(57)【要約】【課題】たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、真贋判定を高精度に実行することが可能な情報処理装置を得る。【解決手段】真贋判定部５０は、所定期間に関してパターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンと、所定期間に関して予め求められた基準電流値パターンとの、パターン比較部５４による比較結果に基づいて、メモリ装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
付属装置が接続される情報処理装置であって、
付属装置に電源を供給する電源供給部と、
前記電源供給部から付属装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
を備え、
前記判定部は、
複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成部と、
前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するパターン比較部と、
を有し、
前記判定部は、付属装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、前記パターン比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、情報処理装置。
【請求項２】
前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、
前記判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、
前記判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記電流値取得部による実測電流値の取得処理、前記パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び前記パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理をＮ回（Ｎは複数）実行し、
前記判定部は、前記パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された第２の実測電流値パターンと、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとの、前記パターン比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１〜４のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記判定部は、
前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、所定の実測代表値を算出する代表値算出部と、
前記代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた代表値である基準代表値とを比較する代表値比較部と、
をさらに有し、
前記判定部はさらに、第１の所定期間に関して前記代表値算出部によって算出された第１の実測代表値と、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準代表値との、前記代表値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１〜５のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記判定部は、
前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、所定の実測代表値を算出する代表値算出部と、
前記代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた代表値である基準代表値とを比較する代表値比較部と、
をさらに有し、
前記判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記代表値算出部によって算出された第２の実測代表値と、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準代表値との、前記代表値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１〜６のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記代表値算出部は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出する、請求項６又は７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記代表値算出部は、連続する二つの第２の所定期間のうち、一方の第２の所定期間に関しては平均値、最大値、及び最小値のうち第１の値を算出し、他方の第２の所定期間に関しては第１の値とは異なる第２の値を算出する、請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記判定部は、
前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値の中から、任意の実測電流値を選択する電流値選択部と、
前記電流値選択部によって選択された実測電流値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた電流値である基準電流値とを比較する電流値比較部と、
をさらに有し、
前記判定部はさらに、複数の所定期間のうち第３の所定期間に関して前記電流値選択部によって選択された実測電流値と、第３の所定期間に関して予め求められた基準電流値との、前記電流値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項１〜９のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記判定部はさらに、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに有する、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記判定部はさらに、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに有する、請求項５又は７に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記判定部はさらに、複数の所定期間の中から第３の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに有する、請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
基準電流値パターンは付属装置内の記憶部に記憶されており、
前記判定部は、当該記憶部から基準電流値パターンを読み出す、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項１５】
基準代表値は付属装置内の記憶部に記憶されており、
前記判定部は、当該記憶部から基準代表値を読み出す、請求項６〜９のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項１６】
基準電流値は付属装置内の記憶部に記憶されており、
前記判定部は、当該記憶部から基準電流値を読み出す、請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１７】
付属装置が接続され、付属装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から付属装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
前記判定手段は、
複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、
前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成手段と、
前記パターン作成手段によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するパターン比較手段と、
を備え、
前記判定手段は、付属装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記パターン作成手段によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、前記パターン比較手段による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、プログラム。
【請求項１８】
付属装置が接続され、付属装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から付属装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置において、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、付属装置の真贋判定方法であって、
（Ａ）複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、
（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するステップと、
（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するステップと、
を備え、
付属装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、前記ステップ（Ｃ）による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、付属装置の真贋判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、プログラム、及び付属装置の真贋判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、情報処理装置とそれに接続されたメモリ装置とを備えるメモリシステムにおいて、情報処理装置からメモリ装置に流れる消費電流を測定し、当該消費電流の単位時間あたりの変化量を消費電流の変化率として算出し、上記メモリ装置に関して作成された消費電流の変化率パターンと、正規品に関する消費電流の変化率パターンとを比較することにより、上記メモリ装置が正規品であるか否かを判定するメモリシステムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６０６８８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１に開示されたメモリシステムによると、情報処理装置に接続されているメモリ装置が、正規品に比べて消費電流の絶対値が遙かに大きい粗悪な非正規品であったとしても、消費電流の測定タイミングにおいて当該メモリ装置の消費電流の変化率パターンが正規品のそれに偶然に一致した場合には、当該メモリ装置が正規品であると誤って判定される可能性がある。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みて成されたものであり、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、接続されている付属装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能な、情報処理装置、プログラム、及び付属装置の真贋判定方法を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る情報処理装置は、付属装置が接続される情報処理装置であって、付属装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から付属装置に流れる電流を測定する電流測定部と、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成部と、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するパターン比較部と、を有し、前記判定部は、付属装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、前記パターン比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【０００７】
第１の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、第１の所定期間に関してパターン作成部によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、パターン比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第１の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、情報処理装置に接続されている付属装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る情報処理装置は、第１の態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、前記判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【０００９】
第２の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、非正規品が、実測電流値パターンの一部において正規品のそれと異なる場合であっても、そのような非正規品を高精度に排除することが可能となる。
【００１０】
本発明の第３の態様に係る情報処理装置は、第１の態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、前記判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１１】
第３の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、第１の所定期間に関する全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、突発的なノイズ等に起因して正規品の実測電流値が瞬間的に増減した場合であっても、正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することが可能となる。
【００１２】
本発明の第４の態様に係る情報処理装置は、第１の態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記電流値取得部による実測電流値の取得処理、前記パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び前記パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理をＮ回（Ｎは複数）実行し、前記判定部は、前記パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１３】
第４の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、電流値取得部による実測電流値の取得処理、パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及びパターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を複数Ｎ回実行し、パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、電流値取得部、パターン作成部、及びパターン比較部による一連の処理を複数Ｎ回繰り返して実行し、パターン比較部によるＮ回の比較結果に基づいて付属装置の真贋判定を行うことにより、判定精度を向上することが可能となる。
【００１４】
本発明の第５の態様に係る情報処理装置は、第１〜第４のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記パターン作成部によって作成された第２の実測電流値パターンと、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとの、前記パターン比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１５】
第５の態様に係る情報処理装置によれば、判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関してパターン作成部によって作成された第２の実測電流値パターンと、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとの、パターン比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間のみならず第２の所定期間に関しても実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較を行うことにより、第１の所定期間及び第２の所定期間の双方の比較結果に基づいて付属装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。
【００１６】
本発明の第６の態様に係る情報処理装置は、第１〜第５のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、所定の実測代表値を算出する代表値算出部と、前記代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた代表値である基準代表値とを比較する代表値比較部と、をさらに有し、前記判定部はさらに、第１の所定期間に関して前記代表値算出部によって算出された第１の実測代表値と、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準代表値との、前記代表値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１７】
第６の態様に係る情報処理装置によれば、判定部はさらに、第１の所定期間に関して代表値算出部によって算出された第１の実測代表値と、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準代表値との、代表値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較のみならず、実測代表値と基準代表値との比較を行うことにより、双方の比較結果に基づいて付属装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。
【００１８】
本発明の第７の態様に係る情報処理装置は、第１〜第６のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、所定の実測代表値を算出する代表値算出部と、前記代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた代表値である基準代表値とを比較する代表値比較部と、をさらに有し、前記判定部はさらに、複数の所定期間のうち第２の所定期間に関して前記代表値算出部によって算出された第２の実測代表値と、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準代表値との、前記代表値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１９】
第７の態様に係る情報処理装置によれば、判定部はさらに、第２の所定期間に関して代表値算出部によって算出された第２の実測代表値と、第２の所定期間に関して予め求められた第２の基準代表値との、代表値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するのみならず、第２の所定期間に関して実測代表値と基準代表値とを比較することにより、双方の比較結果に基づいて付属装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。しかも、第１の所定期間と第２の所定期間とで判定の内容を異ならせることができるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００２０】
本発明の第８の態様に係る情報処理装置は、第６又は第７の態様に係る情報処理装置において特に、前記代表値算出部は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出することを特徴とするものである。
【００２１】
第８の態様に係る情報処理装置によれば、代表値算出部は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出する。このように、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを実測代表値として使用することにより、実測代表値を簡易に算出することが可能となる。
【００２２】
本発明の第９の態様に係る情報処理装置は、第７の態様に係る情報処理装置において特に、前記代表値算出部は、連続する二つの第２の所定期間のうち、一方の第２の所定期間に関しては平均値、最大値、及び最小値のうち第１の値を算出し、他方の第２の所定期間に関しては第１の値とは異なる第２の値を算出することを特徴とするものである。
【００２３】
第９の態様に係る情報処理装置によれば、代表値算出部は、連続する二つの第２の所定期間のうち、一方の第２の所定期間に関しては平均値、最大値、及び最小値のうち第１の値を算出し、他方の第２の所定期間に関しては第１の値とは異なる第２の値を算出する。従って、連続する二つの第２の所定期間において判定の内容を異ならせることができるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００２４】
本発明の第１０の態様に係る情報処理装置は、第１〜第９のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値の中から、任意の実測電流値を選択する電流値選択部と、前記電流値選択部によって選択された実測電流値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた電流値である基準電流値とを比較する電流値比較部と、をさらに有し、前記判定部はさらに、複数の所定期間のうち第３の所定期間に関して前記電流値選択部によって選択された実測電流値と、第３の所定期間に関して予め求められた基準電流値との、前記電流値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００２５】
第１０の態様に係る情報処理装置によれば、判定部はさらに、第３の所定期間に関して電流値選択部によって選択された実測電流値と、第３の所定期間に関して予め求められた基準電流値との、電流値比較部による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、第１の所定期間に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するのみならず、第３の所定期間に関して実測電流値と基準電流値とを比較することにより、双方の比較結果に基づいて付属装置の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。しかも、第１の所定期間と第３の所定期間とで判定の内容を異ならせることができるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００２６】
本発明の第１１の態様に係る情報処理装置は、第１〜第１０のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部はさらに、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに有することを特徴とするものである。
【００２７】
第１１の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第１の所定期間を可変に設定する。従って、付属装置の真贋判定を実行する対象となる第１の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００２８】
本発明の第１２の態様に係る情報処理装置は、第５又は第７の態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部はさらに、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに有することを特徴とするものである。
【００２９】
第１２の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第２の所定期間を可変に設定する。従って、付属装置の真贋判定を実行する対象となる第２の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００３０】
本発明の第１３の態様に係る情報処理装置は、第１０の態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部はさらに、複数の所定期間の中から第３の所定期間を可変に設定する期間設定部をさらに有することを特徴とするものである。
【００３１】
第１３の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、複数の所定期間の中から第３の所定期間を可変に設定する。従って、付属装置の真贋判定を実行する対象となる第３の所定期間を期間設定部によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００３２】
本発明の第１４の態様に係る情報処理装置は、第１〜第１３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値パターンは付属装置内の記憶部に記憶されており、前記判定部は、当該記憶部から基準電流値パターンを読み出すことを特徴とするものである。
【００３３】
第１４の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値パターンは付属装置内の記憶部に記憶されている。付属装置の基準電流値パターンは、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、ある付属装置に関して求めた基準電流値パターンを、その付属装置内の記憶部に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値パターンを簡易に管理することが可能となる。
【００３４】
本発明の第１５の態様に係る情報処理装置は、第６〜第９のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、基準代表値は付属装置内の記憶部に記憶されており、前記判定部は、当該記憶部から基準代表値を読み出すことを特徴とするものである。
【００３５】
第１５の態様に係る情報処理装置によれば、基準代表値は付属装置内の記憶部に記憶されている。付属装置の基準代表値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、ある付属装置に関して求めた基準代表値を、その付属装置内の記憶部に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準代表値を簡易に管理することが可能となる。
【００３６】
本発明の第１６の態様に係る情報処理装置は、第１０の態様に係る情報処理装置において特に、基準電流値は付属装置内の記憶部に記憶されており、前記判定部は、当該記憶部から基準電流値を読み出すことを特徴とするものである。
【００３７】
第１６の態様に係る情報処理装置によれば、基準電流値は付属装置内の記憶部に記憶されている。付属装置の基準電流値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、ある付属装置に関して求めた基準電流値を、その付属装置内の記憶部に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値を簡易に管理することが可能となる。
【００３８】
本発明の第１７の態様に係るプログラムは、付属装置が接続され、付属装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から付属装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得手段と、前記電流値取得手段によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成手段と、前記パターン作成手段によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するパターン比較手段と、を備え、前記判定手段は、付属装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記パターン作成手段によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、前記パターン比較手段による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００３９】
第１７の態様に係るプログラムによれば、判定手段は、第１の所定期間に関してパターン作成手段によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、パターン比較手段による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第１７の態様に係るプログラムによれば、判定手段は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、情報処理装置に接続されている付属装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【００４０】
本発明の第１８の態様に係る付属装置の真贋判定方法は、付属装置が接続され、付属装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から付属装置に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置において、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、付属装置の真贋判定方法であって、（Ａ）複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するステップと、を備え、付属装置の動作期間を区分した複数の所定期間のうち第１の所定期間に関して前記ステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、前記ステップ（Ｃ）による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００４１】
第１８の態様に係る付属装置の真贋判定方法によれば、第１の所定期間に関してステップ（Ｂ）によって作成された第１の実測電流値パターンと、第１の所定期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとの、ステップ（Ｃ）による比較結果に基づいて、付属装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第１８の態様に係る付属装置の真贋判定方法によれば、ステップ（Ｃ）では、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとが比較されるため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、情報処理装置に接続されている付属装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、接続されている付属装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。
【図２】ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。
【図３】メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。
【図４】プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。
【図５】ホスト装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図７】実測電流値パターン及び基準電流値パターンの一例を示す図である。
【図８】実測電流値パターンの他の例を示す図である。
【図９】ホスト装置の他の構成例を示す図である。
【図１０】ホスト装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１１】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図１２】プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。
【図１３】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図１４】ホスト装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１５】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図１６】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図１７】プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。
【図１８】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図１９】ホスト装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図２０】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、異なる図面において同一の符号を付した要素は、同一又は相応する要素を示すものとする。
【００４５】
図１は、本発明の実施の形態に係るメモリシステム１の構成を示す図である。図１に示すようにメモリシステム１は、ホスト装置２と、ホスト装置２に着脱自在に接続されたメモリ装置３とを備えて構成されている。ホスト装置２は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置であり、メモリ装置３は、ホスト装置２から電源供給を受けて動作する付属装置、例えばフラッシュメモリのメモリカードである。他の例として、情報処理装置はプリンタ又は複合機の本体であり、付属装置はトナーカートリッジである。あるいは、情報処理装置はゲーム機の本体であり、付属装置はゲームプログラムが格納されたメモリカードである。
【００４６】
図２は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ（System on a Chip）１１、電源制御部１２、電流値測定回路１３、及びメモリインタフェース１４を備えて構成されている。ＳｏＣ１１は、バス２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２２、復号器２３、期待値格納メモリ２４、ＧＰＩＯ（General Purpose Input/Output）２５、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）２６、コマンドバッファ２７、データバッファ２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部２９を備えて構成されている。記憶部２９には、プログラム１００が格納されている。ホスト装置２は、自身に接続されたメモリ装置３を動作させるための電源を、電源ＶＣＣ（電源供給部）から電源制御部１２及び抵抗素子Ｒを介してメモリ装置３に供給する。電流値測定回路１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣからメモリ装置３に流れる電流の電流値を測定する。
【００４７】
図３は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図３に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ３１とメモリコア３２とを備えて構成されている。メモリコントローラ３１は、ホストインタフェース４１、デコーダ４２、及びメモリコアインタフェース４３を備えて構成されている。メモリコア３２の特定のアドレス領域には、後述する期待値データ３００が格納されている。
【００４８】
図４は、図２に示したプログラム１００をＣＰＵ２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図４に示すように、記憶部２９から読み出したプログラム１００をＣＰＵ２２が実行することによって、ＣＰＵ２２は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部５０として機能する。換言すれば、プログラム１００は、情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、真贋判定部５０として機能させるためのプログラムである。図４に示すように真贋判定部５０は、期間設定部５１、電流値取得部５２、パターン作成部５３、及びパターン比較部５４として機能する。
【００４９】
メモリ装置３の正規品（純正品）と非正規品（偽造品）とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。本実施の形態に係るホスト装置２は、メモリ装置３の消費電流値（絶対値）を実測することによって実測電流値パターンを作成し、その実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関する既知の基準電流値パターンとを比較することによって、自身に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００５０】
図５は、ホスト装置２の動作を説明するためのフローチャートである。図６は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。図６に示すように、メモリ装置３の通常動作期間は処理内容に応じて複数の期間Ｐに区分することができる。図６に示した例では、通常動作期間はこの順に並ぶ８つの期間Ｐ１〜Ｐ８に区分されている。例えば、期間Ｐ１は起動直後のパワーオン期間であり、期間Ｐ２は各種設定を初期化するための初期化期間であり、期間Ｐ３，Ｐ６はスタンバイ期間であり、期間Ｐ４は相互認証に向けての鍵交換期間であり、期間Ｐ５は交換した鍵を用いて相互認証を行う認証期間であり、期間Ｐ７はアプリケーションの実行期間であり、期間Ｐ８はシャットダウンに向けてのパワーオフ期間である。期間Ｐの他の例としては、コマンド入力期間、メモリコアアクセス期間、データ読み出し期間、データ書き込み期間、データ消去期間、及びデータ通信期間等が想定される。
【００５１】
正規品のメモリ装置３であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されているため、各期間Ｐ１〜Ｐ８におけるメモリ装置３の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１〜Ｐ８の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ３００（図３参照）として、メモリコア３２の特定のアドレス領域に格納されている。本実施の形態の例では、期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関する、
・消費電流値を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって得られる消費電流値の遷移パターン（基準電流値パターン）
・消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）
・スタンバイ期間における微小な消費電流値（基準電流値）
が、期待値データ３００としてメモリコア３２に格納されている。
【００５２】
なお、排除対象となる非正規品が既に特定されている場合には、正規品に関する基準電流値パターン、基準代表値、又は基準電流値に代えて、非正規品に関する基準電流値パターン、基準代表値、又は基準電流値をメモリコア３２に格納しても良い。例えば、正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測電流値パターン（詳細は後述する）と基準電流値パターンとが一致するか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか否かを判定できる。非正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致するか否かによって、メモリ装置３が非正規品であるか否かを判定できる。基準代表値及び基準電流値についても同様である。本実施の形態及び後述の各変形例では、正規品に関する基準電流値パターン、基準代表値、又は基準電流値を用いる例について説明する。
【００５３】
また、期間Ｐ１〜Ｐ８の各々の期待値データ３００としては、各期間の消費電流特性等に応じて、基準電流値パターン、基準代表値、及び基準電流値のいずれかを用いることが望ましい。例えば以下の通りである。
【００５４】
パワーオン期間は消費電流値及びその変化量が大きく、また消費電力の変化態様がデバイスに依存して特徴的であるため、期間Ｐ１に関しては基準電流値パターンを用いるのが好適である。
【００５５】
初期化期間は消費電流値及びその変化量が比較的大きいため、期間Ｐ２に関しては、判定精度を優先する場合には基準電流値パターンを、判定処理の負荷軽減を優先する場合には基準代表値を用いるのが好適である。
【００５６】
スタンバイ期間は消費電流値及びその変化量が小さいため、期間Ｐ３，Ｐ６に関しては基準電流値を用いるのが好適である。
【００５７】
鍵交換期間及び認証期間は消費電流値及びその変化量が比較的大きく、また、消費電流の最大値、最小値、又は平均値によって実装ロジック又は動作ロジックを簡易に特定できる場合もあるため、期間Ｐ４，Ｐ５に関しては、判定精度を優先する場合には基準電流値パターンを、判定処理の負荷軽減を優先する場合には基準代表値を用いるのが好適である。
【００５８】
アプリケーションの実行期間は消費電流値及びその変化量が比較的大きく、また、動作内容によって消費電流の変化態様が刻々と変動するため、期間Ｐ７に関しては基準代表値を用いるのが好適である。
【００５９】
パワーオフ期間は電流値０に向けての電流スロープが存在し、消費電流の変化量が比較的大きいため、期間Ｐ８に関しては、判定精度を優先する場合には基準電流値パターンを、判定処理の負荷軽減を優先する場合には基準代表値（最小値を除く）を用いるのが好適である。
【００６０】
図５を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ２２（期間設定部５１）は、期間Ｐ１〜Ｐ８の中から、真贋判定の実行対象となる少なくとも一つの判定対象期間（以下「第１の所定期間」と称す）を設定する。期間設定部５１は、予め定められた規則に従って第１の所定期間を静的に変更することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて第１の所定期間を動的に変更することができる。本実施の形態の例では、パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されたものとする。また、期間設定部５１は、第１の所定期間に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、「電流値パターン同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容として設定される。但し、電流値パターン同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。
【００６１】
次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ２２は、電源制御部１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ２５から電源制御部１２に入力され、電源制御部１２は、電源ＶＣＣからメモリ装置３への電源供給を開始する。
【００６２】
次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ２２は、メモリ装置３から所望の期待値データ３００を読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ２７にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ２７からメモリインタフェース１４を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ４２に入力する。デコーダ４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ３００の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース４３に入力する。当該読み出しアドレスはメモリコアインタフェース４３からメモリコア３２に入力され、これによって、所望の期待値データ３００がメモリコア３２から読み出される。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ１を対象とする電流値パターン同士の比較処理」に設定されているため、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと、それに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ３００としてメモリコア３２から読み出される。許容誤差値は、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンにおける電流値の分布態様等に応じて、プラスマイナス数％からプラスマイナス１０数％の範囲内で最適な値が予め設定されている。読み出された期待値データ３００は、暗号化された状態で、メモリコアインタフェース４３及びホストインタフェース４１を介してホスト装置２に送信される。メモリインタフェース１４は、メモリ装置３から受信した期待値データ３００を、データバッファ２８を介して復号器２３に入力する。復号器２３は、暗号化されている期待値データ３００を復号化する。復号化された期待値データ３００は、期待値格納メモリ２４に格納される。本実施の形態の例では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと、それに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、期待値格納メモリ２４に格納される。
【００６３】
パワーオン期間である期間Ｐ１が第１の所定期間として設定されているため、次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ２２は、電源制御部１２に電源供給を停止させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ２５から電源制御部１２に入力され、電源制御部１２は、電源ＶＣＣからメモリ装置３への電源供給を停止する。
【００６４】
次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ２２は、電源制御部１２に電源供給を開始させるための制御コマンドを、ＧＰＩＯ２５にセットする。当該制御コマンドはＧＰＩＯ２５から電源制御部１２に入力され、電源制御部１２は、電源ＶＣＣからメモリ装置３への電源供給を開始する。これにより、パワーオン期間である期間Ｐ１が開始される。
【００６５】
次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ２２は、ＡＤＣ２６を駆動する。電源ＶＣＣからメモリ装置３への電源供給が開始されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣからメモリ装置３へ流れる電流の電流値を実測する。実測された電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部５２によってＣＰＵ２２に順次入力される。なお、ＡＤＣ２６によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ２６によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い。
【００６６】
次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ２２（パターン作成部５３）は、電流値取得部５２によって順次取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、期間Ｐ１に関するメモリ装置３の実測電流値パターンを作成する。
【００６７】
次にステップＳＰ１０８においてＣＰＵ２２（パターン比較部５４）は、期待値格納メモリ２４から基準電流値パターンと許容誤差値を示すデータとを読み出して取得する。
【００６８】
次にステップＳＰ１０９においてＣＰＵ２２（パターン比較部５４）は、パターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンと、期待値格納メモリ２４から読み出した基準電流値パターンとを比較する。
【００６９】
図７は、実測電流値パターン及び基準電流値パターンの一例を示す図である。電流値測定回路１３のサンプリング周波数が１ＭＨｚ〜数ＭＨｚであり、期間Ｐ１の長さが数ｍ秒〜数十ｍ秒である場合には、実際には実測電流値パターン及び基準電流値パターンはそれぞれ数十万個〜数百万個の実測電流値及び基準電流値によって構成される。しかし図７では説明の簡単化のため、実測電流値パターンＩＰ０１及び基準電流値パターンＩＰ０２がそれぞれ７個の実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７及び基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７によって構成された例を示している。パターン比較部５４は、それぞれ対応する実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７との差が、期待値格納メモリ２４から読み出した許容誤差値以下であるか否かを比較する。
【００７０】
次にステップＳＰ１１０においてＣＰＵ２２（真贋判定部５０）は、実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７との差の全てが許容誤差値以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部５０は、これらの差の全てが許容誤差値以下である場合（つまり完全一致する場合）には、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。図７に示した例では、実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７とが完全一致するため、メモリ装置３は正規品であると判定される。
【００７１】
一方、少なくとも一つの差が許容誤差値を超える場合（つまり完全一致しない場合）には、真贋判定部５０は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は非正規品であると判定して、非正規品であるメモリ装置３を排除するための処理を開始する。例えば、電源制御部１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ２５にセットすることにより、電源ＶＣＣからメモリ装置３への電源供給を停止する。
【００７２】
図８は、実測電流値パターンの他の例を示す図である。実測電流値パターンＩＰ０１Ａを構成する７個の実測電流値の最大値、最小値、及び平均値は、基準電流値パターンＩＰ０２のそれらに一致している。しかし、実測電流値パターンＩＰ０１Ａの各実測電流値が基準電流値パターンＩＰ０２の各基準電流値と完全一致しないため、メモリ装置３は非正規品と判定される。また、実測電流値パターンＩＰ０１Ｂにおいて互いに隣接する実測電流値間の変化率は、基準電流値パターンＩＰ０２のそれらに一致している。しかし、実測電流値パターンＩＰ０１Ｂの各実測電流値が基準電流値パターンＩＰ０２の各基準電流値と完全一致しないため、メモリ装置３は非正規品と判定される。
【００７３】
なお、以上の説明では、実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７との差を求める演算、及び、各電流値の差が許容誤差値以下であるか否かの演算を、ＣＰＵ２２のソフトウェア処理によって実行する例について述べた。しかし、電流値測定回路１３の膨大なサンプリング数に起因してＣＰＵ２２の処理負荷が増大することを回避すべく、これらの演算は、専用の演算器を用いたハードウェア処理によって実行しても良い。
【００７４】
図９は、ホスト装置２の他の構成例を示す図である。ＳｏＣ１１に演算器２００が実装されている。実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７との差を求める演算、及び、各電流値の差が許容誤差値以下であるか否かの演算は、演算器２００によって実行され、それらの演算の結果が演算器２００からＣＰＵ２２に入力される。
【００７５】
このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、真贋判定部５０（判定部）は、期間Ｐ１（第１の所定期間）に関してパターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンＩＰ０１（第１の実測電流値パターン）と、期間Ｐ１に関して予め求められた基準電流値パターンＩＰ０２（第１の基準電流値パターン）との、パターン比較部５４による比較結果に基づいて、メモリ装置３（付属装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンＩＰ０１と基準電流値パターンＩＰ０２とを比較するため、図８に示した実測電流値パターンＩＰ０１Ｂのようにたとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【００７６】
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７が、対応する基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７と完全一致しているか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、非正規品が、実測電流値パターンＩＰ０１の一部において正規品のそれと異なる場合であっても、そのような非正規品を高精度に排除することが可能となる。
【００７７】
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、基準電流値パターンはメモリ装置３のメモリコア３２内に記憶されている。メモリ装置３の基準電流値パターンは、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた基準電流値パターンを、そのメモリ装置３のメモリコア３２内に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値パターンを簡易に管理することが可能となる。
【００７８】
以下、上記実施の形態に対する様々な変形例について説明する。以下に述べる変形例は、任意に組み合わせて適用することが可能である。
【００７９】
＜変形例１＞
上記実施の形態では、真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７が、対応する基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７と完全一致している場合に、メモリ装置３が正規品であると判定した。
【００８０】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７のうち、対応する基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７と一致する実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７の割合が第１のしきい値以上である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、当該割合が第１のしきい値未満である場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。第１のしきい値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定され、少なくとも５１％以上の値に設定される。
【００８１】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関する全ての実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７のうち、対応する基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７と一致する実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、突発的なノイズ等に起因して正規品の実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７が瞬間的に増減した場合であっても、正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することが可能となる。
【００８２】
＜変形例２＞
上記実施の形態では、パターン作成部５３は実測電流値パターンを一回だけ作成し、パターン比較部５４は実測電流値パターンと基準電流値パターンとを一回だけ比較し、真贋判定部５０はパターン比較部５４による一回だけの比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行った。
【００８３】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、パターン比較部５４による複数回の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行う。
【００８４】
図１０は、ホスト装置２の動作を説明するためのフローチャートである。ステップＳＰ１０９に引き続き、ステップＳＰ２０１において真贋判定部５０は、パターン比較部５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理が、所定のＮ回（Ｎは複数）実行されたか否かを判定する。
【００８５】
Ｎ回の比較処理が実行されていない場合には、ＣＰＵ２２は、ステップＳＰ１０４〜ＳＰ１０９の処理を再度実行する。一方、Ｎ回の比較処理が実行された場合には、ＣＰＵ２２は、ステップＳＰ１１０の処理に移行する。
【００８６】
ステップＳＰ１１０において真贋判定部５０は、パターン比較部５４によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、当該割合が第２のしきい値未満である場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。所定回数Ｎの値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定される。また、第２のしきい値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定され、少なくとも５１％以上の値に設定される。
【００８７】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、電流値取得部５２による実測電流値の取得処理、パターン作成部５３による実測電流値パターンの作成処理、及びパターン比較部５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を複数Ｎ回実行し、パターン比較部５４によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、電流値取得部５２、パターン作成部５３、及びパターン比較部５４による一連の処理を複数Ｎ回繰り返して実行し、パターン比較部５４によるＮ回の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことにより、判定精度を向上することが可能となる。
【００８８】
＜変形例３＞
上記実施の形態では、期間設定部５１は、メモリ装置３の動作期間を区分した複数の期間Ｐ１〜Ｐ８のうち一つの期間Ｐ１のみを、判定対象期間として設定した。
【００８９】
これに対して本変形例に係る期間設定部５１は、期間Ｐ１〜Ｐ８のうちの複数の期間を、判定対象期間として設定する。
【００９０】
図１１は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例において期間設定部５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１（第１の所定期間）と鍵交換期間である期間Ｐ４（第２の所定期間）とを、ステップＳＰ１０１において判定対象期間として設定する。
【００９１】
また、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本変形例の例では、「電流値パターン同士の比較処理」が、真贋判定の処理内容としていずれも設定される。
【００９２】
ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関する基準電流値パターンと、それらに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ３００としてメモリコア３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器２３によって復号化された後、期待値格納メモリ２４に格納される。
【００９３】
電流値取得部５２は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関して実測電流値の取得処理を実行し、パターン作成部５３は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関して実測電流値パターンの作成処理を実行し、パターン比較部５４は、期間Ｐ１，Ｐ４の各々に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を実行する。
【００９４】
真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関するパターン比較部５４による比較結果と、期間Ｐ４に関するパターン比較部５４による比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。例えば、期間Ｐ１，Ｐ４の双方において、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致する場合には、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、期間Ｐ１，Ｐ４の少なくとも一方において、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致しない場合には、メモリ装置３が非正規品であると判定する。
【００９５】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０はさらに、期間Ｐ４（第２の所定期間）に関してパターン作成部５３によって作成された実測電流値パターン（第２の実測電流値パターン）と、期間Ｐ４に関して予め求められた基準電流値パターン（第２の基準電流値パターン）との、パターン比較部５４による比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、期間Ｐ１のみならず期間Ｐ４に関しても実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較を行うことにより、期間Ｐ１，Ｐ４の双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。
【００９６】
＜変形例４＞
上記実施の形態では、真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関して、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果のみに基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行った。
【００９７】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関して、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に加えて、実測代表値と基準代表値との比較結果に基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行う。上記実施の形態で説明した通り、期間Ｐ１〜Ｐ８の各々に関する消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）が、期待値データ３００の一部としてメモリコア３２に格納されている。
【００９８】
図１２は、図２に示したプログラム１００をＣＰＵ２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図１２に示すように真贋判定部５０は、期間設定部５１、電流値取得部５２、パターン作成部５３、パターン比較部５４、代表値算出部５５、及び代表値比較部５６として機能する。
【００９９】
図１３は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例によると、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１を判定対象期間として設定する。また、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、「電流値パターン同士の比較処理」並びに「最大値、最小値、及び平均値同士の比較処理」を、期間Ｐ１に対して実行する真贋判定の処理内容として設定する。
【０１００】
図１４は、ホスト装置２の動作を説明するためのフローチャートである。ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと、期間Ｐ１に関する基準代表値（基準最大値、基準最小値、及び基準平均値）と、それらに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ３００としてメモリコア３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器２３によって復号化された後、期待値格納メモリ２４に格納される。
【０１０１】
期間Ｐ１に関して、電流値取得部５２は実測電流値の取得処理を実行し、パターン作成部５３は実測電流値パターンの作成処理を実行し、パターン比較部５４は実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を実行する。
【０１０２】
ステップＳＰ３０１において代表値算出部５５は、期間Ｐ１に関して、電流値取得部５２によって取得された実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７に基づいて、実測最大値、実測最小値、及び実測平均値を求める。
【０１０３】
ステップＳＰ３０２において代表値比較部５６は、基準代表値を期待値格納メモリ２４から取得する。
【０１０４】
また、ステップＳＰ３０３において代表値比較部５６は、実測最大値と基準最大値との差が許容誤差値以下であるか否か、実測最小値と基準最小値との差が許容誤差値以下であるか否か、及び、実測平均値と基準平均値との差が許容誤差値以下であるか否か、を判定する。
【０１０５】
真贋判定部５０は、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致し、かつ、上記３つの代表値の差がいずれも許容誤差値以下である場合に、メモリ装置３は正規品であると判定する。
【０１０６】
なお、実測代表値を求める演算、実測代表値と基準代表値との差を求める演算、及び、実測代表値と基準代表値との差が許容誤差値以下であるか否かの演算は、図９に示した演算器２００によって実行しても良い。また、３つの実測代表値（最大値、最小値、及び平均値）の全てを使用するのではなく、一部の実測代表値を使用しても良い。
【０１０７】
このように本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関して、パターン比較部５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に加えて、代表値比較部５６による実測代表値と基準代表値との比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較のみならず、実測代表値と基準代表値との比較を行うことにより、双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。
【０１０８】
また、本変形例に係るホスト装置２によれば、代表値算出部５５は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出する。このように、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを実測代表値として使用することにより、実測代表値を簡易に算出することが可能となる。
【０１０９】
また、本変形例に係るホスト装置２によれば、基準代表値はメモリ装置３のメモリコア３２内に記憶されている。メモリ装置３の基準代表値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた基準代表値を、そのメモリ装置３のメモリコア３２内に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準代表値を簡易に管理することが可能となる。
【０１１０】
＜変形例５＞
上記変形例４では、期間設定部５１は、複数の期間Ｐ１〜Ｐ８のうち一つの期間Ｐ１のみを判定対象期間として設定した。
【０１１１】
これに対して本変形例に係る期間設定部５１は、期間Ｐ１〜Ｐ８のうちの複数の期間を、判定対象期間として設定する。
【０１１２】
図１５は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例において期間設定部５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１と認証期間である期間Ｐ５とを、ステップＳＰ１０１において判定対象期間として設定する。
【０１１３】
また、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、期間Ｐ１，Ｐ５の各々に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本変形例の例では、期間Ｐ１に関する真贋判定の処理内容としては「電流値パターン同士の比較処理」が設定され、期間Ｐ５に関する真贋判定の処理内容としては「最大値同士の比較処理」が設定される。
【０１１４】
ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと、期間Ｐ５に関する基準最大値と、それらに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ３００としてメモリコア３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器２３によって復号化された後、期待値格納メモリ２４に格納される。
【０１１５】
電流値取得部５２は、期間Ｐ１に関して実測電流値の取得処理を実行し、パターン作成部５３は、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンの作成処理を実行し、パターン比較部５４は、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を実行する。
【０１１６】
また、電流値取得部５２は、期間Ｐ５に関して実測電流値の取得処理を実行し、代表値算出部５５は、期間Ｐ５に関して実測最大値を求め、代表値比較部５６は、期間Ｐ５に関して実測最大値と基準最大値との比較処理を実行する。
【０１１７】
真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関するパターン比較部５４による比較結果と、期間Ｐ５に関する代表値比較部５６による比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。例えば、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致し、かつ、期間Ｐ５に関して実測最大値と基準最大値とが一致する場合には、メモリ装置３が正規品であると判定する。
【０１１８】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、パターン比較部５４による期間Ｐ１に関する電流値パターンの比較結果と、代表値比較部５６による期間Ｐ５に関する代表値の比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するのみならず、期間Ｐ５に関して実測代表値と基準代表値とを比較することにより、双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。しかも、期間Ｐ１と期間Ｐ５とで真贋判定の処理内容を異ならせることができるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【０１１９】
＜変形例６＞
図１６は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例において期間設定部５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１（第１の所定期間）と、鍵交換期間である期間Ｐ４（第２の所定期間）と、期間Ｐ４に連続する期間Ｐ５（第２の所定期間）とを、ステップＳＰ１０１において判定対象期間として設定する。
【０１２０】
また、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、期間Ｐ１，Ｐ４，Ｐ５の各々に対して実行する真贋判定の処理内容を設定する。本変形例の例では、期間Ｐ１に関する真贋判定の処理内容としては「電流値パターン同士の比較処理」が設定され、期間Ｐ４，Ｐ５に関する真贋判定の処理内容としては「代表値同士の比較処理」が設定される。ここで、期間設定部５１は、期間Ｐ４，Ｐ５のように第２の所定期間が連続する場合には、一方の第２の所定期間と他方の第２の所定期間とで、使用する代表値を異ならせる。本変形の例では、期間Ｐ４に関する真贋判定の処理内容としては「最小値同士の比較処理」が設定され、期間Ｐ５に関する真贋判定の処理内容としては「最大値同士の比較処理」が設定される。
【０１２１】
ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと、期間Ｐ４に関する基準最小値と、期間Ｐ５に関する基準最大値と、それらに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ３００としてメモリコア３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器２３によって復号化された後、期待値格納メモリ２４に格納される。
【０１２２】
電流値取得部５２は、期間Ｐ１に関して実測電流値の取得処理を実行し、パターン作成部５３は、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンの作成処理を実行し、パターン比較部５４は、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を実行する。
【０１２３】
また、電流値取得部５２は、期間Ｐ４に関して実測電流値の取得処理を実行し、代表値算出部５５は、期間Ｐ４に関して実測最小値を求め、代表値比較部５６は、期間Ｐ４に関して実測最小値と基準最小値との比較処理を実行する。
【０１２４】
また、電流値取得部５２は、期間Ｐ５に関して実測電流値の取得処理を実行し、代表値算出部５５は、期間Ｐ５に関して実測最大値を求め、代表値比較部５６は、期間Ｐ５に関して実測最大値と基準最大値との比較処理を実行する。
【０１２５】
真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関するパターン比較部５４による比較結果と、期間Ｐ４，Ｐ５に関する代表値比較部５６による比較結果とに基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。例えば、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致し、かつ、期間Ｐ４に関して実測最小値と基準最小値とが一致し、かつ、期間Ｐ５に関して実測最大値と基準最大値とが一致する場合には、メモリ装置３が正規品であると判定する。
【０１２６】
本変形例に係るホスト装置２によれば、代表値算出部５５は、連続する二つの第２の所定期間（Ｐ４，Ｐ５）のうち、一方の第２の所定期間（Ｐ４）に関しては平均値、最大値、及び最小値のうち第１の値（最小値）を算出し、他方の第２の所定期間（Ｐ５）に関しては第１の値とは異なる第２の値（最大値）を算出する。従って、連続する二つの第２の所定期間において真贋判定の処理内容を異ならせることができるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【０１２７】
＜変形例７＞
上記実施の形態では、真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関して、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果のみに基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行った。
【０１２８】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関する実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に加えて、スタンバイ期間に関する実測電流値と基準電流値との比較結果に基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行う。上記実施の形態で説明した通り、スタンバイ期間における微小な消費電流値（基準電流値）が、期待値データ３００の一部としてメモリコア３２に格納されている。本変形例の例ではスタンバイ期間として二つの期間Ｐ３，Ｐ６が存在するが、期間設定部５１は、判定対象期間として期間Ｐ３，Ｐ６の一方（又は双方）を任意に設定することができ、静的又は動的に切り替えて設定しても良い。
【０１２９】
図１７は、図２に示したプログラム１００をＣＰＵ２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図１７に示すように真贋判定部５０は、期間設定部５１、電流値取得部５２、パターン作成部５３、パターン比較部５４、電流値選択部５７、及び電流値比較部５８として機能する。
【０１３０】
図１８は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。この例によると、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、パワーオン期間である期間Ｐ１とスタンバイ期間である期間Ｐ３とを判定対象期間として設定する。また、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、期間Ｐ１に対して実行する真贋判定の処理内容として「電流値パターン同士の比較処理」を設定し、期間Ｐ３に対して実行する真贋判定の処理内容として「電流値同士の比較処理」を設定する。
【０１３１】
図１９は、ホスト装置２の動作を説明するためのフローチャートである。ステップＳＰ１０３では、期間Ｐ１に関する基準電流値パターンと、期間Ｐ３に関する基準電流値と、それらに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ３００としてメモリコア３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器２３によって復号化された後、期待値格納メモリ２４に格納される。
【０１３２】
期間Ｐ１に関して、電流値取得部５２は実測電流値の取得処理を実行し、パターン作成部５３は実測電流値パターンの作成処理を実行し、パターン比較部５４は実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を実行する。
【０１３３】
ステップＳＰ４０１において電流値選択部５７は、期間Ｐ３に関して、電流値取得部５２によって取得された複数の実測電流値の中から任意の一つの実測電流値を選択する。スタンバイ期間に関しては消費電流値の絶対値が小さいため、どの実測電流値を選択しても大差はない。
【０１３４】
ステップＳＰ４０２において電流値比較部５８は、基準電流値を期待値格納メモリ２４から取得する。
【０１３５】
また、ステップＳＰ４０３において電流値比較部５８は、ステップＳＰ４０１で選択した実測電流値とステップＳＰ４０２で取得した基準電流値との差が許容誤差値以下であるか否かを判定する。
【０１３６】
真贋判定部５０は、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致し、かつ、期間Ｐ３に関して実測電流値と基準電流値との差が許容誤差値以下である場合に、メモリ装置３は正規品であると判定する。
【０１３７】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、パターン比較部５４による期間Ｐ１（第１の所定期間）に関する実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に加えて、電流値比較部５８による期間Ｐ３（第３の所定期間）に関する実測電流値と基準電流値との比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、期間Ｐ１に関して実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するのみならず、期間Ｐ３に関して実測電流値と基準電流値とを比較することにより、双方の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことができるため、判定精度をより向上することが可能となる。しかも、期間Ｐ１と期間Ｐ３とで判定の内容を異ならせることができるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【０１３８】
また、本変形例に係るホスト装置２によれば、期間設定部５１は、複数のスタンバイ期間Ｐ３，Ｐ６の中から判定対象期間を可変に設定する。従って、メモリ装置３の真贋判定を実行する対象となる期間Ｐ３，Ｐ６を期間設定部５１によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【０１３９】
また、本変形例に係るホスト装置２によれば、基準電流値はメモリ装置３のメモリコア３２内に記憶されている。メモリ装置３の基準電流値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた基準電流値を、そのメモリ装置３のメモリコア３２内に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値を簡易に管理することが可能となる。
【０１４０】
＜変形例８＞
図２０は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。図２０に示した例では、期間Ｐ１，Ｐ２に関しては「電流値パターン同士の比較処理」による真贋判定が設定されており、期間Ｐ３，Ｐ６に関しては「電流値同士の比較処理」による真贋判定が設定されており、期間Ｐ４に関しては「最小値同士の比較処理」による真贋判定が設定されており、期間Ｐ５に関しては「最大値同士の比較処理」による真贋判定が設定されており、期間Ｐ７に関しては「平均値同士の比較処理」による真贋判定が設定されている。つまり、期間Ｐ１〜Ｐ７に関して合計７つの真贋判定が設定されている。
【０１４１】
第１の例として、真贋判定部５０は、合計７つの真贋判定の全てにおいて「一致している」と判定された場合には、メモリ装置３は正規品であると判定し、一方、合計７つの真贋判定のうちの少なくとも一つの真贋判定において「一致していない」と判定された場合には、メモリ装置３は非正規品であると判定する。
【０１４２】
第２の例として、真贋判定部５０は、合計７つの真贋判定のうち「一致している」と判定された真贋判定の割合が第３のしきい値以上である場合には、メモリ装置３は正規品であると判定し、一方、当該割合が第３のしきい値未満である場合には、メモリ装置３は非正規品であると判定する。第３のしきい値は要求される判定制度等に応じて最適値が設定され、少なくとも５１％以上の値が設定される。
【符号の説明】
【０１４３】
２  ホスト装置
３  メモリ装置
１２  電源制御部
１３  電流値測定回路
２２  ＣＰＵ
５０  真贋判定部
５１  期間設定部
５２  電流値取得部
５３  パターン作成部
５４  パターン比較部
５５  代表値算出部
５６  代表値比較部
５７  電流値選択部
５８  電流値比較部
１００  プログラム
２００  演算器
３００  期待値データ
【図１】
2019109575.tif 000003
【図２】
2019109575.tif 000004
【図３】
2019109575.tif 000005
【図４】
2019109575.tif 000006
【図５】
2019109575.tif 000007
【図６】
2019109575.tif 000008
【図７】
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【図８】
2019109575.tif 000010
【図９】
2019109575.tif 000011
【図１０】
2019109575.tif 000012
【図１１】
2019109575.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2019109575.tif 000015
【図１４】
2019109575.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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