(57)【要約】【課題】坩堝の開口側の縁部への蒸着材料の這い上がりに伴う蒸着材料の流出及び堆積を抑制可能な蒸着源、電子ビーム真空蒸着装置及び有機電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一形態に係る蒸着源１４は、電子ビームＥＢの照射により加熱蒸発する蒸着材料６を収容する坩堝２０と、坩堝２０の開口２０ａ側の縁部２０ｂを取り囲むように配置されたヒータ２２と、を備える。この構成では、坩堝の上記縁部をヒータで加熱できるので、上記縁部に向けて這い上がってきた蒸着材料を蒸発させることができる。その結果、坩堝の上記縁部への蒸着材料の這い上がりに伴う蒸着材料の流出及び堆積を抑制できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームの照射により加熱蒸発する蒸着材料を収容する坩堝と、
前記坩堝の開口側の縁部を取り囲むように配置されたヒータと、
を備える、蒸着源。
【請求項２】
前記ヒータの前記縁部側の面の少なくとも一部が平面状である、
請求項１に記載の蒸着源。
【請求項３】
前記ヒータが、前記坩堝の外側面も取り囲んでおり、
前記ヒータは、前記坩堝から前記ヒータ側に飛散してきた前記蒸着材料を、前記坩堝の軸線方向において前記坩堝の底部からみて前記開口側に飛散させるように、前記縁部及び前記外側面と離間して配置されている、
請求項１又は２に記載の蒸着源。
【請求項４】
前記ヒータは、前記縁部の側方に位置する第１加熱領域と、前記第１加熱領域より、前記坩堝の軸線方向において前記底部側に位置する第２加熱領域とを有し、
前記第１加熱領域は、前記第１加熱領域における前記第２加熱領域に近い一方の領域と前記坩堝の前記軸線との間の距離が、前記第１加熱領域における他方の領域と前記坩堝の前記軸線との間の距離と同じ、又は前記第１加熱領域における他方の領域と前記坩堝の前記軸線との間の距離より短くなるように配置されており、
前記第２加熱領域は、前記第２加熱領域における前記第１加熱領域に近い一方の領域と前記坩堝の前記外側面との間の距離が、前記第２加熱領域における他方の領域と前記坩堝の前記外側面との間の距離と同じ、又は前記第２加熱領域における他方の領域と前記坩堝の前記外側面との間の距離より長くなるように配置されている、
請求項３に記載の蒸着源。
【請求項５】
前記坩堝の軸線方向において、前記坩堝の底部から最も遠い側の前記ヒータの縁部が、前記坩堝の前記軸線方向において、前記坩堝の前記縁部より前記底部から遠い側に位置している、
請求項１〜４の何れか一項に記載の蒸着源。
【請求項６】
前記蒸着材料がアルミニウムである、
請求項１〜５の何れか一項に記載の蒸着源。
【請求項７】
前記坩堝の材料が、熱分解窒化ホウ素、熱分解グラファイト、熱分解炭化珪素、熱分解窒化珪素、熱分解窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド及びグラファイトのうちの少なくとも一つを含む、
請求項１〜６の何れか一項に記載の蒸着源。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の蒸着源を備えた、電子ビーム真空蒸着装置。
【請求項９】
支持基板上に、第１電極層、デバイス機能部及び第２電極層を順に形成することによって製造される電子デバイスの製造方法であって、
前記第１電極層を形成する工程及び前記第２電極層を形成する工程のうち少なくとも一方が、請求項１〜７の何れか一項に記載の蒸着源を用いた真空蒸着法で成膜層を形成する成膜層形成工程を含む、
電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板が長尺であって可撓性を有し、
前記成膜層形成工程では、前記支持基板を連続搬送しながら、前記成膜層を形成する、
請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着源、電子ビーム真空蒸着装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空蒸着装置は、坩堝を含む蒸着源を備え、坩堝内に収容された蒸着材料を加熱蒸発させて被成膜基板上に堆積することで成膜層を形成する。上記真空蒸着装置で成膜層を形成する場合、加熱され溶融した蒸着材料が坩堝の内面を伝って坩堝の開口側の縁部から外部に這い出すことがある。この這い出しを防止するための方法として、特許文献１で採用されているように、坩堝の出口（開口）を冷やすコールドリップ方式が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０７２００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子ビームを用いた真空蒸着法では、底が浅い坩堝を使用する傾向にあり、基板を搬送しながら成膜層を形成する際には連続的に高速成膜をする必要がある。高速成膜では、蒸着材料の温度が高くなりやすいため、例えば電子ビーム真空蒸着用の坩堝に対して、特許文献１のように、コールドリップ方式を適用しても蒸着材料の這い出しを十分に防止できない場合がある。坩堝の開口側の縁部に蒸着材料が這い上がってくると、蒸着材料が縁部で冷却されるので、上記縁部に蒸発材料が堆積する。坩堝の近傍には、通常、熱を坩堝側に戻すリフレクターが配置されるため、縁部に蒸発材料が横方向に堆積すると、堆積した蒸発材料で坩堝とリフレクターとが接続されるおそれがある。坩堝とリフレクターが蒸着材料で接続されると、リフレクターの機能が低下するとともに、坩堝の熱がリフレクターに奪われ、蒸着レートが低下するという問題が生じる。また、蒸着材料が坩堝の縁部に這い上がって縁部から流出し、例えば真空蒸着室内における坩堝の載置面にたれると、真空蒸着装置が損傷する場合もある。
【０００５】
そこで、本発明は、坩堝の開口側の縁部への蒸着材料の這い上がりに伴う蒸着材料の坩堝からの流出及び縁部での蒸着材料の堆積を抑制可能な蒸着源、電子ビーム真空蒸着装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る蒸着源は、電子ビームの照射により加熱蒸発する蒸着材料を収容する坩堝と、上記坩堝の開口側の縁部を取り囲むように配置されたヒータと、を備える。
【０００７】
この構成では、上記坩堝の開口側の縁部側に這い出してくる蒸着材料を、ヒータで更に加熱蒸発できる。そのため、坩堝の上記縁部へ蒸着材料が這い上がりにくい。また、縁部に這い上がってきた蒸着材料を同様に加熱蒸発できるので、這い上がりにともなう縁部からの蒸着材料の流出及び縁部での蒸着材料の堆積を抑制できる。
【０００８】
上記ヒータの上記縁部側の面の少なくとも一部が平面状であってもよい。
【０００９】
上記ヒータが、上記坩堝の外側面も取り囲んでおり、上記ヒータは、上記坩堝から上記ヒータ側に飛散してきた上記蒸着材料を、上記坩堝の軸線方向において上記坩堝の底部からみて上記開口側に飛散させるように、上記縁部及び上記外側面と離間して配置されていてもよい。これにより、例えば、坩堝が真空蒸着室の底面に配置されている場合、その底面に蒸着材料が堆積することを抑制できる。ここで、上記坩堝の外側面とは、上記坩堝の蒸着材料を収容する側と反対側の面である。
【００１０】
上記ヒータは、上記縁部の側方に位置する第１加熱領域と、上記第１加熱領域より、上記坩堝の軸線方向において上記底部側に位置する第２加熱領域とを有し、上記第１加熱領域は、上記第１加熱領域における上記第２加熱領域に近い一方の領域と上記坩堝の上記軸線との間の距離が、上記第１加熱領域における他方の領域と上記坩堝の上記軸線との間の距離と同じ、又は上記第１加熱領域における他方の領域と上記坩堝の上記軸線との間の距離より短くなるように配置されており、上記第２加熱領域は、上記第２加熱領域における上記第１加熱領域に近い一方の領域と上記坩堝の上記外側面との間の距離が、上記第２加熱領域における他方の領域と上記坩堝の上記外側面との間の距離と同じ、又は上記第２加熱領域における他方の領域と上記坩堝の上記外側面との間の距離より長くなるように配置されていてもよい。この構成では、第１加熱領域で縁部近傍を加熱可能である。更に、第２加熱領域を備えることで、坩堝の縁部近傍で蒸発した蒸着材料が上記坩堝の軸線方向において上記底部側に飛散してきても、第２加熱領域で、上記坩堝の軸線方向において上記底部からみて上記開口側に再度飛散させることが可能である。
【００１１】
上記坩堝の軸線方向において、上記坩堝の底部から最も遠い側の上記ヒータの縁部が、上記坩堝の上記軸線方向において、上記坩堝の上記縁部より上記底部から遠い側に位置していてもよい。これにより、坩堝の軸線に直交する方向において、ヒータより外側に蒸着材料が飛散することを抑制できる。
【００１２】
上記蒸着材料がアルミニウムであってもよい。また、上記坩堝の材料が、熱分解窒化ホウ素、熱分解グラファイト、熱分解炭化珪素、熱分解窒化珪素、熱分解窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド及びグラファイトのうちの少なくとも一つを含んでもよい。蒸着材料がアルミニウムの場合、坩堝の材料が例示した材料を含むと、蒸着材料の這い上がりが生じやすいので、上記蒸着源の構成が有効である。
【００１３】
本発明の他の側面は、上記蒸着源を備えた、電子ビーム真空蒸着装置にも係る。
【００１４】
本発明の更に他の側面に係る電子デバイスの製造方法は、支持基板上に、第１電極層、デバイス機能部及び第２電極層を順に形成することによって製造される電子デバイスの製造方法であり、上記第１電極層を形成する工程及び上記第２電極層を形成する工程のうち少なくとも一方が、上記蒸着源を用いた真空蒸着法で成膜層を形成する成膜層形成工程を含む。
【００１５】
上記蒸着源では、蒸着材料の温度が上昇しても蒸着材料の這い上がりを抑制できるので、例えば、連続的な高速成膜に適している。よって、上記蒸着源を利用することで、上記成膜層形成工程の時間を短縮でき、結果として、電子デバイスの生産性の向上を図れる。
【００１６】
上記支持基板が長尺であって可撓性を有し、上記成膜層形成工程では、上記支持基板を連続搬送しながら、上記成膜層を形成してもよい。この場合、電子デバイスの生産性の向上を図れる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、坩堝の開口側の縁部への蒸着材料の這い上がりに伴う蒸着材料の流出及び堆積を抑制可能な蒸着源、電子ビーム真空蒸着装置及び電子デバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、一実施形態に係る蒸着源を備える電子ビーム真空蒸着装置の模式図である。
【図２】図２は、一実施形態に係る蒸着源の構成を概略的に示す端面図である。
【図３】図３は、図２に示した蒸着源を開口側からみた場合の図面である。
【図４】図４は、図２に示した蒸着源が収容する蒸着材料が電子ビームで加熱されている状態の一例を示す図面である。
【図５】図５は、一実施形態に係る電子デバイスの製造方法で製造される有機ＥＬデバイスの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１は、一形態に係る蒸着源を備える電子ビーム真空蒸着装置の模式図である。図１に示した真空蒸着装置１０は、真空蒸着室１２と、蒸着源１４と、電子銃１６と、を備えており、電子ビームＥＢを利用して真空蒸着を行う電子ビーム真空蒸着装置である。図１では、説明のために、真空蒸着装置１０によって成膜層４が形成される帯状の被成膜基板２も図示している。
【００２１】
真空蒸着室１２は、真空ポンプ１８によって真空蒸着室１２内が所定の真空状態に調整されるように構成されているとともに、被成膜基板２を連続搬送できるように構成されている。蒸着源１４は、形成すべき成膜層４の材料である蒸着材料６を収容しており、電子銃１６からの電子ビームＥＢで加熱蒸発した蒸着材料６が被成膜基板２に堆積するように、真空蒸着室１２内に配置されている。図１では、蒸着源１４をブロックで模式的に示している。後ほど蒸着源１４を詳述する。電子銃１６は、蒸着源１４内の蒸着材料６を加熱するための電子ビームＥＢを出力する。電子ビームＥＢは、例えば偏向装置などで曲げられて蒸着源１４に収容された蒸着材料６に照射されてもよい。電子銃１６は、電子ビームＥＢで蒸着材料６を加熱できれば、その構成は限定されず、図１のような配置にも限定されない。
【００２２】
図１では、真空蒸着装置１０の主要な構成要素のみを示している。真空蒸着装置１０は、例えば、蒸着源１４内に蒸着材料６を供給する材料供給手段等の公知の構成を備え得る。
【００２３】
真空蒸着装置１０を利用した成膜層形成工程の一例を説明する。まず、真空ポンプ１８で真空蒸着室１２内を所定の真空状態にする。その後、被成膜基板２を、連続搬送しながら真空蒸着室１２を通過させる。被成膜基板２が真空蒸着室１２内を通過している間に、真空蒸着室１２に取り付けられた電子銃１６から電子ビームＥＢを蒸着源１４内の蒸着材料６に照射し、蒸着材料６を加熱蒸発させる。この加熱蒸発された蒸着材料６が、被成膜基板２に堆積することで、成膜層４が形成される。真空蒸着装置１０を用いて成膜層４を形成する際には、マスクを用いることで、被成膜基板２における所定の領域に選択的に成膜層４が形成され得る。
【００２４】
次に、図２及び図３を利用して蒸着源１４を説明する。図２は、一形態に係る電子ビーム真空蒸着装置用の蒸着源の構成を概略的に示す端面図である。図３は、図２に示した蒸着源を開口側からみた場合の図面である。図２及び図３に示したように、蒸着源１４は、ハースライナー（坩堝）２０と、ヒータ２２と、を備える。蒸着源１４の説明では、説明の便宜のため、図２に示したように、ハースライナー（坩堝）２０の軸線Ｃ方向において、開口２０ａ側（又は被成膜基板２側）が上側であり、底部２０ｃ側が下側である。
【００２５】
ハースライナー２０は、蒸着材料６を収容する容器である。蒸着材料６は、電子ビームＥＢの照射により加熱されて蒸発する（加熱蒸発する）ものである。蒸着材料６は、蒸着源１４を利用して形成する層（成膜層）の材料であれば限定されない。蒸着材料６としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）金（Ａｕ）などの融解状態で蒸発する金属などが挙げられる。ハースライナー２０の材料は、例えば、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）、熱分解グラファイト（ＰＧ）、熱分解炭化珪素（ＰＳｉＣ）、熱分解窒化珪素（ＰＳｉ３Ｎ４）、熱分解窒化アルミニウム（ＰＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）及びグラファイト（Ｃ）のうちの少なくとも一つを含む。
【００２６】
ハースライナー２０は有底筒状を呈する。ハースライナー２０の開口２０ａの形状は、ハースライナー２０を上側からみた場合、図３に示したように円形でもよいし、四角形（正方形又は長方形）でもよい。ハースライナー２０は、通常、開口２０ａの最大幅がハースライナー２０の高さより長く、皿状又は扁平状を呈する。開口２０ａの最大幅は、開口２０ａの形状が円形の場合は、その直径であり、四角形の場合は、対角線の長さであり得る。また、ハースライナー２０の内径は、開口２０ａ側の内径より底部２０ｃ側の内径が小さくなっていてもよい。
【００２７】
ヒータ２２は、ハースライナー２０の開口２０ａ側の縁部２０ｂを取り囲むように、ハースライナー２０から離間して配置されている。ヒータ２２は、第１加熱部（第１加熱領域）２２１を有する。図２に示したように、ヒータ２２は第２加熱部（第２加熱領域）２２２を有してもよいし、更に、第３加熱部２２３を有してもよい。以下では、断らない限り、ヒータ２２が第１加熱部２２１に加えて、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３を有する形態を説明する。
【００２８】
第１加熱部２２１は、図２及び図３に示したように、ハースライナー２０の開口２０ａ側の縁部２０ｂを取り囲むように、縁部２０ｂの側方に縁部２０ｂ及び外側面２０ｄから離間して配置されている。第１加熱部２２１は、面状（又は板状）の発熱体であり、電源（不図示）から供給される電流が流れることで発熱する。本実施形態では、第１加熱部２２１は上記発熱体であるが、発熱体に接続される電源も第１加熱部２２１の構成要素であってもよい。
【００２９】
第１加熱部２２１の材料としては、抵抗発熱体に使用される材料が例示され、例えばモリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）などの金属、これら金属を含む合金、炭素（Ｃ）あるいは炭素繊維などの炭素材、炭化珪素（ＳｉＣ）、又は、二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｉ２Ｏ３）などのセラミック等が挙げられる。図３に示すとおり、ハースライナー２０の縁部２０ｂの周方向において、第１加熱部２２１の一方の端部と、他方の端部とは離間している。第１加熱部２２１の上記一方の端部近傍と、上記他方の端部近傍は、軸線Ｃに直交する方向において重なっていることが好ましい。第１加熱部２２１は、第１加熱部２２１における第２加熱部２２２に近い一方の領域（第１加熱部２２１の下側領域）とハースライナー２０の軸線Ｃとの間の距離が、第１加熱部２２１における他方の領域（第１加熱部２２１の上側領域）とハースライナー２０の軸線Ｃとの間の距離と同じでもよいし、又は第１加熱部２２１における上記他方の領域とハースライナー２０の軸線Ｃとの間の距離より短くなるように配置されていてもよい。換言すれば、第１加熱部２２１は、軸線Ｃ方向に沿って、ハースライナー２０の軸線Ｃとの間の距離が一定であるように配置されていてもよいし、又は、第１加熱部２２１の下側から上側に向けて、軸線Ｃとの間の距離が大きくなるように配置されていてもよい。一形態において、第１加熱部２２１の上側（軸線Ｃ方向においてハースライナー２０の底部２０ｃから最も遠い側）の縁部２２１ａは、ハースライナー２０の縁部２０ｂより上方（縁部２０ｂより底部２０ｃから遠い側、被成膜基板２側）に位置するように、第１加熱部２２１は配置されてもよい。第１加熱部２２１とハースライナー２０の軸線Ｃとの間の距離は、軸線Ｃに直交する方向における第１加熱部２２１とハースライナー２０の軸線Ｃとの間の長さである。
【００３０】
第２加熱部２２２は、ハースライナー２０の外側面２０ｄを取り囲むように第１加熱部２２１より下方（軸線Ｃ方向においてハースライナー２０の底部２０ｃ側）に配置されている点以外は、第１加熱部２２１と同様の構成を有する。第２加熱部２２２に接続される電源は、第１加熱部２２１に接続される電源と共通でもよいし、別の電源でもよい。図３では、図面の見やすさの観点から、第２加熱部２２２の図示を省略している。第２加熱部２２２は、第２加熱部２２２における第１加熱部２２１に近い一方の領域（第２加熱部２２２の上側領域）とハースライナー２０の外側面２０ｄとの間の距離が、第２加熱部２２２における他方の領域（第２加熱部２２２の下側領域）とハースライナー２０の外側面２０ｄとの間の距離と同じ、又は第２加熱部２２２における他方の領域とハースライナー２０の外側面２０ｄとの間の距離より長くなるように、配置されていてもよい。換言すれば、第２加熱部２２２は、ハースライナー２０の外側面２０ｄと平行の状態で配置されてもよいし、又は、第２加熱部２２２の上側において、外側面２０ｄと平行な状態より外側に傾いた状態で配置されてもよい。第２加熱部２２２とハースライナー２０の外側面２０ｄとの間の距離は、軸線Ｃに直交する方向における第２加熱部２２２と外側面２０ｄとの間の長さである。
【００３１】
第３加熱部２２３は、ハースライナー２０の外側面２０ｄを取り囲むように第２加熱部２２２より下方（軸線Ｃ方向においてハースライナー２０の底部２０ｃ側）に配置されている点以外は、第１加熱部２２１と同様の構成を有する。第３加熱部２２３に接続される電源は、第１加熱部２２１に接続される電源と共通でもよいし、別の電源でもよい。図３では、図面の見やすさの観点から、第３加熱部２２３の図示を省略している。第３加熱部２２３は、第２加熱部２２２と同様に配置され得る。すなわち、第３加熱部２２３は、ハースライナー２０の外側面２０ｄと平行の状態で配置されてもよいし、又は、第２加熱部２２２の上側において、外側面２０ｄと平行な状態より外側に傾いた状態で配置されてもよい。
【００３２】
図２に示したように、外側面２０ｄが軸線Ｃに対して、ハースライナー２０の上側（開口２０ａ側）において外側に傾斜している場合、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３の内面は上方（被成膜基板２側）を向いている。したがって、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３がハースライナー２０の外側面２０ｄと平行の状態より更に外側に傾斜している場合も同様に第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３の内面は上方を向いている。
【００３３】
蒸着源１４は、ヒータ２２の外側にリフレクター２４を備えてもよい。リフレクター２４は、ハースライナー２０及びヒータ２２を取り囲むように配置された筒状体であり得る。リフレクター２４は、蒸着材料６の加熱により生じる熱及びヒータ２２で発生する熱を、ハースライナー２０側に反射させるための熱反射部材である。リフレクター２４の材料の例は、第１加熱部２２１の材料と同様であり得る。
【００３４】
成膜層４（図１参照）を形成するため、図４に示したように、ハースライナー２０に収容された蒸着材料６に電子ビームＥＢを照射して蒸着材料６を加熱蒸発させていると、加熱によって蒸着材料６の一部が溶融し、ハースライナー２０の内面に沿って、縁部２０ｂに向けて這い上がることがある。このような這い上がりに伴う不具合を解消するために、蒸着源１４は、ヒータ２２を備える。
【００３５】
ヒータ２２を備えることの作用効果を説明するために、まず、ヒータ２２を備えない場合において、ハースライナーの内面に沿って開口側の縁部に向けて蒸着材料６が這い上がった場合の不具合を説明する。この場合、ハースライナーの開口側の縁部に蒸着材料が這い出すと、その蒸着材料は縁部近傍で冷えて堆積する。蒸着源がヒータ２２を備えない場合、ハースライナーの近傍には、熱をハースライナー側に戻すためにリフレクターを配置する傾向にある。そのため、縁部に蒸着材料が堆積し、更に横方向に張り出すと、リフレクターとハースライナーとが縁部から横方向に堆積した蒸着材料６で接続されるおそれがある。リフレクターとハースライナーとが蒸着材料６で接続されると、リフレクターの機能が低下するとともに、ハースライナーの熱がリフレクターに奪われ、蒸着レートが低下する。縁部に蒸着材料６が堆積すると、例えば連続的に高速成膜する場合には、ハースライナーの開口側の縁部に堆積した蒸着材料６で開口が閉塞し得る。更に、縁部に這い上がってきた蒸着材料６が、ハースライナーが配置される真空蒸着室の底面(ハースライナーの載置面)にたれて堆積すると、真空蒸着装置が損傷する場合がある。
【００３６】
これに対して、本実施形態の蒸着源１４はヒータ２２を備えている。ヒータ２２は、縁部２０ｂを取り囲む第１加熱部２２１を有していることから、電子ビームＥＢの加熱に加えて、第１加熱部２２１からの輻射熱で積極的に縁部２０ｂ近傍を加熱できる。その結果、図４に示したように、縁部２０ｂに向けて這い上がってきた蒸着材料６を更に加熱蒸発させ、縁部２０ｂへの蒸着材料６の這い上がり及び縁部２０ｂから外側面２０ｄ等への流出を抑制できる。図４では、ヒータ２２による作用効果の説明のために、縁部２０ｂまで蒸着材料６が流動した状態を示している。更に、ヒータ２２で縁部２０ｂ近傍を加熱していることで、縁部２０ｂでの蒸着材料６の堆積も抑制できる。更に、這い上がってきた蒸着材料６を加熱して蒸発させるので、例えば、連続的な高速成膜を実施しても開口２０ａが蒸着材料６で閉塞されることもない。更にまた、這い上がってきた蒸着材料６の縁部２０ｂからの流出を抑制できているため、真空蒸着室１２の底面に蒸着材料６がたれない。そのため、蒸着源１４を備える真空蒸着装置１０の損傷を抑制できる。また、真空蒸着室１２の底面に蒸着材料６がたれないことから、真空蒸着室１２のメンテナンスも容易である。更に、ヒータ２２による加熱で蒸発した蒸着材料６も成膜層４の形成に寄与することから、蒸着材料６を効率的に利用できる。
【００３７】
上記のように、ハースライナー２０に対してヒータ２２を設けることで、蒸着材料６の縁部２０ｂへの這い上がりに伴う不具合を解消している。そのため、例えば、這い上がり防止のために、ハースライナー２０の形状を複雑化する必要がない。ハースライナー２０の形状を複雑化しなくてよいので、ハースライナー２０が高温になっても応力で破損しにくい。
【００３８】
電子ビームＥＢを利用した真空蒸着法の坩堝には、比較的底が浅いハースライナー２０が用いられる傾向にある。このようなハースライナー２０では、蒸着材料６の這い上がりが生じやすいので、縁部２０ｂをヒータ２２で加熱し、縁部２０ｂ近傍で蒸着材料６を更に蒸発させることが可能な蒸着源１４が有効である。
【００３９】
被成膜基板２に連続的に高速成膜をする際には、蒸着材料６の温度が高くなる傾向にあり、蒸着材料６が縁部２０ｂに這い上がりやすい。この場合でも、蒸着源１４では、縁部２０ｂをヒータ２２で加熱し、縁部２０ｂ近傍で蒸着材料６を更に蒸発できることから、這い上がりに対する不具合を抑制できる。そのため、蒸着源１４を備える真空蒸着装置１０では、被成膜基板２に成膜層４を高速成膜し得る。その結果、図１を利用して説明したように、真空蒸着装置１０で、被成膜基板２を連続搬送しながら成膜層４を形成でき、成膜層４を形成する工程（成膜層形成工程）の時間を短縮できる。
【００４０】
ヒータ２２が第１加熱部２２１に加えて、第２加熱部２２２を有する形態では、第２加熱部２２２からの輻射熱でハースライナー２０の外側面２０ｄを加熱できるので、縁部２０ｂに向けて這い上がる蒸着材料６を加熱蒸発させられる。そのため、縁部２０ｂへの蒸着材料６の這い上がりそのものを抑制可能である。第３加熱部２２３を備える形態では、同様の理由で、より一層、縁部２０ｂへの蒸着材料６の這い上がりそのものを抑制可能である。
【００４１】
更に、ヒータ２２が第２加熱部２２２を有する形態では、第１加熱部２２１による加熱で、縁部２２ｂ近傍で蒸発され下方（軸線Ｃ方向において底部２０ｃ側）に飛散してきた蒸着材料６を更に上方（軸線Ｃ方向において開口２０ａ側、被成膜基板２側）に蒸発させられる。よって、ハースライナー２０が配置される真空蒸着室１２の底面への蒸着材料６の堆積も抑制できる。第３加熱部２２３を更に設けている場合には、一層、真空蒸着室１２の底面への蒸着材料６の堆積も抑制できる。
【００４２】
ヒータ２２が、ハースライナー２０から離間して配置されており、ヒータ２２側に飛散してきた蒸着材料６をヒータ２２とハースライナー２０との間の空間を通して上方（軸線Ｃ方向において開口２０ａ側、被成膜基板２側）に飛散させることが可能なように構成及び配置されていれば、真空蒸着室１２の底面への蒸着材料６の堆積を抑制できるとともに、蒸着材料６を有効利用できる。
【００４３】
例えば、第１加熱部２２１が、ハースライナー２０の軸線Ｃと第１加熱部２２１との距離が下側から上側に向かって長くなるように配置されている形態では、第１加熱部２２１の内面が上方を向くので、蒸着材料６を上方に飛散させやすい。第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３がそれらの内面が上方を向くように配置されている場合も同様である。特に、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３には、縁部２０ｂから下方に向けて蒸着材料６が飛散してくることから、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３の内面が上方を向くように、それらを配置する構成は有効である。例えば、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３は、ハースライナー２０の外側面２０ｄに対して平行な状態より、第２加熱部２２２及び第３加熱部の上側において外側に傾斜していると、第２加熱部２２２及び第３加熱部２２３の加熱により蒸発した蒸着材料６がハースライナー２０の外側面２０ｄに衝突せずに被成膜基板２側に飛散し易い。
【００４４】
ハースライナー２０の底部２０ｃを基準にした第１加熱部２２１の縁部２２１ａの高さが、ハースライナー２０の縁部２０ｂより高い（すなわち、縁部２２１ａが縁部２０ｂより底部２０ｃから遠い）形態では、縁部２０ｂ近傍で加熱蒸発した蒸着材料６が側方に飛散しても、第１加熱部２２１で遮断されるので、軸線Ｃに直交する方向において、第１加熱部２２１より外側に飛散しにくい。そのため、真空蒸着室１２の側壁面（蒸着源１４近傍の側壁面）に蒸着材料６が堆積することを抑制できる。
【００４５】
ハースライナー２０の材料が、蒸着材料６に対して濡れ性が高い場合には、蒸着材料６の這い上がりが生じやすいと思われる。よって、使用する蒸着材料６に対してハースライナー２０の材料の濡れ性が高い場合には、蒸着源１４の構成は有効である。例えば、蒸着材料６がアルミニウム（Ａｌ）であり、ハースライナー２０の材料の一部に、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）、熱分解グラファイト（ＰＧ）、熱分解炭化珪素（ＰＳｉＣ）、熱分解窒化珪素（ＰＳｉ３Ｎ４）、熱分解窒化アルミニウム（ＰＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）及びグラファイト（Ｃ）のうちの少なくとも一つを含む場合に有効であり、特にＰＢＮ、ＢＮ、ＳｉＣを含む場合に有効である。ここでは、濡れ性の観点から説明したが、例えば、蒸着材料６がハースライナー２０に対して毛細管現象が生じるような材料でハースライナー２０が構成されている場合も、蒸着源１４の構成は有効である。
【００４６】
（第２の実施形態）
第２の実施形態として、第１の実施形態で説明した蒸着源１４を用いた有機ＥＬデバイス（電子デバイス）２６の製造方法を説明する。以下では、断らない限り、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイス２６を説明するが、有機ＥＬデバイス２６はトップエミッション型のものでもよい。
【００４７】
図５は、製造すべき有機ＥＬデバイス２６の構成を説明するための模式図である。有機ＥＬデバイス２６は、支持基板２８と、陽極層（第１電極層）３０と、有機ＥＬ部（デバイス機能部）３２と、陰極層（第２電極層）３４とを備える。
【００４８】
［支持基板］
支持基板２８は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する。支持基板２８の厚さは、例えば、３０μｍ〜５００μｍであり、フィルム状を呈し得る。支持基板２８が樹脂の場合は、例えばロールツーロール方式で連続搬送する際の基板ヨレ、シワ、及び伸びを防止する観点からは４５μｍ以上、可撓性の観点からは１２５μｍ以下が好ましい。
【００４９】
支持基板２８は、可撓性を有し、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板２８の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。
【００５０】
支持基板２８の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
支持基板２８は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板２８が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは３０μｍ以上、可撓性の観点からは１００μｍ以下が好ましい。
【００５２】
支持基板２８上には、ガス、水分などをバリアするバリア層（特に、水分をバリアするバリア層）が配置されてもよい。
【００５３】
［陽極層］
陽極層３０は、支持基板２８上に設けられている。陽極層３０には、透光性を有する電極層が用いられる。透光性を有する電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。陽極層３０として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。陽極層３０は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。
【００５４】
陽極層３０は多層構造を有してもよい。陽極層３０の厚さは、光透過性、電気伝導度等を考慮して決定できる。陽極層３０の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５５】
陽極層３０は、ドライ成膜法、メッキ法、塗布法などにより形成され得る。ドライ成膜法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などが挙げられる。陽極層３０を真空蒸着法で形成する場合には、例えば、第１の実施形態で説明した蒸着源１４を用いた電子ビーム真空蒸着法で陽極層３０が形成され得る。陽極層３０が多層構造を有する場合、そのうちの少なくとも一つの成膜層を真空蒸着法で形成する場合も同様である。塗布法としては、インクジェット印刷法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。
【００５６】
［有機ＥＬ部］
有機ＥＬ部３２は、陽極層３０及び陰極層３４に印加された電圧に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイス２６の発光に寄与する機能部であり、発光層を有する。
【００５７】
発光層は、光(可視光を含む)を発する機能を有する機能層である。発光層は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又はこの有機物とこれを補助するドーパント材料とから構成される。従って、発光層は有機層である。ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。上記有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層の厚さは、例えば２ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５８】
主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する発光性材料である有機物としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料及び高分子系材料が挙げられる。
【００５９】
（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などが挙げられる。
【００６０】
（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられる。
【００６１】
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
【００６２】
（ドーパント材料）
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。
【００６３】
発光層は、例えば、塗布法によって形成され得る。塗布法の例は、陽極層３０の場合と同様である。
【００６４】
有機ＥＬ部３２は、発光層の他、種々の機能層を有してもよい。陽極層３０と発光層との間に配置される機能層の例は、正孔注入層、正孔輸送層などである。陰極層３４と発光層との間に配置される機能層の例は、電子注入層、電子輸送層などである。
【００６５】
有機ＥＬ部３２の層構成の例を以下に示す。下記層構成の例では、陽極層３０と陰極層３４と各種機能層の配置関係を示すために、陽極層及び陰極層も括弧書きで記載している。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。
【００６６】
有機ＥＬ部３２が有する発光層以外の機能層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層など）の材料には公知の材料が用いられ得る。有機ＥＬ部３２が有する機能層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。有機ＥＬ部３２が有する発光層以外の機能層は、発光層と同様にして形成され得る。電子注入層は、陰極層３４の一部でもよい。
【００６７】
［陰極層］
陰極層３４は、有機ＥＬ部３２上に設けられる。陰極層３４は、陽極層３０のうち有機ＥＬ部３２から露出している部分と反対側において、支持基板２８に接するように設けられ得る。陰極層３４は、２層以上が積層された積層構造を有してもよい。
【００６８】
有機ＥＬ部３２からの光を陰極層３４で反射させて陽極層３０側に届けるために、陰極層３４の材料は、有機ＥＬ部３２からの光に対して反射率の高い材料が好ましい。陰極層３４の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等が用いられる。具体的には、陰極層３４の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、上記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【００６９】
陰極層３４としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極が用いられてもよい。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等が挙げられる。
【００７０】
陰極層３４の厚さは、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極層３４の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７１】
陰極層３４は、陽極層３０と同様にして形成され得る。陰極層３４を真空蒸着法で形成する場合には、例えば、第１の実施形態で説明した蒸着源１４を用いた電子ビーム真空蒸着法で陰極層３４が形成され得る。陰極層３４が多層構造を有する場合、そのうちの少なくとも一つの成膜層を真空蒸着法で形成する場合も同様である。
【００７２】
有機ＥＬデバイス２６は、有機ＥＬ部３２を封止する封止部材を備えてもよい。封止部材は、有機ＥＬ部３２を封止するとともに、陽極層３０及び陰極層３４を外部接続するために陽極層３０及び陰極層３４の一部を露出するように、支持基板２８上に設けられていればよい。
【００７３】
有機ＥＬデバイス２６において、陽極層３０及び陰極層３４のうちの少なくとも一方は、第１の実施形態で説明した蒸着源１４を用いた電子ビーム真空蒸着法で形成される成膜層を含む。上記有機ＥＬデバイス２６を製造方法の一例を説明する。ここでは、ロールツーロール方式で長尺の支持基板２８を搬送しながら有機ＥＬデバイス２６を製造する方法を説明する。
【００７４】
まず、長尺の支持基板２８を準備する。長尺の支持基板２８を、長手方向に搬送しながら、支持基板２８の長手方向に離散的に陽極層３０を形成する（陽極層形成工程）。次に、支持基板２８を、長手方向に搬送しながら、各陽極層３０上に有機ＥＬ部３２を形成する（有機ＥＬ部形成工程)。有機ＥＬ部３２が多層構造を有する場合には、有機ＥＬ部３２を構成する複数の層を陽極層３０側から順に形成すればよい。その後、有機ＥＬ部３２上に陰極層３４を形成する（陰極層形成工程）。陰極層形成工程では、前述したように、陰極層３４の一部が支持基板２８に接するように陰極層３４を形成する。
【００７５】
上記陰極層形成工程を経た支持基板２８には、陽極層３０毎に有機ＥＬデバイス２６が形成されている。よって、有機ＥＬデバイス２６の製造方法は、上記陰極層形成工程を経た支持基板２８を陽極層３０毎に個片化し、製品サイズの有機ＥＬデバイス２６を得る個片化工程を備えてもよい。有機ＥＬデバイス２６が封止部材を備える形態では、上記陰極層形成工程後に、各陽極層３０に対応した有機ＥＬ部３２を封止部材で封止すればよい。
【００７６】
有機ＥＬデバイス２６の製造方法が有する陽極層形成工程及び陰極層形成工程のうちの少なくとも一方は、第１の実施形態で説明した蒸着源１４を用いた電子ビーム真空蒸着法で成膜層４を形成する成膜層形成工程を有する。この成膜層形成工程では、図１を利用して説明した成膜層４を形成する方法において、被成膜基板２を、上記成膜層形成工程前までの工程を経た支持基板２８とすることによって、成膜層４を形成すればよい。
【００７７】
例えば、陰極層３４を上記成膜層形成工程で形成する場合、図１に示した被成膜基板２を、有機ＥＬ部形成工程を経て有機ＥＬ部３２が形成された支持基板２８とし、蒸着材料６に陰極層３４の材料を用いて、第１の実施形態で説明した方法と同様にして成膜層４としての陰極層３４を形成すればよい。陰極層３４が多層構造を有する場合には、そのうちの少なくとも一つが上記成膜層４であればよい。陽極層３０についても同様である。
【００７８】
上記成膜層形成工程では、第１の実施形態で説明した蒸着源１４を用いた電子ビーム真空蒸着法で成膜層４を形成することから、成膜層４を連続的に高速成膜できる。そのため、支持基板２８を連続搬送しながら成膜層４を形成でき、有機ＥＬデバイスの製造方法が有する成膜層形成工程の時間が短縮される。その結果、有機ＥＬデバイス２６の生産性が向上する。更に、有機ＥＬデバイス２６の製造に使用する蒸着源１４を備える真空蒸着装置１０の損傷を抑制できる。更に、真空蒸着室１２内の壁面への蒸着材料６の堆積が抑制されるので、真空蒸着室１２のメンテナンスも容易である。
【００７９】
本発明は、例示した種々の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００８０】
坩堝はハースライナーに限らず、電子ビーム真空蒸着用の蒸着材料を収容可能な容器であればよい。
【００８１】
ヒータは、ヒータにおける坩堝の縁部側の面の少なくとも一部が平面状であればよい。第１加熱部は、面状の発熱体でなくてもよい。例えば、支持部材にワイヤーなどが巻かれておりワイヤーが発熱してもよい。支持部材は、面状（或いは板状）のものに限定されず、棒状でもよい。第１加熱部を例にして説明したが、第２加熱部及び第３加熱部についても同様である。
【００８２】
ヒータが、第１加熱部とは別体の第２加熱部等を備える形態を説明した。しかしながら、ヒータの一部が坩堝の開口の縁部を取り囲んでいればヒータの構成は限定されない。例えば、ヒータは、第１加熱部、第２加熱部及び第３加熱部が一体化された構成でもよい。
【００８３】
有機ＥＬデバイスの製造方法で使用する支持基板は、長尺の支持基板でなくてもよく、枚葉の支持基板であってもよい。
【００８４】
第１電極層として陽極層を例示し、第２電極層として陰極層を例示したが、第１電極層が陰極層であり、第２電極層が陽極層であってもよい。すなわち、陰極層が支持基板（可撓性基板）側に配置されていてもよい。
【００８５】
上記実施形態では、電子デバイスの一例である有機ＥＬデバイスの製造方法を説明したが、本発明は、有機ＥＬデバイスの他、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機センサー、有機薄膜太陽電池等の有機電子デバイスの製造方法にも適用できる。本発明は、デバイス機能部が有する全ての機能層が無機材料から構成されている電子デバイス（有機電子デバイス以外の電子デバイス）にも適用され得る。
【符号の説明】
【００８６】
４…成膜層、６…蒸着材料、１０…真空蒸着装置(電子ビーム真空蒸着装置)、１４…蒸着源、２０…ハースライナー（坩堝）、２０ｂ…縁部、２０ｄ…外側面、２２…ヒータ、２４…リフレクター、２６…有機ＥＬデバイス（電子デバイス）、２８…支持基板、３０…陽極層（第１電極層）、３２…有機ＥＬ部（デバイス機能部）、３４…陰極層（第２電極層）、２２１…第１加熱部(第１加熱領域)、２２１ａ…縁部、２２２…第２加熱部（第２加熱領域）、２２３…第３加熱部、Ｃ…軸線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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