(57)【要約】【課題】直流端子に寄生するインダクタンスを低減でき、かつ対向バスバーの温度上昇を抑制しやすい半導体モジュールを提供すること。【解決手段】一対の直流端子２（２P，２N）と、個々の直流端子２に接続した半導体素子３（３U，３L）と、対向バスバー４と、封止部材５とを備える。対向バスバー４は、直流端子２の厚さ方向において一対の直流端子２に隣り合う位置に配置されている。直流端子２を流れる電流Ｉの時間変化に伴って、対向バスバー４に渦電流ｉが発生する。封止部材５は、一対の半導体素子３と対向バスバー４とを封止している。対向バスバー４の一部は、封止部材５から露出している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣り合う位置に配され、それぞれの間に直流電圧が加えられる、正極端子（２P）と負極端子（２N）との一対の直流端子（２）と、
上記正極端子に電気接続した上アーム半導体素子（３U）と、上記負極端子に電気接続した下アーム半導体素子（３L）との、一対の半導体素子（３）と、
上記直流端子の厚さ方向（Ｚ）において上記一対の直流端子に隣り合う位置に配置され、上記直流端子を流れる電流（Ｉ）の時間変化に伴って渦電流（ｉ）が発生する対向バスバー（４）と、
絶縁材料からなり、上記一対の半導体素子と上記対向バスバーとを封止する封止部材（５）と、
上記半導体素子を冷却する放熱板（６）とを備え、
上記対向バスバーは上記放熱板に接続している、半導体モジュール（１）。
【請求項２】
個々の上記直流端子は、直流電源（８）に電気接続される電源接続部（２１）と、上記半導体素子に電気接続した素子接続部（２２）とを備え、上記対向バスバーは、上記一対の直流端子の配列方向（Ｘ）と上記厚さ方向との双方に直交する直交方向（Ｙ）における、上記電源接続部側に配された電源側バスバー部（４１）と、上記素子接続部側に配された素子側バスバー部（４２）とを有し、該素子側バスバー部の、上記厚さ方向における上記素子接続部を配した側とは反対側の面が上記放熱板に接続している、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
個々の上記直流端子は、上記電源接続部と上記素子接続部との上記厚さ方向における位置が互いに異なるように屈曲形成され、上記対向バスバーは、上記直流端子の形状に沿うように屈曲している、請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
上記厚さ方向から見たときに、上記電源側バスバー部は、上記正極端子と上記負極端子とのいずれとも重なっている、請求項２又は３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
上記厚さ方向から見たときに、上記素子側バスバー部は、上記正極端子と上記負極端子とのいずれとも重なっている、請求項２〜４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
個々の上記素子接続部と上記半導体素子とは、複数本のボンディングワイヤ（１０）を介して電気接続しており、該複数本のボンディングワイヤは、上記配列方向において、上記素子側バスバー部の両端縁（４２８,４２９）の間に配されている、請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
個々の上記直流端子は、上記素子接続部を複数個備え、該複数個の素子接続部は上記配列方向に並べられており、個々の上記素子接続部に別々の上記半導体素子が接続し、上記素子側バスバー部は上記配列方向に長い長尺形状を呈し、上記厚さ方向から見たときに、全ての上記素子接続部が上記素子側バスバー部と重なるよう構成されている、請求項５又は６に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の直流端子と、個々の直流端子に電気接続した半導体素子とを備える半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、正極端子と負極端子との一対の直流端子と、個々の直流端子に電気接続した、ＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子と、これらを封止する封止部材とを備えた半導体モジュールが知られている（下記特許文献１参照）。この半導体モジュールは、電力変換装置に用いられる。この電力変換装置では、上記半導体素子をスイッチング動作させ、これにより、上記直流端子を介して供給される直流電力を交流電力に変換している。
【０００３】
上記直流端子には、インダクタンスＬが寄生している。このインダクタンスＬが大きいと、上記半導体素子をスイッチング動作させたときに大きなサージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）が発生しやすくなる。そのため、上記半導体モジュールでは、インダクタンスＬを低減するために、一対の直流端子に隣り合う位置に、対向バスバーを配置している。対向バスバーは、上記封止部材に、半導体素子等と共に封止されている。直流端子を流れる電流Ｉが時間的に変化すると、対向バスバーに、電流Ｉの周囲に発生した磁界の変化を妨げる向きに渦電流が発生する。これにより、一対の直流端子に寄生するインダクタンスＬを低減することが可能になる。そのため、半導体素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−９９２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記半導体モジュールは、対向バスバーの温度が上昇しやすいという課題がある。すなわち、渦電流が流れると対向バスバーに抵抗熱が発生する。上記半導体モジュールでは、対向バスバーの放熱効率を高める工夫をしていないため、対向バスバーの温度が上昇しやすい。そのため、対向バスバーから封止部材に熱が伝わり、封止部材が変質する可能性が考えられる。
【０００６】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、直流端子に寄生するインダクタンスを低減でき、かつ対向バスバーの温度上昇を抑制しやすい半導体モジュールを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、互いに隣り合う位置に配され、それぞれの間に直流電圧が加えられる、正極端子（２P）と負極端子（２N）との一対の直流端子（２）と、
上記正極端子に電気接続した上アーム半導体素子（３U）と、上記負極端子に電気接続した下アーム半導体素子（３L）との、一対の半導体素子（３）と、
上記直流端子の厚さ方向（Ｚ）において上記一対の直流端子に隣り合う位置に配置され、上記直流端子を流れる電流（Ｉ）の時間変化に伴って渦電流（ｉ）が発生する対向バスバー（４）と、
絶縁材料からなり、上記一対の半導体素子と上記対向バスバーとを封止する封止部材（５）と、
上記半導体素子を冷却する放熱板（６）とを備え、
上記対向バスバーは上記放熱板に接続している、半導体モジュール（１）にある。
【発明の効果】
【０００８】
上記半導体モジュールでは、上記厚さ方向において一対の直流端子に隣り合う位置に、上記対向バスバーを配置してある。
そのため、半導体素子をスイッチング動作させ、直流端子を流れる電流Ｉが時間的に変化した場合、対向バスバーに、電流Ｉの周囲に発生した磁界の変化を妨げる向きに渦電流を流すことができる。これにより、一対の直流端子に寄生するインダクタンスＬを低減でき、大きなサージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）が発生することを抑制できる。
【０００９】
また、上記半導体モジュールでは、上記対向バスバーを上記放熱板に接続してある。
そのため、対向バスバーに渦電流が流れて熱が発生した場合に、熱を放熱板に伝えることができ、対向バスバーの温度上昇を抑制できる。そのため、熱が封止部材に伝わって変質する不具合を抑制できる。
【００１０】
以上のごとく、上記態様によれば、直流端子に寄生するインダクタンスを低減でき、かつ対向バスバーの温度上昇を抑制しやすい半導体モジュールを提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１における、充填部を省略して描いた半導体モジュールの斜視図。
【図２】実施形態１における、充填部を省略して描いた半導体モジュールの平面図。
【図３】実施形態１における、半導体モジュールの断面図。
【図４】図３の部分拡大図。
【図５】実施形態１における、半導体モジュールの裏面図。
【図６】実施形態１における、直流端子と対向バスバーの斜視図。
【図７】実施形態１における、直流端子と対向バスバーの平面図。
【図８】実施形態１における、半導体モジュールの回路図。
【図９】実施形態１における、電力変換装置の回路図。
【図１０】実施形態２における、直流端子と対向バスバーの平面図。
【図１１】実施形態３における、直流端子と対向バスバーの平面図。
【図１２】実施形態４における、直流端子と対向バスバーの平面図。
【図１３】実施形態５における、直流端子と対向バスバーの平面図。
【図１４】実施形態６における、直流端子と対向バスバーの平面図。
【図１５】実施形態７における、直流端子と対向バスバーの斜視図。
【図１６】図１５のXVI矢視図。
【図１７】実施形態８における、直流端子と対向バスバーの斜視図。
【図１８】図１７のXVIII矢視図。
【図１９】実施形態８における、半導体モジュールの部分拡大裏面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施形態１）
上記半導体モジュールに係る実施形態について、図１〜図９を参照して説明する。図１〜図３に示すごとく、本形態の半導体モジュール１は、一対の直流端子２（２P，２N）と、一対の半導体素子３（３U，３L）と、対向バスバー４と、封止部材５と、放熱板６とを備える。直流端子２には、正極端子２Pと負極端子２Nとがある。これらの直流端子２は、直流電源８（図９参照）から直流電圧が加えられる。一対の直流端子２P，２Nは、互いに隣り合う位置に配されている。
【００１３】
また、上記半導体素子３には、正極端子２Pに電気接続した上アーム半導体素子３Uと、負極端子２Nに電気接続した下アーム半導体素子３Lとがある。
【００１４】
対向バスバー４は、図４、図６に示すごとく、直流端子２の厚さ方向（Ｚ方向）において一対の直流端子２に隣り合う位置に配置されている。直流端子２を流れる電流Ｉの時間変化に伴って、対向バスバー４に渦電流ｉが発生するよう構成されている。
【００１５】
封止部材５は、図３に示すごとく、一対の半導体素子３と対向バスバー４とを封止している。放熱板６は、半導体素子３を冷却するために設けられている。
図３、図４に示すごとく、対向バスバー４の一部が封止部材５から露出しており、放熱板６に接続している。
【００１６】
本形態の半導体モジュール１は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用半導体モジュールである。本形態では図９に示すごとく、複数の半導体モジュール１を用いて、電力変換装置１９を構成している。そして、個々の半導体モジュール１に封止された半導体素子３（本形態ではＭＯＳＦＥＴ）をスイッチング動作させることにより、直流電源８から供給される直流電力を交流電力に変換している。そして、得られた交流電力を用いて三相交流モータ８９を駆動させている。
【００１７】
本形態の半導体モジュール１は、絶縁材料からなる枠部５１（図１、図２参照）と、該枠部５１内の空間を充填する充填部５２（図３、図４参照）とを備える。これら枠部５１と充填部５２とによって、上記封止部材５が構成されている。枠部５１は合成樹脂からなり、充填部５２はシリコンゲル等からなる。
【００１８】
枠部５１内に、上アーム半導体素子３Uと下アーム半導体素子３Lとが配されている。また、図３、図４に示すごとく、枠部５１には、上記放熱板６が取り付けられている。この放熱板６を用いて、半導体素子３U，３Lから発生した熱を放熱している。放熱板６には、図示しない冷却器が取り付けられる。
【００１９】
図３に示すごとく、半導体素子５０と放熱板６との間には、放熱側接続板１３が介在している。放熱側接続板１３は、図４に示すごとく、アルミナや窒化ケイ素等のセラミックスからなる絶縁層１３２と、該絶縁層１３２の表面に形成された金属層１３１とを備える。この金属層１３１に、半導体素子３のドレイン電極Ｄ（図３参照）が接続している。絶縁層１３２によって、金属層１３１と放熱板６とを絶縁している。図３に示すごとく、上アーム半導体素子３Uの放熱側接続板１３Uと正極端子２Pとを、ボンディングワイヤ１０によって電気接続してある。
【００２０】
また、枠部５１内には、半導体素子５０よりもＺ方向における開口５１１側に、開口側接続板１５が配されている。この開口側接続板１５に、半導体素子３のソース電極Ｓが接続している。図１、図２に示すごとく、下アーム半導体素子３Lの開口側接続板１５Lと負極端子２Nとを、ボンディングワイヤ１０によって電気接続してある。上アーム半導体素子３Uの開口側接続板１５Uは、下アーム半導体素子３Lの放熱側接続板１３Lに接続している。また、下アーム半導体素子３Lの放熱側接続板１３Lには、出力端子１１が接続している。
【００２１】
図１〜図３に示すごとく、直流端子２は、直流電源８（図９参照）に電気接続される電源接続部２１と、半導体素子３に電気接続された素子接続部２２とを備える。直流端子２は屈曲形成されており、Ｚ方向における電源接続部２１と素子接続部２２との位置が互いに異なっている。図４に示すごとく、電源接続部２１にはボルト挿通孔２１１が形成されている。枠部５１には、このボルト挿通孔２１１に対応する位置に、螺孔（図示しない）が形成されている。このように枠部５１に螺孔を形成するため、電源接続部２１を、Ｚ方向において素子接続部２２よりも開口５１１側に配置してある。
【００２２】
また、図３、図６に示すごとく、対向バスバー４は、直流端子２に沿うように屈曲している。対向バスバー４は、一対の直流端子２の配列方向（Ｘ方向）とＺ方向との双方に直交する直交方向（Ｙ方向）における、電源接続部２１側に配された電源側バスバー部４１と、素子接続部２２側に配された素子側バスバー部４２とを備える。図４に示すごとく、素子側バスバー部４２の、Ｚ方向における素子接続部２２を配した側とは反対側の面は、封止部材５から露出した露出面４０となっている。この露出面４０が、放熱板６に接触している。
【００２３】
図４に示すごとく、Ｙ方向における電源側バスバー部４１の先端４１１は、枠部５１に埋設されている。同様に、Ｙ方向における素子側バスバー部４２の先端４２１も、枠部５１に埋設されている。これにより、電源側バスバー部４１と電源接続部２１との沿面距離を長くすると共に、素子側バスバー部４２と素子接続部２２との沿面距離を長くしている。対向バスバー４は、放熱板６を介してグランドに電気接続されるため、対向バスバー４（電源側バスバー部４１、及び素子側バスバー部４２）と直流端子２との電位は互いに異なる。本形態では、対向バスバー４と直流端子２との沿面距離を長くすることにより、これらが短絡することを抑制している。
【００２４】
一方、図１、図２に示すごとく、枠部５１内には、台座部５１２が形成されている。この台座部５１２に、素子接続部２２を載置してある。また、枠部５１内には、図示しない制御基板が収容されている。制御基板は、半導体素子３に接続している。この制御基板によって、半導体素子３のスイッチング動作を制御している。また、枠部５１から、複数の制御端子１２が突出している。これらの制御端子１２は、上記制御基板に電気接続している。
【００２５】
図６、図７に示すごとく、対向バスバー４の電源側バスバー部４１は、Ｚ方向から見たとき、正極端子２Pの電源接続部２１Pと、負極端子２Nの電源接続部２１Nとのいずれとも重なるよう構成されている。これにより、電源側バスバー部４１が電源接続部２１P，２１NとＺ方向に重なる面積を大きくし、電源接続部２１P，２１Nを流れた電流Ｉが時間的に変化した場合に、電源側バスバー部４１により多くの渦電流ｉが発生するようにしてある。
【００２６】
同様に、素子側バスバー部４２は、Ｚ方向から見たとき、正極端子２Pの素子接続部２２Pと、負極端子２Nの素子接続部２２Nとのいずれとも重なるよう構成されている。これにより、素子側バスバー部４２が素子接続部２２P，２２NとＺ方向に重なる面積を大きくし、素子接続部２２P，２２Nを流れた電流Ｉが時間的に変化した場合に、素子側バスバー部４２により多くの渦電流ｉが発生するようにしてある。
【００２７】
また、図６、図７に示すごとく、直流端子２の素子接続部２２は、複数本のボンディングワイヤ１０を介して半導体素子３に電気接続している。複数本のボンディングワイヤ１０は、Ｘ方向において、素子側バスバー部４２の両端縁４２８,４２９の間に配されている。
【００２８】
次に、本形態の作用効果について説明する。図６、図７に示すごとく、本形態では、Ｚ方向において一対の直流端子２P，２Nに隣り合う位置に、対向バスバー４を配置してある。
そのため、半導体素子３をスイッチング動作させ、直流端子２を流れる電流Ｉが時間的に変化した場合、対向バスバー４に、電流Ｉの周囲に発生した磁界の変化を妨げる向きに渦電流ｉを流すことができる。これにより、一対の直流端子２P，２Nに寄生するインダクタンスＬを低減でき、大きなサージ電圧Ｖ（＝ＬｄＩ／ｄｔ）が発生することを抑制できる。
【００２９】
また、本形態では図４、図５に示すごとく、対向バスバー４を放熱板６に接続してある。
そのため、対向バスバー４に渦電流ｉが流れて熱が発生した場合に、熱を放熱板６に伝えることができ、対向バスバー４の温度上昇を抑制できる。そのため、熱が封止部材５に伝わって変質する不具合を抑制できる。
【００３０】
また、図４に示すごとく、本形態では、素子側バスバー部４２の、Ｚ方向における素子接続部２２を配した側とは反対側の面が、放熱板６に接続している。
そのため、対向バスバー４に渦電流ｉが流れて発生した熱を、直流端子２の素子接続部２２とは反対側に放熱することができる。したがって、熱が素子側バスバー部４２から素子接続部２２（すなわち封止部材５側）へ伝わりにくくなり、封止部材５の温度上昇をより効果的に抑制できる。
【００３１】
また、図４に示すごとく、個々の直流端子２は、電源接続部２１と素子接続部２２とのＺ方向における位置が互いに異なるように屈曲形成されている。そして、対向バスバー４を、直流端子２の形状に沿うように屈曲させている。
このようにすると、対向バスバー４全体を、直流端子２に接近させることができる。そのため、対向バスバー４に渦電流ｉを発生させやすくなり、直流端子２のインダクタンスＬをより効果的に低減できる。
【００３２】
また、図６、図７に示すごとく、Ｚ方向から見たときに、電源側バスバー部４１は、正極端子２Pと負極端子２Nとのいずれとも重なっている。
そのため、電源側バスバー部４１が直流端子２P，２NとＺ方向に重なる面積を大きくすることができる。したがって、直流端子２P，２Nを流れる電流Ｉが時間的に変化した場合に、電源側バスバー部４１により多くの渦電流ｉを発生させることができる。そのため、直流端子２P，２Nに寄生するインダクンタスＬをより低減させることができる。
【００３３】
また、図６、図７に示すごとく、Ｚ方向から見たときに、素子側バスバー部４２は、正極端子２Pと負極端子２Nとのいずれとも重なっている。
そのため、素子側バスバー部４２が直流端子２P，２NとＺ方向に重なる面積を広くすることができる。したがって、直流端子２P，２Nを流れる電流Ｉが時間的に変化した場合に、素子側バスバー部４２により多くの渦電流ｉを発生させることができる。そのため、直流端子２P，２Nに寄生するインダクンタスＬをより低減させることができる。
【００３４】
また、図６、図７に示すごとく、個々の素子接続部２２と半導体素子３とは、複数本のボンディングワイヤ１０を介して電気接続している。複数本のボンディングワイヤ１０は、Ｘ方向において、素子側バスバー部４２の両端縁４２８,４２９の間に配されている。
このようにすると、素子側バスバー部４２の両端縁４２８，４２９がボンディングワイヤ１０よりもＸ方向における外側に位置することになる。そのため、素子側バスバー部４２のＸ方向幅を長くすることができる。したがって、素子側バスバー部４２を、素子接続部２２に対して広い面積にわたって対向させることができ、渦電流ｉをより多く発生させることができる。そのため、直流端子２P，２Nに寄生するインダクタンスＬをより低減させることができる。
【００３５】
以上のごとく、本形態によれば、直流端子に寄生するインダクタンスを低減でき、かつ対向バスバーの温度上昇を抑制しやすい半導体モジュールを提供することができる。
【００３６】
なお、本形態では、半導体素子３としてＭＯＳＦＥＴを用いたが、本発明はこれに限るものではなく、例えばＩＧＢＴ等を用いることもできる。
【００３７】
以下の実施形態においては、図面に用いた符号のうち、実施形態１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施形態１と同様の構成要素等を表す。
【００３８】
（実施形態２）
本形態は、対向バスバー４の形状を変更した例である。図１０に示すごとく、本形態では、Ｚ方向から見たときに、対向バスバー４の素子側バスバー部４２が、一対の直流端子２P，２Nの間に介在するよう構成してある。すなわち、Ｚ方向から見たときに、素子側バスバー部４２が、正極端子２Pと負極端子２Nとのいずれとも重ならないよう構成してある。このようにすると、対向バスバー４の面積を小さくすることができ、対向バスバー４を少ない材料で形成することができる。そのため、半導体モジュール１の製造コストを低減できる。
【００３９】
また、本形態では実施形態１と同様に、電源側バスバー部４１は、Ｚ方向から見たときに、正極端子２Pと負極端子２Nとの、いずれとも重なるよう構成してある。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４０】
（実施形態３）
本形態は、対向バスバー４の形状を変更した例である。本形態では図１１に示すごとく、Ｚ方向から見たときに、素子側バスバー部４２の端縁４２８，４２９が、Ｘ方向において、直流端子２P，２Nの２つの外側端縁２２８，２２９の間に位置している。
【００４１】
また、実施形態１と同様に、個々の直流端子２P，２Nは、それぞれ複数本のボンディングワイヤ１０を介して半導体素子３と電気接続している。Ｘ方向における、素子側バスバー部４２の端縁４２８，４２９の間に、複数本のボンディングワイヤ１０が位置している。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４２】
（実施形態４）
本形態は、対向バスバー４の形状を変更した例である。本形態では図１２に示すごとく、Ｚ方向から見たときに、電源側バスバー部４１が、正極端子２Pと負極端子２Nとのいずれとも重ならないよう構成してある。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４３】
（実施形態５）
本形態は、対向バスバー４の形状を変更した例である。本形態では図１３に示すごとく、電源側バスバー部４１のＸ方向長さを、実施形態１よりも長く形成してある。Ｚ方向から見たとき、電源側バスバー部４１の両端縁４１８，４１９は、直流端子２P，２Nの外側端縁２１８，２１９と重なっている。また、電源側バスバー部４１には、直流端子２のボルト挿通孔２１１に対応する位置に、ボルト（図示しない）を挿通させるための貫通孔４１２が形成されている。
【００４４】
本形態の作用効果について説明する。上記構成にすると、電源側バスバー部４１が直流端子２P，２Nと重なる面積を大きくすることができる。そのため、電源側バスバー部４１により多くの渦電流ｉを発生させることができる。したがって、直流端子２P，２NのインダクタンスＬをより低減させることができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４５】
（実施形態６）
本形態は、対向バスバー４の形状を変更した例である。図１４に示すごとく、本形態では、電源側バスバー部４１のうち、一対の直流端子２P，２Nの間に存在する部位４１７に、Ｚ方向に貫通する貫通穴４１６を形成してある。
【００４６】
上記構造にすると、対向バスバー４を少ない材料で形成することができる。そのため、半導体モジュール１の製造コストを低減できる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４７】
（実施形態７）
本形態は、直流端子２と対向バスバー４の形状を変更した例である。図１５、図１６に示すごとく、本形態では、直流端子２の電源接続部２１と、素子接続部２２とが、Ｘ方向においてずれた位置に形成されている。また、対向バスバー４の電源側バスバー部４１と、素子側バスバー部４２とが、Ｘ方向においてずれた位置に形成されている。
このようにすると、直流端子２及び対向バスバー４の設計自由度を高めることができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４８】
（実施形態８）
本形態は、直流端子２と対向バスバー４の形状を変更した例である。図１７、図１８に示すごとく、本形態では、正極端子２P及び負極端子２Nは、素子接続部２２をそれぞれ複数個備える。これら複数個の素子接続部２２は、Ｘ方向に配列している。個々の素子接続部２２に別々の半導体素子３が接続する。本形態では、１個の半導体モジュール１を用いて、３相の電力変換装置１９（図９参照）を構成している。
【００４９】
対向バスバー４の素子側バスバー部４２は、Ｘ方向に長い長尺形状を呈する。Ｚ方向から見たときに、全ての素子接続部２２が素子側バスバー部４２に重なるよう構成されている。
【００５０】
より詳しくは、図１７に示すごとく、本形態の素子側バスバー部４２は、Ｚ方向から見たときに直流端子２の素子接続部２２P，２２Nと重なる重複部４２２と、複数の重複部４２２を連結する連結部４２３とを備える。これら重複部４２２と連結部４２３とによって、Ｘ方向に長い長尺形状を呈する素子側バスバー部４２が形成されている。また、図１９に示すごとく、素子側バスバー部４２には、実施形態１と同様に、封止部材５から露出した露出面４０が形成されている。本形態では、素子側バスバー部４２の全面を、封止部材５から露出させ、放熱板６に接触させている。
【００５１】
本形態の作用効果について説明する。上記構成を採用すると、素子側バスバー部４２の面積を大きくすることができる。そのため、露出面４０の面積を大きくすることができ、対向バスバー４の熱を放熱板６へ効果的に伝えることができる。したがって、対向バスバー４を充分に冷却することができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００５２】
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体モジュール
２  直流端子
２P  正極端子
２N  負極端子
３  半導体素子
３U  上アーム半導体素子
３L  下アーム半導体素子
４  対向バスバー
５  封止部材
８  直流電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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