(57)【要約】【課題】大量の微細なチップを短時間でダイボンドすることが可能な粘着性基材及び粘着性基材の製造方法を提供する。【解決手段】支持基材と、該支持基材に設けられた粘着層とを有する粘着性基材であって、  前記支持基材は、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターンを有し、前記粘着層は、少なくとも、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面に設けられ、前記凸部の上面の前記粘着層表面が曲面を有するものであることを特徴とする粘着性基材。【選択図】図１
2019104785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基材と、該支持基材に設けられた粘着層とを有する粘着性基材であって、
前記支持基材は、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターンを有し、
前記粘着層は、少なくとも、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面に設けられ、前記凸部の上面の前記粘着層表面が曲面を有するものであることを特徴とする粘着性基材。
【請求項２】
前記粘着層は、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面のみに設けられたものであることを特徴とする請求項１に記載の粘着性基材。
【請求項３】
前記粘着層は、前記支持基材の前記凹凸パターンの凹部にも設けられたものであり、かつ、前記凹凸パターンの凹部に設けられた前記粘着層の表面高さが、前記凸部の上面に設けられた前記粘着層の表面高さよりも低い位置となるように設けられたものであることを特徴とする請求項１に記載の粘着性基材。
【請求項４】
前記支持基材の前記凸部の上面に設けられた前記粘着層の表面のみが、曲面を有することを特徴とする請求項３に記載の粘着性基材。
【請求項５】
前記支持基材の前記凸部の上面に設けられた前記粘着層の表面高さと、前記支持基材の前記凹凸パターンの凹部の表面高さとの差が最長１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項２に記載の粘着性基材。
【請求項６】
前記支持基材の前記凸部の上面に設けられた粘着層の表面高さと、前記支持基材の前記凹部に設けられた粘着層の表面高さとの差が最長１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の粘着性基材。
【請求項７】
前記粘着層の最大厚みが０．０１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の粘着性基材。
【請求項８】
前記支持基材の前記凹凸パターンの隣接する前記凸部の間隔が１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の粘着性基材。
【請求項９】
前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の幅が１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の粘着性基材。
【請求項１０】
前記粘着層の粘着力が、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９に準拠した、２３℃、引きはがし角度１８０°、及び剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．の条件での剥離時の粘着力が、０．０５〜５０（Ｎ／２５ｍｍ幅）であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の粘着性基材。
【請求項１１】
前記粘着性基材が、マイクロＬＥＤ転写用であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の粘着性基材。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の粘着性基材の製造方法であって、
静電気力でノズルから粘着剤を塗布することによって、前記支持基材の、少なくとも前記凸部の上面に、表面に曲面を有する粘着層を形成することを特徴とする粘着性基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘着性基材及び粘着性基材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、時計や携帯電話などの携帯機器を中心に、電子機器の小型軽量化が進んでいる。これに伴い、これら電子機器に内蔵される半導体チップに関しても小型化が一層進んでいる。
【０００３】
半導体チップの電極にリード線を繋げる方法として、従来からワイヤボンディングが知られているが、ワイヤーの占めるスペースが大きいため、半導体チップの小型化には不向きである。
【０００４】
そこで、電極がある上面を反転して直接電極基板と接続するフリップチップボンディングが行われている（特許文献１，２）。この方法ではワイヤーがないぶん、小型化が可能となる。しかし従来の方法ではチップを１つ１つピックアップするので、マイクロＬＥＤなど非常に小さなチップを大量にダイボンドする際には非常に時間がかかってしまう。
【０００５】
特許文献３に記載されている転写用の部材では、凹凸パターンの凸部に粘着層が平面に付着しているが、このような転写用の部材は、チップと接触させた際に、平面粘着層とチップの接している面積が大きいため、チップをピックアップして別の粘着性基板に配置する際、全てのチップがきちんと別の粘着性基板に移行することが困難であった。また、平面粘着層とチップの接している面積が大きいために、チップのピックアップ速度と別の粘着性基板へ転写する速度が異なるなど、工程が煩雑となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−００１７５２号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ２０１４／０９８１７４号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２０１６／０１２４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、大量の微細なチップを短時間でダイボンドすることが可能な粘着性基材及び粘着性基材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明によれば、支持基材と、該支持基材に設けられた粘着層とを有する粘着性基材であって、前記支持基材は、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターンを有し、前記粘着層は、少なくとも、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面に設けられ、前記凸部の上面の前記粘着層表面が曲面を有するものであることを特徴とする粘着性基材を提供する。
【０００９】
本発明の粘着性基材によれば、微細なチップを大量に短時間でダイボンドすることが可能となる。
【００１０】
またこの場合、前記粘着層は、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面のみに設けられたものすることが好ましい。
【００１１】
また、前記粘着層は、前記支持基材の前記凹凸パターンの凹部にも設けられたものであり、かつ、前記凹凸パターンの凹部に設けられた前記粘着層の表面高さが、前記凸部の上面に設けられた前記粘着層の表面高さよりも低い位置となるように設けられたものとすることが好ましい。
【００１２】
本発明の粘着性基材としては、これらの具体的態様が挙げられる。このような粘着性基材であれは、微細なチップを大量に選択的にピックアップすることができ、短時間で大量のチップをダイボンドすることができる。
【００１３】
またこの場合、前記支持基材の前記凸部の上面に設けられた前記粘着層の表面のみが、曲面を有するものとすることが好ましい。
【００１４】
このような粘着性基材であれば、より確実に、微細なチップを大量に選択的にピックアップでき、短時間で大量のチップをダイボンドすることができるものとなる。
【００１５】
また、前記支持基材の前記凸部の上面に設けられた前記粘着層の表面高さと、前記支持基材の前記凹凸パターンの凹部の表面高さとの差が最長１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００１６】
また、前記支持基材の前記凸部の上面に設けられた粘着層の表面高さと、前記支持基材の前記凹部に設けられた粘着層の表面高さとの差が最長１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００１７】
このような支持基材の凸部の上面に設けられた粘着層の表面と、支持基材の凹部の表面又は凹部に設けられた粘着層の表面との距離であれば、より確実に、微細なチップを大量に選択的にピックアップでき、短時間で大量のチップをダイボンドすることができるものとなる。
【００１８】
また、前記粘着層の最大厚みが０．０１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００１９】
このような最大厚み（高さ）を有する粘着層であれば、粘着性基材をチップに押し付けた際に、変形量が小さくすむために好ましい。
【００２０】
また、前記支持基材の前記凹凸パターンの隣接する前記凸部の間隔が１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００２１】
また、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の幅が１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００２２】
このような支持基材の隣接する凸部の間隔や凸部の幅であれば、確実に、微細なチップをピックアップすることができるために好ましい。
【００２３】
また、前記粘着層の粘着力が、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９に準拠した、２３℃、引きはがし角度１８０°、及び剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．の条件での剥離時の粘着力が、０．０５〜５０（Ｎ／２５ｍｍ幅）であることが好ましい。
【００２４】
本発明における粘着層の粘着力がこの範囲であれば、マイクロチップをピックアップするのに十分な粘着性を有するために好ましい。
【００２５】
また、前記粘着性基材が、マイクロＬＥＤ転写用であることが好ましい。
【００２６】
本発明の粘着性基材は、微細なチップを大量に選択的にピックアップでき、短時間で大量のチップをダイボンドすることが可能であるため、マイクロＬＥＤ転写用として有用である。
【００２７】
また、本発明では、前記粘着性基材の製造方法であって、静電気力でノズルから粘着剤を塗布することによって、前記支持基材の、少なくとも前記凸部の上面に、表面に曲面を有する粘着層を形成することを特徴とする粘着性基材の製造方法を提供する。
【００２８】
このように静電気力で粘着剤を塗布することにより、支持基材の凸部の上面に、表面に曲面を有する粘着層が設けられた本発明の粘着性基材を短時間で製造することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の粘着性基材は、支持基材の表面に凹凸パターンが配列されており、少なくとも、支持基材の凹凸パターンの凸部の上面に粘着層が設けられ、この凸部の上面の粘着層表面が曲面を有するものであることにより、微細なチップを大量に選択的にピックアップでき、短時間で大量のチップをダイボンドすることができる。そのため、チップトランスファー用基材として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の粘着性基材の一実施形態を示す概略断面図（Ａ）、本発明の粘着性基材の別の一実施形態を示す概略断面図（Ｂ）である。
【図２】リソグラフィーによる凹凸パターンを有する支持基材の作製工程を説明するフロー図である。
【図３】凸部の幅１０μｍ、高さ１０μｍ、間隔１０μｍである支持基材の写真である。
【図４】図３の支持基材に粘着層を形成した、実施例１の粘着性基材の写真である。
【図５】凸部の幅５μｍ、高さ１０μｍ、間隔５μｍである支持基材の写真である。
【図６】図５の支持基材に粘着層を形成した、実施例２の粘着性基材の写真である。
【図７】凸部の幅３０μｍ、高さ５０μｍ、間隔３０μｍである支持基材の写真である。
【図８】図７の支持基材に粘着層を形成した、実施例３の粘着性基材の写真である。
【図９】比較例１の粘着性基材の概略断面図である。
【図１０】比較例２の粘着性基材の概略断面図である。
【図１１】比較例３の粘着性基材の概略断面図である。
【図１２】実施例及び比較例の粘着試験において、赤、緑、青のマイクロＬＥＤを選択的にピックアンドプレイスする工程のイメージ図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、支持基材と、該支持基材に設けられた粘着層とを有する粘着性基材であって、前記支持基材は、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターンを有し、前記粘着層は、少なくとも、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面に設けられ、前記凸部の上面の前記粘着層表面が曲面を有するものである粘着性基材であれば、微細なチップを大量に選択的にピックアップすることができ、基板の回路電極にプレスすることにより、短時間で大量のチップを電気的に接続することができることを見出し、本発明を成すに至った。以下、本発明の粘着性基材、及び粘着性基材の製造方法について詳細に説明する。
【００３２】
即ち、本発明は、支持基材と、該支持基材に設けられた粘着層とを有する粘着性基材であって、前記支持基材は、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターンを有し、前記粘着層は、少なくとも、前記支持基材の前記凹凸パターンの前記凸部の上面に設けられ、前記凸部の上面の前記粘着層表面が曲面を有するものであることを特徴とする粘着性基材を提供する。
【００３３】
このような本発明の粘着性基材の具体的態様としては、図１（Ａ）に示されるような、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターンを有する支持基材１の凸部の上面１’のみに粘着層２ａが設けられ、この凸部の上面１’の粘着層２ａの表面が曲面を有する粘着性基材１００Ａが挙げられる。また、別の態様としては、図１（Ｂ）に示されるような、支持基材１の凸部の上面１’に粘着層２ａが設けられ、粘着層２ａ以外に、支持基材１の凹凸パターンの凹部にも粘着層２ｂが設けられたものであり、かつ、凹凸パターンの凹部に設けられた粘着層２ｂの表面高さが、凸部の上面１’に設けられた粘着層２ａの表面高さよりも低い位置となるように設けられた粘着性基材１００Ｂが挙げられる。以下、本発明における支持基材、粘着層について詳述する。
【００３４】
［支持基材］
本発明に使用される支持基材１としては、片面又は両面に２個以上の凸部を有する凹凸パターン、特には、規則的な凹凸パターンを有しているものであれば、特に制限はない。このような支持基材１は、例えば、ガラス、セラミックス基板、シリコンウエハー、ガラスエポキシ積層基板、ポリイミド積層基板、紙フェノール基板、シリコーン樹脂基板、フッ素樹脂基板、ポリエステル基板などを用いて作製することができる。
【００３５】
凹凸パターンの設け方は特に制限はないが、例えば、フォトリソグラフィーにより被加工体に直接凹凸パターンを形成したものを支持基材１とすることができる。
【００３６】
フォトリソグラフィーにより凹凸パターンを有する支持基材１を作製する方法は、従来公知の方法に従えばよく、図２に示されるように、被加工体３にフォトレジスト４を塗布し、次いで露光、次いで現像、次いでエッチング、その後余ったレジストを洗浄することで、凹凸パターンを有する支持基材１を得ることができる。
【００３７】
更には、このような方法で作製した凹凸パターンに型取り材料を押し当てて型取りし、その型に熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを流し込んで、凹凸パターンを有する支持基材１としても良い。
【００３８】
また、本発明における凹凸パターンを有する支持基材１は、他の基板の上に粘着剤を塗布し、その上に配置しても良い。この場合の粘着剤は、本発明において支持基材１の凸部の上面に設ける粘着層を形成するための粘着剤と同じであっても良いし、異なっても良い。他の基板としては、上記支持基材の作製に用いられる基板と同様の基板が挙げられる。
【００３９】
支持基材１の凹凸パターンの大きさ、間隔としては特に制限はなく、ピックアップしようとするチップサイズに合わせて適宜選択することができるが、微細なチップをピックアップするためには、図１に示される凸部の幅１０１は１μｍ〜１００μｍとすることができ、好ましくは１μｍ〜２０μｍ、より好ましくは１μｍ〜１０μｍである。
【００４０】
さらに幅１０１に合わせて、高さ１０３ａ、１０３ｂが１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１μｍ〜２０μｍ、より好ましくは１μｍ〜１０μｍであると良い。ここでいう高さ１０３ａとは、図１（Ａ）に示されるように、支持基材の凸部の上面に設けられた粘着層２ａの表面高さと、支持基材の凹部の表面高さとの差の最長距離であり、また、高さ１０３ｂとは、図１（Ｂ）に示されるように、支持基材の凸部の上面に設けられた粘着層の表面高さと、支持基材の凹部に設けられた粘着層の表面高さとの差の最長距離である。
【００４１】
また、隣接する凸部の間隔１０２としては１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１μｍ〜５０μｍ、より好ましくは１μｍ〜２０μｍであると良い。なお、本発明において凸部の幅、高さ、間隔とは走査型電子顕微鏡によって測定された値を指す。
【００４２】
［粘着層］
本発明の粘着性基材１００Ａ、１００Ｂは、少なくとも、支持基材１の凹凸パターンの凸部の上面１’に粘着層２ａが設けられ、この粘着層２ａ表面が曲面を有することを特徴とする。このような形状の粘着層２ａを有する粘着性基材であれば、マイクロチップピックアップ時の押し付け圧力を分散させチップに掛かる圧力を低減することができ、また密着面積の低減により低応力で剥離することができる。そのため、微細なチップを大量に短時間でダイボンドすることが可能となる。また、本発明における粘着層は、支持基材１の凹凸パターンの凹部にも形成されていても良いが、支持基材の凸部上面の粘着層２ａの表面のみが曲面を有することが好ましい。
【００４３】
粘着層の粘着力としては特に制限はないが、１８０度剥離強度が０．０５〜５０（Ｎ／２５ｍｍ幅）が好ましく、０．１〜４０（Ｎ／２５ｍｍ幅）がより好ましく、０．１５〜３０（Ｎ／２５ｍｍ幅）が更に好ましい。この範囲であればマイクロチップをピックアップするのに十分な粘着性を有する。
【００４４】
なお、本発明における粘着力とは、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９記載の方法で測定した、温度：２３℃、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．、引きはがし角度：１８０°の条件で剥離した際の剥離強度を指す。
【００４５】
粘着層の最大厚さ（高さ）としては特に制限はないが、チップトランスファー用基材をチップに押し付けた際に、変形量が小さい方がよく、０．０１μｍ〜１００μｍ、好ましくは０．０１μｍ〜５０μｍ、より好ましくは０．０５μｍ〜３０μｍが良い。
【００４６】
本発明における粘着層を形成する粘着剤としては、特に制限はなく、塗布後に硬化するもの、例えばアクリル粘着剤、シリコーン粘着剤、ウレタン粘着剤、ラテックス粘着剤、エポキシ粘着剤等が挙げられる。
【００４７】
粘着層の形成方法は特に制限はないが、支持基材の凸部の上面の粘着層表面が曲面を有するものとなる必要がある。特には、図１（Ａ）のように、支持基材１の凸部の上面のみに表面が曲面を有する粘着層２ａを形成することが好ましい。または、図１（Ｂ）のように、支持基材１の凸部の上面１’に表面が曲面を有する粘着層２ａを、支持基材１の凹凸パターンの凹部にも粘着層２ｂを、凹凸パターンの凹部に設けられた粘着層２ｂの表面高さが、凸部の上面に設けられた粘着層２ａの表面高さよりも低い位置となるように形成することが好ましい。
【００４８】
そのため、スピンコーターや通常の加圧スプレーで接着剤を塗布するだけでは、支持基材の凸部に塗布された粘着剤が流れてしまい、凸部上面に粘着層が形成されない、または凹部の粘着層の高さと凸部の粘着層の高さが同じになってしまい、微細なフリップチップを選択的にピックアップすることができなくなってしまう。
【００４９】
支持基材１の凸部の上面１’のみに表面が曲面を有する粘着層２ａを形成する（図１（Ａ））、または、支持基材１の凹凸パターンの凹部にも粘着層２ｂが形成されており、凹凸パターンの凹部に設けられた粘着層２ｂの表面高さが、凸部の上面に設けられた表面が曲面を有する粘着層２ａの表面高さよりも低い位置となるように形成する（図１（Ｂ））ための具体的方法としては、例えば微細なノズルを用いて凸部の上から粘着剤を塗布する、または静電塗布（エレクトロスプレー）などが挙げられる。
【００５０】
特に、静電塗布は、正または負に帯電した粘着剤が、静電気の引力によって基材に塗布されるため、ノズルと基材の距離が近い箇所に多く塗布され、細かく制御しなくとも短時間で、支持基材１の凸部の上面１’のみに表面が曲面を有する粘着層２ａを形成するように、または、凹凸パターンの凹部に設けられた粘着層２ｂの表面高さが、凸部の上面に設けられた表面が曲面を有する粘着層２ａの表面高さよりも低い位置となるような粘着層２ａ，２ｂを形成するように、粘着剤を塗布することが可能であるため好ましい。
【００５１】
ノズルの形状としては、特に制限はないが、分散液に均一に電圧を印加するために円形状が望ましい。ノズルの径としては、特に制限はなく、パターンの幅、間隔に合わせて適宜選択することができるが、例えば幅１０μｍ、高さ１０μｍ、間隔１０μｍの凸パターンに粘着層を形成するためには、５μｍ〜５００μｍ、好ましくは１０μｍ〜３００μｍ、より好ましくは２０μｍ〜１００μｍが良い。
【００５２】
この範囲であれば、支持基材１の凸部の上面のみに表面が曲面を有する粘着層２ａが形成され、または、支持基材１の凹部に設けられた粘着層２ｂの表面高さが、凸部の上面に設けられた表面が曲面を有する粘着層２ａの表面高さよりも低い位置となるよう粘着層２ａ、２ｂが形成されるように、粘着剤を塗布することが可能である。
【００５３】
印加する電圧は、特に制限はないが、例えば１，０００Ｖ〜１０，０００Ｖ、好ましくは１，０００Ｖ〜８，０００Ｖ、より好ましくは１，０００Ｖ〜５，０００Ｖである。またノズルの先端部と支持基材との距離は例えば１０μｍ〜３，０００μｍ、好ましくは１０μｍ〜２，０００μｍである。
【００５４】
粘着層の硬化方法は、樹脂の種類によって異なるが、特に限定はなく、例えば熱硬化、光硬化、湿気硬化などが挙げられる。
【００５５】
本発明における粘着性基材は、微細なチップを大量に選択的にピックアップでき、短時間で大量のチップをダイボンドすることが可能であるため、マイクロＬＥＤ転写用として、ボンディングヘッドに好適に利用される。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例、比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００５７】
（実施例１）
酸化膜が形成されたシリコンウエハー（被加工体３）に、フォトレジスト膜４を形成し、公知のフォトリソグラフィー法を用いて凸部の幅１０μｍ、高さ１０μｍ、間隔１０μｍの凹凸パターンを形成し、凹凸パターンを有する支持基材を作製した（図２、図３）。次いで、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、付加硬化型シリコーン粘着剤ＫＲ−３７００（信越化学工業（株）社製、粘着力：８．７Ｎ／２５ｍｍ）を固形分濃度１．２５質量％に希釈し、前記粘着剤を静電噴霧／塗布実験機（アピックヤマダ（株）社製）を用いて前記凹凸パターンの凸部上面に塗布し、曲面を有する粘着層を凸部にのみ有する粘着性基材を製造した（図４）。
【００５８】
（実施例２）
実施例１と同様の方法で、酸化膜が形成されたシリコンウエハー（被加工体３）に、凸部の幅５μｍ、高さ１０μｍ、間隔５μｍの凹凸パターンを形成し、凹凸パターンを有する支持基材を作製した（図５）。次いで、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、付加硬化型シリコーン粘着剤Ｘ−４０−３２７０−１（信越化学工業（株）社製、粘着力：０．１５Ｎ／２５ｍｍ）を固形分濃度１．２５質量％に希釈し、前記粘着剤を静電噴霧／塗布実験機（アピックヤマダ（株）社製）を用いて前記凹凸パターンの凸部上面に塗布し、曲面を有する粘着層を凸部にのみ有する粘着性基材を製造した（図６）。
【００５９】
（実施例３）
実施例１と同様の方法で、酸化膜が形成されたシリコンウエハー（被加工体３）に、凸部の幅３０μｍ、高さ５０μｍ、間隔３０μｍの凹凸パターンを形成して型を作製した。その型に付加硬化型ジメチルシリコーン樹脂を流し込み、１５０℃×４時間加熱して硬化させ、剥がすことで凹凸パターンがシリコンウエハーの逆になったシリコーン樹脂型を作製した。作製した型に付加硬化型メチルフェニルシリコーン樹脂を流し込み、１５０℃×４時間加熱して硬化させ、剥がすことで凹凸パターンを有するシリコーン樹脂製支持基材を作製した（図７）。次いで粘着層として、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、アクリル樹脂系粘着剤オリバインＢＰＷ６５７０（トーヨーケム（株）社製、粘着力：２５．６Ｎ／２５ｍｍ）を固形分濃度１０質量％に希釈し、前記粘着剤を静電噴霧／塗布実験機（アピックヤマダ（株）社製）を用いて前記凹凸パターンの凸部上面に塗布し、曲面を有する粘着層を凸部にのみ有する粘着性基材を製造した（図８）。
【００６０】
（比較例１）
実施例１と同様の方法で、酸化膜が形成されたシリコンウエハー（被加工体３）に、凸部の幅１０μｍ、高さ１０μｍ、間隔１０μｍの凹凸パターンを形成し、凹凸パターンを有する支持基材を作製した。次いで粘着層として、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、付加硬化型シリコーン粘着剤ＫＲ−３７００（信越化学工業（株）社製、粘着力：８．７Ｎ／２５ｍｍ）を固形分濃度１．２５質量％に希釈し、前記粘着剤をスピンコーター（株式会社アクティブ社製）を用いて前記凹凸パターンに塗布し、図９に示されるような、支持基材１０の凹部にのみ粘着層２０を持ち、凸部に粘着層を持たない粘着性基材を作製した。
【００６１】
（比較例２）
凸部の幅１０μｍ、高さ１０μｍ、間隔１０μｍに変更した以外は、実施例３と同様の方法で凹凸パターンを有するシリコーン樹脂製支持基材を作製した。次いで粘着層として、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、付加硬化型シリコーン粘着剤ＫＲ−３７００（信越化学工業（株）社製、粘着力：８．７Ｎ／２５ｍｍ）を固形分濃度１．２５質量％に希釈し、前記粘着剤をハンドスプレーガンを用いて前記凹凸パターンに塗布し、図１０に示されるような、支持基材１０の凹部が粘着層２０で埋まり、凹凸パターンを持たない、即ち、凸部の上面及び凹部に形成された粘着層２０の表面が平坦である粘着性基材を作製した。
【００６２】
（比較例３）
凸部の幅２０μｍ、高さ５０μｍ、間隔２０μｍに変更した以外は、実施例３と同様の方法で凹凸パターンを有するシリコーン樹脂製支持基材を作製した。次いで粘着層として、付加硬化型シリコーン粘着剤ＫＲ−３７００（信越化学工業（株）社製、粘着力：８．７Ｎ／２５ｍｍ）をスクリーン印刷し、図１１に示されるような、支持基材１０の凸部に矩形の粘着層２０を持つ粘着性基材を作製した。
【００６３】
［粘着試験］
実施例１〜３、比較例１〜３で得られた粘着性基材を用いて、図１２のように並べられた赤、緑、青のマイクロＬＥＤを選択的にピックアンドプレイスで転写した。選択的に転写したものを○、転写できなかったものを×とした。結果を表１に示す。
【００６４】
【表１】
2019104785.tif 000003
【００６５】
表１に示す通り、本発明の粘着性基材（実施例１〜３）を用いれば、一度に多くのマイクロＬＥＤを選択的にピックアンドプレイスできるため、マイクロＬＥＤの転写用として好適に用いることができる。
【００６６】
一方、比較例１では、実施例のように支持基材の凸部に粘着層を有していなかったため、ＬＥＤをピックアップすることができなかった。また、比較例２では、凹部と凸部の全てに粘着層を有していたため、選択的にＬＥＤをピックアップできなかった。また、ピックアップしたＬＥＤも転写することができなかった。比較例３では選択的にＬＥＤをピックアップできたが、チップと粘着層の密着面積が大きいため、別の粘着性基板に転写できなかった。
【００６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。
【符号の説明】
【００６８】
１、１０…支持基材、  １’ …支持基材の凸部の上面、  ２ａ、２ｂ、２０…粘着層、  ３…被加工体、  ４…フォトレジスト、  １００Ａ、１００Ｂ…粘着性基材、  １０１…凸部の幅、  １０２…隣接する凸部の間隔、  １０３ａ、１０３ｂ…高さ。
【図１】
2019104785.tif 000004
【図２】
2019104785.tif 000005
【図３】
2019104785.tif 000006
【図４】
2019104785.tif 000007
【図５】
2019104785.tif 000008
【図６】
2019104785.tif 000009
【図７】
2019104785.tif 000010
【図８】
2019104785.tif 000011
【図９】
2019104785.tif 000012
【図１０】
2019104785.tif 000013
【図１１】
2019104785.tif 000014
【図１２】
2019104785.tif 000015