(57)【要約】【課題】高い温度で焼成する場合でも、所望の形状の溝部や空間部を容易に形成することができる基板の製造方法を提供すること。【解決手段】セラミック基板１を製造する場合には、消失材料として窒化ホウ素を含む窒化ホウ素ペーストを用いるとともに、セラミック基板１の材料の一部に軟化温度が８００℃以上のホウ珪酸系ガラスを用いる。そして、酸化雰囲気中にて９５０℃以上で焼成する焼成条件にて、同時焼成を行って、溝部３を有するセラミック基板１を製造する。このような製造方法によってセラミック基板１を製造するので、９５０℃以上の高い温度で焼成した場合でも、所望の形状の溝部３を容易に形成することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料から形成された基板シートに、焼成時に消失する消失材料を用いて消失パターンを形成し、前記基板シートと前記消失パターンと同時焼成することにより、溝部又は空間部を有する基板を製造する基板の製造方法において、
前記消失材料として窒化ホウ素を含む材料を用いるとともに、前記基板材料の一部に軟化温度が８００℃以上の材料を用い、
酸化雰囲気中にて９５０℃以上で焼成する焼成条件、又は、不活性雰囲気中にて１８００℃以上で焼成する焼成条件にて、前記同時焼成を行って、前記溝部又は空間部を有する基板を製造する、
基板の製造方法。
【請求項２】
前記消失材料は、窒化ホウ素を含む窒化ホウ素ペーストである、
請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記消失材料は、窒化ホウ素を含む固体材料である、
請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板材料は、セラミックを主成分とするセラミック材料であり、前記基板はセラミックを主成分とするセラミック基板である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子部品のパッケージ、無線通信モジュール基板、制御回路用基板、半導体検査装置などに用いられるセラミック基板等の基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、セラミック基板に流路や空路等となる凹凸や空間を形成する方法として、グリーンシート内に脱脂や焼成により消失する樹脂やカーボン等の消失材料を埋め込み、グリーンシートを焼成する際に消失材料を消失させて、セラミック基板に凹凸や空間を形成する方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、固体電解質形燃料電池の製造方法において、樹脂製のフィルムを用いたり、８００℃未満の温度で焼成することで消失する材料を用いて、流路を形成する方法が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、積層セラミック電子部品の製造方法において、有機バインダを主成分とし、セラミック粉末を含有していない熱消失シートを用いる技術が開示されている。
【０００５】
さらに、特許文献３には、放電表示装置の粉末状隔壁焼成材において、ペースト状の樹脂製の消失材を充填するのではなく、粉末状で充填する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１２８０２４号公報
【特許文献２】特開２０１６−２０１５０３号公報
【特許文献３】特開２００１−３４３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した従来技術では、下記のような問題があり、その改善が求められていた。
例えば、消失材としてカーボンを用いる場合には、カーボンは効率よく消失しないので、焼成後に、セラミック基板にカーボンの残渣が残ることがあった。
【０００８】
この対策として、カーボンを効率良く消失させるために、特別な焼成プロファイルを設定すると、焼成時間が長期化することがあった。
また、残渣がセラミック基板内やセラミック基板に設けられた電極内に残存する場合には、欠陥、クラック、ボイド等の原因となることが知られている。
【０００９】
さらに、カーボンを用いるときには、８００℃未満の温度域より消失が始まるため、それより高温でセラミック基板内のガラス等の成分が軟化流動する場合には、流路形成が妨げられる（例えば流路が塞がる）等の不具合が発生することがあった。
【００１０】
一方、樹脂を用いる場合には、多くの樹脂は３５０℃未満の低温域で消失するため、それより高温でセラミック基板内のガラス等の成分が軟化流動する場合には、カーボンを用いる場合と同様に、流路形成が妨げられる等の不具合が発生することがあった。
【００１１】
つまり、上述した従来技術では、高温で焼成を行ってセラミック基板等の基板を製造する場合に、基板に所望の形状の流路などを形成することは容易ではなかった。
本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い温度で焼成する場合でも、所望の形状の溝部や空間部を容易に形成することができる基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）本開示の第１局面は、基板材料から形成された基板シートに、焼成時に消失する消失材料を用いて消失パターンを形成し、基板シートと消失パターンと同時焼成することにより、溝部又は空間部を有する基板を製造する基板の製造方法に関するものである。
【００１３】
この基板の製造方法では、消失材料として窒化ホウ素を含む材料を用いるとともに、基板材料の一部に軟化温度が８００℃以上の材料を用い、酸化雰囲気中にて９５０℃以上で焼成する焼成条件、又は、不活性雰囲気中にて１８００℃以上で焼成する焼成条件にて、同時焼成を行って、溝部又は空間部を有する基板を製造する。
【００１４】
本第１局面では、上述した条件にて基板を製造するので、９５０℃以上の高い温度で焼成した場合でも、所望の形状の溝部や空間部を容易に形成することができる。
ここで、本開示の原理について説明する。
【００１５】
窒化ホウ素は、大気等の酸化雰囲気中で、９５０℃以上の温度で焼成を行うと、窒化酸化物（ＮＯｘ）とホウ酸とになる性質がある。同様に、不活性雰囲気中で、１８００℃以上の温度で焼成を行うと、窒化酸化物とホウ酸とになる性質がある。しかも、上記温度では、窒素酸化物はガスとして消失し、ホウ酸の沸点は３００℃であるので、ホウ酸も消失する。
【００１６】
従って、消失材料として窒化ホウ素を含む材料（例えば窒化ホウ素ペースト）を用いて、基板シートに消失パターンを形成して、同時焼成することにより、消失パターンの窒化ホウ素を効率良く消失させることができる。そのため、所望の形状の溝部や空間部を容易に形成できる。
【００１７】
このように、本第１局面では、上述した製造方法によって、９５０℃以上の高温で焼成した場合でも、カーボンや樹脂を使用した場合のような流路の変形や閉塞等の不具合の発生を抑制して、基板の表面や内部に、目的とする形状の溝部や空間部を容易に形成することができる。
【００１８】
また、上述した消失材料を用いて、例えばスクリーン印刷によって消失パターンを形成する等の方法によって、微細な溝部や空間部を精度良く形成することができる。
さらに、カーボンを使用しなくても、溝部や空間部を形成できるので、カーボンを使用することによる不具合、例えば基板に、欠陥、クラック、ボイド等の不具合が発生することを抑制できる。
【００１９】
（２）本開示の第２局面では、消失材料として、窒化ホウ素を含む窒化ホウ素ペーストを用いてもよい。
窒化ホウ素ペーストを用いて、例えばスクリーン印刷によって消失パターンを形成することにより、微細な溝部や空間部を精度良く形成することができる。
【００２０】
（３）本開示の第３局面では、消失材料としては、窒化ホウ素を含む固体材料を用いてもよい。
例えば樹脂材料中に窒化ホウ素を添加した消失材料（例えばフィルム等）を、基板シー
トの溝部や空間部を形成したい箇所に配置して同時焼成することにより、溝部や空間部を容易に形成することができる。
【００２１】
（４）本開示の第４局面では、基板材料は、セラミックを主成分とするセラミック材料であってもよく、基板はセラミックを主成分とするセラミック基板であってもよい。
本第４局面は、好ましい基板材料や基板を例示したものである。
【００２２】
＜以下に、本開示の各構成等について説明する＞
・基板シートとしては、１層のシートからなる基板シート又は複数のシートを積層した基板シートが挙げられる。
【００２３】
・シートとしては、未焼成のシートであるセラミックグリーンシートが挙げられる。なお、セラミックグリーンシートとは、固体成分としてセラミックを主成分とするシートである。なお、主成分とは、各成分中で最も多い成分（例えば５０体積％以上）である。
【００２４】
・溝部とは、基板の表面に形成された凹部であり、空間部とは、基板内部に形成された流路等の空間である。
・消失材料としては、窒化ホウ素以外に、樹脂成分が含まれていてもよい。
【００２５】
・酸化雰囲気としては、大気雰囲気が挙げられる。不活性雰囲気としては、窒素雰囲気等の非酸化雰囲気が挙げられる。
・窒化ホウ素ペーストとしては、窒化ホウ素以外に、ペースト化用の成分、例えばバインダや溶剤が含まれていてもよい。
【００２６】
・軟化温度が８００℃以上の材料としては、例えばホウ珪酸系ガラス、アルミノ珪酸系ガラス、石英ガラス等が挙げられる。
・セラミックとしては、例えばアルミナ、ムライト、コージェライト等を採用できる。また、セラミック以外には、例えばガラスや金属酸化物等の焼結助剤を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態のセラミック基板を厚み方向に破断した断面を示す断面図である。
【図２】第１実施形態のセラミック基板の製造方法を示す説明図である。
【図３】第２実施形態のセラミック基板の製造方法を示す説明図である。
【図４】実験例１の実験結果を示し、実施例の窒化ホウ素と比較例のカーボンとを用いた場合の消失パターンのプレス前後の高さを示すグラフである。
【図５】実験例２に用いるセラミック基板を示す斜視図である。
【図６】実験例２において拡大鏡を用いて撮影した実施例及び比較例の基板シートの空間部対応部分を示す写真である。
【図７】実験例２において拡大鏡を用いて撮影した実施例及び比較例のセラミック基板の空間部対応部分を示す写真である。
【図８】実験例３において走査型電子顕微鏡を用いて撮影した実施例及び比較例のセラミック基板の空間部対応部分を示すＳＥＭ写真である。
【図９】実験例４において拡大鏡を用いて撮影した実施例及び比較例の消失パターンの形状を示す写真である。
【図１０】実験例５において拡大鏡を用いて撮影した実施例及び比較例の溝部の形状を示す写真である。
【図１１】実験例６における実施例及び比較例の拡大鏡による写真と高速高精度形状測定システムによる３Ｄ画像とを示している。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
次に、本開示の基板の製造方法の実施形態について説明する。
［１．第１実施形態］
ここでは、基板として、セラミック基板を例に挙げて説明する。
【００２９】
［１−１．セラミック基板の構成］
まず、第１実施形態の製造方法によって製造されるセラミック基板について説明する。
図１に示す様に、本第１実施形態のセラミック基板１は、例えばアルミナとホウ珪酸系ガラスとを主成分とする平板形状の基板であり、その表面に凹部（キャビティ）である溝部３が形成されている。
【００３０】
このセラミック基板１の材料としては、焼成時に結晶化するアルミナ等のセラミック成分と、軟化温度が８００℃以上のガラス成分が挙げられる。それ以外に、周知の焼結助剤成分が含まれていてもよい。
【００３１】
なお、溝部３の形状としては、例えば平面視（図１の上方から見た場合）で、長手方向に延びる線状のものが挙げられるが、その幅には限定はなく、各種の凹状の構成を採用できる。
【００３２】
［１−２．セラミック基板の製造方法］
次に、第１実施形態のセラミック基板１の製造方法について説明する。
＜グリーンシートの作製＞
図２（ａ）に示すように、本第１実施形態では、上述したセラミック基板１の材料（基板材料）を用いて、グリーンシート５を作製した。
【００３３】
詳しくは、まず、セラミック原料粉末として、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３を主成分とするホウ珪酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末を用意した。なお、アルミナ粉末は、平均粒径２．０［μｍ］、比表面積３．０［ｍ２／ｇ］のものを使用した。また、ホウ珪酸ガラスの軟化温度は、８００℃以上（例えば９５０℃）である。
【００３４】
次に、シート成形時のバインダ成分（例えばアクリル樹脂からなるアクリル系バインダ）と、溶剤（例えばＩＰＡ・トルエン）と、可塑剤（例えばＤＯＰ：ジ・オクチル・フタレート）とを用意した。
【００３５】
次に、アルミナ製のポットに、上記のホウ珪酸ガラス粉末とアルミナ粉末とを、重量比５０：５０、総量１ｋｇとなるよう秤量して投入した。
これに、上記アクリル樹脂を１２０ｇと、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤（ＩＰＡ、トルエン）及び可塑剤（ＤＯＰ）とを、上記と同じポットに投入し、５時間混合することによりセラミックスラリーを得た。
【００３６】
得られたセラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、例えば厚み０．２５［ｍｍ］のグリーンシート５を得た。
＜窒化ホウ素ペーストの作製＞
また、焼成時に消失する消失材料として、窒化ホウ素を含む窒化ホウ素ペーストを作製した。
【００３７】
詳しくは、まず、主成分として、ＢＮ粉末を用意した。例えば、デンカ株式会社製／ＨＣグレード／ＳＰ３−７のＢＮ粉末を用意した。また、ペーストのワニス成分として、エチルセルロース樹脂とブチルカルビトール溶剤とを用意した。
【００３８】
そして、ＢＮ粉末とワニス成分とを、体積％で４０：６０の比率とし、これらを３本ロールミルにて混練して、窒化ホウ素ペーストを得た。
＜積層体の形成＞
次に、図２（ｂ）に示すように、グリーンシート５を複数層積層して積層体（基板シート）７を作製した。例えばグリーンシートを４層積層することにより、厚み１ｍｍの積層体である基板シート７を作製した。なお、基板シート７としては、グリーンシート単層であってもよい。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、基板シート７上に、窒化ホウ素ペースト用いて、例えばスクリーン印刷により、溝部３を形成したい場所に消失パターン９を形成した。
次に、図２（ｄ）に示すように、基板シート７上の消失パターン９を表面側（同図上方）よりプレスして、消失パターン９を基板シート７内に埋め込んだ。
【００４０】
＜同時焼成＞
次に、消失パターン９を埋め込んだ基板シート７を、脱脂した後に、所定の焼成温度にて同時焼成した。例えば、酸化雰囲気中（例えば大気中）にて同時焼成する場合には、焼成温度は９５０℃以上（例えば１０００℃）とする。また、不活性雰囲気（例えば窒素）中にて同時焼成する場合には、焼成温度は１８００℃以上（例えば１８２０℃）とする。
【００４１】
詳しくは、消失パターン７を埋め込んだ基板シート７を、昇降温速度を２℃／ｍｉｎとし、脱脂温度２５０℃で５時間保持することにより、脱脂を行った。
その後、脱脂後の基板シート７を焼成した。詳しくは、酸化雰囲気中（例えば大気中）で、焼成温度を１０００℃として１時間保持した。
【００４２】
この焼成によって、図２（ｅ）に示すように、表面に溝部３を有するセラミック基板１を得た。
［１−３．効果］
本第１実施形態では、消失材料として窒化ホウ素を含む窒化ホウ素ペーストを用いるとともに、セラミック基板１の材料の一部に軟化温度が８００℃以上のホウ珪酸系ガラスを用いる。そして、酸化雰囲気中にて９５０℃以上で焼成する焼成条件にて、同時焼成を行って、溝部３を有するセラミック基板１を製造した。
【００４３】
このような製造方法によってセラミック基板１を製造するので、９５０℃以上の高い温度で焼成した場合でも、所望の形状の溝部３を容易に形成することができる。
詳しくは、本第１実施形態では、上述した製造方法によって、９５０℃以上の高温で焼成した場合でも、カーボンや樹脂を使用した場合のような流路の変形や閉塞等の不具合の発生を抑制して、セラミック基板１の表面に、目的とする形状の溝部３を容易に形成することができる。
【００４４】
また、本第１実施形態では、窒化ケイ素ペーストを用いて、スクリーン印刷によって消失パターン９を形成するので、微細な溝部３でも精度良く形成することができる。
さらに、本第１実施形態では、カーボンを使用しなくても、溝部３を形成できるので、カーボンを使用することによる不具合、例えばセラミック基板１に、欠陥、クラック、ボイド等の不具合が発生することを抑制できる。
【００４５】
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡略化する。
【００４６】
図３（ｄ）に示す様に、本第２実施形態のセラミック基板１１は、例えばアルミナとホウ珪酸系ガラスとを主成分とする平板形状の基板であり、その内部に気体や液体の流路となる空間部１３が形成されている。なお、このセラミック基板１１の材料は、前記第１実施形態と同様である。
【００４７】
次に、第２実施形態のセラミック基板１１の製造方法について説明する。
図３（ａ）に示すように、本第２実施形態では、前記第１実施形態と同様な材料を用いて、グリーンシート１５を作製した。
【００４８】
次に、図３（ｂ）に示すように、所定のグリーンシート１５ａの上に、他のグリーンシート１５ｂを積層した。なお、他のグリーンシート１５ｂは、空間部１３に対応する位置に空間１７が形成してある、平面視が四角枠状の部材である。
【００４９】
その後、他のグリーンシート１５ｂの空間１７を埋めるように、第１実施形態と同様な窒化ホウ素ペーストを充填して、消失パターン１９を形成した。
次に、図３（ｃ）に示すように、前記所定のグリーンシート１５ａ及び他のグリーンシート１５ｂを挟むようにして、別のグリーンシートを積層して、５層構造の積層体である基板シート２１を作製した。
【００５０】
次に、基板シート２１と消失パターン１９とを、第１実施形態と同様に、脱脂後に、所定の焼成温度にて同時焼成した。
この焼成によって、図３（ｄ）に示すように、内部に空間部１３を有するセラミック基板１１を得た。
【００５１】
本第２実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。特に本２実施形態では、セラミック基板１１の内部に流路等に用いられる空間部１３を形成することができる。
［３．実験例］
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例について説明する。
【００５２】
本実験に用いる試料については、表面に溝部を有する試料の場合は、前記第１実施形態の製造方法を用いて作製した。また、内部に空間部を有する試料の場合は、前記第２実施形態の製造方法を用いて作製した。
【００５３】
＜実験例１＞
実験例１では、本開示の範囲内の実施例として、第１実施形態と同様に、基板シートを作製し、その表面に窒化ホウ素ペーストを用いて消失パターンを形成した。そして、消失パターンのプレス前とプレス後とで、消失パターンの高さを測定した。
【００５４】
また、比較例として、カーボンペーストを用いて、窒化ホウ素ペーストと同様にして、基板シートの表面に消失パターンを形成した。そして、プレス前とプレス後とで、消失パターンの高さを測定した。なお、カーボンペーストは、カーボン粉末１００体積％に、バインダ成分や溶剤を１５０外体積％加えてペースト化したものである。
【００５５】
各消失パターンの基板シートの表面からの高さは、接触表面粗さ計を用いて測定した。詳しくは、「東京精密製 表面粗さ輪郭形状測定機 SURFCOM」を使用した。
その結果を、図４に記す。なお、図４の縦軸が表面（即ち０点）からの高さを示し、横軸が消失パターンの幅方向の位置を示している。また、図４において左側の「窒化ホウ素」の欄が実施例を示し、右側の「カーボン」の欄が比較例を示している。なお、図４の上側の「印刷後」の欄がプレス前の高さのグラフを示し、図４の下側の「プレス後」の欄がプレス後の高さのグラフを示している。
【００５６】
この図４から明らかなように、実施例及び比較例とも、プレスにより、消失パターンの高さ（例えば縦軸の０点を基準とした場合の高さ）が小さくなっていることが分かる。なお、比較例の方が、高さが低くなっていることが分かる。
【００５７】
＜実験例２＞
実験例２は、セラミック基板の焼成前後の外観観察を行ったものである。
観察対象の実施例の試料として、実験例１と同様な窒素ホウ素ペーストを用いて、第２実施形態と同様な製造方法にて、内部に消失ペーストを有する積層体（即ち基板シート）を作成し、その基板シートを脱脂後に焼成して図５に示すセラミック基板３１を作製した。
【００５８】
このセラミック基板３１の組成は、第１実施形態と同様であるが、第１実施形態とは形状が異なる。つまり、セラミック基板３１は、厚み方向の一方の表面に平面視が長方形の凹部（キャビティ）３３を有しており、この凹部３３に、複数の空間部３５が開口している。なお、空間部３５は、セラミック基板３１の内部にて、厚み方向と垂直方向に延びている。
【００５９】
また、比較例として、カーボンペーストを用いて、前記実施例と同様にして、基板シートを作製し、基板シートを脱脂した後に焼成して、同様な形状のセラミック基板を作製した。
【００６０】
この実験例２では、焼成前の基板シートの試料を、図５のＡ−Ａの位置にて厚み方向に破断し、そのＡ−Ａ断面の垂直方向から見た外観、詳しくは空間部３５の開口端に対応した部分及びその周囲（以下空間部対応部分と称する）の外観を、拡大鏡にて観察した。また、基板シートの焼成後にも、前記空間部対応部分の外観を、拡大鏡にて観察した。拡大鏡としては、「デジタルマイクロスコープKEYENCE VHX-500series」を用いた。
【００６１】
図６に拡大鏡による前記基板シートの空間部対応部分の写真を示す。図６において「窒化ホウ素」の欄が実施例を示し、「カーボン」の欄が比較例を示している。なお、図６の上側が１００倍の倍率で撮影した写真を示し、図６の下側が３００倍の倍率で撮影した写真を示している。なお、図６のpoint１、point２とは、図５のpoint１、point２の位置の写真であることを示している。
【００６２】
この図６から明らかなように、実施例及び比較例とも、基板シートにおいては、空間部を形成する目的とする位置に、それぞれ消失パターンが形成されていることが分かる。
また、図７に拡大鏡による焼成後の基板シート（即ちセラミック基板）の空間部対応部分の写真を示す。図７において「窒化ホウ素」及び「カーボン」の意味や、倍率の意味は、図６と同様である。
【００６３】
この図７から明らかなように、実施例では、空間部の形状が明瞭であり、十分な空間を有する空間部が形成されていることが分かる。それに対して、比較例では、空間部の形状が不明瞭で、一部潰れている箇所があり、十分な空間を有していないことが分かる。
【００６４】
＜実験例３＞
実験例３は、セラミック基板の断面観察を行ったものである。
具体的には、前記実験例２のセラミック基板において、実施例及び比較例のpoint１の位置の開口端を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、ＳＥＭ写真を得た。なお、ＳＥＭとしては、「JEOL JSM-6000series」を用いた。
【００６５】
その結果を図８に示す。なお、図８において「窒化ホウ素」及び「カーボン」の意味や、倍率の意味は、図６と同様である（但し倍率はＳＥＭによる倍率である）。
この図８から明らかなように、実施例では、空間部の形状が明瞭であり、十分な空間を有する空間部が形成されていることが分かる。例えば空間部（流路）の厚みは、平均で０．０８６ｍｍである。それに対して、比較例では、空間部の形状が不明瞭で、一部潰れている箇所があり、十分な空間を有していないことが分かる。例えば空間部（流路）の厚みは、平均で０．０１６ｍｍである。
【００６６】
＜実験例４＞
実験例４は、基板シートの表面に微細な消失パターンを形成した状態を観察したものである。
【００６７】
具体的には、第１実施形態と同様な基板シート上に、実験例１と同様な実施例の窒化ホウ素ペースト又は比較例のカーボンペーストを用いて、スクリーン印刷によって、図９に示すように、線幅が図９の左右の各欄において右側から１００μｍ、２００μｍの２種の微細な消失パターンを形成した。なお、消失パターンの形成後に、プレスして、基板シートの表面に消失パターンを埋め込んだ。
【００６８】
その状態を図９に示す。なお、図９の「窒化ホウ素」の欄は、実施例の拡大鏡による倍率２０倍の写真を示し、図９の「カーボン」の欄は、比較例の拡大鏡による倍率２０倍の写真を示している。
【００６９】
この図９から明らかなように、消失パターンを形成する段階では、実施例及び比較例の両方とも、微細な消失パターンを形成できることが分かる。
＜実験例５＞
実験例５は、Ａｕ電極を備えた又はＡｕ電極を備えないセラミック基板の表面の溝部を観察したものである。
【００７０】
（実施例）
実験例５では、第１実施形態と同様な基板シートの表面に、Ａｕペーストを用いてＡｕ電極パターンを形成し、そのＡｕパターンの表面に、実験例１と同様な窒化ホウ素ペーストを用いて、前記図９に示すような微細な線状の消失パターンを形成した。そして、プレスした後に、この基板シートを同時焼成して、表面に微細な溝部を有するＡｕ電極を備えたセラミック基板を作製した。なお、Ａｕペーストは、Ａｕ粉末１００体積％に、バインダ成分や溶剤を２０外体積％加えてペースト化したものである。
【００７１】
そして、このＡｕ電極の表面を拡大鏡を用いて撮影した。その写真を、図１０の「窒化ホウ素」の欄における「Ａｕ電極上配線パターン」の欄に示す。なお、図１０において、低倍とは２０倍を示し、高倍とは５０倍を示す。
【００７２】
また、第１実施形態と同様な基板シートの表面に、前記Ａｕペーストを用いてＡｕ電極パターンを形成し、そのＡｕパターンの表面に、実験例１と同様な窒化ホウ素ペーストを用いて、平面視で２ｍｍ角の消失パターンを形成した。そして、プレスした後に、この基板シートを同時焼成して、表面に四角形の溝部を有するＡｕ電極を備えたセラミック基板を作製した。
【００７３】
そして、このＡｕ電極の表面を拡大鏡を用いて撮影した。その写真を、図１０の「窒化ホウ素」の欄における「Ａｕ電極上ベタパターン」の欄に示す。
さらに、前記「Ａｕ電極上配線パターン」及び「Ａｕ電極上ベタパターン」の例とは別に、Ａｕ電極を設けずに、各基板シートの表面に直接に、微細な線状の消失パターン又は
四角形の消失パターンを形成した。その後、焼成して、溝部を備えたセラミック基板をそれぞれ作製した。
【００７４】
そして、Ａｕ電極を設けた場合と同様に、各セラミック基板の表面を拡大鏡を用いて撮影した。それらの写真を、図１０の「窒化ホウ素」の欄における「セラ上配線パターン」の欄及び「セラ上ベタパターン」の欄に記す。
【００７５】
（比較例）
一方、窒化ホウ素ペーストをカーボンペーストに変えた以外は、前記実施例と同様にして、溝部を備えた各セラミック基板の試料を作製した。
【００７６】
詳しくは、カーボンペーストを用いて、Ａｕ電極上に線状又は四角形状の溝部を設けた試料や、セラミック基板上に、直接に線状又は四角形状の溝部を設けた試料を作製した。
これらの比較例の各試料の写真を、図１０の「カーボン」の欄にまとめて示す。
【００７７】
この図１０から明らかなように、倍率が５０倍で観察した場合には、窒化ホウ素ペーストを用いた実施例でも、カーボンペーストを用いた比較例でも、ほぼ同様な形状の溝部を形成できることが分かる。
【００７８】
＜実験例６＞
実験例６は、溝部の立体形状を観察したものである。
この実験例６では、前記図９に示す窒化ホウ素ペーストを用いた実施例及びカーボンペーストを用いた比較例の各消失パターンを形成した各基板シートを焼成して、実施例及び比較例の各消失パターンに対応した溝部を有する各セラミック基板の試料を作製した。
【００７９】
そして、「KEYENCE 高速高精度形状測定システム  KS-1100シリーズ」を用いて、各試料の溝部の立体形状を測定した。その結果を図１１に示す。なお、各溝部の測定位置は、図９のＳ１、Ｓ２に対応する位置である。
【００８０】
図１１の実施例の「窒化ホウ素」及び比較例の「カーボン」の各欄に対応した「外観」の欄は、デジタルマイクロスコープKEYENCE VHX-500seriesによる倍率２００倍の写真を示している。
【００８１】
また、図１１の「窒化ホウ素」及び「カーボン」の各欄に対応した「３Ｄ」の欄は、前記高速高精度形状測定システムによる３Ｄ画像を示しており、色の黒い部分が溝が深いことを示している。なお、各欄の右下に、溝部を斜め方向から見た立体形状を示してある。
【００８２】
具体的には、実施例では、溝部の深さは、２３．０９６μｍ、２３．０４５μｍであった。一方、比較例では、溝部の深さは、１３．３５１μｍ、１３．５２５μｍであった。
この図１１から明らかなように、実施例では、比較例に比べて、十分に深い溝部を形成できることが分かる。
【００８３】
［３．その他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
【００８４】
（１）例えば、セラミック基板の材料については、前記実施形態の組成に限定されることなく、各種の組成を採用できる。
（２）消失材料としては、窒化ホウ素ペーストに限らず、窒化ホウ素を含むシート等の
固体材料を採用できる。
【００８５】
（３）同時焼成の条件としては、酸化雰囲気以外に、不活性雰囲気を採用できる。
（４）なお、上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００８６】
１、１１…セラミック基板
３…溝部
９、１９…消失パターン
１３…空間部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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