(57)【要約】      （修正有）【課題】熱伝導性に優れる熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスを提供する。【解決手段】電荷移動錯体を含み、電荷移動錯体が円盤状化合物を少なくとも含む、熱伝導材料形成用組成物。更に、電荷移動錯体が、円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物とからなる、熱伝導材料形成用組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷移動錯体を含み、
前記電荷移動錯体が円盤状化合物を少なくとも含む、熱伝導材料形成用組成物。
【請求項２】
前記電荷移動錯体が、前記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物とからなる、請求項１に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項３】
前記電荷移動錯体が、前記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上０．５０Ｖ以下である化合物とからなる、請求項２に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項４】
前記円盤状化合物が、下記式（Ｄ４）で表される化合物、及び下記式（Ｄ１６）で表される化合物からなる群より選ばれる、請求項２又は３に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【化１】
2019116595.tif 000050
式中、Ｌは、各々独立に、２価の連結基を表す。Ｑは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
【化２】
2019116595.tif 000051
式中、Ａ2X、Ａ3X、及びＡ4Xは、各々独立に、−ＣＨ＝又は−Ｎ＝を表す。Ｒ17X、Ｒ18X、及びＲ19Xは、各々独立に、＊−（Ｘ211X−Z21X）n21X−Ｌ21X−Ｑを表す。＊は、中心環との結合位置を表す。Ｘ211Xは、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
Ｚ21Xは、各々独立に、５員環若しくは６員環の芳香族環基、又は５員環若しくは６員環の非芳香族環基を表す。
Ｌ21Xは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
ｎ２１Ｘは、０〜３の整数を表す。ｎ２１Ｘが２以上の場合、複数存在する（Ｘ211X−Z21X）は、同一でも異なっていてもよい。
【請求項５】
前記円盤状化合物が、重合性基を含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項６】
前記電荷移動錯体が、互いに構造が異なる２種以上の円盤状化合物からなる、請求項１に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項７】
前記円盤状化合物のうち少なくとも１種が、重合性基を含む、請求項６に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項８】
前記円盤状化合物のうち、一方が重合性基を含み、他方が架橋性基を含む、請求項７に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項９】
前記電荷移動錯体が、下記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物、及び下記式（ＣＲ２）で表される部分構造を含む円盤状化合物からなる群より選ばれる２種以上の円盤状化合物からなり、且つ、
前記２種以上の円盤状化合物は、前記部分構造が互いに異なる、請求項６〜８のいずれか１項に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【化３】
2019116595.tif 000052
式中、ＸCR11〜ＸCR16は、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、又は−Ｓ−を表す。＊は、結合位置を表す。
【化４】
2019116595.tif 000053
式中、ＸCR21、ＸCR22、及びＸCR23は、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
ＺCR21、ＺCR22、及びＺCR23は、各々独立に、５員環若しくは６員環の芳香族環基、又は５員環若しくは６員環の非芳香族環基を表す。
ｎＣＲ２１、ｎＣＲ２２、及びｎＣＲ２３は、各々独立に、１〜３の整数を表す。
【請求項１０】
前記電荷移動錯体が、前記ＸCR11〜前記ＸCR16がいずれも−Ｏ−を表す前記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物と、前記ＸCR11〜前記ＸCR16がいずれも−Ｃ（＝Ｏ）−を表す前記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物と、からなる、請求項９に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項１１】
更に、無機物を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の熱伝導材料形成用組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱伝導材料形成用組成物を用いて形成される、熱伝導材料。
【請求項１３】
シート状である、請求項１２に記載の熱伝導材料。
【請求項１４】
デバイスと、前記デバイス上に配置された請求項１２又は１３に記載の熱伝導材料を含む熱伝導層とを含む、熱伝導層付きデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、一般家電、及び自動車等の様々な電気機器に用いられているパワー半導体デバイスは、近年、小型化が急速に進んでいる。小型化に伴い高密度化されたパワー半導体デバイスから発生する熱の制御が困難になっている。
このような問題に対応するため、パワー半導体デバイスからの放熱を促進する熱伝導材料が用いられている。
例えば特許文献１に、トリフェニレン骨格のエポキシ樹脂と、硬化剤又は硬化促進剤と、無機フィラーとを含む熱伝導材料用エポキシ樹脂組成物、及び上記組成物を硬化させてなる熱伝導材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−００８１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは、特許文献１に記載された熱伝導材料について検討したところ、熱伝導性が昨今求められている水準を満たしておらず、更なる改善が必要であることを明らかとした。
【０００５】
そこで、本発明は、熱伝導性に優れる熱伝導材料を与え得る熱伝導材料形成用組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、熱伝導材料形成用組成物により形成される熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスを提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、円盤状化合物を含む電荷移動錯体を用いることにより上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
【０００７】
〔１〕  電荷移動錯体を含み、
上記電荷移動錯体が円盤状化合物を少なくとも含む、熱伝導材料形成用組成物。
〔２〕  上記電荷移動錯体が、上記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物とからなる、〔１〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔３〕  上記電荷移動錯体が、上記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上０．５０Ｖ以下である化合物とからなる、〔２〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔４〕  上記円盤状化合物が、後述する式（Ｄ４）で表される化合物、後述する式（Ｄ１６）で表される化合物からなる群より選ばれる、〔２〕又は〔３〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔５〕  上記円盤状化合物が、重合性基を含む、〔２〕〜〔４〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔６〕  上記電荷移動錯体が、互いに構造が異なる２種以上の円盤状化合物からなる、〔１〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔７〕  上記円盤状化合物のうち少なくとも１種が、重合性基を含む、〔６〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔８〕  上記円盤状化合物のうち、一方が重合性基を含み、他方が架橋性基を含む、〔７〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔９〕  上記電荷移動錯体が、後述する式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物、及び後述する式（ＣＲ２）で表される部分構造を含む円盤状化合物からなる群より選ばれる２種以上の円盤状化合物からなり、且つ、
上記２種以上の円盤状化合物は、上記部分構造が互いに異なる、〔６〕〜〔８〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔１０〕  上記電荷移動錯体が、上記ＸCR11〜上記ＸCR16がいずれも−Ｏ−を表す上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物と、上記ＸCR11〜上記ＸCR16がいずれも−Ｃ（＝Ｏ）−を表す上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物と、からなる、〔９〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔１１〕  更に、無機物を含む、〔１〕〜〔１０〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔１２〕  〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物を用いて形成される、熱伝導材料。
〔１３〕  シート状である、〔１２〕に記載の熱伝導材料。
〔１４〕  デバイスと、上記デバイス上に配置された〔１２〕又は〔１３〕に記載の熱伝導材料を含む熱伝導層とを含む、熱伝導層付きデバイス。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、熱伝導性に優れる熱伝導材料を与え得る熱伝導材料形成用組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、上記熱伝導材料形成用組成物により形成される熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスについて詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、オキシラニル基はエポキシ基とも呼ばれる官能基であり、例えば、飽和炭化水素環基の隣接する炭素原子２つがオキソ基（−Ｏ−）により結合してオキシラン環を形成している基等もオキシラニル基に含む。
【００１０】
本明細書において、「（メタ）アクリロイル基」との記載は、「アクリロイル基及びメタクリロイル基のいずれか一方又は双方」の意味を表す。
本明細書において、「（メタ）アクリルアミド基」との記載は、「アクリルアミド基及びメタクリルアミド基のいずれか一方又は双方」の意味を表す。
【００１１】
なお、本明細書において、「置換基を有していてもよい」という場合の置換基の種類、置換基の位置、及び置換基の数は特に制限されない。置換基の数は例えば、１個、又は、２個以上が挙げられる。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団が挙げられ、例えば、以下の置換基群Ｙから選択できる。
【００１２】
置換基群Ｙ：
ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、水酸基、アミノ基、カルボキシ基及びその共役塩基基、無水カルボン酸基、シアネートエステル基、不飽和重合性基、オキシラニル基、オキセタニル基、アジリジニル基、チオール基、イソシアネート基、チオイソシアネート基、アルデヒド基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）及びその共役塩基基、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基及びその共役塩基基、Ｎ−アルキルスルホニルスルファモイル基（��ＳＯ2ＮＨＳＯ2（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基、Ｎ−アリールスルホニルスルファモイル基（−ＳＯ2ＮＨＳＯ2（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基、Ｎ−アルキルスルホニルカルバモイル基（−ＣＯＮＨＳＯ2（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基、Ｎ−アリールスルホニルカルバモイル基（−ＣＯＮＨＳＯ2（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基、アルコキシシリル基（−Ｓｉ（Ｏａｌｋｙｌ）3）、アリーロキシシリル基（−Ｓｉ（Ｏａｒｙｌ）3）、ヒドロキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＨ）3）及びその共役塩基基、ホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ2）及びその共役塩基基、ジアルキルホスホノ基（−ＰＯ3（ａｌｋｙｌ）2）、ジアリールホスホノ基（−ＰＯ3（ａｒｙｌ）2）、アルキルアリールホスホノ基（−ＰＯ3（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基、ホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3Ｈ2）及びその共役塩基基、ジアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（ａｌｋｙｌ）2）、ジアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（ａｒｙｌ）2）、アルキルアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3Ｈ（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基、モノアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3Ｈ（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、及びアルキル基。
また、これらの置換基は、可能であるならば置換基同士、又は置換している基と結合して環を形成してもよい。
【００１３】
なお、不飽和重合性基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、及び以下に示すＱ１〜Ｑ７で表される置換基等が挙げられる。
【００１４】
【化１】
2019116595.tif 000002
【００１５】
〔熱伝導材料形成用組成物〕
本発明の熱伝導材料形成用組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう。）の特徴点としては、円盤状化合物を少なくとも含む電荷移動錯体を含む点が挙げられる。
本明細書において、「電荷移動錯体」とは、電子供与性分子（電子供与体）と電子受容性分子（電子受容体）からなる分子間化合物であって、電荷移動相互作用を有するものをいう。
分子軌道論による電荷移動理論は、Ｒ．Ｓ．Ｍｕｌｌｉｋｅｎにより定義されており、電子供与体Ｄ（electron donor）と電子受容体Ａ（electron acceptor）より形成される錯体Ｄ・・Ａの電荷移動量をδで示すと、下式が成り立ち、電子供与体又は電子受容体単独では現れない新しい吸収帯（電荷移動吸収帯）が長波長側に出現する。また、電子受容体の電子親和力が大きくなるにつれ、吸収極大の波長は長波長側にシフトする。
【００１６】
【数１】
2019116595.tif 000003
【００１７】
本発明にて用いられる電荷移動錯体は、少なくとも円盤状化合物（例えば、トリフェニレン誘導体等）を含む。言い換えると、電荷移動錯体を形成する電子供与体及び電子受容体のいずれか少なくとも一方が、円盤状化合物である。
上記電子供与体及び上記電子受容体は、いずれも、錯体を形成する前においてはイオン化又は部分イオン化されておらず中性の化合物であり、これらが混合されて分子接近して初めて、電荷移動が生じて錯体が形成される。
【００１８】
上記構成により、本発明の組成物により形成される熱伝導材料は、熱伝導性に優れる。
この理由は詳細には明らかではないが、熱伝導材料形成用組成物から形成される熱伝導材料において、電荷移動錯体中の円盤状化合物が交互積層型配向又は分離積層型配向のいずれかの配向をとることによって秩序度の高い配向状態を形成し、この結果として熱伝導性が優れると推測している。
なお、本発明者らは検討により、円盤状の液晶化合物を配向させてカラムナー相とした場合、液晶化合物の配向規制力の及ぶ範囲は５μｍ程度の膜厚であるのに対して、上述のように電荷移動錯体の形態で円盤状化合物を配向させた場合、秩序度の高い配向状態をより厚い膜厚で達成できると推測している。つまり、電荷移動錯体の形態で円盤状化合物を配向させることで、例えば熱伝導シートのような膜厚の大きい（一般的に１００μｍ程度）熱伝導部材においても円盤状化合物が高い秩序度で配向し、この結果として、優れた熱伝導性が発現すると考えている。
また、円盤状化合物が、中心核に対して放射状に反応性基（好ましくは重合性基）を含む側鎖を複数配することができる（つまり、熱伝導パスを広げやすい構造である）点も、熱伝導性の向上に寄与していると考えている。
なお、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、電荷移動錯体中の円盤状化合物は、円盤状液晶性化合物であることが好ましい。また、同様の理由により、本発明の組成物は、液晶性を示すことが好ましい。なお、電荷移動錯体中の円盤状化合物が液晶性を示す場合、通常、組成物も同様に液晶性を示す。
【００１９】
以下、熱伝導材料形成用組成物に含まれる成分について詳述し、その後、熱伝導材料形成用組成物の製造方法及びその用途等について詳述する。
【００２０】
＜電荷移動錯体＞
上記組成物が含む電荷移動錯体は、電荷移動錯体を形成する電子供与体及び電子受容体のいずれか少なくとも一方が、円盤状化合物である。
【００２１】
上記電荷移動錯体としては、なかでも電子供与体及び電子受容体がいずれも有機物であることが好ましい。つまり、電荷移動錯体において、上記円盤状化合物とともに電荷移動錯体を形成する分子についても、有機物であることが好ましい。
円盤状化合物を含む電荷移動錯体の態様としては特に制限されないが、具体的な態様の一例として、以下に示す態様（１）及び態様（２）の電荷移動錯体が挙げられる。
態様（１）：電子供与体及び電子受容体が互いに構造の異なる円盤状化合物である電荷移動錯体
態様（２）：電子供与体が円盤状化合物であり、電子受容体が飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物である電荷移動錯体
【００２２】
組成物中、電荷移動錯体は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
組成物中における電荷移動錯体の含有量は特に制限されないが、組成物の全固形分に対して、例えば、０．０１〜９９.９質量％であり、０．０１〜８０質量％が好ましく、０．１〜６５質量％がより好ましく、１〜５０質量％が更に好ましい。なお、本明細書において、固形分とは、熱伝導材料を構成する成分であればよく、液体状であっても固形分に含まれる。
【００２３】
以下に、まず、電荷移動錯体が含み得る円盤状化合物について説明する。
（円盤状化合物）
本明細書において「円盤状化合物」とは、少なくとも部分的に円盤状構造を含む化合物を意図する。
円盤状化合物としては、少なくとも芳香族環を有し、分子間のπ−π相互作用に基づくスタッキング構造を形成して柱状構造をとり得る化合物が好ましい。
また、円盤状化合物は、熱伝導パスが広がり、結果として熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、反応性基（好ましくは重合性基）を３〜８個含むことが好ましく、３〜６個含むことがより好ましい。なお、反応性基を３個以上有する円盤状化合物の硬化物は、ガラス転移温度が高く、優れた耐熱性を示す。
なお、反応性基とは、重合性基及び架橋性基を意図し、なかでも重合性基が好ましい。
重合性基の種類は特に制限されず、公知の重合性基が挙げられ、反応性の点から、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基又は環重合性基がより好ましい。重合性基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、オキシラニル基、及びオキセタニル基等が挙げられ、なかでも、反応性の観点から、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が好ましい。なお、上記各基中の水素原子は、ハロゲン原子等他の置換基で置換されていてもよい。
また、架橋性基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、無水カルボン酸基、アミノ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アジリジニル基、チオール基、チオイソシアネート基、及びアルデヒド基等が挙げられる。
【００２４】
円盤状化合物は、液晶性を示す液晶化合物であっても、液晶性を示さない非液晶化合物であってもよいが、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、液晶化合物が好ましい。つまり、円盤状化合物としては、円盤状液晶化合物が好ましい。
【００２５】
円盤状化合物の具体例としては、Ｃ．  Ｄｅｓｔｒａｄｅ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｍｏｌ．  Ｃｒｙｓｒ．  Ｌｉｑ．  Ｃｒｙｓｔ．，  ｖｏｌ．  ７１，  ｐａｇｅ  １１１  （１９８１）  ；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．  Ｋｏｈｎｅ  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｎｇｅｗ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．  Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍ．，  ｐａｇｅ  １７９４  （１９８５）；Ｊ．  Ｚｈａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．  Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  ｖｏｌ．  １１６，  ｐａｇｅ  ２６５５  （１９９４）、及び特許第４５９２２２５号に記載されている化合物が挙げられる。円盤状化合物としては、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．  Ｅｄ．  ２０１２，  ５１，  ７９９０−７９９３、及び特開平７−３０６３１７号公報に記載のトリフェニレン構造、並びに特開２００７−２２２０号公報、及び特開２０１０−２４４０３８号公報に記載の３置換ベンゼン構造等が挙げられる。
【００２６】
円盤状化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、以下に示す式（Ｄ１）〜（Ｄ１７）のいずれかで表される化合物が好ましく、（Ｄ１）〜（Ｄ１６）がより好ましい。
なお、以下の式中、「−ＬＱ」は「−Ｌ−Ｑ」を表し、「ＱＬ−」は「Ｑ−Ｌ−」を表す。
【００２７】
【化２】
2019116595.tif 000004
【００２８】
【化３】
2019116595.tif 000005
【００２９】
【化４】
2019116595.tif 000006
【００３０】
【化５】
2019116595.tif 000007
【００３１】
式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中、Ｌは２価の連結基を表す。
熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、Ｌは、各々独立に、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる基であることが好ましく、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−Ｏ−、及び−Ｓ−からなる群より選ばれる基を２個以上組み合わせた基であることがより好ましい。
上記アルキレン基の炭素数としては、１〜１２が好ましい。上記アルケニレン基の炭素数としては、２〜１２が好ましい。上記アリーレン基の炭素数としては、１０以下が好ましい。なお、上記アルキレン基、上記アルケニレン基、及び上記アリーレン基は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、及びアシルオキシ基等が挙げられる。
【００３２】
Ｌの例を以下に示す。以下の例では、左側の結合手が式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）のいずれかで表される化合物の中心核（以下、単に「中心環」ともいう）に結合し、右側の結合手がＱに結合する。
ＡＬはアルキレン基又はアルケニレン基を意味し、ＡＲはアリーレン基を意味する。
【００３３】
Ｌ１０１：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０２：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１０３：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０４：−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０５：−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１０６：−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＡＬ−
Ｌ１０７：−ＮＨ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１０８：−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０９：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
【００３４】
Ｌ１１０：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＡＬ−
Ｌ１１１：−Ｏ−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１１２：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１１３：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１１４：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１１５：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１１６：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１１７：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１１８：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１１９：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１２０：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１２１：−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１２２：−Ｓ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１２３：−Ｓ−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１２４：−Ｓ−ＡＲ−ＡＬ−
Ｌ１２５：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−
Ｌ１２６：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１２７：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１２８：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１２９：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３０：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１３１：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３２：−Ｏ−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３３：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３４：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１３５：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１３６：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−
Ｌ１３７：−Ｏ−ＡＬ−ＮＨ−ＡＲ−
Ｌ１３８：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１３９：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１４０：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１４１：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１４２：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−
【００３５】
式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中、Ｑは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
上記置換基としては、上述した置換基群Ｙで例示される基が挙げられ、なかでも、反応性基が好ましく、不飽和重合性基、オキシラニル基、オキセタニル基、水酸基、カルボキシ基、無水カルボン酸基、アミノ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アジリジニル基、チオール基、チオイソシアネート基、又はアルデヒド基がより好ましい。
式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中、１個以上のＱは反応性基であることが好ましく、なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、全てのＱが反応性基を表すことが好ましい。なお、上記反応性基としては、重合性基が好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、オキシラニル基、又はオキセタニル基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が更に好ましい。
【００３６】
式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）で表される化合物のなかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、式（Ｄ４）で表される化合物が好ましい。言い換えると、円盤状化合物の中心環はトリフェニレン環であることが好ましい。
式（Ｄ４）で表される化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、式（ＸＩ）で表される化合物が好ましい。
【００３７】
【化６】
2019116595.tif 000008
【００３８】
式（ＸＩ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は、各々独立に、＊−Ｘ11−Ｌ11−Ｐ11、又は＊−Ｘ12−Ｌ12−Ｙ12を表す。
なお、＊はトリフェニレン環との結合位置を表す。
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16のうち、２個以上は、＊−Ｘ11−Ｌ11−Ｐ11であり、３個以上が＊−Ｘ11−Ｌ11−Ｐ11であることが好ましい。
なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、Ｒ11及びＲ12のいずれか１個以上、Ｒ13及びＲ14のいずれか１個以上、並びに、Ｒ15及びＲ16のいずれか１個以上が、＊−Ｘ11−Ｌ11−Ｐ11であることが好ましい。
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16が、全て、＊−Ｘ11−Ｌ11−Ｐ11であることがより好ましい。加えて、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16が、全て同一であることが更に好ましい。
【００３９】
Ｘ11は、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
なかでも、Ｘ11は、各々独立に、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、又は−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−が好ましく、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−がより好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−が更に好ましい。
【００４０】
Ｌ11は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
２価の連結基の例としては、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、アルキレン基（炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜７が更に好ましい。）、アリーレン基（炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０が更に好ましい。）、又はこれらの組み合わせからなる基が挙げられる。
上記アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及びヘプチレン基が挙げられる。
上記アリーレン基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、及びアントラセニレン基が挙げられ、１，４−フェニレン基が好ましい。
【００４１】
上記アルキレン基及び上記アリーレン基はそれぞれ置換基を有していてもよい。置換基の数は、１〜３が好ましく、１がより好ましい。置換基の置換位置は特に制限されない。置換基としては、ハロゲン原子又は炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記アルキレン基及び上記アリーレン基は無置換であることも好ましい。なかでも、アルキレン基は無置換であることが好ましい。
【００４２】
−Ｘ11−Ｌ11−の例として、上述のＬの例であるＬ１０１〜Ｌ１４２が挙げられる。
【００４３】
Ｐ11は、反応性基を表す。なお、反応性基の定義は上述のとおりである。
Ｐ11としては、なかでも、反応性の観点から、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が好ましい。なお、上記各基中の水素原子は、ハロゲン原子等他の置換基で置換されていてもよい。
なお、Ｐ11が水酸基である場合、Ｌ11はアリーレン基を含み、このアリーレン基はＰ11と結合していることが好ましい。
【００４４】
Ｘ12は、Ｘ11と同様であり、好適な条件も同様である。
Ｌ12は、Ｌ11と同様であり、好適な条件も同様である。
−Ｘ12−Ｌ12−の例として、上述のＬの例であるＬ１０１〜Ｌ１４２が挙げられる。
【００４５】
Ｙ12は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基において１個又は２個以上のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ3）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基を表す。
【００４６】
Ｙ12が、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基において１個又は２個以上のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ3）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基の場合、Ｙ12に含まれる水素原子の１個以上がハロゲン原子で置換されていてもよい。
Ｙ12は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜２０のアルキレンオキシド基が好ましく、炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数１〜２０のエチレンオキシド基若しくはプロピレンオキシド基がより好ましい。
【００４７】
式（ＸＩ）で表される化合物の具体例については、特開平７−２８１０２８号公報の段落番号００２８〜００３６、特開平７−３０６３１７号公報、特開２００５−１５６８２２号公報の段落番号００１６〜００１８、特開２００６−３０１６１４号公報の段落番号００６７〜００７２、及び液晶便覧（平成１２年丸善株式会社発刊）３３０頁〜３３３頁に記載の化合物を参照することができる。
【００４８】
式（ＸＩ）で表される化合物は、特開平７−３０６３１７号公報、特開平７−２８１０２８号公報、特開２００５−１５６８２２号公報、及び特開２００６−３０１６１４号公報に記載の方法に準じて合成できる。
【００４９】
また、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、円盤状化合物として、式（Ｄ１６）で表される化合物も好ましい。
【００５０】
【化７】
2019116595.tif 000009
【００５１】
式（Ｄ１６）中、Ａ2X、Ａ3X、及びＡ4Xは、各々独立に、−ＣＨ＝又は−Ｎ＝を表す。なかでも、Ａ2X、Ａ3X、及びＡ4Xは、各々独立に、−ＣＨ＝が好ましい。
Ｒ17X、Ｒ18X、及びＲ19Xは、各々独立に、＊−（Ｘ211X−Z21X）n21X−Ｌ21X−Ｑを表す。＊は、中心環との結合位置を表す。
Ｘ211Xは、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
Ｚ21Xは、各々独立に、５員環若しくは６員環の芳香族環基、又は５員環若しくは６員環の非芳香族環基を表す。
Ｌ21Xは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）におけるＱと同義であり、好適態様も同じである。
ｎ２１Ｘは、０〜３の整数を表す。ｎ２１Ｘが２以上の場合、複数存在する（Ｘ211X−Z21X）は、同一でも異なっていてもよい。
【００５２】
式（Ｄ１６）で表される化合物としては、式（ＸＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【００５３】
【化８】
2019116595.tif 000010
【００５４】
式（ＸＩＩ）中、Ａ2、Ａ3、及びＡ4は、各々独立に、−ＣＨ＝又は−Ｎ＝を表す。なかでも、Ａ2、Ａ3、及びＡ4は、−ＣＨ＝が好ましい。言い換えると、円盤状化合物の中心環はベンゼン環であることも好ましい。
【００５５】
Ｒ17、Ｒ18、及びＲ19は、各々独立に、＊−（Ｘ211−Ｚ21）n21−Ｌ21−Ｐ21、又は＊−（Ｘ221−Ｚ22）n22−Ｙ22を表す。＊は中心環との結合位置を表す。
Ｒ17、Ｒ18、及びＲ19のうち２個以上は、＊−（Ｘ211−Ｚ21）n21−Ｌ21−Ｐ21である。熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、Ｒ17、Ｒ18、及びＲ19は全てが、＊−（Ｘ211−Ｚ21）n21−Ｌ21−Ｐ21であることが好ましい。
加えて、Ｒ17、Ｒ18、及びＲ19が、全て同一であることが好ましい。
【００５６】
Ｘ211及びＸ221は、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
なかでも、Ｘ211及びＸ221としては、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、又は−ＯＣ（＝Ｏ）−が好ましい。
【００５７】
Ｚ21及びＺ22は、各々独立に、５員環若しくは６員環の芳香族環基、又は５員環若しくは６員環の非芳香族環基を表し、例えば、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、及び芳香族複素環基が挙げられる。
【００５８】
上記芳香族環基及び上記非芳香族環基は、置換基を有していてもよい。置換基の数は１又は２が好ましく、１がより好ましい。置換基の置換位置は、特に制限されない。置換基としては、ハロゲン原子又はメチル基が好ましい。上記芳香族環基及び上記非芳香族環基は無置換であることも好ましい。
【００５９】
芳香族複素環基としては、例えば、以下の芳香族複素環基が挙げられる。
【化９】
2019116595.tif 000011
【００６０】
式中、＊はＸ211又はＸ221に結合する部位を表す。＊＊はＸ212又はＸ222に結合する部位を表す。Ａ41及びＡ42は、各々独立に、メチン基又は窒素原子を表す。Ｘ4は、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、又はイミノ基を表す。
Ａ41及びＡ42は、少なくとも一方が窒素原子であることが好ましく、両方が窒素原子であることがより好ましい。また、Ｘ4は、酸素原子であることが好ましい。
【００６１】
後述するｎ２１及びｎ２２が２以上の場合、複数存在する（Ｘ211−Ｚ21）及び（Ｘ221−Ｚ22）は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００６２】
Ｌ21は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表し、上述した式（ＸＩ）におけるＬ11と同義である。Ｌ21としては、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、アルキレン基（炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜７が更に好ましい。）、アリーレン基（炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０が更に好ましい。）、又はこれらの組み合わせからなる基が好ましい。
【００６３】
後述するｎ２２が１以上の場合において、−Ｌ21−の例としては、上述の式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）におけるＬの例であるＬ１０１〜Ｌ１４２が同様に挙げられる。
【００６４】
Ｐ21は、反応性基を表す。なお、反応性基の定義は上述のとおりである。
Ｐ21としては、なかでも、反応性の観点から、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が好ましい。なお、上記各基中の水素原子は、ハロゲン原子等他の置換基で置換されていてもよい。
なお、Ｐ21が水酸基である場合、Ｌ21はアリーレン基を含み、このアリーレン基はＰ21と結合していることが好ましい。
【００６５】
Ｙ22は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基において１個又は２個以上のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ3）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基を表す。Ｙ22の好適態様としては、式（ＸＩ）におけるＹ12の好適態様と同じである。
【００６６】
ｎ２１及びｎ２２は各々独立に、０〜３の整数を表し、熱伝導性がより優れる観点から、１〜３の整数が好ましく、２〜３がより好ましい。
【００６７】
式（ＸＩＩ）で表される化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。
なお、下記構造式中、Ｒは、−Ｘ211−Ｌ21−Ｐ21を表す。
【００６８】
【化１０】
2019116595.tif 000012
【００６９】
式（ＸＩＩ）で表される化合物の詳細、及び具体例については、特開２０１０−２４４０３８号公報の段落００１３〜００７７の記載を参照でき、その内容は本明細書に組み込まれる。
【００７０】
式（ＸＩＩ）で表される化合物は、特開２０１０−２４４０３８号公報、特開２００６−７６９９２号公報、及び特開２００７−２２２０号公報に記載の方法に準じて合成できる。
【００７１】
電子密度を減らすことでスタッキングを強くし、カラム状集合体を形成しやすくなるという観点から、円盤状化合物は水素結合性官能基を有する化合物であることが好ましい。水素結合性官能基としては、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−等が挙げられる。
【００７２】
また、本発明の電荷移動錯体を形成するための円盤状化合物として、式（Ｄ１７）で表される化合物も使用できる。
【００７３】
【化１１】
2019116595.tif 000013
【００７４】
上記式（Ｄ１７）中、Ｌ及びＱは、各々式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中のＬ及びＱと同義であり、好適態様も同じである。
【００７５】
（態様（１）の電荷移動錯体）
上述した態様（１）の電荷移動錯体は、電子供与体及び電子受容体がいずれも円盤状化合物である。つまり、互いに構造の異なる２種以上の円盤状化合物からなる電荷移動錯体が該当する。なお、円盤状化合物としては、上述したとおりである。
上記電荷移動錯体において、互いに構造の異なる２種以上の円盤状化合物が電子供与体及び電子受容体のいずれを示すかは、中心環付近の原子又は原子団（以下、「原子団等」という。）の種類、及び中心環の構造等により相対的に決まる。つまり、例えば、互いに構造の異なる２種以上の上記式（Ｄ４）で表される化合物からなる電荷移動錯体であって、中心環（トリフェニレン環）に結合するＬ中の中心環と結合する原子団等の種類が−Ｏ−である円盤状化合物と、中心環に結合するＬ中の中心環と結合する原子団等の種類が−Ｃ（＝Ｏ）−である円盤状化合物とからなる電荷移動錯体においては、上記原子団等の種類が−Ｏ−である円盤状化合物は、電子供与体として機能し、上記原子団等の種類が−Ｃ（＝Ｏ）−である円盤状化合物は、電子受容体性として機能する。
【００７６】
上記態様（１）の電荷移動錯体としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、なかでも、下記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物、及び下記式（ＣＲ２）で表される部分構造を含む円盤状化合物からなる群より選ばれ、且つ、上記部分構造が互いに異なる２種以上の円盤状化合物から形成された電荷移動錯体が好ましい。
【００７７】
【化１２】
2019116595.tif 000014
【００７８】
式中、ＸCR11〜ＸCR16は、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、又は−Ｓ−を表す。＊は、結合位置を表す。
【００７９】
なお、上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む化合物としては、具体的には、上述した式（Ｄ４）で表される化合物のうち、上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含むものが挙げられる。
【００８０】
【化１３】
2019116595.tif 000015
【００８１】
式中、ＸCR21、ＸCR22、及びＸCR23は、各々独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、又は−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
ＺCR21、ＺCR22、及びＺCR23は、各々独立に、５員環若しくは６員環の芳香族環基、又は５員環若しくは６員環の非芳香族環基を表す。
ｎＣＲ２１、ｎＣＲ２２、及びｎＣＲ２３は、各々独立に、１〜３の整数を表す。
【００８２】
なお、上記式（ＣＲ２）で表される部分構造で表される化合物としては、具体的には、上述した式（Ｄ１６）で表される化合物のうち、上記式（ＣＲ２）で表される部分構造を含むものが挙げられる。
【００８３】
態様（１）の電荷移動錯体としては、上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む化合物から選ばれ、上記部分構造が互いに異なる２種以上の円盤状化合物からなる電荷移動錯体が好ましく、ＸCR11〜ＸCR16がいずれも−Ｏ−を表す上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物と、ＸCR11〜ＸCR16がいずれも−Ｃ（＝Ｏ）−を表す上記式（ＣＲ１）で表される部分構造を含む円盤状化合物と、からなる電荷移動錯体がより好ましい。
【００８４】
また、態様（１）の電荷移動錯体において、電子供与体及び電子受容体として機能する２種以上の円盤状化合物は、少なくとも１種が反応性基を含むことが好ましく、いずれもが反応性基を含んでいることがより好ましい。なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、２種以上の円盤状化合物のうち、いずれもが重合性基を有するか、又は、一方が重合性基を表し且つ他方が架橋性基を表すことが更に好ましく、２種以上の円盤状化合物のうち一方が重合性基を表し且つ他方が架橋性基を表すことが特に好ましい。
【００８５】
（態様（２）の電荷移動錯体）
上述した態様（２）の電荷移動錯体は、電子供与体が円盤状化合物であり、電子受容体が飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物（以下、「酸化剤」ともいう。）である電荷移動錯体である。つまり、上述した態様（２）の電荷移動錯体は、円盤状化合物と酸化剤からなる。
なお、円盤状化合物としては、上述したとおりである。また、円盤状化合物は１種単独で使用しても、複数種を併用してもよい。
【００８６】
酸化剤の酸化還元電位は、サイクリックボルタンメトリーにより、参照電極として飽和カロメル電極（飽和カロメル参照電極）を用いて測定される。
具体的には、支持電解質としてテトラ−ｎ−エチルアンモニウム過塩素酸塩０．１Ｍを含むアセトニトリル中で、試料濃度１×１０-3Ｍのボルタモグラムを測定し、これより得られる半波電位として求めることができる。より詳細には、作用電極には白金を使用し、測定は２５℃で行う。
【００８７】
酸化剤の酸化還元電位は、例えば、−０．０１以上であり、電荷移動錯体をより形成し易く、且つ、得られる熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、０Ｖ以上が好ましく、０．１０Ｖ以上がより好ましい。なお、酸化還元電位の上限は特に制限されないが、例えば、０．６０Ｖ以下であり、得られる熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、０．５０Ｖ以下が好ましい。
【００８８】
酸化剤としては、なかでも、下記式（Ａ）で表される化合物、又はフルオレノン構造を含む化合物が好ましい。
【００８９】
【化１４】
2019116595.tif 000016
【００９０】
上記式（Ａ）中、Ｘ1及びＸ2は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、＝ＮＲ1基、又は、＝ＣＲ2Ｒ3基を表す。Ｘ1及びＸ2の各々が複数存在する場合には、複数のＸ1及び複数のＸ2は、各々互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ1及びＸ2は、なかでも、酸素原子、又は＝ＣＲ2Ｒ3基が好ましく、＝ＣＲ2Ｒ3基がより好ましい。
【００９１】
ｍ及びｎは、各々独立に、０〜３の整数を表し、１〜３の整数が好ましく、１又は２でがより好ましく、１が更に好ましい。ただし、ｍ及びｎの合計は、２以上であり、２〜６が好ましく、２〜４がより好ましく、２が更に好ましい。
【００９２】
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、各々独立に、水素原子、又は置換基を表す。Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3の各々が複数存在する場合には、複数のＲ1、複数のＲ2、及び、複数のＲ3は、各々互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｌ1及びＬ2は、各々独立に、２価の連結基を表す。
【００９３】
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基は、例えば、アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、アルケニル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数としては、２〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、アラルキル基（炭素数７〜１０が好ましい。）、アリール基（炭素数６〜１０が好ましい。）、ヘテロ環基（単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。ヘテロ環基が含むヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が挙げられる。ヘテロ環基中の炭素数としては、５〜１８が好ましい。ヘテロ環基は、芳香族性及び非芳香族性のいずれであってもよい。）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が好ましい。）、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、アリールオキシ基（炭素数６〜１０が好ましい。）、アルキルチオ基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、アリールチオ基（炭素数６〜１０が好ましい。）、アシルオキシ基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、アミノ基、アルキルアミノ基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、カルボンアミド基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、スルホンアミド基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。）、スルファモイルアミノ基（炭素数としては、０〜１８が好ましく、炭素数８〜１８がより好ましい。）、オキシカルボニルアミノ基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、オキシスルホニルアミノ基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、ウレイド基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、チオウレイド基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、アシル基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、アルコキシカルボニル基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、カルバモイル基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、アルキルスルホニル基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、アルキルスルフィニル基（炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、スルファモイル基、モノアルキル若しくはジアルキルスルファモイル基（アルキル基の炭素数としては、１〜１８が好ましく、８〜１８がより好ましい。）、カルボキシ基（塩を含む）、及びスルホ基（塩を含む）等が挙げられる。上記Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基は、更に置換されていてもよい。上記Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基は、なかでも、シアノ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基が好ましく、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基がより好ましく、シアノ基が更に好ましい。
【００９４】
Ｌ1及びＬ2は、各々独立に、２価の連結基を表す。
Ｌ1及びＬ2は、式（Ａ）中に明示される２つの炭素原子（Ｘ1に結合する炭素原子、及びＸ2に結合する炭素原子）と共に４〜８員環を形成する。
上記Ｌ1及びＬ2で表される２価の連結基は特に制限されないが、−Ｃ（Ｒ4）（Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6）＝、−Ｎ（Ｒ7）−、−Ｎ＝、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、及び−Ｓ−からなる群より選ばれる基を組み合わせた基であることが好ましい。なお、上記Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、及びＲ7は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。上記Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、及びＲ7で表される置換基としては、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
【００９５】
Ｌ1及びＬ2と式（Ａ）中に明示される２つの炭素原子とにより形成される４〜８員環としては特に制限されず、シクロブタンジオン、シクロブテンジオン、ベンゾシクロブテンキノン、シクロペンタンジオン、シクロペンテンジオン、シクロペンタントリオン、シクロペンテントリオン、インダンジオン、インダントリオン、テトラヒドロフランジオン、テトラヒドロフラントリオン、テトラヒドロピロールジオン、テトラヒドロピロールトリオン、テトラヒドロチオフェンジオン、テトラヒドロチオフェントリオン、ベンゾキノン、キノメタン、キノジメタン、キノンイミン、キノンジイミン、チオベンゾキノン、ジチオベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、ジヒドロクロメントリオン、ジヒドロピリジンジオン、ジヒドロピラジンジオン、ジヒドロピリミジンジオン、ジヒドロピリダジンジオン、ジヒドロフタラジンジオン、ジヒドロイソキノリンジオン、テトラヒドロキノリントリオン、シクロヘプタンジオン、シクロヘプタントリオン、アザシクロヘプタントリオン、ジアザシクロヘプタントリオン、オキソシクロヘプタントリオン、ジオキソシクロヘプタントリオン、オキソアザシクロヘプタントリオン、シクロオクタンジオン、シクロオクタントリオン、アザシクロオクタントリオン、ジアザシクロオクタントリオン、オキソシクロオクタントリオン、ジオキソシクロオクタントリオン、オキソアザシクロオクタントリオン、シクロオクテンジオン、シクロオクタジエンジオン、及びジベンゾシクロオクテンジオン等が挙げられる。なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、６員環であることが好ましい。また、Ｌ1及びＬ2と式（Ａ）中に明示される２つの炭素原子とにより形成される４〜８員環は、環上の置換基（Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、又はＲ7）が互いに結合していてもよい。つまり、上記４〜８員環と芳香属性又は非芳香族性の他の環（例えば、脂環、芳香族炭化水素環、及びヘテロ環等）とが縮合構造を形成していてもよい。
【００９６】
式（Ａ）で表される化合物としては、下記式（Ａ−Ｉ）で表される化合物が好ましい。
【００９７】
【化１５】
2019116595.tif 000017
【００９８】
式（Ａ−Ｉ）中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13で表される置換基としては、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
Ｒ10とＲ11、及びＲ12とＲ13は、各々独立に、互いに結合して環（好ましくは芳香族環）を形成してもよい。また、上記環は置換基を有していてもよく、置換基としてはＲ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基と同じものが挙げられる。
Ｘ11及びＸ22としては、Ｘ1及びＸ2と同義であり、好適態様も同じである。
【００９９】
上記Ｘ11及び上記Ｘ22としては、酸素原子、又は＝Ｃ（Ｒ14）（Ｒ15）が好ましく、Ｘ11及び上記Ｘ22がいずれも酸素原子を表すか、又は、Ｘ11及び上記Ｘ22がいずれも＝Ｃ（Ｒ14）（Ｒ15）を表すことがより好ましい。なお、Ｒ14及びＲ15は、各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又は、アルキル若しくはアリールスルホニル基を表す。
また、Ｘ11及びＸ22がいずれも酸素原子を表す場合、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13のうち少なくとも２つ以上が電子吸引性基であることが好ましい。なお、本明細書中「電子吸引性基」とは、ハメットのσｐ値がプラスの置換基を意図し、具体的には、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル又はアリールスルホニル基、及び、アルキル又はアリールスルフィニル基等が挙げられる。
Ｘ11及びＸ22がいずれも酸素原子を表す場合、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基、アルキルアミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、スルファモイルアミノ基、オキシカルボニルアミノ基、オキシスルホニルアミノ基、ウレイド基、チオウレイド基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アルキル又はアリールスルフィニル基、及びスルファモイル基からなる群より選ばれる基であって、このうち少なくとも２つ以上が電子吸引性基であることが好ましく、各々独立に、水素原子、炭素数８〜１８のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数８〜１８のアルコキシ基、炭素数８〜１８のアルキルチオ基、炭素数８〜１８のカルボンアミド基、炭素数８〜１８のスルホンアミド基、炭素数８〜１８のウレイド基、炭素数８〜１８のアシル基、炭素数８〜１８のアルコキシカルボニル基、炭素数８〜１８のカルバモイル基、炭素数８〜１８のアルキル若しくはアリールスルホニル基、及び炭素数８〜１８のアルキル若しくはアリールスルフィニル基からなる群より選ばれる基であって、このうち少なくとも２つ以上がハロゲン原子、シアノ基、アルキル若しくはアリールスルホニル基、及びアルキル若しくはアリールスルフィニル基からなる群より選ばれる電子吸引性基であることがより好ましい。
【０１００】
上記式（Ａ−Ｉ）で表される化合物としては、下記式（Ａ−ＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【０１０１】
【化１６】
2019116595.tif 000018
【０１０２】
式（Ａ−ＩＩ）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、及びＲ19は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、及びＲ19で表される置換基としては、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
【０１０３】
式（Ａ−ＩＩ）で表される化合物としては、下記式（Ａ−ＩＩＩ）又は下記式（Ａ−ＩＶ）で表される化合物が好ましい。
【０１０４】
【化１７】
2019116595.tif 000019
【０１０５】
式（Ａ−ＩＩＩ）中、Ｒ31は、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｒ031は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ031で表される置換基としては、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
ｍ4は、１〜４の整数を表す。Ｒ31及びＲ031が各々複数存在する場合、複数のＲ31同士及び複数のＲ031同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１０６】
式（Ａ−ＩＩＩ）としては、上記Ｒ31が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数８〜１８のアルコキシ基、炭素数８〜１８のアシル基、若しくは炭素数８〜１８のアルコキシカルボニル基を表し、且つ、Ｒ031が、水素原子、若しくは炭素数８〜１８のアルキル基を表すか、又は、上記Ｒ31が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数８〜１８のアルコキシ基、炭素数８〜１８のアシル基、若しくは炭素数８〜１８のアルコキシカルボニル基を表し、且つ、ｍ4を表すことが好ましい。
【０１０７】
【化１８】
2019116595.tif 000020
【０１０８】
上記式（Ａ−ＩＶ）中、Ｒ32は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ32で表される置換基としては、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
ｍ5は、０〜６の整数を表す。なお、Ｒ32が複数存在する場合、複数のＲ32同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１０９】
上記Ｒ32としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、又はアシル基が好ましく、水素原子、炭素数８〜１８のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数８〜１８のアルコキシ基、炭素数８〜１８のアルキルチオ基、炭素数８〜１８のカルボンアミド基、炭素数８〜１８のスルホンアミド基、炭素数８〜１８のウレイド基、又は炭素数８〜１８のアシル基がより好ましく、水素原子、炭素数８〜１８のアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又は炭素数８〜１８のアルコキシ基が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。
【０１１０】
以下に、式（Ａ）で表される酸化剤の具体例を一例として挙げる。
【０１１１】
【化１９】
2019116595.tif 000021
【０１１２】
【化２０】
2019116595.tif 000022
【０１１３】
【化２１】
2019116595.tif 000023
【０１１４】
【化２２】
2019116595.tif 000024
【０１１５】
【化２３】
2019116595.tif 000025
【０１１６】
【化２４】
2019116595.tif 000026
【０１１７】
【化２５】
2019116595.tif 000027
【０１１８】
【化２６】
2019116595.tif 000028
【０１１９】
【化２７】
2019116595.tif 000029
【０１２０】
【化２８】
2019116595.tif 000030
【０１２１】
【化２９】
2019116595.tif 000031
【０１２２】
【化３０】
2019116595.tif 000032
【０１２３】
【化３１】
2019116595.tif 000033
【０１２４】
【化３２】
2019116595.tif 000034
【０１２５】
【化３３】
2019116595.tif 000035
【０１２６】
【化３４】
2019116595.tif 000036
【０１２７】
【化３５】
2019116595.tif 000037
【０１２８】
【化３６】
2019116595.tif 000038
【０１２９】
また、フルオレノン構造を含む化合物としては、例えば、下記式（Ｂ）で表される化合物が挙げられる。
【０１３０】
【化３７】
2019116595.tif 000039
【０１３１】
上記式（Ｂ）中、Ｒ41及びＲ42は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
Ｒ41又はＲ42で表される置換基としては特に制限されず、例えば、上述した式（Ａ）中のＲ1、Ｒ2、及びＲ3で表される置換基と同じものが挙げられる。Ｒ41又はＲ42で表される置換基としては、なかでも、電子吸引性基であることが好ましく、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル又はアリールスルホニル基、及び、アルキル又はアリールスルフィニル基等が挙げられ、なかでも、ニトロ基が好ましい。
上記式（Ｂ）中、ｐ１及びｐ２は、各々独立に、１〜４の整数を表し、１〜３の整数がより好ましい。
【０１３２】
フルオレノン構造を含む化合物の具体例としては、例えば下記化合物が挙げられる。
【０１３３】
【化３８】
2019116595.tif 000040
【０１３４】
電荷移動錯体において、酸化剤は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
【０１３５】
（電荷移動錯体の製造方法）
電荷移動錯体の製造方法としては特に制限されないが、例えば、溶液中にて上記電子供与体及び上記電子受容体を混合する方法、及び、上記電子供与体を含む溶液と、上記電子受容体を含む溶液とを混合する方法等が挙げられる。
電荷移動錯体の形成は、紫外可視吸収スペクトル測定により同定でき、詳細には、電子供与体又は電子受容体単独では現れない新しい吸収帯（電荷移動吸収帯）が長波長側に出現することで確認できる。
【０１３６】
［その他の成分］
上記組成物は、上述した電荷移動錯体以外の成分を含んでいてもよい。
以下に、本発明の組成物が含み得る他の成分について詳述する。
【０１３７】
＜無機物＞
上記組成物は、得られる熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、無機物を含むことが好ましい。
【０１３８】
無機物としては、従来から熱伝導材料の無機フィラーに用いられているいずれの無機物を用いてもよい。無機物としては、無機酸化物、又は無機窒化物が好ましい。無機物は、無機酸窒化物であってもよい。無機物の形状は特に制限されず、粒子状であってもよく、フィルム状であってもよく、又は板状であってもよい。粒子状無機物の形状は、米粒状、球形状、立方体状、紡錘形状、鱗片状、凝集状、及び不定形状が挙げられる。
【０１３９】
無機酸化物としては、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＯ、Ｆｅ3Ｏ4）、酸化銅（ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化タングステン（ＷＯ3、Ｗ2Ｏ5）、酸化鉛（ＰｂＯ、ＰｂＯ2）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化セリウム（ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ5）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2、ＧｅＯ）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、及び酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）等が挙げられる。
上記の無機酸化物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
無機酸化物は、酸化チタン、酸化アルミニウム、又は酸化亜鉛が好ましい。
無機酸化物は、非酸化物として用意された金属が、環境下等で酸化したことにより生じている酸化物であってもよい。
【０１４０】
無機窒化物としては、例えば、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化炭素（Ｃ3Ｎ4）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化クロム（Ｃｒ2Ｎ）、窒化銅（Ｃｕ3Ｎ）、窒化鉄（Ｆｅ4Ｎ）、窒化鉄（Ｆｅ3Ｎ）、窒化ランタン（ＬａＮ）、窒化リチウム（Ｌｉ3Ｎ）、窒化マグネシウム（Ｍｇ3Ｎ2）、窒化モリブデン（Ｍｏ2Ｎ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（Ｗ2Ｎ）、窒化タングステン（ＷＮ2）、窒化イットリウム（ＹＮ）、及び窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）等が挙げられる。
上記の無機窒化物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
無機窒化物は、アルミニウム原子、ホウ素原子、又は珪素原子を含むことが好ましく、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は窒化珪素であることがより好ましく、窒化アルミニウム、又は窒化ホウ素であることが更に好ましい。
【０１４１】
無機物の大きさは特に制限されないが、無機物の分散性がより優れる点で、無機物の平均粒径は５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２００μｍ以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、取り扱い性の点で、１０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
上記平均粒径の測定方法としては、電子顕微鏡を用いて、１００個の無機物を無作為に選択して、それぞれの無機物の粒径（長径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、市販品を用いる場合、カタログ値を用いてもよい。
【０１４２】
無機物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
組成物中における無機物の含有量は、組成物の全固形分に対して、３０〜９５質量％が好ましく、３５〜９０質量％がより好ましく、４０〜９０質量％が更に好ましい。
【０１４３】
＜硬化剤＞
上記組成物は、更に、硬化剤を含んでいてもよい。
硬化剤の種類は特に制限されず、上述した円盤状化合物中に任意で含まれ得る反応性基と反応する基を含む化合物であればよい。硬化剤としては、水酸基、アミノ基、チオール基、イソシアネート基、カルボキシ基、（メタ）アクリロイル基、及び無水カルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する化合物が好ましく、水酸基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、及びチオール基からなる群より選ばれる官能基を有する化合物がより好ましい。
硬化剤は、上記官能基を２個以上含むことが好ましく、２又は３個含むことがより好ましい。
【０１４４】
硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、アクリル系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系硬化剤、フェノール系硬化剤、又は、アミン系硬化剤が好ましい。
【０１４５】
組成物中における硬化剤の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、１〜５０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。
【０１４６】
＜硬化促進剤＞
組成物は、更に、硬化促進剤を含んでいてもよい。
硬化促進剤の種類は制限されず、例えば、トリフェニルホスフィン、２−エチル−４−メチルイミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、及び特開２０１２−６７２２５号公報の段落００５２に記載のものが挙げられる。
組成物中における硬化促進剤の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、０．１〜２０質量％が好ましい。
【０１４７】
＜重合開始剤＞
組成物は、更に、重合開始剤を含んでいてもよい。
特に、電荷移動錯体中の円盤状化合物が反応性基として（メタ）アクリロイル基を有する場合には、組成物は、特開２０１０−１２５７８２号公報の段落００６２及び特開２０１５−０５２７１０号公報の段落００５４に記載の重合開始剤を含むことが好ましい。
また、電荷移動錯体中の円盤状化合物が反応性基としてエポキシ基を有する場合には、組成物は、特開２０１５−０５２７１０号公報の段落００５４に記載の重合開始剤を含むことが好ましい。
組成物中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、０．１〜５０質量％が好ましく、０．１〜３０質量％がより好ましく、０．１〜１０質量％が更に好ましい。
【０１４８】
＜溶媒＞
組成物は、更に、溶媒を含んでいてもよい。
溶媒の種類は特に制限されず、有機溶媒であることが好ましい。有機溶媒としては、例えば、酢酸エチル、メチルエチルケトン、ジクロロメタン、及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。
【０１４９】
＜組成物の製造方法＞
組成物の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、上述した各種成分を公知の方法で混合することにより製造できる。混合する際には、各種成分を一括で混合しても、順次混合してもよい。
また、組成物の製造方法は、（１）予め単離した電荷移動錯体と任意の添加成分とを混合して調製する方法、（２）溶液中にて電子供与体と電子受容体とを混合して電荷移動錯体を生起させた後、電荷移動錯体を単離せずに、上記溶液中に任意の添加成分を添加する方法、又は、（３）電子供与体、電子受容体、溶媒、及び任意の添加成分を混合して、混合液中で電荷移動錯体を生起させる方法のいずれであってもよい。
【０１５０】
上記組成物の製造方法は、溶液中にて電子供与体と電子受容体とを所定量比で混合して形成することが好ましい。つまり、上記（２）又は（３）に示す方法が好ましい。
電子供与体及び電子受容体の混合比としては特に制限されず、電子供与体と電子受容体の質量含有量比（電子供与体／電子受容体）は、例えば、９９/１〜１/９９である。
特に、態様（２）の電荷移動錯体であって、円盤状化合物が式（Ｄ４）で表される化合物（中心環がトリフェニレン環である化合物）である場合、電子供与体と電子受容体の質量含有量比（電子供与体／電子受容体）は、熱伝導材料の熱伝導性により優れる点で、
８５/２５〜９９/１が好ましい。
【０１５１】
＜組成物の硬化方法＞
上記組成物は、硬化性の組成物であることが好ましい。
上記組成物が硬化性の組成物である場合、組成物の硬化方法は特に制限されず、円盤状化合物が任意で含む反応性基の種類によって適宜最適な方法が選ばれる。硬化方法は、例えば、熱硬化反応であっても、光硬化反応であってもよく、熱硬化反応が好ましい。
熱硬化反応の際の加熱温度は特に制限されない。例えば、５０〜２００℃の範囲で適宜選択すればよい。また、熱硬化反応を行う際には、温度の異なる加熱処理を複数回にわたって実施してもよい。
なお、円盤状化合物が液晶性を示す場合、又は組成物が液晶性を示す場合、硬化反応を実施する前に、組成物を加熱することによって組成物中の液晶成分の配向秩序を向上させる工程を実施してもよい。
【０１５２】
なお、硬化反応は、シート状とした組成物に対して実施することが好ましい。具体的には、例えば、組成物を塗布し、得られた塗膜に対して硬化反応を実施すればよい。その際、プレス加工を行ってもよい。
【０１５３】
また、硬化反応は、半硬化反応であってもよい。つまり、得られる硬化物が、いわゆるＢステージ状態（半硬化状態）であってもよい。
上記のような半硬化させた硬化物をデバイス等に接触するように配置した後、更に加熱等によって本硬化させることにより、硬化物である熱伝導材料を含む層とデバイスとの接着性がより向上する。
【０１５４】
＜用途＞
上記組成物は、熱伝導材料として様々な分野に応用できる。なお、熱伝導材料の形状は特に制限されず、例えば、シート状であってもよい。
以下、熱伝導材料に関して詳述する。
【０１５５】
（熱伝導材料）
熱伝導材料は、上述した組成物を用いて形成できる。つまり、上記組成物は、熱伝導材料を形成するために使用できる。なお、硬化反応を含む熱伝導材料の作製については、「高熱伝導性コンポジット材料」（シーエムシー出版、竹澤由高著）を参照できる。
【０１５６】
熱伝導材料は、熱伝導性に優れる材料であり、放熱シート等の放熱材として使用できる。例えば、パワー半導体デバイス等の各種デバイスの放熱用途に使用できる。より具体的には、デバイス上に上記熱伝導材料を含む熱伝導層を配置して熱伝導層付きデバイスを作製することにより、デバイスからの発熱を効率的に熱伝導層で放熱できる。
【０１５７】
熱伝導材料の形状は特に制限されず、用途に応じて、様々な形状に成形されたものであってもよい。典型的には、熱伝導材料は、シート状であることが好ましい。
【０１５８】
なお、上記熱伝導材料は、硬化物であることが好ましく、完全に硬化した状態であってもよく、半硬化状態（上述したＢステージ状態）であってもよい。上述したように、半硬化状態であっても十分な熱伝導性を有するため、各種装置の部材の隙間等の、光硬化のための光を到達させることが困難な部位に配置する放熱材としても使用できる。また、熱伝導性を有する接着剤としての使用も可能である。
【０１５９】
上記熱伝導材料は、他の部材と組み合わせて使用されてもよい。具体的には、例えば、上記熱伝導材料がシート状である場合、シート状の支持体上に、シート状の上記熱伝導材料を積層してもよい。
シート状の支持体としては、プラスチックフィルム、金属フィルム、及びガラス板等が挙げられる。
プ上記ラスチックフィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオレフィン、セルロース誘導体、及びシリコーン等が挙げられる。
上記金属フィルムとしては、例えば、銅フィルムが挙げられる。
【実施例】
【０１６０】
以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により制限的に解釈されるべきものではない。
【０１６１】
〔組成物の調製及び評価〕
［各種成分］
以下に、実施例及び比較例で使用した各種成分を示す。
＜円盤状化合物＞
以下に、実施例及び比較例で使用した円盤状化合物を示す。
【０１６２】
【化３９】
2019116595.tif 000041
【０１６３】
【化４０】
2019116595.tif 000042
【０１６４】
【化４１】
2019116595.tif 000043
【０１６５】
＜酸化剤＞
以下に、実施例で使用した酸化剤を示す。
【０１６６】
【化４２】
2019116595.tif 000044
【０１６７】
【化４３】
2019116595.tif 000045
【０１６８】
【化４４】
2019116595.tif 000046
【０１６９】
（酸化還元電位）
上記化合物（ＩＶ）〜（ＶＩ）の酸化還元電位は、サイクリックボルタンメトリーにより、参照電極として飽和カロメル電極（飽和カロメル参照電極）を用いて測定した。具体的には、支持電解質としてテトラ−ｎ−エチルアンモニウム過塩素酸塩０．１Ｍを含むアセトニトリル中で、試料濃度１×１０-3Ｍのボルタモグラムを測定し、これより得られる半波電位として求めた。なお、作用電極には白金を使用し、測定は２５℃で行った。
上記化合物（ＩＶ）〜（ＶＩ）の酸化還元電位については、表１に示す。
【０１７０】
＜重合開始剤＞
以下に、実施例及び比較例で使用した重合開始剤を示す。
「ラジカル系重合開始剤」：ＶＡｍ−１１０（和光純薬工業社製）
「酸系重合開始剤」：ＳＩ―Ｂ５（三新化学社製）
【０１７１】
＜溶媒＞
溶媒として、ＣＰＯ（シクロペンタノン）を用いた。
【０１７２】
＜無機フィラー＞
無機フィラーとして、以下のフィラーを使用した。
「ＰＴＸ−６０」：凝集状窒化ホウ素（平均粒径：６０μｍ、モーメンティブ製）
「ＡＡ−３」：アルミナ（平均粒径：３μｍ、住友化学製）
「ＡＡ−０４」：アルミナ（平均粒径：０．４μｍ、住友化学製）
【０１７３】
［実施例１］
＜組成物の調製＞
下記表１に示す各種成分を、ＣＰＯ（シクロペンタノン）、電子供与性化合物、電子受容性化合物、及び重合開始剤の順で混合した。得られた混合物を自転公転ミキサー（ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０）で５分間処理することで組成物１を得た。
また、組成物１の最終的な固形分は、表１に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＣＰＯで調整した。
【０１７４】
（電荷移動錯体の形成の確認）
なお、電荷移動錯体の形成は、得られた組成物を用いた紫外可視吸収スペクトル測定により同定した。詳細には、電子供与性化合物単独又は電子受容性化合物単独では現れない新しい吸収帯（電荷移動吸収帯）が長波長側に出現することにより確認した。なお、電荷移動吸収帯のピーク波長（ｎｍ）については、表１に「ＣＴ由来のピーク波長（ｎｍ）」として示す。
【０１７５】
＜熱伝導材料の作製＞
次に、アプリケーターを用いて、ポリエステルフィルム（ＮＰ−１００Ａ  パナック社製、膜厚１００μｍ）の離型面上に組成物１を均一に塗布し、空気下で１時間放置することで塗膜１を得た。
次に、塗膜１の塗膜面を別のポリエステルフィルムで覆い、空気下で熱プレス（熱板温度１６０℃、圧力１２ＭＰａで３０分間処理した後、さらに、１９０℃、圧力１２ＭＰａで２時間）で処理することで塗膜を硬化し、樹脂シートを得た。樹脂シートの両面にあるポリエステルフィルムを剥がし、平均膜厚４１９μｍの熱伝導性シート１を得た。
【０１７６】
＜熱伝導性評価＞
熱伝導性評価は、熱伝導性シート１を用いて実施した。下記の方法で熱伝導率の測定を行い、下記の基準に従って熱伝導性を評価した。
【０１７７】
（熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）の測定）
（１）アイフェイズ社製の「アイフェイズ・モバイル１ｕ」を用いて、熱伝導性シート１の厚み方向の熱拡散率を測定した。
（２）メトラー・トレド社製の天秤「ＸＳ２０４」を用いて、熱伝導性シート１の比重をアルキメデス法（「固体比重測定キット」使用）で測定した。
（３）セイコーインスツル社製の「ＤＳＣ３２０／６２００」を用い、１０℃／分の昇温条件の下、２５℃における熱伝導性シート１の比熱を求めた。
（４）得られた熱拡散率に比重及び比熱を乗じることで、熱伝導性シート１の熱伝導率を算出した。
【０１７８】
（評価基準）
「Ａ」：  １．２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
「Ｂ」：  ０．８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１．２０Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｃ」：  ０．４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上０．８０Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｄ」：  ０．４０Ｗ／ｍ・Ｋ未満
結果を表１に示す。
【０１７９】
［実施例２〜２０、比較例１〜１２］
実施例１と同様の手順により、下記表１及び下記表２に示す実施例２〜２０、比較例１〜１２の各組成物を得た。なお、実施例２〜２０では、組成物中に電荷移動錯体は形成されていることが確認されたが、比較例１〜１２では、組成物中に電荷移動錯体は形成されていなかった。
また、組成物の最終的な固形分は、表１及び表２に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＣＰＯで調整した。
また、実施例１と同様に、得られた各組成物から熱伝導性シート２〜２０、比較用熱伝導性シート１〜１２を作製し、熱伝導性評価試験を実施した。結果を表１及び表２に示す。
【０１８０】
以下、表１及び表２を示す。
表１及び表２において、「含有量(質量％)」とは、組成物中の全固形分に対する各種成分の含有量（質量％）を意味する。
表１中に記載される「構造」は、使用した電子受容性化合物及び電子供与性化合物が、円盤状化合物であるか、又は、上述した式（Ａ）若しくは上述した式（Ｂ）で表される酸化剤であるかを示す。
表１及び表２中に記載される「ラジカル系重合開始剤」とは、ＶＡｍ−１１０（和光純薬社製）を意図し、「酸系重合開始剤」とは、ＳＩ−Ｂ５（三新化学社製）を意図する。
表１中に記載される「電子供与体化合物と電子受容体化合物との質量含有比」は、熱伝導材料用組成物に添加された電子供与体化合物と電子受容体化合物の混合比（電子供与体化合物の含有量／電子受容体化合物の含有量）を意図する。
また、表１及び表２中に記載される「膜厚［μｍ］」は、熱伝導性シートの平均膜厚を意味する。
【０１８１】
【表１】
2019116595.tif 000047
【０１８２】
【表２】
2019116595.tif 000048
【０１８３】
表１及び表２の結果から、実施例の熱伝導材料形成用組成物から得られる熱伝導材料は、熱伝導性に優れることが確認された。
また、実施例１と実施例２の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物とから形成された電荷移動錯体を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例１と実施例７の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が０．５０Ｖ以下である化合物とから形成された電荷移動錯体を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例１、実施例３、及び実施例４の対比、並びに実施例９、実施例１０、及び実施例１１との対比から、熱伝導材料形成用組成物が、重合性基を有する円盤状化合物を含み、得られる熱伝導材料が硬化物である場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例１、実施例３、実施例５、実施例６、実施例８、及び実施例１２の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、飽和カルメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物と、トリフェニレン系化合物を骨格とする円盤状化合物（上述した式（Ｄ４）で表される化合物）とから形成された電荷移動錯体を含み、且つ、上記飽和カルメル電極に対する酸化還元電位が０Ｖ以上である化合物と上記円盤状化合物との質量含有比が８５/２５〜９９/１とを混合して形成された組成物である場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例４、実施例１１、及び実施例１６を対比すると、いずれの実施例においても熱伝導性は「Ｃ」評価であるが、実施例１６の熱伝導材料形成用組成物により得られる熱伝導性材料は、実施例４及び実施例１１と比べると若干劣る結果となった。この結果から、熱伝導材料形成用組成物中の電荷移動錯体を形成する円盤状化合物が、式（Ｄ４）で表される化合物又は式（Ｄ１６）で表される化合物である場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例１７〜実施例２０の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、互いに構造が異なる２種以上の円盤状化合物からなる電荷移動錯体を含み、且つ、上記円盤状化合物の一方が重合性基（例えば、エポキシ基）を含み、上記円盤状化合物の他方が架橋性基（例えば、水酸基）を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。
一方、表２の結果から、比較例の熱伝導材料形成用組成物から得られる熱伝導材料は、所望の性能を満たさないことが明らかとなった。
【０１８４】
［実施例２１］
下記表３に示す各種成分を、ＣＰＯ（シクロペンタノン）、電子供与性化合物、電子受容性化合物、重合開始剤、及び無機フィラーの順で混合した。得られた混合物を自転公転ミキサー（ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０）で５分間処理することで組成物２１を得た。
また、組成物２１の最終的な固形分は、表３に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＣＰＯで調整した。
【０１８５】
次に、アプリケーターを用いて、ポリエステルフィルム（ＮＰ−１００Ａ  パナック社製、膜厚１００μｍ）の離型面上に組成物２１を均一に塗布し、空気下で１時間放置することで塗膜２１を得た。
次に、塗膜２１の塗膜面を別のポリエステルフィルムで覆い、空気下で熱プレス（熱板温度１６０℃、圧力１２ＭＰａで３０分間処理した後、さらに、１９０℃、圧力１２ＭＰａで２時間）で処理することで塗膜を硬化し、樹脂シートを得た。樹脂シートの両面にあるポリエステルフィルムを剥がし、平均膜厚４２１μｍの熱伝導性シート２１を得た。
【０１８６】
＜熱伝導性評価＞
熱伝導性評価は、熱伝導性シート２１を用いて実施した。下記の方法で熱伝導率の測定を行い、下記の基準に従って熱伝導性を評価した。
【０１８７】
（熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）の測定）
（１）アイフェイズ社製の「アイフェイズ・モバイル１ｕ」を用いて、熱伝導性シート１の厚み方向の熱拡散率を測定した。
（２）メトラー・トレド社製の天秤「ＸＳ２０４」を用いて、熱伝導性シート１の比重をアルキメデス法（「固体比重測定キット」使用）で測定した。
（３）セイコーインスツル社製の「ＤＳＣ３２０／６２００」を用い、１０℃／分の昇温条件の下、２５℃における熱伝導性シート１の比熱を求めた。
（４）得られた熱拡散率に比重及び比熱を乗じることで、熱伝導性シート１の熱伝導率を算出した。
【０１８８】
（評価基準）
「Ａ」：  １２Ｗ／ｍ・Ｋ以上
「Ｂ」：  ９Ｗ／ｍ・Ｋ以上１２Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｃ」：  ６Ｗ／ｍ・Ｋ以上９Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｄ」：  ６Ｗ／ｍ・Ｋ未満
結果を表３に示す。
【０１８９】
［実施例２２〜３１、比較例１３〜１８］
また、得られた各組成物から熱伝導性シート２２〜３１、比較用熱伝導性シート１３〜１８を作製し、実施例２１と同様の熱伝導性評価試験を実施した。結果を表３に示す。
【０１９０】
以下、表３を示す。
表３において、「含有量(質量％)」とは、組成物中の全固形分に対する各種成分の含有量（質量％）を意味する。
表３中に記載される「ラジカル系重合開始剤」とは、ＶＡｍ−１１０（和光純薬社製）を意図し、「酸系重合開始剤」とは、ＳＩ−Ｂ５（三新化学社製）を意図する。
表３中に記載される「電子供与体化合物と電子受容体化合物との質量含有比」は、熱伝導材料用組成物に添加された電子供与体化合物と電子受容体化合物の混合比（電子供与体化合物の含有量／電子受容体化合物の含有量）を意図する。
また、表３中に記載される「膜厚［μｍ］」は、熱伝導性シートの平均膜厚を意味する。
【０１９１】
【表３】
2019116595.tif 000049
【０１９２】
表３の結果から、熱伝導材料形成用組成物が無機物を含む場合、得られる熱伝導材料は、熱伝導性にさらに優れることが確認された。
一方、表３の結果から、比較例の熱伝導材料形成用組成物から得られる熱伝導材料は、実施例品の基準を満たさないことが明らかである。