(57)【要約】【課題】放熱性能および冷却性能を維持しつつ、サージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減し、高い信頼性を実現する静止誘導電器および静止誘導電器の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の静止誘導電器は、鉄心と、鉄心に巻回された巻線（２ａ）と、巻線（２ａ）の上面または下面に設けられたコイル間スペーサ（２０）と、巻線（２ａ）の両側面に設けられ、コイル間スペーサ（２０）を支持する一対の直線スペーサ（１１，１２）とを備え、コイル間スペーサ（２０）または直線スペーサ（１１，１２）の表面の少なくとも一部に、非線形抵抗特性を有する半導体層（６０１，６０２）が設けられていることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄心と、前記鉄心に巻回された巻線と、前記巻線の上面または下面に設けられたコイル間スペーサと、前記巻線の両側面に設けられ、前記コイル間スペーサを支持する一対の直線スペーサとを備え、
前記コイル間スペーサまたは前記直線スペーサの表面の少なくとも一部に、非線形抵抗特性を有する半導体層が設けられていることを特徴とする静止誘導電器。
【請求項２】
前記半導体層は、前記コイル間スペーサまたは前記直線スペーサの前記巻線に接する面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静止誘導電器。
【請求項３】
前記半導体層は、前記巻線と前記直線スペーサとの間に配置される板状部材および前記巻線と前記コイル間スペーサとの間に配置される板状部材からなるＬ字状の部材であることを特徴とする請求項１に記載の静止誘導電器。
【請求項４】
前記半導体層は、前記コイル間スペーサの表面全体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静止誘導電器。
【請求項５】
前記巻線は、前記鉄心に沿って複数の巻線が並べられて巻回されたものであり、
前記巻線のうち、前記鉄心に最も近い巻線および鉄心に最も遠い巻線の前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサと接する面に前記半導体層が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の静止誘導電器。
【請求項６】
前記半導体層の端部が接地に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の静止誘導電器。
【請求項７】
鉄心に巻回される巻線の両側面を支持する一対の直線スペーサを設置する工程と、
前記一対の直線スペーサの間に前記巻線を設置する工程と、
前記巻線の上面または下面にコイル間スペーサを設置する工程とを有し、
前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサの表面の少なくとも一部に、非線形抵抗特性を有する半導体層を設ける工程を含むことを特徴とする静止誘導電器の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層を設ける工程は、前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサを設置した後に、非線形抵抗特性を有する半導体材料を含む塗布液を前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサの表面に塗布し、乾燥する工程であることを特徴とする請求項７に記載の静止誘導電器の製造方法。
【請求項９】
前記半導体層を設ける工程は、前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサを設置した後に、前記半導体層を前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサの表面に接着する工程であることを特徴とする請求項７に記載の静止誘導電器の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体層を設ける工程は、前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサを設置する前に、前記非線形抵抗特性を有する半導体材料を含む塗布液を前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサの表面に塗布し、乾燥する工程であることを特徴とする請求項７に記載の静止誘導電器の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体層を設ける工程は、前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサを設置する前に、前記半導体層を前記直線スペーサまたは前記コイル間スペーサの表面に接着する工程であることを特徴とする請求項７に記載の静止誘導電器の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体層は、前記巻線と前記直線スペーサとの間に配置される板状部材および前記巻線と前記コイル間スペーサとの間に配置される板状部材からなるＬ字状の部材であることを特徴とする請求項９または１１に記載の静止誘導電器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静止誘導電器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用変圧器の信頼性に関わる重要な特性として、雷などのサージに対する衝撃電圧特性がある。これは高周波成分を含んだ単極性のサージ電圧が侵入してきた時の変圧器内部の巻線の過渡特性、いわゆる電位振動特性であり、この特性が悪いと巻線内に過電圧が発生し、場合によっては破壊に至ることもある。
【０００３】
巻線の電位振動特性改善方法としては、従来巻線の巻回構造を変えて巻線の直列静電容量を増すことが一般的であり、素線導体を入組んで巻回するインターリーブ巻や、複数段離れたコイル間を静電結合させるシールド導体をコイル内に巻込んだいわゆるＣＣ（コンデンサカップリング）シールド巻線などがよく用いられている。
【０００４】
特開２００１−２５４７７１号公報（特許文献１）には、絶縁性ガスを封入する密閉容器と、密閉容器に収容され、巻線導体および当該巻線導体の外周を覆う巻線被覆を有する巻線とを備え、巻線被覆は、所定の電界値を超えると抵抗率が低下する非線形抵抗材料を塗布または含浸され、もしくは非線形抵抗材料を含有するフィルムで囲われたことを特徴とするガス絶縁変圧器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２５４７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の手段では、巻線又はダクトピースの表面全体を半導体材料で覆っているため、放熱性能が低下する可能性がある。また、冷却媒体を油とする場合、巻線やダクトピースに油が含浸せず、冷却性能が低下する可能性がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記事情に鑑み、放熱性能および冷却性能を維持しつつ、サージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減し、高い信頼性を実現する静止誘導電器および静止誘導電器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の第１の態様は、鉄心と、鉄心に巻回された巻線と、巻線の上面または下面に設けられたコイル間スペーサと、巻線の両側面に設けられ、コイル間スペーサを支持する一対の直線スペーサとを備え、コイル間スペーサまたは直線スペーサの表面の少なくとも一部に、非線形抵抗特性を有する半導体層が設けられていることを特徴とする静止誘導電器である。
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明の第２の態様は、鉄心に巻回される巻線の両側面を支持する一対の直線スペーサを設置する工程と、一対の直線スペーサの間に巻線を設置する工程と、巻線の上面または下面にコイル間スペーサを設置する工程とを有し、直線スペーサまたはコイル間スペーサの表面の少なくとも一部に、非線形抵抗特性を有する半導体層を設ける工程を含むことを特徴とする静止誘導電器の製造方法である。
【００１０】
本発明のより具体的な構成は、特許請求の範囲に記載される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、放熱性能および冷却性能を維持しつつ、サージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減し、高い信頼性を実現する静止誘導電器および静止誘導電器の製造方法を提供することができる。
【００１２】
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１の静止誘導電器の正面図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】図２の高圧巻線の模式図
【図４】図２の高圧巻線の断面図
【図５】図２の高圧巻線部の平面断面図
【図６】図５のＢ−Ｂ線断面図
【図７Ａ】実施例１の静止誘導電器の製造方法の第１の例を示すフロー図
【図７Ｂ】実施例１の静止誘導電器の製造方法の第２の例を示すフロー図
【図８】実施例２の静止誘導電器の高圧巻線の一部の平面断面図
【図９】図８のＣ−Ｃ線断面図
【図１０】実施例３の静止誘導電器の高圧巻線の一部の平面断面図
【図１１】図１０のＤ−Ｄ線断面図
【図１２】図１１のディスクコイル１１０の模式図
【図１３】実施例４の静止誘導電器の高圧巻線の一部の平面断面図
【図１４】図１３のＥ−Ｅ線断面図
【図１５Ａ】直線スペーサの他の例の示す上面図
【図１５Ｂ】直線スペーサの他の例の示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を用いて本発明の好ましい実施形態について詳説する。なお、発明の実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００１５】
実施例１について図１から７を用いて説明する。図１は実施例１の静止誘導電器の正面図である。図１に示す静止誘導電器１０００は、電力用三相変圧器であり、巻線ユニット５００１、５００２および５００３が、三相三脚の鉄心１の各脚の周囲に巻回されている。鉄心や巻線ユニットを冷却する流体絶縁物として大気以外のもの、例えば絶縁油や六フッ化硫黄ガスを用いる場合、巻線ユニット５００１，５００２，５００３と鉄心１は、図示していないタンクの内部に流体絶縁物とともに収納される。
【００１６】
次に、巻線ユニット５００１の構成を詳細に説明する。なお、以下では巻線ユニット５００１を取り上げて説明するが、巻線ユニット５００２，５００３についても巻線ユニット５００１と同様の構成である。
【００１７】
図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図２に示すように、本実施例における巻線ユニット５００１は、鉄心１の周囲に巻回された低圧巻線５００と、低圧巻線５００の外周を取り囲むように設けられた絶縁物３０と、絶縁物３０の外周に巻回された高圧巻線２ａとで構成されている。
【００１８】
図３は図２の高圧巻線の模式図であり、図４は図３の高圧巻線の断面図である。図３に示すように、高圧巻線２ａは、巻線の端部１００ａより外側から内側に向けて５ターン、即ち、ターン１１１，１１２，１１３，１１４，１１５の順に巻き回された後、下段に亘り、内側から外側に向けて５ターン、即ちターン１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の順に巻き回され、更に下段へと同様に繰り返され、構成されている。なお、段ごとにおける巻線のターン数に特に限定は無く、適宜変更することができる。
【００１９】
図４に示すように、高圧巻線２ａは導体４００と、導体４００の表面に設けられた絶縁皮膜３００を有する巻線導体１００で構成されており、絶縁皮膜３００が径方向や上下に隣接する導体間における絶縁の役割を担っている。
【００２０】
図５は図３の高圧巻線の平面断面図である。図５に示すように、各段の間に流体絶縁物の流路を確保するため、高圧巻線２ａの周方向に沿って複数個のコイル間スペーサ２０が配置されている。コイル間スペーサ２０の両端は、直線スペーサ１０で支持されている。直線スペーサ１０は、一対の外側直線スペーサ１１と内側直線スペーサ１２が所定の間隔をおいて配置されたものである。なお、本実施例において、コイル間スペーサ２０は１枚とした場合の例を示しているが、複数枚を巻線の積層方向に重ねて配置していてもよい。
【００２１】
図６は図５のＢ−Ｂ線断面図である。図３でも説明したが、高圧巻線２ａは巻線導体であるターン１１１〜１１５が隣接して同じ段に配置されたディスクコイル１１０と、ターン１２１〜１２５が隣接して同じ段に配置されたディスクコイル１２０とが、上下方向に積層されている。ディスクコイル間にはコイル間スペーサ２０が設けられており、ディスクコイルの最内周の巻線導体（１１５，１２１）の側面に接する直線スペーサ１２と、最外周の巻線導体（１１１，１２５）の側面に接する直線スペーサ１１によって支持されている。コイル間スペーサ２０と直線スペーサ１０は、プレスボード等の絶縁体が用いられる。そして、ターン１１５，１２１と直線スペーサ１２との間およびターン１１１，１２５と直線スペーサ１１との間には、半導体層６００が設けられている。
【００２２】
半導体層６００は、電界が低い場合には、高い体積抵抗率であるが、電界が高くなった場合は非線形的に体積抵抗率が低下する非線形抵抗特性を有する半導体材料（バリスタ）を含んでいる。
【００２３】
雷などの高周波成分を含んだ単極性のサージ電圧が侵入してきた時、各導体巻線の電位分布が不均一になる。これは、高周波成分がインダクタンス成分を主とする巻線に流れにくくなるためである。サージ電圧侵入時はディスクコイル間にて電位差が大きくなる。
【００２４】
本実施例では、図６に示すように半導体層６００を設けていることで、ターン１１１とターン１２５の間に大きな電位差が発生した場合、半導体層６００の体積抵抗率が低下し、巻線とは別の経路（導電パス）にて電流を流れやすくすることで、ディスクコイル間の電位差を抑制できる。すなわち、半導体層６００を直線スペーサ１１，１２と巻線との間に設けることで、異常電圧の印加、例えば雷インパルス電圧印加時に、図６中の点線で示す導電パスが形成され、巻線間の電位差を低減することができる。
【００２５】
本発明は、特に電位差が高くなる部分にのみ半導体層６００を形成しており、巻線の表面全体（例えば、ターン１１１の表面全体）を半導体層で覆うものと比較して巻線の放熱性を損なうことがない。また、巻線間の流体絶縁物の含浸も妨げないため、冷却性能を低減することがない。さらに、半導体層６００の設置スペースを必要最小限に留めていることから、機器の小型化および材料費の低減を実現することもできる。
【００２６】
半導体層６００に含まれる半導体材料としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）およびＳｉＣ等を用いることができる。この中でも、バリスタ特性の観点からＺｎＯが最も好ましい。これらは１種類のものでもよいが、複数種類のものを組み合わせてもよい。
【００２７】
半導体層６００の好ましい膜厚については、次のように決定することができる。上述した通り、半導体層６００に含まれる半導体材料は、電圧が一定値を超えると電流が流れやすくなる。この時の電圧をＶｔとする。このＶｔは、材料または膜厚によって調整可能である。材料を固定した場合、半導体層６００の膜厚が厚いほどＶｔは大きくなり、材料が薄いほどＶｔは小さくなる。
【００２８】
変圧器において発生する電圧として、交流（ＡＣ）と雷インパルス（ｉｍｐ）の２種類が発生する。ＡＣの場合は、商用周波数（５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ）であり、巻線の段間ではほぼ一定の電位差となる。例えば、１０段の場合、それぞれの段間の電位差は、おおよそ印加電圧を１０で割った値となる。一方、Ｉｍｐの場合は、周波数が数１００ｋＨｚとなるため、巻線で構成されるインダクタンス成分は高い周波数の電圧が流れにくいことから、段間の電位差は場所により異なる。そのため、ある部分では電位差が高くなり、これを抑制する必要がある。この時のＡＣでの段間の電位差をＶａｃ、ｉｍｐでの段間の電位差をＶｉｍｐとする。
【００２９】
半導体層６００の膜厚は、
（１）Ｖｔ＝Ｖｉｍｐとなるような膜厚とする
（２）１．１×Ｖａｃ＜Ｖｔ＜Ｖｉｍｐとなるような膜厚とする
（３）Ｖｔ＝１．１×Ｖａｃ（Ｖａｃより僅かにＶｔを大きくする）となるような膜厚とすることが考えられる。（１）の場合、ｉｍｐ時の電位差を低減することが可能となるが、膜厚が厚くなることで、材料費が大きくなる可能性がある。（３）の場合、膜厚が薄くなることで、材料費を削減可能であるが、ＶｔがＶａｃに近づきすぎると本来巻線を流れるはずの電流が半導体層６００に流れる恐れがあり、変圧器としての効率を落とす可能性がある。
【００３０】
上記（１）〜（３）と静止誘導電器の仕様などに基づき、半導体層６００の好ましい膜厚を決定することができる。上述した特許文献１は、非線形抵抗材料層の膜厚を厚くするほど電界緩和の効果が大きくなるが、本発明では上述した通り半導体層６００に適切な膜厚があり、その膜厚で十分な効果を得ることができる。
【００３１】
半導体材料の体積抵抗率が低下し始める電界Ｖｔに関しては、上述した通り、材料の組合せや、配合比率および半導体層の厚みなどにより調整することができる。また、半導体層内部の構成や半導体材料の粒度分布を制御するため、界面活性剤を添加したり、半導体材料の粒子に表面処理を施してもよい。
【００３２】
次に、図６に示す静止誘導電器の製造方法について説明する。図７Ａは実施例１の静止誘導電器の製造方法の第１の例を示すフロー図であり、図７Ｂは実施例１の静止誘導電器の製造方法の第２の例を示すフロー図である。図７Ａおよび７Ｂに示すように、静止誘導電器は、直線スペーサ１１，１２を設置する工程（Ｓ１）、直線スペーサの表面に半導体材料を含む塗布液を塗布し、乾燥する工程（Ｓ２ａ）、ディスクコイル１２０を設置する工程（Ｓ３）、コイル間スペーサ２０を設置する工程（Ｓ４）およびディスクコイル１１０を設置（Ｓ５）する工程を含む。ディスクコイルの設置とコイル間スペーサの設置は、必要な数のディスクコイルが積層されるまで繰り返すことができる。
【００３３】
図６のように半導体層６００を設ける場合、直線スペーサ１１，１２を設置した後で、直線スペーサ１１，１２の表面に、半導体層材料を含む塗布液を塗布し、乾燥することで半導体層６００を設けることができる。塗布液は、上述した半導体材料をセルロース、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂に混合したものを使用することができる。このような塗布液を直線スペーサ１１，１２の表面に含浸させるか、またはスプレーガンなどで吹き付けて塗布することができる。塗布液を自然乾燥するか、熱や光によって硬化することで直線スペーサ１１，１２に固定することができる。
【００３４】
また、図７Ｂに示すように、予め半導体層の材料を固化して所定の形状にしたもの（フィルムなど）を成形しておき、テープなどで直線スペーサ１１，１２の表面に接着する工程（Ｓ２ｂ）によっても半導体層６００を形成することができる。
【００３５】
なお、本実施例では直線スペーサ１１，１２の一部（ディスクコイルに対向する面）に半導体層材料を含む塗布液を塗布しているが、直線スペーサ１１，１２の全体に塗布した場合でも同様の効果が得られる。
【００３６】
図１５Ａは直線スペーサの他の例の示す上面図であり、図１５Ｂは直線スペーサの他の例の示す斜視図である。本発明は、図５および図６に示す形状の直線スペーサ１０ａのみではなく、図１５Ａおよび図１５Ｂに示す直線スペーサ１０ｂにも適用することができる。
【００３７】
上述したように、実施例１の静止誘導電器によれば、雷などの高周波成分を含んだサージ電圧が印加された場合に生じるディスクコイル間の電位差を抑制できる。半導体層６００は巻線の表面全体に設けられるものではないから、巻線の放熱性能および冷却性能を損なうこと無く、半導体層６００の設置スペースを最小限に留めながらサージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減することができる。したがって、静止誘導電器を小型化できるとともに、絶縁信頼性を向上することが可能となる。
【実施例２】
【００３８】
図８は実施例２の静止誘導電器の高圧巻線の一部の平面断面図であり、図９は図８のＣ−Ｃ線断面図である。実施例１では直線スペーサ１１，１２にのみ半導体層６００を設けていたが、本実施例ではコイル間スペーサ２０にも半導体層６００を設けている点が実施例１と異なる。
【００３９】
直線スペーサ１１，１２とコイル間スペーサ２０の接合部では、製造工程により隙間が生じることがあり、この隙間が弱点部（電界集中部分）となる恐れがある。また、コイル間スペーサ２０の端部の形状が角張っている場合、この角部が電界が集中しやすい構造となる。
【００４０】
本実施例では、図９に示すように、半導体層材料をコイル間スペーサ２０のコイル間スペーサ２０と直線スペーサ１１，１２との接合部を含む部分に塗布した半導体層６１１，６１２を有する構成としている。これによりコイル間スペーサの角部において電界が集中した場合でも、半導体層６１１，６１２による導電パスに流れることにより、電界を緩和することができる。また、半導体層６１１，６１２によりコイル間スペーサ２０と直線スペーサ１１，１２の隙間を埋めることで、弱点部に生じる放電を抑制できる。
【００４１】
上述したように、実施例２によれば、ディスクコイル間の電位差だけでなく、コイル間スペーサ２０に生じる電界を緩和することができ、放熱性能および冷却性能を損なうこと無く、半導体層６０１，６０２の設置スペースを最小限に留めながらサージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減することができる。したがって、静止誘導電器を小型化できるとともに、絶縁信頼性を向上することが可能となる。
【実施例３】
【００４２】
図１０は実施例３の静止誘導電器の高圧巻線の一部の平面断面図であり、図１１は図１０のＤ−Ｄ線断面図である。図１０および図１１に示すように、実施例３の半導体層６２１，６２２は、巻線と直線スペーサとの間に配置される板状部材および巻線とコイル間スペーサとの間に配置される板状部材からなるＬ字状の部材である。
【００４３】
巻線の構造によっては、ディスクコイル１１０，１２０間に生じる電位差よりも、ターン間（ターン１１４と１１５の間など）に電位差が大きくなる場合がある。その場合、このターン間の楔部に電界が集中しやすい構造となる。本実施例では、半導体層をこのターン間にまで塗布することにより、たとえ電界が集中した場合でも、半導電材料に電流が流れる構成とすることで、ターン間の電界を抑制できる。
【００４４】
図１２は図１１のディスクコイル１１０の模式図である。図１２に示すように、本実施例の半導体層６２１，６２２は、半導体材料を含む塗布液を図１２に示す箇所に塗布して乾燥するか、図１２に示すＬ字状の半導体層６２１，６２２を予め作製しておいてからディスクコイル１１０の両端に接着することで設けることができる。
【００４５】
上述したように、実施例３によれば、ターン間に生じる電界を抑制可能である。したがって、放熱性能および冷却性能を損なうこと無く、半導体層６２１，６２２の設置スペースを最小限に留めながらサージ電圧印加時のコイル間およびターン間の電位差を低減することができる。
【実施例４】
【００４６】
図１３は実施例４の静止誘導電器の高圧巻線の一部の平面断面図であり、図１４は図１３のＥ−Ｅ線断面図である。本実施例では、コイル間スペーサ２０の全面および巻線の全面に半導体層６００を設けている点が他の実施例と異なる。
【００４７】
実施例１では、高圧巻線２ａの最内周または最外周のディスクコイル間にて電位差が大きくなった場合は、この電位差を抑制することができる。しかし、１段におけるターン数が多くなった場合など、巻線の構造により段の中心部におけるコイル間にて電位差が過大となる可能性がある。
【００４８】
そこで、本実施例では、図１３および図１４に示すように、ディスクコイルの全面と、コイル間スペーサ２０の全面に半導電材料６００を塗布している。なお、コイル間スペーサ全体に半導電材料を塗布した場合、冷却性能が低下することと、流体絶縁物が絶縁油の場合、絶縁被膜に含浸しなくなり、絶縁性が低下する。そこで、図１３に示すように、半導電材料６００はコイル間スペーサ２０と巻線が接触する部分の表面のみとしている。また、ディスクコイルの全面に半導体材料を設けていることから、巻線の全面に半導体層を設ける場合と比較して、静止誘導電器の放熱性能および冷却性能を損なうことが無い。
【００４９】
実施例４の構成により、雷などのサージが進入し、ディスクコイル間にて電位差が生じた場合でも、ディスクコイルとコイル間スペーサの表面に塗布した半導電材料に導電パスが形成されることで、電位差を低減することができる。
【００５０】
上述したように、実施例４によれば、ディスクコイル全体に生じた電位差を低減可能である。したがって、放熱性能および冷却性能を損なうこと無く、半導体層の設置スペースを最小限に留めながら、ディスクコイル全体で、サージ電圧印加時のコイル間およびターン間の電位差を低減することができる。
【００５１】
以上、説明したように、本発明によれば放熱性能および冷却性能を維持しつつ、サージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減し、高い信頼性を実現する静止誘導電器および静止誘導電器の製造方法を提供できる。
【００５２】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【００５３】
例えば、半導体層は直線スペーサとコイル間スペーサの少なくとも一方に設けられていればよい。実施例２では直線スペーサとコイル間スペーサの両方に半導体層が設けられているが、コイル間スペーサにのみ半導体層が設けられていてもよい。また、実施例３では直線スペーサにのみ半導体層が設けられているが、コイル間スペーサにも半導体層が設けられていてもよい。さらに、実施例４ではコイル間スペーサおよびディスクコイルの表面に半導体層が設けられているが、直線スペーサにも半導体材料が設けられていてもよい。サージ電圧印加時のコイル間の電位差を低減、放熱性能および冷却性能をバランスでさせる範囲において、半導体層の増減を適宜行うことができる。
【符号の説明】
【００５４】
１…鉄心、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…高圧巻線、１０ａ，１０ｂ…直線スペーサ、１１…外側直線スペーサ、１２…内側直線スペーサ、２０…コイル間スペーサ、３０…絶縁物、１００…巻線、１１０，１２０…ディスクコイル、３００…絶縁皮膜、４００…導体、５００…低圧巻線、６００，６０１，６０２，６２１，６２２，６３０…半導体層、１０００…静止誘導電器、５００１，５００２，５００３…巻線ユニット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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