(57)【要約】【課題】本発明は、強化ガラスプレートの一面にポリシラザンを適用したコーティング層を積層してヘイズ状態を有する美しいデザインのカバーを具備する電子装置のカバーガラス及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による電子装置のカバーガラスは、電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第１のコーティング層と、を備え、第１のコーティング層は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、及び少なくとも一つの不純物を含み、Ｓｉ−Ｏの結合は、第１のコーティング層の８０重量％以上で構成される。【選択図】図２
2019089697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置のカバーガラスであって、
前記電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、
前記ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第１のコーティング層と、を備え、
前記第１のコーティング層は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、及び少なくとも一つの不純物を含み、
Ｓｉ−Ｏの結合は、前記第１のコーティング層の８０重量％以上であることを特徴とするカバーガラス。
【請求項２】
前記第１のコーティング層は、熱処理により少なくとも２２００ＭＰａの硬度特性を示すことを特徴とする請求項１に記載のカバーガラス。
【請求項３】
前記第１のコーティング層の前記ネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された特定のピッチ、及び前記長さ方向に対して垂直方向に形成された特定の高さを有する少なくとも一つの凹凸形状を有し、
前記少なくとも一つの凹凸形状の特定のピッチは、２０μｍ〜６０μｍの範囲の値を有し、
前記少なくとも一つの凹凸形状の特定の高さは、０．５μｍ〜０．９μｍの範囲の値を有することを特徴とする請求項２に記載のカバーガラス。
【請求項４】
前記第１のコーティング層の前記ネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された特定のピッチ、及び前記長さ方向に対して垂直方向に形成された特定の高さを有する凹凸形状を有し、
前記特定のピッチに対する前記特定の高さの比率は、０．００４〜０．０１５の範囲を有することを特徴とする請求項２に記載のカバーガラス。
【請求項５】
前記第１のコーティング層は、ヘイズが５％〜３５％の範囲であり、透過率が９１％以下であることを特徴とする請求項３に記載のカバーガラス。
【請求項６】
前記第１のコーティング層の前記ネットワーク構造は、特定の表面粗さを有する前記少なくとも一つの凹凸形状を有し、
前記第１のコーティング層の前記表面粗さの平均値（Ｒａ）は１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の値を有するか、又は前記第１のコーティング層の前記表面粗さの二乗平均（ＲＭＳ）は１３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の値を有することを特徴とする請求項３に記載のカバーガラス。
【請求項７】
前記第１のコーティング層は、所定の厚さを有する少なくとも一つの凹凸形状を有し、
前記少なくとも一つの凹凸形状は、谷部及びピーク部を含み、
前記谷部は、前記第１のコーティング層の一部に位置し、厚さが３００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲の値を有し、
前記ピーク部は、第１のコーティング層の一部に位置し、厚さが０．６μｍ〜２μｍの範囲の値を有することを特徴とする請求項２に記載のカバーガラス。
【請求項８】
前記第１のコーティング層の一面に配置され、前記第１のコーティング層の前記ネットワーク構造に対応する形状に積層された第２のコーティング層を更に含み、
前記第２のコーティング層は、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含むことを特徴とする請求項２に記載のカバーガラス。
【請求項９】
前記第２のコーティング層は、耐指紋視認性を提供し、下記の数式１においてΔＥ＊ａｂ値が４以下であることを特徴とする請求項８に記載のカバーガラス。
【数１】
2019089697.tif 000010
（Ｌ＊１は第２のコーティング層の指紋処理前の明度値であり、Ｌ＊２は指紋処理後の明度値であり、ａ＊１は第２のコーティング層の処理前の色相値であり、ａ＊２は処理後の色相値であり、ｂ＊１は第２のコーティング層の処理前の彩度値であり、ｂ＊２は処理後の彩度値である）
【請求項１０】
前記第２のコーティング層は、透明材質を有し、前記第１のコーティング層の厚さよりも薄い厚さを有することを特徴とする請求項８に記載のカバーガラス。
【請求項１１】
ネットワーク構造を含む電子装置のカバーガラスの製造方法であって、
ガラスプレートを用意するプロセスと、
前記ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第１のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて前記第１のコーティング層を積層するプロセスと、
前記第１のコーティング層の一面に第２のコーティング層を積層するプロセスと、を有することを特徴とするカバーガラス製造方法。
【請求項１２】
前記第１のコーティング層を積層するプロセスにおいて、
前記湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量％比率は、５：９５〜２０：８０の範囲で構成され、
前記ガラスプレートの一面に前記コーティング溶液が到達する比率は、４０％以下であることを特徴とする請求項１１に記載のカバーガラス製造方法。
【請求項１３】
前記第１のコーティング層を積層するプロセスにおいて、
前記第１のコーティング層を形成するために適用される前記コーティング溶液は、下記の化学式１を満たす重量平均分子量が２，０００〜３０，０００の範囲の無機ポリシラザン１重量％〜３０重量％を含み、前記ガラスプレートに前記湿式スプレー方式で積層されることを特徴とする請求項１２に記載のカバーガラス製造方法。
【化１】
2019089697.tif 000011
（Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、独立的に、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、シリコンに結合した基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、及びアルコキシ基であり、ｎは整数である）
【請求項１４】
前記第１のコーティング層を積層するプロセスは、前記湿式スプレー方式で前記コーティング溶液を塗布した後に、熱乾燥プロセス、一次硬化プロセス、及び二次硬化プロセスを含み、
前記熱乾燥プロセスは、５０℃〜２００℃の範囲で２ｍｉｎ〜２０ｍｉｎの範囲の熱乾燥を進行して前記コーティング溶液内の溶剤を除去し、
前記二次硬化プロセスは、過酸化水素処理プロセスを含み、
前記二次硬化プロセスで処理された前記第１のコーティング層は、少なくとも２２００ＭＰａの硬度特性を示すことを特徴とする請求項１３に記載のカバーガラス製造方法。
【請求項１５】
前記一次硬化プロセスにおいて、
過熱蒸気を通じて前記無機ポリシラザンをＳｉＯ２膜に変化させ、プロセス温度を１００℃〜３００℃の範囲で行うことを特徴とする請求項１４に記載のカバーガラス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置のカバーガラス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置は、家電製品から電子手帳、携帯用マルチメディア再生機、移動通信端末、タブレットＰＣ、映像／音響装置、デスクトップ／ラップトップコンピュータ、車両用ナビゲーションなど、搭載されたプログラムに従って特定機能を実行する装置を意味する。例えば、このような電子装置は、格納された情報を音響又は映像として出力する。電子装置の集積度が高くなり、超高速、大容量無線通信が普遍化され、最近では移動通信端末のような一つの電子装置に多様な機能が搭載されている。例えば、通信機能だけでなく、ゲームのようなエンターテインメント機能、音楽／動映像再生のようなマルチメディア機能、モバイルバンキングのための通信、及びセキュリティ機能、日程管理、又は電子財布のような機能が一つの電子装置に集約されている。
【０００３】
最近、スマートフォンやノートブックのような電子装置の小型化、薄型化、及び携帯性が強調されるに従って、デザイン面で洗練されたガラス素材の部品が採用されて電子装置の外装材に適用しようとする試みがなされている。また、ガラス素材部品の外装材にデザイン的な効果以外に機能的効果を与えるために多様な表面処理技術が開発されている。
【０００４】
ガラス素材の外装材は、特有の脆性のため、これを改善した化学的に又は物理的（熱処理）に強化されたガラス及び粗さが要求される。例えば、ガラスをエッチングするフッ酸（ＨＦ）又は酸性フッ化アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を用いてガラス表面エッチングによる不規則なパターンを形成する化学的エッチングプロセス及び高硬度粒子でガラス表面に衝撃を加えてパターンを形成するサンドブラスト（ｓａｎｄｂｌａｓｔｉｎｇ）プロセスが実行される。一例として、酸化物（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯなど）粒子を溶剤に混合してコーティングした後に熱処理するプロセスによって外装材が具現される。
【０００５】
ガラス素材を利用する外装材製造方法のうち、化学的エッチングプロセスで使用されるフッ酸（ＨＦ）又は酸性フッ化アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）は、毒性が強い物質として環境的な危険性のために使用が規制されている物質であり、ガラス表面を直接的にエッチングして凹凸を生成させるため、量産プロセス中の再作業に難しさがあるという問題点があった。サンドブラストプロセスは、ガラス表面に主にセラミック材質の粒子を衝突させ、衝突エネルギーでガラス表面に微細な傷を出して凹凸を生成させる工法であって、表面が荒く不規則で、ガラス強度を低下させるという問題点があった。酸化物（ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯなど）粒子コーティングプロセスは、４００℃以上の高温での熱処理が必要なプロセスであって、強化されたガラスの応力を弱めることによって強度が落ちるという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１６−００６１６６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ガラスプレートの一面にポリシラザンを適用したコーティング層を積層してヘイズ状態を有する電子装置のカバーガラス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による電子装置のカバーガラスは、前記電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、前記ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第１のコーティング層と、を備え、前記第１のコーティング層は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、及び少なくとも一つの不純物を含み、Ｓｉ−Ｏの結合は、前記第１のコーティング層の８０重量％以上である。
【０００９】
一実施形態による電子装置は、第１の方向に向かう前面カバー及び前記前面カバーの反対である第２の方向に向かう背面カバーを含み、前記前面カバーの少なくとも一部を形成する透明領域を含むハウジングと、前記ハウジングの内部に配置されたバッテリーと、前記ハウジング内に配置され、前記前面カバーを通じて露出される画面領域を含むディスプレイ装置と、を備え、前記背面カバーは、ガラスプレートと、前記ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第１のコーティング層と、前記第１のコーティング層の一面に配置され、前記第１のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状に積層された第２のコーティング層を含む。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるネットワーク構造を含む電子装置のカバーガラスの製造方法は、ガラスプレートを用意するプロセスと、前記ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第１のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて前記第１のコーティング層を積層するプロセスと、前記第１のコーティング層の一面に第２のコーティング層を積層するプロセスと、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のカバーガラス及びこれを含む電子装置によれば、強化ガラスプレートの一面にポリシラザンを適用したコーティング層を積層してヘイズ状態を有する洗練されたデザインのカバーを提供することができ、カバーガラスのポリシラザンを適用したコーティング層は光の散乱効果による耐指紋性を提供することができる。
また、本発明のカバーガラスの製造方法によれば、所定の条件の下で複数回の硬化プロセスを通じてガラスプレートに積層されたコーティング層の高い耐久性及び耐化学性を提供することができる。
【００１２】
本発明の他の態様、利点、及び顕著な特徴は、下記の詳細な説明から当業者には公知であり、その詳細な説明は、図面と共に本発明の実施形態で開示する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による電子装置を示す前面の斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による電子装置を示す背面の斜視図である。
【図３】図１の電子装置を示す分解斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態によるカバーガラス４００の一部領域を示す断面図である。
【図５】第１のコーティング層４３０の外面の一部領域を拡大した写真である。
【図６】図５の第１のコーティング層４３０の一部領域を２Ｄハイトマップで示す写真である。
【図７】第１のコーティング層４３０の断面の凹凸形状の高さ（２Ａ）及びピッチの範囲をラインプロファイルで示すグラフである。
【図８】図８（Ａ）はカバーガラス５００のガラスプレート５１０と第１のコーティング層５３０との配置関係を実験装置で示す拡大写真であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一部領域（Ｐ）を追加して示す拡大写真である。
【図９】本発明の一実施形態によるガラスプレートに第１のコーティング層及び第２のコーティング層が積層されたカバーガラスの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】第１のコーティング層に二次硬化プロセスによるＦＴ−ＩＲ測定結果を示すグラフである。
【図１１】第１のコーティング層に二次硬化プロセスによる振動の耐摩耗性を比較して示す写真である。
【図１２】第２のコーティング層が積層されたガラスカバーに試薬を利用したラビングテスト結果を比較して示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
本明細書に開示する多様な実施形態による電子装置は、多様な形態の装置からなる。電子装置は、例えばコンピュータ装置、携帯用通信装置（例えば、スマートフォン）、携帯用マルチメディア装置、携帯用医療機器、カメラ、ウェアラブル装置、又は家電装置のうちの少なくとも一つを含む。本発明の実施形態による電子装置は、上記の機器に限定されるものではない。
【００１６】
本明細書の多様な実施形態及び使用される用語は、本明細書に記載された技術を特定の実施形態に対して限定するものではなく、当該実施形態の多様な変更、均等、及び／又は代替を含むものとして理解されなければならない。図面の説明に関連して、類似した構成要素に対しては類似した参照符号が使用される。文脈中で特に明示されない限り、単数形が複数形を含むことは、当業者には容易にわかることである。本明細書では、“Ａ又はＢ”、“Ａ及び／又はＢのうち少なくとも一つ”、“Ａ、Ｂ、又はＣ”又は“Ａ、Ｂ、及び／又はＣのうち少なくとも一つ”などの表現は、共に列挙した項目の可能な全ての組合せを含む。“第１の”、“第２の”、“最初”、又は“２番目”のような表現は、対応する構成要素を順序又は重要度に関係なく修飾し、一つの構成要素を他の構成要素と区分するために使用するだけであって、対応する構成要素を限定するものではない。一つの（例えば、第１の）構成要素が他の（例えば、第２の）構成要素に“（機能的に又は通信的に）結合され”、又は“接続され”と記載する場合には、一つの構成要素が他の構成要素に直接的に接続されるか又は他の構成要素（例えば、第３の構成要素）を介して接続される。
【００１７】
本明細書で使用される用語“モジュール”は、ハードウェア、ソフトウェア、又はファームウェアで構成されるユニットを含み、例えば論理、論理ブロック、部品、又は回路などの用語と互換的に使用される。モジュールは、一体で構成された部品又は一つ以上の機能を実行する最小単位又はその一部である。例えば、モジュールは、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ−Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）で構成される。
【００１８】
本発明の多様な実施形態では、機器（例えば、コンピュータ）読み取り可能な記録媒体（例えば、内蔵メモリ又は外装メモリ）に格納された命令語を含むソフトウェア（例えば、プログラム）で具現される。機器は、記録媒体から格納された命令語を呼び出し、呼び出した命令語に従って動作が可能な装置であって、開示される実施形態による電子装置（例えば、電子装置１００）を含む。命令がプロセッサにより実行される場合、プロセッサが直接又はプロセッサの制御の下で他の構成要素を用いて命令に対応する機能を実行する。命令は、コンパイラ又はインタープリタにより生成又は実行されるコードを含む。機械読み取り可能な記録媒体は、非一時的（ｎｏｎ−ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）格納媒体として提供される。ここで、“非一時的”は、格納媒体が信号を含まずに実在（ｔａｎｇｉｂｌｅ）することを意味するだけであり、データが格納媒体に半永久的又は臨時的に格納されることを区分することではない。
【００１９】
一実施形態によると、本明細書で開示される多様な実施形態による方法はコンピュータプログラム製品に含まれて提供される。コンピュータプログラム製品は、商品として販売者と購買者との間で取引きされる。コンピュータプログラム製品は、機械読み取り可能な記録媒体（例えば、ＣＤ−ＲＯＭ）の形態で、或いはアプリケーションストア（例えば、プレーストア（登録商標）を通じてオンラインで配布される。オンライン配布において、コンピュータプログラム製品の少なくとも一部は、メーカーのサーバ、アプリケーションストアのサーバ、又は中継サーバのメモリのような格納媒体に少なくとも一時格納されるか、或いは臨時に生成される。
【００２０】
本発明の実施形態による構成要素（例えば、モジュール又はプログラム）のそれぞれは、単数又は複数のエンティティで構成され、上記当該サブ構成要素のうちの一部サブ構成要素が省略され、或いは他のサブ構成要素が多様な実施形態に含まれる。代替的に又は追加的に、一部の構成要素（例えば、モジュール又はプログラム）は、一つのエンティティに統合され、統合される前のそれぞれの対応する構成要素により実行される機能を同一に又は類似に実行する。多様な実施形態によると、モジュール、プログラム、又は他の構成要素により実行される動作は、順次に、並列に、反復的に、又はヒューリスティック（ｈｅｕｒｉｓｔｉｃ）に実行され、或いは少なくとも一部動作が他の順序で実行されるか、省略されるか、又は他の動作が追加される。以下、図面を参照して、多様な実施形態による電子装置を説明する。本明細書で、ユーザーとは、電子装置を使用する人又は電子装置を使用する装置（例えば、人工知能電子装置）を称する。
【００２１】
本発明の実施形態によるガラス素材を利用する外装材は、成形空間によって多様な形態の外面を有する。例えば、強化ガラスプレートの一面に複数回のコーティング層を通じた表面処理によって製造された電子装置の外面は、緻密な酸化物で優れた耐食性、耐摩耗性、及びヘイズを表現した装飾性外観を有する。
【００２２】
本発明の実施形態によるガラス素材を利用する外装材は、カバーの造成材料及びその造成比を提供する。他の例として、ガラス素材を利用する外装材の製造方法を提供する。ガラスプレートの塗布されたコーティング層は、熱処理を通じて接合強度を向上させ、表面特性及び機械的特性が優れた外装材を提供する。
【００２３】
本発明の一実施形態によるガラス素材を利用する外装材は、携帯用電子機器に提供される厚さが薄く高強度を有するべき内外装材のための部品として使用される。例えば、携帯用電子機器に提供される電子装置は、ディスプレイ装置を含む電子装置である。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態による電子装置の前面を示す斜視図であり、図２は、本発明の一実施形態による電子装置の背面を示す斜視図である。
【００２５】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による電子装置１００は、第１の面（又は前面）１１０Ａ、第２の面（又は背面）１１０Ｂ、及び第１の面１１０Ａと第２の面１１０Ｂとの間の空間を取り囲む側面１１０Ｃを具備するハウジング１１０を含む。他の実施形態（図示せず）で、ハウジングは、図１の第１の面１１０Ａ、第２の面１１０Ｂ、及び側面１１０Ｃのうちの一部を形成する構造を称することもある。本実施形態によると、第１の面１１０Ａは、少なくとも一部が実質的に透明な前面プレート１０２（例えば、多様なコーティングレイヤを含むガラスプレート、又はポリマープレート）により形成される。第２の面１１０Ｂは、実質的に不透明な背面プレート１１１により形成される。背面プレート１１１は、例えばコーティング又は着色されたガラス、セラミック、ポリマー、金属（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼（ＳＴＳ）、又はマグネシウム）、又はこれらのうちの少なくとも２個の組合せによって形成される。側面１１０Ｃは、前面プレート１０２及び背面プレート１１１に結合され、金属及び／又はポリマーを含む側面ベゼル構造（又は“側面部材”）１１８によって形成される。一実施形態で、背面プレート１１１及び側面ベゼル構造１１８は、一体に形成され、同一の物質（例えば、アルミニウムのような金属物質）を含む。
【００２６】
本実施形態で、前面プレート１０２は、第１の面１１０Ａから背面プレート側に曲がりシームレスに延びる第１の領域１１０Ｄを前面プレートの長いエッジの両端に含む。本実施形態（図２を参照）において、背面プレート１１１は、第２の面１１０Ｂから前面プレート側に曲がってシームレスに延びる第２の領域１１０Ｅを長いエッジの両端に含む。一実施形態で、前面プレート又は背面プレートが第１の領域又は第２の領域のうちのいずれか一つのみを含む。上記実施形態において、電子装置の側面から見ると、側面ベゼル構造は、上記のような第１の領域又は第２の領域が含まれない側面で第１の厚さ（又は幅）を有し、第１の領域又は第２の領域を含む側面で第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する。
【００２７】
本実施形態によると、電子装置１００は、ディスプレイ１０１、オーディオモジュール（１０３、１０７、１１４）、センサモジュール（１０４、１１９）、カメラモジュール（１０５、１１２、１１３）、キー入力装置（１１５、１１６、１１７）、インジケータ１０６、及びコネクタ穴（１０８、１０９）のうちの少なくとも一つ以上を含む。一実施形態で、電子装置１００は、構成要素のうちの少なくとも一つ（例えば、キー入力装置（１１５、１１６、１１７）、又はインジケータ１０６）を省略するか、又は他の構成要素を更に含む。
【００２８】
ディスプレイ１０１は、例えば前面プレート１０２の相当部分を通じて露出される。一実施形態で、第１の面１１０Ａ、及び側面１１０Ｃの第１の領域１１０Ｄを形成する前面プレート１０２を通じてディスプレイ１０１の少なくとも一部が露出される。ディスプレイ１０１は、タッチ感知回路、タッチの強さ（圧力）を測定する圧力センサ、及び／又は磁場方式のスタイラスペンを検出するデジタイザに結合され、或いは隣接して配置される。一実施形態で、センサモジュール（１０４、１１９）の少なくとも一部、及び／又はキー入力装置（１１５、１１６、１１７）の少なくとも一部が第１の領域１１０Ｄ、及び／又は第２の領域１１０Ｅに配置される。
【００２９】
オーディオモジュール（１０３、１０７、１１４）は、マイク穴１０３及びスピーカ穴（１０７、１１４）を含む。マイク穴１０３は、外部のサウンドを獲得するためのマイクが内部に配置され、一実施形態ではサウンドの方向を感知するように複数のマイクが配置される。スピーカ穴（１０７、１１４）は、外部スピーカ穴１０７及び通話用レシーバ穴１１４を含む。一実施形態では、スピーカ穴（１０７、１１４）とマイク穴１０３が一つの穴で具現されるか、或いはスピーカ穴（１０７、１１４）なしにスピーカ（例えば、ピエゾスピーカ）が含まれる。
【００３０】
センサモジュール（１０４、１１９）は、電子装置１００の内部の作動状態、又は外部の環境状態に対応する電気信号又はデータ値を生成する。センサモジュール（１０４、１１９）は、例えばハウジング１１０の第１の面１１０Ａに配置された第１のセンサモジュール１０４（例えば、近接センサ）及び／又は第２のセンサモジュール（図示せず）（例えば、指紋センサ）、及び／又はハウジング１１０の第２の面１１０Ｂに配置された第３のセンサモジュール１１９（例えば、ＨＲＭ（心拍）センサ）を含む。指紋センサは、ハウジング１１０の第１の面１１０Ａ（例えば、ホームキーボタン１１５）だけでなく、第２の面１１０Ｂに配置される。電子装置１００は、図示していないセンサモジュール、例えばジェスチャセンサ、ジャイロセンサ、気圧センサ、磁気センサ、加速度センサ、グリップセンサ、カラーセンサ、ＩＲ（ｉｎｆｒａｒｅｄ）センサ、生体センサ、温度センサ、湿度センサ、又は照度センサ１０４のうちの少なくとも一つを更に含む。
【００３１】
カメラモジュール（１０５、１１２、１１３）は、電子装置１００の第１の面１１０Ａに配置された第１のカメラ装置１０５、及び第２の面１１０Ｂに配置された第２のカメラ装置１１２、及び／又はフラッシュ１１３を含む。カメラモジュール（１０５、１１２）は、一つ又は複数のレンズ、イメージセンサ、及び／又はイメージシグナルプロセッサを含む。フラッシュ１１３は、例えば発光ダイオード又はキセノンランプ（ｘｅｎｏｎ  ｌａｍｐ）を含む。一実施形態では、２個以上のレンズ（広角及び望遠レンズ）及びイメージセンサが電子装置１００の一面に配置される。
【００３２】
キー入力装置（１１５、１１６、１１７）は、ハウジング１１０の第１の面１１０Ａに配置されたホームキーボタン１１５、ホームキーボタン１１５の周辺に配置されたタッチパッド１１６、及び／又はハウジング１１０の側面１１０Ｃに配置されたサイドキーボタン１１７を含む。他の実施形態で、電子装置１００は、言及したキー入力装置（１１５、１１６、１１７）のうちの一部又は全部を含まず、含まれないキー入力装置（１１５、１１６、１１７）は、ディスプレイ１０１上にソフトキーのような他の形態で具現される。
【００３３】
インジケータ１０６は、例えばハウジング１１０の第１の面１１０Ａに配置される。インジケータ１０６は、例えば電子装置１００の状態情報を光形態で提供し、ＬＥＤを含む。
【００３４】
コネクタ穴（１０８、１０９）は、外部電子装置と電力及び／又はデータを送受信するためのコネクタ（例えば、ＵＳＢコネクタ）を受容する第１のコネクタ穴１０８、及び／又は外部電子装置とオーディオ信号を送受信するためのコネクタを受容する第２のコネクタ穴（又はイヤホンジャック）１０９を含む。
【００３５】
図３は、図１の電子装置を示す展開斜視図である。
【００３６】
図３を参照すると、電子装置３００は、側面ベゼル構造３１０、第１の支持部材３１１（例えば、ブラケット）、前面プレート３２０、ディスプレイ３３０、印刷回路基板３４０、バッテリー３５０、第２の支持部材３６０（例えば、背面ケース）、アンテナ３７０、及び背面プレート３８０を含む。一実施形態で、電子装置３００は、構成要素のうちの少なくとも一つ（例えば、第１の支持部材３１１、又は第２の支持部材３６０）を省略し、或いは他の構成要素を追加して含む。電子装置３００の構成要素のうちの少なくとも一つは、図１又は図２の電子装置１００の構成要素のうちの少なくとも一つと同一又は類似であり、以下で重複する説明は省略する。
【００３７】
第１の支持部材３１１は、電子装置３００の内部に配置されて側面ベゼル構造３１０に接続されるか、或いは側面ベゼル構造３１０と一体に形成される。第１の支持部材３１１は、例えば金属材質及び／又は非金属（例えば、ポリマー）材質で形成される。第１の支持部材３１１は、一面にディスプレイ３３０が結合され、他面に印刷回路基板３４０が結合される。印刷回路基板３４０は、プロセッサ、メモリ、及び／又はインターフェースが装着される。プロセッサは、例えば中央処理処置、アプリケーションプロセッサ、グラフィック処理装置、イメージシグナルプロセッサ、センサハブプロセッサ、又は通信プロセッサのうちのいずれか一つ以上を含む。
【００３８】
メモリは、例えば揮発性メモリ又は不揮発性メモリを含む。
【００３９】
インターフェースは、例えばＨＤＭＩ（登録商標）（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）インターフェース、ＳＤカードインターフェース、及び／又はオーディオインターフェースを含む。インターフェースは、例えば電子装置３００を外部電子装置と電気的又は物理的に接続させ、ＵＳＢコネクタ、ＳＤカード／ＭＭＣコネクタ、又はオーディオコネクタを含む。
【００４０】
バッテリー３５０は、電子装置３００の少なくとも一つの構成要素に電力を供給するための装置であって、例えば再充電が不可能な１次電池、又は再充電が可能な２次電池、又は燃料電池を含む。バッテリー３５０は、少なくとも一部、例えば印刷回路基板３４０と実質的に同一の平面上に配置される。バッテリー３５０は、電子装置１００の内部に一体に配置され、電子装置１００と着脱可能に配置される。
【００４１】
アンテナ３７０は、背面プレート３８０とバッテリー３５０との間に配置される。アンテナ３７０は、例えばＮＦＣ（Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）アンテナ、無線充電アンテナ、及び／又はＭＳＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｅｃｕｒｅ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）アンテナを含む。アンテナ３７０は、例えば外部装置と近距離通信をするか、或いは充電に必要な電力を無線で送受信する。他の実施形態では、側面ベゼル構造３１０及び／又は第１の支持部材３１１の一部又はその組合せによってアンテナ構造が形成される。
【００４２】
図４は、本発明の一実施形態によるカバーガラス４００の一部領域を示す断面図である。
【００４３】
図４を参照すると、カバーガラス４００は、ガラスプレート４１０、ガラスプレート４１０の一面にコーティング処理された第１のコーティング層４３０、及び第１のコーティング層４３０の一面にコーティング処理された第２のコーティング層４５０を含む。図４のカバーガラス４００は、図１及び図２のハウジング１１０と一部又は全部が同一である。
【００４４】
一実施形態によると、モバイル機器のような電子装置は、ガラスプレート４１０を含む。ガラスプレート４１０は、第１の方向（＋Ｚ）に向かう第１の面４１１、第１の方向（＋Ｚ）と反対である第２の方向（−Ｚ）に向かう第２の面４１２、及び第１の方向（＋Ｚ）に対して垂直方向である第３の方向に向かう側面を含む。ガラスプレート４１０は、実質的に電子装置の非活性領域を形成する背面カバー及び／又はベゼル領域である。
【００４５】
本実施形態によると、ガラスプレート４１０には、第１のコーティング層４３０が積層配置される。例えば、第１のコーティング層４３０は、ガラスプレート４１０の少なくとも一面に、コーティングされた無機ポリシラザンが加水分解（ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ）及び／又は水分凝縮反応（ｗａｔｅｒ  ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ  ｒｅａｃｔｉｏｎ）を通じてＳｉＯ２に化学変化して形成される。第１のコーティング層４３０の厚さは、ガラスプレート４１０の厚さに比べて薄い。
【００４６】
本実施形態によると、第１のコーティング層４３０は少なくとも一部がネットワーク構造を形成し、ネットワーク構造は無数の凹凸形状を含む。ネットワーク構造は、第２の方向（−Ｚ）に配置されるガラスプレート４１０を含むカバーガラス４００を実質的にヘイズ状態に維持する。例えば、ヘイズ状態は、ユーザーの視界がぼやける状態又は半透明状態を示し、ヘイズ％値に従って透明から不透明に進む中間状態を意味する。
【００４７】
本実施形態によると、第２のコーティング層４５０は、第１のコーティング層４３０の一面に積層配置される。第２のコーティング層４５０は、第１のコーティング層４３０の凹凸形状に対応する構造で備えられ、カバーガラス４００の外面を構成する。第２のコーティング層４５０は、カバーガラス４００の外面にスリップ性及び耐化学性の改善のためのバリアコーティング（ｂａｒｒｉｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）層で構成される。
【００４８】
本実施形態によると、第２のコーティング層４５０の厚さは、第１のコーティング層４３０の厚さに比べて相対的に薄い。もう一つの例として、第２のコーティング層４５０は、第１のコーティング層４３０を有するヘイズ状態を妨害しない透明な材質で構成される。
【００４９】
以下、第１のコーティング層４３０及び第２のコーティング層４５０について具体的に説明する。
【００５０】
図５は、第１のコーティング層４３０の外面の一部領域を拡大した写真であり、図６は、図５の第１のコーティング層４３０の一部領域を２Ｄハイトマップで示す写真である。図７は、第１のコーティング層４３０の断面の凹凸形状の高さ２Ａ及びピッチの範囲をラインプロファイルで示すグラフである。
【００５１】
図５〜図７を参照すると、カバーガラス（例えば、図４のカバーガラス４００）は、ガラスプレート（例えば、図４のガラスプレート４１０）、ガラスプレートの一面にコーティング処理された第１のコーティング層４３０を含む。図５〜図７のガラスプレート、第１のコーティング層４３０の構成は、図４のガラスプレート４１０、第１のコーティング層４３０の構成と一部又は全部が同一である。
【００５２】
一実施形態によると、第１のコーティング層４３０は少なくとも一部が多数の凹凸形状を含むネットワーク構造を有し、凹凸形状は無機ポリシラザンがガラスプレート上にコーティングされた後に少なくとも１回の硬化プロセスを通じて形成される。凹凸形状は、不規則なネットワーク形状又は３次元ネットワークパターンで備えられる。
【００５３】
図６及び図７を参照すると、第１のコーティング層４３０のネットワーク構造は、複数の凹凸形状が異なる高さ及び／又はピッチを有するが、全体的に所定の範囲内の高さ２Ａ及び／又はピッチ値で製造される。例えば、ネットワーク構造の断面から見る凹凸形状の長さ方向に沿って形成された所定のピッチ値λの平均は、およそ２０μｍ〜６０μｍの範囲を有する。他の例として、長さ方向に対して垂直方向に形成された凹凸形状の所定の高さ２Ａの値の平均は、およそ０．５μｍ〜０．９μｍの範囲を有する。もう一つの例として、凹凸形状のピッチλに対する高さＡの比率値（Ａ／λ）は０．００４〜０．０１５の範囲の値を有する。
【００５４】
本実施形態によると、第１のコーティング層４３０の凹凸形状は、カバーガラスの表面粗さを具現する。例えば、第１のコーティング層４３０の凹凸形状を通じた表面粗さ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）の平均値（Ｒａ）は、およそ１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の値を有する。もう一つの例として、第１のコーティング層４３０の凹凸形状を通じた表面粗さの二乗平均（ＲＭＳ：Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）は、およそ１３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の値を有する。
【００５５】
一実施形態によると、第１のコーティング層４３０によりコーティングされたカバーガラスのヘイズ度は、およそ５％〜３５％の範囲の値（透過型ヘイズメーター（日本電色工業社）によって測定）を有する。他の例として、第１のコーティング層４３０によりコーティングされたカバーガラスのヘイズ度はおよそ５％〜２５％の範囲の値（透過型ヘイズメーター（日本電色工業社）によって測定）を有する。
【００５６】
図８（Ａ）は、カバーガラス５００のガラスプレート５１０と第１のコーティング層５３０との配置関係を実験装置で示す拡大写真であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の一部領域（Ｐ）を追加して拡大した写真である。
【００５７】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）を参照すると、カバーガラス５００は、ガラスプレート５１０、ガラスプレート５１０の一面にコーティング処理された第１のコーティング層５３０を含む。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）のガラスプレート５１０及び第１のコーティング層５３０の構成は、図４のガラスプレート４１０及び第１のコーティング層４３０の構成と一部又は全部が同一である。
【００５８】
本実施形態によると、第１のコーティング層５３０は多数の凹凸形状を有するネットワーク構造を含み、凹凸形状は、ガラスプレート５１０に当接する面を基準にして他の厚さに比べて相対的に低い谷部（ｖａｌｌｅｙ  ｐｏｒｔｉｏｎ）５３１と、ガラスプレート５１０が当接する面を基準にして他の厚さに比べて相対的に高いピーク部５３３とを含む。谷部５３１及びピーク部５３３を含む第１のコーティング層５３０は、所定の厚さを有し、例えば谷部５３１はおよそ３００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲の値を有し、ピーク部５３３はおよそ０．６μｍ〜２μｍの範囲の値を有する。
【００５９】
谷部５３１及びピーク部５３３の厚さは、後述する第１のコーティング層５３０の形成プロセスを通じて具現され、提示するコーティング層の厚さ以上ではヘイズ度の減少及びコーティングの耐久性の低下によるクラッキングなどが発生する可能性が高まる。
【００６０】
以下、第１のコーティング層及び第２のコーティング層のプロセスについて説明する。
【００６１】
図９は、本発明の一実施形態によるガラスプレートに第１のコーティング層及び第２のコーティング層が積層されたカバーガラスの製造方法を示すフローチャートである。
【００６２】
図９を参照すると、カバーガラスは、ガラスプレート、ガラスプレートの一面にコーティング処理された第１のコーティング層、及び第１のコーティング層の一面にコーティング処理された第２のコーティング層を含む。図９のカバーガラスのガラスプレート、第１のコーティング層、及び第２のコーティング層の構成は、図４〜図８のカバーガラス４００のガラスプレート４１０、第１のコーティング層（４３０、５３０）、及び第２のコーティング層４５０の構成と一部又は全部が同一である。
【００６３】
本実施形態によると、プロセス１０により、電子装置のカバーガラスに使用されるガラスプレートを用意する。ガラスプレートは、強化ガラス材質からなる。例えば、ガラスプレートは、透明又は多様な色相を示す剛性を有する素材で電子装置の外装材として使用される。
【００６４】
ガラスプレートが備えられた後に、プロセス２０により、ガラスプレートの一面に第１のコーティング層を積層する。第１のコーティング層の製造プロセスは、コーティング溶液塗布プロセス（プロセス２１）、熱乾燥プロセス（プロセス２３）、一次硬化プロセス（プロセス２５）、及び二次硬化プロセス（プロセス２７）を通じて遂行される。
【００６５】
一実施形態によると、ヘイズコーティングプロセス（プロセス２１）は、強化ガラスプレートに無機ポリシラザンが含まれる溶液を用いて湿式コーティングプロセスにより進行される。
【００６６】
一実施形態によると、ヘイズコーティングプロセス（プロセス２１）に使用されるポリシラザンは、下記の化学式１のような無機ポリシラザンである。
【００６７】
【化１】
2019089697.tif 000003
【００６８】
化学式１の無機ポリシラザンは、重量平均分子量がおよそ２０００〜３００００の範囲であり、１重量％〜３０重量％を溶媒に溶解させ、硬化剤が含まれない組成である。
【００６９】
化学式１のＲ１、Ｒ２、及びＲ３は、独立的に、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、シリコンに直結した基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、及びアルコキシ基であり、ｎは整数である。
【００７０】
一実施形態によると、ヘイズコーティングプロセス（プロセス２１）は、ヘイズ状態を生成させるために無機ポリシラザンを湿式スプレー方式で塗布する。例えば、プロセス２１の湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量％比率は５：９５〜２０：８０の範囲で構成され、ガラスプレートの一面にコーティング溶液が到達する比率は４０％である。他の例で、ガラスプレートの一面にコーティング溶液が到達する比率は３０％以下である。
【００７１】
本実施形態によると、コーティング溶液塗布プロセス（プロセス２１）の後に、熱乾燥プロセス（プロセス２３）を進行する。熱乾燥プロセス（プロセス２３）は、コーティング溶液の溶剤を除去するプロセスであり、およそ５０℃〜２００℃の範囲で２ｍｉｎ〜２０ｍｉｎの範囲の熱乾燥を進行してコーティング液内に含まれる溶剤を除去する。
【００７２】
本実施形態によると、熱乾燥プロセス（プロセス２３）の後に、一次硬化プロセス（プロセス２５）を進行する。例えば、一次硬化プロセス（プロセス２５）は過熱蒸気（ｓｕｐｅｒ  ｈｅａｔｅｄ  ｓｔｅａｍ）硬化プロセスであって、プロセス温度はおよそ１００℃〜３００℃の範囲でコーティング層の硬化を進行する。
【００７３】
一実施形態によると、下記の化学式２のように、加熱蒸気硬化プロセス（プロセス２５）を通じて無機ポリシラザンをＳｉＯ２膜に変化させる。
【００７４】
【化２】
2019089697.tif 000004
【００７５】
一実施形態によると、化学式２の一次硬化反応がガラスプレートに効率的に適用されるために、ガラスプレートを構成する化学構成の強化応力が弱められない温度に設定しなければならない。それによって、プロセス温度はおよそ１００℃〜３００℃で進行される。例えば、ガラスプレートにコーティング溶液塗布プロセス（プロセス２１）を進行した後、４００℃以上で硬化による強化プロセスがなされる場合には、不規則な強化によってガラスプレートに大きい曲がりが発生して破損されるか、又は不良品が発生する可能性がある。
【００７６】
本実施形態によると、一次硬化プロセス（プロセス２５）の後に、二次硬化プロセス（プロセス２７）を進行する。例えば、二次硬化プロセス（プロセス２７）は、過酸化水素硬化プロセスとして、一次硬化プロセス（プロセス２５）の温度よりも相対的に低い温度で進行される。
【００７７】
図１０は、第１のコーティング層に二次硬化プロセス（プロセス２７）によるＦＴ−ＩＲ測定結果を示すグラフである。図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、第１のコーティング層に二次硬化プロセス（プロセス２７）による振動の耐摩耗性を比較した写真である。図１１（Ａ）は二次硬化プロセスが未処理の写真であり、図１１（Ｂ）は二次硬化プロセスが処理された写真である。
【００７８】
図９及び図１０を参照すると、二次硬化プロセス（プロセス２７）は、一次硬化プロセス（プロセス２５）で完璧にＳｉＯ２膜に進行しない化学結合を補強するために進行される。例えば、二次硬化プロセス（プロセス２７）は、一次硬化プロセス（プロセス２５）で残留したＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈの結合を切り、完全なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合がなされるプロセスであって、第１のコーティング層が全体的にＳｉＯ２膜に変更されるように進行される。
【００７９】
一実施形態によると、二次硬化プロセス（プロセス２７）はおよそ３０℃〜２００℃の範囲の温度で進行される。例えば、二次硬化プロセス（プロセス２７）はおよそ３０℃〜１００℃の範囲の温度で進行される。二次硬化プロセス（プロセス２７）を通じて一次硬化プロセス（プロセス２５）以外に追加で第１のコーティング層の硬度を上昇させる。
【００８０】
図１０のグラフを参照すると、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外）分光法による材料の特性を分析した結果が確認される。Ｌ１は、一次硬化プロセスをおよそ１２０ｍｉｎの間進行した場合である。Ｌ２は、一次硬化プロセスをおよそ３０ｍｉｎの間進行した後に二次硬化プロセスをおよそ３ｈの間進行した結果である。Ｌ３は、一次硬化プロセスをおよそ６０ｍｉｎの間進行した後に二次硬化プロセスをおよそ３ｈの間進行した結果である。Ｌ４は、一次硬化プロセスをおよそ１２０ｍｉｎの間進行した後に二次硬化プロセスをおよそ３ｈの間進行した結果である。
【００８１】
上記グラフを通じて、一次硬化プロセス時間の後に二次硬化プロセスが進行される場合、第１のコーティング層が全体的にＳｉＯ２膜に変化する効果が上昇することが確認される。例えば、一次硬化プロセスのみが２ｈで進行される場合、Ｓｉ−Ｈ結合を示すＡ領域及びＳｉ−Ｎ結合を示すＢ領域が存在することが確認される。しかし、二次硬化プロセスが追加されることによって、一次硬化プロセスを３０ｍｉｎでのみ進行する場合にも、Ａ領域及びＢ領域が両方とも消滅することが確認される。
【００８２】
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）の写真及び下記の表１を参照すると、二次硬化プロセスによる第１のコーティング層の耐久性の改善効果は、硬度比較及び振動の耐摩耗性テスト結果によって確認される。
【００８３】
図１１（Ａ）を参照すると、二次硬化プロセスが進行されずに過酸化水素硬化が未処理のサンプルは、所定のテスト条件（研磨（ａｂｒａｓｉｖｅ）環境３０００ｒｐｍ／３０ｍｉｎ）で上側部Ｃのコーティングが剥離していることが確認される。これに比して、図１１（Ｂ）を参照すると、二次硬化プロセスによる過酸化水素硬化処理されたサンプルでは、上側部Ｃ’の同一のテスト条件でコーティングが剥離せず、スマートな外観が確認される。それによって、第２の硬化プロセス処理された第１のコーティング層は優れた耐久性を有する。
【００８４】
下記の表１を参照すると、二次硬化プロセスを進行するか否かによる硬度比較が確認される。
【００８５】
【表１】
2019089697.tif 000005
【００８６】
硬度の測定サンプル（番号１〜番号６）は、ナノインデンテーション（ｎａｎｏ  ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）のために表面凹凸がないようにバーコーティング（ｂａｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）を通じて特別製作し、測定条件はバーコビッチ圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ  ｉｎｄｅｎｔｅｒ）を使用し、圧入深さは過酸化水素未処理サンプルの場合に約１５０ｎｍ、過酸化水素処理サンプルの場合に約１００ｎｍを適用する。
【００８７】
表１を確認すると、全て６個のサンプルを通じて二次硬化プロセスが進行されないことによる過酸化水素硬化が未処理のサンプルの硬度を測定し、その後に同一のサンプルを通じて二次硬化プロセスが進行された後の過酸化水素の硬化処理されたサンプルの硬度を測定する。
【００８８】
二次硬化プロセスが進行されないサンプル（番号１〜番号６）は平均的におよそ１３２４ＭＰａを示すことが確認され、二次硬化プロセスが進行されたサンプル（番号１〜番号６）は平均的におよそ２３１７ＭＰａを示すことが確認される。二次硬化プロセスを通じて、第１のコーティング層の表面硬度がおよそ１．７倍更に上昇することが確認される。
【００８９】
表面硬度は、乾燥プロセスで溶媒が全部除去され、最終的に二次硬化されて形成されたＳｉＯ２膜の厚さは、（例えば、図６及び図７を参照すると、ガラスプレート及び接触面（例えば、図４の第１の面）を基準にして、谷部は３００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲の値を有し、ピーク部は０．６μｍ〜２μｍの範囲の値を有する）上記の厚さの範囲にある場合に、ヘイズ％と共にコーティングの耐久性を満たす数値が提供される。
【００９０】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、第２のコーティング層が積層されたガラスカバーに試薬を使用したラビングテスト結果を比較して示す写真である。図１２（Ａ）は第２のコーティング層が積層されない写真であり、図１２（Ｂ）は第２のコーティング層が積層された写真である。
【００９１】
図９、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）を参照すると、プロセス２０による第１のコーティング層４３０の製造プロセスの後に、第１のコーティング層４３０の一面に第２のコーティング層４５０を積層する。第２のコーティング層４５０の製造プロセスは、耐化学性及び指紋視認性の減少のためにフッ素系化合物又は炭化水素系が含まれる耐指紋コーティングにより進行され、第２のコーティング層を通じてガラスカバーの指紋視認性が低下する。
【００９２】
一実施形態によると、第２のコーティング層を通じたコーティングは、第１のコーティング層（例えば、ＳｉＯ２膜）の耐化学性を改善させて外部環境で接触するエタノールのようなアルコール成分などに対する抵抗性を提供する。他の例として、第２のコーティング層は、機能基としてフッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含んで耐指紋性のような防汚性能を提供する。
【００９３】
以下、実験による第２のコーティング層の効果について説明する。表２では、第２のコーティング層の処理前後による指紋視認性及び指紋拭き取り性の比較を確認する。
【００９４】
【表２】
2019089697.tif 000006
【００９５】
表２を参照して、比較例１〜３と本発明の一実施形態の構成とを比較する。
【００９６】
ＡＦは、耐指紋コーティングで表面エネルギーが相対的に低いコーティング（例えば、水接触角（ぬれ性）基準で１１５度以下）を示し、ＡＳは、耐にじみ性（ａｎｔｉ−ｓｍｕｄｇｅ）コーティングで表面エネルギーが比較的高いコーティング（例えば、水接触角基準で７０度以下）を示す。ベア（ｂａｒｅ）は、処理プロセスが進行されない強化ガラス（例えば、洗浄時の水接触角基準で１０度以下のガラスプレート）を示し、ヘイズは、本発明の一実施形態による第１のコーティング層が適用されたポリシラザンの表面を示す。
【００９７】
下記の数式１により、指紋又は異物に対する視認性及び拭き取り性の有無が数値で確認される。
【００９８】
【数１】
2019089697.tif 000007
【００９９】
ピン照明の下で、ΔＥは、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ  ｏｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎで基準として定められた色差（ｃｏｌｏｒ  ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）として処理前後の差値である。例えば、Ｌ＊１はコーティング層の指紋処理前の明度値を、Ｌ＊２は指紋処理後の明度値をそれぞれ示し、ａ＊１はコーティング層の処理前の色相値を、ａ＊２は処理後の色相値をそれぞれ示し、ｂ＊１はコーティング層の処理前の彩度値を、ｂ＊２は処理後の彩度値をそれぞれ示す。
【０１００】
一実施形態により、指紋視認性は油指紋を１０回以上適用時に平均値を示し、指紋拭き取り性は１．５ｋｇｆ面（例えば、ジーンズ）を利用した５回以上拭き適用時に平均値を示す。平均値が小さいほどユーザーによる指紋視認性及び指紋拭き取り性が落ちることを示す。
【０１０１】
比較例１は、強化ガラスにＡＦコーティング処理した例であり、ΔＥ＊ａｂ値による指紋視認性はおよそ２１．３、指紋拭き取り性はおよそ１８．０７の値が確認される。
【０１０２】
比較例２は、強化ガラスに第１のコーティング層が処理された例であり、ΔＥ＊ａｂ値による指紋視認性はおよそ１．１２、指紋拭き取り性はおよそ０．５４の値が確認される。
【０１０３】
比較例３は、強化ガラスにＡＳコーティング処理した例であり、ΔＥ＊ａｂ値による指紋視認性はおよそ５．３２、指紋拭き取り性はおよそ８．５１の値が確認される。
【０１０４】
本発明の一実施形態では、強化ガラスに第１のコーティング層及び第２のコーティング層（例えば、ＡＳ処理）が処理された場合、ΔＥ＊ａｂ値による指紋視認性がおよそ１．１６、指紋拭き取り性がおよそ０．２２の値が確認される。
【０１０５】
本発明の一実施形態によるカバーガラスにおいて、第１のコーティング層及び第２のコーティング層を処理することによって、コーティング層の光の散乱効果によるガラスの耐指紋性及び指紋拭き取り性が向上する。
【０１０６】
本発明の一実施形態によるカバーガラスは、電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第１のコーティング層と、を備え、第１のコーティング層は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、及び少なくとも一つの不純物を含み、Ｓｉ−Ｏの結合は、第１のコーティング層の８０重量％以上で構成される。
【０１０７】
一実施形態によると、第１のコーティング層は、熱処理により少なくとも２２００ＭＰａの硬度の特性を示す。
【０１０８】
一実施形態によると、第１のコーティング層のネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された所定のピッチ、及び長さ方向に対して垂直方向に形成された所定の高さを有する凹凸形状を含み、凹凸形状のピッチは、２０μｍ〜６０μｍの範囲の値を有し、凹凸形状の高さは、０．５μｍ〜０．９μｍの範囲の値を有する。
【０１０９】
一実施形態によると、第１のコーティング層のネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された所定のピッチ、及び長さ方向に対して垂直方向に形成された所定の高さを有する凹凸形状を含み、所定のピッチに対する所定の高さの比率は、０．００４〜０．０１５の範囲の値を有する。
【０１１０】
一実施形態によると、第１のコーティング層は、ヘイズが５％〜３５％の範囲であり、透過率が９１％以下である。
【０１１１】
一実施形態によると、第１のコーティング層のネットワーク構造は、所定の表面粗さ値を有する凹凸形状を有し、第１のコーティング層の表面粗さの平均値（Ｒａ）は１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の値を有し、第１のコーティング層の表面粗さの二乗平均（ＲＭＳ）は１３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の値を有する。
【０１１２】
一実施形態によると、第１のコーティング層は、所定の厚さを有する凹凸形状を有し、凹凸形状は、第１のコーティング層がガラスプレート及び接触面（例えば、図４の第１の面）を基準にして低い谷部及び接触面を基準にして高いピーク部を含み、谷部は３００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲の値を有し、ピーク部は０．６μｍ〜２μｍの範囲の値を有する。
【０１１３】
一実施形態によると、第１のコーティング層の一面に配置され、第１のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状に積層された第２のコーティング層を含み、第２のコーティング層は、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含んで構成される。
【０１１４】
一実施形態によると、第２のコーティング層は、耐指紋視認性を提供し、下記の数式１においてΔＥ＊ａｂ値は４以下である。
【０１１５】
【数１】
2019089697.tif 000008
【０１１６】
（Ｌ＊１は第２のコーティング層の指紋処理前の明度値を、Ｌ＊２は指紋処理後の明度値をそれぞれ示し、ａ＊１は第２のコーティング層の処理前の色相値を、ａ＊２は処理後の色相値をそれぞれ示し、ｂ＊１は第２のコーティング層処理前の彩度値を、ｂ＊２は処理後の彩度値をそれぞれ示す。）
【０１１７】
一実施形態によると、第２のコーティング層は、透明材質を有し、第１のコーティング層の厚さよりも薄い厚さを有する。
【０１１８】
一実施形態による電子装置は、第１の方向に向かう前面カバー及び前面カバーの反対である第２の方向に向かう背面カバーを含み、前面カバーの少なくとも一部を形成する透明領域を含むハウジングと、ハウジングの内部に配置されたバッテリーと、ハウジング内に配置され、前面カバーを通じて露出される画面領域を含むディスプレイ装置と、を備え、背面カバーは、ガラスプレートと、ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第１のコーティング層と、第１のコーティング層の一面に配置され、第１のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状に積層された第２のコーティング層を含む。
【０１１９】
本発明の一実施形態によるネットワーク構造を含む電子装置のカバーガラスの製造方法は、ガラスプレートを用意するプロセスと、ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第１のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて第１のコーティング層を積層するプロセスと、第１のコーティング層の一面に第２のコーティング層を積層するプロセスと、を有する。
【０１２０】
一実施形態によると、第１のコーティング層を積層するプロセスにおいて、湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量％比は、５：９５〜２０：８０の範囲で構成され、ガラスプレートの一面にコーティング溶液が到達する比率は、４０％以下である。
【０１２１】
一実施形態によると、第１のコーティング層を積層するプロセスにおいて、第１のコーティング層を形成するために適用されるコーティング溶液は、下記の化学式１を満たす重量平均分子量が２，０００〜３，００００の範囲の無機ポリシラザン１重量％〜３０重量％を含み、ガラスプレートに湿式スプレー方式で積層される。
【０１２２】
【化１】
2019089697.tif 000009
【０１２３】
（Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、独立的に、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、シリコンに直結した基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、及びアルコキシ基であり、ｎは整数である。）
【０１２４】
一実施形態によると、第１のコーティング層を積層するプロセスは、湿式スプレー方式でコーティング溶液を塗布した後に、熱乾燥プロセス、一次硬化プロセス、及び二次硬化プロセスを含み、熱乾燥プロセスは、５０℃〜２００℃の範囲で２ｍｉｎ〜２０ｍｉｎの範囲の熱乾燥を進行してコーティング溶液内の溶剤を除去する。
【０１２５】
一実施形態によると、一次硬化プロセスにおいて、過熱蒸気を通じて無機ポリシラザンをＳｉＯ２膜に変化させ、プロセス温度を１００℃〜３００℃の範囲の値で行う。
【０１２６】
一実施形態によると、二次硬化プロセスで、一次硬化プロセスで残留したＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈの結合を除去し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変化させ、プロセス温度を３０℃〜２００℃の範囲の値で行う。
【０１２７】
一実施形態によると、二次硬化プロセスは過酸化水素処理プロセスを含み、二次硬化プロセスで処理された第１のコーティング層は、少なくとも２２００ＭＰａの硬度特性を示す。
【０１２８】
一実施形態によると、二次硬化プロセスで処理された第１のコーティング層は、ヘイズが５％〜３５％の範囲であり、透過率が５５０ｎｍの光波長で９１％以下である。
【０１２９】
一実施形態によると、第２のコーティング層を積層するプロセスにおいて、第２のコーティング層は、第１のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状を有し、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含んで構成される。
【０１３０】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１３１】
１００、３００    電子装置
１０１、３３０    ディスプレイ
１０２    前面プレート
１０３    マイク穴（オーディオモジュール）
１０４    近接センサ（照度センサ）（センサモジュール）
１０５    第１のカメラ装置（カメラモジュール）
１０６    インジケータ
１０７    スピーカ穴（オーディオモジュール）
１０８    第１のコネクタ穴
１０９    第２のコネクタ穴（イヤホンジャック）
１１０    ハウジング
１１０Ａ    第１の面（前面）
１１０Ｂ    第２の面（背面）
１１０Ｃ    側面
１１０Ｄ    第１の領域
１１０Ｅ    第２の領域
１１１    背面プレート
１１２    第２のカメラ装置（カメラモジュール）
１１３    フラッシュ（カメラモジュール）
１１４    通話用レシーバ穴（オーディオモジュール）
１１５    ホームキーボタン（キー入力装置）
１１６    タッチパッド（キー入力装置）
１１７    サイドキーボタン（キー入力装置）
１１８    側面ベゼル構造（側面部材）
１１９    第３のセンサモジュール（ＨＲＭセンサ）（センサモジュール）
３１０    側面ベゼル構造
３１１    第１の支持部材（ブラケット）
３２０    前面プレート
３４０    印刷回路基板
３５０    バッテリー
３６０    第２の支持部材（背面ケース）
３７０    アンテナ
３８０    背面プレート
４００、５００    カバーガラス
４１０、５１０    ガラスプレート
４１１    第１の面
４１２    第２の面
４３０、５３０    第１のコーティング層
４５０    第２のコーティング層
５３１    谷部
５３３    ピーク部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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