(57)【要約】【課題】均熱化を図りながら光学式指紋センサを表示領域内に配置することを目的とする。【解決手段】表示装置は、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有して第１面Ｓ１に画像が表示される表示領域ＤＡを有する表示回路層７２と、第２面Ｓ２の下で表示回路層７２に重なる熱伝導シート７６と、熱伝導シート７６の下で表示領域ＤＡの内側にあって表示回路層７２に重なる光学式指紋センサ８４と、を有する。熱伝導シート７６は、光学式指紋センサ８４に重なる第１領域Ａ１と、光学式指紋センサ８４の周囲で表示領域ＤＡに重なる第２領域Ａ２と、を有する。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１では、光学式指紋センサ８４によるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなる。熱伝導シート７６は、第２領域Ａ２では、熱伝導材料からなる熱伝導層８２を含み、光透過性を有しない。【選択図】図５
2019095505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を有して前記第１面に画像が表示される表示領域を有する表示回路層と、
前記第２面の下で前記表示回路層に重なる熱伝導シートと、
前記熱伝導シートの下で前記表示領域の内側にあって前記表示回路層に重なる光学式指紋センサと、
を有し、
前記熱伝導シートは、前記光学式指紋センサに重なる第１領域と、前記光学式指紋センサの周囲で前記表示領域に重なる第２領域と、を有し、
前記熱伝導シートは、前記第１領域では、前記光学式指紋センサによるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなり、
前記熱伝導シートは、前記第２領域では、前記熱伝導材料からなる熱伝導層を含み、前記光透過性を有しないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、前記第１領域では、スリット又は孔からなる複数の光透過部と、前記第２領域から連続して相互に一体化するように前記熱伝導材料からなる複数の熱伝導部と、を少なくとも一方向に交互に有し、
前記複数の熱伝導部は、前記光透過性を有しないことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置において、
直交する第１方向及び第２方向の少なくとも一方に沿って、前記複数の光透過部が前記第１領域に占める割合が変化することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
前記複数の光透過部が前記第１領域に占める前記割合は、前記第２領域に近いほど小さいことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載された表示装置において、
前記複数の熱伝導部が前記第１領域に占める割合は、前記第２領域に近いほど大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、前記第１領域では、前記光透過性を有する薄さで全体的に前記熱伝導材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置において、
前記熱伝導層は、第１熱伝導層及び第２熱伝導層を含み、
前記第１熱伝導層は、前記光透過性を有する前記薄さを有し、
前記第１領域は、前記第１熱伝導層から構成され、
前記第２熱伝導層は、前記熱伝導層よりも熱伝導率が高く前記光透過性を有しておらず、前記第１領域を避けて前記第２領域で、前記第１熱伝導層に積層することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、前記第２面に最も近い最上層と、前記最上層の下にある下地層と、を含み、
前記最上層は、前記下地層よりも、光反射率が低いことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１領域は、前記光学式指紋センサの外形内に収まり、
前記第１領域の全体を前記光学式指紋センサが覆うことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１領域は、前記光学式指紋センサからはみ出す余剰領域を有し、
前記余剰領域を覆う遮光シールドをさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記表示回路層は、前記表示領域に、前記画像を表示するための複数の発光素子を有し、
前記光学式指紋センサによる前記センシングは、前記複数の発光素子からの光を使用することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記光学式指紋センサは、前記熱伝導シートに直接搭載されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記表示回路層の前記第２面は、無機絶縁膜からなり、
前記熱伝導シートは、前記無機絶縁膜に直接積層していることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記表示回路層の前記第２面の下に、有機絶縁膜をさらに有し、
前記熱伝導シートは、前記有機絶縁膜の下にあることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記表示回路層の前記第２面の下に、一対の有機絶縁膜をさらに有し、
前記熱伝導シートは、前記一対の有機絶縁膜の間に介在していることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、銅、クロム及びカーボンからなる群より選ばれた少なくとも１つの元素を含む材料からなることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）等の発光素子を用いた表示装置が実用化されている（特許文献１）。このような表示装置は、液晶表示装置と比較して、視認性及び応答速度が優れている。また、指紋センサを備える表示装置が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１１７５９４号公報
【特許文献２】特開２０１７−１３４８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光素子を用いる表示装置では、バックライトを使用しないため、暗い背景に明部が局所的にある画像を表示するには、発光素子を局所的に点灯させることになる。発光素子は点灯によって発熱するため、点灯部分と無点灯部分とで温度差が生じる。熱によって発光素子が局所的に劣化することを防止するため、均熱シートが設けられているが、均熱シートは光の透過性が低い。そのため、光学式の指紋センサを、表示領域内で均熱シートの下に配置することができなかった。あるいは、光学式の指紋センサに対応した開口を均熱シートに形成すると、開口で均熱化ができなくなる。
【０００５】
本発明は、均熱化を図りながら光学式指紋センサを表示領域内に配置することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、第１面及び第２面を有して前記第１面に画像が表示される表示領域を有する表示回路層と、前記第２面の下で前記表示回路層に重なる熱伝導シートと、前記熱伝導シートの下で前記表示領域の内側にあって前記表示回路層に重なる光学式指紋センサと、を有し、前記熱伝導シートは、前記光学式指紋センサに重なる第１領域と、前記光学式指紋センサの周囲で前記表示領域に重なる第２領域と、を有し、前記熱伝導シートは、前記第１領域では、前記光学式指紋センサによるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなり、前記熱伝導シートは、前記第２領域では、前記熱伝導材料からなる熱伝導層を含み、前記光透過性を有しないことを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、熱伝導シートは、光学式指紋センサに重なる第１領域にも熱伝導材料からなる部分を有しているので均熱化を図ることができ、第１領域は光透過性を有するので、表示領域内で光学式指紋センサによるセンシングが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１に示す表示装置の背面図である。
【図３】図１に示す表示装置のIII−III線断面図である。
【図４】図３に示す表示装置の概要及び動作を説明するための図である。
【図５】熱伝導シートの詳細を示す図である。
【図６】第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例１を示す図である。
【図７】第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例２を示す図である。
【図８】第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例３を示す図である。
【図９】第１の実施形態に係る表示装置の変形例４を示す図である。
【図１０】第１の実施形態に係る表示装置の変形例５を示す図である。
【図１１】第１の実施形態に係る表示装置の変形例６を示す図である。
【図１２】第１の実施形態に係る表示装置の変形例７を示す図である。
【図１３】本発明を適用した第２の実施形態に係る熱伝導シートを示す図である。
【図１４】第２の実施形態に係る熱伝導シートの変形例を示す図である。
【図１５】本発明を適用した第３の実施形態に係る熱伝導シートを示す背面図である。
【図１６】図１５に示す熱伝導シートのXVI−XVI線断面図である。
【図１７】本発明を適用した第４の実施形態に係る表示装置を示す背面図である。
【図１８】図１７に示す表示装置のXVIII−XVIII線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。図２は、図１に示す表示装置の背面図である。
【００１３】
表示装置は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置である。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡを含む。周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡの外側にある。周辺領域ＰＡには、フレキシブルプリント基板１１が接続されている。フレキシブルプリント基板１１には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路１２が搭載される。
【００１４】
図３は、図１に示す表示装置のIII−III線断面図である。基板１０（アレイ基板）はポリイミドを用いている。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いても良い。
【００１５】
基板１０上に、アンダーコート層１４として、シリコン酸化膜１４ａ、シリコン窒化膜１４ｂ及びシリコン酸化膜１４ｃの三層積層構造が設けられている。最下層のシリコン酸化膜１４ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１４ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１４ｃは、シリコン窒化膜１４ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があっても良いし、単層あるいは二層積層としても良い。
【００１６】
アンダーコート層１４の下には、薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜１６を形成しても良い。付加膜１６は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１４ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜１６を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１４ｂ及びシリコン酸化膜１４ｃを積層することで、アンダーコート層１４に付加膜１６を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず付加膜１６を形成し、その後にアンダーコート層１４を形成しても良い。
【００１７】
アンダーコート層１４上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成しても良い。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２０としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２２は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２２に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２０を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００１８】
ゲート電極２２の上に、層間絶縁膜２４（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。基板１０を曲げられるようにする場合、折曲領域ＦＡでは、折り曲げやすくなるように、層間絶縁膜２４の少なくとも一部を除去する。層間絶縁膜２４の除去によって、アンダーコート層１４が露出するので、その少なくとも一部もパターニングを行って除去する。アンダーコート層１４を除去した後には、基板１０を構成するポリイミドが露出する。なお、アンダーコート層１４のエッチングを通じて、ポリイミド表面が一部浸食されて膜減りを生ずる場合が有る。
【００１９】
層間絶縁膜２４の上に、ソース・ドレイン電極２６及び引き回し配線２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２４を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。引き回し配線２８は、基板１０の端部まで延在され、フレキシブルプリント基板１１を接続するための端子３２を有するようになっている。
【００２０】
ソース・ドレイン電極２６及び引き回し配線２８（これらの一部を除く）を覆うように平坦化膜３４が設けられている。平坦化膜３４としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。
【００２１】
平坦化膜３４は、画素コンタクト部３６及び周辺領域ＰＡでは除去されて、その上に酸化インジウムスズ膜３５が形成されている。酸化インジウムスズ膜３５は、相互に分離された第１透明導電膜３８及び第２透明導電膜４０を含む。
【００２２】
平坦化膜３４の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３８にて被覆される。第１透明導電膜３８を被覆するように、平坦化膜３４の上にシリコン窒化膜４２が設けられている。シリコン窒化膜４２は、画素コンタクト部３６に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２６に導通するように画素電極４４が積層されている。画素電極４４は反射電極として形成され、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜、Ａｇ膜、ＩＺＯ膜の三層積層構造としている。ここで、ＩＺＯ膜に代わって酸化インジウムスズ膜３５を用いても良い。画素電極４４は、画素コンタクト部３６から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２３】
第２透明導電膜４０は、画素コンタクト部３６に隣接して、画素電極４４の下方（さらにシリコン窒化膜４２の下方）に設けられている。第２透明導電膜４０、シリコン窒化膜４２及び画素電極４４は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２４】
端子３２の表面には、酸化インジウムスズ膜３５の他の一部である第３透明導電膜４６が形成されている。第３透明導電膜４６は、第１透明導電膜３８及び第２透明導電膜４０と同時に形成される。端子３２上の第３透明導電膜４６は、以後の工程で端子３２の露出部がダメージを負わないようにバリア膜として設けることを目的の一としている。画素電極４４のパターニング時、第３透明導電膜４６はエッチング環境にさらされるが、酸化インジウムスズ膜３５の形成から画素電極４４の形成までの間に行われるアニール処理によって、酸化インジウムスズ膜３５は画素電極４４のエッチングに対し十分な耐性を有する。
【００２５】
平坦化膜３４の上であって例えば画素コンタクト部３６の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層４８が形成されている。絶縁層４８としては平坦化膜３４と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層４８は、画素電極４４の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機ＥＬ（Electro Luminescence）層５０のカバレッジ不良を生ずる。
【００２６】
平坦化膜３４と絶縁層４８は、両者間にあるシリコン窒化膜４２に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層４８の形成後の熱処理等を通じて、平坦化膜３４から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層４８を通じて引き抜くことができる。
【００２７】
画素電極４４の上に、有機材料からなる有機ＥＬ層５０が積層されている。有機ＥＬ層５０は、単層であってもよいが、画素電極４４側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成しても良いし、溶媒分散の上での塗布によって形成しても良く、画素電極４４（各サブ画素）に対して選択的に形成しても良いし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されても良い。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
【００２８】
有機ＥＬ層５０の上に、対向電極５２が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極５２は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、有機ＥＬ層５０からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機ＥＬ層５０の形成順序に従うと、画素電極４４が陽極となり、対向電極５２が陰極となる。対向電極５２は、表示領域ＤＡ上と、表示領域ＤＡ近傍に設けられた陰極コンタクト部５４に亘って形成され、陰極コンタクト部５４で下層の引き回し配線２８と接続されて、端子３２に電気的に接続される。
【００２９】
対向電極５２の上に、封止膜５６が形成されている。封止膜５６は、先に形成した有機ＥＬ層５０を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。ここでは、シリコン窒化膜を含む積層構造として、シリコン窒化膜５６ａ、有機樹脂層５６ｂ及びシリコン窒化膜５６ｃの積層構造とした。シリコン窒化膜５６ａ，５６ｃと有機樹脂層５６ｂとの間には、密着性向上を目的の一として、シリコン酸化膜やアモルファスシリコン層を設けても良い。
【００３０】
封止膜５６に、接着層５８を介して、タッチパネル基板６０が積層されている。タッチパネル基板６０には図示しないタッチセンシング電極の少なくとも一部が形成されている。タッチセンシング電極の一部を、対向電極５２が兼用してもよい。タッチパネル基板６０には円偏光板６２が貼り付けられている。円偏光板６２に、接着層６４を介して、カバーガラス６６が積層されている。一方、基板１０には、接着層６８を介して、支持フィルム７０が積層されている。
【００３１】
図４は、図３に示す表示装置の概要及び動作を説明するための図である。表示装置は、表示回路層７２を有する。表示回路層７２は、例えば、図３のアンダーコート層１４から封止膜５６までの層を含む。表示回路層７２は、表示領域ＤＡに、画像を表示するための複数の発光素子７４を有する。発光素子７４は、図３に示す画素電極４４、有機ＥＬ層５０及び対向電極５２を含む。また、表示回路層７２は、図３に示す薄膜トランジスタＴＲを含む。表示回路層７２は、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する。第１面Ｓ１の表示領域ＤＡに画像が表示される。
【００３２】
熱伝導シート７６が、第２面Ｓ２の下で表示回路層７２に重なる。熱伝導シート７６は支持フィルム７０に貼り付けられている。熱伝導シート７６は、銅、クロム及びカーボンからなる群より選ばれた少なくとも１つの元素を含む熱伝導材料からなる。熱伝導シート７６は、熱拡散性を有しており、表示領域ＤＡの一部のみで発光があっても、熱を拡散させることができる。
【００３３】
図５は、熱伝導シート７６の詳細を示す図である。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１に複数の光透過部７８を有する。複数の光透過部７８は、スリット又は孔からなり、光透過性を有する。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１に複数の熱伝導部８０を有する。複数の熱伝導部８０は、熱伝導材料からなり、光透過性を有しない。複数の光透過部７８と複数の熱伝導部８０は少なくとも一方向（例えば直交する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方）に交互に有する。熱伝導シート７６は、第２領域Ａ２では、熱伝導材料からなる熱伝導層８２を含み、光透過性を有しない。複数の熱伝導部８０は、第２領域Ａ２から連続して相互に一体化する。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は表示領域ＤＡに重なる。
【００３４】
図４に示すように、熱伝導シート７６には、光学式指紋センサ８４が取り付けられている。光学式指紋センサ８４は、熱伝導シート７６に直接搭載されている。光学式指紋センサ８４には、図１及び図２に示すようにフレキシブルプリント基板１３が接続されている。光学式指紋センサ８４は、熱伝導シート７６の下であって表示領域ＤＡの内側で表示回路層７２に重なる。光学式指紋センサ８４によるセンシングは、複数の発光素子７４からの光を使用する。詳しくは、光学式指紋センサ８４と対向する領域にある有機ＥＬ層５０（図３）からの光が、指で反射して、光学式指紋センサ８４に入射する。有機ＥＬ層５０が局所的に発光するので、局所的に熱が生じるが、熱伝導シート７６によって均熱化を図ることができる。
【００３５】
光学式指紋センサ８４は、熱伝導シート７６の第１領域Ａ１に重なる。熱伝導シート７６は、第１領域Ａ１では、光学式指紋センサ８４によるセンシングに必要な光透過性を有する形状になっている。そのため、熱伝導シート７６を光が通過してセンシング可能になっている。第１領域Ａ１は、光学式指紋センサ８４の外形内に収まり、第１領域Ａ１の全体を光学式指紋センサ８４が覆う。そのため、外光が光学式指紋センサ８４に入らないようになっている。なお、光透過性を有しない第２領域Ａ２は、光学式指紋センサ８４の周囲で表示領域ＤＡに重なる。
【００３６】
本実施形態によれば、熱伝導シート７６は、光学式指紋センサ８４に重なる第１領域Ａ１にも熱伝導材料からなる部分を有しているので均熱化を図ることができ、第１領域Ａ１は光透過性を有するので、表示領域ＤＡ内で光学式指紋センサ８４によるセンシングが可能になっている。
【００３７】
図６は、第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例１を示す図である。図５に示す例では、熱伝導シート７６が第１領域Ａ１に有する複数の光透過部７８はそれぞれ矩形の孔であったが、図６に示す例では、熱伝導シート７６Ａは第１領域Ａ１に、円形の孔からそれぞれなる複数の光透過部７８Ａを有する。
【００３８】
図７は、第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例２を示す図である。この例では、熱伝導シート７６Ｂは第１領域Ａ１に、第１方向Ｄ１に長くなったスリットからそれぞれなる複数の光透過部７８Ｂを有する。第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に複数の光透過部７８Ｂが並ぶ。
【００３９】
図８は、第１の実施形態に係る熱伝導シートの変形例３を示す図である。この例では、熱伝導シート７６Ｃの第１領域Ａ１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に辺が延びる矩形である。複数の光透過部７８Ｃは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれにも斜めに延びるスリットからそれぞれなる。
【００４０】
図９は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例４を示す図である。この例では、表示回路層７２Ｄの第２面Ｓ２は、無機絶縁膜８６Ｄからなる。無機絶縁膜８６Ｄは、例えば、図３に示すシリコン酸化膜１４ａ及び引き回し配線２８を含む。そして、熱伝導シート７６Ｄは、無機絶縁膜８６Ｄに直接積層している。熱伝導シート７６Ｄの下に、基板１０Ｄ、接着層６８Ｄ及び支持フィルム７０Ｄが積層されている。
【００４１】
図１０は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例５を示す図である。この例では、表示回路層７２Ｅの第２面Ｓ２の下に、有機絶縁膜８８Ｅが積層する。有機絶縁膜８８Ｅは、図３の基板１０であってもよい。熱伝導シート７６Ｅは、有機絶縁膜８８Ｅの下にある。熱伝導シート７６Ｅの下に、接着層６８Ｅ及び支持フィルム７０Ｅが積層されている。
【００４２】
図１１は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例６を示す図である。この例では、表示回路層７２Ｆの第２面Ｓ２の下に、一対の有機絶縁膜８８Ｆが積層する。熱伝導シート７６Ｆは、一対の有機絶縁膜８８Ｆの間に介在している。一対の有機絶縁膜８８Ｆの下に、接着層６８Ｆ及び支持フィルム７０Ｆが積層されている。
【００４３】
図１２は、第１の実施形態に係る表示装置の変形例７を示す図である。この例では、熱伝導シート７６Ｇは、複数層からなり、第２面Ｓ２に最も近い最上層９０Ｇを含み、最上層９０Ｇの下にある下地層９２Ｇを含む。最上層９０Ｇは、下地層９２Ｇよりも、光反射率が低い。
【００４４】
［第２の実施形態］
図１３は、本発明を適用した第２の実施形態に係る熱伝導シートを示す図である。本実施形態では、熱伝導シート２７６は、第１領域Ａ１に、大きさ（面積）の異なる複数の光透過部２７８（２７８ａ，２７８ｂ，２７８ｃ）を有する。熱伝導シート２７６は、第１領域Ａ１に、大きさ（面積）の異なる複数の熱伝導部２８０（２８０ａ，２８０ｂ，２８０ｃ）を有する。複数の光透過部２７８と複数の熱伝導部２８０は、直交する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に、交互に配列される。
【００４５】
第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の少なくとも一方（この例では両方）に沿って、複数の光透過部２７８が第１領域Ａ１に占める割合が変化する。例えば、複数の光透過部２７８が第１領域Ａ１に占める割合は、第２領域Ａ２に近いほど小さい。つまり、複数の熱伝導部２８０が第１領域Ａ１に占める割合は、第２領域Ａ２に近いほど大きい。
【００４６】
本実施形態によれば、光が透過する第１領域Ａ１の光透過量が、光が透過しない第２領域に近いほど、徐々に小さくなる。このため、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の境目付近での光の透過量の変化が緩やかになり、その境目が認識されにくくなる。
【００４７】
図１４は、第２の実施形態に係る熱伝導シートの変形例を示す図である。この変形例では、複数の光透過部２７８Ａが、それぞれ第１方向Ｄ１に延びるスリットであり、第２方向Ｄ２に配列されている点で図１３の例と異なる。
【００４８】
光透過部２７８Ａは、第１方向Ｄ１の両端部において、幅が先細りになっている。そのため、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の一方（この例では第１方向Ｄ１）に沿って、複数の光透過部２７８Ａが第１領域Ａ１に占める割合が変化する。つまり、複数の光透過部２７８Ａが第１領域Ａ１に占める割合は、第１方向Ｄ１において第２領域Ａ２に近いほど小さい。逆に、複数の熱伝導部２８０Ａが第１領域Ａ１に占める割合は、第１方向Ｄ１において第２領域Ａ２に近いほど大きい。
【００４９】
［第３の実施形態］
図１５は、本発明を適用した第３の実施形態に係る熱伝導シートを示す背面図である。図１６は、図１５に示す熱伝導シートのXVI−XVI線断面図である。熱伝導シート３７６は、熱伝導層３８２を有する。熱伝導層３８２は、第１熱伝導層３９４を含む。第１熱伝導層３９４は、光透過性を有する薄さを有する。第１領域Ａ１は、第１熱伝導層３９４から構成される。これにより、熱伝導シート３７６は、第１領域Ａ１では、光透過性を有する薄さで全体的に熱伝導材料からなる。
【００５０】
熱伝導層３８２は、第２熱伝導層３９６を含む。第２熱伝導層３９６は、熱伝導層３８２よりも熱伝導率が高く光透過性を有しない。第２熱伝導層３９６は、第１領域Ａ１を避けて第２領域Ａ２で、第１熱伝導層３９４に積層する。つまり、第２領域Ａ２は、第１熱伝導層３９４及び第２熱伝導層３９６から構成される。
【００５１】
［第４の実施形態］
図１７は、本発明を適用した第４の実施形態に係る表示装置を示す背面図である。図１８は、図１７に示す表示装置のXVIII−XVIII線断面図である。本実施形態では、熱伝導シート４７６の第１領域Ａ１は、光学式指紋センサ４８４からはみ出す余剰領域ＥＡを有する。つまり、第１領域Ａ１が光学式指紋センサ４８４よりも大きい。そのため、外光の入射を防止するため、余剰領域ＥＡを遮光シールド４９８が覆うようになっている。遮光シールド４９８は、黒色などの着色ゲルを塗布することで設けてもよいし、遮光シールを貼り付けることで設けてもよい。
【００５２】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００５３】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  基板、１１  フレキシブルプリント基板、１２  集積回路、１３  フレキシブルプリント基板、１４  アンダーコート層、１４ａ  シリコン酸化膜、１４ｂ  シリコン窒化膜、１４ｃ  シリコン酸化膜、１６  付加膜、１８  半導体層、２０  ゲート絶縁膜、２２  ゲート電極、２４  層間絶縁膜、２６  ドレイン電極、２８  引き回し配線、３２  端子、３４  平坦化膜、３５  酸化インジウムスズ膜、３６  画素コンタクト部、３８  第１透明導電膜、４０  第２透明導電膜、４２  シリコン窒化膜、４４  画素電極、４６  第３透明導電膜、４８  絶縁層、５０  有機ＥＬ層、５２  対向電極、５４  陰極コンタクト部、５６  封止膜、５６ａ  シリコン窒化膜、５６ｂ  有機樹脂層、５６ｃ  シリコン窒化膜、５８  接着層、６０  タッチパネル基板、６２  円偏光板、６４  接着層、６６  カバーガラス、６８  接着層、６８Ｄ  接着層、６８Ｅ  接着層、６８Ｆ  接着層、７０  支持フィルム、７０Ｄ  支持フィルム、７０Ｅ  支持フィルム、７０Ｆ  支持フィルム、７２  表示回路層、７２Ｄ  表示回路層、７２Ｅ  表示回路層、７２Ｆ  表示回路層、７４  発光素子、７６  熱伝導シート、７６Ａ  熱伝導シート、７６Ｂ  熱伝導シート、７６Ｃ  熱伝導シート、７６Ｄ  熱伝導シート、７６Ｅ  熱伝導シート、７６Ｆ  熱伝導シート、７６Ｇ  熱伝導シート、７８  光透過部、７８Ａ  光透過部、７８Ｂ  光透過部、７８Ｃ  光透過部、８０  熱伝導部、８２  熱伝導層、８４  光学式指紋センサ、８６Ｄ  無機絶縁膜、８８Ｅ  有機絶縁膜、８８Ｆ  一対の有機絶縁膜、９０Ｇ  最上層、９２Ｇ  下地層、２７６  熱伝導シート、２７８  光透過部、２７８Ａ  光透過部、２８０  熱伝導部、２８０Ａ  熱伝導部、３７６  熱伝導シート、３８２  熱伝導層、３９４  第１熱伝導層、３９６  第２熱伝導層、４７６  熱伝導シート、４８４  光学式指紋センサ、４９８  遮光シールド、Ａ１  第１領域、Ａ２  第２領域、Ｃad  付加容量、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、Ｃｓ  保持容量、Ｄ１  第１方向、Ｄ２  第２方向、ＤＡ  表示領域、ＥＡ  余剰領域、ＦＡ  折曲領域、ＰＡ  周辺領域、Ｓ１  第１面、Ｓ２  第２面、ＴＲ  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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