(57)【要約】【課題】結晶中の結晶欠陥や結晶歪を精度高く検出することが可能な結晶解析装置を提供する。【解決手段】実施形態の結晶解析装置は、結晶領域を含む試料の、結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像を記憶可能とする第１の記憶部と、結晶格子像からモアレ像を生成する第１の画像処理部と、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第２の記憶部と、少なくとも一方の対応関係を参照して結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶領域を含む試料の、前記結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像を記憶可能とする第１の記憶部と、
前記結晶格子像からモアレ像を生成する第１の画像処理部と、
モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第２の記憶部と、
前記少なくとも一方の対応関係を参照して前記結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、
を備える結晶解析装置。
【請求項２】
前記解析部で得られた解析結果を記憶可能とする第３の記憶部を、更に備える請求項１記載の結晶解析装置。
【請求項３】
前記解析部が結晶欠陥の密度を計算する請求項１又は請求項２記載の結晶解析装置。
【請求項４】
前記第２の記憶部がモアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を更に記憶し、前記解析部が前記モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して結晶欠陥の種類を識別する請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の結晶解析装置。
【請求項５】
前記解析部が結晶歪の歪量を計算する請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の結晶解析装置。
【請求項６】
前記解析部で得られた解析結果を表示する表示部を更に備える請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の結晶解析装置。
【請求項７】
前記解析部で得られた解析結果と前記第１の画像を合成した第２の画像を生成する第２の画像処理部を、更に備える請求項１ないし請求項６いずれか一項の結晶解析装置。
【請求項８】
結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方に基づく判定基準を記憶可能とする第４の記憶部と、
前記解析部で得られた解析結果及び前記判定基準を基に、前記試料の良否判定を行う判定部を更に備える請求項１ないし請求項７いずれか一項記載の結晶解析装置。
【請求項９】
前記試料は半導体デバイスである請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の結晶解析装置。
【請求項１０】
前記結晶領域は、窒化物半導体、炭化珪素、又は、シリコンである請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の結晶解析装置。
【請求項１１】
結晶領域を含む試料の、前記結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像の前記結晶格子像からモアレ像を生成し、
モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を参照して前記結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する結晶解析方法。
【請求項１２】
前記結晶領域の中の結晶欠陥の密度を計算する請求項１１記載の結晶解析方法。
【請求項１３】
モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して結晶欠陥の種類を識別する請求項１１又は請求項１２記載の結晶解析方法。
【請求項１４】
前記結晶領域の中の結晶歪の歪量を計算する請求項１１ないし請求項１３いずれか一項記載の結晶解析方法。
【請求項１５】
表示部に前記結晶格子像から生成されたモアレ像の解析結果を表示する請求項１１ないし請求項１３いずれか一項記載の結晶解析方法。
【請求項１６】
検出された前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方の位置と前記第１の画像を合成し第２の画像を生成する請求項１１ないし請求項１５いずれか一項の結晶解析方法。
【請求項１７】
結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方に基づく判定基準を基に、前記試料の良否判定を行う請求項１１ないし請求項１６いずれか一項記載の結晶解析方法。
【請求項１８】
前記試料は半導体デバイスである請求項１１ないし請求項１７いずれか一項記載の結晶解析方法。
【請求項１９】
前記結晶格子像と、前記結晶格子像の格子の周期と同一の周期を有する模様とを重ねあわせることにより前記結晶格子像からモアレ像を生成する請求項１１ないし請求項１８いずれか一項記載の結晶解析方法。
【請求項２０】
あらかじめ得られている結晶欠陥又は結晶歪に対応するモアレ縞のパターンと、前記結晶格子像から生成されたモアレ像のモアレ縞のパターンの類似性を判定し解析を行う請求項１１ないし請求項１９いずれか一項記載の結晶解析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、結晶解析装置及び結晶解析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの結晶中の結晶欠陥や結晶歪は、半導体デバイスの特性を劣化させる要因となる。したがって、半導体デバイスの製造途中或いは製造後に、結晶中の結晶欠陥や結晶歪を精度高く検出することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６１２０４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、結晶中の結晶欠陥や結晶歪を精度高く検出することが可能な結晶解析装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様の結晶解析装置は、結晶領域を含む試料の、前記結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像を記憶可能とする第１の記憶部と、前記結晶格子像からモアレ像を生成する第１の画像処理部と、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第２の記憶部と、前記少なくとも一方の対応関係を参照して前記結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態の結晶解析装置のブロック図。
【図２】第１の実施形態の結晶解析方法のフローを示す図。
【図３】半導体デバイスの断面ＴＥＭ画像の一例を示す図。
【図４】半導体デバイスのモアレ像の一例を示す図。
【図５】第２の実施形態の結晶解析方法のフローを示す図。
【図６】第３の実施形態の結晶解析装置のブロック図。
【図７】第３の実施形態の結晶解析方法のフローを示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
【０００８】
（第１の実施形態）
本実施形態の結晶解析装置は、結晶領域を含む試料の、結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像を記憶可能とする第１の記憶部と、結晶格子像からモアレ像を生成する第１の画像処理部と、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第２の記憶部と、少なくとも一方の対応関係を参照してモアレ像を解析し、結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、を備える。
【０００９】
図１は、本実施形態の結晶解析装置のブロック図である。
【００１０】
本実施形態の結晶解析装置１００は、コンピュータ１０１とディスプレイ１０２（表示部）を備える。コンピュータ１０１は入力インターフェース１２、出力インターフェース１４、試料画像記憶部１６（第１の記憶部）、対応関係記憶部１８（第２の記憶部）、解析結果記憶部２０（第３の記憶部）、モアレ像生成部２２（第１の画像処理部）、解析部２４、画像合成部２６（第２の画像処理部）を備える。
【００１１】
本実施形態の結晶解析装置１００は、半導体デバイスの半導体結晶領域に存在する結晶欠陥を解析する。半導体デバイスが解析用の試料である。半導体デバイスは、例えば、製造途中のデバイス、製造直後のデバイス、又は、製品テスト後に不良であることが判明したデバイスである。解析用の試料は、半導体デバイス製造用の結晶基板であっても構わない。
【００１２】
結晶解析装置１００は、例えば、半導体デバイスの断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）画像を用いて、結晶欠陥を解析する。
【００１３】
入力インターフェース１２は、外部からコンピュータ１０１に情報を入力するためのインターフェースである。入力インターフェース１２は、例えば、記憶媒体が接続可能な端子であっても、情報伝達用のケーブルが接続可能な端子であっても、無線ＬＡＮの受信部であっても構わない。入力インターフェース１２から、例えば、半導体結晶領域を含む半導体デバイスの、半導体結晶領域の結晶格子像を含む断面ＴＥＭ画像（第１の画像）が入力される。
【００１４】
試料画像記憶部１６は、半導体結晶領域を含む半導体デバイスの断面ＴＥＭ画像を記憶する機能を有する。試料画像記憶部１６は、記憶装置として、例えば、半導体メモリ、又は、ハードディスクを有する。
【００１５】
モアレ像生成部２２は、断面ＴＥＭ画像の結晶格子像からモアレ像を生成する機能を有するモアレ像生成部２２は、試料画像記憶部１６に記憶された断面ＴＥＭ画像の結晶格子像をモアレ像に変換する。
【００１６】
モアレ像生成部２２は、例えば、ハードウェア、ソフトウェハ、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせで構成される。モアレ像生成部２２は、例えば、電子回路である。
【００１７】
対応関係記憶部１８は、モアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係を記憶する機能を有する。モアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係は、結晶欠陥が生じた場合に発生するモアレ縞の特定のパターンを、あらかじめ取得しデータベース化しておく。結晶欠陥が生じた場合に発生するモアレ縞の特定のパターンとは、例えば、モアレ縞の不連続箇所である。モアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係は、例えば、入力インターフェース１２から、対応関係記憶部１８に入力される。
【００１８】
対応関係記憶部１８は、モアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を、更に記憶していても構わない。結晶欠陥の種類とは、例えば、転位等の線欠陥、積層欠陥等の面欠陥である。対応関係記憶部１８は、記憶装置として、例えば、半導体メモリ、又は、ハードディスクを有する。
【００１９】
解析部２４は、対応関係記憶部１８に記憶されたモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係を参照してモアレ像を解析し、半導体結晶領域の中の結晶欠陥を検出する機能を有する。また、解析部２４は、例えば、結晶欠陥の密度を計算する機能を有する。また、解析部２４は、例えば、対応関係記憶部１８に記憶されたモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して、結晶欠陥の種類を識別する機能を有する。
【００２０】
解析部２４は、例えば、ハードウェア、ソフトウェハ、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせで構成される。解析部２４は、例えば、電子回路である。
【００２１】
画像合成部２６は、解析部２４で得られた解析結果と断面ＴＥＭ画像を合成した合成画像（第２の画像）を生成する機能を有する。画像合成部２６は、例えば、断面ＴＥＭ画像に解析部２４で検出された結晶欠陥の座標を重ねあわせる。
【００２２】
画像合成部２６は、例えば、ハードウェア、ソフトウェハ、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせで構成される。画像合成部２６は、例えば、電子回路である。
【００２３】
解析結果記憶部２０は、解析部２４で得られた解析結果を記憶する機能を有する。解析結果記憶部２０は、例えば、画像合成部２６で得られた合成画像を記憶する。解析結果記憶部２０は、記憶装置として、例えば、半導体メモリ、又は、ハードディスクを有する。なお、上記の各記憶部１６、１８、２０はそれぞれ別個に設けられたものでもよいし、これらのいずれか２つ以上、或いは全てが一つの記憶部として構成されていてもよい。
【００２４】
出力インターフェース１４は、コンピュータ１０１から外部に情報を出力するためのインターフェースである。出力インターフェース１４は、例えば、記憶媒体が接続可能な端子であっても、情報伝達用のケーブルが接続可能な端子であっても、無線ＬＡＮの送信部であっても構わない。
【００２５】
出力インターフェース１４から、例えば、解析結果記憶部２０に記憶された半導体デバイスの半導体結晶領域の解析結果が出力される。出力インターフェース１４と入力インターフェース１２が共通化されていても構わない。
【００２６】
ディスプレイ１０２は、出力インターフェース１４から出力された解析結果を表示する。ディスプレイ１０２は、例えば、解析結果記憶部２０に記憶された画像データを表示する、或いは、半導体結晶領域の結晶欠陥の分布を表示する。ディスプレイ１０２は、例えば、画像合成部２６で得られた合成画像を直接表示することが可能である。
【００２７】
次に、本実施形態の結晶解析方法について説明する。本実施形態の結晶解析方法は、結晶解析装置１００を用いて行われる。
【００２８】
本実施形態の結晶解析方法は、半導体結晶領域を含む試料の、半導体結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像の結晶格子像からモアレ像を生成し、モアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係を参照してモアレ像を解析し、半導体結晶領域の中の結晶欠陥を検出する。
【００２９】
図２は、本実施形態の結晶解析方法のフローを示す図である。
【００３０】
最初に、半導体結晶領域を含む解析用の試料を準備する（Ｓ１０１）。解析用の試料は、例えば、半導体デバイスの一部であり、ここでは解析対象となる２種の半導体結晶領域を含む薄膜積層体の試料である。
【００３１】
次に、半導体結晶領域の結晶格子像を含むＴＥＭ画像を取得する（Ｓ１０２）。例えば、半導体デバイスの断面ＴＥＭ画像をＴＥＭで撮像する。
【００３２】
次に、半導体結晶領域の結晶格子像からモアレ像を生成する（Ｓ１０３）。モアレ像の生成は、モアレ像生成部２２で行う。例えば、結晶格子像と、結晶格子像の格子の周期と同一の周期を有する模様とをデジタル的に重ねあわせることにより結晶格子像からモアレ像を生成する。
【００３３】
次に、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係を参照してモアレ像を解析し、半導体結晶領域の中の結晶欠陥を検出する（Ｓ１０４）。モアレ像の解析は、解析部２４で行われる。
【００３４】
すなわち、断面ＴＥＭ画像から得られたモアレ像から、結晶欠陥に対応するモアレ縞の特定のパターンを抽出し結晶欠陥を検出する。結晶欠陥に対応するモアレ縞の特定のパターンは、対応関係記憶部１８に記憶されている。結晶欠陥の検出は、例えば、パターンマッチングにより行う。例えば、あらかじめ対応関係記憶部１８に記憶されている結晶欠陥に対応するモアレ縞のパターンと、試料のモアレ縞のパターンを照合し、類似性を判定し、類似性が高い場合に結晶欠陥と判定する。
【００３５】
さらにここで、検出された結晶欠陥の座標位置も特定する。
【００３６】
次に、検出された結晶欠陥の欠陥密度を計算する（Ｓ１０５）。結晶欠陥の欠陥密度の計算は、解析部２４で行われる。欠陥密度の計算は、例えば、モアレ像の所望の領域に限定して実施することも可能である。
【００３７】
次に、モアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して結晶欠陥の種類を識別する（Ｓ１０６）。結晶欠陥の種類の識別は、解析部２４で行われる。検出された結晶欠陥に対応するモアレ縞のパターンと、あらかじめ対応関係記憶部１８に記憶されているモアレ縞のパターンを比較し、検出された結晶欠陥の種類を識別する。
【００３８】
次に、検出された結晶欠陥の座標位置と断面ＴＥＭ画像を合成して合成画像を生成する（Ｓ１０７）。合成画像は、画像合成部２６で生成される。合成画像には、結晶欠陥の座標に加えて、結晶欠陥の種類を表示することも可能である。
【００３９】
次に、ディスプレイ１０２にモアレ像の解析結果を表示する（Ｓ１０８）。ディスプレイ１０２には、例えば、画像合成部２６で生成された合成画像が表示される。合成画像には、半導体デバイスの構造と結晶欠陥の分布が示される。また、ディスプレイ１０２には、例えば、結晶欠陥の種類ごとの数や密度が表として表示されても構わない。
【００４０】
以下、本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法の作用及び効果について説明する。
【００４１】
半導体デバイスの半導体結晶中の結晶欠陥は、半導体デバイスの特性を劣化させる要因となる。このため、半導体デバイスの製造途中或いは製造後に、半導体結晶中の結晶欠陥を精度高く検出することが望まれる。また、半導体デバイス製造前の半導体基板中の結晶欠陥を精度高く検出することが望まれる。
【００４２】
図３は、半導体デバイスの断面ＴＥＭ画像の一例を示す図である。半導体デバイスは、窒化物半導体の結晶領域を含む窒化物半導体デバイスである。図３の右図は、左図の一部の拡大図である。図３の右図は、左図の白枠で囲まれた領域の拡大図である。
【００４３】
図３の半導体デバイスは、左図に示すように図示しない基板上にバッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ）を介して設けられた窒化アルミニウムガリウム層（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウム層（ＧａＮ）、及び、絶縁層から成る積層構造を備える。窒化アルミニウムガリウム層、及び、窒化ガリウム層はそれぞれが単結晶の半導体結晶領域である。
【００４４】
図３の右図に示すように断面ＴＥＭ画像には、窒化アルミニウムガリウム層（ＡｌＧａＮ）と窒化ガリウム層（ＧａＮ）の境界領域付近の半導体結晶領域の結晶格子像が表れている。半導体結晶領域の結晶格子像から目視で結晶欠陥を検出することが可能である。例えば、結晶格子の異常箇所を目視で探し、結晶欠陥と同定する。結晶格子の異常箇所とは、例えば、結晶格子が不連続になる箇所である。例えば、右図に枠で囲まれた部分が結晶欠陥である。
【００４５】
しかし、結晶格子像では原子の輪郭が不明確であったり、結晶格子自体が見えづらい箇所があったりする。このため、高い精度で結晶欠陥を検出することが困難である。また、目視による結晶欠陥の検出には時間がかかる。
【００４６】
本実施形態では、半導体結晶領域の結晶格子像からモアレ像を生成する。そして、モアレ像のモアレ縞のパターンから結晶欠陥を検出する。結晶格子の異常個所は、モアレ像にすることで強調される。したがって、結晶欠陥を高い精度で検出することが容易となる。
【００４７】
図４は、半導体デバイスのモアレ像の一例を示す図である。図４は、図３の断面ＴＥＭ画像の半導体結晶領域の結晶格子像から生成されたモアレ像である。
【００４８】
図４中、枠で囲まれた部分が結晶欠陥である。図４から明らかように、モアレ像では結晶格子の異常箇所が、モアレ縞のパターンの異常個所として強調されるため、結晶欠陥の存在が明瞭に現れている。
【００４９】
また、本実施形態では、結晶欠陥が生じた場合に発生するモアレ縞の特定のパターンを、あらかじめ取得し、データベースを作成しておく。そして、このデータベースを参照して、モアレ縞のパターンから結晶欠陥を自動的に識別する。したがって、結晶欠陥の検出を短時間で行うことが可能である。
【００５０】
また、結晶欠陥の種類毎のモアレ縞の特定のパターンを、あらかじめ取得しデータベースを作成しておけば、結晶欠陥の種類の識別を自動的に行うことが可能となる。
【００５１】
また、本実施形態では、結晶欠陥の密度を計算することも可能である。したがって、半導体デバイスの半導体領域の品質を識別することが容易である。結晶欠陥の密度の計算は、モアレ像の所望の領域に限定して実施することが可能である。例えば、結晶領域の界面とバルクとを分離して結晶欠陥密度の計算を行うことが可能である。この手法は、結晶欠陥のモード分類や原因追究に有用である。
【００５２】
また、例えば、半導体デバイスに形成される構造やその構造を形成するプロセスにより、結晶欠陥が誘発される場合がある。結晶欠陥を誘発する構造とは、例えば、半導体結晶領域に形成されるトレンチ、半導体結晶領域に形成される不純物領域、ゲート電極、コンタクトホール等である。
【００５３】
本実施形態では、結晶欠陥の座標と断面ＴＥＭ画像を合成して合成画像を生成する。したがって、半導体デバイスに形成される構造と結晶欠陥との関係を容易に把握することが可能である。
【００５４】
また、本実施形態では、モアレ像の解析結果をディスプレイ１０２に表示する。解析結果をディスプレイ１０２に表示することで、解析結果の把握が容易となる。
【００５５】
以上、本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法によれば、半導体結晶中の結晶欠陥を精度高く検出することが可能となる。また、半導体結晶中の結晶欠陥を短時間で検出することが可能となる。また、半導体領域の品質を識別することが容易となる。また、半導体デバイスに形成される構造と結晶欠陥との関係を容易に把握することが可能である。また、解析結果の把握が容易となる。
【００５６】
（第２の実施形態）
本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法は、結晶欠陥に代えて、結晶歪を検出する点で、第１の実施形態と異なる。以下、第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。本実施形態の結晶解析装置の装置構成は、一部の機能が異なる以外は、第１の実施形態と同様の構成である。
【００５７】
図１に示す結晶解析装置の対応関係記憶部１８は、モアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係を記憶する機能を有する。モアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係は、結晶歪が生じた場合に発生するモアレ縞の特定のパターンを、あらかじめ取得しデータベース化しておく。
【００５８】
半導体結晶領域に結晶歪が無い場合、結晶格子像の結晶格子は平行に配列する。一方、半導体結晶領域に結晶歪がある場合、結晶格子は傾斜を持って配列することになる。したがって、結晶歪がある場合、モアレ像においてもモアレ縞が傾斜を有することになる。
【００５９】
結晶歪が生じた場合に発生するモアレ縞の特定のパターンとは、例えば、所定の大きさ以上に傾斜したモアレ縞である。
【００６０】
対応関係記憶部１８は、モアレ縞のパターンと結晶歪の歪量との対応関係を、更に記憶していても構わない。結晶歪の歪量は、例えば、モアレ縞の傾斜の大きさ、傾斜の変化量と相関がある。
【００６１】
解析部２４は、対応関係記憶部１８に記憶されたモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係を参照してモアレ像を解析し、半導体結晶領域の中の結晶歪を検出する機能を有する。また、解析部２４は、例えば、結晶歪の密度を計算する機能を有する。また、解析部２４は、例えば、対応関係記憶部１８に記憶されたモアレ縞のパターンと結晶歪の歪量との対応関係を参照して、結晶歪の歪量を計算する機能を有する。
【００６２】
画像合成部２６は、解析部２４で得られた解析結果と断面ＴＥＭ画像を合成した合成画像（第２の画像）を生成する機能を有する。画像合成部２６は、例えば、断面ＴＥＭ画像に解析部２４で検出された結晶歪の座標位置を重ねあわせる。
【００６３】
ディスプレイ１０２は、出力インターフェース１４から出力された解析結果を表示する。ディスプレイ１０２は、例えば、半導体結晶領域の結晶歪の分布を表示する。ディスプレイ１０２は、例えば、画像合成部２６で得られた合成画像を表示する。
【００６４】
本実施形態の結晶解析方法は、結晶領域を含む試料の、結晶領域の結晶格子像を含む第１の画像の結晶格子像からモアレ像を生成し、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を参照して結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する。本実施形態の結晶解析方法は、結晶解析装置１００を用いて行われる。
【００６５】
図５は、本第２の実施形態の結晶解析方法のフローを示す図である。
【００６６】
最初に、半導体結晶領域を含む解析用の試料を準備する（Ｓ２０１）。解析用の試料は、例えば、半導体デバイスである。
【００６７】
次に、半導体結晶領域の結晶格子像を含むＴＥＭ画像を取得する（Ｓ２０２）。例えば、半導体デバイスの断面ＴＥＭ画像をＴＥＭで撮像する。
【００６８】
次に、半導体結晶領域の結晶格子像からモアレ像を生成する（Ｓ２０３）。モアレ像の生成は、モアレ像生成部２２で行う。
【００６９】
次に、モアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係を参照してモアレ像を解析し、半導体結晶領域の中の結晶歪を検出する（Ｓ２０４）。モアレ像の解析は、解析部２４で行われる。断面ＴＥＭ画像から得られたモアレ像から、結晶歪に対応するモアレ縞の特定のパターンを抽出し結晶歪を検出する。結晶歪に対応するモアレ縞の特定のパターンは、対応関係記憶部１８に記憶されている。さらにここで、検出された結晶歪の座標位置も特定する。
【００７０】
次に、検出された結晶歪の歪量を計算する（Ｓ２０５）。結晶歪の歪量の計算は、解析部２４で行われる。
【００７１】
次に、結晶歪の座標と断面ＴＥＭ画像を合成して合成画像を生成する（Ｓ２０６）。合成画像は、画像合成部２６で生成される。合成画像には、結晶歪の座標に加えて、結晶歪の歪量を表示することも可能である。
【００７２】
次に、ディスプレイ１０２にモアレ像の解析結果を表示する（Ｓ２０７）。ディスプレイ１０２には、例えば、画像合成部２６で生成された合成画像が生成される。合成画像には、半導体デバイスの構造と結晶歪の分布が示される。また、ディスプレイ１０２には、例えば、結晶歪が生じた箇所の数や結晶歪の歪量が表として表示されても構わない。
【００７３】
以下、本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法の作用及び効果について説明する。
【００７４】
半導体デバイスの半導体結晶中の結晶歪は、半導体デバイスの特性を劣化させる要因となる。また、キャリアの移動度向上のために、半導体結晶中に結晶歪を積極的に導入する場合もある。このため、半導体デバイスの製造途中或いは製造後に、半導体結晶中の結晶歪を精度高く検出することが望まれる。
【００７５】
半導体結晶領域の結晶格子像から目視で結晶歪を検出することも可能である。例えば、結晶格子の配列の中に存在する結晶格子の傾斜箇所を目視で探し、結晶歪と同定する。しかし、結晶格子像では原子の輪郭が不明確であったり、結晶格子自体が見えづらい箇所があったりする。このため、高い精度で結晶歪みを検出することが困難である。また、目視による結晶歪の検出には時間がかかる。
【００７６】
本実施形態では、半導体結晶領域の結晶格子像からモアレ像を生成する。そして、モアレ像のモアレ縞のパターンから結晶歪を検出する。結晶格子の傾斜個所は、モアレ像にすることで強調される。したがって、結晶歪を高い精度で検出することが容易となる。
【００７７】
また、本実施形態では、結晶歪が生じた場合に発生するモアレ縞の特定のパターンを、あらかじめ取得しデータベースを作成しておく。そして、このデータベースを参照して、モアレ縞のパターンから結晶歪を自動的に識別する。したがって、結晶歪の検出を短時間で行うことが可能である。
【００７８】
また、本実施形態では、結晶歪の歪量を計算することも可能である。したがって、半導体デバイスの半導体領域の品質を識別することが容易である。
【００７９】
例えば、半導体デバイスに形成される構造やその構造を形成するプロセスにより、結晶歪が誘発される場合がある。また、結晶歪を生じさせる構造を積極的に形成する場合がある。
【００８０】
結晶歪を誘発する構造、結晶歪を生じさせる構造とは、例えば、半導体結晶領域に形成されるトレンチ、半導体結晶領域に形成される不純物領域、ゲート電極、コンタクトホール、ストレスライナー膜等である。
【００８１】
本実施形態では、結晶歪の座標位置と断面ＴＥＭ画像を合成して合成画像を生成する。したがって、半導体デバイスに形成される構造と結晶歪との関係を容易に把握することが可能である。
【００８２】
例えば、キャリアの移動度向上のために、半導体結晶中に結晶歪を積極的に導入する場合に、所望の場所に、所望の大きさの結晶歪が生じているか否かを容易に把握することが可能となる。
【００８３】
また、本実施形態では、モアレ像の解析結果をディスプレイ１０２に表示する。解析結果をディスプレイ１０２に表示することで、解析結果の把握が容易となる。
【００８４】
以上、本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法によれば、半導体結晶中の結晶歪を精度高く検出することが可能となる。また、半導体結晶中の結晶歪を短時間で検出することが可能となる。また、半導体デバイスに形成される構造と結晶歪との関係を容易に把握することが可能である。また、半導体領域の品質を識別することが容易となる。また、解析結果の把握が容易となる。
【００８５】
（第３の実施形態）
本実施形態の結晶解析装置は、結晶欠陥の少なくともいずれか一方に基づく判定基準を記憶する第４の記憶部と、解析結果及び判定基準を基に、試料の良否判定を行う判定部を更に備える点で、第１の実施形態と異なっている。また、本実施形態の結晶解析方法は、結晶欠陥に基づく判定基準を基に、試料の良否判定を行う点で第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【００８６】
図６は、本実施形態の結晶解析装置のブロック図である。
【００８７】
本実施形態の結晶解析装置２００は、コンピュータ１０１とディスプレイ１０２（表示部）を備える。コンピュータ１０１は入力インターフェース１２、出力インターフェース１４、試料画像記憶部１６（第１の記憶部）、対応関係記憶部１８（第２の記憶部）、解析結果記憶部２０（第３の記憶部）、モアレ像生成部２２（第１の画像処理部）、解析部２４、画像合成部２６（第２の画像処理部）、判定基準記憶部２８（第４の記憶部）、判定部３０を備える。
【００８８】
判定基準記憶部２８は、結晶欠陥に基づく判定基準を記憶する機能を有する。判定基準は、例えば、欠陥密度の閾値である。判定基準記憶部２８は、記憶装置として、例えば、半導体メモリ、又は、ハードディスクを有している。判定基準は、例えば、入力インターフェース１２から、対応関係記憶部１８に入力される。
【００８９】
判定部３０は、解析結果及び判定基準記憶部２８に記憶された判定基準を基に、半導体デバイスの良否判定を行う機能を有する。例えば、解析結果の欠陥密度が、欠陥密度の閾値を超えた場合、半導体デバイスが不良品であると判断する。
【００９０】
判定部３０は、例えば、ハードウェア、ソフトウェハ、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせで構成される。判定部３０は、例えば、電子回路である。
【００９１】
図７は、本実施形態の結晶解析方法のフローを示す図である。
【００９２】
最初に、半導体結晶領域を含む解析用の試料を準備する（Ｓ３０１）。解析用の試料は、例えば、半導体デバイスの一部であり、ここでは解析対象となる２種の半導体結晶領域を含む薄膜積層体の試料である。
【００９３】
次に、半導体結晶領域の結晶格子像を含むＴＥＭ画像を取得する（Ｓ３０２）。例えば、半導体デバイスの断面ＴＥＭ画像をＴＥＭで撮像する。
【００９４】
次に、半導体結晶領域の結晶格子像からモアレ像を生成する（Ｓ３０３）。モアレ像の生成は、モアレ像生成部２２で行う。例えば、結晶格子像と、結晶格子像の格子の周期と同一の周期を有する模様とをデジタル的に重ねあわせることにより結晶格子像からモアレ像を生成する。
【００９５】
次に、モアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係を参照してモアレ像を解析し、半導体結晶領域の中の結晶欠陥を検出する（Ｓ３０４）。さらにここで、検出された結晶欠陥の座標位置も特定する。
【００９６】
次に、検出された結晶欠陥の欠陥密度を計算する（Ｓ３０５）。
【００９７】
次に、モアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して結晶欠陥の種類を識別する（Ｓ３０６）。
【００９８】
次に、結晶欠陥に基づく判定基準を基に、半導体デバイスの良否判定を行う（Ｓ３０７）。例えば、解析結果の欠陥密度が、欠陥密度の閾値を超えた場合、半導体デバイスが不良品であると判断する。
【００９９】
次に、ディスプレイ１０２に判定結果を表示する（Ｓ３０８）。ディスプレイ１０２には、例えば、半導体デバイスが良品であるか不良品であるかが表示される。
【０１００】
なお、結晶欠陥に代えて、結晶歪を検出し、半導体デバイスの良否判定を、結晶歪に基づく判定基準を基に行うことも可能である。
【０１０１】
本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法によれば、半導体デバイスの結晶欠陥又は結晶歪に基づく良否判定を、高い精度で迅速に行うことが可能である。本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法を、例えば、半導体デバイスの生産管理に用いることで、高い歩留りの半導体デバイスの製造が可能となる。また、本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法を、例えば、半導体デバイスのプロセス開発に用いることで、半導体デバイスの最適な製造プロセスの開発が容易となる。
【０１０２】
（第４の実施形態）
本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法は、半導体デバイスの半導体結晶領域に代えて、半導体デバイスの金属配線の結晶領域の結晶欠陥又は結晶歪を解析する点で、第１又は第２の実施形態と異なっている。以下、第１又は第２の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【０１０３】
本実施形態の結晶解析装置は、半導体デバイスの金属配線の結晶領域に存在する結晶欠陥又は結晶歪みを解析する。金属配線は、例えば、アルミニウム配線、アルミニウム合金配線、銅配線である。金属配線は、例えば、多結晶である。本実施形態の結晶解析装置は、例えば、一つの結晶粒に絞って解析を行う。解析方法は、第１又は第２の実施形態と同様である。
【０１０４】
金属配線の信頼性不良の原因として、ＥＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）及びＳＭ（Ｓｔｒｅｓｓ  Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）が知られている。ＥＭ及びＳＭは、金属配線中の金属原子のズレにより生ずる。また、銅配線では、引張応力が配線の腐食を促進することが知られている。
【０１０５】
本実施形態によれば、金属配線の結晶欠陥や結晶歪を検出することにより、例えば、ＥＭやＳＭの不良解析、又は、不良メカニズムの解明が促進される。また、例えば、銅配線の腐食を予測し、金属配線の最適設計を行うことが可能となる。
【０１０６】
第１ないし第４の実施形態では、主に、試料が半導体デバイスの場合を例に説明したが、結晶領域を含む試料であれば、例えば、単結晶の半導体基板であっても構わない。
【０１０７】
第１ないし第３の実施形態では、半導体結晶領域が窒化物半導体である場合を例に説明したが、半導体結晶領域は窒化物半導体に限られるものではなく、例えば、シリコン、炭化珪素等、その他の半導体材料であっても構わない。
【０１０８】
第１ないし第３の実施形態では、結晶欠陥及び結晶歪のいずれか一方を検出する場合を例に説明したが、結晶欠陥及び結晶歪の両方を同時に検出する結晶解析装置及び結晶解析方法であっても構わない。
【０１０９】
例えば、第１又は第２の実施形態で得られた、結晶欠陥又は結晶歪の解析結果を、半導体製造装置のプロセス条件にフィードバックする半導体製造システムを構築することも可能である。例えば、半導体デバイスに形成されたトレンチの近傍に結晶欠陥が多発するという解析結果が得られたとする。この場合、解析結果をドライエッチング装置のレシピにフィードバックして、低ダメージのエッチング条件に変更して、その後の製品のトレンチを形成するというシステムを構築することができる。
【０１１０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１１】
１２      入力インターフェース
１４      出力インターフェース
１６      試料画像記憶部（第１の記憶部）
１８      対応関係記憶部（第２の記憶部）
２０      解析結果記憶部（第３の記憶部）
２２      モアレ像生成部（第１の画像処理部）
２４      解析部
２６      画像合成部（第２の画像処理部）
２８      判定基準記憶部（第４の記憶部）
３０      判定部
１００    結晶解析装置
１０１    コンピュータ
１０２    ディスプレイ
【図１】
2019007910.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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