(57)【要約】【課題】表示装置の性能を向上させる。【解決手段】表示装置ＤＳＰ１は、表示領域と、表示領域の周辺にある周辺領域と、可撓性を備える基板１０と、周辺領域にある端子群と、端子群に接続され、端子群から第１方向に伸び、かつ第１方向と交差する第２方向に配列される複数の接続配線ＷＲ１と、周辺領域にある無機絶縁膜３１と、周辺領域にある有機絶縁膜３２と、を有する。周辺領域は、基板１０の厚さ方向に湾曲する周辺領域（第１周辺領域）ＰＦ１を有する。周辺領域ＰＦ１は、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれと重畳する領域（第１領域）ＲＳ１と、複数の接続配線ＷＲ１と重畳しない領域（第２領域）ＲＳ２と、を有する。領域ＲＳ１と領域ＲＳ２とは、第２方向に配列される。領域ＲＳ１には、無機絶縁膜３１および有機絶縁膜３２があり、領域ＲＳ２には、無機絶縁膜３１が無く、有機絶縁膜３２がある。【選択図】図６
2019066512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、
前記表示領域の周辺にある周辺領域と、
可撓性を備える基板と、
前記周辺領域にある端子群と、
前記端子群に接続され、前記端子群から第１方向に伸び、かつ前記第１方向と交差する第２方向に配列される複数の接続配線と、
前記周辺領域にある無機絶縁膜と、
前記周辺領域にある有機絶縁膜と、
を有し、
前記周辺領域は、前記基板の厚さ方向に湾曲する第１周辺領域を有し、
前記第１周辺領域は、前記複数の接続配線のそれぞれと重畳する第１領域と、前記複数の接続配線と重畳しない第２領域と、を有し、
前記第１領域と前記第２領域とは、前記第２方向に配列され、
前記第１領域には、前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜があり、
前記第２領域には、前記無機絶縁膜が無く、前記有機絶縁膜がある、表示装置。
【請求項２】
前記複数の接続配線のそれぞれと前記基板との間には、前記無機絶縁膜が介在する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記周辺領域にある前記有機絶縁膜は、
前記第１領域にある第１有機絶縁膜と、前記第２領域にある第２有機絶縁膜とを含み、
前記第２領域には、前記第１有機絶縁膜が無く、
前記第１領域では、前記第１有機絶縁膜が前記第２有機絶縁膜に覆われている、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１領域は、第１Ａ領域と第１Ｂ領域とを有し、
前記第１Ａ領域における前記有機絶縁膜の厚さは、前記第１Ｂ領域における前記有機絶縁膜の厚さより薄い、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１領域は、複数の前記第１Ｂ領域を有し、
前記第１Ａ領域は、前記複数の第１Ｂ領域の間に挟まれている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１Ａ領域および前記複数の第１Ｂ領域は、前記複数の接続配線のそれぞれの延在方向に沿って延びる、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１領域は、複数の前記第１Ａ領域を有し、
前記複数の接続配線のそれぞれの延在方向に沿って前記複数の第１Ａ領域と前記複数の第１Ｂ領域とが交互に配列される、請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の第１Ａ領域は、前記複数の接続配線のそれぞれの延在方向と交差する方向に伸び、前記第２領域に連なっている、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の接続配線のそれぞれは、複数の開口部と、前記複数の開口部のそれぞれを囲む配線部とを備え、
前記第１領域は、第１Ｃ領域と第１Ｄ領域とを有し、
前記第１Ｃ領域は、前記配線部および前記無機絶縁膜と重畳し、
前記第１Ｄ領域は、前記開口部と重畳し、かつ、前記配線部および前記無機絶縁膜と重畳しない、請求項１〜８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１Ｄ領域には、前記有機絶縁膜がある、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の接続配線のうち、隣り合う接続配線の離間距離は、前記複数の接続配線のそれぞれの幅の３倍以上である、請求項１〜８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１領域における前記有機絶縁膜の厚さは、前記第１領域における前記無機絶縁膜の厚さと前記接続配線の厚さとの合計値の３倍以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、例えば、可撓性の基板の湾曲した部分にある複数の配線を備えた表示装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置を構成する基板に、可撓性を有する基板を用いる技術がある（特開２０１５−２１７７号公報（特許文献１）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示装置の基板に形成された回路は、基板に形成された複数の接続配線を介して外部の回路と電気的に接続される。基板の湾曲した領域に複数の接続配線が設けられている場合、基板が曲げられることにより生じる応力に起因して、接続配線の下地の無機絶縁膜にクラックが生じる場合がある。また、隣り合う接続配線の間の領域において、無機絶縁膜、および、無機絶縁膜を覆う有機絶縁膜を除去し、基板を露出させた場合、接続配線の保護力が低下する恐れがある。
【０００５】
本発明の目的は、表示装置の性能を向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様である表示装置は、表示領域と、前記表示領域の周辺にある周辺領域と、可撓性を備える基板と、前記周辺領域にある端子群と、前記端子群に接続され、前記端子群から第１方向に伸び、かつ前記第１方向と交差する第２方向に配列される複数の接続配線と、前記周辺領域にある無機絶縁膜と、前記周辺領域にある有機絶縁膜と、を有する。前記周辺領域は、前記基板の厚さ方向に湾曲する第１周辺領域を有する。前記第１周辺領域は、前記複数の接続配線のそれぞれと重畳する第１領域と、前記複数の接続配線と重畳しない第２領域と、を有する。前記第１領域と前記第２領域とは、前記第２方向に配列される。前記第１領域には、前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜があり、前記第２領域には、前記無機絶縁膜が無く、前記有機絶縁膜がある。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。
【図４】図１の表示領域の一部分の拡大断面図である。
【図５】図１に示す周辺領域のうち、湾曲した部分の拡大平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図７】図６に対する検討例を示す拡大断面図である。
【図８】図６に対する他の検討例を示す拡大断面図である。
【図９】図８に示す表示装置の周辺領域にカバーフィルムを張り付けた状態を示す拡大断面図である。
【図１０】図６に示す表示装置の周辺領域にカバーフィルムを張り付けた状態を示す拡大断面図である。
【図１１】図１に対する変形例である表示装置の周辺領域の拡大断面図である。
【図１２】図５に対する変形例である拡大平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１４】図１２に対する変形例である表示装置の周辺領域の拡大平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１６】図５に対する他の変形例である表示装置の周辺領域の拡大平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ線の沿った拡大断面図である。
【図１８】図５に対する他の変形例である表示装置の拡大平面図である。
【図１９】図１８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
また、以下の実施の形態では、表示装置の例として、表示画像を形成する電気光学層に、有機発光素子を備えた有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置を取り上げて説明する。有機ＥＬ表示装置では、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）と呼ばれる発光素子を電気的に制御することにより、表示画像を形成する。ただし、以下で説明する技術は、有機ＥＬ表示装置の他、種々の変形例に適用できる。例えば、上記した電気光学層は、有機発光素子の他、液晶層、無機発光素子層、ＭＥＭＳシャッター（Micro Electro Mechanical Systems）あるいは、電気泳動素子層など、電気的なエネルギーを印加することにより、光学特性が変化する素子を含んだ層であれば良い。
【００１０】
＜表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。図１では、平面視における表示領域ＤＡと周辺領域ＰＦＡの境界を二点鎖線で示している。また、図１では、表示装置ＤＳＰ１が備える回路の回路ブロックや配線の一部を実線で模式的に示している。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２は断面図であるが、見易さのため、有機発光層ＬＤＬ、接続配線ＷＲ１、端子ＴＭ１、および配線板ＦＷＢ１を除き、ハッチングは省略されている。また、図３は、図１に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。また、図４は、図１の表示領域の一部分の拡大断面図である。
【００１１】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、外部から供給される入力信号に応じて画像が形成される表示領域ＤＡを有する。また、表示装置ＤＳＰ１は、平面視において、表示領域ＤＡの周囲を囲むように設けられた周辺領域（非表示領域、額縁領域）ＰＦＡを有する。なお、図１に示す表示装置ＤＳＰ１の表示領域ＤＡは四角形であるが、表示領域が多角形や円形など、四角形以外の形状であってもよい。表示領域ＤＡは、表示面を視た平面視において、表示装置ＤＳＰ１が画像を表示する有効領域である。
【００１２】
表示領域ＤＡには、複数の画素ＰＸが配列されている。複数の画素ＰＸは、Ｘ方向およびＸ方向に交差するＹ方向に沿って、行列状に配列されている。表示領域ＤＡには、Ｘ方向に沿って延びる複数の走査線（ゲート線）ＧＬ、およびＹ方向に沿って延びる複数の映像信号線（ソース線）ＳＬがある。図１に示す例では、複数の走査線ＧＬは、Ｙ方向に配列され、複数の映像信号線ＳＬはＸ方向に配列される。また、表示領域ＤＡには、画素ＰＸに電源電位を供給する電源線ＰＬがある。なお、走査線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、および電源線ＰＬの数やレイアウトには、図１に示す例の他、種々の変形例がある。例えば、電源線ＰＬは、表示領域ＤＡの複数の画素ＰＸのそれぞれに対して、共通の電位を供給する。このため、電源線ＰＬは、走査線ＧＬや映像信号線ＳＬより幅広で、例えば、複数の画素ＰＸと重畳していても良い。
【００１３】
表示領域ＤＡの周辺にある周辺領域ＰＦＡには、ゲート駆動回路（走査線駆動回路）ＧＤなどの回路がある。表示装置ＤＳＰ１は、ゲート駆動回路ＧＤの他、例えば、ゲートバッファ回路やスイッチング回路など、複数の回路を備えている場合もある。図１では、代表的にゲート駆動回路ＧＤを模式的に示している。ゲート駆動回路ＧＤは、複数の走査線ＧＬのそれぞれに接続され、走査線ＧＬに走査信号を伝送する。図１に示す例ではゲート駆動回路ＧＤは、Ｘ方向において、表示領域ＤＡの両隣にある。また、表示装置ＤＳＰ１の周辺領域ＰＦＡには、表示領域ＤＡ内の回路に接続される複数の接続配線ＷＲ１などがある。接続配線ＷＲ１には、ゲート駆動回路ＧＤに接続される接続配線、映像信号線ＳＬに接続される接続配線、および電源線ＰＬに接続される接続配線が含まれる。
【００１４】
表示装置ＤＳＰ１は、基板１０を有している。基板１０は、可撓性を備える基板（可撓性基板）である。図２に示すように、基板１０は湾曲する部分を有している。言い換えれば、周辺領域ＰＦＡには、湾曲している周辺領域（第１周辺領域）ＰＦ１を有している。基板１０に可撓性を付与するため、例えば、基板１０は、ポリイミドやポリアミド、ポリカルボナート、あるいは、ポリエステルなどのポリマーを含む樹脂材料（有機材料）から成る。また、基板１０は、有機発光層ＬＤＬと対向する前面（主面、面）１０ｆ、および前面１０ｆの反対側の背面（主面、面）１０ｂを有する。基板１０の前面１０ｆ側には、有機発光素子ＬＤ１（図４参照）を構成する有機発光層ＬＤＬがある。有機発光層ＬＤＬは、保護膜としての絶縁膜２０に覆われている。有機発光層ＬＤＬは、基板１０と絶縁膜２０との間に挟まれ、外部からの汚染から保護される。絶縁膜２０は単層構造でもよいし、多層構造でもよい。例えば、絶縁膜２０は、無機膜と有機膜との積層構造とすることができる。一例を挙げれば、絶縁膜２０は、互いに対向する窒化珪素（ＳｉＮ）膜の間にアクリル膜が挟まれた積層構造を例示できる。
【００１５】
また、図２に示す例では、表示装置ＤＳＰ１は、光学素子ＯＤ１を有する。光学素子ＯＤ１は、表示装置ＤＳＰ１の表示面側、言い換えれば、有機発光層ＬＤＬに対して基板１０の反対側にある。光学素子ＯＤ１は、例えば、偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。また、光学素子ＯＤ１は、カラーフィルタを含んでいても良い。また、図２に示す例では、絶縁膜２０上に光学素子ＯＤ１が貼り付けられた構造になっている。ただし、変形例として、基板１０と対向する位置に図示しない対向基板が配置され、光学素子ＯＤ１はその対向基板に貼り付けられていても良い。
【００１６】
また、接続配線ＷＲ１は、基板１０の前面１０ｆ上に形成される。接続配線ＷＲ１の一部分は、周辺領域ＰＦＡのうち、湾曲する周辺領域ＰＦ１に配置される。また、図２に示すように、基板１０の前面１０ｆ上には、端子群ＴＭＧがある。端子群ＴＭＧを構成する端子ＴＭ１は、異方導電膜ＡＣＦ１などの導電部材を介して配線板ＦＷＢ１と電気的に接続されている。また、配線板ＦＷＢ１は、回路基板ＣＢ１に接続されている。
【００１７】
図１に示す複数の画素ＰＸのそれぞれは、図３に示すように、有機発光素子ＬＤ１と、画素選択スイッチＳＷ１として機能するトランジスタＴｒ１と、有機発光素子ＬＤ１を駆動する電源電位を供給する駆動スイッチＳＷ２として機能するトランジスタＴｒ２と、を備える。また、図４に示す例では、画素ＰＸは、トランジスタＴｒ１のドレイン電極とトランジスタＴｒ２のゲート電極との間に接続される容量素子ＣＳ１を備える。
【００１８】
画素ＰＸを駆動する駆動回路には、走査線ＧＬに接続されるゲート駆動回路ＧＤ、映像信号線ＳＬに接続される映像信号駆動回路ＳＤ、および電源線ＰＬに接続される電源回路ＶＣ１などが含まれる。
【００１９】
ゲート駆動回路ＧＤは、制御回路部ＣＮＴから伝送されたタイミング信号に応じて走査線ＧＬを選択する。選択された走査線ＧＬには、走査線ＧＬに接続されるトランジスタＴｒ１（言い換えれば画素選択スイッチＳＷ１）のゲートをオンさせる電圧が印加される。
【００２０】
映像信号駆動回路ＳＤには、制御回路部ＣＮＴから映像信号が入力される。映像信号駆動回路ＳＤは、映像信号に基づいて映像信号線ＳＬに電圧を出力する。トランジスタＴｒ１がオンになっている画素ＰＸでは、映像信号線ＳＬを介して入力された電圧がトランジスタＴｒ１に接続される容量素子ＣＳ１に書き込まれる。言い換えれば、トランジスタＴｒ１がオンになっている画素ＰＸでは、映像信号駆動回路ＳＤから供給された電圧に応じた電荷が容量素子ＣＳ１に蓄積される。
【００２１】
電源回路ＶＣ１は、電源線ＰＬを介して容量素子ＣＳ１の一方の電極に接続されている。また、電源回路ＶＣ１は、電源線ＰＬを介して駆動スイッチＳＷ２であるトランジスタＴｒ２の電極のうち、ゲートではない一つの電極（例えばドレイン電極）に接続されている。トランジスタＴｒ１がオンになると、容量素子ＣＳ１に上記した電圧が書き込まれるとともに、トランジスタＴｒ２に対してトランジスタＴｒ２のゲートをオンするための電圧が供給される。トランジスタＴｒ２のゲートをオンになると、トランジスタＴｒ２に接続される有機発光素子ＬＤ１には、容量素子ＣＳ１に書き込まれた電圧に応じた電流が流れる。
【００２２】
有機発光素子ＬＤ１の陽極（アノード）は、トランジスタＴｒ２の電極（例えばソース電極）に接続され、有機発光素子ＬＤ１の陰極（カソード）は、例えば接地されている（言い換えれば、グランドに接続されている）。有機発光素子ＬＤ１に電流が流れると、電流値に応じて有機発光素子ＬＤ１が発光する。このため、複数の画素ＰＸのそれぞれに供給される電圧、および電圧が供給されるタイミングを制御することにより、有機発光素子ＬＤ１の発光現象を制御し、画像を形成することが出来る。
【００２３】
図３に示すゲート駆動回路ＧＤは、図１に示すように基板１０にある。また、映像信号駆動回路ＳＤ、電源回路ＶＣ１、および制御回路部ＣＮＴのそれぞれは、図２に示す配線板ＦＷＢ１または回路基板ＣＢ１のいずれかにある。ただし、図３に示す各種の回路が形成される場所には種々の変形例がある。例えば、基板１０上に図示しないドライバチップが搭載され、映像信号駆動回路ＳＤ、電源回路ＶＣ１、および制御回路部ＣＮＴの一部または全部がこのドライバチップにあっても良い。
【００２４】
図３に示す画素ＰＸを構成する回路部品は、例えば図４に示すように基板１０上に形成されている。表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡにおいて、基板１０の前面１０ｆ上にある絶縁膜１１を有する。絶縁膜１１は、ＴＦＴを含む各種回路の下地層であって、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ）などの無機絶縁材料からなる。
【００２５】
また、下地層である絶縁膜１１上には、ＴＦＴであるトランジスタＴｒ２が形成されている。図４では、トランジスタＴｒ２を例示的に示している。以下では、トランジスタＴｒ２の構成例について説明する。ただし、図３に示すトランジスタＴｒ１は、図４に示すトランジスタＴｒ２と同層に形成され、同様な構造になっている。トランジスタＴｒ２は、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域を構成する半導体領域ＯＳＣを備える。半導体領域ＯＳＣは、例えばポリシリコンから成り、絶縁膜１１上に形成されている。半導体領域ＯＳＣのうち、ソース領域およびドレイン領域には、トランジスタＴｒ２のソース電極ＳＥまたはドレイン電極ＤＥに接続される導体パターンＣＤＰが形成されている。導体パターンＣＤＰは、例えばスパッタ法により形成される。
【００２６】
半導体領域ＯＳＣは、ゲート絶縁膜である絶縁膜１２に覆われる。絶縁膜１２は、例えば酸化珪素から成り、一例として、化学蒸着（chemical vapor deposition：ＣＶＤ）により半導体領域ＯＳＣ、および導体パターンＣＤＰ上に堆積される。また、絶縁膜１２上には、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、半導体領域ＯＳＣのチャネル領域と重畳する位置に形成されている。言い換えれば、半導体領域ＯＳＣのチャネル領域とは、ゲート絶縁膜である絶縁膜１２を介して互いに対向する。ゲート電極ＧＥはスパッタ法等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。また、図示は省略したが、ゲート電極ＧＥと同層には、図１に示す複数の走査線ＧＬが形成される。複数の走査線ＧＬのそれぞれは、図１に示すＸ方向に延びるように形成される。
【００２７】
ゲート電極ＧＥおよび絶縁膜１２は、絶縁膜１３に覆われる。絶縁膜１３は例えば、窒化珪素、酸化珪素、あるいはこれらの積層膜から成る。絶縁膜１３は例えばＣＶＤ法により形成される。絶縁膜１３上には、金属膜であるソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥがある。絶縁膜１２および絶縁膜１３には、絶縁膜１２、１３を厚さ方向に貫通するコンタクトホールが形成され、ソース電極ＳＥはコンタクトホールを介してソース領域上の導体パターンＣＤＰに接続されている。また、ドレイン電極ＤＥはコンタクトホールを介してドレイン領域上の導体パターンＣＤＰに接続されている。ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥは、例えばスパッタ法により形成される。また、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥと同層には、図１に示す複数の映像信号線ＳＬが形成される。複数の映像信号線ＳＬのそれぞれは、図１に示すＹ方向に延びるように形成される。
【００２８】
ソース電極ＳＥ，ドレイン電極ＤＥ，および絶縁膜１３は、絶縁膜１４に覆われる。絶縁膜１４は例えば、窒化珪素、酸化珪素、あるいはこれらの積層膜から成る。絶縁膜１４は例えばＣＶＤ法により形成される。絶縁膜１４上には、配線ＷＲ２が形成される。配線ＷＲ２は、例えばスパッタ法等により形成された金属膜をパターニングすることにより得られる。配線ＷＲ２は、例えば、図１に示す電源線ＰＬとして利用できる。また、配線ＷＲ２は、図１に示す走査線ＧＬ、映像信号線ＳＬの一部分として利用できる。絶縁膜１４上の配線層に走査線ＧＬや映像信号線ＳＬを設けることにより、これらの信号配線を多層構造にすることができる。この場合、配線レイアウトの自由度が向上する。
【００２９】
また、絶縁膜１４上には、平坦化膜（絶縁膜）１５が形成されている。平坦化膜１５は、例えばアクリル樹脂等の有機材料から成る。平坦化膜１５は、基板１０の前面１０ｆと対向する背面１５ｂと、背面１５ｂの反対側にある前面１５ｆとを有する。前面１５ｆは、背面１５ｂより平坦である。陽極（アノード、下部電極）ＬＤＡ、陰極（カソード、上部電極）ＬＤＫ、および有機発光層ＬＤＬを備える有機発光素子ＬＤ１は、平坦化膜１５の前面１５ｆ上に形成されている。
【００３０】
有機発光素子ＬＤ１は、基板１０側から順に積層される陽極ＬＤＡ、有機発光層ＬＤＬ、および陰極ＬＤＫを有する。図４に示す有機発光層ＬＤＬには、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む、複数の有機材料層の積層膜になっている。また、陽極ＬＤＡ、有機発光層ＬＤＬ、および陰極ＬＤＫは、絶縁膜２０に覆われ、封止されている。絶縁膜２０は絶縁膜２０と基板１０との間に配置される部材を保護する保護膜である。表示装置ＤＳＰ１は、有機発光層ＬＤＬで発生した光を基板１０の反対側、言い換えれば絶縁膜２０側から取り出す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。
【００３１】
陽極ＬＤＡは、平坦化膜１５および絶縁膜１４を厚さ方向に貫通するように形成されたコンタクタ（導体柱）を介してトランジスタＴｒ２のソース電極ＳＥと電気的に接続されている。陽極ＬＤＡは、例えば、インジウム錫複合酸化物（indium tin oxide：ＩＴＯ）などの透明電極材料より成る。ＩＴＯ膜はＡｒ＋Ｏ２混合ガスを用いた反応性スパッタ法により成膜することができる。また、陽極ＬＤＡは他の透明電極材料、例えばインジウム亜鉛複合酸化物（indium zinc oxide：ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物を使用して形成することもできる。なお、表示装置ＤＳＰ１は、トップエミッション型の表示装置である。この場合、下部電極である陽極ＬＤＡの下層に、透明電極材料より反射率の高い、例えばアルミニウムや銀などの材料から成る反射層があっても良い。
【００３２】
また、陽極ＬＤＡは、図１に示す複数の画素ＰＸのそれぞれを独立して動作させることができるように形成されている。このため、複数の画素ＰＸのそれぞれには、隣の陽極ＬＤＡと分離された陽極ＬＤＡが形成されている。平坦化膜１５の前面１５ｆ上において、隣り合う陽極ＬＤＡの間には、バンク部材１６が形成されている。バンク部材１６は、画素ＰＸ（図３参照）の有効領域を区画する部材であって、例えば、遮光性の無機材料から成る。
【００３３】
また、陰極ＬＤＫには接地電位が供給される。接地電位は、例えば図４の配線ＷＲ２と同層に形成された基準電位線（図示は省略）により供給される。図１に示す複数の画素ＰＸのそれぞれは、陰極ＬＤＫを有するが、陰極ＬＤＫには共通の電位が供給される。このため、陰極ＬＤＫは、複数の画素ＰＸと重畳するように形成されている。陰極ＬＤＫは、陽極ＬＤＡと同様に、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明電極材料により形成される。
【００３４】
＜周辺領域の配線構造＞
次に、図１に示す周辺領域ＰＦＡのうち、湾曲した部分に形成された接続配線の構造について説明する。図５は、図１に示す周辺領域のうち、湾曲した部分の拡大平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。図５では、図６に示す有機絶縁膜３２に覆われる接続配線ＷＲ１の輪郭を点線で示している。また、図７および図８のそれぞれは、図６に対する検討例を示す拡大断面図である。
【００３５】
図５に示すように、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれは、周辺領域ＰＦ１において、Ｙ方向に延在し、かつ、Ｘ方向に配列されている。図５に示す例の場合、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれの幅Ｗ１（延在方向と交差するＸ方向の長さ）は例えば、３μｍ程度である。また、隣り合う接続配線ＷＲ１の離間距離Ｐ１は、幅Ｗ１の３倍以上である。
【００３６】
図６に示すように、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれは、無機絶縁膜３１上に形成されている。無機絶縁膜３１は、図４を用いて説明した絶縁膜１１、１２、１３および１４のいずれか一つ以上と同一の絶縁膜である。無機絶縁膜３１は、絶縁膜１１、１２、１３および１４の一つ以上と同層に形成されている。無機絶縁膜３１は、図１に示す表示領域ＤＡまで伸び、表示領域ＤＡにおいて、図４に示す絶縁膜１１、１２、１３および１４の一つ以上の絶縁膜を構成している。また、接続配線ＷＲ１は、図４に示すソース電極ＳＥ，ドレイン電極ＤＥ、または配線ＷＲ２と同層に形成されている。接続配線ＷＲ１は、例えばスパッタ法により無機絶縁膜３１上に形成された金属膜をパターニングすることにより形成されている。接続配線ＷＲ１は、有機絶縁膜である基板１０上に直接形成されるよりも、無機絶縁膜３１上に形成されている方が好ましい。例えば、基板１０は有機材料により形成されているので、線膨張係数が大きく、収縮し易い。このため、基板１０上に直接的に接続配線ＷＲ１が形成されている場合、接続配線ＷＲ１と基板１０との界面が剥離する場合がある。
【００３７】
一方、本実施の形態のように、接続配線ＷＲ１と基板１０との間に、基板１０より線膨張係数が小さい無機絶縁膜３１が介在する場合、無機絶縁膜３１により基板１０の収縮を抑制できる。また、例えば、無機絶縁膜３１は、有機材料から成る基板１０と比較して、水分の侵入を抑制できる。このため、接続配線ＷＲ１と基板１０との間に無機絶縁膜３１が介在する場合、接続配線ＷＲ１への水分の侵入を抑制できる。なお、接続配線ＷＲ１と基板１０との間にある絶縁膜は、ガスや水分侵入を抑制できるのであれば有機絶縁膜であっても良い。有機絶縁膜の種類としてはアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂が挙げられる。
【００３８】
また、無機絶縁膜３１および接続配線ＷＲ１は、有機絶縁膜３２により覆われている。有機絶縁膜３２は、図４を用いて説明した平坦化膜１５と同一の絶縁膜である。有機絶縁膜３２は、平坦化膜１５と同層に形成されている。有機絶縁膜３２は、図１に示す表示領域ＤＡまで伸び、表示領域ＤＡにおいて、図４に示す平坦化膜１５を構成している。有機絶縁膜３２は、接続配線ＷＲ１の酸化や腐食を抑制する保護膜として機能する。
【００３９】
ところで、基板１０と接続配線ＷＲ１との間に無機絶縁膜３１が配置され、かつ、接続配線ＷＲ１が有機絶縁膜３２に覆われる構成としては、図６に示す表示装置ＤＳＰ１の他、図７に示す表示装置ＤＳＰ２や図８に示す表示装置ＤＳＰ３のような構成が考えられる。例えば、図７に示す表示装置ＤＳＰ２の場合、基板１０の前面１０ｆ上において、全面に亘って無機絶縁膜３１が形成されている点で、図６に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。
【００４０】
表示装置ＤＳＰ２のように、基板１０の前面１０ｆ上の全面が無機絶縁膜３１に覆われている場合、無機絶縁膜３１にクラックなどの損傷が発生し易い。無機絶縁膜３１は、基板１０よりも剛性が高い。このため、図２に示すように湾曲している周辺領域ＰＦ１において、基板１０上に大面積の無機絶縁膜３１が配置されている場合、無機絶縁膜３１の一部に応力が集中してクラックが発生し易い。また、無機絶縁膜３１の一部でクラックが発生すると、クラックが進展する場合がある。特に端子群が形成される周辺領域ＰＦ１は、湾曲面となっている場合がある。この場合は特にクラックなどの損傷が発生し易い。例えば、図１に示す周辺領域ＰＦ１で生じたクラックが表示領域ＤＡ内まで進展した場合、表示装置ＤＳＰ２の信頼性が低下する原因になる。
【００４１】
上記した無機絶縁膜３１のクラックを抑制するためには、無機絶縁膜３１の面積を小さくして、無機絶縁膜３１に加わる応力を低減することが好ましい。例えば、図８に示す表示装置ＤＳＰ３のような構造が考えられる。表示装置ＤＳＰ３の場合、接続配線ＷＲ１が形成されていない領域において、部分的に無機絶縁膜３１および有機絶縁膜３２が取り除かれている。言い換えれば、表示装置ＤＳＰ３の場合、基板１０の前面１０ｆが無機絶縁膜３１および有機絶縁膜３２から露出している。表示装置ＤＳＰ３の場合、無機絶縁膜３１がパターニングされ、隣り合う接続配線ＷＲ１の間には、無機絶縁膜３１が形成されていない領域ＲＳ２がある。このような構造の場合、無機絶縁膜３１に印加される応力を低減することができるので、無機絶縁膜３１のクラックを抑制できる。図８に示す構造は、図７に示す表示装置ＤＳＰ２のように無機絶縁膜３１、複数の接続配線ＷＲ１、および有機絶縁膜３２を積層した後、図８に示す領域ＲＳ２の無機絶縁膜３１および有機絶縁膜３２を、例えばエッチングで除去することにより得られる。
【００４２】
ところが、本願発明者の検討によれば、表示装置ＤＳＰ３の場合、表示装置ＤＳＰ２の構造では生じなかった新たな課題が生じることが判った。すなわち、表示装置ＤＳＰ３の場合、基板１０の前面１０ｆが露出する領域ＲＳ２と、接続配線ＷＲ１と重畳する領域ＲＳ１と、の高低差ＧＰ２が大きくなる。図６〜図８に示す例の場合、無機絶縁膜３１の厚さは、０．６μｍ程度、接続配線ＷＲ１の厚さは０．４μｍ程度、有機絶縁膜３２の厚さ（例えば、図６の領域ＲＳ２における基板１０から有機絶縁膜３２の前面３２ｆまでの距離）は２μｍ程度である。したがって、有機絶縁膜３２の前面３２ｆと、基板１０の前面１０ｆとの高低差ＧＰ２は、３μｍ程度である。基板１０の厚さは例えば１０μｍ程度なので、上記した高低差ＧＰ２は、基板１０の厚さの１／４以上である。また、図６の領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の厚さは、領域ＲＳ１における無機絶縁膜３１の厚さと接続配線ＷＲ１の厚さとの合計値の３倍以下（上記した例では２倍程度）である。
【００４３】
周辺領域ＰＦ１において、図８に示す表示装置ＤＳＰ３のように大きな凹凸がある場合、例えば以下のような課題がある。すなわち、表示装置ＤＳＰ１、ＤＳＰ２、およびＤＳＰ３の製造工程には、基板１０上に各部材を形成した後、基板１０上に形成された部材を保護するため、図９や図１０に示すカバーフィルムＣＶＦを張り付ける場合がある。図９は、図８に示す表示装置の周辺領域にカバーフィルムを張り付けた状態を示す拡大断面図である。図１０は、図６に示す表示装置の周辺領域にカバーフィルムを張り付けた状態を示す拡大断面図である。
【００４４】
例えば、表示装置の製造工程に、組立工程と基板カット工程とが含まれる場合、組立工程と基板カット工程との間にカット前の基板を搬送する搬送工程が含まれる。この搬送工程において、組立済みの各部材を異物による汚染や損傷から保護するため、図９や図１０に示すように、基板１０の前面１０ｆの上方にカバーフィルムＣＶＦを張り付けることが好ましい。カバーフィルムＣＶＦは、保護フィルムとして機能する。
【００４５】
カバーフィルムＣＶＦは、基材層ＣＶＦ１と、基材層ＣＶＦ１の少なくとも一方の面に設けられた粘着層ＣＶＦ２とを有する樹脂膜である。最終製品に粘着層ＣＶＦ２の残渣が残ることを回避するため、粘着層ＣＶＦ２には図６に示す有機絶縁膜３２との剥離性が良い材料が用いられる。ここで、図９に示す表示装置ＤＳＰ３の場合、有機絶縁膜３２の前面３２ｆと基板１０の前面１０ｆとの高低差ＧＰ２（図８参照）が大きく、端子群が形成される周辺領域ＰＦ１の面積は小さいので、領域ＲＳ２では、基板１０の前面１０ｆとカバーフィルムＣＶＦの粘着層ＣＶＦ２とが接触しにくい。例えば、カバーフィルムＣＶＦは、有機絶縁膜３２の前面３２ｆのみに接着される可能性が高い。この場合、カバーフィルムＣＶＦと有機絶縁膜３２との接着面積が小さいので、カバーフィルムＣＶＦが剥離する原因になる。周辺領域ＰＦ１においてカバーフィルムＣＶＦが剥離すると、基板１０上の部材を十分に保護できない場合がある。また、カバーフィルムＣＶＦが剥離して位置ずれすることにより、例えばカバーフィルムＣＶＦに覆われていない部分が製造工程中で損傷してしまう、アライメントマークなど、カバーフィルムＣＶＦから露出させるべき部分を覆ってしまう等の製造工程上の不具合の原因になる。
【００４６】
図６に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１の周辺領域ＰＦ１は、接続配線ＭＲ１と重畳する領域（第１領域）ＲＳ１と、接続配線ＭＲ１と重畳しない領域（第２領域）ＲＳ２と、を有する。領域ＲＳ１および領域ＲＳ２は、Ｘ方向に配列されている。また、領域ＲＳ１には、無機絶縁膜３１および有機絶縁膜３２があり、領域ＲＳ２には、無機絶縁膜３１が無く、有機絶縁膜３２がある。言い換えれば、表示装置ＤＳＰ１は、領域ＲＳ２では無機絶縁膜３１は除去されているが、有機絶縁膜３２は除去されない。このような構造を形成する場合、無機絶縁膜３１を形成した後（または接続配線ＷＲ１を形成した後）、かつ、有機絶縁膜３２を形成する前に、無機絶縁膜３１の一部をエッチング等により除去する。その後、有機絶縁膜３２を形成することにより上記構造が得られる。有機絶縁膜３２は一般的に表面を平坦にする機能を有しているが、有機絶縁膜の材料が過剰でなければ、図６のように僅かな凹みを作ることも出来る。また、有機絶縁膜３２の露光量を部分的に調整をすることでも凹みを作ることが出来る。
【００４７】
なお、図５および図６では、接続配線ＷＲ１と重畳する領域のみを領域ＲＳ１と定義し、隣り合う領域ＲＳ１の間で、かつ、無機絶縁膜３１と重畳しない領域を領域ＲＳ２と定義している。表示装置ＤＳＰ１の場合、平面視において、無機絶縁膜３１が形成された領域の方が、接続配線ＷＲ１が形成された領域の範囲より広いので、領域ＲＳ１と領域ＲＳ２との間には、無機絶縁膜３１と重畳し、かつ、接続配線ＷＲ１と重畳しない領域がある。ただし、変形例としては、領域ＲＳ１と領域ＲＳ２とが隣接する場合もある。また、領域ＲＳ１およびＲＳ２の定義は無機絶縁膜３１を基準として定義しても良い。すなわち、無機絶縁膜３１と重畳する領域を領域ＲＳ１と定義し、無機絶縁膜３１と重畳しない領域を領域ＲＳ２と定義しても良い。この場合、領域ＲＳ１と領域ＲＳ２とは隣接する。領域ＲＳ１および領域ＲＳ２の定義は、以下で説明する各種の変形例についても同様である。
【００４８】
表示装置ＤＳＰ１の場合、隣り合う領域ＲＳ１の間に無機絶縁膜３１が無い領域ＲＳ２があるので、周辺領域ＰＦ１における無機絶縁膜３１の面積を低減することができる。この結果、無機絶縁膜３１のクラックを低減することができる。領域ＲＳ１にある有機絶縁膜３２は、無機絶縁膜３１より柔らかく、剛性が低い。このため、図６に示すように、複数の接続配線ＷＲ１を覆うように有機絶縁膜３２が配置されていたとしても、有機絶縁膜３２には、クラックが生じない。また、有機絶縁膜３２ではクラックが生じないので、有機絶縁膜３２が図１に示す周辺領域ＰＦ１から表示領域ＤＡまで連なっていても、クラックの進展は生じない。
【００４９】
また、表示装置ＤＳＰ１の場合、領域ＲＳ２には有機絶縁膜３２が有り、基板１０の前面１０ｆが露出していない。この場合、図８に示す表示装置ＤＳＰ３と比較して、領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の前面３２ｆと、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆとの高低差ＧＰ１（図６参照）を小さくすることができる。このため、図１０に示すように、表示装置ＤＳＰ１の周辺領域ＰＦ１にカバーフィルムＣＶＦを張り付けた場合、カバーフィルムＣＶＦの粘着層ＣＶＦ２が領域ＲＳ１および領域ＲＳ２の両方に接着し易い。つまり、図１０に示す表示装置ＤＳＰ１の場合、図９に示す表示装置ＤＳＰ３と比較して、カバーフィルムＣＶＦの剥離を抑制し易い。
【００５０】
図６に示す表示装置ＤＳＰ１の場合、有機絶縁膜３２の前面３２ｆには、基板１０上に有る部材の形状に倣って、段差を有している。言い換えれば、領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の前面３２ｆと、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆとの高低差ＧＰ１の値はゼロではない。図１０に示すカバーフィルムＣＶＦの接着し易さを考慮すると、高低差ＧＰ１の値は小さい方が好ましい。高低差ＧＰ１の値は、基板１０の厚さの１／４以下が好ましい。また、基板１０の前面１０ｆから領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の前面３２ｆまでの距離は、前面１０ｆから領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆまでの距離に対して、１／３以上であることが好ましい。また、有機絶縁膜３２の膜厚を薄くする場合、図６に示すような段差は生じる。基板１０の前面１０ｆから領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の前面３２ｆまでの距離は、前面１０ｆから領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆまでの距離に対して、２／３以下である。
【００５１】
また、図６に示す構造の場合、高低差ＧＰ１の値は、領域ＲＳに配置される有機絶縁膜３２以外の部材の厚さの合計値以下である。図６に示す例では、無機絶縁膜３１の厚さは、０．６μｍ程度、接続配線ＷＲ１の厚さは０．４μｍ程度である。この場合、高低差ＧＰ１の値は、１．０μｍ以下である。また、有機絶縁膜３２の厚さが厚くなる程、前面３２ｆを平坦化し易い。例えば、図６に示す例では、有機絶縁膜３２の厚さは、２μｍ程度であり、高低差ＧＰ１の値は、無機絶縁膜３１の厚さより小さく、０．６μｍ以下である。また、有機絶縁膜３２の厚さをさらに厚くすることにより、高低差ＧＰ１の値を例えばゼロにすることもできる。
【００５２】
また、図１１に示す表示装置ＤＳＰ４のように、有機絶縁膜３２がパターニングされ、隣り合う有機絶縁膜３２の間に、別の有機絶縁膜３３が配置されていても良い。図１１は、図１に対する変形例である表示装置の周辺領域の拡大断面図である。表示装置ＤＳＰ４は、領域ＲＳ２に領域ＲＳ１にある有機絶縁膜３２が無く、かつ、有機絶縁膜３２とは異なる有機絶縁膜３３がある点で、図６に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。有機絶縁膜３３は、有機絶縁膜３２より段差埋め込み特性が高い樹脂、例えば、硬化前における原料樹脂の粘性が有機絶縁膜３２の原料樹脂より低い材料をから成る。これにより、隣り合う有機絶縁膜３２の間に有機絶縁膜３３が埋め込まれる。また、図１１に示す例では、有機絶縁膜３２の前面３２ｆは、有機絶縁膜３３で覆われている。言い換えれば、表示装置ＤＳＰ４の場合、周辺領域にある有機絶縁膜は、領域ＲＳ１にある有機絶縁膜（第１有機絶縁膜）３２と、領域ＲＳ２にある有機絶縁膜（第２有機絶縁膜）３３とを含んでいる。領域ＲＳ２には、有機絶縁膜３２が無く、領域ＲＳ１では、有機絶縁膜３２が有機絶縁膜３３に覆われている。有機絶縁膜３３は、上記したように段差埋め込み特性が高い樹脂から成るので、有機絶縁膜３３の前面３３ｆは、平坦度が高い平面にすることができる。
【００５３】
表示装置ＤＳＰ４のように、有機絶縁膜３２が平坦度の高い前面３３ｆを有する有機絶縁膜３３に覆われている場合、水分等に対するバリア性が低下する領域がないため、接続配線の信頼性が向上する。なお、表示装置ＤＳＰ４の場合、有機絶縁膜３３は、有機絶縁膜３２、および無機絶縁膜３１を一括してパターニングした後で形成される。この場合、図６に示す表示装置ＤＳＰ１の製造工程と比較すると、表示装置ＤＳＰ４の製造工程では、有機絶縁膜３３を形成する工程が追加されている。このため、製造工程の数を低減する観点からは、図６に示す表示装置ＤＳＰ１の方が好ましい。
【００５４】
また、図１２および図１３に示す表示装置ＤＳＰ５のように、領域ＲＳ１において、有機絶縁膜３２の前面３２ｆが凹凸を有することにより、カバーフィルムＣＶＦ（図１０参照）との接着面積を増大させても良い。図１２は、図５に対する変形例である拡大平面図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００５５】
表示装置ＤＳＰ５の場合、有機絶縁膜３２が領域ＲＳ１においてＹ方向に沿って延びる溝（窪み）３２Ｔ１を有している点で図５および図６に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。表示装置ＤＳＰ５の構造は、以下のように表現することもできる。すなわち、領域ＲＳ１は、領域（第１Ａ領域）ＲＳ１Ａと領域（第１Ｂ領域）ＲＳ１Ｂとを有している。図１３に示すように、領域ＲＳ１Ａにおける有機絶縁膜３２の厚さＴＨ１は、領域ＲＳ１Ｂにおける有機絶縁膜３２の厚さＴＨ２より薄い。領域ＲＳ１Ａおよび領域ＲＳ１Ｂのそれぞれは、図１２に示すＹ方向に延びている。
【００５６】
表示装置ＤＳＰ５の溝３２Ｔ１は、例えば、無機絶縁膜３１および接続配線ＷＲ１を覆う有機絶縁膜３２を形成した後、有機絶縁膜３２の領域ＲＳ１の一部分をエッチングで除去することにより形成される。このように意図的に形成される溝３２Ｔ１の溝深さは容易に制御可能である。
【００５７】
表示装置ＤＳＰ５のように、領域ＲＳ１に有機絶縁膜３２の厚さが薄い領域ＲＳ１Ａを設けることで、領域ＲＳ１の剛性が低下してより容易に領域ＲＳ１を湾曲させることが出来る。また、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆの表面積が増える。このため、領域ＲＳ１におけるカバーフィルムＣＶＦ（図１０参照）と有機絶縁膜３２との接着面積を増大させることができる。例えば仮に、表示装置ＤＳＰ５の領域ＲＳ２において、有機絶縁膜３２とカバーフィルムＣＶＦ（図９参照）とが接着していない場合でも、図９に示す表示装置ＤＳＰ３と比較すると、カバーフィルムＣＶＦの剥離を抑制できる。
【００５８】
また、表示装置ＤＳＰ５は、一つの領域ＲＳ１に複数の領域ＲＳ１Ｂを有し、領域ＲＳ１Ａは、複数の領域ＲＳ１Ｂの間に挟まれている。言い換えれば、有機絶縁膜３２は、溝３２Ｔ１の両隣に突出部を有している。表示装置ＤＳＰ５のように、溝３２Ｔ１の両隣に突出部が配置されている場合、一つの領域ＲＳ１に一つの突出部が設けられている場合と比較して、領域ＲＳ１における前面３２ｆの表面積をさらに増大させることができる。
【００５９】
表示装置ＤＳＰ５の場合、図１３に示す領域ＲＳ１Ａおよび領域ＲＳ１Ｂのそれぞれは、接続配線ＷＲ１の延在方向（表示装置ＤＳＰ５の場合は図１２に示すＹ方向）に延在する。ただし、上記のように、エッチング等の方法により有機絶縁膜３２の一部分を除去することにより溝を形成する場合、溝の延在方向やレイアウトには種々の変形例がある。例えば、図１４および図１５に示す表示装置ＤＳＰ６のように接続配線ＷＲ１の延在方向に沿って複数の溝３２Ｔ２と複数の突出部３２Ｂ１とを交互に配列しても良い。図１４は、図１２に対する変形例である表示装置の周辺領域の拡大平面図である。図１５は、図１４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００６０】
表示装置ＤＳＰ６の場合、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれの延在方向（図１４および図１５に示すＹ方向）に沿って複数の領域ＲＳ１Ａと複数の領域ＲＳ１Ｂとが交互に配列される。言い換えれば、表示装置ＤＳＰ６の有機絶縁膜３２には、接続配線ＷＲ１の延在方向に沿って複数の溝３２Ｔ２と複数の突出部３２Ｂ１とが交互に配列されている。表示装置ＤＳＰ６の場合にも、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆの表面積を図８に示す表示装置ＤＳＰ３と比較して増大させることができる。
【００６１】
また、表示装置ＤＳＰ６の場合、図１４に示すように、複数の領域ＲＳ１Ａは、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれの延在方向（図１４ではＹ方向）と交差する方向（図１４ではＸ方向）に伸び、領域ＲＳ２に連なっている。言い換えれば、複数の溝３２Ｔ２は、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれの延在方向（図１４ではＹ方向）と交差する方向（図１４ではＸ方向）に伸び、領域ＲＳ２に連なっている。表示装置ＤＳＰ６の周辺領域ＰＦ１に、図１０に示すカバーフィルムＣＶＦを貼りつけた場合、溝３２Ｔ２が領域ＲＳ２に連なっているので、溝３２Ｔ２内に空気が滞留し難い。このため、カバーフィルムＣＶＦの粘着層ＣＶＦ２（図１０参照）は、溝３２Ｔ２の内面に接着し易い。
【００６２】
図５に示す表示装置ＤＳＰ１、図１２に示す表示装置ＤＳＰ５、あるいは図１４に示す表示装置ＤＳＰ６では、接続配線ＷＲ１がＹ方向に沿って直線的に延びている実施態様について説明した。ただし、接続配線ＷＲ１の延在方向には種々の変形例がある。接続配線ＷＲ１の変形例として、図１６および図１７に示す表示装置ＤＳＰ７が例示できる。図１６は、図５に対する他の変形例である表示装置の周辺領域の拡大平面図である。図１７は、図１６のＡ−Ａ線の沿った拡大断面図である。
【００６３】
図１６および図１７に示す表示装置ＤＳＰ７は、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれが、Ｙ方向に沿ってジグザグに延びている点で図５に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。言い換えれば、表示装置ＤＳＰ７の複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれは、Ｙ方向に沿って蛇行するように延びている。この場合、接続配線ＷＲ１と重畳する領域である領域ＲＳ１は、接続配線ＷＲ１と同様にＹ方向に沿ってジグザグに（言い換えれば蛇行するように）延びている。また、複数の接続配線ＷＲ１は等間隔で配置されている。複数の領域ＲＳ１の間に位置し、接続配線ＷＲ１と重畳しない領域ＲＳ２も、領域ＲＳ１と同様にＹ方向に沿ってジグザグに（言い換えれば蛇行するように）延びている。周辺領域ＰＦ１が湾曲している場合、蛇行していると接続配線ＷＲ１に掛かる応力が低下し、接続配線ＷＲ１の断線を抑制できる。
【００６４】
表示装置ＤＳＰ７の場合、領域ＲＳ１がジグザグに延びているので、図５に示す表示装置ＤＳＰ１と比較すると、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆの面積が大きい。また、接続配線ＷＲ１が蛇行している場合、表示装置ＤＳＰ１と同数の接続配線ＷＲ１を配置するためには、隣り合う接続配線ＷＲ１間の離間距離Ｐ１は図５に示す例として狭くなる。図１６に示す例の場合、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれの幅Ｗ１は例えば、３μｍ程度である。また、隣り合う接続配線ＷＲ１の離間距離Ｐ１は、例えば８．５μｍ程度である。このように、複数の接続配線ＷＲ１が狭ピッチで配置されている場合、図１０に示すカバーフィルムＣＶＦと有機絶縁膜３２の前面３２ｆとの接着面積を大きくすることができる。
【００６５】
また、表示装置ＤＳＰ７の場合、接続配線ＷＲ１がジグザグに延びているので、接続配線ＷＲ１と基板１０の間に介在する無機絶縁膜３１も接続配線ＷＲ１と同様にＹ方向に沿ってジグザグに（言い換えれば蛇行するように）延びている。このため、無機絶縁膜３１の平面積は、図６に示す表示装置ＤＳＰ１の無機絶縁膜３１の面積より大きい。また、図１６に示す離間距離Ｐ１の値が小さいので、図１７に示すように、隣り合う無機絶縁膜３１間の離間距離Ｐ２の値も小さい。例えば、図１７に示す例では、離間距離Ｐ２は５μｍ程度である。表示装置ＤＳＰ７の場合、無機絶縁膜３１の面積が大きくなるので、無機絶縁膜３１のクラックを抑制する観点から、領域ＲＳ２において、無機絶縁膜３１が確実に除去されていることが好ましい。領域ＲＳ２において、無機絶縁膜３１が除去されていれば、無機絶縁膜３１の形状は、クラック防止の観点から有利な場合もある。すなわち、基板１０が湾曲している周辺領域ＰＦ１において、無機絶縁膜３１がＹ方向に沿ってジグザグに延びている場合、基板１０の湾曲に伴って生じる応力が、様々な方向に分散し易い。このため、無機絶縁膜３１の一部分に応力集中することを抑制できるので、無機絶縁膜３１のクラックを抑制できる。
【００６６】
また、接続配線ＷＲ１の構造に係る別の変形例として、図１８および図１９に示す表示装置ＤＳＰ８が例示できる。図１８は、図５に対する他の変形例である表示装置の拡大平面図である。また、図１９は、図１８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。図１９では、開口部ＷＲＨおよび開口部３１Ｈの範囲を明示するため、これらを二点鎖線で示している。
【００６７】
図１８および図１９に示す表示装置ＤＳＰ８は、複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれが、複数の開口部ＷＲＨを備えている点で、図５に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。詳しくは、表示装置ＤＳＰ８の複数の接続配線ＷＲ１のそれぞれは、複数の開口部ＷＲＨと、複数の開口部ＷＲＨのそれぞれを囲む配線部ＷＲＭと、を備えている。また、接続配線ＷＲ１と重畳する領域ＲＳ１は、領域ＲＳ１Ｃと領域ＲＳ１Ｄとを有する。図１９に示すように、領域ＲＳ１Ｃは、配線部ＷＲＭおよび無機絶縁膜３１と重畳する。また、領域ＲＳ１Ｄは、開口部ＷＲＨと重畳し、かつ、配線部ＷＲＭおよび無機絶縁膜３１と重畳しない。言い換えれば、無機絶縁膜３１は、接続配線ＷＲ１の配線部ＷＲＭと基板１０との間に有り、接続配線ＷＲ１の開口部ＷＲＨと基板１０との間には、無機絶縁膜３１が無い、開口部３１Ｈ（図１９参照）がある。
【００６８】
なお、上記の表現では、接続配線ＷＲ１に設けられた複数の開口部ＷＲＨと重畳する領域ＲＳ１Ｄを領域ＲＳ１の一部と見做し、隣り合う領域ＲＳ１の間にあり、無機絶縁膜３１と重畳しない領域ＲＳ２と領域ＲＳ１Ｄとは区別される。
【００６９】
図１９に示すように表示装置ＤＳＰ８の場合、隣り合う領域ＲＳ１の間の領域ＲＳ２には、無機絶縁膜３１が無い。また、表示装置ＤＳＰ８の場合、基板１０が湾曲する周辺領域ＰＦ１において、無機絶縁膜３１に複数の開口部３１Ｈを設けることにより、パターニングされた無機絶縁膜３１に印加される応力は分散される。このため、周辺領域ＰＦ１に曲げ応力が印加された場合でも無機絶縁膜３１のクラックを抑制できる。
【００７０】
また、表示装置ＤＳＰ８の場合、表示装置ＤＳＰ１と同様に、領域ＲＳ２には、無機絶縁膜３１が無く、かつ、有機絶縁膜３２が有る。このため、領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の前面３２ｆと、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆとの高低差ＧＰ１を小さくすることができる。このため、図１０に示すカバーフィルムＣＶＦを表示装置ＤＳＰ８の周辺領域ＰＦ１に貼り付ける場合に、カバーフィルムＣＶＦと有機絶縁膜３２との接着面積を広くすることができる。また、図１９に示す例では、領域ＲＳ１Ｄには、無機絶縁膜３１が無く、かつ、有機絶縁膜３２がある。このため、領域ＲＳ２における有機絶縁膜３２の前面３２ｆと、領域ＲＳ１における有機絶縁膜３２の前面３２ｆとの高低差ＧＰ３を小さくすることができる。なお、高低差ＧＰ１と高低差ＧＰ３は、ほぼ同程度である。
【００７１】
また図示は省略するが、表示装置ＤＳＰ８に対する変形例として、図１９に示す領域ＲＳ１Ｄに有機絶縁膜３２が無い表示装置も考えられる。接続配線ＷＲ１の開口部ＷＲＨの開口面積が大きい場合、複数の領域ＲＳ１Ｄのそれぞれの面積が大きくなるので、表示装置ＤＳＰ８のように、領域ＲＳ１Ｄに有機絶縁膜３２がある方が好ましい。しかし、接続配線ＷＲ１の開口部ＷＲＨの開口面積が小さい場合、複数の領域ＲＳ１Ｄの面積も小さくなるので、仮に、領域ＲＳ１Ｄにおいて、有機絶縁膜３２とカバーフィルムＣＶＦ（図１０参照）とが接着されなくても、他の部分で接着されていれば、剥離までは至らない場合もある。
【００７２】
＜他の変形例＞
上記の通り説明した技術は、既に説明した種々の変形例の他、さらに別の変形例に適用可能である。例えば上記では、基板１０の湾曲した周辺領域ＰＦ１に複数の接続配線ＷＲ１が形成された表示装置の例として、有機ＥＬ表示装置を取り上げて説明したが、湾曲した周辺領域ＰＦ１に複数の接続配線ＷＲ１が形成された表示装置であれば、電気光学層の種類は限定されない。
【００７３】
また、上記した種々の変形例のうちの一部分または全部を、他の変形例の一部分または全部と組み合わせても良い。また、図８および図９を用いて説明した表示装置ＤＳＰ３の場合、そのままではカバーフィルムＣＶＦが剥離してしまうが、例えば、図１２〜図１５を用いて説明した変形例と組み合わせることにより、有機絶縁膜３２とカバーフィルムＣＶＦとの接着面積が向上するので剥離を抑制できる。また、表示装置ＤＳＰ３の複数の接続配線ＷＲ１を図１６や図１８に示す形状にすることにより、有機絶縁膜３２とカバーフィルムＣＶＦとの接着面積が向上するので剥離を抑制できる。
【００７４】
表示装置ＤＳＰ３の構造に、図１２〜図１５を用いて説明した変形例を組み合わせた構造を備えた表示装置は以下のように表現できる。
【００７５】
表示領域と、
前記表示領域の周辺にある周辺領域と、
可撓性を備える基板と、
前記周辺領域にある端子群と、
前記端子群に接続され、前記端子群から第１方向に伸び、かつ前記第１方向と交差する第２方向に配列される複数の接続配線と、
前記周辺領域にある無機絶縁膜と、
前記周辺領域にある有機絶縁膜と、
を有し、
前記周辺領域は、前記基板の厚さ方向に湾曲する第１周辺領域を有し、
前記第１周辺領域は、前記複数の接続配線のそれぞれと重畳する第１領域と、前記複数の接続配線と重畳しない第２領域と、を有し、
前記第１領域と前記第２領域とは、前記第２方向に配列され、
前記第１領域には、前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜があり、
前記第２領域には、前記無機絶縁膜が無く、
前記第１領域は、第１Ａ領域と第１Ｂ領域とを有し、
前記第１Ａ領域における前記有機絶縁膜の厚さは、前記第１Ｂ領域における前記有機絶縁膜の厚さより薄い、表示装置。
【００７６】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１０  基板
１０ｂ，１５ｂ  背面（主面、面）
１０ｆ，１５ｆ，３２ｆ，３３ｆ  前面（主面、面）
１１，１２，１３，１４，２０  絶縁膜
１５  平坦化膜（絶縁膜）
１６  バンク部材
３１  無機絶縁膜
３１Ｈ  開口部
３２、３３  有機絶縁膜
３２Ｂ１  突出部
３２Ｔ１，３２Ｔ２  溝（窪み）
ＡＣＦ１  異方導電膜
ＣＢ１  回路基板
ＣＤＰ  導体パターン
ＣＮＴ  制御回路部
ＣＳ１  容量素子
ＣＶＦ  カバーフィルム
ＣＶＦ１  基材層
ＣＶＦ２  粘着層
ＤＡ  表示領域
ＤＥ  ドレイン電極
ＤＳＰ１，ＤＳＰ２，ＤＳＰ３，ＤＳＰ４，ＤＳＰ５，ＤＳＰ６，ＤＳＰ７，ＤＳＰ８  表示装置
ＦＷＢ１  配線板
ＧＤ  ゲート駆動回路（走査線駆動回路）
ＧＥ  ゲート電極
ＧＬ  走査線（ゲート線）
ＧＰ１，ＧＰ２，ＧＰ３  高低差
ＬＤ１  有機発光素子
ＬＤＡ  陽極（アノード、下部電極）
ＬＤＫ  陰極（カソード、上部電極）
ＬＤＬ  有機発光層
ＭＲ１  接続配線
ＯＤ１  光学素子
ＯＳＣ  半導体領域
Ｐ１，Ｐ２  離間距離
ＰＦ１  周辺領域（第１周辺領域）
ＰＦＡ  周辺領域（非表示領域、額縁領域）
ＰＬ  電源線
ＰＸ  画素
ＲＳ１  領域（第１領域）
ＲＳ１Ａ  領域（第１Ａ領域）
ＲＳ１Ｂ  領域（第１Ｂ領域）
ＲＳ１Ｃ  領域（第１Ｃ領域）
ＲＳ１Ｄ  領域（第１Ｄ領域）
ＲＳ２  領域（第２領域）
ＳＤ  映像信号駆動回路
ＳＥ  ソース電極
ＳＬ  映像信号線（ソース線）
ＳＷ１  画素選択スイッチ
ＳＷ２  駆動スイッチ
ＴＭ１  端子
ＴＭＧ  端子群
Ｔｒ１，Ｔｒ２  トランジスタ
ＶＣ１  電源回路
Ｗ１  幅
ＷＨＭ  配線部
ＷＲ１  接続配線
ＷＲ２  配線
ＷＲＨ  開口部
ＷＲＭ  配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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