(57)【要約】【課題】より光取り出し効率を向上させることができる発光装置用のリードフレーム及びパッケージ等を提供することを目的とする。【解決手段】金属からなる母材と、該母材上に積層された２層以上のＡｇ含有層とを含み、該２層以上のＡｇ含有層のうち、最上層のＡｇ含有層は硫黄を含み、下層のＡｇ含有層はセレンを含有しない又は不可避の不純物以外含有しない層であるリードフレーム、このリードフレームの最上層のＡｇ含有層が露出されるように埋め込まれている基材を備えるパッケージ、このパッケージと、該パッケージにおける露出された最上層のＡｇ含有層の上面に実装された発光素子とを備える発光装置。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなる母材と、
該母材上に積層された２層以上のＡｇ含有層とを含み、
該２層以上のＡｇ含有層のうち、最上層のＡｇ含有層は硫黄を含み、
下層のＡｇ含有層はセレンを含有しない又は不可避の不純物以外含有しない層であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記最上層のＡｇ含有層は、硫黄含有量が２０重量ｐｐｍ以上２５０重量ｐｐｍ以下である請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記最上層のＡｇ含有層は、光沢度が０．３〜１．４である請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記２層以上のＡｇ含有層は、合計厚みが、０．０５μｍ〜５μｍであり、かつ前記最上層のＡｇ含有層と前記下層のＡｇ含有層との厚さの比が、１：１〜９９である請求項１〜３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記Ａｇ含有層と前記母材との間に下地層を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記下地層が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕからなる群から選択される少なくとも１種の金属からなる層である請求項５に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記リードフレームは、平板状であり、屈曲部を有さない請求項１〜６のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のリードフレームの最上層のＡｇ含有層が露出されるように埋め込まれている基材を備えるパッケージ。
【請求項９】
請求項８に記載のパッケージ及び
該パッケージにおける露出された前記最上層のＡｇ含有層の上面に実装された発光素子を備える発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子と前記最上層のＡｇ含有層とを接続するワイヤをさらに有し、
該ワイヤは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ合金、銅、銅コアパラジウム被覆、銅コアパラジウム銀被覆のいずれか１種により構成されている請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
母材を準備し、
該母材に下地金属をめっきで形成し、
該下地金属の上に２層以上の積層からなり、該２層以上の積層の最上層に、硫黄を含有するＡｇ含有層をめっきで形成してリードフレームを準備し、
該リードフレームを備えるパッケージを準備し、
該パッケージに発光素子を実装する工程を含む発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記Ａｇ含有層を、電解めっきで形成する請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記母材を圧延で形成する請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、リードフレーム、発光装置用パッケージ、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子（以下、単に「発光素子」とも称する）を用いた発光装置において、発光素子からの光に対して高い反射率を有する銀（Ａｇ）を表面に設けたパッケージが数多く採用されている（例えば、特許文献１から４）。
これらの発光装置では、部分的又は全体的に積層した銀めっき層を利用すること、積層構造により銀めっき層の組成又は光沢度等の調整することなどにより、光の取り出し効率の向上を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０９４１３０号公報
【特許文献２】特開昭６１−１４８８８３号公報
【特許文献３】特開２０１０−１９９１６６号公報
【特許文献４】特開２０１４−９９４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、未だ、満足できる、十分な光の取り出し効率の向上に至っていないことが現状である。
このような状況下、本開示は、より光取り出し効率を向上させることができる発光装置用のリードフレーム及びパッケージを提供すること、さらには、そのような発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願発明は、以下の発明を含む。
（１）金属からなる母材と、
該母材上に積層された２層以上のＡｇ含有層とを含み、
該２層以上のＡｇ含有層のうち、最上層のＡｇ含有層は硫黄を含み、
下層のＡｇ含有層はセレンを含有しない又は不可避の不純物以外含有しない層であるリードフレーム。
（２）本願におけるリードフレームの最上層のＡｇ含有層が露出されるように埋め込まれている基材を備えるパッケージ。
（３）上記パッケージ及び
該パッケージにおける露出された前記最上層のＡｇ含有層の上面に実装された発光素子を備える発光装置。
（４）母材を準備し、
該母材に下地金属をめっきで形成し、
該下地金属の上に２層以上の積層からなり、該２層以上の積層の最上層に、硫黄を含有するＡｇ含有層をめっきで形成してリードフレームを準備し、
該リードフレームを備えるパッケージを準備し、
該パッケージに発光素子を実装する工程を含む発光装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、より光取り出し効率を向上させることができる発光装置用のリードフレーム及びパッケージを提供することができる。
また、このようなリードフレーム又はパッケージを用いることによって、より光取り出し効率が向上した発光装置及び発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】リードフレームの一実施形態を説明するための概略部分拡大断面図である。
【図１Ｂ】リードフレームの他の実施形態を説明するための概略部分拡大断面図である。
【図２Ａ】図１Ａのリードフレームフレームを用いた一実施形態の発光装置を説明するための概略平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの発光装置のＩＩ−ＩＩ'線の概略断面図である。
【図３】Ａ〜Ｄは、図２Ａの発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。
【図４Ａ】別の実施形態の発光装置を説明するための概略斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ａの発光装置のＩＩＩ−ＩＩＩ'線の概略断面図である。
【図５Ａ】２層以上のＡｇ含有層を有するリードフレームの一実施形態を説明するためリールトゥーリールめっき装置の工程図である。
【図５Ｂ】２層以上のＡｇ含有層を有するリードフレームの一実施形態を説明するためリールトゥーリールめっき装置の工程図である。
【図６】図１Ａのリードフレームを用いた発光装置の青色放射束の測定結果を示すグラフである。
【図７】図１Ａのリードフレームを用いた発光装置の緑色放射束の測定結果を示すグラフである。
【図８】図１Ａのリードフレームを用いた発光装置の赤色放射束の測定結果を示すグラフである。
【図９】図１Ａのリードフレームを用いた発光装置の白色の全光束の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのリードフレーム、パッケージ、発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
【０００９】
実施形態１：リードフレーム
この実施形態のリードフレームは、母材と、この母材上に積層された、２層以上の特定のＡｇ含有層、つまり、最上層のＡｇ含有層は硫黄を含み、下層Ａｇ含有層はセレンを含有しない又は不可避の不純物以外含有しない層とを含んで構成される。
【００１０】
Ａｇ含有層を、効率よく製造する方法として、電気めっき法が好ましいが、電気めっき法で硫黄を含有するＡｇ含有層を製作する場合、使用する電気めっき液中には、Ａｇ金属錯体のほかに、Ａｇ含有層の表面を滑らかにし、光反射率の高い表面にするために、各種有機硫黄化合物が少量添加される。このように、有機硫黄化合物が添加されたＡｇめっき液から電気めっき析出したＡｇ含有層は、反射率の高い、滑らかな析出結晶粒子が得られるが、めっき時に微量有機硫黄成分が含有されることとなる。ここで言う硫黄は有機硫黄であると考えられ、一般に、Ａｇは空気中の硫化水素と反応し、硫化銀（Ｉ）が生じ、黒変することが知られている現象の原因の硫化銀とは異なるものである。
Ｈ2Ｓ  ＋  Ａｇ  →  Ａｇ2Ｓ  ＋  Ｈ2
そのため、Ａｇ含有層に硫黄が微量存在しても硫化銀のような黒変色による反射率の低下を加速するものでない。
なお、リードフレームにおける母材の表面に銀のメッキが施される場合、銀が黒変すると反射率が大幅に落ちるため、銀は硫化しない雰囲気に載置されるのが一般的である。
【００１１】
通常、リードフレーム等の光反射部材表面の光沢度をアップさせると、光の反射率が向上し、その反射光によって、発光装置の明るさを向上させることができる。しかし、光沢度のアップによる光反射は、正反射であるために、発光装置の中央全面では明るく、強い光が得られるが、その周辺部では光が弱くなり、指向性の高く、配光性が低い発光装置となる。このような発光装置は、スポットライトとしては適するが、屋外広告表示板、発光表示板、信号機等、さらには一般照明等には適するとはいい難い。このような発光装置においては、光の出射部位に光拡散材を配置すれば、発光装置の全面における光出射の均一性を図ることができる。その一方、光拡散材により光吸収が発生し、光取り出し効率の低下を招くとともに、その分散形態及び分量等の調整が困難であり、輝度又は色ばらつきが生じる。
【００１２】
そこで、上述したように、２層以上の特定のＡｇ含有層を選択的に配置することにより、光沢度を上げることなく、明るさを向上させる、つまり高い全光束を実現することができ、光の取り出し効率を著しく向上させることができるリードフレーム、ひいては発光装置を得ることができる。そして、このような特定のＡｇ含有層を選択的に組み合わせることにより、比較的簡便な製造装置、製造工程によってこのような有利な特性を得ることができるリードフレーム及び発光装置等を、製造コストを増大させることなく、実現することが可能となる。従って、その分散形態及び分量等の調整が困難である光拡散材を用いることなく、発光装置を構成することができるリードフレームを提供することも可能となる。
【００１３】
リードフレームは、後述するように、これら母材、２層以上のＡｇ含有層のほかに、さらに１以上の層、例えば、中間層、下地層等を含んでいてもよい。
具体的には、図１Ａに示すように、リードフレーム１は、母材１ａ上に積層された下地層１ｂと、その上に積層された中間層１ｃとをさらに有していてもよい。中間層１ｃは、例えば、第１中間層１ｃ１及び第２中間層１ｃ２等を有し、２層以上のＡｇ含有層１ｄのうちの下層が、第２中間層１ｃ２の上に積層されている。これらの層は、母材１ａの一面に積層されていればよいが、これら層の形成方法を考慮すると、母材１ａの全表面、つまり、表裏面及び側面の全面に積層されていることが好ましい。
【００１４】
なお、本願においてリードフレームは、発光素子及び後述する波長変換部材からの発光を反射する。リードフレーム１は、このような反射機能が発揮し得る形態であれば、そのような形態で適用してもよい。例えば、発光素子の下方に設けられてもよいし、発光素子を取り囲むリフレクタ形状に設けられてもよい。また、板状のリードフレームとして、絶縁性の基体上に形成された配線パターンとして、発光素子と、任意にワイヤ等によって電気的に接続される正負の導電部材としての役割を果たすことができる。さらに、リードフレーム１は、発光素子を載置する載置部材、放熱を行う放熱部材、発光素子と電気的に接続される導電部材としての機能を兼ねていてもよい。
【００１５】
（Ａｇ含有層１ｄ）
Ａｇ含有層１ｄは、２層以上が積層されて、リードフレーム１の表面に設けられている。
Ａｇ含有層１ｄは、Ａｇ単体、Ａｇと、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＴｅ等からなる群から選択される１以上の元素との合金によって形成されている。Ａｇ合金である場合には、銀の割合は約７０重量％〜９９重量％であることが好ましい。
【００１６】
Ａｇ含有層１ｄの合計厚みは、約０．０５μｍ〜約５．０μｍであることが好ましい。Ａｇ含有層１ｄの合計厚みが０．０５μｍ以上であると、光反射率が高いので好ましい。また、Ａｇ含有層１ｄの合計厚みが５．０μｍを超えると、高価な銀の使用量が増加し経済的でないが、特に発光装置としてデメリットはない。材料コストの増加を最小限に止め、ワイヤボンディング性等の組立信頼性の観点及び硫化防止の観点からは、Ａｇ含有層１ｄの合計厚みは、約０．１μｍ〜約３．５μｍであることが好ましい。光反射率を高めるためには、約０．５μｍ〜約３．５μｍであることがより好ましい。さらに、下地層等からの元素等の拡散を防止するためには約０．５μｍ〜約３．０μｍであることがさらに好ましい。
【００１７】
図１Ｂに示すように、２層以上のＡｇ含有層１ｄのうち、Ａｇ含有層１ｄ１は、セレンを含まない層又は不可避の不純物以外含有しないＡｇ含有層である。Ａｇ含有層１ｄ１層中のセレン元素の濃度は、０．０１重量ｐｐｍ〜３０重量ｐｐｍ程度であることが好ましい。また、不可避の不純物とは、例えば、Ａｇ含有層を電気めっき法で製作する場合は、作製に使用する銀めっき液中のシアン塩、炭酸塩、りん酸塩等の塩類、銅又は鉄不純物塩から取り込まれる炭素、窒素、酸素、りん、銅等の微量不純物、又はこれらの含有化合物を意味する。これらの不純物は、通常の電解めっきされたＡｇ含有層から高感度質量分析計等の測定で検出される元素を意味する。Ａｇ含有層１ｄ１は単層でもよく、２層以上あってもよい。セレンを含まない方がこのましいのは、電気めっき法でＡｇ含有層を製作する場合，用いるＡｇめっき液中に微量のセレン添加剤を入れて使用することになり、Ｓｅ添加剤濃度を精密に管理することが困難なため、安定したＡｇめっき外観を得ることが極めて難しいからである。
【００１８】
図１Ｂに示すように、２層以上のＡｇ含有層１ｄのうち、最上層のＡｇ含有層１ｄ２は硫黄を含む。最上層のＡｇ含有層中の硫黄元素の濃度は、２０重量ｐｐｍ〜２５０重量ｐｐｍが好ましく、５０重量ｐｐｍ以上がより好ましく、２００重量ｐｐｍ以下がさらに好ましい。この範囲とすることにより、十分な光反射率が得られ、光の取り出し効率を向上させることができる。同時に、皮膜の純度を低下させず、例えば、発光素子を実装組立する際のダイボンド性、ワイヤボンド性等の低下を防止することができる。
【００１９】
最上層のＡｇ含有層１ｄ２における硫黄は、電気めっき法で製作する場合は、めっき液中の有機硫黄成分からなる光沢剤が、一部Ａｇ含有層に取り込まれるためである。この有機硫黄成分からなる光沢剤は、例えば、硫黄含有複素環化合物、メルカプタン化合物を光沢剤とした市販のめっき液として入手可能である。
【００２０】
本実施形態にかかるリードフレームは、可視光領域の波長の光に対する反射率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。光反射率を向上させるためには、後述するように、平坦度の高い母材１ａを用いることが挙げられる。
また、配光性の観点から、無光沢から半光沢であることが好ましい。光沢度は、０．３〜１．４が挙げられ、０．６〜１．２が好ましい。このような光沢度にすることにより、光取り出し効率が著しく低下することを防止することができるとともに、リードフレームに入射する光の正反射の増加に起因する配光の広がりの悪化を防止することができる。ここで示される光沢度は、微小面色差計ＶＳＲ  ３００Ａ（日本電色工業製）を用い、４５°照射、垂直受光で得られる値である。光沢度は、硫黄成分を含む最上層のＡｇ含有層と下層Ａｇ含有層の厚さの比を変化させることにより、調整することができる。
【００２１】
２層以上のＡｇ含有層１ｄは、硫黄成分を含む最上層のＡｇ含有層１ｄ２と下層Ａｇ含有層１ｄ１の厚さの比率が、最上層のＡｇ含有層１ｄ２：下層Ａｇ含有層１ｄ１＝１：１〜９９、例えば、１：９９〜５０：５０であることが好ましい。硫黄成分を含む最上層のＡｇ含有層１ｄ２の厚さを、Ａｇ含有層１ｄの合計厚みの１／９９〜５０／５０とすることにより、光取り出し効率を低減させることなく、また、入射した光の正反射が増大しすぎることなく、配光の広がりを適切に調整することができる。
【００２２】
２層以上のＡｇ含有層１ｄは、リードフレーム１の全表面に設けられていなくてもよい。つまり、リードフレーム１の表面の少なくとも一部がＡｇ含有層１ｄであればよい。
例えば、図２Ａ及び図３Ａに示したパッケージにおいて、基材３である樹脂成形体の凹部の底面に露出していない、つまり、リードフレーム１のうち、樹脂成形体の側壁の内部に埋設された部位、樹脂成形体の外部に露出した外部端子、樹脂成形体の底面側に露出した素子の実装部位の一部又は全部において、Ａｇ含有層１ｄが設けられていなくてもよい。
【００２３】
例えば、Ａｇ含有層１ｄは、図１に示すように、リードフレーム１の表裏面の双方に設けられていてもよく、一面のみに設けられ、他面には設けられていなくてもよい。また、一面中で一部のみに設けられてもよい。また、Ａｇ含有層１ｄは、その全てにわたって同等の厚みであってもよいが、異なる厚みを有していてもよい。具体的には、Ａｇ含有層１ｄがリードフレーム１の表裏面に設けられ、一面での厚みが他面よりも厚くてもよい。発光素子が搭載される上面、発光素子の近傍の部分に厚いＡｇ含有層１ｄを設けることにより、光取り出し効率の向上を図ることができる。このように、厚みを異ならせることにより、Ａｇ等の材料の量を低減し、効果的に材料コストを低減することができる。
【００２４】
リードフレーム１の一部にＡｇ含有層１ｄを形成する方法としては、Ａｇ含有層１ｄを成膜する際にレジスト又は保護テープ等でＡｇ含有層１ｄを形成しない部分をマスクで保護する方法等が挙げられる。
【００２５】
（母材１ａ）
リードフレーム１は、Ａｇ含有層１ｄがその上に積層される母材１ａを備える。母材１ａは、リードフレーム１のおおまかな形状を決定する材料として用いられる。
母材１ａの材料としては、Ｃｕ、Ｆｅ等の金属及びこれらの合金又はクラッド材（例えばＣｕ／ＦｅＮｉ／Ｃｕの積層体）等が挙げられる。特に、放熱性のほか、機械的特性、電気的特性、加工性等の観点から、Ｃｕ及びその合金が好ましい。また、クラッド材は、線膨張係数を低く抑えることができるため、発光装置等の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
母材１ａの形状は、適用する形態に応じて適宜選択することができる。例えば、板状、塊状、膜状等の形状であってもよいし、セラミック等に印刷等で設けられる配線パターンまたはこのようなパターンにＣｕ又はその合金をめっきした配線パターンの形状であってもよい。
母材１ａの厚みは、リードフレーム等として使用される厚み等に設定することができる。
【００２７】
母材１ａは、リードフレーム１の光反射率を高めるために、その平坦度が高いことが好ましい。例えば、母材１ａの表面粗さＲａを０．５μｍ以下とすることが好ましい。これにより、母材１ａの上に設ける下地層１ｂ、中間層１ｃ及びＡｇ含有層１ｄの平坦度を高めることができ、光を反射するＡｇ含有層１ｄの厚みを０．１μｍ〜０．５μｍと非常に薄くしても、リードフレーム１の光反射率を高めることができる。母材１ａの平坦度は、圧延処理、物理研磨、化学研磨等の処理を行うことで高めることができる。
【００２８】
（下地層１ｂ）
リードフレーム１は、上述したように、母材１ａとＡｇ含有層１ｄとの間に下地層１ｂを有していてもよい。
下地層１ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、ＮｉＣｏ、ＮｉＳｎ、ＮｉＰ等によって形成することができる。なかでも、容易に製造可能なＣｕまたはＮｉを用いることが好ましい。Ｃｕは、母材がＣｕ合金であっても、母材の加工キズや凹凸を軽減する効果があるほか、リードフレーム全体にムラのない均一なＡｇ含有層を形成できる。Ｎｉまたはその合金層は、母材が銅または銅合金である場合、Ａｇ含有層への拡散バリアとして有効である。
【００２９】
下地層１ｂの厚みは、例えば、約０．０５μｍ〜約１０μｍが好ましく、約０．１μｍ〜約５μｍがより好ましい。厚みをこの範囲とすることにより、母材１ａの凹凸の低減やＡｇ含有層への金属元素、例えば、銅の拡散を効果的に低減することができる。また、原材料及び製造コストを低減することができる。
【００３０】
（下地層１ｃ）
リードフレーム１は、母材１ａとＡｇ含有層１ｄとの間、特に、下地層１ｂとＡｇ含有層１ｄとの間に、中間層１ｃを有していてもよい。中間層１ｃは、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。図１に示すように、中間層１ｃは、第１中間層１ｃ１と第２中間層１ｃ２とを有することが好ましい。
【００３１】
中間層１ｃは、例えば、Ｎｉ、ＮｉＰ、Ｐｄ及びＡｕからなる群から選択される少なくとも１種の金属又は金属化合物からなる層が挙げられる。
Ａｇ含有層１ｄの直下に設けられる中間層１ｃ、例えば、第２中間層１ｃ２は、Ａｇと密着性が高く、Ａｇに比べて硫黄成分と反応しにくい金属を用いることが好ましい。具体的にはＡｕ、Ａｕ合金が好ましく、特に、Ａｕが好ましい。
下地層１ｂの直上に設けられる中間層１ｃ、例えば、第１中間層１ｃ１は、Ｐｄ、Ｐｄ合金等が好ましい。
【００３２】
Ｃｕを含む材料を母材１ａとする場合、母材１ａの上にＮｉまたはＮｉＰ合金である下地層１ｂを設け、その上にＰｄまたはＰｄ合金の第１中間層１ｃ１、Ａｕの第２中間層１ｃ２層を順に積層させることが好ましい。このような構成とすることで、母材１ａのＣｕのＡｇ含有層１ｄ中への拡散を抑制することができるとともに、Ａｇ含有層１ｄの密着性及びワイヤボンディング性を高めることができる。
中間層１ｃは、硫化防止と拡散防止との両方を兼ねる層としてもよい。これにより、コストを低減することができる。例えば、Ａｕは硫黄成分と反応しにくく、拡散防止の効果も高いため、好ましく用いることができる。
【００３３】
（リードフレーム１の製造）
下地層１ｂ、中間層１ｃ及びＡｇ含有層１ｄ等の層は、上述した構成を実現できるかぎり、当該分野で公知の成膜方法を利用して形成することができる。しかし、発光装置の反射部材として利用されるＡｇ含有層を備えるリードフレームは、発光素子を搭載する部分と、実装基板等に接合するための外部端子、いわゆるアウタリード部分の両方がＡｇ含有層を備えることが一般的であることから、条材形状に対して、全面または部分にかかわらず、順次、めっきにより形成することが好ましい。
めっきの方法としては、電解めっき、無電解めっき等のいずれを用いてもよい。なかでも、電解めっきは、層の形成の速度が速く、量産性を高めることができるため、好ましい。また、いわゆるリールトゥリール方式によって、連続的にめっきする方法がより好ましい。
【００３４】
まず、母材１ａを準備し、母材１ａを前処理することが好ましい。前処理としては、希硫酸、希硝酸、希塩酸等の酸処理、市販の脱脂剤等のアルカリ処理等が挙げられる。この処理を１回又は数回、同じ又は異なる処理を組み合わせて行うことができる。前処理を複数回行う場合は、各処理後に純水を用いて流水洗浄することが好ましい。母材１ａがＣｕ又はＣｕを含む合金からなる金属板の場合、希硫酸が好ましく、Ｆｅ又はＦｅを含む合金からなる金属板の場合、希塩酸が好ましい。
【００３５】
母材１ａ上に、下地層１ｂを形成する。下地層１ｂがＮｉまたはＮｉＰ合金によって形成される場合、ＮｉＰ合金めっき液を用いて形成することができる。
中間層１ｃは、目的とする材料層を得るためのめっき液を用いて形成することができる。
【００３６】
Ａｇ含有層１ｄを電解めっきで形成する場合、光沢剤を有しないめっき液と、Ｓｅ系光沢剤、Ｓｂ系光沢剤、Ｓ系光沢剤、有機系光沢剤等の光沢剤を併用することにより、光沢度を向上させることができる。光沢剤を多く用いると、Ａｇ含有層１ｄの中にこれら光沢剤の成分が取り込まれ、耐食性を悪化させる要因となることがあるが、Ａｇ含有層１ｄをめっき形成する前に下地層１ｃを形成し、その膜質を制御することにより、光沢剤の使用を低減させながら、光沢度を向上させることができる。その結果、高い光沢度を有しつつ、耐食性にも優れたリードフレーム１を得ることができる。
【００３７】
連続的にめっきする方法（リールトゥリール方式）では、例えば、銀めっき液で満たされた１ｍ程度長さのオーバーフローの電解処理槽の複数段に、リードフレームを通過させる。この電解処理槽は、１ｍ超える長さになると、電解処理槽の両端にある給電部から、リードフレーム材料の抵抗によって、リードフレーム全体への通電ができず、正常な銀めっきが行なえないため、２μｍ〜５μｍ程度の銀めっき厚を確保するには、複数段にわたって電解処理槽に通過させる必要がある。
【００３８】
図５Ａ及び５Ｂに連続的にめっきする場合のめっき装置の処理工程図の一例を示す。めっき前の帯状のリードフレームは、図５のリードフレームめっき前巻き取りリール１００から各処理槽１０１Ａ、１０２Ａ、１０３Ａ、１０４Ａ、１０５Ａを連続的に処理することによってめっき層が連続的に生成される。各処理槽間には２段または３段の水洗槽があってもよい。最後に熱風乾燥装置１０８で乾燥された後、Ａｇめっきされたリードフレームとしてリードフレームめっき後巻き取りリール１０９としてＡｇめっきリードフレームが完成する。
リールリードフレームめっき前巻き取りリ−ル１００は，アルカリ電解脱脂処理槽１０１Ａにおいて油汚れなどを除去して清浄な母材１ａとする。アルカリ電解処理槽には、アルカリ電解脱脂液をアルカリ電解脱脂液リザーブタンク１０１Ｂからポンプによって供給し、リードフレームをオーバーフロー槽で処理したあと、ふたたびアルカリ電解脱脂リザーブタンク１０１Ｂに戻ってくる。同様に，酸中和処理槽１０２Ａ、下地めっき１ｂ処理槽１０３Ａ、中間めっき１ｃ１処理槽１０４Ａ、中間めっき１ｃ２処理槽１０５Ａ、Ａｇめっき１ｄ１処理槽、Ａｇめっき１ｄ２処理槽を順次めっき処理してＡｇめっきリードフレームが完成することができる。
【００３９】
通常の連続めっき装置では、図５Ａに示したように１つのリザーブタンク１０６Ｂから、複数段の電解処理槽であるＡｇめっき１ｄ１処理槽及びＡｇめっき１ｄ２処理槽の二つにＡｇめっき液を供給する場合には、得られる銀めっき皮膜は、厳密には積層構造であるが、ＦＩＢ−ＳＥＭ、ＳＥＭ−ＥＢＳＤ等で断面部を観察しても、各めっき処理槽でめっきされる膜間の界面を観察すること困難であり、一般には単層めっきであるとみなされる。
【００４０】
一方、一台の連続めっき装置において、２種類の光沢度の異なる銀めっきリードフレームを形成することも可能である。本実施形態の積層構造を形成するために、それぞれ独立のリザーブタンクから銀めっきを供給する場合もある。
例えば、図５Ｂに示したようにＡｇめっき処理槽１０６Ａと１０７Ａに対して、それぞれ独立のＡｇめっき１ｄ１液リザーブタンク１０６ＢとＡｇめっき１ｄ２液リザーブタンク１０７ＢからＡｇめっき液を供給できるような装置を用いてＡｇめっきリードフレームを製作する。この装置を用いて、光沢度０．８のＡｇめっきリードフレーム製品と、光沢度１．２のＡｇめっきリードフレーム製品とを、同一の連続めっき装置で製造する場合、複数ある電解処理槽に供給するＡｇめっき液の光沢剤濃度を変えたそれぞれ独立のリザーブタンクからＡｇめっきを供給する。そして、例えば、光沢度０．８のＡｇめっきリードフレームを製作する場合は、光沢度０．８のＡｇめっきが得られるＡｇめっき処理槽１０６Ａで、１段めっきした後、Ａｇめっき処理槽１０７Ａは、ポンプを停止してＡｇめっき１ｄ２液リザーブタンク１０７ＢからのＡｇめっき処理槽１０７ＡへのＡｇめっき液の供給を止め、１段のみめっきして完成する。一方、光沢度１．２の銀めっきリードフレームを製作する場合は、光沢度０．８が得られるＡｇめっき処理槽１０６Ａの処理槽で１段めっきした後、光沢度１．６が得られるＡｇめっき処理槽１０７Ａの処理槽で２段目のめっきすることによって、光沢度１．２のＡｇめっきリードフレームを製作することができる。このように２段以上の複数の段数からなる光沢剤の濃度や光沢剤の種類を変えた各種Ａｇめっき液をから得られるＡｇめっき処理槽を連続にめっきして、積層Ａｇめっきリードフレームを製作することができる。なお、図５Ａ及び図５Ｂの処理工程のめっき装置は一例であり、各処理槽は製造するリードフレームの仕様によって、各処理工程を複数設けたり減らしたりしてもよい。また、各処理工程の処理層の長さは、製造するめっき仕様によって処理槽の長さを調整することができる。
【００４１】
このような連続めっき装置で、鋭意研究した結果、例えば、硫黄光沢剤を含んだＡｇめっき液から得られるＡｇめっき層は、一般に、１μｍ以上のめっき厚となると、光沢度１．５以上となり、２μｍ以上のめっき厚では光沢度１．８を超える。高光沢度の銀めっき層を備えるリードフレームを利用した発光装置では、いわゆる全光束の高い発光装置となるが、銀めっき層が鏡面に近くなり、正反射となるため、一般照明用には光拡散材を利用して配光特性の調整を行うことが必要となる。しかし、ＬＥＤ表示板等のディスプレイ等の用途では、光拡散材を利用した発光装置を複数個配列すると、個々の発光装置内の光拡散材の分散状態及び／又は分量の差異のため、配列した表示板の輝度及び色ばらつきが発生し、実用的な表示装置とはならない。
これに対して、この実施形態においては、最上層のＡｇ含有層に硫黄を光沢剤とするＡｇめっき液から作成した積層構造のＡｇ含有層を利用することにより、つまり、２層以上のＡｇ含有層のうち、下層側に光沢度の低い銀含有層を配置し、かつ最上層のＡｇ含有層に硫黄を含有するＡｇ含有層を配置したリードフレームを利用することにより、光沢度が低いにもかかわらず、発光効率が著しく高い発光装置を提供することができた。
【００４２】
実施形態２：パッケージ
この実施形態のパッケージは、例えば、図２Ａ及び２Ｂに示したように、上述したリードフレーム１と、基材３として樹脂成形体とを備える。樹脂成形体は、リードフレーム１を支持又は保持するための部材である。樹脂成形体は、上面に凹部３１を有し、凹部３１の底面において、一対のリードフレーム１のＡｇ含有層が露出されるように、リードフレーム１を埋め込んでいる。
【００４３】
リードフレーム１において、下層１ｂは通常の金属層より脆い場合が多いため、下層１ｂを備えるリードフレーム１を屈曲させると、Ａｇ含有層１ｄが破壊又はＡｇ含有層１ｄにクラックが発生するおそれがある。これによって、リードフレーム１の母材１ａの酸化又は硫化等が生じ、発光装置の信頼性が低下するおそれがある。
しかし、上述したリードフレーム１を、図２Ａ及び２Ｂに示したように、略平板状で、屈曲部を有さない形状とすることにより、光反射材としての信頼性を高めることができる。
【００４４】
（基材３）
基材３は、一対のリードフレーム１を一体的に保持する部材である。
基材３の平面視形状は、図２Ａに示すような略正方形とすることができる。ただし、横長の矩形、その他の四角形、多角形、さらにそれらを組み合わせたような形状とすることができる。
基材３の凹部３１は、その側壁の内面は、底面に対して垂直でもよいし、図２Ａ及び２Ｂに示すように、傾斜していてもよいし、段差面を有していてもよい。凹部３１の深さ、開口部の形状等は、目的及び用途に応じて適宜調整することができる。凹部３１の内面には光反射材が設けられることが好ましく、底面にリードフレーム１を露出させるほか、側壁の内面に光反射材を備えていてもよい。
【００４５】
基材３は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂によって形成することができる。なかでも、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、後述する封止部材に用いられる樹脂に比してガス透過性の低い樹脂が好ましく、具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂等の変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂組成物等が挙げられる。
【００４６】
基材３は、さらに、充填材（フィラー）としてＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3、ＣａＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2、Ｃａ（ＯＨ）2の等の微粒子等を含有させることにより、光の透過率を調整し、発光素子からの光の約６０％以上を反射するよう、より好ましくは約９０％を反射するようにするのが好ましい。
基体３は、樹脂のほか、セラミック、ガラス及び金属等の無機物によって形成されていてもよい。これにより、劣化等が少なく、信頼性の高い発光装置を製造することができる。
【００４７】
実施形態３：パッケージ
この実施形態のパッケージは、例えば、図４Ａ及び４Ｂに示したように、上述したリードフレーム１と、基材３とを備える。基材３は、平面視において横長であり、その上面に横長の凹部３１を有する。凹部３１の底面において、一対のリードフレーム１のＡｇ含有層が露出されるように、リードフレーム１を埋め込んでいる。リードフレーム１は、基材３の外側において一部突出しており、基材３の形状に従って、上面に対向する背面側及び上面に隣接する下面側に屈曲して、外部端子を構成している。
【００４８】
実施形態４：発光装置
この実施形態の発光装置１０は、図２Ａ及び２Ｂに示したように、上述したパッケージと、平面視において矩形である発光素子２とを備える。パッケージは、基材３の上面に凹部３１を有し、凹部３１の底面に一対のリードフレーム１のＡｇ含有層を露出し、リードフレーム１の一部が基材３に埋め込まれている。発光素子２は、露出されたＡｇ含有層の上面に実装されている。露出されたＡｇ含有層の上面は、発光素子２及び後述する波長変換部材からの発光を反射する。発光素子２が実装された凹部内には、封止部材５が封止されている。封止部材５は蛍光体を含有した透光性樹脂によって形成されている。
【００４９】
このような発光装置は、リードフレーム１のＡｇ含有層１ｄの厚みによらず、高い光反射率を有する。そのため、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
つまり、母材及び下地層上にめっきで設けられるＡｇ含有層等の金属層は、一般的に母材及び下地層上のめっき結晶構造の影響を受ける。つまり、母材及び下地層が結晶構造を有している場合、その上に設けられる金属層はその結晶構造の影響を受け、いわゆるエピタキシャル成長を行うことになる。一方、母材等から引き継がれる結晶構造は、Ａｇ含有層、特に厚みが１μｍ以下のＡｇ含有層の光反射率に悪影響を及ぼすことが確認された。従って、母材１ａとＡｇ含有層１ｄとの間に、母材等の結晶構造の影響を低減できる下層１ｂを設けることより、母材１ａ上にめっきで設けられるＡｇ含有層１ｄが母材１ａの結晶構造から受ける影響を低減又は排除できる。その結果、緻密で欠陥が少なく微細なＡｇ本来の結晶構造を有し、光反射率が高いＡｇ含有層１ｄを形成することができる。これにより、Ａｇ含有層１ｄの厚みを薄くしても、光反射率の高いリードフレーム１を得ることができ、光取り出し効率の高い発光装置を構成することができる。
【００５０】
（発光素子２）
発光素子２は、発光素子２から出射された光がリードフレーム１に反射される位置に設けられる。例えば、発光素子２は、図２Ａ及び２Ｂに示したように、リードフレーム１を底面に露出させる基材３の凹部内に設けられる。つまり、発光素子２は、リードフレーム１上に実装される。これにより、発光装置１０の光取出し効率を向上させることができる。
発光素子２は、任意の波長の半導体発光素子を選択することができる。例えば、青色、緑色発光の発光素子２としては、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物系半導体、ＧａＰを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる発光素子２を用いてもよい。用いる発光素子２の組成、発光色、大きさ、個数等は目的に応じて適宜選択することができる。
【００５１】
発光装置１０が波長変換部材を備える場合には、その波長変換部材を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体が好適に挙げられる。半導体層の材料及びその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線又は赤外線を出力する発光素子２とすることができる。
【００５２】
発光素子２は、正負の電極を有している。これらの正負の電極は一面側に設けられていてもよく、発光素子２の上下両面に設けられていてもよい。発光素子２は、後述する接合部材４とワイヤ６とによって、リードフレーム１に接続されていてもよいし、接合部材によりフリップチップ実装されていてもよい。
リードフレーム１のＡｇ含有層１ｄ上に発光素子２を実装した場合には、光取出し効率を向上させることができるため、好ましい。
【００５３】
発光素子２への給電のために、接合部材４を導電性として発光素子２の電極と接合させるほか、ワイヤ６を用いてもよい。ワイヤ６は、複数の発光素子２の間をつなぐように接続することもできる。また、図２Ａ及び２Ｂに示すように、それぞれの発光素子２ごとにリードフレーム１に接続してもよい。
【００５４】
（接合部材４）
接合部材４は、発光素子２をリードフレーム１に固定し、実装する部材である。導電性の接合部材４が好ましく、例えば、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等の共晶はんだ材料、低融点金属等のろう材、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ粒子又は皮膜等が挙げられる。また、接合部材４として絶縁性の材料を用いてもよい。例えば、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、それらの変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子２からの光及び熱による劣化を考慮して、発光素子２の実装面にＡｌ膜又はＡｇ膜等の反射率の高い金属層、誘電体反射膜等を設けることが好ましい。
【００５５】
（封止部材５）
発光装置１０は、封止部材５を備えていてもよい。封止部材５を発光素子２、リードフレーム１、ワイヤ６等を被覆するよう設けることにより、被覆した部材を塵芥、水分、外力等から保護することができ、発光装置の信頼性を高めることができる。
【００５６】
封止部材５は、発光素子２からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、フッ素樹脂組成物等、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。なかでも、ジメチルシリコーン、フェニル含有量の少ないフェニルシリコーン、フッ素系シリコーン樹脂等シロキサン骨格を有する樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等が好ましい。
【００５７】
封止部材５の形成方法は、封止部材５が樹脂である場合、ポッティング（滴下）法、圧縮成型法、印刷法、トランスファモールド法、ジェットディスペンス法、スプレー塗布等を用いることができる。図２Ａ及び２Ｂのような凹部３１を有する基体３の場合は、ポッティング法が好ましく、平板状の基体３を用いる場合は、圧縮成型法又はトランスファモールド法が好ましい。
【００５８】
封止部材５は、図２Ａ及び２Ｂに示すように、基材３の凹部３１内を充填するよう設けることができる。
封止部材５の外表面の形状については、発光装置１０に求められる配光特性等に応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状、粗面等とすることで、発光装置の指向特性及び光取出し効率を調整することができる。
【００５９】
封止部材５には、波長変換部材、着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー等の添加剤を含有させてもよいが、光吸収等の観点からは、波長変換部材以外の添加剤は含有しないことが好ましい。
【００６０】
波長変換部材は、発光素子２の光を波長変換させる材料である。発光素子２からの発光が青色光の場合、波長変換部材としては、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（以下、「ＹＡＧ：Ｃｅ」と呼ぶ。）が好適に用いられる。ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体は、発光素子からの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するため、白色系の混色光を発する高出力な発光装置１００を、比較的簡単に形成することができる。
着色剤としては、カーボンブラック等が挙げられる。
光拡散剤としては、シリカ、二酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス等が挙げられる。
光反射材としては、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等が挙げられる。
フィラーとしては、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラー等が挙げられる。
【００６１】
（ワイヤ６）
ワイヤ６は発光素子２とリードフレーム１等とを接続する部材である。ワイヤ６の材料は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属及びこれらの合金が好適に用いられる。また、コアの表面にコアと別の材料で被覆層を設けたもの、例えば、Ｃｕのコアの表面にＰｄ又はＰｄＡｕ合金等を被覆層として設けたものを用いることができる。なかでも、信頼性の高いＡｕ、Ａｇ、Ａｇ合金のいずれか１種から選ばれることが好ましい。なかでも、光反射率の高いＡｇ又はＡｇ合金を用いたものが好ましい。この場合、ワイヤ６は保護膜によって被覆されることが好ましい。これにより、Ａｇを含むワイヤの硫化及び断線を防止し、発光装置の信頼性を高めることができる。
【００６２】
リードフレーム１の母材１ａがＣｕであり、ワイヤ６がＡｇ又はＡｇ合金である場合、その間に下地層１ｂや中間層１ｃを備えることによって、ＣｕとＡｇとの間の局部電池の形成を抑制することができる。これにより、リードフレーム１又はワイヤ６の劣化のおそれを低減し、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００６３】
（保護膜）
発光装置はさらに、保護膜を備えてもよい。保護膜は、リードフレーム１の表面に設けられたＡｇ含有層１ｄを少なくとも被覆し、主としてリードフレーム１の表面のＡｇ含有層１ｄの変色又は腐食を抑制する部材である。さらに、任意に、発光素子２、接合部材４、ワイヤ６、基材３（樹脂成形体）等のリードフレーム１以外の部材の表面、Ａｇ含有層１ｄが設けられていないリードフレーム１の表面を被覆してもよい。
【００６４】
保護膜は、原子層堆積法（ＡＬＤとも呼ぶ）によって形成されたものが好ましい。ＡＬＤ法によれば、非常に均一な保護膜を製膜することができるとともに、形成された保護膜が他の成膜方法で得られる保護膜に比較して緻密であるため、Ａｇ含有層１ｄの硫化を極めて有効に防止することができる。
【００６５】
保護膜の材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、ＳｅＯ、Ｙ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の酸化物、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＦ2、ＳｒＦ2等のフッ化物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。保護膜は、単層又は積層構造のいずれでもよい。
【００６６】
発光装置１０は、さらに、種々の部材を備えることができる。例えば、保護素子としてツェナーダイオードを搭載してもよい。
【００６７】
実施形態５：発光装置の製造方法
発光装置１０は、リードフレーム１が屈曲部を有さない平板状である。
このような発光装置１０は、以下の製造方法によって製造することができる。
まず、図３Ａに示すように、母材１ａであるＣｕの金属板をパンチングして一対のリードを複数形成する。
次に、ウェットエッチングにより、金属板の所定の位置に段差を形成する。段差を形成した後に、母材１ａの表面に、下地層１ｂ、中間層１ｃ及びＡｇ含有層１ｄ１及び１ｄ２を順にめっき法により形成し、リードフレーム１を形成する。
【００６８】
図４Ｂに示すように、このようにして得られたリードフレーム１に、トランスファモールド法で、基材３である樹脂成形体を形成する。樹脂成形体は、図４Ｂに示すように、一対のリードがそれぞれに凹部３１の底面に露出するように形成される。
【００６９】
続いて、図４Ｃに示すように、基材３が形成されたリードフレーム１の素子載置領域に、接合部材を介して発光素子２を載置する。発光素子２とリードフレーム１とをワイヤによって接続する。その後、それぞれの凹部３１内に封止部材５を形成する。
【００７０】
図４Ｄに示すように、リードフレーム１と基材３とを、ダイシングソー等を用いて切断し、図２Ａ及び２Ｂに示すような個々の発光装置１０に個片化する。この切断により、発光装置１０の外側面にリードフレーム１の断面が露出する。この断面においては、母材１ａ、非晶質層１ｂ、下地層１ｃ及びＡｇ含有層１ｄが露出している。
このような製造方法により、屈曲部を有さない平板状のリードフレーム１を有する発光装置１０を製造することができる。
【００７１】
実施形態６：発光装置
この実施形態の発光装置２０は、図４Ａ及び４Ｂに示すように、平面視において矩形である発光素子２と、Ａｇ含有層を表面に備える一対の板状のリードフレームと、リードフレーム１の一部が埋め込まれた基材３である樹脂成形体とを備える。
【００７２】
樹脂成形体は、平面視において横長である形状であり、その上面に横長の凹部３１を有する。凹部３１の底面において、一対のリードフレーム１のＡｇ含有層が露出されるように、リードフレーム１を埋め込んでいる。リードフレーム１は、基材３の外側において一部突出しており、基材３の形状に従って、上面に対向する背面側及び上面に隣接する下面側に屈曲して、外部端子を構成している。
そして、これらの部材を被覆するよう樹脂成形体の凹部３１内に封止部材５が充填されている。
【００７３】
以下に、一対のリードフレーム及びそれを用いた発光装置の実施例を詳細に示す。
実施例１
Ｃｕの母材の表面に、下地層として、厚み０．８μｍのＣｕ層、その上に下層Ａｇ含有層として、光沢剤を含まないＡｇめっき液から得られた無光沢Ａｇ含有層（厚み：０．１μｍ）、さらにその上に最上層Ａｇ含有層として、硫黄光沢剤を含むＡｇめっき液から得られたＡｇ含有層（厚み：３．０μｍ）を、順次、電解めっきによって形成し、一対のリードフレームを準備した。
【００７４】
実施例２〜４
実施例１と同様に、表１に示す各層を電解めっきによって形成し、一対のリードフレームを準備した。
【００７５】
比較例１〜４
実施例１と同様に、下層Ａｇ含有層を形成せず、表１に示す各層を電解めっきによって形成し、一対のリードフレームを準備した。
【００７６】
【表１】
2019044261.tif 000003
【００７７】
実施例におけるＡｇ含有層の形成は、以下のように行った。
銅系のリードフレームを、市販のアルカリ電解脱脂液を用いて脱脂し、その後、１０％硫酸水で酸中和した。次いで、以下の組成の銅めっき液で、液温６０℃、電流密度４Ａ／ｄｍ2にて、めっき厚０．８μｍの銅めっきを行った。
銅めっき液組成：
シアン化銅カリウム＝２００ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝２５ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
【００７８】
その後、以下の組成の銀ストライクめっき液で、液温２５℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2、めっき時間１５秒の条件にて、銀ストライク薄膜を生成した。
銀ストライク液組成：
シアン化銀カリウム＝1ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
【００７９】
次いで、実施例１では、以下の組成の銀めっき液で、液温５０℃、電流密度４Ａ／ｄｍ2にて、めっき厚２．５μｍの下層の銀めっきを行った。
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
【００８０】
続いて、以下の組成の銀めっき液で、液温２５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ2にて、最上層の銀めっきを行った。
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
市販硫黄光沢剤＝２０ｍｌ／Ｌ
【００８１】
実施例２〜３では、めっき厚のみ変えたものを作成した。
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
シアン化セレン酸カリウム＝０．０５ｍｇ／Ｌ
【００８２】
続いて、以下の組成の銀めっき液で、液温２５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ2にて、銀めっきを行った。
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
有機硫黄光沢剤＝２０ｍｌ／Ｌ
【００８３】
比較例１〜４では、実施例１の銀ストライク薄膜を生成した後、以下の組成の銀めっき液で、液温２５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ2にて、めっき厚２．５μｍの最上層の銀めっきを行った。
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
シアン化セレン酸カリウムはそれぞれの光沢度を得るため、濃度調整した。
【００８４】
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られたリードフレームを用いて、それぞれ、図３Ａ及び３Ｂに示す発光装置２０と実質的に同様の構造の発光装置を製造した。なお、各実施例及び比較例に対して、発光素子として、ＲＧＢの発光素子をそれぞれ搭載した。また、ＹＡＧ蛍光剤を塗布した青色の発光素子を搭載し白色発光装置を製造した。  このようにして製造された発光装置について、青色放射束、緑色放射束、赤色放射束の測定をそれぞれ行った。また、白色発光装置については、全光束を測定した。
その結果を、図６〜９にそれぞれ示す。
図６〜９からわかるように、光沢度が低くても、実施例１〜４の発光装置は、Ａｇ含有層の厚みにかかわらず、青色、緑色、赤色の発光素子のいずれにおいても、高い放射束を示した。さらに、白色発光装置では、高い全光束を示した。一方、比較例の発光装置では、銀めっき光沢度が同一の実施例に比較して、低い放射束又は全光束しか得られなかったことが確認された。
このことから、上記の実施例のいずれにおいても、高い配光性を維持しつつ、高い光取り出し効率が得られる発光装置であること分かる。
【符号の説明】
【００８５】
１  光反射材
１ａ  母材
１ｂ  下地めっき層
１ｃ  中間めっき層
１ｃ１  第１中間めっき層
１ｃ２  第２中間めっき層
１ｄ  Ａｇ含有層
１ｄ１  第１Ａｇ含有層
１ｄ２  第２Ａｇ含有層
２  発光素子
３  基材（樹脂成形体）
３１  凹部
３２  底面部
４  接合部材
５  封止部材
６  ワイヤ
１０、２０  発光装置
１００  リードフレ−ムめっき前巻き取りリール
１０１Ａ  アルカリ電解脱脂処理槽
１０１Ｂ  アルカリ電解脱脂液リザーブタンク
１０２Ａ  酸中和処理槽
１０２Ｂ  酸中和液リザーブタンク
１０３Ａ  下地めっき１ｂ処理槽
１０３Ｂ  下地めっき１ｂ液リザーブタンク
１０４Ａ  中間めっき１ｃ１処理槽
１０４Ｂ  中間めっき１ｃ１液リザーブタンク
１０５Ａ  中間めっき１ｃ２処理槽
１０５Ｂ  中間めっき１ｃ２液リザーブタンク
１０６Ａ  Ａｇめっき１ｄ１処理槽
１０６Ｂ  Ａｇめっき１ｄ１液リザーブタンク
１０７Ａ  Ａｇめっき１ｄ２処理槽
１０７Ｂ  Ａｇめっき１ｄ２液リザーブタンク
１０８  熱風乾燥処理装置
１０９  リードフレームめっき後巻き取りリール
１１０  リードフレーム
【図１Ａ】
2019044261.tif 000004
【図１Ｂ】
2019044261.tif 000005
【図２Ａ】
2019044261.tif 000006
【図２Ｂ】
2019044261.tif 000007
【図３】
2019044261.tif 000008
【図４Ａ】
2019044261.tif 000009
【図４Ｂ】
2019044261.tif 000010
【図５Ａ】
2019044261.tif 000011
【図５Ｂ】
2019044261.tif 000012
【図６】
2019044261.tif 000013
【図７】
2019044261.tif 000014
【図８】
2019044261.tif 000015
【図９】
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