(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行う場合において、高精度なレーザトリミングができるレーザ加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】  半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行うレーザ加工方法において、前記基板の剛性を補強するものであって前記トリミング後に除去できる補強層が前記基板のレーザ非照射側に形成された状態でトリミングを行い、当該トリミング後に前記補強層を除去することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行うレーザ加工方法において、前記基板の剛性を補強するものであって前記トリミング後に除去できる補強層が前記基板のレーザ非照射側に形成された状態でトリミングを行い、当該トリミング後に前記補強層を除去することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザ加工方法において、トリミングを行う前に前記補強層を貼り付けることを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項３】
請求項１あるいは２に記載のレーザ加工方法において、前記補強層はＰＥＴから成ることを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項４】
請求項１、２あるいは３に記載のレーザ加工方法において、トリミングを行う箇所にバンプを形成した後に前記補強層を除去することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項５】
請求項１、２、３あるいは４に記載のレーザ加工方法において、トリミングを行う箇所は前記半導体チップと外部との電気的接続を行うためのリード部上に位置することを特徴とするレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行うレーザ加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームのトリミングをレーザを用いて行うレーザ加工方法としては、例えば特許文献１（段落００５２〜００５４、図１２）で知られているが、通常、リードフレームは基板状に形成されている。
図２はこのようなリードフレーム基板の従来の構造を説明するための図であり、（ａ）は一つのリードフレーム部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図、（ｄ）と（ｅ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図２において、１は複数のリードフレーム部２が基板状に形成されているリードフレーム基板であり、銅層３とこの銅層３の上に形成された絶縁体である樹脂層４とから成り、所定箇所の銅層３と樹脂層４を除去することにより、リードフレーム部２が形成されている。最終的には、このリードフレーム部２が半導体パッケージ内でのリードフレームとなる。
５は半導体チップが搭載される半導体チップ搭載部、６は半導体チップと外部との電気的接続を行うためのリード部である。リード部６は半導体チップ搭載部５の周囲に多数形成されており、それぞれの半導体チップ搭載部５に近い側がインナーリード部、反対側がアウターリード部である。
【０００３】
リードフレーム部２に対するレーザによるトリミングとして、図２（ｅ）に示すように、レーザを照射して樹脂層４の一部７を除去して銅層３を露出させ、半導体チップとの電気的接続を行うための電極、いわゆるバンプをこの部分に形成する方法がある。
この場合、レーザ加工装置においては、図３に示すように、吸着孔８が多数設けられたテーブル９の上にリードフレーム基板１を載置し、吸着孔８で下から吸引し、レーザ照射系１０からレーザ１１を照射する。
しかしながら、電子回路の高密度実装化により、リードフレーム基板１の形状は小型化、薄型化してその剛性が低くなっている。従って、吸着孔８の配列の間隔を狭くするのにも限度があり、吸着孔８だけではリードフレーム基板１をテーブル９に密着できず、特に幅の狭いリード部６がばたついて浮いてしまう現象が起こる。それゆえ、レーザ照射系１０とリード部６の表面との間の距離を一定に保つことができず、高精度なトリミングができない欠点がある。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2006-116570号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで本発明は、半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行う場合において、高精度なレーザトリミングができるレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される代表的なレーザ加工方法は、半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行うレーザ加工方法において、前記基板の剛性を補強するものであって前記トリミング後に除去できる補強層が前記基板のレーザ非照射側に形成された状態でトリミングを行い、当該トリミング後に前記補強層を除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体チップを搭載するリードフレーム部が基板状に形成された基板の前記リードフレーム部にレーザを照射してトリミングを行う場合において、高精度なレーザトリミングができるレーザ加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図２】リードフレーム基板の従来の構造を説明するための図である。
【図３】リードフレーム基板のレーザ加工を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【０００９】
本発明の一実施例について説明する。図１は本発明の一実施例を説明するための図である。図１（ａ）〜（ｅ）のいずれもリードフレーム基板の断面図であり、図２（ａ）のＣ−Ｃ断面図に相当するものである。図１において、図２と同じ番号のものは図２と同じものを示す。
【００１０】
図１（ａ）はリード部６にトリミングを行う前のもので、リードフレーム基板１は従来と同じ構造である。本発明に従うと、この状態から先ずリードフレーム基板１の下側に接着材の付いたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）よりなるシート（以下ＰＥＴシートと呼ぶ）を貼り付ける。図１（ｂ）はこのＰＥＴシートを貼り付けた状態を示しており、１２は接着層、１３はＰＥＴ層である。
次に、この状態のリードフレーム基板１を図３に示すレーザ加工装置のテーブル９の上に載置し、吸着孔８で下から吸引し、レーザ照射系１０からレーザ１１を照射してリード部６のインナーリード部にトリミングを行い、図１（ｃ）に示すように、樹脂層６の一部７を除去して銅層３を露出させる。
次に、図１（ｄ）に示すように、露出させた銅層３の上に半導体チップとの電気的接続を行うためのバンプ１４を形成する。
次に、リードフレーム基板１の下側から接着材の付いたＰＥＴシートを剥がして接着層１２、ＰＥＴ層１３を除去するとともに樹脂層４を除去し、図１（ｅ）に示すように、バンプ１４がリード部６に形成されたリードフレーム基板１が完成する。
【００１１】
以上の実施例によれば、リード部６にトリミングを行う場合、リードフレーム基板１にＰＥＴシートが貼られているのでリードフレーム基板１の剛性が大きくなり、レーザ加工装置におけるテーブル９に密着させることができ、特にリード部６での浮き上がりを防止できる。従って、レーザ照射系１０とリード部６の表面との間の距離を一定に保つことができ、高精度なトリミングが可能となる。さらに、最終的にはＰＥＴシートを剥がすので、厚みを大きくせずにすみ、高密度実装に適したリードフレーム用のリードフレーム基板１を得ることができる。
【００１２】
なお、以上の実施例において、リードフレーム基板１にＰＥＴシートを貼ってからレーザトリミングを行うようにしたが、ＰＥＴシートが最初から貼ってあるリードフレーム基板を使用し、バンプ１４の形成後にこのＰＥＴシートを剥がすようにしてもよい。
また、ＰＥＴシートの代わりに他の材質のシートであってもよいし、また必ずしもシート状である必要はない。
【符号の説明】
【００１３】
１：リードフレーム基板、２：リードフレーム部、３：銅層、４：樹脂層、
５：半導体チップ搭載部、６：リード部、１２：接着層、１３：ＰＥＴ層、
１４：バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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