(57)【要約】【課題】基板用の支持台を提供する。【解決手段】一実施形態の支持台は、基台及び支持体を備える。支持体は基台上に設けられている。支持体は、本体及び導電膜を有する。本体は、誘電体から形成されている。本体は、表面領域及び裏面を有する。表面領域は、支持体の上に載置される基板の裏面が接触する領域である。裏面は表面領域と反対側の面である。支持体の裏面は、基台に接合されている。導電膜は、表面領域から離間しており、且つ、起伏を有する。表面領域は、導電膜に沿って延在している。【選択図】図１
2019134515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
前記基台上に設けられた支持体と、
を備え、
前記支持体は、
誘電体から形成されており、該支持体の上に載置される基板の裏面が接触する表面領域及び該表面領域と反対側の裏面を有する本体と、
前記本体内に設けられた導電膜と、
を有し、
前記支持体の前記裏面は前記基台に接合されており、
前記導電膜は、前記表面領域から離間し、且つ、起伏を有し、
前記表面領域は、前記導電膜に沿って延在している、
支持台。
【請求項２】
前記導電膜及び前記表面領域は、少なくとも部分的に湾曲するように延在している、請求項１に記載の支持台。
【請求項３】
前記支持体の前記裏面と前記基台は、接合材を介して接合されている、請求項１又は２に記載の支持台。
【請求項４】
前記導電膜は、静電引力を発生させるために電圧が印加される電極である、請求項１〜３の何れか一項に記載の支持台。
【請求項５】
チャンバと、
請求項１〜４の何れか一項に記載の支持台であり、前記チャンバの中で基板を支持するように構成された該支持台と、
を備える基板処理装置。
【請求項６】
複数のプロセスモジュールと、
複数のプロセスモジュールに基板を搬送するように構成された搬送装置を有する搬送モジュールと、
を備え、
前記複数のプロセスモジュールの各々は、
チャンバと、
請求項１〜４の何れか一項に記載の支持台であり、前記チャンバ内において基板を支持するように構成された該支持台と、
を有し、
前記複数のプロセスモジュールの各々の前記支持台の前記表面領域の形状は、前記複数のプロセスモジュールのうち少なくとも一つの他のプロセスモジュールの前記支持台の前記表面領域の形状と異なっている、
基板処理システム。
【請求項７】
基板用の支持体を製造する方法であって、
未焼成体を準備する工程であり、該未焼成体は、第１領域及び該第１領域の中に設けられた第２領域を有し、前記第１領域は、誘電体原料から形成されており、該第２領域は、導電性を有し、起伏を有している、該工程と、
前記未焼成体を焼成する工程と、
を含む方法。
【請求項８】
前記未焼成体を焼成する前記工程では、ホットプレス法により前記未焼成体が焼成され、
未焼成体を準備する前記工程は、
前記誘電体原料である原料粉を容器内に提供することにより、前記容器内に第１の中間生産物を形成する工程と、
前記第１の中間生産物に型を押し付けることにより、起伏を有する表面を含む第２の中間生産物を前記容器内に形成する工程と、
前記容器内で前記第２の中間生産物の前記表面上に導電性を有する原料を提供することにより、第３の中間生産物を形成する工程と、
前記容器内で前記第３の中間生産物上に前記原料粉を提供することにより、第４の中間生産物を形成する工程と、
を含み、
前記未焼成体は、前記第４の中間生産物であるか、該第４の中間生産物から形成される、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基板の裏面の形状を測定する工程を更に含み、
前記型の表面は、測定された前記形状に応じて形成される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記型の表面は、基板の裏面の形状の測定データに基づいて形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
未焼成体を準備する前記工程は、前記第４の中間生産物に前記型又は別の型を押し付けることにより、前記容器内で第５の中間生産物を形成する工程を更に含み、
前記第５の中間生産物は、前記導電性を有する前記原料から形成された領域に沿って延在する表面を有し、
前記未焼成体は、前記第５の中間生産物である、
請求項８〜１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記未焼成体は、前記第４の中間生産物であり、
前記未焼成体を焼成する前記工程によって形成された焼成体の表面を加工する工程を更に含み、
焼成体の表面を加工する前記工程では、前記導電性を有する前記原料から形成された導電膜に沿って延在する表面領域を提供するように、前記焼成体の表面が加工される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
未焼成体を準備する前記工程では、
前記誘電体原料から形成された第３領域及び導電性を有し該第３領域内に設けられた第４領域を含むシート材が準備され、
前記第３領域から前記第１領域を形成し、前記第４領域から前記第２領域を形成するように、前記シート材が型の表面上に設置され、
前記型の前記表面は、前記第２領域の起伏に対応する起伏を有する、
請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
基板の裏面の形状を測定する工程を更に含み、
前記型の前記表面は、測定された前記形状に応じて形成される、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記型の前記表面は、基板の裏面の形状の測定データに基づいて形成される、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、支持台、基板処理装置、基板処理システム、及び支持体を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては基板処理装置を用いて基板が処理される。基板は、基板処理装置のチャンバの中で支持台上に載置された状態で処理される。支持台は、基台及び静電チャックを備える。
【０００３】
静電チャックは、基台上に設けられている。静電チャックは、誘電体及び電極を有する。電極は誘電体内に設けられている。直流電圧が電極に印加されると、静電引力が基板と静電チャックとの間で発生する。発生した静電引力により、基板は静電チャックに引き付けられて、静電チャックによって保持される。このような支持台については、特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−２０８５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板は平坦ではなく反りを有することがある。基板に形成されているパターンが複雑なパターンであると、基板の反りによって基板の裏面は複雑な形状を有するものとなる。反りを有する基板が静電チャックによって保持されると、静電チャックの表面領域に接しない箇所が当該基板の裏面において生じる。その結果、基板処理の面内均一性が損なわれ得る。静電チャック以外の基板用の支持台においても、このような問題は生じ得る。かかる背景から、基板が反りを有していても、支持台の表面領域に接触しない基板の裏面内の箇所を減少させることが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の態様においては、支持台が提供される。支持台は、基台及び支持体を備える。支持体は基台上に設けられている。支持体は、本体及び導電膜を有する。本体は、誘電体から形成されている。本体は、表面領域及び裏面を有する。表面領域は、支持体の上に載置される基板の裏面が接触する領域である。裏面は表面領域と反対側の面である。支持体の裏面は、基台に接合されている。導電膜は、表面領域から離間しており、且つ、起伏を有する。表面領域は、導電膜に沿って延在している。
【０００７】
第１の態様に係る支持台では、支持体の裏面が基台に接合されているので、支持体の裏面の略全体と基台との間で均一な熱交換が行われる。したがって、この支持台では、支持体の温度分布の均一性が高い。また、表面領域は、起伏を有する導電膜に沿って延在している。即ち、表面領域は、起伏を有する面を提供するように延在している。この表面領域の形状は、基板の裏面の形状に合うように又は対応するように作られ得る。したがって、この支持台によれば、支持体の表面領域に接触しない基板の裏面内の箇所が減少する。また、この支持台において、導電膜と表面領域との間の距離は略一定である。したがって、基板の裏面の略全体と表面領域との間で均一な熱交換が行われる。故に、この支持台によって基板が支持された状態で行われる基板処理は、高い面内均一性を有する。
【０００８】
一実施形態において、導電膜及び表面領域は、少なくとも部分的に湾曲するように延在していてもよい。
【０００９】
一実施形態において、支持体の裏面と基台は、接合材を介して接合されていてもよい。接合材は、接着剤又はロウ材であり得る。
【００１０】
一実施形態において、導電膜は、静電引力を発生させるために電圧が印加される電極である。この実施形態の支持体は、静電チャックである。上述したように、導電膜と表面領域との間の距離は略一定である。したがって、支持体、即ち静電チャックと基板の裏面の略全体との間で略均一に静電引力が発生する。故に、この実施形態の支持台によれば、基板の裏面の略全体と表面領域との間で均一な熱交換が行われる。
【００１１】
第２の態様においては、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、チャンバ及び支持台を備える。支持台は、第１の態様又は上述の実施形態のうち何れかの支持台である。支持台は、チャンバの中で基板を支持するように構成されている。
【００１２】
第３の態様においては、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、複数のプロセスモジュール及び搬送モジュールを備える。搬送モジュールは、搬送装置を有する。搬送装置は、複数のプロセスモジュールに基板を搬送するように構成されている。複数のプロセスモジュールの各々は、チャンバ及び支持台を備える。支持台は、第１の態様又は上述の実施形態のうち何れかの支持台である。支持台は、チャンバの中で基板を支持するように構成されている。複数のプロセスモジュールの各々の支持台の表面領域の形状は、複数のプロセスモジュールのうち少なくとも一つの他のプロセスモジュールの支持台の表面領域の形状と異なっている。
【００１３】
第３の態様に係る基板処理システムでは、複数のプロセスモジュールの各々の支持台の表面領域の形状は、支持すべき基板の裏面の形状に合うように又は対応するように形成され得る。したがって、複数のプロセスモジュールの各々の支持台の表面領域に接触しない基板の裏面内の箇所が減少する。故に、複数のプロセスモジュールの各々において、高い面内均一性を有する基板処理が実現され得る。
【００１４】
第４の態様においては、基板用の支持体を製造する方法が提供される。この方法は、（ｉ）未焼成体を準備する工程と、（ｉｉ）未焼成体を焼成する工程と、を含む。未焼成体は、第１領域及び第２領域を有する。第１領域は、誘電体原料から形成されてている。第２領域は第１領域の中に設けられている。第２領域は導電性を有し、起伏を有している。
【００１５】
第４の態様に係る方法によれば、第１領域から支持体の本体が形成され、第２領域から起伏を有する支持体の導電膜が形成される。
【００１６】
一実施形態において、未焼成体を焼成する工程は、ホットプレス法により未焼成体を焼成する。この実施形態において、未焼成体を準備する工程は、（ａ）誘電体原料である原料粉を容器内に提供することにより、容器内に第１の中間生産物を形成する工程と、（ｂ）第１の中間生産物に型を押し付けることにより、起伏を有する表面を含む第２の中間生産物を容器内に形成する工程と、（ｃ）容器内で第２の中間生産物の表面上に導電性を有する原料を提供することにより、第３の中間生産物を形成する工程と、（ｄ）容器内で第３の中間生産物上に原料粉を提供することにより、第４の中間生産物を形成する工程と、を含む。未焼成体は、第４の中間生産物であるか、第４の中間生産物から形成される。この実施形態によれば、基板の裏面の形状に合う又は対応する形状を有する型を用いることにより、起伏を有する導電膜が形成される。
【００１７】
一実施形態において、方法は、基板の裏面の形状を測定する工程を更に含む。型の表面は、測定された形状に応じて形成される。
【００１８】
一実施形態において、未焼成体を準備する工程は、第４の中間生産物に上記型又は別の型を押し付けることにより、容器内で第５の中間生産物を形成する工程を更に含む。第５の中間生産物は、導電性を有する原料から形成された領域に沿って延在する表面を有する。この実施形態では、上記未焼成体は、第５の中間生産物である。この実施形態によれば、第５の中間生産物を焼成することにより、第５の中間生産物の表面から上述した支持体の表面領域が形成される。
【００１９】
一実施形態において、未焼成体は、第４の中間生産物である。この実施形態において、方法は、未焼成体を焼成する工程によって形成された焼成体の表面を加工する工程を更に含む。焼成体の表面を加工する工程では、導電性を有する原料から形成された導電膜に沿って延在する表面領域を提供するように、焼成体の表面が加工される。
【００２０】
未焼成体を準備する工程の一実施形態では、第３領域及び第４領域を有するシートが準備される。第３領域は誘電体原料から形成される。第４領域は、導電性を有し第３領域内に設けられる。シート材は、第３領域から第１領域を形成し、第４領域から第２領域を形成するように、型の表面上に設置される。型の表面は、第２領域の起伏に対応する起伏を有する。この実施形態では、シート材を型の表面上に設置することにより、起伏を有する第２領域が形成される。そして、第１領域及び第２領域を有するシート材が焼成されることにより、支持体が形成される。
【００２１】
一実施形態において、方法は、基板の裏面の形状を測定する工程を更に含み、型の表面は、測定された形状に応じて形成される。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、基板が反りを有していても、支持台の表面領域に接触しない基板の裏面内の箇所を減少させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】一実施形態に係る支持台を示す断面図である。
【図２】一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す断面図である。
【図３】一実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。
【図４】支持体を製造する方法の実施形態を示す流れ図である。
【図５】図５の（ａ）、図５の（ｂ）、図５の（ｃ）、及び図５の（ｄ）の各々は、図４に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。
【図６】図６の（ａ）、図６の（ｂ）、及び図６の（ｃ）の各々は、図４に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。
【図７】図７の（ａ）、図７の（ｂ）、図７の（ｃ）、及び図７の（ｄ）各々は、図４に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。
【図８】支持体を製造する方法の別の実施形態を示す流れ図である。
【図９】図９の（ａ）、図９の（ｂ）、図９の（ｃ）、及び図９の（ｄ）は、図８に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００２５】
図１は、一実施形態に係る支持台を示す断面図である。図１に示す支持台１０は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。支持台１０は、基台１２及び支持体１４を備えている。基台１２は、支持体１４を支持する機能及び支持体１４と熱交換を行う機能を有する。一実施形態において、基台１２内には、流路１２ｐが形成されている。流路１２ｐは、基台１２内において例えば渦巻状に延在し得る。流路１２ｐには、熱交換媒体が供給される。流路１２ｐに供給された熱交換媒体は流路１２ｐから基台１２の外部に排出される。基台１２は、限定されるものではないが、例えばアルミニウムから形成される。
【００２６】
支持体１４は、基台１２上に設けられている。支持体１４は、本体１４ｍ及び導電膜１４ｅを有している。本体１４ｍは、略板状をなしている。本体１４ｍは、誘電体から形成されている。本体１４ｍは、例えば、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムといったセラミックから形成される。
【００２７】
支持体１４は、表面領域１４ｓ及び裏面１４ｒを有している。表面領域１４ｓは、支持体１４の上に載置される基板Ｗの裏面Ｗｒが接触する領域である。表面領域１４ｓは、連続する面又は離散的な複数の面から形成されていてもよい。離散的な複数の面は、支持体１４の上面側に提供された複数の凸部の頂部から構成される。
【００２８】
裏面１４ｒは、表面領域１４ｓと反対側の面である。裏面１４ｒは、基台１２に接合されている。少なくとも表面領域１４ｓと基台１２との間で延在する裏面１４ｒの領域の全体又は裏面１４ｒの全体が、基台１２に対して接合されている。一実施形態では、裏面１４ｒは、接合材１６を介して基台１２に接合されている。接合材１６は、少なくとも表面領域１４ｓと基台１２との間で延在する裏面１４ｒの領域の全体と基台１２との間に設けられている。接合材１６は裏面１４ｒの全体と基台１２との間に設けられていてもよい。接合材１６は、例えば、接着剤である。接合材１６は、ロウ材であってもよい。或いは、支持体１４は、静電引力によって基台１２に固定されていてもよい。
【００２９】
導電膜１４ｅは、本体１４ｍの中に設けられている。導電膜１４ｅは、導電性を有する膜である。一実施形態において、導電膜１４ｅは、支持体１４と基板Ｗとの間で静電引力を発生させるために、直流電圧が印加される電極である。この実施形態では、支持体１４は静電チャックである。別の実施形態において、導電膜１４ｅは、ヒータ（抵抗加熱素子）である。なお、支持体１４が静電チャックである場合に、支持体１４は、直流電圧が印加される電極とは別に、その内部にヒータ（抵抗加熱素子）を有していてもよい。
【００３０】
導電膜１４ｅは、基台１２の側に表面領域１４ｓから離間している。導電膜１４ｅは、起伏を有している。導電膜１４ｅの起伏の形状は、基板Ｗの裏面Ｗｒの形状に合うように又は対応するように作られている。表面領域１４ｓは、導電膜１４ｅに沿って延在している。即ち、表面領域１４ｓは、起伏を有する面を提供するように延在している。表面領域１４ｓの起伏の形状は、基板Ｗの裏面Ｗｒの形状に合うように又は対応するように作られている。なお、表面領域１４ｓが離散的な複数の面から構成されている場合には、当該離散的な複数の面を含む仮想の連続面が起伏を提供する。導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々の起伏の大きさは、これらの各々を構成する粒子によって決定される凹凸の大きさよりも大きい。また、導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々の起伏は、表面領域１４ｓが複数の凸部の頂部によって構成されている場合には、当該複数の凸部とは別の起伏である。
【００３１】
導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々は、一実施形態において、少なくとも部分的に湾曲するように延在している。例えば、導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々は、そのエッジから中心に向けて高さ方向の位置が高くなる形状、即ち凸形状を有していてもよい。或いは、導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々は、そのエッジから中心に向けて高さ方向の位置が低くなる形状、即ち凹形状を有していてもよい。或いは、導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々は、複数の凹凸を含む複雑な形状を有していてもよい。なお、導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々の起伏の大きさ、即ち導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々の最高位置と最低位置との間の高さ方向の距離差は、例えば１００μｍよりも大きい。また、導電膜１４ｅ及び表面領域１４ｓの各々の起伏の大きさは、例えば５００μｍよりも小さい。
【００３２】
以上説明した支持台１０では、支持体１４の裏面１４ｒが基台１２に接合されているので、支持体１４の裏面１４ｒの略全体と基台１２との間で均一な熱交換が行われる。したがって、支持台１０では、支持体１４の温度分布の均一性が高い。また、表面領域１４ｓは、起伏を有する導電膜１４ｅに沿って延在している。即ち、表面領域１４ｓは、起伏を有する面を提供するように延在している。この表面領域１４ｓの形状は、基板Ｗの裏面Ｗｒの形状に合うように又は対応するように作られ得る。したがって、支持台１０によれば、基板Ｗが反りを有していても、支持体１４の表面領域１４ｓに接触しない基板Ｗの裏面Ｗｒ内の箇所が減少する。また、支持台１０において、導電膜１４ｅと表面領域１４ｓとの間の距離は略一定である。したがって、基板Ｗの裏面Ｗｒの略全体と表面領域１４ｓとの間で均一な熱交換が行われる。故に、この支持台１０によって基板Ｗが支持された状態で行われる基板処理は、高い面内均一性を有する。
【００３３】
一実施形態において支持体１４は静電チャックである。上述したように、導電膜１４ｅと表面領域１４ｓとの間の距離は略一定である。したがって、支持体１４、即ち静電チャックと基板Ｗの裏面Ｗｒの略全体との間で略均一に静電引力が発生する。故に、支持台１０によれば、基板Ｗの裏面Ｗｒの略全体と表面領域１４ｓとの間で均一な熱交換が行われる。
【００３４】
以下、一実施形態に係る基板処理装置について説明する。図２は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す断面図である。図２に示す基板処理装置１は、支持台１０及びチャンバ１８を備えている。支持台１０は、チャンバ１８の中、即ち、チャンバ１８によって提供される内部空間１８ｓの中に設けられている。
【００３５】
支持台１０の基台１２の流路１２ｐには、チャンバ１８の外部に設けられた供給装置（例えばチラーユニット）から熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路１２ｐに供給された熱交換媒体は、供給装置に戻される。即ち、流路１２ｐと供給装置との間では熱交換媒体が循環される。熱交換媒体によって基台１２の温度が調整され、基台１２と支持体１４の熱交換及び支持体１４と基板Ｗとの熱交換により、基板Ｗの温度が調整される。
【００３６】
一実施形態において、支持体１４は静電チャックである。この実施形態において、支持体１４の導電膜１４ｅには、スイッチＳＷを介して直流電源２０が電気的に接続される。直流電源２０は、直流電圧を発生する。直流電圧が直流電源２０から導電膜１４ｅに印加されると、支持体１４と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。別の実施形態では、導電膜１４ｅは、ヒータ（抵抗加熱素子）である。この実施形態では、導電膜１４ｅには、ヒータ電源が電気的に接続される。
【００３７】
一実施形態において、基板処理装置１は、ガス供給部２２を更に備え得る。ガス供給部２２は、基板Ｗに対する処理、即ち基板処理において用いられるガスを内部空間１８ｓに供給する。一実施形態において、基板処理装置１は、排気装置２４を更に備え得る。排気装置２４は、内部空間１８ｓの中のガスを排気して、内部空間１８ｓの中の圧力を減圧するように構成されている。排気装置２４は、例えば、圧力調整弁及び減圧ポンプを有する。減圧ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった一以上のポンプを含み得る。
【００３８】
基板処理装置１において基板Ｗに対して行われる処理は任意の基板処理であり得る。一実施形態において、基板処理装置１は、プラズマ処理を基板Ｗに対して行うように構成される。この実施形態において、基板処理装置１は、プラズマ生成部２６を有する。プラズマ生成部２６は、内部空間１８ｓの中でガスを励起させるためのエネルギーを供給するように構成されている。プラズマ生成部２６は、任意のタイプのプラズマ生成部であり得る。プラズマ生成部２６は、例えば、容量結合型のプラズマ生成部、誘導結合型のプラズマ生成部、又はマイクロ波といった表面波によりプラズマを生成するプラズマ生成部である。
【００３９】
この基板処理装置１は、支持台１０を有している。したがって、基板処理装置１を用いて実行される基板処理は、改善された面内均一性を有する。
【００４０】
以下、一実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図３は、一実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。図３に示す基板処理システムＳＰは、台２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ、容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ、ローダーモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、搬送モジュールＴＭ、並びにプロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４を備えている。なお、基板処理システムＳＰの台の個数、容器の個数、ロードロックモジュールの個数は、１個以上の任意の個数であり得る。また、基板処理システムＳＰのプロセスモジュールの個数は、二以上の任意の個数であり得る。
【００４１】
台２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、ローダーモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄはそれぞれ、台２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ上に配置されている。容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、その内部に基板を収容するように構成されている。容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの各々は、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）と称される容器であり得る。
【００４２】
ローダーモジュールＬＭは、その内部に搬送空間ＬＳを提供している。搬送空間ＬＳの中の圧力は、大気圧に設定される。ローダーモジュールＬＭは、搬送装置ＴＵ１を有している。搬送装置ＴＵ１は、例えば多関節ロボットである。搬送装置ＴＵ１は、容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの各々とアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間、容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの各々とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間で、搬送空間ＬＳを介して、基板を搬送するように構成されている。アライナＡＮは、ローダーモジュールＬＭに接続されている。アライナＡＮは、その内部において基板の位置を較正する。
【００４３】
ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、ローダーモジュールＬＭと搬送モジュールＴＭの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々の予備減圧室と搬送空間ＬＳとの間にはゲートバルブが設けられている。
【００４４】
搬送モジュールＴＭは、その内部に搬送空間ＴＳを提供している。搬送空間ＴＳは、減圧可能に構成されている。搬送モジュールＴＭの搬送空間ＴＳとロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々の予備減圧室との間にはゲートバルブが設けられている。搬送モジュールＴＭは、搬送装置ＴＵ２を有している。搬送装置ＴＵ２は、例えば多関節ロボットである。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々の予備減圧室とプロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々の間、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４のうち任意の二つのプロセスモジュールの間で、搬送空間ＴＳを介して、基板を搬送するように構成されている。
【００４５】
プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々は、専用の基板処理を実行する装置である。プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々は、基板処理装置１である。即ち、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々は、支持台１０及びチャンバ１８を有する。支持台１０は、チャンバ１８内において基板を支持するように構成されている。プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々のチャンバ１８の内部空間は、ゲートバルブを介して搬送空間ＴＳに接続されている。
【００４６】
基板処理システムＳＰは、制御部ＭＣを更に備え得る。制御部ＭＣは、基板処理システムＳＰにおいて行われる各基板処理において、基板処理システムＳＰの各部を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、プロセッサ（例えばＣＰＵ）、及び、メモリといった記憶装置、制御信号の入出力インタフェイスを備えたコンピュータ装置であり得る。記憶装置には、制御プログラム及びレシピデータが記憶されている。プロセッサが制御プログラム及びレシピデータに従って動作することにより制御信号が送出され、当該制御信号に応じて基板処理システムＳＰが動作する。
【００４７】
基板処理システムＳＰでは、複数のプロセスモジュール、即ちプロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々の支持台１０の表面領域１４ｓの形状は、当該複数のプロセスモジュールのうち少なくとも一つの他のプロセスモジュールの支持台１０の表面領域１４ｓの形状と異なっている。即ち、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々は、これらプロセスモジュールのうち少なくとも一つの他のプロセスモジュールにおいて処理される基板の裏面の形状とは異なる裏面の形状を有する基板を支持台１０上に支持する。プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の各々の表面領域１４ｓの形状は、支持すべき基板の裏面１４ｒの形状に合うように又は対応するように形成されている。なお、処理されるべき基板Ｗの裏面の形状が測定され、当該基板Ｗが、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の支持台１０のうち、測定された裏面の形状に対応するか又は近似する表面形状をもった表面領域１４ｓを有する支持台１０上に搬送されて、処理されてもよい。
【００４８】
この基板処理システムＳＰによれば、複数のプロセスモジュールの各々の支持台１０の表面領域１４ｓに接触しない基板の裏面内の箇所が減少する。故に、複数のプロセスモジュールの各々において、高い面内均一性を有する基板処理が実現され得る。
【００４９】
以下、基板用の支持体を製造する方法の種々の実施形態について説明する。図４は、支持体を製造する方法の実施形態を示す流れ図である。図５の（ａ）、図５の（ｂ）、図５の（ｃ）、図５の（ｄ）、図６の（ａ）、図６の（ｂ）、及び図６の（ｃ）の各々は、図４に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。図４に示す方法ＭＴ１は、工程ＳＴ１１で開始する。工程ＳＴ１１では、基板Ｗの裏面Ｗｒの形状が測定される。基板Ｗの裏面Ｗｒの形状の測定には、任意の測定器が用いられ得る。
【００５０】
続く工程ＳＴ１２では、後述する工程で用いられる一以上の型が作成される。一以上の型は、工程ＳＴ１１で測定された基板Ｗの裏面Ｗｒの形状に合うか又は対応する表面形状を有するように作成される。なお、方法ＭＴ１は、工程ＳＴ１１を含まなくてもよい。この場合には、予め準備された基板Ｗの裏面Ｗｒの形状の測定データに基づいて、工程ＳＴ１２において一以上の型の表面が形成される。
【００５１】
続く工程ＳＴ１３では、未焼成体が準備される。未焼成体は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２を含む（図６の（ａ）参照）。工程ＳＴ１３の一実施形態では、まず、工程ＳＴ１３１が実行される。工程ＳＴ１３１では、容器１００の中に原料粉が提供される。工程ＳＴ１３１では、図５の（ａ）に示すように容器１００の中で第１の中間生産物ＩＰＡが形成される。第１の中間生産物ＩＰＡは、工程ＳＴ１３１において容器１００の中に提供された原料粉から構成される。工程ＳＴ１３１において用いられる原料粉は、誘電体原料である。当該誘電体原料が後に焼成されることにより、本体１４ｍが形成される。
【００５２】
続く工程ＳＴ１３２では、第１の中間生産物ＩＰＡに型ＤＡが押し付けられる。型ＤＡは、工程ＳＴ１２において形成された型である。工程ＳＴ１３２では、図５の（ｂ）に示すように、容器１００内で、起伏を有する表面を含む第２の中間生産物ＩＰＢが第１の中間生産物ＩＰＡから形成される。次いで、型ＤＡが取り除かれる。
【００５３】
次いで、工程ＳＴ１３３が実行される。工程ＳＴ１３３では、容器１００内で第２の中間生産物ＩＰＢの表面上に導電性を有する原料が提供される。導電性を有する原料は、第２の中間生産物ＩＰＢの起伏を有する表面上に、膜を形成するように設けられる。導電性を有する原料は、当該原料が後に焼成されることにより、導電膜１４ｅを形成する。工程ＳＴ１３３で用いられる原料は、例えば、導電性を有するペーストである。或いは、工程ＳＴ１３３で用いられる原料は、セラミック製の原料粉と導電性を有する金属の原料粉とを含む。工程ＳＴ１３３が実行されると、図５の（ｃ）に示すように、第３の中間生産物ＩＰＣが容器１００の中に形成される。第３の中間生産物ＩＰＣは、第２の中間生産物ＩＰＢと第２の中間生産物ＩＰＢの表面上で導電性を有する原料から形成された領域ＲＣとを含む。
【００５４】
続く工程ＳＴ１３４では、容器１００内で第３の中間生産物ＩＰＣ上に原料粉が提供される。工程ＳＴ１３４で用いられる原料粉は、工程ＳＴ１３１で用いられる原料粉と同一の原料粉であり得る。工程ＳＴ１３４では、図５の（ｄ）に示すように、容器１００内で第４の中間生産物ＩＰＤが形成される。第４の中間生産物ＩＰＤは、第３の中間生産物ＩＰＣと当該第３の中間生産物ＩＰＣ上で原料粉から形成された領域ＲＤを含む。
【００５５】
一実施形態の工程ＳＴ１３では、次いで、工程ＳＴ１３５が実行される。工程ＳＴ１３５では、第４の中間生産物ＩＰＤの領域ＲＤに型ＤＢが押し付けられる。型ＤＢは、工程ＳＴ１２において形成された型である。工程ＳＴ１３５では、型ＤＡが型ＤＢとして用いられてもよい。或いは、工程ＳＴ１３５では、型ＤＡと別の型が型ＤＢとして用いられてもよい。工程ＳＴ１３５では、領域ＲＤに型ＤＢが押し付けられることにより、図６の（ａ）に示すように、第５の中間生産物ＩＰＥ、即ち未焼成体が容器１００内に形成される。第５の中間生産物ＩＰＥは、第２の中間生産物ＩＰＢ、領域ＲＣ、及び領域ＲＤを含む。第５の中間生産物ＩＰＥでは、領域ＲＤの表面は、起伏を有し、且つ、領域ＲＣに沿って延在する表面に変形されている。第５の中間生産物ＩＰＥ、即ち未焼成体において、第２の中間生産物ＩＰＢ及び領域ＲＤは第１領域Ｒ１を構成し、領域ＲＣは第２領域Ｒ２を構成する。次いで、型ＤＢが取り除かれて、一実施形態の工程ＳＴ１３が終了する。
【００５６】
次いで、工程ＳＴ１４が実行される。工程ＳＴ１４では、図６の（ｂ）に示すように、第５の中間生産物ＩＰＥ上に中間材ＩＭが提供される。中間材ＩＭは、例えばカーボンの粉末である。続く工程ＳＴ１５では、未焼成体、即ち第５の中間生産物ＩＰＥが、中間材ＩＭと共に焼成される。工程ＳＴ１５は、図６の（ｃ）に示すように、ホットプレス法により未焼成体が焼成される。即ち、工程ＳＴ１５では、未焼成体が中間材ＩＭと共に加圧されながら焼成される。工程ＳＴ１５が実行されると、支持体１４が形成される。第２の中間生産物ＩＰＢ及び領域ＲＤ、即ち第１領域Ｒ１の焼成によって、本体１４ｍが形成される。また、領域ＲＣ、即ち第２領域Ｒ２の焼成によって、導電膜１４ｅが形成される。
【００５７】
以下、図４と共に図７の（ａ）、図７の（ｂ）、図７の（ｃ）、及び図７の（ｄ）を参照する。図７の（ａ）、図７の（ｂ）、図７の（ｃ）、及び図７の（ｄ）各々は、図４に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。別の実施形態において、方法ＭＴ１の工程ＳＴ１３は、工程ＳＴ１３５を含んでいなくてもよい。この場合には、図７の（ａ）に示す第４の中間生産物ＩＰＤが、未焼成体である。第４の中間生産物ＩＰＤ、即ち未焼成体において、第２の中間生産物ＩＰＢ及び領域ＲＤは第１領域Ｒ１を構成し、領域ＲＣは第２領域Ｒ２を構成する。
【００５８】
工程ＳＴ１３４において第４の中間生産物ＩＰＤが形成された後、工程ＳＴ１４が実行される。工程ＳＴ１４では、図７の（ｂ）に示すように、第４の中間生産物ＩＰＤ上に中間材ＩＭが提供される。そして、工程ＳＴ１５において、図７の（ｃ）に示すように、未焼成体、即ち第４の中間生産物ＩＰＤが、中間材ＩＭと共にホットプレス法により焼成される。工程ＳＴ１５の焼成により、第４の中間生産物ＩＰＤから焼成体ＦＢが形成される。領域ＲＣ、即ち第２領域Ｒ２は、工程ＳＴ１５の焼成により、導電膜１４ｅとなる。次いで、工程ＳＴ１６が実行される。工程ＳＴ１６では、焼成体ＦＢの全領域のうち、第１領域Ｒ１（第２の中間生産物ＩＰＢ及び領域ＲＤ）の焼成により形成された領域の表面が加工（例えば機械加工）される。工程ＳＴ１６において実行される加工の結果、図７の（ｄ）に示すように、本体１４ｍが形成される。即ち、導電膜１４ｅに沿って延在する表面領域１４ｓを提供するように、焼成体ＦＢが加工される。
【００５９】
以下、図８、図９の（ａ）、図９の（ｂ）、図９の（ｃ）、及び図９の（ｄ）を参照する。図８は、支持体を製造する方法の別の実施形態を示す流れ図である。図９の（ａ）、図９の（ｂ）、図９の（ｃ）、及び図９の（ｄ）は、図８に示す方法の工程で作成される生産物を示す図である。図８に示す方法ＭＴ２は、工程ＳＴ２１で開始する。工程ＳＴ２１では、基板Ｗの裏面Ｗｒの形状が測定される。基板Ｗの裏面Ｗｒの形状の測定には、任意の測定器が用いられ得る。
【００６０】
続く工程ＳＴ２２では、後述する工程で用いられる型ＤＣが作成される（図９の（ａ）参照）。型ＤＣは、工程ＳＴ２１で測定された基板Ｗの裏面Ｗｒの形状に合うか又は対応する表面形状を有するように作成される。即ち、型ＤＣは、後述する第２領域Ｒ２の起伏に対応する起伏を有するように作成される。なお、方法ＭＴ２は、工程ＳＴ２１を含まなくてもよい。この場合には、予め準備された基板Ｗの裏面Ｗｒの形状の測定データに基づいて、工程ＳＴ２２において型ＤＣの表面が形成される。
【００６１】
続く工程ＳＴ２３では、未焼成体が準備される。工程ＳＴ２３は、工程ＳＴ２３１及び工程ＳＴ２３２を含む。工程ＳＴ２３１では、シート材ＧＳが提供される。図９の（ｂ）に示すように、シート材ＧＳは、領域Ｒ３（第３領域）及び領域Ｒ４（第４領域）を含む。領域Ｒ３は、誘電体原料から形成されている。領域Ｒ３の誘電体原料は、後述する焼成によって、本体１４ｍを形成する。領域４は、領域Ｒ３の中に設けられている。領域Ｒ４は、導電性を有する。領域Ｒ３は、後述する焼成によって、導電膜１４ｅを形成する。シート材ＧＳにおいて、領域Ｒ４は、起伏を有しておらず、略平坦である。
【００６２】
続く工程ＳＴ２３２では、図９の（ｃ）に示すように、シート材ＧＳが型ＤＣの起伏を有する表面上に設置される。シート材ＧＳが型ＤＣの表面上に設置されると、シート材ＧＳは、型ＤＣの表面の形状に合わせて変形する。即ち、工程ＳＴ２３２においてシート材ＧＳが型ＤＣの表面上に設置されると、領域Ｒ３から第１領域Ｒ１が形成され、領域Ｒ４から第２領域Ｒ２が形成される。第２領域Ｒ２は、起伏を有している。また、第１領域Ｒ１の表面は、第２領域Ｒ２から離間しており、第２領域Ｒ２に沿って延在している。第１領域Ｒ１は、第２領域Ｒ２と略一定の距離を有するように起伏をもった表面領域を提供している。なお、シート材ＧＳが型ＤＣに向けて吸引されることにより、シート材ＧＳが型ＤＣに引き付けられてもよい。或いは、シート材ＧＳが型ＤＣに静電引力によって引き付けられてもよい。
【００６３】
続く工程ＳＴ２４では、図９の（ｄ９に示すように、型ＤＣ上にシート材ＧＳが設置された状態で、シート材ＧＳが加熱炉ＨＯ内において焼成される。工程ＳＴ２４の焼成は、常圧で実行される。第１領域Ｒ１の焼成により本体１４ｍが形成され、第２領域Ｒ２の焼成により導電膜１４ｅが形成される。
【符号の説明】
【００６４】
ＳＰ…基板処理システム、ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４…プロセスモジュール、ＴＭ…搬送モジュール、ＴＵ２…搬送装置、１…基板処理装置、１０…支持台、１２…基台、１４…支持体、１４ｅ…導電膜、１４ｍ…本体、１４ｒ…裏面、１４ｓ…表面領域、１８…チャンバ、Ｗ…基板、Ｗｒ…裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019134515.tif 000009
【図８】
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【図９】
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