(57)【要約】【課題】ＣＩＰ時の熱衝撃によるセンサ特性の悪化を低減させる。ＣＩＰ終了後の所定の自己加熱温度への復帰時間を短縮する。【解決手段】圧力導入管３からの洗浄液を導いてのハウジング２内の洗浄時（ＣＩＰ時）、センサケース４内の温度が所定の自己加熱温度（例えば、１２５℃）よりも低くなるように（例えば、８０℃）、ヒータ５への供給電流Ｉを抑制する。例えば、ＣＩＰ時、ヒータ制御部１１への設定温度ｔＨｓｐを通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）から洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２（８０℃）に切り替える。【選択図】  図１
2019007906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラムと、このダイアフラムの変位を静電容量の変化に変換するように構成された電極とを有するセンサチップと、
前記センサチップを収容したハウジングと、
前記ハウジングに接続され前記センサチップのダイアフラムに前記被測定媒体の圧力を導く圧力導入管と、
前記ハウジングを覆うセンサケースと、
前記センサケースの外周面を取り囲むようにして設けられたヒータと、
前記センサケース内の温度を測定する温度センサと、
前記温度センサによって測定される前記センサケース内の温度が所定の自己加熱温度となるように前記ヒータへの供給電流を制御するように構成されたヒータ制御部と、
前記圧力導入管からの洗浄液を導いての前記ハウジング内の洗浄時、前記センサケース内の温度が前記所定の自己加熱温度よりも低くなるように、前記ヒータへの供給電流を抑制するように構成された供給電流抑制部と
を備えることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記供給電流抑制部は、
前記所定の自己加熱温度を第１の設定温度として記憶する第１の設定温度記憶部と、
前記第１の設定温度よりも低い第２の設定温度を記憶する第２の設定温度記憶部と、
前記洗浄液による前記ハウジング内の洗浄時、前記ヒータ制御部への設定温度を前記第１の設定温度から前記第２の設定温度に切り替えるように構成された設定温度切替部とを備え、
前記ヒータ制御部は、
前記設定温度切替部からの前記設定温度が前記第１の設定温度であった場合、前記第１の設定温度となるように前記ヒータへの供給電流を制御し、
前記設定温度切替部からの前記設定温度が前記第２の設定温度であった場合、前記第２の設定温度となるように前記ヒータへの供給電流を制御する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記ヒータへの供給電流の上限値を規制するように構成された上限値規制部を備え、
前記供給電流抑制部は、
第１の上限電流値を記憶する第１の上限電流値記憶部と、
前記第１の上限電流値よりも低い第２の上限電流値を記憶する第２の上限電流値記憶部と、
前記洗浄液による前記ハウジング内の洗浄時、前記上限値規制部への上限電流値を前記第１の上限電流値から前記第２の上限電流値に切り替えるように構成された上限電流値切替部とを備え、
前記上限値規制部は、
前記上限電流値切替部からの前記上限電流値が前記第１の上限電流値であった場合、前記第１の上限電流値を超えないように前記ヒータへの供給電流の上限値を規制し、
前記上限電流値切替部からの前記上限電流値が前記第２の上限電流値であった場合、前記第２の上限電流値を超えないように前記ヒータへの供給電流の上限値を規制する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項４】
請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記供給電流抑制部は、
前記洗浄液による前記ハウジング内の洗浄時、前記センサケース内の温度が前記洗浄液の温度付近となるように、前記ヒータへの供給電流を抑制するように構成されている
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造のセンサチップを備えた静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造設備等において使用される真空計を始めとする圧力センサにおいては、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて小型のダイアフラムを有するセンサ素子を採用することが多い。このセンサ素子は、ダイアフラムで圧力媒体を受圧し、これにより生じた変位を何らかの信号へ変換することをその主な検出原理としている。
【０００３】
例えば、この種のセンサ素子を用いた圧力センサとして、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラム（隔膜）の変位を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサが広く知られている。この静電容量型圧力センサは、ガス種依存性が少ないことから、半導体設備を始め工業用途でよく使用されている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の圧力を計測するために利用されており、この圧力を計測するための静電容量型圧力センサを隔膜真空計と呼んでいる。また、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラムは、感圧ダイアフラムと呼ばれたり、センサダイアフラムと呼ばれたりしている。
【０００４】
この隔膜真空計は、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変位を静電容量の変化として検出するセンサチップと、センサチップを収容したハウジングと、ハウジングに接続されハウジングの内部に被測定媒体の圧力を導く圧力導入管と、ハウジングを覆うセンサケースとを備えている。
【０００５】
この隔膜真空計は、基本的に、ダイアフラム（センサダイアフラム）にプロセス対象の薄膜と同じ物質やその副生成物等が堆積する。以下、この堆積する物質を汚染物質と呼ぶ。この汚染物質がダイアフラムに堆積すると、それらによる応力によりダイアフラムの撓みが生じて、センサの出力信号にシフト（ゼロ点シフト）を生じる。また、堆積した汚染物質により見かけ上ダイアフラムが厚くなるので、ダイアフラムが撓みにくくなり、圧力印加に伴う出力信号の変化幅（スパン）も本来の出力信号の変化幅よりも小さくなってしまう。
【０００６】
そこで、隔膜真空計には、圧力導入管とハウジングとの間に、被測定媒体の通過方向にその板面を直交させて、被測定媒体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。また、センサケースの外周面を取り囲むようにしてヒータを設け、このヒータによってセンサケース内を加熱（自己加熱）することにより、ダイアフラムの周辺の温度を汚染物質が析出することのない高温度に保つようにしている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００７】
このような隔膜真空計は、半導体製造装置だけではなく、真空凍結乾燥装置などでも使用される。特に、医薬・ファインケミカル向けの真空凍結乾燥装置では、定期的に定置洗浄（ＣＩＰ（Cleaning in Place））や定置滅菌（ＳIＰ（Sterilization in Place））が行われる（例えば、特許文献３，４参照）。ＣＩＰでは、例えば液温調整されていない２５℃程度の洗浄液を用いて、隔膜真空計を含む装置内部の洗浄が行われる。ＳＩＰでは、高圧の蒸気を用いて、隔膜真空計を含む装置内部の滅菌が行われる。また、真空凍結乾燥装置に搭載される隔膜真空計は、主に100Pa absなどの比較的低い圧力レンジであり、滅菌保障のレベルを上げるために自己加熱温度（所定の自己加熱温度）を１２５℃とするモデルなどが使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−２８１０７３号公報
【特許文献２】特開２００７−００２９８６号公報
【特許文献３】特許第３６３９７８３号公報
【特許文献４】特表２００８−５０６９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、隔膜真空計にとって、ＳＩＰ時の過大圧やＣＩＰ時の洗浄による冷却などは過酷な条件である。特に、ＣＩＰ時には洗浄液の温度（例えば、２５℃）と受圧部（ダイアフラムの受圧面）の温度（例えば、１２５℃）との差があるので、熱衝撃によるセンサ特性の悪化（ゼロ点シフトなど）につながってしまう虞があった。
【００１０】
なお、洗浄液の温度を上げることによって、受圧部と洗浄液との温度差を減らすことはできる。しかし、ＣＩＰにおける洗浄液の温度調節は洗浄効果を上げる為などに行っており、真空計保護の為の液温調整は行われないのが現状である。また、隔膜真空計の電源をオフとし、自己加熱を行わずに受圧部温度が室温付近になった状態にし、受圧部と洗浄液との温度差を減らすこともできる。しかし、ＣＩＰ終了後に所定の自己加熱温度への復帰時間が長くなる。
【００１１】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ＣＩＰ時の熱衝撃によるセンサ特性の悪化を低減させることが可能な、またＣＩＰ終了後の所定の自己加熱温度への復帰時間を短縮することが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するために本発明は、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラム（１ａ１）と、このダイアフラムの変位を静電容量の変化に変換するように構成された電極（１ｄ，１ｅ）とを有するセンサチップ（１）と、センサチップを収容したハウジング（２）と、ハウジングに接続されセンサチップのダイアフラムに被測定媒体の圧力を導く圧力導入管（３）と、ハウジングを覆うセンサケース（４）と、センサケースの外周面を取り囲むようにして設けられたヒータ（５）と、センサケース内の温度を測定する温度センサ（９）と、温度センサによって測定されるセンサケース内の温度が所定の自己加熱温度となるようにヒータへの供給電流を制御するように構成されたヒータ制御部（１１）と、圧力導入管からの洗浄液を導いてのハウジング内の洗浄時、センサケース内の温度が所定の自己加熱温度よりも低くなるように、ヒータへの供給電流を抑制するように構成された供給電流抑制部（１２、１６、１７）とを備えることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、圧力導入管からの洗浄液を導いてのハウジング内の洗浄時（ＣＩＰ時）、センサケース内の温度が所定の自己加熱温度よりも低くなるように、ヒータへの供給電流が抑制される。これにより、ＣＩＰ時、センサケース内の温度が所定の自己加熱温度（例えば、１２５℃）よりも低くなり（例えば、８０℃）、受圧部と洗浄液との温度差が減り、ＣＩＰ時の熱衝撃によるセンサ特性の悪化を低減させることが可能となる。また、ヒータへの供給電流は断たれておらず、抑制された状態から元の状態に戻されるので、ＣＩＰ終了後の所定の自己加熱温度への復帰時間を短縮することが可能となる。
【００１４】
なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の構成要素を、括弧を付した参照符号によって示している。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したことにより、本発明によれば、洗浄液によるハウジング内の洗浄時（ＣＩＰ時）、センサケース内の温度が所定の自己加熱温度よりも低くなるように、ヒータへの供給電流を抑制するようにしたので、受圧部と洗浄液との温度差を減らし、ＣＩＰ時の熱衝撃によるセンサ特性の悪化を低減させることが可能となる。また、ＣＩＰ終了後の所定の自己加熱温度への復帰時間を短縮することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る隔膜真空計の要部を示す図である。
【図２】図２は、この隔膜真空計に用いられるセンサチップの要部の構成を示す図である。
【図３】図３は、実施の形態１の隔膜真空計の供給電流抑制部における設定温度切替部の動作を示すタイムチャートである。
【図４】図４は、各サンプルで自己加熱温度を変更しＣＩＰを実施した前後でのゼロ点シフトを確認した結果を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態２に係る隔膜真空計の要部を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態２の隔膜真空計の供給電流抑制部における上限電流値切替部の動作を示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
〔実施の形態１〕
図１は、本発明の実施の形態１に係る隔膜真空計１００の要部を示す図である。図２は、この隔膜真空計１００に用いられるセンサチップ１の要部の構成を示す図である。
【００１９】
この隔膜真空計１００において、センサチップ１は、被測定媒体の圧力に応じて変形可能に構成されたダイアフラム（センサダイアフラム）１ａ１と、このダイアフラム１ａ１よりも肉厚に形成されてダイアフラム１ａ１の周縁部を変位不能に支持するダイアフラム支持部１ａ２とを備えるダイアフラム構成部材１ａと、ダイアフラム支持部１ａ２に接合され、ダイアフラム１ａ１と共に基準真空室（キャビティ）１ｂを形成する台座１ｃとを備えている。
【００２０】
このセンサチップ１において、台座１ｃの基準真空室１ｂ側の面には固定電極１ｄが形成され、ダイアフラム１ａ１の基準真空室１ｂ側の面には固定電極１ｄと対向するように可動電極１ｅが形成されている。
【００２１】
なお、この例において、固定電極１ｄは、中央部に位置する第１の固定電極（感圧固定電極）１ｄ１と、この第１の固定電極１ｄ１の周囲に位置する第２の固定電極（参照固定電極）１ｄ２とから構成されている。また、ダイアフラム構成部材１ａ（ダイアフラム１ａ１＋ダイアフラム支持部１ａ２）と台座１ｃは、例えばサファイアなどの絶縁体から構成されている。
【００２２】
このセンサチップ１では、可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１とで静電容量（第１の静電容量）が形成される。ダイアフラム１ａ１が被測定媒体の圧力Ｐを受けて撓むと、可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の間隔が変化し、可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の静電容量が変化する。この可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の静電容量の変化からダイアフラム１ａ１が受けた被測定媒体の圧力Ｐを検出することができる。
【００２３】
また、このセンサチップ１では、可動電極１ｅと参照固定電極１ｄ２との間にも静電容量（第２の静電容量）が形成される。ただし、可動電極１ｅの参照固定電極１ｄ２と対向する部分は、ダイアフラム支持部１ａ２に近いところに位置している。このため、ダイアフラム１ａ１の撓みによる変位量は、可動電極１ｅの中央部分より小さい。従って、可動電極１ｅと参照固定電極１ｄ２との間の静電容量の変化を基準として可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の静電容量の変化を捉えることで、ダイアフラム１ａ１の変位量をばらつきを抑制して検出することができるようになる。
【００２４】
図１に示した隔膜真空計１００は、このように構成されたセンサチップ１と、センサチップ１を収容したハウジング２と、ハウジング２に接続されセンサチップ１のダイアフラム１ａ１に被測定媒体の圧力を導く圧力導入管３と、ハウジング２を覆うセンサケース４と、センサケース４の外周面を取り囲むようにして設けられたヒータ（自己加熱用ヒータ）５とを備えている。なお、ハウジング２およびセンサケース４は、例えば円筒状に形成されている。また、ヒータ５が設けられたセンサケース４は断熱材６によって覆われている。
【００２５】
この隔膜真空計１００において、ハウジング２の内部には隔壁７が設けられている。隔壁７は、台座板７ａと支持板７ｂとから構成されており、ハウジング２の内部空間を第１の空間２ａと第２の空間２ｂとに分離する。支持板７ｂは、その外周の縁面がハウジング２に固定されており、台座板７ａをハウジング２の内部空間内に浮上させた状態で支持する。この台座板７ａの第２の空間２ｂ側にセンサチップ１が固定（接合）されている。また、台座板７ａには、第１の空間２ａ内の圧力をセンサチップ１のダイアフラム１ａ１に導く圧力導入孔７ｃが形成されている。第２の空間２ｂは、センサチップ１の基準真空室１ｂと連通しており、真空状態とされている。
【００２６】
圧力導入管３はハウジング２の第１の空間２ａ側に接続されている。この圧力導入管３を介してセンサチップ１のダイアフラム１ａ１に被測定媒体の圧力Ｐが導かれる。圧力導入管３とハウジング２との間にはバッフル８が設けられている。圧力導入管３より導入される被測定媒体は、バッフル８の板面に当たり、バッフル８の周囲の隙間を通して、ハウジング２の第１の空間２ａ内に流入する。
【００２７】
また、この隔膜真空計１００において、ハウジング２の外壁面には制御用温度センサ９が設けられている。制御用温度センサ９は、センサケース４内の温度としてハウジング２の温度（ハウジング温度）ｔＨｐｖを測定する。
【００２８】
また、この隔膜真空計１００には、上述したセンサチップ１を収容した構成を本体部１０１とし、この本体部１０１に対して回路部１０２が設けられている。回路部１０２は、圧力値出力部１０と、ヒータ制御部１１と、供給電流抑制部１２とを備えており、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現される。また、回路部１０２における各部は回路基板１３に搭載されている。
【００２９】
回路部１０２において、圧力値出力部１０は、センサチップ１におけるダイアフラム１ａ１の変位による静電容量の変化を示す信号を入力とし、この信号を圧力値に変換して出力する。
【００３０】
ヒータ制御部１１は、制御用温度センサ９によって測定されるハウジング温度ｔＨｐｖを入力とし、また供給電流抑制部１２からの設定温度ｔＨｓｐを入力とし、ハウジング温度ｔＨｐｖが設定温度ｔＨｓｐとなるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御する。
【００３１】
供給電流抑制部１２は、第１の設定温度ｔＨｓｐ１を通常時設定温度（所定の自己加熱温度）として記憶する通常時設定温度記憶部１２−１と、第１の設定温度ｔＨｓｐ１よりも低い第２の設定温度ｔＨｓｐ２（ｔｔＨｓｐ２＜ｔＨｓｐ１）を洗浄時設定温度として記憶する洗浄時設定温度記憶部１２−２と、圧力導入管３からの洗浄液を導いてのハウジング２内の洗浄時（ＣＩＰ時）、ヒータ制御部１１への設定温度ｔＨｓｐを通常時設定温度ｔＨｓｐ１から洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２に切り替える設定温度切替部１２−３とを備えている。
【００３２】
この実施の形態において、通常時設定温度ｔＨｓｐ１は例えば１２５℃として定められており、洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２は例えば８０℃として定められている。
【００３３】
図３（ａ）に設定温度切替部１２−３への外部からの入力信号（ＣＩＰ信号）の変化を示し、図３（ｂ）に設定温度切替部１２−３からのヒータ制御部１１への設定温度ｔＨｓｐの変化を示す。ＣＩＰ信号はＣＩＰ時に「Ｈ」レベルとされる。
【００３４】
設定温度切替部１２−３は、ＣＩＰ信号が「Ｈ」レベルとされると（図３（ａ）に示すｔ１点）、ヒータ制御部１１への設定温度ｔＨｓｐを通常時設定温度ｔＨｓｐ１から洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２に切り替える（図３（ｂ）に示すｔ１点）。
【００３５】
ヒータ制御部１１は、設定温度切替部１２−３からの設定温度ｔＨｓｐが通常時設定温度ｔＨｓｐ１であった場合、通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）となるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御し、設定温度切替部１２−３からの設定温度ｔＨｓｐが洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２であった場合、洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２（８０℃）となるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御する。
【００３６】
すなわち、ヒータ制御部１１は、ＣＩＰ信号が「Ｈ」レベルとされる前は（通常時）、ハウジング温度ｔＨｐｖが通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）となるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御しており、ＣＩＰ信号が「Ｈ」レベルとされると（ＣＩＰ時）、ハウジング温度ｔＨｐｖが洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２（８０℃）となるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御し始める。
【００３７】
これにより、ＣＩＰ時、ハウジング２の温度（センサケース４内の温度）が通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）よりも低くなり、すなわち所定の自己加熱温度（１２５℃）よりも低くなり（８０℃）、受圧部と洗浄液との温度差が減り、ＣＩＰ時の熱衝撃によるセンサ特性の悪化が低減されるものとなる。
【００３８】
設定温度切替部１２−３は、ＣＩＰ信号が「Ｌ」レベルとされると（図３（ａ）に示すｔ２点）、ヒータ制御部１１への設定温度ｔＨｓｐを洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２（８０℃）から通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）へ切り替える（図３（ｂ）に示すｔ２点）。
【００３９】
これにより、ヒータ制御部１１は、ハウジング温度ｔＨｐｖが通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）となるように、すなわち所定の自己加熱温度（１２５℃）となるように、ヒータ５への供給電流Ｉを制御し始める。この場合、ヒータ５への電流は断たれておらず、抑制された状態から元の状態に戻されるので、ＣＩＰ終了後の所定の自己加熱温度（１２５℃）への復帰時間が短縮されるものとなる。
【００４０】
図４に各サンプルで自己加熱温度を変更し、ＣＩＰを実施した前後でのゼロ点シフトを確認した結果を示す。ＣＩＰでの洗浄液は純水を使用し、洗浄液の温度は室温（２５℃程度）とした。この結果から、自己加熱温度が１２５℃である場合にはゼロ点シフトが発生してしまうが、自己加熱温度を例えば８０℃とすると、ゼロ点シフトが抑えられることが分かる。このような結果から、本実施の形態では、洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２を８０℃としている。
【００４１】
なお、洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２は必ずしも８０℃としなくてもよい。図４に示された結果からすると、洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２は１００℃近辺まで上昇させてもゼロ点シフトが許容範囲内であれば問題ないと思われる。また、ＣＩＰ時、受圧部温度を洗浄液と同等またはその温度に近づけることができれば、すなわちセンサケース４内の温度を洗浄液の温度付近となるようにすることができれば、よりシフト量を低減させることができる。
【００４２】
〔実施の形態２〕
実施の形態１では、ＣＩＰ時、ヒータ制御部１１への設定温度ｔＨｓｐを通常時設定温度ｔＨｓｐ１（１２５℃）から洗浄時設定温度ｔＨｓｐ２（８０℃）へ切り替えることによって、ヒータ５への供給電流Ｉを抑制するようにした。これに対し、実施の形態２では、ヒータ５への供給電流Ｉの上限値を規制する際に用いる上限電流値を通常時上限電流値から洗浄時上限電流値へ切り替えることによって、ヒータ５への供給電流Ｉを抑制するようにする。
【００４３】
図５に、実施の形態２に係る隔膜真空計１００の要部を示す。同図において、図１と同一符号は図１を参照して説明した構成要素と同一或いは同等の構成要素を示し、その説明は省略する。
【００４４】
実施の形態２の隔膜真空計１００において、ヒータ制御部１１とヒータ５との間には、ヒータ制御部１１からのヒータ５への供給電流Ｉの上限値を規制する上限値規制部１５が設けられている。なお、この上限値規制部１５は、ヒータ制御部１１に設けられていてもよい。
【００４５】
また、設定温度ｔＨｓｐとして所定の自己加熱温度（１２５℃）が設定温度記憶部１４に記憶されており、ヒータ制御部１１はハウジング温度ｔＨｐｖが設定温度ｔＨｓｐとなるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御する。
【００４６】
また、上限値規制部１５に対して、ＣＩＰ時にヒータ５への供給電流Ｉを抑制する供給電流抑制部１６が設けられている。供給電流抑制部１６は、第１の上限電流値ＩLIM1を通常時上限電流値として記憶する通常時上限電流値記憶部１６−１と、第１の上限電流値ＩLIM1よりも低い第２の上限電流値ＩLIM2（ＩLIM2＜ＩLIM1）を洗浄時上限電流値として記憶する洗浄時上限電流値記憶部１６−２と、圧力導入管３からの洗浄液を導いてのハウジング２内の洗浄時（ＣＩＰ時）、上限値規制部１５への上限電流値ＩLIMを通常時上限電流値ＩLIM1から洗浄時上限電流値ＩLIM2に切り替える上限電流値切替部１６−３とを備えている。
【００４７】
図６（ａ）に上限電流値切替部１６−３への外部からの入力信号（ＣＩＰ信号）の変化を示し、図６（ｂ）に上限電流値切替部１６−３からの上限値規制部１５への上限電流値ＩLIMの変化を示す。ＣＩＰ信号はＣＩＰ時に「Ｈ」レベルとされる。
【００４８】
上限電流値切替部１６−３は、ＣＩＰ信号が「Ｈ」レベルとされると（図６（ａ）に示すｔ１点）、上限値規制部１５への上限電流値ＩLIMを通常時上限電流値ＩLIM1から洗浄時上限電流値ＩLIM2に切り替える（図６（ｂ）に示すｔ１点）。
【００４９】
上限値規制部１５は、上限電流値切替部１６−３からの上限電流値ＩLIMが通常時上限電流値ＩLIM1であった場合、通常時上限電流値ＩLIM1を超えないようにヒータ５への供給電流Ｉの上限値を規制する。この場合、ヒータ制御部１１は、ハウジング温度ｔＨｐｖが設定温度ｔＨｓｐ（１２５℃）となるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御しているが、通常時上限電流値ＩLIM1はこの時の供給電流Ｉの許容範囲の上限値を上回る値として定められている。このため、正常であれば、ヒータ５への供給電流Ｉの上限値は通常時上限電流値ＩLIM1で規制されることはない。
【００５０】
上限値規制部１５は、上限電流値切替部１６−３からの上限電流値ＩLIMが洗浄時上限電流値ＩLIM2であった場合、洗浄時上限電流値ＩLIM2を超えないようにヒータ５への供給電流Ｉの上限値を規制する。この場合、ヒータ制御部１１は、ハウジング温度ｔＨｐｖが設定温度ｔＨｓｐ（１２５℃）となるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御しているが、洗浄時上限電流値ＩLIM2はこの時の供給電流Ｉの許容範囲の下限値を下回る値として定められている。この例において、洗浄時上限電流値ＩLIM2は、例えばセンサケース４内の温度が８０℃になるような値として定められている。このため、ヒータ５への供給電流Ｉの上限値は洗浄時上限電流値ＩLIM2で規制されるものとなる。
【００５１】
すなわち、上限値規制部１５は、ＣＩＰ信号が「Ｈ」レベルとされる前は（通常時）、ヒータ制御部１１からのヒータ５への供給電流Ｉの上限値を規制しておらず、ハウジング温度ｔＨｐｖは設定温度ｔＨｓｐ（１２５℃）に保たれる。これに対し、ＣＩＰ信号が「Ｈ」レベルとされると（ＣＩＰ時）、ヒータ制御部１１からのヒータ５への供給電流Ｉの上限値が洗浄時上限電流値ＩLIM2によって規制され始める。
【００５２】
これにより、ＣＩＰ時、センサケース４内の温度が設定温度ｔＨｓｐ（１２５℃）よりも低くなり、すなわち所定の自己加熱温度（１２５℃）よりも低くなり（８０℃付近）、受圧部と洗浄液との温度差が減り、ＣＩＰ時の熱衝撃によるセンサ特性の悪化が低減されるものとなる。
【００５３】
上限電流値切替部１６−３は、ＣＩＰ信号が「Ｌ」レベルとされると（図６（ａ）に示すｔ２点）、上限値規制部１５への上限電流値ＩLIMを洗浄時上限電流値ＩLIM2から通常時上限電流値ＩLIM1へ切り替える（図６（ｂ）に示すｔ２点）。
【００５４】
これにより、上限値規制部１５は、洗浄時上限電流値ＩLIM2によるヒータ５への供給電流Ｉの上限値の規制を解除する。この場合、ヒータ５への電流は断たれておらず、抑制された状態から元の状態に戻されるので、ＣＩＰ終了後の所定の自己加熱温度（１２５℃）への復帰時間が短縮されるものとなる。
【００５５】
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００５６】
１…センサチップ、１ａ１…ダイアフラム、２…ハウジング、３…圧力導入管、４…センサケース、５…ヒータ（自己加熱用ヒータ）、９…制御用温度センサ、１０…圧力値出力部、１１…ヒータ制御部、１２…供給電流抑制部、１２−１…通常時設定温度記憶部、１２−２…洗浄時設定温度記憶部、１２−３…設定温度切替部、１４…設定温度記憶部、１５…上限値規制部、１６…供給電流抑制部、１６−１…通常時上限電流値記憶部、１６−２…洗浄時上限電流値記憶部、１６−３…上限電流値切替部、１００…隔膜真空計、１０１…本体部、１０２…回路部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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