(57)【要約】【課題】高性能の利得等化器を実現し得るＳＦＧを製造するのに好適な光ファイバを提供する。【解決手段】本発明の光ファイバは、シリカ系ガラスからなる光ファイバであって、コアと、前記コアを取り囲み前記コアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッドと、前記第１クラッドを取り囲み前記コアの屈折率より低く前記第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッドと、を備える。前記第１クラッドの少なくとも一部が、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料を含む。前記第１クラッドのうち前記コアに最も近い箇所の屈折率と前記コアの屈折率との差異Δｎが、０.２５％以上０.３０％以下の範囲である。前記コアの半径ｒａが、４.３μｍより大きく５．０μｍ以下である。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカ系ガラスからなる光ファイバであって、
コアと、前記コアを取り囲み前記コアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッドと、前記第１クラッドを取り囲み前記コアの屈折率より低く前記第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッドと、を備え、
前記コアと前記第１クラッドとの境界は、屈折率の勾配が最大になる位置で定義され、
前記第１クラッドの少なくとも一部が、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料を含み、
前記第１クラッド内の屈折率プロファイルの近似直線が前記境界においてとる値と前記コアの屈折率の最大値との差異Δｎが、０.２５％以上０.３０％以下の範囲であり、
前記コアの半径が、４.３μｍより大きく５．０μｍ以下である、
光ファイバ。
【請求項２】
前記感光性材料がＧｅＯ２である、
請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記感光性材料がＢ２Ｏ３である、
請求項１または２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記第１クラッドおよび前記第２クラッドがＦを含む、
請求項１〜３の何れか１項に記載の光ファイバ。
【請求項５】
シリカ系ガラスからなる光ファイバにおいてファイバ軸方向の少なくとも一部領域にファイバ軸に対し傾斜したブラッググレーティングが形成されたスラント型ファイバグレーティングであって、
前記光ファイバは、
コアと、前記コアを取り囲み前記コアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッドと、前記第１クラッドを取り囲み前記コアの屈折率より低く前記第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッドと、を備え、
前記第１クラッドの少なくとも一部が、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料を含み、
前記第１クラッドのうち前記コアに最も近い箇所の屈折率と前記コアの屈折率との差異Δｎが、０.２５％以上０.３０％以下の範囲であり、
前記コアの半径が、４.３μｍより大きく５.０μｍ未満であり、
前記光ファイバにおいて前記第１クラッドの径方向の少なくとも一部領域にブラッググレーティングが形成されている、
スラント型ファイバグレーティング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバおよびスラント型ファイバグレーティングに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣバンドまたはＬバンドの信号光を用いた長距離光ファイバ通信システムでは、信号光を増幅する光増幅器として、エルビウム（Ｅｒ）等の稀土類元素が添加された増幅用光ファイバを含む光ファイバ増幅器が使用されている。エルビウム添加光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）の利得は、波長依存性を有しており、波長１.５３μｍ付近にピークを有する。この利得スペクトルの波長依存性の非平坦性により、ビット誤り率の増加が生じ、その結果、伝送システム系の性能が劣化する。この問題を解決する部品として、ＥＤＦＡの利得を等化する利得等化器であるスラント型ファイバグレーティング（Slant Fiber Grating、ＳＦＧ）が開発されている。
【０００３】
利得等化器の製造例は例えば特許文献１，２に記載されている。コアおよびクラッドの双方または何れか一方が感光性材料（例えば、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３）を含むシリカ系ガラスからなる光ファイバに対し、屈折率を上昇させ得る特定波長の紫外光（例えばアルゴンイオンレーザ光の２倍波（波長２４４ｎｍ）等）を照射することにより、感光性材料を含むシリカ系ガラスの屈折率を大きくすることができる。所定周期の屈折率変調グレーティングを光ファイバ内に書き込む方法には、チャープ型グレーティング位相マスクを用いた±１次回折光による露光、ＵＶレーザ光直接露光、２光束干渉露光がある。その中でも、位相マスクを用いた方法は、同一特性のものを再現性よく作製することができ、他の手法に比べアライメントが比較的容易であることが、利点として挙げられる。
【０００４】
ＳＦＧによるロスは、ＬＰ０１モードから後方伝搬の高次モードへの結合により形成される。或るビーム幅の特定波長の光で書き込まれたグレーティングにより得られるＳＦＧのロス波形は、図１に示されるように、或る波長においてロスのピークを有するとともに或る半値全幅（ＦＷＨＭ）αを有し、かつ、そのピーク波長から短波長側にロスが裾をひいた基本波形となる。利得等化器の所望のロス波形は、図２に示されるように、透過率軸方向および波長軸方向に複数の基本波形を重ね合わせることで実現される。このように複数のＳＦＧの基本波形を重ね合わせた利得等化器により、ＥＤＦＡの利得を等化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−００４９２６号公報
【特許文献２】再表２００３／０９３８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ＩｏＴやビックデータの利用の発展に伴い、伝送容量の大容量化と共に、ビット誤り率の更なる低下が求められており、ＳＦＧによる利得等化器の高性能化が求められている。しかしながら、基本波形が有する半値全幅αの制約により、複数の基本波形を重ね合わせても、所望のロス波形を精度よく実現することは困難である。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、高性能の利得等化器を実現し得るＳＦＧを製造するのに好適な光ファイバを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光ファイバは、シリカ系ガラスからなる光ファイバであって、コアと、前記コアを取り囲み前記コアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッドと、前記第１クラッドを取り囲み前記コアの屈折率より低く前記第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッドと、を備える。前記第１クラッドの少なくとも一部が、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料を含む。前記コアと前記第１クラッドとの境界は、屈折率の勾配が最大になる位置で定義され、前記第１クラッド内の屈折率プロファイルの近似直線が前記境界においてとる値と前記コアの屈折率の最大値との差異Δｎが、０.２５％以上０.３０％以下の範囲であり、前記コアの半径が、４.３μｍより大きく５．０μｍ以下である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光ファイバは、高性能の利得等化器を実現し得るＳＦＧを製造するのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、ＳＦＧのロス波形（基本波形）を示す図である。
【図２】図２は、複数のＳＦＧの基本波形の重ね合わせを説明する図である。
【図３】図３は、スラント角θを説明する図である。
【図４】図４は、ＳＦＧの基本波形の半値全幅αおよび反射減衰量それぞれとスラント角度θとの関係を示す図である。
【図５】図５は、光ファイバの径方向の屈折率プロファイルを示す図である。
【図６】図６は、ＳＦＧの基本波形の半値全幅αの計算結果および実測結果を示すグラフである。
【図７】図７は、解析モデルの光ファイバの径方向の屈折率プロファイルを示す図である。
【図８】図８は、解析モデルの光ファイバの径方向のＧｅ濃度分布を示す図である。
【図９】図９は、各光ファイバのパラメータを纏めた表である。
【図１０】図１０は、各光ファイバのパラメータを纏めた表である。
【図１１】図１１は、タイプ１の屈折率プロファイルの光ファイバの場合に計算により得られた基本波形の半値全幅、スラント角およびＭＦＤを纏めたグラフである。
【図１２】図１２は、タイプ２の屈折率プロファイルの光ファイバの場合に計算により得られた基本波形の半値全幅、スラント角およびＭＦＤを纏めたグラフである。
【図１３】図１３は、ＬＰ０１モードの光学クラッドへの浸み出しの割合が２２％で一定である場合におけるコア半径ｒａに対するΔｎ、Δｎｃの計算結果を示す図である。
【図１４】図１４は、ＬＰ０１モードの光学クラッドへの浸み出しの割合が１８％、２２％、２８％の各値で一定である場合におけるコア半径ｒａに対するΔｎの計算結果を示す図である。
【図１５】図１５は、コア半径ｒａに対する基本波形の半値全幅の計算結果を示す図である。
【図１６】図１６は、コア半径ｒａおよびΔｎに対する基本波形の半値全幅の計算結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の光ファイバは、シリカ系ガラスからなる光ファイバであって、コアと、前記コアを取り囲み前記コアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッドと、前記第１クラッドを取り囲み前記コアの屈折率より低く前記第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッドと、を備える。前記第１クラッドの少なくとも一部が、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料を含む。前記コアと前記第１クラッドとの境界は、屈折率の勾配が最大になる位置で定義され、前記第１クラッド内の屈折率プロファイルの近似直線が前記境界においてとる値と前記コアの屈折率の最大値との差異Δｎが、０.２５％以上０.３０％以下の範囲であり、前記コアの半径が、４.３μｍより大きく５．０μｍ以下である。
【００１２】
本発明の光ファイバにおいて、前記感光性材料がＧｅＯ２であるのが好適であり、前記感光性材料がＢ２Ｏ３であるのも好適である。また、前記第１クラッドおよび前記第２クラッドがＦを含むのも好適である。
【００１３】
本発明のスラント型ファイバグレーティングは、シリカ系ガラスからなる光ファイバにおいてファイバ軸方向の少なくとも一部領域にファイバ軸に対し傾斜したブラッググレーティングが形成されたスラント型ファイバグレーティングである。前記光ファイバは、コアと、前記コアを取り囲み前記コアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッドと、前記第１クラッドを取り囲み前記コアの屈折率より低く前記第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッドと、を備える。前記第１クラッドの少なくとも一部が、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料を含む。前記コアと前記第１クラッドとの境界は、屈折率の勾配が最大になる位置で定義され、前記第１クラッド内の屈折率プロファイルの近似直線が前記境界においてとる値と前記コアの屈折率の最大値との差異Δｎが、０.２５％以上０.３０％以下の範囲であり、前記コアの半径が、４.３μｍより大きく５．０μｍ以下である。そして、前記光ファイバにおいて前記第１クラッドの径方向の少なくとも一部領域にブラッググレーティングが形成されている。
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００１５】
利得等化器の高性能化の為には、ＳＦＧの基本波形の半値全幅αを小さくすること（基本波形の狭帯域化）が望まれる。ＳＦＧの基本波形の狭帯域化の為には、光伝搬方向に対するグレーティングの角度を小さくすることが簡便な方法である。ここで、グレーティングの角度とは、ＬＰ０１の光が伝搬する波面に対して、グレーティングの等屈折率面がなす角度である。即ち、グレーティングの角度が零とは、ＬＰ０１の光伝搬波面とグレーティングの等屈折率面が一致していることを指し、この時のＦＷＨＭは最も小さい値となる。グレーティングの角度を傾斜させていくと、戻り光は抑制されていく。戻り光が最も抑制される角度が存在し、その角度を原点として、スラント角を定義する（図３、図４）。更にグレーティングの角度を大きくしていくと、再び戻り光は増大していく。図３では一定間隔の複数の線でグレーティングが示されている。しかし、図４に示されるように、スラント角θが小さくなると、反射減衰量は増大する。反射減衰量の増大により戻り光が増大すると、ＥＤＦＡを構成しているＥＤＦに光が戻り、増幅効率/雑音特性を劣化させる事や、伝送品質劣化等に繋がるので、例えば、スラント角θ＝０に対してグレーティングの角度を−０.１度程度にするのが限度である。なお、スラント角θ＝０は、光が伝搬する波面を０度とした場合の、グレーティングの角度１°〜３°程度に相当する。
【００１６】
ＳＦＧの基本波形の狭帯域化の為には、スラント角θを小さくすること、スラント角θ＝０を光伝搬の波面に近づけることが有効である。００２４段落にて詳述するが、スラント角θを小さくするためには、モードフィールド径（ＭＦＤ）を増大させる必要があり、光ファイバ構造の観点ではコア半径を４．３μｍより大きくする必要がある。しかし、コア半径を増大させると、光学クラッドへの光の浸み出し量が小さくなってしまい、紫外線照射によるロス形成（本明細書では書き込み能力という）は著しく低下することになる。よって、高い書き込み能力を維持できるように、浸み出し量を大きくする必要がある。
【００１７】
ＳＦＧのロス波形（基本波形）は、ＬＰ０１モードと高次のＬＰｌｍモードとの間の結合係数を計算することで求めることができる。各モードに対するブラッグ波長のずれΔλは下記（１）式で表すことができる。βｌｍ(λ０)は波長λ０でのＬＰｌｍモードの伝搬定数である。β０１(λ０)は波長λ０でのＬＰ０１モードの伝搬定数である。
Δλ＝λ０{βｌｍ(λ０)−β０１(λ０)}／{βｌｍ(λ０)＋β０１(λ０)}    (1)
【００１８】
波長に対するロスは、Δλに依存したそれぞれの離散的な結合係数の絶対値の２乗の値を用いて求めた。計算に用いた波長λの幅は０.０２ｎｍとした。それぞれの結合係数の絶対値の２乗の間は、Δλ１、Δλ２、Δλ３、・・・それぞれにガウス分布を付与し、その間を補間した。
【００１９】
図５は、光ファイバの径方向の屈折率プロファイルを示す図である。この光ファイバは、シリカ系ガラスからなる光ファイバであって、コアと、このコアを取り囲みコアの屈折率より低い屈折率を有する第１クラッド（光学クラッド）と、第１クラッドを取り囲みコアの屈折率より低く第１クラッドの屈折率より高い屈折率を有する第２クラッド（ジャケット）とを備える。光学クラッドの少なくとも一部は、特定波長の光の照射により屈折率が上昇する感光性材料（ＧｅＯ２またはＢ２Ｏ３）を含む。コアおよびジャケットは感光性材料を含まない。光学クラッドおよびジャケットはＦを含む。
【００２０】
２つのタイプ１，２の屈折率プロファイルを有する光ファイバを用いた場合に得られるＳＦＧの基本波形の半値全幅αを計算した。タイプ２の屈折率プロファイルは、タイプ１の屈折率プロファイルに対し、コアおよびジャケットそれぞれの比屈折率差については同じであるが、光学クラッドの比屈折率差については０.２５％だけ増大させたものである。
【００２１】
図６は、ＳＦＧの基本波形の半値全幅αの計算結果および実測結果を示すグラフである。計算結果は、タイプ１，２の屈折率プロファイルを有する光ファイバを用いた場合に得られるＳＦＧの基本波形の半値全幅αの値である。実測結果は、代表的な屈折率プロファイルを有する光ファイバにグレーティングを書き込み、基本波形の半値全幅を測定した結果である。この図に示されるように、半値全幅αの実測結果は、タイプ１，２の屈折率プロファイルに基づく半値全幅αの計算結果の間に位置する。このことから、光学クラッドの実効屈折率を調整することで計算結果を実測結果に合わせ込めることが判る。
【００２２】
この解析手法を用いることで、ＳＦＧの基本波形の狭帯域化の為の設計指針を決定することができる。図７は、解析モデルの光ファイバの径方向の屈折率プロファイルを示す図である。図８は、解析モデルの光ファイバの径方向のＧｅ濃度分布を対応する比屈折率差の増加量として示す図である。これらの図において、Δａは、コアの比屈折率差である。Δｂは、光学クラッド（第１クラッド）のうちコアに最も近い箇所の比屈折率差である。Δｃは、ジャケット（第２クラッド）の比屈折率差である。Δｄは、光学クラッドのうちコアに最も近い箇所の比屈折率差と、ジャケットに最も近い箇所の比屈折率差との差である。なお、これらの比屈折率差のベースとなる屈折率として１.４４４０２４を用いた。ｒａは、コアの半径である。ｒｂは、光学クラッドの外半径である。光学クラッドの添加物は、ＦとＧｅのみであり、その光学クラッドの全領域がＦを含むものとし、このＦ含有に基づく比屈折率差の低下を０.７０％とした。例えばＧｅ濃度を０.３５％とした場合のΔｂは−０.３５％となる。
【００２３】
図９および図１０は、各光ファイバのパラメータを纏めた表である。ここでは、様々な屈折率プロファイルに対してＦＧの基本波形の半値全幅αを計算した。タイプ１の屈折率プロファイルでは、Δａ＝０.０６５％、ｒａ＝３.９μｍ、Δｃ＝−０.３３５％とした。タイプ２の屈折率プロファイルでは、Δａ＝０.０６５％、ｒａ＝４.４μｍ、Δｃ＝−０.３００％とした。タイプ１，２の何れにおいても、ｒｂを二通りの値に設定し、Δｂを三通りの値に設定し、Δｄを三通りの値に設定して、基本波形の半値全幅、スラント角およびＭＦＤを計算した。なお、ｒｂ、Δｂ、Δｄに比べて、Δｃは、基本波長の半値全幅への寄与度が１桁以上小さいので、今回の計算ではΔｃを固定値とした。なお、Δｃは、曲げ損失およびカットオフ波長に影響を与えるパラメータである。Δｃによるカットオフ波長の調整については後述する。
【００２４】
図１１は、タイプ１の屈折率プロファイルの光ファイバの場合に計算により得られた基本波形の半値全幅、スラント角およびＭＦＤを纏めたグラフである。図１２は、タイプ２の屈折率プロファイルの光ファイバの場合に計算により得られた基本波形の半値全幅、スラント角およびＭＦＤを纏めたグラフである。これらの図の各々の枠内において左からΔｄの大・中・小の順に並んで計算結果が示されている。この計算結果から判るように、基本波形の狭帯域化の為の設計指針は次の通りである。すなわち、タイプ１およびタイプ２の何れにおいても、スラント角を小さくし、ＭＦＤを大きくすることで、基本波形を狭帯域化できることが判る。ＭＦＤを大きくするためにはコア半径ｒａが大きいことが必要である。このことは、タイプ１の屈折率プロファイルではコア半径ｒａが３.９μｍであり、タイプ２の屈折率プロファイルではコア半径ｒａが４.４μｍであり、これらの比較からも確認することができる。但し、ＭＦＤの上限は、他の光ファイバとの接続損を考慮すると、波長１．５５ｕｍ帯で１１μｍである。
【００２５】
以上の計算は、基本波形の狭帯域化に主眼をおいたものである。これに加えて、基本波形の重ね合わせで所定のロス波形を精度よく書き込むことも必要である。即ち、コアモードとクラッドモードとの間の電界の絶対値の重なり積分値が大きい必要があることから、基本波形の狭帯域化に有効なコア半径ｒａを単純に増大させるだけでは、書き込み能力が低下することになる。なお、光学クラッドのみに周期的な屈折率と、グレーティングの角度を付与する事でＬＰ０１モードから高次モードへの結合が可能となる。また、ｒｂを増大させると、グレーティングを書き込む紫外光の吸収量が増大し、書き込み能力に求められるコア周辺の光学クラッドへのグレーティング書き込みが困難になる。書き込み能力を上げるには、中心コアと光学クラッドの比屈折率差のΔｎａｂを小さくすれば良いことになるが、例えば、タイプ１の条件２５、３４およびタイプ２の条件２５、３４等の屈折率プロファイルは、曲げ損が大きくなるので、Δｎａｂにも制限を設ける必要がある。
【００２６】
次に、基本波形の狭帯域化と書き込み能力との両立について説明する。基本波形の狭帯域化に必要なｒａ，ｒｂの増大と書き込み能力との間にはトレードオフの関係が成り立つ。必要最低限の書き込み能力について検討した結果、ＬＰ０１モードのパワーの光学クラッドへの浸み出しの割合は１８％以上である。また、書き込み能力に必要なｒｂ／ｒａは３.０〜４.０の範囲であることが有効である。
【００２７】
高い書き込み能力を維持しつつ基本波形の狭帯域化に必要な屈折率プロファイルは次のとおりである。ここで、ＬＰ０１モードの光学クラッドへの浸み出しの割合を、１８％、２２％、２８％の３水準とした。また、ｒｂ／ｒａを３.５９とした。ｒａ、Δｂ、Δｃそれぞれを変化させて、ＬＰ０１モードの光学クラッドへの浸み出し量の割合が１８％、２２％、２８％の各値で一定となるように、コア半径ｒａに対するΔｂおよびΔｃを計算した。なお、Δｎａｂを小さくしていくと、曲げ損失の増大が懸念される。曲げ損失はＭＡＣ値（ＭＦＤ／λｃ）で表すことができ、ＭＡＣ値が小さいほど曲げ損耐性は増大する。そこで、カットオフ波長λｃを増大させて曲げ損失の影響を抑制するために、Δｃを１.２１μｍで一定とした。なお、光学クラッドにおける径方向のＧｅのコア側からジャケット側までの傾斜は、‐０.０１３×ガラス径である。前記コアと前記第１クラッドとの境界は、屈折率の勾配が最大になる位置で定義され、ジャケットと光学クラッドの境界は、光学クラッドとジャケットの間の屈折率の購買が最大となる位置で定義される。ここで、第１クラッド内の屈折率プロファイルの近似直線は、コアと光学クラッドとの境界からコア中心を基準に外側に1um離れた屈折率と、ジャケットと光学クラッドの境界からコア中心に向かって1um離れた屈折率の2点を直線で結んだラインとする。
【００２８】
図１３は、ＬＰ０１モードの光学クラッドへの浸み出しの割合が２２％で一定である場合におけるコア半径ｒａに対するΔｎａｂ、Δｎｃの計算結果を示す図である。ここで、Δｎａｂは、コアの比屈折率差Δａと光学クラッドの比屈折率差Δｂとの差分である。Δｎｃは、コアの比屈折率差Δａとジャケットの比屈折率差Δｃとの差分である。この図から判るように、ΔｎａｂとΔｎｃとは、互いに同様な傾向を示し、値も互いに同程度である。以後、Δｎａｂのみを表記することにする。
【００２９】
図１４は、ＬＰ０１モードの光学クラッドへの浸み出しの割合が１８％、２２％、２８％の各値で一定である場合におけるコア半径ｒａに対するΔｎａｂの計算結果を示す図である。この図から判るように、コア半径ｒａの増大に伴い、Δｎａｂは小さくなる。但し、上述したように、ＭＡＣ値による曲げ損失の抑制が必要であり、加えて、ＭＦＤは１１μｍ以下であることが必要である。ＭＦＤが１１μｍ以下であるという制約を考慮に入れると、Δｎａｂは０.２５％以上であることが必要である。
【００３０】
図１５は、コア半径ｒａに対する基本波形の半値全幅の計算結果を示す図である。この図には、図１４で求めたパラメータを用いて基本波形の半値全幅を計算した結果を示す。この図から、コア半径の増大に伴い、基本波形の半値全幅が小さくなっていることが判る。
【００３１】
図１６は、コア半径ｒａおよびΔｎａｂに対する基本波形の半値全幅の計算結果を示す図である。この図は、図１４および図１５の各計算結果を統合したものである。この図には、基本波形の半値全幅として４.０ｎｍ、３.８ｎｍ、３.６ｎｍ、３.４ｎｍ、３.３ｎｍ、３.２ｎｍ、３.０ｎｍの各値の場合を示した。例えば、半値全幅を４.０ｎｍ以下とするには、Δｎａｂの範囲は０.２５％から０.３８％であり、コア半径は３.８μｍから４.５μｍであることが判る。半値全幅を３.４ｎｍ以下とするには、Δｎａｂの範囲は０.２５％から０.３０％であり、コア半径は４.３μｍ以上５.０μｍ以下であることが判る。また、半値全幅を３.３２ｎｍ以下とするには、Δｎａｂの範囲は０.２６〜０.２８％であり、コア半径は４.５μｍよりも大きく４.８μｍ以下であるのが適切であることが判る。
【００３２】
以上のとおり、光ファイバのコア半径ｒａを大きくし、コアと光学クラッドとの間の比屈折率差の差異Δｎａｂを小さくすることで、基本波形の半値全幅を小さくすることができ、複数の基本波形の重ね合わせにより得られるＥＤＦＡのロススペクトルにより、ＥＤＦＡの利得を高精度に等化することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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