(57)【要約】【課題】材料選択の幅が広いピンを備えた加熱加圧装置を提供することである。【解決手段】本発明による加熱加圧装置は、電子部品を構成する第１部品と第２部品とをろう付けする加熱加圧装置であって、所定方向に延びる穴が設けられている加熱ブロックと、前記所定方向に延び、前記第１部品に対して前記第２部品を押しつけるピンと、前記加熱ブロックを介して前記ピンを加熱するヒータとを備えている。前記ピンは、前記穴に少なくとも一部が収納された本体部と、前記本体部の前記所定方向の一方側に配置され、前記本体部に接触している先端部と、を備えている。前記先端部の前記所定方向の前記一方側の端部は、前記穴の外部に位置して前記第２部品に接触可能である。前記先端部は、前記本体部の硬度より高い硬度を有する材料から構成され、前記本体部は、前記先端部の熱伝導率より高い熱伝導率を有する材料から構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を構成する第１部品と第２部品とをろう付けする加熱加圧装置であって、
所定方向に延びる穴が設けられている加熱ブロックと、
前記所定方向に延び、前記第１部品に対して前記第２部品を押しつけるピンと、
前記加熱ブロックを介して前記ピンを加熱するヒータとを備え、
前記ピンが、前記穴に少なくとも一部が収納された本体部と、前記本体部の前記所定方向の一方側に配置され、前記本体部に接触している先端部と、を備え、
前記先端部の前記所定方向の前記一方側の端部が、前記穴の外部に位置して前記第２部品に接触可能であり、
前記先端部が、前記本体部の硬度より高い硬度を有する材料から構成され、
前記本体部が、前記先端部の熱伝導率より高い熱伝導率を有する材料から構成された、
加熱加圧装置。
【請求項２】
前記本体部及び前記先端部の一方が、前記本体部及び前記先端部の他方との接触面に、凹部を有し、
前記本体部及び前記先端部の前記他方が、前記本体部及び前記先端部の前記一方との接触面に、前記凹部に嵌められる凸部を有し、
前記本体部及び前記先端部の各々が、中心軸を有し、
前記凹部に前記凸部が嵌められたとき、前記本体部と前記先端部とが同軸上に配置される、
請求項１に記載の加熱加圧装置。
【請求項３】
前記本体部の熱伝導率が、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である、
請求項１又は請求項２に記載の加熱加圧装置。
【請求項４】
前記先端部の硬度が、Ｈｖ１００以上である、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の加熱加圧装置。
【請求項５】
前記本体部の熱膨張率が、１０ｐｐｍ／Ｋ以下である、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の加熱加圧装置。
【請求項６】
前記本体部の吸収率が、０．５以上である、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の加熱加圧装置。
【請求項７】
前記加熱加圧装置は、複数の前記ピンを備えており、
前記加熱ブロックには、複数の前記穴が設けられており、
前記複数の穴が、前記加熱ブロックにおける前記所定方向の他方側の外表面に到達しておらず、
前記複数の穴のそれぞれに、前記複数のピンの前記本体部の少なくとも一部が収納されており、
前記ヒータが、前記所定方向からみて、前記複数の穴と重なるように、前記加熱ブロックにおける前記所定方向の前記他方側の外表面に配置されている、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の加熱加圧装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱加圧装置に関し、より詳細には、電子部品を構成する第１部品と第２部品とをろう付けする加熱加圧装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動子は、保持器と、圧電振動素子とを備えている。保持器は密閉された容器である。保持器は、例えば、第１部品としてのキャップと第２部品としての基板とを備えている。キャップは、凹部を有する。基板上には圧電振動素子が実装されている。キャップは、圧電振動素子が凹部内に収納されるように基板にろう付けされている。
【０００３】
第１部品と第２部品とをろう付けする加熱加圧装置として、例えば、特許文献１に記載された装置が知られている。この加熱加圧装置は、加熱ブロックと、ピン（プローブ）と、ヒータとを備えている。ピンは、加熱ブロックに設けられた穴内に保持され、ヒータによって加熱される。
【０００４】
第１部品と第２部品とをろう付けする際は、まず、第１部品において所定の部分の上にろう材を介して第２部品を載置する。次に、ヒータによりピンを加熱する。そして、このピンにより、第１部品に対して第２部品を押しつける。この状態で、ピンから第２部品を介してろう材へと熱が伝わる。これにより、ろう材が溶融する。続いて、ピンを第２部品から離す。すると、ピンの熱はろう材へは伝わらなくなるので、ろう材の温度は下がり、ろう材は固化する。これにより、第１部品と第２部品とはろう付けされる。
【０００５】
その他、特許文献２に開示されている半導体素子用モールド装置も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１１４４１号公報
【特許文献２】特開平６−２６８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ヒータから与えられた熱を効率よく第２部品に伝達するためには、ピンは高い熱伝導率を有する必要がある。また、水晶振動子の量産時に、ピンは第２部品と繰り返し接触することにより摩耗する。このため、ピンの寿命を長くするためには、ピンは高い耐摩耗性を有すること、すなわち、高い硬度を有する必要がある。特許文献１に開示されたピンは、その全体が同一の材料から構成されている。このため、ピンについて高い熱伝導率と高い硬度とを両立しようとすると、材料選択の幅が狭くなる。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、材料選択の幅が広いピンを備えた加熱加圧装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る加熱加圧装置は、
電子部品を構成する第１部品と第２部品とをろう付けする加熱加圧装置であって、
所定方向に延びる穴が設けられている加熱ブロックと、
前記所定方向に延び、前記第１部品に対して前記第２部品を押しつけるピンと、
前記加熱ブロックを介して前記ピンを加熱するヒータとを備え、
前記ピンが、前記穴に少なくとも一部が収納された本体部と、前記本体部の前記所定方向の一方側に配置され、前記本体部に接触している先端部と、を備え、
前記先端部の前記所定方向の前記一方側の端部が、前記穴の外部に位置して前記第２部品に接触可能であり、
前記先端部が、前記本体部の硬度より高い硬度を有する材料から構成され、
前記本体部が、前記先端部の熱伝導率より高い熱伝導率を有する材料から構成されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、加熱加圧装置に備えられたピンの材料選択の幅を広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る加熱加圧装置１０の断面構造図である。
【図２】図２は、ピン１４の先端部１６付近を拡大して示す断面構造図である。
【図３】図３は、加熱加圧装置１０の第１の変形例に係る加熱加圧装置１０Ａの断面構造図である。
【図４】図４は、加熱加圧装置１０の第２の変形例に係る加熱加圧装置１０Ｂの断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（加熱加圧装置の構造）
以下に、本発明の一実施形態に係る加熱加圧装置について図面を参照しながら説明する。図１は、加熱加圧装置１０の断面構造図である。図２は、ピン１４の先端部１６付近を拡大して示す断面構造図である。加熱加圧装置１０は、加熱ブロック１２、複数のピン１４、ヒータ１７、トレイ１８及び移動機構２０を備えている。
【００１３】
加熱加圧装置１０は、圧電振動子（電子部品の一例）を構成するキャップ（第１部品の一例）Ｐ１と基板（第２部品Ｐの一例）Ｐ２とをろう付けするための装置である。基板Ｐ２の一方表面には、圧電振動素子Ｐ３（図２参照）が実装されている。キャップＰ１は、凹部を有する。加熱加圧装置１０により、圧電振動素子Ｐ３がキャップＰ１の凹部に収納されるように、キャップＰ１と基板Ｐ２とをろう付けすることができる。
【００１４】
加熱ブロック１２は、下面１２ａ及び上面１２ｂを有する直方体状である。加熱ブロック１２には、複数のピン１４に対応する複数の穴１３が設けられている。穴１３を除き、加熱ブロック１２は中実であり、均一な金属材料、例えば、リン青銅から構成されている。ただし、加熱ブロック１２は、ブロック本体１２Ｂと蓋部１２Ｌとに分割可能である。蓋部１２Ｌは、ブロック本体１２Ｂに対して、例えば、ボルト締めにより固定されている。
【００１５】
穴１３は、上下方向（下面１２ａ及び上面１２ｂに垂直な方向；所定方向の一例）に延びている。図２を参照して、穴１３は、第１円柱部１３ａ、逆円錐台部１３ｂ及び第２円柱部１３ｃを含む。第１円柱部１３ａは、円柱状であり、上下方向に延びる中心軸を有する。第１円柱部１３ａは、穴１３の大部分を占める。逆円錐台部１３ｂは、第１円柱部１３ａの下に位置している。逆円錐台部１３ｂは、逆円錐台状（漏斗状）であり、上下方向に延びる中心軸を有する。逆円錐台部１３ｂの内壁は、逆円錐台部１３ｂの中心軸に向かって下り傾斜が付けられている。第２円柱部１３ｃは、逆円錐台部１３ｂの下に位置している。第２円柱部１３ｃは、第１円柱部１３ａの直径より小さな直径を有する円柱状であり、上下方向に延びる中心軸を有する。第１円柱部１３ａ、逆円錐台部１３ｂ及び第２円柱部１３ｃは、共通の中心軸１３Ｌに対して同軸上に位置している。
【００１６】
図１に示すように、穴１３（第２円柱部１３ｃ）は、加熱ブロック１２の下面１２ａに到達して開口している。一方、この実施形態では、穴１３は、加熱ブロック１２の上面１２ｂ（所定方向の他方側の外表面の一例）には、到達していない。より詳細には、穴１３は、ブロック本体１２Ｂを上下方向に貫通し、ブロック本体１２Ｂの上面（蓋部１２Ｌとの接触面）に開口している。この開口は、蓋部１２Ｌによって塞がれている。蓋部１２Ｌには、穴は設けられていない。しかし、ブロック本体１２Ｂの穴につながるように、蓋部１２Ｌにも穴が設けられていてもよく、ブロック本体１２Ｂの穴と蓋部１２Ｌの穴とが、穴１３を構成していてもよい。この場合、蓋部１２Ｌに設けられる穴は、蓋部１２Ｌを上下方向（厚み方向）に貫通していないものとすることができる。
【００１７】
穴１３の各々には、ピン１４が収納されている。ピン１４の外形は、穴１３の内壁とほぼ相補形状である。ピン１４は、穴１３の内壁に僅かな間隙を有して対向しており、部分的に、穴１３の内壁に接触している。
【００１８】
ピン１４は、本体部１５と先端部１６とを有する。本体部１５は、円柱状であり、上下方向に延びる中心軸１５Ｌ（図２参照）を有する。本体部１５は、穴１３の第１円柱部１３ａに収納されている。上下方向に関して、本体部１５は、第１円柱部１３ａの大部分を占める。
【００１９】
本体部１５は、カーボン（例えば、グラファイトの焼結体）、銅系材料（例えば、無酸素銅（純銅；Ｃｕ含有率が９９．９６質量％以上の銅））等の熱伝導率が高い材料から構成されている。本体部１５の熱伝導率は、先端部１６の熱伝導率よりも高い。本体部１５の熱伝導率は、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることが好ましく、１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることがより好ましい。また、本体部１５の熱膨張率は、１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。本体部１５の熱膨張率は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上であってもよい。本体部１５の吸収率（放射率）は、０．５以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましい。本体部１５の吸収率は、例えば、０．９５以下であってもよい。
【００２０】
グラファイトの焼結体では、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、熱膨張率が５ｐｐｍ／Ｋ程度であり、吸収率は０．８程度である。したがって、グラファイトの焼結体は、本体部１５の上述の好ましい要件を全て満たす。無酸素銅では、熱伝導率は４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、グラファイトの焼結体よりも、熱伝導率が高い。しかし、無酸素銅では、吸収率は、表面酸化処理すれば０．５は確保できるものの、熱膨張率については１８程度と、本体部１５の上述の好ましい要件を満たさない。したがって、本体部１５について、熱伝導率が高いことが重視され、熱膨張率が低いことが問題にならない場合に、本体部１５を構成する材料として、無酸素銅を採用することができる。
【００２１】
本体部１５の上面と穴１３（第１円柱部１３ａ）の上面（天井面；蓋部１２Ｌの下面）との間には、バネ２２が配置されている。バネ２２は、コイルバネであり、本体部１５を下方に弾性的に押しつけている。本体部１５の上部には、本体部１５の中心軸に沿って、棒状の突起１５ａが設けられている。突起１５ａは、バネ２２の内部空間に嵌められている。本体部１５の下部は下方に突出した凸部となっている。本体部１５（凸部）の下面１５Ｓ（図２参照）は、逆円錐状の凸面である。
【００２２】
先端部１６は、本体部１５の下（所定方向の一方側の一例）に位置する。先端部１６は、アルミナ、ジルコニア等のセラミック、ステンレス等の鋼材等の摩耗しにくい材料から構成されている。先端部１６の硬度は、本体部１５の硬度より高い。先端部１６の硬度は、Ｈｖ１００以上であることが好ましく、Ｈｖ２００以上であることがより好ましい。
【００２３】
図２を参照して、先端部１６は、第１円柱部１６ａ、逆円錐台部１６ｂ及び第２円柱部１６ｃを有する。第１円柱部１６ａ、逆円錐台部１６ｂ及び第２円柱部１６ｃは、上側（所定方向の他方側）から下側（所定方向の一方側）に向かって、この順に位置している。第１円柱部１６ａ、逆円錐台部１６ｂ及び第２円柱部１６ｃは、一体に構成されている。
【００２４】
第１円柱部１６ａは、円柱状であり、上下方向に延びる中心軸を有する。この実施形態では、第１円柱部１６ａの直径は、本体部１５の直径とほぼ等しい。第１円柱部１６ａは、穴１３の第１円柱部１３ａの下部に収納されている。第１円柱部１６ａの上部には、凹部が設けられている。先端部１６（第１円柱部１６ａ）の上面１６Ｓは、本体部１５（凸部）の下面１５Ｓと相補形状である円錐状の凹面であり、本体部１５の下面１５Ｓと対向している。
【００２５】
逆円錐台部１６ｂは、第１円柱部１６ａの下に位置している。逆円錐台部１６ｂは、逆円錐台状であり、上下方向に延びる中心軸を有する。逆円錐台部１６ｂは、穴１３の逆円錐台部１３ｂに収納されている。第２円柱部１６ｃは、逆円錐台部１６ｂの下に位置している。第２円柱部１６ｃは、第１円柱部１６ａの直径より小さな直径を有する円柱状であり、上下方向に延びる中心軸を有する。第２円柱部１６ｃは、穴１３の第２円柱部１３ｃを挿通されており、加熱ブロック１２の下面１２ａから下方に突出している。すなわち、第２円柱部１３ｃの下端部（端部の一例）は、穴１３の外部に位置する。第１円柱部１６ａ、逆円錐台部１６ｂ及び第２円柱部１６ｃは、共通の中心軸１６Ｌに対して同軸上に位置している。
【００２６】
バネ２２の押圧力は、本体部１５を介して先端部１６に伝えられる。これにより、先端部１６の逆円錐台部１６ｂは、穴１３の逆円錐台部１３ｂの内壁に押しつけられる。先端部１６の逆円錐台部１６ｂの側壁は、穴１３の逆円錐台部１３ｂの内壁に密接する。この状態で、穴１３の中心軸１３Ｌと先端部１６の中心軸１６Ｌとは一致する。同時に、本体部１５が先端部１６に押しつけられて、本体部１５下部の凸部が先端部１６上部の凹部に嵌められる。本体部１５の下面１５Ｓ（凸部の表面）は、先端部１６の上面１６Ｓ（凹部の内表面）に密接する。この状態で、本体部１５の中心軸１５Ｌと先端部１６の中心軸１６Ｌとは一致する。したがって、穴１３の中心軸１３Ｌと本体部１５の中心軸１５Ｌとも一致する。
【００２７】
図１を参照して、トレイ１８は、加熱ブロック１２の下方の作業空間Ｓｐに配置することができる。作業空間Ｓｐは、密閉して減圧することが可能である。トレイ１８は、キャップＰ１を載置する載置面（上面）を有する。トレイ１８には移動機構２０が接続されている。移動機構２０により、トレイ１８を、上下方向、及び水平面内の所定方向に移動させることができる。
【００２８】
ヒータ１７は、加熱ブロック１２の上で、かつ、上下方向からみて、複数の穴１３と重なる領域、すなわち、複数のピン１４と重なる領域に配置されている。
【００２９】
（加熱加圧装置を用いたろう付け方法）
以下に、加熱加圧装置１０を用いて、キャップＰ１と基板Ｐ２とをろう付けする方法について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
まず、キャップＰ１を、開口が上方、すなわち、重力が作用する方向とは反対側に開くように向けて、トレイ１８上に載置する。そして、キャップＰ１の開口縁部の上に、ろう材Ｓ（図２参照）を載置する。ろう材とは、キャップＰ１及び基板Ｐ２のいずれよりも融点が低い金属材料をいうものとする。ろう材は、融点が４５０℃以上である硬ろうと、融点が４５０℃未満である軟ろう（半田）とを含む。軟ろうは、例えば、金錫合金、又は錫鉛合金等の合金である。ろう材Ｓは、予め、キャップＰ１の開口縁部に融着させておいてもよい。そして、基板Ｐ２を、圧電振動素子Ｐ３が実装された面を下方、すなわち、重力が作用する方向に向け、キャップＰ１の開口を閉じるように、キャップＰ１の上に載置する。図２に、この状態を示す。これにより、ろう材Ｓは、キャップＰ１の開口縁部と基板Ｐ２との間に挟まれる。
【００３１】
次に、各組のキャップＰ１及び基板Ｐ２がいずれかのピン１４の下方に位置するように、移動機構２０によりトレイ１８を作業空間Ｓｐに配置する。複数組のキャップＰ１及び基板Ｐ２は、予め、複数のピン１４の相互の間隔及び配列方向に対応するように、トレイ１８の載置面上に適切に配置しておく。そして、この状態で、作業空間Ｓｐを真空（減圧状態）にする。これにより、キャップＰ１の凹部内、及び穴１３の内部も真空となる。
【００３２】
続いて、ヒータ１７により、加熱ブロック１２を加熱する。ヒータ１７からの熱は、加熱ブロック１２を介して、ピン１４に伝達される。ここで、穴１３の内部が真空であることにより、加熱ブロック１２からピン１４への熱の伝達は、ピン１４と加熱ブロック１２とが接触している部分では伝導により行われ、ピン１４と加熱ブロック１２とが接触していない部分では放射により行われる。
【００３３】
次に、移動機構２０によりトレイ１８を上昇させ、先端部１６（第２円柱部１６ｃ）の下端部に基板Ｐ２を接触させ押しつける。換言すれば、ピン１４の先端部１６の下端部は、基板Ｐ２に接触可能であり、キャップＰ１に対して基板Ｐ２を押しつける。この状態で、ピン１４の熱は、基板Ｐ２を介してろう材Ｓに伝達され、ろう材Ｓは溶融する。
【００３４】
その後、移動機構２０により、トレイ１８を下降させ、基板Ｐ２から先端部１６（第２円柱部１６ｃ）を離す。これにより、ピン１４の熱は、ろう材Ｓに伝達されなくなるので、ろう材Ｓは固化し、キャップＰ１と基板Ｐ２とは接合される。キャップＰ１とろう材Ｓとの接触部付近は合金化する。このようにして、キャップＰ１と基板Ｐ２とをろう付けする。
【００３５】
（効果）
本実施形態に係る加熱加圧装置１０によれば、本体部１５と先端部１６とは、互いに異なる材料から構成されている。本体部１５は、先端部１６より高い熱伝導率を有する材料から構成されているので、加熱ブロック１２を介してヒータ１７から本体部１５に与えられた熱の多くを、先端部１６を介してろう材Ｓに伝えることができる。したがって、ろう材Ｓを溶融するのに要するヒータ１７の出力を小さくすることができる。また、加熱中の加熱ブロック１２の温度を低くすることができる。以上の効果は、本体部１５の熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である場合に、良好に得られ、本体部１５の熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である場合に、特に良好に得られる。
【００３６】
伝導又は放射により、加熱ブロック１２から本体部１５へ効率的に熱を伝えるためには、加熱ブロック１２と本体部１５とのクリアランスが小さいことが好ましい。このような場合でも、本体部１５の熱膨張率が１０ｐｐｍ／Ｋ以下であれば、本体部１５の温度が上昇しても、本体部１５の熱膨張は僅かであり、穴１３内での本体部１５の上下動は、実質的に妨げられない。このような効果を得るためには、本体部１５の熱膨張率は５ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。
【００３７】
本体部１５の吸収率が０．５以上であれば、加熱ブロック１２からの熱放射を本体部１５が効率よく吸収できる。この場合、本体部１５の加熱効率を高くすることができる。
【００３８】
先端部１６は、本体部１５より高い硬度を有する材料から構成されているので、先端部１６は、繰り返し基板Ｐ２に接触しても摩耗しにくい。このような効果は、先端部１６の硬度がＨｖ１００以上である場合に良好に得ることができ、Ｈｖ２００以上である場合に、特に良好に得られる。
【００３９】
また、ピン１４の熱容量が大きいと、ピン１４が冷えにくく、ピン１４の温度を安定させてろう付けを行うことができる。本体部１５及び先端部１６の少なくとも一方を構成する材料として、比熱が大きい材料を選択することにより、ピン１４の長さが短くてもピン１４の熱容量を大きくすることができる。さらに、本体部１５及び先端部１６の少なくとも一方を構成する材料として、摺動抵抗が小さい材料を選択することにより、ピン１４の摩耗を低減して、ピン１４の寿命を長くすることができる。なお、ピン１４が摩耗等により損傷した場合は、加熱ブロック１２を、ブロック本体１２Ｂと蓋部１２Ｌとに分割して、ピン１４を交換することができる。バネ２２が損傷したり、バネ２２の弾性が劣化した場合も、同様にして、バネ２２を交換することができる。
【００４０】
先端部１６には本体部１５ほど高い熱伝導率は要求されず、また、本体部１５には先端部１６ほど高い硬度は要求されない。このため、ピン１４の材料選択の幅は広い。さらに、本体部１５には先端部１６ほど高い硬度が要求されないことにより、本体部１５について、熱膨張率、吸収率、比熱、摺動抵抗等、熱伝導率以外の特性についても所望の要件を満たす材料を選択できる可能性が高くなる。
【００４１】
仮に、単一材料から構成されるピンで、十分に高い熱伝導率と十分に高い硬度とを両立できるとしても、そのような材料は、一般に高価である。これに対して、本実施形態のピン１４では、先端部１６には本体部１５ほど高い熱伝導率が要求されず、本体部１５には先端部１６ほど高い硬度が要求されないことにより、本体部１５及び先端部１６のそれぞれに、安価な材料を選択することができる。したがって、ピン１４を安価にすることができる。
【００４２】
上述のように、本体部１５下部の凸部が先端部１６上部の凹部に嵌められることにより、本体部１５の中心軸１５Ｌと先端部１６の中心軸１６Ｌとが一致する。したがって、本体部１５と先端部１６とを容易に同軸上に配置させることができる。また、上述のように、先端部１６の逆円錐台部１６ｂが穴１３の逆円錐台部１３ｂの内壁に押しつけられることにより、穴１３の中心軸１３Ｌと先端部１６の中心軸１６Ｌとは一致する。したがって、穴１３と先端部１６とを容易に同軸上に配置し、さらに、穴１３と本体部１５とを容易に同軸上に配置することができる。これにより、本体部１５と加熱ブロック１２とが不所望に接触及び摺動することによる本体部１５の摩耗量を低減することができる。
【００４３】
また、本体部１５下部と先端部１６上部とが凸面（凸部の表面）と凹面（凹部の表面）とで接触することにより、本体部１５下部と先端部１６上部とが互いに平坦面で接触していた場合に比して、接触面積は大きくなる。これにより、本体部１５から先端部１６へと、熱が効率的に伝えられる。
【００４４】
ピン１４の上部は、加熱ブロック１２の上面１２ｂから突出しておらず、加熱ブロック１２の一部（蓋部１２Ｌ）により覆われている。このため、ピン１４の熱が放散されにくい。また、ヒータ１７が、上下方向からみて、複数のピン１４と重なる領域に配置されていることにより、これらの複数のピン１４を均一に加熱することができる。
【００４５】
（変形例）
図３は、加熱加圧装置１０の第１の変形例に係る加熱加圧装置１０Ａの断面構造図である。図３において、図１及び図２に表された部品、部分と共通する部品、部分には、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４６】
加熱加圧装置１０Ａでは、本体部１５の直径は、先端部１６における第１円柱部１６ａの直径より小さい。その結果、穴１３の第１円柱部１３ａの内壁と本体部１５との間隙は、穴１３の第１円柱部１３ａの内壁と先端部１６の第１円柱部１６ａとの間隙より大きくなっている。本体部１５の硬度は先端部１６の硬度より小さいことにより、本体部１５は先端部１６に比して、穴１３の内壁に対して接触及び摺動したときに摩耗しやすい。しかし、加熱加圧装置１０Ａでは、本体部１５は穴１３の内壁に接触しにくいので、本体部１５の摩耗を抑制することができる。
【００４７】
図４は、加熱加圧装置１０の第２の変形例に係る加熱加圧装置１０Ｂの断面構造図である。図４において、図１及び図２に表された部品、部分と共通する部品、部分には、同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４８】
加熱加圧装置１０Ｂでは、先端部１６における第１円柱部１６ａの直径は、本体部１５の直径より小さい。その結果、穴１３の第１円柱部１３ａの内壁と先端部１６の第１円柱部１６ａとの間隙は、穴１３の第１円柱部１３ａの内壁と本体部１５との間隙より大きくなっている。このため、先端部１６の第１円柱部１６ａは穴１３の第１円柱部１３ａの内壁に接触しにくく、したがって、摩耗しにくい。硬度が高い材料は一般に高価であるため、先端部１６は高価であることが多い。先端部１６の摩耗を抑制して先端部１６の寿命を長くすることを重視する場合は、本変形例の態様を採用して、先端部１６の寿命を長くすることができる。
【００４９】
（その他の実施形態）
本発明に係る加熱加圧装置は、前記加熱加圧装置１０，１０Ａ，１０Ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００５０】
例えば、電子部品が圧電振動子である場合、第１部品はキャビティが設けられた基板であってもよく、この場合、第２部品は、平板状の蓋であってもよい。電子部品は、圧電振動子に限られず、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスであってもよい。この場合、第１部品及び第２部品は、それぞれ、くし形電極が形成された圧電性基板、及び圧電性基板のくし形電極形成面と間隙を開けてくし形電極形成面を覆う金属キャップであってもよい。また、電子部品は、光学デバイスであってもよい。この場合、第１部品及び第２部品は、それぞれ、発光素子が実装されたステム、及び発光素子を収容する凹部が設けられレンズを備えたキャップ（ＣＡＮ）であってもよい。
【００５１】
本体部１５の下端部は穴１３から突出していてもよく、この場合、先端部１６は、本体部１５の下端部に接合されていてもよい。
【００５２】
加熱加圧装置１０，１０Ａ，１０Ｂでは、本体部１５は先端部１６との接触面に凸部を有し、先端部１６は本体部１５との接触面に凹部を有しているが、本体部１５は先端部１６との接触面に凹部を有し、先端部１６は本体部１５との接触面に凸部を有していてもよい。凹部の内面は、円錐状（又は逆円錐状）の凹面に限られず、凸部の表面は、円錐状（又は逆円錐状）の凸面に限られない。例えば、凹部は、中心軸１５Ｌ，１６Ｌに対して径方向に延びる複数本（例えば、３本）の溝であってもよく、この場合、凸部は、これらの溝と相補形状の突出部とすることができる。いずれの場合も、凹部に凸部が嵌められたとき、本体部と先端部とが同軸上に配置されるものとする。
【００５３】
上記実施形態の構成は任意に組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１０：加熱加圧装置
１２：加熱ブロック
１３：穴
１４：ピン
１４ａ：本体部
１４ｂ：先端部
１７：ヒータ
１８：トレイ
２０：移動機構
Ｐ１：キャップ
Ｐ２：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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