(57)【要約】【課題】センサ基板と外部磁性体を備えた磁気センサにおいて、センサ基板の素子形成面に加わるダメージを低減する。【解決手段】感磁素子Ｒ１〜Ｒ４が形成された素子形成面２０ａと素子形成面２０ａの反対側に位置する裏面２０ｂとを有するセンサ基板２０と、１又は２以上の外部磁性体とを備える。外部磁性体は、センサ基板２０の裏面２０ｂを覆う第１の外部磁性体３１を含み、センサ基板２０の素子形成面２０ａは、外部磁性体で覆われることなく露出している。これにより、第１の外部磁性体３１によって外部磁束が集磁されることから、磁界の検出感度が高められる。しかも、センサ基板２０の素子形成面２０ａは、外部磁性体で覆われることなく露出していることから、製造時においてセンサ基板２０の素子形成面２０ａと外部磁性体が擦れ合うようなことがない。これにより、製造時においてセンサ基板２０の素子形成面２０ａに加わりうるダメージが低減される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は２以上の感磁素子が形成された素子形成面と、前記素子形成面の反対側に位置する裏面とを有するセンサ基板と、
１又は２以上の外部磁性体と、を備え、
前記外部磁性体は、前記センサ基板の前記裏面を覆う第１の外部磁性体を含み、
前記センサ基板の前記素子形成面は、前記外部磁性体で覆われることなく露出していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記センサ基板は、前記素子形成面及び前記裏面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面をさらに有し、
前記外部磁性体は、前記センサ基板の前記第１の側面を覆う第２の外部磁性体と、前記センサ基板の前記第２の側面を覆う第３の外部磁性体とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記感磁素子は、互いに同一の感度方向を有する第１及び第２の感磁素子を含み、
前記第１の外部磁性体は、平面視で前記第１の感磁素子と前記第２の感磁素子の間の領域に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記センサ基板は、前記素子形成面及び前記裏面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面をさらに有し、
前記外部磁性体は、前記センサ基板の前記裏面を覆う第２の外部磁性体をさらに含み、
前記第１の外部磁性体は、前記裏面において前記第１の側面方向にオフセットして配置され、
前記第２の外部磁性体は、前記裏面において前記第２の側面方向にオフセットして配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記感磁素子は、互いに同一の感度方向を有し、前記素子形成面において前記第１の側面方向にオフセットして配置された第１の感磁素子と、前記素子形成面において前記第２の側面方向にオフセットして配置された第２の感磁素子とを含み、
前記第１の外部磁性体は、平面視で前記第１の感磁素子と重なることなく、前記第１の感磁素子よりも前記第１の側面方向に大きくオフセットして配置され、
前記第２の外部磁性体は、平面視で前記第２の感磁素子と重なることなく、前記第２の感磁素子よりも前記第２の側面方向に大きくオフセットして配置されていることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記センサ基板の前記素子形成面に設けられた磁性体層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記センサ基板及び前記外部磁性体が実装された回路基板をさらに備え、
前記センサ基板は、前記素子形成面が前記回路基板の実装面に対して略垂直となるよう実装されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記センサ基板及び前記外部磁性体が実装された回路基板をさらに備え、
前記センサ基板は、前記素子形成面が前記回路基板の実装面と向かい合うよう実装されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気センサに関し、特に、感磁素子が形成されたセンサ基板と外部磁性体とを備えた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
感磁素子を用いた磁気センサは、電流計や磁気エンコーダなどに広く用いられている。特許文献１に記載されているように、磁気センサには、感磁素子に磁束を集めるための外部磁性体が設けられることがある。例えば、特許文献１の図８に記載された磁気センサは、センサ基板の素子形成面の中央部を覆う磁性体２１と、センサ基板の左側面を覆う磁性体２２と、センサ基板の右側面を覆う磁性体２３とを有し、磁性体２１と２２の間、並びに、磁性体２１と２３の間にそれぞれ感磁素子を配置することにより、感磁素子に磁束を分配する構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５５００７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された磁気センサのように、センサ基板の素子形成面に外部磁性体を配置すると、製造時においてセンサ基板の素子形成面と外部磁性体が擦れ合い、これによってセンサ基板の素子形成面にダメージが加わるおそれがあった。
【０００５】
したがって、本発明は、センサ基板と外部磁性体を備えた磁気センサにおいて、センサ基板の素子形成面に加わるダメージを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による磁気センサは、１又は２以上の感磁素子が形成された素子形成面と素子形成面の反対側に位置する裏面とを有するセンサ基板と、１又は２以上の外部磁性体とを備え、外部磁性体は、センサ基板の裏面を覆う第１の外部磁性体を含み、センサ基板の素子形成面は、外部磁性体で覆われることなく露出していることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、第１の外部磁性体によって外部磁束が集磁されることから、磁界の検出感度を高めることが可能となる。しかも、センサ基板の素子形成面は、外部磁性体で覆われることなく露出していることから、製造時においてセンサ基板の素子形成面と外部磁性体が擦れ合うようなことがない。これにより、製造時においてセンサ基板の素子形成面に加わりうるダメージを低減することが可能となる。
【０００８】
本発明において、センサ基板は、素子形成面及び裏面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面をさらに有し、外部磁性体は、センサ基板の第１の側面を覆う第２の外部磁性体と、センサ基板の第２の側面を覆う第３の外部磁性体とをさらに含んでいても構わない。これによれば、磁界の検出感度をより高めることが可能となる。
【０００９】
本発明において、感磁素子は、互いに同一の感度方向を有する第１及び第２の感磁素子を含み、第１の外部磁性体は、平面視で第１の感磁素子と第２の感磁素子の間の領域に配置されていても構わない。これによれば、センサ基板の素子形成面に対して垂直な磁束の向きが外部磁性体によって水平方向に曲げられ、その結果、第１の感磁素子と第２の感磁素子に与えられる磁束の水平成分が互いに逆方向となる。これにより、第１及び第２の感磁素子から差動信号を得ることが可能となる。
【００１０】
本発明において、センサ基板は、素子形成面及び裏面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面をさらに有し、外部磁性体は、センサ基板の裏面を覆う第２の外部磁性体をさらに含み、第１の外部磁性体は、裏面において第１の側面方向にオフセットして配置され、第２の外部磁性体は、裏面において第２の側面方向にオフセットして配置されていても構わない。このようなレイアウトによっても、センサ基板の素子形成面に対して垂直な磁束の向きを外部磁性体によって水平方向に曲げることができる。
【００１１】
本発明において、感磁素子は、互いに同一の感度方向を有し、素子形成面において第１の側面方向にオフセットして配置された第１の感磁素子と、素子形成面において第２の側面方向にオフセットして配置された第２の感磁素子とを含み、第１の外部磁性体は、平面視で第１の感磁素子と重なることなく、第１の感磁素子よりも第１の側面方向に大きくオフセットして配置され、第２の外部磁性体は、平面視で第２の感磁素子と重なることなく、第２の感磁素子よりも第２の側面方向に大きくオフセットして配置されていても構わない。これによれば、第１の外部磁性体によって水平方向に曲げられた磁束が第１の感磁素子に印加され、第２の外部磁性体によって水平方向に曲げられた磁束が第２の感磁素子に印加されるため、第１及び第２の感磁素子から差動信号を得ることが可能となる。
【００１２】
本発明による磁気センサは、センサ基板の素子形成面に設けられた磁性体層をさらに備えていても構わない。これによれば、磁性体層がセンサ基板の素子形成面上における磁路となることから、磁気抵抗が大幅に低減する。これにより、検出感度をよりいっそう高めることが可能となる。
【００１３】
本発明による磁気センサは、センサ基板及び外部磁性体が実装された回路基板をさらに備え、センサ基板は、素子形成面が回路基板の実装面に対して略垂直となるよう実装されていても構わない。このように、センサ基板を回路基板上に寝かせて実装すれば、外部磁性体の長さが長い場合であっても、外部磁性体を回路基板上に安定して支持することが可能となる。
【００１４】
本発明による磁気センサは、センサ基板及び外部磁性体が実装された回路基板をさらに備え、センサ基板は、素子形成面が回路基板の実装面と向かい合うよう実装されていても構わない。これによれば、素子形成面が回路基板の実装面で覆われることから、製造時だけでなく、実使用時においてもセンサ基板の素子形成面にダメージが加わりにくくなる。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明によれば、センサ基板の素子形成面が外部磁性体で覆われることなく露出していることから、製造時においてセンサ基板の素子形成面と外部磁性体が擦れ合うことがない。これにより、センサ基板の素子形成面に加わるダメージを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１１の略断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１１の略平面図である。
【図３】図３は、磁気センサ１１における磁束φの流れを説明するための模式図である。
【図４】図４は、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の接続関係を説明するための回路図である。
【図５】図５は、磁気センサ１１の実装方法の一例を説明するための略斜視図である。
【図６】図６は、磁気センサ１１の実装方法の他の例を説明するための略斜視図である。
【図７】図７は、変形例による磁気センサ１１Ａの平面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１２の略断面図である。
【図９】図９は、磁気センサ１２における磁束φの流れを説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、磁気センサ１２の実装方法の一例を説明するための略斜視図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ１３の断面図である。
【図１２】図１２は、磁気センサ１３における磁束φの流れを説明するための模式図である。
【図１３】図１３は、磁気センサ１３の実装方法の一例を説明するための略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２は、それぞれ本発明の第１の実施形態による磁気センサ１１の略断面図及び略平面図である。ここで、図１は図２に示すＡ−Ａ線に沿った断面を示している。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態による磁気センサ１１は、センサ基板２０と、センサ基板２０に付加された第１の外部磁性体３１とを備えている。センサ基板２０はチップ部品であり、その作製方法としては、集合基板に多数のセンサ基板２０を同時に形成し、これらを分離することによって多数個取りする方法が一般的であるが、本発明がこれに限定されるものではなく、個々のセンサ基板２０を別個に作製しても構わない。
【００２０】
センサ基板２０は略直方体形状を有し、ｘｙ平面を構成する素子形成面２０ａには４つの感磁素子Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。感磁素子Ｒ１〜Ｒ４は、磁束密度によって物理特性の変化する素子であれば特に限定されないが、磁界の向きに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子であることが好ましい。本実施形態においては、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の感度方向（固定磁化方向）は、図２の矢印Ｐが示す方向（ｘ方向におけるプラス側）に全て揃えられている。素子形成面２０ａ上には絶縁膜２１が形成されており、これによって感磁素子Ｒ１〜Ｒ４が保護されている。ここで、素子形成面２０ａとは、センサ基板２０自体の表面のみならず、センサ基板２０の表面上に１又は２以上の絶縁膜が形成されている場合は、これら絶縁膜の各表面も素子形成面２０ａを構成する。図２に示すように、素子形成面２０ａには、端子電極Ｅ１１〜Ｅ１４も形成されている。
【００２１】
第１の外部磁性体３１は、フェライトなど透磁率の高い軟磁性材料からなるブロックである。第１の外部磁性体３１は、センサ基板２０の裏面２０ｂを覆うよう配置されている。センサ基板２０の裏面２０ｂとは、センサ基板２０の素子形成面２０ａの反対側に位置するｘｙ平面であり、感磁素子や端子電極などは形成されていない。これに対し、センサ基板２０の素子形成面２０ａは、外部磁性体で覆われることなく露出している。
【００２２】
第１の外部磁性体３１は、平面視で、つまりｚ方向から見て、感磁素子Ｒ１，Ｒ３と感磁素子Ｒ２，Ｒ４との間に配置されており、ｚ方向を長手方向とする直方体形状を有している。図３に示すように、第１の外部磁性体３１はｚ方向の磁束φをｘ方向に曲げることによって集磁する役割を果たす。これにより、ｚ方向の磁束φが発生すると、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４に対して、感度方向であるｘ方向の磁界成分が与えられる。第１の外部磁性体３１のｚ方向における高さについては特に限定されないが、ｚ方向における高さをより高くすることによって、ｚ方向の磁束の選択性を高めることができる。本実施形態においては、第１の外部磁性体３１のｙ方向における幅がセンサ基板２０のｙ方向における幅と略一致しているが、本発明がこれに限定されるものではない。
【００２３】
図４は、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の接続関係を説明するための回路図である。
【００２４】
図４に示すように、本実施形態による磁気センサ１１は、４つの端子電極Ｅ１１〜Ｅ１４を有しており、端子電極Ｅ１１，Ｅ１４にはそれぞれグランド電位Ｇｎｄ及び電源電位Ｖｄｄが供給される。また、端子電極Ｅ１１，Ｅ１４間には、感磁素子Ｒ１，Ｒ２が直列に接続されるとともに、感磁素子Ｒ４，Ｒ３が直列に接続される。そして、感磁素子Ｒ３，Ｒ４の接続点は端子電極Ｅ１２に接続され、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の接続点は端子電極Ｅ１３に接続される。このようなブリッジ接続により、端子電極Ｅ１３に現れる電位Ｖａと端子電極Ｅ１２に現れる電位Ｖｂを参照することにより、磁束密度に応じた感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の電気抵抗の変化を高感度に検出することが可能となる。
【００２５】
具体的には、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４が全て同一の磁化固定方向を有していることから、第１の外部磁性体３１からみて一方側に位置する感磁素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗変化量と、第１の外部磁性体３１からみて他方側に位置する感磁素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗変化量との間には差が生じる。この差は、図４に示した差動ブリッジ回路によって２倍に増幅され、端子電極Ｅ１２，Ｅ１３に現れる。このため、端子電極Ｅ１２，Ｅ１３に現れる電位Ｖａ，Ｖｂの差を検出することによって、磁束密度を測定することが可能となる。
【００２６】
このように、本実施形態による磁気センサ１１は、第１の外部磁性体３１を備えていることから、ｚ方向の磁束を選択的に検出することができる。しかも、本実施形態による磁気センサ１１は、センサ基板２０の素子形成面２０ａが外部磁性体で覆われることなく露出していることから、製造時において素子形成面２０ａと外部磁性体が擦れ合うなどの問題が発生しない。これにより、素子形成面２０ａに加わるダメージを低減することが可能となる。
【００２７】
図５は、本実施形態による磁気センサ１１の実装方法の一例を説明するための略斜視図である。
【００２８】
図５に示す例では、回路基板４０のｘｚ面が実装面４１であり、この実装面４１に磁気センサ１１を９０°寝かせて実装している。つまり、センサ基板２０の素子形成面２０ａが回路基板４０の実装面４１に対して略垂直となるよう実装されている。回路基板４０の実装面４１にはランドパターンＥ２１〜Ｅ２４が設けられており、これらランドパターンＥ２１〜Ｅ２４は、ハンダＳを介してそれぞれ端子電極Ｅ１１〜Ｅ１４に接続される。このような実装方法によれば、第１の外部磁性体３１を回路基板４０に固定することができることから、第１の外部磁性体３１のｚ方向における長さが長い場合であっても、第１の外部磁性体３１を安定して支持することが可能となる。また、本例においては、第１の外部磁性体３１を回路基板４０に固定することができるため、センサ基板２０の裏面２０ｂと第１の外部磁性体３１を必ずしも接着する必要はない。
【００２９】
図６は、本実施形態による磁気センサ１１の実装方法の他の例を説明するための略斜視図である。
【００３０】
図６に示す例では、回路基板４０のｘｙ面が実装面４１であり、センサ基板２０の素子形成面２０ａが回路基板４０の実装面４１と向かい合うよう、磁気センサ１１を立てて実装している。回路基板４０の実装面４１にはランドパターンＥ２１〜Ｅ２４が設けられており、これらランドパターンＥ２１〜Ｅ２４は、ハンダＳを介してそれぞれ端子電極Ｅ１１〜Ｅ１４に接続される。本例のように、磁気センサ１１を立てて実装する場合、端子電極Ｅ１１〜Ｅ１４を一箇所にまとめて配置するのではなく、素子形成面２０ａの外周近傍に分散して配置することにより、磁気センサ１１を回路基板４０に安定的に固定することができる。このような実装方法によれば、センサ基板２０の素子形成面２０ａが下方を向くことから、実使用時においても素子形成面２０ａが保護され、ダメージが加わりにくくなる。
【００３１】
図７は、変形例による磁気センサ１１Ａの平面図である。
【００３２】
図７に示す磁気センサ１１Ａは、センサ基板２０の素子形成面２０ａに磁性体層Ｍ１〜Ｍ３が形成されている点において、図２に示した磁気センサ１１と相違している。磁性体層Ｍ１は、素子形成面２０ａの略中央に位置し、そのｘ方向における両側に磁性体層Ｍ２，Ｍ３が配置される。そして、磁性体層Ｍ１と磁性体層Ｍ２によって形成されるギャップに感磁素子Ｒ１，Ｒ３が配置され、磁性体層Ｍ１と磁性体層Ｍ３によって形成されるギャップに感磁素子Ｒ２，Ｒ４が配置される。特に限定されるものではないが、磁性体層Ｍ１〜Ｍ３としては、樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、ニッケル又はパーマロイなどの軟磁性材料からなる薄膜もしくは箔であっても構わないし、フェライトなどからなる薄膜又はバルクシートであっても構わない。
【００３３】
素子形成面２０ａにこのような磁性体層Ｍ１〜Ｍ３を設ければ、磁気抵抗が低下し、磁束φが効率よく感磁素子Ｒ１〜Ｒ４を通過することから、検出精度を高めることが可能となる。
【００３４】
＜第２の実施形態＞
図８は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１２の略断面図である。
【００３５】
図８に示すように、第２の実施形態による磁気センサ１２は、第２の外部磁性体３２及び第３の外部磁性体３３が追加されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１１と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３６】
第２の外部磁性体３２は、センサ基板２０の第１の側面２０ｃを覆って設けられ、第３の外部磁性体３３は、センサ基板２０の第２の側面２０ｄを覆って設けられている。ここで、第１及び第２の側面２０ｃ，２０ｄはｙｚ平面を構成し、互いに反対側に位置する。第２及び第３の外部磁性体３２，３３は、フェライトなど透磁率の高い軟磁性材料からなるブロックであり、第１の外部磁性体３１と同じ材料からなるものであっても構わない。そして、第２及び第３の外部磁性体３２，３３は、それぞれセンサ基板２０の第１及び第２の側面２０ｃ，２０ｄを覆うとともに、上方へ突出した部分を有している。
【００３７】
これにより、図９に示すように、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４に与えられるｘ方向の磁界成分がより大きくなることから、磁界の検出感度をより高めることが可能となる。ここで、磁界の検出感度をより高めるためには、第２及び第３の外部磁性体３２，３３の下端（裏面２０ｂ側のｘｙ端面）は、センサ基板２０の素子形成面２０ａにできるだけ近い方が好ましい。
【００３８】
本実施形態による磁気センサ１２は、図１０に示すように、回路基板４０のｘｚ面を構成する実装面４１に９０°寝かせて実装することができる。このような実装方法によれば、第１〜第３の外部磁性体３１〜３３を回路基板４０に固定することができることから、第１〜第３の外部磁性体３１〜３３のｚ方向における長さが長い場合であっても、第１〜第３の外部磁性体３１〜３３を安定して支持することが可能となる。また、図１０に示す実装方法によれば、第２及び第３の外部磁性体３２，３３を回路基板４０に固定することができるため、センサ基板２０の側面２０ｃ，２０ｄと第２及び第３の外部磁性体３２，３３を必ずしも接着する必要はない。
【００３９】
＜第３の実施形態＞
図１１は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ１３の断面図である。
【００４０】
図１１に示すように、第３の実施形態による磁気センサ１３は、第２の外部磁性体３２が追加されているとともに、第１及び第２の外部磁性体３１，３２がいずれもｘ方向にオフセットして配置されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１１と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４１】
第１の外部磁性体３１は、センサ基板２０の裏面２０ｂにおいて第１の側面２０ｃ方向にオフセットして配置されている。同様に、第２の外部磁性体３２は、センサ基板２０の裏面２０ｂにおいて第２の側面２０ｄ方向にオフセットして配置されている。特に、第１の外部磁性体３１は、感磁素子Ｒ２，Ｒ４よりも第１の側面２０ｃ方向に大きくオフセットして配置され、これによりｚ方向から見て感磁素子Ｒ２，Ｒ４と重ならないことが好ましい。同様に、第２の外部磁性体３２は、感磁素子Ｒ１，Ｒ３よりも第２の側面２０ｄ方向に大きくオフセットして配置され、これによりｚ方向から見て感磁素子Ｒ１，Ｒ３と重ならないことが好ましい。
【００４２】
これにより、図１２に示すように、ｚ方向の磁束φがｘ方向に曲げられることから、第１の実施形態と同様に磁界の検出することが可能となる。本実施形態が例示するように、本発明において外部磁性体を感磁素子Ｒ１，Ｒ３と感磁素子Ｒ２，Ｒ４との間に配置することは必須でない。
【００４３】
本実施形態による磁気センサ１３は、図１３に示すように、回路基板４０のｘｚ面を構成する実装面４１に９０°寝かせて実装することができる。このような実装方法によれば、第１及び第２の外部磁性体３１，３２を回路基板４０に固定することができることから、第１及び第２の外部磁性体３１，３２のｚ方向における長さが長い場合であっても、第１及び第２の外部磁性体３１，３２を安定して支持することが可能となる。また、図１３に示す実装方法によれば、第１及び第２の外部磁性体３１，３２を回路基板４０に固定することができるため、センサ基板２０の裏面２０ｂと第１及び第２の外部磁性体３１，３２を必ずしも接着する必要はない。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４５】
例えば、上記各実施形態では、４つの感磁素子Ｒ１〜Ｒ４を用いているが、本発明において使用する感磁素子の数がこれに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４６】
１１，１１Ａ，１２，１３    磁気センサ
２０    センサ基板
２０ａ    素子形成面
２０ｂ    素子形成面の裏面
２０ｃ    素子形成面の第１の側面
２０ｄ    素子形成面の第２の側面
２１    絶縁膜
３１    第１の外部磁性体
３２    第２の外部磁性体
３３    第３の外部磁性体
４０    回路基板
４１    回路基板の実装面
Ｅ１１〜Ｅ１４    端子電極
Ｅ２１〜Ｅ２４    ランドパターン
Ｍ１〜Ｍ３    磁性体層
Ｒ１〜Ｒ４    感磁素子
Ｓ    ハンダ
φ    磁束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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