(57)【要約】【課題】電磁波シールド層にバリの発生がなく、電磁波シールド層が電子機器から剥がれにくい電磁波シールド電子機器の提供が可能であって、該製造工程後においては、電磁波シールド層からの熱溶融性離型層の剥離が容易で、その剥離時に電磁波シールド層を損傷することのない電磁波シールド電子機器の製造方法の提供。【解決手段】  基板に電子部品を搭載する工程と、導電性接着剤層および熱溶融性離型層を有する電磁波シールドフィルムを、基板に搭載した電子部品側に、導電性接着剤層、熱溶融性離型層の順となるように載置する工程と、電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面とを導電性接着剤層が追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波シールド層を得る工程と、電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程とを備える電磁波シールド電子機器の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品を搭載する工程と、
導電性接着剤層および熱溶融性離型層を有する電磁波シールドフィルムを、前記基板に搭載した電子部品側に、前記導電性接着剤層、熱溶融性離型層の順となるように載置する工程と、
前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面を、前記導電性接着剤層が追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波シールド層を得る工程と、
前記電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程と
を備えることを特徴とする電磁波シールド電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程において、
電子部品間の段差部と対向する前記基板面から、電磁波シールド層を超えて該熱溶融性離型層の内部まで切断する工程を備えることを特徴とする請求項１記載の電磁波シールド電子機器の製造方法。
【請求項３】
電磁波シールドフィルムが、さらにダイシング用固定基材層を有し、
導電性接着剤層、熱溶融性離型層、およびダイシング用固定基材層の順に積層されてなることを特徴とする請求項１または２記載の電磁波シールド電子機器の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の電磁波シールド電子機器の製造方法に用いられる電磁波シールドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に搭載した電子部品を電磁波シールドした電子機器の製造方法、および前記電磁波シールド電子機器の製造方法に用いられる電磁波シールドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ等を搭載した電子部品は、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。
例えば、特許文献１には、プリント配線板の切断用凹部に対応する部位を、プレス加工によりフィルム面方向に伸展させて電子部品を覆うことにより電磁波をシールドするために、等方導電性接着剤と異方導電性接着剤からなる導電性接着フィルムが提案されている。前記導電性接着フィルムを転写フィルムと共にプレス加工することで転写フィルムを介して導電性接着フィルムが切断用凹部形状に応じて伸展され電磁波シールド層が形成される。
また、特許文献２には、特定の貯蔵弾性率を特徴とした基材層と導電性接着剤層を有する電磁波シールド用フィルムが開示されており、この電磁波シールド用フィルムを熱圧着することで基板上の凹凸部に基材層を介して導電性接着剤層を追従させる製造方法が提案されている。
図１３は従来の製造方法の１例を示すもので、基板１００の表面に搭載した多数の電子部品１１０の天面に、その電子部品および電子部品の間の基板露出面１０１を覆うように、導電性接着剤層１２１と離型層１２２からなる電磁波シールドフィルム１２０を載置した後、図１３（ａ）に示すように、基板１００及び電磁波シールドフィルム１２０に圧力および熱を加える。これによって、図１３（ｂ）に示すように、電磁波シールドフィルム１２０は変形して電子部品１１０の隙間１３０に充填し、電子部品１１０の天面と側面および基板露出面１０１を被覆する。
次いで、図１３（ｃ）に示すように、電磁波シールド層１２１から離型層１２２を剥離した後、図１３（ｄ）に示すように、電磁波シールド層１２１をダイシング台１４０に当接させて、この当接状態を維持させて、隙間１３０に対向する基板１００側から切断工具１５０により該基板および電磁波シールド層１２１を切断して、個片化された電磁波シールド電子機器１６０を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２０１５／１８６６２４号公報
【特許文献２】特開２０１４−５７０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１及び特許文献２における従来の製造方法は、図１３（ｄ）に示すように、多数の電子部品を搭載した基板を最終的に電子部品間の隙間に対応する位置において切断し、電磁波シールド電子機器として個片化する必要がある。しかし、離型層が基板上の凹部に深く食い込んでいるため、その投錨効果から離型層を電磁波シールド層から剥がしにくく、離型層がちぎれたり、電磁波シールド層を損傷する等の問題があった（図１３の（i））。
また、ダイシング時の高圧水洗により、電磁波シールド層が電子部品から剥れたり、電磁波シールド層にバリが発生したりする等の問題があった（図１３の（ii））。特に、電磁波シールド層の損傷や、電子部品からの剥れは、電子機器の電磁波シールド性の低下につながり、バリの発生は、電子機器を回路基板に実装する際の障害となる。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑み、製造工程時において、電磁波シールド層にバリの発生がなく、電磁波シールド層が電子部品から剥がれにくく、製造工程後においては、電磁波シールド層からの基材層の剥離が容易で、かつ、その剥離時に電磁波シールド層を損傷することのない新しい電磁波シールド電子機器の製造方法、およびこれに用いる電磁波シールドフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電磁波シールド電子機器の製造方法は、基板に電子部品を搭載する工程と、導電性接着剤層および熱溶融性離型層を有する電磁波シールドフィルムを、前記基板に搭載した電子部品側に、前記導電性接着剤層、熱溶融性離型層の順となるように載置する工程と、前記電子部品の搭載により形成された段差部と、基板の露出面とを前記導電性接着剤層が追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波シールド層を得る工程と、前記電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記の構成によれば、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、電子部品および基板の順に積層された積層体を、一括で切断するので、電磁波シールド層は熱溶融性離型層で保護された状態を保ち、切断時の高圧水洗等の衝撃を受けても電子部品からの剥離や、バリを発生する等の問題を生じることがない。加えて、上記の製造方法では、積層体の切断時に電磁波シールド層と熱溶融性離形層の接着界面を切断するので、電子部品間の隙間部に侵入した熱溶融性離形層の投錨効果が軽減され、電磁波シールド層から熱溶融性離型層を容易に剥離することができる。また溶融性離型材を剥離する際のシールド層の損傷の問題を解消できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ切断部断面図。
【図３】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図４】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図５】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図６】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図７】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図８】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図９】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図１０】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図１１】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【図１２】本実施形態に係る電磁波シールド電子機器の一例を示す模式的断面図
【図１３】従来の電磁波シールド電子機器の製造工程断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本明細書において特定する数値は、実施形態または実施例に開示した方法により求められる値である。また、本明細書で特定する数値「Ａ〜Ｂ」は、数値Ａと数値Ａより大きい値および数値Ｂと数値Ｂより小さい値を満たす範囲をいう。また、本明細書における「シート」とは、ＪＩＳにおいて定義される「シート」のみならず、「フィルム」も含むものとする。説明を明確にするため、以下の記載および図面は、適宜、簡略化されている。また、同一の要素部材は、異なる実施形態においても同一符号で示す。本明細書中に出てくる各種成分は特に注釈しない限り、それぞれ独立に一種単独でも二種以上を併用してもよい。
【００１０】
［電磁波シールド電子機器の製造方法］
本実施形態に係る電磁波シールド電子機器は、基板に電子部品を搭載する工程（ａ）と、導電性接着剤層および熱溶融性離型層を有する電磁波シールドフィルムを前記基板に搭載した電子部品側に前記導電性接着剤層、熱溶融性離型層の順となるように載置する工程（ｂ）と、前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面を、前記導電性接着剤層が追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波シールド層を得る工程（ｃ）と、前記電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程（ｄ）とを備える。
また、工程（ｄ）の後、熱溶融性離形層から電磁波シールド層を剥離する工程を有することが好ましい。
以下、本実施形態に係る部品搭載基板の製造方法の一例について図１〜図１２を用いつつ説明する。
【００１１】
＜工程（ａ）＞
工程（ａ）は、基板に電子部品を搭載する工程である。
まず、基板２０に電子部品３０を搭載する。図２は、工程（ａ）により得られる、本実施形態に係る部品搭載基板の製造工程段階の基板の一例である。同図に示すように、基板２０上に半導体チップ（不図示）を搭載し、半導体チップが形成されている基板２０上を封止樹脂によりモールド成形し、電子部品間の上方から基板２０内部まで到達するように、モールド樹脂および基板２０をダイシング等によりハーフカットする。予めハーフカットされた基板上に電子部品をアレイ状に配置する方法でもよい。なお、電子部品とは、図２の例においては半導体チップをモールド成形した一体物をいい、絶縁体により保護された電子素子全般をいう。ハーフカットは、基板内部まで到達させる態様の他、基板面までカットする態様がある。
【００１２】
基板２０は、電子部品３０を搭載可能であり、且つ後述する加熱圧着工程に耐え得る基板であればよく、任意に選択できる。例えば銅箔等からなる導電パターンが表面又は内部に形成されたワークボード、実装モジュール基板、プリント配線板またはビルドアップ法等により形成されたビルドアップ基板が挙げられる。また、フィルムやシート状のフレキシブル基板を用いてもよい。前記導電パターンは、例えば、電子部品３０と電気的に接続するための電極・配線パターン（不図示）、後述する電磁波シールド層１と電気的に接続するためのグランドパターン２２である。基板２０内部には、通常、電極・配線パターン、ビア（不図示）等を任意に設けることができる。基板２０は、リジッド基板のみならず、フレキシブル基板であってもよい。
【００１３】
電子部品３０は、図１の例においては基板２０上に５×４個アレイ状に配置されている。電子部品３０の個数、配置、形状および種類は任意である。アレイ状に電子部品３０を配置する態様に代えて、電子部品３０を任意の位置に配置してもよい。
【００１４】
電子部品３０は、半導体集積回路等の電子素子が絶縁体により一体的に被覆された部品全般を含む。例えば、集積回路（不図示）が形成された半導体チップ３１（図１２参照）が封止材によりモールド成型されている態様がある。基板２０と半導体チップ３１は、これらの当接領域を介して、又はボンディングワイヤ３３、はんだボール（不図示）等を介して基板２０に形成された配線又は電極２１と電気的に接続される。電子部品は、半導体チップの他、インダクタ、サーミスタ、キャパシタおよび抵抗等が例示できる。
【００１５】
モールド成形する場合の封止樹脂の材料は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が通常用いられる。封止樹脂の形成方法は特に限定されず、印刷、ラミネート、トランスファー成形、コンプレッション、注型等が挙げられる。モールド成形は任意であり、電子部品の搭載方法も任意に変更できる。
【００１６】
＜工程（ｂ）＞
工程（ｂ）は、導電性接着剤層および熱溶融性離型層を有する電磁波シールドフィルムを前記基板に搭載した電子部品側に前記導電性接着剤層、熱溶融性離型層の順となるように載置する工程である。
工程（ａ）の後、電磁波シールドフィルム４を電子部品３０が搭載された基板２０上に設置する。導電性接着剤層は、後述する加熱圧着後に電磁波シールド層になる。
【００１７】
設置は、電子部品３０の、電磁波シールドフィルム４との接合領域に導電性接着剤層が対向配置するように電磁波シールドフィルムを仮貼付する（図３参照）。
【００１８】
あるいは、熱溶融性離型層と接合されていない導電性接着剤層単層を電子部品３０の電磁波シールドフィルム４との接合領域に配置して仮貼りし、その後、導電性接着剤層上に熱溶融性離型層５を載置しこの段階で電磁波シールドフィルムの構成とすることもできる。熱溶融性離型層５の積層数は１層でも複数でもよい。
【００１９】
仮貼付とは、電子部品３０の少なくとも一部の上面と接触するように仮接合するものであり、導電性接着剤層がＢステージで被着体に固定されている状態をいう。剥離力としては、９０°ピール試験で、厚みが５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトン２００」）に対する剥離力が１〜５Ｎ／ｃｍ程度が好ましい。ダイシングした基板に仮貼りする手法として、導電性接着剤層または電磁波シールドフィルムを基板上に載せ、アイロンやリジット基板用の熱ロールラミネーターのような装置等の熱源で軽く全面または端部を加熱圧着して仮貼りする。
【００２０】
［電磁波シールドフィルム］
ここで本実施形態に係る電磁波シールドフィルムについて説明する。電磁波シールドフィルムは導電性接着剤層および熱溶融性離型層を少なくとも有しており、電磁波シールド層１の加熱圧着前のフィルムである。即ち、電磁波シールドフィルムを加熱圧着することにより導電性接着剤層が接着硬化し、電磁波シールド層１が得られる。
また、電磁波シールドフィルムは熱溶融性離型層５の上面にダイシング用固定基材層を有する形態も好ましい。ダイシング用固定基材層は、下記工程（ｄ）における、ダイシング時の固定基材となる。
また、上記電磁波シールドフィルムを載置後、後の加熱圧着時にプレス器具に熱溶融性離型層５が付着しないように、プレス器具と接する面に保護層を設置することが好ましい。
【００２１】
本発明の異なる電磁波シールドフィルムの形態として、工程（ｂ）の載置時に導電性接着剤層単層と、熱溶融性離型層とをそれぞれ重ねあわせ、電子部品３０上で電磁波シールドフィルムを形成することもできる。上記形態で電磁波シールド電子機器を製造する場合、導電性接着剤層単層を電子部品３０上に載置しても良く、離形フィルム上に導電性接着剤層が形成された積層体を用いて、導電性接着剤層を電子部品に仮貼りした後に、離形フィルムを剥がす方法も適宜用いることができる。その後、導電性接着剤層上に熱溶融性離型層５を載置するが、熱溶融性離型層５は、導電性接着剤層と同等かそれ以上の面積とすることが、導電性接着剤層側面からのはみ出しを抑制する点から好ましい。また、熱溶融性離型層５の積層数は１層でも複数でもよい。
【００２２】
（導電接着剤層）
導電性接着剤層は、熱硬化性樹脂、硬化性化合物および導電性フィラー等を有する。また、導電性接着剤層は、硬化前の層であり、この硬化前の層には、導電性接着剤層の段階で、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の一部が反応してＢステージ（半硬化した状態）となっているものを含むものとする。
導電性接着剤層は常温・常圧における引張破断歪が５０〜１５００％であることが好ましい。導電性接着剤層の引張破断歪を前記範囲とし、且つ前述の鱗片状粒子含有層を有することにより、高品質で被覆性が高く、耐スクラッチ性に優れた電磁波シールド層を形成できる電磁波シールドフィルムを提供できる。
【００２３】
導電性接着剤層の引張破断歪を５０〜１５００％とすることにより、加熱圧着時の凹凸形状追従性を高め、段差による導電性接着剤層の破断を効果的に防止し、且つ段差部分での導電性接着剤層の伸びを良好にすることができる。引張破断歪のより好ましい範囲は１００〜１４００％であり、さらに好ましい範囲は１５０〜１３００％であり、特に好ましい範囲は２００〜１０００％である。
【００２４】
導電性接着剤層の２５〜１５０℃での線膨張係数は、１００〜７００ｐｐｍ／℃の範囲とすることが好ましい。この範囲とすることにより、段差でのクラックを効果的に防止し、且つ、熱収縮差による搭載後の基板における反りの問題を解消できる。より好ましい範囲は１２５〜６５０ｐｐｍ／℃であり、さらに好ましい範囲は１５０〜６００ｐｐｍ／℃であり、特に好ましい範囲は１７５〜５５０ｐｐｍ／℃である。
【００２５】
熱硬化性樹脂は、硬化性化合物反応タイプが使用できる。更に、熱硬化性樹脂が自己架橋してもよい。熱硬化性樹脂は、硬化性化合物と反応可能な反応性官能基を有する。
【００２６】
熱硬化性樹脂の好適な例は、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルアミド樹脂、ポリエーテルエステル樹脂、およびポリイミド樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂は、自己架橋可能な官能基を有していてもよい。例えば、リフロー時における過酷な条件で使用する場合の熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、エポキシエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ウレタンウレア系樹脂、およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用できる。
【００２７】
熱硬化性樹脂の反応性官能基としては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基等がある。熱硬化性樹脂の酸価は、３〜３０であることが好ましい。酸価を前記範囲とすることにより、エッジ部破れ耐性が向上するという効果が得られる。酸価のより好ましい範囲は、４〜２０であり、更に好ましい範囲は５〜１０である。
熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、２０，０００〜１５０，０００であることが好ましい。２０，０００以上とすることにより、耐スクラッチ性を効果的に高めることができる。また、１５０，０００以下とすることにより段差追従性が向上するという効果が得られる。
【００２８】
導電性接着剤層を構成する熱硬化性樹脂のＴｇは、−３０〜１００℃が好ましく、−１０〜８０℃がより好ましい。バインダー樹脂は、１種類を用いても複数種類を併用してもよい。複数種類を用いる場合は、混合前のＴｇが上記範囲に含まれているものを主成分（熱硬化性樹脂のうちの６０質量％以上の成分）とすることが好ましい。導電性接着剤層の材料は、加熱圧着時に電子部品３０および露出する基板２０の表面に追従する柔軟性があり、電磁波シールド性を発揮できる導電特性を有していればよく、特に限定されない。
【００２９】
硬化性化合物は、熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している。硬化性化合物は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、ポリカルボジイミド化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド化合物、芳香族ジアミン化合物等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物、有機金属化合物等が好ましい。硬化性化合物は、樹脂であってもよい。この場合、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の区別は、含有量の多い方を熱硬化性樹脂とし、含有量の少ない方を硬化性化合物として区別する。
【００３０】
硬化性化合物の構造、分子量は用途に応じて適宜設計できる。引張破断歪を効果的に高める観点からは、分子量の異なる２種類以上の硬化性化合物を用いることが好ましい。例えば、分子量が２，０００〜２５，０００の第一硬化性化合物と、分子量が１００〜１，５００の第二硬化性化合物を組み合わせることができる。第一硬化性化合物と第二硬化性化合物を用いることにより、電磁波シールドフィルムの引張破断歪を高めることができる。被覆性をより効果的に高める観点から、第一硬化性化合物の反応性官能基当量が５００〜３０００であることが好ましく、第二硬化性化合物の反応性官能基当量が１００〜４００であることが好ましい。
【００３１】
硬化性化合物は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１〜７０質量部含むことが好ましく、３〜６５質量部がより好ましく、３〜６０質量部が更に好ましい。第一硬化性化合物と第二硬化性化合物を併用する場合には、第一硬化性化合物を熱硬化性樹脂１００質量部に対して５〜５０質量部含むことが好ましく、１０〜４０質量部含むことがより好ましく、２０〜３０質量部含むことが更に好ましい。一方、第二硬化性化合物を熱硬化性樹脂１００質量部に対して０〜４０質量部含むことが好ましく、５〜３０質量部含むことがより好ましく、１０〜２０質量部含むことが更に好ましい。
【００３２】
樹脂として、上記以外に粘着付与樹脂や熱可塑性樹脂を用いてもよい。熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースが例示できる。粘着付与樹脂としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂環式系石油樹脂、および芳香族系石油樹脂等が例示できる。また、導電性ポリマーを用いることができる。導電性ポリマーとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンが例示できる。熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースが例示できる。
【００３３】
導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックス粒子およびそれらの混合物が例示できる。金属フィラーは、金、銀、銅、ニッケル等の金属粉、ハンダ等の合金粉、銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉のコアシェル型粒子が例示できる。優れた導電特性を得る観点から、銀を含有する導電性フィラーが好ましい。コストの観点からは、銀コート銅粉が特に好ましい。銀コート銅における銀の含有量は、銀および銅の合計１００質量％中、６〜２０質量％が好ましく、より好ましくは８〜１７質量％であり、更に好ましくは１０〜１５質量％である。コアシェル型粒子の場合、コア部に対するコート層の被覆率は、平均で６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましい。コア部は非金属でもよいが、導電性の観点からは導電性物質が好ましく、金属粒子がより好ましい。
【００３４】
導電性フィラーとして、電磁波吸収フィラーを用いてもよい。例えば、鉄、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の鉄合金、Ｍｇ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｍｇフェライト、Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライト系物質並びに、カーボンフィラーなどが挙げられる。カーボンフィラーは、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノナノチューブからなる粒子、グラフェン粒子、グラファイト粒子およびカーボンナノウォールが例示できる。
【００３５】
導電性接着剤層に用いる導電性フィラーの形状は鱗片状粒子、樹枝状粒子、プレート状粒子、ブドウ状粒子、球状粒子を用いることができるが、鱗片状粒子および樹枝状粒子が好ましい。
鱗片状粒子の平均比表面積は、１．４０〜２．５０が好ましく、１．６０〜２．３０がより好ましく、特に好ましくは１．８０〜１．９０である。また、鱗片状粒子のタップ密度は、０．５０〜０．８０が好ましく、０．６０〜０．７０がより好ましく、特に好ましくは０．６６〜０．６９である。
【００３６】
鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は、２〜１００μｍが好ましい。鱗片状粒子に、ナノサイズの導電性フィラーを混合してもよい。ナノサイズの粒子を混合することにより、ナノ粒子の融点降下現象を利用して、加熱圧着時に金属間結合を形成させ、シールド性を向上させる効果がある。
平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折・散乱法により測定できる。
具体的には、例えば、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ  １３  ３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、各導電性微粒子を測定して得た数値であり、粒子の積算値が５０％である粒度の直径の平均粒径である。なお、屈折率の設定は１．６として測定する。
【００３７】
導電性フィラーとして、専ら鱗片状粒子を用いてもよいが、鱗片状粒子と他の形状の粒子を併用してもよい。併用する粒子形状は特に限定されないが、樹枝（デンドライト）状粒子、繊維状粒子、針状粒子および球状粒子からなる群から選択される粒子が好ましい。
併用する粒子は、単独または混合して用いられる。併用する場合、鱗片状粒子および樹枝状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子、樹枝状粒子および球状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子および球状粒子の組み合わせが例示できる。これらのうち、電磁波シールド層の被覆性を高め、且つシールド性を高める観点から、鱗片状粒子単独または鱗片状粒子と樹枝状粒子を組み合わせがより好ましい。
【００３８】
鱗片状粒子含有層において鱗片状粒子と樹枝状粒子の混合する場合の質量比は、９：１〜１：９が好ましく、８：２〜２：８がより好ましい。上記の混合質量比とすることで、グランド接続性と段差追従性がより向上する。鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２〜１００μｍが好ましく、２〜８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３〜５０μｍであり、特に好ましくは５〜２０μｍである。樹枝状粒子の平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲も同様に、２〜１００μｍが好ましく、２〜８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３〜５０μｍであり、特に好ましくは５〜２０μｍである。鱗片状粒子と樹枝状粒子を併用することにより、表面光沢度を最適化し、電磁波シールド層に文字を直接印刷した場合に、印字視認性を高めることができる。
【００３９】
また、樹枝状粒子を併用することによって、導電性フィラー同士の接触点を多くし、シールド特性を向上させることができる。また、樹枝状粒子の併用によって、バインダー成分との接触面積を増加させることができるので引張破断歪を効果的に向上させ、電磁波シールドフィルムを面方向に延伸させ、電子部品に追従させる際に、割れや罅を効果的に抑制できるというメリットも有する。マイクロサイズの鱗片状粒子とナノサイズの球状粒子の混合系を用いる態様も好適である。なお、導電性フィラーは、特に粒子サイズが小さい場合などにおいて、加熱圧着により溶融して他の導電性フィラーと溶融する場合がある。
【００４０】
シールド性および被覆性を向上させる観点から、異なる平均粒子径Ｄ５０を有する導電性フィラーを併用することもできる。被覆性を効果的に高める観点から、好ましい例として、平均粒子径Ｄ５０が３〜８μｍの鱗片状粒子（Ａ）と、平均粒子径Ｄ５０が１２〜２０μｍの鱗片状粒子（Ｂ）を（Ａ）：（Ｂ）の質量比で２０：８０〜８０：２０の範囲で用いることが好ましい。
【００４１】
導電性接着剤層を構成する組成物には、さらに着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛等が挙げられる。この中でも黒色系の着色剤を含むことでシールド層の印字視認性が向上する。
難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。
滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、変性シリコーン等が挙げられる。
ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオサン、ケイ酸アルミニウム塩等が挙げられる。
【００４２】
導電性接着剤層は、単層または複層とする。単層の場合、導電性接着剤層は導電性フィラーが連続的に接触し等方導電性を示す。電磁波シールド性を高める観点からシート抵抗値は１Ω／□以下が好ましい。複層の場合、等方導電層を２層積層する態様が好ましい。好ましい複層の例として、鱗片状粒子含有層を２層積層した積層体、鱗片状粒子含有層と繊維状（ワイヤー状）導電層（等方導電層）の積層体が例示できる。また、鱗片状粒子含有層と、鱗片状粒子含有層に分類されない等方導電層として機能する導電性フィラー含有層（例えば、樹枝状粒子と球状粒子が混合された導電性フィラー含有層、球状粒子を含む導電性フィラー含有層、樹枝状粒子を含む導電性フィラー含有層等）との積層体が例示できる。複層とする場合、耐スクラッチ性を高める観点から、表層側を鱗片状粒子含有層とすることが好ましい。等方導電層として機能する電磁波反射層と電磁波吸収層の積層体とする態様も好ましい。
【００４３】
導電性接着剤層は、上述した導電性フィラー、熱硬化性樹脂および硬化剤を混合攪拌し離型フィルム上に塗工後乾燥することで形成することができる。また熱溶融性離型層５に直接塗工し乾燥する方法でも形成することができる。
【００４４】
離型フィルムとは、片面あるいは両面が離型性のある基材であり、１５０℃における引張破断歪が５０％未満のシートである。離型フィルムは例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリブテン、軟質ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等のプラスチックシート等、グラシン紙、上質紙、クラフト紙、コート紙等の紙類、各種の不織布、合成紙、金属箔や、これらを組み合わせた複合フィルムなどが挙げられる。
【００４５】
（熱溶融性離型層）
熱溶融性離型層は、導電性接着剤層の電子部品への追従性を促すクッション材として機能し、且つ離型性があるシートである。つまり、電磁波シールド層と接合することなく、加熱圧着工程後に電磁波シールド層から剥離可能な層である。また、１５０℃における引張破断歪が５０％以上で、加熱圧着時に溶融する層であることが好ましい。なお、熱溶融性離型層５の引張破断歪は、後述する実施例で説明する電磁波シールドフィルムの引張破断歪と同様の方法（但し、温度は１５０℃とする）により求められる値である。
【００４６】
熱溶融性離型層としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、環状オレフィンポリマー、シリコーンが好ましい。この中でも埋め込み性と剥離性を両立する観点から、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、シリコーンがさらに好ましい。熱溶融性離型層は、単層で用いても複層で用いてもよい。複層とする場合、同一または異なる種類のシートを積層できる。
【００４７】
熱溶融性離型層と導電性接着剤層の積層方法は特に限定されないが、これらのシートをラミネートする方法、熱溶融性離型層上に導電性接着剤層形成用組成物を塗工、印刷する方法が挙げられる。熱溶融性離型層は、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、電子部品および基板の積層体を切断した工程の後、最終的には剥離するので、離型性の優れた材料が好ましい。熱溶融性離型層の厚みは、例えば５０μｍ〜３ｍｍ程度であり、１００μｍ〜１ｍｍ程度がより好ましい。
【００４８】
（ダイシング用固定基材層）
電磁波シールドフィルムは熱溶融性離型層５の上面にダイシング用固定基材層を有する形態も好ましい。ダイシング用固定基材層は、下記で説明する工程（ｄ）における、ダイシング時の固定基材となる。
すなわち、ダイシング用固定基材層を有する場合、電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層、熱溶融性離型層、およびダイシング用固定基材層の順に積層された積層体であることが好ましい。
【００４９】
上記ダイシング用固定基材層は、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
【００５０】
また、ダイシング用固定基材層の材料としては、上記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。上記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。
【００５１】
ダイシング用固定基材層の厚さは適宜に決定でき、一般的には５μｍ以上２００μｍ以下程度であり、好ましくは３５μｍ以上１２０μｍ以下である。
【００５２】
ダイシング用固定基材層の表面は、隣接する熱溶融性離型層５との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理を施すことができる。
また、粘着剤層または接着剤層を設けることも好ましい。
【００５３】
なお、ダイシング用固定基材層には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤、例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等が含まれていてもよい。
【００５４】
粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤をダイシング用固定基材層に塗布することで形成することができる。接着剤層は導電性接着剤層で説明した熱硬化性樹脂および硬化剤を混合した接着剤組成物をダイシング用固定基材層に塗布することで形成できる。
【００５５】
粘着剤層および接着剤層の厚さは特に限定されないが、熱溶融性離型層５の固定保持性の観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは５〜４０μｍ、さらには好ましくは１０〜３０μｍである。
【００５６】
＜工程（ｃ）＞
工程（ｃ）は、前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面を、前記導電性接着剤層が追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波シールド層を得る工程である。
工程（ｂ）後、工程（ｂ）により得られた製造基板を、図４に示すように一対のプレス基板４０間に挟持し、加熱圧着する。導電性接着剤層は、熱溶融性離型層５等の押圧により、製造基板に設けられたハーフカット溝に沿うように延伸され、電子部品３０および基板２０に追従して被覆され、電磁波シールド層が形成される。そして、基板２０内に形成されたグランドパターン２２が、電磁波シールド層１と電気的に接続される。プレス基板４０をリリースすることにより図５に示すような製造基板が得られる。
このようにして、電磁波シールド層が、電子部品の天面および側面と、基板の露出面とを被覆することができる。
【００５７】
図５では、導電性接着剤層および熱溶融性離型層はハーフカット溝に追従し溝底部まで押し込まれた状態を示しているが、熱溶融性離型層は必ずしも導電性接着剤層と共にハーフカット溝に追従している必要はない。ていなくともよい。例えば導電性接着剤層の厚みがハーフカット溝を十分に充填するほどに厚い場合、導電性接着剤層はハーフカット溝をすべて充填し、電磁波シールド層を形成する。そのため熱溶融性離型層は溝が埋め込まれたほぼ平坦な電磁波シールド層の上面に積層された状態となる。この形態においても、導電性接着剤層の上面に熱溶融性離型層を積層した状態でダイシングを行うので、ダイシング時におけるバリの発生を抑制できるとともに、熱溶融性離型層の剥離を容易に行うことができる。
【００５８】
加熱圧着工程の温度および圧力は、電子部品の耐熱性、耐久性、製造設備あるいはニーズに応じて、電磁波シールドフィルムの被覆性が確保できる範囲においてそれぞれ独立に任意に設定できる。圧力範囲としては限定されないが、０．１〜５．０ＭＰａ程度が好ましく、０．５〜２．０ＭＰａの範囲がより好ましい。加熱プレス前の膜厚を１００％としたときの、加熱プレス後の膜厚との差は、１％以上、２０％未満の範囲が好ましく、２％以上、１５％未満の範囲がより好ましい。５％の未満とすることで電磁波シールド層の反り量を低減できる。１％以上とすることで段差追従性が良好となる。
加熱圧着工程の加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。また、上限値としては、電子部品３０の耐熱性に依存するが、２２０℃であることが好ましく、２００℃であることがより好ましく、１８０℃であることがさらに好ましい。
【００５９】
加熱圧着時間は、電子部品の耐熱性、導電性接着剤層に用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。加熱圧着時間は１分〜２時間程度の範囲が好適である。なお加熱圧着時間は、１分〜１時間程度がより好ましい。この加熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば加熱圧着前に部分的に硬化あるいは実質的に硬化が完了していてもよい。
【００６０】
導電性接着剤層の加熱圧着前の厚みは、電子部品３０の天面および側面および基板２０の露出面に被覆することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂の流動性や、電子部品間の距離Ｗのサイズにより変動し得るが、通常、１〜２００μｍ程度が好ましく、５〜１００μｍ程度がより好ましく、１０〜７０μｍ程度がさらに好ましい。これにより、封止樹脂への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮することができる。
【００６１】
［電磁波シールド層］  
電磁波シールド層１は、電子部品３０が搭載された基板２０上に、前述した電磁波シールドフィルムを載置して加熱圧着することにより得られる（図５）。電磁波シールド層１は、熱硬化性樹脂と硬化性化合物との硬化物、および導電性フィラー等を含有する。導電性フィラーは、連続的に接触されており等方導電性を示す。
【００６２】
電磁波シールド層１の被覆領域は、電子部品３０の搭載により形成された段差部（凹凸部）の少なくとも一部を含んでいればよく、電子部品３０が搭載された面全体を被覆していることは必須ではない。電磁波シールド層１は、シールド効果を充分に発揮させるために、基板２０の側面または上面に露出するグランドパターン２２または／および電子部品の接続用配線等のグランドパターン（不図示）に接続する構成が好ましい。
【００６３】
電磁波シールド層１の厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途には、電子部品の上面を被覆する電磁波シールド層１の厚みＴ１は、１．１〜７５μｍの範囲が好ましく、１．５〜６５μｍがより好ましく、５〜５５μｍが特に好ましい。このときの電子部品の側面を被覆する電磁波シールド層１の厚みＴ２は、１〜６８μｍが好ましく、１．１〜５９μｍがより好ましく、特に好ましくは１．５〜５９μｍである。高周波ノイズを精度高くシールドする用途には、厚みＴ１を、例えば７５〜２００μｍ程度にすることができる。  
【００６４】
＜工程（ｄ）＞
工程（ｄ）は、前記電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程である。
工程（ｃ）の後、熱溶融性離型層を剥離することなくダイシングブレード等を用いて、基板２０における部品搭載基板１０１の個々の製品エリアに対応する位置でＸＹ方向にダイシング刃２６によりダイシングする（図６）。より具体的には、電子部品間の段差部に対向する位置、すなわち電子部品間（電子部品間の段差部）を、基板面側から切断することにより、電子部品を個片化する。
一方、天面側からダイシングしても良く、この場合、熱溶融性離型層、電磁波シールド層、基板まですべてを切断する。
図６においては、基板２０側からダイシング刃２６により個々の製品エリアに対応する位置で電子部品間の段差部から電子部品３０の天面部まで切断している。この時、ダイシングによる摩擦熱を冷却し且つダイシングによって発生するダイシングカスを洗い流すため高圧水洗される。
ダイシング刃の切り込みの深さは、図６のように電子部品３０の天面まで切断する必要はなく、図８に示すように電磁波シールド層とわずかな熱溶融性離型層を切断する深さでもよく、また、ダイシング刃の幅は図１０に示すように、溝の幅よりも小さくても良い。すなわち、溝部の電磁波シールド層と熱溶融性離型層の界面を切断することで投錨効果が大幅に低下し、熱溶融性離型層の剥離が容易となる。
【００６５】
ダイシングの深さは、少なくとも基板２０および電磁波シールド層１が切断できればよく、熱溶融性離形層の一部、すなわち電磁波シールド層を超えて該熱溶融性離型層の内部まで切断（図８参照）または、積層体を全て切断し、個片化しても良い（不図示）。積層体を全て切断する場合、熱溶融性離型層側から切断しても良い。基板２０および電磁波シールド層１まで切断することで、溝部における熱溶融性離型層と電磁波シールド層１の接着界面を除去し、投錨効果が大幅に低減されるため、熱溶融性離型層から個片化した電磁波シールド電子機器を容易に剥離しやすくなる。
熱溶融性離型層の内部まで切断する場合、電磁波シールド層が完全に切断されてさえいれば問題ないが、図６に示すように電子部品間内部に充填された熱溶融性離型層をすべて切断することが剥離性を向上する観点から好ましい。
【００６６】
ダイシングの幅は製品エリアの溝幅に対応して適宜設定する。好ましくは埋め込まれた熱溶融性離型層を除去できるダイシング幅が好ましいが、精度が確保できず電磁波シールド層にダイサーが接触してしまう場合は、図１０に示すように溝幅よりも細いダイサーでダイシングすることが可能である。
【００６７】
尚、ダイシングの際には切れ込みの精度を上げるため基板を固定する必要がありダイシングテープ６を熱溶融性離型層に張り付けることが好ましい。ダイシングテープは前述した構成（ｃ）の加熱圧着時に電磁波シールドフィルムの熱溶融性離型層上に載置しても良いし、電磁波シールドフィルムにあらかじめダイシング用基材として積層構成とすることも好ましい。
ダイシング用固定基材は、市販のダイシングテープ、金属基材およびガラスエポキシ系の基材が例示でき、これらの素材の積層体も好適に用いられる。
【００６８】
＜工程（ｅ）＞
工程（ｅ）として、工程（ｄ）の後、電磁波シールド層から、熱溶融性離型層を剥離する工程を行う。
熱溶融性離形層から電磁波シールド層を剥離する工程によって個片化した電磁波シールド電子機器を得ることができる。図７、図９、図１１に示すように熱溶融性離型層５から電磁波シールド層１を剥離する。この剥離によって電子部品３０が電磁波シールド層１で被覆され、且つ基板２０に形成されたグランドパターン２２と電磁波シールド層１が電気的に接続され個片化された電磁波シールド電子機器が得られる（図１２参照）。
【００６９】
本実施形態に係る製造方法によれば、電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する。なかでも、電子部品の隙間と対向する前記基板面から前記電磁波シールド層までをダイシングすることが好ましい。電磁波シールド層１を基板２０と熱溶融性離形層１２とで挟んだ状態でダイシングするので、電磁波シールド層は熱溶融性離型層で固定され、バリが発生することなく、高圧水洗等の衝撃を受けて電子機器から剥離することを防止できる。
また、前記電子部品間の基板露出面を被覆する電磁波シールド層が切断分離されるとともに熱溶融性離型層の接着界面まで切断されているため、電磁波シールド層と熱溶融性離型層との投錨効果が低下し、電磁波シールド層から熱溶融性離型層を容易に剥離することができるため生産性に優れる。加えて、剥離時に電磁波シールド層を損傷する事態も解消されるというメリットを有し、信頼性の高い電磁波シールド電子機器を提供することができる。
【００７０】
本実施形態に係る電磁波シールド電子機器は、例えば、基板２０の裏面に形成されたはんだボール等を介して実装基板に実装することができ、電子機器に搭載できる。例えば、本実施形態に係る部品搭載基板は、パソコン、ダブレット端末、スマートホン等をはじめとする種々の電子機器に用いることができる。
【００７１】
＜変形例＞
次に、本実施形態に係る部品搭載基板等の変形例について説明する。但し、本発明は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、各実施形態および変形例は、互いに好適に組み合わせられる。
【００７２】
上記実施形態においては、電子部品の形状は矩形状に限定されず、角部がＲ形状である部品、部品の上面と側面の成す角度が鋭角の部品、鈍角の部品も含む。また、上面に凹凸形状がある部品、電子部品の外面が球状等の曲面になっている場合も含む。加えて、本発明の部品搭載基板には、例えば基板２０をオールダイシングして個片化した電子部品が搭載された部品搭載基板が別の保持基材等に載置されている場合も含む。
【符号の説明】
【００７３】
１      電磁波シールド層
２      導電性接着剤層
４      電磁波シールドフィルム
５      熱溶融性離型層
２０    基板
２１    配線または電極
２２    グランドパターン
２３    インナービア
２４    はんだボール
２５    ハーフダイシング溝    
２６    ダイシング刃
３０    電子部品
３１    半導体チップ
３２    モールド樹脂
３３    ボンディングワイヤ
４０    プレス基板
１０１  部品搭載基板
１０２  電磁波シールド電子機器
【図１】
2019036588.tif 000003
【図２】
2019036588.tif 000004
【図３】
2019036588.tif 000005
【図４】
2019036588.tif 000006
【図５】
2019036588.tif 000007
【図６】
2019036588.tif 000008
【図７】
2019036588.tif 000009
【図８】
2019036588.tif 000010
【図９】
2019036588.tif 000011
【図１０】
2019036588.tif 000012
【図１１】
2019036588.tif 000013
【図１２】
2019036588.tif 000014
【図１３】
2019036588.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月30日(2018.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品を搭載する工程と、
導電性接着剤層および熱溶融性離型層を有する電磁波シールドフィルムを、前記基板に搭載した電子部品側に、前記導電性接着剤層、熱溶融性離型層の順となるように載置する工程と、
前記電子部品の搭載により形成された段差部および基板の露出面を、前記導電性接着剤層が追従するように、加熱圧着によって接合して電磁波シールド層を得る工程と、
前記電子部品間の、熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程と
を備えることを特徴とする電磁波シールド電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記熱溶融性離形層、電磁波シールド層、および基板の積層体を切断する工程において、
電子部品間の段差部と対向する前記基板面から、電磁波シールド層を超えて該熱溶融性離型層の内部まで切断する工程を備えることを特徴とする請求項１記載の電磁波シールド電子機器の製造方法。
【請求項３】
電磁波シールドフィルムが、さらにダイシング用固定基材層を有し、
導電性接着剤層、熱溶融性離型層、およびダイシング用固定基材層の順に積層されてなることを特徴とする請求項１または２記載の電磁波シールド電子機器の製造方法。