(57)【要約】【課題】一つのチャンバ内に複数の処理エリアを有する基板処理装置において、処理エリア間での雰囲気ガスのコンタミネーションを抑制するための技術を提供する。【解決手段】基板に対して第１の処理が行われる第１のエリアと前記基板に対して第２の処理が行われる第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアの間が空間的に開放された構造のチャンバを有する基板処理装置において、前記チャンバが、前記第１のエリアに前記第１の処理で用いる第１のガスを導入する第１の導入口と、前記第２のエリアに前記第２の処理で用いる第２のガスを導入する第２の導入口と、前記第１のエリアと前記第２のエリアの境界部又はその近傍に設けられた排気口と、を有する。【選択図】図１
2019196517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して第１の処理が行われる第１のエリアと前記基板に対して第２の処理が行われる第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間が空間的に開放された構造のチャンバを有する基板処理装置において、
前記チャンバが、
前記第１のエリアに前記第１の処理で用いる第１のガスを導入する第１の導入口と、
前記第２のエリアに前記第２の処理で用いる第２のガスを導入する第２の導入口と、
前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口と、
を有する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の導入口が、前記第１のエリアに対して前記排気口が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の導入口が、前記第２のエリアに対して前記排気口が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１のエリア及び前記第２のエリアでは、前記基板が鉛直に支持された状態で前記第１の処理及び前記第２の処理が行われるものであり、
前記第１の導入口、前記第２の導入口、及び、前記排気口は、前記チャンバの上面に設けられている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記排気口が、前記チャンバ内から前記第１のガスを排出する排気口と前記チャンバ内から前記第２のガスを排出する排気口とを兼ねている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１のガスと前記第２のガスとは、異なる成分を含むガスである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１のガスは活性ガスであり、前記第２のガスは不活性ガスである
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１のガスは酸素ガス又は窒素ガスである
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２のガスは希ガスである
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の処理及び前記第２の処理は、プラズマ又はイオンを用いる処理である
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の処理は、前記基板の表面を洗浄又はエッチングする処理である
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第２の処理は、前記基板の表面に膜を形成する成膜処理である
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第２の処理は、金属スパッタリングである
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第２の処理が行われているか否かにかかわらず、前記第１の処理が行われている間は、前記第２の導入口から前記第２のエリアに前記第２のガスを導入する
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記基板を搬送する搬送手段が前記チャンバ内に設けられており、前記搬送手段によって前記基板を前記第１のエリアから前記第２のエリアへと順次搬送することにより、前記基板に対して前記第１の処理と前記第２の処理とを連続的に実行する
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
電子部品の製造方法であって、
第１のエリアと第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間が空間的に開放された構造のチャンバの内部に、電子部品が構成される基板を搬入する工程と、
前記基板を前記第１のエリアに搬送する工程と、
前記チャンバに設けられた第１の導入口から前記第１のエリアに導入された第１のガスの雰囲気下で、前記基板に対し第１の処理を行う工程と、
前記第１の処理の後に、前記基板を前記第２のエリアに搬送する工程と、
前記チャンバに設けられた第２の導入口から前記第２のエリアに導入された第２のガスの雰囲気下で、前記基板に対し第２の処理を行う工程と、
を有し、
前記チャンバ内のガスが、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口から排出される
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、及び、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
減圧チャンバ内に基板を配置し、所定のガスの雰囲気下で基板表面の処理を行う基板処理装置が広く利用されている。例えば、スパッタリングにより基板表面に成膜を行う装置や、イオンビーム又はプラズマにより基板表面の洗浄（異物除去）やエッチングを行う装置などがある。
【０００３】
従来、一枚の基板に対して複数種類の処理を施す場合には、各々の処理における雰囲気ガスのコンタミネーションを防ぐため、処理ごとに別々の（つまり完全に隔離された）チャンバを用いる方法が一般的であった。また、特許文献１では、２つのチャンバの間を隔壁で仕切り、一方のチャンバにはアルゴンガス、他方のチャンバにはアルゴンと酸素の混合ガスをそれぞれ導入して、基板上に金属と酸化物の複合化膜を作製する装置において、２つのチャンバを連通する空間部に、２つのチャンバよりも高いガス圧のアルゴンガスを導入することにより、２つのチャンバ間でのガスのコンタミネーションを防ぐ構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１０８６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、基板処理装置のスループットを向上するために、一つのチャンバ内に前処理エリア、成膜エリアなどの複数の処理エリアを設け、基板を各々の処理エリアに順次搬送することで複数の処理を連続的に実行する方式の装置を検討している。このような方式はインライン型とも呼ばれる。インライン型の装置では、基板の搬送経路を確保するため、処理エリア同士を空間的に仕切ることができない。それゆえ、処理エリア間での雰囲気ガスのコンタミネーションが生じやすく、それに起因して基板処理の進行や品質などに影響が発生することが懸念される。
【０００６】
例えば、前処理で酸素や窒素などの活性ガスを用いている場合、その活性ガスが成膜エリアに流入すると、活性ガスがターゲットと反応しターゲット表面の組成を変化（酸化、窒化など）させてしまう可能性がある。したがって、従来装置では、基板を成膜エリアに導入する前にプリスパッタを十分な時間（例えば数分以上）実施し、ターゲット表面を清浄する必要があり、これがスループットの低下を招いていた。
【０００７】
本発明は上記実情に鑑みなされたものであって、一つのチャンバ内に複数の処理エリアを有する基板処理装置において、処理エリア間での雰囲気ガスのコンタミネーションを抑制するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一側面は、基板に対して第１の処理が行われる第１のエリアと前記基板に対して第２の処理が行われる第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間が空間的に開放された構造のチャンバを有する基板処理装置において、前記チャンバが、前記第１のエリアに前記第１の処理で用いる第１のガスを導入する第１
の導入口と、前記第２のエリアに前記第２の処理で用いる第２のガスを導入する第２の導入口と、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【０００９】
この構成によれば、第１のエリア内のガスが排気口から排出されるので、第１のエリア内のガスが第２のエリア内に流入することを抑制できる。また、第２のエリア内のガスも排気口から排出される場合には、第２のエリア内のガスが第１のエリア内に流入することを抑制できる。したがって、エリア間での雰囲気ガスのコンタミネーションを抑制することが可能となる。
【００１０】
本発明の第二側面は、電子部品の製造方法であって、第１のエリアと第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間が空間的に開放された構造のチャンバの内部に、電子部品が構成される基板を搬入する工程と、前記基板を前記第１のエリアに搬送する工程と、前記チャンバに設けられた第１の導入口から前記第１のエリアに導入された第１のガスの雰囲気下で、前記基板に対し第１の処理を行う工程と、前記第１の処理の後に、前記基板を前記第２のエリアに搬送する工程と、前記チャンバに設けられた第２の導入口から前記第２のエリアに導入された第２のガスの雰囲気下で、前記基板に対し第２の処理を行う工程と、を有し、前記チャンバ内のガスが、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口から排出されることを特徴とする電子部品の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、一つのチャンバ内に複数の処理エリアを有する基板処理装置において、処理エリア間での雰囲気ガスのコンタミネーションを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１Ａはインライン型の基板処理装置の内部構成を模式的に示す上視図であり、図１Ｂは基板処理装置の側面図である。
【図２】図２は基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】図３Ａは前処理エリア１３Ａを基板２の搬送方向に平行な方向にみた図であり、図３Ｂは成膜エリア１３Ｂを基板２の搬送方向に平行な方向にみた図である。
【図４】図４は基板処理装置の他の構成を模式的に示す上視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１４】
（基板処理装置の全体構成）
図１Ａ及び図１Ｂを参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の構造を説明する。図１Ａは、基板処理装置１の全体的な内部構成を模式的に示した上視図であり、図１Ｂは、基板処理装置１の側面図である。
【００１５】
基板処理装置１は、複数の基板２が収容されるストッカ室１１と、ヒータ１２１により基板２の加熱処理を行う仕込室１２と、基板２の表面に前処理や成膜処理を行う処理室（チャンバ）１３と、を備える。処理室１３の内部には、基板２に対して前処理が行われる前処理エリア１３Ａと、基板２に対して成膜処理が行われる成膜エリア１３Ｂとが設けられている。前処理エリア１３Ａと成膜エリア１３Ｂの間は空間的に開放されており（つま
り、隔壁などで仕切られておらず）、各々のエリアに基板２を搬送するための搬送経路（レール）が設置されている。前処理エリア１３Ａには、成膜処理に先立って基板２の処理面の前処理を行うための前処理装置１４が設けられ、成膜エリア１３Ｂには、基板２の処理面に成膜処理を行う成膜処理部としてのスパッタ装置１５が設けられている。本実施形態では、基板２に施す第１の処理の一例としてプラズマによる前処理（基板洗浄処理）を例示し、基板２に施す第２の処理の一例として金属スパッタリングを例示する。なお、成膜エリア１３Ｂと仕込室１２の間に設けられた空間は、基板２を待機させるスペースである。本実施形態の基板処理装置１は、基板２を支持及び搬送し、加熱〜前処理〜成膜といった一連の処理を施す、いわゆるインライン型の構成を有している。
【００１６】
図１Ｂに示すように、処理室１３の上面（天井）には、処理室１３内にガスを導入するための導入口１３０Ａ、１３０Ｂと、処理室１３からガスを排出するための排気口１３１及び排気ポンプ１３２が設けられている。ここで、導入口１３０Ａは、前処理で用いる第１のガスを前処理エリア１３Ａに導入するための経路である。第１のガスとしては、例えば、酸素ガス、窒素ガスなどの活性ガスを例示できる。他方、導入口１３０Ｂは、成膜処理で用いる第２のガスを成膜エリア１３Ｂに導入するための経路である。第２のガスとしては、例えば、アルゴンガス、ネオンガスなどの希ガス（不活性ガス）を例示できる。排気口１３１は、前処理エリア１３Ａと成膜エリア１３Ｂの境界部又はその近傍に配置されており、前処理エリア１３Ａ内のガスと成膜エリア１３Ｂ内のガスの両方の排気経路を兼ねている。このような構造により、前処理エリア１３Ａ内のガスが成膜エリア１３Ｂに流入することを抑制でき、また、成膜エリア１３Ｂ内のガスが前処理エリア１３Ａに流入することを抑制できる。
【００１７】
本実施形態の基板処理装置１では、導入口１３０Ａが、前処理エリア１３Ａに対して排気口１３１が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている。言い換えると、導入口１３０Ａが前処理エリア１３Ａの一方の端部に配置され、排気口１３１が前処理エリア１３Ａの他方の端部（又は前処理エリア１３Ａと成膜エリア１３Ｂの境界部）に配置されている。このような配置により、導入口１３０Ａから導入したガスを前処理エリア１３Ａの全体に行き渡らせることができる。同様に、導入口１３０Ｂは、成膜エリア１３Ｂに対して排気口１３１が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている。言い換えると、導入口１３０Ｂが成膜エリア１３Ｂの一方の端部に配置され、排気口１３１が成膜エリア１３Ｂの他方の端部（又は前処理エリア１３Ａと成膜エリア１３Ｂの境界部）に配置されている。このような配置により、導入口１３０Ｂから導入したガスを成膜エリア１３Ｂの全体に行き渡らせることができる。
【００１８】
（基板処理装置の動作）
図２は、基板処理装置１の動作を示すフローチャートである。以下、第１のガスとして酸素ガス、第２のガスとしてアルゴンガスを例に挙げて、基板処理の流れを説明する。
【００１９】
ストッカ室１１には複数枚の基板２が収容されている。そのうち処理対象となる基板２が、ストッカ室１１から仕込室１２へ搬送され（ステップＳ１０１）、ヒータ１２１により加熱される（ステップＳ１０２）。本実施形態では、約十分ほどの加熱処理により、１００℃から１８０℃程度まで基板２を加熱する。その後、基板２が仕込室１２から処理室１３の前処理エリア１３Ａへ搬送される（ステップＳ１０３）。そして、導入口１３０Ａから前処理エリア１３Ａへの第１のガス（酸素ガス）の導入が開始されるとともに（ステップＳ１０４）、導入口１３０Ｂから成膜エリア１３Ｂへの第２のガス（アルゴンガス）の導入が開始される（ステップＳ１０５）。
【００２０】
その後、前処理エリア１３Ａでは、前処理装置１４によってプラズマを用いた基板表面の洗浄処理が行われる（ステップＳ１０６）。このとき、前処理エリア１３Ａ内に導入さ
れた酸素ガスの余剰分は排気口１３１から排出されるため、酸素ガスの成膜エリア１３Ｂへの流入を抑制できる。しかも本実施形態では、成膜処理が行われていない場合でも、前処理が行われている間（つまり、導入口１３０Ａから第１のガスの導入が行われている間）は、導入口１３０Ｂから成膜エリア１３Ｂにアルゴンガスを導入し続けている。これにより、成膜エリア１３Ｂがアルゴンガスで満たされるため、酸素ガスの成膜エリア１３Ｂへの流入をより抑制することができる。
【００２１】
前処理の終了にタイミングを合わせて、スパッタ装置１５がプリスパッタ処理を実施する（ステップＳ１０７）。本実施形態の基板処理装置１では、成膜エリア１３Ｂへの酸素ガスの流入が抑制されるとはいえ、成膜エリア１３Ｂへの酸素ガスの流入を完全にゼロにすることはできない。したがって、流入した酸素ガスがターゲット金属と反応し、ターゲットの表面を酸化させてしまう可能性がある。それゆえ、基板２を成膜エリア１３Ｂに搬入する前に、プリスパッタ処理を実施し、ターゲット表面の酸化物層を除去するのである。成膜エリアへの酸素ガスの流入に対し特段の対策が取られていない従来装置の場合は、ターゲット表面の酸化の度合が大きく、プリスパッタ処理に数分程度を要していた。これに対し、本実施形態では、ターゲットの極表面の酸化にとどまるため、プリスパッタ処理の時間を十数秒〜１分程度の時間に短縮することができる。
【００２２】
プリスパッタ処理の終了後、基板２が成膜エリア１３Ｂに搬入され（ステップＳ１０８）、スパッタリングによる成膜処理が実施される（ステップＳ１０９）。以上で、基板２に対する処理が終了する。処理終了後の基板２はストッカ室１１へと排出される（ステップＳ１１０）。
【００２３】
本実施形態に係る基板処理装置１は、例えば、前処理を伴う種々の電極形成に適用可能である。具体例としては、例えば、ＦＣ−ＢＧＡ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）実装基板向けのメッキシード膜や、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイス向けのメタル積層膜の成膜が挙げられる。また、ＬＥＤのボンディング部における導電性硬質膜、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の端子部膜の成膜なども挙げられる。その他、電子部品パッケージにおける電磁シールド膜やチップ抵抗器の端子部膜の成膜にも適用可能である。基板２のサイズは特に限定されないが、本実施形態では、２００ｍｍ×２００ｍｍ程度のサイズの基板２を例示する。また、基板２の材料は任意であり、例えば、ポリイミド、ガラス、シリコン、金属、セラミックなどの基板が用いられる。本実施形態では、セラミックの両面にポリイミド系の樹脂コーティングがされた基板を用いる。また、金属スパッタリングのターゲット材料としては、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）などの金属や、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などの金属酸化物などを用いることができる。
【００２４】
（本実施形態の利点）
以上述べた構造の基板処理装置１は、次のような利点を有する。第一に、導入口１３０Ａを前処理エリア１３Ａに配置し、導入口１３０Ｂを成膜エリア１３Ｂに配置し、排気口１３１を前処理エリア１３Ａと成膜エリア１３Ｂの境界部（又は境界部の近傍）に配置する構成を採用したので、前処理用のガスと成膜処理用のガスのコンタミネーションを抑制することができる。その結果、例えば、前処理用の酸素ガスや窒素ガスによるスパッタリングターゲットの酸化や窒化を可及的に抑えることができるため、プリスパッタの時間を大幅に短縮でき、基板処理装置１のスループットの向上が可能となる。また、ターゲット表面からプリスパッタにより飛んだ材料の回り込みによる前処理エリア１３Ａの汚染や、前処理によって基板２の表面から除去された異物によるターゲットの汚染も抑制できるため、基板処理の品質向上も図られる。
【００２５】
また、本実施形態のように、基板２が鉛直に支持された状態で前処理及び成膜処理が行われる構成においては、図３Ａ及び図３Ｂに示すようにチャンバの側面に防着板やスパッタリングターゲットや電源類が配置されることとなる。そのため、チャンバの側面にガスの導入口や排気口を配置するためのスペースを確保することが困難であったり、仮に側面に配置できたとしても、防着板などの構造物によってガスの流れが遮られてしまい、ガスの導入や排出を阻害するおそれがある。その点、本実施形態では、構造物が少ないチャンバの上面にガスの導入口及び排気口を配置することとしたので、上記のような問題を避けることができる。なお、図３Ａは前処理エリア１３Ａを基板２の搬送方向に平行な方向にみた図であり、図３Ｂは成膜エリア１３Ｂを基板２の搬送方向に平行な方向にみた図である。
【００２６】
また、本実施形態では、１つの排気口１３１が第１のガスの排気口と第２のガスの排気口を兼ねる構成としたことで、排気系の構造をシンプルにできる。仮に、第１のガスの排気口と第２のガスの排気口を別個に設置した場合には、排気管及び排気ポンプが２セット必要となるためコストの増大と装置の大型化を招いてしまう。なお、それぞれの排気口から延びる排気管を合流させて１つの排気ポンプに接続する構造も採り得るが、そのような構造にすると、排気口から排気ポンプまでの距離が長くなり、排気性能が低下（ポンプの効率が低下）するという不利がある。したがって、本実施形態の排気系の構造は、コストの面からも排気性能の面からも有利である。
【００２７】
また、本実施形態では、処理後の基板２を再びストッカ室１３に戻す、いわゆるリターンバック方式を採用し、処理室１３の奥側（ストッカ室１１から遠い側）に前処理エリア１３Ａを配置し、処理室１３の手前側（ストッカ室１１に近い側）に成膜エリア１３Ｂを配置している。このような配置を採ることにより、成膜後の基板２を、前処理エリア１３Ａを通過させずに、ストッカ室１１に排出することができる。したがって、成膜後の基板表面が、前処理エリア１３Ａの雰囲気ガスによって酸化もしくはその他の汚染を受けることを回避でき、高品質な成膜処理が可能になるという利点がある。なお、図４に示すように、処理室１３の下流側に取り出し室４０と第２のストッカ室４１を設け、処理後の基板２を第２のストッカ室４１へと排出する方式の基板処理装置１の場合には、処理室１３の手前側（ストッカ室１１に近い側）に前処理エリア１３Ａを配置し、処理室１３の奥側（ストッカ室１１から遠い側）に成膜エリア１３Ｂを配置するとよい。
【００２８】
＜その他＞
上述した実施形態は本発明の好ましい具体例の一つにすぎない。本発明の範囲は上記実施形態に限定されることはなく、その技術思想の範囲内で適宜変形することができる。
【００２９】
例えば、上記実施形態では、第１の処理の一例としてプラズマによる前処理（基板洗浄処理）を、第２の処理の一例として金属スパッタリングを例示したが、基板に対する処理はこれらに限られず、所定の雰囲気ガス下で行う処理であればどのような処理でも構わない。例えば、前処理としては、イオンビームを照射することで基板の表面を洗浄又はエッチングする処理を行ってもよい。また、基板に対する処理を３種類以上行ってもよいし、基板の両面に対して、同時に処理を行ってもよい。
【００３０】
また、上記実施形態では、一つの排気口のみ設けたが、複数の排気口を設ける構成でも構わない。同様に、それぞれの処理エリアに複数の導入口を設けてもよい。また、導入口や排気口の配置も図示の例に限られず、例えば、チャンバの側面に導入口や排気口を配置してもよい。また、上記実施形態では、基板２を鉛直に支持した状態で搬送及び処理が行われる装置構成を例示したが、基板２を水平又は斜めに支持した状態で搬送及び処理を行う装置構成としてもよい。
【符号の説明】
【００３１】
１：基板処理装置
２：基板
１３：処理室（チャンバ）
１３Ａ：前処理エリア（第１のエリア）
１３Ｂ：成膜エリア（第２のエリア）
１３０Ａ：第１の導入口
１３０Ｂ：第２の導入口
１３１：排気口
【図１】
2019196517.tif 000003
【図２】
2019196517.tif 000004
【図３】
2019196517.tif 000005
【図４】
2019196517.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月16日(2019.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して第１の処理が行われる第１のエリアと前記基板に対して第２の処理が行われる第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間で前記基板を搬送可能とするために前記第１のエリアと前記第２のエリアとが空間的に仕切られていない構造のチャンバを有する基板処理装置において、
前記チャンバが、
前記第１のエリアに前記第１の処理で用いる第１のガスを導入する第１の導入口と、
前記第２のエリアに前記第２の処理で用いる第２のガスを導入する第２の導入口と、
前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口と、
を有し、
前記第２の導入口から前記第２のエリアへの前記第２のガスの導入と、前記第１の導入口から前記第１のエリアへの前記第１のガスの導入とを行いながら、前記第１のエリアにおいて前記基板に対し前記第１の処理を行い、
前記第１の処理の後に前記基板を前記第２のエリアに搬送して、前記第２のエリアにおいて前記基板に対し前記第２の処理を行う
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の導入口が、前記第１のエリアに対して前記排気口が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の導入口が、前記第２のエリアに対して前記排気口が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１のエリア及び前記第２のエリアでは、前記基板が鉛直に支持された状態で前記第１の処理及び前記第２の処理が行われるものであり、
前記第１の導入口、前記第２の導入口、及び、前記排気口は、前記チャンバの上面に設けられている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記排気口が、前記チャンバ内から前記第１のガスを排出する排気口と前記チャンバ内から前記第２のガスを排出する排気口とを兼ねている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１のガスと前記第２のガスとは、異なる成分を含むガスである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１のガスは活性ガスであり、前記第２のガスは不活性ガスである
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１のガスは酸素ガス又は窒素ガスである
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２のガスは希ガスである
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の処理及び前記第２の処理は、プラズマ又はイオンを用いる処理である
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の処理は、前記基板の表面を洗浄又はエッチングする処理である
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第２の処理は、前記基板の表面に膜を形成する成膜処理である
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第２の処理は、金属スパッタリングである
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第１の処理の後、且つ、前記基板を前記第２のエリアに搬送する前に、前記金属スパッタリングで用いられるターゲットの表面を清浄するプリスパッタ処理を行う
ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記基板を搬送する搬送手段が前記チャンバ内に設けられており、前記搬送手段によって前記基板を前記第１のエリアから前記第２のエリアへと順次搬送することにより、前記基板に対して前記第１の処理と前記第２の処理とを連続的に実行する
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
電子部品の製造方法であって、
第１のエリアと第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間で基板を搬送可能とするために前記第１のエリアと前記第２のエリアとが空間的に仕切られていない構造のチャンバの内部に、電子部品が構成される基板を搬入する工程と、
前記基板を前記第１のエリアに搬送する工程と、
前記チャンバに設けられた第２の導入口から前記第２のエリアへの第２のガスの導入と、前記チャンバに設けられた第１の導入口から前記第１のエリアへの第１のガスの導入とを行いながら、前記第１のエリアにおいて第１のガスの雰囲気下で前記基板に対し第１の処理を行う工程と、
前記第１の処理の後に、前記基板を前記第２のエリアに搬送する工程と、
前記第２のエリアにおいて前記第２のガスの雰囲気下で前記基板に対し第２の処理を行う工程と、
を有し、
前記チャンバ内のガスが、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口から排出される
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第一側面は、基板に対して第１の処理が行われる第１のエリアと前記基板に対して第２の処理が行われる第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間で前記基板を搬送可能とするために前記第１のエリアと前記第２のエリアとが空間的に仕切られていない構造のチャンバを有する基板処理装置において、前記チャンバが、前記第１のエリアに前記第１の処理で用いる第１のガスを導入する第１の導入口と、前記第２のエリアに前記第２の処理で用いる第２のガスを導入する第２の導入口と、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口と、を有し、前記第２の導入口から前記第２のエリアへの前記第２のガスの導入と、前記第１の導入口から前記第１のエリアへの前記第１のガスの導入とを行いながら、前記第１のエリアにおいて前記基板に対し前記第１の処理を行い、前記第１の処理の後に前記基板を前記第２のエリアに搬送して、前記第２のエリアにおいて前記基板に対し前記第２の処理を行うことを特徴とする基板処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第二側面は、電子部品の製造方法であって、第１のエリアと第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間で基板を搬送可能とするために前記第１のエリアと前記第２のエリアとが空間的に仕切られていない構造のチャンバの内部に、電子部品が構成される基板を搬入する工程と、前記基板を前記第１のエリアに搬送する工程と、前記チャンバに設けられた第２の導入口から前記第２のエリアへの第２のガスの導入と、前記チャンバに設けられた第１の導入口から前記第１のエリアへの第１のガスの導入とを行いながら、前記第１のエリアにおいて第１のガスの雰囲気下で前記基板に対し第１の処理を行う工程と、前記第１の処理の後に、前記基板を前記第２のエリアに搬送する工程と、前記第２のエリアにおいて前記第２のガスの雰囲気下で前記基板に対し第２の処理を行う工程と、を有し、前記チャンバ内のガスが、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口から排出されることを特徴とする電子部品の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月22日(2019.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の製造方法であって、
第１のエリアと第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間で基板を搬送可能とするために前記第１のエリアと前記第２のエリアとが空間的に仕切られていない構造のチャンバの内部に、電子部品が構成される基板を搬入する工程と、
前記基板を前記第１のエリアに搬送する工程と、
前記チャンバに設けられた第２の導入口から前記第２のエリアへの第２のガスの導入と、前記チャンバに設けられた第１の導入口から前記第１のエリアへの第１のガスの導入とを行いながら、前記第１のエリアにおいて第１のガスの雰囲気下で前記基板に対し第１の処理を行う工程と、
前記第１の処理の後に、前記基板を前記第２のエリアに搬送する工程と、
前記第２のエリアにおいて前記第２のガスの雰囲気下で前記基板に対し第２の処理を行う工程と、
を有し、
前記チャンバ内のガスが、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口から排出される
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第１の導入口が、前記第１のエリアに対して前記排気口が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第２の導入口が、前記第２のエリアに対して前記排気口が設けられた位置とは反対側の位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第１のエリア及び前記第２のエリアでは、前記基板が鉛直に支持された状態で前記第１の処理及び前記第２の処理が行われるものであり、
前記第１の導入口、前記第２の導入口、及び、前記排気口は、前記チャンバの上面に設
けられている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記排気口が、前記チャンバ内から前記第１のガスを排出する排気口と前記チャンバ内から前記第２のガスを排出する排気口とを兼ねている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１のガスと前記第２のガスとは、異なる成分を含むガスである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１のガスは活性ガスであり、前記第２のガスは不活性ガスである
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１のガスは酸素ガス又は窒素ガスである
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第２のガスは希ガスである
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の処理及び前記第２の処理は、プラズマ又はイオンを用いる処理である
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の処理は、前記基板の表面を洗浄又はエッチングする処理である
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の処理は、前記基板の表面に膜を形成する成膜処理である
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の処理は、金属スパッタリングである
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の処理の後、且つ、前記基板を前記第２のエリアに搬送する前に、前記金属スパッタリングで用いられるターゲットの表面を清浄するプリスパッタ処理を行う工程を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記チャンバ内に設けられた搬送手段によって前記基板を前記第１のエリアから前記第２のエリアへと順次搬送することにより、前記基板に対して前記第１の処理と前記第２の処理とを連続的に実行する
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第一側面は、電子部品の製造方法であって、第１のエリアと第２のエリアとが設けられ、且つ、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間で基板を搬送可能とするために前記第１のエリアと前記第２のエリアとが空間的に仕切られていない構造のチャンバの内部に、電子部品が構成される基板を搬入する工程と、前記基板を前記第１のエリアに搬送する工程と、前記チャンバに設けられた第２の導入口から前記第２のエリアへの第２のガスの導入と、前記チャンバに設けられた第１の導入口から前記第１のエリアへの第１のガスの導入とを行いながら、前記第１のエリアにおいて第１のガスの雰囲気下で前記基板に対し第１の処理を行う工程と、前記第１の処理の後に、前記基板を前記第２のエリアに搬送する工程と、前記第２のエリアにおいて前記第２のガスの雰囲気下で前記基板に対し第２の処理を行う工程と、を有し、前記チャンバ内のガスが、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの境界部又はその近傍に設けられた排気口から排出されることを特徴とする電子部品の製造方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】