(57)【要約】【課題】スループットの点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】型基板上のインプリント材と型とを接触させてインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、型を保持する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、型保持部または基板保持部における保持動作の異常の発生、および、型または基板の位置を検出する検出部と、検出部の検出結果に基づいて、保持動作の異常が発生した状態から正常な状態に復帰させるための復帰処理の可否を判断する制御部と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型保持部または前記基板保持部における保持動作の異常の発生、および、前記型または前記基板の位置を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記保持動作の異常が発生した状態から正常な状態に復帰させるための復帰処理の可否を判断する制御部と、
を備えることを、特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記型と前記基板とのアライメントのための計測を行う第１計測部である、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記検出部は、前記型保持部による前記型の保持力、または、前記基板保持部による前記基板の保持力を計測する第２計測部であって、
前記第２計測部は、計測された保持力に基づいて、前記型保持部または前記基板保持部における前記保持動作の異常の発生を検出する、ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記型と前記基板との離型を検出する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記検出部は、前記型保持部または前記基板保持部の移動に基づき、前記型または基板の位置を検出する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記検出部が検出した前記型または前記基板の位置に基づき、前記復帰処理の可否を判断する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記復帰処理が可能であると判断した場合に、前記基板保持部を移動させ、前記復帰処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記復帰処理が可能であると判断した場合に、前記型保持部を移動させ、前記復帰処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記型保持部は、前記型の側面に接触する接触部材を有し、
前記制御部は、前記接触部材を駆動させ、前記復帰処理を行う、ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記復帰処理が不可能であると判断した場合に、前記インプリント装置のリセット処理において、初期位置駆動を行わない、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記基板保持部を保持する基板ステージと定盤との間に間隔を形成して前記ステージを支持するエアガイドを有し、
前記制御部は、前記復帰処理が不可能であると判断した場合に、前記インプリント装置の電源がＯＦＦにされると、前記エアガイドを停止することを特徴とする請求項１乃至６、および１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記検出部は、駆動可能なスコープまたは干渉計である、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
基板上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板上の硬化したインプリント材から前記型を引き離す際に、前記型または前記基の保持動作の異常の発生、および、前記型または前記基板の位置を検出し、
前記型または前記基板の位置に基づいて、前記保持動作の異常状態から正常な状態に復帰させるための復帰処理の可否を判断する、
ことを特徴とする特徴とするインプリント方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、を有し、
前記加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上のインプリント材に型（モールド）を接触させて微細パターンの形成を行うインプリント技術がある。インプリント技術の一つに、インプリント材として光硬化性樹脂を用いる光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、基板上のショット領域に供給されたインプリント材と型とを接触させた状態で光を照射してインプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材から型を引き離すことでインプリント材のパターンを基板上に形成する。
【０００３】
この型を引き離す（離型する）際に、型とインプリント材との界面（型とインプリント材とが接触している面）に大きな応力が瞬間的に付加される。このような応力によって、インプリント材から型を正常に引き離すことができず、型や基板をそれぞれの保持部（チャック）で保持することができなくなり、型および基板がぞれぞれの保持部から脱離しうる。
【０００４】
特許文献１に記載のインプリント装置では、モールドステージに与えられる駆動電流の値（電流値）を電流検出器で検出（監視）し、基板上の硬化した樹脂からモールドが離型しているかどうかを検出している。そして、基板上の硬化した樹脂からモールドが離型していないと判断した場合には基板ステージによる基板の保持力を所定の保持力よりも大きくし、基板上の硬化した樹脂からモールドを離型させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１１５３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、型または基板がそれぞれの保持部から脱離した場合、その状態によっては、基板ステージの保持力を所定よりも大きくすることで、型または基板が損傷する恐れがあるため、このような状況においては、装置を停止させ手作業により正常な状態に復帰させざるを得ない。手作業により復帰させる場合には、装置のオペレーションを停止させなければならず、スループットが低減しうる。また、手作業で復帰させる場合に、装置の内部のクリーン度が落ちることがある。そして、装置の内部のクリーン度が安定して装置のオペレーションが再開できるまで長時間を要して、スループットが低減しうる。
【０００７】
本発明は、例えば、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上のインプリント材と型とを接触させてインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、型を保持する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、型保持部または基板保持部における保持動作の異常の発生、および、型または基板の位置を検出する検出部と、検出部の検出結果に基づいて、保持動作の異常が発生した状態から正常な状態に復帰させるための復帰処理の可否を判断する制御部と、を備えることを、特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】本実施形態に係る、インプリント処理のフローチャートである。
【図３】本実施形態に係る、復帰処理の可否判断のフローチャートである。
【図４】復帰処理が不可能な保持動作の異常を説明する図である。
【図５】復帰処理が可能な保持動作の異常を説明する図である。
【図６】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１２】
（実施形態）
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するリソグラフィ装置である。本実施形態では、インプリント装置１は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。
【００１３】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。
【００１４】
硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１５】
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１６】
インプリント装置１は、型３を保持して移動するインプリントヘッド６と、基板５を保持して移動する基板ステージ７と、硬化部２と、供給部８と、アライメント計測部１７と、検出部１４と、制御部９とを備える。なお、図１においては、基板の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。
【００１７】
型３は、外周部が矩形で、基板５に対する対向面の中央部に、数十μｍ〜数百μｍの凸部に形成されたメサ４を有する。メサ４は、基板上に供給されたインプリント材に転写するための凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部を有する。型３のパターン部は、基板５上へ塗布されたインプリント材に転写される。型３の材質には、例えば、石英などの紫外線を透過させる素材が用いられる。型３は、インプリントヘッド６によって、保持され移動する。
【００１８】
インプリントヘッド６は、型チャック１０と、型保持力計測部１５と、を備える。インプリントヘッド６は、例えば、リニアモータ、エアシリンダなどのアクチュエータなどによってＺ方向に駆動可能である。インプリントヘッド６は、複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸）について駆動するように構成されていても良い。また、インプリントヘッド６は、型３の高精度な位置決めを実現するために、粗動駆動系や微動駆動系など複数の駆動系を含んでいてもよい。また、インプリントヘッド６は、Ｚ方向だけではなく、Ｘ方向、Ｙ方向、θＺ方向に型３を駆動する機能や型３の傾きを補正する機能を有していてもよい。インプリントヘッド６は、型３の周囲に配置された加圧フィンガ１１などを用いて、基板５のショット領域の形状に応じて型３のパターン部の形状を補正することも可能である。加圧フィンガ１１は、型３の側面に接触する接触部材である。型チャック１０は、真空吸引力または静電力などによって型３を保持する型保持部である。型チャック１０は、インプリントヘッド６に載置される。型保持力計測部１５は、例えば、型チャック１０の吸着圧や電流値を計測することにより、型チャック１０による型３の保持力を計測する。型保持力計測部１５は、型３の現在位置を検出し、型チャック１０における型３の脱離の発生を検出する検出部としても機能しうる。
【００１９】
基板５は、ガラス、セラミックス、金属、半導体または樹脂等で構成される部材でありうる。必要に応じて、該部材の表面に該部材とは別の材料からなる層が形成されていてもよい。基板５は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、または、石英ガラスプレートなどである。基板５は、基板ステージ７によって、保持され移動する。
【００２０】
基板ステージ７は、基板チャック１２と、基板保持力計測部１６とを備える。基板ステージ７は、エアガイド１９および駆動機構（不図示）有する。エアガイド１９は、ベース定盤１８の基板ステージ７と対向する面に対して気体を噴出させて基板ステージ７とベース定盤１８との間に間隔を形成して基板ステージ７を支持する。駆動機構は、例えば、リニアモータ、エアシリンダなどのアクチュエータなどであって、基板ステージ７を、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に駆動させる。駆動機構は、複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について基板ステージ７を駆動するように構成されても良い。また、基板ステージ７は、粗動駆動系や微動駆動系など複数の駆動系を含んでいても良い。基板ステージ７は、Ｚ軸方向やθ（Ｚ軸周りの回転）方向に基板５を駆動する機能や基板５の傾きを補正する機能を有していてもよい。
【００２１】
基板チャック１２は、真空吸引力または静電力などによって基板５を保持する基板保持部である。基板チャック１２は、基板ステージ７に載置される。基板チャック１２の外周には、基板５を取り囲む保護板（同面板１３）が配置される。同面板１３は、基板５を基板チャック１２に保持させる際の基板５の位置ずれを低減させるために、基板ステージ７に配置されている。基板チャック１２が基板５を保持した際、同面板１３と基板５は同等の高さとなる。基板保持力計測部１６は、例えば、基板チャック１２の吸着圧や電力値を計測することにより、基板チャック１２による基板５の保持力を計測する。基板保持力計測部１６は、基板５の現在位置を検出し、基板チャック１２における基板５の脱離の発生を検出する検出部としても機能しうる。
【００２２】
硬化部２は、基板５上のインプリント材を硬化させるためのエネルギー（例えば、紫外光などの光）をインプリント材に供給する。硬化部２により供給されたエネルギーにより、型３を離型した後の基板５上のインプリント材には、型３の凹凸のパターンに倣ったパターンが形成される。
【００２３】
供給部８は、基板上にインプリント材を供給（塗布）する。アライメント計測部１７は、例えば、基板上のインプリント材を硬化させない波長の光を発するＨｅ−Ｎｅレーザなどの計測光源と、ＣＣＤイメージセンサなどの検出器とを含みうる。アライメント計測部１７は、型３と基板５との位置合わせに用いられる。アライメント計測部１７は、型３および基板５の現在位置を検出し、型チャック１０または基板チャック１２における型３または基板５の脱離の発生を検出する検出部として用いられても良い。検出部１４は、型３および基板５の現在位置を検出し、型チャック１０または基板チャック１２における型３または基板５の脱離の発生を検出する検出部である。検出部１４は、例えば、型チャック１０または基板チャック１２における保持力を計測する計測器であっても良いし、型チャック１０または基板チャック１２における保持状態を観察するスコープであっても良い。さらに、検出部１４は、型３または基板５の位置を検出するレーザ干渉計などのセンサであっても良い。
【００２４】
制御部９は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の各部を制御してインプリント処理を行う。インプリント処理は、供給処理と、押型処理と、硬化処理と、離型処理とを含む。また、制御部９は、型チャック１０または基板チャック１２において、保持動作の異常が発生した場合に検出部の検出結果に基づいて、保持動作の異常が発生した状態から正常な状態に復帰させるための復帰処理の可否を判断する。保持動作の異常は、典型的には、型チャック１０からの型３の脱離又は基板チャック１２からの基板５の脱離である。
【００２５】
図２は、本実施形態に係る、インプリント処理のフローチャートである。本フローチャートにおける各ステップは、制御部９によって行われうる。ステップＳ２０１では、不図示の基板搬送ユニットによって、基板５がインプリント装置１内へ搬入され、基板ステージ７に保持される。ステップＳ２０２では、所定のショットにインプリント材が供給されるように基板ステージ７を移動させる。ステップＳ２０３では、供給部８が、基板５上に形成されたショット領域にインプリント材を供給する。ステップＳ２０４では、型３の直下にインプリント材が供給されたショット領域が位置するように基板ステージ７を移動させる。
【００２６】
ステップＳ２０５では、型３と基板上のインプリント材とを接触させる（押型）。型３と基板上のインプリント材とを接触させる、即ち、型３をインプリント材に押し付けることによって、インプリント材が型３のパターン部に充填される。ステップＳ２０６では、型３と基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させる。ステップＳ２０７では、基板上の硬化したインプリント材から型３を引き離す（離型）。なお、押型および離型は、インプリントヘッド６または基板ステージ７のいずれを駆動してもよく、両方を駆動してもよい。ここで、離型を開始すると、型チャック１０および基板チャック１２において保持動作の異常が発生していないか検出部による監視（異常発生監視）も開始する。例えば、検出部である型保持力計測部１５および基板保持力計測部１６は、型３および基板５が真空吸着により保持されている場合、型チャック１０および基板チャック１２の吸着圧を計測する。これより、型チャック１０および基板チャック１２における吸着状態を監視する。
【００２７】
検出部によって、型３または基板５の吸着状態が異常であることが検出されると（ステップＳ２０８、Ｙｅｓ）、ステップＳ２０９において、制御部９は、復帰処理の可否判断を行う。復帰処理の可否判断の詳細については後述する。その後、復旧したか否かを判断する。復旧した場合は（ステップＳ２１０、Ｙｅｓ）、ステップＳ２１１において、制御部９が全ショットへのインプリント処理が完了したか否かを判断する。完了した場合（Ｙｅｓ）は、ステップＳ２１２において、基板搬送ユニットを制御して基板ステージ７から基板５を搬出する。完了していない場合（Ｎｏ）、ステップＳ２０２以降を繰り返す。なお、ステップＳ２１０において、復旧していないと判断された場合は（Ｎｏ）、装置のオペレーションを停止し、メンテナンスなどを行っても良い。ステップＳ２０８において、保持動作の異常の発生が検出されなかった場合は（Ｎｏ）、ステップＳ２１１を行う。
【００２８】
図３は、本実施形態に係る、復帰処理の可否判断のフローチャートである。本フローチャートにおける各ステップは、制御部９によって行われうる。なお、本実施形態においては、一例として、型チャック１０および基板チャック１２は、真空吸着により、型３および基板５を保持しているものとする。異常発生監視（図２、ステップＳ２０７）において、保持動作の異常を検出した場合、まず、インプリント処理を停止する（Ｓ３０１）。次に型保持力計測部１５および基板保持力計測部１６の計測結果から、型チャック１０および基板チャック１２の吸着状態を把握し、チャックから脱離したマテリアルが型３または基板５のいずれであるのか、両方であるのかを判断する（ステップＳ３０２）。なお、ここで、チャックとは型チャック１０および基板チャック１２の総称であり、以降も同様である。
【００２９】
型３と基板５の両方がチャックから脱離していると判断した場合、基板５が同面板１３に乗り上げている、または基板５および型３が基板ステージ７外に落下している可能性がある。図４は、復帰処理が不可能な保持動作の異常を説明する図である。図４（Ａ）は、型３および基板５の両方がチャックから脱離した状態の一例を示している。この状態において、復帰処理することは、型３または基板５を破損させる恐れがあるため、復帰処理は不可能であると判断し、復帰処理は行わない（図３、ステップＳ３０３）。この場合、装置の動作を停止させ、手作業で正常な状態に復帰させる。オペレータは、例えば、インプリント装置１のパネルを開き、型３、基板５、型チャック１０または基板チャック１２の状態を目視で確認する。また、確認した型３または基板５などの状態によっては、例えば、型３または基板５をインプリント装置１外へ取り出す、などのメンテナンスを行う。なお、メンテナンス作業は、一例であって、これに限られない。
【００３０】
図３に戻り、ステップＳ３０２において、基板５のみが基板チャック１２から脱離していると判断した場合、検出部１４を用いて、基板５が型３と離型しているかを判断する（ステップＳ３０４）。なお、ここで、アライメント計測部１７などの別の検出部を用いても良い。基板５が型３と離型していないと判断された場合（Ｎｏ）、復帰処理は可能であると判断し、復帰処理を開始する（ステップＳ３０５）。
【００３１】
図５は、復帰処理が可能な保持動作の異常を説明する図である。図５（Ａ）は、ステップＳ３０５において、復帰処理の対象となる型３および基板５状態の一例を示している。図５（Ａ）では、基板５のみが基板チャック１２から脱離しており、基板５が型３と離型していない状態である。このような状態における復帰処理では、基板５の全面が基板チャック１２の領域内に入るように、基板ステージ７を移動させる。基板５の全面が基板チャック１２の領域内に入ったことが確認されたら、インプリントヘッド６を少しずつ基板チャック１２の方向（−Ｚ方向）に下降させ、基板チャック１２の吸着圧を確認する。基板５が基板チャック１２に正しく吸着されていると判断された後に、インプリントヘッド６を予め設定された接触位置まで下げる。正しく吸着されている吸着圧となっていても、接触位置（押型位置）まで下降させずにインプリントヘッド６を離型させる方向（＋Ｚ方向）に駆動してしまうと、吸着圧の不足により再び保持動作の異常が発生する恐れがあるためである。接触位置まで下降させた後、インプリントヘッド６を少しずつ離型させる方向（＋Ｚ方向）に引き上げる。型チャック１０と基板チャック１２の吸着圧を確認し、型３および基板５が共に正しく吸着されていると判断した場合、復旧動作は完了となり、図２のステップＳ２１０において、復旧したかの判断を行う。
【００３２】
図３に戻り、ステップＳ３０４において、基板５が型３と離型していると判断された場合（Ｙｅｓ）、ステップＳ３０６で基板チャック１２の吸着圧を再確認する。基板チャック１２の吸着圧が正常であった場合（Ｙｅｓ）、一度は基板５が基板チャック１２から脱離したが、その後、基板チャック１２上で正しく吸着されたと判断し、復帰処理は不要と判断する（ステップＳ３０７）。しかし、基板チャック１２の吸着圧が異常であった場合（Ｎｏ）、基板５が同面板１３へ乗り上げている、または基板ステージ７から落下している可能性がある。図４（Ｂ）は、基板チャック１２の吸着圧が異常であった場合の型３および基板５の状態の一例を示している。図４（Ｂ）において、基板５は、同面板１３へ乗り上げてしまっている。このような状態における、復帰処理は基板５の破損の恐れがあるため、復帰処理は不可能であると判断し、復帰処理は行わない。（図３、ステップＳ３０８）。この場合、装置の動作を停止させ、手作業で正常な状態に復帰させる
【００３３】
図３に戻り、ステップＳ３０２において、型３のみが型チャック１０から脱離していると判断された場合、いずれかの検出部によって、型３が加圧フィンガ１１内にあるかを確認する（ステップＳ３０９）。型３が加圧フィンガ１１内にあると判断された場合（Ｙｅｓ）、復帰処理は可能であると判断し、復帰処理を開始する（ステップＳ３１０）。図５（Ｂ）は、ステップＳ３１０において、復帰処理の対象となる、型３および基板５状態の一例を示している。図５（Ｂ）では、型３のみが型チャック１０から脱離しているが、型３は加圧フィンガ１１内に留まっている。このような状態における復帰処理では、型３が基板上のパターンが形成されていない領域など、任意の位置と接触するように、基板ステージ７を平面方向に駆動する。その後、型３と基板５が接触する位置までインプリントヘッド６を少しずつ基板チャック１２の方向（−Ｚ方向）に下降させる。型３と基板５が接触し、インプリントヘッド６の駆動を停止させた後、加圧フィンガ１１を開き、加圧フィンガ１１を開いた状態で再度インプリントヘッド６を少しずつ下げ、型チャック１０の吸着圧を確認する。型チャック１０の吸着圧から、型３が型チャック１０に正しく吸着されていると判断した後に、インプリントヘッド６の駆動を停止させ、加圧フィンガ１１を閉じ、インプリントヘッド６を少しずつ離型させる方向（＋Ｚ方向）に引き上げる。型チャック１０および基板チャック１２の吸着圧を確認し、共に正しく吸着されていると判断した場合、復帰処理は完了となる。
【００３４】
図３に戻り、ステップＳ３０９において、型３が加圧フィンガ１１内に無いと判断された場合、検出部１４または他の検出部を用いて型３の現在位置を検出し、型３の全面が基板５上にあるかを判断する（ステップＳ３１１）。型３の全面が基板５上にあると判断された場合（Ｙｅｓ）復帰処理は可能であると判断し、復帰処理を開始する（ステップＳ３１２）。図５（Ｃ）は、ステップＳ３１２において、復帰処理の対象となる、型３および基板５状態の一例を示している。図５（Ｃ）では、型３のみが型チャック１０から脱離しており、型３の全面は基板５上に位置している。このような状態における復帰処理では、インプリントヘッド６が型３の真上にくるように基板ステージ７を駆動する。加圧フィンガ１１を開き、型チャック１０で吸引しながらインプリントヘッド６を少しずつ基板チャック１２の方向（−Ｚ方向）に下降させて、型チャック１０の吸着圧を確認する。型チャック１０の吸着圧から、型３が型チャック１０に正常に吸着されていると判断した後に、加圧フィンガ１１を閉じ、インプリントヘッド６を少しずつ離型させる方向（＋Ｚ方向）に引き上げる。型チャック１０と基板チャック１２の吸着圧を確認し、共に正常と判断した場合、復帰処理は完了となる。
【００３５】
図３に戻り、ステップＳ３１１において、型３の全面が基板５上には無いと判断された場合（Ｎｏ）、検出部１４または他の検出部を用いて、型３の現在位置を検出し、型３の一部が基板チャック上にあるかを判断する（ステップＳ３１３）。型３の一部が基板チャック１２上にあると判断された場合（Ｙｅｓ）、復帰処理可能であると判断し、復帰処理を開始する（ステップＳ３１４）。図５（Ｄ）は、ステップＳ３１４において、復帰処理の対象となる、型３および基板５状態の一例を示している。図５（Ｄ）では、型３のみが型チャック１０から脱離しており、型３の一部が基板５上に位置している。このような状態における復帰処理では、インプリントヘッド６が型３の真上にくるように基板ステージ７をゆっくり駆動する。加圧フィンガ１１を開き、インプリントヘッド６を少しずつ基板チャック１２の方向（−Ｚ方向）に下降させる。型３のある位置まで下降させてから、加圧フィンガ１１を閉じ、インプリントヘッド６を型３が基板チャック１２から離れる位置まで少しずつ駆動する。次に、型３が基板５のパターンが形成されていない領域など、任意の位置と接触するように、基板ステージ７を平面方向に駆動する。その後、型３と基板５が接触する位置までインプリントヘッド６を少しずつ基板チャック１２の方向（−Ｚ方向）に下降させる。型３と基板５が接触し、インプリントヘッド６の駆動を停止させた後、加圧フィンガ１１を開き、加圧フィンガ１１を開いた状態で再度インプリントヘッド６を少しずつ下げ、型チャック１０の吸着圧を確認する。型チャック１０の吸着圧から、型３が型チャック１０に正常に吸着されていると判断した後に、インプリントヘッド６の駆動を停止させる。加圧フィンガ１１を閉じ、インプリントヘッド６を少しずつ上げる。型チャック１０と基板チャック１２の吸着圧を確認し、共に正常と判断した場合、復帰処理は完了となる。
【００３６】
図３に戻り、ステップＳ３１３において、型３の一部も基板チャック１２上にないと判断された場合、型３は基板ステージ７から落下していると考えられる。図４（Ｃ）は、ステップＳ３１３において、型の一部も基板チャック１２上にないと判断された場合の型３および基板５の状態の一例を示している。このような状態における復帰処理は型３が破損する恐れがあるため、復帰処理は不可能であると判断し、復帰処理は行わない。（ステップＳ３１５）。この場合、装置の動作を停止させ、手作業で正常な状態に復帰させる
【００３７】
なお、復帰処理後の、正常な状態に復帰したかの判断において（図２、ステップＳ２１０）、正常な状態に復帰したと判断された場合、同じマテリアルを使用して再開するか、保持動作の異常の原因となったマテリアルのみを交換後に再開するか、の選択を可能としても良い。さらに、保持動作の異常発生時のマテリアルを全て交換後に再開することを可能としても良い。
【００３８】
また、通常、インプリント装置１をリセットした場合、リセット処理において基板ステージ７やインプリントヘッド６の初期位置に駆動する、初期位置駆動が開始される。復帰処理を行わない場合、手作業で正常な状態に復帰させる前に、インプリント装置１をリセットさせると、初期位置駆動により基板ステージ７やインプリントヘッド６がチャックから脱離した型３または基板５と干渉する可能性がある。よって、復帰処理を行わないと判断した後のリセット処理では、基板ステージ７やインプリントヘッド６の初期位置駆動は行わないようにしても良い。このような構成とすることにより、復帰処理を行っていないにも関わらず、誤って装置をリセットした場合に、マテリアルの破損を低減することが可能となる。
【００３９】
また、基板ステージ７は、電源がＯＮとなっている時はエアガイド１９によりベース定盤１８上に浮上しており、位置が制御されている。しかし、電源をＯＦＦにすると、基板ステージ７の位置が制御されなくなるが、エアガイド１９はすぐには停止しない。このため、エアガイド１９により、チャックから脱離した型３または基板５が基板ステージ７と干渉してしまう可能性がある。よって、復帰処理が不可能であると判断した後に電源がＯＦＦされた場合は、基板ステージ７が移動しないように、電源がＯＦＦにされるとエアガイド１９を停止させ、基板ステージ７をベース定盤１８上に降ろすようにしても良い。
【００４０】
なお、本実施形態においては、型保持力計測部１５、基板保持力計測部１６、および、アライメント計測部１７を検出部の一部として用いたが、これらとは別に検出部１４を設けても良い。また、本実施形態においては、検出部１４を設けたが、型保持力計測部１５、基板保持力計測部１６、および、アライメント計測部１７などの型３および基板５を観察または監視できる部材を用いることにより、検出部１４を別途設けなくても良い。このような構成とすることにより、コストを低減することが可能となる。さらに、検出部としてスコープやレーザ干渉計を用いる場合、これらを駆動可能に構成しても良い。このような構成とすることにより、１つの検出部により、検出できる範囲が広がり、検出部の設置数を低減することが可能となる。
【００４１】
（物品製造方法に係る実施形態）
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
インプリント装置１を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４３】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４４】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図５（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４５】
図５（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を、型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４６】
図５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００４７】
図５（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図５（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【００４９】
（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１      インプリント装置
３      型
５      基板
６      インプリントヘッド
７      基板ステージ
９      制御部
１０    型チャック           
１１    加圧フィンガ
１２    基板チャック
１４    検出部
１５    型保持力計測部
１６    基板保持力計測部
１７    アライメント計測部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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