(57)【要約】【課題】本発明は、ベースフィルム及び金属粒子の焼結体層の密着力に優れ、かつこの焼結体層の抵抗が小さいプリント配線板用基材の提供を課題とする。【解決手段】本発明のプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備え、上記焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。【選択図】図１
2019114680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層と
を備え、
上記焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下であるプリント配線板用基材。
【請求項２】
上記焼結体層を構成する焼結体が銅粒子焼結体であり、この銅粒子焼結体の平均粒子径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項１に記載のプリント配線板用基材。
【請求項３】
上記ベースフィルムの主成分がポリイミドであり、
上記ベースフィルムの上記一方側の表層のポリイミドのイミド環の開環率が１０％以上３０％以下である請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板用基材。
【請求項４】
上記ベースフィルムの上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量が１．０ｍｇ／ｍ２以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板用基材。
【請求項５】
絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層と、
上記焼結体層の一方側の面に積層されるめっき層と
を備え、
上記焼結体層及び上記めっき層が平面視でパターニングされているプリント配線板であって、
上記焼結体層の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下であるプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板用基材及びプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性のベースフィルムと、このベースフィルムの一方側の面に積層される金属層とを有するプリント配線板用基材が知られている。
【０００３】
従来、このプリント配線板用基材としては、ベースフィルムの一方側の面にスパッタリング法によってシード層が形成されたものが用いられている。一方、スパッタリング法を用いたプリント配線板用基材は、物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要するため、今日ではスパッタリング法を用いない比較的安価なプリント配線板用基材も提案されている。
【０００４】
このようなスパッタリング法を用いないプリント配線板用基材としては、絶縁性の樹脂フィルムと、この樹脂フィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層とを有するプリント配線板用基材や、上記焼結体層の一方側の面にさらに金属めっき層を有するプリント配線板用基材が発案されている（国際公開第２０１６／１９４９７２号参照）。上記焼結体層は、金属粒子を含む導電性インクを樹脂フィルムの一方側の面へ塗布し、加熱することで形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１９４９７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記公報に記載のプリント配線板用基材は、樹脂フィルムの焼結体層が積層される側の面にアルカリ処理等によって形成される改質層を有している。このプリント配線板用基材は、上記改質層が焼結体層の主金属と異なる金属、金属イオン又は金属化合物を含んでいる。これにより、このプリント配線板用基材は、樹脂フィルム及び焼結体層の密着力が高められている。
【０００７】
しかしながら、本発明者らが鋭意検討したところ、金属粒子を含む導電性インクの樹脂フィルムへの塗布及び加熱によって焼結体層を形成する場合、インクを塗布して形成される塗膜の密度が十分に高くなり難く、得られる焼結体層の緻密性が十分に高まり難いことが分かった。そのため、このプリント配線板用基材は、樹脂フィルムと焼結体層との密着力を向上させる点、及び焼結体層の低抵抗化を図る点でさらなる課題を有することが分かった。
【０００８】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、ベースフィルム及び金属粒子の焼結体層の密着力に優れ、かつこの焼結体層の抵抗が小さいプリント配線板用基材及びプリント配線板の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備え、上記焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。
【００１０】
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層と、上記焼結体層の一方側の面に積層されるめっき層とを備え、上記焼結体層及び上記めっき層が平面視でパターニングされているプリント配線板であって、上記焼結体層の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のプリント配線板用基材及びプリント配線板は、ベースフィルム及び金属粒子の焼結体層の密着力に優れ、かつこの焼結体層の抵抗が小さい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図２】図１のプリント配線板用基材とは異なる形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図３】図２のプリント配線板用基材を用いたプリント配線板を示す模式的断面図である。
【図４Ａ】図１のプリント配線板用基材の製造方法の塗膜形成工程を示す模式的断面図である。
【図４Ｂ】図１のプリント配線板用基材の製造方法の乾燥工程を示す模式的断面図である。
【図４Ｃ】図１のプリント配線板用基材の製造方法の焼結体層形成工程を示す模式的断面図である。
【図４Ｄ】図２のプリント配線板用基材の製造方法のめっき層積層工程を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１４】
本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層とを備え、上記焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。
【００１５】
当該プリント配線板用基材は、上記焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であるので、この焼結体層を構成する金属粒子が高密度で緻密に配設されている。そのため、当該プリント配線板用基材は上記焼結体層の抵抗が小さい。また、当該プリント配線板用基材は、上記ベースフィルム及び焼結体層の界面が緻密に形成されるので、上記ベースフィルム及び焼結体層の密着力に優れる。
【００１６】
上記焼結体層を構成する焼結体が銅粒子焼結体であることが好ましく、この銅粒子焼結体の平均粒子径としては、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。上記焼結体層を構成する焼結体が銅粒子焼結体であり、この銅粒子焼結体の平均粒子径が上記範囲内であることによって、上記焼結体層を構成する金属粒子を高密度で配設しやすい。そのため、上記焼結体層の緻密性を高め、上記焼結体層の低抵抗化を促進すると共に、上記ベースフィルム及び焼結体層の密着力を高めることができる。
【００１７】
上記ベースフィルムの主成分がポリイミドであることが好ましく、上記ベースフィルムの上記一方側の表層のポリイミドのイミド環の開環率としては１０％以上３０％以下が好ましい。上記ベースフィルムの主成分がポリイミドであり、上記ベースフィルムの上記一方側の表面のポリイミドのイミド環の開環率が上記範囲内であることによって、上記ベースフィルムと焼結体層との密着力をさらに高めることができる。
【００１８】
上記ベースフィルムの上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量としては、１．０ｍｇ／ｍ２以下が好ましい。このように、上記ベースフィルムの上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量が上記上限以下であることによって、当該プリント配線板用基材からプリント配線板を形成する場合に、上記焼結体層のエッチングとは別個にパラジウム除去のためのエッチングを行うことを要しない。そのため、容易かつ安価にプリント配線板を形成することができる。
【００１９】
本発明の他の一態様に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層と、上記焼結体層の一方側の面に積層されるめっき層とを備え、上記焼結体層及び上記めっき層が平面視でパターニングされているプリント配線板であって、上記焼結体層の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。
【００２０】
当該プリント配線板は、上記焼結体層の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であるので、この焼結体層を構成する金属粒子が高密度で緻密に配設されている。そのため、当該プリント配線板は上記焼結体層の抵抗が小さい。また、当該プリント配線板は、上記ベースフィルム及び焼結体層の界面が緻密に形成されるので、上記ベースフィルム及び焼結体層の密着力に優れる。
【００２１】
なお、本発明において「金属粒子の焼結体層」とは、複数の金属粒子を焼結して形成される層をいう。また、「焼結」とは、粒子間が堅固に接合される完全な焼結状態とすることだけでなく、完全な焼結状態に至る前段階にあって相互に密着して固体接合したような状態とすることを含む。「算術平均粗さ（Ｓａ）」とは、国際規格ＩＳＯ２５１７８に規定される三次元表面性状パラメータをいい、測定範囲３０μｍ×３０μｍ、カットオフ値９０にて測定した値をいう。「焼結体の平均粒子径」とは、表面ＳＥＭにより測定した粒径の分布において体積積算値が５０％となる粒子径を意味する。「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。「ポリイミドのイミド環の開環率」は、フーリエ変換赤外全反射吸収測定（ＦＴ―ＩＲ―ＡＴＲ）により測定される値をいう。「パラジウムの含有量」とは、ＩＣＰ発光分光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により測定される値をいう。
【００２２】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の好適な実施形態について、以下に図面を参照しつつ説明する。
【００２３】
［第一実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
図１のプリント配線板用基材１は、絶縁性を有するベースフィルム２と、ベースフィルム２の一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層３とを備える。当該プリント配線板用基材１は、フレキシブルプリント配線板用基材であり、可撓性を有する。当該プリント配線板用基材１は、焼結体層３の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。
【００２４】
当該プリント配線板用基材１は、焼結体層３の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であるので、焼結体層３を構成する金属粒子が高密度で緻密に配設されている。そのため、当該プリント配線板用基材１は焼結体層３の抵抗が小さい。また、当該プリント配線板用基材１は、ベースフィルム２及び焼結体層３の界面が緻密に形成されるので、ベースフィルム２及び焼結体層３の密着力に優れる。
【００２５】
（ベースフィルム）
ベースフィルム２は絶縁性及び可撓性を有する。ベースフィルム２は合成樹脂を主成分としている。ベースフィルム２の主成分としては、例えばポリイミド、液晶ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、フッ素樹脂等の軟質材が挙げられる。これらの中でも、耐熱性及び焼結体層３との密着力に優れるポリイミドが好ましい。
【００２６】
上記ポリイミドとしては、熱硬化性ポリイミド（縮合型ポリイミドともいう）又は熱可塑性ポリイミドを用いることができる。この中でも、耐熱性、引張強度、引張弾性率等の観点から熱硬化性ポリイミドが好ましい。
【００２７】
上記ポリイミドは、１種の構造単位からなる単独重合体であっても２種以上の構造単位からなる共重合体であってもよいし、２種類以上の単独重合体をブレンドしたものであっても良いが、下記式（１）又は（２）で表される構造単位を有するものが好ましい。
【００２８】
【化１】
2019114680.tif 000003
【００２９】
【化２】
2019114680.tif 000004
【００３０】
上記式（１）で表される構造単位は、例えばピロメリット酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとを用いてポリイミド前駆体であるポリアミド酸を合成し、これを加熱等によりイミド化することで得られる。また、上記式（２）で表される構造単位は、例えば３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミンとを用いて合成したポリアミド酸を加熱してイミド化することで得られる。
【００３１】
上記構造単位の含有量の下限としては、１０質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、１８質量％がさらに好ましい。一方、上記構造単位の含有量の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３５質量％がさらに好ましい。上記構造単位の含有量が上記下限に満たないと、ベースフィルム２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、上記構造単位の含有量が上記上限を超えると、ベースフィルム２の可撓性が不十分となるおそれがある。
【００３２】
ベースフィルム２の一方側の表層は改質されて、ポリイミドのイミド環の一部が開環していることが好ましい。ベースフィルム２の一方側の表層を改質する改質処理方法としては、例えばアルカリ処理、プラズマ処理等の公知の処理方法が挙げられ、中でもアルカリ処理が好ましい。なお、後述するように、当該プリント配線板用基材１は、金属粒子を含む導電性インクをベースフィルム２の一方側の面に塗布した後、このインクによって形成される塗膜を焼成することで焼結体層３が形成される。この点に関し、一般にアルカリ処理によってベースフィルムの一方側の表層を改質すると、アルカリ処理の際に用いるアルカリ成分が塗膜に混合され、塗膜の緻密性を阻害する。そのため、アルカリ処理によってベースフィルムの一方側の表層を改質した場合、十分に緻密な焼結体層が得られ難い。これに対し、当該プリント配線板用基材１は、後述するようにアルカリ処理によってベースフィルム２の表層を改質した場合でも、塗膜の緻密性を高めることで、十分に緻密な焼結体層３を形成することができる。
【００３３】
ベースフィルム２の上記一方側の表層が改質されている場合、ベースフィルム２の上記一方側の表層のポリイミドのイミド環の開環率の下限としては、１０％が好ましく、１５％がより好ましい。一方、上記開環率の上限としては、３０％が好ましく、２５％がより好ましい。上記開環率が上記下限に満たないと、ベースフィルム２と焼結体層３との密着力が十分に向上されないおそれがある。逆に、上記開環率が上記上限を超えると、ベースフィルム２の強度が不十分となるおそれがある。なお、上記開環率の調整は、例えばベースフィルム２の上記一方側の面に水酸化ナトリウム等のアルカリ液を用いたアルカリ処理を施すことで行うことができる。また、「ベースフィルムの一方側の表層のポリイミドのイミド環の開環率」とは、ベースフィルムの一方側の面から５０ｎｍ以下の深さ領域におけるイミド環の開環率をいう。また、このイミド環の開環率は、サーモフィッシャー社のフーリエ変換赤外全反射吸収測定（ＦＴ―ＩＲ―ＡＴＲ）装置「Ｎｉｃｏｌｅｔ８７００」を用い、ＳｅｎｓＩＲ社の１回反射ＡＴＲアクセサリ「Ｄｕｒａ  Ｓｃｏｐｅ」（ダイヤモンドプリズム）を使用して、入射角４５°での測定波数４０００〜６５０ｃｍ−１の範囲における吸収強度スペクトルを積算回数（スキャン回数）１６回としてそれぞれ、分解能を４ｃｍ−１に設定して測定し、得られた吸収強度スペクトルから、波数１４９４ｃｍ−１のピーク強度に対する波数１７０５ｃｍ−１のピーク強度の比を算出し、表面処理をしていないベースフィルムのピーク強度の比を１００％と換算して求めることができる。
【００３４】
ベースフィルム２の上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量の上限としては、１．０ｍｇ／ｍ２が好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２がさらに好ましい。一方、ベースフィルム２の上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量は少ない程よく、上記含有量の下限としては、０．０ｍｇ／ｍ２とすることができる。ベースフィルム２の上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量が上記上限を超えると、当該プリント配線板用基材１を用いてプリント配線板を形成する場合に、焼結体層３のエッチングとは別個にパラジウム除去のためのエッチングを行うことが必要となるおそれが高い。これに対し、ベースフィルム２の上記一方側の面近傍のパラジウムの含有量が上記上限以下であることによって、パラジウム除去のためのエッチングを行わなくてもよいので、容易かつ安価にプリント配線板を形成することができる。なお、「ベースフィルムの一方側の面近傍のパラジウム含有量」とは、ベースフィルムの一方側の面から厚さ方向に上下５０ｎｍの領域における単位面積あたりのパラジウムの含有量をいう。また、このパラジウム含有量は、ベースフィルム２の一方側の面に積層される焼結体層３をエッチングによって除去したうえで測定することが可能である。
【００３５】
ベースフィルム２の厚さは、特に限定されないが、例えばベースフィルム２の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、ベースフィルム２の平均厚さの上限としては、２．０ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。ベースフィルム２の平均厚さが上記下限より小さいと、ベースフィルム２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム２の平均厚さが上記上限を超えると、薄型化が要求される電子機器への適用が困難となるおそれや可撓性が不十分となるおそれがある。
【００３６】
ベースフィルム２の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）の下限としては、０．００５μｍが好ましく、０．０１０μｍがより好ましい。一方、ベースフィルム２の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）の上限としては、０．１０μｍが好ましく、０．０５μｍがより好ましい。上記算術平均粗さ（Ｓａ）が上記下限より小さいと、ベースフィルム２の形成が容易でなくなるおそれがある。また、上記算術平均粗さ（Ｓａ）が上記下限より小さいと、ベースフィルム２の上記一方側の面の表面処理が不十分となり、ベースフィルム２及び焼結体層３の密着力が低下するおそれがある。逆に、上記算術平均粗さ（Ｓａ）が上記上限を超えると、ベースフィルム２及び焼結体層３の界面の緻密性が不十分となり、ベースフィルム２及び焼結体層３の密着力が不十分となるおそれがある。
【００３７】
（焼結体層）
焼結体層３は、ベースフィルム２の一方側の面に直接（つまり、接着剤層等の他の層を介さず）積層される。当該プリント配線板用基材１は、ベースフィルム２の一方側の面に焼結体層３が密着されており、スパッタリング法を用いる場合のように物理的蒸着に必要な高価な真空設備を必要としないので、製造コストを抑えることができる。
【００３８】
焼結体層３は、複数の上記金属粒子同士が金属酸化物等によって固着された構成を有する。上記金属粒子を構成する金属としては、銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀等が挙げられる。中でも、導電性及びベースフィルム２との密着性及びエッチング性に優れる銅が好ましい。つまり、焼結体層３を構成する焼結体としては、銅粒子焼結体が好ましい。
【００３９】
上記銅粒子焼結体の平均粒子径の下限としては、５０ｎｍが好ましく、７０ｎｍがより好ましい。一方、上記銅粒子焼結体の平均粒子径の上限としては、３００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましい。上記銅粒子焼結体の平均粒子径が上記範囲内であることによって、十分に緻密な焼結体層３を形成することができ、ベースフィルム２と焼結体層３との密着力を高めることができるので、当該プリント配線板用基材１の長寿命化を促進することができる。なお、上記銅粒子焼結体は、全てがナノ粒子であることが好ましいが、ナノ粒子及びこのナノ粒子以外の粒子（つまり、粒子径が１０００ｎｍ以上の粒子）を含んでいてもよい。上記銅粒子焼結体が上記ナノ粒子及びこのナノ粒子以外の粒子を含む場合、全銅粒子焼結体１００質量部に対する上記ナノ粒子の含有割合の下限としては、７０質量部が好ましく、９０質量部がより好ましい。
【００４０】
焼結体層３の平均厚さの下限としては、５０ｎｍが好ましく、７０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。一方、焼結体層３の平均厚さの上限としては、１０００ｎｍが好ましく、７００ｎｍがより好ましく、５００ｎｍがさらに好ましい。焼結体層３の平均厚さが上記下限より小さいと、平面視において焼結体層３に切れ目が生じて導電性が低下するおそれがある。逆に、焼結体層３の平均厚さが上記上限を超えると、例えばセミアディティブ法による配線形成に適用した際、導電パターン間の焼結体層３の除去に時間を要し、生産性が低下するおそれがある。
【００４１】
焼結体層３の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）の下限としては、上述のように０．００５μｍであり、０．０１０μｍがより好ましい。一方、焼結体層３の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）の上限としては、上述のように０．１０μｍであり、０．０５μｍがより好ましい。上記算術平均粗さ（Ｓａ）が上記下限より小さいと、焼結体層３の形成が困難になるおそれがある。逆に、上記算術平均粗さ（Ｓａ）が上記上限を超えると、焼結体層３の緻密性が不十分となり、焼結体層３の抵抗を十分に小さくし難くなるおそれや、ベースフィルム２及び焼結体層３の密着力が不十分となるおそれがある。
【００４２】
［第二実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
図２のプリント配線板用基材１１は、図１のプリント配線板用基材１と、このプリント配線板用基材１の焼結体層３の一方側の面（ベースフィルム２と積層される側と反対側の面）に積層されるめっき層１２とを備える。当該プリント配線板用基材１１は、フレキシブルプリント配線板用基材であり、可撓性を有する。当該プリント配線板用基材１１は、焼結体層３の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。当該プリント配線板用基材１１は、めっき層１２を備える以外、図１のプリント配線板用基材１と同様の構成を備える。そのため、以下ではめっき層１２についてのみ説明する。
【００４３】
（めっき層）
めっき層１２は、焼結体層３の一方側の面に直接（他の層を介さず）積層されている。めっき層１２は、電気めっきによって形成される電気めっき層である。めっき層１２は、電気めっきによって形成されるめっき金属を含む。このめっき金属は、焼結体層３の一方側の面に積層されると共に、焼結体層３を構成する焼結体の空隙に充填されていることが好ましい。
【００４４】
めっき層１２を構成する金属としては、銅、ニッケル、コバルト、金、銀、スズ及びこれらの合金等が挙げられる。中でも、比較的安価で、かつエッチング性に優れる銅が好ましい。つまり、めっき層１２は、電気銅めっきによって形成されることが好ましい。
【００４５】
めっき層１２の平均厚さは、どのようなプリント回路を作製するかによって設定されるもので特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。
【００４６】
当該プリント配線板用基材１１は、焼結体層３の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であり、焼結体層３が緻密に形成されている。そのため、当該プリント配線板用基材１１は、焼結体層３の一方側の面に無電解めっき層を介さず直接電気めっき層が積層されている。焼結体層３の一方側の面に無電解めっき層が積層される場合、無電解めっきに用いられるパラジウム触媒の影響でベースフィルム２の上記一方側の面近傍のパラジウム含有量が多くなりやすい。これに対し、焼結体層３の一方側の面に直接電気めっき層を積層することで、ベースフィルム２の上記一方側の面近傍のパラジウム含有量を少なくしやすい。
【００４７】
［第三実施形態］
＜プリント配線板＞
図３のプリント配線板２１は、絶縁性を有するベースフィルム２と、ベースフィルム２の一方側の面に積層される金属粒子の焼結体層３と、焼結体層３の一方側の面に積層されるめっき層１２とを備え、焼結体層３及びめっき層１２が平面視でパターニングされている。具体的には、当該プリント配線板２１は、ベースフィルム２の一方側の面に焼結体層３及びめっき層１２がこの順で積層された図２のプリント配線板用基材１１を用いている。当該プリント配線板２１は、焼結体層３及びめっき層１２によって構成される積層体をパターニングした導電パターン２２を有する。この際のパターニング方法としては、例えば上記積層体にレジストパターン等のマスキングを施してエッチングする方法（サブトラクティブ法）を採用することができる。当該プリント配線板２１は、フレキシブルプリント配線板であって、可撓性を有する。
【００４８】
当該プリント配線板２１は、上述のように当該プリント配線板用基材１１を用いているので、焼結体層３の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下である。
【００４９】
当該プリント配線板２１は、焼結体層３の上記一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であるので、焼結体層３を構成する金属粒子が高密度で緻密に配設されている。そのため、当該プリント配線板２１は焼結体層３の抵抗が小さい。また、当該プリント配線板２１は、ベースフィルム２及び焼結体層３の界面が緻密に形成されるので、ベースフィルム２及び焼結体層３の密着力に優れる。
【００５０】
＜プリント配線板用基材の製造方法＞
次に、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、図１のプリント配線板用基材１の製造方法について説明する。当該プリント配線板用基材の製造方法は、ベースフィルム２の一方側の面をアルカリ処理する工程（アルカリ処理工程）と、金属粒子３１を含む導電性インクのベースフィルム２のアルカリ処理された面への塗布により、ベースフィルム２のアルカリ処理された面に塗膜３２ａを形成する工程（塗膜形成工程）と、上記塗膜形成工程で形成された塗膜３２ａを乾燥する工程（乾燥工程）と、上記乾燥工程後の塗膜３２ｂの焼成により金属粒子３１の焼結体層３を形成する工程（焼結体層形成工程）とを備える。なお、以下では、ベースフィルム２の主成分がポリイミドである場合を例に説明する。
【００５１】
当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記乾燥工程を備えることで、塗膜３２ａに含まれる金属粒子３１の凝集を抑制することができる。そのため、当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記乾燥工程後の塗膜３２ｂの緻密化を図ることができる。これにより、当該プリント配線板用基材の製造方法は、焼結体層３の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）を０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下に調整することができ、抵抗が小さく、かつベースフィルム２との密着力に優れる焼結体層３を有する当該プリント配線板用基材１を製造することができる。
【００５２】
（アルカリ処理工程）
上記アルカリ処理工程では、ベースフィルム２の一方側の面にアルカリ液を接触させることで、ベースフィルム２の一方側の表層のポリイミドのイミド環の一部を開環する。上記アルカリ処理工程で開環するベースフィルム２の一方側の表層のポリイミドのイミド環の開環率の下限としては１０％が好ましく、１５％がより好ましい。一方、上記イミド環の開環率の上限としては、３０％が好ましく、２５％がより好ましい。
【００５３】
上記アルカリ処理工程で用いるアルカリ液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、水酸化カルシウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化リチウム、モノエタノールアミン等の水溶液やこれらと過酸化水素との水溶液などが挙げられ、一般的には水酸化ナトリウム水溶液が用いられる。
【００５４】
上記アルカリ処理工程で用いるアルカリ液のｐＨとしては、例えば１２以上１５以下とすることができる。また、ベースフィルム２のアルカリ液との接触時間としては、例えば１５秒以上１０分以下とすることができる。アルカリ液の温度としては、例えば１０℃以上７０℃以下とすることができる。
【００５５】
上記アルカリ処理工程は、ベースフィルム２を水洗いする水洗工程を有することが好ましい。この水洗工程では、ベースフィルム２を水洗いして、ベースフィルム２の表面に付着しているアルカリ液を除去する。また、上記アルカリ処理工程は、上記水洗工程後に洗浄水を乾燥する乾燥工程を有することがさらに好ましい。ベースフィルム２中の水分を蒸発させることによって、ベースフィルム２内のイオンを金属や金属酸化物として析出させたり、ベースフィルム２の樹脂成分等と結合させることによって、ベースフィルム２の品質を安定化することができる。
【００５６】
（塗膜形成工程）
上記塗膜形成工程では、図４Ａに示すように、ベースフィルム２の一方側の面に金属粒子３１を含む導電性インクを塗布し、塗膜３２ａを形成する。
【００５７】
〈金属粒子〉
上記インクに分散させる金属粒子３１は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができる。中でも、液相還元法によれば、製造コストをより低減できる上、水溶液中での攪拌等により、容易に金属粒子３１の粒子径を均一にすることができる。金属粒子３１は、このように、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造されることによって、例えば平均粒子径が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に調整される。なお、「平均粒子径」とは、レーザー回折法により測定される粒子径の分布において体積積算値が５０％となる粒子径を意味する。
【００５８】
液相還元法によって金属粒子３１を製造するためには、例えば水に金属粒子３１を形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と分散剤とを溶解すると共に、還元剤を加えて一定時間金属イオンを還元反応させればよい。液相還元法の場合、製造される金属粒子３１は形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ３）２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。また銀の場合は硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）、メタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等、金の場合はテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸四水和物（ＨＡｕＣｌ４・４Ｈ２Ｏ）、ニッケルの場合は塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。他の金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。
【００５９】
上記還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどが挙げられる。中でも、上記還元剤としては３価のチタンイオンが好ましい。なお、３価のチタンイオンを還元剤とする液相還元法は、チタンレドックス法という。チタンレドックス法では、３価のチタンイオンが４価に酸化される際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、金属粒子を析出させる。チタンレドックス法で得られる金属粒子３１は、粒子径が小さくかつ揃っているため、金属粒子３１がより高密度に充填され、塗膜３２ａ及び塗膜３２ａを乾燥して得られる塗膜３２ｂ（以下、塗膜３２ａ及び塗膜３２ｂを共に含めて単に「塗膜３２」ともいう）をより緻密な膜に形成しやすい。
【００６０】
金属粒子３１の粒子径を調整するには、金属化合物、分散剤及び還元剤の種類並びに配合割合を調整すると共に、金属化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調整すればよい。反応系のｐＨの下限としては７が好ましく、反応系のｐＨの上限としては１３が好ましい。反応系のｐＨを上記範囲とすることで、微小な粒子径の金属粒子３１を得ることができる。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に容易に調整することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア等の一般的な酸又はアルカリが使用できるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物を含まない硝酸及びアンモニアが好ましい。
【００６１】
金属粒子３１の平均粒子径の下限としては、１０ｎｍが好ましく、１５ｎｍがより好ましい。一方、金属粒子３１の平均粒子径の上限としては、４０ｎｍが好ましく、３５ｎｍがより好ましい。金属粒子３１の平均粒子径が上記下限より小さいと、インク中での金属粒子３１の分散性及び安定性が低下するおそれがある。一方、金属粒子３１の平均粒子径が上記上限を超えると、金属粒子３１が沈殿しやすくなるおそれがあると共に、インクを塗布した際に金属粒子３１の密度が不均一になるおそれがある。
【００６２】
インク中の金属粒子３１の含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、２０質量％がさらに好ましい。また、インク中の金属粒子３１の含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。金属粒子３１の含有割合を上記下限以上とすることで、塗膜３２をより緻密な膜に形成することができる。一方、金属粒子３１の含有割合が上記上限を超えると、塗膜３２の膜厚が不均一になるおそれがある。
【００６３】
〈その他の成分〉
上記インクには、金属粒子３１以外に分散剤が含まれていてもよい。この分散剤としては、特に限定されず、金属粒子３１を良好に分散させることができる種々の分散剤を用いることができる。
【００６４】
上記分散剤は、周辺部材の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等の窒素含有高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボキシ基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤などを挙げることができる。
【００６５】
分散剤の分子量の下限としては、２，０００が好ましく、分散剤の分子量の上限としては、５４，０００が好ましい。分子量が上記範囲の分散剤を用いることで、金属粒子３１を導電性インク中に良好に分散させることができ、塗膜３２の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限より小さいと、金属粒子３１の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記分散剤の分子量が上記上限を超えると、分散剤の嵩が大きすぎて、塗膜３２ｂの焼成時において、金属粒子３１同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大きすぎると、塗膜３２の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導電性を低下させるおそれがある。
【００６６】
上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解させた溶液の状態でインクに配合することもできる。インクに分散剤を配合する場合、分散剤の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子３１に対して１質量部が好ましい。一方、分散剤の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子３１に対して６０質量部が好ましい。上記分散剤の含有割合が上記下限に満たないと、金属粒子３１の凝集防止効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記分散剤の含有割合が上記上限を超えると、塗膜３２ｂの焼成時に過剰の分散剤が金属粒子３１の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、分散剤の分解残渣が不純物として焼結体層３中に残存して導電性を低下させるおそれがある。
【００６７】
上記インクにおける分散媒としては、例えば水が使用できる。水を分散媒とする場合、水の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子３１に対して２０質量部が好ましい。また、水の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子３１に対して１，９００質量部が好ましい。分散媒である水は、例えば分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子３１を良好に分散させる役割を果たすが、上記水の含有割合が上記下限に満たないと、この分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。一方、上記水の含有割合が上記上限を超えると、インク中の金属粒子３１の含有割合が少なくなり、必要な厚さと密度とを有する良好な焼結体層３を形成できないおそれがある。
【００６８】
上記インクに必要に応じて配合する有機溶媒として、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００６９】
水溶性の有機溶媒の含有割合としては、金属粒子１００質量部当たり３０質量部以上９００質量部以下が好ましい。上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記下限に満たないと、上記有機溶媒による分散液の粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記上限を超えると、水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、インク中で金属粒子３１の凝集が生じるおそれがある。
【００７０】
なお、液相還元法で金属粒子３１を製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させた金属粒子３１は、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いてインクを調製することができる。この場合は、粉末状の金属粒子３１と、水等の分散媒と、必要に応じて分散剤、有機溶媒等とを所定の割合で配合し、金属粒子３１を含む導電性インクとすることができる。このとき、金属粒子３１を析出させた液相（水溶液）を出発原料としてインクを調製することが好ましい。具体的には、析出した金属粒子３１を含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて金属粒子３１の濃度を調節した後、さらに必要に応じて有機溶媒を所定の割合で配合することによって金属粒子３１を含む導電性インクを調製する。この方法では、金属粒子３１の乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一な焼結体層３を形成しやすい。
【００７１】
〈インクの塗布方法〉
金属粒子３１を分散させた導電性インクをベースフィルム２の一方側の面に塗布する方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布法を用いることができる。また、スクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム２の一方側の面の一部のみに導電性インクを塗布するようにしてもよい。
【００７２】
（乾燥工程）
上記乾燥工程では、図４Ｂに示すように、上記塗膜形成工程で形成された塗膜３２ａに含まれる金属粒子３１の凝集が促進する前に塗膜３２ａに含まれる分散媒を乾燥させる。上記乾燥工程では、例えば室温で送風することで塗膜３２ａに含まれる分散媒を乾燥させる。
【００７３】
塗膜３２ａの形成から上記乾燥工程開始までの間隔としては、例えば６０秒以下が好ましく、５０秒以下がより好ましい。
【００７４】
上記乾燥工程における乾燥温度の下限としては、５℃が好ましく、１０℃がより好ましい。一方、上記乾燥温度の上限としては、９０℃が好ましく、８５℃がより好ましい。上記乾燥温度が上記下限より低いと、上記分散媒を十分に乾燥させるための乾燥時間が長くなり、金属粒子３１の凝集を確実に抑制することができないおそれがある。逆に、上記乾燥温度が上記上限を超えると、金属粒子３１が凝集して平滑な塗膜３２ｂを形成できないおそれがある。
【００７５】
上記乾燥工程における乾燥時間の下限としては、５秒が好ましく、１０秒がより好ましい。一方、上記乾燥工程における乾燥時間の上限としては、６０秒が好ましく、５０秒がより好ましい。上記乾燥時間が上記下限に満たないと、上記分散媒を十分に乾燥することができないおそれがある。逆に、上記乾燥時間が上記上限を超えると、乾燥時間が不要に長くなるおそれや、上記乾燥工程によって上記分散媒を十分に乾燥した場合でも金属粒子３１の凝集を十分に抑制することができないおそれがある。
【００７６】
（焼結体層形成工程）
上記焼結体層形成工程では、図４Ｃに示すように、塗膜３２ｂの焼成により金属粒子３１の焼結体層３を形成する。
【００７７】
〈焼成〉
上記焼成により金属粒子３１同士が焼結すると共に、焼結体がベースフィルム２の一方側の面に固着される。また、焼結体とベースフィルム２との界面近傍では、焼成によって金属粒子３１が酸化されるため、金属粒子３１に基づく金属水酸化物やその金属水酸化物に由来する基の生成を抑えつつ、金属粒子３１に基づく金属酸化物やその金属酸化物に由来する基が生成する。この焼結体とベースフィルム２との界面近傍に生成した金属酸化物及び金属酸化物に由来する基は、ベースフィルム２を構成するポリイミドのイミド環の開環部分と強く結合するため、ベースフィルム２と焼結体との間の密着力が大きくなる。
【００７８】
上記焼成は、焼結体とベースフィルム２との界面近傍の金属粒子３１の酸化を促進させるため、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。この場合、焼成雰囲気の酸素濃度の下限としては、１体積ｐｐｍが好ましく、１０体積ｐｐｍがより好ましい。一方、上記酸素濃度の上限としては、１０，０００体積ｐｐｍが好ましく、１，０００体積ｐｐｍがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限に満たないと、焼結体とベースフィルム２との界面近傍における金属酸化物及び金属酸化物に由来する基の生成量が少なくなり、ベースフィルム２と焼結体との間の密着力を十分に向上させることができなくなるおそれがある。逆に、上記酸素濃度が上記上限を超えると、金属粒子３１の過度の酸化により焼結体の導電性が低下するおそれがある。
【００７９】
上記焼成の温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましい。一方、上記焼成の温度の上限としては、５００℃が好ましく、４００℃がより好ましい。上記焼成の温度が上記下限に満たないと、焼結体とベースフィルム２との界面近傍における金属酸化物及び金属酸化物に由来する基の生成量が少なくなり、ベースフィルム２と焼結体との間の密着力を十分に向上させることができなくなるおそれがある。逆に、上記焼成の温度が上記上限を超えると、ベースフィルム２が変形するおそれがある。なお、焼成時間については、特に限定されないが、例えば３０分以上６００分以下の範囲とすればよい。
【００８０】
次に、図４Ｄを参照して、図２のプリント配線板用基材１１の製造方法について説明する。当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記焼結体層形成工程によって形成される焼結体層３の一方側の面にめっき層１２を積層する工程（めっき層積層工程）を備える。
【００８１】
（めっき層積層工程）
上記めっき層積層工程では、電気めっきによって焼結体層３の一方側の面にめっき層１２を積層する。当該プリント配線板用基材の製造方法は、焼結体層３が十分に緻密であるため、焼結体層３の一方側の面に無電解めっき層を介さず直接電気めっき層を積層することが可能である。上記めっき層積層工程で電気めっきに用いる金属としては、銅、ニッケル、コバルト、金、銀、スズ等が挙げられ、中でも銅が好ましい。上記電気めっきの手順は、特に限定されるものではなく、例えば公知の電解めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。この電気めっき層形成工程において、プリント配線板用基材１１を用いて形成される図３のプリント配線板２１の導電パターン２２の厚さが所望の厚さになるように調整する。
【００８２】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００８３】
例えば、当該プリント配線板用基材は、ベースフィルムの片面のみに金属粒子の焼結体層が積層されていなくてもよく、ベースフィルムの両面に金属粒子の焼結体層が積層されてもよい。
【００８４】
当該プリント配線板用基材は、必ずしもフレキシブルプリント配線板用基材である必要はなく、リジッド基材であってもよい。この場合、上記ベースフィルムの主成分としては、例えば紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、ガラス基材等の硬質材、軟質材と硬質材とを複合したリジッドフレキシブル材などが挙げられる。
【００８５】
当該プリント配線板用基材は、上記ベースフィルムの一方側の面に金属粒子の焼結体層が積層されており、この焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内である限り、この焼結体層の上記一方側の面に積層される層の具体的構成は特に限定されるものではない。当該プリント配線板用基材は、例えば上記焼結体層の上記一方側の面に無電解めっき層が積層されてもよい。
【００８６】
当該プリント配線板用基材の製造方法は、必ずしも上記アルカリ処理工程を有しなくてもよい。
【００８７】
当該プリント配線板用基材の製造方法は、必ずしも上記乾燥工程によって塗膜に含まれる金属粒子の凝集を抑制する必要はなく、例えば凝集防止剤を用いて金属粒子の凝集を抑制してもよい。また、上記乾燥工程を行う場合でも、必ずしも室温での送風によって乾燥させる必要はなく、加熱によって乾燥させることも可能である。
【００８８】
当該プリント配線板は、例えば図１のプリント配線板用基材１を用いて形成されてもよい。
【００８９】
当該プリント配線板は、セミアディティブ法によって導電パターンを形成したものであってもよい。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９１】
［Ｎｏ．１］
還元剤としての三塩化チタン溶液８０ｇ（０．１Ｍ）、ｐＨ調整剤としての炭酸ナトリウム５０ｇ、錯化剤としてのクエン酸ナトリウム９０ｇ、及び分散剤としてのポリエチレンイミン−ポリエチレンオキサイド付加物１ｇをビーカー内で純粋１Ｌに溶解させ、この水溶液を３５℃に保温した。また、この水溶液に同温度（３５℃）で保温した硝酸銅三水和物１０ｇ（０．０４Ｍ）の水溶液を添加し撹拌させることで銅微粒子を析出させた。さらに、遠心分離により分離した銅微粒子に対し、２００ｍＬの純水による洗浄工程を２回繰り返した上、この銅微粒子を乾燥させることで粉末状の銅微粒子を得た。続いて、この粉末状の銅微粒子に純水を加えて濃度調整を行うことでの焼結体層形成用導電性インクを得た。この導電性インク４８０μＬを親水化処理を行ったポリイミドフィルム（２０ｃｍ角）の一方側の面にバーコート法により塗布した。この導電性インクの塗布によって形成された塗膜を表１の乾燥時間で室温（２５℃）で送風乾燥した。この乾燥は塗膜の形成直後（１秒以内）に開始した。この乾燥によって塗膜中の水を揮発させた後、３５０℃の焼成温度で２時間焼成することで、ベースフィルム（ポリイミドフィルム）の一方側の面に焼結体層が積層されたＮｏ．１のプリント配線板用基材を作成した。
【００９２】
［Ｎｏ．２〜Ｎｏ．８］
塗膜の乾燥時間を表１の通りとした以外、Ｎｏ．１と同様にしてＮｏ．２〜Ｎｏ．８のプリント配線板用基材を作成した。
【００９３】
（算術平均粗さ）
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８のプリント配線板用基材の焼結体層の一方側の面（ベースフィルムとの積層面と反対側の面）の算術平均粗さ（Ｓａ）を、キーエンス社製のレーザー電子顕微鏡「ＶＫ−Ｘ１５０」を用い、対物レンズ１００倍、デジタルズーム１倍で、測定範囲３０μｍ×３０μｍ、カットオフ値９０にて測定した。この測定結果を表１に示す。
【００９４】
（銅粒子焼結体の平均粒子径）
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８のプリント配線板用基材の焼結体層を構成する銅粒子焼結体の平均粒子径を走査電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製の「ＳＵ８０２０」）によって測定した。この測定結果を表１に示す。
【００９５】
（イミド環の開環率）
サーモフィッシャー社の赤外全反射吸収測定（ＦＴ−ＩＲ）装置「Ｎｉｃｏｌｅｔ８７００」を用い、ＳｅｎｓＩＲ社の１回反射ＡＴＲアクセサリ「Ｄｕｒａ  Ｓｃｏｐｅ」（ダイヤモンドプリズム）を使用して、入射角４５°での測定波数４０００〜６５０ｃｍ−１の範囲における吸収強度スペクトルを積算回数（スキャン回数）１６回としてそれぞれ、分解能を４ｃｍ−１に設定して測定し、得られた吸収強度スペクトルから、波数１４９４ｃｍ−１のピーク強度に対する波数１７０５ｃｍ−１のピーク強度の比を算出し、表面処理をしていないベースフィルムのピーク強度の比を１００％として換算することで、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８のプリント配線板用基材のベースフィルムの焼結体層が積層される側の表層のポリイミドのイミド環の開環率を求めた。このイミド環の開環率を表１に示す。
【００９６】
（パラジウム含有量）
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８のプリント配線板用基材のベースフィルムの焼結体層が積層される側の面近傍のパラジウムの含有量をサーモフィッシャーサイエンティフィック社製のＩＣＰ発光分光分析「ｉＣＡＰ６３００」を用いて測定した。この測定結果を表１に示す。
【００９７】
（剥離強度）
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．８のプリント配線板用基材のベースフィルムと焼結体層との間の剥離強度をＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５）に準拠する１８０°方向引き剥がし試験により測定した。この剥離強度の測定結果を表１に示す。
【００９８】
【表１】
2019114680.tif 000005
【００９９】
＜評価結果＞
表１に示すように、焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．００５μｍ以上０．１０μｍ以下であるＮｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材は、剥離強度が７．０Ｎ／ｃｍ以上と高く、ベースフィルム及び焼結体層の密着力に優れている。特に焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．０１８μｍ以下であるＮｏ．１及びＮｏ．２のプリント配線板用基材は、剥離強度が８．６Ｎ／ｃｍ以上と高く、ベースフィルム及び焼結体層の密着力がより高められている。また、Ｎｏ．５のプリント配線板用基材は、ベースフィルムの焼結体層が積層される側の表層のポリイミドのイミド環の開環率が比較的高いため、焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ以下であることと相俟って、ベースフィルム及び焼結体層の間の剥離強度が高められている。さらに、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材は、焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ以下であり、焼結体層が十分に緻密であるので、焼結体層の抵抗が小さい。これに対し、焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ超であるＮｏ．８のプリント配線板用基材は、剥離強度が４．３Ｎ／ｃｍと低く、ベースフィルム及び焼結体層の密着力が不十分となっている。また、Ｎｏ．８のプリント配線板用基材は、焼結体層の一方側の面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ超であるので、焼結体層の緻密性が不十分で焼結体層の抵抗を十分に小さくし難い。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
以上のように、本発明のプリント配線板用基材は、ベースフィルム及び金属粒子の焼結体層の密着力に優れ、かつこの焼結体層の抵抗が小さいので、例えば小型の電子機器等に使用されるプリント配線板用基材として適している。
【符号の説明】
【０１０１】
１，１１，２１  プリント配線板用基材
２  ベースフィルム
３  焼結体層
１２  めっき層
２１  プリント配線板
２２  導電パターン
３１  金属粒子
３２ａ，３２ｂ  塗膜
【図１】
2019114680.tif 000006
【図２】
2019114680.tif 000007
【図３】
2019114680.tif 000008
【図４Ａ】
2019114680.tif 000009
【図４Ｂ】
2019114680.tif 000010
【図４Ｃ】
2019114680.tif 000011
【図４Ｄ】
2019114680.tif 000012