(57)【要約】【課題】セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することが可能な保持装置を提供する。【解決手段】保持装置の製造方法は、複数の突起に加えて、第１の方向の長さが突起の第１の方向の長さに比べて短い複数の調整用凸部が第１の中間表面に形成された中間セラミックス体を準備する準備工程と、温度測定用ウェハを第１の表面上に配置し、かつ、温度測定用ウェハと第１の表面との間にガスを供給した状態で温度測定用ウェハの温度分布を測定する測定工程と、測定工程における温度分布の測定結果に基づき、中間セラミックス体の第１の表面に形成された複数の調整用凸部のうち、相対的に温度が高い領域に位置する調整用凸部の少なくとも一部を除去することにより、セラミックス部材を形成する調整工程と、を含む。【選択図】図５
2019220496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
前記複数の突起に加えて、前記第１の方向の長さが前記突起の前記第１の方向の長さに比べて短い複数の調整用凸部が第１の中間表面に形成された中間セラミックス体を準備する準備工程と、
温度測定用ウェハを前記第１の表面上に配置し、かつ、前記温度測定用ウェハと前記第１の表面との間にガスを供給した状態で前記温度測定用ウェハの温度分布を測定する測定工程と、
前記測定工程における温度分布の測定結果に基づき、前記中間セラミックス体の前記第１の表面に形成された前記複数の調整用凸部のうち、相対的に温度が高い領域に位置する調整用凸部の少なくとも一部を除去することにより、前記セラミックス部材を形成する調整工程と、
を含む、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置の製造方法において、
前記中間セラミックス体の前記第１の表面は、第１の表面領域と、前記第１の方向視で前記調整用凸部の密度が、前記第１の表面領域における前記調整用凸部の密度に比べて高い第２の表面領域を含んでいる、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保持装置の製造方法において、
複数の調整用凸部は、第１の調整用凸部と、前記第１の方向視での面積が、前記第１の調整用凸部の前記第１の方向視での面積に比べて大きい第２の調整用凸部と、を含む、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、保持装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略垂直な略平面状の表面（以下、「吸着面」という）を有するセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。このような静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面に複数の突起が形成されており、複数の突起によって半導体ウェハが支持される。また、セラミックス部材の吸着面と半導体ウェハとの間に存在するガスを介して、セラミックス部材と半導体ウェハとの間の熱伝達が行われる（下記特許文献１，２参照）。
【０００３】
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１５６６１９号
【特許文献２】特開２００２−２２２８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数の突起が吸着面に形成されたセラミックス部材を備える静電チャックでは、例えばセラミックス部材の内部構造に起因して高温または低温の温度特異点が存在することがある。そのため、従来の静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、ウェハの温度分布の制御性）の点で向上の余地がある。
【０００６】
なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、複数の突起が形成された表面を有するセラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
【０００７】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書に開示される技術は、以下の形態として実現することが可能である。
【０００９】
（１）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有し、前記第１の表面に複数の突起が形成されたセラミックス部材を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記複数の突起に加えて、前記第１の方向の長さが前記突起の前記第１の方向の長さに比べて短い複数の調整用凸部が第１の中間表面に形成された中間セラミックス体を準備する準備工程と、温度測定用ウェハを前記第１の表面上に配置し、かつ、前記温度測定用ウェハと前記第１の表面との間にガスを供給した状態で前記温度測定用ウェハの温度分布を測定する測定工程と、前記測定工程における温度分布の測定結果に基づき、前記中間セラミックス体の前記第１の表面に形成された前記複数の調整用凸部のうち、相対的に温度が高い領域に位置する調整用凸部の少なくとも一部を除去することにより、前記セラミックス部材を形成する調整工程と、を含む。本保持装置の製造方法では、突起より短い複数の調整用凸部が形成された第１の表面を有する中間セラミックス体を準備し、第１の表面の温度分布の測定結果に基づき、複数の調整用凸部のうち、相対的に温度が高い領域に位置する調整用凸部の少なくとも一部を除去する。調整用凸部の少なくとも一部を除去することにより、ガスの充填量（対象物とセラミックス部材との間に供給されるガスの量）を調整することができる。これにより、温度調整を行うことができ、しいては、高温または低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面における温度分布を制御することが可能な保持装置を提供することができる。
【００１０】
（２）上記保持装置の製造方法において、前記中間セラミックス体の前記第１の表面は、第１の表面領域と、前記第１の方向視で前記調整用凸部の密度が、前記第１の表面領域における前記調整用凸部の密度に比べて高い第２の表面領域を含んでいるとしてもよい。本保持装置の製造方法では、中間セラミックス体の前記第１の表面において、第１の表面領域と第２の表面領域とは、調整用凸部の密度が互いに異なる。調整工程において、調整用凸部の密度が高いほど、微少な調整幅で第１の表面における温度分布を調整できる。このため、本保持装置の製造方法によれば、第１の表面領域と第２の表面領域とで、互いに異なる調整幅で第１の表面における温度分布を調整することができる。
【００１１】
（３）上記保持装置の製造方法において、複数の調整用凸部は、第１の調整用凸部と、前記第１の方向視での面積が、前記第１の調整用凸部の前記第１の方向視での面積に比べて大きい第２の調整用凸部と、を含むとしてもよい。本保持装置の製造方法では、中間セラミックス体の前記第１の表面において、第１の調整用凸部と第２の調整用凸部とは、第１の方向視での面積が互いに異なる。第１の方向視での面積が大きい調整用凸部ほど、１つの調整用凸部への除去により、広い調整幅で第１の表面における温度分布を調整できる。このため、本保持装置の製造方法によれば、第１の調整用凸部と第２の調整用凸部とで、１つの調整用凸部に対する除去について、互いに異なる調整幅で第１の表面における温度分布を調整することができる。
【００１２】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置、真空チャック、その他の複数の突起が形成された表面を有するセラミックス部材を備える保持装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】本実施形態における静電チャック１０のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。
【図５】本実施形態における静電チャック１０の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】中間セラミックス体９０Ａの作製方法の一部の工程を示す説明図である。
【図７】温度分布と各箇所Ｘ１〜Ｘ３における調整後の調整用凸部１８０の構成とを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１０の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、本実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図２には、図３のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１０のＸＺ断面構成が示されており、図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。上下方向（Ｚ軸方向）は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。
【００１５】
静電チャック１０は、対象物（例えば半導体ウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１０は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１００およびベース部材２００を備える。セラミックス部材１００とベース部材２００とは、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。
【００１６】
セラミックス部材１００は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１００の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１００の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００１７】
セラミックス部材１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対のチャック電極４００が設けられている（図２には一方のチャック電極４００のみ図示）。一対のチャック電極４００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によって半導体ウェハＷがセラミックス部材１００における下面Ｓ２とは反対側の表面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略垂直な略平面状の表面である。ただし、本実施形態では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に複数の微小な突起１７０（図１および図２では省略）が形成されている。複数の突起１７０は、上下方向（Ｚ軸方向）視で、少なくとも一の方向において互いに等間隔に配置されていることが好ましい。半導体ウェハＷが吸着面Ｓ１に吸着固定された状態では、複数の突起１７０の先端が半導体ウェハＷに接触するとともに、吸着面Ｓ１のうちの突起１７０が形成されていない非形成部分１７２と半導体ウェハＷの表面との間にわずかな空間が存在する。なお、突起１７０の先端の形状は、例えば略平坦状でもよいし（後述の図６，７等参照）、略半球状でもよい。セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸に垂直な方向（すなわち、吸着面Ｓ１に平行な方向）を「面方向」という。また、「第１の表面（吸着面Ｓ１）上に対象物（半導体ウェハＷ）を保持する」というのは、「半導体ウェハＷが吸着面Ｓ１に吸着固定された状態で、複数の突起１７０の先端が半導体ウェハＷに接触して保持する」ことを意味する。
【００１８】
ベース部材２００は、例えばセラミックス部材１００と同径の、または、セラミックス部材１００より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２００の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜４７０ｍｍ）であり、ベース部材２００の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００１９】
ベース部材２００の内部には冷媒流路２１０が形成されている（図２参照）。冷媒流路２１０に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２００が冷却され、接着層３００を介したベース部材２００とセラミックス部材１００との間の伝熱によりセラミックス部材１００が冷却され、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷが冷却される。これにより、半導体ウェハＷの温度制御が実現される。
【００２０】
セラミックス部材１００とベース部材２００とは、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３との間に配置された接着層３００（接合部）によって互いに接合されている。接着層３００は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤により構成されている。接着層３００の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００２１】
図２に示すように、セラミックス部材１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ電極５００が設けられている。ヒータ電極５００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５００が発熱することによってセラミックス部材１００が温められ、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷが温められる。これにより、半導体ウェハＷの温度制御が実現される。
【００２２】
Ａ−２．ガスを供給するための構成：
また、静電チャック１０は、セラミックス部材１００と半導体ウェハＷとの間の伝熱性を高めて半導体ウェハＷの温度分布の均一性をさらに高めるため、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間に存在する空間にガスを供給するための構成を備えている。なお、本実施形態では、このようなガスとして、ヘリウムガス（Ｈｅガス）が用いられる。以下、ヘリウムガスを供給するための構成について、図１〜図３を参照して説明する。
【００２３】
図２に示すように、ベース部材２００の下面Ｓ４には、図示しないヘリウムガス源と接続されるガス源接続孔２２１が形成されており、ベース部材２００の上面Ｓ３には、ガス供給孔２２２が開口している。ベース部材２００の内部には、ガス源接続孔２２１とガス供給孔２２２とを連通するガス供給流路２２０が形成されている。
【００２４】
また、図２に示すように、接着層３００には、ベース部材２００に形成されたガス供給孔２２２に連通すると共に、接着層３００を厚さ方向（上下方向）に貫通する貫通孔３１０が形成されている。
【００２５】
また、図１および図２に示すように、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１には、８つのガス噴出孔１０２が開口している。また、セラミックス部材１００の内部には、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に開口するガス流入孔１６０と、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に開口するガス噴出孔１０２とを接続するガス噴出流路１１０が形成されている。図２および図３に示すように、ガス噴出流路１１０は、ガス流入孔１６０から上方に延びる第１の縦流路１１１と、第１の縦流路１１１と連通すると共に面方向に環状に延びる横流路１１４と、横流路１１４から上方に延びてガス噴出孔１０２に連通する第２の縦流路１１２とから構成されている。
【００２６】
なお、本実施形態の静電チャック１０では、ヘリウムガスの供給経路が２系統存在する。すなわち、図３に示すように、セラミックス部材１００の内部には２つの横流路１１４が形成されている。図２および図３に示すように、２つの横流路１１４の内のセラミックス部材１００の中心に近い方の横流路１１４は、第１の縦流路１１１を介して、図２に示すガス流入孔１６０と連通しており、かつ、第２の縦流路１１２を介して、吸着面Ｓ１に開口する８つのガス噴出孔１０２の内のセラミックス部材１００の中心に近い４つのガス噴出孔１０２と連通している。また、２つの横流路１１４の内のセラミックス部材１００の中心から遠い方の横流路１１４は、第１の縦流路１１１を介して、ガス流入孔１６０と連通しており、かつ、第２の縦流路１１２を介して、吸着面Ｓ１に開口する８つのガス噴出孔１０２の内のセラミックス部材１００の中心から遠い４つのガス噴出孔１０２と連通している。
【００２７】
図２および図３に示すように、図示しないヘリウムガス源から供給されたヘリウムガスが、ガス源接続孔２２１からベース部材２００内部のガス供給流路２２０内に流入する。ガス供給流路２２０内に流入したヘリウムガスは、ガス供給流路２２０からガス供給孔２２２を経て接着層３００の貫通孔３１０内に流入する。貫通孔３１０内に流入したヘリウムガスは、セラミックス部材１００の内部のガス噴出流路１１０を構成する第１の縦流路１１１内に流入し、横流路１１４および第２の縦流路１１２を経て吸着面Ｓ１に形成された各ガス噴出孔１０２から噴出する。このようにして、吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間に存在する空間に、ヘリウムガスが供給される。
【００２８】
Ａ−３．セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１上の構成：
図４は、本実施形態における静電チャック１０のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。図４に示すように、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１には、上述の複数の突起１７０に加えて、非形成部分１７２に複数の調整用凸部１８０が形成されている。調整用凸部１８０の上下方向（Ｚ軸方向）の長さは、突起１７０の上下方向の長さより短い。なお、調整用凸部１８０の先端の形状は、例えば略平坦状でもよいし（後述の図６，７等参照）、略半球状でもよい。また、吸着面Ｓ１における調整用凸部１８０の密度は、吸着面Ｓ１における突起１７０の密度に対して、高いとしてもよいし、同じとしてもよいし、低いとしてもよい。ただし、吸着面Ｓ１における調整用凸部１８０の密度が、吸着面Ｓ１における突起１７０の密度より高ければ、後述の調整工程において、吸着面Ｓ１の温度分布を、より精度高く調整することができる。１つの調整用凸部１８０の上下方向視での面積は、１つの突起１７０の上下方向視の面積に対して、大きいとしてもよいし、同じとしてもよいし、小さいとしてもよい。
【００２９】
本実施形態では、吸着面Ｓ１の全体において、突起１７０の密度は略均一である。突起１７０の密度は、単位面積内に位置する突起１７０の数を意味する。なお、吸着面Ｓ１上において、複数の突起１７０は、上下方向（Ｚ軸方向）視で、互いに直交する２方向に略等間隔で並んでいる。また、複数の突起１７０は、いずれも、上下方向視での面積が略同一である。これに対して、吸着面Ｓ１には、調整用凸部１８０の密度が互いに異なる複数の表面領域が含まれる。調整用凸部１８０の密度は、単位面積内に位置する調整用凸部１８０の数を意味する。また、複数の調整用凸部１８０には、上下方向視での面積が互いに異なる調整用凸部１８０（第１の調整用凸部１８０Ａ、第２の調整用凸部１８０Ｂ）が含まれる。
【００３０】
具体的には、吸着面Ｓ１には、中央表面領域Ｅ１と中間表面領域Ｅ２と外周表面領域Ｅ３とが含まれている。中央表面領域Ｅ１は、吸着面Ｓ１の中央部を含んでいる。中央表面領域Ｅ１は、例えば、略円形の領域である。中間表面領域Ｅ２は、中央表面領域Ｅ１よりも吸着面Ｓ１の周縁側に位置している。中間表面領域Ｅ２は、例えば、中央表面領域Ｅ１の外周を囲む環状の領域である。外周表面領域Ｅ３は、中間表面領域Ｅ２よりもさらに吸着面Ｓ１の周縁側に位置している。外周表面領域Ｅ３は、例えば、中間表面領域Ｅ２の外周を囲む環状の領域である。中央表面領域Ｅ１に形成された各調整用凸部１８０（第１の調整用凸部１８０Ａ）の上下方向視での面積は、中間表面領域Ｅ２および外周表面領域Ｅ３に形成された各調整用凸部１８０（第２の調整用凸部１８０Ｂ）の上下方向視での面積より大きい。また、外周表面領域Ｅ３における調整用凸部１８０の密度は、中央表面領域Ｅ１における調整用凸部１８０の密度より高く、中間表面領域Ｅ２における調整用凸部１８０の密度より高い。なお、各表面領域Ｅ１〜Ｅ３において、複数の調整用凸部１８０は、上下方向（Ｚ軸方向）視で、少なくとも一の方向において互いに等間隔に配置されている。なお、複数の調整用凸部１８０には、後述する静電チャック１０の製造方法の調整工程（Ｓ１４０）において、一部または全部が除去されたものが含まれることがある。中央表面領域Ｅ１は、特許請求の範囲における第２の表面領域に相当し、中間表面領域Ｅ２および外周表面領域Ｅ３は、特許請求の範囲における第１の表面領域に相当する。
【００３１】
Ａ−４．静電チャック１０の製造方法：
図５は、本実施形態における静電チャック１０の製造方法を示すフローチャートである。
【００３２】
（中間セラミックス体９０Ａの準備工程）：
中間セラミックス体９０Ａを準備する（Ｓ１１０）。中間セラミックス体９０Ａは、後述の調整工程（Ｓ１４０）によって上述の静電チャック１０におけるセラミックス部材１００となるものである。すなわち、中間セラミックス体９０Ａは、セラミックス部材１００に対して、少なくとも１つの調整用凸部１８０の少なくとも一部が除去されたものである。中間セラミックス体９０Ａにおける吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の中間表面に相当する。中間セラミックス体９０Ａの作製方法は、次の通りである。
【００３３】
図６は、中間セラミックス体９０Ａの作製方法の一部の工程を示す説明図である。なお、図６では、中間セラミックス体９０Ａの内部構造は省略されている。まず、突起１７０および調整用凸部１８０が形成されていないセラミックス焼結体９０Ｂを作製する。例えば、セラミックス焼結体９０Ｂは以下の方法で製造される。すなわち、複数のセラミックスグリーンシート（例えばアルミナグリーンシート）を準備し、各セラミックスグリーンシートに、チャック電極４００およびヒータ電極５００やガス噴出流路１１０等を構成するためのメタライズインクの印刷や孔開け加工等を行い、その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、セラミックス焼結体９０Ｂが製造される。
【００３４】
次に、図６（Ａ）に示すように、セラミックス焼結体９０Ｂのうち、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１となる上面Ｓ１Ａにおいて、突起１７０を形成する部分を、第１のマスク９２を用いてマスキングする。次に、セラミックス焼結体９０Ｂの上面Ｓ１Ａのうち、マスキングされていない部分に加工を施すことにより、上面Ｓ１Ａに複数の凸部１７０Ｐが形成される（図６（Ｂ）参照）。凸部１７０Ｐは、突起１７０の上側部分に相当する。図６の例では、ブラスト装置２０によるブラスト処理によって、凸部１７０Ｐが形成される。なお、この際の加工の例は、ブラスト処理に限らず、砥石による表面処理等、他の加工処理でもよい。
【００３５】
次に、図６（Ｃ）に示すように、凸部１７０Ｐ上に第１のマスク９２を残した状態で、セラミックス焼結体９０Ｂの上面Ｓ１Ａのうち、凸部１７０Ｐが形成されていない部分（非形成部分１７２）において、調整用凸部１８０を形成する部分を、第２のマスク９４を用いてマスキングする。次に、上面Ｓ１Ａのうち、マスキングされていない部分に加工を施すことにより、上面Ｓ１Ａに複数の突起１７０と複数の調整用凸部１８０とが形成される（図６（Ｄ）参照）。図６の例では、ブラスト装置２０によるブラスト処理によって、突起１７０等が形成される。その後、第１のマスク９２および第２のマスク９４を取り除き、鏡面研磨等の仕上げ加工を行うことにより、中間セラミックス体９０Ａの作製が完了する。
【００３６】
（中間セラミックス体９０Ａとベース部材２００との接合工程）：
次に、ベース部材２００を準備し、中間セラミックス体９０Ａとベース部材２００とを接合する（Ｓ１２０）。具体的には、ベース部材２００は、公知の製造方法によって製造可能である。中間セラミックス体９０Ａの下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３とを、接着剤を介して貼り合わせた状態で、接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、接着層３００を形成する。これにより、中間セラミックス体９０Ａとベース部材２００とが接合された複合体が作製される。
【００３７】
（温度測定用ウェハＷＡの温度分布の測定工程）：
次に、温度測定用ウェハＷＡ（図２参照）を、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａ上に配置し、かつ、温度測定用ウェハＷＡと上面Ｓ１Ａとの間にガスを供給した状態で温度測定用ウェハＷＡの温度分布を測定する（Ｓ１３０）。具体的には、Ｓ１２０で作製された複合体における中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａ上に温度測定用ウェハＷＡを配置し、チャック電極４００の静電引力によって上面Ｓ１Ａに温度測定用ウェハＷＡを吸着固定させる。また、ガス供給流路２２０等のガス経路を介して、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａと温度測定用ウェハＷＡの表面との間に存在する空間にガスを供給する。このように、温度測定用ウェハＷＡが上面Ｓ１Ａに吸着され、かつ、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａと温度測定用ウェハＷＡの表面との間に存在する空間にガスが供給された状態で、温度測定用ウェハＷＡの温度を測定することにより、温度測定用ウェハＷＡの温度分布を特定する。特定された温度測定用ウェハＷＡの温度分布は、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａの温度分布と相関するため、温度測定用ウェハＷＡの温度分布から上面Ｓ１Ａの温度分布を評価することができる。これにより、セラミックス部材１００の使用時に近い環境下において、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａの温度分布を評価することができる。
【００３８】
（中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａの温度分布の調整工程）：
次に、Ｓ１３０の測定工程における温度測定用ウェハＷＡの温度分布の測定結果（上面Ｓ１Ａの温度分布の評価結果）に基づき、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａに形成された複数の調整用凸部１８０のうち、相対的に温度が高い領域に位置する調整用凸部１８０の少なくとも一部を除去する（Ｓ１４０）。図７は、調整前の中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａの温度分布と、各箇所Ｘ１〜Ｘ３における調整後の調整用凸部１８０の構成とを示す説明図である。図７に示された上面Ｓ１Ａのうち、ハッチングの濃度が濃い部分ほど温度が高いものとする。図７の例では、上面Ｓ１Ａのうち、第１の部分Ｘ１は、比較的に温度が低かったため、第１の部分Ｘ１では、調整用凸部１８０の全体が除去されずにそのまま残されている。上面Ｓ１Ａのうち、第２の部分Ｘ２の温度は、第１の部分Ｘ１の温度より高かったため、第２の部分Ｘ２では、調整用凸部１８０の一部が除去（例えば切削）されている。図７では、調整用凸部１８０の上面の中央部が除去されている。なお、調整用凸部１８０の一部を除去する方法としては、例えば、調整用凸部１８０の上面側全体を除去してもよい。上面Ｓ１Ａのうち、第３の部分Ｘ３の温度は、第２の部分Ｘ２の温度より高かったため、第３の部分Ｘ３では、調整用凸部１８０の全体が除去されている。このような除去作業を行うことにより、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａの温度分布を所望の温度分布（例えば面方向の温度分布が略均一）に近づけることができる。
【００３９】
Ｓ１４０の調整工程により、中間セラミックス体９０Ａがセラミックス部材１００となり、上面Ｓ１Ａが吸着面Ｓ１となり、上述した構成の静電チャック１０の製造が完了する。
【００４０】
Ａ−５．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１０の製造方法では、突起１７０より短い複数の調整用凸部１８０が形成された上面Ｓ１Ａを有する中間セラミックス体９０Ａを準備し（図５のＳ１１０）、上面Ｓ１Ａの温度分布の測定結果（Ｓ１３０）に基づき、複数の調整用凸部１８０のうち、相対的に温度が高い領域に位置する調整用凸部１８０の少なくとも一部を除去する（Ｓ１４０）。調整用凸部１８０の少なくとも一部を除去するによって調整用凸部１８０の大きさや長さが変わると、半導体ウェハＷとセラミックス部材１００との間に供給されるガスと、セラミックス部材１００（吸着面Ｓ１）との接触面積が調整される。その結果、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布の微少な調整を行うことができる。これにより、高温または低温の温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度分布を制御することが可能な静電チャック１０を提供することができる。
【００４１】
ここで、仮に、吸着面Ｓ１（上面Ｓ１Ａ）における非形成部分１７２に調整用凸部１８０が形成されていない構成では、非形成部分１７２に凹所を形成することにより、吸着面Ｓ１の温度分布調整する方法が考えられる。しかし、この調整方法では、高温の温度特異点の発生を抑制するために、非形成部分１７２に凹所を形成する必要がある。しかも、低温の温度特異点が発生する場合、その低温の温度特異点の発生を抑制できない。これに対して、本実施形態の製造方法では、吸着面Ｓ１（上面Ｓ１Ａ）における非形成部分１７２に形成された調整用凸部１８０を除去することにより、吸着面Ｓ１の温度分布が調整される。これにより、非形成部分１７２に凹所を形成することなく、高温の温度特異点の発生を抑制することができる。また、温度の高低に応じて調整用凸部１８０の除去量を変更することにより、高温になりすぎた温度特異点の発生を効果的に抑制でき、また、低温の温度特異点の発生も抑制することが可能である。
【００４２】
また、本実施形態の製造方法では、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａにおいて、第１の表面領域（中央表面領域Ｅ１）と第２の表面領域（中間表面領域Ｅ２、外周表面領域Ｅ３）とは、調整用凸部１８０の密度が互いに異なる。調整工程において、調整用凸部１８０の密度が高いほど、微少な調整幅で上面Ｓ１Ａにおける温度分布を調整できる。このため、本実施形態の製造方法によれば、第１の表面領域と第２の表面領域とで、互いに異なる調整幅で上面Ｓ１Ａにおける温度分布を調整することができる。特に、本実施形態では、例えば、ヒータ電極５００の発熱分布の影響や、上下方向視でセラミックス部材１００の中央部に配置された給電端子（図示せず）の電流集中による発熱により、上面Ｓ１Ａの周縁側の外周表面領域Ｅ３では、中央側の中央表面領域Ｅ１等に比べて、温度が低く、微妙な温度調整を要することがある。これに対して、本実施形態では、外周表面領域Ｅ３における調整用凸部１８０の密度は、中央表面領域Ｅ１等における調整用凸部１８０の密度より高いため、微少な調整幅で上面Ｓ１Ａにおける温度分布を調整できる。
【００４３】
また、本実施形態の製造方法では、中間セラミックス体９０Ａの上面Ｓ１Ａにおいて、第１の調整用凸部１８０Ａと第２の調整用凸部１８０Ｂとは、上下方向（Ｚ軸方向）視での面積が互いに異なる。第１の方向視での面積が大きい第１の調整用凸部１８０Ａほど、１つの調整用凸部１８０への除去により、広い調整幅で上面Ｓ１Ａにおける温度分布を調整できる。このため、本実施形態の製造方法によれば、第１の調整用凸部１８０Ａと第２の調整用凸部１８０Ｂとで、１つの調整用凸部１８０に対する除去について、互いに異なる調整幅で上面Ｓ１Ａにおける温度分布を調整することができる。特に、本実施形態では、例えば、ヒータ電極５００の発熱分布の影響や、上下方向視でセラミックス部材１００の中央部に配置された給電端子（図示せず）の電流集中による発熱により、上面Ｓ１Ａの中央側の中央表面領域Ｅ１では、周縁側の外周表面領域Ｅ３等に比べて、温度が高く、比較的に広範囲な高温の温度特異点になり易い。これに対して、本実施形態では、中央表面領域Ｅ１に形成された第１の調整用凸部１８０Ａの上下方向視での面積は、外周表面領域Ｅ３等に形成された第２の調整用凸部１８０Ｂの上下方向視での面積より大きいため、中央表面領域Ｅ１では、外周表面領域Ｅ３等に比べて、１つの調整用凸部１８０に対する除去によって、効果的に高温の温度特異点の発生を抑制することができる。
【００４４】
Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００４５】
上記各実施形態における静電チャック１０の構成は、あくまでも一例であり、種々変形可能である。例えば、セラミックス部材１００の内部に、チャック電極４００とヒータ電極５００との少なくとも１つを備えないとしてもよい。
【００４６】
また、上記実施形態において、調整用凸部１８０の上下方向（Ｚ軸方向）視の形状は、矩形に限らず、円形等でもよい。また、中間セラミックス体９０Ａ（セラミックス部材１００）の上面Ｓ１Ａ（吸着面Ｓ１）の全体において、中間セラミックス体９０Ａの密度が略均一であるとしてもよい。また、中間セラミックス体９０Ａ（セラミックス部材１００）の上面Ｓ１Ａ（吸着面Ｓ１）の全体において、調整用凸部１８０の上下方向視での面積は、略同一であるとしてもよい。
【００４７】
また、上記実施形態の静電チャック１０において、吸着面Ｓ１に形成された調整用凸部１８０の少なくとも一部を除去することにより、静電チャック１０の完成後（例えば使用中）において、吸着面Ｓ１の温度分布を制御することができる。
【００４８】
上記各実施形態における静電チャック１０の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば中間セラミックス体９０Ａとベース部材２００との接合前に、中間セラミックス体９０Ａ単体における上面Ｓ１Ａの温度分布を測定し、その測定結果に基づき、上面Ｓ１Ａに形成された調整用凸部１８０に対する除去を行ってもよい。
【００４９】
また、本発明は、静電引力を利用して半導体ウェハＷを保持する静電チャック１０に限らず、他の保持装置（真空チャックなど）の製造方法にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０：静電チャック  ２０：ブラスト装置  ９０Ａ：中間セラミックス体  ９０Ｂ：セラミックス焼結体  ９２：第１のマスク  ９４：第２のマスク  １００：セラミックス部材  １０２：ガス噴出孔  １１０：ガス噴出流路  １１１：第１の縦流路  １１２：第２の縦流路  １１４：横流路  １６０：ガス流入孔  １７０：突起  １７０Ｐ：凸部  １７２：非形成部分  １８０：調整用凸部  １８０Ａ：第１の調整用凸部  １８０Ｂ：第２の調整用凸部  ２００：ベース部材  ２１０：冷媒流路  ２２０：ガス供給流路  ２２１：ガス源接続孔  ２２２：ガス供給孔  ３００：接着層  ３１０：貫通孔  ４００：チャック電極  ５００：ヒータ電極  Ｅ１：中央表面領域  Ｅ２：中間表面領域  Ｅ３：外周表面領域  Ｓ１：吸着面  Ｓ１Ａ，Ｓ３：上面  Ｓ２，Ｓ４：下面  Ｗ：半導体ウェハ  ＷＡ：温度測定用ウェハ  Ｘ１：第１の部分  Ｘ２：第２の部分  Ｘ３：第３の部分
【図１】
2019220496.tif 000003
【図２】
2019220496.tif 000004
【図３】
2019220496.tif 000005
【図４】
2019220496.tif 000006
【図５】
2019220496.tif 000007
【図６】
2019220496.tif 000008
【図７】
2019220496.tif 000009