(57)【要約】【課題】被加熱物によって異なる加熱の制御条件を適切に設定し、処理後の被加熱物の品質の低下を抑えることのできる高周波加熱システムを提供する。【解決手段】高周波加熱システムの一例である高周波解凍装置１００は、上部電極１ａおよび下部電極１ｂ（電極板）と、高周波電源２と、整合回路３と、読取部（判別部）４と、メモリ（記憶部）５と、制御回路（制御部）６と、可動部７（位置変更機構）とを備えている。整合回路３は、可変コンデンサ（可変リアクタンス素子）を有する。可動部７は、上部電極１ａの位置を変更する。読取部４は、被加熱物の種類を判別する。メモリ５は、被加熱物の種類と、各被加熱物を加熱するときの制御情報とを対応付けて記憶している。制御回路６は、メモリ５内の制御情報に基づいて、整合回路３および可動部７の少なくとも何れかを制御する。【選択図】図２
2019046727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極板と、
前記電極板に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記電極板と前記高周波電源との間に接続されており、可変リアクタンス素子を有する整合回路と、
前記電極板の位置を変更する位置変更機構と、
被加熱物を判別する判別部と、
前記被加熱物と該被加熱物を加熱するときの制御情報とを対応付けて記憶している記憶部と、
前記判別部によって判別された被加熱物に対応する前記制御情報に基づいて、前記整合回路および前記位置変更機構の少なくとも何れかを制御する制御部と
を備えている高周波加熱システム。
【請求項２】
前記記憶部は、被加熱物を加熱するときの前記電極板の位置に関する情報を前記制御情報として記憶し、
前記制御部は、前記判別部によって判別された被加熱物に対応する前記電極板の位置に関する情報に基づいて、前記位置変更機構を制御して前記電極板の位置を変更させる、
請求項１に記載の高周波加熱システム。
【請求項３】
前記可変リアクタンス素子は、複数の可変コンデンサおよび少なくとも一つのコイルを含み、
前記記憶部は、被加熱物を加熱するときの前記複数の可変コンデンサの容量を前記制御情報として記憶し、
前記制御部は、前記複数の可変コンデンサの容量が、前記判別部によって判別された被加熱物に対応する前記複数の可変コンデンサの容量となるように、前記整合回路を制御する、
請求項１または２に記載の高周波加熱システム。
【請求項４】
前記可変リアクタンス素子は、異なるインダクタンス値に切り替え可能な複数のコイルを含み、
前記記憶部は、被加熱物を加熱するときの前記複数のコイルのインダクタンス値を前記制御情報としてさらに記憶する、
請求項３に記載の高周波加熱システム。
【請求項５】
被加熱物の加熱状態を識別する状態識別部をさらに有し、
前記記憶部は、前記加熱状態ごとに前記制御情報を記憶し、
前記制御部は、前記状態識別部で識別された加熱状態に対応する前記制御情報に基づいて、前記整合回路および前記位置変更機構の少なくとも何れかを制御する、請求項１から４の何れか１項に記載の高周波加熱システム。
【請求項６】
前記状態識別部で識別される前記加熱状態は、
被加熱物が解凍途中であり、かつ温度上昇中の状態、
被加熱物が潜熱帯でその温度上昇が略止まった状態、および、
被加熱物が解凍後であり、かつ温度上昇中の状態
の何れかである、請求項５に記載の高周波加熱システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、食品などに高周波電界を印加して、加熱処理、解凍処理などを行う高周波加熱システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンビニエンスストアなどの店舗には、購入した冷凍食品を購入者または店員が解凍（加熱）するために、電子レンジや高周波加熱装置が設置されている。この場合、被解凍物（被加熱物）毎に異なる加熱装置の制御条件を、購入者または店員が設定することは困難である。そのため、加熱装置側で自動設定をすることが望まれている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、食材に付されたバーコードをバーコードリーダで読み取り、読み取られた情報に基づき食材に対応する調理時間を決定し、決定された調理時間に亘って電子レンジのレンジ駆動部を駆動する電子レンジ（食品加熱調理装置）が開示されている。
【０００４】
また、高周波加熱装置では、２つの電極間に高周波高電圧を印加し、その間に誘電体である被解凍物（被加熱物）を挟んで誘電加熱が行われる。このような高周波加熱装置では、短時間で効率良く被解凍物（被加熱物）を加熱できるように、電極と被解凍物（被加熱物）との空隙を小さくすることが望まれる。
【０００５】
電極と被解凍物（被加熱物）との空隙を小さくする方法として、特許文献２には、高周波加熱装置に電極昇降手段を設けることが提案されている。特許文献２の高周波加熱装置では、赤外線センサが食材の高さを検出し、検出された食材の高さに基づいて電極昇降手段が電極の高さを設定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９-３２９３３９号公報
【特許文献２】特開２００５−１５８３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
誘電加熱方式を用いる高周波加熱装置では、解凍（加熱）する対象物によって、最適な電極板の高さ、出力、整合回路のリアクタンス成分（キャパシタンス値およびインダクタンス値）、駆動時間がそれぞれ違っている。したがって、各対象物を適切に加熱するためには、それぞれの因子を総合的に制御することが望まれる。
【０００８】
しかし、特許文献１に開示された食品加熱調理装置は、駆動時間の制御のみが行われる。この制御方法を高周波加熱装置に適用すると、高品質な加熱（解凍）ができず、過加熱や加熱不足、加熱ムラが発生してしまう恐れがある。
【０００９】
また、電極板の高さを決定する方法として特許文献２のような方法を用いると、被解凍物（被加熱物）の高さを検出するセンサが必要となる。また、被解凍物（被加熱物）の大きさや形状によってはセンサが誤検出をし、過加熱や加熱不足、加熱ムラなどが発生してしまう恐れがある。
【００１０】
特に、市場に冷凍流通している食材で、加熱調理をせずに解凍後すぐに食されるような食材（例えば、刺身など）を解凍する際には、過加熱や加熱不足、加熱ムラなどを発生させないように解凍することが求められる。
【００１１】
そこで、本発明では、被加熱物（被解凍物）によって異なる加熱の制御条件を適切に設定し、処理後の被加熱物の品質の低下を抑えることのできる高周波加熱システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一局面にかかる高周波加熱システムは、電極板と、前記電極板に高周波電力を供給する高周波電源と、前記電極板と前記高周波電源との間に接続されており、可変リアクタンス素子を有する整合回路と、前記電極板の位置を変更する位置変更機構と、被加熱物を判別する判別部と、前記被加熱物と該被加熱物を加熱するときの制御情報とを対応付けて記憶している記憶部と、前記判別部によって判別された被加熱物に対応する前記制御情報に基づいて、前記整合回路および前記位置変更機構の少なくとも何れかを制御する制御部とを備えている。
【００１３】
上記の本発明の一局面にかかる高周波加熱システムにおいて、前記記憶部は、被加熱物を加熱するときの前記電極板の位置に関する情報を前記制御情報として記憶してもよい。そして、前記制御部は、前記判別部によって判別された被加熱物に対応する前記電極板の位置に関する情報に基づいて、前記位置変更機構を制御して前記電極板の位置を変更させてもよい。
【００１４】
上記の本発明の一局面にかかる高周波加熱システムにおいて、前記可変リアクタンス素子は、複数の可変コンデンサおよび少なくとも一つのコイルを含み、前記記憶部は、被加熱物を加熱するときの前記複数の可変コンデンサの容量を前記制御情報として記憶してもよい。そして、前記制御部は、前記複数の可変コンデンサの容量が、前記判別部によって判別された被加熱物に対応する前記複数の可変コンデンサの容量となるように、前記整合回路を制御してもよい。
【００１５】
また、前記可変リアクタンス素子は、異なるインダクタンス値に切り替え可能な複数のコイルを含み、前記記憶部は、被加熱物を加熱するときの前記複数のコイルのインダクタンス値を前記制御情報としてさらに記憶してもよい。
【００１６】
上記の本発明の一局面にかかる高周波加熱システムは、被加熱物の加熱状態を識別する状態識別部をさらに有していてもよい。そして、前記記憶部は、前記加熱状態ごとに前記制御情報を記憶し、前記制御部は、前記状態識別部で識別された加熱状態に対応する前記制御情報に基づいて、前記整合回路および前記位置変更機構の少なくとも何れかを制御してもよい。
【００１７】
また、前記状態識別部で識別される前記加熱状態は、（１）被加熱物が解凍途中であり、かつ温度上昇中の状態、（２）被加熱物が潜熱帯でその温度上昇が略止まった状態、および、（３）被加熱物が解凍後であり、かつ温度上昇中の状態、の何れかであってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、本発明の一局面にかかる高周波加熱システムによれば、被加熱物（被解凍物）によって異なる加熱の制御条件を適切に設定することができる。そのため、加熱処理後の被加熱物の品質の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態にかかる高周波加熱装置の外観構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す高周波加熱装置の内部構成を示す模式図である。
【図３】図１に示す高周波加熱装置内の回路構成を示す図である。
【図４】第１の実施形態にかかる高周波加熱装置のメモリに格納されているテーブルの一例を示す模式図である。
【図５】第１の実施形態にかかる高周波加熱装置のメモリに格納されているテーブルの一例を示す模式図である。
【図６】第１の実施形態にかかる高周波加熱装置のメモリに格納されているテーブルの一例を示す模式図である。
【図７】第１の実施形態にかかる高周波加熱装置において行われる処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】第１の実施形態にかかる高周波加熱装置において行われる処理の一例を示すフローチャートである。
【図９】第２および第３の実施形態にかかる高周波加熱装置の内部構成を示す模式図である。
【図１０】第２の実施形態にかかる高周波加熱装置内の回路構成を示す図である。
【図１１】第２の実施形態にかかる高周波加熱装置のメモリに格納されているテーブルの一例を示す模式図である。
【図１２】第３の実施形態にかかる高周波加熱装置内の回路構成を示す図である。
【図１３】第３の実施形態にかかる高周波加熱装置のメモリに格納されているテーブルの一例を示す模式図である。
【図１４】第４の実施形態にかかる高周波加熱システムの概要を示す模式図である。
【図１５】第４の実施形態にかかる高周波加熱システムを構成する高周波加熱装置の内部構成を示す模式図である。
【図１６】第４の実施形態にかかる高周波加熱システムを構成するサーバの内部構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００２１】
〔第１の実施形態〕
（高周波加熱装置の概略構成）
本実施形態では、本発明の高周波加熱システムの一例として、高周波加熱装置１００を例に挙げて説明する。先ず、本実施の形態にかかる高周波加熱装置１００の概略構成について、図１および図２を用いて説明する。図１には、高周波加熱装置１００の外観を示す。図２には、高周波加熱装置１００の内部構成を示す。
【００２２】
図１に示すように、高周波加熱装置１００は、主として、本体部１０１と、本体部１０１に接続された読取部４とで構成される。本実施形態では、読取部４は、高周波加熱装置１００を用いて加熱（または解凍）される被加熱物（被解凍物）８の種類、大きさなどを判別する判別部としての機能を有している。読取部４は、例えば、バーコード読み取り装置などで実現される。被加熱物８は、例えば、コンビニエンスストア、スーパーマーケットなどで販売される商品（冷凍食品、冷蔵食品）である。被加熱物８には、読取部４で読み取り可能なバーコードＡが付されている。
【００２３】
本実施形態の高周波加熱装置１００は、被加熱物８に高周波電界を印加して、被加熱物の解凍処理、加熱処理などを行う。高周波加熱装置１００は、加熱室（解凍室）９を備えている。加熱室９は、金属製の筐体で形成されている。
【００２４】
図２に示すように、加熱室９の内部には、上部電極１ａ、下部電極１ｂ、可動部（位置変更機構）７、天面プレート１０、底面プレート１１、輻射熱センサ（状態識別部）２１などが備えられている。上部電極１ａ及び下部電極１ｂは、高周波加熱装置１００の電極板を構成する。上部電極１ａと下部電極１ｂは、互いに平行になるように配置されている。上部電極１ａ、下部電極１ｂ、天面プレート１０、および底面プレート１１は、何れも平板状である。天面プレート１０は、上部電極１ａの下部に配置されている。底面プレート１１は、下部電極１ｂの上部に配置されている。
【００２５】
上部電極１ａは、天面プレート１０の上面に接着されて固定されている。また、上部電極１ａは、可動部７と連結されている。上部電極１ａは、可動部７によって加熱室９内の上方に支持されている。
【００２６】
可動部７は、配線によって制御回路６と接続されており、上部電極１ａと天面プレート１０を上下方向に移動させることができる。これにより、加熱処理時に、被加熱物８の大きさに合せて上部電極１ａの位置を変えることができる。すなわち、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔を変更することができる。このように、可動部７は、電極板（本実施形態では、上部電極１ａ）の位置（高さ）を変更する位置変更機構（高さ変更機構ともいう）として機能する。
【００２７】
上部電極１ａおよび下部電極１ｂは、配線を介して電圧印加部２０（具体的には、整合回路３）に接続されている。これにより、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に高周波電界が与えられる。
【００２８】
底面プレート１１は、加熱室９の側壁に固定されている。そして、底面プレート１１の下面に下部電極１ｂが接着されて固定されている。このように、本実施形態では、底面プレート１１および下部電極１ｂの位置は、加熱室９内で固定されている。
【００２９】
高周波加熱装置１００を用いて被加熱物８の加熱又は解凍を行う場合には、底面プレート１１上に被加熱物８を載せる。そして、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に高周波電界を与え、被加熱物８の誘電損失による誘電加熱解凍を行う。
【００３０】
なお、本実施形態では、上部電極１ａと接続されている可動部７が上部電極１ａを上下に動かすことによって、上部電極１ａの高さを変更することができる。そのため、底面プレート１１上に載置される被加熱物８の大きさに応じて、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔を変更することができる。
【００３１】
被加熱物８の大きさが比較的小さい場合には、被加熱物８と上部電極１ａとが近接するように、上部電極１ａを下方に位置させることができ、被加熱物８を効率的に加熱することができる。一方、被加熱物８の大きさが比較的大きい場合には、被加熱物８と上部電極１ａとが接触しないように、上部電極１ａを上方に位置させることができる。これにより、比較的大きな被加熱物８も効率的に加熱することができる。
【００３２】
輻射熱センサ２１は、加熱室９内の側壁に配置されている。具体的には、底面プレート１１上の被加熱物８が載置される場所の近傍であって、上部電極１ａおよび下部電極１ｂの設置領域の外側に配置されている。輻射熱センサ２１は、被加熱物８の表面温度を検出する。輻射熱センサ２１は、電圧印加部２０内の制御回路６と接続されている。制御回路６には、輻射熱センサ２１の検知結果が送信される。本実施形態では、輻射熱センサ２１によって、被加熱物８の加熱状態（解凍状態）を識別することができる。すなわち、輻射熱センサ２１は、被加熱物の加熱状態を識別する状態識別部として機能する。
【００３３】
また、図２に示すように、高周波加熱装置１００は、加熱室９の外側に、電圧印加部２０、制御回路（制御部）６、読取部４、およびメモリ５などを備えている。電圧印加部２０は、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に高周波電圧を印加する。電圧印加部２０は、主な構成部材として、高周波電源２、および整合回路３などを有している。電圧印加部２０の詳しい構成については、後述する。
【００３４】
制御回路６は、高周波加熱装置１００内の各構成部品と接続され、これらの制御を行う。例えば、制御回路６は、可動部７と接続されており、可動部７の動作を制御する。
【００３５】
また、制御回路６は、可動部７の他に、高周波電源２および整合回路３と配線を介して接続されている。制御回路６は、高周波電源２の出力および整合回路３のインピーダンスを制御することで、被加熱物８を効率的に加熱することができる。
【００３６】
また、制御回路６は、読取部４およびメモリ（記憶部）５とも配線を介して接続されている。制御回路６は、読取部４によって読み取られた被加熱物８の情報を、メモリ５に格納されているデータと照合し、被加熱物８に対する最適な制御条件を設定することで、被加熱物８を効率的に加熱することができる。
【００３７】
メモリ５は、ＲＯＭ（read only memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を含む。メモリ５は、高周波加熱装置１００の動作プログラムや設定データを記憶する。また、メモリ５は、制御回路６に接続されており、制御回路６による演算結果を一時記憶する。また、本実施形態では、メモリ５は、被加熱物８の種類と、それぞれに最適な制御条件のデータを格納する。
【００３８】
電圧印加部２０およびメモリ５は、本体部１０１内に配置されている。一方、読取部４は、本体部１０１の外側に設けられている。読取部４は、配線を介して本体部１０１（具体的には、制御回路６）と接続されている。
【００３９】
読取部４は、被加熱物８がどのようなものであるか（例えば、被加熱物８の種類、大きさなど）を識別することのできる手段である。読取部４は、例えば、バーコード読み取り装置、ＲＦタグ読み取り装置、または画像認識装置などで実現される。
【００４０】
（電圧印加部の構成）
続いて、加熱室９内の各電極に対して電圧を印加する電圧印加部２０の構成について、図２および図３を参照しながら説明する。図３は、各電極１ａおよび１ｂと高周波電源２との間の回路構成を示す回路図である。
【００４１】
電圧印加部２０は、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に高周波電圧を印加する。電圧印加部２０は、主な構成部材として、高周波電源２、整合回路３などを有している。
【００４２】
高周波電源２は、ＨＦからＶＨＦまでの帯域の周波数の電圧信号を発信する。高周波電源２から発信された電圧信号は、増幅器（図示せず）で所望の電力まで増幅される。増幅された電圧信号は、整合回路３へ送信される。
【００４３】
図３に示すように、整合回路３は、可変コンデンサ（可変リアクタンス素子）３ａおよび３ｂ、並びにコイル３ｃなどを備えている。これにより、整合回路３は、上部電極１ａと下部電極１ｂとで構成されるコンデンサのリアクタンスを相殺する。また、整合回路３は、可変コンデンサ３ａ・３ｂの値を調整することにより、整合回路３への入力インピーダンスと増幅器への出力インピーダンスとを一致させることができる。これにより、被加熱物８に効率良く高周波電界を印加することができる。
【００４４】
整合回路３の可変コンデンサ３ｂと上部電極１ａとの間には、コイル１２が配置されている。コイル１２は、整合回路３とともに、高周波加熱装置１００の回路内のインピーダンス整合を取るためのインダクタとして機能する。
【００４５】
整合回路３においてインピーダンスマッチングが施された電圧信号は、上部電極１ａと下部電極１ｂとで形成されるコンデンサへ供給される。これにより、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間には高周波電界が生じる。そして、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に載置された被加熱物８は、誘電加熱される。
【００４６】
（上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔の制御について）
続いて、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔制御について、図２から図４を参照しながら説明する。図４には、メモリ５内のデータ配列の一例（テーブル５１）を示す。
【００４７】
図４に示すテーブル５１では、被加熱物８の種類（例えば、被加熱物Ａ、被加熱物Ｂ、被加熱物Ｃ・・・）と、被加熱物８を加熱するときの制御情報の一つである電極間距離（ｍｍ）とが対応付けられている。ここで、電極間距離とは、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔である。被加熱物８の種類は、読取部４が被加熱物８に付されたバーコードなどを読み取ることで得られる識別情報に基づいて選択される。
【００４８】
さらに、図４に示すテーブル５１では、被加熱物８の解凍状態（加熱状態）ごとに、電極間距離（ｍｍ）が対応付けられている。ここで、解凍状態とは、高周波加熱装置１００において被加熱物８の加熱が開始されてから加熱が終了するまでの間の被加熱物８の解凍の程度を表すものである。
【００４９】
図４に示す例では、解凍状態１から解凍状態３という３つの解凍状態に分類されている。解凍状態１とは、被加熱物８が解凍途中であり、かつ温度上昇中の状態のことを示している。また、解凍状態２とは、被加熱物８が潜熱帯でその温度上昇が略止まった状態のことを示している。また、解凍状態３とは、被加熱物８が解凍後であり、かつ温度上昇中の状態（すなわち、被加熱物８の略全体が解凍された状態）のことを示している。
【００５０】
被加熱物８の加熱状態（解凍状態）は、例えば、輻射熱センサ２１によってリアルタイムに識別することができる。
【００５１】
以上のように、メモリ５には、被加熱物８を加熱するときの電極板の位置に関する情報が制御情報として記憶されている。この制御情報は、読取部４によって読み取られる被加熱物８の種類と対応付けて記憶されている。
【００５２】
読取部４によって、被加熱物８が図４のテーブル５１における被加熱物Ａと同種であると認識された場合、制御回路６は、メモリ５にアクセスし、テーブル５１を参照して被加熱物Ａに該当する解凍状態１、解凍状態２、および解凍状態３の制御条件を引き出す。例えば、テーブル５１の場合、引き出されるデータは、各解凍状態についてそれぞれ電極間距離１Ａ（ｍｍ）、２Ａ（ｍｍ）、３Ａ（ｍｍ）である。
【００５３】
同様に、被加熱物８が被加熱物Ｂと認識された場合は、テーブル５１を参照して、電極間距離１Ｂ（ｍｍ）、２Ｂ（ｍｍ）、３Ｂ（ｍｍ）が引き出される。
【００５４】
制御回路６は、輻射熱センサ２１が検出した現在の解凍状態に基づき、引き出されたデータと一致するように可動部７を変化させる。例えば、被加熱物８が被加熱物Ａと認識されており、さらに現在の解凍状態が解凍状態１であった場合は、電極間距離が１Ａ（ｍｍ）となるように可動部７を制御する。
【００５５】
解凍状態が進行し、解凍状態２に移行した場合は、制御回路６は、すぐさま現在の解凍状態に基づき、引き出したデータと一致するように可動部７を変化させる。例えば、被加熱物８が被加熱物Ａと認識されており、さらに現在の解凍状態が解凍状態２であった場合は、電極間距離が２Ａ（ｍｍ）となるように可動部７を制御する。同様に解凍状態３に移行した場合には、電極間距離が３Ａ（ｍｍ）となるように可動部７を制御する。
【００５６】
以上のように、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００の制御回路６は、テーブル５１を参照して、読取部４によって判別された被加熱物８の種類および現在の解凍状態に対応する電極間距離を選択する。そして、制御回路６は、選択された電極間距離となるように、可動部７を制御して上部電極１ａの位置（高さ）を変更させる。
【００５７】
（可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量の制御について）
本実施形態にかかる高周波加熱装置１００のメモリ５は、電極間距離以外の制御情報として、整合回路３内の可変リアクタンス素子（可変コンデンサ３ａおよび３ｂ）の容量を記憶している。そして、制御回路６は、メモリ５に記憶された可変リアクタンス素子（可変コンデンサ３ａおよび３ｂ）の容量に関する制御情報に基づいて、整合回路３内の可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量を制御する。
【００５８】
以下では、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量制御について、図２、図３、および図５を参照しながら説明する。図５には、メモリ５内のデータ配列の一例（テーブル５２）を示す。
【００５９】
図５に示すテーブル５２では、被加熱物８の種類（例えば、被加熱物Ａ、被加熱物Ｂ、被加熱物Ｃ・・・）と、被加熱物８を加熱するときの制御情報の一つである可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量（ｐＦ）とが対応付けられている。制御回路６が可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量（ｐＦ）を変更することにより、被加熱物８に効率良く高周波電界を印加することができる。上述したように、被加熱物８の種類は、読取部４によって読み取られた被加熱物８の識別情報に基づいて選択される。
【００６０】
図５に示す例では、解凍状態１から解凍状態３という３つの解凍状態に分類されている。この３つの解凍状態は、図４を参照しながら説明した電極間距離の制御に使用される解凍状態と同じである。
【００６１】
読取部４によって、被加熱物８が図５における被加熱物Ａと同種であると認識された場合、制御回路６は、メモリ５にアクセスし、テーブル５２を参照して被加熱物Ａに該当する解凍状態１、解凍状態２、および解凍状態３の制御条件を引き出す。例えば、テーブル５２の場合、引き出されるデータは、各解凍状態について、可変コンデンサ３ａの容量がそれぞれ１１Ａ（ｐＦ）、２１Ａ（ｐＦ）、３１Ａ（ｐＦ）であり、可変コンデンサ３ｂの容量がそれぞれ１２Ａ（ｐＦ）、２２Ａ（ｐＦ）、３２Ａ（ｐＦ）である。
【００６２】
同様に、被加熱物８が被加熱物Ｂと認識された場合は、テーブル５２を参照して、可変コンデンサ３ａの容量として、１１Ｂ（ｐＦ）、２１Ｂ（ｐＦ）、３１Ｂ（ｐＦ）がそれぞれ引き出され、可変コンデンサ３ｂの容量として１２Ｂ（ｐＦ）、２２Ｂ（ｐＦ）、３２Ｂ（ｐＦ）がそれぞれ引き出される。
【００６３】
制御回路６は、輻射熱センサ２１が検出した現在の解凍状態に基づき、引き出されたデータと一致するように可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂの容量を変化させる。例えば、被加熱物８が被加熱物Ａと認識されており、さらに現在の解凍状態が解凍状態１であった場合は、制御回路６は、可変コンデンサ３ａの容量を１１Ａ（ｐＦ）に、可変コンデンサ３ｂの容量を１２Ａ（ｐＦ）になるように制御する。
【００６４】
解凍状態が進行し、解凍状態２に移行した場合は、制御回路６は、すぐさま現在の解凍状態に基づき、引き出したデータと一致するように可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂの容量を変化させる。例えば、被加熱物８が被加熱物Ａと認識されており、さらに現在の解凍状態が解凍状態２であった場合は、制御回路６は、可変コンデンサ３ａの容量を２１Ａ（ｐＦ）に、可変コンデンサ３ｂの容量を２２Ａ（ｐＦ）になるように制御する。同様に解凍状態３に移行した場合には、可変コンデンサ３ａの容量が３１Ａ（ｐＦ）に、可変コンデンサ３ｂの容量が３２Ａ（ｐＦ）になるように制御する。
【００６５】
なお、例えば、要冷蔵食品などの非冷凍物を加熱する場合には、加熱処理を開始する段階で解凍状態３であると判別され得る。この場合には、制御回路６は、各テーブル５１および５２の解凍状態３に該当する内容を制御情報として採用する。
【００６６】
以上のように、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００の制御回路６は、テーブル５２を参照して、読取部４によって判別された被加熱物８の種類および現在の解凍状態に対応する可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量を選択する。そして、制御回路６は、整合回路３を制御して可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量が、テーブル５２で選択された容量となるように調整する。
【００６７】
上述したように、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００のメモリ５には、読取部４で得られる被加熱物８の識別情報に基づいて決定される制御情報として、電極間距離および可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量が記憶されている。なお、メモリ５には、これら以外の制御情報が記憶されていてもよい。他の制御情報としては、例えば、高周波電源２の出力、高周波電源２の駆動時間（加熱時間）などが挙げられる。
【００６８】
図６には、メモリ５内のデータ配列の他の例（テーブル５３）を示す。図６に示すテーブル５３には、被加熱物８の種類（例えば、被加熱物Ａ、被加熱物Ｂ、被加熱物Ｃ・・・）と、被加熱物８を加熱するときの加熱時間とが対応付けられて格納されている。例えば、読取部４によって、被加熱物８が図６のテーブル５３における被加熱物Ａと同種であると認識された場合、制御回路６は、メモリ５にアクセスし、テーブル５３を参照して被加熱物Ａに該当する制御条件（具体的には、加熱時間）を引き出す。例えば、テーブル５３の場合、引き出されるデータは、加熱時間Ｓ１Ａ（秒）である。
【００６９】
（被加熱物８のデータ読み取り後の制御について）
続いて、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００において被加熱物８の加熱（解凍）を行う場合の処理の流れを、図７および図８を参照しながら説明する。図７には、読取部４において被加熱物８を判別し、加熱条件（例えば、電極間距離および可変コンデンサ容量など）を決定する処理の流れを示す。図８には、被加熱物８の加熱が開始された後に行われる加熱条件の制御の流れを示す。
【００７０】
高周波加熱装置１００において被加熱物８の加熱（解凍）を行う場合、先ず、ユーザは、読取部４を用いて被加熱物８に付されているバーコードＡを読み取る（図１参照）。その後、被加熱物８を加熱室９内の底面プレート１１上に載置する。そして、ユーザは、高周波加熱装置１００の操作パネルを操作して、例えば、加熱開始のボタンを押す。
【００７１】
これにより、図７に示す処理が実行される。先ず、制御回路６は、読取部４によって読み取られた被加熱物８の識別情報を取得する（ステップＳ１１）。次に、制御回路６は、底面プレート１１上に載置された被加熱物８の現在の加熱状態（解凍状態）を識別する（ステップＳ１２）。被加熱物８の現在の加熱状態（解凍状態）は、例えば、輻射熱センサ２１が検出した被加熱物８の表面温度から識別することができる。
【００７２】
続いて、制御回路６は、メモリ５内のテーブル５１（図４）を参照して、取得された被加熱物８の識別情報および現在の加熱状態（解凍状態）に該当する電極間距離の制御条件を引き出す（ステップＳ１３）。例えば、被加熱物８の識別情報が被加熱物Ａであり、現在の加熱状態（解凍状態）が解凍状態１である場合には、該当する電極間距離（ｍｍ）の制御条件として「１Ａ」が引き出される。
【００７３】
また、制御回路６は、メモリ５内のテーブル５２（図５）を参照して、取得された被加熱物８の識別情報および現在の加熱状態（解凍状態）に該当する可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量を引き出す（ステップＳ１４）。例えば、被加熱物８の識別情報が被加熱物Ａであり、現在の加熱状態（解凍状態）が解凍状態１である場合には、該当する可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量（ｐＦ）として「１１Ａ」および「１２Ａ」それぞれが引き出される。
【００７４】
また、制御回路６は、メモリ５内のテーブル５３（図６）を参照して、取得された被加熱物８の識別情報に該当する総加熱時間ＳＴ（秒）を引き出す（ステップＳ１５）。例えば、被加熱物８の識別情報が被加熱物Ａである場合には、該当する総加熱時間ＳＴ（秒）として「Ｓ１Ａ」が引き出される。
【００７５】
その後、上記の各工程（ステップＳ１３からＳ１５）で決定された制御条件に基づいて、制御回路６は、被加熱物８の加熱処理を開始する（ステップＳ１６）。
【００７６】
なお、電極間距離の決定工程（ステップＳ１３）、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量決定工程（ステップＳ１４）、および総加熱時間ＳＴの決定工程（ステップＳ１５）の順序は、図７に示すものに限定されない。これらの３つの工程は、何れを先に行ってもかまわないし、全ての工程を同時に行ってもよい。
【００７７】
被加熱物８の加熱が開始されると、制御回路６は、被加熱物８の加熱状態（解凍状態）の変化に応じて、加熱条件（具体的には、電極間距離および可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量）を順次変更する。この加熱条件の変更処理を、図８を参照しながら説明する。
【００７８】
図８に示すように、被加熱物８の加熱が開始されると、高周波加熱装置１００内の加熱タイマがＯＮとなり、時間の計測が開始される（ステップＳ２１）。また、これと同時に、補助的なタイマである第２タイマもＯＮとなり、時間の計測が開始される（ステップＳ２２）。
【００７９】
そして、加熱タイマは、上述のステップＳ１５で決定された総加熱時間ＳＴが経過するまで、後述のステップＳ２４以降の処理を継続する（ステップＳ２３でＮＯ）。先ず、第２タイマにおいて、所定時間ＳＰが経過するまで待機する（ステップＳ２４）。ここで、所定時間ＳＰは、総加熱時間ＳＴよりも短い時間であって、任意に決定される時間である。制御回路６は、所定時間ＳＰが経過する毎に、被加熱物８の加熱状態を識別する。
【００８０】
第２タイマにおいて所定時間ＳＰが経過すると（ステップＳ２４でＹＥＳ）、制御回路６は、輻射熱センサ２１の検出結果に基づいて被加熱物８の現在の加熱状態（解凍状態）を識別する（ステップＳ２５）。そして、制御回路６は、メモリ５内のテーブル５１（図４）を参照して、現在の加熱状態（解凍状態）に該当する電極間距離の制御条件を引き出す。また、制御回路６は、メモリ５内のテーブル５２（図５）を参照して、現在の加熱状態（解凍状態）に該当する可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量を引き出す。
【００８１】
例えば、被加熱物８の加熱状態（解凍状態）が、当初の解凍状態１から解凍状態２へ移行したと識別されると、制御回路６は、電極間距離（ｍｍ）の制御条件として「２Ａ」を引き出し、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量（ｐＦ）として「２１Ａ」および「２２Ａ」をそれぞれ引き出す。
【００８２】
そして、制御回路６は、引き出された電極間距離（ｍｍ）にしたがって、可動部７を動作させて上部電極１ａの高さを再設定する（ステップＳ２６）。また、制御回路６は、引き出された可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量（ｐＦ）にしたがって、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量を再設定する（ステップＳ２７）。
【００８３】
その後、第２タイマはリセットされる（ステップＳ２８）。そして、再び第２タイマがＯＮし（ステップＳ２２）、加熱タイマにおいて総加熱時間ＳＴが経過するまで、ステップＳ２４からの処理が繰り返される。
【００８４】
加熱タイマにおいて総加熱時間ＳＴが経過すると（ステップＳ２３においてＹＥＳ）、加熱処理は終了する。すなわち、高周波電源２の稼働が停止する。
【００８５】
（まとめ）
以上のように、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００は、上部電極１ａと、下部電極１ｂと、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に高周波電圧を印加する電圧印加部２０（高周波電源２および整合回路３）と、上部電極１ａと連結されている可動部７とを備えている。可動部７が備えられていることで、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔が変更可能になっている。
【００８６】
そして、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００は、被加熱物８の種類を判別できる読取部４と、被加熱物８の種類別に対応付けられた電極間距離を制御情報として記憶しているメモリ５を備えている。これにより、被加熱物８の種類に応じて、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間隔を最適な距離にすることができる。
【００８７】
また、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００は、整合回路３内の可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂの容量が変更可能に構成されている。そして、高周波加熱装置１００のメモリ５には、可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量に関する制御情報が被加熱物８の種類別に記憶されている。これにより、被加熱物８の種類に応じて、可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂを最適な容量にすることができる。
【００８８】
したがって、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００によれば、被加熱物（被解凍物）の種類によって異なる加熱の制御条件を適切に設定することができる。そのため、高周波加熱装置１００を用いて被加熱物８の加熱処理（解凍処理）を行えば、処理後の被加熱物の品質の低下を抑えることができる。
【００８９】
さらに、本実施形態にかかる高周波加熱装置１００は、輻射熱センサ２１が被加熱物８の加熱状態（解凍状態）をリアルタイムに検出し、現在の解凍状態を判別することができる。そして、判別された現在の解凍状態に応じて、電極間距離および可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量を変更することができる。したがって、高周波加熱装置１００を用いて被加熱物８の加熱処理（解凍処理）を行えば、処理後の被加熱物の品質をより良好なものにすることができる。
【００９０】
なお、本実施形態では、読取部４によって判別された被加熱物の種類に対応する制御情報に基づいて、整合回路３（具体的には、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量）および可動部７の両方を制御する例について説明した。しかし、本発明の一態様では、読取部４によって判別された被加熱物の種類に対応する制御情報に基づいて、整合回路３（具体的には、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量）および可動部７の何れか一方を制御する構成であってもよい。
【００９１】
例えば、読取部４によって判別された被加熱物の種類に対応する制御情報に基づいて、可動部７を制御する構成の場合には、メモリ５内には、テーブル５１のみが格納され、テーブル５２は格納されていない。
【００９２】
〔第２の実施形態〕
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、読取部４によって判別された被加熱物の種類に対応する制御情報に基づいて、整合回路３（具体的には、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量）を制御する構成について説明する。
【００９３】
図９には、第２の実施形態にかかる高周波加熱装置２００の内部構成を示す。高周波加熱装置２００は、加熱室（解凍室）９を備えている。また、図９に示すように、高周波加熱装置２００は、加熱室９の外側に、電圧印加部２０、制御回路（制御部）６、読取部４、およびメモリ５などを備えている。図９と図１とを比較すればわかるように、高周波加熱装置２００には、可動部７が設けられていない点が、第１の実施形態にかかる高周波加熱装置１００とは異なっている。それ以外の構成については、高周波加熱装置１００と同様の構成が適用できる。そのため、各構成部材の詳しい説明については省略する。
【００９４】
図１０は、各電極１ａおよび１ｂと高周波電源２との間の回路構成を示す回路図である。高周波加熱装置２００における各電極１ａおよび１ｂと高周波電源２との間の回路構成は、高周波加熱装置１００における回路構成と同じである。そのため、詳しい説明については省略する。
【００９５】
（可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量の制御について）
本実施形態にかかる高周波加熱装置２００のメモリ５は、被加熱物８を加熱するときの制御情報として、整合回路３内の可変リアクタンス素子（可変コンデンサ３ａおよび３ｂ）の容量を記憶している。そして、制御回路６は、メモリ５に記憶された可変リアクタンス素子（可変コンデンサ３ａおよび３ｂ）の容量に関する制御情報に基づいて、整合回路３内の可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量を制御する。
【００９６】
図１１には、メモリ５内のデータ配列の一例（テーブル２５２）を示す。テーブル２５２の内容については、第１の実施形態において説明したテーブル５２（図５）と同じである。そのため、詳しい説明については省略する。
【００９７】
本実施形態にかかる高周波加熱装置２００において被加熱物８の加熱（解凍）を行う場合の処理の流れについては、基本的に第１の実施形態において説明した流れと同様の流れが適用できる。但し、本実施形態にかかる高周波加熱装置２００は、可動部７を備えていない。そのため、図７に示す処理において、電極間距離の決定（ステップＳ１３）は実行されない。また、図８に示す処理において、電極間距離の再設定（ステップＳ２６）は実行されない。
【００９８】
以上のように、本実施形態にかかる高周波加熱装置２００は、整合回路３内の可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂの容量が変更可能に構成されている。そして、高周波加熱装置２００のメモリ５には、可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量に関する制御情報が被加熱物８の種類に対応付けられて記憶されている。これにより、被加熱物８の種類に応じて、可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂを最適な容量にすることができる。
【００９９】
〔第３の実施形態〕
続いて、本発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、整合回路３０３内の構成が第２の実施形態とは異なっている。また、メモリ５に格納されているデータ構造（テーブル）も第２の実施形態とは異なっている。その他の構成については、基本的に第２の実施形態と同様の構成を適用することができる。そこで、第２の実施形態との相違点を中心に説明する。
【０１００】
図９は、第３の実施形態にかかる高周波加熱装置３００の内部構成を示す。高周波加熱装置３００の基本的な構成は、第２の実施形態にかかる高周波加熱装置２００と同じである。但し、後述するように、整合回路３０３の内部構成については、第２の実施形態とは異なっている。
【０１０１】
続いて、加熱室９内の各電極に対して電圧を印加する電圧印加部２０の構成について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、各電極１ａおよび１ｂと高周波電源２との間の回路構成を示す回路図である。
【０１０２】
電圧印加部２０は、上部電極１ａと下部電極１ｂとの間に高周波電圧を印加する。電圧印加部２０は、主な構成部材として、高周波電源２、整合回路３０３などを有している。高周波電源２については、第１および第２の実施形態と同様の構成が適用できる。
【０１０３】
整合回路３０３は、可変コンデンサ（可変リアクタンス素子）３ａおよび３ｂ、並びに可変コイル（可変リアクタンス素子）３０３ｃなどを備えている。可変コンデンサ３ａおよび３ｂについては、第１および第２の実施形態と同様の構成が適用できる。
【０１０４】
可変コイル３０３ｃは、切り換え可能に接続された複数のコイルを有している。これにより、可変コイル３０３ｃは、複数のインダクタンス値に切り変えられることができる。
【０１０５】
この構成により、整合回路３０３は、上部電極１ａと下部電極１ｂとで構成されるコンデンサのリアクタンスを相殺する。また、整合回路３０３は、可変コンデンサ３ａ・３ｂおよび可変コイル３０３ｃの値を調整することにより、整合回路３０３への入力インピーダンスと増幅器への出力インピーダンスとを一致させることができる。これにより、被加熱物８に効率良く高周波電界を印加することができる。
【０１０６】
第１および第２の実施形態と同様に、整合回路３０３の可変コンデンサ３ｂと上部電極１ａとの間には、コイル１２が配置されている。
【０１０７】
（可変コンデンサ３ａ・３ｂおよび可変コイル３０３ｃの制御について）
本実施形態にかかる高周波加熱装置３００のメモリ５は、被加熱物８を加熱するときの制御情報として、整合回路３０３内の可変リアクタンス素子の設定値（すなわち、可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量、並びに可変コイル３０３ｃのインダクタンス値）を記憶している。そして、制御回路６は、メモリ５に記憶された可変リアクタンス素子に関する制御情報に基づいて、整合回路３内の可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量および可変コイル３０３ｃのインダクタンス値を制御する。
【０１０８】
図１３には、メモリ５内のデータ配列の一例（テーブル３５４）を示す。図１３に示すテーブル３５４では、被加熱物８の種類（例えば、被加熱物Ａ、被加熱物Ｂ、被加熱物Ｃ・・・）と、被加熱物８を加熱するときの制御情報の一つである可変コンデンサ３ａおよび３ｂの容量（ｐＦ）並びに可変コイル３０３ｃのインダクタンス値とが対応付けられている。制御回路６が可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量（ｐＦ）および可変コイル３０３ｃの値（μＨ）を変更することにより、被加熱物８に効率良く高周波電界を印加することができる。第１の実施形態などと同様に、被加熱物８の種類は、読取部４によって読み取られた被加熱物８の識別情報に基づいて選択される。
【０１０９】
さらに、図１３に示すテーブル３５４では、被加熱物８の解凍状態（加熱状態）ごとに、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量（ｐＦ）および可変コイル３０３ｃの値（μＨ）が対応付けられている。図１３に示す各解凍状態は、第１の実施形態において説明した各解凍状態と同じである。
【０１１０】
読取部４によって、被加熱物８が図１３における被加熱物Ａと同種であると認識された場合、制御回路６は、メモリ５にアクセスし、テーブル３５４を参照して被加熱物Ａに該当する解凍状態１、解凍状態２、および解凍状態３の制御条件を引き出す。例えば、テーブル３５４の場合、引き出されるデータは、各解凍状態について、可変コンデンサ３ａの容量がそれぞれ１１Ａ（ｐＦ）、２１Ａ（ｐＦ）、３１Ａ（ｐＦ）であり、可変コンデンサ３ｂの容量がそれぞれ１２Ａ（ｐＦ）、２２Ａ（ｐＦ）、３２Ａ（ｐＦ）であり、可変コイル３０３ｃの値がそれぞれＬ１Ａ（μＨ）、Ｌ２Ａ（μＨ）、Ｌ３Ａ（μＨ）である。同様に、被加熱物８が被加熱物Ｂと認識された場合は、可変コンデンサ３ａの容量として、１１Ｂ（ｐＦ）、２１Ｂ（ｐＦ）、３１Ｂ（ｐＦ）がそれぞれ引き出され、可変コンデンサ３ｂの容量として１２Ｂ（ｐＦ）、２２Ｂ（ｐＦ）、３２Ｂ（ｐＦ）がそれぞれ引き出され、可変コイル３０３ｃの値としてＬ１Ｂ（μＨ）、Ｌ２Ｂ（μＨ）、Ｌ３Ｂ（μＨ）がそれぞれ引き出される。
【０１１１】
制御回路６は、輻射熱センサ２１が検出した現在の解凍状態に基づき、引き出されたデータと一致するように可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂの容量、並びに可変コイル３０３ｃの値を変化させる。例えば、被加熱物８が被加熱物Ａと認識されており、さらに現在の解凍状態が解凍状態１であった場合は、制御回路６は、可変コンデンサ３ａの容量を１１Ａ（ｐＦ）に、可変コンデンサ３ｂの容量を１２Ａ（ｐＦ）に、可変コイル３０３ｃの値をＬ１Ａ（μＨ）になるように制御する。
【０１１２】
解凍状態が進行し、解凍状態２に移行した場合は、制御回路６は、すぐさま現在の解凍状態に基づき、引き出したデータと一致するように可変コンデンサ３ａおよび可変コンデンサ３ｂの容量、並びに可変コイル３０３ｃの値を変化させる。例えば、被加熱物８が被加熱物Ａと認識されており、さらに現在の解凍状態が解凍状態２であった場合は、制御回路６は、可変コンデンサ３ａの容量を２１Ａ（ｐＦ）に、可変コンデンサ３ｂの容量を２２Ａ（ｐＦ）に、可変コイル３０３ｃの値をＬ２Ａ（μＨ）になるように制御する。同様に解凍状態３に移行した場合には、可変コンデンサ３ａの容量が３１Ａ（ｐＦ）に、可変コンデンサ３ｂの容量が３２Ａ（ｐＦ）に、可変コイル３０３ｃの値がＬ３Ａ（μＨ）になるように制御する。
【０１１３】
なお、メモリ５には、整合回路３内の可変リアクタンス素子の設定値以外の制御情報が記憶されていてもよい。他の制御情報としては、例えば、高周波電源２の出力、高周波電源２の駆動時間（加熱時間）などが挙げられる。また、高周波加熱装置が可動部７を有している構成の場合には、メモリ５には、制御情報として電極間距離が記憶されていてもよい。
【０１１４】
本実施形態にかかる高周波加熱装置３００において被加熱物８の加熱（解凍）を行う場合の処理の流れについては、基本的に第１の実施形態において説明した流れと同様の流れが適用できる。但し、本実施形態にかかる高周波加熱装置３００は、可動部７を備えていない。そのため、図７に示す処理において、電極間距離の決定（ステップＳ１３）は実行されない。また、図８に示す処理において、電極間距離の再設定（ステップＳ２６）は実行されない。また、図７に示す処理のステップＳ１４では、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量に加えて、可変コイル３０３ｃの値が決定される。また、図８に示す処理のステップＳ２７では、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量に加えて、可変コイル３０３ｃの値が再設定される。
【０１１５】
以上のように、本実施形態にかかる高周波加熱装置３００は、整合回路３内の可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量および可変コイル３０３ｃの値が変更可能に構成されている。そして、高周波加熱装置３００のメモリ５には、可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量および可変コイル３０３ｃの値に関する制御情報が被加熱物８の種類と対応付けられて記憶されている。これにより、被加熱物８の種類に応じて、可変コンデンサ３ａ・３ｂおよび可変コイル３０３ｃを最適な値にすることができる。したがって、高周波加熱装置３００を用いて被加熱物８の加熱処理（解凍処理）を行えば、処理後の被加熱物の品質の低下を抑えることができる。
【０１１６】
〔第４の実施形態〕
続いて、本発明の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、被加熱物８を加熱するときに利用される制御情報が、高周波加熱装置内部ではなく、外部のメモリに記憶されている構成について説明する。
【０１１７】
図１４には、第４の実施形態にかかる高周波加熱システム４００の概略構成を示す。高周波加熱システム４００は、主な構成要素として、高周波加熱装置４０１と、サーバ４４０とを含む。高周波加熱装置４０１は、インターネットやルータなどを介してサーバ４４０に接続可能となっている。高周波加熱装置４０１は、主として、本体部１０１と、本体部１０１に接続された読取部４とで構成される。
【０１１８】
図１５には、高周波加熱装置４０１の内部構成を示す。高周波加熱装置４０１の基本的な構成は、第１の実施形態にかかる高周波加熱装置１００と同じである。但し、高周波加熱装置４０１には、付加的な構成として、通信インターフェイス４３０が備えられている。
【０１１９】
通信インターフェイス４３０は、アンテナやコネクタによって実現される。サーバ４４０から送信される各種信号、各種データ、および各種指令などを受信する。また、通信インターフェイス４３０は、サーバ４４０に対して、高周波加熱装置４０１側の情報を送信することもできる。
【０１２０】
図１６には、サーバ４４０の内部構成を示す。サーバ４４０は、主たる構成要素として、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（制御部）４４１と、メモリ（記憶部）４４２と、ディスプレイ４４３と、操作部４４４と、通信インターフェイス４４５とを含む。
【０１２１】
ＣＰＵ４４１は、メモリ４４２に記憶されているプログラムを実行することによって、サーバ４４０の各部を制御する。
【０１２２】
メモリ４４２は、各種のＲＡＭ（Random  Access  Memory）、各種のＲＯＭ（Read-Only  Memory）などによって実現される。メモリ４４２は、ＣＰＵ４４１によって実行されるプログラムや、ＣＰＵ４４１によるプログラムの実行により生成されたデータ、入力されたデータなどを記憶する。また、本実施形態では、メモリ４４２には、高周波加熱装置４０１を制御するために用いられるデータが格納されている。このデータとは、被加熱物８の種類と、それぞれに最適な制御条件のデータである。具体的には、例えば、テーブル５１（図４参照）、テーブル５２（図５参照）、およびテーブル５３（図６参照）などが格納されている。
【０１２３】
また、ディスプレイ４４３は、ＣＰＵ４４１からの信号に基づいて、テキストや画像を表示する。操作部４４４は、サービスの管理者などの命令を受け付けて、当該命令をＣＰＵ４４１に入力する。
【０１２４】
通信インターフェイス４４５は、ＣＰＵ４４１からのデータを、インターネット、キャリア網、ルータなどを介して、高周波加熱装置４０１などの他の装置に送信する。逆に、通信インターフェイス４４５は、インターネット、キャリア網、ルータなどを介して高周波加熱装置４０１などの他の装置からのデータを受信して、ＣＰＵ４４１に受け渡す。
【０１２５】
図１４を参照して、高周波加熱システム４００の動作概要について説明する。高周波加熱システム４００を用いて被加熱物８の加熱（解凍）を行う場合、先ず、ユーザは、読取部４を用いて被加熱物８に付されているバーコードＡを読み取る（図１４の（１））。その後、被加熱物８を加熱室９内の底面プレート１１上に被加熱物８を載置する。そして、ユーザは、高周波加熱装置４０１の操作パネルを操作して、例えば、加熱開始のボタンを押す。
【０１２６】
読取部４によって読み取られた被加熱物８の識別情報（バーコード情報）は、通信インターフェイス４３０を介してサーバ４４０へ送信される（図１４の（２））。サーバ４４０は、通信インターフェイス４４５を介してバーコード情報を受信する。サーバ４４０内のＣＰＵ４４１は、メモリ４４２内のテーブル５１（図４）を参照して、受信したバーコード情報に該当する電極間距離の制御条件を引き出す。また、サーバ４４０内のＣＰＵ４４１は、メモリ４４２内のテーブル５２（図５）を参照して、受信したバーコード情報に該当する可変コンデンサ３ａ・３ｂの容量の制御条件を引き出す。また、サーバ４４０内のＣＰＵ４４１は、メモリ４４２内のテーブル５３（図６）を参照して、受信したバーコード情報に該当する加熱時間を引き出す。
【０１２７】
引き出された各制御条件は、被加熱物８を加熱するときの制御情報として、高周波加熱装置４０１へ送信される（図１４の（３））。高周波加熱装置４０１は、受信した制御情報をメモリ５に格納する。そして、制御回路６は、各制御情報に基づいて電圧印加部２０および可動部７などを制御し、被加熱物８の加熱処理を行う。
【０１２８】
以上のように、制御情報を記憶するメモリ５は、必ずしも高周波加熱装置の内部に配置する必要はなく、例えば、外部データサーバ、クラウドサーバなどに配置することも可能である。
【０１２９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した異なる実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【０１３０】
１ａ    ：上部電極（電極板）
１ｂ    ：下部電極（電極板）
２      ：高周波電源
３      ：整合回路
３ａ    ：可変コンデンサ（可変リアクタンス素子）
３ｂ    ：可変コンデンサ（可変リアクタンス素子）
４      ：読取部（判別部）
５      ：メモリ（記憶部）
６      ：制御回路（制御部）
７      ：可動部（位置変更機構）
２１    ：輻射熱センサ（状態識別部）
１００  ：高周波加熱装置（高周波加熱システム）
２００  ：高周波加熱装置（高周波加熱システム）
３００  ：高周波加熱装置（高周波加熱システム）
３０３  ：整合回路
３０３ｃ：可変コイル（可変リアクタンス素子）
４００  ：高周波加熱システム
４０１  ：高周波加熱装置
４４０  ：サーバ
４４２  ：メモリ（記憶部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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