(57)【要約】【課題】直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりを抑制する電子写真感光体を提供する。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量をＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量をＣＢ（Ｆ）、前記感光体の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量をＣＣ（Ｆ）としたとき、下記式（１）及び下記式（２）を満たす電子写真感光体。・式（１）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆ・式（２）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＢ≦４．０×１０−１０Ｆ【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有し、
軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量をＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量をＣＢ（Ｆ）、前記感光体の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量をＣＣ（Ｆ）としたとき、下記式（１）及び下記式（２）を満たす
電子写真感光体。
・式（１）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆ
・式（２）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＢ≦４．０×１０−１０Ｆ
【請求項２】
前記感光層が、電荷発生層と電荷輸送層とを有する積層型感光層である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記電荷輸送層が、フッ素含有樹脂粒子を含む請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記フッ素含有樹脂粒子が、ポリテトラフルオロエチレン粒子である請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚が、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚よりも大きい請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚と、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚と、の差が３μｍ以上５μｍ以下である請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光し、静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を、トナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項９】
前記静電潜像形成手段による露光から前記トナーを前記感光体表面に乗せる現像までの時間が、８０ｍｓｅｃ以下である請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記静電潜像形成手段による露光から前記トナーを前記感光体表面に乗せる現像までの時間が、６０ｍｓｅｃ以下である請求項９に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。
電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電性を有する支持体上に、基材への電荷注入をブロッキングする下引き層、及び、露光により電荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層とを積層する機能分離型の積層型感光層を有する電子写真感光体、また、支持体上に、下引き層、及び、電荷を発生する機能と電荷を輸送する機能を同一の層が果たす単層型感光層を有する電子写真感光体が知られている。
【０００３】
特許文献１には、画像形成装置の装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、導電性基体の上に順に少なくとも下引き層、色材顔料及び結着樹脂を含む電荷発生層、電荷輸送層を積層する感光体と、前記感光体に形成された潜像に供給するための現像剤を担持する現像剤担持体と、前記現像剤担持体に設けられ、前記感光体と当接することで前記現像剤担持体と前記感光体の間隔を保持する間隔保持部材と、を有し、前記感光体は、前記潜像が形成される画像領域と、前記潜像が形成されない非画像領域と、を備え、前記画像領域における前記電荷発生層および前記電荷輸送層は感光層を形成し、前記画像領域における前記電荷発生層が第１の膜厚を備え、前記非画像領域にあって、前記間隔保持部材と当接する当接領域における前記電荷発生層が前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚を備えることを特徴とするプロセスカートリッジが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、軸方向のほぼ中央部の外径が両端部の外径よりも大きいクラウン形状に加工された支持体の表面に、感光層が設けられていることを特徴とする電子写真用感光ドラムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１８８９１９号公報
【特許文献２】特開平８−１６０８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に直接転写する直接転写方式の画像形成装置では、電子写真感光体と転写手段との間に記録媒体を通過して画像を形成する。
しかし、繰り返し画像を記録媒体に出力した後、電子写真感光体に対する記録媒体の通過幅よりも大きい記録媒体に画像を出力すると、記録媒体の端部（記録媒体の搬送方向と交差する方向の端部）に、トナーが付着して色点となる現象（以下、「端部かぶり」とも称する。）が生じることがある。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量ＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量ＣＢ（Ｆ）、及び、軸方向の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量ＣＣ（Ｆ）の関係が、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＡ、又は、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＢを満たす場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりを抑制する電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量をＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量をＣＢ（Ｆ）、前記感光体の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量をＣＣ（Ｆ）としたとき、下記式（１）及び下記式（２）を満たす電子写真感光体である。
・式（１）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆ
・式（２）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＢ≦４．０×１０−１０Ｆ
【０００９】
請求項２に係る発明は、
前記感光層が、電荷発生層と電荷輸送層とを有する積層型感光層である請求項１に記載の電子写真感光体である。
【００１０】
請求項３に係る発明は、
前記電荷輸送層が、フッ素含有樹脂粒子を含む請求項２に記載の電子写真感光体である。
【００１１】
請求項４に係る発明は、
前記フッ素含有樹脂粒子が、ポリテトラフルオロエチレン粒子である請求項３に記載の電子写真感光体である。
【００１２】
請求項５に係る発明は、
前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚が、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚よりも大きい請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。
【００１３】
請求項６に係る発明は、
前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚と、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚と、の差が３μｍ以上５μｍ以下である請求項５に記載の電子写真感光体である。
【００１４】
請求項７に係る発明は、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。
【００１５】
請求項８に係る発明は、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面を露光し、静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を、トナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。
【００１６】
請求項９に係る発明は、
前記静電潜像形成手段による露光から前記トナーを前記感光体表面に乗せる現像までの時間が、８０ｍｓｅｃ以下である請求項８に記載の画像形成装置である。
【００１７】
請求項１０に係る発明は、
前記静電潜像形成手段による露光から前記トナーを前記感光体表面に乗せる現像までの時間が、６０ｍｓｅｃ以下である請求項９に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に係る発明によれば、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量ＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量ＣＢ（Ｆ）、及び、軸方向の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量ＣＣ（Ｆ）の関係が、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＡ、又は、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＢを満たす場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりを抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、直接転写方式の画像形成装置において、複層型感光層を有し、端部かぶりをより抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、前記電荷輸送層が、電荷輸送材料及び結着樹脂のみからなる場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりをより抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項４に係る発明によれば、前記フッ素含有樹脂粒子が、フッ化ビニリデン樹脂粒子である場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりをより抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項５に係る発明によれば、前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚が、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚以下である場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりをより抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項６に係る発明によれば、前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚と、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚と、の差が３μｍ未満であるか、又は、５μｍを超える場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりをより抑制する電子写真感光体が提供される。
【００１９】
請求項７に係る発明によれば、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量ＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量ＣＢ（Ｆ）、及び、軸方向の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量ＣＣ（Ｆ）の関係が、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＡ、又は、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＢを満たす電子写真感光体を用いる場合に比べ、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりを抑制するプロセスカートリッジが提供される。
請求項８に係る発明によれば、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量ＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量ＣＢ（Ｆ）、及び、軸方向の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量ＣＣ（Ｆ）の関係が、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＡ、又は、２．０×１０−１１Ｆ＞ＣＣ−ＣＢを満たす電子写真感光体を用いる場合に比べ、端部かぶりを抑制する直接転写方式の画像形成装置が提供される。
請求項９に係る発明によれば、前記静電潜像形成手段による露光から前記トナーを前記感光体表面に乗せる現像までの時間が、８０ｍｓｅｃを超える場合に比べ、高速印刷性に優れる画像形成装置が提供される。
請求項１０に係る発明によれば、前記静電潜像形成手段による露光から前記トナーを前記感光体表面に乗せる現像までの時間が、６０ｍｓｅｃを超える場合に比べ、高速印刷性に優れる画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略部分断面図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
（電子写真感光体）
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、単に「感光体」とも称する。）は、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量をＣＡ（Ｆ（ファラデー））、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量をＣＢ（Ｆ）、前記感光体の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量をＣＣ（Ｆ）としたとき、下記式（１）及び下記式（２）を満たす。
・式（１）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆ
・式（２）：２．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＢ≦４．０×１０−１０Ｆ
本実施形態に係る電子写真感光体は、直接転写方式の画像形成装置に好適に用いられる。
【００２３】
高速化を狙った、直接転写システムを採用した従来の画像形成装置においては、中間ベルトを介さないために、電子写真感光体がうける転写付加が大きく、端部においてかぶりが発生する場合がある。
特に、以下の印刷態様であると、端部において特にかぶりが発生する。具体的には、大きさが大きい記録媒体（例えば、Ａ３ノビ用紙）印刷前に、大きさが小さい記録媒体（例えば、Ａ３用紙）の転写履歴が残っていた場合には、大きさが小さい記録媒体の非印刷部（非通紙部）において、電子写真感光体への転写電圧による負荷がかかってしまうために、非印刷部に該当する電子写真感光体表面の帯電電位が低下していき、ある一定の履歴が残った場合、大きさが大きい記録媒体の印刷時に端部のみでかぶりが発生してしまうことがある。
印刷時に非印刷部となる場合が多い前記端部においては、前記中央部よりも電荷が蓄積されやすく、印刷時においてトナーの量が増加し、かぶりが発生しやすいものと推定される。
【００２４】
本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成であることにより、直接転写方式の画像形成装置において、端部かぶりを抑制する。この理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと推測される。
【００２５】
前記端部におけるかぶりは、電子写真感光体の端部の表面における帯電電位の低下により生じると推測される。電子写真感光体の端部の表面における帯電電位の低下と、電子写真感光体の導電性（静電容量）とに相関があり、電子写真感光体の端部における静電容量を、電子写真感光体の中央部における静電容量よりも低くすることにより、前記端部における帯電電位の低下を抑制し、端部かぶりが抑制されるものと推測される。
【００２６】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【００２７】
電子写真感光体としては、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた感光層と、を有する構成の感光体が適用される。
なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層（以下「機能分離型感光層」ともいう）であってもよいし、単層型の感光層（以下「単層型感光層」ともいう）であってもよい。感光層が機能分離型感光層である場合、電荷発生層に電荷発生材料を含み、電荷輸送層に電荷輸送材料を含む。
【００２８】
本実施形態に係る電子写真感光体は、軸方向の一端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の一端部Ａの静電容量をＣＡ（Ｆ）、軸方向の他端から中央部に向かって３０ｍｍまでの領域における感光体の他端部Ｂの静電容量をＣＢ（Ｆ）、前記感光体の中心から両端部に向かって各々５０ｍｍまでの領域における感光体の中央部Ｃの静電容量をＣＣ（Ｆ）としたとき、前記式（１）及び前記式（２）を満たす。
本実施形態において、電子写真感光体の端部Ａ、端部Ｂ、及び、中央部Ｃにおける静電容量の測定方法は、（株）東陽テクニカ製の自動キャパシタンスブリッジ２５００Ａを用いて、温度２３℃、湿度５５％、周波数１ｋＨｚの条件で、電子写真感光体の端部Ａ、端部Ｂ、及び、中央部Ｃの各部において、軸方向をずらして３点以上それぞれ測定し、平均値をとることにより算出する。
【００２９】
ＣＣ−ＣＡの値を規定する前記式（１）は、端部かぶりを抑制する観点から、５．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆであることが好ましく、８．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆであることがより好ましく、１．０×１０−１０Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆであることが特に好ましい。
また、ＣＣ−ＣＢの値を規定する前記式（２）は、端部かぶりを抑制する観点から、５．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆであることが好ましく、８．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆであることがより好ましく、１．０×１０−１０Ｆ≦ＣＣ−ＣＡ≦４．０×１０−１０Ｆであることが特に好ましい。
【００３０】
また、本実施形態に係る電子写真感光体は、得られる画像における点欠陥の発生の抑制、及び、端部かぶりを抑制する観点から、下記式（３）を満たすことが好ましい。
・式（３）：ＣＣ≦４．０×１０−１０Ｆ
ＣＣの値を規定する前記式（３）は、得られる画像における点欠陥の発生の抑制、及び、端部かぶりを抑制する観点から、５．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ≦４．０×１０−１０Ｆであることがより好ましく、８．０×１０−１１Ｆ≦ＣＣ≦４．０×１０−１０Ｆであることが更に好ましく、１．０×１０−１０Ｆ≦ＣＣ≦３．５×１０−１０Ｆであることが特に好ましい。
【００３１】
ＣＡの値は、端部かぶりを抑制する観点から、１．０×１０−１１Ｆ以上２．０×１０−１０Ｆ以下であることが好ましく、５．０×１０−１１Ｆ以上１．５×１０−１０Ｆ以下であることがより好ましく、７．０×１０−１１Ｆ以上１．３×１０−１０Ｆ以下であることが特に好ましい。
また、ＣＢの値は、端部かぶりを抑制する観点から、１．０×１０−１１Ｆ以上２．０×１０−１０Ｆ以下であることが好ましく、５．０×１０−１１Ｆ以上１．５×１０−１０Ｆ以下であることがより好ましく、７．０×１０−１１Ｆ以上１．３×１０−１０Ｆ以下であることが特に好ましい。
更に、ＣＡの値とＣＢの値とは、同じであっても異なっていてもよいが、ＣＡ−ＣＢの値の絶対値が、画質の均一性の観点から、０Ｆ以上５．０×１０−１１Ｆ以下であることが好ましく、０Ｆ以上２．０×１０−１１Ｆ以下であることがより好ましく、０Ｆ以上１．０×１０−１１Ｆ以下であることが特に好ましい。
【００３２】
また、電子写真感光体の端部Ａと中央部Ｃとの間、及び、他端部Ｂと中央部Ｃとの間における静電容量は、主として用いる記録媒体の印刷幅に応じて適宜決定すればよいが、主として用いる記録媒体の印刷幅における端部Ａと中央部Ｃとの間、及び、他端部Ｂと中央部Ｃとの間の静電容量は、前記ＣＣと同じ値か、又は、ＣＣとの差が０Ｆを超え１．０×１０−１１Ｆ未満であることが好ましい。
また、主として用いる記録媒体の印刷幅以外の部分における端部Ａと中央部Ｃとの間、及び、他端部Ｂと中央部Ｃとの間の静電容量は、ＣＡ若しくはＣＢと同じ値か、又は、ＣＡ若しくはＣＢとの差が０Ｆを超え１．０×１０−１１Ｆ以下であることが好ましい。
【００３３】
本実施形態に係る電子写真感光体の軸方向の長さ（幅）は、１６０ｍｍ以上であればよいが、２９３ｍｍより大きいことが好ましく、３２９ｍｍ以上であることがより好ましい。上限は、目的とする印刷幅に応じて適宜設定すればよいが、１，６００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３４】
また、前記下引層において、端部かぶりを抑制する観点から、前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚が、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚よりも大きいことが好ましく、前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚と、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚と、の差が１μｍ以上７μｍ以下であることがより好ましく、前記差が３μｍ以上５μｍ以下であることが特に好ましい。各部における下引層の厚さを前記範囲とすることにより、前記式（１）及び前記式（２）が容易に満たされる。
【００３５】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図１は、電子写真感光体７の層構成の一例として示した電子写真感光体７Ａの模式断面図である。図１に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体１上に、下引層３、電荷発生層４、及び電荷輸送層５がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層４及び電荷輸送層５が機能分離型感光層６を構成している。
なお、電子写真感光体７Ａは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられるその他の層としては、例えば、電荷輸送層５上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
【００３６】
図２は、電子写真感光体７の層構成の他の一例として示した電子写真感光体７Ｂの模式断面図である。図２に示した電子写真感光体７Ｂは、例えば、導電性基体１上に、下引層３及び単層型感光層２がこの順序で積層された構造を有する。
なお、電子写真感光体７Ｂは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、単層型感光層２上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
【００３７】
以下、電子写真感光体７の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００３８】
＜導電性基体＞
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３９】
導電性基体の表面は、感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００４０】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００４１】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００４２】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００４３】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００４４】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４５】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これを更にアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４６】
＜下引層＞
下引層は、導電性基体と感光層との間に設けられる。下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００４７】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１×１０２Ωｃｍ以上１×１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。無機粒子の中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子が好ましく、酸化亜鉛粒子が特に好ましい。
【００４８】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上が好ましい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２，０００ｎｍ以下が好ましく、６０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下がより好ましい。
【００４９】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００５０】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００５１】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００５２】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５３】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５４】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００５５】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００５６】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００５７】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００５８】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００５９】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法又は湿式法が挙げられる。
【００６０】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００６１】
湿式法は、例えば、撹拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、撹拌又は分散した後、溶剤を除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤の除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤の除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として、溶剤中で撹拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００６２】
電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００６３】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して、０．０１質量％以上２０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上１０質量％以下がより好ましい。
【００６４】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００６５】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００６６】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００６７】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００６８】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００６９】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００７０】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００７１】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７２】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００７３】
下引層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
感光体の静電容量を容易に調整する観点から、下引層形成において、前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記乾燥時の温度が、前記感光体の中央部Ｃの温度よりも高いことが好ましく、１０℃以上２０℃以下高いことがより好ましく、１５℃以上２０℃以下高いことが特に好ましい。また、前記乾燥温度であると、感光層の端部及び他端部における下引層の厚さが厚くなり、前記式（１）及び前記式（２）が容易に満たされる。
【００７４】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【００７５】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【００７６】
下引層形成用塗布液を導電性支持体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００７７】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
また、前述したように、前記感光体の一端部Ａ及び前記感光体の他端部Ｂにおける前記下引層の膜厚が、前記感光体の中央部Ｃにおける前記下引層の膜厚よりも大きいことが好ましい。
【００７８】
＜中間層＞
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層を更に設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７９】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００８０】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００８１】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００８２】
＜積層型感光層＞
本実施形態に係る電子写真感光体における感光層は、端部かぶりを抑制する観点から、電荷発生層と電荷輸送層とを有する積層型感光層であることが好ましい。
【００８３】
＜＜電荷発生層＞＞
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【００８４】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００８５】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００８６】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００８７】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長がある発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００８８】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落０２８８乃至０２９１に記載された化合物（ＣＧ−１）乃至（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００８９】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００９０】
なお、電荷発生材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【００９１】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００９２】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【００９３】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【００９４】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【００９５】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００９６】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００９７】
＜＜電荷輸送層＞＞
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【００９８】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００９９】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１００】
【化１】
2019061156.tif 000002
【０１０１】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１０２】
【化２】
2019061156.tif 000003
【０１０３】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１０４】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１０５】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ１）で表されるブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）も好ましく挙げられる。
【０１０６】
【化３】
2019061156.tif 000004
【０１０７】
一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｃｍ及びｃｎは、各々独立に、０、１又は２を表す。
【０１０８】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１０９】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１１０】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１１１】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１１２】
なお、一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表す上記各置換基は、更に置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子及び基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１１３】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ１１及びＲＣ１２同士、ＲＣ１３及びＲＣ１４同士、ＲＣ１５及びＲＣ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン環構造、シクロアルケン環構造、シクロアルカンポリエン環構造等が挙げられる。
【０１１４】
一般式（ＣＴ１）において、ｃｍ及びｃｎは、１であることが好ましい。
【０１１５】
一般式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｃｍ及びｃｎが１又は２を表することが好ましく、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｃｍ及びｃｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。
【０１１６】
【化４】
2019061156.tif 000005
【０１１７】
以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１１８】
【化５】
2019061156.tif 000006
【０１１９】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１２０】
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１２１】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ２）で表されるベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）も好ましく挙げられる。特に、電荷移動度の観点から、電荷輸送材料として、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）とを併用することが好ましい。
【０１２２】
【化６】
2019061156.tif 000007
【０１２３】
一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【０１２４】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１２５】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１２６】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１２７】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０１２８】
なお、一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表す上記各置換基は、更に置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子及び基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１２９】
一般式（ＣＴ２）において、特に、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成（感光体の高感度化）の点から、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＣ２１、及びＲＣ２３が水素原子を表し、ＲＣ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−２））であることが特に好ましい。
【０１３０】
【化７】
2019061156.tif 000008
【０１３１】
以下に、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１３２】
【化８】
2019061156.tif 000009
【０１３３】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−Ｃ２Ｈ５：エチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
・−ＯＣ２Ｈ５：エトキシ基
【０１３４】
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１３５】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１３６】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１３７】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１３８】
電荷輸送層に含まれる添加剤としては、例えば、フッ素含有樹脂粒子、フッ素含有分散剤、及び酸化防止剤等が挙げられる。
中でも、端部かぶりを抑制する観点から、電荷輸送層は、フッ素含有樹脂粒子を含むことが好ましく、ポリテトラフルオロエチレン粒子を含むことが特に好ましい。
【０１３９】
フッ素含有樹脂粒子について説明する。
フッ素含有樹脂粒子としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（４フッ化エチレン樹脂）、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体の粒子の中から１種又は２種以上を選択するのが望ましい。これらの中でも、フッ素含有樹脂粒子としては、ポリテトラフルオロエチレン粒子、又は、フッ化ビニリデン樹脂粒子が好ましく、ポリテトラフルオロエチレン粒子が特に好ましい。
【０１４０】
フッ素含有樹脂粒子の個数平均一次粒径は、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることがより好ましい。
なお、この個数平均一次粒径は、感光層（電荷輸送層）から試料片を得て、これをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により例えば倍率５，０００倍以上で観察し、一次粒子状態のフッ素樹脂粒子の最大径を測定し、これを５０個の粒子について行った平均値とする。なお、ＳＥＭとして日本電子（株）製ＪＳＭ−６７００Ｆを使用し、加速電圧５ｋＶの二次電子画像を観察する。
【０１４１】
フッ素含有樹脂粒子の市販品としては、例えば、ルブロン（登録商標）シリーズ（ダイキン工業（株）製）、テフロン（登録商標）シリーズ（デュポン社製）、ダイニオン（登録商標）シリーズ（住友スリーエム（株）製）等が挙げられる。
【０１４２】
フッ素含有樹脂粒子の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上２０質量％以下がより好ましく、５質量％以上１５質量％以下が更に好ましい。
【０１４３】
フッ素含有分散剤について説明する。
フッ素含有分散剤は、例えば、電荷輸送層形成用塗布液中における上記フッ素含有樹脂粒子の分散安定剤として用いる。
フッ素含有分散剤としては、例えば、フッ化アルキル基を有する重合性化合物を単独重合又は共重合した重合体（以下「フッ化アルキル基含有重合体」とも称する）が挙げられる。
【０１４４】
フッ素含有分散剤として具体的には、フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートの単独重合体、フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートとフッ素原子を有さないモノマーとのランダム又はブロック共重合体等が挙げられる。なお、（メタ）アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートの双方を意味する。
フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル（メタ）アククリレートが挙げられる。
フッ素原子を有さないモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチルｏ−フェニルフェノール（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテル（メタ）アクリレートが挙げられる。
【０１４５】
その他、フッ素含有分散剤として具体的には、米国特許第５６３７１４２号明細書、特許第４２５１６６２号公報などに開示されたブロック又はブランチポリマーも挙げられる。更に、フッ素含有分散剤として具体的には、フッ素系界面活性剤も挙げられる。
【０１４６】
フッ素含有分散剤の市販品としては、例えば、ＧＦ３００、ＧＦ４００（東亞合成（株）製）、サーフロン（登録商標）シリーズ（ＡＧＣセイミケミカル（株）製）、フタージェントシリーズ（ネオス（株）製）、ＰＦシリーズ（北村化学産業（株）製）、メガファック（登録商標）シリーズ（ＤＩＣ（株）製）、ＦＣシリーズ（３Ｍ社製）等が挙げられる。
【０１４７】
フッ素含有分散剤の重量平均分子量は、例えば、２，０００以上２５０，０００以下が好ましく、３，０００以上１５０，０００以下がより好ましく、２０，０００以上１００，０００以下が更に好ましい。
フッ素含有分散剤の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定される値である。ＧＰＣによる分子量測定は、例えば、測定装置として東ソー（株）製ＧＰＣ・ＨＬＣ−８１２０を用い、東ソー（株）製カラム・ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｍ（７．８ｍｍＩ．Ｄ．３０ｃｍ）を使用し、クロロホルム溶媒で行い、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作製した分子量校正曲線を使用して算出する。
【０１４８】
フッ化アルキル基含有共重合体の含有量は、例えば、フッ素含有樹脂粒子の質量に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましく、１質量％以上７質量％以下がより好ましく、１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。
なお、フッ化アルキル基含有共重合体は、１種を単独で又は２種以上を併用してもよい。
【０１４９】
酸化防止剤について説明する。
酸化防止剤として、その代表的なものは、例えば、電子写真感光体の内部又は表面に存在する酸化性物質に対して、光、熱、放電などの条件下で酸素の作用を防止又は抑制する性質を有する物質が挙げられる。
酸化防止剤としては、ラジカル重合禁止剤、過酸化物分解剤等が挙げられる。ラジカル重合禁止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤、ジアリルアミン系酸化防止剤、ジアリルジアミン系酸化防止剤、ハイドロキノン系酸化防止剤等の公知の酸化防止剤が挙げられる。過酸化物分解剤としては、有機硫黄系（例えばチオエーテル系）酸化防止剤、リン酸系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤等の公知の酸化防止剤が挙げられる。
これらの中でも、酸化防止剤としては、ラジカル重合禁止剤が好ましく、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、及び、ヒンダードアミン系酸化防止剤よりなる群から選ばれた少なくとも１種の酸化防止剤がより好ましい。酸化防止剤としては、一分子中に、酸化防止作用を持つ異なる骨格を２つ以上有する酸化防止剤（例えば、ヒンダードフェノール骨格とヒンダードアミン骨格とを有する酸化防止剤等）であってもよい。
【０１５０】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤について説明する。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環を有する化合物である。
【０１５１】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤において、ヒンダードフェノール環は、例えば、炭素数４以上８以下のアルキル基（例えば炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基）が少なくとも一つ置換されたフェノール環である。より具体的には、ヒンダードフェノール環は、例えば、フェノール性水酸基に対してオルトの位置が三級アルキル基（例えばｔｅｒｔ−ブチル基）で置換されたフェノール環である。
【０１５２】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、
１）ヒンダードフェノール環を１つ有する酸化防止剤、
２）ヒンダードフェノール環を２つ以上４つ以下有し、且つ直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、又は２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素−炭素の結合間に、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）及びエーテル結合（−Ｏ−）の少なくとも一方が介在した連結基で、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が連結された酸化防止剤、
３）２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環と、一つのベンゼン環（未置換、又はアルキル基等で置換された置換ベンゼン環）又はイソシアヌレート環とを有し、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が、各々、ベンゼン環又はイソシアヌレート環とアルキレン基を介して連結された酸化防止剤、
等が挙げられる。
【０１５３】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤として具体的には、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、スチレン化フェノール、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシビフェニル、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’，−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、３，９−ビス｛２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン等が挙げられる。
【０１５４】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤の市販品としては、例えば、イルガノックス１０７６、イルガノックス１０１０、イルガノックス１０９８、イルガノックス２４５、イルガノックス１３３０、イルガノックス３１１４、イルガノックス１０７６（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）、スミライザーＭＤＰ-Ｓ（住友化学（株）製）等が挙げられる。
【０１５５】
ヒンダードアミン系酸化防止剤について説明する。
ヒンダードアミン系酸化防止剤は、ヒンダードアミン骨格を有する酸化防止剤である。  ヒンダードアミン骨格としては、例えば、アルキル基で置換されたピペリジル骨格が挙げられる。具体的には、ヒンダードアミン骨格としては、窒素原子に対してオルト位置の炭素原子と結合する２つ水素原子が各々アルキル基で置換されたテトラアルキルピペリジル骨格が挙げられる。なお、このテトラアルキルピペリジル骨格は、窒素原子と結合する水素原子が、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。
【０１５６】
ヒンダードアミン系酸化防止剤として具体的には、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ［４．５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ［｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイミル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，３，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝］、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）アミノ］−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物等が挙げられる。
【０１５７】
ヒンダードアミン系酸化防止剤の市販品としては、例えば、サノールＬＳ２６２６、サノールＬＳ７６５、サノールＬＳ７７０、サノールＬＳ７４４（以上、三共ライフテック（株）製）、チヌビン１４４、チヌビン６２２ＬＤ（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）、マークＬＡ５７、マークＬＡ６７、マークＬＡ６２、マークＬＡ６８、マークＬＡ６３（以上、（株）アデカ製）が挙げられる。
【０１５８】
有機硫黄系酸化防止剤として具体的には、例えば、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（β−ラウリル−チオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、２−メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。
チオエーテル系酸化防止剤の市販品としては、例えば、スミライザーＴＰＳ、スミライザーＴＰ−Ｄ（以上、住友化学（株）製）が挙げられる。フォスファイト系酸化防止剤として、マーク２１１２、マークＰＥＰ−８、マークＰＥＰ−２４Ｇ、マークＰＥＰ−３６、マーク３２９Ｋ、マークＨＰ−１０（以上、（株）アデカ製）等が挙げられる。
【０１５９】
リン酸系酸化防止剤として具体的には、例えば、トリスノニルフェニルフォスファイト、トリフェニルフォスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイトなどが挙げられる。
有機硫黄系及びリン酸系酸化防止剤は、２次酸化防止剤と言われ、フェノール系又はアミン系等の１次酸化防止剤と併用することにより相乗効果が得られる。
【０１６０】
これら酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１６１】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１６２】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１６３】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１６４】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１６５】
＜単層型感光層＞
本実施形態に係る電子写真感光体における感光層は、単層型感光層であってもよい。
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層であることが好ましい。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様であり、好ましい態様も同様である。
単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、単層型感光層の全質量に対して、１０質量％以上８５質量％以下が好ましく、２０質量％以上５０質量％以下がより好ましい。
また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、単層型感光層の全質量に対して、５質量％以上５０質量％以下が好ましい。
単層型感光層の形成方法は、特に制限はなく、例えば、前述した電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましい。
【０１６６】
＜保護層＞
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度を更に改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することが好ましい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１６７】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１６８】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す。］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は、置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１以上３以下の整数を表す。］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１６９】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくともエチレン性不飽和結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。中でも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１７０】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１７１】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１７２】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１７３】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１７４】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１７５】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１７６】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１７７】
（画像形成装置、及び、プロセスカートリッジ）
本実施形態に係る画像形成装置は、本実施形態に係る電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面を露光し、静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を、トナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。
また、本実施形態に係る画像形成装置において、前記静電潜像形成手段による露光からトナーを感光体表面に乗せる現像は、高速印刷性の観点から、８０ｍｓｅｃ（ミリ秒）以下であることが好ましく、６０ｍｓｅｃ以下であることがより好ましい。
更に、本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る電子写真感光体を備え、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。
【０１７８】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置：トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１７９】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１８０】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係るプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１８１】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る画像形成装置を詳細に説明する。
【０１８２】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１０１は、図３に示すように、例えば、矢印Ａで示すように、時計回り方向に回転する電子写真感光体１０と、電子写真感光体１０の上方に、電子写真感光体１０に相対して設けられ、電子写真感光体１０の表面を帯電させる帯電装置２０（帯電手段の一例）と、帯電装置２０により帯電した電子写真感光体１０の表面に露光して、静電潜像を形成する露光装置３０（静電潜像形成手段の一例）と、露光装置３０により形成された静電潜像に現像剤に含まれるトナーを付着させて電子写真感光体１０の表面にトナー像を形成する現像装置４０（現像手段の一例）と、記録紙Ｐ（記録媒体の一例）をトナーの帯電極性とは異なる極性に帯電させて記録紙Ｐに電子写真感光体１０上のトナー像を転写させる転写装置５０と、電子写真感光体１０の表面をクリーニングするクリーニング装置７０（クリーニング手段の一例）と、を備える。そして、本実施形態に係る画像形成装置１０１は、トナー像が形成された記録紙Ｐを搬送しつつ、トナー像を定着させる定着装置６０を備える。
【０１８３】
以下、本実施形態に係る画像形成装置１０１における主な構成部材の詳細について説明する。
【０１８４】
＜帯電装置＞
帯電装置２０としては、例えば、導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が挙げられる。また、帯電装置２０としては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も挙げられる。帯電装置２０としては、接触型帯電器が好ましい。
【０１８５】
＜露光装置＞
露光装置３０としては、例えば、電子写真感光体１０表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体１０の分光感度領域にあるものが好ましい。半導体レーザの波長としては、例えば、７８０ｎｍ前後に発振波長を有する近赤外線が好ましい。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、露光装置３０としては、例えばカラー画像形成のためにはマルチビーム出力するタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１８６】
＜現像装置＞
現像装置４０は、例えば、トナー及びキャリアからなる２成分現像剤を収容する容器内に、現像領域で電子写真感光体１０に対向して配置された現像ロール４１が備えられた構成が挙げられる。現像装置４０としては、２成分現像剤により現像する装置であれば、特に制限はなく、周知の構成が採用される。
【０１８７】
ここで、現像装置４０に使用される現像剤は、トナーからなる一成分現像剤であってもよいし、トナーとキャリアを含む二成分系現像剤であってもよい。
【０１８８】
＜転写装置＞
転写装置５０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１８９】
＜クリーニング装置＞
クリーニング装置７０は、例えば、筐体７１と、クリーニングブレード７２と、クリーニングブレード７２の電子写真感光体１０回転方向下流側に配置されるクリーニングブラシ７３と、を含んで構成されている。また、クリーニングブラシ７３には、例えば、固形状の潤滑剤７４が接触して配置されている。
【０１９０】
以下、本実施形態に係る画像形成装置１０１の動作について説明する。まず、電子写真感光体１０が矢印Ａで示される方向に沿って回転すると同時に、帯電装置２０により帯電する。
【０１９１】
帯電装置２０によって表面が帯電した電子写真感光体１０は、露光装置３０により露光され、表面に潜像が形成される。
【０１９２】
電子写真感光体１０における潜像の形成された部分が現像装置４０に近づくと、現像装置４０（現像ロール４１）により、潜像にトナーが付着し、トナー像が形成される。
【０１９３】
トナー像が形成された電子写真感光体１０が矢印Ａに方向に更に回転すると、転写装置５０によりトナー像は記録紙Ｐに転写される。これにより、記録紙Ｐにトナー像が形成される。
その後、クリーニング装置７０により電子写真感光体１０の表面をクリーニングされる。そして、再び、帯電装置２０によって、帯電がなされて、次のサイクル（画像プロセス）が行われる。
【０１９４】
画像が形成された記録紙Ｐは、定着装置６０でトナー像が定着される。
【０１９５】
なお、本実施形態に係る画像形成装置１０１は、例えば、図４に示すように、筐体１１内に、電子写真感光体１０、帯電装置２０、露光装置３０、現像装置４０、及びクリーニング装置７０を一体に収容させたプロセスカートリッジ１０１Ａを備えた形態であってもよい。このプロセスカートリッジ１０１Ａは、複数の部材を一体的に収容し、画像形成装置１０１に脱着させるものである。
プロセスカートリッジ１０１Ａの構成は、これに限られず、例えば、少なくとも、電子写真感光体１０、及び光除電装置（不図示）を備えていてもよく、その他、例えば、帯電装置２０、露光装置３０、現像装置４０、転写装置５０、及びクリーニング装置７０から選択される少なくとも一つを備えていてもよい。
【０１９６】
また、本実施形態に係る画像形成装置１０１は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体１０の周囲であって、転写装置５０よりも電子写真感光体１０の回転方向下流側でクリーニング装置７０よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置７０よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置２０よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体１０の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
【実施例】
【０１９７】
以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
【０１９８】
（実施例１）
＜感光体の作製＞
［感光体１］
酸化亜鉛（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ（株）製、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と撹拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ６０３（信越化学工業（株）製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子４４．６質量部と、反応性アクセプター物質としてヒドロキシアントラキノンを０．４５質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルウレタン（株）製）１０．２質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学工業（株）製）３．５質量部と、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、メチルエチルケトン４１．３質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）３．６質量部を添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液の塗布温度２４℃における粘度は２３５ｍＰａ・ｓであった。
この塗布液を、浸漬塗布法にて塗布速度２２０ｍｍ／ｍｉｎで直径８４ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、表１に記載の乾燥温度で、２４分の乾燥硬化を行い、中央部Ｃの厚さが１９μｍ、端部Ａ及びＢの厚さが２４μｍの下引層を形成した。
【０１９９】
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０質量部およびｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液の塗布温度２４℃における粘度は１．８ｍＰａ・ｓであった。この塗布液を前記下引き層上に浸漬塗布法にて塗布速度１３０ｍｍ／ｍｉｎで浸漬塗布し、１５０℃で５分間乾燥して電荷発生層を形成した。
【０２００】
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（東亞合成（株）製、ＧＦ４００（製品名））０．０１質量部とを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４質量部、トルエン１質量部とともに２０℃の液温に保ち、４８時間撹拌「混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
【０２０１】
次に、電荷輸送物質として下記化合物（ＣＴ１Ａ）１．６質量部、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（下記化合物（ＣＴ２Ａ））３質量部、結着樹脂として、下記構造式１及び下記構造式２の繰り返し単位からなるポリカーボネート共重合体（粘度平均分子量５３，０００）６質量部、酸化防止剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．１質量部を混合して、テトラヒドロフラン３２質量部及びトルエン３質量部を混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。
次に、混合溶解液Ｂに４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを加えて撹拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興業（株）製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧しての分散処理を６回繰り返した液に、エーテル変性シリコーンオイル（商品名：ＫＰ３４０：信越化学工業（株）製）を５ｐｐｍ添加し、撹拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に３４μｍの厚さで塗布して１１５℃で４０分間乾燥して電荷輸送層を形成した。
【０２０２】
【化９】
2019061156.tif 000010
【０２０３】
以上の工程を経て、目的とする電子写真感光体を得た。得られた電子写真感光体を感光体１とした。
【０２０４】
［感光体２乃至４、及び、感光体Ｃ１乃至Ｃ４］
表１に従って、下引層の厚さ、下引層形成時の乾燥温度を変更した以外は、感光体１と同様にして、感光体２乃至４、及び、感光体Ｃ１乃至Ｃ４をそれぞれ作製した。
【０２０５】
＜実施例１乃至４、及び、比較例１乃至４＞
得られた感光体をそれぞれ、電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス（株）製：複写機Ｄ１３６  Ｐｒｉｎｔｅｒ）に搭載した。これら装置を、実施例１乃至４、又は、比較例１乃至４の画像形成装置とした。
なお、電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス（株）製：複写機Ｄ１３６  Ｐｒｉｎｔｅｒ）は、ストロコロン方式の帯電装置、及びストロコロン方式の補助帯電装置を有する装置である。そして、この装置は、補助帯電装置により感光体の表面を帯電電位−４００Ｖで帯電した後、帯電装置により感光体の表面を−８００Ｖで帯電するように設定されている。
【０２０６】
＜電子写真感光体の端部におけるかぶり（端部かぶり）評価＞
実施例１乃至４、及び、比較例１乃至４で作製した電子写真感光体を、直接転写方式を採用したモノクロ画像形成装置のプロセスカートリッジに搭載し、各サイクル数ごとのＡ３ノビ画質（端部かぶり）によって、下記基準にて評価を行った。ただし、静電潜像形成手段による露光からトナーを感光体表面に乗せる現像までの時間を１００ｍｓｅｃとした条件（表１中「低速」と表記）、５０ｍｓｅｃとした条件（表１中「高速」と表記）で、各々、次の評価を実施した。
判定基準：
−各サイクル数における画質評価−
Ａ：かぶり無し
Ｂ：かぶりが発生しているが、許容範囲であった
Ｃ：明らかなかぶりが発生した
【０２０７】
＜リーク耐性（点欠陥の発生抑制性）評価＞
実施例１乃至４、及び、比較例１乃至４で作製した電子写真感光体を、直接転写方式を採用したモノクロ画像形成装置のプロセスカートリッジに搭載し、カーボンファイバーを５質量％添加したトナーを用いて、２０℃５０％ＲＨの雰囲気下で、Ａ３用紙にＡ３用紙に画像密度１０％乃至９０％の範囲で１０％刻みの画像を５０枚出力した。そして、１０枚目に出力した画像を目視により観察し、次の基準で評価した。
判定基準：
−画質評価−
Ａ：点欠陥無し
Ｂ：点欠陥が１個以上５個以下
Ｃ：点欠陥が５個以上
【０２０８】
【表１】
2019061156.tif 000011
【０２０９】
上記結果から、実施例では、比較例に比べて、端部かぶりが抑制されていることがわかる。
【符号の説明】
【０２１０】
１：導電性基体、２：単層型感光層、３：下引層、４：電荷発生層、５：電荷輸送層、６：積層型感光層、７：電子写真感光体、７Ａ：電子写真感光体、７Ｂ：電子写真感光体、１０：電子写真感光体、１１：筐体、２０：帯電装置、３０：露光装置、４０：現像装置、４１：現像ロール、５０：転写装置、６０：定着装置、７０：クリーニング装置、７１：筐体、７２：クリーニングブレード、７３：クリーニングブラシ、７４：潤滑剤、１０１Ａ：プロセスカートリッジ、１０１：画像形成装置
【図１】
2019061156.tif 000012
【図２】
2019061156.tif 000013
【図３】
2019061156.tif 000014
【図４】
2019061156.tif 000015