(57)【要約】【課題】  可撓性を有する樹脂基体を備える表示装置において、歩留まりを改善する。【解決手段】  一実施形態に係る表示装置は、可撓性を有する第１樹脂基体と、前記第１樹脂基体の上方において表示領域に配置された複数の画素と、を備える。前記第１樹脂基体は、前記第１樹脂基体の縁に沿って配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層の少なくとも側面を覆い前記表示領域と対向する第２樹脂層と、を含む。前記第１樹脂層の紫外域における光吸収率は、前記第２樹脂層の紫外域における光吸収率よりも大きい。【選択図】    図４
2019184739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する第１樹脂基体と、
前記第１樹脂基体の上方において表示領域に配置された複数の画素と、を備え、
前記第１樹脂基体は、前記第１樹脂基体の縁に沿って配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層の少なくとも側面を覆い前記表示領域と対向する第２樹脂層と、を含み、
前記第１樹脂層の紫外域における光吸収率は、前記第２樹脂層の紫外域における光吸収率よりも大きい、
表示装置。
【請求項２】
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層は、異なる種類のポリイミドで形成され、
前記第１樹脂層を形成するポリイミドのベンゼン環の数は、前記第２樹脂層を形成するポリイミドのベンゼン環の数よりも多い、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１樹脂層のガラスに対する密着強度は、前記第２樹脂層のガラスに対する密着強度よりも小さい、
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１樹脂層は、前記第１樹脂基体の縁に沿って枠状に配置されている、
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１樹脂層の幅は、１０μｍ以上である、
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１樹脂基体と対向する第２樹脂基体と、
前記第１樹脂基体と前記第２樹脂基体の間に配置された液晶層と、をさらに備え、
前記第２樹脂基体は、前記第２樹脂基体の縁に沿って配置された第３樹脂層と、前記第３樹脂層の少なくとも側面を覆い前記表示領域と対向する第４樹脂層と、を含み、
前記第３樹脂層の紫外域における光吸収率は、前記第４樹脂層の紫外域における光吸収率よりも大きい、
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第３樹脂層および前記第４樹脂層は、異なる種類のポリイミドで形成され、
前記第３樹脂層を形成するポリイミドのベンゼン環の数は、前記第４樹脂層を形成するポリイミドのベンゼン環の数よりも少ない、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素の各々に配置された画素電極と、
前記画素電極と対向する共通電極と、
前記複数の画素の各々に配置され、前記画素電極と前記共通電極の電位差に応じて発光する発光層と、を備える、
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置においては、表示パネルの基体にガラスが用いられている。近年では、樹脂製の基体を用いることで、表示パネルに可撓性を与えた表示装置が開発されている。
【０００３】
このような表示パネルの製造時には、樹脂基体がガラス基板の上に形成される。そして、各種の絶縁層、電極および配線が樹脂基体の上に形成された後、樹脂基体がガラス基板から剥離される。
【０００４】
ガラス基板の剥離には、レーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）が用いられる。ＬＬＯにおいては、ガラス基板側から紫外域のレーザ光が照射され、これによりガラス基板と樹脂基体の界面が剥離する。ガラス基板の端面近傍においては、ＬＬＯのレーザが当該端面で乱反射する。これにより、樹脂基体がレーザ光を十分に吸収せず、ガラス基板から樹脂基体を円滑に剥離できない場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２３１３２５号公報
【特許文献２】特開２０１５−２６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示の目的の一つは、可撓性を有する樹脂基体を備える表示装置において、歩留まりを改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る表示装置は、可撓性を有する第１樹脂基体と、前記第１樹脂基体の上方において表示領域に配置された複数の画素と、を備える。前記第１樹脂基体は、前記第１樹脂基体の縁に沿って配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層の少なくとも側面を覆い前記表示領域と対向する第２樹脂層と、を含む。前記第１樹脂層の紫外域における光吸収率は、前記第２樹脂層の紫外域における光吸収率よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態における表示装置の構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、上記表示装置が備える表示パネルの断面の一例を示す図である。
【図３】図３は、第１〜第４樹脂層の光吸収スペクトルの一例を表すグラフである。
【図４】図４は、上記表示パネルが備える第１樹脂層および第３樹脂層の形状を表す概略的な平面図である。
【図５】図５は、上記表示パネルの第１基板が形成されたマザーガラスの概略的な平面図である。
【図６】図６は、上記マザーガラスから切り出された表示パネルの概略的な断面図である。
【図７】図７は、図６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。
【図８】図８は、図７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。
【図９】図９は、図８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態における第１樹脂層の配置例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、第３実施形態における表示装置の構成例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、上記表示装置が備える副画素の回路構成例を示す図である。
【図１３】図１３は、上記表示装置が備える表示パネルの断面の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、上記表示パネルが備える第１樹脂層の形状を表す概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１０】
各実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置および有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、例えば、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等が想定される。
【００１１】
［第１実施形態］  
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ１（以下、表示装置ＤＳＰ１と呼ぶ）の構成例を示す平面図である。本実施形態においては、図示したように第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚを定義する。各方向Ｘ，Ｙ，Ｚは、本実施形態においては互いに直交する方向であるが、垂直以外の角度で交わってもよい。
【００１２】
表示装置ＤＳＰ１は、表示パネルＰＮＬ１と、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、コントローラＣＴとを備えている。表示パネルＰＮＬ１は、第１基板ＳＵＢ１（アレイ基板）と、第２基板ＳＵＢ２（対向基板）と、これら基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に配置された液晶層ＬＣとを備えている。
【００１３】
表示パネルＰＮＬ１は、画素ＰＸが第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配列された表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲の周辺領域ＳＡとを有している。周辺領域ＳＡは、外部接続用の端子Ｔが配置された端子領域ＴＡを含む。図示した例においては、第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２よりも大きい。端子領域ＴＡは、第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２から露出した領域に相当する。
【００１４】
表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１は、複数の走査線Ｇと、これら走査線Ｇと交差する複数の信号線Ｓとを備えている。複数の走査線Ｇは、第１方向Ｘに延びるとともに、第２方向Ｙに並んでいる。複数の信号線Ｓは、第２方向Ｙに延びるとともに、第１方向Ｘに並んでいる。
【００１５】
隣り合う走査線Ｇと、隣り合う信号線Ｓとで区画された領域が、副画素ＳＰに相当する。画素ＰＸは、異なる色の複数の副画素ＳＰを含む。例えば、画素ＰＸは、赤色、緑色、青色の副画素ＳＰによって構成することができる。画素ＰＸは、白色の副画素ＳＰなど、他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。本開示においては、副画素ＳＰを単に画素と呼ぶことがある。
【００１６】
第１基板ＳＵＢ１は、各副画素ＳＰに配置されたスイッチング素子ＳＷおよび画素電極ＰＥを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、各画素電極ＰＥと対向する共通電極ＣＥを備えている。共通電極ＣＥは、第２基板ＳＵＢ２に配置されてもよい。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇおよび信号線Ｓによって駆動される。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷに接続されている。共通電極ＣＥには共通電圧が印加される。
【００１７】
第１基板ＳＵＢ１は、走査線ドライバＧＤ１，ＧＤ２と、信号線ドライバＳＤとを備えている。走査線ドライバＧＤ１，ＧＤ２は、複数の走査線Ｇに走査信号を供給する。信号線ドライバＳＤは、複数の信号線Ｓに映像信号を供給する。図１の例においては、走査線ドライバＧＤ１，ＧＤ２に対して複数の走査線Ｇが交互に接続されている。他の例として、第１基板ＳＵＢ１は、走査線ドライバＧＤ１，ＧＤ２の一方のみを有し、当該一方に全ての走査線Ｇが接続されてもよい。
【００１８】
フレキシブル回路基板ＦＰＣは、端子Ｔに接続されている。コントローラＣＴは、フレキシブル回路基板ＦＰＣに実装されている。コントローラＣＴは、走査線ドライバＧＤ１，ＧＤ２および信号線ドライバＳＤを制御する。コントローラＣＴは、例えば端子領域ＴＡなど、フレキシブル回路基板ＦＰＣとは異なる位置に実装されてもよい。
【００１９】
第１基板ＳＵＢ１は、第１辺Ｅ１１と、第２辺Ｅ１２と、第３辺Ｅ１３と、第４辺Ｅ１４とを有した矩形状である。第２基板ＳＵＢ２は、第１辺Ｅ２１と、第２辺Ｅ２２と、第３辺Ｅ２３と、第４辺Ｅ２４とを有した矩形状である。各辺Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ２１，Ｅ２２は、第２方向Ｙと平行である。各辺Ｅ１３，Ｅ１４，Ｅ２３，Ｅ２４は、第１方向Ｘと平行である。第１辺Ｅ１１，Ｅ２１は、互いに重なっている。第２辺Ｅ１２，Ｅ２２は、互いに重なっている。第３辺Ｅ１３，Ｅ２３は、互いに重なっている。第４辺Ｅ１４，Ｅ２４は、端子領域ＴＡ側に位置し、互いにずれている。なお、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、図示したような矩形状に限られない。
【００２０】
図２は、表示パネルＰＮＬ１の第１方向Ｘに沿う断面の一例を示す図である。ここでは、１つの副画素ＳＰに相当する表示領域ＤＡの一部と、第１辺Ｅ１１，Ｅ２１側の周辺領域ＳＡの一部とを示している。
【００２１】
第１基板ＳＵＢ１は、可撓性を有する第１樹脂基体１０と、第１絶縁層１３と、第２絶縁層１４と、第３絶縁層１５と、第４絶縁層１６と、第１配向膜１７と、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥと、信号線Ｓと、金属配線ＭＬとを備えている。
【００２２】
第１樹脂基体１０は、互いに平行な第１面１０Ａおよび第２面１０Ｂを有している。第１絶縁層１３は、第１面１０Ａを覆っている。第２絶縁層１４は、第１絶縁層１３を覆っている。信号線Ｓは、第２絶縁層１４の上に配置されている。図１に示した走査線Ｇは、例えば第１絶縁層１３と第２絶縁層１４の間に配置される。第３絶縁層１５は、信号線Ｓおよび第２絶縁層１４を覆っている。共通電極ＣＥは、第３絶縁層１５の上に配置されている。金属配線ＭＬは、共通電極ＣＥの上に配置され、信号線Ｓと対向している。第４絶縁層１６は、金属配線ＭＬおよび共通電極ＣＥを覆っている。画素電極ＰＥは、第４絶縁層１６の上に配置されている。第１配向膜１７は、画素電極ＰＥおよび第４絶縁層１６を覆っている。
【００２３】
各絶縁層１３，１４，１６は、例えば無機材料で形成されている。第３絶縁層１５は、例えば有機材料で形成されている。共通電極ＣＥおよび画素電極ＰＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電材料で形成されている。
【００２４】
第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限られない。例えば、第１基板ＳＵＢ１は、金属配線ＭＬを備えなくてもよい。また、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの位置が入れ替わってもよいし、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥが同じ層に配置されてもよい。共通電極ＣＥは、第２基板ＳＵＢ２に配置することもできる。
【００２５】
第２基板ＳＵＢ２は、可撓性を有する第２樹脂基体２０と、第５絶縁層２３と、遮光層２４と、カラーフィルタ２５と、オーバーコート層２６と、第２配向膜２７とを備えている。
【００２６】
第２樹脂基体２０は、互いに平行な第１面２０Ａおよび第２面２０Ｂを有している。第５絶縁層２３は、例えば無機材料で形成され、第１面２０Ａを覆っている。遮光層２４は、第５絶縁層２３の下に配置されている。カラーフィルタ２５は、遮光層２４および第５絶縁層２３を覆っている。オーバーコート層２６は、カラーフィルタ２５を覆っている。第２配向膜２７は、オーバーコート層２６を覆っている。
【００２７】
遮光層２４は、表示領域ＤＡにおいては信号線Ｓ、金属配線ＭＬおよび走査線Ｇと重畳し、各副画素ＳＰに対応する開口を有している。また、遮光層２４は、周辺領域ＳＡの全体に配置されている。
【００２８】
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は、周辺領域ＳＡに配置された枠状のシール材ＳＬによって貼り合わされている。第１配向膜１７、第２配向膜２７およびシール材ＳＬで囲われた空間には、液晶層ＬＣが配置されている。
【００２９】
第１樹脂基体１０の第２面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１が貼り付けられている。第２樹脂基体２０の第２面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２が貼り付けられている。表示パネルＰＮＬ１が透過型である場合には、第１偏光板ＰＬ１の下方にバックライトが配置される。表示パネルＰＮＬ１は、外光を利用して画像を表示する反射型であってもよいし、透過型と反射型の双方の機能を備えてもよい。
【００３０】
各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の基体が可撓性を有する樹脂材料で形成されているために、表示パネルＰＮＬ１は、任意の形状に曲げることが可能である。例えば、図１に示した第４辺Ｅ１４が第１偏光板ＰＬ１の下方に位置するように端子領域ＴＡを曲げてもよい。また、他の辺を同様に曲げてもよい。
【００３１】
第１樹脂基体１０は、第１樹脂層１１と、第２樹脂層１２とを備えている。第１樹脂層１１は、例えばポリイミドで形成されている。第２樹脂層１２は、例えば第１樹脂層１１と異なる種類のポリイミドで形成されている。図示した例において、第１樹脂層１１は、周辺領域ＳＡに配置されている。第１樹脂層１１は、上面および表示領域ＤＡ側の側面が第２樹脂層１２で覆われている。第１樹脂層１１の他方の側面は、第２樹脂層１２から露出している。
【００３２】
第１樹脂層１１の第３方向Ｚにおける厚さＴ１１は、第２樹脂層１２の第３方向Ｚにおける厚さＴ１２よりも小さい。例えば、厚さＴ１１は、厚さＴ１２の２／３以下である。第１樹脂層１１の幅Ｗ１は、例えば厚さＴ１２よりも大きい。一例として、幅Ｗ１は１０μｍ以上である。
【００３３】
第１樹脂層１１は図４を用いて後述するように線状であり、第２樹脂層１２は第１樹脂基体１０の全体にわたる板状である。第１樹脂基体１０の第１面１０Ａは、第２樹脂層１２の上面に相当する。第１樹脂基体１０の第２面１０Ｂは、第１樹脂層１１および第２樹脂層１２の下面によって構成されている。第１樹脂層１１は、第１面１０Ａから第２面１０Ｂにわたる形状を有してもよい。この場合には、第１面１０Ａが第１樹脂層１１および第２樹脂層１２の上面によって構成される。
【００３４】
第２樹脂基体２０は、第３樹脂層２１と、第４樹脂層２２とを備えている。第３樹脂層２１および第４樹脂層２２の材質および形状は、第１樹脂層１１および第２樹脂層１２と同様である。すなわち、第３樹脂層２１と第４樹脂層２２は、異なる種類のポリイミドで形成されている。
【００３５】
第３樹脂層２１の厚さＴ２１は第４樹脂層２２の厚さＴ２２よりも小さく、例えば厚さＴ２２の２／３以下である。第３樹脂層２１の幅Ｗ２は、例えば厚さＴ２２よりも大きく、一例では１０μｍ以上である。第２樹脂基体２０の第１面２０Ａは、第４樹脂層２２の下面に相当する。第２樹脂基体２０の第２面２０Ｂは、第３樹脂層２１および第４樹脂層２２の上面によって構成されている。
【００３６】
図示した例において、第３樹脂層２１は、下面および表示領域ＤＡ側の側面が第４樹脂層２２で覆われている。第３樹脂層２１の他方の側面は、第４樹脂層２２から露出している。
【００３７】
第１樹脂層１１および第３樹脂層２１は、周辺領域ＳＡの遮光層２４と対向している。第２樹脂層１２および第４樹脂層２２は、表示領域ＤＡと対向している。図２の例においては、第１樹脂層１１と第３樹脂層２１は、互いに対向している。ただし、第１樹脂層１１と第３樹脂層２１が少なくとも一部において対向しなくてもよい。
【００３８】
図３は、第１樹脂層１１、第２樹脂層１２、第３樹脂層２１および第４樹脂層２２の光吸収スペクトルの一例を表すグラフである。第１樹脂層１１と第３樹脂層２１は、同じ種類のポリイミドで形成することができる。図３中の曲線Ｌ１は、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１の、光の波長（ｎｍ）と光吸収率（％）との関係を示している。また、第２樹脂層１２と第４樹脂層２２は、同じ種類のポリイミドで形成することができる。図３中の曲線Ｌ２は、第２樹脂層１２および第４樹脂層２２の、光の波長と光吸収率との関係を示している。
【００３９】
図示した例において、曲線Ｌ１，Ｌ２は、いずれも低波長において高い光吸収率を示し、波長が大きくなると急激に光吸収率が下降している。これら曲線Ｌ１，Ｌ２の比較から明らかなように、紫外域の波長（例えば１０〜４００ｎｍ）において、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１の光吸収率は、第２樹脂層１２および第４樹脂層２２の光吸収率よりも大きい。特に、曲線Ｌ１，Ｌ２が下降する領域においては、両者の光吸収率の差が極めて大きい。
【００４０】
なお、図３に示した曲線Ｌ１，Ｌ２は一例に過ぎない。各樹脂層１１，１２，２１，２２の光吸収率が急激に低下する領域は、図示した例よりも大きい波長域にあってもよいし、低い波長域にあってもよい。
【００４１】
各樹脂層１１，１２，２１，２２を形成するポリイミドとしては、例えば半芳香族または脂環式のポリイミド、芳香族ポリイミドを用いることができる。この場合において、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１を形成するポリイミドには、例えば第２樹脂層１２および第４樹脂層２２を形成するポリイミドよりも、ベンゼン環の数が多いものを選定すればよい。ベンゼン環が半芳香族または脂環式のポリイミドよりも多い構造の芳香族ポリイミドは、パイ電子共役系が大きくなり、励起状態のエネルギーが低くなるため、光吸収スペクトルが半芳香族または脂環式のポリイミドよりも長波長側にシフトする。これにより、曲線Ｌ１，Ｌ２のような光吸収スペクトルを実現できる。すなわち、曲線Ｌ１は芳香族ポリイミドからなる樹脂層１１，２１の光吸収スペクトルに相当し、曲線Ｌ２は半芳香族または脂環式のポリイミドからなる樹脂層１２，２２の光吸収スペクトルに相当する。  
図３に示すように、波長４００ｎｍよりも短波長側において、曲線Ｌ１にて示す樹脂層１１，２１の光吸収率は、曲線Ｌ２にて示す樹脂層１２，２２の光吸収率より上回っている。
【００４２】
また、本実施形態においては、第１樹脂層１１が第２樹脂層１２よりもガラスに対する密着強度が小さいことが好ましい。同様に、第３樹脂層２１が第４樹脂層２２よりもガラスに対する密着強度が小さいことが好ましい。例えば、第１樹脂層１１のポリイミドのポリマー濃度（あるいはモノマー濃度）を、第２樹脂層１２のポリイミドのポリマー濃度（あるいはモノマー濃度）より小さくすることにより、第１樹脂層１１のガラスに対する密着強度を第２樹脂層１２よりも小さくすることができる。第３樹脂層２１と第４樹脂層２２のガラスに対する密着強度も、同様の方法により調整できる。
【００４３】
図４は、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１の形状を表す表示パネルＰＮＬ１の概略的な平面図である。第１樹脂層１１は、第１樹脂基体１０の縁（各辺Ｅ１１〜Ｅ１４）に沿って枠状に設けられている。同様に、第３樹脂層２１は、第２樹脂基体２０の縁（各辺Ｅ２１〜Ｅ２４）に沿って枠状に設けられている。第３樹脂層２１の各辺Ｅ２１〜Ｅ２３に沿う領域は、第１樹脂層１１と平面視において重畳している。したがって、図４においては、第３樹脂層２１によって第１樹脂層１１の一部が隠されている。
【００４４】
第１樹脂層１１および第３樹脂層２１は、例えば周辺領域ＳＡよりも幅が十分に小さい線状である。ただし、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１は、表示領域ＤＡと重畳しない範囲内であれば、より大きい幅を有してもよい。一例として、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１が周辺領域ＳＡの全体に配置されてもよい。
【００４５】
続いて、表示パネルＰＮＬ１の製造工程の一例について説明する。先ず、マザーガラスの上に複数の第１基板ＳＵＢ１が形成される。同様に、他のマザーガラスの上に複数の第２基板ＳＵＢ２が形成される。
【００４６】
図５は、複数の第１基板ＳＵＢ１が形成されたマザーガラスＭＧの概略的な平面図である。このマザーガラスＭＧは、後の製造工程において、第１基板ＳＵＢ１の形状のカットラインＣＬに沿って切断される。
【００４７】
第１樹脂基体１０は、マザーガラスＭＧの略全体に形成されている。第１樹脂層１１は、各カットラインＣＬに沿って枠状に形成されている。カットラインＣＬは、第１樹脂層１１と重畳している。
【００４８】
第１樹脂層１１を形成するポリイミドとして、例えば感光性のポリイミドを用いることができる。この場合、第１樹脂層１１の元となる材料をマザーガラスＭＧの略全体に塗布し、これを露光および現像して第１樹脂層１１の形状にパターニングする。第１樹脂層１１を形成するポリイミドとして、非感光性のポリイミドを用いることもできる。この場合には、先ず第１樹脂層１１の元となる材料をマザーガラスＭＧの略全体に塗布し、これを加熱により硬化させてポリイミド層を形成する。次いで感光性のレジストをポリイミド層の上方に形成し、これを露光および現像して第１樹脂層１１の形状に開口させる。その後、レジストの開口を通じたエッチングにより、ポリイミド層を第１樹脂層１１の形状にパターニングする。
【００４９】
このように第１樹脂層１１を形成した後、第１樹脂層１１の上から第２樹脂層１２の元となる材料を塗布し、これを加熱により硬化させることで、第２樹脂層１２を形成する。これにより、図２に示したような第１樹脂基体１０を得ることができる。  
第２基板ＳＵＢ２も、以上の第１基板ＳＵＢ１と同様の方法により形成することができる。
【００５０】
各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２がそれぞれ形成された２つのマザーガラスＭＧは、上述のシール材ＳＬを介して貼り合わされる。例えばシール材ＳＬの内側に液晶材料を滴下し、真空雰囲気中で２つのマザーガラスＭＧを貼り合わせることで、上述の液晶層ＬＣを形成することができる。その後、カットラインＣＬに沿って２つのマザーガラスＭＧを切断することにより、個々の表示パネルＰＮＬ１が切り出される。
【００５１】
図６、図７、図８および図９は、マザーガラスＭＧから切り出された表示パネルＰＮＬ１のその後の製造工程を順に示す概略的な断面図である。各図においては、表示パネルＰＮＬ１の要素として第１樹脂基体１０、第２樹脂基体２０、シール材ＳＬおよび液晶層ＬＣのみを示し、他の要素を省略している。
【００５２】
図６においては、第１樹脂基体１０の第２面１０ＢにマザーガラスＭＧから切り出されたガラス基板ＧＳ１が貼り付いている。また、第２樹脂基体２０の第２面２０ＢにマザーガラスＭＧから切り出されたガラス基板ＧＳ２が貼り付いている。この状態において、第２基板ＳＵＢ２の一部を切断する。これにより、第２基板ＳＵＢ２の第４辺Ｅ２４が形成されるとともに、第１基板ＳＵＢ１に端子領域ＴＡが形成される。当該工程における第２基板ＳＵＢ２のカットラインには、第３樹脂層２１が配置されている。この第３樹脂層２１の端子領域ＴＡ側の側面は、第４樹脂層２２から露出する。
【００５３】
続いて、図７に示すように、レーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）によりガラス基板ＧＳ２を取り除く。具体的には、レーザ光源ＬＳからのレーザ光をガラス基板ＧＳ２側から照射し、ガラス基板ＧＳ２と第２樹脂基体２０の界面を剥離させる。
【００５４】
レーザ光としては、エキシマレーザを用いることができる。例えば、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）を用いたエキシマレーザの波長は１９３ｎｍであり、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）を用いたエキシマレーザの波長は２４８ｎｍであり、塩化キセノン（ＸｅＣＬ）を用いたエキシマレーザの波長は３０８ｎｍであり、フッ化キセノン（ＸｅＦ）を用いたエキシマレーザの波長は３５１ｎｍである。また、レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることもできる。ここで例示した各レーザの波長は、いずれも紫外域（１０〜４００ｎｍ）に属している。
【００５５】
ガラス基板ＧＳ２を取り除いた後、図８に示すように、第２樹脂基体２０の第２面２０Ｂに第２偏光板ＰＬ２を貼り付ける。さらに、ガラス基板ＧＳ２と同様に、レーザ光源ＬＳを用いたＬＬＯによりガラス基板ＧＳ１を取り除く。
【００５６】
ガラス基板ＧＳ１を取り除いた後、図９に示すように、第１樹脂基体１０の第２面１０Ｂに第１偏光板ＰＬ１を貼り付ける。以上で表示パネルＰＮＬ１が完成する。
【００５７】
ガラス基板ＧＳ１のＬＬＯにおいて照射されるレーザ光は、ガラス基板ＧＳ１の端面において乱反射する。これにより、ガラス基板ＧＳ１の端面近傍（図４に示した各辺Ｅ１１〜Ｅ１４近傍）では、第１樹脂基体１０に照射されるレーザ光の量が少なくなる。そのため、仮に第１樹脂基体１０の全体を第２樹脂層１２と同様の材料で形成した場合には、各辺Ｅ１１〜Ｅ１４近傍で第１樹脂基体１０とガラス基板ＧＳ１とを円滑に剥離できない可能性がある。ガラス基板ＧＳ２のＬＬＯにおいても同様に、各辺Ｅ２１〜Ｅ２４近傍で第２樹脂基体２０とガラス基板ＧＳ２とを円滑に剥離できない可能性がある。これらの剥離不良が生じると、表示装置ＤＳＰ１の歩留まりが低下する。
【００５８】
これに対し、本実施形態では、各辺Ｅ１１〜Ｅ１４に沿って第２樹脂層１２よりも紫外域の光吸収率が大きい第１樹脂層１１が配置されている。したがって、各辺Ｅ１１〜Ｅ１４近傍でもＬＬＯのレーザ光が十分に吸収され、第１樹脂基体１０とガラス基板ＧＳ１とを円滑に剥離できる。同様に、第２樹脂基体２０の各辺Ｅ２１〜Ｅ２４に沿って第４樹脂層２２よりも紫外域の光吸収率が大きい第３樹脂層２１が配置されているから、第２樹脂基体２０とガラス基板ＧＳ２とを円滑に剥離できる。
【００５９】
また、上述のように第１樹脂層１１のガラスに対する密着強度を第２樹脂層１２よりも小さくすることで、各辺Ｅ１１〜Ｅ１４近傍において第１樹脂基体１０とガラス基板ＧＳ１とをより円滑に剥離できる。同様に、第３樹脂層２１のガラスに対する密着強度を第４樹脂層２２よりも小さくすることで、各辺Ｅ２１〜Ｅ２４近傍において第２樹脂基体２０とガラス基板ＧＳ２とをより円滑に剥離できる。
【００６０】
ガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２の端面における乱反射の影響は、主に端面から１０〜１００μｍの範囲で生じる。したがって、上述のように第１樹脂層１１の幅Ｗ１および第３樹脂層２１の幅Ｗ２が１０μｍ以上であれば好ましい。幅Ｗ１，Ｗ２が５０μｍ以上、さらには１００μｍ以上であればより好ましい。
【００６１】
なお、ガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２の剥離不良を防ぐ方法としては、ガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２のＬＬＯの前に、ガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２の端面近傍にのみ高強度のレーザ光を照射するトリミング工程を導入することも考えられる。このトリミング工程により、ガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２の端面近傍においても、剥離に十分な量のレーザ光を各樹脂基体１０，２０に吸収させることができる。しかしながらこの場合には、トリミング工程の分だけ表示装置ＤＳＰ１の製造工程が増えるし、高強度のレーザ光を受けた第１樹脂基体１０および第２樹脂基体２０から煤が発生する。さらに、第４辺Ｅ２４の近傍に高強度のレーザ光を照射すると、その下方を通る配線にダメージを与え得る。これに対し、本実施形態の構成であれば、トリミング工程を導入しなくてもガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２を円滑に剥離できるので、トリミング工程に起因した問題は生じない。
【００６２】
紫外域において第１樹脂層１１が第２樹脂層１２より大きい光吸収率を有する場合、可視域においても第１樹脂層１１が第２樹脂層１２より大きい光吸収率を有し得る。第３樹脂層２１および第４樹脂層２２についても同様である。すなわち、第１樹脂層１１および第３樹脂層２１が表示領域ＤＡと重畳する場合、画像の輝度が低下する。これに対し、本実施形態では、周辺領域ＳＡにのみ第１樹脂層１１および第３樹脂層２１を配置しているため、画像の輝度は好適に保たれる。
【００６３】
なお、本実施形態においては、第１樹脂基体１０が第１樹脂層１１と第２樹脂層１２の２層構造であり、第２樹脂基体２０が第３樹脂層２１と第４樹脂層２２の２層構造である例を開示した。しかしながら、第１樹脂基体１０が２層構造であり、第２樹脂基体２０が一様な基体であってもよい。また、第１樹脂基体１０が一様な基体であり、第２樹脂基体２０が２層構造であってもよい。
【００６４】
第１樹脂層１１および第３樹脂層２１の平面形状は、図３に示したものに限られない。例えば、第１樹脂層１１は、各辺Ｅ１１〜Ｅ１４のいずれかに配置されていなくてもよい。同様に、第３樹脂層２１は、各辺Ｅ２１〜Ｅ２４のいずれかに配置されていなくてもよい。
【００６５】
［第２実施形態］  
第１実施形態においては、貼り合わされた２つのマザーガラスＭＧから表示パネルＰＮＬ１を切り出した後に、マザーガラスＭＧの一部であったガラス基板ＧＳ１，ＧＳ２を取り除く製造方法を例示した。他の例として、表示パネルＰＮＬ１を切り出す前に、上述のＬＬＯにより第１樹脂基体１０および第２樹脂基体２０をそれぞれマザーガラスＭＧから剥離してもよい。
【００６６】
図１０は、このような製造方法に適した第１樹脂層１１の配置例を示す図である。この図は、図５と同じく、複数の第１基板ＳＵＢ１が形成されたマザーガラスＭＧの概略的な平面図に相当する。
【００６７】
図１０の例においては、マザーガラスＭＧに形成された第１樹脂基体１０の縁（最外周）に沿って、第１樹脂層１１が配置されている。第１樹脂層１１は、図５の例と同じくカットラインＣＬに沿っても配置されている。ただし、本実施形態においてはカットラインＣＬに沿う第１樹脂層１１が配置されていなくてもよい。
【００６８】
本実施形態の構成であれば、マザーガラスＭＧを剥離するためのＬＬＯにおいて、マザーガラスＭＧの端面近傍においても第１樹脂基体１０がレーザ光を十分に吸収する。したがって、第１樹脂基体１０とマザーガラスＭＧとを円滑に剥離できる。
【００６９】
レーザ光を吸収したことにより、第１樹脂基体１０からは気体（原子、分子、あるいはクラスター）が発生する。これらの気体が第１樹脂基体１０とマザーガラスＭＧの間に溜ると、第１樹脂基体１０に不所望な変形が局所的に生じ得る。本実施形態においては、第１樹脂基体１０の縁がマザーガラスＭＧから剥離しやすいため、上記気体が第１樹脂基体１０とマザーガラスＭＧの間から外部に排出されやすい。したがって、第１樹脂基体１０の局所的な変形を抑制することができる。
【００７０】
本実施形態において第１樹脂基体１０について述べた構成は、第２樹脂基体２０にも適用可能である。これにより、第２樹脂基体２０とマザーガラスＭＧとを剥離するためのＬＬＯにおいても、上述した各効果を得ることができる。
【００７１】
［第３実施形態］  
上述の各実施形態においては、液晶表示装置ＤＳＰ１を開示した。第３実施形態においては、有機ＥＬ表示装置を開示する。
【００７２】
図１１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置ＤＳＰ２（以下、表示装置ＤＳＰ２と呼ぶ）の構成例を示す平面図である。第１実施形態と類似する要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７３】
表示装置ＤＳＰ２は、表示パネルＰＮＬ２を備えている。表示パネルＰＮＬ２は、第１辺Ｅ１と、第２辺Ｅ２と、第３辺Ｅ３と、第４辺Ｅ４とを有した矩形状である。各辺Ｅ１，Ｅ２は、第２方向Ｙと平行である。各辺Ｅ３，Ｅ４は、第１方向Ｘと平行である。なお、表示パネルＰＮＬ２は、矩形状に限られない。
【００７４】
表示領域ＤＡに配列された画素ＰＸは、赤色、緑色、青色の副画素ＳＰによって構成することができる。画素ＰＸは、白色の副画素ＳＰなど、他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【００７５】
図１２は、副画素ＳＰの回路構成の一例を示す図である。副画素ＳＰは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、第１スイッチング素子ＳＷ１と、第２スイッチング素子ＳＷ２とを備えている。
【００７６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極ＰＥ（アノード電極）は、第１スイッチング素子ＳＷ１を介して電源線ＰＳに接続されている。第１スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極とソース電極（或いはドレイン電極）との間には、保持容量Ｃが形成されている。第１スイッチング素子ＳＷ１のゲートは、第２スイッチング素子ＳＷ２を介して信号線Ｓに接続されている。第２スイッチング素子ＳＷ２のゲートは、走査線Ｇに接続されている。
【００７７】
第１スイッチング素子ＳＷ１を介して画素電極ＰＥに映像信号が供給されると、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥ（カソード電極）との間に所定の電位差が生じる。この電位差により、有機発光層ＯＲＧが各副画素ＳＰに対応する色に発光する。各色の副画素ＳＰの有機発光層ＯＲＧが放つ光をいずれも同一色（例えば白色）とし、各副画素ＳＰにカラーフィルタを配置してもよい。
【００７８】
図１３は、表示パネルＰＮＬ２の断面の一例を示す図である。ここでは、表示領域ＤＡの一部と、第１辺Ｅ１側の周辺領域ＳＡとを示している。表示パネルＰＮＬ２は、可撓性を有する樹脂基体３０と、バリア層３３と、第１絶縁層３４と、第２絶縁層３５と、第１パッシベーション層３６と、第２パッシベーション層３７と、封止層３８と、第３パッシベーション層３９とを備えている。さらに、表示パネルＰＮＬは、各副画素ＳＰに配置された有機発光層ＯＲＧおよび画素電極ＰＥと、副画素ＳＰの境界に配置されたバンク４０と、共通電極ＣＥとを備えている。
【００７９】
樹脂基体３０は、互いに平行な第１面３０Ａおよび第２面３０Ｂを有している。バリア層３３は、第１面３０Ａを覆っている。第１絶縁層３４は、バリア層３３を覆っている。信号線Ｓは、第１絶縁層３４の上に配置されている。第２絶縁層３５は、信号線Ｓおよび第１絶縁層３４を覆っている。第１パッシベーション層３６は、第２絶縁層３５を覆っている。
【００８０】
画素電極ＰＥは、第１パッシベーション層３６の上に配置されている。有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。バンク４０は、隣り合う副画素ＳＰの画素電極ＰＥおよび有機発光層ＯＲＧの間に配置されている。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧおよびバンク４０を覆っている。第２パッシベーション層３７は、共通電極ＣＥを覆っている。封止層３８は、第２パッシベーション層３７を覆っている。第３パッシベーション層３９は、封止層３８を覆っている。第３パッシベーション層３９の上には、偏光板ＰＬが接着されている。
【００８１】
樹脂基体３０は、第１樹脂層３１と、第２樹脂層３２とを備えている。第１樹脂層３１は、例えばポリイミドで形成されている。第２樹脂層３２は、例えば第１樹脂層３１と異なる種類のポリイミドで形成されている。図示した例において、第１樹脂層３１は、周辺領域ＳＡに配置されている。第１樹脂層３１は、上面および表示領域ＤＡ側の側面が第２樹脂層３２で覆われている。第１樹脂層３１の他方の側面は、第２樹脂層３２から露出している。
【００８２】
第１樹脂層３１の第３方向Ｚにおける厚さＴ３１は、第２樹脂層３２の第３方向Ｚにおける厚さＴ３２よりも小さい。例えば、厚さＴ３１は、厚さＴ３２の２／３以下である。第１樹脂層３１の幅Ｗ３は、例えば厚さＴ３２よりも大きい。一例では、幅Ｗ３は１０μｍ以上である。幅Ｗ３が５０μｍ以上であれば好ましく、１００μｍ以上であればより好ましい。
【００８３】
第１樹脂層３１は図１４を用いて後述するように線状であり、第２樹脂層３２は樹脂基体３０の全体にわたる板状である。樹脂基体３０の第１面３０Ａは、第２樹脂層３２の上面に相当する。樹脂基体３０の第２面３０Ｂは、第１樹脂層３１および第２樹脂層３２の下面によって構成されている。第２面３０Ｂに支持フィルムなどの部材が貼り付けられてもよい。
【００８４】
例えば、第１樹脂層３１および第２樹脂層３２は、それぞれ図３の曲線Ｌ１，Ｌ２と同様の光吸収スペクトルを有している。すなわち、紫外域の波長（例えば１０〜４００ｎｍ）において、第１樹脂層３１の光吸収率は、第２樹脂層３２の光吸収率よりも大きい。
【００８５】
図１４は、第１樹脂層３１の形状を表す表示パネルＰＮＬ２の概略的な平面図である。第１樹脂層３１は、樹脂基体３０の縁（各辺Ｅ１〜Ｅ４）に沿って枠状に設けられている。第１樹脂層３１は、例えば周辺領域ＳＡよりも幅が十分に小さい線状である。ただし、第１樹脂層３１は、表示領域ＤＡと重畳しない範囲内であれば、より大きい幅を有してもよい。一例として、第１樹脂層３１が周辺領域ＳＡの全体に配置されてもよい。
【００８６】
表示装置ＤＳＰ２の製造工程において、樹脂基体３０は、上述の第１樹脂基体１０および第２樹脂基体２０と同様にマザーガラスに形成される。このマザーガラスは、例えば表示パネルＰＮＬ２がマザーガラスから切り出された後に、ＬＬＯによって剥離される。このＬＬＯに際しては、第１樹脂層３１がレーザ光を良好に吸収するので、各辺Ｅ１〜Ｅ４近傍においても樹脂基体３０とガラス基板とを円滑に剥離できる。その他、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
なお、第２実施形態と同様に、表示パネルＰＮＬ２を切り出す前に、ＬＬＯにより樹脂基体３０をマザーガラスから剥離してもよい。この場合には、図１０の例と同じく、マザーガラスに形成された樹脂基体３０の縁（最外周）に沿って第１樹脂層３１が配置されてもよい。
【００８８】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。  
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。  
また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８９】
ＤＳＰ１…表示装置、ＰＮＬ１…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、Ｇ…走査線、Ｓ…信号線、ＧＳ１，ＧＳ２…ガラス基板、１０…第１樹脂基体、１１…第１樹脂層、１２…第２樹脂層、２０…第２樹脂基体、２１…第３樹脂層、２２…第４樹脂層、２４…遮光層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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