(57)【要約】【課題】最終圧下率を高く上げなくても、絶縁性樹脂基材に加熱して積層すれば、優れた耐折り曲げ特性を発現し、また、圧延痕が生じ難いから表面粗さを低く維持できるため高速伝送特性に優れたフレキシブルプリント配線板に好適に使用できる硬質圧延銅箔であって、しかも、常温軟化し難く、保管後にフレキシブルプリント配線板に加工する際の作業効率や通箔性が優れる硬質圧延銅箔を提供する。【解決手段】Copper方位の結晶方位密度が10以上、且つ、Brass方位の結晶方位密度が20以上である硬質圧延銅箔。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Copper方位の結晶方位密度が10以上、且つ、Brass方位の結晶方位密度が20以上である硬質圧延銅箔。
【請求項２】
Copper方位の結晶方位密度が25以下、且つ、Brass方位の結晶方位密度が45以下である請求項1記載の硬質圧延銅箔。
【請求項３】
銅純度99.99％以上の無酸素銅を圧延してなる請求項1又は2記載の硬質圧延銅箔。
【請求項４】
最終圧下率が90％未満である請求項1乃至3いずれか記載の硬質圧延銅箔。
【請求項５】
十点平均粗さRzjis94が1μｍ未満である請求項1乃至4いずれか記載の硬質圧延銅箔。
【請求項６】
箔厚さが12μｍ以下である請求項1乃至5いずれか記載の硬質圧延銅箔。
【請求項７】
請求項1乃至6いずれか記載の硬質圧延銅箔を積層したプリント配線板。
【請求項８】
回復温度域の温度で熱処理した後最終冷間圧延することを特徴とする請求項1乃至6いずれか記載の硬質圧延銅箔の製造方法。
【請求項９】
最終圧下率が70％以上90％未満で圧延することを特徴とする請求項8記載の硬質圧延銅箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント配線板に好適に使用できる硬質圧延銅箔に関する。詳しくは、該硬質圧延銅箔は最終圧下率を高く上げなくても絶縁性樹脂基材に加熱して積層した際には、優れた耐折り曲げ特性を発現し、また、最終圧下率を高く上げないから圧延痕が生じ難く、表面粗さを低く維持できるため高速伝送特性にも優れ、しかも、常温で保管しても軟化し難いからフレキシブルプリント配線板に加工する際の作業効率や通箔性が非常に優れる硬質圧延銅箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンに代表されるポータブル電子機器は、小型化、薄型化、軽量化と共に高機能化が急速に進んでいる。
【０００３】
ポータブル電子機器に使用される材料は、狭い筐体内に収納する必要があり、また、デジタル信号の高周波化に対応する必要もある。
【０００４】
したがって、フレキシブルプリント配線板の導体には屈曲性と共に折り曲げを繰り返しても破断し難い耐折り曲げ特性が求められ、また、高い高速伝送特性も求められている。
【０００５】
一般的に、フレキシブルプリント配線板の導体には銅箔が用いられる。
通常、銅箔には表面に粗化粒子と称される微細な金属粒子を形成させる粗化処理が施され、耐熱性や耐薬品性、接着性を付与するために各種表面処理が施された後、フィルム状の絶縁性樹脂基材と加熱したローラーで加圧ラミネートする工法や、絶縁性樹脂基材を塗布した後、乾燥や高温処理する工法等により、絶縁性樹脂基材に積層され、最後に銅箔部分をエッチングして回路が形成されてフレキシブルプリント配線板が製造される。
【０００６】
導体として用いられる銅箔としては、圧延銅箔若しくは電解銅箔のいずれも使用することができ、圧延銅箔の場合は、硬質圧延銅箔が使用されるのが一般的である。
【０００７】
硬質圧延銅箔は、銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と熱処理とを繰り返して順に厚さを薄くし、最後に冷間圧延で所望の厚さに仕上げるのが一般的である。
【０００８】
冷間圧延で仕上げるのは、熱間圧延で仕上げるよりも箔厚さの精度が優れるからである。
【０００９】
冷間圧延過程においては、圧延銅は加工硬化するため、再び柔らかく加工し易い状態にするために熱処理が施される。
【００１０】
熱処理は、焼鈍とも呼ばれ、不活性雰囲気又は真空下で、200℃、1時間保持して処理されるのが一般的である。
【００１１】
圧延銅は、熱処理の進行度合いによって「回復」→「再結晶」→「粒成長」と呼ばれる過程を経て順に柔らかくなることが知られている。
【００１２】
熱処理は、圧延銅を柔らかくして加工し易い状態にする目的で行われることから、通常は「粒成長」の状態まで加熱される。
【００１３】
「粒成長」の状態まで加熱された後、冷間圧延により圧延することを繰り返して所望の厚さの硬質圧延銅箔に仕上げる。
【００１４】
この圧延過程において、所望の厚さに仕上げる最終の冷間圧延を最終冷間圧延、最終冷間圧延における圧下率を最終圧下率、最終冷間圧延直前の熱処理を最終熱処理、最終熱処理前の状態を最終圧延銅条と言う。
【００１５】
最終圧延銅条は、最終冷間圧延によって個々の結晶粒がそれぞれ変形に伴って回転し、ある安定方位に配向する。多結晶体のもつこのような一定の結晶方位分布状態を集合組織と言い、圧延によって生じた集合組織を圧延集合組織と言う。また、圧延後に熱処理で「粒成長」させることにより生じた集合組織を再結晶集合組織と言う。
【００１６】
この圧延集合組織はβ-fiberとも呼ばれ、Copper方位｛112｝＜111＞、S方位｛123｝＜634＞、Brass方位｛110｝＜112＞と呼ばれる３方位を連続的に繋ぐ方位群に配向する。
【００１７】
なお、｛hkl｝はある結晶に注目したときの試料表面に平行な面のミラー指数、＜uvw＞は圧延方向に平行な方位のミラー指数を表す。
【００１８】
硬質圧延銅箔の屈曲性や耐折り曲げ特性を向上させる方法としては、再結晶集合組織においてCube方位｛100｝＜010＞からなる立方体集合組織を発達させることが広く知られている。
【００１９】
Cube方位を発達させる方法としては、最終圧下率が高い硬質圧延銅箔を絶縁性樹脂基材に積層し、この積層する際の熱によってCube方位を発達させる方法がある。
【００２０】
しかしながら、最終圧下率が高い硬質圧延銅箔には歪みが蓄積されるため、軟化温度が低くなり、常温で保管すると保管中に銅箔が軟化する（以下「常温軟化」と言う）。
【００２１】
銅箔が軟化すると、絶縁性樹脂基材に積層する工程において、銅箔が破断したり、しわが生じたりして通箔性が悪くなるため、作業効率が低下したり、製品収率が低下したりするという問題がある。
【００２２】
また、最終圧下率が高い硬質圧延銅箔は、銅箔表面に圧延痕（すじ）が強く残るため表面粗さが高くなるが、電流は高周波信号ほど導体である銅箔表面近くを流れ易くなる（表皮効果）ことから、表面粗さが高い銅箔が導体だと、プリント配線板の伝送損失が大きくなり高速伝送特性が低下するという問題がある。
【００２３】
そこで、最終圧下率を高く上げなくても、絶縁性樹脂基材に加熱して積層すれば優れた耐折り曲げ特性が発現すると共に、高い高速伝送特性も備え、しかも、保管中に常温軟化せず、絶縁性樹脂基材に積層する際の作業効率や通箔性に優れ、製品収率が向上する硬質圧延銅箔の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２４】
【特許文献１】特開２０１４−７７１８２号公報
【特許文献２】特開昭５５−１４５１５９号公報
【特許文献３】特開２０００−２１２６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
特許文献1には、複数の結晶面の中で、Brass方位｛220｝面を有する結晶粒から、再結晶によってCube方位｛200｝面を有する結晶粒へ変化することから、最終圧下率を高く上げることにより、硬質圧延銅箔の圧延集合組織においてβ−fiberのBrass方位を発達させれば、絶縁性樹脂基材と積層する際の熱によりCube方位の立方体集合組織が発達し、屈曲性が発現することが記載され、このCube方位の立方体集合組織の発達と最終圧下率の高さには正の相関があることが記載されている。
【００２６】
しかしながら、最終圧下率が高いため、圧延痕によって表面粗さが高くなり、高速伝送特性が低下するといった問題があり、また、歪みが蓄積されることによって軟化温度が低下するから常温軟化の問題もある。
【００２７】
特許文献2には、最終冷間圧延における最終圧下率が90%以上の銅箔を100℃以上の温度で加熱して、立方体組織を生成させることで、屈曲性に優れたプリント配線板用銅箔を製造できることが記載されている。
【００２８】
しかしながら、最終圧下率が90％以上と高いことから表面粗さが高くなり、高速伝送特性が低下するといった問題があり、また、常温軟化の問題もある。
【００２９】
特許文献3には、最終圧下率が高いことによって発生する常温軟化の問題を解決するために、銅箔の軟化温度を適度に上げる目的でAgを微量添加し固溶体にすることが記載されている。
【００３０】
しかしながら、Agを含有することにより、純銅に比べて電気伝導性が低下することや、最終圧下率が高いから圧延痕により表面粗さが高くなることにより高速伝送特性が低下するという問題があった。
【００３１】
本発明者らは、前記諸問題を解決することを技術的課題とし、試行錯誤的な数多くの試作・実験を重ねた結果、硬質圧延銅箔における圧延集合組織のβ-fiberのBrass方位だけでなく、Copper方位においても、Orientation Distribution Function（方位密度分布関数：以下「ODF」と言う）と耐折り曲げ特性に強い正の相関があることを見出だし、Copper方位の結晶方位密度が10以上、且つ、Brass方位の結晶方位密度が20以上である硬質圧延銅箔であれば、最終圧下率を高く上げなくても、絶縁性樹脂基材と加熱して積層した際には優れた耐折り曲げ特性が発現し、また、最終圧下率が高くないので、表面粗さが高くならずに高速伝送特性にも優れ、しかも、常温軟化しない硬質圧延銅箔になるという刮目すべき知見を得て、前記技術的課題を達成したものである。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
前記技術的課題は次のとおりの本発明によって解決できる。
【００３３】
本発明は、Copper方位の結晶方位密度が10以上、且つ、Brass方位の結晶方位密度が20以上である硬質圧延銅箔である。
【００３４】
また、本発明は、Copper方位の結晶方位密度が25以下、且つ、Brass方位の結晶方位密度が45以下である前記硬質圧延銅箔である。
【００３５】
また、本発明は、銅純度99.99％以上の無酸素銅を圧延してなる前記硬質圧延銅箔である。
【００３６】
また、本発明は、最終圧下率が90％未満である前記硬質圧延銅箔である。
【００３７】
また、本発明は、十点平均粗さRzjis94が1μｍ未満である前記硬質圧延銅箔である。
【００３８】
また、本発明は、箔厚さが12μｍ以下である前記硬質圧延銅箔である。
【００３９】
また、本発明は、前記の硬質圧延銅箔を積層したプリント配線板である。
【００４０】
また、本発明は、回復温度域の温度で熱処理した後最終冷間圧延することを特徴とする前記硬質圧延銅箔の製造方法である。
【００４１】
また、本発明は、最終圧下率が70％以上90％未満で圧延することを特徴とする前記硬質圧延銅箔の製造方法である。
【発明の効果】
【００４２】
本発明は、熱処理の進行度合いにおける「再結晶」状態未満の「回復」状態を維持する温度で最終熱処理を行った後最終冷間圧延を行うことによって製造することができるCopper方位の結晶方位密度が10以上、且つ、Brass方位の結晶方位密度が20以上の硬質圧延銅箔であるから、最終圧下率を高く上げなくても、絶縁性樹脂基材と積層する際の熱によって「粒成長」の段階まで軟化することにより、優れた耐折り曲げ特性が発現する。
【００４３】
また、最終圧下率が高くないため、圧延痕がつき難く、表面粗さを低く維持することができるため、導体として使用した際には、高周波信号であっても表皮効果による伝送損失を抑制することができ、高速伝送特性に優れた導体になる。
【００４４】
また、最終圧下率が高くないため、硬質圧延銅箔内部に蓄積される歪みが少なく、軟化温度が低下しないので、常温軟化し難い。
【００４５】
常温軟化し難いため、保管した硬質圧延銅箔であっても絶縁性樹脂基材に積層する際の作業性や通箔性に優れ、高い製品収率が得られる。
【００４６】
また、原料の銅に銅純度99.99％以上の無酸素銅を使用すれば、電気伝導性が高い上に、回路形成時のソフトエッチングによっても表面に凹凸が生じ難いから、さらに高速伝送特性に優れた導体になる。
【００４７】
また、回復温度域の温度で最終熱処理するから、最終圧下率が70％以上90％未満で圧延しても、絶縁性樹脂基材に積層した際には耐折り曲げ特性に優れる硬質圧延銅箔になる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】回復温度域の決定方法を表した図である。
【図２】実施例及び比較例の硬質圧延銅箔の結晶方位密度の値を表したグラフである。
【図３】耐折り曲げ特性試験の方法を表した図である。
【図４】耐折り曲げ特性試験の方法を表した図である。
【図５】耐折り曲げ特性試験の方法を表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
（原料の銅インゴット）
本発明に使用する銅は特に限定されず、JIS H0500に規定される無酸素銅やタフピッチ銅も使用することができるが、無酸素銅が好ましい。
【００５０】
無酸素銅であるとタフピッチ銅に比べて回路形成時のソフトエッチング処理を行っても表面に凹凸形状ができ難いから、伝送損失を抑制することができ、高速伝送特性の向上に資するからである。
【００５１】
無酸素銅の銅純度は特に限定されないが、99.99%以上であることが好ましい。電気伝導性が向上するからである。
【００５２】
銅純度99.99％以上の無酸素銅としては、合金番号C1011を例示することができるが、これに限定されない。
【００５３】
（熱間圧延工程）
熱間圧延工程は、造塊された銅インゴットを800℃前後に加熱し、圧延を行う。
【００５４】
（繰り返し工程）
熱間圧延された銅板は、場合によって熱処理工程が加えられた後、多段式の冷間圧延機により圧延される。一般的な圧下率は50%前後で、熱処理と冷間圧延が繰り返される。
【００５５】
（最終圧延銅条）
熱間圧延工程及び繰り返し工程の後、最終圧延銅条を得ることができる。
最終圧延銅条を得る直前の圧下率は、70％以上とすることが好ましい。最終圧延銅条に十分なβ‐fiberを発達させておく必要があるからである。
なお、最終圧延銅条は、最終品である硬質圧延銅箔の最終圧下率が90％を超えない厚さであることが好ましい。
【００５６】
圧下率（Ｒ）は、圧延前の箔厚さをTi、圧延後の箔厚さTfとして次の式１で表すことができる。
【００５７】
＜式１＞    圧下率R  =  { （  Ti  −  Tf  ）  /  Ti  } × 100
【００５８】
（最終熱処理工程）
得られた最終圧延銅条は、熱処理の進行度合いにおける「回復」の状態の温度で最終熱処理を行った後、最終冷間圧延を行えば、圧延集合組織のBrass方位だけではなく、Copper方位も発達した硬質圧延銅箔になる。
【００５９】
「回復」の状態に維持することで、最終圧延銅条の圧延集合組織においてβ-fiberの一部が特定の結晶方位に置き換わるため、最終冷間圧延によってCopper方位が発達すると考えられる。
【００６０】
最終熱処理を「粒成長」状態の温度で行うと、最終圧下率が90％以上でない限り耐折り曲げ特性が発現しない。
【００６１】
（最終熱処理温度の決定）
最終圧延銅条が「回復」の状態となる温度は、以下の方法により決定することができる。
【００６２】
表１に示すとおり、最終圧延銅条を、温度を変化させて一定時間熱処理を行ったときの各抗張力（N／mm2）を測定する。
【００６３】
【表１】
2019073740.tif 000002
【００６４】
次いで、図１に示すとおり、温度をX軸、抗張力をY軸としたグラフにプロットして曲線を描いた後、抗張力が急激に低下する際の変曲点1の温度を再結晶開始温度、該変曲点の接線5と低温側曲線のベースライン6との交点（交点2）の温度を最低加熱温度として、最低加熱温度と再結晶開始温度との間の温度を最終熱処理温度とすれば良い。
【００６５】
本明細書においては、再結晶開始温度（変曲点１）までの状態を「回復」、再結晶開始温度を超えてさらに高温になるにつれ、「再結晶」から「粒成長」の過程を経るとして、最低加熱温度と再結晶開始温度との間の温度を回復温度域とした。
【００６６】
回復温度域の決定は、不活性雰囲気又は真空下で、保持時間が30分〜1時間で行うことが好ましい。
【００６７】
なお、表１における各温度での保持時間は30分間であり、抗張力の測定には引張・圧縮試験機ＩＭ−２０（株式会社インテスコ製）を用いた。
【００６８】
予め決定した回復温度域の温度において、不活性雰囲気又は真空下において、最終圧延銅条を30分〜1時間保持して、最終熱処理を行う。
【００６９】
（最終冷間圧延工程）
最終熱処理を行った後、最終冷間圧延によって、所望の箔厚さに圧延することで硬質圧延銅箔を得ることができる。
【００７０】
最終冷間圧延は周知の冷間圧延方法を採用することができる。
【００７１】
最終冷間圧延の圧下率（最終圧下率）は70％以上、90％未満であることが好ましく、更に好ましくは、75％以上、90％未満である。
【００７２】
最終圧下率が90％以上であると、圧延痕が強く現れ、表面粗さが高くなると共に、硬質圧延銅箔に歪みが多く蓄積されて軟化温度が低下して常温軟化を引き起こす虞があるからである。
【００７３】
また、最終圧下率が90％以上であるとCopper方位の成長が抑制されるからである。
【００７４】
（結晶方位密度）
硬質圧延銅箔の結晶方位密度は、Ｘ線回折による極図形測定により圧延集合組織を評価することで算出することができる。
【００７５】
（表面粗さ）
本発明における硬質圧延銅箔の表面の十点平均粗さRzjis94は1μｍ未満であることが好ましく、更に好ましくは、0.5μｍ以下である。
プリント配線板の伝送損失が抑制されるからである。
【００７６】
（箔厚さ）
硬質圧延銅箔の箔厚さは、ＪＩＳ  Ｃ６５１５に規定される公称厚さで12μｍ以下が好ましい。
【００７７】
箔厚さが薄い程、銅箔にかかる応力が小さくなるため耐折り曲げ特性の向上に資すると共にポータブル機器の小型化、薄型化、軽量化にも資するからである。
【００７８】
（絶縁性樹脂基材）
本発明に係る硬質圧延銅箔を積層する絶縁性樹脂基材は特に限定されず、ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂、液晶ポリマー樹脂、又はこれら樹脂にエポキシ系、ポリイミド系などの接着剤が付与された基材を例示することができる。
【実施例】
【００７９】
本発明の実施例及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８０】
実施例１、２及び比較例１〜３は銅純度が99.99％以上の最終圧延銅条（商品名：OFC条板  三菱伸銅株式会社製）を使用した。前記最終熱処理温度の決定の方法に準じて算出した最終圧延銅条の再結晶開始温度は145℃、最低加熱温度は132℃であったことから回復温度域を132〜145℃とした。
【００８１】
比較例４は銅純度99.97％のタフピッチ銅（商品名：TC条板  三菱伸銅株式会社製）を使用し、前記最終熱処理温度の決定の方法に準じて算出した再結晶開始温度は125℃、最低加熱温度が110℃であったことから、回復温度域を110〜125℃とした。
【００８２】
（実施例１）
箔厚さ100μｍの最終圧延銅条を、減圧窒素雰囲気下で回復温度域の温度である140℃、30分間保持して最終熱処理を行った。
【００８３】
最終熱処理の後、最終冷間圧延を行って箔厚さ11μｍの硬質圧延銅箔を得た。
【００８４】
（実施例２）
箔厚さが50μｍの最終圧延銅条を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2の硬質圧延銅箔を得た。
【００８５】
（比較例１）
最終熱処理を再結晶開始温度以上の温度である200℃で30分保持した以外は実施例1と同様にして比較例1の硬質圧延銅箔を得た。
【００８６】
（比較例２）
最終熱処理を200℃で30分保持した以外は実施例2と同様にして比較例2の硬質圧延銅箔を得た。
【００８７】
（比較例３）
箔厚さが800μｍの最終圧延銅条を用い、200℃で30分保持した以外は実施例１と同様にして比較例３の硬質圧延銅箔を得た。
【００８８】
（比較例４）
箔厚さ500μｍの最終圧延銅条を回復温度域の温度である120℃で30分間保持した以外は、実施例1と同様にして比較例4の硬質圧延銅箔を得た。
【００８９】
（結晶方位密度）
得られた実施例及び比較例の硬質圧延銅箔の結晶方位密度を算出した。
【００９０】
測定には、試料水平型多目的Ｘ線回折装置（株式会社リガク製）のUltima IVシステムに多目的測定アタッチメントML4を用いた。
その他の条件は次の通りである。
【００９１】
・X線管球：封入型銅管球
・管電圧：40kV
・管電流：30mA
・検出器：シンチレーションカウンタ
【００９２】
まず、実施例及び比較例の各硬質圧延銅箔の｛111｝、｛200｝、｛220｝面について、集中法の条件で２θ／θ走査を行い、ピーク位置の２θを決定した。
【００９３】
集中法の条件は次の通りである。
・発散縦制限スリット（DHL）：10mm
・発散スリット（DS）：2/3°
・Schultzスリット：不使用
・2θ走査範囲：40.00〜46.00°、47.43〜53.43°、71.13〜77.13°
・2θステップ角度：0.01°
・スキャンスピード：4.0°/秒
・散乱スリット（SS）：2°
・受光スリット（RS）：0.15mm
【００９４】
次に、上記三面についてSchultzの反射法の条件で極図形測定を行った。
【００９５】
Schultzの反射法の条件は次の通りである。
・発散縦制限スリット（DHL）：2mm
・発散スリット（DS）：開放
・Schultzスリット：使用
・あおり角（α）走査範囲：15〜90°
・回転角（β）走査速度：720°/分
・α、βのステップ角度：5°
・γ振動幅：10mm
・散乱スリット（SS）：2°
・受光スリット（RS）：0.15mm
【００９６】
極図形測定から得られた不完全極点図に対して、Bungeの記法により、ｇ＝（φ１、Φ、φ２）の直行座標系で表されるオイラー角空間上に変換しODFを得た。
【００９７】
さらにODFからCopper方位およびBrass方位の結晶方位密度関数f(gCopper)およびf(gBrass)を得て、それぞれの結晶方位密度を算出した。
【００９８】
不完全極点図のデータ処理にはODFPoleFigure2（HelperTex Office製）を使用した。
【００９９】
不完全極点図から完全極点図への変換とODFへの変換にはLaboTex（Symmetrization：Triclinic to orthorhombic／LaboSoft s.c.製）を使用した。
【０１００】
Copper方位およびBrass方位の結晶方位分布関数の抽出にはODFDisplay2（Smoothing：off，FCC  β-skeleton ±5°／HelperTex Office製）を用いた。
解析条件は次の通りである。
【０１０１】
ODFPoleFigure2 データの前処理
・Background除去：実行
・吸収補正：実行
・Defocus補正：実行
・スムージング：重み4で2回
・規格化：実行
【０１０２】
＜Defocus補正＞
ランダム試料として、銅粉  Cu-HWQ（福田金属箔粉工業株式会社製）の3μm品を混合比が水素：窒素＝3：1気流中で200℃、30分間、還元熱処理したものを測定し補正に用いた。
【０１０３】
Copper方位及びBrass方位はオイラー角空間上に複数箇所現れるため、本発明では結晶方位密度関数f(gCopper)およびf(gBrass)のオイラー角は、gCopper＝（90°, 35°, 45°）およびgBrass＝（35°, 45°, 90°）を採用した。
【０１０４】
実施例及び比較例の各方位における結晶方位密度を図２に示す。
【０１０５】
（常温軟化特性）
常温軟化特性は、軟化率によって評価した。
軟化率RSは、硬質圧延銅箔製造後2週間以内の抗張力（Ｎ／ｍｍ２）をTSiとし、100℃、10分加熱処理後の抗張力をTSfとして次の＜式２＞によって算出した。
軟化率RSが30％未満の銅箔を良、30%を超えた銅箔を不良として評価した。
【０１０６】
＜式２＞  軟化率RS  =  { （  TSi  −  TSf  ）  ／  TSi  } × 100
【０１０７】
（表面粗さ）
硬質圧延銅箔の表面に対してJISB0601:1994規格に準拠し、十点平均粗さRz（即ち、JISB0601:2013規格においてはRzjis94）で評価した。
【０１０８】
表面粗さの測定には表面粗さ測定機  サーフコーダSE1700α（株式会社小坂研究所製）を使用した。
【０１０９】
（耐折り曲げ特性）
耐折り曲げ特性は、折り曲げ試験によって評価した。
【０１１０】
折り曲げ試験は、実施例及び比較例の各硬質圧延銅箔に対して、長手方向が圧延方向と平行になるように幅12.7mm、長さ40mmの長方形状の試料を切り出した後、大気中で200℃、30分間の熱処理を施して「粒成長」の状態である加熱軟化銅箔とした。
【０１１１】
図３のとおり、折り曲げ試験は平坦な台12上に加熱軟化銅箔10を設置し、その上にスペーサー11を置いた後、以下の1、2のサイクルを1回として、当該サイクルを繰り返した。
【０１１２】
１．試験片10に厚さ50μｍのスペーサー11を挟み180°折り畳んだ。その際、平面具13からエアー圧力にて試料に50kgfの荷重をかけた（図4）。
２．折り畳んだ試験片を元の形状になるよう180°広げた。その際、同様に50kgfの荷重をかけた（図5）。
【０１１３】
折り畳む位置は、長手方向の中心付近の1箇所とし、2回目以降も同じ位置を折り畳んだ。
試験片が破断するまで続け、破断した直前までの回数を記録した。
【０１１４】
試験は実施例及び比較例の各硬質圧延銅箔に対しn=5で行い、その平均値を耐折り曲げ特性の値（最大折り曲げ回数）とした。
【０１１５】
この折り曲げ試験においては、最大折り曲げ回数が20回を超えれば良好であり、20回未満のものは不良であると評価できる。
【０１１６】
実施例及び比較例の硬質圧延銅箔の各評価を表2に示す。
【０１１７】
【表２】
2019073740.tif 000003
【０１１８】
表2のとおり、本発明に係る、Brass方位だけではなく、Copper方位も発達した硬質圧延銅箔は、最終圧下率が90％を超えなくても優れた耐折り曲げ特性を発現し、表面粗さが低く、また、常温軟化し難い硬質圧延銅箔であることが証明された。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明における硬質圧延銅箔は、最終圧下率を高く上げなくても、絶縁性樹脂基材に加熱して積層すれば、優れた耐折り曲げ特性を発現し、また、最終圧下率を上げないから表面粗さを低く維持でき、高速伝送特性に優れるため、フレキシブルプリント配線板に好適に使用することができ、しかも、常温軟化し難いため、保管後にフレキシブルプリント配線板に加工する際の作業効率や通箔性が優れる硬質圧延銅箔である。
したがって、本発明は産業上の利用可能性の高い発明であると言える。
【符号の説明】
【０１２０】
１        変曲点
２        交点
５        変曲点の接線
６        ベースライン
１０      加熱軟化銅箔
１１      スペーサー
１２      台
１３      平面具
【図１】
2019073740.tif 000004
【図２】
2019073740.tif 000005
【図３】
2019073740.tif 000006
【図４】
2019073740.tif 000007
【図５】
2019073740.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月14日(2018.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Copper方位の結晶方位密度が10以上、且つ、Brass方位の結晶方位密度が20以上である硬質圧延銅箔。
【請求項２】
Copper方位の結晶方位密度が25以下、且つ、Brass方位の結晶方位密度が45以下である請求項1記載の硬質圧延銅箔。
【請求項３】
銅純度99.99％以上の無酸素銅を圧延してなる請求項1又は2記載の硬質圧延銅箔。
【請求項４】
十点平均粗さRzjis94が1μｍ未満である請求項1乃至3いずれか記載の硬質圧延銅箔。
【請求項５】
箔厚さが12μｍ以下である請求項1乃至4いずれか記載の硬質圧延銅箔。
【請求項６】
請求項1乃至5いずれか記載の硬質圧延銅箔を積層したプリント配線板。
【請求項７】
回復温度域の温度で熱処理した後最終冷間圧延することを特徴とする請求項1乃至5いずれか記載の硬質圧延銅箔の製造方法。
【請求項８】
最終圧下率が70％以上90％未満で圧延することを特徴とする請求項7記載の硬質圧延銅箔の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明は、最終圧下率が90％未満である硬質圧延銅箔を含む。