(57)【要約】【課題】低背化を図る。【解決手段】弾性波装置１は、複数のチップ２と、支持部材３と、単一の第１カバー部材４と、配線部６３と、第２カバー部材５とを備える。支持部材３は、複数のチップ２の各々のＩＤＴ電極２２を囲んでいる。第１カバー部材４は、支持部材３上に設けられており、複数のチップ２の各々のＩＤＴ電極２２を覆う。配線部６３は、第１カバー部材４上に設けられており、複数のチップ２のうちの隣接する２以上のチップ２のＩＤＴ電極２２を電気的に接続させる。第２カバー部材５は、配線部６３を覆うように第１カバー部材４上に設けられている。支持部材３は、第１支持部３１と、第２支持部３２とを有する。第１支持部３１は、複数のチップ２の各々の基板２１上に設けられている。第２支持部３２は、複数のチップ２間に設けられており、複数のチップ２の各々の基板２１の少なくとも側面２６を覆う。【選択図】図１
2019114984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、少なくとも一部に圧電性を有する基板、及び、前記基板の厚さ方向において前記基板の主面に対向して設けられているＩＤＴ電極を有する複数のチップと、
前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を囲んでいる支持部材と、
前記支持部材上に設けられており、前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を覆う単一の第１カバー部材と、
前記第１カバー部材上に設けられており、前記複数のチップのうちの隣接する２以上のチップのＩＤＴ電極を電気的に接続させる配線部と、
前記配線部を覆うように前記第１カバー部材上に設けられている第２カバー部材と、を備え、
前記支持部材は、
前記複数のチップの各々の前記基板上に設けられている第１支持部と、
前記複数のチップ間に設けられており、前記複数のチップの各々の前記基板の少なくとも側面を覆う第２支持部と、を有する、
弾性波装置。
【請求項２】
前記第１カバー部材と前記第２カバー部材との合計の厚さは、前記複数のチップの各々の前記基板の厚さよりも薄い、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１カバー部材上であって前記配線部である第１配線部とは異なる位置に設けられており、前記ＩＤＴ電極と外部端子とを電気的に接続する第２配線部を更に備え、
前記第１配線部と前記第２配線部とは同一平面上に設けられている、
請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１支持部と前記第２支持部とは同一の材料で形成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第２支持部は、前記複数のチップの各々の前記基板の前記側面及び主面の一部を覆う、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
少なくとも一部に圧電性を有するウェハを用意する工程と、
前記ウェハ上に複数のＩＤＴ電極を形成する工程と、
前記ウェハを切断して、各々が、少なくとも一部に圧電性を有する基板、及び、前記基板の厚さ方向において前記基板の主面に対向して設けられているＩＤＴ電極を有する複数のチップを形成する工程と、
支持基板に絶縁層が設けられているパネル上に前記複数のチップを搭載する工程と、
前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を囲む支持部材を形成する工程と、
前記支持基板を剥離する工程と、
前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成することにより、単一の第１カバー部材を形成する工程と、
前記貫通孔に導電部材を設けて、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続される貫通ビアを形成する工程と、
前記貫通ビアを介して前記複数のチップのうちの隣接する２以上のチップのＩＤＴ電極を電気的に接続させる配線部を前記第１カバー部材上に形成する工程と、
前記配線部を覆うように前記第１カバー部材上に第２カバー部材を形成する工程と、を有し、
前記支持部材を形成する工程において、
前記複数のチップの各々の前記基板上に第１支持部を形成し、
前記複数のチップの各々の前記基板の少なくとも側面を覆うように前記複数のチップ間に第２支持部を形成する、
弾性波装置の製造方法。
【請求項７】
少なくとも一部に圧電性を有するウェハを用意する工程と、
前記ウェハ上に複数のＩＤＴ電極を形成する工程と、
前記ウェハを切断して、各々が、少なくとも一部に圧電性を有する基板、及び、前記基板の厚さ方向において前記基板の主面に対向して設けられているＩＤＴ電極を有する複数のチップを形成する工程と、
支持基板を含むパネル上に前記複数のチップを搭載する工程と、
前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を囲む支持部材を形成する工程と、
前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を覆うように前記支持部材上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成することにより、単一の第１カバー部材を形成する工程と、
前記貫通孔に導電部材を設けて、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続される貫通ビアを形成する工程と、
前記貫通ビアを介して前記複数のチップのうちの隣接する２以上のチップのＩＤＴ電極を電気的に接続させる配線部を前記第１カバー部材上に形成する工程と、
前記配線部を覆うように前記第１カバー部材上に第２カバー部材を形成する工程と、を有し、
前記支持部材を形成する工程において、
前記複数のチップの各々の前記基板上に第１支持部を形成し、
前記複数のチップの各々の前記基板の少なくとも側面を覆うように前記複数のチップ間に第２支持部を形成する、
弾性波装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１支持部と前記第２支持部とを一体に形成する、
請求項７に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関し、特に、複数のチップを備える弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数のチップを備える弾性波装置が知られている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載された弾性波装置（分波器）は、複数のチップとして、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを有する。送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップからなる一対のフィルタチップの各々は、ＩＤＴ電極を覆う第１の絶縁体層を有する。さらに、特許文献１に記載された弾性波装置は、一対のフィルタチップを覆うように第２の絶縁体層を有する。さらに、第２の絶縁体層上に形成されている外部端子を覆うために、第２の絶縁体層上に第３の絶縁体層が形成されている。外部端子は、一対のフィルタチップ同士をつなぐための端子である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００８／１０５１９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された従来の弾性波装置では、上述したように、第１の絶縁体層、第２の絶縁体層、及び第３の絶縁体層を形成する必要があるため、弾性波装置の低背化を実現しにくいという問題があった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、低背化を図ることができる弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、複数のチップと、支持部材と、単一の第１カバー部材と、配線部と、第２カバー部材とを備える。前記複数のチップの各々は、基板及びＩＤＴ電極を有する。前記基板は、少なくとも一部に圧電性を有する。前記ＩＤＴ電極は、前記基板の厚さ方向において前記基板の主面に対向して設けられている。前記支持部材は、前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を囲んでいる。前記第１カバー部材は、前記支持部材上に設けられており、前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を覆う。前記配線部は、前記第１カバー部材上に設けられており、前記複数のチップのうちの隣接する２以上のチップのＩＤＴ電極を電気的に接続させる。前記第２カバー部材は、前記配線部を覆うように前記第１カバー部材上に設けられている。前記支持部材は、第１支持部と、第２支持部とを有する。前記第１支持部は、前記複数のチップの各々の前記基板上に設けられている。前記第２支持部は、前記複数のチップ間に設けられており、前記複数のチップの各々の前記基板の少なくとも側面を覆う。
【０００７】
本発明の一態様に係る弾性波装置の製造方法は、少なくとも一部に圧電性を有するウェハを用意する工程と、前記ウェハ上に複数のＩＤＴ電極を形成する工程と、を有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記ウェハを切断して複数のチップを形成する工程を更に有する。前記複数のチップの各々は、基板及びＩＤＴ電極を有する。前記基板は、少なくとも一部に圧電性を有する。前記ＩＤＴ電極は、前記基板の厚さ方向において前記基板の主面に対向して設けられている。前記弾性波装置の製造方法は、支持基板に絶縁層が設けられているパネル上に前記複数のチップを搭載する工程と、前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を囲む支持部材を形成する工程と、前記支持基板を剥離する工程と、を更に有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成して第１カバー部材を形成する工程と、前記貫通孔に導電部材を設けて、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続される貫通ビアを形成する工程と、前記貫通ビアを介して前記複数のチップのうちの隣接する２以上のチップのＩＤＴ電極を電気的に接続させる配線部を前記第１カバー部材上に形成する工程と、前記配線部を覆うように前記第１カバー部材上に第２カバー部材を形成する工程と、を更に有する。前記支持部材を形成する工程において、前記複数のチップの各々の前記基板上に第１支持部を形成し、前記複数のチップの各々の前記基板の少なくとも側面を覆うように前記複数のチップ間に第２支持部を形成する。
【０００８】
本発明の他の一態様に係る弾性波装置の製造方法は、少なくとも一部に圧電性を有するウェハを用意する工程と、前記ウェハ上に複数のＩＤＴ電極を形成する工程と、を有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記ウェハを切断して複数のチップを形成する工程と、を更に有する。前記複数のチップの各々は、基板及びＩＤＴ電極を有する。前記基板は、少なくとも一部に圧電性を有する。前記ＩＤＴ電極は、前記基板の厚さ方向において前記基板の主面に対向して設けられている。前記弾性波装置の製造方法は、支持基板を含むパネル上に前記複数のチップを搭載する工程と、前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を囲む支持部材を形成する工程と、を更に有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記複数のチップの各々の前記ＩＤＴ電極を覆うように前記支持部材上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成して単一の第１カバー部材を形成する工程と、を更に有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記貫通孔に導電部材を設けて、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続される貫通ビアを形成する工程と、前記貫通ビアを介して前記複数のチップのうちの隣接する２以上のチップのＩＤＴ電極を電気的に接続させる配線部を前記第１カバー部材上に形成する工程と、前記配線部を覆うように前記第１カバー部材上に第２カバー部材を形成する工程と、を更に有する。前記支持部材を形成する工程において、前記複数のチップの各々の前記基板上に第１支持部を形成し、前記複数のチップの各々の前記基板の少なくとも側面を覆うように前記複数のチップ間に第２支持部を形成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の上記態様に係る弾性波装置及びその製造方法によれば、弾性波装置の低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波装置の断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｅは、同上の弾性波装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、同上の弾性波装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、同上の弾性波装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態２に係る弾性波装置の断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｄは、同上の弾性波装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｄは、同上の弾性波装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、同上の弾性波装置の製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態１，２に係る弾性波装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１２】
下記の実施形態等において説明する図１、図２Ａ〜図２Ｅ、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ、図４Ｂ、図５、図６Ａ〜図６Ｄ、図７Ａ〜図７Ｄ、図８Ａ、図８Ｂは、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１３】
（実施形態１）
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態１に係る弾性波装置１の全体構成について、図面を参照して説明する。
【００１４】
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１に示すように、複数（図示例では２つ）のチップ２と、支持部材３と、第１カバー部材４と、第２カバー部材５とを備える。弾性波装置１は、複数（図示例では４つ）の貫通ビア６１と、複数（図示例では３つ）の配線部６２（第２配線部）と、配線部６３（第１配線部）と、複数（図示例では３つ）のバンプ６４（外部端子）とを更に備える。
【００１５】
このような弾性波装置１において、支持部材３は、第１支持部３１と、第２支持部３２とを有する。第１支持部３１は、複数のチップ２の各々の基板２１上に設けられている。第２支持部３２は、複数のチップ２間に設けられており、複数のチップ２の各々の基板２１の少なくとも側面２６を覆う。
【００１６】
実施形態１に係る弾性波装置１は、例えばデュプレクサに用いられる。弾性波装置１がデュプレクサに用いられる場合、複数のチップ２は、送信側フィルタチップと受信側フィルタチップの組合せである。なお、複数のチップ２の組合せは、全てが送信側フィルタチップであってもよいし、全てが受信側フィルタチップであってもよい。要するに、複数のチップ２は、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップの少なくとも１つを含んでいればよい。
【００１７】
また、弾性波装置１は、デュプレクサに用いられることに限定されない。弾性波装置１は、例えばクワッドプレクサに用いられてもよい。弾性波装置１がクワッドプレクサに用いられる場合、チップ２の数は４つである。この場合における複数のチップ２の組合せは、例えば２つの送信側フィルタチップと２つの受信側フィルタチップの組合せである。要するに、弾性波装置１は、複数のチップ２を備えるマルチプレクサに用いられる。
【００１８】
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
【００１９】
（２．１）チップ
複数のチップ２の各々は、基板２１と、複数（図示例では２つ）のＩＤＴ電極２２と、配線層２３と、配線層２４と、保護層２５とを有する。複数のチップ２は、第１方向Ｄ１に沿って並んで配置されている。第１方向Ｄ１は、基板２１の厚さ方向と直交する方向である。
【００２０】
（２．２）基板
基板２１は、図１に示すように、複数のＩＤＴ電極２２を支持している。基板２１は、圧電材料からなる圧電基板である。基板２１の圧電材料としては、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、又は水晶などの適宜の圧電材料が用いられる。
【００２１】
（２．３）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極２２は、基板２１の厚さ方向である第２方向Ｄ２において基板２１の主面２７に対向して設けられている。ここで、「ＩＤＴ電極２２が基板２１の主面２７に対向して設けられている」とは、ＩＤＴ電極２２が基板２１の主面２７と離隔した状態で主面２７に対向して設けられている場合と、ＩＤＴ電極２２が基板２１の主面２７上に設けられている場合とを含む。図１の例では、ＩＤＴ電極２２は、基板２１の主面２７上に設けられている。
【００２２】
ＩＤＴ電極２２は、複数の電極指と、２つのバスバーとを含む。複数の電極指は、第１方向Ｄ１に並んで配置されている。２つのバスバーは、第１方向Ｄ１を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指は、複数の第１電極指と、複数の第２電極指とを有する。複数の第１電極指は、２つのバスバーのうちの第１バスバーと電気的に接続されている。複数の第２電極指は、２つのバスバーのうちの第２バスバーと電気的に接続されている。
【００２３】
ＩＤＴ電極２２の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、若しくはＷ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極２２は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。
【００２４】
（２．４）配線層
配線層２３は、基板２１の主面２７上に設けられており、ＩＤＴ電極２２と配線層２４とを電気的に接続させる。配線層２４は、基板２１の主面２７上に設けられている。ただし、配線層２４の一部は、配線層２３上に設けられている。配線層２４は、基板２１と支持部材３との間に介在し、支持部材３の外周よりも内側に位置している。配線層２４は、配線層２３と後述の貫通ビア６１とを電気的に接続させる。
【００２５】
配線層２３，２４は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、若しくはＷ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料により形成される。また、配線層２３，２４は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。
【００２６】
（２．５）保護層
保護層２５は、基板２１の主面２７の一部、ＩＤＴ電極２２、配線層２３，２４を覆うように形成されている。
【００２７】
保護層２５は、電気絶縁性を有する。保護層２５の材料は、例えば、酸化ケイ素又は窒化ケイ素である。なお、保護層２５は、ＳｉＯ２又はＳｉＮ以外の適宜の絶縁性材料により形成されてもよい。
【００２８】
（２．６）支持部材
支持部材３は、外周形状が四角形である格子状であり、第２方向Ｄ２からの平面視において複数のＩＤＴ電極２２を囲んでいる。支持部材３は、第１支持部３１と、第２支持部３２とを有する。
【００２９】
第１支持部３１は、基板２１の主面２７側に設けられている。図１の例では、第１支持部３１は、保護層２５上に設けられている。第１支持部３１は、ＩＤＴ電極２２を露出させる貫通孔を有する。ここで、支持部材３が基板２１の主面２７側に設けられているとは、第２方向Ｄ２において主面２７と対向する主面よりも主面２７に近くに設けられていることをいう。
【００３０】
第２支持部３２は、複数のチップ２間に設けられており、複数のチップ２の各々の基板２１の側面２６及び主面２７の一部を覆う。第２支持部３２は、第１覆い部３４と、第２覆い部３５と、第３覆い部３６とを有する。第１覆い部３４は、複数のチップ２の基板２１の側面２６を覆うように基板２１の周囲に設けられている。第２覆い部３５は、第１覆い部３４の上部に設けられており、複数のチップ２の基板２１の主面２７の一部を覆う。より詳細には、第２覆い部３５は、基板２１の主面２７のうち第１支持部３１よりも外周側の領域を覆う。複数のチップ２が並んでいる第１方向Ｄ１において、第２覆い部３５の長さは、第１覆い部３４の長さよりも長い。第３覆い部３６は、第１覆い部３４の下部において、複数のチップ２の基板２１の主面２８及び第１覆い部３４の下部を覆う。
【００３１】
支持部材３は、電気絶縁性を有する。支持部材３の材料は、例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等の合成樹脂である。また、支持部材３の厚さは、ＩＤＴ電極２２の厚さよりも大きい。なお、支持部材３の材料は、アクリル系樹脂であってもよい。支持部材３は、フィラー（シリカ、アルミナ）を含んでいてもよい。フィラーを入れることにより、線膨張係数を低くして信頼性を高めることができる。
【００３２】
（２．７）第１カバー部材
第１カバー部材４は、ＩＤＴ電極２２が位置する支持部材３の貫通孔を覆うように支持部材３上に設けられている。第１カバー部材４は、第２方向Ｄ２においてＩＤＴ電極２２から離れている。第１カバー部材４は、略平板状である。第１カバー部材４の平面視形状（第２方向Ｄ２から見たときの外周形状）は、例えば四角形状である。なお、第１カバー部材４は、厳密に平面だけを有する平板状に限定されない。第１カバー部材４は、全体的には平板状であるが、部分的に曲面を有する形状であってもよい。
【００３３】
第１カバー部材４は、電気絶縁性を有する。第１カバー部材４の材料は、例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等の合成樹脂である。なお、第１カバー部材４は、単一の材料により形成されてもよいし、複数の材料により形成されてもよい。また、第１カバー部材４は、上記樹脂以外の適宜の絶縁性材料により形成されてもよい。
【００３４】
（２．８）第２カバー部材
第２カバー部材５は、第１カバー部材４、配線部６２，６３及びインダクタ６５を覆うように第１カバー部材４の主面４１上に設けられている。第２カバー部材５は、略平板状である。第２カバー部材５の平面視形状（第２方向Ｄ２から見たときの外周形状）は、例えば四角形状である。なお、第１カバー部材４は、厳密に平面だけを有する平板状に限定されない。第１カバー部材４は、全体的には平板状であるが、部分的に曲面を有する形状であってもよい。
【００３５】
第２カバー部材５は、電気絶縁性を有する。第２カバー部材５の材料は、例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等の合成樹脂である。なお、第２カバー部材５は、単一の材料により形成されてもよいし、複数の材料により形成されてもよい。また、第２カバー部材５は、上記樹脂以外の適宜の絶縁性材料により形成されてもよい。
【００３６】
（２．９）貫通ビア、配線部
貫通ビア６１は、第２方向Ｄ２において支持部材３と第１カバー部材４とを貫通する。貫通ビア６１は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ若しくはＳｎ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成されている。
【００３７】
配線部６２は、第１カバー部材４の主面４１上であって貫通ビア６１と電気的に接続されるように形成されている。配線部６２は、例えば、Ｃｕ若しくはＮｉ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成されている。
【００３８】
配線部６３は、第１カバー部材４の主面４１上であって貫通ビア６１と電気的に接続されるように形成されている。配線部６３は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ若しくはＡｕ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成されている。
【００３９】
ところで、配線部６２と配線部６３とは、第１カバー部材４上において、互いに異なる位置に設けられている。そして、配線部６２と配線部６３とは、第１カバー部材４上において、同一平面上に設けられている。つまり、配線部６２と配線部６３とは、第１カバー部材４の主面４１上に設けられている。
【００４０】
バンプ６４は、配線部６２上に、外部に露出するように形成されている。バンプ６４は、例えば、Ｓｕを主体とするはんだを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成されている。なお、バンプ６４はＬＧＡ（ランフォグリッドアレイ）であってもよい。
【００４１】
（３）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図２Ａ〜図２Ｅ、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ、及び図４Ｂを参照して説明する。実施形態１に係る弾性波装置１は、第１工程から第１１工程により製造される。
【００４２】
第１工程では、複数の弾性波装置１の基板２１の元になるウェハ７１を用意する。ウェハ７１は、圧電材料からなる。ウェハ７１の圧電材料は、例えば、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３である。
【００４３】
第２工程では、図２Ａに示すように、ウェハ７１上に、複数（図示例では４つ）のＩＤＴ電極２２と、複数（図示例では４つ）の配線層２３と、複数（図示例では４つ）の配線層２４と、複数（図示例では２つ）の保護層２５とを形成する。より詳細には、まず、薄膜微細加工技術（リフトオフ又はエッチング）により、ウェハ７１の主面７２上に、複数のＩＤＴ電極２２と、複数の配線層２３とを形成する。その後、ウェハ７１の主面７２上において、一部が配線層２３と重なるように複数の配線層２４を形成する。その後、複数のＩＤＴ電極２２、複数の配線層２３、及び複数の配線層２４を覆うように、複数の保護層２５を形成する。ただし、配線層２４の一部は露出している。保護層２５の材料は、例えば、酸化ケイ素又は窒化ケイ素である。
【００４４】
第３工程では、図２Ｂに示すように、ウェハ７１の主面７２側に支持部材３の第１支持部３１を形成する。より詳細には、フォトリソグラフィ法により樹脂膜をパターニングすることにより、第１支持部３１を形成する。配線層２４のうち保護層２５から露出している複数個所に複数の貫通孔３３を有するように第１支持部３１を形成する。
【００４５】
第４工程では、図２Ｃに示すように、ウェハ７１を切断することにより、複数（図示例では２つ）のチップ２を形成する。より詳細には、ダイシング装置等により、ウェハ７１を切断する。
【００４６】
第５工程では、図２Ｄに示すように、パネル８上に複数のチップ２を搭載する。より詳細には、複数のチップ２をそれぞれ反転させて、パネル８上に搭載する。パネル８は、支持基板８１と、支持基板８１上に設けられている絶縁層８３とを含む。絶縁層８３の材料は、例えば、感光性ラミネート樹脂である。パネル８のうち絶縁層８３上に複数のチップ２を搭載する。
【００４７】
第６工程では、図２Ｅに示すように、支持部材３の第２支持部３２の元になる樹脂膜７３を形成する。より詳細には、樹脂膜７３として、例えば液状の樹脂を複数のチップ２の周囲に流し込んで硬化させることにより、複数のチップ２を樹脂膜７３で覆う。なお、樹脂膜７３として、液状の樹脂に代えて、ラミネート樹脂を用いてもよい。
【００４８】
第７工程では、図３Ａに示すように、支持基板８１を剥離する。より詳細には、支持基板８１を反転させてから、支持基板８１を剥離する。絶縁層８３は残ったままである。なお、支持基板８１は剥離ではなく、露光により除去してもよい。
【００４９】
第８工程では、図３Ｂに示すように、絶縁層８３を貫通する複数（図示例では４つ）の貫通孔４２を形成することにより、単一の第１カバー部材４を形成する。
【００５０】
第９工程では、図３Ｃに示すように、各貫通孔４２に貫通ビア６１を形成する。より詳細には、各貫通孔４２に導電部材を充填して貫通ビア６１を形成する。その後、貫通ビア６１に電気的に接続される配線部６２、配線部６３、及びインダクタ６５を第１カバー部材４の主面４１上に形成する。なお、貫通ビア６１、配線部６２及び配線部６３はめっきにより同時に形成されてもよい。
【００５１】
第１０工程では、図３Ｃに示すように、第２カバー部材５を形成する。より詳細には、第１カバー部材４及び配線部６２，６３を覆うように、第１カバー部材４の主面４１上に樹脂を塗布して硬化させることにより、第２カバー部材５を形成する。その後、配線部６２上にバンプ６４を形成する。なお、配線部６２とバンプ６４との間にはＵＢＭ（Under Bump Metal）層が配置されてもよい。
【００５２】
第１工程〜第１０工程を行うことにより、図４Ａに示すように、複数の弾性波装置１が接続された状態で形成される。つまり、複数の弾性波装置１が一体となった状態で形成される。
【００５３】
その後、第１１工程において、複数の弾性波装置１の境界を切断することにより、図４Ｂに示すように、複数の弾性波装置１を個別に形成することができる。
【００５４】
（４）効果
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１は、複数のチップ２の各々のＩＤＴ電極２２を覆う単一の第１カバー部材４と、第１カバー部材４上に設けられている第２カバー部材５とを備え、隣接する２以上のチップ２間に支持部材３の第２支持部３２が設けられている構成を有する。これにより、カバー部材の総数を減らすことができるので、弾性波装置１の低背化を図ることができる。
【００５５】
実施形態１に係る弾性波装置１では、第１カバー部材４と第２カバー部材５との合計の厚さは、複数のチップ２の各々の基板２１の厚さよりも薄い。これにより、カバー部材の薄型化を図ることができる。
【００５６】
実施形態１に係る弾性波装置１のようなＷＬＰ（Wafer Level Package）であって、例えば、支持部材３が０．０１５ｍｍ、第１カバー部材４が０．０２ｍｍ、第２カバー部材５が０．０２ｍｍである場合、第２方向Ｄ２における弾性波装置１の高さ（基板２１の主面２７から第２カバー部材５までの高さ）は０．０５５ｍｍである。一方、ＣＳＰ（Chip Size Package）の場合、第１カバー部材４及び第２カバー部材５に相当する部分が基板であり、上記基板の厚さは例えば０．１７ｍｍである。上記より、実施形態１に係る弾性波装置１は、ＣＳＰの構造の弾性波装置に比べて、低背化を図る点で有利である。
【００５７】
実施形態１に係る弾性波装置１によれば、配線部６２と配線部６３とが同一平面上に設けられていることにより、最小限の積層でチップ２同士、及び、ＩＤＴ電極２２とバンプ６４（外部端子）とを電気的に接続させることができる。
【００５８】
実施形態１に係る弾性波装置１では、第２支持部３２が、複数のチップ２の各々の基板２１の側面２６及び主面２７の一部を覆う。基板２１の側面２６だけでなく、基板２１の主面２７も覆うことにより、複数のチップ２を支持するための支持部材３の支持力を向上させることができる。
【００５９】
（５）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。
【００６０】
弾性波装置１は、圧電基板である基板２１に代えて、高音速支持基板と圧電膜とを備える構成であってもよい。この構成では、高音速支持基板上に圧電膜が設けられている。高音速支持基板は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速より、高音速支持基板を伝搬する弾性波（バルク波）の音速が高速である基板である。
【００６１】
弾性波装置１は、基板２１に代えて、高音速支持基板と低音速膜と圧電膜とを備える構成であってもよい。この構成では、高音速支持基板上に、低音速膜、圧電膜がこの順に設けられている。低音速膜は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速より、低音速膜を伝搬する弾性波（バルク波）の音速が低速である膜である。
【００６２】
弾性波装置１は、基板２１に代えて、支持基板と高音速膜と低音速膜と圧電膜とを備える構成であってもよい。この構成では、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、圧電膜がこの順に積層されている。高音速膜は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速より、高音速膜を伝搬する弾性波（バルク波）の音速が高速である膜である。
【００６３】
上記の各変形例に係る弾性波装置１においても、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の効果を奏する。
【００６４】
（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、フェイスアップ工法（Face-up-type process）で製造される点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、実施形態２に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００６５】
（１）弾性波装置の構成
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図５に示すように、複数（図示例では２つ）のチップ２ａと、支持部材３ａと、第１カバー部材４ａと、第２カバー部材５ａとを備える。弾性波装置１ａは、複数（図示例では４つ）の貫通ビア６１ａと、複数（図示例では３つ）の配線部６２ａ（第２配線部）と、配線部６３ａ（第１配線部）と、複数（図示例では３つ）のバンプ６４ａ（外部端子）とを更に備える。弾性波装置１ａにおいても、第１カバー部材４ａと支持部材３ａと基板２１ａとで囲まれた空間Ｓ２が形成される。
【００６６】
このような弾性波装置１ａにおいて、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、支持部材３ａは、第１支持部３１ａと、第２支持部３２ａとを有する。第１支持部３１ａは、複数のチップ２ａの各々の基板２１ａ上に設けられている。第２支持部３２ａは、複数のチップ２ａ間に設けられており、複数のチップ２ａの各々の基板２１ａの少なくとも側面２６ａを覆う。
【００６７】
第２支持部３２ａは、実施形態１の第２支持部３２と同様、複数のチップ２ａ間に設けられており、複数のチップ２ａの各々の基板２１ａの側面２６ａ及び主面２７ａの一部を覆う。第２支持部３２ａは、第１覆い部３４ａと、第２覆い部３５ａとを有する。第１覆い部３４ａは、複数のチップ２ａの基板２１ａの側面２６ａを覆うように基板２１ａの周囲に設けられている。第２覆い部３５ａは、第１覆い部３４ａの上部に設けられており、複数のチップ２ａの基板２１ａの主面２７ａの一部を覆う。
【００６８】
一方、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、基板２１ａの主面２７ａとは反対側の主面上には支持部材３ａの第２支持部３２ａが設けられていない。つまり、実施形態２の第２支持部３２ａは、実施形態１の第３覆い部３６を有しない。
【００６９】
また、実施形態２の支持部材３では、第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとが一体に形成されている。より詳細には、第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとが、一つの工程で同一の材料により一体に形成されている。
【００７０】
（２）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態２に係る弾性波装置１ａの製造方法について、図６Ａ〜図６Ｄ、図７Ａ〜図７Ｄ、図８Ａ、及び図８Ｂを参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置１ａは、第１工程〜第１１工程により製造される。
【００７１】
第１工程では、実施形態１の第１工程と同様、基板２１ａの元になるウェハ７１ａを用意する。ウェハ７１ａは、圧電性を有する。ウェハ７１ａの材料は、例えば、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３である。
【００７２】
第２工程では、実施形態１の第２工程と同様、図６Ａに示すように、ウェハ７１ａ上に、複数（図示例では４つ）のＩＤＴ電極２２ａと、複数（図示例では４つ）の配線層２３ａと、複数（図示例では４つ）の配線層２４ａと、複数（図示例では２つ）の保護層２５ａとを形成する。より詳細には、まず、ウェハ７１ａの主面７２ａ上に、複数のＩＤＴ電極２２ａと、複数の配線層２３ａとを形成する。その後、ウェハ７１ａ上において、一部が配線層２３ａと重なるように複数の配線層２４ａを形成する。その後、複数のＩＤＴ電極２２ａ、複数の配線層２３ａ、及び複数の配線層２４ａを覆うように、複数の保護層２５ａを形成する。ただし、配線層２４ａの一部は露出している。保護層２５ａの材料は、例えば、酸化ケイ素又は窒化ケイ素である。
【００７３】
第３工程では、図６Ｂに示すように、ウェハ７１ａを切断して複数（図示例では２つ）のチップ２ａを形成する。より詳細には、ダイシング装置等により、ウェハ７１ａに対してダイシングを行う。
【００７４】
第４工程では、図６Ｃに示すように、パネル８ａ上に複数のチップ２ａを搭載する。より詳細には、フェイスアップ工法により、複数のチップ２ａの基板２１ａがパネル８ａ側になるように、複数のチップ２ａをパネル８ａ上に搭載する。パネル８ａは、支持基板８１ａを含む。
【００７５】
第５工程では、図６Ｄに示すように、支持基板８１ａ上に支持部材３ａを形成する。より詳細には、フォトリソグラフィ法により樹脂膜をパターニングして、第１支持部３１ａ及び第２支持部３２ａを形成する。配線層２４ａのうち保護層２５ａから露出している複数個所に複数の貫通孔３３ａを有するように第１支持部３１ａを形成する。
【００７６】
また、第５工程では、支持基板８１ａが形成されていることにより、仮固定を行って、支持部材３ａを形成することができる。
【００７７】
さらに、第５工程では、第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとを一体に形成する。第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとを別々に形成する場合に比べて、工数を低減させることができる。
【００７８】
第６工程では、図７Ａに示すように、複数のチップ２ａを覆うように第１支持部３１ａ上に樹脂膜７４ａを形成する。より詳細には、例えばラミネート樹脂を設けることにより、複数のチップ２ａを樹脂膜７４ａで覆う。
【００７９】
第７工程では、図７Ｂに示すように、樹脂膜７４ａを貫通する複数（図示例では４つ）の貫通孔４２ａを形成して単一の第１カバー部材４ａを形成する。
【００８０】
第８工程では、図７Ｃに示すように、各貫通孔４２ａに貫通ビア６１ａを形成する。より詳細には、各貫通孔４２ａに導電部材を充填して貫通ビア６１ａを形成する。その後、貫通ビア６１ａに電気的に接続される配線部６２ａ、配線部６３ａ、及びインダクタ６５ａを第１カバー部材４ａの主面４１ａ上に形成する。
【００８１】
第９工程では、図７Ｃに示すように、第２カバー部材５ａを形成する。より詳細には、第１カバー部材４ａ及び貫通ビア６１ａ、配線部６２ａ、及び配線部６３ａを覆うように、第１カバー部材４ａの主面４１上に樹脂を塗布して硬化させることにより、第２カバー部材５ａを形成する。その後、配線部６２ａ上にバンプ６４ａを形成する。
【００８２】
第１０工程では、図７Ｄに示すように、支持基板８１ａを剥離する。
【００８３】
第１工程〜第１０工程を行うことにより、図８Ａに示すように、複数の弾性波装置１ａが接続された状態で形成される。
【００８４】
その後、第１１工程において、複数の弾性波装置１ａの境界を切断することにより、図８Ｂに示すように、複数の弾性波装置１ａを個別に形成することができる。
【００８５】
（３）効果
以上説明したように、実施形態２に係る弾性波装置１ａによれば、第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとが同一の材料で形成されている。これにより、第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとを同一の工程で形成することができる。
【００８６】
実施形態２に係る弾性波装置１ａの製造方法においても、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法と同様、複数のチップ２ａを覆う単一の第１カバー部材４ａ及び第２カバー部材５ａを形成し、隣接する２つのチップ２ａ間に支持部材３ａの第２支持部３２ａを設けることにより、カバー部材の総数を減らすことができるので、弾性波装置１ａの低背化を図ることができる。
【００８７】
また、実施形態２に係る弾性波装置１ａの製造方法によれば、第１支持部３１ａと第２支持部３２ａとを一度の工程で形成することができるので、工程数を低減させることができる。
【００８８】
以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【００８９】
（まとめ）
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
【００９０】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、複数のチップ（２；２ａ）と、支持部材（３；３ａ）と、単一の第１カバー部材（４；４ａ）と、配線部（６３；６３ａ）と、第２カバー部材（５；５ａ）とを備える。複数のチップ（２；２ａ）の各々は、基板（２１；２１ａ）及びＩＤＴ電極（２２；２２ａ）を有する。基板（２１；２１ａ）は、少なくとも一部に圧電性を有する。ＩＤＴ電極（２２；２２ａ）は、基板（２１；２１ａ）の厚さ方向（第２方向Ｄ２）において基板（２１；２１ａ）の主面（２７；２７ａ）に対向して設けられている。支持部材（３；３ａ）は、複数のチップ（２；２ａ）の各々のＩＤＴ電極（２２；２２ａ）を囲んでいる。第１カバー部材（４；４ａ）は、支持部材（３；３ａ）上に設けられており、複数のチップ（２；２ａ）の各々のＩＤＴ電極（２２；２２ａ）を覆う。配線部（６３；６３ａ）は、第１カバー部材（４；４ａ）上に設けられており、複数のチップ（２；２ａ）のうちの隣接する２以上のチップ（２；２ａ）のＩＤＴ電極（２２；２２ａ）を電気的に接続させる。第２カバー部材（５；５ａ）は、配線部（６３；６３ａ）を覆うように第１カバー部材（４；４ａ）上に設けられている。支持部材（３；３ａ）は、第１支持部（３１；３１ａ）と、第２支持部（３２；３２ａ）とを有する。第１支持部（３１；３１ａ）は、複数のチップ（２；２ａ）の各々の基板（２１；２１ａ）上に設けられている。第２支持部（３２；３２ａ）は、複数のチップ（２；２ａ）間に設けられており、複数のチップ（２；２ａ）の各々の基板（２１；２１ａ）の少なくとも側面（２６；２６ａ）を覆う。
【００９１】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、複数のチップ（２；２ａ）の各々のＩＤＴ電極（２２；２２ａ）を覆う単一の第１カバー部材（４；４ａ）と、第１カバー部材（４；４ａ）上に設けられている第２カバー部材（５；５ａ）とを備え、隣接する２以上のチップ（２；２ａ）間に支持部材（３；３ａ）の第２支持部（３２；３２ａ）が設けられている構成を有する。これにより、カバー部材の総数を減らすことができるので、弾性波装置（１；１ａ）の低背化を図ることができる。
【００９２】
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１の態様において、第１カバー部材（４；４ａ）と第２カバー部材（５；５ａ）との合計の厚さは、複数のチップ（２；２ａ）の各々の基板（２１；２１ａ）の厚さよりも薄い。
【００９３】
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、カバー部材の薄型化を図ることができる。
【００９４】
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１又は２の態様において、第２配線部（６２；６２ａ）を更に備える。第２配線部（６２；６２ａ）は、第１カバー部材（４；４ａ）上であって配線部（６３；６３ａ）である第１配線部とは異なる位置に設けられており、ＩＤＴ電極（２２；２２ａ）と外部端子（バンプ６４；６４ａ）とを電気的に接続させる。第１配線部（６３；６３ａ）と第２配線部（６２；６２ａ）とは同一平面上に設けられている。
【００９５】
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、最小限の積層でチップ（２；２ａ）同士、及び、ＩＤＴ電極（２２；２２ａ）と外部端子（バンプ６４；６４ａ）とを電気的に接続させることができる。
【００９６】
第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、第１支持部（３１ａ）と第２支持部（３２ａ）とは同一の材料で形成されている。
【００９７】
第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）によれば、第１支持部（３１ａ）と第２支持部（３２ａ）とを同一の工程で形成することができる。
【００９８】
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、第２支持部（３２；３２ａ）は、複数のチップ（２；２ａ）の各々の基板（２１；２１ａ）の側面（２６；２６ａ）及び主面（２７；２７ａ）の一部を覆う。
【００９９】
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、基板（２１；２１ａ）の側面（２６；２６ａ）だけでなく、基板（２１；２１ａ）の主面（２７；２７ａ）の一部も覆うことにより、複数のチップ（２；２ａ）を支持するための支持部材（３；３ａ）の支持力を向上させることができる。
【０１００】
第６の態様に係る弾性波装置（１）の製造方法は、少なくとも一部に圧電性を有するウェハ（７１）を用意する工程と、ウェハ（７１）上に複数のＩＤＴ電極（２２）を形成する工程と、を有する。弾性波装置（１）の製造方法は、ウェハ（７１）を切断して複数のチップ（２）を形成する工程を更に有する。複数のチップ（２）の各々は、基板（２１）及びＩＤＴ電極（２２）を有する。基板（２１）は、少なくとも一部に圧電性を有する。ＩＤＴ電極（２２）は、基板（２１）の厚さ方向（第２方向Ｄ２）において基板（２１）の主面（２７）に対向して設けられている。弾性波装置（１）の製造方法は、支持基板（８１）に絶縁層（８３）が設けられているパネル（８）上に複数のチップ（２）を搭載する工程と、複数のチップ（２）の各々のＩＤＴ電極（２２）を囲む支持部材（３）を形成する工程と、支持基板（８１）を剥離する工程と、を更に有する。弾性波装置（１）の製造方法は、絶縁層（８３）を貫通する貫通孔（４２）を形成して第１カバー部材（４）を形成する工程と、貫通孔（４２）に導電部材を設けて、ＩＤＴ電極（２２）に電気的に接続される貫通ビア（６１）形成する工程と、貫通ビア（６１）を介して複数のチップ（２）のうちの隣接する２以上のチップ（２）のＩＤＴ電極（２２）を電気的に接続させる配線部（６３）を第１カバー部材（４）上に形成する工程と、配線部（６３）を覆うように第１カバー部材（４）上に第２カバー部材（５）を形成する工程と、を更に有する。支持部材（３）を形成する工程において、複数のチップ（２）の各々の基板（２１）上に第１支持部（３１）を形成し、複数のチップ（２）の各々の基板（２１）の少なくとも側面（２６）を覆うように複数のチップ（２）間に第２支持部（３２）を形成する。
【０１０１】
第６の態様に係る弾性波装置（１）の製造方法によれば、複数のチップ（２）を覆う単一の第１カバー部材（４）及び第２カバー部材（５）を形成し、隣接する２つのチップ（２）間に支持部材（３）の第２支持部（３２）を設けることにより、カバー部材の総数を減らすことができるので、弾性波装置（１）の低背化を図ることができる。
【０１０２】
第７の態様に係る弾性波装置（１ａ）の製造方法は、少なくとも一部に圧電性を有するウェハ（７１ａ）を用意する工程と、ウェハ（７１ａ）上に複数のＩＤＴ電極（２２ａ）を形成する工程と、を有する。弾性波装置（１ａ）の製造方法は、ウェハ（７１ａ）を切断して複数のチップ（２ａ）を形成する工程を更に有する。複数のチップ（２ａ）の各々は、基板（２１ａ）及びＩＤＴ電極（２２ａ）を有する。基板（２１ａ）は、少なくとも一部に圧電性を有する。ＩＤＴ電極（２２ａ）は、基板（２１ａ）の厚さ方向（第２方向Ｄ２）において基板（２１ａ）の主面（２７ａ）に対向して設けられている。弾性波装置（１ａ）の製造方法は、支持基板（８１ａ）を含むパネル（８ａ）上に複数のチップ（２ａ）を搭載する工程と、複数のチップ（２ａ）の各々のＩＤＴ電極（２２ａ）を囲む支持部材（３ａ）を形成する工程と、を更に有する。弾性波装置（１ａ）の製造方法は、複数のチップ（２ａ）の各々のＩＤＴ電極（２２ａ）を覆うように支持部材（３ａ）上に絶縁層（樹脂膜７４ａ）を形成する工程と、絶縁層を貫通する貫通孔（４２ａ）を形成して単一の第１カバー部材（４ａ）を形成する工程と、を更に有する。弾性波装置（１ａ）の製造方法は、貫通孔（４２ａ）に導電部材を設けて、ＩＤＴ電極（２２ａ）に電気的に接続される貫通ビア（６１ａ）を形成する工程と、貫通ビア（６１ａ）を介して複数のチップ（２ａ）のうちの隣接する２以上のチップ（２ａ）のＩＤＴ電極（２２ａ）を電気的に接続させる配線部（６３ａ）を第１カバー部材（４ａ）上に形成する工程と、配線部（６３ａ）を覆うように第１カバー部材（４ａ）上に第２カバー部材（５ａ）を形成する工程と、を有する。支持部材（３ａ）を形成する工程において、複数のチップ（２ａ）の各々の基板（２１ａ）上に第１支持部（３１ａ）を形成し、複数のチップ（２ａ）の各々の基板（２１ａ）の少なくとも側面（２６ａ）を覆うように複数のチップ（２ａ）間に第２支持部（３２ａ）を形成する。
【０１０３】
第７の態様に係る弾性波装置（１ａ）の製造方法によれば、複数のチップ（２ａ）を覆う単一の第１カバー部材（４ａ）及び第２カバー部材（５ａ）を形成し、隣接する２つのチップ（２ａ）間に支持部材（３ａ）の第２支持部（３２ａ）を設けることにより、カバー部材の総数を減らすことができるので、弾性波装置（１ａ）の低背化を図ることができる。
【０１０４】
第８の態様に係る弾性波装置（１ａ）の製造方法では、第７の態様において、第１支持部（３１ａ）と第２支持部（３２ａ）とを一体に形成する。
【０１０５】
第８の態様に係る弾性波装置（１ａ）の製造方法によれば、第１支持部（３１ａ）と第２支持部（３２ａ）とを一度の工程で形成することができるので、工数を低減させることができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１ａ  弾性波装置
２，２ａ  チップ
２１，２１ａ  基板
２２，２２ａ  ＩＤＴ電極
２３，２３ａ  配線層
２４，２４ａ  配線層
２５，２５ａ  保護層
２６，２６ａ  側面
２７，２７ａ  主面
３，３ａ  支持部材
３１，３１ａ  第１支持部
３２，３２ａ  第２支持部
３３，３３ａ  貫通孔
３４，３４ａ  第１覆い部
３５，３５ａ  第２覆い部
３６  第３覆い部
４，４ａ  第１カバー部材
４１，４１ａ  主面
４２，４２ａ  貫通孔
５，５ａ  第２カバー部材
６１，６１ａ  貫通ビア
６２，６２ａ  配線部（第２配線部）
６３，６３ａ  配線部（第１配線部）
６４，６４ａ  バンプ
７１，７１ａ  ウェハ
７２，７２ａ  主面
７３  樹脂膜
７４ａ  樹脂膜
８，８ａ  パネル
８１，８１ａ  支持基板
８３  絶縁層
Ｓ１，Ｓ２  空間
Ｄ１  第１方向
Ｄ２  第２方向
【図１】
2019114984.tif 000003
【図２】
2019114984.tif 000004
【図３】
2019114984.tif 000005
【図４】
2019114984.tif 000006
【図５】
2019114984.tif 000007
【図６】
2019114984.tif 000008
【図７】
2019114984.tif 000009
【図８】
2019114984.tif 000010