(57)【要約】【課題】装置の動作時における発光素子に対する熱膨張の影響を抑制すると共に、発光特性を改善できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、基板に形成された貫通孔に樹脂層を介して嵌合され且つ基板を貫通する金属コアと、金属コアの上面の領域内に形成され且つ平坦面を有する熱伝導膜と、熱伝導膜の平坦面に接着層を介して接合された半導体発光素子と、を有する。熱伝導膜の外縁は、前記金属コアの前記上面における外縁から離れている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された貫通孔に樹脂層を介して嵌合され且つ前記基板を貫通する金属コアと、
前記金属コアの上面の領域内に形成され且つ平坦面を有する熱伝導膜と、
前記熱伝導膜の前記平坦面に接着層を介して接合された半導体発光素子と、を有し、
前記熱伝導膜の外縁は、前記金属コアの前記上面における外縁から離れていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記接着層の外縁は、前記金属コアの前記上面における外縁から離れていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属コアは柱体形状又は錐台形状を有し、前記金属コアの側面が前記樹脂層に接することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記基板の前記貫通孔は柱体形状又は錐台形状を有し、前記内壁が前記樹脂層に接することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記熱伝導膜の周りの前記金属コアの前記上面における縁部には凹部溝又は凸部リブが環状に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
半導体発光装置の製造方法であって、
基板に貫通孔を形成する第１工程と、
前記貫通孔に金属コアを、樹脂層を介して嵌合して固定する第２工程と、
前記金属コアの上面の領域内に形成され且つ平坦面を有する熱伝導膜を形成する第３工程と、
前記熱伝導膜の前記平坦面に半導体発光素子を接合する第４工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光素子の赤外線の発光ダイオード（ＬＥＤ）の用途が拡大している。赤外線ＬＥＤは、赤外線を照射し赤外フィルタ付ＣＭＯＳカメラで画像を得る赤外線カメラと組み合わせることが多くなっている。赤外線カメラは、クルマのパーキングをアシストするリアカメラシステムにも利用されている。赤外線を使うことで周囲の明るさに左右されず昼でも夜でも鮮明な画を得ることができる。このため最近の赤外ＬＥＤにはハイパワーが求められる。
【０００３】
一方、パワーモジュール、ＬＳＩ、受動素子等の電子部品を実装する金属ベース銅張積層板の分野において、搭載する回路素子からの発生熱の放熱性を増大させる技術が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２３６８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、回路素子からの発生熱の放熱性を増大させる金属ベース銅張積層板を開示する特許文献１では、回路素子の実装密度を高めることに着目するものの、各回路素子の実装時の位置ズレに関する記載、動作時における回路素子に対する熱膨張の影響に関する記載はない。
【０００６】
本発明の目的は、装置の動作時における発光素子に対する熱膨張の影響を抑制すると共に、発光特性を改善できる半導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様の半導体発光装置は、基板と、
前記基板に形成された貫通孔に樹脂層を介して嵌合され且つ前記基板を貫通する金属コアと、
前記金属コアの上面の領域内に形成され且つ平坦面を有する熱伝導膜と、
前記熱伝導膜の前記平坦面に接着層を介して接合された半導体発光素子と、を有し、
前記熱伝導膜の外縁は、前記金属コアの前記上面における外縁から離れていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様の半導体発光装置の製造方法は、基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に金属コアを、樹脂層を介して嵌合して固定する嵌合工程と、
前記金属コアの上面の領域内に形成され且つ平坦面を有する熱伝導膜を形成するパターン形成工程と、
前記熱伝導膜の前記平坦面に半導体発光素子を接合する接合工程と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例の半導体発光装置の模式的な上面図である。
【図２】図１のＸＸ線に沿って切断した場合の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【図３】本発明の実施例の半導体発光装置の基板の断面図である。
【図４】本発明の実施例の半導体発光装置の金属コアの断面図である。
【図５】本発明の実施例の半導体発光装置の製造方法の工程を説明する模式的な断面図である。
【図６】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【図７】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【図８】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【図１０】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図であって、熱伝導膜の周りの金属コアの上面における縁部と樹脂層の部分拡大断面図を含む図である。
【図１１】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【図１２】本発明の実施例の変形例の半導体発光装置の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の半導体発光装置とその製造方法の実施例について、図面を参照しつつ具体的に説明する。なお、図面において同一の構成要素については、同一の符号を付け、重複する構成要素の説明は省略する。
【００１１】
（半導体発光装置）
図１に本発明の実施例の半導体発光装置１０（以下、発光装置）の模式的な上面図を示す。図２は図１のＸＸ線に沿った半導体発光装置１０の模式的な断面図を示す。
【００１２】
図１及び図２に示すように、発光装置１０は、基板１１と、金属コア１２と、金属コア１２上に搭載された半導体発光素子１３（以下、発光素子）とを含む。基板１１のみの断面図は図３に示す。金属コア１２のみの断面図は図４に示す。
【００１３】
基板１１は、例えば基材１１ａとその両主面（上面、下面）に張り付けられた銅箔１１ｂとからなる両面銅張積層基板である。なお、基材１１ａには、ガラスエポキシ基板、またはアルミナやＡｌＮ等のセラミック材料からなる基板を用いてもよい。なお、以下において基板１１の上面と同じ方向（図面上方）を向く面を、上面として、さらに、上面と反対の方向（図面下方）を向く面を、下面として説明する。
【００１４】
基板１１には、その上面から形成された貫通孔ＰＨ（図３）に金属コア１２が樹脂層ＲＬを介して嵌合されている。金属コア１２は基板１１を貫通して、樹脂層ＲＬによって固定されている。金属コア１２は、銅、アルミ等の金属からなる。樹脂層ＲＬには、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の合成樹脂を用いることができる。
【００１５】
図４に示すように、金属コア１２の上面に熱伝導膜１４が形成されている。熱伝導膜１４は、銅等の金属材料からなる膜から構成される。熱伝導膜１４は、金属コア１２の上面の領域の面積φ１より小さい面積φ２を有する平坦面（上面）を有する。熱伝導膜１４は、金属コア１２の上面の領域をはみださないように、金属コア１２の上面の領域内に形成される。よって、熱伝導膜１４は、熱伝導膜１４の外縁が金属コア１２の上面の外縁から離れて、間隙を保って配置される。なお、熱伝導膜１４は、別体として、金属コア１２の上面の領域内に接合または形成されてもよいが、金属コア１２の材料と同一の材料で一体として形成されてもよい。
【００１６】
図１及び図２に示すように、上面に熱伝導膜１４が形成された基板１１の上に、発光素子１３が、熱伝導膜１４の上面の接着層１５を介して接合されることによって実装されている。発光素子１３は、熱伝導膜１４の平坦面とほぼ同一形状の下面を有していてもよい。発光素子１３は、その下面が接着層１５を介して熱伝導膜１４の平坦面に接合されるように、形成されればよく、発光素子１３のサイズは限定されない。
【００１７】
接着層１５は、その未硬化接着剤の形態では、例えば、Ａｇペースト、焼結材、ＡｕＳｎ共晶などの接合材料を用いることができる。熱伝導膜１４および金属コア１２へ効率よく熱を伝えるため、導電性の接合材料を用いることが好ましい。
【００１８】
発光素子１３の下面は、熱伝導膜１４の上面の平坦面の領域と相似形状もしくは外形線の一部に同一形状を含む形状を有することができる。そのため、両者間にある共晶材料等の接着剤を加熱溶融させた段階でセルフアライメント効果により発光素子１３が熱伝導膜１４上の所定の位置に精度よく接合される。更に、熱伝導膜１４はＡｕ等のはんだ濡れ性が良好な金属材料で形成され、もしくは熱伝導膜１４の表面が、メッキを施すなどにより、Ａｕ等のはんだ濡れ性が良好な金属材料で形成されている。そのため、共晶接合時のセルフアライメントのさらなる精度向上を図ることができる。
【００１９】
Ａｇペーストにより接着層１５を形成する場合、その未硬化接着剤は、その硬化温度が２００℃以下であり、その低融点の故に、硬化時（硬化完了まで）の基板１１と樹脂層ＲＬの熱膨張による応力の影響が「中」程度となる。なお、Ａｇペースト使用の場合は、焼結材やＡｕＳｎ共晶材を用いた場合と比較して、熱伝導膜１４の面積を大きく設定することができる。
【００２０】
焼結材により接着層１５を形成する場合、その未硬化接着剤は、その硬化温度が２５０℃以下であり、その中融点の故に、硬化時（硬化完了まで）の基板１１と樹脂層ＲＬの熱膨張による応力の影響が「大」程度となる。焼結材としては、Ａｇ焼結材、Ａｕ焼結材などを用いることができる。
【００２１】
ＡｕＳｎ共晶材により接着層１５を形成する場合、その未硬化接着剤は、その硬化温度が２８０℃と高く、その高融点の故に、硬化時（硬化完了まで）の基板１１と樹脂層ＲＬの熱膨張による応力の影響が「特大」程度となる。なお、本実施例では接着剤としてＡｕＳｎ共晶材を用いる。
【００２２】
接着層１５の接着剤として、ＡｕＳｎ共晶材の他には、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ系等の合金材料を、半田ペーストや、合金バンプの形態で用いることができる。
【００２３】
図１及び図２に示すように、基板１１の上面には、Ｃｕ等の金属をメッキ等することで形成された、ｐ接続電極１６ａ及びｎ接続電極１６ｂが、基板１１の下面には、金属コア１２に接する放熱膜１７が、設けられている。放熱膜１７は半田付けパターンとして用いることができる。放熱膜１７は基板１１の下面の全体に亘って設けることができるが、回路設計により、金属コア１２の下面の周りに限定した面積で設けることもできる。
【００２４】
ｐ接続電極１６ａ及びｎ接続電極１６ｂは、基板１１の上面（銅箔１１ｂ）上に形成されている。ｐ接続電極１６ａとｎ接続電極１６ｂとは、基板１１の銅箔の無い表面上において貫通孔ＰＨ（図３）を挟んで互いに離間して形成されることによって、絶縁されている。
【００２５】
発光素子１３は、例えば発光層を含むＡｌＧａＡｓＰ等のＧａＡｓ系半導体層（図示せず）を積層することにより形成されている１ｍｍ角のＬＥＤチップである。かかる半導体層は半導体材料をエピタキシャル成長等により結晶成長させることによって積層されている。発光素子１３の発光層からは、例えば発光波長の中心が約７００ｎｍを超える赤外光が出射される。尚、発光素子１３として、例えば可視光などの他の発光波長のＬＥＤチップを用いることもでき、ＬＥＤチップに限らずＬＤチップなど他の発光素子を用いることもできる。
【００２６】
発光素子１３の上面には、ｐ側パッド電極２０ａ及びｎ側パッド電極２０ｂが設けられている。ｐ側パッド電極２０ａ及びｎ側パッド電極２０ｂは、Ａｕ等の導電性を有する材料で形成されている。ｐ側パッド電極２０ａとｐ接続電極１６ａとがＡｕ等の導電ワイヤ２１を用いてワイヤボンディングにより接続されている。ｎ側パッド電極２０ｂとｎ接続電極１６ｂもＡｕ等の導電ワイヤ２１を用いてワイヤボンディングにより接続されている。
【００２７】
図１及び図２に示すように、発光素子１３の上面には、発光素子１３の発する光に対して透明な光透過性の封止体２２が形成されている。
【００２８】
封止体２２は、発光素子１３上に充填されたシリコーン系樹脂等の透光性樹脂からなっている。すなわち、発光素子１３、ボンディングワイヤ２１は、封止体２２によって埋設されている。封止体２２の上面は、発光装置１０の光出射面となっている。封止体２２は、未硬化透光性樹脂を発光素子１３の上面に滴下または塗布後、硬化、乾燥することにより形成される。封止体２２は、発光素子１３の上面上にドーム状に形成してもよい。封止体２２は、中央部の厚みが周辺部と比較して厚い構成としてもよい。また、封止体２２は、発光素子１３全体を覆うように形成されることが好ましい。光透過性の封止体２２は、シリコーン樹脂の他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の合成樹脂を用いることができる。
【００２９】
（半導体発光装置の製造方法）
半導体発光装置の製造方法の一例の要部の工程について図を参照しつつ説明する。
【００３０】
まず、基材１１ａとその両主面に張り付けられた銅箔１１ｂとからなる両面銅張積層基板（基板１１）を用意する。
【００３１】
貫通孔形成工程において、図５（ａ）に示すように、基板１１に、上面視で四角形の貫通孔ＰＨを形成する（第１工程）。
【００３２】
嵌合工程において、図５（ｂ）に示すように、貫通孔ＰＨに金属コア１２を、樹脂層ＲＬを介して嵌合して固定する（第２工程）。すなわち、貫通孔ＰＨに金属コア１２を差しみ、基板１１と金属コア１２の隙間に所定の未硬化樹脂を充填して、これを硬化させて樹脂層ＲＬにより金属コア１２を基板１１に固定する。未硬化樹脂の充填においては、図示しないプリプレグを用いることができる。
【００３３】
パターン形成工程において、図５（ｃ）に示すように、金属コア１２の上面の領域の面よりも面積が小さい平坦面（上面）を有する熱伝導膜１４を形成する（第３工程）。ここでは、金属コア１２が固定された基板１１の両面をメッキ処理（例えばＣｕメッキ）する。メッキは、基板１１、金属コア１２、樹脂層ＲＬの両面に施される。そして、当該メッキにエッチング処理を施し、ｐ接続電極１６ａ、ｎ接続電極１６ｂ、熱伝導膜１４及び放熱膜１７等の回路を形成する。そして、当該回路上の所定部位に再メッキ処理（例えばＮｉ／Ａｕメッキ）する。これにより、ｐ接続電極１６ａ、ｎ接続電極１６ｂ及び放熱膜１７等を完成させる。
【００３４】
接合工程において、図５（ｄ）に示すように、熱伝導膜１４の平坦面に発光素子１３を載置し接合する（第４工程）。ここでは、基板１１の熱伝導膜１４上に未硬化接着剤（例えば、ＡｕＳｎペースト）（図示せず）を塗布し、次に、発光素子１３をマウンター装置（図示せず）にて順次、未硬化接着剤上に搭載する。そして、この状態で未硬化接着剤と共に組立体の全体を加熱する。この時、溶融した未硬化接着剤と熱伝導膜１４によって発光素子１３のセルフアライメントが行われる。すなわち、発光素子１３は、溶融した未硬化接着剤の表面張力により、水平方向（前後左右）において、対応する熱伝導膜１４に発光素子１３の下面が対向するよう、発光素子１３の下面と熱伝導膜１４のそれぞれの中心が重なる方向に移動する。発光素子の下面と熱伝導膜１４との形状および大きさが同じ場合には、熱伝導膜１４上に発光素子１３の下面が一致するように移動する。溶融した未硬化接着剤によって発光素子１３のセルフアライメントが行われた後に、冷却され、未硬化接着剤の合金成分が硬化して接着層１５が形成され、共晶接合される。接合後、発光素子１３の下面の縁は、熱伝導膜１４及び接着層１５の合計厚さ分だけ、金属コア１２の上面の周縁部から離れるようなる。また、熱伝導膜１４の外縁は、金属コア１２の外縁から離れて形成されている。これにより、発光素子１３の下面の縁は、樹脂層ＲＬから離れる故に、装置の動作時における熱膨張による樹脂層ＲＬの応力歪みの影響を受けない。特に、熱膨張した樹脂層ＲＬにより発光素子１３の下面が押し上げられるなどのおそれがない。
【００３５】
このように、接合工程において、発光素子１３の下面が接着層１５を介して熱伝導膜１４の平坦面に接合される。
【００３６】
尚、溶融した接着剤は、熱伝導膜の外縁において流出が規制されるものの、樹脂層ＲＬに到達しない程度において、金属コア１２上への流出が許容できる。この場合、接着層１５の外縁は金属コア１２上となるが、金属コア１２の外縁までは達しない。
【００３７】
次に、図示しないが、洗浄工程の後、発光素子１３の上面と基板１１の配線（ｐ接続電極１６ａ、ｎ接続電極１６ｂ）との間における公知のワイヤボンディング工程を行う。
【００３８】
次に、図示しないが、封止体配置工程において、発光素子１３の上面に光透過性の未硬化封止材の所定量を塗布して、これを硬化させる。以上の製造工程によって、図１に示す発光装置１０が得られる。
【００３９】
（半導体発光装置およびその製造方法の効果）
（１）半導体発光装置の動作時における樹脂層ＲＬの熱膨張による発光素子１３への応力を低減し、装置の信頼性を高める。発光素子１３は金属コア１２の熱伝導膜１４の領域内にあり、基板１１の水平方向に対して、発光素子１３の直下に基板１１も樹脂層ＲＬも存在しない故に、金属コア１２の熱膨張のみの応力を受けるが、当該領域内の場所によらず発光素子１３に加わる当該応力は一定で歪みが発生しない。よって、発光素子１３は、駆動時や環境における樹脂層ＲＬや基板１１の熱膨張により、応力破壊が発生しないので、半導体発光装置の信頼性が向上し、発光特性を維持できる。
【００４０】
（２）発光素子１３の製造中の接合時の位置ズレが発生しない。発光素子１３と熱伝導膜１４は同じサイズである故に、接合工程において未硬化接着剤の溶融時にアライメント補正により発光素子１３は熱伝導膜１４の領域内に保持される。尚、発光素子１３の下面と熱伝導膜１４は、同一の形状および同一サイズに限らない。両者が相似形状であって、発光素子１３の下面が熱伝導膜１４より小さい場合でもよい。また、これらの場合において、熱伝導膜１４の外縁が部分的に一致しない場合も含む。
【００４１】
（３）エッチング時の熱伝導膜１４のズレを配慮することができる。熱伝導膜１４の面積に比べ、金属コア１２の上面の領域の面積は十分大きいので、熱伝導膜１４のズレが発生しても、金属コア１２内に収まることとなる。
【００４２】
（４）放熱効率向上と低コスト化が可能となる。金属コア１２を用いることにより、貫通孔に導電ペーストを充填する構成と比べ高い放熱効率が実現できる。また、金属コア１２を用いることにより、貫通孔へのフィルドメッキ充填と比べ低コスト化が可能となる。
【００４３】
［変形例］
（１）上面視時の金属コア１２形状は矩形でも円形でもよい。円柱の金属コアの場合は、角柱の金属コアと比較して、金属コアが作りやすくなり、低コスト化が期待できる。上面視四角形（矩形）の角柱の金属コアの場合は、図１に示すように発光素子１３の四角形状に金属コア１２を合わすことができ、必要最小限の金属コアのサイズとなり、回路形成に自由度が増す効果が得られる。
【００４４】
（２）上面視時の貫通孔の形状は円形でも四角形でもよい。円形孔の場合は、四角形孔の場合と比較して、作りやすくなり、低コスト化が期待できる。四角形孔の場合は、図１に示すように発光素子１３の四角形状に合わすことができ、貫通孔ＰＨのサイズが最小限となり、回路形成に自由度が増す効果が得られる。
【００４５】
（３）金属コア１２は、基板１１の主面の法線を中心軸とする柱体形状又は錐台形状でもよい。すなわち、上記発光装置において、金属コア１２の上面及び下面に垂直に交差する断面の形状は、長方形又は上面から下面に向けて広がるもしくは狭まる形状であることとすることができる。四角形断面の金属コアの場合は、金属コア形状が作りやすくなり、低コスト化が期待できる。また、図６に示すように、金属コア１２ａの断面形状が台形（下広がり）すなわち錐台形状の場合は、金属コア１２の下面の面積が拡大されて、発光素子１３の発光時の放熱性が向上する。また、図７に示すように、金属コア１２ｂの断面形状が台形（上広がり）の場合は、金属コア１２の下面の半田付けパターン（放熱膜１７）を最小限とすることができるので、実装パターンに小さくでき、実装リフロー後の製品ズレが低減可能となる。また、いずれの場合でも、金属コア１２の接着層１５に接する側面に傾斜をつけることにより、金属コア１２が基板１１から抜け難くなる。
【００４６】
（４）貫通孔ＰＨは柱体形状又は錐台形状を有することができる。貫通孔ＰＨの内壁は、樹脂層ＲＬに接している。すなわち、上記発光装置において、基板１１の貫通孔ＰＨの上面及び下面に垂直に交差する断面の形状は、長方形又は上面から下面に向けて広がるもしくは狭まる形状であることとすることができる。四角形断面の貫通孔の場合は、形状が作りやすくなり、低コスト化が期待できる。また、金属コア１２の形状に沿う形状とすることができる。図８に示すように、金属コア１２と貫通孔ＰＨを同一傾斜角度の側面を有する錐台形状とすることで、貫通孔ＰＨａの断面形状が台形（下広がり）の場合でも、図９に示すように、貫通孔ＰＨｂの断面形状が台形（上広がり）の場合でも、金属コア１２と基板１１との距離が樹脂層ＲＬの厚さで一定となるので、樹脂層ＲＬの熱膨張による応力歪みが発生し難くなる。
【００４７】
（５）上面視時の熱伝導膜１４の周りの金属コア１２ｂの上面は（基板１１の水平方向に対し）凸形状でも凹形状を有してもよい。例えば、図１０（ａ）の部分拡大断面図に示すように、熱伝導膜１４の周りの金属コア１２ｂの上面における縁部に、凸部リブＲＢが環状に設けられ得る。この凸形状リブＲＢの場合は、基板１１と樹脂層ＲＬの熱膨張を受けるが、金属コア１２ｂの縁部の強度が向上し、発光素子１３の熱膨張による応力破壊が更に発生し難くなり、信頼性が向上する。また、図１０（ｂ）の部分拡大断面図に示すように、熱伝導膜１４の周りの金属コア１２ｂの上面における縁部に、凹部溝ＴＲが環状に設けられ得る。この凹部溝ＴＲの場合は、接合工程に供給される未硬化接着剤が過剰なときでも、凹部溝ＴＲに未硬化接着剤を留めることができる。また、図１０（ｂ）には、凹部溝が金属コア１２ｂの外周面に露出したもの示したが、外周面に露出しないよう凹部溝を設けることもできる。
【００４８】
（６）上面視時の熱伝導膜１４の周りの金属コア１２の上面はレジストで覆ってもよい。すなわち、図１１に示すように、熱伝導膜１４の周りの金属コア１２の上面には、当該上面を覆う第２の樹脂層ＲＬ２が環状に設けられていてもよい。樹脂層ＲＬ２は、樹脂層ＲＬおよび基板１１の上面をも覆うよう設けられる。また、樹脂層ＲＬ２は、発光素子１３、熱伝導膜１４および接着層１５のいずれからも離間して設けられる。図１１に示すように第２の樹脂層ＲＬ２で覆う場合は、金属コア１２と樹脂層ＲＬと基板１１の界面を保護（剥離防止）できると共に、パターン形成工程において余分なメッキを排除することができる。一方、図２に示すように、第２の樹脂層（レジスト）で覆わない場合は、レジストが無い故に、低コストが期待される。
【００４９】
（７）図１２に示すように、発光素子１３は、一対の電極が上面（ｎ電極）と下面（ｐ電極）に設けられているものを用いることもできる。この場合、発光素子１３の下面に設けられた一方の電極（ｐ電極）は、接着層１５、熱伝導膜１４および金属コア１２を介して放熱膜１７（ｐ接続電極１６ａとして機能する）に電気的に接続される。また、発光素子１３の上面に設けられたもう一方の電極（ｎ電極）は、基板上のｎ接続電極１６ｂに、導電ワイヤ２１を介して接続される。
【００５０】
（８）上記実施例および変形例において、金属コア１２の厚みは、基材１１ａ厚みと同一の例で説明したが、これに限定するものではない。金属コア１２の厚みを基板１１の厚みと同一とすることもできる。
【符号の説明】
【００５１】
１０…発光装置
１１…基板
１１ａ…基材
１１ｂ…銅箔
１２…金属コア
１３…発光素子
１４…熱伝導膜
１５…接着層
１６ａ…ｐ接続電極
１６ｂ…ｎ接続電極
１７…放熱膜
２０ａ…ｐ側パッド電極
２０ｂ…ｎ側パッド電極
２１…導電ワイヤ
２２…封止体
ＰＨ…貫通孔
ＲＬ…樹脂層
ＴＲ…凹部溝
ＲＢ…凸部リブ
ＲＬ２…第２の樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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