(57)【要約】【課題】  スペーサ近傍を遮光することに伴う開口率の低下を抑制可能な表示装置を提供する。【解決手段】  表示装置は、第１及び第２基板と、両基板の間隔を保つ複数のスペーサと、第１方向に延びる映像信号線と、第２方向に延びる走査信号線と、第１乃至第３副画素と、第１乃至第３副画素を制御する第１乃至第３トランジスタとを備える。第１乃至第３トランジスタは、第１走査信号線にて駆動される。第１トランジスタ及び第２トランジスタのドレイン電極の位置は、第１走査信号線よりも第１Ｂ方向側にある。第３トランジスタのドレイン電極の位置は、第１走査信号線よりも第１Ａ方向側にある。複数のスペーサは、第１及び第２副画素の境界と遮光層の第１部分とに重畳する第１スペーサを含む。第２及び第３副画素の境界と第１部分とが重畳する位置にはスペーサが配置されていない。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間隔を保つ複数のスペーサと、
第１方向に延びる複数の映像信号線と、
前記第１方向と交差する第２方向に延び、第１走査信号線を含む複数の走査信号線と、
遮光層によって規定される第１副画素、第２副画素および第３副画素と、
前記第１副画素、前記第２副画素および前記第３副画素をそれぞれ制御する第１トランジスタ、第２トランジスタおよび第３トランジスタと、を備え、
前記第１副画素と前記第２副画素は、前記第２方向において隣り合い、
前記第２副画素と前記第３副画素は、前記第２方向において隣り合い、
前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタは、前記第１走査信号線によって駆動され、
前記第１方向は、一方向である第１Ａ方向と、他方向である第１Ｂ方向とを有し、
前記第１トランジスタのドレイン電極の位置、および、前記第２トランジスタのドレイン電極の位置は、いずれも前記第１走査信号線よりも前記第１Ｂ方向側にあり、
前記第３トランジスタのドレイン電極の位置は、前記第１走査信号線よりも前記第１Ａ方向側にあり、
前記遮光層は、前記第１走査信号線と重畳する第１部分を有し、
前記複数のスペーサは、前記第１副画素および前記第２副画素の境界と、前記第１部分とに重畳する第１スペーサを含み、
前記第２副画素および前記第３副画素の境界と、前記第１部分とが重畳する位置には前記スペーサが配置されていない、
表示装置。
【請求項２】
平面視において、前記遮光層によって規定される第４副画素をさらに備え、
前記第４副画素は、前記第２方向において前記第１副画素と隣り合っており、
前記複数のスペーサは、前記第１副画素および前記第４副画素の境界と、前記第１部分とに重畳する第２スペーサをさらに含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数のスペーサは、前記第２スペーサの次に前記第１スペーサに近い第３スペーサをさらに含み、
前記第１スペーサと前記第３スペーサの間の距離は、前記第１スペーサと前記第２スペーサの間の距離の３倍以上である、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１副画素の前記第２方向における幅は、前記第２副画素の前記第２方向における幅よりも小さい、
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第３副画素の前記第１方向における幅は、前記第１副画素または前記第２副画素の前記第１方向における幅よりも大きい、
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１副画素の色は、白色である、
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１副画素の前記第２方向における幅は、７μｍ以上かつ２２μｍ以下である、
請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
平面視において、前記遮光層によって規定される第４副画素をさらに備え、
前記第４副画素は、前記第２方向において前記第１副画素と隣り合い、
前記第１副画素および前記第３副画素の一方の色は白色であり、他方の色は緑色であり、
前記第２副画素および前記第４副画素の一方の色は赤色であり、他方の色は青色である、
請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
平面視において、前記遮光層によって規定される第５副画素、第６副画素、第７副画素および第８副画素をさらに備え、
前記第５副画素は、前記第１方向において前記第１副画素と隣り合い、
前記第６副画素は、前記第１方向において前記第２副画素と隣り合い、
前記第７副画素は、前記第１方向において前記第３副画素と隣り合い、
前記第８副画素は、前記第１方向において前記第４副画素と隣り合い、
前記第１副画素および前記第５副画素の一方の色は白色であり、他方の色は緑色であり、
前記第２副画素および前記第６副画素の一方の色は赤色であり、他方の色は青色であり、
前記第３副画素および前記第７副画素の一方の色は白色であり、他方の色は緑色であり、
前記第４副画素および前記第８副画素の一方の色は赤色であり、他方の色は青色である、
請求項８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、第１基板と、第２基板と、これら基板の間に配置された液晶層とを備える液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は、異なる色の複数の副画素を含む画素を有している。隣り合う副画素の境界は、遮光層（ブラックマトリクス）によって遮光されている。
【０００３】
第１基板と第２基板の間には、セルギャップを保つためのスペーサが配置される。スペーサの近傍の領域においては、液晶分子の配向が乱れ得る。そのため、この領域は、上述の遮光層の幅を広げた拡張部分により遮光される。
【０００４】
遮光層の拡張部分が大きいほど、周囲の副画素の開口率が低下する。さらに、特定の色の副画素にのみ拡張部分が重畳する場合には、副画素の開口率差に起因したスジが画像に生じ得る。これらのことから、表示品位を向上させるために、効率的なスペーサの配置が望まれている。
【０００５】
また、近年では、画素の色度を調整するために、各色の副画素の形状を互いに異ならせることがある。この場合、隣り合う副画素の端部が特定の方向にずれるため、遮光層も当該方向にずらして配置される。このような画素レイアウトにおいては、開口率低下を抑制するために、スペーサの配置態様にさらなる工夫が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０１７８９８１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本開示は、スペーサ近傍を遮光することに伴う開口率の低下を抑制可能な表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態に係る表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間隔を保つ複数のスペーサと、第１方向に延びる複数の映像信号線と、前記第１方向と交差する第２方向に延び第１走査信号線を含む複数の走査信号線と、遮光層によって規定される第１ないし第３副画素と、前記第１ないし第３副画素をそれぞれ制御する第１ないし第３トランジスタと、を備えている。前記第１副画素と前記第２副画素は、前記第２方向において隣り合う。前記第２副画素と前記第３副画素は、前記第２方向において隣り合う。前記第１ないし第３トランジスタは、前記第１走査信号線によって駆動される。前記第１方向は、一方向である第１Ａ方向と、他方向である第１Ｂ方向とを有する。前記第１トランジスタのドレイン電極の位置、および、前記第２トランジスタのドレイン電極の位置は、いずれも前記第１走査信号線よりも前記第１Ｂ方向側にある。前記第３トランジスタのドレイン電極の位置は、前記第１走査信号線よりも前記第１Ａ方向側にある。前記遮光層は、前記第１走査信号線と重畳する第１部分を有する。前記複数のスペーサは、前記第１副画素および前記第２副画素の境界と、前記第１部分とに重畳する第１スペーサを含む。前記第２副画素および前記第３副画素の境界と、前記第１部分とが重畳する位置には前記スペーサが配置されていない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態における液晶表示装置の概略的な構成を示す図である。
【図２】図２は、第１実施形態における表示パネルの概略的な断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態における表示パネルの他の概略的な断面図である。
【図４】図４は、第１実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。
【図５】図５は、第１実施形態におけるスペーサの配置例を示す平面図である。
【図６】図６は、図４に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。
【図７】図７は、図４に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。
【図８】図８は、本実施形態の効果を説明するための図である。
【図９】図９は、スペーサの配置の第１比較例を示す図である。
【図１０】図１０は、スペーサの配置の第２比較例を示す図である。
【図１１】図１１は、第２実施形態におけるスペーサの配置例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、第３実施形態におけるスペーサの配置例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、第４実施形態における画素レイアウトを示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１３示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。
【図１５】図１５は、第５実施形態における画素レイアウトを示す平面図である。
【図１６】図１６は、図１５示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
一実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１１】
本明細書において「αはＡ，Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
【００１２】
本明細書における「第１α、第２α、第３α」という表現の「第１、第２、第３」は、要素を説明のために用いる便宜的な数字に過ぎない。つまり、特に明示が無い限り、「Ａが第３αを備える」という表現は、第３αの他の第１α及び第２αを、Ａが備えていない場合も含む。
【００１３】
各実施形態においては、表示装置の一例として液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示素子を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）を応用した表示装置、エレクトロクロミズムを応用した表示装置等が想定される。
【００１４】
［第１実施形態］  
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ（以下、単に表示装置ＤＳＰと呼ぶ）の概略的な構成を示す図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、コントローラＣＴと、バックライトＢＬとを備えている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、これら基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に配置された液晶層ＬＣとを備えている。
【００１５】
表示パネルＰＮＬは、複数の副画素ＳＰを含む表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＰＡとを有している。周辺領域ＰＡには端子Ｔが設けられており、この端子Ｔにフレキシブル回路基板ＦＰＣが接続されている。図示した例では、コントローラＣＴがフレキシブル回路基板ＦＰＣに設けられている。コントローラＣＴは、例えば第１基板ＳＵＢ１など他の部材に設けられてもよい。バックライトＢＬは、表示パネルＰＮＬの背面に対向しており、表示に用いる光を供給する。
【００１６】
第１基板ＳＵＢ１は、複数の映像信号線Ｓと、複数の走査信号線Ｇと、各映像信号線Ｓが接続されたソースドライバＳＤと、各走査信号線Ｇが接続されたゲートドライバＧＤとを備えている。複数の映像信号線Ｓは、第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並んでいる。複数の走査信号線Ｇは、第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並んでいる。ソースドライバＳＤは、各映像信号線Ｓに映像信号を供給する。ゲートドライバＧＤは、各走査信号線Ｇに走査信号を供給する。
【００１７】
第１基板ＳＵＢ１は、各副画素ＳＰに配置された画素電極ＰＥおよびトランジスタＴＲを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、複数の副画素ＳＰにわたって延在する共通電極ＣＥを備えている。
【００１８】
図２は、表示領域ＤＡにおける表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、第１基材１０と、絶縁層１１〜１４と、第１配向膜１５とを備えている。トランジスタＴＲは、半導体層ＳＣと、中継電極ＲＥとを備えている。
【００１９】
半導体層ＳＣは、第１基材１０の上面に形成されている。絶縁層１１は、半導体層ＳＣおよび第１基材１０の上面を覆っている。走査信号線Ｇは、絶縁層１１の上に形成されている。絶縁層１２は、走査信号線Ｇおよび絶縁層１１を覆っている。映像信号線Ｓおよび中継電極ＲＥは、絶縁層１２の上に形成されている。絶縁層１３は、映像信号線Ｓ、中継電極ＲＥおよび絶縁層１２を覆っている。共通電極ＣＥは、絶縁層１３の上に形成されている。絶縁層１４は、共通電極ＣＥを覆っている。画素電極ＰＥは、絶縁層１４の上に形成され、スリットＳＬを有している。第１配向膜１５は、画素電極ＰＥおよび絶縁層１４を覆っている。
【００２０】
第２基板ＳＵＢ２は、第２基材２０と、遮光層２１（ブラックマトリクス）と、カラーフィルタ層２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜２４とを備えている。遮光層２１は、第２基材２０の下面に形成され、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓおよび中継電極ＲＥと対向している。カラーフィルタ層２２は、遮光層２１および第２基材２０の下面を覆っている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ層２２を覆っている。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っている。
【００２１】
図１に示した副画素ＳＰは、例えば遮光層２１によって規定される領域である。副画素ＳＰは、隣り合う２本の映像信号線Ｓと、隣り合う２本の走査信号線Ｇとで規定される領域ということもできる。また、副画素ＳＰは、画素電極ＰＥが配置される領域ということもできる。
【００２２】
液晶層ＬＣは、配向膜１５，２４の間に配置されている。第１基材１０の下面には第１偏光板ＰＬ１が配置され、第２基材２０の上面には第２偏光板ＰＬ２が配置されている。表示パネルＰＮＬの構造は図２の例に限られず、種々の構成を適用できる。
【００２３】
図３は、表示領域ＤＡにおける表示パネルＰＮＬの他の概略的な断面図である。表示パネルＰＮＬは、メインスペーサ３１と、サブスペーサ３２とをさらに備えている。これらスペーサ３１，３２は、いずれも第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間に配置され、これら基板の間隔（セルギャップ）を保つ。
【００２４】
図示した例では、スペーサ３１，３２がいずれも第２基板ＳＵＢ２から延出しているが、第１基板ＳＵＢ１から延出してもよい。メインスペーサ３１の先端は、第１基板ＳＵＢ１に接触している。一方、サブスペーサ３２の先端は、第１基板ＳＵＢ１に接触していない。サブスペーサ３２は、外力により第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間のセルギャップが狭まった際に、第１基板ＳＵＢ１に接触する。
【００２５】
図４は、本実施形態における画素レイアウトの一例を示す図である。上述の表示領域ＤＡは、画素ＰＸ１〜ＰＸ４を含む。画素ＰＸ１は、赤色の副画素ＳＰｒ１と、緑色の副画素ＳＰｇ１とを含む。画素ＰＸ２は、青色の副画素ＳＰｂ１と、白色の副画素ＳＰｗ１とを含む。画素ＰＸ３は、青色の副画素ＳＰｂ２と、白色の副画素ＳＰｗ２とを含む。画素ＰＸ４は、赤色の副画素ＳＰｒ２と、緑色の副画素ＳＰｇ２とを含む。
【００２６】
副画素ＳＰｒ１と副画素ＳＰｂ１、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｂ２と副画素ＳＰｒ２、副画素ＳＰｗ２と副画素ＳＰｇ２は、それぞれ第１方向Ｄ１に並ぶ。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２は、この順で第２方向Ｄ２に並ぶ。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２は、この順で第２方向Ｄ２に並ぶ。
【００２７】
表示領域ＤＡの全体においては、画素ＰＸ１〜ＰＸ４にて構成される画素ユニットが、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２にマトリクス状に配列されている。このような画素レイアウトにおいては、例えばサブピクセルレンダリング（ＳＰＲ）により、２色の副画素ＳＰしか含まない各画素ＰＸ１〜ＰＸ４をそれぞれフルカラー表示の１画素として利用し、高解像度の画像を表示することができる。
【００２８】
副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１である。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１よりも大きいＷ１２である（Ｗ１２＞Ｗ１１）。副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１よりも小さいＷ１３である（Ｗ１３＜Ｗ１１）。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の第２方向Ｄ２における幅は、Ｗ２１である。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｗ１，ＳＰｇ２，ＳＰｗ２の第２方向Ｄ２における幅は、Ｗ２１よりも小さいＷ２２である（Ｗ２２＜Ｗ２１）。
【００２９】
ここで、図４に示したように、第１方向Ｄ１の一方向を第１Ａ方向Ｄ１ａと定義し、第１方向Ｄ１の他方向を第１Ｂ方向Ｄ１ｂと定義する。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ２の第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側の境界は、第２方向Ｄ２に直線状に連なっている。副画素ＳＰｂ２，ＳＰｗ２の第１Ａ方向Ｄ１ａにおける境界は、第２方向Ｄ２に直線状に連なっている。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２の第１Ａ方向Ｄ１ａにおける境界は、第２方向Ｄ２に直線状に連なっている。
【００３０】
副画素ＳＰｇ１は、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ２よりも第１Ａ方向Ｄ１ａ側に突出した突出部分ＰＴ１を有している。これにより、副画素ＳＰｇ１の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の境界は、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の境界と直線状に連ならない。同様に、副画素ＳＰｇ２は、副画素ＳＰｒ２よりも第１Ａ方向Ｄ１ａ側に突出した突出部分ＰＴ２を有している。これにより、副画素ＳＰｇ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の境界は、副画素ＳＰｒ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の境界と直線状に連ならない。
【００３１】
本実施形態においては、副画素ＳＰの第１方向Ｄ１に延びる境界と、第２方向Ｄ２に延びる境界との交点であって、かつ第２方向Ｄ２に延びる境界が直線状である位置に、上述のスペーサ３１，３２を配置する。例えば、破線円で示した位置ＣＰがスペーサ３１，３２の配置位置となり得る。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の端部近傍のように、第２方向Ｄ２に延びる境界が非直線状である位置にはスペーサ３１，３２を配置しない。
【００３２】
図５は、スペーサ３１，３２の配置例を示す平面図である。この図においては、図４に示したレイアウトの画素ユニットが第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２に複数並んでいる。大サイズの黒丸がメインスペーサ３１を表し、小サイズの黒丸がサブスペーサ３２を表す。
【００３３】
図５の例においては、図４に示した位置ＣＰの全てにスペーサ３１，３２のいずれか一方が配置されている。すなわち、スペーサ３１，３２は、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の２つの角部に配置されている。他の観点からいえば、スペーサ３１，３２は、緑色の副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２の第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側の２つの角部に配置されている。この場合、図示したいずれの副画素ＳＰにおいても、それらの４つの角部のうちの２つにスペーサ３１，３２の一方が配置される。
【００３４】
メインスペーサ３１は、サブスペーサ３０よりも低い密度で配置されている。一例として、表示領域ＤＡにおけるメインスペーサ３１の密度は、サブスペーサ３２の密度の１／３以下である。
【００３５】
第２方向Ｄ２における幅が小さい副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２の近接する２つの角部にそれぞれスペーサが配置されているため、２つのスペーサのセットが表示領域ＤＡにおいて分散配置された状態となる。図５の例においては、複数のスペーサのセットのうちの３つがメインスペーサ３１を含む。メインスペーサ３１は、いずれのスペーサのセットにおいても、図中右側にある。このように、スペーサのセットにおけるメインスペーサ３１の位置を統一することで、表示領域ＤＡにおけるメインスペーサ３１の間隔が一定になり、セルギャップを表示領域ＤＡの各所で好適に保つことができる。
【００３６】
図６および図７は、図４に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図６においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇ、画素電極ＰＥおよびトランジスタＴＲ（半導体層ＳＣ）を示し、図７においては映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇ、遮光層２１、メインスペーサ３１およびサブスペーサ３２を示している。
【００３７】
図６に示すように、画素電極ＰＥは、複数の枝部ＢＲと、隣り合う枝部ＢＲの間の複数のスリットＳＬとを有している。ここでは３本の枝部ＢＲと２本のスリットＳＬを各画素電極ＰＥが有しているが、この例に限られない。副画素ＳＰｇ１の画素電極ＰＥは、中央の走査信号線Ｇと重畳し、この走査信号線Ｇを超えて第１Ａ方向Ｄ１ａに延在している。このように画素電極ＰＥが拡大した部分が、上述の突出部分ＰＴ１に相当する。同様に、副画素ＳＰｇ２の画素電極ＰＥは、下方の走査信号線Ｇと重畳し、この走査信号線Ｇを超えて第１Ａ方向Ｄ１ａに延在している。このように画素電極ＰＥが拡大した部分が、上述の突出部分ＰＴ２に相当する。
【００３８】
半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１において映像信号線Ｓに接続され、接続位置Ｐ２において画素電極ＰＥに接続されている。接続位置Ｐ１は、トランジスタＴＲのソース電極に相当する。接続位置Ｐ２は、トランジスタＴＲのドレイン電極に相当する。接続位置Ｐ２においては図２に示した中継電極ＲＥが画素電極ＰＥと半導体層ＳＣの間に介在するが、図６においては中継電極ＲＥの図示を省略している。各副画素ＳＰは、半導体層ＳＣが接続された映像信号線Ｓおよび走査信号線Ｇによって制御される。
【００３９】
副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２において、接続位置Ｐ１，Ｐ２は、これら副画素のトランジスタＴＲを制御する走査信号線Ｇよりも第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側にある。一方、副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２において、接続位置Ｐ１，Ｐ２は、これら副画素のトランジスタＴＲを制御する走査信号線Ｇよりも第１Ａ方向Ｄ１ａ側にある。
【００４０】
半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１，Ｐ２の間で走査信号線Ｇと２回交差している。ただし、半導体層ＳＣは、走査信号線Ｇと１回のみ交差してもよい。この場合においては、トランジスタＴＲを制御する走査信号線Ｇの第１Ａ方向Ｄ１ａ側に接続位置Ｐ１，Ｐ２の一方が配置され、第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側に他方が配置される。
【００４１】
図７の例において、遮光層２１は、第１部分２１ａと、第２部分２１ｂとを有している。第１部分２１ａは、走査信号線Ｇと重畳して第２方向Ｄ２に延びている。第２部分２１ｂは、映像信号線Ｓと重畳して第１方向Ｄ１に延びている。図中の中央の走査信号線Ｇと重畳する第１部分２１ａは、副画素ＳＰｇ１の近傍において第１Ａ方向Ｄ１ａにずれている。すなわち、第１部分２１ａは、副画素ＳＰｇ１の近傍で２つの屈曲部２１ｃを有している。図中の下方の走査信号線Ｇと重畳する第１部分２１ａも同様に、副画素ＳＰｇ２の近傍で２つの屈曲部２１ｃを有している。
【００４２】
第１部分２１ａと第２部分２１ｂとで囲われた領域には、開口Ａが形成されている。すなわち、遮光層２１は、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２において、それぞれ開口Ａｒ１，Ａｇ１，Ａｂ１，Ａｗ１，Ａｒ２，Ａｇ２，Ａｂ２，Ａｗ２を有している。
【００４３】
例えば、開口Ａｒ１，Ａｒ２，Ａｂ１，Ａｂ２は同じサイズであり、開口Ａｇ１，Ａｇ２は同じサイズであり、開口Ａｗ１，Ａｗ２は同じサイズである。開口Ａｇ１，Ａｇ２の第１方向Ｄ１における幅は、開口Ａｒ１，Ａｒ２，Ａｂ１，Ａｂ２の第１方向Ｄ１における幅よりも大きい。開口Ａｗ１，Ａｗ２の第１方向Ｄ１における幅は、開口Ａｒ１，Ａｒ２，Ａｂ１，Ａｂ２の第１方向Ｄ１における幅よりも小さい。
【００４４】
それぞれの開口Ａは、副画素ＳＰに対応する色のカラーフィルタ層２２と重畳する。ただし、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２にはカラーフィルタ層２２が配置されなくてもよい。
【００４５】
スペーサ３１，３２は、図４に示した各位置ＣＰに配置されている。図７の例おいては、副画素ＳＰｗ２と副画素ＳＰｇ２の間の２つのスペーサのうち右側がメインスペーサ３１であり、他のスペーサがいずれもサブスペーサ３２である。ただし、メインスペーサ３１とサブスペーサ３２の配置態様は、この例に限られない。
【００４６】
いずれのスペーサ３１，３２も、第２方向Ｄ２に隣り合う２つの副画素ＳＰの境界と、第１部分２１ａとに重畳する。他の観点からいうと、スペーサ３１，３２は、映像信号線Ｓと走査信号線Ｇの交点と重畳する。
【００４７】
遮光層２１は、メインスペーサ３１の近傍に設けられた拡張部分２１ｄと、サブスペーサ３２の近傍に設けられた拡張部分２１ｅとを有している。拡張部分２１ｄ，２１ｅは、第１部分２１ａの第１方向Ｄ１における幅（または第２部分２１ｂの第２方向Ｄ２における幅）を拡げた部分である。拡張部分２１ｄは、拡張部分２１ｅよりも大きい。拡張部分２１ｄ，２１ｅは、例えば図示したようにスペーサ３１，３２と同心円状であるが、他の形状であってもよい。
【００４８】
スペーサ３１，３２の近傍の領域においては、液晶分子の配向が乱れ得る。拡張部分２１ｄ，２１ｅは、これらの領域を遮光し、配向の乱れに起因した表示品位の低下を抑制する。
【００４９】
ここで、副画素ＳＰｗ１，ＳＰｒ２の境界と重畳する図中下方のサブスペーサ３２（第１スペーサ）と、副画素ＳＰｗ１，ＳＰｂ１の境界と重畳する図中下方のサブスペーサ３２（第２スペーサ）と、副画素ＳＰｂ２，ＳＰｗ２の境界と重畳するサブスペーサ３２（第３スペーサ）とに着目する。第２スペーサは、第１スペーサに最も近いスペーサである。第３スペーサは、第２スペーサの次に第１スペーサに近いスペーサである。第１スペーサと第２スペーサの中心間の距離は、Ｌ１である。第１スペーサと第３スペーサの中心間の距離は、Ｌ２である。
【００５０】
一例として、距離Ｌ２は、距離Ｌ１の３倍以上である（Ｌ２≧３×Ｌ１）。すなわち、第１スペーサと第２スペーサは、十分に近接して配置されている。この場合、表示パネルＰＮＬに加わる外力が第１スペーサと第２スペーサに好適に分散されるので、これらスペーサのサイズを小さくすることが可能となる。スペーサのサイズが小さくなれば、拡張部分２１ｅのサイズも小さくできるので、結果としてスペーサに隣接する副画素ＳＰの開口率が向上する。
【００５１】
本実施形態においては、遮光層２１の屈曲部２１ｃを避けて、スペーサ３１，３２が配置されている。この構成の効果につき、図８を用いて説明する。図中の左側のサブスペーサ３２は、直線状に延びる第１部分２１ａと重畳する位置に配置されている。一方、図中の右側のサブスペーサ３２は、本実施形態とは異なり、開口Ａｇ１，Ａｗ１の近傍の屈曲部２１ｃに配置されている。
【００５２】
２つのスペーサ３２の周囲において、斜線を付した領域が拡張部分２１ｅに相当する。図中右側のサブスペーサ３２の近傍においては、第１部分２１ａが屈曲しているために、開口Ａｇ１の多くの領域が拡張部分２１ｅによって埋められている。これにより、図中右側の拡張部分２１ｅの面積は、図中左側の拡張部分２１ｅの面積よりも大きくなる。
【００５３】
このように、屈曲部２１ｃにサブスペーサ３２を配置する場合、大面積の拡張部分２１ｅによって開口Ａｇ１が小さくなる。これにより、他の色の副画素ＳＰに比べて視感度が高い緑色の副画素ＳＰｇ１の輝度が低下し、結果として表示領域ＤＡの全体の輝度が低下する。また、低下した緑色の副画素ＳＰｇ１の輝度に合わせるために、他の色の副画素ＳＰの開口率（開口Ａのサイズ）を小さくして輝度を調整する必要がある。この場合には、表示領域ＤＡの輝度がさらに低下する。
【００５４】
なお、ここでは副画素ＳＰｇ１を例に挙げたが、副画素ＳＰｇ２においても同様である。また、メインスペーサ３１を屈曲部２１ｃに配置する場合には、拡張部分２１ｄが拡張部分２１ｅより大きいので、一層の輝度低下が生じる。さらに、拡張部分２１ｄが開口Ａｇ１，Ａｇ２を埋める面積は、拡張部分２１ｅが開口Ａｇ１，Ａｇ２を埋める面積よりも大幅に大きくなる。そのため、メインスペーサ３１の近傍とサブスペーサ３２の近傍とで大きな開口率差が生じ、表示画像において当該開口率差に起因したスジが視認される可能性がある。
【００５５】
一方、本実施形態においては、屈曲部２１ｃにスペーサ３１，３２を配置しない。したがって、拡張部分２１ｄ，２１ｅによる開口率低下および輝度損失を抑制することができる。また、屈曲部２１ｃを避けてスペーサ３１，３２を配置することにより、特定の色の副画素ＳＰの輝度が大きく低下することはない。したがって、各副画素ＳＰの開口率を調整して輝度を意図的に低下させる必要もない。また、メインスペーサ３１の近傍とサブスペーサ３２の近傍との開口率差が低減するので、上述のスジを抑制することができる。
【００５６】
ここで、本実施形態との比較例を用いて、本実施形態における構成のさらなる効果を説明する。図９は、スペーサ３１，３２の配置の第１比較例を示す図である。画素レイアウトは、図５と同様である。第１比較例においては、スペーサ３１，３２が副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｗ２に配置されている。このような場合であっても、副画素ＳＰの第２方向Ｄ２に延びる境界が非直線状である位置（上述の屈曲部２１ｃ）を避けてスペーサ３１，３２を配置することができる。
【００５７】
しかしながら、第１比較例においては、遮光層２１の拡張部分２１ｄ，２１ｅにより、スペーサ３１，３２が配置された副画素ＳＰの開口率が大幅に低下する。さらに、各副画素ＳＰの輝度を調整するために、スペーサ３１，３２が配置されない副画素ＳＰの開口率を意図的に低下させる必要がある。これに対し、本実施形態の構成であれば、上述の通り拡張部分２１ｄ，２１ｅによる輝度損失を抑制することができる。さらに、特定の色の副画素ＳＰの輝度が大きく低下することはないので、副画素ＳＰの開口率を調整して輝度を意図的に低下させる必要もない。これらの観点から、本実施形態の構成は第１比較例よりも有利である。
【００５８】
図１０は、スペーサ３１，３２の配置の第２比較例を示す図である。第２比較例においては、スペーサ３１，３２が白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２にのみ配置されている。本実施形態および第１比較例においては、上述の画素ユニットを構成する副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｇ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２，ＳＰｇ２，ＳＰｗ２に対して４つの割合でスペーサ３１，３２が配置されている。一方、第２比較例においては、スペーサ３１，３２が配置される割合は、画素ユニットに対して２つである。
【００５９】
このようにスペーサ３１，３２の数を半分に減らしたことにより、第２比較例においては個々のスペーサ３１，３２を大きくする必要がある。これに伴い、遮光層２１の拡張部分２１ｄ，２１ｅも大きくする必要がある。したがって、スペーサ３１，３２と重畳する副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２の開口率が極めて低下する。本実施形態の構成であれば、このような輝度低下を伴わないため、第２比較例よりも有利である。
【００６０】
［第２実施形態］  
以下に、第２実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。図１１は、第２実施形態におけるスペーサ３１，３２の近傍を示す平面図である。ここでは、隣接するスペーサ３１，３２の中心間の距離Ｌ１を小さくすることにより、拡張部分２１ｄ，２１ｅを一部重畳させている。
【００６１】
具体的には、拡張部分２１ｄを表す円と、拡張部分２１ｅを表す円とは、図示した２つの領域ＯＬにて重畳する。これら領域ＯＬの分だけ、隣接する副画素ＳＰの開口率を向上させることができる。
【００６２】
一例として、距離Ｌ１は、７μｍ以上かつ２２μｍ以下である（７μｍ≦Ｌ１≦２２μｍ）。図示したようにスペーサ３１，３２の中心がそれぞれ映像信号線Ｓの上に位置する場合、距離Ｌ１は、これら映像信号線Ｓの間に配置された副画素ＳＰ（例えば副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２）の第２方向Ｄ２における幅に相当する。
【００６３】
スペーサ３１，３２の間の距離（第２基板ＳＵＢ２に接する根本部分の間の距離）が５μｍ未満であると、加工技術の限界により、スペーサ３１，３２が繋がってしまう可能性がある。したがって、スペーサ３１，３２の間の距離は、５μｍ以上であることが好ましい。
【００６４】
なお、本実施形態では隣接するスペーサ３１，３２を例示したが、２つのサブスペーサ３２が隣接する箇所においても、それぞれの拡張部分２１ｅを重畳させることで同様の効果を得ることができる。
【００６５】
［第３実施形態］  
以下に、第３実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。図１２は、第３実施形態におけるスペーサ３１，３２の配置例を示す平面図である。
【００６６】
上述の図５においては、近接する２つのスペーサのセットが表示領域ＤＡに分散して配置される例を示した。図１２においては、これらスペーサのセットのうちの一方のみが配置されている。すなわち、図１２においては、表示領域ＤＡに配置されるスペーサ３１，３２の数が、図５の半分である。
【００６７】
本実施形態においても、副画素ＳＰの第２方向Ｄ２に延びる境界が非直線状である位置（上述の屈曲部２１ｃ）を避けてスペーサ３１，３２が配置されている。したがって、第１実施形態と同様に、拡張部分２１ｄ，２１ｅによる開口率低下および輝度損失を抑制することができる。
【００６８】
ただし、本実施形態においては、スペーサ３１，３２の数を半分にしたことに伴い、スペーサ３１，３２を大きくする必要がある。一例として、スペーサ３１，３２の直径は、図５の場合の２倍である。このようにスペーサ３１，３２を大きくしたことに伴い、遮光層２１の拡張部分２１ｄ，２１ｅを第１実施形態よりも大きくする必要がある。
【００６９】
［第４実施形態］  
以下に、第４実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。図１３は、第４実施形態における画素レイアウトを示す平面図である。この画素レイアウトは、図５の例と同じく、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２を有している。ただし、これら副画素ＳＰの形状は、図５の例と異なる。
【００７０】
第１方向Ｄ１に対して反時計回りに回転する方向を第１回転方向Ｒ１と定義し、第１方向Ｄ１に対して第１回転方向とは逆に回転する方向を第２回転方向Ｒ２と定義する。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２は、第１方向Ｄ１に対して第１回転方向Ｒ１に鋭角を成して傾斜している。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２は、第１方向Ｄ１に対して第２回転方向Ｒ２に鋭角を成して傾斜している。
【００７１】
このように、赤色、緑色、青色および白色のそれぞれについて、第１回転方向Ｒ１に傾斜する副画素ＳＰと、第２回転方向Ｒ２に傾斜する副画素ＳＰとを設けることにより、疑似的なマルチドメインの画素レイアウトを実現できる。図１３におけるスペーサ３１，３２の配置位置は、図５と同様である。ただし、スペーサ３１，３２の配置位置はこの例に限られない。
【００７２】
図１４は、図１３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。ここでは、スペーサ３１，３２、映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇおよび遮光層２１を示している。
【００７３】
映像信号線Ｓは、第１方向Ｄ１に対して第１回転方向Ｒ１に鋭角を成して傾斜する第１傾斜部Ｓａ１と、第１方向Ｄ１に対して第２回転方向Ｒ２に鋭角を成して傾斜する第２傾斜部Ｓａ２と、第１方向Ｄ１に延びる非傾斜部Ｓｂとを有している。映像信号線Ｓは、第１傾斜部Ｓａ１と第２傾斜部Ｓａ２とが非傾斜部Ｓｂを間に挟んで交互に繰り返す形状で第１方向Ｄ１に延びている。遮光層２１の第２部分２１ｂは、映像信号線Ｓと同様に、第１方向Ｄ１に対して傾斜している。
【００７４】
走査信号線Ｇは、図７の例と同様に、屈曲することなく第２方向Ｄ２に延びている。遮光層２１の第１部分２１ａは、図７の例と同様であり、副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２の近傍で屈曲部２１ｃを有している。スペーサ３１，３２は、これら屈曲部２１ｃを避けて配置されている。
【００７５】
本実施形態の構成であっても、第１実施形態と同様に、拡張部分２１ｄ，２１ｅによる開口率低下および輝度低下を抑制することができる。さらに、疑似的なマルチドメインの画素レイアウトにより、視野角特性の向上などの効果も得ることができる。
【００７６】
［第５実施形態］  
以下に、第５実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。図１５は、第５実施形態における画素レイアウトを示す平面図である。本実施形態においては、図１３の例と同じく、副画素ＳＰｒ１，ＳＰｇ１，ＳＰｂ１，ＳＰｗ１，ＳＰｒ２，ＳＰｇ２，ＳＰｂ２，ＳＰｗ２が疑似的なマルチドメインの画素レイアウトを実現可能な形状を有している。ただし、以下に説明するように、これら副画素ＳＰの形状が図１３の例と異なる。
【００７７】
副画素ＳＰｒ１，ＳＰｒ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１ａである。副画素ＳＰｂ１，ＳＰｂ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１ａよりも小さいＷ１１ｂである。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１ａよりも大きいＷ１２である。副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２の第１方向Ｄ１における幅は、Ｗ１１ｂよりも小さいＷ１３である。すなわち、Ｗ１３＜Ｗ１１ｂ＜Ｗ１１ａ＜Ｗ１２が成り立つ。副画素ＳＰｒ１，ＳＰｂ１，ＳＰｒ２，ＳＰｂ２の第２方向Ｄ２における幅は、Ｗ２１である。副画素ＳＰｇ１，ＳＰｗ１，ＳＰｇ２，ＳＰｗ２の第２方向Ｄ２における幅は、Ｗ２１よりも小さいＷ２２である（Ｗ２２＜Ｗ２１）。
【００７８】
本実施形態においては、画素ＰＸ１，ＰＸ２と、画素ＰＸ３，ＰＸ４とが、第１方向Ｄ１においてずれている。これにより、副画素ＳＰｇ１の第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側の境界と、副画素ＳＰｂ２の第１Ｂ方向Ｄ１ｂ側の境界とが直線状に連ならない。同様に、副画素ＳＰｗ１，ＳＰｒ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の境界と、副画素ＳＰｒ２の第１Ａ方向Ｄ１ａ側の境界とが直線状に連ならない。これらの位置を避けると、スペーサ３１，３２を配置し得る位置ＣＰは、図中に示した３点となる。
【００７９】
図１６は、図１５に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。ここでは、図１５における３つの位置ＣＰのうちの２つにサブスペーサ３２が配置され、残りの１つにメインスペーサ３１が配置される場合を想定して、これらスペーサ３１，３２、映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇおよび遮光層２１を示している。
【００８０】
映像信号線Ｓは、図１４の例と同様に、第１傾斜部Ｓａ１と、第２傾斜部Ｓａ２と、非傾斜部Ｓｂとを有している。走査信号線Ｇは、複数の直線部Ｇａと、複数の屈曲部Ｇｂとを有している。直線部Ｇａは、２つの屈曲部Ｇｂの間に位置し、これら屈曲部Ｇｂに接続されている。屈曲部Ｇｂは、映像信号線Ｓと重畳しており、各方向Ｄ１，Ｄ２のいずれとも交差する方向に延びている。
【００８１】
ここでは図示を省略しているが、半導体層ＳＣ（トランジスタＴＲ）の接続位置Ｐ１，Ｐ２と走査信号線Ｇとの位置関係は、図６の例と同様である。すなわち、副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２については、接続位置Ｐ１，Ｐ２と走査信号線Ｇの位置関係が他の副画素ＳＰと異なる。
【００８２】
遮光層２１の第１部分２１ａは、スペーサ３１，３２が配置された位置を除き、映像信号線Ｓと走査信号線Ｇの交点において屈曲部２１ｃを有している。スペーサ３１，３２が配置された位置においては、第１部分２１ａが直線状である。したがって、第１実施形態と同じく、拡張部分２１ｄ，２１ｅによる開口率低下および輝度低下を抑制することができる。
【００８３】
また、本実施形態の画素レイアウトにおいては、図１５に示した幅Ｗ１１ａ，Ｗ１１ｂ，Ｗ１２，Ｗ１３を変更することにより、赤色、青色、緑色および白色の副画素ＳＰの合成色度を任意に調整することが可能である。
【００８４】
以上の第１ないし第５実施形態においては、赤色、緑色、青色および白色の副画素ＳＰを含む画素レイアウトを開示した。しかしながら、各実施形態にて開示した構成は、種々の画素レイアウトに適用できる。例えば、各実施形態における赤色の副画素ＳＰｒ１，ＳＰｒ２と青色の副画素ＳＰｂ１，ＳＰｂ２の位置を入れ替えてもよい。また、各実施形態における緑色の副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２と白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２の位置を入れ替えてもよい。さらに、画素レイアウトは、赤色、緑色、青色および白色以外の色の副画素ＳＰを備えてもよい。あるいは、画素レイアウトは、白色の副画素ＳＰを備えず、赤色、緑色および青色の副画素ＳＰで構成されてもよい。
【００８５】
また、各実施形態においては、突出部分ＰＴ１，ＰＴ２により緑色の副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２を拡大し、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２を縮小した画素レイアウトを例示した。しかしながら、突出部分ＰＴ１，ＰＴ２により拡大される副画素ＳＰは緑色に限られないし、縮小される副画素ＳＰは白色に限られない。例えば、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２を突出部分ＰＴ１，ＰＴ２により拡大し、緑色の副画素ＳＰｇ１，ＳＰｇ２を縮小してもよい。
【００８６】
本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００８７】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８８】
また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８９】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、Ｓ…映像信号線、Ｇ…走査信号線、ＰＸ１〜ＰＸ４…画素、ＳＰ…副画素、ＰＥ…画素電極、ＴＲ…トランジスタ、ＳＣ…半導体層、２１…遮光層、２１ｄ，２１ｅ…拡張部分、３１…メインスペーサ、３２…サブスペーサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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