(57)【要約】【課題】光の透過率を確保し、最適コモン電位に対する電圧実効値の変動を抑制した液晶装置、電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、ＩＴＯを含む画素電極１５を有する素子基板１０と、ＩＴＯを含む対向電極２１を有する対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０と、を備え、対向電極２１の膜厚は、画素電極１５の膜厚よりも大きく、対向電極２１の膜厚と、画素電極１５の膜厚との合計値が、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物を含む画素電極を有する第１基板と、
前記金属酸化物を含む対向電極を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層と、を備え、
前記対向電極の膜厚は、前記画素電極の膜厚よりも大きく、
前記対向電極の膜厚と、前記画素電極の膜厚との合計値が、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下である、液晶装置。
【請求項２】
前記対向電極の膜厚から前記画素電極の膜厚を引いた値が、前記画素電極の膜厚に対して、２．０％以上、１０．５％以下である、請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記金属酸化物は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であり、
前記対向電極の膜厚が、１５０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以下であり
前記画素電極の膜厚が、１４５ｎｍ以上、１５５ｎｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
赤色光、緑色光、青色光のうちの１種類以上が入射し、
前記青色光の波長に応じて、前記対向電極の膜厚および前記画素電極の膜厚が調整される、請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画素電極を有する素子基板と、対向電極を有する対向基板とが、液晶層を挟んで対向配置された液晶装置が知られていた。このような液晶装置では、対向電極に固定電位が付与され、画素電極に該固定電位を基準とする交流電位が付与される。交流電圧が印加されることにより電界が発生して、液晶層に含まれる液晶分子が配向し、液晶層に入射する光が変調される。これによって、画素ごとの諧調表現が可能となり、液晶装置の画像表示が成される。
【０００３】
ここで、液晶層に対して直流電圧が印加されると、誘電分極などに起因して液晶分子の分解が起きやすくなり、液晶装置の表示品質を低下させる一因となる。液晶層への直流電圧成分の印加を抑えるため、例えば画像信号におけるフィールドごとに、各画素の駆動電圧の極性を反転させる反転駆動が知られている。
【０００４】
反転駆動においては、液晶層に実際に印加される電圧実効値が、正極性画像信号と負極性画像信号とで一致するように、対向電極に印加されるべきコモン電位（以下、「最適コモン電位」ともいう。）が設定される。ところが、液晶層中に含まれるイオン性不純物などの影響によって、正極性画像信号における電圧実効値と、負極性画像信号における電圧実効値とが一致しなくなり、最適コモン電位に対応して電圧実効値が変動することがある。電圧実効値が変動すると、フリッカーなどの表示不良が発生したり、交流駆動であるにもかかわらず、液晶層に直流電圧成分が印加されたりする場合がある。
【０００５】
例えば、特許文献１には、ＴＦＴ基板（素子基板）側と対向基板側とで、電極（ＩＴＯ膜）の膜質を異ならせることにより、電圧実効値の変動を抑制して、表示品質の向上を図る技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２１６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶装置の製造方法では、電極の膜質として膜厚を異ならせると、液晶装置における光の透過率が低下する場合があるという課題があった。詳しくは、特許文献１によれば、電極の膜厚を厚く形成すると、コモン電位を正側にシフトさせることが可能としている。ところが、電極の膜厚を厚くすると、光が透過する際の吸収成分や反射成分が増加して、透過率が低下することがある。液晶装置において、光の透過率の低下は、コントラストなどの表示品質を悪化させる。すなわち、光の透過率を確保し、液晶層に印加される電圧実効値の変動を抑制した液晶装置が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の液晶装置は、金属酸化物を含む画素電極を有する第１基板と、金属酸化物を含む対向電極を有する第２基板と、第１基板と第２基板との間に液晶層と、を備え、対向電極の膜厚は、画素電極の膜厚よりも大きく、対向電極の膜厚と、画素電極の膜厚との合計値が、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下である。
【０００９】
上記の液晶装置において、対向電極の膜厚から画素電極の膜厚を引いた値が、画素電極の膜厚に対して、２．０％以上、１０．５％以下であることが好ましい。
【００１０】
上記の液晶装置において、金属酸化物は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であり、対向電極の膜厚が、１５０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以下であり、画素電極の膜厚が、１４５ｎｍ以上、１５５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
上記の液晶装置において、赤色光、緑色光、青色光のうちの１種類以上が入射し、青色光の波長に応じて、対向電極の膜厚および画素電極の膜厚が調整されることが好ましい。
【００１２】
本願の電子機器は、上記の液晶装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうちで主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】ＩＴＯ膜の膜厚に対する、各波長の透過率を示す表。
【図６】実施例および比較例に係るＩＴＯ膜の膜厚および評価結果を示す表。
【図７】実施形態２に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も、本発明に含まれる。
【００１５】
なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。また、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。
【００１６】
（実施形態１）
本実施形態では、液晶装置として、画素ごとにトランジスターとしての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と略す。）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の液晶ライトバルブ（光変調素子）として好適に用いることができるものである。
【００１７】
＜液晶装置の構成＞
本実施形態の液晶装置の構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００１８】
図１および図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、第１基板としての素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、を備えている。
【００１９】
素子基板１０の基板１０ｓには、例えば、ガラス基板、石英基板などの基板が用いられる。対向基板２０の基板２０ｓには、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられる。
【００２０】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。素子基板１０と対向基板２０と（以下、「一対の基板」ということもある。）は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して接合されている。一対の基板の隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層５０が形成されている。
【００２１】
シール材４０には、例えば、熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）が混入されている。
【００２２】
シール材４０の内側には、マトリクス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。シール材４０と表示領域Ｅとの間には、表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２４が設けられている。見切り部２４には、例えば、遮光性の金属、あるいは該金属の合金や酸化物などが形成材料として用いられる。
【００２３】
表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。なお、表示領域Ｅには、複数の画素Ｐをそれぞれ区分する遮光部（ブラックマトリクス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられていてもよい。
【００２４】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１辺部に対向する第２辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。
【００２５】
第１辺部と直交し、互いに対向する第３辺部および第４辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。また、第２辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０７が設けられている。
【００２６】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。ここで、本明細書では、第１辺部に沿った方向をＸ方向とし、第１辺部と直交し、互いに対向する第３辺部および第４辺部に沿った方向をＹ方向とする。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交する、素子基板１０および対向基板２０の法線方向をＺ方向とし、Ｚ方向（正のＺ方向）から見ることを「平面視」あるいは「平面的」という。さらに、該法線方向において、対向基板２０から遠ざかる方向を上方（正のＺ方向）、上方と逆の方向を下方（負のＺ方向）という。
【００２７】
図２に示すように、基板１０ｓの液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子であるＴＦＴ３０と、信号配線と、画素電極１５を被覆する配向膜１８と、が設けられている。ＴＦＴ３０および画素電極１５は、画素Ｐの構成要素である。
【００２８】
素子基板１０には、図示を省略するが、ＴＦＴ３０の半導体層に光が入射して、ＴＦＴ３０のスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基板１０ｓ、基板１０ｓ上に設けられた画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００２９】
基板２０ｓの液晶層５０側の表面には、見切り部２４と、これを被覆して成膜された絶縁層２５と、絶縁層２５を被覆して設けられた対向電極２１と、対向電極２１を被覆する配向膜２２と、が設けられている。本実施形態における対向基板２０は、少なくとも見切り部２４、対向電極２１、配向膜２２を含むものである。
【００３０】
見切り部２４は、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示におけるコントラストを向上させている。
【００３１】
絶縁層２５は、例えば、光透過性を有する酸化シリコンなどの無機材料から成る。絶縁層２５は、見切り部２４を被覆すると共に、液晶層５０側の表面が平坦となるように形成されている。絶縁層２５の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３２】
対向電極２１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの金属酸化物の透明導電膜から成る。対向電極２１は、絶縁層２５を被覆すると共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３３】
画素電極１５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの、対向電極２１と同様な金属酸化物の透明導電膜から成る。画素電極１５を被覆する配向膜１８、および対向電極２１を被覆する配向膜２２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜し、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。また、配向膜１８，２２には、無機配向膜の他に、ポリイミドなどの有機配向膜を採用してもよい。
【００３４】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が、電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が、電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネルにおいて、光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されている。
【００３５】
本実施形態では、以下、配向膜１８，２２として上述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００３６】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線として、複数の、ゲート配線としての走査線３ａ、データ線６ａ、データ線６ａに沿って平行に配置された固定電位配線としての容量線３ｂを有している。走査線３ａが延在する方向はＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向はＹ方向である。なお、図３では、容量線３ｂをＹ方向に沿って延在するように示したが、これに限定されない。
【００３７】
走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、トランジスターとしてのＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３８】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００３９】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１参照）に電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４０】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、この順番に線順次にて供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次にて供給する。
【００４１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎが、所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、画素電極１５と、液晶層５０を介して対向配置された対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００４２】
保持された画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４３】
ここで、図３では図示を省略するが、データ線６ａには、検査回路１０３（図１参照）が接続されている。そのため、液晶装置１００の製造工程において、上記画像信号を検出することにより、液晶装置１００の動作欠陥などを確認することが可能である。
【００４４】
また、検査回路１０３には、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路などが含まれていてもよい。
【００４５】
＜液晶装置を構成する画素＞
次に、液晶装置１００における画素Ｐの構成について、図４を参照して説明する。図４は、液晶装置のうちで主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４６】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶を含む液晶層５０と、を備えている。素子基板１０は、配向膜１８、および配向膜１８に被覆された金属酸化物を含む画素電極１５を有している。対向基板２０は、配向膜２２、および配向膜２２に被覆された、画素電極１５と同様な金属酸化物を含む対向電極２１を有している。本実施形態では、金属酸化物としてＩＴＯを採用している。画素電極１５および対向電極２１が含む金属酸化物はＩＴＯに限定されず、例えば、金属酸化物としてＩＺＯを用いてもよい。
【００４７】
素子基板１０の基板１０ｓ上には、走査線３ａが形成されている。走査線３ａの形成材料としては、遮光性を有し、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの１つ以上を含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものが挙げられる。
【００４８】
走査線３ａを被覆して下地絶縁膜１１ａが設けられている。下地絶縁膜１１ａは、基板１０ｓの全面に形成されることにより、基板１０ｓの表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れなどに起因するＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有している。下地絶縁膜１１ａは、例えば、酸化シリコン（None-doped Silicate Glass：ＮＳＧ）や窒化シリコンを用いて形成される。下地絶縁膜１１ａの形成方法としては、モノシラン（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）、アンモニアなどの処理ガスを用いた、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。本実施形態では、下地絶縁膜１１ａの形成材料として酸化シリコンを用いる。下地絶縁膜１１ａの膜厚は、特に限定されないが、例えば約２００ｎｍである。
【００４９】
下地絶縁膜１１ａ上に、島状の半導体層３０ａが形成されている。半導体層３０ａは、例えば、減圧ＣＶＤ法などで堆積させた非晶質シリコン膜に結晶化が施されたポリシリコン膜から成る。非晶質シリコン膜を結晶化してポリシリコン膜とするには、例えば、１０００℃以上の高温処理を施す。ポリシリコン膜には、不純物イオンが選択的に注入されて、データ線側ソースドレイン領域（高濃度ソース領域）、接合領域（低濃度ソース領域）、チャネル領域、接合領域（低濃度ドレイン領域）、画素電極側ソースドレイン領域（高濃度ドレイン領域）を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。
【００５０】
半導体層３０ａに、ＬＤＤ構造として、チャネル領域を挟んで電気的に抵抗が高い領域を形成することにより、オフ時のリーク電流が抑制される。オフ時におけるリーク電流抑制の観点では、蓄積容量１６や画素電極１５が電気的に接続される、高濃度ドレイン領域のチャネル領域との接合部分に、ＬＤＤ構造が含まれる構成とすればよい。半導体層３０ａの膜厚は、特に限定されないが、例えば約５０ｎｍである。
【００５１】
半導体層３０ａを被覆してゲート絶縁膜１１ｂが設けられている。ゲート絶縁膜１１ｂは、半導体層３０ａとゲート電極３０ｇとの間にあって、半導体層３０ａとゲート電極３０ｇとを絶縁する。ゲート絶縁膜１１ｂは、例えば、シリコンの半導体膜を熱酸化して得られる第１酸化シリコン膜と、減圧ＣＶＤ法を用いて７００℃から９００℃の高温条件で形成された第２酸化シリコン膜と、の二重構造である。ゲート絶縁膜１１ｂの膜厚は、特に限定されないが、例えば約７５ｎｍである。
【００５２】
ゲート電極３０ｇは、半導体層３０ａ（チャネル領域）とＺ方向に対向するように設けられている。ゲート電極３０ｇは、例えば、導電性のポリシリコン、金属シリサイド、金属あるいは金属化合物などを用いて形成される。本実施形態では、ゲート電極３０ｇは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造である。導電性のポリシリコン膜は、減圧ＣＶＤ法にてＰ（燐）がドープされたポリシリコン膜を堆積させた後に、燐拡散処理を行ってポリシリコン膜中に燐原子が１×１０19個／ｃｍ3以上の濃度で含まれるように形成する。ゲート電極３０ｇの膜厚は、特に限定されないが、例えば約１５０ｎｍである。
【００５３】
ここで、本実施形態においては、以下、導電性のポリシリコン膜とは、上述した、燐原子がドープされて導電性が付与されたポリシリコン膜を指すこととする。なお、ドープされる原子は燐原子に限定されない。
【００５４】
ゲート電極３０ｇの上方には、ゲート電極３０ｇを被覆して第１層間絶縁膜１１ｃが設けられている。第１層間絶縁膜１１ｃは、例えば、ＮＳＧ膜、Ｐ（燐）を含むＰＳＧ（Phosphosilicate Glass）膜、ホウ素を含むＢＳＧ（Borosilicate Glass）膜、Ｂ（ホウ素）とＰ（燐）とが含まれるＢＰＳＧ（Borophosphosilicate Glass）膜などのシリコン系酸化膜の１種類以上を用いて形成される。
【００５５】
上記のシリコン系酸化膜の形成方法としては、モノシラン、２塩化シラン、ＴＥＯＳ、ＴＥＢ（Triethyl Borate）などを用いた、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。なお、第１層間絶縁膜１１ｃの表面には、ゲート電極３０ｇを含むＴＦＴ３０を被覆することで凹凸が生じることから、この後に形成される電極や配線などのパターニング性を考慮して該凹凸を緩和する化学的機械的処理（Chemical＆Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）などの平坦化処理が施される。平坦化処理後の第１層間絶縁膜１１ｃの膜厚は、特に限定されないが、例えば約２００ｎｍである。
【００５６】
第１層間絶縁膜１１ｃには、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２は、第１層間絶縁膜１１ｃおよびゲート絶縁膜１１ｂを貫通して、半導体層３０ａの両端に電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２は、例えば、第１層間絶縁膜１１ｃおよびゲート絶縁膜１１ｂをドライエッチングして貫通孔を設けた後に、上方で電気的に接続される導電膜（配線）と一緒に、該貫通孔を埋めるようにして形成される。
【００５７】
コンタクトホールＣＮＴ１を埋めると共に、第１層間絶縁膜１１ｃの上方には、ソース電極３１およびデータ線６ａが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホールＣＮＴ１（ソース電極３１）を介して、半導体層３０ａ（高濃度ソース領域）と電気的に接続される。コンタクトホールＣＮＴ２を埋めると共に、第１層間絶縁膜１１ｃの上方には、ドレイン電極３２および第１中継電極６ｂが設けられている。第１中継電極６ｂは、コンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）を介して、半導体層３０ａ（高濃度ドレイン領域）と電気的に接続される。
【００５８】
データ線６ａ（ソース電極３１）および第１中継電極６ｂ（ドレイン電極３２）の形成材料としては、導電性を有する低抵抗配線材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属やその金属化合物が挙げられる。本実施形態では、データ線６ａは、Ｔｉ（チタン）層／ＴｉＮ（窒化チタン）層／Ａｌ（アルミニウム）層／ＴｉＮ（窒化チタン）層の４層構造である。データ線６ａおよび第１中継電極６ｂは、該４層構造を形成した後に、これらをパターニングすることによって形成される。データ線６ａの膜厚は、特に限定されないが、例えば約３５０ｎｍである。
【００５９】
データ線６ａおよび第１中継電極６ｂの上方には、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂを被覆して、第２層間絶縁膜１２が形成されている。第２層間絶縁膜１２の形成材料としては、例えば、第１層間絶縁膜１１ｃと同様なシリコン系酸化膜が挙げられる。本実施形態では、第２層間絶縁膜１２に酸化シリコンを採用している。第２層間絶縁膜１２には、第１層間絶縁膜１１ｃと同様に上述した平坦化処理を施してもよい。第２層間絶縁膜１２の膜厚は、特に限定されないが、例えば約３００ｎｍである。
【００６０】
第２層間絶縁膜１２には、コンタクトホールＣＮＴ３が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ３は、第２層間絶縁膜１２を貫通して、第１中継電極６ｂに電気的に接続される。コンタクトホールＣＮＴ３は、例えば、第２層間絶縁膜１２をドライエッチングして貫通孔を設けた後に、上方で電気的に接続される第２中継電極７ｂと一緒に、該貫通孔を埋めるようにして形成される。
【００６１】
第２層間絶縁膜１２の上方には、配線７ａおよび第２中継電極７ｂが設けられている。第２中継電極７ｂは、コンタクトホールＣＮＴ３を介して、第１中継電極６ｂに電気的に接続される。配線７ａは、平面視で半導体層３０ａおよびデータ線６ａと重なるように形成されている。配線７ａには、図示を省略するが、上下導通部１０６（図１参照）を介して固定電位（共通電位）が付与される。そのため、配線７ａによって、データ線６ａや走査線３ａの電位の影響が画素電極１５に及ぶことが抑制される。
【００６２】
配線７ａおよび第２中継電極７ｂの形成材料としては、データ線６ａと同様に、導電性を有する低抵抗配線材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属やその金属化合物が挙げられる。本実施形態では、容量線３ｂは、Ｔｉ（チタン）層／ＴｉＮ（窒化チタン）層／Ａｌ（アルミニウム）層／ＴｉＮ（窒化チタン）層の４層構造である。配線７ａおよび第２中継電極７ｂは、該４層構造を形成した後に、これらをパターニングすることによって形成される。配線７ａおよび第２中継電極７ｂの膜厚は、特に限定されないが、例えば約２５０ｎｍである。
【００６３】
配線７ａおよび第２中継電極７ｂの上方には、配線７ａおよび第２中継電極７ｂを被覆して、第３層間絶縁膜１３ａが形成されている。第３層間絶縁膜１３ａの形成材料としては、例えば、第１層間絶縁膜１１ｃと同様なシリコン系酸化膜が挙げられる。本実施形態では、第３層間絶縁膜１３ａに酸化シリコンを採用している。第３層間絶縁膜１３ａでは、成膜後の表面に下層の配線構造によって凹凸が生じやすい。そのため、第１層間絶縁膜１１ｃと同様に上述した平坦化処理を施す。平坦化処理後の第３層間絶縁膜１３ａの膜厚は、特に限定されないが、例えば約３００ｎｍである。
【００６４】
第３層間絶縁膜１３ａには、コンタクトホールＣＮＴ４が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ４は、第３層間絶縁膜１３ａを貫通して、第２中継電極７ｂに電気的に接続される。コンタクトホールＣＮＴ４は、例えば、第３層間絶縁膜１３ａをドライエッチングして貫通孔を設けた後に、上方で電気的に接続される第３中継電極１６ｄと一緒に、該貫通孔を埋めるようにして形成される。
【００６５】
第３層間絶縁膜１３ａの上方には、第３中継電極１６ｄおよび蓄積容量１６の容量下部電極１６ａが設けられている。蓄積容量１６では、下層の基板１０ｓ側から上方（Ｚ方向）に向かって順に、容量下部電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、容量上部電極１６ｃが積層されている。容量下部電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄは、第３層間絶縁膜１３ａ上に、窒化チタンなどの導電膜を成膜した後に、該導電膜をパターニングすることによって形成される。容量下部電極１６ａには、図示を省略するが、上下導通部１０６（図１参照）を介して固定電位（共通電位）が付与される。容量下部電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄの膜厚は、特に限定されないが、例えば約５０ｎｍである。
【００６６】
容量下部電極１６ａにおいて、誘電体層１６ｂを介して容量上部電極１６ｃと対向する部分の外縁を被覆して、絶縁膜１３ｂがパターニングによって形成されている。また、第３中継電極１６ｄにおいて、コンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を被覆して、絶縁膜１３ｂがパターニングによって形成されている。
【００６７】
絶縁膜１３ｂと容量下部電極１６ａとを被覆して誘電体層１６ｂが設けられている。誘電体層１６ｂの形成材料としては、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの単層膜、あるいはこれらの単層膜のうち２種以上の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。本実施形態の誘電体層１６ｂには、高い誘電率を有する酸化ハフニウムと、耐圧性に優れる酸化アルミニウムとを、この順番に積層した多層膜が採用されている。誘電体層１６ｂは、平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分がエッチングなどによって除かれている。
【００６８】
誘電体層１６ｂの上方には、容量下部電極１６ａと対向して容量上部電極１６ｃが設けられている。容量上部電極１６ｃは、上方に設けられるコンタクトホールＣＮＴ５と重なる位置において、第３中継電極１６ｄと電気的に接続されている。容量上部電極１６ｃは、容量下部電極１６ａと同様に、窒化チタンなどの導電膜を成膜した後に、これをパターニングして形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された容量下部電極１６ａと、容量上部電極１６ｃとにより蓄積容量１６が構成される。容量上部電極１６ｃの膜厚は、特に限定されないが、例えば約１００ｎｍである。
【００６９】
蓄積容量１６および誘電体層１６ｂの上方には、蓄積容量１６および誘電体層１６ｂを被覆して、第４層間絶縁膜１４が設けられている。第４層間絶縁膜１４の形成材料としては、例えば、第１層間絶縁膜１１ｃと同様なシリコン系酸化膜が挙げられる。本実施形態では、第４層間絶縁膜１４に酸化シリコンを採用している。第４層間絶縁膜１４では、成膜後の表面に下層の配線構造によって凹凸が生じやすい。そのため、第１層間絶縁膜１１ｃと同様に上述した平坦化処理を施す。平坦化処理後の第４層間絶縁膜１４の膜厚は、特に限定されないが、例えば約３００ｎｍである。
【００７０】
第４層間絶縁膜１４には、コンタクトホールＣＮＴ５が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ５は、第４層間絶縁膜１４を貫通して、容量上部電極１６ｃに電気的に接続される。コンタクトホールＣＮＴ５は、例えば、第４層間絶縁膜１４をドライエッチングして貫通孔を設けた後に、上方で電気的に接続される画素電極１５と一緒に、該貫通孔を埋めるようにして形成される。
【００７１】
第４層間絶縁膜１４の上方には、画素電極１５および配向膜１８が設けられている。画素電極１５は、例えばＩＴＯ（透明導電膜）を成膜した後、パターニングすることによって形成される。画素電極１５は、コンタクトホールＣＮＴ５に電気的に接続される。そのため、画素電極１５は、第３中継電極１６ｄ、第２中継電極７ｂ、第１中継電極６ｂなどを介して、半導体層３０ａの高濃度ドレイン領域と電気的に接続される。画素電極１５の詳細については後述する。
【００７２】
画素電極１５および第４層間絶縁膜１４を被覆して配向膜１８が設けられている。素子基板１０の配向膜１８は、酸化シリコンなどの無機材料を、所定の方向（例えば斜め方向）から蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａの集合体から成る。
【００７３】
素子基板１０は、配向膜１８側が液晶層５０と接している。素子基板１０は、液晶層５０を介して対向基板２０と対向して配置される。対向基板２０では、基板２０ｓ側から液晶層５０側に向かって、絶縁層２５、対向電極２１、配向膜２２が積層されている。対向電極２１の詳細については後述する。配向膜２２は、素子基板１０の配向膜１８と同様に、酸化シリコンなどの無機材料を、所定の方向（例えば斜め方向）から蒸着して柱状に成長させたカラム２２ａの集合体から成る。本実施形態では、配向膜１８，２２として、斜方蒸着法によって形成した酸化シリコンを用いている。配向膜１８，２２の膜厚は、特に限定されないが、例えば３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。
【００７４】
液晶層５０に含まれる液晶分子ＬＣは、配向膜１８，２２に対して負の誘電異方性を有している。そのため、液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラムの傾斜方向に３°から５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）する。画素電極１５と対向電極２１との間に、交流電圧（駆動信号、交流信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって、液晶分子ＬＣが画素電極１５と対向電極２１との間に生ずる電界の方向に傾くように挙動（振動）する。本実施形態では、負の誘電異方性を有する液晶として、Ｔｎｉ（ネマティック−等方相転移温度）が１１０℃のネマティック液晶を用いている。
【００７５】
＜画素電極および対向電極＞
次に、本発明の画素電極および対向電極の詳細について説明する。上述したように、本実施形態の画素電極１５および対向電極２１には、金属酸化物としてＩＴＯを採用している。
【００７６】
対向電極２１の膜厚は、画素電極１５の膜厚よりも大きい。これによって、最適コモン電位に対する液晶層５０に印加される電圧実効値の変動を抑制することができる。対向電極２１の膜厚と、画素電極１５の膜厚との合計値は、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下である。上記合計値をこのような範囲とすることにより、液晶装置１００における光の透過率の低下を抑えることができる。ここで、最適コモン電位に対する液晶層５０に印加される電圧実効値の変動を、以下、単に「電圧実効値の変動」ともいう。
【００７７】
また、対向電極２１の膜厚から画素電極１５の膜厚を引いた値は、画素電極１５の膜厚に対して、２．０％以上、１０．５％以下である。これによって、電圧実効値の変動をより抑えることができる。また、ＩＴＯの膜厚が過度に小さくなると、波長が５５０ｎｍ程度の緑色光の透過率が低下する場合がある。すなわち、画素電極１５の膜厚が過度に小さくならないため、画素電極１５（素子基板１０）における、波長が５５０ｎｍ程度の緑色光に対する透過率の低下を抑えることができる。
【００７８】
さらに、対向電極２１の膜厚は、１５０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以下であり、画素電極１５の膜厚は、１４５ｎｍ以上、１５５ｎｍ以下である。これによって、電圧実効値の変動をさらに抑えることができる。それと共に、画素電極１５（素子基板１０）における、波長が５５０ｎｍ程度の緑色光に対する透過率を向上させることができる。
【００７９】
画素電極１５および対向電極２１の膜厚は、市販の装置を用いて測定することが可能である。市販の装置としては、例えば具体的には、蛍光Ｘ線式膜厚計、光学式膜厚測定装置などが挙げられる。本実施形態では、膜厚測定にＸ線膜厚計ＧＸＲ３００（製品名、リガク社）を用いている。
【００８０】
ここで、本発明における電圧実効値の変動の抑制効果は、対向電極２１と画素電極１５とでＩＴＯの膜質が異なる場合にも有効に発現する。詳しくは、対向基板２０と素子基板１０とは、上述した通り積層される層の構成が異なり、別々の工程で製造される。層構成および製造工程が異なることから、対向電極２１と画素電極１５とで成膜温度や成膜装置などの製造条件が違って設定されることがある。また、液晶装置１００は、入射する光を画素Ｐごとに集光させるマイクロレンズなどの集光手段を、光が入射する側の、対向基板２０または素子基板１０に備える場合がある。このような集光手段を備えるために、対向基板２０と素子基板１０とで製造条件を変更することがある。以上の理由から、対向電極２１と画素電極１５とで、ラフネスや外観といった表面状態、組成などのＩＴＯの膜質が異なって製造され、電圧実効値が変動する場合がある。このような場合においても、本発明を適用することによって電圧実効値の変動を抑えることができる。
【００８１】
本実施形態の液晶装置１００の製造には、公知の製造方法が採用可能である。公知の製造方法には、基板１０ｓ上に積層構造を形成して素子基板１０を作製する方法、基板２０ｓ上に積層構造を形成して対向基板２０を作製する方法、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせて液晶層５０を形成する方法などが含まれる。
【００８２】
特に、液晶装置１００の製造方法のうち、画素電極１５および対向電極２１の形成には、公知の成膜方法が採用可能である。このような成膜方法としては、上述したＩＴＯ膜の膜厚の制御が可能であれば特に限定されないが、例えば、スパッタリング法、蒸着法、ゾル・ゲル法などが挙げられる。本実施形態では、ＩＴＯ膜（画素電極１５、対向電極２１）の形成に、マグネトロンスパッタリング法を用いている。マグネトロンスパッタリング法においては、成膜時間、スパッタリング出力、ガス圧力、アルゴンガス流量、酸素ガス流量などのうちの１項目以上によって膜厚が制御可能である。なお、膜厚の制御のために、成膜温度、マグネットの時間当たりの搖動回数などを適宜調節してもよい。
【００８３】
以上に述べたように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
【００８４】
液晶装置１００における光の透過率を確保し、最適コモン電位に対する液晶層５０に印加される電圧実効値の変動を抑制することができる。詳しくは、対向電極２１の膜厚が画素電極１５の膜厚よりも大きいことにより、液晶層５０に印加される電圧実効値の変動を抑制することができる。また、画素電極１５の膜厚と対向電極２１の膜厚との合計値が、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下であることから、液晶装置１００における光の透過率の低下を抑えることができる。以上により、光の透過率を確保し、電圧実効値の変動を抑制した液晶装置１００を提供することができる。
【００８５】
対向電極２１の膜厚から画素電極１５の膜厚を引いた値が、画素電極１５の膜厚に対して、２．０％以上であることから、電圧実効値の変動をより抑えることができる。また上記数値が１０．５％以下であることから、画素電極１５の膜厚が過度に小さくならない。そのため、波長が５５０ｎｍ程度の光に対する、画素電極１５（素子基板１０）の透過率の低下を抑えることができる。
【００８６】
対向電極２１の膜厚が、１５０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以下であり、画素電極１５の膜厚が、１４５ｎｍ以上、１５５ｎｍ以下であることから、電圧実効値の変動をさらに抑えることができる。それと共に、波長が５５０ｎｍ程度の光に対する、画素電極１５の透過率を向上させることができる。
【００８７】
以下に、本実施形態の液晶装置１００について、実施例と比較例とを示し、本実施形態の効果をより具体的に説明する。なお、以下の説明において、画素電極および対向電極を総称して、単に「ＩＴＯ膜」ということもある。
【００８８】
（実施例および比較例）
＜透過率の波長依存性＞
まず、透過率の波長依存性を確認するため、厚さ１．２ｍｍの石英基板（実施形態１の基板１０ｓ，２０ｓと同様な基板）に、膜厚を１３８ｎｍ、１４５ｎｍ、１６０ｎｍと変えてＩＴＯ膜を成膜し、波長依存性の試料を作製した。該試料を用いて、青色光（４５０ｎｍ）、緑色光（５５０ｎｍ）、赤色光（６００ｎｍ）に対する透過率を測定し、測定結果を図５に示した。図５は、ＩＴＯ膜の膜厚に対する、各波長の透過率を示す表である。透過率の測定には、分光検出器ＭＣＰＤ−６８００（製品名、大塚電子社）を用いた。
【００８９】
図５に示すように、青色光、緑色光、赤色光のうち、ＩＴＯ膜の膜厚によって透過率が変化しやすいのは青色光（４５０ｎｍ）であることが分かった。すなわち、青色光の透過率をＩＴＯ膜の膜厚調整の指標とすることにより、光の透過率におけるばらつきの発生を抑えることができる。したがって、本実施形態のＩＴＯ膜（画素電極および対向電極）は、青色光の波長に応じて膜厚が調整される。なお、青色光とは、波長が４５０ｎｍに限定されず、波長が４３０ｎｍ以上、４９０ｎｍ以下の範囲の光であればよい。
【００９０】
＜液晶装置の評価＞
次に、図６に示したＩＴＯ膜（画素電極および対向電極）の膜厚の組み合せにて、実施例１から実施例５、および比較例１から比較例４の液晶装置を製造した。図６は、実施例および比較例に係るＩＴＯ膜の膜厚および評価結果を示す表である。図６において、ａは、対向電極の膜厚と画素電極の膜厚との合計値であり、ｂは、画素電極の膜厚に対する、対向電極の膜厚から画素電極の膜厚を引いた値の割合（％）である。なお、実施例および比較例の液晶装置の製造には、上述したように公知の製造方法を用いて行った。
【００９１】
ここで、実施例１は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１４０ｎｍ、対向電極で１４７ｎｍとし、ａを２８７ｎｍ、ｂを５．０％とした水準である。実施例２は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１４５ｎｍ、対向電極で１５５ｎｍとし、ａを３００ｎｍ、ｂを６．９％とした水準である。実施例３は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１５０ｎｍ、対向電極で１５３ｎｍとし、ａを３０３ｎｍ、ｂを２．０％とした水準である。実施例４は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１５０ｎｍ、対向電極で１６５ｎｍとし、ａを３１５ｎｍ、ｂを１０．０％とした水準である。実施例５は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１５５ｎｍ、対向電極で１５７ｎｍとし、ａを３１２ｎｍ、ｂを１．３％とした水準である。
【００９２】
比較例１は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１３５ｎｍ、対向電極で１４５ｎｍとし、ａを２８０ｎｍ、ｂを７．４％とした水準である。比較例１では、ａが２８５ｎｍ未満である。比較例２は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１４５ｎｍ、対向電極で１４１ｎｍとし、ａを２８６ｎｍ、ｂを−２．８％とした水準である。比較例２では、対向電極の膜厚が、画素電極の膜厚より小さい。比較例３は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１５０ｎｍ、対向電極で１７０ｎｍとし、ａを３２０ｎｍ、ｂを１３．３％とした水準である。比較例３では、ａが３１５ｎｍ超である。比較例４は、ＩＴＯ膜の膜厚が、画素電極で１６０ｎｍ、対向電極で１６２ｎｍとし、ａを３２２ｎｍ、ｂを１．３％とした水準である。比較例４では、ａが３１５ｎｍ超である。
【００９３】
［電圧実効値の変動］
実施例および比較例の液晶装置について、電圧実効値の変動（最適コモン電位に対する液晶層に印加される電圧実効値の変動）の指標として、初期の電圧実効値と、高温環境下における通電後の電圧実効値とを測定し、初期に対する通電後の電圧実効値の変化量（電圧差）を測定した。具体的には、実施例および比較例の液晶装置について、まず、初期の電圧実効値を測定した。測定には、上述した検査回路１０３（図１参照）を使用した。次に、液晶装置を７０℃環境下で２００時間通電させた。通電条件は、初期の電圧実効値の設定値を５Ｖとした。その後、通電後の電圧実効値を、初期と同様にして測定した。測定結果を以下の基準に従って評価し、電圧実効値の変動として図６に示した。
Ａ：電圧実効値の変化量が、−０．０２Ｖ以上、＋０．０２Ｖ以下である。
Ｂ：電圧実効値の変化量が、−０．０５Ｖ以上、−０．０２Ｖ未満、または＋０．０２Ｖ超、＋０．０５Ｖ以下である。
Ｃ：電圧実効値の変化量が、−０．０５未満、＋０．０５Ｖ超である。
【００９４】
［青色光の透過率］
青色光の透過率として、液晶装置の表示領域Ｅにおける、青色光（波長４５０ｎｍ）の透過率を測定した。測定には、上述した波長依存性の確認と同様な測定装置を用いた。具体的には、液晶装置の電圧実効値の設定値（駆動電圧）を０Ｖから５Ｖまで変化させたときの、液晶装置に入射させた青色光の強度に対する、液晶装置を透過して出射された青色光の最大強度を透過率（％）として測定した。測定結果を、以下の基準に従って評価し、青色光の透過率として図６に示した。
Ａ：透過率が、１９．５％以上である。
Ｂ：透過率が、１８．５％以上、１９．５％未満である。
Ｃ：透過率が、１８．５％未満である。
【００９５】
［緑色光の透過率］
緑色光の透過率として、液晶装置の表示領域Ｅにおける、緑色光（波長５５０ｎｍ）の透過率を測定した。測定には、上述した波長依存性の確認と同様な測定装置を用いた。具体的には、液晶装置の電圧実効値の設定値（駆動電圧）を０Ｖから５Ｖまで変化させたときの、液晶装置に入射させた緑色光の強度に対する、液晶装置を透過して出射された緑色光の最大強度を透過率（％）として測定した。測定結果を以下の基準に従って評価し、緑色光の透過率として図６に示した。
Ａ：透過率が、３１．０％以上である。
Ｂ：透過率が、２９．４％以上、３１．０％未満である。
Ｃ：透過率が、２９．４％未満である。
【００９６】
［評価結果］
図６に示したように、全ての実施例において、電圧実効値の変動、青色光の透過率、緑色光の透過率の評価結果が、「優」レベルに相当するＡ評価、または「可」レベルに相当するＢ評価となった。これにより、実施例１から実施例５では、電圧実効値の変動が抑えられ、青色光および緑色光の透過率が向上することが示された。
【００９７】
一方、比較例１から比較例４では、電圧実効値の変動、青色光の透過率、緑色光の透過率のいずれかの評価結果が、「不適」に相当するＣ評価となり、実施例と比べて劣ることが分かった。
【００９８】
（実施形態２）
＜電子機器＞
本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は、実施形態２に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９９】
本実施形態の投射型表示装置１０００には、上記実施形態の液晶装置が搭載されている。
【０１００】
図７に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１０１】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源から成る光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１０２】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１０３】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とから成る導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０４】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１０５】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００（図１参照）が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と出射側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。すなわち、上記実施形態の液晶装置（液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０）には、赤色光、緑色光、青色光のうちの１種類以上が入射する。
【０１０７】
このような投射型表示装置１０００によれば、上記実施形態１の液晶装置１００が用いられているため、液晶装置１００において、コントラストが確保されると共に、最適コモン電位に対する液晶層に印加される電圧実効値の変動が抑制されて、フリッカーなどの表示不良の発生が抑えられる。これにより、表示品質が向上した投射型表示装置１０００を提供することができる。
【０１０８】
なお、偏光照明装置１１００に用いられる光源は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源に限定されず、青色光、緑色光、赤色光に対応した単色光が得られるＬＥＤ光源やレーザー光源を、色光が入射する液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０のそれぞれに対応して配置する構成としてもよい。
【０１０９】
なお、液晶装置１００は、投射型表示装置１０００の他に、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などの各種電子機器に搭載されてもよい。
【０１１０】
以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。
【０１１１】
液晶装置は、金属酸化物を含む画素電極を有する第１基板と、金属酸化物を含む対向電極を有する第２基板と、第１基板と第２基板との間に液晶層と、を備え、対向電極の膜厚は、画素電極の膜厚よりも大きく、対向電極の膜厚と、画素電極の膜厚との合計値が、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下である。
【０１１２】
この構成によれば、液晶装置における光の透過率を確保し、電圧実効値の変動（最適コモン電位に対する液晶層に印加される電圧実効値の変動）を抑制することができる。発明者らは鋭意研究を重ねた結果、対向電極の膜厚が画素電極の膜厚よりも大きいことにより、電圧実効値の変動を抑制できることを見出した。また、画素電極の膜厚と対向電極の膜厚との合計値が、２８５ｎｍ以上、３１５ｎｍ以下であることから、液晶装置における光の透過率の低下を抑えることができる。以上により、光の透過率を確保し、電圧実効値の変動を抑制した液晶装置を提供することができる。
【０１１３】
上記の液晶装置において、対向電極の膜厚から画素電極の膜厚を引いた値が、画素電極の膜厚に対して、２．０％以上、１０．５％以下であることが好ましい。
【０１１４】
この構成によれば、対向電極の膜厚から画素電極の膜厚を引いた値が、画素電極の膜厚に対して、２．０％以上であることから、電圧実効値の変動をより抑えることができる。また上記数値が１０．５％以下であることから、画素電極の膜厚が過度に小さくならない。そのため、波長が５５０ｎｍ程度の光に対する、画素電極（素子基板）の透過率の低下を抑えることができる。
【０１１５】
上記の液晶装置において、金属酸化物は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であり、対向電極の膜厚が、１５０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以下であり、画素電極の膜厚が、１４５ｎｍ以上、１５５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１１６】
この構成によれば、電圧実効値の変動をさらに抑えると共に、波長が５５０ｎｍ程度の光に対する、画素電極の透過率を向上させることができる。
【０１１７】
上記の液晶装置において、赤色光、緑色光、青色光のうちの１種類以上が入射し、青色光の波長に応じて、対向電極の膜厚および画素電極の膜厚が調整されることが好ましい。
【０１１８】
この構成によれば、青色光に応じて画素電極および対向電極の膜厚を調整することにより、光の透過率が精度よく設定される。詳しくは、青色光では、赤色光や緑色光と比べて、ＩＴＯ（電極）の膜厚によって透過率が振れやすい。そのため、青色光を上記膜厚調整の指標とすることによって、光の透過率におけるばらつきの発生を抑えることができる。
【０１１９】
電子機器は、上記の液晶装置を備える。
【０１２０】
この構成によれば、コントラストが確保されると共に、電圧実効値の変動が抑制された液晶装置を備え、フリッカーなどの表示品質が向上した電子機器を提供することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、１８，２２…配向膜、２０…第２基板としての対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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