(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザーダイオードバーの製造方法を提供する。【解決手段】レーザーダイオードバー１０の製造方法において、活性層とｐコンタクト６とｎコンタクト７とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体９を含む、並んで設けられた複数のエミッタを形成するステップと、各エミッタの少なくとも１つの光学特性および／または電気特性を検査し、特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタを、第１のエミッタ１のグループに割り当て、特性が設定された目標値範囲を外れるエミッタを、第２のエミッタ２のグループに割り当てるステップと、電気絶縁層８を少なくとも第２のエミッタのｐコンタクト上に形成するステップと、第１のエミッタのｐコンタクト上にｐ接続層１４を形成することによって、第１のエミッタのｐコンタクトを電気的に接続し、第２のエミッタのｐコンタクトを電気絶縁層によってｐ接続層から電気的に絶縁するステップと、を含む。【選択図】図１Ａ
2019075563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオードバー（１０）の製造方法であって、
レーザー放射の形成に適した活性層（４）とｐコンタクト（６）とｎコンタクト（７）とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体（９）を含む、並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を形成するステップと、
各前記エミッタ（１，２）の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性を検査し、当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタ（１）を、第１のエミッタ（１）のグループに割り当て、少なくとも１つの当該光学特性および／または電気特性が前記設定された目標値範囲を外れるエミッタ（２）を、第２のエミッタ（２）のグループに割り当てるステップと、
少なくとも前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクト（６）上に電気絶縁層（８）を形成するステップと、
前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）上にｐ接続層（１４）を形成することによって、前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）を電気的に接続し、前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクトを前記電気絶縁層（８）によって前記ｐ接続層（１４）から電気的に絶縁するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ｐ接続層（１４）ははんだ層であり、
前記レーザーダイオードバー（１０）は、前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（６）が設けられる第１の主面（１１）で、前記はんだ層を介して支持体（１３）に接続される、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記電気絶縁層（８）は、レジストまたは色素を含み、かつ選択的に前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクト（６）上に形成される、
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記電気絶縁層（８）は、前記第１のエミッタ（１）および前記第２のエミッタ（２）の各前記ｐコンタクト（６）上に形成されるフォトレジスト層を含み、
前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）上の前記フォトレジスト層を露光し、その後除去し、
前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクト（６）上の前記フォトレジスト層は露光せず、除去しない、
請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
前記電気絶縁層（８）は、前記第１のエミッタ（１）および前記第２のエミッタ（２）の各前記ｐコンタクト（６）上に形成される酸化物層を含み、
前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）から前記酸化物層を除去する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエミッタ（１）および前記第２のエミッタ（２）の各前記ｐコンタクト（６）は、金を含み、かつ前記電気絶縁層（８）の形成前に酸素プラズマによって処理され、これにより前記ｐコンタクト（６）の表面に金酸化物層（１７）が形成され、
前記金酸化物層（１７）は、前記電気絶縁層（８）の形成後、前記第１のエミッタ（１）の駆動時に生じる熱によって少なくとも部分的に分解され、これにより、前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）上の前記電気絶縁層（８）は、前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクト（６）上に比べて接着性が低下し、
前記電気絶縁層（８）は、前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）から少なくとも部分的に剥離される、
請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記半導体積層体（９）は、窒化物半導体材料を含む、
請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を含む、レーザーダイオードバーであって、
前記エミッタ（１，２）は、レーザー放射の形成に適した活性層（４）とｐコンタクト（６）とｎコンタクト（７）とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体（９）を含み、
前記エミッタ（１，２）は、電気的に接続された第１のエミッタ（１）のグループと、電気的に接続されない第２のエミッタ（２）のグループとを含み、
前記第１のエミッタ（１）の前記ｐコンタクト（６）は、ｐ接続層（１４）を介して、電気的に接続されており、かつ
前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクト（６）は、電気絶縁層（８）によって前記ｐ接続層（１４）から分離されており、電気的に接続されていない、
レーザーダイオードバー。
【請求項９】
前記ｐ接続層（１４）ははんだ層であり、
前記レーザーダイオードバー（１０）は、前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（６）が設けられる第１の主面（１１）で、前記はんだ層を介して支持体（１３）に接続されている、
請求項８記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１０】
前記電気絶縁層（８）は、レジストまたは色素を含む、
請求項８または９記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１１】
前記電気絶縁層（８）は、フォトレジスト層である、
請求項８または９記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１２】
前記電気絶縁層（８）は、酸化物層である、
請求項８または９記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１３】
前記電気絶縁層（８）は、ケイ素酸化物層である、
請求項１２記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１４】
前記第２のエミッタ（２）の前記ｐコンタクト（６）と前記電気絶縁層（８）との間に、金酸化物層（１７）が設けられている、
請求項１２または１３記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１５】
前記半導体積層体（９）は、窒化物半導体材料を含む、
請求項８から１４までのいずれか１項記載のレーザーダイオードバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーダイオードバーの製造方法およびこの方法によって製造可能なレーザーダイオードバーに関する。
【０００２】
本願は、独国特許出願第１０２０１７１２３７５５．０号の優先権を主張し、その開示内容は引用により本願に含まれるものとする。
【０００３】
特に、窒化物半導体材料、特にＩｎＡｌＧａＮをベースとしたレーザーダイオードバーのための方法が存在する。こうしたレーザーダイオードバーは、特に可視スペクトル領域の放射を放出することができる。しかし、窒化物半導体から効率の良いレーザーダイオードバーを製造することは困難である。なぜなら、当該材料系では、他の材料系、例えばＩｎＡｌＧａＡｓに比べて、高い欠陥密度が生じうるからである。
【０００４】
解決すべき課題の１つは、改善された効率を特徴とするレーザーダイオードバーおよびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
この課題は、各独立請求項に記載のレーザーダイオードバーの製造方法およびレーザーダイオードバーによって解決される。本発明の有利な構成および発展形態は、各従属請求項の対象となっている。
【０００６】
レーザーダイオードバーの製造方法の少なくとも１つの実施形態によれば、並んで設けられる複数のエミッタが製造され、各エミッタは有利には別個に電気的に接続可能である。各エミッタは、特に、レーザー放射の放出に適するそれぞれ１つずつの半導体積層体を含む。各エミッタの半導体積層体は、例えばそれぞれ１つのｎ型半導体領域、ｐ型半導体領域、およびこれらの間に設けられる、レーザー放射の形成に適した活性層を含む。ｎ型半導体領域、活性層およびｐ型半導体領域は、それぞれ１つもしくは複数の部分層を含んでもよい。ｎ型半導体領域、活性層およびｐ型半導体領域が１つもしくは複数の非ドープ層を含む構成も可能である。
【０００７】
さらに、各エミッタは、それぞれ１つのｐコンタクトおよびｎコンタクトを有する。好ましくは、エミッタのｐコンタクトは、レーザーダイオードバーの第１の主面に設けられ、ｎコンタクトは、その反対側の、レーザーダイオードバーの第２の主面に設けられる。言い換えれば、ｐコンタクトおよびｎコンタクトは、活性層から見て相互に反対側にある。一構成では、エミッタは、共通の１つのｎコンタクトと別個の複数のｐコンタクトとを有する。ｐコンタクトおよび／またはｎコンタクトは、特に、金属または金属合金から形成されるコンタクトパッド、例えば金を含むかまたは金から形成されるコンタクトパッドであってもよい。
【０００８】
第１の主面は、支持体、例えばヒートシンクに面し、レーザーダイオードバーのための実装面として用いることができる。第２の主面は、レーザーダイオードバーの、支持体とは反対の側の表面であってもよい。
【０００９】
本方法では、エミッタの少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が検査される。この場合、当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタが第１のエミッタのグループに割り当てられる。他方、光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲を外れるエミッタが第２のエミッタのグループに割り当てられる。
【００１０】
第１のエミッタのグループまたは第２のエミッタのグループへの各エミッタの割り当ては、例えば、エミッタのテストモードの実行、およびその際の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性の測定により、行うことができる。テストモードでは、各エミッタを少なくとも一時的に電気的に接続して電流により駆動することができる。電気特性および／または光学特性は、特には、設定された電流強度での放出強度であってもよい。また、エミッタで検査される光学特性および／または電気特性は、例えば、エミッタのレーザー放出が開始される閾値電流強度であってもよい。
【００１１】
少なくとも１つの実施形態によれば、さらなるステップにおいて、電気絶縁層が少なくとも第２のエミッタのｐコンタクト上に形成される。電気絶縁層は、特にｐコンタクトの、半導体積層体とは反対の側の表面および側面の双方において、第２のエミッタのｐコンタクトを有利には完全に覆う。
【００１２】
少なくとも１つの実施形態によれば、後続の方法ステップで、第１のエミッタのｐコンタクトが電気的に接続される。このために、第１のエミッタのｐコンタクト上にｐ接続層が形成される。ｐ接続層は、例えば、金属層、特にははんだ層である。ｐ接続層は、特には、第１の主面に設けられたｐコンタクト上に全面にわたって形成することができる。第２のエミッタは、有利には予め形成された電気絶縁層によりｐ接続層から分離され、したがって電気的に接続されない。第２のエミッタが電気的に接続されないので、第２のエミッタには、レーザーダイオードバーの動作中、電流は供給されない。
【００１３】
ここで提案されている動作方式の方法により、完成したレーザーダイオードバーの動作時に、検査された少なくとも１つの電気特性および／または光学特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタのみへの電流供給が達成される。こうした手段により、有利には、レーザーダイオードバーの動作時に、例えば製造差および／または欠陥のために放射の放出に全くもしくは少なくとも充分には寄与しないエミッタに電流が供給されることが防止される。
【００１４】
第２のエミッタのグループは、特には、設定された動作電流強度のもとで閾値電流強度が超過されない、エラーを有するエミッタを含みうる。こうしたエラーを有するエミッタはここで説明している方法では電気的に接続されないことにより、完成したレーザーダイオードバーの動作時にこれらのエミッタに電流が流れてしまい、放射放出に寄与しないにもかかわらずレーザーダイオードバーの加熱の原因となることが防止される。つまり、エラーを有するエミッタの電気的接続を回避することにより、レーザーダイオードバーの電流消費が低減され、効率が改善される。
【００１５】
少なくとも１つの構成によれば、ｐ接続層ははんだ層である。特に、レーザーダイオードバーが、エミッタのｐコンタクトが設けられた第１の主面で、当該はんだ層を介して支持体に接続される構成が可能である。支持体は、特に、レーザーダイオードバーに対するヒートシンクであってもよい。
【００１６】
少なくとも１つの構成によれば、電気絶縁層は、レジストまたは色素を含み、選択的に第２のエミッタのｐコンタクト上に形成される。レジストまたは色素は、特には、インクジェットプロセス（Inkjet法）によって選択的に第２のエミッタのｐコンタクト上に形成することができる。「選択的に」とは、ここでは、第１のエミッタのｐコンタクトがレジストまたは色素を含まないままとされることを意味する。
【００１７】
代替構成によれば、電気絶縁層は、第１のエミッタおよび第２のエミッタの各ｐコンタクト上に形成されるフォトレジスト層を含む。当該フォトレジスト層は、特にはレーザーダイオードバーの第１の主面の全面にわたって形成可能であり、これにより、第１のエミッタのｐコンタクトおよび第２のエミッタのｐコンタクトの双方が当該フォトレジストによって覆われる。フォトレジスト層は、有利には、別のステップにおいて、第１のエミッタのｐコンタクトから除去され、これにより第１のエミッタの各ｐコンタクトが露出し、ｐ接続層の形成時に電気的に接続される。第１のエミッタからのフォトレジスト層の除去は、特に、第１のエミッタのｐコンタクト上のフォトレジスト層の露光および現像、さらに第１のエミッタからの再除去により、行うことができる。露光は特にはＵＶ光によって行うことができる。これとは異なり、第２のエミッタの各ｐコンタクト上のフォトレジスト層は露光されず、再除去されない。
【００１８】
代替構成によれば、電気絶縁層は、第１のエミッタおよび第２のエミッタの各ｐコンタクト上に形成される酸化物層を含み、この酸化物層は、後に第１のエミッタのｐコンタクトから除去される。当該酸化物層は、好ましくはケイ素酸化物層、特にはＳｉＯ２層である。酸化物層は、例えばまずレーザーダイオードバーの第１の主面上に全面にわたって形成でき、これにより、第１のエミッタのｐコンタクトも第２のエミッタのｐコンタクトもこの酸化物層によって覆われる。酸化物層の形成は、例えば、真空コーティング法、特にＣＶＤプロセスによって行われる。
【００１９】
電気絶縁層が酸化物層として形成される場合、第１のエミッタおよび第２のエミッタの各ｐコンタクトは、特に金を含むことができ、これを酸化物層の形成前に酸素プラズマによって処理して、各ｐコンタクトの表面に金酸化物層を形成することができる。続いて、電気絶縁層、特にケイ素酸化物層が、当該金酸化物層上に形成される。さらなるステップでは、第１のエミッタが電気的に駆動され、金酸化物層を少なくとも部分的に分解させる熱が形成されて、これにより、第１のエミッタのｐコンタクト上の電気絶縁層の接着性が、第２のエミッタのｐコンタクト上での接着性よりも低くなる。
【００２０】
金酸化物層を分解させるための第１のエミッタの動作は、好ましくは、レーザーダイオードバーの動作に対して設定された出力よりも格段に高い出力で行われ、これにより金酸化物層の分解に充分な熱が形成される。金酸化物層は、特には少なくとも１６０℃の温度から、ＡｕとＯ２とへ分解する。このような高い温度を得るために、レーザーダイオードバーの通常動作時よりも高い電流強度、および／またはパルス動作の場合にはより高いデューティ比（duty cycle）を使用することができる。
【００２１】
続いて、電気絶縁層が第１のエミッタのｐコンタクトから少なくとも部分的に剥離され、これにより、このｐコンタクトを露出させ、ｐ接続層の形成により電気的接続を行うことができる。第１のエミッタのｐコンタクトからの電気絶縁層の剥離は、特には接着テープ剥離（Tape Lift-Off）によって行うことができる。ここでは、接着テープがｐコンタクト上に被着され、その剥離の際に、第１のエミッタのｐコンタクトとの低い接着性によって酸化物層が剥離される。
【００２２】
本方法は、窒化物半導体材料をベースとした半導体積層体を含むレーザーダイオードバーにとって特に有利である。当該半導体積層体は、特には、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ［０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１かつｘ＋ｙ≦１］の材料系から形成される層を含むことができる。窒化物半導体層の製造の際には、他の材料系、例えばヒ化物半導体材料に比べて、高い欠陥密度が生じることがある。このことは特に、各エミッタの閾値電流強度が相互に偏差してしまう事態をまねきうる。したがって、設定された動作電流強度においても、レーザーダイオードバーの個々のエミッタがレーザー光を放出しないのに電流を消費し、レーザーダイオードバーの加熱の原因となることが起こりうる。ここで説明している方法では、エラーを有するエミッタを製造時に特定し、レーザーダイオードバーの完成時に電気的に接続しないことにより、当該効果が低減される。
【００２３】
さらに、特に上述した方法によって製造可能なレーザーダイオードバーが提供される。少なくとも１つの構成によれば、当該レーザーダイオードバーは、並んで設けられた複数のエミッタを含む。エミッタは、レーザー放射の形成に適した活性層とｐコンタクトとｎコンタクトとを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体を含む。ここでは特に、全てのエミッタがレーザーダイオードである。エミッタのｐコンタクトは、好ましくは、レーザーダイオードバーの第１の主面に設けられ、ｎコンタクトは、第１の主面の反対側の、レーザーダイオードバーの第２の主面に設けられる。エミッタのｎコンタクトは、レーザーダイオードバーの全てのエミッタに共通のｎコンタクトとして形成可能である。
【００２４】
エミッタの放出方向は、特には相互に平行に延在する。レーザーダイオードバーは、好ましくは第１のファセット面および第２のファセット面を有し、これらのファセット面は、エミッタ用の、好ましくは反射コーティングを有するレーザーレゾネータの形成のために設けられる。ファセット面のうち１つは、この場合、有利にはレーザー放射のための放射出射面として機能し、好ましくは反対側のファセット面よりも低い反射率を有する。
【００２５】
レーザーダイオードバーは、好ましくは、電気的に接続される第１のエミッタのグループと、電気的に接続されない第２のエミッタのグループとを含む。特に、第１のエミッタでは、ｐコンタクトおよびｎコンタクトの双方がそれぞれ電気的に接続され、これにより、当該エミッタにはレーザーダイオードバーの動作時に電流が供給される。第１のエミッタのｐコンタクトは、それぞれ、ｐ接続層を介して電気的に接続される。第２のエミッタのｐコンタクトは、電気絶縁層によってｐ接続層から分離される。第２のエミッタでは、ｐコンタクトは電気的に接続されず、このため第２のエミッタにはレーザーダイオードバーの動作時に電流は供給されない。
【００２６】
少なくとも１つの実施形態によれば、ｐ接続層ははんだ層であり、レーザーダイオードバーは、エミッタのｐコンタクトが設けられた第１の主面で、はんだ層を介して支持体に接続される。
【００２７】
レーザーダイオードバーの一構成によれば、電気絶縁層は、レジストまたは色素を含む。この場合、電気絶縁層を有利にはインクジェットプロセスによって形成することができる。
【００２８】
別の構成では、電気絶縁層はフォトレジスト層である。
【００２９】
さらに別の構成では、電気絶縁層は酸化物層、特にケイ素酸化物層である。当該構成では、第２のエミッタのｐコンタクトと電気絶縁層との間に金酸化物層を設けることができる。
【００３０】
レーザーダイオードバーの半導体積層体は、特に、窒化物半導体材料をベースとしたものである。レーザーダイオードバーは、特には、青色、緑色またはＵＶのスペクトル領域の波長を有する放射を放出するように構成可能である。
【００３１】
レーザーダイオードバーのさらなる有利な構成は、上述した製造方法の説明から得られ、また逆に、製造方法のさらなる有利な構成は、レーザーダイオードバーの説明から得られる。
【００３２】
本発明を以下に、図１〜図３に関連した実施例に即して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】第１の実施例によるレーザーダイオードバーを示す概略的な断面図である。
【図１Ｂ】第１の実施例における第１のエミッタを示す概略的な断面図である。
【図１Ｃ】第１の実施例における第２のエミッタを示す概略的な断面図である。
【図２Ａ】第２の実施例のエミッタを示す概略的な断面図である。
【図２Ｂ】第２の実施例のエミッタを示す概略的な平面図である。
【図３Ａ】一実施例によるレーザーダイオードバーの製造方法の一中間ステップにおけるエミッタを示す概略的な断面図である。
【図３Ｂ】一実施例によるレーザーダイオードバーの製造方法の一中間ステップにおけるエミッタを示す概略的な断面図である。
【図３Ｃ】一実施例によるレーザーダイオードバーの製造方法の一中間ステップにおけるエミッタを示す概略的な断面図である。
【図３Ｄ】一実施例によるレーザーダイオードバーの製造方法の一中間ステップにおけるエミッタを示す概略的な断面図である。
【図３Ｅ】一実施例によるレーザーダイオードバーの製造方法の一中間ステップにおけるエミッタを示す概略的な断面図である。
【００３４】
図中、同じ要素または同様の作用を有する要素には同じ参照番号を付してある。図示の各要素およびその相互の寸法比は縮尺通りでないことに注意されたい。
【００３５】
図１のＡには、レーザーダイオードバー１０の一実施例が概略的に断面図で示されている。レーザーダイオードバー１０は、並んで設けられた複数のエミッタ１，２を有する。第１のエミッタ１および第２のエミッタ２の拡大図は、図１のＢ，Ｃに示されている。エミッタ１，２はそれぞれ１つずつの半導体積層体９を含み、この半導体積層体９は、ｎ型半導体領域３、ｐ型半導体領域５、およびｎ型半導体領域３とｐ型半導体領域５との間に設けられた活性層４とを有する。ｐ型半導体領域５は、リブ導波体（リッジ）として形成可能である。この場合、ｐ型半導体領域５の少なくとも一部は、特に放出領域を半導体積層体の幅よりも狭い領域へ集中させるために、例えばエッチングプロセスによってウェブとなるまで狭められる。
【００３６】
半導体積層体９は、特に、窒化物半導体をベースとしたものであってもよい。これは、ここでの関連においては、半導体積層体９またはその少なくとも１つの層が、ＩＩＩ族窒化物半導体材料、好ましくはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ［０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１かつｘ＋ｙ≦１］を含むことを意味する。この場合、当該材料は、必ずしも数学的に厳密に上掲式にしたがった組成を有さなくてもよい。むしろ、１つもしくは複数のドープ物質および付加的な成分を含むことができる。ただし、簡明性のために、上掲式には、部分的に少量の別の物質によって置換可能であっても、結晶格子（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｎ）の主要成分しか含めていない。
【００３７】
活性層４は、例えばｐｎ接合部として、ダブルヘテロ構造として、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として形成可能である。ここで、量子井戸構造なる語は、電荷担体が閉じ込め（Confinement）によってエネルギ状態の量子化を受ける構造を含む。特に、量子井戸構造なる語は、量子化の次元に関する情報を含まない。したがって、当該語は、とりわけ、量子井戸、量子ワイヤ、量子ドットおよびこれらの構造の全ての組み合わせを含む。
【００３８】
レーザーダイオードバー１０の、並んで設けられたエミッタ１，２は、それぞれ、第１の主面１１にｐコンタクト６を、第１の主面１１とは反対側の第２の主面１２にｎコンタクト７を含む。当該実施例では、エミッタ１，２は、１つの共通のｎコンタクト７と別個の複数のｐコンタクト６とを含む。
【００３９】
エラーを有するエミッタ２を識別するために、レーザーダイオードバー１０の本製造方法では、有利には、エミッタ１，２の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が検査される。エミッタ１，２の検査は、特に、少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が測定されるよう、各エミッタの光学監視および／またはエミッタ１，２のプローブを用いた電気的接続を含む。例えば、設定された電流強度での放出強度および／またはエミッタ１，２のレーザー放出が開始される閾値電流強度を求めることができる。検査された少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が目標値範囲内にあるエミッタ１は、第１のエミッタ１のグループに割り当てられ、レーザーダイオードバー１０の完成時に電気的に接続される。他方、検査された少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲に入らない、エラーを有するエミッタ２は、第２のエミッタ２のグループに割り当てられ、レーザーダイオードバー１０の完成時に電気的に接続されない。
【００４０】
第２のエミッタ２が電気的に接続されないため、第２のエミッタ２のｐコンタクト６には、レーザーダイオードバーの製造方法において、電気絶縁層８が設けられる。これとは異なり、第１のエミッタ１のｐコンタクトには電気絶縁層８は設けられず、または電気絶縁層８がその形成後に第１のエミッタ１から除去される。レーザーダイオードバーをｐ側で電気的に接続するために、ｐ接続層１４がｐコンタクト６上に形成される。ｐ接続層１４は、特には、レーザーダイオードバー１０を支持体１３上に固定するためのはんだ層であってもよい。
【００４１】
第２のエミッタ２のｐコンタクト６が電気絶縁層によって覆われていることにより、このｐコンタクト６は、ｐ接続層１４には電気的に接続されない。よって、第２のエミッタ２は、レーザーダイオードバー１０の動作時に電流が供給されない。この手段により、有利には、欠陥を有するかまたは充分に放射放出に寄与しないエミッタ２への電流供給を遮断できる。そうしないと、こうしたエラーを有するエミッタ２は、レーザーダイオードバー１０の動作時に、放射放出には寄与しないのに、損失熱を形成し、レーザーダイオードバー１０の加熱の原因となる。エラーを有する第２のエミッタ２に電流が供給されないことにより、有利には、レーザーダイオードバー１０の効率が高まる。
【００４２】
第２のエミッタ２上への電気絶縁層８の形成は、レーザーダイオードバー１０の本製造方法では、例えばインクジェットプロセスによって行うことができる。当該構成では、電気絶縁層８はレジストまたは色素を含み、マスク無しでの印刷プロセスによって直接に第２のエミッタ２上に形成される。
【００４３】
図２のＡ，Ｂには、別の実施例のレーザーダイオードバー１０のエミッタ１，２が断面図および平面図で示されている。当該実施例では、電気絶縁層８はフォトレジスト層である。フォトレジスト層は、例えば、製造時に、ウェハ接合体内の複数のレーザーダイオードバー上に同時に形成可能である。フォトレジスト層にはコンタクトウィンドウ１６が形成されている。コンタクトウィンドウ１６とは、エミッタ１，２をそれぞれ実装前にテスト可能にするための、フォトレジスト層８内の開口部である。特には、エミッタのテストにおいて例えば電気特性を測定するため、コンタクトウィンドウ１６を通してテストニードルをｐコンタクト６まで導入することができる。
【００４４】
フォトレジスト層８およびコンタクトウィンドウ１６の厚さは、好ましくは、レーザーダイオードバーを支持体に実装する際にはんだがｐコンタクト６へ浸出しないように設計されている。フォトレジスト層８は、有利には１μｍ〜１０μｍの厚さ、好ましくは２μｍ〜６μｍの厚さを有する。コンタクトウィンドウ１６は、有利には、半導体レーザーのレゾネータ軸に沿った４ｍｍ未満の長さを有し、この長さに対して垂直な方向の幅は１ｍｍ未満となる。好ましくは、コンタクトウィンドウ１６の長さは、１００μｍ〜２００μｍであり、幅は５０μｍ〜１００μｍである。
【００４５】
コンタクトウィンドウ１６を電気絶縁層８内に形成することに代えて、テストニードルが電気絶縁層８を貫通する構成も可能である。これは特に、電気絶縁層８がフォトレジスト層である場合に可能である。電気絶縁層８がフォトレジスト層として形成されている場合、エミッタ１，２のテスト後、この電気絶縁層８は、少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が目標値範囲内にある第１のエミッタ１から除去される。これは特に、第１のエミッタ１上のフォトレジスト層を露光し、このフォトレジスト層を現像して除去することにより実行可能である。これに対して、第２のエミッタ２からはフォトレジスト層は除去されず、電気絶縁層８として第２のエミッタ２上にとどまり、これによりそのｐコンタクト６がｐ接続層の実装時に電気的に絶縁される。
【００４６】
図３Ａ〜図３Ｅには、レーザーダイオードバーの製造方法の各中間ステップでのレーザーダイオードバー１０のエミッタ１，２が示されている。図３Ａに示されている方法ステップでは、エミッタのｐコンタクト６のプラズマ処理が行われ、ここでプラズマは酸素プラズマである。酸素プラズマにより、ｐコンタクト６の表面に薄い酸化物層が形成される。ｐコンタクト６は特には金を含みうるので、プラズマ処理により、その表面には薄い金酸化物層１７が形成される。
【００４７】
図３Ｂに示されている中間ステップでは、金酸化物層１７上に電気絶縁層８が形成される。電気絶縁層８は、当該実施例では、酸化物層、特にはケイ素酸化物層である。ケイ素酸化物層８は、好ましくはＣＶＤプロセスにより形成される。エミッタ１，２の検査が電気絶縁層８の形成後に行われる場合、電気絶縁層８には、図２のＡ，Ｂの実施例におけるように、コンタクトウィンドウが形成される（ここでは図示していない）。
【００４８】
図３Ｃに示されている中間ステップでは、テストにおいて少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が目標値範囲内にある第１のエミッタ１が、金酸化物層１７が完全にまたは少なくとも部分的に分解される熱を生じる程度に高い電流強度で駆動される。エミッタ１は、特には金酸化物層が少なくとも１６０℃の温度まで加熱されるにいたる電流強度で駆動される。少なくとも１６０℃の温度で、金酸化物層はＡｕとＯ２とへ分解する。少なくとも部分的に分解された、第１のエミッタ１の金酸化物層１７ｂにより、第１のエミッタ１のｐコンタクト６上の電気絶縁層８は、金酸化物層が熱分解されない第２のエミッタ２上よりも低い接着性を有する。
【００４９】
電気絶縁層８、特にケイ素酸化物層の低い接着性により、この電気絶縁層８を比較的容易に第１のエミッタ１のｐコンタクト６から除去することができる。これは、例えば、図３Ｄに示されているように、接着テープ剥離によって行うことができる。当該構成では、接着テープ１８がエミッタ１，２の電気絶縁層８上に被着される。接着テープ１８の剥離の際に、低い接着性により、電気絶縁層８が第１のエミッタ１から除去される。他方、金酸化物層の分解によって接着性が失われていない第２のエミッタ２上の電気絶縁層８は、残留する。
【００５０】
図３Ｅに示されているように、第１のエミッタ１のｐコンタクト６は、接着テープの剥離後に露出される。当該ｐコンタクト６は、レーザーダイオードバーを支持体に実装する際に、例えばはんだ層を介して電気的に接続可能である。
【００５１】
本発明は、実施例に即した説明に限定されない。むしろ、本発明は、新規な特徴の全て、および特に特許請求の範囲の特徴の組み合わせの全てを含む、特徴の組み合わせの全てが、それ自体特許請求の範囲または実施例に明示的に示されていなくても、これらの特徴の全ておよびその組み合わせの全てを含む。
【符号の説明】
【００５２】
１  第１のエミッタ
２  第２のエミッタ
３  ｎ型半導体領域
４  活性層
５  ｐ型半導体領域
６  ｐコンタクト
７  ｎコンタクト
８  電気絶縁層
９  半導体積層体
１０  レーザーダイオードバー
１１  第１の主面
１２  第２の主面
１３  支持体
１４  ｐ接続層
１５  放出領域
１６  コンタクトウィンドウ
１７  金酸化物層
１７ｂ  分解された金酸化物層
１８  接着テープ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【外国語明細書】
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