(57)【要約】【課題】最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する電子写真感光体を提供すること。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた電荷発生層と、  前記電荷発生層上に設けられ、最表面層としての電荷輸送層であって、結着樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である電荷輸送層と、を有する電子写真感光体。【選択図】図１
2019061146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた電荷発生層と、
前記電荷発生層上に設けられ、最表面層としての電荷輸送層であって、結着樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である電荷輸送層と、
を有する電子写真感光体。
【請求項２】
前記電荷輸送層が、前記電荷輸送材料に対する貧溶媒を含む請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記貧溶媒が、ジアルキルケトンである請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記ジアルキルケトンが、２つのアルキル基の炭素数が１以上６以下のジアルキルケトンである請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化１】
2019061146.tif 000014
（一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【請求項６】
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料において、ＲＣ１１、及びＲＣ１３が水素原子を表し、ＲＣ１２が炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料が、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料である請求項６に記載の電子写真感光体。
【化２】
2019061146.tif 000015
【請求項８】
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられ、最表面層としての単層型感光層であって、結着樹脂と電荷発生材料と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である単層型感光層と、
を有する電子写真感光体。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項１０】
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。
【０００３】
電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電性を有する基体上に、電荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層を積層する機能分離型の感光体、又は、電荷を発生する機能と電荷を輸送する機能を同一の層が果たす単層型感光体が知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、「アルミニウム支持体の表面に電荷発生層を設け、前記電荷発生層の上に電荷輸送層を設けた電子写真感光体において、前記電荷輸送層がパーフルオロアルキル基を有する界面活性剤を含むことを特徴とする電子写真感光体。」が開示されている。
特許文献２には、「導電性支持体上に少なくとも電荷発生層、電荷輸送層及び表面層を有する電子写真感光体において、該電荷輸送層が、イオン化ポテンシャル（ＩＰ）５．４ｅＶ以上５．６ｅＶ以下の電荷輸送物質を結着樹脂１００部に対して１５０部以上３００部以下含有し、かつ、表面層は電荷輸送層を溶解しない方法で形成したこと電子写真感光体。」が開示されている。
特許文献３には、「導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体の製造方法において、電荷輸送材料、結着樹脂、１気圧下における沸点が９０℃以下である環状エーテル、置換基を有する芳香族炭化水素溶媒及び不溶性粒子を含有する溶液を用いて該電荷輸送層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−３１１４７７号公報
【特許文献２】特開２００９−１９８８７９号公報
【特許文献３】特開２００３−１７３０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
導電性基体と、電荷発生層と、最表面層としての電荷輸送層と、を有する電子写真感光体において、磨耗を抑制する目的で、最表面層である電荷輸送層の硬度を上げると、割れが生じることがある。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、最表面層として、結着樹脂と電荷輸送材料とを含む電荷輸送層を有する電子写真感光体において、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ未満の場合に比べ、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００９】
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた電荷発生層と、
前記電荷発生層上に設けられ、最表面層としての電荷輸送層であって、結着樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である電荷輸送層と、
を有する電子写真感光体。
【００１０】
請求項２に係る発明は、
前記電荷輸送層が、前記電荷輸送材料に対する貧溶媒を含む請求項１に記載の電子写真感光体。
【００１１】
請求項３に係る発明は、
前記貧溶媒が、ジアルキルケトンである請求項２に記載の電子写真感光体。
【００１２】
請求項４に係る発明は、
前記ジアルキルケトンが、２つのアルキル基の炭素数が１以上６以下のジアルキルケトンである請求項３に記載の電子写真感光体。
【００１３】
請求項５に係る発明は、
前記電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化１】
2019061146.tif 000003
（一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【００１４】
請求項６に係る発明は、
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料において、ＲＣ１１、及びＲＣ１３が水素原子を表し、ＲＣ１２が炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す請求項５に記載の電子写真感光体。
【００１５】
請求項７に係る発明は、
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料が、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料である請求項６に記載の電子写真感光体。
【化２】
2019061146.tif 000004
【００１６】
請求項８に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられ、最表面層としての単層型感光層であって、結着樹脂と電荷発生材料と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である単層型感光層と、
を有する電子写真感光体。
【００１７】
請求項９に係る発明は、
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【００１８】
請求項１０に係る発明は、
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に係る発明によれば、最表面層として、結着樹脂と電荷輸送材料とを含む電荷輸送層を有する電子写真感光体において、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ未満の場合に比べ、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項２、３、又は４に係る発明によれば、電荷輸送層が、電荷輸送材料に対する貧溶媒を含まない場合に比べ、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項５、６、又は７に係る発明によれば、電荷輸送層が、電荷輸送材料としてトリニトロフルオレノンのみ含む場合に比べ、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項８に係る発明によれば、最表面層として、結着樹脂と電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む単層型感光層を有する電子写真感光体において、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ未満の場合に比べ、最表面層である単層型感光層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項９、又は１０に係る発明によれば、最表面層として、結着樹脂と電荷輸送材料とを含む電荷輸送層し、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ未満である電子写真感光体を備える場合に比べ、電子写真感光体における最表面層である電荷輸送層又は単層型感光層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、図面中、同様の機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２２】
［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体（以下「感光体」とも称する）は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた電荷発生層と、電荷発生層上に設けられ、最表面層としての電荷輸送層と、を有する。
そして、電荷輸送層は、結着樹脂と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。
【００２３】
ここで、電子写真感光体は、例えば、接触型の帯電手段（帯電ロール等）、クリーニング手段（クリーニングブレード等）と、圧力（以下「ニップ圧」とも称する）が付された状態で接触して配置される。そのため、電子写真感光体の最表面層としての電荷輸送層は、磨耗が進行し易い。一方で、磨耗を抑制する目的で、最表面層である電荷輸送層の硬度を上げると、ニップ圧により割れが生じることがある。
【００２４】
それに対して、本実施形態に係る感光体は、上記構成により、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する。その理由は次の通り推測される。
【００２５】
電荷輸送材料の結晶物は、硬度が高い物質である。電荷輸送層中で、硬度が高い電荷輸送材料の結晶物を上記範囲の平均粒径まで成長させると、電荷輸送層の表面では、硬度が高い領域が点在した状態となる。つまり、電荷輸送層の表面において、部分的に硬度を高められる。そのため、電荷輸送層の硬度が高い領域により磨耗が抑制される。一方で、電荷輸送層中で電荷輸送材料の結晶物が分散した状態となっているため、ニップ圧が付されても、結晶物以外の領域が変形し易くなることで、電荷輸送層が割れ難くなる。
【００２６】
以上から、本実施形態に係る感光体は、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制すると推測される。
【００２７】
なお、本実施形態に係る感光体は、単層型感光層を有する単層型感光体であってもよい。単層型感光体の場合、単層型感光層は、結着樹脂と電荷発生材料と電荷輸送材料とを含み、前記電荷輸送材料の結晶物の平均粒径が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。
本実施形態に係る感光体が単層型感光体でも、上記構成により、最表面層である単層型感光層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する。
【００２８】
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照して説明する。
。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体７Ａの層構成の一例を示す概略部分断面図である。図１に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。
【００２９】
なお、電子写真感光体７Ａは、下引層１が設けられていない層構成であってもよい。また、電子写真感光体７Ａは、電荷発生層２と電荷輸送層３との機能が一体化した単層型感光層であってもよい。
【００３０】
以下、電子写真感光体の各要素について説明する。なお、各要素の符号は、省略して説明する。
【００３１】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３２】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００３３】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００３４】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。粗面化のための層としては、後述の下引層を用いることも可能である。
【００３５】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００３６】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００３７】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００３８】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００３９】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００４０】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００４１】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００４２】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００４３】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００４４】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００４５】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４７】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００４８】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００４９】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００５０】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００５１】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００５２】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００５３】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００５４】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００５５】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００５６】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【００５７】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００５８】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００５９】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００６０】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００６１】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００６２】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００６３】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００６４】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００６５】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００６６】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【００６７】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【００６８】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【００６９】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００７０】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは１８μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００７１】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７２】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００７３】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００７４】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００７５】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【００７６】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００７７】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００７８】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００７９】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００８０】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００８１】
これらの中でも、電荷発生材料としては、電荷発生効率の点で、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料であることが好ましく、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより好ましい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から好ましい。
【００８２】
また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましい。一方、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下であることが特に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【００８３】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒子径の最大値）は、１．２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましく、より好ましくは０．３μｍ以下である。
【００８４】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が０．２μｍ以下、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、比表面積値が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
【００８５】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。
【００８６】
電荷発生材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００８７】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００８８】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【００８９】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００９０】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【００９１】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【００９２】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【００９３】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００９４】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００９５】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。そして、電荷輸送層は、電荷輸送材料の結晶物を含む。
【００９６】
−電荷輸送材料−
電荷輸送材料の結晶物の平均粒径は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。電荷輸送材料の結晶物の平均粒径を０．１μｍ以上にすると、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制する。一方、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径を５．０μｍ以下にすると、電気特性の低下が抑制される。
最表面層である電荷輸送層の磨耗抑制、および割れの発生抑制の観点から、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径は、１．０μｍ以上４．０μｍ以下が好ましく、１．２μｍ以上３．８μｍ以下がより好ましい。
【００９７】
電荷輸送材料の結晶物の平均粒径を上記範囲とするには、１）結晶化し易い電荷輸送材料を選択する方法、２）電荷輸送層形成塗布液の溶媒として、電荷輸送材料に対する貧溶媒を使用する方法等が挙げられる。
【００９８】
電荷輸送材料の結晶物の平均粒径は、次の方法で測定する。
まず、測定対象の感光体の電荷輸送層から測定試料を取得する。測定試料は、電荷輸送層の厚さ方向に沿った断面を有する試料とする。
次に、測定試料を用いて、レーザー顕微鏡により、倍率１００倍、視野１ｍｍ×１ｍｍで観察する。
次に、観察画像において、１０個の電荷輸送材料の結晶物の最大径を測定する。そして、電荷輸送材料の結晶物の最大径の平均値を、平均粒径とする。
【００９９】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１００】
これらの中でも、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径を上記範囲に制御し易い観点から、ベンジジン系電荷輸送材料が好ましい。
【０１０１】
ベンジジン系電荷輸送材料は、ベンジジン構造「Ｎ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｎ（ただし、Ｐｈ＝フェニル基）」を有する電荷輸送材料である。
ベンジジン系電荷輸送材料としては、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料であることが好ましい。
【０１０２】
【化３】
2019061146.tif 000005
【０１０３】
一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【０１０４】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１０５】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１０６】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１０７】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０１０８】
なお、一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１０９】
一般式（ＣＴ１）において、特に、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ１１、ＲＣ１２、及びＲＣ１３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＣ１１、及びＲＣ１３が水素原子を表し、ＲＣ１２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−２））であることが特に好ましい。
【０１１０】
【化４】
2019061146.tif 000006
【０１１１】
以下に、ベンジジン系電荷輸送材料の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１１２】
【化５】
2019061146.tif 000007
【０１１３】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・ＣＨ３：メチル基
・Ｃ２Ｈ５：エチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
・ＯＣ２Ｈ５：エトキシ基
【０１１４】
ここで、電荷輸送材料に占めるベンジジン系電荷輸送材料の割合は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９８質量％以上１００質量％以下がより好ましい。
【０１１５】
電荷輸送材料としては、電気特性向上の観点から、ベンジジン系電荷輸送材料と共に、トリアリールアミン系電荷輸送材料を併用してもよい。
【０１１６】
トリアリール系電荷輸送材料は、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送材料であるトリアリールアミン系電荷輸送材料としては、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料である。
【０１１７】
【化６】
2019061146.tif 000008
【０１１８】
一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。
【０１１９】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１２０】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１２１】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１２２】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１２３】
なお、一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１２４】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ２１及びＲＣ２２同士、ＲＣ２３及びＲＣ２４同士、ＲＣ２５及びＲＣ２６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。
【０１２５】
一般式（ＣＴ２）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。
【０１２６】
一般式（ＣＴ２）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、トリアリールアミン系電荷輸送材料は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−３））であることがより好ましい。
【０１２７】
【化７】
2019061146.tif 000009
【０１２８】
以下に、トリアリールアミン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１２９】
【化８】
2019061146.tif 000010
【０１３０】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・ＣＨ３：メチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１３１】
ここで、電荷輸送材料に占めるトリアリール系電荷輸送材料の割合は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％以上２質量％以下がより好ましい。
【０１３２】
電荷輸送層中における結着樹脂と電荷輸送材料との質量比としては、例えば、２：８から８：２の範囲がよい。
電荷輸送材料の含有量としては、例えば、電荷輸送層全体に対して、２０質量％以上８０質量％以下の範囲が好ましく、４０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。
【０１３３】
−結着樹脂−
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
【０１３４】
これらの中でも、最表面層である電荷輸送層の磨耗抑制、および割れの発生抑制の観点から、ポリカーボネート樹脂がより好ましい。
これらの結着樹脂は、本来、耐磨耗性が低いが柔軟性を持つ樹脂である。しかし、電荷輸送層中に、上記範囲の平均粒径の電荷輸送材料の結晶物を含むことで、これら結着樹脂を使用しても、最表面層である電荷輸送層の磨耗が抑制され易くなる。また、これら結着樹脂の柔軟性により、電荷輸送層の割れの発生が抑制され易くなる。
【０１３５】
−貧溶媒−
電荷輸送層には、残留溶媒として、電荷輸送材料に対する貧溶媒を含むことがよい。つまり、最表面層である電荷輸送層の磨耗抑制、および割れの発生抑制の観点から、電荷輸送層形成用塗布液の溶剤として貧溶媒を使用することがよい。
【０１３６】
ここで、電荷輸送材料に対する貧溶媒とは、電荷輸送材料の溶解度が低い溶媒のことであり、具体的には、２５℃において、貧溶媒１００質量部に対して３０質量部（３０質量％）以下の電荷輸送材料が溶解可能である溶媒をいう。
一方、電荷輸送材料に対する良溶媒とは、電荷輸送材料の溶解度が高い溶媒のことであり、具体的には、２５℃において、良溶媒１００質量部に対して３０質量部（３０質量％）超えの電荷輸送材料が溶解可能である溶媒をいう。
【０１３７】
なお、電荷輸送材料の溶解度の値は、良溶媒にあっては溶媒１ｇに電荷輸送材料１ｍｇずつを加え、貧溶媒にあっては溶媒１００ｇに電荷輸送材料１ｍｇずつを加え、２５℃に調整して撹拌を行って、電荷輸送材料が溶解したか（すなわち、目視で確認されなくなったか）どうかを観察し、溶け残り（目視で確認される電荷輸送材料）が生じる前までに加えた電荷輸送材料の量とする。
【０１３８】
貧溶媒としては、例えば、ジアルキルケトン、カルボン酸エステル等が挙げられる。
これらの中でも、ジアルキルケトンがよい。特に、ベンジジン系電荷輸送材料に対する貧溶媒としては、ジアルキルケトンがよい。
ジアルキルケトンとしては、２つのアルキル基の炭素数が１以上１０以下（又は、１以上６以下）のジアルキルケトンが挙げられる。ジアルキルケトンとしては、ジアルキルケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルプロピルケトン等が挙げられる。
【０１３９】
貧溶媒の含有量としては、最表面層である電荷輸送層の磨耗抑制、および割れの発生抑制の観点から、電荷輸送層に対して、１００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下が好ましく、２０００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下がより好ましい。なお、ｐｐｍは、質量基準である。
【０１４０】
−その他添加剤−
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１４１】
−電荷輸送材料の形成−
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１４２】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
そして、最表面層である電荷輸送層の磨耗抑制、および割れの発生抑制の観点から、これら電荷輸送材料に対する良溶媒と共に、電荷輸送材料に対する貧溶媒を併用することが好ましい。良溶媒と貧溶媒との質量比（良溶媒／貧溶媒）は、０／１０以上３／７以下が好ましく、１／９以上２／８以下がより好ましい。
【０１４３】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１４４】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１４５】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。
一方、単層型感光層中、電荷輸送材料、貧溶媒等の含有量は電荷輸送層中での含有量と同様である。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１４６】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０１４７】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１４８】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１４９】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１５０】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１５１】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１５２】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１５３】
図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１５４】
なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１５５】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１５６】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１５７】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１５８】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１５９】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１６０】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１６１】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１６２】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１６３】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例】
【０１６４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１６５】
［実施例１］
酸化亜鉛（商品名：ＭＺ  ３００、テイカ株式会社製）１００質量部、シランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％のトルエン溶液を１０質量部、トルエン２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付けて、シランカップリング剤による酸化亜鉛の表面処理を行った。
表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、下記構造式（ＡＫ−１）で示される化合物：１質量部、メチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて３時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。
さらに、浸漬塗布法にて、下引層形成用塗布液を、直径４７ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚２５μｍの下引層を得た。
【０１６６】
【化９】
2019061146.tif 000011
【０１６７】
次に、電荷発生材料としてのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料「Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するＶ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長＝８２０ｎｍ、平均粒径＝０．１２μｍ、最大粒径＝０．２μｍ、比表面積値＝６０ｍ２／ｇ）」、結着樹脂としての塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）、およびｎ−酢酸ブチルからなる混合物を、容量１００ｍＬガラス瓶中に、充填率５０％で１．０ｍｍφガラスビーズと共に入れて、ペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の混合物に対して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の含有率を５５．０体積％とし、分散液の固形分は６．０質量％とした。含有率は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の比重を１．６０６ｇ／ｃｍ３、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の比重１．３５ｇ／ｃｍ３をとして計算した。
得られた電荷発生層形成用塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、１００℃で５分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６８】
次に、電荷輸送材料として、ベンジジン系電荷輸送材料「例示化合物（ＣＴ１−２）」３２．０質量部と、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量４万）６０．０質量部とを、良溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３０質量部および貧溶媒としてエチルメチルケトン（ＭＥＫ）４２０．０質量部の混合溶媒に加えて溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
得られた電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、１５０℃、４０分の乾燥を行うことにより、膜厚３４μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１６９】
以上の工程を経て、電子写真感光体を得た。
【０１７０】
［実施例２〜６、比較例１〜３］
表１に従って、電荷輸送材料、良溶媒、貧溶媒の種類および量を変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０１７１】
［評価］
各例で得られた電子写真感光体について、次の評価を実施した。
【０１７２】
（電荷輸送層中の電荷輸送材料の結晶物の平均粒径）
各例で得られた感光体の電荷輸送層について、電荷輸送材料の結晶物の平均粒径を既述の方法により測定した。
【０１７３】
（電荷輸送層のＭＤ−１硬度）
各例で得られた感光体の電荷輸送層から測定試料を採取した。試料は、厚さ４０μｍで、１０ｍｍ四方の試料）。
そして、次の条件で、電荷輸送層のＭＤ−１硬度を測定した。
測定装置：高分子計器株式会社製  ＭＤ−１  ｃａｐａ  ｔｙｐｅ−Ａ
測定条件：測定モードはノーマルモード、タイマーは２秒値、測定個所は感光体軸方向両端部から５０ｍｍと中央部の計３箇所、硬度算出は測定個所３箇所の平均値とした。
【０１７４】
（電荷輸送層の割れの発生）
各例で得られた感光体を電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−ＩＶ  Ｃ５５７０改造機）に搭載した。
そして、この装置により、Ａ４サイズの用紙に、画像濃度５％のチャートを２０００００枚連続出力した後、感光体を取り出し、電荷輸送層の割れの有無を目視にて確認した。
【０１７５】
（電荷輸送層の磨耗量）
各例で得られた感光体を電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−ＩＶ  Ｃ５５７０改造機）に搭載した。
そして、この装置により、Ａ４サイズの用紙に、画像濃度５％のチャートを２０００００枚連続出力した後、感光体の電荷輸送層の膜厚を測定した。電荷輸送層の膜厚は、渦電流式膜厚測定装置（フィッシャー・インストルメンツ社製）を用いて測定した。そして、２０００００枚連続出力前後の電荷輸送層の膜厚の差（μｍ）を求めた。
【０１７６】
（画像濃度）
各例で得られた感光体を電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−ＩＶ  Ｃ５５７０改造機）に搭載した。
そして、この装置により、Ａ３サイズの用紙に、画像濃度５０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ）を１枚出力した。
出力した全面ハーフトーン画像を観察し、下記評価基準で、目的とする画像濃度と実際出力された画像濃度との差を測定した。なお、画像出力は全て２８℃、８５％ＲＨの環境下で実施した。
Ａ：画像濃度差が０．２以下
Ｂ：画像濃度差が０．２超０．３以下
Ｃ：画像濃度差が０．３超
【０１７７】
各例の詳細を表１に一覧にして示す。なお、表１の略称等の詳細は以下の通りである。
【０１７８】
・ＣＴ１−２：ベンジジン系電荷輸送材料の例示化合物（ＣＴ１−２）「下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料」
【化１０】
2019061146.tif 000012
【０１７９】
・ＴＮＦ  ：トリニトロフルオレノン
【０１８０】
・ＴＦＨ  ：  テトラヒドロフラン
・ＭＥＫ  ：  メチルエチルケトン
・ＭＩＢＫ：  メチルイソブチルケトン
【０１８１】
【表１】
2019061146.tif 000013
【０１８２】
上記結果から、本実施例の感光体は、比較例の感光体に比べ、最表面層である電荷輸送層の磨耗を抑制しつつ、割れの発生も抑制されることがわかる。
また、本実施例の感光体は、濃度ムラの発生も抑制され、経時での電気特性も良好であることもわかる。
【符号の説明】
【０１８３】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、７Ａ，７  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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