(57)【要約】【課題】  高品質の樹脂パッケージを提供する。【解決手段】  樹脂基材及び樹脂基材の表裏面上に配置された金属層を含む基板と、基板の表面から裏面にかけて配置された枠体とを有し、樹脂基材の表面上に配置された金属層の厚さと、樹脂基材の裏面上に配置された金属層の厚さの和は、樹脂基材の厚さより厚い樹脂パッケージを提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材及び該樹脂基材の表裏面上に配置された金属層を含む基板と、
該基板の表面から裏面にかけて配置された枠体と
を有し、
前記樹脂基材の表面上に配置された金属層の厚さと、前記樹脂基材の裏面上に配置された金属層の厚さの和は、前記樹脂基材の厚さより厚い樹脂パッケージ。
【請求項２】
前記基板は貫通孔を備え、
前記枠体は、前記貫通孔を介して前記基板の表面から裏面にかけてつながっている請求項１に記載の樹脂パッケージ。
【請求項３】
前記樹脂基材の表面上に配置された金属層の厚さと、前記樹脂基材の裏面上に配置された金属層の厚さの和は、前記樹脂基材の厚さの４倍以下である請求項１または２に記載の樹脂パッケージ。
【請求項４】
前記樹脂基材の厚さは、５０μｍ以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂パッケージ。
【請求項５】
少なくとも一側面において、前記金属層の間の領域に、前記枠体が配置されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂パッケージ。
【請求項６】
前記一側面において、前記枠体は、前記基板の裏面側で、前記金属層の間の全領域に配置されている請求項５に記載の樹脂パッケージ。
【請求項７】
前記一側面において、前記枠体は、前記基板の裏面側で、前記金属層の間の領域とは反対側の領域にも配置されている請求項６に記載の樹脂パッケージ。
【請求項８】
前記枠体は、光反射材料を含むシリコーン樹脂で形成される請求項１〜７に記載の樹脂パッケージ。
【請求項９】
前記枠体は、前記基板の表面側に凹部を備え、該凹部内に露出する前記金属層の間の領域にも配置される請求項８に記載の樹脂パッケージ。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載の樹脂パッケージと、
該樹脂パッケージ上に配置された半導体発光素子と
を有する半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂パッケージ及び半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子と樹脂パッケージを有する半導体発光装置の発明が知られている（たとえば特許文献１及び２参照）。
【０００３】
図６Ａ及び図６Ｂに従来の半導体発光装置を示す。図６Ａは、Ｘ軸方向に沿う概略的な断面図であり、図６Ｂは、Ｘ軸正方向側から見た概略的な側面図である。
【０００４】
従来の半導体発光装置は、樹脂パッケージ３０、樹脂パッケージ３０上に配置された半導体発光素子３３、及び、封止樹脂３４を含んで構成される。
【０００５】
樹脂パッケージ３０は、プリント基板３１、及び、プリント基板３１上に配置された枠体３２を含む。
【０００６】
プリント基板３１は、樹脂層３１ａ、第１金属層（第１配線）３１ｂ、及び、第２金属層（第２配線）３１ｃを含んで構成される。樹脂層３１ａは、たとえばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて形成された樹脂層である。第１、第２金属層３１ｂ、３１ｃは、たとえばＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの積層構造を有する金属層である。第１金属層３１ｂと第２金属層３１ｃは、相互に電気的に絶縁されている。樹脂層３１ａの厚さは、たとえば１１０μｍである。樹脂層３１ａの両面に配置された金属層３１ｂ、３１ｃは、表側の厚さがたとえば５０μｍ未満であり、裏側の厚さもたとえば５０μｍ未満である。
【０００７】
枠体３２は、たとえば酸化チタン等の光反射材料を含むエポキシ樹脂で形成され、光反射機能を有する。枠体３２は、中央部に凹部３２ａを備える。
【０００８】
枠体３２の凹部３２ａ内に露出するプリント基板３１（第１金属層３１ｂ）上に、たとえばＬＥＤ(light emitting diode)素子である半導体発光素子３３が載置（ダイボンディング）される。
【０００９】
半導体発光素子３３は、たとえばＳｉ等をドープしたｎ型ＧａＮからなるｎ型半導体層、ＩｎＧａＮで形成される井戸層とＧａＮで形成される障壁層とを含む多重量子井戸構造からなる活性層（発光層）、及び、Ｍｇ等をドープしたｐ型ＧａＮからなるｐ型半導体層を含む。また、ｎ型半導体層と電気的に接続されたｎ側電極、及び、ｐ型半導体層と電気的に接続されたｐ側電極を備える。半導体発光素子３３は、たとえば青色発光するＬＥＤ素子である。
【００１０】
半導体発光素子３３がプリント基板３１の第１金属層３１ｂ上にダイボンディングされることで、半導体発光素子３３のｎ側電極、ｐ側電極の一方が第１金属層３１ｂと電気的に接続される。ｎ側電極、ｐ側電極の他方は、ワイヤ３５を用いて、プリント基板３１の第２金属層３１ｃと電気的に接続される。
【００１１】
枠体３２の凹部３２ａ内に、半導体発光素子３３等を封止する封止樹脂３４が充填配置される。
【００１２】
封止樹脂３４は、たとえば波長変換材料、一例としてＹＡＧ：Ｃｅ（セリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）蛍光体材料を含む。
【００１３】
半導体発光素子３３から出射された青色光の一部は蛍光体材料に入射して異なる波長の光（たとえば黄色光）に変換され、蛍光体材料に入射しなかった他の一部とともに、封止樹脂３４上面（半導体発光装置の光出射面）から外部に出射される。蛍光体材料に入射し、波長変換されて封止樹脂３４を出射する黄色光と、蛍光体材料に入射せず、封止樹脂３４を出射する青色光とで白色光が得られる。なお、半導体発光素子３３で発光され、封止樹脂３４側面に進行した光は、封止樹脂３４と枠体３２の界面で反射され、封止樹脂３４上面から出射される。
【００１４】
従来の半導体発光装置においては、幾つかの課題が存在する。
【００１５】
図６Ｂに示すように、半導体発光装置を個片化する際、ダイシングの熱で第１、第２金属層３１ｂ、３１ｃが膨張してバリ３１ｄが発生することがある。これは、たとえば図６Ｂに示す例においては、第２金属層３１ｃの両側（Ｙ軸正方向側及び負方向側）に、第２金属層３１ｃが膨張する空間（バリ３１ｄが発生する空間）が存在するためである。
【００１６】
また、プリント基板３１上に枠体３２を形成配置する際、枠体３２を形成するエポキシ樹脂が硬化収縮することによって、プリント基板３１及び枠体３２に反りが発生する。
【００１７】
更に、枠体３２の凹部３２ａ内に露出するプリント基板３１の樹脂層３１ａには、酸化チタン等の光反射材料が含まれていないため、樹脂層３１ａに入射した光の反射率は低く、半導体発光装置の光取り出し効率が低下する。
【００１８】
また、たとえば枠体３２を形成するエポキシ樹脂は、特に青色光によって劣化が生じやすい。劣化したエポキシ樹脂は、たとえば封止樹脂３４に含まれる蛍光体材料で波長変換された黄色光を吸収しやすいため、この点においても半導体発光装置の光取り出し効率が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２０１３−１５３１８２号公報
【特許文献２】特開２００７−３２９２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の目的は、高品質の樹脂パッケージ及び半導体発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一観点によると、樹脂基材及び該樹脂基材の表裏面上に配置された金属層を含む基板と、該基板の表面から裏面にかけて配置された枠体とを有し、前記樹脂基材の表面上に配置された金属層の厚さと、前記樹脂基材の裏面上に配置された金属層の厚さの和は、前記樹脂基材の厚さより厚い樹脂パッケージが提供される。
【００２２】
また、本発明の他の観点によると、上記樹脂パッケージと、上記樹脂パッケージ上に配置された半導体発光素子とを有する半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、高品質の樹脂パッケージ及び半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１Ａは、実施例による半導体発光装置を示す概略的な断面図であり、図１Ｂは、プリント基板１１を示す断面図であり、図１Ｃは、実施例による半導体発光装置を示す概略的な側面図（Ｘ軸正方向側の側面を示す側面図）である。
【図２−１】図２Ａ〜図２Ｅは、樹脂パッケージ１０の第１構成を示す概略図である。
【図２−２】図２Ｆ〜図２Ｈは、樹脂パッケージ１０の第１構成を示す概略図である。
【図３−１】図３Ａ〜図３Ｅは、樹脂パッケージ１０の第２構成を示す概略図である。
【図３−２】図３Ｆ〜図３Ｈは、樹脂パッケージ１０の第２構成を示す概略図である。
【図４−１】図４Ａ〜図４Ｅは、樹脂パッケージ１０の第３構成を示す概略図である。
【図４−２】図４Ｆ及び図４Ｇは、樹脂パッケージ１０の第３構成を示す概略図である。
【図５−１】図５Ａ〜図５Ｅは、樹脂パッケージ１０の第４構成を示す概略図である。
【図５−２】図５Ｆ及び図５Ｇは、樹脂パッケージ１０の第４構成を示す概略図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、従来の半導体発光装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１Ａは、実施例による半導体発光装置を示す概略的な断面図である。
【００２６】
実施例による半導体発光装置は、樹脂パッケージ１０、樹脂パッケージ１０上に配置された半導体発光素子１３、及び、封止樹脂１４を含んで構成される。
【００２７】
樹脂パッケージ１０は、プリント基板１１、及び、プリント基板１１の表面から裏面にかけて配置された枠体１２を含む。
【００２８】
プリント基板１１は、樹脂層（樹脂基材）１１ａ、第１金属層（第１配線）１１ｂ、及び、第２金属層（第２配線）１１ｃを含んで構成される。
【００２９】
図１Ｂに、プリント基板１１の詳細を示す。
【００３０】
樹脂層１１ａは、たとえばガラスクロスにエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を含浸させて形成された樹脂層であり、厚さは、たとえば約１１０μｍである。樹脂層１１ａには、樹脂層１１ａの表面から裏面に貫通する貫通孔１１ａ１、１１ａ２が形成されている。
【００３１】
第１金属層１１ｂ及び第２金属層１１ｃは、樹脂層１１ａを貫通し、樹脂層１１ａの表裏面上に（樹脂層１１ａの貫通孔１１ａ１内及び樹脂層１１ａの表裏面上に）配置される。第１金属層１１ｂと第２金属層１１ｃは、相互に電気的に絶縁されている。樹脂層１１ａの表面上に配置される第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃの厚さは、たとえば約１７０μｍであり、樹脂層１１ａの裏面上に配置される第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃの厚さは、たとえば約１００μｍである。実施例による半導体発光装置においては、「樹脂層１１ａの厚さ＜樹脂層１１ａの表裏面に配置された金属層１１ｂ、１１ｃの合計厚さ」となるように、プリント基板１１が形成される。
【００３２】
また、第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃは、Ｃｕ層１１ｂ１、１１ｃ１の表裏面にＮｉ層１１ｂ２、１１ｃ２が配置され、更にその表裏面にＡｕ層１１ｂ３、１１ｃ３が配置された積層構造を有する。具体的には、第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃは、プリント基板１１の裏面側から順に、Ａｕ層１１ｂ３、１１ｃ３（厚さ約０．１μｍ）／Ｎｉ層１１ｂ２、１１ｃ２（厚さ約１０μｍ）／Ｃｕ層１１ｂ１、１１ｃ１（樹脂層１１ａ裏面上に配置される部分の厚さ約９０μｍ＋樹脂層１１ａを貫通する部分の厚さ約１１０μｍ＋樹脂層１１ａの表面上に配置される部分の厚さ約１６０μｍ）／Ｎｉ層１１ｂ２、１１ｃ２（厚さ約１０μｍ）／Ａｕ層１１ｂ３、１１ｃ３（厚さ約０．１μｍ）の金属積層構造を備える。
【００３３】
枠体１２は、たとえば酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ等（白色フィラー）の光反射材料を含むシリコーン樹脂で形成され、光反射機能を有する。枠体１２は、プリント基板１１の表裏面上、及び、プリント基板１１の樹脂層１１ａに形成された貫通孔１１ａ２内に配置される。すなわち、枠体１２は、貫通孔１１ａ２を介して、プリント基板１１の表面側に配置された部分と裏面側に配置された部分がつながった状態となっている。また、枠体１２は、プリント基板１１の表面側において、平面視上、その中央部に凹部１２ａを備える。
【００３４】
枠体１２の凹部１２ａ内に露出するプリント基板１１（第１金属層１１ｂ）上に、たとえばＬＥＤ素子である半導体発光素子１３が載置（ダイボンディング）される。
【００３５】
半導体発光素子１３は、たとえばＳｉ等をドープしたｎ型ＧａＮからなるｎ型半導体層、ＩｎＧａＮで形成される井戸層とＧａＮで形成される障壁層とを含む多重量子井戸構造からなる活性層（発光層）、及び、Ｍｇ等をドープしたｐ型ＧａＮからなるｐ型半導体層を含む。また、ｎ型半導体層と電気的に接続されたｎ側電極、及び、ｐ型半導体層と電気的に接続されたｐ側電極を備える。半導体発光素子１３は、たとえば青色発光するＬＥＤ素子である。
【００３６】
半導体発光素子１３がプリント基板１１の第１金属層１１ｂ上にダイボンディングされることで、半導体発光素子１３のｎ側電極、ｐ側電極の一方が第１金属層１１ｂと電気的に接続される。ｎ側電極、ｐ側電極の他方は、ワイヤ１５を用いて、プリント基板１１の第２金属層１１ｃと電気的に接続される。
【００３７】
枠体１２の凹部１２ａ内に、半導体発光素子１３等を封止する封止樹脂１４が充填配置される。
【００３８】
封止樹脂１４は、たとえば波長変換材料を含む樹脂材料、一例としてＹＡＧ蛍光体材料を含むシリコーン樹脂で形成される。
【００３９】
半導体発光素子１３から出射された青色光の一部は蛍光体材料に入射して異なる波長の光（たとえば黄色光）に変換され、蛍光体材料に入射しなかった他の一部とともに、封止樹脂１４上面（半導体発光装置の光出射面）から外部に出射される。蛍光体材料に入射し、波長変換されて封止樹脂１４を出射する黄色光と、蛍光体材料に入射せず、封止樹脂１４を出射する青色光とで白色光が得られる。なお、半導体発光素子１３で発光され、封止樹脂１４側面に進行した光は、封止樹脂１４と枠体１２の界面で反射され、封止樹脂１４上面から出射される。
【００４０】
図１Ｃは、実施例による半導体発光装置を示す概略的な側面図（Ｘ軸正方向側の側面を示す側面図）である。
【００４１】
図１Ｃに示すように、実施例による半導体発光装置では、少なくとも一側面において、金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの間に枠体１２（すなわち、枠体１２を構成するものと同じ樹脂材料）が配置される。枠体１２は、側面において、金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの間に、少なくとも金属層１１ｂ、１１ｃの縁と接する領域に配置される。
【００４２】
図１Ｃに示す側面には、プリント基板１１の裏面側において、離間して配置される金属層１１ｃ、１１ｃ間の全領域に枠体１２が充填配置されている。更に、金属層１１ｃ、１１ｃ間の領域とは反対側（Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側）の領域にも、枠体１２が配置されている。すなわち、図１Ｃに示す側面においては、プリント基板１１の裏面側において、離間して配置される２つの金属層１１ｃの両側（Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側）に枠体１２が配置される。
【００４３】
実施例による半導体発光装置は、たとえば、（ｉ）プリント基板１１（金属層１１ｂ、１１ｃパターンが複数形成され、複数の半導体発光素子１３を載置する大型サイズのプリント基板１１）を準備し、トランスファ成形によって、プリント基板１１の表裏面上及び貫通孔１１ａ２内に枠体１２を形成配置する、（ｉｉ）枠体１２の凹部１２ａ内に露出するプリント基板１１上に、半導体発光素子１３を搭載する（ダイボンディング及びワイヤボンディング）、（ｉｉｉ）枠体１２の凹部１２ａ内に、ＹＡＧ蛍光体材料を含むシリコーン樹脂を配置し、硬化させて封止樹脂１４を形成する、（ｉｖ）プリント基板１１及び枠体１２をダイシングして個片化する、の工程を経て製造することができる。
【００４４】
実施例による半導体発光装置においては、プリント基板１１は、樹脂層１１ａ、及び、樹脂層１１ａの表裏面に配置された第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃを有し、樹脂層１１ａの表裏面に配置された第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃの合計厚さ（表面側の金属層１１ｂ、１１ｃの厚さ約１７０μｍ＋裏面側の金属層１１ｂ、１１ｃの厚さ約１００μｍ＝約２７０μｍ）は、樹脂層１１ａの厚さ（約１１０μｍ）よりも厚い。
【００４５】
こうすることで、半導体発光装置の品質を向上させることができる。具体的には、まず、金属層１１ｂ、１１ｃを厚くすることによってプリント基板１１の剛性が大きくなり、プリント基板１１上に枠体１２を形成配置する際に生じる反りを抑止することができる。また、たとえば超音波熱圧着によりワイヤボンディングを実施する際、安定的なボンディングを行うことが可能となるため、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。半導体発光装置の信頼性は、金属層１１ｂ、１１ｃが厚い場合、プリント基板１１の強度が強くなるという理由からも向上する。更に、金属層１１ｂ、１１ｃが厚いと、半導体発光装置の放熱性が高められる。
【００４６】
なお、製造コストの観点から、樹脂層１１ａの表裏面に配置される金属層１１ｂ、１１ｃの合計厚さは、樹脂層１１ａの厚さの４倍以下とすることが望ましい。また、樹脂層１１ａの厚さは、半導体発光装置製造時におけるハンドリングの観点から、５０μｍ以上とすることが好ましい。
【００４７】
実施例による半導体発光装置においては、第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃを厚くすることによる効果以外の効果も奏される。
【００４８】
たとえば、図１Ａに示すように、枠体１２の凹部１２ａ内に露出する第１金属層１１ｂと第２金属層１１ｃの間の領域には、図６Ａに示す従来の半導体発光装置とは異なり、枠体１２が配置される。このため、半導体発光素子１３で発光された光は、この領域に入射した場合にも高反射率で反射される。したがって、図６Ａに示す従来の半導体発光装置よりも、半導体発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
【００４９】
また、枠体１２は、光、たとえば青色光による劣化が少ないシリコーン樹脂を用いて形成されるため、半導体発光素子１３で発光され、枠体１２に入射する光の反射率の低下（経年劣化）が、たとえばエポキシ樹脂を用いて枠体３２を形成する従来の半導体発光装置における場合よりも少ない。この点においても、従来の半導体発光装置より、光取り出し効率を向上させることができる。
【００５０】
更に、枠体１２は、プリント基板１１の表面側だけでなく裏面側にも配置されるため、この点からも、枠体１２形成時の反り発生が抑制される。なお、シリコーン樹脂はエポキシ樹脂よりも硬化する際の収縮量が少ないため、シリコーン樹脂を用いることによる反り発生抑制の効果も奏される。
【００５１】
なお、金属層１１ｂ、１１ｃを厚くすると、半導体発光装置を個片化する際、ダイシングの熱による金属層１１ｂ、１１ｃの膨張量が多くなり、バリが発生しやすくなる。
【００５２】
しかし、実施例による半導体発光装置においては、たとえば図１Ｃに示すように、側面において、金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの間の領域（少なくとも金属層１１ｂ、１１ｃの縁と接する領域）や、それとは反対側（Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側）の領域に枠体１２が配置される。枠体１２の配置位置においては、金属層１１ｂ、１１ｃが膨張する空間（バリが発生する空間）がなくなるため、実施例による半導体発光装置においては、バリの発生が抑制される。
【００５３】
なお、たとえば図１Ｃに示す側面において、離間して配置される２つの金属層１１ｃの両側（Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側）にレジストを配置しても、レジストが飛ぶなどするため、バリの発生を抑制する効果は小さい。
【００５４】
このように、実施例による半導体発光装置は、高品質の半導体発光装置である。実施例による半導体発光装置を構成する樹脂パッケージ１０も高品質の樹脂パッケージである。
【００５５】
以下、樹脂パッケージ１０の構成例について説明する。樹脂パッケージ１０は、プリント基板１１、及び、プリント基板１１の表面から裏面にかけて配置された枠体１２を含む。
【００５６】
図２Ａ〜図２Ｈに、樹脂パッケージ１０の第１構成を示す。
【００５７】
図２Ａ、図２Ｂは、それぞれ樹脂パッケージ１０、プリント基板１１の概略的な平面図であり、図２Ｃは、図２ＡのＡ−Ａ線に沿う概略的な断面図、図２Ｄは、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿う概略的な断面図である。また、図２Ｅは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｙ軸負方向側の側面を示す側面図）である。更に、図２Ｆは、図２ＡのＣ−Ｃ線に沿う概略的な断面図である。
【００５８】
樹脂パッケージ１０及びプリント基板１１は、平面視上、矩形である。プリント基板１１は、樹脂層１１ａ、及び、樹脂層１１ａの貫通孔１１ａ１を貫通して樹脂層１１ａの表裏面上に配置される第１金属層１１ｂ、第２金属層１１ｃを備える。第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃは、相互に電気的に絶縁されている。樹脂層１１ａには、貫通孔１１ａ１の他、貫通孔１１ａ２も形成されており、枠体１２は、貫通孔１１ａ２を貫通して樹脂層１１ａの表裏面上に配置される。
【００５９】
枠体１２には、矩形の中央部に凹部１２ａが設けられ、凹部１２ａによって、プリント基板１１表面中央部に配置される第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃが露出される。樹脂層１１ａの表面（Ｚ軸正方向側の面）においては、第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃが配置されていない位置には、枠体１２が配置されている。
【００６０】
図２Ｇに、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｘ軸正方向側の側面を示す側面図）を示す。また、図２Ｈに、樹脂パッケージ１０の概略的な背面図を示す。
【００６１】
樹脂パッケージ１０は、たとえばトランスファ成形によって、プリント基板１１の表裏面上及び貫通孔１１ａ２内に枠体１２を形成配置する工程を経て製造される。枠体１２を形成する材料は、貫通孔１１ａ２を介して、プリント基板１１の表面側から裏面側に供給される。
【００６２】
樹脂パッケージ１０の第１構成では、図２Ｇに示す側面において、プリント基板１１の表面側及び裏面側の金属層１１ｃ間（樹脂層１１ａ表裏面上）に枠体１２が配置されている。図２Ｇに示す側面においては、枠体１２は、たとえば金属層１１ｃの縁と接する領域だけではなく、金属層１１ｃ間の全領域に充填配置される。
【００６３】
なお、樹脂パッケージ１０の第１構成では、Ｘ軸負方向側の側面においても、枠体１２は、金属層１１ｂ間の全領域に充填配置されている。
【００６４】
図３Ａ〜図３Ｈに、樹脂パッケージ１０の第２構成を示す。
【００６５】
図３Ａ、図３Ｂは、それぞれ樹脂パッケージ１０、プリント基板１１の概略的な平面図であり、図３Ｃは、図３ＡのＡ−Ａ線に沿う概略的な断面図、図３Ｄは、図３ＡのＢ−Ｂ線に沿う概略的な断面図である。また、図３Ｅは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｙ軸負方向側の側面を示す側面図）であり、図３Ｆは、図３ＡのＣ−Ｃ線に沿う概略的な断面図である。更に、図３Ｇは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｘ軸正方向側の側面を示す側面図）であり、図３Ｈは、樹脂パッケージ１０の概略的な背面図である。
【００６６】
樹脂パッケージ１０の第１構成においては、樹脂層１１ａを貫通する貫通孔１１ａ２が、プリント基板１１のＸ軸正方向側領域及びＸ軸負方向側領域に設けられている（図２Ｂ及び図２Ｈ参照）が、第２構成においては、更に、Ｙ軸正方向側領域及びＹ軸負方向側領域にも設けられている（図３Ｂ及び図３Ｈ参照）。
【００６７】
このため、樹脂パッケージ１０の第２構成では、プリント基板１１の裏面側において、第１構成における枠体１２の配置位置以外の位置にも、枠体１２が配置される（図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、及び、図３Ｈ参照）。
【００６８】
樹脂パッケージ１０の第２構成では、第１構成と同様に、図３Ｇに示す側面において、プリント基板１１の表面側及び裏面側の金属層１１ｃ間の全領域（樹脂層１１ａ表裏面上）に枠体１２が充填配置される。
【００６９】
また、図３Ｅに示す側面において、プリント基板１１の裏面側の金属層１１ｂ、１１ｃ間の全領域（樹脂層１１ａ裏面上）に枠体１２が充填配置される。
【００７０】
なお、樹脂パッケージ１０の第２構成では、Ｘ軸負方向側の側面、Ｙ軸正方向側の側面においても、枠体１２は、金属層１１ｂ間、金属層１１ｂ、１１ｃ間の全領域に充填配置されている。
【００７１】
図４Ａ〜図４Ｇに、樹脂パッケージ１０の第３構成を示す。
【００７２】
図４Ａ、図４Ｂは、それぞれ樹脂パッケージ１０、プリント基板１１の概略的な平面図であり、図４Ｃは、図４ＡのＡ−Ａ線に沿う概略的な断面図である。また、図４Ｄは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｙ軸負方向側の側面を示す側面図）であり、図４Ｅは、図４ＡのＣ−Ｃ線に沿う概略的な断面図である。更に、図４Ｆは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｘ軸正方向側の側面を示す側面図）であり、図４Ｇは、樹脂パッケージ１０の概略的な背面図である。
【００７３】
樹脂パッケージ１０の第１、第２構成においては、矩形状のプリント基板１１の４つの角部の裏面側には、樹脂層１１ａが露出している（図２Ｈ及び図３Ｈ参照）。図２Ｇ、図３Ｅ、図３Ｇに示す側面では、プリント基板１１の裏面側において、金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの間の領域（樹脂層１１ａ裏面上）には枠体１２が充填配置されているが、金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの間の領域とは反対側の領域（図２Ｇ及び図３Ｇに示す側面においては、Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側の領域。図３Ｅに示す側面においては、Ｘ軸正方向側及びＹ軸負方向側の領域。）には、枠体１２は配置されていない。
【００７４】
樹脂パッケージ１０の第３構成は、プリント基板１１の裏面における第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃの形状（配置領域）が第１、第２構成とは異なる。更に、矩形状のプリント基板１１の４つの角部には、裏面側に枠体１２が配置されている（図４Ｇ参照）。このため、図４Ｆに示す側面では、プリント基板１１の裏面側においても、離間して配置される２つの金属層１１ｃの両側（Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側）に枠体１２が配置される。
【００７５】
なお、樹脂パッケージ１０の第３構成では、Ｘ軸負方向側の側面においても、離間して配置される２つの金属層１１ｂの両側（Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側）に枠体１２が配置される。
【００７６】
図５Ａ〜図５Ｇに、樹脂パッケージ１０の第４構成を示す。
【００７７】
図５Ａ、図５Ｂは、それぞれ樹脂パッケージ１０、プリント基板１１の概略的な平面図であり、図５Ｃは、図５ＡのＡ−Ａ線に沿う概略的な断面図である。また、図５Ｄは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｙ軸負方向側の側面を示す側面図）であり、図５Ｅは、図５ＡのＣ−Ｃ線に沿う概略的な断面図である。更に、図５Ｆは、樹脂パッケージ１０の概略的な側面図（Ｘ軸正方向側の側面を示す側面図）であり、図５Ｇは、樹脂パッケージ１０の概略的な背面図である。
【００７８】
樹脂パッケージ１０の第４構成は、プリント基板１１の裏面における第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃの形状（配置領域）が、第３構成と異なる（第１、第２構成と等しい）。第３構成においては、第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃは、樹脂パッケージ１０のＸ軸正方向側及びＸ軸負方向側の側面に配置されるが、第４構成においては、更に、Ｙ軸正方向側及びＹ軸負方向側の側面にも配置される。また、第４構成においては、プリント基板１１の４つ角部においても、樹脂層１１ａに貫通孔１１ａ２が形成される。４つの角部に貫通孔１１ａ２が形成されていることにより、第３構成とは、第１、第２金属層１１ｂ、１１ｃの形状（配置領域）が異なるが、枠体１２は、第３構成と同様に、プリント基板１１の４つの角部の裏面側に配置される。第４構成においては、Ｘ軸正方向側の側面（図５Ｆ参照）及びＸ軸負方向側の側面だけでなく、Ｙ軸正方向側の側面及びＹ軸負方向側の側面（図５Ｄ参照）においても、離間して配置される金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの両側に枠体１２が配置される。
【００７９】
以上、実施例等に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８０】
たとえば、実施例等においては、半導体発光素子としてＬＥＤ素子を用いるが、ＬＥＤ素子に限らず、種々の半導体発光素子、たとえばＬＤ(laser diode)素子等を使用することができる。
【００８１】
また、たとえば図１Ｃ、図４Ｆ、図５Ｄ、図５Ｆに示す側面には、プリント基板１１の裏面側において、離間して配置される金属層１１ｂ、１１ｃと金属層１１ｂ、１１ｃの間の領域とは反対側の領域にも枠体１２が配置されるが、当該反対側の領域においても、枠体１２は、少なくとも金属層１１ｂ、１１ｃの縁と接する領域に配置されればよい。
【００８２】
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
実施例等による半導体発光装置は、たとえば液晶表示装置用バックライト、車載インテリア、車載エクステリア、一般照明、各種インジケータ等に利用可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１０  樹脂パッケージ
１１  プリント基板
１１ａ  樹脂層
１１ａ１、１１ａ２  貫通孔
１１ｂ  第１金属層
１１ｂ１  Ｃｕ層
１１ｂ２  Ｎｉ層
１１ｂ３  Ａｕ層
１１ｃ  第２金属層
１１ｃ１  Ｃｕ層
１１ｃ２  Ｎｉ層
１１ｃ３  Ａｕ層
１２  枠体
１２ａ  凹部
１３  半導体発光素子
１４  封止樹脂
１５  ワイヤ
３０  樹脂パッケージ
３１  プリント基板
３１ａ  樹脂層
３１ｂ  第１金属層
３１ｃ  第２金属層
３１ｄ  バリ
３２  枠体
３２ａ  凹部
３３  半導体発光素子
３４  封止樹脂
３５  ワイヤ
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図６】
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