(57)【要約】【課題】複数の回路部品が実装される回路基板上で、複数の接続端子を有したディスクリート部品である対象部品の半田付けの状態を適切に検査する。【解決手段】回路基板１は、支持部材に支持されている対象部品に第１面１１が対向して配置され、対象部品から延びる複数の接続端子が端子接続孔１３に貫通した状態で基板本体１０と接続端子とが半田付けされる。第１面１１には回路部品２０が実装されない非実装領域が形成され、非実装領域は、端子接続孔１３との間に他の回路部品２０が存在していない場所において、基板本体１０の端縁１０Ｅから基板本体１０の内側へ向かって直線状に延在する直線状領域ＲＬを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接続端子を有したディスクリート部品である対象部品を含む複数の回路部品が基板本体の基板面に実装される回路基板であって、
前記基板面の一方側である第１面は、前記基板本体とは別の支持部材に支持されている前記対象部品に対向して配置され、
前記基板本体は、前記接続端子が貫通する端子接続孔を複数有し、前記対象部品から延びる複数の前記接続端子が前記端子接続孔に貫通した状態で、前記接続端子と半田付けされ、
前記第１面には前記回路部品が実装されない非実装領域が形成され、
前記非実装領域は、前記端子接続孔との間に他の前記回路部品が存在していない場所において、前記基板本体の端縁から前記基板本体の内側へ向かって直線状に延在する直線状領域を有する、回路基板。
【請求項２】
前記対象部品が実装される実装領域に隣接して、少なくとも前記実装領域と絶縁された絶縁領域が形成され、
前記直線状領域は、前記絶縁領域を含む領域に形成されている、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板と、前記対象部品を含む複数の前記回路部品と、前記支持部材とを有する、回路ユニット。
【請求項４】
前記支持部材は、底壁部と、前記底壁部から立ち上がる周壁部とを有するケースであり、
前記対象部品は、前記回路基板の前記基板面が前記底壁部と平行状となる状態で前記底壁部と前記回路基板との間に配置され、
前記回路基板は、前記基板面に平行な方向視で前記周壁部と重複しない位置に配置されている、請求項３に記載の回路ユニット。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の回路ユニットを備え、直流と交流との間で電力を変換するインバータ装置であって、
前記対象部品は、インバータ回路を構成する複数のスイッチング素子を有したスイッチング素子モジュールであり、
前記回路基板は、前記スイッチング素子モジュールをスイッチング制御する制御回路が少なくとも形成された制御基板である、インバータ装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の回路基板の検査方法であって、
前記基板本体の端縁から前記直線状領域に沿って撮影装置を挿入して、前記回路基板の前記第１面における前記基板本体と前記接続端子との半田付けの状態を検査する回路基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の接続端子を有したディスクリート部品を含む複数の回路部品が実装される回路基板、その回路基板を有した回路ユニット、インバータ装置、及び回路基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２０１１−１６９７９１号公報には、ディスクリート部品が実装された回路基板における当該ディスクリート部品の半田付けの状態を、Ｘ線を利用して検査する技術が開示されている。このＸ線検査方法では、回路基板に交差するようにＸ線を照射し、回路基板を透過したＸ線を検出して、回路基板のスルーホールにおける複数位置での水平断面画像を生成し、その水平断面画像に基づいて半田付けの状態を判定している。
【０００３】
ここで、ディスクリート部品に金属製のヒートシンクが取り付けられていたり、ディスクリート部品が先に筐体等の支持部材に固定された後に回路基板に半田付けされたりすると、ヒートシンクや支持部材がＸ線の透過経路に位置して、適切にＸ線が回路基板を透過しない場合がある。つまり、上記のようにＸ線を用いて生成した画像に基づいて半田付けの状態を判定しようとしても必要な判定精度を得られない可能性がある。このような判定精度に考慮して、或いは比較的コストが高いＸ線を用いた検査装置の利用を考慮して、目視検査を行うことも考えられる。しかし、スルーホールの位置が、検査対象のディスクリート部品とは別の回路部品の死角となって充分に目視検査ができない場合がある。一方、目視検査の利便性を重視して、基板上に多くの空きスペースを設けると、実装効率が低下してコストの上昇を招く可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６９７９１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記背景に鑑みて、複数の回路部品が実装される回路基板上で、複数の接続端子を有したディスクリート部品である対象部品の半田付けの状態を適切に検査することができる技術の提供が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記に鑑みた、複数の接続端子を有したディスクリート部品である対象部品を含む複数の回路部品が基板本体の基板面に実装される回路基板は、
前記基板面の一方側である第１面は、前記基板本体とは別の支持部材に支持されている前記対象部品に対向して配置され、
前記基板本体は、前記接続端子が貫通する端子接続孔を複数有し、前記対象部品から延びる複数の前記接続端子が前記端子接続孔に貫通した状態で、前記接続端子と半田付けされ、
前記第１面には前記回路部品が実装されない非実装領域が形成され、
前記非実装領域は、前記端子接続孔との間に他の前記回路部品が存在していない場所において、前記基板本体の端縁から前記基板本体の内側へ向かって直線状に延在する直線状領域を有する。
【０００７】
半田による接合部は、一般的にスルーホールとして形成されている端子接続孔を挟んで、基板本体の両面に形成される。第１面の側には、支持部材が存在するため、第１面の側において半田による接合部が適切に形成されているかどうかを、目視を含めた光学的な手法によって検査することは容易ではない。しかし、本構成によれば、端子接続孔との間に他の回路部品が存在していない場所において、直線状領域が形成されており、当該直線状領域を介して端子接続孔までの視野を確保することができる。この直線状領域は、基板本体の端縁から基板本体の内側へ向かって延在しているため、回路基板の基板面に沿った方向から適切に端子接続孔までの視野を確保することができる。このように、本構成によれば、複数の回路部品が実装される回路基板上で、複数の接続端子を有したディスクリート部品である対象部品の半田付けの状態を適切に検査することができる。
【０００８】
回路基板のさらなる特徴と利点は、図面を参照して説明する実施形態についての以下の記載から明確となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インバータ装置の部分的な分解斜視図
【図２】インバータ装置の模式的回路ブロック図
【図３】インバータ装置の模式的分解断面図
【図４】制御基板の模式的配置図
【図５】制御基板の模式的部分拡大図
【図６】良好な接合状態の接合部の模式的断面図
【図７】不充分な接合状態の接合部の模式的断面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、インバータ装置を例として、回路ユニット、回路基板、回路基板の検査方法の実施形態を説明する。図１は、回路ユニットとしてのインバータ装置４０の部分的な分解斜視図であり、図２は、インバータ装置４０の回路ブロック図であり、図３は、インバータ装置４０の模式的分解断面図を示している。本実施形態では、図２に示すように、交流の回転電機８０を駆動するインバータ装置４０を例示する。インバータ装置４０は、インバータ回路（スイッチング素子モジュール３０）、制御回路（インバータ制御回路（INV-CTRL）２１及びドライブ回路（DRV-CCT）２２）を備えている。インバータ回路は、直流電源９と回転電機８０との間に接続されて、直流と交流との間で電力を変換する。尚、インバータ装置４０は、インバータ回路の直流側の電圧を平滑する直流リンクコンデンサ４（平滑コンデンサ）や、交流の電流を検出する電流センサ８２を含んでいてもよい。
【００１１】
図１及び図３に示すように、インバータ装置４０は、支持部材としての第１ケース５０（ケース）と、第２ケース７０と、対象部品としてのスイッチング素子モジュール３０と、回路基板としての制御基板１と、を備えている。後述するように、インバータ回路は、複数のスイッチング素子３を有したスイッチング素子モジュール３０として構成されている。また、制御基板１には、スイッチング素子モジュール３０の各スイッチング素子３をスイッチング制御するインバータ制御回路２１が少なくとも形成されている。本実施形態では、制御基板１には、インバータ制御回路２１とドライブ回路２２とが形成されている。
【００１２】
図１及び図３に示すように、第１ケース５０は、第１底壁部５１（底壁部）と、第１底壁部５１から立ち上がる第１周壁部５２（周壁部）とを有している。第１周壁部５２の端縁には、第２ケース７０と当接する第１当接部５３が形成されている。また、図３に示すように、第２ケース７０も、同様に第２底壁部７１と、第２底壁部７１から立ち上がる第２周壁部７２とを有している。第２周壁部７２の端縁には、第１ケース５０と当接する第２当接部７３が形成されている。第１当接部５３と第２当接部７３とが当接することで、第１ケース５０の内側と第２ケース７０の内側とが閉じた空間（ケース内空間）となり、当該ケース内空間に制御基板１やスイッチング素子モジュール３０や、その他の不図示の部品が収容される。
【００１３】
第１ケース５０は、スイッチング素子モジュール３０を支持する支持部材として機能する。第１ケース５０の第１底壁部５１には、モジュール固定部５６が立設されている。本実施形態では、スイッチング素子モジュール３０は、固定用孔３９が形成された固定端子３８を備えている。スイッチング素子モジュール３０の固定端子３８が、モジュール固定部５６に締結部材３７によって固定されることにより、スイッチング素子モジュール３０は、支持部材としての第１ケース５０に支持固定される。本実施形態では、第１ケース５０は、金属製であり、スイッチング素子モジュール３０は、第１底壁部５１に当接する。第１ケース５０は、スイッチング素子モジュール３０のヒートシンクとして機能する。尚、別途スイッチング素子モジュール３０にヒートシンクが取り付けられる形態であってもよい。例えば、第１ケース５０が非金属（樹脂など）であり、第１ケース５０に金属製のヒートシンクとスイッチング素子モジュール３０とが支持される形態であってもよい。
【００１４】
第１底壁部５１には、制御基板１を固定するための基板固定部５４も立設されている。第１底壁部５１から基板固定部５４の先端までの長さは、第１底壁部５１からモジュール固定部５６の先端までの長さよりも長い。本実施形態では、制御基板１は長方形状であり、その４つの角部に対応するように、基板固定部５４も４つ設けられている。制御基板１の４つの角部には、それぞれ固定用孔１９が形成されている。固定用孔１９を貫通する締結部材１７が基板固定部５４に締結されることによって、制御基板１が第１ケース５０に固定支持される。制御基板１は、制御基板１の基板面が第１底壁部５１と平行状となる状態で第１ケース５０に設置される。詳細は後述するが、制御基板１は、基板面に平行な方向視で第１周壁部５２と重複しない位置に配置されている。
【００１５】
図１等に示すように、スイッチング素子モジュール３０は、複数の接続端子３３を有したディスクリート部品である。制御基板１には、複数の接続端子３３に対応して、接続端子３３が貫通する端子接続孔１３が複数形成されている。第１ケース５０にスイッチング素子モジュール３０が固定された状態で、制御基板１は、基板面の一方側である第１面１１が、スイッチング素子モジュール３０に対向して配置される。この際、制御基板１は、スイッチング素子モジュール３０から延びる複数の接続端子３３が端子接続孔１３を貫通するように第１ケース５０に設置される。つまり、スイッチング素子モジュール３０は、制御基板１の基板面が第１底壁部５１と平行状となる状態で第１底壁部５１と制御基板１との間に配置される。制御基板１は、接続端子３３が端子接続孔１３を貫通している状態で、締結部材１７によって第１ケース５０に固定される。この状態において、スイッチング素子モジュール３０と制御基板１とは、共に機械的に第１ケース５０に固定される。
【００１６】
図６に示すように、端子接続孔１３は、制御基板１の基板本体１０を貫通する貫通孔であり、貫通孔の内壁にはメッキ等により導電部が形成されている。さらに、基板本体１０の基板面の一方側である第１面１１及び他方側の第２面には、貫通孔の内壁の導電部と連続したパッドが形成されている。つまり、端子接続孔１３は、第１面１１、貫通孔、第２面１２に連続して形成された導電層１５を有するスルーホールとして形成されている。制御基板１は、スイッチング素子モジュール３０から延びる複数の接続端子３３が端子接続孔１３に貫通した状態で、接続端子３３と半田付けされる。つまり、上述したように、スイッチング素子モジュール３０と制御基板１とが共に機械的に第１ケース５０に固定された状態で、第２面１２の側から接続端子３３が端子接続孔１３に半田付けされる。このため、半田付けの後にスイッチング素子モジュール３０や制御基板１が第１ケース５０に締結される場合に比べて、端子接続孔１３に掛かる機械的負荷が軽減される。
【００１７】
制御基板１は、スイッチング素子モジュール３０を含む複数の回路部品２０が基板本体１０の基板面に実装される回路基板である。図２の回路ブロック図に示すように、インバータ回路は、複数のスイッチング素子３を有して構成される。スイッチング素子３には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide - Metal Oxide Semiconductor FET）やＳｉＣ−ＳＩＴ（SiC - Static Induction  Transistor）、ＧａＮ−ＭＯＳＦＥＴ（Gallium Nitride - MOSFET）などの高周波での動作が可能なパワー半導体素子を適用すると好適である。図２に示すように、本実施形態では、スイッチング素子３としてＩＧＢＴを例示している。
【００１８】
インバータ回路は、よく知られているように複数相（ここでは３相）のそれぞれに対応する数のアーム３Ａを有するブリッジ回路により構成される。図２に示すように、インバータ回路の直流正極側と直流負極側との間に上段側スイッチング素子３１と下段側スイッチング素子３２とが直列に接続されて１つのアーム３Ａが構成される。また、各スイッチング素子３には、負極から正極へ向かう方向（下段側から上段側へ向かう方向）を順方向として、並列にフリーホイールダイオード３５が備えられている。本実施形態では、フリーホイールダイオード３５も含めて、３相分のアーム３Ａが１つのスイッチング素子モジュール３０として構成されている形態を例示している。
【００１９】
各スイッチング素子３をスイッチング制御するインバータ制御回路２１は、マイクロコンピュータ等のプロセッサを中核部材として構築されている。例えば、インバータ制御回路２１は、回転電機８０の目標トルクに基づいて、ベクトル制御法を用いた電流フィードバック制御を行って、インバータ回路を介して回転電機８０を制御する。回転電機８０を流れる実電流は電流センサ８２により検出され、回転電機８０のロータの各時点での磁極位置は、例えばレゾルバなどの回転センサ８３により検出される。インバータ制御回路２１は、電流センサ８２及び回転センサ８３の検出結果を用いて、電流フィードバック制御を実行する。
【００２０】
図２に示すように、各スイッチング素子３の制御端子（ＩＧＢＴやＦＥＴの場合はゲート端子）は、ドライブ回路２２を介してインバータ制御回路２１に接続されており、それぞれ個別にスイッチング制御される。回転電機８０を駆動するための回路（高圧系回路）と、マイクロコンピュータなどを中核とするインバータ制御回路２１などの回路（低圧系回路）とは、動作電圧（回路の電源電圧）が大きく異なる場合がある。このような場合には、各スイッチング素子３に対する駆動信号（スイッチング制御信号）の駆動能力（例えば電圧振幅や出力電流など、後段の回路を動作させる能力）をそれぞれ高めて中継するドライブ回路２２が備えられる。ドライブ回路２２は、例えばフォトカプラやトランスなどの絶縁素子やドライバＩＣを利用して構成される。
【００２１】
また、制御基板１には、必要に応じて、互いに基準電位が異なる回路が配置される回路領域との間に絶縁領域ＲＩ（図５参照）が形成されている。基準電位が異なる回路とは、例えば、上述した高圧系回路と低圧系回路とであり、高圧系回路と低圧系回路との間に絶縁領域ＲＩが形成される。また、高圧系回路の中でも、例えば３相のアーム３Ａの上段側スイッチング素子３１同士は、互いに基準電位が異なる回路である。従って、３相各相の上段側スイッチング素子３１を含む回路の間にも絶縁領域ＲＩが形成される場合がある。また、上段側スイッチング素子３１を含む回路と、下段側スイッチング素子３２を含む回路との間に絶縁領域ＲＩが形成される場合もある。
【００２２】
ところで、上述したように、接続端子３３は、第２面１２の側から端子接続孔１３に半田付けされる（図３参照）。つまり、半田６は、第２面１２の導電層１５（ランド）、貫通孔の導電層１５（内壁）、第１面の導電層１５（ランド）の順に半田が浸透する。図６は、良好に半田６が浸透し、良好な接合状態の接合部７が形成された形態を例示している。一方、図７は、半田６が充分に浸透せず、半田６の量が不足して、不充分な接合状態の接合部７が形成された形態を例示している。図７のような接合状態であっても半田付けの直後は、電気的な接続を満足することがある。このため、電気的な検査では、不充分な接合状態を適切に見つけることができない場合がある。
【００２３】
一方、目視検査や光学的画像認識などの検査を行う場合には、主に第２面１２の側からの検査となる。図６と図７との比較により明らかなように、第１面１１の側への半田６の浸透が不充分であっても、第２面１２の側には良好な状態の接合部７が形成される可能性が高い。このため、単純に第２面１２の側から目視検査や光学的画像認識を行っても不充分な接合状態であることを見落とす可能性がある。
【００２４】
ここで、例えば、Ｘ線を用いると、第１底壁部５１の側を向いた第１面１１における半田付けの状態を検査することができる。しかし、上述したように第１ケース５０が金属製の場合には、Ｘ線が充分に透過せず、第１面１１の側の半田付けの状態を精度良く検査することが困難である。
【００２５】
そこで、本実施形態では、制御基板１における回路部品２０の模式的配置図である図４に示すように、第１面１１の回路部品２０が実装されない非実装領域に、直線状領域ＲＬが設けられている。つまり、非実装領域は、端子接続孔１３との間に、スイッチング素子モジュール３０とは別の回路部品２０が存在していない場所において、基板本体１０の端縁１０Ｅから基板本体１０の内側へ向かって直線状に延在する直線状領域ＲＬを有する。直線状領域ＲＬは、図４に例示するように、端子接続孔１３に沿って形成されていると好適である。
【００２６】
本実施形態では、直線状領域ＲＬは、一定幅で直線的に延びる帯状に形成されている。尚、直線状領域ＲＬを含む非実装領域の全体の形状は特に限定されない。言い換えると、制御基板１に直交する方向視での非実装領域の平面形状は、直線状或いは帯状に限定されるものではなく、当該直線状或いは帯状の領域（直線状領域ＲＬ）が確保されている限り、任意の形状であってよい。
【００２７】
図３に示すように、第１面１１の側には、支持部材としての第１ケース５０やスイッチング素子モジュール３０自身が存在するため、第１面１１の側において半田６による接合部７が適切に形成されているかどうかを、目視を含めた光学的な手法によって検査することが容易ではない。しかし、直線状領域ＲＬを設けることで、直線状領域ＲＬを介して端子接続孔１３までの視野を確保することができる。直線状領域ＲＬは、基板本体１０の端縁１０Ｅから延在しているため、基板面に沿った方向から適切に端子接続孔１３までの視野を確保することができる。
【００２８】
このように直線状領域ＲＬを設定すると、基板面における空きスペースが増大して、実装効率を低下させる可能性がある。しかし、上述したように、制御基板１には、基準電圧が異なる複数の回路が形成される場合がある。そして、基準電圧が異なる回路が形成されるそれぞれの実装領域の間には、制御基板１の模式的部分拡大図である図８に示すように、絶縁領域ＲＩが形成される。例えば、スイッチング素子モジュール３０が実装される実装領域に隣接して、少なくともその実装領域と絶縁された絶縁領域ＲＩが形成される。直線状領域ＲＬは、そのような絶縁領域ＲＩを含む領域に形成されていると好適である。直線状領域ＲＬが絶縁領域ＲＩを含むことで、制御基板１における空きスペースの増加を抑制して、直線状領域ＲＬを適切に設定することができる。
【００２９】
また、上述したように、本実施形態では、制御基板１が、基板面に平行な方向視で第１周壁部５２と重複しない位置に配置されている。このため、第１面１１に沿って、直線状領域ＲＬを介して適切に接続端子３３と端子接続孔１３との半田付けの状態を検査することができる。
【００３０】
尚、検査は、目視に限らず、内視鏡のようなスコープカメラや、光ファイバーを用いてカメラに撮影対象からの光を伝達する検査装置など、撮影装置を利用して行ってもよい。例えば、基板本体１０の端縁１０Ｅから直線状領域ＲＬに沿って、そのような撮影装置２を挿入して、制御基板１の第１面１１における基板本体１０（端子接続孔１３）と接続端子３３との半田付けの状態を検査することも好適である。
【００３１】
直線状領域ＲＬは、基板本体１０の端縁１０Ｅから基板本体１０の内側へ向かって直線状に延在するので、例えば線状の撮影装置２が通る経路として好適である。撮影装置２より、接続端子３３及び端子接続孔１３の近傍から半田付けの状態を確認することができるので、高い精度で半田付けの状態を検査することができる。
【００３２】
〔その他の実施形態〕
以下、その他の実施形態について説明する。尚、以下に説明する各実施形態の構成は、それぞれ単独で適用されるものに限られず、矛盾が生じない限り、他の実施形態の構成と組み合わせて適用することも可能である。
【００３３】
（１）上記においては、３相のアーム３Ａの全てが１つのスイッチング素子モジュール３０として構成されている形態を例示した。しかし、同様のインバータ回路の構成において、１相のアーム３Ａで１つのスイッチング素子モジュール３０を構成し、制御基板１に３つのスイッチング素子モジュール３０（対象部品）が実装される形態であってもよい。あるいは、１つのスイッチング素子３とそれに対応するフリーホイールダイオード３５とにより、１つのスイッチング素子モジュール３０が形成される形態であってもよい。つまり、対象部品は複数個存在してもよい。
【００３４】
（２）上記においては、支持部材が第１周壁部５２を有する第１ケース５０である形態を例示したが、支持部材は第１周壁部５２を持たない台座状の部材であってもよい。
【００３５】
〔実施形態の概要〕
以下、上記において説明した回路基板（１）、回路ユニット（４０）、インバータ装置（４０）、回路基板の検査方法の概要について簡単に説明する。
【００３６】
１つの態様として、複数の接続端子（３３）を有したディスクリート部品である対象部品（３０）を含む複数の回路部品（２０）が基板本体（１０）の基板面（１１，１２）に実装される回路基板（１）は、
前記基板面（１１，１２）の一方側である第１面（１１）は、前記基板本体（１０）とは別の支持部材（５０）に支持されている前記対象部品（３０）に対向して配置され、
前記基板本体（１０）は、前記接続端子（３３）が貫通する端子接続孔（１３）を複数有し、前記対象部品（３０）から延びる複数の前記接続端子（３３）が前記端子接続孔（１３）に貫通した状態で、前記接続端子（３３）と半田付けされ、
前記第１面（１１）には前記回路部品（２０）が実装されない非実装領域が形成され、
前記非実装領域は、前記端子接続孔（１３）との間に他の前記回路部品（２０）が存在していない場所において、前記基板本体（１０）の端縁（１０Ｅ）から前記基板本体（１０）の内側へ向かって直線状に延在する直線状領域（ＲＬ）を有する。
【００３７】
半田による接合部（７）は、一般的にスルーホールとして形成されている端子接続孔（１３）を挟んで、基板本体（１０）の両面（１１，１２）に形成される。第１面（１１）の側には、支持部材（５０）が存在するため、第１面（１１）の側において半田による接合部（７）が適切に形成されているかどうかを、目視を含めた光学的な手法によって検査することは容易ではない。しかし、本構成によれば、端子接続孔（１３）との間に他の回路部品（２０）が存在していない場所において、直線状領域（ＲＬ）が形成されており、当該直線状領域（ＲＬ）を介して端子接続孔（１３）までの視野を確保することができる。この直線状領域（ＲＬ）は、基板本体（１０）の端縁（１０Ｅ）から基板本体（１０）の内側へ向かって延在しているため、回路基板（１）の基板面（１１，１２）に沿った方向から適切に端子接続孔（１３）までの視野を確保することができる。尚、直線状領域（ＲＬ）における延在方向に直交する横方向の幅を小さくすれば、基板面に多くの空きスペースを必要とすることもない。このように、本構成によれば、複数の回路部品（２０）が実装される回路基板（１）上で、複数の接続端子（３３）を有したディスクリート部品である対象部品（３０）の半田付けの状態を適切に検査することができる。
【００３８】
ここで、前記対象部品（３０）が実装される実装領域に隣接して、少なくとも前記実装領域と絶縁された絶縁領域（ＲＩ）が形成され、前記直線状領域（ＲＬ）は、前記絶縁領域（ＲＩ）を含む領域に形成されていると好適である。
【００３９】
絶縁領域（ＲＩ）は、絶縁性を確保するために、一般的に実施部品（２０）が実装されない領域である。直線状領域（ＲＬ）が絶縁領域（ＲＩ）を含むことで、回路基板（１）上の空きスペースの増加を抑制して、直線状領域（ＲＬ）を適切に設定することができる。
【００４０】
上述した回路基板（１）と、前記対象部品（３０）を含む複数の前記回路部品（２０）と、前記支持部材（５０）とを有して回路ユニット（４０）が構成されると好適である。
【００４１】
本構成によれば、回路ユニット（４０）として構成された状態でも適切に半田付けの状態を検査することができる。
【００４２】
また、回路ユニット（４０）は、前記支持部材（５０）が、底壁部（５１）と、前記底壁部（５１）から立ち上がる周壁部（５２）とを有するケース（５０）であり、前記対象部品（３０）が、前記回路基板（１）の前記基板面（１１，１２）が前記底壁部（５１）と平行状となる状態で前記底壁部（５１）と前記回路基板（１）との間に配置され、前記回路基板（１）が、前記基板面（１１，１２）に平行な方向視で前記周壁部（５２）と重複しない位置に配置されていると好適である。
【００４３】
この構成によれば、支持部材（５０）としてのケース（５０）に回路基板（１）が配置された状態で、第１面（１１）は、基板面（１１，１２）に平行な方向視で、ケース（５０）の周壁部（５２）と重複していない。従って、回路基板（１）がケース（５０）に設置された状態であっても、直線状領域（ＲＬ）を介して第１面（１１）の端子接続孔（１３）における対象部品（３０）の半田付けの状態を適切に検査することができる。
【００４４】
また、上記回路ユニット（４０）を備え、直流と交流との間で電力を変換するインバータ装置（４０）は、前記対象部品（３０）が、インバータ回路を構成する複数のスイッチング素子（３）を有したスイッチング素子モジュール（３０）であり、前記回路基板（１）が、前記スイッチング素子モジュール（３０）をスイッチング制御する制御回路（２１）が少なくとも形成された制御基板であると好適である。
【００４５】
インバータ装置（４０）におけるスイッチング素子モジュール（３０）は、多くの場合、発熱量が大きく、放熱のためにヒートシンクを備える。また、インバータ装置（４０）を小型化するために、制御基板（１）やスイッチング素子モジュール（３０）を収容するケース（５０）にヒートシンクの機能を持たせる場合も多い。ヒートシンクは、熱伝導率のよい金属を用いて構成されることが多く、回路基板（１）の検査にＸ線を利用するような場合には、ヒートシンクがＸ線の透過を妨げる。本構成によれば、Ｘ線の透過を妨げる可能性が高い部品が用いられることが多いインバータ装置（４０）においても、適切に対象部品（３０）であるスイッチング素子モジュール（３０）の半田付けの状態を検査することができる。
【００４６】
上述した回路基板（１）において対象部品（５０）の半田付けの状態を検査する回路基板の検査方法は、１つの態様として、前記基板本体（１０）の端縁（１０Ｅ）から前記直線状領域（ＲＬ）に沿って撮影装置（２）を挿入して、前記回路基板（１）の前記第１面（１１）における前記基板本体（１０）と前記接続端子（３３）との半田付けの状態を検査するものであると好適である。
【００４７】
直線状領域（ＲＬ）は、基板本体（１０）の端縁（１０Ｅ）から基板本体（１０）の内側へ向かって直線状に延在するので、例えば線状の撮影装置（２）が通る経路とすることができる。撮影装置（２）より、接続端子（３３）及び端子接続孔（１３）の近傍から半田付けの状態を確認することができるので、高い精度で半田付けの状態を検査することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１      制御基板（回路基板）
２      撮像装置
６      半田
１      基板本体
１０Ｅ  基板の端縁
１１    第１面
１３    端子接続孔
２０    回路部品
２１    インバータ制御回路（制御回路）
３０    スイッチング素子モジュール（対象部品）
３３    接続端子
３９    固定孔
４０    インバータ装置（回路ユニット）
５０    第１ケース（支持部材）
５１    底壁部
５２    側壁部
ＲＩ    絶縁領域
ＲＬ    直線状領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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