(57)【要約】    【課題】  高速信号用のインピーダンス配線のインピーダンス整合を図る    【解決手段】インピーダンス配線４５８ｉの上層の第１ベタ層Ｂ１に開口Ｂ１ｈが設けられ、第２ベタ層Ｂ２に開口Ｂ２ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉの下層の第４ベタ層Ｂ４に開口Ｂ４ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉと３層上層の第３ベタ層Ｂ３との間の絶縁距離Ｄ７０と、インピーダンス配線４５８ｉと２層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０とは近似化が図られている。これにより、高速信号用のインピーダンス配線４５８ｉはインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減される。【選択図】  図２
2019075398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対的に低密度のビルドアップ層と、該低密度のビルドアップ層上に形成された高密度のビルドアップ層とを有するプリント配線板であって、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の導体層に形成されたインピーダンス配線と、
前記高密度のビルドアップ層の最下層の導体層に形成された第１ベタ層とを有し、
前記第１ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に沿って開口を有する。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって
前記高密度のビルドアップ層の最下層の導体層の１層上層の導体層に第２ベタ層が形成され、
前記第２ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に沿って開口を有する。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板であって、
前記高密度のビルドアップ層の最下層の導体層の２層上層の導体層に第３ベタ層が形成され、
前記第３ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に配置される。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１のプリント配線板であって、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の１層下層の導体層であって、前記インピーダンス配線の直下に第４ベタ層が形成される。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１のプリント配線板であって、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の１層下層の導体層に第４ベタ層が形成され、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の２層下層の導体層に第５ベタ層が形成され、
前記第４ベタ層は前記インピーダンス配線の直下に沿って開口を有する。
前記第５ベタ層は前記インピーダンス配線の直下に配置される。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記高密度のビルドアップ層の最下層の導体層の１層上層の導体層に第２ベタ層が形成され、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の１層下層の導体層に第４ベタ層が形成され、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の２層下層の導体層に第５ベタ層が形成され、
前記第２ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に配置され、
前記第４ベタ層は前記インピーダンス配線の直下に沿って開口を有し、
前記第５ベタ層は前記インピーダンス配線の直下に配置される。
【請求項７】
相対的に低密度のビルドアップ層と、該低密度のビルドアップ層上に形成された高密度のビルドアップ層とを有するプリント配線板であって、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の導体層の１層下層の導体層に形成されたインピーダンス配線と、
前記高密度のビルドアップ層の最下層の導体層に形成された第１ベタ層と、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の導体層に形成された第６ベタ層と、
前記低密度のビルドアップ層の最外層の２層下層の導体層に形成された第５ベタ層と、を有するプリント配線板であって、
前記第１ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に配置され、
前記第６ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に沿って開口を有し、
前記第５ベタ層は前記インピーダンス配線の直下に配置される。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１のプリント配線板であって、
前記インピーダンス配線は高速信号用の配線である。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか１のプリント配線板であって、
前記第１ベタ層はアース用である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相対的に低密度のビルドアップ層と、該低密度のビルドアップ層上に形成された高密度のビルドアップ層とを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、データ伝送用の配線の上層と下層にベタ層を設け、ストリップライン構造とすることで、データ伝送用の配線の伝送特性が改善されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−６３１９９号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１では、均一厚みの樹脂絶縁層が積層されているため、データ伝送用の配線と上層のベタ層との距離と、データ伝送用の配線と下層のベタ層との距離が等しくなった。ここで、相対的に低密度のビルドアップ層と、該低密度のビルドアップ層上に形成された高密度のビルドアップ層とを有するプリント配線板において、低密度のビルドアップ層と高密度のビルドアップ層との界面にデータ伝送用の配線が設けられた場合、上層と下層で絶縁層の厚みが異なるため、ストリップライン構造を採用しても、データ伝送用の配線の伝送特性が改善が困難であると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、相対的に低密度のビルドアップ層と、該低密度のビルドアップ層上に形成された高密度のビルドアップ層とを有する。そして、前記低密度のビルドアップ層の最外層の導体層に形成されたインピーダンス配線と、前記高密度のビルドアップ層の最下層の導体層に形成された第１ベタ層とを有し、前記第１ベタ層は前記インピーダンス配線の直上に沿って開口を有する。
【０００６】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、低密度のビルドアップ層の最外層の導体層に形成されたインピーダンス配線に対して、低密度のビルドアップ層よりも樹脂絶縁層の厚みが薄く、絶縁距離が短くなる高密度のビルドアップ層の最下層の導体層に形成された第１ベタ層に対して、インピーダンス配線の直上に沿って開口を設けることで、伝送特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図２】第１実施形態、第１実施形態の第１改変例のプリント配線板の断面拡大図
【図３】第１実施形態の第２改変例、第３改変例のプリント配線板の断面拡大図
【図４】第１実施形態のプリント配線板のインピーダンス配線の平面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態のプリント配線板１０の断面図である。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０とコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている第１低密度ビルドアップ層５０Ｆと、第１低密度ビルドアップ層５０Ｆ上に形成されている第１高密度ビルドアップ層７０Ｆと、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている第２低密度ビルドアップ層５０Ｓと第２低密度のビルドアップ層５０Ｓ上に形成されている第２高密度ビルドアップ層７０Ｓと、第１高密度ビルドアップ層７０Ｆ上に形成されている第１ソルダーレジスト層９０Ｆと第２高密度ビルドアップ層７０Ｓ上に形成されている第２ソルダーレジスト層９０Ｓとを有する。
【０００９】
コア基板３０はコア層２０とコア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第１面導体層３４Ｆとコア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第２面導体層３４Ｓを有する。コア基板は、さらに、コア層２０を貫通するスルーホール導体３６を有する。コア層２０は、第１面導体層３４Ｆと第２面導体層３４Ｓはスルーホール導体３６を介して接続されている。
【００１０】
第１低密度ビルドアップ層５０Ｆは、コア基板３０の第１面Ｆと第１面導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層１５０Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている第１導体層１５８Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆ上に形成されている第２樹脂絶縁層２５０Ｆと、第２樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている第２導体層２５８Ｆと、第２樹脂絶縁層２５０Ｆと第２導体層２５８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層３５０Ｆと、第３樹脂絶縁層３５０Ｆ上に形成されている第３導体層３５８Ｆと、第３樹脂絶縁層３５０Ｆと第３導体層３５８Ｆ上に形成されている第４樹脂絶縁層４５０Ｆと、第４樹脂絶縁層４５０Ｆ上に形成されている第４導体層４５８Ｆと、を有する。第１低密度ビルドアップ層５０Ｆは、さらに、各樹脂絶縁層１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆ、４５０Ｆを貫通するビア導体１５６Ｆ、２５６Ｆ、３５６Ｆ、４５６Ｆを有する。第１面導体層３４Ｆと第１導体層１５８Ｆは、第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第１ビア導体１５６Ｆを介して接続されている。第１導体層１５８Ｆと第２導体層２５８Ｆは第２樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する第２ビア導体２５６Ｆを介して接続される。第２導体層２５８Ｆと第３導体層３５８Ｆは第３樹脂絶縁層３５０Ｆを貫通する第３ビア導体３５６Ｆを介して接続されている。第３導体層３５８Ｆと第４導体層４５８Ｆは第４樹脂絶縁層４５０Ｆを貫通する第４ビア導体４５６Ｆを介して接続されている。
【００１１】
第１高密度ビルドアップ層７０Ｆは、第１低密度ビルドアップ層５０Ｆの最外層の第４樹脂絶縁層４５０Ｆと第４導体層４５８Ｆに形成されている第１樹脂絶縁層１７０Ｆと、第１樹脂絶縁層１７０Ｆ上に形成されている第１導体層１７８Ｆと、第１樹脂絶縁層１７０Ｆと第１導体層１７８Ｆ上に形成されている第２樹脂絶縁層２７０Ｆと、第２樹脂絶縁層２７０Ｆ上に形成されている第２導体層２７８Ｆと、第２樹脂絶縁層２７０Ｆと第２導体層２７８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層３７０Ｆと、第３樹脂絶縁層３７０Ｆ上に形成されている第３導体層３７８Ｆと、第３樹脂絶縁層３７０Ｆと第３導体層３７８Ｆ上に形成されている第４樹脂絶縁層４７０Ｆと、第４樹脂絶縁層４７０Ｆ上に形成されている第４導体層４７８Ｆと、第４樹脂絶縁層４７０Ｆと第４導体層４７８Ｆ上に形成されている第５樹脂絶縁層５７０Ｆと、第５樹脂絶縁層５７０Ｆ上に形成されている第５導体層５７８Ｆと、第５樹脂絶縁層５７０Ｆと第５導体層５７８Ｆ上に形成されている第６樹脂絶縁層６７０Ｆと、第６樹脂絶縁層６７０Ｆ上に形成されている第６導体層６７８Ｆと、を有する。第１高密度ビルドアップ層７０Ｆは、さらに、各樹脂絶縁層１７０Ｆ、２７０Ｆ、３７０Ｆ、４７０Ｆ、５７０Ｆ、６７０Ｆを貫通するビア導体１７６Ｆ、２７６Ｆ、３７６Ｆ、４７６Ｆ、５７６Ｆ、６７６Ｆを有する。第１導体層１７８と第２導体層２７８Ｆは、第１樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通する第１ビア導体１７６Ｆを介して接続されている。第１導体層１７８Ｆと第２導体層２７８Ｆは第２樹脂絶縁層２７０Ｆを貫通する第２ビア導体２７６Ｆを介して接続される。第２導体層２７８Ｆと第３導体層３７８Ｆは第３樹脂絶縁層３７０Ｆを貫通する第３ビア導体３７６Ｆを介して接続されている。第３導体層３７８Ｆと第４導体層４７８Ｆは第４樹脂絶縁層４７０Ｆを貫通する第４ビア導体４７６Ｆを介して接続されている。第４導体層４７８Ｆと第５導体層５７８Ｆは第５樹脂絶縁層５７０Ｆを貫通する第５ビア導体５７６Ｆを介して接続されている。第５導体層５７８Ｆと第６導体層６７８Ｆは第６樹脂絶縁層６７０Ｆを貫通する第６ビア導体６７６Ｆを介して接続されている。第６樹脂絶縁層６７０Ｆと第６導体層６５８Ｆ上に第１開口９２Ｆを有する第１ソルダーレジスト層９０Ｆが形成されている。第１開口９２Ｆに接続ビア導体９６Ｆが形成され、該接続ビア導体９６Ｆ上に電子部品を実装するための金属ポスト９８Ｆが形成されている。金属ポスト９８Ｆの上面にはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕから成る金属膜９４Ｆが形成されている。
【００１２】
第２低密度ビルドアップ層５０Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓと第２面導体層３４Ｓ上に形成されている第１樹脂絶縁層１５０Ｓと、第１樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている第１導体層１５８Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｓと第１導体層１５８Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層２５０Ｓと、第２樹脂絶縁層２５０Ｓ上に形成されている第２導体層２５８Ｓと、第２樹脂絶縁層２５０Ｓと第２導体層２５８Ｓ上に形成されている第３樹脂絶縁層３５０Ｓと、第３樹脂絶縁層３５０Ｓ上に形成されている第３導体層３５８Ｓと、第３樹脂絶縁層３５０Ｓと第３導体層３５８Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層４５０Ｓと、第４樹脂絶縁層４５０Ｓ上に形成されている第４導体層４５８Ｓと、を有する。第２低密度ビルドアップ層５０Ｓは、さらに、各樹脂絶縁層１５０Ｓ、２５０Ｓ、３５０Ｓ、４５０Ｓを貫通するビア導体１５６Ｓ、２５６Ｓ、３５６Ｓ、４５６Ｓを有する。第１面導体層３４Ｆと第１導体層１５８Ｓは、第１樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通する第１ビア導体１５６Ｓを介して接続されている。第１導体層１５８Ｓと第２導体層２５８Ｓは第２樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通する第２ビア導体２５６Ｓを介して接続される。第２導体層２５８Ｓと第３導体層３５８Ｓは第３樹脂絶縁層３５０Ｓを貫通する第３ビア導体３５６Ｓを介して接続されている。第３導体層３５８Ｓと第４導体層４５８Ｓは第４樹脂絶縁層４５０Ｓを貫通する第４ビア導体４５６Ｓを介して接続されている。
【００１３】
第２高密度ビルドアップ層７０Ｓは、第２低密度ビルドアップ層５０Ｓの最外層の第４樹脂絶縁層４５０Ｓと第４導体層４５８Ｓに形成されている第１樹脂絶縁層１７０Ｓと、第１樹脂絶縁層１７０Ｓ上に形成されている第１導体層１７８Ｆと、第１樹脂絶縁層１７０Ｓと第１導体層１７８Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層２７０Ｓと、第２樹脂絶縁層２７０Ｓ上に形成されている第２導体層２７８Ｓと、第２樹脂絶縁層２７０Ｓと第２導体層２７８Ｓ上に形成されている第３樹脂絶縁層３７０Ｓと、第３樹脂絶縁層３７０Ｓ上に形成されている第３導体層３７８Ｓと、第３樹脂絶縁層３７０Ｓと第３導体層３７８Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層４７０Ｓと、第４樹脂絶縁層４７０Ｓ上に形成されている第４導体層４７８Ｓと、第４樹脂絶縁層４７０Ｓと第４導体層４７８Ｓ上に形成されている第５樹脂絶縁層５７０Ｓと、第５樹脂絶縁層５７０Ｓ上に形成されている第５導体層５７８Ｓと、第５樹脂絶縁層５７０Ｓと第５導体層５７８Ｓ上に形成されている第６樹脂絶縁層６７０Ｓと、第６樹脂絶縁層６７０Ｓ上に形成されている第６導体層６７８Ｓと、を有する。第２高密度ビルドアップ層７０Ｓは、さらに、各樹脂絶縁層１７０Ｓ、２７０Ｓ、３７０Ｓ、４７０Ｓ、５７０Ｓ、６７０Ｓを貫通するビア導体１７６Ｓ、２７６Ｓ、３７６Ｓ、４７６Ｓ、５７６Ｓ、６７６Ｓを有する。第１導体層１７８と第２導体層２７８Ｓは、第１樹脂絶縁層１７０Ｓを貫通する第１ビア導体１７６Ｓを介して接続されている。第１導体層１７８Ｓと第２導体層２７８Ｓは第２樹脂絶縁層２７０Ｓを貫通する第２ビア導体２７６Ｓを介して接続される。第２導体層２７８Ｓと第３導体層３７８Ｓは第３樹脂絶縁層３７０Ｓを貫通する第３ビア導体３７６Ｓを介して接続されている。第３導体層３７８Ｓと第４導体層４７８Ｓは第４樹脂絶縁層４７０Ｓを貫通する第４ビア導体４７６Ｓを介して接続されている。第４導体層４７８Ｓと第５導体層５７８Ｓは第５樹脂絶縁層５７０Ｓを貫通する第５ビア導体５７６Ｓを介して接続されている。第５導体層５７８Ｓと第６導体層６７８Ｓは第６樹脂絶縁層６７０Ｓを貫通する第６ビア導体６７６Ｓを介して接続されている。第６樹脂絶縁層６７０Ｓと第６導体層６５８Ｆ上に第２開口９２Ｓを有する第２ソルダーレジスト層９０Ｓが形成されている。第２開口９２Ｓから露出される第６導体層６５８Ｓは、マザーボードと接続するための第２パッド９３Ｓを形成する。第２パッド９３Ｓの表面には金属膜９４Ｓが形成されている。
【００１４】
図２（Ａ）は、図１中のＦＣ部分の拡大図である。
第１高密度ビルドアップ層７０Ｆの第１導体層１７８Ｆに第１ベタ層１７８Ｂ（Ｂ１）が形成され、第２導体層２７８Ｆに第２ベタ層２７８Ｂ（Ｂ２）が形成され、第３導体層３７８Ｆに第３ベタ層３７８Ｂ（Ｂ３）が形成されている。第１低密度ビルドアップ層５０Ｆの第３導体層３５８Ｆに第４ベタ層３５８Ｂ（Ｂ４）が形成され、第２導体層２５８Ｆに第５ベタ層２５８Ｂ（Ｂ５）が形成され、第４導体層４５８Ｆに第６ベタ層４５８Ｂ（Ｂ６）が形成されている。
【００１５】
第６ベタ層Ｂ６には開口Ｂ６ｈが形成され、開口Ｂ６ｈ内にインピーダンス配線４５８ｉが形成されている。インピーダンス配線４５８ｉは高速信号用のインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減されている。図４（Ａ）は、該第６ベタ層Ｂ６及びインピーダンス配線４５８ｉの平面図である。開口Ｂ６ｈはインピーダンス配線４５８ｉに沿って均一な絶縁距離ｇ６を保つように形成されている。第６ベタ層Ｂ６の開口Ｂ６ｈの幅はｗ６である。インピーダンス配線４５８ｉの幅ｅ６は２０μｍ〜４０μｍである。図２（Ａ）に示されるように、インピーダンス配線４５８ｉ及び第６ベタ層Ｂ６の厚みｆ６は２μｍ〜１５μｍで、ここでは２．５μｍである。インピーダンス配線４５８ｉ及び第６ベタ層Ｂ６の上層の第１導体層１７８Ｆとの間の第１樹脂絶縁層１７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ６は５μｍ〜１０μｍで、ここでは６μｍである。第１高密度ビルドアップ層７０Ｆ内に設けられる第１ベタ層Ｂ１の厚みｆ１は２．５μｍで、第１ベタ層Ｂ１上の第２樹脂絶縁層２７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ１は７．５μｍである。第１ベタ層Ｂ１には、下層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ１ｈが形成されている。図４（Ｂ）は、該第１ベタ層Ｂ１の平面図である。開口Ｂ１ｈはインピーダンス配線４５８ｉに沿って水平方向に均一な絶縁距離ｇ１を保つように形成されている。第１ベタ層Ｂ１の開口Ｂ１ｈの幅はｗ１で、第６ベタ層Ｂ６の開口Ｂ６ｈの幅ｗ６よりも大きいことが望ましい。第２ベタ層Ｂ２にも２層下層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ２ｈが形成されている。第２ベタ層Ｂ２の厚み、第２ベタ層上の第３樹脂絶縁層３７０Ｆの厚み（絶縁距離）は、第１ベタ層Ｂ１の厚み、第１ベタ層上の絶縁距離とほぼ等しい。
【００１６】
第１低密度ビルドアップ層５０Ｆ内に設けられる第４ベタ層Ｂ４の厚みｆ４は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍで、第４ベタ層Ｂ４上の第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ４は６〜１５μｍで、ここでは１０μｍである。第４ベタ層Ｂ４にも、上層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ４ｈが形成されている。第４ベタ層Ｂ４の開口Ｂ４ｈの幅はｗ４で、第６ベタ層Ｂ６の開口Ｂ６ｈの幅ｗ６よりも大きいことが望ましいが、樹脂絶縁層の厚みの厚い第１低密度ビルドアップ層５０Ｆでは絶縁距離が保てるので、幅ｗ６よりもわずかに小さくても良い。第４ベタ層Ｂ４の下層に設けられる第５ベタ層Ｂ５の厚み、第５ベタ層上の第３樹脂絶縁層３５０Ｆの厚み（絶縁距離）は、第４ベタ層Ｂ４の厚み、第４ベタ層上の絶縁距離とほぼ等しい。
【００１７】
インピーダンス配線４５８ｉの上層の第１ベタ層Ｂ１に開口Ｂ１ｈが設けられ、第２ベタ層Ｂ２に開口Ｂ２ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉと３層上層の第３ベタ層Ｂ３との間の絶縁距離Ｄ７０は、第３樹脂絶縁層３７０Ｆの厚み（ｄ１）＋第２樹脂絶縁層２７０の厚み（ｄ１）＋第２ベタ層の厚み（ｆ１）＋第１ベタ層の厚み（ｆ１）＋第１樹脂絶縁層１７Ｆの厚み（ｄ６）である。一方、インピーダンス配線４５８ｉの下層の第４ベタ層Ｂ４に開口Ｂ４ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉと２層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０は、第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（ｄ４）＋第４ベタ層Ｂ４の厚み（ｆ４）＋第３樹脂絶縁層３５０Ｆの厚み（ｄ４）である。インピーダンス配線４５８ｉと３層上層の第３ベタ層Ｂ３との間の絶縁距離Ｄ７０と、インピーダンス配線４５８ｉと２層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０とは近似化が図られている。これにより、高速信号用のインピーダンス配線４５８ｉはインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減されている。
【００１８】
[第１実施形態の第１改変例]
図２（Ｂ）は第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図である。
第１高密度ビルドアップ層７０Ｆの第１導体層１７８Ｆに第１ベタ層１７８Ｂ（Ｂ１）が形成され、第２導体層２７８Ｆに第２ベタ層２７８Ｂ（Ｂ２）が形成され、第３導体層３７８Ｆに第３ベタ層３７８Ｂ（Ｂ３）が形成されている。第１低密度ビルドアップ層５０Ｆの第３導体層３５８Ｆに第４ベタ層３５８Ｂ（Ｂ４）が形成され、第４導体層４５８Ｆに第６ベタ層４５８Ｂ（Ｂ６）が形成されている。
【００１９】
第６ベタ層Ｂ６には開口Ｂ６ｈが形成され、開口Ｂ６ｈ内にインピーダンス配線４５８ｉが形成されている。インピーダンス配線４５８ｉは高速信号用のインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減されている。インピーダンス配線４５８ｉ及び第６ベタ層Ｂ６の厚みｆ６は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍである。インピーダンス配線４５８ｉ及び第６ベタ層Ｂ６の上層の第１導体層１７８Ｆとの間の第１樹脂絶縁層１７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ６は５μｍ〜１０μｍで、ここでは６μｍである。第１高密度ビルドアップ層７０Ｆ内に設けられる第１ベタ層Ｂ１の厚みｆ１は２．５μｍで、第１ベタ層Ｂ１上の第２樹脂絶縁層２７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ１は７．５μｍである。第１ベタ層Ｂ１には、下層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ１ｈが形成されている。第２ベタ層Ｂ２にも２層下層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ２ｈが形成されている。第２ベタ層Ｂ２の厚み、第２ベタ層上の第３樹脂絶縁層３７０Ｆの厚み（絶縁距離）は、第１ベタ層Ｂ１の厚み、第１ベタ層上の絶縁距離とほぼ等しい。
【００２０】
第１低密度ビルドアップ層５０Ｆ内に設けられる第４ベタ層Ｂ４の厚みｆ４は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍで、第４ベタ層Ｂ４上の第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ４は６〜１５μｍで、ここでは１２μｍである。
【００２１】
インピーダンス配線４５８ｉの上層の第１ベタ層Ｂ１に開口Ｂ１ｈが設けられ、第２ベタ層Ｂ２に開口Ｂ２ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉと３層上層の第３ベタ層Ｂ３との間の絶縁距離Ｄ７０は、第３樹脂絶縁層３７０Ｆの厚み（ｄ１）＋第２樹脂絶縁層２７０の厚み（ｄ１）＋第２ベタ層の厚み（ｆ１）＋第１ベタ層の厚み（ｆ１）＋第１樹脂絶縁層１７Ｆの厚み（ｄ６）である。一方、インピーダンス配線４５８ｉと１層下層の第４ベタ層Ｂ４との間の絶縁距離Ｄ５０は、第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（ｄ４）である。インピーダンス配線４５８ｉと３層上層の第３ベタ層Ｂ３との間の絶縁距離Ｄ７０と、インピーダンス配線４５８ｉと１層下層の第４ベタ層Ｂ４との間の絶縁距離Ｄ５０とは近似化が図られている。これにより、高速信号用のインピーダンス配線４５８ｉはインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減される。
【００２２】
[第１実施形態の第２改変例]
図３（Ａ）は第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図である。
第１高密度ビルドアップ層７０Ｆの第１導体層１７８Ｆに第１ベタ層１７８Ｂ（Ｂ１）が形成され、第２導体層２７８Ｆに第２ベタ層２７８Ｂ（Ｂ２）が形成される。第１低密度ビルドアップ層５０Ｆの第３導体層３５８Ｆに第４ベタ層３５８Ｂ（Ｂ４）が形成され、第２導体層２５８Ｆに第５ベタ層２５８Ｂ（Ｂ５）が形成され、第４導体層４５８Ｆに第６ベタ層４５８Ｂ（Ｂ６）が形成されている。
【００２３】
第６ベタ層Ｂ６には開口Ｂ６ｈが形成され、開口Ｂ６ｈ内にインピーダンス配線４５８ｉが形成されている。インピーダンス配線４５８ｉは高速信号用のインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減されている。インピーダンス配線４５８ｉ及び第６ベタ層Ｂ６の厚みｆ６は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍである。インピーダンス配線４５８ｉ及び第６ベタ層Ｂ６の上層の第１導体層１７８Ｆとの間の第１樹脂絶縁層１７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ６は５μｍ〜１０μｍで、ここでは６μｍである。第１高密度ビルドアップ層７０Ｆ内に設けられる第１ベタ層Ｂ１の厚みｆ１は２．５μｍで、第１ベタ層Ｂ１上の第２樹脂絶縁層２７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ１は７．５μｍである。第１ベタ層Ｂ１には、下層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ１ｈが形成されている。
【００２４】
第１低密度ビルドアップ層５０Ｆ内に設けられる第４ベタ層Ｂ４の厚みｆ４は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍで、第４ベタ層Ｂ４上の第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ４は６〜１５μｍで、ここでは１０μｍである。第４ベタ層Ｂ４にも、上層のインピーダンス配線４５８ｉに沿って開口Ｂ４ｈが形成されている。第４ベタ層Ｂ４の下層に設けられる第５ベタ層Ｂ５の厚み、第５ベタ層上の第３樹脂絶縁層３５０Ｆの厚み（絶縁距離）は、第４ベタ層Ｂ４の厚み、第４ベタ層上の絶縁距離とほぼ等しい。
【００２５】
インピーダンス配線４５８ｉの上層の第１ベタ層Ｂ１に開口Ｂ１ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉと２層上層の第２ベタ層Ｂ２との間の絶縁距離Ｄ７０は、第２樹脂絶縁層２７０の厚み（ｄ１）＋第１ベタ層の厚み（ｆ１）＋第１樹脂絶縁層１７０Ｆの厚み（ｄ６）である。一方、インピーダンス配線４５８ｉの下層の第４ベタ層Ｂ４に開口Ｂ４ｈが設けられる。インピーダンス配線４５８ｉと２層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０は、第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（ｄ４）＋第４ベタ層Ｂ４の厚み（ｆ４）＋第３樹脂絶縁層３５０Ｆの厚み（ｄ４）である。インピーダンス配線４５８ｉと２層上層の第２ベタ層Ｂ２との間の絶縁距離Ｄ７０と、インピーダンス配線４５８ｉと２層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０とは近似化が図られている。これにより、高速信号用のインピーダンス配線４５８ｉはインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減される。
【００２６】
[第１実施形態の第３改変例]
図３（Ｂ）は第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の断面図である。
第１高密度ビルドアップ層７０Ｆの第１導体層１７８Ｆに第１ベタ層１７８Ｂ（Ｂ１）が形成される。第１低密度ビルドアップ層５０Ｆの第３導体層３５８Ｆに第４ベタ層３５８Ｂ（Ｂ４）が形成され、第２導体層２５８Ｆに第５ベタ層２５８Ｂ（Ｂ５）が形成され、第４導体層４５８Ｆに第６ベタ層４５８Ｂ（Ｂ６）が形成されている。
【００２７】
第４ベタ層Ｂ４には開口Ｂ４ｈが形成される。第４ベタ層Ｂ４の開口Ｂ４ｈ内にインピーダンス配線３５８ｉが形成されている。インピーダンス配線３５８ｉは高速信号用のインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減されている。インピーダンス配線３５８ｉ及び第４ベタ層Ｂ４の厚みｆ４は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍで、第４ベタ層Ｂ４上の第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ４は６〜１５μｍで、ここでは１０μｍである。第６ベタ層Ｂ６の上層の第１導体層１７８Ｆとの間の第１樹脂絶縁層１７０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ６は５μｍ〜１０μｍで、ここでは６μｍである。第６ベタ層Ｂ６の厚みｆ６は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍである。
【００２８】
第１低密度ビルドアップ層５０Ｆ内に設けられる第４ベタ層Ｂ４の厚みｆ４は３μｍ〜１６μｍで、ここでは、４μｍで、第４ベタ層Ｂ４上の第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ４は６〜１５μｍで、ここでは１０μｍである。第４ベタ層Ｂ４にインピーダンス配線３５８ｉに沿って開口Ｂ４ｈが形成されている。第４ベタ層Ｂ４の下層に設けられる第５ベタ層Ｂ５上の第３樹脂絶縁層３５０Ｆの厚み（絶縁距離）ｄ５は、第４ベタ層上の絶縁距離ｄ４とほぼ等しい。
【００２９】
インピーダンス配線３５８ｉの上層の第６ベタ層Ｂ６に開口Ｂ６ｈが設けられる。インピーダンス配線３５８ｉと２層上層の第１ベタ層Ｂ１との間の絶縁距離Ｄ７０は、第１樹脂絶縁層１７Ｆの厚み（ｄ６）＋第６ベタ層Ｂ６の厚み（ｆ６）＋第４樹脂絶縁層４５０Ｆの厚み（ｄ４）である。一方、インピーダンス配線３５８ｉと１層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０は、第３樹脂絶縁層３５０Ｆの厚み（ｄ５）である。インピーダンス配線３５８ｉと２層上層の第１ベタ層Ｂ１との間の絶縁距離Ｄ７０と、インピーダンス配線３５８ｉと１層下層の第５ベタ層Ｂ５との間の絶縁距離Ｄ５０とは近似化が図られている。これにより、高速信号用のインピーダンス配線３５８ｉはインピーダンス整合が図られ、コンダクティブ損失が低減される。
【符号の説明】
【００３０】
５０Ｆ  第１低密度ビルドアップ層
７０Ｆ  第１高密度ビルドアップ層
１７０Ｆ  第１樹脂絶縁層
１７８Ｆ  第１導体層
１７８Ｂ  第１ベタ層
２５８Ｆ    第２導体層
２５８Ｂ  第５ベタ層
２７０Ｆ  第２樹脂絶縁層
２７８Ｆ  第２導体層
２７８Ｂ  第２ベタ層
３５０Ｆ  第３樹脂絶縁層
３５８Ｂ  第４ベタ層
４５０  第４樹脂絶縁層
４５８Ｂ  第６ベタ層
【図１】
2019075398.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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