(57)【要約】【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割する。ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面に粘着テープを配設する保護部材配設ステップＳＴ１と、ウェーハの裏面に機能層に至らない深さの切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップＳＴ２と、ウェーハの切削溝の底に残存する基板をエッチングし、分割溝で分割するプラズマエッチングステップＳＴ３と、酸素から生成された活性酸素をウェーハの裏面側から供給し、裏面及び分割溝の内面に親水性を付与する親水性付与ステップＳＴ４と、ウェーハの裏面側からレーザー光線を照射し機能層を切断する機能層切断ステップＳＴ５と、ウェーハを洗浄し、デブリを除去する洗浄ステップＳＴ６と、を備える。【選択図】図２
2019212768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、
真空チャンバーのチャックテーブルで該ウェーハの該保護部材側を保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給して該切削溝の底に残存する該基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、
該プラズマエッチングステップを実施した後に、酸素から生成された活性酸素をウェーハの裏面側から供給し、該基板の裏面及び該分割溝の側壁に親水性を付与する親水性付与ステップと、
該親水性付与ステップを実施した後、該ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点を該分割溝の底に位置づけて照射し、該機能層を切断する機能層切断ステップと、
該機能層切断ステップの後に該ウェーハに水を供給して洗浄し、該レーザー光線の照射で発生し該分割溝の側壁に付着したデブリを除去する洗浄ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
【請求項２】
該親水性付与ステップは、該真空チャンバーに該ウェーハを収容したままで、酸素を真空チャンバー内または真空チャンバーでプラズマ化して該ウェーハの裏面側に供給する請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該親水性付与ステップは、該ウェーハに紫外線を照射して実施する請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備える請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。
【請求項５】
該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備える請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン（ストリート）を１本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように１０ｍｍを超えるようなデバイスチップから２ｍｍ以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、１枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、１ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。
【０００３】
そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１１４８２５号公報
【特許文献２】特開２０１３−０５５１２０号公報
【特許文献３】特開２０１４−１９９８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特に、特許文献２及び特許文献３に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、真空チャンバーのチャックテーブルで該ウェーハの該保護部材側を保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給して該切削溝の底に残存する該基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップを実施した後に、酸素から生成された活性酸素をウェーハの裏面側から供給し、該基板の裏面及び該分割溝の側壁に親水性を付与する親水性付与ステップと、該親水性付与ステップを実施した後、該ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点を該分割溝の底に位置づけて照射し、該機能層を切断する機能層切断ステップと、該機能層切断ステップの後に該ウェーハに水を供給して洗浄し、該レーザー光線の照射で発生し該分割溝の側壁に付着したデブリを除去する洗浄ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
前記ウェーハの加工方法おいて、該親水性付与ステップは、該真空チャンバーに該ウェーハを収容したままで、酸素を真空チャンバー内または真空チャンバーでプラズマ化して該ウェーハの裏面側に供給しても良い。
【００１０】
前記ウェーハの加工方法において、該親水性付与ステップは、該ウェーハに紫外線を照射して実施しても良い。
【００１１】
前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備えても良い。
【００１２】
前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。
【図４】図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図５】図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ及び親水性付与ステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図６】図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図７】図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の親水性付与ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図８】図８は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。
【図９】図９は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１０】図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップを示す側断面図である。
【図１１】図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。
【図１２】図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。
【図１３】図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。
【図１４】図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１５】図１５は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の親水性付与ステップの一部を示す側断面図である。
【図１６】図１６は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の親水性付与ステップの他の一部を示す側断面図である。
【図１７】図１７は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。
【図１９】図１９は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図２０】図２０は、実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図２１】図２１は、実施形態５に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ及び親水性付与ステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１６】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１７】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に機能層４が積層されて複数のデバイス５が形成されている。機能層４は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）により構成されている。機能層４は、基板２の表面３に積層されている。
【００１８】
デバイス５は、表面３の交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン６は、複数のデバイス５を区画するものである。デバイス５を構成する回路は、機能層４により支持されている。なお、実施形態１において、デバイス５は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさである。また、ウェーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、基板２の表面３側に図示しない金属膜とＴＥＧ（Test  Element  Group）とのうち少なくとも一方が形成されている。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。
【００１９】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス５に分割するとともに、デバイス５を仕上がり厚さ１００まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護部材配設ステップＳＴ１と、切削ステップＳＴ２と、プラズマエッチングステップＳＴ３と、親水性付与ステップＳＴ４と、機能層切断ステップＳＴ５と、洗浄ステップＳＴ６と、仕上げ研削ステップＳＴ７と、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９とを備える。
【００２０】
（保護部材配設ステップ）
保護部材配設ステップＳＴ１は、ウェーハ１の基板２の表面３の機能層４側に保護部材である粘着テープ２００を配設するステップである。実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１は、図１に示すように、ウェーハ１よりも大径な粘着テープ２００を機能層４側に貼着し、粘着テープ２００の外周縁に環状フレーム２０１を貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の機能層４側に粘着テープ２００を貼着すると、切削ステップＳＴ２に進む。
【００２１】
（切削ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。示す斜視図である。図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００２２】
切削ステップＳＴ２は、ウェーハ１の基板２の裏面７に図３に示す切削装置１０の切削ブレード１２を切り込ませ、機能層４に至らない深さの切削溝３００を分割予定ライン６に沿って基板２に形成するステップである。実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、図３に示すように、切削ユニット１１を２つ備えた、即ち、２スピンドルのダイサ、いわゆるフェイシングデュアルタイプの切削装置１０のチャックテーブル１３の保持面１４に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。切削ステップＳＴ２では、切削装置１０の図示しない赤外線カメラがウェーハ１の裏面７を撮像して、ウェーハ１と各切削ユニット１１の切削ブレード１２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００２３】
切削ステップＳＴ２では、ウェーハ１と各切削ユニット１１の切削ブレード１２とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら切削ブレード１２を裏面７に切り込ませて、ウェーハ１の裏面７側に切削溝３００を形成する。実施形態１で用いる切削装置１０の一対の切削ユニット１１のうちの一方の切削ユニット１１（以下、符号１１−１で記す）の切削ブレード１２（以下、符号１２−１で記す）の厚さは、他方の切削ユニット１１（以下、符号１１−２で記す）の切削ブレード１２（以下、符号１２−２で記す）の厚さよりも厚い。実施形態１の切削ステップＳＴ２では、一方の切削ユニット１１の切削ブレード１２を裏面７に仕上げ厚さ１００分切り込ませて、第１切削溝３０１をウェーハ１の裏面７に形成する。なお、実施形態１では、切削ステップＳＴ２において、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面７に仕上げ厚さ１００分切り込ませるが、本発明は、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面７に仕上がり厚さ１００よりも浅い深さ切り込ませても良く、要するに、一方の切削ユニット１１−１の切削ブレード１２−１を裏面７に仕上がり厚さ１００以下の深さ切り込ますのが望ましい。
【００２４】
切削ステップＳＴ２では、第１切削溝３０１を形成した後、他方の切削ユニット１１−２の切削ブレード１２−２を第１切削溝３０１の溝底３０３に切り込ませて、第１切削溝３０１より細い第２切削溝３０２を第１切削溝３０１の溝底３０３に形成する。切削ステップＳＴ２では、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２とを形成して、ウェーハ１の裏面７にウェーハ１の仕上がり厚さ１００を超えるとともに機能層４に至らない深さの切削溝３００を形成して、プラズマエッチングステップＳＴ３でのプラズマ化したエッチングガスの切削溝３００への侵入を促進させる。なお、実施形態１において、切削溝３００は、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２とで構成される。ウェーハの加工方法は、図４に示すように、ウェーハ１の全ての分割予定ライン６の裏面７側に第１切削溝３０１及び第２切削溝３０２を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、ウェーハ１を太い切削ブレード１２−１で切削した後に、細い切削ブレード１２−２で切削する所謂ステップカットを実施したが、本発明は、ウェーハ１を１枚の切削ブレードで切削する所謂シングルカットを実施しても良い。
【００２５】
（プラズマエッチングステップ）
図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ及び親水性付与ステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００２６】
プラズマエッチングステップＳＴ３は、図５に示すエッチング装置２０の真空チャンバー２５内のチャックテーブル２１でウェーハ１の粘着テープ２００側を保持し、ウェーハ１の裏面７側にプラズマ化したエッチングガスを供給して、切削溝３００の底３０４（図４に示す）に残存する基板２をエッチングして除去し、分割予定ライン６に沿った分割溝３１０で基板２を分割するステップである。
【００２７】
プラズマエッチングステップＳＴ３では、エッチング装置２０の制御ユニット２２が、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を図５中の下方に移動させ、真空チャンバー２５の開口２６を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって切削ステップＳＴ２が実施されたウェーハ１を開口２６を通して真空チャンバー２５内の密閉空間２７に搬送し、下部電極２８を構成する被加工物保持部２９のチャックテーブル２１（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic  chuck）上に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を載置する。このとき、制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を上昇させておく。制御ユニット２２は、被加工物保持部２９内に設けられた電極３２，３３に電力を印加してチャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持する。
【００２８】
制御ユニット２２は、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を上方に移動させ、真空チャンバー２５の開口２６を閉じる。制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を下降させ、上部電極３１を構成するガス噴出部３４の下面と下部電極２８を構成するチャックテーブル２１に保持されたウェーハ１との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。
【００２９】
制御ユニット２２は、ガス排出ユニット３５を作動して真空チャンバー２５内の密閉空間２７を真空排気して、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させて下部電極２８内に設けられた冷媒導入通路３７、冷却通路３８及び冷媒排出通路３９に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。
【００３０】
次に、制御ユニット２２は、ウェーハ１に対してプラズマ化したＳＦ６ガスを供給してウェーハ１の裏面７全体をエッチングするとともに切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでプラズマ化したＣ４Ｆ８ガスをウェーハ１に供給してウェーハ１の裏面７、切削溝３０１，３０２の内面３１１及び切削溝３００の底３０４に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す。なお、被膜堆積ステップ後のエッチングステップは、切削溝３００の底３０４の被膜を除去して切削溝３００の底３０４をエッチングする。このように、プラズマエッチングステップＳＴ３は、所謂ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。
【００３１】
なお、エッチングステップでは、制御ユニット２２は、ＳＦ６ガス供給ユニット４０を作動しエッチングガスであるＳＦ６ガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、プラズマ発生用のＳＦ６ガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にＳＦ６ガスからなる等方性を有するプラズマ化したエッチングガスが発生し、このプラズマ化したエッチングガスがウェーハ１に引き込まれて、ウェーハ１の裏面７、切削溝３０１，３０２の内面３１１及び切削溝３００の底３０４をエッチングして、切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させる。
【００３２】
また、被膜堆積ステップでは、制御ユニット２２は、Ｃ４Ｆ８ガス供給ユニット４３を作動しエッチングガスであるＣ４Ｆ８ガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、プラズマ発生用のＣ４Ｆ８ガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にＣ４Ｆ８ガスからなるプラズマ化したエッチングガスが発生し、このプラズマ化したエッチングガスがウェーハ１に引き込まれて、ウェーハ１に被膜を堆積させる。
【００３３】
プラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２は、切削溝３００の深さ即ちウェーハ１の厚さに応じて、エッチングステップと被膜堆積ステップとを繰り返す回数が予め設定されている。プラズマエッチングステップＳＴ３において、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返されたウェーハ１は、図６に示すように、始めのエッチンングステップによって裏面７全体がエッチングされて、厚さ１０１分薄化されている。また、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返されたウェーハ１は、図６に示すように、エッチングステップにおいて切削溝３００の底３０４に残存する基板２がエッチングされ除去され、切削溝３００が機能層４に到達して、切削溝３００が基板２を分割する分割溝３１０となる。ウェーハ１は、基板２が分割溝３１０により分割され、分割溝３１０内に機能層４が露出して、切削溝３００の底に機能層４が残っている。ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３を終了すると、親水性付与ステップＳＴ４に進む。
【００３４】
（親水性付与ステップ）
図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の親水性付与ステップ後のウェーハの要部の断面図である。親水性付与ステップＳＴ４は、プラズマエッチングステップＳＴ３を実施した後に、酸素から生成された活性酸素をウェーハ１の裏面７側から供給し、基板２の裏面７及び分割溝３１０の側壁である内面３１１に親水性を付与するステップである。
【００３５】
親水性付与ステップＳＴ４では、エッチング装置２０の制御ユニット２２が、チャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持し、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、下部電極２８の異常昇温を抑制した状態で、酸素ガス供給ユニット４４を作動し酸素ガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、酸素ガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。
【００３６】
これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間の酸素ガスは、プラズマされてオゾンに生成されるとともに、生成されたオゾンが活性酸素に生成される。親水性付与ステップＳＴ４では、生成された活性酸素は、図７に示すように、基板２の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１に結びついて、裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上を親水性の官能基３１２に改質する。こうして、親水性付与ステップＳＴ４では、真空チャンバー２５にウェーハ１を収容したままで、酸素ガス供給ユニット４４から酸素ガスを真空チャンバー２５内または真空チャンバー２５でプラズマしてウェーハ１の裏面７側に供給する。
【００３７】
親水性付与ステップＳＴ４では、制御ユニット２２は、所定時間、酸素ガスの供給等を行うと、高周波電源４２からの電極２８，３１への高周波電力の印加、及び酸素ガス供給ユニット４４の動作を停止させる。親水性付与ステップＳＴ４において、所定時間、酸素ガスが供給されたウェーハ１は、図７に示すように、基板２の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上が親水性の官能基３１２に改質されて、親水性が付与されている。ウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４を終了すると、機能層切断ステップＳＴ５に進む。
【００３８】
（機能層切断ステップ）
図８は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。図９は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００３９】
機能層切断ステップＳＴ５は、親水性付与ステップＳＴ４を実施した後、ウェーハ１の裏面７側から図８に示すレーザー加工装置５０が機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線５１の集光点５１−１を分割溝３１０の底の機能層４に位置づけて照射し、機能層４を分割溝３１０に沿って切断するステップである。
【００４０】
機能層切断ステップＳＴ５では、レーザー加工装置５０が、チャックテーブルに粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を保持し、図８に示すように、レーザー光線照射ユニット５２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット５２から機能層４に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線５１の集光点５１−１を分割溝３１０の底に露出した機能層４に設定して、レーザー光線５１を機能層４に照射する。機能層切断ステップＳＴ５では、各分割予定ライン６において、分割溝３１０の底で露出した機能層４にアブレーション加工を施して、分割溝３１０の底で露出した機能層４を切断して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。なお、機能層切断ステップＳＴ５では、図示しない分割予定ライン６に形成された金属膜やＴＥＧも分割する。なお、実施形態１において、機能層４が切断されたウェーハ１は、図９に示すように、分割溝３１０の内面３１１にアブレーション加工により生じたデブリ３１３が付着している。ウェーハの加工方法は、図９に示すように、全ての分割予定ライン６において分割溝３１０の底で露出した機能層４を分割すると、洗浄ステップＳＴ６に進む。
【００４１】
（洗浄ステップ）
図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップを示す側断面図である。洗浄ステップＳＴ６は、機能層切断ステップＳＴ５の後にウェーハ１に水である洗浄水５７を供給し、レーザー光線５１の照射で発生し分割溝３１０の内面３１１に付着したデブリ３１３を除去するステップである。
【００４２】
洗浄ステップＳＴ６では、図１０に示すように、洗浄装置５３がスピンナーテーブル５４の保持面５５に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持し、スピンナーテーブル５４を軸心回りに回転させるとともに、洗浄水ノズル５６をウェーハ１上で径方向に移動させながら洗浄水ノズル５６から洗浄水５７をウェーハ１の裏面７に向けて噴射する。洗浄ステップＳＴ６では、親水性付与ステップＳＴ４においてウェーハ１の基板２の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上が親水性の官能基３１２に改質されて親水性が付与されているので、洗浄水５７は、ウェーハ１の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上をスムーズに流れて、これらに付着したデブリ３１３を洗い流すこととなる。洗浄ステップＳＴ６では、所定時間、洗浄装置５３がスピンナーテーブル５４を回転させながらウェーハ１の裏面７に洗浄水５７を供給すると、ウェーハ１の洗浄を終了し、ウェーハ１を乾燥させる。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の裏面７の乾燥を終了すると、仕上げ研削ステップＳＴ７に進む。
【００４３】
（仕上げ研削ステップ）
図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。仕上げ研削ステップＳＴ７は、プラズマエッチングステップＳＴ３、親水性付与ステップＳＴ４、機能層切断ステップＳＴ５及び洗浄ステップＳＴ６の後に、ウェーハ１の裏面７を研削してウェーハ１を仕上がり厚さ１００にするステップである。
【００４４】
仕上げ研削ステップＳＴ７では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。仕上げ研削ステップＳＴ７では、図１１に示すように、スピンドル６３により仕上げ研削用の研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、仕上げ研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１即ちデバイス５の裏面７を仕上げ研削する。仕上げ研削ステップＳＴ７では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス５を研削する。仕上げ研削ステップＳＴ７では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス５を研削すると、第１切削溝３０１が除去されて、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２との間の段差が除去される。ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００までウェーハ１即ちデバイス５を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８に進む。
【００４５】
（ダイアタッチフィルム貼着ステップ）
図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８は、プラズマエッチングステップＳＴ３、親水性付与ステップＳＴ４、機能層切断ステップＳＴ５、洗浄ステップＳＴ６及び仕上げ研削ステップＳＴ７の後に、ウェーハ１の裏面７にダイアタッチフィルム２０２を貼着するステップである。
【００４６】
ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８では、仕上げ研削ステップＳＴ７において仕上げ研削されたウェーハ１即ちデバイス５の裏面７にデバイス５を接着するためのダイアタッチフィルム２０２を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８では、図１２に示すように、外周縁に環状フレーム２０４が貼着されたダイシングテープ２０３に積層されたダイアタッチフィルム２０２をウェーハ１の裏面７に貼着するとともに、機能層４から粘着テープ２００を剥がす。ウェーハの加工方法は、粘着テープ２００を機能層４から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９に進む。
【００４７】
（ダイアタッチフィルム分割ステップ）
図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９は、分割溝３１０に沿ってダイアタッチフィルム２０２に図１３に示すレーザー加工装置７０がレーザー光線７１を照射してダイアタッチフィルム２０２を分割するステップである。
【００４８】
ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９では、レーザー加工装置７０が、チャックテーブルにダイシングテープ２０３を介してウェーハ１の裏面７側を保持し、図１３に示すように、レーザー光線照射ユニット７２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット７２からダイアタッチフィルム２０２に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線７１を分割溝３１０内で露出したダイアタッチフィルム２０２に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９では、各分割予定ライン６において、分割溝３１０内で露出したダイアタッチフィルム２０２にアブレーション加工を施して、分割溝３１０内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割する。ウェーハの加工方法は、図１４に示すように、全ての分割予定ライン６において分割溝３１０内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割すると、終了する。なお、その後、デバイス５は、ダイアタッチフィルム２０２毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ２０３からピックアップされる。
【００４９】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングすることで、切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させて、ウェーハ１を分割するため、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス５を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００５０】
また、ウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４において、酸素ガスからオゾン、活性酸素を生成して、ウェーハ１の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上を親水性の官能基３１２に改質して親水性を付与している。その結果、ウェーハの加工方法は、洗浄ステップＳＴ６において洗浄水５７が裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上を流れ安くなり、洗浄水５７が機能層切断ステップＳＴ５において付着したデブリ３１３を除去し易くなる。
【００５１】
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２及び仕上げ研削ステップＳＴ７前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着されている。このために、切削ステップＳＴ２及び仕上げ研削ステップＳＴ７時に生じるコンタミがデバイス５に付着することを抑制することができる。
【００５２】
また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ５において、分割溝３１０の底に残った機能層４にレーザー光線５１を照射して分割するので、Ｌｏｗ−ｋ膜等の機能層４が積層されたウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ５前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着され、機能層切断ステップＳＴ５において、裏面７側からレーザー光線５１を分割溝３１０の底の機能層４に照射するので、アブレーション加工時に生じるデブリ３１３がデバイス５に付着することを抑制することができる。
【００５３】
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、第１切削溝３０１を形成した後に第１切削溝３０１の溝底３０３に第１切削溝３０１よりも細い第２切削溝３０２を形成すると共に、プラズマエッチングステップＳＴ３においてボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。このために、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３のエッチングステップにおいて、ＳＦ６ガスからなるプラズマを切削溝３００の底３０４を通してウェーハ１に引き込むことができる。その結果、ウェーハの加工方法は、効率的にウェーハ１の基板２を分割することができる。
【００５４】
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、ウェーハ１の仕上がり厚さ１００より深い切削溝３００を形成することで、裏面７側に仕上がり厚さ１００以上の段差を設け、プラズマエッチングステップＳＴ３後に残されるウェーハ１の厚さが仕上がり厚さ１００になりつつ、所望の深さの切削溝３００を形成できる。
【００５５】
また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス５の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス５の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス５を製造できる、という効果も奏する。
【００５６】
また、ウェーハの加工方法は、仕上げ研削ステップＳＴ７において、ウェーハ１の裏面７を研削して、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２との間の段差を除去するので、所定寸法のデバイス５を得ることができる。
【００５７】
また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス５を得ることができる。
【００５８】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１５は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の親水性付与ステップの一部を示す側断面図である。図１６は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の親水性付与ステップの他の一部を示す側断面図である。なお、図１５及び図１６は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００５９】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４において、図１５及び図１６に示す紫外線照射装置９０を用いること以外、実施形態１と同じである。
【００６０】
紫外線照射装置９０は、図１５及び図１６に示すように、扁平でかつ下方に開口９５が設けられた装置本体９１と、装置本体９１内に収容された第１ＵＶランプ９２及び第２ＵＶランプ９３と、装置本体９１の開口９５に取り付けられたマスク９４とを備える。
【００６１】
ＵＶランプ９２，９３は、装置本体９１内に複数収容されて、実施形態２では、図１５及び図１６中の手前側から奥側に向かって直線状に延びた棒状に形成されている。ＵＶランプ９２，９３は、互いに平行に配置され、かつ、図１５及び図１６中の左右方向に等間隔に配置されている。また、ＵＶランプ９２，９３は、第１ＵＶランプ９２と第２ＵＶランプ９３とが隣り合うように、装置本体９１内に交互に配置されている。
【００６２】
第１ＵＶランプ９２は、最も光量の多いピーク波長が第１の波長である１８４．９ｎｍの紫外線９２−１を全長に亘って放射する。第２ＵＶランプ９３は、ピーク波長が第２の波長である２５３．７ｎｍの紫外線９３−１を全長に亘って放射する。ＵＶランプ９２，９３は、エキシマランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ及びメタルハライドランプのうちから適宜選択される。
【００６３】
マスク９４は、装置本体９１の開口９５を塞いだ状態で装置本体９１に取り付けられ、中央部に設けられ紫外線９２−１，９３−１を透過する透過部９６と、外縁部に設けられかつ紫外線９２−１，９３−１を遮る（透過することが規制された）マスク部９７とを備える。
【００６４】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４において、プラズマエッチングステップＳＴ３後のウェーハ１を紫外線照射装置９０のマスク９４の透過部９６と対向して配置する。実施形態２に係るウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４において、紫外線照射装置９０とウェーハ１との間に酸素ガスを供給し、図１５に示すように、第１ＵＶランプ９２から紫外線９２−１を放射する。第１ＵＶランプ９２から紫外線９２−１は、透過部９６を透過して、紫外線照射装置９０とウェーハ１との間の酸素ガスからオゾンを生成する。
【００６５】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４において、第１ＵＶランプ９２から所定時間紫外線９２−１を放射すると、図１６に示すように、第１ＵＶランプ９２を消灯し、第２ＵＶランプ９３から紫外線９３−１を放射する。第２ＵＶランプ９３から紫外線９３−１は、透過部９６を透過して、紫外線照射装置９０とウェーハ１との間のオゾンから活性酸素を生成し、生成された活性酸素は、基板２の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１に結びついて、裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上を親水性の官能基３１２に改質して、裏面７及び分割溝３１０の内面３１１に親水性を付与する。こうして、実施形態２に係るウェーハの加工方法において、親水性付与ステップＳＴ４は、ウェーハ１に紫外線９２−１，９３−１を照射して実施する。
【００６６】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００６７】
また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、紫外線照射装置９０を用いて、ウェーハ１の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上を親水性の官能基３１２に改質して、裏面７及び分割溝３１０の内面３１１に親水性を付与するので、洗浄ステップＳＴ６においてデブリを除去し易くなる。
【００６８】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１７は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１８は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図１９は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１７、図１８及び図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００６９】
実施形態３に係るウェーハの加工方法は、図１７に示すように、予備研削ステップＳＴ１０を備えること以外、実施形態１と同じである。予備研削ステップＳＴ１０は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に、ウェーハ１の裏面７を予め研削するステップである。実施形態３において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップＳＴ１０を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつ切削ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前又は切削ステップＳＴ２の後に実施しても良い。
【００７０】
予備研削ステップＳＴ１０では、研削装置８０が、チャックテーブル８１の保持面８２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。予備研削ステップＳＴ１０では、図１８に示すように、スピンドル８３により粗研削用の研削ホイール８４を回転しかつチャックテーブル８１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、粗研削用砥石８５をチャックテーブル８１に所定の送り速度で近づけることによって、粗研削用砥石８５でウェーハ１の裏面７を粗研削する。なお、粗研削用砥石８５は、仕上げ研削用砥石６５よりも大きな砥粒を有する研削砥石である。また、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０において、粗研削の後に、仕上げ研削ステップＳＴ７と同様の方法で、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１の裏面７を仕上げ研削してもよい。
【００７１】
予備研削ステップＳＴ１０では、図１９に示すように、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削する。実施形態３において、ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削するとプラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０では、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ１を薄化するのが望ましい。
【００７２】
実施形態３に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００７３】
また、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３時のウェーハ１の基板２の除去量を抑制することができる。その結果、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において生じる所謂アウトガスの量を抑制することができる。
【００７４】
また、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１の裏面７を研削するので、予備研削ステップＳＴ１０の前においてウェーハ１の裏面７が梨地面（細かい凹凸を有する面）であっても、切削ステップＳＴ２の前に裏面７を平坦化することができる。その結果、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、赤外線カメラが撮像した画像に基づいてアライメントを遂行した際の切削ブレード１２−１，１２−２と分割予定ライン６との位置ずれを抑制することができる。
【００７５】
〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図２０は、実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図２０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００７６】
実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、ボッシュ法の代わりに、異方性エッチングによりウェーハ１をエッチングすること以外、実施形態１と同じである。実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３では、図２０に点線で示すエッチング前のウェーハ１の裏面７及び切削溝３００の形状を維持した状態で、図２０に実線で示すように、基板２全体を裏面７側からエッチングして、基板２を分割予定ライン６に沿って分割する。
【００７７】
実施形態４に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００７８】
また、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、異方性エッチングによりウェーハ１の基板２を裏面７側からエッチングするので、ボッシュ法でエッチングする場合よりもウェーハ１の基板２を薄化することができる。その結果、ウェーハ１の加工方法は、仕上げ研削ステップＳＴ７における基板２の研削量を抑制することができる。
【００７９】
なお、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、実施形態３と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。
【００８０】
〔実施形態５〕
本発明の実施形態５に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図２１は、実施形態５に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ及び親水性付与ステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。なお、図２１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００８１】
実施形態５に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３及び親水性付与ステップＳＴ４で用いられる図２１に示すエッチング装置２０−５の構成が、エッチング装置２０と異なること以外、実施形態１と同じである。
【００８２】
エッチング装置２０−５は、電極２８，３１に高周波電力を印加して密閉空間２７内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ化したエッチングガスなどを真空チャンバー２５内の密閉空間２７に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置である。エッチング装置２０−５は、図２１に示すように、図示しない不活性ガス供給ユニットから不活性ガスが供給される配管４５が真空チャンバー２５の外壁を貫通して接続している。なお、不活性ガス供給ユニットが供給する不活性ガスは、アルゴンガス（Ａｒ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスや、希ガスに窒素ガス（Ｎ２）、又は水素ガス（Ｈ２）等を混合した混合ガス等で構成することができる。
【００８３】
また、エッチング装置２０−５は、図２１に示すように、ガス供給ユニット４０，４３，４４からのエッチングガス又は酸素ガスが供給される供給管４６が真空チャンバー２５の上壁に貫通して接続し、供給管４６内を流れるガスに高周波電力を加えるための電極４７が供給管４６に設けられている。供給管４６は、ガス供給ユニット４０，４３，４４から供給されるガスを真空チャンバー２５内の密閉空間２７に導入する。電極４７は、高周波電源４２から高周波電力が印加されて、供給管４６内を流れるガスをプラズマ化する。また、エッチング装置２０−４は、供給管４６から密閉空間２７に供給されるプラズマ化されたガスを分散させる分散部材４８を備える。
【００８４】
実施形態５に係るウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、プラズマエッチングステップＳＴ３において、エッチング装置２０−４の制御ユニット２２が、ウェーハ１を真空チャンバー２５内の密閉空間２７に収容した後、チャックテーブル２１上に吸着保持する。実施形態５に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２が、ガス排出ユニット３５を作動して密閉空間２７を真空排気するとともに、不活性ガス供給ユニットを作動して密閉空間２７内に不活性ガスを供給し、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させてヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。
【００８５】
実施形態５に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、実施形態１と同様に、ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。なお、プラズマエッチングステップＳＴ３のエッチングステップでは、制御ユニット２２は、ＳＦ６ガス供給ユニット４０を作動するとともに高周波電源４２から電極４７にプラズマを作り維持する高周波電力を印加して、ＳＦ６ガスをプラズマ化して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１の裏面７、切削溝３０１，３０２の内面及び切削溝３００の底３０４をエッチングする。
【００８６】
また、プラズマエッチングステップＳＴ３の被膜堆積ステップでは、制御ユニット２２は、Ｃ４Ｆ８ガス供給ユニット４３を作動しＣ４Ｆ８ガスを高周波電源４２から電極４７に印加する高周波電力でプラズマ化して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１に被膜を堆積させる。
【００８７】
実施形態５に係るウェーハの加工方法は、親水性付与ステップＳＴ４において、制御ユニット２２が、チャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持し、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、下部電極２８の異常昇温を抑制した状態で、酸素ガス供給ユニット４４を作動し酸素ガスを高周波電源４２から電極４７に印加する高周波電力でプラズマ化して、オゾン、活性酸素を生成して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１の裏面７及び分割溝３１０の内面３１１に活性酸素を結びつけ、裏面７及び分割溝３１０の内面３１１上を親水性の官能基３１２に改質する。
【００８８】
実施形態５に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００８９】
また、実施形態５に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３及び親水性付与ステップＳＴ４において、リモートプラズマ方式のエッチング装置２０−５を用いるので、エッチング装置２０−５ではプラズマ化したガスに混入するイオンが供給管４６の内面に衝突して真空チャンバー２５内の密閉空間２７に到達することを抑制でききるので、より幅の狭い切削溝３００であっても基板２をデバイス５毎に分割することができる。
【００９０】
なお、実施形態５に係るウェーハの加工方法は、実施形態３と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。
【００９１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン６に形成される機能層４、金属膜及びＴＥＧを切削ステップＳＴ２の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明は、ウェーハ１の裏面７に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップＳＴ３において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。
【符号の説明】
【００９２】
１  ウェーハ
２  基板
３  表面
４  機能層
５  デバイス
６  分割予定ライン
７  裏面
１２，１２−１，１２−２  切削ブレード
２１  チャックテーブル
２５  真空チャンバー
５１  レーザー光線
９２−１，９３−１  紫外線
１００  仕上がり厚さ
２００  粘着テープ（保護部材）
３００  切削溝
３０４  底
３１０  分割溝
３１１  内面（側壁）
３１３  デブリ
ＳＴ１  保護部材配設ステップ
ＳＴ２  切削ステップ
ＳＴ３  プラズマエッチングステップ
ＳＴ４  親水性付与ステップ
ＳＴ５  機能層切断ステップ
ＳＴ６  洗浄ステップ
ＳＴ７  仕上げ研削ステップ
ＳＴ８  ダイアタッチフィルム貼着ステップ
ＳＴ９  ダイアタッチフィルム分割ステップ
ＳＴ１０  予備研削ステップ
【図１】
2019212768.tif 000003
【図２】
2019212768.tif 000004
【図３】
2019212768.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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