(57)【要約】      （修正有）【課題】短い検査時間と低い検査コストで、電源電圧や環境温度の変動、回路定数のばらつきに依らず高精度な周波数を得るＣＲ発振回路を提供する。【解決手段】ＣＲ発振回路１００は、電源電圧を変圧して電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部１０と、動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部２０と、動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部５０と、環境温度に対してＣＲ発振部２０内の抵抗２４の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な記憶手段６１と、温度検出部５０から取得した検出温度と記憶手段６１に記憶されたデータテーブルから読み出した抵抗値に、抵抗２４の抵抗値を変更する制御部６０と、を備える。抵抗２４は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続しており、制御部６０は、読み出した抵抗値に応じてスイッチを切り替える。【選択図】図１
2019134280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路であって、
前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするＣＲ発振回路。
【請求項２】
コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路であって、
前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値を読み出し、前記コンデンサーの容量値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするＣＲ発振回路。
【請求項３】
コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路であって、
前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、
前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値および抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするＣＲ発振回路。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＣＲ発振回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とするリモコン装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサーの容量値と抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路、該ＣＲ発振回路を備えた半導体集積回路およびリモコン装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＲ発振回路が動作する環境温度が変化すると、回路内部のコンデンサーの容量値および抵抗の抵抗値が変化するため、ＣＲ発振回路の発振周波数は温度特性を持つ。また、発振回路を動作させている電源電圧が変動しても、例えばコンデンサーへの充電電流が影響を受けるので発振周波数が変動する。そこで、従来、例えば特許文献１に記載されているように、電源電圧検出回路と環境温度検出回路を備えるＣＲ発振回路において、異なる電源電圧と異なる環境温度に対応した容量値または抵抗値あるいはその両方をデータテーブルとして作成し、予め回路内の記憶手段に記憶しておき、回路動作中は検出された電源電圧と環境温度からデータテーブルを参照して定められる容量値や抵抗値に変更することで周波数を補正する方法が知られている。この方法により、電源電圧や環境温度が変動した際も変動後の電源電圧や環境温度に対応した容量値や抵抗値に変更されるため高精度な周波数を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５５７３７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のＣＲ発振回路は、製品製造時または出荷時の検査において異なる電源電圧と異なる環境温度に対応する容量値や抵抗値を測定し、データテーブルを作成する必要がある。周波数の変動要素が電源電圧と環境温度の二つあるため、この組み合わせに応じたデータテーブルを作成するために多くのデータを測定する必要があり、検査時間が増えることでコストが上がるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係るＣＲ発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路であって、前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、ＣＲ発振回路内のＣＲ発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した抵抗値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。
【０００８】
［適用例２］本適用例に係るＣＲ発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路であって、前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値を読み出し、前記コンデンサーの容量値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、ＣＲ発振回路内のＣＲ発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した容量値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。
【００１０】
［適用例３］本適用例に係るＣＲ発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するＣＲ発振回路であって、前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するＣＲ発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値および抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、ＣＲ発振回路内のＣＲ発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した容量値と抵抗値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。
【００１２】
［適用例４］本適用例に係る半導体集積回路は、上記適用例に記載のＣＲ発振回路を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、半導体集積回路内のＣＲ発振回路の検査時間が短縮されコストが下がることによって、半導体集積回路全体の検査時間を短縮することができる。また、検査時間の短縮に伴い検査コストが下がることによって、半導体集積回路の製品コストを下げることができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例に係るリモコン装置は、上記適用例に記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、検査コストの削減により価格の下がった半導体集積回路を使用することが可能となり、リモコン装置の製品コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態１に係るＣＲ発振回路の構成図
【図２】定電圧供給部の構成図
【図３】コンデンサー電圧Ｖｃの波形図
【図４】抵抗値の選択に用いるデータテーブル
【図５】実施形態２に係るＣＲ発振回路の構成図
【図６】容量値の選択に用いるデータテーブル
【図７】実施形態３に係るＣＲ発振回路の構成図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１８】
（実施形態１）
図１は実施形態１に係るＣＲ発振回路１００の構成図である。まず、実施形態１に係るＣＲ発振回路１００の概略構成について説明する。
【００１９】
ＣＲ発振回路１００は定電圧供給部１０、ＣＲ発振部２０、温度検出部５０、制御部６０から構成されている。
【００２０】
定電圧供給部１０は電源線１、２に電源電圧Ｖｃｃの供給を受けて動作する。電源線１が電源電圧Ｖｃｃ、電源線２がＧＮＤである。電源線１と２の間にはＭＯＳトランジスター４、抵抗５、抵抗６が直列に接続されている。オペアンプ３の反転入力端子には電源電圧Ｖｃｃに依存しない基準電圧Ｖｒｅｆ１が印加されており、非反転入力端子は抵抗５と抵抗６の間のノードＮａと接続されている。また、オペアンプ３の出力はＭＯＳトランジスター４のゲート端子と接続されている。この構成により抵抗５、６の抵抗比に応じた一定の電圧を出力することができる。
【００２１】
ＣＲ発振部２０は、定電圧供給部１０のＭＯＳトランジスター４のドレイン端子と抵抗５の間のノードＮｂに出力される一定の動作電圧Ｖ１を電源線２との間に受けて動作する。ノードＮｂと電源線２の間には、ＭＯＳトランジスター２２、２３と抵抗２４が直列に接続されている。抵抗２４は抵抗素子２５ａとスイッチ２６ａとの並列回路、抵抗素子２５ｂとスイッチ２６ｂとの並列回路、抵抗素子２５ｃとスイッチ２６ｃとの並列回路、および抵抗素子２５ｄを直列接続して構成されている。ここで、抵抗素子２５ａ、２５ｂ、２５ｃの抵抗値は、２のべき乗に従ってｒ、２ｒ、４ｒに設定されている。並列にスイッチを持たない抵抗素子２５ｄは抵抗２４に必ず残るため、抵抗素子２５ｄの抵抗値は発振周波数の上限値を決定する。スイッチ２６ａ〜２６ｃのオンオフ状態により８通りの異なる抵抗値が生成される。
【００２２】
オペアンプ２１は、上記ＭＯＳトランジスター２２および抵抗２４とともに定電流回路を構成している。非反転入力端子には電源電圧Ｖｃｃに依存しない基準電圧Ｖｒｅｆ２が入力され、反転入力端子はＭＯＳトランジスター２２のソース（ノードＮｃ）に接続されている。オペアンプ２１の作用により抵抗２４には基準電圧Ｖｒ２（≒Ｖｒｅｆ２）が印加される。このためスイッチ２６ａ〜２６ｃを切り替えて抵抗２４の抵抗値Ｒを変更するとＭＯＳトランジスター２２に流れる電流は抵抗値Ｒに反比例して変化する。
【００２３】
ノードＮｂと電源線２の間には、充電用のＭＯＳトランジスター２６とスイッチ２７とコンデンサー２８が直列に接続されている。ＭＯＳトランジスター２３と２６のゲートとソースはそれぞれ共通に接続されていてカレントミラー回路を構成している。ＭＯＳトランジスター２６には、ＭＯＳトランジスター２３と２６のサイズＷ／Ｌの比に応じてＭＯＳトランジスター２３（ＭＯＳトランジスター２２）に流れる電流に比例した電流が流れる。コンデンサー２８には放電用のＭＯＳトランジスター２９が並列に接続されている。
【００２４】
コンパレーター３０は、コンデンサー２８の電圧ＶｃとノードＮｃの電圧Ｖｒ２とを比較して発振信号である出力電圧ＶＯＵＴ２を出力する。この出力電圧ＶＯＵＴ２はＭＯＳトランジスター２９のゲートに与えられるとともに、インバーター３１を介してスイッチ２７のオンオフを制御する。スイッチ２７は、放電用のＭＯＳトランジスター２９がオンしている期間、インバーター３１からＬレベルの信号により充電用のＭＯＳトランジスター２６からの電流を遮断するために設けられている。
【００２５】
温度検出部５０は、定電圧供給部１０からノードＮｂに出力される一定の動作電圧Ｖ１を電源線２との間に受けて動作する。温度検出部５０は、ノードＮｂと電源線２の間に直列に接続された抵抗５１、ダイオード５２ａ、５２ｂ、５２ｃから構成されており、環境温度によって変化するダイオード５２ａ〜５２ｃの順方向電圧Ｖａを出力する。
【００２６】
制御部６０は、ＣＲ発振部２０から入力される発振信号（出力電圧ＶＯＵＴ２）を波形形成し、それをクロック信号として動作する。制御部６０は不揮発性のメモリー６１（記憶手段）とＡ／Ｄ変換回路６２を備えている。
【００２７】
次に、図２を参照して定電圧供給部１０の動作について説明する。オペアンプ３の作用によりノードＮａの電圧Ｖｒ１は基準電圧Ｖｒｅｆ１と等しくなる。また電圧Ｖｒ１はＭＯＳトランジスター４のドレイン端子と抵抗５の間のノードＮｂの電圧Ｖ１を抵抗５と抵抗６で分圧した電圧となる。したがって、抵抗５と抵抗６の抵抗値をそれぞれｒ１、ｒ２とするとその関係性は（１）式で表される。また、（１）式よりＶ１は（２）式と表すことができる。
Ｖｒ１＝Ｖ１・{ｒ２／（ｒ１＋ｒ２）}  ・・・（１）
Ｖ１＝{（ｒ１＋ｒ２）／ｒ２}・Ｖｒ１  ・・・（２）
（２）式のＶｒ１は基準電圧Ｖｒｅｆ１と等しくなり一定電圧であるため、Ｖ１は抵抗５と抵抗６の抵抗値によって定められる。例えば、抵抗６の抵抗値は固定しておき、抵抗５の抵抗値を変更できるような構成をとることで、Ｖ１の電圧値は抵抗５の抵抗値の可変範囲内で任意の値へと調整することが可能となる。また、抵抗５の抵抗値は固定しておき、抵抗６の抵抗値を変更できる構成や、抵抗５と抵抗６の両方の抵抗値を変更できる構成を取ってもよい。（２）式で表せるＶ１には電源電圧Ｖｃｃの項がないため、電源電圧Ｖｃｃに依存することなく、一定の電圧値を出力することができる。すなわち、定電圧供給部１０は、電源電圧Ｖｃｃを変圧して電源電圧Ｖｃｃに依らず一定の動作電圧Ｖ１を供給する。
【００２８】
続いて、図３を参照しながらＣＲ発振部２０の発振動作を説明する。図３はコンデンサー２８の電圧Ｖｃの波形を示している。例えばＭＯＳトランジスター２３と２６に流れる電流が等しい場合、コンデンサー２８は（３）式の定電流で充電される。
Ｉｃ＝Ｖｒ２／Ｒ  ・・・（３）
コンデンサー２８の容量値をＣとすると、充電期間中、コンデンサー２８の電圧Ｖｃは定数１／Ｃに応じた一定の傾きで増大する。やがて、電圧Ｖｃが電圧Ｖｒ２に達すると、コンパレーター３０の出力電圧ＶＯＵＴ２がＨレベルに変化し、スイッチ２７がオフ、ＭＯＳトランジスター２９がオンする。これにより、コンデンサー２８の電圧Ｖｃは０Ｖまで低下する。この電圧低下により、コンパレーター３０の出力電圧ＶＯＵＴ２が再びＬレベルに変化し、ＭＯＳトランジスター２９がオフ、スイッチ２７がオンする。その結果、周期Ｔで幅狭のＨパルスを持つ発振信号が得られる。
【００２９】
続いて、図４を参照しながら図１のＣＲ発振回路１００の周波数補正方法について説明する。ＣＲ発振回路１００が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Ｖｃｃを供給する。また、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２については、ＣＲ発振回路１００の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、ＣＲ発振回路１００の出力電圧ＶＯＵＴ２をモニターするとともに、制御部６０に対してスイッチ２６ａ〜２６ｃのオンオフを指令することができる。
【００３０】
検査装置はＣＲ発振回路１００の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部６０を介してスイッチ２６ａ〜２６ｃを切り替える。
【００３１】
このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合には抵抗２４の抵抗値を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合には抵抗２４の抵抗値を低下させるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該抵抗値を対応付ける。温度は制御部６０による電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値である。
【００３２】
図４は、このようにして作成した補正用のデータテーブルである。図中のＲ１〜Ｒ８は、組み合わせに係る上記８通りの抵抗値の何れかである。抵抗値に替えてスイッチ２６ａ〜２６ｃのオンオフ情報を例えば３ビットデータとして対応づけてもよい。この温度（電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値）に対して抵抗値（またはスイッチ２６ａ〜２６ｃのオンオフ状態）を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー６１に書き込まれる。
【００３３】
半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部６０は、所定の制御周期ごとに温度検出部５０から電圧Ｖａが入力されＡ／Ｄ変換する。上述したように、電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー６１に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Ｖａに対応した抵抗２４の抵抗値を読み出し、抵抗２４の抵抗値Ｒが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ２６ａ〜２６ｃを切り替える。
【００３４】
この制御により、ＣＲ発振回路１００の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればＣＲ発振部２０と温度検出部５０は定電圧供給部１０によって生成される電源電圧Ｖｃｃに依らない一定の動作電圧Ｖ１を受けて動作している。従来は電源電圧Ｖｃｃの変動によって出力周波数が変化していたが、ＣＲ発振部２０の動作電圧Ｖ１が電源電圧Ｖｃｃに依らず一定となったことで、電源電圧Ｖｃｃの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部５０についても、動作電圧Ｖ１は電源電圧Ｖｃｃに依らず一定のため、電源電圧Ｖｃｃの変動による検出温度に相当する電圧Ｖａの変化は起きない。さらに、ＣＲ発振回路１００内には基準電圧としてＶｒｅｆ１とＶｒｅｆ２が入力されるが、これらも電源電圧Ｖｃｃには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Ｖｃｃの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Ｖｃｃに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。
【００３５】
以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてＣＲ発振回路１００を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対する抵抗２４の抵抗値をテーブル化している。また、ＣＲ発振回路１００の発振周波数や供給される基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２、環境温度に対する抵抗２４の抵抗値のテーブル化に関して、電源電圧Ｖｃｃが変動しても影響を与えない。したがって、ＣＲ発振回路１００の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Ｖｃｃが変動しても、コンデンサー２８、抵抗２４その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。この場合、従来は必要であった電源電圧Ｖｃｃの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Ｖｃｃに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。
【００３６】
抵抗２４はスイッチ２６ａ〜２６ｃに対しそれぞれ並列接続された抵抗素子２５ａ〜２５ｃを直列に備え、抵抗素子２５ａ〜２５ｃは２のべき乗により重み付けされた抵抗値ｒ、２ｒ、４ｒを有している。これにより、抵抗値ｒごとの８通りの抵抗値を少ない抵抗素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
【００３７】
（実施形態２）
図５は実施形態２に係るＣＲ発振回路２００の構成図である。本実施形態に係るＣＲ発振回路２００について図５を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。図５に示すＣＲ発振回路２００は、実施形態１における、コンデンサー２８の代わりにコンデンサー４０を、抵抗２４の代わりに抵抗４３をそれぞれ備えている。ＣＲ発振回路２００はコンデンサー４０の容量値を変更可能に構成することで周波数誤差を補正する。なお、抵抗４３は一定の抵抗値を有している。
【００３８】
コンデンサー４０はコンデンサー素子４１ａとスイッチ４２ａとの直列回路、コンデンサー素子４１ｂとスイッチ４２ｂとの直列回路、コンデンサー素子４１ｃとスイッチ４２ｃとの直列回路を並列に接続して構成されている。ここで、コンデンサー素子４１ａ、４１ｂ、４１ｃの容量値は２のべき乗に従ってそれぞれｃ、２ｃ、４ｃに設定されている。直列にスイッチを持たないコンデンサー素子４１ｄはコンデンサー４０の構成に必ず残るため、コンデンサー素子４１ｄの容量値は発振周波数の上限値を決定する。コンデンサー４０の容量値は、スイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフの状態により８通りの異なる容量値に決まる。
【００３９】
続いて、図６を参照しながら図５のＣＲ発振回路２００の周波数補正方法について説明する。ＣＲ発振回路２００が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Ｖｃｃを供給する。また、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２については、ＣＲ発振回路２００の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、ＣＲ発振回路２００の出力電圧ＶＯＵＴ２をモニターするとともに、制御部６０に対してスイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフを指令することができる。
【００４０】
検査装置はＣＲ発振回路２００の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部６０を介してスイッチ４２ａ〜４２ｃを切り替える。
【００４１】
このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合にはコンデンサー４０の容量値を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合にはコンデンサー４０の容量値を低下させるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該容量値を対応付ける。温度は制御部６０による電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値である。
【００４２】
図６は、このようにして作成した補正用のデータテーブルである。図中のＣ１〜Ｃ８は、組み合わせに係る上記８通りの容量値の何れかである。容量値に替えてスイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフ情報を例えば３ビットデータとして対応づけてもよい。この温度（電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値）に対して容量値（またはスイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフ状態）を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー６１に書き込まれる。
【００４３】
半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部６０は、所定の制御周期ごとに温度検出部５０から電圧Ｖａが入力されＡ／Ｄ変換する。上述したように、電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー６１に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Ｖａに対応したコンデンサー４０の容量値を読み出し、コンデンサー４０の容量値Ｃが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ４２ａ〜４２ｃを切り替える。
【００４４】
この制御により、ＣＲ発振回路２００の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればＣＲ発振部２０と温度検出部５０は定電圧供給部１０によって生成される電源電圧Ｖｃｃに依らない一定の動作電圧Ｖ１を受けて動作している。従来は電源電圧Ｖｃｃの変動によって出力周波数が変化していたが、ＣＲ発振部２０の動作電圧Ｖ１が電源電圧Ｖｃｃに依らず一定となったことで、電源電圧Ｖｃｃの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部５０についても、動作電圧Ｖ１は電源電圧Ｖｃｃに依らず一定のため、電源電圧Ｖｃｃの変動による検出温度に相当する電圧Ｖａの変化は起きない。さらに、ＣＲ発振回路２００内には基準電圧としてＶｒｅｆ１とＶｒｅｆ２が入力されるが、これらも電源電圧Ｖｃｃには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Ｖｃｃの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Ｖｃｃに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。
【００４５】
以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてＣＲ発振回路２００を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対するコンデンサー４０の容量値をテーブル化している。また、ＣＲ発振回路２００の発振周波数や供給される基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２、環境温度に対するコンデンサー４０の容量値のテーブル化に関して、電源電圧Ｖｃｃが変動しても影響を与えない。したがって、ＣＲ発振回路２００の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Ｖｃｃが変動しても、コンデンサー４０、抵抗４３その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。この場合、従来は必要であった電源電圧Ｖｃｃの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Ｖｃｃに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。
【００４６】
コンデンサー４０はスイッチ４２ａ〜４２ｃに対しそれぞれ直列接続されたコンデンサー素子４１ａ〜４１ｃを並列に備え、コンデンサー素子４１ａ〜４１ｃは２のべき乗により重み付けされた容量値ｃ、２ｃ、４ｃを有している。これにより、容量値ｃごとの８通りの容量値を少ないコンデンサー素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
【００４７】
（実施形態３）
図７は実施形態３に係るＣＲ発振回路３００の構成図である。このＣＲ発振回路３００は実施形態１に係るＣＲ発振回路１００が備える抵抗２４と、実施形態２に係るＣＲ発振回路２００が備えるコンデンサー４０とを組み合わせた構成を有している。
【００４８】
続いて、図７のＣＲ発振回路３００の周波数補正方法について説明する。ＣＲ発振回路３００が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Ｖｃｃを供給する。また、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２については、ＣＲ発振回路３００の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、ＣＲ発振回路３００の出力電圧ＶＯＵＴ２をモニターするとともに、制御部６０に対してスイッチ２６ａ〜２６ｃとスイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフを指令することができる。
【００４９】
検査装置はＣＲ発振回路３００の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部６０を介してスイッチ２６ａ〜２６ｃとスイッチ４２ａ〜４２ｃを切り替える。
【００５０】
このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合には、抵抗２４の抵抗値を高める、または、コンデンサー４０の容量値を高める、あるいは抵抗２４の抵抗値とコンデンサー４０の容量値の両方を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合には、抵抗２４の抵抗値を低下させる、または、コンデンサー４０の容量値を低下させる、あるいは、抵抗２４の抵抗値とコンデンサー４０の容量値の両方を下げるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該抵抗値と容量値を対応付ける。温度は制御部６０による電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値である。
【００５１】
このようにして補正用のデータテーブルを作成する。抵抗値と容量値に替えてスイッチ２６ａ〜２６ｃとスイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフ情報を例えば６ビットデータとして対応づけてもよい。この温度（電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値）に対して抵抗値（またはスイッチ２６ａ〜２６ｃのオンオフ状態）と容量値（またはスイッチ４２ａ〜４２ｃのオンオフ状態）を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー６１に書き込まれる。
【００５２】
半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部６０は、所定の制御周期ごとに温度検出部５０から電圧Ｖａが入力されＡ／Ｄ変換する。上述したように、電圧ＶａのＡ／Ｄ変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー６１に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Ｖａに対応した抵抗２４の抵抗値とコンデンサー４０の容量値を読み出し、抵抗２４の抵抗値Ｒとコンデンサー４０の容量値Ｃが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ２６ａ〜２６ｃとスイッチ４２ａ〜４２ｃを切り替える。
【００５３】
この制御により、ＣＲ発振回路３００の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればＣＲ発振部２０と温度検出部５０は定電圧供給部１０によって生成される電源電圧Ｖｃｃに依らない一定の動作電圧Ｖ１を受けて動作している。従来は電源電圧Ｖｃｃの変動によって出力周波数が変化していたが、ＣＲ発振部２０の動作電圧Ｖ１が電源電圧Ｖｃｃに依らず一定となったことで、電源電圧Ｖｃｃの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部５０についても、動作電圧Ｖ１は電源電圧Ｖｃｃに依らず一定のため、電源電圧Ｖｃｃの変動による検出温度に相当する電圧Ｖａの変化は起きない。さらに、ＣＲ発振回路３００内には基準電圧としてＶｒｅｆ１とＶｒｅｆ２が入力されるが、これらも電源電圧Ｖｃｃには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Ｖｃｃの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Ｖｃｃに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。
【００５４】
以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてＣＲ発振回路３００を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対する抵抗２４の抵抗値とコンデンサー４０の容量値をテーブル化している。また、ＣＲ発振回路３００の発振周波数や供給される基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２、環境温度に対する抵抗２４の抵抗値とコンデンサー４０の容量値のテーブル化に関して、電源電圧Ｖｃｃが変動しても影響を与えない。したがって、ＣＲ発振回路３００の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Ｖｃｃが変動しても、抵抗２４、コンデンサー４０、その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。また、本実施形態では、抵抗２４とコンデンサー４０の両方を制御するため、上記各実施形態に比べ補正の自由度が増し、発振周波数を目標周波数に一層高精度に一致させることができる。本実施形態によれば、従来は必要であった電源電圧Ｖｃｃの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Ｖｃｃに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。
【００５５】
抵抗２４はスイッチ２６ａ〜２６ｃに対しそれぞれ並列接続された抵抗素子２５ａ〜２５ｃを直列に備え、抵抗素子２５ａ〜２５ｃは２のべき乗により重み付けされた抵抗値ｒ、２ｒ、４ｒを有している。これにより、抵抗値ｒごとの８通りの抵抗値を少ない抵抗素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
【００５６】
コンデンサー４０はスイッチ４２ａ〜４２ｃに対しそれぞれ直列接続されたコンデンサー素子４１ａ〜４１ｃを並列に備え、コンデンサー素子４１ａ〜４１ｃは２のべき乗により重み付けされた容量値ｃ、２ｃ、４ｃを有している。これにより、容量値ｃごとの８通りの容量値を少ないコンデンサー素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
【００５７】
（実施形態４）
実施形態４に係る半導体集積回路は、上記実施形態に記載したＣＲ発振回路を備えている。半導体集積回路内のＣＲ発振回路が出力する信号は、例えば、その他の回路で使用する動作クロックの源振信号として使用される。また、ＣＲ発振回路内の定電圧供給部と制御部はそれぞれ、半導体集積回路内の他の回路における動作電圧の生成や回路内の制御も行う構成にしてもよい。本実施形態によると、半導体集積回路内のＣＲ発振回路部の検査時間が短縮され、結果的に半導体集積回路全体の検査時間を短縮することができる。また、検査時間の短縮に伴い、半導体集積回路の製品コストを下げることができる。
【００５８】
（実施形態５）
実施形態５に係るリモコン装置は、実施形態４に記載の半導体集積回路を備えている。このリモコン装置は、例えば、エアコン装置を操作するためのものであり、リモコン装置内部の半導体集積回路は、リモコン装置の操作に伴う制御を行う。本実施形態によれば、製品コストが下がった半導体集積回路をリモコン装置に使用するため、リモコン装置の製品コストを下げることができる。
【００５９】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００６０】
（変形例１）
本変形例は、実施形態１〜３に記載した周波数補正方法の変形例である。実際の使用状態において、制御部６０は、抵抗値または容量値あるいはその両方の１制御周期における変動値が、所定の範囲内になるように、温度検出部５０から取得した検出温度に相当する電圧Ｖａの１制御周期における変動可能な電圧幅を制限として設けてもよい。図４に示す場合には、例えば検出温度に相当する電圧Ｖａに対し１制御周期に変動可能な電圧幅を±０．０２Ｖと制限する。その上で、メモリー６１から、当該制限を加えた後の電圧Ｖａに対応した抵抗２４の抵抗値を読み出す。前回の制御周期で読み出した抵抗値がＲ４であった場合、今回の制御周期で読み出し可能な抵抗値はＲ３、Ｒ５である。
【００６１】
このように構成すれば、温度検出部５０から取得した電圧Ｖａの急激な変化が制限され制御周期単位で徐々に発振周波数補正を行うことができるので、発振周波数の急激な変化を防止できる。また、ノイズの侵入などにより、電圧Ｖａが制御周期の間に通常生じ得る最大変化量を超えて変化した場合、その変化が制限されるので、発振周波数が目標周波数から大きく外れることを防止できる。
【００６２】
（変形例２）
本変形例は、実施形態１〜３に記載した周波数補正方法の変形例である。予め検査工程において、相異なる複数の目標周波数（ＸＭＨｚ、ＹＭＨｚ、ＺＭＨｚ、・・・）に対してそれぞれデータテーブルを作成してメモリー６１に記憶し、実際の使用状態では、必要とする目標周波数に応じて読み出しに用いるデータテーブルを切り替えてもよい。これにより、１つのＣＲ発振回路を複数の周波数で発振させることができる。
【００６３】
（変形例３）
本変形例は、実施形態１〜３に記載した周波数補正方法の変形例である。検査工程等において、発振信号をクロック信号などとして利用する装置の複数の相異なる動作モードで用いる各目標発振周波数に対してそれぞれデータテーブルを作成して記憶し、実際の使用状態では各動作モードに応じて読み出しに用いるデータテーブルを切り替えてもよい。ここでの動作モードとは、例えば省電力動作モード（例えばローパワーモード、スリープモード、スタンバイモード）、通常電力動作モード（例えばノーマルモード）、起動動作モード（ウェイクアップモード）などである。これにより、１つのＣＲ発振回路を各動作モードに適した種々の周波数で発振させることができる。
【００６４】
（変形例４）
実施形態１、３では、抵抗２４の抵抗値は８通りの抵抗値に切り替え可能であるが、抵抗素子とスイッチの並列回路の直列接続数ｎを増やせばより多くの２ｎ通りの抵抗値を設定可能となる。同様に、実施形態２、３では、コンデンサー４０の容量値は８通りの容量値に切り替え可能であるが、コンデンサー素子とスイッチの直列回路の並列接続数ｎを増やせばより多くの２ｎ通りの容量値を設定可能となる。このように設定可能な値を増やすことにより、発振周波数を補正する際の精度（周波数分解能）を高めることができる。
【００６５】
（変形例５）
発振周波数を決定づけるコンデンサー、抵抗として、ＭＯＳトランジスターのゲート容量、オン抵抗を使用してもよい。この場合、制御部６０はメモリー６１に記憶されたデータテーブルから読み出した容量値、抵抗値に基づいてＭＯＳトランジスターのゲート・ソース間電圧を制御すればよい。
【符号の説明】
【００６６】
１、２…電源線、３…オペアンプ、４…ＭＯＳトランジスター、５、６…抵抗、１０…定電圧供給部、２０…ＣＲ発振部、２１…オペアンプ、２２、２３…ＭＯＳトランジスター、２４…抵抗、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ…抵抗素子、２６…ＭＯＳトランジスター、２６ａ，２６ｂ，２６ｃ…スイッチ、２７…スイッチ、２８…コンデンサー、２９…ＭＯＳトランジスター、３０…コンパレーター、３１…インバーター、４０…コンデンサー、４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ…コンデンサー素子、４２ａ，４２ｂ，４２ｃ…スイッチ、４３…抵抗、５０…温度検出部、５１…抵抗、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ…ダイオード、６０…制御部、６１…メモリー（記憶手段）、６２…Ａ／Ｄ変換回路、１００，２００，３００…ＣＲ発振回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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