(57)【要約】【課題】例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことのできるウェーハ用スペーサを提供する。【解決手段】吸着装置１に半導体ウェーハ１０が真空吸着されてバックグラインドされる場合に、吸着装置１と半導体ウェーハ１０との間に介在されるスペーサであり、吸着装置１の多孔質テーブル４表面を覆う厚さ３０μｍ以上の被覆ベース層２１と、この被覆ベース層２１と半導体ウェーハ１０の周縁部１４との間に介在される厚さ３０μｍ以下のエンドレス層２４とを備え、被覆ベース層２１に、吸着装置１の多孔質テーブル４に連通する多数の吸着孔２３が穿孔され、エンドレス層２４には、被覆ベース層２１の周縁部に熱プレスして積層されるポリエーテルエーテルケトンフィルム２５が含まれる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着装置に精密ウェーハが真空吸着される場合に、これら吸着装置と精密ウェーハとの間に介在されるウェーハ用スペーサであって、
吸着装置の多孔質テーブルを覆う厚さ３０μｍ以上の被覆ベース層と、この被覆ベース層と精密ウェーハの周縁部との間に介在される厚さ３０μｍ以下のエンドレス層とを含み、被覆ベース層に、吸着装置の多孔質テーブルに連通する吸着孔が設けられ、エンドレス層には、被覆ベース層に積層されるポリエーテルエーテルケトンフィルムが含まれることを特徴とするウェーハ用スペーサ。
【請求項２】
被覆ベース層が少なくとも多孔質テーブルの全吸着面を覆う大きさの樹脂フィルムであり、この樹脂フィルムに、エンドレス層のポリエーテルエーテルケトンフィルムが熱プレスして積層される請求項１記載のウェーハ用スペーサ。
【請求項３】
吸着装置に精密ウェーハが真空吸着される場合に、これら吸着装置と精密ウェーハとの間に介在されるウェーハ用スペーサであって、
吸着装置の多孔質テーブルと精密ウェーハとの間に介在される厚さ５０μｍ以上のポリエーテルエーテルケトンフィルムを含み、このポリエーテルエーテルケトンフィルムの部分的な加工により、吸着装置の多孔質テーブルと精密ウェーハの周縁部との間に介在される厚さ３０μｍ以下のスペーサ部がエンドレスに形成されることを特徴とするウェーハ用スペーサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハのバックグラインド時等に使用されるウェーハ用スペーサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、ウェーハ処理工程（前工程）が終了すると、半導体チップを個々に分離するダイシング工程に移されるが、肉厚が約７５０μｍと厚く、そのままでは薄型化が必要な半導体パッケージには適さないので、ダイシング工程の前にバックグラインド工程で裏面が削られ、１００μｍ以下の厚さに薄化される（特許文献１参照）。
【０００３】
半導体ウェーハ１０をバックグラインドする場合、図８に部分的に示すように、先ず、半導体ウェーハ１０の回路パターン１２が形成された表面に保護テープ（バックグラインドテープともいう）１５を着脱自在に粘着してその周縁部付近を半導体ウェーハ１０の周縁部１４付近に揃え、バックグラインド装置の吸着装置１に半導体ウェーハ１０を搭載してその保護テープ１５側を下向きとする。
なお、図８には、説明の便宜上、吸着装置１と半導体ウェーハ１０の保護テープ１５とが僅かに離れて図示されている。
【０００４】
半導体ウェーハ１０の表面の表面周縁部１１を除く大部分の領域には、回路パターン１２として集積回路がパターニングされるとともに、この集積回路に接続される多数のバンプ１３が突出形成され、この多数のバンプ１３が外部の回路基板用の接続端子として用いられる。また、吸着装置１は、例えば背の低いケース２と、このケース２表面の開口部に嵌着される多孔質テーブル４と、この多孔質テーブル４に排気管を介して接続される真空発生装置とを備え、多孔質テーブル４の露出した表面に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５が面接触する。
【０００５】
バックグラインド装置の吸着装置１に半導体ウェーハ１０を搭載したら、吸着装置１の真空発生装置を作動させて多孔質テーブル４の表面に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着し、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削し、エッチングあるいはポリッシングして半導体ウェーハ１０の裏面のダメージ層を除去した後、半導体ウェーハ１０を吸着装置１の多孔質テーブル４から取り外して表面の保護テープ１５を剥離すれば、半導体ウェーハ１０をバックグラインドして薄化することができる。
【０００６】
ところで、半導体ウェーハ１０は、表面に回路パターン１２が形成されると、この回路パターン１２のバンプ１３等と表面周縁部１１との間に高低差が生じるが、この高低差により、吸着装置１の多孔質テーブル４に真空吸着された場合、周縁部１４が多孔質テーブル４の表面から浮き、周縁部１４と多孔質テーブル４の表面との間に隙間Ｇが生じる。その結果、半導体ウェーハ１０の周縁部１４の姿勢が不安定化し、チッピングが発生して半導体ウェーハ１０が破損することがある。
【０００７】
また、半導体ウェーハ１０の周縁部１４と多孔質テーブル４の表面との間に隙間Ｇが生じると、研削時の研磨塵等が多孔質テーブル４の孔に流入し、多孔質テーブル４に目詰まりが生じて吸着装置１の性能低下を招くおそれがある。さらに、多孔質テーブル４に目詰まりが生じると、半導体ウェーハ１０の全面を均一に真空吸着することができず、半導体ウェーハ１０が位置ずれしてバックグラインドに支障を来すおそれがある。
【０００８】
係る問題に鑑み、従来においては、半導体ウェーハ１０の周縁部１４と吸着装置１の多孔質テーブル４表面との間に平面リング形のウェーハ用スペーサを介在し、このウェーハ用スペーサにより、半導体ウェーハ１０の周縁部１４と多孔質テーブル４表面との間の隙間Ｇを埋める方法が提案されている。
【０００９】
ウェーハ用スペーサの材質としては、例えば透明性や機械的強度に優れるポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）があげられるが、優れた耐溶剤性、耐薬品性、寸法安定性等を得たい場合には、欠点の少ないポリエーテルエーテルケトンフィルム（ＰＥＥＫ）の採用が考えられる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２‐０２０３７４号公報
【特許文献２】特開２０００‐２１２５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来におけるウェーハ用スペーサは、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの場合、熱可塑性樹脂の中できわめて優れた性能が期待できるものの、薄型化の観点から、３０μｍ以下、特に１０μｍ以下の薄さが要求されるときには、剛性に乏しくなるので、形態の維持が容易でなく、製造や取り扱いが困難になる。
【００１２】
具体的には、ウェーハ用スペーサに１０μｍ以下の薄さが要求されるとき、薄いポリエーテルエーテルケトンフィルムで製造しようとすると、折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じる。また、ハンドリング時にも、折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じ、半導体ウェーハ１０の周縁部１４と吸着装置１の多孔質テーブル４表面との間に、ウェーハ用スペーサを平面リング形の形状を維持しながら適切にセットすることがきわめて困難となる。
【００１３】
本発明は上記に鑑みなされたもので、例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことのできるウェーハ用スペーサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明においては上記課題を解決するため、吸着装置に精密ウェーハが真空吸着される場合に、これら吸着装置と精密ウェーハとの間に介在されるものであって、
吸着装置の多孔質テーブルを覆う厚さ３０μｍ以上の被覆ベース層と、この被覆ベース層と精密ウェーハの周縁部との間に介在される厚さ３０μｍ以下のエンドレス層とを含み、被覆ベース層に、吸着装置の多孔質テーブルに連通する吸着孔が設けられ、エンドレス層には、被覆ベース層に積層されるポリエーテルエーテルケトンフィルムが含まれることを特徴としている。
【００１５】
なお、被覆ベース層が少なくとも多孔質テーブルの全吸着面を覆う大きさの樹脂フィルムであり、この樹脂フィルムに、エンドレス層のポリエーテルエーテルケトンフィルムが熱プレスして積層されると良い。
また、被覆ベース層は、剛性を有する樹脂シートあるいは樹脂フィルムとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては上記課題を解決するため、吸着装置に精密ウェーハが真空吸着される場合に、これら吸着装置と精密ウェーハとの間に介在されるものであって、
吸着装置の多孔質テーブルと精密ウェーハとの間に介在される厚さ５０μｍ以上のポリエーテルエーテルケトンフィルムを含み、このポリエーテルエーテルケトンフィルムの部分的な加工により、吸着装置の多孔質テーブルと精密ウェーハの周縁部との間に介在される厚さ３０μｍ以下のスペーサ部がエンドレスに形成されることを特徴としている。
【００１７】
なお、吸着装置の多孔質テーブルの吸着面よりもポリエーテルエーテルケトンフィルムを大きくし、このポリエーテルエーテルケトンフィルムの片面の周縁部を除く部分に、精密ウェーハに対向する対向穴を加工するとともに、この対向穴に、吸着装置の多孔質テーブルに連通する吸着孔を設け、ポリエーテルエーテルケトンフィルムの片面の周縁部をスペーサ部とすることができる。
【００１８】
また、吸着装置の多孔質テーブルの吸着面よりもポリエーテルエーテルケトンフィルムを大きくし、このポリエーテルエーテルケトンフィルムを精密ウェーハを包囲可能なエンドレスに形成し、このポリエーテルエーテルケトンフィルムの内周面から厚さ３０μｍ以下のスペーサ部を幅方向内側にエンドレスに突出させることができる。
【００１９】
ここで、特許請求の範囲における精密ウェーハには、少なくとも各種の半導体ウェーハ（例えば、φ２００、３００、４５０ｍｍのシリコンウェーハ等）、液晶基板、ガラス板等が含まれる。また、被覆ベース層とエンドレス層は、透明、不透明、半透明を特に問うものではない。被覆ベース層は、単層構造の他、複層構造や多層構造に形成することができる。エンドレス層は、精密ウェーハの形状に応じ、リング形や枠形等に形成することができる。
【００２０】
本発明によれば、例えエンドレス層のポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の厚さでも、機械的強度や剛性に優れる被覆ベース層にエンドレス層が積層されるので、ウェーハ用スペーサの製造時やハンドリング時に薄いエンドレス層の剛性を確保し、形態を維持することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが３０μｍ以下の薄さでも、ウェーハ用スペーサの形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことができるという効果がある。
【００２２】
請求項２記載の発明によれば、被覆ベース層の樹脂フィルムが少なくとも多孔質テーブルの全吸着面を覆うので、多孔質テーブルの吸着面に被覆ベース層を適正に位置決め配置して吸着することができ、被覆ベース層の位置ずれを防止することができる。また、樹脂フィルムにエンドレス層のポリエーテルエーテルケトンフィルムを熱プレスして一体化するので、これらを粘着する粘着材を省略することができる。また、粘着材の粘着成分により、精密ウェーハの汚染を招くことも少ない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態における使用状態を模式的に示す断面説明図である。
【図２】本発明の第１の発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態における使用状態を模式的に示す要部断面説明図である。
【図３】本発明の第１の発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図４】本発明の第１の発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図５】本発明の第２の発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態における加工前のポリエーテルエーテルケトンフィルムを模式的に示す斜視説明図である。
【図６】本発明の第２の発明に係るウェーハ用スペーサの実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図７】本発明の第２の発明に係るウェーハ用スペーサの第２の実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図８】吸着装置に半導体ウェーハを搭載してその保護テープ側を下向きとした状態を示す断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の第１の発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態におけるウェーハ用スペーサ２０は、図１ないし図４に示すように、バックグラインド装置の吸着装置１に半導体ウェーハ１０が真空吸着されてバックグラインドされる場合に、これら吸着装置１と半導体ウェーハ１０との間に介在されるスペーサであり、吸着装置１の多孔質テーブル４を覆う厚さ３０μｍ以上の被覆ベース層２１と、この被覆ベース層２１と半導体ウェーハ１０の周縁部１４との間に介在される厚さ３０μｍ以下のエンドレス層２４とを備える。
【００２５】
吸着装置１は、図１や図２に示すように、例えば背の低いケース２と、このケース２表面の取付穴３に嵌着されるセラミック製の多孔質テーブル４と、この多孔質テーブル４に排気管６を介して連通される真空発生装置５とを備え、多孔質テーブル４上にウェーハ用スペーサ２０の被覆ベース層２１が着脱自在に真空吸着される。ケース２は、例えば所定の金属材料（例えば、ステンレスやアルミ等）を用いて平面円形の箱構造に形成され、表面の中央部に平面円形の取付穴３が設けられており、この取付穴３内に多孔質テーブル４が接着剤を用いて嵌着される。
【００２６】
多孔質テーブル４は、多数の気孔径を揃えることのできるアルミナセラミック等により半導体ウェーハ１０に対応する円板に形成され、ケース２の平坦な表面に平坦な吸着面である表面が揃えられて露出しており、この表面の平面度が５μｍ以下の高精度に設定される。また、真空発生装置５は、例えば真空ポンプやコンプレッサ等からなり、排気管６がケース２の取付穴３中央部に下方から接続されており、多孔質テーブル４に負圧を発生させるよう機能する。
【００２７】
半導体ウェーハ１０は、図１や図２に示すように、例えばφ３００ｍｍのシリコンウェーハ等からなり、表面の表面周縁部１１を除く大部分の円形領域に、回路パターン１２として集積回路がパターニングされるとともに、この集積回路に接続される多数のバンプ１３が突出形成され、この突起である多数のバンプ１３が外部の回路基板用の接続端子として機能する。このような半導体ウェーハ１０は、裏面がバックグラインドされる場合に、表面に保護テープ１５が着脱自在に粘着されてその周縁部付近が表面周縁部１１付近に揃えられ、この保護テープ１５がウェーハ用スペーサ２０の被覆ベース層２１表面に面接触する。
【００２８】
保護テープ１５としては、特に限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルムにアクリル系の粘着剤が塗布されたタイプ、紫外線の照射で粘着力が大幅に低下するタイプ等が使用される。
【００２９】
ウェーハ用スペーサ２０の被覆ベース層２１は、図２ないし図４に示すように、吸着装置１の少なくとも多孔質テーブル４の全表面（全吸着面）を被覆する大きさの樹脂フィルム２２からなり、この樹脂フィルム２２が多孔質テーブル４の表面よりもやや大きい平面円形に形成され、この樹脂フィルム２２のＸＹ方向には、吸着装置１の多孔質テーブル４に連通する多数の吸着孔２３が穿孔される。
【００３０】
吸着孔２３の形成方法としては、金型による打ち抜き加工、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ、ＵＶレーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工等があげられる。これらの中では、土台フィルムの平滑性を低下させるバリ、カス、焼け等を極力防止するため、ＵＶレーザ、エキシマレーザが好ましい。
【００３１】
樹脂フィルム２２としては、例えば機械的強度等に優れるポリエーテルエーテルケトンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルム等があげられるが、優れた耐溶剤性、耐薬品性、寸法安定性、機械的強度等を得たい場合には、ポリエーテルエーテルケトンフィルムが使用される。この樹脂フィルム２２の厚さは、ウェーハ用スペーサ２０の機械的強度やハンドリング性を向上させる観点から、３０μｍ以上、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上とされる。また、多数の吸着孔２３は、吸着装置１の動作に伴い、半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着するよう機能し、各吸着孔２３が平面円形の小径に穿孔される。
【００３２】
樹脂フィルム２２がポリエチレンテレフタレートフィルムの場合、ポリエーテルエーテルケトンフィルムは、熱可塑性樹脂であるポリエーテルエーテルケトン樹脂が無延伸で製膜されることにより、厚さ３０μｍ以上のフィルムに成形され、多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の保護テープ１５との間に介在される。
【００３３】
結晶性樹脂であるポリエーテルエーテルケトンの物性としては、例えば比重１．３１、ガラス転移点／融点が１４６／３３９℃、弾性率（ＭＤ）が３７２０Ｎ／ｍｍ２、弾性率（ＴＤ）が２９４０Ｎ／ｍｍ２、降伏強度（ＭＤ）が８０Ｎ／ｍｍ２、降伏強度（ＴＤ）が７５Ｎ／ｍｍ２、最大強度（ＭＤ）が１３５Ｎ／ｍｍ２、最大強度（ＴＤ）が８３Ｎ／ｍｍ２、破断伸び（ＭＤ）が７２％、破断伸び（ＴＤ）が２３９％、絶縁耐力１６ｋＶ／ｍｍ、誘電率３．３０、誘電正接０．００３、吸水率（２３℃、２４時間）０．１等とされる。
【００３４】
ポリエーテルエーテルケトンフィルムは、融点３４３℃、ガラス転移点が１４３℃であり、５００℃まで安定して耐熱性に優れる。また、濃硫酸には酸化するものの、溶かせる溶剤が無いので耐溶剤性に優れ、超音波シールが容易であり、レーザにより溶着や印字が可能である。ポリエーテルエーテルケトンフィルムは、難燃性に優れ、吸水率が低く（０．０５％）、純度が高いので、例え燃焼しても毒性ガスの発生することがないという特徴を有する。
【００３５】
エンドレス層２４は、図２ないし図４に示すように、被覆ベース層２１の表面周縁部に熱プレスして積層されるポリエーテルエーテルケトンフィルム２５からなり、半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１や周縁部１４に沿う平面リング形に形成され、所定の幅、具体的には、ケース２の取付穴３周縁部から多孔質テーブル４表面の周縁部に亘る幅に形成される。
【００３６】
エンドレス層２４のポリエーテルエーテルケトンフィルム２５は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂が無延伸で製膜されることにより、厚さ３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、さらに好ましくは６μｍ以下の透明の薄膜に製膜され、被覆ベース層２１表面の周縁部付近と半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１との間に介在される。
【００３７】
このようなウェーハ用スペーサ２０は、例えば被覆ベース層２１の樹脂フィルム２２を成形し、この樹脂フィルム２２にエンドレス層２４を熱プレスして積層した後、樹脂フィルム２２を打ち抜くことにより製造される。具体的には、先ず、ポリエーテルエーテルケトン樹脂等の樹脂含有の溶融した成形材料により帯形の樹脂フィルム２２を連続して押出成形するとともに、この長尺の樹脂フィルム２２を巻取機に巻き取り、この巻取機から別の巻取機に長尺の樹脂フィルム２２を繰り出しながらその片面にエンドレス層２４のポリエーテルエーテルケトンフィルム２５を直接熱プレスし、その後、樹脂フィルム２２を連続的に打ち抜くことで大量、かつ迅速に製造される。
【００３８】
この際、樹脂フィルム２２を所定の長さ分繰り出し、この樹脂フィルム２２を一定の大きさ（例えば、Ａ０，Ａ１，Ａ２，Ａ４のサイズ、Ｂ０，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ４のサイズ等）の枚葉に裁断してその片面にエンドレス層２４のポリエーテルエーテルケトンフィルムを熱プレスし、その後、ポリエーテルエーテルケトン樹脂のブロック体から枚葉の樹脂フィルム２２を打ち抜くことで製造することも可能である。また、別の形成方法として、所定の均一な厚みを有する円盤体を切削し、この円盤体の表層を外周部を残してレーザ加工又は切削加工し、さらに、レーザ又は打ち抜き加工で被覆ベース部に吸着孔２３を形成しても良い。
【００３９】
ウェーハ用スペーサ２０を製造する場合、例えエンドレス層２４が３０μｍ以下の薄さでも、機械的強度に優れる被覆ベース層２１とエンドレス層２４とが積層されて一体なので、薄いエンドレス層２４の剛性を確保し、形態を容易に維持することができる。したがって、ウェーハ用スペーサ２０の製造時に折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じるのを防止することができる。また、樹脂フィルム２２にエンドレス層２４のポリエーテルエーテルケトンフィルム２５を熱プレスして一体化するので、これらを粘着する粘着シートを省略することができ、粘着シートの粘着剤により、半導体ウェーハ１０の汚染を招くことがない。
【００４０】
上記構成において、半導体ウェーハ１０をバックグラインドする場合、先ず、半導体ウェーハ１０の回路パターン１２が形成された表面に保護テープ１５を着脱自在に粘着し、この保護テープ１５の周縁部付近を半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１付近に揃える。また、吸着装置１の多孔質テーブル４表面にウェーハ用スペーサ２０を位置決め配置し、このウェーハ用スペーサ２０の被覆ベース層２１表面に半導体ウェーハ１０を搭載してその保護テープ１５側を下向きとし、多孔質テーブル４表面の周縁部付近と半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１との間に、ウェーハ用スペーサ２０のエンドレス層２４を位置決めして介在させる。
【００４１】
吸着装置１の多孔質テーブル４表面にウェーハ用スペーサ２０と半導体ウェーハ１０とを順次搭載したら、吸着装置１の真空発生装置５を動作させて多孔質テーブル４表面にウェーハ用スペーサ２０の被覆ベース層２１を真空吸着するとともに、この被覆ベース層２１に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着し、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削し、エッチングあるいはポリッシングして半導体ウェーハ１０の裏面のダメージ層を除去した後、半導体ウェーハ１０をウェーハ用スペーサ２０から取り外して表面の保護テープ１５を剥離すれば、半導体ウェーハ１０をバックグラインドして薄化することができる。
【００４２】
この際、多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の周縁部１４との間の隙間Ｇがウェーハ用スペーサ２０により埋められるので、半導体ウェーハ１０の周縁部１４の姿勢が安定化する。また、研削時の研磨塵等が多孔質テーブル４の孔に流入し、多孔質テーブル４に目詰まりが生じて吸着装置１の性能低下を招くおそれがない。
【００４３】
上記構成によれば、例えエンドレス層２４が３０μｍ以下の薄さでも、エンドレス層２４に補強機能を有する被覆ベース層２１が積層されて一体化しているので、ハンドリング時に薄いエンドレス層２４の剛性を確保し、形態を容易に維持することができる。したがって、ハンドリング時の折れ、シワ、弛み、捩れ等を防止することができ、エンドレス層２４の取り扱いが実に簡便となる。また、静電気の発生に伴うシワ、弛み、捩れ等の抑制が期待できる。
【００４４】
また、被覆ベース層２１とエンドレス層２４のうち、少なくともエンドレス層２４がポリエーテルエーテルケトンフィルム２５なので、優れた耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性、耐摩耗性、摺動性、寸法安定性、難燃性等を得ることが可能になる。また、ピンホール欠陥がなく、電気抵抗値を導電〜半導電の範囲で制御することが可能になる。
【００４５】
次に、図５と図６は本発明の第２の発明の実施の形態を示すもので、この場合のウェーハ用スペーサ２０は、吸着装置１の多孔質テーブル４と半導体ウェーハ１０との間に介在されるポリエーテルエーテルケトンフィルム３０を備え、このポリエーテルエーテルケトンフィルム３０が部分的に加工されることにより、多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の周縁部１４との間に介在される厚さ３０μｍ以下のスペーサ部３３が平面リング形に形成される。
【００４６】
ポリエーテルエーテルケトンフィルム３０は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂が無延伸で製膜されることにより、厚さ５０μｍ以上の平面矩形に成形される。このポリエーテルエーテルケトンフィルム３０の厚さは、ウェーハ用スペーサ２０の機械的強度やハンドリング性を向上させる観点から、５０μｍ以上、好ましくは７５μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上とされる。
【００４７】
ポリエーテルエーテルケトンフィルム３０は、スペーサ部３３が形成される場合、多孔質テーブル４の表面よりもやや大きい平面円形にカットされ、表面の周縁部を除く円形の大部分に、半導体ウェーハ１０表面の表面周縁部１１を除く大部分の円形領域に対向する対向穴３１が切削加工されるとともに、この対向穴３１の底部ＸＹ方向に、吸着装置１の多孔質テーブル４に連通する多数の吸着孔３２が穿孔される。
【００４８】
対向穴３１は、深さ３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、さらに好ましくは６μｍ以下に切削加工される。この浅い切削加工により、ポリエーテルエーテルケトンフィルム３０の表面の周縁部が厚さ（高さ）３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、さらに好ましくは６μｍ以下のスペーサ部３３に区画形成される。また、多数の吸着孔３２は、吸着装置１の動作に伴い、半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着するよう機能し、各吸着孔３２が平面円形の小径に穿孔される。
【００４９】
このようなウェーハ用スペーサ２０は、例えばポリエーテルエーテルケトン樹脂によりポリエーテルエーテルケトンフィルム３０を押出成形し、このポリエーテルエーテルケトンフィルム３０を一定の大きさ（例えば、Ａ０，Ａ１，Ａ２，Ａ４のサイズ、Ｂ０，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ４のサイズ等）の枚葉に裁断した後、この枚葉のポリエーテルエーテルケトンフィルム３０を加工することで製造される。
【００５０】
ウェーハ用スペーサ２０を製造する場合、例えスペーサ部３３が３０μｍ以下の薄さでも、機械的強度に優れるポリエーテルエーテルケトンフィルム３０が５０μｍ以上の厚さを有するので、薄いスペーサ部３３の剛性を確保し、形態を容易に維持することができる。したがって、ウェーハ用スペーサ２０の製造時に折れ、シワ、弛み、捩れ等が生じるのを防止することができる。
【００５１】
上記構成において、半導体ウェーハ１０をバックグラインドする場合、先ず、半導体ウェーハ１０の回路パターン１２が形成された表面に保護テープ１５を着脱自在に粘着し、この保護テープ１５の周縁部付近を半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１付近に揃える。また、吸着装置１の多孔質テーブル４表面にウェーハ用スペーサ２０を位置決め配置し、このウェーハ用スペーサ２０の対向穴３１に半導体ウェーハ１０を搭載してその保護テープ１５側を下向きとし、多孔質テーブル４表面の周縁部付近と半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１との間に、ウェーハ用スペーサ２０のスペーサ部３３を位置決めして介在させる。
【００５２】
吸着装置１の多孔質テーブル４表面にウェーハ用スペーサ２０と半導体ウェーハ１０とを順次搭載したら、吸着装置１の真空発生装置５を動作させて多孔質テーブル４表面にウェーハ用スペーサ２０を真空吸着するとともに、このウェーハ用スペーサ２０の対向穴３１に半導体ウェーハ１０の保護テープ１５を真空吸着し、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削し、エッチングあるいはポリッシングして半導体ウェーハ１０の裏面のダメージ層を除去した後、半導体ウェーハ１０をウェーハ用スペーサ２０から取り外して表面の保護テープ１５を剥離すれば、半導体ウェーハ１０をバックグラインドして薄化することができる。
【００５３】
この際、多孔質テーブル４表面と半導体ウェーハ１０の周縁部１４との間の隙間Ｇがウェーハ用スペーサ２０により埋められるので、半導体ウェーハ１０の周縁部１４の姿勢が安定化する。また、研削時の研磨塵等が多孔質テーブル４の孔に流入し、多孔質テーブル４に目詰まりが生じて吸着装置１の性能低下を招くおそれがない。
【００５４】
上記構成によれば、例えスペーサ部３３が３０μｍ以下の薄さでも、ポリエーテルエーテルケトンフィルム３０が５０μｍ以上の厚さを有するので、ハンドリング時に薄いスペーサ部３３の剛性を確保し、形態を容易に維持することができる。したがって、ハンドリング時の折れ、シワ、弛み、捩れ等を防止することができ、エンドレス層２４の取り扱いが実に簡便となる。また、静電気の発生に伴うシワ、弛み、捩れ等の抑制が期待できる。
【００５５】
また、ウェーハ用スペーサ２０の全てがポリエーテルエーテルケトンフィルム３０製なので、優れた耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性、耐摩耗性、摺動性、寸法安定性、難燃性等を得ることが可能になる。また、ピンホール欠陥がなく、電気抵抗値を導電〜半導電の範囲で制御することが可能になる。
【００５６】
次に、図７は本発明の第２の発明の第２の実施の形態を示すもので、この場合には、ウェーハ用スペーサ２０を、ポリエーテルエーテルケトンフィルム３０をエンドレスに加工するとともに、このポリエーテルエーテルケトンフィルム３０の内周面から厚さ３０μｍ以下のスペーサ部３３を幅方向内側にエンドレスに突出させることで製造するようにしている。
【００５７】
ポリエーテルエーテルケトンフィルム３０は、厚さが５０μｍ以上、好ましくは７５μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上とされ、半導体ウェーハ１０を包囲するリング形や枠形に加工される。また、スペーサ部３３は、リング形や枠形に加工されて裏面がポリエーテルエーテルケトンフィルム３０の裏面に略面一に揃えられ、表面が半導体ウェーハ１０の表面周縁部１１に対向する。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても、上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、ウェーハ用スペーサ２０の形状の多様化を図ることができるのは明らかである。
【００５８】
なお、上記実施形態では半導体ウェーハ１０の裏面をバックグラインドするバックグラインド装置を示したが、運搬可能な各種のグラインド装置でも良い。また、吸着装置１を回転させ、薬液を供給しながら半導体ウェーハ１０の裏面を回転砥石で研削しても良い。また、上記実施形態ではバックグラインド装置の吸着装置１を示したが、バックグラインド装置から独立した別の吸着装置１でも良い。また、吸着装置１の多孔質テーブル４表面を複数の吸着領域に区画し、この複数の吸着領域に半導体ウェーハ１０をウェーハ用スペーサ２０を介しそれぞれ搭載してその保護テープ１５側を下向きとすることができる。
【００５９】
また、精密ウェーハが半導体ウェーハ１０ではない場合、精密ウェーハの形状に応じ、ウェーハ用スペーサ２０を平面枠形等とすることができる。また、ウェーハ用スペーサ２０は、半導体ウェーハ１０の僅かな寸法公差に基づき、僅かに径が異なるタイプを複数種用意することができる。また、ウェーハ用スペーサ２０の樹脂フィルム２２の片面にエンドレス層２４を熱プレスしても良いが、プラズマ処理した後、低温で熱プレスしても良い。また、被覆ベース層２１の樹脂フィルム２２として、ポリエーテルエーテルケトンフィルム２５とポリエチレンテレフタレートフィルムとが積層した積層フィルムとすることができる。
【００６０】
さらに、エンドレス層２４をポリエーテルエーテルケトンフィルム２５のみとしたが、何らこれに限定されるものではない。例えば、エンドレス層２４を、被覆ベース層２１の表面周縁部に粘着されるエンドレスの粘着層と、この粘着層上に積層して粘着されるエンドレスのポリエーテルエーテルケトンフィルム２５とから厚さ３０μｍ以下の二層構造に形成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明に係るウェーハ用スペーサは、半導体の製造分野等で使用される。
【符号の説明】
【００６２】
１        吸着装置
４        多孔質テーブル
５        真空発生装置
１０      半導体ウェーハ（精密ウェーハ）
１１      表面周縁部（周縁部）
１２      回路パターン
１３      バンプ
１４      周縁部
１５      保護テープ
２０      ウェーハ用スペーサ
２１      被覆ベース層
２２      樹脂フィルム
２３      吸着孔
２４      エンドレス層
２５      ポリエーテルエーテルケトンフィルム
３０      ポリエーテルエーテルケトンフィルム
３２      吸着孔
３３      スペーサ部
Ｇ        隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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