(57)【要約】【課題】小型化する。【解決手段】発光素子チップ４２は、発光サイリスタ１ＬＴ１と、発光サイリスタ１ＬＴ１と主走査方向ｄｍにおいて所定距離を置いて配置される発光サイリスタ１ＬＴ２と、発光サイリスタ１ＬＴ１に対応するアノード電極７０Ａ１と、発光サイリスタ１ＬＴ２に対応するアノード電極７０Ａ２と、発光サイリスタ１ＬＴ１に対応するゲート電極７０Ｇ１と、発光サイリスタ１ＬＴ２に対応するゲート電極７０Ｇ２と、発光サイリスタ１ＬＴ１及び発光サイリスタ１ＬＴ２に対応するカソード電極７０Ｋとを設け、ゲート電極７０Ｇ１とゲート電極７０Ｇ２とは、発光サイリスタ１ＬＴ１と発光サイリスタ１ＬＴ２との間に配置されるようにする。【選択図】図５
2019075453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の三端子発光素子と、
前記第１の三端子発光素子と第１の方向に所定距離を置いて配置される第２の三端子発光素子と、
前記第１の三端子発光素子に対応する第１の電流供給電極と、
前記第２の三端子発光素子に対応する第２の電流供給電極と、
前記第１の三端子発光素子に対応する第１の制御電極と、
前記第２の三端子発光素子に対応する第２の制御電極と、
前記第１の三端子発光素子及び前記第２の三端子発光素子に対応する電流取出電極と
を有し、
前記第１の制御電極と前記第２の制御電極とは、前記第１の三端子発光素子と前記第２の三端子発光素子との間に配置される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の三端子発光素子と前記第１の方向に所定距離を置いて配置される第３の三端子発光素子
をさらに有し、
前記電流取出電極は、前記第２の三端子発光素子と前記第３の三端子発光素子との間に配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の制御電極と前記第２の制御電極とは、前記第１の方向に沿って対向して配置される
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の三端子発光素子と前記第２の三端子発光素子と前記第３の三端子発光素子とは、前記第１の方向において略同一ピッチに配列されている
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電流取出電極は、前記第１の三端子発光素子と前記第２の三端子発光素子とを共通に接続する共通層に形成され、前記第１の方向と直交する第２の方向の一方向に向かって配線が延び、
前記第１の制御電極は、前記共通層と重なる制御電極形成層に形成され、前記第２の方向の一方向に向かって配線が延び、
前記第１の電流供給電極は、前記制御電極形成層と重なる電流供給電極形成層に形成され、前記第２の方向の他方向に向かって配線が延びる
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の三端子発光素子、前記第２の三端子発光素子及び前記第３の三端子発光素子は、半導体薄膜から形成されており、該半導体薄膜は基板の表面に接合されている
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の制御電極が形成される領域である第１の制御電極形成領域と、前記第２の制御電極が形成される領域である第２の制御電極形成領域とは、前記基板の表面側から見た際に長方形状である
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の制御電極が形成される領域である第１の制御電極形成領域と、前記第２の制御電極が形成される領域である第２の制御電極形成領域とは、一方の凹部に他方の凸部が入り込む形状である
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の制御電極形成領域と前記第２の制御電極形成領域とは、六角形状である
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の制御電極形成領域と前記第２の制御電極形成領域とは、前記第１の方向と直交する第２の方向に互いに対向する辺が前記第１の方向に沿う
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の制御電極形成領域と前記第２の制御電極形成領域とは、前記第１の方向と直交する第２の方向に互いに対向する辺が前記第１の方向に対し傾斜する
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の三端子発光素子及び前記第２の三端子発光素子は、サイリスタである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の電流供給電極及び前記第２の電流供給電極は、アノード電極であり、
前記第１の制御電極及び前記第２の制御電極は、ゲート電極であり、
前記電流取出電極は、カソード電極である
ことをとする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の三端子発光素子及び前記第２の三端子発光素子は、トランジスタである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１の電流供給電極及び前記第２の電流供給電極は、コレクタ電極であり、
前記第１の制御電極及び前記第２の制御電極は、ベース電極であり、
前記電流取出電極は、エミッタ電極である
ことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５の何れか１項に記載された複数の前記半導体装置と、
複数の前記半導体装置が前記第１の方向に沿って配列された状態で取り付けられた基板と
を具えることを特徴とするプリントヘッド。
【請求項１７】
請求項１６に記載された前記プリントヘッドにより感光体を露光して静電潜像を生成し、現像剤により該静電潜像に基づいた画像を形成する画像形成部と、
前記画像を所定の媒体に定着させる定着部と
を具えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置に関し、例えば電子写真式プリンタ（以下ではこれを単にプリンタとも呼ぶ）に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のプリンタとしては、露光装置において、複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）や発光サイリスタ等の発光素子が整列配置されたプリントヘッドから、光を選択的に照射して感光体ドラムの表面に静電潜像を形成し、この静電潜像にトナーを付着させてトナー像を現像することにより、画像の印刷を行うものが広く普及している。このうち露光装置では、複数の発光素子及び各発光素子を駆動する複数の駆動回路が設けられた発光素子チップ等が、所定の回路基板上に主走査方向に沿って複数整列された状態で取り付けられている。
【０００３】
発光素子チップの表面には、上述した発光素子や駆動回路と電気的に接続された端子パッドが形成されている。この発光素子チップは、この端子パッドと、回路基板の表面に設けられた端子パッドとがワイヤボンディング等によって電気的に接続されることにより、該回路基板から駆動電流や制御信号等の供給を受け、各発光素子を発光させる。
【０００４】
そのような発光素子チップとしては、主走査方向に直交する副走査方向に沿って発光サイリスタを挟み込むようにアノード電極とゲート電極とを配置するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４８７１９７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながらそのようなプリントヘッドでは、発光サイリスタに対する副走査方向に、該発光サイリスタに対応したゲート電極が配置されるため、発光素子チップの副走査方向の幅を小型化しにくかった。
【０００７】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、小型化し得る半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
かかる課題を解決するため本発明の半導体装置においては、第１の三端子発光素子と、第１の三端子発光素子と第１の方向に所定距離を置いて配置される第２の三端子発光素子と、第１の三端子発光素子に対応する第１の電流供給電極と、第２の三端子発光素子に対応する第２の電流供給電極と、第１の三端子発光素子に対応する第１の制御電極と、第２の三端子発光素子に対応する第２の制御電極と、第１の三端子発光素子及び第２の三端子発光素子に対応する電流取出電極とを設け、第１の制御電極と第２の制御電極とは、第１の三端子発光素子と第２の三端子発光素子との間に配置されるようにした。
【０００９】
また本発明のプリントヘッドにおいては、上述した複数の半導体装置と、複数の半導体装置が主走査方向に沿って配列された状態で取り付けられた基板とを設けるようにした。
【００１０】
さらに本発明の画像形成装置においては、上述したプリントヘッドにより感光体を露光して静電潜像を生成し、現像剤により該静電潜像に基づいた画像を形成する画像形成部と、画像を所定の媒体に定着させる定着部とを設けるようにした。
【００１１】
本発明は、第１の制御電極及び第２の制御電極を第１の三端子発光素子及び第２の三端子発光素子と主走査方向に沿うように配置し、第１の制御電極及び第２の制御電極の副走査方向の位置を第１の三端子発光素子及び第２の三端子発光素子と揃えることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、小型化し得る半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】画像形成装置の全体構成を示す図である。
【図２】画像形成ユニットの構成を示す図である。
【図３】プリントヘッドの構成を示す図である。
【図４】プリント配線板及び発光素子チップの構成を示す斜視図である。
【図５】第１の実施の形態による発光素子チップの構成（１）を示す底面図である。
【図６】第１の実施の形態による発光素子チップの構成（２）を示し、図５におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】発光素子チップの回路構成を示す回路図である。
【図８】発光素子チップの製造方法を示す図である。
【図９】第２の実施の形態による発光素子チップの構成を示す底面図である。
【図１０】第３の実施の形態による発光素子チップの構成を示し、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明を実施するための形態（以下実施の形態とする）について、図面を用いて説明する。
【００１５】
［１．第１の実施の形態］
［１−１．画像形成装置の構成］
図１に示すように第１の実施の形態による画像形成装置１は、いわゆるＭＦＰ（Multi Function Peripheral）であり、媒体としての用紙に画像を形成する（すなわち印刷する）プリンタ機能の他、画像を読み取るイメージスキャナとしての機能や通信機能を有している。このため画像形成装置１は、これらの機能を組み合わせることにより、プリンタ、複写機（コピー機）及びファクシミリ装置等として動作する。この画像形成装置１は、プリンタとして機能する場合、例えばＡ３サイズやＡ４サイズ等の大きさでなる用紙Ｐに対し、所望のカラー画像を印刷する。画像形成装置１は、略箱型に形成されたプリンタ筐体２の内部に種々の部品が配置されている。因みに以下では、図１における右端部分を画像形成装置１の正面とし、この正面と対峙して見た場合の上下方向、左右方向及び前後方向をそれぞれ定義した上で説明する。画像形成装置１は、制御部３により全体を統括制御する。この制御部３は、コンピュータ装置等の上位装置（図示せず）と無線又は有線により接続されている。制御部３は、この上位装置から印刷対象の画像を表す画像データが与えられると共に該画像データの印刷が指示されると、用紙Ｐの表面に印刷画像を形成する印刷処理を実行する。
【００１６】
プリンタ筐体２内の最下部には、用紙Ｐを収容する用紙収容カセット４が設けられている。用紙収容カセット４の前上方には、給紙部５が設けられている。給紙部５は、用紙収容カセット４の前上側に配置されたホッピングローラ６、用紙Ｐを搬送路Ｗに沿って上方へ案内する搬送ガイド７、搬送路Ｗを挟んで互いに対向するレジストローラ８及びピンチローラ９等により構成されている。給紙部５は、制御部３の制御に基づいて各ローラを適宜回転させることにより、用紙収容カセット４に集積された状態で収容されている用紙Ｐを１枚ずつ分離しながらピックアップし、搬送ガイド７により搬送路Ｗに沿って前上方へ進行させ、やがて後上方へ折り返してレジストローラ８及びピンチローラ９に当接させる。レジストローラ８は、回転が適宜抑制されており、ピンチローラ９との間で用紙Ｐに摩擦力を作用させることにより、進行方向に対して該用紙Ｐの側辺が傾斜する、いわゆる斜行を修正し、先頭及び末尾の端辺を左右に沿わせた状態としてから、後方へ送り出す。
【００１７】
レジストローラ８及びピンチローラ９の後側には、搬送路Ｗがほぼ前後方向に沿って形成されており、その下側に中搬送部１０が配置されている。中搬送部１０は、前側に配置された前ローラ１１と、後側に配置された後ローラ１２と、下側に配置された下ローラ１３との周囲に無端ベルトでなる搬送ベルト１４が張架された構成となっている。また前ローラ１１の上側には、搬送ベルト１４を挟んで対向する位置に吸着ローラ１５が設けられている。この中搬送部１０は、所定のベルト駆動モータ（図示せず）から後ローラ１２に対し駆動力が伝達されると、この後ローラ１２を矢印Ｒ２方向へ回転させることにより、搬送ベルト１４を走行させる。これにより搬送ベルト１４は、搬送路Ｗに沿った上側部分、すなわち前ローラ１１及び後ローラ１２の間に張架された部分を、後方向へ走行させる。このとき中搬送部１０は、給紙部５から用紙Ｐが引き渡されると、これを吸着ローラ１５及び前ローラ１１の間に搬送ベルト１４と共に挟持し、該搬送ベルト１４上側に用紙Ｐを載置した状態で、該搬送ベルト１４の走行に伴って該用紙Ｐを後方へ進行させる。
【００１８】
中搬送部１０の上側であり、搬送路Ｗを挟んで該中搬送部１０の反対側には、４個の画像形成ユニット１６Ｃ、１６Ｍ、１６Ｙ及び１６Ｋが後側から前側へ向かって順に配置されている。画像形成ユニット１６Ｃ、１６Ｍ、１６Ｙ及び１６Ｋ（以下ではこれらをまとめて画像形成ユニット１６とも呼ぶ）は、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）及びブラック（Ｋ）の各色にそれぞれ対応しているものの、色のみが相違しており、何れも同様に構成されている。
【００１９】
画像形成ユニット１６は、図２に模式的な側面図を示すように、画像形成部３１、トナーカートリッジ３２、プリントヘッド３３により構成されており、その下側に配置された転写ローラ１７との間に搬送ベルト１４を挟んでいる。因みに画像形成ユニット１６及びこれを構成する各部品は、用紙Ｐにおける左右方向の長さに応じて、左右方向に十分な長さを有している。このため多くの部品は、前後方向や上下方向の長さに対して左右方向の長さが比較的長くなっており、左右方向に沿って細長い形状に形成されている。
【００２０】
トナーカートリッジ３２は、現像剤としてのトナーを収容しており、画像形成部３１の上側に配置され、該画像形成部３１の上方に取り付けられている。このトナーカートリッジ３２は、収容しているトナーを画像形成部３１のトナー収容部３４へ供給する。画像形成部３１には、トナー収容部３４の他、供給ローラ３５、現像ローラ３６、規制ブレード３７、感光体ドラム３８及び帯電ローラ３９が組み込まれている。
【００２１】
供給ローラ３５は、中心軸を左右方向に沿わせた円柱状に形成されており、その周側面に導電性ウレタンゴム発泡体等でなる弾性層が形成されている。現像ローラ３６は、中心軸を左右方向に沿わせた円柱状に形成されており、その周側面に弾性を有する弾性層や導電性を有する表面層等が形成されている。規制ブレード３７は、例えば所定厚さのステンレス鋼板でなり、僅かに弾性変形させた状態で、その一部を現像ローラ３６の周側面に当接させている。感光体ドラム３８は、中心軸を左右方向に沿わせた円柱状に形成されており、その周側面に薄膜状の電荷発生層及び電荷輸送層が順次形成され、帯電し得るようになっている。帯電ローラ３９は、中心軸を左右方向に沿わせた円柱状に形成され、その周側面に導電性の弾性体が被覆されており、この周側面を感光体ドラム３８の周側面に当接させている。
【００２２】
また画像形成部３１の前下側であって、感光体ドラム３８及び搬送ベルト１４の当接箇所よりも上流側となる位置には、除電光源２０が設けられている。この除電光源２０は、感光体ドラム３８に所定の光を照射することにより、帯電している静電気を除去する。
【００２３】
この画像形成部３１は、図示しないドラムモータから駆動力が供給されることにより、供給ローラ３５、現像ローラ３６及び帯電ローラ３９を矢印Ｒ２方向（図中の反時計回り）へ回転させると共に、感光体ドラム３８を矢印Ｒ１方向（図中の時計回り）へ回転させる。さらに画像形成部３１は、供給ローラ３５、現像ローラ３６、規制ブレード３７及び帯電ローラ３９にそれぞれ所定のバイアス電圧を印加することにより、それぞれ帯電させる。
【００２４】
供給ローラ３５は、帯電によりトナー収容部３４内のトナーを周側面に付着させ、回転によりこのトナーを現像ローラ３６の周側面に付着させる。現像ローラ３６は、規制ブレード３７によって周側面から余分なトナーが除去された後、この周側面を感光体ドラム３８の周側面に当接させる。一方、帯電ローラ３９は、帯電した状態で感光体ドラム３８と当接することにより、該感光体ドラム３８の周側面を一様に帯電させる。プリントヘッド３３は、複数の発光素子チップ４２が左右方向に沿って直線状に配置されており（詳しくは後述する）、制御部３（図１）から供給される画像データ信号に基づいた発光パターンで、所定の時間間隔毎に発光することにより、感光体ドラム３８を露光する。これにより感光体ドラム３８は、その上端近傍において周側面に静電潜像が形成される。続いて感光体ドラム３８は、矢印Ｒ１方向へ回転することにより、この静電潜像を形成した箇所を現像ローラ３６と当接させる。これにより感光体ドラム３８の周側面には、静電潜像に基づいてトナーが付着し、画像データに基づいたトナー画像が現像される。
【００２５】
転写ローラ１７は、感光体ドラム３８の真下に位置しており、その周側面における上端近傍と該感光体ドラム３８の下端近傍との間に、搬送ベルト１４の上側部分を挟んでいる。この転写ローラ１７は、所定のバイアス電圧が印加されると共に、図示しないドラムモータから駆動力が供給されて矢印Ｒ２方向へ回転する。これにより画像形成ユニット１６は、搬送路Ｗに沿って用紙Ｐが搬送されていた場合、感光体ドラム３８の周側面に現像されたトナー画像をこの用紙Ｐに転写する。
【００２６】
このようにして各画像形成ユニット１６は、搬送路Ｗに沿って前方から搬送されて来る用紙Ｐに対し、それぞれの色によるトナー画像を順次転写して重ねながら、後方へ進行させていく。
【００２７】
また中搬送部１０（図１）における下ローラ１３の下側には、クリーニング部１９が設けられている。クリーニング部１９は、画像形成処理が行われる場合に用紙Ｐの搬送不良等が生じて搬送ベルト１４に付着したトナーを、該搬送ベルト１４の表面から掻き落として清掃する。これにより中搬送部１０では、次に搬送される用紙Ｐの裏面、すなわち搬送路Ｗにおいて下方を向いている面でありトナー画像が転写されない面にトナーが付着して汚損させてしまう、いわゆる裏写りを防止する。
【００２８】
中搬送部１０の後端近傍には、定着部２１が設けられている。定着部２１は、搬送路Ｗを挟んで対向するように配置された加熱ローラ２１Ａ及び加圧ローラ２１Ｂにより構成されている。加熱ローラ２１Ａは、中心軸を左右方向に向けた円筒状に形成されており、内部にヒータが設けられている。加圧ローラ２１Ｂは、加熱ローラ２１Ａと同様の円筒状に形成されており、上側の表面を加熱ローラ２１Ａにおける下側の表面に所定の押圧力で押し付けている。この定着部２１は、制御部３の制御に基づき、加熱ローラ２１Ａを加熱すると共に該加熱ローラ２１Ａ及び加圧ローラ２１Ｂをそれぞれ所定方向へ回転させる。これにより定着部２１は、中搬送部１０から受け取った用紙Ｐ、すなわち４色のトナー画像が重なって転写された用紙Ｐに対して熱及び圧力を加えてトナーを定着させ、さらに後方へ引き渡す。
【００２９】
定着部２１の後方には、排紙部２２が配置されている。排紙部２２は、給紙部５と同様、用紙Ｐを案内するガイドや複数の搬送ローラ等の組み合わせにより構成されている。この排紙部２２は、制御部３の制御に従って各搬送ローラを適宜回転させることにより、定着部２１から引き渡される用紙Ｐを後上方へ搬送してから前方へ向けて折り返し、プリンタ筐体２の上面に形成された排出トレイ２Ｔへ排出する。
【００３０】
さらにプリンタ筐体２内における搬送路Ｗに沿った複数の箇所には、用紙Ｐを検出するための用紙センサ２５、２６、２７及び２８が適宜設けられている。この用紙センサ２５等は、搬送路Ｗ内における用紙Ｐの有無をそれぞれ検出し、得られた検出結果を制御部３へ通知する。これに応じて制御部３は、各搬送ローラの回転や中搬送部１０における搬送ベルト１４の走行等を適宜制御する。
【００３１】
［１−２．プリントヘッドの構成］
次に、プリントヘッド３３の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、プリントヘッド３３の模式的な断面図を表している。以下では、図３における下方向を照射方向とも呼び、上方向を反照射方向とも呼ぶ。
【００３２】
光プリントヘッドとしてのプリントヘッド３３は、ベース部材４０を中心に構成されている。ベース部材４０は、有機高分子材料等を用いて射出成形され、全体として、左右方向の長さに対して前後方向の長さが短く、上下方向の長さがさらに短い、全体として扁平な直方体状ないし板状に形成されており、十分な強度を有している。ベース部材４０の照射方向側（すなわち下側）には、プリント配線板４１が設けられている。プリント配線板４１は、ベース部材４０と比較して、左右方向及び前後方向の長さが概ね同等であり、上下方向の長さがやや短く、すなわち薄くなっている。このプリント配線板４１は、例えばガラスエポキシ樹脂でなり、上下それぞれの表面に所定の回路パターンが形成されている。
【００３３】
プリント配線板４１の照射方向側には、図４に斜視図を示すように、例えば２６個のように多数の発光素子チップ４２が、左右方向（以下ではこれを主走査方向ｄｍとも呼ぶ）に沿って１列に整列された状態で、いわゆるダイボンディング技術により取り付けられている。発光素子チップ４２は、板状に構成されたＩＣ基板４３における照射方向側（すなわち下側）の表面に、左右方向に細長く、且つ上下方向に短い（すなわち薄い）エピタキシャルフィルム４９が取り付けられている。
【００３４】
エピタキシャルフィルム４９には、例えば１９２個のように多数の発光サイリスタが左右方向に沿って整列した状態で形成されている。このエピタキシャルフィルム４９は、例えば特開２０１１−２３３５９０号公報に開示されているエピタキシャルフィルムボンディング法によってＩＣ基板４３の表面に接着された後、それぞれに設けられた接続端子同士がフォトリソグラフィー法を用いて配線されることにより、該ＩＣ基板４３に対して電気的に接続される。
【００３５】
またプリント配線板４１の照射方向側には、各発光素子チップ４２の後側に、例えば２６個のように多数のドライバＩＣ（Integrated Circuit）（図示せず）が、左右方向に沿って１列に整列された状態で取り付けられている。駆動回路としての各ドライバＩＣには、発光素子チップ４２に設けられた１９２個の発光サイリスタをそれぞれ駆動する１９２個の素子駆動部等が設けられている。説明の都合上、以下では２６個のドライバＩＣ（すなわち駆動回路）をまとめて駆動回路群とも呼び、また発光サイリスタを被駆動素子とも呼ぶ。
【００３６】
このようにプリント配線板４１には、２６個の発光素子チップ４２が設けられ、各発光素子チップ４２に１９２個の発光サイリスタが設けられているため、合計４９９２個の発光サイリスタが設けられていることになる。またプリントヘッド３３（図３及び図４）は、例えば左右方向の長さがＡ４サイズにおける短辺の長さ（２１０［ｍｍ］）とほぼ同等となっており、この長さの範囲に４９９２個の発光サイリスタが等間隔（すなわち同一ピッチ）に配置されている。これによりプリントヘッド３３は、感光体ドラム３８（図２）の周側面上に６００［ｄｐｉ］の解像度でなる静電潜像を生成することができる。また各発光素子チップ４２における照射方向側（すなわち下側）の表面には、端子パッドが設けられており、プリント配線板４１との間でボンディングワイヤ４４により、電気的に接続されている。
【００３７】
またプリントヘッド３３（図３）は、上述したベース部材４０及びプリント配線板４１が、ホルダ４５に取り付けられている。ホルダ４５は、全体として、左右方向に沿って形成された中空の四角柱から反照射方向側の側面を取り除いたような形状となっており、その断面が英大文字の「Ｕ」の反照射方向側を開放させたような形状となっている。またホルダ４５は、前後の側板にクランプ部材４６及び４７を貫通させる開口部４５Ｏが穿設されている。
【００３８】
ホルダ４５における照射方向側の内側面には、プリント配線板４１を支持する支持部４５Ａが形成されている。プリントヘッド３３は、その製造時に、ホルダ４５内にプリント配線板４１及びベース部材４０が重ねられた状態で挿入され、さらにクランプ部材４６及び４７が取り付けられる。クランプ部材４６及び４７は、何れも金属製でなり、弾性力の作用により、ベース部材４０を介してプリント配線板４１の照射方向面をホルダ４５の支持部４５Ａに当接させた状態で固定する。この結果、プリント配線板４１に取り付けられた発光素子チップ４２の発光サイリスタと、ホルダ４５との位置関係が定められる。
【００３９】
またホルダ４５における照射方向側部分の中央付近には、左右方向に沿った細長い長孔でなり上下方向に貫通する取付孔４５Ｈが形成され、この取付孔４５Ｈにロッドレンズアレイ４８が取り付けられる。ロッドレンズアレイ４８は、光軸を上下方向に沿わせた微小なレンズが左右方向に沿って複数並べられた構成となっており、各レンズの焦点を発光素子チップ４２の各発光サイリスタに合わせるよう、その取付位置が調整された状態で固定されている。
【００４０】
［１−３．発光素子チップの構成］
［１−３−１．発光素子チップ全体の構成］
図５に示すように半導体装置としての発光素子チップ４２は、図示しないドライバＩＣと接続されており、該ドライバＩＣから送信される制御信号に基づいて、略直線上に配置された発光サイリスタ１ＬＴが駆動する。この発光素子チップ４２は、ＩＣ（Integrated Circuit）基板４３と、そのＩＣ基板４３上に設けられ、複数の三端子発光素子としての発光サイリスタ１ＬＴからなる発光サイリスタアレイ１ＬＴＡと、複数の発光サイリスタ１ＬＴを駆動させる共通配線部５１と、複数の発光サイリスタ１ＬＴと共通配線部５１とを接続する引出配線部５２とを有している。
【００４１】
［１−３−２．ＩＣ基板の構成］
ＩＣ基板４３は、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ガラスやプラスチック等から形成されており、複数の発光サイリスタ１ＬＴと、共通配線部５１と、引出配線部５２とを支持する。またＩＣ基板４３は、発光サイリスタ１ＬＴが設けられる箇所に、平坦性が高い絶縁膜で構成された平坦化膜５４が形成されることにより、発光サイリスタ１ＬＴとの導通を回避している。平坦化膜５４の上には半導体薄膜５５がボンディングされている。半導体薄膜５５上には発光サイリスタアレイ１ＬＴＡが形成されている。
【００４２】
［１−３−３．発光サイリスタアレイの構成］
発光サイリスタアレイ１ＬＴＡは、エピタキシャルフィルム４９（図４）に形成された三端子発光素子アレイであり、ＩＣ基板４３に形成された平坦化膜５４上に設けられている。また、発光サイリスタアレイ１ＬＴＡは、図示しない接合層と、ＩＣ基板４３の長手方向である主走査方向ｄｍに沿って略直線上に配列された複数（ｋ＝４ｎ個）の発光サイリスタ１ＬＴ１、１ＬＴ２、…、１ＬＴｋ（以下ではこれらをまとめて発光サイリスタ１ＬＴとも呼ぶ）とから構成されている。この発光サイリスタ１ＬＴは、例えば発光サイリスタ１ＬＴ１及び１ＬＴ２のように、互いに隣接する奇数番目及び偶数番目の２個で１組の発光サイリスタ組１ＬＴＳとして構成されている。以下では、１組の発光サイリスタ組１ＬＴＳにおいて主走査方向ｄｍの一方側である左側に位置する発光サイリスタ１ＬＴ（すなわち発光サイリスタ１ＬＴ１、１ＬＴ３、１ＬＴ５…）を組内第１発光サイリスタ１ＬＴａとも呼び、１組の発光サイリスタ組１ＬＴＳにおいて主走査方向ｄｍの他方側である右側に位置する発光サイリスタ１ＬＴ（すなわち発光サイリスタ１ＬＴ２、１ＬＴ４、１ＬＴ６…）を組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂとも呼ぶ。
【００４３】
発光サイリスタ１ＬＴは、図示しない接合層を介して平坦化膜５４に接合されたエピタキシャルフィルム４９（図４）がエッチングされて形成された発光素子であり、図６に示すように、ＧａＡｓウェハ基材に対し、所定のバッファ層や犠牲層（図示せず）エピタキシャル成長させた後、Ｎ型の不純物を含ませた共通層としてのＮ型層５６と、Ｐ型の不純物を含ませて成層したＰ型層５７と、Ｎ型の不純物を含ませた制御電極形成層としてのＮ型層５８と、Ｐ型の不純物を含ませて成層した電流供給電極形成層としてのＰ型層５９とが順番に積層された積層構造となることにより形成されている。このように発光サイリスタ１ＬＴは、上側から「ＰＮＰＮ」の４層構造でなるウェハとして構成されている。また全ての発光サイリスタ１ＬＴにおけるＮ型層５６は、一つの共通な層となっている。
【００４４】
さらに発光サイリスタ１ＬＴは、Ｎ型層５６上にカソード電極７０Ｋが、Ｎ型層５８上にゲート電極７０Ｇが、Ｐ型層５９上にアノード電極７０Ａがそれぞれ形成されている。このように発光サイリスタ１ＬＴは、ゲート（Ｇ）がＮ型層５８から引き出された、いわゆるＮゲート型となっている。さらに発光サイリスタ１ＬＴは、Ｐ型層５９の一部と、ゲート電極７０Ｇの一部と、カソード電極７０Ｋとを除く箇所における発光サイリスタ１ＬＴの上に絶縁層６３が形成されている。
【００４５】
また、Ｐ型層５７及びＮ型層５８からなりゲート電極７０Ｇが構成され、１つの発光サイリスタ１ＬＴに対応しＰ型層５７を素子分離させる単位である、制御電極形成領域としてのゲート電極形成領域６４は、底面視で主走査方向ｄｍに長い長方形状となっている。図５に示すようにこのゲート電極形成領域６４は、１組の発光サイリスタ組１ＬＴＳに対応する、隣接する２つのゲート電極形成領域６４（組内第１ゲート電極形成領域６４ａ及び組内第２ゲート電極形成領域６４ｂ）で１組のゲート電極形成領域組６４Ｓとして構成されている。以下では、１組のゲート電極形成領域組６４Ｓにおいて主走査方向ｄｍの一方側である左側に位置するゲート電極形成領域６４を組内第１ゲート電極形成領域６４ａとも呼び、１組のゲート電極形成領域組６４Ｓにおいて主走査方向ｄｍの他方側である右側に位置するゲート電極形成領域６４を組内第２ゲート電極形成領域６４ｂとも呼ぶ。
【００４６】
［１−３−４．共通配線部の構成］
図５に示すように共通配線部５１は、アノード共通配線部６５Ａ（６５Ａ１〜６５Ａｎ）、ゲート共通配線部６５Ｇ及びカソード共通配線部６５Ｋにより構成されている。
【００４７】
アノード共通配線部６５Ａ（６５Ａ１〜６５Ａｎ）は、アノードパッド６６Ａ（６６Ａ１〜６６Ａｎ）及びアノード共通配線６７Ａ（６７Ａ１〜６７Ａｎ）により構成されている。アノードパッド６６Ａ１〜６６Ａｎは、ＩＣ基板４３上において主走査方向ｄｍに沿ってｎ個配置されており、外部のドライバＩＣと接続され、主走査方向ｄｍに沿って配列された４ｎ個の発光サイリスタ１ＬＴのアノード電圧を４つずつ制御する信号を供給される。アノード共通配線６７Ａ１〜６７Ａｎは、アノードパッド６６Ａ１〜６６Ａｎから発光サイリスタアレイ１ＬＴＡ側に向かって、主走査方向ｄｍと直交する第２の方向としての副走査方向ｄｓに延びてから主走査方向ｄｍに沿って延びる底面視略Ｔ字状の配線である。
【００４８】
ゲート共通配線部６５Ｇは、ＩＣ基板４３上において発光サイリスタアレイ１ＬＴＡに対しアノード共通配線部６５Ａとは反対側に配置されており、４個設けられたゲートパッド６６Ｇ１〜６６Ｇ４と、該ゲートパッド６６Ｇ１〜６６Ｇ４から発光サイリスタアレイ１ＬＴＡへ向かって副走査方向ｄｓに延びてから主走査方向ｄｍに沿って延びる４本のゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４とにより構成されている。
【００４９】
カソード共通配線部６５Ｋは、ＩＣ基板４３上において発光サイリスタアレイ１ＬＴＡに対しアノード共通配線部６５Ａとは反対側に配置されており、１個設けられたカソードパッド６６Ｋと、該カソードパッド６６Ｋから発光サイリスタアレイ１ＬＴＡに向かって副走査方向ｄｓに延びてから主走査方向ｄｍに延びるカソード共通配線６７Ｋとにより構成されている。
【００５０】
［１−３−５．引出配線部の構成］
引出配線部５２は、アノード引出配線部６９Ａ、ゲート引出配線部６９Ｇ及びカソード引出配線部６９Ｋにより構成されており、発光サイリスタ１ＬＴと、ＩＣ基板４３上に設けられた共通配線部５１とを接続する配線である。
【００５１】
アノード引出配線部６９Ａは、アノード領域であるＰ型層５９（図６）上に形成されたアノード電極７０Ａ（７０Ａ１〜７０Ａ４）と、該アノード電極７０Ａとアノード共通配線６７Ａ１〜６７Ａｎとを接続するアノード引出配線７１Ａ（７１Ａ１〜７１Ａ４）とにより構成されている。アノード電極７０Ａは、例えばＡｌＧａＡｓ層等からなる層である。アノード引出配線７１Ａは、アノード電極７０Ａから、アノード共通配線６７Ａ１〜６７Ａｎに向かって副走査方向ｄｓに沿って直線的に延びており、アノード共通配線６７Ａ１〜６７Ａｎと接続されている。Ｎ型層５６、Ｐ型層５７、Ｎ型層５８及びＰ型層５９（図６）の表面には絶縁層６３が形成されることにより、アノード引出配線７１Ａは、発光サイリスタ１ＬＴを形成する他の層に接触しなくなっている。
【００５２】
ゲート引出配線部６９Ｇは、ゲート領域であるＮ型層５８に形成されたゲート電極７０Ｇ（７０Ｇ１〜７０Ｇ４）と、該ゲート電極７０Ｇから４本のゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４に向かって副走査方向ｄｓに沿って直線的に延びゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４と接続されるゲート引出配線７１Ｇ（７１Ｇ１〜７１Ｇ４）とにより構成されている。Ｎ型層５６、カソード共通配線６７Ｋ及びゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４の表面には図示しない絶縁層が形成されることにより、ゲート引出配線７１Ｇは、交差するＮ型層５６、カソード共通配線６７Ｋ及びゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４とショートしなくなっている。
【００５３】
カソード引出配線部６９Ｋは、ｋ個の発光サイリスタ１ＬＴの共通層であるＮ型層５６上に形成されるカソード電極７０Ｋと、該カソード電極７０Ｋからカソード共通配線６７Ｋに向かって副走査方向ｄｓに沿って直線的に延び接続するカソード引出配線７１Ｋとにより構成されている。Ｎ型層５６、カソード共通配線６７Ｋ及びゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４の表面には図示しない絶縁層が形成されることにより、カソード引出配線７１Ｋは、交差するＮ型層５６、カソード共通配線６７Ｋ及びゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４（図５）とショートしなくなっている。
【００５４】
このようにカソード電極７０Ｋは、発光サイリスタ１ＬＴ１のカソード電極７０Ｋと発光サイリスタ１ＬＴ２のカソード電極７０Ｋとを共通に接続するＮ型層５６に形成され、副走査方向ｄｓの一方向である後方に向かってカソード引出配線７１Ｋが延びている。またゲート電極７０Ｇは、Ｎ型層５６と重なるＮ型層５８に形成され、後方に向かってゲート引出配線７１Ｇが延びている。さらにアノード電極７０Ａは、Ｎ型層５８と重なるＰ型層５９に形成され、副走査方向ｄｓの他方向である前方に向かってアノード引出配線７１Ａが延びている。
【００５５】
ここでカソード電極７０Ｋは、隣接する発光サイリスタ組１ＬＴＳ同士の間に、該発光サイリスタ組１ＬＴＳと副走査方向ｄｓの位置が揃い、且つ該発光サイリスタ組１ＬＴＳと主走査方向ｄｍに沿うように配置されている。またゲート電極７０Ｇは、隣接する組内第１発光サイリスタ１ＬＴａと組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂとの間に、該組内第１発光サイリスタ１ＬＴａ及び組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂと副走査方向ｄｓの位置が揃い、且つ該組内第１発光サイリスタ１ＬＴａ及び組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂと主走査方向ｄｍに沿うように配置されている。
【００５６】
換言すれば発光素子チップ４２は、主走査方向ｄｍの端部から奇数個目の発光サイリスタ１ＬＴと偶数個目の発光サイリスタ１ＬＴとの間に、それぞれの発光サイリスタ１ＬＴに対応するゲート電極７０Ｇが主走査方向ｄｍに沿って向かい合うように配置されると共に、偶数個目の発光サイリスタ１ＬＴと奇数個目の発光サイリスタ１ＬＴとの間にカソード電極７０Ｋが形成されている。
【００５７】
また発光素子チップ４２においては、カソード電極７０Ｋにゲート電極７０Ｇよりも多くの電流が流れるため、ゲート電極７０Ｇと比較してカソード電極７０Ｋの主走査方向ｄｍの幅が広く形成されている。これにより発光素子チップ４２は、カソードの電圧の上昇を防ぎ、発光素子チップ４２の主走査方向ｄｍの一端から他端までに亘って、カソードの電圧を一定にしている。
【００５８】
［１−３−６．発光素子チップの回路構成］
図７に発光素子チップ４２の回路図を示すように、発光素子チップ４２には、複数個の発光サイリスタ１ＬＴが主走査方向ｄｍに沿って配置され発光サイリスタアレイ１ＬＴＡを形成している。発光サイリスタ１ＬＴは、一般的な発光ダイオード（ＬＥＤ）と類似した構成となっており、電流が供給されると発光する、いわゆる発光素子として機能する。発光サイリスタ１ＬＴは、アノード（Ａ）、カソード（Ｋ）及びゲート（Ｇ）といった３個の端子を有している。この発光サイリスタ１ＬＴは、閾値電圧若しくは閾値電流が外部から制御可能な制御電極（すなわちゲート端子）を有する三端子スイッチ素子となっている。換言すれば、このゲート端子は、発光サイリスタ１ＬＴを発光させるか否か、すなわち駆動させるか否かの制御を受け付ける制御端子となっている。
【００５９】
かかる構成により発光サイリスタ１ＬＴは、アノード端子に所定の電源電圧が印加され、且つカソード端子の電位が低くゲート端子の電位が高い状態になると、両者の間にトリガ電流が流れ、これを契機としてアノード端子とカソード端子との間に電流が流れ、発光状態となる。また発光サイリスタ１ＬＴは、この発光状態において、アノード端子の電位がカソード端子と同程度に低くされて両者の電位差が無くなると、消灯状態となる。さらに発光サイリスタ１ＬＴは、ゲート端子の電位が高い状態であれば、アノード端子とカソード端子との間に電位差が生じたとしても、トリガ電流が流れないため、発光状態にはならず、消灯状態を維持する。
【００６０】
発光サイリスタ１ＬＴのカソード端子は、カソード配線Ｋに全て接続されており、カソード配線ＫはグランドＧＮＤに接続されグランド電圧となっている。発光サイリスタ１ＬＴのアノード端子は、４ドットでまとめられてそれぞれ１つのワイヤボンディングパッドＡ１、Ａ２、…、Ａｎに接続されている。発光サイリスタ１ＬＴのゲート端子は、４ドットのうちの１ドット毎にそれぞれ異なるワイヤボンディングパッドＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４に接続されている。ここで、図７におけるカソード配線Ｋは、図５におけるカソード引出配線７１Ｋ及びカソード共通配線６７Ｋに、図７におけるワイヤボンディングパッドＡ１、Ａ２、…、Ａｎは、図５におけるアノードパッド６６Ａ１〜６６Ａｎに、図７におけるワイヤボンディングパッドＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４は、図５におけるゲートパッド６６Ｇ１〜６６Ｇ４に、それぞれ対応している。
【００６１】
かかる構成により発光素子チップ４２は、特定のワイヤボンディングパッドＧ１、Ｇ２、Ｇ３又はＧ４（すなわち発光サイリスタ１ＬＴのゲート端子）をＬＯＷにする一方、それ以外のワイヤボンディングパッドＧ１、Ｇ２、Ｇ３又はＧ４（すなわち発光サイリスタ１ＬＴのゲート端子）をＨｉにすることによりゲートを選択し、特定のワイヤボンディングパッドＡ１、Ａ２、…、Ａｎ（すなわち発光サイリスタ１ＬＴのアノード端子）から電流を印加することにより、特定の発光サイリスタ１ＬＴを点灯させる。
【００６２】
［１−４．発光素子チップの製造方法］
次に発光素子チップ４２の製造方法について説明する。まず図８（Ａ）に示すように、母材基板７５上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic-Chemical Vapor Deposition）法により、犠牲層７６、Ｎ型層５６、Ｐ型層５７、Ｎ型層５８及びＰ型層５９が順番に形成される。犠牲層７６は、該犠牲層７６よりも上に積層されるＮ型層５６、Ｐ型層５７、Ｎ型層５８及びＰ型層５９等を母材基板７５から剥離させるための層である。Ｎ型層５６、Ｐ型層５７、Ｎ型層５８及びＰ型層５９は、発光サイリスタ１ＬＴを構成する層である。
【００６３】
次に図８（Ｂ）に示すように、ＨＦ（フッ化水素）液により、犠牲層７６が選択的にエッチングされる。これにより、Ｎ型層５６、Ｐ型層５７、Ｎ型層５８及びＰ型層５９からなる半導体薄膜５５が母材基板７５から剥離され、ＨＦ（フッ化水素）液が残らないように水洗される。次に図８（Ｃ）に示すように、ＩＣ基板４３上に形成された平坦化膜５４に半導体薄膜５５が分子間力により接合される。
【００６４】
次にＩＣ基板４３上に接合された半導体薄膜５５にエッチングにより図６に示したように形状が成形され、発光サイリスタアレイ１ＬＴＡ（ｋ＝４ｎ個の発光サイリスタ１ＬＴ）が形成される。続いて発光サイリスタ１ＬＴに、図６に示したようにカソード電極７０Ｋ、ゲート電極７０Ｇ及びアノード電極７０Ａが形成され、絶縁層６３が形成される。このときカソード電極７０Ｋは、Ｎ型層５６上であり且つ隣接する発光サイリスタ組１ＬＴＳ同士の間に形成され、ゲート電極７０Ｇは、Ｎ型層５８上であり且つ組内第１発光サイリスタ１ＬＴａのＰ型層５９と組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂのＰ型層５９との間に形成され、アノード電極７０Ａは、Ｐ型層５９上に形成される。
【００６５】
さらに発光サイリスタ１ＬＴに、カソード電極７０Ｋとカソード共通配線６７Ｋとが接続されるようにカソード引出配線７１Ｋが形成され、ゲート電極７０Ｇとゲート共通配線６７Ｇ１〜６７Ｇ４とが接続されるようにゲート引出配線７１Ｇが形成され、アノード電極７０Ａとアノード共通配線６７Ａ１〜６７Ａｎとが接続されるようにアノード引出配線７１Ａが形成される。
【００６６】
また図５に示したように、発光素子チップ４２の主走査方向ｄｍの両端部における発光サイリスタ１ＬＴよりも主走査方向ｄｍの外側には、カソード電極７０Ｋが形成されていない。このため発光素子チップ４２の主走査方向ｄｍの両端部における発光サイリスタ１ＬＴは、それ以外の発光サイリスタ１ＬＴよりもカソード電極７０Ｋまでの距離が長くなるため、カソードの電圧が上昇する傾向となる。これに対し発光素子チップ４２は、発光素子チップ４２の主走査方向ｄｍの両端部における発光サイリスタ１ＬＴのカソードの電圧の上昇が設定値内に収まる程度にＮ型層５６の厚さを厚く形成している。
【００６７】
［１−５．動作及び効果］
以上の構成において発光素子チップ４２は、ゲート電極７０Ｇ１とゲート電極７０Ｇ２とを、発光サイリスタ１ＬＴ１と、該発光サイリスタ１ＬＴ１と主走査方向ｄｍに隣接する発光サイリスタ１ＬＴ２との間において、発光サイリスタ１ＬＴ１及び発光サイリスタ１ＬＴ２と主走査方向ｄｍに沿って隣接して対向するように配置するようにした。また発光素子チップ４２は、カソード電極７０Ｋを、発光サイリスタ１ＬＴ２と発光サイリスタ１ＬＴ３との間に、発光サイリスタ１ＬＴ２及び発光サイリスタ１ＬＴ３と主走査方向ｄｍに沿って配置するようにした。
【００６８】
このため発光素子チップ４２は、ゲート電極７０Ｇ１、ゲート電極７０Ｇ２及びカソード電極７０Ｋの副走査方向ｄｓの位置を発光サイリスタ１ＬＴ１、発光サイリスタ１ＬＴ２及び発光サイリスタ１ＬＴ３と揃えることができる。これにより発光素子チップ４２は、発光サイリスタアレイ１ＬＴＡが副走査方向ｄｓに占める領域を狭くできるため、発光素子チップ４２の副走査方向ｄｓの幅を小型化できる。
【００６９】
これにより発光素子チップ４２は、特許文献１と比較して、同等の機能及び数量でなる発光サイリスタ１ＬＴ等を配置しながら、その面積を削減することができる。この結果、発光素子チップ４２は、１枚の半導体ウェハから製造可能な数量（いわゆる取れ高）を増加させることができ、その製造効率を高めることができる。
【００７０】
また上述したように、カソード電極７０Ｋはゲート電極７０Ｇより主走査方向ｄｍの幅が広く形成されている。これに対し発光素子チップ４２は、２つのゲート電極７０Ｇ１及びゲート電極７０Ｇ２をまとめて発光サイリスタ１ＬＴ１と発光サイリスタ１ＬＴ２との間に配置すると共に、ゲート電極７０Ｇよりも主走査方向ｄｍの幅が広い１つのカソード電極７０Ｋを、発光サイリスタ１ＬＴ２と発光サイリスタ１ＬＴ３との間に配置するようにした。
【００７１】
このように発光素子チップ４２は、主走査方向ｄｍの幅が狭いゲート電極７０Ｇを２つまとめて発光サイリスタ１ＬＴ間に配置すると共に、主走査方向ｄｍの幅が広いカソード電極７０Ｋを１つ発光サイリスタ１ＬＴ間に配置するようにした。これにより発光素子チップ４２は、複数の発光サイリスタ１ＬＴが主走査方向ｄｍに沿って等間隔で配置されているという前提において、ゲート電極７０Ｇ及びカソード電極７０Ｋを、発光サイリスタ１ＬＴと副走査方向ｄｓの位置を揃えたまま主走査方向ｄｍに並ばせるように、効率良く配置できる。
【００７２】
以上の構成によれば発光素子チップ４２は、発光サイリスタ１ＬＴ１（組内第１発光サイリスタ１ＬＴａ）と、発光サイリスタ１ＬＴ１と第１の方向としての主走査方向ｄｍにおいて所定距離を置いて配置される発光サイリスタ１ＬＴ２（組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂ）と、発光サイリスタ１ＬＴ１に対応するアノード電極７０Ａ１と、発光サイリスタ１ＬＴ２に対応するアノード電極７０Ａ２と、発光サイリスタ１ＬＴ１に対応するゲート電極７０Ｇ１と、発光サイリスタ１ＬＴ２に対応するゲート電極７０Ｇ２と、発光サイリスタ１ＬＴ１及び発光サイリスタ１ＬＴ２に対応するカソード電極７０Ｋとを設け、ゲート電極７０Ｇ１とゲート電極７０Ｇ２とは、発光サイリスタ１ＬＴ１と発光サイリスタ１ＬＴ２との間に配置されるようにした。
【００７３】
これにより発光素子チップ４２は、ゲート電極７０Ｇ１及びゲート電極７０Ｇ２を発光サイリスタ１ＬＴ１及び発光サイリスタ１ＬＴ２と主走査方向ｄｍに沿うように配置し、ゲート電極７０Ｇ１及びゲート電極７０Ｇ２の副走査方向ｄｓの位置を発光サイリスタ１ＬＴ１及び発光サイリスタ１ＬＴ２と揃えることができる。
【００７４】
［２．第２の実施の形態］
［２−１．画像形成装置及びプリントヘッドの構成］
第２の実施の形態による画像形成装置１０１（図１）は、第１の実施の形態による画像形成装置１と比較して、プリントヘッド３３（図２）に代わるプリントヘッド１３３を有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。プリントヘッド１３３（図３）は、第１の実施の形態によるプリントヘッド３３と比較して、発光素子チップ４２に代わる発光素子チップ１４２を有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【００７５】
［２−２．発光素子チップの構成］
発光素子チップ１４２（図９）は、第１の実施の形態による発光素子チップ４２と比較して、発光サイリスタ１ＬＴ１、１ＬＴ２、１ＬＴ３、１ＬＴ４、…、１ＬＴｋからなる発光サイリスタアレイ１ＬＴＡの発光サイリスタ組１ＬＴＳに代わる、発光サイリスタ１０１ＬＴ１、１０１ＬＴ２、１０１ＬＴ３、１０１ＬＴ４、…、１０１ＬＴｋからなる発光サイリスタアレイ１０１ＬＴＡの発光サイリスタ組１０１ＬＴＳを有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。発光サイリスタ組１０１ＬＴＳは、第１の実施の形態による発光サイリスタ組１ＬＴＳと比較して、組内第１発光サイリスタ１ＬＴａ及び組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂに代わる組内第１発光サイリスタ１０１ＬＴａ及び組内第２発光サイリスタ１０１ＬＴｂを有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。また発光サイリスタ組１０１ＬＴＳは、第１の実施の形態による発光サイリスタ組１ＬＴＳと比較して、ゲート電極形成領域組６４Ｓに代わるゲート電極形成領域組１６４Ｓを有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【００７６】
ゲート電極形成領域組１６４Ｓは、ゲート電極形成領域組６４Ｓと比較して、ゲート電極形成領域１６４（組内第１ゲート電極形成領域１６４ａ及び組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂ）の形状が、ゲート電極形成領域６４（組内第１ゲート電極形成領域６４ａ及び組内第２ゲート電極形成領域６４ｂ）と異なっている。なお図９においては、発光サイリスタアレイ１０１ＬＴＡの周辺についてのみ図示すると共に、ゲート引出配線７１Ｇ等は図示せず省略する。
【００７７】
組内第１ゲート電極形成領域１６４ａは、組内第１ゲート電極形成領域６４ａと比較して、組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂと対向する箇所である主走査方向ｄｍの一端側（右側）における、副走査方向ｄｓの一方側（前側）において、ほぼ正方形状に削れられて凹んだ凹み部１８０ａが形成されている。このため組内第１ゲート電極形成領域１６４ａは、組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂと対向する右側における副走査方向ｄｓの他方側（後側）に、ほぼ正方形状である本体部１７９ａから組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂに向かってほぼ正方形状に突出する突出部１８１ａが形成されている。
【００７８】
組内第１ゲート電極形成領域１６４ａの突出部１８１ａと、該組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと主走査方向ｄｍに隣接する組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂの突出部１８１ｂとは、副走査方向ｄｓに沿って隣接している。突出部１８１ａにおける突出部１８１ｂと副走査方向ｄｓに対向する辺である突出部隣接辺１８２ａは、本体部１７９ａにおける突出部１８１ｂと主走査方向ｄｍに対向する辺である本体部突出部隣接辺１８３ａに対し直角になっており、主走査方向ｄｍと平行になっている。これにより組内第１ゲート電極形成領域１６４ａは、全体として６辺と、外角が９０度の５つの角と外角が−９０度の１つの角とを有する六角形状となっている。組内第１ゲート電極形成領域１６４ａに形成されるゲート電極１７０Ｇは、ゲート電極７０Ｇと比較して、凹み部１８０ａに相当する部分が削られて副走査方向ｄｓの長さが短くなり、底面視で主走査方向ｄｍよりも副走査方向ｄｓの長さが短い長方形状となっている。
【００７９】
組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂは、全体として組内第１ゲート電極形成領域１６４ａを底面視で１８０度回転させた形状となっており、本体部１７９ｂ、凹み部１８０ｂ及び突出部１８１ｂが形成されている。突出部１８１ｂにおける突出部１８１ａと副走査方向ｄｓに対向する辺である突出部隣接辺１８２ｂは、本体部１７９ｂにおける突出部１８１ａと主走査方向ｄｍに対向する辺である本体部突出部隣接辺１８３ｂに対し直角になっており、主走査方向ｄｍと平行になっている。以下では本体部１７９ａ及び１７９ｂをまとめて本体部１７９とも呼び、凹み部１８０ａ及び１８０ｂをまとめて凹み部１８０とも呼び、突出部１８１ａ及び１８１ｂをまとめて突出部１８１とも呼び、突出部隣接辺１８２ａ及び１８２ｂをまとめて突出部隣接辺１８２とも呼び、本体部突出部隣接辺１８３ａ及び１８３ｂをまとめて本体部突出部隣接辺１８３とも呼ぶ。
【００８０】
組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂとは、それぞれ凹み部１８０ａに突出部１８１ｂを、凹み部１８０ｂに突出部１８１ａを、すなわち互いの凹み部１８０に突出部１８１を入り込ませるように配置されている。これにより組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂとは、組み合わせた際に全体として略長方形状となっている。
【００８１】
かかる構成において発光素子チップ１４２は、発光素子チップ４２と同様の動作を行う。またこの発光素子チップ１４２は、発光素子チップ４２と同様の製造方法により製造される。
【００８２】
このようにプリントヘッド１３３は、組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂとを、互いに主走査方向ｄｍに沿って凹み部１８０と突出部１８１とが形成されるようにし、互いの凹み部１８０に突出部１８１を入り込ませるように配置するようにした。このためプリントヘッド１３３は、複数の発光サイリスタ１０１ＬＴの主走査方向ｄｍの間隔である発光部間距離がプリントヘッド３３と比較して小さくなったとしても、ゲート電極１７０Ｇとゲート引出配線７１Ｇ（図５）とをコンタクトさせる領域を確保できる。これによりプリントヘッド１３３は、プリントヘッド３３と比較して、高解像度の発光サイリスタアレイ１０１ＬＴＡを実現できる。
【００８３】
またプリントヘッド１３３は、組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂとを、同一形状で１８０度回転させた形状とした。これによりプリントヘッド１３３は、組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂとの電気的特性を揃えることができる。
【００８４】
またプリントヘッド１３３は、ゲート電極形成領域１６４を底面視で単純な長方形状とした。これによりプリントヘッド１３３は、ゲート電極形成領域１６４のパターン設計を容易にし、製造難易度を下げることができる。
【００８５】
その他の点においても、第２の実施の形態によるプリントヘッド１３３は、第１の実施の形態によるプリントヘッド３３と同様の作用効果を奏し得る。
【００８６】
［３．第３の実施の形態］
［３−１．画像形成装置及びプリントヘッドの構成］
第３の実施の形態による画像形成装置２０１（図１）は、第２の実施の形態による画像形成装置１０１と比較して、プリントヘッド１３３（図２）に代わるプリントヘッド２３３を有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。プリントヘッド２３３（図３）は、第２の実施の形態によるプリントヘッド１３３と比較して、発光素子チップ１４２に代わる発光素子チップ２４２を有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【００８７】
［３−２．発光素子チップの構成］
発光素子チップ２４２（図１０）は、第２の実施の形態による発光素子チップ１４２と比較して、発光サイリスタ１０１ＬＴ１、１０１ＬＴ２、１０１ＬＴ３、１０１ＬＴ４、…、１０１ＬＴｋからなる発光サイリスタアレイ１０１ＬＴＡの発光サイリスタ組１０１ＬＴＳに代わる、発光サイリスタ２０１ＬＴ１、２０１ＬＴ２、２０１ＬＴ３、２０１ＬＴ４、…、２０１ＬＴｋからなる発光サイリスタアレイ２０１ＬＴＡの発光サイリスタ組２０１ＬＴＳを有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。発光サイリスタ組２０１ＬＴＳは、第２の実施の形態による発光サイリスタ組１０１ＬＴＳと比較して、組内第１発光サイリスタ１０１ＬＴａ及び組内第２発光サイリスタ１０１ＬＴｂに代わる組内第１発光サイリスタ２０１ＬＴａ及び組内第２発光サイリスタ２０１ＬＴｂを有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。また発光サイリスタ組２０１ＬＴＳは、第２の実施の形態による発光サイリスタ組１０１ＬＴＳと比較して、ゲート電極形成領域組１６４Ｓに代わるゲート電極形成領域組２６４Ｓを有する点において相違するものの、他の点については同様に構成されている。
【００８８】
ゲート電極形成領域組２６４Ｓは、ゲート電極形成領域組１６４Ｓと比較して、ゲート電極形成領域２６４（組内第１ゲート電極形成領域２６４ａ及び組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂ）の形状が、ゲート電極形成領域１６４（組内第１ゲート電極形成領域１６４ａ及び組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂ）と異なっている。なお図１０においては、発光サイリスタアレイ２０１ＬＴＡの周辺についてのみ図示すると共に、ゲート引出配線７１Ｇ等は図示せず省略する。
【００８９】
組内第１ゲート電極形成領域２６４ａは、組内第１ゲート電極形成領域１６４ａと比較して、それぞれ凹み部２８０ａの形状が凹み部１８０ａと、突出部２８１ａの形状が突出部１８１ａと異なっている。突出部２８１ａは、全体として、組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂに主走査方向ｄｍに近接する側の辺が組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂから主走査方向ｄｍに離隔する側の仮想的な辺よりも短い、台形状となっている。
【００９０】
突出部２８１ａにおける突出部２８１ｂと副走査方向ｄｓに対向する辺である突出部隣接辺２８２ａは、本体部２７９ａにおける突出部２８１ｂと主走査方向ｄｍに対向する辺である本体部突出部隣接辺２８３ａに対し外角が−４５度程度になっており、主走査方向ｄｍに対し傾斜している。これにより組内第１ゲート電極形成領域２６４ａは、全体として６辺と、外角が９０度の４つの角と、外角が４５度の１つの角と、外角が−４５度の１つの角とを有する六角形状となっている。
【００９１】
また図１０（Ｂ）に示すように、組内第１ゲート電極形成領域２６４ａに形成されるゲート電極２７０Ｇ１は、組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂに形成されるゲート電極２７０Ｇ２から副走査方向ｄｓに離隔する側であり主走査方向ｄｍに沿う電極主走査方向第１辺２８４ａと、電極主走査方向第１辺２８４ａと対向し主走査方向ｄｍに対し傾斜する電極主走査方向第２辺２８５ａと、ゲート電極２７０Ｇ２から主走査方向ｄｍに離隔する側であり副走査方向ｄｓに沿う電極副走査方向第１辺２８６ａと、電極副走査方向第１辺２８６ａと対向し副走査方向ｄｓに沿う電極副走査方向第２辺２８７ａとが形成されている。ゲート電極２７０Ｇ１は、ゲート電極１７０Ｇ１と比較して、電極副走査方向第１辺２８６ａの長さが長くなっており、台形状となっている。またゲート電極２７０Ｇ１は、４辺のうち主走査方向ｄｍに沿う１辺である電極主走査方向第１辺２８４ａと副走査方向ｄｓに沿う１辺である電極副走査方向第１辺２８６ａとの長さが同一になっている。
【００９２】
またゲート電極２７０Ｇ１は、主走査方向ｄｍの一端側である左端側において、ゲート電極２７０Ｇ２に向かって副走査方向ｄｓへ突出する電極突出部２８９ａが形成されている。このためゲート電極２７０Ｇ１は、主走査方向ｄｍの他端側である右端側において、電極突出部２８９ａよりもゲート電極２７０Ｇ２から副走査方向ｄｓへ離隔する電極凹み部２８８ａが形成されている。ゲート電極２７０Ｇ１及びゲート電極２７０Ｇ２は、それぞれ電極凹み部２８８ａに電極突出部２８９ｂを、電極凹み部２８８ｂに電極突出部２８９ａを、すなわち互いの電極凹み部２８８に電極突出部２８９を入り込ませるように配置されている。
【００９３】
組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂは、全体として組内第１ゲート電極形成領域２６４ａを底面視で１８０度回転させた形状となっており、本体部２７９ｂ、凹み部２８０ｂ及び突出部２８１ｂが形成されている。以下では本体部２７９ａ及び２７９ｂをまとめて本体部２７９とも呼び、凹み部２８０ａ及び２８０ｂをまとめて凹み部２８０とも呼び、突出部２８１ａ及び２８１ｂをまとめて突出部２８１とも呼び、突出部隣接辺２８２ａ及び２８２ｂをまとめて突出部隣接辺２８２とも呼び、本体部突出部隣接辺２８３ａ及び２８３ｂをまとめて本体部突出部隣接辺２８３とも呼ぶ。ゲート電極２７０Ｇ２も、全体としてゲート電極２７０Ｇ１を底面視で１８０度回転させた形状となっており、電極突出部２８９ｂ及び電極凹み部２８８ａが形成されている。以下ではび、電極主走査方向第１辺２８４ａ及び２８４ｂをまとめて電極主走査方向第１辺２８４とも呼び、電極主走査方向第２辺２８５ａ及び２８５ｂをまとめて電極主走査方向第２辺２８５とも呼び、電極副走査方向第１辺２８６ａ及び２８６ｂをまとめて電極副走査方向第１辺２８６とも呼び、電極副走査方向第２辺２８７ａ及び２８７ｂをまとめて電極副走査方向第２辺２８７とも呼び、電極凹み部２８８ａ及び２８８ｂをまとめて電極凹み部２８８とも呼び、電極突出部２８９ａ及び２８９ｂをまとめて電極突出部２８９とも呼ぶ。
【００９４】
組内第１ゲート電極形成領域２６４ａと組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂとは、それぞれ凹み部２８０ａに突出部２８１ｂを、凹み部２８０ｂに突出部２８１ａを、すなわち互いの凹み部２８０に突出部２８１を入り込ませるように配置されている。これにより組内第１ゲート電極形成領域２６４ａと組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂとは、組み合わせた際に全体として略長方形状となっている。
【００９５】
かかる構成において発光素子チップ２４２は、発光素子チップ１４２と同様の動作を行う。またこの発光素子チップ２４２は、発光素子チップ１４２と同様の製造方法により製造される。
【００９６】
ところで、発光素子チップ２４２の製造工程においては、露光機の性能によって、ゲート電極２７０Ｇにおける主走査方向ｄｍに沿う辺と副走査方向ｄｓに沿う辺との最小長さが決定する。このためゲート電極２７０Ｇは、４辺のうち、主走査方向ｄｍに沿った少なくとも１辺と、副走査方向ｄｓに沿った少なくとも１辺とが、規定の長さを満たしている必要がある。
【００９７】
これに対しプリントヘッド２３３は、組内第１ゲート電極形成領域２６４ａにおける突出部隣接辺２８２ａと、該突出部隣接辺２８２ａに対し副走査方向ｄｓに隣接して対向する、組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂにおける突出部隣接辺２８２ｂとを、主走査方向ｄｍに対し傾斜させるようにした。またプリントヘッド２３３は、ゲート電極２７０Ｇ１とゲート電極２７０Ｇ２とを、互いに副走査方向ｄｓに対向して電極凹み部２８８と電極突出部２８９とが形成されるようにし、互いの電極凹み部２８８に電極突出部２８９を入り込ませるように配置するようにした。さらにプリントヘッド２３３は、電極主走査方向第１辺２８４が主走査方向ｄｍの規定の長さを満たし、電極副走査方向第１辺２８６が副走査方向ｄｓの規定の長さを満たすようにした。
【００９８】
このためプリントヘッド２３３は、製造工程においてゲート電極２７０Ｇを形成する際の露光機の性能による主走査方向ｄｍに沿う辺と副走査方向ｄｓに沿う辺との最小長さを満たしつつ、組内第１ゲート電極形成領域２６４ａと組内第２ゲート電極形成領域２６４ｂとを副走査方向ｄｓに高密度に配置でき、発光素子チップ２４２の副走査方向ｄｓの幅を小さくできる。
【００９９】
その他の点においても、第３の実施の形態によるプリントヘッド２３３は、第２の実施の形態によるプリントヘッド１３３と同様の作用効果を奏し得る。
【０１００】
［４．他の実施の形態］
なお上述した第１の実施の形態においては、隣接する発光サイリスタ組１ＬＴＳ同士の間にカソード電極７０Ｋを配置する場合について述べた。本発明はこれに限らず、種々の位置にカソード電極を配置しても良い。その場合例えば、１つのアノードパッド６６Ａに接続される４つの発光サイリスタ１ＬＴを１セットの発光サイリスタセットとし、隣接する発光サイリスタセット同士の間にのみカソード電極を形成しても良く、また、発光サイリスタセット同士の間にはカソード電極を配置せずに、発光サイリスタセットにおける主走査方向ｄｍの中央に位置するカソード電極のみを配置しても良い。要は例えば、発光素子チップ４２におけるカソード電極７０Ｋを主走査方向ｄｍに沿って１つおきに削除しても良い。その場合、Ｎ型層５６の厚さを適宜調整すると良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１０１】
また上述した第１の実施の形態においては、Ｎ型層５６上にカソード電極７０Ｋを形成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、Ｎ型層５６の下や平坦化膜５４の下にカソード電極を形成し、Ｎ型層５６や平坦化膜５４に孔部を形成して該孔部からカソード電極をＮ型層５６の表面へ取り出しても良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１０２】
さらに上述した第２の実施の形態においては、組内第１ゲート電極形成領域１６４ａ及び組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂを六角形状とする場合について述べた。本発明はこれに限らず、種々の形状としても良い。要は、組内第１ゲート電極形成領域１６４ａにおける主走査方向ｄｍの一方向側の端部が、組内第２ゲート電極形成領域１６４ｂにおける主走査方向ｄｍの他方向側の端部よりも、主走査方向ｄｍの一方向側に入り込むような形状であれば良い。第３の実施の形態についても同様である。
【０１０３】
さらに上述した第１の実施の形態においては、三端子発光素子として発光サイリスタ１ＬＴを用いる場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば三端子発光素子としてトランジスタを用いても良い。その場合、トランジスタにおけるコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極が、発光サイリスタ１ＬＴにおけるアノード電極、ゲート電極及びカソード電極にそれぞれ対応する。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１０４】
さらに上述した第１の実施の形態においては、発光サイリスタ１ＬＴを、上側から「ＰＮＰＮ」の４層構造でなるウェハとして構成し、Ｎ型層５６上にカソード電極７０Ｋを、Ｎ型層５８上にゲート電極７０Ｇを、Ｐ型層５９上にアノード電極７０Ａをそれぞれ形成する場合について述べた。本発明はこれに限らず、発光サイリスタ１ＬＴを、上側から「ＮＰＮＰ」の４層構造でなるウェハとして構成し、アノード電極とカソード電極とを入れ替え、最上位のＮ型層上にカソード電極をそのＮ型層の下のＰ型層上にゲート電極を、最下位のＰ型層上にアノード電極をそれぞれ形成しても良い。
【０１０５】
さらに上述した第１の実施の形態においては、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体、Ｐ型半導体及びＮ型半導体を順次接合させた、いわゆる「ＰＮＰＮ型」の構成でなる発光サイリスタ１ＬＴを被駆動素子とし、これをドライバＩＣにより駆動する場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えばＰ型半導体、Ｎ型半導体、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体、Ｐ型半導体及びＮ型半導体を順次接合させた「ＰＮＰＮＰＮ型」の構成でなる発光サイリスタ等、ＰＮ接合を有する種々の発光サイリスタを被駆動素子としても良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１０６】
さらに上述した第１の実施の形態においては、発光サイリスタ１ＬＴを、ＧａＡｓウェハ上にＡｌＧａＡｓ層を形成した構造とする場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えばＧａＰ、ＧａＡｓＰやＡｌＧａＩｎＰ等の材料を用いるものであっても良く、さらにはサファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮ等の材料を成膜したものであっても良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１０７】
さらに上述した第１の実施の形態においては、ＭＦＰでなる画像形成装置１に本発明を適用する場合について述べた。しかしながら本発明はこれに限らず、例えば複写機やファクシミリ装置等、電子写真方式によりトナー画像を形成して用紙に定着させる機能を有する種々の電子機器に適用しても良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１０８】
さらに本発明は、上述した各実施の形態及び他の実施の形態に限定されるものではない。すなわち本発明は、上述した各実施の形態と上述した他の実施の形態の一部又は全部を任意に組み合わせた実施の形態や、一部を抽出した実施の形態にもその適用範囲が及ぶものである。
【０１０９】
さらに上述した第１の実施の形態においては、第１の三端子発光素子としての発光サイリスタ１ＬＴ１（組内第１発光サイリスタ１ＬＴａ）と、第２の三端子発光素子としての発光サイリスタ１ＬＴ２（組内第２発光サイリスタ１ＬＴｂ）と、第１の電流供給電極としてのアノード電極７０Ａ１と、第２の電流供給電極としてのアノード電極７０Ａ２と、第１の制御電極としてのゲート電極７０Ｇ１と、第２の制御電極としてのゲート電極７０Ｇ２と、電流取出電極としてのカソード電極７０Ｋとによって、半導体装置としての発光素子チップ４２を構成する場合について述べた。しかしながら本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる第１の三端子発光素子と、第２の三端子発光素子と、第１の電流供給電極と、第２の電流供給電極と、第１の制御電極と、第２の制御電極と、電流取出電極とによって、半導体装置を構成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、例えば電子写真方式によりトナー画像を形成して用紙に定着させることにより印刷するＭＦＰで利用できる。
【符号の説明】
【０１１１】
１、１０１、２０１……画像形成装置、２……プリンタ筐体、２Ｔ……排出トレイ、３……制御部、４……用紙収容カセット、５……給紙部、６……ホッピングローラ、７……搬送ガイド、８……レジストローラ、９……ピンチローラ、１０……中搬送部、１１……前ローラ、１２……後ローラ、１３……下ローラ、１４……搬送ベルト、１５……吸着ローラ、１６Ｃ、１６Ｍ、１６Ｙ、１６Ｋ……画像形成ユニット、１７……転写ローラ、１９……クリーニング部、２０……除電光源、２１……定着部、２１Ａ……加熱ローラ、２１Ｂ……加圧ローラ、２２……排紙部、２５、２６、２７、２８……用紙センサ、３１……画像形成部、３２……トナーカートリッジ、３３、１３３、２３３……プリントヘッド、３４……トナー収容部、３５……供給ローラ、３６……現像ローラ、３７……規制ブレード、３８……感光体ドラム、３９……帯電ローラ、Ｐ……用紙、Ｗ……搬送路、４０……ベース部材、４１……プリント配線板、４２、１４２、２４２……発光素子チップ、４３……ＩＣ基板、４４……ボンディングワイヤ、４５……ホルダ、４５Ａ……支持部、４５Ｈ……取付孔、４５Ｏ……開口部、４６、４７……クランプ部材、４８……ロッドレンズアレイ、４９……エピタキシャルフィルム、５１……共通配線部、５２……引出配線部、５４……平坦化膜、５５……半導体薄膜、５６……Ｎ型層、５７……Ｐ型層、５８……Ｎ型層、５９……Ｐ型層６３……絶縁層、６４、１６４、２６４……ゲート電極形成領域、６４Ｓ、１６４Ｓ、２６４Ｓ……ゲート電極形成領域組、６４ａ、１６４ａ、２６４ａ……組内第１ゲート電極形成領域、６４ｂ、１６４ｂ、２６４ｂ……組内第２ゲート電極形成領域、６５Ａ１〜６５Ａｎ……アノード共通配線部、６６Ａ１〜６６Ａｎ……アノードパッド、６７Ａ１〜６７Ａｎ……アノード共通配線、６５Ｇ……ゲート共通配線部、６６Ｇ１〜６６Ｇ４……ゲートパッド、６７Ｇ１〜６７Ｇ４……ゲート共通配線、６５Ｋ……カソード共通配線部、６６Ｋ……カソードパッド、６７Ｋ……カソード共通配線、６９Ａ……アノード引出配線部、７０Ａ１〜７０Ａ４……アノード電極、７１Ａ１〜７１Ａ４……アノード引出配線、６９Ｇ……ゲート引出配線部、７０Ｇ１〜７０Ｇ４、１７０Ｇ１〜１７０Ｇ４、２７０Ｇ１〜２７０Ｇ４……ゲート電極、７１Ｇ１〜７１Ｇ４……ゲート引出配線、６９Ｋ……カソード引出配線部、７０Ｋ……カソード電極、７１Ｋ……カソード引出配線、７５……母材基板、７６……犠牲層、１７９ａ、１７９ｂ、２７９ａ、２７９ｂ……本体部、１８０ａ、１８０ｂ、２８０ａ、２８０ｂ……凹み部、１８１ａ、１８１ｂ、２８１ａ、２８１ｂ……突出部、１８２ａ、１８２ｂ、２８２ａ、２８２ｂ……突出部隣接辺、１８３ａ、１８３ｂ……本体部突出部隣接辺、２８４ａ、２８４ｂ……電極主走査方向第１辺、２８５ａ、２８５ｂ……電極主走査方向第２辺、２８６ａ、２８６ｂ……電極副走査方向第１辺、２８７ａ、２８７ｂ……電極副走査方向第２辺、２８８ａ、２８８ｂ……電極凹み部、２８９ａ、２８９ｂ……電極突出部、１ＬＴＡ、１０１ＬＴＡ、２０１ＬＴＡ……発光サイリスタアレイ、１ＬＴ、１０１ＬＴ、２０１ＬＴ……発光サイリスタ、１ＬＴＳ、１０１ＬＴＳ、２０１ＬＴＳ……発光サイリスタ組、１ＬＴａ、１０１ＬＴａ……組内第１発光サイリスタ、１ＬＴｂ、１０１ＬＴｂ……組内第２発光サイリスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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