(57)【要約】【課題】  金型鋳造法のみならず半固体鋳造法にも適用可能であり、かつ耐食性が良好なマグネシウム合金などの提供。【解決手段】  マグネシウムと、リチウムと、亜鉛と、ベリリウムとを含有し、  固相線温度と、液相線温度とを有し、  前記液相線温度（Ｌ）と、前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が、５０℃以上である、マグネシウム合金。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウムと、リチウムと、亜鉛と、ベリリウムとを含有し、
固相線温度と、液相線温度とを有し、
前記液相線温度（Ｌ）と、前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が、５０℃以上である、ことを特徴とするマグネシウム合金。
【請求項２】
前記ベリリウムの含有量が、０．０１質量％以上２質量％以下である請求項１に記載のマグネシウム合金。
【請求項３】
前記リチウムの含有量が、６質量％以上１６質量％以下である請求項１から２のいずれかに記載のマグネシウム合金。
【請求項４】
前記亜鉛の含有量が、０．１質量％以上４質量％以下である請求項１から３のいずれかに記載のマグネシウム合金。
【請求項５】
更に、アルミニウム、錫、シリコン、及びカルシウムの少なくともいずれかを含有する請求項１から４のいずれかに記載のマグネシウム合金。
【請求項６】
７５０℃±２０℃のマグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムの混合物を、電磁溶融撹拌しながら８５０℃±２５℃まで５０℃±１０℃／分の昇温速度で昇温させる昇温工程と、
前記昇温工程の後に、前記混合物を電磁誘導撹拌しながら５２５℃±１０℃まで３０℃±１０℃／分の降温速度で降温させる降温工程と、
を含むことを特徴とするマグネシウム合金の製造方法。
【請求項７】
請求項１から５のいずれかに記載のマグネシウム合金を得る、請求項６に記載のマグネシウム合金の製造方法。
【請求項８】
前記昇温工程と、前記降温工程との間に、電磁誘導撹拌しながら８５０℃±２５℃で５分〜１５分間保持する保持工程を含む、請求項６から７のいずれかに記載のマグネシウム合金の製造方法。
【請求項９】
前記混合物が、前記マグネシウムと、前記リチウムと、前記亜鉛とを７５０℃±２０℃で溶解させた溶解物に、前記ベリリウムを添加して得られる請求項６から８のいずれかに記載のマグネシウム合金の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれかに記載のマグネシウム合金を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネシウム合金、及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノートパソコン等の電子機器の筐体内部には、機械駆動部や電源等の内部部品が配置されている。このような電子機器は、外部から受ける衝撃や圧力等から内部部品を保護する必要があるため、筐体には機械的強度が要求される。そのような筐体には、金属筐体として、鉄、アルミニウム合金のプレス加工品や切削加工品が多く用いられてきた。
【０００３】
電子機器の用途及び使用場所が多様化することにより、電子機器は持ち運ぶことが想定されるようになってきた。このような電子機器の筐体には、機械的強度に加えて、軽さも要求されるようになってきた。この要求に応えるために、軽量かつ高剛性であるマグネシウム合金をプレス加工したものが使用されるようになってきた。
【０００４】
プレス加工用のマグネシウム合金としては、マグネシウムにアルミニウムを３％、亜鉛を１％添加したＡＺ３１Ｂ合金が上市されている。また、リチウムを含有するマグネシウム合金が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、これらの材料は、鉄、又はアルミニウム合金と比較すると、非常に活性なため、耐食性に劣ることが問題であった。また、これらの材料は、半固体状態を示す固相線温度を持たない合金であるために、半固体鋳造法に適さない。なお、半固体鋳造法は、一般的な鋳造法である金型鋳造法に比べて、鋳造時にサビが生じにくく、かつ溶湯の管理が容易であるという利点がある。
【０００５】
耐食性に劣る問題を解決するため、金属メッキ、化成処理、亜鉛拡散膜などにより合金表面に被膜を形成し表面の耐食性を向上技術が提案されている（例えば、非特許文献１、特許文献２〜３参照）。しかし、被膜の厚みが増えると、合金そのものが重くなる問題がある。この問題を解決するため、被膜の厚みを減らすために薄い被膜を作製する方法が考えられる。しかし、薄い被膜の作製では、成膜欠陥などにより、合金表面を完全に覆うことが難しい。合金表面が完全に覆われていないと、耐食性が不十分となる。このため、耐食性が良好なマグネシウム合金が望まれてきた。なお、上記技術に使用するマグネシウム合金は、半固体状態を示す固相線温度を持たない合金であるために、半固体鋳造法に適さない点は、前述の技術と同様である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−４１０６６号公報
【特許文献２】特開平１０−１４０３６９号公報
【特許文献３】特開平２０００−１６０３２０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】アルミニウム研究会誌  Ｎｏ．９、ｐ１２１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、金型鋳造法のみならず半固体鋳造法にも適用可能であり、かつ耐食性が良好なマグネシウム合金、及びその製造方法、並びにそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
１つの態様では、マグネシウム合金は、
マグネシウムと、リチウムと、亜鉛と、ベリリウムとを含有し、
固相線温度と、液相線温度とを有し、
前記液相線温度（Ｌ）と、前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が、５０℃以上である。
【００１０】
また、１つの態様では、マグネシウム合金の製造方法は、
７５０℃±２０℃のマグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムの混合物を、電磁溶融撹拌しながら８５０℃±２５℃まで５０℃±１０℃／分の昇温速度で昇温させる昇温工程と、
前記昇温工程の後に、前記混合物を電磁誘導撹拌しながら５２５℃±１０℃まで３０℃±１０℃／分の降温速度で降温させる降温工程と、
を含む。
【００１１】
また、１つの態様では、電子機器は、開示の前記マグネシウム合金を有する。
【発明の効果】
【００１２】
１つの側面として、金型鋳造法のみならず半固体鋳造法にも適用可能であり、かつ耐食性が良好なマグネシウム合金を提供できる。
また、１つの側面として、金型鋳造法のみならず半固体鋳造法にも適用可能であり、かつ耐食性が良好なマグネシウム合金の製造方法を提供できる。
また、１つの側面として、金型鋳造法のみならず半固体鋳造法にも適用可能であり、かつ耐食性が良好なマグネシウム合金を用いた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、開示の電子機器の一例としてのノート型パソコンの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（マグネシウム合金）
開示のマグネシウム合金は、マグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムを少なくとも含有し、更に必要に応じて、アルミニウム、錫、シリコン、カルシウムなどのその他の金属を含有する。
前記マグネシウム合金は、不可避な不純物を含有していてもよい。
【００１５】
本発明者らは、金型鋳造法のみならず半固体鋳造法にも適用可能であり、かつ耐食性が良好なマグネシウム合金を提供するために鋭意検討を行った。
そして、本発明者らは、マグネシウム、リチウム、及び亜鉛に、更にベリリウムを添加し、撹拌下、かつ特定の温度条件でマグネシウム合金を製造することにより、耐食性に優れつつ、半固体鋳造法にも適用可能なマグネシウム合金が得られることを見出した。
【００１６】
前記マグネシウム合金は、固相線温度と、液相線温度とを有する。
前記液相線温度（Ｌ）と、前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）は、５０℃以上であり、例えば、５０℃以上１５０℃以下であってもよいし、５０℃以上１４０℃以下であってもよいし、５０℃以上１３０℃以下であってもよい。
前記液相線温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５６０℃以上７００℃以下であってもよいし、５７０℃以上６５０℃以下であってもよいし、５８０℃以上６２０℃以下であってもよい。
前記固相線温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、４９０℃以上５６０℃以下であってもよいし、５００℃以上５５０℃以下であってもよい。
【００１７】
前記液相線温度、及び前記固相線温度は、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱・熱重量測定）を行いて求めることができる。具体的には以下の方法で測定する。
Ａｒガス環境下で室温から６５０℃まで昇温速度２０℃／分の条件でＴＧ−ＤＴＡ分析を行う。
マグネシウム合金の溶融状態を示す液相線温度を下回る温度における吸熱ピークは、半固体状態であることを示すため、その吸熱ピークにおける極小値を示す温度が固相線温度である。
前記固相線温度の出現は、マグネシウム合金を製造する際の条件に依存すると考えられ、後述する開示の前記マグネシウム合金の製造方法により前記マグネシウム合金を製造することが好ましい。
【００１８】
開示の前記マグネシウム合金は、前記液相線温度（Ｌ）と、前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が、５０℃以上であることから、半固体鋳造法に適用可能である。
【００１９】
＜＜半固体鋳造法＞＞
半固体鋳造法（ｓｅｍｉ−ｓｏｌｉｄ  ｍｅｔａｌ  ｃａｓｔｉｎｇ）は、鋳造技術の一つである。
半固体製造法は、チクソ成型法とも呼ばれ、半溶融状態（チクソトロピー）の金属又は合金を射出成形する方法であり、例えば、以下のような利点を有する。
・金属又は合金のチップを原料とするため、溶解炉及び溶湯を必要としない。
・射出速度が速いために、表面品質が向上する。
・薄肉品の精密成形が可能である。
・金型鋳造法に比べ溶融温度が低いため、寸法精度や機械的性質が向上する。
・高温化された原料が大気と触れないため、加工中に酸化（サビ）が生じない。
そのような半固体鋳造法に使用する金属・合金には、固相線と液相線の間の温度範囲が十分に大きいことが求められる。これは、合金が融解し始める温度から、合金が完全に融解する温度までの温度範囲〔すなわち、固液共存域（ｓｏｌｉｄ−ｌｉｑｕｉｄ  ｃｏ−ｅｘｉｓｔｅｎｃｅ  ｒｅｇｉｏｎ）〕が十分に大きく、鋳造温度を制御し易くするためである。このようにして、複雑な形状と優れた機械的特性を有する鋳造片を製造できる。
半固体鋳造法に適用可能な固相線と液相線の間の温度範囲は、経験的に５０℃以上である。５０℃以上であれば、固相線と液相線の間の温度範囲が十分に大きく、半固体鋳造法に供することができる。
【００２０】
＜マグネシウム＞
前記マグネシウムは、前記マグネシウム合金の主成分である。
前記マグネシウム合金における前記マグネシウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、８０質量％以上であってもよいし、８５質量％以上であってもよい。
【００２１】
＜リチウム＞
前記リチウムは、前記マグネシウム合金の軽量化に寄与する。
前記マグネシウム合金における前記リチウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、６質量％以上１６質量％以下が好ましく、７質量％以上１１質量％以下がより好ましく、８質量％以上１０質量％以下が特に好ましい。前記含有量が、１６質量％以下であると、耐食性を低下させずに軽量化することができる。
【００２２】
＜亜鉛＞
前記亜鉛は、前記マグネシウム合金の強度向上に寄与する。
前記マグネシウム合金における前記亜鉛の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．２質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上１．５質量％以下が特に好ましい。前記含有量が、４質量％以下であると、脆化を起こさずに強度を向上させることができる。
【００２３】
＜ベリリウム＞
マグネシウムと、リチウムと、亜鉛とを含有するマグネシウム合金（例えば、ＬＺ９１合金）は、通常、固相線を有さないか、固相線を有していても、液相線との間の温度範囲が小さい。
本発明者らは、ベリリウムをマグネシウム合金に適切に添加することで、液相線との温度差が大きい固相線を生じさせることを見出した。
【００２４】
また、リチウムを含有するマグネシウム合金は、その酸化性の高さから、マグネシウム合金の裸耐食性が低いという問題がある。
本発明者らは、ベリリウムをマグネシウム合金に適切に添加することで、マグネシウム合金の裸耐食性を向上させることができることを見出した。
【００２５】
前記マグネシウム合金における前記ベリリウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０１質量％以上２質量％以下が好ましく、０．０２質量％以上１．５質量％以下がより好ましく。０．０２質量％以上１質量％以下がさらにより好ましく、０．０３質量％以上０．５質量％以下が特に好ましい。前記ベリリウムを添加したことによる効果を十分に得る点、及びマグネシウム合金が硬くかつ脆くなることを防ぐ点から、前記ベリリウムの含有量は上記範囲が好ましい。
【００２６】
＜その他の金属＞
前記その他の金属としては、例えば、アルミニウム、錫、シリコン、カルシウムなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
＜＜アルミニウム＞＞
前記アルミニウムは、前記マグネシウム合金の強度向上に寄与する。
前記マグネシウム合金における前記アルミニウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、１質量％以上８質量％以下がより好ましく、２質量％以上７質量％以下が特に好ましい。前記含有量が、１０質量％を超えても、強度向上の効果は変わらない。
【００２８】
＜＜錫＞＞
前記錫は、前記マグネシウム合金の強度向上に寄与する。
前記マグネシウム合金における前記錫の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上４質量％以下がより好ましく、１質量％以上３質量％以下が特に好ましい。前記含有量が、５質量％を超えても、強度向上の効果は変わらない。
【００２９】
＜＜シリコン＞＞
前記シリコンは、前記マグネシウム合金の強度向上に寄与する。
前記マグネシウム合金における前記シリコンの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．２質量％以上３質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上２質量％以下が特に好ましい。前記含有量が、５質量％を超えても、強度向上の効果は変わらない。
【００３０】
＜＜カルシウム＞＞
前記カルシウムは、前記マグネシウム合金の強度向上に寄与するとともに、半固体製造法での燃焼の防止に寄与する。
前記マグネシウム合金における前記カルシウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上４質量％以下がより好ましく、１質量％以上３質量％以下が特に好ましい。前記含有量が、５質量％を超えても、強度向上の効果は変わらない。
【００３１】
（マグネシウム合金の製造方法）
開示のマグネシウム合金の製造方法は、昇温工程と、降温工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、保持工程、混合物作製工程などのその他の工程を含む。
前記マグネシウム合金の製造方法は、開示の前記マグネシウム合金を製造する好適な方法である。
【００３２】
本発明者らは、マグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムを含有するマグネシウム合金において、液相線温度（Ｌ）と固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）を５０℃以上とするために、前記マグネシウム合金の製造条件を種々検討した。
そのところ、電磁誘導撹拌を行いつつ、特定の昇温条件、及び特定の降温条件でマグネシウム合金を製造すると、得られる前記マグネシウム合金における前記液相線温度（Ｌ）と前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）を５０℃以上とすることができることを見出した。
これは、前記マグネシウム合金における固相線温度の発現には、ベリリウムの存在が重要であるとともに、前記マグネシウム合金中にベリリウムを均一に分散させることで、液相線温度（Ｌ）と固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）を大きくさせることができるためと考えられる。そして、前記マグネシウム合金中にベリリウムを均一に分散させるためには、撹拌と、合金製造中の温度管理とが重要である。
【００３３】
なお、前記電磁誘導撹拌とは、電磁力による撹拌エネルギーを利用して溶融物を撹拌する方法であり、金属溶融物などの高温の溶融物の撹拌に一般的に利用される。前記電磁誘導撹拌は、電磁撹拌とも言われる。
前記電磁誘導撹拌は、例えば、電磁誘導撹拌装置を用いて行うことができる。
前記電磁誘導撹拌装置による前記電磁誘導撹拌の方法としては、例えば、移動磁場、回転磁場などを用いる誘導方式が一般的である。移動磁場、回転磁場などを形成することにより、溶融物を移動させることで、溶融物の撹拌が行われる。
【００３４】
開示の前記マグネシウム合金の製造方法における前記電磁誘導撹拌の撹拌条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００３５】
＜昇温工程＞
前記昇温工程は、７５０℃±２０℃のマグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムの混合物を、電磁溶融撹拌しながら８５０℃±２５℃まで５０℃±１０℃／分の昇温速度で昇温させる工程である。
前記昇温工程における前記電磁誘導撹拌の撹拌条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００３６】
前記混合物は、例えば、後述の混合物作製工程を用いて作製することができる。
前記混合物における前記マグネシウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前述の前記マグネシウム合金の説明において例示した前記マグネシウム合金における前記マグネシウムの含有量などが挙げられる。
前記混合物における前記リチウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前述の前記マグネシウム合金の説明において例示した前記マグネシウム合金における前記リチウムの含有量などが挙げられる。
前記混合物における前記亜鉛の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前述の前記マグネシウム合金の説明において例示した前記マグネシウム合金における前記亜鉛の含有量などが挙げられる。
前記混合物における前記ベリリウムの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前述の前記マグネシウム合金の説明において例示した前記マグネシウム合金における前記ベリリウムの含有量などが挙げられる。
【００３７】
開示の前記マグネシウム合金の製造方法においては、前記昇温工程の条件で昇温を行わないと、液相線温度（Ｌ）と固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が５０℃以上である前記マグネシウム合金を得ることができない。例えば、昇温後の温度が８７５℃を超えると前記混合物が発火するおそれがある。
【００３８】
＜降温工程＞
前記降温工程は、前記昇温工程の後に、前記混合物を電磁誘導撹拌しながら５２５℃±１０℃まで３０℃±１０℃／分の降温速度で降温させる工程である。
前記降温工程における前記電磁誘導撹拌の撹拌条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００３９】
開示の前記マグネシウム合金の製造方法においては、前記降温工程の条件で降温を行わないと、液相線温度（Ｌ）と固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が５０℃以上である前記マグネシウム合金を得ることができない。
【００４０】
５２５℃±１０℃まで冷却された前記混合物は、例えば、後述する鋳造工程に供されて所望の形状に成型される。
【００４１】
＜保持工程＞
前記保持工程は、前記昇温工程と、前記降温工程との間に、前記混合物を電磁誘導撹拌しながら８５０℃±２５℃で５分〜１５分間保持する工程である。前記保持工程を設けることで、前記混合物におけるマグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムの相溶をより確実なものとできる。
前記保持工程における前記電磁誘導撹拌の撹拌条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００４２】
＜混合物作製工程＞
前記混合物作製工程は、前記マグネシウムと、前記リチウムと、前記亜鉛とを７５０℃±２０℃で溶解させた溶解物に、前記ベリリウムを添加して前記混合物を得る工程である。
マグネシウムと、リチウムと、亜鉛とを混合し溶融させて得た溶解物にベリリウムを添加すると、得られる混合物においてベリリウムが溶解しやすくなる。その点において、前記混合物は、前記混合物作製工程で得ることが好ましい。
【００４３】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、例えば、鋳造工程などが挙げられる。
【００４４】
＜＜鋳造工程＞＞
得られた前記混合物であるマグネシウム合金は、例えば、鋳造工程を経て所望の形状に成型される。
前記鋳造工程としては、前記マグネシウム合金を鋳造する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、重力鋳造法、金型鋳造法、半固体鋳造法などが挙げられる。
前記重力鋳造法とは、前記マグネシウム合金を重力を用いて金型に流し込むことで鋳造する方法である。前記重力鋳造法は、グラビティとも呼ばれる。
前記金型鋳造法とは、前記マグネシウム合金を圧力を用いて金型に流し込むことで鋳造する方法である。前記金型鋳造法は、ダイキャストとも呼ばれる。
前記半固体鋳造法は、前述のとおりである。
【００４５】
（電子機器）
電子機器は、開示のマグネシウム合金を有する。電子機器としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、パソコン（ノート型パソコン、デスクトップ型パソコン）、電話機、携帯電話、コピー機、ファクシミリ、各種プリンター、デジタルカメラ、テレビ、ビデオ、ＣＤ装置、ＤＶＤ装置、エアコン、リモコン装置などが挙げられる。これらの中でも、携帯して使用する点でノート型パソコン、携帯電話（スマートフォンを含む）が特に好ましい。
【００４６】
前記電子機器において、前記マグネシウム合金は、例えば、前記電子機器の筐体である。
【００４７】
ここで、図１に、開示の電子機器の一例としてのノート型パソコンを示す。
この図１のノート型パソコン２０は、ノート型パソコン本体２１と、回動して開かれる液晶表示パネル部２２とを備える。ノート型パソコン本体２１は、扁平形状のハウジング２５の上面に入力手段としてのキーボード部２３及びポインティングディバイス２４を有する。ハウジング２５の内部には、ハードディスク装置、及びＣＰＵ、メモリ等を搭載したプリント基板、バッテリなどが収納されている。
例えば、ハウジング２５に前記マグネシウム合金が使用される。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
マグネシウム合金として、マグネシウム（９０質量部）、リチウム（９質量部）、及び亜鉛（１質量部）を含有するＭＬＺ含有マグネシウム合金（ＬＺ９１）を用いた。マグネシウム合金（１００質量部）を７５０℃で溶解させた後に、電磁誘導撹拌した。そこへ、ベリリウム（１質量部）を添加し、電磁誘導撹拌を継続しながら、８５０℃まで５０℃／分の昇温速度で昇温した。その後、電磁誘導撹拌を継続しながら、５２５℃まで３０℃／分の冷却温度で冷却した。その後、２５０ｍｍ×３０ｍｍ×４５ｍｍの型を用いて重力鋳造したものを、室温まで自然冷却し、実施例１のマグネシウム合金を得た。
【００４９】
＜耐食性の評価＞
以下の方法により、得られたマグネシウム合金の耐食性を塩水噴霧試験により試験した。
得られたマグネシウム合金を幅１０ｍｍに切り出し、表面を４００番の研磨紙で凹凸が無くなるまで研磨し、塩水噴霧試験片（サンプル）を得た。
得られたサンプルをＪＩＳ  Ｚ  ２３７１−２００１準拠の方法により塩水噴霧試験を行った。噴霧条件を以下に示す。
【００５０】
＜＜噴霧条件＞＞
噴霧室内温度：３５±２℃
空気飽和度：４７±２℃
噴霧量：１．５±０．５ｍｌ／８０ｃｍ２／ｈ
塩水濃度：５±１％
ＮａＣｌ純度：９９．５％以上
ｐＨ値：６．５〜７．２
噴霧暴露時間：２４０ｈ
上記条件により塩水噴霧を行った後、サンプルを純水洗浄、乾燥後、初期からの重量変化を測定し、重量変化割合を算出した。
【００５１】
＜＜評価基準＞＞
塩水噴霧試験後の重量変化割合により下記の点数を付けた。なお、評価３以上を合格（実用に耐えうるマグネシウム合金）とした。
・重量変化割合：変化なし      ５
・重量変化割合：２．５％以下  ４
・重量変化割合：５％以下      ３
・重量変化割合：１０％以下    ２
・重量変化割合：１０％超      １
実施例１のサンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
【００５２】
＜ＴＧ−ＤＴＡ分析＞
ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱・熱重量測定）を行い、マグネシウム合金の固相線温度、及び液相線温度を求めた。具体的には以下の方法で測定を行った。
Ａｒガス環境下で室温から６５０℃まで昇温速度２０℃／分の条件でＴＧ−ＤＴＡ分析を行った。
マグネシウム合金の溶融状態を示す液相線温度未満の温度における吸熱ピークは、半固体状態であることを示すため、その吸熱ピークにおける極小値を示す温度が固相線温度である。
測定の結果、固相線温度は５００℃、液相線温度は６２０℃であった。
【００５３】
（実施例２）
実施例１において、ベリリウムを０．０３質量部に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例２のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
得られた実施例２のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５２２℃、液相線温度は５９６℃であった。
【００５４】
（実施例３）
実施例１において、鋳造方法を金型鋳造法に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例３のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例３のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
得られた実施例３のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５００℃、液相線温度は６２０℃であった。
【００５５】
（実施例４）
実施例１において、鋳造方法を半固体鋳造法に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例４のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例４のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
得られた実施例４のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５００℃、液相線温度は６２０℃であった。
【００５６】
（実施例５）
実施例１において、ベリリウム１質量部を、アルミニウム５質量部及びベリリウム０．５質量部に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例５のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例５のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は３であった。
得られた実施例５のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５３２℃、液相線温度は５９６℃であった。
【００５７】
（実施例６）
実施例１において、ベリリウム１質量部を、錫２質量部及びベリリウム０．５質量部に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例６のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例６のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
得られた実施例６のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５１１℃、液相線温度は５８６℃であった。
【００５８】
（実施例７）
実施例１において、ベリリウム１質量部を、シリコン１質量部及びベリリウム０．５質量部に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例７のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例７のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
得られた実施例７のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５３１℃、液相線温度は５９８℃であった。
【００５９】
（実施例８）
実施例１において、ベリリウム１質量部を、カルシウム２質量部及びベリリウム０．５質量部に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例８のマグネシウム合金を得た。
得られた実施例８のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は４であった。
得られた実施例８のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５３７℃、液相線温度は５９０℃であった。
【００６０】
（比較例１）
実施例１において、ベリリウムを添加しなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例１のマグネシウム合金を得た。
得られた比較例１のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は１であった。
得られた比較例１のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は現れず、液相線温度は５９８℃であった。
【００６１】
（比較例２）
実施例１において、７５０℃において溶解した後、電磁誘導撹拌を行わず、自然冷却により冷却させたこと以外は、実施例１と同様にして比較例２のマグネシウム合金を得た。なお、上記の自然冷却では、７５０℃から５８０℃までの冷却速度は、約５℃／分間であった。
得られた比較例２のマグネシウム合金を、実施例１と同様にして塩水噴霧試験にかけた。サンプルを塩水噴霧試験にかけた後の重量変化割合は２であった。
得られた比較例２のマグネシウム合金について、実施例１と同様にしてＴＧ−ＤＴＡ測定を行った。測定の結果、固相線温度は５９０℃、液相線温度は６３５℃であった。
【００６２】
以上の結果を表１にまとめた。
【００６３】
【表１】
2019104961.tif 000003
【００６４】
更に以下の付記を開示する。
（付記１）
マグネシウムと、リチウムと、亜鉛と、ベリリウムとを含有し、
固相線温度と、液相線温度とを有し、
前記液相線温度（Ｌ）と、前記固相線温度（Ｓ）との差（Ｌ−Ｓ）が、５０℃以上である、ことを特徴とするマグネシウム合金。
（付記２）
前記差（Ｌ−Ｓ）が、５０℃以上１５０℃以下である付記１に記載のマグネシウム合金。
（付記３）
前記液相線温度（Ｌ）が、５６０℃以上７００℃以下である付記１から２のいずれかに記載のマグネシウム合金。
（付記４）
前記マグネシウムの含有量が、８０質量％以上である付記１から３のいずれかに記載のマグネシウム合金。
（付記５）
前記ベリリウムの含有量が、０．０１質量％以上２質量％以下である付記１から４のいずれかに記載のマグネシウム合金。
（付記６）
前記リチウムの含有量が、６質量％以上１６質量％以下である付記１から５のいずれかに記載のマグネシウム合金。
（付記７）
前記亜鉛の含有量が、０．１質量％以上４質量％以下である付記１から６のいずれかに記載のマグネシウム合金。
（付記８）
更に、アルミニウム、錫、シリコン、及びカルシウムの少なくともいずれかを含有する付記１から７のいずれかに記載のマグネシウム合金。
（付記９）
７５０℃±２０℃のマグネシウム、リチウム、亜鉛、及びベリリウムの混合物を、電磁溶融撹拌しながら８５０℃±２５℃まで５０℃±１０℃／分の昇温速度で昇温させる昇温工程と、
前記昇温工程の後に、前記混合物を電磁誘導撹拌しながら５２５℃±１０℃まで３０℃±１０℃／分の降温速度で降温させる降温工程と、
を含むことを特徴とするマグネシウム合金の製造方法。
（付記１０）
付記１から８のいずれかに記載のマグネシウム合金を得る、付記９に記載のマグネシウム合金の製造方法。
（付記１１）
前記昇温工程と、前記降温工程との間に、電磁誘導撹拌しながら８５０℃±２５℃で５分〜１５分間保持する保持工程を含む、付記９から１０のいずれかに記載のマグネシウム合金の製造方法。
（付記１２）
前記混合物が、前記マグネシウムと、前記リチウムと、前記亜鉛とを７５０℃±２０℃で溶解させた溶解物に、前記ベリリウムを添加して得られる付記９から１１のいずれかに記載のマグネシウム合金の製造方法。
（付記１３）
付記１から８のいずれかに記載のマグネシウム合金を有することを特徴とする電子機器。
【符号の説明】
【００６５】
２０      ノート型パソコン
２１      ノート型パソコン本体
２２      液晶表示パネル部
２３      キーボード部
２４      ポインティングディバイス
２５      ハウジング
【図１】
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