(57)【要約】【課題】配線などに供する導電率の高い柔軟な薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料を提供する。【解決手段】ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、アニオンからなるドーパントおよび金属ナノ粒子を少なくとも含む複合体材料からなり、その複合材料の膜厚を０．１μｍ以上１０μｍ以下とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、アニオンからなるドーパントおよび金属ナノ粒子を少なくとも含む複合体材料からなり、
前記複合体材料の膜厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下である、薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
【請求項２】
前記金属ナノ粒子の少なくとも一部が前記ＰＥＤＯＴの表面に偏在して露出している、請求項１記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
【請求項３】
前記アニオンからなるドーパントは、プロトン酸イオン、ハロゲン化物イオン、ルイス酸イオン、遷移金属ハロゲン化物イオンの群から選ばれる１以上である、請求項１または２記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
【請求項４】
前記アニオンからなるドーパントは、ＢＦ４−、Ｉ−、ＮＯ３−、Ｃｌ−、ＳＯ４２−、Ｃｌ４−、Ｆ−、Ｂｒ−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＦｅＣｌ４−、ＭｏＣｌ６−、ＳＯ３−の群から選ばれる１以上である、請求項１または２記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
【請求項５】
前記金属ナノ粒子は、金、白金、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、銀、銅、ニッケル、鉄、クロム、亜鉛、カドミウム、テルル、スズ、鉛の群から選ばれる１以上である、請求項１から４のいずれかに記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
【請求項６】
前記複合体材料の膜厚が０．１μｍ以上３μｍ以下である、請求項１から５のいずれかに記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料に関し、より具体的には、導電率の高い薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複雑な曲面上に這わせた配線、柔軟な基板上の配線および激しい屈曲、伸縮動作に耐えうる配線などのいわゆるフレキシブル配線の需要が、装置の高度化、ウェアラブル機器への搭載、ロボット動作の高度化などから高まっている。
例えば、折り曲げや巻取りが可能なフレキシブルエレクトロニクスデバイスは、市場の拡大や新規用途の創出、生産効率の向上が期待できることから需要が高まっているが、そこでの要の技術がフレキシブル配線になっている。
【０００３】
フレキシブル配線は、従来から配線に要求されている導電性、基板との密着性、生産性に加え、柔軟性や屈曲、伸縮耐性などが要求される。また、近年の機器高度化、低コスト化要求に応えるため、ミクロンレベルの微細配線への適用性も必要になっている。
【０００４】
配線材料として多用されている金属は、導電性に優れるが、フレキシブル配線材料としては、一般的に、柔軟性や屈曲、伸縮耐性に難点がある。
柔軟な導電性を有する材料としては、ポリピロール（ＰＰｙ）などの導電性ポリマーが知られているが、一般的に、導電性ポリマーは配線材料としての高い導電性を確保することが困難である。
【０００５】
柔軟な導電性材料としては、導電性ポリマーと金属からなる導電性ポリマー・金属複合体があり、導電性ポリマー・金属複合体として主にＰＰｙ・Ａｇ複合体に関して、Ｓｉ貫通電極などへの適用が検討されている（特許文献１および２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１３／０１８７３２Ａ１
【特許文献２】国際公開ＷＯ２０１４／０６５２４２Ａ１
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】「ビルド・アップ工法に適した無電解銅メッキ浴」橋本滋雄他、ファインプレーティング、Ｎｏ．５５、５１〜５８頁（１９９９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
導電性ポリマー・金属複合体は、柔軟性と基板密着性を有するものの、フレキシブル配線としては導電率（電気伝導率）が低いという問題があった。
本発明の課題は、導電率が高く、フレキシブル配線に適用可能なミクロンレベルの微細化対応の薄膜用導電材料、具体的には導電性ポリマー・金属複合体材料を提供することである。目標とする導電率は１０５Ω−１・ｃｍ−１以上である。ちなみに、メッキ法による銅（Ｃｕ）の導電率は非特許文献１によると約６×１０５Ω−１・ｃｍ−１であるので、金属と同じ桁の導電率が目標である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の構成を下記に示す。
（構成１）
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、アニオンからなるドーパントおよび金属ナノ粒子を少なくとも含む複合体材料からなり、
前記複合体材料の膜厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下である、薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
（構成２）
前記金属ナノ粒子の少なくとも一部が前記ＰＥＤＯＴの表面に偏在して露出している、構成１記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
（構成３）
前記アニオンからなるドーパントは、プロトン酸イオン、ハロゲン化物イオン、ルイス酸イオン、遷移金属ハロゲン化物イオンの群から選ばれる１以上である、構成１または２記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
（構成４）
前記アニオンからなるドーパントは、ＢＦ４−、Ｉ−、ＮＯ３−、Ｃｌ−、ＳＯ４２−、Ｃｌ４−、Ｆ−、Ｂｒ−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＦｅＣｌ４−、ＭｏＣｌ６−、ＳＯ３−の群から選ばれる１以上である、構成１または２記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
（構成５）
前記金属ナノ粒子は、金、白金、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、銀、銅、ニッケル、鉄、クロム、亜鉛、カドミウム、テルル、スズ、鉛の群から選ばれる１以上である、構成１から４のいずれかに記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
（構成６）
前記複合体材料の膜厚が０．１μｍ以上３μｍ以下である、構成１から５のいずれかに記載の薄膜用導電性ポリマー・金属複合体材料。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、１０５Ω−１・ｃｍ−１以上の高い導電率と高い屈曲耐性を有するフレキシブル配線に適用可能なミクロンレベルの微細化対応の薄膜用導電材料が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の導電性ポリマー・金属複合体の構造を示す概念図。
【図２】作製した導電性ポリマー・金属複合体配線の上面写真。
【図３】作製した導電性ポリマー・金属複合体表面のＳＥＭ像。
【図４】屈曲耐久試験の結果を示す特性図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１．材料
本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とアニオンからなるドーパントと金属ナノ粒子を少なくとも含む複合体材料からなる。そして、その複合体材料の膜厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする。
ここで、ＰＥＤＯＴは式（Ａ１）で表される。
【００１３】
【化１】
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【００１４】
アニオンからなるドーパントは、プロトン酸イオン、ハロゲン化物イオン、ルイス酸イオン、遷移金属ハロゲン化物イオンの群から選ばれる１以上であり、例えば、四フッ化ホウ素イオン（ＢＦ４−）、ヨウ素イオン（Ｉ−）、硝酸イオン（ＮＯ３−）、塩素イオン（Ｃｌ−）、硫酸イオン（ＳＯ４２−）、四塩素イオン（Ｃｌ４−）、フッ素イオン（Ｆ−）、臭素イオン（Ｂｒ−）、六フッ化リンイオン（ＰＦ６−）、六フッ化ヒ素イオン（ＡｓＦ６−）、四塩化鉄イオン（ＦｅＣｌ４−）、六塩化モリブデンイオン（ＭｏＣｌ６−）、三酸化硫黄イオン（ＳＯ３−）の群から選ばれる１以上を挙げることができる。この中で、高い導電性を得るという観点からはＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−が好ましい。但し、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−は潮解性をもつため、取扱いに当たってはその注意を払う必要がある。
【００１５】
また、金属ナノ粒子としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、テルル（Ｔｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）の群から選ばれる１以上を挙げることができる。この中で、高い導電性を得るという観点からは銀が好ましい。
【００１６】
また、ＰＥＤＯＴとアニオンからなるドーパントと金属ナノ粒子の構成比率は、モル比率で表して、ＰＥＤＯＴ：ドーパント＝１：４〜３：２、ＰＥＤＯＴ：金属ナノ粒子＝１：５〜３：５とすることが好ましい。
【００１７】
２．形成プロセス
上記導電性ポリマー・金属複合体材料を作るための原材料として、３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）と、上記アニオンからなるドーパントと金属ナノ粒子の基となる金属からなる金属塩、例えば、ＡｇＢＦ４、ＡｇＮＯ３あるいはＣｕＣｌ２などを用いる。ここで、ＥＤＯＴは式（Ａ２）で表される。
【００１８】
【化２】
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【００１９】
ここで、原材料として、金属塩の代わりに上記の金属とアニオンからなるドーパントを各々別として用いてもよい。原材料として金属塩を用いると、一般に、取扱いが容易になるという長所があり、金属とドーパントを別々に用いるとＥＤＯＴ、金属およびドーパントの量を細かく調整できるという長所がある。
【００２０】
上記ＥＤＯＴと金属塩に溶媒を加えた溶液を塗布液として用いる。そこには、必要に応じてストライエーション防止や塗膜均一性向上のための揮発速度調整剤、界面張力調整剤、粘度調整剤などを加えてもよい。ここで、溶媒としては、アセトニトリル、エタノール、水などの極性溶媒を用いることができる。
【００２１】
ＥＤＯＴと金属塩とのモル比率は、例えば金属塩としてＡｇＢＦ４を用いた場合、ＥＤＯＴ：ＡｇＢＦ４＝０．２：１．０〜０．６：１．０とすることが好ましい。
【００２２】
この溶液を基材に塗布した後、金属イオンを還元可能なエネルギーレベルに電子を励起するのに必要なエネルギーを外部から供給する。外部からエネルギーを与えることによって、導電性ポリマー・金属複合体材料の導電率が大幅に高くなる。
【００２３】
基材は、特に制約はなく、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの半導体基板、石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラスなどのガラス基板、金属や半導体の上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜が形成された積層基板、ＡＢＳ樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）、シリコーンゴム、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）などの柔軟基板などを用いることができる。なお、ガラス基板を用いた場合などで密着性が不足するときは、基板表面をブラスト処理などにより粗面化しておくことが有効である。
【００２４】
外部からエネルギーを与える方法としては、光照射、音波照射、熱処理などを挙げることができる。これらの方法は、単独でもよいし、これらのうちの複数を組み合わせてもよい。
【００２５】
これらの中で、光照射は、用いる基材に耐熱性がない場合などでも使用でき、かつ強力なエネルギーを集光して所定の場所に与えることができるので、効率的にも優れる方法である。
光照射では、波長３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍなどのＵＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を好んで用いることができるが、より波長の長い光を用いることもできる。波長２４８ｎｍなどのＤＵＶ（Ｄｅｅｐ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光や波長１９３ｎｍのＶＵＶ（Ｖａｃｕｕｍ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光も用いることができるが、これらの光はポリマーを分解する性質も併せもつので、ＵＶ光の方が好ましい。
光照射の光源としては、超高圧水銀ランプなどのランプ、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、窒素レーザーなどのレーザーなどを用いることができる。
光照射に当たっては、ファイバーによる導光や、レンズ、反射鏡による集光、フライアイレンズによる照射面内光強度均一化などを行うことも有効である。
【００２６】
また、光照射に当たっては、光強度が導電性ポリマー・金属複合体材料の導電率を高くする上で重要であり、例えば、光源として超高圧水銀ランプ、原材料としてＥＤＯＴとＡｇＢＦ４を用いた場合は、光照射強度を７０ｍＷ・ｃｍ−２以上１６０ｍＷ・ｃｍ−２以下とするのが好ましい。光照射時間と積算光量は適宜決めればよい。例えば、光照射時間としては０．５分以上２４０分以下を挙げることができる。また、積算光量としては、2Ｊ・ｃｍ−２以上３ｋＪ・ｃｍ−２以下を挙げることができる
【００２７】
塗布法としては、インクジェット法、キャスト法、スピンコート法、ディップ引き上げ法などを挙げることができる。この中で、インクジェット法は、所望の配線パターンを描くことができるので好ましい。キャスト法、スピンコート法、ディップ引き上げ法などでは、塗布後にリソグラフィとエッチングを行って所望の配線パターンを作製することができる。また、基材に型を予め形成しておいて本導電性ポリマー・金属複合体材料を流しこんで所望の配線パターンを作製したり、基材に疎水性、親水性領域を作りこんでおいて表面張力を活かして所望の配線パターンを作製したりすることもできる。
【００２８】
なお、本導電性ポリマー・金属複合体材料の適用は配線に限るものではない。
例えば、電気的シールド材としての活用がある。すなわち、電子機器の外壁部全面に本導電性ポリマー・金属複合体材料を塗布することにより、電気的に外部とシールドすることが可能となる。この外壁は複雑な曲面をもっていても、柔軟に変形するものでも構わないという特徴がある。導電率が高いことから十分なシールド効果も得られる。シールド線のシールド材としての適用も可能である。本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料は十分な柔軟性を有するため、この導電性ポリマー・金属複合体材料で被覆されたシールド線は曲げ伸ばしに対して十分な耐久性がある。なお、このような被覆には、キャスト法やディップ法による塗布形成が適している。
【００２９】
塗布膜形成においては膜厚が重要であり、膜厚を０．１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下とすることにより高い導電率を得ることができる。また、１μｍを超えた膜厚にすると、導電率が安定する効果がある。
【００３０】
また、塗布膜形成においては、熱処理を加えておくと溶媒が十分に除去され、膜厚と導電率が安定するため好ましい。熱処理の温度としては、用いた基材やＥＤＯＴにダメージを与えない温度を上限とし、下限は溶媒が揮発しやすくなる温度とする。但し、熱処理を加えなくても時間をかければ溶媒は除去され、膜厚が安定するので、熱処理は必須ではない。
【００３１】
３．構造
実施例で根拠を示すが、図１にその構造の概略を示すように、本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料１０１は、ＰＥＤＯＴを主体としたポリマー１の表面に金属ナノ粒子２が比較的均一かつ稠密に偏在している構造をもつ。
【００３２】
ナノスケールの金属微粒子が外側を被覆し、柔軟なポリマーが分散している構造のため、本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料１０１は、十分な柔軟性と機械的な屈曲耐性を有する。すなわち、ポリマーは、単体で伸縮性のある柔軟性をもち、かつ集合としてもポリマー同士の絡みが各所であるため、導電性ポリマー・金属複合体材料１０１は屈曲耐性に優れる。
【００３３】
また、均一かつ稠密にポリマー表面に偏在している金属ナノ粒子と、一部導電性ポリマーであるＰＥＤＯＴを伝わって電流が流れるので、導電性ポリマー・金属複合体材料１０１は導電性も優れたものとなる。
この金属ナノ粒子２の偏在の構造は、導電性ポリマー・金属複合体の膜厚が薄い１０μｍ以下で顕著化するので、導電性ポリマー・金属複合体の膜厚を１０μｍ以下とすることにより、高い導電性を得ることが可能となる。一方、導電性ポリマー・金属複合体の膜厚が０．１μｍを下回ると、ポリマーの数が少なくなり、ポリマー同士の絡み、それに伴う金属ナノ粒子２同士の接触も少なくなって導電率が下がる。また、１μｍを超えた膜厚にすると導電率が安定する効果がある。
【実施例】
【００３４】
最初に、ＥＤＯＴ（和光純薬製）とＡｇＢＦ４（ＴＣＩ製）および溶媒としてのアセトニトリル（ＣＨ３ＣＮ、関東化学製）からなる塗布液を導電性ポリマー・金属複合体の原材料として準備した。ここで、ＥＤＯＴの量を０．５ｍｏｌ／Ｌ、ＡｇＢＦ４を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、アセトニトリルの量は塗布膜が下記に示す膜厚になるように調整して、室温で調製した。
【００３５】
そして、この塗布液を基材の上に滴下して親撥分離法により塗布膜パターンを形成した。ここで、基材としてはポリイミドフィルムを用い、親撥分離にあたっては、基材上の塗布膜パターン形成領域にオゾン処理を施した。塗布膜パターンはその領域の上に形成される。塗布液の滴下量は３．３６〜６．７２μＬとした。
試作した塗布膜パターンの例を図２に平面図として示す。配線の幅Ｗは約１．０ｍｍで、長さは約３０ｍｍである。
【００３６】
その後、塗布膜に対して超高圧水銀ランプの紫外線をコリメータレンズと反射鏡を介して２分間照射した。超高圧水銀ランプは、主に波長３６５ｎｍのｉ線、４０５ｎｍのｈ線、４３６ｎｍのｇ線からなる輝線を発する。塗布膜面上の照射強度は１３５ｍＷ・ｃｍ−２とした。そのときの面内の照度ムラは±１０％以内である。これにより、導電性ポリマー・金属複合体材料からなる配線を形成した。
配線の膜厚Ｔは２．９μｍである。また、膜厚を変えた比較例として、塗布液の量のみを変えて同様の工程で配線の膜厚Ｔを２４．５μｍとした配線も作製した。ここで、膜厚は接触式表面粗さ計（ＤＥＫＴＡＫ製）で測定した。
【００３７】
作製された配線の導電率を測定したところ、配線膜厚Ｔが２．９μｍの薄膜としたときは２．１×１０５Ω・ｃｍ−２が得られた。一方で、配線膜厚Ｔを２４．５μｍとした比較例では、１．４×１０４Ω・ｃｍ−２と桁違いに小さな値となった。
ここで、導電率の測定はプローブ接触式抵抗測定法により行い、測定器としては７４６１Ａ（ＡＤＣＭＴ製）を用いた。
【００３８】
金属銀のみの導電率は６．３×１０５Ω・ｃｍ−２である。フレキシブルな（柔軟性をもつ）本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料で、かつ薄膜化することにより、金属銀と同じ桁の高い導電率が得られることが実証された。
【００３９】
一般には、導電率は、配線の膜厚に依存しないか、あるいは膜厚を薄くするほど低下することが多い。膜厚が薄くなるほど配線界面の比率が高まるが、界面に酸化が起たり、界面の粒塊が影響すると一般には導電率は低下する。配線の薄膜化により導電率が高まることは特異であり、しかも本発明での導電率の向上は際立って大きい。
【００４０】
配線膜厚Ｔを２．９μｍの薄膜としたときの配線の抵抗は、膜厚Ｔを２４．５μｍとしたときの配線の抵抗の約５６％と大変低いものとなる。薄膜化することで配線としての抵抗を大変低く、言い換えれば導電率を大変高くすることができる。薄膜化によりこれほど抵抗を下げられることは特異である。また、配線の薄膜化は適用デバイスの微細化にも有効である。
【００４１】
次に、本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料の分析を行った。
最初に、作製した塗布形成膜（導電性ポリマー・金属複合体膜）の表面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。その結果を図３に示す。ここで、ＳＥＭとしてはＳＵ−４８００（（株）日立ハイテクノロジーズ製）を用い、５０００倍の倍率で観察した。
粒状の揃った銀と思われる微粒子が、比較的稠密且つ均一に表面上に形成されていることが分かる。
【００４２】
次に、この表面をＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）にて組成分析した。ここで、ＥＤＳとしてＥＭＡＸ  ＥＮＥＲＧＹ  ＥＸ−２２０（（株）堀場製作所）を用いた。その結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
塗布膜表面には銀（Ａｇ）が７１．９８原子％存在する一方で、ＰＥＤＯＴからなるポリマーの構成要素である硫黄（Ｓ）は３．１６原子％に留まっている。
【００４５】
この塗布膜の原材料においては、ＡｇＭＦ４とＥＤＯＴのモル比率を２：１としている。ＡｇＭＦ４１分子につきＡｇは１原子であり、ＥＤＯＴ１分子につきＳは１原子であることから、塗布膜全体としてはＡｇとＳの原子数比は２：１と見積もられる。この比率は、表面のＡｇが７１．９８原子％、Ｓが３．１６原子％とは大幅に異なった値になっている。
以上のことから、本発明の導電性ポリマー・金属複合体は、金属ナノ粒子がＰＥＤＯＴからなるポリマーの表面に偏在して露出していることが示された。
【００４６】
次に、本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料の柔軟特性を屈曲耐性試験により評価した。この評価に当たっては、基材として柔軟なポリイミドを用い、導電性ポリマー・金属複合体パターン（塗布膜）を上述と同様のプロセスにて作製した。
試験評価結果を図４に示す。屈曲回数１０万回の試験において、抵抗値の変化は１０倍以内であり、本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料は十分な屈曲耐性があることが示された。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、１０５Ω−１・ｃｍ−１以上の高い導電率と高い屈曲耐性を有するフレキシブル配線に適用可能なミクロンレベルの微細化対応の薄膜用導電材料が提供される。
本発明の導電性ポリマー・金属複合体材料は、柔軟基板を用いたデバイス、ウェアラブル機器、高度動作が可能なロボットなどのフレキシブル配線に使用されることが期待される。
【符号の説明】
【００４８】
１：ポリマー
２：金属ナノ粒子
１０１：導電性ポリマー・金属複合体材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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