(57)【要約】【課題】発光効率を低下することなく、画素の高精細化を実現することを目的とする。【解決手段】表示装置１００は、画素領域Ｐの第１辺に沿う方向に延びる第１延伸部４０ａと、画素領域Ｐの第１辺に交差する第２辺に沿う方向に延びる第２延伸部４０ｂとにより、画素領域Ｐを区画する絶縁層４０と、画素領域Ｐ、第１延伸部４０ａ上、及び第２延伸部４０ｂ上に形成される有機エレクトロルミネッセンス膜４２と、を有し、平面視における、第１延伸部４０ａの幅は、第２延伸部４０ｂの幅よりも小さい。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域の第１辺に沿う方向に延びる第１延伸部と、前記画素領域の前記第１辺に交差する第２辺に沿う方向に延びる第２延伸部とにより、前記画素領域を区画する絶縁層と、
前記画素領域、前記第１延伸部上、及び前記第２延伸部上に形成される有機エレクトロルミネッセンス膜と、
を有し、
平面視における、前記第１延伸部の幅は、前記第２延伸部の幅よりも小さい、
表示装置。
【請求項２】
前記第１延伸部上に形成される前記有機エレクトロルミネッセンス膜の縁部には、前記画素領域に形成される前記有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚よりも薄く、平面視において前記第２延伸部上に形成される前記薄膜領域よりも幅の小さい薄膜領域が形成される請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１延伸部は、第１頂上部と、前記第１頂上部の幅方向の両端に形成される第１傾斜面とを有し、
前記第２延伸部は、第２頂上部と、前記第２頂上部の幅方向の両端に形成される第２傾斜面とを有し、
前記第１傾斜面は、前記第２傾斜面よりも傾斜角が大きい、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１頂上部は、前記第２頂上部よりも平面視における幅が小さい、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１頂上部と、前記第２頂上部とは、同じ高さである、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素領域は平面視において長辺と短辺を有し、
前記第２辺は前記長辺であり、前記第１辺は前記短辺である請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素領域は、マトリクス状に複数配置され、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜は、発光色毎に複数の前記画素領域のそれぞれに形成される請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画素領域を区画するバンクと、画素領域及びバンク上に形成される有機エレクトロルミネッセンス膜とを有する表示装置が知られている（例えば、特許文献１の図５）。有機エレクトロルミネッセンス膜は、蒸着により形成される。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス膜は、蒸着源であるラインソースから有機エレクトロルミネッセンス膜となる材料が、開口が形成された蒸着マスクを介して放出されることにより、蒸着マスクの開口の形状に対応するようにパターン形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−５４８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、蒸着源から放出される材料は、所定の放出角で斜めに放出されるところ、斜めに放出される材料の一部が蒸着マスクの開口端部でケラレてしまい、開口端部付近において有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚が薄い領域が生じる場合がある。すなわち、画素領域の、バンクとの境界周辺では蒸着源からの蒸着方向に対し蒸着マスクやバンク等の影になる箇所が存在するため、有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚が薄い領域が生じる。発光領域において有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚の薄い領域が生じてしまうと、その領域に電流が集中し、発光効率の低下や短寿命化、色ズレ等の不具合を生じるおそれがある。そこで、有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚が薄い領域が、発光領域には形成されず、非発光領域であるバンク上に形成されるよう、バンクの幅が設定されている。従来、バンクは、画素領域を区画するいずれの部分においても共通の幅で形成されており、有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚が薄い領域が形成されにくい部分においては余分に幅広で形成されることとなっていた。そのような構成においては、画素間の間隔が広くなり、画素の高精細化の実現の弊害となってしまう。若しくは、画素領域面積が制限され、表示装置の高輝度化の妨げとなる。
【０００５】
本発明は、発光効率を低下することなく、画素の高開口化及び高精細化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、画素領域の第１辺に沿う方向に延びる第１延伸部と、前記画素領域の前記第１辺に交差する第２辺に沿う方向に延びる第２延伸部とにより、前記画素領域を区画する絶縁層と、前記画素領域、前記第１延伸部上、及び前記第２延伸部上に形成される有機エレクトロルミネッセンス膜と、を有し、平面視における、前記第１延伸部の幅は、前記第２延伸部の幅よりも小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る表示装置の全体構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図３】蒸着源について説明する図である。
【図４】従来例における表示領域の一部を模式的に示す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ断面図であって、従来例における有機エレクトロルミネッセンス膜の形成について説明する図である。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ断面図であって、従来例における有機エレクトロルミネッセンス膜の形成について説明する図である。
【図７】本実施形態における表示領域の一部を模式的に示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図であって、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス膜の形成について説明する図である。
【図９】本実施形態における絶縁層の傾斜面の傾斜角について説明する図である。
【図１０】本実施形態におけるハーフトーンマスクを用いた絶縁層の形成について説明する図である。
【０００８】
以下、本発明の実施形態（以下、本実施形態という）について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
さらに、本実施形態において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく他の層又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る表示装置の全体構成の概略を示す斜視図である。本実施形態においては、表示装置１００として有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置１００は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の画素領域Ｐを有し、フルカラーの画像を表示するようになっている。なお、以下の説明において、いずれの色の画素領域か区別して説明する必要がある場合は、画素領域を示す記号Ｐに、赤色の画素領域を示す記号Ｒ、緑色の画素領域を示す記号Ｇ、青色の画素領域を示す記号Ｂをそれぞれ添えて記載するが、区別して説明する必要がない場合は、単に画素領域Ｐとする。
【００１２】
表示装置１００は、矩形（例えば長方形）の外形を有する第１基板１０と、第１基板１０に対向して配置される第２基板１１とを有する。第１基板１０は、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタラート等から形成されており、柔軟性を有するとよい。第１基板１０は、複数の画素領域Ｐがマトリクス状に配置された表示領域Ｍを有する。図１においては、１の画素領域Ｐのみを示すが、画素領域Ｐは、表示領域Ｍの略全域に配置されている。また、第１基板１０は、表示領域Ｍの周辺に額縁領域Ｎを有する。さらに、第１基板１０は、端子領域Ｔを有し、端子領域Ｔには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載される。なお、図示しないが、端子領域Ｔにはレキシブル基板を電気的に接続してもよい
【００１３】
図２を参照して、表示装置１００の積層構造の詳細について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置を示す断面図である。第１基板１０には、複数層からなる表示回路層１６が積層されている。表示回路層１６は、第１基板１０が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１８を含む。アンダーコート層１８は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等の無機材料からなり、それらの積層構造であってもよい。アンダーコート層１８の上には半導体層２０が形成されている。半導体層２０にソース電極２２及びドレイン電極２４が電気的に接続し、半導体層２０を覆ってゲート絶縁膜２６が形成されている。ゲート絶縁膜２６も無機材料からなる。ゲート絶縁膜２６の上にはゲート電極２８が形成され、ゲート電極２８を覆って層間絶縁膜３０が形成されている。層間絶縁膜３０も無機材料からなる。ソース電極２２及びドレイン電極２４は、ゲート絶縁膜２６及び層間絶縁膜３０を貫通している。半導体層２０、ソース電極２２、ドレイン電極２４及びゲート電極２８から薄膜トランジスタＴＦＴ（Thin Film Transistor）の少なくとも一部が構成される。薄膜トランジスタＴＦＴを覆うようにパッシベーション膜３２が設けられている。パッシベーション膜３２も無機材料からなる。なお、パッシベーション膜３２は無くてもよい。
【００１４】
パッシベーション膜３２の上には、平坦化層３４が設けられている。平坦化層３４の上には、複数の画素領域Ｐそれぞれに対応するように、複数の画素電極３６（例えば陽極）が設けられている。平坦化層３４は、少なくとも画素電極３６が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層３４としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料を用いるとよい。画素電極３６は、平坦化層３４及びパッシベーション膜３２を貫通するコンタクトホール３８によって、半導体層２０上のソース電極２２及びドレイン電極２４の一方に電気的に接続している。
【００１５】
平坦化層３４及び画素電極３６の上に、複数の画素領域Ｐを区画する絶縁層（バンク）４０が形成されている。絶縁層４０としては、感光性アクリル樹脂やポリイミド等の有機材料を用いるとよい。絶縁層４０は、互いに隣り合う画素領域Ｐにおける画素電極３６の端部をそれぞれ覆うように形成される。
【００１６】
また、詳細については後述するが、本実施例では、画素領域Ｐは平面視において短辺と長辺を有する矩形であり、絶縁層４０は、画素領域Ｐの短辺に沿って延びる第１延伸部４０ａと、画素領域Ｐの長辺に沿って延びる第２延伸部４０ｂとを含む。各画素領域Ｐは、２の第１延伸部４０ａと、２の第２延伸部４０ｂとに区画される。
【００１７】
画素電極３６上及び絶縁層４０上に有機エレクトロルミネッセンス膜４２が設けられている。有機エレクトロルミネッセンス膜４２は、画素電極３６ごとに別々に（分離して）設けられており、各画素領域Ｐに対応して青、赤又は緑で発光するようになっている。各画素領域Ｐに対応する色はこれに限られず、例えば、黄又は白等が追加されてもよい。
【００１８】
有機エレクトロルミネッセンス膜４２の上には、共通電極４４（例えば陰極）が設けられている。共通電極４４は、隣り合う画素電極３６の上方で連続している。有機エレクトロルミネッセンス膜４２は、画素電極３６及び共通電極４４に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。
【００１９】
なお、有機エレクトロルミネッセンス膜４２は、少なくとも発光層を含み、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層等を含んでも良い。画素電極３６、有機エレクトロルミネッセンス膜４２及び共通電極４４により発光素子４６の少なくとも一部が構成される。
【００２０】
封止層４８が複数の発光素子４６を覆う。これにより、発光素子４６は水分から遮断される。封止層４８は、ＳｉＮ、ＳｉＯｘなどの無機膜を含み、単一層でもよく、積層構造であってもよい。例えば、無機膜が、アクリル等の樹脂などの有機膜を上下で挟む構造であってもよい。封止層４８上には接着層５４が設けられ、接着層５４上に第２基板１１が設けられる。第２基板１１にはタッチパネルが設けられていてもよい。
【００２１】
ここで、図３〜図８を参照して、有機エレクトロルミネッセンス膜４２の形成について説明する。図３は、蒸着源について説明する図である。図４は、従来例における表示領域の一部を模式的に示す平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ断面図であって、従来例における有機エレクトロルミネッセンス膜の形成について説明する図である。図６は、図４のＶＩ−ＶＩ断面図であって、従来例における有機エレクトロルミネッセンス膜の形成について説明する図である。図７は、本実施形態における表示領域の一部を模式的に示す平面図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図であって、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス膜の形成について説明する図である。
【００２２】
なお、図５、図６、図８においては、説明の簡略化のため、第１基板１０、絶縁層４０及び有機エレクトロルミネッセンス膜４２以外の層については省略して図示する。また、図５、図６、図８において、絶縁層４０の構成の詳細を説明するため、画素領域Ｐの幅に対する絶縁層４０（第１延伸部４０ａ及び第２延伸部４０ｂ）の幅の割合を大きくして図示している。図５、図６、図８の矢印は、蒸着源２００からの材料の放出を示す。
【００２３】
有機エレクトロルミネッセンス膜４２は、蒸着により発光色毎に塗り分けて形成される。具体的には、図３に示す蒸着源２００から有機エレクトロルミネッセンス膜４２となる有機材料（以下、単に材料ともいう）が、開口Ｈを有する蒸着マスク３００を介して放出されることにより、蒸着マスク３００の開口Ｈの形状に対応するようにパターン形成される。
【００２４】
蒸着源２００としては、材料が充填され、複数の放出口２００ａから材料を放出する所謂ラインソースを用いる。蒸着源２００の放出口２００ａの周辺には、Ｙ方向に沿って放射口２００ａの一部と重なるように材料の放射角を調整するための遮蔽体２００ｂが設けられている。このため、蒸着源２００として、図３中のＸ方向とＹ方向とで放出角が異なる。具体的には、蒸着源２００として、図３中のＹ方向を長手とし、Ｘ方方向を短手とする形状であり、Ｘ方向に最大放出角θ１で材料を放出し、Ｙ方向に最大放出角θ２で材料を放出し、θ１＞θ２となる。遮蔽体２００ａｂの放出口２００ａと重なる範囲を調整することにより、最大放出角θ２を調整することができる。一方、最大放出角θ１も同様に調整することができるが、その調整は難しい。これは、調整するためには、複数の遮蔽板もしくは遮蔽板に設けられたスリットが必要であり、それぞれに位置調整が必要なためである。従って、本実施例の通り、一方向のみの放射角を調整する方が製造容易となる。なお、θ１、θ２は０°に近いほど、第１基板１０に対して垂直に近い角度で材料が放出されることとなる。図３の領域Ｃ１、Ｃ２は、材料が放出される領域を模式的に示すものである。
【００２５】
ここで、図４〜図６を参照して、従来例における有機エレクトロルミネッセンス膜４２の形成と、その課題について説明する。図４に示すように、各画素領域Ｐの長辺の長さをａ１とし、各画素領域Ｐの短辺の長さをａ２とする。また、絶縁層４０の第１延伸部４０ａの幅をｂ１とし、絶縁層４０の第２延伸部４０ｂの幅をｂ２とする。従来例においては、図４〜図６に示すように、第１延伸部４０ａの幅ｂ１と、第２延伸部４０ｂの幅ｂ２とを同じとした。
【００２６】
まず、青色の画素領域ＰＢに対応する領域に開口Ｈを有する蒸着マスク３００を、第１延伸部４０ａ上及び第２延伸部４０ｂ上に配置する。蒸着マスク３００は、平面視において、開口Ｈの１の端部が第１延伸部４０ａの幅方向の中央部と重なり、かつ開口Ｈの他の端部が第２延伸部４０ｂの幅方向の中央部と重なるように配置するとよい。
【００２７】
そして、絶縁層４０が形成される第１基板１０を、蒸着源２００に対して、スキャン方向Ｓに相対移動させると共に、蒸着源２００から材料を放出する。ここでは、スキャン方向ＳをＸ方向とした。
【００２８】
図５に示すように、青色の画素領域ＰＢ及び第１延伸部４０ａ上には、蒸着源２００から最大放出角θ２で放出される材料が蒸着され、青色で発光する有機エレクトロルミネッセンス膜４２が形成される。ここで、最大放出角θ２は小さく、第１基板１０に対して垂直に近い角度で、青色の画素領域ＰＢ及び第１延伸部４０ａ上に放出されるため、有機エレクトロルミネッセンス膜４２は略均一の厚さで蒸着されることとなる。
【００２９】
一方、図６に示すように、青色の画素領域ＰＢ及び第２延伸部４０ｂ上には、蒸着源２００から最大放出角θ１で放出される材料が蒸着され、青色で発光する有機エレクトロルミネッセンス膜４２が形成される。ここで、最大放出角θ２と比較して最大放出角θ１は大きい。また、蒸着マスク３００は、所定の厚みを持っているため、斜めに放出された材料の一部は、蒸着マスク３００の開口Ｈの端部でケラレてしまう。そのため、蒸着マスク３００の開口Ｈの端部付近において、材料が十分に蒸着されず、有機エレクトロルミネッセンス膜４２の膜厚が薄い薄膜領域ｔ（蒸着シャドーと呼ばれることもある）が生じることとなる。図６に示すように、薄膜領域ｔは、第２延伸部４０ｂ上であって、有機エレクトロルミネッセンス層４２の縁部に生じる。なお、図６中の点線矢印は、蒸着マスク３００の開口Ｈの端部にケラレた材料の本来の進行方向を示す。
【００３０】
発光領域において有機エレクトロルミネッセンス膜４２の薄膜領域ｔが生じると、その領域への電流が集中し、発光効率の低下の問題が生じるおそれがある。そのため、薄膜領域ｔが非発光領域である絶縁層４０上に形成されるよう、絶縁層４０の幅ｂ１、ｂ２が設定されている。なお、ここで、発光領域とは、画素領域Ｐのうち有機エレクトロルミネッセンス膜４２が共通電極４４と画素電極３６とに挟まれた領域であり、非発光領域とは、画素領域Ｐのうち絶縁層４０の存在により有機エレクトロルミネッセンス膜４２と画素電極３６が離間した領域である。
【００３１】
従来例においては、第１延伸部４０ａの幅ｂ１は、第２延伸部４０ｂの幅ｂ２と同じに設定されている。絶縁層４０の幅を広く設定すると、画素領域Ｐ間の間隔が大きくなり、高輝度化及び画素の高精細化を実現することの妨げとなってしまう。また、絶縁層４０の幅を狭く設定すると、幅ｂ２が狭くなり薄膜領域ｔが画素領域Ｐに重なる。これはその領域に電流が集中し、発光効率の低下や短寿命化、色ズレ等の原因となる。
【００３２】
そこで、本実施形態においては、図７、図８に示すように、第１延伸部４０ａの幅ｂ１を、第２延伸部４０ｂの幅ｂ２よりも狭くした。図８に示すように、青色の画素領域ＰＢ及び第１延伸部４０ａ上には、最大放出角θ２で放出される材料が蒸着されることによって、有機エレクトロルミネッセンス膜４２が形成される。最大放出角θ２は小さく、第１基板１０に対して斜め方向に放出される材料が、蒸着マスク３００の開口Ｈの端部にケラレにくい。そのため、蒸着マスク３００の開口Ｈの端部においても、有機エレクトロルミネッセンス膜４２の薄膜領域ｔが生じにくく、有機エレクトロルミネッセンス膜４２は略均一の厚さで形成される。すなわち、第１延伸部４０ａの幅ｂ１を狭くしても、薄膜領域ｔに電流が集中することによる発光効率の低下等の問題は生じない。
【００３３】
本実施形態においては、第１延伸部４０ａの幅ｂ１を狭くした分、図７に示すＸ方向における画素領域Ｐ間の間隔を狭くでき、画素の高精細化等を実現できる。
【００３４】
なお、本実施形態において、青色の画素領域ＰＢ及び第２延伸部４０ｂ上への有機エレクトロルミネッセンス膜４２の形成については、従来例で説明した図６と同様であるため、その説明の詳細については省略する。
【００３５】
なお、本実施形態においては、第２延伸部４０ｂ上に有機エレクトロルミネッセンス膜４２の薄膜領域ｔが形成され、第１延伸部４０ａ上に有機エレクトロルミネッセンス膜４２の薄膜領域ｔが形成されない例について示したが、これに限られるものではない。例えば、第１延伸部４０ａ上に、第２延伸部４０ｂ上に形成される薄膜領域ｔよりも幅の狭い薄膜領域ｔが形成される構成であってもよい。
【００３６】
なお、本実施形態においては、図７に示すように、Ｙ方向に延びる第１延伸部４０ａの幅ｂ１を、Ｘ方向に延びる第２延伸部４０ｂの幅ｂ２よりも狭くする構成について説明したが、これに限られるものではない。蒸着源２００から放出される材料の放出方向及び放出角に依存して、第１延伸部４０ａと第２延伸部４０ｂのうち、薄膜領域ｔが生じにくい方のいずれか一方の幅を狭くすればよい。
【００３７】
なお、上記においては、青色の画素領域ＰＢに形成される有機エレクトロルミネッセンス膜４２についてのみ説明したが、赤色の画素領域ＰＲ、緑色の画素領域ＰＧにおいても同様に、各色に対応する有機エレクトロルミネッセンス膜４２が蒸着される。
【００３８】
さらに、図６、図８、図９、図１０を参照して、本実施形態における絶縁層４０の詳細について説明する。図９は、本実施形態における絶縁層の傾斜面の傾斜角について説明する図である。図１０は、本実施形態におけるハーフトーンマスクを用いた絶縁層の形成について説明する図である。
【００３９】
図８等において、絶縁層４０の第１延伸部４０ａは、頂上部４１ａと、頂上部４１ａの両端に設けられる傾斜面４３ａとを有する。絶縁層４０の第２延伸部４０ｂは、頂上部４１ｂと、頂上部４１ｂの両端に設けられる傾斜面４３ｂとを有する。図８等においては、絶縁層４０の傾斜面が平面である例について示したが、傾斜面は図９のようになだらかな曲面であってもよい。
【００４０】
以下、図９に示すように、絶縁層４０の頂上部４１の高さをｈとした場合の高さｈ／２における傾斜面４３上の接線と、絶縁層４０の底面とが成す角度を、傾斜面４３の傾斜角（図９中のα）と定義する。
【００４１】
本実施形態においては、平面視における第１延伸部４０ａの頂上部４１ａの幅を、第２延伸部４０ｂの頂上部４１ｂの幅よりも小さくすることにより、平面視における第１延伸部４０ａの幅ｂ１を、第２延伸部４０ｂの幅ｂ２よりも小さくした。また、図６、図８に示すように、第１延伸部４０ａの傾斜面４３ａの傾斜角を、第２延伸部４０ｂの傾斜面４３ｂの傾斜角より大きくした。
【００４２】
また、第１延伸部４０ａの頂上部４１ａの高さと、第２延伸部４０ｂの頂上部４１ｂの高さは同一とすることが好ましい。蒸着マスク３００を、頂上部４１ａ上及び頂上部４１ｂ上に載るように配置した場合、それらの高さが異なっていると、蒸着マスク３００と絶縁層４０との間に隙間が生じることとなり、その隙間から蒸着源２００から放出される材料が、隣接する画素領域Ｐに蒸着されてしまうおそれがあるためである。例えば、青色の画素領域ＰＢに形成する有機エレクトロルミネッセンス膜４２が、隣接する赤色の画素領域ＰＲに形成されてしまうと、混色が生じてしまう。
【００４３】
絶縁層４０の傾斜面４３は、ハーフトーンマスク４００を用いて形成するとよい。図１０に示すように、ハーフトーンマスク４００は、開口と、遮光部４１０と、半透過部４２０を有するとよい。遮光部４１０は光を遮光し、半透過部４２は光を一部透過する。
【００４４】
まず、第１基板１０上に、絶縁層４０を構成する感光性樹脂膜を形成する。そして、感光性樹脂膜上にハーフトーンマスク４００を配置して、露光パターニングすることにより絶縁層４０の開口及び傾斜面４３を形成する。この際、遮光部４１０が絶縁層４０の頂上部４１に対応する位置に対応し、半透過部４２０が傾斜面４３に対応する。
【００４５】
本実施形態においては、第１延伸部４０ａの傾斜面４３ａの傾斜角を、第２延伸部４０ｂの傾斜面４３ｂの傾斜角よりも大きくした。例えば、傾斜面４３aに対応する位置に半透過部４２０を設け、傾斜面４３ｂに対応する位置には半透過部４２０を設けなければよい。また、傾斜面４３ｂにもある程度の傾斜を設ける場合には、いずれの傾斜面に対応する位置にも半透過部４２０を設けてもよい。例えば、傾斜面４３ａの傾斜角を７０°程度とし、傾斜面４３ｂの傾斜角を３０°程度とするとよい。このような構成とするために、傾斜面４３ａに対応する位置に配置される半透過部４２０の幅が、傾斜面４３ｂに対応する位置に配置される半透過部４２０の幅よりも狭いハーフトーンマスク４００を用いるとよい。そして、傾斜面４３ａの傾斜角が傾斜面４３ｂの傾斜角よりも大きくなるように、傾斜面４３ａと傾斜面４３ｂに対する露光量や露光時間等を異ならせるとよい。
【００４６】
以上のように絶縁層４０を形成することにより、頂上部４１ａと頂上部４１ｂの高さを同じとし、第１延伸部４０ａの幅を第２延伸部４０ｂの幅よりも狭くし、かつ傾斜面４３ａの傾斜角を傾斜面４３ｂの傾斜角よりも大きい絶縁層４０を実現することができる。
【００４７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  第１基板、１１  第２基板、１２  集積回路チップ、１６  表示回路層、１８  アンダーコート層、２０  半導体層、２２  ソース電極、２４  ドレイン電極、２６  ゲート絶縁膜、２８  ゲート電極、３０  層間絶縁膜、３２  パッシベーション膜、３４  平坦化層、３６  画素電極、３８  コンタクトホール、４０  絶縁層、４０ａ  第１延伸部、４０ｂ  第２延伸部、４１  頂上部、４２  有機エレクトロルミネッセンス膜、４３  傾斜面、４４  共通電極、４６  発光素子、４８  封止層、５４  充填層、１００  表示装置、２００  蒸着源、３００  蒸着マスク、４００  ハーフトーンマスク、４１０  遮光部、４２０  半透過部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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