(57)【要約】      （修正有）【課題】１つの開口に複数の種類の電子部品を収容するためのプリント配線板を提供する。【解決手段】プリント配線板１０は、コア基板３０に形成されている１つの開口３１に複数の種類の電子部品３２が内蔵される。１つの開口３１に第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎが内蔵される。隣接する第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎとの間のスペースの大きさは１０μｍ以上、５０μｍ以下である。第１電子部品３２Ｐとコア基板３０との間のスペースの大きさは１５μｍ以上、５０μｍ以下である。第２電子部品３２Ｎとコア基板３０との間のスペースの大きさは１５μｍ以上、５０μｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第５面と前記第５面と反対側の第６面とを有するコア材と前記コア材を貫通し、複数の第１電子部品と複数の第２電子部品を収容するための開口とを有するコア基板と、
前記開口に収容されている複数の前記第１電子部品と、
前記開口に収容されている複数の前記第２電子部品と、
前記開口内に形成されていて、複数の前記第１電子部品と複数の前記第２電子部品を前記コア基板に固定するための樹脂と、
前記第５面と前記開口上に形成さている第１樹脂絶縁層を含む第１ビルドアップ層と、
前記第６面と前記開口上に形成さている第２樹脂絶縁層を含む第２ビルドアップ層、とを有するプリント配線板であって、
前記樹脂は前記第１樹脂絶縁層に由来していて、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間のスペースの大きさは、１０μｍ以上、５０μｍ以下であって、前記開口から露出する前記コア基板の側壁と前記側壁に面する前記第１電子部品との間のスペースの大きさは、１５μｍ以上、５０μｍ以下であって、前記開口から露出する前記コア基板の側壁と前記側壁に面する前記第２電子部品との間のスペースの大きさは、１５μｍ以上〜５０μｍ以下である。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１電子部品はＰ型の熱電素子であって、前記第２電子部品はＮ型の熱電素子である。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１電子部品と前記第２電子部品は行と列の交点に位置し、両者は交互に配置されている。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、前記第１電子部品と前記第２電子部品の内の一つが必ず前記交点上に位置している。
【請求項５】
請求項３のプリント配線板であって、前記開口と前記第１電子部品と前記第２電子部品の形状は直方体であって、前記開口から露出する前記コア基板の側壁は前記第１電子部品の側壁と略平行であって、前記開口から露出する前記コア基板の側壁は前記第２電子部品の側壁と略平行である。
【請求項６】
請求項３のプリント配線板であって、前記行の数と前記列の数は同じである。
【請求項７】
請求項３のプリント配線板であって、前記行の数は４以上であって、前記列の数４以上である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、開口に第１電子部品と第２電子部品を収容しているプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ペルチェ素子を内蔵しているメタル基板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−３９０５０号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１は、メタル基板にスルーホールを形成している。そして、特許文献１は、各スルーホールに１個の半導体素子を収容している。そのため、特許文献１によれば、メタル基板に内蔵する半導体素子の数が増えると、基板が大きくなると、予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、第５面と前記第５面と反対側の第６面とを有するコア材と前記コア材を貫通し、複数の第１電子部品と複数の第２電子部品を収容するための開口とを有するコア基板と、前記開口に収容されている複数の前記第１電子部品と、前記開口に収容されている複数の前記第２電子部品と、前記開口内に形成されていて、複数の前記第１電子部品と複数の前記第２電子部品を前記コア基板に固定するための樹脂と、前記第５面と前記開口上に形成さている第１樹脂絶縁層を含む第１ビルドアップ層と、前記第６面と前記開口上に形成さている第２樹脂絶縁層を含む第２ビルドアップ層、とを有する。そして、前記樹脂は前記第１樹脂絶縁層に由来していて、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間のスペースの大きさは、１０μｍ以上、５０μｍ以下であって、前記開口から露出する前記コア基板の側壁と前記側壁に面する前記第１電子部品との間のスペースの大きさは、１５μｍ以上、５０μｍ以下であって、前記開口から露出する前記コア基板の側壁と前記側壁に面する前記第２電子部品との間のスペースの大きさは、１５μｍ以上〜５０μｍ以下である。
【０００６】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、コア基板に形成されている１個の開口に複数の第１電子部品と複数の第２電子部品が収容される。そのため、第１電子部品と第２電子部品との間にコア基板が形成されなくてもよい。また、第１電子部品と第２電子部品との間のスペースの大きさが所定の値以下である。第１電子部品とコア基板との間のスペースの大きさが所定の値以下である。第２電子部品とコア基板との間のスペースの大きさが所定の値以下である。スペースの大きさが所定の値以下であるので、開口の大きさを小さくすることができる。プリント配線板を小さくすることができる。
第１電子部品と第２電子部品との間のスペースの大きさが所定の値以上である。第１電子部品とコア基板との間のスペースの大きさが所定の値以上である。第２電子部品とコア基板との間のスペースの大きさが所定の値以上である。１つの開口に複数の種類の電子部品が内蔵されても、異なる電子部品間に樹脂を充填することができる。異なる電子部品間の絶縁信頼性と接続信頼性を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）、（Ｃ）は電子部品の断面図であり、図１（Ｄ）、（Ｅ）はビア導体の断面図である。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、第１実施形態の電子部品の収容方法を示す図であり、図２（Ｃ）は電子部品の配置を示す図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】図６（Ａ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図６（Ｂ）は内蔵部品用配線の一部を示す模式図であり、図６（Ｃ）、（Ｄ）は電子部品の位置を示す図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）は、第２実施形態の電子部品の収容方法を示す図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は電子部品を繋ぐ配線を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板１０の断面図である。プリント配線板１０は、第５面Ｆと第５面Ｆと反対側の第６面Ｓとを有するコア基板３０とコア基板３０の第５面Ｆ上に形成されている第１ビルドアップ層５５Ｆとコア基板の第６面Ｓ上に形成されている第２ビルドアップ層５５Ｓとを有する。
【０００９】
コア基板３０は、第５面Ｆと第５面Ｆと反対側の第６面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚとコア材２０ｚの第５面上に形成されている第５導体層３４Ｆとコア材２０ｚの第６面Ｓ上に形成されている第６導体層３４Ｓと第５導体層３４Ｆと第６導体層３４Ｓとを接続するスルーホール導体３６とを有する。コア基板３０は、さらに、第５面Ｆから第６面Ｓに至る開口３１を有する。開口３１には、複数の第１電子部品３２Ｐと複数の第２電子部品３２Ｎが収容されている。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎ間のスペースは樹脂５３で充填されている。第１電子部品３２Ｐとコア基板３０間のスペースは樹脂５３で充填されている。第２電子部品３２Ｎとコア基板３０間のスペースは樹脂５３で充填されている。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは樹脂５３によってコア基板３０に固定されている。
【００１０】
図１（Ｂ）に第１電子部品３２Ｐが示される。
第１電子部品３２Ｐは、両端に電極３２Ｐ１、３２Ｐ２を有する。例えば、第１電子部品３２Ｐは、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｓ１とを持つＰ型の半導体素子３２１と第１面Ｆ１上の第１電極３２Ｐ１と第２面Ｓ１上の第２電極３２Ｐ２で形成される。Ｐ型の半導体素子３２１は、第１電極３２Ｐ１と第２電極３２Ｐ２で挟まれている。
第１電極３２Ｐ１はコア基板３０の第５面Ｆを向いていて、第２電極３２Ｐ２はコア基板３０の第６面Ｓを向いている。Ｐ型の半導体素子はＰ型の熱電素子であることが好ましい。
第１電子部品３２Ｐは第１電極３２Ｐ１が第５面Ｆを向くように開口３１に内蔵される。
【００１１】
図１（Ｃ）に第２電子部品３２Ｎが示される。
第２電子部品３２Ｎは、両端に電極３２Ｐ３、３２Ｐ４を有する。例えば、第２電子部品３２Ｎは、第３面Ｆ２と第３面Ｆ２と反対側の第４面Ｓ２とを持つＮ型の半導体素子３２２と第３面Ｆ２上の第３電極３２Ｐ３と第４面Ｓ２上の第４電極３２Ｐ４で形成される。Ｎ型の半導体素子３２２は、第３電極３２Ｐ３と第４電極３２Ｐ４で挟まれている。
第３電極３２Ｐ３はコア基板３０の第５面Ｆを向いていて、第４電極３２Ｐ４はコア基板３０の第６面Ｓを向いている。Ｎ型の半導体素子はＮ型の熱電素子であることが好ましい。第２電子部品３２Ｎは第３電極３２Ｐ３が第５面Ｆを向くように開口３１に内蔵される。
【００１２】
第１ビルドアップ層５５Ｆは、コア基板３０の第５面Ｆと第５導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第１導体層５８Ｆと、第１導体層５８Ｆと第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層１５０Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている第３導体層１５８Ｆ、とを有する。第１樹脂絶縁層５０Ｆは開口３１を覆っている。樹脂５３と第１樹脂絶縁層５０Ｆは一体的に形成されている。第１樹脂絶縁層５０Ｆに由来する樹脂が第１電子部品３２Ｐと開口３１から露出するコア基板３０の側壁との間のスペースを充填している。第１樹脂絶縁層５０Ｆに由来する樹脂が第２電子部品３２Ｎと開口３１から露出するコア基板３０の側壁との間のスペースを充填している。第１樹脂絶縁層５０Ｆに由来する樹脂が第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎとの間のスペースを充填している。第１樹脂絶縁層５０Ｆ由来の成分が樹脂５３を形成する。樹脂５３は、第１樹脂絶縁層５０Ｆ由来の樹脂と無機粒子を含むことができる。
【００１３】
第１導体層５８Ｆは、開口３１の直上に形成されている第１導体回路５８ＦＷとコア材２０ｚの直上に形成されているコア材上第１導体回路５８ＦＣとを有する。第１導体回路５８ＦＷにより、隣接する第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎが接続される。
【００１４】
図８（Ａ）は、第１導体回路５８ＦＷを示している平面図である。第１導体回路５８ＦＷは、第１電極３２Ｐ１を覆う第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１と第３電極３２Ｐ３を覆う第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３と第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１と第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３を繋ぐ第１配線５８ｆＷを含む。第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１は第１電極３２Ｐ１上に位置し、第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１のサイズは第１電極３２Ｐ１のサイズより大きい。第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３は第３電極３２Ｐ３上に位置し、第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３のサイズは第３電極３２Ｐ３のサイズより大きい。第１配線５８ｆＷの幅５８ｆＷＤは第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１の幅５８ＦＷＤ１と等しい。あるいは、第１配線５８ｆＷの幅５８ｆＷＤは第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１の幅５８ＦＷＤ１より小さい。第１配線５８ｆＷの幅５８ｆＷＤは第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３の幅５８ＦＷＤ３と等しい。あるいは、第１配線５８ｆＷの幅５８ｆＷＤは第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３の幅５８ＦＷＤ３より小さい。
第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１内の点線は第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１の頂部の外周を示している。第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１と第１電極３２Ｐ１は、複数の第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１で接続されている。
第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３内の点線は第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３の頂部の外周を示している。第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３と第３電極３２Ｐ３は、複数の第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３で接続されている。
１つの第１電極３２Ｐ１上に１つの第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１が形成されている。１つの第３電極３２Ｐ３上に１つの第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３が形成されている。
【００１５】
第１ビルドアップ層５５Ｆは、さらに、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第１ビア導体６０Ｆと第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第３ビア導体１６０Ｆとを有する。第１ビア導体６０Ｆは、第５導体層３４Ｆとコア材上第１導体回路５８ＦＣとを接続するビア導体（第５導体層用第１ビア導体）６０Ｆ５と第１電極３２Ｐ１と第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１とを接続するビア導体（第１電極用第１ビア導体）６０Ｆ１と第３電極３２Ｐ３と第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３とを接続するビア導体（第３電極用第１ビア導体）６０Ｆ３とを有する。１つの第１電極３２Ｐ１と１つの第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１を接続する第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１の数は複数である。例えば、１つの第１電極３２Ｐ１に至る第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１の数は２０以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品３２が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。１つの第３電極３２Ｐ３と１つの第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３を接続する第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３の数は複数である。例えば、１つの第３電極３２Ｐ３に至る第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３の数は２０以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品３２が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。
【００１６】
第１樹脂絶縁層５０Ｆは第５面Ｆと対向するボトム面ＢＦとボトム面ＢＦと反対側のトップ面ＴＦを有する。そして、第５導体層用第１ビア導体６０Ｆ５と第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１と第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３はトップ面ＴＦの位置でトップ径ＴＤＦを有する。第５導体層用第１ビア導体６０Ｆ５のトップ径ＴＤＦと第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１のトップ径ＴＤＦと第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３のトップ径ＴＤＦは略等しい。トップ径ＴＤＦは図１（Ｄ）に示されている。
【００１７】
第２ビルドアップ層５５Ｓは、コア基板３０の第６面Ｓと第６導体層３４Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている第２導体層５８Ｓと、第２導体層５８Ｓと第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている第４導体層１５８Ｓ、とを有する。
【００１８】
第２導体層５８Ｓは、開口３１の直上に形成されている第２導体回路５８ＳＷとコア材２０ｚの直上に形成されているコア材上第２導体回路５８ＳＣとを有する。
第２導体回路５８ＳＷにより、隣接する第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎが接続される。
【００１９】
図８（Ｂ）は、第２導体回路５８ＳＷを示している平面図である。第２導体回路５８ＳＷは、第２電極３２Ｐ２を覆う第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２と第４電極３２Ｐ４を覆う第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４と第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２と第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４を繋ぐ第２配線５８ｓＷを含む。第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２は第２電極３２Ｐ２上に位置し、第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２のサイズは第２電極３２Ｐ２のサイズより大きい。第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４は第４電極３２Ｐ４上に位置し、第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４のサイズは第４電極３２Ｐ４のサイズより大きい。第２配線５８ｓＷの幅５８ｓＷＤは第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２の幅５８ＳＷＤ２と等しい。あるいは、第２配線５８ｓＷの幅５８ｓＷＤは第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２の幅５８ＳＷＤ２より小さい。第２配線５８ｓＷの幅５８ｓＷＤは第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４の幅５８ＳＷＤ４と等しい。あるいは、第２配線５８ｓＷの幅５８ｓＷＤは第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４の幅５８ＳＷＤ４より小さい。
第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２内の点線は第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２の頂部の外周を示している。第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２と第２電極３２Ｐ２は、複数の第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２で接続されている。
第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４内の点線は第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４の頂部の外周を示している。第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４と第４電極３２Ｐ４は、複数の第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４で接続されている。
１つの第２電極３２Ｐ２上に１つの第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２が形成されている。１つの第４電極３２Ｐ４上に１つの第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４が形成されている。
【００２０】
第２ビルドアップ層５５Ｓは、さらに、第２樹脂絶縁層５０Ｓを貫通する第２ビア導体６０Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通する第４ビア導体１６０Ｓとを有する。第２ビア導体６０Ｓは、第６導体層３４Ｓとコア材上第２導体回路５８ＳＣとを接続するビア導体（第６導体層用第２ビア導体）６０Ｓ６と第２電極３２Ｐ２と第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２とを接続するビア導体（第２電極用第２ビア導体）６０Ｓ２と第４電極３２Ｐ４と第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４とを接続するビア導体（第４電極用第２ビア導体）６０Ｓ４とを有する。１つの第２電極３２Ｐ２と１つの第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２を接続する第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２の数は複数である。例えば、１つの第２電極３２Ｐ２に至る第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２の数は２０以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品３２が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。１つの第４電極３２Ｐ４と１つの第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４を接続する第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４の数は複数である。例えば、１つの第４電極３２Ｐ４に至る第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４の数は２０以上である。放熱の効果を高くすることができる。電子部品３２が伸び縮みしても、接続信頼性を高くすることができる。
【００２１】
第２樹脂絶縁層５０Ｓは第６面Ｓと対向するボトム面ＢＳとボトム面ＢＳと反対側のトップ面ＴＳを有する。そして、第６導体層用第２ビア導体６０Ｓ６と第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２と第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４はトップ面ＴＳの位置でトップ径ＴＤＳを有する。第６導体層用第２ビア導体６０Ｓ６のトップ径ＴＤＳと第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２のトップ径ＴＤＳと第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４のトップ径ＴＤＳは略等しい。トップ径ＴＤＳは図１（Ｅ）に示されている。
【００２２】
第４導体層１５８Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓを形成することができる。開口７１Ｓから露出する第４導体層１５８Ｓは、マザーボード等の配線板と接続するための第２パッド７３Ｓを形成する。
【００２３】
第３樹脂絶縁層１５０Ｆと第３導体層１５８Ｆ上に開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆを形成することができる。開口７１Ｆから露出する第３導体層１５８Ｆは、電子部品を搭載するための第１パッド７３Ｆを形成する。第１パッド７３Ｆ上に搭載される電子部品の例は、ＬＥＤやパワー半導体であり、駆動時、発熱量が大きい。
【００２４】
第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎと第１導体回路５８ＦＷと第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１と第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３と第２導体回路５８ＳＷと第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２と第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４の接続方法が模式的に図６（Ｂ）と図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示されている。図６（Ｂ）は断面図である。これらの図に示されるように、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは、第１導体回路５８ＦＷと第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１と第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３と第２導体回路５８ＳＷと第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２と第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４を介し、直列に接続されている。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは、交互に接続されている。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは交互に配置されていて、両者は直列に繋げられている。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎ間の第１導体回路５８ＦＷでの接続と第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎ間の第２導体回路５８ＳＷでの接続は交互に繰り返される。
【００２５】
図１（Ａ）に示されるように、第２パッド７３Ｓは、プラス電位を持つ第２パッド（プラスパッド）７３ＳＰとマイナス電位を持つ第２パッド（マイナスパッド）７３ＳＮを有する。そして、複数の第１電子部品３２Ｐと複数の第２電子部品３２Ｎは、プラスパッド７３ＳＰとマイナスパッド７３ＳＮ間に配置されている。プラスパッド７３ＳＰから第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎを介しマイナスパッド７３ＳＮに至る配線（内蔵部品用配線）はプリント配線板１０内で独立している。内蔵部品用配線は、第１導体回路５８ＦＷと第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１と第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３と第２導体回路５８ＳＷと第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２と第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４を含む。内蔵部品用配線は内蔵部品用配線以外のプリント配線板内の導体回路に繋がっていない。プリント配線板１０内を伝送するデータが劣化しがたい。開口３１を囲んでいるスルーホール導体３６Ｓは内蔵部品用配線に含まれる。例えば、内蔵部品用配線に含まれるスルーホール導体３６Ｓの数は２である。図８（Ａ）の左上の第１導体回路５８ＦＷＬＵは、開口３１上の位置からコア材２０ｚ上の位置へ延びていて、スルーホール導体３６Ｓに繋がっている。図８（Ａ）の左下の第１導体回路５８ＦＷＬＬは、開口３１上の位置からコア材２０ｚ上の位置へ延びていて、スルーホール導体３６Ｓに繋がっている。
プラスパッドより低い電位を持つ第２パッドはマイナスパッドに含められる。
【００２６】
第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは、第１ビア導体６０Ｆを介し、第１導体回路５８ＦＷに接続されている。そのため、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎがコア基板内に内蔵されても、第１導体回路５８ＦＷを介し、熱を第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎに伝えることができる。効率的に熱を第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎに伝えることができる。プリント配線板に実装される電子部品の温度上昇を抑えることができる。例えば、熱は第１パッド７３Ｆ上に搭載される電子部品から生じる。断面方向において、コア基板３０はプリント配線板の略中心に位置する。断面方向は第５面Ｆに対し垂直である。
【００２７】
第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは、第２ビア導体６０Ｓを介し、第２導体回路５８ＳＷに接続されている。そのため、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎがコア基板内に内蔵されても、第２導体回路５８ＳＷを介し、熱を外部に伝えることができる。効率的に熱を外部に伝えることができる。例えば、熱をマザーボードに伝えることができる。プリント配線板に実装される電子部品の温度上昇を抑えることができる。
【００２８】
コア材２０ｚは、エポキシなどの樹脂とガラスクロス等の補強材で形成されている。コア材２０ｚは、さらに、シリカ等の無機粒子を有しても良い。第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓ、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓは、エポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓ、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。
【００２９】
第１実施形態のプリント配線板１０では、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎに電流を流すことで、第１パッド７３Ｆに実装されている電子部品からの熱を第２パッド７３Ｓを介して配線板に伝えることができる。
【００３０】
図２（Ｂ）は、コア基板３０の開口３１に収容されている第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎの配置を示している。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは交互に配置されている。第１電子部品３２Ｐの隣に第２電子部品３２Ｎが位置している。図２（Ｂ）に示されるように、図面上で、第１電子部品３２Ｐの上に位置する電子部品は第２電子部品３２Ｎであり、第１電子部品３２Ｐの下に位置する電子部品は第２電子部品３２Ｎであり、第１電子部品３２Ｐの右に位置する電子部品は第２電子部品３２Ｎであり、第１電子部品３２Ｐの左に位置する電子部品は第２電子部品３２Ｎである。第２電子部品３２Ｎの上に位置する電子部品は第１電子部品３２Ｐであり、第２電子部品３２Ｎの下に位置する電子部品は第１電子部品３２Ｐであり、第２電子部品３２Ｎの右に位置する電子部品は第１電子部品３２Ｐであり、第２電子部品３２Ｎの左に位置する電子部品は第１電子部品３２Ｐである。
１つの開口３１内に収容される第１電子部品３２Ｐの数と第２電子部品３２Ｎの数は等しい。
【００３１】
１つの開口３１に複数の種類の電子部品が内蔵される。電子部品の例が第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎである。また、各種の電子部品の数は複数である。隣接する電子部品間にコア基板３０が存在しない。隣接する電子部品間にコア材２０ｚが存在しない。そのため、電子部品を収容するための開口３１の大きさを小さくすることができる。プリント配線板１０の大きさを小さくすることができる。第１電子部品３２Ｐの数は１０以上であり、第２電子部品３２Ｎの数は１０以上である。
【００３２】
例えば、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎの形状は、立方体である。各辺の長さの例は１ｍｍである。
【００３３】
図２（Ｂ）に示されるように隣接する第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎとの間にスペースｓｅが存在する。スペースｓｅの幅ｓｅＤは、１０μｍ以上、５０μｍ以下である。スペースｓｅが存在するので、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎ間の干渉を抑えることができる。
図２（Ｂ）に示されるようにコア基板３０と第１電子部品３２Ｐとの間にスペースｓｗが存在する。コア基板３０と第２電子部品３２Ｎとの間にスペースｓｗが存在する。スペースｓｗの幅ｓｗＤは、１５μｍ以上、５０μｍ以下である。スペースｓｗが存在するので、第１電子部品３２Ｐと第５導体層３４Ｆ間の干渉を抑えることができる。第２電子部品３２Ｎと第５導体層３４Ｆ間の干渉を抑えることができる。第１電子部品３２Ｐと第６導体層３４Ｓ間の干渉を抑えることができる。第２電子部品３２Ｎと第６導体層３４Ｓ間の干渉を抑えることができる。
【００３４】
第１実施形態のプリント配線板１０によれば、１個の開口３１に複数の電子部品（第１電子部品３２Ｐ、第２電子部品３２Ｎ）３２が収容される。多数の電子部品がプリント配線板１０に内蔵されても、プリント配線板１０のサイズを小さくすることができる。プリント配線板に複数の電子部品が内蔵されても、小さくて高い冷却効果を有するプリント配線板１０を提供することができる。
【００３５】
スペースｓｅとスペースｓｗに第１樹脂絶縁層５０Ｆ由来の樹脂５３が充填される。このため、開口３１内に形成されている樹脂５３と第１樹脂絶縁層５０Ｆは一体的に形成される。樹脂５３と第１樹脂絶縁層５０Ｆとの間に界面が形成されない。そのため、開口３１内の電子部品３２が熱膨張と熱収縮を繰り返しても樹脂５３と第１樹脂絶縁層５０Ｆとの間で剥離が生じない。高い信頼性を有するプリント配線板１０を提供することができる。スペースｓｅとスペースｓｗの大きさｓｅＤ、ｓｗＤが適切な範囲であるので、スペースｓｅ、ｓｗに第１樹脂絶縁層５０Ｆ由来の樹脂５３が入り込むことができる。スペースｓｅ、ｓｗを第１樹脂絶縁層５０Ｆ由来の樹脂５３で充填することができる。
【００３６】
第１配線５８ｆＷは異種の電子部品のみを接続している。第２配線５８ｓＷは異種の電子部品のみを接続している。同種の電子部品間の干渉を抑えることができる。例えば、個々の電子部品が最大の能力を発揮することができる。放熱の効果を高くすることができる。
【００３７】
[第１実施形態の製造方法]
図３〜図５は第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。
両面銅張り積層板２０が用意される（図３（Ａ））。両面銅張り積層板２０は、第５面Ｆと第５面Ｆと反対側の第６面Ｓとを有するコア材２０ｚとコア材２０ｚの両面に積層されている銅箔２２で形成されている。
【００３８】
両面銅張り積層板２０にスルーホール導体用の貫通孔が形成される。スルーホール導体用の貫通孔にスルーホール導体３６が形成される。その後、サブトラクティブ法で、コア材２０ｚの第５面Ｆ上に第５導体層３４Ｆが形成される。コア材２０ｚの第６面Ｓ上に第６導体層３４Ｓが形成される。第５導体層３４Ｆと第６導体層３４Ｓはスルーホール導体３６で接続される。回路基板が完成する。第５導体層３４ＦはアライメントマークＴＭを有する。アライメントマークＴＭを基準として、回路基板の中央部に回路基板を貫通する開口３１が形成される。第５面Ｆと第５面Ｆと反対側の第６面Ｓとを有するコア基板３０が完成する（図３（Ｂ））。コア基板３０は、第５導体層３４Ｆと第６導体層３４Ｓとスルーホール導体３６と開口３１を有する。コア基板３０の第５面Ｆとコア材２０ｚの第５面Ｆは同じ面であり、コア基板３０の第６面Ｓとコア材２０ｚの第６面Ｓは同じ面である。
【００３９】
コア基板３０の第６面Ｓ上にテープ１８が貼られ、開口３１が塞がれる（図３（Ｃ））。アライメントマークＴＭを基準として、まず、開口３１から露出するテープ上に第１電子部品３２Ｐが１個ずつ搭載される。この時、図２（Ａ）に示されるように、第１電子部品３２Ｐは、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎを搭載するための空間ＳＰが隣り合うように、テープ１８上に搭載される（図３（Ｄ））。第１電子部品３２Ｐは行と列に配置され、第１電子部品３２Ｐと空間ＳＰが交互に配置される。第１電子部品３２Ｐの搭載が完了する。１つの開口３１内に収容される全ての第１電子部品３２Ｐがテープ１８上に搭載される。その後、アライメントマークＴＭを基準として、開口３１と第１電子部品３２Ｐから露出するテープ上に第２電子部品が１個ずつ搭載される。この時、図２（Ｂ）に示されるように、空間ＳＰに第２電子部品３２Ｎが置かれる。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは隣り合っている。第２電子部品３２Ｎは行と列に配置され、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎが交互に配置される（図４（Ａ））。図２（Ｃ）に示されるように、第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎは行と列の交点に配置される。行の数と列の数は同じである。行の数は４以上であり、列の数は４以上である。第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、まず、開口３１内に全ての第１電子部品３２Ｐが収容される。その後、開口３１内に全ての第２電子部品３２Ｎが収容される。このため、２種類の電子部品３２Ｐ、３２Ｎを正しい位置に収容することができる。同一のアライメントマークＴＭを基準として、開口３１の形成と電子部品３２Ｐ、３２Ｎの搭載が行われる。このため、開口３１と電子部品３２Ｐ、３２Ｎ間の位置精度を高くすることができる。第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎ間の位置精度を高くすることができる。スペースｓｅの幅ｓｅＤを所定の範囲（１０μｍ以上、５０μｍ以下）にすることができる。スペースｓｗの幅ｓｗＤを所定の範囲（１５μｍ以上、５０μｍ以下）にすることができる。
【００４０】
第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎの搭載順序は自由である。
【００４１】
電子部品３２Ｐ、３２Ｎがテープ１８上に搭載されると、未硬化の樹脂絶縁層形成用フィルムがコア基板３０の第５面Ｆ上に積層される。この時、樹脂絶縁層形成用フィルムは開口３１を覆っている。その後、加熱プレスにより、樹脂絶縁層形成用フィルムが軟化する。樹脂絶縁層形成用フィルム由来の無機粒子を含む樹脂で、スペースｓｅとスペースｓｗが充填される（図４（Ｂ））。樹脂絶縁層形成用フィルムとスペースｓｅを充填している樹脂とスペースｓｗを充填している樹脂が硬化する。コア基板３０と開口３１上に第１樹脂絶縁層５０Ｆが形成される。スペースｓｅとスペースｓｗを充填している樹脂５３が形成される。第１樹脂絶縁層５０Ｆと樹脂５３は一体的に形成されている。
【００４２】
第１樹脂絶縁層５０Ｆは第５面Ｆと対向するボトム面ＢＦとボトム面ＢＦと反対側のトップ面ＴＦを有する。
【００４３】
コア基板３０からテープ１８が除去される。コア基板３０の第６面Ｓと開口３１上に第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成される（図４（Ｃ））。
【００４４】
第２樹脂絶縁層５０Ｓは第６面Ｓと対向するボトム面ＢＳとボトム面ＢＳと反対側のトップ面ＴＳを有する。
【００４５】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体層５８Ｆが形成される。同時に、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第１ビア導体６０Ｆが形成される。第１導体層５８Ｆと第１ビア導体６０Ｆはセミアディティブ法で形成される。第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第１ビア導体用の開口が形成される。そして、その開口を充填することで、第１ビア導体６０Ｆは形成される。第１ビア導体用の開口は、第１樹脂絶縁層５０Ｆのトップ面ＴＦの位置にトップ径ＴＤＦを有する。
第１導体層５８Ｆは、１つの第１電子部品３２Ｐ上に形成されている第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１と１つの第２電子部品３２Ｎ上に形成されている第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３を含む。第１電極上第１導体回路５８ＦＷ１と第３電極上第１導体回路５８ＦＷ３は複数形成されている。１つの第１配線５８ｆＷにより、隣り合う第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎが接続される。１つの第１配線５８ｆＷにより、１つの第１電子部品３２Ｐと１つの第２電子部品３２Ｎが接続される。
第１ビア導体６０Ｆは第１導体層５８Ｆと第５導体層３４Ｆを接続する第５導体層用第１ビア導体６０Ｆ５と第１電極３２Ｐ１と第１導体回路５８ＦＷとを接続する第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１と第３電極３２Ｐ３と第１導体回路５８ＦＷとを接続する第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３とを有する。第５導体層用第１ビア導体６０Ｆ５はトップ面ＴＦの位置にトップ径ＴＤＦを有する。第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１はトップ面ＴＦの位置にトップ径ＴＤＦを有する。第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３はトップ面ＴＦの位置にトップ径ＴＤＦを有する。第５導体層用第１ビア導体６０Ｆ５のトップ径ＴＤＦと第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１のトップ径ＴＤＦと第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３のトップ径ＴＤＦは略等しい。第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１と第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３は、アライメントマークＴＭを基準として形成されている。
１つの第１電極３２Ｐ１と第１導体回路５８ＦＷは、複数の第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１で接続される。例えば、１つの第１電極３２Ｐ１と第１導体回路５８ＦＷを接続する第１電極用第１ビア導体６０Ｆ１の数は３０以上、４０以下である。
１つの第３電極３２Ｐ３と第１導体回路５８ＦＷは、複数の第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３で接続される。例えば、１つの第３電極３２Ｐ３と第１導体回路５８ＦＷを接続する第３電極用第１ビア導体６０Ｆ３の数は３０以上、４０以下である。
【００４６】
第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体層５８Ｓが形成される。同時に、第２樹脂絶縁層５０Ｓを貫通する第２ビア導体６０Ｓが形成される。第２導体層５８Ｓと第２ビア導体６０Ｓはセミアディティブ法で形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｓを貫通する第２ビア導体用の開口が形成される。そして、その開口を充填することで、第２ビア導体６０Ｓは形成される。第２ビア導体用の開口は、第２樹脂絶縁層５０Ｓのトップ面ＴＳの位置にトップ径ＴＤＳを有する。
第２導体層５８Ｓは、１つの第１電子部品３２Ｐ上に形成されている第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２と１つの第２電子部品３２Ｎ上に形成されている第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４を含む。第２電極上第２導体回路５８ＳＷ２と第４電極上第２導体回路５８ＳＷ４は複数形成されている。１つの第２配線５８ｓＷにより、隣り合う第１電子部品３２Ｐと第２電子部品３２Ｎが接続される。１つの第２配線５８ｓＷにより、１つの第１電子部品３２Ｐと１つの第２電子部品３２Ｎが接続される。
第２ビア導体６０Ｓは第２導体層５８Ｓと第６導体層３４Ｓを接続する第６導体層用第２ビア導体６０Ｓ６と第２電極３２Ｐ２と第２導体回路５８ＳＷとを接続する第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２と第４電極３２Ｐ４と第２導体回路５８ＳＷとを接続する第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４とを有する。第６導体層用第２ビア導体６０Ｓ６はトップ面ＴＳの位置にトップ径ＴＤＳを有する。第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２はトップ面ＴＳの位置にトップ径ＴＤＳを有する。第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４はトップ面ＴＳの位置にトップ径ＴＤＳを有する。第６導体層用第２ビア導体６０Ｓ６のトップ径ＴＤＳと第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２のトップ径ＴＤＳと第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４のトップ径ＴＤＳは略等しい。
１つの第２電極３２Ｐ２と第２導体回路５８ＳＷは、複数の第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２で接続される。例えば、１つの第２電極３２Ｐ２と第２導体回路５８ＳＷを接続する第２電極用第２ビア導体６０Ｓ２の数は３０以上、４０以下である。
１つの第４電極３２Ｐ４と第２導体回路５８ＳＷは、複数の第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４で接続される。例えば、１つの第４電極３２Ｐ４と第２導体回路５８ＳＷを接続する第４電極用第２ビア導体６０Ｓ４の数は３０以上、４０以下である（図５（Ａ））。
【００４７】
第１導体層５８Ｆと第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に第３樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される。セミアディティブ法で第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第３導体層１５８Ｆが形成される。同時に、第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、第１導体層５８Ｆと第３導体層１５８Ｆを接続する第３ビア導体１６０Ｆが形成される（図５（Ｂ））。例えば、第３導体層１５８Ｆと第１導体回路５８ＦＷを接続する第３ビア導体１６０Ｆは存在しない。
【００４８】
第２導体層５８Ｓと第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に第４樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される。セミアディティブ法で第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第４導体層１５８Ｓが形成される。同時に、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、第２導体層５８Ｓと第４導体層１５８Ｓを接続する第４ビア導体１６０Ｓが形成される（図５（Ｂ））。例えば、第４導体層１５８Ｓと第２導体回路５８ＳＷを接続する第４ビア導体１６０Ｓは存在しない。
【００４９】
第３導体層１５８Ｆと第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第１開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。第４導体層１５８Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。プリント配線板１０が完成する（図１（Ａ））。第１開口７１Ｆから露出する第３導体層１５８Ｆは電子部品を搭載するためのパッドとして機能する。第２開口７１Ｓから露出する第４導体層１５８Ｓはマザーボードと接続するためのパッドとして機能する。
【００５０】
[第２実施形態]
図６（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板１１０の断面図である。プリント配線板１１０は、コア基板３０の開口３１内に、３種類の電子部品３３を収容している。１つの開口３１内に収容されている電子部品３３の例は、コンデンサ３３Ｃとインダクタ３３Ｌと抵抗３３Ｒである。
【００５１】
[第２実施形態の製造方法]
図７は第２実施形態のプリント配線板１１０の製造方法の一部を示す。図７は、開口３１を塞いでいるテープ１８上に電子部品３３を搭載する方法を示している。
第１実施形態と同様に、アライメントマークＴＭを基準として、まず、開口３１内にコンデンサ３３Ｃ等の第１電子部品が１個ずつテープ１８上に搭載される。コンデンサ３３Ｃ等の第１電子部品の収容が完了する。図７（Ａ）に示されるように全てのコンデンサ３３Ｃ等の第１電子部品が開口３１から露出するテープ１８上に搭載される。その後、アライメントマークＴＭを基準として、インダクタ３３Ｌ等の第２電子部品が１個ずつテープ１８上に搭載される。インダクタ３３Ｌ等の第２電子部品の収容が完了する。全てのインダクタ３３Ｌ等の第２電子部品が開口３１から露出するテープ１８上に搭載される。最後に、アライメントマークＴＭを基準として、抵抗３３Ｒ等の第３電子部品が１個ずつテープ１８上に搭載される。抵抗３３Ｒ等の第３電子部品の収容が完了する。全ての抵抗３３Ｒ等の第３電子部品が開口３１から露出するテープ１８上に搭載される。３種類の電子部品３３が行と列の交点に配列される。
第１実施形態のコア基板３０の形成方法と第２実施形態のコア基板３０の形成方法は同様である。第１実施形態の第１ビルドアップ層５５Ｆの形成方法と第２実施形態の第１ビルドアップ層５５Ｆの形成方法は同様である。第１実施形態の第２ビルドアップ層５５Ｓの形成方法と第２実施形態の第２ビルドアップ層５５Ｓの形成方法は同様である。第１実施形態の第１ソルダーレジスト層７０Ｆの形成方法と第２実施形態の第１ソルダーレジスト層７０Ｆの形成方法は同様である。第１実施形態の第２ソルダーレジスト層７０Ｓの形成方法と第２実施形態の第２ソルダーレジスト層７０Ｓの形成方法は同様である。
【００５２】
行は電子部品３２を内蔵するための開口３１から露出するコア基板の側壁と略平行である。列は電子部品３２を内蔵するための開口３１から露出するコア基板の側壁と略平行である。
【００５３】
第１導体回路５８ＦＷは、第２電子部品３２Ｎと図１（Ａ）中のスルーホール導体３６Ｓ（内蔵部品用配線中のスルーホール導体）とを繋ぐ第１導体回路５８ＦＷＦ１と第１電子部品３２Ｐと図１（Ａ）中のスルーホール導体３６Ｓ（内蔵部品用配線中のスルーホール導体）を繋ぐ第１導体回路５８ＦＷＦ２を含むことができる。
【００５４】
第２導体回路５８ＳＷは、第１電子部品３２Ｐと内蔵部品用配線中のスルーホール導体とを繋ぐ第２導体回路と第２電子部品３２Ｎと内蔵部品用配線中のスルーホール導体３６Ｓを繋ぐ第２導体回路を含むことができる。
【００５５】
図６（Ｃ）は１つの行に配置されている２つの第１電子部品３２Ｐ（３２ＰＩ、３２ＰＩＩ）と２つの第２電子部品３２Ｎ（３２ＮＩ、３２ＮＩＩ）を示している。図６（Ｃ）に示されるように、電子部品は、第１電子部品３２ＰＩ、第２電子部品３２ＮＩ、第１電子部品３２ＰＩＩ、第２電子部品３２ＮＩＩの順で並んでいる。第１電子部品３２ＰＩの第１面Ｆ１の重心と第１電子部品３２ＰＩＩの第１面Ｆ１の重心とを結ぶ直線Ｌ２が図６（Ｃ）に示されている。第２電子部品３２ＮＩの第３面Ｆ２の重心と第２電子部品３２ＮＩＩの第３面Ｆ２の重心とを結ぶ直線Ｌ１が図６（Ｃ）に示されている。直線Ｌ１と直線Ｌ２は重ならない。直線Ｌ１と直線Ｌ２との間にギャップが存在する。熱伝導を高くすることができる。
特定の行上に配置されている１つの第１電子部品の第１面の重心と別の第１電子部品の第１面の重心とを結ぶ直線と特定の行上に配置されている１つの第２電子部品の第３面の重心と別の第２電子部品の第３面の重心とを結ぶ直線は重ならない。
【００５６】
図６（Ｄ）は１つの列に配置されている２つの第１電子部品３２Ｐ（３２ＰＩ、３２ＰＩＩ）と２つの第２電子部品３２Ｎ（３２ＮＩ、３２ＮＩＩ）を示している。図６（Ｄ）に示されるように、電子部品は、第１電子部品３２ＰＩ、第２電子部品３２ＮＩ、第１電子部品３２ＰＩＩ、第２電子部品３２ＮＩＩの順で並んでいる。第１電子部品３２ＰＩの第１面Ｆ１の重心と第１電子部品３２ＰＩＩの第１面Ｆ１の重心とを結ぶ直線Ｌ４が図６（Ｄ）に示されている。第２電子部品３２ＮＩの第３面Ｆ２の重心と第２電子部品３２ＮＩＩの第３面Ｆ２の重心とを結ぶ直線Ｌ３が図６（Ｄ）に示されている。直線Ｌ３と直線Ｌ４は重ならない。直線Ｌ３と直線Ｌ４との間にギャップが存在する。熱伝導を高くすることができる。
特定の列上に配置されている１つの第１電子部品の第１面の重心と別の第１電子部品の第１面の重心とを結ぶ直線と特定の列上に配置されている１つの第２電子部品の第３面の重心と別の第２電子部品の第３面の重心とを結ぶ直線は重ならない。
【００５７】
実施形態によれば、プリント配線板上に搭載される電子部品の温度を所定範囲内に制御することができる。
【符号の説明】
【００５８】
３０  コア基板
３１  開口
３２Ｐ  第１電子部品
３２Ｎ  第２電子部品
３４Ｆ  第５導体層
５０Ｆ  第１樹脂絶縁層
６０Ｆ  第１ビア導体
６０Ｓ  第２ビア導体
６０Ｆ５  第５導体層用第１ビア導体
６０Ｆ１  第１電極用第１ビア導体
６０Ｆ３  第３電極用第１ビア導体
６０Ｓ６  第６導体層用第２ビア導体
６０Ｓ２  第２電極用第２ビア導体
６０Ｓ４  第４電極用第２ビア導体
ｓｅ、ｓｗ  スペース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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