(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置の製造方法は、共通のリードフレームのダイパッドＤＰ上に、互いに異なる半導体チップＣＰまたは第２半導体チップを搭載する工程を有する。複数のリードＬＤのそれぞれには、テープＴＰ１およびテープＴＰ２が固定されている。また、複数のリードＬＤは、金属膜ＢＭが形成された先端部を備える。上記先端部は、平面視において、テープＴＰ１よりもダイパッドＤＰの近くに位置する部分ＬＤＰ１と、部分ＬＤＰ１よりもダイパッドＤＰから遠くに位置し、かつ、テープＴＰ１と重なる部分ＬＤＰ２と、部分ＬＤＰ２よりもダイパッドＤＰから遠くに位置し、かつ、テープＴＰ１とテープＴＰ２との間に位置する部分ＬＤＰ３と、を有する。半導体チップＣＰの場合には、部分ＬＤＰ１上の金属膜ＢＭにワイヤＢＷが接続される。第２半導体チップの場合には、部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２にワイヤＢＷが接続される。【選択図】図５
2019075474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッドと、複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれの先端部同士を互いに連結する連結部と、前記先端部および前記連結部のそれぞれに形成されたメッキ膜と、平面視において前記複数のリードのそれぞれに跨るように前記複数のリードのそれぞれに固定された第１リード固定テープと、平面視において前記複数のリードのそれぞれに跨るように前記複数のリードのそれぞれに固定された第２リード固定テープと、を有するリードフレームを準備する工程；
ここで、
前記第２リード固定テープは、前記複数のリードのそれぞれのうち、前記第１リード固定テープよりも前記ダイパッドから遠い位置に固定され、
前記先端部は、平面視において、前記第１リード固定テープよりも前記ダイパッドの近くに位置する第１部分と、前記第１部分よりも前記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、前記第１リード固定テープと重なる第２部分と、前記第２部分よりも前記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、前記第１リード固定テープと前記第２リード固定テープとの間に位置する第３部分と、を有し、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記ダイパッド上に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のボンディングワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを樹脂で封止する工程；
ここで、
前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが第１半導体チップである場合は、前記（ｂ）工程の前に、前記第１リード固定テープが残るように前記連結部および前記複数のリードのそれぞれの前記先端部の前記第１部分の一部を除去し、さらに、前記（ｃ）工程では、前記先端部の前記第１部分の残部に形成された前記メッキ膜の残部に前記複数のボンディングワイヤをそれぞれ接続し、
前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが前記第１半導体チップとは平面視における外観が異なる第２半導体チップの場合は、前記（ｂ）工程の前に、前記第２リード固定テープが残るように前記連結部、前記先端部の前記第１部分および前記先端部の前記第２部分を除去し、さらに、前記（ｃ）工程では、前記先端部の前記第３部分に形成された前記メッキ膜に前記複数のボンディングワイヤをそれぞれ接続する。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１半導体チップの外形サイズと、前記第２半導体チップの外形サイズと、は互いに異なる、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１半導体チップの外形サイズは、前記第２半導体チップの外形サイズより小さい、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１半導体チップが備える複数の電極パッドの配列と、前記第２半導体チップが備える複数の電極パッドの配列と、は互いに異なる、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記リードフレームは、前記ダイパッドに接続され、前記ダイパッドを支持する第１吊りリードおよび第２吊りリードを有し、
前記複数のリードは、前記第１吊りリードと前記第２吊りリードとの間に配置され、
前記複数のリードは、前記第１吊りリードの隣に位置する第１リードを有し、
前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが前記第２半導体チップである場合に、前記第１リードの前記先端部の延在方向と、前記第１リードの前記第３部分上に接続されるワイヤの延在方向とが成す角度は、前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが前記第１半導体チップである場合に、前記第１リードの前記先端部の延在方向と、前記第１リードの前記第１部分上に接続されるワイヤの延在方向とが成す角度より大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記リードフレームは、前記ダイパッドに接続され、前記ダイパッドを支持する第１吊りリードおよび第２吊りリードを有し、
前記複数のリードは、前記第１吊りリードと前記第２吊りリードとの間に配置され、
前記複数のリードは、前記第１吊りリードの隣に位置する第１リードを有し、
前記（ｂ）工程の前、前記第１リードの前記先端部には、平面視において、前記先端部の延在方向と交差し、かつ、前記ダイパッドと対向する先端辺が形成され、
前記（ｃ）工程では、平面視において、前記第１リードに接続されるワイヤが前記第１リードの前記先端辺と交差する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｂ）工程の前、前記複数のリードのそれぞれの前記先端部には、平面視において、前記先端部の延在方向と交差し、かつ、前記ダイパッドと対向する先端辺が形成され、
前記（ｃ）工程では、平面視において、前記複数のリードのそれぞれに接続されるワイヤが前記複数のリードそれぞれの前記先端辺と交差する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記メッキ膜は、前記第１部分および前記第３部分のそれぞれに形成され、前記第２部分には形成されていない、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、
前記メッキ膜は、前記先端部の前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分に跨って形成され、
前記第１リード固定テープは、前記メッキ膜を介して前記第２部分上に固定されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記第１リード固定テープおよび前記第２リード固定テープのそれぞれは、前記メッキ膜を介して、前記複数のリードのそれぞれに固定されている、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、例えば、半導体チップと複数のリードとが複数のワイヤを介して接続された半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平８−２０４１１１号公報（特許文献１）や、特開２００６−１３３９１号公報（特許文献２）には、半導体チップに接続される複数のリードの先端部の周辺にテープ材が貼り付けられた構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２０４１１１号公報
【特許文献２】特開２００６−１３３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リードフレームのダイパッドに搭載された半導体チップと複数のリードとがボンディングワイヤを介して電気的に接続された半導体装置がある。複数種類の半導体装置に共通のリードフレームを利用することができれば、リードフレームの汎用性が上がるので半導体装置の製造効率が向上する。
【０００５】
しかし、半導体チップの外形サイズや電極パッドの配列など、その外観が互いに異なる複数種類の半導体チップに対して共通のリードフレームを利用する場合、電極パッドとリードとの位置関係が半導体チップの種類毎に異なるため、半導体装置の信頼性の観点で課題が生じる場合がある。例えば、多数のリードが狭ピッチで配列されている場合、パッドとリードとの位置関係によっては、一つのリードに接続されたボンディングワイヤが、別のリードに接触し、短絡してしまう場合がある。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、共通のリードフレームのダイパッド上に、互いに外観が異なる第１半導体チップまたは第２半導体チップを搭載する工程を有する。上記リードフレームが備える複数のリードのそれぞれには、第１リード固定テープおよび第２リード固定テープが固定されている。また、複数のリードは、メッキ膜が形成された先端部を備える。上記先端部は、平面視において、上記第１リード固定テープよりも上記ダイパッドの近くに位置する第１部分と、上記第１部分よりも上記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、上記第１リード固定テープと重なる第２部分と、上記第２部分よりも上記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、上記第１リード固定テープと上記第２リード固定テープとの間に位置する第３部分と、を有する。上記ダイパッド上に搭載される半導体チップが第１半導体チップの場合には、上記第１部分上のメッキ膜にワイヤが接続される。上記ダイパッド上に搭載される半導体チップが第２半導体チップの場合には、上記第３部分上のメッキ膜にワイヤが接続される。
【発明の効果】
【０００８】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。
【図４】図３に示す複数のワイヤを取り除いた状態で示す透視平面図である。
【図５】図３に示すワイヤの周辺を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】図５に示すリードの周辺をさらに拡大した拡大平面図である。
【図７】図５に対する検討例を示す拡大平面図である。
【図８】図５に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図９】図１〜図８を用いて説明した半導体装置の組立工程のフローを示す説明図である。
【図１０】図９に示す基材準備工程で準備するリードフレームを示す拡大平面図である。
【図１１】図１０に示すリードの先端部周辺を拡大して示す拡大平面図である。
【図１２】図５に示す半導体装置の製造工程に含まれるリード先端カット工程において、リードの一部分が除去された状態を示す拡大平面図である。
【図１３】図８に示す半導体装置の製造工程に含まれるリード先端カット工程において、リードの一部分が除去された状態を示す拡大平面図である。
【図１４】図１２に示すリードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１５】図１３に示すリードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１６】図１４に示す半導体チップと複数のリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図１７】図１５に示す半導体チップと複数のリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図１８】図１６に示す半導体チップのパッドとリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【図１９】図１７に示す半導体チップのパッドとリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【図２０】図９に示す封止工程において、半導体チップを封止する封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図２１】図２０に示す複数のリードの露出面に金属膜を形成し、それぞれ切断した後、成形した状態を示す拡大平面図である。
【図２２】、図２１に示す吊りリードを切断して、半導体パッケージを取得した状態を示す拡大平面図である。
【図２３】図３に示す半導体チップの変形例を示す平面図である。
【図２４】図３に対する変形例である半導体装置のダイパッドと半導体チップの位置関係を示す拡大平面図である。
【図２５】図１１に対する変形例であるリードの先端部の拡大断面図である。
【図２６】図１１に対する別の変形例であるリードの先端部の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１１】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金メッキ、Ｃｕ層、ニッケル・メッキ等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１２】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１３】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１４】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１５】
＜半導体装置の概要＞
まず、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧ１の構成の概要について、図１〜図４を用いて説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。また、図４は、図３に示す複数のワイヤを取り除いた状態で示す透視平面図である。
【００１６】
図１〜図４に示すように、半導体装置ＰＫＧ１は、半導体チップＣＰ（図２、図３参照）と、半導体チップＣＰと電気的に接続される複数のリードＬＤと、半導体チップＣＰと複数のリードＬＤを電気的に接続する導電性部材である複数のワイヤＢＷ（図２参照）と、を有している。また、半導体チップＣＰおよび複数のワイヤＢＷは、封止体（樹脂体）ＭＲに封止されている。また、複数のリードＬＤのそれぞれのインナリード部ＩＬＤ（図２参照）は封止体ＭＲに封止され、かつ複数のリードＬＤのそれぞれのアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲから露出している。
【００１７】
図１に示すように、半導体装置ＰＫＧ１が備える封止体ＭＲの平面形状は四角形から成る。封止体ＭＲは上面ＭＲｔ、上面ＭＲｔの反対側に位置する下面（裏面、被実装面）ＭＲｂ（図２参照）、上面ＭＲｔと下面ＭＲｂとの間に位置する側面ＭＲｓ（図１、図２参照）を有している。
【００１８】
また、図１および図３に示すように、封止体ＭＲは、平面視において、Ｘ方向に沿って延在する（延びる）辺（主辺）Ｓ１、およびＸ方向と交差する（図１では直交する）Ｙ方向に沿って延在する辺（主辺）Ｓ２を有している。また、封止体ＭＲは、辺Ｓ１の反対側に位置し、Ｘ方向に沿って延在する辺Ｓ３、および辺Ｓ２の反対側に位置し、Ｙ方向に沿って延在する辺Ｓ４を有している。図１に示すように、封止体ＭＲが備える４つの側面ＭＲｓは封止体ＭＲの各辺に沿って配置されている。また、図１に示す例では、封止体ＭＲの各辺が交わる角部ＭＲｃが面取り形状になっている。
【００１９】
ここで、封止体ＭＲの角部ＭＲｃとは、封止体ＭＲの四辺（四つの主辺）のうち、交差する任意の二辺（二つの主辺）の交点である角の周辺領域を含んでいる。なお、厳密には、図１および図３に示すように、封止体ＭＲの角部ＭＲｃは、面取り形状になっている（図１に示す例では、テーパ形状であるが、湾曲したＲ形状でも良い）ので、主辺の交点は封止体ＭＲの角部ＭＲｃよりも外側に配置される。しかし、面取り部は、主辺の長さと比較して十分に小さいため、本願では、面取り部の中心を封止体ＭＲの角と見做して説明する。つまり、本願においては、封止体ＭＲの四辺（四つの主辺）のうち、任意の二辺（二つの主辺）が交差する領域であって、該領域が面取りされている場合にはその面取り部が角部ＭＲｃに相当し、該領域が面取りされていない場合には、任意の二辺（二つの主辺）の交点が角部ＭＲｃに相当する。以下、本願において、封止体ＭＲの角部ＭＲｃと説明するときは、特に異なる意味、内容で用いている旨を明記した場合を除き、上記と同様の意味、内容として用いる。
【００２０】
また、半導体装置ＰＫＧ１では、平面形状が四角形からなる封止体ＭＲの各辺（各主辺）に沿って、それぞれ複数のリードＬＤが配置されている。複数のリードＬＤは、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属部材である。
【００２１】
図２に示すように、複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにおいて、封止体ＭＲの外側に向かって突出している。また、複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤの露出面には、例えば、銅を主成分とする基材の表面に、金属膜（外装メッキ膜）ＭＣが形成されている。金属膜ＭＣは、例えば、半田など、基材である銅よりも半田に対する濡れ性が良好な金属材料から成り、基材である銅部材の表面を被覆する金属皮膜である。半導体装置ＰＫＧ１の外部端子である複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤのそれぞれに、半田などから成る、金属膜ＭＣを形成することにより、半導体装置ＰＫＧ１を実装基板に実装する際に、導電性の接続材である半田材の濡れ性を向上させることができる。これにより、複数のリードＬＤと半田材との接合面積が増大するので、複数のリードＬＤと実装基板側の端子との接合強度を向上させることができる。
【００２２】
金属膜ＭＣは、例えば、鉛（Ｐｂ）入りのＳｎ−Ｐｂ半田材、あるいは、Ｐｂを実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなる半田材である。鉛フリー半田の例としては、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）、錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）などが挙げられる。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。
【００２３】
なお、図２に示す例では、リードＬＤのアウタリード部ＯＬＤの露出面に半田膜である金属膜ＭＣをメッキ法により形成する例を示しているが、金属膜ＭＣには種々の変形例がある。例えば、金属膜ＭＣは、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属膜と、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする金属膜の積層膜であっても良い。あるいは、例えば、パラジウムを主成分とする金属膜の表面にさらに金（Ａｕ）を主成分とする金属膜を積層しても良い。また、金属膜ＭＣが半田以外の材料で構成される場合には、複数のリードＬＤのインナリード部ＩＬＤおよびアウタリード部ＯＬＤの表面を覆うように金属膜ＭＣを形成しても良い。
【００２４】
また、図２および図３に示すように、封止体ＭＲの内部には半導体チップＣＰが封止されている。図３に示すように、半導体チップＣＰは、平面視において四角形を成し、表面ＣＰｔには、表面ＣＰｔの外縁を構成する４つの辺のそれぞれに沿って複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤ（図２参照）が設けられている。また、半導体チップＣＰ（詳しくは、半導体基板）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。図示は省略するが、半導体チップＣＰの主面（詳しくは、半導体チップＣＰの半導体基板の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されている。そして、複数のパッドＰＤは、半導体チップＣＰの内部（詳しくは、表面ＣＰｔと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。つまり、複数のパッドＰＤは、半導体チップＣＰに形成された回路と、電気的に接続されている。
【００２５】
また、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔには、半導体チップＣＰの基板および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。
【００２６】
また、半導体チップＣＰの周囲（言い換えれば、ダイパッドＤＰ（図２参照）の周囲）には、複数のリードＬＤが配置されている。そして、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔにおいて露出する複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤのそれぞれは、封止体ＭＲの内部に位置するリードＬＤのインナリード部ＩＬＤと、ワイヤ（導電性部材）ＢＷを介して電気的に接続されている。ワイヤＢＷは、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）から成り、ワイヤＢＷの一部（例えば一方の端部）がパッドＰＤに接合され、他部（例えば他方の端部）がインナリード部ＩＬＤの先端部のワイヤボンディング領域（ワイヤＢＷの一部が接続される領域）に接合されている。
【００２７】
本実施の例では、インナリード部ＩＬＤの先端部のワイヤボンディング領域には、金属膜（メッキ膜、メッキ金属膜）ＢＭ（図２参照）が形成されている。図２に示すように、インナリード部ＩＬＤの一部分（最もダイパッドＤＰに近い先端部の上面（表面）ＬＤｔ）に部分的に金属膜ＢＭが形成されている。金属膜ＢＭは例えば、銀（Ａｇ）、金、あるいはパラジウムを主成分とする材料（例えば、パラジウム膜上に薄い金膜が形成された積層構造）から成る。インナリード部ＩＬＤのうち、ワイヤＢＷが接続される部分に、銀、金、あるいはパラジウムを主成分とする材料から成る金属膜ＢＭが形成されていることにより、金からなるワイヤＢＷとの接合強度を向上させることができる。金属膜ＢＭが形成される領域の詳細については、後述する。
【００２８】
また、図２に示すように、半導体チップＣＰはチップ搭載部であるダイパッドＤＰに搭載されている。図４に示す例では、ダイパッドＤＰの上面（チップ搭載面）ＤＰｔは、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔの面積より大きい面積を有する六角形を成す。ダイパッドＤＰは、半導体チップＣＰを支持する支持部材であって、形状および大きさは、図４に示す例の他、種々の変形例がある。例えば、ダイパッドＤＰの平面形状を四角形や円形としても良い。
【００２９】
また、図４に示すようにダイパッドＤＰの周囲には複数の吊りリードＨＬが配置される。吊りリードＨＬは、半導体装置ＰＫＧ１の製造工程において、リードフレームの支持部（枠部）にダイパッドＤＰを支持する部材であって、吊りリードＨＬの一方の端部は、ダイパッドＤＰに接続されている。図４に示す例では、ダイパッドＤＰには、ダイパッドＤＰの一部から封止体ＭＲの４つの角部ＭＲｃのそれぞれに向かって延びる４本の吊りリードＨＬ１、ＨＬ２、ＨＬ３、ＨＬ４が接続されている。吊りリードＨＬ１と吊りリードＨＬ２との間には複数のリードＬＤ１が、吊りリードＨＬ２と吊りリードＨＬ４との間には複数のＬＤ２が、吊りリードＨＬ４と吊りリードＨＬ３との間には複数のリードＬＤ３が、吊りリードＨＬ３と吊りリードＨＬ１との間には複数のリードＬＤ４が、それぞれ配置されている。
【００３０】
詳しくは、複数の吊りリードＨＬが有する一方の端部は、ダイパッドＤＰの角部（角）に接続されている。また複数の吊りリードＨＬが有する他方の端部は、封止体ＭＲの角部ＭＲｃに向かって延び、角部ＭＲｃの近傍において二股に分岐して、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにおいて封止体ＭＲから露出する。吊りリードＨＬを封止体ＭＲの角部ＭＲｃに向かって、延ばすことにより、封止体ＭＲの各辺（各主辺）に沿って配置される複数のリードＬＤの配列は吊りリードＨＬにより阻害され難くなる。
【００３１】
また、本実施の形態では、図２に示すように、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔと、リードＬＤのインナリード部ＩＬＤの上面が異なる高さに配置されている。図２に示す例では、インナリード部ＩＬＤの上面ＬＤｔの位置よりもダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの方が低い位置に配置されている。このため、図４に示す複数の吊りリードＨＬには、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの高さがリードＬＤのインナリード部ＩＬＤの上面ＬＤｔ（図２参照）とは異なる高さに位置するように折り曲げられた、オフセット部（折り曲げ部、本実施の形態の例ではダウンセット部）ＨＬＢがそれぞれ設けられている。
【００３２】
また、半導体チップＣＰはダイパッドＤＰの中央に搭載されている。図２に示すように半導体チップＣＰは、裏面ＣＰｂがダイパッドＤＰの上面ＤＰｔに対向した状態で、ダイボンド材（接着材）ＤＢを介してダイパッドＤＰ上に搭載されている。つまり、複数のパッドＰＤが形成された表面（主面）ＣＰｔの反対面（裏面ＣＰｂ）をチップ搭載面（上面ＤＰｔ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。このダイボンド材ＤＢは、半導体チップＣＰをダイボンディングする際の接着材であって、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂に、銀などから成る金属粒子を含有させた樹脂接着剤、または半田材などの金属接合材を用いている。
【００３３】
＜リード構造＞
次に、本実施の形態の複数のリードのレイアウトについて詳細に説明する。図５は、図３に示すワイヤの周辺を拡大して示す拡大平面図である。図６は、図５に示すリードの周辺をさらに拡大した拡大平面図である。図７は、図５に対する検討例を示す拡大平面図である。図８は、図５に対する変形例を示す拡大平面図である。
【００３４】
図４に示すように、半導体装置ＰＫＧ１は、封止体ＭＲの辺Ｓ１に沿って配置された複数のリードＬＤ１から成るリード群ＬＤｇ１を有している。また、半導体装置ＰＫＧ１は、封止体ＭＲの辺Ｓ２に沿って配置された複数のリードＬＤ２から成るリード群ＬＤｇ２を有している。また、半導体装置ＰＫＧ１は、封止体ＭＲの辺Ｓ３に沿って配置された複数のリードＬＤ３から成るリード群ＬＤｇ３を有している。また、半導体装置ＰＫＧ１は、封止体ＭＲの辺Ｓ４に沿って配置された複数のリードＬＤ４から成るリード群ＬＤｇ４を有している。
【００３５】
また、リード群ＬＤｇ１とリード群ＬＤｇ２の間、リード群ＬＤｇ１とリード群ＬＤｇ４の間、リード群ＬＤｇ２とリード群ＬＤｇ３の間、およびリード群ＬＤｇ３とリード群ＬＤｇ４の間には、ダイパッドＤＰに接続された（ダイパッドＤＰを支持する）吊りリードＨＬがそれぞれ配置されている。
【００３６】
ところで、複数のリードＬＤと半導体チップＣＰの複数のパッドＰＤ（図２参照）とは、図２に示すようにワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。この複数のワイヤＢＷの長さを短くすることにより、ワイヤＢＷを含む伝送経路の電気的特性を向上させることができる。あるいは、ワイヤＢＷの長さを短くすることにより、封止体ＭＲを形成する工程において、ワイヤＢＷが変形することを抑制できる。
【００３７】
複数のワイヤＢＷのそれぞれの長さを短くするためには、リードＬＤの先端部を半導体チップＣＰのパッドＰＤの近傍に配置して、リードＬＤの先端部と半導体チップＣＰのパッドＰＤとの距離を小さくすることが好ましい。また、本実施の形態のように、端子数の多い半導体装置の場合、複数のリードＬＤの先端部（インナリード部ＩＬＤの先端部）は、狭い領域に狭ピッチで配置される。一方、図３に示すアウタリード部ＯＬＤの配置ピッチは、半導体装置ＰＫＧ１を実装する実装基板（図示は省略）側の端子の制約を受けるので、極端に狭ピッチ化することが難しい。複数のリードＬＤのそれぞれが有するインナリード部ＩＬＤの延在距離が長くなっている。
【００３８】
また、図３に示すように、リードＬＤのインナリード部ＩＬＤの延在距離が長い場合、半導体装置の製造工程においてリードＬＤの一部が変形し易い。上記したリードＬＤの変形には、不可逆的な塑性変形の他、例えばリード自身の自重による可逆的な（弾性変形）が含まれる。特に、リードＬＤのうち、ワイヤボンディング領域が設けられた先端部は、インナリード部ＩＬＤの距離が長くなる程、変形（主に弾性変形）し易くなる。そして、ワイヤボンディング工程において、リードＬＤの先端部が弾性変形すると、ワイヤＢＷを接合し難くなる。
【００３９】
このため、本実施の形態では、図３に示すように複数のリードＬＤのそれぞれに跨るようにテープ材（図３に示すテープＴＰ１およびテープＴＰ２）を貼り付けて（固定して）、複数のリードＬＤの変形を抑制している。
【００４０】
テープ（リード固定テープ）ＴＰ１およびテープ（リード固定テープ）ＴＰ２は、複数のリードＬＤを相互に連結して固定する固定部材であって、例えば樹脂フィルムなどの基材の一方の面（接着面）に粘着層（接着層）が形成されている。テープＴＰ１、ＴＰ２の粘着層を複数のリードＬＤの一方の面（例えば図２に示す例では上面ＬＤｔ）に接触させると、テープＴＰ１およびテープＴＰ２がリードＬＤに貼り付けられる。
【００４１】
また、複数のリードＬＤのそれぞれを相互に連結するのみでは、連結された複数のリードＬＤ全体の自重により変形する可能性がある。このため、図４に示すように、テープＴＰ１およびテープＴＰ２のそれぞれの一部分は、吊りリードＨＬに貼り付けられていることが好ましい。後述する半導体装置ＰＫＧ１の製造工程のうち、ワイヤボンディング工程では、吊りリードＨＬは一方の端部がダイパッドＤＰに接続され、他方の端部はリードフレームの枠部に連結されている。したがって、テープＴＰ１およびテープＴＰ２のそれぞれの一部が吊りリードＨＬに貼り付けられていれば、複数のリードＬＤは、吊りリードＨＬにより支持される。この結果、複数のリードＬＤが変形することを抑制できる。
【００４２】
ただし、図２に示すボンディング領域におけるリードＬＤの変形を抑制するためには、少なくともテープＴＰ１があれば良い。言い換えれば、テープＴＰ２が無い場合でも、図２に示すボンディング領域におけるリードＬＤの変形を抑制することはできる。しかし、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧ１は、複数のリードＬＤのそれぞれに、テープＴＰ１およびテープＴＰ２が貼り付けられている。これにより、外形サイズやパッド配列などが半導体チップＣＰとは平面視における外観が異なる半導体チップがダイパッドＤＰに搭載される場合でも、半導体装置ＰＫＧ１と共通のリードフレームを利用することが可能になる。
【００４３】
「平面視における外観が異なる半導体チップ」とは、半導体チップの製品種類の違いに起因して、外形サイズやパッドの配列など、平面視において視認可能な構造的な相違点を有する半導体チップの事を意味する。したがって、例えば、互いに異なる回路を有しているが、外形サイズやパッドの配列が互いに同じである半導体チップは、「平面視における外観が異なる半導体チップ」には含まれない。また、互いに厚さが異なっているが、平面視における外形サイズが同じである半導体チップは、「平面視における外観が異なる半導体チップ」には含まれない。
【００４４】
図５に示すように、複数のリードＬＤのそれぞれの先端部は、平面視において、テープＴＰ１よりもダイパッドＤＰの近くに位置する部分ＬＤＰ１を有する。また、先端部は、部分ＬＤＰ１よりもダイパッドＤＰから遠くに位置し、かつ、テープＴＰ１と重なる部分ＬＤＰ２を有する。また、先端部は、部分ＬＤＰ２よりもダイパッドＤＰから遠くに位置し、かつ、テープＴＰ１とテープＴＰ２との間に位置する部分ＬＤＰ３を有する。リードＬＤの部分ＬＤＰ１と部分ＬＤＰ３にはメッキ膜が形成されている。
【００４５】
半導体装置ＰＫＧ１の場合、リードＬＤの部分ＬＤＰ１上に金属膜ＢＭが形成され、部分ＬＤＰ３上に金属膜（メッキ膜、メッキ金属膜）ＢＭ２が形成されている。なお、金属膜ＢＭ２は、金属膜ＢＭと同じ材料から成る。金属膜ＢＭ２は、部分ＬＤＰ３の上面（表面）ＬＤｔ上に形成されている。ワイヤＢＷは、部分ＬＤＰ１上の金属膜ＢＭに接続され、部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２には接続されていない。また、金属膜ＢＭと金属膜ＢＭ２は互いに分離され、リードＬＤの部分ＬＤＰ２上には金属膜ＢＭ、ＢＭ２は形成されていない。
【００４６】
図６に示すように、リードＬＤの部分ＬＤＰ１は、ダイパッドＤＰと対向する先端辺ＬＤｔｓを有している。先端辺ＬＤｔｓは、リードＬＤの先端部の延在方向に交差する辺であって、かつ、リードＬＤの外縁のうち、最もダイパッドＤＰに近い位置に配置されている辺である。あるリードＬＤに接続されるワイヤＢＷが、そのリードＬＤの隣に位置するリードＬＤと接触してしまうことを抑制する観点からは、平面視において、ワイヤＢＷが先端辺ＬＤｔｓと交差していることが好ましい。言い換えれば、平面視において、あるリードＬＤに接続されるワイヤＢＷは、そのリードＬＤの先端辺ＬＤｔｓと重なっていることが好ましい。
【００４７】
以下、あるリードＬＤに接続されるワイヤＢＷが、そのリードＬＤの先端辺ＬＤｔｓと重ならない状態を「先端外れ状態」と呼ぶ。ワイヤＢＷが先端外れ状態でリードＬＤに接続されている場合、そのワイヤＢＷが隣のリードＬＤに接触する可能性が増大する。例えば、後述する封止工程において、ワイヤＢＷを封止される際に、封止用の樹脂の供給圧力によってワイヤＢＷが変形するとワイヤＢＷの一部分が隣のリードＬＤに変形する可能性が増大する。一方、図６に示すように、ワイヤＢＷが先端外れ状態になっていない場合、封止工程においてワイヤＢＷが変形したとしても、ワイヤＢＷが隣のリードＬＤに接触する可能性は小さい。つまり、図５に示すように、複数のワイヤＢＷのそれぞれが、接続対象であるリードＬＤの先端辺ＬＤｔｓ（図６参照）と交差している場合、半導体装置ＰＫＧ１の電気的な信頼性を向上させることができる。なお、理想的には、半導体装置ＰＫＧ１の全てのワイヤＢＷが接続対象であるリードＬＤの先端辺ＬＤｔｓ（図６参照）と交差していることが好ましい。ただし、多数のワイヤＢＷのうちの一部が先端外れ状態になっていることを排除するものではない。
【００４８】
図５に示す半導体装置ＰＫＧ１のように複数のワイヤＢＷのそれぞれが、接続対象であるリードＬＤの先端辺ＬＤｔｓ（図６参照）と交差するように配置されるためには、ワイヤＢＷに接続されるリードＬＤの部分ＬＤＰ１とパッドＰＤとの位置関係が重要である。平面視において、ワイヤＢＷはパッドＰＤとリードＬＤのワイヤボンディング領域とを結ぶように直線的に延びる。このため、リードＬＤのワイヤボンディング領域とパッドＰＤとの平面的な位置関係によって、先端外れ状態になるかどうかが決定される。例えば、図７に示す半導体装置ＰＫＧ２のように、図１に示す半導体チップＣＰとはパッドＰＤのレイアウトが異なる半導体チップＣＰ２がダイパッドＤＰに搭載されている場合、複数のワイヤＢＷのうちの一部のワイヤＢＷがワイヤはずれ状態になる場合がある。
【００４９】
半導体チップＣＰのパッドＰＤのレイアウトに応じてリードＬＤのレイアウトを決定すれば、半導体チップＣＰの複数のパッドＰＤとリードＬＤのワイヤボンディング領域との位置関係を最適化することができる。しかし、この場合、半導体チップＣＰの種類毎に異なる種類のリードフレームを準備する必要がある。つまり、リードフレームの汎用性が低下する。
【００５０】
そこで、本願発明者は、リードフレームの汎用性を向上させ、かつ、半導体装置の信頼性を向上させる技術について検討した。本実施の形態では、複数のリードＬＤのそれぞれが部分ＬＤＰ１および部分ＬＤＰ３を有し、部分ＬＤＰ１および部分ＬＤＰ３上にはそれぞれ金属膜ＢＭまたはＢＭ２が形成されている。このため、図８に示す半導体装置ＰＫＧ３のように、図５に示す部分ＬＤＰ１および部分ＬＤＰ２を除去すると、部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２をワイヤボンディング領域として利用できる。半導体装置ＰＫＧ３の場合、図７に示す半導体装置ＰＫＧ２と比較してワイヤＢＷの延在距離（言い換えれば、半導体チップＣＰ２のパッドＰＤからリードＬＤのワイヤボンディング領域までの距離）が長い。この場合、複数のワイヤＢＷのそれぞれが先端外れ状態になり難い。図８に示す例では、複数のワイヤＢＷのそれぞれは、先端外れ状態になっていない。
【００５１】
また、図８に示すように、半導体装置ＰＫＧ３の場合、ワイヤＢＷが接続されるリードＬＤの部分ＬＤＰ３は、テープＴＰ２とダイパッドＤＰとの間にある。テープＴＰ２は
部分ＬＤＰ３の近傍に配置されている。このため、ワイヤボンディング工程において、ワイヤＢＷを部分ＬＤＰ３上に接続する際に部分ＬＤＰ３の変形を抑制できるので、ワイヤボンディングを安定的に実施できる。詳しくは、ワイヤＢＷが接合されるワイヤ接合部が変形しないように保持されていれば、ワイヤボンディング工程においてワイヤＢＷと部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２とを安定的に接合させることができる。この結果、ワイヤＢＷと金属膜ＢＭ２との接合強度を向上させることができる。
【００５２】
また、図５に示す半導体装置ＰＫＧ１のように、平面サイズが小さい半導体チップＣＰの場合には、ワイヤＢＷがリードＬＤの部分ＬＤＰ１上に接続される場合でも、ワイヤＢＷが先端外れ状態になり難い。このため、半導体装置ＰＫＧ１の場合には、ワイヤＢＷがリードＬＤの部分ＬＤＰ１上に接続されても先端外れ状態になり難く、かつ、ワイヤＢＷの長さを短くできるので、電気的特性を向上させることができる。
【００５３】
このように、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧ１のように、複数のリードＬＤのそれぞれが、複数箇所のワイヤ接続可能な部分を有している。このため、外形サイズやパッドＰＤレイアウトが異なる複数種類の半導体チップに対して共通のリードフレームを利用した場合でも、先端外れ状態を発生し難くできる。言い換えれば、本実施の形態によれば、リードフレームの汎用性を向上させ、かつ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００５４】
なお、本実施の形態では、ワイヤＢＷの先端外れ状態が発生し易い場合の例として、図５に示す半導体チップＣＰと図７に示す半導体チップＣＰ２とのように、外形サイズが異なる半導体チップを同一種類のリードフレームに搭載した例を取り上げて説明した。ただし、先端外れ状態は、パッドＰＤとリードＬＤのワイヤボンディング領域との平面的な位置関係に応じて発生する。したがって、半導体チップの外形サイズが同じであっても、複数のパッドＰＤの配列が異なっていれば、ワイヤＢＷの先端外れ状態が発生し易い場合もある。
【００５５】
また、ワイヤＢＷの先端外れ状態は、ワイヤＢＷの延在方向と、ワイヤボンディング領域におけるリードＬＤの延在方向とが成す角度が大きくなる程発生し易い。例えば、図７に示すように、複数のリードＬＤのうち、吊りリードＨＬ１の隣に配置されているリードＬＤＥは、他のリードＬＤと比較してワイヤＢＷの先端外れ状態が発生し易い。特に、本実施の形態のように、外部端子数が１００を超えるような半導体装置の場合、リードＬＤＥは吊りリードＨＬの近傍に配置されるので、平面視において、リードＬＤＥに接続されるワイヤＢＷとリードＬＤＥの延在方向との成す角度（図７に示す角度θ１および図８に示す角度θ２参照）が大きく成り易い。なお、図５では、リードＬＤＥに接続されるワイヤＢＷとリードＬＤＥの延在方向との成す角度は０度に近いので、角度を示す補助線の図示は省略している。
【００５６】
図７に示すように、半導体装置ＰＫＧ２の場合、リードＬＤＥに接続されるワイヤＢＷとリードＬＤＥの先端部の延在方向との成す角度θ１は、図５に示す半導体装置ＰＫＧ１において、リードＬＤＥに接続されるワイヤＢＷとリードＬＤＥの先端部の延在方向との成す角度より大きい。このため、ワイヤＢＷをリードＬＤＥの部分ＬＤＰ１上の金属膜ＢＭに接合した場合、ワイヤＢＷの先端外れ状態が発生し易い。一方、図８に示す半導体装置ＰＫＧ３のように、リードＬＤＥの部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２にワイヤＢＷが接続されている場合、図８に示す角度θ２は、図７に示す角度θ１より小さい。このため、半導体装置ＰＫＧ３の場合、先端外れ状態が特に発生し易いリードＬＤＥにおいて、ワイヤＢＷの先端外れ状態が発生していない。言い換えれば、平面視において、リードＬＤＥに接続されるワイヤＢＷは、リードＬＤＥの先端辺ＬＤｔｓと交差している。
【００５７】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、図１〜図８を用いて説明した半導体装置ＰＫＧ１および半導体装置ＰＫＧ３の製造方法について、図９に示すフロー図を用いて説明する。図９は、図１〜図８を用いて説明した半導体装置の組立工程のフローを示す説明図である。
【００５８】
また、図９には、半導体装置ＰＫＧ１の製造工程のうちの主要な工程について示しているが、図９に示す組立フローの他、種々の変形例を適用することができる。例えば、図９では、封止体ＭＲに製品識別マークを形成する、マーキング工程は図示していないが、これを封止工程とメッキ工程の間に追加することもできる。また、例えば、図９では、検査工程を図示していないが、例えば、個片化工程の後などに検査工程を追加しても良い。
【００５９】
＜基材準備工程＞
図９に示す基材準備工程では、図１０に示すリードフレームＬＦを準備する。図１０は、図９に示す基材準備工程で準備するリードフレームを示す拡大平面図である。図１１は、図１０に示すリードの先端部周辺を拡大して示す拡大平面図である。
【００６０】
なお、リードフレームＬＦは、複数のデバイス形成部ＬＦｄを備える基材であるが、図１０では、見易さのため、複数のデバイス形成部ＬＦｄのうちの一つを拡大して示している。また、図１０では、見易さのため、図３に示す複数のリードＬＤのうちの一部は図示を省略している。後述する図２０〜図２２においても同様に、図３に示す複数のリードＬＤのうちの一部は図示を省略している。
【００６１】
本工程で準備するリードフレームＬＦは、枠部ＬＦｆの内側に複数のデバイス形成部ＬＦｄを備えている。リードフレームＬＦは、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属から成る。
【００６２】
なお、本実施の形態では、図９に示すように、封止工程の後でメッキ工程を行い、図２に示す金属膜ＭＣをアウタリード部ＯＬＤに形成する例を取り上げて説明する。ただし、変形例として、基材準備工程の段階で、予め銅を主成分とする基材の表面が金属膜ＭＣで覆われていても良い。この場合、リードフレームＬＦの露出面の全体が金属膜ＭＣで覆われる。
【００６３】
また、図１０に示すように、デバイス形成部ＬＦｄの中央部には、チップ搭載部であるダイパッドＤＰが形成されている。ダイパッドＤＰには、複数の吊りリードＨＬがそれぞれ接続され、デバイス形成部ＬＦｄの角部に向かって延びるように配置されている。すなわち、ダイパッドＤＰは、吊りリードＨＬに支持され、また、この吊りリードＨＬを介してリードフレームＬＦの枠部ＬＦｆに支持されている。
【００６４】
また、ダイパッドＤＰの周囲には、複数の吊りリードＨＬの間に、それぞれ複数のリードＬＤが形成されている。複数のリードＬＤは、枠部ＬＦｆにそれぞれ接続されている。図１０に示す例では、複数のリードＬＤは、Ｘ方向に沿って配列される複数のリードＬＤ１、およびＸ方向と交差（直交）するＹ方向に沿って配列される複数のＬＤ２を含んでいる。また、複数のリードＬＤは、Ｘ方向にそって、かつ、複数のリードＬＤ１の反対側に配列される複数のリードＬＤ３、およびＹ方向にそって、かつ、複数のリードＬＤ２の反対側に配列される複数のリードＬＤ４を含んでいる。
【００６５】
また、複数のリードＬＤのそれぞれは、タイバーＴＢを介して互いに連結されている。タイバーＴＢは、複数のリードＬＤを連結する連結部材としての機能の他、図９に示す封止工程において、樹脂の漏れ出しを抑制するダム部材としての機能を有する。タイバーＴＢは、複数のリードＬＤおよびリードフレームＬＦの枠部ＬＦｆに接続されている。また、複数のリードＬＤの一方の端部は、リードフレームＬＦの枠部ＬＦｆに接続されている。このため、図９に示すリードカット工程までの間は、複数のリードＬＤのそれぞれは、リードフレームＬＦの枠部ＬＦｆに支持されている。
【００６６】
また、図１１に示すように、リードフレームＬＦは、複数のリードＬＤのそれぞれの先端部同士を連結する連結部ＬＤｃｐを有する。本工程の段階では、複数のリードＬＤのそれぞれは、先端部を連結する連結部ＬＤｃｐ、図１０に示すタイバーＴＢ、および枠部ＬＦｆを介して互いに連結されている。
【００６７】
また、リードフレームＬＦは、平面視において複数のリードＬＤのそれぞれに跨るように複数のリードＬＤのそれぞれに固定されたテープＴＰ１と、平面視において複数のリードＬＤのそれぞれに跨るように複数のリードＬＤのそれぞれに固定されたテープＴＰ２と、を有している。本実施の形態の例では、テープＴＰ１およびテープＴＰ２は、メッキ膜である金属膜ＢＭ、ＢＭ２（図１１参照）と重ならず、リードＬＤの部分ＬＤＰ２上に貼り付けられている。また、金属膜ＢＭは、リードＬＤの部分ＬＤＰ１Ａ（図１１参照）上および連結部ＬＤｃｐ（図１１参照）上にも形成されている。
【００６８】
なお、図１１に示す部分ＬＤＰ１Ａは、後述するリード先端カット工程において、連結部ＬＤｃｐと共に除去される一部と、リード先端カット工程後も残る残部（図５に示す部分ＬＤＰ１に相当する部分）と、を有する。
【００６９】
＜リード先端カット工程＞
次に、図９に示すリード先端カット工程では、リードＬＤの先端部のうち、図１１に示す連結部ＬＤｃｐを含む一部分を除去する。図１２は、図５に示す半導体装置の製造工程に含まれるリード先端カット工程において、リードの一部分が除去された状態を示す拡大平面図である。図１３は、図８に示す半導体装置の製造工程に含まれるリード先端カット工程において、リードの一部分が除去された状態を示す拡大平面図である。
【００７０】
本実施の形態の場合、上記したように複数種類の半導体チップに対して、共通のリードフレームを利用する。このため、リード先端カット工程において、リードＬＤの一部分が除去されるが、リードＬＤの一部分が除去される範囲は、図９に示すダイボンド工程において搭載される半導体チップの種類に応じて選択される。
【００７１】
まず、ダイボンド工程において搭載される半導体チップが図５に示す半導体チップＣＰである場合は、ダイボンド工程の前に、図１２に示すように、テープＴＰ１が残るように、連結部ＬＤｃｐ（図１１参照）および複数のリードＬＤのそれぞれの先端部の部分ＬＤＰ１Ａ（図１１参照）の一部を除去する。本工程により、複数のリードＬＤのそれぞれの部分ＬＤＰ１Ａの残部である部分ＬＤＰ１に先端辺ＬＤｔｓが形成される。先端辺ＬＤｔｓを備える部分ＬＤＰ１上の金属膜ＢＭには、図９に示すワイヤボンド工程において、ワイヤＢＷ（図５参照）が接続される。言い換えれば、ワイヤボンド工程では、先端部の部分ＬＤＰ１の残部に形成された金属膜ＢＭの残部にワイヤＢＷが接続される。
【００７２】
一方、ダイボンド工程において搭載される半導体チップが、図５に示す半導体チップＣＰとは平面視における外観が異なる半導体チップＣＰ２（図８参照）である場合は、リード先端カット工程は以下のように実施される。すなわち、例えば半導体チップＣＰ２の外形サイズが半導体チップＣＰの外形サイズよりも大きい場合は、ダイボンド工程の前に、図１３に示すように、テープＴＰ２が残るように、連結部ＬＤｃｐ（図１１参照）、複数のリードＬＤのそれぞれの先端部の部分ＬＤＰ１Ａ（図１１参照）の全部、および複数のリードＬＤのそれぞれの先端部の部分ＬＤＰ２（図１１参照）の全部を除去する。本工程により、複数のリードＬＤのそれぞれの部分ＬＤＰ３に先端辺ＬＤｔｓが形成される。先端辺ＬＤｔｓを備える部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２には、図９に示すワイヤボンド工程において、ワイヤＢＷ（図８参照）が接続される。言い換えれば、ワイヤボンド工程では、先端部の部分ＬＤＰ３に形成された金属膜ＢＭ２にワイヤＢＷが接続される。なお、本工程では、複数のリードＬＤのそれぞれの先端部の部分ＬＤＰ３の一部分が除去されても良い。この場合、ワイヤボンド工程では、先端部の部分ＬＤＰ３の残部に形成された金属膜ＢＭ２の残部にワイヤＢＷが接続される。
【００７３】
このように、本実施の形態では、複数のリードＬＤのそれぞれが、複数箇所のワイヤボンディング可能な領域を備えているリードフレームを準備した後、ダイボンド工程の前にダイパッドＤＰに搭載される半導体チップの種類に応じてワイヤボンディング領域として利用する部分を選択する。そして、部分ＬＤＰ３をワイヤボンディング領域として利用する場合には、図１１に示すテープＴＰ１はダイボンド工程の前に除去される。このため、ワイヤボンディング工程においてワイヤＢＷを金属膜ＢＭ２に接続する際に、テープＴＰ１が邪魔にならない。また、本工程の後も、複数のリードＬＤのそれぞれは、部分ＬＤＰ３の近傍に貼り付けられたテープＴＰ２により固定されている。このため、部分ＬＤＰ３の周辺が変形することを抑制できる。
【００７４】
本工程において、リードＬＤの先端部の一部分を除去する方法は特に限定されない。例えば、図示しないダイとパンチから成る切断金型を用いてリードＬＤ先端部を切断し、否除去部を取り除いても良い。あるいは、エッチングによりリードＬＤの先端部を除去する方法もある。
【００７５】
また、本実施の形態では、基材準備工程とリード先端工程とを分けて説明したが、図９に示すダイボンド工程以降の工程を実施する事業所と、リード先端カット工程までの工程を実施する事業所とが異なっていても良い。この場合、ダイボンド工程以降の工程を実施する事業所では、ダイボンド工程を行う前に、基材準備工程として、リード先端カット工程が完了した状態のリードフレームを準備しても良い。
【００７６】
＜ダイボンド工程＞
次に、図９に示すダイボンド工程（半導体チップ搭載工程）では、図１４に示すように、ダイパッドＤＰに半導体チップＣＰを搭載する。あるいは、図１５に示すように、ダイパッドＤＰに半導体チップＣＰ２を搭載する。図１４は、図１２に示すリードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。また、図１５は、図１３に示すリードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【００７７】
半導体チップＣＰ（図１４参照）および半導体チップＣＰ２（図１５参照）のそれぞれは、複数のパッドＰＤが形成された表面ＣＰｔおよび表面ＣＰｔの反対側に位置する裏面ＣＰｂを有している。本工程では、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる接着材であるダイボンド材ＤＢ（図２参照）を介して、半導体チップＣＰとダイパッドＤＰとを接着固定する。図１４に示す例では、平面視において、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの一部が半導体チップＣＰにより覆われるように半導体チップＣＰを搭載する。図１５に示す例では、平面視において、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの一部が半導体チップＣＰ２により覆われるように半導体チップＣＰ２を搭載する。半導体チップＣＰは半導体チップＣＰ２より平面サイズが小さい。このため、本工程の後、ダイパッドＤＰが半導体チップＣＰまたはＣＰ２から露出する面積は、図１５に示す例の方が小さい。
【００７８】
また、図２を用いて説明したように、本実施の形態の例では、半導体チップＣＰ（または図１５に示す半導体チップＣＰ２）は、裏面ＣＰｂがダイパッドＤＰのチップ搭載面である上面ＤＰｔと対向するように、所謂、フェイスアップ実装方式によりダイパッドＤＰ上に搭載される。
【００７９】
なお、図９に示すリード先端カット工程をダイボンド工程と同一の事業所において行う場合、リード先端カット工程をダイボンド工程の後に行うこともできる。ただし、この場合、リードＬＤの先端部を除去する際に、既に搭載された半導体チップＣＰ（またはＣＰ２）を保護した状態で作業する必要がある。したがって、半導体チップＣＰ（またはＣＰ２）の損傷を抑制する観点からは、リード先端カット工程はダイボンド工程の前に実施されることが好ましい。
【００８０】
＜ワイヤボンド工程＞
次に、図９に示すワイヤボンド工程では、図１６に示すように、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔに形成された複数のパッドＰＤと、半導体チップＣＰの周囲に配置された複数のリードＬＤとを、複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷを介して、それぞれ電気的に接続する。または、図９に示すワイヤボンド工程では、図１７に示すように、半導体チップＣＰ２の表面ＣＰｔに形成された複数のパッドＰＤと、半導体チップＣＰ２の周囲に配置された複数のリードＬＤとを、複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷを介して、それぞれ電気的に接続する。
【００８１】
図１６は、図１４に示す半導体チップと複数のリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。図１７は、図１５に示す半導体チップと複数のリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。また、図１８は、図１６に示す半導体チップのパッドとリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。図１９は、図１７に示す半導体チップのパッドとリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【００８２】
本工程では、例えば図１８および図１９に示すように、凹部１０ｃが形成されたヒートステージ１０を準備し、ダイパッドＤＰが凹部１０ｃ内に位置するように、半導体チップＣＰ（またはＣＰ２）が搭載されたリードフレームＬＦをヒートステージ１０上に配置する。そして、半導体チップＣＰ（またはＣＰ２）のパッドＰＤとリードＬＤとを、ワイヤＢＷを介して電気的に接続する。ここで、本実施の形態では、キャピラリ１１を介してワイヤＢＷを供給し、超音波と熱圧着を併用するボンディング方式によりワイヤＢＷを接合している。また、本実施の形態では、半導体チップＣＰのパッドＰＤにワイヤＢＷの一方の端部を接続した後、ワイヤＢＷの他方の端部をリードＬＤのワイヤボンディング領域に接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤＢＷを接合している。図１８に示す例では、ワイヤＢＷの他方の端部は、リードＬＤの上面ＬＤｔに形成された金属膜ＢＭに接合されている。一方、図１９に示す例では、ワイヤＢＷの他方の端部は、リードＬＤの上面ＬＤｔに形成された金属膜ＢＭ２に接合されている。
【００８３】
本工程の前には、ダイパッドＤＰ上に搭載される半導体チップの種類に応じて複数のリードＬＤのそれぞれの先端部が切断されている。このため、図１６および図１７に示すように、複数のワイヤＢＷはそのワイヤＢＷが接続されるリードＬＤに対して先端外れ状態になっていない。
【００８４】
例えば、図１６に示す例では、吊りリードＨＬ１の隣に位置するリードＬＤＥの部分ＬＤＰ１上の金属膜ＢＭに接続されるワイヤＢＷは、平面視においてリードＬＤＥの先端辺ＬＤｔｓと交差する。また、平面視において、複数のリードＬＤのそれぞれに接続されるワイヤＢＷは、複数のリードＬＤそれぞれの先端辺ＬＤｔｓと交差する。
【００８５】
また例えば、図１７に示す例では、吊りリードＨＬ１の隣に位置するリードＬＤＥの部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２に接続されるワイヤＢＷは、平面視においてリードＬＤＥの先端辺ＬＤｔｓと交差する。また、平面視において、複数のリードＬＤのそれぞれに接続されるワイヤＢＷは、複数のリードＬＤそれぞれの先端辺ＬＤｔｓと交差する。
【００８６】
また、本工程では、ヒートステージ１０を介してリードＬＤを加熱する。このため、リードＬＤに貼り付けられたテープＴＰ１およびテープＴＰ２（図１８参照）が、ヒートステージ１０とリードＬＤの密着性を阻害しないように配置されることが好ましい。そこで、テープＴＰ１およびテープＴＰ２はリードＬＤの上面ＬＤｔおよび下面ＬＤｂのうち、ワイヤＢＷが接合される面と同じ面に貼り付けられていることが好ましい。本実施の形態の場合、ワイヤＢＷはリードＬＤの上面ＬＤｔ側に接合される。このため、テープＴＰ１およびテープＴＰ２のそれぞれはリードＬＤの上面ＬＤｔに貼り付けられている。これにより、ヒートステージ１０とリードＬＤとを密着させることができる。
【００８７】
また、本実施の形態によれば、複数のリードＬＤのそれぞれのワイヤボンディング領域の近傍は、テープＴＰ１またはテープＴＰ２により保持されている。このため、ワイヤボンディング工程において、リードＬＤの一部分が変形することを抑制できる。この結果、複数のリードＬＤのそれぞれのワイヤボンディング領域に確実にワイヤＢＷを接合することができる。
【００８８】
＜封止工程＞
次に、図９に示す封止工程では、図１６または図１７に示す半導体チップＣＰ（またはＣＰ２）、複数のワイヤＢＷ、および複数のリードＬＤのそれぞれのインナリード部ＩＬＤを樹脂により封止し、図２０に示す封止体ＭＲを形成する。図２０は、図９に示す封止工程において、半導体チップを封止する封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。なお、図１６に示す半導体チップＣＰの場合も図１７に示す半導体チップＣＰ２の場合も、封止工程後のデバイス形成部ＬＦｄの外観は同様なので、両方の場合に共通する図として図２０を示している。
【００８９】
本工程では、例えば、図示しない複数のキャビティを備える成形金型内にリードフレームＬＦを配置した状態で、キャビティにより形成される空間内に樹脂を供給した後、上記樹脂を硬化させることにより封止体（封止部）ＭＲを形成する。このような封止体ＭＲの形成方法は、トランスファモールド方式と呼ばれる。
【００９０】
図２０に示す例では、封止体ＭＲは、平面視において、デバイス形成部ＬＦｄのタイバーＴＢで囲まれた領域内に形成される。また、キャビティから漏れた樹脂の一部は、タイバーＴＢにより堰き止められる。このため、複数のリードＬＤのそれぞれが備えるアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲから露出している。
【００９１】
本実施の形態のように、トランスファモールド方式で封止体ＭＲを形成する場合、封止体の原料樹脂をキャビティ内に充填する際の圧力に起因して、複数のワイヤＢＷ（図１）が変形する場合がある。上記したように、本実施の形態によれば、複数のワイヤＢＷのそれぞれが先端外れ状態になることを抑制できるので、ワイヤＢＷが変形したとしても、あるリードＬＤに接続されるワイヤＢＷが、そのリードＬＤの隣に位置するリードＬＤと接触してしまうことを抑制できる。
【００９２】
＜メッキ工程＞
次に、図９に示すメッキ工程では、図２０に示す複数のリードＬＤの露出面に金属膜ＭＣ（図２参照）をメッキ法により形成する。本工程で形成する金属膜ＭＣは、半導体装置ＰＫＧ１を図示しない実装基板に実装する際に、接合材として用いる半田材の濡れ性を向上させるために形成される。
【００９３】
本工程では、リードＬＤの露出面に半田から成る金属膜ＭＣを形成することが好ましい。また、金属膜ＭＣの形成方法としては、電離した金属イオンをリードＬＤの露出面に析出させる、電気メッキ法を適用することができる。電気メッキ法の場合、金属膜ＭＣ形成時の電流を制御することで金属膜ＭＣの膜質を容易に制御できる点で好ましい。また、電解メッキ法は、金属膜ＭＣの形成時間が短くできる点で好ましい。
【００９４】
＜リードカット工程＞
次に、図９に示すリードカット工程では、図２１に示すように、複数のリードＬＤのそれぞれのアウタリード部ＯＬＤを切断し、リードフレームＬＦから複数のリードＬＤのそれぞれを切り離す。また、本実施の形態では、リードＬＤを切断した後、図２に示すような曲げ加工を施し、複数のリードＬＤを成形する。図２１は、図２０に示す複数のリードの露出面に金属膜を形成し、それぞれ切断した後、成形した状態を示す拡大平面図である。
【００９５】
本工程では、複数のリードＬＤを連結しているタイバーＴＢ（図２０参照）を切断する。また、複数のリードＬＤのそれぞれを枠部ＬＦｆから切り離す。これにより、複数のリードＬＤは、それぞれが分離した独立部材になる。また、複数のリードＬＤが切り離された後は、封止体ＭＲおよび複数のリードＬＤは、吊りリードＨＬ（図１０参照）を介して枠部ＬＦｆに支持された状態になる。
【００９６】
複数のリードＬＤやタイバーＴＢは、切断用の金型を用いて、プレス加工により切断する。また、切断後の複数のリードＬＤは、例えば、図示しない成形用の金型を用いたプレス加工を用いて複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤに曲げ加工を施すことにより、例えば図２に示すように成形することができる。
【００９７】
＜個片化工程＞
次に、図９に示す個片化工程では、図２２に示すように、複数の吊りリードＨＬをそれぞれ切断して、デバイス形成部ＬＦｄのそれぞれにおいて半導体パッケージを分離する。図２２は、図２１に示す吊りリードを切断して、半導体パッケージを取得した状態を示す拡大平面図である。
【００９８】
本工程では図１０に示す複数の吊りリードＨＬ、および封止体ＭＲの角部に残った樹脂を切断して、半導体パッケージ（詳しくは、検査工程前の検査体）を取得する。切断方法は、例えば、上記リード成形工程と同様に、図示しない切断金型を用いて、プレス加工により切断することができる。
【００９９】
本工程の後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１に示す完成品の半導体装置ＰＫＧ１、または図８に示す半導体装置ＰＫＧ３となる。
【０１００】
次に、図１〜図２２を用いて説明した実施態様に対する代表的な変形例について説明する。
【０１０１】
＜変形例１＞
例えば、図１〜図２２では、外形サイズが互いに異なる半導体チップＣＰ（図５参照）と半導体チップＣＰ２（図８参照）とを共通のリードフレームのダイパッドＤＰ上に搭載する実施態様について説明した。ただし、上記したように、ワイヤＢＷの先端はずれ状態が発生するかどうかは、半導体チップのパッドとリードのワイヤボンディング領域との位置関係により決まる。
【０１０２】
したがって、例えば、図２３に示す半導体チップＣＰ３のように半導体チップＣＰと外形サイズが同じ半導体チップであっても、図８に示す半導体装置ＰＫＧ３と同様に、部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２にワイヤＢＷを接続した方が先端はずれ状態を抑制し易い場合がある。図２３は、図３に示す半導体チップの変形例を示す平面図である。図２３に示す半導体チップＣＰ３は、図３に示す半導体チップＣＰとは、パッドＰＤの配列が異なる。詳しくは、半導体チップＣＰ３は、複数のパッドＰＤが表面ＣＰｔの四辺に沿って配列されている点、パッドＰＤの数、および外形サイズは図３に示す半導体チップＣＰと同様である。しかし、半導体チップＣＰ３が備える複数のパッドＰＤは、表面ＣＰｔの各辺に沿って複数列（図２３では２列）で配列されている。また、半導体チップＣＰ３の表面ＣＰｔの各辺に沿って配列されるパッド群のそれぞれは、表面ＣＰｔの各辺の中心付近に集約するように配置されている。
【０１０３】
この半導体チップＣＰ３を図５に示す半導体チップＣＰと同様にダイパッドＤＰ上に搭載した場合、例えば吊りリードＨＬ１の隣にあるリードＬＤＥと、パッドＰＤとの距離が遠くなる。また、リードＬＤＥにワイヤＢＷを接続する場合、ワイヤＢＷの延在方向と、リードＬＤＥの先端部の延在方向とが成す角（図７に示す角度θ１に相当する角度）が大きくなる。このため、半導体チップＣＰ３がダイパッドＤＰに搭載される場合には、図８に示す半導体装置ＰＫＧ３の製造方法と同様に、ダイボンド工程の前に、図１１に示す連結部ＬＤｃｐ、部分ＬＤＰ１Ａ、および部分ＬＤＰ２）の全部（および部分ＬＤＰ３の部分ＬＤＰ２側の一部分）を除去しておくことが好ましい。この場合、半導体チップＣＰ３のパッドＰＤに接続されるワイヤＢＷは、リードＬＤの部分ＬＤＰ３に接続される。これにより、半導体チップＣＰ３に接続されるワイヤＢＷが先端外れ状態になることを抑制できる。
【０１０４】
また、例えば、図２４に示すように、半導体チップＣＰをダイパッドＤＰに搭載する場合であっても、図８に示す半導体装置ＰＫＧ３と同様に、部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２にワイヤＢＷを接続した方が先端はずれ状態を抑制し易い場合がある。図２４は、図３に対する変形例である半導体装置のダイパッドと半導体チップの位置関係を示す拡大平面図である。図２４では、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔの中心ＣＰｃを黒丸で模式的に示し、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの中心ＤＰｃを×印で模式的に示している。図２４に示す変形例の場合、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔの中心ＣＰｃは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの中心ＤＰｃと重ならない。中心ＣＰｃと中心ＤＰｃとの位置関係は、吊りリードＨＬ１の隣に位置するリードＬＤＥを基準として以下のように表現できる。Ｙ方向において、中心ＣＰｃは中心ＤＰｃよりリードＬＤＥに近い位置に配置されている。またＸ方向において、中心ＣＰｃは中心ＤＰｃよりリードＬＤＥから遠い位置に配置されている。
【０１０５】
図２４に示すレイアウトの場合、リードＬＤＥとパッドＰＤＥとを接続するワイヤＢＷＥの延在方向と、リードＬＤＥの先端部の延在方向とが成す角は、大きくなる。したがって、ワイヤＢＷＥが先端外れ状態にならないようにするためには、図２４に示すようにワイヤＢＷＥがリードＬＤＥの部分ＬＤＰ３上の金属膜ＢＭ２に接続されていることが好ましい。
【０１０６】
＜変形例２＞
また、図１〜図２２では、図５に示すように、リードＬＤの先端部の部分ＬＤＰ１上に金属膜ＢＭが形成され、部分ＬＤＰ３上には金属膜ＢＭと離間する金属膜ＢＭ２が形成され、部分ＬＤＰ２上には金属膜（メッキ膜）が形成されていない実施態様について説明した。この場合、テープＴＰ１がリードＬＤの部分ＬＤＰ２上に直接貼り付けられるので、テープＴＰ１の高さを金属膜ＢＭの高さ分低く抑えることができる。
【０１０７】
ただし、変形例として図２５に示すように、金属膜ＢＭは、リードＬＤの先端部の部分ＬＤＰ１Ａ、部分ＬＤＰ２、および部分ＬＤＰ３（および連結部ＬＤｃｐ）に跨って形成されていても良い。この場合、テープＴＰ１は、金属膜ＢＭを介して部分ＬＤＰ２に固定される。なお、図２５は、図１１に対する変形例であるリードの先端部の拡大断面図である。
【０１０８】
図２５に示す変形例の場合、部分ＬＤＰ２と部分ＬＤＰ３との境界上が金属膜ＢＭに覆われている。このため、部分ＬＤＰ３上の領域をワイヤボンディング領域として利用する際に、リードＬＤの先端が確実に金属膜ＢＭで覆われた状態でワイヤを接続することができる。
【０１０９】
＜変形例３＞
さらに、上記の変形例２の更なる変形例として、図２６に示すように、金属膜ＢＭは、リードＬＤの先端部の部分ＬＤＰ１Ａ、部分ＬＤＰ２、および部分ＬＤＰ３（および連結部ＬＤｃｐ）だけでなく、テープＴＰ２が貼り付けられる箇所にまで跨って形成されていても良い。この場合、テープＴＰ１だけでなく、テープＴＰ２についても、金属膜ＢＭを介してリードＬＤに固定される。
【０１１０】
＜変形例４＞
また、例えば、上記の通り種々の変形例について説明したが、上記で説明した各変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【０１１１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１１２】
その他、上記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【０１１３】
〔付記１〕
ダイパッドと、
前記ダイパッド上に搭載される半導体チップと、
複数のリードと、
前記複数のリードと前記半導体チップとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記複数のリードのそれぞれの先端部に形成されたメッキ膜と、
平面視において前記複数のリードのそれぞれに跨るように前記複数のリードのそれぞれに固定された第１リード固定テープと、
平面視において前記複数のリードのそれぞれに跨るように前記複数のリードのそれぞれに固定された第２リード固定テープと、を有し、
前記第２リード固定テープは、前記複数のリードのそれぞれのうち、前記第１リード固定テープよりも前記ダイパッドから遠い位置に固定されており、
前記先端部は、平面視において、前記第１リード固定テープよりも前記ダイパッドの近くに位置する第１部分と、前記第１部分よりも前記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、前記第１リード固定テープが重なる第２部分と、前記第２部分よりも前記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、前記第１リード固定テープと前記第２リード固定テープとの間に位置する第３部分と、を有し、
前記複数のボンディングワイヤは、前記複数のリードのそれぞれの前記第１部分に接続されている、半導体装置。
【０１１４】
〔付記２〕
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッドと、前記ダイパッドに接続され、前記ダイパッドを支持する第１吊りリードおよび第２吊りリードと、前記第１吊りリードと第２吊りリードとの間に配置される複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれの先端部同士を互いに連結する連結部と、前記先端部および前記連結部のそれぞれに形成されたメッキ膜と、平面視において前記複数のリードのそれぞれに跨るように前記複数のリードのそれぞれに固定された第１リード固定テープと、平面視において前記複数のリードのそれぞれに跨るように前記複数のリードのそれぞれに固定された第２リード固定テープと、を有するリードフレームを準備する工程；
ここで、
前記第２リード固定テープは、前記複数のリードのそれぞれのうち、前記第１リード固定テープよりも前記ダイパッドから遠い位置に固定され、
前記先端部は、平面視において、前記第１リード固定テープよりも前記ダイパッドの近くに位置する第１部分と、前記第１部分よりも前記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、前記第１リード固定テープと重なる第２部分と、前記第２部分よりも前記ダイパッドから遠くに位置し、かつ、前記第１リード固定テープと前記第２リード固定テープとの間に位置する第３部分と、を有し、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記ダイパッド上に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のボンディングワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを樹脂で封止する工程；
ここで、
前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが第１半導体チップである場合は、前記（ｂ）工程の前に、前記第１リード固定テープが残るように前記連結部および前記複数のリードのそれぞれの前記先端部の前記第１部分の一部分を除去し、さらに、前記（ｃ）工程では、前記先端部の前記第１部分の残部に形成された前記メッキ膜の残部に前記複数のボンディングワイヤをそれぞれ接続し、
前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが第２半導体チップの場合は、前記（ｂ）工程の前に、前記第２リード固定テープが残るように前記連結部、前記先端部の前記第１部分および前記先端部の前記第２部分を除去し、さらに、前記（ｃ）工程では、前記先端部の前記第３部分に形成された前記メッキ膜に前記複数のボンディングワイヤをそれぞれ接続し、
前記複数のリードは、前記第１吊りリードの隣に位置する第１リードを有し、
前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが前記第２半導体チップである場合に、前記第１リードの前記先端部の延在方向と、前記第１リードの前記第３部分上に接続されるワイヤの延在方向とが成す角度は、前記（ｂ）工程で搭載する前記半導体チップが前記第１半導体チップである場合に、前記第１リードの前記先端部の延在方向と、前記第１リードの前記第１部分上に接続されるワイヤの延在方向とが成す角度より大きい、半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１１５】
１０  ヒートステージ
１０ｃ  凹部
１１  キャピラリ
ＢＭ，ＢＭ２  金属膜（メッキ膜、メッキ金属膜）
ＢＷ，ＢＷＥ  ワイヤ（導電性部材）
ＣＰ，ＣＰ２，ＣＰ３  半導体チップ
ＣＰｂ  裏面
ＣＰｃ  中心
ＣＰｔ  表面（主面）
ＤＢ  ダイボンド材（接着材）
ＤＰ  ダイパッド（チップ搭載部）
ＤＰｃ  中心
ＤＰｔ  上面（チップ搭載面、表面）
ＨＬ，ＨＬ１，ＨＬ２，ＨＬ３，ＨＬ４  吊りリード
ＨＬＢ  オフセット部（折り曲げ部）
ＩＬＤ  インナリード部
ＬＤ，ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤＥ  リード
ＬＤｂ  下面
ＬＤｃｐ  連結部
ＬＤｇ１，ＬＤｇ２，ＬＤｇ３，ＬＤｇ４  リード群
ＬＤＰ１，ＬＤＰ１Ａ，ＬＤＰ２，ＬＤＰ３  部分
ＬＤｔ  上面（表面）
ＬＤｔｓ  先端辺
ＬＦ  リードフレーム
ＬＦｄ  デバイス形成部
ＬＦｆ  枠部
ＭＣ  金属膜（外装メッキ膜）
ＭＲ  封止体（封止部、樹脂体）
ＭＲｂ  下面（裏面、被実装面）
ＭＲｃ  角部
ＭＲｓ  側面
ＭＲｔ  上面
ＯＬＤ  アウタリード部
ＰＤ，ＰＤＥ  パッド（ボンディングパッド、電極パッド）
ＰＫＧ１，ＰＫＧ２，ＰＫＧ３  半導体装置
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４  辺（主辺）
ＴＢ  タイバー
ＴＰ１，ＴＰ２  テープ（リード固定テープ）
θ１，θ２  角度
【図１】
2019075474.tif 000003
【図２】
2019075474.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2019075474.tif 000007
【図６】
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【図７】
2019075474.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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