(57)【要約】【課題】基板を載置する載置台において、フォーカスリングの温度を適切に制御しつつ、載置台の側壁周辺部へのデポの付着を低減する。【解決手段】基板を載置する載置台は、吸着電極を内部に備えた基台と、前記吸着電極の上方に設けられ、前記基台上に吸着保持されるフォーカスリングと、前記基台上であって、前記フォーカスリングの径方向内側に設けられるデポコントロールリングと、を有する。前記フォーカスリングと前記デポコントロールリングとの径方向の間には、当該フォーカスリングとデポコントロールリングを分離する隙間が形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する載置台であって、
吸着電極を内部に備えた基台と、
前記吸着電極の上方に設けられ、前記基台上に吸着保持されるフォーカスリングと、
前記基台上であって、前記フォーカスリングの径方向内側に設けられるデポコントロールリングと、を有し、
前記フォーカスリングと前記デポコントロールリングとの径方向の間には、当該フォーカスリングとデポコントロールリングを分離する隙間が形成されている、載置台。
【請求項２】
前記隙間は鉛直方向に延伸する、請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記フォーカスリングの外周部には、当該フォーカスリングの上面側が径方向内側に突出して上側段部が形成され、
前記デポコントロールリングの外周部には、当該デポコントロールリングの下面側が径方向外側に突出して下側段部が形成され、
前記隙間は、前記上側段部と前記下側段部によってラビリンス構造を有する、請求項１に記載の載置台。
【請求項４】
前記フォーカスリングの上面の内径は、前記基台上に載置された基板の外径よりも大きく、
前記フォーカスリングの上面側内周面と前記基板の外周面との間隔は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下である、請求項２又は３に記載の載置台。
【請求項５】
前記フォーカスリングの外周部には、当該フォーカスリングの下面側が径方向内側に突出して下側段部が形成され、
前記デポコントロールリングの外周部には、当該デポコントロールリングの上面側が径方向外側に突出して上側段部が形成され、
前記隙間は、前記下側段部と前記上側段部によってラビリンス構造を有する、請求項１に記載の載置台。
【請求項６】
前記デポコントロールリングの上面の内径は、前記基台上に載置された基板の外径よりも大きく、
前記フォーカスリングの上面側内周面と前記基板の外周面との間隔は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下である、請求項５に記載の載置台。
【請求項７】
前記フォーカスリングの内径は、前記吸着電極の内径よりも小さく、
前記フォーカスリングの内径と前記吸着電極の内径の差分は、０ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項８】
前記デポコントロールリングの外径は、３００ｍｍ〜３６０ｍｍである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項９】
前記デポコントロールリングの素材は、前記フォーカスリングの素材と異なり、脆性素材又は樹脂素材から選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項１０】
前記デポコントロールリングと前記基台との間の接触熱抵抗が、前記フォーカスリングと前記基台との間の接触熱抵抗よりも大きくなるように、少なくとも前記デポコントロールリングの接触面又は前記基台の接触面が表面処理される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項１１】
前記デポコントロールリングと前記基台との間に、断熱性を有する熱抵抗層が形成されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項１２】
前記熱抵抗層は、少なくとも前記デポコントロールリングの接触面又は前記基台の接触面に形成された断熱コーティングである、請求項１１に記載の載置台。
【請求項１３】
前記熱抵抗層は、前記デポコントロールリングと前記基台との間に設けられた断熱部材である、請求項１１に記載の載置台。
【請求項１４】
少なくとも前記フォーカスリング又は前記基台上に載置された基板を加熱するヒータをさらに有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項１５】
前記基台は、
基体部と、
前記基体部上に設けられる基板保持部と、
前記基体部上であって、前記基板保持部の径方向外側に設けられるリング保持部と、を有し、
前記フォーカスリング及び前記デポコントロールリングは、前記リング保持部上に保持される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項１６】
前記基板保持部及び前記リング保持部は一体に構成されている、請求項１５に記載の載置台。
【請求項１７】
前記基台は、
基体部と、
前記基体部上に設けられる基板保持部と、
前記基体部上であって、前記基板保持部の径方向外側に設けられるリング保持部と、を有し、
前記フォーカスリングは、前記リング保持部上に保持され、
前記デポコントロールリングは、前記基体部上であって、前記リング保持部の径方向内側に設けられる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項１８】
基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、
前記処理容器の内部において基板を載置する載置台と、を有し、
前記載置台は、
吸着電極を内部に備えた基台と、
前記吸着電極の上方に設けられ、前記基台上に吸着保持されるフォーカスリングと、
前記基台上であって、前記フォーカスリングの径方向内側に設けられるデポコントロールリングと、を有し、
前記フォーカスリングと前記デポコントロールリングとの径方向の間には、当該フォーカスリングとデポコントロールリングを分離する隙間が形成されている、プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プラズマ処理装置の内部において、静電チャック用の電極が埋設されたセラミックプレートと金属部材とを備えた載置台が開示されている。セラミックプレートは金属部材の上に積層されて設けられ、冷媒流路形成用の溝部がセラミックプレートの下面及び金属部材の上面のうちの少なくとも一方に加工されている。また、静電チャック用の電極は、被処理基板を取り囲むように配置されたフォーカスリングを静電吸着可能なように設けられ、当該フォーカスリングの温度を低く抑えることが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板を載置する載置台において、フォーカスリングの温度を適切に制御しつつ、載置台の側壁周辺部（フォーカスリングの内周を含む）への反応副生物（デポ）の付着を低減する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板を載置する載置台であって、吸着電極を内部に備えた基台と、前記吸着電極の上方に設けられ、前記基台上に吸着保持されるフォーカスリングと、前記基台上であって、前記フォーカスリングの径方向内側に設けられるデポコントロールリングと、を有し、前記フォーカスリングと前記デポコントロールリングとの径方向の間には、当該フォーカスリングとデポコントロールリングを分離する隙間が形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板を載置する載置台において、フォーカスリングの温度を適切に制御しつつ、載置台の側壁周辺部へのデポの付着を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図２】第１の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す要部拡大図である。
【図３】第１の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す要部拡大図である。
【図４】第２の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す要部拡大図である。
【図５】第３の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す要部拡大図である。
【図６】本実施形態にかかる基台の第１の変形例を示す説明図である。
【図７】本実施形態にかかる基台の第２の変形例を示す説明図である。
【図８】本実施形態にかかる基台の第３の変形例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
先ず、従来のプラズマ処理装置及び載置台について、特許文献１に記載されている構成を基に説明する。
【０００９】
半導体デバイスの製造工程においてプラズマ処理装置では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって半導体ウェハ等の被処理基板（以下、「基板」という。）を処理する。かかるプラズマ処理装置には、基板の載置面を備えた載置台が設けられている。特許文献１に記載されているように、載置台に載置された基板はプラズマに曝されることにより高温となるが、冷媒流路を通流する冷媒によって、セラミックプレートを介して所定のプロセス温度、例えば３０℃〜５０℃程度に調節される。
【００１０】
ここで、特許文献１に記載の載置台には、当該載置台上に載置された基板を取り囲むように配置されたフォーカスリングが静電吸着されている。当該フォーカスリングは、基板と同様にプラズマに曝されることにより高温（条件により例えば３００℃程度）となる。一方で、所定のプロセス温度に調節された基板に対して熱的影響、例えばエッチャント分布制御やＳｉスカベンジ機能の分布制御に影響を与えることを避けるため、基板と同様にフォーカスリングを冷却して使用する場合がある。
【００１１】
また、プラズマ処理においては、部材表面がプラズマに曝されることにより当該表面に反応副生物（デポ）が付着してしまう場合がある。プラズマの回り込みによりフォーカスリングの内周部にデポが付着した場合、当該デポの剥離によって基板ベベル部や載置台の側壁部にデポが再付着しやすくなり、パーティクルの原因となる場合がある。そこで、かかるデポの付着を抑制するためには、フォーカスリングの内周部の温度を上げる必要がある。
【００１２】
フォーカスリングを冷却する場合、本来冷却すべき基板に熱的影響を与えるのを抑制するため、当該フォーカスリングの表面部近傍を冷却することができる。しかし、フォーカスリングの内周部も同時に冷却され、デポが付着してしまう。すなわち、フォーカスリングは、昇温すべき内周部と冷却すべき表面部近傍が一体となって構成されている。このため、フォーカスリングの温度制御を適切に行うことが困難であった。
【００１３】
そこで、本開示にかかる技術は、載置台上に静電吸着されたフォーカスリングの温度制御を行う。具体的には、フォーカスリングにおいて、冷却すべき部分と昇温すべき部分とを分離して構成する。以下、この昇温すべき部分をデポコントロールリングという。そして、当該フォーカスリング及びデポコントロールリングをそれぞれ独立して温度制御する。かかる構成により、適切な温度制御が可能な載置台が実現できる。
【００１４】
以下、本実施形態にかかる載置台、及び当該載置台を備えたプラズマ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１５】
＜プラズマ処理装置＞
図１は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置１の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。なお、本実施形態ではプラズマ処理装置１として、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例に説明する。
【００１６】
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、略円筒形状の処理容器１０を有している。処理容器１０は、例えばアルミニウムから構成されており、表面には陽極酸化処理が施されている。処理容器１０は、プラズマが生成される処理空間Ｓを画成する。
【００１７】
処理容器１０内には、基板としてのウェハＷを載置する載置台１１が収容されている。載置台１１は、基台１２、フォーカスリング１３、及びデポコントロールリング１４を有している。フォーカスリング１３及びデポコントロールリング１４は、基台１２上に設けられる。
【００１８】
基台１２は、基体部１２ａと、基体部１２ａ上に設けられる基板保持部としてのウェハ保持部１２ｂと、基体部１２ａ上に設けられるリング保持部１２ｃとを有している。基体部１２ａは略円板形状を有し、ウェハＷの径よりも大きな径を有している。ウェハＷの径は約３００ｍｍである。ウェハ保持部１２ｂは基体部１２ａの径よりも小さな径の略円板形状を有し、基体部１２ａと同軸に設けられる。リング保持部１２ｃは略円環形状を有し、平面視においてウェハ保持部１２ｂを囲うように、径方向外側に設けられている。リング保持部１２ｃの内径は、ウェハ保持部１２ｂの外径よりも大きい。また、ウェハ保持部１２ｂの上面は、側面視においてリング保持部１２ｃの上面よりも上方に位置している。
【００１９】
基体部１２ａの内部には、冷媒流路１５ａが形成されている。冷媒流路１５ａには、処理容器１０の外部に設けられたチラーユニット（図示せず）から冷媒入口配管１５ｂを介して冷媒が供給される。冷媒流路１５ａに供給された冷媒は、冷媒出口流路１５ｃを介してチラーユニットに戻るようになっている。冷媒流路１５ａの中に冷媒、例えば冷却水等を循環させることにより、ウェハ保持部１２ｂに載置されたウェハＷ、リング保持部１２ｃに保持されたフォーカスリング１３、及び載置台１１自体を所定の温度、例えば３０℃〜５０℃に冷却することができる。なお、基体部１２ａは導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有している。
【００２０】
ウェハ保持部１２ｂは、例えばセラミックにより構成され、内部に第１の吸着電極１５ｄが設けられている。第１の吸着電極１５ｄには、スイッチ２０を介して直流電源２１が接続されている。そしてウェハ保持部１２ｂは、第１の吸着電極１５ｄに直流電源２１から直流電圧が印加されることによって発生する静電気力によって、ウェハＷを載置面に吸着保持することができる。すなわち、ウェハ保持部１２ｂはウェハＷ用の静電チャックとしての機能を有している。
【００２１】
リング保持部１２ｃは、例えばセラミックにより構成され、内部に第２の吸着電極１５ｅが設けられている。第２の吸着電極１５ｅには、スイッチ２２を介して直流電源２１が接続されている。そしてリング保持部１２ｃは、第２の吸着電極１５ｅに直流電源２１から直流電圧が印加されることによって発生する静電気力によって、フォーカスリング１３を保持面に吸着保持される。すなわち、リング保持部１２ｃはフォーカスリング１３用の静電チャックとしての機能を有している。
【００２２】
なお、第２の吸着電極１５ｅに直流電圧を印加する直流電源は、前記第１の吸着電極１５ｄに直流電圧を印加する直流電源２１とは別に設けてもよい。
【００２３】
リング保持部１２ｃの上面には、円環状に形成されたフォーカスリング１３が第２の吸着電極１５ｅにより吸着保持されている。フォーカスリング１３は、平面視においてウェハ保持部１２ｂに載置されたウェハＷを囲み、当該ウェハ保持部１２ｂと同軸に保持されている。フォーカスリング１３は、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。このため、フォーカスリング１３は、ウェハ保持部１２ｂに載置されたウェハＷと同種の素材、例えば本実施形態においてはウェハＷを構成するシリコン（Ｓｉ）から構成される。
【００２４】
フォーカスリング１３は、上述のように静電気力によりリング保持部１２ｃ上面に吸着保持される。この際、リング保持部１２ｃを介して、基体部１２ａの内部に形成された冷媒流路１５ａ中を通流する冷媒によりフォーカスリング１３が冷却される。このようにフォーカスリング１３は、リング保持部１２ｃに静電吸着されることにより冷却されるように構成されている。
【００２５】
フォーカスリング１３の径方向内側であって、リング保持部１２ｃの上面には、デポコントロールリング１４が設けられている。デポコントロールリング１４は、ウェハ保持部１２ｂと同軸になるように設けられている。また、デポコントロールリング１４は、ウェハ保持部１２ｂに載置されたウェハＷの下方であって、当該デポコントロールリング１４の内周部及びウェハ保持部１２ｂの側壁部において、デポが付着することを抑制できるように構成されている。また、デポコントロールリング１４は、フォーカスリング１３とは分離されるように配置され、フォーカスリング１３とは独立して昇温できるように構成されている。
【００２６】
具体的には、デポコントロールリング１４は、プラズマに曝されることにより加熱される。しかし、デポコントロールリング１４はフォーカスリング１３と分離されて配置されているため、フォーカスリング１３からの熱的影響を受けない。さらに、第２の吸着電極１５ｅによって静電吸着されないため、リング保持部１２ｃからのデポコントロールリング１４への伝熱が抑制される。したがって、プラズマ生成時デポコントロールリング１４は、フォーカスリング１３の内周部に対して高い温度に保たれる。
【００２７】
なお、本実施形態においてデポコントロールリング１４は、例えばフォーカスリング１３と同種の素材、すなわちシリコン（Ｓｉ）から構成される。
【００２８】
基台１２の基体部１２ａには、第１のＲＦ電源２３ａ、第２のＲＦ電源２３ｂが、それぞれ第１の整合器２４ａ、第２の整合器２４ｂを介して接続され、載置台１１に印加可能に構成されている。
【００２９】
第１のＲＦ電源２３ａは、プラズマ発生用の高周波電力を発生する電源である。第１のＲＦ電源２３ａからは２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数であってよく、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力が載置台１１の基体部１２ａに供給される。第１の整合器２４ａは、第１のＲＦ電源２３ａの出力インピーダンスと負荷側（基体部１２ａ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。
【００３０】
第２のＲＦ電源２３ｂは、ウェハＷにイオンを引き込むための高周波電力（高周波バイアス電力）を発生して、当該高周波バイアス電力を基体部１２ａに供給する。高周波バイアス電力の周波数は、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であってよく、一例においては３ＭＨｚである。第２の整合器２４ｂは、第２のＲＦ電源２３ｂの出力インピーダンスと負荷側（基体部１２ａ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。
【００３１】
以上のように構成された載置台１１は、処理容器１０の底部に設けられた略円筒形状の支持部材１６に締結される。支持部材１６は、例えばセラミック等の絶縁体により構成される。
【００３２】
載置台１１の上方には、載置台１１と対向するように、シャワーヘッド３０が設けられている。シャワーヘッド３０は、上部電極としての機能を有し、処理空間Ｓに面して配置される電極板３１、及び電極板３１の上方に設けられる電極支持体３２を有している。電極板３１は、基体部１２ａと一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。なお、シャワーヘッド３０は、絶縁性遮蔽部材３３を介して、処理容器１０の上部に支持されている。
【００３３】
電極板３１には、後述のガス拡散室３２ａから送られる処理ガスを処理空間Ｓに供給するための複数のガス噴出口３１ａが形成されている。電極板３１は、例えば、発生するジュール熱の少ない低い電気抵抗率を有する導電体又は半導体から構成される。
【００３４】
電極支持体３２は、電極板３１を着脱自在に支持するものであり、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等の導電性材料から構成される。電極支持体３２の内部には、ガス拡散室３２ａが形成されている。当該ガス拡散室３２ａからは、ガス噴出口３１ａに連通する複数のガス流通孔３２ｂが形成されている。また、電極支持体３２には、ガス拡散室３２ａに処理ガスを供給するガス供給源群４０が、流量制御機器群４１、バルブ群４２、ガス供給管４３、ガス導入孔３２ｃを介して接続されている。
【００３５】
ガス供給源群４０は、プラズマ処理に必要な複数種のガス供給源を有している。プラズマ処理装置１においては、ガス供給源群４０から選択された一以上のガス供給源からの処理ガスが、流量制御機器群４１、バルブ群４２、ガス供給管４３、ガス導入孔３２ｃを介してガス拡散室３２ａに供給される。そして、ガス拡散室３２ａに供給された処理ガスは、ガス流通孔３２ｂ、ガス噴出口３１ａを介して、処理空間Ｓ内にシャワー状に分散されて供給される。
【００３６】
また、プラズマ処理装置１には、処理容器１０の側壁からシャワーヘッド３０の高さ位置よりも上方に延びるように円筒形状の接地導体１０ａが設けられている。円筒形状の接地導体１０ａは、その上部に天板１０ｂを有している。
【００３７】
また、プラズマ処理装置１には、処理容器１０の内壁に沿ってデポシールド５０が着脱自在に設けられている。デポシールド５０は、処理容器１０の内壁にデポが付着することを抑制するものであり、例えばアルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成される。また同様に、デポシールド５０に対向する面であって、支持部材１６の外周面には、デポシールド５１が、着脱自在に設けられている。
【００３８】
処理容器１０の底部であって、処理容器１０の内壁と支持部材１６との間には、排気プレート５２が設けられている。排気プレート５２は、例えばアルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成される。処理空間Ｓは当該排気プレート５２を介して排気口５３に連通されている。排気口５３には例えば真空ポンプ等の排気装置５４が接続され、当該排気装置５４により処理空間Ｓ内を減圧可能に構成されている。
【００３９】
また、処理容器１０の側壁にはウェハＷの搬入出口５５が形成され、当該搬入出口５５はゲートバルブ５５ａにより開閉可能となっている。
【００４０】
以上のプラズマ処理装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち、処理レシピが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００４１】
＜第１の実施形態＞
次に、図２を参照して第１の実施形態にかかる載置台１１について説明する。図２は、第１の実施形態にかかる載置台１１の構成の概略を示す要部拡大図である。
【００４２】
上述のように載置台１１は、基台１２、フォーカスリング１３、及びデポコントロールリング１４を有している。また、基台１２は、ウェハＷを静電吸着して載置するウェハ保持部１２ｂと、フォーカスリング１３及びデポコントロールリング１４を保持するリング保持部１２ｃと、ウェハ保持部１２ｂ及びリング保持部１２ｃを上面に備える基体部１２ａとを有している。基体部１２ａは、略円板形状を有している。ウェハ保持部１２ｂは略円板形状を有し、前記基体部１２ａの上方に、当該基体部１２ａと同軸となるように例えば接着剤を介して固定されている。また、リング保持部１２ｃは略円環形状を有し、前記基体部１２ａを囲むようにして、径方向外側に例えば接着剤を介して固定されている。なお、上述のように、ウェハ保持部１２ｂは、当該ウェハ保持部１２ｂの上面が、側面視においてリング保持部１２ｃの上面よりも高い位置となるように設けられている。
【００４３】
基体部１２ａの内部であって、前記ウェハ保持部１２ｂの下方には冷媒流路１５ａが形成されている。
【００４４】
ウェハ保持部１２ｂの内部であって、前記冷媒流路１５ａの上方にはウェハＷの吸着用の第１の吸着電極１５ｄが設けられている。ウェハ保持部１２ｂは上述のように、当該第１の吸着電極１５ｄに直流電圧が印加されることによって発生する静電気力によって、ウェハＷを載置面に吸着することができる。
【００４５】
リング保持部１２ｃの内部には、フォーカスリング１３の吸着用の第２の吸着電極１５ｅが設けられている。リング保持部１２ｃは上述のように、当該第２の吸着電極１５ｅに直流電圧が印加されることによって発生する静電気力によって、フォーカスリング１３を吸着することができる。
【００４６】
フォーカスリング１３は、断面形状が略矩形の環状構造を有し、ウェハ保持部１２ｂに載置されたウェハＷを取り囲むように設けられている。具体的には、フォーカスリング１３の内径がウェハＷの外径と比べて大きく、クリアランスＣ１が設けられている。本実施形態においてクリアランスＣ１の間隔Ｄ１は、例えば０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下であることが望ましい。また、フォーカスリング１３の上面は、ウェハ保持部１２ｂ上に載置されたウェハＷの上面と略一致するように構成されている。
【００４７】
また、フォーカスリング１３の内径は、第２の吸着電極１５ｅの内径よりも小さい。これは、後述するようにデポコントロールリング１４が第２の吸着電極１５ｅによって静電吸着されるのを避けるためである。換言すれば、デポコントロールリング１４は、平面視において第２の吸着電極１５ｅと重ならない位置に配置されていればよい。本実施形態において、かかる第２の吸着電極１５ｅの内径とフォーカスリング１３の内径との差分Ｄ２は、０ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下であることが望ましい。なお、第２の吸着電極１５ｅは環状の電極であってもよいし、あるいは円環が周方向に複数に分割された双極型の電極であってもよい。
【００４８】
また更に、静電吸着によるフォーカスリング１３の冷却効率を上げるため、フォーカスリング１３とリング保持部１２ｃとの接触領域Ａは、接触熱抵抗が小さくなるように表面処理されていることが好ましい。具体的な表面処理としては、例えば研磨等の処理を含む。
【００４９】
リング保持部１２ｃの上面であって、フォーカスリング１３の径方向内側、かつウェハ保持部１２ｂに載置されたウェハＷの下方には、デポコントロールリング１４が設けられている。デポコントロールリング１４は、例えば接着剤を介してリング保持部１２ｃに固定されている。また、デポコントロールリング１４は、断面形状が略矩形の環状構造を有している。
【００５０】
また、上述のように、本実施形態においてデポコントロールリング１４は、フォーカスリング１３と分離されるように構成される。具体的には、フォーカスリング１３とデポコントロールリング１４の径方向の間には、隙間Ｇ１が形成されている。隙間Ｇ１は、鉛直方向に延伸している。この隙間Ｇ１により、フォーカスリング１３とデポコントロールリング１４は分離され、接触していない。
【００５１】
また、デポコントロールリング１４がリング保持部１２ｃからの伝熱によって冷却されるのを抑制するため、デポコントロールリング１４とリング保持部１２ｃとの接触領域Ｂは、接触熱抵抗が大きくなるように表面処理されていることが好ましい。具体的には、デポコントロールリング１４の下面及び／又はリング保持部１２ｃの上面には、表面粗度が大きくなるように表面処理が施されている。そして、デポコントロールリング１４の下面及び／又はリング保持部１２ｃの上面を粗す。これにより、デポコントロールリング１４とリング保持部１２ｃとの接触領域Ｂの接触熱抵抗が、フォーカスリング１３とリング保持部１２ｃとの接触領域Ａの接触熱抵抗と比べて相対的に大きくなるように構成されている。
【００５２】
このように、本実施形態においてフォーカスリング１３とデポコントロールリング１４は分離して構成されている。フォーカスリング１３はリング保持部１２ｃに吸着されて冷却されるが、かかる場合でも、デポコントロールリング１４をフォーカスリング１３の内周部に対して高い温度に保つことができる。また、上述のように第２の吸着電極１５ｅは、その内径がフォーカスリング１３の内径よりも大きく形成されている。すなわち、第２の吸着電極１５ｅはデポコントロールリング１４の下方には敷設されていないため、当該第２の吸着電極１５ｅによりデポコントロールリング１４が静電吸着されず、冷却されない。このようにして、デポコントロールリング１４の温度をフォーカスリング１３の内周部より高い温度に保つことにより、ウェハＷの外周部から回り込んだプラズマにより、デポコントロールリング１４及びウェハ保持部１２ｂにデポが付着することを抑制することができる。
【００５３】
また、本実施形態において前記間隔Ｄ１は０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下であり、フォーカスリング１３とウェハＷの間のクリアランスＣ１は微小となるように構成されている。間隔Ｄ１の大きさを微小に設定することにより、クリアランスＣ１からプラズマが侵入することを抑制することができる。すなわち、ウェハＷの外周部から回り込むプラズマの総量を減らすことができ、デポコントロールリング１４及びウェハ保持部１２ｂにデポが付着することを更に適切に抑制することができる。
【００５４】
なお、上記の実施形態においてはリング保持部１２ｃとデポコントロールリング１４とを熱的に分離にするため、デポコントロールリング１４の下面及び／又はリング保持部１２ｃの上面を粗し、接触熱抵抗を小さくした。しかし、デポコントロールリング１４の温度をフォーカスリング１３及びリング保持部１２ｃと独立して高く保つことができれば、熱的分離の方法はこれに限られない。例えばデポコントロールリング１４とリング保持部１２ｃとの間に、断熱性を有する熱抵抗層を形成してもよい。熱抵抗層は特に限定されるものではないが、断熱部材、例えばテフロン（登録商標）が用いられる。あるいは、デポコントロールリング１４及び／又はリング保持部１２ｃの表面に、断熱性のコーティングを施して熱抵抗層を形成してもよい。このように、デポコントロールリング１４とリング保持部１２ｃとの間に熱抵抗層を形成することにより、リング保持部１２ｃからデポコントロールリング１４への伝熱を防ぐことができ、デポコントロールリング１４の温度をフォーカスリング１３の内周部より高い温度に保つことができる。
【００５５】
また、上記実施形態においてデポコントロールリング１４は、フォーカスリング１３と同種の素材、すなわちＳｉにより形成されたが、デポコントロールリング１４の素材はこれに限られるものではなく、任意に選択することができる。デポコントロールリング１４の素材としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等の脆性素材であってもよい。このうち、デポコントロールリング１４にＳｉスカベンジ機能が求められる場合には、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４から選択される。あるいは、単にプラズマ耐性のみが要求される場合には、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等を用いてもよい。また、デポコントロールリング１４の素材は樹脂素材、例えばＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥ、ＰＦＡ等のテフロン（登録商標）素材又はＰＥＥＫ等のエンプラ素材であってもよい。ただし、デポコントロールリング１４の素材としては、熱伝導率が大きい素材が選定されることが好ましい。熱伝導率が大きい素材を用いると、プラズマによりデポコントロールリング１４を急速に昇温することができる。
【００５６】
また更に、デポコントロールリング１４の表面には、溶射処理、焼結処理又はコーティング処理が施されていてもよい。溶射材としては、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＹＦ等のセラミックであってもよい。また、コーティング方法としては、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）やエアロゾルデポジション等であってもよい。
【００５７】
なお、上記実施形態においては、デポコントロールリング１４とリング保持部１２ｃに表面処理を施したり、断熱部材や断熱コーティングなどの熱抵抗層を形成して、それぞれを熱的に分離した。しかし、かかる表面処理や熱抵抗層を省略し、上述の素材を適切に選定することにより熱伝導率を制御して、熱的に分離してもよい。
【００５８】
また、上記実施形態においてデポコントロールリング１４は鉛直方向（長さ方向）へ伸長させ、基体部１２ａに直接設けるようにしてもよい。図３に示すように、リング保持部１２ｃを径方向外側に縮小し、デポコントロールリング１４を基体部１２ａに直接固定するようにしてもよい。
【００５９】
このように、デポコントロールリング１４を伸長させて構成することにより、当該デポコントロールリング１４及びリング保持部１２ｃの部品寿命を延ばすことができる。また、デポコントロールリング１４がリング保持部１２ｃの上面に直接保持されないため、当該リング保持部１２ｃの内部の第２の吸着電極１５ｅとより確実に分離することができる。
【００６０】
なお、図３に示すようにデポコントロールリング１４を基体部１２ａに直接固定する場合、基体部１２ａの内部に形成された冷媒流路１５ａの内部を通流する冷媒による冷却効果をより大きく受けることになる。かかる冷却効果を抑制し、デポコントロールリング１４の温度を高温に保つため、デポコントロールリング１４と基体部１２ａの間には、断熱層としての断熱部材（図示せず）を設けてもよい。
【００６１】
なお、本実施形態においてはウェハ保持部１２ｂ及びリング保持部１２ｃはそれぞれ、セラミックにより構成されることで絶縁性を有していた。しかし、これらウェハ保持部１２ｂ及びリング保持部１２ｃは絶縁性を有するものであればセラミックによる構成に限られるものではない。例えばウェハ保持部１２ｂ及びリング保持部１２ｃは、アルミニウム材の表面に溶射処理、焼結処理又はコーティング処理を施したものにより構成されていてもよい。かかる場合、溶射材は、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＹＦ等のセラミックであってもよい。また、コーティング方法としては、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）やエアロゾルデポジション等であってもよい。
【００６２】
以上、本実施形態によれば、フォーカスリング１３とデポコントロールリング１４は隙間Ｇ１を介して分離される。これにより、フォーカスリング１３とデポコントロールリング１４の温度制御をそれぞれ独立して行うことができ、デポコントロールリング１４の温度をフォーカスリング１３の内周部に対して高い温度に保つことができる。その結果、ウェハＷの外周部から回り込むプラズマにより、デポコントロールリング１４及びウェハ保持部１２ｂにデポが付着することを抑制することができる。
【００６３】
ここで、フォーカスリング１３とデポコントロールリング１４の温度制御を独立して行うためには、独立した温度調節機構を用いてもよい。デポの付着を抑制するためには、デポコントロールリング１４の温度を、フォーカスリング１３の温度よりも相対的に上げることが必要である。このため、本実施形態のようにフォーカスリング１３とデポコントロールリング１４の間に隙間Ｇ１を設け、物理的に分離すれば、デポの付着を抑制できる。したがって、本実施形態の載置台１１は、構造が簡易で、コスト的にもメリットがある。
【００６４】
また、フォーカスリング１３の内径は、第２の吸着電極１５ｅの内径よりも小さく形成され、第２の吸着電極１５ｅはフォーカスリング１３の下方のみであって、デポコントロールリング１４の下方には配置されない。このため、デポコントロールリング１４はリング保持部１２ｃに吸着されず、リング保持部１２ｃからデポコントロールリング１４への伝熱が抑制され、当該デポコントロールリング１４は、フォーカスリング１３の内周部に対して高い温度に保つことができる。しかも、フォーカスリング１３の内径と第２の吸着電極１５ｅの内径の差分Ｄ２は１０ｍｍ以下であり、第２の吸着電極１５ｅによるフォーカスリング１３の吸着機能を担保できる。
【００６５】
また更に、デポコントロールリング１４と基台１２との間の接触熱抵抗が、フォーカスリング１３と基台１２との間の接触熱抵抗よりも大きくなるように表面処理されている。あるいは、デポコントロールリング１４と基台１２との間に、断熱性を有する熱抵抗層が形成されている。これら表面処理や熱抵抗層により、デポコントロールリング１４と基台１２との間の熱抵抗値を高め、デポコントロールリング１４をフォーカスリング１３の内周部より高い温度に保つことができる。
【００６６】
また、フォーカスリング１３とウェハＷの間にはクリアランスＣ１が設けられ、クリアランスＣ１の間隔Ｄ１は０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下である。このように、間隔Ｄ１の大きさを１ｍｍ以下とすることで、クリアランスＣ１からプラズマが侵入することを抑制することができる。
【００６７】
上記第１の実施形態においては、フォーカスリング１３の内径とウェハＷとの間のクリアランスＣ１は、鉛直方向に延伸する隙間Ｇ１に連続する。かかる場合、クリアランスＣ１の間隔Ｄ１の大きさを１ｍｍ以下で形成することによりプラズマの侵入の大部分を抑制することはできるものの、一部のプラズマはクリアランスＣ１から隙間Ｇ１へ侵入してしまう。そうすると、プラズマがクリアランスＣ１と隙間Ｇ１を通じてリング保持部１２ｃに到達し、その結果、リング保持部１２ｃに損傷を与えてしまうことが考えられた。そこで、本開示者らは、後述する第２の実施形態および第３の実施形態で説明するように、隙間Ｇ１をラビリンス構造にすることを想到した。
【００６８】
＜第２の実施形態＞
次に、リング保持部１２ｃへプラズマを到達させにくくするための、第２の実施形態にかかる載置台１１１の構成について、図４を参照して説明する。図４は、第２の実施形態にかかる載置台１１１の構成の概略を模式的に示した要部拡大図である。なお、上述の第１の実施形態にかかる載置台１１と実質的に同一の構成要素については、同じ番号を付することにより、又は符番を省略することによりその説明を省略する。
【００６９】
本実施形態にかかるフォーカスリング１１３は、図４に示すように、上部リング部１１３ａと下部リング部１１３ｂを一体に設けた構成を有している。上部リング部１１３ａと下部リング部１１３ｂは、それぞれ内径が異なる環状形状を有している。具体的には、上部リング部１１３ａの内径は下部リング部１１３ｂの内径より小さく、フォーカスリング１１３の外周部において上部リング部１１３ａが径方向内側に突出している。そして、上部リング部１１３ａと下部リング部１１３ｂにより、上側段部１１３ｃが形成されている。なお、上部リング部１１３ａ及び下部リング部１１３ｂの外径は略一致している。また、上部リング部１１３ａの上面は、ウェハ保持部１２ｂ上に載置されたウェハＷの上面と略一致するように構成されている。
【００７０】
また、上部リング部１１３ａの内径はウェハＷの外径と比べて大きく、クリアランスＣ３が設けられている。本実施形態においてクリアランスＣ３の間隔Ｄ３は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００７１】
リング保持部１２ｃの上面であって、フォーカスリング１１３の径方向内側、かつリング保持部１２ｃに載置されたウェハＷの下方には、デポコントロールリング１１４が設けられている。デポコントロールリング１１４は、例えば接着剤を介してリング保持部１２ｃに固定されている。
【００７２】
デポコントロールリング１１４は、上部リング部１１４ａと下部リング部１１４ｂを一体に設けた構成を有している。上部リング部１１４ａと下部リング部１１４ｂは、それぞれ内径が異なる環状形状を有している。具体的には、上部リング部１１４ａの外径は下部リング部１１４ｂの外径より小さく、デポコントロールリング１１４の外周部において下部リング部１１４ｂが径方向外側に突出している。そして、上部リング部１１４ａと下部リング部１１４ｂにより、下側段部１１４ｃが形成されている。
【００７３】
フォーカスリング１１３とデポコントロールリング１１４の径方向の間には、隙間Ｇ２が形成されている。隙間Ｇ２は、フォーカスリング１１３の上側段部１１３ｃとデポコントロールリング１１４の下側段部１１４ｃにより、ラビリンス構造を有している。この隙間Ｇ２により、リング保持部１２ｃに対してプラズマが到達することを抑制することができる。その結果、プラズマによるリング保持部１２ｃの損傷を抑制することができる。
【００７４】
また、本実施形態においてもフォーカスリング１１３とデポコントロールリング１１４は分離されている。更に、クリアランスＣ３の間隔Ｄ３が１ｍｍ以下であるため、第１の実施形態と同様に、ウェハＷの外周部から回り込むプラズマにより、デポコントロールリング１４及びウェハ保持部１２ｂにデポが付着することを適切に抑制することができる。
【００７５】
＜第３の実施形態＞
続いて、第３の実施形態にかかる載置台２１１の構成について、図５を参照して説明する。図５は、第３の実施形態にかかる載置台２１１の構成の概略を模式的に示した要部拡大図である。
【００７６】
本実施形態にかかるフォーカスリング２１３は、図５に示すように、上部リング部２１３ａと下部リング部２１３ｂを一体に設けた構成を有している。上部リング部２１３ａと下部リング部２１３ｂは、それぞれ内径が異なる環状形状を有している。具体的には、上部リング部２１３ａの内径は下部リング部２１３ｂの内径より大きく、フォーカスリング２１３の外周部において下部リング部１１３ｂが径方向内側に突出している。そして、上部リング部２１３ａと下部リング部２１３ｂにより、下側段部２１３ｃが形成されている。なお、上部リング部２１３ａ及び下部リング部２１３ｂの外径は略一致している。また、上部リング部２１３ａの上面は、ウェハ保持部１２ｂ上に載置されたウェハＷの上面と略一致するように構成されている。
【００７７】
リング保持部１２ｃの上面であって、フォーカスリング２１３の径方向内側には、デポコントロールリング２１４が設けられている。デポコントロールリング２１４は、例えば接着剤を介してリング保持部１２ｃに固定されている。
【００７８】
デポコントロールリング２１４は、上部リング部２１４ａと下部リング部２１４ｂを一体に設けた構成を有している。上部リング部２１４ａと下部リング部２１４ｂは、それぞれ内径が異なる環状形状を有している。具体的には、上部リング部２１４ａの外径は下部リング部２１４ｂの外径より大きく、デポコントロールリング２１４の外周部において上部リング部２１４ａが径方向外側に突出している。そして、上部リング部２１４ａと下部リング部２１４ｂにより、上側段部２１４ｃが形成されている。なお、下部リング部２１４ｂの内径は上部リング部２１４ａの内径よりも小さい。また、上部リング部２１４ａの上面は、ウェハ保持部１２ｂ上に載置されたウェハＷの上面、及びフォーカスリング２１３の上部リング部２１３ａの上面と略一致するように構成されている。
【００７９】
デポコントロールリング２１４の上部リング部２１４ａの外径は、フォーカスリング２１３の上部リング部２１３ａの内径と比べて小さい。そして、フォーカスリング２１３とデポコントロールリング２１４の径方向の間には、隙間Ｇ３が形成されている。隙間Ｇ３は、フォーカスリング２１３の下側段部２１３ｃとデポコントロールリング２１４の上側段部２１４ｃにより、ラビリンス構造を有している。この隙間Ｇ３により、リング保持部１２ｃに対してプラズマが到達することを抑制することができる。その結果、プラズマによるリング保持部１２ｃの損傷を抑制することができる。
【００８０】
隙間Ｇ３において、上部リング部２１３ａの上面と上部リング部２１４ａの上面の間隔Ｄ４は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下であることが望ましい。かかる場合、隙間Ｇ３にプラズマが侵入するのを抑制することができる。
【００８１】
また、デポコントロールリング２１４の上部リング部２１４ａの内径はウェハＷの外径と比べて大きく、クリアランスＣ５が設けられている。本実施形態においてクリアランスＣ５の間隔Ｄ５は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下であることが望ましい。本実施形態においてもフォーカスリング２１３とデポコントロールリング２１４は分離されて構成されている。更に、クリアランスＣ５の間隔Ｄ５が１ｍｍ以下であるため、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様に、ウェハＷの外周部から回り込むプラズマにより、デポコントロールリング１４及びウェハ保持部１２ｂにデポが付着することを適切に抑制することができる。
【００８２】
また、本実施形態においては、デポコントロールリング２１４の上部リング部２１４ａの上面を処理空間Ｓに露出し、すなわちプラズマに露出させることにより、当該デポコントロールリング２１４の温度をより高温に制御、保持することができる。これにより、ウェハＷの外周部から下方へプラズマが回り込むことを更に抑制することができる。
【００８３】
このように上部リング部２１４ａのプラズマへの露出面積を大きくすることにより、すなわち、露出部Ｘを大きくすることによりデポコントロールリング２１４の更なる高温化を図ることができる。ただし、かかる露出部Ｘを大きくすることにより、Ｓｉスカベンジ機能の分布制御、及びエッチャント分布制御を担うフォーカスリング２１３の露出面積が減少するため、これらのバランスを考慮して露出部Ｘの面積を設定する必要がある。なお、本実施形態において露出部Ｘの外径は、３００ｍｍ〜３６０ｍｍである。露出部Ｘの外径のより好ましい範囲は、３０５ｍｍ〜３４０ｍｍである。
【００８４】
＜他の実施形態＞
以上、第１〜第３の実施形態においては、フォーカスリング１３、１１３、及び２１３及びデポコントロールリング１４、１１４、及び２１４の形状をそれぞれ適宜変形したが、これらに加え、基台１２の形状を適宜変更してもよい。
【００８５】
例えば第１実施形態の基台１２は、基体部１２ａの上方にウェハ保持部１２ｂ及びリング保持部１２ｃを設け、当該リング保持部１２ｃの上面にフォーカスリング１３及びデポコントロールリング１４を設けて構成していた。
【００８６】
これに対して、図６に示す載置台３１１のように、基台３１２は、基体部１２ａと保持部３１２ｂを有していてもよい。保持部３１２ｂは、基体部１２ａの上方に設けられ、ウェハ保持部及びリング保持部を一体にした構成を有している。かかる構成により、載置台１１と比べて載置台３１１を構成する部品点数を減らし、構造を簡易化することができる。
【００８７】
また、図７に示すように載置台４１１において、ウェハ保持部１２ｂの内部には、第１の吸着電極１５ｄの下方に、ウェハＷを加熱する第１のヒータ４５０ａが設けられていてもよい。また、リング保持部１２ｃの内部には、第２の吸着電極１５ｅの下方に、フォーカスリング１３を加熱する第２のヒータ４５０ｂが設けられていてもよい。なお、これら第１のヒータ４５０ａと第２のヒータ４５０ｂは、いずれか一方のみが設けられていてもよい。かかる構成により、ウェハＷ及びフォーカスリング１３の温度調節をそれぞれ分離して、精密な温度調節を行うことができる。
【００８８】
また更に、図８に示す載置台５１１において、基台５１２を、ウェハ保持部１２ｂを保持する中央基台５１２ａと、リング保持部１２ｃを保持する外周保持部５１２ｂとに分けて構成してもよい。かかる構成により、ウェハ保持部１２ｂ及びリング保持部１２ｃを別の系統に分離して温度制御をすることができる。すなわち、冷媒流路１５ａと冷媒流路５１５ａとに別の温度の冷媒を流して温度制御することができ、ウェハＷ及びフォーカスリング１３の温度調節をさらに精密に行うことができる。
【００８９】
以上の実施形態では、ウェハとフォーカスリングを静電吸着させる載置台を例に説明したが、本開示にかかる原理、すなわちフォーカスリングとデポコントロールリングを分離する載置台構造は、多様な既存の静電吸着機種に適用することができる。
【００９０】
また、上述したプラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置を例に説明を行ったが、例えば誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波によってガスを励起させるプラズマ処理装置のように、任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。
【００９１】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００９２】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板を載置する載置台であって、
吸着電極を内部に備えた基台と、
前記吸着電極の上方に設けられ、前記基台上に吸着保持されるフォーカスリングと、
前記基台上であって、前記フォーカスリングの径方向内側に設けられるデポコントロールリングと、を有し、
前記フォーカスリングと前記デポコントロールリングとの径方向の間には、当該フォーカスリングとデポコントロールリングを分離する隙間が形成されている、載置台。
前記（１）によれば、フォーカスリングとデポコントロールリングの温度制御をそれぞれ独立して行うことができる。その結果、デポコントロールリングの温度をフォーカスリングの内周部に対して高い温度に保つことができるため、基板の外周部から回り込むプラズマにより、デポコントロールリングの内周部及び基台の側壁部にデポが付着することを抑制することができる。
【００９３】
（２）前記隙間は鉛直方向に延伸する、前記（１）に記載の載置台。
前記（２）によれば、隙間の形状が単純であるため、簡易的に載置台を製造することができる。
【００９４】
（３）前記フォーカスリングの外周部には、当該フォーカスリングの上面側が径方向内側に突出して上側段部が形成され、
前記デポコントロールリングの外周部には、当該デポコントロールリングの下面側が径方向外側に突出して下側段部が形成され、
前記隙間は、前記上側段部と前記下側段部によってラビリンス構造を有する、前記（１）に記載の載置台。
前記（３）によれば、隙間がラビリンス構造を有しているので、基台にプラズマが到達するのを抑制することができ、その結果、プラズマによる基台の損傷を抑制することができる。
【００９５】
（４）前記フォーカスリングの上面の内径は、前記基台上に載置された基板の外径よりも大きく、
前記フォーカスリングの上面側内周面と前記基板の外周面との間隔は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下である、前記（２）又は（３）に記載の載置台。
前記（４）によれば、隙間の大きさを１ｍｍ以下とすることで、当該隙間からプラズマが侵入することを抑制することができる。その結果、基板下方へのプラズマの侵入量を減らすことができ、基板の外周部から回り込むプラズマにより、デポコントロールリングの内周部及び基台の側壁部にデポが付着することをより適切に抑制することができる。
【００９６】
（５）前記フォーカスリングの外周部には、当該フォーカスリングの下面側が径方向内側に突出して下側段部が形成され、
前記デポコントロールリングの外周部には、当該デポコントロールリングの上面側が径方向外側に突出して上側段部が形成され、
前記隙間は、前記下側段部と前記上側段部によってラビリンス構造を有する、前記（１）に記載の載置台。
前記（５）によれば、隙間がラビリンス構造を有しているので、基台にプラズマが到達するのを抑制することができ、その結果、プラズマによる基台の損傷を抑制することができる。
【００９７】
（６）前記デポコントロールリングの上面の内径は、前記基台上に載置された基板の外径よりも大きく、
前記フォーカスリングの上面側内周面と前記基板の外周面との間隔は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下である、前記（５）に記載の載置台。
前記（６）によれば、隙間の大きさを１ｍｍ以下とすることで、当該隙間からプラズマが侵入することを抑制することができる。すなわち、基板下方へのプラズマの侵入量を減らすことができ、基板の外周部から回り込むプラズマにより、デポコントロールリングの内周部及び基台の側壁部にデポが付着することをより適切に抑制することができる。
【００９８】
（７）前記フォーカスリングの内径は、前記吸着電極の内径よりも小さく、
前記フォーカスリングの内径と前記吸着電極の内径の差分は、０ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下である、前記（１）〜（６）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（７）によれば、吸着電極はフォーカスリングの下方のみであって、デポコントロールリングの下方には配置されないため、デポコントロールリングが冷却されず、フォーカスリングの内周部に対して高い温度に保つことができる。その結果、デポコントロールリングの内周部及び基台の側壁部にデポが付着することを好適に抑制することができる。
【００９９】
（８）前記デポコントロールリングの外径は、３００ｍｍ〜３６０ｍｍである、前記（１）〜（７）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（８）によれば、デポコントロールリングを適切に昇温させることができるため、当該デポコントロールリングの内周部及び基台の側壁部へのデポの付着を適切に抑制することができる。
【０１００】
（９）前記デポコントロールリングの素材は、前記フォーカスリングの素材と異なり、脆性素材又は樹脂素材から選択される、前記（１）〜（８）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（９）によれば、デポコントロールリングの素材を処理プロセスに応じて任意に選択することができ、素材選択の自由度が高まる。
【０１０１】
（１０）前記デポコントロールリングと前記基台との間の接触熱抵抗が、前記フォーカスリングと前記基台との間の接触熱抵抗よりも大きくなるように、少なくとも前記デポコントロールリングの接触面又は前記基台の接触面が表面処理される、前記（１）〜（９）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（１０）によれば、デポコントロールリングと基台との間の熱抵抗値を高め、デポコントロールリングをフォーカスリングの内周部に対して高い温度に保つことができる。
【０１０２】
（１１）前記デポコントロールリングと前記基台との間に、断熱性を有する熱抵抗層が形成されている、前記（１）〜（９）のいずれか一つに記載の載置台。
（１２）前記熱抵抗層は、少なくとも前記デポコントロールリングの接触面又は前記基台の接触面に形成された断熱コーティングである、前記（１１）に記載の載置台。
（１３）前記熱抵抗層は、前記デポコントロールリングと前記基台との間に設けられた断熱部材である、前記（１１）に記載の載置台。
前記（１１）〜（１３）によれば、前記（１０）と同様の効果を奏することができる。
【０１０３】
（１４）少なくとも前記フォーカスリング又は前記基台上に載置された基板を加熱するヒータをさらに有する、前記（１）〜（１３）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（１４）によれば、載置台の温度制御をより適切に行うことが可能になり、プラズマ処理装置におけるプラズマ処理をより適切に行うことができる。
【０１０４】
（１５）前記基台は、
基体部と、
前記基体部上に設けられる基板保持部と、
前記基体部上であって、前記基板保持部の径方向外側に設けられるリング保持部と、を有し、
前記フォーカスリング及び前記デポコントロールリングは、前記リング保持部上に保持される、前記（１）〜（１４）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（１５）によれば、基台は基板保持部及びリング保持部をさらに有し、基板及びフォーカスリング、デポコントロールリングの温度制御をそれぞれ独立して行うことが示唆される。
【０１０５】
（１６）前記基板保持部及び前記リング保持部は一体に構成されている、前記（１５）に記載の載置台。
前記（１６）によれば、載置台を構成する部品数量を減らすことができ、すなわち載置台の構成をより簡略化することができる。
【０１０６】
（１７）前記基台は、
基体部と、
前記基体部上に設けられる基板保持部と、
前記基体部上であって、前記基板保持部の径方向外側に設けられるリング保持部と、を有し、
前記フォーカスリングは、前記リング保持部上に保持され、
前記デポコントロールリングは、前記基体部上であって、前記リング保持部の径方向内側に設けられる、前記（１）〜（１４）のいずれか一つに記載の載置台。
前記（１７）によれば、デポコントロールリング及びリング保持部の部品寿命を延ばすことができる。また、リング保持部及び基板保持部の温度制御をそれぞれ独立して行うことができるため、載置台の温度制御をより適切に行うことができる。
【０１０７】
（１８）基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、
前記処理容器の内部において基板を載置する載置台と、を有し、
前記載置台は、
吸着電極を内部に備えた基台と、
前記吸着電極の上方に設けられ、前記基台上に吸着保持されるフォーカスリングと、
前記基台上であって、前記フォーカスリングの径方向内側に設けられるデポコントロールリングと、を有し、
前記フォーカスリングと前記デポコントロールリングとの径方向の間には、当該フォーカスリングとデポコントロールリングを分離する隙間が形成されている、プラズマ処理装置。
前記（１８）によれば、前記（１）〜（１７）までの載置台は、任意のプラズマ処理装置に採用することができる。
【符号の説明】
【０１０８】
１１    載置台
１２    基台
１３    フォーカスリング
１４    デポコントロールリング
１５ｅ  第２の吸着電極
Ｗ      ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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