(57)【要約】【課題】複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填することができるめっき液を提供することを目的とする。【解決手段】  水溶性銅塩、硫酸、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分を含み、前記レベラー成分が、ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体を含むめっき液を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性銅塩、硫酸、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、及び塩素成分を含み、前記レベラー成分が、ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体を含むめっき液。
【請求項２】
前記レベラー成分の平均分子量が６００以上である請求項１に記載のめっき液。
【請求項３】
前記レベラー成分を３０ｍｇ／Ｌ以上１００ｍｇ／Ｌ以下含有する請求項１または請求項２に記載のめっき液。
【請求項４】
前記ポリマー成分が、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、及びポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から選択された１種類以上である請求項１乃至３のいずれか一項に記載のめっき液。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のめっき液を用い、電流密度を１Ａ／ｄｍ２以上３Ａ／ｄｍ２以下として、
非貫通孔を含む基材の、前記非貫通孔を充填し、めっき膜を形成するめっき膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき液、めっき膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅めっき膜は、例えば配線基板の配線材料等として、従来から広く用いられている。このため、基材上に銅めっき膜を形成するめっき液について各種検討がなされてきた。例えば特許文献１には、含リン銅を可溶性陽極として用いる湿式めっき法に用いる硫酸銅めっき液であって、前記硫酸銅めっき液に含まれる２価の鉄イオンの濃度が０．０５ｇ／Ｌ以上、且つ３価の鉄イオン濃度が０．３０ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする硫酸銅めっき液が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２５１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、用途によっては、複数の非貫通孔を有する基材上に銅めっき膜を形成することが求められる場合があった。この場合、めっきによる非貫通孔の充填と、基材の平坦部、及びめっきが充填された非貫通孔上へのめっき膜の形成を実施することが求められる。
【０００５】
しかしながら、従来検討されてきためっき液では、複数の非貫通孔の配列間隔（ピッチ）によって充填性が変化してしまい、基材が配列間隔の異なる複数の非貫通孔を有する場合、同一基材内でも充填性にバラつきが生じる場合があった。
【０００６】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填することができるめっき液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
水溶性銅塩、硫酸、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、及び塩素成分を含み、前記レベラー成分が、ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体を含むめっき液を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一側面によれば、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填することができるめっき液を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例、比較例で基材、及び基材上に形成しためっき膜の構造の説明図。
【図２】非貫通孔の配列間隔の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明のめっき液、めっき膜の製造方法の一実施形態について説明する。
（めっき液）
本実施形態のめっき液は、水溶性銅塩、硫酸、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、及び塩素成分を含むことができる。
【００１１】
そして、レベラー成分は、ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体を含むことができる。
【００１２】
既述のように、例えば複数の非貫通孔を有する基材上にめっき膜を成膜する際に、従来検討されていためっき液では、非貫通孔の配列間隔（ピッチ）によって充填性が変化してしまい、同一基材内でも非貫通孔の充填性にバラつきが生じる場合があった。
【００１３】
そこで、本発明の発明者は、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔の広狭に関わらず、非貫通孔をめっきにより均一に充填することができるめっき液について検討を行った。その結果、水溶性銅塩、硫酸、ポリマー成分、ブライトナー成分、及び塩素成分に加えて、所定のレベラー成分を含有するめっき液とすることで、非貫通孔の配列間隔の広狭に関わらず非貫通孔の均一な充填を行えることを見出し、本発明を完成させた。
【００１４】
以下に、本実施形態のめっき液に含まれる成分について説明を行う。
【００１５】
本実施形態のめっき液は、水溶性銅塩を含有することができる。水溶性銅塩を含有することで、銅めっき膜を形成することができる銅めっき液とすることができる。
【００１６】
水溶性銅塩としては特に限定されるものではなく、通常のめっき液に用いられる水溶性の銅塩であれば、好適に使用することができる。水溶性銅塩としては例えば、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩から選択された１種類以上を好ましく用いることができる。
【００１７】
なお、無機銅塩としては、例えば硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅が挙げられる。アルカンスルホン酸銅塩としては、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅等が挙げられる。アルカノールスルホン酸銅塩としては、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅等が挙げられる。有機酸銅塩としては、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅等が挙げられる。
【００１８】
水溶性銅塩は、例えば無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩等から選択された１種類の水溶性銅塩を単独で用いたり、選択された２種類以上を組み合わせて用いることができる。なお、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩等から選択された２種類以上の水溶性銅塩を組み合わせて用いる場合に、硫酸銅と、塩化銅とのように、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩等から選択された１つのカテゴリー内の、異なる２種類以上の水溶性銅塩を用いても良い。
【００１９】
ただし、めっき液の管理上、１種類の水溶性銅塩を単独で用いることが好ましい。
【００２０】
本実施形態のめっき液は硫酸を含有することができる。硫酸を含有することでめっき液のｐＨや、硫酸イオン濃度を調整することができる。
【００２１】
本実施形態のめっき液は、さらにレベラー成分を含有することができる。
【００２２】
レベラー成分としては、既述のようにジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体を含むことができる。また、レベラー成分はジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体から構成することもできる。
【００２３】
レベラー成分の平均分子量は特に限定されないが、例えば６００以上であることが好ましい。レベラー成分の平均分子量の上限についても特に限定されないが、レベラー成分の平均分子量は６０００以下であることが好ましい。
【００２４】
本発明の発明者の検討によれば、ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体は基材上の平坦部のめっき膜の膜厚方向の成長を抑制することができる。従って、レベラー成分として、ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体を用いることで、非貫通孔を有する基材上にめっき膜を成膜する際、めっきによる非貫通孔の充填を促進し、非貫通孔以外の平坦部へのめっき膜の成膜を抑制できる。このため、めっきによる非貫通孔の充填を行うことができ、かつ非貫通孔の配列間隔の広狭に関わらず非貫通孔を均一に充填できる。さらには、基材上に表面が平坦なめっき膜を成膜できるめっき液とすることができる。
【００２５】
ジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体としては、例えばジアリルメチルアミン塩酸塩重合体、ジアリルエチルアミン塩酸塩重合体等から選択された１種類以上を好ましく用いることができる。
【００２６】
本実施形態のめっき液は、さらにポリマー成分を含有することができる。ポリマー成分としては特に限定されるものではないが、例えばポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から選択された１種類以上を好ましく用いることができる。
【００２７】
ポリマー成分として、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体を用いる場合、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体の分子量や重合比率は特に限定されないが平均分子量は１４００以上２０００以下であることが好ましい。また、ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールとの重合比率は、例えば１：１とすることができる。
【００２８】
本実施形態のめっき液は、さらにブライトナー成分を含有することができる。ブライトナー成分としては特に限定されるものではないが、例えばビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（略称ＳＰＳ）、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸（略称ＭＰＳ）等から選択された１種類以上を好ましく用いることができる。
【００２９】
本実施形態のめっき液は、さらに塩素成分を含有することができる。塩素成分としては特に限定されるものではないが、例えば塩酸、塩化ナトリウム等から選択された１種類以上を用いることができる。
【００３０】
本実施形態のめっき液の各成分の含有量は特に限定されるものではなく、任意に選択することができる。
【００３１】
本実施形態のめっき液は、例えば水溶性銅塩を銅濃度換算で、５５ｇ／Ｌ以上８０ｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。なお、水溶性銅塩が硫酸銅の場合、銅濃度換算で上記範囲となるように、硫酸銅５水和物を２２０ｇ／Ｌ以上３２０ｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。
【００３２】
これは、本実施形態のめっき液が、水溶性銅塩を銅濃度換算で５５ｇ／Ｌ以上含有することで、該めっき液を用いてめっき膜を成膜する際に、十分な速度で成膜することができるため好ましいからである。また、本実施形態のめっき液が水溶性銅塩を銅濃度換算で８０ｇ／Ｌ以下含有する場合、銅がめっき時以外に析出する等を確実に防ぐことができ、好ましいからである。
【００３３】
また、本実施形態のめっき液は、硫酸を例えば１０ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。これは、本実施形態のめっき液の硫酸の含有量を１０ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ以下とすることで、該めっき液を用いてめっき膜を成膜する際に、十分な速度で成膜することができ、まためっきによる非貫通孔の充填性が向上するため好ましいからである。
【００３４】
本実施形態のめっき液は、レベラー成分を例えば３０ｍｇ／Ｌ以上１００ｍｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。これは、本実施形態のめっき液のレベラー成分の含有量を３０ｍｇ／Ｌ以上とすることで、基材の平坦部上に形成されるめっき膜の析出を適度に抑制し、めっきによる非貫通孔の充填を優先的に進めることができ、好ましいからである。また、本実施形態のめっき液のレベラー成分の含有量を１００ｍｇ／Ｌ以下とすることで、非貫通孔の充填性を特に高めることができるため好ましいからである。
【００３５】
また、本実施形態のめっき液は、ポリマー成分を例えば１０ｍｇ／Ｌ以上５０ｍｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。これは、本実施形態のめっき液のポリマー成分の含有量を１０ｍｇ／Ｌ以上とすることで、非貫通孔のエッジ部への電流集中を緩和し、特に均一なめっき膜を形成することができ、好ましいからである。また、本実施形態のめっき液のポリマー成分の含有量を５０ｍｇ／Ｌ以下とすることで、めっきによる非貫通孔の充填性を特に高めることができるため好ましいからである。
【００３６】
本実施形態のめっき液は、ブライトナー成分を０．２ｍｇ／Ｌ以上５ｍｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。これは、本実施形態のめっき液のブライトナー成分の含有量を０．２ｍｇ／Ｌ以上とすることで、非貫通孔のめっき充填を促進し、まためっき膜の析出結晶を微細化し特に平滑な表面とすることができるからである。また、本実施形態のめっき液のブライトナー成分の含有量を５ｍｇ／Ｌ以下とすることで、めっきによる非貫通孔の充填性を特に高めることができるため好ましいからである。
【００３７】
本実施形態のめっき液は、塩素成分を１０ｍｇ／Ｌ以上５０ｍｇ／Ｌ以下含有することが好ましい。これは、本実施形態のめっき液の塩素成分の含有量を１０ｍｇ／Ｌ以上とすることで、非貫通孔近傍での異常析出を抑制でき、好ましいからである。また、本実施形態のめっき液の塩素成分の含有量を５０ｍｇ／Ｌ以下とすることで、めっきによる非貫通孔の充填性を特に高めることができるため好ましいからである。
【００３８】
以上に説明した本実施形態のめっき液によれば、所定の各成分を含有することで、めっきにより非貫通孔の充填を行うことができる。また、非貫通孔を有する基材上にめっき膜を形成する際に、めっきによる非貫通孔の充填と、基材の平坦部、及びめっきが充填された非貫通孔上へのめっき膜の形成を実施でき、基材の非貫通孔を有する面上に、表面が平坦なめっき膜を成膜できる。そして、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填することができる。
（めっき膜の製造方法）
次に本実施形態のめっき膜の製造方法の一実施形態について説明する。
【００３９】
本実施形態のめっき膜の製造方法は、既述のめっき液を用い、電流密度を１Ａ／ｄｍ２以上３Ａ／ｄｍ２以下として、非貫通孔を含む基材の、非貫通孔を充填し、めっき膜を形成することができる。
【００４０】
本実施形態のめっき膜の製造方法で用いる基材については特に限定されないが、非貫通孔を有する基材上にめっき膜を形成する場合に、既述のめっき液を用いることで、非貫通孔にめっきを充填し、基材の非貫通孔を有する面上に表面が平坦なめっき膜を形成できる。このため、本実施形態のめっき膜の製造方法に用いる基材としては非貫通孔を有する基材を好適に用いることができる。
【００４１】
また、既述のめっき液を用いることで、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填することができる。このため、本実施形態のめっき膜の製造方法で用いる基材としては、複数の非貫通孔を有する基材を特に好適に用いることができる。
【００４２】
本実施形態のめっき膜の製造方法で、非貫通孔を有する基材を用いる場合、その非貫通孔のサイズは特に限定されるものではないが、孔径（非貫通孔の直径）は３０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。なお、非貫通孔はその表面をテーパー面とするなどして、深さ方向でその直径が変化する場合があるが、この場合、非貫通孔のうち、最も径が大きくなる部分での直径を該非貫通孔の孔径とすることができる。また、孔の深さと孔径とのアスペクト比（孔の深さ／孔径）は０．３以上１．５以下であることが好ましい。
【００４３】
本実施形態のめっき膜の製造方法で、複数の非貫通孔を有する基材を用いる場合、非貫通孔の配列間隔は特に限定されるものではなく、例えば隣接する非貫通孔の孔径等に応じて選択することができる。隣接する非貫通孔の孔径が例えば８０μｍの場合、隣接する非貫通孔の配列間隔は、隣接する非貫通孔の中心間距離で０．１３ｍｍ以上とすることが好ましい。隣接する非貫通孔の孔径が例えば１００μｍの場合、隣接する非貫通孔の配列間隔は、隣接する非貫通孔の中心間距離で０．１５ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００４４】
なお、隣接する非貫通孔の中心間距離の上限は特に限定されず、基材のサイズに応じて選択できる。
【００４５】
基材についてはめっき膜を形成する面に導電処理を予め実施しておくことが好ましい。導電処理としては特に限定されないが、例えば基材のコアの表面に導電層となる銅薄膜層を無電解めっきや乾式法により形成することができる。銅薄膜層の厚さは特に限定さないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることができる。
【００４６】
そして、既述のめっき液による酸性銅めっき浴を用いて基材（基板）を銅めっき処理し、基材上にある非貫通孔にめっきを充填する際には、通常の硫酸銅等の水溶性銅塩によるめっき液を用いた銅めっきの場合と同様に、直流で電解すればよい。
【００４７】
具体的には、浴温としては、例えば室温近傍、具体的には２０℃以上３０℃以下とすることが好ましく、２２℃以上２８℃以下とすることがより好ましい。また、電流密度としては、１Ａ／ｄｍ２以上３Ａ／ｄｍ２以下とすることが好ましい。
【００４８】
めっき膜を製造している間、めっき槽内のめっき液を撹拌していることが好ましい。この際、めっき液を撹拌する方法は特に限定されないが、撹拌する手段としては、例えば噴流を好適に用いることができる。なお、噴流とは、めっき液を、ノズルから基材に対して吹き付け、めっき槽内のめっき液を撹拌することをいう。
【００４９】
アノードは特に限定されるものではないが、例えば不溶性アノードや銅ボール等の可溶性アノードを用いることができる。
【００５０】
以上に説明した本実施形態のめっき膜の製造方法によれば、既述の本実施形態のめっき液を用いているため、めっきにより非貫通孔の充填を行うことができる。また、非貫通孔を有する基材上にめっき膜を形成する際に、めっきによる非貫通孔の充填と、基材の平坦部、及びめっきが充填された非貫通孔上へのめっき膜の形成を実施でき、基材の非貫通孔を有する面上に、表面が平坦なめっき膜を成膜、製造できる。そして、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填することができる。
【実施例】
【００５１】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（１）めっき液
以下の組成を有するめっき液を調製した。
【００５２】
硫酸銅５水和物を２６０ｇ／Ｌ、硫酸を２０ｇ／Ｌ、レベラー成分を７０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を３０ｍｇ／Ｌ、ブライトナー成分を２ｍｇ／Ｌ、塩素成分を２４ｍｇ／Ｌ含有するめっき液を調製した。
【００５３】
レベラー成分としては以下の式（１）で示され、平均分子量が５０００であるジアリルメチルアミン塩酸塩重合体（ニットーボーメディカル株式会社製  商品名：ＰＡＳ−Ｍ−１Ｌ）を用いた。
【００５４】
【化１】
2019044199.tif 000002
硫酸としては、薄硫酸（住友化学株式会社製  ７０％硫酸）を用いた。
【００５５】
ポリマー成分としては、ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールとの重合比率が１：１であり、平均分子量が約１８００であるポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体（日油株式会社製  商品名：ユニルーブ５０ＭＢ−２６）を用いた。
【００５６】
ブライトナー成分としては、ＳＰＳ（ＲＡＳＣＨＩＧ  ＧｍｂＨ社製）を用いた。
【００５７】
塩素成分としては、塩酸（和光純薬工業株式会社製  ３５％塩酸）を用いた。
（２）めっき膜の製造
（２−１）基材準備工程
本実施例では、非貫通孔の孔径、及び非貫通孔の配列間隔の異なる基材ａ〜基材ｄを準備した。
【００５８】
基材準備工程、及び基材の構成について、図１、図２を用いながら説明する。なお、図１は基材１０の断面を示しており、基材１０に設けた非貫通孔Ａの深さ方向と平行な面での断面を示している。図１では１つの非貫通孔Ａの周辺部を拡大して示している。また、図１には基材１０上に形成しためっき膜１４まで示してある。
【００５９】
図２は、基材１０を、該基材１０の非貫通孔の開口部が配置された面と垂直な方向に沿った上方から見た図を示しており、２つの非貫通孔の配置が明らかになるように一部を拡大して示している。
【００６０】
ここでは基材ａを製造した場合を例に説明する。
【００６１】
厚さ５０μｍのガラスエポキシ樹脂製のコア１１を用意した。
【００６２】
そして、ガラスエポキシ樹脂製のコア１１の両面に、厚さ１０μｍの電解銅箔１２Ａ、１２Ｂをラミネートした。
【００６３】
次いで、ドライフィルムレジストによるフォトリソグラフィにより一方の電解銅箔１２Ａに直径８０μｍの穴を形成し電解銅箔のエッチングを行った。ドライフィルムレジストを剥離し、電解銅箔１２Ａに形成された直径８０μｍの穴に対し、炭酸ガスレーザーを照射し、ガラスエポキシ樹脂製の基材を除去してビアを形成した。
【００６４】
その後、無電解銅めっきにより、電解銅箔１２Ａ上、及びビアの内面に厚さ０．１μｍの銅薄膜層１３を形成して導電処理を行い、非貫通孔Ａが形成された。
【００６５】
同様にして複数の非貫通孔Ａを形成しており、非貫通孔Ａの配列間隔Ｌは、０．１３ｍｍとした。
【００６６】
なお、非貫通孔Ａの孔径Ｄ、すなわち直径は、図１に示したように非貫通孔Ａのうち最も径が大きくなる部分での直径となる。このため、上述のように銅薄膜層１３を形成した場合には、非貫通孔Ａの孔径Ｄは、銅薄膜層１３の表面での最も径が大きくなる部分での直径を意味する。
【００６７】
また、非貫通孔の配列間隔Ｌは、隣接する非貫通孔の中心間の距離、間隔を意味しており、例えば図２に示したように非貫通孔２１、２２を形成した場合、非貫通孔２１の中心Ｏ２１と、非貫通孔２２の中心Ｏ２２との間の距離を意味する。なお、非貫通孔は深さを有し、立体形状を有することから、隣接する非貫通孔の中心間の距離とは、隣接する非貫通孔の中心軸間の距離と言い換えることもできる。
【００６８】
既述のように、本実施例では、非貫通孔の孔径Ｄと、配列間隔Ｌとが異なる４種類の基材を用意し、以下のめっき工程に供した。ここでは、基材ａを製造した際を例に説明したが、基材ｂ〜基材ｄについては、表１に示した孔径Ｄ、及び配列間隔Ｌとした点以外は上述の基材ａと同様にして作製した。
【００６９】
なお、各基材には５２００個の非貫通孔が設けられており、同じ基材内では非貫通孔の孔径Ｄ、及び隣接する非貫通孔間の距離、すなわち配列間隔は同じになるように製造した。
（２−２）めっき工程
用意した基材を、既述のめっき液を入れためっき浴に供給し、浴温を２５℃とし、電流密度を２Ａ／ｄｍ２として６０分間めっきを行い、めっき膜の成膜（製造）を行った。
【００７０】
なお、めっきを行っている間、噴流により、めっき液の撹拌を行った。具体的にはめっき槽内に供給した基材の銅薄膜層の表面に対して、めっき液の流れが略垂直になるようにノズルからめっき液を供給して撹拌を行った。
【００７１】
以上の工程により、図１に示した構成を有するめっき膜を有する基材を製造した。
【００７２】
具体的には、既述のようにガラスエポキシ樹脂製のコア１１の平坦部上に電解銅箔１２Ａ、１２Ｂが配置され、コア１１に形成されたビア、及び電解銅箔１２Ａの表面に銅薄膜層１３が配置されている。そして、コア１１、電解銅箔１２Ａ、１２Ｂ、銅薄膜層１３の積層体である基材１０の、非貫通孔Ａ、及び平坦部Ｂ上にめっき膜１４が形成されている。なお、非貫通孔Ａはめっきにより充填されることになる。
【００７３】
そして、非貫通孔Ａにおいて、めっきの充填の程度を評価するため、積層体の非貫通孔Ａ部分でのめっき膜１４の深さｔ１、及び積層体の平坦部Ｂ部分でのめっき膜１４の厚さｔ２の評価を行った。
【００７４】
なお、非貫通孔Ａ部分でのめっき膜１４の深さｔ１は、図１に示したように、平坦部Ｂ部分でのめっき膜１４の表面を基準とした深さとなる。平坦部に対して凹み状態であればマイナス、平坦部に対して凸状態であればプラスで表記した。 
既述のように、本実施例では、非貫通孔Ａの孔径と、配列間隔の異なる４種類の基材をめっき工程に供した。
【００７５】
そして、非貫通孔の孔径が同じで、配列間隔のみが異なる基材、例えば基材ａと基材ｂ、基材ｃと基材ｄとについて、非貫通孔部分でのめっき膜の深さの差Δｔ１を算出した。係るΔｔ１が小さいほど、配列間隔に関係なく非貫通孔をめっき膜で充填できていることを意味しており、配列間隔の広狭の影響を受けにくいことになる。
【００７６】
そこで、Δｔ１が０．５μｍ未満を○、０．５μｍ以上１．０μｍ未満を△、１．０μｍ以上を×と評価した。
【００７７】
評価が〇の場合には、用いためっき液とめっきの製造方法により、非貫通孔の配列間隔の広狭に関わらず、均一な充填を行うことができているといえる。一方、評価が△または×の場合には、用いためっき液では非貫通孔の配列間隔の広狭により均一な充填ができていないことになる。
【００７８】
評価結果も併せて表１に示す。
［比較例１］
めっき液を調製する際に、レベラー成分としてジアリルメチルアミン塩酸塩重合体に代えて以下の式（２）で表される塩化ベンゼトニウムを用いた。
【００７９】
【化２】
2019044199.tif 000003
塩化ベンゼトニウムにて最良の充填性を得るための最適な浴組成として、硫酸銅５水和物を２２０ｇ／Ｌ、硫酸を５５ｇ／Ｌ、レベラー成分を３０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を４０ｍｇ／Ｌ、ブライトナー成分を３ｍｇ／Ｌ、塩素を４５ｍｇ／Ｌとしてめっき液を調製した。
【００８０】
なお、レベラー成分以外の各成分は、実施例１と同じ試薬を用いた。
【００８１】
めっき液として上述のめっき液を用いた点以外は実施例１と同様にして、非貫通孔の孔径、配列間隔の異なる４種類の基材ａ〜基材ｄについて、めっきを行った。評価結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
2019044199.tif 000004
表１に示した結果より、水溶性銅塩、硫酸、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分を含み、レベラー成分がジアリルアルキルアミン塩酸塩重合体含むめっき液を用いた実施例１では、非貫通孔部分でのめっき膜の深さの差Δｔ１が小さいことが確認できた。従って、実施例１で用いためっき液によれば、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によらず、非貫通孔を均一に充填できることが確認できた。
【００８３】
一方、レベラー成分を塩化ベンゼトニウムに変えた比較例１では、非貫通孔部分でのめっき膜の深さの差Δｔ１が大きく変化していることが確認できた。すなわち、比較例１のめっき液では、複数の非貫通孔を有する基材について、非貫通孔の配列間隔によって、非貫通孔を均一に充填できなくなる場合があることが確認できた。
【符号の説明】
【００８４】
１０            基材
Ａ、２１、２２  非貫通孔
１４            めっき膜
【図１】
2019044199.tif 000005
【図２】
2019044199.tif 000006