(57)【要約】【課題】混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置（１００）は、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）および青画素（Ｂ）を含む複数の画素を有し、基板（１）と、基板に支持されそれぞれが複数の画素のそれぞれに設けられた複数の有機ＥＬ素子（１０）と、複数の画素を規定する略格子状の第１バンク（２１）であって、第１方向に延びる複数の第１部分（２１Ａ）と、第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２部分（２１Ｂ）とを含む第１バンクと、第１バンクの頂部（２１ｔ）上に設けられ、第１バンクの第１部分と第２部分との交差部（ｃｒ）には形成されていない複数の第２バンク（２２）とを備える。【選択図】図３
2019114526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤画素、緑画素および青画素を含む複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
基板と、
前記基板に支持され、それぞれが前記複数の画素のそれぞれに設けられた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の画素を規定する略格子状の第１バンクであって、第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２部分とを含む第１バンクと、
前記第１バンクの頂部上に設けられ、前記第１バンクの前記複数の第１部分と前記複数の第２部分との交差部には形成されていない複数の第２バンクと、を備える有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１バンクは、テーパ形状を有する側面を含み、
前記複数の第２バンクは、前記第１バンクの前記側面を覆っていない、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記複数の第２バンクは、着色されている、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１バンクは、非フッ素系・非シリコーン系の樹脂から形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１バンクは、感光性を有するアクリル樹脂、ポリアミドまたはポリイミドから形成されている、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の第２バンクは、ネガ型の感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドから形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記複数の第２バンクは、撥液材料を含んでいるか、または、表面に撥液処理が施されている、請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記複数の第２バンクは、前記複数の画素のうちの互いに隣接する２つの画素であって、互いに異なる色の２つの画素間に位置する第２バンクを含む、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、
前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含む、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、
前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含まない、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、
前記有機ＥＬ層は、印刷膜を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、
前記有機ＥＬ層は、積層された複数の蒸着膜を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記第２バンクの高さは、前記第１バンクの高さ以上である、請求項１から１２のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が実用化され始めた。有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。各画素は、絶縁材料から形成された格子状の構造体（「バンク」または「隔壁」と呼ばれる）によって規定される。バンクは、ＴＦＴを含む回路（「駆動回路」や「バックプレーン回路」と呼ばれる）を覆うように形成された平坦化膜上に設けられる（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
各画素の有機ＥＬ素子は、駆動回路に接続された陽極と、陽極上に設けられた有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた陰極とから構成される。有機ＥＬ層は、有機半導体材料から形成された複数の層を含む積層構造を有する。この積層構造は、例えば、陽極側からホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層をこの順で含んでいる。赤画素、緑画素、青画素の有機ＥＬ層は、それぞれ赤色光を発する発光層、緑色光を発する発光層、青色光を発する発光層を含む。
【０００４】
有機ＥＬ層は、バンクによって包囲された領域（画素となる領域）内に位置する陽極上に、真空蒸着法または印刷法を用いて形成される。つまり、有機ＥＬ層の形成方法は、「蒸着方式」と「印刷方式」とに大別される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−８５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ表示装置の高精細化が進むにつれて、赤、緑、青の各色間の混色の発生が顕著になってきている。混色が発生すると、表示画像の色純度が低下していわゆる眠たい画像となり、表示品位が著しく低下してしまう。
【０００７】
混色の発生の原因は、有機ＥＬ表示装置の製造工程において、各色の発光層を対応する画素に形成する際、隣接画素の発光層材料が混入して赤、緑、青の単色の色純度が低下することにある。このような問題は、印刷方式および蒸着方式の両方において発生し得る。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置は、赤画素、緑画素および青画素を含む複数の画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記基板に支持され、それぞれが前記複数の画素のそれぞれに設けられた複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の画素を規定する略格子状の第１バンクであって、第１方向に延びる複数の第１部分と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２部分とを含む第１バンクと、前記第１バンクの頂部上に設けられ、前記第１バンクの前記複数の第１部分と前記複数の第２部分との交差部には形成されていない複数の第２バンクであって、前記第１バンクよりも撥液性が高い複数の第２バンクと、を備える。
【００１０】
ある実施形態において、前記第１バンクは、テーパ形状を有する側面を含み、前記複数の第２バンクは、前記第１バンクの前記側面を覆っていない。
【００１１】
ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、着色されている。
【００１２】
ある実施形態において、前記第１バンクは、非フッ素系・非シリコーン系の樹脂から形成されている。
【００１３】
ある実施形態において、前記第１バンクは、感光性を有するアクリル樹脂、ポリアミドまたはポリイミドから形成されている。
【００１４】
ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、ネガ型の感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドから形成されている。
【００１５】
ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、撥液材料を含んでいるか、または、表面に撥液処理が施されている。
【００１６】
ある実施形態において、前記複数の第２バンクは、前記複数の画素のうちの互いに隣接する２つの画素であって、互いに異なる色の２つの画素間に位置する第２バンクを含む。
【００１７】
ある実施形態において、前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含む。
【００１８】
ある実施形態において、前記複数の画素は、互いに隣接する２つの画素であって、互いに同じ色の２つの画素を含むように配置されており、前記複数の第２バンクは、互いに同じ色の前記２つの画素間に位置する第２バンクを含まない。
【００１９】
ある実施形態において、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、前記有機ＥＬ層は、積層された複数の印刷膜を含む。
【００２０】
ある実施形態において、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを含み、前記有機ＥＬ層は、積層された複数の蒸着膜を含む。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の実施形態によれば、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置１００の画素配列を示す図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置１００を模式的に示す断面図であり、図１中の２Ａ−２Ａ’線に沿った断面を示している。
【図３】有機ＥＬ表示装置１００の第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す斜視図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置１００の第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す上面図である。
【図５】有機ＥＬ表示装置１００の第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す上面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に用いられるＬＴＰＳ−ＴＦＴ７およびＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ＴＦＴ８をそれぞれ模式的に示す断面図である。
【図７】画素配列の他の例（ペンタイル配列）を示す図である。
【図８】ペンタイル配列の有機ＥＬ表示装置１００Ａの第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
図１および図２を参照しながら、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００を説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置１００の画素配列を示す図であり、図２は、有機ＥＬ表示装置１００を模式的に示す断面図であり、図１中の２Ａ−２Ａ’線に沿った断面を示している。
【００２５】
有機ＥＬ表示装置１００は、図１に示すように、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂを含む複数の画素を有する。複数の画素は、マトリクス状に配列されている。互いに異なる色を表示する３つの画素（赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂ）によって、１つのカラー表示画素が構成される。なお、ここでは、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂの面積が互いに同じである例を示しているが、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂの面積は同じでなくてもよい。また、ここではいわゆるストライプ配列を例示しているが、画素配列はストライプ配列に限定されるものではない。
【００２６】
有機ＥＬ表示装置１００は、図２に示すように、基板１と、駆動回路２と、複数の有機ＥＬ素子１０と、薄膜封止（Thin Film Encapsulation：ＴＦＥ）構造３０とを備える。複数の有機ＥＬ素子１０は、例えばトップエミッション型である。ＴＦＥ構造３０の上には、偏光板が配置されてもよい。
【００２７】
基板１は、例えばポリイミドフィルムである。ポリイミドフィルムは、フレキシブルな（可撓性を有する）基板１として好適に用いられる。なお、基板１として、可撓性を有しない基板（例えばガラス基板）を用いてもよい。
【００２８】
駆動回路（バックプレーン回路）２は、基板１上に形成されたＴＦＴ（ここでは不図示）を含む。駆動回路２は、平坦化膜３によって覆われている。
【００２９】
複数の有機ＥＬ素子１０は、平坦化膜３上に形成されており、基板１に支持されている。複数の有機ＥＬ素子１０のそれぞれは、各画素に設けられている。各有機ＥＬ素子１０は、陽極（第１電極）１１と、陽極１１上に設けられた有機ＥＬ層１２と、有機ＥＬ層１２上に設けられた陰極（第２電極）１３とを含む。図示している例では、有機ＥＬ層１２は、陽極１１側からホール注入層１２ａ、ホール輸送層１２ｂ、発光層１２ｃ、電子輸送層１２ｄおよび電子注入層１２ｅをこの順で含む。なお、有機ＥＬ層１２の積層構造は、ここで例示したものに限定されない。また、ここでは、有機ＥＬ層１２を構成する複数の有機半導体層は、それぞれ印刷法によって形成された膜（印刷膜）である。つまり、有機ＥＬ層１２は、積層された複数の印刷膜を含む。
【００３０】
ＴＦＥ構造３０は、無機バリア層と有機バリア層とが交互に積層された構成を有する。ＴＦＥ構造３０の具体的な構成としては、公知の種々の構成を用いることができる。
【００３１】
有機ＥＬ表示装置１００は、さらに、複数の画素を規定する第１バンク２１と、第１バンク２１の頂部２１ｔ上に設けられた複数の第２バンク２２とを備える。第１バンク２１は、平坦化膜３上に形成されている。図示している例では、陽極１１の端部（外縁部）は、第１バンク２１の下に位置しているが、陽極１１の端部が第１バンク２１の下端から離隔していてもよい。第１バンク２１および第２バンク２２は、後述するように、感光性の樹脂材料から形成することができる。
【００３２】
以下、さらに図３および図４も参照しながら、第１バンク２１および第２バンク２２の構成を説明する。図３および図４は、第１バンク２１および第２バンク２２を模式的に示す斜視図および上面図である。
【００３３】
第１バンク２１は、略格子状であり、行方向（第１方向）に延びる複数の部分（以下では「第１部分」と称する）２１Ａと、行方向に交差（ここでは略直交）する列方向（第２方向）に延びる複数の部分（以下では「第２部分」と称する）２１Ｂとを含む。第１バンク２１によって包囲される個々の領域が画素である。第１バンク２１は、頂面２１ｔと、テーパ形状を有する側面２１ｓとを含む。
【００３４】
複数の第２バンク２２のそれぞれは、略直方体状である。第２バンク２２は、既に説明したように、第１バンク２１の頂部（頂面）２１ｔ上に設けられている。第２バンク２２は、第１バンク２１の第１部分２１Ａと第２部分２１Ｂとの交差部ｃｒには形成されていない。また、第２バンク２２は、第１バンク２１の側面２１ｓを覆っておらず、陽極１１に接していない。
【００３５】
第２バンク２２は、撥液性である。これに対し、第１バンク２１は、撥液性ではなく、親液性である。つまり、第２バンク２２は、第１バンク２１よりも撥液性が高い。
【００３６】
ここで、バンクなどが「撥液性である」とは、バンクなどの表面における液状材料（印刷法ではインク）に対する濡れ性が低いことをいう。具体的には、親水性（水分散系）のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも撥水性を有し、疎水性（有機溶媒系）のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも撥油性を有することを意味する。また、有機ＥＬ層が親水性のインクから形成される層と、疎水性のインクから形成される層とを含む場合には、撥水性および撥油性を併せ持つことを意味する。
【００３７】
一方、バンクなどが「親液性である」とは、その表面が液状材料に対する濡れ性が高いことをいう。具体的には、親水性のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも親水性を有し、疎水性のインクを用いる場合、バンク表面が少なくとも親油性を有することを意味する。また、有機ＥＬ層が親水性のインクから形成される層と、疎水性のインクから形成される層とを含む場合には、親水性および親油性を併せ持つことを意味する。
【００３８】
また、「濡れ性が低い」とは、バンク表面の液状材料に対する接触角が、例えば９０°以上であり、「濡れ性が高い」とは、バンク表面の液状材料に対する接触角が、例えば４０°以下であることをいう。接触角は、一般に液適法を用いて測定される。
【００３９】
上述したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、第１バンク２１上に、第１バンク２１よりも撥液性が高い複数の第２バンク２２が設けられている。そのため、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程において、有機ＥＬ層１２を印刷法により形成する際、各画素内に滴下された有機材料（発光層材料）が、隣の画素に漏れ出す（サテライト滴が隣の画素に着弾する）ことが防止される。それ故、有機ＥＬ表示装置１００では、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる。
【００４０】
また、第２バンク２２は、第１バンク２１の交差部ｃｒには形成されていない。本願発明者の検討によれば、第１バンク２１の交差部ｃｒにも第２バンク２２を形成する（つまり格子状の第２バンク２２を設ける）場合、交差部ｃｒ上に付与された感光性樹脂材料に露光不足やパターニング不良が発生することがあり、交差部上の第２バンク２２の高さの制御が困難であることがわかった。本実施形態のように、第２バンク２２を第１バンク２１の交差部ｃｒには形成しないことにより、第２バンク２２の高さを好適に制御することができる。
【００４１】
なお、各画素の陰極１３を構成する導電層は、図２に例示しているように第２バンク２２による段差で不連続となり得るが、第２バンク２２が形成されていない交差部ｃｒ上で連続している。
【００４２】
また、ここでは、有機ＥＬ層１２が印刷方式で形成される場合を例示したが、本発明の実施形態は、有機ＥＬ層１２が蒸着方式で形成される場合（つまり有機ＥＬ層１２が積層された複数の蒸着膜を含む場合）であっても上述した効果を得ることができる。第２バンク２２が設けられていることにより、隣接する画素同士を隔てる構造体（バンク）の高さが大きくなるので、そのことにより、シャドウイングによって隣接する画素から回り込んでくる有機材料を遮断することができる。そのため、混色を防止することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、第２バンク２２の下には略格子状で撥液性を有しない第１バンク２１が設けられており、第２バンク２２は、第１バンク２１の側面２１ｓを覆っていない（つまり第１バンク２１の側面２１ｓが露出している）ので、画素内のすべての領域に有機材料をきれいに塗布することができる。つまり、画素は、第１バンク２１によって規定される。
【００４４】
第１バンク２１の材料としては、撥液化しない非フッ素系・非シリコーン系の樹脂を用いることができ、具体的には、感光性を有するアクリル樹脂、ポリアミドまたはポリイミドを好適に用いることができる。感光性のポリアミドは、例えば、国際公開第２００９／１５１０１２号に開示されている。
【００４５】
第２バンク２２の材料としては、ネガ型の感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドを好適に用いることができる。ネガ型の感光性樹脂では、光照射によって重合が進むなどした部分の現像液への耐性が高くなり、現像後には光が照射された部分がパターンとして残る。そのため、露光量を変えることなどによって重合の程度を制御できるので、残すパターンの制御性が増す。そのため、上述した樹脂材料を用いることにより、高精度でフォトリソグラフィを行うことが可能であるので、第１バンク２１上に第２バンク２２を好適に形成することができる。
【００４６】
第２バンク２２が撥液材料を含んでいるか、または、第２バンク２２の表面に撥液処理が施されていることにより、第２バンク２２に撥液性を発現させることができる。撥液材料としては、例えばフッ素系の撥液材料を用いることができる。撥液処理としては、四フッ化炭素（ＣＦ4）等のフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を用いることができる。
【００４７】
第２バンク２２は、無色であってもよいし、着色されていてもよい。第２バンク２２が着色されている（例えば黒色やこげ茶色である）と、画素から斜め出射する光を制限することができるので、視野角特性を向上させることが可能となる。
【００４８】
第１バンク２１の高さｈ１（図３参照）に特に制限はない。第１バンク２１の高さｈ１は、例えば１μｍ以上２μｍ以下である。
【００４９】
第１バンク２１の第１部分２１Ａの幅ｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１B（いずれも図４参照）に特に制限はない。第１部分２１Ａの幅ｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１Bは、第１部分２１Ａおよび第２部分２１Ｂが陽極１１に例えばそれぞれ１μｍ以上３μｍ以下重なるように設定される。
【００５０】
第２バンク２２の高さｈ２（図３参照）に特に制限はないが、混色の発生を防止する観点からは、ある程度大きいことが好ましく、例えば２μｍ以上であることが好ましい。ただし、第２バンク２２の高さｈ２が大きすぎると、製造上の困難さを伴うおそれがあるので、例えば５μｍ以下であることが好ましい。
【００５１】
第２バンク２２の幅ｗ２（図４参照）は、第１バンク２１の幅（第１部分２１Ａのｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１B）に対して所定の大きさだけ小さくなるように設定される。具体的には、第２バンク２２の幅ｗ２は、第２バンク２２を形成する際のフォトリソグラフィプロセスにおけるアライメント精度や、第１バンク２１の頂部２１ｔの幅が底部の幅（上述したｗ１Aおよびｗ１B）よりも小さくなることを考慮して設定され、例えば第１バンク２１の幅（第１部分２１Ａのｗ１Aおよび第２部分２１Ｂの幅ｗ１B）よりも６μｍ以上小さく設定される。
【００５２】
第２バンク２２の長さｌ２Aおよびｌ２B（いずれも図４参照）は、混色の発生を抑制する観点からは、ある程度大きいことが好ましい。具体的には、第１バンク２１の第１部分２１Ａ（行方向に延びる部分）上の第２バンク２２の長さｌ２Aは、画素の行方向に沿った長さの８０％以上であることが好ましく、第１バンク２１の第２部分２１Ｂ（列方向に延びる部分）上の第２バンク２２の長さｌ２Bは、画素の列方向に沿った長さの８０％以上であることが好ましい。
【００５３】
なお、図１等に例示したストライプ配列の場合、行方向に沿っては異なる色の画素同士が隣接し、列方向に沿っては同じ色の画素同士が隣接する。従って、第１バンク２１上の複数の第２バンク２２は、互いに異なる色の２つの画素間に位置する第２バンク２２（第２部分２１Ｂ上の第２バンク２２）と、互いに同じ色の２つの画素間に位置する第２バンク２２（第１部分２１Ａ上の第２バンク２２）とを含む。互いに同じ色の画素同士では、混色は発生しないので、図５に示すように、互いに同じ色の２つの画素間に位置する第２バンク２２を省略してもよい。
【００５４】
次に、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に用いられるＴＦＴの例を説明する。
【００５５】
高精細で中小型の有機ＥＬ表示装置には、移動度が高い、低温ポリシリコン（「ＬＴＰＳ」と略称する。）ＴＦＴまたは酸化物ＴＦＴ（例えば、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｏ（酸素）を含む４元系（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）酸化物ＴＦＴ）が好適に用いられる。ＬＴＰＳ−ＴＦＴおよびＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ＴＦＴの構造および製造方法はよく知られているので、以下では簡単な説明に留める。
【００５６】
図６（ａ）は、ＬＴＰＳ−ＴＦＴ７を模式的に示す断面図である。ＴＦＴ７は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に含まれ得る。ＴＦＴ７は、トップゲート型のＴＦＴである。
【００５７】
ＴＦＴ７は、基板（例えばポリイミドフィルム）１上のベースコート層４上に形成されている。ベースコート層４は、無機絶縁材料から形成されている。
【００５８】
ＴＦＴ７は、ベースコート層４上に形成されたポリシリコン層７ａと、ポリシリコン層７ａ上に形成されたゲート絶縁層５と、ゲート絶縁層５上に形成されたゲート電極７ｇと、ゲート電極７ｇ上に形成された層間絶縁層６と、層間絶縁層６上に形成されたソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄとを有している。ソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄは、層間絶縁層６およびゲート絶縁層５に形成されたコンタクトホール内で、ポリシリコン層７ａのソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されている。
【００５９】
ゲート電極７ｇは、ゲートバスラインと同じゲートメタル層に含まれ、ソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄは、ソースバスラインと同じソースメタル層に含まれる。
【００６０】
図６（ｂ）は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ＴＦＴ８を模式的に示す断面図である。ＴＦＴ８は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動回路２に含まれ得る。ＴＦＴ８は、ボトムゲート型のＴＦＴである。
【００６１】
ＴＦＴ８は、基板（例えばポリイミドフィルム）１上のベースコート層４上に形成されている。ＴＦＴ８は、ベースコート層４上に形成されたゲート電極８ｇと、ゲート電極８ｇ上に形成されたゲート絶縁層５と、ゲート絶縁層５上に形成された酸化物半導体層８ａと、酸化物半導体層８ａのソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄとを有している。ソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄは、層間絶縁層６に覆われている。ゲート電極８ｇは、ゲートバスラインと同じゲートメタル層に含まれ、ソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄは、ソースバスラインと同じソースメタル層に含まれる。
【００６２】
続いて、有機ＥＬ表示装置１００の製造方法を説明する。ここでは、駆動回路２がＬＴＰＳ−ＴＦＴ７を含む場合を例として説明を行う。有機ＥＬ表示装置１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【００６３】
基板１として、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下の厚さを有するポリイミドフィルムを用意する。ポリイミドフィルムは、ガラス板上に形成されている。ポリイミドフィルムは、１層であってもよいし、２層のポリイミド層の間に無機膜（ＳｉＯ2膜等）を挟んだ２層構成であってもよい。
【００６４】
基板１上に、ベースコート層４として、積層無機膜（例えばＳｉＯ2膜／ＳｉＮx膜／ＳｉＯ2膜）を形成する。
【００６５】
ベースコート層４上に、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有するａ−Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００６６】
ａ−Ｓｉ膜の脱水素処理（例えば４５０℃で１８０分間アニール）を行う。
【００６７】
ａ−Ｓｉ膜をエキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）法によりポリシリコン化する。
【００６８】
ａ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィプロセスによりパターニングすることによって、活性層（半導体島）を形成する。
【００６９】
活性層を覆うゲート絶縁層５として、例えば１００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ2膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００７０】
活性層のチャネル領域にドーピング（Ｂ+）を行う。
【００７１】
ゲート絶縁層５上に、ゲートメタルとして、例えば２５０ｎｍの厚さを有するＭｏ膜をスパッタ法により成膜し、ゲートメタルをフォトリソグラフィプロセスによりパターニングすることによって、ゲート電極７ｇおよびゲートバスラインを形成する。
【００７２】
活性層のソース領域およびドレイン領域にドーピング（Ｐ+）を行う。
【００７３】
活性化アニール（例えば、４５０℃、４５分間アニール）を行う。これにより、ポリシリコン層７ａが得られる。
【００７４】
ゲート電極７ｇなどを覆う層間絶縁層６として、例えば厚さ１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＳｉＮx膜またはＳｉＯ2膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００７５】
ゲート絶縁層５および層間絶縁層６にコンタクトホールをウェットエッチングおよびドライエッチングにより形成する。
【００７６】
層間絶縁層６上に、ソースメタルとして、Ｔｉ膜／Ａｌ膜／Ｔｉ膜の積層膜（厚さは例えば５０ｎｍ／５００ｎｍ／１００ｎｍ）をスパッタ法により成膜し、ソースメタルをフォトリソグラフィプロセスによりパターニングすることによって、ソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄおよびソースバスラインを形成する。このようにして、ＴＦＴ７が完成する。
【００７７】
ＴＦＴ７などを覆うように、平坦化膜３として、例えば２μｍの厚さを有するポリイミド膜またはアクリル樹脂膜をスリットコータ等により成膜する。
【００７８】
平坦化膜３上に、陽極１１として、ＩＴＯ膜／ＡｇまたはＡＰＣ膜／ＩＴＯ膜の積層膜（厚さは例えば５ｎｍ／１００ｎｍ／５ｎｍ）を成膜してパターニングする。
【００７９】
平坦化膜３上に、略格子状の第１バンク２１を形成する。第１バンク２１の材料として、撥液性を有しない、感光性のアクリル樹脂またはポリアミドを用いる。あるいは、ポリイミドを用いてもよい。第１バンク２１の高さは、例えば１μｍ以上２μｍ以下である。
【００８０】
第１バンク２１の頂部２１ｔ上に、複数の第２バンク２２を形成する。このとき、第１バンク２１の交差部ｃｒ上には第２バンク２２を形成しない。第２バンク２２の材料として、ネガ型感光性を有するアクリル樹脂またはポリアミドを用いる。これにより、高精度のフォトリソグラフィプロセスを行うことができる。第２バンク２２の材料には、フッ素系の撥液材料が添加されている。あるいは、第２バンク２２の表面に撥液処理（例えばＣＦ4を用いたプラズマ処理）を行ってもよい。第２バンク２２の高さは、例えば、２μｍ以上５μｍ以下である。
【００８１】
その後、有機ＥＬ層１２を、印刷法または真空蒸着法により形成し、続いて、陰極１３を形成する。さらにその後、有機ＥＬ素子１０上に、ＴＦＥ構造３０を形成する。
【００８２】
このようにして、有機ＥＬ表示装置１００が得られる。
【００８３】
ここまでの説明では、画素配列がストライプ配列である場合を例示したが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。画素配列は、例えば、図７に示すようなペンタイル配列であってもよい。図７に例示しているペンタイル配列は、ダイヤモンドペンタイル配列と呼ばれることもある。
【００８４】
図８に、ダイヤモンドペンタイル配列の有機ＥＬ表示装置１００Ａにおける第１バンク２１および第２バンク２２の構成を示す。
【００８５】
画素配列がダイヤモンドペンタイル配列の場合、図８に示すように、第１バンク２１の複数の第１部分２１Ａおよび複数の第２部分２１Ｂが延びる方向が、ストライプ配列の場合と略４５°異なっている。この構成においても、第１バンク２１の頂部２１ｔ上に、第１バンク２１よりも撥液性の高い複数の第２バンク２２を設けることにより、同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の実施形態によると、混色の発生が抑制され、色純度の高い画像表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。本発明の実施形態は、高精細な有機ＥＬ表示装置に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８７】
１：基板、２：駆動回路、３：平坦化膜、７：ＬＴＰＳ−ＴＦＴ、８：Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ＴＦＴ、１０：有機ＥＬ素子、１１：陽極、１２：有機ＥＬ層、１２ａ：ホール注入層、１２ｂ：ホール輸送層、１２ｃ：発光層、１２ｄ：電子輸送層、１２ｅ：電子注入層、１３：陰極、２１：第１バンク、２１Ａ：第１バンクの第１部分、２１Ｂ：第２バンクの第２部分、２１ｔ：第１バンクの頂部（頂面）、２１ｓ：第１バンクの側面、２２：第２バンク、３０：ＴＦＥ構造、１００：有機ＥＬ表示装置、Ｒ：赤画素、Ｇ：緑画素、Ｂ：青画素、ｃｒ：第１バンクの交差部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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