(57)【要約】【課題】良好な放熱性を有する銅箔を提供する。【解決手段】表面に酸化膜を有する銅箔。【選択図】図１
2019196516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に酸化膜を有する銅箔。
【請求項２】
前記酸化膜の平均厚みが０．２μｍ以上である請求項１に記載の銅箔。
【請求項３】
前記酸化膜の平均厚みが０．２μｍ以上５μｍ以下である請求項２に記載の銅箔。
【請求項４】
前記銅箔が圧延銅箔である請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅箔。
【請求項５】
前記銅箔が電解銅箔である請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅箔。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の銅箔と、
基板、筐体、金属加工部材、電子部品、電子機器、液晶パネル又はディスプレイと、
が積層された積層体。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の銅箔を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅箔、積層体及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高精細化に伴い、使用される電子部品の発熱による故障等が問題となっている。特に、成長著しい電気自動車やハイブリッド電気自動車で用いられる電子部品には、バッテリー部のコネクタ等の著しく高い電流が流れる部品があり、通電時の電子部品の発熱が問題となっている。また、スマートフォンタブレットやタブレットＰＣの液晶には液晶フレームと呼ばれる放熱板が用いられている。この放熱板により、周辺に配置された液晶部品、ＩＣチップ等からの熱を外部へ放出し、電子部品の故障等を抑制している。
【０００３】
電子部品の熱を効果的に放出する放熱材としては従来種々のものが開発・研究されている。例えば、特許文献１には、上面に回路チップ搭載部を有する導電性の放熱板と、回路チップ搭載部の周辺部上にセラミック粉末を含有する接着剤を介して接着されたリードとを具備することを特徴とする放熱板付き半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０８-０７８４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年の電子機器の小型化、高精細化に伴う電子部品の発熱を効果的に放出する機能について、放熱材には今後も更なる開発の余地がある。そこで、本発明の実施形態は、良好な放熱性を有する銅箔を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は鋭意研究を重ねた結果、銅箔の表面に酸化膜を形成することで、良好な放熱性を有する銅箔を提供することができることを見出した。
【０００７】
以上の知見を基礎として完成された本発明は一実施形態において、表面に酸化膜を有する銅箔である。
【０００８】
本発明は別の実施形態において、本発明の実施形態に係る銅箔と、基板、筐体、金属加工部材、電子部品、電子機器、液晶パネル又はディスプレイとが積層された積層体である。
【０００９】
本発明は更に別の実施形態において、本発明の実施形態に係る銅箔を有する電子機器である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、良好な放熱性を有する銅箔を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例の放熱性評価装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔表面に酸化膜を有する銅箔〕
＜銅箔（原箔）＞
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔に用いることができる銅箔（原箔）としては、圧延銅箔又は電解銅箔を用いることができる。また、当該銅箔には銅合金箔も含まれる。本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔に用いることができる銅箔（原箔）の例としては、典型的には、ＪＩＳ  Ｈ０５００やＪＩＳ  Ｈ３１００に規定されるリン脱酸銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  合金番号Ｃ１２０１、Ｃ１２２０、Ｃ１２２１）、無酸素銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  合金番号Ｃ１０２０）及びタフピッチ銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  合金番号Ｃ１１００）の箔、更には電解銅箔などを用いてもよい。また、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂ、Ｍｎ及びＺｒの中の一種以上を合計で０．００１〜４．０質量％含有する銅合金の箔を用いてもよい。
【００１３】
また銅合金箔としては、更に、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白、その他銅合金等の箔を用いてもよい。また、銅又は銅合金の箔としてはＪＩＳ  Ｈ  ３１００〜ＪＩＳ  Ｈ３５１０、ＪＩＳ  Ｈ  ５１２０、ＪＩＳ  Ｈ  ５１２１、ＪＩＳ  Ｃ  ２５２０〜ＪＩＳ  Ｃ  ２８０１、ＪＩＳ  Ｅ  ２１０１〜ＪＩＳ  Ｅ  ２１０２に規格されている銅又は銅合金の箔を用いてもよい。なお、本明細書においては特に断らない限りは、金属の規格を示すために挙げたＪＩＳ規格は２００１年度版のＪＩＳ規格を意味する。
【００１４】
リン青銅は典型的には銅を主成分としてＳｎ及びこれよりも少ない質量のＰを含有する銅合金のことをいう。一例として、リン青銅はＳｎを３．５〜１１質量％、Ｐを０．０３〜０．３５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる組成を有する。リン青銅は、Ｎｉ、Ｚｎ等の元素を合計で１．０質量％以下含有してもよい。
【００１５】
コルソン合金は典型的にはＳｉと化合物を形成する元素（例えば、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｒの何れか一種以上）が添加され、母相中に第二相粒子として析出する銅合金のことをいう。一例として、コルソン合金はＮｉ、Ｃｏ及びＣｒの何れか一種以上を合計で０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。別の一例として、コルソン合金はＮｉ及びＣｏのいずれか一種以上を合計で０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｃｒを０．０３〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％、Ｃｒを０．０３〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＳｉを０．２〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。コルソン合金には随意にその他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｂ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ａｌ及びＦｅ）が添加されてもよい。これらその他の元素は総計で５．０質量％程度まで添加するのが一般的である。例えば、更に別の一例として、コルソン合金はＮｉ、Ｃｏ及びＣｒの何れか一種以上を合計で０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｓｎを０．０１〜２．０質量％、Ｚｎを０．０１〜２．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
【００１６】
本発明の実施形態において、丹銅とは、銅と亜鉛との合金であり亜鉛を１〜２０質量％、より好ましくは亜鉛を１〜１０質量％含有する銅合金のことをいう。また、丹銅は錫を０．１〜１．０質量％含んでも良い。
【００１７】
本発明の実施形態において、黄銅とは、銅と亜鉛との合金で、特に亜鉛を２０質量％以上含有する銅合金のことをいう。亜鉛の上限は特には限定されないが６０質量％以下、好ましくは４５質量％以下、あるいは４０質量％以下である。
【００１８】
本発明の実施形態において、洋白とは銅を主成分として、銅を６０質量％から７５質量％、ニッケルを８．５質量％から１９．５質量％、亜鉛を１０質量％から３０質量％含有する銅合金のことをいう。
【００１９】
本発明の実施形態において、その他銅合金とはＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｒ及びＴｉの内一種又は二種以上を合計で８．０％以下含み、残部が不可避的不純物と銅からなる銅合金をいう。
【００２０】
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔の厚みについては特に制限はなく、用途別に適した厚みに適宜調節して用いることができる。当該厚みは例えば、１〜５０００μｍ程度又は２〜１０００μｍ程度とすることができ、特に回路を形成して使用する場合には３５μｍ以下、シールド材としてシールドテープを用いる場合は１８μｍ以下といった薄いものから、電子機器内部のコネクタや、シールドテープ以外のシールド材、端子、カバー等として用いる場合には７０〜１０００μｍといった厚い材料にも適用することができ、特に上限の厚みを定めるわけではない。
【００２１】
＜酸化膜＞
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は、表面の酸化膜が主に銅箔の構成成分としての銅由来の酸化銅で形成されている。酸化膜は酸化銅以外の金属成分を含有していてもよい。銅箔の表面にこのような酸化膜が存在することで、熱放射性が良好となる。当該酸化膜は、例えば銅箔を大気中に放置することで起こる自然酸化で形成されるような酸化膜ではない。自然酸化で形成されるような酸化膜は極薄の膜であり、厚みは数ｎｍ程度であるため、その放熱性は自然酸化で形成されるような酸化膜が形成される前の原箔の放熱性とほぼ同じであるためである。
【００２２】
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は、表面の酸化膜の平均厚みは所望する放熱性の程度によって制御することができる。表面の酸化膜の平均厚みは、良好な放熱性を得るという観点から０．２μｍ以上であることが好ましく、０．３μｍ以上であることがより好ましく、０．６μｍ以上であることが更により好ましく、１μｍ以上であることが更により好ましい。また、表面の酸化膜の平均厚みの上限は特に限定されず、例えば５．０μｍ以下であってもよく、４．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以下であってもよい。
【００２３】
＜表面処理層＞
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体又は合金等で形成された耐熱層又は防錆層を有してもよく、更に耐熱層又は防錆層の表面にクロメート処理層、シランカップリング処理層を有してもよい。耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。
【００２４】
クロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩又は二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素及びチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム及び亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
【００２５】
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層及び／又は防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素からなる金属層又は合金層であってもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを５０ｗｔ％〜９９ｗｔ％、亜鉛を５０ｗｔ％〜１ｗｔ％含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が５〜１０００ｍｇ／ｍ2、好ましくは１０〜５００ｍｇ／ｍ2、好ましくは２０〜１００ｍｇ／ｍ2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層又は前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比（＝ニッケルの付着量／亜鉛の付着量）が１．５〜１０であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層又は前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は０．５ｍｇ／ｍ2〜５００ｍｇ／ｍ2であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ2〜５０ｍｇ／ｍ2であることがより好ましい。耐熱層及び／又は防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、銅又は銅合金又と樹脂基板との密着性が向上する。
【００２６】
例えば耐熱層及び／又は防錆層は、付着量が１ｍｇ／ｍ2〜１００ｍｇ／ｍ2、好ましくは５ｍｇ／ｍ2〜５０ｍｇ／ｍ2のニッケル又はニッケル合金層と、付着量が１ｍｇ／ｍ2〜８０ｍｇ／ｍ2、好ましくは５ｍｇ／ｍ2〜４０ｍｇ／ｍ2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、ニッケル又はニッケル合金とスズとの合計付着量が２ｍｇ／ｍ2〜１５０ｍｇ／ｍ2であることが好ましく、１０ｍｇ／ｍ2〜７０ｍｇ／ｍ2であることがより好ましい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、［ニッケル又はニッケル合金中のニッケル付着量］／［スズ付着量］＝０．２５〜１０であることが好ましく、０．３３〜３であることがより好ましい。
【００２７】
なお、シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、４‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐３‐（４‐（３‐アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。
【００２８】
前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。
【００２９】
ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、Ｎ‐（２‐アミノエチル）‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐（３‐アクリルオキシ‐２‐ヒドロキシプロピル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、４‐アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリス（２‐エチルヘキソキシ）シラン、６‐（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３‐（１‐アミノプロポキシ）‐３，３‐ジメチル‐１‐プロペニルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、３‐（２‐Ｎ‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジメチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−３−（４−（３−アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル−３−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。
【００３０】
シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、０．０５ｍｇ／ｍ2〜２００ｍｇ／ｍ2、好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ2〜２０ｍｇ／ｍ2、好ましくは０．３ｍｇ／ｍ2〜２．０ｍｇ／ｍ2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、銅又は銅合金と接着剤層との密着性をより向上させることができる。
【００３１】
＜表面に酸化膜を有する銅箔の製造方法＞
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は、銅箔（原箔）、又は、前述の表面処理層を有する銅箔（原箔）を所定の条件で熱処理して、表面に酸化膜を形成することで製造することができる。熱処理条件としては、例えば大気雰囲気中２００℃以上５００℃以下で１０分以上銅箔を加熱する。加熱温度が高いほど、また、加熱時間が長いほど酸化膜の厚みが大きくなり、加熱温度が低いほど、また、加熱時間が短いほど酸化膜の厚みが小さくなる。熱処理条件における加熱温度は、２５０℃以上、３００℃以上、３３０℃以上、３４０℃以上であってもよく、４５０℃以下、４００℃以下であってもよい。このような熱処理によって、主に銅箔の構成成分としての銅由来の酸化銅で形成された酸化膜を作製することができる。
【００３２】
＜積層体、電子機器＞
本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔と、基板、筐体、金属加工部材、電子部品、電子機器、液晶パネル又はディスプレイとを積層して積層体を製造してもよい。また、当該電子部品、電子機器として例えば半導体シリコンチップやスマートフォンのＣＰＵを挙げることができる。当該基板は、樹脂基板、金属材料の基板、無機材料の基板、有機材料の基板、又は、セラミックスの基板であってもよい。
【００３３】
また、本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は放熱板、構造板、シールド材、シールド板、シールド部品、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して金属加工部材を作製することができ、更に当該金属加工部材を電子機器に用いることができる。本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は発熱体からの熱の吸収性及び吸収した熱の放熱性が良好であるため放熱板として用いることが特に好ましい。
【００３４】
また、本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は電子機器に用いることができる。また、本発明の実施形態に係る表面に酸化膜を有する銅箔は二次電池用負極集電体、二次電池、コアレス多層プリント配線板の製造時に使用される支持基材等にも用いることができる。
【実施例】
【００３５】
（実施例１〜５）
＜試料の作製＞
実施例１〜５及び比較例１の銅箔（原箔）として、厚み１２μｍのタフピッチ銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  合金番号Ｃ１１００）の銅箔をそれぞれ準備した。
次に、上記銅箔をオーブンに入れて、各実施例及び比較例について以下に示すように異なる条件で熱処理を施すことで、銅箔表面に酸化膜を形成した。
・実施例１：大気雰囲気中２００℃で１０分間（１／６時間）、０．５時間、１時間、２時間の加熱（合計４試料）
・実施例２：大気雰囲気中２５０℃で１時間の加熱（合計１試料）
・実施例３：大気雰囲気中３００℃で０．５時間、１時間、２時間の加熱（合計３試料）
・実施例４：大気雰囲気中３３０℃で０．５時間、１時間、２時間の加熱（合計３試料）
・実施例５：大気雰囲気中３４０℃で４時間の加熱（合計１試料）
【００３６】
＜銅箔表面の酸化膜の評価＞
上記の熱処理によって、各試料の表面に形成された酸化膜の平均厚みを以下の方法で測定した。
加熱させたことにより表面に酸化膜を生成させた銅箔の断面を研磨し、研磨したサンプルの断面を、ＳＥＭを用いて観察した。当該サンプルの断面の幅８．５μｍの範囲において、幅方向に沿って略等間隔に５箇所選び、当該５箇所についてサンプルの酸化膜の厚みを測定した。当該５箇所の酸化膜の厚みについて平均を算出し、酸化膜の平均厚みとした。
評価結果を表１に示す。なお、表中「ＮＡ」と表記した部分は酸化膜の平均厚みを測定していないことを示す。
【００３７】
＜放熱性の評価＞
図１に示すように、ヒーター上に接着剤を介してＳＵＳ板を設け、ＳＵＳ板の上に放熱用グリスを介して上記の各銅箔の試料を、酸化膜が上を向くように設けた。さらに銅箔の酸化膜の表面の一部に黒体テープ（放射率０．９）を貼り付け、試料の銅箔の酸化膜の上方にサーモグラフィーを設置した。なお、ヒーターの下には断熱材（不図示）を設けた。
この状態で、ヒーターから熱を発し、試料の表面のサーモグラフ温度、すなわち赤外線エネルギーの測定を行った。具体的には、サーモグラフィーで黒体テープのサーモグラフ表示温度が一定値を示すことを確認しながら、黒体テープのサーモグラフ表示温度：８８℃（基準）と、試料表面のサーモグラフ表示温度とを比較することで、試料の熱放射性の評価を行った。評価結果を表１に示す。
当該評価結果から、所定の温度で所定時間以上の加熱をすることで酸化膜が形成され、試料表面のサーモグラフ表示温度が高くなっており、熱放射性が向上していることが確認された。また、加熱時間が長いほど、また加熱温度が高いほど熱放射性が向上していることが確認された。また、加熱によって酸化膜を形成しなかった比較例１については、酸化膜を形成した実施例１〜５に比べて熱放射性が大きく劣っていることが確認された。
【００３８】
【表１】
2019196516.tif 000003
【図１】
2019196516.tif 000004