(57)【要約】【課題】共振特性を向上させることができるバルク音響共振器及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板保護層が上面に形成される基板と、上記基板とともにキャビティを形成するメンブレン層と、上記メンブレン層上に形成される共振部と、を含むバルク音響共振器であって、上記メンブレン層は、第１層と、上記第１層と同一の材料からなり、第１層に比べて密度が大きい第２層と、を備える、バルク音響共振器が開示される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保護層が上面に形成される基板と、
前記基板とともにキャビティを形成するメンブレン層と、
前記メンブレン層上に形成される共振部と、を含むバルク音響共振器であって、
前記メンブレン層は、第１層と、前記第１層と同一の材料からなり、第１層に比べて密度が大きい第２層と、を備える、バルク音響共振器。
【請求項２】
前記メンブレン層に備えられる前記第２層は、プラズマ状態で前記基板に電源（ＲＦ−ｂｉａｓ）を印加した後、アルゴン粒子を提供することで形成する、請求項１に記載のバルク音響共振器。
【請求項３】
前記メンブレン層は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含有する材料からなる、請求項１または２に記載のバルク音響共振器。
【請求項４】
前記共振部は、
前記メンブレン層上に形成される下部電極と、
前記下部電極の少なくとも一部分を覆うように形成される圧電体層と、
前記圧電体層の上部に配置されるように形成される上部電極と、を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載のバルク音響共振器。
【請求項５】
前記上部電極と前記下部電極の一部分を除いた領域に形成されるパッシベーション層と、
前記パッシベーション層が形成されていない前記上部電極と前記下部電極上に形成される金属パッドと、をさらに含む、請求項４に記載のバルク音響共振器。
【請求項６】
前記上部電極には、活性領域の端部に配置されるフレーム部が備えられる、請求項５に記載のバルク音響共振器。
【請求項７】
基板上に犠牲層を形成する段階と、
前記犠牲層を覆うようにメンブレン層を形成する段階と、
ソフトエッチング（Ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）工程により、前記メンブレン層が第１層と第２層で構成されるように形成する段階と、
前記メンブレン層上に共振部を形成する段階と、を含む、バルク音響共振器の製造方法。
【請求項８】
前記第２層は、前記第１層に比べて大きい密度を有する、請求項７に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項９】
前記第２層は、プラズマ状態で前記基板に電源（ＲＦ−ｂｉａｓ）を印加した後、アルゴン粒子を提供することで形成する、請求項７または８に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１０】
前記共振部を形成する段階は、
前記メンブレン層上に下部電極を形成する段階と、
前記下部電極の少なくとも一部分を覆うように圧電体層を形成する段階と、
前記圧電体層の上部に配置されるように上部電極を形成する段階と、を備える、請求項７から９のいずれか一項に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１１】
前記メンブレン層は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含有する材料からなる、請求項７から１０のいずれか一項に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１２】
前記上部電極と前記下部電極の一部分を露出するようにパッシベーション層を形成する段階と、
外部に露出した前記上部電極と前記下部電極上に金属パッドを形成する段階と、をさらに含む、請求項１０に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１３】
前記犠牲層はシリコン系材料からなり、
前記犠牲層をハライド系エッチングガスによって除去することでキャビティを形成する、請求項１２に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１４】
前記上部電極を形成する段階は、
活性領域の端部に配置されるようにフレーム部を形成する段階を備える、請求項１０に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１５】
前記第２層は、前記第１層に比べて薄い厚さを有する、請求項７から１４のいずれか一項に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【請求項１６】
前記第２層の表面粗さは、前記第１層の表面粗さより低い、請求項１５に記載のバルク音響共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バルク音響共振器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
バルク音響共振器素子（ＢＡＷ、Ｂｕｌｋ−Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）において、圧電薄膜の結晶特性は、様々なバルク音響共振性能の項目に支配的な影響を及ぼす。したがって、圧電薄膜の結晶特性を向上させることができる様々な方法が現在考案されている。
【０００３】
中でも、最も一般的な方法は、圧電層である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の蒸着工程を最適化することで結晶特性を向上させることである。しかしながら、これは、蒸着工程の特性上、改善に限界が存在する。一例として、通常、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのような圧電薄膜の結晶特性を向上させることのできる方法として、圧電層の蒸着工程を最適化したり、下部層である電極及びシード（ｓｅｅｄ）層の種類や蒸着工程を改善することで結晶性を確保する方法が挙げられる。
【０００４】
また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の下部層である電極薄膜の結晶性を向上させることで圧電層の結晶特性を改善する方法が用いられているが、電極薄膜も、蒸着工程の最適化だけでは結晶性の改善に限界がある。
【０００５】
よって、バルク音響共振性能を向上させるために、圧電薄膜の結晶特性を向上させることができる構造及び製造方法の開発が必要な状況である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４０４４５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、共振特性を向上させることができるバルク音響共振器及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によるバルク音響共振器は、基板保護層が上面に形成される基板と、上記基板とともにキャビティを形成するメンブレン層と、上記メンブレン層上に形成される共振部と、を含み、上記メンブレン層は、第１層と、上記第１層と同一の材料からなり、第１層に比べて密度が大きい第２層と、を備えることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、共振特性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の効果を説明するためのグラフである。
【図３】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の効果を説明するためのグラフである。
【図４】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の効果を説明するためのグラフである。
【図５】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図６】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図７】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図８】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図９】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図１０】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図１１】本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【図１２】本発明の第２実施形態によるバルク音響共振器を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【００１２】
図１は本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器を示す概略断面図である。
【００１３】
図１を参照すると、本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器１００は、一例として、基板１１０と、メンブレン層１２０と、共振部１３０と、パッシベーション層１７０と、金属パッド１８０と、を含んで構成されることができる。
【００１４】
基板１１０はシリコンが積層された基板であってもよい。例えば、シリコンウエハー（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｗａｆｅｒ）が基板として用いられることができる。一方、基板１１０の上面には、キャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）Ｃと向かい合うように配置される基板保護層１１２が備えられることができる。
【００１５】
基板保護層１１２は、キャビティＣの形成時に損傷を防止する役割を果たす。
【００１６】
一例として、基板保護層１１２は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む材料からなることができる。
【００１７】
メンブレン層１２０は、基板１１０とともにキャビティＣを形成する。メンブレン層１２０は後述の犠牲層１９０（図６参照）の上部に形成され、犠牲層１９０の除去により、メンブレン層１２０が基板保護層１１２とともにキャビティＣを形成する。一方、メンブレン層１２０は、シリコン系の犠牲層１９０を除去するためのフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハライド系エッチングガスとの反応性が低い材料からなることができる。
【００１８】
一例として、メンブレン層１２０は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含有する材料からなることができる。
【００１９】
メンブレン層１２０は、第１層１２２と、第１層１２２と同一の材料からなり、第１層１２２に比べて密度が大きい第２層１２４と、を備える。また、第１層１２２の厚さは第２層１２４の厚さより厚く形成されてもよい。換言すると、第２層１２４は第１層１２２の上部に配置されるものであって、表面処理によって第１層１２２が第２層１２４に変形されてもよい。
【００２０】
一例として、第２層１２４はソフトエッチング（Ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）工程により形成される。すなわち、共振部１３０の形成前に、メンブレン層１２０にソフトエッチング工程を行うことで第２層１２４を形成する。
【００２１】
ソフトエッチング工程は、プラズマ（ｐｌａｓｍａ）状態で電源（ＲＦ−ｂｉａｓ）を基板１１０に印加し、アルゴン粒子（Ａｒ＋）がメンブレン層１２０の表面に衝突するようにして行われる。これにより、メンブレン層１２０の上部に第２層１２４が形成される。
【００２２】
共振部１３０はメンブレン層１２０上に形成される。一例として、共振部１３０は、下部電極１４０、圧電体層１５０、及び上部電極１６０を含んで構成されることができる。
【００２３】
下部電極１４０はメンブレン層１２０上に形成される。より詳細には、下部電極１４０は、その一部分がキャビティＣの上部に配置されるようにメンブレン層１２０上に形成される。
【００２４】
一例として、下部電極１４０は、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、白金（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）などのような導電性材料、またはその合金を用いて形成することができる。
【００２５】
また、下部電極１４０は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号などの電気的信号を注入する入力電極及び出力電極の何れか１つとして用いることができる。例えば、下部電極１４０が入力電極である場合、上部電極１６０は出力電極であることができ、下部電極１４０が出力電極である場合、上部電極１６０は入力電極であることができる。
【００２６】
圧電体層１５０は下部電極１４０の少なくとも一部を覆うように形成する。また、圧電体層１５０は、下部電極１４０または上部電極１６０から入力される信号を弾性波に変換する役割を果たす。すなわち、圧電体層１５０は、電気的信号を物理的振動による弾性波に変換する役割を果たす。
【００２７】
一例として、圧電体層１５０は、窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ドープされた窒化アルミニウム（Ｄｏｐｅｄ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、またはチタン酸ジルコン酸鉛（Ｌｅａｄ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）を蒸着することで形成することができる。
【００２８】
また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の圧電体層１５０は、希土類金属（Ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ）または遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｍｅｔａｌ）をさらに含むことができる。一例として、上記希土類金属は、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタン（Ｌａ）のうち少なくとも１つを含むことができる。上記遷移金属は、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ハフニウム（Ｈｆ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００２９】
上部電極１６０は圧電体層１５０を覆うように形成され、下部電極１４０と同様に、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、白金（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）などのように、導電性材料、またはその合金を用いて形成されることができる。
【００３０】
一方、上部電極１６０にはフレーム部１６２が備えられることができる。フレーム部１６２とは、上部電極１６０の他の部分に比べて厚い厚さを有する上部電極１６０の一部分を意味する。また、フレーム部１６２は、活性領域Ｓの中央部を除いた領域に配置されるように上部電極１６０に備えられることができる。
【００３１】
そして、フレーム部１６２は、共振時に発生する側方波（Ｌａｔｅｒａｌ  Ｗａｖｅ）を活性領域Ｓの内部に反射させ、共振エネルギーを活性領域Ｓに閉じ込める役割を果たす。換言すると、フレーム部１６２は、活性領域Ｓの端部に配置されるように形成され、活性領域Ｓから振動が外部に漏れることを防止する役割を果たす。
【００３２】
ここで、活性領域Ｓを定義すると、活性領域Ｓとは、下部電極１４０、圧電体層１５０、上部電極１６０の３つの層が全て積層されている領域を意味する。
【００３３】
パッシベーション層１７０は、下部電極１４０と上部電極１６０の一部分を除いた領域に形成される。一方、パッシベーション層１７０は、工程中に上部電極１６０及び下部電極１４０が損傷することを防止する役割を果たす。
【００３４】
さらに、パッシベーション層１７０は、最終工程において、周波数の調節のためにエッチングによりパッシベーション層１７０の厚さが調節されることができる。パッシベーション層１７０としては、一例として、酸化マンガン（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうち何れか１つの材料を含有する誘電体層（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｌａｙｅｒ）が用いられることができる。
【００３５】
金属パッド１８０は、下部電極１４０と上部電極１６０において、上記パッシベーション層１７０が形成されていない一部分に形成される。一例として、金属パッド１８０は、金（Ａｕ）、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金、銅（Ｃｕ）、銅−スズ（Ｃｕ−Ｓｎ）合金などの材料からなることができる。
【００３６】
上述のように、メンブレン層１２０が第１層１２２及び第２層１２４からなることにより、第２層１２４の上部に配置されるように形成される圧電体層１５０の結晶性が向上することができる。
【００３７】
これにより、図２から図４に示すように、従来のバルク音響共振器に比べて本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器１００の性能（ｋｔ２、ＩＬ、Ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ）が向上することが分かる。
【００３８】
以下では、図面を参照して本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法について説明する。
【００３９】
図５から図１１は、本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器の製造方法を説明するために工程を順に示した図である。
【００４０】
まず、図５に示すように、基板１１０上に犠牲層１９０を形成する。犠牲層１９０は基板１１０の一部領域に形成され、犠牲層１９０の端部には傾斜面が形成される。
【００４１】
その後、図６に示すように、犠牲層１９０を覆うようにメンブレン層１２０を形成する。メンブレン層１２０は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含有する材料からなることができる。
【００４２】
その後、図７に示すように、ソフトエッチング（Ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）工程により、メンブレン層１２０が第１層１２２と第２層１２４で構成されるようにする。ソフトエッチング工程は、プラズマ（ｐｌａｓｍａ）状態で電源（ＲＦ−ｂｉａｓ）を基板１１０に印加し、アルゴン粒子（Ａｒ＋）がメンブレン層１２０の表面に衝突するようにして行う。これにより、メンブレン層１２０の上部に第２層１２４が形成される。
【００４３】
その後、図８に示すように、下部電極１４０をメンブレン層１２０上に形成する。すなわち、下部電極１４０をメンブレン層１２０の第２層１２４上に形成する。そして、一部分が犠牲層１９０の上部に配置されるようにメンブレン層１２０上に下部電極１４０を形成する。
【００４４】
その後、図９に示すように、圧電体層１５０を形成する。圧電体層１５０は、窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ドープされた窒化アルミニウム（Ｄｏｐｅｄ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、またはチタン酸ジルコン酸鉛（Ｌｅａｄ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）を蒸着することで形成することができる。
【００４５】
また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の圧電体層１５０は、希土類金属（Ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ）または遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｍｅｔａｌ）をさらに含むことができる。一例として、上記希土類金属は、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタン（Ｌａ）のうち少なくとも１つを含むことができる。上記遷移金属は、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ハフニウム（Ｈｆ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００４６】
その後、図１０に示すように、圧電体層１５０上に上部電極１６０を形成し、順にパッシベーション層１７０及び金属パッド１８０を形成する。
【００４７】
その後、図１１に示すように、犠牲層１９０を除去することでメンブレン層１２０の下部にキャビティＣを形成する。
【００４８】
上述のように、メンブレン層１２０が第１層１２２及び第２層１２４からなることにより、第２層１２４の上部に配置されるように形成される圧電体層１５０の結晶性が向上することができる。
【００４９】
これにより、バルク音響共振器１００の性能が向上することができる。
【００５０】
図１２は本発明の第２実施形態によるバルク音響共振器を示す概略断面図である。
【００５１】
図１２を参照すると、本発明の第２実施形態によるバルク音響共振器２００は、一例として、基板２１０と、キャビティ形成層２２０と、メンブレン層２３０と、共振部２４０と、パッシベーション層２８０と、金属パッド２９０と、を含んで構成されることができる。
【００５２】
基板２１０はシリコンが積層された基板であってもよい。例えば、シリコンウエハー（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｗａｆｅｒ）が基板として用いられることができる。一方、基板２１０の上面には、シリコンを保護するための基板保護層２１２が形成されることができる。
【００５３】
基板保護層２１２は、キャビティＣの形成時に損傷を防止する役割を果たす。
【００５４】
一例として、基板保護層２１２は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含有する材料からなることができる。
【００５５】
キャビティ形成層２２０は基板２１０上に形成される。この際、キャビティ形成層２２０のキャビティ形成溝２２２と、メンブレン層２３０とによりキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）Ｃが形成される。すなわち、キャビティ形成層２２０のキャビティ形成溝２２２内に犠牲層が形成された後、犠牲層が除去されることでキャビティＣが形成される。
【００５６】
このように、キャビティ形成層２２０にキャビティＣが形成されるため、キャビティ形成層２２０の上部に形成される共振部２４０、例えば、下部電極２５０、圧電体層２６０などが平らな形状に形成されることができる。
【００５７】
一方、キャビティ形成溝２２２の端部には、犠牲層の除去時にエッチングされることを防止するためのエッチング防止層２２４が備えられることができる。
【００５８】
メンブレン層２３０は、基板２１０とともにキャビティＣを形成する。メンブレン層２３０は犠牲層の上部に形成され、犠牲層の除去により、メンブレン層２３０が基板保護層２１２とともにキャビティＣを形成する。一方、メンブレン層２３０は、シリコン系の犠牲層を除去するためのフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハライド系エッチングガスとの反応性が低い材料からなることができる。
【００５９】
一例として、メンブレン層２３０は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含有する材料からなることができる。
【００６０】
メンブレン層２３０は、第１層２３２と、第１層２３２と同一の材料からなり、第１層２３２に比べて密度が大きい第２層２３４と、を備える。また、第１層２３２の厚さは、第２層２３４の厚さより厚く形成されてもよい。換言すると、第２層２３４は第１層２３２の上部に配置されるものであって、表面処理によって第１層２３２が第２層２３４に変形されてもよい。
【００６１】
一例として、第２層２３４はソフトエッチング（Ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）工程により形成される。すなわち、共振部２４０の形成前に、メンブレン層２３０にソフトエッチング工程を行うことで第２層２３４を形成する。
【００６２】
ソフトエッチング工程は、プラズマ（ｐｌａｓｍａ）状態で電源（ＲＦ−ｂｉａｓ）を基板２１０に印加し、アルゴン粒子（Ａｒ＋）がメンブレン層２３０の表面に衝突するようにして行われる。これにより、メンブレン層２３０の上部に第２層２３４が形成される。
【００６３】
共振部２４０はメンブレン層２３０上に形成される。一例として、共振部２４０は、下部電極２５０、圧電体層２６０、及び上部電極２７０を含んで構成されることができる。
【００６４】
一方、共振部２４０の構成、すなわち、下部電極２５０、圧電体層２６０、及び上部電極２７０は、上述の本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器１００で説明した下部電極１４０、圧電体層１５０、及び上部電極１６０と実質的に同一の構成要素であるため、上記の説明に代えて、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６５】
そして、パッシベーション層２８０及び金属パッド２９０は、上述の本発明の第１実施形態によるバルク音響共振器１００で説明したパッシベーション層１７０及び金属パッド１８０と実質的に同一の構成要素であるため、上記の説明に代えて、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６６】
上述のように、メンブレン層１２０が第１層１２２及び第２層１２４からなることにより、第２層１２４の上部に配置されるように形成される圧電体層１５０の結晶性が向上することができる。
【００６７】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００６８】
１００、２００  バルク音響共振器
１１０、２１０  基板
１２０、２３０  メンブレン層
１３０、２４０  共振部
１４０、２５０  下部電極
１５０、２６０  圧電体層
１６０、２７０  上部電極
１７０、２８０  パッシベーション層
１８０、２９０  金属パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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