(57)【要約】      （修正有）【課題】角度誤差を抑制した回転角検出装置を提供する。【解決手段】磁場発生源１２０が設けられた回転体２００の回転角を検出する回転角検出装置であって、磁場発生源１２０が発生する磁場のうち、少なくとも２つの方向における磁場成分を検出する磁場検出部１１０を備え、磁場発生源１２０からの磁場のうち、回転体の回転軸と平行な第１方向における第１成分を、回転軸を通り且つ回転軸と垂直な第２方向における第２成分で除算した磁場成分比が０．２以下となる位置に、磁場検出部１１０が配置されている回転角検出装置を提供する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場発生源が設けられた回転体の回転角を検出する回転角検出装置であって、
前記磁場発生源が発生する磁場のうち、少なくとも２つの方向における磁場成分を検出する磁場検出部を備え、
前記磁場発生源からの磁場のうち、前記回転体の回転軸と平行な第１方向における第１成分を、前記回転軸を通り且つ前記回転軸と垂直な第２方向における第２成分で除算した磁場成分比が０．２以下となる位置に、前記磁場検出部が配置されている回転角検出装置。
【請求項２】
前記磁場成分比が０．１以下である
請求項１に記載の回転角検出装置。
【請求項３】
前記磁場成分比が０．０１３以下である
請求項１に記載の回転角検出装置。
【請求項４】
前記磁場検出部は、前記第２方向における磁場成分と、前記第１方向および前記第２方向の両方と垂直な第３方向における磁場成分とを検出する
請求項１から３のいずれか一項に記載の回転角検出装置。
【請求項５】
前記磁場検出部は磁場を検出する感磁部を有し、
前記感磁部が、前記磁場発生源の前記第１方向における中央位置と、前記第２方向において向かい合って配置されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の回転角検出装置。
【請求項６】
前記感磁部の前記第１方向における中央位置と、前記磁場発生源の前記第１方向における中央位置とが、前記第２方向における位置が同一となるように配置されている
請求項５に記載の回転角検出装置。
【請求項７】
前記磁場検出部は磁気を収束する磁気収束部を有し、
前記磁気収束部が、前記磁場発生源の前記第１方向における中央位置と、前記第２方向において向かい合って配置されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の回転角検出装置。
【請求項８】
前記磁気収束部の前記第１方向における中央位置と、前記磁場発生源の前記第１方向における中央位置とが、前記第２方向における位置が同一となるように配置されている
請求項７に記載の回転角検出装置。
【請求項９】
前記磁場発生源を更に備える
請求項１から８のいずれか一項に記載の回転角検出装置。
【請求項１０】
前記磁場発生源は、前記第１方向と垂直な面においてＳ極およびＮ極が配列されている
請求項９に記載の回転角検出装置。
【請求項１１】
前記磁場検出部が検出した磁場成分に基づいて、前記回転体の回転角を算出する角度算出部を更に備える
請求項１から１０のいずれか一項に記載の回転角検出装置。
【請求項１２】
回転体と、
前記回転体に設けられた磁場発生源と、
前記磁場発生源が発生する磁場のうち、少なくとも２つの方向における磁場成分を検出する磁場検出部と
を備え、
前記磁場発生源からの磁場のうち、前記回転体の回転軸と平行な第１方向における第１成分を、前記回転軸を通り且つ前記回転軸と垂直な第２方向における第２成分で除算した磁場成分比が０．２以下となる位置に、前記磁場検出部が配置されている回転装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転角検出装置および回転装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回転体に磁場発生部を設け、回転体の周囲で計測した磁場成分に基づいて回転体の回転角を検出する装置が知られている（例えば、特許文献１および２参照）。
特許文献１  特許第６１９１８４０号
特許文献２  特開２００６−１１２８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
回転体を駆動するモーター等の発熱により、磁石等の磁場発生部の温度が変動すると、検出装置が検出する回転角の誤差が大きくなる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、磁場発生源が設けられた回転体の回転角を検出する回転角検出装置を提供する。回転角検出装置は、磁場発生源が発生する磁場のうち、少なくとも２つの方向における磁場成分を検出する磁場検出部を備えてよい。磁場発生源からの磁場のうち、回転体の回転軸と平行な第１方向における第１成分を、回転軸を通り且つ回転軸と垂直な第２方向における第２成分で除算した磁場成分比が０．２以下となる位置に、磁場検出部が配置されていてよい。
【０００５】
磁場成分比が０．１以下であってよい。磁場成分比が０．０１３以下であってよい。
【０００６】
磁場検出部は、第２方向における磁場成分と、第１方向および第２方向の両方と垂直な第３方向における磁場成分とを検出してよい。
【０００７】
磁場検出部は磁場を検出する感磁部を有してよい。感磁部が、磁場発生源の第１方向における中央位置と、第２方向において向かい合って配置されていてよい。感磁部の第１方向における中央位置と、磁場発生源の第１方向における中央位置とが、第２方向における位置が同一となるように配置されていてよい。
【０００８】
磁場検出部は磁気を収束する磁気収束部を有してよい。磁気収束部が、磁場発生源の第１方向における中央位置と、第２方向において向かい合って配置されていてよい。磁気収束部の第１方向における中央位置と、磁場発生源の第１方向における中央位置とが、第２方向における位置が同一となるように配置されていてよい。
【０００９】
回転角検出装置は、磁場発生源を備えてよい。磁場発生源は、第１方向と垂直な面においてＳ極およびＮ極が配列されていてよい。
【００１０】
回転角検出装置は、磁場検出部が検出した磁場成分に基づいて、回転体の回転角を算出する角度算出部を備えてよい。
【００１１】
本発明の第２の態様においては、回転体を備える回転装置を提供する。回転装置は、回転体に設けられた磁場発生源を備えてよい。回転装置は、磁場発生源が発生する磁場のうち、少なくとも２つの方向における磁場成分を検出する磁場検出部を備えてよい。磁場発生源からの磁場のうち、回転体の回転軸と平行な第１方向における第１成分を、回転軸を通り且つ回転軸と垂直な第２方向における第２成分で除算した磁場成分比が０．２以下となる位置に、磁場検出部が配置されていてよい。
【００１２】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】回転体２００を含む回転装置１０の一例を示す図である。
【図２】回転角検出部１００の構成例を示す図である。
【図３】比較例における磁場検出部２２０の配置を示す図である。
【図４】磁場検出部２２０が検出する磁場成分Ｖｘ、Ｖｙの一例を示す図である。
【図５】図４に示した磁場成分Ｖｘ、Ｖｙに基づいて算出した磁場発生源１２０の未補正検出角度に含まれる角度誤差を示す図である。
【図６】角度誤差の温度変動を示す図である。
【図７】本発明の一つの実施例における、磁場検出部１１０の配置例を示す図である。
【図８】図７の配置例において回転角検出部１００が出力する補正検出角度に含まれる、角度誤差の温度変動を示す図である。
【図９】磁場検出部１１０の位置と、角度誤差の温度変動との関係をプロットした図である。
【図１０】磁場検出部１１０の配置例を示す図である。
【図１１】磁場検出部１１０の配置例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１５】
図１は、回転体２００を含む回転装置１０の一例を示す図である。回転体２００は、所定の回転軸２１０を中心として回転する。図１においては回転体２００が棒状の形状を有しているが、回転体２００の形状は図１の例に限定されない。
【００１６】
回転装置１０は、回転角検出装置１２および磁場発生源１２０を更に備える。磁場発生源１２０は、回転体２００に固定されている。磁場発生源１２０は、回転体２００の回転に伴い回転する。本例の磁場発生源１２０は、回転軸２１０を中心として回転する。磁場発生源１２０は、Ｓ極およびＮ極を有する磁石であってよい。Ｓ極およびＮ極は、回転軸２１０と垂直な平面に沿って配置されてよい。
【００１７】
回転角検出装置１２は、磁場検出部１１０および回転角検出部１００を有する。磁場検出部１１０は、磁場発生源１２０が発生する磁場を検出する。磁場検出部１１０は、磁場検出部１１０が設けられた位置において、少なくとも２つの方向における磁場成分を検出する。本例の磁場検出部１１０は、回転軸２１０と垂直な面において互いに直交するＸ軸方向およびＹ軸方向と、Ｚ軸方向との３つの方向における磁場成分を検出する。
【００１８】
本明細書においてＸ軸方向は、回転軸２１０を通り、且つ、回転軸２１０と垂直な方向である。本例のＸ軸方向は、磁場発生源１２０の径方向である。Ｙ軸方向は、回転軸２１０と垂直な面において、Ｘ軸方向とは垂直な方向である。本例のＹ軸方向は、磁場発生源１２０の円周方向である。また、回転軸２１０と平行な軸をＺ軸とする。Ｚ軸方向は第一方向の一例であり、Ｘ軸方向は第二方向の一例であり、Ｙ軸方向は第三方向の一例である。
【００１９】
磁場検出部１１０は、検出した磁場成分のそれぞれを、電気信号に変換してよい。磁場検出部１１０は、一例としてホール素子、または、磁気抵抗素子を含むが、磁場成分を検出する手段はこれに限定されない。
【００２０】
回転角検出部１００は、磁場検出部１１０が検出した磁場成分に基づいて、磁場発生源１２０の回転角を検出する。回転角検出部１００は、電気信号を処理する信号処理部を有する。回転角検出部１００は、コンピュータ等の汎用の装置であってよく、回転角を検出するための専用の装置であってもよい。回転角検出部１００における一部または全部の構成は、磁場検出部１１０と一体に設けられてよく、磁場検出部１１０とは別に設けられてもよい。回転角検出部１００における一部または全部の構成は、磁場検出部１１０と共通の半導体基板に形成されてよい。
【００２１】
回転角検出部１００は、磁場検出部１１０が検出するＸ軸方向およびＹ軸方向における磁場成分Ｖｘ、Ｖｙに基づいて、磁場発生源１２０の回転角を検出する。例えば回転角検出部１００は、磁場成分Ｖｘ、Ｖｙの逆正接から回転角を検出する。
【００２２】
回転角検出部１００が検出する回転角には、角度誤差が含まれる場合がある。例えば、図１に示すように磁場検出部１１０を、磁場発生源１２０の回転軸２１０から離れて配置すると、磁場発生源１２０の回転に伴い磁場発生源１２０が検出する磁場成分ＶｘおよびＶｙの振幅値は等しくならない場合がある。磁場成分ＶｘおよびＶｙの振幅値が異なると、検出される回転角度に所定の周期の誤差が生じる。
【００２３】
回転角検出部１００は、当該角度誤差を補正する。ただし、磁場発生源１２０の温度が変化すると、減磁効果によって磁場強度が変化して、磁場成分ＶｘおよびＶｙの振幅値の差も変化する。このため、検出される回転角に含まれる誤差も変化する。本例の回転角検出装置１２は、磁場検出部１１０を適切な位置に配置することで、温度の変化による角度誤差の変動を抑制して、回転角度を精度よく検出する。
【００２４】
図２は、回転角検出部１００の構成例を示す図である。本例の回転角検出部１００は、第一信号処理部１４、第二信号処理部１６、角度演算部１８、基準角度生成部２０、誤差算出部２２、記憶部２４および補正処理部３０を備える。
【００２５】
第一信号処理部１４および第二信号処理部１６は、磁場発生源１２０の回転角が異なる少なくとも２つの角度状態において、磁場検出部１１０が検出した磁場成分を示す電気信号を受け取る。第一信号処理部１４は、磁場成分Ｖｘを示す電気信号を取得し、第二信号処理部１６は、磁場成分Ｖｙを示す電気信号を取得する。第一信号処理部１４および第二信号処理部１６は、取得した電気信号に対して、増幅、ＡＤ変換等の所定の処理を行う。
【００２６】
角度演算部１８は、第一信号処理部１４および第二信号処理部１６が出力する磁場成分Ｖｘ、Ｖｙの逆正接等に基づいて、磁場発生源１２０の回転角度を算出する。角度演算部１８が算出する回転角度を未補正検出角度と称する。角度演算部１８は、所定のタイミングでサンプリングした磁場成分に応じて、未補正検出角度を算出してよい。
【００２７】
基準角度生成部２０は、磁場発生源１２０の基準角度を出力する。基準角度は、磁場発生源１２０の実際の回転角度に相当する。例えば基準角度生成部２０は、室温等の標準条件で予め測定された磁場発生源１２０の角速度等に基づいて、それぞれのタイミングにおける未補正検出角度に対応する基準角度を出力する。
【００２８】
誤差算出部２２は、それぞれの未補正検出角度と、対応する基準角度との誤差値を算出する。記憶部２４は、それぞれの未補正検出角度と、誤差値とを対応付けて記憶する。補正処理部３０は、角度演算部１８が出力する未補正検出角度と、当該未補正検出角度に対応する補正値とを受け取り、未補正検出角度から当該補正値を減算した補正検出角度を出力する。当該補正値は、記憶部２４に記憶された誤差値を除去するための補正値である。記憶部２４は、誤差値を補正値として出力してよく、誤差値に対して所定の処理を行って得られた補正値を出力してもよい。
【００２９】
それぞれの未補正検出角度について記憶部２４に誤差値を記憶した後は、基準角度生成部２０および誤差算出部２２は動作しなくてもよい。他の例では、定期的に基準角度生成部２０および誤差算出部２２が動作して、記憶部２４における誤差値を更新してもよい。
【００３０】
このような処理により、角度誤差を低減した補正検出角度を生成できる。なお回転角検出部１００の構成および処理は、図２において説明した例に限定されない。
【００３１】
（比較例）
図３は、比較例における磁場検出部２２０の配置を示す図である。本例の磁場検出部２２０は、回転軸２１０からＸ軸方向に離れて配置されている。また磁場検出部２２０は、Ｚ軸方向において磁場発生源１２０とずれた位置に配置されている。図３の例では、磁場検出部２２０の上端は、磁場発生源１２０の下端よりも下側に配置されている。つまり、磁場検出部２２０は、Ｘ軸方向から見た場合において、磁場発生源１２０とは部分的にも重なっていない。
【００３２】
図４は、磁場検出部２２０が検出する磁場成分Ｖｘ、Ｖｙの一例を示す図である。図４における横軸は、回転体２００および磁場発生源１２０の回転角度を示しており、縦軸は、磁場強度を示している。図４では磁場成分Ｖｘを実線の波形で示しており、磁場成分Ｖｙを破線の波形で示している。
【００３３】
磁場成分Ｖｘの振幅値（ピークツーピーク値）は３０〜３５ｍＴ程度であるのに対して、磁場成分Ｖｙの振幅値は６０〜６５ｍＴ程度である。本例では、磁場成分Ｖｘの振幅値と、磁場成分Ｖｙの振幅値との間には、２倍程度の差が生じている。
【００３４】
図５は、図４に示した磁場成分Ｖｘ、Ｖｙに基づいて算出した磁場発生源１２０の未補正検出角度に含まれる角度誤差を示す図である。角度誤差は、磁場発生源１２０の角速度等から算出できる基準角度と、磁場成分Ｖｘ、Ｖｙの逆正接から求まる未補正検出角度との差分である。図５に示すように、比較的に大きな角度誤差が、磁場成分の周期の１／２の周期であらわれている。図２に示した回転角検出部１００は、当該角度誤差を補正した補正検出角度を生成する。
【００３５】
図６は、角度誤差の温度変動を示す図である。図６は、磁場発生源１２０が２５℃のときの角度誤差を基準として、磁場発生源１２０が３５℃、４５℃、５５℃、６５℃のときの、角度誤差の変動を示している。図６に示すように、磁場発生源１２０の温度が基準温度（２５℃）から離れるほど、角度誤差が大きくなっている。
【００３６】
このため、記憶部２４に記憶する角度誤差を算出するのに用いた磁場成分を検出したときの磁場発生源１２０の温度と、補正検出角度を算出するのに用いた磁場成分を検出したときの磁場発生源１２０の温度が異なっていると、温度変動分の誤差が補正検出角度に含まれてしまう。
【００３７】
（実施例）
図７は、本発明の一つの実施例における、磁場検出部１１０の配置例を示す図である。本例の磁場検出部１１０は、回転軸２１０からＸ軸方向に離れており、且つ、Ｚ軸方向において磁場検出部１１０における感磁部が磁場発生源１２０の厚みの中央に配置されている。
【００３８】
図８は、図７の配置例において回転角検出部１００が出力する補正検出角度に含まれる、角度誤差の温度変動を示す図である。本例においても、図６の例と同様に、磁場発生源１２０が２５℃のときの角度誤差を基準として、磁場発生源１２０が３５℃、４５℃、５５℃、６５℃のときの、角度誤差の変動を示している。図６に示した比較例に対して本実施例によれば、温度変動に対する角度誤差の変動が抑制されていることがわかる。
【００３９】
図９は、磁場検出部１１０の位置と、角度誤差の温度変動との関係をプロットした図である。縦軸における角度誤差の温度変動は、磁場発生源１２０が２５℃のときの角度誤差を基準として、磁場発生源１２０が６５℃のときの角度誤差の変動量を示している。横軸は、磁場検出部１１０の位置を示すパラメータとして、Ｚ軸方向における磁場強度の振幅値を、Ｘ軸方向における磁場強度の振幅値で除算した値を用いている。図７の破線矢印１１１で示すように、磁場発生源１２０の厚みの中央位置を通るＸＹ面内の位置においては、Ｚ軸方向の磁場成分がほとんど通過しない。これに対し、Ｚ軸方向の位置が磁場発生源１２０の厚みの中央位置から離れるに応じて、Ｚ軸方向の磁場成分が増加する。つまり、図９の横軸は、磁場発生源１２０の厚み方向の中央位置に対する、磁場検出部１１０の相対位置に相関を有している。なお図９の横軸は対数軸であり、縦軸は線形軸である。
【００４０】
また図９においては、磁場発生源１２０（磁石）の材質とサイズが表１に示される６通りの例について、測定結果をプロットしている。表１のサイズ欄における外径および内径は、磁場発生源１２０のＸＹ面における外径および内径を示している。また、厚みは、Ｚ軸方向における厚みである。
【表１】
2019184481.tif 000003
【００４１】
磁場発生源１２０の材質およびサイズが変化すると、磁場発生源１２０の磁場強度が変化する。しかし図９に示すように、磁場発生源１２０の材質およびサイズによらず、共通の傾向として、Ｚ軸方向磁場強度振幅／Ｘ軸方向磁場強度振幅（本明細書では磁場成分比と称する場合がある）が小さいほど、角度誤差の温度変動が小さいことがわかる。
【００４２】
磁場成分比が０．２以下であれば、２５測定点のうち２３測定点について、角度誤差の温度変動を概ね０．３度以下に抑えることができる。磁場検出部１１０は、磁場成分比が０．２以下となる位置に配置されてよい。なお磁場検出部１１０の位置は、磁場検出部１１０における感磁部の中央の位置を用いてよい。また磁場検出部１１０がＺ軸方向およびＸ軸方向における磁場成分を検出できる場合、磁場検出部１１０が出力する磁場成分を用いて、磁場成分比が所定の条件を満たすか否かを判定してもよい。なお、Ｚ軸方向の磁場成分およびＸ軸方向の磁場成分のそれぞれの振幅値は、磁場発生源１２０を３６０度回転させたときの、各磁場成分のピークツーピーク値を用いる。
【００４３】
磁場成分比が０．１以下であれば、１６測定点のうち１６測定点について、角度誤差の温度変動を概ね０．２度以下に抑えることができる。また、１６測定点のうち１４測定点について、角度誤差の温度変動を概ね０．１度以下に抑えることができる。磁場検出部１１０は、磁場成分比が０．１以下となる位置に配置されてよい。
【００４４】
磁場成分比が０．０１３以下であれば、８測定点のうち８測定点について、角度誤差の温度変動を概ね０．１度以下に抑えることができる。磁場検出部１１０は、磁場成分比が０．０１３以下となる位置に配置されてよい。
【００４５】
図１０は、磁場検出部１１０の配置例を示す図である。本例の磁場検出部１１０は、磁場を検出する感磁部１１２を有する。感磁部１１２は、例えばホール素子の場合、第１導電型の半導体基板の表面に設けられた第２導電型の不純物領域である。また、磁場検出部１１０が、磁気を収束する磁気収束部を有する場合、磁気収束部を感磁部１１２とする。
【００４６】
感磁部１１２のＺ軸方向における中央位置が、磁場発生源１２０とＸ軸方向において向かい合うように、磁場検出部１１０が配置されてよい。つまり、感磁部１１２のＺ軸方向における中央位置を通るＸＹ面が、磁場発生源１２０のいずれかの位置を通過するように、磁場検出部１１０が配置されてよい。
【００４７】
感磁部１１２が、磁場発生源１２０のＺ軸方向における中央位置と、Ｘ軸方向において向かい合うように、磁場検出部１１０が配置されてもよい。つまり、磁場発生源１２０のＺ軸方向における中央位置を通るＸＹ面が、感磁部１１２のいずれかの位置を通過するように、磁場検出部１１０が配置されてよい。
【００４８】
感磁部１１２のＺ軸方向における中央位置と、磁場発生源１２０のＺ軸方向における中央位置とが、Ｘ軸方向における位置が同一となるように、磁場検出部１１０が配置されてもよい。つまり、感磁部１１２のＺ軸方向における中央位置を通るＸＹ面が、磁場発生源１２０のＺ軸方向における中央位置を通過するように、磁場検出部１１０が配置されてよい。
【００４９】
図１０に示したように、磁場検出部１１０の感磁部１１２を、磁場発生源１２０の中央位置の近傍に配置することで、Ｚ軸方向およびＸ軸方向の磁場成分比を小さくしやすくなる。
【００５０】
図１１は、磁場検出部１１０の配置例を示す図である。図１１においては、ＸＹ面における磁場発生源１２０の直径をＤｍとし、磁場検出部１１０と磁場発生源１２０とのＸ軸方向における距離をＬとする。距離Ｌは、磁場検出部１１０の端部と、磁場発生源１２０の端部との最短距離を指す。
【００５１】
距離Ｌが大きいほど、当該位置におけるＺ軸方向磁場強度振幅／Ｘ軸方向磁場強度振幅が小さくなる。このため、磁場検出部１１０を配置できる位置のＺ軸方向の自由度が向上する。一例として距離Ｌは、直径Ｄｍより大きくてよく、２倍以上であってもよい。ただし距離Ｌは、これらの例に限定されない。
【００５２】
距離Ｌが小さいほど、磁場検出部１１０が検出する磁場成分の信号対雑音比を向上させることができる。一例として、距離Ｌは、直径Ｄｍ以下であってよく、直径Ｄｍの半分以下であってよい。ただし、距離Ｌが小さくなりすぎると、磁場検出部１１０のＺ軸方向の位置がずれたときにＺ軸方向の磁場成分が大きくなりやすいので、距離Ｌは直径Ｄｍの１／４以上であってよい。
【００５３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００５４】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００５５】
１０・・・回転装置、１２・・・回転角検出装置、１４・・・第一信号処理部、１６・・・第二信号処理部、１８・・・角度演算部、２０・・・基準角度生成部、２２・・・誤差算出部、２４・・・記憶部、３０・・・補正処理部、１００・・・回転角検出部、１１０・・・磁場検出部、１１１・・・破線矢印、１１２・・・感磁部、１２０・・・磁場発生源、２００・・・回転体、２１０・・・回転軸、２２０・・・磁場検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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