(57)【要約】【課題】  中心電極の寸法を大きくすることなく、中心周波数を低くすることができる非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  フェライト板４と、中心電極８と、補正用容量電極９、１０、１１と、伝送線路１２、１３、１４と、磁石１５と、を備え、補正用容量電極９、１０、１１は、伝送線路１２、１３、１４よりも幅の広い矩形部分９Ａ、１０Ａ、１１Ａを含み、かつ、補正用容量電極９、１０、１１のうち少なくとも１つは、中心電極８に向けて弧状に広がる弧状部分をさらに含む分布定数型の非可逆回路素子とする。たとえば、補正用容量電極９に弧状部分９Ｂ、９Ｃを設ける。弧状部分９Ｂ、９Ｃは、いずれか一方であっても良い。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライト板と、
前記フェライト板上に設けられた円形形状の中心電極と、
前記中心電極から外方に突出して前記フェライト板上に設けられた３つの補正用容量電極と、
３つの前記補正用容量電極からそれぞれ外方に突出して前記フェライト板上に設けられた伝送線路と、
前記中心電極上に設けられた磁石と、を備え、
３つの前記補正用容量電極のそれぞれは、前記伝送線路よりも幅の広い矩形部分を含み、かつ、３つの前記補正用容量電極のうち少なくとも１つは、前記中心電極に向けて弧状に広がる弧状部分をさらに含む、
非可逆回路素子。
【請求項２】
前記矩形部分と前記中心電極との境界は、前記中心電極の外形をなす円周上の円弧からなり、前記円弧の両端を前記矩形部分と前記中心電極との接続点と規定したとき、
３つの前記矩形部分と前記中心電極との境界に位置する６つの前記接続点のうち、少なくとも１つの前記接続点に前記弧状部分が付加され、
前記弧状部分における前記補正用容量電極の外形は、当該弧状部分が付加された前記接続点の方向に凹んだ弧である請求項１に記載された非可逆回路素子。
【請求項３】
６つの前記接続点のうち、
少なくとも、隣り合う２つの前記補正用容量電極に含まれる２つの前記矩形部分の間に位置する２つの前記接続点に、
それぞれ前記弧状部分が付加された、請求項２に記載された非可逆回路素子。
【請求項４】
６つの前記接続点のうち、
少なくとも、１つの前記補正用容量電極に含まれる１つの前記矩形部分の両側に位置する２つの前記接続点に、
それぞれ前記弧状部分が付加された、請求項２または３に記載された非可逆回路素子。
【請求項５】
６つの前記接続点の全てに前記弧状部分が付加された、請求項２ないし４のいずれか１項に記載された非可逆回路素子。
【請求項６】
前記弧状部分における前記補正用容量電極の外形は円弧であり、
当該円弧の曲率半径が前記中心電極の直径以下の大きさである、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された非可逆回路素子。
【請求項７】
前記フェライト板の下に、板状の下ヨークを備えた、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された非可逆回路素子。
【請求項８】
前記フェライト板の上に、少なくとも前記中心電極と前記磁石とを覆う上ヨークを備えた、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された非可逆回路素子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載された非可逆回路素子と、
パワーアンプと、を備えた高周波フロントエンド回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。また、本発明は、本発明の非可逆回路素子を備えた高周波フロントエンド回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やスマートフォンなどの電子機器に、信号を伝送方向のみに通過させ、逆方向への伝送を阻止する、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子が広く使用されている。
【０００３】
特許文献１（実開平１-１４７５０４号公報）に、そのような非可逆回路素子が開示されている。図１９（Ａ）、（Ｂ）に、特許文献１に開示された非可逆回路素子（サーキュレータ）１０００を示す。ただし、図１９（Ａ）は、非可逆回路素子１０００の正面図である。図１９（Ｂ）は、絶縁体１０６と磁石１０７とを取り除いて示した非可逆回路素子１０００の要部平面図である。
【０００４】
非可逆回路素子１０００は、フェライト板（フェライト基板）１０１を備えている。
【０００５】
フェライト板１０１の下側主面に、グランド導体（接地導体）１０２が形成されている。
【０００６】
フェライト板１０１の上側主面に、円形形状の中心電極（ジャンクション部）１０３が形成されている。中心電極１０３から外方に突出して３つの補正用容量電極（変成器）１０４が形成されている。補正用容量電極１０４からそれぞれ外方に突出して伝送線路１０５が形成されている。
【０００７】
中心電極１０３上に、絶縁体１０６が配置されている。絶縁体１０６上に、磁石（マグネット）１０７が配置されている。
【０００８】
非可逆回路素子１０００は、磁石１０７が発生させた直流磁界をフェライト板１０１に印加することによって、３つの伝送線路１０５を入出力ポートにして非可逆回路素子として機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】実開平１-１４７５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
非可逆回路素子１０００の中心周波数（動作周波数）は、中心電極１０３の寸法の大きさに依存する。具体的には、中心周波数を高くするためには中心電極１０３の寸法を小さくする必要があり、中心周波数を低くするためには中心電極１０３の寸法を大きくする必要がある。
【００１１】
そのため、非可逆回路素子１０００には、低い周波数帯で動作させる場合に、寸法が大きくなってしまう場合があった。すなわち、中心電極１０３の寸法を大きくするためにフェライト板１０１の寸法を大きくしなければならず、フェライト板１０１の寸法を大きくしたことによって非可逆回路素子１０００の寸法が平面方向に大きくなってしまう場合があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の非可逆回路素子は、フェライト板と、フェライト板上に設けられた円形形状の中心電極と、中心電極から外方に突出してフェライト板上に設けられた３つの補正用容量電極と、３つの補正用容量電極からそれぞれ外方に突出してフェライト板上に設けられた伝送線路と、中心電極上に設けられた磁石と、を備え、３つの補正用容量電極のそれぞれは、伝送線路よりも幅の広い矩形部分を含み、かつ、３つの補正用容量電極のうち少なくとも１つは、中心電極に向けて弧状に広がる弧状部分をさらに含む非可逆回路素子とする。この場合には、中心電極の寸法を大きくせずに、中心周波数を低くすることができる。
【００１３】
矩形部分と中心電極との境界は、中心電極の外形をなす円周上の円弧からなり、円弧の両端を矩形部分と中心電極との接続点と規定したとき、３つの矩形部分と中心電極との境界に位置する６つの接続点のうち、少なくとも１つの接続点に弧状部分が付加され、弧状部分における補正用容量電極の外形は、その弧状部分が付加された接続点の方向に凹んだ弧とされることも好ましい。
【００１４】
６つの接続点のうち、少なくとも、隣り合う２つの補正用容量電極に含まれる２つの矩形部分の間に位置する２つの接続点に、それぞれ弧状部分が付加されることも好ましい。この場合には、これらの部分を通過する信号の中心周波数を低周波側に移動させることができる。
【００１５】
また、６つの接続点のうち、少なくとも、１つの補正用容量電極に含まれる１つの矩形部分の両側に位置する２つの接続点に、それぞれ弧状部分が付加されることも好ましい。この場合には、補正用容量電極の矩形部分の両側に弧状部分を付加したポートの共振モードの周波数を低周波側に移動させることができる。
【００１６】
また、６つの接続点の全てに弧状部分が付加されることも好ましい。この場合には、中心電極の寸法を大きくしなくても、非可逆回路素子の中心周波数（動作周波数）を低周波側に移動させることができる。なお、中心電極の寸法を大きくし、かつ、６つの接続点の全てに弧状部分を付加すれば、非可逆回路素子の中心周波数をより低周波側に移動させることができる。
【００１７】
また、弧状部分における補正用容量電極の外形が円弧であり、その円弧の曲率半径が中心電極の直径以下の大きさであることも好ましい。この場合には、中心電極と補正用容量電極との間のインピーダンスの不整合を抑制することができる。
【００１８】
また、フェライト板の下に、板状の下ヨークを備えることも好ましい。この場合には、磁石が発生させた直流磁界を効率的にフェライト板に印加させることができる。
【００１９】
また、フェライト板の上に、少なくとも中心電極と磁石とを覆う上ヨークを備えることも好ましい。この場合には、磁石が発生させた直流磁界を効率的にフェライト板に印加させることができる。
【００２０】
また、本発明の非可逆回路素子と、パワーアンプとを使って、高周波フロントエンド回路モジュールを作製することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の非可逆回路素子は、中心電極の寸法を大きくしなくても、中心周波数を低くすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態にかかる非可逆回路素子の斜視図である。
【図２】第１実施形態にかかる非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、第１実施形態にかかる非可逆回路素子の要部平面図である。
【図４】図４（Ａ）は、第１実施形態にかかる非可逆回路素子のＳ１１特性を示すグラフである。図４（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ２２特性を示すグラフである。図４（Ｃ）は、同非可逆回路素子のＳ３３特性を示すグラフである。
【図５】図５（Ａ）は、第１実施形態にかかる非可逆回路素子のＳ３１特性を示すグラフである。図５（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ２３特性を示すグラフである。
【図６】第２実施形態にかかる非可逆回路素子の要部平面図である。
【図７】図７（Ａ）は、第２実施形態にかかる非可逆回路素子のＳ１１特性を示すグラフである。図７（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ２２特性を示すグラフである。図７（Ｃ）は、同非可逆回路素子のＳ３３特性を示すグラフである。
【図８】図８（Ａ）は、第２実施形態にかかる非可逆回路素子のＳ３１特性を示すグラフである。図８（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ２３特性を示すグラフである。
【図９】図９（Ａ）は、第２実施形態にかかる非可逆回路素子のＳ１３特性を示すグラフである。図９（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ３２特性を示すグラフである。
【図１０】中心電極の直径φと、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒと、非可逆回路素子の中心周波数との関係を示すグラフである。
【図１１】３つの非可逆回路素子のＳ３１特性を比較したグラフである。
【図１２】２つの非可逆回路素子のフェライト板の大きさを比較した図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒを１．５ｍｍにした非可逆回路素子のＳ１１特性を示すグラフである。図１３（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ２２特性を示すグラフである。図１３（Ｃ）は、同非可逆回路素子のＳ３３特性を示すグラフである。
【図１４】図１４（Ａ）は、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒを１．５ｍｍにした非可逆回路素子のＳ３１特性を示すグラフである。図１４（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ２３特性を示すグラフである。
【図１５】図１５（Ａ）は、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒを１．５ｍｍにした非可逆回路素子のＳ１３特性を示すグラフである。図１５（Ｂ）は、同非可逆回路素子のＳ３２特性を示すグラフである。
【図１６】第３実施形態にかかる非可逆回路素子の要部平面図である。
【図１７】第４実施形態にかかる非可逆回路素子の要部平面図である。
【図１８】第５実施形態にかかる高周波フロントエンド回路モジュールの等価回路図である。
【図１９】図１９（Ａ）は、特許文献１に開示された非可逆回路素子の正面図である。図１９（Ｂ）は、同非可逆回路素子の要部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２４】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００２５】
［第１実施形態］
（非可逆回路素子１００の構造）
図１、図２、図３（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる非可逆回路素子１００を示す。ただし、図１は、非可逆回路素子１００の斜視図である。図２は、非可逆回路素子１００の分解斜視図である。図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、非可逆回路素子１００の要部平面図であり、フェライト板４の上側主面を示している。なお、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の一部分を拡大して示している。
【００２６】
本実施形態の非可逆回路素子１００は、サーキュレータである。ただし、本発明の非可逆回路素子は、サーキュレータには限られず、アイソレータなどであっても良い。
【００２７】
非可逆回路素子１００は、下ヨーク１を備えている。下ヨーク１の材質は任意であるが、後述する磁石１５が発生させる直流磁界の磁束を効率的に回流させるためには、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏなどの強磁性体であることが望ましい。本実施形態においては、下ヨーク１を、平面視が矩形の板状とした。なお、下ヨーク１は、単純な板状ではなく、垂直部などを備えたものであっても良い。
【００２８】
下ヨーク１の表面は、高周波電流が流れるため、挿入損失を低減させるために、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの高導電率材料でメッキされていることが望ましい。
【００２９】
下ヨーク１の４つの辺のうち、３つの辺に、それぞれ切欠きが設けられ、それらの切欠きに、それぞれ絶縁体２が埋め込まれている。絶縁体２の材質は任意であるが、たとえば、樹脂を使用することができる。
【００３０】
各絶縁体２に、それぞれ入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃが形成されている。本実施形態においては、入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃとして、ＣｕやＡｇなどを主成分とする導電性樹脂を、絶縁体２に埋め込んだ。入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃは、絶縁体２を上下方向に貫通しており、絶縁体２の上面、側面、下面の３つの面において外部に露出している。なお、入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃの構造は任意であり、上記に代えて、たとえば、ＣｕやＡｇなどの金属片を絶縁体２に埋め込んで、入出力端子としても良い。あるいは、絶縁体２の上面、側面、下面の３つの面にわたって、ＣｕやＡｇなどの金属膜を形成して、入出力端子としても良い。
【００３１】
非可逆回路素子１００において、入出力端子３ａが第１ポートＰ１を、入出力端子３ｂが第２ポートＰ２を、入出力端子３ｃが第３ポートＰ３を、それぞれ構成している。
【００３２】
非可逆回路素子１００は、フェライト板４を備えている。フェライト板４の組成は任意であるが、たとえば、ＮｉＺｎ系、ＭｎＺｎ系、ＹＩＧ系、ＣＶＧ系のフェライト等を使用することができる。本実施形態においては、フェライト板４を、平面視が矩形の板状とした。ただし、フェライト板４の形状は任意である。
【００３３】
フェライト板４の上側主面と下側主面とを貫通して、６つのスルーホール導体５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆが形成されている。スルーホール導体５ａ〜５ｆの材質は任意であるが、たとえば、ＣｕやＡｇなどを使用することができる。
【００３４】
フェライト板４の下側主面に、３つの信号電極６ａ、６ｂ、６ｃが形成されている。信号電極６ａは、入出力端子３ａに対応する位置に形成されて、スルーホール導体５ａに電気的に接続されている。信号電極６ｂは、入出力端子３ｂに対応する位置に形成されて、スルーホール導体５ｂに電気的に接続されている。信号電極６ｃは、入出力端子３ｃに対応する位置に形成されて、スルーホール導体５ｃに電気的に接続されている。
【００３５】
また、フェライト板４の下側主面には、信号電極６ａ、６ｂ、６ｃと間隔を開けて、グランド導体７が形成されている。グランド導体７が、スルーホール導体５ｄ、５ｅ、５ｆと電気的に接続されている。
【００３６】
信号電極６ａ、６ｂ、６ｃ、グランド導体７の材質は、それぞれ任意であるが、たとえば、ＣｕやＡｇなどを使用することができる。
【００３７】
フェライト板４の上側主面に、中心電極８が形成されている。本実施形態においては、中心電極８を、平面視において、直径φが１．５ｍｍの円形形状にした。
【００３８】
また、フェライト板４の上側主面には、中心電極８から外方に突出して、３つの補正用容量電極９、１０、１１が形成されている。補正用容量電極９は、矩形状の矩形部分９Ａと、矩形部分９Ａの両側に設けられた中心電極８に向けて弧状に広がる弧状部分９Ｂ、９Ｃとで構成されている。補正用容量電極１０は、矩形状の矩形部分１０Ａのみで構成されている。補正用容量電極１１は、矩形状の矩形部分１１Ａのみで構成されている。なお、弧状部分９Ｂ、９Ｃの詳しい形成位置などについては、後述する。
【００３９】
補正用容量電極９は、中心電極８と、後述する伝送線路１２とのインピーダンスの整合をはかるために設けられている。同様に、補正用容量電極１０は、中心電極８と、後述する伝送線路１３とのインピーダンスの整合をはかるために設けられている。補正用容量電極１１は、中心電極８と、後述する伝送線路１４とのインピーダンスの整合をはかるために設けられている。
【００４０】
図３（Ａ）、（Ｂ）に、それぞれ、フェライト板４を示す。フェライト板４の上側主面には、上述のとおり、中心電極８、補正用容量電極９、１０、１１が形成されている。中心電極８は、平面視において円形である。
【００４１】
中心電極８と補正用容量電極９の矩形部分９Ａとは、図に破線で示す境界Ｘで接している。境界Ｘは、中心電極８の外形をなす円周上の円弧からなる。境界Ｘの補正用容量電極１１側の端を接続点Ａ、補正用容量電極１０側の端を接続点Ｂと定義する。
【００４２】
中心電極８と補正用容量電極１０の矩形部分１０Ａとは、図に破線で示す境界Ｙで接している。境界Ｙは、中心電極８の外形をなす円周上の円弧からなる。境界Ｙの補正用容量電極９側の端を接続点Ｃ、補正用容量電極１１側の端を接続点Ｄと定義する。
【００４３】
中心電極８と補正用容量電極１１の矩形部分１１Ａとは、図に破線で示す境界Ｚで接している。境界Ｚは、中心電極８の外形をなす円周上の円弧からなる。境界Ｚの補正用容量電極１０側の端を接続点Ｅ、補正用容量電極９側の端を接続点Ｆと定義する。
【００４４】
中心電極８と補正用容量電極９、１０、１１の矩形部分９Ａ、１０Ａ、１１Ａとの境界Ｘ、Ｙ、Ｚには、６つの接続点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆが存在することになる。本実施形態にかかる非可逆回路素子１００においては、これらの接続点のうち、接続点Ａに弧状部分９Ｂが形成され、接続点Ｂに弧状部分９Ｃが形成されている。すなわち、補正用容量電極９の矩形部分９Ａの両側の接続点Ａ、Ｂに、弧状部分９Ｂ、９Ｃが形成されている。弧状部分９Ｂ、９Ｃは、非可逆回路素子１００の中心周波数を低くするために形成されている。なお、図３（Ａ）、（Ｂ）においては、弧状部分９Ｂ、９Ｃを着色して示している。
【００４５】
弧状部分９Ｂの外周は、中心電極８との境界９ＢＸと、矩形部分９Ａとの境界９ＢＹと、弧９ＢＺとを繋いだものからなる。境界９ＢＸは中心電極８の外形をなす円周上の円弧である。境界９ＢＹは直線である。弧９ＢＺは、一方の端部が中心電極８と接し、他方の端部が矩形部分９Ａと接し、かつ、接続点Ａの方向に凹んでいる。本実施形態にかかる非可逆回路素子１００においては、弧９ＢＺを、曲率半径ＲＳが０．６ｍｍの円弧とした。
【００４６】
弧状部分９Ｃの外周は、中心電極８との境界９ＣＸと、矩形部分９Ａとの境界９ＣＹと、弧９ＣＺとを繋いだものからなる。境界９ＣＸは中心電極８の外形をなす円周上の円弧である。境界９ＣＹは直線である。弧９ＣＺは、一方の端部が中心電極８と接し、他方の端部が矩形部分９Ａと接し、かつ、接続点Ｂの方向に凹んでいる。本実施形態にかかる非可逆回路素子１００においては、弧９ＣＺを、曲率半径ＲＴが０．６ｍｍの円弧とした。
【００４７】
なお、曲率半径ＲＳ、ＲＴは、それぞれ、中心電極８の直径以下の大きさであることが好ましい。具体的には、本実施形態においては中心電極８の直径が１．５ｍｍであるため、曲率半径ＲＳ、ＲＴは、それぞれ、１．５ｍｍ以下であることが好ましい。曲率半径ＲＳ、ＲＴが中心電極８の直径よりも大きくなると、中心電極８と補正用容量電極９とのインピーダンスに不整合が発生し、比帯域が狭くなってしまう虞があるからである。
【００４８】
また、フェライト板４の上側主面には、補正用容量電極９から外方に突出して伝送線路１２が、補正用容量電極１０から外方に突出して伝送線路１３が、補正用容量電極１１から外方に突出して伝送線路１４が、それぞれ形成されている。伝送線路１２、１３、１４は、それぞれ、所定の幅および長さを備えている。ただし、伝送線路１２、１３、１４の幅は、それぞれ、補正用容量電極９、１０、１１（矩形部分９Ａ、１０Ａ、１１Ａ）の幅よりも狭い。
【００４９】
伝送線路１２の先端が、スルーホール導体５ａに電気的に接続されている。同様に、伝送線路１３の先端が、スルーホール導体５ｂに電気的に接続されている。伝送線路１４の先端が、スルーホール導体５ｃに電気的に接続されている。
【００５０】
中心電極８、補正用容量電極９、１０、１１、伝送線路１２、１３、１４の材質は、それぞれ任意であるが、たとえば、ＣｕやＡｇなどを使用することができる。
【００５１】
フェライト板４は、下ヨーク１の上側主面上に配置されている。そして、入出力端子３ａと信号電極６ａとが、入出力端子３ｂと信号電極６ｂとが、入出力端子３ｃと信号電極６ｃとが、それぞれ電気的に接続されている。また、下ヨーク１とグランド導体７とが電気的に接続されている。
【００５２】
この結果、伝送線路１２の先端が、スルーホール導体５ａ、信号電極６ａを経由して、入出力端子３ａ（第１ポートＰ１）と電気的に接続されている。同様に、伝送線路１３の先端が、スルーホール導体５ｂ、信号電極６ｂを経由して、入出力端子３ｂ（第２ポートＰ２）と電気的に接続されている。伝送線路１４の先端が、スルーホール導体５ｃ、信号電極６ｃを経由して、入出力端子３ｃ（第３ポートＰ３）と電気的に接続されている。
【００５３】
非可逆回路素子１００は、中心電極８上に、磁石１５が配置されている。磁石１５の材質は任意であるが、たとえば、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン系のフェライト磁石、サマリウムコバルト系、ネオジム系の希土類磁石などを使用することができる。本実施形態においては、磁石１５を、四角柱とした。ただし、磁石１５の形状は任意であり、四角柱に代えて、円柱、楕円柱、四角柱以外の多角柱などの形状であっても良い。
【００５４】
非可逆回路素子１００は、上ヨーク１６を備えている。上ヨーク１６の材質は任意であるが、磁石１５が発生させる直流磁界の磁束を効率的に回流させるためには、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏなどの強磁性体であることが望ましい。
【００５５】
上ヨーク１６の表面は、高周波電流が流れるため、挿入損失を低減させるために、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの高導電率材料でメッキされていることが望ましい。
【００５６】
本実施形態の上ヨーク１６は、平面視が矩形で板状の天面部１６ａと、天面部１６ａに対して垂直な板状の２つの垂直部１６ｂ、１６ｃとを備えている。また、垂直部１６ｂには、伝送線路１２との接触を避けるために切欠き１６ｂｘが形成され、垂直部１６ｃには、伝送線路１４との接触を避けるために切欠き１６ｃｘが形成されている。ただし、上ヨーク１６の形状は任意であり、種々の変更を加えることができる。
【００５７】
上ヨーク１６は、中心電極８、補正用容量電極９、１０、１１、伝送線路１２、１３、１４、磁石１５を覆って、フェライト板４の上側主面上に配置されている。そして、垂直部１６ｂとスルーホール導体５ｄとが、垂直部１６ｃとスルーホール導体５ｅとが、それぞれ電気的に接続されている。ただし、垂直部１６ｂとスルーホール導体５ｄとの電気的接続や、垂直部１６ｃとスルーホール導体５ｅとの電気的接続は必須ではなく、省略することも可能である。
【００５８】
非可逆回路素子１００は、磁石１５が発生させた直流磁界の磁束が、下ヨーク１および上ヨーク１６を回流してフェライト板４に印加されることによって、非可逆回路素子（サーキュレータ）として機能する。
【００５９】
具体的には、非可逆回路素子１００は、入出力端子３ａ（第１ポートＰ１）に入力された信号が入出力端子３ｃ（第３ポートＰ３）から出力され、入出力端子３ｃ（第３ポートＰ３）に入力された信号が入出力端子３ｂ（第２ポートＰ２）から出力され、入出力端子３ｂ（第２ポートＰ２）に入力された信号が入出力端子３ａ（第１ポートＰ１）から出力され、これらと逆の方向には信号は流れない。
【００６０】
（非可逆回路素子１００の製造方法）
以上の構造を有する第１実施形態にかかる非可逆回路素子１００は、従来から非可逆回路素子の製造において一般的に用いられている製造方法によって製造することができる。
【００６１】
（非可逆回路素子１００の特性）
非可逆回路素子１００のＳ１１特性を図４（Ａ）に、Ｓ２２特性を図４（Ｂ）に、Ｓ３３特性を図４（Ｃ）に、それぞれ示す。また、非可逆回路素子１００のＳ３１特性を図５（Ａ）に、Ｓ２３特性を図５（Ｂ）に、それぞれ示す。各図には、比較のために、非可逆回路素子１００の補正用容量電極９に弧状部分９Ｂ、９Ｃを形成しなかった場合の各特性を比較例として示している。
【００６２】
ここで、Ｓ１１特性、Ｓ２２特性およびＳ３３特性は、各入出力端子における反射特性である。具体的には、Ｓ１１特性、Ｓ２２特性およびＳ３３特性は、それぞれ、入出力端子３ａ（第１ポートＰ１）、入出力端子３ｂ（第２ポートＰ２）および入出力端子３ｃ（第３ポートＰ３）におけるリターンロスの周波数特性である。また、Ｓ３１特性及びＳ２３特性は、入出力端子間における通過特性である。具体的には、Ｓ３１特性およびＳ２３特性は、それぞれ、入出力端子３ａ（第１ポートＰ１）から入出力端子３ｃ（第３ポートＰ３）へのインサーションロス、および、入出力端子３ｃ（第３ポートＰ３）から入出力端子３ｂ（第２ポートＰ２）へのインサーションロスの周波数特性である。
【００６３】
図４（Ａ）〜（Ｃ）のＳ１１特性、Ｓ２２特性、Ｓ３３特性を比較して分かるように、非可逆回路素子１００は、補正用容量電極９に弧状部分９Ｂ、９Ｃを形成した第１ポートＰ１のみ、共振モードの周波数が低周波側に移動している。補正用容量電極に弧状部分を形成しなかった第２ポートＰ２、第３ポートＰ３は、いずれも、共振モードの周波数が移動していない。また、第１ポートＰ１のＳ１１のみ、リターンロスが低減している。
【００６４】
そして、図５（Ａ）から分かるように、非可逆回路素子１００は、第１ポートＰ１の補正用容量電極９に弧状部分９Ｂ、９Ｃを形成したことによって、Ｓ３１特性の中心周波数が低周波側に移動している。これに対し、図５（Ｂ）から分かるように、非可逆回路素子１００では、Ｓ２３特性の中心周波数は移動していない。
【００６５】
このことから分かるように、本発明を使用すれば、非可逆回路素子の中心周波数をポートごとに個別調整することが可能になる。たとえば、本実施形態の非可逆回路素子１００のように、Ｓ３１特性の中心周波数を低周波側に移動させるが、Ｓ２３特性の中心周波数は移動させないといった調整が可能になる。したがって、本発明の非可逆回路素子は、送信と受信の周波数帯が異なる周波数分割複信（ＦＤＤ；Frequency Division Duplex）を使用した通信機器などにおいて、使用されることが期待される。
【００６６】
［第２実施形態］
（非可逆回路素子２００の構造）
図６に、第２実施形態にかかる非可逆回路素子２００を示す。ただし、図６は、非可逆回路素子２００の要部平面図であり、フェライト板４の上側主面を示している。
【００６７】
非可逆回路素子２００は、第１実施形態にかかる非可逆回路素子１００の構成に変更を加えた。具体的には、非可逆回路素子１００では、中心電極８と補正用容量電極９、１０、１１の矩形部分９Ａ、１０Ａ、１１Ａとの境界Ｘ、Ｙ、Ｚにある６つの接続点のうち、第１ポートＰ１の接続点Ａ、Ｂに、弧状部分９Ｂ、９Ｃを形成した。これに対し、非可逆回路素子２００では、第１ポートＰ１〜第３ポートＰ３の６つの接続点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの全てに、弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃを形成した。
【００６８】
具体的には、非可逆回路素子２００では、第１ポートＰ１の接続点Ａに弧状部分９Ｂを形成し、接続点Ｂに弧状部分９Ｃを形成した。また、非可逆回路素子２００では、第２ポートＰ２の接続点Ｃに弧状部分１０Ｂを形成し、接続点Ｄに弧状部分１０Ｃを形成した。さらに、非可逆回路素子２００では、第３ポートＰ３の接続点Ｅに弧状部分１１Ｂを形成し、接続点Ｆに弧状部分１１Ｃを形成した。
【００６９】
なお、弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃの外形は、それぞれ、中心電極８および矩形部分９Ａ、１０Ａ、１１Ａのいずれとも接していない部分に、弧を有している。本実施形態においては、これらの弧を、それぞれ、曲率半径が０．６ｍｍの円弧とした。
【００７０】
非可逆回路素子２００のその他の構造は、非可逆回路素子１００と同じにした。したがって、中心電極８は、直径が１．５ｍｍの円形形状である。
【００７１】
（非可逆回路素子２００の特性）
非可逆回路素子２００のＳ１１特性を図７（Ａ）に、Ｓ２２特性を図７（Ｂ）に、Ｓ３３特性を図７（Ｃ）に、それぞれ示す。また、非可逆回路素子２００のＳ３１特性を図８（Ａ）に、Ｓ２３特性を図８（Ｂ）に、それぞれ示す。さらに、非可逆回路素子２００のＳ１３特性を図９（Ａ）に、Ｓ３２特性を図９（Ｂ）に、それぞれ示す。各図には、比較のために、弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃを形成しなかった場合の各特性を比較例として示している。
【００７２】
図７（Ａ）〜（Ｃ）のＳ１１特性、Ｓ２２特性、Ｓ３３特性や、図９（Ａ）、（Ｂ）のＳ１３特性、Ｓ３２特性から分かるように、第１ポートＰ１〜第３ポートＰ３の全ての接続点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃを形成した非可逆回路素子２００は、第１ポートＰ１〜第３ポートＰ３の全てにおいて、共振モードの周波数が低周波側に移動している。また、第１ポートＰ１のＳ１１および第３ポートＰ３のＳ３３において、リターンロスが低減している。
【００７３】
そして、図８（Ａ）、（Ｂ）から分かるように、非可逆回路素子２００においては、Ｓ３１特性の中心周波数が低周波側に移動するとともに、Ｓ２３特性の中心周波数も低周波側に移動している。また、図には示していないが、Ｓ１２特性の中心周波数も低周波側に移動している。
【００７４】
上述したとおり、従来の非可逆回路素子において、中心周波数を低くするためには、中心電極の寸法を大きくする必要があった。そのため、フェライト板の寸法が大きくなり、非可逆回路素子の寸法が平面方向に大きくなってしまうという問題があった。
【００７５】
これに対し、本発明の非可逆回路素子によれば、中心電極８の寸法を大きくしなくても、接続点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃを形成することによって、Ｓ３１特性およびＳ２３特性の中心周波数を低周波側に移動させることができる。すなわち、本発明の非可逆回路素子は、寸法を平面方向に大きくすることなく、中心周波数（動作周波数）を低くすることができる。
【００７６】
（実験）
非可逆回路素子２００の構造において、中心電極８の直径φの大きさ、および、補正用容量電極９、１０、１１の弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃの弧（円弧）の曲率半径Ｒの大きさを変化させて、非可逆回路素子の中心周波数がどのように変化するかを調べた。なお、非可逆回路素子２００は、Ｓ３１特性の中心周波数とＳ２３特性の中心周波数とＳ１２特性の中心周波数が等しくなるように設計しているので、ここではＳ３１特性の中心周波数を非可逆回路素子２００の中心周波数とした。
【００７７】
まず、非可逆回路素子２００の構造において、中心電極８の直径φを、１．４ｍｍ、１．５ｍｍ、１．６ｍｍの３通りに変化させ、弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃの円弧の曲率半径Ｒを、０．０ｍｍ（弧状部分なし）、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．６ｍｍの５通りに変化させ、合計１５種類の非可逆回路素子を作製した。
【００７８】
次に、１５種類の非可逆回路素子につき、それぞれ、中心周波数を測定した。表１に、各非可逆回路素子の中心周波数を示す。また、図１０に、各非可逆回路素子の中心周波数をグラフにして示す。
【表１】
2019134337.tif 000003
【００７９】
表１および図１０からわかるように、中心電極の直径φを大きくすることによって、中心周波数を低くすることができる。しかし、中心電極の直径φを大きくする代わりに、弧状部分の円弧の曲率半径Ｒを大きくすることによっても、中心周波数を低くすることができる。
【００８０】
補正用容量電極に弧状部分を設けることによって、中心電極の直径φが小さい非可逆回路素子の中心周波数が、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが大きい非可逆回路素子の中心周波数よりも、低くなる場合がある。たとえば、補正用容量電極に曲率半径Ｒが０．６ｍｍの弧状部分を設けた中心電極の直径φが１．５ｍｍの非可逆回路素子の中心周波数が２６．６０ＧＨｚであるのに対し、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが１．６ｍｍの非可逆回路素子の中心周波数は２６．８０ＧＨｚである。
【００８１】
図１１に、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが１．５ｍｍの非可逆回路素子のＳ３１特性と、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが１．６ｍｍの非可逆回路素子のＳ３１特性と、補正用容量電極に曲率半径Ｒが０．６ｍｍの弧状部分を設けた中心電極の直径φが１．５ｍｍの非可逆回路素子のＳ３１特性とを比較して示す。図１１から分かるように、中心電極の直径φが１．５ｍｍの非可逆回路素子は、補正用容量電極に曲率半径Ｒが０．６ｍｍの弧状部分を設けることによって、Ｓ３１特性の中心周波数が低周波側に移動し、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが１．６ｍｍの非可逆回路素子のＳ３１特性と極めて近似したＳ３１特性を備えている。この知見を利用すれば、補正用容量電極に弧状部分を設けることによって、中心電極（フェライト板；非可逆回路素子）の寸法を大きくすることなく、非可逆回路素子の中心周波数を低くすることが可能になる。
【００８２】
図１２に、補正用容量電極に曲率半径Ｒが０．６ｍｍの弧状部分を設けた中心電極の直径φが１．５ｍｍの非可逆回路素子（中心周波数＝２６．６０ＧＨｚ）を実施例として、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが１．６ｍｍの非可逆回路素子（中心周波数＝２６．８０ＧＨｚ）を比較例として、両者のフェライト板の大きさをイメージとして示す。
【００８３】
図１２からわかるように、実施例の非可逆回路素子は、比較例の非可逆回路素子よりも低い中心周波数を有しているにもかかわらず、比較例の非可逆回路素子よりもフェライト板が小さくなっている。具体的には、図１２にＧで示す寸法分だけ、フェライト板の一辺の長さが小さくなっている。
【００８４】
以上より、本発明の非可逆回路素子によれば、中心電極（フェライト板；非可逆回路素子）の寸法を大きくすることなく、非可逆回路素子の中心周波数を低くすることが可能である。
【００８５】
次に、中心電極の直径φに対する、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒの適正値について検討する。
【００８６】
上述したとおり、非可逆回路素子２００において、中心周波数を低くするためには、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒを大きくすれば良い。しかしながら、曲率半径Ｒを大きくし過ぎると、中心電極８と補正用容量電極９、１０、１１とのインピーダンスに不整合が生じ、比帯域が狭くなってしまう虞がある。
【００８７】
そこで、曲率半径Ｒの大きさがインピーダンスの不整合に与える影響を調べるために、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒが大きい非可逆回路素子を作製し、その特性を測定した。具体的には、中心電極８の直径φが１．５ｍｍで、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒが１．５ｍｍの非可逆回路素子を作製し、その特性を測定した。この非可逆回路素子は、中心電極の直径φと補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒとが等しい。
【００８８】
作製した非可逆回路素子のＳ１１特性を図１３（Ａ）に、Ｓ２２特性を図１３（Ｂ）に、Ｓ３３特性を図１３（Ｃ）に、それぞれ示す。また、作製した非可逆回路素子のＳ３１特性を図１４（Ａ）に、Ｓ２３特性を図１４（Ｂ）に、それぞれ示す。さらに、作製した非可逆回路素子のＳ１３特性を図１５（Ａ）に、Ｓ３２特性を図１５（Ｂ）に、それぞれ示す。各図には、比較のために、補正用容量電極に弧状部分を形成しなかった場合と、補正用容量電極に円弧の曲率半径Ｒが０．６ｍｍの弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃを形成した場合の各特性を示している。
【００８９】
図１３（Ａ）〜（Ｃ）、図１４（Ａ）、（Ｂ）、図１５（Ａ）、（Ｂ）から分かるように、中心電極の直径φおよび弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃの円弧の曲率半径Ｒを１．５ｍｍとした非可逆回路素子は、インピーダンスの不整合により、各特性が乱れ始めている。ただし、図１４（Ａ）、（Ｂ）からわかるように、まだ、Ｓ３１特性、Ｓ２３特性は、実用上問題のない比帯域を備えている。しかしながら、曲率半径Ｒをこれよりも大きくすると、比帯域が狭くなるため好ましくない。したがって、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Ｒは、中心電極の直径φ以下の大きさであることが好ましいということができる。
【００９０】
［第３実施形態］
図１６に、第３実施形態にかかる非可逆回路素子３００を示す。ただし、図１６は、非可逆回路素子３００の要部平面図であり、フェライト板４の上側主面を示している。
【００９１】
非可逆回路素子３００では、６つある接続点Ａ〜Ｆのうち、接続点Ａに弧状部分９Ｂを形成するとともに、接続点Ｆに弧状部分１１Ｃを形成し、その他の接続点Ｂ〜Ｅには弧状部分を形成しなかった。すなわち、非可逆回路素子３００では、第１ポートＰ１と第３ポートＰ３との間の２つの接続点Ａ、Ｆに、弧状部分９Ｂ、１１Ｃを形成した。
【００９２】
非可逆回路素子３００は、Ｓ２３特性やＳ１２特性の中心周波数をほとんど移動させることなく、Ｓ３１特性の中心周波数だけが低周波側に移動している。
【００９３】
［第４実施形態］
図１７に、第４実施形態にかかる非可逆回路素子４００を示す。ただし、図１７は、非可逆回路素子４００の要部平面図であり、フェライト板４の上側主面を示している。
【００９４】
非可逆回路素子４００では、６つある接続点Ａ〜Ｆのうち、接続点Ａに弧状部分９Ｂを形成し、接続点Ｃに弧状部分１０Ｂを形成し、接続点Ｅに弧状部分１１Ｂを形成し、その他の接続点Ｂ、Ｄ、Ｆには弧状部分を形成しなかった。すなわち、非可逆回路素子４００では、第１ポートＰ１においては第３ポートＰ３側の接続点Ａに弧状部分９Ｂを形成し、第２ポートＰ２においては第１ポートＰ１側の接続点Ｃに弧状部分１０Ｂを形成し、第３ポートＰ３においては第２ポートＰ２側の接続点Ｅに弧状部分１１Ｂを形成した。
【００９５】
非可逆回路素子４００は、第２実施形態にかかる非可逆回路素子２００と同様に、Ｓ３１特性、Ｓ２３特性、Ｓ１２特性の中心周波数が、それぞれ、低周波側に移動している。ただし、非可逆回路素子４００は、非可逆回路素子２００に比べて、中心周波数の移動量が小さい。
【００９６】
［第５実施形態］
図１８に、第５実施形態にかかる高周波フロントエンド回路モジュール５００を示す。ただし、図１８は、高周波フロントエンド回路モジュール５００の等価回路図である。
【００９７】
高周波フロントエンド回路モジュール５００は、図示しないが、たとえば、１枚の基板上に種々の電子部品を実装したものからなる。高周波フロントエンド回路モジュール５００は、図１８に示す等価回路を備えている。
【００９８】
高周波フロントエンド回路モジュール５００は、たとえば、アンテナ７０に接続して使用される。
【００９９】
高周波フロントエンド回路モジュール５００は、ＲＦＩＣ５１を備えている。ＲＦＩＣ５１は、４対の送信端子ＴＸ、受信端子ＲＸを備えている。高周波フロントエンド回路モジュール５００が接続されるアンテナ７０も、４系統での送信、受信が可能になっている。
【０１００】
高周波フロントエンド回路モジュール５００のＲＦＩＣ５１と、アンテナ７０とが、４系統の接続回路５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５４ｄによって接続されている。接続回路５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５４ｄは、いずれも同じ構成になっているので、ここでは接続回路５３ａの構成について説明する。
【０１０１】
接続回路５３ａは、パワーアンプ５４と、上述した第１実施形態にかかる非可逆回路素子（サーキュレータ）１００と、バンドパスフィルタ５５と、スイッチ５６と、ローノイズアンプ５７とを備えている。
【０１０２】
パワーアンプ５４の一端が、ＲＦＩＣ５１の送信端子ＴＸに接続されている。パワーアンプ５４の他端に、非可逆回路素子１００の第１ポートＰ１が接続されている。非可逆回路素子１００の第３ポートＰ３に、バンドパスフィルタ５５の一端が接続されている。バンドパスフィルタ５５の他端が、アンテナ７０に接続されている。
【０１０３】
また、非可逆回路素子１００の第２ポートＰ２に、スイッチ５６の１つの端子が接続されている。スイッチ５６の別の１つの端子が、抵抗を介してグランドに終端されている。スイッチ５６のさらに別の１つの端子に、ローノイズアンプ５７の一端が接続されている。ローノイズアンプ５７の他端が、ＲＦＩＣ５１の受信端子ＲＸに接続されている。
【０１０４】
図１８は、高周波フロントエンド回路モジュール５００が送信をおこなっている状態を示している。ＲＦＩＣ５１の送信端子ＴＸから出力された送信信号は、パワーアンプ５４、非可逆回路素子１００、バンドパスフィルタ５５を経由して、アンテナ７０に伝送される。
【０１０５】
このとき、アンテナ７０が不要な反射波を発生させる場合がある。このアンテナ７０が発生させた不要な反射波は、バンドパスフィルタ５５、非可逆回路素子１００、スイッチ５６を経由して、グランドに落とされる。すなわち、高周波フロントエンド回路モジュール５００においては、非可逆回路素子１００によって、パワーアンプ５４が、アンテナ７０の不要な反射波から守られている。
【０１０６】
一方、高周波フロントエンド回路モジュール５００が受信をおこなう場合は、スイッチ５６は、非可逆回路素子１００の第２ポートＰ２を、ローノイズアンプ５７に接続する。受信の場合は、アンテナ７０から出力された受信信号が、バンドパスフィルタ５５、非可逆回路素子１００、スイッチ５６、ローノイズアンプ５７を経由して、ＲＦＩＣ５１の受信端子ＲＸに入力される。
【０１０７】
接続回路５３ｂ〜５３ｄも、接続回路５３ａと同じ動作をおこなう。
【０１０８】
高周波フロントエンド回路モジュール５００においては、第１実施形態にかかる非可逆回路素子１００によって、パワーアンプ５４が、アンテナ７０の不要な反射波から守られている。
【０１０９】
以上、第１実施形態〜第４実施形態にかかる非可逆回路素子１００、２００、３００、４００、第５実施形態にかかる高周波フロントエンド回路モジュール５００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【０１１０】
たとえば、非可逆回路素子１００、２００、３００、４００は、いずれもサーキュレータであったが、これらはアイソレータであっても良い。なお、アイソレータを構成するためには、入出力ポートである伝送線路１２、１３、１４のうちの１つを、抵抗を介してグランドに接続して終端させれば良い。
【０１１１】
また、非可逆回路素子１００、２００、３００、４００では、中心電極８、補正用容量電極９、１０、１１、伝送線路１２、１３、１４が、フェライト板４の上側主面に形成されたものであった。すなわち、これらの電極や線路は、たとえば薄膜技術を使って、フェライト板４の上側主面に直接に形成されたものであった。しかしながら、この方法に代えて、フェライト板４とは別体の、金属板を加工して作製した電極や線路を使用しても良い。
【０１１２】
また、非可逆回路素子１００、２００、３００、４００では、補正用容量電極９、１０、１１の弧状部分９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃの弧を円弧としたが、弧は円弧には限定されない。
【０１１３】
また、高周波フロントエンド回路モジュール５００は、非可逆回路素子１００、パワーアンプ５４に加えて、ＲＦＩＣ５１、バンドパスフィルタ５５、スイッチ５６、ローノイズアンプ５７の他の電子部品を備えていたが、本発明の高周波フロントエンド回路モジュールは、最低限、非可逆回路素子とパワーアンプとを備えていれば良い。
【符号の説明】
【０１１４】
１・・・下ヨーク
２・・・絶縁体
３ａ、３ｂ、３ｃ・・・入出力端子
４・・・フェライト板
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ・・・スルーホール導体
６ａ、６ｂ、６ｃ・・・信号電極
７・・・グランド導体
８・・・中心電極
９、１０、１１・・・補正用容量電極
９Ａ、１０Ａ、１１Ａ・・・矩形部分
９Ｂ、９Ｃ、１０Ｂ、１０Ｃ、１１Ｂ、１１Ｃ・・・弧状部分
９ＢＸ、９ＣＸ・・・境界（弧状部分と中心電極との境界）
９ＢＹ、９ＣＹ・・・境界（弧状部分と矩形部分との境界）
９ＢＺ、９ＣＺ・・・弧（円弧）
１２、１３、１４・・・伝送線路
１５・・・磁石
１６・・・上ヨーク
Ｐ１・・・第１ポート
Ｐ２・・・第２ポート
Ｐ３・・・第３ポート
Ｒ、ＲＳ、ＲＴ・・・曲率半径
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ・・・接続点（補正用容量電極の矩形部分と中心電極との接続点）
Ｘ、Ｙ、Ｚ・・・境界（補正用容量電極の矩形部分と中心電極との境界）
【図１】
2019134337.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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