(57)【要約】【課題】フレームや基板を、熱ダメージを受けないように効率良く冷却する。【解決手段】減圧可能な内部空間を有するチャンバ３と、チャンバ３内にプラズマを発生させるプラズマ源と、チャンバ３内に設けられて搬送キャリア４が載置されるステージ８と、ステージ８に載置されて保持シート３０とフレーム３１とを覆い、厚み方向に貫通するように形成された窓部３６を有するカバー３４とを備える。カバー３４は、導入口４３及び排出口４４と、導入口４３と排出口４４を接続し、平面視でフレーム３１よりも内側の領域には重ならないように形成される冷媒流路とを備える。ステージ８は、カバー３４が載置された状態で、導入口４３に連通して冷媒流路４５に冷媒を供給可能とする供給口２３と、排出口４４に連通して冷媒流路４５に供給した冷媒を回収可能とする回収口２４とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
減圧可能な内部空間を有するチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ源と、
前記チャンバ内に設けられて前記搬送キャリアが載置されるステージと、
前記ステージに載置されて前記保持シートと前記フレームとを覆い、厚み方向に貫通するように形成された窓部を有するカバーと、
を備え、
前記カバーは、導入口及び排出口と、前記導入口と前記排出口を接続し、平面視で前記フレームよりも内側の領域には重ならないように形成される冷媒流路とを備え、
前記ステージは、前記カバーが載置された状態で、前記導入口に連通して前記冷媒流路に冷媒を供給可能とする供給口と、前記排出口に連通して前記冷媒流路に供給した冷媒を回収可能とする回収口とを備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記カバーと前記ステージとを、両者が接触する第１位置と、離間して前記ステージに対する前記搬送キャリアの搬入及び搬出を可能とする第２位置とに相対移動させる駆動手段を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記カバーは、その中心を中心とする仮想円上に複数箇所に配置されて、前記ステージを押圧する押圧部を備え、
前記冷媒流路は、平面視で前記押圧部から外側の領域に形成されている、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記カバーは、同心円上の複数箇所に配置され、前記ステージを押圧する押圧部を備え、
前記冷媒流路は、平面視で、前記押圧部の位置を避けて形成されている、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板に施すプラズマ処理方法であって、
前記基板を保持した前記搬送キャリアをチャンバ内に搬入してステージに載置し、
前記ステージに載置された搬送キャリアの前記フレームと前記保持シートとを、前記基板を露出させるための窓部を有するカバーで覆い、
前記カバーの前記フレームから外側の領域に形成した冷媒流路に冷媒を流しながら、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、前記基板をプラズマ処理する、プラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマ処理装置として、ダイシングテープ（環状のフレーム）を貼り付けたウエハ（基板）を、静電吸着により冷却された電極上に密着させて冷却するようにしたものが公知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、電極に密着させた状態での冷却だけでは不十分な場合があり、ダイシングテープやウエハがプラズマによる熱ダメージを受けることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−５１３８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、フレームや基板を、熱ダメージを受けないように効率良く冷却できるプラズマ処理装置及び方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、
環状のフレームと保持シートからなる搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
減圧可能な内部空間を有するチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ源と、
前記チャンバ内に設けられて前記搬送キャリアが載置されるステージと、
前記ステージに載置されて前記保持シートと前記フレームとを覆い、厚み方向に貫通するように形成された窓部を有するカバーと、
を備え、
前記カバーは、導入口及び排出口と、前記導入口と前記排出口を接続し、平面視で前記フレームよりも内側の領域には重ならないように形成される冷媒流路とを備え、
前記ステージは、前記カバーが載置された状態で、前記導入口に連通して前記冷媒流路に冷媒を供給可能とする供給口と、前記排出口に連通して前記冷媒流路に供給した冷媒を回収可能とする回収口とを備える、プラズマ処理装置を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、カバーを冷却して基板やフレームへの熱ダメージを抑えることができる。しかも、冷媒流路をフレームよりも内側の領域には形成していないので、カバーの内側が冷えすぎて下面に、プラズマ処理時に発生したデポジションが付着するといった不具合も発生しない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略を示す正面断面図である。
【図２】図１のステージ部の拡大図である。
【図３】図２のカバー及びステージ部の部分拡大図である。
【図４】図１のカバーの平面図である。
【図５】他の実施形態に係るカバーの平面図である。
【図６】他の実施形態に係るカバー及びステージ部の部分拡大図である。
【図７Ａ】他の実施形態に係るカバー及びステージ部の部分拡大図である。
【図７Ｂ】図７Ａの一例を示す部分拡大図である。
【図７Ｃ】図７Ａの他の例を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る実施形態を添付図面に従って説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「側」、「端」を含む用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物、あるいは、その用途を制限することを意図するものではない。さらに、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは相違している。
【００１０】
図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１を示す。プラズマ処理装置１は、ウエハ２（基板）にプラズマ処理を施すためのもので、減圧可能な内部空間すなわち処理室を有するチャンバ３を備える。処理室には、出入口３ａを介してウエハ２を保持した搬送キャリア４を搬入及び搬出できるようになっている。
【００１１】
チャンバ３（真空容器）の頂部は誘電体壁５によって閉鎖されている。誘電体壁５の上方には、上部電極としてのアンテナ６（プラズマ源）が配置されている。アンテナ６は第１の高周波（RF: Radio Frequency）電源部７に電気的に接続されている。一方、チャンバ３内の底部側にはステージ８が配置されている。チャンバ３のガス導入口８ａにはプロセスガス源９、及び、アッシングガス源１０がそれぞれ接続されている。チャンバ３の排気口３ｂにはチャンバ３内を真空排気するための真空ポンプ及びチャンバ３内の圧力を調整するための圧力調整弁を含む減圧機構１１が接続されている。
【００１２】
図２に示すように、ステージ８は、静電チャック１２、及び、その下方側に配置される電極部本体１３からなる電極部１４と、電極部本体１３の下方側に配置される基台部１５と、これらの外周を取り囲む外装部１６とを備える。また、ステージ８には冷却装置１７が設けられている。
【００１３】
電極部１４の静電チャック１２は、薄いセラミックス、溶射セラミックス、又は、誘電材料からなるシート（テープ）で構成されている。静電チャック１２の上面は被載置面１８である。被載置面１８の中央部分には、ウエハ２を保持した搬送キャリア４が載置される。また被載置面１８の外周部分には、後述するカバー３４が載置される。静電チャック１２には、双極型である静電吸着用電極１９が上方側に内蔵され、高周波（ＲＦ）電極２０が下方側に内蔵されている。静電吸着用電極１９には直流電源２１が電気的に接続されている。ＲＦ電極２０には、第２の高周波電源部２２が電気的に接続されている。
【００１４】
電極部本体１３は、金属（例えば、アルミニウム合金）で構成されている。図３に示すように、静電チャック１２及び電極部本体１３には、カバー３４との接触面に供給口２３及び回収口２４をそれぞれ開口させる連通孔２５が形成されている。この連通孔２５を介してカバー３４側に冷媒ガス（ここでは、Ｈｅガス）を供給できるようになっている。図４に示すように、供給口２３と回収口２４とは、２つ一組で各組が周方向に４箇所等分に形成されている。静電チャック１２の上面には、各供給口２３及び各回収口２４を囲むようにシール部が形成される。
【００１５】
図１に示される第２駆動ロッド３７等を介して、カバー３４に対してカバー３４をステージ８側に押圧する機械的な力を付与可能な場合（クランプ方式）、シール部は、図３に示すように、静電チャック１２の上面に、各供給口２３及び各回収口２４を囲むように形成された環状溝２６と、各環状溝２６に配置されたＯリング２７により構成することができる。この場合、機械的な力によりステージ８側に押圧されたカバー３４は、Ｏリング２７を介してステージ８と密着するため、冷媒ガスを確実にシールすることができる。
【００１６】
また、カバー３４に対してカバー３４をステージ８側に押圧する力が、カバー３４とステージ８の間に作用する電磁気力により付与可能な場合（静電吸着方式など）、シール部は、図７Ａに示すように、静電チャック１２の上面に、各供給口２３及び各回収口２４を囲むように形成することができる。具体的なシール部の構成としては、図７Ｂに示す平坦部１２ａあるいは図７Ｃに示す環状のシールパターン１２ｂが挙げられる。この場合、電磁気力、例えば、ステージ８が備える静電吸着電極により発生させた静電吸着力により、各供給口２３及び各回収口２４を囲むように形成された平坦部あるいは環状のシールパターンにおいて、カバー３４がステージ８と密着するため、冷媒ガスを確実にシールすることができる。
【００１７】
なお、カバー３４に対してカバー３４をステージ８側に押圧する力は、クランプ方式や電静電吸着方式に限るものではなく、例えば、クランプ方式と静電吸着方式を併用してもよい。
【００１８】
図２に示すように、冷却装置１７は、第１冷媒流路２８と、冷媒循環装置２９とで構成されている。冷媒循環装置２９は、第１冷媒流路２８に温調した冷媒を循環させ、ステージ８を所望温度に維持する。
【００１９】
外装部１６はアースシールド材（導電性及び耐エッチング性を有する金属）からなる。外装部１６により、電極部１４及び基台部１５がプラズマから保護される。
【００２０】
搬送キャリア４は、ウエハ２を着脱可能に保持する保持シート３０を備える。保持シート３０としては、例えば、弾性的に伸展可能であって粘着力によりウエハ２を保持するが、紫外線の照射によって化学的特性が変化して粘着力が大幅に減少するいわゆるＵＶテープを使用できる。図３に示すように、保持シート３０は、一方の面が粘着性を有する面（粘着面３０ａ）で構成され、他方が粘着性を有しない面（非粘着面３０ｂ）で構成されている。また保持シート３０は柔軟でそれ自身では容易に撓んで一定形状を維持できない。このため、保持シート３０の外周縁付近の粘着面３０ａには、概ねリング状で厚みの薄いフレーム３１（環状フレーム）が貼着されている。フレーム３１は、例えば金属製で、その形状を保持できるような剛性を有する。
【００２１】
保持シート３０の粘着面３０ａのうちフレーム３１で囲まれた円形領域３０ｃの中央にウエハ２が保持されている。具体的には、円形領域３０ｃの中心とウエハ２の中心とが概ね一致するように、保持シート３０に対するウエハ２の位置が設定されている（図４参照）。
【００２２】
搬送キャリア４は、保持シート３０のウエハ２を保持している面（粘着面３０ａ）が上向きの姿勢でステージ８の電極部１４に載置され、保持シート３０の非粘着面３０ｂが電極部１４の上面に接触する。搬送キャリア４は、図示しない搬送機構によって電極部１４に対して予め定められた位置（正規位置）及び姿勢（保持シート３０の中心Ｃｓ回りに回転角度位置を含む）で載置される。
【００２３】
正規位置に載置された搬送キャリア４は、後述する処理後に、第１駆動ロッド３２によって持ち上げられて排出される。第１駆動ロッド３２は、図１にのみ概念的に示す第１駆動機構３３により昇降駆動され、搬送キャリア４を、図１に示す上昇位置と、図２に示す降下位置とに移動できるようになっている。
【００２４】
チャンバ３内には、ステージ８に対して昇降するカバー３４が設けられている。カバー３４は外形輪郭が円形であって、その中心が円形領域３０ｃの中心とウエハ２の中心とに概ね一致するように配置されている。カバー３４は、プラズマ処理中に搬送キャリア４の保持シート３０とフレーム３１を覆い、これらをプラズマから保護する。このため、カバー３４は搬送キャリア４の外形輪郭よりも十分に大きく形成されている。
【００２５】
図３に示すように、カバー３４には、上面に中央部に向かって徐々に低くなるテーパ状窪み３５が形成されている。テーパ状窪み３５の中央部には、上面３４ａから下面３４ｂまで厚み方向に貫通する窓部３６が形成されている。窓部３６は、搬送キャリア４上の保持シート３０が、後述するようにして発生させたプラズマに直接、曝されにくいようなサイズ及び形状とされている。
【００２６】
図１も併せて参照すると、カバー３４は、その下面にステージ８を貫通する第２駆動ロッド３７が連結されている。そして、第２駆動機構３８を駆動することにより、第２駆動ロッド３７を介してカバー３４を上昇位置と降下位置との間で昇降できるようになっている。
【００２７】
カバー３４の下面には、その中心を中心とする仮想円上に等分でアンダーカット構造の凹部３９が複数（ここでは、４箇所）形成されている。各凹部３９には、押圧体４０がそれぞれ配置され、押圧部を構成している。押圧体４０には、略円柱状をした弾性材料（例えば、特殊フッ素ゴム）を使用できる。カバー３４が降下位置に移動することにより、押圧体４０は搬送キャリア４のフレーム３１に圧接する。そしてこの圧接により、フレーム３１の歪みが矯正され、保持シート３０を介してフレーム３１が被載置面１８に確実に接触するようになっている。これにより、フレーム３１の歪に起因する異常放電や、搬送キャリア４の冷却不足を抑制可能となる。
【００２８】
カバー３４の外周部には下方側に突出する載置部４１が形成されている。載置部４１の下面が静電チャック１２の上面に載置される載置面４２である。載置面４２には、静電チャック１２の供給口２３及び回収口２４にそれぞれ連通する導入口４３及び排出口４４が形成されている。カバー３４の載置面４２が静電チャック１２の被載置面１８に載置された状態では、Ｏリング２７によって供給口２３と導入口４３、回収口２４と排出口４４がそれぞれ封止状態で連通する。導入口４３と排出口４４とは第２冷媒流路４５に接続されている。図４に示すように、第２冷媒流路４５は、隣接する導入口４３と排出口４４ではなく、１／４周離れたもの同士が接続され、約１／４周ずつの４箇所に形成される（図４中、ハッチングを施した領域参照）。また、第２冷媒流路４５は、カバー３４の内側へは、平面視でフレーム３１に対向する位置よりも内側すなわち円形領域３０ｃに対向する位置には形成されていない。これにより、カバー３４の内側領域（フレーム３１との対向部分）が冷却され過ぎるのを防止する。
【００２９】
図１にのみ模式的に示す制御装置４６は、第１の高周波電源部７、プロセスガス源９、アッシングガス源１０、減圧機構１１、直流電源２１、第２の高周波電源部２２、冷媒循環装置２９、第１駆動機構３３及び第２駆動機構３８を含むプラズマ処理装置１を構成する各要素の動作を制御する。
【００３０】
次に、本実施形態のプラズマ処理装置１の動作を説明する。
【００３１】
まず、保持シート３０の円形領域の中央にウエハ２を貼着した搬送キャリア４を図示しない搬送機構によってチャンバ３内に搬入し、ステージ８上の正規位置に配置する。このとき、カバー３４は上昇位置（図１）にある。
【００３２】
そして、第２駆動機構３８により第２駆動ロッド３７を駆動し、カバー３４を上昇位置（図１）から降下位置（図２）に移動させる。カバー３４が降下位置となると、搬送キャリア４の保持シート３０とフレーム３１はカバー３４で覆われ、その窓部３６からウエハ２が露出する。またカバー３４は電極部１４と接触する。このとき、供給口２３と導入口４３、回収口２４と排出口４４がそれぞれ連通する。
【００３３】
続いて、直流電源２１から静電吸着用電極１９に直流電圧を印加し、ウエハ２をステージ８の電極部１４の上面に静電吸着により保持する。このとき、静電吸着用電極１９がカバー３４の下面の近傍に配置されているため、カバー３４に対しても十分な静電力を作用させて電極部１４への吸着状態を安定させることができる。
【００３４】
さらに、プロセスガス源９からチャンバ３内にプラズマダイシング用のプロセスガスを導入しつつ、減圧機構１１により排気し、チャンバ３内を所定圧力に維持する。その後、アンテナ６に対して第１の高周波電源部７から高周波電力を供給してチャンバ３内にプラズマを発生させ、カバー３４の窓部３６から露出しているウエハ２に照射する。このとき、ステージ８のＲＦ電極２０には第２の高周波電源部２２からバイアス電圧が印加される。また、冷却装置１７によりステージ８が冷却される。ウエハ２のマスク３から露出している部分（ストリート）では、プラズマ中のラジカルとイオンの物理化学的作用よって表面２ａから裏面２ｂまで除去され、ウエハ２は個別のチップに分割される。
【００３５】
ところで、以上のプラズマダイシングでは、カバー３４がプラズマに晒されて加熱されることになるが、このカバー３４は熱伝導性に優れた材料で構成されている。したがって、プラズマによる熱は効率良くステージ８へと逃がすことができる。また、カバー３４は、第２冷媒流路４５に冷媒を供給して循環させることにより冷却されている。したがって、搬送キャリア４が熱によるダメージを受けることがない。
【００３６】
ここで、本発明とは異なり、カバー３４の全体を冷却した場合の課題について説明する。プラズマダイシングでは、エッチングステップとデポジションステップとを繰り返す、いわゆるBOSCHプロセスを利用して、シリコンの垂直加工を行っている。デポジションステップでは、C4F8等のフルオロカーボン系のガスを利用しているため、チャンバ３内の部材の温度が低い箇所では、温度の高い箇所と比較して、デポジション反応が起こりやすく、多くの堆積物が形成される。したがって、仮に、カバー３４全体を冷却した場、カバー端部を含むカバー３４に対して、より多くの堆積物が形成されることとなる。カバー３４の端部はウエハ２の端部に近いため、カバー３４の端部に多くの堆積物が付着すると、ウエハ２の端部のエッチング形状の異常の原因となる。また、処理を重ねてカバー３４の端部に付着する堆積物が累積すると、カバー３４の端部の堆積物からのフルオロカーボン系のポリマーの供給が増える。このため、処理枚数が多くなるに伴い、ウエハ２の端部付近で残渣やエッチストップ等が生じ、エッチング形状の再現性が悪化する。また、カバー３４の端部の裏側に付着した堆積物が剥がれて、パーティクルが発生するという問題も生じやすくなる。
【００３７】
本発明の場合、冷媒による冷却範囲が平面視でフレーム３１に対向する位置から外側である。このため、カバー３４の内側が冷えすぎて下面に、プラズマ処理時に発生したデポジションに起因する上述の不具合も発生しない。プラズマダイシング中のウエハ２の温度は、例えば、２０〜６０℃であり、この時のカバー３４の内側の温度は、例えば、６０〜２００℃であり、カバー３４の外側の温度は、例えば、２０〜１５０℃である。このように、カバー３４の内側の温度を、カバー３４の外側の温度よりも低く、かつ、ウエハ２の温度よりも若干高めの温度とすることが好ましい。
【００３８】
プラズマダイシング完了後、アッシングが実行される。アッシングガス源１０からチャンバ３内にアッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）を導入しつつ、減圧機構１１により排気し、チャンバ３内を所定圧力に維持する。その後、アンテナ６に対して第１の高周波電源部７から高周波電力を供給してチャンバ３内にプラズマを発生させてカバー３４の窓部３６から露出しているウエハ２に照射する。プラズマの照射によりウエハ２の表面２ａからマスク３が完全に除去される。
【００３９】
アッシング後、第２駆動機構３８により第２駆動ロッド３７を駆動してカバー３４を降下位置から上昇位置に移動させる。その後、第１駆動機構３３により第１駆動ロッド３２を駆動して搬送キャリア４を降下位置から上昇位置に移動させ、図示しない搬送機構によって搬送キャリア４をチャンバ外に搬出する。
【００４０】
なお、本発明は、前記実施形態に記載された構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
【００４１】
前記実施形態では、第２駆動機構３８（昇降手段、接離手段）は第２駆動ロッド３７を介してカバー３４をステージ８に対して昇降させているが、昇降手段、接離手段の構成としては、チャンバ３内に固定されたカバー３４に対してステージ８を昇降させるものであってもよい。
【００４２】
前記実施形態では、静電吸着用電極１９を双極型としたが、双極型に限定されず、単極型であってもよい。
【００４３】
前記実施形態では、カバー３４を静電吸着するように構成したが、第２駆動ロッド３７等を介して、カバー３４に対してカバー３４をステージ８側に押圧する機械的な力を付与可能な場合、カバー３４の静電吸着は必須ではない。静電吸着用電極１９は少なくとも搬送キャリア４で覆われている部分にあればよい。
【００４４】
前記実施形態では、プラズマ処理装置１で実行する処理をプラズマダイシングとアッシングとしたが、例えば通常のドライエッチングとしてもよい。
【００４５】
前記実施形態では、プラズマ処理装置１はＩＣＰ型としたが、平行平板型であってもよい。
【００４６】
前記実施形態では、第２冷媒流路４５を、平面視でフレーム３１に対向する位置から外側に形成してもよいようにしたが、平面視でさらに外径側のフレーム３１を押圧する位置から外側に形成するようにしてもよい。この場合、図５に示すように、第２冷媒流路４５は、押圧部に対応する位置を避けるように切欠き部４５ａを備えた形状とするのが好ましい。これによれば、押圧体４０を収容するための凹部３９と第２冷媒流路４５とが干渉することがないので、カバー３４を薄型とすることができる。
【００４７】
前記実施形態では、カバー３４の内径側で保持シート３０の露出部分を覆うようにしたが、図６に示すように、カバー３４の窓部３６の内径寸法を大きくして保持シート３０を露出させるようにしてもよい。例えば、ウエハ２が薄くて、放電を低出力・短時間で行う場合や、ウエハ２のエッジ性能が要求される場合等には、保持シート３０を露出させた方が好ましい。
【符号の説明】
【００４８】
１…プラズマ処理装置
２…ウエハ
３…チャンバ
４…搬送キャリア
５…誘電体壁
６…アンテナ
７…第１の高周波電源部
８…ステージ
９…プロセスガス源
１０…アッシングガス源
１１…減圧機構
１２…静電チャック
１３…電極部本体
１４…電極部
１５…基台部
１６…外装部
１７…冷却装置
１８…被載置面
１９…静電吸着用電極
２０…高周波電極
２１…直流電源
２２…第２の高周波電源部
２３…供給口
２４…回収口
２５…連通孔
２６…環状溝
２７…Ｏリング
２８…第１冷媒流路
２９…冷媒循環装置
３０…保持シート
３０ａ…粘着面
３０ｂ…非粘着面
３０ｃ…円形領域
３１…フレーム
３２…第１駆動ロッド
３３…第１駆動機構
３４…カバー
３５…テーパ状窪み
３６…窓部
３７…第２駆動ロッド
３８…第２駆動機構
３９…凹部
４０…押圧体
４１…載置部
４２…載置面
４３…導入口
４４…排出口
４５…第２冷媒流路
４６…制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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