(57)【要約】【課題】成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板において、防着板を交換する頻度を低減することができる防着板を提供する。【解決手段】防着板３０は、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板である。当該防着板３０は、銅を含有するアルミニウム合金よりなる基体３１と、基体３１の表面に形成され、且つ、２０００〜４０００μｍの平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に前記成膜材料が付着することを防止する防着板において、
銅を含有するアルミニウム合金よりなる基体と、
前記基体の表面に形成され、且つ、２０００〜４０００μｍの平均高さを有する複数の突出部と、
を有する、防着板。
【請求項２】
請求項１に記載の防着板において、
前記アルミニウム合金における銅の含有量は、５．０〜６．０重量％である、防着板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の防着板において、
前記突出部を覆い、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第１膜部と、
前記第１膜部の表面に形成された複数の第１凹部と、
を有する、防着板。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の防着板において、
前記突出部の表面に形成された複数の第２凹部と、
前記突出部の表面のうち隣り合う２つの前記第２凹部の間に位置する部分に形成され、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第２膜部と、
を有する、防着板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の防着板において、
前記突出部を覆う第３膜部を有し、
前記第３膜部は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する、防着板。
【請求項６】
請求項５に記載の防着板において、
前記第３膜部は、ダイヤモンドライクカーボン、又は、窒化炭素よりなる、防着板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の防着板を備えた成膜装置。
【請求項８】
成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に前記成膜材料が付着することを防止する防着板の製造方法において、
（ａ）銅を含有するアルミニウム合金よりなる基体を用意する工程、
（ｂ）前記基体の表面に、２０００〜４０００μｍの平均高さを有する複数の突出部を形成する工程、
を有する、防着板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の防着板の製造方法において、
前記アルミニウム合金における銅の含有量は、５．０〜６．０重量％である、防着板の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の防着板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記複数の突出部を、切削加工により形成する、防着板の製造方法。
【請求項１１】
請求項８又は９に記載の防着板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記複数の突出部を、エンボス加工により形成する、防着板の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の防着板の製造方法において、
（ｃ）前記（ａ）工程の後、前記基体の表面に、複数の第１凹部を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記基体の表面を陽極酸化処理することにより、前記基体の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第１膜部を形成するとともに、前記第１膜部の表面に複数の第２凹部を形成する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記（ｄ）工程の後、前記基体の表面に前記複数の突出部を形成し、
前記（ｂ）工程にて形成された前記突出部は、前記第１膜部により覆われている、防着板の製造方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の防着板の製造方法において、
（ｅ）前記（ａ）工程の後、前記基体の表面を陽極酸化処理することにより、前記基体の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第２膜部を形成する工程、
（ｆ）前記第２膜部をパターニングすることにより、前記第２膜部をそれぞれ貫通する複数の第１孔部を形成する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、パターニングされた前記第２膜部をエッチングマスクとして前記基体の表面をエッチングすることにより、前記基体の表面に複数の第３凹部を形成する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記（ｇ）工程の後、前記基体の表面に前記複数の突出部を形成し、
前記（ｂ）工程にて形成された前記突出部の表面には、複数の前記第３凹部が形成され、前記突出部の表面のうち隣り合う２つの前記第３凹部の間に位置する部分には、前記第２膜部が形成されている、防着板の製造方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の防着板の製造方法において、
（ｈ）前記基体の表面を覆う第３膜部を形成する工程、
を有し、
前記第３膜部は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する、膜構造体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の防着板の製造方法において、
前記第３膜部は、ダイヤモンドライクカーボン、又は、窒化炭素よりなる、防着板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、防着板、成膜装置及び防着板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリング装置等の成膜装置は、チャンバーの内壁又は各種構成部品への成膜材料の付着による汚染を防止するため、チャンバーの内壁面を覆う防着板を備えている。このような防着板の表面には、防着板に付着した成膜材料が剥離することを防止し、防着板の表面から剥離した成膜材料よりなるパーティクルの発生を抑制する観点から、凹凸が形成されている。
【０００３】
特開２０１４−１２２４１１号公報（特許文献１）には、真空成膜装置において、不要な位置への成膜材料の付着を防止するための真空成膜装置用防着板であって、アルミニウム製であり、平均開口径０．０１〜９μｍの凹部を含む凹凸構造の表面を有し、表面の算術平均粗さＲａが０．２０μｍ以上である技術が開示されている。
【０００４】
特開２０１４−１７３１０６号公報（特許文献２）には、真空成膜装置において、不要な位置への成膜材料の付着を防止するための真空成膜装置用防着板であって、アルミニウム製であり、平均開口径０．０１〜９μｍの凹部を含む凹凸構造が形成された表面を有し、表面に、平均高さ３０〜１０００μｍの複数の突出部が配列された技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１２２４１１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７３１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
防着板が、基体と、基体の表面に形成された複数の突出部と、よりなる凹凸構造を有する場合を考える。このような場合、成膜材料の温度の上昇及び下降が繰り返された場合でも、基体の表面に付着した成膜材料が基体の表面から剥離しにくくなるので、成膜装置のチャンバー内にパーティクルが発生しにくくなる。
【０００７】
しかし、突出部の平均高さの値によっては、一旦チャンバーを大気開放して防着板を交換した後、次にチャンバーを大気開放して防着板を交換するまでに、成膜装置を用いた成膜を繰り返して堆積することができる膜の厚さの合計厚さも薄くなり、チャンバーを大気開放して防着板を交換する頻度が増加する。特に、基板上に厚膜を形成する場合には、チャンバーを大気開放して防着板を交換する頻度が極めて増加するという問題がある。
【０００８】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板において、防着板を交換する頻度を低減することができる防着板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
本発明の一態様としての防着板は、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板である。当該防着板は、銅を含有するアルミニウム合金よりなる基体と、基体の表面に形成され、且つ、２０００〜４０００μｍの平均高さを有する複数の突出部と、を有する。
【００１１】
また、他の一態様として、アルミニウム合金における銅の含有量は、５．０〜６．０重量％であってもよい。
【００１２】
また、他の一態様として、当該防着板は、突出部を覆い、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第１膜部と、第１膜部の表面に形成された複数の第１凹部と、を有してもよい。
【００１３】
また、他の一態様として、当該防着板は、突出部の表面に形成された複数の第２凹部と、突出部の表面のうち隣り合う２つの第２凹部の間に位置する部分に形成され、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第２膜部と、を有してもよい。
【００１４】
また、他の一態様として、当該防着板は、突出部を覆う第３膜部を有し、第３膜部は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有してもよい。
【００１５】
また、他の一態様として、第３膜部は、ダイヤモンドライクカーボン、又は、窒化炭素よりなるものであってもよい。
【００１６】
本発明の一態様としての成膜装置は、当該防着板を備えた成膜装置であってもよい。
【００１７】
本発明の一態様としての防着板の製造方法は、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板の製造方法である。当該防着板の製造方法は、銅を含有するアルミニウム合金よりなる基体を用意する（ａ）工程と、基体の表面に、２０００〜４０００μｍの平均高さを有する複数の突出部を形成する（ｂ）工程と、を有する。
【００１８】
また、他の一態様として、アルミニウム合金における銅の含有量は、５．０〜６．０重量％であってもよい。
【００１９】
また、他の一態様として、（ｂ）工程では、複数の突出部を、切削加工により形成してもよい。
【００２０】
また、他の一態様として、（ｂ）工程では、複数の突出部を、エンボス加工により形成してもよい。
【００２１】
また、他の一態様として、当該防着板の製造方法は、（ａ）工程の後、基体の表面に、複数の第１凹部を形成する（ｃ）工程と、（ｃ）工程の後、基体の表面を陽極酸化処理することにより、基体の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第１膜部を形成するとともに、第１膜部の表面に複数の第２凹部を形成する（ｄ）工程と、を有してもよい。（ｂ）工程では、（ｄ）工程の後、基体の表面に複数の突出部を形成し、（ｂ）工程にて形成された突出部は、第１膜部により覆われていてもよい。
【００２２】
また、他の一態様として、当該防着板の製造方法は、（ａ）工程の後、基体の表面を陽極酸化処理することにより、基体の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる第２膜部を形成する（ｅ）工程と、第２膜部をパターニングすることにより、第２膜部をそれぞれ貫通する複数の第１孔部を形成する（ｆ）工程と、を有してもよい。また、当該防着板の製造方法は、（ｆ）工程の後、パターニングされた第２膜部をエッチングマスクとして基体の表面をエッチングすることにより、基体の表面に複数の第３凹部を形成する（ｇ）工程を有してもよい。（ｂ）工程では、（ｇ）工程の後、基体の表面に複数の突出部を形成し、（ｂ）工程にて形成された突出部の表面には、複数の第３凹部が形成され、突出部の表面のうち隣り合う２つの第３凹部の間に位置する部分には、第２膜部が形成されていてもよい。
【００２３】
また、他の一態様として、当該防着板の製造方法は、基体の表面を覆う第３膜部を形成する（ｈ）工程を有し、第３膜部は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有してもよい。
【００２４】
また、他の一態様として、第３膜部は、ダイヤモンドライクカーボン、又は、窒化炭素よりなるものであってもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様を適用することで、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板において、防着板を交換する頻度を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施の形態１の成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】実施の形態１の防着板の一例を示す斜視図である。
【図３】実施の形態１の防着板の一例を示す断面図である。
【図４】実施の形態１の防着板の一例を示す断面図である。
【図５】実施の形態１の防着板の製造工程中の断面図である。
【図６】実施の形態１の防着板の製造工程中の断面図である。
【図７】実施の形態１の防着板の製造工程中の断面図である。
【図８】実施の形態１の変形例の防着板を示す断面図である。
【図９】実施の形態２の防着板の一例を示す断面図である。
【図１０】実施の形態２の防着板の製造工程中の断面図である。
【図１１】実施の形態２の防着板の製造工程中の断面図である。
【図１２】実施の形態２の変形例の防着板を示す断面図である。
【図１３】実施の形態３の防着板の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２８】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００２９】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００３０】
更に、実施の形態で用いる図面においては、構造物を区別するために付したハッチング（網掛け）を図面に応じて省略する場合もある。
【００３１】
なお、以下の実施の形態においてＡ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００３２】
（実施の形態１）
以下、本発明の一実施形態である実施の形態１の成膜装置、防着板、及び、防着板の製造方法について説明する。本実施の形態１の防着板は、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板である。
【００３３】
＜成膜装置＞
初めに、本実施の形態１の成膜装置について説明する。図１は、実施の形態１の成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。
【００３４】
なお、図１に示す例では、成膜装置が、ターゲットをスパッタリングすることにより基板の表面に膜を成膜するスパッタリング装置である場合を例示して説明する。しかし、本実施の形態１の成膜装置は、ターゲットをスパッタリングすることにより基板の表面に膜を成膜するものには限定されない。即ち、本実施の形態１の成膜装置は、スパッタリング、真空蒸着若しくはイオンプレーティング、又は、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）等、各種のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）法による真空成膜、又は、各種のＣＶＤ法による真空成膜に適用することができる。
【００３５】
成膜装置１０は、チャンバー１１と、チャンバー１１内に設けられ、且つ、基板１２を保持する基板保持部１３と、を備えている。チャンバー１１、基板１２及び基板保持部１３は、接地されている。基板保持部１３は、基板１２を加熱するヒーター（図示は省略）を有することが好ましい。
【００３６】
成膜装置１０は、チャンバー１１内に設けられ、且つ、スパッタリングターゲットとしてのターゲット１４を保持するターゲット保持部１５を備えている。ターゲット保持部１５は、ターゲット保持部１５に保持されたターゲット１４が、基板保持部１３に保持された基板１２と対向するように、配置されている。ターゲット１４として、例えば比抵抗が１×１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁物を含むターゲットを用いることができる。
【００３７】
成膜装置１０は、出力供給機構１６を備えている。出力供給機構１６として、例えば高周波電源を用いることができる。出力供給機構１６は、整合器１７に電気的に接続されており、整合器１７は、ターゲット保持部１５に電気的に接続されている。なお、出力供給機構１６により高周波出力をターゲット保持部１５を介してターゲット１４に供給してもよく、出力供給機構１６により高周波出力をターゲット１４に直接供給してもよい。
【００３８】
成膜装置１０は、ＶＤＣ制御部１８を備えている。ＶＤＣ制御部１８は、出力供給機構１６により高周波出力を供給している際にターゲット１４に発生する直流成分である電圧ＶＤＣを−２００Ｖ以上−８０Ｖ以下に制御する。ＶＤＣ制御部１８は、ＶＤＣセンサを有し、出力供給機構１６に電気的に接続されている。
【００３９】
成膜装置１０は、チャンバー１１内に希ガスを導入する第１のガス導入源１９と、チャンバー１１内にＯ２ガスを導入する第２のガス導入源２０と、を備えている。また、成膜装置１０は、チャンバー１１内を真空排気する真空ポンプ等の真空排気機構２１を有する。好適には、第１のガス導入源１９によってチャンバー１１内に導入される希ガスは、アルゴン（Ａｒ）ガスである。
【００４０】
また、成膜装置１０は、成膜時における、第１のガス導入源１９により導入されるＡｒガスの流量と、第２のガス導入源２０により導入される酸素（Ｏ２）ガスの流量との比を制御する流量制御部（図示は省略）を備えていることが好ましい。また、成膜装置１０は、成膜時におけるチャンバー１１内の圧力を制御する圧力制御部を備えていることが好ましい。
【００４１】
成膜装置１０は、ターゲット１４に磁場を加える磁石２２と、この磁石２２を回転させる回転機構２３と、を備えている。
【００４２】
本実施の形態１の成膜装置１０は、チャンバー１１の内壁面を覆う防着板３０を備えている。図１に示す例では、防着板３０として、チャンバー１１の天板部１１ａの下面（天井面）を覆う防着板３０ａと、チャンバー１１の側板部１１ｂを覆う防着板３０ｂと、チャンバー１１の底板部１１ｃの上面（床面）を覆う防着板３０ｃと、が備えられている。前述したように、防着板３０は、成膜装置１０のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止するものである。従って、防着板３０は、チャンバー１１の内壁面のうち、例えば、基板１２を保持する基板保持部１３、及び、ターゲット１４を保持するターゲット保持部１５以外の部分の略全面を、覆っている。
【００４３】
防着板３０の配置は、特に限定されない。従って、例えば、防着板３０ｂのみが備えられていてもよく、或いは、防着板３０ｃのみが備えられていてもよい。しかし、成膜材料の付着及び堆積を、より好適に防止するためには、防着板３０のうち、少なくともターゲット１４を保持するターゲット保持部１５と対向配置された部分、即ち、防着板３０ｃが備えられていることが好ましく、チャンバー１１の内壁面を可能な限り覆うように、防着板３０が備えられていることが好ましい。また、必要に応じ、防着板３０として、基板１２を保持する基板保持部１３の裏面等、成膜装置１０のうち、チャンバー１１の内壁面以外の成膜材料が付着して堆積する可能性を有する部分を覆う防着板が備えられていてもよい。
【００４４】
防着板３０をチャンバー１１内で支持する支持構造又は支持方法としては、特に限定されない。防着板３０の支持構造又は支持方法として、成膜装置１０のチャンバー１１内で利用される各種の板状物又はシート状物を支持する支持構造又は支持方法を、用いることができる。
【００４５】
例えば、ポリイミド等よりなる十分な耐熱性を有する接着テープを用いることにより、チャンバー１１内に防着板３０を貼着して支持することができる。或いは、ビス等の取り付け部材を用いて、チャンバー１１内に防着板３０を取り付けて支持することができる。或いは、フック等の吊り下げ部材を用いることにより、チャンバー１１内に防着板３０を吊り下げて支持することができる。或いは、防着板３０が筒状形状を有する場合には、基板１２を保持する基板保持部１３を囲むようにチャンバー１１の底板部１１ｃに載置することにより、チャンバー１１内に防着板３０を取り付けて支持することができる。
【００４６】
＜防着板＞
次に、本実施の形態１の防着板について説明する。図２は、実施の形態１の防着板の一例を示す斜視図である。図３及び図４は、実施の形態１の防着板の一例を示す断面図である。なお、図４は、図３の断面図における基体３１の表面のうち二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ１又は領域ＲＧ２を拡大した断面図である。
【００４７】
図２及び図３に示すように、防着板３０は、基体３１と、複数の突出部３２と、を有する。基体３１は、銅を含有するアルミニウム合金よりなる。複数の突出部３２は、基体３１の表面に形成され、且つ、２０００〜４０００μｍの平均高さＡＨ１を有する。
【００４８】
防着板３０の基体３１の表面に突出部３２が形成されていない場合を考える。このような場合、成膜装置１０を用いた基板１２上への成膜を繰り返す際に、防着板３０の基体３１の表面にも成膜材料が付着する。また、この基体３１の表面に付着した成膜材料の熱膨張率と、基体３１の熱膨張率とは、互いに異なる。
【００４９】
そのため、成膜装置１０を用いた基板１２の表面での膜の堆積を繰り返す際に、基体３１、及び、基体３１の表面に付着した成膜材料の温度の上昇及び下降が繰り返されることにより、基体３１の表面に付着した成膜材料が、基体３１の表面から剥離し、剥離した成膜材料よりなるパーティクルが、成膜装置１０のチャンバー１１内に発生する。また、発生したパーティクルによりチャンバー１１内が汚染されることを防止するために、成膜装置１０を用いた基板１２上への成膜を繰り返す際に、繰り返して堆積された膜の厚さの合計厚さが一定の値に到達したときに、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する必要がある。
【００５０】
従って、一旦チャンバー１１を大気開放して防着板を交換した後、次にチャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換するまでに、成膜装置１０を用いた成膜を繰り返して堆積することができる膜の厚さの合計厚さを増加させることができない。言い換えれば、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができない。
【００５１】
一方、本実施の形態１の防着板３０では、基体３１の表面に複数の突出部３２が形成され、防着板３０は、基体３１と、複数の突出部３２と、よりなる凹凸構造を有する。このような場合でも、前述したように、成膜装置１０を用いた基板１２上への成膜を繰り返す際に、防着板３０の基体３１の表面にも成膜材料が付着し、この基体３１の表面に付着した成膜材料の熱膨張率と、基体３１の熱膨張率とは、互いに異なる。
【００５２】
しかし、防着板３０が凹凸構造を有することにより、基体３１、及び、基体３１の表面に付着した成膜材料の温度の上昇及び下降が繰り返された場合でも、基体３１の表面に付着した成膜材料が基体３１の表面から剥離しにくくなるので、成膜装置１０のチャンバー１１内にパーティクルが発生しにくくなる。従って、一旦チャンバー１１を大気開放して防着板を交換した後、次にチャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換するまでに、成膜装置１０を用いた成膜を繰り返して堆積することができる膜の厚さの合計厚さを増加させることができる。言い換えれば、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができる。
【００５３】
また、基体３１の表面に複数の突出部３２が形成されることにより、防着板３０の単位平面積当たりの表面積を増加させることができる。そのため、防着板３０の単位平面積当たりで付着可能な成膜材料の量を、増加させることができ、この観点からも、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができる。
【００５４】
ここで、一旦チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換した後、次にチャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換するまでに、成膜装置１０を用いた成膜を繰り返して堆積することができる膜の厚さの合計厚さＴＴ１は、複数の突出部３２の平均高さＡＨ１に略等しい。そのため、例えば平均高さＡＨ１が２０００μｍ未満の場合、一旦チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換した後、次にチャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換するまでに、成膜装置１０を用いた成膜を繰り返して堆積することができる膜の厚さの合計厚さＴＴ１も２０００μｍ未満となる。従って、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度が増加する。特に、基板上に例えば１μｍ以上の膜厚を有する膜、即ち厚膜を形成する場合には、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度が極めて増加するという問題がある。
【００５５】
一方、本実施の形態１の防着板３０では、平均高さＡＨ１が２０００μｍ以上である。そのため、一旦チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換した後、次にチャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換するまでに、成膜装置１０を用いた成膜を繰り返して堆積することができる膜の厚さの合計厚さＴＴ１が２０００μｍ以上となる。従って、平均高さＡＨ１が２０００μｍ未満、即ち、合計厚さＴＴ１が２０００μｍ未満の場合に比べ、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができる。
【００５６】
ところが、基体３１の表面に２０００μｍ以上の平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２が形成されている場合でも、基体３１が、銅を含有しないアルミニウム合金よりなる場合には、機械加工時に切粉が繋がりやすく、加工ツールへの切粉の巻き付きが発生する。そのため、基体３１が機械加工の作業性に劣るので、複数の突出部３２を有する防着板３０を形成することが困難である。
【００５７】
特に、基体３１の表面に２０００μｍ以上の平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２が形成される場合には、平均高さＡＨ１が高い分だけ更に基体３１が機械加工の作業性に劣るので、複数の突出部３２を有する防着板３０を形成することがより困難である。
【００５８】
一方、本実施の形態１の防着板３０では、基体３１が、銅を含有するアルミニウム合金よりなるので、機械加工時に切粉が繋がりにくく、加工ツールへの切粉の巻き付きが発生しない。そのため、基体３１が機械加工の作業性に優れるので、複数の突出部３２を有する防着板３０を容易に形成することができる。
【００５９】
特に、基体３１の表面に２０００μｍ以上の平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２が形成される場合には、基体３１が、銅を含有しないアルミニウム合金よりなることで、基体３１が機械加工の作業性に優れる効果が大きくなり、複数の突出部３２を有する防着板３０を容易に形成することができる効果が大きくなる。
【００６０】
但し、基体３１が、銅を含有するアルミニウム合金よりなる場合でも、４０００μｍを超える平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２が形成される場合には、例えば切削量が大きくなることにより、基体３１が機械加工の作業性に優れる効果が減少し、複数の突出部３２を有する防着板３０を容易に形成することができる効果が減少する。そのため、基体３１が、銅を含有するアルミニウム合金よりなる場合でも、４０００μｍ以下の平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２が形成されることが好ましい。
【００６１】
好適には、アルミニウム合金における銅の含有量は、５．０〜６．０重量％である。これにより、銅を含有するアルミニウム合金として、例えば「快削アルミ」と称される切削加工性に優れたＡ２０１１合金を用いることができる。そのため、基体３１が機械加工の作業性に更に優れるので、複数の突出部３２を有する防着板３０を更に容易に形成することができる。なお、Ａ２０１１合金は、日本工業規格（Japanese Industrial Standards：ＪＩＳ）において、ＪＩＳＨ４０４０と番号付けがなされている。
【００６２】
図４に示すように、本実施の形態１の防着板３０は、膜部３３と、複数の凹部３４と、を有する。膜部３３は、突出部３２を覆い、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる。複数の凹部３４は、膜部３３の表面に形成されている。なお、図３と図４との関係の理解を簡単にするために、図３においても凹部３４を図示している。
【００６３】
これにより、突出部３２の表面に、膜部３３と、複数の凹部３４と、よりなる小規模の凹凸構造を形成することができ、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に増加させることができる。そのため、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を、更に増加させることができ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から更に剥離しにくくさせることができる。従って、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を更に低減することができる。
【００６４】
また、膜部３３と、複数の凹部３４と、よりなる小規模の凹凸構造が形成された突出部３２の表面の算術平均粗さＲａを、前述した複数の突出部３２の平均高さＡＨ１よりも小さくすることができ、例えば０．０２〜２．０μｍとすることができる。これにより、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に増加させ、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を更に増加させ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から更に剥離しにくくさせることができるので、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を更に低減することができる。
【００６５】
ここで、表面粗さＲａは、触針式の表面粗さ計を用いて測定した、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に基づく算術平均粗さである。
【００６６】
なお、後述する図７を用いて説明するように、複数の凹部３４は、例えば基体３１の表面を陽極酸化処理することにより、形成される。
【００６７】
＜防着板の製造方法＞
次に、本実施の形態１の防着板の製造方法を説明する。本実施の形態１の防着板の製造方法は、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板の製造方法である。
【００６８】
図５乃至図７は、実施の形態１の防着板の製造工程中の断面図である。なお、図５乃至図７は、図４の断面図に対応した断面図である。
【００６９】
本実施の形態１の防着板の製造方法では、まず、図５に示すように、基体３１を用意する（ステップＳ１１）。このステップＳ１１では、銅を含有するアルミニウム合金よりなる基体３１を用意する。基体３１が、銅を含有するアルミニウム合金よりなる場合、機械加工時に切粉が繋がりにくく、加工ツールへの切粉の巻き付きが発生しない。そのため、基体３１が機械加工の作業性に優れるので、複数の突出部３２を有する防着板３０を容易に形成することができる。
【００７０】
好適には、アルミニウム合金における銅の含有量は、５．０〜６．０重量％である。これにより、銅を含有するアルミニウム合金として、例えば「快削アルミ」と称される切削加工性に優れたＡ２０１１合金を用いることができる。そのため、後述するステップＳ１４において、複数の突出部３２を、切削加工により形成する場合に、基体３１が機械加工の作業性に更に優れるので、複数の突出部３２を有する防着板３０を更に容易に形成することができる。
【００７１】
なお、ステップＳ１１を行った後、次のステップＳ１２を行う前に、適切な電解液中で基体３１を陽極として研磨を行う電解研磨法により、基体３１の表面を研磨して平滑化してもよい。
【００７２】
次に、図６に示すように、基体３１の表面に、複数の凹部３５を形成する（ステップＳ１２）。
【００７３】
このステップＳ１２では、基体３１の表面に、フォトリソグラフィ技術を用いて開口部を有するレジストパターン（図示は省略）を形成した後、例えば臭素（Ｂｒ２）のメタノール飽和液を用いたウェットエッチングとしてのエッチングを行う。これにより、基体３１の表面にレジストパターンの開口部に対応した凹部３５を形成する。或いは、エッチングとして、ウェットエッチングに代えて例えばアルゴン（Ａｒ）プラズマを用いたドライエッチングを行ってもよい。そして、その後、レジストパターン（図示は省略）を除去する。
【００７４】
次に、図７及び図４に示すように、基体３１の表面を陽極酸化処理する（ステップＳ１３）。
【００７５】
このステップＳ１３では、酸性の電解液中で基体３１を陽極として基体３１の表面を陽極酸化処理する。これにより、基体３１の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる膜部３３を形成するとともに、膜部３３の表面に複数の凹部３４を形成する。
【００７６】
具体的には、表面に複数の凹部３５が形成された基体３１に対して、例えばシュウ酸等の酸性の電解液中で陽極酸化する陽極酸化処理を行う。これにより、図７に示すように、基体３１の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる膜部３３が形成される。
【００７７】
この膜部３３は、基体３１に含まれる銅を含有するアルミニウム合金に接して形成された緻密な層３３ａと、層３３ａ上に形成された多孔質の層３３ｂと、を含み、層３３ｂの上面には、凹部３４が形成されている。このとき、凹部３４は、平面視において、ステップＳ１２で形成された凹部３５の中心と同じ位置に形成される。そして、陽極酸化処理を続けることにより、層３３ｂが厚くなるとともに、凹部３４の深さが深くなる。その結果、図４に示したように、ステップＳ１２にて基体３１の表面に形成された複数の凹部３５の各々の位置にそれぞれ対応して、複数の凹部３４が形成される。
【００７８】
なお、ステップＳ１３においては、電解液として、シュウ酸の他、硫酸、シュウ酸と硫酸とを含有する酸、又はリン酸等の酸性の電解液を用いることができる。
【００７９】
また、ステップＳ１３にて複数の凹部３４が形成された状態における基体３１の表面の算術平均粗さＲａを、後述する複数の突出部３２の平均高さＡＨ１よりも小さくすることができ、例えば０．０２〜２．０μｍとすることができる。
【００８０】
次に、基体３１の表面に、２０００〜４０００μｍの平均高さＡＨ１（図３参照）を有する複数の突出部３２（図３参照）を形成する（ステップＳ１４）。このステップＳ１４では、複数の突出部３２を、例えば切削加工、又は、プレス加工等のエンボス加工により形成する。
【００８１】
前述したように、基体３１は、銅を含有するアルミニウム合金よりなる。そのため、複数の突出部３２を切削加工により形成する場合には、切削加工時に切粉が繋がりにくく、切削加工ツールへの切粉の巻き付きが発生しない。このように、基体３１が切削加工の作業性に優れるので、基体３１の表面に、複数の突出部３２を容易に形成することができる。
【００８２】
また、複数の突出部３２をプレス加工等のエンボス加工により形成する場合には、エンボス加工時に加工粉が発生した場合でも、加工粉が繋がりにくく、エンボス加工用治具への加工粉の付着が発生しにくい。このように、基体３１がエンボス加工の作業性に優れるので、基体３１の表面に、複数の突出部３２を容易に形成することができる。
【００８３】
特に、基体３１の表面に２０００μｍ以上の平均高さＡＨ１を有する複数の突出部３２を形成する場合には、基体３１が切削加工又はエンボス加工の作業性に優れる効果が大きく、複数の突出部３２を有する防着板３０を容易に形成することができる効果が大きい。
【００８４】
エンボス加工として、例えばプレス加工、又は、エンボス加工用ロールを用いたロールフォーミングを用いることができる。
【００８５】
このようにして、図３に示した本実施の形態１の防着板３０を形成することができる。また、図４に示すように、ステップＳ１４にて形成された突出部３２は、膜部３３により覆われている。
【００８６】
なお、本実施の形態１の防着板の製造方法では、ステップＳ１１を行って基体３１を用意し、ステップＳ１２及びステップＳ１３を行って凹部３４を形成した後、ステップＳ１４を行って突出部３２を形成した。しかし、ステップＳ１１を行って基体３１を用意した後、ステップＳ１２及びステップＳ１３を行って凹部３４を形成する前に、ステップＳ１４を行って突出部３２を形成してもよい。
【００８７】
但し、突出部３２を形成した後、凹部３４を形成する場合には、ステップＳ１２にてレジストパターンを形成する際に、基体３１が凹凸構造を有するため、平面視において、レジストパターンに形成される開口部の開口幅を微細化することが困難であり、凹部３４の開口幅を微細化することが困難である。そのため、凹部３４を形成した後、突出部３２を形成する方が、突出部３２を形成した後、凹部３４を形成する場合に比べ、凹部３４の開口幅を微細化しやすい。
【００８８】
また、ステップＳ１１を行って基体３１を用意した後、ステップＳ１２及びステップＳ１３を行わずにステップＳ１４を行って突出部３２を形成してもよい。このような場合でも、ステップＳ１２及びステップＳ１３を行う場合に比べれば効果は小さくなるものの、成膜装置１０のチャンバー１１内にパーティクルが発生しにくくなるので、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができる。
【００８９】
＜実施の形態１の変形例＞
次に、実施の形態１の防着板の変形例について説明する。本変形例の防着板３０は、膜部３６を有する点で、実施の形態１の防着板と相違する。なお、本変形例の防着板３０は、それ以外の点では、実施の形態１の防着板３０と同様である。そのため、本変形例の防着板３０のうち、膜部３６以外の部分については、その説明を省略する。
【００９０】
図８は、実施の形態１の変形例の防着板を示す断面図である。なお、図８は、図３の断面図における領域ＲＧ１又は領域ＲＧ２を拡大した断面図である。
【００９１】
図８に示すように、本変形例の防着板３０は、実施の形態１の防着板３０と同様に、膜部３３と、複数の凹部３４と、を有する。膜部３３は、突出部３２を覆い、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる。複数の凹部３４は、膜部３３の表面に形成されている。
【００９２】
一方、本変形例の防着板３０は、実施の形態１の防着板３０とは異なり、膜部３６を有する。膜部３６は、突出部３２を覆う。また、膜部３６は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する。
【００９３】
膜部３６が炭素、又は、炭素及び窒素を含有する場合、膜部３６が多孔質になりやすく、膜部３６の表面に微細な凹凸構造が形成されやすい。そのため、微細な凹凸構造が形成された膜部３６の表面の算術平均粗さＲａを、実施の形態１の防着板３０における複数の凹部３４が形成された突出部３２の表面の算術平均粗さＲａよりも小さくすることができる。これにより、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に増加させ、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を更に増加させ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から更に剥離しにくくさせることができるので、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を更に低減することができる。
【００９４】
好適には、膜部３６は、ダイヤモンドライクカーボン（Diamond‐Like Carbon：ＤＬＣ）又は窒化炭素（ＣＮ）よりなる。膜部３６が、ダイヤモンドライクカーボン又は窒化炭素よりなる場合、多孔質のダイヤモンドライクカーボン又は窒化炭素よりなる膜部３６を容易に形成することができる。これにより、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に容易に増加させることができる。
【００９５】
なお、ＤＬＣとは、イントリンシックカーボン（ｉカーボン）、水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）又は硬質炭素を意味する。
【００９６】
本変形例の防着板の製造方法では、例えば実施の形態１の防着板の製造方法におけるステップＳ１１乃至ステップＳ１４を行った後、図８に示すように、基体３１の表面を覆う膜部３６を形成する（ステップＳ１５）。また、膜部３６は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する。
【００９７】
具体的には、膜部３６を、例えば後述する原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
【００９８】
プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣよりなる膜部３６を成膜する場合、原料ガスとしては、例えば、常温で気体又は液体の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類などを用いることができる。このうち、原料ガスとして、炭素数が６以上のベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン又はシクロヘキサン等を用いることが、好ましい。
【００９９】
プラズマＣＶＤ法によりＣＮよりなる膜部３６を成膜する場合、原料ガスとしては、例えば炭素と水素とを含有する原料ガスと、例えば窒素ガス等の窒化剤とを用いることができる。このうち、原料ガスとして、炭素数が６以上のベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン又はシクロヘキサン等を用いることが、好ましい。
【０１００】
このようにして、本変形例の防着板を形成することができる。また、図８に示すように、ステップＳ１４にて形成された突出部３２は、ステップＳ１５にて形成された膜部３６により覆われている。なお、ステップＳ１１乃至ステップＳ１３を行って凹部３４を形成した後、ステップＳ１４を行って突出部３２を形成する前に、ステップＳ１５を行って膜部３６を形成してもよい。
【０１０１】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２の成膜装置、防着板、及び、防着板の製造方法について説明する。本実施の形態２の防着板３０は、後述する図９を用いて説明するように、突出部３２の表面に凹部３７が形成され、突出部３２の表面のうち隣り合う２つの凹部３７の間に位置する部分に膜部３８が形成されている点で、実施の形態１の防着板と相違する。なお、本実施の形態２の防着板３０は、それ以外の点では、実施の形態１の防着板３０と同様である。そのため、本実施の形態２の成膜装置のうち、防着板３０以外の部分、及び、本実施の形態２の防着板３０のうち、凹部３７及び膜部３８以外の部分については、その説明を省略する。なお、本実施の形態２の防着板も、実施の形態１の防着板と同様に、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板である。
【０１０２】
＜防着板＞
図９は、実施の形態２の防着板の一例を示す断面図である。なお、図９は、図３の断面図における領域ＲＧ１又は領域ＲＧ２を拡大した断面図である。
【０１０３】
本実施の形態２の防着板３０も、前述した図２及び図３を用いて説明した実施の形態１の防着板３０と同様にすることができる。即ち、本実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、防着板３０は、基体３１と、複数の突出部３２と、を有し、基体３１は、銅を含有するアルミニウム合金よりなる。これにより、実施の形態１と同様に、基体３１が機械加工の作業性に優れるので、複数の突出部３２を有する防着板３０を容易に形成することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、複数の突出部３２は、基体３１の表面に形成され、且つ、２０００〜４０００μｍの平均高さＡＨ１（図３参照）を有する。これにより、実施の形態１と同様に、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができる。
【０１０５】
また、好適には、アルミニウム合金における銅の含有量が５．０〜６．０重量％であることも、実施の形態１と同様である。
【０１０６】
一方、図９に示すように、本実施の形態２の防着板３０は、複数の凹部３７と、膜部３８と、を有する。複数の凹部３７は、突出部３２の表面に形成されている。膜部３８は、突出部３２の表面のうち隣り合う２つの凹部３７の間に位置する部分に形成され、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる。言い換えれば、膜部３８には、膜部３８を貫通する孔部３９が形成され、孔部３９は、凹部３７と連通している。
【０１０７】
これにより、突出部３２の表面に、複数の凹部３７と、膜部３８と、よりなる小規模の凹凸構造を形成することができ、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に増加させることができる。そのため、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を、更に増加させることができ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から更に剥離しにくくさせることができる。従って、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を更に低減することができる。
【０１０８】
また、複数の凹部３７と、膜部３８と、よりなる小規模の凹凸構造が形成された突出部３２の表面の算術平均粗さＲａを、前述した複数の突出部３２の平均高さＡＨ１よりも小さくすることができ、例えば０．０２〜２．０μｍとすることができる。これにより、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に増加させ、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を更に増加させ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から更に剥離しにくくさせることができるので、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を更に低減することができる。
【０１０９】
なお、後述する図１０及び図１１を用いて説明するように、複数の凹部３７は、例えば基体３１の表面を陽極酸化処理して形成された膜部３８をパターニングし、パターニングされた膜部３８をエッチングマスクとして基体３１の表面をエッチングすることにより、形成される。
【０１１０】
＜防着板の製造方法＞
次に、本実施の形態２の防着板の製造方法を説明する。本実施の形態２の防着板の製造方法も、実施の形態１の防着板の製造方法と同様に、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板の製造方法である。
【０１１１】
図１０及び図１１は、実施の形態２の防着板の製造工程中の断面図である。なお、図１０及び図１１は、図９の断面図に対応した断面図である。
【０１１２】
本実施の形態２の防着板の製造方法では、実施の形態１の防着板の製造方法で図５を用いて説明したステップＳ１１と同様の工程を行って、基体３１を用意する（ステップＳ２１）。
【０１１３】
次に、実施の形態１の防着板の製造方法で図７を用いて説明したステップＳ１３と同様の工程を行って、図１０に示すように、基体３１の表面を陽極酸化処理する（ステップＳ２２）。これにより、基体３１の表面に、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる膜部３８を形成する。具体的には、膜部３８は、実施の形態１の防着板の製造方法において膜部３３を陽極酸化処理により形成する方法と同様の方法により、形成することができる。
【０１１４】
次に、図１１に示すように、膜部３８を貫通する複数の孔部３９を形成する（ステップＳ２３）。このステップＳ２３では、膜部３８をパターニングすることにより、膜部３８を貫通する複数の孔部３９を形成する。
【０１１５】
このステップＳ２３では、膜部３８上に、フォトリソグラフィ技術を用いて開口部を有するレジストパターン（図示は省略）を形成した後、例えばリン酸、酢酸、硝酸及びフッ化アンモニウム溶液を含む水溶液をエッチング液として用いたウェットエッチングとしてのエッチングを行う。これにより、膜部３８にレジストパターンの開口部に対応した孔部３９を形成する。或いは、エッチングとして、ウェットエッチングに代えて例えばアルゴン（Ａｒ）プラズマを用いたドライエッチングを行ってもよい。そして、その後、レジストパターン（図示は省略）を除去する。
【０１１６】
次に、図９に示すように、基体３１の表面に、複数の凹部３７を形成する（ステップＳ２４）。
【０１１７】
このステップＳ２４では、パターニングされた膜部３８をエッチングマスクとし、例えば臭素（Ｂｒ２）のメタノール飽和液を用いたウェットエッチングとしてのエッチングを行って、基体３１の表面をエッチングする。これにより、基体３１の表面に膜部３８の孔部３９に対応した凹部３７を形成する。即ち、膜部３８に、孔部３９と連通した凹部３７を形成する。即ち、ステップＳ２３にて基体３１の表面に形成された複数の凹部３５の各々の位置にそれぞれ対応して、複数の凹部３７が形成される。或いは、エッチングとして、ウェットエッチングに代えて例えばアルゴン（Ａｒ）プラズマを用いたドライエッチングを行ってもよい。
【０１１８】
また、ステップＳ２４にて複数の凹部３７が形成された状態における基体３１の表面の算術平均粗さＲａを、後述する複数の突出部３２の平均高さＡＨ１（図３参照）よりも小さくすることができ、例えば０．０２〜２．０μｍとすることができる。
【０１１９】
次に、基体３１の表面に、２０００〜４０００μｍの平均高さＡＨ１（図３参照）を有する複数の突出部３２（図３参照）を形成する（ステップＳ２５）。このステップＳ２５では、複数の突出部３２を、切削加工、又は、プレス加工等のエンボス加工により形成する。具体的には、複数の突出部３２は、実施の形態１の防着板の製造方法において複数の突出部３２を、切削加工、又は、プレス加工等のエンボス加工により形成する方法と同様の方法により、形成することができる。
【０１２０】
このようにして、図３に示した実施の形態１の防着板と同様に、本実施の形態２の防着板を形成することができる。また、図９に示すように、ステップＳ２５にて形成された突出部３２の表面には、複数の凹部３７が形成され、突出部３２の表面のうち隣り合う２つの凹部３７の間に位置する部分には、膜部３８が形成されている。
【０１２１】
なお、本実施の形態２の防着板の製造方法では、ステップＳ２１を行って基体３１を用意し、ステップＳ２２乃至ステップＳ２４を行って凹部３７を形成した後、ステップＳ２５を行って突出部３２を形成した。しかし、ステップＳ２１を行って基体３１を用意した後、ステップＳ２２乃至ステップＳ２４を行って凹部３７を形成する前に、ステップＳ２５を行って突出部３２を形成してもよい。
【０１２２】
但し、突出部３２を形成した後、凹部３７を形成する場合には、ステップＳ２３にてレジストパターンを形成する際に、基体３１が凹凸構造を有するため、平面視において、レジストパターンに形成される開口部の開口幅を微細化することが困難であり、凹部３７の開口幅を微細化することが困難である。そのため、凹部３７を形成した後、突出部３２を形成する方が、突出部３２を形成した後、凹部３７を形成する場合に比べ、凹部３７の開口幅を微細化しやすい。
【０１２３】
＜実施の形態２の変形例＞
次に、実施の形態２の防着板の変形例について説明する。本変形例の防着板３０は、膜部３６を有する点で、実施の形態２の防着板と相違する。なお、本変形例の防着板３０は、それ以外の点では、実施の形態２の防着板３０と同様である。そのため、本変形例の防着板３０のうち、膜部３６以外の部分については、その説明を省略する。
【０１２４】
図１２は、実施の形態２の変形例の防着板を示す断面図である。なお、図１２は、図３の断面図における領域ＲＧ１又は領域ＲＧ２を拡大した断面図である。
【０１２５】
図１２に示すように、本変形例の防着板３０は、実施の形態２の防着板３０と同様に、複数の凹部３７と、膜部３８と、を有する。複数の凹部３７は、突出部３２の表面に形成されている。膜部３８は、突出部３２の表面のうち隣り合う２つの凹部３７の間に位置する部分に形成され、且つ、銅を含有する酸化アルミニウムよりなる。
【０１２６】
一方、本変形例の防着板３０は、実施の形態２の防着板３０とは異なり、膜部３６を有する。膜部３６は、突出部３２を覆う。また、膜部３６は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する。即ち、本変形例における膜部３６は、実施の形態１の変形例における膜部３６と同様である。
【０１２７】
これにより、実施の形態１の変形例と同様に、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に増加させ、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を更に増加させ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から更に剥離しにくくさせることができるので、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を更に低減することができる。
【０１２８】
また、本変形例でも、実施の形態１の変形例と同様に、好適には、膜部３６は、ダイヤモンドライクカーボン又は窒化炭素よりなる。これにより、本変形例でも、実施の形態１の変形例と同様に、防着板３０の単位面積当たりの表面積を更に容易に増加させることができる。
【０１２９】
本変形例の防着板の製造方法では、例えば実施の形態２の防着板の製造方法におけるステップＳ２１乃至ステップＳ２５を行った後、実施の形態１の変形例の防着板の製造方法で図８を用いて説明したステップＳ１５と同様の工程を行って、図１２に示すように、基体３１の表面を覆う膜部３６を形成する（ステップＳ２６）。また、膜部３６は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する。
【０１３０】
このようにして、本変形例の防着板を形成することができる。また、図１２に示すように、ステップＳ２５にて形成された突出部３２は、ステップＳ２６にて形成された膜部３６により覆われている。なお、ステップＳ２１乃至ステップＳ２４を行って凹部３７を形成した後、ステップＳ２５を行って突出部３２を形成する前に、ステップＳ２６を行って膜部３６を形成してもよい。
【０１３１】
（実施の形態３）
次に、実施の形態３の成膜装置、防着板、及び、防着板の製造方法について説明する。本実施の形態３の防着板３０は、後述する図１３を用いて説明するように、膜部３６を有するが、膜部３３（図４参照）も複数の凹部３４（図４参照）も有しない点で、実施の形態１の防着板と相違する。なお、本実施の形態３の防着板３０は、それ以外の点では、実施の形態１の防着板３０と同様である。そのため、本実施の形態３の成膜装置のうち、防着板３０以外の部分、及び、本実施の形態３の防着板３０のうち、膜部３６以外の部分については、その説明を省略する。なお、本実施の形態３の防着板も、実施の形態１の防着板と同様に、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板である。
【０１３２】
＜防着板＞
図１３は、実施の形態３の防着板の一例を示す断面図である。なお、図１３は、図３の断面図における領域ＲＧ１又は領域ＲＧ２を拡大した断面図である。
【０１３３】
図１３に示すように、本実施の形態３の防着板３０は、実施の形態１の防着板３０とは異なり、膜部３６を有するが、実施の形態１の防着板３０とは異なり、膜部３３（図４参照）も複数の凹部３４（図４参照）も有しない。膜部３６は、突出部３２を覆う。また、膜部３６は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する。即ち、膜部３６は、実施の形態１の変形例における膜部３６と同様である。
【０１３４】
これにより、本実施の形態３でも、実施の形態１の変形例と同様に、防着板３０の単位面積当たりの表面積を増加させ、防着板３０の単位面積当たり付着可能な成膜材料の量を増加させ、且つ、付着した成膜材料を防着板３０から剥離しにくくさせることができるので、チャンバー１１を大気開放して防着板３０を交換する頻度を低減することができる。
【０１３５】
また、本実施の形態３でも、実施の形態１の変形例と同様に、好適には、膜部３６は、ダイヤモンドライクカーボン又は窒化炭素よりなる。これにより、実施の形態１の変形例と同様に、防着板３０の単位面積当たりの表面積を容易に増加させることができる。
【０１３６】
＜防着板の製造方法＞
次に、本実施の形態３の防着板の製造方法を説明する。本実施の形態３の防着板の製造方法は、成膜装置のうち成膜材料を付着させたくない部分に成膜材料が付着することを防止する防着板の製造方法である。
【０１３７】
本実施の形態３の防着板の製造方法では、実施の形態１の防着板の製造方法で図５を用いて説明したステップＳ１１と同様の工程を行って、基体３１を用意する（ステップＳ３１）。
【０１３８】
次に、実施の形態１の防着板の製造方法で図３を用いて説明したステップＳ１４と同様の工程を行って、基体３１の表面に、複数の突出部３２を形成する（ステップＳ３２）。
【０１３９】
次に、実施の形態１の変形例の防着板の製造方法で図８を用いて説明したステップＳ１５と同様の工程を行って、図１３に示すように、基体３１の表面を覆う膜部３６を形成する（ステップＳ３３）。また、膜部３６は、炭素、又は、炭素及び窒素を含有する。
【０１４０】
このようにして、本実施の形態３の防着板を形成することができる。また、図１３に示すように、ステップＳ３２にて形成された突出部３２は、ステップＳ３３にて形成された膜部３６により覆われている。なお、ステップＳ３１を行って基体３１を用意した後、ステップＳ３２を行って突出部３２を形成する前に、ステップＳ３３を行って膜部３６を形成してもよい。
【０１４１】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４２】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１４３】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４４】
１０  成膜装置
１１  チャンバー
１１ａ  天板部
１１ｂ  側板部
１１ｃ  底板部
１２  基板
１３  基板保持部
１４  ターゲット
１５  ターゲット保持部
１６  出力供給機構
１７  整合器
１８  ＶＤＣ制御部
１９  第１のガス導入源
２０  第２のガス導入源
２１  真空排気機構
２２  磁石
２３  回転機構
３０、３０ａ〜３０ｃ  防着板
３１  基体
３２  突出部
３３、３６、３８  膜部
３３ａ、３３ｂ  層
３４、３５、３７  凹部
３９  孔部
ＡＨ１  平均高さ
ＲＧ１、ＲＧ２  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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