(57)【要約】【課題】容易に製造可能な超伝導磁気シールド装置及び脳磁計装置を提供する。【解決手段】超伝導磁気シールド装置１１は、筒状の基板２０と、基板２０の外周側に設けられ、基板２０を周方向に囲む周方向超伝導部材２１を含むシールド層２２と、を備え、周方向超伝導部材２１は、基板２０の外周に沿って巻かれた巻領域２１Ａと、巻領域２１Ａの端部にそれぞれ位置し、基板２０から離れるように延伸する２つの延伸領域２１Ｂと、２つの延伸領域２１Ｂを互いに接合する接合部２１Ｃと、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の基板と、
前記基板の外周側に設けられ、前記基板を周方向に囲む周方向超伝導部材を含むシールド層と、を備え、
前記周方向超伝導部材は、
前記基板の外周に沿って巻かれた巻領域と、
前記巻領域の端部にそれぞれ位置し、前記基板から離れるように延伸する２つの延伸領域と、
前記２つの延伸領域を互いに接合する接合部と、を有する、超伝導磁気シールド装置。
【請求項２】
前記２つの延伸領域の延伸方向に延びる面は、互いに対向している、請求項１に記載の超伝導磁気シールド装置。
【請求項３】
前記２つの延伸領域は互いに平行である、請求項１又は２に記載の超伝導磁気シールド装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の超伝導磁気シールド装置を備える、脳磁計装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超伝導磁気シールド装置、及び脳磁計装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば脳磁計装置のような微弱な磁場を計測する装置では、外部磁場を遮蔽するために磁気シールド装置が用いられる。特許文献１には、超伝導材料からなる磁気シールドと、磁気シールドを支持する支持体とを有する超伝導磁気シールド装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２５１５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような超伝導磁気シールド装置では、基材の周方向に沿って環状に巻かれた超伝導部材（周方向超伝導部材）が用いられる場合がある。このような周方向超伝導部材は、例えば超伝導線材の両端部を接合し、接合部分を焼成することにより構成される。しかしながら、接合部分を焼成する際に、例えば、接合部のみならず、超伝導磁気シールド装置全体を炉に入れる必要性が生じることで、超伝導磁気シールド装置の製造に手間がかかるという問題がある。このため、容易に製造可能な超伝導磁気シールド装置が要請されている。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、容易に製造可能な超伝導磁気シールド装置及び脳磁計装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る超伝導磁気シールド装置は、筒状の基板と、基板の外周側に設けられ、基板を周方向に囲む周方向超伝導部材を含むシールド層と、を備え、周方向超伝導部材は、基板の外周に沿って巻かれた巻領域と、巻領域の端部にそれぞれ位置し、基板から離れるように延伸する２つの延伸領域と、２つの延伸領域を互いに接合する接合部と、を有する。
【０００７】
この超伝導磁気シールド装置の周方向超伝導部材は、基板の外周に沿って巻かれた巻領域と、巻領域の両端にそれぞれ位置し、基板から離れるように延伸する２つの延伸領域と、２つの延伸領域を互いに接合する接合部と、を有している。このように、２つの延伸領域が基板から離れるように延伸し、且つ、接合部が２つの延伸領域を互いに接合していることにより、基板と接合部とが互いに離間した状態となっている。このため、超伝導磁気シールド装置全体を炉に入れる等の必要がなく、接合部のみを焼成することができる。したがって、超伝導磁気シールド装置を容易に製造することができる。
【０００８】
一形態において、２つの延伸領域の延伸方向に延びる面は、互いに対向していてもよい。この構成によれば、延伸領域に接合部を形成しやすくなる。
【０００９】
一形態において、２つの延伸領域は互いに平行であってもよい。この構成によれば、延伸領域において接合部を形成可能な部分が多くなる。したがって、仮に延伸領域の接合が失敗した場合であっても延伸領域の他の部分に接合部を形成できるので、接合部の修繕が可能である。
【００１０】
本発明の一形態に係る脳磁計装置は、超伝導磁気シールド装置を備える。この脳磁計装置は、容易に製造可能な上記の超伝導磁気シールド装置を備えているので、当該脳磁計装置を容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、容易に製造可能な超伝導磁気シールド装置及び脳磁計装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る脳磁計装置を概略的に示す図である。
【図２】図１の脳磁計装置の超伝導磁気シールド装置を概略的に示す図である。
【図３】図１の超伝導磁気シールド装置の周方向超伝導部材を概略的に示す図である。
【図４】周方向超伝導部材の接合部を概略的に示す断面図である。
【図５】超伝導磁気シールド装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】超伝導磁気シールド装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図２の超伝導磁気シールド装置の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１に示される脳磁計装置１は、計測ユニット１Ａ内の計測位置Ｈに頭が位置するように着座した被験者Ｐに対して、脳の神経活動に伴って発生する微弱な磁場を非接触で計測、解析する装置である。この計測ユニット１Ａは、脳で発生する磁場を検出するＳＱＵＩＤ（Superconducting Quantum Interference Device）センサ３を備えている。この脳磁計装置１では、被験者Ｐの脳の様々な位置から発生する磁場を検出するため、数十個〜数百個（６４個，１２８個，２５６個など）といった多数の上記ＳＱＵＩＤセンサ３が、計測位置Ｈの周囲に配置され、センサホルダ４で固定されている。
【００１５】
計測ユニット１Ａは、ＳＱＵＩＤセンサ３を冷却する液体ヘリウム５を収納するためのデュワー（容器）７を備えている。デュワー７は、図１に示されるように、円筒状で有底の断熱容器である。また、デュワー７の底部７ｂは、被験者Ｐの頭部を覆うように内に凹んでいる。
【００１６】
センサホルダ４は、ＳＱＵＩＤセンサ３の耐震性を向上させて、生体磁場の計測に対する振動の影響を低減させるべく、デュワー７の内側面７ａに固定されている。
【００１７】
更に、計測ユニット１Ａは、デュワー７を包囲するように配置され、被験者Ｐを覆う二重構造の筒型体１５を備えている。この二重構造の筒型体１５の外筒部１５ａと内筒部１５ｂとの間には、超伝導磁気シールド装置１１が内臓されている。また、筒型体１５とデュワー７との間には断熱材１９が充填されている。
【００１８】
脳磁計装置１は、被験者Ｐの脳で発生する極めて微弱な磁場を検出するため、計測位置Ｈの近傍における外部磁場の影響を除去する必要がある。このため、脳磁計装置１は、中心軸線Ｃが計測位置Ｈを通るように配置された筒状の超伝導磁気シールド装置１１を備えている。超伝導磁気シールド装置１１は、デュワー７を包囲して筒型体１５の外筒部１５ａに支持されると共に、筒型体１５の上下寸法とほぼ同じ寸法で延在している。また、計測位置Ｈは、中心軸線Ｃ上に位置すると共に、上下方向においても超伝導磁気シールド装置１１の全高のほぼ中央に位置している。
【００１９】
また、脳磁計装置１は、超伝導磁気シールド装置１１を冷却するための極低温の冷却ガスを超伝導磁気シールド装置１１は送出すると共に、超伝導磁気シールド装置１１を冷却した後の冷却ガスが流入する冷凍機１Ｂを有している。なお、冷凍機１Ｂとして、ＧＭ冷凍機、スターリング冷凍機、パルスチューブ冷凍機等が特に好ましい。また、冷却ガスとして、例えばヘリウムガスを用いることもできる。
【００２０】
次に、本実施形態の周方向超伝導部材２１を用いた超伝導磁気シールド装置１１の構成について説明する。
【００２１】
図２に示される超伝導磁気シールド装置１１は、計測位置Ｈの近傍において、例えば地磁気、外部磁場の変動等の影響を除去するためのものである。超伝導磁気シールド装置１１は、基板２０と、基板２０を周方向に囲む周方向超伝導部材２１を含むシールド層２２と、シールド層２２（周方向超伝導部材２１）を冷却する冷却ガス配管（不図示）と、を備えている。本実施形態では、シールド層２２は、複数の周方向超伝導部材２１を含んでいる。複数の周方向超伝導部材２１は、中心軸線Ｃに沿って配置されている。冷却ガス配管は、例えば基板２０の外周側に配置され、基板２０に沿って上下に往復するように取り付けられる。
【００２２】
基板２０は、周方向超伝導部材２１を支持すると共に、冷却ガスが流通する冷却ガス配管により冷却されることで周方向超伝導部材２１を冷却するためのものである。基板２０は、中心軸線Ｃを中心とした中空の円筒形状をなしており、全体の上下寸法は、筒型体１５の上下寸法とほぼ同じ寸法となっている。なお、本実施形態では、脳磁計装置１へ好適に適用される超伝導磁気シールド装置１１の基板２０の一例として、外形寸法が約６５０ｍｍ、基板２０全体での上下寸法が約１６００ｍｍ程度のものを用いる。また、本実施形態における基板２０は、ニッケルを含む金属によって構成されているが、ＳＵＳ３０４、真鍮、銅等の材料によって構成してもよい。
【００２３】
周方向超伝導部材２１は、基板２０の外周側に設けられている。周方向超伝導部材２１は、超伝導転移温度以下まで冷却されて超伝導状態となることで完全反磁性を示すため、周方向超伝導部材２１によって囲まれた基板２０の内周側の磁場変動を除去することができる。すなわち、周方向超伝導部材２１の完全反磁性によって、基板２０に包囲された計測位置Ｈが外部磁場から遮蔽される。これにより、ＳＱＵＩＤセンサ３では、外部磁場によるノイズの影響をほとんど受けることなく、微弱な磁場の計測が可能になる。
【００２４】
次に、図３及び図４を参照して、周方向超伝導部材２１について詳細に説明する。図３は、図１の超伝導磁気シールド装置の周方向超伝導部材を概略的に示す図である。図４は、周方向超伝導部材の接合部を概略的に示す断面図である。図３及び図４に示されるように、周方向超伝導部材２１は、全体として略環状をなしている。周方向超伝導部材２１は、例えば帯状の超伝導部材の両端部を接合することにより環状に形成されている。周方向超伝導部材２１は、超伝導層３０と、超伝導層３０と覆う保護層３１と、を備えている（図４参照）。本実施形態では、周方向超伝導部材２１の内周側に超伝導層３０が位置し、外周側に保護層３１が位置している。超伝導層３０及び保護層３１は、周方向超伝導部材２１の全周に亘って連続して設けられている。
【００２５】
超伝導層３０は、ビスマス系酸化物超伝導体であり、磁束侵入長よりも十分に大きい膜厚を有している。超伝導層３０の厚さは、例えば、０．１〜０．２ｍｍとすることができる。ここで、周方向超伝導部材２１に用いられるビスマス系酸化物超伝導体として、例えば、組成式Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘで表されるＢｉ２２２３が好ましい。なお、周方向超伝導部材２１に用いられる超伝導体としては、Ｂｉ２２１２等が採用されてもよい。
【００２６】
保護層３１は、例えば銀を材料として構成される。なお、保護層３１には、銅、ステンレス等を材料として用いてもよい。保護層３１は、例えば、超伝導層３０の外周面を覆うように形成されている。なお、保護層３１は、超伝導層３０の内周面及び外周面から挟み込むようにして形成されていてもよいし、超伝導層３０の横断面視における四方を囲むようにして形成されていてもよい。保護層３１の厚さは、例えば０．０２〜０．１ｍｍとすることができる。
【００２７】
周方向超伝導部材２１は、巻領域２１Ａと、２つの延伸領域２１Ｂと、接合部２１Ｃと、を有している。巻領域２１Ａは、基板２０の周囲を囲むように、基板２０の外周に沿って湾曲している。本実施形態においては、巻領域２１Ａは基板２０の外周に対して、略全周に亘って巻かれている。また、巻領域２１Ａは基板２０から離間して配置されている。湾曲した巻領域２１Ａの中心は、基板２０の中心軸線Ｃと略一致しており、これにより巻領域２１Ａと基板２０との離間距離は略一定となっている。巻領域２１Ａと基板２０との離間距離は、例えば２０ｍｍ〜１００ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２８】
なお、巻領域２１Ａは基板２０の略全周に亘って巻かれていなくてもよく、基板２０の外周の一部のみに巻かれていてもよい。この場合、巻領域２１Ａが基板２０の外周の７５％以上の領域に巻かれていることが好ましいが、周方向超伝導部材２１は環状となっていればよく、巻領域２１Ａによって巻かれた基板２０の外周の領域は７５％より少なくてもよい。また、巻領域２１Ａの中心は、基板２０の中心軸線Ｃと一致していなくてもよく、巻領域２１Ａと基板２０とに離間距離は一定でなくてもよい。さらに、巻領域２１Ａと基板２０とは一部が互いに接触していてもよいし、全周に亘って互いに接触していてもよい。
【００２９】
２つの延伸領域２１Ｂのそれぞれは、巻領域２１Ａの両端側に設けられ、基板２０から離れるように真っ直ぐ延伸している。２つの延伸領域２１Ｂの延伸方向に延びる面は、互いに平行に対向している。２つの延伸領域２１Ｂは、基板２０の外周の接線に対して垂直、且つ中心軸線Ｃに対して垂直に延伸している。延伸領域２１Ｂと巻領域２１Ａとの境界部分は湾曲している。本実施形態においては、周方向超伝導部材２１の同一面（内周面）が互いに接合されている。これにより、周方向超伝導部材２１はねじれることなく環状に構成されている。接合部２１Ｃは、２つの延伸領域２１Ｂを互いに接合している。すなわち、接合部２１Ｃは、基板２０と離間した状態で２つの延伸領域２１Ｂを互いに接合している。延伸領域２１Ｂは、少なくとも接合部２１Ｃを形成できる（後述の補強部材４０を設置できる）程度に延びており、接合部２１Ｃを複数段階ずらして形成できる程度に延びていることが好ましい。
【００３０】
なお、２つの延伸領域２１Ｂが延びる方向は特に限定されず、例えば、基板２０の外周の接線に対して傾斜していてもよい。この場合、巻領域２１Ａと延伸領域２１Ｂとの境界部分は、超伝導部材の許容曲げ直径以上で曲げられていることが好ましく、超伝導部材の許容曲げ直径は例えば２００ｍｍ程度とすることができる。一例として、基板２０の直径が１ｍ、超伝導部材の許容曲げ直径が２００ｍｍである場合、基板２０の外周の接線と延伸領域２１Ｂとがなす角度は、例えば９５°〜１３５°程度であることが好ましい。なお、この場合の最小値は許容曲げ直径に基づいて算出され、最大値は、基板２０の外周の７５％の領域に巻領域２１Ａが巻かれた状態に基づいて算出されている。また、２つの延伸領域２１Ｂは、真っ直ぐに延伸していなくてもよく、その一部が湾曲いていてもよい。さらに、本実施形態では、延伸領域２１Ｂと巻領域２１Ａとの境界部分は湾曲しているが、延伸領域２１Ｂと巻領域２１Ａとの境界部分は屈曲していてもよい。
【００３１】
接合部２１Ｃは、補強部材４０を含んでいる。補強部材４０は、延伸領域２１Ｂに圧力を加えることにより、延伸領域２１Ｂ同士の接合を補強する部材である。この補強部材４０を用いることにより、周方向超伝導部材２１の超伝導層３０同士を確実に接続することができる。補強部材４０は、２つの延伸領域２１Ｂを挟み込む押圧部材４１，４２を備えている。押圧部材４１，４２は、板状の部材である。押圧部材４１，４２のは、その四隅に貫通孔を有している。それぞれの貫通孔には、ボルト４３等の締結部材が挿通されている。これにより、押圧部材４１，４２は、ボルト４３の締結力によって２つの延伸領域２１Ｂに圧力を付与している。補強部材４０（押圧部材４１，４２、及びボルト４３）は、磁化率の小さい材料によって構成される。なお、補強部材４０は、２つの延伸領域２１Ｂに対して圧力を付加し、補強することができる構造であればよく、その構造は適宜変更可能である。
【００３２】
複数の周方向超伝導部材２１は、所定のピッチで互いに離間した状態で中心軸線Ｃに沿って配置されている（図２参照）。これにより、それぞれの周方向超伝導部材２１の巻領域２１Ａ同士及び延伸領域２１Ｂ同士は、所定のピッチで互いに離間した状態となっている。また、それぞれの周方向超伝導部材２１の延伸領域２１Ｂは、中心軸線Ｃに沿った方向から見て同じ方向に延伸しており、接合部２１Ｃの位置も揃った状態となっている。なお、それぞれの延伸領域２１Ｂが延びる方向は同じでなく、周方向超伝導部材２１ごとに異なっていてもよい。例えば、基板２０の上側半分に位置する周方向超伝導部材２１の延伸領域２１Ｂが延伸する方向と、基板２０の下側半分に位置する周方向超伝導部材２１の延伸領域２１Ｂが延伸する方向とを異ならせてもよい。また、接合部２１Ｃの位置は、周方向超伝導部材２１ごとに延伸領域２１Ｂが延伸する方向においてずれていてもよい。
【００３３】
次に、図５及び図６を参照して、超伝導磁気シールド装置１１の製造方法について説明する。図５は、超伝導磁気シールド装置１１の製造方法を示すフローチャートである。図６は、超伝導磁気シールド装置１１の製造方法を説明するための図である。
【００３４】
まず、帯状の周方向超伝導部材２１を準備し、基板２０に対して周方向にそって巻き付けることにより巻領域２１Ａを形成する。このとき、周方向超伝導部材２１の２つの延伸領域２１Ｂを互いに対向させ、超伝導層３０が露出した面（内周面）を向き合わせる（ステップＳ１）。
【００３５】
次に、２つの延伸領域２１Ｂの間に、超伝導層３０と同様の超伝導体である原料粉３５を塗布する（ステップＳ２）。
【００３６】
次に、２つの延伸領域２１Ｂの超伝導層３０同士を接触させ、図４に示されるように補強部材４０によって２つの延伸領域２１Ｂに圧力を加える（ステップＳ３）。ここで、補強部材４０によって加える圧力は、例えば１００〜１０００ＭＰａとすることができる。以上のステップＳ１〜ステップＳ３を繰り返し、複数の周方向超伝導部材２１を基板２０に対して取り付ける。
【００３７】
次に、補強部材４０により圧力を加えた状態で焼成を行う（ステップＳ４）。焼成は、図７（ｂ）に示されるように、補強部材４０が取り付けられた部分（接合部２１Ｃとなる部分）のみを炉Ｆに入れた状態で行われる。ここでの焼成条件は、例えば８３０℃〜８５０℃で５０時間〜１５０時間とすることができる。ステップＳ３で用いられた補強部材４０は、取り外されることなく、２つの延伸領域２１Ｂを加圧した状態を維持しておく。以上の手順により、接合部２１Ｃが形成された状態となり、超伝導磁気シールド装置１１が製造される。なお、本実施形態では補強部材４０を用いる場合を例に説明しているが、原料粉３５を介して２つの延伸領域２１Ｂを直接接合できる場合には補強部材４０を用いなくてもよい。また、焼成後に補強部材４０が取り外されてもよい。
【００３８】
以上説明したように、超伝導磁気シールド装置１１の周方向超伝導部材２１は、基板２０の外周に沿って巻かれた巻領域２１Ａと、巻領域２１Ａの端部にそれぞれ位置し、基板２０から離れるように延伸する２つの延伸領域２１Ｂと、２つの延伸領域２１Ｂを互いに接合する接合部２１Ｃと、を有している。本発明とは異なる超伝導磁気シールド装置１１１では、図７（ａ）に示されるように、周方向超伝導部材１２１が延伸領域を有していないので、接合部１２１Ｃは基板１２０と接触した状態となっている。このため、ステップＳ４において焼成を行う際には、超伝導磁気シールド装置１１１全体を炉Ｆに入れる必要がある。これに対し、超伝導磁気シールド装置１１では、２つの延伸領域２１Ｂが基板２０から離れるように延伸し、且つ、接合部２１Ｃが２つの延伸領域２１Ｂを互いに接合していることにより、基板２０と接合部２１Ｃとが互いに離間した状態となっている。このため、図７（ｂ）に示されるように、接合部２１Ｃのみを炉Ｆに入れることができる。すなわち、超伝導磁気シールド装置１１全体を炉に入れる必要がなく、接合部２１Ｃのみを焼成することができる。したがって、超伝導磁気シールド装置１１を容易に製造することができる。
【００３９】
また、周方向超伝導部材２１に用いられる超伝導材料は、焼成等の熱処理によって悪影響を受ける場合がある。図７（ａ）に示されるように、周方向超伝導部材１２１が延伸領域を有していない場合、焼成の際に超伝導磁気シールド装置１１１全体を炉Ｆに入れる必要があるので、周方向超伝導部材１２１全体が熱処理による影響を受ける可能性がある。これに対し、図７（ｂ）に示されるように、超伝導磁気シールド装置１１では、接合部２１Ｃのみを焼成することができるので、熱処理による影響を受ける可能性がある部分を低減できる。
【００４０】
また、２つの延伸領域２１Ｂの延伸方向に延びる面は、互いに対向している。これにより、延伸領域２１Ｂに接合部２１Ｃを形成しやすくなる。
【００４１】
また、２つの延伸領域２１Ｂは互いに平行である。これにより、延伸領域２１Ｂにおいて接合部２１Ｃを形成可能な部分が多くなる。したがって、仮に延伸領域２１Ｂの接合が失敗した場合であっても延伸領域２１Ｂの他の部分に接合部２１Ｃを形成できるので、接合部２１Ｃの修繕が可能である。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。例えば、上記の実施形態では２つの延伸領域２１Ｂが互いに平行である場合について説明したが、２つの延伸領域２１Ｂは基板２０から離れるように延びていればよく、互いに平行でなくてもよい。例えば、一方の延伸領域２１Ｂは基板２０の外周の接線に対して垂直に延び、他方の延伸領域２１Ｂは基板２０の外周の接線に対して傾斜する方向に延びていてもよい。また、両方の延伸領域２１Ｂが、互いに近づく方向となるように、基板２０の外周の接線に対して傾斜して延びていてもよい。さらに、延伸領域２１Ｂに湾曲した部分、及び／又は屈曲した部分が設けられていてもよい。
【００４３】
また、上記の実施形態では、２つの延伸領域２１Ｂの延伸方向に延びる面が互いに対向している場合について説明したが、２つの延伸領域２１Ｂの延伸方向に延びる面は互いに対向していなくてもよい。例えば、一方の延伸領域２１Ｂがねじれた状態であってもよい。
【００４４】
また、上記の実施形態では、周方向超伝導部材２１が１つの帯状の超伝導部材から形成されている例について説明したが、周方向超伝導部材２１は複数の超伝導部材から形成されていてもよい。例えば、２つの帯状の超伝導部材から周方向超伝導部材２１を形成する場合、一方の超伝導部材の巻領域２１Ａによって基板２０の外周の半分を囲い、他方の超伝導部材の巻領域２１Ａによって基板２０の外周の残り半分を囲んでもよい。この場合、それぞれの超伝導部材に２つずつ延伸領域２１Ｂを形成し、２つの接合部２１Ｃによって２つの超伝導部材の延伸領域２１Ｂ同士を接合することにより、１つの環状の周方向超伝導部材２１を形成してもよい。
【００４５】
また、上記の実施形態では、周方向超伝導部材２１の内周側に超伝導層３０が位置し、外周側に保護層３１が位置している例について説明したが、周方向超伝導部材２１は、その内周側及び外周側にそれぞれ保護層３１を有し、２つの保護層３１の間に超伝導層３０が設けられた形態であってもよい。この場合、周方向超伝導部材２１を製造する際には、ステップＳ１において、接合する部分の保護層３１を剥離してから、超伝導層３０が露出した面を向き合わせる。
【００４６】
また、上記の実施形態では、延伸領域２１Ｂにおいて周方向超伝導部材２１の内周面同士を接合する例について説明したが、周方向超伝導部材２１の内周面と外周面とを接合してもよい。
【００４７】
また、上記の実施形態では、シールド層２２が周方向超伝導部材２１のみを有している例について説明したが、シールド層２２は、基板２０の中心軸線Ｃの方向に沿って延びる軸方向超伝導部材を更に有していてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１…脳磁計装置、１１…超伝導磁気シールド装置、２０…基板、２１…周方向超伝導部材、２１Ａ…巻領域、２１Ｂ…延伸領域、２１Ｃ…接合部、２２…シールド層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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