(57)【要約】【課題】優れた導電性を発現することができ、耐擦傷性が良好である透明導電性ガラスを提供すること。【解決手段】    透明導電性ガラス１は、厚み１５０μｍ以下であり、可撓性を有するガラス基材２と、ガラス基材２の上側に配置される透明導電層３とを備え、透明導電層３の上面における表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み１５０μｍ以下であり、可撓性を有するガラス基材と、
前記ガラス基材の厚み方向一方側に配置される透明導電層と
を備え、
前記透明導電層の厚み方向一方面における表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下であることを特徴とする、透明導電性ガラス。
【請求項２】
前記透明導電層の比抵抗が、２．５×１０−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性ガラス。
【請求項３】
ロール状に巻回されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の透明導電性ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性ガラス、詳しくは、光学用途に好適に用いられる透明導電性ガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電層を可撓性の樹脂基材に形成した透明導電性フィルムが、タッチパネルなどの光学用途に用いられる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、樹脂フィルム基材と、ハードコート層と、透明導電層とを備える透明導電性フィルムが開示されている。特許文献１において、ハードコート層は、透明導電層の耐擦傷性を抑制するための層として、透明導電性フィルムに設けられている。
【０００４】
このような透明導電性フィルムは、生産性の観点からロールトゥロール方式により製造され、具体的には、樹脂フィルム基材の上に、ハードコート層および透明導電層を順次積層することにより製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−６２６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＩＴＯは、加熱によって結晶化して、優れた導電性（低抵抗）を発現する。そして、加熱温度（例えば、２００℃以上）が高ければ高いほど、より一層優れた導電性を発現する。
【０００７】
しかしながら、樹脂フィルム基材として使用されるポリエチレンテレフタレートフィルムは、一般的に２００℃以上の高温によって、変形や破損が発生する不具合が生じる。
【０００８】
そこで、高温処理を可能とするため、耐熱性に優れたガラス基材を、透明樹脂フィルムの代わりに用いることが検討される。すなわち、薄くてロール状に巻回可能なガラス基材（ガラスフィルム）を用いて、ロールトゥロール方式により、透明導電性ガラスフィルムを製造することが検討される。
【０００９】
加えて、ハードコート層も樹脂から形成されており、樹脂フィルム基材と同様に高温によって変形などを生じるため、高温処理を実施する場合には、ハードコート層をガラス基材と透明導電層との間に設けることができない。すなわち、ガラス基材に、ＩＴＯなどの透明導電層を直接積層することになり、耐擦傷性が劣る不具合が生じる。
【００１０】
本発明は、優れた導電性を発現することができ、耐擦傷性が良好である透明導電性ガラスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明［１］は、厚み１５０μｍ以下であり、可撓性を有するガラス基材と、前記ガラス基材の厚み方向一方側に配置される透明導電層とを備え、前記透明導電層の厚み方向一方面における表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下である、透明導電性ガラスを含む。
【００１２】
本発明［２］は、前記透明導電層の比抵抗が、２．５×１０−４Ω／ｃｍ以下である、請求項１に記載の透明導電性ガラスを含む。
【００１３】
本発明［３］は、ロール状に巻回されている、［１］または［２］に記載の透明導電性ガラスを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の透明導電性ガラスは、厚み１５０μｍ以下であり、可撓性を有するガラス基材と、ガラス基材の厚み方向一方側に配置される透明導電層とを備える。このため、透明導電性ガラスは、高温処理が可能であり、優れた導電性を発現することができる。また、透明導電層の厚み方向一方面における表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下である。このため、耐擦傷性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の透明導電性ガラス基材の一実施形態の断面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す透明導電性ガラスの製造工程図を示す。
【図３】図３は、図１に示す透明導電性ガラスのロール体の斜視図を示す。
【図４】図４は、実施例においてガラス基材の可撓性を測定する試験の模式図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
１．透明導電性ガラス
図１〜図３を参照して、本発明の透明導電性ガラスの一実施形態である透明導電性ガラス１を説明する。
【００１７】
図１において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向、第１方向）であって、紙面上側が、上側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面下側が、下側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００１８】
図１に示すように、透明導電性ガラス１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）を有し、厚み方向と直交する所定方向（面方向）に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。
【００１９】
具体的には、透明導電性ガラス１は、ガラス基材２と、ガラス基材２の上側（厚み方向一方側）に配置される透明導電層３とを備え、好ましくは、ガラス基材２および透明導電層３からなる。
【００２０】
（ガラス基材）
ガラス基材２は、透明導電性ガラス１の最下層であって、透明導電性ガラス１の機械的強度を確保し、透明導電層３を支持する支持材である。
【００２１】
ガラス基材２は、フィルム形状（シート形状を含む）を有し、透明なガラスから形成されている。
【００２２】
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラスなどが挙げられる。
【００２３】
ガラス基材は、可撓性を有している。具体的には、ガラス基材２の限界曲げ応力が、例えば、１００ＭＰａ以上、好ましくは、１５０ＭＰａ以上である。ガラス基材２の限界曲げ応力が上記下限以上であれば、可撓性に優れ、ロール状に巻回しても、ガラス基材２の破損を抑制することができる。
【００２４】
限界曲げ強度は、下記の手順で測定する。
（１）厚みＴ（ｍｍ）のガラス基材を、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍに切断して、サンプルを得る。
（２）サンプルの長さ方向両端部を互いに近づけるように、サンプルを折り曲げていく。
（３）サンプルが破断したときにおけるサンプルの長さ方向両端部の距離Ｄ（ｍｍ）を測定する。
（４）下記式により、限界曲げ応力σＭ（Ｐａ）を算出する。
σＭ＝（Ｅ×Ｔ）／Ｄ
Ｅは、ガラス基材のヤング率（Ｐａ）を示す。
【００２５】
ガラス基材２は、透明性を有している。具体的には、ガラス基材２の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３７５−２００８）は、例えば、８０％以上、好ましくは、８５％以上である。
【００２６】
ガラス基材２の上面には、公知の下地処理（プライマー処理）がされていてもよい。すなわち、ガラス基材２は、その上面にプライマー層を備えていてもよい。
【００２７】
ガラス基材２の厚みは、１５０μｍ以下、好ましくは、１２０μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。また、ガラス基材２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上である。ガラス基材２の厚みが上記上限以下であれば、可撓性に優れ、ロール状に巻回することが可能である。また、ガラス基材２の厚みが上記下限以上であれば、機械的強度に優れ、ロールトゥロール搬送時の破損を抑制することができる。
【００２８】
ガラス基材２の厚みは、例えば、ダイヤルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、「ＤＧ−２０５」）を用いて測定することができる。  
【００２９】
（透明導電層）
透明導電層３は、必要に応じて結晶化し、後工程で所望のパターンに形成して、透明なパターンを形成するための導電層である。
【００３０】
透明導電層３は、透明導電性ガラス１の最上層であって、フィルム形状（シート形状を含む）を有している。透明導電層３は、ガラス基材２の上面に、透明導電層３の下面がガラス基材２の上面に接触するように、配置されている。
【００３１】
透明導電層３の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープしていてもよい。
【００３２】
透明導電層３としては、具体的には、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）などのインジウム含有酸化物、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）などのアンチモン含有酸化物などが挙げられ、好ましくは、インジウム含有酸化物、より好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。
【００３３】
透明導電層３がＩＴＯからなる場合、酸化スズ（ＳｎＯ２）含有量は、酸化スズおよび酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）の合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下である。酸化スズの含有量が上記下限以上であれば、透明導電層３の耐久性をより一層良好にすることができる。また、酸化スズの含有量が上記上限以下であれば、透明導電層３の結晶転化を容易にし、透明性や比抵抗の安定性を向上させることができる。
【００３４】
本明細書中における「ＩＴＯ」とは、少なくともインジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）とを含む複合酸化物であればよく、これら以外の追加成分を含んでもよい。追加成分としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ以外の金属元素が挙げられ、具体的には、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｇａなどが挙げられる。
【００３５】
透明導電層３の上面（厚み方向一方面）の表面粗さＲａは、１０ｎｍ以下、好ましくは、５．０ｎｍ以下、より好ましくは、３．０ｎｍ以下、さらに好ましくは、１．０ｎｍ以下であり、また、例えば、０．００１ｎｍ以上である。透明導電層３の表面粗さＲａが上記上限以下であれば、透明導電性ガラス１において、引っかきに対して、透明導電層３の傷の発生を抑制でき、耐擦傷性に優れる。表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（Ｖｅｅｃｏ社製、「Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４」）を用いて測定するこができる。
【００３６】
透明導電層３のシート抵抗は、例えば、３００Ω／□以下、好ましくは、１００Ω／□以下、より好ましくは、５０Ω／□以下、さらに好ましくは、１５Ω／□以下であり、また、例えば、１Ω／□以上である。シート抵抗は、４端子法により測定することができる。
【００３７】
透明導電層３の比抵抗は、例えば、５．０×１０−４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、２．５×１０−４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは、２．０×１０−４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは、１．５×１０−４Ω・ｃｍ以下である。比抵抗は、４端子法により測定することができる。
【００３８】
透明導電層３の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上、より好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍ以下、好ましくは、１６０ｎｍ以下である。透明導電層３の厚みが上記下限以上であれば、透明導電層３のシート抵抗値をより一層低減でき、導電性に優れる。また、透明導電層３の厚みが上記上限以下であれば、透明導電性ガラス１の薄膜化を図ることができる。透明導電層３の厚みは、走査型蛍光Ｘ線分析装置を用いて測定することができる。
【００３９】
透明導電層３は、非晶質または結晶質のいずれであってもよいが、導電性（低抵抗）の観点から、好ましくは、結晶質が挙げられる。
【００４０】
透明導電層が非結晶質か結晶質かは、例えば、透明導電層がＩＴＯ層である場合は、２０℃の塩酸（濃度５質量％）に１５分間浸漬した後、水洗・乾燥し、１５ｍｍ程度の間の端子間抵抗を測定することで判断できる。本明細書においては、塩酸（２０℃、濃度：５質量％）への浸漬・水洗・乾燥後に、１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩを超過する場合、ＩＴＯ層が非晶質とし、１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以下である場合、ＩＴＯ層が結晶質とする。
【００４１】
２．透明導電性ガラスの製造方法
次いで、透明導電性ガラス１を製造する方法を説明する。透明導電性ガラス１は、例えば、図２に示す製造装置１０を用いて、ロールトゥロール方式により製造することができる。
【００４２】
製造装置１０は、送出ロール１１、積層部１２、加熱部１３および巻取ロール１４を備える。
【００４３】
送出ロール１１は、ガラス基材２を積層部１２に送出するための回転軸を有する円柱部材である。送出ロール１１は、ガラス基材２の搬送方向最上流に配置されている。送出ロール１１は、送出ロール１１を回転させるためのモータ（図示せず）が接続されている。
【００４４】
積層部１２は、送出ロール１１から搬送されるガラス基材２に透明導電層３を積層する。積層部１２は、例えば、スパッタリング装置である。積層部１２は、ガラス基材２と間隔を隔てて、ガラス基材２の上側に対向配置されるターゲット（蒸発源）１５を備える。
【００４５】
ターゲット１５は、透明導電層３を構成する上述の無機物の材料から形成され、好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。ターゲット１５が、ＩＴＯからなる場合、ＩＴＯの酸化スズ濃度は、ＩＴＯ層の耐久性、結晶化などの観点から、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下である。
【００４６】
加熱部１３は、ガラス基材２およびそれに積層される透明導電層３を加熱する。
【００４７】
加熱部１３は、積層部１２内部に配置されている。具体的には、加熱部１３は、ガラス基材２と間隔を隔てて、ガラス基材２の下側に対向配置されている。すなわち、加熱部１３は、ガラス基材２に対して、ターゲット１５とは反対側に対向配置されている。
【００４８】
加熱部１３としては、具体的に、赤外線ヒータ、オーブンなどが挙げられる。
【００４９】
巻取ロール１４は、積層部１２から搬送されてくる透明導電性ガラス１を巻き取るための回転軸を有する円柱部材である。巻取ロール１４は、ガラス基材２の搬送方向最下流に配置されている。巻取ロール１４は、巻取ロール１４を回転させるためのモータ（図示せず）が接続されている。
【００５０】
まず、公知または市販のロール状に巻回された長尺なガラス基材２を用意し、送出ロール１１にセットする。
【００５１】
なお、必要に応じて、ガラス基材２と透明導電層３との密着性の観点から、ガラス基材２の下面または上面に、例えば、スパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を実施することができる。また、溶剤洗浄、超音波洗浄などによりガラス基材２を除塵、清浄化することができる。
【００５２】
その後、送出ロール１１および巻取ロール１４をモータにより回転駆動させて、ガラス基材２を送出ロール１１から送り出し、積層部１２を通過させ、巻取ロール１４により巻き取る。
【００５３】
ガラス基材２の搬送速度は、例えば、０．２ｍ／分以上、好ましくは、１ｍ／分以上であり、また、例えば、１０ｍ／分以下、好ましくは、５ｍ／分以下である。
【００５４】
次いで、積層部１２において、ガラス基材２の上面に透明導電層３を積層させる。具体的には、積層部１２に搬送されるガラス基材２の上面に、スパッタリング法により、透明導電層３を形成する。
【００５５】
スパッタリング法は、真空下で実施される。具体的には、スパッタリング時の気圧は、スパッタリングレートの低下抑制、放電安定性などの観点から、例えば、１Ｐａ以下、好ましくは、０．７Ｐａ以下である。
【００５６】
スパッタガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。また、必要に応じて、酸素ガスなどの反応性ガスを併用することができる。反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの流量比は、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、０．１流量％以上、５流量％以下である。
【００５７】
スパッタリング法に用いる電源は、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源およびＲＦ電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。
【００５８】
スパッタリング時の放電電圧は、ガラス基材２の搬送速度、スパッタリング時の気圧や電源などに応じて適宜決定されるが、例えば、２００Ｖ以上、好ましくは、２５０Ｖ以上であり、また、例えば、５００Ｖ以下、好ましくは、４００Ｖ以下である。
【００５９】
また、所望厚みの透明導電層３を形成するために、複数回スパッタリング法を実施してもよい。
【００６０】
透明導電層３の形成の際、加熱部１３を作動させて、ガラス基材２、および、その上面に形成される透明導電層３を加熱する。これにより、ガラス基材２への透明導電層３の積層と同時に、透明導電層３を結晶化させることができる。
【００６１】
加熱温度は、透明導電層３が結晶化する温度であればよく、例えば、１５０℃以上、好ましくは、２００℃以上、より好ましくは、３００℃以上であり、また、例えば、５００℃以下、好ましくは、４００℃以下である。
【００６２】
透明導電層３の加熱時間は、例えば、６秒以上、好ましくは、１２秒以上であり、また、例えば、５分以下、好ましくは、３分以下である。
【００６３】
これにより、ガラス基材２および透明導電層３を備える透明導電性ガラス１が得られる。より具体的には、ガラス基材２と、その上面に配置される結晶化された透明導電層３とを備える透明導電性ガラス１が得られる。また、透明導電性ガラス１は、図３に示すように、ロール状に巻回されたロール体４として得られる。
【００６４】
なお、スパッタリング時の条件（放電電圧、ガス流量など）、ガラス基材２の搬送速度、加熱温度、加熱時間などを適宜変更することにより、透明導電層３の厚みおよびその表面粗さＲａを所望の範囲に適宜変更することができる。
【００６５】
必要に応じて、その後、公知のエッチングによって、透明導電層３をパターニングする。エッチングは、透明導電性ガラス１をロール体４として巻き取る前に実施してもよい。または、ロール体４から透明導電性ガラス１をロールトゥロール方式によって送り出した後に、エッチングを実施し、再度ロール状に巻回してもよい。
【００６６】
透明導電層３のパターンは、透明導電性ガラス１が適用される用途に応じて適宜決定されるが、例えば、ストライプ状などの電極パターンや配線パターンが挙げられる。
【００６７】
エッチングは、例えば、パターンに対応するように、被覆部（マスキングテープなど）を透明導電層３の上に配置し、被覆部から露出する透明導電層３を、エッチング液を用いてエッチングする。エッチング液としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、蓚酸、リン酸およびこれらの混酸などの酸が挙げられる。その後、被覆部を、透明導電層３の上面から、例えば、剥離などによって、除去する。
【００６８】
必要に応じて、透明導電性ガラス１の下面に保護フィルムなどを積層した後に、保護フィルムとともにロール状に巻回してもよい。
【００６９】
得られる透明導電性ガラス１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１５０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００７０】
透明導電性ガラス１の上面（透明導電層３側の表面）において、引っかき硬度（鉛筆法）は、例えば、５Ｈ以上、好ましくは、７Ｈ以上である。引っかき硬度（鉛筆法）は、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−４に準拠して測定することができる。
【００７１】
透明導電性ガラス１の上面において、耐スチールウール試験における荷重は、例えば、２．５ｋｇ以上、好ましくは、３ｋｇ以上である。耐スチールウール試験は、＃００００のスチールウールを透明導電層３の上面に対して１０往復、擦ることにより測定することができ、具体的には、実施例にて詳述される。
【００７２】
ロール体４の内径は、例えば、９０ｍｍ以上、好ましくは、１６０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
【００７３】
ロール体４の幅は、例えば、３００ｍｍ以上、好ましくは、５００ｍｍ以上であり、また、例えば、１６００ｍｍ以下、好ましくは、１２００ｍｍ以下である。
【００７４】
透明導電性ガラス１は、例えば、画像表示装置などの光学装置に用いられる。透明導電性ガラス１を画像表示装置（具体的には、ＬＣＤモジュール、有機ＥＬモジュールなどの画像表示素子を有する画像表示装置）に備える場合には、透明導電性ガラス１は、例えば、タッチパネル用基材として用いられる。タッチパネルの形式としては、光学方式、超音波方式、静電容量方式、抵抗膜方式などの各種方式が挙げられ、特に静電容量方式のタッチパネルに好適に用いられる。
【００７５】
また、透明導電性ガラス１は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材などの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性ガラス１は、画像表示装置などを作製するための部品であり、ＬＣＤモジュールなどの画像表示素子を含まず、ガラス基材２と透明導電層３とを含み、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【００７６】
そして、この透明導電性ガラス１は、ガラス基材２と、ガラス基材２の上面に配置される透明導電層３とを備える。このため、透明導電性ガラス１は、高温による基材の変形や破損を抑制しながら、透明導電層３を高温（例えば、２００℃以上）で結晶化することができる。したがって、優れた導電性を発現することができる。
【００７７】
また、透明導電性ガラス１では、ガラス基材２の上面に透明導電層３が配置され、かつ、透明導電層３の上面における表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下である。このため、耐擦傷性に優れる。
【００７８】
さらには、ガラス基材２が、厚み１５０μｍ以下であり、可撓性を有するため、ガラス基材２および透明導電性ガラス１は、ロール状に巻回可能である。このため、ロールトゥロール方式で製造することができ、生産性に優れる。
【００７９】
３．変形例
以下に、図１〜図３に示す一実施形態の変形例について説明する。なお、これら変形例についても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００８０】
（１）図２に示す製造装置を用いた製造方法では、透明導電層３の積層と同時に、透明導電層３を結晶化させていたが、例えば、図示しないが、積層後に、アニール工程を実施して、透明導電層３を結晶化することもできる。すなわち、透明導電層３の積層工程と、透明導電層３の結晶化工程とを別々に実施することができる。
【００８１】
アニール工程は、大気下で実施してもよく、また、真空下で実施してもよい。  
【００８２】
アニール時の加熱温度としては、例えば、１４０℃以上、好ましくは、１８０℃以上であり、また、例えば、４００℃以下、好ましくは、３００℃以下である。
【００８３】
加熱時間は、例えば、３０分以上、好ましくは、６０分以上であり、また、例えば、２４０分以下、好ましくは、１８０分以下である。
【００８４】
（２）図２に示す製造装置を用いた製造方法では、スパッタリング法により透明導電層３をガラス基材２に積層していたが、例えば、スパッタリング法以外の乾式方法により、透明導電層３をガラス基材２に積層することもできる。
【００８５】
このような乾式方法としては、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの物理蒸着法、例えば、化学蒸着法などが挙げられる。
【実施例】
【００８６】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【００８７】
実施例１
図２に示す製造装置を用い、ロールトゥロール方式にて、ガラス基材２に透明導電層３を積層し、ロール状の透明導電性ガラス１を製造した。
【００８８】
具体的には、ロール状に巻回された長尺な透明ガラス基材２（厚み１００μｍ、日本電気硝子社製、「Ｇ−Ｌｅａｆ」）を用意した。
【００８９】
次いで、ガラス基材２を送出ロール１１にセットして、搬送速度２．７ｍ／分にて送り出し、スパッタリング装置（積層部）１２を通過させて、巻取ロール１４に巻回した。
【００９０】
スパッタリング装置１２内では、ＤＣスパッタリング法により、厚みが３０ｎｍであるＩＴＯ層（透明導電層）３をガラス基材２の上面に形成した。スパッタリングは、アルゴンガス９８％および酸素ガス２％を導入した気圧０．４Ｐａの真空雰囲気下で、実施した。放電電圧は、２９２Ｖとした。ターゲット１５は、９０質量％の酸化インジウムおよび１０質量％の酸化スズの焼結体を用いた。また、スパッタリング装置１２内で、赤外線ヒータ（加熱部）１３を作動し、ガラス基材２およびＩＴＯ層３を３５０℃で２０秒加熱して、ＩＴＯ層を結晶化させた。
【００９１】
これにより、ガラス基材２とＩＴＯ層３とを備え、ロール状に巻回された透明導電性ガラス１を製造した。
【００９２】
実施例２〜４
搬送速度および放電電圧を適宜変更し、ＩＴＯ層の厚みおよび表面粗さを表１に記載の厚みおよび表面粗さに変更した以外は、実施例１と同様にして、透明導電性ガラスを製造した。
【００９３】
実施例５〜６
搬送速度、放電電圧および加熱温度を適宜変更し、ＩＴＯ層の厚みおよび表面粗さを表１に記載の厚みおよび表面粗さに変更した以外は、実施例１と同様にして、透明導電性ガラスを製造した。
【００９４】
実施例７〜８
透明ガラス基材２の厚みを５０μｍに変更した。また、スパッタリング装置内の加熱温度を１５０℃に変更して、非晶質のＩＴＯ層をガラス基材に積層した後、２００℃で１８０分間、大気下でアニールを実施してＩＴＯ層を結晶化させて、透明導電層の厚みおよび表面粗さを表１に記載の厚みおよび表面粗さに変更した。上記以外は、実施例１と同様にして、透明導電性ガラスを製造した。
【００９５】
比較例１〜３
搬送速度および放電電圧を適宜変更し、ＩＴＯ層の厚みおよび表面粗さを表１に記載の厚みおよび表面粗さに変更した以外は、実施例１と同様にして、透明導電性ガラスを製造した。
【００９６】
比較例４
透明基材として、シクロオレフィン系ポリマー（厚み２８μｍ、日本ゼオン社製、「ゼオノア」）を用意し、加熱部の加熱温度を６０℃とし、アニール温度を１５０℃とした以外は、実施例７と同様にして、透明導電性樹脂フィルムを製造した。
【００９７】
（評価）
下記に従い、各実施例および各比較例の透明導電性ガラス（ただし、比較例４は、透明導電性樹脂フィルムを用いた。）の物性を評価した。これらの結果を表１に示す。
【００９８】
（ガラス基材の限界曲げ強度）
各実施例および各比較例で用いたガラス基材（厚みＴ：１００μｍ、５０μｍ）の限界曲げ強度を、下記の手順で測定した。
（１）ガラス基材を幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍに切断して、サンプル２０とした。
（２）図４に示すように、治具２２にサンプル２０の長さ方向両端部２１を固定し、サンプル２０の長さ方向両端部２１を互いに徐々に近づけた。
（３）サンプル２０が破断したときにおけるサンプルの長さ方向両端部２１の距離Ｄを測定した。
（４）式「σＭ＝（Ｅ×Ｔ）／Ｄ」により、限界曲げ応力σＭを算出した。なお、Ｅは、ガラス基材のヤング率を示し、７３０００ＭＰａであった。
【００９９】
この結果、ガラス基材の限界曲げ応力は、厚み１００μｍの場合では、１７０ＭＰａであり、厚み５０μｍの場合では、３５０ＭＰａであった。
【０１００】
（表面粗さ）  
各実施例および各比較例の透明導電性ガラスにおいて、ＩＴＯ層の上面の表面粗さＲａを、原子間力顕微鏡（Ｖｅｅｃｏ社製、「Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４」）を用いて測定した。
【０１０１】
（ＩＴＯ層の厚み）
各実施例および各比較例の透明導電性ガラスのＩＴＯ層の厚みを、走査型蛍光Ｘ線分析装置（Ｒｉｇａｋｕ社製、「ＺＳＸ  ＰｒｉｍｕｓＩＩ」）を用いて測定した。
【０１０２】
（シート抵抗、比抵抗）
各実施例および各比較例の透明導電性ガラスのＩＴＯ層のシート抵抗を、ＪＩＳ  Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定した。次いで、シート抵抗およびＩＴＯ層の厚みから、比抵抗を算出した。
【０１０３】
（鉛筆法による引っかき硬度）
ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−４に準拠して、各実施例および各比較例の透明導電性ガラスの透明導電層に対する引っかき硬度を測定した。
【０１０４】
（耐スチールウール試験）
各実施例および各比較例の透明導電性ガラスのＩＴＯ層に対して、＃００００のスチールウール（ＳＷ）を用いて、１０ｇ／ｃｍ２荷重で１０往復擦り、表面に傷が発生したか否かを確認した。次いで、荷重を大きくなるように変更して、上記と同様に傷の発生を確認した。この作業を傷の発生が確認できるまで繰り返し、傷が発生した時点の荷重を表１に示す。
【０１０５】
【表１】
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【符号の説明】
【０１０６】
１  透明導電性ガラス
２  ガラス基材
３  透明導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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