(57)【要約】【課題】マルチドメイン構造が採用され白色の色度調整が行われる場合であっても、低コントラスト領域が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下を抑制できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置において、画素電極及び共通電極の一方は、第１の電極であり、画素電極及び共通電極の他方は、第１の電極と液晶層との間に配置される第２の電極である。第２の電極は、各サブ画素に設けられスリット状開口又は櫛歯電極の電極指である線状部を備える。線状部は、線状部の延在方向が変化する屈曲部を備える。遮光層は、平面視された場合にゲート配線及びソース配線、並びに複数のサブ画素に含まれる第１のサブ画素に設けられる屈曲部と重なり、第１のサブ画素の開口率を複数のサブ画素に含まれ第１のサブ画素が属する画素と同じ画素に属する第２のサブ画素の開口率より小さくする。【選択図】図１
2019128429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と、
液晶層と、
前記液晶層を挟んで前記アレイ基板に対向するカラーフィルタ基板と、
を備え、
前記アレイ基板は、
第１の方向及び前記第１の方向と垂直をなす第２の方向にマトリクス状に配列される複数のサブ画素の各サブ画素に設けられる画素電極、並びに共通電極の一方である第１の電極と、
前記画素電極及び前記共通電極の他方であり、前記第１の電極と前記液晶層との間に配置され、前記各サブ画素に設けられスリット状開口又は櫛歯電極の電極指である線状部を備え、前記線状部の延在方向が変化する屈曲部を前記線状部が備える第２の電極と、
前記各サブ画素に設けられ、ゲート信号にしたがってソース信号をスイッチングし、スイッチングされたソース信号を前記画素電極に供給するスイッチング素子と、
前記複数のサブ画素に含まれ前記第１の方向に配列される２個以上のサブ画素にそれぞれ設けられる２個以上のスイッチング素子にゲート信号を伝送するゲート配線と、
前記複数のサブ画素に含まれ前記第２の方向に配列される２個以上のサブ画素にそれぞれ設けられる２個以上のスイッチング素子にソース信号を伝送するソース配線と、
を備え、
前記カラーフィルタ基板は、
前記各サブ画素に設けられるカラーフィルタ層
を備え、
前記アレイ基板及び前記カラーフィルタ基板から選択される少なくともひとつの基板は、
平面視された場合に前記ゲート配線及び前記ソース配線、並びに前記複数のサブ画素に含まれる第１のサブ画素に設けられる屈曲部と重なり、前記第１のサブ画素の開口率を前記複数のサブ画素に含まれ前記第１のサブ画素が属する画素と同じ画素に属する第２のサブ画素の開口率より小さくする少なくともひとつの遮光層
を備える
液晶表示装置。
【請求項２】
前記少なくともひとつの遮光層は、平面視された場合に前記第２のサブ画素に設けられる屈曲部と重ならない
請求項１の液晶表示装置。
【請求項３】
前記各サブ画素は、平面視された場合に境界線により分割される第１の領域及び第２の領域を有し、
前記線状部は、平面視された場合に、前記第１の領域及び前記第２の領域に跨って配置され、前記第１の領域から前記第２の領域まで連続し、前記第１の領域において第１の延在方向に延在し、前記第２の領域において前記第１の延在方向と異なり前記境界線について前記第１の延在方向と線対称となる第２の延在方向に延在する
請求項１又は２の液晶表示装置。
【請求項４】
前記各サブ画素は、平面視された場合に境界線により分割される第１の領域及び第２の領域を有し、
前記線状部は、
平面視された場合に、前記第１の領域に配置され、第１の延在方向に延在する第１の部分と、
平面視された場合に、前記第２の領域に配置され、前記第１の延在方向と異なり前記境界線について前記第１の延在方向と線対称となる第２の延在方向に延在し、前記第１の部分から分断される第２の部分と、
を備える
請求項１又は２の液晶表示装置。
【請求項５】
前記線状部は、前記屈曲部から離れた端部を備え、
前記少なくともひとつの遮光層は、平面視された場合に前記端部と重なる
請求項１から４までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項６】
前記少なくともひとつの基板は、前記アレイ基板及び前記カラーフィルタ基板であり、
前記少なくともひとつの遮光層は、
前記カラーフィルタ基板に設けられ、平面視された場合に前記ゲート配線及び前記ソース配線と重なる第１の遮光層と、
前記アレイ基板に設けられ、平面視された場合に前記第１のサブ画素に設けられる屈曲部と重なる第２の遮光層と、
を備える
請求項１から５までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１のサブ画素の色の視感度は、前記第２のサブ画素の色の視感度より高い
請求項１から６までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数のサブ画素は、赤色のサブ画素、緑色のサブ画素、及び青色のサブ画素を含み、
前記第１のサブ画素は、前記緑色のサブ画素である
請求項１から７までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項９】
前記少なくともひとつの遮光層は、前記複数のサブ画素に含まれ前記第１のサブ画素が属する画素と同じ画素に属する第３のサブ画素に設けられる屈曲部と重なり、前記第３のサブ画素の開口率を前記第２のサブ画素の開口率より小さくし前記第１のサブ画素の開口率より大きくする
請求項１から８までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１のサブ画素の色の視感度は、前記第３のサブ画素の色の視感度より高く、
前記第３のサブ画素の色の視感度は、前記第２のサブ画素の色の視感度より高い
請求項９の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界方式の液晶表示パネルを備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ａ  液晶表示パネルの特徴
液晶表示装置に設けられる液晶表示パネルは、陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、軽量、薄型及び低消費電力であるという特徴を有する。このため、液晶表示パネルは、多くの電子機器において情報を表示するために使用される。
【０００３】
ｂ  液晶表示装置による画像の表示
液晶表示装置は、複数の画素を備える。液晶表示パネルは、所定の方向に配向した状態で整列した多数の液晶分子を含む液晶層を備える。液晶表示装置が画像を表示する際には、複数の画素の各画素（各ピクセル）において、液晶層に含まれる液晶分子の配向方向が印加された電界により変化させられ、液晶表示パネルの光透過量が印加された電界により変化させられる。これにより、液晶表示装置は、複数の画素において印加された電界に応じた画像を表示する。
【０００４】
ｃ  反射型、透過型及び半透過型
液晶表示装置は、反射型、透過型及び半透過型に大別される。
【０００５】
反射型の液晶表示装置においては、外部から到来した外光が、液晶層に入射し、液晶層に入射した後に液晶層を透過し、液晶層を透過した後に反射板に反射され、反射板に反射された後に再び液晶層を透過し、液晶層を再び透過した後に液晶層から出射する。
【０００６】
透過型の液晶表示装置においては、バックライト装置から出射したバックライト光が、液晶層に入射し、液晶層に入射した後に液晶層を透過し、液晶層を透過した後に液晶層から出射する。
【０００７】
半透過型の液晶表示装置は、反射型の液晶表示装置及び透過型の液晶表示装置の両方の特徴を併せ持つ。
【０００８】
ｄ  カラー表示型の液晶表示装置における色度調整
液晶表示装置は、モノクロ表示型及びカラー表示型に大別される。
【０００９】
カラー表示型の液晶表示装置に設けられる各画素は、例えば光の三原色である赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタをそれぞれ備えるＲ，Ｇ及びＢのサブ画素を備える。各画素の色は、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素を透過した光の混合量により決まり、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素の色の混色量により決まる。例えば、８ビットのビット列により表現される０から２５５までの２５６個の階調値にそれぞれ対応する２５６種類の電圧がＲ，Ｇ及びＢのサブ画素の各サブ画素に印加される場合は、各サブ画素を２５６種類の輝度で点灯させることができ、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素の輝度の組み合わせを変更することにより２５６３種類の色を各画素に表示させることができる。また、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素の全部を点灯させることにより、各画素に白色（Ｗ）を表示させることができる。
【００１０】
カラー表示型の液晶表示装置においては、各サブ画素が表示する色を所望の色度とするＲ，Ｇ及びＢの各色の色度調整を行うために、各サブ画素に設けられるカラーフィルタを構成する色材の種類及び各サブ画素に設けられるカラーフィルタの膜厚による色調整が行われる。しかし、上述したように、カラー表示型の液晶表示装置においては、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素の全部を点灯させることにより各画素にＷを表示させるため、各画素が表示するＷの色度はＲ，Ｇ及びＢのサブ画素がそれぞれ表示するＲ，Ｇ及びＢの色度により一意に決まる。このため、上述したＲ，Ｇ及びＢの各色の色度調整が行われた場合は、各画素が表示するＷの色度が所望の色度とならない場合がある。そこで、各画素が表示するＷの色度を所望の色度とするＷの色度調整を簡単な構造により行うために、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素の開口率の比を遮光層により調整し、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素がそれぞれ表示するＲ，Ｇ及びＢの色度の、各画素が表示するＷの色度への寄与率を調整する輝度バランス調整が行われる。例えば、Ｒ，Ｇ及びＢのサブ画素に含まれる少なくともひとつのサブ画素の開口率を遮光層により小さくし、当該少なくともひとつのサブ画素が表示する色の色度の、各画素が表示するＷの色度への寄与率を小さくする輝度バランス調整が行われる。
【００１１】
ｅ  縦電界方式及び横電界方式
液晶表示パネルの液晶層に電界を印加する方式は、縦電界方式及び横電界方式に大別される。
【００１２】
縦電界方式の液晶表示パネルにおいては、一対の電極が液晶層を挟んで配置され、概ね縦方向の電界が液晶層に含まれる液晶分子に印加される。縦電界方式の液晶表示パネルの駆動モードとしては、ねじれネマスティック（ＴＮ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）モード等が知られている。
【００１３】
横電界方式の液晶表示パネルにおいては、一対の基板が液晶層を挟んで配置され、一対の基板の一方の基板の内側の主面上に一対の電極が互いに絶縁されて配置され、概ね横方向の電界が液晶層に含まれる液晶分子に印加される。横電界方式の液晶表示パネルは、広い視野角を得ることができるという特徴を有する。横電界方式の液晶表示パネルの駆動モードとしては、面内スイッチング（ＩＰＳ（登録商標））モード、フリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ）モード等が知られている。ＩＰＳモードにおいては、一対の電極の一方の電極及び他方の電極が櫛歯電極であり、平面視された場合に一方の電極が他方の電極と重ならない。ＦＦＳモードにおいては、一対の電極の一方の電極が平面状電極であり、一対の電極の他方の電極がスリット状開口を有する電極であり、平面視された場合に一方の電極が他方の電極と重なり、一方の電極が絶縁層により他方の電極から絶縁される。
【００１４】
ｆ  マルチドメイン構造
近年においては、広い視野角を得ることができるという特徴をさらに強化するために、各サブ画素を、電極構造の工夫により互いに異なる複数の電界印加方向をそれぞれ有する複数のドメインに分割したマルチドメイン構造が、横電界方式の液晶表示装置において採用されることが多くなっている。特許文献１に記載された技術は、その一例である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１０−００９００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
マルチドメイン構造が採用された横電界方式の液晶表示パネルには、遮光層が配置されず外光又はバックライト光が透過する非遮光部が設けられる。非遮光部は、隣接するふたつのドメインの境界となる画素屈曲部、及びそれ以外の残余部を備える。
【００１７】
液晶層に電界が印加されていない場合は、画素屈曲部の光透過率は、残余部の光透過率と同じである。
【００１８】
しかし、液晶層に電界が印加された場合は、画素屈曲部の光透過率は、残余部の光透過率より小さくなる。これは、液晶層に電界が印加された場合に、液晶分子の配向方向が乱れて液晶層の光透過率が低下する領域が画素屈曲部に生じるためである。
【００１９】
このため、液晶層に電界が印加されていない場合の液晶層の光透過率と液晶層に電界が印加された場合の液晶層の光透過率との比であるコントラスト値に着目した場合は、画素屈曲部におけるコントラスト値は、残余部におけるコントラスト値より低くなる。
【００２０】
そして、上述したＷの色度調整が行われ、あるサブ画素の開口率が小さくされた場合は、非遮光部が占める面積に対する、低いコントラスト値を有する画素屈曲部が占める面積の比率が高くなり、液晶表示装置の実効的なコントラスト値及び表示品位が低下する。
【００２１】
本発明は、この問題を解決するためになされる。本発明が解決しようとする課題は、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、低コントラスト領域が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下を抑制できる液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
液晶表示装置は、アレイ基板、液晶層及びカラーフィルタ基板を備える。カラーフィルタ基板は、液晶層を挟んでアレイ基板に対向する。
【００２３】
複数のサブ画素は、第１の方向及び第２の方向にマトリクス状に配列される。第２の方向は、第１の方向と垂直をなす。
【００２４】
アレイ基板は、画素電極、共通電極、スイッチング素子、ゲート配線及びソース配線を備える。
【００２５】
画素電極及びスイッチング素子は、複数のサブ画素の各サブ画素に設けられる。
【００２６】
スイッチング素子は、ゲート信号にしたがってソース信号をスイッチングし、スイッチングされたソース信号を画素電極に供給する。
【００２７】
ゲート配線は、複数のサブ画素に含まれ第１の方向に配列される２個以上のサブ画素にそれぞれ設けられる２個以上のスイッチング素子にゲート信号を伝送する。
【００２８】
ソース配線は、複数のサブ画素に含まれ第２の方向に配列される２個以上のサブ画素にそれぞれ設けられる２個以上のスイッチング素子にソース信号を伝送する。
【００２９】
画素電極及び共通電極の一方は、第１の電極であり、画素電極及び共通電極の他方は、第１の電極と液晶層との間に配置される第２の電極である。第２の電極は、各サブ画素に設けられスリット状開口又は櫛歯電極の電極指である線状部を備える。線状部は、線状部の延在方向が変化する屈曲部を備える。
【００３０】
カラーフィルタ基板は、カラーフィルタ層を備える。
【００３１】
カラーフィルタ層は、各サブ画素に設けられる。
【００３２】
アレイ基板及びカラーフィルタ基板から選択される少なくともひとつの基板は、少なくともひとつの遮光層を備える。
【００３３】
少なくともひとつの遮光層は、平面視された場合にゲート配線及びソース配線、並びに複数のサブ画素に含まれる第１のサブ画素に設けられる屈曲部と重なり、第１のサブ画素の開口率を複数のサブ画素に含まれ第１のサブ画素が属する画素と同じ画素に属する第２のサブ画素の開口率より小さくする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、Ｗの色度調整のためにサブ画素の開口率を小さくすることが、当該サブ画素に生じる低コントラスト領域を遮光することにより行われる。このため、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、当該サブ画素において開口領域と低コントラスト領域との重なりが小さくなり、低コントラスト領域が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【００３５】
この発明の目的、特徴、局面、及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施の形態１の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【図２】実施の形態１の液晶表示装置をひとつのサブ画素に着目して模式的に図示する断面図である。
【図３】実施の形態２の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【図４】実施の形態３の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【図５】実施の形態４の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【図６】実施の形態５の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
１  実施の形態１
１．１  液晶表示装置の概略
図１は、実施の形態１の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【００３８】
図１に図示される実施の形態１の液晶表示装置１００Ａは、複数の画素を備える。複数の画素の各画素１１０は、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂを備える。このため、液晶表示装置１００Ａは、複数のサブ画素１２０Ｒ、複数のサブ画素１２０Ｇ及び複数のサブ画素１２０Ｂを含む複数のサブ画素を備える。
【００３９】
複数の画素は、第１の方向ＤＸ及び第２の方向ＤＹにマトリクス状に配列される。第２の方向ＤＹは、第１の方向ＤＸと垂直をなす。各画素１１０に属するサブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂは、第１の方向ＤＸに直線的に配列される。このため、液晶表示装置１００Ａに設けられる複数のサブ画素は、第１の方向ＤＸ及び第２の方向ＤＹにマトリクス状に配列される。
【００４０】
サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂは、それぞれ光の三原色である赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のサブ画素である。各画素１１０の色は、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの色の混色量により決まる。Ｒ，Ｇ及びＢの３色のサブ画素が、Ｒ，Ｇ及びＢ以外の３色以上のサブ画素に置き換えられてもよい。
【００４１】
図２は、実施の形態１の液晶表示装置をひとつのサブ画素に着目して模式的に図示する断面図である。図２は、図１の切断線Ａ−Ａの位置における断面を図示する。
【００４２】
液晶表示装置１００Ａは、図２に図示されるように、液晶表示パネル１３０及びバックライト装置１３１を備える。液晶表示装置１００Ａがこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００４３】
液晶表示パネル１３０は、横電界方式の液晶表示パネルである。液晶表示パネル１３０の駆動モードは、フリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ）モードである。ただし、下述する技術が、ＦＦＳモード以外の駆動モードの液晶表示パネルにおいて採用されてもよい。例えば、下述する技術が、面内スイッチング（ＩＰＳ（登録商標））モードの液晶表示パネルにおいて採用されてもよい。液晶表示装置１００Ａは、透過型の液晶表示装置である。ただし、下述する技術が、反射型又は半透過型の液晶表示装置において採用されてもよい。
【００４４】
バックライト装置１３１は、液晶表示パネル１３０の背面側の主面１４０に対向し、液晶表示パネル１３０の背面側の主面１４０にバックライト光を照射する。
【００４５】
液晶表示装置１００Ａが画像を表示する際には、バックライト装置１３１がバックライト光を発する。発せられたバックライト光は、液晶表示パネル１３０の背面側の主面１４０に入射し、液晶表示パネル１３０の背面側の主面１４０に入射した後に液晶表示パネル１３０を透過し、液晶表示パネル１３０を透過した後に液晶表示パネル１３０の表示面側の主面１４１から出射する。
【００４６】
また、液晶表示装置１００Ａが画像を表示する際には、液晶表示パネル１３０に電気信号が入力され、入力された電気信号により複数のサブ画素の各サブ画素１２０における液晶表示パネル１３０の光透過率が制御される。
【００４７】
これらにより、入力された電気信号に応じた画像が液晶表示パネル１３０の表示面側の主面１４１に表示される。
【００４８】
１．２  液晶表示パネルの概略
液晶表示パネル１３０は、図２に図示されるように、液晶セル１５０、第１の偏光板１５１及び第２の偏光板１５２を備える。液晶表示パネル１３０がこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００４９】
第１の偏光板１５１は、液晶セル１５０の背面側の主面１６０に貼り付けられている。第２の偏光板１５２は、液晶セル１５０の表示面側の主面１６１に貼り付けられている。
【００５０】
液晶セル１５０は、アレイ基板１７０、液晶層１７１及びカラーフィルタ基板１７２を備える。液晶セル１５０がこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００５１】
カラーフィルタ基板１７２は、液晶層１７１を挟んでアレイ基板１７０に対向する。液晶層１７１は、アレイ基板１７０及びカラーフィルタ基板１７２により挟持される。
【００５２】
液晶表示パネル１３０は、図示されないシール材及びスペーサを備える。
【００５３】
シール材は、アレイ基板１７０とカラーフィルタ基板１７２との間の間隙１８０に配置され、アレイ基板１７０及びカラーフィルタ基板１７２の縁部に沿って配置される。シール材は、アレイ基板１７０及びカラーフィルタ基板１７２を互いに貼り合わせる。これにより、アレイ基板１７０、カラーフィルタ基板１７２及びシール材に囲まれる空間が液晶表示パネル１３０に形成される。形成された空間には液晶が充填される。これにより、液晶層１７１が形成される。
【００５４】
スペーサは、アレイ基板１７０とカラーフィルタ基板１７２との間の間隙１８０に配置され、アレイ基板１７０及びカラーフィルタ基板１７２の広がり方向に分散して配置される。スペーサは、間隙１８０の厚さを一定に維持し、液晶層１７１の厚さを一定に維持する。
【００５５】
液晶表示装置１００Ａが画像を表示する際には、バックライト装置１３１により発せられたバックライト光が、第１の偏光板１５１、アレイ基板１７０、液晶層１７１、カラーフィルタ基板１７２及び第２の偏光板１５２を順次に透過する。
【００５６】
また、液晶表示装置１００Ａが画像を表示する際には、各サブ画素１２０において、液晶表示パネル１３０に入力された電気信号により液晶層１７１に印加される電界が制御され、印加された電界により液晶層１７１に含まれる液晶分子の配向方向が制御され、液晶分子の配向方向により液晶表示パネル１３０の光透過率が制御される。これにより、入力された電気信号により各サブ画素１２０における液晶表示パネル１３０の光透過率が制御される。
【００５７】
１．３  アレイ基板
１．３．１  アレイ基板に設けられる基体及び積層構造
アレイ基板１７０は、図１及び図２に図示されるように、第１の透明基板１９０、ゲート配線１９１、ゲート絶縁膜１９２、半導体層１９３、ソース配線１９４、ドレイン電極１９５、画素電極１９６、電極間絶縁膜１９７、共通電極１９８及び第１の配向膜１９９を備える。アレイ基板１７０がこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００５８】
ゲート配線１９１、ゲート絶縁膜１９２、半導体層１９３、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２００を構成する。ＴＦＴ２００は、各サブ画素１２０に設けられる。ＴＦＴ２００からなるスイッチング素子が他のスイッチング素子に置き換えられてもよい。
【００５９】
第１の透明基板１９０は、ゲート配線１９１、ゲート絶縁膜１９２、半導体層１９３、ソース配線１９４、ドレイン電極１９５、画素電極１９６、電極間絶縁膜１９７、共通電極１９８及び第１の配向膜１９９からなる積層構造を支持する基体である。第１の透明基板１９０は、液晶層１７１に面する内側の主面２１０を有する。当該積層構造は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に設けられる。第１の透明基板１９０は、透明性及び絶縁性を有し、ガラス、石英、プラスチック等からなる。
【００６０】
ゲート配線１９１は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、液晶表示装置１００Ａに設けられる複数のサブ画素のマトリクス状の配列の各行に設けられ、第１の方向ＤＸに延在する各行に属する各サブ画素１２０の第２の方向ＤＹについての端部に配置される。ゲート配線１９１は、第１の方向ＤＸに延在する。
【００６１】
ゲート配線１９１は、各行に属する各サブ画素１２０に設けられるＴＦＴ２００にゲート信号を伝送する。したがって、ゲート配線１９１は、液晶表示装置１００Ａに設けられる複数のサブ画素に含まれ第１の方向ＤＸに配列される２個以上のサブ画素にそれぞれ設けられる２個以上のＴＦＴ２００にゲート信号を伝送する。
【００６２】
ゲート配線１９１は、金属又は合金からなる。金属は、アルミニウム、モリブデン等である。合金は、アルミニウム合金、モリブデン合金等である。
【００６３】
ゲート絶縁膜１９２は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、ゲート配線１９１を覆う。ゲート絶縁膜１９２により、平面視された場合にゲート配線１９１と重なる半導体層１９３、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５がゲート配線１９１から電気的に絶縁される。
【００６４】
ゲート絶縁膜１９２は、透明性を有し、窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなる。
【００６５】
半導体層１９３は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、ゲート絶縁膜１９２上に配置され、平面視された場合にゲート配線１９１と重なる。半導体層１９３は、各サブ画素１２０に設けられる。
【００６６】
半導体層１９３は、非晶質シリコン、多結晶シリコン等からなる。
【００６７】
ソース配線１９４は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、ゲート絶縁膜１９２上に配置され、液晶表示装置１００Ａに設けられる複数のサブ画素のマトリクス状の配列の各列に設けられ、第２の方向ＤＹに延在する各列に属する各サブ画素１２０の第１の方向ＤＸについての端部に配置される。ソース配線１９４は、第２の方向ＤＹに延在する。
【００６８】
ソース配線１９４は、各列に属する各サブ画素１２０に設けられるＴＦＴ２００にソース信号を伝送する。したがって、ソース配線１９４は、液晶表示装置１００Ａに設けられる複数のサブ画素に含まれ第２の方向ＤＹに配列される２個以上のサブ画素にそれぞれ設けられる２個以上のＴＦＴ２００にソース信号を伝送する。
【００６９】
ソース配線１９４は、幹配線２２０及び枝配線２２１を備える。枝配線２２１は、幹配線２２０から枝分かれする。枝配線２２１の一部は、半導体層１９３の表面に接触する。
【００７０】
ソース配線１９４は、金属又は合金からなる。金属は、アルミニウム、モリブデン等である。合金は、アルミニウム合金、モリブデン合金等である。
【００７１】
ドレイン電極１９５は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、ゲート絶縁膜１９２上に配置される。ドレイン電極１９５は、各サブ画素１２０に設けられる。ドレイン電極１９５の一部は、ソース配線１９４に近接し、半導体層１９３の表面に接触する。
【００７２】
ドレイン電極１９５は、ソース配線１９４の材料と同じ材料からなり、ソース配線１９４と同時に形成される。
【００７３】
画素電極１９６は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、ゲート絶縁膜１９２上に配置され、ドレイン電極１９５の一部を覆う。画素電極１９６がドレイン電極１９５の一部を覆うことにより、画素電極１９６がドレイン電極１９５に電気的に接続され、画素電極１９６がＴＦＴ２００に電気的に接続される。画素電極１９６は、各サブ画素１２０に設けられる。
【００７４】
画素電極１９６は、平面状電極である。
【００７５】
画素電極１９６は、透明導電性材料からなる。透明絶縁性材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等である。
【００７６】
電極間絶縁膜１９７は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、半導体層１９３、ソース配線１９４、ドレイン電極１９５及び画素電極１９６を覆い、ＴＦＴ２００を覆う。電極間絶縁膜１９７により、平面視された場合に半導体層１９３、ソース配線１９４、ドレイン電極１９５及び画素電極１９６と重なる共通電極１９８が半導体層１９３、ソース配線１９４、ドレイン電極１９５及び画素電極１９６から電気的に絶縁される。
【００７７】
電極間絶縁膜１９７は、透明性を有し、窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなる。
【００７８】
共通電極１９８は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、電極間絶縁膜１９７を覆う。
【００７９】
共通電極１９８は、透明導電性材料からなる。透明絶縁性材料は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等である。
【００８０】
共通電極１９８は、複数のスリット状開口２３０を有する電極である。複数のスリット状開口２３０は、各サブ画素１２０に設けられる。
【００８１】
第１の配向膜１９９は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置され、共通電極１９８を覆う。
【００８２】
第１の配向膜１９９には、ラビング、光照射等の配向処理が施されている。配向処理により、第１の配向膜１９９は、それに接触する液晶に含まれる液晶分子をゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸと垂直をなす第２の方向ＤＹに配向させる配向能を有する。
【００８３】
第１の配向膜１９９は、ポリイミド等からなる。
【００８４】
１．３．２  画素及びサブ画素の平面形状
液晶表示パネル１３０は、図１に図示されるように、複数のゲート配線１９１及び複数のソース配線１９４からなる格子状の配線を備える。各サブ画素１２０が占めるひとつのサブ画素領域は、隣接する２本のゲート配線１９１及び隣接する２本のソース配線１９４により囲まれる。各画素１１０は、略正方形状の平面形状を有する。このため、各画素１１０を第１の方向ＤＸに３等分することにより得られるサブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの各サブ画素１２０は、ゲート配線１９１と平行をなす短辺及びソース配線１９４と平行をなす長辺を有する長方形状の平面形状を有する。
【００８５】
１．３．３  画素電極と共通電極との入れ替え
液晶表示装置１００Ａにおいては、図２に図示されるように、画素電極１９６が下層側に配置される第１の電極となり、共通電極１９８が上層側に配置され第１の電極と液晶層１７１との間に配置される第２の電極となり、第２の電極となる共通電極１９８が複数のスリット状開口２３０を有する。
【００８６】
しかし、共通電極１９８が下層側に配置される第１の電極となり、画素電極１９６が上層側に配置され第１の電極と液晶層１７１との間に配置される第２の電極となり、第２の電極となる画素電極１９６が複数のスリット状開口２３０を有してもよい。
【００８７】
より一般的には、画素電極１９６及び共通電極１９８の一方が下側層に配置される第１の電極となり、画素電極１９６及び共通電極１９８の他方が上側層に配置され第１の電極と液晶層１７１との間に配置される第２の電極となり、第２の電極が複数のスリット状開口２３０を有する。
【００８８】
画素電極１９６に設けられる複数のスリット状開口２３０は、平面視された場合に、図２に図示される共通電極１９８に設けられる複数のスリット状開口２３０が配置される位置と同じ位置に配置される。
【００８９】
１．３．４  スリット状開口の延在方向
複数のスリット状開口２３０の各スリット状開口２３０は、図１に図示されるように、細長い線状の平面形状を有する線状部である。
【００９０】
各スリット状開口２３０は、ゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸから傾斜した延在方向Ｄ２１及びＤ２２に延在する。液晶表示パネル１３０においては、マルチドメイン構造が採用される。このため、各スリット状開口２３０は、互いに異なる２個の延在方向Ｄ２１及びＤ２２にそれぞれ延在する２個の部分を備える。互いに異なる２個の延在方向Ｄ２１及びＤ２２にそれぞれ延在する２個の部分に代えて、互いに異なる３個以上の延在方向にそれぞれ延在する３個以上の部分が設けられてもよい。ゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸに対する延在方向Ｄ２１及びＤ２２の傾斜角度は、互いに異なる。
【００９１】
各サブ画素１２０は、平面視された場合に境界線２４５により分割される第１の領域２４０及び第２の領域２４１を有する。境界線２４５は、ゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸに延在する。第１の領域２４０は、各サブ画素１２０の第２の方向ＤＹについての一方の側に配置され、各サブ画素１２０の半分を占める。第２の領域２４１は、各サブ画素１２０の第２の方向ＤＹについての他方の側に配置され、各サブ画素１２０の半分を占める。
【００９２】
各スリット状開口２３０は、平面視された場合に、第１の領域２４０及び第２の領域２４１に跨って配置され、第１の領域２４０から第２の領域２４１まで連続し、第１の領域２４０において第１の延在方向Ｄ２１に延在し、第２の領域２４１において第２の延在方向Ｄ２２に延在する。第２の延在方向Ｄ２２は、第１の延在方向Ｄ２１と異なる方向であり、境界線２４５について第１の方向ＤＸと線対称となる。
【００９３】
第１の延在方向Ｄ２１は、ゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸから時計回りに８０°傾斜した方向である。第２の延在方向Ｄ２２は、ゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸから反時計回りに８０°傾斜した方向である。
【００９４】
１．４  カラーフィルタ基板
１．４．１  カラーフィルタ基板に設けられる基体及び積層構造
カラーフィルタ基板１７２は、図２に図示されるように、第２の透明基板２５０、遮光層２５１、カラーフィルタ層２５２、オーバーコート層２５３及び第２の配向膜２５４を備える。カラーフィルタ基板１７２がこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００９５】
第２の透明基板２５０は、遮光層２５１、カラーフィルタ層２５２、オーバーコート層２５３及び第２の配向膜２５４からなる積層構造を支持する基体である。第２の透明基板２５０は、液晶層１７１に面する内側の主面２６０を有する。当該積層構造は、第２の透明基板２５０の内側の主面２６０上に設けられる。第２の透明基板２５０は、透明性及び絶縁性を有し、ガラス、石英、プラスチック等からなる。
【００９６】
遮光層２５１は、第２の透明基板２５０の内側の主面２６０上に配置され、平面視された場合にアレイ基板１７０の不透明な領域と重なる。したがって、遮光層２５１は、平面視された場合に、不透明な材料からなるゲート配線１９１、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５と重なる。
【００９７】
各サブ画素１２０は、図１及び図２に図示されるように、遮光層２５１が配置されない非遮光領域２７０を有し、バックライト光が透過する開口領域２７１を有する。液晶表示装置１００Ａにおいては、各サブ画素１２０の開口領域２７１は、各サブ画素１２０の非遮光領域２７０に一致する。
【００９８】
カラーフィルタ層２５２は、第２の透明基板２５０の内側の主面２６０上に配置され、非遮光領域２７０に配置される。カラーフィルタ層２５２は、各サブ画素１２０に設けられる。
【００９９】
サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂに設けられるカラーフィルタ層２５２は、それぞれＲ，Ｇ及びＢの光を透過する。
【０１００】
オーバーコート層２５３は、第２の透明基板２５０の内側の主面２６０上に配置され、遮光層２５１及びカラーフィルタ層２５２を覆う。
【０１０１】
オーバーコート層２５３は、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂに設けられるカラーフィルタ層２５２により生じる段差を解消して平坦な主面を提供し、遮光層２５１及びオーバーコート層２５３から液晶層１７１への不純物の流出を遮断する。
【０１０２】
オーバーコート層２５３は、透明樹脂材料からなる。透明樹脂材料は、フォトレジスト等である。
【０１０３】
第２の配向膜２５４は、第２の透明基板２５０の内側の主面２６０上に配置され、オーバーコート層２５３を覆う。
【０１０４】
第２の配向膜２５４には、ラビング、光照射等の配向処理が施されている。これにより、第２の配向膜２５４は、それに接触する液晶に含まれる液晶分子をゲート配線１９１が延在する第１の方向ＤＸと垂直をなす第２の方向ＤＹに配向させる配向能を有する。
【０１０５】
第２の配向膜２５４は、ポリイミド等からなる。
【０１０６】
１．５  電界による配向方向の変化
ＴＦＴ２００は、ゲート配線１９１により伝送されてきたゲート信号にしたがってソース配線１９４により伝送されてきたソース信号をスイッチングし、スイッチングされたソース信号を画素電極１９６に供給する。画素電極１９６と共通電極１９８との間に与えられる電位差は、スイッチングされたソース信号により制御される。
【０１０７】
画素電極１９６は、共通電極１９８に設けられる複数のスリット状開口２３０にそれぞれ対向する複数の対向部を備える。ＴＦＴ２００がオン状態に変化した場合は、画素電極１９６と共通電極１９８との間に電位差が与えられ、画素電極１９６が有する複数の対向部と共通電極１９８との間に複数のスリット状開口２３０及び液晶層１７１を経由する電界が発生し、発生した電界により液晶層１７１に含まれる液晶分子の配向方向が第２の方向ＤＹから変化させられ、各サブ画素１２０において液晶表示パネル１３０の光透過率が変化させられる。
【０１０８】
液晶表示パネル１３０においては、画素電極１９６、共通電極１９８及び電極間絶縁膜１９７により、補助容量が形成される。補助容量の形成により、ＴＦＴ２００がオン状態からオフ状態に変化してから所定の時間が経過するまでは、画素電極１９６と共通電極１９８との間に電位差が与えられた状態が維持され、画素電極１９６に設けられる複数の対向部と共通電極１９８との間に発生した電界が維持される。
【０１０９】
１．６  屈曲部
各スリット状開口２３０は、図１に図示されるように、各スリット状開口２３０の延在方向が第１の延在方向Ｄ２１から第２の延在方向Ｄ２２に変化する屈曲部２８０を備える。
【０１１０】
屈曲部２８０の付近においては、画素電極１９６と共通電極１９８との間に発生する電界が乱れ、ＴＦＴ２００がオン状態に変化した場合においても液晶表示パネル１３０の光透過率が変化しにくい。このため、屈曲部２８０の付近には、コントラスト値が局所的に低くなる低コントラスト領域２９０が生じる。
【０１１１】
各サブ画素１２０において平面視された場合に遮光層２５１が低コントラスト領域２９０と重ならない場合は、非遮光領域２７０が占める面積に対する、低コントラスト領域２９０が占める面積の比率が大きくなり、液晶表示装置１００Ａの実効的なコントラスト値が低下する。
【０１１２】
１．７  緑色のサブ画素に生じる低コントラスト領域の遮光
各サブ画素１２０の開口率は、各サブ画素１２０が占める面積に対する、各サブ画素１２０の開口領域２７１が占める面積の比率を示す。
【０１１３】
液晶表示装置１００Ａにおいては、各画素１１０が表示するＷの色度を所望の色度とするＷの色度調整のために、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比が調整される。具体的には、サブ画素１２０Ｇが相対的に小さい開口率を有する第１のサブ画素とされ、サブ画素１２０Ｇが属する画素と同じ画素に属するサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの各サブ画素が相対的に大きい開口率を有する第２のサブ画素とされる。これにより、サブ画素１２０Ｇの開口率がサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくされる。また、液晶表示装置１００Ａにおいては、サブ画素１２０Ｇの開口率をサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくすることが、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないことにより行われる。
【０１１４】
サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないようにするために、遮光層２５１は、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なり、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに設けられる屈曲部２８０と重ならない。遮光層２５１により、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０は、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならず、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの非遮光領域２７０は、それぞれサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０と重なる。
【０１１５】
サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならないことにより、サブ画素１２０Ｇに低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１１６】
低コントラスト領域２９０は、サブ画素１２０Ｇだけでなく、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂにも生じる。しかし、液晶表示装置１００Ａにおいては、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０が遮光されるが、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０が遮光されない。このような場合においても、実効的なコントラスト値の低下及び表示品位の低下は十分に抑制される。これは、波長特性上の各色の輝度値への影響、すなわち人が視認した場合における各色の輝度差に対する感度を示す視感度に着目した場合は、サブ画素１２０Ｇの色であるＧの視感度が、サブ画素１２０Ｒの色であるＲの視感度及びサブ画素１２０Ｂの色であるＢの視感度より高いからである。
【０１１７】
サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０の一部と重なる場合は、上述した効果が生じにくくなる。しかし、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０の一部と重なる場合も、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０の全部と重なる場合と比較すれば、上述した効果が生じる。もちろん、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０とサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０との重なりは、可能な限り小さくされる。
【０１１８】
１．８  液晶表示装置の利点
液晶表示装置１００Ａによれば、Ｗの色度調整のためにサブ画素１２０Ｇの開口率を小さくすることが、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光することにより行われる。このため、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、サブ画素１２０Ｇにおいて開口領域２７１と低コントラスト領域２９０との重なりが小さくなり、低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１１９】
２  実施の形態２
図３は、実施の形態２の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【０１２０】
図１及び図２に図示される実施の形態１の液晶表示装置１００Ａと図３に図示される実施の形態２の液晶表示装置１００Ｂとの主要な相違は、下述する点にある。
【０１２１】
（１）液晶表示装置１００Ａにおいては、各スリット状開口２３０が第１の領域２４０から第２の領域２４１まで連続する。これに対して、液晶表示装置１００Ｂにおいては、各スリット状開口２３０が第１の領域２４０に配置される第１の部分３１０と第２の領域２４１に配置される第２の部分３１１とに分断される。
【０１２２】
（２）液晶表示装置１００Ｂに設けられるサブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０は、第２の方向ＤＹについて、液晶表示装置１００Ａに設けられるサブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０よりも狭い。
【０１２３】
以下では、上述した主要な相違に関連する液晶表示装置１００Ｂの構成を説明する。以下では、液晶表示装置１００Ｂの構成が液晶表示装置１００Ａの構成に対応する場合は、後者の構成に付された参照符号と同じ参照符号を前者の構成に付して前者の構成についての重複説明を省略する。
【０１２４】
液晶表示装置１００Ｂにおいては、液晶表示装置１００Ａと異なり、共通電極１９８が開口分断部を備える。
【０１２５】
開口分断部は、各スリット状開口２３０に設けられる屈曲部２８０に配置される。このため、各スリット状開口２３０は、開口分断部により互いに分断される第１の部分３１０及び第２の部分３１１を備える。第１の部分３１０は、平面視された場合に、第１の領域２４０に配置され、第１の延在方向Ｄ２１に延在する。第２の部分３１１は、平面視された場合に、第２の領域２４１に配置され、第２の延在方向Ｄ２２に延在する。第２の延在方向Ｄ２２は、第１の延在方向Ｄ２１と異なる方向であり、境界線２４５について第１の延在方向Ｄ２１と線対称となる。
【０１２６】
各スリット状開口２３０の分断により、液晶表示パネル１３０の表示面に指押し等により外部圧力が加えられた際に、液晶層１７１に含まれる液晶分子の配向方向の乱れが発生しにくくなる。一方で、各スリット状開口２３０の分断により、画素電極１９６と共通電極１９８との間に発生する電界が乱れる領域は第２の方向ＤＹについて広くなり、低コントラスト領域２９０は第２の方向ＤＹについて広くなる。
【０１２７】
液晶表示装置１００Ｂにおいては、液晶表示装置１００Ａと同じく、各画素１１０が表示するＷの色度を所望の色度とするＷの色度調整のために、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比が調整される。具体的には、サブ画素１２０Ｇが相対的に小さい開口率を有する第１のサブ画素とされ、サブ画素１２０Ｇが属する画素と同じ画素に属するサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの各サブ画素が相対的に大きい開口率を有する第２のサブ画素とされる。これにより、サブ画素１２０Ｇの開口率がサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくされる。また、液晶表示装置１００Ｂにおいては、液晶表示装置１００Ａと同じく、サブ画素１２０Ｇの開口率をサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくすることが、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないことにより行われる。
【０１２８】
サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないようにするために、遮光層２５１は、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なり、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに設けられる屈曲部２８０と重ならない。遮光層２５１により、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０は、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならず、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの非遮光領域２７０は、それぞれサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０と重なる。
【０１２９】
遮光層２５１は、平面視された場合にサブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なる部分を備える。当該部分の第２の方向ＤＹについての幅は、平面視された場合にサブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならず、各画素１１０が表示するＷの色度が所望の色度となるサブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比が得られるように調整される。
【０１３０】
サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならないことにより、サブ画素１２０Ｇに低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１３１】
液晶表示装置１００Ｂによれば、液晶表示装置１００Ａと同じく、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、サブ画素１２０Ｇにおいて開口領域２７１と低コントラスト領域２９０との重なりが小さくなり、低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１３２】
加えて、液晶表示装置１００Ｂによれば、外部圧力が加えられた場合に液晶層１７１に含まれる液晶分子の配向方向の乱れが発生しにくいようにすること、及び実効的なコントラスト値及び表示品位の低下を抑制することを両立することができる。
【０１３３】
３  実施の形態３
図４は、実施の形態３の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【０１３４】
図１及び図２に図示される実施の形態１の液晶表示装置１００Ａと図４に図示される実施の形態３の液晶表示装置１００Ｃとの主要な相違は、下述する点にある。
【０１３５】
（１）液晶表示装置１００Ａにおいては、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０が、サブ画素１２０Ｇに設けられる各スリット状開口２３０に設けられる屈曲部２８０の付近に生じる低コントラスト領域２９０と重ならないにとどまる。これに対して、液晶表示装置１００Ｃにおいては、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０が、サブ画素１２０Ｇに設けられる各スリット状開口２３０に設けられる屈曲部２８０の付近に生じる低コントラスト領域２９０と重ならないのに加えて、サブ画素１２０Ｇに設けられる各スリット状開口２３０が有する端部３２０及び３２１の付近にそれぞれ生じる低コントラスト領域３３０及び３３１とも重ならない。
【０１３６】
以下では、上述した主要な相違に関連する液晶表示装置１００Ｃの構成を説明する。以下では、液晶表示装置１００Ｃの構成が液晶表示装置１００Ａの構成に対応する場合は、後者の構成に付された参照符号と同じ参照符号を前者の構成に付して前者の構成についての重複説明を省略する。
【０１３７】
上述したように、各スリット状開口２３０に設けられる屈曲部２８０の付近には、低コントラスト領域２９０が生じる。加えて、各スリット状開口２３０の第２の方向ＤＹについての一方の端部３２０及び他方の端部３２１の付近にも、それぞれ低コントラスト領域３３０及び３３１が生じる。各スリット状開口２３０の端部３２０及び３２１は、各スリット状開口２３０に設けられる屈曲部２８０から離れており、各スリット状開口２３０に設けられる屈曲部２８０とは反対の側にある。
【０１３８】
液晶表示装置１００Ｃにおいては、液晶表示装置１００Ａと同じく、各画素１１０が表示するＷの色度を所望の色度とするＷの色度調整のために、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比が調整される。具体的には、サブ画素１２０Ｇが相対的に小さい開口率を有する第１のサブ画素とされ、サブ画素１２０Ｇが属する画素と同じ画素に属するサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの各サブ画素が相対的に大きい開口率を有する第２のサブ画素とされる。これにより、サブ画素１２０Ｇの開口率がサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくされる。ただし、液晶表示装置１００Ｃにおいては、液晶表示装置１００Ａと異なり、サブ画素１２０Ｇの開口率をサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくすることが、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１を遮光しないことにより行われる。
【０１３９】
サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１を遮光しないようにするために、遮光層２５１は、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０、端部３２０及び端部３２１と重なり、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに設けられる屈曲部２８０、端部３２０及び端部３２１と重ならない。遮光層２５１により、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０は、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１と重ならず、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの非遮光領域２７０は、それぞれサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１と重なる。
【０１４０】
サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１と重ならないことにより、サブ画素１２０Ｇに低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１４１】
液晶表示装置１００Ｃによれば、液晶表示装置１００Ａと同じく、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、サブ画素１２０Ｇにおいて開口領域２７１と低コントラスト領域２９０との重なりが小さくなり、低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１４２】
加えて、液晶表示装置１００Ｃによれば、低コントラスト領域３３０及び３３１が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１４３】
低コントラスト領域２９０，３３０及び３３１が占める面積の合計は、低コントラスト領域２９０が占める面積よりも大きい。このため、液晶表示装置１００Ｃにおける実効的なコントラスト値及び表示品位の低下の抑制の効果は、液晶表示装置１００Ａにおけるそれよりも大きい。
【０１４４】
４  実施の形態４
図５は、実施の形態４の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【０１４５】
図１及び図２に図示される実施の形態１の液晶表示装置１００Ａと図５に図示される実施の形態４の液晶表示装置１００Ｄとの主要な相違は、下述する点にある。
【０１４６】
（１）液晶表示装置１００Ａにおいては、カラーフィルタ基板１７２が、平面視された場合にゲート配線１９１、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５、並びにサブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なる遮光層２５１を備える。これに対して、液晶表示装置１００Ｄにおいては、カラーフィルタ基板１７２が、平面視された場合にゲート配線１９１、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５と重なる第１の遮光層２５１を備え、アレイ基板１７０が、平面視された場合にサブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なる第２の遮光層３４１を備える。
【０１４７】
液晶表示装置１００Ａと液晶表示装置１００Ｄとの相違からは、アレイ基板１７０及びカラーフィルタ基板１７２から選択される少なくともひとつの基板が、ゲート配線１９１、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５、並びにサブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なる少なくともひとつの遮光層を備えればよいことを理解できる。
【０１４８】
以下では、上述した主要な相違に関連する液晶表示装置１００Ｄの構成を説明する。以下では、液晶表示装置１００Ｄの構成が液晶表示装置１００Ａの構成に対応する場合は、後者の構成に付された参照符号と同じ参照符号を前者の構成に付して前者の構成についての重複説明を省略する。
【０１４９】
液晶表示装置１００Ｄにおいては、液晶表示装置１００Ａと同じく、各画素１１０が表示するＷの色度を所望の色度とするＷの色度調整のために、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比が調整される。具体的には、サブ画素１２０Ｇが相対的に小さい開口率を有する第１のサブ画素とされ、サブ画素１２０Ｇが属する画素と同じ画素に属するサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの各サブ画素が相対的に大きい開口率を有する第２のサブ画素とされる。これにより、サブ画素１２０Ｇの開口率がサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくされる。また、液晶表示装置１００Ｄにおいては、液晶表示装置１００Ａと同じく、サブ画素１２０Ｇの開口率をサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくすることが、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないことにより行われる。
【０１５０】
液晶表示装置１００Ｄにおいては、液晶表示装置１００Ａと異なり、カラーフィルタ基板１７２が第１の遮光層２５１を備え、アレイ基板１７０が第２の遮光層３４１を備える。第２の遮光層３４１は、サブ画素１２０Ｇに設けられる。
【０１５１】
各サブ画素１２０は、第１の遮光層２５１が配置されない非遮光領域２７０を有し、バックライト光が透過する開口領域２７１を有する。サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの非遮光領域２７０は、同じ平面形状を有する。サブ画素１２０Ｇの開口領域２７１は、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０から第２の遮光層３４１が配置される領域を除いた領域である。サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口領域２７１は、それぞれサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの非遮光領域２７０と一致する。
【０１５２】
第２の遮光層３４１は、第１の透明基板１９０の内側の主面２１０上に配置される積層構造の内部に配置されてもよいし、第１の偏光板１５１に面する、第１の透明基板１９０の外側の主面上に配置されてもよい。
【０１５３】
第２の遮光層３４１は、不透明な材料からなる。不透明な材料は、金属又は合金である。
【０１５４】
第２の遮光層３４１は、アレイ基板１７０に設けられる、不透明な材料からなるゲート配線１９１と同時に形成することができ、アレイ基板１７０に設けられる、不透明な材料からなるソース配線１９４及びドレイン電極１９５と同時に形成することができる。このため、第２の遮光層３４１は、製造工程を追加することなく形成することができる。
【０１５５】
第１の遮光層２５１は、平面視された場合に、ゲート配線１９１、ソース配線１９４及びドレイン電極１９５と重なる。
【０１５６】
サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０を遮光し、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないようにするために、第２の遮光層３４１は、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なり、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに設けられる屈曲部２８０と重ならない。第１の遮光層２５１及び第２の遮光層３４１により、サブ画素１２０Ｇの開口領域２７１は、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならず、サブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口領域２７１は、それぞれサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０と重なる。
【０１５７】
サブ画素１２０Ｇの開口領域２７１がサブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならないことにより、サブ画素１２０Ｇに低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１５８】
液晶表示装置１００Ｄによれば、液晶表示装置１００Ａと同じく、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、サブ画素１２０Ｇにおいて開口領域２７１と低コントラスト領域２９０との重なりが小さくなり、低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１５９】
加えて、液晶表示装置１００Ｄによれば、低コントラスト領域２９０が生じる位置を決める各スリット状開口２３０、及び平面視された場合に低コントラスト領域２９０と重ならなければならない第２の遮光層３４１がいずれもアレイ基板１７０に設けられる。このため、アレイ基板１７０に対するカラーフィルタ基板１７２の相対位置があるべき位置からアレイ基板１７０及びカラーフィルタ基板１７２の広がり方向にずれた場合においても、平面視された場合に第２の遮光層３４１が低コントラスト領域２９０と重なる状態が維持され、実効的なコントラスト値及び表示品位の低下を抑制する効果が維持される。
【０１６０】
５  実施の形態５
図６は、実施の形態５の液晶表示装置をひとつの画素に着目して模式的に図示する平面図である。
【０１６１】
図１及び図２に図示される実施の形態１の液晶表示装置１００Ａと図６に図示される実施の形態５の液晶表示装置１００Ｅとの主要な相違は、下述する点にある。
【０１６２】
（１）液晶表示装置１００Ａにおいては、平面視された場合にサブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の全部と重なる。これに対して、液晶表示装置１００Ｅにおいては、平面視された場合にサブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の一部と重ならない。
【０１６３】
以下では、上述した主要な相違に関連する液晶表示装置１００Ｅの構成を説明する。以下では、液晶表示装置１００Ｅの構成が液晶表示装置１００Ａの構成と対応する場合は、後者の構成に付された参照符号と同じ参照符号を前者の構成に付して前者の構成についての重複説明を省略する。
【０１６４】
液晶表示装置１００Ｅにおいては、液晶表示装置１００Ａと同じく、各画素１１０が表示するＷの色度を所望の色度とするＷの色度調整のために、サブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比が調整される。ただし、液晶表示装置１００Ｅにおいては、液晶表示装置１００Ａと異なり、サブ画素１２０Ｇが相対的に小さい開口率を有する第１のサブ画素とされ、サブ画素１２０Ｂが相対的に大きい開口率を有する第２のサブ画素とされ、サブ画素１２０Ｒが相対的に小さい開口率と相対的に大きい開口率との中間の開口率を有する第３のサブ画素とされる。これにより、サブ画素１２０Ｇの開口率がサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくされ、サブ画素１２０Ｒの開口率がサブ画素１２０Ｂの開口率より小さくされサブ画素１２０Ｇの開口率より大きくされる。また、液晶表示装置１００Ｅにおいては、液晶表示装置１００Ａと異なり、サブ画素１２０Ｇの開口率をサブ画素１２０Ｒ及び１２０Ｂの開口率より小さくし、サブ画素１２０Ｒの開口率をサブ画素１２０Ｂの開口率より小さくしサブ画素１２０Ｇの開口率より大きくすることが、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０の全部を遮光し、サブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の一部を遮光し、サブ画素１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないことにより行われる。このようにされるのは、サブ画素１２０Ｒの色であるＲの視感度が、サブ画素１２０Ｂの色であるＢの視感度より高くサブ画素１２０Ｇの色であるＧの視感度より低いからである。
【０１６５】
サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０の全部を遮光し、サブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の一部を遮光し、サブ画素１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０を遮光しないようにするために、遮光層２５１は、平面視された場合に、サブ画素１２０Ｇ及び１２０Ｒに設けられる屈曲部２８０と重なり、サブ画素１２０Ｂに設けられる屈曲部２８０と重ならない。その際には、サブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と遮光層２５１との重なりが、サブ画素１２０Ｒに設けられる屈曲部２８０と遮光層２５１との重なりより小さくされる。遮光層２５１により、サブ画素１２０Ｇの非遮光領域２７０は、サブ画素１２０Ｇに生じる低コントラスト領域２９０と重ならず、サブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０は、サブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の一部と重ならず、サブ画素１２０Ｂの非遮光領域２７０は、サブ画素１２０Ｂに生じる低コントラスト領域２９０と重なる。
【０１６６】
実効的なコントラスト値の低下を抑制するためにはサブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０がサブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０と重ならないことが望まれるが、サブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０はサブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の一部と重なる。このようにされているのは、各画素１１０が表示するＷの色度が所望の色度となるサブ画素１２０Ｒ，１２０Ｇ及び１２０Ｂの開口率の比を得ることを優先したためである。このような場合においても、平面視された場合にサブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０とサブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０とが重なる面積を可能な限り減らすことにより、平面視された場合にサブ画素１２０Ｒの非遮光領域２７０とサブ画素１２０Ｒに生じる低コントラスト領域２９０の全部とが重なる場合と比較して、実効的なコントラスト値の低下を抑制する効果を得ることができる。
【０１６７】
液晶表示装置１００Ｅによれば、液晶表示装置１００Ａと同様に、マルチドメイン構造が採用されＷの色度調整が行われる場合であっても、サブ画素１２０Ｇにおいて開口領域２７１と低コントラスト領域２９０との重なりが小さくなり、低コントラスト領域２９０が生じることに起因して起こる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下が抑制される。
【０１６８】
加えて、液晶表示装置１００Ｅによれば、サブ画素１２０Ｇに加えてサブ画素１２０Ｒにおいても実効的なコントラスト値の低下を抑制するための対策が行われる。このため、液晶表示装置１００Ｅにおける実効的なコントラスト値及び表示品位の低下の抑制の効果は、液晶表示装置１００Ａにおけるそれよりも大きい。
【０１６９】
６  変形例
液晶表示装置１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ及び１００Ｅにおいては、駆動モードがＦＦＳモードである。駆動モードがＦＦＳモードである場合は、画素電極１９６及び共通電極１９８の一方が平面状電極であり、画素電極１９６及び共通電極１９８の他方が複数のスリット状開口２３０を有する電極である。駆動モードがＦＦＳモードである場合は、平面視された場合に線状部となる各スリット状開口２３０の延在方向が変化する屈曲部２８０と重なるように遮光層２５１を配置することにより、実効的なコントラスト比の低下を抑制する効果を得ることができる。
【０１７０】
一方、駆動モードがＩＰＳモードに変更された場合は、画素電極１９６及び共通電極１９８が櫛歯電極であり、平面視された場合に画素電極１９６が共通電極１９８と重ならない。駆動モードがＩＰＳモードである場合は、平面視された場合に線状部となる櫛歯電極の電極指の延在方向が変化する屈曲部２８０と重なるように遮光層２５１を配置することにより、実効的なコントラスト比の低下を抑制する効果を得ることができる。
【０１７１】
液晶表示装置１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ及び１００Ｅにおいては、境界線２４５が配置される各サブ画素１２０の第２の方向ＤＹについての中央部に屈曲部２８０が設けられ、平面視された場合にサブ画素１２０Ｇに設けられる屈曲部２８０と重なるように遮光層２５１が配置される。中央部に屈曲部２８０が設けられる場合は、低コントラスト領域２９０が生じたことが明瞭に視認されるため、屈曲部２８０と重なるように遮光層２５１を配置することによる実効的なコントラスト値及び表示品位の低下を抑制する効果が明確に発現する。
【０１７２】
しかし、各サブ画素１２０の中央部以外に屈曲部２８０が設けられてもよい。各サブ画素１２０の中央部以外に屈曲部２８０が設けられる場合も、平面視された場合に当該屈曲部２８０と重なるように遮光層２５１が配置される。各サブ画素１２０の中央部以外に屈曲部２８０が設けられる場合においても当該屈曲部２８０の付近に低コントラスト領域２９０が生じることは、各サブ画素１２０の中央部に屈曲部２８０が設けられる場合と同様であるので、実効的なコントラスト値及び表示品位の低下を抑制する効果が発現する。
【０１７３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【０１７４】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【０１７５】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ  液晶表示装置、１１０  画素、１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂ，１２０  サブ画素、１７０  アレイ基板、１７１  液晶層、１７２  カラーフィルタ基板、１９１  ゲート配線、１９４  ソース配線、１９６  画素電極、１９８  共通電極、２００  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２３０  スリット状開口、２４０  第１の領域、２４１  第２の領域、２５１，３４１  遮光層、２５２  カラーフィルタ層、２７０  非遮光領域、２７１  開口領域、２８０  屈曲部、２９０，３３０，３３１  低コントラスト領域、３１０  第１の部分、３１１  第２の部分、３２０，３２１  端部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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