(57)【要約】【課題】  プラズマダイシング方式を用いた半導体チップの製造においてフォトリソグラフィプロセスによるマスク形成が不要であり、半導体チップの製造の各工程で優れた性能を示し、操作性、作業性にも優れたマスク一体型表面保護テープ及び半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】  プラズマ工程に用いられるマスク材であって、  前記マスク材の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが０．１μｍ〜１．５μｍであるプラズマダイシング用マスク材、マスク一体型表面保護テープ及び半導体チップの製造方法。【選択図】図４
2019075512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ工程に用いられるマスク材であって、
前記マスク材の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが０．１μｍ〜１．５μｍであることを特徴とするプラズマダイシング用マスク材。
【請求項２】
少なくとも基材フィルムおよび該基材フィルム上に設けられたマスク材層を有する半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、
前記マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが、０．１μｍ〜１．５μｍであることを特徴とするマスク一体型表面保護テープ。
【請求項３】
前記マスク材層が、前記基材フィルムに接して設けられているか、または、粘着剤層を介して設けられていることを特徴とする請求項２に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項４】
前記マスク材層の３５５ｎｍ〜１０８００ｎｍの波長領域における平行光線吸収率が５０％以上であることを特徴とする請求項２または３に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項５】
前記マスク材層が、少なくとも１種の紫外線吸収剤を含有し、該紫外線吸収剤がトリアジン骨格、ベンゾフェノン骨格、ベンゾトリアゾール骨格およびベンゾエート骨格から選択されるいずれかの骨格を有する化合物であって、
前記マスク材層中の前記紫外線吸収剤の含有量が０．５〜１．５質量部である請求項２〜４のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項６】
前記紫外線吸収剤が、紫外線吸収骨格を有する（メタ）アクリルポリマーであることを特徴とする請求項５に記載マスク一体型表面保護テープ。
【請求項７】
前記マスク材層が、放射線硬化型であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項８】
前記マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと粘着剤とマスク材とから構成され、前記粘着剤が感圧型粘着剤であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項９】
前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート層を１層以上有することを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項１０】
少なくとも基材フィルムおよび該基材フィルム上に設けられたマスク材層を有するマスク一体型表面保護テープを使用する半導体チップの製造方法であって、
前記マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが、０．１μｍ〜１．５μｍであり、
下記工程（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
〔工程〕
（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）前記マスク材層を除去する工程
【請求項１１】
前記マスク材層が、前記基材フィルムに接して設けられているか、または、粘着剤層を介して設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマダイシング用マスク材、マスク一体型表面保護テープおよび半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましく、特に、メモリカードやスマートカード等の様な半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードでは薄膜化が要求され、また、ＬＥＤ・ＬＣＤ駆動用デバイスなどでは小チップ化が要求されている。今後これらの需要が増えるにつれ半導体チップの薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。
【０００３】
これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定の厚みに薄膜化した後、ダイシング工程を経て個々のチップに分割することにより得られる。
従来、ダイシング工程においては、ダイシングブレードにより切断されるブレードダイシング方式が用いられてきた。しかしながら、ブレードダイシング方式では切断時にブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかる。そのため、この切削抵抗によって半導体チップに微小な欠け（チッピング）が発生することがある。チッピングの発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によっては抗折強度不足によるピックアップ時のチップ破損を招き、チップ上の回路パターンまで破損する可能性がある。また、ブレードによる物理的なダイシング工程では、チップ同士の間隔であるカーフ（スクライブライン、ストリートともいう）の幅を厚みのあるブレード幅よりも狭小化することができない。この結果、一枚のウェハから取ることができるチップの数（収率）は少なくなる。さらにウェハの加工時間が長いことも問題であった。
【０００４】
このため、ブレードダイシング方式以外にもダイシング工程には様々な方式が利用されている。例えば、１）先に所定の厚み分だけウェハに溝を形成しておき、その後に研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行うＤＢＧ（先ダイシング）方式、２）レーザーで行うレーザーダイシング方式、３）ダイシングを水圧で行うウオータージェット方式などのウェットプロセスを用いる方式、４）ウェハの厚み方向にレーザーで改質層を形成し、エキスパンドして分断し個片化するステルスダイシング方式、５）ステルスダイシングと先ダイシングを併せた方式などが代表的である。
しかしながら、これらの方式は、個々にメリットはあるものの、これらの方式によっては、チップの破損、極小チップの製造に時間を要したり、表面汚染、カーフ幅の狭小化に対する制約、得られるチップの収率低下、チップ抗折強度の低下、チップ端面が隣接チップとぶつかってチップコーナーが欠けるなどの問題がある。
【０００５】
これに加えて、６）プラズマダイシング方式がある（例えば、特許文献１参照）。
プラズマダイシング方式は、マスクで覆っていない箇所をプラズマで選択的にエッチングすることで、半導体ウェハを分割する方法である。このダイシング方法を用いると、選択的にチップの分断が可能であり、スクライブラインが曲がっていても問題なく分断できる。また、エッチングレートが非常に高いことから近年ではチップの分断に最適なプロセスの１つとされてきた。
【０００６】
プラズマダイシング方式では、六フッ化硫黄（ＳＦ６）や四フッ化炭素（ＣＦ４）など、ウェハとの反応性が非常に高いフッ素系のガスをプラズマ発生用ガスとして用いており、その高いエッチングレートから、エッチングしない面に対してマスクによる保護が必須であり、事前にマスク形成が必要となる。
【０００７】
このマスク形成には、特許文献１にも記載されているように、ウェハの表面にレジストを塗布した後、ストリートに相当する部分をフォトリソグラフィプロセスで除去してマスクとする技術が一般的に用いられる。そのため、プラズマダイシングを行うためには、プラズマダイシング設備以外のフォトリソ工程設備が必要で、チップコストが上昇するという問題がある。また、マスクをレーザー照射により除去しスクライブラインを露出させる工程において、マスク材がうまくレーザーを吸収せず、反射・散乱することにより、マスク材が上手く除去できないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１９３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明者らは、このため、プラズマダイシングに使用するマスク材がレーザーをうまく吸収し、マスク除去工程において残渣無くマスク除去が可能なマスクを開発することを検討した。
本発明におけるマスクを使用することで、少なくとも下記の工程で半導体チップが製造可能となる。
〔工程〕
（Ａ）表面露出したマスク材層に対するレーザー切断による半導体ウェハのストリート部の開口工程
（Ｂ）プラズマダイシング工程、および、
（Ｃ）残りのマスク材層のアッシング工程
【００１０】
工程（Ａ）では、ウェハ薄膜加工後におけるマスク材層とこれに接する層（粘着剤層を有する場合は粘着剤層、有さない場合は基材フィルムなど）との簡単で良好な剥離性、および、マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートの高精度の開口可能性、工程（Ｂ）では、ＳＦ６プラズマ等の照射プラズマからウェハを保護する性能、工程（Ｃ）では、Ｏ２プラズマ等の照射プラズマによるマスク材層の除去性が要求される。基材表面粗さが粗すぎると、基材に接するマスク材表面、または粘着剤層を介して設けられたマスク材表面が粗くなり、工程（Ｂ）においてレーザーがマスク材表面で散乱されてしまい、ウェハのストリートの開口がうまく進まない、または残渣が多く残ってしまうといった課題がある。また、基材表面粗さが平滑すぎると、セパレータ剥離時にマスク材がセパレータ側に引っ張られてしまい、セパレータ剥離時にマスク材が剥離してしまう問題がある。
【００１１】
従って、本発明は、プラズマダイシング方式を用いた半導体チップの製造において使用されるマスク材であって、半導体チップの製造工程の各工程で優れた性能を示し、また、マスク除去工程において優れた除去性を有するマスク材を提供することを課題とする。
【００１２】
特に、本発明では、マスク材層を設けることで生じる克服すべき課題は、レーザーによる開口のための切断・除去性、Ｏ２等のプラズマアッシングによる除去性がいずれも優れることであり、少なくともこれらの性能に優れたマスク材、および、このマスク一体型表面保護テープを使用する半導体チップの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
すなわち、本発明の上記課題は下記の手段により解決された。
（１）プラズマ工程に用いられるマスク材であって、
前記マスク材の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが０．１μｍ〜１．５μｍであることを特徴とするプラズマダイシング用マスク材。
（２）少なくとも基材フィルムおよび該基材フィルム上に設けられたマスク材層を有するマスク一体型表面保護テープであって、
前記マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが、０．１μｍ〜１．５μｍであることを特徴とするマスク一体型表面保護テープ。
（３）前記マスク材層が、前記基材フィルムに接して設けられているか、または、粘着剤層を介して設けられていることを特徴とする（２）に記載のマスク一体型表面保護テープ。
（４）前記マスク材層の３５５ｎｍ〜１０８００ｎｍの波長領域における平行光線吸収率が５０％以上であることを特徴とする（２）または（３）に記載のマスク一体型表面保護テープ。
（５）前記マスク材層が、少なくとも１種の紫外線吸収剤を含有し、該紫外線吸収剤がトリアジン骨格、ベンゾフェノン骨格、ベンゾトリアゾール骨格およびベンゾエート骨格から選択されるいずれかの骨格を有する化合物であって、
前記マスク材層中の前記紫外線吸収剤の含有量が０．５〜１．５質量部であることを特徴とする（２）〜（４）のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
（６）前記紫外線吸収剤が、紫外線吸収骨格を有する（メタ）アクリルポリマーであることを特徴とする（５）に記載マスク一体型表面保護テープ。
（７）前記マスク材層が、放射線硬化型であることを特徴とする（２）〜（６）のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
（８）前記マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと粘着剤とマスク材とから構成され、前記粘着剤が感圧型粘着剤であることを特徴とする（２）〜（６）のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
（９）前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレー層を１層以上有することを特徴とする（２）〜（８）のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
（１０）少なくとも基材フィルムおよび該基材フィルム上に設けられたマスク材層を有するマスク一体型表面保護テープを使用する半導体チップの製造方法であって、
前記マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが、０．１μｍ〜１．５μｍであり、
下記工程（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
〔工程〕
（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）前記マスク材層を除去する工程
（１１）前記マスク材層が、前記基材フィルムに接して設けられているか、または、粘着剤層を介して設けられていることを特徴とする（１０）に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、プラズマダイシング方式を用いた半導体チップの製造においてフォトリソグラフィプロセスによるマスク形成を不要とし、レーザーによる除去性に優れたマスク材を有するマスク一体型表面保護テープの提供が可能となった。
これにより、半導体チップの製造工程の各工程で優れた性能を示し、操作性、作業性にも優れたマスク一体型表面保護テープ、および、このマスク一体型表面保護テープを使用する半導体チップの製造方法を提供することが可能となった。
特に、マスク材層を設けることで生じる克服すべき課題における、レーザーによる開口のための切断性、Ｏ２プラズマアッシングによる除去性がいずれも優れる。
この結果、本発明のマスク材を使用したマスク一体型表面保護テープは、なかでも半導体ウェハのストリートに相当する部分のマスク材をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程において、マスク材層のレーザー光吸収性不足によるレーザー加工効率の低下での加工長時間化や、過剰なレーザー光のエネルギー投入によるマスク材層の溶融によるウェハ加工品質の悪化も防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明のマスク一体型表面保護テープの代表的な模式的な概断面図、および、第１実施形態において、半導体ウェハへのマスク一体型表面保護テープ貼合までの半導体チップの製造工程を説明する概略断面図である。分図１（ａ）は半導体ウェハを示し、分図１（ｂ）はマスク一体型表面保護テープを貼合する様子を示し、分図１（ｃ）はマスク一体型表面保護テープを貼合した半導体ウェハを示す。
【図２】本発明のマスク一体表面保護テープを使用する第１実施形態において、半導体ウェハの薄膜化と固定までの半導体チップの製造工程を説明する概略断面図である。分図２（ａ）は半導体ウェハの薄膜化処理を示し、分図２（ｂ）はウェハ固定テープを貼合する様子を示し、分図２（ｃ）は半導体ウェハをリングフレームに固定した状態を示す。
【図３】本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態において、マスク形成までの半導体チップの製造工程を説明する概略断面図である。分図３（ａ）はマスク一体型表面保護テープからマスク材層を残して表面保護テープを引き剥がす様子を示し、分図３（ｂ）はマスク一体型表面保護テープのマスク材層が剥き出しになった状態を示し、分図３（ｃ）はレーザーでストリートに相当するマスク材層を切除する工程を示す。
【図４】本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態において、プラズマダイシングとプラズマアッシングの工程を説明する概略断面図である。分図４（ａ）はプラズマダイシングを行う様子を示し、分図４（ｂ）はチップに個片化された状態を示し、分図４（ｃ）はプラズマアッシングを行う様子を示す。
【図５】本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態において、チップをピックアップするまでの半導体チップの製造工程を説明する概略断面図である。分図５（ａ）はマスク材層が除去された状態を示し、分図５（ｂ）はチップをピックアップする様子を示す。
【図６】本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第２実施形態における紫外線照射処理を行う前後の状態を説明する概略断面図である。分図６（ａ）は半導体ウェハの表裏両面をそれぞれマスク一体型表面保護テープとウェハ固定テープとで被覆し固定した状態を示し、分図６（ｂ）は紫外線が照射される様子を示し、分図６（ｃ）はマスク一体型表面保護テープからマスク材層を残して表面保護テープを引き剥がす様子を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明におけるマスク材およびそれを使用したマスク一体型表面保護テープは、マスク材がレーザーをうまく吸収し、マスク除去工程において残渣無くマスク除去が可能であり、半導体ウェハをプラズマダイシングにより分割、個別化して半導体チップを得る方法に用いられる。以下に説明するように、本発明のマスク材およびマスク一体型表面保護テープを用いることにより、プラズマダイシング時のマスク除去工程において残渣無くマスク除去が可能であり、かつ、マスクの先立つフォトリソグラフィプロセスが不要となり、半導体チップないし半導体製品の製造コストを大幅に抑えることができる。
【００１７】
＜＜マスク一体型表面保護テープ＞＞
本発明のマスク一体型表面保護テープは、少なくとも基材フィルムとマスク材層とを有する。
マスク材層は、基材フィルムに接して設けられていても、粘着剤層を介して設けられていてもよい。
なお、本発明および本明細書では、マスク材層を有さず、基材フィルム上に粘着剤層が設けられているテープを、単に、表面保護テープと称し、マスク材層を有するものをマスク一体型表面保護テープと称す。
【００１８】
本発明のマスク一体型表面保護テープは、半導体ウェハの裏面研削の際に、半導体ウェハのパターン面（表面）を保護するために、このパターン面に貼り合わせて用いられる。
従って、通常の半導体ウェハ加工用表面保護テープと同様の粘着性を含めた性能が要求される。
具体的には、半導体ウェハのパターン面に形成された半導体素子を保護する機能を有する。すなわち、後工程のウェハ薄膜化工程（裏面研削工程）では半導体ウェハのパターン面で半導体ウェハを支持してウェハの裏面が研削されるために、マスク一体型表面保護テープはこの研削時の負荷に耐える必要がある。そのため、マスク一体型表面保護テープは単なるレジスト膜等とは異なり、パターン面に形成される素子を被覆するだけの厚みがあって、その押圧抵抗は低く、また、研削時のダストや研削水などの浸入が起こらないように素子を密着できるだけの密着性が高いものである。
これに加えて、プラズマダイシング方式に適し、プラズマダイシング方式を用いた半導体チップの製造においてフォトリソグラフィプロセスによるマスク形成を不要とする。
【００１９】
このため、本発明のマスク一体型表面保護テープは、少なくとも、前記の（Ａ）表面露出したマスク材層に対するレーザー切断による半導体ウェハのストリート部の開口工程、（Ｂ）プラズマダイシング工程、および、（Ｃ）残りのマスク材層のアッシング工程を含む半導体チップの製造用に使用される。
【００２０】
特に、本発明のマスク一体型表面保護テープは、半導体チップの製造工程において、少なくとも下記工程（ａ）〜（ｄ）を含む半導体チップの製造を可能とし、かつこの製造工程に適用することが好ましい。
【００２１】
〔工程〕
（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合せ、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムを剥離するか、または、基材フィルムと粘着剤層を一体に剥離することで、マスク材層を表面に露出させた後、マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハをストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマによりマスク材層を除去するアッシング工程
【００２２】
以下、基材フィルム、マスク材層および粘着剤層の順に説明する。
【００２３】
＜基材フィルム＞
基材フィルムは単層構成でも、複数の層が積層した積層体であってもよい。
基材フィルムを構成する樹脂もしくはポリマー成分は、従来の半導体ウェハ加工用表面保護テープで使用される樹脂もしくはポリマー成分が用いられる。
例えば、ポリオレフィン樹脂やポリエステル樹脂、さらには、（メタ）アクリル樹脂に加え、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、ゴム類が挙げられ、これらを単体もしくは２種以上を混合させたものでも構わない。
【００２４】
ポリオレフィン樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレンの単独もしくは共重合体のポリエチレンもしくはポリプロピレンから選択されるポリオレフィン樹脂が挙げられ、本発明で好ましい。
なお、ポリエチレン、ポリプロピレンは、ホモポリエチレン、ホモポリプロピレン以外は、通常、密度を調整するため、α−オレフィンを共重合成分として含む。特に、ポリエチレンでは、このα−オレフィンは、一般には、５モル％以下である。
ポリエチレンの密度（比重）等により、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷ−ＰＥ）に分類される。
ポリプロピレンは、ホモポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、ブロックポリプロピレンが挙げられる。
【００２５】
ポリエチレン樹脂としては、上記以外に、ポリスチレンもしくはその共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸もしくは（メタ）アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体、あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００２６】
ポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＮＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）が挙げられる。
【００２７】
本発明では、基材フィルムは、少なくともポリオレフィン樹脂層を有することが好ましく、ポリオレフィンがより好ましく、低密度ポリオレフィンがさらに好ましい。
また、複数の層が積層した積層体の場合、低密度ポリエチレンとエチレン酢酸ビニル共重合体の積層体や、ポリプロピレンとポリエチレンテレフタレートの積層体、ポリオレフィン樹脂層とポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートの積層体は好適な材質の一つである。
【００２８】
これらの基材フィルムは、一般的な押出し法を用いて製造できる。基材フィルムを種々の樹脂を積層して得る場合には、共押出し法、ラミネート法などで製造される。この際、通常のラミネートフィルムの製法に於いて普通に行われている様に、樹脂と樹脂の間に接着層を設けてもよい。
【００２９】
本発明では、基材フィルムの厚さは、強・伸度特性、放射線透過性の観点から２０〜２００μｍが好ましい。
【００３０】
＜マスク材層およびマスク材＞
マスク材層は、プラズマダイシング工程でのＳＦ６などのプラズマ照射によるエッチング（ダイシング）から、半導体ウェハ表面を保護する層であり、開口工程で除去された半導体ウェハのストリート部分のみを選択的にエッチング（ダイシング）して、半導体ウェハの高精度な分割を可能とする層である。
本発明では、マスク材層は、半導体ウェハ表面のパターン面に貼り合わせて使用されるため、通常の半導体ウェハ加工用表面保護テープにおける粘着剤層と同様に、粘着性を含めた性能を有する。
【００３１】
本発明のマスク材は、プラズマ工程に用いられるマスク材であって、マスク材の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが０．１μｍ〜１．５μｍであるプラズマダイシング用マスク材である。
マスク材層は、本発明のマスク材からなる。
【００３２】
表面粗さＲｚは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９９４）で規定される十点平均粗さであり、これに従い求めることができる。
表面粗さＲｚを、０．１μｍ〜１．５μｍとすることで、レーザーによるマスク材除去性とセパレータの剥離時のマスク材剥がれを防止する２つの効果が得られる。
表面粗さＲｚを、０．１μｍ未満であると、セパレータの剥離時に、マスク材が粘着剤もしくは基材フィルムの表面から剥離する問題が生じ、逆に、１．５μｍを超えると、レーザーによるマスク材除去の際に、除去効率が落ちたり、除去が不可能となる問題が生じる。
【００３３】
表面粗さＲｚを０．１μｍ〜１．５μｍとするには、粘着剤層を有さない場合、マスク材層を張り付ける側の基材フィルムの表面の粗さＲｚを、粘着剤層を有する場合、マスク材層を張り付ける側の粘着剤層の表面粗さＲｚを、０．１μｍ〜１．５μｍに調節することができる。さらに、粘着剤層の表面粗さは粘着剤層を基材フィルムへ転写塗工する際のセパレータの表面の粗さに起因するため、セパレータの表面の粗さを調節することでも、調節できる。
より具体的には、粘着剤層を有さない場合、基材フィルムを製膜する際に使用される冷却ロールの粗さをコントロールすることで、また、市販の基材フィルムを使用する場合は、基材フィルムを押圧するロールの粗さをコントロールすることにより、調節することができる。
一方、粘着剤層を有する場合、基材フィルム上に設けた粘着剤層とこの粘着剤層上の剥離ライナーに対して、剥離ライナー上から押圧するロールの粗さをコントロールすることにより、調節することができる。
【００３４】
本発明では、上記工程（ｂ）で、表面に露出したマスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程で、レーザー光を照射する。
照射されるレーザー光は、ＣＯ２レーザー（炭酸ガスの気体レーザー）、ＹＡＧレーザー（イットリウム・アルミニウム・ガーネットを用いた固体レーザー）、半導体レーザーなど特に限定されるものではない。
【００３５】
このため、本発明では、少なくとも、マスク材層の３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザー）および１０８００ｎｍ（ＣＯ２レーザー）の波長領域における平行光線吸収率は５０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましく、７５％以上がさらに好ましい。本発明では、マスク材層の３５５ｎｍ〜１０８００ｎｍの波長領域における平行光線吸収率が、５０％以上が好ましい。
ここで、平行光線吸収率は、使用するマスク材（層）の厚さを含めたものであり、単位厚さに変換したものではない。
平行光線吸収率が５０％未満であるとマスク材層のレーザー光吸収性が不足し、マスク材層の半導体ウェハのストリート部の開口工程において、開口するために、レーザー照射が複数回必要となり、加工長時間化や、過剰なレーザー光のエネルギー投入によりマルスク材層が溶融して残渣となり、この結果、半導体ウェハの表面に残留し、加工品質を悪化する恐れがある。
【００３６】
平行光線吸収率は、紫外可視分光光度計〔例えば、紫外可視分光光度計ＵＶ−１８００（株式会社島津製作所製）〕を用いて、マスク材層を冶具にとりつけ、波長３５５ｎｍμｍ、１０８００ｎｍにおける透過率を測定し、下記式より平行光線吸収率を算出することで求められる。
上記のように、マスク材層の平行光線透過率は、作製したマスク材層の厚さでの測定である。
【００３７】
平行光線吸収率［％］＝１００−平行光線透過率［％］
【００３８】
〔〔樹脂〕〕
マスク材層を構成する樹脂は、どのような樹脂でも構わないが、通常の半導体ウェハ加工用表面保護テープにおける粘着剤層を構成する粘着剤が好ましい。
粘着剤で使用される樹脂は、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。
なお、本発明および本明細書では、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」および「メタクリル」を総称するもので、「アクリル」、「メタクリル」のいずれか一方であっても、これらの混合であっても構わない。例えば、（メタ）アクリル酸エステルは、アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルを意味するものである。
【００３９】
このため、本発明では、マスク材層は、（メタ）アクリル共重合体を含有することが好ましい。なお、（メタ）アクリル共重合体を含有するとは、（メタ）アクリル共重合体が硬化剤と反応した状態で存在する形態を含む意味である。
【００４０】
（メタ）アクリル共重合体は、異なった（メタ）アクリル酸エステルの２種以上の共重合体であっても、（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸アミドを含むエチレン性不飽和基を有するモノマーの共重合体であっても構わない。
ここで、エチレン性不飽和基を有するモノマーとしては、上記以外に、（メタ）アクリロニトリル、スチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジエン、ビニルアルコール、酢酸ビニル、塩化ビニル、マレイン酸（エステル、酸無水物も含む）などが挙げられる。
本発明では、（メタ）アクリル酸エステルおよび（メタ）アクリル酸から選択されるモノマーの共重合体が、より好ましい。また、１種類の共重合体であっても複数の共重合体の混合物であっても構わない。
【００４１】
（メタ）アクリル酸エステルは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステルであっても構わないが、（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。
また、（メタ）アクリル酸エステルのアルコール部（エステルを形成するアルコール）の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜１２がさらに好ましい。
なお、（メタ）アクリル酸エステルのアルコール部は、置換基を有していてもよい。
【００４２】
（メタ）アクリル酸エステルは、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ−オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルが挙げられる。
【００４３】
上記（メタ）アクリル共重合体の全モノマー成分中、（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は７０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。また、（メタ）アクリル共重合体の全モノマー成分中、（メタ）アクリル酸エステル成分の割合が１００モル％でない場合、残部のモノマー成分は（メタ）アクリロイル基を重合性基として重合した形態で存在するモノマー成分（（メタ）アクリル酸等）であることが好ましい。
さらに、（メタ）アクリル共重合体の全モノマー成分中、後述する硬化剤と反応する官能基（例えばヒドロキシ基）を有する（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は、１モル％以上が好ましく、２モル％以上がより好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上がより好ましい。なお、硬化剤と反応する官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は３５モル％以下が好ましく、２５モル％以下がより好ましい。
【００４４】
これらの共重合体の質量平均分子量は、通常は３０万〜１００万程度である。
ここで、質量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ＧＰＣ）によってポリスチレン換算の分子量として計測することができる。
【００４５】
マスク材層中の（メタ）アクリル共重合体の含有量（硬化剤と反応する前の状態に換算した含有量）は８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５〜９９．９質量％がより好ましい。
【００４６】
〔〔硬化剤〕〕
マスク材層中の（メタ）アクリル共重合体は硬化されていることが好ましく、マスク材層形成用組成物に硬化剤を含有することが好ましい。
硬化剤は、（メタ）アクリル共重合体が有する官能基と反応させて粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。
硬化剤としては、例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレートなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（以下、「エポキシ硬化剤」ともいう。）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートおよびこれらのアダクトタイプなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物（以下、「イソシアネート硬化剤」ともいう。）、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート、トリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス［１−（２−メチル）−アジリジニル］ホスフィンオキシド、ヘキサ［１−（２−メチル）−アジリジニル］トリホスファトリアジンなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン化合物（アジリジン硬化剤）等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。本発明のマスク一体型表面保護テープのマスク材層において、硬化剤は（メタ）アクリル共重合体と反応した状態にある。
【００４７】
＜放射線硬化型マスク材層＞
マスク材層は、放射線の照射で硬化する放射線硬化型および非放射線硬化型のいずれでも構わない。本発明では、マスク材層を放射線硬化型とすることで、基材フィルムもしくは基材フィルム上の粘着剤層のいずれの場合であっても、マスク材層のみを半導体ウェハのパターン面に残し、剥離を容易にすることができるため、放射線硬化型が好ましい。
ここで、非放射線硬化型は、粘着剤と同様に、感圧型とも称し、上記で説明した樹脂および硬化剤で硬化された樹脂からなり、放射線の照射で硬化するエチレン性不飽和基を含む成分を含有しないものである。
【００４８】
マスク材層が放射線硬化型である場合、上記工程（ｂ）において、マスク一体型表面保護テープからマスク材層のみを半導体ウェハ面上に残すことが容易になる。
具体的には、マスク一体型表面保護テープの基材フィルム側から、放射線を照射することで、マスク材層を硬化させることにより、マスク材層とこれに接する層（基材フィルムもしくは表面保護テープの場合、表面保護テープの粘着剤層）との層間剥離性が向上し、マスク一体型表面保護テープから表面保護テープを剥離しやすくなる。
これは、放射線照射によってマスク材層が三次元網状化して粘着力が低下するため、マスク材層に接する層、例えば粘着剤層との強固な密着性が解かれて、マスク一体型表面保護テープのマスク材層に接する層、例えば粘着剤層から簡単に剥離することが可能となる。
ただし、放射線照射により、マスク材層とこれに接する基材フィルムもしくは粘着剤層との密着力は、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力よりも低くなることが好ましい。
本発明および本明細書において「放射線」とは、紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる。本発明では、放射線は紫外線が好ましい。
【００４９】
マスク材層を放射線硬化型とするには、通常の半導体ウェハ加工用表面保護テープにおける放射線硬化型粘着剤と同様に、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよい。
放射線硬化型とするには、大きく分けて、（１）側鎖にエチレン性不飽和基（放射線重合性炭素−炭素二重結合でエチレン性二重結合とも称す）を有する樹脂（ポリマー）を含有するか、（２）上記の感圧型で使用する樹脂（ポリマー）とともに、分子中に少なくとも２個のエチレン性不飽和基を有する低分子量化合物（オリゴオマーを含み、以下、放射線重合性低分子量化合物とも称す）を含有させる。
本発明では、上記（１）、（２）のいずれでもよいが、（１）が好ましい。
【００５０】
エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、などが挙げられる。
【００５１】
〔（１）側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂〕
側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂は、側鎖に反応性の官能基（α）、例えば、ヒドロキシ基を有する共重合体と、この反応性官能基（α）と反応する官能基（β）、例えば、イソシアネート基）を有し、かつエチレン性不飽和基を有する化合物と反応させることで得られる。反応性官能基βとエチレン性不飽和基を有する化合物としては、代表的には、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。
【００５２】
上記官能基（α）、（β）としては、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水物基、エポキシ基、イソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）等が挙げられる。ここで、環状酸無水物基は、環状の酸無水物構造を有する基である。
上記官能基（α）と（β）の組み合わせは、例えば、求核置換反応の場合、一方が、求核剤で、他方が求電子剤である。
【００５３】
側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。
（メタ）アクリル共重合体は、少なくとも、（メタ）アクリル酸エステルから得られる単位構造において、このエステルのアルコール部にエチレン性不飽和基を有する単位構造を有する重合体が好ましい。
また、上記（メタ）アクリル共重合体は、上記単位構造に加えて、アルコール部にエチレン性不飽和基を有さない（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸、その他のエチレン性不飽和基を有するモノマーから得られる繰り返し単位を有することが好ましい。このうち、（メタ）アクリル酸エステルおよび／または（メタ）アクリル酸から得られる繰り返し単位を有することが好ましい。
特に、アルコール部の炭素数が８〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステルから得られる繰り返し単位を有することが好ましい。
側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル共重合体を構成するモノマー成分中、炭素数が８〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の割合は、４５〜８５モル％が好ましく、５０〜８０モル％がより好ましい。
【００５４】
側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂は、特許第６０３４５２２号公報の段落番号００２０〜００３６に記載されているものが好ましく、本明細書では、該段落番号００２０〜００３６に記載の内容が好ましく組み込まれる。
【００５５】
〔（２）放射線重合性低分子量化合物〕
放射線重合性低分子量化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等の（メタ）アクリレート化合物を広く適用可能である。
【００５６】
また、上記（メタ）アクリレート化合物のほかに、ウレタンアクリレートオリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレートオリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
【００５７】
（メタ）アクリル共重合体と放射線重合性低分子量化合物との配合比としては、（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して放射線重合性低分子量化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着力を大きく低下させることが可能となる。
【００５８】
〔光ラジカル重合開始剤〕
放射線によりマスク材層を重合硬化させるには、光ラジカル重合開始剤を使用することで、効率よく重合反応を進行させることができ、好ましい。
光ラジカル重合開始剤は、アルキルフェノン型重合開始剤、ジアリールケトン型重合開始剤、ジアシル型重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド型重合開始剤、オキシムエステル型重合開始剤、ハロゲン化アルキル置換−１，３，５−トリアジン型重合開始剤、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）が挙げられる。
本発明では、α位にヒドロキシ基を有するアルキルもしくはシクロアルキルフェノンが好ましい。
光ラジカル重合開始剤は、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を用いることができる。これらのうち少なくとも１種類をマスク材層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることができる。
【００５９】
〔硬化剤〕
放射線硬化型マスク材層を形成する樹脂においても、樹脂は硬化剤で硬化されていることが好ましい。特に、側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂の場合、マスク材層形成用組成物に硬化剤を含有させて樹脂を硬化するのが好ましい。
硬化剤は、感圧型で挙げた硬化剤が好ましく、硬化剤の添加量は、含有する硬化前の樹脂、例えば（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。本発明のマスク一体型表面保護テープのマスク材層において、硬化剤は（メタ）アクリル共重合体と反応した状態にある。
【００６０】
〔紫外線吸収成分〕
本発明では、マスク材層の３５５〜１０８００ｎｍの波長領域における平行光線吸収率は５０％以上が特に好ましい。
マスク材層の３５５〜１０８００ｎｍの波長領域における平行光線吸収率を５０％以上にするには、紫外線吸収成分を含有することが好ましい。
紫外線吸収成分としては、紫外線吸収剤または紫外線吸収性ポリマーを含有させるのがより好ましい。
【００６１】
（紫外線吸収剤）
紫外線吸収剤は樹脂に対する相溶性に優れ、透明性が高く、少量の添加で紫外領域のレーザー光に対し高い吸収性能を有するため、本発明に好適に利用できる。
【００６２】
紫外線吸収剤として、トリアジン骨格、ベンゾフェノン骨格、ベンゾトリアゾール骨格またはベンゾエート骨格を有する紫外線吸収剤のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。
これらの紫外線吸収剤は、例えば、トリアジン骨格を有する化合物として、２，４−ビス［２−ヒドロキシ−４−ブトキシフェニル］−６−（２，４−ジブトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−６−（２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクチルオキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン、２−（２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンが挙げられる。
【００６３】
ベンゾフェノン骨格を有する化合物として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクチロキシベンゾフェノン、２，２’  ，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。
【００６４】
ベンゾトリアゾール骨格を有する化合物として、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールが挙げられる。
【００６５】
ベンゾエート骨格を有する化合物として、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−４’−ヒドロキシ−３’  ，５’−ジ−ｔ−ブチルベンゾエート等が挙げられる。
【００６６】
紫外線吸収剤は、市販されているものを使用してもよく、例えば、株式会社ＡＤＥＫＡ製のアデカスタブＬＡシリーズ（ＬＡ−２４、ＬＡ−２９、ＬＡ−３１、ＬＡ−３２、ＬＡ−３６、ＬＡ−Ｆ７０、１４１３）、ＢＡＳＦ社製のＴＩＮＵＶＩＮ  Ｐ、ＴＩＮＵＢＩＮ  ２３４、ＴＩＮＵＶＩＮ  ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ  ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮ  ２１３、ＴＩＮＵＶＩＮ  ５７１、ＴＩＮＵＶＩＮ  １５７７ＥＤ、ＣＨＩＭＡＳＳＯＲＢ  ８１、ＴＩＮＵＶＩＮ  １２０などが挙げられる。
【００６７】
紫外線吸収剤は１種類でも２種以上併用してもよい。
紫外線吸収剤の添加量は、所望のレーザー光吸収性能に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。
【００６８】
（紫外線吸収性ポリマー）
マスク材層が高いレーザー吸収性を有するためには、マスク材層が紫外線吸収性ポリマーを含有することが好ましい。紫外線吸収性のポリマーとはポリマー分子を構成する共重合モノマーから得られる繰り返し単位（セグメント）の１つとして紫外線吸収基を有する重合性モノマーを用いることにより、ポリマー自体に紫外線吸吸収性能を付与している。汎用ポリマーに紫外線吸収剤を練り込み配合した構成と比較すると紫外線吸収剤成分の溶出やブリードアウトといった問題がない。
【００６９】
紫外線吸収性ポリマーとして、側鎖に紫外線吸収骨格を有するものが好ましい。
紫外線吸収骨格は、紫外線吸収剤で挙げた骨格を有するものが挙げられる。本発明ではベンゾトリアゾール骨格、ベンゾフェノン骨格またはトリアジン骨格が好ましい。
側鎖に紫外線吸収骨格を有する紫外線吸収性ポリマーは、これらの骨格を有するモノマー、例えば、（メタ）アクリルエステル化合物のアルコール部にこれらの骨格を有する化合物から選択される少なくとも１種の（メタ）アクリルモノマーを重合することで得られる。
このため、本発明では、紫外線吸収性ポリマーが、側鎖にベンゾトリアゾール骨格、ベンゾフェノン骨格またはトリアジン骨格のいずれかの紫外線吸収骨格を有する（メタ）アクリルポリマーが好ましい。
【００７０】
紫外線吸収性ポリマーは、（メタ）アクリルエステル化合物のアルコール部に紫外線吸収骨格を有する（メタ）アクリルエステル化合物（モノマー）を重合することで得られるが、このような紫外線吸収性モノマーは１種もしくは２種以上併用してもよい。
【００７１】
紫外線吸収性モノーとして好ましいものは、下記一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）のいずれかで表される。
【００７２】
【化１】
2019075512.tif 000003
【００７３】
式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表し、Ｒ１〜Ｒ４は各々独立に置換基を表す。ｍ１は０〜３の整数を表し、ｍ２は０〜４の整数を表し、ｎ１は０〜４の整数を表し、ｎ２は０〜３の整数を表し、ｎ３は０〜５の整数を表す。Ｌ１は単結合または２価の連結基を表し、Ｌ２はアルキレン基を表す。
ここで、アミノ基は、−ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基を含む。
【００７４】
Ｒ１〜Ｒ４における置換基は、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ヒドロキシ基、スルファニル基（−ＳＨ）、アミノ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホニル基、カルボキシ基、スルホ基、ニトロ基が挙げられる。
【００７５】
Ｒ３およびＲ４は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基が好ましい。
【００７６】
Ｌ１の２価の連結基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒａ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、アルキレン基、アリーレン基、２価のヘテロ環基、またはこれらが組み合わされた基を表す。ここで、Ｒａは水素原子または置換基を表す。
これらの組み合わされた基としては、例えば、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒａ）−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒａ）−、−アルキレン−Ｏ−、−Ｏ−アルキレン−Ｏ−、−アルキレン−Ｓ−、−アルキレン−Ｎ（Ｒａ）−、−アリーレン−Ｏ−、−Ｏ−アリーレン−Ｏ−、−アリーレン−Ｓ−、−アリーレン−Ｎ（Ｒａ）−などが挙げられる。
【００７７】
Ｌ２のアルキレン基の炭素数は１〜２０が好ましく、２〜１８がより好ましく、２〜８がさらに好ましい。例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、ブチレン、へキシレン、オクチレンが挙げられる。
【００７８】
なお、紫外線吸収剤の好ましい化合物は、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）において、−Ｌ１−Ｌ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（Ｒ）＝ＣＨ２を削除した、一般式で表すことができる。
【００７９】
これらの紫外線吸収性モノマーは、例えば、２−［３−（２Ｈ−１，２，３−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレートや２−［２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−２Ｈ−１，２，３−ベンゾトリアゾール−５−イルオキシ］エチルメタクリレート、２−［２−ヒドロキシ−５−（メタクリロイルオキシメチル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［２−（アクリロイルオキシ）エトキシ］フェノール、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［２−（メタクリロイルオキシ）エトキシ］フェノールなどを挙げることができる。
【００８０】
上記の紫外線吸収性モノマーと共重合させることのできるその他の単量体成分としては、特に制限されるものではなく、適宜選択して用いることができる。
例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類が挙げられる。
また、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピルエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基含有不飽和単量体が挙げられる。
紫外線吸収性ポリマー成分中に、紫外線吸収性モノマー成分の占める比率は５０質量％以上が好ましい。
【００８１】
紫外線吸収ポリマーの質量平均分子量は１万〜２０万程度が好ましい。
【００８２】
紫外線吸収ポリマーは、市販されているものを使用してもよく、例えば、新中村化学工業（株）社製のバナレジンＵＶＡ−５０８０、バナレジンＵＶＡ−５０８０（ＯＨＶ２０）、バナレジンＵＶＡ−７０７５、バナレジンＵＶＡ−７０７５（ＯＨＶ２０）、バナレジンＵＶＡ−５５Ｔ、バナレジンＵＶＡ−５５ＭＨＢ、バナレジンＵＶＡ−７３Ｔ、ニュ−コートＵＶＡ−１０１、ニュ−コートＵＶＡ−１０２、ニュ−コートＵＶＡ−１０３、ニュ−コートＵＶＡ−１０４などが挙げられる。
【００８３】
本発明では、ベースとなる樹脂を使用せず、紫外線吸収性ポリマーをベース樹脂としてもよい。すなわち、紫外線吸収性ポリマーを、マスク材層を構成する樹脂として単独で用いてもよい。
なお、本発明では、側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂自体が、側鎖に紫外線吸収骨格を有していてもよい。
ここで、ベースとなる樹脂、例えば、（メタ）アクリル共重合体に添加して使用する場合、紫外線吸収性ポリマーの含有量は所望のレーザー光吸収性能に応じて調整すればよく、ベースとなる樹脂、例えば、（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して５．０〜５０．０質量部が適当である。
【００８４】
マスク材層の厚さは、プラズマアッシングでの除去速度の観点から、５〜１００μｍが好ましく、５〜４０μｍがより好ましい。
【００８５】
＜粘着剤層＞
本発明のマスク一体型表面保護テープは、少なくとも基材フィルムとマスク材層とを有し、マスク材層が、基材フィルムに接して設けられているか、または、粘着剤層を介して設けられている。
本発明では、マスク材層が、基材フィルム上に、粘着剤層を介して設けられているのが好ましい。すなわち、表面保護テープの粘着剤層上にマスク材層を有する。
【００８６】
粘着剤層は、マスク材層と共に、半導体ウェハのパターン面に形成される素子の凹凸を吸収してパターン面との密着性を高め、パターン面を保護する役割を担う。マスク一体型表面保護テープをウェハ薄膜化工程の負荷に耐えるものとするために、粘着剤層は、ウェハ薄膜化工程においてはマスク材層ないしは基材フィルムとの密着性が高いことが好ましい。一方、ウェハ薄膜化工程後においては、基材フィルムと一体となってマスク材層と剥離されるために、マスク材層との密着性は低いことが好ましい（剥離性が高いことが好ましい）。
【００８７】
粘着剤層を構成する粘着剤は、従来の半導体ウェハ加工用表面保護テープで使用される粘着剤が使用できる。
粘着剤は、放射線硬化型粘着剤および感圧型粘着剤のいずれでもよいが、マスク材層が放射線硬化型である場合、感圧型粘着剤が好ましく、マスク材層が感圧型である場合、放射線硬化型粘着剤が好ましい。
このため、本発明では、マスク材層が放射線硬化型であることが好ましいことから、感圧型粘着剤が好ましい。
【００８８】
粘着剤は、好ましくは、マスク材層における、３５５ｎｍ〜１０８００ｎｍの波長領域における平行光線吸収率が５０％以上であること、および、このために使用する紫外線吸収成分の使用以外は、マスク材層で説明した内容がそのまま適用される。
【００８９】
ただし、本発明では、粘着剤層に紫外線吸収成分を含んでもよく、この場合の紫外線吸収成分の含有量は、粘着剤層における、３５５ｎｍの波長領域における平行光線吸収率が５０％未満であることが好ましいが、紫外線吸収成分を含まないことが特に好ましい。
【００９０】
粘着剤層の厚さは、パターン面に形成された素子等の保護能をより高め、また半導体ウェハのパターン面への密着性をより高める観点から、５〜１００μｍが好ましい。なお、デバイスの種類にもよるが、半導体ウェハのパターン表面の凹凸は概ね数μｍ〜１５μｍ程度であるため、粘着剤層の厚さは５〜３０μｍがより好ましい。
また、デバイスの種類にもよるが、粘着剤層の厚さは、マスク材層の厚さ以上が好ましく、マスク材層の厚さより厚い場合が、より好ましい。
【００９１】
本発明のマスク一体型表面保護テープが、粘着剤層を有するマスク一体型表面保護テープは分図１（ｂ）、（ｃ）で示されるような構成である。
分図１（ｂ）、（ｃ）において、マスク一体型表面保護テープ３は基材フィルム３ａａ上に粘着剤層３ａｂを有し、この粘着剤層３ａｂ上にマスク材層３ｂを有する。
ここで、基材フィルム３ａａと粘着剤層３ａｂが表面保護テープ３ａである。
なお、分図１（ｂ）、（ｃ）において、マスク一体型表面保護テープ３が粘着剤層３ａｂを有さない場合、表面保護テープ３ａの部分は、基材フィルム３ａとなる。
【００９２】
本発明では、マスク材層や粘着剤層は、従来の半導体ウェハ加工用表面保護テープで使用される樹脂、硬化剤、光ラジカル重合開始剤以外の成分を含有してもよい。
【００９３】
＜＜半導体ウェハの製造方法＞＞
本発明では、特に、下記工程（ａ）〜（ｄ）を含む工程で、半導体ウェハを製造することが好ましい。
【００９４】
〔工程〕
（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合せ、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）マスク一体型表面保護テープから基材フィルムを剥離するか、または、基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離することで、マスク材層を表面に露出させた後、マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハをストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマによりマスク材層を除去するアッシング工程
【００９５】
半導体ウェハの製造方法では、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用することで、上記工程（ａ）〜（ｄ）を含む工程で、半導体ウェハを製造することが可能となった。
【００９６】
本発明のマスク一体型表面保護テープが適用される上記半導体チップの製造方法は、上記工程（ｄ）の後、下記工程（ｅ）を含むことが好ましい。また下記工程（ｅ）を含む場合、この工程（ｅ）の後、さらに下記工程（ｆ）を含むことが好ましい。
（ｅ）ウェハ固定テープから半導体チップをピックアップする工程
（ｆ）ピックアップした半導体チップをダイボンディング工程に移行する工程
【００９７】
本発明のマスク一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法（以下、単に「本発明が適用される製造方法」とも称す）について、その好ましい実施形態を、図面を参照して以下に説明するが、本発明は、本発明で規定されること以外は下記実施形態に限定されるものではない。また、各図面に示される形態は、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズ、厚み、ないしは相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。
【００９８】
本発明が適用される製造方法の好ましい実施形態は、下記に示す第１および２の実施形態に分類することができる。
なお、下記の実施形態に用いる装置およびマスク一体型表面保護テープ以外の材料は、特に断りのない限り、従来から半導体ウェハの加工に用いられている通常の装置および材料等を使用することができ、その使用条件も通常の使用方法の範囲内で目的に応じて適宜に設定、好適化することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。
【００９９】
＜第１実施形態［図１〜図５］＞
本発明が適用される製造方法の第１の実施形態を図１〜図５を参照して説明する。
なお、これらの図は、前記のように、層構成を示す模式図であって、基材フィルム、粘着剤層、マスク材層の各厚さを実態に即して反映するものではない。基材フィルムや、各層の厚さは、既に記載したマスク一体型表面保護テープで説明されている内容が適用される。
【０１００】
半導体ウェハ１は、その表面Ｓに半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有している（分図１（ａ）参照）。このパターン面２には、基材フィルム３ａａに粘着剤層３ａｂを設けた表面保護テープ３ａの粘着剤層３ａｂ上に、さらにマスク材層３ｂを設けた本発明のマスク一体型表面保護テープ３を貼合し（分図１（ｂ）参照）、パターン面２が本発明のマスク一体型表面保護テープ３で被覆された半導体ウェハ１を得る（分図１（ｃ）参照）。
【０１０１】
ここで、図１の分図１（ｂ）および（ｃ）では、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護テープ３ａを示しており、この場合、基材フィルム３ａａと粘着剤層３ａｂから成る。
本発明では、基材フィルムに接してマスク材層を有する場合、基材フィルムに接して粘着剤層を有するものでないことから、分図１（ｂ）および（ｃ）では、３ａは基材フィルムである。このため、以後の説明では、基材フィルムに接してマスク材層を有する場合、「表面保護テープ３ａ」、「表面保護テープ」を「基材フィルム３ａ」、「表面保護テープ」に読み替える。
【０１０２】
次に、半導体ウェハ１の裏面Ｂをウェハ研削装置Ｍ１で研削し、半導体ウェハ１の厚みを薄くする（分図２（ａ）参照）。その研削した裏面Ｂにはウェハ固定テープ４を貼り合わせて（分図２（ｂ）参照）、リングフレームＦに支持固定する（分図２（ｃ）参照）。
【０１０３】
半導体ウェハ１からマスク一体型表面保護テープ３の表面保護テープ３ａを剥離するとともにそのマスク材層３ｂは半導体ウェハ１に残して（分図３（ａ）参照）、マスク材層３ｂを剥き出しにする（分図３（ｂ）参照）。そして、表面Ｓの側からパターン面２に格子状等に適宜形成された複数のストリート（図示せず）に対してレーザーＬを照射して、マスク材層３ｂのストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する（分図３（ｃ）参照）。
【０１０４】
マスク材層３ｂを切断するレーザー照射には、紫外線または赤外線のレーザー光を照射するレーザー照射装置を用いることができる。このレーザー光照射装置は、半導体ウェハ１のストリートに沿って移動自在にレーザー照射部が配設されており、マスク材層３ｂを除去するために適切に制御された出力のレーザーを照射できる。
なお、レーザーはＣＯ２やＹＡＧなど特に限定されるものではないが、なかでもＹＡＧレーザーの第３高調波である３５５ｎｍおよびＣＯ２レーザーの１０８００ｎｍの紫外線領域のレーザーは各種材質に対して吸収率が非常に高く、熱ストレスをかけないため、高品質を求められる微細加工に使用され、ビーム径が長波長レーザーと比べ絞られるため、より微細な加工が可能であり、本発明に好適に利用できる。
【０１０５】
次に、表面Ｓ側からＳＦ６ガスのプラズマＰ１による処理を行いストリート部分で剥き出しになった半導体ウェハ１をエッチングし（分図４（ａ）参照）、個々のチップ７に分割して個片化する（分図４（ｂ）参照）、次いでＯ２ガスのプラズマＰ２によってアッシングを行い（分図４（ｃ）参照）、表面Ｓに残ったマスク材層３ｂを取り除く（分図５（ａ）参照）。そして最後に個片化されたチップ７をピンＭ２により突き上げコレットＭ３により吸着してピックアップする（分図５（ｂ）参照）。
【０１０６】
ここで、ＳＦ６ガスを用いた半導体ウェハのＳｉのエッチングプロセスはＢＯＳＣＨプロセスとも呼ばれ、露出したＳｉと、ＳＦ６をプラズマ化して生成したＦ原子とを反応させ、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）として除去するものであり、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とも呼ばれる。一方、Ｏ２プラズマによる除去は、半導体製造プロセス中ではプラズマクリーナーとしても用いられる方法でアッシング（灰化）とも呼ばれ、対有機物除去の手法の一つである。半導体デバイス表面に残った有機物残渣をクリーニングするために行われる。
【０１０７】
次に、上記方法で用いた材料について説明する。なお、下記で説明する材料は、本発明のマスク一体型表面保護テープ全てに適用可能な材料であり、マスク一体型表面保護テープを上記方法に用いる場合に限定して適用される材料ではない。
【０１０８】
半導体ウェハ１は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有するシリコンウェハなどであり、パターン面２は、半導体素子の回路などが形成された面であって、平面視においてストリートを有する。
【０１０９】
ウェハ固定テープ４は、半導体ウェハ１を保持し、プラズマダイシング工程にさらされても耐えうるプラズマ耐性が必要である。またピックアップ工程においては良好なピックアップ性や場合によってはエキスパンド性等も要求されるものである。こうしたウェハ固定テープ４には、上記表面保護テープ３ａと同様のテープを用いることができる。また一般的にダイシングテープと称される従来のプラズマダイシング方式で利用される公知のダイシングテープを用いることができる。また、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層と基材フィルムとの間にダイボンディング用接着剤を積層したダイシングダイボンディングテープを用いることもできる。
【０１１０】
プラズマダイシングおよびプラズマアッシングを行うにはプラズマエッチング装置を用いることができる。プラズマエッチング装置は、半導体ウェハ１に対してドライエッチングを行い得る装置であって、真空チャンバ内に密閉処理空間をつくり、高周波側電極に半導体ウェハ１が載置され、その高周波側電極に対向して設けられたガス供給電極側からプラズマ発生用ガスが供給されるものである。高周波側電極に高周波電圧が印加されればガス供給電極と高周波側電極との間にプラズマが発生するため、このプラズマを利用する。発熱する高周波電極内には冷媒を循環させて、プラズマの熱による半導体ウェハ１の昇温を防止している。
【０１１１】
上記半導体チップの製造方法（半導体ウェハの処理方法）によれば、パターン面を保護する表面保護テープにプラズマダイシングにおけるマスク機能を持たせたことで、従来のプラズマダイシングプロセスで用いられていたレジストを設けるためのフォトリソ工程等が不要となる。特に表面保護テープを用いたため、マスクの形成に印刷や転写等の高度な位置合わせが要求される技術が不要で簡単に半導体ウェハ表面に貼合でき、レーザー装置により簡単にマスクを形成できる。
また、マスク材層３ｂをＯ２プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面２側（表面Ｓ側）からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。これらの理由から設備を簡易化でき、プロセスコストを大幅に抑えることができる。
【０１１２】
＜第２実施形態［図６］＞
本実施形態では第１実施形態における表面保護テープ３ａを剥離する工程の前に、マスク一体型表面保護テープ３に紫外線等の放射線を照射してマスク材層や粘着剤層を硬化させる工程を含む点で第１実施形態と異なる。その他の工程は第１実施形態と同じである。
なお、本発明では、粘着剤層でなく、マスク材層を硬化させることが好ましい。
【０１１３】
すなわち、半導体ウェハ１の表面Ｓ側にはマスク一体型表面保護テープ３を貼合し、半導体ウェハ１の研削した裏面Ｂ側にはウェハ固定テープ４を貼合し、リングフレームＦに支持固定した（分図２（ｃ）、分図６（ａ）参照）後、表面Ｓ側からマスク一体型表面保護テープ３に向けて紫外線ＵＶを照射する（分図６（ｂ）参照）。そして、マスク一体型表面保護テープ３のマスク材層３ｂを硬化させた後、表面保護テープ３ａを取り除いて（分図６（ｃ）参照）マスク材層３ｂを剥き出しにする。その後、レーザーＬによりストリートに相当する部分のマスク材層３ｂを切除する工程に移る。
なお、紫外線の照射は、例えば、紫外線を積算照射量５００ｍＪ／ｃｍ２となるように、マスク一体型表面保護テープ全体に、基材フィルム側から照射する。紫外線照射には高圧水銀灯を用いることが好ましい。
【０１１４】
本実施形態で用いるマスク一体型表面保護テープは、第１実施形態で示したマスク一体型表面保護テープ３の中でも紫外線等の放射線で硬化可能な材質をマスク材層３ｂに用いたものである。
マスク材層３ｂを紫外線等で硬化させることにより、表面保護テープ３ａとマスク材層３ｂとの剥離が容易になる。
【０１１５】
上記各実施形態は本発明の一例であり、こうした形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限度において、各プロセスにおける公知のプロセスの付加や削除、変更等を行い得るものである。
【実施例】
【０１１６】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
【０１１７】
実施例１
＜マスク一体型表面保護テープの作製＞
アクリル酸２０ｍｏｌ％、ブチルアクリレート７０ｍｏｌ％、メチルアクリレート１０ｍｏｌ％を混合し、酢酸エチル溶液中で重合することにより（メタ）アクリル共重合体（質量平均分子量：４０万、水酸基価：０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：４８．８ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：−２３℃）を合成した。
この（メタ）アクリル共重合体の溶液に該共重合体１００質量部に対して、硬化剤としてＴＥＴＲＡＤ−Ｘ〔三菱ガス化学（株）社製、エポキシ系硬化剤〕を２．０質量部配合し、粘着剤組成物Ａを得た。
【０１１８】
メタクリル酸１．０ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート７８ｍｏｌ％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２１ｍｏｌ％を混合し、酢酸エチル溶液中で重合することにより質量平均分子量７０万の（メタ）アクリル共重合体の溶液を得た。
得られた共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート〔商品名：カレンズＭＯＩ、昭和電工（株）社製〕を反応させて付加することで、エチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル共重合体（質量平均分子量：７０万、二重結合量：０．９０ｍｅｑ／ｇ、水酸基価：３３．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：５．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：−６８℃）を得た。
得られたエチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対し、硬化剤としてコロネートＬ〔日本ポリウレタン工業（株）社製、イソシアネート系硬化剤〕を１．０質量部、光ラジカル重合開始剤としてイルガキュア１８４（ＢＡＳＦ社製）を２．０質量部配合し、紫外線吸収剤としてＬＡ−Ｆ７０（株式会社ＡＤＥＫＡ製、トリアジン骨格の紫外線吸収剤）を０．７５質量部配合し、マスク材層形成用組成物Ｂを得た。
【０１１９】
上記粘着剤組成物Ａを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが３０μｍとなるように塗工し、形成された粘着剤層３ａｂを厚さ１００μｍの低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルムの基材フィルム３ａａ（粘着剤層側の表面粗さＲｚが０．５μｍ）に貼り合せ、厚さ１３０μｍの表面保護テープ３ａを得た。
【０１２０】
さらに、上記マスク材層形成用組成物Ｂを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが１０μｍとなるように塗工し、形成されたマスク材層３ｂを、上記表面保護テープ３ａの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層（粘着剤組成物Ａで得られた層）の表面に貼り合せることで、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚが１．０μｍ、総厚１４０μｍの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ３を作製した。
なお、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚは、粘着剤層を有する場合、マスク材層を張り付ける側の粘着剤層の表面粗さＲｚを調節することで、一方、粘着剤層を有さない場合、マスク材層を張り付ける側の基材フィルムの表面の粗さＲｚを調節することで、目的の表面粗さ値に調節した。
ここで、表面粗さＲｚはレーザー顕微鏡による表面粗さ測定で確認した。
【０１２１】
＜半導体チップの製造＞
ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ〔商品名：日東精機（株）社製〕を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、ＤＧＰ８７６０〔商品名：ディスコ（株）社製〕を用いて、上記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ〔商品名：リンテック（株）社製〕を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ（ウェハ固定テープ）上にマウントし、リングフレームにて支持固定した（工程（ａ））。
【０１２２】
固定後に、紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することでマスク材層３ｂと表面保護テープ３ａとの間の密着力を落とし、表面保護テープ３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。
次に０．３５５ｎｍ波長のＹＡＧレーザーまたは１０８００ｎｍの波長のＣＯ２レーザーで、スクライブライン上のマスク材層を除去し、スクライブラインを開口した（工程（ｂ））。
【０１２３】
その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した（工程（ｃ））。
【０１２４】
次いで、プラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材層３ｂを除去した（工程（ｄ））。
【０１２５】
その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。
【０１２６】
実施例２
実施例１において、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚを１．５μｍに調節した以外は実施例１と同様にしてマスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１２７】
実施例３
実施例１において、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚを０．２μｍに調節した以外は実施例１と同様にしてマスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１２８】
実施例４
実施例１で使用したマスク材層形成用組成物Ｂの紫外線吸収剤であるＬＡ−Ｆ７０（株式会社ＡＤＥＫＡ製、トリアジン骨格の紫外線吸収剤）の配合量を０．７５質量部から１．５質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、マスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１２９】
実施例５
実施例１で使用したマスク材層形成用組成物Ｂの紫外線吸収剤であるＬＡ−Ｆ７０（株式会社ＡＤＥＫＡ製、トリアジン骨格の紫外線吸収剤）を紫外線吸収剤のＬＡ−３１（株式会社ＡＤＥＫＡ製、トリアゾール骨格の紫外線吸収剤）に変更した以外は実施例１と同様にして、マスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１３０】
実施例６
実施例１で使用したマスク材層形成用組成物Ｂの紫外線吸収剤であるＬＡ−Ｆ７０（株式会社ＡＤＥＫＡ製、トリアジン骨格の紫外線吸収剤）を紫外線吸収剤のＬＡ−３１（株式会社ＡＤＥＫＡ製、トリアゾール骨格の紫外線吸収剤）に変更し、かつ配合量を０．７５質量部から０．５質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、マスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１３１】
実施例７
実施例１で形成した粘着剤層３ａｂを設けないで、実施例１で使用したマスク材層形成用組成物Ｂを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが１０μｍとなるように塗工し、形成されたマスク材層３ｂを、実施例１で使用した基材フィルムに直接貼り合わせることで、総厚１１０μｍの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
なお、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚは、実施例１と同様にして、目的の表面粗さＲｚに調節した。
【０１３２】
実施例８
実施例１において、マスク材層形成用組成物Ｂを使用しないで、エチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル共重合体の代わりに紫外線吸収性ポリマーを使用した以外は実施例１と同様にして、マスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
なお、紫外線吸収性ポリマーはバナレジンＵＶＡ−５０８０およびバナレジンＵＶＡ−７０７５〔いずれも新中村化学工業（株）社製〕の等質量の混合物を使用した。
【０１３３】
比較例１
実施例１において、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚを２．０μｍに調節した以外は実施例１と同様にしてマスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１３４】
比較例２
実施例１において、マスク材層の被着体に接しない面側の表面粗さＲｚを０．０５μｍに調節した以外は実施例１と同様にしてマスク一体型表面保護テープを作製し、実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
【０１３５】
ここで、紫外線吸収剤のＬＡ−Ｆ７０、ＬＡ−３１（いずれも株式会社ＡＤＥＫＡ製）および紫外線吸収性ポリマーのバナレジンＵＶＡ−５０８０、バナレジンＵＶＡ−７０７５〔いずれも新中村化学工業（株）社製〕は下記の化学構造である。
【０１３６】
【化２】
2019075512.tif 000004
【０１３７】
＜特性および性能評価＞
上記のようにして得られた各マスク材層３ｂの平行光線吸収率を、下記の試験例１のようにして測定、算出した。
また、実施例１〜６および８ならびに比較例１〜５では、剥離する表面保護テープ３ａ、実施例７では、剥離する基材フィルム３ａの剥離性評価を、下記の試験例２のようにして行った。
さらに、実施例１〜８および比較例１〜５で作製した各マスク一体型表面保護テープのウェハストリート部の切断性とマスク材層の除去性の評価を、下記の試験例３および４のようにして行った。
【０１３８】
［試験例１］  マスク材層の平行光線吸収率の評価
マスク材層の波長３５５ｎｍおよび１０８００ｎｍにおける平行光線透過率を以下の方法で測定した。
紫外可視分光光度計ＵＶ−１８００（株式会社島津製作所製）を用いて、マスク材層を冶具にとりつけ、波長３５５ｎｍμｍ、１０８００ｎｍにおける透過率を測定し、下記式より平行光線吸収率を算出した。
なお、マスク材層の平行光線透過率は、作製したマスク材層の厚さでの測定である。
【０１３９】
平行光線吸収率［％］＝１００−平行光線透過率［％］
【０１４０】
［試験例２］  表面保護テープまたは基材フィルムの剥離性評価
セパレータを手剥離し、その剥離時にマスク材層のマスク材が粘着剤層、または基材から剥がれないかどうかを確認した。
【０１４１】
−表面保護テープの剥離性の評価基準−
◎：弱い力で簡単に表面保護テープまたは基材フィルムのみを剥離することができた
○：剥離するのにやや強い力を要したが、表面保護テープまたは基材フィルムのみを剥離することができた
×：剥離することができなかったか、または、マスク材層ごと剥離された
【０１４２】
［試験例３］  レーザー照射によるウェハストリート部の切断性
上記半導体チップの製造工程の工程（ｃ）において、各実施例および比較例で、マスク材層に３５５ｎｍのＹＡＧレーザーを照射して、マスク材層のストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する際の切断性を下記評価基準により評価した。
ここで、平均出力２．５Ｗ、繰り返し周波数１ｋＨｚのＹＡＧレーザーの第三高周波（３５５ｎｍ）をｆθレンズによりシリコンウェハ表面に２５μｍ径に集光して、ガルバノスキャナーによりレーザー光を照射した。
レーザー光の照射は、２．５ｍｍ／秒の速度でスキャンして、１ラインあたり１回のレーザー照射を繰り返すことで、マスク材層のストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する際の切断性を評価した。
【０１４３】
−レーザー照射によるウェハストリート部の切断性−
◎：ストリートが開口可能であり、マスク材層の残渣物が生じなかった
○：ストリートが開口可能であったが、マスク材層の残渣物が生じた
×：マスク材層が除去できず、ストリートの開口が不可能であった
【０１４４】
［試験例４］  Ｏ２プラズマアッシングによるマスク材層の除去性評価
上記半導体チップの製造工程の工程（ｄ）において、各実施例および比較例でのＯ２プラズマアッシング（１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシング）後のマスク材層のマスク材の残留の有無を、レーザー顕微鏡〔商品名：ＶＫ−Ｘ１００、キーエンス（株）社製〕を用い、表面の横６４０μｍ×縦４８０μｍの範囲における３次元情報（拡大率４００倍）で調べた。
【０１４５】
−マスク材層の除去性の評価基準−
○：マスク材層の残留が観測されない（残留無）
×：マスク材層の残留が明らかに観測される（残留有）
【０１４６】
試験例１〜４で得られた結果を下記表１および２に示す。
ここで、実施例８の欄における「−」は、紫外線吸収剤を配合していないことを意味する。
また、比較例２の欄における「−」は、「レーザー照射によるウェハストリート部の切断性」の評価では、マスク材層のマスク材がセパレータ剥離時に持っていかれてしまい剥離してしまい評価できなかったことを意味する。
一方、「Ｏ２プラズマアッシングによるマスク材層の除去性」の評価は、上記の「レーザー照射によるウェハストリート部の切断性」の評価ができなかったことから、行わなかったことを意味する。
【０１４７】
【表１】
2019075512.tif 000005
【０１４８】
【表２】
2019075512.tif 000006
【０１４９】
上記実施例１〜８および比較例１、２における各試験例の結果から、半導体ウェハを加工して半導体チップを製造するに際し、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、半導体ウェハのパターン面にマスク一体型表面保護テープ３を貼り付け、貼り付けたマスク一体型表面保護テープ３から表面保護テープ３ａ、または、基材フィルムに接してマスク材層３ｂを有する場合は基材フィルム３ａを剥離するだけで、糊残りを生じずに簡単にマスクを形成することができることがわかる。
しかも、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、半導体ウェハのストリートをレーザー照射で問題なく開口でき、さらに、マスク材層３ｂはＯ２プラズマによってより確実に除去することができ、不良チップの発生を高度に抑制できることがわかった。
【符号の説明】
【０１５０】
１  半導体ウェハ
２  パターン面
３  マスク材一体型表面保護テープ
３ａ  表面保護テープ（基材フィルムと粘着剤層）もしくは基材フィルム
３ａａ  表面保護テープの基材フィルム
３ａｂ  表面保護テープの粘着剤層
３ｂ  マスク材層
４  ウェハ固定テープ
４ａ  粘着剤層または接着剤層
４ｂ  基材フィルム
７  チップ
Ｓ  表面
Ｂ  裏面
Ｍ１  ウェハ研削装置
Ｍ２  ピン
Ｍ３  コレット
Ｆ  リングフレーム
Ｌ  レーザー
Ｐ１  ＳＦ６ガスのプラズマ
Ｐ２  Ｏ２ガスのプラズマ
【図１】
2019075512.tif 000007
【図２】
2019075512.tif 000008
【図３】
2019075512.tif 000009
【図４】
2019075512.tif 000010
【図５】
2019075512.tif 000011
【図６】
2019075512.tif 000012