(57)【要約】      （修正有）【課題】メモリデバイスの性能に悪影響を与えずにキャリブレーションを実行させるメモリコントローラを提供する。【解決手段】メモリデバイスは、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にメモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行する論理回路を備える。論理回路は、定期的キャリブレーションでセルフリフレッシュモードに入ることの命令をメモリデバイスに送信する。メモリデバイスは次に、セルフリフレッシュを行う。メモリデバイスがセルフリフレッシュから外れてアクティブモードへ移行すると、メモリデバイスは、キャリブレーションを実行することなく、アクティブモードに入る。【選択図】図４
2019212294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間に前記メモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することを前記メモリデバイスに命令する論理回路を備える、メモリコントローラ。
【請求項２】
前記論理回路は、前記メモリデバイスのモードレジスタ内に、前記メモリデバイスが前記セルフリフレッシュモード中である間に前記キャリブレーションの実行を可能にするフラグを立てる、
請求項１に記載のメモリコントローラ。
【請求項３】
前記論理回路は、前記メモリデバイスが前記キャリブレーションを実行することを命令されているので、前記セルフリフレッシュモードを終了するときに前記抵抗回路網終端およびデータドライバをキャリブレートする、という命令を前記メモリデバイスに送信しない、
請求項１または２に記載のメモリコントローラ。
【請求項４】
前記論理回路は、前記セルフリフレッシュモードを終了する、という第１命令と、前記キャリブレーションの設定をラッチする、という第２命令とを前記メモリデバイスに送信する、
請求項３に記載のメモリコントローラ。
【請求項５】
前記論理回路は、前記キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されたか否かを示す情報を含む前記メモリデバイスのレジスタをチェックし、
前記論理回路は、前記キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されていない場合には、たとえ前記メモリデバイスが前記セルフリフレッシュモード中に前記キャリブレーションを実行することを命令されていたとしても、前記セルフリフレッシュモードから外れる前記メモリデバイスの移行の一環として、前記抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することを前記メモリデバイスに命令する、
請求項１から４のいずれか一項に記載のメモリコントローラ。
【請求項６】
メモリデバイスであって、
前記メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間に前記メモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行する論理回路を備える、
メモリデバイス。
【請求項７】
前記論理回路は、前記キャリブレーションが定期的に実行されるようにさせる、
請求項６に記載のメモリデバイス。
【請求項８】
前記論理回路は、カウンタを有する、
請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項９】
前記カウンタは、前記メモリデバイスによって実行されるリフレッシュをカウントする、
請求項８に記載のメモリデバイス。
【請求項１０】
前記カウンタは、前記メモリデバイスのクロックの周期をカウントする、
請求項８に記載のメモリデバイス。
【請求項１１】
前記メモリデバイスは、前記セルフリフレッシュモード中に前記キャリブレーションを実行することを前記メモリデバイスに命令するメモリコントローラから、セルフリフレッシュ命令を受信する、
請求項６から１０のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
【請求項１２】
前記メモリデバイスは、モードレジスタ空間を備え、前記モードレジスタ空間は、設定された場合に、前記メモリデバイスが前記セルフリフレッシュ命令を受信した後で、前記メモリデバイスに、前記セルフリフレッシュモード中に前記キャリブレーションを実行させる、
請求項１１に記載のメモリデバイス。
【請求項１３】
前記メモリデバイスは、前記メモリデバイスのモードレジスタ空間内に、前記キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されたか否かを示すフラグを含ませる、
請求項６に記載のメモリデバイス。
【請求項１４】
前記メモリデバイスは、Ｄｕａｌ  Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ（ＤＩＭＭ）上に配置される、
請求項６から１３のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
【請求項１５】
複数のプロセッシングコアと、
ソリッドステートドライブと、
システムメモリと、
システムメモリコントローラと
を備え、
前記システムメモリコントローラは、前記複数のプロセッシングコアに結合され、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間に前記メモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することを前記メモリデバイスに命令する論理回路を有する、
コンピューティングシステム。
【請求項１６】
前記論理回路は、前記メモリデバイスのモードレジスタ内に、前記メモリデバイスが前記セルフリフレッシュモード中である間に前記キャリブレーションの実行を可能にするフラグを立てる、
請求項１５に記載のコンピューティングシステム。
【請求項１７】
前記論理回路は、前記メモリデバイスが前記キャリブレーションを実行することを命令されているので、前記セルフリフレッシュモードを終了するときに前記抵抗回路網終端およびデータドライバをキャリブレートする、という命令を前記メモリデバイスに送信しない、
請求項１５または１６に記載のコンピューティングシステム。
【請求項１８】
前記論理回路は、前記セルフリフレッシュモードを終了する、という第１命令と、前記キャリブレーションの設定をラッチする、という第２命令を前記メモリデバイスに送信する、
請求項１７に記載のコンピューティングシステム。
【請求項１９】
前記論理回路は、前記キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されたか否かを示す情報を含む前記メモリデバイスのレジスタをチェックし、
前記論理回路は、前記キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されていない場合には、たとえ前記メモリデバイスが前記セルフリフレッシュモード中に前記キャリブレーションを実行することを命令されていたとしても、前記セルフリフレッシュモードから外れる前記メモリデバイスの移行の一環として、前記抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することを前記メモリデバイスに命令する、
請求項１５から１８のいずれか一項に記載のコンピューティングシステム。
【請求項２０】
前記メモリデバイスは、ＪＥＤＥＣ標準に準拠するように設計される、
請求項１５から１９のいずれか一項に記載のコンピューティングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野は電子工学の技術に関する、より具体的には、メモリデバイスセルフリフレッシュ中の定期的キャリブレーションに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューティングシステムは、典型的には、メモリデバイスがアクティブに読み出し又は書き込み動作を実行していない期間に、セルフリフレッシュモードへと置かれ得るメモリデバイスを備える。理想的には、メモリデバイスがセルフリフレッシュモードからアクティブモードに戻るよう移行することを必要としたときに、読み出し又は書き込み命令がメモリデバイスに送信され得る前にコンピューティングシステムが長期間待たなくてもよいほど、メモリデバイスが迅速に移行できることである。
【０００３】
本発明のより良好な理解が、以下の図面と合わせて、以下の詳細な説明から取得され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】従来技術のメモリコントローラおよびメモリデバイスを示す。
【０００５】
【図２】改善されたメモリデバイスのセルフリフレッシュシーケンスを示す。
【０００６】
【図３】図２の改善されたメモリデバイスのセルフリフレッシュシーケンスを実装するための、改善されたメモリコントローラおよびメモリデバイスを示す。
【０００７】
【図４】メモリデバイスセルフリフレッシュ方法を示す。
【０００８】
【図５】コンピューティングシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、ホスト側メモリコントローラ１０１とメモリデバイス１０２とを含む、従来技術のメモリサブシステムを示している。メモリデバイス１０２は、（例示の簡略化のため図１に示されていない）Ｄｕａｌ  Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ（ＤＩＭＭ）上に配置される多数のメモリチップのうちの一つであってもよい。ＤＩＭＭは、メモリコントローラ１０１に結合されるメモリチャネルへとプラグ接続されてもよい。メモリチャネルは、電子デバイス技術合同協議会（ＪＥＤＥＣ）業界標準によって定義される複数の特性を有するダブルデータレート（ＤＤＲ）メモリチャネル（例えば、ＪＥＤＥＣ  ＤＤＲ４  メモリチャネル）であってもよい。
【００１０】
メモリデバイス１０２は、ＤＱワイヤ１０６によってメモリコントローラ１０１に結合される。ＤＱワイヤ１０６は、書き込み動作中にメモリコントローラ１０１からの書き込み情報をメモリデバイス１０２へと転送し、読み出し動作中にメモリデバイス１０２からの読み出し情報をメモリコントローラ１０１へと転送する、双方向データワイヤである。簡単にするために、メモリコントローラ１０１とメモリデバイス１０２との間には、単一のＤＱワイヤ１０６のみが示されている。しかしながら、実際には、複数のＤＱワイヤが、メモリコントローラ１０１とメモリデバイスとの間に存在し、いくつかのビット幅を有するデータバスをエフェクトする（例えば、６４個のＤＱワイヤが、メモリコントローラ１０１とメモリデバイス１０２との間に６４ビットのデータバスを形成する）。追加的な命令および／またはアドレス指定信号のワイヤ（例えば、命令アドレス（ＣＡ）バス）もまた、メモリコントローラ１０１とメモリデバイス１０２との間に存在し、これにより、メモリコントローラは、命令およびアドレスをメモリデバイス１０２に送信することができる。
【００１１】
メモリデバイス１０２内のＤＱワイヤ１０６のエンドポイントは、終端抵抗回路網１０４およびデータドライバ１０５を含む。抵抗回路網１０４は、書き込み動作中にメモリコントローラ１０１からメモリデバイス１０２へと送信される書き込みデータ信号に対して、終端抵抗をＤＱワイヤ１０６のエンドに提供する。終端回路網１０４の抵抗は、理想的には、ＤＱワイヤ／メモリデバイスインターフェースにおいて、書き込みデータ信号のリフレクションを防ぎ、又は他の態様では当該リフレクションを減少させる。ドライバ１０５は、理想的には、読み出し動作中にメモリコントローラ１０１によって十分に受信された読み出しデータをメモリデバイス１０２からＤＱワイヤ上へとドライブする駆動電流強度および／またはソースインピーダンスを有する。
【００１２】
終端回路網１０４の抵抗、ならびに、ドライバ１０５の駆動電流強度および／またはソースインピーダンスの両方が、可変的であるように設計され、これにより、これらは、メモリデバイスの動作中に、キャリブレーションコントローラ１０３によってキャリブレートされることができる（例えば、ＪＥＤＥＣ固有の「ＺＱ」キャリブレーション）。ここでは、終端回路網１０４の正しい抵抗、ならびに、ドライバ１０５の正しい駆動電流強度および／またはソースインピーダンスが、温度および／または供給電圧の関数であり得る。重要なことには、これらのパラメータは、メモリデバイス１０２の動作の経過に亘って変化し得る。そのように、終端回路網１０４およびドライバ１０５のための正しい設定も同様に、メモリデバイス１０２の動作の経過に亘って変化し得る。
【００１３】
メモリコントローラ１０１は、メモリデバイスにとってそのＤＱ終端抵抗回路網および／またはそのＤＱドライバをキャリブレートすることが適切であると判定する場合、キャリブレーションを実行すべくメモリデバイス１０２に命令を送信する。命令は最終的に、正しい終端回路網およびドライバ設定を判定するキャリブレーションルーチンを実行することを担当している、メモリデバイス１０２内のキャリブレーションコントローラ１０３によって受信される。しかしながら、残念なことに、キャリブレーションルーチンの実行は、メモリサブシステムの性能に影響を及ぼす、無視できない時間長を消費する。
【００１４】
差し込み図の１０７は、メモリサブシステム性能に対する特定の公開を示している。ここでは、メモリデバイス１０２がダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）メモリデバイスである場合に、メモリデバイス１０２のストレージセルは、自己のデータを保持すべく、定期的にリフレッシュされることを必要とする。ここでは、メモリデバイス１０２（またはメモリデバイスのＤＩＭＭ、もしくはメモリデバイスのＤＩＭＭがプラグ接続されるチャンネル）が長期間の（読み出し又は書き込み命令がない）非アクティビティを受けているおよび／または受けそうであることをメモリコントローラ１０１が認識する場合に、メモリコントローラ１０１は、セルフリフレッシュモードに入ることをメモリデバイス１０２に命令する。
【００１５】
これに応答して、メモリデバイス１０２は、自己のデータを保持するように、リフレッシュ信号を自己の内部ストレージセルに適用する。差し込み図の１０７のタイミング図に示す通り、メモリデバイスは、その時点で、進行している長期間使用されないことになる、時間ＴＸに至るまで、アクティブであり、メモリコントローラ１０１によってセルフリフレッシュモードへと置かれる。時間ＴＹで、メモリデバイスは再び使用されることを必要とする。
【００１６】
従って、メモリコントローラ１０１は、セルフリフレッシュモードを終了して、自己のＤＱ抵抗終端回路網およびドライバのキャリブレーションを実行することをメモリデバイス１０２に命令する（なぜなら、メモリデバイス１０２が最初にセルフリフレッシュモードに入った、これ以前の時間（ＴＸ）から、その温度と供給電圧とが変化し得ているためである）。（メモリコントローラ１０１が次に読み出す自己のモードレジスタ空間内にフラグを立てることによって）キャリブレーションが無事に実行されたことをメモリデバイス１０２が確認するときに、メモリコントローラ１０１は、新たに決定されたキャリブレーション設定を、メモリデバイスの正式な終端回路網およびドライバ設定としてラッチすることを、メモリデバイス１０２に命令する。残念ながら、キャリブレーションを実行することによって消費される長い時間長（例えば、１〜６μｓ）は、メモリデバイス１０２が、デバイス１０２をセルフリフレッシュモードからアクティブモードへと移行させることが決定される瞬間（ＴＹ）からアクティブモードに再び入ることが可能になる時間（ＴＺ）を劇的に遅延させる。
【００１７】
この広大な遅延（ＴＺ−ＴＹ）は、メモリサブシステムを使用する様々なシステムコンポーネント（例えば、ＣＰＵコア、ＧＰＵコア、表示ドライバ、ネットワーキングインターフェース、不揮発性大容量ストレージなど）の観点から、メモリサブシステム全体の性能に悪影響を及ぼす。特に、例えば、アクティブ期間の合間の短期間（例えば、数十または数百マイクロ秒）に、好機をねらって（例えば、メモリコントローラ１０１がメモリデバイス１０２の次に来る読み出し／書き込み非アクティビティの期間を認識した場合に）メモリデバイス１０２をセルフリフレッシュモードへと入れることが可能なメモリコントローラ１０１の利点は、アクティブモードへと戻るよう移行するときにキャリブレーションを実行することによってあまりに多くの時間が消費される場合に、大幅に減少される。
【００１８】
図２は、ＤＱワイヤを再キャリブレートする前にメモリ２０２をセルフリフレッシュモードからアクティブモードへと移行させることが肯定的に決定されるまで待つことよりもむしろ、メモリデバイス２０２が自己のセルフリフレッシュモード中にＤＱ抵抗回路網およびドライバ設定を定期的に再キャリブレートする解決策を示している。図２にて観察されるように、メモリデバイス２０２は、ＴＤごとに抵抗回路網終端およびドライバ設定を再キャリブレートするように構成されている。すなわち、図２に観察されるように、第1番目のキャリブレーション１は、メモリデバイスが時間ＴＸで最初にセルフリフレッシュに入る後のＴＤで生じる。第2番目のキャリブレーション２は、第1番目のキャリブレーション１の後のＴＤで生じ、第３番目のキャリブレーション３は第2番目のキャリブレーション２の後のＴＤで生じ、第４番目のキャリブレーション４は第３番目のキャリブレーションの後のＴＤで生じる、などなど。
【００１９】
定期的キャリブレーションは、セルフリフレッシュモードの外へ出ることの命令をメモリデバイスがメモリコントローラから受信する（ＴＺ）まで続く。特に、セルフリフレッシュモードの時間長に亘ってＮ回のキャリブレーションが実行されている。ここで、メモリサブシステムの温度および供給電圧は、第Ｎ番目のキャリブレーションが完了して（ＴＱ）からあまり変化していないと推測される。そのように、セルフリフレッシュモードから出る命令が時間ＴＺに受信された場合に、第Ｎ番目のキャリブレーションで確立された抵抗終端回路網およびドライバ設定は、存在している温度および供給電圧条件に対して十分であると推測される。
【００２０】
更に以下でより詳細に説明されるように、様々な実施形態で、メモリコントローラ２０１はまた、（例えば、メモリデバイスのモードレジスタ空間内に立てられるフラグの状態を読み出すことによって）直近のキャリブレーションシーケンス（第Ｎ番目のシーケンス）が成功だったか否かを確認し、そうである場合、メモリデバイスの正式な抵抗回路網終端およびドライバ設定として第Ｎ番目のキャリブレーションシーケンスからの設定をラッチすることをメモリデバイスに命令する。その設定がラッチされた後、メモリデバイスは、アクティブモードに入り、読み出し／書き込み命令をメモリコントローラから受信することができる。そのように、メモリデバイス２０２は、キャリブレーションを実行することなく、およそ時間ＴＺに、セルフリフレッシュモードからアクティブモードへと移行することが可能である。
【００２１】
図３は、図２の改善されたアプローチを共に実装することができる、改善されたメモリコントローラ３０１およびメモリデバイス３０２を示す。図３に観察されるように、メモリコントローラ３０１は、メモリデバイス３０２に対してセルフリフレッシュ命令を生成することが可能であり、また、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード（オンザフライキャリブレーションでセルフリフレッシュ）中である間にメモリデバイスが定期的キャリブレーションを実行することを指定する、改善されたセルフリフレッシュ制御論理回路３０９を有する。一実施形態において、メモリデバイスのより多くのレジスタ空間が、セルフリフレッシュモード中の定期的キャリブレーションを可能にする／不可能にするフィールドを含む。メモリデバイス３０２がセルフリフレッシュ命令を受信したときに当該フィールドが設定されている場合、メモリデバイスは、その後に続くセルフリフレッシュ中に当該定期的キャリブレーションを実行する。セルフリフレッシュモード中であるときに定期的キャリブレーションを実行することをメモリコントローラ３０１がメモリデバイス３０２に命令する場合、メモリコントローラ３０１は、セルフリフレッシュから外れる移行の一環としてキャリブレーションを実行することをメモリデバイス３０２に命令しなくてもよい、と理解する。
【００２２】
例えば、メモリコントローラ３０１は、セルフリフレッシュを終了することをメモリデバイス３０２に命令し、（メモリデバイスのモードレジスタを読み出すことによって）メモリデバイスの直近のキャリブレーションが有効な設定を生成したか否かを確認し、そのような確認のときに、当該設定を、メモリデバイスの次に来るアクティブモード中に使用される設定としてラッチすることをメモリデバイスに命令する。特に、メモリコントローラのキャリブレーション制御論理回路３０８は、定期的キャリブレーションを伴うセルフリフレッシュモードから、アクティブモードへの移行の一環として、キャリブレーションを実行することをメモリデバイス３０２に命令しない。
【００２３】
また、図３において観察されるように、メモリデバイス３０２は、メモリデバイス３０２が自己の終端回路網３０４およびドライバ３０５の設定を定期的に再キャリブレートするように、セルフリフレッシュ中にキャリブレーションコントローラ３０３を定期的に引き起こして動作させることを担当する、関連するタイマー回路３０７を有するセルフリフレッシュ制御回路３０６を備える。タイマー回路３０７は、様々な方法で実装されることができる。第１の実施形態によれば、タイマー回路３０７は、メモリデバイス３０２の内部クロック（例えば、セルフリフレッシュクロック）を判定する、メモリデバイス３０２の位相同期ループ（ＰＬＬ）回路または遅延同期ループ（ＤＬＬ）回路に結合される。カウンタは、ＰＬＬ／ＤＬＬ回路に結合され、クロック周期をカウントする（例えば、カウンタは各クロック周期でインクリメントする）。カウンタが特定の値に到達するごとに、再キャリブレーションが引き起こされ、カウンタ値がリセットされる。
【００２４】
第２実施形態によれば、セルフリフレッシュコントローラ３０６に関連するカウンタは、各再キャリブレーション動作を引き起こすのに使用される。ここで、例えば、セルフリフレッシュコントローラ３０６は、リフレッシュをカウントする１または複数のカウンタを含む（例えば、各々が個別に特定のメモリバンクのリフレッシュをカウントする、バンク単位のリフレッシュカウンタ、各メモリバンクがリフレッシュされた後にインクリメントするグローバルリフレッシュカウンタ、など）。タイマー回路３０７は、１または複数のカウンタに結合され、１または複数のカウンタが特定の１または複数の値に到達したときに再キャリブレーションアクティビティを引き起こす。一つの実施形態によれば、キャリブレーションは、複数の内部リフレッシュの合間に引き起こされ、キャリブレーション後に実行される任意のリフレッシュは、キャリブレーションが完了する後まで開始しない。別の実施形態によれば、キャリブレーションは、複数の内部リフレッシュの合間に引き起こされ、そして、キャリブレーションを引き起こした後に実行される複数のリフレッシュと同時に実行される。
【００２５】
更なる実施形態によれば、各セルフリフレッシュキャリブレーションシーケンス中に決定される終端回路網およびドライバ設定は、セルフリフレッシュ制御回路３０６によって内部で保持される。そのように、これらのレジスタは、セルフリフレッシュ中に実行される各々の新たなキャリブレーションで更新される。セルフリフレッシュモードからアクティブへの移行時に、制御回路のレジスタに存在する設定は、メモリコントローラ３０１による、肯定的な命令に応答して、メモリデバイスの正式な回路網およびドライバ設定制御レジスタ空間内へとラッチされ、その後、アクティブモード中のメモリデバイス３０２によって使用される。
【００２６】
このアプローチの更なる実施形態において、メモリデバイスは、無事にキャリブレーションを実行するごとに、自己のモードレジスタ空間内にフラグを立てる。メモリコントローラは次に、フラグの状態をチェックして、直近のキャリブレーションが成功したか否かを確認することが可能である。そうである場合、メモリコントローラ３０１は、キャリブレーション命令をメモリデバイス３０２に発行することなくセルフリフレッシュモードを終了することができる、と理解する。メモリデバイスが、フラグが肯定的に設定されているのを見ない場合、メモリコントローラ３０１は、セルフリフレッシュモードからアクティブモードへの移行の一環としてキャリブレーション命令を発行すべきである、と理解する。この後者のシナリオは、全てのセルフリフレッシュ期間がＴＤ未満である場合に可能である。
【００２７】
更なる実施形態において、ＴＤ期間は、メモリデバイス内で設定可能であってもよい。例えば、メモリデバイスのモードレジスタ設定は、メモリデバイス内で、異なるＴＤ設定を許可してもよい。代替的に、ＴＤパラメータは、メモリデバイス３０２内へしっかりと設計されてもよい。
【００２８】
様々な実施形態において、メモリデバイスは更に、上記で説明したものよりも自律的に設計されてもよく、セルフリフレッシュモードに入ることをメモリコントローラによって肯定的に命令されることを必要としなくてもよい。すなわち、メモリデバイスは、メモリコントローラによって肯定的に指令されることなくメモリデバイスをセルフリフレッシュモードへと置く、独自の内部ロジックを有してもよい。この場合、メモリデバイスのモードレジスタは、メモリデバイスが、自発的に入るセルフリフレッシュモード中に、上記で説明した通り定期的にキャリブレーションを実行することを、メモリコントローラによって設定されてもよい。
【００２９】
制御回路３０３、３０６、３０８、３０９は、カスタム仕様のハードワイヤード論理回路（例えば、ハードワイヤードステートマシンなど）、プログラマブル論理回路（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブルロジックアレイ（ＰＬＡ）など）、プログラムコードの幾つかの形式を実行する論理回路（例えば、埋め込みプロセッサ、埋め込みコントローラなど）、または、これらの任意の組み合わせのような、論理回路の様々な形式で実装される得ることに留意すべきである。
【００３０】
図４は、上記で説明した方法を示す。当該方法は、定期的キャリブレーション４０１でセルフリフレッシュモードに入ることの命令をメモリデバイスに送信する段階を備える。メモリデバイスは次に、セルフリフレッシュを行い、定期的なセルフリフレッシュがセルフリフレッシュ４０２中に実行される。メモリデバイスがセルフリフレッシュから外れてアクティブモード４０３へと移行すると、メモリデバイスは、キャリブレーション４０４を実行することなく、アクティブモードに入る。
【００３１】
おそらく、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にメモリデバイスによって複数のキャリブレーションが実行されるが、当該キャリブレーションは定期的に実行されない（例えば、よりランダムな時間間隔で実行される）他の実施形態／実装が存在し得る。
【００３２】
上記で説明した複数のアプローチは、ＪＥＤＥＣ業界標準規格のような業界標準（例えば、ＤＤＲ５  ＪＥＤＥＣ業界標準規格）によって指定されてもよい。
【００３３】
図５は、コンピューティングシステム５００（例えば、スマートフォン、タブレット型コンピュータ、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、サーバコンピュータなど）の例示的な図を提供する。図５において観察されるように、ベーシックコンピューティングシステム５００は、（例えば、複数の汎用プロセッシングコア５１５_１から５１５_Ｘを含み得る）中央処理装置５０１と、マルチコアプロセッサまたはアプリケーションプロセッサ上に配置されたメインメモリコントローラ５１７と、システムメモリ５０２と、ディスプレイ５０３（例えば、タッチスクリーン、フラットパネル）と、ローカル有線ポイントツーポイントリンク（例えば、ＵＳＢインターフェース５０４）と、様々なネットワークＩ／Ｏ機能５０５（Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）インターフェースおよび／またはセルラーモデムサブシステムなど）と、無線ローカルエリアネットワーク（例えば、ＷｉＦｉ（登録商標））インターフェース５０６と、無線ポイントツーポイントリンク（例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標））インターフェース５０７と、全地球測位システムインターフェース５０８と、様々なセンサ５０９_１から５０９_Ｙと、１または複数のカメラ５１０と、バッテリ５１１と、電力管理制御ユニット５１２と、スピーカおよびマイク５１３とオーディオコーダ／デコーダ５１４とを含み得る。
【００３４】
アプリケーションプロセッサまたはマルチコアプロセッサ５５０は、そのＣＰＵ５０１内の１または複数の汎用プロセッシングコア５１５と、１または複数のグラフィック処理ユニット５１６と、メモリ管理機能５１７（例えば、メモリコントローラ）と、Ｉ／Ｏ制御機能５１８とを含み得る。汎用プロセッシングコア５１５は典型的には、コンピューティングシステムのオペレーティングシステムおよびアプリケーションソフトウェアを実行する。グラフィック処理ユニット５１６は典型的には、グラフィックインテンシブ機能を実行し、例えば、ディスプレイ５０３上に表示されるグラフィック情報を生成する。メモリ管理機能５１７は、システムメモリ５０２とインターフェースで連結して、システムメモリ５０２への／からのデータの書き込み／読み出しを行う。メモリコントローラ５１７およびシステムメモリ（または他のメモリコントローラおよびメモリ）は、上記で説明したセルフリフレッシュ中にメモリデバイスの抵抗回路網終端およびドライバ設定の定期的リフレッシュを実装してもよい。電力管理制御ユニット５１２は概して、システム５００の電力消費を制御する。
【００３５】
タッチスクリーンディスプレイ５０３、通信インターフェース５０４−５０７、ＧＰＳインターフェース５０８、センサ５０９、（複数の）カメラ５１０、およびスピーカ／マイクＣＯＤＥＣ５１３、５１４の各々は全て、同様に、適切な場所に、統合された周辺装置（例えば、１または複数のカメラ５１０）を含む、全体のコンピューティングシステムに対するＩ／Ｏ（入力および／または出力）の様々な形式として示され得る。実装に応じて、これらのＩ／Ｏコンポーネントのうちの様々なものが、アプリケーションプロセッサ／マルチコアプロセッサ５５０上で統合されてもよく、または、ダイから離れて配置され又はアプリケーションプロセッサ／マルチコアプロセッサ５５０のパッケージ外に配置されてもよい。コンピューティングシステムはまた、システムの大容量ストレージコンポーネントであり得る不揮発性記憶装置５２０を含む（例えば、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブなど）。
【００３６】
本発明の複数の実施形態は、上記で明らかにされた様々な処理を含んでもよい。複数の処理は、複数の機械実行可能命令に具現化されてもよい。複数の命令は、汎用または専用プロセッサに特定の複数の処理を実行させるのに使用され得る。代替的に、これらの複数の処理は、複数の処理を実行するためのハードワイヤード論理回路またはプログラマブル論理回路（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ））を含む特定／カスタムハードウェアコンポーネントによって実行されてもよく、または、プログラムコンピュータコンポーネントおよびカスタムハードウェアコンポーネントの任意の組み合わせによって実行されてもよい。
【００３７】
本発明の要素は、機械実行可能命令を保存するための機械可読媒体としてもまた提供され得る。機械可読媒体は、これらに限定はされないが、フロッピー（登録商標）ディスケット、光ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気光ディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、磁気カードもしくは光カード、伝播媒体、または電子命令を保存するのに適した他のタイプの媒体／機械可読媒体を含み得る。例えば、本発明は、通信リンク（例えば、モデム接続またはネットワーク接続）を介して、搬送波または他の伝播媒体に具現化されるデータ信号を用いて、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）から要求しているコンピュータ（例えば、クライアント）に転送され得るコンピュータプログラムとしてダウンロードされ得る。
【００３８】
上記の明細書において、本発明は、その特定の例示的な実施形態を参照して説明されている。しかしながら、添付の請求項で明らかにされる本発明のより広い主旨および範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更がなされ得ることは明らかであろう。従って、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味のものと見做されるべきである。
［項目１］メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にメモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することをメモリデバイスに命令する論理回路を備える、メモリコントローラ。
［項目２］論理回路は、メモリデバイスのモードレジスタ内に、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にキャリブレーションの実行を可能にするフラグを立てる、
項目１に記載のメモリコントローラ。
［項目３］論理回路は、メモリデバイスがキャリブレーションを実行することを命令されているので、セルフリフレッシュモードを終了するときに抵抗回路網終端およびデータドライバをキャリブレートする、という命令をメモリデバイスに送信しない、
項目１に記載のメモリコントローラ。
［項目４］論理回路は、セルフリフレッシュモードを終了する、という第１命令と、キャリブレーションの設定をラッチする、という第２命令とをメモリデバイスに送信する、
項目３に記載のメモリコントローラ。
［項目５］論理回路は、キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されたか否かを示す情報を含むメモリデバイスのレジスタをチェックし、
論理回路は、キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されていない場合には、たとえメモリデバイスがセルフリフレッシュモード中にキャリブレーションを実行することを命令されていたとしても、セルフリフレッシュモードから外れるメモリデバイスの移行の一環として、抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することをメモリデバイスに命令する、
項目１に記載のメモリコントローラ。
［項目６］メモリデバイスであって、
メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にメモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行する論理回路を備える、
メモリデバイス。
［項目７］論理回路は、キャリブレーションが定期的に実行されるようにさせる、
項目６に記載のメモリデバイス。
［項目８］論理回路は、カウンタを備える、
項目７に記載のメモリデバイス。
［項目９］カウンタは、メモリデバイスによって実行されるリフレッシュをカウントする、
項目８に記載のメモリデバイス。
［項目１０］カウンタは、メモリデバイスのクロックの周期をカウントする、
項目８に記載のメモリデバイス。
［項目１１］メモリデバイスは、セルフリフレッシュモード中にキャリブレーションを実行することをメモリデバイスに命令するメモリコントローラから、セルフリフレッシュ命令を受信する、
項目６に記載のメモリデバイス。
［項目１２］メモリデバイスは、モードレジスタ空間を備え、モードレジスタ空間は、設定された場合に、メモリデバイスがセルフリフレッシュ命令を受信した後で、メモリデバイスに、セルフリフレッシュモード中にキャリブレーションを実行させる、
項目１１に記載のメモリデバイス。
［項目１３］メモリデバイスは、メモリデバイスのモードレジスタ空間内に、キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されたか否かを示すフラグを含ませる、
項目６に記載のメモリデバイス。
［項目１４］メモリデバイスは、Ｄｕａｌ  Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ（ＤＩＭＭ）上に配置される、
項目６に記載のメモリデバイス。
［項目１５］複数のプロセッシングコアと、
ソリッドステートドライブと、
システムメモリと、
システムメモリコントローラとを備え、
システムメモリコントローラは、複数のプロセッシングコアに結合され、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にメモリデバイスの抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することをメモリデバイスに命令する論理回路を有する、
コンピューティングシステム。
［項目１６］論理回路は、メモリデバイスのモードレジスタ内に、メモリデバイスがセルフリフレッシュモード中である間にキャリブレーションの実行を可能にするフラグを立てる、
項目１５に記載のコンピューティングシステム。
［項目１７］論理回路は、メモリデバイスがキャリブレーションを実行することを命令されているので、セルフリフレッシュモードを終了するときに抵抗回路網終端およびデータドライバをキャリブレートする、という命令をメモリデバイスに送信しない、
項目１５に記載のコンピューティングシステム。
［項目１８］論理回路は、セルフリフレッシュモードを終了する、という第１命令と、キャリブレーションの設定をラッチする、という第２命令をメモリデバイスに送信する、
項目１７に記載のコンピューティングシステム。
［項目１９］論理回路は、キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されたか否かを示す情報を含むメモリデバイスのレジスタをチェックし、
論理回路は、キャリブレーションのうち最も直近のものが無事に実行されていない場合には、たとえメモリデバイスがセルフリフレッシュモード中にキャリブレーションを実行することを命令されていたとしても、セルフリフレッシュモードから外れるメモリデバイスの移行の一環として、抵抗回路網終端およびデータドライバのキャリブレーションを実行することをメモリデバイスに命令する、
項目１５に記載のコンピューティングシステム。
［項目２０］メモリデバイスは、ＪＥＤＥＣ標準に準拠するように設計される、
項目１５に記載のコンピューティングシステム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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