(57)【要約】      （修正有）【課題】２回モールドによるＳｉＰモジュールのプロセス流れを簡単化させる製造方法を提供する。【解決手段】プリント回路基板の上面に、ＳｉＰモジュールに必要な電子素子を半田付け、プリント回路基板部品を形成することと、プリント回路基板部品の上面に対して、モールド材の１回目の充填を行い、モールド材によりプリント回路基板部品の上面における電子素子を被覆し、モールド材の硬化以降、１回モールドされたプリント回路基板部品を得ることと、機能性フィルムを１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼り付け、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得ることと、フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材によりフィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、ＳｉＰモジュールを形成することとを含む。【選択図】図１
2019220673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に予設のパッドを有するプリント回路基板の上面に、ＳｉＰモジュールに必要な電子素子を半田付け、プリント回路基板部品を形成するステップＳ１と、
前記プリント回路基板部品の上面に対して、モールド材の１回目の充填を行い、前記モールド材により前記プリント回路基板部品の上面における電子素子を被覆し、前記モールド材の硬化以降、１回モールドされたプリント回路基板部品を得るステップＳ２と、
機能性フィルムを前記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼りつけ、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るステップＳ３と、
前記フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材により前記フィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、ＳｉＰモジュールを形成するステップＳ４と、
を含む２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記ステップＳ３は、
前記機能性フィルムを前記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に貼りつけるステップＳ３１と、
上方から下方向へ前記機能性フィルムに圧力を付与し、前記機能性フィルムを前記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼りつけ、前記フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るステップＳ３２と、
をさらに含む請求項１に記載の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記ステップＳ３２は、
上方から下方向へ前記機能性フィルムに圧力を付与するステップＳ３２１と、
前記１回モールドされたプリント回路基板部品を加熱して硬化させて、前記機能性フィルムを前記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼り付け、前記フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るステップＳ３２２と、
をさらに含む請求項２に記載の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記ステップＳ４は、
前記フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填される前記モールド材により前記フィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、前記２回目充填されるモールド材の硬化以降、前記２回モールドされるプリント回路基板部品を得るステップＳ４１と、
前記２回モールドされるプリント回路基板部品をカットして、複数の前記ＳｉＰモジュールを得るステップＳ４２と、
をさらに含む請求項１に記載の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記ＳｉＰモジュールの周囲及び上面に電磁シールド層を設置するステップＳ５をさらに備える請求項４に記載の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記機能性フィルムは、
ストリートで仕切られる複数のフィルムユニットを有し、前記ストリートは、一部がくり貫かれ、他の一部が前記フィルムユニットと連結され、且つ前記フィルムユニットが前記ＳｉＰモジュールと一対一で対応する、
請求項１〜５の何れかの一項に記載の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記ストリートは、縦方向ストリートと横方向ストリートを有し、
前記縦方向ストリートと前記横方向ストリートとの非交差領域がくり貫かれ、前記縦方向ストリートと前記横方向ストリートとの交差領域が前記フィルムユニットに連結される、
請求項６に記載の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法。
【請求項８】
上面にＳｉＰモジュールに必要な電子素子が半田付けされ、下面に予設のパッドを有するプリント回路基板と、
前記電子素子を被覆する第１モールド層と、
前記第１モールド層の上面に強く貼りつけられる機能性フィルムと、
前記機能性フィルム及び前記第１モールド層を覆う第２モールド層と、
を含むＳｉＰモジュール。
【請求項９】
前記機能性フィルムは、電磁シールド機能を備える、
請求項８に記載のＳｉＰモジュール。
【請求項１０】
前記ＳｉＰモジュールの上面と周囲を被覆する電磁シールド層をさらに含む、
請求項８に記載のＳｉＰモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＰモジュール及びその製造方法であり、特に２回モールドによるＳｉＰモジュール製造方法及びＳｉＰモジュールである。
【背景技術】
【０００２】
現在、通信分野では、電子製品の集積化及び微細化が進んでおり、それに、電子製品の機能性も整合されるので、電子製品における内部デバイスの配置ビッチが当然ながら小さくなる。実用において、電子素子とプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ, ＰＣＢ）との連結の強化、外部からの埃などの電子素子内への進入の回避、電子素子の漏電の回避、及び各電子素子間の干渉の回避などのために、電子素子に対してモールドを行う必要がある。
【０００３】
現在、加熱モールド技術の製作過程は、ＰＣＢに表面実装技術で部品を実装して、ＰＣＢＡ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）、印刷電路板部品に形成し、ＰＣＢＡの上面へモールド材を充填してモールディング層（Ｍｏｌｄｉｎｇ）を形成し、硬化後でＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ、システムインパッケージング）モジュールをカットして形成し、ＰＣＢに半田付けられた電子素子において他の付属の薄膜又は物質がない。電磁シールドは、一般的に、モールドされたＳｉＰモジュールに金属層をスパッタリングすることにより、電磁防護の効果を達成させる。
【０００４】
しかしながら、モールドしてから電磁シールドの工程を行う場合、スパッタ成膜を使用すれば、製作プロセスが複雑であり、例えば、スパッタ成膜する時、モールド體との結合力を制御しにくいので、ＳｉＰモジュールの製造流れがかなり複雑である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
明細書においてＳｉＰモジュール及びその製造方法を提案し、ＳｉＰモジュールのプロセス流れを簡単化させる。本発明は、下記の態様を提供する。
【０００６】
下面に予設のパッドを有するプリント回路基板の上面に、ＳｉＰモジュールに必要な電子素子を半田付け、プリント回路基板部品を形成するステップＳ１と、
プリント回路基板部品の上面に対して、モールド材の１回目の充填を行い、モールド材により上記プリント回路基板部品上面における電子素子を被覆し、モールド材の硬化以降、１回モールドされたプリント回路基板部品を得るステップＳ２と、
機能性フィルムを上記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼りつけ、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るステップＳ３と、
上記フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材により上記フィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、ＳｉＰモジュールを形成するステップＳ４と、
を含む２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法である。
【０００７】
上記の態様において、電磁シールド機能を有する機能性フィルムに対して電子素子と共にモールドし、モールドされたＳｉＰモジュールが電磁シールドなどの機能を持つので、ＳｉＰモジュールの製造流れが簡単化される。
【０００８】
上記ステップＳ３は、具体的に、機能性フィルムを上記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に貼りつけるステップＳ３１と、上方から下方向へ上記機能性フィルムに圧力を付与し、上記機能性フィルムを上記１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼りつけ、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るステップＳ３２とを更に含む。
【０００９】
上記の態様において、上方から下方向へ機能性フィルムに付与する圧力により、機能性フィルムが硬化以降のモールド材の上面に強く貼りつけられて、機能性フィルムと硬化以降のモールド材の上面との結合力を向上させ、２回目モールド時の機能性フィルムが硬化以降のモールド材の上面から除去される確率を低下させて、工程歩留りを向上させる。
【００１０】
ステップＳ３２は、上方から下方向へ上記機能性フィルムに圧力を付与した後、上記１回モールドされたプリント回路基板部品を加熱して硬化させて、上記機能性フィルムを上記モールド材の上面に強く貼り付け、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るステップＳ３２１を更に含む。
【００１１】
上記の態様において、外部圧力と加熱硬化を同時に使用することにより、機能性フィルムを硬化以降の１回目のモールド材の上面に強く貼りつけて、２回モールドにより得たＳｉＰモジュールに好適な電磁シールド防護効果を有する。
【００１２】
上記ステップＳ４は、具体的に、上記フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材により上記フィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、２回モールドされるプリント回路基板部品を得るステップＳ４１と、２回モールドされるプリント回路基板部品をカットして、複数のＳｉＰモジュールを得るステップＳ４２とをさらに含む。
【００１３】
上記の態様において、複数のＳｉＰモジュールがともに製作されてよく、これにより、工程効率が向上される。
【００１４】
更に、ＳｉＰモジュールの周囲及び上面に電磁シールド層を設置するステップＳ５をさらに含む。
【００１５】
上記の態様において、機能性フィルム、及びＳｉＰモジュールの２回モールドの後で追加される電磁シールド層により、ＳｉＰモジュールに複数の波長域への遮蔽機能を持って、ＳｉＰモジュールの電磁シールドの性能と効果を向上させる。
【００１６】
上記機能性フィルムは、ストリートで仕切られる複数のフィルムユニットを更に有し、上記ストリートは、一部がくり貫かれ、他の一部が上記フィルムユニットと連結され、且つ上記フィルムユニットがＳｉＰモジュールと一対一で対応する。
【００１７】
上記の態様において、機能性フィルムは、ストリートの一部がくり貫かれ、他の一部がフィルムユニットと連結される構成であるので、カット時の機能性フィルムのカッターへの貼着の確率を低下させると共に、機能性フィルムが複数の繋がるフィルムユニットを有することを確保し、後の使用、保存時に便利になる。
【００１８】
更に、上記ストリートは、縦方向ストリートと横方向ストリートを有し、上記縦方向ストリートと上記横方向ストリートとの非交差領域がくり貫かれ、上記縦方向ストリートと上記横方向ストリートとの交差領域が上記フィルムユニットに連結される。
【００１９】
上記の態様において、機能性フィルムは、ストリートのくり貫き箇所が、異なる位置に設けられてよく、その形状やサイズを多様に変更させてよく、適宜に広く応用されてよい。
【００２０】
また、本発明は、
上面にＳｉＰモジュールに必要な電子素子が半田付けされ、下面に予設のパッドを有するプリント回路基板と、
上記電子素子を被覆する第１モールド層と、
上記第１モールド層の上面に強く貼りつけられる機能性フィルムと、
上記機能性フィルム及び上記第１モールド層を覆う第２モールド層と、
を含むＳｉＰモジュールを提供する。
【００２１】
更に、上記機能性フィルムは、電磁シールド機能を備える。
【００２２】
上記の態様において、機能性フィルムに電磁干渉防止用の材料を使用する場合、２回モールド後のＳｉＰモジュールが電磁シールド機能を持って、プロセス流れを簡単化させる。
【００２３】
更に、上記ＳｉＰモジュールは、上記ＳｉＰモジュールの上面と周囲を被覆する電磁シールド層をさらに含む。
【発明の効果】
【００２４】
従来の技術に比べると、本発明の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法及びＳｉＰモジュールは、下記の有利な効果を有する。２回モールドにより、電磁シールド機能を有する機能性フィルムを電子素子と共に内部にモールドして、モールドされたＳｉＰモジュールが電磁シールドなどの機能を有するので、ＳｉＰモジュールの製造流れが簡単化される。ＳｉＰモジュールの電磁シールド効果をより好適にするように、金属スパッタリングと結合して使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法の一実施例の流れ図である。
【図２】本発明に係る２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法の他の実施例の流れ図である。
【図３】本発明に係るＳｉＰモジュールの製造流れの一部の模式図である。
【図４】本発明に係るＳｉＰモジュールの製造流れの他の一部の模式図である。
【図５】本発明に係る２枚の連続するＰＣＢにおけるＳｉＰモジュール領域の構成の模式図である。
【図６】図５におけるＳｉＰモジュール領域に対して設計される機能性フィルムの構成の模式図である。
【図７】本発明に係るＳｉＰモジュールの一実施例の構成の模式図である。
【図８】本発明に係るＳｉＰモジュールの他の実施例の構成の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下の本発明に関する詳細の説明、図面を参照して、本発明において所望の目的を達成する用の技術、方法及び効果がさらに明瞭になる。これによって、本発明の目的、特徴及び特性をよく理解できるが、添付図面は、参照と説明するためのものであり、本発明を限制するものでない。
【００２７】
明細書には、ＳｉＰ(Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ、システムインパッケージング)モジュールの製造方法を提出し、開示される技術の目的は下記の通りである。
本発明の一実施例において、図１に示すように、２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法は、
プリント回路基板１の上面にＳｉＰモジュールに必要な電子素子８を半田付け、プリント回路基板１の下面にパッドを予設し、プリント回路基板部品、即ちＰＣＢＡを形成するＳ１１と、
プリント回路基板部品の上面に対して、モールド材の１回目の充填を行い、モールド材によりプリント回路基板部品の上面における電子素子８を被覆し、モールド材の硬化以降、１回モールドされたプリント回路基板部品を得るＳ１２と、
機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼りつけ、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るＳ１３と、
フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材によりフィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、ＳｉＰモジュール１１を形成するＳ１４と、
を含む。
【００２８】
図３ａに示すように、ＰＣＢにＳＭＴで部品が実装されてから、ＰＣＢＡが形成される。
【００２９】
ＰＣＢＡを得た後、各電子素子８の大きさ、高さが異なるので、機能性フィルム９を直接貼り付けると、貼付効果が良くないので、まず、ＰＣＢＡに対して第１回モールドを行い、モールド材によりＰＣＢＡの上面における電子素子を覆うようにしてよい。図３ｂに示すように、１回目充填されるモールド材の硬化以降、平らな表面（上面と側面を含む）を得る。図３ｃに示すように、機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品の上面（即ち、硬化以降の１回目充填されるモールド材の上面）に平らにして貼り付けることがかなり容易であり、機能性フィルム９の貼り付けが２回目モールドにも影響を与えない。図３ｄに示すように、機能性フィルム９が貼り付けられたＰＣＢＡに対して再度モールドを行い、モールド材によりフィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い（即ち、モールド材により硬化以降の１回モールドされたプリント回路基板部品の上面及び機能性フィルム９を被覆し）、２回目充填されるモールド材の硬化以降、ＳｉＰモジュールを形成する。
【００３０】
電磁シールド機能を有する機能性フィルム９をＳｉＰモジュール内にモールドすると、後の金属のスパッタリングをしなくても、ＳｉＰモジュールが電磁シールド機能を有し、具体的な電磁シールド機能が、機能性フィルム９の材料に決定される。
【００３１】
注意すべきなのは、ＳｉＰモジュールがその自己の厚さ要求（製品の実際状況によるもの）を有するので、最終に得るＳｉＰモジュールの厚さが実際の要求を満たすように、第１回モールド、機能性フィルム、２回目モールド時の厚さを制御する必要があることである。一般的に、機能性フィルムの厚さを５０ｕｍより小さくする必要がある。
【００３２】
本発明の他の実施例において、図２、図３及び図４に示すように、２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法は、
下面にパッドが予設されるプリント回路基板１の上面に、ＳｉＰモジュールに必要な電子素子８を半田付け、プリント回路基板部品を形成するＳ２１を含む。図３ａに示すように、印刷電路板の下面における予設のパッドが図示されない。
【００３３】
Ｓ２２は、図３ｂに示すように、プリント回路基板部品の上面に対して、モールド材の１回目の充填を行い、モールド材によりプリント回路基板部品の上面における電子素子８を被覆し、モールド材の硬化以降、１回モールドされたプリント回路基板部品を得ることである。
【００３４】
Ｓ２３は、図３ｃに示すように、機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼り付け、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得ることである。
【００３５】
Ｓ２４は、フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材によりフィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、ＳｉＰモジュールを形成することである。
【００３６】
また、ステップＳ２３は、具体的に、
機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に貼り付けるＳ２３１と、
上方から下方向へ機能性フィルム９に圧力を付与し、機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼り付け、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るＳ２３２と、を含む。
【００３７】
具体的には、機能性フィルム９の粘着層にコロイド層を使用してよく、上方から下方向へ機能性フィルム９に圧力を付与する場合、機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品のモールド材の上面に押圧してから密着させる。
【００３８】
機能性フィルム９の貼り付けには、全面の機能性フィルム９をＰＣＢＡの全体における硬化以降のモールド材の上面に貼り付けてもよく（即ち、機能性フィルム９のサイズをＰＣＢＡにおける硬化以降のモールド材の上面のサイズと合わせる）、ＰＣＢＡにおける一つのＳｉＰモジュール領域２のサイズに合う機能性フィルム９を利用して、ＰＣＢＡの全体における各ＳｉＰモジュール領域２の各々に対してそれぞれ貼り付けてもよい。
【００３９】
機能性フィルム９が１回モールドされたプリント回路基板部品における硬化以降のモールド材の上面に貼り付けされる場合、上から下へ機能性フィルム９に一定の圧力を付与して、機能性フィルム９を硬化以降のモールド材の上面に強く貼り付けてよい。上から下へ機能性フィルム９に圧力を付与して硬化以降のモールド材の上面に強く貼り付けることは、全面の機能性フィルム９の貼り付けに適用され、各ＳｉＰモジュールに対応する機能性フィルム９の貼り付けにも適用される。
【００４０】
機能性フィルム９をモールド材の上面に強く貼り付けることは、後の２回目モールドの時に、モールド材から発生するモールドフローの圧力が機能性フィルム９へ一定の衝撃を与えることがあり、機能性フィルム９が１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼り付けられない場合、２回モールド時に機能性フィルム９が除去され又は浮き上がることがかなり容易に発生し、そうすると、２回目モールド及びカットされた後で得られるＳｉＰモジュールに効果的な電磁シールド防護効果を獲得することができないからである。
【００４１】
例えば、機能性フィルム９を硬化以降のモールド材の上面に貼り付けてから、機能性フィルム９の上面に耐熱フォームを置き、その後、耐熱フォーム上に重いものを置き、重いものの圧力により耐熱フォームに一定の歪みが発生し、耐熱フォーム下の機能性フィルムを硬化以降のモールド材の上面にも強く貼り付ける。
【００４２】
好ましくは、ステップＳ２３２は、具体的に、
上方から下方向へ機能性フィルム９に圧力を付与するＳ２３２１と、
１回モールドされたプリント回路基板部品を加熱して硬化させて、機能性フィルム９をその上面に強く貼り付け、フィルム貼付後のプリント回路基板部品を得るＳ２３２２とを含む。
【００４３】
具体的には、機能性フィルム９のコロイド層が熱硬化性コロイドである場合、圧力を付与した後、ＰＣＢＡを加熱し、コロイド層を加熱して硬化させて、機能性フィルム９をモールド材の上面により強く貼り付けてよい。本実施例には、外部圧力と加熱硬化を同時に使用することにより、機能性フィルム９を１回モールドされたプリント回路基板部品の上面に強く貼り付けて、２回モールドにより得たＳｉＰモジュールにより好適な電磁シールド防護効果を有する。
【００４４】
ステップＳ２４は、具体的に、
図３ｄに示すように、フィルム貼付後のプリント回路基板部品に対して、モールド材の２回目の充填を行い、充填されるモールド材によりフィルム貼付後のプリント回路基板部品の上面と周囲を覆い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、２回モールドされるプリント回路基板部品を得るＳ２４１と、
図４ａ及び４ｂに示すように、２回モールドされるプリント回路基板部品をカットして、複数のＳｉＰモジュール１１を得るＳ２４２とを含む。
【００４５】
具体的には、工程効率の向上のために、プリント回路基板１に、ＳｉＰモジュール１１に必要な複数の電子素子８を実装し、２回モールドの後カットをして、複数のＳｉＰモジュール１１を得るようにする。
【００４６】
２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法は、ＳｉＰモジュールの周囲及び上面に電磁シールド層１２を設置するＳ２５を選択可能に含む。
【００４７】
具体的には、実際の要求に応じて、複数の電磁シールド効果を同時に発揮する必要がある場合、機能性フィルム９を採用することと共に、２回モールドされたＳｉＰモジュール１１の周囲と上面に電磁シールド層１２を設置することにより、ＳｉＰモジュール１１を製作する。
【００４８】
ＳｉＰモジュール１１の周囲及び上面に電磁シールド層を設置するには、複数の方式、例えば、金属スパッタリング、金属薄膜貼り付け、電磁シールドカバー取り付け等を使用してよい。
【００４９】
具体的な例は、下記を参照されたい。
【００５０】
ＳｉＰモジュールを、低周波数域と中高周波数域に対して同時に電磁シールドを行う要求がある場合、材質が低周波数域を吸収する酸化鉄である機能性フィルム９を１回モールドされたＰＣＢＡにおけるモールド材の上面に貼り付け、圧力を付与し、加熱して硬化させてから、２回目モールドを行い、２回目充填されるモールド材の硬化以降、カットし、複数のＳｉＰモジュールを得て、各ＳｉＰモジュールの周囲及び上面にそれぞれ金属をスパッタリングして、中高周波数域を吸収する電磁シールド層１２を形成してよい。このように、金属がスパッタリングされたＳｉＰモジュール１１が、低周波数域と中高周波数域に対して同時に電磁シールドを行うことができる。図４ｃに示すように、二つのＳｉＰモジュールの周囲と上面に、金属スパッタリングで電磁シールド層１２が形成される。
【００５１】
本実施例は、機能性フィルム９と付加の電磁シールド層１２の使用により、ＳｉＰモジュールが複数の波長域の遮蔽機能を有し、ＳｉＰモジュールの電磁シールド性能と効果が向上される。なお、機能性フィルム９は、異なる材料を利用することにより、異なる機能を実現して、ＳｉＰモジュールに多様の機能と防護効果を提供する。
【００５２】
注意すべきなのは、いずれかの実施例において、使用される機能性フィルム９が全面であれば、即ち、複数のＳｉＰモジュール領域２を覆うサイズを有すれば、この機能性フィルム９は、
複数のストリート４で仕切られるフィルムユニット５を有し、ストリート４は、一部がくり貫かれ、他の一部がフィルムユニット５と連結され、且つフィルムユニット５がＳｉＰモジュールと一対一で対応する。
【００５３】
図６は図５における２枚の連続するプリント回路基板１におけるＳｉＰモジュール領域２に応じて設計される対応の２枚の同じ機能性フィルム９を示す。左の一つの機能性フィルム９について説明する。
【００５４】
機能性フィルム９は、一般的に、コロイド層と機能フィルム層を含み、機能フィルム層がコロイド層の上面に位置し、機能性フィルム９がコロイド層を介してモールド材の上面に貼り付けされる。例えば、機能フィルム層は、低周波数電磁波を吸収する金属酸化フィルム層であってよく、第１モールド材１０の表面に貼り付け、２回目モールドによりＳｉＰのモジュールを形成することができ、低周波数電磁波を吸収し電磁シールドを実現する機能を備える。
【００５５】
機能性フィルム９がＰＣＢＡのサイズに応じて製作される場合、機能性フィルム９に、ＰＣＢＡにおけるＳｉＰモジュール領域２に対応するサイズを有する複数のフィルムユニット５が必要であり、各フィルムユニット５が互いにストリート４で仕切られる。実装には、ストリートの位置を予設し、ストリート４に沿って２回モールドされるプリント回路基板部品をカットして、複数のＳｉＰモジュールを得ることができる。
【００５６】
例えば、ＰＣＢには、１６つの領域が区画され、領域毎に１つのＳｉＰモジュールを設置し、１６つのＳｉＰモジュールに必要な電子素子８が実装され、各領域の間に、後のカットをするための余裕（すなわち、ストリートにある位置）を残す。
【００５７】
機能性フィルム９が粘性を有するので、全面の完全（くり貫かれない）の機能性フィルム４を第１モールド層１０の上面に応用し、２回モールドの後でカットすれば、カットの過程で機能性フィルム９にバリが発生する問題がある。
【００５８】
従って、機能性フィルムの製作には、ストリート４における対応位置の一部がくり貫かれ、他の一部がフィルムユニット５と連結されるようにしてよい。ストリート４の一部がくり貫かれる機能性フィルム９は、２回モールド材の結合力を向上させ且つカットによるバリを回避する。なお、ストリート４における対応位置の部分がフィルムユニット５と連結されて、機能性フィルム９が複数のフィルムユニット５を有する全面のフィルムになり、したがって、複数のＳｉＰモジュール領域を有するＰＣＢＡに一回で貼り付けることができるので、加工プロセスが簡単化される。
【００５９】
ストリート４は、横方向ストリートと縦方向ストリートを有し、機能性フィルム９が複数の横方向ストリートと縦方向ストリートで複数のフィルムユニット５に仕切られる。
【００６０】
ストリート４の一部がくり貫かれ、他の一部がフィルムユニット５と連結される方法は下記のようであってもよい。
【００６１】
縦方向ストリートと横方向ストリートとの非交差領域７がくり貫かれ、縦方向ストリートと横方向ストリートとの交差領域６がフィルムユニットに連結される。
【００６２】
具体的には、交差領域６は、縦方向ストリートと横方向ストリートとの交差箇所の中心を中点として組み合される一定のサイズの領域である。非交差領域７は、縦方向ストリート及び横方向ストリートでの交差領域６以外の領域である。
【００６３】
交差領域６のサイズは、実際の需求に応じて設置されるものであり、隣り合うフィルムユニットを連結できればよい。交差領域６の形状は、特に制限されない。
【００６４】
例えば、図６に示すように、交差領域６は、所定の半径（例えば、２０ｕｍ）で円を描くことにより得られる円形の領域であり、ストリート４の他の領域が非交差領域７である。
【００６５】
本実施例におる機能性フィルム９でのストリート４のくり貫き箇所は、異なる位置に設置されてよく、形状やサイズを多様に変更させてよく、適宜に広く応用されてよい。
【００６６】
本発明の他の実施例において、図７に示すように、ＳｉＰモジュール１１は、
上面にＳｉＰモジュール１１に必要な電子素子８が半田付けられ、下面に予設のパッド（図示されない）を有するプリント回路基板１と、電子素子８を被覆する第１モールド層１０と、第１モールド層１０の上面に強く貼り付けされる機能性フィルム９と、機能性フィルム９と第１モールド層１０を覆う第２モールド層３と、を含む。
【００６７】
機能性フィルム９に電磁干渉防止用の材料を使用する場合、２回モールドされたＳｉＰモジュールは、電磁シールド機能を有する。
【００６８】
図８に示すように、ＳｉＰモジュール１１の上面と周囲にも電磁シールド層１２が選択可能に設置されてよい。
【００６９】
実際の要求に応じて、複数の電磁シールド効果を同時に発揮する必要がある場合、機能性フィルム９を使用するとともに、電磁シールド層１２を付加することにより、複数の電磁シールド効果を発揮する目的を達成する。
【００７０】
上記の態様において、機能性フィルムと付加の電磁シールド層を使用することにより、ＳｉＰモジュールが複数の波長域への遮蔽などの機能を有するので、ＳｉＰモジュールの電磁シールド性能と効果が向上される。
【００７１】
要するに、従来の技術に比べると、本発明の２回モールドによるＳｉＰモジュールの製造方法及びＳｉＰモジュールは、下記の有利な効果を有する。
【００７２】
２回モールドにより、電磁シールド機能を有する機能性フィルムを電子素子と共に内部にモールドして、モールドされたＳｉＰモジュールが電磁シールドなどの機能を有するので、ＳｉＰモジュールの製造流れが簡単化される。ＳｉＰモジュールの電磁シールド効果をより好適にするように、金属スパッタリングと結合して使用してもよい。
【００７３】
上記は、本発明の好適な実施可能である実施例に過ぎなく、本発明の請求の範囲を限定するものでないので、本発明における明細書及び図面内容による等価の構成変化は、いずれも本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００７４】
１    プリント回路基板
２    ＳｉＰモジュール領域
３    第２モールド層
４    ストリート
５    フィルムユニット
６    交差領域
７    非交差領域
８    電子素子
９    機能性フィルム
１０    第１モールド層
１１    ＳｉＰモジュール
１２    電磁シールド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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