(57)【要約】【課題】小サイズのセンシングチップのパッケージ化に適したセンサパッケージ構造を得られるようにする。【解決手段】センサパッケージ構造は、基板１と、該基板に設けられるセンシングチップ２と、基板とセンシングチップとを電気的に接続する複数の金属線３と、センシングチップに対向する光透過層４と、基板に設けられる環状の支持体５と、基板に設けられると共に支持体の外側面と光透過層の側面とを被覆するコンパウンド６とを備える。各金属線の一部は支持体に埋め込まれ、該支持体の基板に対する高さは何れの金属線の基板に対する高さよりも大きい。光透過層４は底面４２にセンシングチップと対向する中心領域４２１と、環状を呈すると共に中心領域の外側を取り囲む支持領域４２２とを有する。支持体５は、センシングチップの外側に位置すると共に光透過層の支持領域と当接される。【選択図】図３
2019036701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する上表面と下表面とを有し、前記上表面の上に複数のボンディングパッドが形成されている基板と、
互いに対向する天面と底面とを有し、前記底面が前記基板の上表面の上に設けられ複数の前記ボンディングパッドの内側に位置するセンシングチップと、
一端が複数の前記ボンディングパッドにそれぞれ接続されると共に、他端が複数の接続パッドにそれぞれ接続される複数本の金属線と、
互いに対向する第１の表面と第２の表面とを有し、前記第２の表面は前記センシングチップに対向する中心領域と環状を呈すると共に前記中心領域の外側を取り囲むように構成される支持領域とを有する光透過層と、
環状を呈し、前記基板の上表面の上に設けられると共に前記センシングチップの外側に配置され、トップエッジが前記光透過層の支持領域に当接される支持体と、
前記基板の上表面の上に設けられると共に、前記支持体の外側面と前記光透過層の側面とを被覆するコンパウンドとを備え、
前記各金属線の一部は前記支持体に埋め込まれ、前記支持体における前記基板の上表面に対する高さは、何れの前記金属線における前記基板の上表面に対する高さよりも大きいことを特徴とする、センサパッケージ構造。
【請求項２】
前記支持体は、
支持層と、
環状を呈すると共に前記支持層に設けられ、トップエッジが前記光透過層の前記支持領域に当接される接着層とを有することを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項３】
前記支持層における前記基板の上表面に対する高さは、前記センシングチップの天面における前記基板の上表面に対する高さ以下であり、
前記各金属線の一部は前記接着層に埋め込まれ、前記支持層は何れの前記金属線と接触していないことを特徴とする、請求項２に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項４】
前記接着層は、前記支持層と前記光透過層の支持領域との間に配置されていると共に、何れの前記ボンディングパッドと接触していないことを特徴とする、請求項３に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項５】
前記接着層は、さらに前記基板の上表面の上に設けられ、複数の前記ボンディングパッドは前記接着層に埋め込まれることを特徴とする、請求項３に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項６】
前記接着層は、
環状を呈すると共に前記支持層と前記基板の上表面に設けられ、複数の前記ボンディングパッドが埋め込まれる第１の層と、
環状を呈すると共に前記第１の層に設けられ、前記光透過層の支持領域に当接される第２の層とを有し、
前記第１の層における前記基板の上表面に対する高さは、前記センシングチップの天面における前記基板の上表面に対する高さよりも大きいことを特徴とする、請求項５に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項７】
前記コンパウンドは、
前記基板の上表面の上に設けられると共に、前記第１の層の外側面を被覆するモールドコンパウンドと、
前記モールドコンパウンドに設けられると共に、前記第２の層の外側面と前記光透過層の側面とを被覆する液状コンパウンドとを有することを特徴とする、請求項６に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項８】
前記支持層における前記基板の上表面に対する高さは、前記センシングチップの天面における前記基板の上表面に対する高さよりも大きく、
前記各金属線の一部は、前記支持層に埋め込まれることを特徴とする、請求項２に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項９】
前記コンパウンドは、
前記基板の上表面に設けられると共に、前記支持層の外側面を被覆するモールドコンパウンドと、
前記モールドコンパウンドに設けられると共に、前記接着層の外側面と前記光透過層の側面とを被覆する液状コンパウンドとを有することを特徴とする、請求項８に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項１０】
前記センシングチップの天面は、センシング領域と、環状を呈すると共に前記センシング領域を取り囲むワイヤボンディング領域とを有し、
前記センシング領域は前記天面の面積の６０％〜９５％を占めており、
前記センシングチップは、前記ワイヤボンディング領域に複数の前記接続パッドが設けられていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のセンサパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造に関し、特にセンサパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置が限られた空間により多くの電子部材を取り付けることができるように、従来の電子装置内の電子部材は小型化に向けて研究及び開発がされる必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来のセンサパッケージ構造（例えば、画像センサパッケージ構造）の技術の進展により、従来のセンサパッケージ構造は小サイズのセンシングチップのパッケージ化には適さないようになってきている。
【０００４】
本発明者は、このデメリットを改善できると考えており、鋭意検討し、また、学理を活用し、設計が合理的で且つデメリットを効果的に改善できる本発明を提案する。
【０００５】
本発明の実施例は、従来と異なる構造により、従来のセンサパッケージ構造で発生しやすい問題を効果的に改善できるセンサパッケージ構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施例では、互いに対向する上表面と下表面とを有し、上表面の上に複数のボンディングパッドが形成されている基板と、互いに対向する天面と底面とを有し、底面が基板の上表面の上に設けられると共に、複数のボンディングパッドの内側に位置するセンシングチップと、一端が複数のボンディングパッドにそれぞれ接続されると共に、他端が複数の接続パッドにそれぞれ接続される複数本の金属線と、互いに対向する第１の表面と第２の表面とを有し、第２の表面がセンシングチップと対向する中心領域と環状を呈すると共に中心領域の外側を取り囲む支持領域とを有する光透過層と、環状を呈し、基板の上表面の上に設けられると共にセンシングチップの外側に位置し、そのトップエッジが光透過層の支持領域に当接される支持体と、基板の上表面の上に設けられると共に、支持体の外側面と光透過層の側面とを被覆するコンパウンドとを備えるセンサパッケージ構造を開示する。その中で、各金属線の一部は支持体に埋め込まれる。該支持体における基板の上表面に対する高さは、何れの金属線における基板の上表面に対する高さよりも大きい。
【０００７】
好ましくは、支持体は、支持層と、環状を呈すると共に支持層に設けられ、トップエッジが光透過層の支持領域に当接される接着層とを有する。
【０００８】
好ましくは、支持層における基板の上表面に対する高さは、センシングチップの天面における基板の上表面に対する高さ以下であり、各金属線の一部は接着層に埋め込まれ、支持層は何れの金属線とも接触していない。
【０００９】
好ましくは、接着層が支持層と光透過層の支持領域との間に位置すると共に、何れのボンディングパッドとも接触していない。
【００１０】
好ましくは、接着層がさらに基板の上表面の上に設けられ、複数のボンディングパッドが接着層に埋め込まれる。
【００１１】
好ましくは、接着層は、環状を呈すると共に支持層と基板の上表面に設けられ、複数のボンディングパッドが埋め込まれる第１の層と、環状を呈すると共に第１の層に設けられ、光透過層の支持領域に当接される第２の層とを有する。第１の層における基板の上表面に対する高さは、センシングチップの天面における基板の上表面に対する高さよりも大きい。
【００１２】
好ましくは、コンパウンドは、基板の上表面の上に設けられると共に、第１の層の外側面を被覆するモールドコンパウンドと、モールドコンパウンドに設けられると共に、第２の層の外側面と光透過層の側面とを被覆する液状コンパウンドとを有する。
【００１３】
好ましくは、支持層における基板の上表面に対する高さは、センシングチップの天面における基板の上表面に対する高さよりも大きく、各金属線の一部は支持層に埋め込まれる。
【００１４】
好ましくは、コンパウンドは、基板の上表面に設けられると共に、支持層の外側面を被覆するモールドコンパウンドと、該モールドコンパウンドに設けられると共に、接着層の外側面と光透過層の側面とを被覆する液状コンパウンドとを有する。
【００１５】
好ましくは、支持層は、センシングチップの天面に位置する延伸部を備え、該延伸部は複数の接続パッドの外側に位置する。
【００１６】
好ましくは、支持層は、基板の上表面の上に設けられると共に、センシングチップと複数のボンディングパッドとの間に位置する。
【００１７】
好ましくは、センシングチップの天面は、センシング領域と、環状を呈すると共にセンシング領域を取り囲むワイヤボンディング領域とを有し、センシング領域は天面の面積の６０％〜９５％を占めており、センシングチップは、ワイヤボンディング領域に複数の接続パッドが設けられている。
【００１８】
好ましくは、センシング領域は天面の面積の８０％〜９０％を占める。
【００１９】
好ましくは、支持体は、環状を呈すると共にセンシングチップの少なくとも一部の側面を被覆し、又は支持体は、環状を呈すると共にセンシングチップの側面との間に隙間が形成されている。
【００２０】
好ましくは、支持体はセンシングチップの天面に接触していない。
【発明の効果】
【００２１】
以上をまとめると、本発明の実施例に記載されているセンサパッケージ構造は、支持体を介して光透過層とセンシングチップとの相対位置を維持できることにより、センシングチップの天面に支持構造を設ける必要がなく、さらに、センシングチップのパッケージの小型化に有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例１の概略的平面図である。
【図２】図２は図１の光透過層とコンパウンドが省略された模式図である。
【図３】図３は図１の断面線III−IIIに沿う概略的断面図である。
【図４】図４は図１の別の実施の態様の概略的平面図（光透過層とコンパウンドが省略された）である。
【図５】図５は図１の別の実施の態様の概略的断面図である。
【図６】図６は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例２の概略的断面図１である。
【図７】図７は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例２の概略的断面図２である。
【図８】図８は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例３の概略的断面図である。
【図９】図９は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例４の概略的断面図である。
【図１０】図１０は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例５の概略的断面図である。
【図１１】図１１は本発明に係るセンサパッケージ構造の実施例６の概略的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の特徴及び技術内容がより一層判るように、以下に本発明に関する詳細な説明と添付図面とを参照するが、これらの説明と添付図面とは、本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明の保護範囲を何ら限定するものではない。
【００２４】
図１乃至図１１を参照する。図１乃至図１１は本発明の実施例である。なお、本実施例の対応する図面に言及している関連する数と外形状とは、本発明の実施の態様を具体的に説明し、本発明を理解しやすくするためのものに過ぎず、本発明の保護範囲を限定するためのものではない。
【００２５】
［実施例１］
図１乃至図５に示すように、本実施例では、センサパッケージ構造１００が開示されており、特に画像センサパッケージ構造１００に関するが、本発明はこれに限定されるものではない。センサパッケージ構造１００は、基板１と、基板１に設けられるセンシングチップ２と、基板１とセンシングチップ２とを電気的に接続する複数本の金属線３と、配置位置がセンシングチップ２と対応する光透過層４と、基板１に設けられると共に光透過層４とセンシングチップ２との相対位置を維持できる支持体５と、基板１に設けられると共に支持体５と光透過層４に被覆されるコンパウンド６とを備える。以下に本実施例のセンサパッケージ構造１００中の各部材の構造についてそれぞれ説明し、部材間の接続関係を適時に説明する。
【００２６】
図２と図３とに示すように、基板１は、プラスチック基板、セラミック基板、リードフレーム（ｌｅａｄ  ｆｒａｍｅ）、又は他の板状材料であってもよく、本実施例はこれを制限するものではない。なかでも、基板１は、互いに対向する上表面１１と下表面１２とを有し、上表面１１の上に間隔を置いて配列される複数のボンディングパッド１１１が形成されている。なお、基板１は、下表面１２にも複数のボンディングパッド（図示せず）が形成されており、各ボンディングパッドは、それぞれ複数の半田ボール（図示せず）の溶接に用いれられる。即ち、本実施例の基板１は、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）を備える構造として説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２７】
図２と図３とに示すように、センシングチップ２は、本実施例において、画像センシングチップ２により説明するが、本発明はセンシングチップ２の種類を制限するものではない。なかでも、センシングチップ２は、互いに対向する天面２１と底面２２と、天面２１と底面２２とに垂直に接続される側面２３とを有する。天面２１は、センシング領域２１１と、環状を呈すると共にセンシング領域２１１を取り囲むワイヤボンディング領域２１２とを有し、且つセンシングチップ２は、ワイヤボンディング領域２１２に複数の接続パッド２１３が設けられている。
【００２８】
より詳しくは、センシング領域２１１は、本実施例において略四角形（例えば、正方形又は長方形）を呈すると共に、その中心は、天面２１の中心（例えば、図２）であってもよく、又は天面２１の中心から距離（図面には表示せず）を置いていてもよい。ワイヤボンディング領域２１２は、本実施例において角リング状を呈すると共に、各部位の幅はほぼ同様であることが好ましいが、ワイヤボンディング領域２１２の具体的な外形は、設計者又は製造者の要求に従い調整することができ、ここで制限されない。なかでも、センシング領域２１１は、本実施例においてセンシングチップ２の天面２１の面積の６０％〜９５％（好ましくは８０％〜９０％）を占める。別の観点からは、従来のセンシングチップと比べて、本実施例のセンシングチップ２のワイヤボンディング領域２１２の面積が縮小されることにより、センシングチップ２全体のサイズを縮小する。
【００２９】
なお、センシングチップ２では、底面２２が基板１の上表面１１の上に設けられると共に、複数のボンディングパッド１１１の内側に位置する。即ち、センシングチップ２が設けられている基板１の上表面１１の部位は、おおよそ、複数のボンディングパッド１１１によって取り囲まれた領域内に位置する。なかでも、本実施例中のセンシングチップ２は、ダイアタッチエポキシ樹脂（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｅｐｏｘｙ、図示せず）を介して、その底面２２を基板１の上表面１１に固定するが、具体的な設置方式はこれに限定されるものではない。
【００３０】
図２と図３とに示すように、複数本の金属線３は、その各一端が基板１の複数のボンディングパッド１１１にそれぞれ接続され、その各他端がセンシングチップ２の複数の接続パッド２１３にそれぞれ接続される。各金属線３は、逆ボンディング（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｂｏｎｄ）又は正ボンディング（ｆｏｒｗａｒｄ  ｂｏｎｄ）のボンディング方式により形成され得る。さらに、各金属線３が逆ボンディング方式を用いる場合、センシングチップ２の天面２１と各金属線３との隣接部位は４５°以下の夾角（図示せず）を形成することが可能である。これにより、各金属線３の頂点は低い高さ位置に位置し、さらに光透過層４に触れることを回避することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、夾角は、３０°以下であってもよい。
【００３１】
図２と図３とに示すように、光透過層４は、本実施例において透明状であり、平板状のガラスにより説明するが、本発明は光透過層４の種類を制限するものではない。例えば、光透過層４は、透光性（又は透明の）プラスチック材質から構成されてもよい。なかでも、光透過層４は、互いに対向する第１の表面４１と第２の表面４２と、第１の表面４１と第２の表面４２とに垂直に接続される側面４３とを有する。本実施例の第１の表面４１と第２の表面４２とは、サイズが同一の四角形（例えば、正方形又は長方形）であり、光透過層４の第２の表面４２の面積がセンシングチップ２の天面２１の面積よりも大きいが、これに限定されるものではない。
【００３２】
さらに、光透過層４は、支持体５を介してセンシングチップ２の上方に設けられ、その第２の表面４２は、センシングチップ２の天面２１とほぼ平行に対向する。さらに、第２の表面４２は、センシングチップ２と対向する中心領域４２１と、環状を呈すると共に中心領域４２１の外側を取り囲む支持領域４２２と、環状を呈すると共に支持領域４２２を取り囲む固定領域４２３とを有する。なかでも、センシングチップ２のセンシング領域２１１は、第２の表面４２に正投影する投影領域（図示せず）が形成されており、該投影領域は第２の表面４２の中心領域に相当する。支持体５と当接される第２の表面４２の部位は、支持領域４２２に相当し、中心領域４２１及び支持領域４２２以外の第２の表面４２の部位は、固定領域４２３に相当する。
【００３３】
また、光透過層４の第２の表面４２は、好ましくは、各金属線３と隣接して設置されるが、それらとは接触しない。各金属線３の頂点における基板１の上表面１１に対する高さＨ３（例えば、図３）は、好ましくは、光透過層４の第２の表面４２における基板１の上表面１１に対する高さＨ４（例えば、図３）よりも小さいが、これに限定されるものではない。
【００３４】
なお、本実施例の光透過層４は、平板状のガラスにより説明するが、光透過層４の具体的構造は、設計者の要求に従い調整してもよい。例えば、本発明で示していない実施例において、光透過層４の頂部周縁には階段状の構造が形成されていてもよく、コンパウンド６が階段状構造に付着されるように形成されていてもよい。
【００３５】
図２と図３とに示すように、支持体５は環状を呈し、その材質は、例えば、ガラス接着エポキシ樹脂（Ｇｌａｓｓ  Ｍｏｕｎｔ  Ｅｐｏｘｙ、ＧＭＥ）であるが、本発明はこれに限定されるものではない。なかでも、支持体５の底面が基板１の上表面１１の上に設けられると共にセンシングチップ２の外側に位置し、且つ基板１の複数のボンディングパッド１１１の内側に位置する。支持体５は、好ましくは、センシングチップ２の天面２１とは接触していない。支持体５は、そのトップエッジが光透過層４の支持領域４２２と当接しており、即ち、支持体５は、光透過層４の中心領域４２１と固定領域４２３とには接触していない。
【００３６】
なお、各金属線３の一部が支持体５に埋め込まれ、該支持体５における基板１の上表面１１に対する高さＨ５（本実施例の高さＨ５は、高さＨ４とほぼ同等である）が、何れの金属線３における基板１の上表面１１に対する高さＨ３よりも大きい。また、支持体５は、センシングチップ２の側面２３の少なくとも一部を被覆するが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図４と図５とに示すように、支持体５はセンシングチップ２の側面２３との間に隙間Ｇが形成されていてもよい。
【００３７】
図２と図３とに示すように、コンパウンド６が基板１の上表面１１に設けられ、該コンパウンド６は、支持体５の外側面５０と、光透過層４の固定領域４２３及び側面４３とを被覆する。各金属線３の一部（例えば、支持体５の外側に位置する各金属線３の部位）及び各ボンディングパッド１１１がコンパウンド６に埋め込まれる。
【００３８】
上述したように、本実施例に係るセンサパッケージ構造１００は、支持体５を介して光透過層４とセンシングチップ２との相対位置を維持することができる。これにより、センシングチップ２の天面２１に支持構造を設ける必要がなく、さらに、パッケージを小型化した後のセンシングチップ２に有利である。即ち、当該センサパッケージ構造１００は、ワイヤボンディング領域２１２の面積が縮小される（例えば、センシング領域２１１は、センシングチップ２の天面２１の面積の６０％〜９５％を占める）ので、サイズが縮小されるセンシングチップ２に用いられてもよい。
【００３９】
［実施例２］
図６と図７とを参照する。図６及び図７は本発明の実施例２である。本実施例は実施例１とほぼ同様であり、同じ点は説明を省略するが、２つの実施例の差異は、主として支持体５にある。本実施例の実施例１に対する具体的構造の差異は、おおよそ以下の通りである。
【００４０】
支持体５は、支持層５１と、環状を呈すると共に支持層５１に設けられる接着層５２とを有し、該接着層５２のトップエッジが、光透過層４の支持領域４２２と当接する。即ち、本発明は支持体５の種類及び構成を制限するものではない。支持体５は、同じ材質の単一部材（例えば、実施例１）、又は複数の材質からなる複合部材（例えば、実施例２）であってもよい。
【００４１】
なお、支持層５１と接着層５２とは、本実施例において全て環状を呈すると共に互いに積み重なり、支持層５１と接着層５２とが同一の材質（例えば、ガラス接着樹脂、ＧＭＥ）又は異なる材質で構成されてもよい。なかでも、支持層５１が基板１の上表面１１の上に設けられると共に、センシングチップ２と複数のボンディングパッド１１１との間に位置し、支持層５１における基板１の上表面１１に対する高さＨ５１が、センシングチップ２の天面２１における基板１の上表面１１に対する高さＨ２１以下である（例えば、それよりも小さい）。このことから、支持層５１は、好ましくは、何れの金属線３とも接触していないが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４２】
さらに、図６に示すように、支持層５１は、センシングチップ２の側面２３の少なくとも一部を被覆するが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、支持層５１はセンシングチップ２の側面２３との間に隙間Ｇが形成されていてもよい。
【００４３】
なお、接着層５２は、支持層５１と光透過層４の支持領域４２２との間に位置し、好ましくは、基板１の上表面１１、何れのボンディングパッド１１１、及び何れの接続パッド２１３とも接触しておらず、各金属線３の一部が接着層５２内に埋め込まれる。即ち、本実施例の支持層５１と光透過層４とは、それぞれ２つのステップで支持体５を製造して形成され、支持層５１が支持体５の下半部として、接着層５２が支持体５の上半部として用いられる。本実施例の接着層５２の厚さは、支持層５１の厚さ以上であるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４４】
また、コンパウンド６が基板１の上表面１１の上に設けられる。該コンパウンド６は、支持層５１の外側面５１１、接着層５２の外側面５２１、並びに光透過層４の固定領域４２３及び側面４３を被覆する。さらに、各金属線３の一部（例えば、支持層５１と接着層５２との外側に位置する各金属線３の部位）及び各ボンディングパッド１１１が全てコンパウンド６に埋め込まれる。
【００４５】
［実施例３］
図８を参照する。図８は本発明の実施例３である。本実施例は実施例２とほぼ同様であり、同じ点は説明を省略するが、２つの実施例の差異は主として接着層５２にある。本実施例の実施例２に対する具体的構造の差異は、おおよそ以下の通りである。
【００４６】
接着層５２は、支持層５１の外側面５１１及びトップエッジの一部を被覆し、その底面が基板１の上表面１１の上に設けられ、複数のボンディングパッド１１１が当該接着層５２に埋め込まれる。なお、各ボンディングパッド１１１と接続され且つ近接する金属線３の部位が接着層５２に埋め込まれる。即ち、支持層５１は、ほぼセンシングチップ２と接着層５２との間に位置する。
【００４７】
また、コンパウンド６は、基板１の上表面１１の上に設けられると共に、接着層５２の外側面５２１と、光透過層４の固定領域４２３及び側面４３とを被覆する。また、各金属線３及び各ボンディングパッド１１１は全て、コンパウンド６とは接触していない。即ち、各金属線３及び各ボンディングパッド１１１は全てコンパウンド６の内側に位置する。
【００４８】
［実施例４］
図９を参照する。図９は本発明の実施例４である。本実施例は実施例３とほぼ同様であり、同じ点は説明を省略するが、２つの実施例の差異は主として接着層５２にある。本実施例の実施例３に対する具体的構造の差異は、おおよそ以下の通りである。
【００４９】
接着層５２は、第１の層５２２と、該第１の層５２２に設けられる第２の層５２３とを有する。なかでも、第１の層５２２は、環状を呈すると共に支持層５１（例えば、支持層５１の外側面５１１及びトップエッジの一部を被覆する）に設けられる。第１の層５２２の底面は、基板１の上表面１１の上に設けられ、複数のボンディングパッド１１１が第１の層５２２に埋め込まれる。なお、各ボンディングパッド１１１に接続され且つ近接する金属線３の部位が第１の層５２２に埋め込まれる。即ち、支持層５１は、ほぼセンシングチップ２と第１の層５２２との間に位置する。さらに、第１の層５２２における基板１の上表面１１に対する高さＨ５２２は、センシングチップ２の天面２１における基板１の上表面１１に対する高さＨ２１よりも大きい。
【００５０】
第２の層５２３は、環状を呈すると共に第１の層５２２に設けられ、光透過層４の支持領域４２２と当接される。なかでも、第２の層５２３は、その厚さが第１の層５２２の厚さよりも小さく、その底面が第１の層５２２のトップエッジの一部にのみ設けられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５１】
［実施例５］
図１０を参照する。図１０は本発明の実施例５である。本実施例は実施例４とほぼ同様であり、同じ点は説明を省略するが、２つの実施例の差異は主としてコンパウンド６にある。本実施例の実施例４に対する具体的構造の差異は、おおよそ以下の通りである。
【００５２】
コンパウンド６は、モールドコンパウンド６１（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、液状コンパウンド６２（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）とを有する。なかでも、モールドコンパウンド６１は、基板１の上表面１１の上に設けられると共に第１の層５２２の外側面５２２１を被覆し、モールドコンパウンド６１のトップエッジは、好ましくは、第１の層５２２のトップエッジに揃えられる。液状コンパウンド６２は、モールドコンパウンド６１の上に設けられると共に、第２の層５２３の外側面５２３１と、光透過層４の固定領域４２３及び側面４３とを被覆する。
【００５３】
［実施例６］
図１１を参照する。図１１は本発明の実施例６である。本実施例は実施例２とほぼ同様であり、同じ点は説明を省略するが、２つの実施例の差異は主として支持体５にある。本実施例の実施例２に対する具体的構造の差異は、おおよそ以下の通りである。
【００５４】
支持層５１は、基板１の上表面１１の上に設けられると共に、センシングチップ２と複数のボンディングパッド１１１との間に位置し、支持層５１における基板１の上表面１１に対する高さＨ５１’は、センシングチップ２の天面２１における基板１の上表面１１に対する高さＨ２１よりも大きい。このことから、各金属線３の一部が支持層５１に埋め込まれる。なお、支持層５１は、センシングチップ２の天面２１の上に位置する延伸部５１２を有し、該延伸部５１２は複数の接続パッド２１３の外側に位置する。
【００５５】
接着層５２は、支持層５１と光透過層４の支持領域４２２との間に位置する。好ましくは、接着層５２は、基板１の上表面１１、何れのボンディングパッド１１１、何れの接続パッド２１３、及び何れの金属線３とも接触していない。本実施例の接着層５２の厚さは、支持層５１の厚さよりも小さいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５６】
コンパウンド６は、モールドコンパウンド６１（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、液状コンパウンド６２（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）とを有する。なかでも、モールドコンパウンド６１は、基板１の上表面１１の上に設けられると共に支持層５１の外側面５１１を被覆し、モールドコンパウンド６１のトップエッジは、好ましくは、支持層５１のトップエッジに揃えられる。液状コンパウンド６２は、モールドコンパウンド６１の上に設けられると共に、接着層５２の外側面５２１と、光透過層４の固定領域４２３及び側面４３とを被覆する。
【００５７】
上述したのは、本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するためのものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づき為された均等の変形と変更とは、全て本発明の請求項の保護範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００５８】
１００    センサパッケージ構造（例えば、画像センサパッケージ構造）
１    基板
１１    上表面
１１１    ボンディングパッド
１２    下表面
２    センシングチップ
２１    天面
２１１    センシング領域
２１２    ワイヤボンディング領域
２１３    接続パッド
２２    底面
２３    側面
３    金属線
４    光透過層
４１    第１の表面
４２    第２の表面
４２１    中心領域
４２２    支持領域
４２３    固定領域
４３    側面
５    支持体
５０    外側面
５１    支持層
５１１    外側面
５１２    延伸部
５２    接着層
５２１    外側面
５２２    第１の層
５２２１    外側面
５２３    第２の層
５２３１    外側面
６    コンパウンド
６１    モールドコンパウンド
６２    液状コンパウンド
Ｇ    隙間
Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、Ｈ５１、Ｈ２１、Ｈ５２２、Ｈ５１’    高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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