(57)【要約】【課題】生産安定性及び絶縁信頼性を確保しつつ、絶縁被覆層を薄膜化することができる絶縁電線の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁電線１０の製造方法は、導線１１を、帯電樹脂粒子を含む固形分並びに水及び水溶性有機溶剤の混合液を含有する電着ワニスＶに通して表面にワニス膜Ｍを付着させた後に加熱することにより、導線１１の表面にワニス膜Ｍを焼き付けて導線１１の表面を被覆する膜厚が１５μｍ以下の絶縁被覆層１２を形成する工程を含む。ワニス膜Ｍにおいて、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比が１．８以上５．６以下である。【選択図】図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導線を、帯電樹脂粒子を含む固形分並びに水及び水溶性有機溶剤の混合液を含有する電着ワニスに通して表面にワニス膜を付着させた後に加熱することにより、前記導線の表面に前記ワニス膜を焼き付けて前記導線の表面を被覆する膜厚が１５μｍ以下の絶縁被覆層を形成する工程を含む絶縁電線の製造方法であって、
前記ワニス膜において、前記固形分の含有量に対する前記水溶性有機溶剤の含有量の比が１．８以上５．６以下である絶縁電線の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された絶縁電線の製造方法において、
前記電着ワニスにおける前記固形分の含有量が０．５質量％以上６．０質量％以下である絶縁電線の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された絶縁電線の製造方法において、
前記電着ワニスにおける前記水溶性有機溶剤の含有量が５質量％以上４０質量％以下である絶縁電線の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか記載された絶縁電線の製造方法において、
前記水溶性有機溶剤が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及び／又はジメチルホルムアミドを含む絶縁電線の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか記載された絶縁電線の製造方法において、
前記帯電樹脂粒子がポリアミドイミド樹脂で形成されている絶縁電線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁電線の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
導線を電着塗装して絶縁電線を製造する際に、水及び有機溶剤の混合液を分散媒とする電着ワニスを用いることが知られている。例えば、特許文献１には、絶縁電線の製造に用いる電着ワニスにおいて、水と塗装用樹脂に対して良溶媒である水溶性有機溶剤との混合液を分散媒とすることが開示されている。特許文献２には、絶縁電線の製造に用いる電着ワニスにおいて、水と水溶性有機溶剤との混合液を分散媒とすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１６９５６号公報
【特許文献２】特開２０１６−１４９２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、スマートフォン等で使用される小型インダクタ用の絶縁電線では、寸法構成の制約が厳しく、そのため絶縁電線における導線を被覆する絶縁被覆層の薄膜化が求められる。しかしながら、電着塗装により絶縁被覆層を薄膜化して形成する場合、絶縁被覆層に亀裂や凹みが発生し、そのため生産安定性及び絶縁信頼性の確保が困難になるという問題がある。
【０００５】
本発明の課題は、生産安定性及び絶縁信頼性を確保しつつ、絶縁被覆層を薄膜化することができる絶縁電線の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、導線を、帯電樹脂粒子を含む固形分並びに水及び水溶性有機溶剤の混合液を含有する電着ワニスに通して表面にワニス膜を付着させた後に加熱することにより、前記導線の表面に前記ワニス膜を焼き付けて前記導線の表面を被覆する膜厚が１５μｍ以下の絶縁被覆層を形成する工程を含む絶縁電線の製造方法であって、前記ワニス膜において、前記固形分の含有量に対する前記水溶性有機溶剤の含有量の比が１．８以上５．６以下である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、導線に付着したワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比が１．８以上５．６以下であることにより、導線の表面に優れた表面性状の絶縁被覆層を成膜することができ、それによって生産安定性及び絶縁信頼性を確保しつつ、絶縁被覆層を薄膜化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】絶縁電線の斜視図である。
【図１Ｂ】他の絶縁電線の斜視図である。
【図２】実施形態に係る絶縁電線の製造方法の工程順を示す図である。
【図３Ａ】絶縁被覆工程を示す図である。
【図３Ｂ】絶縁被覆工程を示す要部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
（絶縁電線）
図１Ａ及びＢは、実施形態に係る製造方法で製造する絶縁電線１０を示す。絶縁電線１０は、図１Ａに示すように上下面及び両側面が平坦面に形成された断面形状が扁平な矩形のものであってもよく、また、図１Ｂに示すように上下面が平坦面に形成され且つ両側面が外側に膨出した曲面に形成された断面形状が扁平なものであってもよい。これらの絶縁電線１０は、例えば、スマートフォン等で使用される小型インダクタ等に用いられるものである。
【００１１】
絶縁電線１０は、扁平な断面形状を有する平角導線１１と、その外周面を被覆する絶縁被覆層１２とを備える。平角導線１１は、例えば純度４Ｎ以上の高純度銅で形成されている。平角導線１１の厚さは例えば０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、及び幅は例えば０．２ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。絶縁被覆層１２は樹脂で形成されている。絶縁被覆層１２は、後述の電着塗装による単一の被覆処理層で構成されていることが好ましい。絶縁被覆層１２の膜厚は、例えば１μｍ以上であるが、１５μｍ以下であって、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは８μｍ以下の薄膜である。
【００１２】
（絶縁電線の製造方法）
実施形態に係る絶縁電線１０の製造方法は、図２に示すように、伸線加工工程、冷間加工工程、焼鈍工程、油分除去工程、及び絶縁被覆工程を含む。なお、これらの工程は、それぞれの工程をバッチ式で行ってもよく、また、全ての工程を連続式で行ってもよく、更には、例えば伸線加工工程及び冷間加工工程を連続式で行った後、焼鈍工程のみをバッチ式で行い、それ以降の油分除去工程及び絶縁被覆工程を連続式で行う場合のようにバッチ式と連続式とを組み合わせて行ってもよい。
【００１３】
＜伸線加工工程＞
伸線加工工程では、母線としての荒引線を細径化して横断面が円形の丸線に伸線加工する。伸線加工としては、一般的には、荒引線を伸線ダイスに通す加工が挙げられる。荒引線の外径は例えば８．０ｍｍであり、伸線後の丸線の外径は例えば０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。なお、伸線加工は通常は多段階で行い、例えば、まず外径が８．０ｍｍの荒引き線を外径が２．６ｍｍ以上３．２ｍｍ以下となるように伸線し、次いで０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下となるように伸線し、更に０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下となるように伸線する。
【００１４】
＜冷間加工工程＞
冷間加工工程では、伸線工程で伸線した丸線を、外周面に平行な一対の平坦面を含む平角導線１１に冷間加工する。冷間加工としては、例えば、丸線を圧延機のローラー間に通す圧延加工、丸線をダイスに通す加工等が挙げられる。図１Ａに示すような上下面及び両側面が平坦面に形成された断面形状が扁平な矩形の絶縁電線１０を製造する場合、丸線を厚さ方向及び幅方向のそれぞれで圧延加工することにより同様の断面形状の平角導線１１を得ることができる。また、図１Ｂに示すような上下面が平坦面に形成され且つ両側面が外側に膨出した曲面に形成された断面形状が扁平の絶縁電線１０を製造する場合、丸線を厚さ方向で圧延加工することにより同様の断面形状の平角導線１１を得ることができる。
【００１５】
＜焼鈍工程＞
焼鈍工程では、熱処理により、平角導線１１を形成する金属の結晶粒度や０．２％耐力等の物性調整を行う。この焼鈍工程での熱処理は、長さ方向の特性を均一化させる観点からはバッチ式で行うことが好ましく、その場合、冷間加工工程後の平角導線１１を巻回したボビンを熱処理炉に投入後、所定の昇温速度で炉内の温度を所定の保持温度まで高め、その保持温度で所定の保持時間を保持した後、所定の降温速度で炉内の温度を低下させることが好ましい。ここで、昇温速度は例えば２０℃／ｈ以上２０００℃／ｈ以下である。保持温度（焼鈍温度）は例えば１５０℃以上１０００℃以下である。保持時間（焼鈍時間）は例えば１秒以上１００時間以下である。降温速度は例えば１０℃／ｈ以上２０００℃／ｈ以下である。また、熱処理を連続式で行う場合、熱処理条件は、例えば焼鈍温度５００℃以上９００℃以下及び焼鈍時間１秒以上６０秒以下である。熱処理は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００１６】
＜油分除去工程＞
油分除去工程では、平角導線１１の外周面に付着した油分を洗浄除去する。この油分除去工程での洗浄は、例えば、平角導線１１を洗浄液に浸漬して引き上げた後、窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて平角導線１１の外周面に付着した洗浄液を飛散させることにより行うことができる。ここで、洗浄液としては、例えば、水（温水）、有機溶剤等が挙げられる。洗浄液を水とする場合、水温は例えば１０℃以上６０℃以下である。洗浄液には洗剤を含めてもよい。
【００１７】
＜絶縁被覆工程＞
絶縁被覆工程では、図３Ａ及びＢに示すように、平角導線１１を、電着バス２１に入れた電着ワニスＶに連続的に通して、表面にワニス膜Ｍを付着させて電着塗装した後、乾燥炉２２に通して液状成分を飛散させるのに続いて、焼付炉２３に通して加熱する。これにより、平角導線１１の表面にワニス膜Ｍを焼き付けて平角導線１１の表面を被覆する膜厚が１５μｍ以下の絶縁被覆層１２を形成する。このときの平角導線１１の線速は、好ましくは１ｍ／ｍｉｎ以上５０ｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは５ｍ／ｍｉｎ以上４０ｍ／ｍｉｎ以下である。
【００１８】
絶縁被覆工程における電着塗装では、電着ワニスＶとして、帯電樹脂粒子を含有するＯ／Ｗ型分散液を用いることが好ましい。そして、平角導線１１を帯電樹脂粒子が有する電荷の逆となる電極として電着ワニスＶに電圧を印加して電流を流し、それにより平角導線１１の表面にワニス膜Ｍを付着させる。電着ワニスＶへの電圧印加は、定電流法で行ってもよく、また、定電圧法で行ってもよい。その印加電圧は例えば１０Ｖ以上１００Ｖ以下である。電着ワニスＶに流す電流値は、好ましくは１ｍＡ以上５００ｍＡ以下、より好ましくは１０ｍＡ以上２００ｍＡ以下である。
【００１９】
平角導線１１へのワニス膜Ｍの付着量は、電着ワニスＶの組成を固定して考えると、平角導線１１に流れる電荷量に依存する。したがって、絶縁被覆層１２の膜厚もまた、その電荷量に依存する。そして、その平角導線１１に流れる電荷量は、平角導線１１の線速及び電着ワニスＶに流す電流値に依存する。このことから、絶縁被覆層１２の膜厚は、平角導線１１の線速及び電着ワニスＶに流す電流値の組み合わせにより制御することができる。なお、電着ワニスＶを入れた電着バス２１を隔室に収容し、低真空雰囲気（１００Ｐａ以上）或いは窒素ガス雰囲気で平角導線１１の電着ワニスＶへの浸漬を行ってもよい。
【００２０】
絶縁被覆工程における予備乾燥では、乾燥温度、つまり、乾燥炉２２の炉内温度は、ワニス膜Ｍの発泡を抑制する観点から、水溶性有機溶剤の沸点以下であることが好ましく、具体的には１００℃以上２５０℃以下が好ましい。乾燥時間は、例えば１秒以上１８０秒以下である。乾燥時間は、平角導線１１の線速や乾燥炉２２の長さの設定によって調節することができる。予備乾燥は、単一の焼付処理温度により一段階で行ってもよく、また、相互に異なる焼付処理温度の多段階で行ってもよい。
【００２１】
絶縁被覆工程における塗膜焼付では、焼付温度、つまり、焼付炉２３の炉内温度は、例えば２００℃以上５００℃以下である。焼付時間は、例えば５秒以上１８００秒以下である。焼付時間は、平角導線１１の線速や焼付炉２３の長さの設定によって調節することができる。塗膜焼付は、単一の焼付処理温度により一段階で行ってもよく、また、相互に異なる焼付処理温度の多段階で行ってもよい。
【００２２】
電着ワニスＶは、帯電樹脂粒子を含む固形分、並びに分散媒として水及び水溶性有機溶剤の混合液を含有する。ここで、本出願における「固形分」とは、電着ワニスＶを乾燥固化させたときに残留することとなる帯電樹脂粒子を含む成分のことである。
【００２３】
電着ワニスＶが含有する固形分としては、帯電樹脂粒子の他に例えば着色剤等が挙げられる。電着ワニスＶにおける初期の固形分の含有量Ｓは、好ましくは０．５質量％以上６．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下である。
【００２４】
固形分の帯電樹脂粒子は、負電荷を有するアニオン型のものであってもよく、また、正電荷を有するカチオン型のものであってもよい。帯電樹脂粒子を形成する樹脂としては、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ・アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。帯電樹脂粒子を構成する樹脂は、これらのうちの１種又は２種以上を用いることが好ましく、ポリアミドイミド樹脂を用いることがより好ましい。電着ワニスＶにおける帯電樹脂粒子の含有量Ｓ１は、好ましくは０．５質量％以上６．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下である。
【００２５】
固形分の着色剤としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック２７、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック７等が挙げられる。着色剤は、これらのうちの１種又は２種以上を用いることが好ましく、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３を用いることがより好ましい。電着ワニスＶにおける着色剤の含有量Ｓ２は、好ましくは０．０２５質量％以上０．３００質量％以下、より好ましくは０．０５０質量％以上０．２００質量％以下であり、また、帯電樹脂粒子１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上２０質量部以下、より好ましくは３質量部以上１０質量部以下である。
【００２６】
電着ワニスＶは、分散媒として、水及び水溶性有機溶剤の混合液を含有する。
【００２７】
分散媒を構成する水は、例えばイオン交換水や蒸留水である。電着ワニスＶにおける水の含有量Ｌ１は、好ましくは２０質量％以上９５質量％以下、より好ましくは３０質量％以上９０質量％以下である。
【００２８】
分散媒を構成する水溶性有機溶剤は、水に対する親和性が高い非プロトン性極性溶媒であることが好ましい。また、水溶性有機溶剤は、帯電樹脂粒子を構成するポリマーに対しての良溶媒であることが好ましい。水溶性有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」という。）、ジメチルホルムアミド（以下、「ＤＭＦ」という。）、ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、シクロヘキサノン等が挙げられる。水溶性有機溶剤は、これらのうちの１種又は２種以上を用いることが好ましく、ＮＭＰ及び／又はＤＭＦを用いることがより好ましく、ＮＭＰ及びＤＭＦを併用することが更に好ましい。
【００２９】
電着ワニスＶにおける水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２は、好ましくは５質量％以上４０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上３０質量％以下である。電着ワニスＶにおける水の含有量Ｌ１に対する水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２の比（Ｌ２／Ｌ１）は、好ましくは０．０１以上２．００以下、より好ましくは０．０５以上１．００以下である。電着ワニスＶにおける固形分の含有量Ｓに対する水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２の比（Ｌ２／Ｓ）は、好ましくは３．０以上９０．０以下、より好ましくは５．０以上８０．０以下である。
【００３０】
水溶性有機溶剤としてＮＭＰ及びＤＭＦを併用する場合、電着ワニスＶにおけるＮＭＰの含有量Ｌ２（ＮＭＰ）は、好ましくは５．０質量％以上４０．０質量％以下、より好ましくは１０．０質量％以上３０．０質量％以下である。電着ワニスＶにおけるＤＭＦの含有量Ｌ２（ＤＭＦ）は、好ましくは０．５質量％以上２０．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上１５．０質量％以下である。ＮＭＰの含有量Ｌ２（ＮＭＰ）に対するＤＭＦの含有量Ｌ２（ＤＭＦ）の比（Ｌ２（ＤＭＦ）／Ｌ２（ＮＭＰ））は、好ましくは０．０３以上０．５０以下、より好ましくは０．０４以上０．２０以下である。
【００３１】
電着ワニスＶは、中和剤を含有していてもよい。中和剤は、アニオン型の電着ワニスＶの場合にはカチオンを形成する塩基性中和剤を用い、カチオン型の電着ワニスＶの場合にはアニオンを形成する酸性中和剤が用いる。
【００３２】
塩基性中和剤としては、例えば、２−アミノエタノール（以下、「ＡＥ」という。）、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノ−２−メチルプロパノールなどのアミノアルコール系化合物；モルホリンなどのモルホリン系化合物；ピペラジン無水物、ピペラジン六水和物などのピペラジン系化合物；トリエチルアミン、トリプロピルアミンなどのアルキルアミン系化合物；ピペリジンなどのピペリジン系化合物等が挙げられる。塩基性中和剤は、これらのうちの１種又は２種以上を用いることが好ましく、２−アミノエタノールを用いることがより好ましい。
【００３３】
酸性中和剤としては、例えば、塩酸、酢酸、プロピオン酸、乳酸、シアノ酢酸、リン酸や硫酸などの無機酸及び有機酸等が挙げられる。酸性中和剤は、これらのうちの１種又は２種以上を用いることが好ましい。
【００３４】
電着ワニスＶにおける中和剤の含有量Ｌ３は、好ましくは０．０１５質量％以上０．３００質量％以下、より好ましくは０．０４０質量％以上０．２００質量％以下であり、帯電樹脂粒子１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上１５質量部以下、より好ましくは２質量部以上１０質量部以下である。
【００３５】
電着ワニスＶの５０％径（Ｄ５０：メジアン径）は、好ましくは２０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。この電着ワニスＶの５０％径（Ｄ５０）は、例えば大塚電子社製のゼータ電位・粒径・分子量測定システム（ＥＬＳＺ−２０００ＺＳ）を用いた動的光散乱法により測定される。
【００３６】
電着ワニスＶの粘度は、液温２０℃において、好ましくは２ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは４ｍＰａ・ｓ以上３０ｍＰａ・ｓ以下である。この電着ワニスＶの粘度はＢ型粘度計（１００ｒｐｍ）により測定される。電着ワニスＶのｐＨは、ｐＨメーターにより測定され、例えば７以上９以下である。電着ワニスＶの液温は例えば１０℃以上３０℃以下である。
【００３７】
電着ワニスＶは、例えば、帯電樹脂粒子を構成する樹脂を含む油相成分と水相成分とをそれぞれ準備し、それらを混合した後に撹拌して転相乳化させることにより調製することができる。この撹拌には、汎用の乳化機、分散機、混合機、又は、攪拌機を用いることができる。具体的には、例えば、高剪断を与えることができるローター式又はステーター式ミキサー、コロイドミル、ホモジナイザー、高圧ホモジナイザー等が挙げられる。撹拌の際における撹拌翼の外周の周速は、好ましくは１ｍ／ｍｉｎ以上好ましくは７０ｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは１０ｍ／ｍｉｎ以上３０ｍ／ｍｉｎ以下である。撹拌時間は、好ましくは３分以上６０分以下、より好ましくは５分以上３０分以下である。
【００３８】
絶縁被覆工程では、平角導線１１の線速及び電着ワニスＶに流す電流値の設定に加え、平角導線１１に付着するワニス膜Ｍにおいて、固形分の含有量Ｓ’に対する水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２’の比（Ｌ２’／Ｓ’）が１．８以上５．６以下、好ましくは２．０以上５．０以下、より好ましくは２．５以上４．５以下となるように、電着バス２１内の電着ワニスＶの組成を調整する。
【００３９】
平角導線１１に付着するワニス膜Ｍの組成は、帯電樹脂粒子が高い濃度で含まれることになるため、通常は電着バス２１内の電着ワニスＶの組成と一致しない。本発明者は、絶縁被覆層１２の成膜性が、このワニス膜Ｍの組成と相関があり、このワニス膜Ｍにおいて、固形分の含有量Ｓ’に対する水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２’の比（Ｌ２’／Ｓ’）が１．８以上５．６以下となるように、電着バス２１内の電着ワニスＶの組成、特に水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２’を設定することにより、絶縁被覆層１２の優れた成膜性が得られることを見出した。したがって、実施形態に係る絶縁電線１０の製造方法によれば、平角導線１１に付着したワニス膜Ｍにおいて、固形分の含有量Ｓ’に対する水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２’の比（Ｌ２’／Ｓ’）が１．８以上５．６以下であることにより、平角導線１１の表面に優れた表面性状の絶縁被覆層１２を成膜することができ、それによって生産安定性及び絶縁信頼性を確保しつつ、絶縁被覆層１２を薄膜化することができる。
【００４０】
ここで、ワニス膜Ｍにおける固形分の含有量Ｓ’は、好ましくは１．０質量％以上４０．０質量％以下、より好ましくは２．０質量％以上３０．０質量％以下である。ワニス膜Ｍにおける水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２’は、好ましくは５．０質量％以上４０．０質量％以下、より好ましくは１０．０質量％以上３０．０質量％以下である。
【００４１】
電着バス２１内の電着ワニスＶは平角導線１１に付着して消費されるので、電着バス２１に連続的又は断続的に電着ワニスＶを補充することが好ましい。このとき補充する電着ワニスＶは、ワニス膜Ｍにおいて、固形分の含有量Ｓ’に対する水溶性有機溶剤の含有量Ｌ２’の比（Ｌ２’／Ｓ’）が１．８以上５．６以下となるように、電着バス２１内の電着ワニスＶの組成を維持するものであれば、初期に仕込んだ電着ワニスＶと同一であってもよく、また、それを濃縮又は希釈したものであってもよい。
【００４２】
なお、上記実施形態では、断面形状が扁平な矩形の絶縁電線１０を示したが、特にこれに限定されるものではなく、例えば、厚さ方向及び幅方向の寸法が等しい断面形状が正方形のものであってもよく、また、断面形状が円形の丸線であってもよい。
【実施例】
【００４３】
（絶縁電線の製造）
以下の実施例１〜７及び比較例１〜５の絶縁電線の作製実験を行った。それぞれの構成については表１及び２にも示す。
【００４４】
＜実施例１＞
固形分のポリアミドイミド（ＰＡＩ）樹脂１．９質量％及び着色剤０．１質量％、分散媒の水８８質量％及び水溶性溶剤１０質量％（ＮＭＰ：９．２質量％＋ＤＭＦ：０．８質量％）、並びに中和剤のＡＥ０．０７質量％を含有するＯ／Ｗ型分散液の電着ワニスを調整した。この電着ワニスにおける固形分の含有量は２．０質量％、５０％径（Ｄ５０）は２００ｎｍ、液温２０℃における粘度は５．０ｍＰａ・ｓ、ｐＨは７．４、液温は２０℃であった。
【００４５】
この電着ワニスを用い、上記実施形態における絶縁被覆工程と同様の操作を行うことにより絶縁電線を作製した。平角導線には、厚さ０．０６ｍｍ及び幅０．２８ｍｍの平角銅導線を用いた。予備乾燥では、乾燥温度を２００℃及び乾燥時間を６秒とした。塗膜焼付では、焼付温度を３５０℃及び焼付時間を６秒とした。そして、平角導線の線速を３０ｍ／ｍｉｎとするとともに、電着ワニスに流す電流値を３０ｍＡとすることにより、膜厚３μｍの絶縁被覆層を形成させた。
【００４６】
このとき、電着バスから引き上げられた平角導線の表面に付着したワニス膜を組成分析し、その固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比を求めたところ３．２であった。
【００４７】
＜実施例２＞
実施例２では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を１５質量％（ＮＭＰ：１３．８質量％＋ＤＭＦ：１．２質量％）としたことを除いて実施例１と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は５．０であった。
【００４８】
＜実施例３＞
実施例３では、電着ワニスに流した電流値を６０ｍＡとして膜厚５μｍの絶縁被覆層を形成させたことを除いて実施例１と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は２．０であった。
【００４９】
＜実施例４＞
実施例４では、電着ワニスに流した電流値を６０ｍＡとして膜厚５μｍの絶縁被覆層を形成させたことを除いて実施例２と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は２．９であった。
【００５０】
＜実施例５＞
実施例５では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を２０質量％（ＮＭＰ：１８．３質量％＋ＤＭＦ：１．７質量％）としたことを除いて実施例３と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は３．８であった。
【００５１】
＜実施例６＞
実施例６では、平角導線の線速を２０ｍ／ｍｉｎとして膜厚８μｍの絶縁被覆層を形成させたことを除いて実施例５と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は２．３であった。
【００５２】
＜実施例７＞
実施例７では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を３０質量％（ＮＭＰ：２７．５質量％＋ＤＭＦ：２．５質量％）としたことを除いて実施例６と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は３．５であった。
【００５３】
＜比較例１＞
比較例１では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を５質量％（ＮＭＰ：４．６質量％＋ＤＭＦ：０．４質量％）としたことを除いて実施例１と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は１．６であった。
【００５４】
＜比較例２＞
比較例２では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を２０質量％（ＮＭＰ：１８．３質量％＋ＤＭＦ：１．７質量％）としたことを除いて実施例１と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は６．５であった。
【００５５】
＜比較例３＞
比較例３では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を３０質量％（ＮＭＰ：２７．５質量％＋ＤＭＦ：２．５質量％）としたことを除いて実施例３と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は５．７であった。
【００５６】
＜比較例４＞
比較例４では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を１０質量％（ＮＭＰ：９．２質量％＋ＤＭＦ：０．８質量％）としたことを除いて実施例６と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は１．２であった。
【００５７】
＜比較例５＞
比較例５では、電着ワニスにおける水溶性有機溶剤の含有量を１５質量％（ＮＭＰ：１３．８質量％＋ＤＭＦ：１．２質量％）としたことを除いて実施例６と同一操作を行った。ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比は１．７であった。
【００５８】
【表１】
2019061873.tif 000003
【００５９】
【表２】
2019061873.tif 000004
【００６０】
（試験方法）
実施例１〜７及び比較例１〜５のそれぞれで製造した絶縁電線の外観を目視により、絶縁被覆層の亀裂の有無、及び凹みの有無を確認した。そして、亀裂や凹みの有るものをＡ評価、無いものをＢ評価とした。
【００６１】
（試験結果）
表１及び２は、実施例１〜７及び比較例１〜５のそれぞれで製造した絶縁電線の絶縁被覆層における亀裂及び凹みの有無の評価結果を示す。
【００６２】
これによれば、ワニス膜において、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比が１．８以上５．６以下である実施例１〜７では、絶縁電線の絶縁被覆層に亀裂も凹みも認められず、したがって、平角導線の表面に優れた表面性状の絶縁被覆層を成膜することができることが分かる。
【００６３】
一方、固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比が１．８よりも低い比較例１、４、及び５では、絶縁電線の絶縁被覆層に凹みは認められないものの、亀裂が認められた。固形分の含有量に対する水溶性有機溶剤の含有量の比が５．６よりも高い比較例２及び３では、絶縁電線の絶縁被覆層に亀裂は認められないものの、凹みが認められた。
【００６４】
なお、実施例１及び３と比較例４、実施例２及び４と比較例５、実施例５及び６と比較例２、及び実施例７と比較例３では、同一組成の電着ワニスを用いているにも関わらず、線速や電流値といった加工条件の相違によって絶縁被覆層の成膜性に相違が認められることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、絶縁電線の製造方法の技術分野について有用である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  絶縁電線
１１  平角導線
１２  絶縁被覆層
２１  電着バス
２２  乾燥炉
２３  焼付炉
Ｍ  ワニス膜
Ｖ  電着ワニス
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
2019061873.tif 000008
【図３Ｂ】
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