(57)【要約】【課題】光学デバイスのための送信機は、半導体導波路を含み、それぞれ半導体導波路内に電気光学移相器を組み込んでおり、当該電気光学移相器は、導波路の屈折率を変化させることにより、導波路を通って伝搬する光に移相を引き起こすように動作可能である。【解決手段】電気光学系は、移相制御部と、ＰＴＡＴ回路のような温度測定コンポーネントとに接続されており、当該温度測定コンポーネントは、導波路を担持する電子チップ又はフォトニックチップに組み込まれている。測定コンポーネントによる温度測定を、温度測定機能が移相機能と干渉しないように移相器の通常動作と多重化することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から光を受信するために前記光源に接続されており、前記光を出力部に伝搬するように構成されている導波路と、
前記導波路に組み込まれており、電気接点を有する移相器であって、当該移相器における前記導波路の屈折率を変化させるように制御可能である移相器と、
前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記屈折率を変化させるために前記移相器に印加される電流及び／又は電圧を制御するように動作可能である移相制御部と、
同じ前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記移相器の温度を表す信号を生成するように動作可能である温度検出コンポーネントと、
を備えている光送信機。
【請求項２】
前記温度検出コンポーネントは、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）回路である、
請求項１に記載の光送信機。
【請求項３】
前記移相制御部及び前記温度検出コンポーネントに接続されている制御装置であって、前記移相制御部によって前記移相器に印加される電流及び／又は電圧を、前記温度検出コンポーネントによって生成された信号に基づいて調整するように動作可能である制御装置をさらに備えている、
請求項１に記載の光送信機。
【請求項４】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断し、前記移相制御部が中断されている間に前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項３に記載の光送信機。
【請求項５】
前記制御装置は、所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項４に記載の光送信機。
【請求項６】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作中に所定の間隔で前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項４に記載の光送信機。
【請求項７】
前記制御装置は、前記所定の間隔で所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項６に記載の光送信機。
【請求項８】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断することなく前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能である、
請求項３に記載の光送信機。
【請求項９】
前記導波路の前記移相器は、ＰＮ接合部を含み、
前記電気接点は、前記ＰＮ接合部にある、
請求項８に記載の光送信機。
【請求項１０】
前記光源から光を受信するビームスプリッタをさらに備えており、
前記ビームスプリッタは、前記光を複数の導波路に分割し、前記複数の導波路の各々は、前記ＰＮ接合部における前記移相器及び前記電気接点を含み、
前記移相制御部は、前記複数の導波路の各々の前記電気接点に電気的に接続されており、
前記温度検出コンポーネントは、前記複数の導波路の各々の前記電気接点に電気的に接続されている単一の温度検出コンポーネントである、
請求項１に記載の光送信機。
【請求項１１】
前記移相制御部及び前記温度検出コンポーネントに接続されている制御装置であって、前記移相制御部の動作を中断し、前記移相制御部が中断されている間に前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能である制御装置をさらに備えている、
請求項１０に記載の光送信機。
【請求項１２】
前記制御装置は、前記複数の導波路の各々の前記移相器の間で前記温度検出コンポーネントを多重化するように前記温度検出モードで動作可能である、
請求項１１に記載の光送信機。
【請求項１３】
光源から光を受信するために前記光源に接続される導波路であって、
前記光を出力部に伝搬するように構成されているｐ型ドープ半導体層及びｎ型ドープ半導体層と、
前記半導体層の間のＰＮ接合部に組み込まれており、前記ＰＮ接合部における電気接点を有する移相器であって、当該移相器における前記導波路の屈折率を変化させるように構成されている移相器と、
前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記屈折率を変化させるために前記移相器の前記ＰＮ接合部に印加される電流及び／又は電圧を制御するように動作可能である移相制御部と、
同じ前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記ＰＮ接合部における前記移相器の温度を表す信号を生成するように動作可能である温度検出コンポーネントと、
を備えている導波路。
【請求項１４】
前記温度検出コンポーネントは、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）回路である、
請求項１３に記載の導波路。
【請求項１５】
前記移相制御部及び前記温度検出コンポーネントに接続されている制御装置であって、前記移相制御部によって前記ＰＮ接合部に印加される電流及び／又は電圧を、前記温度検出コンポーネントによって生成された信号に基づいて調整するように動作可能である制御装置をさらに備えている、
請求項１３に記載の導波路。
【請求項１６】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断し、前記移相制御部が中断されている間に前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１５に記載の導波路。
【請求項１７】
前記制御装置は、所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１７に記載の導波路。
【請求項１８】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作中に所定の間隔で前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１７に記載の導波路。
【請求項１９】
前記制御装置は、前記所定の間隔で所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１８に記載の導波路。
【請求項２０】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断することなく前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能である、
請求項１５に記載の導波路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
本出願は、２０１８年１月１９日に出願された米国仮特許出願第６２６１９１５６号明細書（U.S. Provisional Application No. 62/619,156）からの実用新案出願であって、その優先権を主張するものであり、その全開示内容が参照によって本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
背景
光フェーズドアレイ（optical phased-array：ＯＰＡ）においては、低電力消費量及び高速などといった光フェーズドアレイの性能を測定するために電気光学移相器が好まれている。しかしながら、所望の移相を引き起こすために必要とされる電圧は、典型的には温度に依存しているので、好ましい動作範囲外の温度においては、電気光学移相器の性能に影響が及ぼされる可能性がある。従って、移相器の材料及び構造によっては、周囲温度の変動が電気光学移相器の精度を阻害するおそれがある。ＯＰＡは、デジタルカメラ、ＭＲＩ、ＣＴ、及び、精度が重要である任意の適当な撮像装置を含む光学撮像装置、及び、ライダ（light detection and ranging）装置において使用されることが多い。所望の移相のために必要とされる電圧における、温度に起因した如何なるわずかな偏差も、印加電圧が調整されない限り、カメラ又はライダの性能を著しく劣化させる可能性がある。移相器のコンポーネントを含む、これらの撮像装置及びライダ装置のコンポーネントの、温度に起因した性能の劣化を回避する必要がある。本開示は、電気光学移相器に関する上記の問題に対して、移相器を製造するプロセスに対する如何なる変更も必要とせず、電子制御回路を使用するのみである改善策を提供するものである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
開示の概要
電気光学移相器を使用する光フェーズドアレイにおける、好ましい動作範囲外の温度を考慮するための光学装置及び方法が提供される。特に、本明細書に開示された装置及び方法は、導波路の屈折率を制御するために、電子チップ回路又はフォトニックチップ回路に既に接続されている、半導体導波路内の電気光学移相器の既存の接点を利用する。本開示の１つの特徴によれば、ＰＴＡＴ回路のような温度測定コンポーネントが電子チップ又はフォトニックチップに組み込まれ、移相器の既存の接点に接続される。別の特徴においては、測定コンポーネントによる温度測定を、温度測定機能が移相機能と干渉しないようにチップ及び移相器の通常動作と多重化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】例示的なライダ又は３Ｄカメラシステムを示す図である。
【図２】ライダシステムにおいて使用されるような例示的な送信機の概略図である。
【図３】図２に示すシステムのための移相器アレイにおいて使用される電気光学移相器を示す図である。
【図４】本開示の１つの実施形態によるＰＴＡＴを組み込んだ電気光学移相器を示す図である。
【図５】図２に示す例示的な送信機に組み込まれた本開示の電気光学移相器を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
詳細な説明
以下においては、本開示の原理の理解を促進する目的で複数の実施形態が参照され、これらの実施形態を図面に図示し、以下の明細書において説明する。これによって本開示の範囲を限定することを意図するものではないことを理解すべきである。本開示が、例示された実施形態に対する任意の変更及び修正を含み、本開示に関連する当業者が通常想到するであろう、本明細書に開示された原理のさらなる応用を含むことをさらに理解すべきである。
【０００６】
図１には、ライダシステム又は３Ｄカメラの一般的な構成が示されている。３Ｄカメラは、送信機ＴＸを含み、この送信機ＴＸは、レーザのような光源からの光の振幅を一連のパルスに変調するように動作可能であり、この場合には、光は、適当な光学素子を用いてシーンに分配される。カメラはさらに、受信機ＲＸを含み、この受信機ＲＸにおいては、シーンからの反射光が集光され、ＣＭＯＳチップ上のフォトダイオードアレイのようなセンサアレイ上に結像される。ＴＸ光の元々の変調波形に対する、各々のセンサ素子によってＲＸ光に応答して生成された電気波形（例えばフォトダイオード電流）の時間遅延が、電子回路を使用して測定され、これによってソースＴＸから受信機ＲＸへの光信号の飛行時間（time-of-flight）が決定される。特定の用途においては、送信機ＴＸは、シーン又はオブジェクトを走査するなどのためにＴＸ光の方向を制御するビーム操舵回路を含む。
【０００７】
図２は、図１に示すライダ又はカメラシステムにおける送信機の概略図を示す（ただし、他の用途においては、他のシステムが同様のシステムを使用する場合がある）。このシステムは、当技術分野において公知のように、ビームスプリッタ、導波路アレイ、移相器アレイ、及び、アンテナアレイを含む。ビームスプリッタは、１つの入力光ビームを複数の光ビームに分割するために使用され、これらの複数の光ビームは、光導波路アレイ内の導波路によって画定された複数の光路に沿って伝搬する。移相器アレイは、典型的には導波路アレイのプラットフォーム上に構築されており、伝搬する光ビームのうちの特定の１つの光ビームに位相遅延を引き起こす。アンテナアレイは、ソリッドステートライダからの光ビームを結合して、観察対象のオブジェクト又はシーンに向けて送信する。移相器アレイによって引き起こされた位相遅延を用いて、出力光ビームを種々の角度に操舵することができ、このことは、ソリッドステートカメラ又はライダが種々の方向から情報を収集することを可能にする。
【０００８】
特定のライダ又は３Ｄカメラシステムにおいては、移相器アレイは、材料中のキャリア濃度に対する材料の屈折率の依存性に基づいて動作する電気光学移相器を含む。１つの実施形態においては、電気光学移相器１２は、図３に示すように半導体導波路１０におけるＰＮ接合部の形態をとることができる。図３の従来の移相器は、フォトニック半導体チップ上の半導体導波路１０を含み、このフォトニック半導体チップは、導波路の片側を画定するｐ型ドープ半導体層１１ａと、反対側を画定する隣り合うｎ型ドープ半導体層１１ｂとを含む。当技術分野において公知のように、半導体導波路のｐ型ドープ層１１ａ及びｎ型ドープ層１１ｂはそれぞれ、導波路を電子制御回路に組み込むために各層間の接合部（ＰＮ接合部）に電気接点１４を含む。ＰＮ接合部に順方向バイアス電流を印加して電流のレベルを変化させることによって、又は、ＰＮ接合部に逆方向バイアス電圧を印加して電圧のレベルを変化させることによって、ＰＮ接合部におけるキャリアの濃度を制御することができ、それによって導波路の屈折率を変化させることができる。これらの方法−順方向電流制御又は逆方向電圧制御−は、両方とも電気光学移相器の実装において一般的に使用されており、例えばA. Liu，L. Liao，D. Rubin，H. Nguyen，B. Ciftcioglu，Y. Chetrit，N. Izhaky 及び M. Paniccia著の“High-speed optical modulation based on carrier depletion in a silicon waveguide”Optics Express，vol. 15，no. 2，第660-668頁，2007年に開示されており、その全開示内容が参照によって本明細書に組み込まれる。
【０００９】
しかしながら、そのような移相器は、導波路媒体における熱変動の影響を受けやすく、その結果、移相器の屈折率及び移相器の全体的な性能に対して著しい影響を及ぼし得る。この問題に対処するための１つの方法は、導波路の温度を測定し、導波路に印加される制御電圧又は制御電流をベースライン温度からの導波路温度の偏差に関連して変化させることにより、導波路の熱変動を補償することである。典型的な電子システム及び集積回路の設計においては、温度測定は、いわゆる絶対温度比例（proportional-to-absolute-temperature：ＰＴＡＴ）回路を用いて実施され、例えばM. P. Timko著の“A Two-Terminal IC Temperature Transducer”IEEE Journal of Solid-State Circuits，Vols. SC-11，no. 6，第784-788頁，1976年に記載されており、その全開示内容が参照によって本明細書に組み込まれる。これらの従来の回路は、ダイオードの接合部温度の関数であるダイオードのＩ−Ｖ曲線に依存しており、即ち、
【数１】
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であり、ここで、Ｉｄｉｏｄｅはダイオード電流、Ｖｄｉｏｄｅはダイオード電圧、ｋＢはボルツマン定数、ｑｅは電子電荷、Ｔはケルビン単位の絶対温度である。ＰＴＡＴは、実質的にベースライン温度に対する回路の温度差を求めるために、基準信号又は基準量と比較可能な信号又は量を生成することができる。この温度差を、ＰＮ接合部に印加される電圧又は電流を較正して、所望の移相を提供するために使用することができる。例示的なＰＴＡＴ装置は、Analog Devices, Inc.社により販売されているＡＤ５９０シリーズの表面実装型温度検出変換器を含み、又は、１９７８年１０月３１日にMichael Timkoに対して発行された米国特許第４１２３６９８号明細書（U.S. Patent No. 4,123,698）及び２０１３年３月２６日にSeiko Instruments, Inc.社に対して発行された米国特許第８４０３５５９号明細書（U.S. Patent No. 8,403,559）に開示された装置を含み、その全開示内容が参照によって本明細書に組み込まれる。特定のＰＴＡＴ装置は、較正された温度依存性の電流源として動作し、従って、出力電流は、導波管又はＰＮ接合部のベースライン温度に対する温度差を表す。
【００１０】
そのような技術を使用して移相器の温度を測定するために、ダイオードがフォトニックチップ上に導波路に近接して配置されており、従って、このダイオードのＩ−Ｖ曲線を使用して、移相器の近傍の局所的な温度を測定することができる。しかしながら、このアプローチは問題となり得る。第一に、光フェーズドアレイ（ＯＰＡ）のような用途においては、各移相器に同じ電圧又は電流が印加されたときに、対応する光ビームに対して各移相器が引き起こす各移相間における相関関係を保証するために、各移相器を相互に近接して配置することが望ましい。さらに、ＯＰＡのほとんどの用途においては、チップ搭載デバイスのためのスペース要求が存在するので、移相器と他のコンポーネントとができるだけ近接して一緒に詰め込まれ、このことはつまり、追加的なコンポーネントのためのスペースが残っていないことを意味する。ダイオード及び移相器を電子制御チップに接続するために、温度測定のためのダイオードを別個の接触パッドと一緒に移相器に近接して配置することは、この制約を満たすことを困難にする。第二に、シーン全体を視覚化するためのシステムにおいて生じ得るように、何千もの移相器を有するアレイの場合には、各移相器のための専用のダイオードによって、フォトニックチップと電子チップとの間の接続部の数が２倍になることとなり、このことは、システム全体のコストの点で危機的な要因となりうる。
【００１１】
本開示によれば、温度を測定するために、別個のダイオードではなく移相器のＰＮ接合部そのものが使用される。本開示によれば、半導体導波路２０は、図４に示すようにｐ型ドープ半導体層２１ａ及びｎ型ドープ半導体層２１ｂによって形成されており、各層間のＰＮ接合部に移相器２２を含む。ＰＮ接合部における接点２４は、移相制御部３０に接続されており、この移相制御部３０は、ＰＮ接合部における電流又は電圧を制御することによって、導波路２０の内部における移相を制御するように動作可能である。移相制御部は、参照により組み込まれる上述したLiuの論文に開示されている回路のような、又は、２０１７年１０月５日にST Microelectronics SA社の名で公開された米国特許出願公開第２０１７／０２８８７８１号明細書（U.S. Published Application No. 2017/0288781）に開示されているような回路のような、電子チップ又はフォトニックチップ上の従来の半導体回路の形態とすることができる。
【００１２】
本開示の１つの態様においては、ＰＮ接合部における接点２４は、図４に示すように、電子チップの温度を検出するための電子チップ上の温度検出コンポーネント３２にも接続されている。温度検出コンポーネントは、ＰＴＡＴ回路とすることができ、このＰＴＡＴ回路は、ＰＮ接合部が実質的にダイオードとして使用されるように、上述したように構成されている。
【００１３】
移相器が通常動作モードにある場合には、移相制御部３０によって所望の逆方向電圧又は順方向電流を印加して、導波路の屈折率、ひいては導波路を通って伝搬する光の移相を制御することができる。本開示の１つの態様においては、移相制御部３０の通常動作は、ＰＴＡＴ回路３２による温度測定のためにＰＮ接合部を使用するために、所定の期間にわたって所定の間隔で中断される。この中断のタイミング及び持続時間は、特定のシステムにおける温度挙動の力学に基づくことができる。ＰＮ接合部の電気接点２４は、通常動作中に移相の制御を提供するために移相制御部３０に既に接続されているので、ＰＴＡＴ回路３２へのＰＮ接合部の接続を、実質的にフォトニックチップに変更を加えることなく、即ち、チップに追加的なダイオード又は接続パッドを加えることなく、実現することができる。
【００１４】
送信機ＴＸ（図１）には、ＰＴＡＴ回路３２及び移相制御部３０に接続されている制御装置４０を組み込むことができる。ＴＸ制御装置４０は、特定のＰＮ接合部における温度、相対温度、又は、温度差を検出するために、移相制御部を中断してＰＴＡＴ回路を動作させる温度検出モードで動作可能である。ＴＸ制御装置は、温度検出コンポーネントがＰＮ接合部の温度を検出するために十分な所定の期間の経過後に、移相制御部を再動作させる。関連する導波路の所望の屈折率と、関連する導波路を通って伝搬する光の対応する移相とを達成するために、ＴＸ制御装置は、ＰＴＡＴ信号を解釈し、移相制御部によってＰＮ接合部に印加される電圧又は電流のために必要な変化を決定するように動作可能である回路及び／又はソフトウェアを有する。従って、ＴＸ制御装置４０は、導波路２０に適当な移相が適用されるように温度変更された電圧又は電流を、移相器２２のＰＮ接合部に印加するために、移相制御部３０を動作させかつ制御するように構成されており、かつ、そのように動作可能である。
【００１５】
温度測定は、特定のシステムの熱挙動によって必要とされる任意のレートで実施することができる。例えばシステムが、１ｋＨｚのレートでかなりの熱変動を有する傾向にある場合には、起こり得る温度変化の捕捉を保証するために、２ｋＨｚ以上のレートで温度測定を実施するようにＰＴＡＴ回路３２を動作させるように、ＴＸ制御装置４０を構成することができる。温度測定の持続時間は、使用される電子回路と所望の精度とに依存しており、その一方で、移相器の通常動作を阻害しないようにするために適当に短く維持される。１つの特定の実施形態においては、ＴＸ制御装置４０は、１乃至５μ秒の間、移相制御部を中断するように構成されており、この１乃至５μ秒の時間の間に温度検出コンポーネント３２が動作させられ、温度測定値が得られる。
【００１６】
移相制御部３０が移相器２２のＰＮ接合部に順方向バイアス電流を印加する別の実施形態においては、温度測定を、移相器の通常動作と同時に移相器の機能を中断することなく実施することができる。この実施形態における温度測定は、移相制御部の動作のように連続的とすることができ、又は、上述したように周期的とすることができる。
【００１７】
複数の移相器が一緒に動作するＯＰＡのような用途の場合には、電子チップ又はフォトニックチップ上の温度測定のために使用されるＰＴＡＴ回路を、図５に示すように複数の移相器要素に接続することができ、時間多重化を使用して動作させることができる。図５に示すように、複数の導波路２０が１つの温度検出コンポーネント３２’及び１つの移相制御部３０’に接続されている。１つの実施形態においては、ＴＸ制御装置４０’は、各々の導波路のＰＮ接合部に印加される電圧又は電流を制御するために移相制御部を多重化するように構成されている。これに代えて、それぞれの導波路ごとに１つの別個の移相制御部３０’を設けてもよい。この実施形態の１つの態様においては、ＴＸ制御装置４０’は、上で説明したように移相制御部の各動作間に温度測定が割り込まれた状態で、各々の導波路２０のＰＮ接合部における温度を測定するためにＰＴＡＴ３２’を多重化するように構成されている。上述したように温度検出モードにおいては、ＴＸ制御装置４０’は、複数の導波路のために単一の移相制御部が設けられている場合であっても、各々の導波路のために専用の移相制御部が設けられている場合であっても、移相制御部３０’を中断して、単一の温度検出コンポーネント又はＰＴＡＴ３２’を動作させることができる。
【００１８】
例えばＯＰＡにおいて隣り合う移相器同士の温度が非常に近接している別の実施形態においては、参照により組み込まれる上述したTimkoの参考文献において議論されているように、温度測定のために複数のＰＮ接合部に依存している回路構成を、隣り合う移相器同士を同じＰＴＡＴ回路に接続することによって使用することができる。
【００１９】
本開示は、特性的に例示するためのものであり、限定するためのものではないとみなされるべきである。特定の実施形態のみが提示されており、本開示の趣旨の範囲内にある全ての変更、修正、及び、別の用途が保護されることが望まれることを理解すべきである。
【００２０】
例えば、上述した温度測定回路は、半導体導波路における電気光学移相器のＰＮ接合部における電気接点に接続されている。しかしながら、ドープシリコンのようなドープ半導体材料を利用する、別の形態の導波路移相器が考えられる。この電気光学移相器は、複数のドープ領域を、これらの領域に対する複数の電気接点と共に利用することができる。複数のドープ領域は、少なくとも１つのｐ型ドープ領域と、少なくとも１つのｎ型ドープ領域とを含むことができると考えられる。本開示は、電気光学移相器を移相回路に接続するために設けられている既存の電気接点を、温度測定回路のための電気接点として使用することを企図するものである。複数のドープ領域を利用する移相器の場合には、温度測定回路を、これらの領域のうちの１つ又は複数のための電気接点に接続することができる。既存の電気光学移相器を本開示に即して温度測定のために使用することは、特定の幾何学的形状の移相器に限定されているものではなく、その代わりに、電気光学移相器が使用するドープ半導体領域に対する一般的な電気接点を必要とするだけである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成31年3月26日(2019.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から光を受信するために前記光源に接続されており、前記光を出力部に伝搬するように構成されている導波路と、
前記導波路に組み込まれており、電気接点を有する移相器であって、当該移相器における前記導波路の屈折率を変化させるように制御可能である移相器と、
前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記屈折率を変化させるために前記移相器に印加される電流及び／又は電圧を制御するように動作可能である移相制御部と、
同じ前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記移相器の温度を表す信号を生成するように動作可能である温度検出コンポーネントと、
を備えている光送信機。
【請求項２】
前記温度検出コンポーネントは、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）回路である、
請求項１に記載の光送信機。
【請求項３】
前記移相制御部及び前記温度検出コンポーネントに接続されている制御装置であって、前記移相制御部によって前記移相器に印加される電流及び／又は電圧を、前記温度検出コンポーネントによって生成された信号に基づいて調整するように動作可能である制御装置をさらに備えている、
請求項１に記載の光送信機。
【請求項４】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断し、前記移相制御部の動作が中断されている間に前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項３に記載の光送信機。
【請求項５】
前記制御装置は、所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項４に記載の光送信機。
【請求項６】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作中に所定の間隔で前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項４に記載の光送信機。
【請求項７】
前記制御装置は、前記所定の間隔で所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項６に記載の光送信機。
【請求項８】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断することなく前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能である、
請求項３に記載の光送信機。
【請求項９】
前記導波路の前記移相器は、ＰＮ接合部を含み、
前記電気接点は、前記ＰＮ接合部にある、
請求項８に記載の光送信機。
【請求項１０】
前記光源から光を受信するビームスプリッタをさらに備えており、
前記ビームスプリッタは、前記光を複数の導波路に分割し、前記複数の導波路の各々は、前記ＰＮ接合部における前記移相器及び前記電気接点を含み、
前記移相制御部は、前記複数の導波路の各々の前記電気接点に電気的に接続されており、
前記温度検出コンポーネントは、前記複数の導波路の各々の前記電気接点に電気的に接続されている単一の温度検出コンポーネントである、
請求項１に記載の光送信機。
【請求項１１】
前記移相制御部及び前記温度検出コンポーネントに接続されている制御装置であって、前記移相制御部の動作を中断し、前記移相制御部の動作が中断されている間に前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能である制御装置をさらに備えている、
請求項１０に記載の光送信機。
【請求項１２】
前記制御装置は、前記複数の導波路の各々の前記移相器の間で前記温度検出コンポーネントを多重化するように前記温度検出モードで動作可能である、
請求項１１に記載の光送信機。
【請求項１３】
光源から光を受信するために前記光源に接続される導波路であって、
前記光を出力部に伝搬するように構成されているｐ型ドープ半導体層及びｎ型ドープ半導体層と、
前記ｐ型ドープ半導体層と前記ｎ型ドープ半導体層との間のＰＮ接合部に組み込まれており、前記ＰＮ接合部における電気接点を有する移相器であって、当該移相器における前記導波路の屈折率を変化させるように構成されている移相器と、
前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記屈折率を変化させるために前記移相器の前記ＰＮ接合部に印加される電流及び／又は電圧を制御するように動作可能である移相制御部と、
同じ前記電気接点において前記移相器に電気的に接続されており、前記ＰＮ接合部における前記移相器の温度を表す信号を生成するように動作可能である温度検出コンポーネントと、
を備えている導波路。
【請求項１４】
前記温度検出コンポーネントは、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）回路である、
請求項１３に記載の導波路。
【請求項１５】
前記移相制御部及び前記温度検出コンポーネントに接続されている制御装置であって、前記移相制御部によって前記ＰＮ接合部に印加される電流及び／又は電圧を、前記温度検出コンポーネントによって生成された信号に基づいて調整するように動作可能である制御装置をさらに備えている、
請求項１３に記載の導波路。
【請求項１６】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断し、前記移相制御部の動作が中断されている間に前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１５に記載の導波路。
【請求項１７】
前記制御装置は、所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１６に記載の導波路。
【請求項１８】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作中に所定の間隔で前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１７に記載の導波路。
【請求項１９】
前記制御装置は、前記所定の間隔で所定の期間にわたって前記温度検出モードで動作可能であるように構成されている、
請求項１８に記載の導波路。
【請求項２０】
前記制御装置は、前記移相制御部の動作を中断することなく前記温度検出コンポーネントを動作させる温度検出モードで動作可能である、
請求項１５に記載の導波路。
【外国語明細書】
2019128597.tif 000009
2019128597.tif 000010
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