(57)【要約】      （修正有）【課題】センサ基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、センサ基板１２の第１の面１４Ａの側に設けられ、かつ放射線を光に変換する変換層３０と、変換層３０における、センサ基板１２が設けられた側の反対側の面から、基材１４の第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂの、第１の面１４Ａにおける変換層３０の端部の位置とは反対側の位置までを覆う保護膜３２と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性の基材、及び前記基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
前記センサ基板の前記第１の面の側に設けられ、かつ放射線を前記光に変換する変換層と、
前記変換層の前記センサ基板が設けられた側とは反対側の面から、前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面における、前記変換層の端部の位置に対応する対応位置までを覆う保護膜と、
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記変換層は、前記基材の前記第１の面における前記複数の画素が形成された領域である画素領域を含み、かつ前記画素領域よりも広い範囲を覆う、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記保護膜は、前記センサ基板の前記第２の面における、前記画素領域に対応する領域は覆わない、
請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記保護膜は、前記センサ基板の前記第２の面における、前記画素領域に対応する領域の一部まで覆う、
請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記保護膜の端部の位置は、前記センサ基板の前記第２の面における、前記画素領域に対応する領域と、前記対応位置との間の位置である、
請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記保護膜は、前記変換層の前記反対側の面、及び前記変換層の側面を覆う第１保護膜と、
前記第１保護膜全体を含み、少なくとも前記基材の第２の面における前記対応位置までの領域を覆う第２保護膜と、
を含む、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記保護膜は、前記変換層の前記反対側の面、及び前記変換層の側面を覆う第１保護膜と、
前記第１保護膜の端部を含む領域から、少なくとも前記基材の第２の面における前記対応位置までの領域を覆う第２保護膜と、
を含む、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記第１保護膜と前記第２保護膜とは、接着剤により接着されている、
請求項７に記載の放射線検出器。
【請求項９】
前記基材の前記第２の面の側に設けられた第３保護膜をさらに備えた、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項１０】
前記保護膜は、少なくとも前記基材の前記第２の面における前記対応位置に対応する前記第３保護膜の領域までを覆う、
請求項９に記載の放射線検出器。
【請求項１１】
前記第３保護膜は、前記基材の前記第２の面の前記保護膜に覆われていない領域を覆う、
請求項９に記載の放射線検出器。
【請求項１２】
前記第３保護膜は、防湿膜及び帯電防止膜の少なくとも一方である、
請求項９から請求項１１の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１３】
前記基材の前記第２の面側から、前記保護膜を介して前記基材を支持する支持部材をさらに備えた、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項１４】
前記支持部材は、前記基材の前記第１の面における前記複数の画素が形成された領域である画素領域外に設けられている、
請求項１３に記載の放射線検出器。
【請求項１５】
前記変換層は、ＣｓＩを含む、
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、
前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項１７】
前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項１６に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１８】
前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
前記放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項１６に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
【０００３】
放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備えたものがある。
【０００４】
放射線検出器のセンサ基板に可撓性の基材を用いたものが知られている。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
【０００５】
センサ基板に可撓性の基材を用いる場合、基材すなわち、センサ基板に撓みが生じる。センサ基板に撓みが生じることにより、例えば変換層の耐久性や防湿性が低下する場合があった。
【０００６】
そこで、センサ基板の剛性を高める技術として、例えば、特許文献１には、放射線検出器を収納する筐体の天板とセンサ基板との間に緩衝部を設けることにより、センサ基板の剛性を高めるとともに、天板とセンサ基板とを相互に補強し合うことを可能にする技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１６−１８０７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、可撓性の基材を用いたセンサ基板が撓む場合、非可撓性の基材を用いたセンサ基板に比べて、部分的または局所的に撓んだり歪んだりする不連続な撓みが生じ易い。この不連続な撓みは、変換層の外周部近傍において生じ易い傾向がある。
【０００９】
本開示は、変換層のセンサ基板が設けられた側とは反対側の面から、基材の前記第１の面とは反対側の第２の面における、変換層の端部の位置に対応する対応位置までを覆わない構成に比べて、センサ基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、センサ基板の第１の面の側に設けられ、かつ放射線を光に変換する変換層と、変換層のセンサ基板が設けられた側とは反対側の面から、基材の第１の面とは反対側の第２の面における、変換層の端部の位置に対応する対応位置までを覆う保護膜と、を備える。
【００１１】
また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、変換層は、基材の第１の面における複数の画素が形成された領域である画素領域を含み、かつ画素領域よりも広い範囲を覆う。
【００１２】
また、本開示の第３の態様の放射線検出器は、第２の態様の放射線検出器において、保護膜は、センサ基板の第２の面における、画素領域に対応する領域は覆わない。
【００１３】
また、本開示の第４の態様の放射線検出器の支持部材は、第２の態様の放射線検出器において、保護膜は、センサ基板の第２の面における、画素領域に対応する領域の一部まで覆う。
【００１４】
また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第２の態様の放射線検出器において、保護膜の端部の位置は、センサ基板の第２の面における、画素領域に対応する領域と、対応位置との間の位置である。
【００１５】
また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、保護膜は、変換層の反対側の面、及び変換層の側面を覆う第１保護膜と、第１保護膜全体を含み、少なくとも基材の第２の面における対応位置までの領域を覆う第２保護膜と、を含む。
【００１６】
また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、保護膜は、変換層の反対側の面、及び変換層の側面を覆う第１保護膜と、第１保護膜の端部を含む領域から、少なくとも基材の第２の面における対応位置までの領域を覆う第２保護膜と、を含む。
【００１７】
また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第７の態様の放射線検出器において、第１保護膜と第２保護膜とは、接着剤により接着されている。
【００１８】
また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、基材の第２の面の側に設けられた第３保護膜をさらに備えた。
【００１９】
また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第９の態様の放射線検出器において、保護膜は、少なくとも基材の第２の面における対応位置に対応する第３保護膜の領域までを覆う。
【００２０】
また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第９の態様の放射線検出器において、第３保護膜は、基材の第２の面の保護膜に覆われていない領域を覆う。
【００２１】
また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第９の態様から第１１の態様の何れか１態様の放射線検出器において、第３保護膜は、防湿膜及び帯電防止膜の少なくとも一方である。
【００２２】
また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、基材の第２の面側から、保護膜を介して基材を支持する支持部材をさらに備えた。
【００２３】
また、本開示の第１４の態様の放射線検出器は、第１３態様の放射線検出器において、支持部材は、基材の第１の面における複数の画素が形成された領域である画素領域外に設けられている。
【００２４】
また、本開示の第１５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１４の態様の少なくとも１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩを含む。
【００２５】
また、本開示の第１６の態様の放射線画像撮影装置は、第１の態様から第１５の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、を備える。
【００２６】
また、本開示の第１７の態様の放射線画像撮影装置は、第１６の態様の放射線画像撮影装置において、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
【００２７】
また、本開示の第１８の態様の放射線画像撮影装置は、第１６の態様の放射線画像撮影装置において、制御部、駆動部、及び信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に、電源部と、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
【発明の効果】
【００２８】
本開示の第１の態様によれば、換層のセンサ基板が設けられた側とは反対側の面から、基材の前記第１の面とは反対側の第２の面における、変換層の端部の位置に対応する対応位置までを覆わない構成に比べて、センサ基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる。
【００２９】
本開示の第２の態様によれば、変換層が、画素領域よりも狭いい範囲を覆う場合に比べて、放射線画像画質を向上させることができる。
【００３０】
本開示の第３の態様によれば、保護膜が、センサ基板の第２の面における画素領域に対応する領域を覆う場合に比べて、放射線画像画質を向上させることができる。
【００３１】
本開示の第４の態様によれば、保護膜が、センサ基板の第２の面における画素領域に対応する領域の全部を覆う場合に比べて、基材が不連続に撓むのを抑制することができる。
【００３２】
本開示の第５の態様によれば、保護膜の端部の位置が、センサ基板の第２の面における、画素領域に対応する領域と、対応位置との間の位置ではない場合に比べて、基材が不連続に撓むのをより抑制することができる。
【００３３】
本開示の第６の態様によれば、保護膜が第１保護膜及び第２保護膜を含まない場合に比べて、基材が不連続に撓むのを抑制することができる。
【００３４】
本開示の第７の態様によれば、保護膜が第１保護膜及び第２保護膜を含まない場合に比べて、基材が不連続に撓むのを抑制することができる。
【００３５】
本開示の第８の態様によれば、第１保護膜と第２保護膜とが接着剤により接着されていない場合に比べて、防湿性を高めることができる。
【００３６】
本開示の第９の態様によれば、基材の第２の面の側に第３保護膜を設けない場合に比べて、基材が不連続に撓むのをより抑制することができる。
【００３７】
本開示の第１０の態様によれば、保護膜が、基材の第２の面における対応位置に対応する第３保護膜の領域までを覆わない場合に比べて、基材が不連続に撓むのをより抑制することができる。
【００３８】
本開示の第１１の態様によれば、第３保護膜が、基材の第２の面の保護膜に覆われていない領域を覆わない場合に比べて、第２の面の高さを揃えることができる。
【００３９】
本開示の第１２の態様によれば、第３保護膜が、防湿膜及び帯電防止膜の少なくとも一方ではない場合に比べて、センサ基板に対する防湿効果及び帯電防止効果を高めることができる。
【００４０】
本開示の第１３の態様によれば、支持部材により、保護膜を介して基材を第２の面側から支持しない場合に比べて、基材が不連続に撓むのをより抑制することができる。
【００４１】
本開示の第１４の態様によれば、支持部材が画素領域内に設けられている場合に比べて、放射線画像画質を向上させることができる。
【００４２】
本開示の第１５の態様によれば、変換層がＣｓＩを含まない場合に比べて、放射線から可視光への変換効率を高くすることができる。
【００４３】
本開示の第１６の態様によれば、第１の態様から第１５の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と異なる放射線検出器を備える場合に比べて、センサ基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる。
【００４４】
本開示の第１７の態様によれば、第１の態様から第１５の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と異なる放射線検出器を備える場合に比べて、制御部と放射線検出器とが、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に並んで設けられている場合であり、かつセンサ基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる。
【００４５】
本開示の第１８の態様によれば、第１の態様から第１５の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と異なる放射線検出器を備える場合に比べて、電源部と、制御部と、放射線検出器とが、放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に並んで設けられている場合であり、かつセンサ基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側の反対側からみた平面図である。
【図３】図２に示した放射線検出器のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２及び図３に示した放射線検出器の製造方法を説明する説明図である。
【図５】表面読取方式に本実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の一例を示す断面図である。
【図６】表面読取方式に本実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の他の例を示す断面図である。
【図７】第１実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図８】第１実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図９】第２実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。
【図１０】第２実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図１１】第２実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図１２】第３実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。
【図１３】第４実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。
【図１４】第４実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図１５】実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図１６】実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図１７】実施形態における保護膜の設け方の他の例を説明するために、放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側の反対側からみた平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
【００４８】
［第１実施形態］
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
【００４９】
まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
【００５０】
図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
【００５１】
放射線検出器１０は、センサ基板１２（図３参照、詳細後述）と、放射線を光に変換する変換層３０（図３参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。
【００５２】
図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。本実施形態では、センサ部２２及びＴＦＴ２０が形成され、さらに平坦化された層として基材１４の第１の面１４Ａに画素１６が形成された層が設けられる。以下では、画素１６が形成された層についても、説明の便宜上「画素１６」という場合がある。
【００５３】
画素１６は、センサ基板１２のアクティブエリア１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
【００５４】
また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれパッド（図６、パッド１３０参照）を介して、駆動部１０２に接続される。駆動部１０２には、後述する制御部１００が接続されており、制御部１００から出力される制御信号に応じて駆動信号を出力する。複数の走査配線２６の各々は、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれパッド（図６、パッド１３０参照）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
【００５５】
信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
【００５６】
制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
【００５７】
また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、パッド（図６、パッド１３０参照）を介して、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
【００５８】
電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
【００５９】
さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂ側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。
【００６０】
本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、基材１４及び画素１６を含むセンサ基板１２と、変換層３０と、保護膜３２と、を備えており、基材１４、画素１６、及び変換層３０がこの順に設けられている。
【００６１】
なお、以下では、基材１４、画素１６、及び変換層３０が並ぶ方向（図３における上下方向）を積層方向（図３、積層方向Ｐ参照）という。また、説明の便宜上、放射線検出器１０における積層方向Ｐの変換層３０側を「上」といい、センサ基板１２側を「下」という場合がある。
【００６２】
基材１４は、可撓性を有し、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１４の具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。なお、基材１４は、所望の可撓性を有しておればよく、樹脂シートに限定されない。例えば、基材１４は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ（第１の面１４Ａまたは第２の面１４Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。可撓性を有する例としては、矩形状の基材１４単体の場合に、基材１４の１辺を固定した状態で、固定した辺より１０ｃｍ離れた位置で基材１４の自重による重力で２ｍｍ以上、基材１４が垂れ下がる（固定した辺の高さよりも低くなる）ものを指す。基材１４が樹脂シートの場合の具体例としては、厚みが５μｍ〜１２５μｍのものであればよい。また、基材１４がガラス基板の場合の具体例としては、一般に、一辺が４３ｃｍ以下のサイズでは、厚さが０．１ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．１ｍｍ以下のものであればよい。なお、基材１４として、樹脂シートを用いる場合、画素１６に形成における成膜等によって、基材１４にかかる熱に耐えられる樹脂シートが用いられる。
【００６３】
図２及び図３に示すように、複数の画素１６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける内側の一部の領域に設けられている。換言すると、本実施形態のセンサ基板１２では、基材１４の第１の面１４Ａの外周部には、画素１６が設けられていない。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が設けられた領域をアクティブエリア１５としている。本実施形態のアクティブエリア１５が、本開示の画素領域の一例である。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が設けられている。
【００６４】
また、図３に示すように、変換層３０は、アクティブエリア１５を覆っている。本実施形態の変換層３０は一例として、アクティブエリア１５の全体を含み、アクティブエリア１５よりも広い範囲を覆う。
【００６５】
本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ〜７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【００６６】
本実施形態の放射線検出器１０では、一例として、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０を形成している。変換層３０の形成方法としては、例えば、変換層３０としてＣｓＩ：Ｔｌを用いた場合、真空度０．０１Ｐａ〜１０Ｐａの環境下、ＣｓＩ：Ｔｌを抵抗加熱式のるつぼ等の加熱手段により加熱して気化させ、センサ基板１２の温度を室温（２０℃）〜３００℃としてＣｓＩ：Ｔｌをセンサ基板１２上に堆積させる真空蒸着法が挙げられる。変換層３０の厚さとしては、１００μｍ〜８００μｍが好ましい。
【００６７】
なお、本実施形態では、変換層３０の柱状結晶の、成長方向の基点側（本実施形態ではセンサ基板１２側）の端部を「根元」といい、成長方向における根元とは反対側の尖った端部を「先端」という。
【００６８】
なお、このように、センサ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層を形成した場合、センサ基板１２と接する側とは反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられていてもよいし、粘着層等を介して設けてもよい。この場合の反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。
【００６９】
なお白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。また、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。
【００７０】
また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。
【００７１】
さらに、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。なお、変換層３０にＣｓＩを用いる場合の方が、ＧＯＳを用いる場合に比べて、放射線から可視光への変換効率が高くなる。
【００７２】
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、保護膜３２が、変換層３０のセンサ基板１２が設けられた側とは反対側の面３０Ａ（下側の面３０Ａ）から、基材１４の第１の面１４とは反対側の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部に対応する位置までを覆う。本実施形態の反対側の面３０Ａが、本開示の反対側の面の一例である。
【００７３】
具体的には、図３に示すように保護膜３２は、変換層３０の下側の面３０Ａ及び側面３０Ｃ、画素１６の側面１６Ｃ、基材１４の側面１４Ｃ及び、基材１４の第２の面１４Ｂにおける端部からアクティブエリア１５までの領域を覆う。このように、本実施形態の保護膜３２は、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄを覆う。本実施形態の位置１４Ｄが、本開示の対応位置の一例である。なお、保護膜３２が第２の面１４Ｂを覆う具体的な領域は、アクティブエリア１５を覆わないことが好ましく、アクティブエリア１５を覆わず、かつ、位置１４Ｄを覆っていれば特に限定されない。換言すると、画像処理装置３２の端部は、位置１４Ｄと、アクティブエリア１５の境界との間のいずれの位置にあってもよい。
【００７４】
保護膜３２としては、例えば、パリレン（登録商標）膜や、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が用いられる。
【００７５】
図２及び図３に示した放射線検出器１０のように、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備える放射線検出器１０の製造方法について図４を参照して説明する。
【００７６】
本実施形態の放射線検出器１０は、図４に示した一例のように、基材１４に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体２００に、剥離層２０２を介して、例えば、ラミネート法等によりセンサ基板１２が形成される。なお、ラミネート法によりセンサ基板１２を形成する場合、剥離層２０２上に、基材１４となるシートを貼り合わせる。この場合、基材１４の第２の面１４Ｂが剥離層２０２に接した状態となる。
【００７７】
さらに、基材１４の第１の面１４Ａに、画素１６が形成される。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が形成される。
【００７８】
さらに、画素１６の上に、変換層３０が形成される。本実施形態では、センサ基板１２上に直接、上述しように、真空蒸着法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０が形成される。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
【００７９】
さらに、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０が設けられたセンサ基板１２に、仮保護膜３１を、変換層３０の全体、具体的には、変換層３０における画素１６と接していない側の面全体、及び基材１４の第１の面１４Ａに亘る領域に貼り付け等により形成することにより、図４に示した状態となる。なお、仮保護膜３１としては、例えば、保護膜３２と同様に、パリレン（登録商標）膜や、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等が用いられる。
【００８０】
この後、変換層３０及び仮保護膜３１が設けられたセンサ基板１２を、剥離層２０２により、支持体２００から剥離する。剥離方法は特に限定されず、例えば、メカニカル剥離では、センサ基板１２（基材１４）の四辺のいずれかを剥離の起点とし、起点となる辺から対向する辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体２００から引きはがすことにより、センサ基板１２の剥離を行う。また、例えば、レーザ剥離（laser Lift Off）法では、支持体２００の裏面（センサ基板１２が設けられている面とは反対側の面）からレーザを照射し、支持体２００を透過してレーザにより剥離層２０２を分解させることにより、支持体２００からセンサ基板１２を剥離すればよい。
【００８１】
本実施形態では、支持体２００からセンサ基板１２を剥離した後、センサ基板１２から仮保護膜３１をさらに剥離した後、保護膜３２を形成することにより、図２及び図３に示した本実施形態の放射線検出器１０が製造される。保護膜３２を形成する方法としては、例えば、蒸着によりパリレン膜を形成してもよいし、また例えば、シート状の保護膜により、上記図３を参照して説明したように、変換層３０の下側の面３０Ａ及び側面３０Ｃ、画素１６の側面１６Ｃ、基材１４の側面１４Ｃ及び、基材１４の第２の面１４Ｂにおける端部からアクティブエリア１５までの領域を覆ってもよい。なお、シート状の保護膜を用いる場合、１枚のシートにより、保護膜３２で覆うべき上記の領域全体を覆ってもよい。また、例えば、第１の面１４Ａ側及び第２の面１４Ｂ側の各々からシートでセンサ基板１２及び変換層３０（基材１４）を挟む等、複数枚のシートでセンサ基板１２及び変換層３０（基材１４）を挟み込むことにより、保護膜３２で覆うべき上記の領域を覆ってもよい。
【００８２】
次に、本実施形態の放射線検出器１０を適用した放射線画像撮影装置１について説明する。本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線を透過し、防水性、抗菌性、及び密閉性を有する筐体内に設けられている。
【００８３】
図５には、ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
【００８４】
図５に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が積層方向Ｐ（図３参照）と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向する状態で設けられている。
【００８５】
制御基板１１０は、画像メモリ１０６及び制御部１００等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルなケーブル１１２によりセンサ基板１２の画素１６と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、ケーブル１１２上に駆動部１０２及び信号処理部１０４が設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としているが、駆動部１０２及び信号処理部１０４の少なくとも一方は制御基板１１０に形成されていてもよい。
【００８６】
また、制御基板１１０と電源部１０８とは、電源線１１４により接続されている。
【００８７】
本実施形態の放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うこと好ましく、さらに、保護膜３２全体を覆うことがより好ましい。なお、シート１１６の厚さは、放射線画像撮影装置１全体の可撓性及び重量等に応じて選択すればよく、例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、厚さが０．１ｍｍ程度以上であれば、可撓性を有し、かつ外部から放射線画像撮影装置１の内部に侵入してきた２次放射線を遮蔽する機能も有する。また例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、可撓性及び重量の観点からは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
【００８８】
図５に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向に撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能である。例えば、被写体の撮影部位等に応じて放射線検出器１０を撓ませた状態に維持して放射線画像の撮影を行うことができる。
【００８９】
図５に示した放射線画像撮影装置１では、相対的に剛性の高い筐体１２０の周辺部に電源部１０８及び制御基板１１０が設けられるため、電源部１０８及び制御基板１１０に与える外力の影響を抑制することができる。
【００９０】
なお、図５では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の放射線検出器１０の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図５に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。また、図５では、本実施形態では、電源部１０８及び制御基板１１０を１つの構成部（基板）とした形態を示したが、図５に示した形態に限定されず、電源部１０８及び制御基板１１０の少なくとも一方を複数の構成部（基板）とした形態であってもよい。例えば、電源部１０８を第１電源部及び第２電源部（いずれも図示省略）を含む形態とし、第１電源部及び第２電源部の各々を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
【００９１】
なお、放射線画像撮影装置１（放射線検出器１０）全体を撓ませて放射線画像の撮影を行った場合、撓みによる画像への影響は画像補正を行うことにより抑制することができる。
【００９２】
また、図６には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の他の例を示す。
【００９３】
図６に示すように、筐体１２０内には、積層方向Ｐ（図３参照）と交差する方向に電源部１０８及び制御基板１１０が並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは積層方向Ｐ（図３参照）に並んで設けられている。
【００９４】
また、図６に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
【００９５】
図６に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向にわずかに撓ませた状態、例えば、中央部を１ｍｍ〜５ｍｍ程度撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能であるが、制御基板１１０及び電源部１０８と放射線検出器１０とが積層方向に設けられており、かつ基台１１８が設けられているため、図５に示した放射線画像撮影装置１の場合ほどは撓まない。
【００９６】
なお、図２及び図３に示した放射線検出器１０では、保護膜３２が単一の膜である形態について説明したが、保護膜３２が複数の保護膜を含んでいてもよい。この場合の放射線検出器１０の構成の一例を図７に示す。図７に一例として示した放射線検出器１０では、上記保護膜３２に替えて、第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂを備えている。図７に示すように、第１保護膜３２Ａは、変換層３０の下側の面３０Ａ及び側面３０Ｃ、画素１６の側面１６Ｃを覆っている。第１保護膜３２Ａとしては、例えば、パリレン膜や、柔軟性を有するポリエチレンのシート、及び軟質塩化ビニル等の膜等を適用できる。一方、第２保護膜３２Ｂは、第１保護膜３２Ａ全体を含み、かつ基材１４の第２の面１４Ｂにおける端部からアクティブエリア１５までの領域を覆う。換言すると、第２保護膜３２Ｂは、保護膜３２と同様の領域を覆うが、第１保護膜３２Ａ全体を覆う点で、保護膜３２と異なっている。第２保護膜３２Ｂとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）、ＰＥＴ、及びポリプロピレン等を用いた膜等を適用できる。
【００９７】
また、保護膜３２が複数の保護膜を含んでいる場合の放射線検出器１０の構成の他の例を図８に示す。図８に一例として示した放射線検出器１０も、上記保護膜３２に替えて、第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂを備えている。第１保護膜３２Ａは、上記図７を参照して説明した放射線検出器１０における第１保護膜３２Ａと同様の構成である。一方、第２保護膜３２Ｂは、図８に示すように、第１保護膜３２Ａの端部を含む領域から、基材１４の第２の面１４Ｂにおけるアクティブエリア１５までの領域を覆う。換言すると、第２保護膜３２Ｂは、基材１４の側面１４Ｃを挟み込み、第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５から第１保護膜３２Ａの端部に重なる領域迄を覆う。なお、この場合第１保護膜３２Ａと第２保護膜３２Ｂとは接着剤等により張り合わされて固定される。
【００９８】
このように、本実施形態の放射線検出器１０は、保護膜３２（図７及び図８では第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂ）が、変換層３０の下側の面３０Ａ及び側面３０Ｃ、画素１６の側面１６Ｃ、基材１４の側面１４Ｃ及び、基材１４の第２の面１４Ｂにおける端部からアクティブエリア１５までの領域を覆うことにより、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄまでを覆う。
【００９９】
センサ基板１２に用いられる可撓性の基材１４は、ガラス製の基材に比べて剛性が低いため、撓みやすい。また、センサ基板１２が撓む場合、基材１４全体が一体的に撓むのではなく、部分的または局所的に撓んだり歪んだり、基材１４の面内（第１の面１４Ａ及び第２の面１４Ｂ）の位置毎に撓み方が異なったりする場合がある。このような場合に生じる撓みや歪みについて、全体が一体的に撓むのに対して本実施形態では、「不連続な撓み」と称する。また、この不連続な撓みは、特に、センサ基板１２における変換層３０の端部近傍においてセンサ基板１２全体の厚み等が変化するため、変換層３０の端部近傍において、比較的起きやすい傾向がある。
【０１００】
本実施形態の放射線検出器１０では、上述のように、保護膜３２が基材１４の第１の面１４Ａの側から側面１４Ｃを回り込み、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄまで覆うことにより、保護膜３２が、変換層３０の端部近傍におけるセンサ基板１２の剛性を補完する。
【０１０１】
これにより、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２（基材１４）に不連続な撓みが生じ難くなる。
【０１０２】
また、本実施形態の放射線検出器１０は、保護膜３２（図７及び図８では第２保護膜３２Ｂ）により、基材１４の端部を挟み込んで覆うため、基材１４の端部領域における防湿効果を高めることができる。
【０１０３】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０（図１〜３参照）と同様の構成を含むため、同様の構成については、詳細な説明を省略する。
【０１０４】
図９には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図９に示すように、本実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２は、センサ基板１２における基材１４の第２の面１４Ｂにおいて、アクティブエリア１５の一部まで覆っている点で第１実施形態の放射線検出器１０と異なっている。
【０１０５】
図９に示した放射線検出器１０も、第１実施形態の放射線検出器１０（図３参照）と同様に、保護膜３２が、変換層３０の下側の面３０Ａ及び側面３０Ｃ、画素１６の側面１６Ｃ、基材１４の側面１４Ｃ及び、基材１４の第２の面１４Ｂにおける端部からアクティブエリア１５の一部までの領域を覆うことにより、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄまでを覆う。
【０１０６】
従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２（基材１４）に不連続な撓みが生じ難くなる。
【０１０７】
なお、本実施形態においても、第１実施形態と同様に保護膜３２が複数の保護膜を含んでいてもよい。例えば、図１０に示した放射線検出器１０のように、第１実施形態の図７に示した放射線検出器１０と同様に、変換層３０の下側の面３０Ａ及び側面３０Ｃ、画素１６の側面１６Ｃを覆う第１保護膜３２Ａと、第１保護膜３２Ａ全体を含み、かつ基材１４の第２の面１４Ｂにおける端部からアクティブエリア１５内の一部の領域を含むまでの領域を覆う第２保護膜３２Ｂとを備えていてもよい。また例えば、図１１に示した放射線検出器１０のように、第１実施形態の図８に示した放射線検出器１０と同様に、上記第１保護膜３２Ａと、第１保護膜３２Ａの端部を含む領域から、基材１４の第２の面１４Ｂにおけるアクティブエリア１５内の一部の領域を含むまでの領域を覆う第２保護膜３２Ｂとを備えていてもよい。
【０１０８】
[第３実施形態]
次に、第３実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０（図１〜３参照）と同様の構成を含むため、同様の構成については、詳細な説明を省略する。
【０１０９】
図１２には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１２に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、保護膜３２に加えて、さらに第３保護膜３４を備えている点で、第１実施形態の放射線検出器１０と異なっている。図９に示すように、第３保護膜３４は、基材１４の第２の面１４Ｂ側に設けられて、第２の面１４Ｂ全体を覆っており、第２の面１４Ｂの、保護膜３２に覆われていない領域を覆っている。また、保護膜３２は、第３保護膜３４の、端部からアクティブエリア１５までに対応する領域を覆っている。
【０１１０】
すなわち、図１２に示した放射線検出器１０では、放射線検出器１０全体が、保護膜３２及び第３保護膜３４の少なくとも一方により覆われている。
【０１１１】
このような第３保護膜３４としては、帯電防止機能及び防湿機能の少なくとも一方を有する膜であればよく、例えば、アルペットのシートやパリレン膜等が挙げられる。第３保護膜３４がアルペットの場合、貼り付け等により第３保護膜３４を形成することができる。一方、第３保護膜３４がパリレン膜の場合、蒸着により第３保護膜３４を形成することができる。
【０１１２】
第３保護膜３４を設けたことにより本実施形態の放射線検出器１０では、外部から水分が侵入するのを抑制する効果をより高めることができる。従って、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
【０１１３】
なお、図１２に示した放射線検出器１０は、上記図３に示した第１実施形態の放射線検出器１０において、第３保護膜３４を設けた形態を一例として示したが、例えば、その他の図７〜図１１に示した放射線検出器１０においても、同様に基材１４の第２の面１４Ｂに第３保護膜３４を設けてもよいことはいうまでもない。
【０１１４】
[第４実施形態]
次に、第４実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０（図１〜３参照）と同様の構成を含むため、同様の構成については、詳細な説明を省略する。
【０１１５】
図１３には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１３に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、支持部材３８を備えている点で第１実施形態の放射線検出器１０と異なっている。図１３に示すように、支持部材３８は、基材１４の第２の面１４Ｂ側から保護膜３２を介して基材１４を支持する。すなわち、支持部材３８は、基材１４を保護膜３２を介して、いわゆる裏打ちしている。支持部材３８は、例えば、両面テープやのり等の接着剤により、保護膜３２に固定されている。
【０１１６】
本実施形態の支持部材３８は、剛性を有しており、少なくとも第２の面１４Ｂの面内方向における剛性が基材１４及び保護膜３２よりも高い。支持部材３８としては、所望の剛性が得られる大きさを有するＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）等のプラスチックやアルミ板等が挙げられる。なお、本実施形態の支持部材３８は、第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域の外側に設けられているため、支持部材３８における放射線の透過率及び吸収率は放射線画像の撮影において大きな影響を与えない。なお、支持部材３８の積層方向Ｐにおける厚みは、厚くなるほど、被写体から画素１６までの距離が長くなるため、撮影された放射線画像にボケが生じるようになる。そのため、支持部材３８の厚みは、所望の剛性と、所望の画質とに応じて定めることが好ましい。
【０１１７】
支持部材３８を設けたことにより本実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２（基材１４）に不連続な撓みが発生するのを抑制するこができる。これにより、不連続な撓みの影響により、センサ基板１２から変換層３０が剥離してしまうのをより抑制することができる。
【０１１８】
一般に、変換層３０が剥離したり、湿気等により劣化したりした場合、生成される放射線の画質の低下を招く。これに対して本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０の剥離を抑制し、防湿の低下を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
【０１１９】
なお、図１３に示した放射線検出器１０は、上記図３に示した第１実施形態の放射線検出器１０において、支持部材３８を設けた形態を一例として示したが、例えば、その他の図７、図８に示した放射線検出器１０においても、同様に基材１４の第２の面１４Ｂから保護膜３２を介して基材１４を支持する支持部材３８を設けてもよいことはいうまでもない。
【０１２０】
また例えば、第２実施形態の放射線検出器１０（図９〜図１１）に示した放射線検出器１０においても、同様に基材１４の第２の面１４Ｂから保護膜３２を介して基材１４を支持する支持部材３８を設けてもよいことはいうまでもない。図１４には、この場合の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１４に示すように保護膜３２は、基材１４の第２の面１４Ｂにおいて、アクティブエリア１５の内側まで覆っているが、支持部材３８は、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、端部から、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄまでの領域を支持する。なお、支持部材３８が支持する基材１４の領域は、基材１４の端部から内部へ向けた領域であって、アクティブエリア１５に対応する領域以外であればよく、さらに、上記位置１４Ｄ以上の領域までをからアクティブエリア１５までの領域であることが好ましい。
【０１２１】
以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、センサ基板１２の第１の面１４Ａの側に設けられ、かつ放射線を光に変換する変換層３０と、変換層３０のセンサ基板１２が設けられた側とは反対側の面から、基材１２の第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄまでを覆う保護膜３２と、を備える。
【０１２２】
上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、保護膜３２が、変換層３０側から基材１４の第２の面１４Ｂにおける、変換層３０の端部の位置に対応する位置１４Ｄまでを覆っている。従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、保護膜３２により、基材１４の剛性を補完することができるため、センサ基板１２に可撓性の基材１４を用いた場合であっても、不連続な撓みの影響を抑制することができる。
【０１２３】
このように、上記実施形態の放射線検出器１０によれば、不連続な撓みの影響が抑制されるため、変換層３０がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができ、また、センサ基板１２内の信号配線２４等が断線するのを抑制することができ、さらに、湿気等による劣化を抑制することができる。従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
【０１２４】
なお、上記各実施形態で説明した放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
【０１２５】
例えば、図１５に示した放射線検出器１０のように、第３保護膜３４について、センサ基板１２における基材１４の第２の面１４Ｂにおいて、保護膜３２により覆われていない領域を覆う形態としてもよい。なお、この場合、図１５に示したように、積層方向Ｐにおける保護膜３２の厚みと、第３保護膜３４の厚みとは、同様であることが好ましい。すなわち、放射線検出器１０の、変換層３０が設けられていない側の面の高さを揃えることが好ましい。このように高さを揃えることで、放射線検出器１０を筐体１２０内に収納して放射線画像撮影装置１とした場合に、筐体１２０の面（天板）との密着性を向上させることができる。
【０１２６】
また例えば、図１６に示した放射線検出器１０のように、保護膜３２で、画素１６及び変換層３０が積層された状態のセンサ基板１２全体（全面）を覆ってもよい。
【０１２７】
また例えば、上記各実施形態では、矩形状のセンサ基板１２の全ての辺において、保護膜３２が、基材１４の第１の面１４Ａから側面１４Ｃを回り込んで第２の面１４Ｂに至る形態について説明したが、センサ基板１２の一部の辺のみにおいて、上記の回り込む形態としてもよい。例えば、図１７に示すように、センサ基板１２と制御基板１１０とを接続するケーブル１１２が接続されるセンサ基板１２の辺においては、保護膜３２が、基材１４の第１の面１４Ａから側面１４Ｃを回り込んで第２の面１４Ｂに至らない形態、換言すると保護膜３２がケーブル１１２の配線に邪魔になる領域には設けられていない形態としてもよい。
【０１２８】
また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、画素１６が設けられた領域全体をアクティブエリア１５とする形態について説明したが、アクティブエリア１５とする領域は上記各実施形態に限定されるものではない。例えば、複数の画素１６のうち、一部の画素１６に対応する領域によりアクティブエリア１５を特定してもよい。例えば、放射線検出器１０が、画素１６が、放射線画像の画素に実質的に対応する複数の画像形成用の画素１６と、放射線画像の形成における用途が異なる複数の画素１６とを備えている場合がある。なお、ここで放射線画像の形成における用途が異なるとは、例えば、画像の補正に用いられる場合等のことをいう他、放射線画像の形成において用いられず、電荷が読み捨てられる場合のこともいう。用途が異なる複数の画素１６は、画像形成用の画素１６の外周部に設けられている場合が多い。このように、複数種類の画素１６を含む場合、画像形成用の画素１６が設けられた領域をアクティブエリア１５として定める。
【０１２９】
また、上記各実施形態では、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）をＩＳＳ方式に適用した場合について説明したが、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）を変換層３０の放射線が入射する側とは反対側にセンサ基板１２を配置する、換言すると、放射線画像撮影装置１の筐体１２０における撮影面１２０Ａが設けられた側と反対側にセンサ基板１２を配置する、いわゆる、「ＰＳＳ方式（Penetration Side Sampling)」に適用してもよい。
【０１３０】
また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、アクティブエリア１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１３１】
１  放射線画像撮影装置
１０  放射線検出器
１２  センサ基板
１４  基材、１４Ａ  第１の面、１４Ｂ  第２の面、１４Ｃ  側面、１４Ｄ  位置
１５  アクティブエリア
１６  画素、１６Ａ  第１画素、１６Ｂ  第２画素、１６Ｃ  側面
２０  ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２  センサ部
２４  信号配線
２６  走査配線
２８  共通配線
３０  変換層、３０Ａ  下側の面、３０Ｃ  側面
３１  仮保護膜
３２  保護膜、３２Ａ  第１保護膜、３２Ｂ  第２保護膜
３４  第３保護膜
３８  支持部材
４０、４２  緩衝層
１００  制御部、１００Ａ  ＣＰＵ、１００Ｂ  メモリ、１００Ｃ  記憶部
１０２  駆動部
１０４  信号処理部
１０６  画像メモリ
１０８  電源部
１１０  制御基板
１１２  ケーブル
１１４  電源線
１１６  シート
１１８  基台
１２０  筐体、１２０Ａ  撮影面
２００  支持体
２０２  剥離層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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