(57)【要約】【課題】放射線画像の先鋭性を向上させることが可能な放射線撮影装置を提供する。【解決手段】基板１１１の一方の面側に設けられ、入射した放射線２０１を光に変換する第１のシンチレータ１５０と、基板１１１の他方の面側に設けられ、放射線２０１を光に変換する第２のシンチレータ１６０と、第１のシンチレータ１５０と基板１１１との間に複数の第１の画素ｐ１及び複数の第２の画素ｐ２を含み構成されており、少なくとも第１の画素ｐ１が第２のシンチレータ１６０で変換された光を遮光する撮像部１１２と、基板１１１内に設けられ、基板１１１とは屈折率が異なる層１１３を備える。【選択図】図２
2019095289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面側に設けられ、入射した放射線を光に変換する第１のシンチレータと、
前記基板の他方の面側に設けられ、前記放射線を光に変換する第２のシンチレータと、
前記第１のシンチレータと前記基板との間に複数の第１の画素および複数の第２の画素を含み構成されており、少なくとも前記第１の画素が前記第１のシンチレータで変換された光または前記第２のシンチレータで変換された光を遮光する撮像部と、
前記基板内に設けられ、前記基板とは屈折率が異なる層と、
を有することを特徴とする放射線撮影装置。
【請求項２】
前記第２の画素は、前記第１のシンチレータで変換された光および前記第２のシンチレータで変換された光を受光することを特徴とする請求項１に記載の放射線撮影装置。
【請求項３】
前記第１の画素は、前記第１のシンチレータで変換された光を受光し、前記第２のシンチレータで変換された光を遮光することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮影装置。
【請求項４】
前記第１の画素は、前記第２のシンチレータが配置されている側に、前記第２のシンチレータで変換された光を遮光する遮光層を含み構成されていることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮影装置。
【請求項５】
前記放射線が入射する側から見た際に、前記屈折率の異なる層は、前記遮光層の下方に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮影装置。
【請求項６】
前記放射線が入射する側から見た際に、前記屈折率の異なる層は、前記第１の画素と前記第２の画素との間の領域に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
【請求項７】
前記屈折率の異なる層の形状は、前記放射線が入射する方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
【請求項８】
前記複数の第１の画素によって得られた第１の画像データと前記複数の第２の画素によって得られた第２の画像データとを用いて、エネルギーサブトラクション処理を行う処理部を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を用いた撮影を行う放射線撮影装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
放射線撮影装置の中には、同一の被写体について２つの画像データを取得し、それらの差分に基づいて１つの放射線画像を形成する処理を可能にするものがある。具体的には、２つの画像データは互いに異なる放射線量の下で取得され、例えば所定の係数を用いてそれらの差分をとることにより所望の対象部位を観察することができ、また、例えば係数を変えることにより観察対象を変更（例えば臓器から骨に変更）することができる。このような画像処理は、エネルギーサブトラクション処理等と称される。
【０００３】
このような画像処理に供する２つの画像データを取得可能な放射線撮影装置として、例えば、特許文献１に記載の装置が挙げられる。具体的に、特許文献１に記載の装置は、光透過性を有する基板と、基板の一方の面側に画素のアレイが設けられた撮像部と、撮像部を間に挟んで対向して配置された２つのシンチレータを具備する構造となっている。そして、特許文献１では、２つのシンチレータにおいて放射線から変換された光を撮像部で受光することにより、２つの画像データを一度に取得することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−５６３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構造では、基板の他方の面側に配置されたシンチレータで発光した光が基板中を画素に向かって伝搬する過程で拡散してしまい、その結果、放射線画像の先鋭性が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、放射線画像の先鋭性を向上させることが可能な放射線撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の放射線撮影装置は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられ、入射した放射線を光に変換する第１のシンチレータと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記放射線を光に変換する第２のシンチレータと、前記第１のシンチレータと前記基板との間に複数の第１の画素および複数の第２の画素を含み構成されており、少なくとも前記第１の画素が前記第１のシンチレータで変換された光または前記第２のシンチレータで変換された光を遮光する撮像部と、前記基板内に設けられ、前記基板とは屈折率が異なる層と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、放射線画像の先鋭性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】参考例に係る放射線撮影装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る放射線撮影装置の概略構成の一例を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部の画素配置及び屈折率の異なる層の配置を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す屈折率の異なる層の形状を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部の画素配置及び屈折率の異なる層の配置を説明するための図である。
【図６】本発明の第３の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部の画素配置及び屈折率の異なる層の配置を説明するための図である。
【図７】本発明の第４の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部の画素配置及び屈折率の異なる層の配置を説明するための図である。
【図８】本発明の第５の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部の画素配置及び屈折率の異なる層の配置を説明するための図である。
【図９】本発明の第６の実施形態を示し、上述した第１〜第５の実施形態に係る放射線撮影装置のうちのいずれかの放射線撮影装置を含む放射線撮影システムの概略構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（実施形態）について説明する。
【００１１】
まず、本発明の各実施形態の説明する前に、本発明の理解を容易にするため、参考例について説明を行う。
【００１２】
図１は、参考例に係る放射線撮影装置Ｒの概略構成の一例を示す図である。具体的に、図１（ａ）は、参考例に係る放射線撮影装置Ｒを上面から見た図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ｂ断面を見た図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示す点線領域２０２を拡大した図である。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、参考例に係る放射線撮影装置Ｒは、基板１１１及び撮像部１１２からなるセンサパネル１１０と、センサパネル１１０を間に挟んで対向して配置された２つのシンチレータ１５０及び１６０を有して構成されている。
【００１４】
撮像部１１２は、アモルファスシリコン等を用いて、基板１１１の一方の面（放射線２０１が入射する側の面）上に設けられている。図１（ｂ）に示す方向から放射線２０１が入射した場合、基板１１１の一方の面側に設けられた第１のシンチレータ１５０、及び、センサパネル１１０は、表面照射型の構成を有する。具体的に、基板１１１の一方の面側には、図１（ｂ）及び図１（ａ）に示すように、上述したセンサパネル１１０及び第１のシンチレータ１５０に加えて、撮像部１１２を覆うように設けられた保護膜１２０、保護膜１２０及び第１のシンチレータ１５０を覆う保護膜１３０、撮像部１１２に接続された複数の配線部１４０を更に有して構成されている。
【００１５】
また、図１（ｂ）に示す方向から放射線２０１が入射した場合、基板１１１の他方の面側（放射線２０１が入射する面とは反対の面側）に設けられた第２のシンチレータ１６０、及び、センサパネル１１０は、裏面照射型の構成を有する。具体的に、基板１１１の他方の面側には、図１（ｂ）に示すように、上述した第２のシンチレータ１６０に加えて、第２のシンチレータ１６０及び基板１１１の他方の面を覆う保護膜１７０を更に有して構成されている。
【００１６】
続いて、図１（ｃ）の説明を行う。図１（ｃ）に示すように、撮像部１１２は、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１と、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２とをそれぞれ複数有して構成されている。この際、第１の画素ｐ１は、第２のシンチレータ１６０で発光した光を遮光層１１２２で遮光し、第１のシンチレータ１５０で発光した光のみを受光する。一方、第２の画素ｐ２は、第１のシンチレータ１５０で発光した光と第２のシンチレータ１６０で発光した光との両方の光を受光する。
【００１７】
この際、図１（ｃ）に示すように、第２のシンチレータ１６０で発光した光は、基板１１１中を伝搬する過程で拡散し、発光した位置からずれた画素に入射することが想定される。そして、第２のシンチレータ１６０で発光した光が発光した位置からずれた画素に入射すると、第２の画素ｐ２から得られる画像データに基づく放射線画像の先鋭性及び解像度が低下するという不具合が生じてしまう。そして、更に、例えば第１の画素ｐ１によって得られた第１の画像データと第２の画素ｐ２によって得られた第２の画像データとを用いて、エネルギーサブトラクション処理を行う場合には、適切な放射線画像（エネルギーサブトラクション画像）を取得することが困難となる。
【００１８】
この点に鑑みて、本発明者は、以下に記載する本発明の実施形態を想到した。
【００１９】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。
【００２０】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の概略構成の一例を示す図である。具体的に、図２（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００を上面から見た図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すＡ−Ｂ断面を見た図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示す点線領域２０３を拡大した図である。なお、図２において、図１に示す構成と対応する構成については同じ符号を付している。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、センサパネル１１０と、センサパネル１１０を間に挟んで対向して配置された２つのシンチレータ１５０及び１６０を有して構成されている。具体的に、本実施形態においては、センサパネル１１０は、図２（ｂ）に示すように、基板１１１、撮像部１１２、及び、基板１１１とは屈折率が異なる層１１３を含み構成されている。本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、屈折率が異なる層１１３を基板内に設けている点で、図１に示す参考例に係る放射線撮影装置Ｒと異なっている。
【００２２】
基板１１１は、本実施形態においては光透過性を有するガラス基板を用いる。なお、本発明においては、基板１１１は、このガラス基板に限定されるものではなく、例えばプラスチック基板を用いてもよく、さらに、公知の絶縁材料で構成されていてもよい。
【００２３】
第１のシンチレータ１５０は、入射した放射線２０１のうち、例えば低エネルギーの放射線を光に変換する。また、第２のシンチレータ１６０は、入射した放射線２０１のうち、例えば第１のシンチレータ１５０を透過した高エネルギーの放射線を光に変換する。この第１のシンチレータ１５０及び第２のシンチレータ１６０は、放射線を受けて光を発生する蛍光体材料を用いて構成されている。典型的な例として、第１のシンチレータ１５０及び第２のシンチレータ１６０としては、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム添加ヨウ化セシウム）、或いは、テルビウムが微量添加された硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）に代表される粒子状のシンチレータが用いられる。
【００２４】
撮像部１１２は、アモルファスシリコン等を用いて、基板１１１の一方の面（放射線２０１が入射する側の面）上に設けられている。図２（ｂ）に示す方向から放射線２０１が入射した場合、基板１１１の一方の面側に設けられた第１のシンチレータ１５０、及び、センサパネル１１０は、表面照射型の構成を有する。具体的に、基板１１１の一方の面側には、図２（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、上述したセンサパネル１１０及び第１のシンチレータ１５０に加えて、撮像部１１２を覆うように設けられた保護膜１２０、保護膜１２０及び第１のシンチレータ１５０を覆う保護膜１３０、撮像部１１２に接続された複数の配線部１４０を更に有して構成されている。さらに、図２（ａ）に示すように、本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、駆動部１８１、読出部１８２及びエネルギーサブトラクション処理部１８３を含む制御・処理部１８０を有して構成されている。制御・処理部１８０は、本実施形態に係る放射線撮影装置１００の動作を統括的に制御するとともに、各種の処理を行う。また、駆動部１８１、読出部１８２及びエネルギーサブトラクション処理部１８３については後述する。
【００２５】
また、図２（ｂ）に示す方向から放射線２０１が入射した場合、基板１１１の他方の面側（放射線２０１が入射する面とは反対の面側）に設けられた第２のシンチレータ１６０、及び、センサパネル１１０は、裏面照射型の構成を有する。具体的に、基板１１１の他方の面側には、図２（ｂ）に示すように、上述した第２のシンチレータ１６０に加えて、第２のシンチレータ１６０及び基板１１１の他方の面を覆う保護膜１７０を更に有して構成されている。
【００２６】
図２（ｂ）に示す保護膜１２０には、センサパネル１１０の上面を保護するのに有利であり且つ光透過性を有する材料が用いられる。これにより、第１のシンチレータ１５０で発生した光は、保護膜１２０を透過して撮像部１１２に入射する。典型的な例として、保護膜１２０としては、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、パラキシリレンやアクリル等の有機物質を含む樹脂等が用いられる。
【００２７】
また、図２（ｂ）に示す保護膜１３０及び保護膜１７０は、それぞれ第１のシンチレータ１５０及び第２のシンチレータ１６０の潮解を防止するのに有利であり且つ光反射性を有する材料が用いられる。これにより、保護膜１３０は、第１のシンチレータ１５０で発生した光を撮像部１１２に向けて反射し、また、保護膜１７０は、第２のシンチレータ１６０で発生した光を撮像部１１２に向けて反射する。典型的な例として、保護膜１３０及び保護膜１７０としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ等の金属薄膜に樹脂のフィルムを貼り合わせたものが用いられる。この際、樹脂の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、アクリル等が用いられる。また、保護膜１３０及び保護膜１７０は、ラミネート加工により、それぞれ、第１のシンチレータ１５０及び第２のシンチレータ１６０の上面と側面とを覆うように形成される。また、保護膜１３０及び保護膜１７０は、更に接着層を含み、この接着層には、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系のホットメルト樹脂が用いられる。この接着層により、保護膜１３０及び保護膜１７０は、それぞれ、端部において圧着で固定されている。
【００２８】
また、図２（ｂ）に示す複数の配線部１４０は、センサパネル１１０の端部に接続されている。本実施形態においては、配線部１４０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ））を用いる。なお、本発明においては、配線部１４０は、このＣＯＦに限定されるものではなく、例えば、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）やＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）等の他の可撓性の配線を用いてもよい。また、センサパネル１１０と複数の配線部１４０とは、例えば電極パッド等の接続部を介して接続される形態でもよい。この形態の場合、配線部１４０は、接続部に固定され、撮像部１１２との間での信号の授受や撮像部１１２への電力供給を可能に構成される。
【００２９】
続いて、図２（ｃ）の説明を行う。図２（ｃ）に示すように、撮像部１１２は、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１と、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２とをそれぞれ複数有して構成されている。この際、第１の画素ｐ１は、第２のシンチレータ１６０で発光した光を第２のシンチレータが配置されている側に設けられている遮光層１１２２で遮光し、第１のシンチレータ１５０で発光した光のみを受光する。一方、第２の画素ｐ２は、第１のシンチレータ１５０で発光した光と第２のシンチレータ１６０で発光した光との両方の光を受光する。
【００３０】
受光素子１１２１は、基板１１１上に行列状に（複数の行及び複数の列を形成するように）配置された光電変換素子と当該光電変換素子で得られた電荷信号を出力するスイッチ素子を含み構成されている。ここで、本実施形態の撮像部１１２は、入射した放射線２０１が第１のシンチレータ１５０及び／又は第２のシンチレータ１６０で変換された光を電荷信号に変換することにより、放射線２０１を検出する間接変換方式で放射線撮影を行うものである。受光素子１１２１は、本実施形態においてはＰＩＮ型センサを用いる。なお、本発明においては、受光素子１１２１は、このＰＩＮ型センサに限定されるものではなく、例えばＭＩＳ型センサ等の公知のセンサを用いてもよく、さらに、基板１１１上に１つ以上のＣＣＤ／ＣＭＯＳイメージセンサチップを用いて構成されていてもよい。
【００３１】
また、図２（ａ）に示す駆動部１８１は、図２（ｃ）に示す複数の第１の画素ｐ１及び複数の第２の画素ｐ２を駆動するための垂直走査回路等の駆動部である。また、図２（ａ）に示す読出部１８２は、図２（ｃ）に示す複数の第１の画素ｐ１及び複数の第２の画素ｐ２から電気信号（電荷信号）を読み出すための信号増幅器、サンプリング回路及び水平走査回路等を含み構成される読出部である。また、図２（ａ）に示す駆動部１８１及び読出部１８２は、配線部１４０を介して基板１１１の外部に設けられている。上述したように、本実施形態では、配線部１４０にＣＯＦを用いているため、駆動部１８１及び読出部１８２の一方または双方は、配線部１４０にそれぞれ設けられ、または、それらの機能の一部もしくは全部が配線部１４０上で実現され得る。
【００３２】
また、図２（ａ）に示すエネルギーサブトラクション処理部１８３は、図２（ｃ）に示す複数の第１の画素ｐ１によって得られた第１の画像データと複数の第２の画素ｐ２によって得られた第２の画像データとを用いて、エネルギーサブトラクション処理を行う。図２（ｃ）に示す構成によれば、複数の第１の画素ｐ１から得られる画像データと、複数の第２の画素ｐ２から得られる画像データとの間には、データ値（信号値）に差が生じる。このため、本実施形態では、エネルギーサブトラクション処理部１８３において、これらの２つの画像データを用いて、エネルギーサブトラクション処理を行うことが可能である。具体的に、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、これら２つの画像データに対して、例えば所定の係数を用いてそれらの差分をとることにより所望の対象部位を観察でき、また、例えば係数を変えることにより観察対象を他の部位に変更できる。
【００３３】
なお、本実施形態における第２の画素ｐ２は、第１のシンチレータ１５０及び第２のシンチレータ１６０で発光した光を受光するものであるが、本発明においてはこの形態に限定されるものではない。例えば、第２の画素ｐ２として、第１のシンチレータ１５０が配置されている側に遮光層１１２２を設けて第１のシンチレータ１５０で発光した光を当該遮光層１１２２で遮光し、第２のシンチレータ１６０で発光した光のみを受光する形態も、本発明に適用可能である。
【００３４】
また、本実施形態における第１の画素ｐ１は、第２のシンチレータ１６０で発光した光を遮光し、第１のシンチレータ１５０で発光した光を受光するものであるが、本発明においてはこの形態に限定されるものではない。例えば、第１の画素ｐ１として、逆に、第１のシンチレータ１５０が配置されている側に遮光層１１２２を設けて第１のシンチレータ１５０で発光した光を当該遮光層１１２２で遮光し、第２のシンチレータ１６０で発光した光のみを受光する形態も、本発明に適用可能である。
【００３５】
次に、図２（ｃ）に示す屈折率が異なる層１１３について説明する。本実施形態では、図２（ｃ）に示すように、基板１１１内に基板１１１とは屈折率が異なる層１１３を設けることにより、第２のシンチレータ１６０で発光した一部の光が屈折率の異なる層１１３の界面で反射し、当該光の他の画素への拡散を抑制している。図２（ｃ）の場合、導波路としての屈折率が異なる層１１３を設けることで、第２のシンチレータ１６０で発生した光（更には第１のシンチレータ１５０で発生した光）に基づき第２の画素ｐ２で取得される放射線画像の先鋭性及び解像度を向上させることができる。さらに、エネルギーサブトラクション処理部１８３によって得られるエネルギーサブトラクション画像についても、先鋭性及び解像度が高い適切な放射線画像を取得することができる。
【００３６】
なお、屈折率の異なる層１１３は、基板１１１と屈折率が異なるものであればよい。また、図２（ｃ）に示す例では、放射線２０１が入射する側から見た際に、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２の下方に設けられている。なお、本発明においては、屈折率の異なる層１１３は、隣接画素へ光の侵入を抑制できるのであれば、放射線２０１が入射する側から見た際に、例えば第１の画素ｐ１と第２の画素ｐ２との間の領域に設けられていてもよい。また、屈折率の異なる層１１３の形成方法としては、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工のいずれかによって基板１１１を削り、その後、当該削った部分に基板１１１とは屈折率の異なる材料を充填する形態を採り得る。
【００３７】
また、本実施形態では、屈折率の異なる層１１３に応力が集中するため、センサパネル１１０の強度の低下が懸念される。このため、放射線撮影装置１００の製造過程で最も強い応力が発生する場合から、屈折率の異なる層１１３のサイズを考える。ここで、応力が発生する場合とは、センサパネル１１０を２点以上の支持で支えるときである。そして、放射線撮影装置１００の製造過程においては、第１のシンチレータ１５０、保護膜１２０及び１３０を設置した後にセンサパネル１１０の両端２点を支持するとき、センサパネル１１０の中央でその応力は最大となる。
【００３８】
このとき、センサパネル１１０の中央での最大応力Ｍｍａｘは、基板１１１の幅をＷ［ｍ］、基板１１１の長さをＬ［ｍ］、基板１１１の厚さをｔ［ｍ］、基板１１１の密度をρ［ｋｇ／ｍ3］、第１のシンチレータ１５０、保護膜１２０及び１３０の合計重量をＳ［ｋｇ］とすると、以下の（１）式で表される。
【００３９】
【数１】
2019095289.tif 000003
【００４０】
さらに、屈折率の異なる層１１３には応力が集中する。図２（ｃ）に示すように、屈折率の異なる層１１３について、長軸を２ａとし短軸を２ｂとする楕円で近似する場合、最大応力の発生する楕円長軸縁Ｏでの応力集中係数Ｋは、以下の（２）式で表される。
【００４１】
【数２】
2019095289.tif 000004
【００４２】
また、基板１１１の曲げ強度をＡとし、楕円長軸縁Ｏで発生する最大応力によって基板１１１の破壊されない条件は、以下の（３）式となる。
【００４３】
【数３】
2019095289.tif 000005
【００４４】
以上のように、屈折率の異なる層１１３の深さは、（３）式を満たすように形成することが好ましい。このとき、図２（ｃ）に示す深さａの下限は、飽くまで光の反射を利用した導波路が基板１１１に形成されることを意味し、単純な基板１１１の持つ凹凸や、ブラスト処理によってできる凹凸は含まれないものとする。
【００４５】
図３は、本発明の第１の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部１１２の画素配置及び屈折率の異なる層１１３の配置を説明するための図である。
【００４６】
まず、図３（ａ）を用いて、本実施形態における撮像部１１２の画素配置の一例について説明する。具体的に、図３（ａ）は、図２（ｃ）に示す基板１１１側から撮像部１１２を見た際の画素配置の一例を示している。図３（ａ）において、中間色のハッチを付した四角で示された画素が、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１を示している。また、図３（ａ）において、白色を付した四角で示された画素が、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２を示している。図３（ａ）では、行方向及び列方向において１画素おきに交互に、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１が配置されている。
【００４７】
続いて、図３（ｂ）及び図３（ｃ）を用いて、本実施形態における屈折率の異なる層１１３の配置の一例について説明する。具体的に、図３（ｂ）は、図２（ｃ）に示す撮像部１１２側から基板１１１の方向を見た際に、屈折率の異なる層１１３の形成領域１１１２を示す図である。図３（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２における基板１１１の他方の面への射影領域１１１１を除く領域１１１２に形成される。図３（ｃ）は、図３（ａ）に示す撮像部１１２の画素配置と、図３（ｂ）に示す屈折率の異なる層１１３の配置との位置関係を示す図である。この際、図３（ｃ）の上下方向は、図２（ｃ）の上下方向に対応している。この図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示す例では、放射線２０１が入射する側（図３（ｃ）の上側）から見た際に、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２の下方に設けられ、且つ、第１の画素ｐ１と第２の画素ｐ２との間の領域に設けられている。
【００４８】
なお、屈折率の異なる層１１３の配置パターンは、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示す例に限定されるものでなく、隣接画素への光の侵入を抑制できれば、円や十字型などのパターンでもよい。
【００４９】
また、屈折率の異なる層１１３の深さは、上述した（３）式を満たせばよく、また、屈折率の異なる層１１３の幅が最も小さくなる部位に合わせて深さを統一してもよく、さらに、屈折率の異なる層１１３の幅によって深さを変えてもよい。具体的に、本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３の幅がもっとも小さくなる線分Ｃ１Ｄ１で、深さａを以下の（４）式に示す範囲で統一してもよい。
【００５０】
【数４】
2019095289.tif 000006
【００５１】
また、部位によっては、例えば線分Ｅ１Ｆ１においては、深さａを以下の（５）式に示す範囲に収まるように形成してもよい。
【００５２】
【数５】
2019095289.tif 000007
【００５３】
図４は、本発明の第１の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す屈折率の異なる層１１３の形状を説明するための図である。
【００５４】
例えば、本実施形態においては、屈折率の異なる層１１３の形状として、図４（ｂ）に示すように、放射線２０１が入射する方向に対して角度α傾斜している形状を採り得る。この図４（ｂ）に示す角度α傾斜している形状を採ることにより、屈折率の異なる層１１３に入射する光の角度θｉｎは、図４（ａ）に示す屈折率の異なる層１１３の形状の場合と比較して、α増加する。これによって、全反射の起こる条件が緩和され、第２のシンチレータ１６０で発光した光のうち、より多くの光を発光位置の直上の画素に導くことができる。このときの角度αは、以下の（６）式のように示される。
【００５５】
【数６】
2019095289.tif 000008
【００５６】
次に、例えば、エネルギーサブトラクション処理部１８３がエネルギーサブトラクション処理を行う前に行う画素補間処理について、図３（ａ）を用いて説明する。複数の第１の画素ｐ１によって得られる第１の画像データにおいて、例えば第２の画素ｐ２４の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第１の画素ｐ１１，ｐ１２，ｐ１３，ｐ１４の信号データを用いて画素補間を行う。また、複数の第２の画素ｐ２によって得られる第２の画像データにおいて、例えば第１の画素ｐ１２の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第２の画素ｐ２１，ｐ２２，ｐ２３，ｐ２４の信号データを用いて画素補間を行う。この際、これらの画素補間は、４画素の全部の信号データの平均を使用してもよいし、４画素のうちの一部の画素の信号データの平均を使用してもよい。
【００５７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、以下に記載する第２の実施形態の説明においては、上述した第１の実施形態と共通する事項については説明を省略し、上述した第１の実施形態と異なる事項について説明を行う。
【００５８】
第２の実施形態に係る放射線撮影装置の概略構成は、図２に示す第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の概略構成と同様であるため、各構成部の説明は省略する。
【００５９】
図５は、本発明の第２の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部１１２の画素配置及び屈折率の異なる層１１３の配置を説明するための図である。
【００６０】
まず、図５（ａ）を用いて、本実施形態における撮像部１１２の画素配置の一例について説明する。具体的に、図５（ａ）は、図２（ｃ）に示す基板１１１側から撮像部１１２を見た際の画素配置の一例を示している。図５（ａ）において、中間色のハッチを付した四角で示された画素が、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１を示している。また、図５（ａ）において、白色を付した四角で示された画素が、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２を示している。図５（ａ）では、行方向及び列方向において２画素おきに且つ斜め方向に、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１が配置されている。
【００６１】
続いて、図５（ｂ）及び図５（ｃ）を用いて、本実施形態における屈折率の異なる層１１３の配置の一例について説明する。具体的に、図５（ｂ）は、図２（ｃ）に示す撮像部１１２側から基板１１１の方向を見た際に、屈折率の異なる層１１３の形成領域１１１２を示す図である。図５（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２における基板１１１の他方の面への射影領域１１１１を除く領域１１１２に形成される。図５（ｃ）は、図５（ａ）に示す撮像部１１２の画素配置と、図５（ｂ）に示す屈折率の異なる層１１３の配置との位置関係を示す図である。この際、図５（ｃ）の上下方向は、図２（ｃ）の上下方向に対応している。この図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示す例では、放射線２０１が入射する側（図５（ｃ）の上側）から見た際に、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２の下方に設けられ、且つ、第１の画素ｐ１と第２の画素ｐ２との間の領域に設けられている。
【００６２】
なお、屈折率の異なる層１１３の配置パターンは、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示す例に限定されるものでなく、隣接画素への光の侵入を抑制できれば、円や十字型などのパターンでもよい。
【００６３】
また、屈折率の異なる層１１３の深さは、上述した（３）式を満たせばよく、また、屈折率の異なる層１１３の幅が最も小さくなる部位に合わせて深さを統一してもよく、さらに、屈折率の異なる層１１３の幅によって深さを変えてもよい。具体的に、本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３の幅がもっとも小さくなる線分Ｃ２Ｄ２で、深さａを以下の（７）式に示す範囲で統一してもよい。
【００６４】
【数７】
2019095289.tif 000009
【００６５】
また、部位によっては、例えば線分Ｅ２Ｆ２においては、深さａを以下の（８）式に示す範囲に収まるように形成してもよい。
【００６６】
【数８】
2019095289.tif 000010
【００６７】
また、第２の実施形態においても、屈折率の異なる層１１３の形状は、上述した第１の実施形態と同様に、図４（ｂ）に示す、放射線２０１が入射する方向に対して角度α傾斜している形状を採り得る。
【００６８】
次に、例えば、エネルギーサブトラクション処理部１８３がエネルギーサブトラクション処理を行う前に行う画素補間処理について、図５（ａ）を用いて説明する。複数の第１の画素ｐ１によって得られる第１の画像データにおいて、例えば第２の画素ｐ２４の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第１の画素ｐ１１，ｐ１２，ｐ１３の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間では、第２の画素ｐ２４の位置から第１の画素ｐ１１までの距離と第１の画素ｐ１２までの距離とは異なるため、例えば距離に応じて重み付けをして平均化してもよい。また、複数の第２の画素ｐ２によって得られる第２の画像データにおいて、例えば第１の画素ｐ１１の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第２の画素ｐ２１，ｐ２２，ｐ２３，ｐ２４，ｐ２５，ｐ２６の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間は、６画素の全部の信号データの平均を使用してもよいし、６画素のうちの一部の画素の信号データの平均を使用してもよい。
【００６９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。なお、以下に記載する第３の実施形態の説明においては、上述した第１の実施形態と共通する事項については説明を省略し、上述した第１の実施形態と異なる事項について説明を行う。
【００７０】
第３の実施形態に係る放射線撮影装置の概略構成は、図２に示す第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の概略構成と同様であるため、各構成部の説明は省略する。
【００７１】
図６は、本発明の第３の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部１１２の画素配置及び屈折率の異なる層１１３の配置を説明するための図である。
【００７２】
まず、図６（ａ）を用いて、本実施形態における撮像部１１２の画素配置の一例について説明する。具体的に、図６（ａ）は、図２（ｃ）に示す基板１１１側から撮像部１１２を見た際の画素配置の一例を示している。図６（ａ）において、中間色のハッチを付した四角で示された画素が、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１を示している。また、図６（ａ）において、白色を付した四角で示された画素が、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２を示している。図６（ａ）では、行方向においては１画素おきに且つ列方向においては２画素ごとに交互に、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１が配置されている。
【００７３】
続いて、図６（ｂ）及び図６（ｃ）を用いて、本実施形態における屈折率の異なる層１１３の配置の一例について説明する。具体的に、図６（ｂ）は、図２（ｃ）に示す撮像部１１２側から基板１１１の方向を見た際に、屈折率の異なる層１１３の形成領域１１１２を示す図である。図６（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２における基板１１１の他方の面への射影領域１１１１を除く領域１１１２に形成される。図６（ｃ）は、図６（ａ）に示す撮像部１１２の画素配置と、図６（ｂ）に示す屈折率の異なる層１１３の配置との位置関係を示す図である。この際、図６（ｃ）の上下方向は、図２（ｃ）の上下方向に対応している。この図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示す例では、放射線２０１が入射する側（図６（ｃ）の上側）から見た際に、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２の下方に設けられ、且つ、第１の画素ｐ１と第２の画素ｐ２との間の領域に設けられている。
【００７４】
なお、屈折率の異なる層１１３の配置パターンは、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示す例に限定されるものでなく、隣接画素への光の侵入を抑制できれば、円や十字型などのパターンでもよい。
【００７５】
また、屈折率の異なる層１１３の深さは、上述した（３）式を満たせばよく、また、屈折率の異なる層１１３の幅が最も小さくなる部位に合わせて深さを統一してもよく、さらに、屈折率の異なる層１１３の幅によって深さを変えてもよい。具体的に、本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３の幅がもっとも小さくなる線分Ｃ３Ｄ３で、深さａを以下の（９）式に示す範囲で統一してもよい。
【００７６】
【数９】
2019095289.tif 000011
【００７７】
また、部位によっては、例えば線分Ｅ３Ｆ３においては、深さａを以下の（１０）式に示す範囲に収まるように形成してもよい。
【００７８】
【数１０】
2019095289.tif 000012
【００７９】
また、第３の実施形態においても、屈折率の異なる層１１３の形状は、上述した第１の実施形態と同様に、図４（ｂ）に示す、放射線２０１が入射する方向に対して角度α傾斜している形状を採り得る。
【００８０】
次に、例えば、エネルギーサブトラクション処理部１８３がエネルギーサブトラクション処理を行う前に行う画素補間処理について、図６（ａ）を用いて説明する。複数の第１の画素ｐ１によって得られる第１の画像データにおいて、例えば第２の画素ｐ２１の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第１の画素ｐ１１，ｐ１２，ｐ１３，ｐ１４，ｐ１５，ｐ１６の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間では、第２の画素ｐ２１の位置から第１の画素ｐ１１までの距離と第１の画素ｐ１２までの距離とは異なるため、例えば距離に応じて重み付けをして平均化してもよい。また、複数の第２の画素ｐ２によって得られる第２の画像データにおいて、例えば第１の画素ｐ１５の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第２の画素ｐ２１，ｐ２２，ｐ２３，ｐ２４，ｐ２５，ｐ２６の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間では、第１の画素ｐ１５の位置から第２の画素ｐ２１までの距離と第２の画素ｐ２２までの距離とは異なるため、例えば距離に応じて重み付けをして平均化してもよい。
【００８１】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。なお、以下に記載する第４の実施形態の説明においては、上述した第１の実施形態と共通する事項については説明を省略し、上述した第１の実施形態と異なる事項について説明を行う。
【００８２】
第４の実施形態に係る放射線撮影装置の概略構成は、図２に示す第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の概略構成と同様であるため、各構成部の説明は省略する。
【００８３】
図７は、本発明の第４の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部１１２の画素配置及び屈折率の異なる層１１３の配置を説明するための図である。
【００８４】
まず、図７（ａ）を用いて、本実施形態における撮像部１１２の画素配置の一例について説明する。具体的に、図７（ａ）は、図２（ｃ）に示す基板１１１側から撮像部１１２を見た際の画素配置の一例を示している。図７（ａ）において、中間色のハッチを付した四角で示された画素が、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１を示している。また、図７（ａ）において、白色を付した四角で示された画素が、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２を示している。図７（ａ）では、行方向及び列方向にそれぞれ２画素ずつの４画素のブロックごとに、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１が配置されている。
【００８５】
続いて、図７（ｂ）及び図７（ｃ）を用いて、本実施形態における屈折率の異なる層１１３の配置の一例について説明する。具体的に、図７（ｂ）は、図２（ｃ）に示す撮像部１１２側から基板１１１の方向を見た際に、屈折率の異なる層１１３の形成領域１１１２を示す図である。図７（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２における基板１１１の他方の面への射影領域１１１１を除く領域１１１２に形成される。図７（ｃ）は、図７（ａ）に示す撮像部１１２の画素配置と、図７（ｂ）に示す屈折率の異なる層１１３の配置との位置関係を示す図である。この際、図７（ｃ）の上下方向は、図２（ｃ）の上下方向に対応している。この図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示す例では、放射線２０１が入射する側（図７（ｃ）の上側）から見た際に、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２の下方に設けられ、且つ、第１の画素ｐ１と第２の画素ｐ２との間の領域に設けられている。
【００８６】
なお、屈折率の異なる層１１３の配置パターンは、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示す例に限定されるものでなく、隣接画素への光の侵入を抑制できれば、円や十字型などのパターンでもよい。
【００８７】
また、屈折率の異なる層１１３の深さは、上述した（３）式を満たせばよく、また、屈折率の異なる層１１３の幅が最も小さくなる部位に合わせて深さを統一してもよく、さらに、屈折率の異なる層１１３の幅によって深さを変えてもよい。具体的に、本実施形態では、図７（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３の幅がもっとも小さくなる線分Ｃ４Ｄ４で、深さａを以下の（１１）式に示す範囲で統一してもよい。
【００８８】
【数１１】
2019095289.tif 000013
【００８９】
また、部位によっては、例えば線分Ｅ４Ｆ４においては、深さａを以下の（１２）式に示す範囲に収まるように形成してもよい。
【００９０】
【数１２】
2019095289.tif 000014
【００９１】
また、第４の実施形態においても、屈折率の異なる層１１３の形状は、上述した第１の実施形態と同様に、図４（ｂ）に示す、放射線２０１が入射する方向に対して角度α傾斜している形状を採り得る。
【００９２】
次に、例えば、エネルギーサブトラクション処理部１８３がエネルギーサブトラクション処理を行う前に行う画素補間処理について、図７（ａ）を用いて説明する。複数の第１の画素ｐ１によって得られる第１の画像データにおいて、例えば第２の画素ｐ２１の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第１の画素ｐ１１，ｐ１２，ｐ１３，ｐ１４，ｐ１５，ｐ１６の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間では、第２の画素ｐ２１の位置から第１の画素ｐ１１までの距離と第１の画素ｐ１２までの距離とは異なるため、例えば距離に応じて重み付けをして平均化してもよい。また、複数の第２の画素ｐ２によって得られる第２の画像データにおいて、例えば第１の画素ｐ１１の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第２の画素ｐ２１，ｐ２２，ｐ２３，ｐ２４，ｐ２５，ｐ２６，ｐ２７，ｐ２８の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間では、第１の画素ｐ１１の位置から第２の画素ｐ２１までの距離と第２の画素ｐ２２までの距離とは異なるため、例えば距離に応じて重み付けをして平均化してもよい。
【００９３】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。なお、以下に記載する第５の実施形態の説明においては、上述した第１の実施形態と共通する事項については説明を省略し、上述した第１の実施形態と異なる事項について説明を行う。
【００９４】
第５の実施形態に係る放射線撮影装置の概略構成は、図２に示す第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の概略構成と同様であるため、各構成部の説明は省略する。
【００９５】
図８は、本発明の第５の実施形態を示し、図２（ｃ）に示す撮像部１１２の画素配置及び屈折率の異なる層１１３の配置を説明するための図である。
【００９６】
まず、図８（ａ）を用いて、本実施形態における撮像部１１２の画素配置の一例について説明する。具体的に、図８（ａ）は、図２（ｃ）に示す基板１１１側から撮像部１１２を見た際の画素配置の一例を示している。図８（ａ）において、中間色のハッチを付した四角で示された画素が、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１を示している。また、図８（ａ）において、白色を付した四角で示された画素が、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２を示している。図８（ａ）では、行方向及び列方向において４画素おきに、受光素子１１２１と遮光層１１２２とを備える第１の画素ｐ１が配置されている。
【００９７】
続いて、図８（ｂ）及び図８（ｃ）を用いて、本実施形態における屈折率の異なる層１１３の配置の一例について説明する。具体的に、図８（ｂ）は、図２（ｃ）に示す撮像部１１２側から基板１１１の方向を見た際に、屈折率の異なる層１１３の形成領域１１１２を示す図である。図７（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２は備えず受光素子１１２１を備える第２の画素ｐ２における基板１１１の他方の面への射影領域１１１１を除く領域１１１２に形成される。図８（ｃ）は、図８（ａ）に示す撮像部１１２の画素配置と、図８（ｂ）に示す屈折率の異なる層１１３の配置との位置関係を示す図である。この際、図８（ｃ）の上下方向は、図２（ｃ）の上下方向に対応している。この図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示す例では、放射線２０１が入射する側（図８（ｃ）の上側）から見た際に、屈折率の異なる層１１３は、遮光層１１２２の下方に設けられ、且つ、第１の画素ｐ１と第２の画素ｐ２との間の領域に設けられている。
【００９８】
なお、屈折率の異なる層１１３の配置パターンは、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示す例に限定されるものでなく、隣接画素への光の侵入を抑制できれば、円や十字型などのパターンでもよい。
【００９９】
また、屈折率の異なる層１１３の深さは、上述した（３）式を満たせばよく、また、屈折率の異なる層１１３の幅が最も小さくなる部位に合わせて深さを統一してもよく、さらに、屈折率の異なる層１１３の幅によって深さを変えてもよい。具体的に、本実施形態では、図８（ｂ）に示すように、屈折率の異なる層１１３の幅がもっとも小さくなる線分Ｃ５Ｄ５で、深さａを以下の（１３）式に示す範囲で統一してもよい。
【０１００】
【数１３】
2019095289.tif 000015
【０１０１】
また、部位によっては、例えば線分Ｅ５Ｆ５においては、深さａを以下の（１４）式に示す範囲に収まるように形成してもよい。
【０１０２】
【数１４】
2019095289.tif 000016
【０１０３】
また、第５の実施形態においても、屈折率の異なる層１１３の形状は、上述した第１の実施形態と同様に、図４（ｂ）に示す、放射線２０１が入射する方向に対して角度α傾斜している形状を採り得る。
【０１０４】
次に、例えば、エネルギーサブトラクション処理部１８３がエネルギーサブトラクション処理を行う前に行う画素補間処理について、図８（ａ）を用いて説明する。複数の第１の画素ｐ１によって得られる第１の画像データにおいて、例えば第２の画素ｐ２７の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第１の画素ｐ１１，ｐ１２，ｐ１３，ｐ１４の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間では、第２の画素ｐ２７の位置から第１の画素ｐ１１までの距離と第１の画素ｐ１２までの距離とは異なるため、例えば距離に応じて重み付けをして平均化してもよい。また、複数の第２の画素ｐ２によって得られる第２の画像データにおいて、例えば第１の画素ｐ１１の位置のデータについては、エネルギーサブトラクション処理部１８３は、例えば、第２の画素ｐ２１，ｐ２２，ｐ２３，ｐ２４，ｐ２５，ｐ２６，ｐ２７，ｐ２８の信号データを用いて画素補間を行う。この場合の画素補間は、８画素の全部の信号データの平均を使用してもよいし、８画素のうちの一部の画素の信号データの平均を使用してもよい。
【０１０５】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。具体的に、第６の実施形態は、上述した第１〜第５の実施形態に係る放射線撮影装置１００のうちのいずれかの放射線撮影装置１００を放射線撮影システムに適用した形態である。
【０１０６】
図９は、本発明の第６の実施形態を示し、上述した第１〜第５の実施形態に係る放射線撮影装置１００のうちのいずれかの放射線撮影装置１００を含む放射線撮影システムの概略構成の一例を示す図である。具体的に、図９では、放射線２０１としてＸ線６０６０を適用した、いわゆるレントゲン撮影を行うためのＸ線撮影システムの例を示している。なお、本発明においては、放射線２０１として、Ｘ線のみならず、アルファ線やベータ線等も含まれる。
【０１０７】
Ｘ線チューブ６０５０（放射線源）で発生したＸ線６０６０は、撮影対象である患者６０６１の胸部６０６２を透過し、上述した第１〜第５の実施形態に係る放射線撮影装置１００のうちのいずれかの放射線撮影装置１００に入射する。放射線撮影装置１００に入射したＸ線６０６０には、患者６０６１の体内の情報が含まれており、放射線撮影装置１００によりＸ線６０６０に応じた放射線画像が得られる。この放射線画像は、イメージプロセッサ６０７０（画像処理部）によって所定の画像処理が行われる。このイメージプロセッサ６０７０で処理された放射線画像は、コントロールルームのディスプレイ６０８０に表示されて、ユーザ（医師等）が観察することができるようになっている。なお、本実施形態においては、図２（ａ）に示す制御・処理部１８０をイメージプロセッサ６０７０の内部に設けるようにしてもよい。
【０１０８】
また、このイメージプロセッサ６０７０で処理された放射線画像は、ユーザの操作入力等により、電話回線６０９０等の通信回線を介して、遠隔地のドクタールームに転送することができる。例えば、ドクタールームにあるディスプレイ６０８１に放射線画像を表示することにより、ドクタールームにいるユーザ（医師等）も放射線画像を観察することができる。また、ドクタールームにおいて、ユーザ（医師等）は、転送された放射線画像を所定の記録媒体に記録することもでき、例えば、フィルムプロセッサ６１００によってフィルム６１１０に記録することもできる。
【０１０９】
なお、上述した本発明の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。即ち、本発明はその技術思想、または、その主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１００：放射線撮影装置、１１０：センサパネル、１１１：基板、１１２：撮像部、１１２１：受光素子、１１２：遮光層、１１３：屈折率の異なる層、１２０：保護膜、１３０：保護膜、１４０：配線部、１５０：第１のシンチレータ、１６０：第２のシンチレータ、１７０：保護膜、１８０：制御・処理部、１８１：駆動部、１８２：読出部、１８３：エネルギーサブトラクション処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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