(57)【要約】      （修正有）【課題】除膜処理方法、及び装置を提供する。【解決手段】デバイス光学アセンブリを備え、光学アセンブリは、レーザービームを発生させるためのレーザー発生装置と、レーザービームを反射させるための第１スキャンミラーと、第１スキャンミラーが反射したレーザービームを反射させるための第２スキャンミラーと、第２スキャンミラーが反射したレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングさせて除膜処理を行うためのフォーカシングミラーとをそなえ、プロセッサー及びメモリをさらに備え、メモリには指令が保存されており、指令がプロセッサーに実行されることにより、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップを実現する。【選択図】図５
2019107692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除膜処理装置であって、
光学アセンブリを備え、
前記光学アセンブリは、
レーザービームを発生させるためのレーザー発生装置と、
前記レーザービームを反射させるための第１スキャンミラーと、
前記第１スキャンミラーが反射したレーザービームを反射させるための第２スキャンミラーと、
前記第２スキャンミラーが反射したレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングさせて除膜処理を行うためのフォーカシングミラーと
を備え、
前記除膜処理装置は、プロセッサー及びメモリをさらに備え、
前記メモリには指令が保存されており、
前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合、
前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを指定位置に移動し、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップを実現する
ことを特徴とする除膜処理装置。
【請求項２】
前記レーザー発生装置のパワーは、所定のパワーより、大きいか、或いは、等しい
ことを特徴とする請求項１に記載の除膜処理装置。
【請求項３】
前記第１スキャンミラー及び前記第２スキャンミラーは、スキャンガルバノメータである
ことを特徴とする請求項１に記載の除膜処理装置。
【請求項４】
前記フォーカシングミラーの焦点距離は、所定の焦点距離より、大きいか、或いは、等しい
ことを特徴とする請求項１に記載の除膜処理装置。
【請求項５】
前記薄膜太陽電池セルは、一つ或いは複数の所定の領域を含み、各前記所定の領域は、前記第１スキャンミラー及び前記第２スキャンミラーのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しいし、
前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合
前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを指定位置に移動し、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対して除膜処理を行うステップを実現する。
ことを特徴とする請求項１に記載の除膜処理装置。
【請求項６】
前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合、
前記現在の所定の領域に対する除膜処理を完成した後に、前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを、他の一つの指定位置に移動させて、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、他の一つの所定の領域に対して除膜処理を、全部の前記所定の領域に対する除膜処理を完成する時まで、行うステップをさらに実現する。
ことを特徴とする請求項５に記載の除膜処理装置。
【請求項７】
薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、指定位置に移動させるステップと、
第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップと
を含み
ここで、前記光学アセンブリは、レーザー発生装置、前記第１スキャンミラー、前記第２スキャンミラー、及びフォーカシングミラーを備え、レーザー発生装置が発生したレーザービームは、第１スキャンミラー、及び第２スキャンミラーによって反射され、フォーカシングミラーは反射されたレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングして除膜処理を行う
ことを特徴とする除膜処理方法。
【請求項８】
前記除膜処理方法の前に、
薄膜太陽電池セルを、第１スキャンミラー、及び第２スキャンミラーのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しい、一つ或いは複数の所定の領域に分割するステップをさらに含み、
前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップは、
前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対して除膜処理を行うステップ
を含むことを特徴とする請求項７に記載の除膜処理方法。
【請求項９】
前記現在の所定の領域に対する除膜処理を完成した後に、前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを、他の一つの指定位置に移動させて、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、他の一つの所定の領域に対して除膜処理を、全部の前記所定の領域に対する除膜処理を完成する時まで、行うステップ
をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の除膜処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電力(Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ)技術に関し、特に、除膜処理方法、及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光起電力発電は、一種の公認されているクリーンエネルギーとして、近年では、国の政策から強力な支持を得ている。除膜光起電力アセンブリは、さらに、発電できるだけでなく、採光もできるので、建物、自動車、等と組み合わせて、即ち、建材一体型光起電力発電（ＢＩＰＶ、Ｂｕｉｌｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）、建物に付着する建物付着光起電力発電システム（ＢＡＰＶ、Ｂｕｉｌｄｉｎｇ Ａｔｔａｃｈｅｄ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）等に、幅広く利用されている。現在、薄膜太陽電池除膜の製造は、ほとんどが、レーザースクライビング方式を採用して実現しているが、即ち、レーザーを使用して一定の比率の非除膜膜層を除去して除膜効果を達成する方式を採用しているが、伝統的なレーザー除膜スクライビングは、一般的に、全部、モーターを用いてレーザーヘッドをドラッギングすることでスクライビングする方式を採用するか、或いは、レーザービームを移動させない場合にはバッテリーセルを往復運動させてスクライビングする方式を採用して実現している。ここで、これら両種の方式は、全部、機械運動能力によって制限されるため、スクライビング速度は１，０００〜２，０００ミリメートル毎秒（ｍｍ/ｓ）までしか達さない同時に、光点直径又は光点幅は一般的に５０微米（μｍ）~１００（μｍ）前後に制限されることになって、除膜速度がより低いし、一方では、伝統的なレーザー除膜スクライビングは、除膜速度を高めるために、複数のレーザーヘッドを同時に使用して加工を行っているが、レーザーヘッド毎に性能の差異があるため、互いに異なる加工領域で色差しが発生しやすい。
【発明の概要】
【０００３】
本発明の実施例は、除膜処理方法、及び装置を提供し、除膜效率を高めることができ、且つ、色差しを発生させないことができる。
【０００４】
本発明の実施例によって提供される除膜処理装置は、光学アセンブリを備え、
前記光学アセンブリは、
レーザービームを発生させるためのレーザー発生装置と、
前記レーザービームを反射させるための第１スキャンミラーと、
前記第１スキャンミラーが反射したレーザービームを反射させるための第２スキャンミラーと、
前記第２スキャンミラーが反射したレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングさせて除膜処理を行うためのフォーカシングミラーと
を備え、
前記除膜処理装置は、プロセッサー及びメモリをさらに備え、
前記メモリには指令が保存されており、
前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合、
前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを指定位置に移動し、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップを実現する。
【０００５】
オプションとして、前記レーザー発生装置のパワーは、所定のパワーより、大きいか、或いは、等しい。
【０００６】
オプションとして、前記第１スキャンミラー及び前記第２スキャンミラーは、スキャンガルバノメータである。
【０００７】
オプションとして、前記フォーカシングミラーの焦点距離は、所定の焦点距離より、大きいか、或いは、等しい。
【０００８】
オプションとして、前記薄膜太陽電池セルは、一つ或いは複数の所定の領域を含み、各前記所定の領域は、前記第１スキャンミラー及び前記第２スキャンミラーのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しいし、
前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合、
前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを指定位置に移動し、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対して除膜処理を行うステップを実現する。
【０００９】
オプションとして、前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合、
前記現在の所定の領域に対する除膜処理を完成した後に、前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを、他の一つの指定位置に移動させて、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、他の一つの所定の領域に対して除膜処理を、全部の前記所定の領域に対する除膜処理を完成する時まで、行うステップをさらに実現する。
【００１０】
本発明の実施例によって提供される除膜処理方法は、
薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、指定位置に移動させるステップと、
第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップと
を含み、
ここで、前記光学アセンブリは、レーザー発生装置、前記第１スキャンミラー、前記第２スキャンミラー、及びフォーカシングミラーを備え、レーザー発生装置が発生したレーザービームは、第１スキャンミラー、及び第２スキャンミラーによって反射され、フォーカシングミラーは反射されたレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングして除膜処理を行う。
【００１１】
オプションとして、前記除膜処理方法の前に、
薄膜太陽電池セルを、第１スキャンミラー、及び第２スキャンミラーのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しい、一つ或いは複数の所定の領域に分割するステップ
をさらに含み、
前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップは、
前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対して除膜処理を行うステップ
を含む。
【００１２】
オプションとして、
前記現在の所定の領域に対する除膜処理を完成した後に、前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを、他の一つの指定位置に移動させて、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、他の一つの所定の領域に対して除膜処理を、全部の前記所定の領域に対する除膜処理を完成する時まで、行うステップ
をさらに含む。
【００１３】
関連技術と比較すると、本発明の実施例は、光学アセンブリを備え、前記光学アセンブリは、レーザービームを発生させるためのレーザー発生装置と、前記レーザービームを反射させるための第１スキャンミラーと、前記第１スキャンミラーが反射したレーザービームを反射させるための第２スキャンミラーと、前記第２スキャンミラーが反射したレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングさせて除膜処理を行うためのフォーカシングミラーとを備え、ここで、前記薄膜太陽電池セルは、一つ或いは複数の所定の領域を含み、各前記所定の領域は、前記第１スキャンミラー及び前記第２スキャンミラーのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しいし、前記除膜処理装置は、プロセッサー及びメモリをさらに備え、前記メモリには指令が保存されており、前記指令が前記プロセッサーにより実行される場合、前記薄膜太陽電池セル、或いは、前記光学アセンブリを指定位置に移動し、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対して除膜処理を行うステップを実現する。本発明の実施例によると、一対のスキャンミラーを採用して薄膜太陽電池セルに対して行うスキャン方式の除膜処理を実現することによって、一回に加工できる面積を増加して、除膜速度を高めた上で、一つのレーザー発生装置を採用しても、除膜速度を高めることができるし、色差しが発生しないことになる。
【００１４】
オプションとする一態様において、所定のパワーより、大きいか、或いは、等しいレーザー発生装置を採用して除膜処理を行うことにより、レーザービームの光点を増大して、除膜速度をさらに高めた。
【００１５】
本発明のその他の特徴及び利点は、以下の明細書で説明し、一部的に明細書の中で明らかになるか、或いは、本発明を実施することで了解することになる。本発明の目的及びその他の利点は、明細書、特許請求の範囲、及び図面の中で特に示した構成から、実現及び取得できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
図面は、本発明の構成をさらによく理解させるために提供するものであり、明細書の一部を構成し、本願の実施例とともに本発明の構成を解釈するが、本発明の構成を制限しない。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜太陽電池の構成を示す模式図である。
【図２】伝統的な除膜処理方法を示す模式図である。
【図３】本発明の実施例に係る除膜処理装置の構成の構造を示す模式図である。
【図４】本発明の実施例に係る薄膜太陽電池セルのを示す模式図である。
【図５】本発明の実施例に係る除膜処理方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面に合わせて、本発明の実施例を詳細に説明する。衝突がないかぎり、本願中の実施例及び実施例中の特徴を互いに任意に組み合わせることができることを説明する必要がある。
【００１８】
図面のフローチャートで示すステップは、例えば、コンピュータによって実行できる一連の指令によってコンピュータシステムで実行される。また、フローチャートで論理的順序を示したが、場合によっては、示して説明したステップを、ここでの順序と異なる順序に従って、実行してもよい。
【００１９】
本発明の実施例に係る除膜処理方法を説明する前に、まず、当該方法を採用する薄膜太陽電池の構成を説明する。図１は、本発明の実施例に係る薄膜太陽電池の構成を示す模式図である。図１に示したように、薄膜太陽電池は、上方から下方に沿って、背面電極層１、光起電力薄膜層２、前面電極層３、及び透明基板４を、順次に備える。一般的に、除膜処理方法は、レーザーを使用して、背面電極層１、及び光起電力薄膜層２に対して、或いは、背面電極層１、光起電力薄膜層２、及び前面電極層に対して、選択的に、エッチング除去を行う。
【００２０】
伝統的な除膜処理方法は、図２に示したように、薄膜太陽電池セル２００上には、既に、Ｘ軸に平行する電池構成レチクル２２１が形成されており、当該電池構成レチクル２２１は、薄膜太陽電池セル２００上の固有のレチクルであり、レーザー発生装置２１０を用いて除膜処理を行うことで形成させる必要がない。
【００２１】
しかし、薄膜太陽電池セル２００上のＹ軸に平行する除膜レチクル２２０は、レーザー発生装置２１０を採用して、除膜処理を行うことで形成させる必要があり、具体的な除膜処理方法は、大体的に、以下のようである。
【００２２】
レーザー発生装置２１０はＺ軸上の一位置上に固定され、レーザー発生装置２１０により発生させたレーザービーム２１１は、フォーカシングミラー２１２を介して固定方向に沿って出射される。薄膜太陽電池セル２００は、ＸＯＹ平面と平行する平台上につかんで挟まれ、当該平台は、Ｙ軸の機械運動によって薄膜太陽電池セル２００をドラッギングして、Ｙ軸に平行する方向に沿って、薄膜太陽電池セル２００を運動させることにより、Ｙ軸に平行する除膜レチクル２２０を形成し、一つの完全なＹ軸に平行する除膜レチクル２２０を形成した後に、もし、他の一つのＹ軸に平行する除膜レチクル２２０を形成する必要があると、Ｘ軸の機械運動によって平台をドラッギングして、薄膜太陽電池セル２００をステッピングさせることにより、他の一つのＹ軸に平行する除膜レチクル２２０を形成する必要がある。
【００２３】
伝統的な除膜処理方法は、機械運動能力によって制限されて、スクライビング速度は１０００~２０００ ｍｍ/sにしか達さないし、光点直径又は光点幅は一般的に５０μｍ~１００μｍ前後に制限されるため、除膜速度がより低い。その一方、伝統的なレーザー除膜スクライビングは、除膜速度を高めるために、複数のレーザーヘッドを使用して同時に加工を行うが、レーザー毎の性能に差異があるため、互いに異なる加工領域で色差しが発生し易い。
【００２４】
図３を参照すると、本発明の実施例によって提供される除膜処理装置は、光学アセンブリを備える。
【００２５】
ここで、光学アセンブリは、
レーザービームを発生させるためのレーザー発生装置３１０と、
レーザービームを反射させるための第１スキャンミラー３１２ａと、
第１スキャンミラー３１２ａが反射したレーザービームを反射させるための第２スキャンミラー３１２ｂと、
第２スキャンミラー３１２ｂが反射したレーザービームを薄膜太陽電池セル３００上にフォーカシングさせて除膜処理を行うためのフォーカシングミラー３１３とを備える。
【００２６】
オプションとする一実施例において、レーザー発生装置３１０のパワーは、所定のパワーより、大きいか、或いは、等しい。例えば、レーザー発生装置３１０のパワーは、何十Ｗから何百Ｗである。例えば、パワーが１００Ｗ、波長が５３２ナノメートル（ｎｍ）であるグリーンレーザー発生装置を採用する。
【００２７】
より大きいパワーのレーザー発生装置を採用して除膜処理を行うことで、レーザービームの光点を増大させて、除膜速度をさらに高めた。
【００２８】
オプションとする一実施例において、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂは、スキャンガルバノメータである。
【００２９】
オプションとする一実施例において、フォーカシングミラー３１３の焦点距離は、所定の焦点距離より、大きいか、あるいは、等しい。例えば、フォーカシングミラー３１３の焦点距離は８２５ミリメートル（ｍｍ）であり、例えば、モデル番号がＦ８２５であるフォーカシングミラーである。
【００３０】
上述除膜処理装置は、プロセッサー及びメモリをさらに備え、メモリには指令が保存されており、指令がプロセッサーにより実行される場合、
薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、太陽電池セル３００に対して除膜処理を行う。
【００３１】
ここで、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂは一定のスキャン範囲を有するため、除膜処理を行う際に、一回毎の加工面積が当該スキャン範囲より大きいと駄目であるため、薄膜太陽電池セル３００が、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しいと、薄膜太陽電池セル３００に対して分割を行う必要がなく、もし、当薄膜太陽電池セル３００が、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂのスキャン範囲より大きいと、薄膜太陽電池セル３００を、二つの或いは二つの以上の所定の領域に分割した後、所定の領域に対して、それぞれ、除膜処理を行う必要があり、即ち、１番目の所定の領域に対して除膜処理を行って完成した後に、２番目の所定の領域に対して除膜処理をを行って完成した後に、３番目の所定の領域に対して除膜処理を行って、・・・、このようにして、全部の所定の領域に対する除膜処理を完成する。
【００３２】
以下、各所定の領域に対して除膜処理を行う方法を説明する。
【００３３】
まず、太陽電池セル３００に対して除膜処理を行う場合、除膜のパターンは任意のパターンであってもよく、例えば、除膜のパターンは、斑点であってもよいし、レチクルであってもよいし、その他のパターンであってもよく、本発明の実施例においてはこれに対して制限しない。
【００３４】
以下、除膜のパターンがレチクルである例を挙げて説明する。
【００３５】
レーザービーム３１１の移動過程中にレチクルを形成しようとすると、任意の隣接する二つの光点の間の重複率が、所定の閾値より、大きいか、あるいは、等しい条件を満たす必要がある。もし、隣接する二つの光点の間の重複率が所定の閾値より小さいと、二つの互いに独立した光スポットが形成されることになる。
【００３６】
ここで、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、指定位置に移動させる場合、当該指定位置は、少なくとも、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対する除膜処理を完成できるようにしなければならないし、当該指定位置は任意の位置であってもよく、現在の所定の領域に対する除膜処理を完成できる位置であればよい。例えば、図３で、もし、Ｙ軸に平行する除膜レチクル３２０を実現しようとすると、まず、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂをゼロ位置に調整した後、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、レーザービームを所定の領域の左上角にフォーカシングさせ、次に、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂが回転するように制御してもよい。
【００３７】
図４に示したように、薄膜太陽電池セルが、それぞれ、所定の領域４２０ａ、所定の領域４２０ｂ及び所定の領域４２０ｃのような三つの所定の領域を含んでいると仮定する。現在、所定の領域４２０ａ、所定の領域４２０ｂ及び所定の領域４２０ｃ内に、それぞれ、１０個のＹ軸に平行する除膜レチクル３２０をスクライビングする必要があると、まず、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂをゼロ位置に調整した後に、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、レーザービームを所定の領域４２０ａの１番目の除膜レチクル３２０の上端にフォーカシングさせ、次に、第１スキャンミラー３１２ａが動かないように維持するよう制御し、第２スキャンミラー３１２ｂが回転するように制御することにより、レーザービームが１番目の除膜レチクル３２０の上端から下端まで順次に移動するようにして、１番目の除膜レチクル３２０に対する除膜処理を完成した後、レーザー発生装置３１０をオフにし、第２スキャンミラー３１２ｂが動かないように維持するよう制御し、第１スキャンミラー３１２ａが回転するように制御することにより、レーザービームが２番目の除膜レチクル３２０の下端に移動させた後、レーザー発生装置３１０をオンにし、第１スキャンミラー３１２ａが動かないように維持するよう制御し、第２スキャンミラー３１２ｂが回転するように制御することにより、レーザービームが２番目の除膜レチクル３２０の下端から上端まで順次に移動するようにして、２番目の除膜レチクル３２０に対する除膜処理を完成し、・・・、このようにして、所定の領域４２０ａ内の１０個の除膜レチクル３２０に対する除膜処理を完成させる。
【００３８】
オプションとする一実施例において、指令がプロセッサーによって実行されることにより、
薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の領域に対する除膜処理を行うステップを実現する。
【００３９】
オプションとする一実施例において、指令がプロセッサーによって実行される場合、
現在の所定の領域に対する除膜処理を完成した後に、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、他の一つの指定位置に移動させて、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、他の一つの所定の領域に対して除膜処理を、全部の所定の領域に対する除膜処理を完成する時まで、行うステップをさらに実現する。
【００４０】
本発明の実施例によると、一対のスキャンミラーを採用して薄膜太陽電池セルに対して行うスキャン方式の除膜処理を実現することによって、一回に加工できる面積を増加して、除膜速度を高めた上で、一つのレーザー発生装置を採用しても、除膜速度を高めることができるし、色差しが発生しないことになる。
【００４１】
例えば、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂのスキャン範囲が０×０ミリメートル（ｍｍ）から１５００×１５００ｍｍであり、スクライビング速度が１５０００ミリメートル毎秒（ｍｍ/s）であり、光点幅又は直径が１ｍｍである除膜処理を行う際に、除膜速度が１５０００平方ミリメートル毎秒（ｍｍ2/s）に達することができるが、伝統的な除膜処理方法では、光点直径が１００μｍであり、スクライビング速度が１５００ｍｍ/sであり、除膜速度が１５０ ｍｍ2/sであるため、本発明の実施例に係る除膜処理方法は、伝統的な除膜処理方法より、１００倍以上速い。
【００４２】
なお、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂを使用して任意の図形によってパターン、テキスト、及び散布マーキングが実現でき、薄膜太陽電池セル３００上にパターン、テキスト、等を形成することは、伝統的な除膜処理方法では実現することが難しい。
【００４３】
最後に、より大きいパワーのレーザー発生装置を使用すると、除膜速度が速いため、一つのレーザーヘッドを使用しても、除膜レチクルをはやく完成でき、色差し問題が発生しなくなる。
【００４４】
図５を参照すると、本発明の実施例によって提出する除膜処理方法は、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂが一定のスキャン範囲を有するため、除膜処理を行う際に、一回毎の加工面積が当該スキャン範囲より大きくなっては駄目であるため、薄膜太陽電池セル３００が第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂのスキャン範囲より、小さいか、或いは、等しいと、薄膜太陽電池セル３００に対して分割を行う必要がなく、もし、薄膜太陽電池セル３００が第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂのスキャン範囲より大きいと、薄膜太陽電池セル３００を、二つの或いは二つの以上の所定の領域に分割した後、所定の領域に対して、それぞれ、除膜処理を行う必要があり、即ち、１番目の所定の領域に対して除膜処理を行って完成した後に、２番目の所定の領域に対して除膜処理をを行って完成した後に、３番目の所定の領域に対して除膜処理を行う、・・・、このようにして、全部の所定の領域に対する除膜処理を完成する。
【００４５】
当該方法は、
薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、指定位置に移動させるステップ５００を含む。
【００４６】
本実施例において、光学アセンブリは、レーザー発生装置、第１スキャンミラー、第２スキャンミラー、及びフォーカシングミラーを備え、レーザー発生装置が発生したレーザービームは、第１スキャンミラー、及び第２スキャンミラーによって反射され、フォーカシングミラーは反射されたレーザービームを薄膜太陽電池セル上にフォーカシングして除膜処理を行う。
【００４７】
ここで、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、指定位置に移動させる場合、当該指定位置は、少なくとも、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対する除膜処理を完成できるようにしなければならないし、当該指定位置は任意の位置であってもよく、現在の所定の領域に対する除膜処理を完成できる位置であればよい。例えば、図３で、もし、Ｙ軸に平行する除膜レチクル３２０を実現しようとすると、まず、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂをゼロ位置に調整した後、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、レーザービームを所定の領域の左上角にフォーカシングさせ、次に、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂが回転するように制御してもよい。
【００４８】
ステップ５０１において、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の所定の領域に対して除膜処理を行う。
【００４９】
以下、各所定の領域に対して除膜処理を行う方法を詳細に説明する。
【００５０】
まず、太陽電池セル３００に対して除膜処理を行う際に、除膜のパターンは任意のパターンであってもよく、例えば、除膜のパターンは、斑点であってもよいし、レチクルであってもよいし、他のパターンであってもよく、本発明の実施例においてはこれに対して制限しない。
【００５１】
以下、除膜のパターンがレチクルである例を挙げて説明する。
【００５２】
レーザービーム３１１の移動過程中にレチクルを形成しようとすると、任意の隣接する二つの光点の間の重複率が、所定の閾値より、大きいか、あるいは、等しいとの条件を満たす必要がある。もし、隣接する二つの光点の間の重複率が所定の閾値より小さいと、二つの互いに独立した光スポットが形成されることになる。
【００５３】
図４に示したように、薄膜太陽電池セルが、それぞれ、所定の領域４２０ａ、所定の領域４２０ｂ及び所定の領域４２０ｃのような三つの所定の領域を含んでいると仮定する。現在、所定の領域４２０ａ、所定の領域４２０ｂ及び所定の領域４２０ｃ内に、それぞれ、１０個のＹ軸に平行する除膜レチクル３２０をスクライビングする必要があると、まず、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂをゼロ位置に調整した後に、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを指定位置に移動し、レーザービームを所定の領域４２０ａの１番目の除膜レチクル３２０の上端にフォーカシングさせ、次に、第１スキャンミラー３１２ａが動かないように維持するよう制御し、第２スキャンミラー３１２ｂが回転するように制御することにより、レーザービームが１番目の除膜レチクル３２０の上端から下端まで順次に移動するようにして、１番目の除膜レチクル３２０に対する除膜処理を完成した後、レーザー発生装置３１０をオフにし、第２スキャンミラー３１２ｂが動かないように維持するよう制御し、第１スキャンミラー３１２ａが回転するように制御することにより、レーザービームが２番目の除膜レチクル３２０の下端に移動させた後、レーザー発生装置３１０をオンにし、第１スキャンミラー３１２ａが動かないように維持するよう制御し、第２スキャンミラー３１２ｂが回転するように制御することにより、レーザービームが２番目の除膜レチクル３２０の下端から上端まで順次に移動するようにして、２番目の除膜レチクル３２０に対する除膜処理を完成し、・・・、このようにして、所定の領域４２０ａ内の１０個の除膜レチクル３２０に対する除膜処理を完成させる。
【００５４】
オプションとする一実施例において、前記第１スキャンミラー、及び/或は、前記第２スキャンミラーが回転するように制御して、薄膜太陽電池セルに対して除膜処理を行うステップは、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、現在の領域に対して除膜処理を行うステップを含む。
【００５５】
オプションとする一実施例において、当該方法は、
現在の所定の領域に対する除膜処理を完成した後に、薄膜太陽電池セル、或いは、光学アセンブリを、他の一つの指定位置に移動させて、第１スキャンミラー、及び/或は、第２スキャンミラーが回転するように制御して、他の一つの所定の領域に対して除膜処理を、全部の所定の領域に対する除膜処理を完成する時まで、行うステップをさらに含む。
【００５６】
本発明の実施例によると、一対のスキャンミラーを採用して薄膜太陽電池セルに対して行うスキャン方式の除膜処理を実現することによって、一回に加工できる面積を増加して、除膜速度を高めた上で、一つのレーザー発生装置を採用しても、除膜速度を高めることができるし、色差しが発生しないことになる。
【００５７】
例えば、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂのスキャン範囲が０×０ミリメートル（ｍｍ）から１５００×１５００ｍｍであり、スクライビング速度が１５０００ミリメートル毎秒（ｍｍ/s）であり、光点幅又は直径が１ｍｍである除膜処理を行う際に、除膜速度が１５０００平方ミリメートル毎秒（ｍｍ2/s）に達することができるが、伝統的な除膜処理方法では、光点直径が１００μｍであり、スクライビング速度が１５００ｍｍ/sであり、除膜速度が１５０ ｍｍ2/sであるため、本発明の実施例に係る除膜処理方法は、伝統的な除膜処理方法より、１００倍以上速い。
【００５８】
なお、第１スキャンミラー３１２ａ及び第２スキャンミラー３１２ｂを使用して任意の図形によってパターン、テキスト、及び散布マーキングが実現でき、薄膜太陽電池セル３００上にパターン、テキスト、等を形成することは、伝統的な除膜処理方法では実現することが難しい。
【００５９】
最後に、より大きいパワーのレーザー発生装置を使用すると、除膜速度が速いため、一つのレーザーヘッドを使用しても、除膜レチクルをはやく完成でき、色差し問題が  発生しなくなる。
【００６０】
本発明で開示した実施の態様は前記のようであるが、前記の内容は、ただ、本発明をよく理解させるために採用した実施の態様であり、本発明を制限するためのものではない。本発明が属する分野のいかなる技術者は、本発明に開示した精神及び範囲を脱離しない前提で、実施の態様及び細部に対していかなる変更及び変化を実現できるが、本発明の特許の保護範囲は、添付した特許請求の範囲で定義した範囲を基準としなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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