(57)【要約】【課題】簡易な構成によってパターン欠陥の発生の低減するモールドを提供する。【解決手段】基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置に使用されるモールドであって、パターンを形成する凹凸のパターン部と、パターン部の外周部に、パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置に使用されるモールドであって、
前記パターンを形成する凹凸のパターン部と、
前記パターン部の外周部に、前記パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有することを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記突出部は、前記凸部よりも５ｎｍ以上突出する、ことを特徴とする請求項１に記載のモールド。
【請求項３】
前記突出部の前記パターン部側の側面は、前記突出部の先端から根元に向かうに従って前記パターン部側に傾斜している、ことを特徴とする請求項１または２に記載のモールド。
【請求項４】
前記突出部の内周部のエッジ部は曲面からなる、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項５】
前記突出部と前記パターン部との間に、前記凹部の底面よりも窪んだ溝を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項６】
前記突出部の外周部に気体を供給するための供給口を備え、
前記供給口側の前記突出部の側面は、前記突出部の先端から根元に向かうに従って外周側に傾斜している、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項７】
前記突出部は、表面に導電性材料を有する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項８】
前記突出部は、前記基板と接触する面の外周部の一部に配置される、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項９】
前記突出部は、前記モールドの角以外の位置に配置される、ことを特徴とする請求項１乃至８いずれか１項に記載のモールド。
【請求項１０】
前記突出部は、前記パターン部を囲むように配置される、ことを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項に記載のモールド。
【請求項１１】
基板上に組成物による平坦化層を形成する平坦化装置に使用される平面プレートであって、
前記平坦化層を形成する平面部と、
前記平面部の外周部に、前記平面部よりも突出する突出部と、を有することを特徴とする平面プレート。
【請求項１２】
基板上のインプリント材をにパターンを形成する凹凸のパターン部と、前記パターン部の外周部に、前記パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有するモールドを用いるインプリント方法であって、
前記基板上に未硬化の前記インプリント材を供給する供給工程と、
前記モールドを前記インプリント材に接触させる接触工程と、
前記インプリント材から前記モールドを引き離す離型工程と、を備え、
前記接触工程において、前記突出部と接触するインプリント材の厚さは、前記パターン部と接触するインプリント材の厚さよりも薄い、ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のモールドを使用して基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、
加工された前記基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の平面プレートを使用して基板上に組成物による平坦化層を形成する工程と、
前記工程で平坦化層が形成された前記基板を加工する工程と、
加工された前記基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド、平面プレート、インプリント方法、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化インプリント材をパターン部を有するモールドで成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板のショット領域上に未硬化のインプリント材を供給し（供給工程）、基板上のインプリント材とモールドのパターン部とを接触させ（接触工程）、インプリント材を硬化させる。その後、硬化したインプリント材からモールドを引き離す（離型工程）ことで、パターン部に形成された微細な凹凸パターンに対応するインプリント材のパターンを基板のショット領域上に形成する微細加工技術である。
【０００３】
基板上のインプリント材とモールドとを接触させる際、基板上の未硬化インプリントが、ショット領域からはみ出ることがある。ショット領域から未硬化のインプリント材がはみ出たインプリント材をそのまま硬化させると、隣接ショット領域に残渣として残留する場合がある。この残渣は、隣接ショット領域へのインプリント処理時にパターン欠陥やモールドの破損の原因となりうる。特許文献１では、パターン配置領域の外側の周縁部に、意図的に泡噛みを形成できる撥液パターンを配置することで、未硬化インプリント材のはみ出しを防止している。また、特許文献２では、テンプレートと被転写基板とを対向させた状態で、転写領域よりも外側にはみ出す前記被転写材料を、加熱して気化させることにより、はみ出した未硬化インプリント材が、残渣として残留することを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２２５３７０
【特許文献２】特開２０１４−１８８８６９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、複雑な撥液パターンをモールドに形成する必要があり、また、特許文献２においても、はみ出したインプリント材を加熱するための機構が必要となるため、コストが高くなりうる。
【０００６】
本発明は、例えば、簡易な構成によってパターン欠陥の発生の低減するモールドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置に使用されるモールドであって、パターンを形成する凹凸のパターン部と、パターン部の外周部に、パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、簡易な構成によってパターン欠陥の発生の低減するモールドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るモールドを適用したインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図３】インプリン材の膜厚の変化に伴う粘性の変化を表すグラフである。
【図４】第２実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図５】第３実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図６】第４実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図７】第５実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図８】第６実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図９】平坦化処理のフローを示す図である。
【図１０】第７実施形態に係るモールドの一部の断面図である。
【図１１】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の一実施形態に係るモールドを適用可能なインプリント装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るモールドを適用したインプリント装置の構成を示す図である。以下の図において、鉛直方向の軸をＺ軸、当該Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２軸をＸ軸及びＹ軸としている。インプリント装置７は、モールド１を用いて基板４上にインプリント材８のパターンを形成するインプリント処理を行う。具体的には、モールド１に形成されたパターン部３と基板４上に供給されたインプリント材８とを接触させた状態でインプリント材８を硬化させ、硬化したインプリント材８からモールド１を引き離す。これにより、モールド１のパターン部３に形成された３次元形のパターン（凹凸パターン）が基板４上に形成される。
【００１２】
本実施形態のインプリント装置７は、モールド１を保持するインプリントヘッド９と、基板４を保持する基板ステージ５と、供給部６と、を含む。
【００１３】
インプリントヘッド９は、例えば、真空吸着力又は静電力によってモールド１を保持して移動する。インプリントヘッド９は、例えば、リニアモータ等の駆動機構を備え、モールド１をＺ軸方向に駆動可能に構成されている。インプリントヘッド９は、モールド１を−Ｚ方向に移動させることにより、モールド１のパターン部３とインプリント材８とを接触させる。インプリントヘッド９は、例えば、不図示の照明系からの光（例えば紫外光）を基板４上に供給されたインプリント材８に導き、インプリント材８を硬化させる。なお、本実施形態では、一例として光硬化性組成物をインプリント材８として使用するが、インプリント材８が加熱によって硬化する組成物である場合は、加熱により硬化させても良い。インプリント材８は、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択されうる。インプリントヘッド９は、モールド１を＋Ｚ方向に移動させることで硬化したインプリント材８からモールド１を引き離す。
【００１４】
基板ステージ５は、例えば、真空吸着力又は静電力によって基板４を保持して移動する。基板ステージ５は、例えば、リニアモータやピエゾアクチュエータ等の駆動機構（不図示）によって移動可能となっている。当該駆動機構は、基板ステージ５を微小量移動させるための微小駆動系と、当該微小駆動系よりも大きな移動量で移動させる粗動駆動系とを含んでいてもよい。基板ステージ５は、例えば、基板４を保持してＸＹ平面内を移動することにより、インプリント処理を行うショット領域を供給部６の直下に配置する。また、モールド１と基板上のインプリント材８を接触させる際に、モールド１と基板４とのＸＹ平面方向の位置決めを行う。なお、基板ステージ５の移動方向はこれに限られず、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、及びこれらの軸周りの回転方向に移動可能に構成されていてもよい。基板ステージ５がＸＹ平面方向に移動する間、基板４の表面とモールド１との距離は１ｍｍ以下に保たれる。このような狭ギャップにすることで、インプリント処理においてモールド１とインプリント材８の接触動作及び引き離し動作を迅速に行えるようにしている。
【００１５】
供給部６は、１又は複数のショット領域の上に未硬化のインプリント材８を供給するように構成されうる。供給部６から供給されるインプリント材８の供給量は、例えば、基板４に形成されるパターンの厚さ（残膜厚）やインプリント材８のパターンの密度などに応じて設定されても良い。
【００１６】
制御部（不図示）は、インプリントヘッド９、基板ステージ５、供給部６、等のインプリント処理に関わる構成部材と有線又は無線の通信回線により接続され、これらの動作を制御する。
【００１７】
次に、図２を参照して、本実施形態に係るモールドの構成について説明する。図２は、第１実施形態に係るモールド１の一部の断面図である。モールド１は、例えば、外周部が矩形であり、基板４に対する対向面に所定の凹凸パターン（例えば、回路パターン等）が３次元状に形成されたパターン部３を有する型（型材、金型）である。パターン部３の表面は、基板４の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。モールド１の材質は、石英等、紫外線を透過させることが可能な材料である。
【００１８】
モールド１のパターン部３の外周部には、パターン部３を囲むように突出部２が形成されている。突出部２は、パターン部３の凸部３ａよりも−Ｚ方向に突出している。図２は、モールド１とインプリント材８とを接触させた状態のモールド１およびその周辺部の一部を示している。モールド１が−Ｚ方向に移動することによりパターン部３とインプリント材８とが接触し、インプリント材８はＸ、Ｙ及びＺ方向に押し広げられ、モールド１と基板４との間に充填されてゆく。この時、インプリント材８のＺ方向の厚みは例えば５０nm以下になる。インプリント材８は、Ｚ方向の厚みが薄くなることによって粘性が変化することが知られており、薄いほどＸ及びＹ方向にインプリント材８が動きづらくなる。
【００１９】
図３は、インプリン材８の膜厚の変化に伴う粘性の変化を表すグラフである。図３において、横軸は、インプリント材８の膜厚を示し、縦軸は、インプリント材８の粘性抵抗を示している。本図に示すように、膜厚が５ｎｍ以下となると、インプリント材８の粘性抵抗は急上昇する。このようなインプリント材８としては、例えば、イソボルニルアクリレートを主材料とするものが知られている。モールド１がパターン部３の凸部３ａよりも突出する突出部２を備えることにり、モールド１と基板４上のインプリント材８との接触時において、突出部２と接触するインプリント材８の厚さは、パターン部３と接触するインプリント材８の厚さよりも薄くなる。すると、突出部２は、モールド１の外周部に形成されているため、外周部に位置する未硬化のインプリント材８の粘性が高くなり、未硬化のインプリント材８がモールド１の外側（パターン部３と反対方向）へ流れ出しにくくなる。したがって、この突出部２をパターン部３の周辺に、パターン部３を囲むように配置することによって、モールド１とインプリント材８との接触時において、パターン部３からその外周部へインプリント材８がはみ出すことを抑制することができる。その結果としてパターン欠陥の発生を抑制することが可能となる。突出部２は、パターン部３の凸部３ａよりも５ｎｍ以上−Ｚ方向に突出していることが望ましいが、これに限らない。
【００２０】
このように、本実施形態によれば、パターン部３の凸部３ａよりも突出する突出部２をモールド１に設けるという簡易な構成により、パターン欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【００２１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態のモールドについて説明する。第２実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図４は、第２実施形態に係るモールド１の一部の断面図である。本実施形態のモールド１は、突出部２のパターン部３側の側面１１が、パターン部３側に向かって傾斜している。
【００２２】
側面１１は、突出部２のパターン部３側の側面であって、インプリント材８と接触する面である。側面１１は、突出部２の先端から根元に向かうに従ってパターン部３側に傾斜している。インプリント材８は、あらかじめ基板４上に供給され、その後、モールド１が−Ｚ方向に移動することにより、モールド１と基板４とが接触し、インプリント材８が押し広がることで、インプリント材８がモールド１と基板４との間に充填されてゆく。このとき、例えば、突出部２の内周部のエッジ部１２の角度が９０度未満となった場合には、エッジ部１２にインプリント材８が充填されにくくなる。エッジ部１２は、図２に示す通り、突出部２の内周部に位置し、通常、インプリント材が充填しづらい部分である。インプリント材８が充填されない状態でインプリント処理を終えた場合、未充填部分のインプリント材の厚さが薄くなり、インプリント処理後の基板４の処理、例えばエッチング処理において不具合を生じうる。図４に戻り、側面１１を、パターン部３側に向かって傾斜させることで、エッジ部１２にインプリント材８が充填されやすくなる。エッジ部１２は、平面からなる構造であってもよいし、曲面からなる構造であってもよいが、曲面からなる構造である場合、よりインプリント材が充填されやすい。このように、モールド１のパターン部３側の側面を傾斜させることにより、未充填を抑制でき、パターン欠陥の発生の低減することが可能となる。
【００２３】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態のモールドについて説明する。第３実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図５は、第３実施形態に係るモールド１の一部の断面図である。本実施形態のモールド１は、突出部２とパターン部３との間に、パターン部３の凹部の底面３ｂよりも窪んだ溝２１を備える。
【００２４】
突出部２とパターン部３との間には、パターン部３の凹部の底面３ｂよりも−Ｚ方向に窪んだ溝２１が形成される。この溝２１によって、パターン部３と突出部２との間に収容できるインプリント材８の容量が増大し、インプリント材８はモールド１の外側（パターン部３と反対方向）へ流れ出しにくくなる。このように、突出部２とパターン部３との間に溝２１を形成することで、インプリント材８のはみ出しをさらに抑制することが可能となる。
【００２５】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態のモールドについて説明する。第４実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図６は、第４実施形態に係るモールド１の一部の断面図である。本実施形態のモールド１は、突出部２の外周部に気体を供給する供給口３１を備える。
【００２６】
供給口３１は、モールド１に取り付けられた筒形状であり、突出部２と基板４との間に向けて気体を供給する。供給口３１から供給された気体が突出部２と基板４との間からはみ出したインプリント材８に供給されると、インプリント材８の揮発を促進することができる。これによって、インプリント材８が突出部２の外側（パターン部３と反対方向）へ流出しても、流出したインプリント材８を揮発させ除去することができる。供給口３１から供給される気体としては、例えば空気、クリーンドライエアー、窒素、酸素、ヘリウム、等があげられる。これらの気体は、例えば、インプリント装置7内の、インプリント処理空間に、ガスバリアを形成するための第１ガス供給部（不図示）から供給されても良い。また、モールド１と基板４との間の空間にインプリント材に対して溶解性が高い、または、拡散性が高いガスなどを供給する第２ガス供給部（不図示）から供給されても良い。なお、供給口３１は、突出部２と基板４との間に気体を供給できれば良く、この形状に限られない。供給口３１は、例えば、突出部２と基板４との間に向かう貫通孔であっても良い。
【００２７】
さらに、供給口３１側の突出部２の側面３２は、突出部２の先端から根元に向かうに従って外周側に傾斜している。本実施形態の突出部２は、−Ｚ方向に向かうに従って、幅が狭くなってゆく形状となっている。側面３２が傾斜を含むことによって供給口３１から供給される気体が突出部２と基板４との間に入りやすくなる。これにより、突出部２と基板４との間からはみ出してきたインプリント材８をより効率よく揮発させ、除去することができ、パターン欠陥の発生を低減することが可能となる。
【００２８】
（第５実施形態）
次に、第５実施形態のモールドについて説明する。第５実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図７は、第５実施形態に係るモールド１の一部の断面図である。本実施形態のモールド１は、突出部２の表面に導電性材料４１を有する。
【００２９】
導電性材料４１は、突出部２の一部に取り付けられている。インプリント処理において、モールド１とインプリント材８との接触後はモールド１が＋Ｚ方向に移動し、インプリント材８から離れてゆく。この時、インプリント材８とモールド１とが離れるときにモールド１が帯電することが剥離帯電現象として知られている。この剥離帯電現象は、モールド１の表面に、例えばパーティクルなどの微小な異物を静電力により引き寄せるため、微小な異物がモールド１に付着した場合はモールド１を破損させ、パターン欠陥発生の原因となりうる。剥離帯電現象によりモールド１とインプリント材８との間の電位差が放電電圧よりも高くなった場合には、モールド１とインプリント材８との間で電子雪崩現象が起き、モールド１の表面が除電される。この放電電圧は絶縁体よりも導電体のほうがより小さくなるため、突出部２の基板４と対抗する部分を導電性材料４１で構成することによって、電子雪崩をより起こしやすくすることができる。結果として、モールド１の基板４と対向する面を除電しやすくすることができ、パターン欠陥の発生を低減することが可能となる。導電性材料４１としては、電気抵抗率が石英ガラスよりも小さい材料が良い。例えば、ボロンやリンをイオン注入して導電性材料４１を形成してもよいし、クロム、ルテニウムなどの金属材料を成膜してもよい。
【００３０】
（第６実施形態）
次に、第６実施形態のモールドについて説明する。第６実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図８は、第６実施形態に係るモールド１の一部の断面図である。本実施形態のモールド１は、パターン部３の外周部の一部にのみ、突出部２が配置されている。
【００３１】
図８は、モールド１を−Ｚ方向から見た場合を示している。ここでは、一例として四角い形状のパターン部３を示しているがパターン部３はその他の形状の多角形でもよい。本実施形態では、パターン部３の外周部の角以外の位置に、複数の突出部２が不連続に配置されている。パターン部３の角部分はインプリント処理において、インプリント材８が充填されにくい箇所である。このインプリント材が充填されにくい角部分に突出部２を設けないことにより、角部分にインプリント材が広がりやすくなり、充填されやすくなる。したがって、インプリント材８がモールド１の外側（パターン部３と反対方向）へ流れ出しにくくなり、かつパターン部３の角部分の充填性も向上する。
【００３２】
（第７実施形態）
次に、第７実施形態のモールドについて説明する。第７実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。本発明の一実施形態に係るモールドを適用可能な装置は、基板の上に平坦化層を形成する平坦化装置である。平坦化装置では、パターンが形成されていないモールド（平面テンプレート）を用いて、基板の上に平坦化層を形成する。平坦化装置は、基板に予め供給された未硬化の組成物（インプリント材）に対して平面プレートを押し当てて基板面内の局所平面化を行う。平坦化処理は、基板上に供給された硬化性組成物に平面テンプレートの平坦部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化性組成物を硬化させる工程を含む。
【００３３】
平坦化装置では、平面テンプレートを用いて、基板の上に平坦化層を形成する。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセス基板は１００ｎｍ前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のＤＯＦ（Ｄｅｐｔｈ  Ｏｆ  Ｆｏｃｕｓ）を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来手法としてＳＯＣ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｃａｒｂｏｎ）、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）のような平坦化層を形成する手法が用いられている。しかし従来技術では十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。
【００３４】
この問題を解決するために、本実施形態の平坦化装置は、基板に予め塗布された未硬化の組成物に対して平面テンプレート（平面プレート）を押し当てて基板面内の局所平面化を行う。本実施形態において、平坦化装置の構成は、図１に示したインプリント装置７と概ね同様とすることができる。ただし平坦化装置では、凹凸パターンが形成されたパターン部３を有するモールドの代わりに、基板４と同じかそれより大きい面積の平面プレートを使用し、基板の上の組成物層の全面に接触させる。インプリントヘッド９は、そのような平面プレートを保持するように構成される。
【００３５】
ここで、図９を参照して、平坦化処理の概要を説明する。図９は、平坦化処理のフローを示す図である。図９（ａ）に示すように、下地パターン９１が形成されている基板４に対して、供給部６からインプリント材８を供給する。図９（ａ）は、基板上にインプリント材８を供給し、平面プレート９０を接触させる前の状態を示している。次いで、図９（ｂ）に示すように、基板上のインプリント材８とモールド１の平面部９２とを接触させる。図９（ｂ）は、平面プレート９０の平面部９２が基板上のインプリント材８に完全に接触し、平面プレート９０の平面部９２が基板４の表面形状に倣った状態を示している。そして、図９（ｂ）に示す状態で、照明系から、平面プレート９０を介して、基板上のインプリント材８に光を照射してインプリント材８を硬化させる。次に、図９（ｃ）に示すように、基板上の硬化したインプリント材８から平面プレート９０を引き離す。これにより、基板４の全面で均一な厚みのインプリント材８の層（平坦化層）を形成することができる。図９（ｃ）は、基板上にインプリント材８の平坦化層が形成された状態を示している。
【００３６】
図１０は、第７実施形態に係るモールドの一部の断面図である。本実施形態のモールドは、平坦化装置に使用される平面プレート９０である。平面プレート９０は、例えば、円形又は四角形の外形を有し、基板４上のインプリント材８（組成物）に接触して基板４の表面形状に倣う平面部９１を含む。平面部９１は、例えば、基板４と同じ大きさ、又は、基板４よりも大きい。平面部９１は、第１乃至第６実施形態のパターン部３に相当する。即ち、第１乃至第６実施形態は、平面プレート９０に応用することが可能である。
【００３７】
平面プレート９０は、平面部９１の外周部に、平面部９１よりも突出する突出部２を有する。突出部２は、平面部９１よりも−Ｚ方向に突出している。平面プレート９０が平面部９２よりも突出する突出部２を備えることにより、平面プレート９０と基板４上のインプリント材８との接触時において、突出部２と接触するインプリント材８の厚さは、平面部９１と接触するインプリント材８の厚さよりも薄くなる。すると、突出部２は、平面プレート９０の外周部に形成されているため、外周部に位置する未硬化のインプリント材８の粘性が高くなり、未硬化のインプリント材８が平面プレート９０の外側（平面部９１と反対方向）へ流れ出しにくくなる。したがって、この突出部２を平面部９１の周辺に平面部９１を囲むように設けることによって、平面プレート９０とインプリント材８との接触時において、平面部９１からその外周部へインプリント材８がはみ出すことを抑制することができる。突出部２は、平面部９１よりも５ｎｍ以上−Ｚ方向に高くなっていることが望ましいが、これに限らない。
【００３８】
このような構成とすることにより、インプリント材の残渣が発生することを抑制し、結果として、次の工程におけるインプリント処理において、パターン欠陥が発生することを抑制することが可能となる。
【００３９】
（物品製造方法に係る実施形態）
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、組成物剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４０】
インプリント装置７を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、モールド等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。モールドとしては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４１】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、組成物マスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、組成物マスクは除去される。
【００４２】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板４ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４３】
図１１（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板４ｚとモールド４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚはモールド４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を、モールド４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４４】
図１１（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、モールド４ｚと基板４ｚを引き離すと、基板４ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚにモールド４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００４５】
図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
なお、モールド４ｚとして、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用のモールドを用いた例について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有する平面テンプレートであってもよい。
【００４６】
（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１    モールド
２    突出部
３    パターン部
４    基板
５    基板ステージ
７    インプリント装置
９    インプリントヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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