(57)【要約】【課題】フレキシビリティと耐久性の両立を目的とする。【解決手段】表示装置は、表示領域を有するフレキシブルディスプレイ１０と、相互に反対側の第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有して第１面Ｓ１がフレキシブルディスプレイ１０に貼り付けられた支持部材７８と、を有する。支持部材７８は、第１面Ｓ１に沿って配列されて第２面Ｓ２への方向にそれぞれ先細りとなる複数のテーパー部８２を含む第１層８０と、複数のテーパー部８２よりも柔らかい材料から構成されて隣同士のテーパー部８２を接合する第２層８４と、を有する。曲げによって伸縮しない中立面ＮＰが、第２面Ｓ２よりも第１面Ｓ１に近い。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を有するフレキシブルディスプレイと、
相互に反対側の第１面及び第２面を有して前記第１面が前記フレキシブルディスプレイに貼り付けられた支持部材と、
を有し、
前記支持部材は、前記第１面に沿って配列されて前記第２面への方向にそれぞれ先細りとなる複数のテーパー部を含む第１層と、前記複数のテーパー部よりも柔らかい材料から構成されて隣同士の前記テーパー部を接合する第２層と、を有し、曲げによって伸縮しない中立面が、前記第２面よりも前記第１面に近いことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記第２層を構成する前記材料は、弾性体であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数のテーパー部は、前記第１面で相互に一体化していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数のテーパー部は、相互に分離されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２層は、前記第２面への高さが、前記複数のテーパー部を超えないことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数のテーパー部のそれぞれの形状は、錐体又は錐台であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数のテーパー部のそれぞれの形状は、三角台又は横倒しされた三角柱であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記フレキシブルディスプレイ及び支持部材は、少なくとも一部が屈曲した状態であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記中立面が前記第１面にあることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、可撓性を有するフレキシブルディスプレイが開発されている。例えば、可撓性を有する樹脂基板上に回路層及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）が形成された表示装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フレキシブルディスプレイは、曲げ伸ばしの繰り返しに耐えられるように、支持部材を貼り付けることが多い。支持部材とフレキシブルディスプレイとは剥離しにくいことが望ましく、支持部材は、応力が集中しないことが求められる。
【０００５】
本発明は、フレキシビリティと耐久性の両立を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、表示領域を有するフレキシブルディスプレイと、相互に反対側の第１面及び第２面を有して前記第１面が前記フレキシブルディスプレイに貼り付けられた支持部材と、を有し、前記支持部材は、前記第１面に沿って配列されて前記第２面への方向にそれぞれ先細りとなる複数のテーパー部を含む第１層と、前記複数のテーパー部よりも柔らかい材料から構成されて隣同士の前記テーパー部を接合する第２層と、を有し、曲げによって伸縮しない中立面が、前記第２面よりも前記第１面に近いことを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、柔らかい材料からなる第２層が、隣同士のテーパー部の間にあることで、応力を分散することができ、フレキシビリティと耐久性の両立が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】図１に示す表示装置のII−II線断面図である。
【図３】図２にIIIで指す部分の拡大図である。
【図４】第１層の一部を示す裏面図である。
【図５】図１に示す表示装置の使用状態を示す斜視図である。
【図６】図５に示す使用状態の支持部材を示す断面図である。
【図７】実施形態の変形例１を示す断面図である。
【図８】実施形態の変形例２を示す断面図である。
【図９】実施形態の変形例３を示す裏面図である。
【図１０】実施形態の変形例４を示す裏面図である。
【図１１】実施形態の変形例５を示す裏面図である。
【図１２】実施形態の変形例６を示す斜視図である。
【図１３】実施形態の変形例７を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面図である。
【００１３】
表示装置は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置である。表示装置は、フレキシブルディスプレイ１０を含む。フレキシブルディスプレイ１０は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。フレキシブルディスプレイ１０は、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡを含む。周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡの外側にある。
【００１４】
周辺領域ＰＡには、フレキシブルプリント基板１１が接続されている。フレキシブルプリント基板１１には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路（図示せず）が搭載される。フレキシブルプリント基板１１には、プリント基板１３が接続されている。プリント基板１３には各種の電子部品（図示せず）が搭載される。
【００１５】
図３は、図２にIIIで指す部分の拡大図である。フレキシブルディスプレイ１０は、基板１２（アレイ基板）を有する。基板１２はポリイミドを用いている。ただし、十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いても良い。基板１２上に、アンダーコート層１４として、シリコン酸化膜１４ａ、シリコン窒化膜１４ｂ及びシリコン酸化膜１４ｃの三層積層構造が設けられている。最下層のシリコン酸化膜１４ａは、基板１２との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１４ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１４ｃは、シリコン窒化膜１４ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があっても良いし、単層あるいは二層積層としても良い。
【００１６】
アンダーコート層１４の下には、薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜１６を形成しても良い。付加膜１６は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１４ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜１６を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１４ｂ及びシリコン酸化膜１４ｃを積層することで、アンダーコート層１４に付加膜１６を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１２上にまず付加膜１６を形成し、その後にアンダーコート層１４を形成しても良い。
【００１７】
アンダーコート層１４上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成しても良い。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２０としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２２は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２２に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２０を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００１８】
ゲート電極２２の上に、層間絶縁膜２４（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。基板１２を曲げられるようにする場合、折曲領域ＦＡでは、折り曲げやすくなるように、層間絶縁膜２４の少なくとも一部を除去する。層間絶縁膜２４の除去によって、アンダーコート層１４が露出するので、その少なくとも一部もパターニングを行って除去する。アンダーコート層１４を除去した後には、基板１２を構成するポリイミドが露出する。なお、アンダーコート層１４のエッチングを通じて、ポリイミド表面が一部浸食されて膜減りを生ずる場合が有る。
【００１９】
層間絶縁膜２４の上に、ソース・ドレイン電極２６及び引き回し配線２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２４を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。引き回し配線２８は、基板１２の端部まで延在され、フレキシブルプリント基板１１を接続するための端子３２を有するようになっている。
【００２０】
ソース・ドレイン電極２６及び引き回し配線２８（これらの一部を除く）を覆うように平坦化膜３４が設けられている。平坦化膜３４としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。
【００２１】
平坦化膜３４は、画素コンタクト部３６及び周辺領域ＰＡでは除去されて、その上に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜３５が形成されている。酸化インジウムスズ膜３５は、相互に分離された第１透明導電膜３８及び第２透明導電膜４０を含む。
【００２２】
平坦化膜３４の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３８にて被覆される。第１透明導電膜３８を被覆するように、平坦化膜３４の上にシリコン窒化膜４２が設けられている。シリコン窒化膜４２は、画素コンタクト部３６に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２６に導通するように画素電極４４が積層されている。画素電極４４は反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜、銀（Ａｇ）膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造としている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜３５を用いても良い。画素電極４４は、画素コンタクト部３６から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２３】
第２透明導電膜４０は、画素コンタクト部３６に隣接して、画素電極４４の下方（さらにシリコン窒化膜４２の下方）に設けられている。第２透明導電膜４０、シリコン窒化膜４２及び画素電極４４は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２４】
端子３２の表面には、酸化インジウムスズ膜３５の他の一部である第３透明導電膜４６が形成されている。第３透明導電膜４６は、第１透明導電膜３８及び第２透明導電膜４０と同時に形成される。端子３２上の第３透明導電膜４６は、以後の工程で端子３２の露出部がダメージを負わないようにバリア膜として設けることを目的の一としている。画素電極４４のパターニング時、第３透明導電膜４６はエッチング環境にさらされるが、酸化インジウムスズ膜３５の形成から画素電極４４の形成までの間に行われるアニール処理によって、酸化インジウムスズ膜３５は画素電極４４のエッチングに対し十分な耐性を有する。
【００２５】
平坦化膜３４の上であって例えば画素コンタクト部３６の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層４８が形成されている。絶縁層４８としては平坦化膜３４と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層４８は、画素電極４４の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機ＥＬ（Electro Luminescence）層５０のカバレッジ不良を生ずる。
【００２６】
平坦化膜３４と絶縁層４８は、両者間にあるシリコン窒化膜４２に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層４８の形成後の熱処理等を通じて、平坦化膜３４から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層４８を通じて引き抜くことができる。
【００２７】
画素電極４４の上に、有機材料からなる有機ＥＬ層５０が積層されている。有機ＥＬ層５０は、単層であってもよいが、画素電極４４側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成しても良いし、溶媒分散の上での塗布によって形成しても良く、画素電極４４（各サブ画素）に対して選択的に形成しても良いし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されても良い。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
【００２８】
有機ＥＬ層５０の上に、対向電極５２が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極５２は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、有機ＥＬ層５０からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機ＥＬ層５０の形成順序に従うと、画素電極４４が陽極となり、対向電極５２が陰極となる。対向電極５２は、表示領域ＤＡ上と、表示領域ＤＡ近傍に設けられた陰極コンタクト部５４に亘って形成され、陰極コンタクト部５４で下層の引き回し配線２８と接続されて、端子３２に電気的に接続される。
【００２９】
対向電極５２の上に、封止膜５６が形成されている。封止膜５６は、先に形成した有機ＥＬ層５０を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。ここでは、シリコン窒化膜を含む積層構造として、シリコン窒化膜５６ａ、有機樹脂層５６ｂ及びシリコン窒化膜５６ｃの積層構造とした。シリコン窒化膜５６ａ，５６ｃと有機樹脂層５６ｂとの間には、密着性向上を目的の一として、シリコン酸化膜やアモルファスシリコン層を設けても良い。
【００３０】
封止膜５６に、接着層５８を介して、タッチパネル基板６０が積層されている。タッチパネル基板６０には図示しないタッチセンシング電極の少なくとも一部が形成されている。タッチセンシング電極の一部を、対向電極５２が兼用してもよい。タッチパネル基板６０には円偏光板６２が貼り付けられている。円偏光板６２に、接着層６４を介して、カバーガラス６６が積層されている。一方、基板１２には、接着層６８を介して、裏フィルム７０が積層されている。裏フィルム７０には、グラファイトなどからなる均熱シート７２、クッションシート７４が積層している。
【００３１】
フレキシブルディスプレイ１０はハウジング７６（図２参照）に収容されている。ハウジング７６の一部は、フレキシブルディスプレイ１０に貼り付けられた支持部材７８である。支持部材７８は、相互に反対側の第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する。第１面Ｓ１がフレキシブルディスプレイ１０に貼り付けられている。支持部材７８は、第１層８０を有する。
【００３２】
図４は、第１層８０の一部を示す裏面図である。第１層８０は、複数のテーパー部８２を有する。複数のテーパー部８２のそれぞれの形状は錐体である。複数のテーパー部８２は、図３に示す第１面Ｓ１に沿って配列されている。複数のテーパー部８２は、第１面Ｓ１で相互に一体化している。複数のテーパー部８２は、第２面Ｓ２への方向にそれぞれ先細りとなっている。
【００３３】
図３に示すように、支持部材７８は、第２層８４を有する。第２層８４は、隣同士のテーパー部８２を接合する。第２層８４は、複数のテーパー部８２よりも柔らかい材料から構成されている。例えば第２層８４を構成する材料は弾性体である。第２層８４は、第２面Ｓ２への高さが、複数のテーパー部８２を超えない。ハウジング７６には、図２に示すように、フレキシブルディスプレイ１０及びプリント基板１３を収納するための凹部８６が形成されており、凹部８６の底面を第２層８４が構成をする。加熱した軟性樹脂を金型に押し込むことで凹部８６を成形することができる。
【００３４】
図５は、図１に示す表示装置の使用状態を示す斜視図である。フレキシブルディスプレイ１０及び支持部材７８を含む表示装置１００は、少なくとも一部が屈曲した状態であり、例えば、手首に巻く状態等を想定している。曲げた状態から弾力戻りが起こらないように、ハウジング７６内に図示しない保持部材を設けてもよい。図１に示すフレキシブルディスプレイ１０及びフレキシブルプリント基板１１は可撓性があるが、プリント基板１３は、通常曲がらないため、屈曲した表示装置１００が描く円弧に沿った方向への長さが短くなっている。プリント基板１３が格納された部分は、曲らない構成となっても良い。
【００３５】
図６は、図５に示す使用状態の支持部材７８を示す断面図である。支持部材７８を曲げたときに伸縮しない中立面ＮＰは、第２面Ｓ２よりも第１面Ｓ１に近い。例えば中立面ＮＰが第１面Ｓ１にある。本実施形態によれば、柔らかい材料からなる第２層８４が、隣同士のテーパー部８２の間にあることで、応力を分散することができ、フレキシビリティと耐久性の両立が可能になっている。
【００３６】
図７は、実施形態の変形例１を示す断面図である。図３又は図６に示す例では、第２層８４が第２面Ｓ２の方向に有する高さが、第１層８０が第２面Ｓ２の方向に有する高さと一致している。これに対して、図７の例では、第２層８４Ａが第２面Ｓ２の方向に有する高さが、第１層８０Ａが第２面Ｓ２の方向に有する高さよりも低い。第１層８０Ａが有する複数のテーパー部８２Ａの先端が第２面Ｓ２に位置する。
【００３７】
図８は、実施形態の変形例２を示す断面図である。この例では、第１層８０Ｂが有する複数のテーパー部８２Ｂのそれぞれの形状は、四角錐台などの錐台である。したがって、テーパー部８２Ｂの先端は面を有する。図８では省略しているが、隣り合う第１層８０Ｂの間隙部には、図３や図７に示されるような態様で第２層が形成される。
【００３８】
図９は、実施形態の変形例３を示す裏面図である。この例では、第１層８０Ｃが有する複数のテーパー部８２Ｃは、相互に分離されている。
【００３９】
図１０は、実施形態の変形例４を示す裏面図である。この例では、第１層８０Ｄが有する複数のテーパー部８２Ｄのそれぞれの形状は、三角錐台である。
【００４０】
図１１は、実施形態の変形例５を示す裏面図である。この例では、第１層８０Ｅが有する複数のテーパー部８２Ｅのそれぞれの形状は、円錐台である。
【００４１】
図１２は、実施形態の変形例６を示す斜視図である。この例では、第１層８０Ｆが有する複数のテーパー部８２Ｆのそれぞれの形状は、横倒しされた三角柱である。第１面Ｓ１は、複数のテーパー部８２Ｆの底面（それぞれ長方形）からなる。テーパー部８２Ｆの先端は稜線からなる。図１２では省略しているが、隣り合う第１層８０Ｆの間隙部には、図３や図７に示されるような態様で第２層が形成される。
【００４２】
図１３は、実施形態の変形例７を示す斜視図である。この例では、第１層８０Ｇが有する複数のテーパー部８２Ｇのそれぞれの形状は、横倒しされた三角柱の先端部を切り取った形状、すなわち、三角台である。第１面Ｓ１は、複数のテーパー部８２Ｇの底面（それぞれ長方形）からなる。テーパー部８２Ｇの先端は面からなる。図１３では省略しているが、隣り合う第１層８０Ｇの間隙部には、図３や図７に示されるような態様で第２層が形成される。
【００４３】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００４４】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  フレキシブルディスプレイ、１１  フレキシブルプリント基板、１２  基板、１３  プリント基板、１４  アンダーコート層、１４ａ  シリコン酸化膜、１４ｂ  シリコン窒化膜、１４ｃ  シリコン酸化膜、１６  付加膜、１８  半導体層、２０  ゲート絶縁膜、２２  ゲート電極、２４  層間絶縁膜、２６  ドレイン電極、２８  引き回し配線、３２  端子、３４  平坦化膜、３５  酸化インジウムスズ膜、３６  画素コンタクト部、３８  第１透明導電膜、４０  第２透明導電膜、４２  シリコン窒化膜、４４  画素電極、４６  第３透明導電膜、４８  絶縁層、５０  有機ＥＬ層、５２  対向電極、５４  陰極コンタクト部、５６  封止膜、５６ａ  シリコン窒化膜、５６ｂ  有機樹脂層、５６ｃ  シリコン窒化膜、５８  接着層、６０  タッチパネル基板、６２  円偏光板、６４  接着層、６６  カバーガラス、６８  接着層、７０  裏フィルム、７２  均熱シート、７４  クッションシート、７６  ハウジング、７８  支持部材、８０  第１層、８０Ａ  第１層、８０Ｂ  第１層、８０Ｃ  第１層、８０Ｄ  第１層、８０Ｅ  第１層、８０Ｆ  第１層、８０Ｇ  第１層、８２  テーパー部、８２Ａ  テーパー部、８２Ｂ  テーパー部、８２Ｃ  テーパー部、８２Ｄ  テーパー部、８２Ｅ  テーパー部、８２Ｆ  テーパー部、８２Ｇ  テーパー部、８４  第２層、８４Ａ  第２層、８６  凹部、Ｃad  付加容量、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、Ｃｓ  保持容量、ＤＡ  表示領域、ＦＡ  折曲領域、ＮＰ  中立面、ＰＡ  周辺領域、Ｓ１  第１面、Ｓ２  第２面、ＴＲ  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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