(57)【要約】【課題】成膜された板状の被加工物を、切削ブレードに目詰まりを発生させることなく、かつ、レーザ加工装置を利用せずとも分割できるようにする。【解決手段】板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂに膜Ｗ２が成膜され分断予定ラインＳが表面Ｗ１ａに設定された被加工物Ｗの膜Ｗ２側にシートＴ１を貼着し、シートＴ１の外周縁を環状フレームＦ１に貼着することで被加工物ユニットＷＵを形成するステップと、ユニットＷＵのシートＴ１を介して被加工物Ｗを保持手段９０で保持し、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝Ｍ１を形成するステップと、溝形成ステップを実施した後、シートＴ１を分割バー５１で押圧するとともに被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂに沿って分断予定ラインＳに交差する方向に分割バー５１を相対移動させることで膜Ｗ２を分断予定ラインＳに沿って分断するステップと、を備えた加工方法である。【選択図】図６
2019075404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが表面に設定された被加工物の加工方法であって、
被加工物の該膜側にシートを貼着し、該シートの外周縁を環状フレームに貼着することで該環状フレームの開口内に被加工物が収容された被加工物ユニットを形成する被加工物ユニット形成ステップと、
該被加工物ユニットの該シートを介して被加工物を保持手段で保持し、被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、該シートを分割バーで押圧するとともに該被加工物の該裏面に沿って該分断予定ラインに交差する方向に該分割バーを相対移動させることで該膜を該分断予定ラインに沿って分断する膜分断ステップと、を備えた加工方法。
【請求項２】
前記溝形成ステップを実施した後、前記板状物の表面側を柔軟部材を介して支持面で支持するとともに前記環状フレームを固定して前記シートを露出させるシート露出ステップを更に備え、
該シート露出ステップを実施した後、前記膜分断ステップを実施する、請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
前記膜分断ステップは、前記シートを拡張した状態で実施される、請求項１又は２に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが表面に設定された被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属膜や樹脂膜等、特に延性を有する膜を備える板状物を切削ブレードで切削すると、切削ブレードに膜による目詰まりが生じる。そこで、切削加工を施す前に、予め上記膜をレーザビームで除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４２５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、レーザビームで膜を除去するとデブリが発生する上、一般的に高価なレーザ加工装置を利用して加工することになるため製造コストも嵩むという問題がある。
【０００５】
よって、裏面に膜が形成された板状の被加工物を分割する場合には、切削ブレードに目詰まりを発生させることなく、かつ、レーザ加工装置を利用せずとも被加工物を加工できるようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明は、板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが表面に設定された被加工物の加工方法であって、被加工物の該膜側にシートを貼着し、該シートの外周縁を環状フレームに貼着することで該環状フレームの開口内に被加工物が収容された被加工物ユニットを形成する被加工物ユニット形成ステップと、該被加工物ユニットの該シートを介して被加工物を保持手段で保持し、被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、該シートを分割バーで押圧するとともに該被加工物の該裏面に沿って該分断予定ラインに交差する方向に該分割バーを相対移動させることで該膜を該分断予定ラインに沿って分断する膜分断ステップと、を備えた加工方法である。
【０００７】
前記溝形成ステップを実施した後、前記板状物の表面側を柔軟部材を介して支持面で支持するとともに前記環状フレームを固定して前記シートを露出させるシート露出ステップを更に備え、該シート露出ステップを実施した後、前記膜分断ステップを実施するものとすると好ましい。
【０００８】
前記膜分断ステップは、前記シートを拡張した状態で実施されるものとすると好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る加工方法は、環状フレームの開口内に被加工物が収容された被加工物ユニットを形成する被加工物ユニット形成ステップと、被加工物ユニットのシートを介して被加工物を保持手段で保持し、被加工物の表面から分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、シートを分割バーで押圧するとともに被加工物の裏面に沿って分断予定ラインに交差する方向に分割バーを相対移動させることで膜を分断予定ラインに沿って分断する膜分断ステップと、を備えているため、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレードに膜による目詰まりを発生させることもなく、膜を分断して被加工物からチップを作製することができる。また、被加工物ユニットを形成してから、被加工物ユニットの状態で板状物及び膜を分断するため、被加工物のテープ転写作業を実施する必要がなくなり、作業効率が落ちず、また、テープコストが嵩むこともない。
【００１０】
また、溝形成ステップを実施した後、板状物の表面側を柔軟部材を介して支持面で支持するとともに環状フレームを固定してシートを露出させるシート露出ステップを更に備え、シート露出ステップを実施した後、膜分断ステップを実施するものとすることで、膜分断ステップにおいて分割バーからの押圧力によってチップが柔軟部材に沈み込むことができるようになるため、より確実に膜を分断することが可能になる。
【００１１】
さらに、膜分断ステップを、シートを拡張した状態で実施することで、分割バーから被加工物に加えられる押圧力がシートの弛みで分散してしまうことがなくなり、より確実に膜を分断することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】被加工物の一例を示す斜視図である。
【図２】被加工物ユニットの一例を示す斜視図である。
【図３】被加工物に溝を形成するためのプラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図４】被加工物に形成された溝の一例を拡大して示す断面図である。
【図５】板状物の表面側を柔軟部材を介して支持手段の支持面で支持するとともに環状フレームを固定してシートを露出させた状態を示す断面図である。
【図６】シートを分割バーで押圧し板状物の裏面に沿って分断予定ラインに交差する方向に分割バーを相対移動させて膜を分断予定ラインに沿って分断している状態の一例を示す断面図である。
【図７】分割バーを板状物に対して相対移動させて膜を分断予定ラインに沿って分断している状態の別例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１に示す被加工物Ｗは、例えば、シリコンからなる板状物Ｗ１を備える円形の半導体ウェーハであり、板状物Ｗ１の表面、すなわち、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａには複数の分断予定ラインＳがそれぞれ直交差するように設定されている。そして、分断予定ラインＳによって区画された格子状の領域には、デバイスＤがそれぞれ形成されている。被加工物Ｗの外周縁には、結晶方位を識別するためのノッチＮが、被加工物Ｗの中心に向けて径方向内側に窪むように形成されている。図１において−Ｚ方向側に向いている板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂには、銅及びニッケル等の金属からなる一様な厚さの膜Ｗ２が形成されている。膜Ｗ２の露出面は、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂとなる。
なお、被加工物Ｗの構成は本実施形態に示す例に限定されるものではない。例えば、板状物Ｗ１はシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよく、また、膜Ｗ２は、金属膜ではなく、例えばＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）やＤＢＦ（Ｄｉｅ  Ｂａｃｋｓｉｄｅ  Ｆｉｌｍ）等の厚さ５μｍ〜３０μｍ程度の樹脂膜であってもよい。
【００１４】
以下に、本発明に係る加工方法を実施して図１に示す被加工物ＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
【００１５】
（１）被加工物ユニット形成ステップ
まず、図２に示すように、被加工物Ｗの膜Ｗ２側にシートＴ１を貼着する。シートＴ１は、被加工物Ｗよりも大径の円盤状のシートであり、後のプラズマ加工ステップで使用されるエッチングガス（例えば、ＳＦ６ガスやＣ４Ｆ８ガス）に対する耐性を備えたポリオレフィン等で形成されている。例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置された被加工物Ｗの中心と図２に示す環状フレームＦ１の開口の中心とが略合致するように、被加工物Ｗに対して環状フレームＦ１が位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等により被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂにシートＴ１が押し付けられて貼着される。さらに、シートＴ１の粘着面Ｔ１ａの外周部を環状フレームＦ１の下面にも貼着することで、被加工物Ｗは、シートＴ１を介して環状フレームＦ１に支持された状態になる、即ち、環状フレームＦ１の開口内に被加工物Ｗが収容された被加工物ユニットＷＵを形成することができる。
【００１６】
（２）溝形成ステップ
上記被加工物ユニット形成ステップを実施した後、例えば、図３に示すプラズマエッチング装置９を用いて、被加工物ユニットＷＵのシートＴ１を介して被加工物Ｗを保持手段９０で保持し、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝を形成する溝形成ステップを実施する。
【００１７】
図３に示すプラズマエッチング装置９は、被加工物ユニットＷＵを保持する保持手段９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、保持手段９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。
【００１８】
例えば、保持手段９０は、静電チャックであり、アルミナ等のセラミック又は酸化チタン等の誘電体で形成されており、支持部材９００によって下方から支持されている。保持手段９０の内部には、電圧が印加されることにより電荷を発生する電極（金属板）９０１が保持手段９０の保持面９０ａと平行に配設されており、この電極９０１は、整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。なお、保持手段９０は、図３に示すような単極型の静電チャックに限定されず、双極型の静電チャックであってもよい。
例えば、保持手段９０の内部には、冷却水が通水し循環する図示しない冷却水通水路が形成されており、この冷却水通水路を流れる冷却水により保持手段９０が内部から所定温度に冷却される。また、保持手段９０の保持面９０ａと保持面９０ａで保持された被加工物Ｗとの間には、冷却水による吸熱効率を向上させるために、Ｈｅガスなどの熱伝達ガスが所定の圧力で流れるようになっている。
【００１９】
チャンバ９２の上部に軸受け９１９を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０の上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０の下部にはガス吐出口９１２が複数連通している。各ガス吐出口９１２の下端は保持手段９０の保持面９０ａに向かって開口している。
【００２０】
ガス導入口９１１には、ガス供給部９３が接続されている。ガス供給部９３は、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等のフッ素系ガスをエッチングガスとして蓄えている。
【００２１】
ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介してガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することにより、ガス吐出口９１２から吐出されたエッチングガスをプラズマ化することができる。プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部を備えており、制御部による制御の下で、ガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。
【００２２】
チャンバ９２の底には排気口９６が形成されており、この排気口９６には排気装置９７が接続されている。この排気装置９７を作動させることにより、チャンバ９２の内部を所定の真空度まで減圧することができる。
チャンバ９２の側部には、被加工物Ｗの搬入出を行うための搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバルブ９２１とが設けられている。
【００２３】
チャンバ９２の内部には、プラズマエッチングを実施している最中における環状フレームＦ１の加熱を防ぐためのフレーム加熱防止ガード９８が配設されている。フレーム加熱防止ガード９８は、例えば、エッチングガスに対する耐性を備えるＳＵＳ等を環状の平板状に形成したものであり、チャンバ９２の内側壁に取り付けられている。
【００２４】
被加工物Ｗは、上記プラズマエッチング装置９によってプラズマエッチングが施され溝が形成されるにあたり、例えば、各デバイスＤ（図３においては不図示）がレジスト膜Ｒによって保護された状態になる。即ち、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ全面にポジ型レジスト膜を薄膜形成した後、被加工物Ｗの分断予定ラインＳに対応する格子状のスリットが形成された板状のフォトマスクを被加工物Ｗの表面Ｗ１ａに被せ、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ中の分断予定ラインＳのみがフォトマスクのスリットから露出した状態とし、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側に紫外光を照射する。次いで、露光後の被加工物Ｗを現像することで、分断予定ラインＳ上からレジスト膜が除去されることによって、図３に示すように、分断予定ラインＳが露出しかつデバイスＤがレジスト膜Ｒによって保護された状態になる。
【００２５】
または、被加工物Ｗはプラズマエッチングが施され溝が形成されるにあたり、例えば、スピンコータ（回転式塗布装置）等で水溶性樹脂（ポリビニルピロリドンやポリビニルアルコール）の保護膜が表面Ｗ１ａに形成され、さらに、分断予定ラインＳ上の樹脂が除去されることで、分断予定ラインＳが露出しかつデバイスＤが水溶性樹脂の保護膜により保護された状態としてもよい。
【００２６】
溝の形成においては、まず、ゲートバルブ９２１を開け、搬入出口９２０から被加工物ユニットＷＵをチャンバ９２内に搬入し、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側を上に向けて被加工物ユニットＷＵを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置する。ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によってチャンバ９２内を排気し、チャンバ９２内を所定の圧力の密閉空間とする。また、被加工物ユニットＷＵの環状フレームＦ１の上方は、フレーム加熱防止ガード９８により覆われた状態になる。
【００２７】
ガス噴出ヘッド９１を所定の高さ位置まで下降させ、ガス供給部９３から例えばＳＦ６を主体とするエッチングガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド９１と保持手段９０との間に高周波電界を生じさせ、エッチングガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加することで、保持手段９０の保持面９０ａと被加工物Ｗとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物Ｗを保持面９０ａ上に吸着保持する。
【００２８】
プラズマ化したエッチングガスは、レジスト膜Ｒで被覆されている各デバイスＤはエッチングせずに、分断予定ラインＳ上を−Ｚ方向に向かって異方性エッチングしていく。そのため、図４に示す分断予定ラインＳに沿った格子状の溝Ｍ１が板状物Ｗ１に形成されていく。プラズマ化したエッチングガスによる環状フレームＦ１に対する熱影響は、環状フレームＦ１上を覆うフレーム加熱防止ガード９８によって抑えられる。
【００２９】
プラズマ化したエッチングガスは、金属からなる膜Ｗ２をエッチングしない。そのため、図４に示すように、溝Ｍ１の底が膜Ｗ２内に到らず、かつ、溝Ｍ１の底に膜Ｗ２が露出するまでプラズマエッチングを行い、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って板状物Ｗ１を分断するとともに膜Ｗ２は分断しない溝Ｍ１を形成した後、プラズマエッチングを終了させる。すなわち、図４に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
なお、図３に示す溝Ｍ１の底に板状物Ｗ１がエッチング残し部分として僅かな厚みで残存した状態となるまで、プラズマエッチングを行ってもよい。
なお、溝形成ステップは、上記のようなＳＦ６ガス単体によるプラズマエッチングで行われる形態に限定されず、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により行われるものとしてもよい。
【００３０】
なお、溝形成ステップはプラズマエッチングを行う形態に限定されるものではなく、例えば、回転する切削ブレードを備えた切削装置を用いて、分断予定ラインＳに沿って被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから切削加工を施して、板状物Ｗ１を分断するとともに膜Ｗ２は分断しない溝を形成するものとしてもよい。
【００３１】
（３）シート露出ステップ
溝Ｍ１が形成された被加工物ユニットＷＵは、図５に示す分割装置５の支持手段５０に搬送される。図５に示す分割装置５は、被加工物ユニットＷＵを支持する支持手段５０と、支持手段５０によって支持された被加工物ＷをシートＴ１を介して押圧する分割バー５１と、分割バー５１を移動させる移動手段５２とを備えている。なお、図５において、被加工物Ｗに形成されたレジスト膜Ｒは省略して示している。
【００３２】
支持手段５０は、例えば外形が円形状の支持テーブル５００と、支持テーブル５００の周囲に周方向に均等に４つ配設された固定クランプ５０１とを備えている。支持テーブル５００の上面は、被加工物ユニットＷＵを支持する支持面５００ａとなり、支持テーブル５００はＺ軸方向の軸心周りに回転可能となっている。
【００３３】
固定クランプ５０１は、図示しないバネ等によって回転軸５０１ａを軸に回動可能なクランプ板５０１ｂと、上面に環状フレームＦ１が載置されるクランプ台５０１ｃとを備えており、クランプ台５０１ｃの上面とクランプ板５０１ｂの下面との間に環状フレームＦ１を挟み込むことができる。
【００３４】
分断予定ラインＳの幅よりも大きな所定の厚み（例えば、数ｍｍ）を備える板状の分割バー５１は、図５においてはＸ軸方向に延在した状態になっており、被加工物Ｗの直径以上の長さ、即ち、被加工物Ｗを横断できる長さを備えている。分割バー５１の下端部５１ｂはＲ状に丸まっている。なお、分割バー５１の厚みは、分断予定ラインＳの幅以下の大きさとなっていてもよく、その下端部５１ｂも被加工物Ｗの分割時にチップに破損を生じさせない程度にテーパードしていてもよい
【００３５】
本実施形態においては、円形状の支持テーブル５００の支持面５００ａ上には、例えばウレタン等からなる柔軟部材５３が配設されている。柔軟部材５３は、所定の厚みを備え被加工物Ｗの直径以上の径を備える円形板状に形成されている。柔軟部材５３の厚みは、被加工物Ｗの厚みに対応した適宜の値に設定され、例えば、被加工物Ｗの厚みが２００μｍである場合には、柔軟部材５３であるウレタンの厚みは約５ｍｍ程度となる。なお、支持面５００ａには柔軟部材５３が配設されていなくてもよい。
【００３６】
被加工物ユニットＷＵが支持テーブル５００の支持面５００ａ上に搬送され、被加工物Ｗは、表面Ｗ１ａ側を下に向けて柔軟部材５３を介して支持面５００ａ上で支持され、シートＴ１が上方に向かって露出した状態になる。また、環状フレームＦ１が固定クランプ５０１によって挟持固定される。例えば、固定クランプ５０１が配設されている高さ位置は、支持テーブル５００の支持面５００ａの高さ位置よりも下方の位置となっている。この高さ位置の違いによって、環状フレームＦ１が固定クランプ５０１で固定されることで、環状フレームＦ１に貼着されているシートＴ１が径方向外側に向かって拡張された状態になる。
【００３７】
（４）膜分断ステップ
次に、シートＴ１を分割バー５１で押圧するとともに被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂに沿って分断予定ラインＳに交差する方向に分割バー５１を相対移動させることで膜Ｗ２を分断予定ラインＳに沿って分断する膜分断ステップを実施する。
【００３８】
例えば、まず、被加工物Ｗの分断予定ラインＳを図５に示すＸ軸方向と平行に合わせる平行出しが、支持手段５０が所定の角度θだけＺ軸方向の軸心周りに回転することで実施される。なお、上記支持手段５０が回転する角度θは、被加工物Ｗの外周縁に形成されたノッチＮを基準として決定される、又は、図示しない撮像手段により撮像された被加工物Ｗの撮像画像（分断予定ラインＳが写った撮像画像）を用いたパターンマッチング等の画像処理によって決定される。
【００３９】
上記のように平行出しが実施された後、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂに沿ってＸ軸方向に延びる分断予定ラインＳに９０度の角度で交差するＹ軸方向に分割バー５１を相対移動させることで、膜Ｗ２をＸ軸方向に延びる分断予定ラインＳに沿って分断していく。具体的には、図６に示すように、移動手段５２がシートＴ１の上方から分割バー５１を下降させて、分割バー５１の下端部５１ｂでシートＴ１を押圧させ膜Ｗ２に垂直方向の押圧力を加える。さらに、移動手段５２が、分割バー５１を−Ｙ方向側に向かって例えば３ｍｍ／秒〜１０ｍｍ／秒の速度で移動させることで、分割バー５１が膜Ｗ２に及ぼす垂直方向の押圧力に加えて、分割バー５１を境にして−Ｙ方向及び＋Ｙ方向に膜Ｗ２を押し広げる拡張力が加えられる。膜Ｗ２の溝Ｍ１に対応する領域は下方から板状物Ｗ１によって支えられていないため、該押圧力及び該拡張力によってＸ軸方向に延びる分断予定ラインＳに沿って膜Ｗ２が分断されていく。また、分割バー５１が押圧力を加えている被加工物Ｗの被押圧箇所が柔軟部材５３に対して沈み込むため、上記膜Ｗ２の分断がより促される。
なお、シートＴ１はある程度の柔軟性を備えるため、分割バー５１の移動後に復元される。
【００４０】
分割バー５１が被加工物Ｗの＋Ｙ方向側の外周縁まで移動すると、移動手段５２が分割バー５１を今度は−Ｙ方向側に移動させる。このような分割バー５１のＹ軸方向における移動が必要に応じて繰り返され、膜Ｗ２がＸ軸方向に延びる分断予定ラインＳに沿って分断されていく。
【００４１】
次に、支持テーブル５００が９０度回転してから、分割バー５１の下端部５１ｂでシートＴ１を押圧しつつ、分割バー５１を−Ｙ方向側に向かって移動させることで、膜Ｗ２をＹ軸方向に延びる分断予定ラインＳ（図６には不図示）に沿って分断していく。その結果、図６に示すように、被加工物ＷをデバイスＤ及び膜Ｗ２を備えた個々のチップＣに分割することができる。
【００４２】
なお、本実施形態における膜分断ステップでは、被加工物Ｗを支持する支持手段５０を固定して分割バー５１が所定の移動速度で移動するようにしているが、分割バー５１を固定して被加工物Ｗを支持する支持手段５０を移動するようにしてもよい。
【００４３】
被加工物Ｗを個々のチップＣに分割した後、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ上から図３に示すレジスト膜Ｒを除去する。レジスト膜Ｒの除去は、例えば、プラズマエッチング装置９を用いたレジスト膜Ｒのアッシング（灰化）によって行う。被加工物Ｗにレジスト膜Ｒではなく水溶性樹脂の保護膜を形成している場合には、例えば、スピン洗浄装置によってチップＣから水溶性樹脂の保護膜が洗浄・除去される。本実施形態のように、膜Ｗ２を分断した後にレジスト膜Ｒを被加工物Ｗから除去することによって、先に説明した膜Ｗ２の分断中に被加工物Ｗに加わる押圧力からデバイスＤを保護することができる。なお、レジスト膜Ｒ又は水溶性樹脂の保護膜の被加工物Ｗからの除去は、（３）シート露出ステップを実施する前に実施してもよい。
【００４４】
上記のように本発明に係る加工方法は、環状フレームＦ１の開口内に被加工物Ｗが収容された被加工物ユニットＷＵを形成する被加工物ユニット形成ステップと、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝Ｍ１を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、シートＴ１を分割バー５１で押圧するとともに被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂに沿って分断予定ラインＳに交差する方向に分割バー５１を相対移動させることで膜Ｗ２を分断予定ラインＳに沿って分断する膜分断ステップと、を備えているため、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレードに膜Ｗ２による目詰まりを発生させることもなく、膜Ｗ２を分断して被加工物ＷからチップＣを作製することができる。また、被加工物ユニットＷＵを形成してから、被加工物ユニットＷＵの状態で板状物Ｗ１及び膜Ｗ２を分断していくため、被加工物Ｗのテープ転写作業を実施する必要がなくなり、作業効率が落ちず、また、テープコストが嵩むこともない。
【００４５】
また、溝形成ステップを実施した後、板状物Ｗ１の表面Ｗ１ａ側を柔軟部材５３を介して支持手段５０の支持面５００ａで支持するとともに環状フレームＦ１を固定してシートＴ１を露出させるシート露出ステップを更に実施し、その後、膜分断ステップを実施するものとすることで、膜分断ステップにおいて分割バー５１からの押圧力によってチップＣが柔軟部材５３に沈み込むことができるようになるため、より確実に膜Ｗ２を分断することが可能になる。
【００４６】
さらに、膜分断ステップを、シートＴ１を拡張した状態で実施することで、分割バー５１から被加工物Ｗに加えられる押圧力がシートＴ１の弛みで分散してしまうことがなくなり、より確実に膜Ｗ２を分断することが可能になる。
【００４７】
なお、本発明に係る被加工物の加工方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されているプラズマエッチング装置９及び分割装置５の各構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
【００４８】
例えば、膜分断ステップは、以下に説明するように実施されてもよい。上述した（３）シート露出ステップが実施され、さらに被加工物Ｗの分断予定ラインＳの平行出しがされた後、例えば、分割バー５１が被加工物Ｗの上方で旋回することで、図７に示すように、Ｙ軸方向に延在する分断予定ラインＳに対して、分割バー５１が水平面上において４５度の角度で交差する状態になる。そして、移動手段５２が分割バー５１を降下させて分割バー５１でシートＴ１を押圧しつつ、分断予定ラインＳと分割バー５１とが水平面上において４５度の角度で交差する状態が保たれるように分割バー５１を矢印Ａ方向に向かって移動させることで、膜Ｗ２がＸ軸方向に延びる分断予定ラインＳ及びＹ軸方向に延びる分断予定ラインＳに沿って分断されていく。この場合、矩形のチップの角部分周囲の溝Ｍ１（図７には不図示）に対応する領域の膜Ｗ２に対して、その抗張力以上の押圧力及び拡張力が集中的に加わりやすくなり、チップの角部分周囲の膜Ｗ２がまず分断予定ラインＳに沿って容易に分断されていく。
【００４９】
分割バー５１が矢印Ａ方向に向かって移動していき、被加工物Ｗの外周縁を越える位置に到達すると、分割バー５１が被加工物Ｗの上方で旋回し、図７に示すように、例えばＹ軸方向に延在する分断予定ラインＳに対して、分割バー５１が水平面上において１３５度の角度で交差する状態になる。そして、移動手段５２が分割バー５１を降下させて分割バー５１でシートＴ１を押圧しつつ、分断予定ラインＳと分割バー５１とが水平面上において１３５度の角度で交差する状態が保たれるよう分割バー５１を矢印Ｂ方向に向かって移動させることで、膜Ｗ２がＸ軸方向に延びる分断予定ラインＳ及びＹ軸方向に延びる分断予定ラインＳに沿って余すところ無く分断されていく。その結果、被加工物ＷをデバイスＤ及び膜Ｗ２を備えた個々のチップに分割することができる。
【００５０】
なお、上記膜分断ステップにおいては、Ｘ軸方向に延在するように位置付けられた分割バー５１に対して、支持手段５０がＺ軸方向の軸心周りに回転することで、分割バー５１と分断予定ラインＳとが水平面上において４５度の角度で交差するように被加工物Ｗが位置付けられるものとしてもよい。また、図７に示すＹ軸方向に延在する分断予定ラインＳに対して分割バー５１が水平面上において交差する角度は４５度に限定されず、例えば、３０度、６０度等であってもよい。即ち、本実施形態の膜分断ステップにおいては、分断予定ラインＳと所定の角度（３０度、４５度、６０度等）で交差する分割バー５１で被加工物Ｗを押圧して分割した後、被加工物Ｗと分割バー５１とを相対的に９０度回転させてから、分断予定ラインＳと所定の角度（１２０度、１３５度、１５０度等）で交差する分割バー５１で再度被加工物Ｗを押圧して分割するとより好ましい。
【符号の説明】
【００５１】
Ｗ：被加工物  Ｗ１：板状物  Ｗ１ａ：被加工物の表面  Ｓ：分断予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｗ１ｂ：板状物の裏面  Ｗ２：膜  Ｗ２ａ：膜の表面  Ｗ２ｂ：被加工物の裏面  
Ｔ１：シート  Ｔ１ａ：シートの粘着面  Ｆ１：環状フレーム  ＷＵ：被加工物ユニット
９：プラズマエッチング装置
９０：保持手段  ９０ａ：保持手段の保持面  ９００：支持部材  ９０１：電極
９１：ガス噴出ヘッド  ９１０：ガス拡散空間  ９１１：ガス導入口
９１２：ガス吐出口  
９２：チャンバ  ９２０：搬入出口  ９２１：ゲートバルブ
９３：ガス供給部  ９４，９４ａ：整合器  ９５，９５ａ：高周波電源，バイアス高周波電源  ９６：排気口  ９７：排気装置
５：分割装置  ５０：支持手段  ５００：支持テーブル  ５００ａ：支持面  ５０１：固定クランプ  ５０１ａ：回転軸  ５０１ｂ：クランプ板  ５０１ｃ：クランプ台
５１：分割バー  ５２：移動手段  ５３：柔軟部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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