(57)【要約】【課題】不揮発性メモリーに記憶されたデータのエラーを検出するためのエラー検出用データを、回路装置内において生成できる回路装置、電気光学装置、電子機器及び移動体等を提供すること。【解決手段】回路装置１００は、設定データを受信するインターフェース回路１２０と、設定データに基づいて回路装置１００の動作を制御すると共に、不揮発性メモリー１０へのアクセスを制御する制御回路１１０と、を含む。制御回路１１０は、インターフェース回路１２０が受信した設定データに基づいてエラー検出用データを生成し、設定データとエラー検出用データとを不揮発性メモリー１０に書き込む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定データを受信するインターフェース回路と、
前記設定データに基づいて回路装置の動作を制御すると共に、不揮発性メモリーへのアクセスを制御する制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記インターフェース回路が受信した前記設定データに基づいてエラー検出用データを生成し、前記設定データと前記エラー検出用データとを前記不揮発性メモリーに書き込むことを特徴とする回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記制御回路は演算部を含み、
前記演算部が、前記インターフェース回路が受信した前記設定データに基づいて前記エラー検出用データを生成することを特徴とする回路装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
レジスターを含み、
前記インターフェース回路は、
受信した前記設定データを前記レジスターに書き込み、
前記制御回路は、
前記レジスターに書き込まれた前記設定データに基づいて前記エラー検出用データを生成することを特徴とする回路装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記制御回路は、
前記設定データと前記エラー検出用データとを前記不揮発性メモリーから読み出し、前記不揮発性メモリーから読み出した前記設定データに基づいて、前記エラー検出用データと比較するための比較用データを生成することを特徴とする回路装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記制御回路は、
前記エラー検出用データと前記比較用データとの比較を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記制御回路は比較部を含み、
前記比較部が、前記エラー検出用データと前記比較用データとの比較を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記制御回路は、
前記比較の結果に基づいてエラー検出信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項８】
請求項５又は６において、
前記制御回路は、
前記比較の結果が不一致である回数をカウントし、カウント値がｎ（ｎは１以上の整数）となったときにエラー検出信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記不揮発性メモリーを含むことを特徴とする回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
電気光学パネルを駆動する駆動回路を含み、
前記設定データは、前記駆動回路が用いる電圧を設定するデータであることを特徴とする回路装置。
【請求項１１】
電気光学パネルと、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載され、前記電気光学パネルを駆動する前記回路装置と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載される前記回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載される前記回路装置を含むことを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置、電気光学装置、電子機器及び移動体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
データのエラーをチェックする手法として、例えばＣＲＣ（Cyclic Redundancy Check）又はチェックサム等の手法が知られている。これらの手法では、オリジナルデータから演算した検査符号の期待値と、エラー検出対象のデータから演算した検査符号とを比較することで、それらが一致するか否かを判定する。
【０００３】
このようなエラー検出手法を不揮発性メモリーに適用した従来技術が特許文献１に開示されている。特許文献１では、液晶表示装置の外部にＲＯＭが設けられており、そのＲＯＭには制御データと検査符号の期待値とが記憶されている。液晶表示装置は制御装置を有し、その制御装置はＲＯＭから設定レジスターに設定データをロードする。制御装置は、設定レジスターに記憶された設定データから検査符号を演算する。そして、制御装置は、設定レジスターの電源用電圧が所定の許可条件を逸脱する変動をした場合に、演算により求めた検査符号と、ＲＯＭから読み出した検査符号の期待値とを比較することでエラー検出を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６４７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
不揮発性メモリーに記憶されたデータのエラーを検出するとき、上記のように不揮発性メモリーに検査符号を記憶させておく。しかし、特許文献１では、不揮発性メモリーに記憶させる検査符号をどのように準備したのかが開示されていない。特許文献１では、制御装置が不揮発性メモリーに対してデータを書き込む構成になっていないので、制御装置の外部で検査符号を演算し、その検査符号を設定データと共に不揮発性メモリーに書き込むと考えられる。このように、特許文献１では、不揮発性メモリーに設定データを書き込む際に制御装置の外部で検査符号を演算することが必要であり、手順が煩雑になっている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、設定データを受信するインターフェース回路と、前記設定データに基づいて回路装置の動作を制御すると共に、不揮発性メモリーへのアクセスを制御する制御回路と、を含み、制御回路は、前記インターフェース回路が受信した前記設定データに基づいてエラー検出用データを生成し、前記設定データと前記エラー検出用データとを前記不揮発性メモリーに書き込む回路装置に関係する。
【０００７】
また本発明の一態様では、前記制御回路は演算部を含み、前記演算部が、前記インターフェース回路が受信した前記設定データに基づいて前記エラー検出用データを生成してもよい。
【０００８】
また本発明の一態様では、回路装置はレジスターを含み、前記インターフェース回路は、受信した前記設定データを前記レジスターに書き込み、前記制御回路は、前記レジスターに書き込まれた前記設定データに基づいて前記エラー検出用データを生成してもよい。
【０００９】
また本発明の一態様では、前記制御回路は、前記設定データと前記エラー検出用データとを前記不揮発性メモリーから読み出し、前記不揮発性メモリーから読み出した前記設定データに基づいて、前記エラー検出用データと比較するための比較用データを生成してもよい。
【００１０】
また本発明の一態様では、前記制御回路は、前記エラー検出用データと前記比較用データとの比較を行ってもよい。
【００１１】
また本発明の一態様では、前記制御回路は比較部を含み、前記比較部が、前記エラー検出用データと前記比較用データとの比較を行ってもよい。
【００１２】
また本発明の一態様では、前記制御回路は、前記比較の結果に基づいてエラー検出信号を出力してもよい。
【００１３】
また本発明の一態様では、前記制御回路は、前記比較の結果が不一致である回数をカウントし、カウント値がｎ（ｎは１以上の整数）となったときにエラー検出信号を出力してもよい。
【００１４】
また本発明の一態様では、回路装置は、前記不揮発性メモリーを含んでもよい。
【００１５】
また本発明の一態様では、回路装置は、電気光学パネルを駆動する駆動回路を含み、前記設定データは、駆動回路が用いる電圧を設定するデータであってもよい。
【００１６】
また本発明の他の態様は、電気光学パネルと、上記のいずれかに記載され、前記電気光学パネルを駆動する回路装置と、を含む電気光学装置に関係する。
【００１７】
また本発明の更に他の態様は、上記のいずれかに記載される回路装置を含む電子機器に関係する。
【００１８】
また本発明の更に他の態様は、上記のいずれかに記載される回路装置を含む移動体に関係する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】回路装置の第１構成例。
【図２】制御回路の詳細な構成例。
【図３】不揮発性メモリーに記憶されるデータを模式的に示す図。
【図４】プログラム時の動作を説明する図。
【図５】ロード時の動作を説明する図。
【図６】回路装置の第２構成例。
【図７】電気光学装置の構成例。
【図８】電気光学装置におけるプログラム時の処理の手順を示すフローチャートである。
【図９】電子機器の構成例。
【図１０】移動体の例。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００２１】
１．回路装置
【００２２】
図１は、回路装置１００の第１構成例である。回路装置１００は、不揮発性メモリー１０と制御回路１１０とインターフェース回路１２０とレジスター１３０とを含む。回路装置１００は例えば集積回路装置である。なお、図６で後述するように不揮発性メモリー１０が回路装置１００の外部に設けられてもよい。
【００２３】
インターフェース回路１２０は、回路装置１００の外部に設けられた処理装置３１０と回路装置１００との間の通信を行う。インターフェース回路１２０は、処理装置３１０から設定データを受信し、その設定データをレジスター１３０に書き込む。設定データは、例えばレジスター設定値や、コマンド等である。またインターフェース回路１２０は、処理装置３１０に対して種々のデータを送信する。処理装置３１０に送信されるデータは、例えばレジスターから読み出したデータである。インターフェース回路１２０の通信方式としては、例えばＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）方式やＩ２Ｃ（Inter Integrated Circuit）方式、ＬＶＤＳ（Low Voltage Differential Signaling）方式、ＲＧＢシリアルインターフェース方式等を採用できる。
【００２４】
処理装置３１０は、例えばプロセッサー又はＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）であり、回路装置１００を制御するコントローラーである。プロセッサーは例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）又はＭＰＵ（Micro Processor Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal processor）等である。例えば回路装置１００が表示ドライバーであり、処理装置３１０が表示ドライバーのコントローラーである場合、処理装置３１０の回路装置１００に対する制御とは、例えば、画像データを３１０から回路装置１００に水平、垂直同期データ信号を送信する、表示状態データ送信等を意味する。
【００２５】
制御回路１１０は、回路装置１００を制御する。具体的には、制御回路１１０は、レジスター１３０に記憶された設定データを読み出し、その設定データに基づいて回路装置１００の動作を制御する。また制御回路１１０は、不揮発性メモリー１０へのアクセスを制御する。即ち、制御回路１１０は、アドレスとデータと書き込み信号を不揮発性メモリー１０へ送信し、不揮発性メモリー１０は、そのアドレスが指定するメモリー領域にデータを書き込む。また制御回路１１０は、アドレスと読み出し信号を不揮発性メモリー１０へ送信し、不揮発性メモリー１０は、そのアドレスが指定するメモリー領域からデータを読み出し、その読み出したデータを制御回路１１０へ送信する。制御回路１１０はロジック回路により構成される。例えば、制御回路１１０は、ゲートアレイ回路又はスタンダードセルアレイ回路である。例えば回路装置１００が表示ドライバーである場合、制御回路１１０の回路装置１００に対する制御とは、表示出力線の電圧設定、表示素子のゲートのオンオフ制御等を意味する。
【００２６】
なお、ゲートアレイ回路とは、ロジックセルが自動的に配置され、且つ信号線が自動的に配線されたアレイ回路である。また、スタンダードセルアレイ回路において、ロジックセルは標準化されたセルになっている。スタンダードセルアレイ回路とは、ロジックセルアレイに対して信号線が自動的に配線されたアレイ回路である。
【００２７】
レジスター１３０は、回路装置１００の動作を設定する設定データを記憶する。例えば、レジスター１３０は複数のラッチ回路又は複数のフリップフロップ回路を含み、その複数のラッチ回路又は複数のフリップフロップ回路が設定データを記憶する。なお、レジスター１３０と制御回路１１０が一体のゲートアレイ回路又はスタンダードセル回路により構成されてもよい。
【００２８】
不揮発性メモリー１０は、不揮発性の記憶装置であり、電源が非供給でもデータを保持して記憶できる装置である。不揮発性メモリー１０は、複数のワード線と、複数のビット線と、複数のメモリーセルと、を含む。また不揮発性メモリー１０は、ワード線を選択するワード線選択回路と、メモリーセルからのデータの読み出し制御を行う読み出し制御回路と、メモリーセルへのデータの書き込み制御を行う書き込み制御回路と、を含むことができる。
【００２９】
読み出し制御回路は、ビット線に接続されたセンスアンプを含む。不揮発性メモリー１０がアドレス及びデータ、書き込み信号を受信したとき、ワード線選択回路は、アドレスに対応したワード線を選択し、書き込み制御回路は、データに対応した信号をビット線に出力する。これにより、選択されたワード線に接続されたメモリーセルにデータが書き込まれる。不揮発性メモリー１０がアドレス及び読み出し信号を受信したとき、ワード線選択回路は、アドレスに対応したワード線を選択する。これにより、選択されたワード線に接続されたメモリーセルから信号がビット線に出力される。読み出し制御回路は、その信号に基づいてデータを読み出す。
【００３０】
不揮発性メモリー１０は、例えばＯＴＰ（One Time Programmable）のデバイスである。不揮発性メモリー１０としては、例えばＦＡＭＯＳ（Floating gate Avalanche injection MOS）などを用いることができる。ＦＡＭＯＳは、アバランシェ注入により電荷を浮遊ゲートに蓄積する方式のメモリーである。或いは不揮発性メモリー１０は、データの電気的な消去が可能なＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）であってもよい。或いは不揮発性メモリー１０は、ヒューズセルを用いたメモリーであってもよい。このタイプのメモリーでは、メモリーセルであるヒューズセルが、抵抗素子と、抵抗素子に直列接続されるセレクター素子を含む。セレクター素子は例えばＰＮ接合のダイオードである。但しセレクター素子はＭＯＳのトランジスターであってもよい。例えば抵抗素子の一端は、ビット線に接続され、抵抗の他端素子はダイオードのアノードに接続される。ダイオードのカソードはワード線に接続される。ヒューズ素子として機能する抵抗素子は、抵抗値が可変のプログラマブル抵抗である。例えば抵抗素子は、抵抗値が高いポリ抵抗と、ポリ抵抗の上層に形成され、抵抗値が低いシリサイドを有する。そしてシリサイドに大電流を流すことでシリサイドを溶断して、抵抗素子の抵抗値を低い抵抗値から高い抵抗値に変化させることで、メモリーセルであるヒューズ素子にデータを記憶させる。
【００３１】
以下、回路装置１００の動作を詳細に説明する。本実施形態では、例えば回路装置１００を含む電子機器の製造時等において事前に設定データが不揮発性メモリー１０にプログラムされる。そして、例えばユーザーが電子機器を用いるとき等の、回路装置１００が通常動作を行う際には、設定データが不揮発性メモリー１０からレジスター１３０にロードされる。
【００３２】
まず、プログラム時の動作を説明する。インターフェース回路１２０が処理装置３１０から設定データを受信すると、その設定データをレジスター１３０に書き込む。制御回路１１０は、レジスター１３０から設定データを読み出し、その設定データを不揮発性メモリー１０に書き込む。
【００３３】
このとき、制御回路１１０は、設定データに基づいてエラー検出用データを生成し、そのエラー検出用データを設定データと共に不揮発性メモリー１０に書き込む。エラー検出用データは、不揮発性メモリー１０に記憶された設定データのエラーを検出するためのデータである。具体的には、エラー検出用データはエラー検出における期待値である。例えば、制御回路１１０は、設定データからＣＲＣの検出符号を演算する。この場合、ＣＲＣの検出符号がエラー検出用データである。なお、ＣＲＣの検出符号をＣＲＣ値とも呼ぶ。或いは、制御回路１１０は、設定データからチェックサムの検出符号を演算する。この場合、チェックサムの検出符号がエラー検出用データである。なお、チェックサムの検出符号をチェックサム値とも呼ぶ。
【００３４】
本実施形態によれば、インターフェース回路１２０が受信した設定データに基づいてエラー検出用データが生成され、その設定データとエラー検出用データとが不揮発性メモリー１０に書き込まれる。これにより、回路装置１００の外部でエラー検出用データを演算することが不要となり、不揮発性メモリー１０にエラー検出用データを記憶させる手順を簡素化できる。即ち、処理装置３１０が回路装置１００に対して設定データを送信するだけで、回路装置１００が自動的に内部でエラー検出用データを生成し、そのエラー検出用データを設定データと共に不揮発性メモリー１０に記憶させる。これにより、上述した製造時等において事前に設定データが不揮発性メモリー１０にプログラムされる際に、回路装置１００の外部で演算によりエラー検出用データを演算する必要がなくなる。
【００３５】
次に、ロード時の動作を説明する。制御回路１１０は、不揮発性メモリー１０から設定データを読み出し、その設定データをレジスター１３０に書き込む。この動作は、例えば、回路装置１００に電源が投入されたとき、或いは回路装置１００の初期化時、或いは、設定データをリロードするリフレッシュ動作時に、行われる。制御回路１１０は、レジスター１３０にロードされた設定データに基づいて、回路装置１００の動作を制御する。
【００３６】
制御回路１１０は、不揮発性メモリー１０から設定データを読み出すとき、その設定データから比較用データを生成する。具体的には、エラー検出用データを演算する際の演算手法と同じ演算手法で比較用データを生成する。不揮発性メモリー１０から読み出した設定データがオリジナルの設定データと同一である場合には、比較用データとエラー検出用データは同じデータである。制御回路１１０は、不揮発性メモリー１０からエラー検出用データを読み出し、そのエラー検出用データと比較用データとを比較し、その比較結果に基づいてエラー検出信号を出力する。回路装置１００がエラー検出信号出力端子を有し、制御回路１１０は、そのエラー検出信号出力端子へエラー検出信号を出力する。或いは、制御回路１１０はインターフェース回路１２０へエラー検出信号を出力し、インターフェース回路１２０が、そのエラー検出信号を回路装置１００の外部へ出力する。
【００３７】
エラー検出信号は例えば処理装置３１０へ入力され、処理装置３１０へ入力は、エラー検出信号に基づいて、エラー検出時の動作を行う。例えば、処理装置３１０は、エラーが検出されたことを電子機器のユーザーへ通知する処理を行う。
【００３８】
本実施形態によれば、設定データとエラー検出用データとが不揮発性メモリー１０から読み出され、その読み出された設定データに基づいて比較用データが生成される。これにより、エラー検出用データと比較するための比較用データを生成できる。そして、エラー検出用データと比較用データとが一致するか否かを判定することで、不揮発性メモリー１０に記憶された設定データのエラーを検出できるようになる。
【００３９】
不揮発性メモリー１０に記憶されたデータは、経年により変化する可能性がある。また、例えば読み出し制御回路等の回路が故障することで、不揮発性メモリー１０から正常にデータが読み出されない可能性がある。設定データが異常となった場合であっても、その内容によっては回路装置１００が動作できる可能性がある。しかしながら、回路装置１００を正常な設定で動作させることが通常は望ましい。本実施形態によれば、不揮発性メモリー１０に記憶された設定データの異常が発生した場合に、その異常を検出することができる。
【００４０】
２．詳細な構成例
【００４１】
図２は、制御回路１１０の詳細な構成例である。制御回路１１０は、アクセス制御部１１１とセレクター１１２と演算部１１３と比較部１１４とカウンター１１５とを含む。これらの構成要素は個別の回路で構成されてもよい。その場合、アクセス制御部１１１はアクセス制御回路であり、演算部１１３は演算回路であり、比較部１１４は比較回路である。或いは、制御回路１１０がＤＳＰで構成される場合、ＤＳＰが時分割に処理を実行することで、アクセス制御部１１１及びセレクター１１２、演算部１１３、比較部１１４、カウンター１１５の機能が実現されてもよい。なお、図２ではレジスターに必要なデータを書き込むアドレスデコーダー等は省略している。
【００４２】
図３〜図５を用いて、制御回路１１０の動作を説明する。図３は、不揮発性メモリー１０に記憶されるデータを模式的に示す図である。図４は、プログラム時の動作を説明する図である。図５は、ロード時の動作を説明する図である。なお、以下では検出符号としてＣＲＣ値を用いる場合を例に説明するが、検出符号を求める手法はＣＲＣに限定されない。
【００４３】
図３に示すように、不揮発性メモリー１０は、設定データを格納するためのアドレスＡＤＤ０〜ＡＤＤ１５のメモリー領域と、エラー検出用データを格納するためのアドレスＡＤＤ１６のメモリー領域と、を有する。なお、設定データ及びアドレスの個数は図３に限定されない。
【００４４】
まずプログラム時の動作について説明する。処理装置３１０から受信された設定データが既にレジスター１３０に記憶されているものとする。図４に示すように、アクセス制御部１１１がアドレスＡＤＡ＝ＡＤＤ０を指定し、レジスター１３０は、アドレスＡＤＤ０に対応したレジスターアドレスのデータＲＤＴ＝ＤＴ０を出力する。ＤＴ０は設定データである。セレクター１１２は、アドレスＡＤＡ＝ＡＤＤ０のときデータＲＤＴを選択し、その選択したデータＲＤＴをデータＳＤＴとして出力する。演算部１１３は、データＳＤＴ＝ＤＴ０に対してＣＲＣ演算を実行し、その演算結果であるＣＲＣ値ＣＲＣＱ＝ＥＤＤ０を出力する。またアクセス制御部１１１は、アドレスＡＤＢ＝ＡＤＤ０とデータＤＴＢ＝ＳＤＴ＝ＤＴ０と書き込み信号を不揮発性メモリー１０へ出力する。不揮発性メモリー１０は、アドレスＡＤＤ０のメモリー領域に設定データＤＴ０を書き込む。
【００４５】
次に、上記と同様に、アクセス制御部１１１がアドレスＡＤＡ＝ＡＤＤ１〜ＡＤＤ１５を順次に指定する。セレクター１１２は、アドレスＡＤＡ＝ＡＤＤ１〜ＡＤＤ１５のときレジスター１３０の出力データを選択し、データＳＤＴ＝ＤＴ１〜ＤＴ１５を出力する。ＤＴ１〜ＤＴ１５は設定データである。演算部１１３は、前回求めたＣＲＣ値と、入力されたデータＳＤＴ＝ＤＴ１〜ＤＴ１５とに基づいてＣＲＣ値ＣＲＣＱ＝ＥＤＤ１〜ＥＤＤ１５を求める。アクセス制御部１１１は、アドレスＡＤＢ＝ＡＤＤ１〜ＡＤＤ１５とデータＤＴＢ＝ＳＤＴ＝ＤＴ１〜ＤＴ１５と書き込み信号を不揮発性メモリー１０へ出力する。不揮発性メモリー１０は、アドレスＡＤＤ１〜ＡＤＤ１５のメモリー領域に設定データＤＴ１〜ＤＴ１５を書き込む。
【００４６】
次に、アクセス制御部１１１がアドレスＡＤＡ＝ＡＤＤ１６を指定する。セレクター１１２は、アドレスＡＤＡ＝ＡＤＤ１６のときＣＲＣ値ＣＲＣＱ＝ＥＤＤ１５を選択し、その選択したＣＲＣ値ＣＲＣＱ＝ＥＤＤ１５をデータＳＤＴとして出力する。アクセス制御部１１１は、アドレスＡＤＢ＝ＡＤＤ１６とデータＤＴＢ＝ＳＤＴ＝ＥＤＤ１５と書き込み信号を不揮発性メモリー１０へ出力する。不揮発性メモリー１０は、アドレスＡＤＤ１６のメモリー領域にＣＲＣ値ＥＤＤ１５を書き込む。このＣＲＣ値ＥＤＤ１５が、上述したエラー検出用データである。
【００４７】
次に、ロード時の動作について説明する。図５に示すように、アクセス制御部１１１がアドレスＡＤＢ＝ＡＤＤ０と読み出し信号を不揮発性メモリー１０へ出力する。不揮発性メモリー１０は、アドレスＡＤＤ０に対応したメモリー領域のデータＤＴＣ＝ＤＴ０’を出力する。アクセス制御部１１１は、データＤＴＤ＝ＤＴＣを演算部１１３へ出力する。演算部１１３は、データＤＴＣに対してＣＲＣ演算を実行し、その演算結果であるＣＲＣ値ＣＲＣＱ＝ＣＰＤ０を出力する。
【００４８】
次に、上記と同様に、アクセス制御部１１１がアドレスＡＤＢ＝ＡＤＤ１〜ＡＤＤ１５と読み出し信号を不揮発性メモリー１０へ出力する。不揮発性メモリー１０は、アドレスＡＤＤ１〜ＡＤＤ１５に対応したメモリー領域のデータＤＴＣ＝ＤＴ１’〜ＤＴ１５’を出力する。アクセス制御部１１１は、データＤＴＤ＝ＤＴＣを演算部１１３へ出力する。演算部１１３は、前回求めたＣＲＣ値と、入力されたデータＤＴＤ＝ＤＴ１’〜ＤＴ１５’に対してＣＲＣ演算を実行し、その演算結果であるＣＲＣ値ＣＲＣＱ＝ＣＰＤ１〜ＣＰＤ１５を出力する。
【００４９】
次に、アクセス制御部１１１がアドレスＡＤＢ＝ＡＤＤ１６と読み出し信号を不揮発性メモリー１０へ出力する。不揮発性メモリー１０は、アドレスＡＤＤ１６に対応したメモリー領域のデータＤＴＣ＝ＥＤＤ１５を出力する。アクセス制御部１１１は、データＤＴＤ＝ＤＴＣを比較部１１４へ出力する。比較部１１４は、エラー検出用データであるＤＴＤ＝ＥＤＤ１５と、比較用データであるＣＲＣＱ＝ＣＰＤ１５とを比較し、その比較結果信号をカウンター１１５に出力する。不揮発性メモリー１０から読み出したデータに異常がない場合、即ち、ＤＴ０’＝ＤＴ０、且つＤＴ１’＝ＤＴ１、・・・、ＤＴ１５’＝ＤＴ１５である場合、ＣＰＤ１５＝ＥＤＤ１５である。一方、不揮発性メモリー１０から読み出したデータに異常がある場合、ＣＰＤ１５≠ＥＤＤ１５となる。カウンター１１５は、ＣＰＤ１５≠ＥＤＤ１５である場合にカウント値をインクリメントする。カウンター１１５は、カウント値が所定の回数ｎに達した場合、エラー検出信号ＳＤＥＴをアクティブにする。ｎは１以上の整数である。上述したエラー検出信号を出力することは、ここではエラー検出信号ＳＤＥＴをアクティブにすることに対応する。なお、カウンター１１５を省略し、比較部１１４がＣＰＤ１５≠ＥＤＤ１５と判定したときにエラー検出信号ＳＤＥＴをアクティブにしてもよい。
【００５０】
本実施形態によれば、処理装置３１０がレジスター１３０に書き込んだ設定データを不揮発性メモリー１０にプログラムすることができる。そして、そのプログラムの際にエラー検出用データを求め、そのエラー検出用データを設定データと共に不揮発性メモリー１０に記憶させることができる。これにより、処理装置３１０からは設定データを回路装置１００へ送信するだけでよくなり、エラー検出用データは回路装置１００の内部で自動的に生成されるので、処理装置３１０が実施するプログラム時の手順を簡素化できる。
【００５１】
また本実施形態では、比較の結果が不一致である回数がカウントされ、そのカウント値がｎとなったときにエラー検出信号ＳＤＥＴがアクティブにされる。
【００５２】
これにより、エラー検出用データと比較用データの不一致がｎ回に達したときにエラーと判定される。また、ｎ≧２である場合には、エラー検出用データと比較用データの不一致がｎ−１回以下である場合にはエラー検出信号ＳＤＥＴがアクティブにならない。例えば、不揮発性メモリー１０から読み出した設定データがノイズ等によって異常となることが想定される。この場合、不揮発性メモリー１０に記憶されている設定データは正常と考えられるので、エラーとして検出されないことが望ましい。本実施形態によれば、ノイズ等によって一次的にエラー検出用データと比較用データが不一致となった場合には、エラー検出信号ＳＤＥＴがアクティブにならない。即ち、エラー検出用データと比較用データの不一致が連続してｎ回検出されて初めてエラー検出信号ＳＤＥＴがアクティブになる。
【００５３】
３．第２構成例
【００５４】
図６は、回路装置１００の第２構成例である。回路装置１００は、制御回路１１０とインターフェース回路１２０とレジスター１３０とを含む。なお、既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。
【００５５】
図６に示すように、不揮発性メモリー２０が回路装置１００の外部に設けられ、インターフェース回路１２０が不揮発性メモリー２０と回路装置１００の間の通信を行う。即ち、プログラム時において、制御回路１１０はアドレスとデータと書き込み信号をインターフェース回路１２０へ出力し、そのアドレスとデータと書き込み信号をインターフェース回路１２０が不揮発性メモリー２０へ送信する。不揮発性メモリー２０は、アドレスが指定するメモリー領域にデータを書き込む。データは、レジスター１３０から読み出した設定データ、及び、その設定データから求めたエラー検出用データである。ロード時において、制御回路１１０はアドレスと読み出し信号をインターフェース回路１２０へ出力し、そのアドレスと読み出し信号をインターフェース回路１２０が不揮発性メモリー２０へ送信する。不揮発性メモリー２０は、アドレスが指定するメモリー領域からデータを読み出し、そのデータをインターフェース回路１２０へ送信する。インターフェース回路１２０は、受信したデータをレジスター１３０に書き込むと共に制御回路１１０へ出力する。データは設定データとエラー検出用データである。制御回路１１０は、設定データから比較用データを求め、その比較用データとエラー検出用データとを比較する。なお、詳細な動作は図３〜図５で説明した動作と同じである。
【００５６】
４．電気光学装置
【００５７】
図７は、回路装置１００を含む電気光学装置４００の構成例である。電気光学装置４００は、電気光学パネル２００と回路装置１００とを含む。この場合、回路装置１００は、電気光学パネル２００を駆動する表示ドライバーである。
【００５８】
電気光学パネル２００は、画素アレイと複数の走査線と複数のデータ線とを含む。画素アレイに含まれる１つの画素には１本の走査線と１本のデータ線が接続される。走査線が選択されると、その走査線に接続された画素に対して、データ線の電圧が書き込まれる。データ線の電圧はデータ電圧とも呼ぶ。電気光学パネル２００は、例えば液晶表示パネル、或いはＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルである。
【００５９】
回路装置１００は、不揮発性メモリー１０と制御回路１１０とインターフェース回路１２０とレジスター１３０と駆動回路１４０と電圧生成回路１５０とを含む。なお、既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。
【００６０】
駆動回路１４０は、電気光学パネル２００を駆動する。駆動回路１４０は、走査線を駆動する走査線駆動回路１４２と、データ線を駆動するデータ線駆動回路１４１と、を含む。走査線駆動回路１４２は、走査線を選択信号で駆動するバッファー回路を含む。またデータ線駆動回路１４１は、表示データを階調電圧にＤ／Ａ変換するＤ／Ａ変換回路と、階調電圧を増幅又はバッファリングすることでデータ電圧を出力するアンプ回路とを含む。アンプ回路がデータ電圧をデータ線に出力することで、データ線を駆動する。
【００６１】
インターフェース回路１２０は処理装置３１０から表示データ及びタイミング信号を受信し、その表示データ及びタイミング信号を制御回路１１０へ出力する。タイミング信号は例えば垂直同期信号と水平同期信号と画素クロック信号である。制御回路１１０は表示データをデータ線駆動回路１４１へ出力する。また制御回路１１０は走査線駆動回路１４２に制御信号を出力し、その制御信号に基づいて走査線駆動回路１４２が走査線を駆動する。制御回路１１０は、これらの制御を実行するタイミングを、タイミング信号に基づいて制御している。
【００６２】
電圧生成回路１５０は、回路装置１００の外部から供給される電源に基づいて、回路装置１００が用いる種々の電圧を生成する。具体的には、データ線駆動回路１４１に含まれるアンプ回路の電源電圧、及びデータ線駆動回路１４１に含まれるＤ／Ａ変換回路に供給するための階調電圧、電気光学パネル２００のコモン電極に供給するためのコモン電圧等である。
【００６３】
不揮発性メモリー１０に記憶される設定データは、表示ドライバーである回路装置１００の動作を設定するデータである。具体的には、設定データは、上述したアンプ回路の電源電圧、及び階調電圧、コモン電圧を設定するデータを含む。また設定データは、電気光学パネル２００の有効画素数を示すデータを含む。有効画素数は例えば走査線数及びデータ線数で表される。制御回路１１０は、不揮発性メモリー１０からレジスター１３０に設定データをロードし、レジスター１３０にロードされた設定データに基づいて上記の電圧を制御する。また、最初に設定データをロードした後に、定期的に設定データを不揮発性メモリー１０からレジスター１３０へリロードしてもよい。このような動作をリフレッシュ動作と呼ぶ。例えば車載の電子機器等のようにノイズが多い環境ではレジスター１３０の記憶内容がノイズにより変化するおそれがある。このような場合、リフレッシュ動作を行うことで、レジスター１３０の記憶内容を正常な設定データで上書きできる。
【００６４】
本実施形態では、最初に不揮発性メモリー１０からレジスター１３０に設定データをロードするとき、及びリフレッシュ動作のときに、制御回路１１０が比較用データを生成し、比較用データとエラー検出用データとを比較する。そして、制御回路１１０は、比較用データとエラー検出用データとが不一致である回数がｎ回に達したとき、エラー検出信号を出力する。
【００６５】
不揮発性メモリー１０に記憶された設定データが経年変化等により異常となっている場合には、リフレッシュ動作を行ってもレジスター１３０の記憶内容は正常にならない。この場合、異常な設定データに基づく電圧で駆動回路１４０が動作することになり、例えば表示の不具合等が生じるおそれがある。本実施形態によれば、このような異常を検出し、その異常をエラー検出信号により処理装置３１０へ通知できる。
【００６６】
図８は、電気光学装置４００におけるプログラム時の処理の手順を示すフローチャートである。このフローは電気光学パネル２００と回路装置１００が接続された状態において実行される。
【００６７】
図８のステップＳ１に示すように、処理装置３１０が回路装置１００に設定コマンドを入力する。設定コマンドは、有効画素数を示す設定データを含んでおり、その設定データはレジスター１３０に書き込まれる。次にステップＳ２に示すように、処理装置３１０が回路装置１００に表示オンコマンドを入力する。制御回路１１０は、表示オンコマンドに基づいて電気光学パネル２００の駆動を開始する。
【００６８】
次に、ステップＳ３に示すように、電気光学パネル２００の表示特性に応じた調整が行われる。例えば、調整の担当者が表示画像を見ながら、アンプ回路の電源電圧、及び階調電圧、コモン電圧の設定データを調整する。担当者は、処理装置３１０から回路装置１００へ送信する設定データを変化させることで、この調整を行う。調整が終了すると、レジスター１３０には調整後の設定データが記憶された状態となる。
【００６９】
次に、ステップＳ４に示すように、処理装置３１０が回路装置１００に表示オフコマンドを入力する。制御回路１１０は、表示オフコマンドに基づいて電気光学パネル２００の駆動を停止する。次に、ステップＳ５に示すように、処理装置３１０が回路装置１００にプログラムコマンドを入力する。制御回路１１０は、プログラムコマンドに基づいてステップＳ６とＳ７を実行する。
【００７０】
ステップＳ６に示すように、制御回路１１０はレジスター１３０から設定データを読み出し、ＣＲＣ値を生成する。次に、制御回路１１０は設定データとＣＲＣ値を不揮発性メモリー１０へ書き込む。
【００７１】
次に、ステップＳ８に示すように、処理装置３１０は回路装置１００にリードコマンドを入力する。制御回路１１０は、リードコマンドに基づいて不揮発性メモリー１０から設定データを読み出し、その設定データが処理装置３１０へ送信される。ステップＳ９に示すように、処理装置３１０は、受信した設定データとオリジナルの設定とを比較し、受信した設定データが正常であると確認した場合には処理を終了する。処理装置３１０は、受信した設定データが正常であると確認できなかった場合にはステップＳ１に戻る。
【００７２】
以上のように、処理装置３１０は設定データを回路装置１００へ送信するだけであり、エラー検出用データであるＣＲＣ値は回路装置１００の内部で自動的に生成され、不揮発性メモリー１０に書き込まれる。
【００７３】
なお図８では、処理装置３１０と電気光学装置４００を接続し、処理装置３１０がステップＳ１〜Ｓ５、Ｓ８、Ｓ９を実行する場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、プログラム用の装置を電気光学装置４００に接続し、プログラム用の装置がステップＳ１〜Ｓ５、Ｓ８、Ｓ９を実行してもよい。
【００７４】
５．電子機器、移動体
【００７５】
図９は、回路装置１００を含む電子機器３００の構成例である。電子機器３００は、処理装置３１０、回路装置１００、電気光学パネル２００、記憶部３３０、通信部３４０、操作部３６０を含む。回路装置１００は表示ドライバーとも呼ぶ。記憶部３３０は記憶装置又はメモリーとも呼ぶ。通信部３４０は通信回路又は通信装置とも呼ぶ。操作部３６０は操作装置とも呼ぶ。電子機器３００の具体例としては、表示装置を搭載する種々の電子機器を想定できる。例えば、電子機器３００として、車載装置、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、携帯情報端末、携帯型ゲーム端末、情報処理装置等を想定できる。車載装置は、例えばメーターパネル、カーナビゲーションシステム等である。
【００７６】
操作部３６０は、ユーザーからの種々の操作を受け付けるユーザーインターフェースである。例えば、ボタンやマウスやキーボード、電気光学パネル２００に装着されたタッチパネル等である。通信部３４０は、画像データや制御データの入出力を行うデータインターフェースである。通信部３４０は、例えば無線ＬＡＮや近距離無線通信等の無線通信インターフェース、或いは有線ＬＡＮやＵＳＢ等の有線通信インターフェースである。記憶部３３０は、例えば通信部３４０から入力されたデータを記憶したり、或いは、処理装置３１０のワーキングメモリーとして機能したりする。記憶部３３０は、例えばＲＡＭやＲＯＭ等のメモリー、或いはＨＤＤ等の磁気記憶装置、或いはＣＤドライブ、ＤＶＤドライブ等の光学記憶装置等である。処理装置３１０は、通信部３４０から入力された或いは記憶部３３０に記憶された画像データを処理して回路装置１００に転送する。回路装置１００は、処理装置３１０から転送された画像データに基づいて電気光学パネル２００に画像を表示させる。また処理装置３１０は、電子機器３００の制御処理や、種々の信号処理等を行う。処理装置３１０は、例えばＣＰＵやＭＰＵ等のプロセッサー、或いはＡＳＩＣ等である。
【００７７】
図１０に、本実施形態の回路装置１００を含む移動体の構成例を示す。移動体は、例えばエンジンやモーター等の駆動機構、ハンドルや舵等の操舵機構、各種の電子機器を備えて、地上や空や海上を移動する機器又は装置である。本実施形態の移動体として、例えば、車、飛行機、バイク、船舶、或いはロボット等を想定できる。
【００７８】
図１０は移動体の具体例としての自動車２０６を概略的に示している。自動車２０６には、回路装置１００を有する表示装置３５０と、自動車２０６の各部を制御するＥＣＵ５１０が組み込まれている。表示装置３５０は電気光学装置である。ＥＣＵ５１０は、ユーザーに提示するための画像を生成し、その画像を表示装置３５０に送信する。表示装置３５０は、受信した画像を表示装置３５０に表示する。例えば車速や燃料残量、走行距離、各種装置の設定等の情報が画像として表示される。
【００７９】
以上の実施形態によれば、回路装置は、設定データを受信するインターフェース回路と、前記設定データに基づいて回路装置の動作を制御すると共に、不揮発性メモリーへのアクセスを制御する制御回路と、を含む。制御回路は、前記インターフェース回路が受信した前記設定データに基づいてエラー検出用データを生成し、前記設定データと前記エラー検出用データとを前記不揮発性メモリーに書き込む。
【００８０】
インターフェース回路が受信した設定データに基づいてエラー検出用データが生成され、その設定データとエラー検出用データとが不揮発性メモリーに書き込まれることで、回路装置の外部でエラー検出用データを演算することが不要となる。即ち、処理装置が回路装置に対して設定データを送信するだけで、回路装置が自動的に内部でエラー検出用データを生成できる。これにより、不揮発性メモリーにエラー検出用データを記憶させる手順を簡素化できる。
【００８１】
また本実施形態では、制御回路は演算部を含む。そして演算部が、インターフェース回路が受信した設定データに基づいて前記エラー検出用データを生成してもよい。
【００８２】
このようにすれば、演算部が設定データに基づいてエラー検出用データを生成できる。そして制御回路が、そのエラー検出用データと設定データとを不揮発性メモリーに書き込むことができる。
【００８３】
また本実施形態では、回路装置はレジスターを含んでもよい。前記インターフェース回路は、受信した前記設定データを前記レジスターに書き込んでもよい。前記制御回路は、前記レジスターに書き込まれた前記設定データに基づいて前記エラー検出用データを生成してもよい。
【００８４】
このようにすれば、処理装置がインターフェース回路に設定データを送信した後、その設定データがレジスターに書き込まれ、そのレジスターに書き込まれた設定データからエラー検出用データが生成される。このようにして、処理装置が回路装置に対して設定データを送信するだけで、回路装置が自動的に内部でエラー検出用データを生成できる。
【００８５】
また本実施形態では、前記制御回路は、前記設定データと前記エラー検出用データとを前記不揮発性メモリーから読み出し、前記不揮発性メモリーから読み出した前記設定データに基づいて、前記エラー検出用データと比較するための比較用データを生成してもよい。
【００８６】
このようにすれば、設定データとエラー検出用データとが不揮発性メモリーから読み出され、その読み出された設定データに基づいて比較用データが生成される。これにより、エラー検出用データと比較するための比較用データを生成できる。
【００８７】
また本実施形態では、前記制御回路は、前記エラー検出用データと前記比較用データとの比較を行ってもよい。
【００８８】
不揮発性メモリーから読み出された設定データが、不揮発性メモリーにプログラムした際の設定データと異なる場合にはエラー検出用データと比較用データとが不一致となる。本実施形態によれば、エラー検出用データと比較用データとが比較されることで、エラー検出用データと比較用データとが一致するか否かが判定される。これにより、不揮発性メモリーから読み出された設定データが正常か否かを判定できる。
【００８９】
また本実施形態では、制御回路は比較部を含む。そして比較部が、エラー検出用データと比較用データとの比較を行ってもよい。
【００９０】
このようにすれば、比較部がエラー検出用データと比較用データとを比較できる。そして制御回路が、その比較結果に基づいて、エラー検出用データと比較用データとが一致しているか否かを判定できるようになる。
【００９１】
また本実施形態では、前記制御回路は、前記比較の結果に基づいてエラー検出信号を出力してもよい。
【００９２】
上述のように、比較の結果に基づいて、不揮発性メモリーから読み出された設定データが正常か否かを判定できる。即ち、比較の結果に基づいてエラー検出信号が出力されることで、不揮発性メモリーから読み出された設定データが異常であるとの判定結果に基づいてエラー検出信号を出力できる。
【００９３】
また本実施形態では、前記制御回路は、前記比較の結果が不一致である回数をカウントし、カウント値がｎ（ｎは１以上の整数）となったときにエラー検出信号を出力してもよい。
【００９４】
本実施形態によれば、エラー検出用データと比較用データの不一致がｎ回に達しない場合にはエラー検出信号が出力されない。また、ｎ≧２である場合には、エラー検出用データと比較用データの不一致が連続してｎ回検出されて初めてエラー検出信号ＳＤＥＴがアクティブになる。例えば、不揮発性メモリーから読み出した設定データがノイズ等によって異常となる場合がある。この場合、不揮発性メモリーに記憶されている設定データが正常であったとしても、不揮発性メモリーの異常が検出されてしまう。ｎ≧２である場合には、ノイズ等によって一次的にエラー検出用データと比較用データが不一致となった場合には、エラー検出信号が出力されないようにできる。
【００９５】
また本実施形態では、回路装置は、前記不揮発性メモリーを含んでもよい。
【００９６】
不揮発性メモリーに記憶されたデータは、経年により変化する可能性がある。また、例えば読み出し制御回路等の回路が故障することで、不揮発性メモリーから正常にデータが読み出されない可能性がある。設定データが異常となった場合であっても、その内容によっては回路装置が動作できる可能性があるが、回路装置を正常な設定で動作させることが望ましい。本実施形態によれば、不揮発性メモリーに記憶された設定データの異常が発生した場合に、その異常を検出することができる。
【００９７】
また本実施形態では、回路装置は、電気光学パネルを駆動する駆動回路を含んでもよい。前記設定データは、駆動回路が用いる電圧を設定するデータであってもよい。
【００９８】
正常でない設定データが不揮発性メモリーからレジスターにロードされた場合、その異常な設定データに基づく電圧で駆動回路が動作することになり、例えば表示の不具合等が生じるおそれがある。本実施形態によれば、このような異常を検出し、その異常をエラー検出信号により処理装置へ通知できる。
【００９９】
また本実施形態では、電気光学装置は、電気光学パネルと、上記のいずれかに記載され、前記電気光学パネルを駆動する回路装置と、を含む。
【０１００】
また本実施形態では、電子機器は、上記のいずれかに記載される回路装置を含む。
【０１０１】
また本実施形態では、移動体は、上記のいずれかに記載される回路装置を含む。
【０１０２】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また回路装置、電気光学装置、電子機器、移動体の構成及び動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…不揮発性メモリー、２０…不揮発性メモリー、１００…回路装置、１１０…制御回路、１１１…アクセス制御部、１１２…セレクター、１１３…演算部、１１４…比較部、１１５…カウンター、１２０…インターフェース回路、１３０…レジスター、１４０…駆動回路、１４１…データ線駆動回路、１４２…走査線駆動回路、１５０…電圧生成回路、２００…電気光学パネル、２０６…自動車、３００…電子機器、３１０…処理装置、３３０…記憶部、３４０…通信部、３５０…表示装置、３６０…操作部、４００…電気光学装置、５１０…ＥＣＵ、ＣＰＤ１５…ＣＲＣ値、ＤＴ０〜ＤＴ１５…設定データ、ＥＤＤ１５…ＣＲＣ値、ＳＤＥＴ…エラー検出信号
【図１】
2019207524.tif 000003
【図２】
2019207524.tif 000004
【図３】
2019207524.tif 000005
【図４】
2019207524.tif 000006
【図５】
2019207524.tif 000007
【図６】
2019207524.tif 000008
【図７】
2019207524.tif 000009
【図８】
2019207524.tif 000010
【図９】
2019207524.tif 000011
【図１０】
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