(57)【要約】【課題】  型と基板を離す際にかかる力を低減しつつ、基板上の欠陥を低減する。【解決手段】  型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、型と組成物を接触させて組成物を成形した後に型と組成物を離す第１方向における、型保持部及び基板保持部の少なくとも一方の移動を行う第１駆動部と、第１方向に対して垂直な方向における型保持部及び基板保持部の少なくとも一方の移動を行う第２駆動部と、を有し、型と組成物を離すときに、第２駆動部によって第１方向に対して垂直な第２方向への移動と第１方向に対して垂直であって第２方向に交差する第３方向への移動とを行う。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、
型を保持する型保持部と、
基板を保持する基板保持部と、
型と組成物を接触させて組成物を成形した後に型と組成物を離す第１方向における、前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方の移動を行う第１駆動部と、
前記第１方向に対して垂直な方向における前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方の移動を行う第２駆動部と、を有し、
型と組成物を離すときに、前記第２駆動部によって前記第１方向に対して垂直な第２方向への移動と前記第１方向に対して垂直であって前記第２方向に交差する第３方向への移動とを行うことを特徴とする成形装置。
【請求項２】
前記第２駆動部による移動の方向を連続的又は間欠的に変化させることを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
【請求項３】
前記第２駆動部は、前記第１方向に平行な軸の回りに、前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方を旋回させることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
【請求項４】
前記第２駆動部は、前記第１方向に対して垂直な方向において前記第２駆動部による移動の軌跡が楕円状の軌跡を含むように、前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
【請求項５】
前記第２駆動部は、前記第１駆動部による前記第１方向への移動量に応じて、前記第１方向に対して垂直な方向における前記型保持部と前記基板保持部の相対的な距離の最大値を変化させることを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項６】
前記第２駆動部は、型と基板との距離に応じて、前記第１方向に対して垂直な方向における前記型保持部と前記基板保持部の相対的な距離の最大値を変化させることを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項７】
前記第２駆動部は、前記第１駆動部による前記第１方向への移動の速度に応じて、前記第１方向に対して垂直な方向における前記型保持部と前記基板保持部の相対的な距離の最大値を変化させることを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項８】
前記基板保持部は前記基板を吸着する吸着部を有し、
型と組成物の接触領域に対応する第１領域における前記吸着部による吸着力を、前記第１領域とは異なる第２領域における前記吸着部による吸着力よりも弱めた状態で、型と組成物を離すことを特徴とする請求項１乃至７のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項９】
型と組成物の接触領域における型の部分を曲げた状態で型と組成物を離すことを特徴とする請求項１乃至８のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１０】
前記第１方向に対して垂直な平面に対して前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方の傾きを変更する第３駆動部を有し、
型と組成物を離すときに、前記第２駆動部による移動とともに、前記第３駆動部による傾きの変更を行うことを特徴とする請求項１乃至９のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１１】
型と基板を離し始めたときの前記型保持部と前記基板保持部の位置から前記第２駆動部によって前記第１方向に対して垂直な方向へ変位させたときの変位に応じて、前記第３駆動部による傾きの変更を行うことを特徴とする請求項１０に記載の成形装置。
【請求項１２】
前記成形装置は、型のパターンを組成物に接触させることにより組成物のパターンを形成することを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至１１のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１３】
前記成形装置は、型の平面部を組成物に接触させることにより組成物を平坦にすることを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至１１のうち何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の前記成形装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工する工程と、を含み、加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、基板の上に配置されたインプリント材（硬化性組成物）に型を接触させ該インプリント材を硬化させることによって該基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成する。インプリント装置では、基板上で硬化させたインプリント材から型を引き離す離型の際、型と硬化したインプリント材との界面（接触部）に大きな引き剥がし力が印加される。この力によって、形成されるパターンの歪みを引き起こす場合があり、これがパターンの欠陥となり得る。
【０００３】
特許文献１では、離型の際、基板保持部であるチャックの吸着圧力を弱めることにより、型を引き剥がすときに基板をチャックから浮上させる。これにより、型と硬化したインプリント材との界面に生じる力を低減し、パターンの歪みによる欠陥を減少させている。
【０００４】
また、特許文献２では、離型の際、型および基板の少なくとも一方を基板面に平行な平面内のチルト軸回りでチルトさせ、チルト軸の方向を連続的又は間欠的に変更することによりチルトする方向を変化させて、離型時の離型力を低減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１７２０３１号明細書
【特許文献２】特許第５６６９３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体デバイスや撮像素子、表示パネルなどの物品の製造にインプリント方式を適用する場合、できるだけ大きい面積を一括してインプリントすることにより、スループットを向上させることができる。この場合、型とインプリント材が接する面積は大きくなる。大きい面積を一括してインプリントする場合、離型時には大きい面積の型をインプリント材から引き離すことになる。
【０００７】
型と基板を基板面の垂直方向に引き離して離型する場合、剥離は、基板のショット領域の外周から中央方向へと進行して行く。この場合、概ね未剥離領域がショット領域の外周に接する楕円形状となるとき、剥離しつつある外縁部分が最も大きくなるため、型、あるいは、基板にかかる力の総和（離型力）が最大となる。従って、ショット領域の面積が大きくなるほど、離型力は大きくなり、基板上に形成されたインプリント材のパターンに欠陥が生じるという問題が生じ易くなる。
【０００８】
また、特許文献２による離型方法では、離型中に型および基板の少なくとも一方をチルトさせるため、離型力を十分に低減するためにチルト量を大きくすると、型の端部と基板（硬化性組成物）が接触する可能性があり、基板面に欠陥が生じうる。
【０００９】
そこで、本発明は、型と基板を離す際にかかる力を低減しつつ、基板上の欠陥を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の一側面としての成形装置は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、型を保持する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、型と組成物を接触させて組成物を成形した後に型と組成物を離す第１方向における、前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方の移動を行う第１駆動部と、前記第１方向に対して垂直な方向における前記型保持部及び前記基板保持部の少なくとも一方の移動を行う第２駆動部と、を有し、型と組成物を離すときに、前記第２駆動部によって前記第１方向に対して垂直な第２方向への移動と前記第１方向に対して垂直であって前記第２方向に交差する第３方向への移動とを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、型と基板を離す際にかかる力を低減しつつ、基板上の欠陥を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態における離型動作を説明する図である。
【図３】実施形態における離型の進行状態を示す図である。
【図４】第２実施形態における離型動作を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給された硬化性組成物を型と接触させ、硬化性組成物に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１５】
硬化性組成物は、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）である。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。硬化性組成物は、硬化性組成物供給装置（不図示）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。硬化性組成物の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、シリコン、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板、石英ガラスである。
【００１６】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置１の構成を示す図である。本実施形態において、インプリント装置１は、紫外線の照射によって硬化性組成物（インプリント材）を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によって硬化性組成物を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図においては、型（モールド、テンプレートともいう）に対する紫外線の照射軸と平行な方向にＸＹＺ座標系におけるＺ軸をとり、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にＸ軸およびＹ軸をとるものとする。
【００１７】
インプリント装置１は、照明系ユニット２と、型３を保持するインプリントヘッド４と、基板５を保持して移動可能な基板ステージ６と、硬化性組成物１０を供給するディスペンサ７と、制御部８を備える。照明系ユニット２、インプリントヘッド４、ディスペンサ７は、構造体１２によって支持されている。
【００１８】
照明系ユニット２は、インプリント処理の際に、型３に対して紫外線（紫外光）を照射する。照明系ユニット２は、光源２０と、光源２０から射出された紫外線を、硬化性組成物１０への照射に適切な光に調整するための照明光学系２１とを含む。光源２０としては、例えば、紫外線を発生するハロゲンランプが使用されうる。照明光学系２１は、レンズ等の光学素子、開口が設けられたアパーチャ、照射及び遮光を切り替えるシャッター等を含みうる。
【００１９】
型３は、例えば外形が概略矩形であり、例えば、デバイスの回路のパターン等の凹凸パターンが３次元状に形成されたメサ部２２を有する。なお、凹凸パターンの表面は、基板５の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。型３の材質は、石英ガラス等の紫外線を透過させることが可能な材料である。
【００２０】
インプリントヘッド４は、形状補正機構４ａ（倍率補正機構）と、吸着力や静電力により型３を引きつけて保持するモールドチャック４ｂ（型保持部）を有する。また、インプリントヘッド４は、モールドチャック４ｂ（すなわち型３）に対して、ＸＹ平面内でＺ軸に垂直な方向における移動を行う型水平駆動機構４ｃ（第２駆動部）と、Ｚ軸方向における移動を行う型鉛直駆動機構４ｄ（第１駆動部）とを有する。
【００２１】
形状補正機構４ａは、型３の外周部の側面の領域に対してそれぞれ対向するように設置された複数のフィンガを有する。これらのフィンガを駆動して型３に圧縮力を加えることにより、型３に形成されたパターン領域が目標形状に補正される。なお、形状補正機構４ａの構成は、これに限定されず、例えば、型３に対して引張力を加える構成としてもよいし、または、モールドチャック４ｂ自体を駆動させることで型３とモールドチャック４ｂとの接触面にせん断力を与える構成としてもよい。
【００２２】
型水平駆動機構４ｃは、モールドチャック４ｂをＺ軸に垂直な任意の方向に並進移動させるように設けられる。型鉛直駆動機構４ｄは、基板５上に供給された硬化性組成物１０に型３を接触させるためや硬化した組成物１０から型を離すために、モールドチャック４ｂをＺ軸方向に並進移動させる。また、型鉛直駆動機構４ｄは、型３をθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）における位置を調整する調整機能や、ＸＹ平面に対する型３の傾きを調整するチルト機能も有している。型水平駆動機構４ｃや型鉛直駆動機構４ｄに採用されるアクチュエータとしてはリニアモーターやエアシリンダー等を採用することが可能である。
【００２３】
基板ステージ６および基板チャック２５は、基板を保持して移動する基板保持部として機能する。基板チャック２５（吸着部）は、基板ステージ６上に固定されている。基板チャック２５の上面には多数の孔が設けられており、これらの孔には、真空装置などの吸着圧調整機構６ｂが接続され、孔を通して基板チャック２５上面の気体を排出するように構成されている。基板５は裏面が基板チャック２５の上面と接触するように配置され、前記真空装置により基板５の裏面と基板チャック２５上面との間の気体を排出することにより、基板５は基板チャック２５に吸着保持される。
【００２４】
インプリント装置１は、定盤３２上で、基板ステージ６（すなわち基板５）をＸ方向及びＹ方向における駆動（位置決め）を行う基板駆動機構６ａを有する。基板ステージ６のＸ方向およびＹ方向における位置は計測器３１によって計測されうる。基板駆動機構６ａは更に、Ｚ軸方向における位置およびθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）における位置を調整する調整機能や、ＸＹ平面に対する基板５の傾きを調整するチルト機能も有していてもよい。
【００２５】
計測器３１は、例えば構造体１２によって支持された干渉計でありうる。計測器３１は、例えば、基板チャック２５に向けて計測光を照射し、基板チャック２５の端面に設けられた計測用ミラー３０で反射された計測光を検出することで、基板ステージ６の位置を計測する。なお、図１では、計測器３１が１つしか示されていないが、計測器３１は、少なくとも基板ステージ６のＸ位置及びＹ位置、回転量およびチルト量が計測できる数だけ有しうる。
【００２６】
インプリント装置１は、不図示のアライメント光学系によって、基板５または基板チャック２５に形成されたアライメントマークを観察して位置ずれ情報を取得することができる。また、インプリント装置１は、高さ測定装置２９によって、基板５上面までの距離を測定することができる。型３のパターン面と高さ測定装置２９との相対的な高さは事前に計測されているため、高さ測定装置２９によって測定された距離から、基板５上面から型３のパターン面までの距離は計算により求められる。つまり、基板５と型３との距離を測定することができる。
【００２７】
ディスペンサ７は基板５上に硬化性組成物１０を供給する。その後、型３を型鉛直駆動機構４ｄにより下降させて基板５上の硬化性組成物１０と接触させると、硬化性組成物１０は型３のパターンの溝部に流入する。光源２０から発せられた紫外線は、照明光学系２１を介して型３を通過し、基板５上の硬化性組成物１０に入射する。こうして紫外線が照射された硬化性組成物１０は硬化する。硬化した組成物１０には、型３のパターンの反転パターンが形成されることとなる。組成物１０が硬化した後、型３を型鉛直駆動機構４ｄによりＺ方向に上昇させることにより、硬化した組成物１０から型３が引き離される（離型）。
【００２８】
なお、本実施形態のインプリント装置１では、ほぼ固定された基板５上の硬化性組成物に対してインプリントヘッド４を駆動して型３と組成物１０を接触させる構成としているが、これとは反対の構成もありうる。すなわち、固定された型３に対して基板ステージ６を駆動して基板５上の硬化性組成物１０に型３を接触させる構成としてもよい。あるいは、インプリントヘッド４（型鉛直駆動機構４ｄ）と基板ステージ６をそれぞれ上下に駆動させる構成であってもよい。すなわち、型３と基板５との間隔を相対的に変化させる構成であればよい。
【００２９】
制御部８は、ＣＰＵ８ａやメモリ８ｂ等を含み、インプリント装置１の各部を統括的に制御する。制御部８は、例えば、光源２０、型鉛直駆動機構４ｄ、型水平駆動機構４ｃ、基板駆動機構６ａ、吸着圧調整機構６ｂ、ディスペンサ７、高さ測定装置２９、計測器３１などを制御する。
【００３０】
次に、図２を用いて離型時の挙動について説明する。図２は型３、基板５、基板チャック２５等の模式図であり、１０は硬化性組成物を示している。なお、モールドチャック４ｂ、型水平駆動機構４ｃ、型鉛直駆動機構４ｄ、基板ステージ６の図示は省略している。
【００３１】
型３のメサ部２２には、基板５の１つのショット領域の大きさに相当するパターンが形成されている。本実施形態における型３では、メサ部２２が形成された領域（図２の中央部分）の厚みが、モールドチャック４ｂによって保持される部分（図２の周辺部分）よりも薄くされている。つまり、型３の上部とモールドチャック４ｂとの間には、密閉空間であるコアアウト部３ｈが形成されている。制御部８からの制御指示で、不図示の圧力調整部によってコアアウト部３ｈの空気圧が調整されうる。メサ部２２が形成された領域は、コアアウト部３ｈの空気圧が調整されることで変形する。
【００３２】
メサ部２２を基板５のショット領域上に供給された硬化性組成物１０に接触させるとき、圧力調整部によりコアアウト部３ｈ内を加圧して、型３（メサ部２２）を基板５に対して凸状に変形させる。その後、型鉛直駆動機構４ｄによりモールドチャック４ｂ（型３）を−Ｚ方向へ移動させて、型３を基板５に接近させる。そして、メサ部２２が基板５上の硬化性組成物１０に接触するのに応じて、コアアウト部３ｈ内の圧力を下げ、型３を平面に戻していく。これにより、型３のパターンと硬化性組成物１０との間の気体が外側へ順次押し出され、型３のパターンと硬化性組成物１０との間に気泡が混入することが低減される。その後、光源２０から基板５上の硬化性組成物１０に紫外線を照射することで硬化性組成物１０が硬化される。この状態が図２（ａ）に示されている。
【００３３】
その後、型鉛直駆動機構４ｄにより、硬化した組成物１０から型３を引き離す離型が行われる。離型は、型鉛直駆動機構４ｄによりモールドチャック４ｂ（型３）を＋Ｚ方向に移動させることによって行われる。このとき、制御部８は、型３と組成物１０が接触している領域（ショット領域）において、基板チャック２５が基板５の裏面を吸着する吸着力を弱めるように、吸着圧調整機構６ｂを制御する。基板チャック２５は、吸着領域として複数の部分領域を有し、互いに独立して吸着圧を調整することができる。そのため、型３と組成物１０が接触している領域とは異なる領域では吸着力を維持することができる。つまり、型と組成物が接触している領域に対応する領域（第１領域）における吸着力を、第１領域とは異なる領域における吸着力よりも弱めた状態で型と組成物を離すことができる。型３と組成物１０が接触している位置の吸着領域の吸着力を弱めることにより、図２（ｂ）のように、基板５のショット領域およびその近傍は基板チャック２５から浮き上がる。これにより、型３と組成物１０との界面に生じる応力が低減し、組成物１０のパターンの歪みによる欠陥を減少させることができる。
【００３４】
次に、本実施形態では、離型動作の途中で、基板５のショット領域近傍が基板チャック２５から浮き上がった後、型水平駆動機構４ｃによりＺ軸に垂直な方向におけるモールドチャック４ｂ（型３）の移動を行う。図２（ｃ）は型３を＋Ｚ方向に移動させるとともに＋Ｘ方向に移動させた状態を示した図である。図２（ｃ）において、型３と組成物１０の界面のうち、型３が移動された方向（＋Ｘ方向）の側にある界面をＡ、メサ部２２に対して反対側にある界面をＢとする。型３が＋Ｘ方向に移動されると、型３と組成物１０の界面ＡとＢのそれぞれの近傍での基板５の変形形状に差が生じ、型３と組成物１０の界面を引き離す力は、界面Ａよりも界面Ｂの方が大きくなる。そのため、界面Ｂでは界面Ａと比較して、型３が組成物１０から剥離する範囲が大きくなる。
【００３５】
図２（ｄ）は離型時の型３の移動の様子の一例を示した図である。型鉛直駆動機構４ｄ（型３）のＺ方向（第１方向）における変位（移動量）を横軸とし、型水平駆動機構４ｃ（型３）のＸ方向（第２方向）又はＹ方向（第３方向）のそれぞれの方向における変位をそれぞれ縦軸で示している。原点は、型３と組成物１０を離し始めたときの型３の位置を表す。同図によると、型３は移動開始時より＋Ｚ方向に距離Ｚ１だけ移動するまではＸ方向又はＹ方向における移動は行われない。型３がＺ方向の距離Ｚ１に達した後、型３はＸ方向又はＹ方向における移動が開始され、Ｘ方向には振幅ａでＺ駆動量に対する正弦関数、Ｙ方向には振幅ａでＺ駆動量に対する余弦関数で駆動する。すなわち、Ｘ方向又はＹ方向において、型水平駆動機構４ｃ（型３）は半径ａの円状の軌跡で移動しながら＋Ｚ方向に移動する。円軌跡は、Ｘ方向への移動とＹ方向への移動とを含み、Ｚ方向に垂直な方向（ＸＹ平面）において移動方向が変化していることを表す。ここで、Ｘ、Ｙ方向における型と基板の相対的な距離の最大値である振幅ａ、すなわち、Ｘ、Ｙ方向における最大駆動量は、離型動作中一定であってもよい。また、型３と基板５のＺ方向の相対的距離（型鉛直駆動機構４ｄによるＺ方向への駆動量）に応じて振幅ａを変化させてもよい。また、型３と基板５をＺ方向に引き離す速度に応じで振幅ａを変化させてもよい。
【００３６】
本実施形態による型３と組成物１０との離型の進行状態について説明する。図３は離型途中のショット領域をＺ軸方向上側から見た図である。図３（ａ）は型３をＸ、Ｙ方向に移動せずＺ方向のみに移動させる従来の離型方法の場合を示す。図３（ｂ）は本実施形態による離型方法の場合を示している。同図においてＳは基板５のショット領域、Ｔは型３が組成物１０から既に離型した領域、Ｕは未だ離型していない接触領域を示す。図３中の矢印は離型した領域Ｔが破線の領域から実線の領域へ進行して行く時の方向を示す。
【００３７】
型３をＸ、Ｙ方向に移動させずにＺ方向のみに移動させる従来の離型方法では、型３と組成物１０の剥離はショット領域Ｓの外周から中央に向かって進行する。それに対して、本実施形態による離型方法では、型３をＸ、Ｙ方向において円状の軌跡の移動をさせながらＺ方向に移動させる。これにより、型３および基板５は図２（ｃ）に示した状態になるとともに、界面Ａ、Ｂの位置がショット領域Ｓの中心まわりで連続的に変わる。型３が組成物１０から剥離する範囲が大きい界面Ｂの位置がショット領域Ｓの中心まわりで連続的に変わることにより、図３（ｂ）の矢印のように型３と組成物１０が剥離する領域はショット領域Ｓの外周から内側へ向かって渦巻き状に順に進行する。
【００３８】
従来の離型方法により図３（ａ）のように離型が進行する場合、楕円形状の接触領域Ｕの外側の全周が同時に離型して行き、楕円形状の接触領域Ｕの外側全周における離型にかかる力の総和が離型力となる。一方、本実施形態の離型方法によると、図３（ｂ）のように、渦巻き状に離型が進行するので、離型力は型３と組成物１０が剥離する位置近傍の局所的な領域にかかる力の総和となる。従って、従来の離型方法と比較して本実施形態の離型方法によると、組成物１０から同時に剥離される型の領域の面積が小さくなるので、離型力を低減することができる。
【００３９】
また、従来の離型方法ではショット領域の面積が大きくなるほど、離型初期における接触領域Ｕの楕円の径が大きくなるので離型力が大きくなる。しかし、本実施形態の離型方法によれば、局所的な領域だけで離型力が生じるので、ショット領域の面積が大きくなったとしても離型力の増大を抑えることができる。したがって、本実施形態の離型方法によれば、離型力を低減する効果は大きくなる。
【００４０】
さらに本実施形態では、離型時に型３についてＸ、Ｙ方向における移動とＺ方向における移動を行うので、型３を傾けるだけで離型力を低減する従来技術のように型３の端部が基板５に近づいて接触して基板面を損傷する、という問題は発生し難い。
【００４１】
以上のように、本実施形態の離型方法によれば、基板のショット領域の面積が大きい場合においても、離型力を低減することができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、型３として、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有する型（ブランクテンプレート）であってもよい。ブランクテンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化装置に用いられる。つまり、本実施形態は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置に適用することができる。
【００４３】
本実施形態において、型水平駆動機構４ｃによる型３のＸ、Ｙ方向における移動については、真円の軌跡で連続的に移動させる場合を説明した。しかし、これに限らず、型水平駆動機構４ｃによってＺ方向に対して垂直な第２方向への移動とＺ方向に対して垂直であって第２方向に交差する方向への移動とを行えばよい。また、移動軌跡は楕円状の軌跡でもよい。また、型３の位置がショット中心まわりで連続的に変化する軌跡、つまり、Ｚ方向に平行な軸の回りに型水平駆動機構４ｃを旋回させてもよい。また、移動も連続的ではなく、停止と移動方向の反転などを含む間欠的な移動など、移動の方向を間欠的に変化させても同様の効果がある。なお、型３をＸ、Ｙ方向において移動させる際、型３をＺ方向にも移動させているので、厳密にはＸＹ平面に沿った移動にはなっていないが、本実施形態ではＸ、Ｙ方向における移動成分について説明している。
【００４４】
本実施形態においては、離型時に、インプリントヘッド４に設けた型水平駆動機構４ｃにより型３をＸ、Ｙ方向において移動させるとした。しかし、これに限らず、型水平駆動機構４ｃによる移動は行わず、基板ステージ６の基板駆動機構６ａを用いて基板５をＸ、Ｙ方向において移動させて、型３と基板５を相対的に移動させてもよい。また、型水平駆動機構４ｃと基板駆動機構６ａの両方を駆動させてもよい。
【００４５】
また、本実施形態では離型の際に型３と基板５を変形させたが、必ずしも変形させなくてもよい。具体的には、基板型３と組成物１０が接触している位置の吸着領域の吸着力を弱めて離型を行ったが、吸着力を弱めなくても本実施形態の離型方法を適用することができる。また、コアアウト部３ｈの空気圧の調整をしなくて本実施形態の離型方法を適用することができる。
【００４６】
＜第２実施形態＞
次に第２実施形態について説明する。本実施形態によるインプリント装置の構成については、図１に示した構成と同じである。また、型３を硬化性組成物１０に押し付け、紫外線を硬化性組成物１０に照射して硬化させるまで（すなわち離型前）の動作、および、図２（ｂ）に示した離型中の動作までは第１実施形態と同じである。
【００４７】
本実施形態における離型動作では、図２（ｂ）のように離型動作の途中で基板５の剥離位置近傍が基板チャック２５から浮き上がった後、型鉛直駆動機構４ｄにより型３を＋Ｚ方向に駆動するとともに、型水平駆動機構４ｃにより型３をＸＹ平面内で駆動する。それと同時に図４に示すように、型鉛直駆動機構４ｄ（第３駆動部）により、型３がＸＹ平面内において変位した方向（図４ではＸの＋方向）の型３の端部が基板５に近づくように、ＸＹ平面に対して型３を傾ける。型３の変位は、型３と基板５を離し始めたときの位置からの変位とする。型水平駆動機構４ｃにより型３をＸＹ平面内で駆動させたときに、型３の変位した方向によって傾きの方向を変える。つまり、型鉛直駆動機構４ｄによってＸ、Ｙ方向へ変位させたときの変位に応じて、型鉛直駆動機構４ｄによる傾きの変更を行う。図４に示すように、型３がＸ方向に移動すると共に傾くことにより、型水平駆動機構４ｃにより型３をＸＹ平面内で駆動するのみの第１実施形態と比較して、型３と組成物１０の界面Ｂを引き離す力はさらに大きくなる。
【００４８】
本実施形態においても、型３のＸＹ平面内の移動は第１実施形態と同様であるが、それとともに、型３のＸＹ平面内において変位した方向側の型３の端部が常に基板５に近づく方向に傾くように型３の傾きを制御する。これにより、第１実施形態と同様に、離型はショット領域の外周から内側へ渦巻き状に進行し、従来の離型方法と比較して離型力を低減することができる。それに加えて、型３と組成物１０の界面Ｂを引き離す力を第１実施形態よりも大きくできるので、第１実施形態よりもショット領域全面を離型するまでの時間を短縮でき、インプリント装置にスループットを向上させることができる。
【００４９】
他方、本実施形態では離型時に型３のＸＹ平面内での駆動と傾き駆動を同時に行うことで、離型時に型３の傾きのみを行う離型方法と比較して型３の傾き量を減らすことができ、型３と基板５が接触する問題が発生し難くすることができる。
【００５０】
なお、第２実施形態においても、型３のＸＹ平面内の駆動は、型３の位置がショット中心まわりで連続的に変化する軌跡であればよく、駆動も連続的ではなく、停止や移動方向反転などの間欠的な駆動を含んでもよい。また、型３の傾きを変更する代わりに、基板ステージ６の基板駆動機構６ａにより基板５の傾きを変更してもよいし、型３と基板５の傾きの変更を組合せて行ってもよい。
【００５１】
＜物品製造方法＞
次に、前述のインプリント装置を利用した、物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。物品は、前述のインプリント装置を使用して、型を用いて基板（ウエハ、ガラス基板等）上の硬化性組成物にパターンを形成する工程と、パターンが形成された基板を加工する工程と、他の周知の加工工程により製造される。他の加工工程には、エッチング、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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