(57)【要約】【課題】複数の処理槽に順次浸漬処理する被処理基板の表面処理において、簡便に反応性酸化剤のコンタミネーションによる弊害を緩和する表面処理装置を提供する。【解決手段】本開示の被処理基板の表面処理装置は、反応性酸化剤を含む第１の処理液を保持するための第１の処理槽と、前記第１の処理液で浸漬処理された被処理基板を浸漬する第２の処理液を保持するための第２の処理槽と、を含む、被処理基板の表面処理装置であって、前記第２の処理液と接する前記表面処理装置の少なくとも一部が、前記反応性酸化剤を分解する触媒材料を用いて形成されている。この構成により、第１の処理槽から第２の処理槽に混入した反応性酸化剤を分解除去することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性酸化剤を含む第１の処理液を保持するための第１の処理槽と、
前記第１の処理液で浸漬処理された被処理基板を浸漬する第２の処理液を保持するための第２の処理槽と、を含む、被処理基板の表面処理装置であって、
前記第２の処理液と接する前記表面処理装置の少なくとも一部が、前記反応性酸化剤を分解する触媒材料を用いて形成された、
被処理基板の表面処理装置。
【請求項２】
前記反応性酸化剤は、過酸化水素またはオゾンを含む、
請求項１に記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項３】
前記触媒材料は、ステンレス鋼である、
請求項１または２に記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項４】
前記第２の処理槽の内表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成された、
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項５】
前記第２の処理槽に接続された前記処理液の循環ラインを更に含み、前記循環ラインの内表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成された、
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項６】
前記第２の処理液が、アルカリ性の水溶液を含む、
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項７】
前記アルカリ性の水溶液は、エッチング添加剤としてアルコール類を含む、
請求項６に記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項８】
前記第２の処理槽の底面に配置された触媒部材を更に含み、前記触媒部材の外表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成された、
請求項１乃至７のいずれか一つに記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項９】
前記第２の処理槽の底面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成され、前記底面が凹凸形状を有する、
請求項１乃至８のいずれか一つに記載の被処理基板の表面処理装置。
【請求項１０】
被処理基板に、反応性酸化剤を含む第１の処理液で第１の浸漬処理をする第１の浸漬工程と、
前記第１の浸漬工程後の前記被処理基板に、第２の処理液で第２の浸漬処理をする第２の浸漬工程と、を含み、
前記第２の浸漬工程において、触媒材料により前記反応性酸化剤を分解する、
太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の処理液を保持する第２の処理槽の内表面の少なくとも一部が、前記触媒材料を用いて形成された、
請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
前記反応性酸化剤は、過酸化水素またはオゾンを含む、
請求項１０または１１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１３】
前記触媒材料は、ステンレス鋼である、
請求項１０乃至１２のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の処理液を保持する第２の処理槽に前記第２の処理液の循環ラインが接続されており、前記循環ラインの内表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成された、
請求項１０乃至１３のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の処理液が、アルカリ性の水溶液を含む、
請求項１０乃至１４のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１６】
前記アルカリ性の水溶液は、エッチング添加剤としてアルコール類を含む、
請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の処理液を保持する第２の処理槽の底面に配置された触媒部材を更に含み、前記触媒部材の外表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成された、
請求項１０乃至１６のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の処理液を保持する第２の処理槽の底面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成され、前記底面が凹凸形状を有する、
請求項１０乃至１７のいずれか一つに記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板の表面処理装置、及び太陽電池の製造方法に関する。とりわけ、太陽電池、光センサー等の半導体デバイスに用いられるに好適に用いられるシリコンウェハの表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのひとつである結晶シリコン系太陽電池の製造プロセスにおいて、シリコン基板の表面エッチング処理がある。表面エッチング処理は、シリコン基板のスライシング時に生じた表面ダメージ層を除去するとともに、表面にピラミッド状の微細凹凸（テクスチャー）を形成して反射率を低減させ、より効率的に光を吸収させることを目的としている。
【０００３】
この処理においては、複数の処理槽にシリコンウェハを順次浸漬処理させていくことが知られている。また、浸漬処理として、有機物汚染の除去や酸化被膜の形成の形成を目的として、反応性酸化剤（例えば、過酸化水素やオゾン）を含む処理液で浸漬処理することが知られている。
【０００４】
例えば、先行文献１には、シリコンウェハをフッ化水素および酸化剤を含む洗浄液で洗浄し、次に、界面活性剤を含む洗浄液で超音波洗浄するシリコンウェハの洗浄方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１６８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数の処理液に順次浸漬していく被処理基板の処理において、ある処理槽から別の処理槽に被処理基板を搬送する際、被処理基板や被処理基板が積載されたウェハカセットに付着した液が次の処理槽に持ち込まれる。とりわけ、持ち込まれた液に反応性酸化剤が含まれていた場合、次の処理槽に反応性酸化剤が持ち込まれることになる。そのため、反応性酸化剤が持ち込まれた処理槽の構成成分を分解・失活させることがある。対策として、搬送の際に十分に水きりをしたり、乾燥させたり、次の処理槽の前にリンス槽を設けたりすることもあるが、装置が煩雑となる。
【０００７】
そこで、本開示は、被処理基板の浸漬処理に伴い発生する、反応性酸化剤を含む処理槽から他の槽へのコンタミネーションによる弊害を、より簡便に緩和することが可能な被処理基板の表面処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の被処理基板の表面処理装置は、反応性酸化剤を含む第１の処理液を保持するための第１の処理槽と、前記第１の処理液で浸漬処理された被処理基板を浸漬する第２の処理液を保持するための第２の処理槽と、を含む、被処理基板の表面処理装置であって、前記第２の処理液と接する前記表面処理装置の少なくとも一部が、前記反応性酸化剤を分解する触媒材料を用いて形成されている。
【０００９】
上記被処理基板の表面処理装置において、前記反応性酸化剤は、過酸化水素またはオゾンを含んでもよい。また前記触媒材料は、ステンレス鋼であってもよい。
【００１０】
上記被処理基板の表面処理装置において、前記第２の処理槽の内表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成されていてもよい。また、前記第２の処理槽に接続された前記処理液の循環ラインを更に含み、前記循環ラインの配管の内表面及びポンプの内表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成されてもよい。
【００１１】
上記被処理基板の表面処理装置において、前記第２の処理液が、アルカリ性の水溶液を含んでもよく、前記アルカリ性の水溶液は、エッチング添加剤としてアルコール類を含んでもよい。
【００１２】
上記被処理基板の表面処理装置において、第２の処理槽の底面に配置された触媒部材を更に含み、前記触媒部材の外表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成されてもよく、前記第２の処理槽の底面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成され、前記底面が凹凸形状を有してもよい。
【００１３】
本開示の太陽電池の製造方法は、被処理基板に、反応性酸化剤を少なくとも含む第１の処理液で洗浄処理する洗浄工程と、前記洗浄工程後の前記被処理基板に、第２の処理液でエッチング処理するエッチング工程と、を含み、前記エッチング工程において、触媒材料により前記反応性酸化剤を分解する。
【００１４】
上記太陽電池の製造方法において、前記第２の処理液を保持する第２の処理槽の内表面の少なくとも一部が、前記触媒材料を用いて形成されてもよい。
【００１５】
上記太陽電池の製造方法において、前記反応性酸化剤は、過酸化水素またはオゾンを含んでもよく、前記触媒材料は、ステンレス鋼であってもよい。
【００１６】
上記太陽電池の製造方法において、前記第２の処理液を保持する第２の処理槽に前記第２の処理液の循環ラインが接続されており、前記循環ラインの内表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成されて形成されてもよい。
【００１７】
上記太陽電池の製造方法において、前記第２の処理液が、アルカリ性の水溶液を含んでもよく、前記アルカリ性の水溶液は、エッチング添加剤としてアルコール類を含んでもよい。
【００１８】
上記太陽電池の製造方法において、前記第２の処理液を保持する第２の処理槽の底面に配置された触媒部材を更に含み、前記触媒部材の外表面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成されてもよく、前記第２の処理液を保持する第２の処理槽の底面の少なくとも一部が前記触媒材料を用いて形成され、前記底面が凹凸形状を有してもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本開示によれば、他の槽から持ち込まれた反応性酸化剤を簡便に分解することができる。その結果、本開示に係る被処理基板の表面処理装置では処理液を長寿命化でき、処理液の使用量削減につながる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は本開示におけるシリコンウェハを保持するウェハカセットを示す概略図である。
【図２】図２は本開示におけるシリコンウェハの処理装置の一部を示す概略図である。
【図３】図３は本開示におけるシリコンウェハの処理槽のひとつを示す概略図である。
【図４】図４は本開示における太陽電池素子を示す概略図である。
【図５】図５は本開示における太陽電池の製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［シリコンウェハとウェハカセット］
本実施形態における被処理基板であるシリコンウェハ１としては、多結晶シリコン基板、単結晶シリコン基板など各種シリコンウェハが用いられる。また、極性としてはｐ型シリコンウェハであってもよいし、ｎ型シリコンウェハであってもよい。シリコンウェハのサイズ、形状には特段の制限はないが、太陽電池用として用いられるものとしては１０〜２０ｃｍの略矩形状のものが好ましい。
【００２２】
図１（Ａ）、（Ｂ）は本開示の実施形態に係るシリコンウェハ１と、そのシリコンウェハ１を格納するウェハカセット２を示す概略図である。図１（Ａ）に示すように、シリコンウェハ１は２０枚から１００枚程度をその主面方向に垂直な方向に整列した状態で、ウェハカセット２に保持される。ウェハカセット２は対向する２つの側面部２Ａ、２Ａと、その２つの側面部２Ａ間を連結する連結部２Ｂを有している。連結部２Ｂには、図示されない溝が多数形成されており、図１（Ｂ）に示すように、その溝にはめ込むようにシリコンウェハ１が間隔をあけて収容される。ウェハカセット２の上部にはウェハ押さえが設けられていてもよい。ウェハ押さえを設けておくことにより、浸漬処理時にシリコンウェハ１に付着した気泡によりシリコンウェハ１が浮き上がることを防止することができる。
【００２３】
［装置全体の構成］
図２は、本実施形態に係る被処理基板の表面処理装置１００の一部の模式図である。被処理基板の表面処理装置１００は、図２に示されるように複数の処理槽３を有している。投入部１１２にセットされたウェハカセット２は処理槽３に順次浸漬させていくことにより、目的の処理がなされる。各処理槽３には所定の処理時間が設定されており、設定された処理時間に到達すると、次の処理槽３に搬送される。ここで、ウェハカセット２は、ウェハカセット２を把持することのできるクレーン１１０により、処理槽３間の搬送がなされる。図２では、投入部１１２側から第１〜第４の処理槽（３Ａ〜３Ｄ）までを図示しているが、処理槽３の数は特段の制限はなく、必要処理工程に応じて、適宜処理槽３が配置される。
【００２４】
ウェハカセット２は順次投入されていく構成のため、複数の処理槽３でウェハ浸漬処理が進行する。たとえば、図２では、ウェハ処理が順次なされたある時点を示しており、投入部１１２、第１の処理槽３Ａ、第３の処理槽３Ｃにそれぞれウェハカセット２が存在している。この時点以降、第１の処理槽３Ａでの処理が完了した場合、ウェハカセット２は第１の処理槽３Ａから、第２の処理槽３Ｂにクレーン１１０により搬送される。その後、第３の処理槽３Ｃでの処理が完了した場合、ウェハカセット２は第３の処理槽３Ｃから、第４の処理槽３Ｄにクレーン１１０により搬送される。さらに、第１の処理槽３Ａが空きになると、投入部１１２のウェハカセット２は、第１の処理槽３Ａにクレーン１１０により搬送される。
【００２５】
図３は各処理槽３の構成を示す模式図である。処理槽３はウェハカセット２を浸漬処理するための槽である。処理槽３の構成材料は処理液に応じて、処理液への耐性、コスト、加工のしやすさ等に基づき選択される。本実施形態では、反応性酸化剤を含む処理槽３における洗浄処理（第１の浸漬処理）の次工程である、エッチング処理（第２の浸漬処理）に用いる処理槽３に特徴があり、後に詳述する。
【００２６】
本実施形態における処理槽３には、液の循環のための循環ライン５が設けられている。循環ライン５の一端は、処理槽３の上部側に接続され、他端は処理槽３の下部に接続されている。循環ライン５には例えばポンプ７が備え付けられており、処理槽３の上部側から処理液を取り込み、処理槽３の下部から処理液を注入する構成となっている。その結果、処理槽３内の処理液が循環し、液の温度や濃度が不均一にならないような構成となっている。
【００２７】
処理槽３には、処理液を供給するための供給部９が設けられている。供給部９から必要な処理液が供給され、所定濃度の処理液が調整される。たとえば、水酸化ナトリウムの処理液を調整する場合、設定濃度以上の水酸化ナトリウムと、希釈用の純水とが、所定濃度となるように、供給部９から処理槽３内に供給される。なお、処理槽３が純水でのリンス槽である場合には、供給部９から純水の供給のみ行われる。
【００２８】
処理槽３には、処理液を所定の温度に保持するため、温度調整機が設けられていてもよい。より具体的には、循環ライン５の一部にヒーターを設けることにより処理液の温度をあげることもできる。また、循環ライン５の一部に冷却器を設けることにより処理液の温度を下げることもできる。
【００２９】
処理槽３には、廃液ライン８が設けられている。廃液ライン８は直接処理槽３に接続されていてもよいし、循環ライン５の一部を分岐し、必要に応じて廃液するような構成としてもよい。
【００３０】
［処理液の構成と処理方法］
図２に示す第１の処理槽３Ａは、シリコンウェハ１の表面の有機物での汚れを主に除去する洗浄工程（第１の浸漬処理）に用いる処理槽である。シリコンウェハ１の表面の汚れを除去することにより、後述の異方性エッチング処理が均一に行うことが可能となる。第１の処理槽３Ａは反応性酸化剤の一例である過酸化水素を含有する第１の処理液で満たされている。過酸化水素は反応性の高い酸化剤であり、表面の有機物汚れを酸化させて分解することが可能となる。
【００３１】
第１の処理液に含まれる反応性酸化剤は純粋な過酸化水素水溶液であってもよいし、過酸化水素と他の化学物質との混合物であってもよい。たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどの塩基性物質と過酸化水素との混合物や、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸などの酸性物質と過酸化水素との混合物であってもよい。酸塩基の作用と相俟って洗浄効果がより向上する。特に、後述の第２の処理槽３Ｂ内の第２の処理液が塩基性の場合、第１の処理槽３Ａ内の第１の処理液も塩基性であることが好ましく、とりわけ、揮発性の低い水酸化ナトリウム、および、水酸化カリウムが好ましい。
【００３２】
なお、第１の処理液として用いる過酸化水素水を含む処理液としては、過酸化水素と混合された物質とが反応して酸化性物質が生じた処理液であってもよく、たとえば、硫酸と過酸化水素との混合物において、過硫酸（ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸）が生成されている処理液であってもよい。
【００３３】
第２の処理槽３Ｂは、シリコンウェハ１の表面をエッチングすることにより、シリコンウェハ１の表層のダメージ層を除去するとともに、異方性エッチングを行う、第２の浸漬処理に用いる処理槽である。第２の処理槽３Ｂは異方性エッチング液で満たされている。異方性エッチング液はシリコンを溶解してエッチングするエッチング剤と、異方的にエッチングするためのエッチング添加剤とを含む。エッチング添加剤を異方性エッチング液に含ませておくことにより、微細なピラミッド状の凹凸を、シリコンウェハ１の表面に形成することができる。エッチング剤としては、塩基性物質が好適に用いられ、生産適合性の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどのアルカリ性の水溶液がより好適に用いられる。エッチング添加剤としては、例えばイソプロピルアルコール、メタノール等のアルコール類が、好適に用いられる。また、メタブライツ  ＳＥ  シリーズ（攝津製油株式会社製）、ＰＫ−ＰＶＸ５０１（パーケム製）、Ｐｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  Ｔ８０  ｓｅｒｉｅｓ（林純薬工業株式会社）、等のエッチング添加剤を用いることも可能である。さらに、シリコンウェハ１の表面の濡れ性を向上させ、シリコンウェハ１の表面における気泡の離脱を促進するため界面活性剤を含ませることも可能である。シリコンウェハ１の表層のダメージ層を除去することにより、シリコンウェハ１の表面における再結合中心がなくなり、太陽電池にした場合に、出力が向上する。また、異方性エッチングを行うことにより、ピラミッド状の微細凹凸（いわゆるテクスチャ）が形成される。この微細凹凸はシリコンウェハ１の反射率を低下させ、太陽光の吸収効率を高められるため、太陽電池の出力向上に寄与する。
【００３４】
なお、第２の処理槽３Ｂには、第１の処理槽３Ａで浸漬処理を終えたウェハカセット２が搬入されるため、シリコンウェハ１やウェハカセット２に付着した第１の処理槽３Ａの第１の処理液が、第２の処理槽３Ｂの第２の処理液内に混入することは避けられない。特に、混入した過酸化水素は、反応性酸化剤であるため、第２の処理槽３Ｂの有効成分（エッチング添加剤や界面活性剤）を分解してしまう。この点は本開示の特徴に関係する部分であり、後述する。
【００３５】
第２の処理槽３Ｂ以降の工程は、微細凹凸が形成されたシリコンウェハ１の表面を洗浄する工程である。より具体的には、第２の処理槽３Ｂでの処理後に付着したアルカリ付着液を中和するため、酸性処理液に浸漬する工程を経た後、フッ酸溶液に浸漬し表面の酸化被膜を除去することにより、シリコンウェハ１のエッチング処理が完結する。
【００３６】
［第２の処理槽の特徴部］
本開示は、表面処理装置１００の使用時において、第２の処理液と接する表面処理装置１００の少なくとも一部を、反応性酸化剤を分解する触媒材料を用いて形成することを特徴としており、本実施形態においては、第２の処理槽３Ｂを、ステンレス鋼を用いて形成している。一般的に、シリコンウェハ１の表面をエッチングする第２の処理液で満たされる処理槽においては、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂製の処理槽を用いる。これは、処理槽がエッチング処理液によって溶解されないようにするためである。しかし、本実施形態においては、第２の処理槽３Ｂを満たす第２の処理液として、アルカリ性の水溶液を用いているため、第２の処理槽３Ｂにステンレス鋼を用いることが可能となる。また、本実施形態においては、エッチング添加剤として、アルコール類を用いているため、ステンレス鋼を溶解させない。
【００３７】
ステンレス鋼は過酸化水素等の反応性酸化剤の分解触媒としての機能を有し、反応性酸化剤として過酸化水素水を用いた場合、過酸化水素とステンレス鋼とが接触すると、過酸化水素が水と酸素とに分解される。すなわち、このような構成とすることにより、第２の処理槽３Ｂが第２の処理液で満たされたとき、第２の処理液中に混入した反応性酸化剤が、ステンレス鋼により分解される。そのため、第２の処理液中の有効成分であるエッチング添加剤や界面活性剤が、混入してきた過酸化水素により酸化分解されてしまうことが抑制される。結果、エッチング添加剤や界面活性剤の消費量を削減できる。また、第２の処理液を長寿命化することができ、プロセス管理の簡易化を図ることができる。更に、エッチング添加剤や界面活性剤の濃度低下を抑制することにより、浸漬処理を安定化できる。
【００３８】
上述の例では、触媒材料の例としてステンレス鋼を用いたが、反応性酸化剤を水と気体とに分解する触媒機能を有する材料（触媒材料）であればよい。反応性酸化剤に対する触媒作用の有無は、触媒材料と反応性酸化剤との接触部における発泡の有無により判断できる。また、次の方法によって確認することも可能である。以下の例においては、反応性酸化剤の一例として過酸化水素水を用いて説明する。まず、一定容量の過酸化水素を含む処理液を、ＰＴＦＥ（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）からなる容器に一定時間保持し、過酸化水素の濃度を測定する（第一の測定）。なお、ＰＴＦＥは触媒作用のないことが既知である。ここで一定時間の保持により過酸化水素の濃度が低下するが、これは容器の触媒機能以外の要因（例えば、液中の不純物による触媒作用）により過酸化水素が分解したものである、次に、ＰＴＦＥの容器を、触媒作用の有無を確認したい部材（評価部材）からなる容器に変更することを除いて、第一の測定と同一の方法で過酸化水素の濃度を測定する（第二の測定）。第二の測定で得られた過酸化水素の濃度が第一の測定で得られた過酸化水素の濃度の９５％未満の場合、評価部材は触媒作用がある部材とし、それ以外の場合には評価部材は触媒作用がない部材と判定する。
【００３９】
反応性酸化剤が過酸化水素水である場合の触媒材料としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、白金、金、パラジウム、亜鉛、スズ、マンガン等の金属、ステンレス鋼等の合金、金属酸化物、セラミックス、活性炭素等を用いることができる。とりわけ、機械強度、過酸化水素に対する化学的安定性の観点からステンレス鋼が好適に用いられる。ステンレス鋼としては、オーステナイト系、オーステナイト・フェライト系、マルテンサイト系、フェライト系等の各種ステンレス鋼を用いることができ、より具体的には、ＳＵＳ２０１、ＳＵＳ２０２、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０２、ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２９Ｊ１、ＳＵＳ４０３、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４２０、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３０ＬＸ、ＳＵＳ６３０などが挙げられる。また、第２の処理液に対する化学的安定性の高い材料が望ましく、第２の処理液にアルカリ性水溶液を用いる場合には、ステンレス鋼を用いることが望ましい。
【００４０】
表面処理装置１００の使用時に第２の処理液と接触する部分としては、第２の処理槽３Ｂ全体が触媒材料で構成されてもよいし、第２の処理槽３Ｂの内壁などの内表面が触媒材料で構成されていてもよい。また、第２の処理槽３Ｂの内表面の一部が触媒材料で構成されていてもよい。第２の処理槽３Ｂ全体が触媒材料で構成されている場合、第２の処理液との接触面積が大きくなり、反応性酸化剤の分解作用がより高く好ましい。
【００４１】
また、循環ライン５の内表面の少なくとも一部が触媒材料を用いて形成されていてもよい。その場合、例えば、循環ライン５の配管の内表面の少なくとも一部が触媒材料を用いて形成されていてもよく、また、循環ライン５のポンプ７の内表面の少なくとも一部が触媒材料を用いて形成されていてもよい。このような構成の場合、流動する第２の処理液と触媒材料が接触するため、反応性酸化剤の分解作用がより高い。また、このような構成の場合、第１の処理槽３Ａの内表面等に触媒材料を設けない構成としても、上述した分解作用を得ることが可能となる。
【００４２】
また、第２の処理槽３Ｂの底面に、触媒材料を用いて形成された複数の杭等の触媒部材を配置し、触媒材料として機能する部分の表面積を増加させることにより、反応性酸化剤の分解作用を更に高める構成としてもよい。なお、第２の処理槽３Ｂの底面に、その外表面の少なくとも一部が触媒材料を用いて形成された触媒部材を配置してもよく、第２の処理槽３Ｂの底面の少なくとも一部が触媒材料を含み、凹凸形状を有する構成としてもよい。なお、第２の処理槽３Ｂの底面に、その外表面の少なくとも一部が触媒材料を用いて形成された触媒部材を配置する場合には、第２の処理槽３Ｂの内表面等に触媒材料を用いなくても、上述した分解作用を得ることが可能となる。
【００４３】
なお、上述の例では、第２の処理槽３Ｂにおいて、過酸化水素が分解する場合を取り上げたが、反応性酸化剤は、過酸化水素に限定されず、ほかの反応性酸化剤とその分解触媒との組み合わせであっても構わない。例えば、第１の処理槽３Ａがオゾンを含む場合であってもよい。
【００４４】
オゾンに対する触媒作用の有無は次の方法によって確認することも可能である。まず、一定容量のオゾンを含む処理液を、ＰＴＦＥからなる容器に一定時間保持し、オゾンの濃度を測定する（第一の測定）。なお、ＰＴＦＥは触媒作用のないことが既知である。ここで一定時間の保持によりオゾンの濃度が低下するが、これは容器の触媒機能以外の要因（例えば、液中の不純物による触媒作用）によりオゾンが分解したものである、次に、ＰＴＦＥの容器を、触媒作用の有無を確認したい部材（評価部材）からなる容器に変更することを除いて、第一の測定と同一の方法でオゾンの濃度を測定する（第二の測定）。第二の測定で得られたオゾンの濃度が第一の測定で得られたオゾンの濃度の９５％未満の場合、評価部材は触媒作用がある部材とし、それ以外の場合には評価部材は触媒作用がない部材と判定する。
【００４５】
反応性酸化剤としてオゾンを用いる場合、触媒材料としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、白金、金、パラジウム、亜鉛、スズ、マンガン等の金属、ステンレス鋼等の合金、金属酸化物、セラミックス、活性炭素等を用いることができる。とりわけ、機械強度、過酸化水素に対する化学的安定性の観点からステンレス鋼が好適に用いられる。ステンレス鋼としては、オーステナイト系、オーステナイト・フェライト系、マルテンサイト系、フェライト系等の各種ステンレス鋼を用いることができ、より具体的には、ＳＵＳ２０１、ＳＵＳ２０２、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０２、ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２９Ｊ１、ＳＵＳ４０３、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４２０、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３０ＬＸ、ＳＵＳ６３０などが挙げられる。また、第２の処理液に対する化学的安定性の高い材料が望ましく、第２の処理液にアルカリ性水溶液を用いる場合には、ステンレス鋼を用いることが望ましい。
【００４６】
［太陽電池の製造方法］
上述のシリコンウェハ１のエッチング処理により得られるシリコンウェハ１は太陽電池素子の製造に供することが可能である。ここでは、ヘテロ接合型太陽電池素子の場合を例にあげ説明するが、Ａｌ−ＢＳＦ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）構造やＰＥＲＣ（Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  ａｎｄ  Ｒｅａｒ  Ｃｅｌｌ）構造等の各種結晶シリコン太陽電池素子にも適用可能である。
【００４７】
以下、図５のフローチャート図を用いて、太陽電池の製造方法について説明する。まず、例えばｎ型単結晶からなるシリコンウェハ１の表面を、上述した通り、反応性酸化剤を少なくとも含む第１の処理液で洗浄処理する洗浄工程（Ｓ１）を行う。次に、洗浄処理済のシリコンウェハ１を第２の処理液でエッチング処理するエッチング工程（Ｓ２）を行う。このエッチング処理方法により、シリコンウェハ１の表面のダメージ層を除去するとともに、シリコンウェハ１の表面に微細なピラミッド状の凹凸形状を形成する。次に、シリコンウェハ１の第１の主面にＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ３）、ｐ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ４）。また、第２の主面に、ＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン層を形成し（Ｓ５）、ｎ型アモルファスシリコン層を形成する（Ｓ６）。この工程により、シリコンウェハ１にＰＮ接合が形成される。なお、図５に示すように、この第１の主面における真性アモルファスシリコン層形成工程（Ｓ３）、及びｐ型アモルファスシリコン層形成工程（Ｓ４）と、第２の主面における真性アモルファスシリコン層形成工程（Ｓ５）、及びｎ型アモルファスシリコン層形成工程（Ｓ６）の前後関係は問わない。続いて、シリコンウェハ１の一主面および逆側の主面に、ＩＴＯからなる透明導電層を形成する（Ｓ７）。最後に、図４に示されるように、導電性ペーストを所定パターンで印刷し、受光面および裏面に集電極を形成し（Ｓ８）、太陽電池素子１１となる。ここで、ｐ型アモルファスシリコン層が形成されている面の集電極はプラス電極、ｎ型アモルファスシリコン層が形成されている面の集電極はマイナス電極となる。
【００４８】
上記のように製造された太陽電池は、実用に供するに際して、モジュール化されることが好ましい。太陽電池のモジュール化は、適宜の方法により行われる。例えば、集電極にタブ等のインターコネクタを介してバスバーが接続されることによって、複数の太陽電池が直列又は並列に接続され、封止材及びガラス板により封止されることによりモジュール化が行われる。
【符号の説明】
【００４９】
１  シリコンウェハ
２  ウェハカセット
２Ａ  側面部
２Ｂ  連結部
３  処理槽
３Ａ  第１の処理槽
３Ｂ  第２の処理槽
３Ｃ  第３の処理槽
３Ｄ  第４の処理槽
５  循環ライン
７  ポンプ
８  廃液ライン
９  供給部
１０  処理液タンク
１１  太陽電池素子
１００  表面処理装置
１１０  クレーン
１１２  投入部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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