(57)【要約】      （修正有）【課題】生産ライン上の薄膜トランジスタパネルを検査するための、特に最終組立前に駆動ＩＣ回路線を検査するための新規な方法を開発する必要がある。【解決手段】本願は、薄膜トランジスタパネルを検査する方法を提案する。前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域は、第一表示側２１３と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側２１７と、を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記方法は、複数のプローブ４１及び少なくとも一つの感知ユニットを提供する工程と、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するために、前記複数の機能テストパッドの上に前記複数のプローブを配置する工程と、前記第一表示側に近い感知位置に前記感知ユニットを配置する工程及び前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含む。【選択図】図２Ａ
2019095773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタパネルを検査する方法であって、
前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、
前記表示領域は、第一表示側と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側と、を含み、
前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、
前記方法は、
複数のプローブ及び少なくとも一つの感知ユニットを提供する工程と、
一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するために、前記複数の機能テストパッドの上に前記複数のプローブを配置する工程と、
前記第一表示側に近い感知位置に前記感知ユニットを配置する工程及び前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルを検査する方法。
【請求項２】
前記周辺領域は、前記第一表示側に近い第一周辺側と、前記第二表示側に近い第二周辺側と、を含み、
前記複数の機能テストパッドは、前記第一周辺側に配置され、前記感知信号は前記周辺領域に線欠陥が存在するか否かを示すテスト結果を表すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記周辺領域は、駆動ＩＣ回路と、線回路領域と、を含み、
前記非接触方式は、電磁結合及び容量結合のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタパネルは、前記表示領域の上に配置され、複数の縦方向の導電線と複数の横方向の導電線とを有するショートバー回路を含み、
前記一組の電気信号が前記複数の機能テストパッドに入力される時、テスト中の前記複数の縦方向の導電線の任意の隣接する二つ又は前記複数の横方向の導電線の任意の隣接する二つの間に電圧差が存在することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
薄膜トランジスタパネルを検査する装置であって、
前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、
前記表示領域は、第一表示側と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側と、を含み、
前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、
前記装置は、
一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するように構成される複数のプローブと、
前記第一表示側に近い特定の感知位置に配置され、前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信するように構成される少なくとも一つの感知ユニットと、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルを検査する装置。
【請求項６】
前記周辺領域は、前記第一表示側に近い第一周辺側と、前記第二表示側に近い第二周辺側と、を含み、
前記複数の機能テストパッドは前記第一周辺側に配置され、前記感知信号は前記周辺領域に線欠陥が存在するか否かを示すテスト結果を表し、
前記周辺領域は、駆動ＩＣ回路と、線回路領域と、を含み、
前記非接触方式は、電磁結合及び容量結合のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
マトリクスパネルに対するオープンショートテストを行う方法であって、
前記マトリクスパネルは、エッジを有する少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、
前記表示領域は、前記表示領域の上に配置され、複数の縦方向の導電線と複数の横方向の導電線とを有するショートバー回路を含み、
前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、
前記方法は、
一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに接触方式で入力する工程と、
前記表示領域の前記エッジに近い感知位置に非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含むことを特徴とするマトリクスパネルに対するオープンショートテストを行う方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願と優先権主張の相互参照
本出願は、２０１７年１１月２１日に出願された出願番号１０６１０４３８５の台湾出願に基づく利益を主張し、その内容は参考として本明細書に取り入れるものとする。
【０００２】
本発明は、検査方法及び検査装置に関し、特に、生産ラインにおける薄膜トランジスタパネルを検査する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
図１Ａの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）装置１のような典型的な薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置は、背面のバックライトモジュール３と、正面の色フィルタ基板５と、中央の薄膜トランジスタ基板１０とから構成される。前記バックライトモジュール３の両端にそれぞれ配置される発光部品３０１/３０２は、異なる方向に同時に発光することができる。これらの光は、反射及び屈折の組み合わせにより異なる経路を介して上方向に共通のいくつかの平行光になり、薄膜トランジスタ基板１０及び色フィルタ基板５を順次通過する。
【０００４】
薄膜トランジスタ基板１０は、ガラス基板上に形成される薄膜トランジスタアレイを有する。薄膜トランジスタアレイは、横方向及び縦方向の回路線とその間に形成される薄膜トランジスタとから構成され、多層プロセスによって製造される。薄膜トランジスタアレイに存在する欠陥を特定し、必要な時に修理又は再加工を適時に行うために、生産ラインの上流の薄膜トランジスタ基板１０に対して、いわゆるオープンショートテストのようなテストを行う必要がある。
【０００５】
現在の高画素密度の薄膜トランジスタパネルの薄膜トランジスタ素子は、各画素が占める面積を最小化するために、テスト信号の入力又は出力に使用されるテストパッドを配置するためのスペースを提供しない。従って、従来の接触式テストはもはや適用できず、オープンショートテストのための非接触方式に置き換えられる。
【０００６】
図１Ｂは、従来の表面に回路線１２を有する薄膜トランジスタ基板１０上でオープンショートテストを行う例を示す。検査された薄膜トランジスタ基板１０の表面上には、前記表面からの距離ＤＰ（例えば、１００〜１５０μm）で、感知信号をそれぞれ伝送及び受信する（信号の伝送方向を示す黒い矢印を参照する）信号感知ヘッド１１、１３が配置される。薄膜トランジスタ基板１０の表面上に波形で示された検査信号は、回路線１２に沿って左から右に伝送される。次いで、受信される信号は、分析される前に、アンプ１４によって処理される。図１Ｂにおいて、回路線１２に欠陥１７が存在する場合に、信号変化ＳＣが発生し、そして前記受信された信号を使用して、回路線１２が正常であるかどうかを判定する。
【０００７】
上述の技術方案における非接触方式は、通常、容量結合を用いる。しかし、各端部での容量結合は、強度及び解像度の点で著しい信号低下をもたらし、後続の分析の困難を引き起こす可能性がある。また、容量結合による非接触方式は、薄膜トランジスタパネルの表示領域の検査にのみ適用され、検査範囲が限定されている。ゲートドライブオンアレイ（ＧＯＡ）やゲートドライブオンパネル（ＧＯＰ）領域などの周辺領域については、最終組立後の機能テストの段階までは駆動ＩＣ回路線をテストすることができない。駆動ＩＣ回路上の欠陥が存在し、欠陥が発見されず、回路生産プロセスの直後にタイムリーに修理されない場合、最終組立段階後の修理プロセスは、時間及び材料の点ではるかに多くの費用を要する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これに鑑みて、生産ライン上の薄膜トランジスタパネルを検査するための、特に最終組立前に駆動ＩＣ回路線を検査するための新規な方法及び装置を開発する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的を達成するために、本願は、薄膜トランジスタパネルを検査する方法を提案する。前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域は、第一表示側と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側と、を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記方法は、複数のプローブ及び少なくとも一つの感知ユニットを提供する工程と、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するために、前記複数の機能テストパッドの上に前記複数のプローブを配置する工程と、前記第一表示側に近い感知位置に前記感知ユニットを配置する工程及び前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含む。
【００１０】
上述の目的を達成するために、本願は、薄膜トランジスタパネルを検査する装置を提案する。前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域は、第一表示側と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側と、を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記装置は、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するように構成される複数のプローブと、前記第一表示側に近い特定の感知位置に配置され、前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信するように構成される少なくとも一つの感知ユニットと、を含む。
【００１１】
上述の目的を達成するために、本願は、エッジを有する少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含むマトリクスパネルに対するオープンショートテストを行う方法を提案する。前記表示領域は、前記表示領域の上に配置され、複数の縦方向の導電線と複数の横方向の導電線とを有するショートバー回路を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記方法は、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに接触方式で入力する工程と、前記表示領域の前記エッジに近い感知位置に非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含む。
【００１２】
上述の装置及び方法は、接触方式でテスト信号を入力し、非接触方式で感知信号を受信するように構成され、薄膜トランジスタパネル製造のような生産ラインでの自動検査に適用可能である。従って、本発明は産業上の利用可能性を有する。
【００１３】
本発明の目的及び利点は、以下の詳細な説明及び添付の図面を検討した後、当業者にはより容易に明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】一般的な薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置を示す模式図である。
【図１Ｂ】従来の薄膜トランジスタ基板のオープンショートテストの一つの例を示す模式図である。
【図２Ａ】〜
【図２Ｂ】本発明の一つの実施形態に係る薄膜トランジスタパネルを検査する方法及び装置を示す模式図である。
【図３】本発明に係る第一連結ユニットを用いる非接触方式による電気信号の感知の実施形態を示す模式図である。
【図４】本発明に係る薄膜トランジスタ基板上のショートバー回路を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。
【００１６】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の一つの実施形態に係る薄膜トランジスタパネルを検査する方法及び装置を示す。 図２Ｂは、ガラス基板１００から分離された後に個々の薄膜トランジスタ基板２００となるいくつかの部分（四つの部分など）を含むガラス基板１００全体の一つの例を示す。当業者であれば、複数の薄膜トランジスタ回路を同時に製造するために、異なる用途に応じて、単一のガラス基板上に薄膜トランジスタ基板に対して予め定められた異なる数の領域を設計することができる。
【００１７】
図２Ａは、本発明に係る薄膜トランジスタパネルを検査する方法及び装置を紹介するために、ガラス基板１００上に薄膜トランジスタ基板２００を製造するために予め定められた部分を示している。薄膜トランジスタ基板２００は、少なくとも一つの表示領域２１０と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含む。前記表示領域２１０は、第一表示側２１３と、第二表示側２１７と、第三表示側２１５と、を有する。前記周辺領域は、第一内部回路線領域２３１、第一駆動ＩＣ２３３及び第一外部回路線領域２３５を有する第一周辺側２３０と、第二内部回路線領域２７１、第二駆動ＩＣ２７３及び第二外部回路線領域２７５を有する第二周辺側２７０と、第三内部回路線領域２５１、第三駆動ＩＣ２５３及び第三外部回路線領域２５５を有する第三周辺側２５０と、を含む。複数の機能テスト信号入力パッド２３５１、２７５１、２５５１は、前記第一外部回路線領域２３５、前記第二外部回路線領域２７５及び前記第三内部回路線領域２５１にそれぞれ配置される。本来の設計によれば、これらの機能テスト信号入力パッド２３５１、２７５１、２５５１は、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置が完全に組み立てられた後の将来のバックエンドプロセスにおいて機能テストを行う際に信号入力に使用されることになる。
【００１８】
当業者であれば、前記薄膜トランジスタ基板２００上の前記表示領域２１０は、その上に交差配置される横方向及び縦方向の導電線を含み、薄膜トランジスタマトリックスアレイは複数の薄膜トランジスタで形成され、複数の薄膜トランジスタの各々は、基板２００上の横方向及び縦方向の導電線の断面の近くに配置されることを理解することができる。図２Ａに示すように、前記第一表示側２１３は、前記第二表示側２１７に対向し、前記第一表示側２１３、前記第二表示側２１７及び前記第三表示側２１５は、前記第一周辺側２３０、前記第二周辺側２７０及び前記第三周辺側２５０の近傍にそれぞれ位置する。
【００１９】
上述の検査方法によれば、伝送及び感知素子を有する感知装置が、図２Ａの前記第一表示側２１３及び前記第二表示側２１７のような対向する二つの側のそれぞれに配置され、オープンショートテストが行われる。二つの感知装置は、横方向の導電線の各端部の近くに配置され、同時に、横方向の導電線の各々を順次検査するために、上向き又は下向きに移動することができる。テスト効率を高める必要性のために、二つの感知素子及び二つの伝送素子とからなる一対の感知装置を用いて、一対の横方向の導電線のテストを同時に行うことができる。
【００２０】
本発明の一つの実施形態によれば、生産ライン上の薄膜トランジスタ基板２００上の層ＰＥＰ１、ＰＥＰ３又はＰＥＰ５のような各層の仕上げの後、複数の機能テストパッド２３５１上に複数のプローブ４１をそれぞれ配置し、複数の機能テストパッド２３５１に電気テスト信号Ｓ１、Ｓ２...、Ｓ１３のセットを入力し、前記表示領域２１０の対向する二辺（例えば、前記第一表示側２１３及び前記第二表示側２１７）にそれぞれ第一感知ユニット３１及び第二感知ユニット３２を配置し、感知信号（図示せず）を前記表示領域２１０の垂直又は縦方向のエッジに沿って順次受信することができる。例えば、図２Ａの左側を参照すると、当業者であれば、前記第一感知ユニット３１から収集された信号を分析することにより、前記第一内部回路線領域２３１、前記第一駆動ＩＣ２３３及び前記第一外部回路線領域２３５を含む前記第一周辺側２３０上の回路線の生産品質を検査することができ、同時に、前記第二表示側２１７に沿って移動する前記第二感知ユニット３２から収集された信号を分析することにより、前記表示領域２１０内の横方向導電線の生産品質を検査することができる。
【００２１】
本発明の一つの実施形態では、前記電気テスト信号Ｓ１、Ｓ２...、及びＳ１３が、開始信号ＳＴ、クロックＣＫ/ＸＣＫ、共通接地終端電圧ＶＳＳ、使用電圧ＶＤＤなど又はそれらの組合せを含んでもよい。このように、本発明は、前記薄膜トランジスタ基板２００の各層の完成の直後にオープンショートテストを実施し、検査された回路に欠陥が発見された場合にリワーク又は修理を適時に行うことができる。従って、総製造コストを効果的に低減する。
【００２２】
上述の実施形態は、一つの例として、信号Ｓ１〜Ｓ１３のセットを前記第一周辺側２３０の前記機能テストパッド２３５１にそれぞれ入力する。類似的に、信号Ｓ１〜Ｓ１３のセットを前記第二周辺側２７０の前記機能テストパッド２７５１にそれぞれ入力し、前記第一感知ユニット３１及び前記第二感知ユニット３２を前記表示領域２１０の前記第一表示側２１３及び前記第二表示側２１７上に配置し、前記表示領域２１０の垂直又は縦方向のエッジに沿って順次に感知信号（図示せず）を受信することができる。図２Ａの右側を参照すると、当業者であれば、前記第二感知ユニット３２から収集された信号を分析することにより、前記第二内部回路線領域２７１、前記第二駆動ＩＣ２７３及び前記第二外部回路線領域２７５を含む前記第二周辺側２７０上の回路線の生産品質を検査することができ、同時に、前記第一表示側２１３に沿って移動する前記第一感知ユニット３１から収集された信号を分析することにより、前記表示領域２１０内の横方向導電線の生産品質を検査することができる。
【００２３】
或いは、前記表示領域２１０の縦方向導電線及び第三周辺側２５０上の回路線を検査する目的で、複数のプローブ４１を第三外部回路線領域２５５上の複数の機能テストパッド２５５１上にそれぞれ配置して電気テスト信号を入力し（図示せず）、第一感知ユニット３１及び第二感知ユニット３２を前記表示領域２１０の他の二つの反対側（例えば、前記第三表示側２１５及び前記第三表示側２１５とは反対側）にそれぞれ配置して、前記表示領域２１０の水平又は横方向のエッジに沿って順次に感知信号（図示せず）を受信することを選択することができる。
【００２４】
本発明の一つの実施形態によれば、前記第一感知ユニット３１は、第一結合ユニット３１１と第二結合ユニット３１２とを含み、前記第二感知ユニット３２は、他の組の第一結合ユニット３２１と第二結合ユニット３２２とを含む。前記第一結合ユニット３１１、３２１は、電磁結合によって信号を受信することができ、前記第二結合ユニット３１２、３２２は、容量結合によって信号を受信することができる。前記第一結合ユニット３１１、３２１の装置構成は、非接触信号結合の異なる方法のために、前記第二結合ユニット３１２、３２２の装置構成と異なる。本発明の一つの実施形態では、前記ガラス基板１００上の前記薄膜トランジスタ基板２００に予め定められた各領域において、回路線の順次検査のために前記第一感知ユニット３１及び前記第二感知ユニット３２の対が使用される。本発明の他の実施形態では、より良い効率のために、前記第一感知ユニット３１及び前記第二感知ユニット３２の複数の対が、複数の領域上で同時に回路線を検査するために使用され、複数の領域のそれぞれは、ガラス基板１００上の薄膜トランジスタ基板２００に対して予め定められている。
【００２５】
図３は、本発明に係る第一結合ユニットを用いた非接触方式による電気信号感知する実施形態を示す。前記第一結合ユニット３１１は、この概念を説明するための例として使用される。当業者であれば、他の第一結合ユニット３２１が同じ構造及び特徴を有することができるので、繰り返して言う必要がないことを理解することができる。図３において、前記第一結合ユニット３１１は、同心円状に配置された一組のコイル３１１Ａと、外側コイルに連結される外側導線３１１Ｂと、内側コイルに連結される内側導線３１１Ｃと、を含む。前記第一結合ユニット３１１が金属板６１の上部に配置される場合、前記組のコイル３１１Ａは、前記第一結合ユニット３１１の位置に対応する位置に発生する渦電流ＩEddyにより前記金属板６１に垂直な方向に沿って磁場Ｅを感知することができ、前記外側導線３１１Ｂ及び前記内側導線３１１Ｃの間に電圧Ｖが発生され、前記外側導線３１１Ｂ及び前記内側導線３１１Ｃのいずれかで感知電流Ｉsensorが検査される。他の実施形態では、前記第二結合ユニット３１２、３２２は、電磁結合装置であるように構成することもでき、その逆も可能である。
【００２６】
本発明は、検査のために信号を直接入力する接触方式を利用するので、信号結合のプロセスにおける信号のずれ又は歪みなどの問題を回避することができ、検査しようとする基板に入力される信号の信号品質は、従来技術の非接触方式によって入力された電気テスト信号の信号品質よりも遥かに良好でなければならない。従って、本発明による薄膜トランジスタ基板を検査する方法及び装置は、有利な検査効率を有することができる。
【００２７】
図４は、薄膜トランジスタ基板上のショートバー回路の一つの例を示す。ショールバー回路は、薄膜トランジスタ基板の設計で一般的な回路である。図４において、薄膜トランジスタ基板４０１上には、奇数番目のデータ線Ｄａｔａ ０と偶数番目のデータ線Ｄａｔａ  Ｅとが垂直方向又は縦方向に互いに隣接して配置され、複数の奇数番目のゲート線Ｇａｔｅ  ０及び偶数番目のゲート線Ｇａｔｅ  Ｅが水平方向又は横方向に互いに隣接して配置され、及び接地線ＣＯＭが配置され、共通にショールバー回路を構成する。ショートバー回路の構造は、典型的な薄膜トランジスタ基板構成における標準の回路設計であるため、回路線に対する追加の検査に使用することができる。
【００２８】
特に、垂直データ線Ｄａｔａ ０、Ｄａｔａ  Ｅと水平ゲート線Ｇａｔｅ  ０、Ｇａｔｅ  Ｅとの組み合わせは、図２Ａの薄膜トランジスタ基板２００上に十字交差配置された横方向及び縦方向の導線に対応し、奇数番目のデータ線Ｄａｔａ ０、偶数番目のデータ線Ｄａｔａ  Ｅ、奇数番目のゲート線Ｇａｔｅ  ０、偶数番目のゲート線Ｇａｔｅ  Ｅがそれぞれ相互に接続される。異なる電気信号が二つの隣接するゲート線Ｇａｔｅ  ０及びＧａｔｅ  Ｅを通って流れる場合、これらの間の電圧差が存在する。従って、絶縁不良又は粒子汚染などの予期しない微小欠陥が存在すると、電流が発生して信号が変化する可能性がある。図２Ａを再び参照すると、本発明の一つの実施形態によれば、複数のプローブ４１が電気信号Ｓ１、Ｓ２...を機能テストパッド２３５１、２５５１又は２７７１に入力するとき、テスト中の隣接するいずれかの導電線の間に電圧差が存在する。このような構成に基づいて、薄膜トランジスタ基板の表示領域２１０における薄膜トランジスタマトリクスアレイに対するオープンショートテストのテスト能力を大幅に向上させることができる。
【００２９】
上述した説明に基づいて、感知ユニット３１、３２によって受信される感知信号は、周辺側２３０、２５０、２７０の導電線又はテスト中の表示領域２１０を通過する電気信号Ｓ１〜Ｓ１３にから生じ、テスト中の導電線の他端で非接触方式により得られる。図２Ａに示す例によれば、機能テスト信号入力パッド２３５１の近くに配置された第一感知ユニット３１によって受信された感知信号は、第一周辺側２３０に配置された導電線に存在する欠陥を反映することができる。同様に、機能テスト信号入力パッド２３５１から遠くに配置された第二感知ユニット３２によって受信される感知信号は、表示領域２１０上に配置された水平導電線に存在する欠陥を反映することができる。いくつかの実施形態では、欠陥の位置及びタイプを検証するために自動光学検査装置が使用される。
【００３０】
テスト中の薄膜トランジスタ基板１０の各端部に発信素子及び受信素子の両方を必要とする従来技術による信号入力と出力の両方における非接触方式と比較して、本発明は、テスト信号を入力するための低コストのプローブを使用して、感知ユニット３１、３２が単に受信素子を有する必要があるだけであり、従って、装置を製造するためのコストがより低く、体積がより小さく、これが追加の利点である。
【００３１】
実施例
【００３２】
１、薄膜トランジスタパネルを検査する方法であって、前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域は、第一表示側と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側と、を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記方法は、複数のプローブ及び少なくとも一つの感知ユニットを提供する工程と、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するために、前記複数の機能テストパッドの上に前記複数のプローブを配置する工程と、前記第一表示側に近い感知位置に前記感知ユニットを配置する工程及び前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含む。
【００３３】
２、実施例１に記載の方法において、前記周辺領域は、前記第一表示側に近い第一周辺側と、前記第二表示側に近い第二周辺側と、を含み、前記複数の機能テストパッドは、前記第一周辺側に配置され、前記感知信号は前記周辺領域に線欠陥が存在するか否かを示すテスト結果を表す。
【００３４】
３、実施例１〜２に記載の方法において、前記周辺領域は、駆動ＩＣ回路と、線回路領域と、を含み、前記非接触方式は、電磁結合及び容量結合のいずれか一つを含む。
【００３５】
４、実施例１〜３に記載の方法において、前記薄膜トランジスタパネルは、前記表示領域の上に配置され、複数の縦方向の導電線と複数の横方向の導電線とを有するショートバー回路を含み、前記一組の電気信号が前記複数の機能テストパッドに入力される時、テスト中の前記複数の縦方向の導電線の任意の隣接する二つ又は前記複数の横方向の導電線の任意の隣接する二つの間に電圧差が存在する。
【００３６】
５、薄膜トランジスタパネルを検査する装置であって、前記薄膜トランジスタパネルは、少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域は、第一表示側と、前記第一表示側とは反対側の第二表示側と、を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記装置は、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに入力するように構成される複数のプローブと、前記第一表示側に近い特定の感知位置に配置され、前記第一表示側に沿って非接触方式で感知信号を受信するように構成される少なくとも一つの感知ユニットと、を含む。
【００３７】
６、実施例５に記載の装置において、前記周辺領域は、前記第一表示側に近い第一周辺側と、前記第二表示側に近い第二周辺側と、を含み、前記複数の機能テストパッドは前記第一周辺側に配置され、前記感知信号は前記周辺領域に線欠陥が存在するか否かを示すテスト結果を表し、前記周辺領域は、駆動ＩＣ回路と、線回路領域と、を含み、前記非接触方式は、電磁結合及び容量結合のいずれか一つを含む。
【００３８】
７、マトリクスパネルに対するオープンショートテストを行う方法であって、前記マトリクスパネルは、エッジを有する少なくとも一つの表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域は、前記表示領域の上に配置され、複数の縦方向の導電線と複数の横方向の導電線とを有するショートバー回路を含み、前記周辺領域は、複数の機能テストパッドを有し、前記方法は、一組の電気信号を前記複数の機能テストパッドに接触方式で入力する工程と、前記表示領域の前記エッジに近い感知位置に非接触方式で感知信号を受信する工程と、を含む。
【００３９】
以上のように、本発明の説明及び実施例は開示されるが、本考案の範囲はこれらの実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内様々な変更を行うことができ、本考案の実用新案登録請求の範囲内にあるはずである。
【符号の説明】
【００４０】
１  薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置
３  バックライトモジュール
５  色フィルタ基板
１０、２００、４０１  薄膜トランジスタ基板
１１、１３  信号感知ヘッド
１２  回路線
１４  アンプ
１７  欠陥
３１  第一感知ユニット
３２  第二感知ユニット
４１  複数のプローブ
６１  金属板
１００  ガラス基板
２１０  表示領域
２１３  第一表示側
２１５  第三表示側
２１７  第二表示側
２３０  第一周辺側
２３１  第一内部回路線領域
２３３  第一駆動ＩＣ
２３５  第一外部回路線領域
２５０  第三周辺側
２５１  第三内部回路線領域
２５３  第三駆動ＩＣ
２５５  第三外部回路線領域
２７０  第二周辺側
２７１  第二内部回路線領域
２７３  第二駆動ＩＣ
２７５  第二外部回路線領域
３０１、３０２  発光部品
３１１、３２１  第一結合ユニット
３１１Ａ  組のコイル
３１１Ｂ  外側導線
３１１Ｃ  内側導線
３１２、３２２  第二結合ユニット
２３５１、２７５１、２５５１  機能テスト信号入力パッド
ＣＫ/ＸＣＫ  クロック
ＣＯＭ  接地線
Ｄａｔａ ０  奇数番目のデータ線
Ｄａｔａ  Ｅ  偶数番目のデータ線
ＤＰ  距離
Ｅ  磁場
Ｇａｔｅ  ０  奇数番目のゲート線
Ｇａｔｅ  Ｅ  偶数番目のゲート線
ＩEddy  渦電流
Ｉsensor  感知電流
電気テスト信号  Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３
ＳＣ  信号変化
ＳＴ  開始信号
Ｖ  電圧
ＶＤＤ  使用電圧
ＶＳＳ  共通接地終端電圧
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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