(57)【要約】【課題】  本発明は、簡易な構成で、供給装置の位置を計測することができるインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のインプリント装置は、型を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、吐出口が形成された吐出面を有し、該吐出口から前記基板上にインプリント材を供給する供給装置と、前記型の表面の位置を計測する計測装置と、を備え、前記計測装置が、前記吐出面と垂直な方向に対して凸状又は凹状に形成された凹凸構造の位置を計測することによって、前記吐出口の位置を計測することを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、
吐出口が形成された吐出面を有し、該吐出口から前記基板上にインプリント材を供給する供給装置と、
前記型の表面の位置を計測する計測装置と、を備え、
前記計測装置が、前記吐出面と垂直な方向に対して凸状又は凹状に形成された凹凸構造の位置を計測することによって、前記吐出口の位置を計測することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記凹凸構造の形状を計測することによって前記吐出口の位置を計測することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記凹凸構造の高さを計測することによって前記吐出口の位置を計測することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記凹凸構造は前記吐出口に対して前記吐出面の所定の位置に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記計測装置は、前記基板を保持する基板保持部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記凹凸構造が前記吐出面に複数形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記凹凸構造の位置の計測結果に基づいて、前記吐出口から前記基板上に供給される前記インプリント材の位置を制御する制御部を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
型を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント方法であって、
前記型の表面の高さを計測する計測装置を用いて、前記基板上にインプリント材を供給する吐出口が形成された吐出面と垂直な方向に対して凸状又は凹状に形成された凹凸構造の位置を計測する工程と、
前記計測する工程によって計測された前記凹凸構造の位置に基づいて前記吐出口から前記基板上に供給されるインプリント材の位置を制御することによって、前記基板上にインプリント材を供給する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
請求項１乃至７の何れか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する加工工程と、を有し、該加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの物品を製造する方法として、型（モールド）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント技術が知られている。インプリント技術は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる（押印）。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材からモールドを引き離す（離型）ことにより、基板上にインプリント材のパターンが形成される。
【０００３】
インプリント技術において、基板上にインプリント材を供給する方法には、インプリント装置の外部の塗布装置（スピンコータ等）を用いて予め基板上にインプリント材を供給する方法や、インプリント装置に設置された供給装置を用いる方法がある。インプリント装置内の供給装置を用いてインプリント材を供給する場合、予め基板にパターンが形成されたショット領域など基板上の所定の位置にインプリント材を供給することが求められる。そのため、インプリント装置は、インプリント装置内に設置された供給装置の位置（供給装置から供給されるインプリント材の位置）を正確に把握する必要がある。
【０００４】
特許文献１のインプリント装置には、撮像装置が設けられており、供給装置に形成されたマークを撮像装置で撮像することによって供給装置の位置を求めている。供給装置から供給されるインプリント材の位置を正確に把握するためには、供給装置の吐出面（吐出口）を撮像する必要があるため、撮像装置は基板を保持する基板ステージに設けられている。このように、特許文献１のインプリント装置は、供給装置の位置を求めるための手段として、供給装置に形成されたマークを撮像する撮像装置を使用する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１５１０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のインプリント装置は、マークを撮像する撮像装置に含まれる照明光学系や検出光学系などの光学系を基板ステージに設ける必要があり、基板ステージが大型化する恐れがあった。
【０００７】
そこで本発明は、簡易な構成で、供給装置の位置を計測することができるインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のインプリント装置は、型を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、吐出口が形成された吐出面を有し、該吐出口から前記基板上にインプリント材を供給する供給装置と、前記型の表面の位置を計測する計測装置と、を備え、前記計測装置が、前記吐出面と垂直な方向に対して凸状又は凹状に形成された凹凸構造の位置を計測することによって、前記吐出口の位置を計測することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、簡易な構成で基板上にインプリント材を供給する供給装置の位置を計測することができるインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置の構成を示した図である。
【図２】インプリント方法のシーケンスを示した図である。
【図３】供給装置２１の断面を示した図である。
【図４】第１実施形態の吐出チップの構成を示した図である。
【図５】第１実施形態の基準マークの構成を示した図である。
【図６】第３実施形態の吐出チップの構成を示した図である。
【図７】第３実施形態の基準マークの構成を示した図である。
【図８】第４実施形態の吐出チップの構成を示した図である。
【図９】従来の露光装置を示した図である。
【図１０】物品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態におけるインプリント装置ＩＭＰの構成を示した図である。図１を用いてインプリント装置ＩＭＰの構成について説明する。図１に示すように、基板１３が配置される面をＸＹ面、それに直交する方向をＺ方向として各軸を決める。インプリント装置ＩＭＰは、型を用いて基板上のインプリント材を成形する装置である。インプリント装置ＩＭＰは、基板１３上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図１のインプリント装置ＩＭＰは、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置ＩＭＰについて説明する。
【００１３】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００１４】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１５】
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１６】
基板１３は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
【００１７】
インプリント装置ＩＭＰは、基板１３を保持する基板保持部１２、基板保持部１２をＸＹ平面内に移動させる基板ステージ１１、型１４を保持する型保持部１５を備える。またインプリント装置ＩＭＰは、基板ステージ１１の位置を計測するステージ計測装置１６、インプリント材を硬化させる紫外線を照射する光源１７、型１４を介して基板１３やインプリント材を観察する撮像装置１８を備える。
【００１８】
さらにインプリント装置ＩＭＰは、基板１３上にインプリント材を供給する供給装置２１（ディスペンサ）、供給装置２１に設けられた吐出面の位置を計測する計測装置２２を備える。供給装置２１は上部構造体１９に吊り下げられて設置されている。インプリント装置ＩＭＰは、基板ステージ１１上の基板１３を供給装置２１の下で図中ＸＹ方向に移動させながら、供給装置２１からインプリント材を吐出する事によって基板１３上の所定の領域にインプリント材を供給する。インプリント装置ＩＭＰは、インプリント動作を制御するための制御部２７を備える。インプリント装置ＩＭＰの制御部２７によって供給装置２１や基板ステージ１１などの各部の動作が制御される。制御部２７は、インプリント装置ＩＭＰ内に設けてもよいし、インプリント装置ＩＭＰとは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
【００１９】
図２は、第１実施形態に係るインプリント装置ＩＭＰを用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント方法のシーケンスを示す図である。ここで、凹凸状のパターン２４が形成された型１４を用いて、基板１３上にインプリント材２３のパターンを形成するインプリント方法について説明する。
【００２０】
図２（Ａ）において、基板１３は基板保持部１２に保持（例えば吸着保持）されており、基板ステージ１１によって矢印方向に移動することにより、基板１３は型１４の下に位置決めされる。インプリント装置ＩＭＰには、未硬化のインプリント材２３を液滴状に供給する供給装置２１が配置されており、図２（Ａ）に示すように、基板１３を移動させながらインプリント材２３を供給する。これによりインプリント装置ＩＭＰは、基板１３のショット領域にインプリント材２３を供給することができる。
【００２１】
型１４は、光源１７から照射された光（紫外線）に対して透明な材料（例えば石英）で形成されており、その表面には半導体デバイスの電気回路などの形状に対応した凹凸状のパターン２４が形成されている。
【００２２】
図２（Ｂ）に示すように、供給装置２１によりインプリント材２３が供給された基板１３は、型１４と位置合わせを行う。この時、不図示のスコープを用いて基板１３と型１４に形成されたアライメントマークを検出することによって、型１４と基板１３の位置合わせを行ってもよい。
【００２３】
型１４と基板１３との相対位置を合わせた後に、図２（Ｃ）に示すように、型１４と基板１３との間隔を狭めることにより、基板１３上に供給されたインプリント材２３と型１４とを接触（押印）させる。型１４とインプリント材２３を接触させると、型１４のパターン２４の凹部にインプリント材２３が充填する。また、型１４をインプリント材２３に接触させると、型１４と基板１３との間には数ｎｍから数十ｎｍの隙間が残り、インプリント材２３の膜（残膜）が形成される。
【００２４】
そして、型１４と基板１３が接触した状態で光源１７より発せられた紫外線が、型１４を透過してインプリント材２３に照射されると、インプリント材２３は硬化する。
【００２５】
その後、図２（Ｄ）に示すように、基板１３と型１４との間隔を広げることにより、基板１３上に硬化したインプリント材２３の転写パターン２５が形成される。
【００２６】
上記のインプリント方法において、型１４のパターン２４にインプリント材２３が十分に充填される必要がある。また、余分なインプリント材２３が型１４から溢れ出すことが無いように、インプリント方法では、型１４のパターン２４の形状に合わせて、基板１３上に供給するインプリント材の位置や量を、精密に制御する必要がある。そのためには、供給装置２１を基板ステージ１１に対して、ＸＹ方向の位置に対して精密に位置を補正する必要がある。上記のインプリント装置ＩＭＰを用いたインプリント方法の各工程では、基板１３に対して型１４をｎｍ単位で位置制御や間隔制御する事が求められている。そのため、図１に示す第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰには、基板ステージ１１に計測装置２２が配置されており、計測装置２２（基板ステージ１１）と型１４との距離を測定可能な構成となっている。
【００２７】
図９に従来のインプリント装置ＩＭＰを示す。図９のインプリント装置において、図１のインプリント装置ＩＭＰと同じ符号のものは説明を省略する。供給装置２１には、インプリント材２３を基板１３上に吐出するための吐出口５（ノズル）が複数設けられている。基板１３上の所定の位置にインプリント材を供給するためには、供給装置２１（吐出口５）と基板ステージ１１との相対位置を精密に管理・制御する事が重要である。図９に示す従来のインプリント装置ＩＭＰでは、基板ステージ１１に設けられた撮像装置２６が吐出口５の輪郭や供給装置２１に形成されたマークを検出することで、吐出口５の位置を計測することができる。インプリント装置ＩＭＰは、撮像装置２６の計測結果に基づいて、吐出口５の位置ずれを補正する事ができる。
【００２８】
しかし、撮像装置２６に含まれる照明光学系や検出光学系を基板ステージ１１に設ける必要があり、基板ステージ１１が大型化したり、撮像装置２６熱源となり基板ステージの精度が低減したりする恐れがあった。
【００２９】
第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰにおける供給装置２１の吐出口の位置を検出する方法について説明する。図１で説明したように第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰは、上部構造体１９の下面に吊り下げられた供給装置２１の吐出口５から、基板１３上にインプリント材２３を吐出して供給する。
【００３０】
図３は供給装置２１の構造を断面で示した図である。供給装置２１は、インプリント材２３を保管するタンク８に、複数の吐出口５が形成された吐出チップ１が設けられている。供給装置２１はタンク８内のインプリント材２３を複数の吐出口５から吐出することができる。吐出チップ１は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）構造によって複数の吐出口５それぞれから、吐出するインプリント材の吐出量と吐出速度を制御可能となっている。
【００３１】
図４は第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰに設けられた供給装置２１に有する吐出チップ１を模式的に示したものである。吐出チップ１は、吐出チップベース２に取り付けられている。図４に示すように、複数の吐出口５は吐出チップ１の表面に一方向（Ｘ方向）に配列されて形成されている。図４に示すように吐出口５は複数列（図４の場合は３列）形成されていてもよい。ＭＥＭＳ構造の吐出口５は、一般に半導体製造技術を用いて立体的な構造物として製造される。
【００３２】
図４に示す吐出チップ１の吐出口５が形成された表面（吐出面）には、凸形状あるいは凹形状に形成された基準マーク４ａ、４ｂが配置されている。吐出面とは、吐出口５、供給装置２１上に設けられた吐出面と垂直な方向に対する凸状あるいは凹状を有する凹凸構造、或いはそれ以外の平面部等を含む面である。計測装置２２が吐出面の位置を計測する、というのは、吐出面上の吐出口や凹凸構造や、平面部のそれぞれの位置（特に吐出面、あるいは基板面、あるいは型の面と垂直な高さ方向における位置）を計測することを意味している。
【００３３】
吐出チップ１に形成された基準マーク４ａ、４ｂは吐出口５の製造工程の一部として形成されるため、基準マーク４ａ、４ｂと吐出口５との相対位置は精度よく管理されている。例えば、図４に示す基準マーク４ａ、４ｂのそれぞれは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行な２本の直線を組み合わせたＬ型の形状のマークを示している。これは、図４の吐出口５はＸ軸方向に対して平行に配列されているためである。このように、基準マーク４ａ、４ｂを構成する直線は、吐出口５が配列された方向に対して、平行、及び垂直な向きに形成されていることが望ましい。図４に示す吐出チップ１には、基準マーク４ａ、４ｂが吐出口５を挟むように複数形成されているが、基準マークの数は１つであってもよいし、３つ以上形成されていてもよい。
【００３４】
第１実施形態のインプリント装置ＩＭＰを用いたインプリント工程では、この吐出チップ１に形成された基準マーク４ａ、４ｂを用いて供給装置２１の位置（吐出口５の位置）を求める。インプリント装置ＩＭＰは、供給装置２１からインプリント材２３を供給する前に、図１に示す計測装置２２を供給装置２１の下方でＸＹ方向に移動させる。そうすることで、計測装置２２は吐出チップ１の吐出面に形成された基準マーク４ａ、４ｂを計測することができる。計測装置２２は吐出面を走査しながら吐出面までの距離を計測することにより、基準マーク４ａ、４ｂの凹凸構造の情報（位置や形状）を収集する。
【００３５】
図４及び図５を用いて基準マーク４ａ、４ｂの凹凸構造の情報を収集する方法について具体的に説明する。図４に示すように、計測装置２２の計測点を検出軌跡３Ｘ、３Ｙａ、及び３Ｙｂに沿って移動させる。基準マーク４ａ、４ｂは凸形状あるいは凹形状に形成されているため、図５に示すように計測装置２２を検出軌跡３Ｘに沿って走査すると、その検出結果は、検出信号６Ｘに示すように基準マーク４ａ、４ｂの位置で高さ信号が変化する。このようにして、計測装置２２は基準マーク４ａ、４ｂの位置を検出することができる。
【００３６】
同様に、検出軌跡３Ｙａ、及び３Ｙｂに沿って走査すると、その検出結果は、検出信号６Ｙに示すように基準マーク４ａ、４ｂの位置で高さ信号が変化する。このようにして得られた検出信号から、基準マーク４ａ、４ｂの位置を検出することができる。
【００３７】
基準マーク４ａ、４ｂが吐出チップ１の表面（吐出面）に対して立体的に形成されている。また、計測装置２２は、測定対象部までの距離を計測することが可能な測距センサを用いている。そのため、計測装置２２の出力信号である検出信号６Ｘは、基準マーク４ａ及び４ｂのそれぞれの位置に対応した検出信号ピーク７Ｘａ及び７Ｘｂが得られる。これらの検出信号ピーク７Ｘａ、７Ｘｂの位置を、計測装置２２を搭載した基板ステージ１１の位置情報と同期させることによって、吐出チップ１（供給装置２１）の基板ステージ１１のＸ軸方向に対する位置を求めることができる。また、インプリント装置ＩＭＰ内に設定された基準位置に対する吐出チップ１のＸ軸方向のずれ量を求めることができる。吐出チップ１のずれ量は、基板ステージ１１に対する吐出口５の相対位置のずれ量と等しい。
【００３８】
そのため、ここで得られたずれ量は図１の制御部２７に記憶されるとともに、吐出口５から吐出されるインプリント材の吐出位置情報にフィードバックされる。更には吐出位置情報から算出されるインプリント材の供給位置情報に補正を反映して、正しい位置にレジストを供給することができる。
【００３９】
同様にＹ軸方向に基板ステージ１１を走査させた場合は、検出信号６Ｙに基準マーク４ａ、４ｂのそれぞれに対して検出軌跡３Ｙａ、３Ｙｂの位置で検出信号ピーク７Ｙが検出される。そのため、吐出チップ１の基板ステージ１１のＹ軸方向に対する位置を求めることができる。また、インプリント装置ＩＭＰ内に設定された基準位置に対する吐出チップ１のＹ軸方向のずれ量を求めることができる。
【００４０】
図５では、基準マーク４ａ及び４ｂはＹ軸方向のスキャンに関して、同じ位置で検出軌跡３Ｙａ、３Ｙｂを横切るように描かれている。また、吐出チップ１が図５のＺ軸周りに回転して配置された場合には、検出信号６Ｙａと６Ｙｂで検出される検出信号ピーク７Ｙ（７Ｙａ、７Ｙｂ）の位置がずれるので、当然のことながら回転ずれの補正も可能である。
【００４１】
計測装置２２を用いて吐出口５の輪郭を検出して、供給装置２１の位置情報を得ることも可能であるが、吐出口５には吐出前のインプリント材が充填されており、吐出口５の周囲には凝固したインプリント材やパーティクルが付着している恐れがある。そのため、計測装置２２を用いて吐出口５の輪郭を直接検出しようとしても、正確に検出できない恐れがある。そのため、第１実施形態による基準マーク４ａ、４ｂは、図４に示すように吐出口５とは離れた位置に配置されており、供給装置２１の位置の検出の安定性を向上させることができる。
【００４２】
上記の実施形態のインプリント装置ＩＭＰは、既に基板ステージ１１に設けられた計測装置２２を用いて供給装置２１の位置を検出する事が可能である。そのため、インプリント装置ＩＭＰに供給装置２１のマークの画像を取得するための撮像装置を配置する必要が無いため、基板ステージ１１の大型化、重量化を防ぐことができる。また、基板ステージ１１に対する撮像装置の熱の影響を低減することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
吐出チップ１は、図２（Ａ）の工程で基板１３上にインプリント材を供給する際、基板ステージ１１によって、基板１３を図２（Ａ）に示した矢印方向へと移動させながら、移動と同期して吐出動作を行う。従って、吐出口５が配列された吐出チップ１の平面と、基板１３との距離、及び平行度が所望の精度に配置されていなければ、インプリント材２３が基板１３に到達するまでの時間がずれて、その結果、供給位置は想定された位置からずれてしまう。図５を用いた説明では、図中のＸＹ平面に関する位置ずれの補正方法に関して説明したが、実際には図中Ｚ方向に関する、吐出チップ１表面と基板１３との相対距離、及び平行度も精密に管理・補正する必要がある。
【００４４】
図５に示す検出信号６Ｘ、６Ｙは検出信号ピーク７Ｘａ、７Ｘｂ、及び７Ｙ（７Ｙａ、７Ｙｂ）を検出することに加えて、検出ピーク以外の位置での吐出チップ１表面の高さ情報も同時に計測している。これにより第２実施形態によるインプリント装置では、計測装置２２による吐出面を走査した計測結果によって、Ｘ、Ｙ、Ｚの三軸方向の位置ずれを求めることができる。第２実施形態のインプリント装置は、Ｘ、Ｙ、Ｚの三軸方向の補正が一度の計測で完了するため、装置構成を簡略化する事に加えて、補正工程を削減することができる。
【００４５】
（第３実施形態）
上述の実施形態では、計測装置２２を吐出チップ１の吐出面で２方向に走査することによって基準マーク４ａ、４ｂの位置を読み取る例を示したが、第３実施形態では、吐出面で１方向に走査して供給装置２１の位置を求める場合について説明する。
【００４６】
図６は第３実施形態のインプリント装置ＩＭＰに設けられた供給装置２１に有する吐出チップ１を模式的に示したものである。図６に示すように、複数の吐出口５は吐出チップ１の表面に一方向（Ｘ方向）に配列されて形成されている。
【００４７】
図６に示す吐出チップ１の吐出口５が形成された表面（吐出面）には、凸形状あるいは凹形状に形成された基準マーク４０ａ、４０ｂが配置されている。吐出チップ１に形成された基準マーク４０ａ、４０ｂは吐出口５の製造工程の一部として形成されるため、基準マーク４０ａ、４０ｂと吐出口５との相対位置は精度よく管理されている。図６に示す基準マーク４０ａ、４０ｂのそれぞれは、図４に示した基準マークの形状をＺ軸に関して４５度回転した所謂Ｖ字型の形状となっている。
【００４８】
図６及び図７を用いて基準マーク４０ａ、４０ｂの凹凸構造の情報を収集する方法について具体的に説明する。図６に示すように、計測装置２２の計測点を検出軌跡３０Ｘに沿って移動させる。基準マーク４０ａ、４０ｂは凸形状あるいは凹形状に形成されているため、図７に示すように計測装置２２を検出軌跡３０Ｘに沿って走査すると、その検出結果は、検出信号６０Ｘに示すように基準マーク４０ａ、４０ｂの位置で高さ信号が変化する。
【００４９】
図７（Ａ）に示すように検出軌跡３０Ｘに対して基準マーク４０ａ、４０ｂの位置がＹ方向にずれると、検出信号６０Ｘに生じる検出信号ピーク（７０Ｘａ、７０Ｘｂ）の間隔Ｗ１、Ｗ２の値がずれ量に応じて変化する。このようにして、計測装置２２は基準マーク４０ａ、４０ｂの位置を検出することができる。
【００５０】
また、図７（Ｂ）に示すように、基準マーク４０ａ、４０ｂの配置が、Ｘ軸に対して角度ωだけ回転ずれを持って配置された場合も、検出信号ピーク（７０Ｘａ、７０Ｘｂ）を検出することで、回転方向のずれ量を検出することができる。これは、図７（Ｂ）に示す基準マーク４０ａ、４０ｂの検出信号には、検出信号ピーク（７０Ｘａ、７０Ｘｂ）の間隔Ｗ１、Ｗ２の値に、角度ωの量に応じて差が生じる。そのため、第３実施形態のインプリント装置は、供給装置２１の回転方向のずれ量を検出することができる。
【００５１】
このように第３実施形態の計測方法は、第１実施形態のように計測装置２２をＹ方向に走査しなくても、Ｘ軸とＹ軸の２方向に関するずれ量の計測が可能となる。さらに、本実施形態の計測方法によれば、Ｚ軸の回転方向に対する回転方向のずれ量も計測することができる。
【００５２】
このように、図６に示す基準マーク形状を供給装置２１に形成することで、供給装置２１の位置補正のための計測回数を減らすことも可能となる。また、基準マーク４０ａ及び４０ｂの形状は、図６及び図７に示したものに限らず、半円形状など目的を同じくする形状であれば他の形状であってもよい。
【００５３】
（第４実施形態）
次に、図８を用いて第４実施形態による供給装置２１（吐出チップ１）の位置の計測方法について説明する。図８は第４実施形態の供給装置２１に設けられた吐出チップ１を示した図である。第４実施形態の吐出チップ１は、図８に示すように吐出チップ１の表面には凹凸構造の基準マークは形成されていない。第４実施形態では吐出チップ１の外形輪郭線を基準マークとして用いる。第４実施形態のインプリント装置は、吐出チップ１と吐出チップベース２との段差を凹凸構造として計測装置２２が検出することにより外形輪郭線の位置を求める。上述のように、吐出チップ１は半導体製造工程を用いて三次元的に製造される。従って、吐出チップ１と吐出チップベース２との段差で生じる外形輪郭形状も吐出口５に対して、精度よく成型する事が可能である。
【００５４】
そのため、第４実施形態のインプリント装置は、吐出チップ１に基準マークを形成しなくても吐出チップ１（吐出口５）の位置を求めることができる。図８に示すように検出軌跡３１Ｘ、３１Ｙａ及び３１Ｙｂのように設定し、吐出チップ１の外形輪郭線の段差を検出する事で、基準マークの検出と同様に吐出チップ１の位置や回転ずれを計測することができる。
【００５５】
吐出チップ１は、上述したようにＭＥＭＳ構造を用いているため、数カ月から数年の特定の周期で定期的に交換する必要がある。更に、インプリント工程において使用されるインプリント材２３は複数の種類を目的に応じて使い分ける事がある。
【００５６】
図３に示すように供給装置２１は、インプリント材２３を保管するタンク８に吐出チップ１が設けられている。そのため、吐出チップ１内にもインプリント材２３が入り込んでいるので、インプリント材２３の種類を変更する際には、吐出チップ１も同時に交換する必要がある。吐出チップ１を交換する際には、必ず、吐出チップ１（吐出口５）と基板ステージ１１との相対位置を補正する必要があるため、異なる供給装置２１毎に吐出口５の位置を計測する。インプリント装置ＩＭＰ内に複数の供給装置２１を備える場合には、それぞれの供給装置２１ごとに吐出口５の位置を計測する。そして、インプリント装置ＩＭＰの制御部２７は、計測結果を基板１３上にインプリント材を供給する際の補正値として用いて、供給装置２１の吐出動作を制御する。
【００５７】
上述の何れの実施形態においてもインプリント装置ＩＭＰは、吐出口５からインプリント材２３を吐出することなく供給装置２１（吐出口５）と基板ステージ１１との相対位置に関する情報を読み取ることが可能である。そのため、補正作業のために無駄にインプリント材を消費したり、吐出位置の計測用のダミー基板を使用したりしないで供給装置２１の位置を計測することができる。このように、簡易な構成で供給装置２１の位置ずれを計測することが可能であり、計測結果に基づきインプリント材２３の供給位置を補正することができる。
【００５８】
上述の何れの実施形態も光を照射することでインプリント材を硬化させる光硬化法を用いたインプリント方法について説明したが、光硬化法に限らず熱サイクル法を用いたインプリント方法であってもよい。熱サイクル法では、熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付け、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。
【００５９】
（物品の製造方法の説明）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００６０】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６１】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１０（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００６２】
図１０（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１０（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００６３】
図１０（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００６４】
図１０（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１０（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００６５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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