(57)【要約】【課題】信頼性を向上することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】本実施形態によれば、ソース電極及びドレイン電極を有するスイッチング素子と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接する無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜に接し、前記ドレイン電極と重畳する位置において開口部を有する金属膜と、前記金属膜を覆う容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の上に位置し、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上に位置する電気泳動素子と、前記電気泳動素子の上に位置する共通電極と、を備え、前記金属膜は、前記開口部において、順テーパーの端部を有する、表示装置が提供される。【選択図】      図３
2019066566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極及びドレイン電極を有するスイッチング素子と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜に接し、前記ドレイン電極と重畳する位置において開口部を有する金属膜と、
前記金属膜を覆う容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜の上に位置し、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の上に位置する電気泳動素子と、
前記電気泳動素子の上に位置する共通電極と、を備え、
前記金属膜は、前記開口部において、順テーパーの端部を有する、表示装置。
【請求項２】
前記容量絶縁膜は、前記無機絶縁膜より薄い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
さらに、前記スイッチング素子に電気的に接続される走査線及び信号線と、
前記画素電極と接する粘着層と、を備え、
前記画素電極は、前記走査線及び前記信号線の少なくとも一方に重畳する第１領域と、前記走査線及び前記信号線のいずれとも重畳しない第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域との間に段差を有する、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属膜は、前記走査線及び前記信号線の少なくとも一方に重畳する第３領域と、前記走査線及び前記信号線のいずれとも重畳しない第４領域とを有し、前記第３領域と前記第４領域との間に段差を有する、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記無機絶縁膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接する第１無機絶縁膜と、前記金属膜と接する第２無機絶縁膜と、を含み、
前記第１無機絶縁膜は前記第２無機絶縁膜とは異なる材料によって形成されている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、封止材を備え、
前記無機絶縁膜は、前記封止材と接している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一例では、素子基板と対向基板との間に、マイクロカプセルが配列された電気泳動素子を挟持した電気泳動表示装置が開示されている。この種の電気泳動表示装置は、記憶性を有しているため、表示状態を維持するのに常に電圧を印加する必要はない。一方で、電気泳動表示装置は、各画素において電圧を一定期間保持するために、蓄積容量を備える必要がある。このような蓄積容量は、例えば、遮光性金属膜からなる蓄積容量電極と、保護膜と、画素電極と、によって構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２１０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、ソース電極及びドレイン電極を有するスイッチング素子と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接する無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜に接し、前記ドレイン電極と重畳する位置において開口部を有する金属膜と、前記金属膜を覆う容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の上に位置し、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上に位置する電気泳動素子と、前記電気泳動素子の上に位置する共通電極と、を備え、前記金属膜は、前記開口部において、順テーパーの端部を有する、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの画素ＰＸを示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した画素ＰＸのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図４】図４は、図２に示した画素ＰＸの信号線Ｓ１と交差するＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図５】図５は、図２に示した画素ＰＸの走査線Ｇ１と交差するＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図６】図６は、図１に示した表示装置ＤＳＰのＤ−Ｄ’線に沿った非表示部ＮＤＡの部分断面図である。
【図７】図７は、図２に示した画素ＰＸのＡ−Ａ’線に沿った断面図の変形例である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに交差する方向であり、第３方向Ｚは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。  
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡの周囲の非表示部ＮＤＡと、を備えている。非表示部ＮＤＡは、額縁状に形成されている。表示部ＤＡは、平面視で第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳する領域に位置している。表示部ＤＡは、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。  
表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに沿って延出した辺Ｅ１及びＥ２と、第２方向Ｙに沿って延出した辺Ｅ３及びＥ４と、を備えている。
【０００９】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの画素ＰＸを示す平面図である。ここでは、画素ＰＸのうち、図１に示した第１基板ＳＵＢ１が備える主な要素のみを図示している。画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、金属膜Ｍと、画素電極ＰＥと、を備えている。スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２と、半導体層ＳＣと、ソース電極ＳＥと、ドレイン電極ＤＥとを備えている。図示したスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造であるが、シングルゲート構造であってもよい。また、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２が配置されるトップゲート構造であってもよいし、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２が配置されるボトムゲート構造であってもよい。
【００１０】
半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいてコンタクトホールＣＨ１を通じて信号線Ｓ１と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいてコンタクトホールＣＨ２を通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。半導体層ＳＣは、一端部ＳＣＡと他端部ＳＣＢとの間において、走査線Ｇ１と交差している。  
ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、走査線Ｇ１のうち、半導体層ＳＣと重畳する領域に相当する。図示した例では、走査線Ｇ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、画素ＰＸの中央部を横切っている。ソース電極ＳＥは、信号線Ｓ１のうち、半導体層ＳＣにコンタクトした領域を含む。図示した例では、信号線Ｓ１は、第２方向Ｙに沿って延出し、画素ＰＸの左側端部に位置している。ドレイン電極ＤＥは、島状に形成され、信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。
【００１１】
金属膜Ｍは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んだ複数の画素ＰＸと重畳し、また、走査線Ｇ１及び信号線Ｓ１のいずれとも重畳している。金属膜Ｍは、各画素ＰＸにおいて、ドレイン電極ＤＥと重畳する位置に開口部ＯＰを有している。金属膜Ｍは、図１に示した表示部ＤＡの略全域に亘って形成されている。金属膜Ｍは、例えば、非表示部ＮＤＡにおいてコモン電位が供給される。
【００１２】
画素電極ＰＥは、画素ＰＸにおいて、金属膜Ｍ、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ１、及び、信号線Ｓ１と重畳している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３及び開口部ＯＰを通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘに沿った長さと第２方向Ｙに沿った長さとが等しい正方形状に形成されているが、この例に限らない。画素電極ＰＥは、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに延びた長方形状であってもよいし、その他の多角形であってもよい。
【００１３】
平面視で、画素電極ＰＥと金属膜Ｍとが重畳する部分は、各画素ＰＸの蓄積容量に相当する。図示した例では、金属膜Ｍが画素ＰＸの略全面に亘って形成されているため、画素電極ＰＥが形成された領域の略全体が金属膜Ｍと重畳し、蓄積容量を形成している。
【００１４】
図３は、図２に示した画素ＰＸのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、粘着層４０によって貼合されている。図示した断面において、表示装置ＤＳＰの観察位置は、第２基板ＳＵＢ２の上方にあるものとする。第１基板ＳＵＢ１は、基材１０と、絶縁膜１１乃至１４と、スイッチング素子ＳＷと、金属膜Ｍと、画素電極ＰＥと、を備えている。
【００１５】
基材１０は、絶縁性のガラスや樹脂などで形成されている。基材１０は、観察位置の反対側に位置しているため、不透明であってもよい。走査線Ｇ１と一体のゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、基材１０の上に位置し、絶縁膜１１によって覆われている。走査線Ｇ１、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。信号線Ｓ１と一体のソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜１３によって覆われている。信号線Ｓ１、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、同一材料によって形成され、例えば、上記の金属材料を用いて形成されている。ソース電極ＳＥは、絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１を通じて、半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ２を通じて、半導体層ＳＣにコンタクトしている。
【００１６】
金属膜Ｍは、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。金属膜Ｍは、例えば、第２基板ＳＵＢ２側からの入射光を反射する反射膜として機能するとともに、第２基板ＳＵＢ２側からスイッチング素子ＳＷに向かう光を遮る遮光膜としても機能する。また、金属膜Ｍは、蓄積容量を確保するための容量電極としても機能する。金属膜Ｍは、例えば、アルミニウムなどの金属材料によって形成されている。具体例としては、金属膜Ｍは、アルミニウムとチタンとの積層体や、アルミニウムとモリブデンとの積層体などで形成されている。
【００１７】
画素電極ＰＥは、絶縁膜１４の上に位置している。画素電極ＰＥは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１４を介して金属膜Ｍと対向している。画素電極ＰＥは、開口部ＯＰと重畳する位置において、絶縁膜１３及び絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を通じて、ドレイン電極ＤＥにコンタクトしている。コンタクトホールＣＨ３を形成するに際しては、絶縁膜１３及び１４を一括してエッチングしてもよいし、絶縁膜１３をエッチングした後に、絶縁膜１４にエッチングしてもよい。絶縁膜１３及び１４を一括してエッチングする場合、図示したように、絶縁膜１４が絶縁膜１３の端部を覆うことはなく、絶縁膜１３及び１４の端部がほぼ揃った断面となる。
【００１８】
本実施形態においては、絶縁膜１１乃至１４は、いずれも、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料によって形成されている。これらの絶縁膜１１乃至１４は、それぞれが単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。絶縁膜１３は、信号線Ｓ１、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、金属膜Ｍとそれぞれ接する無機絶縁膜に相当する。絶縁膜１４は、金属膜Ｍと画素電極ＰＥとの間に介在する容量絶縁膜に相当する。一例では、絶縁膜１３及び１４は、シリコン窒化物によって形成されている。絶縁膜１３は、例えば０．５μｍ〜１．０μｍの膜厚１３Ｔを有している。絶縁膜１４は、絶縁膜１３より薄く、例えば０．１μｍ〜０．３μｍの膜厚１４Ｔを有している。金属膜Ｍは、開口部ＯＰにおいて、順テーパーの端部ＭＥを有している。図３の中で一部拡大して示すように、金属膜Ｍの開口部ＯＰに面した側面ＭＳと絶縁膜１３となす角度θは鋭角である。
【００１９】
第２基板ＳＵＢ２は、基材２０と、共通電極ＣＥと、電気泳動素子２１と、を備えている。基材２０は、絶縁性のガラスや樹脂などで形成されている。基材２０は、観察位置側に位置しているため、透明である。共通電極ＣＥは、基材２０と電気泳動素子２１との間に位置している。共通電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成された透明電極である。共通電極ＣＥは、図１に示した表示部ＤＡの略全域に亘って形成されている。共通電極ＣＥは、例えば、非表示部ＮＤＡにおいてコモン電位が供給される。電気泳動素子２１は、ほとんど隙間なく配列された複数のマイクロカプセル３０によって形成されている。  
粘着層４０は、画素電極ＰＥと電気泳動素子２１との間に位置している。
【００２０】
マイクロカプセル３０は、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度の粒径を有する球状体である。図示した例では、スケールの関係上、１つの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に、多くのマイクロカプセル３０が配置されているが、１辺の長さが数百μｍ程度の正方形状の画素ＰＸにおいては、１個〜１０個程度のマイクロカプセル３０が配置されている。  
マイクロカプセル３０は、分散媒３１と、複数の黒色粒子３２と、複数の白色粒子３３とを備えている。黒色粒子３２及び白色粒子３３は、電気泳動粒子と称される場合もある。マイクロカプセル３０の外殻部（壁膜）３４は、例えば、アクリル樹脂等の透明な樹脂を用いて形成されている。分散媒３１は、マイクロカプセル３０内において、黒色粒子３２と、白色粒子３３とを分散させる液体である。黒色粒子３２は、例えば、アニリンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されている。白色粒子３３は、例えば、二酸化チタン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されている。これらの顔料には、必要に応じて各種添加剤を添加することができる。また、黒色粒子３２及び白色粒子３３の代わりに、例えば赤色、緑色、青色、イエロー、シアン、マゼンタなどの顔料を用いてもよい。
【００２１】
上記構成の電気泳動素子２１において、画素ＰＸを黒表示させる場合、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥよりも相対的に高電位に保持される。すなわち、共通電極ＣＥの電位を基準電位としたとき、画素電極ＰＥが正極性に保持される。これにより、正に帯電した黒色粒子３２が共通電極ＣＥに引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子３３が画素電極ＰＥに引き寄せられる。その結果、共通電極ＣＥ側からこの画素ＰＸを観察すると黒色が視認される。一方、画素ＰＸを白表示させる場合には、共通電極ＣＥの電位を基準電位としたとき、画素電極ＰＥが負極性に保持される。これにより、負に帯電した白色粒子３３が共通電極ＣＥ側へ引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子３２が画素電極ＰＥに引き寄せられる。その結果、この画素ＰＸを観察すると白色が視認される。
【００２２】
図４は、図２に示した画素ＰＸの信号線Ｓ１と交差するＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。絶縁膜１３は、信号線Ｓ１及び絶縁膜１２の上に位置し、信号線Ｓ１及び絶縁膜１２に接している。絶縁膜１３は、上記の通り、無機絶縁材料によって形成され、その表面が平坦化されていない。つまり、絶縁膜１３は、信号線Ｓ１と重畳する領域１３１と、信号線Ｓ１を介さずに絶縁膜１２と重畳する領域１３２との間に段差を有している。絶縁膜１３は、領域１３１及び領域１３２において、ほぼ同等の膜厚１３Ｔを有している。このため、領域１３１と領域１３２との段差は、信号線Ｓ１の膜厚と同等である。信号線Ｓ１の膜厚は、一例では、２５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２３】
金属膜Ｍは、絶縁膜１３の領域１３１及び１３２のいずれとも接している。金属膜Ｍは、信号線Ｓ１と重畳する領域Ｍ１と、信号線Ｓ１と重畳しない領域Ｍ２との間に段差を有している。領域Ｍ１は領域１３１に接し、領域Ｍ２は領域１３２に接している。基材１０と領域Ｍ２との間には、絶縁膜１１乃至１３が介在するが、半導体層、走査線、信号線は介在していない。金属膜Ｍは、ほぼ一定の膜厚を有しており、領域Ｍ１と領域Ｍ２との段差は、信号線Ｓ１の膜厚と同等である。  
画素電極ＰＥは、絶縁膜１４を介して、金属膜Ｍの有する段差の影響を受ける。画素電極ＰＥは、信号線Ｓ１と重畳する領域ＰＥ１と、信号線Ｓ１と重畳しない領域ＰＥ２との間に段差を有している。領域ＰＥ１は領域１３１及び領域Ｍ１の直上に位置し、領域ＰＥ２は領域１３２及び領域Ｍ２の直上に位置している。絶縁膜１４及び画素電極ＰＥは、それぞれほぼ一定の膜厚を有しており、領域ＰＥ１と領域ＰＥ２との段差は、信号線Ｓ１の膜厚と同等である。  
画素電極ＰＥにおいて、領域ＰＥ１は第１領域に相当し、領域ＰＥ２は第２領域に相当する。金属膜Ｍにおいて、領域Ｍ１は第３領域に相当し、領域Ｍ２は第４領域に相当する。
【００２４】
粘着層４０は、画素電極ＰＥに接している。粘着層４０は、領域ＰＥ１に接する領域で膜厚４１Ｔを有し、領域ＰＥ２に接する領域で膜厚４２Ｔを有する。膜厚４２Ｔは、膜厚４１Ｔより厚い。
【００２５】
図５は、図２に示した画素ＰＸの走査線Ｇ１と交差するＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。絶縁膜１３は、走査線Ｇ１及び絶縁膜１２の上に位置し、走査線Ｇ１及び絶縁膜１２に接している。絶縁膜１３は、走査線Ｇ１と重畳する領域１３３と、走査線Ｇ１及び信号線Ｓ１を介さずに絶縁膜１２と重畳する領域１３２との間に段差を有している。
【００２６】
金属膜Ｍは、絶縁膜１３の領域１３２及び１３３のいずれとも接している。金属膜Ｍは、走査線Ｇ１と重畳する領域Ｍ３と、走査線Ｇ１及び信号線Ｓ１と重畳しない領域Ｍ２との間に段差を有している。領域Ｍ３は領域１３３に接している。画素電極ＰＥは、走査線Ｇ１と重畳する領域ＰＥ３と、走査線Ｇ１及び信号線Ｓ１と重畳しない領域ＰＥ２との間に段差を有している。領域ＰＥ３は領域１３３及び領域Ｍ３の直上に位置している。画素電極ＰＥにおいて、領域ＰＥ３は第１領域に相当し、領域ＰＥ２は第２領域に相当する。金属膜Ｍにおいて、領域Ｍ３は第３領域に相当し、領域Ｍ２は第４領域に相当する。粘着層４０は、領域ＰＥ３に接する領域で膜厚４３Ｔを有し、領域ＰＥ２に接する領域で膜厚４２Ｔを有する。膜厚４２Ｔは、膜厚４３Ｔより厚い。
【００２７】
図６は、図１に示した表示装置ＤＳＰのＤ−Ｄ’線に沿った非表示部ＮＤＡの部分断面図である。封止材５０は、耐水性のエポキシ樹脂などによって形成される。封止材５０は、主に第２基板ＳＵＢ２及び粘着層４０の周辺に位置している。辺Ｅ１側の端部では、封止材５０は、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、粘着層４０にそれぞれ接している。第１基板ＳＵＢ１において、基材１０、絶縁膜１１乃至１４のぞれぞれの端面は、封止材５０に接している。第２基板ＳＵＢ２において、基材２０、共通電極ＣＥ、及び、電気泳動素子２１の端面は、封止材５０に接している。辺Ｅ２側の端部では、封止材５０は、第２基板ＳＵＢ２、及び、粘着層４０にそれぞれ接している。第１基板ＳＵＢ１においては、封止材５０は、絶縁膜１４の上面１４Ａに接している。
【００２８】
本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、金属膜Ｍと接する無機絶縁膜１３を備えている。無機絶縁膜１３と金属膜Ｍとの密着性は、有機絶縁膜と金属膜Ｍとの密着性より高い。また、無機絶縁膜１３の上面が平坦化されていないため、上面が平坦化された場合と比較して、金属膜Ｍと無機絶縁膜１３との接触面積が増大する。このため、金属膜Ｍに開口部ＯＰを形成した際に、無機絶縁膜１３となす角度θが鋭角である順テーパーの端部ＭＥが形成される。また、金属膜Ｍを覆う容量絶縁膜１４は、金属膜Ｍの側面ＭＳ及び無機絶縁膜１３に密着する。このため、たとえ容量絶縁膜１４の膜厚を薄くしたとしても、膜切れを抑制することができ、画素電極ＰＥと金属膜Ｍとのショートを抑制することができる。また、容量絶縁膜１４の膜厚を薄くすることにより、画素電極ＰＥ及び金属膜Ｍの重畳する面積を変えることなく、画素電極ＰＥ及び金属膜Ｍによって形成される蓄積容量を増大することができる。  
また、無機絶縁膜１３は、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、金属膜Ｍにそれぞれ接している。無機絶縁膜１３は、有機絶縁膜と比較して、吸水性が低く、初期水分量が低く、さらに、水分放出量が少ない。このため、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、金属膜Ｍの腐食を抑制することができる。また、絶縁膜１１乃至１４はいずれも無機絶縁膜であり、互いの密着性を向上することができ、各絶縁膜間の界面での水分経路を遮断することができる。さらに、粘着層４０を介した電気泳動素子２１への水分経路を遮断することができる。  
したがって、信頼性を向上することが可能となる。また、第１基板ＳＵＢ１が有機絶縁膜を備える構成と比較して、表示装置ＤＳＰを薄型化することができる。
【００２９】
また、図４及び図５に示したように、画素電極ＰＥは、信号線Ｓ１と重畳する第１領域ＰＥ１と、走査線Ｇ１と重畳する第１領域ＰＥ３と、走査線及び信号線のいずれとも重畳しない第２領域ＰＥ２とを有し、第１領域ＰＥ１及びＰＥ３と第２領域ＰＥ２との間に段差を有している。このため、画素電極ＰＥが段差を有していない場合と比較して、粘着層４０と画素電極ＰＥとの接触面積が増加するため、画素電極ＰＥと粘着層４０との密着性を向上することができる。したがって、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを強固に貼り合せることが可能となる。
【００３０】
また、図４及び図５に示したように、金属膜Ｍは、信号線Ｓ１と重畳する第３領域Ｍ１と、走査線Ｇ１と重畳する第３領域Ｍ３と、走査線及び信号線のいずれとも重畳しない第４領域Ｍ２とを有し、第３領域Ｍ１及びＭ３と第４領域Ｍ２との間に段差を有している。このため、金属膜Ｍが段差を有していない場合と比較して、外光の正反射が抑制され、光源の映り込みによる表示品位の劣化を抑制することができる。したがって、表示品位を向上することが可能となる。
【００３１】
また、図６に示したように、封止材５０は、電気泳動素子２１及び粘着層４０への水分浸入を抑制するとともに、無機絶縁膜１３と接している。このため、外部からの水分経路を遮断することができ、第１基板ＳＵＢ１に含まれる金属層や電気泳動素子２１の水分による劣化を抑制することができる。また、無機絶縁膜１３を介した水分浸入を抑制できるため、封止材５０のみで水分浸入を抑制する場合と比較して、封止材５０の材料選択に際して、選択肢が広がり、例えば安価な材料等を選択することが可能となる。
【００３２】
次に、本実施形態の変形例について説明する。  
図７は、図２に示した画素ＰＸのＡ−Ａ’線に沿った断面図の変形例である。図７に示した変形例は、図３に示した例と比較して、絶縁膜１３が第１無機絶縁膜１３Ａと、第２無機絶縁膜１３Ｂとを有している点で相違している。第１無機絶縁膜１３Ａは、第２無機絶縁膜１３Ｂとは異なる材料で形成されている。第１無機絶縁膜１３Ａは、信号線Ｓ１、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、絶縁膜１２とそれぞれ接している。第２無機絶縁膜１３Ｂは、第１絶縁膜１３Ａの上に積層され、金属膜Ｍと接し、また、金属膜Ｍの開口部ＯＰにおいて絶縁膜１４と接している。コンタクトホールＣＨ３は、第１無機絶縁膜１３Ａ及び第２無機絶縁膜１３Ｂをドレイン電極ＤＥまで貫通している。図示した例では、コンタクトホールＣＨ３においては、絶縁膜１４は、第１無機絶縁膜１３Ａ及び第２無機絶縁膜１３Ｂの双方に接している。一例では、第１無機絶縁膜１３Ａはシリコン窒化物（ＳｉＮ）によって形成され、第２無機絶縁膜１３Ｂはシリコン酸化物（ＳｉＯ）によって形成されている。また、第１無機絶縁膜１３Ａの膜厚１３ＡＴは、第２無機絶縁膜１３Ｂの膜厚１３ＢＴとは異なる。ここでは、２つの異なる無機絶縁膜で、絶縁膜１３を形成したが、さらに多くの無機絶縁膜で絶縁膜１３を形成してもよい。
【００３３】
このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、無機絶縁膜１３を形成するに際して、要求される特性（例えば、成膜のしやすさ、エッチングのしやすさ、水分透過性、各種金属層との密着性等）を考慮して、第１無機絶縁膜１３Ａ及び第２無機絶縁膜１３Ｂを自在に組み合わせることが可能となる。  
例えば、第２無機絶縁膜１３Ｂとしては金属膜Ｍと密着性が高い無機絶縁膜を用い、第１無機絶縁膜１３Ａとしては信号線Ｓ１、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥと密着性が高い無機絶縁膜を用いることができる。これにより、金属膜Ｍ、信号線Ｓ１、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥのいずれとも密着性が高い無機絶縁膜１３を形成することができる。  
また、第２無機絶縁膜１３Ｂとして金属膜Ｍと密着性が高い無機絶縁膜を用い、第１無機絶縁膜１３Ａとして、第２無機絶縁膜１３Ｂよりも短時間で成膜できる無機絶縁膜、あるいは、第２無機絶縁膜１３Ｂよりも短時間でエッチングできる無機絶縁膜を用いることができる。このとき、第１無機絶縁膜１３Ａを第２無機絶縁膜１３Ｂより厚く形成することで、短時間で必要な膜厚を有する無機絶縁膜１３を形成することができる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することができる。
【００３５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３６】
ＤＳＰ…表示装置  ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ４０…粘着層
ＳＷ…スイッチング素子  ＧＥ１及びＧＥ２…ゲート電極  ＳＥ…ソース電極  ＤＥ…ドレイン電極
Ｇ１…走査線  Ｓ１及びＳ２…信号線
Ｍ…金属膜  ＯＰ…開口部  ＭＳ…側面  ＭＥ…端部
１１乃至１４…絶縁膜  ＰＥ…画素電極  ＣＥ…共通電極  ２１…電気泳動素子
５０…封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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