(57)【要約】      （修正有）【課題】研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面の表面欠陥及び研磨パッドの継続使用における短波長うねりを低減できる、磁気ディスク基板用研磨液組成物を提供する。【解決手段】磁気ディスク基板用研磨液組成物は、シリカ粒子（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、酸化剤（成分Ｄ）及び水を含む。水容性高分子が、式（Ｉ）で表される構成単位を含む水溶性高分子又は式（ＩＩ）で表される構成単位を含む水溶性高分子の全Ｒ1及び全Ｒ2の少なくとも一部が水素原子、アルカリ金属及び有機アミンから選ばれる少なくとも１種で置換されている水溶性高分子である。2019200829.tif 000007式（Ｉ）中、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、又は有機アミンを表す。式（ＩＩ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又はアリール基を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカ粒子（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、酸化剤（成分Ｄ）及び水を含み、
前記成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含む水溶性高分子Ｂ１、又は、下記式（ＩＩ）で表される構成単位を含む水溶性高分子の全Ｒ1及び全Ｒ2の少なくとも一部が水素原子、アルカリ金属及び有機アミンから選ばれる少なくとも１種で置換されている水溶性高分子Ｂ２である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
【化１】
2019200829.tif 000006
式（Ｉ）中、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、又は有機アミンを表す。式（ＩＩ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又はアリール基を表す。
【請求項２】
前記水溶性高分子Ｂ２の置換率は、５０％以上である、請求項１に記載の研磨液組成物。
【請求項３】
成分Ｂの重量平均分子量が、１，０００以上１５０，０００以下である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
【請求項４】
成分Ｃが、塩酸、硝酸、硫酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項５】
ｐＨが０．５以上４未満である、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項６】
Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨に用いられる、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含む、基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレの低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。
【０００３】
このような要求に対して、特許文献１では、磁気ディスク基板の研磨に用いる研磨パッドの劣化及びそれに伴ううねりの発生を抑制することを目的として、特定のアミノカルボン酸及びフェノール化合物を含む研磨液組成物が提案されている。
【０００４】
一方、磁気ディスク基板の研磨とは要求特性が異なる半導体デバイスの化学機械研磨のプロセスにおいては、例えば、特許文献２では、ポリビニルスルホン酸又はその誘導体を含む研磨液組成物が提案されている。特許文献３では、（ａ）スルホン酸（塩）基を有する単量体、カルボン酸（塩）基を有する単量体、水酸基を有する単量体、エチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体、および窒素原子を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、ならびに、（ｂ）ビニルホスホン酸（塩）、からなる単量体成分を共重合してなる共重合体（塩）を主成分とする半導体部品用洗浄剤が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１８／１３３０２３号
【特許文献２】特表２０１５−５０６３８６号公報
【特許文献３】特開２００１−１０７０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面の表面欠陥及びうねりを低減できる研磨液組成物の開発が求められている。
【０００７】
そこで、本開示は、一態様において、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面の表面欠陥及び研磨パッドの継続使用における短波長うねりを低減できる、磁気ディスク基板用研磨液組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、酸化剤（成分Ｄ）及び水を含み、前記成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含む水溶性高分子Ｂ１、又は、下記式（ＩＩ）で表される構成単位を含む水溶性高分子の全Ｒ1及び全Ｒ2の少なくとも一部が水素原子、アルカリ金属及び有機アミンから選ばれる少なくとも１種で置換されている水溶性高分子Ｂ２である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。
【化１】
2019200829.tif 000002
式（Ｉ）中、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、又は有機アミンを表す。式（ＩＩ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又はアリール基を表す。
【０００９】
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【００１０】
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含む、基板の研磨方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の研磨液組成物によれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面の表面欠陥及び研磨パッドの継続使用における短波長うねりが低減された磁気ディスク基板を製造できるという効果が奏されうる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示は、所定の水溶性高分子を含有する研磨液組成物を使用すれば、研磨速度を大きく損なうことなく、研磨後の基板表面の表面欠陥及び研磨パッドの継続使用における短波長うねりを低減できるという知見に基づく。
【００１３】
すなわち、本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、酸化剤（成分Ｄ）及び水を含み、前記成分Ｂが、上記式（Ｉ）で表される構成単位を含む水溶性高分子Ｂ１、又は、上記式（ＩＩ）で表される構成単位を含む水溶性高分子の全Ｒ1及び全Ｒ2の少なくとも一部が水素原子、アルカリ金属及び有機アミンから選ばれる少なくとも１種で置換されている水溶性高分子Ｂ２である、磁気ディスク基板用研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
【００１４】
本開示の効果発現のメカニズムは明らかではないが、以下のように推察される。
一般的に、研磨パッドの継続使用により研磨パッドの表面が粗くなり、研磨後の基板表面の短波長うねりが発生しやすくなる。
これに対し、本開示では、研磨液組成物中の成分Ｂの水溶性高分子が、酸性研磨により基板から溶出した金属イオンをキレートすることにより、酸化剤の不安定化が抑制されて、研磨パッドの磨耗が抑制され、研磨パッドの継続使用による短波長うねりを低減できると考えられる。また、成分Ｂの水溶性高分子によって、シリカ粒子の凝集が抑制され、研磨速度を大きく低下することなく、研磨後の基板表面の表面欠陥を低減できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１５】
本開示において基板の「うねり」とは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸をいう。本開示において「短波長うねり」とは、例えば、８０〜５００ｎｍの波長により観測されるうねりをいう。研磨後の基板表面の短波長うねりが低減されることにより、磁気ディスクドライブにおいて磁気ヘッドの浮上高さを低くすることができ、磁気ディスクの記録密度の向上が可能となる。基板表面の短波長うねりは、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。
【００１６】
本開示において、研磨パッドの磨耗は、一又は複数の実施形態において、研磨パッドの変形であり、さらなる一又は複数の実施形態において、研磨パッドの開孔径の変化、及び／又は、研磨パッドの表面粗さの変化をいう。
【００１７】
［シリカ粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨材（砥粒）としてシリカ粒子（成分Ａ）を含有する。成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１８】
成分Ａは、製造容易性及び経済性の観点から、珪酸アルカリ水溶液を原料とした粒子成長による方法（以下、「水ガラス法」ともいう）、及び、アルコキシシランの加水分解物の縮合による方法（以下、「ゾルゲル法」ともいう）により得たものであることが好ましく、水ガラス法により得たものであることがより好ましい。水ガラス法及びゾルゲル法により得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって製造できる。成分Ａの使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。
【００１９】
成分Ａの形状としては、非球状でもよいし、球状でもよい。
【００２０】
成分Ａの平均粒径は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの平均粒径は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上７０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、成分Ａの平均粒径は、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径であり、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。
【００２１】
本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量は、研磨速度の向上の観点から、ＳｉＯ2換算で、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの含有量は、ＳｉＯ2換算で、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の研磨材の組合せである場合、成分Ａの含有量は、それらの合計含有量をいう。
【００２２】
［水溶性高分子（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物に含まれる水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含む水溶性高分子Ｂ１、又は、下記式（ＩＩ）で表される構成単位を含む水溶性高分子の全Ｒ1及び全Ｒ2の少なくとも一部が水素原子、アルカリ金属及び有機アミンから選ばれる少なくとも１種で置換されている水溶性高分子Ｂ２である。成分Ｂは単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。本開示において、「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が０．０１ｇ以上であることをいう。
【００２３】
【化２】
2019200829.tif 000003
【００２４】
式（Ｉ）中、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、又は有機アミンを表す。式（ＩＩ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又はアリール基を表す。
【００２５】
式（Ｉ）中、Ｍ1及びＭ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、又は有機アミンであり、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、水素原子が好ましい。有機アミンとしては、１級、２級又は３級のアルキルアミンやアルカノールアミンが挙げられ、好ましくはアルカノールアミン、より好ましくはトリエタノールアミンである。アルカリ金属としては、例えば、ナトリウム、カリウム、リチウム等が挙げられる。
【００２６】
式（ＩＩ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又はアリール基であり、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、脂肪族炭化水素基が好ましい。脂肪族炭化水素基は、直鎖状又は分岐状であってもよし、飽和又は不飽和であってもよい。脂肪族炭化水素基の炭素数は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１以上３以下が更に好ましい。脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル等が挙げられる。
【００２７】
水溶性高分子Ｂ２の置換率は、３０％以上が好ましく、５０％以上がより好ましく、６０％以上が更に好ましい。置換率は、例えば、実施例に記載の測定方法により算出できる。
【００２８】
成分Ｂが水溶性高分子Ｂ１である場合、例えば、ビニルホスホン酸を、重合開始剤の存在下で付加縮合法等の公知の手段により重合することにより製造することができる。耐加水分解性の向上及び酸性研磨液中での保存安定性の向上の観点から、付加縮合法により製造されることが好ましい。水溶性高分子Ｂ１の具体例としては、ポリビニルホスホン酸が上げられる。
成分Ｂが水溶性高分子Ｂ２である場合、例えば、ビニルホスホン酸ジメチル等のビニルホスホン酸エステルを、重合開始剤の存在下で上述した公知の手段により重合した後、さらに加水分解することにより得られる。水溶性高分子Ｂ２の具体例としては、ポリビニルホスホン酸ジメチルの加水分解物、ビニルリン酸とビニルリン酸エステルの共重合体等が挙げられる。
【００２９】
成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、式（Ｉ）で表される構成単位、式（ＩＩ）で表される構成単位、並びに、式（ＩＩ）中のＲ1及び／又はＲ2が水素原子、アルカリ金属及び有機アミンから選ばれる少なくとも１種で置換されている構成単位以外のその他の構成単位を実質的に含まないものとすることができる。成分Ｂを構成する全構成単位中におけるその他の構成単位の含有率は、本開示の効果発現の観点から、１０モル％以下が好ましく、３モル％以下がより好ましく、１モル％以下が更に好ましく、実質的に０モル％が更に好ましい。
【００３０】
本開示において、成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるある構成単位の含有量（モル％）として、合成条件によっては、成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた全構成単位を導入するための化合物中に占める前記反応槽に仕込まれた該構成単位を導入するための化合物量（モル％）を使用してもよい。また、本開示において、成分Ｂが２種以上の構成単位を含む場合、２つの構成単位の構成比（モル比）として、合成条件によっては、前記成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた該２つの構成単位を導入するための化合物量比（モル比）を使用してもよい。
【００３１】
成分Ｂの重量平均分子量は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、１,０００以上が好ましく、２，５００以上がより好ましく、５，０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１５０,０００以下が好ましく、１００，０００以下がより好ましく、５０，０００以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂの重量平均分子量は、１，０００以上１５０，０００以下が好ましく、２，５００以上１００，０００以下がより好ましく、５，０００以上５０，０００以下が更に好ましい。本開示において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の条件で測定した値とする。
【００３２】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００３質量％以上がより好ましく、０．００６質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂの含有量は、０．００１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．００３質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．００６質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。
【００３３】
本開示の研磨液組成物における、成分Ａと成分Ｂとの含有量の比（質量比Ａ／Ｂ）は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、５０以上が好ましく、１００以上がより好ましく、２００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５０００以下が好ましく、２５００以下がより好ましく、１５００以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ａ／Ｂは、５０以上５０００以下が好ましく、１００以上２５００以下がより好ましく、２００以上１５００以下が更に好ましい。
【００３４】
［酸（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び／又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
成分Ｃとしては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸；有機リン酸、有機ホスホン酸、カルボン酸等の有機酸；等が挙げられる。中でも、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、無機酸が好ましく、リン酸及び硫酸の少なくとも一方がより好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期表の１〜１１族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、上記の酸と、１Ａ族に属する金属又はアンモニアとの塩が好ましい。
【００３６】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましく、０．１質量％以上が更により好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましく、２．５質量％以下が更により好ましい。より具体的には、成分Ｃの含有量は、０．００１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上４質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上３質量％以下が更に好ましく、０．１質量％以上２．５質量％以下が更により好ましい。
【００３７】
［酸化剤（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）を含有する。成分Ｄは、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
【００３８】
成分Ｄとしては、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、研磨速度向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着しない観点及び入手容易性の観点から、過酸化水素がより好ましい。
【００３９】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨速度向上の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、４質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１．５質量％以下が更に好ましい。
【００４０】
［水］
本開示の研磨液組成物は、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【００４１】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、必要に応じてその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、複素環芳香族化合物、脂肪族アミン化合物、脂環式アミン化合物、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、成分Ｂ以外の水溶性高分子が挙げられる。前記その他の成分は、本開示の効果を損なわない範囲で研磨液組成物中に含有されることが好ましい。具体的には、研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上が好ましく、０質量％超がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％超１０質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。
【００４２】
［アルミナ砥粒］
本開示の研磨液組成物は、突起欠陥低減の観点から、アルミナ砥粒を実質的に含まないことが好ましい。本明細書において「アルミナ砥粒を実質的に含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。具体的なアルミナ粒子の含有量は、特に限定されるわけではないが、５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、実質的に０質量％が更に好ましい。
【００４３】
［研磨液組成物のｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度確保、表面欠陥低減及び研磨パッドの継続使用における短波長うねり低減の観点から、０．５以上が好ましく、０．８以上がより好ましく、１以上が更に好ましく、１．２以上が更に好ましく、そして、４未満が好ましく、３．５以下がより好ましく、３以下が更に好ましく、２．５以下が更に好ましい。より具体的には、ｐＨは、０．５以上４未満が好ましく、０．８以上３．５以下がより好ましく、１以上３以下が更に好ましく、１．２以上２．５以下が更に好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
【００４４】
［研磨液組成物の製造方法］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ及び水と、さらに所望により、その他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ及び水を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ及び水、並びに必要に応じてその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。成分Ａは、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。研磨材スラリー及び研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
【００４５】
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。本開示の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に、必要に応じて前述の水で適宜希釈して使用すればよい。希釈倍率は、希釈した後に上述した各成分の含有量（使用時）を確保できれば特に限定されるものではなく、例えば、１０〜１００倍とすることができる。
【００４６】
［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するための研磨液キット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットの一実施形態としては、例えば、成分Ａ及び水を含むシリカ分散液と、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを含む添加剤水溶液とを相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水を用いて希釈される研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記シリカ分散液に含まれる水は、研磨液組成物の調製に使用する水の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて上述したその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面の表面欠陥及び研磨パッドの継続使用における短波長うねりを低減できる研磨液組成物が得られうる。
【００４７】
［被研磨基板］
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
【００４８】
本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板に好適である。被研磨基板としては、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウアルミノシリケートガラス等のガラス基板がより適しており、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が更に適している。本開示において「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ処理したものをいう。
【００４９】
被研磨基板の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２ｍｍ以上９５ｍｍ以下程度であり、その厚みは例えば０．４ｍｍ以上２ｍｍ以下程度である。
【００５０】
［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
【００５１】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。
【００５２】
被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。さらに、使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示の研磨液組成物は使用できる。研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
【００５３】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程で使用される研磨パッドとしては、本開示の効果発現の観点から、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドが好適に使用されうる。研磨パッドとしては、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用でき、スエードタイプの研磨パッドが好適に使用されうる。
スエードタイプの研磨パッドの一実施形態としては、発泡層（表面部材）とベース層とを有し、前記発泡層（表面部材）がポリウレタンエラストマー等のウレタン樹脂を含む研磨パッドが挙げられる。前記発泡層は、一又は複数の実施形態において、前記ベース層に対して紡錘状気孔を有するものである。前記発泡層の圧縮率は、例えば、２．５％以上２０％以下とすることができる。圧縮率は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｌ１０９６記載の圧縮率測定方法に基づき、圧縮試験機により測定できる。前記ベース層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエステルフィルムが挙げられる。
【００５４】
研磨パッドの表面部材の平均開孔径は、表面欠陥及び短波長うねり低減、パッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、４５μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が更に好ましく、３５μｍ以下が更に好ましいそして、パッドの研磨液保持性の観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上が更に好ましく、１０μｍ以上が更に好ましい。より具体的には、研磨パッドの表面部材の平均開孔径は、０．０１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上４５μｍ以下がより好ましく、１μｍ以上４０μｍ以下が更に好ましく、１０μｍ以上３５μｍ以下が更に好ましい。研磨パッドの開孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、７０μｍ以下がより好ましく、６０μｍ以下が更に好ましく、５０μｍ以下が更に好ましい。
【００５５】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、研磨速度確保の観点から、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、更に好ましくは７．５ｋＰａ以上であり、そして、表面欠陥及び短波長うねり低減の観点から、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、更に好ましくは１６ｋＰａ以下である。より具体的には、研磨荷重は、５．９〜２０ｋＰａが好ましく、６．９〜１８ｋＰａがより好ましく、７．５〜１６ｋＰａが更に好ましい。本開示において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
【００５６】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における、本開示の研磨液組成物の供給速度は、研磨速度の確保、表面欠陥及び短波長うねりの低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、０．０５〜１５ｍＬ／分が好ましく、０．０６〜１０ｍＬ／分がより好ましく、０．０７〜１ｍＬ／分が更に好ましく、０．０７〜０．５ｍＬ／分が更に好ましい。
【００５７】
本開示の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示の研磨液組成物となる。
【００５８】
本開示の基板製造方法によれば、本開示における研磨液組成物を用いることで、研磨後の基板表面の表面欠陥及び短波長うねりが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
【００５９】
［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面の表面欠陥及び短波長うねりが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。具体的な研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
【００６０】
本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【００６２】
１．水溶性高分子（成分Ｂ又は非成分Ｂ）の調製
表１に示す水溶性高分子Ｂ−１〜Ｂ−７を以下のようにして調製した。
【００６３】
［水溶性高分子Ｂ−１の製造例］
ビニルホスホン酸２０．０ ｇ（０．１９ ｍｏｌ、東京化成工業社製）、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド「Ｖ−５０」 ０．５０２ ｇ（１．８５ ｍｍｏｌ、和光純薬社製）を８０．０ ｇの純水に溶解した水溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに、純水１００ ｇを投入した。撹拌しながら、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を９８℃に昇温し還流下で保った後、予め調製した水溶液を３時間かけてセパラブルフラスコ内に滴下し、重合を行った。滴下終了後、２時間還流下で撹拌した。室温に冷却した後、アンモニア水溶液７．３２ ｇ（０．１２ ｍｏｌ、キシダ化学社製、２８％)で中和してビニルホスホン酸重合体（重量平均分子量：１１，０００、水溶性高分子Ｂ−１）を得た。
【００６４】
［水溶性高分子Ｂ−２の製造例］
ビニルホスホン酸４０．０ ｇ（０．３７ ｍｏｌ、東京化成工業社製）、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド「Ｖ−５０」 ０．５０２ ｇ（１．８５ ｍｍｏｌ、和光純薬社製）を８０．０ ｇの純水に溶解した水溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに、純水１００ ｇを投入した。撹拌しながら、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を８０℃に昇温し、予め調製した水溶液を３時間かけてセパラブルフラスコ内に滴下し、重合を行った。滴下終了後、８０℃で２時間撹拌した。室温に冷却した後、アンモニア水溶液７．３２ ｇ（０．１２ ｍｏｌ、キシダ化学製、２８％）で中和してビニルホスホン酸重合体（重量平均分子量：６５，０００、水溶性高分子Ｂ−２）を得た。
【００６５】
［水溶性高分子Ｂ−３の製造例］
ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに、純水１２０．０ ｇを入れ、撹拌しながら、ビニルホスホン酸８０．０ ｇ（０．７４ ｍｏｌ、東京化成工業社製)、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド「Ｖ−５０」 ０．５０２ ｇ（１．８５ ｍｍｏｌ、和光純薬社製）を溶解した。オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を６０℃に昇温し、５時間重合を行った。室温に冷却した後、アンモニア水溶液２９．２８ ｇ（０．４８ ｍｏｌ、キシダ化学製、２８％）で中和してビニルホスホン酸重合体（重量平均分子量：１４０，０００、水溶性高分子Ｂ−３）を得た。
【００６６】
［水溶性高分子Ｂ−４の製造例］
ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに後述する水溶性高分子Ｂ−６水溶液（濃度３０％）を加え、１００℃に昇温した。その後、塩酸（１０ ｍｏｌ/Ｌ、和光純薬社製)を加え、６０分間反応させることにより、水溶性高分子Ｂ−４を得た。
【００６７】
［水溶性高分子Ｂ−５の製造例］
ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに後述する水溶性高分子Ｂ−６水溶液（濃度３０％）を加え、１００℃に昇温した。その後、塩酸（１０ ｍｏｌ/Ｌ、和光純薬社製)を加え、３０分間反応させることにより、水溶性高分子Ｂ−５を得た。
【００６８】
［水溶性高分子Ｂ−６の製造例］
ビニルホスホン酸ジメチル２０．０ ｇ（０．１５ ｍｏｌ、和光純薬社製)、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド「Ｖ−５０」 ０．５０２ ｇ（１．４７ ｍｍｏｌ、和光純薬社製）を４０．０ ｇの純水と４０ｇの２−プロパノールに溶解した溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに、純水５０ ｇ、２−イソプロパノール５０ ｇを投入した。撹拌しながら、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を８０℃に昇温し還流下で保った後、予め調製した水溶液を３時間かけてセパラブルフラスコ内に滴下し、重合を行った。滴下終了後、８０℃で２時間撹拌した。室温に冷却することでビニルホスホン酸ジメチル重合体（重量平均分子量：６，０００、水溶性高分子Ｂ−６）を得た。
【００６９】
［水溶性高分子Ｂ−７の製造例］
アクリル酸１００．０ ｇ（１．３８ ｍｏｌ、和光純薬社製)、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド「Ｖ−５０」 ３．７６ ｇ（１３．９ ｍｍｏｌ、和光純薬社製）を４００．０ ｇの純水に溶解した水溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計およびテフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた５００ｍＬセパラブルフラスコに、純水１０００ ｇを投入した。撹拌しながら、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を９８℃に昇温し還流下で保った後、予め調製した水溶液を３時間かけてセパラブルフラスコ内に滴下し、重合を行った。滴下終了後、２時間還流下で撹拌した。室温に冷却した後、８４．４ ｇ（１．３９ ｍｏｌ、キシダ化学製、２８％)で中和してアクリル酸重合体（重量平均分子量：６，０００、水溶性高分子Ｂ−７）を得た。
【００７０】
【表１】
2019200829.tif 000004
【００７１】
２．各種パラメータの測定方法
［水溶性高分子（成分Ｂ及び非成分Ｂ）の置換率］
Ｂ−４、Ｂ−５及びＢ−６の水溶性高分子の置換率（％）は、１Ｈ−ＮＭＲを用いて測定した。結果を表１に示す。
【００７２】
［水溶性高分子（成分Ｂ及び非成分Ｂ）の重量平均分子量］
成分Ｂ及び非成分Ｂの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。測定結果を表１に示す。
＜測定条件＞
カラム：TSKgel GMPWXL+TSKgel GMPWXL（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー/ＣＨ3ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）
【００７３】
［コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均粒径］
シリカ粒子をイオン交換水で希釈し、シリカ粒子を０．０２質量％含有する分散液を調製して試料とし、動的光散乱装置（大塚電子社製「ＤＬＳ−７０００」）を用いて、下記の条件で測定した。得られた重量換算での粒度分布の面積が全体の５０％となる粒径（Ｄ５０）を平均粒径とした。
＜測定条件＞
試料量：３０ｍＬ
レーザ：Ｈｅ−Ｎｅ、３．０ｍＷ、６３３ｎｍ
散乱光検出角：９０°
積算回数：２００回
【００７４】
３．研磨液組成物の調製
成分Ａ（コロイダルシリカ、平均粒径２０ｎｍ）、成分Ｂ又は非成分Ｂ（表１に示す水溶性高分子Ｂ−１〜Ｂ−７）、成分Ｃ（表２に示す酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、添加剤（キレート剤：表２に示すアミノカルボン酸）及びイオン交換水を混合し撹拌することにより、表２に示す実施例１〜８及び比較例１〜５の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ又は非成分Ｂ、成分Ｃ及び添加剤を除いた残余である。各研磨液組成物のｐＨは１．４〜１．７であった。ｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。
【００７５】
各研磨液組成物の調製において、成分Ｃ（酸）、成分Ｄ（酸化剤）、添加剤成分（アミノカルボン酸）には以下のものを使用した。
リン酸［濃度７５％、日本化学工業社製］（成分Ｃ）
硫酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｃ）
過酸化水素［濃度３５％、ADEKA社製］（成分Ｄ）
ＤＴＰＡ・Ｎａ：ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム塩［和光純薬工業社製］（アミノカルボン酸）
【００７６】
４．研磨方法
前記のように調製した実施例１〜８及び比較例１〜５の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。
【００７７】
［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍ、長波長うねり（波長０．４〜２ｍｍ）の振幅は２ｎｍ、短波長うねり（波長５０〜４００μｍ）の振幅は２ｎｍであった。
【００７８】
［研磨条件（仕上げ研磨）］
研磨試験機：両面研磨機（スピードファム社製、「両面９Ｂ研磨機」）
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径３０μｍ）
研磨液：実施例１〜８及び比較例１〜５の研磨液組成物
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：２５ｒｐｍ
研磨荷重：１２ｋＰａ
研磨時間：６分間
投入した基板の枚数：１０枚
【００７９】
５．評価方法
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。その結果を、下記表２に、比較例１を１００とした相対値として示す。
質量減少量（ｇ）＝｛研磨前の質量（ｇ）− 研磨後の質量（ｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／ｍｉｎ）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（ｍｉｎ）
【００８０】
［表面欠陥（ＬＰＤ）の測定］
測定機器：ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製、「「Ｃａｎｄｅｌａ  ＯＳＡ７１００」
評価：研磨後の基板をイオン交換水中に５分間浸漬洗浄した後、イオン交換水で２０秒間すすぎ洗浄を行った。そして、研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０，０００ｒｐｍにてレーザを照射し表面欠陥（ＬＰＤ）（個）を測定した。その４枚の基板の各々両面にある表面欠陥（ＬＰＤ）（個）の合計を８で除して、基板面当たりの表面欠陥数（ＬＰＤ）（個）を算出した。その結果を、下記表２に、比較例１を１００とした相対値として示す。評価基準を下記に示す。
＜評価基準＞
表面欠陥（相対値）：評価
７０未満          ：極めて発生が抑制され、基板収率向上が期待できる
７０以上９０未満  ：実生産可能
９０以上１００未満：実生産には改良が必要
１００以上        ：基板収率が大幅に低下する
【００８１】
［短波長うねり］
研磨して減少する重量を、３５ｍｇ以上及び４５ｍｇ以下になるように研磨時間をそれぞれ設定し、研磨した基板のうねりを下記条件にて測定し、研磨量当りのうねりの値を得た。うねりは1面あたり４点、表面裏面を３枚で合計計測し、平均値を基板のうねりとして算出した。測定した試験基板は、上記研磨試験において、前記研磨条件いて研磨パッド立ち上げから１０回研磨を行った際の基板、及び１００回の研磨を行った際の基板を用いた。その結果を、下記表２に示す。
＜測定条件＞
測定機：New View 7300（Zygo社製）
レンズ：２．５倍
ズーム：０．５倍
測定波長：８０〜５００μｍ
測定位置：基板中心より半径２７ｍｍ
解析ソフト：Zygo Metro Pro（Zygo社製）
【００８２】
［研磨パットの変形抑制の評価方法］
使用前と、使用開始から上記の研磨条件で２００バッチの研磨を行った後の研磨パッドの表面粗さ（Ｒａ）の変化を触診式の表面粗さ計（商品名：ＳＵＲＦＴＥＳＴ  ＳＪ−２１０、ミツトヨ社製）を用いて測定した。
研磨パッドの表面粗さの変化率を下記の式により求めた。
表面粗さ変化率（％）＝（２００バッチ後の表面粗さ）／（研磨開始前の表面粗さ）×１００
＜測定条件＞
粗さ規格：ＩＳＯ１９９７
測定速度：０．５ｍｍ／ｓ
カットオフ値：０．８ｍｍ
＜評価基準＞
表面粗さ変化率：評価
１２５％未満    ：研磨パッドの磨耗が抑制されている（Ａ）
１２５以上      ：研磨パッドの磨耗が抑制されていない（Ｂ）
【００８３】
【表２】
2019200829.tif 000005
【００８４】
上記表２に示すとおり、実施例１〜８の研磨液組成物は、研磨速度を確保しつつ、基板表面の表面欠陥及び研磨パッドの継続使用における短波長うねりが低減していた。また、実施例７〜８と比較例４とを比較すると、式（ＩＩ）で表される構成単位を有する水溶性高分子の置換率が高いほど、表面欠陥の低減につながることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。