(57)【要約】      （修正有）【課題】放射ノイズを遮断したコイル電子部品を提供する。【解決手段】コイル電子部品１００は、内部コイル部４１、４２が埋め込まれた磁性体本体５０と、磁性体本体５０の上部及び下部のうち少なくとも一つに配置された金属遮蔽シート７１と、を含む。金属遮蔽シート７１の透磁率が、磁性体本体５０に含まれた金属磁性粉末５１の透磁率の１００倍以上である。【選択図】図２
2019114775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部コイル部が埋め込まれた磁性体本体と、
前記磁性体本体の上部及び下部のうち少なくとも一つに配置された金属遮蔽シートと、を含み、
前記金属遮蔽シートの透磁率が、金属磁性体粉末を含む前記磁性体本体の透磁率の１００倍以上である、コイル電子部品。
【請求項２】
前記金属遮蔽シートの透磁率が、前記磁性体本体に含まれた金属磁性粉末の透磁率の７５００倍以上である、請求項１に記載のコイル電子部品。
【請求項３】
前記金属遮蔽シートは、粉砕されていない金属リボンの形態である、請求項１または２に記載のコイル電子部品。
【請求項４】
前記磁性体本体と前記金属遮蔽シートとの間には絶縁接着層が配置される、請求項１から３のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項５】
前記絶縁接着層の厚さが３μｍ〜１００μｍである、請求項４に記載のコイル電子部品。
【請求項６】
前記金属遮蔽シートと前記絶縁接着層が交互に積層される、請求項４または５に記載のコイル電子部品。
【請求項７】
前記金属遮蔽シートの厚さが１μｍ〜５０μｍである、請求項１から６のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項８】
前記金属遮蔽シートは非晶質または結晶質金属を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項９】
前記金属遮蔽シートは、前記磁性体本体の幅方向の両側面の何れか一つにさらに配置される、請求項１から８のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項１０】
前記金属遮蔽シートは、前記磁性体本体の幅方向の両側面と上部及び下部に配置される、請求項１から８のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項１１】
前記金属遮蔽シートは、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される何れか一つ以上を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コイル電子部品の一つであるインダクター（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシターとともに電子回路を成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子である。
【０００３】
インダクターは、磁性材料を含む磁性体本体内に内部コイル部を形成した後、磁性体本体の外側に外部電極を形成することで製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６６４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、放射ノイズを遮断したコイル電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、内部コイル部が埋め込まれた磁性体本体と、上記磁性体本体の上部及び下部のうち少なくとも一つに配置された金属遮蔽シートと、を含み、上記金属遮蔽シートの透磁率が、上記磁性体本体に含まれた金属磁性粉末の透磁率の１００倍以上であるコイル電子部品を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一実施形態によると、放射ノイズが最小化されたコイル電子部品を提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態によって製造されたコイル電子部品の内部コイル部が見えるように示した概略斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態によって製造されたコイル電子部品を図１のＩ−Ｉ'線に沿って示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【００１０】
なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
【００１１】
さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、他の構成要素を除外する趣旨ではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００１２】
以下では、本発明の一実施形態によって製造されたコイル電子部品を説明するにあたり、特に、薄膜型インダクターを挙げて説明するが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００１３】
図１は本発明の一実施形態によって製造されたコイル電子部品の内部コイル部が見えるように示した概略斜視図である。
【００１４】
図１を参照すると、コイル電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクターが示されている。
【００１５】
本発明の一実施形態によるコイル電子部品１００は、磁性体本体５０と、上記磁性体本体５０の内部に埋め込まれた第１及び第２内部コイル部４１、４２と、上記磁性体本体５０の外側に配置され、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２と電気的に接続された第１及び第２外部電極８１、８２と、を含む。
【００１６】
本発明の一実施形態によるコイル電子部品１００において、「長さ」方向は図１の「Ｌ」方向、「幅」方向は「Ｗ」方向、「厚さ」方向は「Ｔ」方向と定義する。
【００１７】
本発明の一実施形態によるコイル電子部品１００は、絶縁基板２０の一面に平面コイル状の第１内部コイル部４１が形成され、上記絶縁基板２０の一面と対向する他面に平面コイル状の第２内部コイル部４２が形成される。
【００１８】
上記第１及び第２内部コイル部４１、４２は、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状に形成されることができ、上記絶縁基板２０の一面と他面に形成された上記第１及び第２内部コイル部４１、４２は、上記絶縁基板２０を貫通して形成されるビア（不図示）を介して電気的に接続される。
【００１９】
上記絶縁基板２０の中央部が貫通されて貫通孔が形成され、上記貫通孔が磁性材料で充填されることで、コア部５５が形成される。磁性材料で充填されるコア部５５を形成することで、インダクタンス（Ｌ）を向上させることができる。
【００２０】
また、上記絶縁基板２０は、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２の形状と類似の形状に切断して形成するため、磁性体本体５０の内部に磁性体材料を最大に充填することができる。これにより、高インダクタンスを実現することができる。
【００２１】
上記絶縁基板２０の一面に形成された第１内部コイル部４１の一端部は、磁性体本体５０の長さ（Ｌ）方向の一端面に露出し、絶縁基板２０の他面に形成された第２内部コイル部４２の一端部は、磁性体本体５０の長さ（Ｌ）方向の他端面に露出する。
【００２２】
但し、必ずしもこれに制限されるものではなく、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２のそれぞれの一端部は、上記磁性体本体５０の少なくとも一面に露出することができる。
【００２３】
上記磁性体本体５０の端面に露出する上記第１及び第２内部コイル部４１、４２のそれぞれと接続されるように、上記磁性体本体５０の外側に第１及び第２外部電極８１、８２が形成される。
【００２４】
図２は図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面図である。
【００２５】
図２を参照すると、本発明の一実施形態によって製造されたコイル電子部品１００の磁性体本体５０は金属磁性体粉末５１を含む。但し、必ずしもこれに制限されるものではなく、磁気特性を示す磁性粉末であれば何れを含んでもよい。
【００２６】
本発明の一実施形態によって製造されたコイル電子部品１００は、上記金属磁性体粉末５１を含む磁性体本体５０の上部及び下部のうち少なくとも一つに、金属遮蔽シート７１を含むカバー部７０が形成される。
【００２７】
上記金属遮蔽シート７１を含むカバー部７０は、金属磁性体粉末５１を含む磁性体本体５０に比べて高い透磁率を有する。また、上記金属遮蔽シート７１を含むカバー部７０は、磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）が外部に漏れることを防止する役割を果たすことができる。
【００２８】
これにより、本発明の一実施形態によって製造されたコイル電子部品１００は、高いインダクタンス及び優れたＤＣ−バイアス特性を実現することができ、放射ノイズを最小化することができる。
【００２９】
具体的に、上記金属遮蔽シート７１の透磁率は、金属磁性体粉末５１を含む上記磁性体本体５０の透磁率の１００倍以上であることができる。
【００３０】
従来、磁性体本体の上部及び下部のうち少なくとも一つに磁束の漏れを防止するために金属シートを配置した場合にも、上記金属シートは、上記磁性体本体の透磁率に比べて２倍以上〜１０倍以下の透磁率を有する程度であった。
【００３１】
しかし、本発明の一実施形態によると、金属遮蔽シート７１の透磁率が、金属磁性体粉末５１を含む磁性体本体５０の透磁率の１００倍以上であるため、磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）が外部に漏れることを防止する効果にさらに優れ、これによって放射ノイズを最小化することができる。
【００３２】
特に、本発明の一実施形態によると、上記金属遮蔽シート７１の透磁率が、金属磁性体粉末５１を含む磁性体本体５０の透磁率の７５００倍以上であるように配置することができるため、放射ノイズを最小化する効果にさらに優れることができる。
【００３３】
上記金属磁性体粉末５１は、球状粉末または片状のフレーク（ｆｌａｋｅ）粉末であることができる。
【００３４】
上記金属磁性体粉末５１は、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される何れか一つ以上を含む結晶質または非晶質金属であることができる。
【００３５】
例えば、上記金属磁性体粉末５１は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系の球状の非晶質金属であることができる。
【００３６】
上記金属磁性体粉末５１は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂に分散された形態で含まれる。
【００３７】
上記金属遮蔽シート７１は、上記金属磁性体粉末５１に比べて約１００倍以上、より好ましくは７５００倍以上の非常に高い透磁率を示し、磁性体本体５０の上部及び下部に板状に配置され、外部への磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）の漏れを防止することができる。
【００３８】
上記金属遮蔽シート７１は、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される何れか一つ以上を含む結晶質または非晶質金属からなることができる。
【００３９】
本発明の一実施形態による上記金属遮蔽シート７１は、粉砕されていない金属リボンの形態であることができる。
【００４０】
従来は、金属遮蔽シートを粉砕して多数の金属片を形成して配置していたが、本発明の一実施形態によると、高透磁率を実現するために、金属遮蔽シート７１を粉砕されていない金属リボンの形態で配置することができる。
【００４１】
上記金属遮蔽シート７１の厚さｔ１は、特に制限されないが、例えば、１μｍ〜５０μｍであることができる。
【００４２】
上記金属遮蔽シート７１の厚さが１μｍ未満である場合には、放射ノイズを最小化する効果が充分ではなく、５０μｍを超える場合には、シートの厚さが厚すぎて、その分だけ本体の体積が減少するため、インダクタンスが減少するという問題が発生し得る。
【００４３】
上記カバー部７０は、上記金属遮蔽シート７１の上部及び下部のうち少なくとも一つに配置された絶縁接着層７２をさらに含む。
【００４４】
すなわち、上記磁性体本体５０と上記金属遮蔽シート７１との間には絶縁接着層７２が配置されることができる。
【００４５】
上記絶縁接着層７２は、従来と異なって、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂を含まない。
【００４６】
上記絶縁接着層７２の厚さｔ２は、特に制限されないが、例えば、３μｍ〜１００μｍであることができる。
【００４７】
図３は図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面図である。
【００４８】
図３を参照すると、本発明の一実施形態によると、上記金属遮蔽シート７１は、上記磁性体本体５０の幅方向の両側面の何れか一つにさらに配置されることもできる。
【００４９】
すなわち、本発明の一実施形態によると、上記金属遮蔽シート７１は、上記磁性体本体５０の幅方向の両側面と上部及び下部に配置されることもできる。
【００５０】
このように、上記金属遮蔽シート７１が上記磁性体本体５０の幅方向の両側面と上部及び下部に配置されることで、磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）が外部に漏れることを防止する効果にさらに優れるようになる。これにより、放射ノイズを最小化することができる。
【００５１】
図４は本発明の他の実施形態によって製造されたコイル電子部品を図１のＩ−Ｉ'線に沿って示す断面図である。
【００５２】
図４を参照すると、本発明の他の実施形態によって製造されたコイル電子部品において、上記カバー部７０は、複数の金属遮蔽シート７１及び複数の絶縁接着層７２を含む。
【００５３】
上記金属遮蔽シート７１と上記絶縁接着層７２は交互に積層されることができる。
【００５４】
上記複数の金属遮蔽シート７１の間には絶縁接着層７２が形成され、隣接して積層された金属遮蔽シート７１を絶縁させる。
【００５５】
上記カバー部７０は、複数の金属遮蔽シート７１を含むことで、透磁率をより向上させ、さらに高いインダクタンスを確保することができる。
【００５６】
上記金属遮蔽シート７１の透磁率が上記磁性体本体５０の透磁率に比べて１００倍以上、特に７５００倍以上高いため、２層程度の複数の金属遮蔽シートが配置されると、放射ノイズの低減において効果があり、より好ましくは３層以上の金属遮蔽シート７１を含んでもよい。
【００５７】
本発明の一実施形態によって金属遮蔽シート７１を含んで製作した実施例と、金属遮蔽シートを適用せずに製作された一般のインダクターである比較例の場合、放射ノイズの低減効果において差を示す。
【００５８】
具体的に、金属遮蔽シートを含まない比較例は、放射ノイズの吸収率が−３３．０６ｄＢｍであるのに対し、透磁率が４００である金属遮蔽シート７１を含んで製作した実施例１は−４０．０５ｄＢｍの結果を示し、透磁率が１５０００である金属遮蔽シート７１を含んで製作した実施例２は−４０．９ｄＢｍの結果を示す。
【００５９】
すなわち、本発明の一実施形態のように、磁性体本体５０の上部及び下部に金属遮蔽シート７１が配置されたコイル電子部品１００は、従来のコイル電子部品に比べて、磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）が外部に漏れることを防止するという効果を有するため、放射ノイズを最小化することができる。
【００６０】
以下では、本発明の一実施形態によるコイル電子部品を製造する製造工程について説明する。
【００６１】
先ず、第１及び第２内部コイル部４１、４２が埋め込まれた磁性体本体５０を形成する。上記磁性体本体５０は金属磁性体粉末５１を含む。
【００６２】
上記磁性体本体５０の形成方法は、特に制限されず、内部コイル部が埋め込まれた金属磁性体粉末−樹脂の複合体を形成することができる方法であれば適用可能である。
【００６３】
一方、上記磁性体本体５０は、平均粒径が大きい金属磁性体粉末と、それより平均粒径が小さい金属磁性体粉末を混合して含むことができる。
【００６４】
平均粒径が大きい金属磁性体粉末は、より高透磁率を実現することができ、平均粒径が小さい金属磁性体粉末は、平均粒径が大きい金属磁性体粉末とともに混合されて充填率を向上させることができる。充填率が向上することにより、透磁率がさらに向上することができる。
【００６５】
また、平均粒径が大きい金属磁性体粉末を用いる場合、高透磁率を実現することができるものの、コアロス（ｃｏｒｅ  ｌｏｓｓ）が増加するようになる。しかし、平均粒径が小さい金属磁性体粉末は低損失材料であることから、それらをともに混合することにより、平均粒径が大きい金属磁性体粉末を用いることが原因で増加するコアロス（ｃｏｒｅ  ｌｏｓｓ）を補完することで、Ｑ特性をともに向上させることができる。
【００６６】
これにより、平均粒径が大きい金属磁性体粉末と、それより平均粒径が小さい金属磁性体粉末とを混合して含むことで、インダクタンス及びＱ特性を向上させることができる。
【００６７】
しかし、このように平均粒径が大きい金属磁性体粉末と、それより平均粒径が小さい金属磁性体粉末との混合だけでは、透磁率の向上に限界がある。
【００６８】
そこで、本発明の一実施形態は、上記金属遮蔽シート７１をさらに形成することで透磁率をさらに向上させることができる。
【００６９】
次に、上記磁性体本体５０の上部及び下部に金属遮蔽シート７１を含むカバー部７０を形成する。
【００７０】
上記磁性体本体５０と金属遮蔽シート７１との間には絶縁接着層７２を配置してもよいが、絶縁接着層７２を配置しなくてもよい。この場合、上記磁性体本体５０と金属遮蔽シート７１を含むカバー部７０とは、ラミネート法や静水圧プレス法により圧着及び硬化することで一体化させることができる。
【００７１】
一方、上記金属遮蔽シート７１を磁性体本体５０の最上部及び最下部に配置してカバー部７０を形成するように示しているが、必ずしもこれに制限されるものではなく、当業者が活用可能な範囲内で、少なくとも一層の金属遮蔽シートを形成して本発明の効果を実現することができる方法であれば適用可能である。
【００７２】
また、上記金属遮蔽シート７１を含むカバー部７０は磁性体本体５０の側面にも形成することができる。
【００７３】
一方、磁性体本体５０の形成方法は、先ず、絶縁基板２０の一面及び他面に第１及び第２内部コイル部４１、４２を形成する。
【００７４】
上記絶縁基板２０にビアホール（不図示）を形成し、上記絶縁基板２０上に開口部を有するめっきレジストを形成した後、上記ビアホール及び開口部をめっきにより導電性金属で充填することで、第１及び第２内部コイル部４１、４２と、それを接続するビア（不図示）を形成することができる。
【００７５】
上記第１及び第２内部コイル部４１、４２とビアは、電気伝導性に優れた導電性金属で形成することができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、またはこれらの合金などで形成することができる。
【００７６】
但し、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２の形成方法が必ずしもこのようなめっき工程に制限されるものではなく、金属ワイヤ（ｗｉｒｅ）で内部コイル部を形成してもよい。
【００７７】
上記第１及び第２内部コイル部４１、４２上に第１及び第２内部コイル部４１、４２を被覆する絶縁膜（不図示）を形成することができる。
【００７８】
上記絶縁膜（不図示）は、スクリーン印刷法や、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光、現像による工程、またはスプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程などの公知の方法により形成することができる。
【００７９】
上記第１及び第２内部コイル部４１、４２は絶縁膜（不図示）によって被覆され、磁性体本体５０を成す磁性材料と直接接触しない。
【００８０】
上記絶縁基板２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板、または金属系軟磁性基板などで形成する。
【００８１】
上記絶縁基板２０において、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２が形成されていない領域の中央部を除去してコア部を形成する。
【００８２】
上記絶縁基板２０の除去は、機械ドリル、レーザードリル、サンドブラスト、打ち抜き加工などにより行うことができる。
【００８３】
次に、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２の上部及び下部に磁性体シートを積層する。
【００８４】
上記磁性体シートは、金属磁性体粉末５１、熱硬化性樹脂、バインダー、及び溶剤などの有機物を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法によりキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に数十μｍの厚さで塗布した後、乾燥することで、シート（ｓｈｅｅｔ）状に製造することができる。
【００８５】
上記金属磁性体粉末５１としては、球状粉末または片状のフレーク（ｆｌａｋｅ）粉末を用いることができる。
【００８６】
上記磁性体シートを製造する際に、平均粒径が大きい金属磁性体粉末と、それより平均粒径が小さい金属磁性体粉末とを混合して製造することができる。
【００８７】
上記磁性体シートは、金属磁性体粉末５１がエポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂に分散された形態で製造される。
【００８８】
上記磁性体シートを積層し、圧着及び硬化することで、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２が埋め込まれた磁性体本体５０を形成する。
【００８９】
この際、上記コア部の孔に磁性材料を充填することでコア部５５を形成する。
【００９０】
次に、上記磁性体本体５０上に金属遮蔽シート７１と絶縁接着層７２を交互に積層してカバー部７０を形成する。
【００９１】
上記金属遮蔽シート７１は、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される何れか一つ以上を含む結晶質または非晶質金属からなることができる。
【００９２】
上記金属遮蔽シート７１の厚さｔ１は１μｍ〜５０μｍであることができる。
【００９３】
上記金属遮蔽シート７１の厚さｔ１が１μｍ未満である場合には、透磁率の向上及び磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｌｕｘ）漏れの減少効果が低下する可能性があり、５０μｍを超える場合には、本体の体積減少によってインダクタンスが減少し、コアロス（ｃｏｒｅ  ｌｏｓｓ）が増加してＱ特性が悪くなるおそれがある。
【００９４】
上記絶縁接着層７２の厚さｔ２は３μｍ〜１００μｍであることができる。
【００９５】
上記絶縁接着層７２の厚さｔ２が３μｍ未満である場合には、隣接する金属遮蔽シート７１間の絶縁効果が低下する可能性があり、１００μｍを超える場合には、透磁率向上の効果が低下するおそれがある。
【００９６】
上記金属遮蔽シート７１は結晶質または非晶質金属であることができる。
【００９７】
本発明は実施形態によって限定されず、多様な形態の置換及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。また、同一または均等の思想を示すのであれば、本実施形態に説明されていないとしても本発明の範囲内であると解釈すべきである。本発明の実施形態に記載されているが、特許請求の範囲に記載されていない構成要素は、本発明の必須構成要素として限定して解釈されない。
【符号の説明】
【００９８】
１００  コイル電子部品
２０  絶縁基板
４１  第１内部コイル部
４２  第２内部コイル部
５０  磁性体本体
５１  金属磁性体粉末
５５  コア部
７０  カバー部
７１  金属遮蔽シート
７２  絶縁接着層
８１  第１外部電極
８２  第２外部電極
【図１】
2019114775.tif 000003
【図２】
2019114775.tif 000004
【図３】
2019114775.tif 000005
【図４】
2019114775.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部コイル部が埋め込まれた磁性体本体と、
前記磁性体本体の上部及び下部のうち少なくとも一つにおいて、前記磁性体本体の長さ方向の一方の端部から他方の端部まで配置された金属遮蔽シートと、を含み、
前記金属遮蔽シートの透磁率が、金属磁性体粉末を含む前記磁性体本体の透磁率の１００倍以上であり、
前記金属遮蔽シートは、前記磁性体本体の幅方向の両側面の少なくとも一つにさらに配置される、コイル電子部品。
【請求項２】
前記金属遮蔽シートの透磁率が、前記金属磁性体粉末を含む前記磁性体本体の透磁率の７５００倍以上である、請求項１に記載のコイル電子部品。
【請求項３】
前記金属遮蔽シートは、粉砕されていない金属リボンの形態である、請求項１または２に記載のコイル電子部品。
【請求項４】
前記磁性体本体と前記金属遮蔽シートとの間には絶縁接着層が配置される、請求項１から３のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項５】
前記絶縁接着層の厚さが３μｍ〜１００μｍである、請求項４に記載のコイル電子部品。
【請求項６】
前記金属遮蔽シートと前記絶縁接着層が交互に積層される、請求項４または５に記載のコイル電子部品。
【請求項７】
前記金属遮蔽シートの厚さが１μｍ〜５０μｍである、請求項１から６のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項８】
前記金属遮蔽シートは非晶質または結晶質金属を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項９】
前記金属遮蔽シートは、前記磁性体本体の幅方向の両側面と上部及び下部に配置される、請求項１から８のいずれか１項に記載のコイル電子部品。
【請求項１０】
前記金属遮蔽シートは、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される何れか一つ以上を含む、請求項１から９のいずれか１項に記載のコイル電子部品。