(57)【要約】【課題】携帯機器などに活用される電源装置に関し、充電電池への不適切な充電の防止を目的とするものである。【解決手段】電源装置は、入力端子１３と、この入力端子１３にソースが接続されたｐ充電ＭＯＳＦＥＴ１７と、このｐ充電ＭＯＳＦＥＴ１７のドレインに入力側が接続された降圧回路１５と、この降圧回路１５の出力側にソースが接続されたｐ出力ＭＯＳＦＥＴ１８と、このｐ出力ＭＯＳＦＥＴ１８のドレインに接続された出力端子１６と、降圧回路１５の出力側にアノードが接続された整流機能素子１９と、この整流機能素子１９のカソードにプラス電極が接続された充電電池１４と、この充電電池１４のプラス電極にドレインが接続され、ソースが降圧回路１５の入力側に接続されたｐ放電ＭＯＳＦＥＴ２０と、ｐ充電ＭＯＳＦＥＴ１７、ｐ出力ＭＯＳＦＥＴ１８およびｐ放電ＭＯＳＦＥＴ２０のゲートにそれぞれ接続された制御部２１とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
この入力端子に、そのソースが接続された第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴと、
この第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのドレインに、その入力側が接続された降圧回路と、
この降圧回路の出力側に、そのソースが接続された第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴと、
この第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのドレインに接続された出力端子と、
前記降圧回路の出力側に、そのアノードが接続された整流機能素子と、
この整流機能素子のカソードに、そのプラス電極が接続された充電電池と、
この充電電池のプラス電極に、そのドレインが接続され、そのソースが、前記降圧回路の入力側に接続された第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴと、
前記第１、第２、第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートに、それぞれ接続された制御部と、
この制御部に接続されたメモリと、を備えた電源装置。
【請求項２】
前記整流機能素子として、第４のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを用い、この第４のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのドレインを、前記降圧回路の出力側に接続し、この第４のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのソースを、前記充電電池のプラス電極に接続し、この第４のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートを、前記制御部に接続した請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記入力端子に入力検出手段、前記充電電池のプラス電極に電源電圧検出手段、前記出力端子に出力検出手段を、それぞれ接続するとともに、前記入力検出手段、前記電源電圧検出手段、前記出力検出手段を前記制御部に接続し、この制御部に表示素子を接続し、前記制御部は、前記入力検出手段により前記入力端子への入力を検出すると、充電セルフチェックを行い、その後、充電動作を実行する構成とし、
前記充電セルフチェック時には、前記制御部は、前記第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ、前記第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオフし、次に、前記降圧回路をオンし、その後、前記電源電圧検出手段により、前記充電電池のプラス電極の電位を検出し、この電源電圧検出手段による検出電圧が、上昇した場合、前記表示素子でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする請求項１または２に記載の電源装置。
【請求項４】
前記入力端子に入力検出手段、前記充電電池のプラス電極に電源電圧検出手段、前記出力端子に出力検出手段を、それぞれ接続するとともに、前記入力検出手段、前記電源電圧検出手段、前記出力検出手段を前記制御部に接続し、この制御部に表示素子を接続し、前記制御部は、前記入力検出手段により前記入力端子への入力を検出すると、充電セルフチェックを行い、その後、充電動作を実行する構成とし、
前記充電セルフチェック時には、前記制御部は、前記第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオン、前記第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ、前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記降圧回路をオフし、その後、前記電源電圧検出手段により、前記充電電池のプラス電極の電位を検出し、この電源電圧検出手段による検出電圧が、上昇した場合、前記表示素子でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする請求項１または２に記載の電源装置。
【請求項５】
前記入力端子に入力検出手段、前記充電電池のプラス電極に電源電圧検出手段、前記出力端子に出力検出手段を、それぞれ接続するとともに、前記入力検出手段、前記電源電圧検出手段、前記出力検出手段を前記制御部に接続し、この制御部に表示素子を接続し、前記制御部は、前記入力検出手段により前記入力端子への入力を検出すると、充電セルフチェックを行い、その後、充電動作を実行する構成とし、
前記充電セルフチェック時には、前記制御部は、前記第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記降圧回路をオン、前記第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオフし、その後、前記電源電圧検出手段により、前記充電電池のプラス電極の電位を検出し、この電源電圧検出手段による検出電圧が、非上昇である場合、前記表示素子でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする請求項１または２に記載の電源装置。
【請求項６】
前記入力端子に入力検出手段、前記充電電池のプラス電極に電源電圧検出手段、前記出力端子に出力検出手段を、それぞれ接続するとともに、前記入力検出手段、前記電源電圧検出手段、前記出力検出手段を前記制御部に接続し、この制御部に表示素子を接続し、前記制御部は、前記入力検出手段により前記入力端子への入力を検出すると、充電セルフチェックを行い、その後、充電動作を実行する構成とし、
前記充電セルフチェック時には、前記制御部は、第１段のセルフチェックとして、前記第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ、前記第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオフし、次に、前記降圧回路をオンし、その後、前記電源電圧検出手段により、前記充電電池のプラス電極の電位を検出し、この電源電圧検出手段による検出電圧が、上昇した場合、前記表示素子でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とし、
この第１段のセルフチェックが問題無ければ、第２段のセルフチェックとして、前記制御部は、前記第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオン、前記第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ、前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記降圧回路をオフし、その後、前記電源電圧検出手段により、前記充電電池のプラス電極の電位を検出し、この電源電圧検出手段による検出電圧が、上昇した場合、前記表示素子でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態と、
この第２段のセルフチェックが問題無ければ、第３段のセルフチェックとして、前記充電セルフチェック時には、前記制御部は、前記第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記降圧回路をオン、前記第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴおよび前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオフし、その後、前記電源電圧検出手段により、前記充電電池のプラス電極の電位を検出し、この電源電圧検出手段による検出電圧が、非上昇である場合、前記表示素子でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする請求項１または２に記載の電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、充電電池を有する電源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の電源装置は、入力端子と、この入力端子に、第１のスイッチング素子を介して接続された降圧回路と、この降圧回路の出力側に第２のスイッチング素子を介して接続された出力端子と、前記第１、第２のスイッチング素子に、そのプラス電極が接続された充電電池とを備えた構成となっている（これに類似する先行文献としては下記特許文献１）。
すなわち、第１、第２のスイッチング素子を切り換えることで、充電時には、入力端子を、第１、第２のスイッチング素子を介して充電電池に接続し、また、充電電池からの出力時には、前記第１、第２のスイッチング素子を切り換え、前記充電電池を、第１、第２のスイッチング素子を介して出力端子に接続する構成となっている。
また、第１、第２のスイッチング素子は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴによって構成することが出来る（これに類似する先行文献としては下記特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２０７６６８号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記前者の従来例では、第１、第２のスイッチング素子は、後者の従来例で用いられている複数のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴによって構成することが出来る。具体的には、例えば、図９に示すような構成が考えられる。
【０００５】
すなわち、図９に示すように、入力端子１と、この入力端子１に、そのソースが接続されたＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２と、このＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２のドレインに、その入力側が接続された降圧回路３と、この降圧回路３の出力側に、そのソースが接続されたＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ４と、このＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ４のドレインに接続された出力端子５と、前記降圧回路３の出力側に、そのソースが接続されたＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ６と、このＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインに、そのプラス電極が接続された充電電池７と、前記充電電池７のプラス電極に、そのソースが接続され、そのドレインが、前記降圧回路３の入力側に接続されたＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ８と、前記ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２、４、６、８のゲートに、それぞれ接続された制御部９と、この制御部９に接続されたメモリ１０とを備えた構成となる。
【０００６】
以上の構成において、充電時には、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２、６をオンし、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ４、８をオフし、入力端子１を、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２、６を介して充電電池７に接続し、充電電池７からの出力時には、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２、６をオフし、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ８、４をオンし、充電電池７を、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ８、４を介して出力端子５に接続する構成となる。
【０００７】
しかしながら、この図９のように構成した場合、充電時にオフとしているＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ８の寄生ダイオード１２を介して入力端子１と充電電池７が短絡され、その結果として、充電電池７への不適切な充電状態が発生する。
また放電時には、降圧回路３を通した設定電圧よりも、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ６の寄生ダイオード１１を通過する電圧の方が高くなり、意図した電圧が得られない放電状態が発生する。
【０００８】
そこで、本発明は、充電電池への不適切な充電状態や、不適切な放電状態の発生を防止することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、この目的を達成するために本発明の電源装置は、入力端子と、この入力端子に、そのソースが接続された第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴと、この第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのドレインに、その入力側が接続された降圧回路と、この降圧回路の出力側に、そのソースが接続された第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴと、この第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのドレインに接続された出力端子と、前記降圧回路の出力側に、そのアノードが接続された整流機能素子と、この整流機能素子のカソードに、そのプラス電極が接続された充電電池と、この充電電池のプラス電極に、そのドレインが接続され、そのソースが、前記降圧回路の入力側に接続された第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴと、前記第１、第２、第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲートに、それぞれ接続された制御部と、この制御部に接続されたメモリとを備えた構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明の電源装置は、充電電池のプラス電極に、そのドレインが接続され、そのソースが、降圧回路の入力側に接続された第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを用いたので、充電時に、入力端子に接続された第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオン状態とした場合でも、前記第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴをオフ状態としておけば、この第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードを介して、前記入力端子と充電電池のプラス電極が短絡されることは無く、この結果として、充電電池への不適切な充電状態の発生を防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる電源装置の回路図
【図２】本発明の他の実施形態にかかる電源装置の回路図
【図３】本発明の一実施形態にかかる電源装置の動作を説明する図
【図４】本発明の一実施形態にかかる電源装置の動作を説明する図
【図５】本発明の一実施形態にかかる電源装置の動作を説明する図
【図６】本発明の一実施形態にかかる電源装置の動作を説明する図
【図７】本発明の一実施形態にかかる電源装置の動作を説明する図
【図８】本発明の一実施形態にかかる電源装置の動作を説明する図
【図９】従来の電源装置の回路図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の一実施形態を、添付図面を用いて説明する。
【００１３】
図１において、１３は入力端子で、充電電池１４への充電時に、例えば充電用電源としての１２Ｖ電源（図示せず）に接続され、前記１２Ｖの電源は、降圧回路１５を介して、例えば８．４Ｖに降圧され、充電電池１４に供給される。
また、充電電池１４からの出力は、降圧回路１５を介して、例えば６Ｖに降圧され、出力端子１６を介して各種負荷（例えばモータ、ヒータなど）に供給される。
【００１４】
さらに詳細に説明を続けると、本実施形態の電源装置は、入力端子１３と、この入力端子１３に、そのソースが接続されたＰチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７と、このＰチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７のドレインに、その入力側が接続された降圧回路１５と、この降圧回路１５の出力側に、そのソースが接続されたＰチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８と、このＰチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８のドレインに接続された出力端子１６と、前記降圧回路１５の出力側に、そのアノードが接続された整流機能素子１９と、この整流機能素子１９のカソードに、そのプラス電極が接続された充電電池１４と、この充電電池１４のプラス電極に、そのドレインが接続され、そのソースが、前記降圧回路１５の入力側に接続されたＰチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０と、前記Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０のゲートに、それぞれ接続された制御部２１と、この制御部２１に接続されたメモリ２２および表示部２３と、出力スイッチ２４とを備えた構成となっている。
【００１５】
また、入力端子１３には入力検出手段２５、前記充電電池１４のプラス電極には電源電圧検出手段２６、前記出力端子１６には出力検出手段２７を、それぞれ接続するとともに、前記入力検出手段２５、電源電圧検出手段２６、出力検出手段２７は制御部２１に接続されている。
【００１６】
さらに、降圧回路１５も制御部２１に接続されており、この降圧回路１５は、上記先行文献２と同様に、制御部２１によってスイッチング素子２８をデューティ制御することで、出力端子１６からの出力制御を行っている。
【００１７】
また、入力端子１３とＰチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７のソース間には、ダイオード２９が接続されている。
【００１８】
なお、メモリ２２には、図３、図４に示すプログラムが格納されている。
【００１９】
以上の構成において、充電電池１４への充電時には、前記入力端子１３が、例えば、１２Ｖの充電電源に接続される。
すると、前記制御部２１は、前記入力検出手段２５により前記入力端子１３への入力を検出し、充電セルフチェック（図５〜図８のＴ１期間）を行い、その後、充電動作を実行する。
【００２０】
前記充電セルフチェック時には、前記制御部２１は、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０をオフし（図３のＳ１）、次に、降圧回路１５をオンし（図３のＳ２）、その後、電源電圧検出手段２６により、充電電池１４のプラス電極の電位を検出する（図３のＳ３）。
そして、この電源電圧検出手段２６による検出電圧が上昇すると、前記表示部２３でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする（図３のＳ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７）。
【００２１】
すなわち、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７をオフしているにもかかわらず、充電電池１４のプラス電極の電位が、図６のように上昇すると、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７が短絡の可能性があるとして、以降の充電動作を非実行状態とするのである。
なお、この充電セルフチェック時において、充電電池１４の電圧が８．４Ｖになっていると、つまり満充電状態となっていると、電圧の上昇は起きないので、この時には充電の必要がなく、前記表示部２３でエラー表示を行わず、以降の充電動作を非実行状態とする（図３のＳ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７）。
【００２２】
次に、この第１段のセルフチェックが問題無ければ、第２段のセルフチェックとして、前記制御部２１は、降圧回路１５をオフ、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７をオンし、その後、電源電圧検出手段２６により、充電電池１４のプラス電極の電位を検出する（図３のＳ８、Ｓ９、Ｓ１０）。
そして、この電源電圧検出手段２６による検出電圧が、図７のように上昇すると、前記表示部２３でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする（図３のＳ１０、Ｓ１１、Ｓ６、Ｓ７）。
【００２３】
すなわち、降圧回路１５をオフしているにもかかわらず、充電電池１４のプラス電極の電位が図７のように上昇すると、降圧回路１５、またはＰチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０が短絡の可能性があるとして、以降の充電動作を非実行状態とするのである。
【００２４】
この第２段のセルフチェックが問題無ければ、第３段のセルフチェックとして、前記充電セルフチェック時には、前記制御部２１は、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７、降圧回路１５をオン、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０をオフし、その後、電源電圧検出手段２６により、充電電池１４のプラス電極の電位を検出する（図３のＳ１２、Ｓ１３、Ｓ１４）。
【００２５】
すなわち、降圧回路１５、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７をオンしているにもかかわらず、充電電池１４のプラス電極の電位が、図８のように上昇しないと、降圧回路１５、またはＰチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７がオープン故障の可能性があるとして、前記表示部２３でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする（図３のＳ１４、Ｓ１５、Ｓ６、Ｓ７）。
また、充電電池１４のプラス電極の電位が上昇すると、降圧回路１５、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７とも正常として、セルフチェックを完了する（図３のＳ１６）。
【００２６】
そして、このセルチェック後には、降圧回路１５、Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７をオン状態で図５のごとく充電動作が実行される。
【００２７】
なお、この充電時において、本実施形態では、充電電池１４のプラス電極に、そのドレインが接続され、そのソースが、降圧回路１５の入力側に接続されたＰチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０を用いたので、この充電時に、入力端子１３に接続されたＰチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ１７をオン状態とした場合でも、前記Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０をオフ状態としておけば、このＰチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０の寄生ダイオード３１を介して、前記入力端子１３と充電電池１４のプラス電極が短絡されることは無く、この結果として、充電電池１４への不適切な充電状態の発生を防止することが出来る。
つまり、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０の寄生ダイオード３１のアノードが充電電池１４のプラス電極側、寄生ダイオード３１のカソードが入力端子１３側となっているので、前記入力端子１３と充電電池１４のプラス電極が、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０を介して短絡されることは無く、この結果として、充電電池１４への不適切な充電状態の発生を防止することが出来る。
【００２８】
次に、負荷への給電時の動作について説明する。
負荷への給電時には、出力スイッチ２４をオン状態とする。
すると、制御部２１は、給電時のセルフチェックを行った後に、負荷への給電を行う。
先ず、このセルフチェックは、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０をオン状態（図４のＳ１）、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８をオフ状態（図４のＳ２）、降圧回路１５をオン状態とし、その後、出力検出手段２７により、出力電圧を検出する（図４のＳ３、Ｓ４、Ｓ５）。
【００２９】
すなわち、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８をオフしているにもかかわらず、出力電圧が上昇すると、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８の短絡の可能性があるとして、前記表示部２３でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする（図４のＳ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９）。
【００３０】
（図４のＳ５）で出力電圧が上昇しないときには、次に、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８をオンし、その後、出力検出手段２７により、出力電圧を検出する（図４のＳ５、Ｓ１０、Ｓ１１）。
（図４のＳ１１）で出力電圧が上昇しないときには、Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ１８のオープン故障の可能性があるとして、前記表示部２３でエラー表示を行うとともに、以降の充電動作を非実行状態とする（図４のＳ１１、Ｓ１２、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９）。
もちろん、（図４のＳ１１）で出力電圧が上昇すれば、正常状態として、（図４のＳ９）以降に、負荷への給電が実行される。
この給電時には、充電電池１４と降圧回路１５間に、Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ２０を介在させているので、ここにダイオード（アノードが充電電池１４側、カソードが降圧回路１５側）を用いたものに比べて、この部分における電圧降下が少なく、効果的に負荷への給電が行える。
【００３１】
（実施の形態２）
図２は、本発明の他の実施形態を示している。
この実施形態では、図１の整流機能素子１９として、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ３０を用いたものである。
具体的には、第４のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ３０のドレインを、前記降圧回路１５の出力側に接続し、このＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ３０のソースを、前記充電電池１４のプラス電極に接続し、このＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ３０のゲートを、前記制御部２１に接続した。
【００３２】
基本的な動作は、図１と同じものであるが、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ３０は制御部２１によって充電電池１４への充電時にオンされ、負荷への給電時にはオフされる。
特徴としては、充電時に整流機能素子１９を介して充電するよりは、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ３０を介して充電した方が、この部分における電圧降下が少なくなることである。
【００３３】
以上、本発明の実施形態を詳述したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。そして本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。本発明の電源装置は、各種携帯機器への電源装置として活用される。
【符号の説明】
【００３４】
１    入力端子
２    ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ
３    降圧回路
４    ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ
５    出力端子
６    ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ
７    充電電池
８    ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ
９    制御部
１０  メモリ
１１  寄生ダイオード
１２  寄生ダイオード
１３  入力端子
１４  充電電池
１５  降圧回路
１６  出力端子
１７  Ｐチャンネル充電ＭＯＳＦＥＴ（第１のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ）
１８  Ｐチャンネル出力ＭＯＳＦＥＴ（第２のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ）
１９  整流機能素子
２０  Ｐチャンネル放電ＭＯＳＦＥＴ（第３のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ）
２１  制御部
２２  メモリ
２３  表示部（表示素子）
２４  出力スイッチ
２５  入力検出手段
２６  電源電圧検出手段
２７  出力検出手段
２８  スイッチング素子
２９  ダイオード
３０  ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（第４のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ）
３１  寄生ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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