(57)【要約】【課題】精度のよい温度測定が可能な静電チャックを提供する。【解決手段】本静電チャックは、吸着対象物を吸着保持する載置面を備えた基体と、前記基体の温度を検出する熱電対と、を有し、前記熱電対は、前記基体の内部に設けられ、一端同士が接合されて測温接点を形成する第１金属部及び第２金属部と、一端が前記基体の内部で前記第１金属部の他端と接合され、他端が前記基体の外部に延伸する第１線材部と、一端が前記基体の内部で前記第２金属部の他端と接合され、他端が前記基体の外部に延伸する第２線材部と、を備え、前記第１金属部と前記第１線材部とは第１の材料から形成され、前記第２金属部と前記第２線材部とは前記第１の材料とは異なる第２の材料から形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着対象物を吸着保持する載置面を備えた基体と、
前記基体の温度を検出する熱電対と、を有し、
前記熱電対は、
前記基体の内部に設けられ、一端同士が接合されて測温接点を形成する第１金属部及び第２金属部と、
一端が前記基体の内部で前記第１金属部の他端と接合され、他端が前記基体の外部に延伸する第１線材部と、
一端が前記基体の内部で前記第２金属部の他端と接合され、他端が前記基体の外部に延伸する第２線材部と、を備え、
前記第１金属部と前記第１線材部とは第１の材料から形成され、
前記第２金属部と前記第２線材部とは前記第１の材料とは異なる第２の材料から形成されている静電チャック。
【請求項２】
前記第１金属部及び前記第２金属部は、前記基体により被覆されている請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記第１金属部は、前記載置面と平行な方向に延伸し一端が前記測温接点である第１水平部と、前記第１水平部の他端から前記載置面と垂直な方向に延伸して端部が前記基体から露出する第１垂直部と、を有し、
前記第２金属部は、前記載置面と平行な方向に延伸し一端が前記測温接点である第２水平部と、前記第２水平部の他端から前記載置面と垂直な方向に延伸して端部が前記基体から露出する第２垂直部と、を有し、
前記第１垂直部の前記端部が前記第１線材部と接合され、前記第２垂直部の前記端部が前記第２線材部と接合されている請求項１又は２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記基体は、電圧を印加することで前記吸着対象物との間にクーロン力を発生させる静電電極と、電圧を印加することで発熱する発熱体と、を内蔵し、
前記第１水平部及び前記第２水平部は、前記基体の厚さ方向の前記静電電極及び前記発熱体とは異なる位置に配置されている請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記第１の材料及び前記第２の材料は、前記基体の焼成温度よりも融点が高い導電材料である請求項１乃至４の何れか一項に記載の静電チャック。
【請求項６】
ベースプレートと、
前記ベースプレートの一方の面に搭載された請求項１乃至５の何れか一項に記載の静電チャックと、を有し、
前記第１線材部は、前記ベースプレートに設けられた第１貫通孔に挿入され、他端が前記ベースプレートの他方の面から露出し、
前記第２線材部は、前記ベースプレートに設けられた第２貫通孔に挿入され、他端が前記ベースプレートの他方の面から露出している基板固定装置。
【請求項７】
ベースプレートと、
前記ベースプレートの一方の面に搭載された請求項１乃至５の何れか一項に記載の静電チャックと、
前記熱電対から得られる熱起電力に基づいて前記基体の温度を算出する制御部と、を有し、
前記第１線材部は、前記ベースプレートに設けられた第１貫通孔に挿入され、他端が前記制御部と電気的に接続され、
前記第２線材部は、前記ベースプレートに設けられた第２貫通孔に挿入され、他端が前記制御部と電気的に接続されている基板固定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャック、基板固定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置（例えば、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等）やプラズマエッチング装置は、ウェハを真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。このようなステージとして、例えば、ベースプレートに搭載された静電チャックによりウェハを吸着保持する基板固定装置が提案されている。
【０００３】
静電チャックには、ウェハの温度調節をするための発熱体を設けた構造のものがある。この場合、例えば、静電チャックに熱電対を埋設し、熱電対で検出した静電チャックの温度に基づいて発熱体を制御し、ウェハの温度調節が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８６３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の構造では、温度分布の少ない静電チャック内のみに熱電対を設けていたため、熱電対に温度差が生じ難く、大きな熱起電力が得られなかった。その結果、静電チャックの温度を精度よく測定できなかった。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、精度のよい温度測定が可能な静電チャックを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本静電チャックは、吸着対象物を吸着保持する載置面を備えた基体と、前記基体の温度を検出する熱電対と、を有し、前記熱電対は、前記基体の内部に設けられ、一端同士が接合されて測温接点を形成する第１金属部及び第２金属部と、一端が前記基体の内部で前記第１金属部の他端と接合され、他端が前記基体の外部に延伸する第１線材部と、一端が前記基体の内部で前記第２金属部の他端と接合され、他端が前記基体の外部に延伸する第２線材部と、を備え、前記第１金属部と前記第１線材部とは第１の材料から形成され、前記第２金属部と前記第２線材部とは前記第１の材料とは異なる第２の材料から形成されていることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、精度のよい温度測定が可能な静電チャックを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する図である。
【図２】第１の実施の形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係る基板固定装置における温度差と熱起電力との関係の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態の変形例１に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
［基板固定装置の構造］
図１は、第１の実施の形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の熱電対のみを示す部分拡大斜視図である。
【００１２】
図１を参照するに、基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、接着層２０と、静電チャック３０と、制御部４０とを有している。
基板固定装置１は、ベースプレート１０の一方の面１０ａに搭載された静電チャック３０により吸着対象物である基板（ウェハ等）を吸着保持する装置である。
【００１３】
ベースプレート１０は、静電チャック３０を搭載するための部材である。ベースプレート１０の厚さは、例えば、２０〜５０ｍｍ程度とすることができる。ベースプレート１０は、例えば、アルミニウムから形成され、プラズマを制御するための電極等として利用することもできる。ベースプレート１０に所定の高周波電力を給電することで、発生したプラズマ状態にあるイオン等を静電チャック３０上に吸着されたウェハに衝突させるためのエネルギーを制御し、エッチング処理を効果的に行うことができる。
【００１４】
ベースプレート１０の内部に水路を設けてもよい。この場合、水路は、基板固定装置１の外部に設けられた冷却水制御装置に接続され、冷却水制御装置は水路に冷却水を導入及び排出する。冷却水制御装置を用いて水路に冷却水を循環させベースプレート１０を冷却することで、静電チャック３０上に吸着されたウェハを冷却できる。ベースプレート１０に、水路の他に、静電チャック３０上に吸着されたウェハを冷却する不活性ガスを導入するガス路等を設けてもよい。
【００１５】
静電チャック３０は、接着層２０を介して、ベースプレート１０上に固着されている。接着層２０としては、例えば、シリコーン系接着剤を用いることができる。接着層２０の厚さは、例えば、０．５〜２ｍｍ程度とすることができる。接着層２０の熱伝導率は２Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。接着層２０は、１層から形成してもよいが、熱伝導率が高い接着剤と弾性率が低い接着剤とを組み合わせた２層構造とすることが好ましい。これにより、セラミックス製の静電チャック３０とアルミニウム製のベースプレート１０との熱膨張率の差から生じるストレスを低減させる効果が得られる。
【００１６】
静電チャック３０は、基体３１と、静電電極３２と、発熱体３３と、熱電対３４とを有している。静電チャック３０は、例えば、クーロン力型静電チャックである。但し、静電チャック３０は、ジョンセン・ラーベック型静電チャックであってもよい。
【００１７】
基体３１は、吸着対象物である基板（ウェハ等）を吸着保持する載置面３１ａを備えている。基体３１は誘電体であり、基体３１としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを用いることができる。基体３１の厚さは、例えば、１〜１０ｍｍ程度、基体３１の比誘電率（１ｋＨｚ）は、例えば、９〜１０程度とすることができる。
【００１８】
静電電極３２は、薄膜電極であり、基体３１に内蔵されている。静電電極３２は、基板固定装置１の外部に設けられた電源に接続され、電源から所定の電圧を印加することで吸着対象物との間に静電気による吸着力（クーロン力）を発生させる。これにより、基体３１の載置面３１ａ上にウェハを吸着保持することができる。吸着保持力は、静電電極３２に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極３２は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極３２の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いることができる。
【００１９】
発熱体３３は、基体３１に内蔵され、図示しない配線により制御部４０と電気的に接続されている。発熱体３３は、制御部４０から電圧を印加することで発熱し、基体３１の載置面３１ａが所定の温度となるように加熱する。発熱体３３は、例えば、基体３１の載置面３１ａの温度を２５０℃〜３００℃程度まで加熱することができる。発熱体３３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やタングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。
【００２０】
熱電対３４は、基体３１の温度を検出する温度検出手段であり、第１金属部３４１と、第２金属部３４２と、第１線材部３４３と、第２線材部３４４とを有している。第１金属部３４１及び第２金属部３４２は、略Ｌ字形に形成され、基体３１に内蔵されている。第１金属部３４１及び第２金属部３４２は、基体３１により被覆されている。第１金属部３４１の一端と第２金属部３４２の一端とは、互いに接合されて測温接点３４ｃを形成している。
【００２１】
第１金属部３４１は、載置面３１ａと平行な方向に延伸し一端が測温接点３４ｃである第１水平部３４１ａと、第１水平部３４１ａの他端から載置面３１ａと垂直な方向に延伸して端部が基体３１から露出する第１垂直部３４１ｂとを有している。第１水平部３４１ａと第１垂直部３４１ｂとは、同一材料により一体に形成されている。第１垂直部３４１ｂの断面形状は例えば円形である。この場合、第１垂直部３４１ｂの直径を第１水平部３４１ａの幅よりも太く形成してもよい。
【００２２】
第２金属部３４２は、載置面３１ａと平行な方向に延伸し一端が測温接点３４ｃである第２水平部３４２ａと、第２水平部３４２ａの他端から載置面３１ａと垂直な方向に延伸して端部が基体３１から露出する第２垂直部３４２ｂとを有している。第２水平部３４２ａと第２垂直部３４２ｂとは、同一材料により一体に形成されている。第２垂直部３４２ｂの断面形状は例えば円形である。この場合、第２垂直部３４２ｂの直径を第２水平部３４２ａの幅よりも太く形成してもよい。
【００２３】
図１（ｂ）では、第１水平部３４１ａと第２水平部３４２ａとが載置面３１ａの法線方向から視て一直線となるように接合されているが、これは一例である。第１水平部３４１ａと第２水平部３４２ａとは、載置面３１ａの法線方向から視て任意の角度となるように接合することができる。又、第１水平部３４１ａ及び第２水平部３４２ａは、載置面３１ａの法線方向から視て屈曲する部分や湾曲する部分を有していても構わない。
【００２４】
第１水平部３４１ａ及び第２水平部３４２ａは、例えば、基体３１の厚さ方向の静電電極３２及び発熱体３３とは異なる位置（基体３１内の異なる平面）に配置することができる。
【００２５】
なお、ここでいう載置面３１ａと平行や載置面３１ａと垂直は、載置面３１ａと厳密に平行や載置面３１ａと厳密に垂直である場合のみではなく、載置面３１ａとおおよそ平行や載置面３１ａとおおよそ垂直である場合も含むものとする。載置面３１ａとおおよそ平行とは、載置面３１ａと厳密に平行な場合から±１０度程度ずれたものも含む意味合いである。同様に、載置面３１ａとおおよそ垂直とは、載置面３１ａと厳密に垂直な場合から±１０度程度ずれたものも含む意味合いである。
【００２６】
第１線材部３４３は、一端が基体３１の内部で第１金属部３４１の他端（第１垂直部３４１ｂの端部）と接合され、他端が基体３１の外部に延伸している。基体３１の外部に延伸する第１線材部３４３は、接着層２０を通ってベースプレート１０に設けられた貫通孔１０ｘに挿入され、他端がベースプレート１０の他方の面１０ｂ側に配置された制御部４０と電気的に接続されている。なお、貫通孔１０ｘの内壁と第１線材部３４３との間に絶縁材を配置することが好ましい。
【００２７】
第２線材部３４４は、一端が基体３１の内部で第２金属部３４２の他端（第２垂直部３４２ｂの端部）と接合され、他端が基体３１の外部に延伸している。基体３１の外部に延伸する第２線材部３４４は、接着層２０を通ってベースプレート１０に設けられた貫通孔１０ｙに挿入され、他端がベースプレート１０の他方の面１０ｂ側に配置された制御部４０と電気的に接続されている。なお、貫通孔１０ｙの内壁と第２線材部３４４との間に絶縁材を配置することが好ましい。
【００２８】
第１金属部３４１と第１線材部３４３とは、所定の抵抗温度係数を有する同一材料（第１の材料）から形成されている。又、第２金属部３４２と第２線材部３４４とは、第１金属部３４１と第１線材部３４３とは異なる抵抗温度係数を有する同一材料（第２の材料）から形成されている。これにより、熱電対３４は、第１金属部３４１と第２金属部３４２との接続部である測温接点３４ｃと、第１線材部３４３の他端及び第２線材部３４４の他端との温度差により熱起電力を発生することができる。
【００２９】
第１金属部３４１及び第１線材部３４３の材料、及び第２金属部３４２及び第２線材部３４４の材料は、基体３１の焼成温度（１５００℃程度）よりも融点が高い導電材料であることが好ましい。これにより、第１金属部３４１及び第２金属部３４２を基体３１と同時焼成することが可能となる。基体３１の焼成温度よりも融点が高い導電材料としては、例えば、下記の材料が挙げられる。
【００３０】
第１金属部３４１及び第１線材部３４３の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）とレニウム（Ｒｅ）との合金（Ｒｅ５重量％）を用いることができる。第２金属部３４２及び第２線材部３４４の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）とレニウム（Ｒｅ）との合金（Ｒｅ２６重量％）を用いることができる。
【００３１】
第１金属部３４１及び第１線材部３４３の材料として、例えば、白金（Ｐｔ）とロジウム（Ｒｈ）との合金（Ｒｈ６重量％）を用いてもよい。第２金属部３４２及び第２線材部３４４の材料として、例えば、白金（Ｐｔ）とロジウム（Ｒｈ）との合金（Ｒｈ３０重量％）を用いてもよい。
【００３２】
なお、図１では基板固定装置１が１つの熱電対３４を有する例を図示しているが、基板固定装置１は複数の熱電対３４を有してもよい。これにより、基体３１の温度制御を高精度で行うことができる。その場合、基体３１の厚さ方向の異なる位置に熱電対３４が配置されてもよい。
【００３３】
制御部４０は、熱電対３４から得られる熱起電力に基づいて基体３１の温度を算出し、発熱体３３に印加する電圧を制御して、基体３１の載置面３１ａを所定の温度に調整する機能を有している。制御部４０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含む構成とすることができる。制御部４０は、例えば、基板上に実装されてベースプレート１０に固定することができる。
【００３４】
［基板固定装置の製造方法］
図２及び図３は、第１の実施の形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図である。図２及び図３を参照しながら、基板固定装置１の製造工程について説明する。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示す工程では、セラミック粉末に溶媒やバインダーを混ぜて複数枚（ここでは一例として５枚）のセラミックグリーンシート３１１、３１２、３１３、３１４、及び３１５を作製する。そして、セラミックグリーンシート３１１、３１２、及び３１３の熱電対３４を形成する部分に貫通孔を形成する。なお、セラミックグリーンシート３１１、３１２、及び３１３に形成する貫通孔は、例えば、焼成後の径が５０〜３００μｍ程度になるように形成することができる。
【００３６】
そして、セラミックグリーンシート３１２の一方の面に焼成後に発熱体３３となる金属ペースト３３Ｐを、セラミックグリーンシート３１４の一方の面に焼成後に静電電極３２となる金属ペースト３２Ｐを図１のパターンになるように形成する。又、セラミックグリーンシート３１１及び３１２の貫通孔内、並びにセラミックグリーンシート３１３の一方の面及び貫通孔内に、焼成後に第１金属部３４１及び第２金属部３４２となる金属ペースト３４１Ｐ及び３４２Ｐを図１のパターンになるように形成する。
【００３７】
金属ペースト３２Ｐ、３３Ｐ、３４１Ｐ、及び３４２Ｐは、例えば、スクリーン印刷法により形成できる。なお、セラミックグリーンシート３１３の一方の面に形成する金属ペースト３４１Ｐ及び３４２Ｐは、例えば、焼成後の厚さが１０〜３０μｍ程度、焼成後の幅が５０〜３００μｍ程度になるように形成することができる。
【００３８】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、図２（ａ）に示す工程で作製したセラミックグリーンシート３１１、３１２、３１３、３１４、及び３１５を順次積層した積層体を作製する。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、第１線材部３４３及び第２線材部３４４を準備する。そして、図２（ｂ）に示す積層体のセラミックグリーンシート３１１の貫通孔内に充填された金属ペースト３４１Ｐに第１線材部３４３の一端を、セラミックグリーンシート３１１の貫通孔内に充填された金属ペースト３４２Ｐに第２線材部３４４の一端を挿入する。第１線材部３４３及び第２線材部３４４の線径は、例えば、５０〜３００μｍ程度とすることができる。
【００４０】
次に、図３（ａ）に示す工程では、図２（ｃ）に示す積層体を焼成することにより、セラミックグリーンシート３１１、３１２、３１３、３１４、及び３１５が一体化して基体３１となる。又、金属ペースト３２Ｐ、３３Ｐ、３４１Ｐ、及び３４２Ｐから、静電電極３２、発熱体３３、第１金属部３４１、及び第２金属部３４２が形成される。又、第１金属部３４１と第１線材部３４３とが接合され、第２金属部３４２と第２線材部３４４とが接合される。以上により、静電チャック３０が完成する。積層体の焼成は、例えば、常圧で行うことができる。なお、焼成後の静電チャック３０の体積は、焼成前に比べて１０数％程度収縮する。
【００４１】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、貫通孔１０ｘ及び１０ｙが形成されたベースプレート１０を準備し、ベースプレート１０の一方の面１０ａに接着層２０（未硬化）を形成する。そして、図３（ａ）で完成した静電チャック３０の第１線材部３４３を貫通孔１０ｘに、第２線材部３４４を貫通孔１０ｙに挿入しながら、接着層２０を介して、ベースプレート１０の一方の面１０ａに静電チャック３０を配置し、接着層２０を硬化させる。
【００４２】
次に、図３（ｃ）に示す工程では、例えば図示しない基板上に実装された制御部４０を、ベースプレート１０の他方の面１０ｂ側に固定する。この際、第１線材部３４３の他端及び第２線材部３４４の他端を、はんだ等を用いて、制御部４０と電気的に接続する。これにより、ベースプレート１０の一方の面１０ａに接着層２０を介して静電チャック３０が搭載された基板固定装置１が完成する。
【００４３】
ところで、従来の基板固定装置において静電チャックの基体内に熱電対を内蔵する場合、例えば、静電チャックから露出する熱電対の端部にパッドを設け、パッドに熱電対とは異なる材料からなる線材（銅線等）をはんだ付けして静電チャック外に引き出していた。つまり、従来の基板固定装置では、基板固定装置１の第１線材部３４３及び第２線材部３４４に相当する部分が、熱電対とは異なる材料からなる線材（銅線等）により構成されていた。
【００４４】
このように、従来の基板固定装置では、温度分布の少ない静電チャックの基体内のみに熱電対を設けていたため、熱電対に温度差が生じ難く、大きな熱起電力が得られなかった。
【００４５】
これに対して、基板固定装置１では、第１線材部３４３及び第２線材部３４４も含めた部分が熱電対３４として機能する。すなわち、基板固定装置１では、全体として温度分布の大きい静電チャック３０の基体３１内及びベースプレート１０内に熱電対３４が配置されているため、熱電対に温度差が生じ易く、大きな熱起電力が得られる。その結果、ノイズ耐性が向上するため、熱電対３４を用いた精度のよい温度測定が可能となる。なお、図４は、基板固定装置１における熱電対の温度差と熱起電力との関係の一例を示している。図４より、温度差が大きくなるほど大きな熱起電力が得られることが確認できる。
【００４６】
又、基板固定装置１では、第１線材部３４３及び第２線材部３４４をベースプレート１０の底面近傍まで引き出して制御部４０と直接接続しているため、熱起電力の補正を行う必要がない。この点も、熱電対３４を用いた温度測定の精度向上に寄与している。
【００４７】
又、基板固定装置１では、静電チャック３０の基体３１と熱電対３４とを同時焼成により形成するため、製造工程の簡略化が可能となる。
【００４８】
又、基板固定装置１では、第１金属部３４１と第１線材部３４３、及び第２金属部３４２と第２線材部３４４を、基体３１との同時焼成により直接接合する。従って、従来の基板固定装置のように、これらの接合にパッドを用いる必要がないため、基体３１内に熱電対３４を高密度に配置することができる。又、基体に溝を設けて市販の熱電対を挿入する構造の周知の基板固定装置と比較した場合も、基体３１内に熱電対３４を高密度に配置することができる。
【００４９】
なお、基板固定装置１を完成品として出荷することができるが、図３（ａ）に示す静電チャック３０を完成品として出荷してもよい。この場合には、静電チャック３０を入手した者が、必要なときに図３（ｂ）及び図３（ｃ）の工程を実行することで、基板固定装置１を得ることができる。
【００５０】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、制御部を有していない基板固定装置の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
【００５１】
図５は、第１の実施の形態の変形例１に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。
【００５２】
図５を参照するに、基板固定装置１Ａは、制御部４０を有していない点が、基板固定装置１（図１参照）と相違する。
【００５３】
基板固定装置１Ａでは、第１線材部３４３及び第２線材部３４４の第１金属部３４１及び第２金属部３４２と接合されていない側の端部（第１線材部３４３の他端及び第２線材部３４４の他端）がベースプレート１０の他方の面１０ｂから突出している。ベースプレート１０の他方の面１０ｂから突出する第１線材部３４３及び第２線材部３４４の端部は、必要なときに必要な位置で制御部と電気的に接続することができる。
【００５４】
このように、熱電対３４から得られる熱起電力に基づいて基体３１の温度を算出し、発熱体３３に印加する電圧を制御する制御部を基板固定装置１Ａと別体としてもよい。
【００５５】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５６】
例えば、本発明に係る基板固定装置の吸着対象物としては、ウェハ（シリコンウエハ等）以外に、液晶パネル等の製造工程で使用されるガラス基板等を例示することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１、１Ａ  基板固定装置
１０  ベースプレート
１０ｘ、１０ｙ  貫通孔
２０  接着層
３０  静電チャック
３１  基体
３１ａ  載置面
３２  静電電極
３２Ｐ、３３Ｐ、３４１Ｐ、３４２Ｐ  金属ペースト
３３  発熱体
３４  熱電対
３４ｃ  測温接点
４０  制御部
３１１、３１２、３１３、３１４、３１５  セラミックグリーンシート
３４１  第１金属部
３４１ａ  第１水平部
３４１ｂ  第１垂直部
３４２  第２金属部
３４２ａ  第２水平部
３４２ｂ  第２垂直部
３４３  第１線材部
３４４  第２線材部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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