(57)【要約】【課題】本発明が解決しようとする課題は、微細化が容易である半導体発光装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体発光装置は、第１の導電型であり、窒化物半導体である第１の半導体層と、第１の方向に延び、第２の導電型であり、かつ窒化物半導体である第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の間にあり、窒化物半導体である発光層と、前記第２の半導体層の側面の一部、前記第１の半導体層の側面、および前記発光層の側面を覆う絶縁層と、一部が前記絶縁層の内部に設けられる第１の電極と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延び、前記絶縁層の内部にあり、前記第１の電極と前記第１の半導体層を電気的に接続する第１の配線と、前記絶縁層上にあり、前記第２の半導体層と接続される第２の電極と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型であり、窒化物半導体である第１の半導体層と、
第１の方向に延び、第２の導電型であり、かつ窒化物半導体である第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の間にあり、窒化物半導体である発光層と、
前記第２の半導体層の側面の一部、前記第１の半導体層の側面、および前記発光層の側面を覆う絶縁層と、
一部が前記絶縁層の内部に設けられる第１の電極と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に延び、前記絶縁層の内部にあり、前記第１の電極と前記第１の半導体層を電気的に接続する第１の配線と、
前記絶縁層上にあり、前記第２の半導体層と接続される第２の電極と、
を備える半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１の半導体層と前記第１の電極の前記第１の配線の間に反射層をさらに備える請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１の方向に延び、前記第２の半導体層に沿って配置される補助配線をさらに備える請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記絶縁層の内部にあり、前記第２の電極と前記第２の半導体層を電気的に接続する第２の配線をさらに備える請求項１または請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第２の半導体層は前記発光層がある側とは反対側に高濃度の第２の導電型の領域をさらに備える請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第２の半導体層は前記発光層がある側とは反対側に凹凸部をさらに備える請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記発光層はＩｎＧａＮである請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第１の半導体層はＧａＮである請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第２の半導体層はＧａＮである請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記反射層はＡｇである請求項２ないし請求項９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記第１の導電型はｐ型である請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記第２の導電型はｎ型である請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記第１の電極と前記第２の電極はＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｎｉを含む請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた半導体発光装置はマイクロディスプレイ等に用いられ、超小型で高解像度であることが要求される。
【０００３】
一方、半導体発光装置の微細化が進むにつれ、半導体発光装置に備わる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やそれにつながる配線の作製が難しくなり、またその配置が複雑となるため、半導体発光装置の輝度の低下が懸念される。そのため、微細化が容易である半導体発光装置が望まれる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｍ．Ｗａｔａｎａｂｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ５３，０５ＦＬ０６（２０１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、微細化が容易である半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体発光装置は、第１の導電型であり、窒化物半導体である第１の半導体層と、第１の方向に延び、第２の導電型であり、かつ窒化物半導体である第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の間にあり、窒化物半導体である発光層と、前記第２の半導体層の側面の一部、前記第１の半導体層の側面、および前記発光層の側面を覆う絶縁層と、一部が前記絶縁層の内部に設けられる第１の電極と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延び、前記絶縁層の内部にあり、前記第１の電極と前記第１の半導体層を電気的に接続する第１の配線と、前記絶縁層上にあり、前記第２の半導体層と接続される第２の電極と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の半導体発光装置の上面図。
【図２】第１の実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図３】第１の実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図４】第２の実施形態の半導体発光装置の上面図。
【図５】第２の実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図６】第３の実施形態の半導体発光装置の上面図。
【図７】第３の実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは同様のものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
【０００９】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【００１０】
本明細書中、「ＧａＮ系半導体」とは、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）及びそれらの中間組成を備える半導体の総称である。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１に半導体発光装置１００の上面図を示す。図２は、図１のＡ‐Ａ’線の模式断面図である。図３は、図１のＢ‐Ｂ’線の模式断面図である。
【００１２】
半導体発光装置１００は、横通電型で薄膜の半導体層構造を備え、ＧａＮ系ＬＥＤを有するマイクロディスプレイである。図２及び図３に示すように、半導体発光装置１００は、基板１上に接着層２を介して設けられる絶縁層８上に、第１の半導体層３、第２の半導体層５及びその間に発光層４を具備する。
【００１３】
第１半導体層３は、積層方向において第２半導体層５と離間する。この例では、積層方向をＺ軸方向とする。積層方向は、例えば、第１半導体層３の膜面に対して垂直な方向である。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１４】
図１に示すように、半導体発光装置１００は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って、第１の半導体層３、第２の半導体層５及び発光層４がアレイ状に配列されており、所望の位置の第１の半導体層３と第２の半導体層５の間に電圧を印加することで、所望の位置にある発光層４を発光させることが可能な構成となっている。
【００１５】
図２に示すように、Ｘ軸方向において、第１の半導体層３及びその上の発光層４は複数並んで配列され、第２の半導体層５はＸ軸方向に延びており、隣接して配置される複数の発光層４にまたがって積層されている。
【００１６】
また、図３に示すように、Ｙ軸方向においては、第１の半導体層３、その上の発光層４、第２の半導体層５の積層体は隣接して配置される積層体と各々分離している。
【００１７】
図１及び図２に示されるように、第２の半導体層５に接続する電極（第２の電極）７ａは、第２の半導体層５の端部に接続している。
【００１８】
また、図３に示されるように、第１の半導体層３には導電性である反射層１０を介して、配線１２、さらに電極（第１の電極）６に接続されている。配線１２および反射層１０は、いずれも絶縁層８に埋め込まれている。
【００１９】
半導体発光装置１００は、第１の半導体層３と第２の半導体層５が発光層４を挟み、複数の第１の半導体層３に配線１２で導通し、また、複数の発光層４に第２の半導体層５が積層される簡単な構造であるため、微細化が容易である。
【００２０】
さらに、半導体発光装置１００は、配線を絶縁層８内に埋め込んだ構造で、発光された光を遮蔽する構造や配線もないため、高い光の取り出し効率と高輝度を実現している。
【００２１】
以下、図１〜図３に基づいて、半導体発光装置１００をさらに詳細に説明する。
【００２２】
図１に示すように、基板１の絶縁層８上に、第２の半導体層５、第１の電極６、第２の電極７ａが設けられている。また、図１に正方形の点線で示すように、第２の半導体層５の下方には発光層４が設けられている。
【００２３】
第２の半導体層５は、絶縁層８上に複数設けられている。複数の第２の半導体層５は、各々図１のＸ軸方向に延びて設けられている。
【００２４】
第１の電極６は、絶縁層８に複数設けられている。第１の電極６の一部は絶縁層の内部に位置している。複数の第１の電極６は、例えば、図１のＸ軸方向に配列されている。第１の電極６は、後述する第１の半導体層３と電気的に接続している。複数の第１の電極６のそれぞれは、複数の第１の半導体層３のそれぞれに一つずつ設けられている。
【００２５】
第２の電極７ａは、絶縁層８上に複数設けられている。第２の電極７ａは、例えば、図１のＹ軸方向に配列されている。１つの第２の電極７ａは、１つの第２の半導体層５の一部に接続している。複数の第２の電極７ａのそれぞれは、複数の第２の半導体層５のそれぞれに一つずつ設けられている。第２の電極７ａと第２の半導体層５は電気的に接続している。
【００２６】
発光層４は、第１の半導体層３と第２の半導体層５の間に設けられる。発光層４はアレイ状に配列されている。発光層４は、例えば、図１のＸ軸方向とＹ軸方向に２方向に配列されている。
【００２７】
制御部２０は、複数の第１の電極６のそれぞれと複数の第２の電極７ａのそれぞれと、配線で接続される。図１においては、概念的に配線を点線で示している。所望の発光層４ｍｎを発光させるために、制御部２０は、発光層４ｍｎの位置が交点となる、第１の電極６ｍと第２の電極７ｎを選択し電圧を印加する。
【００２８】
図２で、図１のＡ‐Ａ’線の模式断面図について説明する。
【００２９】
半導体発光装置１００は、基板１、接着層２、第１の半導体層３、発光層４、第２の半導体層５、第２の電極７ａ、絶縁層８、反射層１０、配線１２、凹凸部１４を備える。
【００３０】
基板１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などである。基板１の厚さは、例えば、２０μｍ以上１０００μｍ以下である。また、放熱性と作製のしやすさの観点から、基板１の厚さは、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下が望ましい。
【００３１】
接着層２は、基板１上に設けられる。接着層２は、基板１と基板１上に配置されるものを接着する。接着層２は、例えば、半田である。接着層２の厚さは、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下である。
【００３２】
第１の半導体層３は、接着層２上に設けられる。第１の半導体層３は、半導体発光装置１００に複数備わる。第１の半導体層３は窒化物半導体である。第１の半導体層３は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。第１の半導体層３は、第１の導電型の不純物がドープされている。第１の導電型は、例えば、ｐ型である。第１の導電型の不純物は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）である。
【００３３】
発光層４は、第１の半導体層３上に設けられる。発光層４は第１の半導体層３と後述する第２の半導体層５の間に設けられる。発光層４は半導体発光装置１００に複数備わる。発光層４は窒化物半導体である。発光層４は、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）である。発光層４がＩｎＧａＮの場合、インジウム（Ｉｎ）の濃度によってバンド構造が変化する。バンド構造が変化すると、発光層４が発光する光の波長が変化し光の色も変化する。そのため、発光層４が発光する光の色は、発光層４に含まれるインジウム（Ｉｎ）の濃度に依存する。
【００３４】
第２の半導体層５は、発光層４上に設けられる。第２の半導体層５は、第１の方向、つまり、Ｘ軸方向に延びている。第２の半導体層５は半導体発光装置１００に複数備わる。第２の半導体層５は窒化物半導体である。第２の半導体層５は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。第２の半導体層５は、第２の導電型の不純物がドープされている。第２の導電型は、例えば、ｎ型である。第２の導電型の不純物は、例えば、シリコン（Ｓｉ）である。
【００３５】
第２の半導体層５を通して、発光層４から発せられる光は、半導体発光装置１００の外部、つまり、第２の半導体層５の上方に発光される。
【００３６】
第２の半導体層５は、第１の領域５ａと第２の領域５ｂを有する。
【００３７】
第１の領域５ａは、発光層４の上に設けられる。第２の領域５ｂは、第１の領域５ａの上に設けられる。第２の領域５ｂの第２の導電型の不純物の濃度は、第１の領域５ａの第２の導電型の不純物の濃度よりも高い。第２の領域５ｂを備えることで、電流経路の抵抗を低減させる効果がある。
【００３８】
第２の半導体層５は、発光層４がある側とは反対側の第２の領域５ｂに凹凸部１４を有している。第２の領域５ｂの凹凸部１４により、発光層４から発光される光は効率よく外部に発光される。
【００３９】
絶縁層８は接着層２上に設けられる。絶縁層８は、第２の半導体層５の側面の一部、第１の半導体層３の側面、および発光層４の側面を覆う。絶縁層８は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどである。
【００４０】
第２の電極７ａは、絶縁層８上に設けられ、第２の半導体層５の表面と接続される。第２の電極７ａは絶縁層８の内部に埋め込まれず、絶縁層８および第２の半導体層５の表面に設けられるため、第２の電極７ａは作製が容易である。第２の電極７ａは、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。
【００４１】
配線（第１の配線）１２は、後述する第１の電極６と接続される。配線１２は、絶縁層８の内部にあって、第１の半導体層３の下方に設けられる。配線１２は、第１の方向（Ｘ軸方向）と交差する第２の方向、つまり図２のＹ軸方向に延びて設けられる。配線１２は、第１の半導体層３と電気的に接続される。配線１２は、例えば、金属配線である。金属配線は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。反射層１０は、第１の半導体層３と配線１２の間に設けられる。反射層１０は、第１の半導体層３の表面を覆っている。反射層１０は、発光層４が発した光を、第１の半導体層３から第２の半導体層５に向かう方向に反射する。また、反射層１０は、第１の電極６と第１の半導体層３の電気的な導通を向上させる。反射層１０は、例えば、銀（Ａｇ）などである。
【００４２】
図３で、図１のＢ‐Ｂ’線の模式断面図について説明する。
【００４３】
第１の電極６は、絶縁層８上に設けられる。第１の電極６は凸部を有し、凸部は絶縁層８の内部に埋め込まれている。第１の電極６は、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。
【００４４】
また、第１の電極６は、絶縁層８の内部で配線１２と接続している。配線１２は、第１の半導体層３の下方に設けられる。配線１２は、第１の方向と交差する第２の方向、つまり図３のＹ軸方向に延びて設けられる。配線１２は、第１の半導体層３と電気的に接続される。第１の電極６は第１の半導体層３に電気的に接続されている。以下に、半導体発光装置１００の動作について説明する。
【００４５】
半導体発光装置１００は、第１の半導体層３と第２の半導体層５の間の発光層４がアレイ状に配列されており、所望の、第１の半導体層３と第２の半導体層５に電圧を印加することで、所望の位置にある発光層４を発光させることが可能である。
【００４６】
半導体発光装置１００に複数ある発光層４のうち、図１に示す発光層４ｍｎを発光させる場合を考える。
【００４７】
まず、制御部２０は、第２の電極７ｎに電圧を印加して、発光層４ｍｎ上の第２の半導体層５ｎに電圧を印加する。このとき、発光層４ｍｎ上の第２の半導体層５ｎだけではなく、他の発光層４上にある第２の半導体層５ｎにも電圧が印加されている。次に、制御部２０は、第１の電極６ｍに電圧を印加して、発光層４ｍｎの下の第１の半導体層３ｍに電圧を印加する。このとき、発光層４ｍｎの下にある第１の半導体層３ｍだけではなく、他の発光層４の下にある第１の半導体層３にも電圧が印加される。発光層４ｍｎの上下にある、第１の半導体層３ｍと第２の半導体層５ｎの両方に電圧が印加された場合に、発光層４ｍｎは発光する。発光層４ｍｎから発光され第２の半導体層５ｎ側、つまり発光層４ｍｎの上側に進んだ光は、第２の半導体層５ｎを透過し、半導体発光装置１００の外側に放出される。図２に示した凹凸部１４により、光は第２の半導体層５ｎを透過して放出される。一方、発光層４ｍｎから発光され第１の半導体層３ｍ側、つまり発光層４ｍｎの下側に進んだ光は、第１の半導体層３ｍを透過し、反射層１０で反射される。反射層１０で反射された光は、第１の半導体層３ｍ、発光層４ｍｎ、第２の半導体層５ｎを順に透過し、半導体発光装置１００の外側に放出される。この場合も凹凸部１４により、光は第２の半導体層５ｎを透過して放出される。１つの発光層４ｍｎを発光させる例を示したが、選択した複数の発光層４を同時に発光させることも可能である。その場合、選択した複数の発光層４の上下にある、第１の半導体層３と第２の半導体層５に同時に電圧が印加されるように、制御部２０が複数の、第１の電極６と第２の電極７に電圧を印加する。
【００４８】
なお、半導体発光装置１００は、第２の半導体層５上に、発光層４が発光した光の波長を別の波長帯域の光に変換する蛍光体を備え、さらに蛍光体上に、特定の波長の光を透過するカラーフィルタを備えてもよい。
【００４９】
以上のように、半導体発光装置１００において、所望の位置にある発光層４を発光させることが可能である。半導体発光装置１００は、第１の半導体層３と第２の半導体層５が発光層４を挟み、複数の第１の半導体層３に配線１２で導通し、また、複数の発光層４に第２の半導体層５が積層される簡単な構造であるため、微細化が容易である。さらに、半導体発光装置１００は、配線を絶縁層８内に埋め込んだ構造で、発光された光を遮蔽する構造や配線もないため、高い光の取り出し効率と高輝度を実現している。
【００５０】
（第２の実施形態）
図４に半導体発光装置１０１の上面図を示す。
【００５１】
図１の半導体発光装置１００と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略する。
【００５２】
半導体発光装置１０１は、補助配線９をさらに備える。
【００５３】
補助配線９は、第２の半導体層５上に第２の半導体層５に沿って配置される。補助配線９は、第１の方向、つまりＸ軸方向に設けられる。第２の半導体層５を透過して発光層４から発光される光を遮蔽しないように、補助配線９は第２の半導体層５の端側に設けられる。
【００５４】
図５で、図４のＣ‐Ｃ’線の模式断面図について説明する。
【００５５】
補助配線９は第２の半導体層５に電気的に接続されている。補助配線９は、例えば、金属である。補助配線の金属は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。
【００５６】
補助配線９は、第２の電極７から離れた位置にある発光層４に電流を送る。第２の半導体層５でのみ電流が送電された場合と比べて、補助配線９を用いた場合、電流経路の抵抗による電圧降下は低減される。そのため、第２の電極７から離れた位置にある発光層４の光の輝度を、第２の電極７に近い位置にある発光層４の光の輝度と同じにすることができる。
【００５７】
以上のように、半導体発光装置１０１において、発光層４の輝度のむらを低減させることが可能である。また、半導体発光装置１００と同様に、半導体発光装置１０１は、第１の半導体層３と第２の半導体層５が発光層４を挟み、複数の第１の半導体層３に配線１２で導通し、また、複数の発光層４に第２の半導体層５が積層される簡単な構造であるため、微細化が容易である。さらに、半導体発光装置１０１は、配線を絶縁層８内に埋め込んだ構造で、発光された光を遮蔽する構造や配線もないため、高い光の取り出し効率と高輝度を実現している。
【００５８】
（第３の実施形態）
図６に半導体発光装置１０２の上面図を示す。
【００５９】
図１の半導体発光装置１００と同様の部分には同じ符号を付して説明を省略する。
【００６０】
半導体発光装置１０２は、第２の電極７ａが変形した第３の電極７をさらに備える。
【００６１】
第３の電極７は、絶縁層８上に複数設けられる。複数の第３の電極７は、図６のＹ軸方向に配列される。第３の電極７は、第２の電極７ａとは異なり、第２の半導体層５の表面に接続していない。
【００６２】
図７で、図６のＤ‐Ｄ’線の模式断面図について説明する。
【００６３】
第３の電極７は、絶縁層８の内部に埋め込まれている。第３の電極７は、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。
【００６４】
配線（第２の配線）１３は、絶縁層８の内部に位置する。配線１３は、第３の電極７と第２の半導体層５に接続される。配線１３を介して、第３の電極７は第２の半導体層５に電気的に接続されている。配線１３は、例えば、金属配線である。金属配線は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。
【００６５】
半導体発光装置１０２は、配線１３を絶縁層８の内部に埋め込んだ構造であるため、半導体発光装置１００、１０１とは異なり、第２の半導体層５を透過して発光層４から発光される光は、配線により遮蔽されることなく発光される。
【００６６】
また、半導体発光装置１００、１０１と同様に、半導体発光装置１０２は、第１の半導体層３と第２の半導体層５が発光層４を挟み、複数の第１の半導体層３に配線１２で導通し、また、複数の発光層４に第２の半導体層５が積層される簡単な構造であるため、微細化が容易である。さらに、半導体発光装置１０２は、配線を絶縁層８内に埋め込んだ構造で、発光された光を遮蔽する構造や配線もないため、高い光の取り出し効率と高輝度を実現している。
【００６７】
なお、第３の電極７を上述した半導体装置１０１に設けても同様の効果を得ることができる。
【００６８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、説明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６９】
１  基板
２  接着層
３  第１の半導体層
４  発光層
５  第２の半導体層
５ａ  第１の領域
５ｂ  第２の領域
６  第１の電極
７  第３の電極
７ａ  第２の電極
８  絶縁層
９  補助配線
１０  反射層 
１２  配線（第１の配線）
１３  配線（第２の配線）
１４  凹凸部
２０  制御部
１００〜１０２  半導体発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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