(57)【要約】      （修正有）【課題】接続端子が設けられた半導体ウェハ若しくは素子等の凹凸を有する電子部品の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から容易に剥離が可能な仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート、仮固定用樹脂フィルムを用いる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】熱可塑性樹脂を含む第一の層４１と、第一の層上に設けられた、熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層４２とを備える仮固定用樹脂フィルムを用意する第１ステップと、半導体ウェハ若しくは素子の接続端子が設けられている面にを第一の層側から貼り合わせる第２ステップとを備える。第１ステップで用意する仮固定用樹脂フィルムにおける第一の層の厚さが、接続端子の高さＴよりも小さく、かつ、第２ステップで半導体ウェハ若しくは素子と貼り合わせた仮固定用樹脂フィルムにおいて、第二の層と接続端子との間に第一の層が介在する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に接続端子が設けられている半導体ウェハ若しくは素子を加工して半導体装置を製造する方法であって、
熱可塑性樹脂を含む第一の層と、該第一の層上に設けられた、熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層とを備える仮固定用樹脂フィルムを用意する第１ステップと、
前記半導体ウェハ若しくは素子の前記接続端子が設けられている面に前記仮固定用樹脂フィルムを前記第一の層側から貼り合わせる第２ステップとを備え、
第１ステップで用意する前記仮固定用樹脂フィルムにおける前記第一の層の厚さＸが、前記接続端子の高さＴよりも小さく、かつ、第２ステップで前記半導体ウェハ若しくは素子と貼り合わせた前記仮固定用樹脂フィルムにおいて、前記第二の層と前記接続端子との間に前記第一の層が介在する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記厚さＸが、０．３Ｔ以上である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第２ステップで前記半導体ウェハ若しくは素子と貼り合わせた前記仮固定用樹脂フィルムにおいて、前記半導体ウェハ若しくは素子の前記接続端子が設けられている主面と、前記第二の層との最短距離が０．１Ｔ以上１．０Ｔ未満である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第一の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が０．０１〜１０００ＭＰａであり、
前記第二の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が１〜１００００ＭＰａである、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
熱可塑性樹脂を含む第一の層と、該第一の層上に設けられた、熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層と、を備え、
一方の主面に接続端子が設けられている半導体ウェハ若しくは素子を仮固定するための、仮固定用樹脂フィルム。
【請求項６】
前記第一の層の厚さＸが、前記接続端子の高さＴよりも小さい、請求項５に記載の仮固定用樹脂フィルム。
【請求項７】
前記厚さＸが、０．３Ｔ以上である、請求項６に記載の仮固定用樹脂フィルム。
【請求項８】
前記第一の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が０．０１〜１０００ＭＰａであり、
前記第二の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が１〜１００００ＭＰａである、
請求項５〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂フィルム。
【請求項９】
離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた請求項５〜８のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂フィルムと、を備える、仮固定用樹脂フィルムシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層し、高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。半導体素子の実装には、実装工程において有利なフィルム状接着剤がダイボンディング用の接着剤として広く用いられている。しかし、このように多機能化の傾向があるにも関わらず、現行のワイヤボンドを使用した半導体素子の接続方式では、データの処理速度に限界があることから、電子機器の動作が遅くなる傾向にある。また、消費電力を低く抑え、充電せずにより長時間使用したいとのニーズが高まっていることから、省電力化も求められつつある。このような観点から、近年、更なる高速化及び省電力化を目的として、ワイヤボンドではなく貫通電極により半導体素子同士を接続する新しい構造の電子機器装置も開発されてきている。
【０００３】
このように新しい構造の電子機器装置が開発されてきているものの、依然として高容量化も求められており、パッケージ構造に関わらず、半導体素子をより多段に積層できる技術の開発が進められている。しかし、限られたスペースにより多くの半導体素子を積層するためには、半導体素子の安定した薄型化が必要不可欠である。
【０００４】
半導体ウェハを薄型化する研削工程では、いわゆるＢＧテープと呼ばれる支持テープを半導体ウェハに貼り付け、サポートした状態で研削することが主流となっている。しかし、薄型化した半導体ウェハは表面に施された回路の影響により反りやすい。そのため、変形しやすいテープ素材であるＢＧテープでは、薄型化した半導体ウェハを充分にサポートできなくなりつつある。
【０００５】
このような背景から、ＢＧテープよりも硬い素材であるシリコンウェハ又はガラスを支持体とする半導体ウェハの薄型化プロセスが提案されており、半導体ウェハとシリコンウェハ又はガラスの支持体とを粘着させる材料（粘着剤）が提案されてきている。このような粘着剤では、研削後の半導体ウェハを損傷させることなく、支持体から剥離できることが重要な特性として要求される。そのため、これらの特性を満足するための剥離方法が鋭意検討されている。剥離方法としては、例えば、溶剤による粘着剤の溶解を利用する方法、加熱により粘着性を落とすことで剥離性を向上させる方法、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法等が知られている（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５６５８０４号明細書
【特許文献２】特許第４９３６６６７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、溶剤での粘着剤の溶解には時間がかかるため、生産性が低下しやすい。また、加熱により粘着性を落とす方法では、加熱による半導体素子への影響が懸念されるとともに、耐熱性に劣ることから、貫通電極等を形成するプロセス用途では使用できない。一方、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法では、高価なレーザー設備の導入が必要不可欠であり、このようなプロセスの適用には、かなりの投資が必要不可欠となる。
【０００８】
また、粘着剤は液状のものがほとんどであり、半導体ウェハ等の電子部品又は支持体にスピンコート等で塗布し、加熱、ＵＶ照射等により成膜して使用されている。しかし、このような場合、塗布時の粘着剤の塗布厚のバラツキにより、個々の電子部品で、加工後の電子部品の厚さにバラツキが生じ易く、またスピンコートでは塗布時の回転で飛散した材料を廃棄する必要がある等の課題がある。
【０００９】
さらに、加工する半導体ウェハ等の電子部品は、平滑性が高いものに限らず、回路面にハンダボールを備え、高さが１００μｍを超える接続端子のあるウェハを加工することも増加傾向にある。このような接続端子が設けられた半導体ウェハ等を加工する場合、大きな凹凸（段差）を埋め込み、かつ、凹凸を有する表面から粘着剤を剥離することは比較的難しい。すなわち、凹凸の埋め込み性を重視するあまり仮固定材を低弾性化しすぎると、バックグラインド工程等の外部応力の加わる工程で仮固定材の変形、及び剥離が発生し、工程を通すことができなくなる。一方、仮固定材を高弾性化しすぎると、ハンダボールの接着強度が不充分な場合には、粘着剤の剥離時にハンダボールが欠落する等の懸念が生じる。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、接続端子が設けられた半導体ウェハ若しくは素子等の凹凸を有する電子部品の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から容易に剥離が可能な仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート、並びに、仮固定用樹脂フィルムを用いる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明は、一方の主面に接続端子が設けられている半導体ウェハ若しくは素子を加工して半導体装置を製造する方法であって、熱可塑性樹脂を含む第一の層と、該第一の層上に設けられた、熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層とを備える仮固定用樹脂フィルムを用意する第１ステップと、半導体ウェハ若しくは素子の接続端子が設けられている面に仮固定用樹脂フィルムを第一の層側から貼り合わせる第２ステップとを備え、第１ステップで用意する仮固定用樹脂フィルムにおける第一の層の厚さＸが、接続端子の高さＴよりも小さく、かつ、第２ステップで半導体ウェハ若しくは素子と貼り合わせた仮固定用樹脂フィルムにおいて、第二の層と接続端子との間に第一の層が介在する、半導体装置の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明の方法によれば、接続端子が設けられている半導体ウェハ若しくは素子に、上記特定の構成を有する仮固定用樹脂フィルムを上記特定の構造となるように貼り合わせて仮固定することにより、半導体ウェハ若しくは素子の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の半導体ウェハ若しくは素子及び支持体から仮固定材を容易に剥離することが可能となる。このような効果が得られる理由としては以下のことが考えられる。第一の層及び第二の層を有する樹脂フィルムを用いて第一の層によって接続端子を充分に埋め込みつつ、第二の層と接続端子との間に第一の層を介在させる、すなわち接続端子と第二の層とを接触させないことにより、第一の層を剥離特性に優れる組成とすることで加工後の半導体ウェハ若しくは素子及び支持体から仮固定材を容易に剥離することができる。また、接続端子の高さＴよりも厚さが小さい第一の層と硬化性成分を含み高弾性化が可能な第二の層とを上記のように半導体ウェハ若しくは素子に貼り合わせることで、加工時に必要な物性（例えば、ずり粘度）を発現できる第二の層が接続端子間に食い込んだ構造を設けることができ、半導体ウェハ若しくは素子と支持体とを充分に固定できるとともに、バックグラインド工程等の外部応力の加わる工程での仮固定材の変形及び剥離を充分抑制することができる。さらに、第一の層及び第二の層がともに熱可塑性樹脂を含有し、かつ両層の界面が接続端子の凹凸に対応して波状に成形されることにより、アンカー効果が増加して界面剥離等の発生が充分抑制され、剥離時に仮固定材の破断残りの発生を充分に防止することもできる。
【００１３】
段差埋め込み性及び剥離特性をさらに向上させる観点から、上記厚さＸが、０．３Ｔ以上であることが好ましい。
【００１４】
また、加工をさらに容易にできる観点から、第２ステップで半導体ウェハ若しくは素子と貼り合わせた仮固定用樹脂フィルムにおいて、半導体ウェハ若しくは素子の接続端子が設けられている主面と、第二の層との最短距離が０．１Ｔ以上１．０Ｔ未満であることが好ましい。
【００１５】
さらに、加工特性と剥離特性とを高水準で両立する観点から、上記第一の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が０．０１〜１０００ＭＰａであり、上記第二の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が１〜１００００ＭＰａであることが好ましい。
【００１６】
本発明はまた、熱可塑性樹脂を含む第一の層と、該第一の層上に設けられた、熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層と、を備え、一方の主面に接続端子が設けられている半導体ウェハ若しくは素子を仮固定するための仮固定用樹脂フィルムを提供する。
【００１７】
本発明の仮固定用樹脂フィルムによれば、一方の主面に接続端子が設けられている半導体ウェハ若しくは素子のように仮固定する面に凹凸を有する場合であっても、半導体ウェハ若しくは素子の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の半導体ウェハ若しくは素子及び支持体から容易に剥離することができる。また、本発明の仮固定用樹脂フィルムは、フィルム状であることにより、接続端子の高さに応じて第一の層の層厚を容易に制御することができ、厚さのバラツキによる埋め込み不良及び剥離不良を軽減することができる。また、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムは、ラミネート等の簡便な方法により半導体ウェハ若しくは素子又は支持体上に貼り合わせることができ、作業性にも優れている。
【００１８】
本発明の仮固定用樹脂フィルムにおいて、加工をさらに容易にできる観点から、第一の層の厚さＸを接続端子の高さＴよりも小さくすることが好ましい。
【００１９】
また、段差埋め込み性及び剥離特性をさらに向上させる観点から、厚さＸが０．３Ｔ以上であることが好ましい。
【００２０】
さらに、加工特性と剥離特性とを高水準で両立する観点から、第一の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が０．０１〜１０００ＭＰａであり、第二の層は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が１．０〜１００００ＭＰａであることが好ましい。
【００２１】
本発明はまた、離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた上記本発明に係る仮固定用樹脂フィルムとを備える仮固定用樹脂フィルムシートを提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、接続端子が設けられた半導体ウェハ若しくは素子等の凹凸を有する電子部品の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から容易に剥離が可能な仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート、並びに、仮固定用樹脂フィルムを用いる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【図２】（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートを作製するための第一の樹脂シートの一実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートを作製するための第二の樹脂シートの一実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿った模式断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、電子部品（半導体ウェハ）の加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、（Ｄ）は、加工後、例えば研削後の電子部品を示す上面図である。
【図６】加工された電子部品（半導体ウェハ）を支持体及び仮固定用樹脂フィルムから分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図７】電子機器装置（半導体装置）の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図８】仮固定用樹脂フィルムが電子部品（半導体ウェハ）の凹凸（接続端子）を埋め込んだ際の断面図であり、（Ａ）は本実施形態の条件を満足する状態、（Ｂ）は本実施形態の条件を満足しない状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２５】
［仮固定用樹脂フィルム］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を含む第一の層と、該第一の層上に設けられた、熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層と、を備える。
【００２６】
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、被加工体として、接続端子が設けられた半導体ウェハ若しくは素子等の凹凸を有する電子部品を、支持体に仮固定する仮固定材として用いることができる。支持体に仮固定された被加工体は、所定の加工が施された後、仮固定材と分離され、電子機器装置等の製造に供することができる。
【００２７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、組成の異なる２つの層を有することで、凹凸を有する電子部品と接する層の剥離強度と、支持体と接する層の剥離強度とを調整することができ、仮固定用樹脂フィルムを介して固定されている電子部品及び支持体の双方から容易に剥離することができる。また、フィルム状の粘着剤であるため、膜厚の制御がより容易であり、個々の電子部品間での厚さのバラツキを軽減することができる。また、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、ラミネート等の簡便な方法により電子部品又は支持体上に貼り合わせることができ、作業性にも優れている。
【００２８】
図１（Ａ）は、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【００２９】
図１に示す仮固定用樹脂フィルムシート１は、支持フィルム１０、第一の層２１、第二の層２２、及び支持フィルム１０をこの順に備え、第一の層２１及び第二の層２２からなる仮固定用樹脂フィルム２０を有する。仮固定用樹脂フィルムシート１は、第一の層２１を、凹凸を有する電子部品の凹凸面に貼り合わせて凹凸を埋め込むように用いることができる。
【００３０】
（支持フィルム）
支持フィルム１０としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドが挙げられる。支持フィルム１０は、柔軟性及び強靭性に優れるという観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド又はポリイミドであることが好ましい。また、樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
【００３１】
支持フィルム１０の厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが、３μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、３５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、支持フィルム１０の厚さは、５〜２００μｍであることがより好ましく、７〜１５０μｍであることが更に好ましい。
【００３２】
（第一の層）
第一の層は、第一の熱可塑性樹脂（以下、（ａ１）熱可塑性樹脂という場合もある。）を含むことができる。（ａ１）熱可塑性樹脂としては、少なくともフィルムが電子部品又は支持体にラミネートされる前において熱可塑性を有している樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱可塑性樹脂は、加熱等により架橋構造を形成する樹脂であってもよい。
【００３３】
（ａ１）熱可塑性樹脂としては、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。架橋性官能基を有するポリマーとしては、熱可塑性ポリイミド樹脂、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。熱可塑性樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】
架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、市販品を用いてもよい。
【００３５】
架橋性官能基を有するポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。架橋性官能基は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
（ａ１）熱可塑性樹脂のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する場合もある。）は、−５０℃〜５０℃であることが好ましく、−３０℃〜２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であれば、第一の層のタック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、より充分な流動性を得ることができ、さらには硬化後のシートの弾性率をより低くすることができるため、剥離強度が高くなりすぎることを抑制できる。また、Ｔｇが上記の範囲であれば、第一の層の柔軟性が高くなりすぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できるとともに、低温貼付性を向上させることができ、特には電子部品の凹凸に対して１５０℃以下での埋め込みが更に容易になる。
【００３７】
Ｔｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、例えば（株）リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ２」）を用いて熱可塑性樹脂を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、上記Ｔｇは、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
【００３８】
（ａ１）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されず、好ましくは１０万〜１２０万であり、より好ましくは２０万〜１００万である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であれば、成膜性と流動性とを確保することがより容易となる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３９】
第一の層は、（ａ１）熱可塑性樹脂に加え、必要に応じて、シリコーン化合物（以下、（ａ２）シリコーン化合物という場合もある。）、硬化促進剤（以下、（ａ３）硬化促進剤という場合もある。）及びその他の成分を含んでいてもよい。
【００４０】
（ａ２）シリコーン化合物としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限なく用いることができる。例えば、シリコーン変性樹脂、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
第一の層がシリコーン化合物を含有することで、本実施形態の仮固定用樹脂フィルムを電子部品から剥離する際、溶剤を用いることなく一層容易に剥離することが可能となる。
【００４２】
シリコーン変性樹脂としては、シリコーンで変性された樹脂であれば特に制限なく用いることができるが、シリコーン変性アルキド樹脂が好ましい。第一の層がシリコーン変性アルキド樹脂を含有することで、加工後の優れた剥離性を確保できる。
【００４３】
シリコーン変性アルキド樹脂を得る方法としては、例えば、（ｉ）アルキド樹脂を得る通常の合成反応、即ち多価アコールと、脂肪酸、多塩基酸等とを反応させる際に、オルガノポリシロキサンをアルコール成分として同時に反応させる方法、（ｉｉ）あらかじめ合成された一般のアルキド樹脂に、オルガノポリシロキサンを反応させる方法が挙げられる。
【００４４】
アルキド樹脂の原料として用いられる多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等の二価アルコール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール、ジグリセリン、トリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、マンニット、ソルビット等の四価以上の多価アルコールが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
アルキド樹脂の原料として用いられる多塩基酸としては、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、無水トリメット酸等の芳香族多塩基酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族飽和多塩基酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の脂肪族不飽和多塩基酸、シクロペンタジエン−無水マレイン酸付加物、テルペン−無水マレイン酸付加物、ロジン−無水マレイン酸付加物等のディールズ・アルダー反応による多塩基酸などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
アルキド樹脂は、変性剤又は架橋剤を更に含有していてもよい。
【００４７】
変性剤は、オクチル酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレイン酸、エレオステアリン酸、リシノレイン酸、脱水リシノレイン酸、ヤシ油、アマニ油、キリ油、ヒマシ油、脱水ヒマシ油、大豆油、サフラワー油及びこれらの脂肪酸等を用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４８】
架橋剤としては、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも、アミノ樹脂は、アミノ樹脂により架橋されたアミノアルキド樹脂が得られるため好ましい。架橋剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
シリコーン変性アルキド樹脂は、硬化触媒として酸性触媒と併用することができる。酸性触媒としては特に制限はなく、アルキド樹脂の架橋反応触媒として公知の酸性触媒の中から適宜選択して用いることができる。このような酸性触媒としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機系の酸性触媒が好適である。酸性触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５０】
上述のようなシリコーン変性アルキド樹脂としては、例えば、テスファインＴＡ３１−２０９Ｅ（日立化成ポリマー（株）製、商品名）等の市販品を用いることができる。
【００５１】
変性シリコーンオイルとしては、（ａ１）熱可塑性樹脂と相溶するものであれば、特に限定なく用いることができ、ポリエーテル変性シリコーン、アルキル変性シリコーン、エポキシ変性シリコーンが好ましい。このような変性シリコーンオイルとしては、東レ・ダウコーニング（株）製のＳＨ３７７３Ｍ、Ｌ−７００１、ＳＨ−５５０、ＳＨ−７１０、信越シリコーン（株）製のＸ−２２−１６３、ＫＦ−１０５、Ｘ−２２−１６３Ｂ、Ｘ−２２−１６３Ｃ等が挙げられる。
【００５２】
第一の層における（ａ２）シリコーン化合物の配合量は、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０〜１００質量部が好ましく、１〜８０質量部がより好ましい。（ａ２）シリコーン化合物の配合量が上記範囲内であれば、電子部品加工時の接着性と加工後の剥離性とをより高水準で両立させることが可能となる。
【００５３】
（ａ３）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
第一の層において、（ａ１）熱可塑性樹脂がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有させることが好ましい。
【００５５】
第一の層における（ａ３）硬化促進剤の配合量は、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜２．０質量部が好ましい。（ａ３）硬化促進剤の配合量が（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上であれば、半導体素子の製造工程内の熱履歴において第一の層を充分に硬化させることできるため、電子部品と支持体とをより確実に固定できる。（ａ３）硬化促進剤の配合量が（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して２．０質量部以下であれば、製造工程中の加熱により仮固定用樹脂フィルムの溶融粘度が上昇しにくくなり、フィルムの保存安定性が更に良好になる傾向がある。
【００５６】
その他の成分としては、酸化防止剤、無機フィラー、有機フィラー、シランカップリング剤、硬化性成分等が挙げられる。
【００５７】
酸化防止剤としては、例えば、ラジカル連鎖防止剤のフェノール系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤、過酸化物分解剤のリン系酸化防止剤及びイオウ系酸化防止剤等が挙げられる。酸化防止剤は、仮固定用樹脂フィルムの耐熱性を向上させる目的で添加することができる。酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
第一の層における酸化防止剤の配合量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取り扱い性の観点から、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、１０質量部以下が好ましく、８質量部以下がより好ましく、５質量部以下が更に好ましい。酸化防止剤の含有量の下限は特に制限はなく、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上であることが好ましい。酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることにより、Ｃステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの耐熱性を向上させることができる。
【００５９】
無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。金属フィラーは、フィルムにチキソ性を付与する目的で添加することができる。非金属無機フィラーは、フィルムに低熱膨張性及び低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６０】
無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、フィルムを形成するための樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びにフィルムの密着性及び耐熱性を向上させることが容易となる。
【００６１】
表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ（紫外線）測定、ＩＲ（赤外線）測定、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）測定等で確認することが可能である。
【００６２】
【化１】
2019114599.tif 000003
【００６３】
式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。
【００６４】
好ましいシランカップリング剤は、例えば、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサンが挙げられる。これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６５】
上記カップリング剤の使用量は、耐熱性を向上させる効果と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０５質量部〜２０質量部がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５〜１０質量部が更に好ましい。
【００６６】
第一の層における無機フィラーの配合量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取扱い性の向上、及び低熱膨張性の向上の観点から、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、第一の層の接着性を充分に確保しつつ、所望の機能を付与することができる傾向にある。
【００６７】
有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。
【００６８】
第一の層における有機フィラーの配合量は、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００６９】
また、第一の層は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂等の硬化性成分を含有することができる。
【００７０】
（第二の層）
第二の層は、第二の熱可塑性樹脂（以下、（ｂ１）熱可塑性樹脂という場合もある。）及び硬化性成分（以下、（ｂ２）硬化性成分という場合もある。）を含むことができる。
【００７１】
（ｂ１）熱可塑性樹脂としては、少なくともフィルムが電子部品又は支持体にラミネートされる前において熱可塑性を有している樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱可塑性樹脂は、加熱等により架橋構造を形成する樹脂であってもよい。
【００７２】
本実施形態で用いる（ｂ１）熱可塑性樹脂は、上述した（ａ１）熱可塑性樹脂として挙げたものを用いることができる。第二の層における（ｂ１）熱可塑性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７３】
（ｂ１）熱可塑性樹脂は、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。架橋性官能基を有するポリマーとしては、熱可塑性ポリイミド樹脂、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。
【００７４】
架橋性官能基を有するポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられ。架橋性官能基は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７５】
（ｂ１）熱可塑性樹脂のＴｇは、−５０℃〜５０℃であることが好ましく、−３０℃〜２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であれば、第二の層のタック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、より充分な流動性を得ることができ、更に硬化後の第二の層の弾性率を適度な範囲に調整しやすくなるため、剥離強度が高くなりすぎることをより抑制できる。
【００７６】
（ｂ１）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されず、好ましくは１０万〜１２０万であり、より好ましくは２０万〜１００万である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であれば、成膜性と流動性とを確保することが容易となる。
【００７７】
（ｂ２）硬化性成分としては、特に制限はなく、熱硬化性樹脂が好ましい。
【００７８】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性及び信頼性に優れる第二の層が得られる観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
【００７９】
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００８０】
エポキシ樹脂は、市販品を用いることができる。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲシリーズ（ｊＥＲ８０７、ｊＥＲ８１５、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９、「ｊＥＲ」は登録商標）、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、株式会社ＡＤＥＫＡ製のＥＰ−４０００Ｓ、ＥＰ−４０００Ｌ、ＥＰ−４００３Ｓ、ＥＰ−４０１０Ｓ、及び新日鉄住金化学株式会社製のＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＣＮ７００−３、ＹＤＣＮ７００−７、ＹＤＣＮ７００−１０、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる（「アラルダイト」、「デナコール」は登録商標）。アミン型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲ６０４、新日鉄住金化学株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ダウケミカル社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。変性エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲＹＸ７１０５、ｊＥＲＹＸ７１１０、ｊＥＲＹＸ７４００、株式会社ＡＤＥＫＡ製のＥＰＲ−４０３０、ＥＰＵ−７３Ｂ、ＥＰ−４９−２３等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８１】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
【００８２】
エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に、硬化物性、及び保存安定性に優れるという観点から、エポキシ樹脂硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
【００８３】
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製のフェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製のＨ−１、三井化学株式会社製のミレックスＸＬシリーズ、ミレックスＸＬＣシリーズ、ミレックスＲＮシリーズ、ミレックスＲＳシリーズ、ミレックスＶＲシリーズ、及びエア・ウォーター株式会社製のＨＣ１００シリーズ、ＨＣ２００シリーズ、ＨＣ５００シリーズ、ＨＣ６００シリーズ、ＨＣ９００シリーズ等が挙げられる（「フェノライト」、「ミレックス」は登録商標）。
【００８４】
第二の層における（ｂ２）硬化性成分の配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して５〜５００質量部であり、１０〜３００質量部がより好ましい。硬化性成分の配合量が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂フィルムは充分な低温貼り付け性、耐熱性、硬化性及び剥離性を兼ね備えることができる。配合量が５質量部以上であれば支持体への貼付性及び耐熱性が向上するとともに、バックグラインド時の保持性も向上し、ウェハが割れにくい傾向がある。一方、配合量が５００質量部以下であれば、硬化前の粘度が過度に低くなりにくく、比較的短時間で硬化できると共に、電子部品の支持体への保持性と支持体からの剥離性を両立できる傾向にある。
【００８５】
第二の層は、（ｂ１）熱可塑性樹脂及び（ｂ２）硬化性成分に加え、必要に応じて、シリコーン化合物（以下、（ｂ３）シリコーン化合物という場合もある。）、硬化促進剤（以下、（ｂ４）硬化促進剤という場合もある。）及びその他の成分を含んでいてもよい。
【００８６】
（ｂ３）シリコーン化合物は、上述した（ａ２）シリコーン化合物として挙げたものを用いることができる。第二の層における（ｂ３）シリコーン化合物の配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０〜１００質量部が好ましく、０．１〜８０質量部がより好ましい。（ｂ３）シリコーン化合物の配合量が上記範囲内であれば、電子部品加工時の接着性と加工後の剥離性とを両立させることが可能となる。
【００８７】
（ｂ４）硬化促進剤は、上述した（ａ３）硬化促進剤として挙げたものを用いることができる。第二の層において、（ｂ１）熱可塑性樹脂がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。
【００８８】
第二の層における（ｂ４）硬化促進剤の配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜２．０質量部が好ましい。（ｂ４）硬化促進剤の配合量が（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上であれば、半導体素子の製造工程内の熱履歴において第二の層を充分に硬化させることできるため、電子部品と支持体とをより確実に固定できる。（ｂ４）硬化促進剤の配合量が（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して２．０質量部以下であれば、製造工程中の加熱により仮固定用樹脂フィルムの溶融粘度が上昇しにくくなり、フィルムの保存安定性が更に良好になる傾向がある。
【００８９】
その他の成分としては、酸化防止剤、無機フィラー、有機フィラー、シランカップリング剤等が挙げられる。
【００９０】
酸化防止剤としては、例えば、ラジカル連鎖防止剤のフェノール系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤、過酸化物分解剤のリン系酸化防止剤及びイオウ系酸化防止剤等が挙げられる。酸化防止剤は、仮固定用樹脂フィルムの耐熱性を向上させる目的で添加することができる。酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９１】
第二の層における酸化防止剤の配合量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取り扱い性の観点から、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、１０質量部以下が好ましく、８質量部以下がより好ましく、５質量部以下が更に好ましい。酸化防止剤の含有量の下限は特に制限はなく、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上であることが好ましい。酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることにより、Ｃステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの耐熱性を向上させることができる。
【００９２】
無機フィラーは上述したものを用いることができる。第二の層における無機フィラーの配合量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取扱い性の向上、低熱膨張性の向上の観点から、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、第二の層の接着性を充分に確保しつつ、所望の機能を付与することができる。
【００９３】
有機フィラーは上述したものを用いることができる。第二の層における有機フィラーの配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００９４】
（第一の層及び第二の層の特性）
第一の層２１の厚さＸは、特に限定されず、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸を充分に埋め込むとともに充分な剥離性を確保するという観点から、乾燥後の厚さで、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸の高さ、例えば、接続端子が設けられた半導体ウェハ若しくは素子の接続端子の高さＴよりも小さいことが好ましい。また、第一の層２１の厚さＸは、５〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが５μｍ以上であれば、製膜時の厚さのバラツキが少なくなり、また、厚さが充分であるため製膜フィルム又はフィルムの硬化物の強度が良好になり、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸をより充分に埋め込むことができる。厚さが３５０μｍ以下であれば、第二の層２２と貼り合わせる際につぶれにくくいため、第一の層の厚さのバラツキが生じにくく、また、充分な乾燥により第一の層中の残留溶剤量を低減することが容易となり、第一の層の硬化物を加熱したときの発泡を更に少なくできる。
【００９５】
第二の層２２の厚さＹは、特に限定されず、電子部品と搬送用の支持体とを充分に固定するという観点から、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であれば、塗工時の厚さのバラツキが少なくなり、また、厚さが充分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が良好になり、電子部品と搬送用の支持体とをより充分に固定することができる。厚さが３５０μｍ以下であれば、第一の層２１と貼り合わせる際につぶれにくいため、第二の層の厚さのバラツキが生じにくく、また、充分な乾燥により第二の層中の残留溶剤量を低減することが容易となり、第二の層の硬化物を加熱したときの発泡を更に少なくできる。
【００９６】
本実施形態において、第一の層２１と第二の層２２との厚さの比率は、式（１）の関係を満たすことが好ましい。
（１／１０）Ｘ≦Ｙ≦１０Ｘ・・・（１）
式中、Ｘは第一の層２１の厚さを示し、Ｙは第二の層２２の厚さを示す。
【００９７】
第一の層２１及び第二の層２２の厚さの比率が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂フィルムに半導体素子等の電子部品の表面の凹凸を充分に埋め込むことができ、電子部品と搬送用の支持体とを充分に固定することができる傾向にある。
【００９８】
第一の層２１は、硬化前のずり粘度が１２０℃において１００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、８０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。１２０℃におけるずり粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であれば、例えば、７０〜１５０℃、５〜１５ｍｂａｒの条件下で、０．０２〜０．５ＭＰａの圧力を１〜５分加圧した際に、充分な流動性を得ることができるため、凹凸を有する電子部品（例えば、接続端子を有する半導体ウェハ若しくは素子）の埋め込み性に一層優れ、空隙を生じさせることなく電子部品へ圧着することがより容易となる。１２０℃におけるずり粘度は、１００Ｐａ・ｓ以上であってもよい。
【００９９】
第二の層２２は、フィルムの取扱い性又は支持体への貼り付け性の観点から、硬化前のずり粘度が１２０℃において２００〜３００００Ｐａ・ｓであることが好ましく、４００〜２７０００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。ずり粘度が２００Ｐａ・ｓ以上であればフィルムの取り扱い性がより向上し、３００００Ｐａ・ｓ以下であれば充分な貼付性が得られやすい。
【０１００】
上記ずり粘度は、ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）を用い、仮固定用樹脂フィルムに５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【０１０１】
第一の層２１は、硬化した後の貯蔵弾性率が２５℃において０．０１〜１０００ＭＰａが好ましく、０．１〜５００ＭＰａがより好ましい。２５℃における貯蔵弾性率が０．０１ＭＰａ以上であれば剥離工程時に電子部品に糊残りが発生しにくく、２５℃における貯蔵弾性率が１０００ＭＰａ以下であれば剥離工程時にバンプ等の凹凸を有する電子部品（例えば、接続端子を有する半導体ウェハ若しくは素子）からバンプ等の凹凸を破壊しにくい。
【０１０２】
第二の層２２は、硬化した後の貯蔵弾性率が２５℃において１ＭＰａ以上が好ましく、１０ＭＰａ以上がより好ましい。２５℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であれば、電子部品を薄化する際に電子部品と支持体とを充分に固定することができる傾向にある。硬化した後の貯蔵弾性率は、２５℃において１００００ＭＰａ以下であってもよく、５０００ＭＰａ以下であってもよい。
【０１０３】
第一の層２１の硬化した後の貯蔵弾性率と第二の層２２の硬化した後の貯蔵弾性率との関係は、第一の層２１の硬化した後の貯蔵弾性率よりも第二の層２２の硬化した後の貯蔵弾性率の方が大きいことが好ましい。硬化した後の貯蔵弾性率がこのような関係であれば、剥離工程時に電子部品に糊残りが発生する可能性を更に低減し、電子部品上のバンプ等の凹凸の破壊を一層防止することができ、更に電子部品を薄化する際に電子部品と支持体とをより強固に固定することができる。
【０１０４】
貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（（株）ＵＢＭ社製）を用い、３℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【０１０５】
第一の層２１は、シリコンウェハ等の電子部品に対する３０°剥離強度が２５℃において５００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、４５０Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。３０°剥離強度が５００Ｎ／ｍ以下であれば、更に糊残りなく、第一の層と電子部品とを剥離することができ、剥離時に電子部品が割れる可能性を低減できる傾向にある。３０°剥離強度は、１０Ｎ／ｍ以上であってもよい。
【０１０６】
３０°剥離強度は以下のように測定できる。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製する。このようにして作製した段差付きシリコンミラーウェハの段差が上面となるように真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを、第一の層が段差付きシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置する。これを１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートして測定用サンプルとする。得られた測定用サンプルを硬化させ、１０ｍｍ幅に切り出す。これを、剥離角度が３０°となるように設定した剥離試験機により、３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を３０°剥離強度とする。
【０１０７】
第二の層２２は、支持体、例えばシリコンミラーウェハに対する９０°剥離強度が２５℃において５〜３００Ｎ／ｍであることが好ましく、６〜２５０Ｎ／ｍであることがより好ましい。９０°剥離強度が上記範囲内であれば、更に糊残りなく、第二の層と支持体とを剥離することができる。９０°剥離強度が５Ｎ／ｍ以上であれば研削加工工程で電子部品と支持体とをより強固に固定することができ、３００Ｎ／ｍ以下であれば、支持体から仮固定用樹脂フィルムを剥離する際に第二の層と支持体との間で糊残り無く剥離することができ、支持体上にフィルムが残る可能性を更に低減できる。
【０１０８】
９０°剥離強度は以下のように測定できる。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを第二の層がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置する。これを１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートして測定用サンプルとする。得られた測定用サンプルを硬化させ、１０ｍｍ幅に切り出す。これを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機により、３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とする。
【０１０９】
以上説明したような構成の仮固定用樹脂フィルムを用いると、電子部品の加工を高温において良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から室温であっても容易に剥離が可能となり、電子部品及び支持体への糊残りを防止することができる。
【０１１０】
［仮固定用樹脂フィルムの製造方法］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムシート１は、例えば、図２に示す第一の樹脂シート２と図３に示す第二の樹脂シート３とから製造することができる。
【０１１１】
図２（Ａ）は、第一の樹脂シートの一実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【０１１２】
図２に示す第一の樹脂シート２は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた第一の層２１と、第一の層２１の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
【０１１３】
図３（Ａ）は、第二の樹脂シートの一実施形態を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。
【０１１４】
図３に示す第二の樹脂シート３は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた第二の層２２と、第二の層２２の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
【０１１５】
仮固定用樹脂フィルムシート１は、例えば、第一の樹脂シート２及び第二の樹脂シート３から保護フィルム３０を剥離し、第一の層２１面と第二の層２２面同士を、６０〜１２０℃でロールラミネート等により貼り合わせることで製造することができる。
【０１１６】
本実施形態に係る第一の層２１及び第二の層２２はそれぞれ、上述した成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、作製したワニスを支持フィルム１０上に塗布して乾燥する方法により形成することができる。こうして、支持フィルム１０上に第一の層２１又は第二の層２２を備えた樹脂シート２、３がそれぞれ製造される。
【０１１７】
有機溶剤は特に限定されず、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、製膜時にフィルムの硬化を進みにくくする観点から、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンの比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニスにおける固形分濃度は、１０〜８０質量％であることが好ましい。
【０１１８】
上記の混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はなく、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行うことができる。
【０１１９】
支持フィルム１０上に設けられた第一の層２１又は第二の層２２は、必要に応じて保護フィルム３０を貼り付けることができる。この場合、上述した、支持フィルム１０と、第一の層２１又は第二の層２２と、保護フィルム３０とからなる３層構造を有する第一の樹脂シート２又は第二の樹脂シート３を得ることができる。
【０１２０】
保護フィルム３０としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンが挙げられる。保護フィルム３０は、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン又はポリプロピレンが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（第一の層及び第二の層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルム３０として用いることが好ましい。
【０１２１】
保護フィルム３０の厚さは、目的とする柔軟性により適宜設定することができ、例えば、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であればフィルム強度がより良好になり、３５０μｍ以下であれば更なる柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３０の厚さは、１５〜２００μｍであることがより好ましく、２０〜１５０μｍであることが更に好ましい。
【０１２２】
このようにして得られた第一の樹脂シート２又は第二の樹脂シート３は、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。また、これらのフィルムを貼り合わせて得られる本実施形態の仮固定用樹脂フィルムシート１も、同様にロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。
【０１２３】
本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態としては、図４に示すものがある。図４に示す仮固定用樹脂フィルムシート４は、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム２０及び第二の層２２側の支持フィルム１０が予め裁断されていること以外は、仮固定用樹脂フィルムシート１と同様の構成を有する。なお、図４では、裁断された仮固定用樹脂フィルム２０及び支持フィルム１０の外縁部が除去されているが、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム及び支持フィルムに切れ込みが設けられ、外縁部が残されていてもよい。
【０１２４】
また、その他の実施形態としては、第一の樹脂シート２と第二の樹脂シート３とを備えた樹脂フィルムセットが挙げられる。本実施形態の樹脂フィルムセットによれば、使用時（電子部品を加工する際）に、これらの樹脂シートの第一の層及び第二の層を貼り合わせて仮固定用樹脂フィルムとして用いることができる。
【０１２５】
［電子部品の加工方法］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを用いた電子部品の加工方法は、大きく分けて以下の４工程を備える。（ａ）電子部品と支持体とを仮固定用樹脂フィルムを介して仮固定する工程と、（ｂ）支持体に仮固定された電子部品を加工する加工工程と、（ｃ）加工された電子部品を支持体及び仮固定用樹脂フィルムから分離する分離工程と、（ｄ）電子部品に残渣がある場合に洗浄する洗浄工程とを備える。
【０１２６】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は、電子部品の加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（Ｄ）は、加工後の電子部品を示す上面図である。本実施形態では、電子部品として、一方の主面に接続端子６２が設けられている半導体ウェハ６０が被加工体である場合を示す。接続端子としては、特に制限はないが、銅、金、種々のハンダ等が挙げられる。なお、他の電子部品としては、一方の主面に接続端子が設けられている半導体素子、半導体パッケージ、小型モーター等が挙げられる。電子部品の材質は特に制限されず、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ、半導体ウェハ、有機基板、封止体等の基板が使用可能である。
【０１２７】
加工する半導体ウェハ６０の厚さは、特に制限はないが、１００〜８００μｍとすることができる。接続端子の高さは、３〜３００μｍとすることができる。
【０１２８】
＜（ａ）仮固定工程＞
図５の（Ａ）は、支持体５０及び半導体ウェハ６０の間に、第一の層４１及び第二の層４２の２層構成を有する本実施形態の仮固定用樹脂フィルム４０を介在させ、支持体５０に半導体ウェハ６０を仮固定する工程を示す。この際、半導体ウェハ６０の接続端子６２が設けられている側に第一の層４１が、支持体５０側に第二の層４２が接触するように、仮固定用樹脂フィルム４０を配置する。
【０１２９】
（ａ−１）支持体５０上への仮固定用樹脂フィルム４０の形成
ロールラミネーター、真空ラミネーターなどを用いて、支持体５０上に仮固定用樹脂フィルム２０の第二の層２２側をラミネートすることにより仮固定用樹脂フィルム４０を設けることができる。
【０１３０】
本実施形態の支持体の材質は特に制限されず、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ、ＳＵＳ板、有機基板等の基板が使用可能である。
【０１３１】
支持体には剥離処理を行ってもよく、図５（Ａ）のように支持体５０表面の全部、又は一部を剥離処理することで、剥離層５２を形成することができる。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されず、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
【０１３２】
（ａ−２）半導体ウェハ６０の貼り付け
次に、ウェハ接合装置又は真空ラミネーター上に、仮固定用樹脂フィルム４０を形成した支持体５０をセットし、第一の層４１側に半導体ウェハ６０をプレスで押圧して貼り付ける。
【０１３３】
ウェハ接合装置を用いる場合は、例えばＥＶＧ社製真空プレス機ＥＶＧ５２０ＩＳ（商品名）を用いて、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度６０℃〜２００℃、保持時間１００秒〜３００秒で、半導体ウェハ６０と支持体５０とを仮固定用樹脂フィルム４０を介して仮固定することができる。
【０１３４】
真空ラミネーターを用いる場合は、例えば株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ−５０×５０−Ｓ（商品名）、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）を用いることができる。押圧条件は、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０℃〜１８０℃、好ましくは６０℃〜１５０℃、ラミネート圧力０．０１〜０．５ＭＰａ、好ましくは０．１〜０．５ＭＰａ、保持時間１秒〜６００秒、好ましくは３０秒〜３００秒で、半導体ウェハ６０と支持体５０とを仮固定用樹脂フィルム４０を介して仮固定することができる。
【０１３５】
本実施形態の仮固定工程においては、第一の層の厚さＸが接続端子６２の高さＴよりも小さい本実施形態の仮固定用樹脂フィルムを用意し、半導体ウェハと貼り合わせた仮固定用樹脂フィルム４０において、第二の層４２と接続端子６２との間に第一の層４１を介在させる。
【０１３６】
図８は、仮固定用樹脂フィルム４０が半導体ウェハ６０の接続端子６２を埋め込んだ際の断面図であり、（Ａ）は本実施形態の条件を満足する状態を示す。図８（Ａ）に示されるように、接続端子６２と第二の層４２との間に厚さａの第一の層４１が介在している。
【０１３７】
接続端子６２と第二の層４２とを接触させないことにより、第一の層４１を剥離特性に優れる組成とすることで加工後の半導体ウェハ及び支持体から仮固定材を容易に剥離することができる。また、接続端子の高さＴよりも厚さが小さい第一の層４１と硬化性成分を含み高弾性化が可能な第二の層４２とを図８（Ａ）に示されるように半導体ウェハに貼り合わせることで、加工時に必要な物性（例えば、弾性率）を発現できる第二の層４２が接続端子間に食い込んだ構造を設けることができ、半導体ウェハ６０と支持体５０とを充分に固定できるとともに、バックグラインド工程等の外部応力の加わる工程での仮固定材の変形及び剥離を充分抑制することができる。さらに、第一の層及び第二の層の界面が接続端子６２の凹凸に対応して波状に成形されることにより、アンカー効果が増加して界面剥離等の発生が充分抑制され、剥離時に仮固定材の破断残りの発生を充分に防止することもできる。
【０１３８】
本実施形態において、段差埋め込み性及び剥離特性をさらに向上させる観点から、用意する仮固定用樹脂フィルムの第一の層の厚さＸが、０．３Ｔ以上であることが好ましく、０．４Ｔ以上であることがより好ましく、０．５Ｔ以上であることがさらに好ましい。また、接続端子間に食い込む第二の層によるアンカー効果を増加させ、加工をさらに容易にできる観点から、用意する仮固定用樹脂フィルムの第一の層の厚さＸが、１．０Ｔ未満であることが好ましく、０．９Ｔ以下であることがより好ましい。
【０１３９】
接続端子間に食い込む第二の層によるアンカー効果を増加させ、加工をさらに容易にできる観点から、半導体ウェハの接続端子６２が設けられている主面Ｓ１と、第二の層との最短距離（図８の（Ａ）におけるｂ）が０．１Ｔ以上１．０Ｔ未満であることが好ましく、０．２Ｔ以上０．９Ｔ以下であることがより好ましい。
【０１４０】
また、段差からの剥離特性をさらに向上させる観点から、接続端子６２と第二の層４２との間に介在する第一の層４１の厚さａ、即ち、接続端子６２と第二の層４２との最短距離が、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましい。
【０１４１】
（ａ−３）仮固定用樹脂フィルムの硬化
半導体ウェハ６０と支持体５０とを仮固定用樹脂フィルム４０を介して仮固定した後、仮固定用樹脂フィルム４０の硬化を行う。硬化方法はフィルムが硬化されれば特に制限されなく、熱又は放射線照射による方法がある。硬化方法としては、中でも、熱による硬化が好ましい。熱による硬化をする場合、硬化条件は、１００〜２００℃で１０〜３００分の硬化が好ましく、２０〜２１０分の硬化がより好ましい。温度が１００℃以上であればフィルムが充分に硬化して加工工程で問題が起きにくく、２００℃以下であればフィルムの硬化中にアウトガスが発生しにくく、フィルムの剥離を更に抑制できる。また、硬化時間が１０分以上であれば加工工程で問題が起きにくく、３００分以下であれば作業効率が悪化しにくい。仮固定用樹脂フィルム４０は硬化することで、硬化した第一の層７１と硬化した第二の層７２を備える仮固定材７０になる。
【０１４２】
＜（ｂ）加工工程＞
加工工程には、ウェハレベルで用いられる研削、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が含まれる。研削方式には特に制限はなく、公知の研削方式が利用できる。研削は電子部品と砥石（ダイヤモンド等）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
【０１４３】
例えば、図５（Ｂ）に示すように、グラインダー８５によって半導体ウェハ８０の裏面、即ち半導体ウェハ８０の仮固定材７０と接する側とは反対側の面を研削し、例えば７００μｍ程度の厚さを１００μｍ以下にまで薄化する。
【０１４４】
研削加工する装置としては、例えばＤＩＳＣＯ株式会社製ＤＧＰ−８７６１（商品名）等が挙げられ、この場合の切削条件は所望の電子部品の厚さ及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
【０１４５】
その他の工程は具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクするためのレジストの塗布、露光・現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、公知のプロセスが挙げられる。
【０１４６】
図５（Ｃ）は、薄化した半導体ウェハ８０の裏面側にドライイオンエッチング又はボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理を行い、貫通電極８２を形成した例を示している。
【０１４７】
こうして半導体ウェハ８０に所定の加工が施される。図５（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハ８０の上面図である。加工された半導体ウェハ８０は、更にダイシングライン８４に沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される。
【０１４８】
＜（ｃ）分離工程＞
図６は、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定材から分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る分離工程は、支持体から半導体ウェハ及び仮固定材を剥離する第一の剥離工程と、半導体ウェハからフィルム状の仮固定材を剥離する第二の剥離工程と、を含むことができる。第一の剥離工程は、加工工程で加工を施した半導体ウェハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化した半導体ウェハに様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、半導体ウェハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、半導体ウェハの研削面に保護フィルムを貼り、半導体ウェハと保護フィルムとをピール方式で支持体から剥離する方法等が挙げられ、特に制限なく採用することができる。
【０１４９】
本実施形態には、これらの剥離方法がすべて適用可能である。剥離方法としては、中でも、図６（Ａ）に示されるように、半導体ウェハ８０又は支持体５０の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法等がより適しており、支持体を回収することができる。第二の剥離工程では、例えば、図６（Ｂ）に示されるように、剥離された半導体ウェハ及び仮固定材をダイシングテープ９０上に移して半導体ウェハ８０を水平に固定しておき、フィルム状の仮固定材７０の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材が剥離された半導体ウェハ８０を得ることができる（図６（Ｃ）を参照）。本実施形態においては、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを用いてフィルム状の仮固定材が形成されていることにより、糊残りなどの残渣が充分低減された加工済み半導体ウェハを容易に得ることができる。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０〜１００℃程度の電子部品にダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばデボンダー（ＳＵＳＳ株式会社製、ＤＢ１２Ｔ）、Ｄｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ装置（ＥＶＧ社製、ＥＶＧ８０５ＥＺＤ）等を用いる。
【０１５０】
＜（ｄ）洗浄工程＞
電子部品の回路形成面は仮固定材の一部が残存しやすい。剥離した電子部品の回路形成面に仮固定材が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材の除去は、例えば、電子部品を洗浄することにより行うことができる。
【０１５１】
洗浄液は、一部残存した仮固定用樹脂フィルムを除去できるような洗浄液であれば、特に制限はない。このような洗浄液としては、例えば、仮固定用樹脂フィルム組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１５２】
また、残存した仮固定用樹脂フィルムが除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類は、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で０．０１〜１０質量％が好ましい。また、洗浄液には、残存物の除去性を向上させるため既存の界面活性剤を添加してもよい。
【０１５３】
洗浄方法に特に制限はなく、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型の半導体ウェハ８０が得られる。
【０１５４】
なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルム組成物によれば、糊残り等の残渣を充分に低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
【０１５５】
貫通電極８２が形成された半導体ウェハ８０は、更にダイシングライン８４に沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される（図６（Ｄ）参照）。
【０１５６】
［半導体装置の製造方法］
本実施形態においては、上記の本実施形態に係る加工方法で得られた半導体素子を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。
【０１５７】
図７は、本実施形態の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。まず、上述した方法により、貫通電極８６が形成され、個片化された半導体素子１００を用意する（図７（Ａ））。そして、半導体素子１００を配線基板１１０上に複数積層することにより電子機器装置１２０を得ることができる（図７（Ｂ））。
【０１５８】
以上、本発明に係る仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムを用いる半導体ウェハの加工方法、当該加工方法を備える半導体装置の製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。すなわち、本発明に係る仮固定用樹脂フィルム、それを用いる加工方法及び半導体装置の製造方法は、種々の電子部品の加工に適用して電子機器装置の製造方法に利用することができる。
【実施例】
【０１５９】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１６０】
［熱可塑性樹脂の合成］
（Ｒｅｓｉｎ  Ａ）
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル７０ｇ、メタクリル酸メチル１０ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ、グリシジルメタクリレート１０ｇ、１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．２ｇ、及びｎ−オクチルメルカプタン０．０６ｇを配合した。続いて、フラスコに６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、熱可塑性樹脂としてＲｅｓｉｎ  Ａを得た。
【０１６１】
Ｒｅｓｉｎ  ＡをＧＰＣで測定したところ、Ｒｅｓｉｎ  Ａの重量平均分子量はポリスチレン換算で４０万であった。また、Ｒｅｓｉｎ  ＡのＴｇは−２８℃であった。
【０１６２】
ＧＰＣの測定は、ＧＰＣ（東ソー株式会社製、ＳＤ−８０２２／ＤＰ−８０２０／ＲＩ−８０２０）を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用い、カラムとして日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ  ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ／ＧＬ−Ａ１６０−Ｓを使用し、溶離液流量１．０ｍＬ／分、カラム温度４０℃の条件で行った。
【０１６３】
（Ｒｅｓｉｎ  Ｂ）
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル６０ｇ、メタクリル酸メチル１０ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ、グリシジルメタクリレート２０ｇ、１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．２ｇ、及びｎ−オクチルメルカプタン０．０６ｇを配合した。続いて、フラスコに６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、熱可塑性樹脂としてＲｅｓｉｎ  Ｂを得た。
【０１６４】
Ｒｅｓｉｎ  ＢをＧＰＣで測定したところ、Ｒｅｓｉｎ  Ｂの重量平均分子量はポリスチレン換算で４０万であった。また、Ｒｅｓｉｎ  ＢのＴｇは−２０℃であった。
【０１６５】
［樹脂組成物の調製］
（Ｐ１及びＰ２、Ｌ１及びＬ２）
表１及び２に示す組成で、第一の層を形成するための第一の層形成用樹脂組成物Ｐ１及びＰ２、並びに、第二の層を形成するための第二の層形成用樹脂組成物Ｌ１及びＬ２をそれぞれ調製した。
【０１６６】
【表１】
2019114599.tif 000004
【０１６７】
【表２】
2019114599.tif 000005
【０１６８】
表１及び２中の各成分の詳細は以下のとおりである。
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、Ｔｇ１２℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ：ＧＰＣによる重量平均分子量９０万、Ｔｇ−２８℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
Ｒｅｓｉｎ  Ａ：上記で調製したＧＰＣによる重量平均分子量４０万、Ｔｇ−２８℃のアクリルゴム
Ｒｅｓｉｎ  Ｂ：上記で調製したＧＰＣによる重量平均分子量４０万、Ｔｇ−２０℃のアクリルゴム
ＹＤＣＮ−７００−１０：クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製）
ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ：ビスフェノールＦ型２官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
ＨＥ１００Ｃ−３０：フェノールアラルキル樹脂（エアー・ウォーター株式会社製）
ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーン化合物（東レ・ダウケミカル株式会社製）
ＴＡ３１−２０９Ｅ：シリコーン変性アルキド樹脂（日立化成ポリマー株式会社製）
２ＰＺ−ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
【０１６９】
［仮固定用樹脂フィルムの調製］
（実施例１〜９、比較例１〜４）
上記で得られた第一の層形成用樹脂組成物及び第二の層形成用樹脂組成物を、表３又は表４に示される組み合わせで用い、以下の手順で第一の樹脂シート及び第二の樹脂シートを作製した。
【０１７０】
支持フィルムとして離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に、第一の層形成用樹脂組成物又は第二の層形成用樹脂組成物を、乾燥後の厚さが表３又は表４に示される厚さとなるように塗布し、９０℃で５分間、１３０℃で５分間加熱乾燥した。その後、形成された樹脂層上に上記と同じフィルムを保護フィルムとして更に貼り合わせ、支持フィルム／第一の層／保護フィルムの構成を有する第一の樹脂シート、及び、支持フィルム／第二の層／保護フィルムの構成を有する第二の樹脂シートをそれぞれ得た。
【０１７１】
次に、それぞれの樹脂シートから保護フィルムを剥離し、第一の層及び第二の層を６０℃でロールラミネートにより貼り合せ、仮固定用樹脂フィルムをそれぞれ得た。
【０１７２】
【表３】
2019114599.tif 000006
【０１７３】
【表４】
2019114599.tif 000007
【０１７４】
実施例及び比較例の仮固定用樹脂フィルムについて、段差埋込後の断面形状、硬化後の２００℃耐熱性、貯蔵弾性率、第一の層の３０°剥離強度、及び第二の層の９０°剥離強度、並びに、プロセス適合性の評価として、段差埋込性、バックグラインド性、２００℃耐熱性、及び剥離性を、以下に示す方法にしたがって評価した。その評価結果を表５及び６に示す。
【０１７５】
［段差埋込後の断面形状］
仮固定用樹脂フィルムの段差埋込後の断面形状を下記の方法により評価した。５０ｍｍ×５０ｍｍにカットした厚さ６５０μｍシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムの第二の層側を８０℃でロールラミネートにて貼り合せ、仮固定用樹脂フィルム付きウェハを得た。
【０１７６】
次に、表３又は表４に示される高さ及びピッチを有する接続端子が設けられた１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンウェハのチップを用意した。この接続端子付きシリコンウェハの接続端子が設けられている面が上面となるように真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、上記で作製した仮固定用樹脂フィルム付きウェハの仮固定用樹脂フィルム面を下にして、仮固定用樹脂フィルムの第一の層が接続端子付きシリコンウェハ側に貼り付くように設置した。これを、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。
【０１７７】
真空ラミネートしたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱し硬化した。硬化サンプルをエポキシ樹脂注型し、注型樹脂を硬化させた後に研磨によって断面を露出させ、デジタルマイクロスコープ（（株）エーエンス製、ＶＨＸ−５０００）にて仮固定材断面を観察した。仮固定材断面から、凸部と第二の層との距離（図８の（Ａ）におけるａ）及び半導体ウェハの凹部が設けられている主面と第二の層との最短距離（図８の（Ａ）におけるｂ）を測定した。
【０１７８】
［２００℃耐熱性］
仮固定用樹脂フィルムの２００℃での耐熱性を下記の方法により評価した。厚さ６５０μｍシリコンミラーウェハ（８インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ角に小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムの第二の層側が貼り付くように８０℃でロールラミネートした。次に、厚さが０．１〜０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ角のスライドガラスを、仮固定用樹脂フィルムの第一の層側に８０℃でロールラミネートし、仮固定用樹脂フィルムがシリコンウェハ及びスライドガラスで挟まれた積層体サンプルを作製した。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した。このようにして得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）等のソフトウェアで解析し、仮固定用樹脂フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２００℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。
【０１７９】
［貯蔵弾性率］
仮固定用樹脂フィルムにおける第一の層及び第二の層について、硬化後の貯蔵弾性率を下記の方法により評価した。第一の層又は第二の層を厚さ１５０〜３００μｍとなるように８０℃でラミネートした。これを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させた。このようにして得られたサンプルを厚さ方向に４ｍｍ幅、長さ３３ｍｍに切り出した。切り出した測定用単層フィルムを動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、（株）ＵＭＢ製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２５℃での貯蔵弾性率を測定した。
【０１８０】
［３０°剥離強度］
シリコンウェハ及び仮固定用樹脂フィルム（第一の層）の間の３０°剥離強度を下記の方法により評価した。厚さ６５０μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製した。このようにして作製した段差付きシリコンミラーウェハの段差が上面となるように真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、仮固定用樹脂フィルムを第一の層が段差付きシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して硬化させた。これを更に２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が３０°となるように設定した剥離試験機で３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を３０°剥離強度とした。
【０１８１】
［９０°剥離強度］
シリコンミラーウェハ及び仮固定用樹脂フィルム（第二の層）の間の９０°剥離強度を下記の方法により評価した。厚さ６５０μｍシリコンミラーウェハ（８インチ）を真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、仮固定用樹脂フィルムを第二の層がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して硬化させた。これを更に２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とした。
【０１８２】
＜プロセス適合性の評価＞
［段差埋込性］
仮固定用樹脂フィルムの段差埋込性を下記の方法により評価した。厚さ６５０μｍシリコンミラーウェハ（８インチ）表面に、仮固定用樹脂フィルムの第二の層側を８０℃でロールラミネートにて貼り合せ、仮固定用樹脂フィルム付きウェハを得た。
【０１８３】
次に、表３又は表４に示される高さ及びピッチを有する接続端子が設けられたシリコンウェハ（８インチ）を用意した。この接続端子付きシリコンウェハの接続端子が設けられている面が上面となるように真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に置き、上記で作製した仮固定用樹脂フィルム付きウェハの仮固定用樹脂フィルム面を下にして、仮固定用樹脂フィルムの第一の層が接続端子付きシリコンウェハ側に貼り付くように設置した。これを、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。
【０１８４】
その後、超音波顕微鏡（ＳＡＭ、インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。埋込性の評価基準は以下のとおりである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。
【０１８５】
[バックグラインド性]
段差埋込性評価後のサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱し硬化した。硬化後のサンプルを、フルオートグラインダポリッシャ（ＤＩＳＣＯ株式会社製、ＤＧＰ−８７６１）を用いて、積層サンプルにおける半導体ウェハの表面を研削した。ホイールには、１軸：ＧＦ０１−ＳＤＣ３２０−ＢＴ３００−５０、２軸：ＩＦ−０１−１−４／６−Ｂ・Ｋ０９、３軸：ＤＰＥＧ−ＧＡ０００１をそれぞれ用いた。チャックテーブル回転数を３００ｒｐｍ、ホイール回転数を１軸：３，２００ｒｐｍ、２軸：３，４００ｒｐｍ、３軸：１，４００ｒｐｍとし、クロスフィード方式で研削を行った。半導体ウェハを、１軸で１４２μｍ厚になるまで研削後、２軸で１０２μｍ厚になるまで、３軸で１００μｍ厚になるまで研削した。研削終了時点で割れ等が発生しなかったサンプルを「○」、割れ等が発生したサンプルを「×」として評価した。
【０１８６】
［２００℃耐熱性］
バックグラインド性評価後のサンプルを、２００℃で３０分間加熱処理した。このようにして得られたサンプルを、超音波顕微鏡（ＳＡＭ、インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。埋込性の評価基準は以下のとおりである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。
【０１８７】
［剥離性］
２００℃耐熱性評価後のサンプルを、デボンダー（ＳＵＳＳ株式会社製、ＤＢ１２Ｔ）を用いて、ブレードフォース５０Ｎ、デボンドフォース２００Ｎ、デボンドスピード０．１ｍ／分の条件で剥離評価した。割れ、欠け等の発生なく剥離できたサンプルを「○」、割れ、欠け等の発生、又は剥離できなかったサンプルを「×」として評価した。
【０１８８】
【表５】
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【０１８９】
【表６】
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（比較例１及び３は、第二の層と接続端子とが接触）
【０１９０】
表５及び６に示されるように、第一の層の厚さが接続端子の高さよりも小さく、かつ、接続端子付きシリコンウェハと貼り合わせたときに、第二の層と接続端子との間に第一の層が介在する実施例の仮固定用樹脂フィルムによれば、シリコンウェハの段差（接続端子）埋込性に優れているとともに、充分なバックグラインド性が得られ、なおかつ剥離性が良好であることが確認された。また、実施例の仮固定用樹脂フィルムは耐熱性にも優れていることが確認された。
【符号の説明】
【０１９１】
１、４…仮固定用樹脂フィルムシート、２…第一の樹脂シート、３…第二の樹脂シート、１０…支持フィルム、２０…仮固定用樹脂フィルム、２１…第一の層、２２…第二の層、３０…保護フィルム、４０…仮固定用樹脂フィルム、４１…第一の層、４２…第二の層、５０…支持体、５２…剥離層、６０…半導体ウェハ、６２…接続端子、７０…仮固定材、７１…硬化した第一の層、７２…硬化した第二の層、８０…半導体ウェハ、８２…貫通電極、８４…ダイシングライン、８５…グラインダー、８６…貫通電極、１００…半導体素子、１１０…配線基板、１２０…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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