の変形を抑制することができるため、当該第１金属磁性粒子の内部における応力歪みを小さくすることができる。第１金属磁性粒子の応力歪みを小さくすることにより、第１金属磁性粒子において応力歪みに起因する透磁率の劣化を抑制することができる。
【００８８】
上記の一実施形態において、第２平均粒径よりも小さな第３平均粒径を有し、その表面に第３絶縁層が形成された第３金属磁性粒子をさらに備える。第３金属磁性粒子３３により、磁性基体２０における金属磁性粒子の充填率をさらに高めることができる。また、第３金属磁性粒子３３が第１金属磁性粒子３１同士の間、第２金属磁性粒子３２同士の間、及び第１金属磁性粒子３１と第２金属磁性粒子３２との間に入り込むことで、磁性基体２０の機械的強度を高めることができる。このように、第３金属磁性粒子３３は、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２よりも小さな第３平均粒径を有するため、磁性基体２０の磁気飽和特性への影響が小さいにもかかわらず、磁性基体２０における充填率の改善及び磁性基体２０の機械的強度の向上に寄与する。
【００８９】
上記の一実施形態において、磁性基体２０は第３金属磁性粒子３３を有し、この第３金属磁性粒子３３は、Ｎｉ及びＣｏの少なくとも一方を含んでいる。一実施形態においては、第３金属磁性粒子３３がＦｅを含む場合には、第３金属磁性粒子３３におけるＦｅの含有比率は、第１磁性金属粒子３１におけるＦｅの含有比率及び第２金属磁性粒子３２におけるＦｅの含有比率よりも低い。別の実施形態においては、第３金属磁性粒子３３は、Ｆｅを含まなくとも良い。このような第３金属磁性粒子３３におけるＦｅの含有比率が低い実施形態においては、第３金属磁性粒子３３におけるＦｅの含有比率が高い場合よりも、第３金属磁性粒子３３が酸化しにくくなる。これにより、第３金属磁性粒子３３において酸化による透磁率の低下を抑制することができる。金属磁性粒子は小径であるほど、酸化による透磁率又はそれ以外の磁気特性の変化の影響が大きくなる。上記実施形態によれば、３種類の互いに平均粒径の異なる金属磁性粒子のうち最も小径の第３金属磁性粒子３３におけるＦｅの含有比率を低くする（又はＦｅが含まれないようにする）ことで、小径の第３金属磁性粒子３３における酸化による磁気特性の変化を抑制することができる。
【００９０】
上記の一実施形態において、第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３の少なくとも一つは、Ｓｉを含む。第１絶縁層４１、第２絶縁層４２、及び第３絶縁層４３がＳｉを含むことにより、当該絶縁層の絶縁性を高くすることができる。
【００９１】
上記の一実施形態において、第１金属磁性粒子３１はＦｅを含み、第１絶縁層４１はＦｅの酸化物を含む。これにより、第１金属磁性粒子３１と第１絶縁層４１との密着性を高めることができるので、第１絶縁層４１が第１金属磁性粒子３１から剥落することによる絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００９２】
上記の一実施形態によるコイル部品１０は、磁性基体２０と、磁性基体２０内に設けられたコイル２５と、を備える。これにより、コイル２５が励磁された場合における磁性基体２０内での磁束分布が均一となるため、コイル部品１０の許容電流を改善することができる。
【００９３】
磁性基体２０について説明した上記の作用効果は、磁性基体１２０にも同様に当てはまる。また、コイル部品１０について説明した上記の作用効果は、コイル部品１１０にも同様に当てはまる。
【００９４】
本明細書で説明された各構成要素の寸法、材料、及び配置は、実施形態中で明示的に説明されたものに限定されず、この各構成要素は、本発明の範囲に含まれうる任意の寸法、材料、及び配置を有するように変形することができる。また、本明細書において明示的に説明していない構成要素を、説明した実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。
【符号の説明】
【００９５】
１０，１１０  コイル部品
２０，１２０  磁性基体
２５，１２５  コイル導体
３１  第１金属磁性粒子
３２  第２金属磁性粒子
３３  第３金属磁性粒子
４１  第１絶縁層
４２  第２絶縁層
４３  第３絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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