(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、有機層の膜厚を大幅に変更することなく、有機ＥＬ素子の短絡不良を抑制し、非発光画素が形成されることを防ぎつつ、発光領域を広くすることを目的の一つとする。【解決手段】表示装置の製造方法は、トランジスタと電気的に接続される第１電極、及び、前記第１電極の周辺部を覆い、前記第１電極を露出させる開口部を有する絶縁層を形成し、前記絶縁層の表面を親水化処理し、前記第１電極の上に第１有機層を形成し、前記第１有機層を加熱して流動化させ、流動化後の前記第１有機層の上に第２有機層を形成し、前記第２有機層の上に第２電極を形成する工程を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと電気的に接続される第１電極、及び、前記第１電極の周辺部を覆い、前記第１電極を露出させる開口部を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層の表面を親水化処理し、
前記第１電極の上に第１有機層を形成し、
前記第１有機層を加熱して流動化させ、
流動化後の前記第１有機層の上に第２有機層を形成し、
前記第２有機層の上に第２電極を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記親水化処理を、紫外線の照射又はプラズマの照射により行う、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１有機層を蒸着により形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１有機層を、正孔注入層及び正孔輸送層の一方又は双方で形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は撥水性の材料を含む、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記正孔注入層及び正孔輸送層の一方又は双方を、マスクを用いて前記第１電極上に形成する、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２有機層を、発光層及び電子輸送層を含んで形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２有機層を蒸着により形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２有機層を、前記第１有機層の上面から前記絶縁層の上面にかけて、前記第１有機層及び前記絶縁層の表面に沿って形成する、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１有機層を流動化させて、前記第１電極上に露出する異物を埋設する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
トランジスタと電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極の周辺部を覆い、前記第１電極を露出させる開口部を有する絶縁層と、
前記第１電極上に形成され、前記絶縁層に接しない第１有機層と、
前記第１有機層及び前記絶縁層の上に連続して形成される第２有機層と、
前記第２有機層の上に形成される第２電極と、
を備える表示装置。
【請求項１２】
前記絶縁層は表面が親水化処理されている、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１有機層が、正孔注入層及び正孔輸送層の一方又は双方を含む、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２有機層は、発光層を含む、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２有機層が、電子注入層及び電子輸送層の一方又は双方を含む、請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という。）が画素に配列された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に画素を配列させて表示画面を構成し、各画素をトランジスタで駆動する所謂アクティブマトリクス型表示装置において、有機ＥＬ素子を用いて画素が構成される有機ＥＬ表示装置が開発されている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む有機層が設けられた構造を有している。有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等の機能の異なる層を適宜組み合わせて形成される。有機層の各層の厚さは数ナノメートルから数百ナノメートル程度であり、全体でも１μｍ以下の厚みしか有していない。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置において、画素が配列する領域に意図しない異物が混入すると、有機層が異物又は異物の周辺領域を十分に被覆することができず、陽極と陰極とが接触し短絡してしまうこととなる。陽極と陰極が短絡した有機ＥＬ素子は発光しないので、有機ＥＬ表示装置の表示画面に非発光画素を生じさせ、欠陥として視認されることとなる。
【０００４】
このような不具合を解消するために、正孔輸送層の膜厚を十分に厚くして、異物を埋設することで電極間の短絡を防ぐ構造が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、有機層の膜厚を増加させると、有機ＥＬ表示装置の駆動に影響を与えることが問題となる。例えば、正孔輸送層の抵抗率が高い場合、膜厚を増加させると駆動電圧が上昇し素子特性が変化することが問題となる。また、正孔輸送層の抵抗率が低い場合には、隣接する画素に電流が流れ、クロストークが発生することが問題となる。
【０００５】
また、正孔輸送層の膜厚が不均一な有機ＥＬ素子で十分な発光効率を実現可能とするために、周縁部が中央部と比較してより厚い電子ブロック層を備えた有機ＥＬ素子を具備した有機ＥＬ表示装置が知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、周縁部が中央部に比して厚い電子ブロック層を用いることで周縁部と中央部で電流密度の差を減少させることは可能であっても、画素端部が厚い電子ブロック層で覆われることになるので、画素端部が発光せず、発光領域が狭くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２５７６７５号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一実施形態は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、有機層の膜厚を大幅に変更することなく、有機ＥＬ素子の短絡不良を抑制し、非発光画素が形成されることを防ぎつつ、発光領域を広くすることを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、トランジスタと電気的に接続される第１電極、及び、前記第１電極の周辺部を覆い、前記第１電極を露出させる開口部を有する絶縁層を形成し、前記絶縁層の表面を親水化処理し、前記第１電極の上に第１有機層を形成し、前記第１有機層を加熱して流動化させ、流動化後の前記第１有機層の上に第２有機層を形成し、前記第２有機層の上に第２電極を形成する工程を含む。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、トランジスタと電気的に接続される第１電極と、前記第１電極の周辺部を覆い、前記第１電極を露出させる開口部を有する絶縁層と、前記第１電極上に形成され、前記絶縁層に接しない第１有機層と、前記第１有機層及び前記絶縁層の上に連続して形成される第２有機層と、前記第２有機層の上に形成される第２電極とを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の一態様を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の一態様を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１２】
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係る画素１０２の断面構造を示す。画素１０２は、少なくとも一つのトランジスタ１１４、有機ＥＬ素子１１６を含む。画素１０２は、トランジスタ１１４と有機ＥＬ素子１１６が絶縁層を介して積層された構造を有する。有機ＥＬ素子１１６は、複数のトランジスタによって構成される画素回路によって駆動される。図１は、トランジスタ１１４が有機ＥＬ素子１１６と電気的に接続される態様を模式的に示す。トランジスタ１１４はゲートに印加される映像信号によってソース・ドレイン間を流れる電流（ドレイン電流）を制御する。有機ＥＬ素子１１６の発光はドレイン電流によって制御される。
【００１４】
トランジスタ１１４及び有機ＥＬ素子１１６が配設される基板１１２の第１面には、下地絶縁層１１８が設けられる。トランジスタ１１４は、下地絶縁層１１８の上に設けられる半導体層１２０、ゲート絶縁層１２２及びゲート電極１２４が積層された構造を有する。半導体層１２０は、非晶質シリコン又は多結晶のシリコン、若しくは金属酸化物等の半導体材料を用いて形成される。半導体層１２０はゲート絶縁層１２２によってゲート電極１２４と絶縁され、第１絶縁層１２６を介して設けられるソース・ドレイン電極１２８とは直接接触するように設けられる。第１絶縁層１２６は、ゲート電極１２４とソース・ドレイン電極１２８を電気的に分離する層間絶縁膜として設けられる。第１絶縁層１２６上には、トランジスタ１１４及びトランジスタ１１４と電気的に接続されるソース・ドレイン電極１２８を埋設するように、第２絶縁層１３０が設けられる。第２絶縁層１３０は、半導体層１２０、ゲート電極１２４及びソース・ドレイン電極１２８等による凹凸を埋め込み、表面を平坦化する平坦化膜として用いられる。第１絶縁層１２６は、酸化シリコン膜、窒酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜で形成される。第２絶縁層１３０は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成される。
【００１５】
第２絶縁層１３０の上面側に有機ＥＬ素子１１６が設けられる。有機ＥＬ素子１１６は、第１電極１３２、第１有機層１３６、第２有機層１３８及び第２電極１４０が積層された構造を有する。有機ＥＬ素子１１６において、例えば、第１電極１３２は陽極であり、第２電極１４０は陰極である。第１電極１３２は、第２絶縁層１３０を貫通するコンタクトホール１３１を介してソース・ドレイン電極１２８と電気的に接続される。有機ＥＬ素子１１６は２端子素子であり、第１電極１３２と第２電極１４０との間に印加される電圧の大小によって発光が制御される。第１電極１３２は、画素毎に個別に電位が制御され、第２電極１４０は複数の画素間で共通の電位が印加される。第１電極１３２は画素毎に配設されるのに対し、第２電極１４０は複数の画素１０２に亘る共通の電極として配設される。
【００１６】
第２絶縁層１３０上には、第１電極１３２の周縁部を覆い内側領域を露出する開口部を有する第３絶縁層１３４が設けられる。
【００１７】
第１有機層１３６は第３絶縁層１３４の開口部において第３絶縁層１３４から露出する第１電極１３２と接するように第１電極１３２の上面に設けられる。本実施形態において、第１有機層１３６は第３絶縁層１３４の表面上には形成されない。第１有機層１３６の、第３絶縁層１３４に対向する端部はなだらかな傾斜面を有し、徐々に薄くなるように形成され、第３絶縁層１３４に接しないように形成される。
【００１８】
第２有機層１３８は、第１有機層１３６と接するように第１有機層１３６の上面から第３絶縁層１３４にかけて、第１有機層１３６及び第３絶縁層１３４の表面に沿って設けられる。
【００１９】
第２電極１４０は、第２有機層１３８及び第３絶縁層１３４の上面を覆うように設けられる。第３絶縁層１３４は、第１電極１３２を露出する開口部の端部が滑らかな段差を形成するために、有機樹脂材料を用いて形成される。有機樹脂材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。
【００２０】
有機ＥＬ素子１１６は、第２有機層１３８で発光した光を、第１電極１３２側に出射するボトムエミッション型と、第２電極１４０側に出射するトップエミッション型の構造が知られている。ボトムエミッション型では、第１電極１３２が透明導電膜で形成され、第２電極１４０が金属電極で形成される。一方、トップエミッション型では、第１電極が第２有機層１３８で発光した光を反射するように金属膜又は金属膜と透明導電膜とを含む積層体で形成され、第２電極１４０は透明導電膜又は透光性の金属膜で形成される。
【００２１】
例えば、トップエミッション型における第１電極１３２は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光反射性の金属層によって構成される。また、第１電極１３２は、酸化インジウムスズ（以下、「ＩＴＯ」ともいう。）、酸化インジウム亜鉛（以下、「ＩＺＯ」ともいう。）、アルミニウムが添加された酸化亜鉛（以下、「ＡＺＯ」ともいう。）、ガリウムが添加された酸化亜鉛（以下、「ＧＺＯ」ともいう。）等の透明導電膜と金属膜との積層体で形成される。一方、第２電極１４０は、第２有機層１３８で発光した光を外側へ出射させるため、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等の透明導電膜、又はリチウムを含むアルミニウム膜（ＡｌＬｉ）、マグネシウムを含む銀膜（ＭｇＡｇ）等の金属膜であって透光性を有する膜厚で形成される。
【００２２】
第１有機層１３６は、正孔注入層及び正孔輸送層の一方又は双方を含む。例えば、第１有機層１３６は、正孔注入層又は正孔輸送層の単層で形成されてもよいし、正孔注入層と正孔輸送層を積層して形成されてもよい。第２有機層１３８は、発光層を含む。第２有機層１３８は、発光層に加え、電子輸送層及び電子注入層の一方又は双方を含んでもよい。第２有機層１３８は、当該発光層を挟むように、さらに電子ブロック層及び正孔ブロック層の一方又は双方を含んでもよい。  本実施形態では、第１有機層１３６は、正孔注入層と正孔輸送層を積層して形成され、第２有機層１３８は、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層及び電子注入層を積層して形成される。第１有機層１３６及び第２有機層１３８の合計膜厚は、複数の層が積層される場合でも、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【００２３】
発光層は、ホスト材料とゲスト材料を組み合わせて形成することができる。ホスト材料とゲスト材料の組み合わせを用いると、励起状態のホスト分子のエネルギーがゲスト分子へ移動してゲスト分子がエネルギーを放出して発光する。ホスト化合物として、電子輸送材料、正孔輸送材料を用いることができる。例えば、Ａｌｑ３等のキノリノール金属錯体に４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルユロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）等のピラン系誘導体、２，３−キナクリドン等のキナクリドン誘導体や、３−（２'−ベンゾチアゾール）−７−ジエチルアミノクマリン等のクマリン誘導体をドープしたもの、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−４−フェニルフェノール−アルミニウム錯体に、ペリレン等の縮合多環芳香族をドープしたもの、あるいは４，４'−ビス（ｍ−トリルフェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）にルブレン等をドープしたもの、４，４´−ビスカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）、４，４´−ビス（９−カルバゾリル）−２，２´−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）等のカルバゾール系化合物に、トリス−（２フェリニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）（緑色）、ビス（４,６-ジ-フルオロフェニル）-ピリジネート−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（ピコリネート）（ＦＩｒ（ｐｉｃ））（青色）、ビス（２−２’−ベンゾチエニル）−ピリジネート−Ｎ，Ｃ３イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））（赤色）、トリス−（ピコリネート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｉｃ）３）（赤色）、ビス（２−フェニルベンゾチオゾラト−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ））（黄色）等のイリジウム錯体や白金錯体をドープしたもの等が用いられる。
【００２４】
有機ＥＬ素子１１６は、第１電極１３２と第２電極１４０との間に設けられる第１有機層１３６及び第２有機層１３８が極めて薄い層であるため、電極間の短絡が問題となる。具体的には、何らかの原因で電極間に所定の大きさ以上（例えば、第１有機層１３６及び第２有機層１３８の膜厚以上の大きさ）の異物が存在すると、第１有機層１３６及び第２有機層１３８は当該異物を十分に被覆することができず、第１電極１３２と第２電極１４０とが短絡する。別言すれば、第１電極１３２上に異物が付着していると、第１有機層１３６及び第２有機層１３８は異物による段差を十分に被覆できず、その後第２電極１４０を形成することで、段差部分に第２電極１４０が回り込み第１電極１３２と接触してしまう。短絡が発生した有機ＥＬ素子１１６は非発光となるので、有機ＥＬ表示装置の表示画面には滅点不良が発生する。
【００２５】
これに対し、本実施形態に係る表示装置では、異物を正孔注入層及び正孔輸送層によって被覆するようにしている。図１は、第１電極１３２上に異物１５０が存在し、第１有機層１３６によって異物１５０が被覆されている態様を示す。第１有機層１３６はなだらかな傾斜面を有することで、第１電極１３２上に異物１５０が存在しても急峻な段差が形成されないようにされている。これにより、異物１５０は、第１有機層１３６によって埋設されることとなり、この上に第２有機層１３８を介して第２電極１４０を設けても、第１電極１３２との短絡を防止することができる。
【００２６】
図２は、第２絶縁層１３０の上に異物１５０が付着している態様を示す。この場合、第１電極１３２は異物１５０を被覆しないので、異物１５０の周辺領域に段差が形成される。本実施例では、図２で示すように、なだらかな傾斜面を有する第１有機層１３６を設けることで、段差部分を十分に被覆することが可能となり、異物による急峻な段差が緩和される。これにより、第１有機層１３６及び第２有機層１３８の上に第２電極１４０を形成しても、第１電極１３２と短絡することが防止することができる。
【００２７】
異物１５０を被覆する第１有機層１３６は、絶縁性を有していることが好ましい。第１有機層１３６が絶縁性を有していることで、第１電極１３２と第２電極１４０の短絡を防止することができる。第1有機層１３６の材料としては、後述する正孔輸送層または正孔注入層のどちらか片方、または、正孔輸送層および正孔注入層の双方を用いることができる。
【００２８】
正孔輸送層には、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、２−ＴＮＡＴＡ、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（ＢＳＰＢ）から選ばれたいずれか一種を用いることができる。
【００２９】
また、正孔注入層には、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（ＶＯＰｃ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（ＰＣｚＰＣＮ１）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等から選ばれたいずれか一種を用いることができる。
【００３０】
なお、ここに例示される正孔輸送材料、正孔注入材料は一例であり、これらに限定されるものではない。
【００３１】
第２電極１４０の上層側には封止層１４２が設けられる。封止層１４２は、有機ＥＬ素子１１６への水分の浸入を防ぐ保護膜として設けられる。図１及び図２は、封止層１４２として、第１無機絶縁膜１４４、有機樹脂膜１４６、第２無機絶縁膜１４８が積層された構造を示す。第１無機絶縁膜１４４及び第２無機絶縁膜１４８は水蒸気透過率の低い無機絶縁膜が用いられる。例えば、第１無機絶縁膜１４４及び第２無機絶縁膜１４８は窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜が用いられる。有機樹脂膜としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。封止層１４２を、無機絶縁膜と有機樹脂膜とを組み合わせて形成することで、封止性能を高め、水蒸気の浸入を防止することができる。
【００３２】
なお、図１及び図２は、画素１０２に異物が含まれる態様を例示するものであり、表示装置１００の全ての画素に異物１５０が含まれるものではない。表示装置１００は、図３に示すように、基板１１２の第１面に複数の画素１０２が配列する画素部１０４、走査信号を出力する第１駆動回路１０６、映像信号を出力する第２駆動回路１０８、及び映像信号等が入力される端子部１１０が設けられる。画素部１０４に配列される画素の数は、フルＨＤ対応であれば、１０８０×１９２０個の画素が配列される。各画素はＲＧＢに対応した副画素から構成されるとすると、副画素の総数は１０８０×１９２０×３個となる。このような多数の画素の中で、非発光画素があると滅点欠陥となって視認される。滅点欠陥は製品歩留まりを低下させる要因となるため、極力低減することが望ましい。本実施形態によれば、異物を正孔注入層及び正孔輸送層によって被覆することで、第１電極１３２と第２電極１４０との短絡を防止することができるので、滅点欠陥の発生を抑制することができる。さらに、本実施形態において、第１有機層１３６は第３絶縁層１３４の表面上に形成されず、第１有機層１３６の、第３絶縁層１３４に対向する端部はなだらかな傾斜面を有し、徐々に薄くなるように形成されるため、画素１０２をその隅部まで発光させることができ、発光領域を広くすることができる。
【００３３】
図４乃至図８を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する。
【００３４】
図４は、第２絶縁層１３０の上面に、トランジスタ１１４と電気的に接続される第１電極１３２、及び第１電極１３２の周辺部を覆い、内側領域を露出させる開口部を有する第３絶縁層１３４までが形成された段階を示す。なお、トランジスタ１１４は、下地絶縁層１１８の上に、半導体層１２０、ゲート絶縁層１２２、ゲート電極１２４を形成することで作製される。ゲート電極１２４の上層には第１絶縁層１２６が形成される。第１絶縁層１２６の上面には、トランジスタ１１４のソース領域、ドレイン領域と接続されるソース・ドレイン電極１２８が形成される。下地絶縁層１１８及び第１絶縁層１２６は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜で形成される。
【００３５】
第１絶縁層１２６の上層には、平坦化膜として機能する第２絶縁層１３０が形成される。第２絶縁層１３０は、有機絶縁材料を用いて形成される。有機絶縁材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。第２絶縁層１３０は、これらの有機材料を用いて蒸着重合法で作製することができる。
【００３６】
第２絶縁層１３０の上面には第１電極１３２が形成される。第１電極１３２は、第２絶縁層１３０に形成されたコンタクトホール１３１によってソース・ドレイン電極１２８と接続するように形成される。第２絶縁層１３０及び第１電極１３２の上層側には第３絶縁層１３４が形成される。第３絶縁層１３４は、第１電極１３２の周縁部を覆い、周縁部の内側領域を露出させる開口部が形成される。第３絶縁層１３４は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の感光性の有機樹脂材料を用いて作製される。
【００３７】
なお、第１電極１３２が陽極である場合、第１電極１３２は、第１有機層１３６にホールを注入するため、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）導電性材料で形成される。例えば、陽極としての第１電極１３２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物材料を用いて形成される。第１電極１３２は導電性金属酸化物材料を用い、スパッタリング法、真空蒸着法により作製される。なお、有機ＥＬ素子１１６がトップエミッション型である場合には、第１電極１３２で光を反射させるために、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜に重ねてアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などの金属膜が形成される。
【００３８】
本実施形態で、第３絶縁層１３４の表面には親水化処理を施す。親水化処理は、紫外線（ＵＶ）やプラズマを照射して行う。
【００３９】
図４は、第１電極１３２の上面に異物１５０が付着している態様を模式的に示す。異物１５０は、意図しないで付着するものであり、第１電極１３２の形成時にスパッタリング装置内部で、あるいは第１有機層１３６を成膜するときの真空蒸着装置の内部で付着することが考えられる。第１電極１３２上に異物１５０が付着していると、第１有機層１３６及び第２有機層１３８が均一に成膜されず、第１電極１３２と第２電極１４０が短絡することが問題となる。しかしながら、以下に述べるように、本実施形態の製造方法によれば、異物１５０による第１電極１３２と第２電極１４０との短絡を防ぎつつ、画素１０２をその隅部まで発光させることができ、発光領域を広くすることができる。
【００４０】
図５は、第１電極１３２及び第３絶縁層１３４の上から第１有機層１３６を形成する段階を示す。第１有機層１３６は、真空蒸着法により形成される。正孔注入層及び正孔輸送層の一方又は双方は、マスクを用いて第１電極上に形成されてもよい。第１有機層１３６の膜厚は適宜設定されればよいが、例えば、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さで形成される。
【００４１】
さらに、本実施形態では、第１有機層１３６を成膜した後、加熱して流動化させている。図６は、第１有機層１３６が形成された基板を加熱した段階を示す。真空加熱処理により第１有機層１３６は流動化し、異物１５０を埋設する。加熱温度は１７０度程度、加熱時間は２０分程度でよい。前述のとおり、本実施形態で、第３絶縁層１３４の表面には親水化処理が施されるので、撥水性の材料を多く含む第１有機層１３６は、加熱処理により流動化しても第３絶縁層１３４の表面に付着しない。よって、第１有機層１３６の端部は徐々に薄く形成され厚膜化しないので、画素の外周部が非発光になるのを防ぎ、画素１０２をその隅部まで発光させることができ、発光領域を広くすることができる。
【００４２】
図７は、異物１５０を埋設した第１有機層１３６の上に第２有機層１３８を形成する段階を示す。第２有機層１３８は真空蒸着により形成される。第２有機層１３８は、第１有機層１３６の上面から第３絶縁層１３４の上面にかけて、第１有機層１３６及び第３絶縁層１３４の表面に沿って設けられる。
【００４３】
図８は、第２有機層１３８の上に第２電極１４０を形成する段階を示す。第２電極１４０は、第１有機層１３６の上面から第３絶縁層１３４の上面にかけて、第１有機層１３６及び第３絶縁層１３４の表面に沿って設けられた第２有機層１３８の上に形成される。
【００４４】
このように、本実施形態によれば、第１有機層１３６及び第２有機層１３８を形成する前段階で、画素１０２に異物が付着していても、第１電極１３２と第２電極１４０との短絡を防ぐことができる。それにより、有機ＥＬ素子１１６の短絡を防止し、非発光画素が形成されることを防ぐことができる。この場合において、有機ＥＬ素子１１６は、第１有機層１３６端部の膜厚を増加させる必要がないので、画素１０２をその隅部まで発光させることができ、発光領域を広くすることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１００・・・表示装置、１０２・・・画素、１０４・・・画素部、１０６・・・第１駆動回路、１０８・・・第２駆動回路、１１０・・・端子部、１１２・・・基板、１１４・・・トランジスタ、１１６・・・有機ＥＬ素子、１１８・・・下地絶縁層、１２０・・・半導体層、１２２・・・ゲート絶縁層、１２４・・・ゲート電極、１２６・・・第１絶縁層、１２８・・・ソース・ドレイン電極、１３０・・・第２絶縁層、１３１・・・コンタクトホール、１３２・・・第１電極、１３４・・・第３絶縁層、１３６・・・第1有機層、１３８・・・第２有機層、１４０・・・第２電極、１４２・・・封止層、１４４・・・第１無機絶縁膜、１４６・・・有機樹脂膜、１４８・・・第２無機絶縁膜、１５０・・・異物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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