(57)【要約】【課題】反射抑制効果、及び光閉じ込め効果を一定水準に保つことを実現する太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本開示の太陽電池の製造方法は、半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、をこの順で含み、前記第１の半導体基板、及び前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面を受光面とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、
前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、
をこの順で含み、
前記第１の半導体基板、及び前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面を受光面とする、
太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程の後に、前記半導体基板群を前記エッチング処理液から洗浄処理液に搬送する搬送工程と、
前記搬送工程の後に、前記半導体基板群を前記洗浄処理液に浸漬する洗浄工程と、を更に含む、
請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記搬送工程時の前記半導体基板群の温度が、前記エッチング工程時の前記半導体基板の温度よりも低い、
請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程の前に、前記半導体基板群を処理液に浸漬する浸漬工程と、
前記浸漬工程の後に、前記半導体基板群を前記処理液から前記エッチング処理液に搬送する搬送工程と、を更に含む、
請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記搬送工程時の前記半導体基板群の温度が、前記浸漬工程時の前記半導体基板の温度よりも低い、
請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、
前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の下端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の下端に配置し、
前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、を受光面とする、
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、
前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の上端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の上端に配置し、
前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、を受光面とする、
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程において、前記半導体基板群が、第１の主面が第１の方向を向き、第２の主面が前記第１の方向と逆の第２の方向を向くように整列された複数の前記半導体基板を含み、
前記第１の群に含まれる前記半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の群に含まれる前記半導体基板の前記第１の主面と、を受光面とする、
請求項６又は７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記第１の群に含まれる半導体基板の数と、前記第２の群に含まれる半導体基板の数とが等しい、
請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、
前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、
前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の表面に集電極を形成する集電極形成工程と、をこの順で含み、
前記集電極形成工程は、
前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面上に、第１の集電極を形成する第１集電極形成工程と、
前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面しなかった前記表面上に、第２の集電極を形成する第２集電極形成工程と、を含み、
前記第１の集電極の表面積が、前記第２の集電極の表面積よりも小さい、
太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、
前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の下端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の下端に配置し、
前記第１集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、に前記第１の集電極を形成する、
請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、
前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の上端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の上端に配置し、
前記第１集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、に前記第１の集電極を形成する、
請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、
前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、
前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の表面に集電極を形成する集電極形成工程と、をこの順で含み、
前記集電極形成工程おいて、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面しなかった前記表面上に、前記集電極を形成し、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面上には、前記集電極を形成しない、
太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、結晶シリコン系太陽電池の製造プロセスにおいて、複数の半導体基板が平面視で互いに重畳されるよう配置され、隣接する半導体基板が離間して整列された状態の半導体基板群をエッチング処理液に浸漬する、エッチング工程が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６‐１８１６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記エッチング処理は、シリコン基板のスライシング時に生じた表面ダメージ層を除去するとともに、表面にピラミッド状の微細凹凸（テクスチャー）を形成して、反射抑制効果、及び光閉じ込め効果を得ることを目的としている。
【０００５】
上記従来の製造方法では、反射抑制効果、及び光閉じ込め効果を一定水準に保つことが課題となっていた。即ち、上記従来の製造方法では、半導体基板群の一端、及び他端に配置された半導体基板の表面のエッチング処理の程度と、他の半導体基板と対向する表面のエッチング処理の程度とが異なる。そのため、他の半導体基板と対向する表面における表面処理の程度を所望の程度に合わせて設定した場合、半導体基板群の一端、及び他端に配置された半導体基板の表面のエッチング処理の程度が、所望の程度から外れてしまうこととなる。その結果、半導体基板群の一端、及び他端に配置された半導体基板の表面を受光面とした場合、反射抑制効果、及び光閉じ込め効果について一定水準に保つことが課題となっていた。
【０００６】
そこで本開示は、反射抑制効果、及び光閉じ込め効果を一定水準に保つことを実現する太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様における太陽電池の製造方法は、半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、をこの順で含み、前記第１の半導体基板、及び前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面を受光面とする。
【０００８】
上記太陽電池の製造方法において、前記エッチング工程の後に、前記半導体基板群を前記エッチング処理液から洗浄処理液に搬送する搬送工程と、前記搬送工程の後に、前記半導体基板群を前記洗浄処理液に浸漬する洗浄工程と、を更に含んでもよい。
【０００９】
上記太陽電池の製造方法において、前記搬送工程時の前記半導体基板群の温度が、前記エッチング工程時の前記半導体基板の温度よりも低くてもよい。
【００１０】
上記太陽電池の製造方法において、前記エッチング工程の前に、前記半導体基板群を処理液に浸漬する浸漬工程と、前記浸漬工程の後に、前記半導体基板群を前記処理液から前記エッチング処理液に搬送する搬送工程と、を更に含んでもよい。
【００１１】
上記太陽電池の製造方法において、前記搬送工程時の前記半導体基板群の温度が、前記浸漬工程時の前記半導体基板の温度よりも低くてもよい。
【００１２】
上記太陽電池の製造方法は、前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の下端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の下端に配置し、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、を受光面としてもよい。
【００１３】
上記太陽電池の製造方法は、前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の上端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の上端に配置し、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、を受光面としてもよい。
【００１４】
上記太陽電池の製造方法は、前記エッチング工程において、前記半導体基板群が、第１の主面が第１の方向を向き、第２の主面が前記第１の方向と逆の第２の方向を向くように整列された複数の半導体基板を含み、前記第１の群に含まれる前記半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の群に含まれる前記半導体基板の前記第１の主面と、を受光面としてもよい。
【００１５】
上記太陽電池の製造方法において、前記第１の群に含まれる半導体基板の数と、前記第２の群に含まれる半導体基板の数とが等しくてもよい。
【００１６】
本開示の一態様における太陽電池の製造方法は、半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の表面に集電極を形成する集電極形成工程と、をこの順で含み、前記集電極形成工程は、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面上に、第１の集電極を形成する第１集電極形成工程と、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面しなかった前記表面上に、第２の集電極を形成する第２集電極形成工程と、を含み、前記第１の集電極の表面積が、前記第２の集電極の表面積よりも小さい。
【００１７】
上記太陽電池の製造方法は、前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の下端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の下端に配置し、前記第１集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、に前記第１の集電極を形成してもよい。
【００１８】
上記太陽電池の製造方法は、前記エッチング工程において、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面とが、並び方向の最外に位置しており、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の上端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の上端に配置し、前記第１集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、に前記第１の集電極を形成してもよい。
【００１９】
本開示の一態様における太陽電池の製造方法は、半導体基板の面方向に対して交差する方向に並べられた２以上の半導体基板を含む半導体基板群をエッチング処理液に浸漬するエッチング工程と、前記エッチング工程での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程と、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の表面に集電極を形成する集電極形成工程と、をこの順で含み、前記集電極形成工程おいて、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の前記表面の内、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面しなかった前記表面上に、前記集電極を形成し、前記エッチング工程において隣の前記半導体基板に面した前記表面上には、前記集電極を形成しない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は本開示における半導体基板を保持するウェハカセットを示す概略図である。
【図２】図２は本開示における半導体基板の処理装置の一部を示す概略図である。
【図３】図３は本開示における半導体基板の処理槽のひとつを示す概略図である。
【図４Ａ】図４Ａは本開示における太陽電池素子の受光面側を示す概略図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは本開示における太陽電池素子の裏面側を示す概略図である。
【図５】図５は本開示における太陽電池の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は本開示におけるウェハカセットと、半導体基板群の配置関係を示す模式的な上面図である。
【図７】図７は本開示における転向工程の一例を示す模式的な斜視図である。
【図８】図８は本開示における転向工程の他の実施例を示す模式的な斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［半導体基板群とウェハカセット］
本実施形態における半導体基板１としては、多結晶シリコン基板、単結晶シリコン基板など各種半導体基板が用いられる。また、極性としてはｐ型であってもよいし、ｎ型であってもよい。半導体基板のサイズ、形状には特段の制限はないが、太陽電池用として用いられるものとしては１０〜２０ｃｍの略矩形状のものが好ましい。
【００２２】
図１（Ａ）、（Ｂ）は本開示の実施形態に係る半導体基板１と、その半導体基板１を格納するウェハカセット２を示す概略図である。ウェハカセット２において、３以上の半導体基板１が平面視で互いに重畳するよう配置され、隣接する半導体基板１が離間して整列されており、半導体基板群を構成している。
【００２３】
本実施形態においては、図１（Ａ）に示すように、２枚以上の半導体基板１が、その主面方向に交差する方向に整列した状態で、ウェハカセット２に保持される。より具体的には、複数の半導体基板１の第１の主面が第１の方向（図１に示すＺ方向）を向き、第２の主面が、第１の方向とは逆の第２の方向を向くように整列された状態で、ウェハカセット２に保持される。また、ウェハカセット２内において、隣接する半導体基板１は、互いに離間して配置されている。ウェハカセット２は対向する２つの側面部２Ａと、その２つの側面部２Ａ間を連結する連結部２Ｂを有している。連結部２Ｂには、図示されない溝が多数形成されており、図１（Ｂ）に示すように、その溝にはめ込むように半導体基板１が間隔をあけて収容される。ウェハカセット２の上部にはウェハ押さえが設けられていてもよい。ウェハ押さえを設けておくことにより、浸漬処理時に半導体基板１に付着した気泡により半導体基板１が浮き上がることを防止することができる。
【００２４】
［装置全体の構成］
図２は、本実施形態に係る半導体基板１の表面処理装置１００の一部の模式図である。半導体基板１の表面処理装置１００は、図２に示されるように複数の処理槽３を有している。投入部１１２にセットされたウェハカセット２は処理槽３に順次浸漬させていくことにより、目的の処理がなされる。各処理槽３には所定の処理時間が設定されており、設定された処理時間に到達すると、次の処理槽３に搬送される。ここで、ウェハカセット２は、ウェハカセット２を把持することのできるクレーン１１０により、処理槽３間の搬送がなされる。図２では、投入部１１２側から第１〜第４の処理槽（３Ａ〜３Ｄ）までを図示しているが、処理槽３の数は特段の制限はなく、必要処理工程に応じて、適宜処理槽３が配置される。
【００２５】
ウェハカセット２は順次投入されていく構成のため、複数の処理槽３でウェハ浸漬処理が進行する。たとえば、図２では、ウェハ処理が順次なされたある時点を示しており、投入部１１２、第１の処理槽３Ａ、第３の処理槽３Ｃにそれぞれウェハカセット２が存在している。この時点以降、第１の処理槽３Ａでの処理が完了した場合、ウェハカセット２は第１の処理槽３Ａから、第２の処理槽３Ｂにクレーン１１０により搬送される。その後、第３の処理槽３Ｃでの処理が完了した場合、ウェハカセット２は第３の処理槽３Ｃから、第４の処理槽３Ｄにクレーン１１０により搬送される。さらに、第１の処理槽３Ａが空きになると、投入部１１２のウェハカセット２は、第１の処理槽３Ａにクレーン１１０により搬送される。
【００２６】
図３は各処理槽３の構成を示す模式図である。処理槽３は、半導体基板１にエッチング処理、洗浄処理などの浸漬処理を行うための処理液を保持する。処理槽３の構成材料は処理液に応じて、処理液への耐性、コスト、加工のしやすさ等に基づき選択される。
【００２７】
本実施形態における処理槽３には、液の循環のための循環ライン５が設けられている。循環ライン５の一端は、処理槽３の上部側に接続され、他端は処理槽３の下部に接続されている。循環ライン５にはポンプ７が備え付けられており、処理槽３の上部側から処理液を吸引し、処理槽３の下部から処理液を注入する構成となっている。その結果、処理槽３内の処理液が循環し、液の温度や濃度が不均一にならないような構成となっている。
【００２８】
処理槽３には、処理液を供給するための供給部９が設けられている。供給部９から必要な処理液が供給され、所定濃度の処理液が調整される。たとえば、水酸化ナトリウムの処理液を調整する場合、設定濃度以上の水酸化ナトリウムと、希釈用の純水とが、所定濃度となるように、供給部９から処理槽３内に供給される。なお、処理槽３が純水でのリンス槽である場合には、供給部９から純水の供給のみ行われる。
【００２９】
処理槽３には、処理液を所定の温度に保持するため、温度調整機が設けられていてもよい。より具体的には、循環ライン５の一部にヒーターを設けることにより処理液の温度をあげることもできる。また、循環ライン５の一部に冷却器を設けることにより処理液の温度を下げることもできる。
【００３０】
処理槽３には、廃液ライン８が設けられている。廃液ライン８は直接、処理槽３に接続されていてもよいし、循環ライン５の一部を分岐し、必要に応じて廃液するような構成としてもよい。
【００３１】
［太陽電池の製造方法］
以下、本開示における太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態においては、ヘテロ接合型太陽電池素子の場合を例にあげ説明するが、Ａｌ−ＢＳＦ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）構造やＰＥＲＣ（Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  ａｎｄ  Ｒｅａｒ  Ｃｅｌｌ）構造等の各種太陽電池にも適用可能である。
【００３２】
なお、本実施形態においては、ｎ型単結晶シリコン基板を半導体基板１として用いる例について説明するが、ｐ型結晶シリコン基板を半導体基板として用いても構わない。
【００３３】
以下、図５のフローチャート図を用いて、太陽電池の製造方法について説明する。
【００３４】
［浸漬工程Ｓ１］
まず、図１を用いて上述したとおり、第１の主面が第１の方向（Ｚ方向）を向き、第２の主面が第１の方向と逆の第２の方向を向くように整列された３枚以上の半導体基板１を含み、隣接する半導体基板１が互いに離間して配置された半導体基板群を保持するウェハカセット２を、各処理槽３に浸漬する浸漬工程Ｓ１を行う。
【００３５】
本実施形態においては、この浸漬工程Ｓ１がエッチング工程Ｓ１Ａと、洗浄工程Ｓ１Ｂと、を含む例について説明する。
【００３６】
［エッチング工程Ｓ１Ａ］
まず、浸漬工程Ｓ１に含まれる第１の浸漬工程として、ウェハカセット２に格納された半導体基板群をエッチング処理液に浸漬する、エッチング工程（Ｓ２）を行う。このエッチング処理方法により、半導体基板１の表面のダメージ層を除去するとともに、半導体基板１の表面に微細なピラミッド状の凹凸形状を形成する。
【００３７】
第２の処理槽３Ｂは、半導体基板１の表面をエッチングすることにより、半導体基板１の表層のダメージ層を除去するとともに、異方性エッチングを行う処理槽である。第２の処理槽３Ｂは異方性エッチング液で満たされている。異方性エッチング液はシリコンを溶解してエッチングするエッチング剤と、異方的にエッチングするためのエッチング添加剤とを含む。エッチング添加剤を異方性エッチング液に含ませておくことにより、微細なピラミッド状の凹凸を、半導体基板１の表面に形成することができる。エッチング剤としては、塩基性物質が好適に用いられ、生産適合性の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどのアルカリ性の水溶液がより好適に用いられる。エッチング添加剤としては、水溶性有機溶媒を用いることができ、例えばイソプロピルアルコール、メタノール等のアルコール類が、好適に用いられる。また、メタブライツ  ＳＥ  シリーズ（攝津製油株式会社製）、ＰＫ−ＰＶＸ５０１（パーケム製）、Ｐｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  Ｔ８０  ｓｅｒｉｅｓ（林純薬工業株式会社）、等のエッチング添加剤を用いることも可能である。さらに、半導体基板１の表面の濡れ性を向上させ、半導体基板１の表面における気泡の離脱を促進するため界面活性剤を含ませることも可能である。半導体基板１の表層のダメージ層を除去することにより、半導体基板１の表面における再結合中心がなくなり、太陽電池にした場合に、出力が向上する。また、異方性エッチングを行うことにより、ピラミッド状の微細凹凸（いわゆるテクスチャ）が形成される。この微細凹凸は半導体基板１の反射率を低下させ、太陽光の吸収効率を高められるため、太陽電池の出力向上に寄与する。
【００３８】
図６は、ウェハカセット２と、当該ウェハカセット２に格納された複数の半導体基板１を含む半導体基板群２００の配置関係を示す模式的な上面図である。
【００３９】
図６に示すように、エッチング処理液において、半導体基板群２００に含まれる複数の半導体基板１の内、半導体基板群２００の一端（第１の方向側の一端）に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端（第２の方向側の一端）に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとは、他の半導体基板の表面と隣接することなく、第エッチング処理液に曝される。そのため、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂ付近においては、エッチング処理液の流動性がよく、常に新鮮な液が、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとに接触する。
【００４０】
一方、半導体基板群２００における非端部に配置された半導体基板１の表面（例えば第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂ、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａ、及び他の半導体基板１の表面）は、他の半導体基板の表面と隣接するため、エッチング液の濃度が局所的に低下し、溶解塩の濃度が上昇している。
【００４１】
そのため、非端部に配置された半導体基板１の表面におけるエッチングの速度が、半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂにおけるエッチングの速度に比べて遅くなっている。
【００４２】
ここで、半導体基板群２００における非端部に配置された半導体基板１の表面のエッチング状態が最適状態となるよう第２の処理槽３Ｂ内の条件を調整した場合、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａ、及び第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂが、最適条件からずれることとなる。本実施形態においては、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａ、及び第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとに形成されるテクスチャは、最適条件よりも深い凹凸となる。
【００４３】
その後、後述する洗浄工程Ｓ１Ｂを実施するため、半導体基板群２００を、大気中でエッチング処理液から洗浄処理液に搬送する搬送工程を行う。その際、搬送工程時における搬送経路の温度（大気中での搬送であれば大気の温度、表面処理装置１００内での搬送であれば表面処理装置１００内の温度）が、エッチング工程時におけるエッチング処理液の温度よりも低い場合、搬送工程時における半導体基板群２００の温度が、エッチング工程時における半導体基板群２００の温度よりも低くなる。このような場合、半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとが、半導体基板群２００における非端部に配置された半導体基板１の表面よりも冷却される度合いが大きくなる。その結果、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａ、及び第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂにおいて、エッチング工程時に付着した溶解塩が凝固する可能性がある。
【００４４】
また、この搬送工程においては、半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂは、半導体基板群２００における非端部に配置された半導体基板１の表面よりも、大気中のごみなどが付着しやすく、また、酸化されやすい状態となっている。
【００４５】
［洗浄工程Ｓ１Ｂ］
図２に示す第３の処理槽３Ｃは、半導体基板１の表面の汚れを除去する洗浄工程Ｓ１Ｂに用いる処理槽である。第３の処理槽３Ｃは過酸化水素などの洗浄処理液で満たされている。過酸化水素は反応性の高い酸化剤であり、表面の有機物汚れを酸化させて分解することが可能となる。
【００４６】
洗浄処理液に含まれる反応性酸化剤は純粋な過酸化水素水溶液であってもよいし、過酸化水素と他の化学物質との混合物であってもよい。たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどの塩基性物質と過酸化水素との混合物や、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸などの酸性物質と過酸化水素との混合物であってもよい。酸塩基の作用と相俟って洗浄効果がより向上する。
【００４７】
なお、洗浄処理液として用いる過酸化水素水を含む処理液としては、過酸化水素と混合された物質とが反応して酸化性物質が生じた処理液であってもよく、たとえば、硫酸と過酸化水素との混合物において、過硫酸（ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸）が生成されている処理液であってもよい。
【００４８】
［転向工程Ｓ２］
次に、上述したエッチング工程（Ｓ１Ａ）での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂの内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにする転向工程Ｓ２を行う。
【００４９】
本実施形態においては、図６に示すように、半導体基板群２００が、第１の半導体基板１Ａと第３の半導体基板１Ｃとを含む第１の群２０１と、第２の半導体基板１Ｂと第４の半導体基板１Ｄとを含む第２の群２０２と、を含む。第３の半導体基板１Ｃは、第１の群２０１において、他端側に配置されており、第４の半導体基板１Ｄは、第２の群２０２において一端側に配置されている。上述した浸漬工程Ｓ１においては、第３の半導体基板１Ｃの第２の主面１Ｃｂと第４の半導体基板１Ｄの第１の主面１Ｄａとが隣接して配置されている。
【００５０】
図７は、本実施形態における転向工程Ｓ２の一例を示す模式的な斜視図である。本実施形態においては、この転向工程Ｓ２において、図７に示すように、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとが水平となるように載置する。即ち、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａが、第１の群２０１の下端に配置され、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂが、第２の群２０２の下端に配置される。
【００５１】
そして、後述するＰＮ接合形成工程において、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａと、の上方から、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂに対して逆導電型の層を製膜する。本実施形態においては、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂとしてｎ型単結晶シリコン基板を用いているため、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａと、の上方から、ｐ型半導体層を形成する。
【００５２】
図８は、本実施形態における転向工程Ｓ２の他の実施例を示す模式的な斜視図である。図８に示す例においては、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａが、第１の群２０１の上端に配置され、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂが、第２の群２０２の上端に配置される。
【００５３】
そして、後述するＰＮ接合形成工程において、第３の半導体基板１Ｃの第２の主面１Ｃｂ、第４の半導体基板１Ｄの第１の主面１Ｄａの下方から順に、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂに対して逆導電型の層を製膜していき、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａと、の下方から、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂに対して逆導電型の層を製膜する。
【００５４】
なお、図７、８を用いて上述した本実施形態においては、第１の群２０１に含まれる半導体基板１の数と第２の群２０２に含まれる半導体基板１の数を同じにしている。このような製造方法とすることにより、一回の製膜において常に２枚以上の半導体基板１に対して製膜を行うことができ、高い生産性を得ることができる。
【００５５】
また、第１の群２０１に含まれる半導体基板１については、全てその第２の主面にＰＮ接合を形成し、第２の群２０２に含まれる半導体基板１については、全てその第１の主面にＰＮ接合を形成する製造方法としている。このような製造方法とすることにより、一度、上述した転向工程Ｓ２を行った後は、同じ方向からの製膜を継続することができるため、高い生産性を得ることができる。
【００５６】
［ＰＮ接合形成工程］
次に、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂにつき、エッチング工程（Ｓ１Ａ）において隣の基板に面した基板表面上に、半導体基板１に対して逆導電型の膜を製膜するＰＮ接合形成工程を行う。即ち、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１ＢａにＰＮ接合を形成する。
【００５７】
第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂがｎ型半導体基板である場合、ｐ型半導体層を形成する工程がＰＮ接合形成工程となり、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂがｐ型半導体基板である場合、ｎ型半導体層を形成する工程がＰＮ接合形成工程となる。
【００５８】
本実施形態においては、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１Ｂがｎ型単結晶シリコン基板であるため、図５に示したｐ型アモルファスシリコン層形成工程Ｓ４が、ＰＮ接合形成工程となる。
【００５９】
本実施形態における、図７に示す転向工程Ｓ２を採用した例においては、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａの上方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ３）、ｐ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ４）。この工程により、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１ＢにＰＮ接合を形成することができる。その後、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂの下方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ５）、ｎ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ６）。なお、図５に示すように、先に第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂの下方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ５）、ｎ型アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ６）、その後、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａの上方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ３）、ｐ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ４）工程としてもよい。
【００６０】
本実施形態における、図８に示す転向工程Ｓ２を採用した例においては、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａの下方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ３）、ｐ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ４）。この工程により、第１の半導体基板１Ａ、第２の半導体基板１ＢにＰＮ接合を形成することができる。その後、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂの上方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ５）、ｎ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ６）。なお、図５に示すように、先に第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂの上方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ５）、ｎ型アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ６）、その後、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａの下方から、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ３）、ｐ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ４）工程としてもよい。
【００６１】
なお、上述した例においては、半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂに形成されるテクスチャが、最適条件よりも深い凹凸となってしまう例について説明したが、その逆に最適条件よりも浅い凹凸となってしまう場合もある。その例について説明する。
【００６２】
例えば、上述したエッチング工程Ｓ１Ａの前に、第１の処理槽３Ａに保持された処理液に半導体基板群２００を浸漬する浸漬工程と、この浸漬工程の後に、大気中で第１の処理槽３Ａからエッチング処理液を保持する第２の処理槽３Ｂに半導体基板群２００を搬送する搬送工程とを更に含む場合を想定する。このエッチング工程Ｓ１Ａの前の浸漬工程の例としては、例えば半導体基板１の表面の汚れを除去することにより、エッチング工程Ｓ１Ａにおけるエッチング処理を均一に行うことを目的とする洗浄工程などが挙げられる。
【００６３】
搬送工程時における搬送経路の温度（大気中での搬送であれば大気の温度、表面処理装置１００内での搬送であれば表面処理装置１００内の温度）が、第１の処理槽３Ａにおける処理液の温度よりも低い場合、搬送工程時における半導体基板群２００の温度が、エッチング工程時における半導体基板群２００の温度よりも低くなる。このような場合、この搬送工程において半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとが、半導体基板群２００における非端部に配置された半導体基板１の表面よりも冷却され、低い温度状態となっている。その状態において第２の処理槽３Ｂにおいてエッチング工程Ｓ１Ａを行った場合、非端部に配置された半導体基板１の表面におけるエッチングの速度よりも、半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂにおけるエッチングの速度が遅くなる。その結果として、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂに形成されるテクスチャが、最適条件よりも浅い凹凸となる。
【００６４】
続いて、図５に示したフローチャートに戻り、太陽電池の製造方法についての説明を継続する。上述したＰＮ接合形成工程後、半導体基板１の一主面および逆側の主面に、ＩＴＯからなる透明導電層を形成する（Ｓ７）。
【００６５】
最後に、集電極形成工程（Ｓ８）を行う。図４Ａは、本開示における太陽電池素子１１の受光面側を示す概略図である。図４Ｂは、本開示における太陽電池素子１１の裏面側を示す概略図である。図４Ａ、図４Ｂに示すように、本実施形態の太陽電池１００は光電変換部を有する半導体基板の一の辺に対して略平行な３本の幅広なバスバー電極８０と、バスバー電極８０に交差する多数の幅の狭いフィンガー電極９０と、を含む集電極が形成されて構成される。ｐ型アモルファスシリコン層が形成されている面の集電極はプラス電極、ｎ型アモルファスシリコン層が形成されている面の集電極はマイナス電極となる。太陽電池１００の受光面および裏面のうち、バスバー電極８０およびフィンガー電極９０が形成されていない領域には絶縁層７０が形成されている。
【００６６】
ここで、受光面側においては、太陽光を吸収する面積を確保するため、形成されるフィンガー電極９０、バスバー電極８０の表面積が、裏面側に形成されるフィンガー電極９０、バスバー電極８０の表面積よりも小さい構成としている。
【００６７】
本実施形態においては、上述したとおり、図６に示した半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂに形成されるテクスチャが、最適条件よから外れている。そのため、第１の半導体基板１Ａについては、エッチング工程（Ｓ１Ａ）で他の半導体基板１と面していた第２の主面１Ａｂを受光面側とし、第２の半導体基板１Ｂについては、第１の主面１Ｂａを受光面側とする。
【００６８】
従って、本実施形態においては、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂ、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａに形成する集電極の表面積が、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａ、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂに形成する集電極の表面積よりも小さい構成となる。
【００６９】
このような製造方法とすることにより、テクスチャが最適条件から外れた表面を裏面側とし、テクスチャが最適条件にあった表面を受光面側とすることができるため、反射抑制効果、及び光閉じ込め効果を一定水準に保つことを実現することができる。
【００７０】
なお、この集電極形成工程（Ｓ８）を行うに際しては、上述した転向工程（Ｓ２）及びＰＮ接合形成工程において用いた半導体基板の並びを保って行うことが望ましい。即ち、転向工程（Ｓ２）時において、エッチング工程（Ｓ１Ａ）での並び方向の最外に位置する第１の半導体基板、第２の半導体基板の内、いずれか一方の面の向きを、他方に対して逆向きにしているため、この並びを保って集電極形成工程（Ｓ８）を行うことにより、テクスチャが最適条件から外れた表面を容易に認識することができる。半導体基板の並びを保つ例としては、例えば転向工程（Ｓ２）において用いたウェハカセット２を集電極形成工程（Ｓ８）においても用いることにより、転向工程（Ｓ２）における半導体基板の並びを、集電極形成工程（Ｓ８）においても保つことができる。
【００７１】
例えば、図７を用いて上述した例では、転向工程（Ｓ２）において、半導体基板群２００を、第１の半導体基板１Ａを含む第１の群２０１と、第２の半導体基板１Ｂを含む第２の群２０２と、に分離している。そして、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａを第１の群２０１の下端に配置し、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂを第２の群２０２の下端に配置している。この並びを生かして、集電極形成工程（Ｓ８）において、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａと、に図４Ａに示した受光面側の集電極を形成し、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂと、に図４Ｂに示した裏面側の集電極を形成する。
【００７２】
また、図８を用いて上述した例では、転向工程（Ｓ２）において、半導体基板群２００を、第１の半導体基板１Ａを含む第１の群２０１と、第２の半導体基板１Ｂを含む第２の群２０２と、に分離している。そして、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａを第１の群２０１の上端に配置し、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂを第２の群２０２の上端に配置している。この並びを生かして、集電極形成工程（Ｓ８）において、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａと、に図４Ａに示した受光面側の集電極を形成し、第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂと、に図４Ｂに示した裏面側の集電極を形成する。
【００７３】
また、第１の群２０１に含まれる全ての半導体基板１の第２の主面と、第２の群２０２に含まれる半導体基板１の第１の主面と、を受光面としてもよい。この場合、第１の群２０１に含まれる全ての半導体基板１の第２の主面と、第２の群２０２に含まれる半導体基板１の第１の主面には、図４Ａに示した受光面側の集電極を形成し、第１の群２０１に含まれる全ての半導体基板１の第１の主面と、第２の群２０２に含まれる半導体基板１の第２の主面には、図４Ｂに示した裏面側の集電極を形成すればよい。このような製造方法とすることにより、同じ方向から、同じパターンの集電極の形成を継続することができるため、高い生産性を得ることができる。
【００７４】
なお、集電極の形成方法としては、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、スプレー法、ロールコート法等を用いることができる。集電極は、櫛形等の所定形状にパターン化されていることが好ましい。パターン化された集電極の形成には、生産性の観点からスクリーン印刷法が適している。スクリーン印刷法では、導電性の微粒子を含む印刷ペーストを集電極のパターン形状に対応した開口パターンを有するスクリーン版を用いて印刷する方法が好ましく用いられる。
【００７５】
なお、本開示は、裏面電極型太陽電池においても有用である。本開示を裏面電極型太陽電池に利用する場合、エッチング工程（Ｓ１Ａ）において、隣の半導体基板１に面しなかった、半導体基板群２００の一端に配置された第１の半導体基板１Ａの第１の主面１Ａａと、半導体基板群２００の他端に配置された第２の半導体基板１Ｂの第２の主面１Ｂｂとを裏面側とし、図４Ｂに示した裏面側集電極を形成する。一方、エッチング工程（Ｓ１Ａ）において、隣の半導体基板１に面した、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａとを受光面側とし、第１の半導体基板１Ａの第２の主面１Ａｂと、第２の半導体基板１Ｂの第１の主面１Ｂａとには、集電極を形成しない。
【００７６】
このように、本開示を裏面電極型太陽電池に利用する場合においても、図７、８を用いて説明した転向工程（Ｓ２）における並びを生かして集電極を形成する方法とすることが望ましい。また、第１の群２０１に含まれる全ての半導体基板１の第２の主面と、第２の群２０２に含まれる半導体基板１の第１の主面と、を受光面とし、第１の群２０１に含まれる全ての半導体基板１の第２の主面と、第２の群２０２に含まれる半導体基板１の第１の主面には、集電極を形成せずに、第１の群２０１に含まれる全ての半導体基板１の第１の主面と、第２の群２０２に含まれる半導体基板１の第２の主面には、集電極を形成する製造方法とすればよい。このような製造方法とすることにより、同じ方向から、集電極の形成を継続することができるため、高い生産性を得ることができる。
【００７７】
上記のように製造された太陽電池は、実用に供するに際して、モジュール化されることが好ましい。太陽電池のモジュール化は、適宜の方法により行われる。例えば、集電極にタブ等のインターコネクタを介してバスバーが接続されることによって、複数の太陽電池が直列又は並列に接続され、封止材及びガラス板により封止されることによりモジュール化が行われる。
【００７８】
（付記）
なお、上記の説明により、以下の内容がサポートされている。
【００７９】
（１）本開示の太陽電池の製造方法は、第１の主面が第１の方向を向き、第２の主面が前記第１の方向と逆の第２の方向を向くように整列された２以上の半導体基板を含み、隣接する前記半導体基板が互いに離間して配置された半導体基板群を、エッチング処理液に浸漬する、エッチング工程と、前記半導体基板群の前記第１の方向側の一端に配置された第１の半導体基板の前記第１の主面と、前記半導体基板群の前記第２の方向側の一端に配置された第２の半導体基板の第２の主面と、が同じ方向を向くように、少なくとも前記第２の半導体基板の面の向きを、前記第１の半導体基板に対して逆向きにする、転向工程と、をこの順で含み、前記第１の半導体基板の第２の主面と、前記第２の半導体基板の第１の主面と、を受光面とする。
【００８０】
（２）上記（１）において、前記エッチング工程の後に、前記半導体基板群を前記エッチング処理液から洗浄処理液に搬送する搬送工程と、前記搬送工程の後に、前記半導体基板群を前記洗浄処理液に浸漬する洗浄工程と、を更に含んでもよい。
【００８１】
（３）上記（２）において、前記搬送工程時の前記半導体基板群の温度が、前記エッチング工程時の前記半導体基板の温度よりも低くてもよい。
【００８２】
（４）上記（１）において、前記エッチング工程の前に、前記半導体基板群を処理液に浸漬する浸漬工程と、前記浸漬工程の後に、前記半導体基板群を前記処理液から前記エッチング処理液に搬送する搬送工程と、を更に含んでもよい。
【００８３】
（５）上記（４）において、前記搬送工程時の前記半導体基板群の温度が、前記浸漬工程時の前記半導体基板の温度よりも低くてもよい。
【００８４】
（６）上記（１）〜（５）において、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の下端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の下端に配置し、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、を受光面としてもよい。
【００８５】
（７）上記（１）〜（５）において、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の上端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の上端に配置し、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、を受光面としてもよい。
【００８６】
（８）上記（１）〜（７）において、前記半導体基板群は、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、を含み、前記第１の群に含まれる半導体基板の第２の主面と、前記第２の群に含まれる半導体基板の第１の主面と、を受光面としてもよい。
【００８７】
（９）上記（８）において、前記第１の群に含まれる半導体基板の数と、前記第２の群に含まれる半導体基板の数とが等しくてもよい。
【００８８】
（１０）本開示の太陽電池の製造方法は、第１の主面が第１の方向を向き、第２の主面が前記第１の方向と逆の第２の方向を向くように整列された２以上の半導体基板を含み、隣接する前記半導体基板が互いに離間して配置された半導体基板群を、エッチング処理液に浸漬する、エッチング工程と、前記半導体基板群の前記第１の方向側の一端に配置された第１の半導体基板の前記第１の主面と、前記半導体基板群の前記第２の方向側の一端に配置された第２の半導体基板の第２の主面と、が同じ方向を向くように、少なくとも前記第２の半導体基板の面の向きを、前記第１の半導体基板に対して逆向きにする、転向工程と、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板の表面に集電極を形成する集電極形成工程と、をこの順で含み、前記集電極形成工程は、前記第１の半導体基板の第２の主面と、前記第２の半導体基板の第１の主面と、に第１の集電極を形成する第１集電極形成工程と、前記第１の半導体基板の第１の主面と、前記第２の半導体基板の第２の主面と、に第２の集電極を形成する第２集電極形成工程と、を含み、前記第１の集電極の表面積が、前記第２の集電極の表面積よりも小さい。
【００８９】
（１１）上記（１０）において、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の下端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の下端に配置し、前記第１集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、に前記第１の集電極を形成してもよい。
【００９０】
（１２）上記（１０）において、前記転向工程において、前記半導体基板群を、前記第１の半導体基板を含む第１の群と、前記第２の半導体基板を含む第２の群と、に分離し、前記第１の半導体基板の前記第１の主面を前記第１の群の上端に配置し、前記第２の半導体基板の前記第２の主面を前記第２の群の上端に配置し、前記第１集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、に前記第１の集電極を形成してもよい。
【００９１】
（１３）本開示の太陽電池の製造方法は、第１の主面が第１の方向を向き、第２の主面が前記第１の方向と逆の第２の方向を向くように整列された２以上の半導体基板を含み、隣接する前記半導体基板が互いに離間して配置された半導体基板群を、エッチング処理液に浸漬する、エッチング工程と、前記半導体基板群の前記第１の方向側の一端に配置された第１の半導体基板の前記第１の主面と、前記半導体基板群の前記第２の方向側の一端に配置された第２の半導体基板の前記第２の主面と、が同じ方向を向くように、少なくとも前記第２の半導体基板の面の向きを、前記第１の半導体基板に対して逆向きにする、転向工程と、前記第１の半導体基板の前記第１の主面と、前記第２の半導体基板の前記第２の主面と、に集電極を形成する集電極形成工程と、をこの順で含む、太陽電池の製造方法。
【００９２】
（１４）上記（１３）において、前記集電極形成工程において、前記第１の半導体基板の前記第２の主面と、前記第２の半導体基板の前記第１の主面と、には前記集電極を形成しない製造方法としてもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１  半導体基板
１Ａ  第１の半導体基板
１Ａａ  第１の主面
１Ａｂ  第２の主面
１Ｂ  第２の半導体基板
１Ｂａ  第１の主面
１Ｂｂ  第２の主面
１Ｃ  第３の半導体基板
１Ｃｂ  第２の主面
１Ｄ  第４の半導体基板
１Ｄａ  第１の主面
２  ウェハカセット
２Ａ  側面部
２Ｂ  連結部
３  処理槽
３Ａ  第１の処理槽
３Ｂ  第２の処理槽
３Ｃ  第３の処理槽
３Ｄ  第４の処理槽
５  循環ライン
７  ポンプ
８  廃液ライン
９  供給部
１０  処理液タンク
１１  太陽電池素子
１００  表面処理装置
１１０  クレーン
１１２  投入部
２００  半導体基板群
２０１  第１の群
２０２  第２の群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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