(57)【要約】【課題】材料付着効率を向上する。【解決手段】矩形輪郭の基板１３ｓ，１４ｓを基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸１３ｂ、１４ｂまわりに回転しながら蒸着する成膜装置１０であって、真空排気可能なチャンバ１１と、蒸着源１２と、基板を回転保持可能な複数の基板回転保持機構１３，１４と、を有し、複数の基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、これら基板の回転中心１３ｅ，１４ｅどうしを結ぶ線上で一方の基板輪郭の輪郭辺１３ｄに他方の基板輪郭の角部頂点１４ｃが対向する状態となる位相差を維持しながら回転可能とされる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形輪郭の基板を基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸まわりに回転しながら蒸着する成膜装置であって、
真空排気可能なチャンバと、
前記チャンバ下側に設けられた蒸着源と、
前記チャンバ上側に前記基板を各々前記軸まわりに回転保持可能な複数の基板回転保持機構と、
を有し、
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、これら基板の回転中心どうしを結ぶ線上で一方の基板輪郭の輪郭辺に他方の基板輪郭の角部が対向する状態となる位相差を維持しながら回転可能とされる
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、回転方向が逆向きに設定される
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板における回転中心間距離が、前記基板輪郭の輪郭辺の半分とされる寸法と、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線の半分とされる寸法との和よりも大きく、かつ、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線とされる寸法よりも小さく、設定される
ことを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】
複数の前記基板回転保持機構が、前記蒸着源直上位置から水平方向に対称位置として設けられる
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の成膜装置。
【請求項５】
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が並行状態となるように配置される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の成膜装置。
【請求項６】
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が同一鉛直面内に位置し、かつ、鉛直方向に対して同一角度傾斜状態となるように配置される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の成膜装置。
【請求項７】
複数の前記基板回転保持機構が、一方向に最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が同一鉛直面内に位置し、かつ、鉛直方向に対して同角度傾斜状態となるように配置されるとともに、
前記一方向と直交する他方向に最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が平行状態となるように配置される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の成膜装置。
【請求項８】
４枚以上の前記基板を処理する前記基板回転保持機構を有する
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか記載の成膜装置。
【請求項９】
前記蒸着源が、最近接位置とされた２枚の前記基板における回転中心を結ぶ方向に複数配置される
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか記載の成膜装置。
【請求項１０】
少なくとも２枚の矩形輪郭の基板を同一面上に配置し、基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸まわりに回転しながら蒸着する成膜装置であって、
真空排気可能なチャンバと、
前記チャンバ下側に設けられた蒸着源と、
前記チャンバ上側に前記基板を各々前記軸まわりに回転保持可能な複数の基板回転保持機構と、
を有し、
複数の前記基板回転保持機構が、同一面上に配置された隣接する２枚の前記基板において、回転方向が逆向きに設定され、
同一面上に配置された隣接する２枚の前記基板における回転中心間距離が、前記基板輪郭の輪郭辺の半分とされる寸法と、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線の半分とされる寸法との和よりも大きく、かつ、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線とされる寸法よりも小さく、設定される
ことを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は成膜装置に関し、特に基板を回転して蒸着する際に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像医療の分野において、デジタル方式の放射線画像検出装置の開発が進められている。この種の放射線画像検出装置においては、放射線を可視光に変換するシンチレータパネルが用いられる。シンチレータパネルは、放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体で作製されたシンチレータ層を有する。
【０００３】
近年、低線量の撮影においてのＳＮ比を向上させるため、発光効率の高いシンチレータパネルが要求されている。一般に、シンチレータパネルの発光効率は、シンチレータ層の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数などによって決定される。例えば、シンチレータ層が厚いほど、感度が向上するため、発光効率が高くなる。しかし、シンチレータ層が厚いほど、シンチレータ内での発光光の散乱が発生するため、鮮鋭性（解像度）は低下する。
【０００４】
一方、シンチレータ材料のひとつとして、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が知られている。ヨウ化セシウムは、Ｘ線から可視光への変換効率が比較的高いという利点がある。ヨウ化セシウムの柱状結晶は、光ガイド効果を有し、結晶内での発光光の散乱を抑える。したがって、鮮鋭性を低下させることなくシンチレータ層を厚くすることが可能となる。
【０００５】
ヨウ化セシウムの柱状結晶は、真空蒸着法によって形成することができる。例えば特許文献１には、高真空中で複数の蒸着源８ａ，８ｂを配置し蒸発させることで、基板上に蛍光膜を蒸着する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１５０５７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
真空蒸着法においては蒸着材料の使用効率が比較的低いため、３００〜１０００μｍ程度の厚みの蒸着膜を形成する場合、大量の蒸着材料が必要となる。
しかし、特許文献１記載の技術では、蒸着源を基板の回転軸に対して偏心した位置に配置しているため、蒸着源から発生した蒸着物質の全てを成膜として利用することができない。このため、蛍光膜を蒸着により成膜するには大量の蒸着材料が必要であるため、無駄になる蒸着材料が大量に発生するという問題があった。
【０００８】
しかも、特許文献１記載の技術では、基板以外の部分に蒸着されてしまう付着物が、パーティクル等、蒸着の特性を悪化させる原因になるため、これを削減したいという要求があった。
【０００９】
また、矩形の基板に形成されることの多いシンチレータ層の蒸着においては、基板の回転による蒸着時に、円形基板への蒸着に比べて、基板以外に付着する蒸着材料が多くなるため、これを低減したいという要求があった。
【００１０】
さらに、基板面内におけるシンチレータ層の結晶性を均一にしたいという要求があった。
【００１１】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．蒸着における成膜の効率化を図ること。
２．基板以外に付着する無駄な材料を削減すること。
３．基板面内におけるシンチレータ層の結晶均一性を向上すること。
４．成膜室容積の削減による成膜装置の小型化を図ること。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の成膜装置は、矩形輪郭の基板を基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸まわりに回転しながら蒸着する成膜装置であって、
真空排気可能なチャンバと、
前記チャンバ下側に設けられた蒸着源と、
前記チャンバ上側に前記基板を各々前記軸まわりに回転保持可能な複数の基板回転保持機構と、
を有し、
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、これら基板の回転中心どうしを結ぶ線上で一方の基板輪郭の輪郭辺に他方の基板輪郭の角部が対向位置する状態となる位相差を維持しながら回転可能とされることにより上記課題を解決した。
本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、回転方向が逆向きに設定されることがより好ましい。
本発明の成膜装置は、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板における回転中心間距離が、前記基板輪郭の輪郭辺の半分とされる寸法と、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線の半分とされる寸法との和よりも大きく、かつ、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線とされる寸法よりも小さく、設定されることが可能である。
本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、前記蒸着源直上位置から水平方向に対称位置として設けられることができる。
また、本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が並行状態となるように配置される手段か、前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が同一鉛直面内に位置し、かつ、鉛直方向に対して同角度傾斜状態となるように配置される手段を採用することもできる。
本発明においては、複数の前記基板回転保持機構が、一方向に最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が同一鉛直面内に位置し、かつ、鉛直方向に対して同一角度傾斜状態となるように配置されるとともに、
前記一方向と直交する他方向に最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が並行状態となるように配置されることができる。
また、４つの前記基板を処理する前記基板回転保持機構を有することができる。
また、前記蒸着源が、最近接位置とされた２枚の前記基板における回転中心を結ぶ方向に複数配置されることが好ましい。
さらに、少なくとも２枚の矩形輪郭の基板を同一面上に配置し、基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸まわりに回転しながら蒸着する成膜装置であって、
真空排気可能なチャンバと、
前記チャンバ下側に設けられた蒸着源と、
前記チャンバ上側に前記基板を各々前記軸まわりに回転保持可能な複数の基板回転保持機構と、
を有し、
複数の前記基板回転保持機構が、同一面上に配置された隣接する２枚の前記基板において、回転方向が逆向きに設定され、
同一面上に配置された隣接する２枚の前記基板における回転中心間距離が、前記基板輪郭の輪郭辺の半分とされる寸法と、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線の半分とされる寸法との和よりも大きく、かつ、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線とされる寸法よりも小さく、設定されることにより、上記課題を解決した。
【００１３】
本発明の成膜装置は、矩形輪郭の基板を基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸まわりに回転しながら蒸着する成膜装置であって、
真空排気可能なチャンバと、
前記チャンバ下側に設けられた蒸着源と、
前記チャンバ上側に前記基板を各々前記軸まわりに回転保持可能な複数の基板回転保持機構と、
を有し、
複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、これら基板の回転中心どうしを結ぶ線上で一方の基板輪郭の輪郭辺に他方の基板輪郭の角部が対向する状態となる位相差を維持しながら回転可能とされることにより、基板輪郭の角部どうしが同位相として回転する場合に比べて、最近接位置とされた２枚の前記基板における離間距離を短くすることができ、これにより、基板以外に付着する蒸着材料を低減することが可能となる。同時に、最近接位置とされた２枚の前記基板における蒸着成膜状態をほぼ等しくして蒸着することが可能となるため、複数の基板において、成膜特性を均一化するとともに、基板面内における成膜特性を均一化することができる。これにより、シンチレーション層を基板に蒸着成膜した場合に、基板面内におけるシンチレータ層の結晶均一性を向上することが可能となる。
【００１４】
本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、回転方向が逆向きに設定されることにより、最近接位置の基板が互いに接触することなく位相を保って回転することが可能となり、最近接位置とされた２枚の前記基板における離間距離を短くすることができる。
【００１５】
本発明の成膜装置は、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板における回転中心間距離が、前記基板輪郭の輪郭辺の半分とされる寸法と、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線の半分とされる寸法との和よりも大きく、かつ、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線とされる寸法よりも小さく、設定されることにより、最近接位置の基板が互いに接触することなく位相を保って回転させることができ、基板以外に付着する蒸着材料を低減することが可能となる。
【００１６】
本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、前記蒸着源直上位置から水平方向に対称位置として設けられることにより、複数の前記基板回転保持機構によって保持された複数の被処理基板において、それぞれ、蒸着成膜状態をほぼ等しくして蒸着することが可能となるため、複数の基板において、成膜特性を均一化するとともに、基板面内における成膜特性を均一化することができる。
【００１７】
また、本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が並行状態となるように配置されることにより、同一平面内で回転しながら蒸着成膜される複数の基板において蒸着成膜状態をほぼ等しくして蒸着することが可能となるため、複数の基板において、成膜特性を均一化するとともに、基板面内における成膜特性を均一化することができる。
【００１８】
また、本発明において、複数の前記基板回転保持機構が、最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が同一鉛直面内に位置し、かつ、鉛直方向に対して同一角度傾斜状態となるように配置される手段を採用することにより、それぞれ同一角度で傾斜蒸着をおこないつつ、基板間距離を最小にして最近接位置の基板が互いに接触することなく位相を保って回転させることができ、基板以外に付着する蒸着材料を低減するとともに、蒸着成膜状態をほぼ等しくして蒸着することが可能となるため、複数の基板において、成膜特性を均一化するとともに、基板面内における成膜特性を均一化することができる。
【００１９】
本発明においては、複数の前記基板回転保持機構が、一方向に最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が同一鉛直面内に位置し、かつ、鉛直方向に対して同角度傾斜状態となるように配置されるとともに、
前記一方向と直交する他方向に最近接位置とされた２枚の前記基板において、前記回転軸が並行状態となるように配置されることにより、それぞれ同一角度で傾斜蒸着をおこないつつ、基板間距離を最小にして最近接位置の基板が互いに接触することなく位相を保って回転させることができ、基板以外に付着する蒸着材料を低減するとともに、蒸着成膜状態をほぼ等しくして蒸着することが可能となるため、複数の基板において、成膜特性を均一化するとともに、基板面内における成膜特性を均一化することができ、さらに、均一な成膜特性として4枚以上の基板を同時に処理することが可能となる。
【００２０】
また、４つの前記基板を処理する前記基板回転保持機構を有することにより、基板間距離を最小にして、基板以外に付着する蒸着材料を低減しつつ、基板面内における成膜特性を均一化することができる。
【００２１】
また、前記蒸着源が、最近接位置とされた２枚の前記基板における回転中心を結ぶ方向に複数配置されることにより、最近接位置とされた２枚の前記基板における蒸着成膜特性を均一化しつつ、基板面内方向における成膜特性を均一化することが可能となる。
【００２２】
さらに、少なくとも２枚の矩形輪郭の基板を同一面上に配置し、基板主面と交差して基板中心をとおる回転軸まわりに回転しながら蒸着する成膜装置であって、
真空排気可能なチャンバと、
前記チャンバ下側に設けられた蒸着源と、
前記チャンバ上側に前記基板を各々前記軸まわりに回転保持可能な複数の基板回転保持機構と、
を有し、
複数の前記基板回転保持機構が、同一面上に配置された隣接する２枚の前記基板において、回転方向が逆向きに設定され、
同一面上に配置された隣接する２枚の前記基板における回転中心間距離が、前記基板輪郭の輪郭辺の半分とされる寸法と、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線の半分とされる寸法との和よりも大きく、かつ、前記基板輪郭の輪郭辺の角部どうしを結ぶ対角線とされる寸法よりも小さく、設定されることにより、基板輪郭の角部どうしが同位相として回転する場合に比べて、最近接位置とされた２枚の前記基板における離間距離を短くすることができ、これにより、基板以外に付着する蒸着材料を低減することが可能となる。同時に、最近接位置とされた２枚の前記基板における蒸着成膜状態をほぼ等しくして蒸着することが可能となるため、複数の基板において、成膜特性を均一化するとともに、基板面内における成膜特性を均一化することができる。これにより、シンチレーション層を基板に蒸着成膜した場合に、基板面内におけるシンチレータ層の結晶均一性を向上することが可能となる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板間距離を最小にして、基板以外に付着する蒸着材料を低減して蒸着における材料付着効率の向上を図ることができ、基板面内における成膜特性を均一化し、基板面内方向における成膜特性を均一化することを可能として、基板面内におけるシンチレータ層の結晶均一性を向上することができるという効果を奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る成膜装置の第１実施形態を示す模式正面図である。
【図２】本発明に係る成膜装置の第１実施形態の基板回転保持機構における基板位置関係を示す模式平面図である。
【図３】本発明に係る成膜装置の第１実施形態の基板回転保持機構における基板回転状態を示す模式平面図である。
【図４】本発明に係る成膜装置の第１実施形態の基板回転保持機構における基板回転状態を示す模式平面図である。
【図５】本発明に係る成膜装置の第１実施形態を示す模式斜視図である。
【図６】本発明に係る成膜装置の第２実施形態の基板回転保持機構における基板位置関係を示す模式平面図である。
【図７】本発明に係る成膜装置の第２実施形態の基板回転保持機構における基板回転状態を示す模式平面図である。
【図８】本発明に係る成膜装置の第２実施形態の基板回転保持機構における基板回転状態を示す模式平面図である。
【図９】本発明に係る成膜装置の第３実施形態を示す模式正面図である。
【図１０】本発明に係る成膜装置の第４実施形態を示す模式斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る成膜装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における成膜装置を示す正面図であり、図において、符号１０は、成膜装置である。
【００２６】
本実施形態に係る成膜装置１０は、蒸着によりシンチレータ層を成膜する装置とされ、図１に示すように、真空チャンバ（チャンバ）１１と、蒸着源１２と、基板回転保持機構１３，１４とを有する。
【００２７】
成膜装置１０は、図１に示すように、蒸着室となる真空チャンバ１１を有し、真空チャンバ１１はバルブ１１ａを介して真空ポンプ１１ｂと接続されて真空排気可能とされている。
真空チャンバ１１には、プロセスガスを導入するためのガス導入管１１ｃが設置されてガス供給部１１ｄが接続されている。プロセスガスとしては、アルゴン等の不活性ガスのほか、酸素や窒素等の反応性ガスが含まれる。
【００２８】
真空チャンバ１１の下方には、図１に示すように、蒸着源１２が設置されている。蒸着源１２は、成膜のための蒸着材料を加熱して蒸発させるものとされ、例えば３個とされる複数個のボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃを有している。ボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃは蒸着材料を収容するものとされてそれぞれ同一の構成を有し、例えば円筒形状であって、上面に蒸気放出用の長方形状の開口が形成されている。
【００２９】
本実施形態の成膜装置１０においては、図１に示すように、複数個のボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃに対して、その水平方向中心位置が蒸着中心１２Ｃとして設定されるとともに、これら複数個のボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃが、蒸着中心１２Ｃに対して水平方向に対称となるように配置される。
【００３０】
蒸着中心１２Ｃは、蒸着材料の蒸発量が最も多くなる点として設定される。本実施形態においては、図１に示すように、中央に位置するボート１２ｂの水平方向中心が、蒸着中心１２Ｃとして設定されている。
また、外側のボート１２ａおよびボート１２ｃは、いずれも、後述する基板回転保持機構１３における回転軸１３ｂが基板１３ｓの蒸着面と交わる交点である回転中心１３ｅおよび基板回転保持機構１４における回転軸１４ｂが基板１４ｓの蒸着面と交わる交点である回転中心１４ｅよりも水平面内で蒸着中心１２Ｃ側に配置される。
【００３１】
各ボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃには、それぞれ同一の蒸着材料が収容されるが、用途に応じてボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃ毎に異なる蒸着材料が収容されてもよい。蒸着材料には、金属、合金、その他の材料が用いられる。蒸着材料は、蒸着膜の種類に応じて適宜選定することができ、シンチレータを製造する場合には、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、ヨウ化ナトリウム、臭化セシウムが用いられる。
【００３２】
一方、ボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃの構成材料には、典型的には高融点材料が用いられ、例えば、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｍｏなどの金属または合金が挙げられる。また、これら金属とＣ、Ｂ、Ｎ等との化合物が用いられてもよい。
【００３３】
蒸着源１２は、例えば、抵抗加熱式の蒸着源で構成されている加熱手段を有する。これにより、図示しない加熱機構から電力の供給を受けて各ボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃは加熱される。
【００３４】
真空チャンバ１１の上方には、図１に示すように、蒸着時に基板１３ｓ，１４ｓを支持回転する基板回転保持機構１３，１４が設置されている。
本実施形態の成膜装置１０においては、例えば２枚とされる複数枚の矩形基板１３ｓ，１４ｓを同時に処理するものとされており、それぞれ１枚の基板１３ｓ，１４ｓに対応して、２つの基板回転保持機構１３，１４が設けられる。
【００３５】
基板回転保持機構１３，１４は、それぞれ略同一の構成を有し、図１に示すように、下方の蒸着源に向いて対向するステージ１３ａ，１４ａが設置されている。
【００３６】
ステージ１３ａ，１４ａは、図示しない保持機構によってその下側に基板１３ｓ，１４ｓを保持可能とされるとともにこの基板１３ｓ，１４ｓを着脱可能とされ、その中心部上側に回転軸１３ｂ，１４ｂが固定されている。
ステージ１３ａ，１４ａは、略同一形状とされる矩形基板１３ｓ，１４ｓに対応して矩形輪郭を有する。なお、ステージ１３ａ，１４ａは、成膜時に余分な付着物を生じないように、基板１３ｓ，１４ｓよりやや小さいか、基板１３ｓ，１４ｓと等しい輪郭とされることが好ましい。
【００３７】
回転軸１３ｂ，１４ｂは、真空チャンバ１１の上壁部を気密かつ回転自在に貫通してその上端側が駆動部１９に接続されており、後述する駆動部１９からの駆動力を回転軸１３ｂ，１４ｂを介してステージ１３ａ，１４ａに伝達することで、ステージ１３ａ，１４ａを回転軸（回転軸線）１３ｂ，１４ｂまわりに回転可能として構成されている。
これにより、基板回転保持機構１３，１４は、それぞれ基板１３ｓ，１４ｓを同期して回転自在に保持することができる。
【００３８】
基板回転保持機構１３，１４には、成膜時における基板１３ｓ，１４ｓ温度設定をおこなう基板温度調節手段が備えられてもよい。基板温度調節手段としては、基板１３ｓ，１４ｓを加熱するためのヒータ等や、成膜における基板１３ｓ，１４ｓの蒸着材を冷却して結晶成長時の放熱・冷却をおこなうための放熱板、冷却手段、あるいは、これらをいずれもおこなうことの可能な熱交換器とされることができる。
【００３９】
回転軸１３ｂ，１４ｂは、互いに平行状態とされるとともに、いずれも鉛直方向に延在しており、それぞれステージ１３ａ，１４ａが同一の水平面内で同期して回転可能とされている。
回転軸１３ｂ，１４ｂは、それぞれが駆動部１９に接続されてこの駆動部１９により逆向きに回転可能とされている。
【００４０】
駆動部１９は、真空チャンバ１１の外部に配置され、接続する回転軸１３ｂ，１４ｂを後述する位相差を維持しながら同じ角速度で所定の回転方向として同期して回転可能なものとされ、駆動モータ等の駆動手段、ギアボックスなどの制動手段および所定の駆動信号を出力可能な回転制御手段等を有するものとされる。
【００４１】
基板回転保持機構１３，１４は、ステージ１３ａ，１４ａの中心位置である回転軸１３ｂ，１４ｂの接続位置が、水平方向に蒸着中心１２Ｃに対して対称な配置とされている。
【００４２】
次に、基板回転保持機構１３，１４における基板回転状態について説明する。
図２は、本実施形態における成膜装置の基板回転保持機構を平面視した状態における基板位置関係を示す模式平面図である。
【００４３】
本実施形態における基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４とは、図２に示すように、蒸着中心１２Ｃに対して左右対称とされ、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結んだ直線の中点が、蒸着中心１２Ｃと一致するように設定されている。
【００４４】
なお、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅは、回転軸１３ｂの下端がステージ１３ａに接続された位置であり、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅは、回転軸１４ｂの下端がステージ１４ａに接続された位置と一致している。
また、図２に示す蒸着中心１２Ｃは、真空チャンバ１１の下方に位置する蒸着源１２の中心位置から上側へ延長した鉛直線と、基板１３ｓ，１４ｓを含む水平面とが、交差した点を示している。
【００４５】
基板回転保持機構１３，１４において、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１３ｓ，１４ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１３ｓ，１４ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【００４６】
つまり、ステージ１３ａとステージ１４ａとは、基板１３ｓ，１４ｓの一辺の長さと基板１３ｓ，１４ｓの対角線の長さとの和の半分よりも大きい間隔Ｌ１を有し、基板１３ｓ，１４ｓの対角線の長さよりも小さい間隔Ｌ１を有するように配置されている。
【００４７】
また、基板回転保持機構１３，１４において、基板回転保持機構１３のステージ１３ａの回転方向と、基板回転保持機構１４のステージ１４ａの回転方向とは、逆向きとされ、かつ、その回転速度は等しくなるように設定されている。
【００４８】
本実施形態における基板回転保持機構１３，１４において、成膜時の基板回転は、次のようにおこなわれる。
図３，図４は、本実施形態における成膜装置の基板回転保持機構を平面視した状態における基板回転状態を示す模式平面図である。
【００４９】
まず、初期状態として、図２に示すように、一方の基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの一辺１３ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。同時に、他方の基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの角部頂点１４ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。
【００５０】
このとき、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとの中点となる蒸着中心１２Ｃは、基板１４ｓの角部頂点１４ｃよりも基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅ側に位置する。つまり、蒸着中心１２Ｃは、基板１４ｓの角部頂点１４ｃよりも基板１４ｓ輪郭内に位置することになる。
【００５１】
次いで、このような相対位置とされた隣接する基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４とにおいて、図２で左側に位置する基板回転保持機構１３を左回りに、また、図２で右側に位置する基板回転保持機構１４を右回りに、同一の回転速度となるように同期して回転させる。
【００５２】
すると、図３に示すように、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄと、基板回転保持機構１４における基板１４ｓの一辺１４ｄとが、平行な状態となる。この回転位置関係において、蒸着中心１２Ｃは、基板１３ｓの一辺１３ｄおよび基板１４ｓの一辺１４ｄよりも外側に位置することになる、つまり、蒸着中心１２Ｃは、基板１３ｓおよび基板１４ｓの輪郭外側に位置することになる。
【００５３】
その後、さらに両基板１３ｓ，１４ｓが回転すると、図４に示すように、一方の基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。同時に、他方の基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。
【００５４】
さらに回転させると、図３に示す回転位置関係を左右に反転させた状態を経て、図２に示す回転位置関係まで戻ることになる。
【００５５】
本実施形態においては、このように、基板回転保持機構１３，１４において、これら基板１３ｓ，１４ｓの回転中心１３ｅ，１４ｅどうしを結ぶ線上で、一方の基板１３ｓ輪郭の辺１３ｄ中央に他方の基板１４ｓ輪郭の角部頂点１４ｃが対向する位置状態となる位相差を維持しながら同期して互いに逆回転させる。
【００５６】
これにより、回転中心１３ｅから最も近い基板１３ｓ輪郭となる辺１３ｄ中央と、回転中心１４ｅから最も遠い基板１４ｓ輪郭となる角部頂点１４ｃとが対向した状態、つまり、基板１３ｓ輪郭と基板１４ｓ輪郭とが最も接近した状態で、２枚の基板１３ｓと基板１４ｓとが接触しないように回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとの距離を設定することが可能となる。これにより、基板１３ｓ，１４ｓを回転しても、これらの基板１３ｓと基板１４ｓとが接触することがない。
【００５７】
同時に、基板１３ｓと基板１４ｓとを同じ方向に回転した場合に比べて、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとの距離を可能な限り短く設定して、これらの基板１３ｓと基板１４ｓとの間で、不必要に成膜がおこなわれてしまう領域を低減することができる。
【００５８】
さらに、基板１３ｓと基板１４ｓとの間で、不必要に成膜がおこなわれてしまう領域でも、そのほとんどが、基板１３ｓ輪郭の角部頂点１３ｃと基板１４ｓ輪郭の角部頂点１４ｃとが交互に通過する領域となり、成膜時間の全体で不必要な成膜がおこなわれる領域を低減し、付着物の量を削減して、蒸発させる蒸着材のうち、基板の成膜に使われる量、つまり、蒸着材の成膜効率を向上することが可能となり、準備する蒸着材の総量を削減することができる。
【００５９】
本実施形態の成膜装置１０は、以上のように構成される。
次に、成膜装置１０において、蒸着材料にヨウ化セシウムを用いて、ガラス製の矩形基板１３ｓ，１４ｓ上にヨウ化セシウム膜を蒸着させる方法について説明する。
【００６０】
蒸着材料が収容された蒸着源１２が真空チャンバ１１の内部に配置される。その後、真空ポンプ１１ｂが駆動され、真空チャンバ（蒸着室Ｖ）１１が１×１０−３Ｐａ以下に真空排気された後、Ａｒなどのガスを導入し１〜０．０５Ｐａ程度に調整される。
【００６１】
基板回転保持機構１３，１４において、基板１３ｓ，１４ｓは、ステージ１３ａ，１４ａの下面に支持されており、基板１３ｓと基板１４ｓとの中間位置が、蒸着源１２と対向している。ステージ１３ａ，１４ａは、内蔵するヒータによって基板１３ｓ，１４ｓを所定温度に加熱し、かつ、駆動部１９の駆動により、回転軸１３ｂ，１４ｂのまわりに上述した所定の同期した回転状態として成膜に適した回転数で回転させられる。上記所定温度は特に限定されず、例えば、１００〜３００℃程度とされる。
【００６２】
蒸着源１２のボート１２ａ，１２ｂ，１２ｃに収容されている蒸着材料は、当該蒸着材料の融点以上である所定の蒸発温度に加熱される。例えば、蒸着材料をヨウ化セシウムとした場合、蒸発温度は６００〜７５０℃に設定される。蒸着材料の蒸発粒子は、対向するステージ１３ａ，１４ａに保持された基板１３ｓ，１４ｓの表面に堆積する。これにより、基板１３ｓ，１４ｓの表面に、ヨウ化セシウム膜が形成される。
【００６３】
例えばシンチレータパネルを構成するシンチレータ層は、３００〜１０００μｍの厚みで形成される。このように厚みの大きな蒸着膜を高い成膜効率で成膜することが困難である場合でも、本実施形態では、複数の基板１３ｓ，１４ｓを上記のように輪郭辺１３ｄ中央と輪郭角部頂点１４ｃとが対向する状態から位相差を維持するように同期して互いに逆回転させて成膜する方法により、厚みの大きな蒸着膜を連続的に成膜することができる。
【００６４】
同時に、基板１３ｓ，１４ｓの表面に均一にシンチレータ層を蒸着させることができるとともに、シンチレータ層の結晶性をより均一にして、感度ムラを低下させることができる。
【００６５】
図５は、本実施形態における成膜装置を示す斜視図である。
本実施形態の成膜装置１０において、図５に示すように、真空チャンバ１１の側壁部１１ｇには、蒸着源１２の出し入れや蒸着材の補充等、基板１３ｓ，１４ｓの搬出搬入、真空チャンバ１１内部のクリーニングをおこなうために、開閉扉１１ｆが設けられることができる。
【００６６】
図において、開閉扉１１ｆは真空チャンバ１１の一側面となる側壁部１１ｇ全体に設けられているが、この側壁部１１ｇの一部分に形成されてもよい。また、開閉扉１１ｆは幅寸法の大きな側壁部１１ｇに設けられることが好ましい。さらに、真空チャンバ１１の２側面あるいは３側面にそれぞれ設けられることもできる。
開閉扉１１ｆは、真空チャンバ１１を密閉状態として閉塞可能にされるとともに、開放状態で真空チャンバ１１の内部と外部とを連通することが可能となる。
【００６７】
なお、開閉扉１１ｆは、真空チャンバ１１の天井部１１ｈに設けられ、基板回転保持機構１３，１４とともに昇降し、基板１３ｓ，１４ｓの搬出搬入、真空チャンバ１１内部のクリーニング等をおこなう構成としてもよい。この場合、蒸着源１２の出し入れや蒸着材の補充等のために、真空チャンバ１１の下方位置に他の開閉扉を設けることや、蒸着源１２のみを外部に移動可能として構成することもできる。
【００６８】
以下、本発明に係る成膜装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図６は、本実施形態における成膜装置の基板回転保持機構を平面視した状態における基板位置関係を示す模式平面図であり、第１実施形態における図２に対応するものである。
本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、設けられた基板回転保持機構の個数に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６９】
本実施形態における成膜装置１０においては、図６に示すように、第１実施形態における基板回転保持機構１３，１４に加えて、基板回転保持機構１５，１６が設けられて、同時に略同形の基板１３ｓ〜１６ｓを処理可能とされている。
【００７０】
基板回転保持機構１５，１６は、それぞれ基板回転保持機構１３，１４と略同一の構成を有し、図６に示すように、これら４個の基板回転保持機構１３〜１６は、蒸着中心１２Ｃに対してステージ１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａが水平方向対称位置となるように設置されている。
【００７１】
つまり、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅと、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとが、基板１３ｓ〜１６ｓの回転する同一高さとされる水平面内において、蒸着中心１２Ｃを中心とする矩形の頂点（角部）としてそれぞれが右回りに位置するように配置されている。なお、これら基板回転保持機構１３〜１６は略同一の構成とされているので、付加した符号の順番は位置関係を特定する以上の意味はない。
【００７２】
回転軸１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂは、互いに並行状態とされるとともに、いずれも鉛直方向に延在しており、それぞれステージ１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａが同一高さの水平面内で回転可能とされている。
【００７３】
基板回転保持機構１３，１４において、図６に示すように、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１３ｓ，１４ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１３ｓ，１４ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【００７４】
基板回転保持機構１３，１５において、図６に示すように、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１３ｓ，１５ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１３ｓ，１５ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【００７５】
基板回転保持機構１５，１６において、図６に示すように、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１５ｓ，１６ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１５ｓ，１６ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【００７６】
基板回転保持機構１４，１６において、図６に示すように、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅと、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１４ｓ，１６ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１４ｓ，１６ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【００７７】
また、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４、基板回転保持機構１４と基板回転保持機構１６、基板回転保持機構１６と基板回転保持機構１５、基板回転保持機構１５と基板回転保持機構１３が、それぞれ、等しく最近接位置となるように配置されている。つまり、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅ、回転中心１４ｅと回転中心１６ｅ、回転中心１６ｅと回転中心１５ｅ、回転中心１５ｅと回転中心１３ｅが、いずれも等しい距離Ｌ１として配置されている。また、回転中心１３ｅと回転中心１６ｅ、回転中心１４ｅと回転中心１５ｅの間の距離は、長さＬ１に対してその２の平方根倍程度であるので、最近接距離とはならない。
【００７８】
基板回転保持機構１３〜１６において、図６に示すように、基板回転保持機構１３のステージ１３ａおよび基板回転保持機構１６のステージ１６ａの回転方向と、基板回転保持機構１４のステージ１４ａおよび基板回転保持機構１５のステージ１５ａの回転方向とは、逆向きとされ、かつ、その回転速度は等しくなるように設定されている。
【００７９】
また、このような相対位置とされた基板回転保持機構１３〜１６では、最近接距離として隣接する基板回転保持機構１３〜１６が、同期して互いに逆回転となるように回転方向を設定されている。具体的には、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４、基板回転保持機構１４と基板回転保持機構１６、基板回転保持機構１６と基板回転保持機構１５、基板回転保持機構１５と基板回転保持機構１３が、それぞれ互いに逆回転とされ、同一の回転速度となるように設定される。
【００８０】
本実施形態における基板回転保持機構１３〜１６において、成膜時の基板回転は、次のようにおこなわれる。
図７，図８は、本実施形態における成膜装置の基板回転保持機構を平面視した状態における基板回転状態を示す模式平面図である。
【００８１】
まず、初期状態として、図２に示した第１実施形態に対応して、図６に示すように、図中左上の基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの右向き位置の角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの下向き位置の角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。
【００８２】
同時に、図中右上の基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの左向き位置の一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの下向き位置の一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。
【００８３】
同時に、図中左下の基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの上向き位置の一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの右向き位置の一辺１５ｄの中点が、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。
【００８４】
さらに、図中右下の基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの左向き位置の角部頂点１６ｃが、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの上向き位置の角部頂点１６ｃが、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。
【００８５】
このとき、基板回転保持機構１３〜１６の回転中心１３ｅ〜１ｅの中点となる蒸着中心１２Ｃは、平面視していずれの基板１３ｓ〜１６ｓの輪郭内にも位置していない。
【００８６】
次いで、このような相対位置とされた基板回転保持機構１３〜１６では、最近接距離として隣接する基板回転保持機構１３〜１６が、互いに逆回転となるように同期して回転させる。具体的には、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４、基板回転保持機構１４と基板回転保持機構１６、基板回転保持機構１６と基板回転保持機構１５、基板回転保持機構１５と基板回転保持機構１３が、それぞれ互いに逆回転とされ、図６で左上に位置する基板回転保持機構１３と右下に位置する基板回転保持機構１６とを左回りに、また、図６で右上に位置する基板回転保持機構１４と左下に位置する基板回転保持機構１５とを右回りに、回転させるとともに、同一の回転速度となるように回転させる。
【００８７】
すると、図７に示すように、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄと、基板回転保持機構１４における基板１４ｓの一辺１４ｄとが、平行な状態となる。同時に、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄと、基板回転保持機構１５における基板１５ｓの一辺１５ｄとが、平行な状態となる。同時に、基板回転保持機構１５における基板１５ｓの一辺１５ｄと、基板回転保持機構１６における基板１６ｓの一辺１６ｄとが、平行な状態となる。同時に、基板回転保持機構１６における基板１６ｓの一辺１６ｄと、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄとが、平行な状態となった回転位置関係になる。
【００８８】
その後、さらに基板１３ｓ〜１６ｓが回転すると、図８に示すように、図中左上の基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの右向き位置の一辺１３ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。また、この基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの下向き位置の一辺１３ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。
【００８９】
同時に、図中右上の基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの左向き位置の角部頂点１４ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。また、この基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの下向き位置の角部頂点１４ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。
【００９０】
同時に、図中左下の基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの上向き位置の角部頂点１５ｃが、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。また、この基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの右向き位置の角部頂点１５ｃが、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。
【００９１】
さらに、図中右下の基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの左向き位置の一辺１６ｄの中点が、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。また、この基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの上向き位置の一辺１６ｄの中点が、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置となる。
【００９２】
さらに回転させると、図７に示す回転位置関係を左右に反転させた状態を経て、図６に示す回転位置関係まで戻ることになる。
【００９３】
本実施形態においては、このように、基板回転保持機構１３，１４において、回転中心１３ｅ，１４ｅどうしを結ぶ線上で基板１３ｓ輪郭の右向きの位置の角部頂点１３ｃに基板１４ｓ輪郭の左向き位置の一辺１４ｄ中央が対向する位置状態となるとともに、基板回転保持機構１３，１５において、回転中心１３ｅ，１５ｅどうしを結ぶ線上で基板１３ｓ輪郭の下向きの位置の角部頂点１３ｃに基板１５ｓ輪郭の上向き位置の一辺１５ｄ中央が対向する位置状態となるとともに、基板回転保持機構１５，１６において、回転中心１５ｅ，１６ｅどうしを結ぶ線上で基板１５ｓ輪郭の右向き位置の一辺１５ｄ中央に基板１６ｓ輪郭の左向きの位置の角部頂点１６ｃが対向する位置状態となるとともに、基板回転保持機構１６，１４において、回転中心１６ｅ，１４ｅどうしを結ぶ線上で基板１６ｓ輪郭の上向きの位置の角部頂点１６ｃに基板１４ｓ輪郭の下向き位置の一辺１４ｄ中央が対向する位置状態となる位相差を維持しながら互いに逆回転させる。
【００９４】
これにより、右向きの位置の角部頂点１３ｃと左向き位置の一辺１４ｄ中央、下向き位置の角部頂点１３ｃと上向き位置の一辺１５ｄ中央、右向き位置の一辺１５ｄ中央と左向きの位置の角部頂点１６ｃ、上向きの位置の角部頂点１６ｃと下向き位置の一辺１４ｄ中央、がそれぞれ対向した状態、つまり、最近接位置となるそれぞれの基板１３ｓと基板１４ｓ、基板１３ｓと基板１５ｓ、基板１５ｓと基板１６ｓ、基板１６ｓと基板１４ｓ、が最も接近した状態で、それぞれの輪郭が接触しないように、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅ、回転中心１３ｅと回転中心１５ｅ、回転中心１５ｅと回転中心１６ｅ、回転中心１６ｅと回転中心１４ｅにおけるそれぞれの距離を設定することが可能となる。これにより、基板１３ｓ〜１６ｓを回転しても、これらの基板１３ｓ〜１６ｓが互いに接触することがない。
【００９５】
同時に、４枚の基板１３ｓ〜１６ｓを同じ方向に回転した場合に比べて、それぞれ回転中心１３ｅ〜１６ｅ間の距離を可能な限り短く設定して、これらの基板１３ｓ〜１６ｓの間で、不必要に成膜がおこなわれてしまう領域を低減することができる。これにより、付着物の量を削減して、蒸発させる蒸着材のうち、基板の成膜に使われる量、つまり、蒸着材の成膜効率を向上することが可能となり、準備する蒸着材の総量を削減することができる。
【００９６】
本実施形態によれば、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、さらに、１処理での処理枚数を増やせるため生産性が向上することができる。
また、本実施形態においては、基板１３ｓを左回転として設定したが、逆の回転方向とすることもできる。この場合、他の基板１４ｓ〜１６ｓも逆方向への回転となる。
【００９７】
以下、本発明に係る成膜装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
図９は、本実施形態における成膜装置を示す模式正面図である。
本実施形態において上述した第１実施形態と異なるのは回転軸の角度および上防着カバー部に関する点であり、これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００９８】
本実施形態の成膜装置１０においては、図９に示すように、２つの基板回転保持機構１３，１４が設けられ、それぞれの回転軸１３ｂ，１４ｂが、鉛直方向に対して、４５°〜７５°の範囲となるように設定される。回転軸１３ｂ，１４ｂは、いずれも蒸着中心１２Ｃを含む同一の鉛直面内に位置する状態とされており、それぞれステージ１３ａ，１４ａが異なる傾斜面内で回転可能とされている。
また、本実施形態の成膜装置１０においては、図９に示すように、上防着カバー部１８が設けられている。
【００９９】
同時に、本実施形態における基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４とは、図９に示すように、蒸着中心１２Ｃから鉛直方向に伸ばした直線に対して左右対称とされ、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結んだ直線の中点が、蒸着中心１２Ｃから鉛直方向に伸ばした位置と一致するように設定されている。
【０１００】
つまり、本実施形態における基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４とは、図２に示した第１実施形態において、図中で蒸着中心１２Ｃを通る上下方向の直線から紙面を山折りとした状態とされている。
【０１０１】
ここで、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとは、いずれも同一高さとなるように設置されている。回転軸１３ｂ，１４ｂは、それぞれが駆動部１９に接続されてこの駆動部１９により逆向きに回転可能とされている。
【０１０２】
回転軸１３ｂ，１４ｂが鉛直方向に対してなす角度が大きい場合には、基板１３ｓと基板１４ｓとは、互いの主面どうしが対向した状態に近くなる。したがって、この場合、基板１３ｓと基板１４ｓとは、平面視した場合、互いに逆向きに回転する状態であるが、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとを結んだ直線と一致する方向から側面視した場合に、基板１３ｓと基板１４ｓとが同じ方向に回転する状態に近くなる。
【０１０３】
本実施形態の上防着カバー部１８は、基板１３ｓと基板１４ｓとが最近接した位置よりも上側位置で、回転軸１３ｂ，１４ｂよりも上側部分を覆うように設けられている。
【０１０４】
本実施形態における基板回転保持機構１３，１４において、成膜時の基板回転は、次のようにおこなわれる。
【０１０５】
本実施形態においては、初期状態として、図２に示した第１実施形態と同様に、基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの一辺１３ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ鉛直面内上側に位置する回転位置とする。同時に、基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの角部頂点１４ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ鉛直面内上側に位置する回転位置とする。
【０１０６】
ここで、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ鉛直面は、蒸着中心１２Ｃ含む同一の鉛直面とされている。
つまり、基板１３ｓの一辺１３ｄの中点と、基板１４ｓの角部頂点１４ｃとが、両基板１３ｓ，１４ｓにおける最近接点となっている。
【０１０７】
次いで、このような相対位置とされた隣接する基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４とにおいて、基板回転保持機構１３を平面視して右回りに、また、基板回転保持機構１４を平面視して左回りに、同一の回転速度となるように同期して回転させる。
【０１０８】
このとき、図９に示すように、基板回転保持機構１３は、図における基板１３ｓ手前側が下向きに回転させ、また、基板回転保持機構１４も、図における基板１４ｓ手前側が下向きに回転させる。
【０１０９】
すると、図３に示した第１実施形態と同様に、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄと、基板回転保持機構１４における基板１４ｓの一辺１４ｄとが、平行な状態となる。この回転位置関係において、蒸着中心１２Ｃは、基板１３ｓの一辺１３ｄおよび基板１４ｓの一辺１４ｄよりも外側に位置することになる、つまり、蒸着中心１２Ｃは、基板１３ｓおよび基板１４ｓの輪郭外側に位置することになる。
【０１１０】
このとき、本実施形態における基板回転保持機構１３，１４は、図３に示した第１実施形態において、図中で蒸着中心１２Ｃを通る上下方向の直線から紙面を山折りとした状態とされており、平行状態の基板１３ｓの一辺１３ｄおよび基板１４ｓの一辺１４ｄが、いずれも基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ直線に対して、ねじれの位置となる。
【０１１１】
その後、さらに両基板１３ｓ，１４ｓが回転すると、図４に示した第１実施形態と同様に、基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを含む鉛直面内上側に位置する回転位置となる。同時に、基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを含む鉛直面内上側に位置する回転位置となる。
【０１１２】
さらに回転させると、図３に示した第１実施形態と同様の回転位置関係を左右に反転させた状態を経て、図２に示した第１実施形態と同様の回転位置関係まで戻ることになる。
【０１１３】
本実施形態においては、このように、基板回転保持機構１３，１４において、これら基板１３ｓ，１４ｓの回転中心１３ｅ，１４ｅどうしを結ぶ鉛直面内上側で、両基板１３ｓ，１４ｓにおける最近接点である基板１３ｓの一辺１３ｄの中点と、基板１４ｓの角部頂点１４ｃとが、互いに対向する位置状態となる位相差を維持しながら、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとを結んだ直線と一致する方向から側面視した場合に、対向する基板１３ｓと基板１４ｓとが同じ方向に回転する状態となっている。
【０１１４】
しかも、基板１３ｓと基板１４ｓとの間で、蒸着源１２に対応する上側は、上防着カバー部１８に覆われているため、この領域を通過してさらに上側に蒸着材が飛散することがない。
【０１１５】
しかも、このような上防着カバー部１８に覆われた不必要に成膜がおこなわれてしまう領域でも、そのほとんどが、基板１３ｓ輪郭の角部頂点１３ｃと基板１４ｓ輪郭の角部頂点１４ｃとが交互に通過する領域となり、成膜時間の全体でおこなわれる不必要な成膜を低減して付着物の量を削減し、蒸発させる蒸着材のうち、基板の成膜に使われる量、つまり、蒸着材の成膜効率を向上することが可能となり、準備する蒸着材の総量を削減することができる。
【０１１６】
本実施形態によれば、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、さらに、１処理での処理枚数を増やせるため生産性が向上することができ、また、成膜チャンバの容積を減少させることが出できるため、装置の小型化、および、真空引き時間の短縮を図ることができる。
【０１１７】
以下、本発明に係る成膜装置の第４実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１０は、本実施形態における成膜装置を示す斜視図である。
本実施形態において上述した第１実施形態と異なるのは設けられた基板回転保持機構の個数および回転軸の角度に関連する点であり、これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１１８】
本実施形態における成膜装置１０においては、図１０に示すように、４つの基板回転保持機構１３〜１６が設けられて、同時に略同形の基板１３ｓ〜１６ｓを処理可能とされている。
本実施形態の成膜装置１０においては、また、隣接する２つの基板回転保持機構１３，１４が同一の傾斜平面内で基板１３ｓ，１４ｓを回転可能に設けられ、隣接する２つの基板回転保持機構１５，１６が同一の傾斜平面内で基板１５ｓ，１６ｓを回転可能に設けられている。これら基板１３ｓ，１４ｓが回転する傾斜平面と、基板１５ｓ，１６ｓが回転する傾斜平面とは、蒸着中心１２Ｃを通り回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとを結んだ直線に平行な直線に対して対称な位置に配置されている。
【０１１９】
本実施形態の成膜装置１０においては、４つの基板回転保持機構１３〜１６のうち、回転軸１３ｂおよび回転軸１４ｂが平行状態とされ、回転軸１３ｂおよび回転軸１４ｂが鉛直方向から同じ向きに傾斜しており、その傾斜角度が４５°〜７５°の範囲となるように設定されている。
【０１２０】
同時に、回転軸１５ｂおよび回転軸１６ｂが平行状態とされ、回転軸１５ｂおよび回転軸１６ｂが鉛直方向から同じ向きに傾斜しており、その傾斜角度が４５°〜７５°の範囲となるように設定されている。
【０１２１】
同時に、回転軸１３ｂと回転軸１５ｂが同一の鉛直面内に位置する状態とされており、また、回転軸１６ｂと回転軸１４ｂが同一の鉛直面内に位置する状態とされており、それぞれステージ１３ａとステージ１５ａ、ステージ１６ａとステージ１４ａが互いに異なる傾斜面内で回転可能とされている。
【０１２２】
回転軸１３ｂおよび回転軸１４ｂの傾斜角度と、回転軸１５ｂおよび回転軸１６ｂの傾斜角度とは、全て等しくなるように設定されている。
また、回転軸１３ｂおよび回転軸１５ｂが含まれる鉛直面と、回転軸１４ｂおよび回転軸１６ｂが含まれる鉛直面とは、互いに平行とされており、蒸着中心１２Ｃを含む鉛直面と平行で、この蒸着中心１２Ｃを含む鉛直面に対して対称な位置に配置されている。
【０１２３】
つまり、本実施形態における基板回転保持機構１３〜１６は、図６に示した第２実施形態において、図中で蒸着中心１２Ｃを通る左右方向の直線から紙面を山折りとした状態として配置されている。
【０１２４】
ここで、回転中心１３ｅ〜１６ｅは、いずれも同一高さとなるように設置されている。
回転軸１３ｂと回転軸１４ｂ、回転軸１５ｂと回転軸１６ｂは、それぞれが駆動部１９に接続されて、この駆動部１９により、基板回転平面内において互いに逆向きに回転可能とされている。
同時に、回転軸１３ｂと回転軸１５ｂ、回転軸１６ｂと回転軸１４ｂは、駆動部１９により、回転軸を含む鉛直面内において互いに逆向きに回転可能とされている。
【０１２５】
回転軸１３ｂ，１５ｂが鉛直方向に対してなす角度が大きい場合には、基板１３ｓと基板１５ｓとは、互いの主面どうしが対向した状態に近くなる。したがって、この場合、基板１３ｓと基板１５ｓとは、平面視した場合、互いに逆向きに回転する状態であるが、回転中心１３ｅと回転中心１５ｅとを結んだ直線と一致する方向から側面視した場合に、基板１３ｓと基板１５ｓとが同じ方向に回転する状態に近くなる。
【０１２６】
同様に、回転軸１４ｂ，１６ｂが鉛直方向に対してなす角度が大きい場合には、基板１４ｓと基板１６ｓとは、互いの主面どうしが対向した状態に近くなる。したがって、この場合、基板１４ｓと基板１６ｓとは、平面視した場合、互いに逆向きに回転する状態であるが、回転中心１４ｅと回転中心１６ｅとを結んだ直線と一致する方向から側面視した場合に、基板１４ｓと基板１６ｓとが同じ方向に回転する状態に近くなる。
【０１２７】
基板回転保持機構１３，１４において、図６に示した第２実施形態と同様に、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１３ｓ，１４ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１３ｓ，１４ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【０１２８】
基板回転保持機構１５，１６において、図６に示した第２実施形態と同様に、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとの距離Ｌ１は、矩形の基板１５ｓ，１６ｓの一辺の長さの半分Ｌ２と、矩形の基板１５ｓ，１６ｓの対角線長さの半分Ｌ３とに対して、これらの関係が、
Ｌ１ ＞ Ｌ２＋Ｌ３    ………（式１）
Ｌ３ ＞ （Ｌ１）／２  ………（式２）
２×Ｌ３ ＞ Ｌ１      ………（式３）
を満たすように設定されている。
【０１２９】
本実施形態の成膜装置１０の真空チャンバ１１には、図１０に示すように、蒸着源１２の出し入れや蒸着材の補充等をおこなうために、開閉扉１１ｆ３が設けられ、基板１３ｓ，１４ｓの搬出搬入、真空チャンバ１１内部のクリーニングをおこなうために、開閉扉１１ｆ２が設けられ、基板１３ｓ，１４ｓの搬出搬入、真空チャンバ１１内部のクリーニングをおこなうために、開閉扉１１ｆ１が設けられることができる。
【０１３０】
開閉扉１１ｆ３は、真空チャンバ１１の下側に、また、開閉扉１１ｆ１，１１ｆ２は、真空チャンバ１１の上側に位置することができる。
これら開閉扉１１ｆ１〜１１ｆ３は、図５に示した第１実施形態における開閉扉１１ｆに対応している。
【０１３１】
本実施形態における基板回転保持機構１３〜１６において、成膜時の基板回転は、次のようにおこなわれる。
【０１３２】
本実施形態にいては、初期状態として、図６に示した第２実施形態と同様に、基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの基板回転保持機構１４側位置の角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの上向き位置の角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを含む鉛直面内に位置する回転位置とする。
【０１３３】
同時に、基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの基板回転保持機構１３側位置の一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの上向き位置の一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを含む鉛直面内に位置する回転位置とする。
【０１３４】
同時に、基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの上向き位置の一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅとを含む鉛直面内に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの基板回転保持機構１６側位置の一辺１５ｄの中点が、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。
【０１３５】
さらに、基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの基板回転保持機構１５側位置の角部頂点１６ｃが、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを結ぶ線上に位置する回転位置とする。また、この基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの上向き位置の角部頂点１６ｃが、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを含む鉛直面内に位置する回転位置とする。
【０１３６】
このとき、基板回転保持機構１３〜１６の回転中心１３ｅ〜１６ｅの中点となる蒸着中心１２Ｃは、平面視していずれの基板１３ｓ〜１６ｓの輪郭内にも位置していない。
【０１３７】
次いで、このような相対位置とされた基板回転保持機構１３〜１６では、最近接距離として隣接する基板回転保持機構１３〜１６が、平面視して互いに逆回転となるように回転させる。具体的には、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４、基板回転保持機構１４と基板回転保持機構１６、基板回転保持機構１６と基板回転保持機構１５、基板回転保持機構１５と基板回転保持機構１３が、それぞれ平面視して互いに逆回転させるとともに、同一の回転速度となるように同期して回転させる。
【０１３８】
このとき、図１０に示すように、基板回転保持機構１３は、図における基板１３ｓの開閉扉１１ｆ３側が下向きに回転させ、また、基板回転保持機構１４も、図における基板１４ｓの開閉扉１１ｆ３側が下向きに回転させる。
【０１３９】
すると、図７に示した第２実施形態と同様に、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄと、基板回転保持機構１４における基板１４ｓの一辺１４ｄとが、平行な状態となる。同時に、基板回転保持機構１３における基板１３ｓの一辺１３ｄと、基板回転保持機構１５における基板１５ｓの一辺１５ｄとが、平行な状態となる。
【０１４０】
同時に、基板回転保持機構１５における基板１５ｓの一辺１５ｄと、基板回転保持機構１６における基板１６ｓの一辺１６ｄとが、平行な状態となる。同時に、基板回転保持機構１６における基板１６ｓの一辺１６ｄと、基板回転保持機構１４における基板１４ｓの一辺１４ｄとが、平行な状態となる。
【０１４１】
この回転位置関係において、蒸着中心１２Ｃは、平面視して、いずれの基板１３ｓ〜１６ｓの輪郭外側に位置することになる。
【０１４２】
このとき、本実施形態における基板回転保持機構１３〜１６は、図７に示した第２実施形態において、図中で蒸着中心１２Ｃを通る左右方向の直線から紙面を山折りとした状態とされており、平行状態の基板１３ｓの一辺１３ｄおよび基板１４ｓの一辺１４ｄが、いずれも回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとを結ぶ直線に対して、ねじれの位置となる。
【０１４３】
同時に、平行状態の基板１３ｓの一辺１３ｄおよび基板１５ｓの一辺１５ｄが、いずれも回転中心１３ｅと回転中心１５ｅとを結ぶ直線に対して、ねじれの位置となる。
同時に、平行状態の基板１５ｓの一辺１５ｄおよび基板１６ｓの一辺１６ｄが、いずれも回転中心１５ｅと回転中心１６ｅとを結ぶ直線に対して、ねじれの位置となる。
また、平行状態の基板１６ｓの一辺１６ｄおよび基板１４ｓの一辺１４ｄが、いずれも回転中心１６ｅと回転中心１４ｅとを結ぶ直線に対して、ねじれの位置となる。
【０１４４】
その後、さらに４枚の基板１３ｓ〜１６ｓが回転すると、図８に示した第２実施形態と同様に、基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４との回転面内で、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとを結ぶ直線上に位置する回転位置となる。同時に、基板回転保持機構１３において、基板１３ｓの角部頂点１３ｃが、基板回転保持機構１３の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅとを含む鉛直面内で上側に位置する回転位置となる。
【０１４５】
同時に、基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４との回転面内で、回転中心１３ｅと回転中心１４ｅとを結ぶ直線上に位置する回転位置となる。同時に、基板回転保持機構１４において、基板１４ｓの一辺１４ｄの中点が、基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅと基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅとを含む鉛直面内上側に位置する回転位置となる。
【０１４６】
同時に、基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの一辺１５ｄの中点が、基板回転保持機構１５と基板回転保持機構１６との回転面内で、回転中心１５ｅと回転中心１６ｅとを結ぶ直線上に位置する回転位置となる。同時に、基板回転保持機構１５において、基板１５ｓの一辺１５ｄの中点が、基板回転保持機構１５の回転中心１５ｅと基板回転保持機構１３の回転中心１３ｅとを含む鉛直面内上側に位置する回転位置となる。
【０１４７】
同時に、基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの角部頂点１６ｃが、基板回転保持機構１６と基板回転保持機構１５との回転面内で、回転中心１５ｅと回転中心１６ｅとを結ぶ直線上に位置する回転位置となる。同時に、基板回転保持機構１６において、基板１６ｓの角部頂点１６ｃが、基板回転保持機構１６の回転中心１６ｅと基板回転保持機構１４の回転中心１４ｅとを含む鉛直面内で上側に位置する回転位置となる。
【０１４８】
さらに回転させると、図７に示した第２実施形態と同様の回転位置関係を左右に反転させた状態を経て、図６に示した第２実施形態と同様の回転位置関係まで戻ることになる。
【０１４９】
本実施形態においては、このように、基板回転保持機構１３，１４において、基板回転保持機構１３と基板回転保持機構１４との回転面内で、これら基板１３ｓ，１４ｓの回転中心１３ｅ，１４ｅどうしを結ぶ線上で、基板１３ｓ輪郭の辺１３ｄ中央に基板１４ｓ輪郭の角部頂点１４ｃが対向する位置状態となる位相差を維持しながら同期して互いに逆回転する状態となっている。
【０１５０】
同時に、基板回転保持機構１５，１６において、基板回転保持機構１５と基板回転保持機構１６との回転面内で、これら基板１５ｓ，１６ｓの回転中心１５ｅ，１６ｅどうしを結ぶ線上で、基板１６ｓ輪郭の辺１６ｄ中央に他方の基板１５ｓ輪郭の角部頂点１５ｃが対向する位置状態となる位相差を維持しながら同期して互いに逆回転する状態となっている。
【０１５１】
同時に、基板回転保持機構１３，１５において、これら基板１３ｓ，１５ｓの回転中心１３ｅ，１５ｅどうしを含む鉛直面内上側で、両基板１３ｓ，１４ｓにおける最近接点である基板１３ｓの一辺１３ｄの中点と、基板１５ｓの角部頂点１５ｃとが、互いに対向する位置状態となる位相差を維持しながら、回転中心１３ｅと回転中心１５ｅとを結んだ直線と一致する方向から側面視した場合に、対向する基板１３ｓと基板１５ｓとが同期して同じ方向に回転する状態となっている。
【０１５２】
同時に、基板回転保持機構１４，１６において、これら基板１４ｓ，１６ｓの回転中心１４ｅ，１６ｅどうしを含む鉛直面内上側で、両基板１４ｓ，１６ｓにおける最近接点である基板１６ｓの一辺１６ｄの中点と、基板１４ｓの角部頂点１４ｃとが、互いに対向する位置状態となる位相差を維持しながら、回転中心１４ｅと回転中心１６ｅとを結んだ直線と一致する方向から側面視した場合に、対向する基板１４ｓと基板１６ｓとが同期して同じ方向に回転する状態となっている。
【０１５３】
本実施形態によれば、第１から第３実施形態と同等の効果を奏することができる。
【実施例】
【０１５４】
以下、本発明にかかる実施例を説明する。
【０１５５】
ここでは、図１０に示すように、２枚ずつ傾斜した平面内で同期して回転させた４枚の基板に、蒸着によりシンチレーション層を形成し実施例１とした。その際における諸元を示す。
基板寸法；４６０ｍｍ×４６０ｍｍ
基板間距離Ｌ１−（Ｌ２＋Ｌ３）；４．７ｍｍ
蒸着材料；ＣｓＩ
成膜厚；６００μｍ
このときの、基板あおり角度と、基板蒸発源距離と、基板オフセットと、材料付着効率（全基板付着量／全蒸発量）と、基板に成膜された膜厚分布とを表１に示す。
【０１５６】
【表１】
2019196513.tif 000003
【０１５７】
さらに、実施例１よりも基板間距離Ｌ１−（Ｌ２＋Ｌ３）を大きくして９５ｍｍとし、同期回転しなくても基板が接触しない基板間距離として、４枚の基板に成膜し比較例１とした。なお基板蒸発源距離Ｓ１は、対向する基板の回転中心を結ぶ線と、蒸発源との最短距離を示す。また、基板オフセットＬ４は、蒸発源の中心からの垂線と、基板の回転中心との最短距離を示す。表１において、基板蒸発源距離Ｓ１が、実施例１より比較例１の方が大きくなっているのは、膜厚分布を一定値内に収めるため、基板間距離が広がると基板蒸発源距離Ｓ１を大きくする必要があるためである。
【０１５８】
比較例１と同様に、基板間距離Ｌ１−（Ｌ２＋Ｌ３）を大きくして９５ｍｍとし、同期回転しなくても基板が接触しない基板間距離とするとともに、２枚の基板から等距離の位置に蒸着源を配置して２枚の基板に成膜し比較例２とした。ここで２枚の基板は、比較例１の４枚の内、同一平面状にある２枚が選択された。
【０１５９】
同様に、比較例１と同様の距離となるように、蒸着源を配置して１枚の基板に成膜し比較例３とした。ここで１枚の基板は、比較例１の４枚の内、任意の１枚が選択された。
【０１６０】
これら実施例、比較例１〜３において、材料付着効率（全基板付着量／全蒸発量）と、基板に成膜された膜厚分布とを表１に示す。
【０１６１】
表１に示す結果から、本発明のように、基板間距離を小さくし、同期して回転させた基板に成膜することで、材料付着効率を向上することができることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明の活用例として、例えば、複数の基板を回転して蒸着膜を形成する技術を挙げることができる。
【符号の説明】
【０１６３】
１０…成膜装置
１１…真空チャンバ
１２…蒸着源
１２Ｃ…蒸着中心
１３〜１６…基板回転保持機構
１３ｓ〜１６ｓ…基板
１３ｄ〜１６ｄ…輪郭辺（辺）
１３ｃ〜１６ｃ…角部頂点（角部）
１３ｂ〜１６ｂ…回転軸
１３ｅ〜１６ｅ…回転中心
１３ａ〜１６ａ…ステージ
１１ｆ，１１ｆ１，１１ｆ２，１１ｆ３…開閉扉
１９…駆動部
【図１】
2019196513.tif 000004
【図２】
2019196513.tif 000005
【図３】
2019196513.tif 000006
【図４】
2019196513.tif 000007
【図５】
2019196513.tif 000008
【図６】
2019196513.tif 000009
【図７】
2019196513.tif 000010
【図８】
2019196513.tif 000011
【図９】
2019196513.tif 000012
【図１０】
2019196513.tif 000013