(57)【要約】    【課題】視認されにくい微細パターン形成が可能で、高い導電性を発現する感光性導電ペーストを提供すること。    【解決手段】導電性粒子（Ａ）、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）およびＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）を含有し、前記Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）の含有量が前記導電性粒子（Ａ）１００重量部に対して０．５〜１５重量部である導電ペースト。【選択図】図１
2019114497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子（Ａ）、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）およびＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）を含有し、前記Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）の含有量が前記導電性粒子（Ａ）１００重量部に対して０．５〜１５重量部である導電ペースト。
【請求項２】
さらにエポキシ当量が１５０〜５００ｇ／当量のエポキシ樹脂（Ｅ）を含有する請求項１記載の導電ペースト。
【請求項３】
前記光重合開始剤（Ｃ）が、オキシム系化合物を含有する請求項１または２記載の導電ペースト。
【請求項４】
前記導電性粒子（Ａ）の一次粒子径が０．１〜０．４μｍである請求項１〜３のいずれか一項記載の導電ペースト。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光し、現像した後に１００〜２５０℃の温度で加熱して導電パターンを得る導電パターン形成基板の製造方法。
【請求項６】
前記導電パターンの厚さが２μｍ以下である、請求項５記載の導電パターン形成基板の製造方法。
【請求項７】
基板上に、請求項１〜４のいずれか一項記載の導電ペーストの硬化物からなる導電パターンを有する導電パターン形成基板。
【請求項８】
前記導電パターンの波長５５０ｎｍにおける反射率が３０％以下、体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ未満である、請求項７記載の導電パターン形成基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電ペーストおよびそれを用いた導電パターン形成基板とその製造方法、電極付きタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、入力手段としてタッチパネルが広く用いられている。タッチパネルは、液晶パネルなどの表示部と、特定の位置に入力された情報を検出するタッチパネルセンサー等から構成される。タッチパネルの方式は、入力位置の検出方法により、抵抗膜方式、静電容量方式、光学方式、電磁誘導方式、超音波方式などに大別される。中でも、光学的に明るいこと、意匠性に優れること、構造が簡易であることおよび機能的に優れること等の理由により、静電容量方式のタッチパネルが広く用いられている。静電容量方式のタッチパネルセンサーは、第一電極と絶縁層を介して直行する第二電極を有し、タッチパネル面の電極に電圧をかけて、指などの導電体が触れた際の静電容量変化を検知することにより得られた接触位置を信号として出力する。静電容量方式に用いられるタッチパネルセンサーとしては、例えば、一対の対向する透明基板上に電極および外部接続端子を形成した構造や、一枚の透明基板の両面に電極および外部接続端子をそれぞれ形成した構造などが知られている。タッチパネルセンサーに用いられる配線電極としては、配線電極を見えにくくする観点から透明配線電極が用いられることが一般的であったが、近年、高感度化や画面の大型化・高精細化により、金属材料を用いた配線電極が広まっており、より微細なパターンが求められている。
【０００３】
金属材料を用いた配線電極を有するタッチパネルセンサーは、配線電極の金属光沢により配線電極が視認される課題があった。配線電極を視認されにくくする方法としては、金属の黒化処理により反射を抑制することが考えられる。金属黒化処理液としては、例えば、テルルが溶解された塩酸溶液が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、導電回路パターンの反射率を低減するために、に黒色材料を含有する感光性導電樹脂組成物が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２３３３２７号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７０１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載される金属黒化技術をタッチパネルセンサーに適用すると、金属の酸化により配線電極の導電性が低下する課題があった。また、特許文献２に記載される技術は、顔料系の黒色材料は金属粒子同士の接触を阻害し、導電性を低下させること、染料系の黒色材料は発色が不十分で、金属光沢を十分に抑制することが困難であることなどの課題があった。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、視認されにくい微細パターン形成が可能で、高い導電性を発現する導電ペーストを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、主として以下の構成を有する。
導電性粒子（Ａ）、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）およびＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）を含有し、前記Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）の含有量が前記導電性粒子（Ａ）１００重量部に対して０．５〜１５重量部である導電ペースト。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の導電ペーストによれば、視認されにくく、導電性に優れた微細パターンの導電パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例および比較例における微細パターン加工性、導電性、視認性（視認されにくさ）評価用導電パターンを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の導電ペーストは、導電性粒子（Ａ）、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）およびＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）を含有する。本発明の導電ペーストにより得られる導電パターンは、有機成分と無機成分との複合物となっており、導電性粒子（Ａ）同士が、熱キュア時の硬化収縮によって互いに接触することにより導電性が発現するものである。不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）および光重合開始剤（Ｃ）により、フォトリソグラフィー法を用いた微細パターン形成が可能となる。さらに、黒色染料であるＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）により、導電パターンの反射を抑制し、導電パターンを視認されにくくすることができる。さらに、黒色染料の中でも、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）は熱キュア時の導電性粒子（Ａ）同士の接触阻害しにくいことから、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）を選択することにより、導電性を向上させることができる。
【００１０】
（導電性粒子（Ａ））
本発明における「導電性」とは、２０℃における電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍ以下であることをいう。導電性粒子（Ａ）としては、例えば、金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、ビスマス、亜鉛、パラジウム、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウムやこれらの合金などの粒子が挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。これらの中でも、導電性をより向上させる観点から、金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、アルミニウムの粒子が好ましく、銀の粒子がより好ましい。
【００１１】
導電性粒子（Ａ）の一次粒子径は、微細パターン加工性をより向上させる観点から、０．１μｍ以上が好ましい。一方、導電性粒子（Ａ）の一次粒子径は、導電性をより向上させる観点から、１．０μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下がより好ましい。ここで、導電性粒子（Ａ）の一次粒子径とは、無作為に選択した１００個の導電性粒子（Ａ）の一次粒子の粒子径の数平均値をいう。導電ペーストから導電性粒子（Ａ）を採取し、電子顕微鏡を用いて倍率２５０００倍で観察し、無作為に選択した１００個の導電性粒子（Ａ）の一次粒子について、それぞれ長径と短径を測定してその平均値を一次粒子径とし、その数平均値から導電性粒子（Ａ）の一次粒子径を算出することができる。なお、導電ペーストから導電性粒子（Ａ）を採取する方法としては、例えば、有機溶剤により樹脂成分を溶解し、沈降した導電性粒子（Ａ）を回収し、ボックスオーブンを用いて７０℃で１０分間乾燥する方法が挙げられる。
【００１２】
本発明の導電ペースト中における導電性粒子（Ａ）の含有量は、導電性をより向上させる観点から、全固形分中６０重量％以上が好ましく、６５重量％以上がより好ましく、７０重量％以上がさらに好ましい。一方、導電性粒子（Ａ）の含有量は、微細パターン加工性をより向上させる観点から、全固形分中９５重量％以下が好ましく、９０重量％以下がより好ましく、８５重量％以下がさらに好ましい。ここで全固形分とは、導電ペーストの溶剤を除く全構成成分をいう。
【００１３】
（不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ））
本発明における不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）としては、例えば、スチレン類、アクリル系モノマー、アクリル系重合体、不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物とエポキシ化合物との反応生成物であるエポキシカルボキシレート化合物、１−ビニル−２−ピロリドンなどが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。
【００１４】
スチレン類としては、例えば、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン等が挙げられる。
【００１５】
アクリル系モノマーとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物、クレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマー、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシランやそれらのアクリル基をメタクリル基に置換した化合物等が挙げられる。
【００１６】
アクリル系重合体とは、アクリル系モノマーを含むモノマーの重合体または共重合体をいう。アクリル系重合体は、カルボキシル基を有することが好ましく、前述のアクリル系モノマーと、不飽和酸またはその酸無水物との共重合体がより好ましい。不飽和酸またはその酸無水物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、酢酸ビニルやこれらの酸無水物などが挙げられる。不飽和酸の共重合比により、アクリル系共重合体の酸価を調整することができる。
【００１７】
エポキシカルボキシレート化合物の原料であるエポキシ化合物としては、例えば、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル、ビフェノールジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテル；３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートなどの脂環式エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチルグリシジルアミンなどのグリシジルアミン；グリシジルエステルなどが挙げられる。また、エポキシカルボキシレートの原料である不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、桂皮酸、α−シアノ桂皮酸などが挙げられる。
【００１８】
不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）は、ウレタン結合を有することが好ましい。不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）にウレタン結合を導入する方法としては、例えば、水酸基を有するアクリル系重合体やエポキシカルボキシレート化合物の場合、これらの水酸基にジイソシアネート化合物を反応させる方法が挙げられる。ジイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、トリデンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、アリルシアンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネートなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
【００１９】
不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）は、フェノール性水酸基を有することが好ましい。不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）の酸価は、現像液への溶解性の観点から、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましい。一方、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）の酸価は、未露光部の過度の溶解を抑制する観点から、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましい。なお、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）の酸価は、ＪＩＳ  Ｋ  ００７０（１９９２）に準じて測定することができる。
【００２０】
不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）の酸価は、例えば、アクリル系重合体の場合、構成成分中の不飽和酸の割合により、所望の範囲に調整することができる。エポキシカルボレート化合物の場合、多塩基酸無水物を反応させることにより、所望の範囲に調整することができる。多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水イタコン酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水マレイン酸などが挙げられる。
【００２１】
また、上記のアクリル系重合体やエポキシカルボキシレート化合物が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物とを反応させることにより、側鎖に反応性の不飽和二重結合を導入することができ、反応させる不飽和二重結合を有する化合物の割合により、反応性の不飽和二重結合の量を所望の範囲に調整することができる。
【００２２】
（光重合開始剤（Ｃ））
光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体；ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル等のベンゾイン誘導体；１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム等のオキシム系化合物；２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン系化合物；２−メチル−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）ブタン−１−オン等のα−アミノアルキルフェノン系化合物；２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド等のフォスフィンオキサイド系化合物；ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン等のアントラキノン化合物；アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン等のアントロン化合物；２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン���四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイル等が挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。これらの中でも、光感度の高いオキシム系化合物が好ましい。
【００２３】
本発明の導電ペースト中における光重合開始剤（Ｃ）の含有量は、露光部を十分に硬化させる観点から、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）１００重量部に対して０．０５重量部以上が好ましく、１．０重量部以上がより好ましい。一方、光重合開始剤（Ｃ）の含有量は、高感度化による配線太りを抑制する観点から、３０重量部以下が好ましく、１０重量部以下がより好ましい。
【００２４】
Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）としては、例えば、オイルブラック８０３、オイルブラックＢＳ、オイルブラックＮＯ５、オイルブラックＨＢＢ、オイルブラック８６０（以上、オリエント化学工業（株）製）、ＮｅｐｔｕｎブラックＸ６０（ＢＡＳＦ社製）、ファットブラックＨＢ０１（ヘキスト社製）、オイルカラーブラック１４１（中央合成化学（株）製）などが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。
【００２５】
本発明の導電ペースト中におけるＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）の含有量は、黒色化により、より視認されにくくする観点から、導電性粒子（Ａ）１００重量部に対して０．５重量部以上が好ましい。一方、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）の含有量は、導電ペーストの塗布膜上部における過剰な光吸収を抑制し、微細パターン加工性および導電性をより向上させる観点から、導電性粒子（Ａ）１００重量部に対して１５重量部以下が好ましく、５重量部以下がより好ましい。
【００２６】
本発明の導電ペーストは、さらに熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。熱硬化性樹脂を含有することにより、基板への密着性が向上するため、より微細な配線パターンを形成することができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコン樹脂、ポリウレタンなどが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。これらの中でも、基板密着性がより高いことから、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、エチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、密着性向上によりパターン加工性をより向上させる観点から、５００ｇ／当量以下が好ましい。一方、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、熱硬化による未露光部溶解性低下を抑制する観点から、１５０ｇ／当量以上が好ましい。ここで、エポキシ当量とは、１当量のエポキシ基を含むエポキシ樹脂の質量をいい、分子構造から求めた分子量を、その構造中に含まれるエポキシ基の数で除算することにより求めることができる。分子構造は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）分析、赤外分光（ＩＲ）分析、プロトン核磁気共鳴分光（１Ｈ−ＮＭＲ）分析、熱分解ガスクロマトグラフィー／質量（ＧＣ／ＭＳ）分析、マトリックス支援レーザー脱離イオン化／飛行時間型質量分析（ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦＭＳ）、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析、ＣＨＮ元素分析など分析方法から、構造に応じた分析方法を選択して分析することにより特定することができる。なお、エポキシ樹脂を２種以上含有する場合、前記範囲のエポキシ当量を有するエポキシ樹脂を１種以上含有することが好ましい。
【００２７】
本発明の導電ペースト中における熱硬化性樹脂の含有量は、密着性向上により微細パターン加工性をより向上させる観点から、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）１００重量部に対して１重量部以上が好ましく、３０重量部以上がより好ましい。一方、熱硬化性樹脂の含有量は、熱硬化による未露光部溶解性低下を抑制する観点から、１００重量部以下が好ましく、８０重量部以下がより好ましい。
【００２８】
本発明の導電ペーストは、さらに増感剤を含有することができる。増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール、１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。
【００２９】
本発明の導電ペースト中における増感剤の含有量は、光感度を向上させる観点から、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）１００重量部に対して０．０５重量部以上が好ましい。一方、増感剤の含有量は、高感度化による配線太りを抑制する観点から、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）１００重量部に対して１０重量部以下が好ましい。
【００３０】
本発明の導電ペーストは、さらに溶剤を含有することができる。溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、２，２，４，−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレートなどが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。溶剤の沸点は１５０℃以上が好ましい。沸点が１５０℃以上であると、溶剤の揮発が抑制され、導電ペーストの増粘を抑制することができる。
【００３１】
本発明の導電ペーストは、その所望の特性を損なわない範囲で、不飽和二重結合を有しない非感光性ポリマー、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤、顔料等の添加剤を含有することができる。
【００３２】
非感光性ポリマーとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド前駆体、既閉環ポリイミドなどが挙げられる。
【００３３】
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール、グリセリンなどが挙げられる。
【００３４】
レベリング剤としては、例えば、特殊ビニル系重合物、特殊アクリル系重合物などが挙げられる。
【００３５】
シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００３６】
本発明の導電ペーストは、導電性粒子（Ａ）、不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）および必要に応じて溶剤や添加剤を混合することにより得ることができる。混合装置としては、例えば、三本ローラーミル、ボールミル、遊星式ボールミル等の分散機や混練機などが挙げられる。
【００３７】
本発明の導電パターン形成基板は、前述の導電ペーストの硬化物からなる導電パターンを有する。基板上に導電パターンを有することが好ましい。
【００３８】
基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、アラミドフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、加飾層形成基板、絶縁層形成基板などが挙げられる。
【００３９】
導電パターンの厚さは、より微細な導電パターン配線を形成する観点から、５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましく、２μｍ以下がさらに好ましい。一方、導電性をより向上させる観点から、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．３μｍ以上がさらに好ましい。なお、導電パターンの厚さは、“サーフコム”（登録商標）１４００（（株）東京精密製）などの触針式段差計を用いて測定することができる。より具体的には、導電パターンから無作為に選択した３つの位置の厚さを、触針式段差計（測長：１ｍｍ、走査速度：０．３ｍｍ／秒）を用いてそれぞれ測定し、それらの平均値を算出することにより求めることができる。
【００４０】
導電パターンの波長５５０ｎｍにおける反射率は、３０％以下が好ましい。可視光線の反射率を小さくすることにより、導電パターンの光反射をより抑制し、導電パターンをより視認されにくくすることができる。本発明においては、可視光線の反射率の指標として波長５５０ｎｍにおける反射率に着目した。波長５５０ｎｍにおける反射率を３０％以下とすることにより、導電パターンをより視認されにくくすることができる。なお、反射率は、０．１ｍｍ角以上の導電パターンについて、反射率計（ＶＳＲ−４００：日本電色工業（株）製）を用いて測定することができる。導電パターンの波長５５０ｎｍにおける反射率は、例えば、導電ペースト中におけるＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）の含有量を前述の好ましい範囲にすることなどにより、３０％以下にすることができる。
【００４１】
導電パターンの体積抵抗率は１００μΩ・ｃｍ未満が好ましい。体積抵抗率を１００μΩ・ｃｍ未満とすることにより、導電性をより向上させ、タッチパネルに用いた場合のタッチ感度を向上させることができる。なお、導電パターンの体積抵抗率は、直線上の導電パターンについて、ＢＫプレシジョン社製２４０７Ａなどの抵抗測定用テスターを用いて抵抗値を測定し、測定した導電パターンの膜厚（μｍ）、線幅（μｍ）、パターン長さ（μｍ）を測定し、下記式（１）から算出することができる。
体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）＝抵抗値（Ω）×膜厚（μｍ）×線幅（μｍ）×１００／パターン長さ（μｍ）・・・（１）。
【００４２】
導電パターンの体積抵抗率は、例えば、導電ペースト中における導電性粒子（Ａ）の含有量を前述の好ましい範囲にすること、導電パターン形成基板の製造方法における加熱温度を後述する好ましい範囲にすることなどにより、１００μΩ・ｃｍ未満にすることができる。
【００４３】
導電パターンの線幅は、導電性をより向上させる観点から、１μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、２μｍ以上がさらに好ましい。一方、導電パターンの線幅は、より視認されにくくする観点から、１０μｍ以下が好ましく、７μｍ以下が好ましく、６μｍ以下がさらに好ましい。
【００４４】
次に、本発明の導電パターン形成基板の製造方法について説明する。前述の導電ペーストを基板上に塗布し、露光し、現像した後に、１００〜２５０℃の温度で加熱することが好ましい。
【００４５】
導電ペーストの塗布方法としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、活版印刷、フレキソ印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーターまたはバーコーターを用いた塗布などが挙げられる。これらの中でも、導電ペーストの塗布膜の表面平坦性に優れ、スクリーン版の選択により膜厚調整が容易であることから、スクリーン印刷が好ましい。
【００４６】
導電ペーストが溶剤を含有する場合には、塗布膜を乾燥して溶剤を揮発除去することが好ましい。乾燥方法としては、例えば、オーブン、電磁波紫外線ランプ、赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター等による加熱乾燥や、真空乾燥などが挙げられる。乾燥温度は５０〜１３０℃が好ましく、乾燥時間は１分間〜数時間が好ましい。
【００４７】
導電ペーストの塗布膜または乾燥膜に、任意のパターン形成用マスクを介して、フォトリソグラフィー法により露光することが好ましい。露光光は、導電ペースト組成物が含有する光重合開始剤（Ｃ）の吸収波長と合致する紫外領域、すなわち、２００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域に発光を有することが好ましい。そのような露光光を得るための光源としては、例えば、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、ＬＥＤランプ、半導体レーザー、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザーなどが挙げられる。これらの中でも、水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）が好ましい。露光量は、露光部の現像液への溶解性の観点から、波長３６５ｎｍ換算で５０ｍＪ／ｃｍ２以上が好ましく、２００ｍＪ／ｃｍ２以上がより好ましい。
【００４８】
露光後、現像液を用いて現像することにより、未露光部を溶解除去して、所望のパターンを得る。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類；エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の１級アミン類；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の２級アミン類；トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の３級アミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類；コリン等の４級アンモニウム塩；トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール等のアルコールアミン類；ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノナン、モルホリン等の環状アミン類等の有機アルカリ類などのアルカリ性物質を水に溶解したアルカリ水溶液が挙げられる。これらにエタノール、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の水溶性有機溶剤や界面活性剤などを１種以上添加してもよい。
【００４９】
現像方法として、例えば、導電ペーストの塗布膜を形成した基板を静置、回転または搬送させながら現像液を前記導電ペーストの塗布膜の表面にスプレーする方法、導電ペーストの塗布膜を現像液中に浸漬する方法、導電ペーストの塗布膜を現像液中に浸漬させながら超音波をかける方法などが挙げられる。
【００５０】
現像後、リンス液によるリンス処理を施してもよい。リンス液としては、例えば、水；エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類の水溶液；乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類の水溶液などが挙げられる。
【００５１】
得られたパターンを加熱することにより、導電パターンを得ることができる。加熱雰囲気、温度および時間は、導電ペーストの組成や、塗布膜の厚さに応じて適宜設定することができる。本発明においては、空気中で加熱することが好ましい。加熱温度は、硬化を十分に進め、導電性をより向上させる観点から、１００℃以上が好ましく、１２０℃以上がより好ましい。一方、基板の耐熱性の観点から、加熱温度は、２００℃以下が好ましく、１５０℃以下がより好ましい。加熱装置としては、塗布膜の加熱乾燥において例示した装置が挙げられる。
【００５２】
本発明の導電パターン形成基板は、導電パターンが視認されにくいことが必要な用途に好適に用いることができる。例えば、タッチパネル用部材、電磁シールド用部材、透明ＬＥＤライト用部材などが挙げられる。中でも、微細化および導電パターンを視認されにくくすることがより高く要求されるタッチパネル用部材として好適に用いることができる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００５４】
各実施例における評価方法は、次のとおりである。
【００５５】
＜微細パターン加工性＞
ＰＥＴフィルム上に、各実施例および比較例により得られた導電ペーストを、乾燥後の膜厚が２μｍになるように塗布し、１００℃の乾燥オーブン内で１０分間乾燥した。メッシュ形状の開口部を有するフォトマスクを介して、露光装置（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学（株）製）を用いて、露光量５００ｍＪ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）で露光した。なお、メッシュ形状のピッチは３００μｍとし、メッシュ部のマスク開口幅は、１．５、２．０、３．０、４．０、５．０、６．０、７．０μｍの７種類とした。端子間の距離は２０ｍｍ、幅は２ｍｍとし、パッド部は４ｍｍ２の正方形とした。露光後、０．１重量％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて、２０秒間スプレー現像し、超純水によりリンス処理を行った。その後、１４０℃の乾燥内で１２０分間加熱し、線幅の異なる７種類の導電パターンをそれぞれ得た。図１に、微細パターン加工性評価用導電パターンの概略図を示す。メッシュ部の両端にパッド部１を有し、端子間距離２は２０ｍｍ、パッド部幅３は２ｍｍであった。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察し、パターン剥がれの有無を観察した。パターン剥がれが観察されない最小のマスク開口幅から、以下の評価基準に従って微細パターン加工性を評価した。１以上を合格とした。
５：マスク開口幅１．５μｍ以上でパターン剥がれ無し
４：マスク開口幅２．０μｍ以上でパターン剥がれ無し
３：マスク開口幅３．０μｍ以上でパターン剥がれ無し
２：マスク開口幅４．０μｍ以上でパターン剥がれ無し
１：マスク開口幅５．０μｍ以上でパターン剥がれ無し
０：マスク開口幅６．０μｍ以上でパターン剥がれ有り。
【００５６】
＜導電性評価＞
前記微細パターン加工性の評価方法により得られた導電パターンのうち、パターン剥がれが観察されない最小のマスク開口幅の導電パターンについて、抵抗測定用テスター（２４０７Ａ；ＢＫプレシジョン社製）を用いて端子間の抵抗値を測定した。また、同じ導電パターンについて、表面粗さ形状測定機（“サーフコム”（登録商標）１４００Ｄ；（株）東京精密製）を用いて厚さを測定した。また、光学顕微鏡を用いて、同じ導電パターンを倍率１０００倍で拡大観察して線幅を測定した。下記式（２）に従って、体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）を算出し、以下の評価基準に従って導電性を評価した。１以上を合格とした。ただし、全てのパターンが剥がれた比較例３については評価できなかった。
体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）＝｛抵抗値（Ω）×膜厚（μｍ）×線幅（μｍ）×パッド部幅（μｍ）｝／｛端子間距離（μｍ）／ピッチ（μｍ）｝×１００  ・・・（２）
５：５０μΩ・ｃｍ未満
４：５０μΩ・ｃｍ以上６０μΩ・ｃｍ未満
３：６０μΩ・ｃｍ以上７０μΩ・ｃｍ未満
２：７０μΩ・ｃｍ以上８０μΩ・ｃｍ未満
１：８０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
０：１００μΩ・ｃｍ以上。
【００５７】
＜視認性（視認されにくさ）（目視）＞
前記微細パターン加工性の評価方法により得られた導電パターン形成基板を、黒色フィルム上に設置し、投光機を用いて光を投射し、３０ｃｍ離れた位置から１０人がそれぞれ目視し、メッシュ状の電極部分が視認可能か否か、以下の評価基準に従って評価した。２以上を合格とした。ただし、全てのパターンが剥がれた比較例３については評価できなかった。
５：１０人が視認不可
４：８人以上１０人未満が視認不可
３：６人以上８人未満が視認不可
２：４人以上６人未満が視認不可
１：２人以上４人未満が視認不可
０：２人未満が視認不可。
【００５８】
＜視認性（視認されにくさ）（反射率）＞
前記微細パターン加工性の評価方法により得られた導電パターン形成基板のパッド部について、反射率計（ＶＳＲ４００：日本電色工業（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍにおける反射率を測定した。以下の評価基準に従って評価した。３以上を合格とした。
５：２０％未満
４：２０％超２５％以下
３：２５％超３０％以下
２：３０％超３５％以下
１：３５％超４０％以下
０：４０％超。
【００５９】
各実施例で用いた材料は、次のとおりである。
［導電性粒子（Ａ）］
Ａ−１：一次粒子径０．３μｍの銀粒子（２０℃における電気抵抗率３μΩ・ｃｍ以下）
Ａ−２：一次粒子径０．８μｍの銀粒子（２０℃における電気抵抗率３μΩ・ｃｍ以下）
なお、導電性粒子の一次粒子径は、導電性粒子を、電子顕微鏡を用いて倍率２５０００倍で観察し、無作為に選択した１００個の導電性粒子の一次粒子について、それぞれ長径と短径を測定してその平均値を一次粒子径とし、その数平均値から算出した。
【００６０】
［不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ）］
（合成例１）カルボキシル基含有アクリル系共重合体（Ｂ−１）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのエチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）、４０ｇのメタクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２−ＥＨＭＡ」）、２０ｇのスチレン（以下、「Ｓｔ」）、１５ｇのアクリル酸（以下、「ＡＡ」）、０．８ｇの２，２−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃で６時間撹拌して重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのグリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）、１ｇのトリエチルベンゼンアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃で２時間撹拌して付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することにより未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥して、共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／Ｓｔ／ＧＭＡ／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５のカルボキシル基含有アクリル系共重合体を得た。得られた共重合体の酸価を測定したところ、１０３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、酸価はＪＩＳ  Ｋ  ００７０（１９９２）に準じて測定した。
【００６１】
［光重合開始剤（Ｃ）］
Ｃ−１：“ＩＲＧＡＣＵＲＥ”（登録商標）３６９（チバジャパン（株）製、α−アミノアルキルフェノン系化合物）
Ｃ−２“ＩＲＧＡＣＵＲＥ”（登録商標）ＯＸＥ０２（チバジャパン（株）製、オキシム系化合物）
［Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ）］
Ｄ−１：オイルブラック（登録商標）ＨＢＢ（オリエント化学工業（株）製）
Ｄ−２：オイルブラック（登録商標）８６０（オリエント化学工業（株）製）
Ｄ−３：Ｎｅｐｔｕｎブラック（登録商標）Ｘ６０（ＢＡＳＦ社製）
［エポキシ樹脂］
Ｅ−１：“ＪＥＲ”（登録商標）８２８（三菱化学（株）製、エポキシ当量１８８）
Ｅ−２：“アデカレジン”（登録商標）ＥＰＲ−４０３０（（株）ＡＤＥＫＡ製、エポキシ当量３８０）
Ｅ’−３：“ＪＥＲ”（登録商標）１００２（三菱化学（株）製、エポキシ当量６５０）。
【００６２】
［黒色材料］
ＣＢ：カーボンブラック＃２４０（三菱化学（株）製、平均粒子径４５ｎｍ）
ＮＨ８０５：Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック５  ＮＵＢＩＡＮ  ＢＬＡＣＫ（登録商標）ＮＨ−８０５（オリエント化学工業（株）製）
［実施例１］
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの不飽和二重結合を有する化合物（Ｂ−１）、０．５０ｇの光重合開始剤（Ｃ−２）、０．２４ｇのＣ．Ｉ．ソルベントブラック３（Ｄ−１）および５．０ｇのＤＭＥＡを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）を用いて混合して、１５．７４ｇの樹脂溶液（固形分６８．２質量％）を得た。
【００６３】
得られた１５．７４ｇの樹脂溶液と４０．４ｇの導電性粒子（Ａ−１）を混ぜ合わせ、三本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、５５．７８ｇの導電ペーストを得た。表１に導電ペーストの組成を示す。
【００６４】
得られた導電ペーストを用いて、前述の方法により、微細パターン加工性、導電性、視認性（視認されにくさ）（目視）および視認性（視認されにくさ）（反射率）をそれぞれ評価した。微細パターン加工性は「５」、導電性は「４」と良好であった。視認性（視認されにくさ）（目視）、視認性（視認されにくさ）（反射率）はいずれも「２」であったが、問題なく使用できる範囲であった。評価結果を表２に示す。
【００６５】
［実施例２〜１４］
表１に示す組成の導電ペーストを実施例１と同じ方法で作製し、実施例１と同様にして評価を行った。評価結果を表２に示す。
【００６６】
［比較例１〜５］
表１に示す組成の導電ペーストを、実施例１と同じ方法で製造し、実施例１と同様にして評価を行った。評価結果を表２に示す。
【００６７】
［比較例６］
表１に示す組成の感光性導電ペーストを、実施例１と同じ方法で製造し、各評価用の導電パターンを形成した。
【００６８】
水５０ｇに３６質量％塩酸４０ｇを加えて塩酸の水溶液を調製した。次いで、この塩酸水溶液９０ｇに酸化テルル３ｇを加えた。酸化テルルが塩酸水溶液に完全に溶解したことを目視にて確認した後、この塩酸水溶液に酢酸５ｇを加え、さらに水を加えて全量を１００ｇとして、黒色化溶液を調製した。得られた黒色化溶液に、前記導電パターンを形成した基板を１０秒間浸漬させ黒色化し、導電パターン形成基板を形成した。実施例１と同様にして評価を行った。評価結果を表２に示す。
【００６９】
【表１】
2019114497.tif 000003
【００７０】
【表２】
2019114497.tif 000004
【００７１】
表２に示されるように、実施例１〜１４の導電ペーストにより得られる導電パターンは、いずれも微細パターン加工性、導電性は「１」以上、視認性（視認されにくさ）（目視）、視認性（視認されにくさ）（反射率）は「２」以上で問題なく使用できる範囲であった。一方、比較例１〜６の導電ペーストにより得られる導電パターンは、微細パターン加工性、導電性、視認性（視認されにくさ）（目視）または視認性（視認されにくさ）（反射率）のいずれかが不十分であった。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の導電ペーストは、微細化および配線電極を視認されにくくすることがより高く要求されるタッチパネル用部材として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１  パッド部
２  端子間距離
３  パッド部幅
【図１】
2019114497.tif 000005