(57)【要約】【課題】合着のために両基板間に塗布されるシールパターンの量不良を防止する。【解決手段】本発明の有機発光表示装置は、互いに対向するとともに、複数のサブピクセルを含むアクティブ領域と前記アクティブ領域の周りの非アクティブ領域とをそれぞれ有する基板及び封止基板と、前記封止基板の前記非アクティブ領域の一部に設けられた凹部と、前記基板と前記封止基板との間の前記非アクティブ領域に閉ループ状に同一の高さで設けられたシールパターンと、前記シールパターンと同一物質で、前記シールパターンと重畳して前記凹部に満たされた充填シールパターンと、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するとともに、複数のサブピクセルを含むアクティブ領域と前記アクティブ領域の周りの非アクティブ領域とをそれぞれ有する基板及び封止基板と、
前記封止基板の前記非アクティブ領域の一部に設けられた凹部と、
前記基板と前記封止基板との間の前記非アクティブ領域に閉ループ状に同一の高さで設けられたシールパターンと、
前記シールパターンと同一物質で、前記シールパターンと重畳して前記凹部に満たされた充填シールパターンと、を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記シールパターンと前記充填シールパターンは一体型であり、同一幅を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記封止基板に、第１の深さの底部と、前記底部と前記封止基板の内側面の間に前記底部に対して鈍角をなす側面とを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１の深さは、前記封止基板の前記アクティブ領域の厚さの０．１倍〜０．６倍である、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記凹部において、前記側面が前記底部に対してなす前記鈍角は１２５°〜１４５°である、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記充填シールパターンの垂直断面積は、前記充填シールパターンと連結された前記シールパターンの断面積の０．１倍〜０．４倍である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記サブピクセルは、前記基板上に、少なくとも一つの薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結されるように形成され、第１電極、有機発光層及び第２電極が積層されてなる有機発光ダイオードとを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記サブピクセルの各々に対応して、前記封止基板上にカラーフィルター層をさらに含む、請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記基板上に、前記有機発光ダイオードを覆う保護膜をさらに含み、
前記保護膜は、前記シールパターンの幅と一部が重畳する、請求項７又は８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記基板と前記封止基板との間の前記シールパターンの内側領域にフィル材をさらに含む、請求項７又は８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
複数サブピクセルを含む第１アクティブ領域と前記第１アクティブ領域の周りの第１非アクティブ領域を有する基板を準備するステップと、
前記基板の前記第１アクティブ領域及び前記第１非アクティブ領域にそれぞれ対応して、第２アクティブ領域及び第２非アクティブ領域を有する封止基板を準備するステップと、
前記第２非アクティブ領域の一部に凹部を設けるステップと、
前記凹部に対応する始点及び終点を有する閉ループ内にシールパターン物質を塗布するステップと、
前記基板上に前記シールパターン物質が対向するように前記基板と前記封止基板とを合着するステップと、
を備える有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板と前記封止基板を合着するステップにおいて、
前記シールパターン物質で前記凹部を満たしてなる充填シールパターンと、
前記充填シールパターンと重畳し、非アクティブ領域に同一の高さを有するシールパターンとを形成する、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シールパターン物質を塗布するステップにおいて、
前記シールパターン物質は、前記始点と前記終点に対応して前記凹部を２回通る、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記凹部を設けるステップにおいては、
前記封止基板に、第１の深さの底部と、前記底部と前記封止基板の内側面の間に前記底部に対して鈍角をなす側面とを備えるように前記凹部を形成する、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関するものであり、特に合着のために両基板間に塗布されるシールパターンの量不良を防止するために封止基板側の形状を変更した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、本格的な情報化時代に入るにつれて、電気的情報信号を視覚的に表現するディスプレイ分野が急速に発展している。これに応じて、薄型化、軽量化及び省電力化の優れた性能を有する多様な平面表示装置（Ｆｌａｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）が開発され、既存のブラウン管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）と急速に置き換わっている。
【０００３】
このような平面表示装置の具体的な例としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ  ｄｅｖｉｃｅ：ＰＤＰ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ：ＦＥＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）などが挙げられる。
【０００４】
これらの装置のうち、追加の光源を必要とせず、装置のコンパクト化及び鮮やかなカラー表示を行えることから、有機発光表示装置は、競争力のあるアプリケーションと考えられている。
【０００５】
このような有機発光表示装置は、各サブピクセルに、独立して駆動する有機発光素子を備える。有機発光素子は、正極と、負極と、正極と負極の間に有機発光層を含む有機層とを含んでなる。
【０００６】
一方、有機発光表示装置は、一例として、下板側に各サブピクセルに対応して薄膜トランジスタと有機発光素子を有するアレイ構成を有し、水分に弱い有機発光素子を封止するために封止基板をアレイに対向させて備える。また、下板と封止基板との間の周縁部を取り囲むように上下に位置し、封止基板と下板とを側面の外気から封止するシールパターンを備える（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
一般に、シールパターンは封止基板側に塗布され、封止基板と下板は対向させて合着される。この際、シールパターンを塗布する始点と終点が重畳する場合にのみシールパターンの内部に外気が浸透することなしに封止できる。このため、シールパターンの重畳は必然的に発生する。よって、シールパターンの始点と終点が重畳した部位では、シールパターンの量が過剰に残存しているため、合着後にこの部位のシールパターンの幅が他の領域より増加しており、合着過程の圧力が加わればその幅はさらに増加することになる。このように、同一幅でシールパターンを形成する一般的な方式では、始点と終点の重畳による量不良によって、シールパターンの幅が制御されない部位が発生する。よって、表示に使用されない非アクティブ領域を遮るベゼル領域の幅が広くなるため、狭額縁（ナローベゼル）を具現化できない。
【０００８】
また、シールパターンの重畳によってシールパターン物質が過剰量で塗布された部位では、合着によって大きな圧力が加わる場合、シールパターン物質がアクティブ領域に入り込む問題も発生することがある。しかし、現在の有機発光表示装置の構造では、この問題に対する解決策は全くないのが実情である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１４−２０３７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述した問題点を解決するために案出されたものであり、合着のために両基板間に塗布されるシールパターンの量不良を防止するために封止基板側の形状を変更した有機発光表示装置及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は、シールパターン物質の塗布始点と終点に対応して、封止基板の形状を変更することで、過剰量のシールパターン物質を収容し、領域別にシールパターンの幅の均一化を図ることができ、これにより狭額縁を具現化できる。
【００１２】
本発明の一実施例による有機発光表示装置は、互いに対向するとともに、複数のサブピクセルを含むアクティブ領域と前記アクティブ領域の周りの非アクティブ領域とをそれぞれ有する基板及び封止基板と、前記封止基板の前記非アクティブ領域の一部に設けられた凹部と、前記基板と前記封止基板との間の前記非アクティブ領域に閉ループ状に同一の高さで設けられたシールパターンと、前記シールパターンと同一物質で、前記シールパターンと重畳して前記凹部に満たされた充填シールパターンと、を備えることができる。
【００１３】
前記シールパターンと前記充填シールパターンは一体型であり、同一幅を有してもよい。
【００１４】
前記凹部は、前記封止基板に、第１の深さの底部と、前記底部と前記封止基板の内側面の間に前記底部に対して鈍角をなす側面とを含むことができる。
【００１５】
前記第１の深さは、前記封止基板の前記アクティブ領域の厚さの０．１倍〜０．６倍であってもよい。
【００１６】
前記凹部において、前記側面が前記底部に対してなす前記鈍角は１２５°〜１４５°であってもよい。
【００１７】
前記充填シールパターンの垂直断面積は、前記充填シールパターンと連結された前記シールパターンの断面積の０．１倍〜０．４倍であってもよい。
【００１８】
前記サブピクセルは、前記基板上に、少なくとも一つの薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結されるように形成され、第１電極、有機発光層及び第２電極が積層されてなる有機発光ダイオードとを含むことができる。
【００１９】
前記サブピクセルの各々に対応して、前記封止基板上にカラーフィルター層をさらに含むことができる。
【００２０】
また、前記基板上に、前記有機発光ダイオードを覆う保護膜をさらに含み、前記保護膜は前記シールパターンの幅と一部が重畳することができる。
【００２１】
そして、前記基板と前記封止基板との間の前記シールパターンの内側領域にフィル材をさらに含むことができる。
【００２２】
また、前記目的を達成するための本発明の有機発光表示装置の製造方法は、複数サブピクセルを含む第１アクティブ領域と前記第１アクティブ領域の周りの第１非アクティブ領域を有する基板を準備するステップと、前記基板の前記第１アクティブ領域及び前記第１非アクティブ領域にそれぞれ対応して、第２アクティブ領域及び第２非アクティブ領域を有する封止基板を準備するステップと、前記第２非アクティブ領域の一部に凹部を設けるステップと、前記凹部に対応する始点及び終点を有する閉ループ内にシールパターン物質を塗布するステップと、前記基板上に前記シールパターン物質が対向するように前記基板と前記封止基板とを合着するステップと、を備えることができる。
【００２３】
そして、前記基板と前記封止基板を合着するステップにおいて、前記シールパターン物質で前記凹部を満たしてなる充填シールパターンと、前記充填シールパターンと重畳し、非アクティブ領域に同一の高さを有するシールパターンとを形成することができる。
【００２４】
前記シールパターン物質を塗布するステップにおいて、前記シールパターン物質は、前記始点と前記終点に対応して前記凹部を２回通ることができる。
【００２５】
前記凹部を設けるステップにおいては、前記封止基板に、第１の深さの底部と、前記底部と前記封止基板の内側面の間に前記底部に対して鈍角をなす側面とを備えるように前記凹部を形成することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は、以下のような効果を奏する。
【００２７】
第１の効果としては、凹部を備えることにより、シールパターン物質の塗布時に、特定領域のシールパターン物質の過剰塗布を防止し、これによって全ての非アクティブ領域に一定の幅でシールパターンを形成することができる。
【００２８】
第２の効果としては、凹部を備えることによって過剰充填量の調節が可能であって、シールパターンの周りに工程マージンを考慮して非アクティブ領域を増やさなくてもよいため、非アクティブ領域を減らすことができる。これにより、狭額縁（ナローベゼル）を具現化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の有機発光表示装置を示す平面図である。
【図２】本発明の有機発光表示装置の凹部及びこれに対応する合着状態を示す断面図である。
【図３】図２の有機発光表示装置の一実施例における封止基板を示す断面図である。
【図４】図３の封止基板にシールパターンを塗布する方法を示す断面図である。
【図５】図１のＩ〜Ｉ’線に沿った断面図である。
【図６】図１のII〜II’線に沿った断面図である。
【図７】図１のIII〜III’線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、添付図面に基づいて詳細に後述する実施例を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、相異なる多様な形態として具現化し得る。単に、本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求範囲の範疇によって定義される。
【００３１】
本発明の実施例を説明するための図面に開示した形状、寸法、比率、角度、個数などは例示的なものであり、本発明が図示の事項に限定されるものではない。明細書全般にわたって同じ参照符号は同じ構成要素を指す。また、本発明の説明において、関連する公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。
【００３２】
本明細書上での言及に‘含む’、‘有する’、‘なる’などが使用される場合、‘〜のみ’が使用されていない限り、他の部分が付加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合もある。
【００３３】
構成要素の解釈において、別個の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００３４】
位置関係について説明する場合には、例えば、‘〜上に’、‘〜の上部に’、‘〜の下部に’、‘〜のそばに’などで二つの部分の位置関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもある。
【００３５】
時間関係について説明する場合には、例えば、‘〜の後に’、‘〜に引き続き’、‘〜の次に’、‘〜の前に’などで時間的先後関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’が使用されない限り、連続的ではない場合も含むことがある。
【００３６】
‘第１’及び‘第２’などが多様な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素はこれら用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
【００３７】
‘少なくとも一つ’という用語は、一つ以上の関連項目から提示可能な全ての組合せを含むものと理解されなければならない。例えば、‘第１項目、第２項目及び第３項目の少なくとも一つ’の意味は、第１項目、第２項目又は第３項目のそれぞれのみならず、第１項目、第２項目及び第３項目のうち、二つ以上から提示可能な全ての項目の組合せを意味する。
【００３８】
本発明の幾つかの実施例の各特徴を部分的に又は全体的に互いに結合又は組合せてもよく、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例を互いに独立して実施してもよく、組合せて一緒に実施してもよい。
【００３９】
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００４０】
図１は、本発明の有機発光表示装置を示す平面図である。図２は、本発明の有機発光表示装置の凹部及びこれに対応する合着状態を示す断面図である。
【００４１】
図１及び図２に示すように、本発明の一実施例による有機発光表示装置は、互いに対向し、複数のサブピクセルＳｕｂ−Ｐを含むアクティブ領域ＡＡとアクティブ領域ＡＡの周りの非アクティブ領域ＮＡとをそれぞれ有する基板１００及び封止基板２００と、封止基板２００の非アクティブ領域ＮＡの一部に設けられた凹部２００ａと、基板１００と封止基板２００との間の非アクティブ領域ＮＡに、閉ループ状に同一の高さで設けられたシールパターン３００と、シールパターン３００と同一物質で、シールパターン３００と重畳して凹部２００ａに満たされた充填シールパターン３００ａとを備える。
【００４２】
ここで、シールパターン３００と充填シールパターン３００ａは一体型であり、同一幅を有するものである。これは、シールパターン物質の塗布時、塗布部位の重畳によって設けられるためである。
【００４３】
また、シールパターン物質を塗布し、基板１００及び封止基板２００を合着する過程で過剰のシールパターン物質を凹部２００ａが収容したことにより、シールパターン３００は、全体的に、凹部２００ａが位置する部分又は位置しない部分（シールパターン物質が重畳なしに正常に塗布される部位）で同じ高さを有することができる。
【００４４】
凹部２００ａは、封止基板２００において、均一に第１の深さの底部２０１０と、底部２０１０と封止基板２００の内側面間の底部２０１０に対して鈍角をなす側面２０２０とを備える。すなわち、断面上で観察するとき、凹部２００ａは、台形部位が封止基板２００の内側面から除去された形状である。
【００４５】
そして、第１の深さｄは、封止基板２００のアクティブ領域ＡＡの厚さｈの０．１倍〜０．６倍であってもよい。すなわち、凹部２００ａは、一種のエッチング方法で除去されることができ、除去部位において物質を収容可能な程度の幅ｘを有する。この幅ｘは、シールパターン物質を塗布する始点ＳＰと終点ＥＰ間の間隔に相当するものであり、シールパターン物質が２回塗布される領域に相当する。
【００４６】
そして、凹部２００ａにおいて、側面２０２０が底部２０１０に対してなす鈍角は、１２５°〜１４５°であってもよい。
【００４７】
以下、本発明の有機発光表示装置におけるシールパターン３００の塗布方法を具体的に説明する。
【００４８】
図３は、図２の本発明の有機発光表示装置の一実施例による封止基板２００を示す断面図である。図４は、図３の封止基板２００にシールパターン３００を塗布する方法を示す断面図である。
【００４９】
図２に示すように、封止基板２００の一部には、凹部２００ａが形成される。この時、凹部２００ａの幅ｘは、シールパターン物質を塗布する始点ＳＰと終点ＥＰ間の間隔にし、第１の深さｄは、封止基板２００のアクティブ領域ＡＡの厚さｈの０．１倍〜０．６倍にする。すなわち、凹部２００ａは、封止基板２００の内側面の一部を除去して形成され、その底部２０１０は、均一な第１の深さｄを有する。
【００５０】
そして、図４に示すように、一方向にディスペンサー５００を移動させながら封止基板２００にシールパターン物質３０００を塗布する。
【００５１】
ここで、凹部２００ａが第１の深さｄの底部２０１０及びその周辺に底部２０１０に対して１２５°〜１４５°の鈍角を有する側面２０２０を備えるようにした理由を説明する。シールパターン物質３０００を塗布するディスペンサー５００は、停止状態から塗布を進めるものである。このため、始点ＳＰで一定量が排出されるものではなく、速度０から一定量が排出されるまでに一定時間が掛かる。同様に、終点ＥＰで一定量の塗布から段々とその量が減ることから、一定量が排出される区間に比べてシールパターン物質３０００の塗布量に差が生じる。このため、次第に変化するシールパターン物質３０００の塗布量に合わせて側面２０２０に傾斜を付与したものである。
【００５２】
また、凹部２００ａの幅ｘは、シールパターン物質３０００を塗布する過程でシールパターン物質を塗布する始点ＳＰと終点ＥＰ間の間隔とし、第１の深さｄは、封止基板２００のアクティブ領域ＡＡの厚さｈの０．１倍〜０．６倍にする。すなわち、封止基板２００の内側面の一部を除去して凹部２００ａを形成するものであり、底部２０１０は、均一な第１の深さｄを有する。厚さｈを封止基板２００のアクティブ領域ＡＡの厚さの０．１倍以上にする理由は、過剰のシールパターン物質３０００を溢れさせずに収容するためである。厚さｈを０．６倍以下にした理由は、凹部２００ａで発生する封止基板２００のクラック又は損傷を防止するためである。
【００５３】
凹部２００ａは、シールパターン物質３０００の塗布が重畳する位置に形成され、場合によっては、ディスペンサー５００の速度が停滞する部分に部分的に備え得る。これは、ディスペンサー５００の速度が停滞すれば、停滞した部位の塗布量は他の領域よりも増加し、この部分のシールパターン３００の幅が増加することがあるため、過剰のシールパターン物質３０００を封止基板２００内に収容するためである。例えば、図１のように、ディスペンサー５００が封止基板２００の４辺を通るとき、各コーナーでは方向が転換されるため、速度を調節することが必須である。よって、コーナーに凹部２００ａをさらに備えることもできる。この場合、コーナーに備えられた凹部２００ａは、シールパターン物質３０００の塗布の始点ＳＰと終点ＥＰとでは、違う形状及び深さを有することがある。
【００５４】
したがって、図３のシールパターン物質３０００の塗布工程を封止基板２００で完了し、封止基板２００と基板１００を合着し、続いて熱硬化を完了すれば、図４のように、封止基板２００と基板１００との間に、熱硬化したシールパターン３００と封止基板２００の凹部２００ａに充填された充填シールパターン３００ａとが形成される。
【００５５】
シールパターン３００と充填シールパターン３００ａは、図３のシールパターン物質塗布の始点ＳＰと終点ＥＰ間の間隔ｘ内で一体型である。
【００５６】
そして、図４において、充填シールパターン３００ａの垂直断面積は、充填シールパターン３００ａと連結されたシールパターン３００の断面積の０．１倍〜０．４倍であってもよい。
【００５７】
上述した凹部２００ａを備えることで、シールパターン物質３０００を塗布するとき、特定領域のシールパターン物質３０００の過剰塗布が防止される。これにより、全ての非アクティブ領域ＮＡに一定の幅でシールパターン３００を形成することができる。また、凹部２００ａによって過剰充填量を調節することができるため、シールパターン３００の周りに工程マージンを考慮して非アクティブ領域ＮＡを増やさなくても良くなり、非アクティブ領域ＮＡを減らすことができる。
【００５８】
一方、図２〜図４に示した図面では、封止基板２００にシールパターン物質３０００を塗布する過程で、封止基板２００を下側とし、封止基板２００の内側面を上部とし、上部に薄膜トランジスタアレイを有する基板１００が位置する状態を示した。実際の合着時又は合着完了後には基板１００が下側となり、封止基板２００が上側となる反転した状態であってもよい。
【００５９】
また、図２〜図４の断面図は、いずれもシールパターン３００が塗布される非アクティブ領域を示したものであり、アクティブ領域の構成は下記の図面を参照する。
【００６０】
本発明の有機発光表示装置は、上述した凹部２００ａを含む封止基板２００の構成によってシールパターン３００の塗布時に過剰塗布量を制御することができる。
【００６１】
以下、アレイ構成を含めて本発明の有機発光表示装置を具体的に説明する。
【００６２】
図５は、図１のＩ〜Ｉ’線に沿った断面図である。図６は、図１のII〜II’線に沿った断面図である。図７は、図１のIII〜III’線に沿った断面図である。
【００６３】
アクティブ領域ＡＡの各サブピクセルは、少なくとも一つの薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うオーバーコート層１４１と、オーバーコート層１４１上に、薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に連結され、第１電極１５１、有機発光層１７１及び第２電極１８１が積層されてなる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とを有する。有機発光層１７１は、単層として示されているが、これは一例に過ぎず、実質的に発光するＥＬ層、その下部及び上部に備えられる正孔関連層及び電子関連層をさらに備えて複数層に形成され得る。図５〜図７の断面図のうち、パッド部及びこれと隣り合うアクティブ領域ＡＡを示す図５にのみ薄膜トランジスタＴＦＴが示されているが、これに限られない。図６のゲートパッド部に隣り合うアクティブ領域と図７の非パッド部に隣り合うアクティブ領域にも薄膜トランジスタＴＦＴが備えられる。
【００６４】
参考として、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極１１２、半導体層１２２、半導体層１２２の両側と接続されたソース電極１３６及びドレイン電極１３７からなる。ゲート電極１１２と半導体層１２２の間には、ゲート絶縁膜１３１が介在する。図示の半導体層１２２は酸化物半導体であり、ソース電極１３６及びドレイン電極１３７のパターニング時にチャネル部を保護するために、エッチストッパー１３２が備えられている状態を示す。しかし、このような薄膜トランジスタは一例であり、半導体層１２２は非晶質シリコン、ポリシリコン、又は複数層のシリコン層として備え得る。この場合、エッチストッパー１３２は省略してもよい。
【００６５】
そして、ドレイン電極１３７は、有機発光ダイオードの第１電極１５１と電気的に接続される。第１電極１５１は、反射性金属からなり、第２電極１８１は、透明金属からなってもよい。反対に、第１電極１５１が透明金属からなり、第２電極１８１が反射性電極からなってもよい。前者は上部発光方式、後者は下部発光方式であり、図示のような封止基板２００側の透過性を維持する構造は主に上部発光方式で具現化される。
【００６６】
パッド電極１３５の上部には、パッド電極１３５の酸化防止のために、第１電極１５１と同一層の金属からなるパッド保護電極１５３をさらに備えることができる。
【００６７】
そして、シールパターン３００は、それぞれ両側に第１ダムパターン２２０と第２ダムパターン１６２が備えられることにより、その領域が定義される。
【００６８】
また、有機発光ダイオードを保護するために、基板１００の最上部には第２電極１８１を充分に覆うように保護膜１９１がさらに備えられる。保護膜１９１は概して薄膜トランジスタアレイの絶縁膜であるゲート絶縁膜１３１及び層間絶縁膜１３８よりは相対的に厚い無機絶縁膜であり、ＳｉＯＮなどからなってもよい。これは、基板１００と封止基板２００の間に残存している異物が有機発光ダイオードに透湿することを主に防止することができる。バッファー層１２１、ゲート絶縁膜１３１及び層間絶縁膜１３８は、無機膜であり、上部のオーバーコート層１４１、バンク１６１及び第１〜第４ダムパターン２２０、１６２、２１０ａ、２１０ｂは有機物質からなる。
【００６９】
以上では、基板１００上に備えられる第１ダムパターン２２０と第２ダムパターン１６２について説明したが、ダムの機能は、図５〜図７のように、封止基板２００も有してもよい。基板１００に対向する封止基板２００の一表面上に、第１ダムパターン２２０及び第２ダムパターン１６２と対向する第３ダムパターン２１０ａ及び第４ダムパターン２１０ｂをさらに含むことができる。
【００７０】
一方、サブピクセルＳｕｂ−Ｐの境界部に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の発光部を定義するバンク１６１をさらに備えることができる。ここで、バンク１６１は、ブラックレジンを含むことができる。そして、このようなバンク１６１は有機物からなり、オーバーコート層１４１と同様に１μｍ〜５μｍの厚さを有することができ、好ましくは１．１μｍ〜３μｍの厚さを有することができる。
【００７１】
ここで、オーバーコート層１４１は、薄膜トランジスタＴＦＴと第１電極１５１が連結されるコンタクトホールを除いてアクティブ領域ＡＡの全体をカバーするように形成され、アクティブ領域の外側にも伸びてシールパターン３００とも一部が重畳することができる。ここで、第１辺〜第４辺の非アクティブ領域（パッド部、両側ＧＩＰ部及び非パッド部）においてシールパターン３００と重畳する幅が相違することもある。これは、各辺の非アクティブ領域ＮＡのオーバーコート層１４１の下部構成が相違することによって、下部構成が占める体積が相違するため、このような各辺の体積差をオーバーコート層１４１の重なり具合によって補償するためである。
【００７２】
図５に示すように、パッド部は短絡バー配線１５２が備えられた領域よりも外側にオーバーコート層１４１を備える。短絡バー配線１５２は、第１電極１５１と同一層の金属材料から形成することができる。オーバーコート層１４１の下側には、それぞれ２０００Å前後の薄さの層間絶縁膜１３８及びゲート絶縁膜１３１が位置する。これは、短絡バー配線１５２がオーバーコート層１４１の外側に突出して層間絶縁膜１３８上に位置するとき、このような薄い絶縁膜にピンホールが発生すると、短絡バー配線１５２とソースリンク配線１１１間に短絡が発生することがあるから、これを防止するためである。すなわち、厚いオーバーコート層１４１は、少なくともソースリンク配線１１１が位置する部位において短絡バー配線１５２の下側に位置する。これにより、薄膜の層間絶縁膜１３８及びゲート絶縁膜１３１にダメージがあっても、短絡バー配線１５２とソースリンク配線１１１の絶縁を維持することができる。また、短絡バー配線１５２の電位を安定化するために、短絡バー配線１５２の上部を第２電極１８１が覆うことになる。よって、第２電極１８１は、下側のソースリンク配線１１１又はゲート金属層１１３のような金属が位置する部位ではオーバーコート層１４１の上部まで形成される。これは、前述した薄い層間絶縁膜１３８及びゲート絶縁膜１３１のピンホールによって引き起こされる下側金属層との短絡を防止するための機能と同様の機能である。
【００７３】
図５及び図６に示すように、パッド部及びゲートパッド部では、オーバーコート層１４１の下側に金属層が位置し、オーバーコート層１４１の上部まで第２電極１８１が位置する。図７に示すように、オーバーコート層１４１の下側に金属層が位置しない非パッド部では、第２電極１８１がオーバーコート層１４１の側部を覆うとともに、隣接した層間絶縁膜１３８の上側まで位置することができる。図７の場合でも、第２電極１８１は、ゲートグラウンド配線１１４とは重畳させないことが短絡防止と同じ目的で好ましい。ここで、図７に示すように、第２電極１８１は、アクティブ領域全部と外側の一部で一体型であり、シールパターン３００とは一部が重畳してもよく、アクティブ領域の外側で短絡バー配線１５２と電気的に連結され得る。
【００７４】
図５〜図７において、基板１００上の構成のうち、説明しなかった符号１２１は、バッファー層を指すものであり、基板１００側の不純物が基板１００上に形成される構成要素に流入することを防止するために備えられる。もしくは、バッファー層１２１は、基板１００上で特定の処理が行われるとき、これによる影響を防止するために備えられる。
【００７５】
第１ダムパターン２２０は、下側のダミーオーバーコート層１４２と上側のバンク層１６３が積層されることで配置される。ここで、ダミーオーバーコート層１４２は、オーバーコート層１４１と同一層であるが離隔している。バンク層１６３は、バンク１６１と同一層であるが離隔している。第２ダムパターン１６２は、バンク１６１と同一層であるが離隔している。
【００７６】
この場合、第１ダムパターン２２０及び第２ダムパターン１６２は、オーバーコート層１４１及びバンク１６１と同一工程で製造され得る。
【００７７】
そして、第３ダムパターン２１０ａと第４ダムパターン２１０ｂは、封止基板２００側に備えられたブラックマトリックス層（図示せず）又はカラーフィルター層（図示せず）と同一工程によって互いに離隔するように構成されることができる。このようなダムパターン間の離隔及びダムパターンと内部オーバーコート層又は内部ブラックマトリックス層又はカラーフィルター層間の離隔は、水分透湿経路を遮断するためである。ブラックマトリックス層は、基板１００上に備えられるバンク１６１と対応する形状であってもよく、カラーフィルター層は、各サブピクセルの有機発光ダイオードに対応して備え得る。この場合、カラーフィルター層は、ブラックマトリックス層と両側で重畳してもよい。
【００７８】
ここで、基板１００と封止基板２００において、平面上で同一位置の第１ダムパターン２２０と第３ダムパターン２１０ａを包括してシールパターン３００の外側ライン（ｏｕｔｅｒ  ｌｉｎｅ）を定義する第１ダムＤ１と言い、第２ダムパターン１６２と第４ダムパターン２１０ｂを包括してシールパターン３００の内側ライン（ｉｎｎｅｒ  ｌｉｎｅ）を定義する第２ダムＤ２という。これらの第１及び第２ダムＤ１、Ｄ２を通称してダムＤと言い、本発明の有機発光表示装置はダムＤの幅Ｗが第１〜第４辺の非アクティブ領域で同一である。
【００７９】
シールパターン３００は、初期粘性を有する液状の材料からなり、接着成分のエポキシなどの有機材料成分と光開始剤又は熱開始剤を含む高分子材料を主成分とし、前記高分子材料内に吸湿機能を有する複数のゲッターが分散されている。この場合、個々のゲッターは、塩化カルシウム、シリカゲル、活性アルミナ、塩化リチウム、トリエチレングリコールのいずれか１種であってもよく、液状の高分子材料内に固体成分として直径０．５μｍ〜３μｍの球又は最大長が０．５μｍ〜３μｍの円柱又は多面体であってもよいし、これらは初期のシールパターン３００を成す液状材料内に分散されて液状材料の硬化によってシールパターン３００内に位置が固定される。そして、ゲッターは、側面から浸透する水分及び外気がシールパターン３００内に浸透することを防止することで、アクティブ領域に位置する有機発光アレイを水分又は外気から保護する。また、シールパターン３００は、薄膜トランジスタアレイ及び有機発光アレイが完全に形成された基板１００上に、又はブラックマトリックス層及びカラーフィルター層のアレイが完全に形成された封止基板２００の非アクティブ領域に、アクティブ領域ＡＡの外周を取り囲むように塗布される。工程上、粘性を有する液状の材料は恒常性をもって塗布されるから、塗布時点では領域別に同一幅である。しかし、この材料は液状の材料であり、流動性によって基板１００上の表面偏差があるとき、基板１００と封止基板２００の合着後に圧力が加われば拡散性が変わることがある。シールパターン３００は、合着後に基板１００と封止基板２００間の間隔が一定程度になったとき、これが熱又はＵＶによって硬化して固体状態に維持されることにより、基板１００と封止基板２００間の間隔を一定に維持することができる。
【００８０】
実質的に、基板１００は、アクティブ領域ＡＡ内のサブピクセルＳｕｂ−Ｐを駆動するために、第１〜第４辺（パッド部、両側ゲートパッド部及び非パッド部）の非アクティブ領域に配線及び駆動部を有しなければならず、信号を伝達するソースドライバー（図示せず）又はフレキシブルプリント回路基板（図示せず）の配置によって配線及び駆動部が他の辺に配置され得る。よって、薄膜トランジスタアレイと一緒に形成される基板１００上の第１〜第４辺の非アクティブ領域に表面密度差が生じる。パッド部Ｐは、ある非アクティブ領域の第１辺のアクティブ領域ＡＡにおいて、非アクティブ領域の複数のパッド電極（図５の１３５参照）にそれぞれ連結されたソースリンク配線１１１を備えていなければならない。この場合、ソースリンク配線１１１は、アクティブ領域にデータラインの数以上で設けられなければならない。このため、実質的に、第１辺の非アクティブ領域では配線密集度が高い。参考として、アクティブ領域ＡＡに備えられるゲートライン（図示せず、図５の１１２と同一層）は横方向に、データライン（図示せず）は縦方向に、それぞれサブピクセルＳｕｂ−Ｐの境界部に位置する。ここで、ソースリンク配線１１１は、データラインに信号を印加する配線であり、アクティブ領域ＡＡの下側端とパッド部Ｐの間に配置される。図示のソースリンク配線１１１は、ゲートライン及びゲート電極１１２と同一層に位置する。ここで、ソースリンク配線１１１は、パッド部Ｐに備えられたパッド電極１３５と電気的に接続され得る。場合によっては、ソースリンク配線１１１をデータライン（１３６、１３７と同一層）と一体型に形成することもできる。
【００８１】
一方、パッド部は、ソースリンク配線１１１と連結されるパッド電極だけでなく、ゲートパッド部にゲート駆動電圧信号、ゲートグラウンド信号及びゲートクロック信号を伝達するパッド電極（図示せず）をさらに含む。この場合、データ関連信号を伝達するパッド電極がパッド部の中央部に位置するとき、これらのゲート関連信号を伝達するパッド電極はその両方の外側に位置する。
【００８２】
一方、複数のパッド電極は、封止基板２００より突出する基板１００のパッド部に備えられ、パッド部に連結されるようにソースリンク配線１１１がパッド部Ｐとアクティブ領域ＡＡの間に位置する。ソースリンク配線１１１は、パッド部Ｐから図１で縦方向に伸びてシールパターン３００と重畳して、アクティブ領域ＡＡの下側の外周にあるデータライン（図５の１３６、１３７と同一層）と一体型に連結される。
【００８３】
また、ゲートパッド部ＧＰ１、ＧＰ２は、各ゲートラインに対応してゲート回路ブロックを有し、ゲート回路ブロックは、シフトレジスタ、レベルシフター及びバッファーを含み得る。そして、シフトレジスタ、レベルシフター及びバッファーは、複数の配線と複数の薄膜トランジスタの組合せから構成できる。図６は、第２辺の非アクティブ領域の一面を切断した断面であり、ゲート金属層１１３及びデータ金属層１３３がシールパターン３００と完全に重畳するものを示す。しかし、これは、配線が通る一断面を示したものであり、実質的に、ゲートパッド部には、複数の薄膜トランジスタと複数の配線を備え得る。このようなゲートパッド部ＧＰ１、ＧＰ２は、アクティブ領域ＡＡのゲートラインと同一層のゲート金属層１１３の電極、半導体層１２２と同一層の材料（図示せず）、データラインと同一層のデータ金属層１３３の同一層をパターニングすることによって形成することができる。
【００８４】
上述したゲートパッド部は、一種のゲートインパネル（Ｇａｔｅ  Ｉｎ  Ｐａｎｅｌ）であり、これは別途のチップ又はフィルムの形態ではなく、ゲートラインを駆動する駆動部を基板１００の反対側の非アクティブ領域に内蔵しているものである。すなわち、ゲートパッド部は、複数の薄膜トランジスタと複数の配線が重畳することによって形成され、アクティブ領域ＡＡに形成される薄膜トランジスタＴＦＴの形成時に一緒にパターニングされることによって形成され得る。すなわち、ゲートパッド部は、薄膜トランジスタＴＦＴの形成と同時に、薄膜トランジスタＴＦＴに含まれる金属層と同一のゲート金属層１１３、データ金属層１３３及び半導体層１２２を含む同様の薄膜トランジスタをそれぞれのゲートラインの周縁部と連結することによって構成されるものである。
【００８５】
一方、第１ダムパターン２２０は、下側にオーバーコート層１４１と同一層のダミーオーバーコート層１４２をさらに備えることができる。これは、第２ダムパターン１６２と高さを同一に合わせるためのものであり、第２ダムパターン１６２がアクティブ領域ＡＡから伸びるオーバーコート層１４１上に形成されるためである。これにより、シールパターン３００が拡散するとき、低いダムパターンを越えることを防止できる。
【００８６】
そして、第１ダムパターン２２０は、オーバーコート層１４１から離隔し、有機材料のみからなっている。このため、第１ダムパターン２２０に一部の水分が透湿しても、アクティブ領域ＡＡに一体に形成されたオーバーコート層１４１には伝達されない。
【００８７】
そして、第３ダムパターン２１０ａ及び第４パターン２１０ｂは、封止基板２００上にアクティブ領域に対応してブラックマトリックス層（図示せず）とカラーフィルター層２３０を形成するときに一緒に形成され得る。場合によっては、隣接したサブピクセルＳｕｂ−Ｐに備えられた有機発光ダイオードの有機発光層１７１が、互いに異なる色を発光する他の色相の発光層が適用されれば、封止基板２００はブラックマトリックス層が省略された状態で備え得る。カラーフィルター層が封止基板２００に備えられた場合は、各サブピクセルＳｕｂ−Ｐの有機発光層１７１は、同一に白色を発光する発光層であってもよい。サブピクセルＳｕｂ−Ｐは、基板１００上に、少なくとも一つの薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うオーバーコート層１４１と、オーバーコート層１４１上に薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に連結されるように形成され、第１電極１５１、有機発光層１７１及び第２電極１８１が積層されてなる有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【００８８】
一方、断面上で、基板１００の最上面及び封止基板２００の最上面間のシールパターン３００内の領域には、フィル材２５０が備えられる。これにより、基板１００と封止基板２００間の間隔を維持することができる。フィル材２５０は、合着後の充填過程でシールパターン３００と接することがある。しかし、互いに材料が相違し、シールパターン３００の仮硬化又は硬化後に、フィル材２５０がシールパターン３００に隣り合うように充填されるため、互いに干渉は発生しない。
【００８９】
上述した本発明の有機発光表示装置は、ダムパターン幅の制御のためにシールパターン物質３０００を塗布する封止基板２００内に凹部２００ａを形成して、過剰のシールパターン物質３０００を収容することができる空間を備えることを特徴とする。
【００９０】
特に、凹部２００ａは、シールパターン物質３０００を塗布する始点と終点間の領域だけでなく、ディスペンシング過程の停滞によって塗布量の不良が発生する地点にも適用することができる。このため、封止基板２００の全領域に塗布されたシールパターン物質３０００の幅を容易に制御できる。
【００９１】
特に、段々と外側領域を減らす近年の趨勢に応じて、領域別に凹部の形態を異にすることで、封止基板２００の適用時に実質的に基板１００と封止基板２００の間に残存するシールパターン３００の幅を全体的に減らすことができるので、狭額縁化を容易に具現化できる。
【００９２】
一方、以上で説明した本発明は、上述した実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多くの置換、変形及び変更が可能であることが本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者には明らかであろう。
【符号の説明】
【００９３】
１００    基板
１１１    ソースリンク配線
１１２    ゲート電極
１１３    ゲート金属層
１２１    バッファー層
１２２    半導体層
１３１    ゲート絶縁膜
１３２    エッチストッパー
１３３    データ金属層
１３５    パッド電極
１３８    層間絶縁膜
１４１    オーバーコート層
１５１    第１電極
１５２    短絡バー配線
１５３    パッド保護電極
１６１    バンク
１６２    第２ダムパターン
１６３    バンク層
１７１    有機発光層
１８１    第２電極
１９１    保護膜
２００    封止基板
２００ａ    凹部
３００ａ    充填シールパターン
２１０ａ    第３ダムパターン
２１０ｂ    第４ダムパターン
２２０    第１ダムパターン
２５０    フィル材
３００    シールパターン
Ｄ１    第１ダム
Ｄ２    第２ダム
Ｄ    ダム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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