(57)【要約】【課題】陽極（Ａｎｏｄｅ）間隔を短くできるとともに、位置測定分解能を向上できるマイクロストリップガス検出器を提供する。【解決手段】マイクロストリップガス検出器は、表面にアノード電極ストリップが形成され、裏面にシグナルコンディショナ回路が実装される導電層を有する基板と、アノード電極ストリップに形成され、上端部が基板の表面に露出する柱状のアノード電極と、表面のアノード電極の上端面の回り以外に形成された絶縁部と、アノード電極の上端面を露出するように形成され、アノードストリップに対して直交する方向に形成されたカソード電極ストリップと、アノード電極ストリップと導電層とを接続し、カソード電極ストリップと導電層とを接続するワイヤーとを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にアノード電極ストリップが形成され、裏面にシグナルコンディショナ回路が実装される導電層を有する基板と、
前記アノード電極ストリップに形成され、上端部が前記基板の前記表面に露出する柱状のアノード電極と、
前記表面の前記アノード電極の上端面の回り以外に形成された絶縁部と、
前記アノード電極の上端面を露出するように形成され、アノードストリップに対して直交する方向に形成されたカソード電極ストリップと、
前記アノード電極ストリップと前記導電層とを接続し、前記カソード電極ストリップと前記導電層とを接続するワイヤーと
を備える、マイクロストリップガス検出器。
【請求項２】
前記アノード電極は、５０μｍから２００μｍの間隔で形成される、請求項１に記載のマイクロストリップガス検出器。
【請求項３】
前記アノード電極の先端部は鋭角である、請求項１又は請求項２に記載のマイクロストリップガス検出器。
【請求項４】
前記アノード電極は、直径５μｍから１５μｍである、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のマイクロストリップガス検出器。
【請求項５】
前記アノード電極は、高さが１５０μｍから２５０μｍである、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のマイクロストリップガス検出器。
【請求項６】
前記シグナルコンディショナ回路は、測定イベントに対して、基準クロックに基づいて、タイムスタンプ処理を行う、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のマイクロストリップガス検出器。
【請求項７】
請求項６に記載のマイクロストリップガス検出器と、
複数のシンチレーションカメラと、
前記マイクロストリップガス検出器と、複数の前記シンチレーションカメラとを同期させる基準クロック発生器と、
を備える、シンチレーションカメラ装置。
【請求項８】
複数の請求項６に記載のマイクロストリップガス検出器と、
複数のシンチレーションカメラと、
前記マイクロストリップガス検出器と、複数の前記シンチレーションカメラとを同期させる基準クロック発生器と、
を備える、断層撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マイクロストリップガス検出器、シンチレーションカメラ装置、および断層撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロストリップガス検出器(Micro-Strip Gas Chamber：MSGC)は放射光科学における次世代リアルタイムＸ線画像検出器として注目されている（例えば、非特許文献１参照）。
マイクロストリップガス検出器の構成の一例について説明する。
密封容器に１気圧の混合ガス（アルゴンガス９０％、エタンガス１０％）が充填される。密封容器内には、ドリフト電極板、ストリップ電極板が配置されている。ストリップ電極板は、両面基板で構成されている。両面基板の表側には、陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）がプリント配線されている。両面基板の裏面には、陽極（Ａｎｏｄｅ）がプリント配線されており、表面のＡｎｏｄｅ電極とはスルーホールによって接続されている。陰極、陽極の電位は、コンデンサを介して前置増幅器に出力される。
【０００３】
マイクロストリップガス検出器の動作の一例について、位置検出動作と、ガス増幅とに分けて説明する。
位置検出動作について説明する。ドリフト電極板、ストリップ電極板間に１６０Ｖ／ｃｍ程度の電界強度が発生するように、ドリフト電極板に負電位を、ストリップ電極板に正電位を与える。
荷電粒子がガス中を走り抜けると、ガス分子が電離され飛程に添ってイオン電子対が多数生成される。生成された正イオンは電界によりドリフト電極板に導かれる。同様に生成された電子は、ストリップ電極板に導かれる。ストリップ電極板では、陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）とが二次元に配列されているため、荷電粒子により生成された電子の二次元位置情報を測定できる。
また、ドリフト電極板とストリップ電極板間の電界が一定であるため、移動時間（陰極に到達するまでのタイミング）を測定することで、ストリップ電極板から電子が生成された位置までの距離を知ることができる。
【０００４】
ガス増幅について説明する。ストリップ電極板近傍に到達した電子は、陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）とが作り出す強電界により「ガス増幅」を起こす。「ガス増幅」により多数発生した２次電子は陽極に、同じく多数発生した正イオンは陰極に導かれる。陽極と陰極との電位差が５７０Ｖ程度になるような電位を与えた場合１００００程度のガス増幅率が与えられる。陽極から取り出される電流信号を大きくできるため、後続の前置増幅器のゲインを小さくでき、装置を小型で、かつ安価に提供できるようになる。
マイクロストリップガス検出器に関して、高い位置分解能に加え、ガス増幅器としては極めて不感時間を短くする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−６０４７号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】豊川秀訓、「マイクロストリップガス検出器の放射光実験利用」、ＳＰｒｉｎｇ−８  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ／Ｖｏｌ．６  Ｎｏ．１  Ｊａｎｕａｒｙ  ２００１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したマイクロストリップガス検出器のストリップ電極板は、両面プリント基板で構成されている。このため、以下のような欠点があった。
陽極（Ａｎｏｄｅ）の間隔を４００μｍより小さくすることができないため、位置測定分解能をそれ以上に向上させることができない。
陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）との距離を１００μｍ程度より小さくすることができないため、電子雪崩（ガス増幅）発生に必要な電界強度を形成するためには、両極間にはＤＣ５００Ｖを越えるような大きな直流電圧を印加する必要がある。同様に、陽極（Ａｎｏｄｅ）形状が平坦であるため、電気力線の集中ができず、両極間に印加する電圧を大きくする必要がある。
後続の前置増幅器、信号処理系などのシグナルコンディショナ回路を同一基板に実装することができないため、外部回路との接続信号数が増大する。
本発明は、前述した点に鑑みてなされたものであり、その目的は、陽極（Ａｎｏｄｅ）間隔を短くできるとともに、位置測定分解能を向上できるマイクロストリップガス検出器、シンチレーションカメラ装置、および断層撮影装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、表面にアノード電極ストリップが形成され、裏面にシグナルコンディショナ回路が実装される導電層を有する基板と、前記アノード電極ストリップに形成され、上端部が前記基板の前記表面に露出する柱状のアノード電極と、前記表面の前記アノード電極の上端面の回り以外に形成された絶縁部と、前記アノード電極の上端面を露出するように形成され、アノードストリップに対して直交する方向に形成されたカソード電極ストリップと、前記アノード電極ストリップと前記導電層とを接続し、前記カソード電極ストリップと前記導電層とを接続するワイヤーとを備える、マイクロストリップガス検出器である。
本発明の一態様のマイクロストリップガス検出器において、前記アノード電極は、５０μｍから２００μｍの間隔で形成される。
本発明の一態様のマイクロストリップガス検出器において、前記アノード電極の先端部は鋭角である。
本発明の一態様のマイクロストリップガス検出器において、前記アノード電極は、直径５μｍから１５μｍである。
本発明の一態様のマイクロストリップガス検出器において、前記アノード電極は、高さが１５０μｍから２５０μｍである。
本発明の一態様のマイクロストリップガス検出器において、前記シグナルコンディショナ回路は、測定イベントに対して、基準クロックに基づいて、タイムスタンプ処理を行う。
本発明の一態様は、前述したマイクロストリップガス検出器と、複数のシンチレーションカメラと、前記マイクロストリップガス検出器と、複数の前記シンチレーションカメラとを同期させる基準クロック発生器と、を備える、シンチレーションカメラ装置である。
本発明の一態様は、前述したマイクロストリップガス検出器と、複数のシンチレーションカメラと、前記マイクロストリップガス検出器と、複数の前記シンチレーションカメラとを同期させる基準クロック発生器と、を備える、断層撮影装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施形態によれば、陽極（Ａｎｏｄｅ）間隔を短くできるとともに、位置測定分解能を向上できるマイクロストリップガス検出器、シンチレーションカメラ装置、および断層撮影装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器の一例を示す図である。
【図２】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器の動作の一例を示す図である。
【図３】第１の実施形態のストリップ電極モジュールの模式図である。
【図４】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの陽極の一例を示す図である。
【図５】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図６】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その１）である。
【図７】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その２）である。
【図８】シリコンピラーの一例（その１）を示す図である。
【図９】シリコンピラーの一例（その２）を示す図である。
【図１０】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その３）である。
【図１１】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その４）である。
【図１２】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その５）である。
【図１３】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その６）である。
【図１４】第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるシグナルコンディショナ回路の一例を示すブロック図である。
【図１５】第２の実施形態のシンチレーションカメラ装置の一例を示すブロック図である。
【図１６】第３の実施形態の断層撮影装置の一例を示すブロック図である。
【図１７】第３の実施形態の断層撮影装置の動作の一例を示す図である。
【図１８】シリコンピラーの一例（その３）を示す図である。
【図１９】シリコンピラーの一例（その４）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本実施形態のマイクロストリップガス検出器、シンチレーションカメラ装置、および断層撮影装置を、図面を参照しつつ説明する。以下で説明する実施形態は一例に過ぎず、本発明が適用される実施形態は、以下の実施形態に限られない。
なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有するものは同一符号を用い、繰り返しの説明は省略する。
また、本願でいう「ＸＸに基づく」とは、「少なくともＸＸに基づく」ことを意味し、ＸＸに加えて別の要素に基づく場合も含む。また、「ＸＸに基づく」とは、ＸＸを直接に用いる場合に限定されず、ＸＸに対して演算や加工が行われたものに基づく場合も含む。「ＸＸ」は、任意の要素（例えば、任意の情報）である。
【００１２】
（第１の実施形態）
（マイクロストリップガス検出器）
図１は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器の一例を示す図である。
第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器１０は、ドリフト電極板１００と、密封容器１０２と、ストリップ電極モジュール１０４とを備える。
マイクロストリップガス検出器１０は、密封容器１０２に、ドリフト電極板１００と、ストリップ電極モジュール１０４とが設置され、１気圧から３気圧の混合ガス１０６が封入される。ドリフト電極板１００とストリップ電極モジュール１０４との間に、電界強度が１６０Ｖ／ｍ程度の電界を発生させる。
【００１３】
ストリップ電極モジュール１０４の一例は、縦６４０ドット×横６４０ドットの陽極（Ａｎｏｄｅ）配列を有するストリップ電極である。ストリップ電極モジュール１０４は、半導体微細加工技術によって製造される。ストリップ電極モジュール１０４の製造方法については、後述する。
ストリップ電極モジュール１０４の一例では、陽極（Ａｎｏｄｅ）の間隔は、２００μｍである。この間隔は、従来技術の半分の値である。このため、仮に、密封容器１０２に封入する混合ガス圧を従来技術と同じ１気圧とした場合、位置測定精度を向上させることができる。また、密封容器１０２に封入する混合ガス圧を、１気圧よりも大きくすることによって、検出効率を向上できる。
ストリップ電極モジュール１０４は、シグナルコンディショナ回路を内蔵している。シグナルコンディショナ回路については後述する。ストリップ電極モジュール１０４と外部機器との間は、通信ケーブルと基準クロック線と電源線とによって、接続される。このため、従来技術と比較して、配線量を大幅に削減できる。
【００１４】
（マイクロストリップガス検出器の動作）
図２は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器の動作の一例を示す図である。
マイクロストリップガス検出器１０の動作の一例について、位置検出動作と、ガス増幅とに分けて説明する。
（位置検出動作）
位置検出動作について説明する。ドリフト電極板１００と、ストリップ電極モジュール１０４との間に電界強度が１６０Ｖ／ｃｍ程度の電界が発生するように、ドリフト電極板１００に負電位を印加し、ストリップ電極モジュール１０４に正電位を印加する。
荷電粒子が密封容器１０２に封入されたガス中を走り抜けることによって、ガス分子が電離され飛程に添ってイオン電子対が多数生成される。生成された正イオンは電界によりドリフト電極板１００に導かれる。同様に生成された電子は、ストリップ電極モジュール１０４に導かれる。ストリップ電極モジュール１０４では、陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）とが二次元に配列されている。このため、荷電粒子により生成された電子の二次元位置情報を測定できる。
また、ドリフト電極板１００とストリップ電極モジュール１０４との間の電界が一定であるため、移動時間（陰極に到達するまでのタイミング）を測定することで、ストリップ電極モジュール１０４から電子が生成された位置までの距離を知ることができる。
【００１５】
（ガス増幅動作）
ガス増幅動作について説明する。ストリップ電極モジュール１０４の近傍に到達した電子は、陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）とが作り出す強電界により「ガス増幅」を起こす。「ガス増幅」により多数発生した２次電子は陽極に、同じく多数発生した正イオンは陰極に導かれる。仮に、陽極と陰極との電位差が５７０Ｖになるような電位を与えた場合１００００程度のガス増幅率が与えられる。陽極から取り出される電流信号を大きくできるため、後続の前置増幅器のゲインを小さくでき、装置を小型で、かつ安価に提供できる。
【００１６】
（ストリップ電極モジュール）
図３は、第１の実施形態のストリップ電極モジュールの模式図である。図３に示されるように、ストリップ電極モジュール１０４は、直方体の形状を有する。ストリップ電極モジュール１０４の陽極が露出している領域１１８を含む一主面において、長辺方向をＸ軸とし、短辺方向をＹ軸とし、Ｘ軸とＹ軸とに直交する方向をＺ軸とする。
ストリップ電極モジュール１０４の一例では、Ｘ軸方向の長さは約２０ｃｍであり、Ｙ軸方向の長さは約１７ｃｍであり、Ｚ軸方向の長さは約４ｃｍである。また、陽極が露出している領域１１８の一例では、柱状（円柱状）の陽極が観察され、Ｘ軸方向の長さは約１３ｃｍであり、Ｙ軸方向の長さは約１３ｃｍである。陽極が露出している領域以外にはモールド１１６で成型されている。
図４は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの陽極の一例を示す図である。図４は、図３の陽極が露出している領域１１８の四角で示された部分を示す。図４に示されるように、ストリップ電極モジュール１０４の陽極が露出している領域１１８には、複数の柱状の陽極が形成されている。
【００１７】
（ストリップ電極モジュールの製造方法）
図５は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。図５は、一例として、４ドット×４ドット構成のストリップ電極モジュールの製造方法を示す。
（ステップＳ１）
導電部の一主面に絶縁部が形成され、形成された絶縁部にアノード電極が形成されたシリコン基板が用意される。シリコン基板の一例は、Ｘ軸方向の長さが１０００μｍであり、Ｙ軸方向の長さが１０００μｍである。
図６は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その１）である。図６に示される例では、導電部１０１の一主面に形成された絶縁部１０３に、アノード電極１０８−１と、アノード電極１０８−２と、アノード電極１０８−３と、アノード電極１０８−４とが形成されている。
【００１８】
アノード電極１０８−１と、アノード電極１０８−２と、アノード電極１０８−３と、アノード電極１０８−４との各々は、ストリップ型である。アノード電極１０８−１、アノード電極１０８−２、アノード電極１０８−３、アノード電極１０８−４の各々のＸ軸方向の長さは１０００μｍであり、Ｙ軸方向の長さは１５０μｍである。アノード電極１０８−１、アノード電極１０８−２、アノード電極１０８−３、アノード電極１０８−４の各々は、Ｙ軸方向において、５０μｍの間隔をあけて形成されている。
以下、アノード電極１０８−１、アノード電極１０８−２、アノード電極１０８−３、アノード電極１０８−４のうち、任意のアノード電極をアノード電極１０８と記載する。図４に戻り説明を続ける。
【００１９】
（ステップＳ２）
アノード電極１０８−１、アノード電極１０８−２、アノード電極１０８−３、アノード電極１０８−４の各々に、シリコンピラーを成長させる。ここで、シリコンピラーとは、シリコンが柱状（円柱状）に成長したものであり、その先端が尖ったものである。
シリコンピラーは、ＶＬＳ(Vapor-Liquid-Solid)法によって、形成される。ＶＬＳ法とは、予め、基板（ここでは、アノード電極１０８）に種結晶となる薄膜(Solid)を薄く成長させ、その薄膜上に結晶成長の溶媒となる液相(Liquid)を蒸着する。この液相に気相(Vapor)から原料を供給することによって、液相と固相の界面で結晶が成長する。ＶＬＳ成長は、過飽和溶液の中で結晶成長が進行する成長様式であり、種々の単結晶育成法と原理的に同じである。そのため、単結晶に近い結晶性を持った薄膜を作ることができる。
【００２０】
図７は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その２）である。
図７に示される例では、アノード電極１０８−１に、シリコンピラー１１０−１１と、シリコンピラー１１０−１２と、シリコンピラー１１０−１３と、シリコンピラー１１０−１４とが形成される。シリコンピラー１１０−１１、シリコンピラー１１０−１２、シリコンピラー１１０−１３、シリコンピラー１１０−１４の各々は、直径１０μｍ程度であり、高さ２００μｍ程度である。
また、アノード電極１０８−２に、シリコンピラー１１０−２１と、シリコンピラー１１０−２２と、シリコンピラー１１０−２３と、シリコンピラー１１０−２４とが形成される。シリコンピラー１１０−２１、シリコンピラー１１０−２２、シリコンピラー１１０−２３、シリコンピラー１１０−２４の各々は、直径１０μｍ程度であり、高さ２００μｍ程度である。
また、アノード電極１０８−３に、シリコンピラー１１０−３１と、シリコンピラー１１０−３２と、シリコンピラー１１０−３３と、シリコンピラー１１０−３４とが形成される。シリコンピラー１１０−３１、シリコンピラー１１０−３２、シリコンピラー１１０−３３、シリコンピラー１１０−３４の各々は、直径１０μｍ程度であり、高さ２００μｍ程度である。
また、アノード電極１０８−４に、シリコンピラー１１０−４１と、シリコンピラー１１０−４２と、シリコンピラー１１０−４３と、シリコンピラー１１０−４４とが形成される。シリコンピラー１１０−４１、シリコンピラー１１０−４２、シリコンピラー１１０−４３、シリコンピラー１１０−４４の各々は、直径１０μｍ程度であり、高さ２００μｍ程度である。
【００２１】
Ｘ軸方向において、シリコンピラー１１０−１１とシリコンピラー１１０−１２との間の距離などの隣り合うシリコンピラー間の距離は、２００μｍ程度である。Ｙ軸方向において、シリコンピラー１１０−１１とシリコンピラー１１０−２１との間の距離などの隣り合うシリコンピラー間の距離は、２００μｍ程度である。
以下、シリコンピラー１１０−１１、シリコンピラー１１０−１２、シリコンピラー１１０−１３、シリコンピラー１１０−１４、シリコンピラー１１０−２１、シリコンピラー１１０−２２、シリコンピラー１１０−２３、シリコンピラー１１０−２４、シリコンピラー１１０−３１、シリコンピラー１１０−３２、シリコンピラー１１０−３３、シリコンピラー１１０−３４、シリコンピラー１１０−４１、シリコンピラー１１０−４２、シリコンピラー１１０−４３、シリコンピラー１１０−４４のうち、任意のシリコンピラーを、シリコンピラー１１０と記載する。
【００２２】
図８は、シリコンピラーの一例（その１）を示す図である。図８に示される例では、シリコンピラー１１０は、アノード電極１０８に形成される。シリコンピラー１１０は円錐の形状であり、隣り合うシリコンピラー間の距離は１００μｍ程度であり、シリコンピラー１１０の高さは２００μｍ程度であることが分かる。
図９は、シリコンピラーの一例（その２）を示す図である。図９は、図８において四角で囲んだ部分の拡大図である。図９に示されるように、シリコンピラー１１０の先端は、尖っている。シリコンピラー１１０の先端を尖らせることによって、ドリフト電極板１００に負電位を印加し、ストリップ電極モジュール１０４に正電位を印加した場合に、シリコンピラー１１０の周辺で、強い電界を得ることができる。図４に戻り説明を続ける。
【００２３】
（ステップＳ３）
絶縁部１０３に絶縁物１１２を塗布する。絶縁物１１２の膜厚は、１９０μｍ程度とする。
図１０は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その３）である。
絶縁部１０３のシリコンピラー１１０−１１からシリコンピラー１１０−４４の周り以外の部分に、絶縁物１１２を１９０μｍ程度塗布する。
アノード電極１０８−１に形成されたシリコンピラー１１０−１１、シリコンピラー１１０−１２、シリコンピラー１１０−１３、シリコンピラー１１０−１４の各々の高さは２００μｍ程度であり、絶縁物１１２の膜厚は、１９０μｍ程度である。このため、絶縁物１１２を塗布した後に、シリコンピラー１１０−１１、シリコンピラー１１０−１２、シリコンピラー１１０−１３、シリコンピラー１１０−１４の各々の先端部が、１０μｍ程度塗布した絶縁物１１２から露出する。
また、アノード電極１０８−２に形成されたシリコンピラー１１０−２１、シリコンピラー１１０−２２、シリコンピラー１１０−２３、シリコンピラー１１０−２４の各々の高さは２００μｍ程度であり、絶縁物１１２の膜厚は、１９０μｍ程度である。このため、絶縁物１１２を塗布した後に、シリコンピラー１１０−２１、シリコンピラー１１０−２２、シリコンピラー１１０−２３、シリコンピラー１１０−２４の各々の先端部が、１０μｍ程度塗布した絶縁物１１２から露出する。
また、アノード電極１０８−３に形成されたシリコンピラー１１０−３１、シリコンピラー１１０−３２、シリコンピラー１１０−３３、シリコンピラー１１０−３４の各々の高さは２００μｍ程度であり、絶縁物１１２の膜厚は、１９０μｍ程度である。このため、絶縁物１１２を塗布した後に、シリコンピラー１１０−３１、シリコンピラー１１０−３２、シリコンピラー１１０−３３、シリコンピラー１１０−３４の各々の先端部が、１０μｍ程度塗布した絶縁物１１２から露出する。
また、アノード電極１０８−４に形成されたシリコンピラー１１０−４１、シリコンピラー１１０−４２、シリコンピラー１１０−４３、シリコンピラー１１０−４４の各々の高さは２００μｍ程度であり、絶縁物１１２の膜厚は、１９０μｍ程度である。このため、絶縁物１１２を塗布した後に、シリコンピラー１１０−４１、シリコンピラー１１０−４２、シリコンピラー１１０−４３、シリコンピラー１１０−４４の各々の先端部が、１０μｍ程度塗布した絶縁物１１２から露出する。図４に戻り説明を続ける。
【００２４】
（ステップＳ４）
ステップＳ３で塗布した絶縁物１１２の表面にカソード電極をエッチングすることによって形成する。
図１１は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その４）である。図１１に示される例では、絶縁物１１２の絶縁部１０３とは反対の面に、カソード電極１１４−１と、カソード電極１１４−２と、カソード電極１１４−３と、カソード電極１１４−４とが形成されている。
カソード電極１１４−１と、カソード電極１１４−２と、カソード電極１１４−３と、カソード電極１１４−４との各々は、ストリップ型である。カソード電極１１４−１、カソード電極１１４−２、カソード電極１１４−３、カソード電極１１４−４の各々は、アノード電極１０８と直交するように形成される。カソード電極１１４−１と、カソード電極１１４−２と、カソード電極１１４−３と、カソード電極１１４−４との各々は、シリコンピラー１１０の周りには形成されない。このように構成することによって、シリコンピラー１１０が露出する。
【００２５】
カソード電極１１４−１、カソード電極１１４−２、カソード電極１１４−３、カソード電極１１４−４の各々のＸ軸方向の長さは１５０μｍであり、Ｙ軸方向の長さは１０００μｍである。カソード電極１１４−１、カソード電極１１４−２、カソード電極１１４−３、カソード電極１１４−４の各々は、Ｘ軸方向において、５０μｍの間隔をあけて形成されている。
以下、カソード電極１１４−１、カソード電極１１４−２、カソード電極１１４−３、カソード電極１１４−４のうち、任意のカソード電極をカソード電極１１４と記載する。
ここでは、シリコンピラーが、ＶＬＳ法によって形成される場合について説明したが、この限りでない。例えば、シリコンピラーは、シリコン基板を選択的にエッチングすることによっても作成することができる。例えば、シリコン基板上にリソグラフィによりピラー部分のみにレジストを残し、ドライエッチングを行うことによって、ピラー部分以外の領域を除去する。
図１８は、シリコンピラーの一例（その３）を示す図である。
図１９は、シリコンピラーの一例（その４）を示す図である。
図１８と図１９に示されるシリコンピラーは、シリコン基板を選択的にエッチングすることによって、形成されたものである。図１８と図１９とによれば、シリコン基板を選択的にエッチングすることによっても、ＶＬＳ法と同様のシリコンピラーを形成できることが分かる。図４に戻り説明を続ける。
【００２６】
（ステップＳ５）
導電部１０１に、シグナルコンディショナ回路を実装する。シグナルコンディショナ回路については、後述する。
（ステップＳ６）
導電部１０１に実装されたシグナルコンディショナ回路とアノード電極１０８とを接続し、シグナルコンディショナ回路とカソード電極１１４とを接続する。
図１２は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その５）である。図１０に示される例では、アノード電極１０８−１とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１０８−１Ｌで接続される。また、アノード電極１０８−２とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１０８−２Ｌで接続される。アノード電極１０８−３とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１０８−３Ｌで接続される。また、アノード電極１０８−４とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１０８−４Ｌで接続される。
また、カソード電極１１４−１とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１１４−１Ｌで接続される。また、カソード電極１１４−２とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１１４−２Ｌで接続される。カソード電極１１４−３とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１１４−３Ｌで接続される。また、カソード電極１１４−４とシグナルコンディショナ回路とがワイヤー１１４−４Ｌで接続される。図４に戻り説明を続ける。
【００２７】
（ステップＳ７）
ストリップ電極モジュール全体をモールドする。
図１３は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるストリップ電極モジュールの製造方法の一例を示す図（その６）である。図１３に示される例では、カソード電極１１４が形成された面以外の部分が、モールド１１６で成型される。
以上により、ストリップ電極モジュール１０４が作成される。
【００２８】
（シグナルコンディショナ回路）
シグナルコンディショナ回路について説明する。
図１４は、第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器に含まれるシグナルコンディショナ回路の一例を示すブロック図である。
シグナルコンディショナ回路２０は、ストリップ電極アレイ２０１と、プリアンプ２０２と、プリアンプ２０３と、コンパレータマトリクス２０４と、タイムスタンプ２０５と、メモリファイル２０６と、ＬＡＮインタフェイス回路２０７と、電圧監視回路２０８と、昇圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２０９と、降圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２１０とを備える。
ストリップ電極アレイ２０１の一例は、６４０ピクセル×６４０ピクセルの陽極（Ａｎｏｄｅ）配列を有するストリップ電極である。ストリップ電極アレイ２０１の陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）が出力した信号は、プリアンプ２０２に出力される。プリアンプ２０２は、陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）が出力した信号を増幅し、増幅した信号を、コンパレータマトリクス２０４へ出力する。
コンパレータマトリクス２０４は、プリアンプ２０２が出力した信号をデジタル信号に変化し、デジタル信号に変換した信号（Ｃａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値）を、タイムスタンプへ出力する。
【００２９】
ストリップ電極アレイ２０１の陽極（Ａｎｏｄｅ）が出力した信号は、プリアンプ２０３に出力される。プリアンプ２０３は、陽極（Ａｎｏｄｅ）が出力した信号を増幅し、増幅した信号を、コンパレータマトリクス２０４へ出力する。
コンパレータマトリクス２０４は、プリアンプ２０３が出力した信号をデジタル信号に変化し、デジタル信号に変換した信号（Ａｎｏｄｅ出力デジタル変換値）を、タイムスタンプへ出力する。
タイムスタンプ２０５は、コンパレータマトリクス２０４が出力したＣａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値とＡｎｏｄｅ出力デジタル変換値とを取得する。タイムスタンプ２０５は、基準クロック線を介して外部から出力される基準クロックに基づいて、取得したＣａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値、Ａｎｏｄｅ出力デジタル変換値などの計測値にタイムスタンプを付与し、タイムスタンプを付与したＣａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値、Ａｎｏｄｅ出力デジタル変換値などの計測値をメモリファイル２０６に記憶する。メモリファイル２０６に記憶されたタイムスタンプを付与したＣａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値、Ａｎｏｄｅ出力デジタル変換値などの計測値は、ＬＡＮインタフェイス回路２０７から外部へ出力される。
【００３０】
電源線を介して、ＤＣ２４Ｖが昇圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２０９へ供給される。昇圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２０９は、通信ケーブルを介して外部から出力される出力電圧設定値を、ＬＡＮインタフェイス回路２０７から取得する。昇圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２０９は、取得した出力電圧設定値に基づいて、ストリップ電極アレイ２０１にアノード電圧とカソード電圧とを印加する。また、ＤＣ２４Ｖは、降圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２１０へ供給される。降圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２１０は、内部回路電源ＤＣ５ＶとＤＣ３Ｖとを出力する。
電圧監視回路２０８は、昇圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２０９からストリップ電極アレイ２０１へ印加される電圧と、降圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路２１０から内部回路へ印加される電圧とを監視する。電圧監視回路２０８は、電圧閾値以上を検出した場合、電圧閾値以上を検出したことを示す情報を、ＬＡＮインタフェイス回路２０７から外部へ出力する。
【００３１】
前述した実施形態では、ストリップ電極モジュールの一例として、Ｘ軸方向の長さが約２０ｃｍであり、Ｙ軸方向の長さが約１７ｃｍであり、Ｚ軸方向の長さが約４ｃｍである場合について説明したが、この例に限られない。例えば、ストリップ電極モジュールのサイズについては、適宜変更可能である。
前述した実施形態では、ストリップ電極モジュールの陽極が露出している領域の一例として、Ｘ軸方向の長さが約１３ｃｍであり、Ｙ軸方向の長さが約１３ｃｍである場合について説明したが、この例に限られない。例えば、陽極が露出している領域のサイズについては、適宜変更可能である。
前述した実施形態では、Ｘ軸方向の長さが１０００μｍであり、Ｙ軸方向の長さが１０００μｍであるシリコン基板を使用して、ストリップ電極モジュールが作成される場合について説明したが、この例に限られない。例えば、シリコン基板のサイズについては、適宜変更可能である。
前述した実施形態では、４ドット×４ドット構成のストリップ電極モジュールの製造方法について説明したが、この限りでない。例えば、６４ドット×６４ドット構成のストリップ電極モジュールの製造方法にも適用できる。
【００３２】
第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器１０によれば、ストリップ電極モジュール１０４のアノード電極１０８とカソード電極１１４とを、半導体微細加工技術によって、形成したことによって、陽極（Ａｎｏｄｅ）の間隔と、陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）の間隔とを短くできるため、位置測定分解能を向上できる。具体的には、陽極（Ａｎｏｄｅ）の間隔を１００μｍ程度まで短くできる。このように構成することによって、位置測定分解能を従来技術の４倍程度向上できる。
また、陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）との間隔を５０μｍ程度まで短くできる。このように構成することによって、両電極間の電位差が３００Ｖ程度でも、十分な量の電子雪崩（ガス増幅）を発生できる電界強度を得られるため、小型で安価なマイクロストリップガス検出器を提供できる。
【００３３】
第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器１０によれば、ストリップ電極モジュール１０４の陽極（Ａｎｏｄｅ）と陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）とに印加する正出力高電圧電源と、両電極からの信号を処理するシグナルコンディショナ回路とをストリップ電極板に内蔵させる。シグナルコンディショナ回路には、直流高電圧発生回路、増幅回路、Ａ／Ｄ変換回路、デジタル信号処理回路、通信インタフェイス回路などの回路を搭載できる。シグナルコンディショナ回路を、ストリップ電極モジュール１０４の基板に搭載することによって、外部の回路と接続する信号線の本数を低減できる。
また、シグナルコンディショナ回路に、外部からの基準クロックを取得し、取得した基準クロックに基づいて、陽極が出力した信号と陰極が出力した信号とにタイムスタンプを付与する機能を搭載することによって、外部回路との間で、陽極が出力した信号と陰極が出力した信号とをリアルタイムにやり取りすることなく、陽極が出力した信号と陰極が出力した信号とを出力された時刻情報とともに取得できる。
【００３４】
＜構成例＞
一構成例として、マイクロストリップガス検出器は、表面にアノード電極ストリップ（実施形態では、アノード電極１０８−１、アノード電極１０８−２、アノード電極１０８−３、アノード電極１０８−４）が形成され、裏面にシグナルコンディショナ回路が実装される導電層（実施形態では、導電部１０１）を有する基板（実施形態では、導電部１０１と絶縁部１０３）と、アノード電極ストリップに形成され、上端部が基板の表面に露出する柱状のアノード電極（実施形態では、シリコンピラー１１０−１１からシリコンピラー１１０−４４）と、表面のアノード電極の上端面の回り以外に形成された絶縁部（実施形態では、絶縁物１１２）と、アノード電極の上端面を露出するように形成され、アノードストリップに対して直交する方向に形成されたカソード電極ストリップ（実施形態では、カソード電極１１４−１、カソード電極１１４−２、カソード電極１１４−３、カソード電極１１４−４）と、アノード電極ストリップと導電層とを接続し、カソード電極ストリップと導電層とを接続するワイヤー（実施形態では、ワイヤー１０８−１Ｌ、ワイヤー１０８−２Ｌ、ワイヤー１０８−３Ｌ、ワイヤー１０８−４Ｌ、ワイヤー１１４−１Ｌ、ワイヤー１１４−２Ｌ、ワイヤー１１４−３Ｌ、ワイヤー１１４−４Ｌ）とを備える。
【００３５】
一構成例として、マイクロストリップガス検出器において、アノード電極は、５０μｍから２００μｍの間隔で形成される。
一構成例として、マイクロストリップガス検出器において、アノード電極の先端部は鋭角である。
一構成例として、マイクロストリップガス検出器において、アノード電極は、直径５μｍから１５μｍである。
一構成例として、マイクロストリップガス検出器において、アノード電極は、高さが１５０μｍから２５０μｍである。
一構成例として、マイクロストリップガス検出器において、シグナルコンディショナ回路は、測定イベントに対して、基準クロックに基づいて、タイムスタンプ処理を行う。
【００３６】
（第２の実施形態）
（シンチレーションカメラ装置）
第２の実施形態のシンチレーションカメラ装置は、前述した第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器１０を使用して構成する。
図１５は、第２の実施形態のシンチレーションカメラ装置の一例を示すブロック図である。図１５に示される例では、シンチレーションカメラ装置３０は、γ線検出器３０１と、γ線検出器３０２と、γ線検出器３０３と、基準クロック発生器３０４と、マイクロストリップガス検出器３０５とを備える。
基準クロック発生器３０４は、γ線検出器３０１と、γ線検出器３０２と、γ線検出器３０３と、マイクロストリップガス検出器３０５と接続される。
γ線検出器３０１と、γ線検出器３０２と、γ線検出器３０３と、マイクロストリップガス検出器３０５とは、ＬＡＮなどのネットワーク５０を介して、端末装置３００と接続される。
γ線検出器３０１、γ線検出器３０２、γ線検出器３０３の各々は、γ線を検出する。γ線検出器３０１、γ線検出器３０２、γ線検出器３０３の各々の一例は、シンチレーションカメラである。γ線検出器３０１、γ線検出器３０２、γ線検出器３０３の各々は、前述したシグナルコンディショナ回路２０を備える。シグナルコンディショナ回路２０は、前述したように、基準クロックに基づいて、タイムスタンプを付与する機能と、Ｃａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値、Ａｎｏｄｅ出力デジタル変換値などの計測値をメモリに記憶する機能と、ＬＡＮインタフェイス回路とを備える。
【００３７】
マイクロストリップガス検出器３０５は、前述したマイクロストリップガス検出器１０を適用できる。放射線源から到来し密封容器１０２内に入射した個々の入射ガンマ線（フォトン）Ｉｙと混合ガス１０６の分子内の電子ｅとの間のコンプトン散乱の結果、反跳電子ｒｅと散乱ガンマ線Ｓｙが生じる。散乱ガンマ線Ｓｙは、γ線検出器３０１、γ線検出器３０２、γ線検出器３０３などによって検出される。
前述した実施形態では、シンチレーションカメラ装置３０が、３台のγ線検出器を備える場合について説明したがこの例に限られない。例えば、シンチレーションカメラ装置３０が、１台−２台のγ線検出器を備えるようにしてもよいし、４台以上のγ線検出器を備えるようにしてもよい。
第２の実施形態のシンチレーションカメラ装置によれば、γ線検出器３０１と、γ線検出器３０２と、γ線検出器３０３と、マイクロストリップガス検出器３０５とが、基準クロック発生器３０４が発生した基準クロックに基づいて動作する。このように構成することによって、端末装置３００は、γ線検出器３０１と、γ線検出器３０２と、γ線検出器３０３とが検出したγ線の情報を、ＬＡＮ経由で取得できる。具体的には、端末装置３００は、マイクロストリップガス検出器３０５が出力する反跳電子ｒｅのエネルギーと飛程に関するイベントシーケンスを取得する。また、端末装置３００は、γ線検出器３０１、γ線検出器３０２、γ線検出器３０３の各々が出力する散乱γ線Ｓｙのエネルギーと方向に関するイベントシーケンスを取得する。このように構成することによって、端末装置３００によって、入射γ線Ｉｙの方向とエネルギーとを高精度で特定できるため、コンプトンカメラを実現できる。
【００３８】
＜構成例＞
一構成例として、シンチレーションカメラ装置（実施形態では、シンチレーションカメラ装置３０）は、前述したマイクロストリップガス検出器（実施形態では、マイクロストリップガス検出器３０５）と、複数のシンチレーションカメラ（実施形態では、γ線検出器３０１と、γ線検出器３０２と、γ線検出器３０３）と、マイクロストリップガス検出器と、複数の前記シンチレーションカメラとを同期させる基準クロック発生器（実施形態では、基準クロック発生器３０４）と、を備える。
【００３９】
（第３の実施形態）
（断層撮影装置）
第３の実施形態の断層撮影装置は、前述した第１の実施形態のマイクロストリップガス検出器１０を使用して構成する。
図１６は、第３の実施形態の断層撮影装置の一例を示すブロック図である。図１６に示される例では、断層撮影装置４０は、複数のγ線検出器４１０と、マイクロストリップガス検出器４０１と、マイクロストリップガス検出器４０２と、マイクロストリップガス検出器４０３と、マイクロストリップガス検出器４０４と、マイクロストリップガス検出器４０５と、マイクロストリップガス検出器４０６と、マイクロストリップガス検出器４０７と、マイクロストリップガス検出器４０８と、基準クロック発生器（図示なし）とを備える。
複数のγ線検出器４１０と、マイクロストリップガス検出器４０１と、マイクロストリップガス検出器４０２と、マイクロストリップガス検出器４０３と、マイクロストリップガス検出器４０４と、マイクロストリップガス検出器４０５と、マイクロストリップガス検出器４０６と、マイクロストリップガス検出器４０７と、マイクロストリップガス検出器４０８とは、ＬＡＮなどのネットワークを介して、端末装置（図示なし）と接続される。
【００４０】
複数のγ線検出器４１０の各々は、患者Ｐを取り囲むように配置される。また、マイクロストリップガス検出器４０１と、マイクロストリップガス検出器４０２と、マイクロストリップガス検出器４０３と、マイクロストリップガス検出器４０４と、マイクロストリップガス検出器４０５と、マイクロストリップガス検出器４０６と、マイクロストリップガス検出器４０７と、マイクロストリップガス検出器４０８とは、複数のγ線検出器４１０の各々の内側で、且つ患者Ｐを取り囲むように配置される。
複数のγ線検出器４１０の各々は、γ線を検出する。複数のγ線検出器４１０の各々の一例は、シンチレーションカメラである。複数のγ線検出器４１０の各々は、前述したシグナルコンディショナ回路２０を備える。シグナルコンディショナ回路２０は、前述したように、基準クロックに基づいて、タイムスタンプを付与する機能と、Ｃａｔｈｏｄｅ出力デジタル変換値、Ａｎｏｄｅ出力デジタル変換値などの計測値をメモリに記憶する機能と、ＬＡＮインタフェイス回路とを備える。
マイクロストリップガス検出器４０１、マイクロストリップガス検出器４０２、マイクロストリップガス検出器４０３、マイクロストリップガス検出器４０４、マイクロストリップガス検出器４０５、マイクロストリップガス検出器４０６、マイクロストリップガス検出器４０７、マイクロストリップガス検出器４０８の各々は、前述したマイクロストリップガス検出器１０を適用できる。
図１７は、第３の実施形態の断層撮影装置の動作の一例を示す図である。γ線源γＳから到来しマイクロストリップガス検出器４０２の密封容器１０２内に入射した個々の入射ガンマ線（フォトン）Ｉｙと混合ガス１０６の分子内の電子ｅとの間のコンプトン散乱の結果、反跳電子ｒｅと散乱ガンマ線Ｓｙが生じる。散乱ガンマ線Ｓｙは、複数のγ線検出器４１０のいずれかによって検出される。
前述した実施形態では、断層撮影装置４０が、複数のγ線検出器４１０を備える場合について説明したがこの例に限られない。例えば、断層撮影装置４０が、１台のγ線検出器４１０を備えるようにしてもよい。
【００４１】
第３の実施形態の断層撮影装置４０によれば、複数のγ線検出器４１０と、マイクロストリップガス検出器４０１と、マイクロストリップガス検出器４０２と、マイクロストリップガス検出器４０３と、マイクロストリップガス検出器４０４と、マイクロストリップガス検出器４０５と、マイクロストリップガス検出器４０６と、マイクロストリップガス検出器４０７と、マイクロストリップガス検出器４０８とが、基準クロック発生器が発生した基準クロックに基づいて動作する。
このように構成することによって、端末装置は、複数のγ線検出器４１０のいずれかが検出したγ線の情報を、ＬＡＮ経由で取得できる。具体的には、端末装置は、マイクロストリップガス検出器４０１、マイクロストリップガス検出器４０２、マイクロストリップガス検出器４０３、マイクロストリップガス検出器４０４、マイクロストリップガス検出器４０５、マイクロストリップガス検出器４０６、マイクロストリップガス検出器４０７、マイクロストリップガス検出器４０８のいずれかが出力する反跳電子ｒｅのエネルギーと飛程に関するイベントシーケンスを取得する。
また、端末装置は、複数のγ線検出器４１０の各々が出力する散乱γ線Ｓｙのエネルギーと方向に関するイベントシーケンスを取得する。このように構成することによって、従来は、γ線検出器を可動させていたが、可動させることなく、反跳電子ｒｅのエネルギーと飛程に関するイベントシーケンスを取得できる。
また、コリメータを使用しないため、３００ｋｅＶを越えるような高エネルギーのγ線からでもＣＴ(Computed Tomography)画面を形成できる。また、装置を小型、軽量化できる。
また、短時間の測定で、ＣＴ画面が形成できるので、動画を撮影することができる。このため、動画によって診断することができる。
また、Ｂ−ＮＥＴ(Boron Neutron Emission Tomography)に適用した場合、患者Ｐに照射する中性子線量を極小化でき、診断に伴う被爆量を小さくできる。
また、端末装置によって、入射γ線Ｉｙの方向とエネルギーとを高精度で特定できるため、高精度でかつ信頼度の高い医療用途向けＳＰＥＣＴ診断装置(Single Photo Emission Computed Tomography、単一光子照射断層撮影装置)を安価に実現できる。
【００４２】
＜構成例＞
一構成例として、断層撮影装置（実施形態では、断層撮影装置４０）は、複数の前述したマイクロストリップガス検出器（実施形態では、マイクロストリップガス検出器４０１からマイクロストリップガス検出器４０８）と、複数のシンチレーションカメラ（実施形態では、γ線検出器４１０）と、マイクロストリップガス検出器と、複数のシンチレーションカメラとを同期させる基準クロック発生器と、を備える。
【００４３】
以上、実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組合せを行うことができる。これら実施形態は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００４４】
１０…マイクロストリップガス検出器、２０…シグナルコンディショナ回路、３０…シンチレーションカメラ装置、４０…断層撮影装置、５０…ネットワーク、１００…ドリフト電極板、１０２…密封容器、１０４…ストリップ電極モジュール、１０６…混合ガス、１０８−１〜１０８−４…アノード電極、１１６…モールド、１１８…陽極が露出している領域、１１０−１１〜１１０−４４…シリコンピラー、１１２…絶縁物、１１４−１〜１１４−４…カソード電極、１０８−１Ｌ〜１０８−４Ｌ、１１４−１Ｌ〜１１４−４Ｌ…ワイヤー、２０１…ストリップ電極アレイ、２０２、２０３…プリアンプ、２０４…コンパレータマトリクス、２０５…タイムスタンプ、２０６…メモリファイル、２０７…ＬＡＮインタフェイス回路、２０８…電圧監視回路、２０９…昇圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路、２１０…降圧型ＤＣ／ＤＣ変換回路、３００…端末装置、３０１、３０２、３０３…γ線検出器、３０４…基準クロック発生器、３０５…マイクロストリップガス検出器、４０１〜４０８…マイクロストリップガス検出器、４１０…γ線検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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