(57)【要約】【課題】  セルブロックの膨張・収縮によって各センサ間の距離が変化し難くなる。【解決手段】  測定対象となる流体が流れる流路を内部に有するセルブロックと、前記セルブロックに間欠的に複数配置され、その一端側の一部を前記流路内へ入れた状態で設置されるセンサと、前記セルブロックと嵌合し、前記セルブロックの変形に伴う前記各センサ間の距離の変化量を制限する制限ブロックとを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象となる流体が流れる流路を内部に有するセルブロックと、
前記セルブロックに間欠的に複数配置され、その一端側の一部を前記流路内へ入れた状態で設置されるセンサと、
前記セルブロックと嵌合し、前記セルブロックの変形に伴う前記各センサ間の距離の変化量を制限する制限ブロックとを備えることを特徴とする流体分析装置。
【請求項２】
前記セルブロックが、前記各センサのそれぞれに対応させて設けられ、前記センサを支持する支持部を有し、
前記制限ブロックが、前記支持部が嵌め込まれる嵌合孔を有し、前記嵌合孔に前記支持部をガタなく嵌め込むことによって前記セルブロックと嵌合するように構成されている請求項１記載の流体分析装置。
【請求項３】
前記支持部が、前記セルブロックの外面から突出し、前記嵌合孔に嵌め込まれる嵌合凸部と、前記嵌合凸部を通過して前記流路へと貫通し、前記センサが差し込まれる貫通孔とを有している請求項２記載の流体分析装置。
【請求項４】
前記セルブロックが、その外面における前記各センサを含む領域を窪ませて形成された嵌合凹部をさらに有し、当該嵌合凹部内に前記支持部を有するものであり、
前記制限ブロックが、前記嵌合凹部にガタなく嵌め込むと共に、前記嵌合孔に前記支持部をガタなく嵌め込むことによって前記セルブロックと嵌合するように構成されている請求項２又は３のいずれかに記載の流体分析装置。
【請求項５】
前記貫通孔に挿入されたセンサ外側面と当該貫通孔の内側面との隙間に挿入されるシール部材をさらに備える請求項３又は４のいずれかに記載の流体分析装置。
【請求項６】
前記制限ブロックが、前記セルブロックよりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている請求項１乃至５のいずれかに記載の流体分析装置。
【請求項７】
前記セルブロックに対し、前記流路を挟んで前記制限ブロックと対向するように配置され、前記セルブロックよりも熱膨張係数が小さい材料によって形成された補助制限ブロックをさらに備え、
前記制限ブロック及び前記補助制限ブロックが、前記セルブロックの変形に伴う前記流路の断面積の変化量を制限するように連結されている請求項１乃至６のいずれかに記載の流体分析装置。
【請求項８】
前記制限ブロック及び前記補助制限ブロックが、互いに接触して連結されている請求項７記載の流体分析装置。
【請求項９】
前記制限ブロック及び前記補助制限ブロックが、前記セルブロックよりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されたねじ部材によって連結されている請求項７又は８のいずれかに記載の流体分析装置。
【請求項１０】
前記セルブロックが、前記所定面と反対面に補助嵌合凹部を有し、
前記補助制限ブロックが、前記補助嵌合凹部に嵌め込まれることによって前記セルブロックと嵌合している請求項７乃至９のいずれかに記載の流体分析装置。
【請求項１１】
前記センサが、その一端を前記流路の内面に接触させている請求項１乃至１０のいずれかに記載の流体分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、流体分析装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体製造プロセスに使用される流体の濃度を測定するための流体分析装置としては、特許文献１に示す吸光分析方式のものや、導電方式のものがある。
【０００３】
導電方式の流体分析装置は、一般的に、測定対象となる流体が流れる流路を内部に有するセルブロックと、セルブロックに対し、その一端側を流路内へ突出させるように設置され、流体の流方向に沿って間欠的に配置された複数のセンサと、を備えた構造になっている。なお、セルブロックは、流体によって腐食し難く、かつ、各センサを絶縁できるように樹脂材料によって形成されている。
【０００４】
ところで、近年、半導体製造プロセスにおいて、例えば、リン酸溶液などの高温（例えば、１６０℃）の流体が使用されるようになっており、このような高温の流体や常温の流体の濃度を一つの導電方式の流体分析装置によって測定しようとすると次のような問題があった。
【０００５】
すなわち、導電方式の流体分析装置においては、対となるセンサ（電極）間に流れる電流値に基づき、流路を流れる流体の濃度を算出するようになっており、各センサ間の距離がその算出される濃度値に影響を及ぼす。ところが、流路に流れる流体の温度が大きく変化すると、その温度変化によって樹脂材料によって形成されたセルブロックが大きく膨張・収縮し、これに伴ってセルブロックに設置された各センサ間の距離が大幅に変化する。これが原因となって、温度変化によって測定値に大きな誤差が生じ、再現性が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２４７８０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、セルブロックの膨張・収縮によって各センサ間の距離が変化し難い流体分析装置を提供することを主な課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明に係る流体分析装置は、測定対象となる流体が流れる流路を内部に有するセルブロックと、前記セルブロックに間欠的に複数配置され、その一端側の一部を前記流路内へ入れた状態で設置されるセンサと、前記セルブロックと嵌合し、前記セルブロックの変形に伴う前記各センサ間の距離の変化量を制限する制限ブロックとを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
このようなものであれば、制限ブロックが、セルブロックの変形に伴う各センサ間の距離の変化が生じ難いように、セルブロックの膨張・収縮による変形を制限する。これにより、流路を流れる流体の温度が変化したとしても、各センサ間の距離が変化し難くなり、温度変化による測定値の誤差が低減し、その結果、再現性が向上する。
【００１０】
また、前記セルブロックが、前記各センサのそれぞれに対応させて設けられ、前記センサを支持する支持部を有し、前記制限ブロックが、前記支持部が嵌め込まれる嵌合孔を有し、前記嵌合孔に前記支持部をガタなく嵌め込むことによって前記セルブロックと嵌合するように構成されているものであってもよく、この場合、具体的には、前記支持部が、前記セルブロックの外面から突出し、前記嵌合孔に嵌め込まれる嵌合凸部と、前記嵌合凸部を通過して前記流路へと貫通し、前記センサが差し込まれる貫通孔とを有しているものあってもよい。
【００１１】
このようなものであれば、制限ブロックによって、各センサを支持する支持部が互いに連絡された状態となる。これにより、制限ブロックによって、セルブロックの変形に伴う各支持部間の距離の変化量が制限されると共に、各支持部に支持されたセンサ間の距離の変化量も制限される。なお、嵌合孔に対して支持部がガタなく嵌め込まれている状態とは、嵌合孔に対して支持部がズレ動かないように嵌め込まれている状態を示し、例えば、嵌合孔の内側面と支持部の外側面とが隙間なく嵌め込まれている状態を示している。
【００１２】
さらに、前記セルブロックが、その外面における前記各センサを含む領域を窪ませて形成された嵌合凹部をさらに有し、当該嵌合凹部内に前記支持部を有するものであり、前記制限ブロックが、前記嵌合凹部にガタなく嵌め込むと共に、前記嵌合孔に前記支持部をガタなく嵌め込むことによって前記セルブロックと嵌合するように構成されているものであってもよい。
【００１３】
このようなものであれば、例えば、流路に高温の流体が流れ込むと、流路の上流側の方が下流側よりも高温になる。このため、セルブロックにおける流路の上流側と下流側と膨張度合いが異なり、セルブロックの支持部を制限ブロックの嵌合孔に差し込んだだけでは、この膨張度合いの差によって制限ブロックがセルブロックに対して移動しようとする。しかし、制限ブロック自体をセルブロックの嵌合凹部に嵌め込むことにより、セルブロックに対する制限ブロックの移動を抑制でき、その結果、各センサ間の距離の変化量がさらに効果的に制限される。
【００１４】
また、流路を流れる流体が、セルブロック及びセンサの隙間から外部へ流れ出ないように、前記貫通孔に挿入されたセンサの外側面と当該貫通孔の内側面との隙間に挿入されるシール部材をさらに備えるようにしてもよい。
【００１５】
具体的には、前記制限ブロックを、前記セルブロックよりも熱膨張係数が小さい材料によって形成すればよい。
【００１６】
このようなものであれば、流路を流れる流体に温度変化が生じた場合に、セルブロックの流体の流方向に対する膨張率・圧縮率よりも、制限ブロックの流体の流方向に対する膨張率・圧縮率の方が小さくなるため、セルブロックの膨張・圧縮に伴う各センサ間の距離の変化量が制限ブロックによって抑制されるようになる。
【００１７】
また、導電方式の流体分析装置においては、各センサ間の距離だけでなく、流路の断面積も測定値に影響を与えるが、セルブロックが膨張・収縮すると、これに伴って流路の断面積も変化する。そこで、セルブロックの膨張・収縮によって、流路の断面積が変化し難いように次のような構成を採用してもよい。
【００１８】
すなわち、前記セルブロックに対し、前記流路を挟んで前記制限ブロックと対向するように配置され、前記セルブロックよりも熱膨張係数が小さい材料によって形成された補助制限ブロックをさらに備え、前記制限ブロック及び前記補助制限ブロックが、前記セルブロックの変形に伴う前記流路の断面積の変化量を制限するように連結されるようにしてもよく、この場合、前記制限ブロック及び前記補助制限ブロックを、互いに接触させて連結してもよい。また、前記制限ブロック及び前記補助制限ブロックを、前記セルブロックよりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されたねじ部材によって連結するようにしてもよい。さらに、前記セルブロックが、前記所定面と反対面に補助嵌合凹部を有し、前記補助制限ブロックが、前記補助嵌合凹部に嵌め込まれることによって前記セルブロックと嵌合するようにしてもよい。
【００１９】
このようなものであれば、制限ブロック及び補助制限ブロックによってセルブロックを挟むことにより、セルブロックの膨張・収縮に伴う流体の流方向と直交する方向の変化が制限され、これにより、流路の断面積の変化量が制限される。
【００２０】
また、前記センサが、その一端を前記流路の内面に接触させているものであってもよい。このようなものであれば、流路に流体が流れることによって生じる流路内の負圧によって、流路内に突出したセンタの一端側が流路内へ引き込まれて移動することを防止できる。
【発明の効果】
【００２１】
このように構成した流体分析装置によれば、セルブロックの膨張・収縮によって各センサ間の距離が変化し難くなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る流体分析装置を模式的に示す部分断面斜視図である。
【図２】同実施形態に係る流体分析装置を流路の長手方向と直交する方向に沿ってセンサを通過するように切断した断面を示す模式図である。
【図３】同実施形態に係る流体分析装置を模式的に示すＡ−Ａ断面図である。
【図４】同実施形態に係る流体分析装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図５】その他の実施形態に係る流体分析装置のセルブロックと制限ブロックとを模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明に係る流体分析装置を図面に基づいて説明する。
【００２４】
本発明に係る流体分析装置１００は、半導体製造プロセスに使用されるものであり、例えば、リン酸溶液などの高温（例えば、１６０℃）の流体の濃度を測定する濃度計として使用することが好適なものである。なお、本発明に係る流体分析装置は、半導体製造プロセスだけでなく、その他のプロセスにおいても使用することができる。
【００２５】
＜実施形態＞
本実施形態に係る流体分析装置１００は、図１〜図４に示すように、測定対象となる流体が流れる流路Ｌを内部に有するセルブロック１０と、セルブロック１０に対し、その一端側を流路Ｌ内へ突出させるように設置された複数のセンサ２０と、セルブロック１０と嵌合し、セルブロック１０の変形に伴う前記各センサ２０間の距離の変化を制限する制限ブロック３０と、セルブロック１０に嵌合し、流路Ｌを挟んで制限ブロック３０と対向するように配置される補助制限ブロック４０と、を備えている。
【００２６】
前記セルブロック１０は、樹脂材料によって形成された略直方体状のものである。なお、セルブロック１０には、対向する側面１０ａ，１０ｂへ貫通するように流路Ｌが形成されている。そして、セルブロック１０には、一方の側面１０ａ側に流路Ｌへ流体を導入するための導入管Ｐ１が接続されており、他方の側面１０ｂ側に流路Ｌから流体を導出するための導出管Ｐ２が接続されている。樹脂材料としては、流体によって腐食し難く、各センサ２０を電気的に絶縁できるものであればよく、具体的には、流体がリン酸溶液である場合には、ＰＦＡなどのフッ素樹脂が好適である。
【００２７】
前記流路Ｌは、大径の主流路Ｌ１と小径の副流路Ｌ２とを備えている（図２参照）。具体的には、主流路Ｌ１及び副流路Ｌ２は、導入管Ｐ１と導出管Ｐ２とを繋ぐように平行に伸びており、長手方向に沿って互いに連通している。そして、流路Ｌに流れ込んだ流体は、その大部分が主流路Ｌ１に流れ、その一部が副流路Ｌ２に流れるようになっている。このように主流路Ｌ１を設けることにより、流路Ｌを流れる流体の圧力損失を低減できる。なお、複数のセンサ２０は、その一端側の一部を副流路Ｌ２内へ突出させている。
【００２８】
また、前記セルブロック１０には、流路Ｌを挟むように対向する側面（図１〜図４中、上側面及び下側面）のうちで、一方の側面１０ｃ（上側面）に制限ブロック３０を嵌め込むための嵌合凹部１１が、各センサ２０を含む領域を窪ませて形成されている。また、前記セルブロック１０には、他方の側面１０ｄ（下側面）に補助制限ブロック４０を嵌め込むための補助嵌合凹部１２が形成されている。なお、嵌合凹部１１及び補助嵌合凹部１２は、流路Ｌ（副流路Ｌ２）を挟んで互いに対向する底面１１ａ，１２ａを有している。また、嵌合凹部１１及び補助嵌合凹部１２は、流路Ｌを避けるように形成された連通孔１３によって互いに連通した状態になっている。
【００２９】
前記嵌合凹部１１には、その内側にセンサ２０を支持するための支持部１４が設けられている。なお、支持部１４は、各センサ２０のそれぞれに対応する数設けられている。
【００３０】
前記支持部１４は、嵌合凹部１１の底面から外方へ向けて突出する嵌合凸部１５と、嵌合凸部１５を通過して流路Ｌへと貫通する貫通孔１６とを有している。そして、センサ２０は、その貫通孔１６に差し込まれて支持される。具体的には、貫通孔１６は、その流路Ｌ側にセンサ２０の外径と略一致する内径を有する支持孔部１６ａを有し、この支持孔部１６ａによってセンサ２０が支持されている。また、貫通孔１６は、その流路Ｌ側と反対側、言い換えれば、その嵌合凸部１５側がセンサ２０の外径よりも大きな内径になっており、これにより、貫通孔１６の内側面と当該貫通孔１６に通されるセンサ２０の外側面との間に隙間１７が形成されている。なお、本実施形態における嵌合凸部１５は、その高さがセルブロック１０の一方の側面１０ｃと略一致している。
【００３１】
前記隙間１７には、複数のシール部材５０が設置されている。具体的には、本実施形態における隙間１７には、第１シール部材５０ａ、スペーサ５１、第２シール部材５０ｂ、及び、蓋体５２が流路Ｌ側から順番に配置されている。なお、第１シール部材５０ａ及び第２シール部材５０ｂは、リング状のものであり、センサ２０の外側面及び貫通孔１６の内側面に密着するように取り付けられている。また、スペーサ５１は、リング状のものであり、二つのシール部材５０ａ、５０ｂを仕切っている。また、蓋体５２は、シール部材５０ａ、５０ｂが所定位置に納まるようにセンサ２０を差し込んだ状態で貫通孔１６を外方側から塞ぐものである。このように、貫通孔１６とセンサ２０との間の隙間１７に複数のシール部材５０を設けることにより、流路Ｌからセンサ２０と支持孔部１６ａの隙間を介して漏れ出た流体がセルブロック１０の外部へ流出することを防止している。
【００３２】
前記センサ２０は、棒状の電極であり、対をなしている。なお、本実施形態においては、対となるセンサ２０が二組設置されている。具体的には、二組のセンサ２０のうちで、一方の組が流路Ｌの上流側に配置されていると共に、他方の組が流路Ｌの下流側に配置されている。また、各センサ２０は、流路Ｌを流れる流体の流方向（上下流方向）に沿って直線状に並べて配置されている。そして、各組のセンサ２０に流れる電流値に基づいて流路Ｌを流れる流体の濃度を算出するようになっている。なお、各センサ２０は、いずれも流路Ｌへ突出する一端を流路Ｌの内面に接触させている。具体的には、流路Ｌ（副流路Ｌ２）におけるセンサ２０の一端が当接する部分、言い換えれば、流路Ｌ（副流路Ｌ２）における貫通孔１６と対向する部分に、凹み部１８が形成されており、この凹み部１８に、センサ２０の一端が嵌め込まれている。
【００３３】
前記制限ブロック３０は、セルブロック１０よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されたものであり、例えば、金属材料によって形成されたものである。制限ブロック３０は、嵌合凹部１１の底面１１ａから立ち上がる筒状の嵌合凸部１５（支持部１４）が挿入される嵌合孔３０ａを有している。そして、制限ブロック３０は、嵌合凹部１１に嵌め込むと共に、嵌合凸部１５を嵌合孔３０ａに差し込むことによってセルブロック１０にガタなく設置されている。また、制限ブロック３０には、嵌合凹部１１に嵌め込まれた状態で連通孔１３に挿入される第１接続部３１が設けられている。金属材料としては、例えば、ＳＵＳなどが好適である。
【００３４】
前記補助制限ブロック４０は、セルブロック１０よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されたものであり、例えば、金属材料によって形成されたものである。そして、補助制限ブロック４０は、補助嵌合凹部１２にガタなく嵌め込まれるようになっている。また、補助制限ブロック４０には、補助嵌合凹部１２に嵌め込まれた状態で連通孔１３に挿入される第２接続部４１が設けられている。また、補助制限ブロック４０には、セルブロック１０の流路Ｌの内面に設けられた凹み部１８を介してセンサ２０の一端が嵌り込む受け部４２が設けられている。金属材料としては、例えば、ＳＵＳなどが好適である。
【００３５】
そして、前記制限ブロック３０及び前記補助制限ブロック４０は、それぞれ嵌合凹部１１及び補助嵌合凹部１２に嵌め込まれた状態で、第１接続部３１及び第２接続部４１を連通孔１３内で互いに面接触させて接続されている。なお、制限ブロック３０及び補助制限ブロック１３は、この状態において、セルブロック１０よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されたねじ部材６０によって互いにねじ止めされている（図１参照）。
【００３６】
なお、図示していないが、セルブロック１０における各センサ２０の他端が突出する側面１０ｃ側には、各センサ２０に接続される基板が設置され、その基板を覆うように板状の保護部材がねじ止めされる。また、セルブロック１０の側面１０ｄ側も同様に板状の保護部材がねじ止めされる。
【００３７】
このような構成によれば、セルブロック１０の流路Ｌに流れ込む流体の温度が変化すると、その温度変化によってセルブロック１０が流体の流方向へ伸縮し、これが原因となって各センサ２０間（電極間）の距離が変化するが、制限ブロック３０によってセルブロック１０の流体の流方向へ伸縮が規制され、これにより、各センサ２０間の距離の変化量が制限される。
【００３８】
また、センサ２０の一端が、補助制限ブロック４０の受け部４２に嵌り込んでいるため、これによっても、各センサ２０間の距離の変化量が制限される。さらに、この場合、センサ２０の一端が、セルブロック１０の流路Ｌの内面に接触した状態となり、流路Ｌ内に発生する負圧によってセンサ２０が移動することを防止できる。
【００３９】
さらに、セルブロック１０の流路Ｌに流れ込む流体の温度が変化すると、その温度変化によってセルブロック１０が流体の流方向と直交する方向へも伸縮し、これが原因となって流路Ｌの断面積が変化する。しかし、制限ブロック３０及び補助制限ブロック４０の挟み込みによってセルブロック１０が流体の流方向と直交する方向へも伸縮が規制され、これにより、流路Ｌの断面積の変化量が制限される。
【００４０】
＜その他の実施形態＞
前記実施形態においては、制限ブロック３０を嵌合凹部１１に嵌め込むと共に、嵌合孔３０ａに支持部１４（嵌合凸部１５）を差し込むことにより、制限ブロック３０をセルブロック１０にガタなく嵌合させている。しかし、セルブロック１０に嵌合凹部１１を設けることなく、支持部１４のみを設ける態様であってもよい。具体的には、図５に示すように、セルブロック１０の側面１０ｃに外方へ向かって突出する嵌合凸部１５を有する支持部１４を設けた態様であってもよい。この場合、制限ブロック３０は、セルブロック１０の側面１０ｃに密着する平坦面を有する板状の部材に、各嵌合凸部１５に対応する嵌合孔３０ａを設けたものを使用すればよい。なお、このような態様においては、制限ブロック３０を、嵌合孔３０ａに支持部１４を差し込むことによってセルブロック１０にガタなく嵌合する。
【００４１】
また、前記実施形態においては、嵌合凹部１１に嵌め込まれた制限ブロック３０の上面が、セルブロック１０の一方の側面１０ｃ（上面）と略一致しているが、当該制限ブロック３０の上面が、セルブロック１０の一方の側面１０ｃよりも外側へ突出するような態様であってもよく、逆にセルブロック１０の一方の側面１０ｃよりも内側へ凹むような態様であってもよい。また、嵌合凹部１１に対する嵌合凸部１５（支持部１４）の高さも限定されない。
【００４２】
また、前記実施形態においては、制限ブロック３０及び補助制限ブロック４０を設けた態様になっている。しかし、流路Ｌを流れる流体の濃度の算出にあっては、流路Ｌの断面積の変化量よりも各センサ２０間の距離の変化量の方が大きな影響を与えるこのため、セルブロック１０に対して制限ブロック３０のみを設けた態様であってもよい。
【００４３】
また、前記実施形態においては、制限ブロック３０及び補助制限ブロック４０を互いに接触させて連結しているが、互いに接触することなく連結してもよい。この場合、例えば、制限ブロック３０と補助制限ブロック４０との間の空間にねじ部材６０を介在させて連結するような態様が考えられる。
【００４４】
また、前記実施形態においては、二組のセンサ２０を設置しているが、一組のセンサ２０を設置した態様であってもよく、三組以上のセンサ２０を設置した態様であってもよい。すなわち、二以上のセンサ２０が設置された態様であればよい。
【００４５】
また、前記実施形態においては、センサ２０と貫通孔１６との間の隙間１５ｂに二つのシール部材５０を設けているが、シール部材５０を一つ設ける態様であってもよく、三つ以上設ける態様であってもよい。
【００４６】
また、前記実施形態においては、複数のセンサ２０を流体の流方向（上下流方向）に沿って間欠的に配置しているが、流体の流方向と直交する方向に沿って間欠的に配置したものであってもよい。すなわち、複数のセンサ２０が間欠的に配置されているものであればよい。
【００４７】
また、前記実施形態においては、センサ２０の一端を流路Ｌの内面に接触させているが、接触させなくともよい。但し、センサ２０の一端側に流体を接触させる必要があるため、センサ２０の一端側を流路Ｌ内へ露出させる必要がある。
【００４８】
なお、本発明に係る構造は、導電方式の流体測定装置だけでなく、例えば、吸光分析方式の流体測定装置に対しても適用できる。具体的には、セルブロック１０に対し、流路Ｌを透過する光を検出するセンサ２０を流体の流方向に沿って複数設置した場合に、これらの各センサ間２０の距離を制限することができる。
【００４９】
その他、本発明は前記各実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５０】
１００  流体分析装置
１０  セルブロック
Ｌ  流路
１１  嵌合凹部
１１ａ  底面
１２  補助嵌合凹部
１２ａ  底面
１５  嵌合凸部
１６  貫通孔
１６ａ  支持孔部
１７  隙間
２０  センサ
３０  制限ブロック
３０ａ  挿入孔
４０  補助制限ブロック
５０（５０ａ，５０ｂ）  シール部材
【図１】
2019184253.tif 000003
【図２】
2019184253.tif 000004
【図３】
2019184253.tif 000005
【図４】
2019184253.tif 000006
【図５】
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