(57)【要約】【課題】導電性ペーストの状態の安定性が高い導電性ペースト、および、導電性ペーストを用いてセラミック配線基板を製造する場合に、セラミック配線基板の変形を抑制できるセラミック配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】導電性ペーストは、導電性ペースト中のＷの粉末の粒度は、Ｄ５０粒径が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲であり、且つ、導電成分を１００重量部とした場合、導電成分中のＣｕの比率が５重量部〜７０重量部である。そのため、導電性ペーストのゲル化による増粘などの現象が生じにくい。つまり、導電性ペーストが硬くなったり表面に膜ができる等の現象が生じにくい。よって、導電性ペーストの状態が安定しているので、導電ペーストを作製してから長時間が経過しても、微細配線等をスクリーン印刷などによって容易に形成できる。【選択図】図１
2019046590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電成分として、Ｃｕの粉末とＷの粉末とを含む導電性ペーストにおいて、
前記Ｗの粉末の粒度は、Ｄ５０粒径が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲であり、
且つ、前記導電成分を１００重量部とした場合、該導電成分中のＣｕの比率が５重量部〜７０重量部である、
導電性ペースト。
【請求項２】
前記請求項１に記載の導電性ペーストを用いて、セラミックグリーンシートに配線パターンを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと前記配線パターンとを同時焼成して、セラミック基板に配線を備えたセラミック配線基板を製造する工程と、
を有する、
セラミック配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線における前記Ｗの平均粒径は、０．７μｍ〜１．２μｍの範囲である、
請求項２に記載のセラミック配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば電子部品のパッケージ、無線通信モジュール基板、制御回路用基板、半導体検査装置などの分野に用いることができる導電性ペースト及びセラミック配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック配線基板等の各種の基板には、配線等を構成する導電材料として、低抵抗で比較的安価なＣｕ系材料が用いられている。また、同様な低抵抗な導電材料として、ＡｇやＡｕも用いられている。
【０００３】
しかしながら、低抵抗のＣｕ、Ａｇ、Ａｕといった導電材料は、融点が低いという性質がある。そのため、これらの導電材料と同時焼成が可能な基板材料として、例えばガラスセラミックを用いると、基板の強度が低いという問題や熱伝導率が低いという別の問題がある。
【０００４】
そこで、低融点のＣｕなどの導電材料と高融点のＭｏやＷなどの導電材料とを組み合わせ、高強度及び高熱伝導率の特性を有するアルミナ等のセラミック材と同時焼成する技術が開発されている。つまり、前記セラミック材を用いたセラミックグリーンシートに、前記低融点および高融点の導電材料を含む導電性ペーストを用いて配線パターンを形成し、それらを同時焼成する技術が知られている。
【０００５】
例えば特許文献１には、平均粒径１〜１０μｍのＷまたはＭｏを含んだＣｕ電極を使用した配線基板が開示されている。
また、特許文献２には、平均粒径１〜１０μｍのＷまたはＭｏを含み、且つ、配線の保形性のために、平均粒径１５０μｍ以下の金属酸化物を含むＣｕ電極を使用した配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１８８４５３号公報
【特許文献２】特開２００９−４５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した従来技術では、例えばＷ等を含むＣｕ系配線を形成するために、平均粒径が１μｍ以上のＷ等の粉末を含むＣｕ系の導電性ペーストを作製するので、下記のような問題があり、その改善が求められていた。
【０００８】
具体的には、例えば平均粒径が１μｍ以上のＷの粉末を使用してＣｕ系の導電性ペーストを作製した場合には、時間が経過すると、導電性ペーストがゲル化したり、表面に膜ができることがあった。
【０００９】
つまり、導電性ペーストの粘度が増加（即ち増粘）して硬くなったり、表面に膜ができる等の現象が生じるので、導電性ペーストの状態が安定しないという問題があった。そのため、そのような状態の導電性ペーストでは、例えば微細配線等をスクリーン印刷によって形成することが困難であった。
【００１０】
また、上述した平均粒径１μｍ以上のＷの粉末を含むＣｕ系の導電性ペーストを用いる場合には、配線パターンの焼成時の収縮率（即ち配線の焼成割り掛け）は、通常のセラミックグリーンシートの焼成時の収縮率（即ちセラミック基板の焼成割り掛け）と比べて、非常に小さい。詳しくは、配線パターンの焼成時の収縮率は、例えば一般的に用いられるアルミナ等のセラミック材を含むセラミックグリーンシートの焼成時の収縮率と比べて、非常に小さい。つまり、配線の焼成割り掛けとセラミック基板の焼成割り掛けは乖離している。
【００１１】
そのため、セラミックグリーンシートやその積層体に、配線パターンが非対称で配置さえている場合、例えば積層体の厚み方向や平面方向において配線パターンの配置に偏りがある場合などには、焼成後のセラミック配線基板に反り等の変形が発生することがある。
【００１２】
本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、導電性ペーストの状態の安定性が高い導電性ペースト、および、導電性ペーストを用いてセラミック配線基板を製造する場合に、セラミック配線基板の変形を抑制できるセラミック配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）本開示の第１局面は、導電成分として、Ｃｕの粉末とＷの粉末とを含む導電性ペーストに関するものである。
この導電性ペーストでは、Ｗの粉末の粒度は、Ｄ５０粒径が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲であり、且つ、導電成分を１００重量部とした場合、導電成分中のＣｕの比率が５重量部〜７０重量部である。
【００１４】
本第１局面では、導電性ペースト中のＷの粉末の粒度は、Ｄ５０粒径が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲であり、且つ、導電成分を１００重量部とした場合、導電成分中のＣｕの比率が５重量部〜７０重量部であるので、後述する実験例からも明らかなように、ゲル化による増粘などの現象が生じにくい。
【００１５】
つまり、導電性ペーストが硬くなったり表面に膜ができる等の現象が生じにくいので、導電性ペーストの状態が安定している。そのため、導電ペーストを作製してから長時間が経過しても、例えば微細配線等をスクリーン印刷などによって容易に形成できる。
【００１６】
詳しくは、本第１局面では、導電性ペースト中のＷの粉末のＤ５０粒径が、０．９μｍ以下であるので、導電性ペーストのゲル化による増粘等を抑制する機能が高い。つまり、導電性ペーストには、ペースト化のための成分としてバインダ等の樹脂が用いられるが、この樹脂とＣｕとの反応が、ゲル化等の要因と考えられる。そこで、本第１局面では、Ｄ５０粒径が０．９μｍ以下の微細なＷの粉末を用いることにより、この微細なＷが樹脂とＣｕとの反応を抑制すると考えられる。つまり、微細なＷの粉末が、導電性ペーストの状態安定化に寄与していると推定される。
【００１７】
このように、本第１局面では、導電性ペーストの状態が安定化することにより、微細配線パターンの形成が容易になる。また、導電性ペーストの作製後、一定期間保管ができるようになるので、大量生産が可能となり、コスト低減に寄与する。さらに、粉末の熔融状態等を調節するために、粉末の表面にコーティングすると言った特殊な工程を省略できるので、コスト面で有利である。また、導電性ペーストの有機組成を変更する必要がないので、セラミックグリーンシートへの影響や生加工性への影響が少ないという利点もある。
【００１８】
また、本第１局面では、Ｗの粉末のＤ５０粒径が０．７μｍ以上であるので、粉末の発火等の危険性が少なく、取り扱いが容易であるという利点がある。
さらに、本第１局面では、Ｃｕの比率が５重量部以上であるので、それよりＣｕの比率が小さい場合比べて、導電性ペーストを用いて形成される配線の電気的特性（例えば比抵抗が小さいという特性）が優れている。
【００１９】
また、本第１局面では、融点の低いＣｕの比率が７０重量部以下であるので、焼成の際に配線の保形性が高く、Ｃｕの熔出を抑制できるという利点がある。
なお、導電成分中のＣｕの比率としては、２０重量部〜７０重量部の範囲が好適である。詳しくは、Ｃｕの比率が２０重量部以上の場合には、配線の電気的特性が一層優れているので（例えば比抵抗が十分に小さいので）好適である。
【００２０】
（２）本開示の第２局面は、セラミック配線基板の製造方法に関するものである。
このセラミック配線基板の製造方法では、第１局面の導電性ペーストを用いて、セラミックグリーンシートに配線パターンを形成する工程と、セラミックグリーンシートと配線パターンとを同時焼成して、セラミック基板に配線を備えたセラミック配線基板を製造する工程と、を有する。
【００２１】
本第２局面では、上述した導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシートに配線パターンを形成し、同時焼成するので、セラミック配線基板の反り等の変形を抑制できるという効果がある。
【００２２】
詳しくは、前記導電性ペーストには、Ｄ５０粒径が０．９μｍ以下のＷの粉末が含まれているので、つまり、Ｗの粉末の粒径が小さいので、それよりＷの粉末の粒径が大きい場合に比べて、Ｗが焼成され易い。そのため、焼成の際に配線パターンの収縮率が大きい、言い換えれば、配線の焼成割り掛けが大きい。
【００２３】
よって、配線の焼成割り掛けが、セラミック基板の焼成割り掛けに近づくので、セラミック配線基板に反り等の変形が発生することを抑制できる。
このように、本第２局面では、使用する導電性ペースト中のＷの粉末の粒度を変えることで、配線の電気的特性に影響を与えることなく、焼成割り掛けの乖離を改善することができ、それによって、製品の反り形状を改善できるという顕著な効果を奏する。
【００２４】
特に、ＭＴＣＣ（即ち１０００℃〜１４００℃の温度範囲で電極材と同時焼成されるセラミック材）等で一般に用いられるアルミナ材料に比べて、Ｗを含むＣｕは焼成割掛けが大きく乖離しているが、本第２局面では、そのような焼成割り掛けの乖離を改善して、反り量を大きく低減することができる。
【００２５】
（３）本開示の第３局面では、配線におけるＷの平均粒径は、０．７μｍ〜１．２μｍの範囲であってもよい。
本第３局面では、配線におけるＷの平均粒径は１．２μｍ以下であるので、配線の原料として、例えばＤ５０粒径が０．９μｍ以下のような粒径が小さなＷの粉末を用いることができる。従って、上述のように、Ｗの焼成が容易であるので、配線の焼成割り掛けがセラミック基板の焼成割り掛けに近くなる。その結果、セラミック配線基板の反り等の変形が少ないという効果がある。
【００２６】
また、本第３局面では、配線におけるＷの平均粒径は０．７μｍ以上であるので、配線の原料として、例えばＤ５０粒径が０．７μｍ以上のような適度の粒径のＷの粉末を用いることができる。従って、上述のように、粉末の取扱性が高いので、セラミック配線基板の製造が容易であるという利点がある。
【００２７】
＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・導電性ペースト中には、導電成分以外に、ペースト化するための成分として、例えば樹脂製のバインダや溶剤等が含まれる。
【００２８】
・導電成分としては、Ｃｕ及びＷを主成分とする構成を採用できる。また、導電成分としては、Ｃｕ及びＷ以外に、他の導電成分（例えばＭｏ）を含んでいてもよい。なお、主成分とは、最も量（即ち体積）が多い成分を示している。
【００２９】
・Ｄ５０粒径とは、粉体をある粒子径から２つに分けたとき、大きい側と小さい側とが等量となる径（いわゆるメジアン径）である。このＤ５０粒径は、空気透過法によって求めることができる。
【００３０】
・セラミックグリーンシートとは、固体成分としてセラミックを主成分とし、他にシートを構成する成分が含まれる、未焼成のシートである。
・セラミック基板とは、セラミックを主成分とする基板を示している。セラミックとしては、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミ、窒化ケイ素が挙げられる。なお、セラミック基板には、セラミック以外に、ＳｉＯ２、ＭｇＣＯ３、ＢａＣＯ３等の焼結助剤などが含まれていてもよい。
【００３１】
・配線とは、セラミック基板の表面や内部に配置されている導電性を有する部分である。
・配線パターンには、導電性ペーストに含まれる導電材料以外に、バインダ等のパターンを形成する成分が含まれる。
【００３２】
・配線による平均粒径は、配線の断面に対する例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影された画像から求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施形態のセラミック配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。
【図２】実施形態のセラミック配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図３】実験例２の積層体を厚み方向に破断して示す断面図である。
【図４】実験例２の配線の破断面のＷ粒子の平均粒径を算出する方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
次に、本開示の導電性ペースト及びセラミック配線基板の製造方法の実施形態について説明する。
［１．実施形態］
［１−１．セラミック配線基板の構成］
まず、実施形態の導電性ペーストを用いて製造されるセラミック配線基板について説明する。
【００３５】
図１に模式的に示す様に、実施形態におけるセラミック配線基板１は、Ａｌ２Ｏ３を９０体積％以上含むセラミック基板３の内部に、例えばＣｕ及びＷを主成分とする内部配線層５を備えている。なお、セラミック基板３には、表面等に他の配線を設けたりビアなどを設ける場合があるが、ここでは省略してある。
【００３６】
このセラミック配線基板１では、配線である内部配線層５が、非対称に配置されている。つまり、セラミック配線基板１を厚み方向に破断した場合に、その破断面において、配線の配置は厚み方向（即ち図１の上下方向）において非対称となっている。詳しくは、内部配線層５は、セラミック基板３の一方（図１の上方）の表面側に偏って配置されている。
【００３７】
以下、各構成について説明する。
セラミック基板３は、第１セラミック層７と第２セラミック層９とを備えており、第１セラミック層７と第２セラミック層９との間に内部配線層５が配置されている。
【００３８】
このセラミック基板３は、Ａｌ２Ｏ３以外に、例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＣＯ３、ＢａＣＯ３等の焼結助剤の成分が含まれている。
内部配線層５は、導電成分であるＣｕ及びＷ以外に、例えばＡｌ２Ｏ３等の成分が含まれている。この内部配線層５におけるＷ粒子（即ち結晶粒子）の平均粒径は、０．７μｍ〜１．２μｍの範囲である。
【００３９】
［１−２．セラミック配線基板の製造方法］
次に、本実施形態のセラミック配線基板１の製造方法について説明する。なお、下記の第１工程、第２工程の順番は前後してもよい。
【００４０】
＜導電性ペーストの作製工程：第１工程＞
内部配線層５の主原料として、Ｃｕ粉末及びＷ粉末を用意し、また、Ａｌ２Ｏ３粉末を用意した。ここで、Ｗ粉末の粒度は、Ｄ５０粒径が０．７μｍ〜０．９μｍである。なお、Ｃｕ粉末の粒度としては、Ｄ５０粒径が２．５μｍ〜４．５μｍを採用できる。また、Ａｌ２Ｏ３粉末の粒度としては、平均粒径が１５０ｎｍ以下のものを採用できる。
【００４１】
以下に、Ａｌ２Ｏ３粉末の平均粒径の求め方を説明する。
０．１ｇのＡｌ２Ｏ３（アルミナ）粉末を、ステンレス板上に置き、カーボンスパッタを施した後、その表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて倍率１０００倍で撮影した。そのＳＥＭ画像を用いて、基準長（例えば、１μｍに対応する長さ［ｍｍ］）の長さを測定した。次に、実際に、ＳＥＭ画像から、同方向にて、アルミナ粒子の長さ（アルミナ粒子長さＡ）を１００点（１００ポイント）測定した。そして、下記式（１）を用いて、実際のアルミナ粒子径［ｎｍ］を算出した。
【００４２】
実際のアルミナ粒子径［ｎｍ］＝アルミナ粒子長さＡ［ｍｍ］／基準長［ｍｍ］・・(１)
次に、このようにして求めた、１００個の実際のアルミナ粒子径の平均を算出し、この値を平均粒径とした。
【００４３】
そして、これらの粉末材料に、ワニス成分を加えて内部配線層用の導電性ペーストを作製した。なお、この導電性ペーストを作製する場合には、導電成分であるＣｕ及びＷを１００重量部とした場合、導電成分中のＣｕの比率を５重量部〜７０重量部とした。
【００４４】
＜セラミックグリーンシートの作製工程：第２工程＞
まず、セラミック基板３の主原料（主成分となる原料）として、Ａｌ２Ｏ３粉末を用意した、また、焼結助剤として、ＳｉＯ２、ＭｇＣＯ３、ＢａＣＯ３等の粉末を用意した。
【００４５】
そして、これらの粉末材料（なお、焼結助剤は各粉末から１種又は複数種を選択して使用する）に、バインダや可塑剤や溶剤等を加えて、セラミックスラリーを作製した。
このセラミックスラリーを用いて、図２（ａ）に示すように、ドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシート１１を作製した。
【００４６】
＜積層体の作製工程：第３工程＞
図２（ｂ）に示すように、複数（例えば３枚）のセラミックグリーンシート１１を積層して、第１セラミック層７となる第１積層体１３を作製した。
【００４７】
また、図２（ｃ）に示すように、複数（例えば２枚）のセラミックグリーンシート１１を積層して、第２セラミック層９となる第２積層体１５を作製した。
つまり、第２積層体１５（従って第２セラミック層９）より第１積層体１３（従って第１セラミック層７）の厚みが大きくなるように、第２積層体１５よりも第１積層体１３のセラミックグリーンシート１１の積層枚数を多くした。なお、第１，第２積層体１３、１５のような積層体ではなく、厚み異なるセラミックグリーンシートを１枚ずつ使用してもよい。
【００４８】
そして、図２（ｄ）に示すように、第１積層体１３の一方の表面に、内部配線層用の導電性ペーストをスクリーン印刷して、内部配線層用の配線パターン１７を形成した。
次に、図２（ｅ）に示すように、第１積層体１３と第２積層体１５とを積層して、セラミック配線基板１となる積層体１９を作製した。詳しくは、第１積層体１３の配線パターン１７が形成された側に、第２積層体１５を積層するようにして、第１積層体１３と第２積層体１５とを積層した。
【００４９】
＜焼成工程：第４工程＞
次に、配線パターン１７が形成された積層体１９を、周知にように脱脂した後に、所定の焼成条件にて同時焼成した。なお、焼成条件としては、例えば還元雰囲気にて、１２００〜１３００℃の温度範囲で、０．５〜２時間焼成する条件を採用できる。これによって、図２（ｆ）に示すセラミック配線基板１を得た。
【００５０】
［１−３．効果］
本実施形態の導電性ペーストでは、導電性ペースト中のＷの粉末の粒度は、Ｄ５０粒径が０．７μｍ〜０．９μｍの範囲であり、且つ、導電成分を１００重量部とした場合、導電成分中のＣｕの比率が５重量部〜７０重量部である。
【００５１】
そのため、導電性ペーストのゲル化による増粘などの現象が生じにくい。つまり、導電性ペーストが硬くなったり、表面に膜ができる等の現象が生じにくい。よって、導電性ペーストの状態が安定しているので、導電ペーストを作製してから長時間が経過しても、微細配線等をスクリーン印刷などによって容易に形成できる。
【００５２】
本実施形態では、Ｗの粉末のＤ５０粒径が０．７μｍ以上であるので、粉末の発火等の危険性が少なく、取り扱いが容易であるという利点がある。
本実施形態では、Ｃｕの比率が５重量部以上であるので、それよりＣｕの比率が小さい場合比べて、導電性ペーストを用いて形成される内部配線層５の電気的特性（例えば比抵抗が小さいという特性）が優れている。
【００５３】
本実施形態では、融点の低いＣｕの比率が７０重量％以下であるので、焼成の際に配線の保形性が高く、Ｃｕの熔出を抑制できるという利点がある。
また、本実施形態のセラミック配線基板の製造方法では、上述した導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート１１（詳しくは第１積層体１３）に配線パターン１７を形成し、同時焼成するので、セラミック配線基板１の反り等の変形を抑制できるという効果がある。特に、セラミック配線基板１に配線が非対称に配置されている場合に、変形の抑制に顕著な効果を奏する。
【００５４】
なお、このようにして製造されたセラミック配線基板１の内部配線層５におけるＷの平均粒径（結晶粒径）は、例えば０．７μｍ〜１．２μｍの範囲である。
［２．実験例］
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例１、２について説明する。
【００５５】
＜実験例１＞
実験例１は、導電性ペーストの状態の安定性を調べたものである。
この実験例１では、本開示の範囲の実施例の試料として、下記表１に示すNo.１〜６の導電性ペーストの試料を作製し、また、本開示の範囲外の比較例の試料として、No.７〜９の導電性ペーストの試料を作製した。
【００５６】
以下に、試料の作製方法を説明する。
まず、導電材料として、下記表１に示す粒度（即ちＤ５０粒径）のＷ粉末と、Ｄ５０粒径が３．３μｍのＣｕ粉末とを準備し、表１の比率でＣｕ粉末とＷ粉末とを混合した。さらに、Ｃｕ粉末とＷ粉末との総重量を１００重量部としたときに、この導電材料に外重量部で１重量部の平均粒径１５０ｎｍ以下のアルミナ粉末を添加した。
【００５７】
なお、Ｗ粉末等の粉末の粒度は、Ｆｉｓｈｅｒ社製  Ｓｕｂ  Ｓｉｅｖｅ  Ｓｉｚｅｒを用い、空気透過法により測定した。
次に、この混合粉末に、ワニス成分としてエチルセルロース樹脂とターピネオール溶剤とを加え、３本ロールミルによって混練することで、各試料の導電性ペーストを作製した。
【００５８】
【表１】
2019046590.tif 000003
そして、このように作製した各試料の導電性ペーストに対して、凝集（即ち部分的な塊の発生）やゲル化の有無を、８日間に渡り観察した。すなわち、導電性ペーストの状態の安定性を、外観により評価した。
【００５９】
この評価では、肉眼にて凝集やゲル化が観察された場合を、その導電性ペーストについて変化があったと判断した。その結果を、下記表２に示す。
【００６０】
【表２】
2019046590.tif 000004
この表２から明らかなように、実施例のNo.１〜６の試料では、８日を経過しても、導電性ペーストに変化が見られないので、好適であった。
【００６１】
それに対して、比較例のNo.７〜９の試料では、８日目では、導電性ペーストに変化が有り、好ましくない。
＜実験例２＞
実験例２は、セラミック配線基板の反りの発生状態を調べたものである。
【００６２】
実験例２では、本開示の範囲内の導電ペーストを用いた実施例の試料として、No.１０、１１のセラミック配線基板の試料を作製し、また、本開示の範囲外の導電ペーストを用いた比較例の試料として、No.１２のセラミック配線基板の試料を作製した。
【００６３】
以下に、試料の作製方法を説明する。
＜セラミックグリーンシートの作製＞
まず、セラミック基板３の主原料（主成分となる原料）として、Ａｌ２Ｏ３粉末を用意するとともに、焼結助剤として、ＳｉＯ２、ＭｇＣＯ３、ＢａＣＯ３等の粉末を用意した。なお、Ａｌ２Ｏ３粉末は、平均粒径０．５μｍのものを使用した。
【００６４】
さらに、シート化するための材料として、バインダ（例えばブチラール系バインダ）、可塑剤（例えばＤＯＰ：ジ・オクチル・フラレート）、溶剤（例えばエタノールまたはエチレン）を用意した。
【００６５】
そして、Ａｌ２Ｏ３製のポットに、Ａｌ２Ｏ３粉末と焼結助剤の粉末との粉末材料を、２５００ｇ秤量して入れた。なお、Ａｌ２Ｏ３粉末は９０体積％用い、残部として、焼結助剤を各粉末から１種又は複数種を選択して使用した。
【００６６】
次に、前記ポットに、着色剤を所定量投入後、ブチラール樹脂３００ｇを投入した。さらに、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤（エタノール又はトルエン）と可塑剤（ＤＯＰ）とを投入し、２０時間粉砕混合して、セラミックスラリーを得た。
【００６７】
次に、このセラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、厚み０．１ｍｍと０．０５ｍｍのセラミックグリーンシートを得た。
＜評価用のサンプルの作製＞
そして、図３に示すように、厚み０．１ｍｍのセラミックグリーンシート３１の上に、層間に厚み１０μｍの内部配線パターン３３が挟まれるように、０．０５ｍｍのセラミックグリーンシート３５を６枚積層した。つまり、合計７枚のセラミックグリーンシート３１、３５の間に、６箇所に内部配線パターン３３が配置されたNo.１０〜１２の試料に対応した各積層体３７を作製した。
【００６８】
ここで、内部配線パターン３３は、前記実験例１で作製したＣｕ系の導電性ペーストを用いて形成した。詳しくは、実施例のNo.１０、No.１１の試料のセラミック配線基板を作製するために、それぞれ、実験例１のNo.４、No.２の試料の導電性ペーストを用いた。同様に、比較例のNo.１２の試料のセラミック配線基板を作製するために、実験例１のNo.７の試料の導電性ペーストを用いた。
【００６９】
また、各積層体３７の厚み方向の両側（図３に上下方向）に、Ｍｏを主成分とする導電性ペーストを用いて外側配線パターン３９、４１を形成した。
そして、このようにして得られた各積層体３７を、１２００℃〜１３００℃のウェッター雰囲気下で焼成することで、評価用のサンプルであるNo.１０〜１２の試料のセラミック配線基板、即ち内部及び表面に配線を備えた直方体形状のセラミック配線基板を得た。
【００７０】
＜評価＞
各試料の形状を、ＫＥＹＥＮＣＥ  レーザー変位計ＬＫ−Ｈ０２０を用いて測定した。詳しくは、各試料の対角線方向にプロファイルを作製し、最高点と最下点との差を反り量として求めた。その結果を、下記表３に記す。
【００７１】
また、各試料を内部の配線（即ち焼成後の内部配線パターン）を含むように破断した。次に、その破断面を研磨し、３０００倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、二次電子像による観察を行った。
【００７２】
詳しくは、内部の配線の破断面の画像の所定範囲（例えば２０μｍ角）における全Ｗ粒子について、図４に示すように、水平方向（同図矢印方向）に粒径を測定し、その平均粒径を算出した。その結果を、下記表３に記す。
【００７３】
【表３】
2019046590.tif 000005
表３から明らかなように、実施例のNo.１０、No.１１の試料では、Ｗ粒子の平均粒径が小さく、反り量が小さいので好適である。
【００７４】
それに対して、比較例のNo.１２の試料では、Ｗ粒子の平均粒径が大きく、反り量が大きいので、好ましくない。
［３．その他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
【００７５】
（１）例えば、セラミック基板を構成するセラミックとしては、前記実施形態に限定されることなく、アルミナ以外に、各種のセラミック（例えばジルコニア、窒化アルミ、窒化ケイ素）を採用できる。
【００７６】
（２）導電性ペースト、内部配線層は、本開示の範囲を逸脱しない範囲内で、各種の組成を採用できる。
（３）なお、上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００７７】
１…セラミック配線基板
３…セラミック基板
５…内部配線層
１１、３１、３５…セラミックグリーンシート
１７…配線パターン
３３…内部配線パターン
３９、４１…外側配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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