(57)【要約】【課題】  パワー半導体モジュールの大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板上の表面電極の面積を拡大し沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】  パワー半導体モジュール１００は、第１の電極７−１と第２の電極７−２とが表裏面上に設けられる絶縁基板２と、第１の電極７−１に接合されたパワー半導体チップ１と、第２の電極７−２に接合された金属ベース３と、絶縁ケース５と、金属ベース３と絶縁ケース５とで形成される空間内に配置されて絶縁基板２とパワー半導体チップ１とを封止するシリコーンゲル６とを有し、絶縁基板２の互いに対向する側面同士もしくは絶縁基板２に対向する絶縁ケース５の側面と絶縁基板２の側面とが硬質樹脂８で接合され、硬質樹脂８は絶縁基板２が第１の電極７−１から露出している部分の一部及び絶縁基板２の側面の一部を覆うことを特徴とする。【選択図】  図１
2019046839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１枚の絶縁基板と、
前記絶縁基板の第１の面および前記第１の面の反対側の面である第２の面にそれぞれ固定された第１の電極および第２の電極と、
前記絶縁基板の前記第１の電極に接合されたパワー半導体チップと、
前記絶縁基板の前記第２の電極に接合された金属ベースと、
前記絶縁基板と前記第１の電極と前記第２の電極と前記パワー半導体チップとを共に収容する絶縁ケースと、
前記金属ベースと前記絶縁ケースとによって形成される空間の内部に配置され、前記絶縁基板と前記第１の電極と前記第２の電極と前記パワー半導体チップとを共に封止するシリコーンゲルと
を有するパワー半導体モジュールであって、
前記絶縁基板の互いに対向する側面同士の間、および前記絶縁基板に対向する前記絶縁ケースの側面と前記絶縁基板の側面との間の少なくともいずれか一方が硬質樹脂で互いに接合され、
前記硬質樹脂は、前記絶縁基板の前記第１の面であって前記第１の電極から露出している部分の一部または前記絶縁基板の前記第２の面であって前記第２の電極から露出している部分の一部のいずれか一方および前記絶縁基板の側面の一部を覆っている
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記絶縁基板の前記第１の面であって前記第１の電極から露出している部分および前記絶縁基板の側面の一部は前記シリコーンゲルで覆われ、
前記絶縁基板の前記第２の面であって前記第２の電極から露出している部分および前記絶縁基板の側面の他の一部は前記硬質樹脂で覆われ、
前記絶縁基板の前記第１の面を上方、前記第２の面を下方とした場合に、前記硬質樹脂の上方が前記シリコーンゲルと接し、前記硬質樹脂の下方が前記金属ベースと接している
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記絶縁基板の互いに対向する側面同士の間は前記硬質樹脂で互いに接合され、
前記絶縁基板の互いに対向する側面同士の間は、
前記絶縁基板の前記第１の面であって前記第１の電極から露出している部分の一部および前記絶縁基板の側面の一部が前記硬質樹脂で覆われ、
前記絶縁基板の前記第２の面であって前記第２の電極から露出している部分および前記絶縁基板の側面の他の一部が前記シリコーンゲルで覆われ、
前記絶縁基板の前記第１の面を上方、前記第２の面を下方とした場合に、前記硬質樹脂の上方および下方が前記シリコーンゲルと接している
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記絶縁基板に対向する前記絶縁ケースの側面と前記絶縁基板の側面との間は前記硬質樹脂で互いに接合され、
前記絶縁基板に対向する前記絶縁ケースの側面と前記絶縁基板の側面との間は、
前記絶縁基板の前記第１の面であって前記第１の電極から露出している部分の一部および前記絶縁基板の側面の一部が前記硬質樹脂で覆われ、
前記絶縁基板の前記第２の面であって前記第２の電極から露出している部分および前記絶縁基板の側面の他の一部が前記シリコーンゲルで覆われ、
前記絶縁基板の前記第１の面を上方、前記第２の面を下方とした場合に、前記硬質樹脂の上方および下方が前記シリコーンゲルと接し、
前記硬質樹脂は更に前記絶縁ケースの内壁面と接している
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項５】
請求項３に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記絶縁基板に対向する前記絶縁ケースの側面と前記絶縁基板の側面との間は前記硬質樹脂で互いに間接的に接合され、
前記絶縁ケースの内壁面上には突起が形成されており、前記突起と、前記絶縁基板の前記第１の面であって前記第１の電極から露出している部分の一部とが、前記硬質樹脂で互いに接合されることにより、前記絶縁基板に対向する前記絶縁ケースの側面と前記絶縁基板の側面とが互いに接合される
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記突起は、前記絶縁基板の前記第１の面を上方、前記第２の面を下方とした場合に、前記突起の上方と下方との間を貫通するスリットを有する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い絶縁信頼性が要求される高耐電圧のパワー半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体モジュールを搭載する電力変換器（コンバータまたはインバータ）は鉄道・自動車・産業および電力・社会インフラなどの各分野に幅広く使用されている。
【０００３】
従来、特に高温で動作する半導体装置に係る樹脂封止の信頼性向上のための技術として、表面電極パターン・裏面電極パターンが形成された絶縁基板と、表面電極パターンに接合された半導体素子とを、エポキシ樹脂等を含む第一の封止樹脂によって封止すると共に、表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない絶縁基板の部分と第一の封止樹脂とを、第一の封止樹脂より弾性率が小さいシリコーン樹脂等を含む第二の封止樹脂で覆って半導体装置を構成することで、高温動作時に、弾性率が小さい第二の封止樹脂で応力を緩和するとともに、第一の封止樹脂の端部での応力集中を緩和しようとする技術があった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、従来、樹脂封止型インバーターモジュールの絶縁信頼性を向上させる技術として、ベース金属板上に接合された無機基板（絶縁基板）と、この無機基板の周縁部を露出させるように無機基板上に形成された導体箔（電極）と、この導体箔上に搭載された半導体素子とをシリコーンゲルで封止すると共に、導体箔の外周側面部および無機基板の周縁部を、シリコーンゲルより高い破壊電圧を有する加熱硬化型の樹脂被覆物で被覆してインバーターモジュールを構成することで、無機基板の端から導体箔までの沿面距離が短くても電界緩和を可能ならしめ、以てインバーターモジュールの絶縁信頼性向上と小型化・大容量化とを図ろうとする技術があった（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１６６８４号公報
【特許文献２】特開２００４−１４９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高電圧を扱うパワー半導体モジュールには高い絶縁信頼性が要求される。パワー半導体モジュールの外周部は空気／絶縁物の沿面によって絶縁され、所定の環境において短絡や放電が発生しないように空間距離や沿面距離が規格(例えばIEC60664)によって定められている。また、パワー半導体チップ、絶縁基板、ボンディングワイヤ等が高密度に実装されるモジュール内部は、空間距離や沿面距離を大きくすることで絶縁性を確保することが困難であるため、内部実装部材の周囲を絶縁樹脂で封止し各部材間の絶縁を図っている。
【０００７】
モジュール内部を封止する絶縁樹脂材としては、エポキシ樹脂等の硬質樹脂と、シリコーンゲル等の軟質樹脂との２つに大別される。例えば、定格電流が数十アンペア程度の低容量・小型のパワー半導体モジュールでは、絶縁封止樹脂として硬質樹脂が用いられるのが一般的であり、例えば、特許文献１に記載の絶縁封止樹脂がそれに該当すると考えられる。硬質樹脂封止型のパワー半導体モジュールは一般的にサイズが小さいため、仮に硬質樹脂封止によってモジュール内部の部材間に歪・応力が発生したとしても、その歪・応力は小規模のものであることがほとんどであって、それが問題となることは極めて少ないと考えられる。
【０００８】
一方、このような硬質樹脂封止型のパワー半導体モジュールに対し、大容量(定格電流が百アンペア以上)でモジュールサイズの大きなパワー半導体モジュールでは、絶縁封止樹脂としてシリコーンゲル等の軟質樹脂が用いられるのが一般的であり、例えば、特許文献２に記載の絶縁封止樹脂がそれに該当すると考えられる。パワー半導体チップ、絶縁基板、ボンディングワイヤ等が接合されているモジュール内部を剛性の高い硬質樹脂で封止してしまうと、部材間に大きな歪・応力を発生させ、内部部材へ機械的ダメージを与えてクラックを発生させたり、硬質樹脂との間に界面剥離を引き起こしたりする可能性があるため、これを回避するために、柔らかく、部材間の歪・応力を吸収・緩和する軟質樹脂が使用される。
【０００９】
図５に軟質樹脂で絶縁封止する一般的なパワー半導体モジュールの構造を示す。パワー半導体モジュール５００は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor：金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ）等のパワー半導体チップ１、絶縁基板２、金属ベース３、ボンディングワイヤ４、絶縁ケース５、絶縁封止材であって軟質樹脂であるシリコーンゲル６等を有して構成される。絶縁基板２は、表面電極７−１および裏面電極７−２がそれぞれ一方の面（例えば表面）および他方の面（例えば裏面）にろう付けされており、表面電極７−１にパワー半導体チップ１が半田接合され、裏面電極７−２と金属ベース３とが互いに半田接合されている。パワー半導体チップ１と絶縁基板２上の表面電極７−１とはボンディングワイヤ４によって互いに電気的に接続されている。金属ベース３の周縁部には絶縁ケース５が接着剤により固定され、金属ベース３と絶縁ケース５とによって形成される空間の内部にシリコーンゲル６が貯留することで、表面電極７−１および裏面電極７−２を伴った絶縁基板２およびパワー半導体チップ１が当該空間の内部に封止されている。硬質樹脂と比べシリコーンゲルの絶縁破壊強度は比較的小さく、それを上回る電界強度がシリコーンゲル６に加わると絶縁破壊が生じてパワー半導体モジュール及びそれを用いた機器の故障を引き起こす虞があるため、それを回避する対策が施される。
【００１０】
パワー半導体モジュール５００の中で電界が集中する箇所は絶縁基板２の端部であり、当該箇所の電界強度がシリコーンゲル６の絶縁破壊電界強度を上回ると、はじめに電極端部近傍のシリコーンゲル６内で局所絶縁破壊が発生して熱やガスが生じ、柔らかいシリコーンゲル６中にボイドが形成される。シリコーンゲル６等の絶縁樹脂と比べてボイドの絶縁破壊強度は小さく、ボイド部分でさらに局所絶縁破壊が生じ、新たにボイドが発生する。これらの局所絶縁破壊が連鎖的に進展していき、シリコーンゲル中の絶縁破壊による放電は絶縁基板２上の電極端部から絶縁基板２の表面・側面に沿って金属ベース３（低電位部）まで沿面放電し、最終的にパワー半導体モジュール５００の短絡破壊に至る。それを回避するために、従来は、絶縁基板２の端部と表面電極７−１の端部との間の沿面距離を長めに確保（例えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度確保）することで、上記沿面放電を抑制する態様にしていた。
【００１１】
しかし、パワー半導体モジュール５００には高耐電圧化とともに大容量化が要求される。大容量化にともないパワー半導体チップ１のサイズを大型化するため、パワー半導体チップ１を搭載する絶縁基板２のサイズも大型化する必要があるが、その一方で、パワー半導体モジュール５００のパッケージサイズはできるだけ小型化（もしくはサイズを大きくすることなく汎用現行サイズを維持）することが望まれる。そのため、絶縁基板２のサイズを大きくすることなく、絶縁基板２上の電極７−１・７−２の面積のみを拡大化することで、大型化したパワー半導体チップ１を搭載できるようにすることが必要となる。しかしながら、絶縁基板２のサイズを変更せずに電極７−１・７−２の面積を拡大化すると、絶縁基板２の端部と電極７−１・７−２の端部との間の沿面距離が短くなり、絶縁信頼性が低下するという問題があった。
【００１２】
この問題に対し、特許文献２に記載の技術は、電界が集中する表面電極１の端部にシリコーンゲル８より絶縁破壊強度の高い硬質樹脂（樹脂被覆物１０）をコーティングすることで、シリコーンゲル８中での局所絶縁破壊を防止し、沿面距離が短くても沿面放電による短絡破壊を抑制して絶縁信頼性を担保する態様にしている。しかしながら、特許文献２の技術では、電極１端部の下端でのシリコーンゲル８の絶縁破壊は防止できたとしても、電極１端部の上端はシリコーンゲル８と接しているため、当該箇所でシリコーンゲル８が絶縁破壊し、以て沿面放電により短絡破壊に至る虞があるという問題があった。
【００１３】
したがって、パワー半導体モジュールの大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板上の表面電極の面積を拡大して沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュールを提供することが課題となる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明のパワー半導体モジュールの主な特徴は、以下の通りである。
【００１５】
すなわち、本発明のパワー半導体モジュールは、少なくとも１枚の絶縁基板と、前記絶縁基板の第１の面および前記第１の面の反対側の面である第２の面にそれぞれ固定された第１の電極および第２の電極と、前記絶縁基板の前記第１の電極に接合されたパワー半導体チップと、前記絶縁基板の前記第２の電極に接合された金属ベースと、前記絶縁基板と前記第１の電極と前記第２の電極と前記パワー半導体チップとを共に収容する絶縁ケースと、前記金属ベースと前記絶縁ケースとによって形成される空間の内部に配置され、前記絶縁基板と前記第１の電極と前記第２の電極と前記パワー半導体チップとを共に封止するシリコーンゲルとを有するパワー半導体モジュールであって、前記絶縁基板の互いに対向する側面同士の間、および前記絶縁基板に対向する前記絶縁ケースの側面と前記絶縁基板の側面との間の少なくともいずれか一方が硬質樹脂で互いに接合され、前記硬質樹脂は、前記絶縁基板の前記第１の面であって前記第１の電極から露出している部分の一部または前記絶縁基板の前記第２の面であって前記第２の電極から露出している部分の一部のいずれか一方および前記絶縁基板の側面の一部を覆っていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、パワー半導体モジュールの大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板上の表面電極の面積を拡大して沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態（実施例１）に係るパワー半導体モジュールの構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態（実施例２）に係るパワー半導体モジュールの構成を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態（実施例２）に係るパワー半導体モジュールの作製方法を示す作製工程流れ図（フローチャート）である。
【図４】本発明の第３の実施形態（実施例３）に係るパワー半導体モジュールの構成を示す図である。
【図５】従来のパワー半導体モジュールの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明のパワー半導体モジュールの実施形態の例を、各実施例として図面に基づいて説明する。なお、各実施例において、同一構成部品には同符号を使用する。
【実施例１】
【００１９】
図１に本発明の第１の実施形態（実施例１）に係るパワー半導体モジュールの構成を示す。
【００２０】
該図に示す如く、本実施例のパワー半導体モジュール１００は、パワー半導体チップ１、絶縁基板２、金属ベース３、ボンディングワイヤ４、絶縁ケース５、絶縁封止材であって軟質樹脂であるシリコーンゲル６、および硬質樹脂８を有して構成される。具体的には、パワー半導体モジュール１００は、例えば、少なくとも１枚の絶縁基板２と、絶縁基板２の第１の面および第１の面の反対側の面である第２の面にそれぞれ固定された第１の電極７−１および第２の電極７−２と、絶縁基板２の第１の電極７−１に接合されたパワー半導体チップ１と、絶縁基板２の第２の電極７−２に接合された金属ベース３と、絶縁基板２と第１の電極７−１と第２の電極７−２とパワー半導体チップ１とを共に収容する絶縁ケース５と、金属ベース３と絶縁ケース５とによって形成される空間の内部に配置され、絶縁基板２と第１の電極７−１と第２の電極７−２とパワー半導体チップ１とを共に封止するシリコーンゲルとを有して構成される。絶縁基板２の互いに対向する側面同士の間、および絶縁基板２に対向する絶縁ケース５の側面と絶縁基板２の側面との間の少なくともいずれか一方は硬質樹脂で互いに接合される。硬質樹脂は、絶縁基板２の第１の面（例えば表面）であって第１の電極７−１から露出している部分の一部、または、絶縁基板２の第２の面（例えば裏面）であって第２の電極７−２から露出している部分の一部のいずれか一方と、絶縁基板２の側面の一部とを覆っている。
【００２１】
絶縁基板２には表面電極７−１および裏面電極７−２がそれぞれ第１の面および第２の面にろう付けされており、表面電極７−１上にパワー半導体チップ１が半田接合され、裏面電極７−２と金属ベース３とが半田接合される。パワー半導体チップ１と絶縁基板２の表面電極７−１とはボンディングワイヤ４により互いに電気的に接続される。金属ベース３の周縁部には絶縁ケース５が接着剤により固定され、金属ベース３と絶縁ケース５とによって形成される空間の内部にはシリコーンゲル６が配置され、これが当該空間内に貯留することで、表面電極７−１および裏面電極７−２を伴った絶縁基板２およびパワー半導体チップ１が当該空間の内部に封止される。絶縁基板２の側面と絶縁ケース５の側面（内壁面）との間は硬質樹脂８で互いに接合されており、例えば絶縁基板２が２枚設けられる場合は、当該２枚の絶縁基板２が互いに対向する側面同士が硬質樹脂８で互いに接合される。硬質樹脂の上側がシリコーンゲル６で充填されている。絶縁基板２の表面電極７−１の端部近傍のシリコーンゲル６で絶縁破壊が生じるとシリコーンゲル中に熱・ガスが発生し、軟質樹脂であるシリコーンゲル６の中には状況に応じてボイドが発生する。絶縁樹脂と比べてボイドの絶縁破壊強度は低いことから、従来技術であれば、発生したボイドでさらに絶縁破壊が生じ、これらの絶縁破壊が連鎖して絶縁基板表面、更にはその側面を通り、シリコーンゲル中の放電は進んでいくこととなる。そして、この放電が金属ベース３まで到達すると短絡破壊が生じる。しかし、本発明においては、表面電極７−１の端部と金属ベース３との間の沿面放電経路上に必ず硬質樹脂８が介在する構造であり、また、シリコーンゲル６の絶縁破壊では見られた、ボイドが発生しながら連鎖して進む放電は、硬質樹脂８では起こらないことから、所定の厚さの固体樹脂等の硬質樹脂８があればそこで放電が止まり、以て短絡破壊を防止することができる。ここで、所定の厚さとは、例えばパワー半導体モジュール１００の表面電極（高電位部）と金属ベース３（低電位部）との間に10kVrmsの電圧が印加され、絶縁破壊強度40kVrms/mmの固体樹脂を適用する場合には、最低でも0.25mm（10kVrms/40kVrms/mm）程度の厚さである。
【００２２】
本実施例によれば、パワー半導体モジュール１００の大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板２上の表面電極７−１の面積を拡大して沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュール１００を提供することができる。
【実施例２】
【００２３】
図２に本発明の第２の実施形態（実施例２）に係るパワー半導体モジュールの構成を示す。
【００２４】
該図に示す如く、本実施例のパワー半導体モジュール２００は、実施例１と比較すると、固体樹脂等の硬質樹脂８の上方および下方にシリコーンゲル６を配置する点で実施例１と異なるが、その点を除いた他の構成は実施例１と共通である。
【００２５】
実施例１のように絶縁基板２と金属ベース３との間を粘性の高い硬質樹脂８で封止する場合には空隙が生じやすい。かかる空隙が存在しても局所的な絶縁破壊（部分放電）が発生せず、絶縁信頼性が低下することのない条件下では、実施例１の構成は有効であるが、そのような条件下に無い場合は別の実施形態が必要となる可能性がある。本実施例の構成は、そのような場合を想定して提案したものであり、絶縁基板２と金属ベース３との隙間には粘性が低く流動性の高いシリコーンゲル６が配置され、これで当該箇所を封止するため、当該箇所に空隙をつくることなく絶縁樹脂を充填することが可能である。
【００２６】
図３は本実施例におけるパワー半導体モジュール２００の作製方法に対応する作製工程流れ図（フローチャート）３００を示す。絶縁基板２の表面電極７−１上のコレクタ電極にパワー半導体チップ１を半田で接合した後、パワー半導体チップ１と絶縁基板２の表面電極７−１上のエミッタ電極・ゲート電極とをボンディングワイヤ４によるワイヤボンディングで互いに電気的に接続し、絶縁基板２の裏面電極７−２と金属ベース３とを半田で互いに電気的に接続する。金属ベース３と絶縁ケース５とを接着剤で互いに接続した後、絶縁基板２と金属ベース３との間を充填する量のシリコーンゲル６を注入して硬化した後に絶縁基板２の側面と絶縁ケース５との間に硬質樹脂（熱硬化樹脂）８を注入し硬化する。絶縁基板２を複数枚使用する場合には、各絶縁基板２同士が対向する側面との間に硬質樹脂（熱硬化樹脂）８を注入し硬化する。モジュール外部への引き出し配線である主端子（図示せず）と絶縁基板２の表面電極７−１とを半田で互いに接合し、更に絶縁ケース５の蓋を絶縁ケース５の側面部材に接着して金属ベース３と絶縁ケース５とによって空間が形成されるようにする。最後に、当該空間の内部へシリコーンゲル６を注入して硬化させる。
【００２７】
本実施例によれば、絶縁基板２と金属ベース３との間に空隙が存在すると局所的な絶縁破壊（部分放電）が発生しやすくなる条件下においてもパワー半導体モジュール２００の大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板２上の表面電極７−１の面積を拡大して沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュール２００を提供することができる。
【実施例３】
【００２８】
図４に本発明の第３の実施形態（実施例３）に係るパワー半導体モジュールの構成を示す。
【００２９】
該図に示す如く、本実施例のパワー半導体モジュール４００は、実施例２と比較すると、絶縁ケース５の内壁面上の一部に突起９があり、突起９と絶縁基板２の一部とが硬質樹脂８で互いに接合される点で実施例２と異なるが、その点を除いた他の構成は実施例２と共通である。突起９と硬質樹脂８とを互いに接合した後に、シリコーンゲル６を注入・硬化する。ここで、突起２には突起２の上方と下方との間を貫通するスリットを設けてもよい。その場合、スリットがあるため、スリットを通して絶縁基板２の下方へもシリコーンゲル６を注入・配置することができる。また、実施例２では、硬質樹脂８を塗布・硬化する前に絶縁基板２の下方へシリコーンゲル６を注入・硬化し、硬質樹脂８を塗布・硬化した後にモジュール内部全体へシリコーンゲル６を注入・硬化するといった、シリコーンゲル６の注入・硬化プロセスが２回必要であった。これに対し、本実施例ではシリコーンゲル６の注入・硬化プロセスを１回に減らすことができるため、パワー半導体モジュール４００の作製がより簡易になる。
【００３０】
本実施例によれば、パワー半導体モジュール４００の大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板２上の表面電極７−１の面積を拡大して沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュール４００をより簡易な作製プロセスで提供することができる。
【符号の説明】
【００３１】
１  パワー半導体チップ
２  絶縁基板
３  金属ベース板
４  ボンディングワイヤ
５  絶縁ケース
６  シリコーンゲル
７−１  絶縁基板電極（表面電極）
７−２  絶縁基板電極（裏面電極）
８  硬質樹脂
９  ケース突起
【図１】
2019046839.tif 000003
【図２】
2019046839.tif 000004
【図３】
2019046839.tif 000005
【図４】
2019046839.tif 000006
【図５】
2019046839.tif 000007