(57)【要約】      （修正有）【課題】タッチセンサ用の配線の断線を防止する表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示部１０３の外側に外部端子と接続される第１電極１４７ｃを形成し、第１電極の周縁を覆う第１有機絶縁層１５０を形成し、第１有機絶縁層および第１電極上に第１無機絶縁層１５４を形成し、第１無機絶縁層上に第２無機絶縁層１６２を形成し、第２無機絶縁層上に第１無機絶縁層および第２無機絶縁層よりも薄く第３無機絶縁層１６６を形成し、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層、および第３無機絶縁層の一部を除去して第１電極上に開口部１８５を形成し、表示部から延びて第３無機絶縁層の上面ならびに開口部における第１無機絶縁層の側面、第２無機絶縁層の側面、および第３無機絶縁層の側面および第１電極と接触する第２電極１８３を形成する、表示装置１０の製造方法。【選択図】図４
2019124776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部の外側に外部端子と接続される第１電極を形成し、
前記第１電極の周縁を覆う第１有機絶縁層を形成し、
前記第１有機絶縁層および前記第１電極上に第１無機絶縁層を形成し、
前記第１無機絶縁層上に第２無機絶縁層を形成し、
前記第２無機絶縁層上に前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層よりも薄く第３無機絶縁層を形成し、
前記第１無機絶縁層、前記第２無機絶縁層、および前記第３無機絶縁層の一部を除去して前記第１電極上に開口部を形成し、
前記表示部から延びて前記第３無機絶縁層の上面ならびに前記開口部における前記第１無機絶縁層の側面、前記第２無機絶縁層の側面、および前記第３無機絶縁層の側面および前記第１電極と接触する第２電極を形成する、表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３無機絶縁層の上面に、開口パターンを有するマスク層を形成し、前記第３無機絶縁層、前記第２無機絶縁層、及び前記第１無機絶縁層を連続的にエッチングして前記開口部を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３無機絶縁層をサイドエッチングして、前記第３無機絶縁層の端部を前記第１無機絶縁層の端部および前記第２無機絶縁層の端部よりも外側に形成する、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層の少なくともいずれかは、前記第３無機絶縁層よりも酸素を多く含むように形成する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１無機絶縁層、前記第２無機絶縁層、および前記第３無機絶縁層を窒化シリコン膜で形成する、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
表示部の外側に配置され、外部端子と接続される部分を有する第１電極と、
前記第１電極の周縁部を覆う第１有機絶縁層と、
前記第１有機絶縁層上の第１無機絶縁層と、
前記第１無機絶縁層上の第２無機絶縁層と、
前記第２無機絶縁層上であり、前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層よりも薄い第３無機絶縁層と、
前記第１電極上に設けられた開口部と、
前記表示部から前記第３無機絶縁層の上面を延びて配置され、前記開口部において、前記第１無機絶縁層の側面、前記第２無機絶縁層の側面、および前記第３無機絶縁層の側面並びに前記第１電極の上面と接する第２電極と、を含む、
表示装置。
【請求項７】
前記開口部において、前記第１無機絶縁層の側面、前記第２無機絶縁層の側面、および前記第３無機絶縁層の側面は、連続する面を有する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３無機絶縁層の端部は、前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層よりも前記開口部から離れて設けられる、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層の少なくともいずれかは、前記第３無機絶縁層よりも酸素を多く含む、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１無機絶縁層、前記第２無機絶縁層、および前記第３無機絶縁層は、窒化シリコン膜である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１無機絶縁層の側面、前記第２無機絶縁層の側面、および前記第３無機絶縁層の側面は、前記第１有機絶縁層よりも前記開口部の内側に配置される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１無機絶縁層の側面、前記第２無機絶縁層の側面、および前記第３無機絶縁層の側面は、前記第１有機絶縁層よりも前記開口部から離れて配置される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示部には、表示素子を含む画素が格子状に配置されている、請求項６乃至１２のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２電極は、平面視において前記表示素子上に設けられたセンサ電極を含み、前記センサ電極は前記画素を囲む、請求項１３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気器具および電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示素子を用いた表示装置または有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を表示素子として用いた表示装置が開発、商品化されている。また、表示素子上にタッチセンサを搭載させた表示装置である、タッチパネルが近年急速に普及している。タッチパネルは、スマートフォンなどの携帯情報端末において必要不可欠なものとなっており、情報化社会のさらなる進歩に向けて世界的に開発が進んでいる。
【０００３】
上記タッチパネルは、タッチセンサを表示装置とは別基板で作製し、貼り合わせる方式と、表示装置内部に組み込んでしまう方式（オンセル方式という場合がある）などがある。特許文献１には、タッチパネルの構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−０５０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
オンセル方式を用いた場合、表示素子上にタッチセンサが設けられるため、をタッチセンサの配線を外部端子との接続用の電極（端子電極）と接続させるために、端子電極上の絶縁層を除去する必要がある。しかしながら、表示素子を保護するため膜厚の大きい絶縁層が設けられる場合も多く、絶縁層を除去する工程が増加する場合がある。これにより、端子電極にダメージが加わる、または端子電極が一部除去されてしまい、配線が断線する場合がある。
【０００６】
このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、タッチセンサ用の配線の断線を防止することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、表示部の外側に外部端子と接続される第１電極を形成し、第１電極の周縁を覆う第１有機絶縁層を形成し、第１有機絶縁層および第１電極上に第１無機絶縁層を形成し、第１無機絶縁層上に第２無機絶縁層を形成し、第２無機絶縁層上に第１無機絶縁層および第２無機絶縁層よりも薄く第３無機絶縁層を形成し、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層、および第３無機絶縁層の一部を除去して第１電極上に開口部を形成し、表示部から延びて第３無機絶縁層の上面ならびに開口部における第１無機絶縁層の側面、第２無機絶縁層の側面、および第３無機絶縁層の側面および第１電極と接触する第２電極を形成する、表示装置の製造方法が、提供される。
【０００８】
本発明の他の一実施形態によれば、表示部の外側に配置され、外部端子と接続される部分を有する第１電極と、第１電極の周縁部を覆う第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層上の第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層上の第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層上であり、第１無機絶縁層および第２無機絶縁層よりも薄い第３無機絶縁層と、第１電極上に設けられた開口部と、表示部から第３無機絶縁層の上面を延びて配置され、開口部において、第１無機絶縁層の側面、第２無機絶縁層の側面、および第３無機絶縁層の側面並びに第１電極の上面と接する第２電極と、を含む、表示装置が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るタッチセンサを示す上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後に−１、−２などを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
また、本明細書において、「導電層」、「電極」、「配線」という言葉とは、同様の意味を有し、状況に応じて入れ替えることが可能である。
【００１３】
＜第１実施形態＞
（１−１．表示装置の構成）
図１は、本実施形態に係る表示装置１０の上面図である。図１において、表示装置１０は、基板１００、表示部１０３、周縁部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６、駆動回路１０７、フレキシブルプリント基板１０８、および端子部１０９を有する。駆動回路１０５は、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、ソースドライバとしての機能を有する。駆動回路１０７は、後述するタッチセンサを制御する機能を有する。表示部１０３には、表示素子を含む画素１０１が格子状に離間して配列される。フレキシブルプリント基板１０８は、端子部１０９と電気的に接続される。端子部１０９は、信号線１４７ｂと接続されるとともに駆動回路１０５と接続される。
【００１４】
表示装置１０において、フレキシブルプリント基板１０８を介して映像表示用の信号が駆動回路１０５および駆動回路１０６に入力される。次に、駆動回路１０５および駆動回路１０６が走査線１４５ｃおよび信号線１４７ｂを介して画素１０１を駆動させる。結果的に、表示部１０３において静止画および動画が表示される。
【００１５】
（１−２．タッチセンサの構成）
次に、タッチセンサの構成について説明する。図２は、表示装置１０に設けられたタッチセンサ２０の上面図である。タッチセンサ２０は、表示部１０３と重なって設けられる。タッチセンサ２０は、上面視において第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２を含む。なお、第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２をまとめて導電層１８３という。以下において、分けて説明する必要がない場合は、導電層１８３として説明する。
【００１６】
図２に示すように、第１センサ電極１８３−１は、表示部１０３の長辺方向（第１方向Ｄ１という場合がある）に延伸して配置される配線として機能する（これを第１センサ配線１１８３−１という場合がある）。第１センサ配線１１８３−１は、表示部１０３の短辺方向（第２方向Ｄ２という場合がある）に並んで配置される。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは交差する。第１センサ電極１８３−１は、タッチセンサ２０における送信電極として機能する。同様に、第２センサ電極１８３−２は、第２方向Ｄ２に延伸して配置される配線として機能する（これを第２センサ配線１１８３−２という場合がある）。第２センサ配線１１８３−２は、第１方向Ｄ１に並んで配置される。第２センサ電極１８３−２は、タッチセンサ２０における受信電極として機能する。なお、第１センサ電極１８３−１が受信電極であり、第２センサ電極１８３−２が送信電極でもよい。第１センサ配線１１８３−１および第２センサ配線１１８３−２は、端子部１０９に設けられた端子電極１０９−１（後述する導電層１４７ｃ）に接続される。端子電極１０９−２は、上述した動画および静止画の表示用として用いられる。
【００１７】
タッチセンサ２０の領域２０Ａを拡大した上面図を図３に示す。平面視において、導電層１８３（第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２）は、画素１０１を囲むように配置される。（つまり、第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２は、網目状パターンを有するという場合がある）。画素１０１には、後述する表示素子１３０が配置されている。
【００１８】
（１−３．タッチセンサの駆動）
ここで、タッチセンサの駆動について図２および図３を用いて説明する。図２に示すように、第１センサ配線１１８３−１および第２センサ配線１１８３−２は、駆動回路１０７と接続する。駆動回路１０７から第１センサ配線１１８３−１を介して第１センサ電極１８３−１に供給された電圧により、第１センサ電極１８３−１と第２センサ電極１８３−２との間に電界が発生する。例えば、人の指が表示装置１０に触れたとき、第１センサ電極１８３−１と第２センサ電極１８３−２との間の電界変化が生じる。これにより、配線間の容量変化が生じる。次に、第２センサ電極１８３−２から第２センサ配線１１８３−２を介して、駆動回路１０７に所定の情報が入力される。以上により、位置情報が検知される。
【００１９】
（１−４．表示装置の各層の構成）
図４は、図１乃至図３に示された表示装置１０の表示部１０３（画素１０１）の断面図および周縁部１０４から端子部１０９にかけての断面図である。図５に示すように、表示装置１０は、前述したタッチセンサ２０に加えて、基板１００、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１、表示素子１３０、絶縁層１４１、絶縁層１４９、絶縁層１５０、バンク層１５７封止層１６１、およびオーバーコート層１７０などを有する。
【００２０】
図４において、トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、およびソース・ドレイン電極１４７ａを有する。トランジスタ１１０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。
【００２１】
また、容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域および容量電極１４５ｂが用いられる。また、容量素子１２１は、絶縁層１５４を誘電体として、容量電極１５１および画素電極１５５が用いられる。容量電極１５１は画素電極１５５と重畳する。
【００２２】
また、表示素子１３０には、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および共通電極１６０が用いられる。つまり、表示素子１３０は、有機ＥＬ素子であるということができる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を共通電極１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。
【００２３】
基板１００には、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。有機樹脂基板を適用した場合、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。また、基板１００には、表示素子からの出射光を外に取り出すために、透明性が求められる場合がある。表示素子からの出射光を取り出さない側にある基板は、透明である必要は無いため、前述の材料に加えて、その他の無機材料や金属材料が用いられてもよい。基板１００の厚さは、特に制限されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以上４００μｍ以下であることが望ましい。
【００２４】
絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層１４２への拡散を抑制することができる。
【００２５】
半導体層１４２は、絶縁層１４１上に設けられる。半導体層１４２には、シリコン、酸化物半導体または有機物半導体などが用いられる。
【００２６】
ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１、および半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。
【００２７】
ゲート電極１４５ａは、ゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａは、走査線（図示せず）に接続される。なお、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料で形成される。ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、前述の導電材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【００２８】
絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられ、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂ上に設けられる。なお、絶縁層１４９は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。
【００２９】
ソース・ドレイン電極１４７ａは、絶縁層１４９上に設けられる。ソース・ドレイン電極１４７ａは、信号線１４７ｂに接続される。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａの材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａと同じ材料が用いられても良いし、異なる材料が用いられても良い。
【００３０】
絶縁層１５０は、平坦面を有する。したがって、絶縁層１５０は、平坦化膜としての機能を有する。絶縁層１５０は、有機樹脂（例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂）等の有機絶縁材料を含む。特に図示していないが、例えば、絶縁層１５０は、有機絶縁材料と無機絶縁材料との積層として形成されても良い。
【００３１】
容量電極１５１は、絶縁層１５０上に設けられる。共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料で形成される。容量電極１５１は、上述の金属材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）などの酸素を含む導電材料であってもよい。
【００３２】
絶縁層１５４は、絶縁層１５０および容量電極１５１上に設けられる。絶縁層１５４には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。
【００３３】
画素電極１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有する。さらに画素電極１５５は、光を反射させる性質を有することが好ましい。前者の機能として好ましいのは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物導電材料であり、後者の機能として好ましいのはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電材料が挙げられる。これらの機能を両立するため、前述の材料の積層、具体的にはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電層上に、ＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電層を積層するといった構造が採用される。
【００３４】
有機ＥＬ層１５９は、画素電極１５５上に設けられる。有機ＥＬ層１５９は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。
【００３５】
共通電極１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有する。共通電極１６０は、複数の画素電極１５５に跨って、画素電極１５５を連続的に覆うように設けられている。共通電極１６０には有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有する材料が設けられる。
【００３６】
共通電極１６０には透光性が求められるのと同時に、画素電極１５５の反射面との間でマイクロキャビティを形成するための反射性が求められる。このため、共通電極１６０は、半透過膜として形成される。具体的には、共通電極１６０として、銀、マグネシウム、又はそれらの合金でなる層が、光が透過する程度の膜厚で形成される。
【００３７】
バンク層１５７には、画素電極１５５の周縁部を覆うと共に、画素電極１５５の端部で滑らかな段差を形成するために、有機樹脂材料が用いられる。また、バンク層１５７には、表示画像のコントラスト比を高めるために、黒色顔料を含む有機樹脂材料が用いられてもよい。
【００３８】
無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、および無機絶縁層１６６は、順に積層され、封止層１６１としての機能を有する。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、窒化シリコン膜が用いられる。有機絶縁層１６４には、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。封止層１６１は、製造時や経年劣化に伴い発生する不純物、特に水分が、発光素子に侵入するのを防止する。本実施例における構成の他、封止性能が十分であれば、封止層１６１は一層でもよく、３層以上の積層構造であってもよい。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は、数百ｎｍ以上数μｍ以下としてもよい。
【００３９】
導電層１８１は、無機絶縁層１６６上に設けられる。導電層１８１は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料で形成される。導電層１８１は、上述の金属材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。上述の金属材料を用いた場合、導電層１８１の抵抗率を下げることができる。例えば、導電層１８３には、チタンが用いられる。
【００４０】
絶縁層１８２は、無機絶縁層１６６および導電層１８１上に設けられる。絶縁層１８２には、ゲート絶縁層１４３と同様の無機絶縁材料が用いられる。絶縁層１８２は、タッチセンサの容量として用いられるため、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６よりも薄いことが望ましい。具体的には、絶縁層１８２の膜厚は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００４１】
導電層１８３は、絶縁層１８２上に設けられる。導電層１８３には、導電層１８３と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。例えば、導電層１８３には、チタン、アルミニウム、チタンの積層材料が用いられる。
【００４２】
導電層１８３のうち、第１センサ電極１８３−１は、導電層１８１と一部において重なるように配置される。具体的には、第１センサ電極１８３−１は、図２および図３において第１センサ配線１１８３−１と、第２センサ配線１１８３−２とが交差する部分、つまり絶縁層１８２を貫通する開口部１８２Ａにおいて、導電層１８１と接続される（例えば、図３のＡ１−Ａ２間）。第２センサ電極１８３−２は、導電層１８１を用いることなく、導電層１８３のみで設けられる。上記において、第１センサ電極１８３−１（第１センサ配線１１８３−１）が第１方向Ｄ１に延伸する際に導電層１８１および絶縁層１８２を介して交差することができる。したがって、第１センサ電極１８３−１と第２センサ電極１８３−２とが短絡することを防止することができる。
【００４３】
本実施形態においては、第１センサ電極１８３−１と、第２センサ電極１８３−２とが同一の層（具体的には絶縁層１８２）上に設けられているため、小さな容量変化を検知することができる。したがって、タッチセンサの検知精度が向上する。
【００４４】
オーバーコート層１７０は、バンク層１５７、封止層１６１および導電層１８３上に設けられる。オーバーコート層には、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。
【００４５】
（１−５．端子部の構成）
端子部１０９において、端子電極１０９−１となる導電層１４７ｃは、ソース・ドレイン電極１４７ａと同一の層（具体的には絶縁層１４９）上に配置される。オーバーコート層１７０は、導電層１８３をすべて覆うように配置されつつ、一部の領域は除去される。これにより、導電層１４７ｃは、外部端子となるフレキシブルプリント基板１０８の電極と異方性導電膜１９０を介して接続される。
【００４６】
端子部１０９において、導電層１４７ｃ上に開口部１８５が設けられる。開口部１８５において、絶縁層１５０は、導電層１４７ｃの周縁を覆う。また、開口部１８５において、無機絶縁層１６２上に無機絶縁層１６６が設けられ、有機絶縁層１６４は、介在していない。
【００４７】
また、導電層１８３は、絶縁層１８２の上面を表示部１０３から延びて配置され、導電層１４７ｃの上面に接続される。このとき、導電層１８３は、無機絶縁層１６２の側面１６２Ａ、無機絶縁層１６６の側面１６６Ａおよび絶縁層１８２の側面１８２Ａの側面にも接続される。
【００４８】
このとき、開口部１８５において、無機絶縁層１６２の側面１６２Ａ、無機絶縁層１６６の側面１６６Ａ、および絶縁層１８２の側面１８２Ａは、連続する面を有する。また、この連続する面は、開口部の底面に対して順テーパー形状を有することが望ましい。これにより、導電層１８３が開口部１８５において凹凸を有しないために、断線することが防止される。
【００４９】
（１−６．表示装置１０の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図５乃至図１２を用いて説明する。
【００５０】
（１−６−１．トランジスタの形成）
まず、図５に示すように、基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２およびゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。
【００５１】
基板１００には、ガラス基板、または有機樹脂基板が用いられる。例えば、基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。
【００５２】
絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。
【００５３】
半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料が用いられる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、めっき法またはＣＶＤ法などにより形成される。
【００５４】
ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。ゲート絶縁層１４３は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。
【００５５】
ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂには、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものが用いられてもよい。例えば、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂとして、スパッタリング法により形成したモリブデンおよびタングステンの積層膜が用いられる。
【００５６】
次に、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ上に絶縁層１４９を形成する。絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法により形成される。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜が用いられる。
【００５７】
次に、絶縁層１４９上にソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂは、ゲート電極１４５ａと同様の材料、方法を用いることができる。ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂは、絶縁層１４９に開口部を形成してから形成され、半導体層１４２のソース・ドレイン領域に接続される。
【００５８】
また、ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂと同時に端子部１０９に用いられる導電層１４７ｃが表示部１０３の外側に形成される。導電層１４７ｃは、端子電極（または第１電極）という場合がある。
【００５９】
次に、絶縁層１４９、ソース・ドレイン電極１４７ａ上に絶縁層１５０を形成する。絶縁層１５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの有機樹脂（有機絶縁材料）が用いられる。絶縁層１５０は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、絶縁層１５０として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。このとき、絶縁層１５０は、上面が平坦となる程度まで形成される。絶縁層１５０は、特に限定されないが１μｍ以上１０μｍ以下の厚みで形成することが望ましい。絶縁層１５０は、所定の形状に加工され、端子部１０９において、開口部１８５を有する。これにより、導電層１４７ｃの周縁部が絶縁層１５０により覆われる。
【００６０】
（１−６−２．表示素子の形成）
次に、図６および図７に示すように、容量素子１２１（上述した容量電極１５１、絶縁層１５４および画素電極１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および共通電極１６０で形成される）、バンク層１５７を形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。
【００６１】
まず、絶縁層１５４上に、容量電極１５１と重畳するように画素電極１５５を形成する。例えば、画素電極１５５には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れる酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。画素電極１５５は、ゲート電極１４５ａと同様の方法により形成される。例えば、画素電極１５５として、スパッタリング法により形成したＩＴＯ、銀、ＩＴＯの積層膜が用いられる。
【００６２】
次に、絶縁層１５４上および画素電極１５５の周縁部を覆うように、バンク層１５７を形成する。バンク層１５７は、絶縁層１５４上および画素電極１５５の上面において平坦面を有するように形成される。バンク層１５７は、画素電極１５５の上面を露出するように開口部が形成される。バンク層１５７の開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となるのが好ましい。例えば、バンク層１５７として、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜が用いられる。
【００６３】
次に、画素電極１５５、バンク層１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１５９は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。
【００６４】
また、有機ＥＬ層１５９は、少なくとも画素電極１５５と重畳するように形成される。有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。
【００６５】
次に画素電極１５５および有機ＥＬ層１５９に跨るように、共通電極１６０を形成する。共通電極１６０には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜、または銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金を用いることができる。また、共通電極１６０は、真空蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。例えば、共通電極１６０として、蒸着法により成膜した銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金膜が用いられる。これにより、バンク層１５７の開口部に表示素子が形成される。
【００６６】
（１−６−３．封止層の形成）
次に、図８に示すように、封止層１６１となる無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４および無機絶縁層１６６を順に形成する。封止層１６１は、表示部１０３全面を覆うように形成される。例えば、端子部１０９においては、無機絶縁層１６２は、導電層１４７ｃ、絶縁層１５０、またはバンク層１５７上に形成される。また、有機絶縁層１６４は、周縁部１０４において除去され、端子部１０９では無機絶縁層１６２上に無機絶縁層１６６が形成される。
【００６７】
無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコーティング法、スプレー法、または印刷法を用いて形成される。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜を用いることができる。なお、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、表示素子１３０の劣化を防止するために、低温（例えば１００℃以下）で形成されることが望ましい。
【００６８】
有機絶縁層１６４には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて形成される。有機絶縁層１６４の膜厚は、限定されないが、例えば数μｍ以上数十μｍ以下としてもよい。
【００６９】
（１−６−４．タッチセンサおよび端子部の形成）
次に、タッチセンサ２０を形成する。まず、図９に示すように絶縁層１６６上に導電層１８１を形成する。導電層１８１は、ゲート電極１４５ａと同様の方法を用いて形成することができる。例えば、導電層１８１には、チタン（Ｔｉ）が用いられる。
【００７０】
次に、図１０に示すように絶縁層１６６および導電層１８１上に絶縁層１８２を形成する。絶縁層１８２には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法が用いられる。例えば、絶縁層１８２として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜が用いられる。絶縁層１８２は、タッチセンサの容量として用いられるため、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６よりも薄く形成される。具体的には、絶縁層１８２の膜厚は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００７１】
次に、図１１に示すように、導電層１４７ｃ上の無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２の一部を除去して導電層１４７ｃの上面が露出した開口部１８５を形成する。例えば、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２は、絶縁層１８２の上面にフォトリソグラフィ法を用いてマスク層１８７を形成し、ドライエッチング法により連続的にエッチング加工することにより開口部１８５を形成することができる。ドライエッチング法を用いることにより、開口部１８５において無機絶縁層１６２の側面、無機絶縁層１６６の側面および絶縁層１８２の側面は連続した面を有することができる。なお、このとき同時に開口部１８２Ａも形成される。
【００７２】
次に、図１２に示すように、絶縁層１８２上に導電層１８３を形成する。導電層１８３は、ゲート電極１４５ａと同様の方法を用いて形成される。例えば、導電層１８３には、チタン（Ｔｉ）が用いられる。このとき、導電層１８３のうち第１センサ電極１８３−１は、表示部１０３から端子部１０９まで延びて、開口部１８５において、無機絶縁層１６２の側面１６２Ａ、無機絶縁層１６６の側面１６６Ａ、絶縁層１８２の側面１８２Ａおよび導電層１４７ｃと接する。第１センサ電極１８３−１が形成されると同時に第２センサ電極１８３−２も形成される。
【００７３】
（１−６−５．オーバーコート層の形成）
次に、表示部１０３および周縁部１０４を覆うように、オーバーコート層１７０を形成する。オーバーコート層１７０には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。オーバーコート層１７０は、絶縁層１５０と同様の方法により形成される。なお、フレキシブルプリント基板１０８との接続のために、端子部１０９においてオーバーコート層１７０の一部は、除去される。以上の方法により、表示装置１０は、製造される。
【００７４】
本実施形態を用いることにより、端子電極を露出させるための絶縁層を除去する工程（具体的には、フォトリソグラフィ法およびエッチング工程など）を減らすことをできる。これにより、端子電極に与えるダメージを減らすことができる。または、端子電極の一部が削れてしまったり、除去されてしまうことが防止される。したがって、配線の断線が防止される。よって表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、表示装置の製造工程数が削減されることにより、生産性を向上させることができるとともに、製造コストの削減が可能となる。
【００７５】
なお、本実施形態において、表示装置１０は折り曲げ部１０２を有してもよい。図１３は、表示装置１０−１の断面図である。折り曲げ部１０２には、絶縁層、具体的には無機絶縁材料を含む絶縁層が設けられないことが望ましい。これにより、表示装置１０を折り曲げ部１０２において曲げやすくなる。また、この例では折り曲げ部１０２は、外部端子用の接続部分Ｃ１と、導電層１８３の接続部分Ｃ２との間に設けられているが、導電層１８３の接続部Ｃ２より周縁部１０４側に設けられてもよい。
【００７６】
＜第２実施形態＞
（２−１．表示装置１０−２の構成）
第１実施形態と形態の異なる表示装置１０−２について以下に説明する。なお、第１実施形態の同様の構造、材料については、その説明を援用する。
【００７７】
図１４は、表示装置１０−２の周縁部および端子部１０９の断面図である。第１実施形態の表示装置１０において、開口部１８５において無機絶縁層１６２の側面、無機絶縁層１６６の側面および絶縁層１８２の側面は連続した面を有する例を示したが、これに限定されない。
【００７８】
図１４において、絶縁層１８２の端部１８２Ｅは、無機絶縁層１６２の端部１６２Ｅおよび無機絶縁層１６６の端部１６６Ｅよりも開口部１８５から離れて設けられる。これにより、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６と、絶縁層１８２との間に段差が形成されるため、開口部１８５における導電層１８３の被覆性が向上する。
【００７９】
無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２には、窒化シリコン膜が用いられる。このとき、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、絶縁層１８２よりも酸素を含んでもよい。
【００８０】
（２−２．表示装置１０−２の製造方法）
以下に表示装置１０−２の製造方法を示す。なお、表示装置１０および同様の部分について、その説明を援用する。
【００８１】
まず、図１５に示すように開口部１８５に相当する部分に無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６上に絶縁層１８２を形成する。
【００８２】
次に、図１６に示すように、開口部１８５を形成するため、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２を除去するために加工処理を行う。このとき、絶縁層１８２の上面にフォトリソグラフィ法を用いてマスク層を形成し、ドライエッチング法を用いてエッチング加工処理されることが好ましい。また、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２が、窒化シリコン膜で形成されることが好ましい。また、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６の少なくともいずれかが、絶縁層１８２よりも酸素を多く含むように形成されることが好ましい。
【００８３】
これらにより、同一のガスを用いて一括で無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２をエッチングする際に、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６のエッチングレートと、絶縁層１８２のエッチングレートとを、異ならせることができる。例えば、窒化シリコン膜に酸素が多く含まれると、酸素の含有量の少ない窒化シリコン膜に比べて六フッ化硫黄（ＳＦ6）、または四フッ化メタン（ＣＦ4）のエッチングレートが低下する。したがって、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６はエッチングされづらいために、マスク層１８７の下の絶縁層１８２を横方向にサイドエッチングすることができる。結果として、絶縁層１８２の端部１８２Ｅを無機絶縁層１６２の端部１６２Ｅおよび無機絶縁層１６６の端部１６６Ｅよりも開口部１８５から外側に形成することができ、開口部１８５において段差が形成されることとなる。
【００８４】
したがって、本実施形態を用いることにより、端子電極の断線を防止しつつ、表示装置の製造コストを削減することができる。さらに、本実施形態を用いることにより、無機絶縁層１６６上に段差が設けられ、タッチセンサの配線の断線を防止することができる。
【００８５】
（変形例１）
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００８６】
（変形例２）
本発明の第１実施形態では、開口部１８５の両側において無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６、および絶縁層１８２が設けられる例を示したが、これに限定されない。図１７は、表示装置１０−３の断面図である。図１７に示すように、開口部１８５の片側において、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６、および絶縁層１８２が設けられなくてもよい。これにより、導電層１８３の被覆性を向上させることができる。
【００８７】
（変形例３）
本発明の第１実施形態では、絶縁層１５０の側面、無機絶縁層１６２の側面および無機絶縁層１６６の側面が連続する面を有する例を示したが、これに限定されない。図１８は、表示装置１０−４の断面図である。図１８に示すように、無機絶縁層１６２の側面および無機絶縁層１６６の側面が絶縁層１５０よりも開口部１８５から離れて設けられもよい。これにより、開口部１８５における凹凸が小さくなるため、導電層１８３の被覆性を向上させることができる。
【００８８】
図１９は、表示装置１０−５の断面図である。図１９に示すように、無機絶縁層１６２の側面および無機絶縁層１６６の側面が絶縁層１５０よりも開口部１８５の内側に配置されてもよい。これにより、開口部１８５において、段差が形成されるため、導電層１８３の被覆性を向上させることができる。
【００８９】
（変形例４）
本発明の第１実施形態では、絶縁層１５０と、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２とが、開口部１８５において別々に除去される例を示したが、これに限定されない。開口部１８５において、絶縁層１５０と、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２とは、一括で除去されてもよい。これにより、さらに製造プロセスを削減することができる。
【００９０】
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９１】
１０・・・表示装置、２０・・・タッチセンサ、１００・・・基板、１０３・・・表示部、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０６・・・駆動回路、１０７・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１０９・・・端子部、１１０・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・ゲート電極、１４５ｂ・・・容量電極、１４７ａ・・・ソース・ドレイン電極、１４９・・・絶縁層、１５０・・・絶縁層、１５１・・・容量電極、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極、１５７・・・バンク層、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・共通電極、１６１・・・封止層、１６２・・・無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６６・・・無機絶縁層、１８１・・・導電層、１８２・・・絶縁層、１８３・・・導電層、１８５・・・開口部、１９０・・・異方性導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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