(57)【要約】【課題】被加工対象物の引っ張り時に形状の変化を補償するレーザー加工方法及びマスク組立体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、板状の被加工対象物の上に前記被加工対象物の第１の軸方向に沿って曲線を含む複数本のガイドラインを設定する過程と、前記被加工対象物の上に前記複数本のガイドラインに沿って互いに離間して配置される複数の単位加工領域を設定する過程と、レーザービームの照射位置を移動させながら、前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程と、を含むレーザー加工方法及びマスク組立体の製造方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被加工対象物の上に前記被加工対象物の第１の軸方向に沿って曲線を含む複数本のガイドラインを設定する過程と、
前記被加工対象物の上に前記複数本のガイドラインに沿って互いに離間して配置される複数の単位加工領域を設定する過程と、
レーザービームの照射位置を移動させながら、前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程と、
を含むレーザー加工方法。
【請求項２】
前記複数本のガイドラインのうち隣り合う二本のガイドラインは、曲げ率が互いに異なる請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
前記複数本のガイドラインのうち曲線であるガイドラインは、前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線に対して遠ざかる側に弧（ａｒｃ）を形成し、前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線から遠ざかるにつれて曲げ率が高くなる請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、各前記ガイドライン別に前記レーザービームが出射されるレーザーヘッドを移動させながら、前記複数の単位加工領域に前記レーザービームを照射する請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項５】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、それぞれの前記ガイドラインにおいて前記レーザーヘッドを一定の速度で移動させる請求項４に記載のレーザー加工方法。
【請求項６】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、各前記単位加工領域の大きさに対応して前記レーザービームの大きさを変化させながら、それぞれの前記ガイドラインに沿って前記レーザービームの照射位置を移動させる請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項７】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、レーザーヘッドの高さを調整して前記レーザービームの大きさを変化させる請求項６に記載のレーザー加工方法。
【請求項８】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、前記レーザーヘッドの３次元座標値を順次に変更して前記レーザービームの照射位置を移動させながら、前記レーザービームの大きさを変化させる請求項７に記載のレーザー加工方法。
【請求項９】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、それぞれの前記ガイドラインにおいて中央部の単位加工領域を両端部の単位加工領域よりも大きく設定する請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項１０】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、各前記ガイドラインの中央部に位置する単位加工領域を前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線から遠ざかるにつれて大きくなるように設定する請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項１１】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、各前記ガイドラインの中央部に位置する単位加工領域を前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線から遠ざかるにつれて一定の比率で大きくなるように設定し、
前記一定の比率は、前記被加工対象物の変形率に応じて決定される請求項１０に記載のレーザー加工方法。
【請求項１２】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、前記複数本のガイドラインの両端に位置する単位加工領域を一定の大きさに設定する請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載のレーザー加工方法で前記被加工対象物を加工して、前記複数の単位加工領域に応じて複数の加工孔が形成されたマスクスティックを用意する過程と、
開口部を有するフレームに前記マスクスティックを前記第１の軸方向に引っ張って固定する過程と、
を含むマスク組立体の製造方法。
【請求項１４】
前記マスクスティックを前記第１の軸方向に引っ張って固定する過程においては、各前記ガイドラインの両端に前記マスクスティックの前記第１の軸方向の両側に平行な引っ張り力が働く請求項１３に記載のマスク組立体の製造方法。
【請求項１５】
前記マスクスティックを前記第１の軸方向に引っ張って固定する過程においては、前記複数の加工孔が２次元的に直線配列され、前記複数の加工孔の大きさが一定になる請求項１３に記載のマスク組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工方法及びマスク組立体の製造方法に関し、より詳しくは、被加工対象物の引っ張り時の形状の変化を補償するレーザー加工方法及びマスク組立体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
能動型有機発光ダイオード（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＡＭＯＬＥＤ）を製作するとき、真空蒸着を行って有機物を複数層蒸着し、ＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）ピクセル（ｐｉｘｅｌ）別に異なる有機物を蒸着せねばならない。このとき、所望のピクセルにのみ所望の有機物を蒸着し、その他の領域には有機物が蒸着されないようにスクリーンマスクの役割を果たすのが微細金属マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）組立体である。
【０００３】
一般に、微細金属マスク（ＦＭＭ）組立体は、分割マスクで製作された複数のマスクスティックをそれぞれ引っ張って溶接などを用いてフレーム（Ｆｒａｍｅ）に固定することにより製作する。フレームにマスクスティックを固定するためにマスクスティックを引っ張る場合、引っ張り方向には膨張し、引っ張り方向と垂直な方向には収縮するため、マスクスティックに形成された孔（ｈｏｌｅ）の形状と大きさ（ｓｉｚｅ）及び孔の位置の変化が生じる。これにより、マスクスティックの孔を加工するとき、全ての孔の形状と大きさ及び間隔を等しくする場合には、マスクスティックの引っ張り時に孔の形状と大きさ及び孔の位置の変化が生じて、各孔の位置精度、形状、大きさなどの規格又は仕様（ｓｐｅｃ）を満たすことができなくなる。
【０００４】
特に、従来、マスクスティックの孔をレーザー加工する場合には、レーザービームをｘ軸とｙ軸の２次元的にのみ制御することにより、直線方向にしか（又は、直線上においてしか）孔の形状を加工することができなかったため、マスクスティックの引っ張り時に生じる孔の形状と大きさ及び孔の位置の変化を補償して孔を加工するのに難点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】大韓民国特許公開第１０−２０１５−０１１１３４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、曲線を含む複数本のガイドラインを用いてその位置がガイドされた複数の単位加工領域を加工して、被加工対象物の引っ張り時の形状の変化を補償することのできるレーザー加工方法及びマスク組立体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法は、板状の被加工対象物の上に前記被加工対象物の第１の軸方向に沿って曲線を含む複数本のガイドラインを設定する過程と、前記被加工対象物の上に前記複数本のガイドラインに沿って互いに離間して配置される複数の単位加工領域を設定する過程と、レーザービームの照射位置を移動させながら、前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程と、を含んでいてもよい。
【０００８】
前記複数本のガイドラインのうち隣り合う二本のガイドラインは、曲げ率が互いに異なってもよい。
【０００９】
前記複数本のガイドラインのうち曲線であるガイドラインは、前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線に対して遠ざかる側に弧（ａｒｃ）を形成し、前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線から遠ざかるにつれて曲げ率が高くなってもよい。
【００１０】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、各前記ガイドライン別に前記レーザービームが出射されるレーザーヘッドを移動させながら、前記複数の単位加工領域に前記レーザービームを照射してもよい。
【００１１】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、それぞれの前記ガイドラインにおいて前記レーザーヘッドを一定の速度で移動させてもよい。
【００１２】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、各前記単位加工領域の大きさに対応して前記レーザービームの大きさを変化させながら、それぞれの前記ガイドラインに沿って前記レーザービームの照射位置を移動させてもよい。
【００１３】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、レーザーヘッドの高さを調整して前記レーザービームの大きさを変化させてもよい。
【００１４】
前記複数の単位加工領域にレーザービームを照射する過程においては、前記レーザーヘッドの３次元座標値を順次に変更して前記レーザービームの照射位置を移動させながら、前記レーザービームの大きさを変化させてもよい。
【００１５】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、それぞれの前記ガイドラインにおいて中央部の単位加工領域を両端部の単位加工領域よりも大きく設定してもよい。
【００１６】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、各前記ガイドラインの中央部に位置する単位加工領域を前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線から遠ざかるにつれて大きくなるように設定してもよい。
【００１７】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、各前記ガイドラインの中央部に位置する単位加工領域を前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線から遠ざかるにつれて一定の比率で大きくなるように設定し、前記一定の比率は、前記被加工対象物の変形率に応じて決定されてもよい。
【００１８】
前記複数の単位加工領域を設定する過程においては、前記複数本のガイドラインの両端に位置する単位加工領域を一定の大きさに設定してもよい。
【００１９】
本発明の他の実施形態に係るマスク組立体の製造方法は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法で前記被加工対象物を加工して、前記複数の単位加工領域に応じて複数の加工孔が形成されたマスクスティックを用意する過程と、開口部を有するフレームに前記マスクスティックを前記第１の軸方向に引っ張って固定する過程と、を含んでいてもよい。
【００２０】
前記マスクスティックを前記第１の軸方向に引っ張って固定する過程においては、各前記ガイドラインの両端に前記マスクスティックの第１の軸方向の両側に平行な引っ張り力が働いてもよい。
【００２１】
前記マスクスティックを前記第１の軸方向に引っ張って固定する過程においては、前記複数の加工孔が２次元的に直線配列され、前記複数の加工孔の孔径が一定になってもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の実施形態に係るレーザー加工方法は、板状の被加工対象物の上に被加工対象物の第１の軸方向に沿って曲線を含む複数本のガイドラインを設定し、複数本のガイドラインに応じてその位置がガイドされた複数の単位加工領域を加工することにより、被加工対象物の引っ張り時の加工形状の変化及び位置の変化を補償することができる。すなわち、被加工対象物の上に被加工対象物の変形率を反映して決定された曲げ率を有する複数本のガイドラインを与えて、引っ張りによる位置の変化の補償位置に単位加工領域を設定することができる。なお、単位加工領域の位置に応じた加工形状の変化を反映して各単位加工領域の大きさを決定することができるので、被加工対象物の引っ張り時の位置の変化及び加工形状の変化を補償することができる。
【００２３】
このため、本発明のレーザー加工方法でマスクスティックに加工孔を形成する場合には、マスクスティックを引っ張ってフレームに固定するときに加工孔の位置差、大きさ差及び形状差が補正されて各加工孔の位置精度、大きさ、形状などの規格又は仕様（ｓｐｅｃ）を満たすことができる。
【００２４】
また、各ガイドラインに沿ってレーザービームの照射位置を移動させながら複数の単位加工領域を加工して、各ガイドラインごとに一定の速度で複数の単位加工領域を加工することができる。これに伴い、各単位加工領域ごとに一定の品質の加工形成物（例えば、加工孔）を得ることができる。
【００２５】
さらに、単位加工領域の大きさの変化に応じてレーザーヘッドの高さを調整して、レーザービームの大きさを調節することにより、位置別に異なる大きさを有する複数の単位加工領域に一定のエネルギーのレーザービームを照射することができる。これに伴い、一定の繰り返し回数で被加工対象物を加工することができ、被加工対象物の全領域にわたって均一な加工を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法を示す手順図。
【図２】本発明の一実施形態に係るガイドラインと単位加工領域の設定を説明するための概念図。
【図３】本発明の一実施形態に係るレーザーヘッドの移動を説明するための概念図。
【図４】本発明の他の実施形態に係るマスク組立体の製造方法によって製造されるマスク組立体を示す図。
【図５】本発明の他の実施形態に係るマスクスティックの引っ張りによる加工孔の形状の補正を説明するための概念図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面に基づいて、本発明の実施形態をより詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明を説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態を正確に説明するために大きさが部分的に誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法を示す手順図であり、図２は、本発明の一実施形態に係るガイドラインと単位加工領域の設定を説明するための概念図である。
【００２９】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法は、板状の被加工対象物１００の上に前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１に沿って曲線を含む複数本のガイドライン１１を設定する過程（Ｓ１１０）と、前記被加工対象物１００の上に前記複数本のガイドライン１１に沿って互いに離間して配置される複数の単位加工領域１１０を設定する過程（Ｓ１２０）と、レーザービーム１０の照射位置を移動させながら、前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）と、を含んでいてもよい。
【００３０】
本発明における被加工対象物１００は、一般に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）や有機半導体素子などの製造に際して真空蒸着工程において用いられる微細金属マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）のマスクスティックであってもよい。しかしながら、本発明はこれに何等限定されるものではなく、レーザーで加工可能である限り、いかなる対象物であっても構わない。特に、半導体素子のパッケージングに当たって、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）に形成されるビア孔（ｖｉａ  ｈｏｌｅ）や半導体基板上の特定の領域に加工パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を形成しようとする場合など種々に活用可能である。
【００３１】
まず、板状の被加工対象物１００の上に被加工対象物１００の第１の軸方向２１に沿って曲線を含む複数本のガイドライン１１を設定する（Ｓ１１０）。複数本のガイドライン１１は、被加工対象物１００上における仮想のラインとして設定可能であり、被加工対象物１００の第１の軸方向２１に沿って設定されてもよく、少なくとも一つの曲線を含んでいてもよい。このとき、複数本のガイドライン１１は、複数の単位加工領域１１０が設定されるべき位置をガイドしてもよく、被加工対象物１００の第１の軸方向２１は、被加工対象物１００の長軸方向（又は、長手方向）であってもよく、長軸と短軸の区別がない場合には、引っ張られるべき方向であってもよい。ここで、「被加工対象物の第１の軸方向に沿って」という文言は、直線状及び曲線状を網羅し、被加工対象物１００の第１の軸に平行に追従することだけではなく、非平行に追従することをも網羅する意で用いられる。すなわち、複数本のガイドライン１１は、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の成分を有しながら、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の一端から他端へと延びるラインであればよい。
【００３２】
次いで、被加工対象物１００の上に複数本のガイドライン１１に沿って互いに離間して配置される複数の単位加工領域１１０を設定する（Ｓ１２０）。複数の単位加工領域１１０は、それぞれのガイドライン１１に沿って互いに離間して配置されてもよく、被加工対象物１００上における仮想の領域として設定されてもよい。このとき、各単位加工領域１１０の中心がそれぞれガイドライン１１に位置するように複数の単位加工領域１１０を設定してもよい。ここで、単位加工領域１１０の形状が方向を有する形状である場合には、ガイドライン１１が単位加工領域１１０の形成方向をガイドしてもよい。
【００３３】
被加工対象物１００の引っ張り時に、引っ張り方向には膨張し、引っ張り方向と垂直な方向には収縮するため、単位加工領域１１０が加工されてなる加工形成物１１０ａの形状の変化及び位置の変化が生じる。これに伴い、本発明においては、このような加工形成物１１０ａの形状の変化及び位置の変化を補償して単位加工領域１１０を設定し、形状の変化及び位置の変化の補償が反映された単位加工領域１１０を加工することにより、被加工対象物１００の引っ張り時に加工形成物１１０ａの形状の変化及び位置の変化を補償することができる。
【００３４】
通常、マスク組立体は、分割マスクで製作された複数のマスクスティックをそれぞれ引っ張って溶接などを用いてフレーム（Ｆｒａｍｅ）に固定することにより製作する。このとき、フレームにマスクスティックを固定するためにマスクスティックを引っ張る場合、引っ張り方向には膨張し、引っ張り方向と垂直な方向には収縮するため、マスクスティックに形成された加工孔の形状と大きさ（ｓｉｚｅ）及び加工孔の位置の変化が生じる。これに伴い、マスクスティックに加工孔を加工するとき、全ての加工孔の形状と大きさ及び間隔を等しくする場合には、マスクスティックの引っ張り時に加工孔の形状と大きさ及び孔の位置の変化が生じて各加工孔の位置精度、形状、大きさなどの規格又は仕様（ｓｐｅｃ）を満たすことができなくなる。
【００３５】
しかしながら、本発明のレーザー加工方法を用いて加工形成物１１０ａの形状の変化及び位置の変化（すなわち、加工孔の形状の変化及び位置の変化）を補償して単位加工領域１１０を加工することにより、マスクスティックに加工孔を形成すれば、マスクスティックを引っ張ってフレームに固定するときに、加工孔の位置差、大きさ差及び形状差が補償（又は、補正）されて各加工孔の位置精度、大きさ、形状などの規格又は仕様を満たすことができる。
【００３６】
複数本のガイドライン１１のうち隣り合う二本のガイドライン１１は、曲げ率又は曲線の方向が異なっていてもよい。ここで、曲げ率は符号を含み、曲げ率の符号が互いに異なるものもまた、曲げ率が互いに異なるものであってもよい。このとき、曲げ率の符号は、曲線の方向に応じて決定されるが、曲線の方向は、曲線が曲がった方向を意味し、上方に凸状の曲線の方向が＋方向（又は、＋符号）であってもよく、凹状の曲線の方向が−方向（又は、−符号）であってもよい。図２においては、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線（又は、複数本のガイドラインのうち中央の直線）を中心として上側が＋方向であってもよく、下側が−方向であってもよい。ここで、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線は、第１の軸方向２１に平行に延びる線のうち中心にある線を意味し、複数本のガイドライン１１のうち中央の直線がない場合には、仮想のラインであってもよい。一方、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線と一致する複数本のガイドライン１１のうち中央の直線は、曲げ率が「０」であってもよく、曲線ではないため、曲線の方向（又は、曲げ率の符号）が存在しなくてもよい。このとき、曲線の方向の存否もまた、曲線の方向が異なるものと見なすことができる。
【００３７】
被加工対象物１００の位置に応じて被加工対象物１００の引っ張り時に受ける引っ張り力（すなわち、引っ張り方向の膨張力及び前記引っ張り方向と垂直な方向の収縮力）が異なるため、各位置に働く引っ張り力に応じて単位加工領域１１０の設定位置を決定してもよい。ここで、このような単位加工領域１１０の設定位置をガイドできるように、複数本のガイドライン１１の曲げ率又は曲線の方向が異なってもよい。
【００３８】
複数本のガイドライン１１は、それぞれ異なる位置に設定されるため、複数の単位加工領域１１０が設定される各ガイドライン１１別に働く引っ張り力が異なってもよい。これに伴い、各ガイドライン１１の位置における引っ張り力に応じてガイドライン１１の曲げ率が決定されてもよく、各ガイドライン１１の位置における引っ張り力の方向に応じて曲線方向が決定されてもよい。したがって、複数本のガイドライン１１のうち隣り合う二本のガイドライン１１は、曲げ率又は曲線の方向が異なっていてもよい。
【００３９】
例えば、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線と一致する直線状のガイドライン１１は曲げ率が「０」であるため、曲げ率を有する隣り合う曲線状のガイドライン１１とは曲げ率が異なり、曲げ率を有する他のガイドライン１１もまた、位置に応じて働く引っ張り力の差によって曲げ率が異なるため、隣り合う曲線状のガイドライン１１もまた、曲げ率が異なっていてもよい。
【００４０】
そして、複数本のガイドライン１１のうち曲線である（又は、曲線状の）ガイドライン１１は、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線に対して遠ざかる側に弧（ａｒｃ）を形成してもよく、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて曲げ率が高くなってもよい。
【００４１】
複数本のガイドライン１１のうち曲線であるガイドライン１１は、前記被加工対象物１００の第１の軸（又は、前記被加工対象物の第１の軸方向の中心線）と平行な弦（ｃｈｏｒｄ）を有する弧を形成してもよい。このとき、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線に対して遠ざかる側（又は、前記被加工対象物の第２の軸方向の両側）に弧が形成されてもよい。ここで、被加工対象物１００の第２の軸方向２２は、被加工対象物１００の短軸方向（又は、幅方向）であってもよく、被加工対象物１００の第１の軸方向２１と交差する（又は、垂直な）方向であってもよい。被加工対象物１００が第１の軸方向２１に引っ張られる場合、被加工対象物１００の第１の軸方向２１に膨張し、被加工対象物１００の第２の軸方向２２には収縮するため、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線に対して遠ざかる側に弧を形成して被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に加工形成物１１０ａの位置の変化を補償することができる。なお、曲線の両端に同じ引っ張り力が働かなければ、曲線が直線状に伸びないため、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の軸と平行な弦を有する弧をなす曲線であるガイドライン１１に曲線状に配列された複数の加工形成物１１０ａを、被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に一列に（又は、直線状に）配列してもよい。
【００４２】
前記曲線であるガイドライン１１は、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて曲げ率が高くなってもよい。このとき、第２の軸方向２２に収縮力が最も強く働く被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側の外郭において曲げ率が最大になってもよく、第２の軸方向２２に収縮力が少なく働く被加工対象物１００の第２の軸方向２２の中心部に近付くにつれて曲げ率が小さくなってもよい。被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張りに対する被加工対象物１００の第２の軸方向２２への収縮力は、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側の外郭において被加工対象物１００の第２の軸方向２２の中心に働くため、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側の外郭において最大となり、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の中心において最小となる。これに伴い、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて曲げ率が高くなってもよい。このとき、それぞれのガイドライン１１の曲げ率は、被加工対象物１００の変形率及び被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力に応じて決定されてもよい。なお、それぞれのガイドライン１１の曲げ率は、被加工対象物１００の厚さ、被加工対象物１００の材質、単位加工領域１１０の形状、大きさ、位置及び複数の単位加工領域１１０がなすパターンの大きさのうちの少なくとも一つ以上の要素を考慮して決定されてもよい。
【００４３】
一方、複数の単位加工領域１１０は、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線及び第２の軸方向２２中心線に対して対称的に配置されてもよい。例えば、複数本のガイドライン１１のうち中央の直線を中心として対称的に配置されてもよい。この場合、被加工対象物１００を第１の軸方向２１に引っ張る引っ張り力が被加工対象物１００の全体の領域に一定のパターンで均一に伝わって被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に各加工形成物１１０ａの位置精度が高くなり、被加工対象物１００の中央部に正確な２次元的パターンを形成することが可能になる。
【００４４】
次いで、レーザービーム１０の照射位置を移動させながら、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する（Ｓ１３０）。ここで、被加工対象物１００又はレーザーヘッド５０の位置を移動させてレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよい。このとき、複数の単位加工領域１１０においてのみレーザービーム１０を被加工対象物１００の上に照射してもよい。すなわち、複数の単位加工領域１１０においてのみレーザービーム１０をオン（ｏｎ）にしてもよく、レーザービーム１０による加工を必要としないその他の領域においては、レーザービーム１０をオフ（ｏｆｆ）にしてもよい。なお、レーザービーム１０を活性化させた（又は、オンにした）状態で、レーザービーム１０による加工を必要としない領域においては、遮断部材（図示せず）などでレーザービーム１０を遮断して、複数の単位加工領域１１０にのみレーザービーム１０を照射してもよい。
【００４５】
例えば、前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）においては、レーザービーム１０の座標値を変更しながらレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよい。すなわち、レーザービーム１０の座標値を変更して複数の単位加工領域１１０に対応する座標にレーザービーム１０の照射位置を移動させることにより、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射してもよい。この場合、複数の単位加工領域１１０に対応する座標（又は、座標区間）においてレーザービーム１０を活性化させても（又は、オンにしても）よい。このように、レーザービーム１０の座標値を変更するだけで、レーザービーム１０の照射位置を複数の単位加工領域１１０に簡単に移動させることができる。また、複数の単位加工領域１１０に対応する座標にレーザービーム１０の照射位置を移動させて、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射することによって、複数の単位加工領域１１０のみにレーザービーム１０を照射して加工することができる。
【００４６】
図３は、本発明の一実施形態に係るレーザーヘッドの移動を説明するための概念図であって、図３（ａ）は、レーザーヘッドの水平方向の移動を説明するための概念図であり、図３（ｂ）は、レーザーヘッドの垂直方向の移動を説明するための概念図である。
【００４７】
図３を参照すると、前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）においては、各ガイドライン１１別にレーザービーム１０が出射されるレーザーヘッド５０を移動させながら、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射してもよい。各ガイドライン１１別にレーザーヘッド５０を連続して移動させてもよい。例えば、各ガイドライン１１に沿って移動させてもよく、複数の単位加工領域１１０において（のみ）レーザービーム１０を活性化させて（又は、オンにして）移動させながら、複数の単位加工領域１１０を加工してもよい。ここで、曲線のガイドライン１１に沿って移動させる場合には、微小直線ベクトルの組み合わせでレーザーヘッド５０を曲線と略同様に移動させてもよく、「ガイドラインに沿って」という文言は、ガイドライン１１と同様に移動することだけではなく、ガイドライン１１と略同様に移動することをも網羅する意で用いられる。このとき、一本のガイドライン１１に沿って複数回スキャン（又は、往復）してもよい。各単位加工領域１１０に各単位加工領域１１０の大きさよりも小さな大きさのレーザービーム１０を照射しながら一本のガイドライン１１に沿って複数回スキャンする場合には、各単位加工領域１１０内においてレーザービーム１０の照射位置が変化可能なようにガイドライン１１の曲げ率を維持した状態でガイドライン１１の一端及び／又は他端からレーザービーム１０の第２の軸方向２２の幅以下に見合う分だけ第２の軸方向２２に（又は、ステップ方向に）移動しながら各単位加工領域１１０内に万遍なくレーザービーム１０が照射されるまで一本のガイドライン１１に沿って複数回スキャンしてもよい。このとき、レーザービーム１０を時分割又は空間分割して、各ガイドライン１１別にレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよい。レーザービーム１０の照射位置は、各ガイドライン１１別に移動してもよい。例えば、時分割して一本のガイドライン１１ずつレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよく、空間分割して複数のレーザービーム１０で複数本のガイドライン１１においてレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよい。
【００４８】
前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）は、複数本のガイドライン１１のうち第１のガイドライン１１ａの単位加工領域１１０に順次にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３１）と、前記第１のガイドライン１１ａと隣り合う第２のガイドライン１１ｂの単位加工領域１１０に順次にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３２）と、を含んでいてもよい。
【００４９】
第１のガイドライン１１ａの単位加工領域１１０に順次にレーザービーム１０を照射して、第１のガイドライン１１ａに配列された単位加工領域１１０の加工を行い（又は、完了し）、第２のガイドライン１１ｂの単位加工領域１１０に順次にレーザービーム１０を照射して、第２のガイドライン１１ｂに配列された単位加工領域１１０の加工を行うことにより、各ガイドライン１１別に単位加工領域１１０の加工を行ってもよい。それぞれのガイドライン１１の両端にその位置に応じた引っ張り力が働くため、各ガイドライン１１別に同じ引っ張り力が働くことになる。これにより、各ガイドライン１１別に同じ条件で単位加工領域１１０の加工を行わなければ、各ガイドライン１１の複数の単位加工領域１１０において一定の品質のパターンを得ることができなくなる。
【００５０】
このため、各ガイドライン１１の複数の単位加工領域１１０において一定の品質のパターンを得るためには、各ガイドライン１１別に同じ条件で単位加工領域１１０の加工を行わなければならない。ここで、各ガイドライン１１別に単位加工領域１１０の加工を行わない場合には、各ガイドライン１１別に同じ条件を合わせ難くなり、条件を変更し続けなければならないため、各ガイドライン１１別に単位加工領域１１０の加工を行ってもよい。これを通じて、各ガイドライン１１の複数の単位加工領域１１０において一定の品質のパターンを得ることができる。
【００５１】
前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）においては、各単位加工領域１１０の大きさに対応してレーザービーム１０の大きさを変化させながら、それぞれのガイドライン１１に沿ってレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよい。ここで、レーザービーム１０の大きさは、各単位加工領域１１０に等しくなるように変化させてもよく、各単位加工領域１１０よりは小さいものの、各単位加工領域１１０の大きさに比例するように変化させてもよい。また、レーザービーム１０の大きさが各単位加工領域１１０よりも小さな場合には、それぞれのガイドライン１１毎にガイドライン１１に沿って複数回スキャンしてもよい。レーザービーム１０の照射位置が移動する距離を短縮させ（又は、最小化させ）、各単位加工領域１１０におけるレーザービーム１０の移動速度（又は、移動速力）を一定にするために、ガイドライン１１に沿ってレーザービーム１０の照射位置を移動させてもよい。ガイドライン１１に沿ってレーザービーム１０の照射位置を移動させる場合には、レーザービーム１０の照射位置が線形的に移動し、移動区間の曲げ率が一定しているため、各単位加工領域１１０において速度（又は、速力）を維持し易くなり、レーザービーム１０のオン（ｏｎ）／オフ（ｏｆｆ）が容易になる。
【００５２】
このとき、単位加工領域１１０の大きさに応じてレーザービーム１０の大きさを変化させてもよく、各ガイドライン１１において様々な大きさの単位加工領域１１０を加工するためにレーザービーム１０の照射位置を移動させると同時に、レーザービーム１０の大きさを変化させてもよい。すなわち、レーザービーム１０の大きさを変化させて加工される大きさ（又は、面積）を調節してもよく、単位加工領域１１０の大きさに応じてレーザービーム１０の大きさを変化させてもよい。
【００５３】
例えば、前記第１のガイドライン１１ａの単位加工領域１１０に順次にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３１）においては、第１のガイドライン１１ａの一端から他端まで第１のガイドライン１１ａに沿ってレーザービーム１０の照射位置を移動させながら第１のガイドライン１１ａの単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射してもよい。そして、前記第２のガイドライン１１ｂの単位加工領域１１０に順次にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３２）においては、第２のガイドライン１１ｂの他端から一端まで第２のガイドライン１１ｂに沿ってレーザービーム１０の照射位置を移動させながら、第２のガイドライン１１ｂの単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射してもよい。この場合、全ての複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射するのに（又は、前記被加工対象物の一面の全体をスキャンするのに）、レーザービーム１０の照射位置が移動する距離を最小化させることができ、各単位加工領域１１０毎にレーザービーム１０が照射される照射回数（又は、繰り返し回数）を同じくすることができる。
【００５４】
このとき、第１のガイドライン１１ａの他端から被加工対象物１００の第２の軸方向２２に（又は、ステップ方向に）移動して、第２のガイドライン１１ｂの他端にレーザービーム１０の照射位置が移動してもよく、複数本のガイドライン１１から被加工対象物１００の第２の軸方向２２にガイドライン１１間を移動する距離は一定であってもよい。すなわち、各ガイドライン１１の両端に位置する単位加工領域１１０は、ガイドライン１１同士の間隔が一定であってもよく、この場合、被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に一定の間隔のパターンを得ることができる。
【００５５】
レーザービーム１０の照射位置を各ガイドライン１１に沿って移動させながら、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する場合、各単位加工領域１１０に熱影響、バリ（ｂｕｒｒ）などの副作用（ｓｉｄｅ  ｅｆｆｅｃｔｓ）を低減させることができ、複数の単位加工領域１１０を加工する時間を短縮することができ、移動方向、移動速度などのレーザーヘッド５０の制御が容易になる。
【００５６】
例えば、各単位加工領域１１０において移動させずに停止してレーザービーム１０を照射する場合には、単位加工領域１１０に熱が蓄積され、蓄積された熱により加工形成物１１０ａの形状が変形する恐れがあり、加工形成物１１０ａの周縁にバリが形成されかねない。そして、単位加工領域１１０が数百個以上に多い場合には、数百個の単位加工領域１１０を全て加工するのに長時間がかかる。
【００５７】
しかしながら、本発明でのように、レーザービーム１０の照射位置を各ガイドライン１１に沿って移動させながら、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射すれば、被加工対象物１００上においてレーザービーム１０が照射される位置が変化し続けるため、単位加工領域１１０における熱の蓄積を防ぐことができ、これに伴い、熱変形やバリの形成を防ぐことができる。なお、それぞれの単位加工領域１１０において加工が完了するまで待たずに、各ガイドライン１１に沿って移動するスキャン回数（又は、繰り返し回数）のみを調整すればよいため、複数の単位加工領域１１０を加工する時間を短縮することができ、複数の単位加工領域１１０をスキャンするスキャン距離を短縮することもできる。
【００５８】
一方、任意の方向にレーザーヘッド５０を移動させながら、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射すれば、レーザーヘッド５０の移動方向が急激に変化する恐れがあり、第１の軸方向２１の変化率と第２の軸方向２２の変化率が一定ではないため、レーザーヘッド５０の移動の制御が容易ではないだけではなく、急変するレーザーヘッド５０の移動により単位加工領域１１０に対する加工誤差が生じかねない。しかしながら、レーザーヘッド５０を各ガイドライン１１に沿って移動させながら、複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する場合には、レーザーヘッド５０の移動方向が一定のパターンで（又は、順次的に）緩やかに変化することができ、第１の軸方向２１の変化率と第２の軸方向２２の変化率が一定になるので、レーザーヘッド５０の移動の制御が容易になる。
【００５９】
前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）においては、レーザーヘッド５０の高さを調整してレーザービーム１０の大きさを変化させてもよい。レーザーヘッド５０は、レーザービーム１０を出射してもよく、その高さ（又は、ｚ軸方向の位置）を調整してレーザービーム１０の大きさを変化させてもよい。例えば、レーザービーム１０が集光されたビームであれば、レーザーヘッド５０の高さが低くなる場合（又は、前記レーザーヘッドが前記被加工対象物に近付く場合）には、レーザービーム１０の大きさが大きくなり、レーザーヘッド５０の高さが高くなる場合（又は、前記レーザーヘッドが前記被加工対象物から遠ざかる場合）には、レーザービーム１０の大きさが小さくなる。或いは、レーザービーム１０が集光されないＬＥＤ光のようなビームであれば、図３（ｂ）のように、レーザーヘッド５０の高さが低くなる場合（又は、前記レーザーヘッドが前記被加工対象物に近付く場合）には、レーザービーム１０の大きさが小さくなり、レーザーヘッド５０の高さが高くなる場合（又は、前記レーザーヘッドが前記被加工対象物から遠ざかる場合）には、レーザービーム１０の大きさが大きくなる。
【００６０】
被加工対象物１００の全領域にわたって複数の単位加工領域１１０を均一に加工するためには、各単位加工領域１１０ごとに同じエネルギーのレーザービーム１０で加工しなければならない。このとき、レーザーヘッド５０の高さを調整してレーザービーム１０の大きさを変化させれば、エネルギーは同じでありながら、大きさのみが変化されたレーザービーム１０を得ることができる。これに伴い、同じエネルギーのレーザービーム１０で複数の単位加工領域１１０を加工することができ、同じ深さに単位加工領域１１０を加工することができて、複数の単位加工領域１１０の照射回数を同じくすることができる。これを通じて、複数の単位加工領域１１０を同じエネルギーと照射回数で加工して被加工対象物１００の全領域にわたって均一な加工形成物１１０ａを形成することができる。
【００６１】
前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）においては、レーザーヘッド５０の３次元座標値を順次に変更してレーザービーム１０の照射位置を移動させながら、レーザービーム１０の大きさを変化させてもよい。このとき、第１の軸方向２１の値（例えば、ｘ軸値）、第２の軸方向２２の値（例えば、ｙ軸値）及び高さ方向２３の値（例えば、ｚ軸値）を３次元座標値に設定することができる。
【００６２】
従来には、レーザー加工に際してｘ軸とｙ軸（すなわち、２次元）の線形に制御することにより、直線上において形状を加工し、直線の方向に加工して被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に加工形成物の形状の変化及び位置の変化を補償することができなかった。すなわち、従来の場合、レーザー加工の施されたマスクスティックの状態では、位置精度、大きさ、形状などの規格又は仕様を満たすことができるが、マスクスティックの第１の軸方向２１への引っ張り時には、引っ張り方向に膨張し、引っ張り方向と垂直な方向に収縮して加工孔の規格又は仕様を満たすことができなくなる。
【００６３】
しかし、本発明においては、レーザーヘッド５０の３次元座標値を順次に変更してガイドライン１１に沿って曲線方向に加工することができるだけではなく、レーザーヘッド５０の位置を高さ方向（又は、ｚ軸方向）にも変更することができて各単位加工領域１１０の大きさに応じて一定のエネルギーを維持しながらレーザービーム１０の大きさを変化させることもできる。これに伴い、マスクスティックを引っ張ってフレームに固定するなど被加工対象物１００を第１の軸方向２１に引っ張るときに、加工形成物１１０ａの所望の形状及び位置精度が確保可能になる。
【００６４】
前記複数の単位加工領域１１０にレーザービーム１０を照射する過程（Ｓ１３０）においては、それぞれのガイドライン１１においてレーザーヘッド５０を一定の速度で移動させてもよい。各ガイドライン１１の複数の単位加工領域１１０において一定の品質のパターンを得るためには、各ガイドライン１１別に一定の速度で単位加工領域１１０の加工を行わなければならない。このとき、３次元座標値を設定しながら、各方向（すなわち、前記第１の軸方向、前記第２の軸方向及び前記高さ方向）の速度値も設定して、それぞれのガイドライン１１に沿ってレーザーヘッド５０を一定の速度で移動させてもよく、レーザーヘッド５０の３次元移動を通じてそれぞれのガイドライン１１を一定の速度で移動させながら、同時にレーザービーム１０の大きさが調節されてもよい。これに伴い、各ガイドライン１１の複数の単位加工領域１１０において一定の品質のパターンを得ることができる。
【００６５】
例えば、数値制御（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＮＣ）方式を用いて、レーザーヘッド５０を移動させてもよい。ここで、数値制御（ＮＣ）方式にナノ（ｎａｎｏ）スケールを適用してもよい。数値制御（ＮＣ）方式においては、各方向の直線移動を微小単位として実質的に曲線移動と同様にしてもよい。より具体的に、曲線移動時のｘ、ｙ及びｚ軸の軌跡を求めて、同時にレーザーヘッド５０が三つの軸を（又は、三つの軸方向に）動くようにしながら、レーザービーム１０で単位加工領域を加工してもよい。ガイドライン１１を用いて予め３次元座標のデータを計算することができるので、これらの位置座標をＧ−Ｃｏｄｅに変換して数値制御（ＮＣ）装置を用いれば、より手軽に加工形成物１１０ａの形状の変化の補償のための精度よい制御を行うことができる。ここで、Ｇ−Ｃｏｄｅは、数値制御（ＮＣ）に用いられるプログラミング言語又は標準フォーマット（ｆｏｒｍａｔ）であって、ｘ、ｙ、ｚの３次元座標と各軸の速度を入力してもよく、これに伴い、各軸の速度の入力を通じてそれぞれのガイドライン１１においてレーザーヘッド５０を一定の速度で移動させてもよい。
【００６６】
一方、第１の軸方向２１の速度（例えば、ｘ軸方向の速度）は、全てのガイドライン１１において同じであってもよく、各ガイドライン１１の曲げ率に応じて第２の軸方向２２の速度（例えば、ｙ軸方向の速度）が、曲げ率が高くなるにつれて高くなってもよい。例えば、各ガイドライン１１においてｘ軸方向の速度とｙ軸方向の速度の和ベクトル（又は、合成速度）が一定になるようにレーザーヘッド５０の移動速度を調節してもよい。このとき、ｚ軸方向の移動は、ｘ軸方向の移動とｙ軸方向の移動に比べて相対的に僅かである。しかしながら、各ガイドライン１１の曲げ率に応じて一定の比率で増減する複数の単位加工領域１１０に合わせてレーザービーム１０の大きさを変化させなければならないため、各ガイドライン１１においてｘ軸方向の速度、ｙ軸方向の速度及びｚ軸方向の速度の和ベクトルが一定になるようにレーザーヘッド５０の移動速度を調節することが好ましい。
【００６７】
そして、レーザーヘッド５０がそれぞれのガイドライン１１を通る（又は、スキャンする）時間を一定にして、全ての複数の単位加工領域１１０において一定の品質のパターンを得てもよい。
【００６８】
前記複数の単位加工領域１１０を設定する過程（Ｓ１２０）においては、それぞれのガイドライン１１において中央部の単位加工領域１１０を両端部の単位加工領域１１０よりも大きく設定してもよい。単位加工領域１１０の位置に応じて被加工対象物１００の引っ張り時に受ける引っ張り力が異なるため、各位置に働く引っ張り力に応じて単位加工領域１１０の大きさを決定してもよい。被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張りに対する被加工対象物１００の第１の軸方向２１への膨張力は、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端から被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中央部へと働く。これにより、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端において最大となり、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中央において最小となる。これに伴い、相対的に少なく膨張するガイドライン１１の中央部の単位加工領域１１０を相対的に多く膨張するガイドライン１１の両端部の単位加工領域１１０よりも大きく設定することができる。また、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中央部においては、被加工対象物１００の第２の軸方向２２への収縮力が被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端部よりも多く働くことになる。これは、それぞれのガイドライン１１において中央部の単位加工領域１１０を両端部の単位加工領域１１０よりも大きく設定する一つの理由（又は、要因）となる。
【００６９】
前記複数の単位加工領域１１０を設定する過程（Ｓ１２０）においては、各ガイドライン１１の中央部に位置する単位加工領域１１０を前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて大きくなるように設定してもよい。被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張りに対する被加工対象物１００の第２の軸方向２２への収縮力は、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側から前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線へと働く。これにより、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線を中心として被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側において最大となり、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線において最小となる。これに伴い、相対的に多く収縮する被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側に位置するガイドライン１１の単位加工領域１１０を相対的に少なく収縮する前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線の近くに（又は、隣に）位置するガイドライン１１の単位加工領域１１０よりも大きく設定することができる。したがって、各ガイドライン１１の中央部に位置する単位加工領域１１０もまた、前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて大きくなるように設定することができる。
【００７０】
前記複数の単位加工領域１１０を設定する過程（Ｓ１２０）においては、各ガイドライン１１の中央部に位置する単位加工領域１１０を前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて一定の比率で大きくなるように設定してもよく、前記一定の比率は、被加工対象物１００の変形率に応じて決定されてもよい。
【００７１】
単位加工領域１１０の位置に応じて被加工対象物１００の引っ張り時に受ける引っ張り力が異なるため、各位置に働く引っ張り力に応じて単位加工領域１１０の大きさを決定してもよい。このとき、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に作用する引っ張り力によって、被加工対象物１００の中央部における第２の軸方向２２の両側に圧縮応力が発生し、これにより、単位加工領域１１０が収縮する。このため、各ガイドライン１１の中央部に位置する単位加工領域１１０を前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて一定の比率で大きくなるように設定することができる。これを通じて、被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に複数の加工形成物１１０ａが一定の大きさに補正（又は、補償）可能になる。
【００７２】
前記一定の比率は、被加工対象物１００の変形率及び被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力に応じて決定されてもよい。このとき、被加工対象物１００の変形率及び被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力に応じて各位置における単位加工領域１１０の大きさを計算してもよい。
【００７３】
被加工対象物１００は、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力により被加工対象物１００の中央部の第２の軸方向２２の両側に圧縮応力が発生し、これに伴い収縮することになる。このとき、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力の大きさに応じて収縮する度合いが異なる。被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に実際に希望する複数の加工形成物１１０ａのパターン形状は、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側に位置するガイドライン１１及びこれに沿って配列された加工形成物１１０ａが被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力に合わせて収縮して水平になるようにするものである。これに伴い、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端に働く引っ張り力の大きさに応じた被加工対象物１００の中央部の第２の軸方向２２の両側から前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線への収縮量（又は、収縮力）を計算（又は、測定）し、この量（又は、大きさ）に見合う分だけ単位加工領域１１０の形状（又は、大きさ）を（すなわち、前記加工形成物の形状を）補正（又は、補償）することができる。
【００７４】
この場合、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側に位置するガイドライン１１が曲線状になり、それぞれのガイドライン１１において中央部の単位加工領域１１０が両端部の単位加工領域１１０よりも大きくなり、各ガイドライン１１の中央部に位置する単位加工領域１１０が前記被加工対象物１００の第１の軸方向２１の中心線から遠ざかるにつれて大きくなる。このとき、ガイドライン１１の両端を結ぶ直線（すなわち、弦）とガイドライン１１の中央との間隔及びガイドライン１１の両端を結ぶ直線の長さでガイドライン１１の曲げ率（又は、曲げ率半径）を計算してもよく、それぞれのガイドライン１１上においてスティフネス（ｓｔｉｆｆｎｅｓｓ）に応じた各位置別の収縮量を適用して各位置別の単位加工領域１１０の形状（又は、大きさ）を決定してもよい。
【００７５】
そして、スティフネスなどにより決定される被加工対象物１００の変形率に応じて各位置別の収縮量（又は、働く引っ張り力）が異なるため、被加工対象物１００の変形率を反映して前記一定の比率を決定してもよい。なお、被加工対象物１００の厚さ、被加工対象物１００の材質、複数の単位加工領域１１０がなすパターンの大きさ及び被加工対象物１００の引っ張り時に加工形成物１１０ａが有するべき大きさのうちの少なくとも一つ以上の要素を反映してもよい。
【００７６】
前記複数の単位加工領域１１０を設定する過程（Ｓ１２０）においては、複数本のガイドライン１１の両端に位置する単位加工領域１１０を一定の大きさに設定してもよい。このとき、複数本のガイドライン１１は、ガイドライン１１の両端を結ぶ直線の長さが同じであってもよく、ガイドライン１１の両端を結ぶ直線の間隔が一定であってもよい。すなわち、複数本のガイドライン１１の両端に位置する単位加工領域１１０は、被加工対象物１００の第２の軸方向２２に一定の間隔を隔てて離間して同一線上に配置されてもよい。
【００７７】
被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端には、平行な引っ張り力が働くため、被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に複数本のガイドライン１１の両端に位置する加工形成物１１０ａは位置の変化が同じであってもよい。また、被加工対象物１００の第１の軸方向２１の両端間の距離が同じであるため、被加工対象物１００の第１の軸方向２１への膨張力が同じであってもよく、被加工対象物１００の中央部ではないため、被加工対象物１００の第２の軸方向２２の両側における収縮力がほとんど無くてもよい。これにより、複数本のガイドライン１１の両端に位置する単位加工領域１１０を一定の大きさに設定することができる。これに伴い、被加工対象物１００の第１の軸方向２１への引っ張り時に加工形成物１１０ａの大きさが同じであり、一定の大きさと間隔のパターンを得ることができる。
【００７８】
このように、本発明においては、被加工対象物１００の上に被加工対象物１００の変形率及び被加工対象物１００に働く引っ張り力に応じて計算された曲げ率を有する複数本のガイドライン１１を与えて、引っ張りによる位置の変化の補償位置に複数の単位加工領域１１０を設定してもよい。また、被加工対象物１００の変形率及び被加工対象物１００に働く引っ張り力を通じて単位加工領域１１０の位置に応じた加工形状の変化を計算して、各単位加工領域１１０の大きさを決定してもよい。これに伴い、被加工対象物１００の引っ張り時に加工形成物１１０ａの位置の変化及び加工形状の変化を補償することができる。
【００７９】
図４は、本発明の他の実施形態に係るマスク組立体の製造方法により製造されるマスク組立体を示す図である。
【００８０】
図４を参照して、本発明の他の実施形態に係るマスク組立体の製造方法をより詳しく説明するが、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法と関連して上述した部分と重複する事項は省略する。
【００８１】
本発明の他の実施形態に係るマスク組立体の製造方法は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法で前記被加工対象物１００を加工して、前記複数の単位加工領域１１０に応じて複数の加工孔２１１が形成されたマスクスティック２１０を用意する過程（Ｓ２１０）と、開口部を有するフレーム２２０に前記マスクスティック２１０を前記第１の軸方向２１に引っ張って固定する過程（Ｓ２２０）と、を含んでいてもよい。
【００８２】
まず、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法で被加工対象物１００を加工して、複数の単位加工領域１１０に応じて複数の加工孔２１１が形成されたマスクスティック２１０を用意する（Ｓ２１０）。マスクスティック２１０は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法で被加工対象物１００を加工して用意してもよい。このとき、複数の単位加工領域１１０に応じて複数の加工孔２１１が形成されてもよく、複数の単位加工領域１１０の加工された複数の加工形成物１１０ａが複数の加工孔２１１であってもよい。マスクスティック２１０がフレーム２２０に固定されるために引っ張られる前には、複数の加工孔２１１が曲線を含む複数本のガイドライン１１に沿って離間して配列されることにより、パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を形成してもよい。なお、複数本のガイドライン１１の形態（又は、形状）に応じて、前記パターンの第１の軸方向２１に垂直な方向（すなわち、前記第２の軸方向）の幅が前記パターンの第１の軸方向２１の両端部から中央部に向かって進むにつれて広くなってもよい。
【００８３】
マスク組立体２００は、複数のマスクスティック２１０が集まって構成されてもよく、少なくとも二つ以上のマスクスティック２１０で構成されてもよく、図４には、四つのマスクスティック２１０が示されているが、これは、単なる一実施形態に過ぎず、本発明はこれに何等限定されない。
【００８４】
そして、マスクスティック２１０は、長方形の薄板状であってもよく、その第１の軸方向２１に沿って所定の間隔を隔てて複数の加工孔２１１が形成されてもよく、複数の加工孔２１１が形成するパターンの周りに遮断領域が形成されてもよい。また、図４に示すように、複数の加工孔２１１が形成するパターンの形状及び複数の加工孔２１１の形状は、マスクスティック２１０がフレーム２２０に固定される前と後において相違するが、これについての詳細な説明は後述する。
【００８５】
例えば、マスクスティック２１０は、磁性を帯びた薄板であってもよいが、ニッケル又はニッケル合金からなってもよく、微細パターンの形成が容易であり、しかも、表面粗さが非常に良いニッケル−コバルトの合金で形成してもよい。
【００８６】
次いで、開口部を有するフレーム２２０にマスクスティック２１０を第１の軸方向２１に（又は、前記第１の軸方向に延びる長手方向に）引っ張って固定する（Ｓ２２０）。フレーム２２０は、開口部を有してもよく、弾性力を有する材質で形成してもよいが、これに限定されない。また、フレーム２２０には、マスクスティック２１０が引っ張られた状態で支持されるため、マスクスティック２１０が安定的に支持できるようにフレーム３０は十分な剛性を有してもよい。なお、フレーム２２０は、被蒸着物とマスク組立体２００との密着の際に干渉を引き起こさない構造であれば、いかなるものも採用可能である。
【００８７】
マスクスティック２１０は、その第１の軸方向２１に（又は、前記長手方向に）所定の引っ張り力を加えた状態で、マスクスティック２１０の第１の軸方向２１の両端をフレーム２２０に固定してもよい。このとき、マスクスティック２１０の複数の加工孔２１１は、いずれもフレーム２２０の開口部の内側に位置させてもよい。ここで、固定方法としては、レーザー溶接、抵抗加熱溶接など様々な方法を適用してもよいが、精度の変化などを考慮して、レーザー溶接方法を用いてもよい。なお、各マスクスティック２１０は、これら同士が所定の隙間（ｇａｐ）を形成するように揃えられて溶接されてもよい。
【００８８】
本発明の実施形態によれば、複数の加工孔２１１が形成するパターンの形状及び複数の加工孔２１１の形状は、各マスクスティック２１０がフレーム２２０に固定される前と後において相違する。
【００８９】
図５は、本発明の他の実施形態に係るマスクスティックの引っ張りによる加工孔の形状の補正を説明するための概念図であり、図５（ａ）は、引っ張り前のマスクスティックを示し、図５（ｂ）は、引っ張り後のマスクスティックを示す。
【００９０】
図５を参照すると、前記マスクスティック２１０を第１の軸方向２１に引っ張って固定する過程（Ｓ２２０）においては、各ガイドライン１１の両端にマスクスティック２１０の第１の軸方向２１の両側に平行な引っ張り力が働いてもよい。
【００９１】
一般に、一体形のマスクは、フレームに固定するとき、マスクを四方に引っ張ってフレームに固定する。しかしながら、本発明の実施形態のように、複数のマスクスティック２１０で構成されるマスク組立体２００は、各分割されたマスクスティック２１０をマスクスティック２１０の第１の軸方向２１にのみ引っ張ってフレーム２２０に固定してもよい。この場合、マスクスティック２１０の引っ張り方向（すなわち、第１の軸方向）に発生する引っ張り力により引っ張り方向に垂直な方向（すなわち、前記第２の軸方向）にマスクスティック２１０を収縮させることになる。
【００９２】
ここで、各ガイドライン１１の両端に同じ引っ張り力が働かなければ、曲線が直線状に伸びないため、各ガイドライン１１の両端にマスクスティック２１０の第１の軸方向２１の両側から同じ引っ張り力が働いてもよい。これを通じて、曲線であるガイドライン１１に曲線状に配列された複数の加工孔２１１をマスクスティック２１０の第１の軸方向２１への引っ張り時に一列に（又は、直線状に）配列することができる。なお、複数本のガイドライン１１の両端にマスクスティック２１０の第１の軸方向２１に平行な引っ張り力が働かなければ、マスクスティック２１０の第１の軸方向２１への引っ張り時に複数の加工孔２１１が平行に（又は、並ぶように）配列されなくなる。
【００９３】
このとき、引っ張り方向へのマスクスティック２１０の変形率に対する縦方向（又は、垂直な方向）へのマスクスティック２１０の変形率の比、つまり、ポアソン比（Ｐｏｉｓｓｏｎ  ｒａｔｉｏ）は、マスクスティック２１０の厚さや材質又は複数の加工孔２１１の形状、大きさ、位置などによって決定されてもよい。
【００９４】
図５（ａ）に示すマスクスティック２１０は、上述したポアソン比に影響を与えるあらゆる要素を考慮して補償設計された一例を示すものである。
【００９５】
前記マスクスティック２１０を第１の軸方向２１に引っ張って固定する過程（Ｓ２２０）においては、複数の加工孔２１１が２次元的に直線配列（又は、格子状に配列）されてもよく、複数の加工孔２１１の大きさが一定になってもよい。ここで、「一定の」という用語は、同じことだけではなく、所定の許容誤差範囲内にある実質的に同じことをも網羅する意で用いられる。図５（ｂ）を参照すると、複数の加工孔２１１が形成するパターンは、マスクスティック２１０の第１の軸方向２１に両端部が引っ張られてフレーム２２０に固定された後には、第１の軸方向２１に垂直な方向（又は、前記第２の軸方向）の幅は実質的に等しくなってもよい。すなわち、複数の加工孔２１１は、２次元的に直線配列されてもよく、複数の加工孔２１１の大きさが一定になってもよく、全ての間隔と配列が一定に揃えられてもよい。これに伴い、揃えられた複数の加工孔２１１を通過して蒸着される有機物もまた、所望の位置に誤差なしに蒸着可能になる。
【００９６】
このように、本発明においては、板状の被加工対象物の上に被加工対象物の第１の軸方向に沿って曲線を含む複数本のガイドラインを設定し、複数本のガイドラインに応じてその位置がガイドされた複数の単位加工領域を加工することにより、被加工対象物の引っ張り時に加工形状の変化及び位置の変化を補償することができる。すなわち、被加工対象物の上に被加工対象物の変形率に応じて計算された曲げ率を有する複数本のガイドラインを与えて、引っ張りによる位置の変化の補償位置に単位加工領域を設定することができる。また、被加工対象物の変形率を通じて単位加工領域の位置に応じた加工形状の変化を計算して、各単位加工領域の大きさを決定することができるので、被加工対象物の引っ張り時に位置の変化及び加工形状の変化を補償することができる。このため、被加工対象物を加工して加工孔の形成されたマスクスティックを形成する場合には、マスクスティックを引っ張ってフレームに固定するとき、加工孔の位置差、大きさ差及び形状差が補正されて各加工孔の位置精度、大きさ、形状などの規格又は仕様を満たすことができる。さらに、各ガイドラインに沿ってレーザービームの照射位置を移動させながら、複数の単位加工領域を加工して各ガイドラインごとに一定の速度で複数の単位加工領域を加工することができる。これに伴い、各単位加工領域ごとに一定の品質の加工形成物を得ることができる。なお、単位加工領域の大きさの変化に応じてレーザーヘッドの高さを調整してレーザービームの大きさを調節することにより、位置別に異なる大きさを有する複数の単位加工領域に一定のエネルギーのレーザービームを照射することができる。これに伴い、一定の繰り返し回数で被加工対象物を加工することができ、被加工対象物の全領域にわたって均一な加工を行うことができる。
【００９７】
以上の説明において用いた「〜上に」という用語は、直接的に接触する場合と、直接的に接触はしないものの、上部又は下部に対向して位置する場合と、を網羅し、上部面又は下部面の全体に対向して位置することもできれば、部分的に対向して位置することもでき、位置上離れて対向したり、上部面又は下部面に直接的に接触したりするという意で用いられた。したがって、「被加工対象物の上に」は、被加工対象物の表面（上部面又は下部面）になってもよく、被加工対象物の表面に蒸着された膜の表面になってもよい。
【００９８】
以上、本発明の好適な実施形態について図示して説明したが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、これより様々な変形が行え、且つ、均等な他の実施形態が採用可能であるということが理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は、次の特許請求の範囲によって定められるべきである。
【符号の説明】
【００９９】
１０：レーザービーム
１１：ガイドライン
２１：第１の軸方向
２２：第２の軸方向
２３：高さ方向（ｚ軸方向）
５０：レーザーヘッド
１００：被加工対象物
１１０：単位加工領域
１１０ａ：加工形成物
２００：マスク組立体
２１０：マスクスティック
２１１：加工孔
２２０：フレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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