(57)【要約】      （修正有）【課題】色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供する。または、カラーフィルタの密着性が向上した新規な表示装置を提供する。または、良好な反射表示を可能とした、新規な表示装置を提供する。【解決手段】画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタ１５０と、トランジスタのソース電極層として機能する導電層１１０ｂ＿１またはドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と同一平面上に形成された反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３と、反射電極層上の第１の絶縁層１１２と、反射電極層と重畳し、第１の絶縁層上の有色層１１４と、有色層上の第２の絶縁層１１６と、第２の絶縁層上の画素電極層１１８と、を有し、有色層は、少なくとも第１の開口部１３４及び第２の開口部１３６を有し、画素電極層は、第１の開口部を介してトランジスタと電気的に接続され、第２の絶縁層が、第２の開口部を介して第１の絶縁層と接する。【選択図】図３
2019219688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上の反射電極層と、
前記反射電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して、前記反射電極層と重なる領域を有する有色層と、
前記有色層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、
前記有色層は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記画素電極層は、前記第１の開口部を介して前記トランジスタと電気的に接続され、
前記第２の絶縁層が、前記第２の開口部を介して前記第１の絶縁層と接する領域を有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、
マニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一
態様は、半導体装置、表示装置、電子機器、それらの作製方法、又はそれらの駆動方法に
関する。特に、本発明の一態様は、例えば、反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことをいう。なお、表示装置は、複数の
画素を駆動させる駆動回路等を含む。なお、表示装置は、別の基板上に配置された制御回
路、電源回路、信号生成回路等を含む場合がある。
【背景技術】
【０００３】
近年、スマートフォンを始めとした携帯情報端末の急速な普及に伴い、端末自体の高性
能化も急速に進んでいる。画面は大型化、高精細化の一途を辿り、最近ではその精細度が
３００ｐｐｉを超えるものも出てきている。
【０００４】
例えば、液晶表示装置として、表示領域にＲＧＢのサブピクセルを設け、各サブピクセ
ルにカラーフィルタを設ける構成が一般的に用いられる。該カラーフィルタは、アクティ
ブマトリクス基板（画素を駆動するためのトランジスタ等の素子が形成されている基板）
と対向する基板（対向基板）に設けられる。
【０００５】
また、高精細化に伴い、アクティブマトリクス基板と、カラーフィルタが形成されている
対向基板とのアライメント精度が問題視されることもある。これを解決するため、カラー
フィルタをアクティブマトリクス基板側に形成する、所謂カラーフィルタ・オン・アレイ
（ＣＯＡ）構造が注目されてきている。
【０００６】
ＣＯＡ構造を有する液晶表示装置としては、アクティブマトリクス基板側にカラーフィ
ルタ、画素電極、反射層を具備し、対向基板側から入射した光が、画素電極、及びカラー
フィルタを透過して、下層に配置された反射層で反射されて視認される反射型または半透
過型の液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１８７２０９号公報
【特許文献２】国際公開第２０１１／０４５９５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
対向基板にカラーフィルタを有する反射型の表示装置の場合、外光などの光がカラーフ
ィルタを通過し、反射膜等で反射し、さらにカラーフィルタを通過する。
【０００９】
また、ＣＯＡ構造を有する反射型の表示装置の場合も、外光などの光がカラーフィルタ
を通過し、反射膜等で反射し、さらにカラーフィルタを通過する。すなわち、外光などの
光がカラーフィルタを２回通過することによって、視認者に観測される。したがって、反
射光の色純度が高くなる場合がある。反射光の色純度が高い場合、室内などの外光が比較
的弱い場合においては、反射光が弱く、表示が暗くなる。
【００１０】
反射型の表示装置の反射光の色純度の調整は、例えば、カラーフィルタの膜厚を厚くま
たは薄く形成することで、行うことができる。また、カラーフィルタに用いる着色材料、
例えば、顔料等を変えることで色純度を調整することができる。しかしながら、カラーフ
ィルタの膜厚を厚くまたは薄く形成する場合、基板面内での膜厚を均一に形成するのが困
難である。また、カラーフィルタに用いる着色材料を変える場合、材料変更が必要なため
、開発までの期間が長くなりコスト増となる。
【００１１】
また、もう一つの課題として、カラーフィルタと被形成面との密着性が悪いといった問
題がある。例えば、カラーフィルタとして、着色材料が分散された感光性樹脂溶液を用い
、該感光性樹脂溶液を塗布乾燥して感光性樹脂膜を形成する。該感光性樹脂膜の露光時に
おいて、着色材料が分散されているために、露光時の光強度が深さ方向につれ減衰し、感
光性樹脂膜と被形成面との界面付近で光硬化が不十分となり密着性が低下する場合がある
。
【００１２】
上述の課題に鑑み、本発明の一態様は、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を
提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、カラーフィルタの密着性
が向上した新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様
は、生産性が向上された、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、
本発明の一態様は、良好な反射表示を可能とした、新規な表示装置を提供することを課題
の一つとする。または、本発明の他の一態様は、良好な反射表示を可能とした、ＣＯＡ構
造が適用された新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の他
の一態様は、新規な表示装置などを提供することを課題の一つとする。
【００１３】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、上記以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様は、画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、トランジスタ
のソース電極層またはドレイン電極層と、ソース電極層またはドレイン電極層上の絶縁層
と、絶縁層上の画素電極層と、画素電極層及びドレイン電極層と重畳する有色層とを有し
、画素電極層は、トランジスタと電気的に接続され、有色層は、少なくとも第１の開口部
及び第２の開口部を有することを特徴とする表示装置である。
【００１５】
また、上記構成において、前記有色層は、対向基板に形成され、画素電極層が形成され
た基板と対向基板とが貼り合わされ、有色層が画素電極層と重畳するように位置合わせさ
れている。上記構成において、画素電極層は、反射電極層として機能する。
【００１６】
また、上記構成において、有色層は、赤色の波長帯域の光を透過する材料層、緑色の波
長帯域の光を透過する材料層、青色の波長帯域の光を透過する材料層を用いる。また、有
色層の他の色として、シアン、マゼンダ、イエロー（黄）などを用いてもよい。また、フ
ルカラーの表示を得るために３種類以上の有色層を用いる場合、有色層の上面形状を他の
色の有色層と異ならせてもよく、例えば、有色層の開口形状を異ならせる。また、複数の
有色層を形成する基板も一枚の基板に限定されず、例えば、対向基板に第１の有色層を設
け、トランジスタを設ける基板に第２の有色層、及び第３の有色層を設けてもよい。
【００１７】
また、上記構成において、さらに第２の有色層と、第３の有色層とを有し、第２の有色
層は、少なくとも第３の開口部及び第４の開口部を有し、第３の開口部及び第４の開口部
の上面形状は、第１の開口部及び第２の開口部と異なることを特徴とする表示装置である
。青色の有色層の開口部の面積よりも赤色の有色層の開口部の面積を大きくすることで、
ＮＴＳＣ比を維持しつつ、反射率を改善することができる。
【００１８】
また、本発明の他の一態様は、画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、ト
ランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と
、反射電極層上の第１の絶縁層と、反射電極層と重畳し、第１の絶縁層上の有色層と、有
色層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、有色層は、少なくと
も第１の開口部及び第２の開口部を有し、画素電極層は、第１の開口部を介してトランジ
スタと電気的に接続され、第２の絶縁層が、第２の開口部を介して第１の絶縁層と接する
ことを特徴とする表示装置である。
【００１９】
また、本発明の他の一態様は、画素領域と、画素領域に形成されたトランジスタと、ト
ランジスタのソース電極層またはドレイン電極層と同一平面上に形成された反射電極層と
、反射電極層上の無機絶縁材料によって形成された第１の絶縁層と、反射電極層と重畳し
、第１の絶縁層上の有色層と、有色層上の有機絶縁材料によって形成された第２の絶縁層
と、第２の絶縁層上の画素電極層と、を有し、有色層は、少なくとも第１の開口部及び第
２の開口部を有し、画素電極層は、第１の開口部を介してトランジスタと電気的に接続さ
れ、第２の絶縁層が、第２の開口部を介して第１の絶縁層と接することを特徴とする表示
装置である。
【００２０】
また、上記各構成において、トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート電極層上のゲー
ト絶縁層と、ゲート絶縁層上の半導体層と、ゲート絶縁層、及び半導体層と接するソース
電極層及びドレイン電極層と、を有する構成であると好ましい。
【００２１】
また、上記各構成において、第１の絶縁層は、第１の開口部と重畳する位置に第３の開
口部を有し、画素電極層は、第１の開口部及び第３の開口部を介してトランジスタのドレ
イン電極層と電気的に接続される構成であると好ましい。
【００２２】
また、上記各構成において、半導体層は、酸化物半導体層であると好ましい。また、該
酸化物半導体層は、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ｍは、Ａｌ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆを表す。）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸
化物で表記される酸化物を含むとよい。
【００２３】
また、上記各構成において、画素領域上にタッチパネルを重畳させてもよいし、タッチ
入力機能を有する回路を対向基板上に設けてもよい。
【００２４】
また、上記各構成の表示装置を用いた電子機器も本発明の一態様に含まれる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様により、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を提供することが
できる。また、本発明の一態様により、カラーフィルタの密着性が向上した新規な表示装
置を提供することができる。また、本発明の一態様により、生産性が向上された、新規な
表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、良好な反射表示を可能
とした、新規な表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、新規な
表示装置などを提供することができる。
【００２６】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】表示装置の上面を説明する図。
【図２】表示装置の有色層の上面を説明する図。
【図３】表示装置の断面を説明する図。
【図４】表示装置の作製方法を説明する断面図。
【図５】表示装置の作製方法を説明する断面図。
【図６】表示装置の作製方法を説明する断面図。
【図７】表示装置の断面及び表示装置の作製方法を説明する図。
【図８】表示装置のブロック図及び画素の回路図。
【図９】表示モジュールを説明する図。
【図１０】電子機器を説明する図。
【図１１】実施例における光学顕微鏡観察像。
【図１２】実施例における断面ＴＥＭ像。
【図１３】実施例における断面ＴＥＭ像。
【図１４】表示装置の有色層の上面を説明する図。
【図１５】表示装置の作製方法を説明する断面図。
【図１６】表示装置の断面を説明する図。
【図１７】表示装置の断面を説明する図。
【図１８】表示装置の断面を説明する図。
【図１９】表示装置の断面を説明する図。
【図２０】表示装置の断面を説明する図。
【図２１】表示装置の上面を説明する図。
【図２２】表示装置の有色層の上面を説明する図。
【図２３】表示装置の断面を説明する図。
【図２４】反射率の測定方法を示す図と、反射率を示すグラフである。
【図２５】表示装置の観察写真と、表示装置の特性を示す図である。
【図２６】表示装置の断面模式図。
【図２７】表示装置の駆動方法の一例を示す概念図である。
【図２８】リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異
なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２９】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
【００３０】
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の
混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００３１】
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００３２】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極層）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極層）
の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流
すことができるものである。
【００３３】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
【００３４】
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するも
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
【００３５】
また、本明細書等において、画素領域とは、少なくとも画素（一つの色要素（例えばＲ
（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）のいずれか１つ）の明るさを制御できる表示単位に相当するもの
）を有する構成である。したがって、カラー表示装置の場合には、カラー画像の最小表示
単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。ただし、
カラー画像を表示するための色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、
ＲＧＢ以外の色を用いても良い。例えば、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素とＷ（白）の画
素の四画素から表示単位を構成してもよい。または、ペンタイル配列のように、ＲＧＢの
うち、複数の色要素で一つの表示単位を構成してもよい。
【００３６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図６を用いて説明を
行う。
【００３７】
図１は、本発明の一態様の表示装置の一例の上面図を表している。なお、図１に示す上
面図としては、表示装置の画素領域の一部分（３画素分）を表しており、図面の煩雑を避
けるため、ゲート絶縁層等の一部の構成要素を省略して図示している。
【００３８】
図１において、トランジスタ１５０は、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと
、ゲート絶縁層（図１に図示せず。）と、チャネル領域が形成される半導体層１０８と、
ソース電極層として機能する導電層１１０ｂ＿１と、ドレイン電極層として機能する導電
層１１０ｂ＿２と、を有する。また、トランジスタ１５０のゲート電極層として機能する
導電層１０４ａを含むゲート線１０４が左右方向に延在し、トランジスタ１５０のソース
電極層として機能する導電層１１０ｂ＿１を含むソース線１１０が上下方向に延在してい
る。また、隣接する２つのゲート線１０４と隣接する２つのソース線１１０で区画された
領域には、画素領域１２０が形成されている。このように、トランジスタ１５０は、画素
領域１２０に形成される。
【００３９】
また、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと同一工程で形成される導電層１０
４ｂと、ドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と、がゲート絶縁層と同一工
程で形成される絶縁層を介して積層して設けられる。導電層１０４ｂ、ゲート絶縁層と同
一工程で形成される絶縁層、及び導電層１１０ｂ＿２により容量素子１５２が形成される
。
【００４０】
また、トランジスタ１５０には、画素電極層１１８が電気的に接続されている。具体的
には、画素電極層１１８は、開口部１３４及び開口部１３８を介して、トランジスタ１５
０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿２と電気的に接続される。
【００４１】
また、図１に示すように、導電層１１０ｂ＿１を含むソース線１１０と、導電層１０４
ａを含むゲート線１０４が交差する領域の面積を小さくすると好ましい。ソース線１１０
及びゲート線１０４のそれぞれの面積を小さくすることで、ソース線１１０とゲート線１
０４の間で生じうる寄生容量を低減することができる。
【００４２】
また、画素領域１２０は、トランジスタ１５０のソース電極層として機能する導電層１
１０ｂ＿１、及びトランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１０ｂ＿
２と同一工程で形成された導電層１１０ｂ＿３を有する。なお、導電層１１０ｂ＿３は、
反射電極層としての機能を有する。また、導電層１１０ｂ＿３と重畳する位置には、有色
層１１４が形成される。また、有色層１１４と重畳する位置には、画素電極層１１８が形
成される。
【００４３】
図１に示す構成においては、導電層１１０ｂ＿３に入射する光（主に外光など）は、少
なくとも画素電極層１１８及び有色層１１４を通過し、導電層１１０ｂ＿３で反射される
。つまり、本実施の形態の一態様の表示装置としては、反射電極層として機能する導電層
１１０ｂ＿３で反射された光を用いて、カラー表示を行う。なお、導電層１１０ｂ＿３は
、容量線としての機能を有する。導電層１１０ｂ＿３は、隣接する画素間で接続されてい
る。
【００４４】
また、有色層１１４は、第１の開口部として機能する開口部１３４と、第２の開口部と
して機能する開口部１３６を有する。なお、図１においては、１画素について１６個の開
口部１３６が設けられている構成について例示している。ただし、開口部１３６の形状ま
たは個数については、これに限定されない。
【００４５】
開口部１３４は、トランジスタ１５０と、画素電極層１１８との接続用の開口部として
機能する。また、開口部１３６は、有色層１１４の色純度を調整する機能を有する。すな
わち、開口部１３６の形状または開口部の個数により、有色層１１４の色純度を調整でき
る。
【００４６】
このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構成とすることで、有色層１１４の
色純度を簡便に調整することができる。
【００４７】
ここで、図１に示す表示装置の有色層１１４の上面形状をより具体的に説明する。図２
（Ａ）に有色層１１４の上面図を示す。なお、図２（Ａ）において、有色層１１４以外の
他の構成要素は省略して図示している。また、図２（Ａ）においては、１画素分の上面図
に相当する。
【００４８】
図２（Ａ）に示す有色層１１４は、開口部１３４と開口部１３６を有する。また、図２
（Ａ）においては、隣接する画素、ここでは、上に隣接する画素の有色層１１４が重なる
領域を領域１４１として表し、下に隣接する画素の有色層１１４が重なる領域を領域１４
２として表している。このように、１つの画素に対して隣接する画素の有色層１１４の一
部を重ねて配置することで、ゲート線１０４またはソース線１１０で反射しうる反射光を
抑制することができる。すなわち、隣接する画素の有色層１１４を積層して設けることで
、有色層１１４の一部を所謂ブラックマトリクス（ＢＭ）として機能させることができる
。
【００４９】
なお、図２（Ａ）においては、隣接する画素の双方の有色層１１４が、それぞれ独立し
て有色層１１４と重なる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、隣接す
る画素の双方の有色層１１４が、それぞれ共通して有色層１１４と重なる構成としてもよ
い。ただし、隣接する画素の双方の有色層１１４が、それぞれ共通して有色層１１４と重
なる構成とする場合、画素領域１２０または画素領域１２０周辺の凹凸が大きくなる場合
がある。よって、画素領域１２０または画素領域１２０周辺の平坦性も考慮すると、図２
（Ａ）に示すように隣接する画素の双方の有色層１１４がそれぞれ独立して、有色層１１
４と重なる構成の方が好ましい。あるいは画素領域１２０周辺に、ブラックマトリクス（
ＢＭ）として機能する、黒色の有色層を配置する構成としてもよい。
【００５０】
また、図２（Ｂ）、（Ｃ）に図２（Ａ）に示す有色層１１４の変形例を示す。
【００５１】
図２（Ｂ）に示す有色層１１４は、図２（Ａ）に示す有色層１１４と比較して開口部１
３４の形状、及び開口部１３６の形状並びに配置が異なる。また、図２（Ｃ）に示す有色
層１１４は、図２（Ａ）に示す有色層１１４と比較して開口部１３４の形状、及び開口部
１３６の形状並びに開口部１３６の配置が異なる。このように、有色層１１４が有する開
口部１３４及び開口部１３６の形状または個数は、有色層１１４の色純度を調整するため
に、様々な形状または配置とすることができる。また、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）、（
Ｃ）においては、開口部１３６の形状を矩形としたが、これに限定されず、例えば、円形
、楕円等の形状としてもよい。
【００５２】
なお、画素の色によって、有色層１１４、開口部１３４、開口部１３６などの形状や、
それらの配置が異なるようにしてもよい。例えば、Ｒの画素の場合は、図２（Ａ）を採用
し、Ｇの画素の場合には図２（Ｂ）を採用し、Ｂの画素の場合には図２（Ｃ）を採用して
もよい。Ｗの画素の場合には有色層１１４を設けない構成、または開口部１３４や開口部
１３６を他の色の画素の場合よりも大きく配置してもよい。
【００５３】
または、１つの画素の中に、透過領域４０１を有する構成にしてもよい。または、透過
領域４０１と反射領域４００とを有する半透過型の表示装置としてもよい。図２（Ａ）（
Ｂ）（Ｃ）に示す有色層１１４の上面形状を、半透過型に適用した場合の例を図１４（Ａ
）（Ｂ）（Ｃ）に示す。図１４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すように、透過領域４０１には、
開口部１３６を設けない構成としてもよい。
【００５４】
次に、図１に示す表示装置の断面について、図３（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。な
お、図３（Ａ）は、図１に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１の切断面に相当する断面図である。ま
た、図３（Ｂ）は、図１に示す一点鎖線Ｘ２−Ｙ２の切断面に相当する断面図である。
【００５５】
図３（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２上のゲート電極
層として機能する導電層１０４ａと、導電層１０４ａと同一工程で形成された導電層１０
４ｂと、第１の基板１０２及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂ
と、導電層１０４ａと重畳し、絶縁層１０６ｂ上の半導体層１０８と、半導体層１０８及
び絶縁層１０６ｂ上のソース電極層として機能する導電層１１０ａ＿１と、半導体層１０
８及び絶縁層１０６ｂ上のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と、導電層
１１０ａ＿１、１１０ａ＿２と同一工程で形成された導電層１１０ａ＿３と、導電層１１
０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３上の導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０
ｂ＿３と、導電層１１０ｂ＿２上の導電層１１０ｃ＿１と、絶縁層１０６ｂ、半導体層１
０８、及び導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ＿１上の保護絶
縁膜として機能する絶縁層１１２と、絶縁層１１２上のカラーフィルタとしての機能を有
する有色層１１４と、有色層１１４上のオーバーコート層としての機能を有する絶縁層１
１６と、絶縁層１１６上の画素電極層１１８と、画素電極層１１８上の液晶層１６６と、
液晶層１６６上の対向電極としての機能を有する導電層１６４と、導電層１６４上の第２
の基板１６２と、を有する。
【００５６】
なお、導電層１０４ａ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１
０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２によって、トランジスタ１５０が
構成されている。また、導電層１０４ｂ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び導電層１１０
ａ＿３、１１０ｂ＿３によって、容量素子１５２が構成されている。
【００５７】
なお、絶縁層１０６ａ、１０６ｂにおいて、ゲート電極層として機能する導電層１０４
ａと重畳する部分は、トランジスタ１５０のゲート絶縁層としての機能を有し、導電層１
０４ｂと重畳する部分は、容量素子１５２の誘電体層としての機能を有する。
【００５８】
また、絶縁層１０６ａ、１０６ｂには、導電層１０４ｂに達する開口部１３２が設けら
れており、開口部１３２を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層としての機能を有
する導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２と、導電層１０４ｂが接続されている。
【００５９】
なお、ここでは、開口部１３２が設けられている場合の例を示したが、本発明の実施形
態の一態様は、これに限定されない。例えば、図１６（Ａ）に示すように、開口部を設け
ない構成としてもよい。その場合、導電層１１０ｂ＿３は、導電層１１０ｂ＿２と同じア
イランドとなる。同様に、導電層１１０ａ＿３は、導電層１１０ａ＿２と同じアイランド
となる。そして、導電層１０４ｂは、容量線としての機能を有することができる。よって
、そのような場合には、導電層１０４ｂは、導電層１０４ａ、または、ゲート線１０４と
概略平行な方向に延びて配置されることが望ましい。
【００６０】
また、有色層１１４には、開口部１３４と開口部１３６が設けられている。別言すると
、有色層１１４上の絶縁層１１６が、開口部１３４を介して絶縁層１１２と接する。なお
、絶縁層１１６は、有色層１１４よりも絶縁層１１２に対する密着性が高い。したがって
、有色層１１４と絶縁層１１２の密着性が十分でない場合においても、絶縁層１１６と絶
縁層１１２が接触する領域を有することで、有色層１１４の膜剥がれを抑制することがで
きる。
【００６１】
また、絶縁層１１２としては、無機絶縁材料により形成されると好ましい。また絶縁層
１１６としては、有機絶縁材料により形成されると好ましい。絶縁層１１２を無機絶縁材
料により形成することによって、半導体層１０８との界面特性を良好にすることができる
。また、絶縁層１１６を有機絶縁材料により形成することによって、絶縁層１１６上に形
成される画素電極層１１８の平坦性を高くすることができる。
【００６２】
また、有色層１１４に設けられた開口部１３６によって、有色層１１４の色純度を調整
することができる。例えば、開口部１３６の形状や開口部１３６の面積を調整することに
よって、有色層１１４の色純度を調整できる。
【００６３】
このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構造とすることで、色純度の調整を
可能とした、新規な表示装置を提供することができる。また、カラーフィルタとして用い
る有色層１１４の密着性が向上した新規な表示装置を提供することができる。
【００６４】
また、絶縁層１１２には、開口部１３８が設けられている。また、画素電極層１１８は
、開口部１３４、１３８を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導
電層１１０ｃ＿１と接続されている。
【００６５】
また、導電層１１０ｂ＿３は、反射電極層としての機能を有する。したがって、反射率
の高い導電層を用いると好ましい。該反射率の高い導電層としては、例えば、アルミニウ
ム、銀、パラジウム、銅からなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造ま
たは積層構造として用いる。とくに導電層１１０ｂ＿３としては、コスト、及び加工性な
どの点からアルミニウムを含む材料が好ましい。また、導電層１１０ｃ＿１としては、耐
酸化性の高い導電層を用いると好ましい。導電層１１０ｃ＿１に耐酸化性の高い導電層を
用いることで、画素電極層１１８との接触抵抗を低くすることができる。このような構成
とすることで、反射率が高く、且つ画素電極層との接触抵抗を低くすることができる。
【００６６】
別言すると、図３（Ａ）に示す表示装置は、反射領域においては、反射率の高い導電層
を用い、画素電極層との接触領域においては、耐酸化性の高い導電層を用いることで、良
好な反射表示を可能とし、トランジスタと画素電極層の接触不良が低減された新規な表示
装置を提供することができる。
【００６７】
なお、図１６（Ｂ）に示すように、透過領域４０１を設けてもよい。
【００６８】
また、図３（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２と対向す
る第２の基板１６２との間に液晶層１６６が挟持されている。
【００６９】
第２の基板１６２の下には、導電層１６４が形成されており、画素電極層１１８、液晶
層１６６、導電層１６４によって、液晶素子１７０が構成されている。画素電極層１１８
及び導電層１６４に電圧を印加することによって、液晶層１６６の配向状態を制御するこ
とができる。なお、図３（Ａ）において、画素電極層１１８及び導電層１６４が液晶層１
６６と接する構成について例示したが、これに限定されず、例えば、画素電極層１１８と
液晶層１６６が接する領域、及び導電層１６４と液晶層１６６が接する領域に、それぞれ
配向膜を形成してもよい。
【００７０】
図３（Ａ）に示す表示装置において、反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３と
、有色層１１４と、画素電極層１１８を第１の基板１０２上に形成することができるため
、第２の基板１６２側に有色層を形成する場合と比較して、アライメント精度の高い構成
とすることができる。したがって、高精細（例えば３００ｐｐｉ以上）な表示装置におい
ても、カラー表示が可能な反射型の液晶表示装置を提供することができる。
【００７１】
なお、トランジスタ１５０は、チャネルの上側、チャネルの下側、または、チャネルの
上側と下側に、ゲート電極が設けられていてもよい。例えば、画素電極層１１８と同時に
形成した導電層１１８ａを配置した場合の例を図１７（Ａ）に示す。導電層１１８ａは、
トランジスタ１５０のゲート電極としての機能を有することができる。なお、導電層１１
８ａは、導電層１０４ａと接続されていてもよい。その場合、同じ信号や電位が供給され
ることとなる。または、導電層１１８ａは、導電層１０４ａと異なる信号や電位が供給さ
れていてもよい。このように、導電層１１８ａは、画素電極層１１８と同時に形成し、同
時に成膜して、同時にエッチングして形成するため、プロセス工程数の増加を防ぐことが
出来る。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、別の導電
層を用いて、トランジスタ１５０のゲート電極としての機能を有する導電層を形成しても
よい。その場合の例を、図１７（Ｂ）、図１８（Ａ）に示す。導電層１９９、導電層１９
９ａは、導電層１１０ｃ＿１で用いられる材料を有することが出来る。または、導電層１
９９、導電層１９９ａは、導電層１０４ａ、導電層１１０ａ＿１、導電層１１０ｂ＿１、
導電層１１０ｃ＿１などで用いることが出来る材料として述べた材料と、同様な材料を有
することが出来る。
【００７２】
なお、図１８（Ｂ）に示すように、導電層１９９ａと同時に形成し、同時に成膜して、
同時にエッチングして形成する導電層として、導電層１９９ｂを配置してもよい。この導
電層には、導電層１１０ｂ＿３と同様な反射率の高い材料を用いることにより、反射電極
として機能を持たせることも可能である。または、導電層１１０ｂ＿２と重ねて配置する
ことにより、容量素子を形成することもできる。その場合、導電層１９９ｂは、導電層１
０４ｂと接続されていてもよい。
【００７３】
なお、導電層１９９ａと同時に形成し、同時に成膜して、同時にエッチングして形成す
る導電層として、導電層１９９ｃを配置してもよい。導電層１９９ｃは、画素電極層１１
８との接続部分に配置することが出来る。その場合の例を、図１９（Ａ）（Ｂ）に示す。
この場合、導電層１９９ａは、導電層１１０ｃ＿１と同様な材料を有していてもよい。な
お、導電層１９９ａは、必ずしも設けなくてもよい。その場合の例を、図２０（Ａ）（Ｂ
）に示す。
【００７４】
次に、図３（Ｂ）に示す表示装置について、以下説明を行う。
【００７５】
図３（Ｂ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２上のゲート線１
０４と、ゲート線１０４上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂと、絶縁層１０６ｂ上の導電層１
１０ａ＿４、１１０ｂ＿４と、絶縁層１０６ｂ及び導電層１１０ｂ＿４上の絶縁層１１２
と、絶縁層１１２上の有色層１１４と、有色層１１４上の有色層１１４ａ、１１４ｂと、
有色層１１４、１１４ａ、１１４ｂ上の絶縁層１１６と、絶縁層１１６上の液晶層１６６
と、液晶層１６６上の導電層１６４と、導電層１６４上の第２の基板１６２と、を有する
。なお、導電層１１０ａ＿４及び導電層１１０ｂ＿４は、ソース線１１０として機能する
。
【００７６】
図３（Ｂ）は、ゲート線１０４と、ソース線１１０として機能する導電層１１０ａ＿４
、１１０ｂ＿４との交差する領域の断面図である。
【００７７】
図３（Ｂ）に示すように、有色層１１４上に有色層１１４ａ、１１４ｂを形成すること
で、ゲート線１０４または導電層１１０ｂ＿４に起因する表面反射を抑制することができ
る。なお、有色層１１４ａは、隣接する画素、ここでは図１に示す下側の画素の有色層で
ある。また、有色層１１４ｂは、隣接する画素、ここでは図１に示す上側の画素の有色層
である。例えば、有色層１１４を緑（Ｇ）色とし、有色層１１４ａを青（Ｂ）色とし、有
色層１１４ｂを赤（Ｒ）色とすることができる。
【００７８】
このように、少なくとも反射領域以外の箇所の有色層を積層構造とする、別言すると有
色層と隣接する画素の有色層とを重畳させる構成とすることで、有色層の一部がブラック
マトリクスとしての機能を有することができる。
【００７９】
なお、図１及び図３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置のその他の構成要素については、表
示装置の作製方法において詳細に説明する。
【００８０】
＜表示装置の作製方法＞
図１、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の作製方法について、図４乃至図６を用いて
以下説明を行う。
【００８１】
まず、第１の基板１０２を準備する。第１の基板１０２としては、アルミノシリケート
ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用い
る。量産する上では、第１の基板１０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、
第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０
世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザー
ガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用
して量産を行う場合、作製工程の加熱温度は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましく
は４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。
【００８２】
次に、第１の基板１０２上に導電層を形成し、該導電層を所望の形状に加工することで
、導電層１０４ａ、１０４ｂを形成する（図４（Ａ）参照）。
【００８３】
導電層１０４ａ、１０４ｂとしては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、
モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする
合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、
導電層１０４ａ、１０４ｂは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば
、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層す
る二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜また
は窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン
膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。
また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用
いてもよい。また、導電層１０４ａ、１０４ｂは、例えば、スパッタリング法を用いて形
成することができる。
【００８４】
次に、第１の基板１０２、及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上に絶縁層１０６ａ、１０６
ｂを形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００８５】
絶縁層１０６ａとしては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また
、絶縁層１０６ａを積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒
化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出
量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁
層１０６ａに含まれる水素及び窒素が、後に形成される半導体層１０８へ移動または拡散
することを抑制できる。
【００８６】
絶縁層１０６ｂとしては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、
ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。
【００８７】
絶縁層１０６ａ、１０６ｂとしては、例えば、絶縁層１０６ａとして、厚さ４００ｎｍ
の窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁層１０６ｂとして、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シ
リコン膜を形成することができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空
中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、導電層１０４ａと重畳
する領域の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、トランジスタ１５０のゲート絶縁層として機能
する。また、導電層１０４ｂと重畳する領域の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、容量素子１
５２の誘電体層として機能する。
【００８８】
なお、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり
、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のこと
をいう。
【００８９】
ゲート絶縁層として、上記のような構成とすることで、例えば以下のような効果を得る
ことができる。窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比誘電率が高く、同等の静
電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、ゲート絶縁膜を物理的に厚膜化することがで
きる。よって、トランジスタ１５０の絶縁耐圧の低下を抑制、さらには絶縁耐圧を向上さ
せて、トランジスタ１５０の静電破壊を抑制することができる。
【００９０】
次に、絶縁層１０６ｂ上に半導体層を成膜し、該半導体層を所望の形状に加工すること
で、半導体層１０８を形成する。なお、半導体層１０８は、導電層１０４ａと重畳する位
置に形成する。（図４（Ｃ）参照）。
【００９１】
半導体層１０８としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン
等を用いることができる。また、半導体層１０８としては、とくに酸化物半導体を用いる
と好ましい。該酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（
Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆを表す。）を含むＩｎ
−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される酸化物を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方
を含むことが好ましい。
【００９２】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｚｎ酸化
物、Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ
−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ａ
ｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ
酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ酸化物、
Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｄ
ｙ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ
酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸
化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａ
ｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物を用い
ることができる。
【００９３】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分とし
て有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧ
ａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。なお、本実施の形態においては、半導体層
１０８として、酸化物半導体を用いる。
【００９４】
次に、第１の加熱処理を行うことが好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０
℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガス
を１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰
囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを
１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、半導体層１０８に
用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び半導体層１
０８から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、半導体層１０８を島状に
加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。
【００９５】
次に、絶縁層１０６ａ、１０６ｂの所望の領域に開口部１３２を形成する（図４（Ｄ）
参照）。
【００９６】
なお、開口部１３２は、導電層１０４ｂに達するように形成する。開口部１３２の形成
方法としては、例えば、ウエットエッチング、ドライエッチング、またはウエットエッチ
ングとドライエッチングを組み合わせたエッチング方法を用いることができる。
【００９７】
次に、開口部１３２を覆うように、絶縁層１０６ｂ、及び半導体層１０８上に導電層１
０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃを形成する（図５（Ａ）参照）。
【００９８】
導電層１０９ａは、バリアメタルとしての機能を有する。導電層１０９ａは、半導体層
１０８と良好な接触抵抗を有する材料を用いれば良く、例えば、チタン、クロム、ニッケ
ル、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、タングステンからなる単体金
属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。
【００９９】
導電層１０９ｂは、後に反射電極層の一部として機能するため、反射性の高い導電材料
を用いるとよい。また、導電層１０９ｂは、トランジスタのソース電極層及びドレイン電
極層の一部として機能するため、低抵抗材料を用いるとよい。導電層１０９ｂに用いる材
料としては、例えば、アルミニウム、銀、パラジウム、銅からなる単体金属、またはこれ
を主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。とくに導電層１０９ｂとし
ては、コスト、及び加工性などの点からアルミニウムを含む材料が好ましい。
【０１００】
導電層１０９ｃは、後に接続される画素電極層１１８と良好な接触抵抗が得られる材料
を用いれば良く、耐酸化性の高い導電層を用いればよい。なお、耐酸化性の高い導電層と
しては、少なくとも導電層１０９ｂに用いる材料よりも耐酸化性が高ければよい。導電層
１０９ｃとしては、例えば、チタン、クロム、ニッケル、イットリウム、モリブデン、タ
ンタル、タングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金、あるいはこれ
を主成分とする金属窒化膜を単層構造または積層構造として用いる。特に導電層１０９ｃ
としては、チタンまたはモリブデンのいずれか一方を含む材料で形成すると、画素電極層
１１８として用いる材料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）など）と良好な接触抵
抗を得られるため、好ましい。
【０１０１】
例えば、導電層１０９ａとしてチタン膜または窒化チタン膜を用い、導電層１０９ｂと
してアルミニウム膜または銀膜を用い、導電層１０９ｃとしてチタン膜または窒化チタン
膜を用いる。あるいは、導電層１０９ａとしてモリブデン膜または窒化モリブデン膜を用
い、導電層１０９ｂとしてアルミニウム膜または銀膜を用い、導電層１０９ｃとしてモリ
ブデン膜または窒化モリブデン膜を用いる。
【０１０２】
なお、導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃの構造は、上記構造に限定されず、導電層
１０９ａを用いない二層構造としてもよい。該二層構造としては、例えば、導電層１０９
ｂとしてアルミニウム膜を用い、導電層１０９ｃとしてチタン膜を用いる構成などが挙げ
られる。
【０１０３】
また、導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃとしては、例えば、スパッタリング法を用
いて形成することができる。
【０１０４】
次に、導電層１０９ｃを所望の形状に加工し、導電層１１０ｃ＿１と形成する（図５（
Ｂ）参照）。
【０１０５】
導電層１１０ｃ＿１としては、少なくとも、後に画素電極層１１８と接触する領域に形
成する。また、導電層１１０ｃ＿１と同一工程で、導電層１１０ｃ＿１と異なる導電層を
形成してもよい。例えば、導電層１１０ｃ＿１と同一工程で形成される導電層としては、
接続部やＦＰＣ端子部上に形成される導電層などがある。
【０１０６】
なお、導電層１１０ｃ＿１の形成時において、少なくとも導電層１０９ｂの表面の一部
を露出させる。導電層１０９ｂの表面が露出した領域は、後に反射電極層として機能する
。導電層１１０ｃ＿１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウエットエッ
チング法、またはプラズマ処理法などが挙げられる。また、導電層１１０ｃ＿１の形成時
に、導電層１０９ｂの表面が粗面化する場合がある。該粗面化された表面は、入射する光
を乱反射させることができる。したがって、反射電極層として、導電層１０９ｂを用いる
場合、反射電極層の反射効率を向上させることができるので好適である。
【０１０７】
次に、導電層１０９ａ、１０９ｂを所望の形状に加工し、トランジスタ１５０のソース
電極層及びドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ
＿２、１１０ｂ＿２と、反射電極層及び容量素子１５２の一方の電極として機能する導電
層１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３と、を形成する。なお、この段階でトランジスタ１５０及
び容量素子１５２が形成される（図５（Ｃ）参照）。
【０１０８】
導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２、１１０ａ＿３、１
１０ｂ＿３としては、導電層１０９ａ、１０９ｂ上にマスクを形成し、該マスクに覆われ
ていない領域をエッチングすることで、形成される。また、導電層１１０ａ＿１、１１０
ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２、１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３の形成時のエッチン
グ方法としては、例えばドライエッチング法、またはウエットエッチング法を用いること
ができる。
【０１０９】
また、導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２、１１０ａ＿
３、１１０ｂ＿３の形成時において、半導体層１０８の一部がエッチングされ、凹部を有
する半導体層１０８となる場合がある。
【０１１０】
なお、図５（Ｃ）に示す断面構造を形成する場合、ハーフトーンマスク（または、グレ
ートーンマスク、位相差マスクなど）を用いて形成してもよい。その場合、図５（Ａ）の
次には、導電層１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃのエッチングにより、図１５に示すような
断面構造となる。その後、レジストをアッシングすることなどにより、レジストを一回り
小さくして、その後、一部の導電層のみをエッチングする。その結果、図５（Ｃ）に示す
ような断面構造となる。このように、ハーフトーンマスク（または、グレートーンマスク
、位相差マスクなど）を用いることにより、プロセス工程数を削減することが出来る。こ
の場合には、導電層１１０ｃ＿１の下には、必ず、導電層１１０ｂ＿２などが設けられて
いる構成となる。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、
導電層１１０ｃ＿１の下に導電層１１０ｂ＿２などが設けられておらず、例えば、導電層
１１０ｃ＿１の下に絶縁膜が設けられていてもよい。または、例えば、図１５に示すよう
な断面構造の後、導電層をエッチングせずに、上に絶縁層１１２を成膜してもよい。
【０１１１】
次に、半導体層１０８、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ
＿１、及び絶縁層１０６ｂ上に絶縁層１１２を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【０１１２】
絶縁層１１２としては、半導体層１０８として用いる酸化物半導体との界面特性を向上
させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。また、絶縁層１１２として
は、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。
【０１１３】
絶縁層１１２の一例としては、厚さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。本実施の形態において
は、絶縁層１１２として、厚さ４５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を用いる。
【０１１４】
また、絶縁層１１２上にさらに、絶縁層を形成してもよい。該絶縁層としては、外部か
らの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、半導体層１０８として
用いる酸化物半導体へ拡散するのを防ぐ材料で形成される。該絶縁層の一例としては、厚
さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることが
できる。
【０１１５】
また、反射電極層として機能する導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２は、薄く形成す
ると好ましい。例えば、導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２の膜厚としては、好ましく
は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすると良
い。導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層１１２を薄く形成することで、導電層１１０ｂ＿３と
有色層１１４の間の光路長を短くすることができる。反射電極層として機能する導電層１
１０ｂ＿３上の絶縁層１１２を薄く形成する方法としては、例えば、絶縁層１１２形成後
に、導電層１１０ｂ＿３上以外の領域にマスクを形成し、導電層１１０ｂ＿３上の絶縁層
１１２をエッチングする。
【０１１６】
次に、絶縁層１１２上の所望の形状の有色層１１４を形成する。その後、有色層１１４
を覆うように絶縁層１１６を形成する（図６（Ａ）参照）。
【０１１７】
有色層１１４としては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、例え
ば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を
透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラ
ーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を用いて、印刷
法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ
所望の位置に形成する。
【０１１８】
なお、有色層１１４としては、第１の開口部として機能する開口部１３４、及び第２の
開口部として機能する開口部１３６を有する。
【０１１９】
絶縁層１１６としては、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料を用いることができ
る。絶縁層１１６を形成することによって、例えば、有色層１１４中に含まれる不純物等
を液晶層１６６側に拡散することを抑制することができる。また、絶縁層１１６を形成す
ることによって、トランジスタ１５０または、有色層１１４に起因する凹凸等を平坦化す
ることができる。
【０１２０】
なお、絶縁層１１６としては、有色層１１４が有する開口部１３４と概略同じ位置に開
口部を有すると好ましい。該開口部は、絶縁層１１２の表面の一部が露出するように形成
される。
【０１２１】
次に、開口部１３８を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【０１２２】
開口部１３８は、導電層１１０ｃ＿１が露出するように所望の領域に形成する。また、
開口部１３８の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。
ただし、開口部１３８の形成方法としては、これに限定されず、ウエットエッチング法、
またはドライエッチング法とウエットエッチング法を組み合わせた形成方法としてもよい
。
【０１２３】
次に、開口部１３４、１３８を覆うように、絶縁層１１６上の所望の領域に画素電極層
１１８を形成する（図６（Ｃ）参照）。
【０１２４】
画素電極層１１８としては、可視光において、透光性を有する材料を用いればよい。画
素電極層１１８としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中
から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。画素電極層１１８としては、例えば、酸化
タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、
酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物
などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、画素電極層１１８として
は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０１２５】
なお、画素電極層１１８は、開口部１３４、１３８を介して導電層１１０ｃ＿１と接続
される。すなわち、画素電極層１１８と、トランジスタ１５０のドレイン電極層として機
能する導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２が電気的に接続される。
【０１２６】
以上の工程によって、第１の基板１０２上の構造を形成することができる。
【０１２７】
次に、第１の基板１０２と第２の基板１６２を貼り合わせ、液晶層１６６を形成する。
【０１２８】
なお、第２の基板１６２は、導電層１６４を有する。導電層１６４は、液晶素子１７０
の電極の他方として機能するため、透光性を有する材料で形成するとよい。導電層１６４
に用いることのできる材料としては、画素電極層１１８に用いることのできる材料を適用
することができる。
【０１２９】
また、液晶層１６６の形成方法としては、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板１
０２と第２の基板１６２を貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を
用いることができる。
【０１３０】
液晶層１６６に用いることができる材料としては、特に限定されず、例えば、ネマチッ
ク液晶材料やコレステリック液晶材料等を用いれば良い。また、液晶層１６６に用いるこ
とができる材料としては、例えば、高分子分散型液晶、ポリマー分散型液晶、または高分
子ネットワーク型液晶等を用いてもよい。
【０１３１】
以上の工程で、図１、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態においては、図示していないが、必要であれば、配向膜、偏光板、
または円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィ
ルムを適宜設けてもよい。また、偏光板または円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例
えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施す
ことができる。
【０１３３】
なお、本実施の形態において、反射型の表示装置の場合について述べたが、本発明の実
施形態の一態様は、これに限定されない。例えば、画素の開口部において、透過領域を有
していてもよい。例えば、画素の開口部において、一部において反射領域を有し、別の一
部において、透過領域を有していてもよい。したがって、本発明の一態様は、半透過型の
表示装置に適用することもできる。
【０１３４】
なお、本実施の形態において、有色層１１４において、開口部１３６が設けられている
場合の例を示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。場合によって
は、または、状況に応じて、有色層１１４において、開口部１３６が設けられていなくて
もよい。例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の内の少なくとも一つにおいて、開口部１３６
が設けられていなくてもよい。または、画素の開口部において、透過領域と反射領域とを
有する場合、反射領域においては、有色層１１４の開口部１３６が設けられ、透過領域に
おいては、有色層１１４の開口部１３６が設けられていなくてもよい。
【０１３５】
なお、本実施の形態において、第１の基板１０２上に有色層１１４が設けられている場
合の例を示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。場合によっては
、または、状況に応じて、第１の基板１０２上に有色層１１４が設けられていなくてもよ
い。例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の他に、Ｗ画素（白画素）を設ける場合、第１の基
板１０２上に有色層１１４が設けられていなくてもよい。
【０１３６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。
【０１３７】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、実施の形態１に示す表示装置の変形例について、図７を用い
て以下説明を行う。なお、実施の形態１に示す機能と同様の箇所については、同様の符号
を用い、その詳細な説明は省略する。
【０１３８】
図７（Ａ）は、図１に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１の切断面に相当する断面図である。また
、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す表示装置の作製方法の一例を説明する断面図である。
【０１３９】
図７（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板２０２と、第１の基板２０２上の接着層２０
３と、接着層２０３上の絶縁層２０５と、絶縁層２０５上のゲート電極層として機能する
導電層１０４ａと、導電層１０４ａと同一工程で形成された導電層１０４ｂと、絶縁層２
０５及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上の絶縁層１０６ａ、１０６ｂと、導電層１０４ａと
重畳し、絶縁層１０６ｂ上の半導体層１０８と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上の
ソース電極層として機能する導電層１１０ａ＿１と、半導体層１０８及び絶縁層１０６ｂ
上のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と、導電層１１０ａ＿１、１１０
ａ＿２と同一工程で形成された導電層１１０ａ＿３と、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿
２、１１０ａ＿３上の導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３と、導電層１１
０ｂ＿２上の導電層１１０ｃ＿１と、絶縁層１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１
０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ＿１上の保護絶縁膜として機能する絶
縁層１１２と、絶縁層１１２上のカラーフィルタとしての機能を有する有色層１１４と、
有色層１１４上のオーバーコート層としての機能を有する絶縁層１１６と、絶縁層１１６
上の画素電極層１１８と、画素電極層１１８上の液晶層１６６と、液晶層１６６上の対向
電極としての機能を有する導電層１６４と、導電層１６４上の絶縁層２０９と、絶縁層２
０９上の接着層２０７と、接着層２０７上の第２の基板２６２と、を有する。
【０１４０】
なお、導電層１０４ａ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１
０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２によって、トランジスタ１５０が
構成されている。また、導電層１０４ｂ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び導電層１１０
ａ＿３、１１０ｂ＿３によって、容量素子１５２が構成されている。
【０１４１】
なお、ゲート電極層として機能する導電層１０４ａと重畳する位置の絶縁層１０６ａ、
１０６ｂは、トランジスタ１５０のゲート絶縁層としての機能を有する。また、導電層１
０４ｂと重畳する位置の絶縁層１０６ａ、１０６ｂは、容量素子１５２の誘電体層として
の機能を有する。
【０１４２】
また、絶縁層１０６ａ、１０６ｂには、導電層１０４ｂに達する開口部１３２が設けら
れており、開口部１３２を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層としての機能を有
する導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２と、導電層１０４ｂが接続されている。
【０１４３】
また、有色層１１４には、開口部１３４と開口部１３６が設けられている。別言すると
、有色層１１４上の絶縁層１１６が、開口部１３４を介して絶縁層１１２と接する。なお
、絶縁層１１６は、有色層１１４よりも絶縁層１１２に対する密着性が高い。したがって
、有色層１１４と絶縁層１１２の密着性が十分でない場合においても、絶縁層１１６と絶
縁層１１２が接触する領域を有することで、有色層１１４の膜剥がれを抑制することがで
きる。
【０１４４】
また、有色層１１４に設けられた開口部１３６によって、有色層１１４の色純度を調整
することができる。例えば、開口部１３６の形状や開口部１３６の面積を調整することに
よって、有色層１１４の色純度を調整できる。
【０１４５】
このように、有色層１１４が開口部１３６を有する構造とすることで、色純度の調整を
可能とした、新規な表示装置を提供することができる。また、カラーフィルタとして用い
る有色層１１４の密着性が向上した新規な表示装置を提供することができる。
【０１４６】
なお、図７（Ａ）に示す表示装置は、図３（Ａ）に示す表示装置と以下の点が異なる。
図７（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２の代わりに第１の基板２０２が設けられ
、第２の基板１６２の代わりに第２の基板２６２が設けられる。また、図７（Ａ）に示す
表示装置は、第１の基板２０２と導電層１０４ａ、１０４ｂの間に接着層２０３及び絶縁
層２０５が設けられる。また、図７（Ａ）に示す表示装置は、第２の基板２６２と導電層
１６４の間に接着層２０７及び絶縁層２０９が設けられる。
【０１４７】
第１の基板２０２及び第２の基板２６２としては、可撓性を有する材料を用いることが
できる。また、第１の基板２０２及び第２の基板２６２としては、可撓性を有し、且つ靱
性が高い材料を用いることが好ましい。該可撓性を有する材料としては、例えば、有機樹
脂や可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いることができる。
【０１４８】
第１の基板２０２及び第２の基板２６２として有機樹脂を用いると、ガラスに比べて有
機樹脂は比重が小さいため、ガラスを用いる場合に比べて表示装置を軽量化できるため好
ましい。
【０１４９】
可撓性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステ
ル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂
、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂等が挙げられる。とくに、熱膨張係数
の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、
ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、
無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
【０１５０】
可撓性を有する材料として、材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物
、または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率また
はヤング率の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポ
リエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラ
フェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガ
ラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙
げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂
を硬化させた構造物を用いてもよい。繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局
所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０１５１】
また、光の取り出し効率向上のためには、可撓性を有する材料の屈折率は高い方が好ま
しい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂の
みからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。とくに粒子径４０ｎｍ以下の無機
フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
【０１５２】
第１の基板２０２及び第２の基板２６２として、上記可撓性を有する材料の表面に、表
示装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、
押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されてい
てもよい。
【０１５３】
接着層２０３、２０７としては、例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化
型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる
。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂
、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビ
ニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、
エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい
。また、接着シート等を用いてもよい。
【０１５４】
接着層２０３、２０７としては、樹脂材料中に乾燥剤を含んでいてもよい。該乾燥剤と
しては、例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のよう
に、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトや
シリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が
含まれていると、水分などの不純物が表示装置内部に入り込むことを抑制できる。
【０１５５】
絶縁層２０５、２０９としては、例えば、無機絶縁材料を用いることができる。該無機
絶縁材料としては、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニ
ウム等を単層または多層で形成することができる。絶縁層２０５、２０９としては、バッ
ファ層としての機能を有する。
【０１５６】
絶縁層２０５、２０９の形成方法は、特に限定されないが、スパッタリング法、蒸着法
、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等
を用いればよい。
【０１５７】
ここで、図７（Ａ）に示す表示装置の作製方法の一例について、図７（Ｂ）を用いて説
明を行う。
【０１５８】
図７（Ｂ）に示すように、第１の基板１０２上に剥離層２１１を形成する。次に、剥離
層２１１上に絶縁層２０５を形成する。
【０１５９】
第１の基板１０２としては、実施の形態１に記載の材料を援用して用いることができる
。
【０１６０】
剥離層２１１としては、例えば、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オ
スミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、または該
元素を含む化合物材料を含み、単層または積層された構造を用いることができる。また、
シリコンを含む層の場合、該シリコンを含む層の結晶構造としては、非晶質、微結晶、多
結晶、単結晶のいずれでもよい。
【０１６１】
なお、第１の基板１０２と剥離層２１１の間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜
、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成しても良い。該絶縁膜を形成す
ると第１の基板１０２に含まれうる不純物が剥離層２１１側へ入り込むのを抑制すること
ができるため、好適である。
【０１６２】
剥離層２１１としては、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等によ
り形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を
含む。
【０１６３】
剥離層２１１が単層構造の場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンとモ
リブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、またはタン
グステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。
なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合
金に相当する。
【０１６４】
また、剥離層２１１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の
積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成され
る絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物
を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱
酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力
の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプ
ラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガス
との混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層２１
１の表面状態を変えることにより、剥離層２１１と後に形成される絶縁層２０５との密着
性を制御することが可能である。
【０１６５】
本実施の形態において、剥離層２１１として、スパッタリング法により、厚さ３０ｎｍ
のタングステン膜を形成する。
【０１６６】
絶縁層２０５としては、上記列挙した材料を用いることで形成することができる。例え
ば、本実施の形態において、絶縁層２０５として、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を
２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で透水性の低い膜とすることがで
きる。なお、絶縁層２０５の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ
以上１５００ｎｍ以下が好ましい。本実施の形態においては、プラズマＣＶＤ法によって
、厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、その後該酸化窒化シリコン膜上に厚さ
２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。
【０１６７】
次に、絶縁層２０５上に導電層１０４ａ、１０４ｂを形成する。これ以降の工程につい
ては、実施の形態１に示す構成と同様であるため、実施の形態１の記載を参酌することで
形成することができる。
【０１６８】
次に、トランジスタ１５０、容量素子１５２等が形成された素子基板上（図７（Ｂ）に
おいては、絶縁層１１６及び画素電極層１１８）に接着層となる材料を塗布し、該接着層
を介して支持基板と貼り合わせる。そして、第１の基板１０２上の剥離層２１１と絶縁層
２０５の間で剥離し、露出した絶縁層２０５と第１の基板２０２を、接着層２０３を用い
て貼り合わせる。
【０１６９】
なお、上記剥離層２１１と絶縁層２０５の間で剥離する工程は、様々な方法を適宜用い
ることができる。例えば、剥離層２１１として、被剥離層（図７（Ｂ）では絶縁層２０５
、以下、被剥離層と記載する場合もある。）と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した
場合は、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を第１の基板１０２から剥離
することができる。
【０１７０】
また、第１の基板１０２として、耐熱性の高い基板を用いる場合、該耐熱性の高い基板
と被剥離層の間に、剥離層２１１として水素を含む非晶質シリコン膜を形成した場合はレ
ーザ光の照射またはエッチングにより該非晶質シリコン膜を除去することで、被剥離層を
第１の基板１０２から剥離することができる。
【０１７１】
また、剥離層２１１として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、該金
属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、Ｃｌ
Ｆ３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において
剥離することができる。
【０１７２】
また、剥離層２１１として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質シ
リコン膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層２１１にレーザ光を照
射して剥離層２１１内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板
との剥離を促進する方法を用いてもよい。
【０１７３】
また、上記剥離する工程を複数組み合わせることでより容易に剥離を行うことができる
。例えば、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
【０１７４】
また、剥離層２１１と被剥離層との界面に液体を浸透させて第１の基板１０２から被剥
離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい
。また、剥離層２１１をタングステン膜で形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水
の混合溶液によりタングステン膜をエッチングしながら剥離を行うとよい。
【０１７５】
なお、第１の基板１０２と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層２１１を設
けなくてもよい。例えば、第１の基板１０２としてガラスを用い、ガラスに接してポリイ
ミド等の有機樹脂を形成し、該有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場
合、有機樹脂を加熱することにより、第１の基板１０２と有機樹脂の界面で剥離すること
ができる。または、第１の基板１０２と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を
流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０１７６】
以上の工程によって、第１の基板１０２上に形成されるトランジスタ１５０、容量素子
１５２等を、可撓性を有する第１の基板２０２に転置することができる。
【０１７７】
なお、第２の基板１６２から第２の基板２６２に転置する場合においても、同様の手法
により行うことができる。なお、第２の基板２６２としては、トランジスタ１５０、容量
素子１５２等の素子が形成されていないため、第２の基板２６２上に導電層１６４を直接
形成してもよい。この場合、接着層２０７及び絶縁層２０９が設けられない構成となる。
【０１７８】
次に、第１の基板２０２と第２の基板２６２を貼り合わせ、第１の基板２０２と第２の
基板２６２の間に液晶層１６６を注入することで、図７（Ａ）に示す表示装置を形成する
ことができる。
【０１７９】
本実施の形態に示す表示装置には、可撓性を有する材料による第１の基板２０２及び第
２の基板２６２が用いられることにより、所謂フレキシブル性を有する表示装置とするこ
とができる。また、第１の基板２０２及び第２の基板２６２に、それぞれ、可撓性を有し
、且つ靱性が高い材料を用いる場合においては、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置
を実現できる。
【０１８０】
また、図７（Ａ）に示す表示装置としては、開口部１３４および開口部１３６を介して
絶縁層１１６と絶縁層１１２が接する。したがって、有色層１１４の密着性が向上してい
るため、フレキシブル性を有する構成においても、有色層１１４の膜剥がれを抑制するこ
とができる。これは本発明の一態様で得られる優れた効果である。このように、本発明の
一態様の表示装置は、有色層１１４の密着性が向上することによって、可撓性を有する構
造において、とくに優れた効果を奏する。
【０１８１】
なお、他の図面、例えば、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０などにおいても、
同様に、可撓性を有する材料を用いて構成された基板を用いてもよい。
【０１８２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１８３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図８を用いて説明を行う。な
お、実施の形態１及び実施の形態２に示す機能と同様の箇所については、同様の符号を用
い、その詳細な説明は省略する。
【０１８４】
図８（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素領域を有する画素部（以下、画素部３０
２という）と、画素部３０２の外側に配置され、画素部３０２を駆動するための回路を有
する回路部（以下、駆動回路部３０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、
保護回路部３０６という）と、端子部３０７と、を有する。なお、保護回路部３０６は、
設けない構成としてもよい。
【０１８５】
駆動回路部３０４の一部、または全部は、画素部３０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部３０４
の一部、または全部が、画素部３０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部３０４の一部、または全部は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）やＴＡＢ（Ｔ
ａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
【０１８６】
画素部３０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路３０８という）を有し、駆動回
路部３０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ
３０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、ソースドライバ３０４ｂ）などの駆動回路を有する。
【０１８７】
ゲートドライバ３０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ３０４ａは、
端子部３０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、ゲートドライバ３０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。ゲートドライバ３０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、ゲート線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという。また、ゲート線を走査線ともいう場合もある
。）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ３０４ａを複数設け、複数の
ゲートドライバ３０４ａにより、ゲート線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよ
い。または、ゲートドライバ３０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ３０４ａは、別の信号を供給することも
可能である。
【０１８８】
ソースドライバ３０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ３０４ｂは、
端子部３０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ３０４ｂは、画像信号を元に画素回路
３０８に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ３０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ３０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、ソース線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという。また、ソース線をデータ線と
もいう場合もある。）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ３０４ｂ
は、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソー
スドライバ３０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。
【０１８９】
ソースドライバ３０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。
ソースドライバ３０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いてソースドライバ３０４ｂを構成してもよい。
【０１９０】
複数の画素回路３０８のそれぞれは、走査信号が与えられる複数のゲート線ＧＬの一つ
を介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のソース線ＤＬの一つを介
してデータ信号が入力される。また。複数の画素回路３０８のそれぞれは、ゲートドライ
バ３０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ
列目の画素回路３０８は、ゲート線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドラ
イバ３０４ａからパルス信号が入力され、ゲート線ＧＬ＿ｍの電位に応じてソース線ＤＬ
＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ３０４ｂからデータ信号が入力され
る。
【０１９１】
図８（Ａ）に示す保護回路部３０６は、例えば、ゲートドライバ３０４ａと画素回路３
０８の間の配線であるゲート線ＧＬに接続される。または、保護回路部３０６は、ソース
ドライバ３０４ｂと画素回路３０８の間の配線であるソース線ＤＬに接続される。または
、保護回路部３０６は、ゲートドライバ３０４ａと端子部３０７との間の配線に接続する
ことができる。または、保護回路部３０６は、ソースドライバ３０４ｂと端子部３０７と
の間の配線に接続することができる。なお、端子部３０７は、外部の回路から表示装置に
電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０１９２】
保護回路部３０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、
該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
【０１９３】
図８（Ａ）に示すように、画素部３０２と駆動回路部３０４にそれぞれ保護回路部３０
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路部３０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ３０４ａ
に保護回路部３０６を接続する構成、またはソースドライバ３０４ｂに保護回路部３０６
を接続する構成とすることもできる。あるいは、端子部３０７に保護回路部３０６を接続
する構成とすることもできる。
【０１９４】
また、図８（Ａ）においては、ゲートドライバ３０４ａとソースドライバ３０４ｂによ
って駆動回路部３０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例え
ば、ゲートドライバ３０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバが形成された
基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する
構成としても良い。
【０１９５】
また、図８（Ａ）に示す複数の画素回路３０８は、例えば、図８（Ｂ）に示す構成とす
ることができる。
【０１９６】
図８（Ｂ）に示す画素回路３０８は、液晶素子１７０と、トランジスタ１５０と、容量
素子１５２と、を有する。なお、液晶素子１７０、トランジスタ１５０、及び容量素子１
５２は、実施の形態１に示す図３の構成の表示装置を用いることができる。
【０１９７】
液晶素子１７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路３０８の仕様に応じて適宜設定
される。液晶素子１７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複
数の画素回路３０８のそれぞれが有する液晶素子１７０の一対の電極の一方に共通の電位
（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路３０８の液晶素子１７０の一対の
電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
【０１９８】
例えば、液晶素子１７０を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモ
ード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍ
ｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  
Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕ
ｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉ
ｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、又はＴＢＡ
（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｂｅｎｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。
また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ
（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホ
ストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様
々なものを用いることができる。
【０１９９】
また、ブルー相（Ｂｌｕｅ  Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物
により液晶素子を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と
短い。また、ブルー相を示す液晶は、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、
且つ視野角依存性が小さい。
【０２００】
ｍ行ｎ列目の画素回路３０８において、トランジスタ１５０のソース及びドレインの一
方は、ソース線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方は液晶素子１７０の一対の電極の他方
に電気的に接続される。また、トランジスタ１５０のゲートは、ゲート線ＧＬ＿ｍに電気
的に接続される。トランジスタ１５０は、オン状態又はオフ状態になることにより、デー
タ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０２０１】
容量素子１５２の一対の電極の一方は、電位が供給される配線（以下、電位供給線ＶＬ
）に電気的に接続され、他方は、液晶素子１７０の一対の電極の他方に電気的に接続され
る。なお、電位供給線ＶＬの電位の値は、画素回路３０８の仕様に応じて適宜設定される
。容量素子１５２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０２０２】
例えば、図８（Ａ）の画素回路３０８を有する表示装置では、ゲートドライバ３０４ａ
により各行の画素回路３０８を順次選択し、トランジスタ１５０をオン状態にしてデータ
信号のデータを書き込む。
【０２０３】
データが書き込まれた画素回路３０８は、トランジスタ１５０がオフ状態になることで
保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０２０４】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０２０５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いることのできる表示モジュール及
び電子機器について、図９及び図１０を用いて説明を行う。
【０２０６】
図９に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との
間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された
表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板
８０１０、バッテリー８０１１を有する。
【０２０７】
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０２０８】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２０９】
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
【０２１０】
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。なお、図９において、バッ
クライトユニット８００７上に光源８００８を配置する構成について例示したが、これに
限定されない。例えば、バックライトユニット８００７の端部に光源８００８を配置し、
さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。
【０２１１】
なお、バックライトユニット８００７は、反射型の液晶表示装置の場合、設けない構成
としてもよい。バックライトユニット８００７は、例えば、透過型の液晶表示装置、また
は半透過型の液晶表示装置の場合、設けられる。
【０２１２】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０２１３】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。バッテリー８０１
１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０２１４】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
【０２１５】
図１０（Ａ）乃至図１０（Ｈ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５０
０５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（
力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質
、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、にお
い又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することが
できる。
【０２１６】
図１０（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９
、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１０（Ｂ）は記録媒体を備えた携
帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表
示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１０（Ｃ）はゴー
グル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２
、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上
述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１０（Ｅ）は
テレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シ
ャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１０（Ｆ）は携
帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１
、等を有することができる。図１０（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、
チューナ、画像処理部、等を有することができる。図１０（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像
器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有すること
ができる。
【０２１７】
図１０（Ａ）乃至図１０（Ｈ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プ
ログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコ
ンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は
受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に
表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器におい
ては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報
を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な
画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器におい
ては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補
正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影し
た画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１０（Ａ）乃至図１
０（Ｈ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を
有することができる。
【０２１８】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。
【０２１９】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０２２０】
（実施の形態５）
本実施の形態においては、実施の形態１に示す表示装置の変形例について、図２１乃至
２３を用いて以下説明を行う。なお、実施の形態１に示す機能と同様の箇所については、
同様の符号を用い、その詳細な説明は省略する。
【０２２１】
図２１は、本発明の一態様の表示装置の一例の上面図を表している。なお、図２１に示
す上面図としては、表示装置の画素領域の一部分（３画素分）を表しており、図面の煩雑
を避けるため、ゲート絶縁層等の一部の構成要素を省略して図示している。また、図２３
（Ａ）は、図２１に示す一点鎖線Ｘ６−Ｙ６の切断面に相当する断面図である。また、図
２３（Ｂ）は、図２１に示す一点鎖線Ｘ７−Ｙ７の切断面に相当する断面図である。
【０２２２】
本実施の形態においては、画素電極層を反射電極として用い、対向基板である基板１６
２に有色層とＢＭ１８０とスペーサ１８１を形成する例であり、有色層の開口と重なる位
置やスペーサ１８１と重なる位置を点線で示している。
【０２２３】
トランジスタ１５０は、導電層として膜厚４００ｎｍのタングステンを用いる以外は、
実施の形態１と同じ構成であるため、ここでは詳細な説明は省略する。なお、トランジス
タ１５０のチャネル長Ｌは３μｍ、チャネル幅Ｗは３μｍとする。また、トランジスタ１
５０の半導体層は、スパッタリング装置を用い、厚さ５０ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物
（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子％））を形成する。
【０２２４】
また、トランジスタ１５０と開口部１３８を介して電気的に接続する画素電極層１１８
は、ゲート線１０４の一部と重なっており、広い反射面積を確保している。なお、トラン
ジスタ１５０は、ＢＭ１８０と重なる位置となるよう位置合わせされている。ＢＭ１８０
としては、スパッタリング装置を用い、厚さ２００ｎｍのチタン膜を用いる。
【０２２５】
また、本実施の形態においては、図２２に示すように、画素の色によって、有色層１１
４の開口部の形状が異なる例である。
【０２２６】
図２２（Ａ）には、Ｂの画素の対向基板側の構成を示している。図２２（Ａ）において
、画素領域１２０の面積に対する有色層１１４の面積の比率は、７４．６％である。なお
、有色層１１４の面積は、画素領域１２０の面積からＢＭ１８０の面積を引いたものとし
て算出している。また、図２２（Ｂ）には、Ｒの画素及びＧの画素の対向基板側の構成を
示している。図２２（Ｂ）において、画素領域１２０の面積に対する有色層１１４の面積
の比率は、４４．４％である。このように、Ｒの画素及びＧの画素の有色層１１４の上面
形状をＢの画素の有色層１１４の上面形状と異ならせ、Ｂの画素の有色層１１４の面積を
Ｒの画素の有色層１１４またはＧの画素の有色層１１４よりも大きくすることでＮＴＳＣ
比を維持しつつ、反射率を改善することができる。
【０２２７】
また、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）においては、位置関係を分かりやすくするために
、図中鎖線で開口部１３８と重なる領域を示しており、実際に対向基板側の構成に開口部
１３８があるのではない。また、図２１においても、位置関係を分かりやすくするために
、点線で開口部１３６、スペーサ１８１を図示しているが位置を示しているのみであり、
トランジスタが形成される基板側の構成に開口部１３６やスペーサ１８１があるのではな
い。
【０２２８】
また、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示した開口部の上面形状は一例であって、特に
限定されず、例えば三角形や、円形や、楕円形や、多角形などにしてもよく、それらを複
数種組み合わせてもよい。また、少なくともＢの画素の有色層１１４の開口部のトータル
面積をＲの画素の有色層１１４の開口部及びＧの画素の有色層１１４の開口部よりも小さ
くする。
【０２２９】
また、図２３（Ａ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２上のゲ
ート電極層として機能する導電層１０４ａと、導電層１０４ａと同一工程で形成された導
電層１０４ｂと、第１の基板１０２及び導電層１０４ａ、１０４ｂ上の絶縁層１０６ａ、
１０６ｂと、導電層１０４ａと重畳し、絶縁層１０６ｂ上の半導体層１０８と、半導体層
１０８及び絶縁層１０６ｂ上のソース電極層として機能する導電層１１０ａ＿１と、半導
体層１０８及び絶縁層１０６ｂ上のドレイン電極層として機能する導電層１１０ａ＿２と
、半導体層１０８、及び導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２上の保護絶縁膜として機能す
る絶縁層１１２と、絶縁層１１２上に感光性樹脂を用いる絶縁層１１６と、絶縁層１１６
上の画素電極層１１８と、画素電極層１１８上の液晶層１６６と、液晶層１６６上の対向
電極としての機能を有する導電層１６４と、スペーサ１８１と、ＢＭ１８０と、カラーフ
ィルタとしての機能を有する有色層１１４と、有色層１１４を覆うオーバーコート層１８
２と、導電層１６４上の対向基板である第２の基板１６２と、を有する。このとき、オー
バーコート層１８２は、開口部１３６を介して対向基板である第２の基板１６２と接する
。
【０２３０】
オーバーコート層１８２は、アクリル系樹脂材料をスピンコーター装置により塗布し、
その後オーブン装置にて乾燥しアクリル系樹脂膜を用いる。また、有色層１１４は、赤色
（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用い、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）の
順に所望の位置に露光、及び現像を行うことで形成する。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）
、青色（Ｂ）のカラーフィルタは、それぞれ膜厚が０．８μｍとなるように形成する。
【０２３１】
なお、導電層１０４ａ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、半導体層１０８、及び導電層１１
０ａ＿１、１１０ａ＿２、によって、トランジスタ１５０が構成されている。また、導電
層１０４ｂ、絶縁層１０６ａ、１０６ｂ、及び導電層１１０ａ＿２によって、容量素子１
５２が構成されている。容量素子１５２は、面積が大きく、容量素子の容量が大きい。こ
のため、画素電極の電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リフレッシュレー
トを低減する駆動モードを適用できる。さらに、液晶表示装置においてリフレッシュレー
トを低減する駆動モードを適用した場合であっても、液晶層に印加された電圧の変化を長
期間抑制することが可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防止する
ことができる。したがって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。
【０２３２】
ここで、リフレッシュレートを低減する効果に関して説明する。なお、リフレッシュレ
ートとは、１秒間あたりの画像の切り換え回数であり、駆動周波数と呼ぶこともある。こ
のような人の目で知覚することが難しいような高速の画面の切り換えが、目の疲労の原因
として考えられている。
【０２３３】
目の疲労には、神経系の疲労と、筋肉系の疲労の２種類がある。神経系の疲労は、長時
間液晶表示装置の発光、点滅画面を見続けることで、その明るさが眼の網膜や神経、脳を
刺激して疲れさせるものである。筋肉系の疲労は、ピント調節のときに使用する毛様体の
筋肉を酷使することにより疲れさせるものである。
【０２３４】
図２７（Ａ）に、従来の液晶表示装置の表示を表す模式図を示す。図２７（Ａ）に示す
ように、従来の液晶表示装置の表示では、１秒間に６０回の画像の書き換えが行われてい
る。このような画面を長時間見続けることにより、使用者の眼の網膜や神経、脳を刺激し
て眼の疲労が引き起こされるおそれがあった。
【０２３５】
本実施の形態では、液晶表示装置の画素部のトランジスタ１５０に、オフ電流の極めて
低いトランジスタ、例えば酸化物半導体を用いたトランジスタを適用する。また、液晶素
子は、面積の大きい容量素子を有する。これらによって、容量素子に蓄積された電荷のリ
ークを抑制することが可能となるため、フレーム周波数を下げても、液晶表示装置の輝度
の維持が可能となる。
【０２３６】
つまり、図２７（Ｂ）に示すように、例えば、５秒間に１回の画像の書き換えが可能と
なるため、極力同じ映像を見ることが可能となり、使用者に視認される画面のちらつきが
低減される。これにより、使用者の眼の網膜や神経、脳の刺激が低減され、神経系の疲労
が軽減される。
【０２３７】
本実施の形態は、目に優しい液晶表示装置を実現できる。
【０２３８】
また、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化が、使用する者に弁別されないよう
に、リフレッシュを行う必要がある。本実施の形態で得られる表示装置は、リフレッシュ
動作の前後に生じる画像の変化がほとんどなく、良好な表示を得ることができる。
【０２３９】
また、第２の基板１６２に形成されている有色層１１４には、複数の開口部１３６が設
けられている。有色層１１４に設けられた開口部１３６の形状や面積を適宜設計すること
によって、有色層１１４の色純度を調整することができる。このように、有色層１１４が
開口部１３６を有する構造とすることで、色純度の調整を可能とした、新規な表示装置を
提供することができる。
【０２４０】
また、絶縁層１１２には、開口部１３８が設けられている。また、画素電極層１１８は
、開口部１３８を介してトランジスタ１５０のドレイン電極層として機能する導電層１１
０ａ＿２と接続されている。絶縁層１１６は、ランダムな凹凸が形成されるように感光性
樹脂を用いてもよい。また、ランダムな凹凸を形成する場合、絶縁層１１６の表面のラン
ダムな凹凸に沿って画素電極層１１８がランダムな凹凸を有する反射電極となり、視野角
依存性を改善させることができる。
【０２４１】
本実施の形態では、画素電極層１１８を反射電極層としての機能させるため、反射率の
高い導電層を用いる。該反射率の高い導電層としては、例えば、アルミニウム、銀、パラ
ジウム、銅からなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造
として用いる。
【０２４２】
図２３（Ｂ）は、ゲート線１０４と、ソース線１１０として機能する導電層１１０ａ＿
２との交差する領域の断面図である。
【０２４３】
また、図２３（Ｂ）に示す表示装置は、第１の基板１０２と、第１の基板１０２と対向
する第２の基板１６２との間に設けられたスペーサ１８１によって間隔が保持されている
。配向膜を形成する場合には、有機樹脂膜を用いてパターニングする、或いは感光性樹脂
を用いて柱状構造を形成してスペーサとした後、配向膜を形成すればよい。
【０２４４】
図２３（Ｂ）に示すように、ＢＭ１８０を形成することで、ゲート線１０４または導電
層１１０ａ＿２に起因する表面反射を抑制することができる。
【０２４５】
このように、少なくとも反射領域以外の箇所はＢＭ１８０を形成すると好ましい。
【０２４６】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【実施例１】
【０２４７】
本実施例においては、本発明の一態様である表示装置を作製し、光学顕微鏡による観察
、及び断面観察を行った。以下に本実施例で作製した試料の詳細について説明を行う。
【０２４８】
なお、本実施例においては、図１乃至図３に示す表示装置と同様の構造の表示装置を作
製した。したがって、図１乃至図３で用いた符号と同様の機能を有する場合、同様の符号
を用いる。
【０２４９】
本実施例で観察した試料の作製方法について、以下説明を行う。
【０２５０】
第１の基板１０２としては、ガラス基板を用いた。その後、第１の基板１０２上に導電
層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを形成した。導電層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃとし
ては、スパッタリング法によりタングステン膜（Ｗ）を２００ｎｍ形成した。
【０２５１】
その後、第１の基板１０２及び導電層１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ上にゲート絶縁層
として機能する絶縁層１０６ａ、１０６ｂを形成した。絶縁層１０６ａとしては、厚さ４
００ｎｍの窒化シリコン膜を、絶縁層１０６ｂとしては、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコ
ン膜を、それぞれ形成した。
【０２５２】
なお、絶縁層１０６ａの窒化シリコン膜は、第１の窒化シリコン膜、第２の窒化シリコ
ン膜、及び第３の窒化シリコン膜の３層積層構造とした。
【０２５３】
第１の窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍ
の窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置
の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電
源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成した。第２の
窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍの窒素、
及び流量２０００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応
室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用
いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが３００ｎｍとなるように形成した。第３の窒化
シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、及び流量５０００ｓｃｃｍの窒素を
原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制
御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０
ｎｍとなるように形成した。なお、第１の窒化シリコン膜、第２の窒化シリコン膜、及び
第３の窒化シリコン膜形成時の基板温度は３５０℃とした。
【０２５４】
絶縁層１０６ｂとして形成した酸化窒化シリコン膜としては、流量２０ｓｃｃｍのシラ
ン、流量３０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ装置の反応室
に供給し、反応室内の圧力を４０Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて
１００Ｗの電力を供給して、酸化窒化シリコン膜を形成した。なお、酸化窒化シリコン膜
形成時の基板温度は３５０℃とした。
【０２５５】
次に、絶縁層１０６ａ、１０６ｂを介して導電層１０４ａと重なる位置に半導体層１０
８を形成した。半導体層１０８としては、厚さ３５ｎｍの酸化物半導体膜をスパッタリン
グ法で形成した。
【０２５６】
酸化物半導体膜は、スパッタリングターゲットをＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子
数比）の金属酸化物ターゲットとし、流量１００ｓｃｃｍの酸素及び流量１００ｓｃｃｍ
のアルゴンをスパッタリングガスとしてスパッタリング装置の反応室内に供給し、反応室
内の圧力を０．６Ｐａに制御し、２．５ｋＷの交流電力を供給して形成した。なお、酸化
物半導体膜を形成する際の基板温度を１７０℃とした。
【０２５７】
次に、絶縁層１０６ａ、１０６ｂの所望の位置に開口部１３２を形成した。なお、開口
部１３２は、導電層１０４ｂに達する。
【０２５８】
開口部１３２は、ドライエッチング装置を用いて形成した。
【０２５９】
次に、半導体層１０８及び絶縁層１０６ａ、１０６ｂ上に導電層を形成した。該導電層
として、厚さ５０ｎｍのタングステン膜上に厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、
該アルミニウム膜上に厚さ１００ｎｍのチタン膜を形成した。
【０２６０】
次に、上記厚さ１００ｎｍのチタン膜を所望の領域以外をドライエッチング装置にて除
去し、導電層１１０＿１を形成した。なお、導電層１１０＿１としては、厚さ１００ｎｍ
のチタン膜となる。
【０２６１】
次に、上記厚さ５０ｎｍのタングステン膜と厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜を所望の
形状にドライエッチング装置にて加工し、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ
＿３、１１０ａ＿４、１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｂ＿４を形成
した。なお、導電層１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３、１１０ａ＿４としては
、厚さ５０ｎｍのタングステン膜となる。また、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１
１０ｂ＿３、１１０ｂ＿４としては、厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜となる。
【０２６２】
また、導電層１１０ａ＿１、１１０ｂ＿１は、トランジスタのソース電極層として機能
し、導電層１１０ａ＿２、１１０ｂ＿２は、トランジスタのドレイン電極層として機能し
、導電層１１０ａ＿３、１１０ｂ＿３は、反射電極層として機能し、導電層１１０ａ＿４
、１１０ｂ＿４は、ソース線の一部として機能する。
【０２６３】
次に、半導体層１０８、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０ｃ
＿１を覆うように絶縁層１１２を形成した。
【０２６４】
絶縁層１１２としては、第１の酸化物絶縁膜、第２の酸化物絶縁膜、及び窒化物絶縁膜
の３層の積層構造を形成した。
【０２６５】
第１の酸化物絶縁膜としては、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。第２の
酸化物絶縁膜としては、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。なお、第１の
酸化物絶縁膜と、第２の酸化物絶縁膜は、大気に曝すことなく、真空中で連続的にプラズ
マＣＶＤ装置により形成した。また、第１の酸化物絶縁膜と第２の酸化物絶縁膜は同種の
材料により形成したため、その界面が明確にわからない場合がある。
【０２６６】
第１の酸化物絶縁膜は、流量３０ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸化
二窒素を原料ガスとし、反応室の圧力を４０Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５０Ｗの
高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。
【０２６７】
第２の酸化物絶縁膜は、流量１６０ｓｃｃｍのシラン及び流量４０００ｓｃｃｍの一酸
化二窒素を原料ガスとし、反応室の圧力を２００Ｐａ、基板温度を２２０℃とし、１５０
０Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。当該条件
により、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が
脱離する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
【０２６８】
次に、加熱処理を行い、第１の酸化物絶縁膜及び第２の酸化物絶縁膜から水、窒素、水
素等を脱離させると共に、第２の酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を半導体層１０８と
して用いた酸化物半導体膜へ供給した。ここでは、窒素及び酸素雰囲気で、３５０℃、１
時間の加熱処理を行った。
【０２６９】
次に、第２の酸化物絶縁膜上に厚さ１００ｎｍの窒化物絶縁膜を形成した。窒化物絶縁
膜としては、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。また、窒化物絶縁膜は、流量
５０ｓｃｃｍのシラン、流量５０００ｓｃｃｍの窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモ
ニアガスを原料ガスとし、反応室の圧力を１００Ｐａ、基板温度を３５０℃とし、１００
０Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマＣＶＤ法により形成した。
【０２７０】
次に、絶縁層１１２上の所望の領域に有色層１１４を形成した。
【０２７１】
有色層１１４としては、着色材料が分散された感光性樹脂溶液を用い、該感光性樹脂溶
液をスピンコーター装置により塗布し、その後オーブン装置にて乾燥して感光性樹脂膜を
形成した。該感光性樹脂膜は、所謂カラーフィルタとして機能する。なお、本実施例にお
いては、カラーフィルタは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用い、緑色（
Ｇ）、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）の順に所望の位置に露光、及び現像を行うことで形成した
。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタは、それぞれ膜厚が０．
８μｍとなるように形成した。また、有色層１１４としては、上記各色とも開口部１３４
と開口部１３６が設けられるように形成した。
【０２７２】
次に、絶縁層１１２及び有色層１１４上にオーバーコートとしての機能を有する絶縁層
１１６を形成した。なお、絶縁層１１６としては、アクリル系樹脂材料をスピンコーター
装置により塗布し、その後オーブン装置にて乾燥しアクリル系樹脂膜を形成した。また、
絶縁層１１６は、膜厚が２．５μｍとなるように形成した。また、絶縁層１１６は、有色
層１１４の開口部１３４の内側に開口部が設けられるように形成した。
【０２７３】
次に、絶縁層１１２の開口部１３４と重畳する位置に開口部１３８を形成した。開口部
１３８は、導電層１１０ｃ＿１に達するように形成した。なお、開口部１３８の形成は、
ドライエッチング装置を用いた。
【０２７４】
次に、開口部１３８を覆うように、絶縁層１１６上に画素電極層１１８を形成した。画
素電極層１１８としては、スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの酸化インジウム−酸
化スズ−酸化シリコン化合物（ＩＴＯ−ＳｉＯ２、以下ＩＴＳＯ）の導電膜を形成した。
なお、該導電膜に用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：
１０：５［重量％］とした。
【０２７５】
以上の工程により、第１の基板１０２上に素子を作製した。これを試料とし、光学顕微
鏡観察を行った。
【０２７６】
なお、本実施例においては、第１の基板１０２上に形成された素子の観察を行うため、
絶縁層１１６及び画素電極層１１８の上方に形成される液晶層１６６、導電層１６４、第
２の基板１６２を形成しない構造とした。
【０２７７】
本実施例で作製した試料の光学顕微鏡写真を図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す。なお、
図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示す光学顕微鏡写真は、反射の明視野像である。
【０２７８】
また、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、実施の形態１の図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
に示すように、有色層１１４の開口部１３４と、開口部１３６の形状及び配置を異ならせ
た試料の光学顕微鏡写真である。なお、有色層１１４の開口部１３４と開口部１３６の形
状及び配置の変更方法としては、露光マスクの形状を変えることで行った。
【０２７９】
図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、有色層１１４の開口部１３４、１３６が
いずれの形状においても、有色層１１４の膜剥がれがみられず、良好な形状であることが
確認された。また、目視による観察においては、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）ともに、
良好な色純度であることが確認された。
【０２８０】
また、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、概略画素３つ分の上面を観察している。図１
１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、それぞれ、上段が有色層１１４として赤色（Ｒ）の
カラーフィルタを用いた画素領域、中段が有色層１１４として緑色（Ｇ）のカラーフィル
タを用いた画素領域、下段が有色層１１４として青色（Ｂ）のカラーフィルタを用いた画
素領域を、それぞれ観察した。
【０２８１】
なお、図１１（Ａ）に示す有色層１１４の面積率としては、反射電極層として用いた導
電層１１０ｂ＿３の１画素あたりに占める面積に対して７６％であった。また、図１１（
Ｂ）に示す有色層１１４の面積率としては、反射電極層として用いた導電層１１０ｂ＿３
の１画素あたりに占める面積に対して６３％であった。また、図１１（Ｃ）に示す有色層
１１４の面積率としては、反射電極層として用いた導電層１１０ｂ＿３の１画素あたりに
占める面積に対して４１％であった。このように、有色層１１４の開口部１３６の形状及
び配置を変えることで、簡便に有色層１１４の面積率を変更することができた。
【０２８２】
次に、本実施例で作製した試料の断面観察結果を図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）に
示す。なお、断面観察としては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いた。また、図１２は、２枚のＴＥＭ
像を一部重ねあわせて表示させている。また、図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）におい
て、界面等を明確に表すために、明るさ、及びコントラスト等を調整している。
【０２８３】
なお、図１２は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｙ３の断面結果である。また、図
１３（Ａ）は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ４−Ｙ４の断面結果である。また、図１３
（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｙ５の断面結果である。
【０２８４】
なお、図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）において、Ｓｕｂ．は、第１の基板１０２を
表す。また、ＧＩは、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１０６ａ、１０６ｂを表す。ま
た、ＳｉＯＮは、絶縁層１１２として用いた酸化窒化シリコン膜を表し、ＳｉＮは、絶縁
層１１２として用いた窒化シリコン膜を表す。また、Ｗは、導電層１０４ａ、１０４ｂ、
１０４ｃ、１１０ａ＿１、１１０ａ＿２、１１０ａ＿３、１１０ａ＿４として用いたタン
グステン膜を表し、Ａｌは、導電層１１０ｂ＿１、１１０ｂ＿２、１１０ｂ＿３、１１０
ｂ＿４として用いたアルミニウム膜を表し、Ｔｉは導電層１１０ｃ＿１として用いたチタ
ン膜を表す。また、ＩＧＺＯは、半導体層１０８として用いた酸化物半導体膜を表す。ま
た、ＣＦ（Ｒ）は、赤色の有色層１１４を表し、ＣＦ（Ｇ）は、緑色の有色層１１４を表
し、ＣＦ（Ｂ）は、青色の有色層１１４を表す。また、ＯＣは、オーバーコートとしての
機能を有する絶縁層１１６として用いたアクリル系樹脂膜を表す。また、ＩＴＳＯは、画
素電極層１１８として用いた酸化インジウム−酸化スズ−酸化シリコン化合物膜を表す。
また、Ｐｔは、断面観察用の導電膜として用いたプラチナコーティングを表し、Ｃは、断
面観察用の導電膜として用いたカーボンコーティングを表す。
【０２８５】
図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すＴＥＭ像の結果より、本実施例の表示装置は
、良好な断面形状が得られることが確認された。
【０２８６】
また、図１３（Ａ）に示すＴＥＭ像の結果より、本実施例の表示装置は、反射領域以外
の箇所であるゲート線、ソース線、またはゲート線とソース線が交差する領域において、
有色層１１４として用いたカラーフィルタＣＦ（Ｇ）とカラーフィルタＣＦ（Ｒ）が積層
して設けられている。また、本実施例の表示装置は、反射領域以外の箇所であるゲート線
、ソース線、またはゲート線とソース線が交差する領域において、有色層１１４として用
いたカラーフィルタＣＦ（Ｒ）とカラーフィルタＣＦ（Ｂ）が積層して設けられている。
【０２８７】
また、図１３（Ｂ）に示すＴＥＭ像の結果より、本実施例の表示装置は、有色層１１４
として用いたカラーフィルタＣＦ（Ｇ）が開口部を有し、該開口部を介して、絶縁層１１
２として用いた窒化シリコン膜（ＳｉＮ）と、オーバーコート（ＯＣ）として機能する絶
縁層１１６として用いたアクリル系樹脂膜が接している構造であった。したがって、有色
層１１４の密着性が向上し、膜剥がれ等がなく良好な断面形状であることが確認できた。
【０２８８】
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いるこ
とができる。
【実施例２】
【０２８９】
本実施例においては、本発明の一態様である表示装置を作製し、映像表示されている画
素領域の写真撮影や、反射率の測定を行った。以下に本実施例で作製した試料の詳細につ
いて説明を行う。
【０２９０】
なお、本実施例においては、実施の形態５に示した図２１乃至図２３に示す表示装置を
実際に作製した。また、有色層の形状がＲ、Ｇ、Ｂの画素で全て同じ表示装置も作製した
。本実施例においては、色の異なる有色層で開口の形状を一部変更したレイアウトとし、
有色層の形成を対向基板上に形成し、画素電極を反射電極として用いる、などの画素構成
のレイアウトが一部異なる以外は、図１乃至図３に示す表示装置と同一であるため、図１
乃至図３で用いた符号と同様の機能を有する場合、同様の符号を用いる。
【０２９１】
作製した２種類の試料である表示パネルを図２４（Ａ）に示すように、測定装置（ＬＣ
Ｄ評価装置：製品名ＬＣＤ−７２００）を用いてデテクターを表示パネルの中央に重なる
位置として、表示パネル面に対して垂直に設置し、パネルの中央に光源からの光が１５度
以上７０度以下の範囲で照射されるように変化させて反射率を測定した。その結果を図２
４（Ｂ）に示す。
【０２９２】
図２４（Ｂ）において上の曲線データが実施の形態５に示した表示装置であり、下の曲
線データは、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素で有色層の形状が同一であり、図２２（Ａ）に示す有色層
の形状とした表示装置である。
【０２９３】
また、実施の形態５に示した表示装置の表示を撮影した写真図が、図２５（Ａ）である
。
【０２９４】
また、２種類の表示装置の特性値を表にして示した図が図２５（Ｂ）である。図２５（
Ｂ）において、実施の形態５に示した表示装置は高い反射率を有しているため、高反射Ｌ
ＣＤ（Ｈｉｇｈ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ＬＣＤ）と表記し、もう一方の表示装置を高色
域ＬＣＤ（Ｈｉｇｈ  ｃｏｌｏｒ  ｇａｍｕｔ  ＬＣＤ）と表記している。
【０２９５】
さらに、これらのパネルにタッチパネルを搭載し、タッチ入力可能な表示装置にするこ
ともできる。図２６にタッチパネルとした場合の構成例の模式図を示す。図２６に示すよ
うに、表示装置は、基板１０２上に画素電極層１１８と、画素電極層１１８上に重なる有
色層１１４、異なる色の有色層１１４の間にＢＭ１８０と、基板１６２と、基板１０２と
基板１６２の間に液晶と、基板１６２上に光学フィルム１８３と、タッチパネル１８４と
、偏光フィルム１８５とを有する構造となっている。なお、図２６において基板１０２上
に形成されている画素電極層１１８と電気的に接続するトランジスタは図示していない。
【０２９６】
なお、図２４、及び図２５のデータは、タッチパネルを搭載する前に測定したデータで
ある。
【０２９７】
これらのデータからわかるように高精細な表示ができる反射型の液晶表示装置を実現す
ることができる。
【０２９８】
さらに、これらの表示パネルは、容量が大きい容量素子を有しているため、画素電極の
電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リフレッシュレートを低減する駆動モ
ードを適用できる。さらに、液晶表示装置においてリフレッシュレートを低減する駆動モ
ードを適用した場合であっても、液晶層に印加された電圧の変化を長期間抑制することが
可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防止することができる。した
がって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。
【０２９９】
本実施例の表示装置において、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化を確認した
結果を図２８に示す。図２８に示すように、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化
は、白表示、グレー表示、黒表示のいずれにおいてもほとんどない。
【０３００】
本実施例の表示装置は、リフレッシュレートを１Ｈｚ以下に低減する駆動モードを適用
でき、目に優しい反射型の液晶表示装置とすることができる。また、本実施例の表示装置
は、低消費電力をも実現した反射型の液晶表示装置ということもできる。
【符号の説明】
【０３０１】
１０２    基板
１０４    ゲート線
１０４ａ    導電層
１０４ｂ    導電層
１０４ｃ    導電層
１０６ａ    絶縁層
１０６ｂ    絶縁層
１０８    半導体層
１０９ａ    導電層
１０９ｂ    導電層
１０９ｃ    導電層
１１０    ソース線
１１０＿１    導電層
１１０ａ＿１    導電層
１１０ａ＿２    導電層
１１０ａ＿３    導電層
１１０ａ＿４    導電層
１１０ｂ＿１    導電層
１１０ｂ＿２    導電層
１１０ｂ＿３    導電層
１１０ｂ＿４    導電層
１１０ｃ＿１    導電層
１１２    絶縁層
１１４    有色層
１１４ａ    有色層
１１４ｂ    有色層
１１６    絶縁層
１１８    画素電極層
１１８ａ    導電層
１２０    画素領域
１３２    開口部
１３４    開口部
１３６    開口部
１３８    開口部
１４１    領域
１４２    領域
１５０    トランジスタ
１５２    容量素子
１６２    基板
１６４    導電層
１６６    液晶層
１７０    液晶素子
１８０    ＢＭ
１８１    スペーサ
１８２    オーバーコート層
１８３    光学フィルム
１８４    タッチパネル
１８５    偏光フィルム
１９９    導電層
１９９ａ  導電層
１９９ｂ  導電層
１９９ｃ  導電層
２０２    基板
２０３    接着層
２０５    絶縁層
２０７    接着層
２０９    絶縁層
２１１    剥離層
２６２    基板
３０２    画素部
３０４    駆動回路部
３０４ａ    ゲートドライバ
３０４ｂ    ソースドライバ
３０６    保護回路部
３０７    端子部
３０８    画素回路
４００    反射領域
４０１    透過領域
５０００    筐体
５００１    表示部
５００２    表示部
５００３    スピーカ
５００４    ＬＥＤランプ
５００５    操作キー
５００６    接続端子
５００７    センサ
５００８    マイクロフォン
５００９    スイッチ
５０１０    赤外線ポート
５０１１    記録媒体読込部
５０１２    支持部
５０１３    イヤホン
５０１４    アンテナ
５０１５    シャッターボタン
５０１６    受像部
５０１７    充電器
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００７    バックライトユニット
８００８    光源
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層の上面と接する領域及び前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有する、ソース電極層及びドレイン電極層と、
前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有する反射電極層と、
前記ソース電極層上、前記ドレイン電極層上及び前記反射電極層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層を介して、前記反射電極層と重なる領域を有する有色層と、
前記有色層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の画素電極層と、を有し、
前記ソース電極層は、第１の層を有し、
前記ドレイン電極層は、第２の層と、前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記反射電極層は、第４の層を有し、
前記第１の層と、前記第２の層と、前記第４の層とは、同じ材料を有し、
前記有色層は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記画素電極層は、前記第１の開口部を介して、前記第３の層と接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２の開口部を介して、前記第２の絶縁層と接する領域を有する表示装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層と同一層上の第１の導電層と、
前記ゲート電極層上及び前記第１の導電層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層の上面と接する領域及び前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有する、ソース電極層及びドレイン電極層と、
前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、かつ前記第１の絶縁層を介して前記第１の導電層と重なる領域を有する反射電極層と、
前記ソース電極層上、前記ドレイン電極層上及び前記反射電極層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層を介して、前記反射電極層と重なる領域を有する有色層と、
前記有色層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の画素電極層と、を有し、
前記ソース電極層は、第１の層を有し、
前記ドレイン電極層は、第２の層と、前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記反射電極層は、第４の層を有し、
前記第１の層と、前記第２の層と、前記第４の層とは、同じ材料を有し、
前記有色層は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記画素電極層は、前記第１の開口部を介して、前記第３の層と接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２の開口部を介して、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記ドレイン電極層は、前記第１の絶縁層の第３の開口部を介して、前記第１の導電層と接する領域を有する表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の絶縁層は、第４の開口部を有し、
前記第１の開口部は、前記第４の開口部と重なる領域を有し、
前記画素電極層は、前記第１の開口部において、前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記半導体層を介して、前記ゲート電極層と重なる領域を有する表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
平面視において、前記ゲート電極層と前記ソース電極層とが重なる第１の領域を有し、
前記第１の領域における前記ゲート電極層の幅は、前記ゲート電極層が前記ソース電極層と重ならない領域における幅より小さく、
前記第１の領域における前記ソース電極層の幅は、前記ソース電極層が前記ゲート電極層と重ならない領域における幅より小さい表示装置。