(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハをガスにより処理する場合に、ガスを適切に供給可能またはウェハを適切に搬送可能な半導体製造装置、ウェハ搬送装置、およびウェハ搬送方法を提供する。【解決手段】複数のウェハ１を収容する収容部と、ウェハと接触して前記ウェハを支持する支持面Ｓ１を有し、収容部内に互いに積層するように設けられた複数の支持台とを備える。さらに、支持台同士を連結し、支持台の外周よりも内側に収まる位置に設けられた複数の支柱１３を備える。さらに、支持台上のウェハにガスを供給する給気部１５と、支持台上のウェハに供給されたガスを排出する排気部１６とを備える。さらに、支持台は、支持面となる第１上面Ｓ１と、第１上面よりも高い位置に第１上面を包囲するように設けられた第２上面Ｓ２とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウェハを収容する収容部と、
前記ウェハと接触して前記ウェハを支持する支持面を有し、前記収容部内に互いに積層するように設けられた複数の支持台と、
前記支持台同士を連結し、前記支持台の外周よりも内側に収まる位置に設けられた複数の支柱と、
前記支持台上の前記ウェハにガスを供給する給気部と、
前記支持台上の前記ウェハに供給された前記ガスを排出する排気部とを備え、
前記支持台は、前記支持面となる第１上面と、前記第１上面よりも高い位置に前記第１上面を包囲するように設けられた第２上面とを有する、半導体製造装置。
【請求項２】
前記収容部内で第１ウェハを保持して移動する第１アームと、
前記収容部内で前記第１ウェハを上昇または下降させる第２アームと、
前記第１および第２アームを制御する制御部とをさらに備え、
前記第２アームが、第１支持台の下部に移動し、
前記第１アームが、前記第１ウェハを保持して前記第１支持台の上部に移動し、
前記第２アームが、前記第１支持台に設けられた開口部を介して前記第１ウェハに接触して、前記第１ウェハを上昇させ、
前記第１アームが、前記第１ウェハの上昇後に前記第１支持台の上部から退避し、
前記第２アームが、前記第１ウェハを下降させて前記第１ウェハを前記第１支持台上に載置する、
ように前記制御部が前記第１および第２アームを制御する、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記第２アームは、第１板と、前記第１板に設けられた溝に沿ってスライドする第２板とを備え、前記第２板のスライドにより前記第１ウェハを上昇または下降させる、請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記第２アームは、前記第２板のスライドにより前記第２板の一部を変形させることで前記第１ウェハを上昇させる、または前記第２板のスライドにより前記第１板と前記第２板との間に位置する部材を変形させることで前記第１ウェハを上昇させる、請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
半導体製造装置内の第１支持台上に第１ウェハを搬送するウェハ搬送装置であって、
前記半導体製造装置内で前記第１ウェハを保持して移動する第１アームと、
前記半導体製造装置内で前記第１ウェハを上昇または下降させる第２アームと、
前記第１および第２アームを制御する制御部とを備え、
前記第２アームが、前記第１支持台の下部に移動し、
前記第１アームが、前記第１ウェハを保持して前記第１支持台の上部に移動し、
前記第２アームが、前記第１支持台に設けられた開口部を介して前記第１ウェハに接触して、前記第１ウェハを上昇させ、
前記第１アームが、前記第１ウェハの上昇後に前記第１支持台の上部から退避し、
前記第２アームが、前記第１ウェハを下降させて前記第１ウェハを前記第１支持台上に載置する、
ように前記制御部が前記第１および第２アームを制御する、ウェハ搬送装置。
【請求項６】
半導体製造装置内で第１ウェハを保持して移動する第１アームと、
前記半導体製造装置内で前記第１ウェハを上昇または下降させる第２アームと、
を用いて前記半導体製造装置内の第１支持台上に前記第１ウェハを搬送するウェハ搬送方法であって、
前記第２アームが、前記第１支持台の下部に移動し、
前記第１アームが、前記第１ウェハを保持して前記第１支持台の上部に移動し、
前記第２アームが、前記第１支持台に設けられた開口部を介して前記第１ウェハに接触して、前記第１ウェハを上昇させ、
前記第１アームが、前記第１ウェハの上昇後に前記第１支持台の上部から退避し、
前記第２アームが、前記第１ウェハを下降させて前記第１ウェハを前記第１支持台上に載置する、
ことを含むウェハ搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体製造装置、ウェハ搬送装置、およびウェハ搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のウェハをガスにより同時に処理するバッチ処理装置では、ガスを適切に流すことが求められる。具体的には、ガスが給気部から排気部に流れる際に、ガスがウェハの周囲を流れることは望ましくなく、ガスの大部分がウェハ間を流れることが望ましい。また、あるウェハに供給するはずのガスが、別のウェハに流れ込んでしまうと、ウェハ間の処理のばらつきが生じるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−７９２８９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７７２４５号公報
【特許文献３】特許第５５６５２４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウェハをガスにより処理する場合に、ガスを適切に供給可能またはウェハを適切に搬送可能な半導体製造装置、ウェハ搬送装置、およびウェハ搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態によれば、半導体製造装置は、複数のウェハを収容する収容部と、前記ウェハと接触して前記ウェハを支持する支持面を有し、前記収容部内に互いに積層するように設けられた複数の支持台とを備える。前記装置はさらに、前記支持台同士を連結し、前記支持台の外周よりも内側に収まる位置に設けられた複数の支柱を備える。前記装置はさらに、前記支持台上の前記ウェハにガスを供給する給気部と、前記支持台上の前記ウェハに供給された前記ガスを排出する排気部とを備える。さらに、前記支持台は、前記支持面となる第１上面と、前記第１上面よりも高い位置に前記第１上面を包囲するように設けられた第２上面とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の半導体製造装置の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体製造装置のボート構造を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
【図４】第１実施形態の比較例の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
【図５】第１実施形態のウェハ搬送装置を構造を示す斜視図および断面図である。
【図６】第１実施形態のウェハ搬送装置の動作を説明するための斜視図および断面図である。
【図７】第１実施形態のウェハ搬送装置の動作例を示す斜視図(1/2)である。
【図８】第１実施形態のウェハ搬送装置の動作例を示す斜視図(2/2)である。
【図９】第１実施形態のウェハ搬送装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体製造装置の構造を模式的に示す断面図である。
【０００９】
図１の半導体製造装置は、収容部の一例であるリアクタ１１と、複数の支持台の一例である複数のボート１２と、複数の支柱１３と、台座１４と、給気部１５と、排気部１６とを備えている。図１の半導体製造装置は、複数のウェハ１をガスにより同時に処理するクロスフロー型のバッチ処理装置であり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置である。
【００１０】
リアクタ１１は、複数のウェハ１を収容するインナー管１１ａと、インナー管１１ａを収容するアウター管１１ｂとを備えている。インナー管１１ａおよびアウター管１１ｂの例は、ガラス管である。図１は、これらのウェハ１の表面に平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、これらのウェハ１の表面に垂直なＺ方向とを示している。なお、本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、−Ｚ方向を下方向として取り扱うが、−Ｚ方向は、重力方向と一致していても一致していなくてもよい。
【００１１】
各ボート１２は、ウェハ１と接触してウェハ１を支持する支持面を有しており、ウェハ１が支持面上に載置される。各ボート１２は、外周Ｅ１と内周Ｅ２とを有する環形状を有しており、内周Ｅ２に囲まれた開口部１２ａを有している。また、各ボート１２は、支持面となる第１上面Ｓ１と、第１上面Ｓ１よりも高い位置に第１上面Ｓ１を包囲するように設けられた第２上面Ｓ２とを有している。第１上面Ｓ１と第２上面Ｓ２との間には、段差が存在している。本実施形態では、複数のボート１２が互いに積層するようにインナー管１１ａ内に設置されている。これらのボート１２は、例えば石英で形成されている。
【００１２】
各支柱１３は、ボート１２同士を連結しており、これらのボート１２の外周Ｅ１よりも内側に収まる位置に設けられている。具体的には、各支柱１３は、これらのボート１２の外周Ｅ１と内周Ｅ２との間に収まる位置に設けられている。よって、これらのボート１２を上部から観察した場合には、支柱１３はいずれもボート１２の下に隠れることとなり、ボート１２の外周Ｅ１や内周Ｅ２からはみ出さない。これらの支柱１３は、例えば石英で形成されている。
【００１３】
各支柱１３は、互いに隣接するボート１２同士を連結しており、これらのボート１２を貫通していない。具体的には、各支柱１３は、一方のボート１２の下面と、他方のボート１２の上面とに溶接されている。しかしながら、各支柱１３は、１枚以上のボート１２を貫通することで複数のボート１２を連結していてもよい。後述するように、本実施形態の互いに隣接するボート１２同士は、３本の支柱１３により連結されている。
【００１４】
台座１４は、これらのボート１２や支柱１３からなるボート構造を支持しており、図１に示す回転軸Ａを中心にボート構造を回転させる。
【００１５】
給気部１５は、インナー管１１ａとアウター管１１ｂとの間に配置されており、ボート１２上のウェハ１にガスを供給する給気口Ｐ１を備えている。給気口Ｐ１は、各ウェハ１の表面にガスを供給するために、ボート１２ごとに設けられている。
【００１６】
排気部１６は、インナー管１１ａとアウター管１１ｂとの間に配置されており、ボート１２上のウェハ１に供給されたガスを排出する排気口Ｐ２を備えている。
【００１７】
なお、図１は、これらの部品の説明を分かりやすくするために、これらの部品の形状や配置を必要に応じて模式的に示している。例えば、正確には同じ断面に現れない部品同士を、図１では同じ断面に示している。これらの部品のより正確な形状や配置については、図２や図３を参照して後述する。
【００１８】
図２は、第１実施形態の半導体製造装置のボート構造を示す斜視図である。
【００１９】
図２(ａ)は、３枚のボート１２と、これらのボート１２同士を連結する複数の支柱１３とを例示している。各支柱１３は、これらのボート１２の外周Ｅ１と内周Ｅ２との間に収まる位置に設けられている。
【００２０】
図２(ｂ)は、これらのボート１２にウェハ１が載置された状態を例示している。ボート１２の内周Ｅ２の直径はウェハ１の直径よりも小さく設定されているため、ボート１２の開口部１２ａはウェハ１により覆われている。後述するように、開口部１２ａはウェハ１を持ち上げる際に使用される。
【００２１】
図３は、第１実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。図３は、図１に示すＢ−Ｂ’線に沿った断面を示している。一方、図１は、図３に示すＣ−Ｃ’線に沿った断面を示している。
【００２２】
給気部１５は、給気口Ｐ１からウェハ１にガスを供給する第１および第２インジェクタ１５ａ、１５ｂを備えている。例えば、第１インジェクタ１５ａは、第１ソースガスを供給するために使用され、第２インジェクタ１５ｂは、第１ソースガスと異なる第２ソースガスを供給するために使用される。給気口Ｐ１の例は、ガスを吐出するノズルである。
【００２３】
排気部１６は、ウェハ１に供給されたガスを排気口Ｐ２から排出する第１および第２排気管１６ａ、１６ｂを備えている。矢印Ｇ１は、ウェハ１の上方におけるガスの流れを模式的に示している。
【００２４】
符号Ｗ１は、ボート１２の外周Ｅ１とリアクタ１１の内壁との距離（クリアランス）を示している。本実施形態のリアクタ１１の内壁は、インナー管１１ａの内周面により形成されている。
【００２５】
本実施形態の支柱１３は、ボート１２の外周Ｅ１よりも内側に収まる位置に設けられており、外周Ｅ１よりも外側にはみ出していない。そのため、クリアランスＷ１を短く設定することができる。これにより、ウェハ１の周囲を流れるガスを減らすことができ、ガスの大部分を矢印Ｇ１のようにウェハ１間に流すことができる。さらには、あるウェハ１に供給するはずのガスが、別のウェハ１に流れ込むことを抑制することができる。このように、本実施形態によれば、ガスをウェハ１に適切に供給することができ、ウェハ１間の処理のばらつきを低減することができる。
【００２６】
給気部１５からのガスは、理想的にはすべてウェハ１間に流れることが望ましいため、本実施形態ではクリアランスＷ１が短く設定されている。例えば、給気部１５からのガスの９０％以上は、ウェハ１間に流れることが望ましい。実験によれば、クリアランスＷ１が１０ｍｍ以下の場合に、９０％以上のガスがウェハ１間に流れる。よって、本実施形態のクリアランスＷ１は、１０ｍｍ以下に設定されている。
【００２７】
図４は、第１実施形態の比較例の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
【００２８】
本比較例の支柱１３は、ボート１２の外周Ｅ１よりも内側に収まる位置に設けられておらず、外周Ｅ１よりも外側にはみ出している。そのため、クリアランスＷ２を短く設定することができない。その結果、給気部１５からのガスが、矢印Ｇ１のようにウェハ１間に多く流れるだけでなく、矢印Ｇ２のようにウェハ１の周囲に多く流れてしまう。矢印Ｇ２のガスは、別のウェハ１に流れ込み、ウェハ１間の処理のばらつきの原因となる。
【００２９】
一方、本実施形態によれば、矢印Ｇ２のようなガスの流れを減らすことができる。本実施形態の半導体製造装置は例えば、表面積が大きいウェハ１と、表面積が小さいウェハ１とを同時に処理する場合に有用である。前者のウェハ１の例は、３次元構造のメモリを製造するためのウェハであり、後者のウェハ１の例は、リアクタ１１内の状態をモニタするためのダミーウェハである。この場合、矢印Ｇ２のようにガスが流れると、ダミーウェハ付近でウェハ１間の処理のばらつきが生じやすい。しかしながら、本実施形態によれば、矢印Ｇ２のようなガスの流れを減らすことができるため、このようなばらつきを低減することができる。
【００３０】
本実施形態では、支柱１３がボート１２の外周Ｅ１の内側に位置しているため、ボート１２上にウェハ１を載置することが困難になるおそれがある。そこで、本実施形態の半導体製造装置は、このようなボート１２上にウェハ１を載置しやすい構造のウェハ搬送装置を備えている。以下、ウェハ搬送装置の詳細について説明する。
【００３１】
図５は、第１実施形態のウェハ搬送装置を構造を示す斜視図および断面図である。
【００３２】
図５(ａ)と図５(ｂ)はそれぞれ、ウェハ搬送装置を構成する昇降アーム２１を示す斜視図と断面図である。昇降アーム２１は、リアクタ１１内でウェハ１を上昇させることや下降させることが可能である。昇降アーム２１は第２アームの例であり、後述する搬送アーム２２は第１アームの例である。
【００３３】
昇降アーム２１は、下板２１ａと上板２１ｂにより構成されており、上板２１ｂが下板２１ａの上に載せられている。図５(ｃ)と図５(ｄ)はそれぞれ、上板２１ｂと下板２１ａの形状を示す斜視図である。上板２１ｂは、下板２１ａに設けられた溝Ｒに沿ってスライドすることができる。上板２１ｂは、複数本（ここでは３本）の線状部を有している。溝Ｒは、上板２１ｂとほぼ同じ形状を有しているが、上板２１ｂがスライドできるように上板２１ｂより少し大きいサイズを有している。下板２１ａは第１板の例であり、上板２１ｂは第２板の例である。
【００３４】
図６は、第１実施形態のウェハ搬送装置の動作を説明するための斜視図および断面図である。
【００３５】
図５(ａ)および図５(ｂ)に示す上板２１ｂが下板２１ａに対し−Ｘ方向にスライドすると、上板２１ｂの形状が図６(ａ)および図６(ｂ)のように変化する。具体的には、上板２１ｂが−Ｘ方向にスライドすると、上板２１ｂの先端が溝Ｒの先端にぶつかり、符号Ｋで示すように上板２１ｂの先端がたわむように変形する。この際、上板２１ｂの先端の上方にウェハ１が存在すると、上板２１ｂの先端がウェハ１に接触してウェハ１を上昇させることとなる。これを、ウェハ１のリフトアップと呼ぶ。一方、上板２１ｂが＋Ｘ方向にスライドすると、上板２１ｂの先端のたわみが解消されることで、ウェハ１が下降することとなる。
【００３６】
本実施形態では、図６(ｃ)に示すように、上板２１ｂの先端と溝Ｒの先端との間にヒンジ２１ｃを配置してもよい。この場合、上板２１ｂが−Ｘ方向にスライドすると、上板２１ｂの先端と溝Ｒの先端との間でヒンジ２１ｃが押され、ヒンジ２１ｃが閉じるように変形する。この際、ヒンジ２１ｃの上方にウェハ１が存在すると、ヒンジ２１ｃがウェハ１に接触してウェハ１を上昇させることとなる。一方、上板２１ｂが＋Ｘ方向にスライドすると、ヒンジ２１ｃが閉じることで、ウェハ１が下降することとなる。ヒンジ２１ｃは、第１板と第２板との間に位置する部材の例である。
【００３７】
図７および図８は、第１実施形態のウェハ搬送装置の動作例を示す斜視図である。図７および図８は、リアクタ１１内の任意のボート１２上に１枚のウェハ１を搬送する過程を示している。このボート１２は第１支持台の例であり、このウェハ１は第１ウェハの例である。
【００３８】
まず、昇降アーム２１が、ボート１２の下部に移動する（図７(ａ)）。具体的には、昇降アーム２１は、上板２１ｂの先端や溝Ｒの先端が開口部１２ａの下部に位置するように移動する。
【００３９】
次に、搬送アーム２２が、ウェハ１を保持してこのボート１２の上部に移動する（図７(ｂ)）。搬送アーム２２は、ウェハ１を保持するための複数本（ここでは２本）の線状部を有している。
【００４０】
次に、上板２１ｂが下板２１ａに対し−Ｘ方向にスライドすることで、上板２１ｂの先端が変形する（図７(ｃ)）。その結果、上板２１ｂの先端が、ボート１２の開口部１２ａを介してウェハ１に接触して、ウェハ１を上昇させる（リフトアップ）。そのため、ウェハ１は、搬送アーム２２の代わりに昇降アーム２１により保持された状態となる。
【００４１】
ウェハ１のリフトアップが完了すると、搬送アーム２２は、ボート１２の上部から退避する（図８(ａ)）。
【００４２】
次に、上板２１ｂが下板２１ａに対し＋Ｘ方向にスライドすることで、上板２１ｂの先端の変形が解消される（図８(ｂ)）。その結果、ウェハ１が下降して、ボート１２上に載置される。
【００４３】
ウェハ１の載置が完了すると、昇降アーム２１は、ボート１２の下部から退避する（図８(ｃ)）。
【００４４】
以上のように、本実施形態のウェハ搬送装置は、昇降アーム２１と搬送アーム２２によりウェハ１をボート１２上に載置する。これにより、リアクタ１１内でウェハ搬送装置が移動できるスペースが狭くても、ウェハ１を搬送することができる。本実施形態の半導体製造装置では、支柱１３がボート１２の外周Ｅ１の内側に位置しており、ウェハ搬送装置が移動できるスペースが狭いため、このようなウェハ搬送装置が有用である。本実施形態によれば、このような場合にもウェハ１を適切に搬送することが可能となる。
【００４５】
本実施形態では、昇降アーム２１は、ボート１２の＋Ｘ方向の地点からボート１２の下部に移動し、搬送アーム２２は、ボート１２の−Ｙ方向の地点からボート１２の上部に移動している。しかしながら、昇降アーム２１と搬送アーム２２はそれぞれ、その他の地点からボート１２の下部と上部に移動してもよい。例えば、昇降アーム２１が、ボート１２の＋Ｘ方向の地点からボート１２の下部に移動する場合に、搬送アーム２２は、ボート１２の−Ｘ方向の地点からボート１２の上部に移動してもよい。
【００４６】
また、本実施形態の開口部１２ａは、円形を有しているが、上板２１ｂの先端がウェハ１に接触してウェハ１を上昇させることができれば、その他の形状を有していてもよい。
【００４７】
また、上板２１ｂの先端が変形していない状態で昇降アーム２１をボート１２間に挿入可能であれば、昇降アーム２１の厚さはどのように設定してもよい。同様に、搬送アーム２２をボート１２間に挿入可能であれば、搬送アーム２２の厚さはどのように設定してもよい。
【００４８】
さらに、本実施形態のウェハ搬送装置は、昇降アーム２１を１つだけ備えていてもよいし、昇降アーム２１を複数備えていてもよい。前者の場合、ウェハ搬送装置は複数のウェハ１を順番にリフトアップする。後者の場合、ウェハ搬送装置は複数のウェハ１を同時にリフトアップする。同様に、本実施形態のウェハ搬送装置は、搬送アーム２２を１つだけ備えていてもよいし、搬送アーム２２を複数備えていてもよい。
【００４９】
図９は、第１実施形態のウェハ搬送装置の構成を示す模式図である。
【００５０】
本実施形態のウェハ搬送装置は、図９に示すように、昇降アーム２１と、搬送アーム２２と、第１駆動部２３と、第２駆動部２４と、第３駆動部２５と、制御部２６とを備えている。
【００５１】
第１駆動部２３は、昇降アーム２１を動作させる機構であり、例えば、図７(ａ)のように昇降アーム２１を移動させたり、図８(ｃ)のように昇降アーム２１を退避させる。
【００５２】
第２駆動部２４は、上板２１ｂを下板２１ａに対してスライドさせる機構であり、例えば、図７(ｃ)のように上板２１ｂを−Ｘ方向にスライドさせたり、図８(ｂ)のように上板２１ｂを＋Ｘ方向にスライドさせる。
【００５３】
第３駆動部２５は、搬送アーム２２を動作させる機構であり、例えば、図７(ｂ)のように搬送アーム２２を移動させたり、図８(ａ)のように搬送アーム２２を退避させる。
【００５４】
第１駆動部２３は例えば、モータと、モータから昇降アーム２１に動力を伝達する機構により構成されている。これは、第２および第３駆動部２４、２５も同様である。第１から第３駆動部２３〜２５は、異なるモータで構成されていてもよいし、同じモータで構成されていてもよい。
【００５５】
制御部２６は、第１から第３駆動部２３〜２５の制御を通じて、昇降アーム２１と搬送アーム２２の動作を制御する。昇降アーム２１と搬送アーム２２による図７(ａ)〜図８(ｃ)の動作は、制御部２６により制御される。制御部２６の例は、プロセッサ、制御回路、コンピュータなどである。制御部２６は、半導体製造装置全体を制御する制御部と同じものでもよいし、半導体製造装置全体を制御する制御部とは別のものでもよい。
【００５６】
以上のように、本実施形態の支柱１３は、ボート１２の外周Ｅ１よりも内側に収まる位置に設けられている。よって、本実施形態によれば、ボート１２の外周Ｅ１とリアクタ１１の内壁との間のクリアランスＷ１を短くすることが可能となり、ウェハ１にガスを適切に供給することが可能となる。
【００５７】
また、本実施形態のウェハ搬送装置は、昇降アーム２１と搬送アーム２２によりウェハ１をボート１２上に載置する。よって、本実施形態によれば、クリアランスＷ１が短い構造を採用しても、ウェハ１を適切に搬送することが可能となる。
【００５８】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
【符号の説明】
【００５９】
１：ウェハ、１１：リアクタ、１１ａ：インナー管、１１ｂ：アウター管、
１２：ボート、１２ａ：開口部、１３：支柱、１４：台座、
１５：給気部、１５ａ：第１インジェクタ、１５ｂ：第２インジェクタ、
１６：排気部、１６ａ：第１排気管、１６ｂ：第２排気管、
２１：昇降アーム、２１ａ：下板、２１ｂ：上板、
２１ｃ：ヒンジ、２２：搬送アーム、２３：第１駆動部、
２４：第２駆動部、２５：第３駆動部、２６：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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