(57)【要約】【課題】はんだの濡れ上がりが抑制されている電子部品を提供する。【解決手段】積層コンデンサ１は、直方体形状を呈していると共に、高さ方向Ｄ３の長さに比して幅方向Ｄ２の長さが大きく、かつ、幅方向Ｄ２の長さに比して長手方向Ｄ１の長さが大きい素体２と、素体２の幅方向Ｄ２での両端に配置され、長手方向Ｄ１に延びている一対の端子電極５と、を備え、素体２は、高さ方向Ｄ３で互いに対向する一対の主面２ａと、長手方向Ｄ１で互いに対向する一対の端面２ｅと、幅方向Ｄ２で互いに対向する一対の側面２ｃと、を有し、端子電極５は、側面２ｃ上に配置されている導体部５ｂを有し、導体部５ｂは、素体２側に窪んだ窪み部６を有し、窪み部６は、長手方向Ｄ１の長さが高さ方向Ｄ３の長さに比して大きい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体形状を呈していると共に、高さ方向の長さに比して幅方向の長さが大きく、かつ、前記幅方向の長さに比して長手方向の長さが大きい素体と、
前記素体の前記幅方向での両端に配置され、前記長手方向に延びている一対の端子電極と、を備え、
前記素体は、前記高さ方向で互いに対向する一対の主面と、前記長手方向で互いに対向する一対の端面と、前記幅方向で互いに対向する一対の側面と、を有し、
前記端子電極は、前記側面上に配置されている導体部を有し、
前記導体部は、前記素体側に窪んだ窪み部を有し、
前記窪み部は、前記長手方向の長さが前記高さ方向の長さに比して大きい、電子部品。
【請求項２】
前記幅方向から見て、前記窪み部は、前記導体部の中央に形成されている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記導体部は、前記長手方向で前記端面側に位置している一対の端部領域と、各前記端部領域に前記長手方向で挟まれている中央領域と、を含み、
前記主面に平行でかつ前記高さ方向で前記窪み部よりも前記主面寄りに位置する平面で前記導体部を切断した切断面において、前記導体部の前記中央領域での厚みは、前記導体部の前記端部領域での厚みに比して厚い、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記導体部の前記長手方向の長さに対する前記窪み部の前記長手方向の長さの比率は、０．２〜０．４である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
直方体形状を呈していると共に、高さ方向の長さに比して幅方向の長さが大きく、かつ、幅方向の長さに比して長手方向の長さが大きい素体と、素体の幅方向での両端に配置され、長手方向に延びている一対の端子電極と、を備えた電子部品が知られている（たとえば、特許文献１）。特許文献１に記載の電子部品では、素体は、高さ方向で互いに対向する一対の主面と、長手方向で互いに対向する一対の端面と、幅方向で互いに対向する一対の側面と、を有している。端子電極は、側面上に配置されている導体部を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１４８１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の電子部品は、主面を電子機器（たとえば、回路基板又は他の電子部品など）に対向させた状態で実装される。電子機器には、一対の端子電極に対応する一対のランドが形成されている。各端子電極は、はんだ実装時において、対応する各ランドに対してはんだを介して電気的かつ物理的に接続される。上記の電子部品においては、素体が幅方向の長さに比して長手方向の長さが大きくなっており、当該素体の長手方向に各端子電極が延びている。よって、当該素体の幅方向に各端子電極が延びている場合に比して、各端子電極に対応する各ランドが大きく形成されており、各端子電極と各ランドとを接続するために必要なはんだ量も多い。はんだ量が多いと、素体の側面上に配置されている導体部上をはんだが濡れ上がり易い。このため、はんだの濡れ上がりによって、はんだ実装時に電子部品が立ち上がる、チップ立ちと呼ばれる現象が生じることがある。
【０００５】
本発明は、はんだの濡れ上がりが抑制されている電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品は、直方体形状を呈していると共に、高さ方向の長さに比して幅方向の長さが大きく、かつ、幅方向の長さに比して長手方向の長さが大きい素体と、素体の幅方向での両端に配置され、長手方向に延びている一対の端子電極と、を備え、素体は、高さ方向で互いに対向する一対の主面と、長手方向で互いに対向する一対の端面と、幅方向で互いに対向する一対の側面と、を有し、端子電極は、側面上に配置されている導体部を有し、導体部は、素体側に窪んだ窪み部を有し、窪み部は、長手方向の長さが高さ方向の長さに比して大きい。
【０００７】
本発明に係る電子部品では、素体の側面上に配置された導体部が窪み部を有することによって、導体部には、当該窪み部を高さ方向で挟むように凸部が形成されている。このため、はんだが窪み部に到達する前に凸部を越える必要があり、導体部が窪み部を有していない場合に比して、はんだが導体部上を濡れ上がるための距離が長くなっている。よって、はんだが導体部上を濡れ上がり難い。はんだが凸部を越えたとしても、窪み部には、はんだが溜まり易く、はんだ溜まりが形成されるので、はんだが窪み部を越えて濡れ上がり難い。以上より、はんだの濡れ上がりが抑制される。
【０００８】
本発明に係る電子部品において、幅方向から見て、窪み部は、導体部の中央に形成されていてもよい。この場合、幅方向から見て、導体部の中央にはんだ溜まりが形成されるので、導体部の中央を越えてはんだが濡れ上がり難い。導体部の中央から外れた領域は、はんだが濡れ上がり易いので、当該電子部品が実装される電子機器と端子電極とのはんだによる接合強度が確保される。よって、はんだによる接合強度が確保されつつ、はんだの濡れ上がりが抑制される。
【０００９】
本発明に係る電子部品において、導体部は、長手方向で端面側に位置している一対の端部領域と、各端部領域に長手方向で挟まれている中央領域と、を含み、主面に平行でかつ高さ方向で窪み部よりも主面寄りに位置する平面で導体部を切断した切断面において、導体部の中央領域での厚みは、導体部の端部領域での厚みに比して厚くてもよい。この場合、主面に平行でかつ高さ方向で窪み部よりも主面寄りに位置する平面で導体部を切断した切断面において、導体部の中央領域では端部領域に比して厚みが厚いので、はんだが窪み部に達し難く、はんだの濡れ上がりが抑制される。当該切断面において、導体部の端部領域では中央領域に比して厚みが厚くないので、はんだが濡れ上がり易く、はんだによる接合強度が確保される。よって、端部領域においてはんだによる接合強度が確保されつつ、中央領域においてはんだの濡れ上がりが抑制される。
【００１０】
本発明に係る電子部品において、導体部の長手方向の長さに対する窪み部の長手方向の長さの比率は、０．２〜０．４であってもよい。この場合、導体部の長手方向の長さに対する窪み部の長手方向の長さの比率が０．２以上であるので、導体部において長手方向に窪み部が占める領域が小さくなり過ぎず、はんだの濡れ上がりが確実に抑制される。導体部の長手方向の長さに対する窪み部の長手方向の長さの比率が０．４以下であるので、導体部において長手方向に窪み部が占める領域が大きくなり過ぎず、はんだの濡れ上がりが完全に無くなることが防止され、はんだによる接合強度が確保される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、はんだの濡れ上がりが抑制されている電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図２】積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図３】積層コンデンサの断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】積層コンデンサの断面の一部を拡大して示す図である。
【図５】積層コンデンサの側面図である。
【図６】変形例に係る積層コンデンサの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサ１（電子部品）の構成について説明する。図１は、積層コンデンサ１を示す斜視図である。図２は、積層コンデンサ１の断面構成を説明するための図である。図２は、後述する一対の端面２ｅに平行であり、かつ、一対の端面２ｅから等距離に位置している平面で積層コンデンサ１を切断した断面図である。
【００１５】
図１及び図２に示されるように、積層コンデンサ１は、素体２と、素体２の外表面に配置された一対の端子電極５と、素体２の内部に配置された複数の内部電極１１，１３と、を備えている。本実施形態において積層コンデンサ１は、図２に示されているように、電子機器（たとえば、回路基板又は他の電子部品など）２０にはんだ実装される。はんだ実装された状態において、端子電極５と電子機器２０の不図示のパッド電極（ランド）との間には、はんだフィレット２２が形成されている。
【００１６】
素体２は、直方体形状を呈している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体２は、高さ方向Ｄ３の長さに比して幅方向Ｄ２の長さが大きく、かつ、幅方向Ｄ２の長さに比して長手方向Ｄ１の長さが大きい。
【００１７】
素体２は、その外表面として、一対の主面２ａと、一対の側面２ｃと、一対の端面２ｅと、を有している。一対の主面２ａは、高さ方向Ｄ３で互いに対向している。一対の側面２ｃは、幅方向Ｄ２で互いに対向している。一対の端面２ｅは、長手方向Ｄ１で互いに対向している。積層コンデンサ１では、一方の主面２ａが、電子機器２０に対向する実装面である。
【００１８】
素体２は、一対の主面２ａが対向している高さ方向Ｄ３に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体２では、複数の誘電体層の積層方向が、高さ方向Ｄ３と一致する。各誘電体層は、たとえば誘電体材料（ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の素体２では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００１９】
一対の端子電極５は、図１に示されているように、素体２の幅方向Ｄ２での両端に配置され、長手方向Ｄ１に延びている。つまり、積層コンデンサ１は、素体２の側面２ｃに沿って端子電極５が設けられたコンデンサである。素体２の側面２ｃに沿って端子電極５が設けられていることにより、積層コンデンサ１における電流経路が短くなるので、積層コンデンサ１の低ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）化が図られている。
【００２０】
一対の端子電極５は、互いに離間しており、幅方向Ｄ２で対向している。各端子電極５は、主面２ａ上に配置されている一対の導体部５ａと、側面２ｃ上に配置されている導体部５ｂと、端面２ｅ上に配置されている一対の導体部５ｃと、を有している。各端子電極５において、導体部５ａ，５ｂ，５ｃはそれぞれ互いに連結されている。
【００２１】
内部電極１１と内部電極１３とは、素体２の高さ方向において異なる位置（層）に配置されている。すなわち、内部電極１１と内部電極１３とは、素体２内において、高さ方向Ｄ３に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極１１と内部電極１３とは、互いに極性が異なる。
【００２２】
各内部電極１１は、一対の側面２ｃのうちの一方の側面２ｃに露出し、一対の主面２ａ、及び、一対の端面２ｅには露出していない。各内部電極１１は、一方の側面２ｃにおいて、一方の端子電極５に電気的かつ物理的に接続されている。
【００２３】
各内部電極１３は、一対の側面２ｃのうちの他方の側面２ｃに露出し、一対の主面２ａ、及び、一対の端面２ｅには露出していない。各内部電極１３は、他方の側面２ｃにおいて、他方の端子電極５に電気的かつ物理的に接続されている。
【００２４】
各内部電極１１，１３は、長手方向Ｄ１が長辺方向であると共に幅方向Ｄ２が短辺方向である矩形形状を呈している。具体的には、各内部電極１１，１３は、長手方向Ｄ１が長辺方向であると共に幅方向Ｄ２が短辺方向である矩形形状を呈している主電極部と、当該主電極部の長辺から延びて側面２ｃに露出している接続部と、を含んでいる。
【００２５】
各内部電極１１，１３は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、Ｎｉ又はＣｕなど）からなる。各内部電極１１，１３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００２６】
次に、図３〜図５を参照して、端子電極５の詳細な構成について説明する。図３及び図４は、積層コンデンサ１の断面の一部を拡大して示す図である。図５は、積層コンデンサ１の側面図である。図３は、一対の端面２ｅに平行であり、かつ、一対の端面２ｅから略等距離に位置している平面で積層コンデンサ１を切断した断面図である。図４は、一対の端面２ｅに平行であり、かつ、後述する窪み部６よりも端面２ｅ寄りに位置している平面で積層コンデンサ１を切断した断面図である。
【００２７】
図３及び図４に示されるように、端子電極５は、電極層２３と、第一めっき層２５と、第二めっき層２７と、を有している。具体的には、端子電極５では、めっき処理（たとえば、電気めっき処理など）により、電極層２３上に第一めっき層２５が形成され、第一めっき層２５上に第二めっき層２７が形成されている。導体部５ａ，５ｂ，５ｃは、電極層２３と、第一めっき層２５と、第二めっき層２７と、を含んでいる。
【００２８】
電極層２３は、導電性ペーストを素体２の表面に付与して焼き付けることにより形成されている。電極層２３は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結して形成された焼結金属層である。本実施形態では、電極層２３は、Ｃｕからなる焼結金属層である。電極層２３は、Ｎｉからなる焼結金属層であってもよい。導電性ペーストには、Ｃｕ又はＮｉからなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。
【００２９】
本実施形態では、第一めっき層２５は、Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき層である。第一めっき層２５は、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層であってもよい。第二めっき層２７は、Ｓｎめっきにより形成されたＳｎめっき層である。第二めっき層２７は、Ｃｕめっき層又はＡｕめっき層であってもよい。
【００３０】
端子電極５の導体部５ｂは、素体２の側面２ｃの全体を覆っている。側面２ｃの全体とは、素体２の外表面のうち一対の主面２ａ及び一対の端面２ｅにより挟まれた全ての領域をいう。端子電極５の導体部５ａ及び導体部５ｃ（図１参照）は、素体２の両端において、各端面２ｅから所定長さの部分の全ての領域を覆っている。
【００３１】
導体部５ｂは、導体部５ｂの端（導体部５ｂが導体部５ａ，５ｃと連結されている部分）から徐々に幅方向Ｄ２での厚みが大きくなっていると共に、厚みが最大となった後に導体部５ｂの中央にかけて徐々に厚みが小さくなっている。これにより、導体部５ｂは、素体２側（側面２ｃ側）に窪んだ窪み部６を有している。
【００３２】
窪み部６は、導体部５ｂの厚みが極大である位置から導体部５ｂの中央にかけて窪んでいる部分である。窪み部６の外縁６ａは、導体部５ｂにおける厚みが極大となっている位置である。外縁６ａは、側面２ｃと平行な仮想平面が導体部５ｂの表面と接する位置でもある。導体部５ｂには、窪み部６を高さ方向Ｄ３で挟むように一対の凸部７が形成されている。
【００３３】
窪み部６は、図５に示されるように、幅方向Ｄ２から見て、導体部５ｂの中央に形成されている。導体部５ｂの中央とは、導体部５ｂにおける窪み部６を高さ方向Ｄ３で挟むように位置する一対の部分の各長さＴ１１，Ｔ１２が互いに同等であり、かつ、導体部５ｂにおける窪み部６を長手方向Ｄ１で挟むように位置する一対の部分の各長さＷ１１，Ｗ１２が互いに同等である領域をいう。同等とは、等しいことに加えて、予め設定した範囲での微差、製造誤差、又は測定誤差を含んだ範囲を同等としてもよい。たとえば、長さＷ１１と長さＷ１２との差が長さＷ１１の５％以下である場合、長さＷ１１と長さＷ１２とが同等であるとしてもよい。たとえば、長さＴ１１と長さＴ１１との差が長さＴ１１の５％以下である場合、長さＴ１１と長さＴ１１とが同等であるとしてもよい。各長さＷ１１，Ｗ１２は、端面２ｅから窪み部６までの長手方向Ｄ１での最短距離でもある。各長さＴ１１，Ｔ１２は、主面２ａから窪み部６までの高さ方向Ｄ３での最短距離でもある。
【００３４】
窪み部６は、長手方向Ｄ１の長さＷ２が高さ方向Ｄ３の長さＴ２に比して大きい。本実施形態における窪み部６の外縁６ａは、長手方向Ｄ１に長軸が延びた楕円形状である。楕円形状とは、長円形状も含む。窪み部６の長さＷ２は、窪み部６の長手方向Ｄ１の最大長さである。窪み部６の長さＴ２は、窪み部６の高さ方向Ｄ３の最大長さである。
【００３５】
窪み部６の外縁６ａは、図６に示されるように、楕円形状の外縁６ａに比して、導体部５ｂの四隅（側面２ｃの四隅）に対応する部分が四隅に向かって延びた形状であってもよい。図６は、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの側面図である。この変形例の場合においても、本実施形態と同様、窪み部６の長さＷ２は窪み部６の長手方向Ｄ１の最大長さであり、窪み部６の長さＴ２は窪み部６の高さ方向Ｄ３の最大長さである。また、各長さＷ１１，Ｗ１２は、端面２ｅから窪み部６まで最短距離であり、各長さＴ１１，Ｔ１２は、主面２ａから窪み部６までの最短距離である。
【００３６】
図５に示されるように、導体部５ｂは、長手方向Ｄ１で端面２ｅ側に位置している一対の端部領域Ａ２と、各端部領域Ａ２に長手方向Ｄ１で挟まれている中央領域Ａ１と、を含んでいる。中央領域Ａ１には、窪み部６が形成されている。端部領域Ａ２は、長手方向Ｄ１で窪み部６よりも外側（端面２ｅ側）に位置している。
【００３７】
ここで、前述した図３及び図４は、それぞれ、図３が中央領域Ａ１における断面を示し、図４が端部領域Ａ２における断面を示している。図３及び図４に示されるように、主面２ａに平行でかつ高さ方向Ｄ３で主面２ａから等距離の平面で切断した切断面（線Ｘ１に沿った切断面）において、導体部５ｂの端部領域Ａ２での厚みＭ１は、導体部５ｂの中央領域Ａ１での厚みＭ３に比して厚い。主面２ａに平行でかつ高さ方向Ｄ３で窪み部６よりも主面２ａ寄りに位置する平面で導体部５ｂを切断した切断面（線Ｘ２に沿った切断面）において、導体部５ｂの中央領域Ａ１での厚みＭ２は、導体部５ｂの端部領域Ａ２での厚みＭ４に比して厚い。
【００３８】
厚みＭ１は、たとえば、線Ｘ１に沿った切断面上の領域のうち端部領域Ａ２内のいずれかの位置での厚みである。厚みＭ２は、たとえば、線Ｘ２に沿った切断面上の領域のうち中央領域Ａ１内のいずれかの位置での厚みである。厚みＭ３は、たとえば、線Ｘ１に沿った切断面上の領域のうち中央領域Ａ１内のいずれかの位置での厚みである。厚みＭ４は、たとえば、線Ｘ２に沿った切断面上の領域のうち端部領域Ａ２内のいずれかの位置での厚みである。
【００３９】
厚みＭ１〜Ｍ４は、上記に限られず、たとえば、次のようにして求められる平均厚みであってもよい。厚みＭ１は、線Ｘ１に沿った切断面上での導体部５ｂの端部領域Ａ２の面積を、線Ｘ１に沿った切断面上での導体部５ｂの端部領域Ａ２の長さで除し、得られた商として求めてもよい。厚みＭ２は、線Ｘ２に沿った切断面上での導体部５ｂの中央領域Ａ１の面積を、線Ｘ２に沿った切断面上での導体部５ｂの中央領域Ａ１の長手方向Ｄ１の長さで除し、得られた商として求めてもよい。厚みＭ３は、線Ｘ１に沿った切断面上での導体部５ｂの中央領域Ａ１の面積を、線Ｘ１に沿った切断面上での導体部５ｂの中央領域Ａ１の長手方向Ｄ１の長さで除し、得られた商として求めてもよい。厚みＭ４は、線Ｘ２に沿った切断面上での導体部５ｂの端部領域Ａ２の面積を、線Ｘ２に沿った切断面上での導体部５ｂの端部領域Ａ２の長手方向Ｄ１の長さで除し、得られた商として求めてもよい。
【００４０】
図５に示されるように、導体部５ｂの長手方向Ｄ１の長さＷに対する窪み部６の長手方向Ｄ１の長さＷ２の比率Ｗ２／Ｗは、たとえば、０．２〜０．４である。導体部５ｂの高さ方向Ｄ３の長さＴに対する窪み部６の高さ方向Ｄ３の長さＴ２の比率Ｔ２／Ｔは、たとえば、０．２〜０．３である。
【００４１】
以上、本実施形態に係る積層コンデンサ１によれば、導体部５ｂが窪み部６を有することによって、導体部５ｂには、窪み部６を高さ方向Ｄ３で挟むように凸部７が形成されている。このため、はんだが窪み部６に到達する前に凸部７を越える必要があり、導体部５ｂが窪み部６を有していない場合に比して、はんだが導体部５ｂ上を濡れ上がるための距離が長くなっている。よって、はんだが導体部５ｂ上を濡れ上がり難い。はんだが凸部を越えたとしても、窪み部６には、はんだが溜まり易く、はんだ溜まりが形成されるので、はんだが窪み部６を越えて濡れ上がり難い。以上より、はんだの濡れ上がりが抑制される。はんだの濡れ上がりが抑制されることによって、はんだ実装時に電子部品が立ち上がる、チップ立ちと呼ばれる現象が抑制される。はんだが導体部５ｂ上を濡れ上がるための距離が長くなっているので、はんだの濡れ上がりが素体２の主面２ａまで達しないようになっており、低背の積層コンデンサ１が確実に実現される。
【００４２】
積層コンデンサ１によれば、幅方向Ｄ２から見て、導体部５ｂの中央にはんだ溜まりが形成されるので、導体部５ｂの中央を越えてはんだが濡れ上がり難い。導体部５ｂの中央から外れた領域は、はんだが濡れ上がり易いので、当該積層コンデンサ１が実装される電子機器２０と端子電極５とのはんだによる接合強度が確保される。よって、はんだによる接合強度が確保されつつ、はんだの濡れ上がりが抑制される。
【００４３】
積層コンデンサ１によれば、線Ｘ２に沿った切断面において、導体部５ｂの中央領域Ａ１では端部領域Ａ２に比して厚みが厚いので、はんだが窪み部６に達し難く、はんだの濡れ上がりが抑制される。線Ｘ２に沿った切断面において、導体部５ｂの端部領域Ａ２では中央領域Ａ１に比して厚みが厚くないので、はんだが濡れ上がり易く、はんだによる接合強度が確保される。よって、端部領域Ａ２においてはんだによる接合強度が確保されつつ、中央領域Ａ１においてはんだの濡れ上がりが抑制される。
【００４４】
積層コンデンサ１によれば、導体部５ｂの長手方向Ｄ１の長さＷに対する窪み部６の長手方向Ｄ１の長さＷ２の比率Ｗ２／Ｗが０．２以上であるので、導体部５ｂにおいて窪み部６が長手方向Ｄ１に占める領域が小さくなり過ぎず、はんだの濡れ上がりが確実に抑制される。当該比率Ｗ２／Ｗが０．４以下であるので、導体部５ｂにおいて窪み部６が長手方向Ｄ１に占める領域が大きくなり過ぎず、はんだの濡れ上がりが完全に無くなることが防止され、はんだによる接合強度が確保される。
【００４５】
積層コンデンサ１によれば、導体部５ｂの高さ方向Ｄ３の長さＴに対する窪み部６の高さ方向Ｄ３の長さＴ２の比率Ｔ２／Ｔが０．２以上であるので、導体部５ｂにおいて窪み部６が高さ方向Ｄ３に占める領域が小さくなり過ぎず、はんだの濡れ上がりが確実に抑制される。当該比率Ｔ２／Ｔが０．３以下であるので、導体部５ｂにおいて窪み部６が高さ方向Ｄ３に占める領域が大きくなり過ぎず、はんだの濡れ上がりが完全に無くなることが防止され、はんだによる接合強度が確保される。
【００４６】
次に、本実施形態によって、はんだの濡れ上がりが抑制されることを、実施例及び比較例によって、具体的に示す。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。実施例１〜５では、前述した積層コンデンサ１と同じ構成を備えている。
【００４７】
実施例１〜５及び比較例１の各積層コンデンサについて、端子電極５の導体部５ｂの各位置Ｐ１〜Ｐ４での厚みＭ１〜Ｍ４を測定した結果を表１に示す。位置Ｐ１，Ｐ３は、いずれも線Ｘ１に沿った切断面上の位置であって、位置Ｐ１は端部領域Ａ２内の位置を示し、位置Ｐ３は中央領域Ａ１内の位置を示している。位置Ｐ２，Ｐ４は、いずれも線Ｘ２に沿った切断面上の位置であって、位置Ｐ４は端部領域Ａ２内の位置を示し、位置Ｐ２は中央領域Ａ１内の位置を示している。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１に示されているように、実施例１〜５及び比較例１のいずれについても、導体部５ｂの位置Ｐ１，Ｐ２での各厚みＭ１，Ｍ２は、導体部５ｂの位置Ｐ３での厚みＭ３に比して厚い。これに対し、導体部５ｂの位置Ｐ４での厚みＭ４は、導体部５ｂの位置Ｐ３での厚みＭ４に比して薄い。導体部５ｂの厚みについて、位置Ｐ４での厚みＭ４と位置Ｐ２での厚みＭ２とを比較すると、厚みＭ２は、厚みＭ４に比して厚い。よって、実施例１〜５において、線Ｘ２に沿った切断面において、導体部５ｂの中央領域Ａ１での厚みＭ２は、導体部５ｂの端部領域Ａ２での厚みＭ４に比して厚いことが確認された。
【００５０】
実施例１〜５及び比較例１の各積層コンデンサについて、各長さＷ１、Ｗ２、Ｗ、Ｔ１、Ｔ２、Ｔを測定した結果を表２に示す。なお、表２において、Ｗ１は、前述した長さＷ１１又は長さＷ１２であり、Ｔ１は、前述した長さＴ１１又はＴ１２である。実施例１〜５では、長さＷ２が、長さＴ２より大きい。比較例１では、長さＷ２が、長さＴ２より小さい。実施例１〜５及び比較例１の各積層コンデンサを基板にはんだ実装し、はんだの濡れ上がりを目視にて確認した。目視の結果、比較例１では、はんだが、他方の主面２ａ上に位置している導体部５ａに至っていた。実施例１〜５では、はんだが、他方の主面２ａ上に位置している導体部５ａに至っておらず、はんだの濡れ上がりが抑制されていた。他方の主面２ａは、実装面である一方の主面２ａと対向している面である。
【００５１】
【表２】
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【００５２】
表２に示される結果に基づき、比率Ｗ２／Ｗ及び比率Ｔ２／Ｔを算出した。実施例１〜５のいずれについても、比率Ｗ２／Ｗは、０．２〜０．４の範囲内であり、比率Ｔ２／Ｔは、０．２〜０．３の範囲内である。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他に適用したものであってもよい。
【００５４】
たとえば、本実施形態では、端子電極５が各主面２ａ上に導体部５ａを有しているが、端子電極５は、実装面となる一方の主面２ａ上のみに導体部５ａを有していてもよい。
【００５５】
本実施形態では、幅方向Ｄ２から見て、窪み部６は、導体部５ｂの中央に形成されているとしたが、導体部５ｂの中央からずれた位置に形成されていてもよい。すなわち、各長さＴ１１，Ｔ１２は互いに同等でなくてもよく、各長さＷ１１，Ｗ１２は互いに同等でなくてもよい。
【００５６】
線Ｘ２に沿った切断面において、導体部５ｂの厚みは、中央領域Ａ１と端部領域Ａ２とで同じであってもよく、中央領域Ａ１に比して端部領域Ａ２が厚くてもよい。
【００５７】
比率Ｗ２／Ｗは、０．２より小さくてもよく、０．４より大きくてもよい。比率Ｔ２／Ｔは、０．２より小さくてもよく、０．３より大きくてもよい。
【００５８】
本実施形態では、電子部品として積層コンデンサを例に説明したが、本発明はこの例に限られることなく、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、若しくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品に適用してもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１…積層コンデンサ、２…素体、２ａ…主面、２ｃ…側面、２ｅ…端面、５…端子電極、５ｂ…導体部、６…窪み部、Ａ１…中央領域、Ａ２…端部領域、Ｄ１…長手方向、Ｄ２…幅方向、Ｄ３…高さ方向、Ｍ２，Ｍ４…厚み、Ｔ，Ｔ２…長さ、Ｗ，Ｗ２…長さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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