(57)【要約】【課題】成膜マスクを製造する方法において、マスク基材の内部応力の不均一な分布に起因する開口部の変形を抑制する。【解決手段】マスク基材に開口部を形成する工程は、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域（Ｒ１）内の開口部を形成する工程Ａと、ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域ＲＳ１を介して、第１領域Ｒ１と−ｘ方向に隣接し、ｂ本の連続した列の開口部を含む第２領域Ｒ２内の開口部を形成する工程Ｂと、ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域ＲＳ２を介して、第１領域Ｒ１とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む第３領域Ｒ３内の開口部を形成する工程Ｃとを含み、工程Ａの後に、工程Ｂおよび工程Ｃを行う。マスク基材は樹脂層１０を含み、開口部１１は樹脂層にレーザ光Ｌ２を照射することによって形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、
ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、
前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程と
を包含し、
前記マスク基材は、樹脂層を含み、前記開口部形成工程は、前記樹脂層にレーザ光を照射することによって前記複数の開口部を形成する工程を包含し、
前記開口部形成工程は、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ＋１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域内の開口部を形成する工程Ａと、
ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域を介して、前記第１領域と−ｘ方向に隣接し、ｂ本の連続した列の開口部を含む第２領域内の開口部を形成する工程Ｂと、
ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域を介して、前記第１領域とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む第３領域内の開口部を形成する工程Ｃとを含み、
前記工程Ａの後に、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う、製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記第１間隙領域内の開口部を形成する工程Ｄまたは前記第２間隙領域内の開口部を形成する工程Ｅを行う、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２領域は前記第１領域の−ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含み、前記第３領域は前記第１領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記開口部形成工程は、
ｄ本の連続した列の開口部を含み、前記第２領域の−ｘ方向に位置する第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、
ｅ本の連続した列の開口部を含み、前記第３領域のｘ方向に位置する第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、
前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第４領域は、前記第２領域と直接隣接しない領域であり、前記第５領域は、前記第３領域と直接隣接しない領域である、請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記工程Ｄは、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓａ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程であり、前記工程Ｅは、前記第１領域と前記第３領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓｂ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程である、請求項２から６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
前記第４領域は、前記第２領域の−ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｄ本よりも少ない連続した列の開口部を含み、
前記第５領域は、前記第３領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｅ本よりも少ない連続した列の開口部を含む、請求項２から７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記開口部形成工程は、
ｓｃ本の連続した列を含む第３間隙領域を介して、前記第２領域と−ｘ方向に隣接し、ｄ本の連続した列の開口部を含む第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、
ｓｄ本の連続した列を含む第４間隙領域を介して、前記第３領域とｘ方向に隣接し、ｅ本の連続した列の開口部を含む第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、
前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う、請求項２を引用する請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記開口部形成工程は、
ｆ本の連続した列の開口部を含み、前記第４領域の−ｘ方向に位置する第６領域内の開口部を形成する工程Ｈおよび／または、ｇ本の連続した列の開口部を含み、前記第５領域のｘ方向に位置する第７領域内の開口部を形成する工程Ｉを行う、請求項９または１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ａ本、前記ｂ本、前記ｃ本、前記ｓａ本および前記ｓｂ本は、それぞれ独立に、１００本以上３００本以下である、請求項１から１１のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
任意の列の全てのアクティブ領域形成部にわたって、前記工程Ａの後で、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う、請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ＋１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる、請求項１から１３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１５】
前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ＋１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる、請求項１から１４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１６】
ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、
ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、
前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程と
を包含し、
前記マスク基材は、樹脂層を含み、前記開口部形成工程は、前記樹脂層にレーザ光を照射することによって前記複数の開口部を形成する工程を包含し、
前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ＋１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる、製造方法。
【請求項１７】
前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ＋１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる、請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記マスク基材は、前記樹脂層に形成される前記複数の開口部を露出する少なくとも１つの貫通孔を有する磁性金属層を含む、請求項１から１７のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜マスクの製造方法に関し、特に、高精細の有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置の量産に好適に用いられる成膜マスクの製造方法に関する。成膜マスクは、薄膜堆積技術（例えば、Physical Vapor Deposition（ＰＶＤ）、Chemical Vapor Deposition（ＣＶＤ）等を含む。）において用いられるマスクを指す。以下では、ＰＶＤの１種である真空蒸着法を例に説明する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ表示装置が実用化された。現在量産されている中小型の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ層の形成は、主に真空蒸着法を用いて行われている。有機ＥＬ層は、例えば、ホール輸送層、電子輸送層およびこれらの間に配置される有機発光層を含む。ホール輸送層は有機発光層を兼ねることもできる。少なくとも有機発光層と電子輸送層とを含む、有機材料で形成された層を有機ＥＬ層ということにする。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。以下、有機ＥＬ表示装置をＯＬＥＤ表示装置と呼ぶことにする。このようにＯＬＥＤごとにＴＦＴなどのスイッチング素子を有するＯＬＥＤ表示装置は、アクティブマトリクス型ＯＬＥＤ表示装置と呼ばれる。また、ＴＦＴおよびＯＬＥＤが形成された基板を素子基板ということにする。ＴＦＴを含む駆動回路はバックプレーン回路（または、単に「バックプレーン」）と呼ばれ、ＯＬＥＤはバックプレーン上に形成される。
【０００４】
カラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置では、例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素によって、１つのカラー表示画素が構成される。カラー表示画素を構成する異なる色の画素は原色画素と呼ばれることもある。本明細書における画素を「ドット」と呼び、カラー表示画素を「ピクセル」と呼ぶこともある。例えば、解像度を表すｐｐｉ（pixel per inch）は、１インチに含まれる「ピクセル」の数を表す。
【０００５】
なお、３つの異なる色の画素で、１つのカラー表示画素を構成する場合、３つの異なる色の画素の形状や大きさは互いに異なってもよい。例えば、発光効率が低い青の画素を大きく、発光効率が高い緑の画素を小さくしてもよい。あるいは、１つのカラー表示画素を１つの赤画素と、１つの緑画素と、２つの青画素とで構成してもよい。また、画素配列は、ストライプ配列、デルタ配列であってもよく、公知の種々の配列であり得る。
【０００６】
有機ＥＬ層は、色ごとに用意された成膜マスクを用いて真空蒸着法で形成される。有機ＥＬ層に加えて、有機ＥＬ層の上に形成される電極層（例えば陰極層）も成膜マスクを用いて例えばスパッタ法で形成され得る。なお、有機ＥＬ層の下に形成される電極層（例えば陽極層）は、有機ＥＬ層が現像液に晒されることがないので、フォトリソグラフィプロセスで形成され得る。
【０００７】
従来、成膜マスクとして、金属層（金属板）に所定のパターンで複数の開口部が形成されたメタルマスクが用いられていた（例えば、特許文献１）。ＯＬＥＤ表示装置の高精細化に対応するために、メタルマスクよりも高精細なパターンを形成することが可能な、樹脂層と磁性金属層とが積層された積層体を有する成膜マスク（以下、「積層型マスク」と呼ぶ。）が提案されている（例えば、特許文献２、３）。
【０００８】
本明細書において、成膜マスクの開口部（成膜される物質が通過する貫通孔）が形成されている部材をマスク基材という。メタルマスクにおいては、金属層（典型的には磁性金属層）がマスク基材であり、積層型マスクにおいては、樹脂層と磁性金属層との積層体がマスク基材である。また、成膜マスクの部分で、成膜対象である素子基板（例えばバックプレーンが形成された段階のもの）のアクティブ領域（「素子形成領域」または「表示領域」ともいう。）と密着する部分をアクティブ領域形成部ということにする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−１８８７４８号公報
【特許文献２】特開２０１７−８２３１３号公報
【特許文献３】特開２０１５−１０２７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
メタルマスクおよび積層型マスクのいずれについても、アクティブ領域形成部の平面性を高めるために、マスク基材を架張することが行われている。アクティブ領域形成部の平面性が低いと、すなわちアクティブ領域形成部のマスク基材に弛みがあると、アクティブ領域形成部と素子基板の表面との間に間隙が生じ、所定の形状に成膜できないという問題が生じるからである。
【００１１】
しかしながら、本発明者の検討によると、架張されたマスク基材に開口部を形成すると、開口部を形成することによって生じる、マスク基材内の応力の方向や大きさの分布（単に「応力分布」ということがある。）が変化し、開口部が変形するという問題がある。
【００１２】
マスク基材は架張されている（面内の外側に向く張力を受けている）ので、マスク基材内に応力が発生している。この応力は、マスク基材内の位置の関数である。すなわち、マスク基材内の位置によって、応力の方向や大きさが異なる。マスク基材の応力分布は、マスク基材に開口部を形成するたびに変化する。したがって、最終的に得られる開口部の位置、大きさ、および形状の精度は、開口部を形成する順序にも依存することになる。この問題は、例えば、２００ｐｐｉを超える高精細の開口パターンを形成する場合に特に顕著になる。
【００１３】
さらに、複数のアクティブ領域に対応する成膜マスク、すなわち、ＯＬＥＤ表示装置を多面取りする際のマザー基板に対して用いられる成膜マスクでは、アクティブ領域形成部の位置によって、マスク基材内の応力分布が異なるので、上記と同様の問題が発生する。
【００１４】
実際に成膜マスクを作製し、開口部の位置、大きさ、および形状の設計値からのずれを測定し、そのずれを見込んで開口部を形成することによって、また、この工程を複数回繰り返すことによって、目的の精度を得ることもできるが、精度に限界があるとともに、製造プロセスが煩雑で製造コストの上昇を招く。
【００１５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、架張されたマスク基材（例えば、樹脂層および／また磁性金属層）を有する成膜マスクを製造する方法において、マスク基材の内部応力の不均一な分布に起因する開口部の変形を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のある実施形態による、成膜マスクの製造方法は、ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程とを包含し、前記開口部形成工程は、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域内の開口部を形成する工程Ａと、ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域を介して、前記第１領域と−ｘ方向に隣接し、b本の連続した列の開口部を含む第２領域内の開口部を形成する工程Ｂと、ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域を介して、前記第１領域とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む第３領域内の開口部を形成する工程Ｃとを含み、前記工程Ａの後に、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う。
【００１７】
ある実施形態において、前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記第１間隙領域内の開口部を形成する工程Ｄまたは前記第２間隙領域内の開口部を形成する工程Ｅを行う。
【００１８】
ある実施形態において、前記第２領域は前記第１領域の−ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含み、前記第３領域は前記第１領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む。
【００１９】
ある実施形態において、前記開口部形成工程は、ｄ本の連続した列の開口部を含み、前記第２領域の−ｘ方向に位置する第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、ｅ本の連続した列の開口部を含み、前記第３領域のｘ方向に位置する第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う。
【００２０】
ある実施形態において、前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う。
【００２１】
ある実施形態において、前記第４領域は、前記第２領域と直接隣接しない領域であり、前記第５領域は、前記第３領域と直接隣接しない領域である。
【００２２】
ある実施形態において、前記工程Ｄは、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓａ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程であり、前記工程Ｅは、前記第１領域と前記第３領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓｂ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程である。
【００２３】
ある実施形態において、前記第４領域は、前記第２領域の−ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｄ本よりも少ない連続した列の開口部を含み、前記第５領域は、前記第３領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｅ本よりも少ない連続した列の開口部を含む。
【００２４】
ある実施形態において、前記開口部形成工程は、ｓｃ本の連続した列を含む第３間隙領域を介して、前記第２領域と−ｘ方向に隣接し、ｄ本の連続した列の開口部を含む第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、ｓｄ本の連続した列を含む第４間隙領域を介して、前記第３領域とｘ方向に隣接し、ｅ本の連続した列の開口部を含む第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う。
【００２５】
ある実施形態において、前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う。
【００２６】
ある実施形態において、前記開口部形成工程は、ｆ本の連続した列の開口部を含み、前記第４領域の−ｘ方向に位置する第６領域内の開口部を形成する工程Ｈおよび／または、ｇ本の連続した列の開口部を含み、前記第５領域のｘ方向に位置する第７領域内の開口部を形成する工程Ｉを行う。
【００２７】
ある実施形態において、前記ａ本、前記ｂ本、前記ｃ本、前記ｓａ本および前記ｓｂ本は、それぞれ独立に、１００本以上3００本以下である。
【００２８】
ある実施形態において、任意の列の全てのアクティブ領域形成部にわたって、前記工程Ａの後で、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う。
【００２９】
ある実施形態において、前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる。
【００３０】
ある実施形態において、前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる。
【００３１】
本発明の他の実施形態による成膜マスクを製造する方法は、ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程とを包含し、前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる。
【００３２】
ある実施形態において、前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる。
【００３３】
ある実施形態において、前記マスク基材は、前記複数の開口部を有する樹脂層と、前記複数の開口部を露出する少なくとも１つの貫通孔を有する磁性金属層を含む。少なくとも前記樹脂層は、ｘ方向およびｙ方向に架張されている。
【００３４】
ある実施形態において、前記マスク基材は、前記複数の開口部を有する磁性金属層を含む。前記磁性金属層は、例えば、ｙ方向にのみ架張されている。
【００３５】
ある実施形態において、前記マスク基材はｘ方向に長い矩形であって、前記行方向はｘ方向に平行である。
【００３６】
前記複数の開口部の形状は、例えば、矩形（長方形、正方形を含む）、ひし形、円、楕円など任意であり得る。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の実施形態によると、架張されたマスク基材を有する成膜マスクの製造方法において、マスク基材の内部応力に起因する開口部の変形を抑制することができる。したがって、本発明の実施形態によると、高精細な成膜マスクを高い精度で製造する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態による製造方法で好適に製造される成膜マスク１００を模式的に示す断面図であり、図２中の１Ａ−１Ａ線に沿った断面を示している。
【図２】成膜マスク１００を模式的に示す平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、成膜マスク１００の製造工程を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態による多面取り用の成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、複数のアクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態による多面取り用の成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、複数のアクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態による多面取り用の成膜マスク（メタルマスク）の製造方法において、複数のアクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００４０】
まず、本発明の実施形態による製造方法で好適に製造される成膜マスクの例を説明する。本発明の実施形態による製造方法は、以下に例示する成膜マスクに限られず、例えば特許文献１から３に記載の架張されたマスク基材に開口部を形成することによって製造される成膜マスクの製造に広く適用される。特許文献１から３の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。
【００４１】
（成膜マスクの構造）
図１および図２を参照して、本発明の実施形態による製造方法で好適に製造される成膜マスク１００の構造を説明する。図１および図２は、それぞれ成膜マスク１００を模式的に示す断面図および平面図である。図１は、図２中の１Ａ−１Ａ線に沿った断面を示している。なお、図１および図２は、成膜マスク１００の一例を模式的に示しており、各構成要素のサイズ、個数、配置関係、長さの比率などが図示する例に限定されないことはいうまでもない。後述する他の図面でも同様である。
【００４２】
成膜マスク１００は、図１および図２に示すように、樹脂層１０と、磁性金属層２０と、フレーム３０とを備える。成膜マスク１００を用いて蒸着工程を行う際、成膜マスク１００は、磁性金属層２０が蒸着源側、樹脂層１０が蒸着対象物（バックプレーンが形成された素子基板）側に位置するように配置される。
【００４３】
樹脂層１０は、複数の開口部１１を含む。複数の開口部１１は、素子基板（バックプレーン）上に形成される複数の画素に対応したサイズ、形状および位置に形成されている。図２に示す例では、複数の開口部１１は、マトリクス状に配置されている。開口部１１のサイズ、形状および位置は、形成する有機ＥＬ層の色ごとによって異なり得る。
【００４４】
樹脂層１０の材料としては、例えばポリイミドを好適に用いることができる。ポリイミドは、熱膨張係数が小さく、強度、耐薬品性および耐熱性に優れる。樹脂層１０の材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの他の樹脂材料を用いてもよい。
【００４５】
樹脂層１０の厚さは、特に限定されない。ただし、樹脂層１０が厚すぎると、蒸着膜の一部が所望の厚さよりも薄く形成されてしまうことがある（「シャドウイング」と呼ばれる）。シャドウイングの発生を抑制する観点からは、樹脂層１０の厚さは、２５μｍ以下であることが好ましい。また、樹脂層１０自体の強度および洗浄耐性の観点からは、樹脂層１０の厚さは３μｍ以上であることが好ましい。
【００４６】
磁性金属層２０は、樹脂層１０上に形成されている。磁性金属層２０は、後述するように例えばめっき法によって樹脂層１０上に形成される。磁性金属層２０は樹脂層１０に密着している。磁性金属層２０は、マスク部２０ａと、マスク部２０ａを包囲するように配置された周辺部２０ｂとを有する。マスク部２０ａは、アクティブ領域形成部の磁性金属層２０を指す。
【００４７】
マスク部２０ａは、樹脂層１０の複数の開口部１１を露出させる複数の貫通孔（スリット）２１を有している。図２に示す例では、列方向に延びる貫通孔２１が行方向に複数並んでいる。成膜マスク１００の法線方向から見たとき、各貫通孔２１は、樹脂層１０の各開口部１１よりも大きなサイズを有しており、各貫通孔２１内に少なくとも１つ（ここでは複数）の開口部１１が位置している。なお、本願明細書では、マスク部２０ａのうち、金属膜が存在している領域２０ａ１を「中実部」と呼び、金属膜が存在していない領域２０ａ２（ここでは貫通孔２１）を「非中実部」と呼ぶこともある。
【００４８】
磁性金属層２０は、例えば、無電解めっきまたは電解めっきで形成される。ニッケル（Ｎｉ）めっき層、ニッケル合金めっき層が好ましい。樹脂層１０をポリイミドで形成し、磁性金属層２０の熱膨張係数を樹脂層１０と整合させることが好ましい。
【００４９】
磁性金属層２０の厚さは、特に限定されない。ただし、磁性金属層２０が厚すぎると、磁性金属層２０が自重で撓んだり、シャドウイングが発生したりするおそれがある。自重による撓みおよびシャドウイングの発生を抑制する観点からは、磁性金属層２０の厚さは、１００μｍ以下であることが好ましい。また、磁性金属層２０が薄すぎると、後述する蒸着工程における磁気チャックによる吸引力が低下し、成膜マスク１００とワークとの間に隙間が生じる原因となることがある。また、破断や変形が生じるおそれがあり、ハンドリングが困難となることもある。そのため、磁性金属層２０の厚さは、５μｍ以上であることが好ましい。
【００５０】
フレーム３０は、額縁状であり、磁性金属層２０の周辺部２０ｂに固定されている。つまり、磁性金属層２０の、フレーム３０に重ならない領域がマスク部２０ａであり、フレーム３０に重なる領域が周辺部２０ｂである。フレーム３０は、例えば金属材料から形成されている。フレーム３０は、線熱膨張係数αＭの小さい（具体的には６ｐｐｍ／℃未満である）磁性金属材料を用いることが好ましい。例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（インバー）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金などを好適に用いることができる。
【００５１】
成膜マスク１００では、図１に示すように、磁性金属層２０は、全体にわたって樹脂層１０に接合されている。樹脂層１０および磁性金属層２０は、フレーム３０から、層面内方向の張力を受けている。後述するように、樹脂層１０および磁性金属層２０は、架張工程において、架張装置（あるいは溶接機能も備えた架張溶接装置）によって所定の層面内方向に引っ張られた状態でフレーム３０に固定される。
【００５２】
（成膜マスクの製造方法）
図３（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、成膜マスク１００の製造方法の例を説明する。図３（ａ）〜（ｆ）は、成膜マスク１００の製造工程を示す工程断面図である。
【００５３】
まず、図３（ａ）に示すように、樹脂材料から形成された樹脂シートを、樹脂層１０として用意する。樹脂層１０の材料としては、例えばポリイミドを好適に用いることができる。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂層１０上に、レジスト層３２でパターンを形成する。レジスト層３２は、磁性金属層２０の貫通孔２１に対応するように形成する。
【００５５】
続いて、図３（ｃ）に示す様に、磁性金属層２０を形成する。磁性金属層２０は、無電解めっきまたは電解めっきで形成される。めっき工程に先立って、触媒層および／または下地層（シード層）を形成してもよい。
【００５６】
次に、図３（ｄ）に示す様に、レジスト層３２を除去することによって、貫通孔２１を有する磁性金属層２０が得られる。磁性金属層２０は、中実部２０ａ１および非中実部２０ａ２を含むマスク部２０ａと、マスク部２０ａを包囲するように配置された周辺部２０ｂとを有する。
【００５７】
続いて、図３（ｅ）に示す様に、樹脂層１０および磁性金属層２０の周辺部２０ｂをフレーム３０に固定する。この工程は、樹脂層１０および磁性金属層２０に、外部から層面内方向の張力を付与した状態で行われる。まず、フレーム３０を、架張溶接装置に固定する。次に、樹脂層１０および磁性金属層２０を、フレーム３０上に、磁性金属層２０を下にして載置する。続いて、樹脂層１０および磁性金属層２０の対向する２つの縁部（図中の第１方向Ｘに直交する縁部）を架張溶接装置の保持部（クランプ）で保持し、第１方向Ｘに平行に一定の張力を付与する。同時に、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに直交する（つまり第１方向Ｘに平行な）２つの縁部もクランプで保持し、第２方向Ｙに平行に一定の張力を付与する。
【００５８】
この状態で、樹脂層１０側からレーザ光Ｌ１を照射することによって、樹脂層１０および磁性金属層２０の周辺部２０ｂをフレーム３０に溶接する。ここでは、所定の間隔を空けて複数箇所でスポット溶接を行う。スポット溶接の間隔（ピッチ）は適宜選択され得る。溶接には、例えば、ＹＡＧレーザを用いることができ、レーザ光Ｌ１の波長および１パルスあたりのエネルギーはそれぞれ例えば１０６４ｎｍ、７Ｊ／ｐｕｌｓｅである。勿論、溶接条件は、ここで例示するものに限定されない。
【００５９】
続いて、図３（ｆ）に示すように、樹脂層１０に複数の開口部１１を形成する。この工程において、複数の開口部１１は、樹脂層１０における、マスク部２０ａの非中実部２０ａ２に対応する領域に形成される。開口部１１の形成は、例えばレーザ加工によって行うことができる。レーザ加工には、パルスレーザを用いる。ここでは、ＹＡＧレーザを用い、波長が３５５ｎｍのレーザ光Ｌ２を樹脂層１０の所定の領域に照射する。このとき、レーザ光Ｌ２の照射方向が上から下に向かう方向となるように、加工対象物（フレーム３０、磁性金属層２０および樹脂層１０を含む構造体）は上下反転される。レーザ光Ｌ２のエネルギー密度は、例えば０．５Ｊ／ｃｍ2である。レーザ加工は、樹脂層１０の表面にレーザ光Ｌ２の焦点を合わせて、複数回のショットを行うことによって行われる。ショット数は、樹脂層１０の厚さに応じて決定される。ショット周波数は、例えば６０Ｈｚに設定される。このようにして、成膜マスク１００が得られる。
【００６０】
なお、レーザ加工の条件は、上述したものに限定されず、樹脂層１０を加工し得るように適宜選択される。たとえば、ビーム径の大きいレーザ光を用意し、例えば５０個×５０個、あるいは１００個×１００個の開口部１１に対応する開口を有するフォトマスクを介して、レーザ光を照射することによって、ブロックごとに開口部１１を形成してもよい。このとき、開口部１１が形成されるマスク基材は、ステッパの様に、不連続に移動させられる。
【００６１】
（成膜マスクの変形例）
図１および図２に示した成膜マスク１００では、磁性金属層２０の各貫通孔２１内に、樹脂層１０の複数の開口部１１が１列に配置されているが、磁性金属層２０の貫通孔２１の構成はこれに限定されない。例えば、各貫通孔２１内に、樹脂層１０の複数の開口部１１をマトリクス状に配列してもよい。また、複数の貫通孔２１は、列方向に沿って平行に配列されてもよいし、マトリクス状に配列されてもよい。
【００６２】
また、磁性金属層２０の各貫通孔２１内に、樹脂層１０の開口部１１が１つだけ配置されるようにしてもよい。磁性金属層２０の各貫通孔２１内には、少なくとも１つの開口部１１が配置されていればよい。
【００６３】
また、磁性金属層２０が、貫通孔２１を１つだけ有するようにしてもよい。磁性金属層２０のマスク部２０ａには、少なくとも１つの貫通孔２１が形成されていればよい。
【００６４】
なお、樹脂層１０および磁性金属層２０とフレーム３０との接合は、溶接に代えて、接着剤を用いてもよい。接着剤としては、紫外線硬化タイプまたは熱硬化タイプを用いることができる。アウトガスが少ない接着剤を用いることが好ましい。
【００６５】
（開口部形成順序）
以下に、図４〜図１２を参照して、本発明の実施形態による成膜マスクの製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明する。本発明の実施形態による製造方法において、開口部を形成する順序は、架張されたマスク基材（樹脂層および／また磁性金属層）に開口部を形成することによるマスク基材に生成される内部応力（張力）の不均一な分布の程度を小さくすることによって、内部応力の不均一な分布に起因する開口部の変形を抑制する。
【００６６】
従来は、レーザ加工のスループットを向上させるために、マスク基材のアクティブ領域形成部の一端（一点）から順に、連続的に開口部を形成していた。レーザに対するマスク基材の相対位置の移動時間を最小にするためである。マスク基材の応力分布は、マスク基材に開口部を形成するたびに変化する。したがって、一端から他端に向けて連続的に開口部を形成すると、開口部を形成することによる内部応力（張力）の不均一な分布が偏り、開口部の形状のずれが大きくなる。予備的な成膜マスクを作製し、設計値からのずれを測定し、そのずれを見込んで開口部を形成することによって、また、この工程を複数回繰り返すことによって、目的の精度を得ることもできるが、高精細な成膜マスクを作製するためには、繰り返す回数が多くなり、製造コストの上昇を招く。特に、４００ｐｐｉを超える高精細な成膜マスクを形成することが困難になる。
【００６７】
本発明の実施形態による成膜マスクの製造方法では、レーザ加工のスループットを敢えて犠牲にし、開口部を形成することによるマスク基材に生成される内部応力（張力）の不均一な分布の程度を小さくする。本発明の実施形態による成膜マスクの製造方法は、高精細の成膜マスクの製造に適している。
【００６８】
図４および図５を参照する。図４は、本発明の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。図５は、本発明の他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
【００６９】
一般に、成膜マスクは、ＯＬＥＤ表示装置を多面取りする際のマザー基板の複数のアクティブ領域に対応して、複数のアクティブ領域形成部ＡＡを有している。複数のアクティブ領域形成部ＡＡは一般にｐ行ｑ列に配列されている（例えば図１０〜図１２参照）。図４および図５は、１つのアクティブ領域形成部ＡＡの樹脂層１０を示しており、開口部（不図示）を形成する領域（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３等）を示している。なお、図４および図５においては、各領域を見やすくするために、ハッチングの有る領域と無い領域とに分けて示している（図６〜図９において同じ）。積層型マスクのマスク基材は、図１〜図３を参照して説明した様に、樹脂層１０と磁性金属層２０とを有しているが、複数の開口部１１は樹脂層１０に形成されるので、以下では磁性金属層２０の図示を省略する。
【００７０】
樹脂層１０は、図３を参照して説明した様に、架張された状態でフレームに固定されている。ここで、架張された樹脂層１０が規定する面をｘｙ面とする。樹脂層１０は、ｘ方向に張力Ｆｘで引っ張られ、ｘ方向と直交するｙ方向に張力Ｆｙで引っ張られている。このように架張された状態で、樹脂層１０にｍ行ｎ列のマトリクス状に複数の開口部を形成する。例えば、ｍ×ｎは、１４４０×２８８０である。なお、表示に用いられる画素以外に、ダミーの画素が設けられることがあり、そのような場合には、ｍおよび／またはｎは奇数になり得る。
【００７１】
以下では、アクティブ領域形成部ＡＡがｘ方向に長い矩形で、行方向がｘ方向に平行な例を示すが、これに限られないのは言うまでもない。また、以下の説明において、行と列とは入れ替わってもよいし、ｘ方向と−ｘ方向とが入れ替わってもよいし、ｙ方向と−ｙ方向とが入れ替わってもよい。
【００７２】
本発明の実施形態による製造方法は、アクティブ領域形成部ＡＡを複数の領域に分割し、複数の領域ごとに開口部を形成する。分割された領域内では、開口部を連続して形成してもよいが、複数の領域にわたって連続的に開口部を形成することを避け、不連続に配置された領域に開口部を形成する。このとき、不連続に配置された領域は、例えば、アクティブ領域形成部ＡＡの中心（例えば以下の例ではｘ方向の中心）に関して線対称な位置にあることが好ましい。また、線対称に配置される領域には、連続して、開口部を形成することが好ましい。開口部を形成することによる応力の不均一な分布は、できるだけ短時間で解消することが好ましいからである。もちろん、線対称に配置される領域の面積は互いに等しいことが好ましい。
【００７３】
図４を参照する。
【００７４】
まず、最初の工程Ａでは、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域Ｒ１内の開口部を形成する。すなわち、ｎ列の中心の列を含む第１領域Ｒ１に開口部を形成する。第１領域Ｒ１は、（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列に関して線対称な領域であることが好ましい。
【００７５】
続く、工程Ｂまたは工程Ｃでは、第１領域Ｒ１に直接隣接しない第２領域Ｒ２または第３領域Ｒ３に開口部を形成する。第２領域Ｒ２は、例えば、ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域ＲＳ１を間に介して、第１領域Ｒ１と−ｘ方向に隣接し、b本の連続した列の開口部を含む。第３領域Ｒ３は、例えば、ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域ＲＳ２を間に介して、第１領域Ｒ１とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む。ここで、ｂ本とｃ本とは互いに等しいことが好ましく、さらに、ｓａ本とｓｂ本とは互いに等しいことが好ましい。もちろん、列の数（ｎ）は大きいので、ｂ本とｃ本とが多少違っても、また、ｓａ本とｓｂ本とが多少違っても、応力分布の均衡（線対称性）に与える影響は小さい。ｂ本とｃ本との差、および、ｓａ本とｓｂ本との差は、それぞれ１０％程度以下であることが好ましい。後述する他の領域についても同様である。
【００７６】
この後、第１間隙領域ＲＳ１内の開口部を形成する工程Ｄまたは第２間隙領域ＲＳ２内の開口部を形成する工程Ｅを行う。
【００７７】
このような順序で形成すると、開口部を形成することによる応力分布の変化の不均一性を抑制することができる。
【００７８】
なお、各領域内の開口部は、一筆書きのように、一端から他端に向けて、最短距離で連続的に形成すればよい。各領域の列の数（ａ本、ｂ本、ｃ本、ｓａ本およびｓｂ本）は、それぞれ独立に、１００本以上３００本以下であることが好ましい。逆に言うと、各領域の列の数が、１００本以上３００本以下となるように、領域の数を増やせばよい。列の数が４０９６本（解像度４Ｋ）の場合、１５個の領域に分けることによって、開口部を形成することによる応力分布の変化の不均一性を抑制することができる。各領域に含まれる列の数（ａ本、ｂ本、ｃ本、ｓａ本およびｓｂ本）は概ね等しいことが好ましい。ただし、最初に開口部を形成する中央に位置する第１領域Ｒ１の列の数ａ本は、他よりも小さくてもよい。
【００７９】
例えば、図５に示す様に、７つの領域を形成する場合、第２領域Ｒ２が第１領域Ｒ１の−ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含むように形成し、第３領域Ｒ３が第１領域Ｒ１のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含むように形成する。ここで、ある領域の中央の列とは、その領域に含まれる列の数をｋとし、ｋが偶数のときには、ｋ／２列目をいい、ｋが奇数のときは（ｋ+１）／２列目をいう。数える方向は、ｘ方向でも−ｘ方向でもよい。
【００８０】
このように、第１領域Ｒ１をアクティブ領域形成部ＡＡの中央に形成し、第２領域Ｒ２を第１領域Ｒ１の−ｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成し、第３領域Ｒ３を第１領域Ｒ１のｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成すれば、開口部を形成することによる応力分布の変化の不均一性を効果的に抑制することができる。
【００８１】
この後、ｄ本の連続した列の開口部を含み、第２領域Ｒ２と−ｘ方向に隣接する第４領域Ｒ４内の開口部を形成する工程Ｆと、ｅ本の連続した列の開口部を含み、第３領域Ｒ３とｘ方向に隣接する第５領域Ｒ５内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに行う。ｄ本およびｅ本は、ａ本、ｂ本、ｃ本、ｓａ本およびｓｂ本と概ね等しいことが好ましい。工程Ｆおよび工程Ｇは、工程Ｄおよび工程Ｅの前に行うことが好ましい。工程Ｄおよび工程Ｅを先に行うと、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２、第３領域Ｒ３、第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２からなる連続した１つの領域に開口部が形成されることになる。これに対し、工程Ｆおよび工程Ｇを先に行うと、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２・第４領域Ｒ４と、第３領域Ｒ３・第５領域Ｒ５との３つの不連続な領域に開口部が形成されるので、応力分布の偏りを抑制する効果が大きい。
【００８２】
次に、図６を参照する。
【００８３】
図６は、１１個の領域に分割する場合を示している。図６の下に示した（Ｒ４）、（ＲＳ１）、（ＲＳ２）および（Ｒ５）は、図５に示した第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５に対応する。すなわち、図５を参照して説明した７つの領域に分割する開口部形成工程において、第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５をそれぞれ２つの領域にさらに分割することによって、図６に示す様に１１個の領域に分割することができる。
【００８４】
図６において、開口部を形成する順序は、例えば、図６中に示した、第１領域Ｒ１から第１１領域Ｒ１１まで、数字の昇順に従って形成すればよい。図５を参照して説明した開口部形成工程において、第４領域Ｒ４を第２領域Ｒ２と直接隣接しない領域として形成することによって、第８領域Ｒ８を形成することができる。また、第５領域Ｒ５を第３領域Ｒ３と直接隣接しない領域とすることによって、第９領域Ｒ９を形成することができる。第４領域Ｒ４と第８領域Ｒ８とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましく、第５領域Ｒ５と第９領域Ｒ９とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましい。
【００８５】
さらに、第１間隙領域ＲＳ１のうち、第１領域Ｒ１に直接隣接する領域に開口部を形成することによって第６領域Ｒ６を形成する。このとき、第１間隙領域ＲＳ１のうち、第６領域Ｒ６にならなかった領域が第１０領域Ｒ１０となる。次に、第２間隙領域ＲＳ２のうち、第１領域Ｒ１に直接隣接する領域に開口部を形成することによって第７領域Ｒ７を形成する。このとき、第２間隙領域ＲＳ２のうち、第７領域Ｒ７にならなかった領域が第１１領域Ｒ１１となる。第６領域Ｒ６と第１０領域Ｒ１０とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましく、第７領域Ｒ７と第１１領域Ｒ１１とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましい。
【００８６】
次に、図７を参照する。
【００８７】
図７は、１５個の領域に分割する場合を示している。図７の下に示した（Ｒ４）、（ＲＳ１）、（ＲＳ２）および（Ｒ５）は、図５に示した第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５に対応する。すなわち、図５を参照して説明した７つの領域に分割する開口部形成工程において、第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５をそれぞれ３つの領域にさらに分割することによって、図７に示す様に１５個の領域に分割することができる。
【００８８】
図７において、開口部を形成する順序は、例えば、図７中に示した、第１領域Ｒ１から第１５領域Ｒ１５まで、数字の昇順に従って形成すればよい。
【００８９】
図５を参照して説明した開口部形成工程において、工程Ｄを、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓａ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程とし、工程Ｅを、第１領域Ｒ１と第３領域Ｒ３の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓｂ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程とする。このとき、工程Ｄにおいて、図５における第１間隙領域ＲＳ１に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成し（図７中の第４領域Ｒ４）、工程Ｅにおいて、図５における第２間隙領域ＲＳ２に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成する（図７中の第５領域Ｒ５）。
【００９０】
次に、図５を参照して説明した開口部形成工程において、第４領域Ｒ４を、第２領域Ｒ２の−ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｄ本よりも少ない連続した列の開口部を含む領域とし、第５領域Ｒ５を、第３領域Ｒ３のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｅ本よりも少ない連続した列の開口部を含む領域とする。このとき、図５における第４領域Ｒ４に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成し（図７中の第６領域Ｒ６）、図５における第５領域Ｒ５に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成する（図７中の第７領域Ｒ７）。
【００９１】
次に、図８および図９を参照して、開口部を形成する順序の他の例を説明する。図６および図７を参照して説明した例では、第１領域Ｒ１をアクティブ領域形成部ＡＡの中央に形成した後、第２領域Ｒ２を第１領域Ｒ１の−ｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成し、第３領域Ｒ３を第１領域Ｒ１のｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成した。その後、図７に示した例では、さらに残った領域の中央に第４領域Ｒ４および第５領域Ｒ５を形成した。これに対し、図８および図９では、第１領域Ｒ１をアクティブ領域形成部ＡＡの中央に形成した後、第１領域Ｒ１からある本数分（間隙領域）を空けて、−ｘ方向に第２領域Ｒ２を形成し、ｘ方向に第３領域Ｒ３を形成する。さらにその後、第２領域Ｒ２からある本数分（間隙領域）を空けて、−ｘ方向に第４領域Ｒ４を形成し、第３領域Ｒ３からある本数分（間隙領域）を空けて、ｘ方向に第５領域Ｒ５を形成する。このように、中央からｘ方向および−ｘ方向に交互にある本数分（間隙領域）を空けて、開口部を形成するようにしてもよい。
【００９２】
図８は、図６と同様に、１１個の領域に分割する場合を示しており、図９は、図７と同様に１５個の領域に分割する例を示している。
【００９３】
まず、図５を参照して説明したのと同じ順序で、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３を形成する。すなわち、工程Ａ、工程Ｂおよび工程Ｃを行う。このときに形成される第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２に含まれる列の数が、図５の場合と異なる。
【００９４】
その後、ｓｃ本の連続した列を含む第３間隙領域ＲＳ３を介して、第２領域Ｒ２と−ｘ方向に隣接し、ｄ本の連続した列の開口部を含む第４領域Ｒ４内の開口部を形成する工程Ｆと、ｓｄ本の連続した列を含む第４間隙領域ＲＳ４を介して、第３領域Ｒ３とｘ方向に隣接し、ｅ本の連続した列の開口部を含む第５領域Ｒ５内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに行う。
【００９５】
その後、ｆ本の連続した列の開口部を含み、第４領域Ｒ４の−ｘ方向に位置する第６領域Ｒ６内の開口部を形成する工程Ｈおよび／または、ｇ本の連続した列の開口部を含み、第５領域Ｒ５のｘ方向に位置する第７領域Ｒ７内の開口部を形成する工程Ｉを行う。
【００９６】
ここで、第４領域Ｒ４に直接隣接するように第６領域Ｒ６を形成し、第５領域Ｒ５に直接隣接するように第７領域Ｒ７を形成することによって、図８に示す、第１領域Ｒ１〜第７領域Ｒ７が得られる。第７領域Ｒ７まで開口部を形成した後、第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２に開口部を形成し、その後で、第３間隙領域ＲＳ３および第４間隙領域ＲＳ４に開口部を形成することが好ましい。開口部が形成された領域がなるべく分散されるように形成される方が、応力分布の変化の不均一性を抑制する効果が高いからである。
【００９７】
一方、第５間隙領域ＲＳ５を介して、第４領域Ｒ４に隣接するように第６領域Ｒ６を形成し、第６間隙領域ＲＳ６を介して、第５領域Ｒ５に隣接するように第７領域Ｒ７を形成し、第６領域Ｒ６に直接隣接するように第８領域Ｒ８を形成し、第７領域Ｒ７に直接隣接するように第９領域Ｒ９を形成することによって、図９に示す、第１領域Ｒ１〜第９領域Ｒ９が得られる。第９領域Ｒ９まで開口部を形成した後、第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２に開口部を形成し、その後で、第５間隙領域ＲＳ５および第６間隙領域ＲＳ６に開口部を形成し、最後に、第３間隙領域ＲＳ３および第４間隙領域ＲＳ４に開口部を形成することが好ましい。開口部が形成された領域がなるべく分散されるように形成される方が、応力分布の変化の不均一性を抑制する効果が高いからである。
【００９８】
ＯＬＥＤ表示装置を多面取りする際のマザー基板に対して用いられる成膜マスクでは、アクティブ領域形成部の位置によって、マスク基材内の応力分布が異なるので、上記と同様の問題が発生する。そこで、図１０〜図１２を参照して、複数のアクティブ領域形成部ＡＡに開口部を形成する順序について説明する。
【００９９】
図１０に示すマザー基板用の成膜マスク２００は、ｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部ＡＡを有している。ｐおよびｑは、例えば４０〜１００程度である。
【０１００】
図１０に矢印で示す様に、任意の列の全てのアクティブ領域形成部ＡＡにわたって、上記の工程Ａの後で、工程Ｂおよび工程Ｃ等を行う。すなわち、各アクティブ領域形成部ＡＡについて開口部を形成する工程をすべて行うのではなく、アクティブ領域形成部ＡＡの列ごとに、開口部形成工程を上記の順序で行う。このように行うことによって、ｙ方向における移動距離を短くすることができるとともに、ｙ方向における応力分布の変化を抑制することができる。
【０１０１】
なお、アクティブ領域形成部ＡＡの列を選択する順序は、上述の開口部を形成する列を選択する順序と同様にすることが好ましい。すなわち、上記のｎ列に代えてｑ列とすればよい。具体的には、開口部形成工程を（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部ＡＡから行えばよい。あるいは、行と列とを入れ替えて、行方向に沿って開口部を形成する場合には、開口部形成工程を（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行ってもよい。
【０１０２】
なお、アクティブ領域形成部ＡＡごとに、開口部形成工程を行う場合には、上述の順序に従ってアクティブ領域形成部ＡＡの列を選択し、各列について、図１１に示す様に、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行ってもよい。
【０１０３】
上記では、積層型マスクを例に、開口部を形成する順序を説明したが、本発明の実施形態は、メタルマスクにも適用できる。
【０１０４】
図１２に示す成膜マスク３００は、インバーで形成された金属層５０を有している。金属層５０は、短冊状の金属層５０Ｓを複数配列し、周辺をインバーで形成されたフレーム（不図示）に固定されている。短冊状のインバーが量産されており、マザー基板に対応できる大きさの一枚の板を入手するのは困難である。インバーで形成されたマスク基材には、短冊の長手方向に沿って（ここではｙ方向に沿って）架張されている（ｘ方向には架張されていない）。
【０１０５】
このような場合には、架張方向（ｙ方向）における応力分布の偏りを低減させる必要がある。したがって、開口部を形成する順序は、図１２に示す様に、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行うことが好ましい。各アクティブ領域形成部においても同様で、上述の説明の行と列とを入れ替えて、（ｍ／２）番目の行または｛（ｍ+１）／２｝番目の行から行うことが好ましい。
【０１０６】
なお、アクティブ領域形成部ＡＡを選択する順序を上述のようにすれば、各アクティブ領域形成部ＡＡにおける開口部を形成する順序に拘わらず、応力分布の不均性に起因する開口部の変形をある程度抑制する効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明の実施形態は、有機ＥＬデバイスの製造に用いられる成膜マスクの製造に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１０８】
１０    樹脂層
１１    開口部
２０    磁性金属層
２０ａ    マスク部
２０ａ１    中実部
２０ａ２    非中実部
２０ｂ    周辺部
２１    貫通孔（スリット）
１００    成膜マスク
ＡＡ      ：アクティブ領域形成部
Ｌ１、Ｌ２      ：レーザ光
Ｒ１      ：第１領域
Ｒ２      ：第２領域
Ｒ３      ：第３領域
Ｒ４      ：第４領域
Ｒ５      ：第５領域
Ｒ６      ：第６領域
Ｒ７      ：第７領域
ＲＳ１    ：第１間隙領域
ＲＳ２    ：第２間隙領域
ＲＳ３    ：第３間隙領域
ＲＳ４    ：第４間隙領域
【図１】
2019044257.tif 000003
【図２】
2019044257.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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