(57)【要約】【課題】成膜レートを向上するとともにクラック発生を防止する。【解決手段】スパッタリングカソード１において、平行領域Ｓにおける中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３を縦断する方向における、バッキングプレート３０に設けられたターゲット４０の断面において、エロージョン５から該エロージョン外側の非エロージョン部に向けて傾斜する傾斜面と、エロージョン中央側とで形成される角度θｃ，θｄが、１００°〜１４０°の範囲となるように磁気回路２０が構成される。【選択図】図１
2019196532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と中央領域とを有する平板状のヨークと、
前記ヨークの前記中央領域に直線状に配置された中央磁石部，前記中央磁石部の周囲に配置された周縁磁石部，及び前記中央磁石部と前記周縁磁石部との間に配置された補助磁石部を有し、前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部が互いに平行である平行領域を有し、前記ヨークの前記表面に設けられた磁気回路と、
前記磁気回路に重ねて配置されたバッキングプレートと、
を含み、
前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部の各々の先端部の極性が互いに隣接する磁石部の間で異なるように、前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部が配置され、
前記平行領域における前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部を縦断する方向における、前記バッキングプレートに設けられたターゲットの断面において、
エロージョンから該エロージョン外側の非エロージョン部に向けて傾斜する傾斜面と、前記エロージョン中央側とで形成される角度が、１００°〜１４０°の範囲となるように前記磁気回路が構成される
ことを特徴とするスパッタリングカソード。
【請求項２】
前記ターゲットがセラミックである
ことを特徴とする請求項１記載のスパッタリングカソード。
【請求項３】
前記ターゲットに、供給電力を印加して成膜をおこなう放電ＯＮ工程と、
電力供給をおこなわない放電ＯＦＦ工程と、
前記ターゲットにおけるクラック発生を確認する確認工程と、
を繰り返すとともに、前記放電ＯＮ工程における投入電力を所定値ずつ上昇するテスト工程を実施した際において、
前記確認工程における前記ターゲットでのクラックの発生しない投入電力が、１０ｗ／ｃｍ２以上とされる
ことを特徴とする請求項１または２記載のスパッタリングカソード。
【請求項４】
前記平行領域における前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部を縦断する方向であって前記中央磁石部が延在する方向に直交する軸方向において、前記中央磁石部から前記周縁磁石部に向けて、前記バッキングプレートの上方から観測される磁場プロファイルは、前記バッキングプレートに平行な面における水平方向の磁束密度が、前記中央磁石部に対応する位置を境界として、第１領域において正の値、第２領域において負の値となるように設定されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか記載のスパッタリングカソード。
【請求項５】
前記水平方向の磁束密度の値の正負の符号は、前記周縁磁石部の近傍において、反転している
ことを特徴とする請求項４記載のスパッタリングカソード。
【請求項６】
前記バッキングプレートに平行な面における垂直方向の磁束密度は、前記中央磁石部に対応する位置を境界として対称であり、
前記第１領域及び前記第２領域の各々は、前記垂直方向の磁束密度が０である点を３つ有している
ことを特徴とする請求項４または５記載のスパッタリングカソード。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか記載のスパッタリングカソードであって、
成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するものとされ、
前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、
エロージョンを前記対向領域で走査する走査部と、
前記エロージョンが形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、
前記走査部が、
前記走査方向での前記形成領域の２つの端部のうち、前記スパッタ粒子が先に到達する第１端部に対して、前記走査方向における前記ターゲット表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である開始位置から、
前記走査方向での前記形成領域の２つの端部のうち、他方の第２端部に対して、前記走査方向における前記ターゲット表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である終了位置まで、前記対向領域に向けて前記エロージョンを走査する
反応性スパッタ装置に設けられる
ことを特徴とするスパッタリングカソード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスパッタリングカソードに関し、特に大型基板に成膜する際に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、表示素子を駆動する複数の薄膜トランジスタを備えている。薄膜トランジスタはチャネル層を有し、チャネル層の形成材料は、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体である。近年では、チャネル層の形成対象である基板が大型化し、大型の基板に成膜するスパッタ装置として、例えば、特許文献１に記載のように、化合物膜の特性がばらつくことを抑えるように、本出願人らはターゲットが走査するスパッタ装置を用いていた。
【０００３】
このようなスパッタ装置では、成膜時にターゲットが基板に対して走査される際、基板に成膜された膜特性が好適なものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５８０１５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述した技術においては、さらなる生産性向上のため、成膜レートをよりいっそう増大したいという要求があった。
【０００６】
さらに、膜特性に影響を与えずに成膜レートを改善するためには、成膜時にカソードに印加するパワーを増大することが考えられるが、印加するパワーを増大した場合、ターゲットに割れが発生する可能性があるという問題があった。特に、抵抗率の大きなターゲットにおいて、この傾向が顕著であった。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．成膜レートをさらに向上し、生産性の向上を図ること。
２．割れの発生を防止すること。
３．膜特性の変動を防止すること。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のスパッタリングカソードは、
表面と中央領域とを有する平板状のヨークと、
前記ヨークの前記中央領域に直線状に配置された中央磁石部，前記中央磁石部の周囲に配置された周縁磁石部，及び前記中央磁石部と前記周縁磁石部との間に配置された補助磁石部を有し、前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部が互いに平行である平行領域を有し、前記ヨークの前記表面に設けられた磁気回路と、
前記磁気回路に重ねて配置されたバッキングプレートと、
を含み、
前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部の各々の先端部の極性が互いに隣接する磁石部の間で異なるように、前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部が配置され、
前記平行領域における前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部を縦断する方向における、前記バッキングプレートに設けられたターゲットの断面において、
エロージョンから該エロージョン外側の非エロージョン部に向けて傾斜する傾斜面と、前記エロージョン中央側とで形成される角度が、１００°〜１４０°の範囲となるように前記磁気回路が構成されることにより上記課題を解決した。
本発明において、前記ターゲットがセラミックであることがより好ましい。
本発明は、前記ターゲットに、供給電力を印加して成膜をおこなう放電ＯＮ工程と、
電力供給をおこなわない放電ＯＦＦ工程と、
前記ターゲットにおけるクラック発生を確認する確認工程と、
を繰り返すとともに、前記放電ＯＮ工程における投入電力を所定値ずつ上昇するテスト工程を実施した際において、
前記確認工程における前記ターゲットでのクラックの発生しない投入電力が、１０ｗ／ｃｍ２以上とされることが可能である。
また、前記平行領域における前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部を縦断する方向であって前記中央磁石部が延在する方向に直交する軸方向において、前記中央磁石部から前記周縁磁石部に向けて、前記バッキングプレートの上方から観測される磁場プロファイルは、前記バッキングプレートに平行な面における水平方向の磁束密度が、前記中央磁石部に対応する位置を境界として、第１領域において正の値、第２領域において負の値となるように設定されていることができる。
また、前記水平方向の磁束密度の値の正負の符号は、前記周縁磁石部の近傍において、反転していることが好ましい。
また、前記バッキングプレートに平行な面における垂直方向の磁束密度は、前記中央磁石部に対応する位置を境界として対称であり、
前記第１領域及び前記第２領域の各々は、前記垂直方向の磁束密度が０である点を３つ有していることができる。
本発明においては、上記のいずれか記載のスパッタリングカソードであって、
成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するものとされえ、
前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、
エロージョンを前記対向領域で走査する走査部と、
前記エロージョンが形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、
前記走査部が、
前記走査方向での前記形成領域の２つの端部のうち、前記スパッタ粒子が先に到達する第１端部に対して、前記走査方向における前記ターゲット表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である開始位置から、
前記走査方向での前記形成領域の２つの端部のうち、他方の第２端部に対して、前記走査方向における前記ターゲット表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である終了位置まで、前記対向領域に向けて前記エロージョンを走査する
反応性スパッタ装置に設けられることができる。
【０００９】
本発明のスパッタリングカソードは、
表面と中央領域とを有する平板状のヨークと、
前記ヨークの前記中央領域に直線状に配置された中央磁石部，前記中央磁石部の周囲に配置された周縁磁石部，及び前記中央磁石部と前記周縁磁石部との間に配置された補助磁石部を有し、前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部が互いに平行である平行領域を有し、前記ヨークの前記表面に設けられた磁気回路と、
前記磁気回路に重ねて配置されたバッキングプレートと、
を含み、
前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部の各々の先端部の極性が互いに隣接する磁石部の間で異なるように、前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部が配置され、
前記平行領域における前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部を縦断する方向における、前記バッキングプレートに設けられたターゲットの断面において、
エロージョンから該エロージョン外側の非エロージョン部に向けて傾斜する傾斜面と、前記エロージョン中央側とで形成される角度が、１００°〜１４０°の範囲となるように前記磁気回路が構成されることにより、エロージョンを広げ、投入電力に対して高い成膜レートを実現するとともに、ターゲットにおけるクラック（割れ）の発生を防止することができる。
【００１０】
本発明において、前記ターゲットがセラミックであることにより、エロージョンを広げることで、局所的にターゲット温度が上昇することを防止して、投入電力を上昇した場合でも、ターゲットにおけるクラック（割れ）の発生を防止することができる。
【００１１】
本発明は、前記ターゲットに、供給電力を印加して成膜をおこなう放電ＯＮ工程と、
電力供給をおこなわない放電ＯＦＦ工程と、
前記ターゲットにおけるクラック発生を確認する確認工程と、
を繰り返すとともに、前記放電ＯＮ工程における投入電力を所定値ずつ上昇するテスト工程を実施した際において、
前記確認工程における前記ターゲットでのクラックの発生しない投入電力が、１０ｗ／ｃｍ２以上とされることにより、ターゲットにおけるクラック（割れ）の発生を防止しつつ、投入電力を向上して成膜レートを増大することができる。
【００１２】
また、前記平行領域における前記中央磁石部，前記周縁磁石部，及び前記補助磁石部を縦断する方向であって前記中央磁石部が延在する方向に直交する軸方向において、前記中央磁石部から前記周縁磁石部に向けて、前記バッキングプレートの上方から観測される磁場プロファイルは、前記バッキングプレートに平行な面における水平方向の磁束密度が、前記中央磁石部に対応する位置を境界として、第１領域において正の値、第２領域において負の値となるように設定されていることにより、プラズマの局所的な集中が緩和され、プラズマがターゲットの中央（中央磁石部が配置された領域）から第１領域の周縁部及び第２領域の周縁部に拡がるように生成されることができる。
【００１３】
また、前記水平方向の磁束密度の値の正負の符号は、前記周縁磁石部の近傍において、反転していることにより、ターゲットの表面の広い領域にわたってスパッタされることになり、ターゲットのエロージョンが生じる部位を従来よりも広くすることができ、ターゲットの使用効率の向上を図ることができる。
【００１４】
また、前記バッキングプレートに平行な面における垂直方向の磁束密度は、前記中央磁石部に対応する位置を境界として対称であり、
前記第１領域及び前記第２領域の各々は、前記垂直方向の磁束密度が０である点を３つ有していることにより、プラズマの局所的な集中が緩和され、プラズマがターゲットの中央（中央磁石部が配置された領域）から第１領域の周縁部及び第２領域の周縁部に拡がるように生成されることができる。
【００１５】
本発明においては、上記のいずれか記載のスパッタリングカソードであって、
成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するものとされ、
前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、
エロージョンを前記対向領域で走査する走査部と、
前記エロージョンが形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、
前記走査部が、
前記走査方向での前記形成領域の２つの端部のうち、前記スパッタ粒子が先に到達する第１端部に対して、前記走査方向における前記ターゲット表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である開始位置から、
前記走査方向での前記形成領域の２つの端部のうち、他方の第２端部に対して、前記走査方向における前記ターゲット表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である終了位置まで、前記対向領域に向けて前記エロージョンを走査する
反応性スパッタ装置に設けられることにより、カソードを基板に対して移動するいわゆるムービングカソードにおいて、ターゲットのエロージョンが生じる部位を広くして、投入電力を向上して成膜レートを増大することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、成膜レートを向上して生産性を向上し、割れの発生を防止し、膜特性の変動を防止することができるという効果を奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態において観察される磁場プロファイルを示し、ターゲットの表面に平行磁場成分とターゲットの表面に垂直磁場成分とを示す図である。
【図４】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態において得られる磁力線とプラズマを模式的に示す図である。
【図５】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態においてターゲットのエロージョンを模式的に示す図である。
【図６】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態においてテスト工程を示すフローチャートである。
【図７】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態を備えたスパッタ装置の全体構成を示す構成図である。
【図８】本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態を備えたスパッタ装置におけるスパッタチャンバの構成を模式的に示す構成図である。
【図９】本発明に係るスパッタカソードにおける実施例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係るスパッタカソードの第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるスパッタカソードを模式的に示す断面図であり、図２は、本実施形態におけるスパッタカソードを模式的に示す平面図であり、図３は、本実施形態におけるスパッタカソードにおいて観察される磁場プロファイルを示し、ターゲットの表面に平行磁場成分とターゲットの表面に垂直磁場成分とを示す図であり、図において、符号１は、スパッタカソードである。
【００１９】
本実施形態に係るマグネトロンスパッタカソード（スパッタカソード）１（１Ａ）は、図１に示すように、平板状のヨーク１０と、ヨーク１０の表面に設けられた磁気回路２０と、磁気回路２０に重なるように配置されたバッキングプレート３０とによって構成されている。
【００２０】
また、磁気回路２０は、ヨーク１０の中央領域Ｃに直線状に配置された中央磁石部２１と、中央磁石部２１の周囲に配置された周縁磁石部２２と、中央磁石部２１と周縁磁石部２２との間に配置された補助磁石部２３とによって構成されている。また、磁気回路２０は、中央磁石部２１，周縁磁石部２２の一部，及び補助磁石部２３の一部が互いに平行である平行領域Ｓを有する。
【００２１】
また、中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３の各々の先端部（３１，３２，３３ａ，３３ｂ）の極性が互いに隣接する磁石部の間で異なるように、中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３は配置されている。
【００２２】
また、平行領域Ｓにおける中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３を縦断する方向であって中央磁石部２１が延在する方向（中央磁石部２１の直線部）に直交する軸方向において、中央磁石部２１から周縁磁石部２２に向けて、バッキングプレート３０の上方から観測される磁場プロファイルは、バッキングプレート３０に平行な面における水平方向の磁束密度（Ｂ／／）が、中央磁石部２１に対応する位置を境界として、第１領域（一方の領域）において正の値、第２領域（他方の領域）において負の値となるように設定されている。また、バッキングプレート３０の上方から観測される磁場プロファイルとは、ターゲットが配置される位置から観察される磁場プロファイルを意味する。
【００２３】
以下、マグネトロンスパッタカソード１Ａ（１）を詳細に説明する。
【００２４】
本実施形態においては、図１〜図３に示すように、補助磁石部２３が第一補助磁石部２３ａと第二補助磁石部２３ｂとによって構成され、第一補助磁石部２３ａと第二補助磁石部２３ｂとが、中央磁石部２１を囲んで配置されている構成例を示している。
図３において、横軸は図２のＩ−Ｉ´線における位置、即ち、マグネトロンスパッタカソード１Ａの幅方向の位置に対応している。図３の横軸において、０ｍｍの位置は、後述する中央磁石部２１の位置に対応しており、即ち、図３の横軸は、中央磁石部２１からの距離を示している。また、縦軸は規格化した磁束密度を示す。
【００２５】
ここで、中央磁石部２１の先端部３１と第二補助磁石部２３ｂの先端部３３ｂの極性がＮ極であった場合、第一補助磁石部２３ａの先端部３３ａと周縁磁石部２２の先端部３２の極性はＳ極である。また、中央磁石部２１の先端部３１と第二補助磁石部２３ｂの先端部３３ｂの極性がＳ極であった場合、第一補助磁石部２３ａの先端部３３ａと周縁磁石部２２の先端部３２の極性はＮ極である。
【００２６】
また、先端部３１，３２，３３ａ，３３ｂは、バッキングプレート３０の裏面に接触又は対向する部位である。
【００２７】
また、本実施形態においては、図１〜図３に示すように、バッキングプレート３０上には、ターゲット４０が配置されている例を示している。
磁場プロファイルは、磁気回路２０の表面から上方１５ｍｍ〜３５ｍｍの範囲にて、ガウスメーターを用いて測定される。
例えば、厚さ１５ｍｍのバッキングプレートを用いた際には、バッキングプレート３０の表面３０ａから上方０ｍｍ〜２０ｍｍの範囲にて磁場プロファイルが測定される。
なお、本発明のマグネトロンスパッタカソード１Ａには、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＲＦ電源のいずれも、適用することができる。
【００２８】
ヨーク１０は、平板状であり、ヨーク１０の表面１０ａに磁気回路２０（中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３）が設けられている。ヨーク１０は、一般的にマグネトロンスパッタカソードに用いられるヨークであり、ヨークの種類は限定されない。
このヨーク１０としては、例えばフェライト系のステンレス等を用いることができる。また、その大きさは例えば幅２００ｍｍ程度である。
【００２９】
バッキングプレート３０の表面３０ａには、ターゲット４０が載置される。バッキングプレート３０は、一般的なマグネトロンスパッタカソードに用いられるバッキングプレートであり、バッキングプレートの種類は限定されない。
【００３０】
ターゲット４０は、例えば透磁率が３Ｈ／ｍ以下が好ましい。
このようなターゲット４０の構成材料としては、例えば、Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，及びＳｎ等から選ばれる元素を主成分とすることができる。
本実施形態においては、ターゲット４０として、セラミック、例えば、ＩＧＺＯ膜を成膜する構成とすることができる。
【００３１】
バッキングプレート３０とターゲット４０との総厚が１５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であることが好ましい。例えば、１５ｍｍ厚のバッキングプレート３０を用いた際は、ターゲット４０の厚さは２０ｍｍ以下である。また、バッキングプレートを用いない場合は、３５ｍｍ以下のターゲット４０を用いることができる。ターゲット４０の幅は、例えば、２００ｍｍ程度である。
【００３２】
磁気回路２０は、ターゲット４０の表面４０ｂに水平磁界を発生させるようにヨーク１０の表面１０ａに配置されており、中央磁石部２１と周縁磁石部２２と補助磁石部２３とから構成されている。第１実施形態においては、補助磁石部２３は、第一補助磁石部２３ａと第二補助磁石部２３ｂとから構成されている。
【００３３】
中央磁石部２１は、ターゲット４０の長手方向において、ターゲット４０の中央部に直線状に配置されている。
周縁磁石部２２は、中央磁石部２１を包囲するようにヨーク１０の表面１０ａの周縁部に配置され、中央磁石部２１と平行な部位を有している。
【００３４】
第一補助磁石部２３ａ及び第二補助磁石部２３ｂは、中央磁石部２１を包囲するようにヨーク１０の表面１０ａに配置され、中央磁石部２１と平行な部位を有している。
中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３としては、例えばネオジウム，鉄，及びボロンを主成分とする異方性焼結磁石，サマリウムコバルト磁石，フェライト磁石等を用いることができる。
【００３５】
中央磁石部２１，周縁磁石部２２，及び補助磁石部２３の高さ，幅，及び各磁石部の間の距離は、図１Ｃに示す磁場プロファイルを満たすように、適宜調節することができる。
【００３６】
図４は、本実施形態におけるスパッタカソードにおいて得られる磁力線とプラズマを模式的に示す図であり、図５は、本実施形態におけるスパッタカソードにおいてターゲットのエロージョンを模式的に示す図である。
磁気回路２０によりターゲット４０の表面４０ｂ（バッキングプレート３０の上方）に発生された水平方向の磁束密度（Ｂ／／）は、図３に示すように、中央磁石部２１から周縁磁石部２２に向けて、第１領域において正の値、第２領域において負の値となるように設定されている。また、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）は、図３の原点を対称の中心として、点対称に分布している。
【００３７】
そのため、図４に示すような磁力線ＧとプラズマＰの分布が生じ、ターゲット４０のエロージョンが生じる部位を広くすることができる。
なお、図３において、第１領域とは第二象限及び第三象限であり、第２領域とは、第一象限及び第四象限である。
【００３８】
また、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）は、周縁磁石部２２近傍で、正負の符号が逆転する（反転している）ように設定されていることが好ましい。即ち、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）は、前記周縁磁石部の近傍において、第１領域において負、第２領域において正となるように設定されていることが好ましい。
【００３９】
ここで、周縁磁石部２２の周辺（ターゲット４０の周縁）において水平方向の磁束密度（Ｂ／／）が反転していないと、ターゲット４０の外側においても電子にローレンツ力が働く。そのため、プラズマＰがアースシールドに向けて広がり、生成されたプラズマＰがターゲット４０の周縁部にシフトする。
【００４０】
そのため、ターゲット４０の周縁部までスパッタされる。また、ターゲット４０の中央部にはエロージョンが生じていない非エロージョン部が形成される。
また、エロージョンが生じる部位の断面形状は、図１又は図５に示すような台形にはならない。従って、ターゲット４０の使用効率が低下する。
【００４１】
これに対し、本実施形態における図３に示す磁場プロファイルのように、ターゲット４０の周縁部の磁場プロファイルにおいて、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）を反転させることで、電子にかかるローレンツ力が進行方向とは逆方向に生じるため、ターゲット４０の周縁部では放電が生じ難くなる。
【００４２】
その結果、プラズマＰはアースシールド４５に向けてシフトせず、プラズマＰがターゲット４０の中央（中央磁石部２１が配置された領域）から周縁部（周縁磁石部２２が配置された領域）に拡がるように形成される。
【００４３】
そのため、ターゲット４０は、表面４０ｂのより広い領域にわたってスパッタされる。ゆえに、ターゲット４０のエロージョン５の断面形状が台形となって、従来のターゲットに形成されたエロージョンよりも、エロージョン５の形状を広くすることができ、ターゲット４０の使用効率の向上を図ることができる。
【００４４】
極性の反転が生じる磁場プロファイルを有したマグネトロンスパッタカソードでは、バッキングプレートに平行な面における垂直方向の磁束密度（Ｂ⊥）の強度が、ターゲットの表面において０となる箇所付近にプラズマが集中してしまう。
【００４５】
そのため、プラズマが集中した箇所に局所的なエロージョンが観察される。この現象は、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の最大強度が６００ガウスを超えると確認される。すなわち、例えば１５ｍｍ厚のバッキングプレートと２０ｍｍ厚のターゲットとを用いた場合、スパッタが開始される前の初期Ｔ／Ｍ値が３５ｍｍ、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の最大強度が３００ガウスであるが、エロージョンが進行し、例えば１０ｍｍを超えるエロージョンが生じた場合では、Ｔ／Ｍ値は２５ｍｍ未満、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の最大強度は６００ガウスを超える値となる。この場合、上述したように局所的なエロージョンが生じてしまうため、エロージョンの進行にともなって、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の最大強度が１００ガウス以上６００ガウス以下となるようにターゲット４０と磁気回路２０との距離を調節する（ターゲット４０から磁気回路２０を離す）必要がある。
【００４６】
ターゲット４０と磁気回路２０との距離を調整するには、Ｚ軸方向に磁気回路２０を移動させる制御装置を用いることができる。
一方、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の最大強度が１００ガウスよりも小さくなると放電現象が発生せず、スパッタを行うことができない。
本実施形態のマグネトロンスパッタカソード１Ａによれば、図３に示すような磁場プロファイルが得られる。
【００４７】
また、垂直方向の磁束密度の磁場プロファイルは、第１領域及び第２領域の各々において、垂直方向の磁束密度が０である点を３つ有していることが好ましい。具体的には、図３に示すように、第１領域でターゲット４０の中央磁石部２１の直線部と直交する軸方向において、ターゲット４０の半分を更に４等分する部位をＬ１，Ｌ３，Ｌ５とし、ターゲット４０の中央磁石部２１の直線部と直交する軸方向において、ターゲット４０の半分を更に３等分する部位をＬ２，Ｌ４とする。ターゲット４０に平行な面における垂直方向の磁束密度（Ｂ⊥）の磁場プロファイルは、Ｌ２〜Ｌ４の領域において０を３回クロスしていることが好ましい。
【００４８】
また、垂直方向の磁束密度（Ｂ⊥）の磁場プロファイルにおける中央部であって、値が０となる位置は、Ｌ３の近傍にあることが好ましい。
また、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の２つのピークの大きさが同等であり、各ピークはＬ１とＬ５の近傍に位置し、水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の分布のボトムがＬ３の近傍に位置することが好ましい。
【００４９】
本実施形態のマグネトロンスパッタカソードが上記のような磁場プロファイルを有していることで、プラズマＰがＬ３を中心として広がり、エロージョン５の断面形状が図５に示すようなきれいな台形になり、ターゲット４０の使用効率をより向上させることができる。
【００５０】
この際、エロージョン５の断面形状は、図５に示すように、台形の上底５ａ（ターゲット４０の表面４０ｂ側）がターゲット４０の幅の半分程度、台形５の下底５ｂ（ターゲット４０の裏面４０ｅ）がターゲット４０幅の１／６程度となる。なお、図５において、「１／２ＴＧ幅」とは、「ターゲットの幅の１／２の幅」を意味する。
また、エロージョン５の断面形状は、図５に示すように、台形５の下底５ｂ（ターゲット４０の裏面４０ｅ）と、台形５の斜辺５ｃ，５ｄと為す角θ５ｃ，θ５ｄが、１００°〜１４０°の範囲となるように設定されている。
【００５１】
これにより、エロージョン５の面積を拡げることができ、単位面積当たりの投入電力が同じでも、投入電力総計を増大させて、成膜レートを増加することができる。
また、エロージョン５の面積を拡げることで、ターゲット４０に流入する熱量を減少させ、その結果、ターゲット４０の温度上昇の偏在を減少して、クラックの発生を低減することが可能となる。
【００５２】
なお、本実施形態においては、第１領域における磁場プロファイルを説明したが、第２領域における磁場プロファイルは第１領域と同様である。ただし、第２領域における水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の値の符号は、第１領域における水平方向の磁束密度（Ｂ／／）の値の符号に対して反転する。
【００５３】
次に、本実施形態におけるマグネトロンスパッタカソード（スパッタカソード）１（１Ａ）における、投入可能電力の設定と、クラック発生について説明する。
図６は、本実施形態におけるスパッタカソードにおけるテスト工程を示すフローチャートである。
【００５４】
本実施形態におけるスパッタカソード１における投入可能電力の設定をおこなうためのテスト工程は、図６に示すように、放電ＯＮ工程Ｓ０１と、放電ＯＦＦ工程Ｓ０２と、温度確認工程Ｓ０３と、ベント工程Ｓ０４と、確認工程Ｓ０５と、を有する。
【００５５】
本実施形態におけるテスト工程は、スパッタカソード１における投入可能電力の設定をおこなうものとされ、放電ＯＮ工程Ｓ０１は、所定の投入電力として、例えば、２５ｓｅｃ程度とされる成膜時間として、１００ｎｍ程度の成膜をおこなうともに、放電ＯＦＦ工程Ｓ０２として、例えば、３０ｓｅｃ程度のインターバルをおいて、合計５００ｎｍ程度の成膜をおこなう。
【００５６】
次いで、ターゲット４０の温度確認工程Ｓ０３として、水冷機構の水温上昇が所定範囲であることを確認した後、ベント工程Ｓ０４として、排気をおこなう。
【００５７】
次いで、
確認工程Ｓ０５として、ターゲット４０の表面にクラックが発生していないことを目視により確認し、クラックが発生していない場合には、放電ＯＮ工程Ｓ０１に戻って、例えば、１Ｗ／ｃｍ２程度とされる値で投入電力を増加させて、さらに成膜をおこなう。
【００５８】
また、確認工程Ｓ０５として、確認したターゲット４０の表面にクラック、特に、ヘアークラックと称される細いクラックが観察された場合には、直前の放電ＯＮ工程Ｓ０１において投入した電力よりも１段階前の投入電力を投入可能電力として設定し、テスト工程を終了する。
【００５９】
また、投入可能電力を設定した後に、当該投入可能電力における成膜レートを確認する（通過成膜）。
【００６０】
本実施形態におけるテスト工程によれば、スパッタカソード１における投入可能電力、すなわち、投入可能な最大電力を設定することができる。
【００６１】
＜成膜装置＞
次に、本実施形態のスパッタカソード１が適用された成膜装置を説明する。
図７は、本実施形態のスパッタリング方法におけるスパッタ装置の全体構成を示す構成図であり、図８は、本実施形態におけるスパッタチャンバの構成を模式的に示す構成図であり、符号１１０は、スパッタ装置である。
【００６２】
本実施形態に係るスパッタ装置１１０としては、一例として、インターバック方式として基板に形成される化合物膜がインジウムガリウム亜鉛酸化物膜（ＩＧＺＯ膜）である場合を説明する。
【００６３】
［スパッタ装置の全体構成］
本実施形態に係るスパッタ装置１１０は、図７に示すように、搬出入チャンバ１１１、前処理チャンバ１１２、および、スパッタチャンバ１１３が、１つの方向である搬送方向に沿って配列されている。３つのチャンバの各々は、相互に隣り合う他のチャンバとゲートバルブ１１４によって連結されている。３つのチャンバの各々には、チャンバ内を排気する排気部１１５が連結され、３つのチャンバの各々は、排気部１１５の駆動によって個別に減圧される。３つのチャンバの各々の底面には、搬送方向に沿って延びる相互に平行な２つのレーンである成膜レーン１１６と回収レーン１１７とが敷かれている。
【００６４】
成膜レーン１１６と回収レーン１１７とは、例えば、搬送方向に沿って延びるレールと、搬送方向に沿って配置された複数のローラーと、複数のローラーの各々を自転させる複数のモーター等から構成される。成膜レーン１１６は、スパッタ装置１１０の内部に搬入されたトレイ１０１を搬出入チャンバ１１１からスパッタチャンバ１１３に向けて搬送し、回収レーン１１７は、スパッタチャンバ１１３の内部に搬入されたトレイ１０１をスパッタチャンバ１１３から搬出入チャンバ１１１に向けて搬送する。
【００６５】
トレイ１０１には、紙面の手前に向かって延びる矩形状をなす基板１０２が立てられた状態で固定されている。基板１０２の幅は、例えば、搬送方向に沿って２２００ｍｍであり、紙面の手前に向かって２５００ｍｍである。
【００６６】
搬出入チャンバ１１１は、スパッタ装置１１０の外部から搬入される成膜前の基板１０２を前処理チャンバ１１２へ搬送し、前処理チャンバ１１２から搬入される成膜後の基板１０２をスパッタ装置１１０の外部に搬出する。成膜前の基板１０２が外部から搬出入チャンバ１１１へ搬入されるとき、また、成膜後の基板１０２が搬出入チャンバ１１１から外部へ搬出されるとき、搬出入チャンバ１１１は内部を大気圧まで昇圧する。成膜前の基板１０２が搬出入チャンバ１１１から前処理チャンバ１１２へ搬入されるとき、また、成膜後の基板１０２が前処理チャンバ１１２から搬出入チャンバ１１１へ搬出されるとき、搬出入チャンバ１１１は前処理チャンバ１１２の内部と同じ程度にまで内部を減圧する。
【００６７】
前処理チャンバ１１２は、搬出入チャンバ１１１から前処理チャンバ１１２へ搬入された成膜前の基板１０２に、成膜に必要とされる処理として、例えば、加熱処理や洗浄処理等を行う。前処理チャンバ１１２は、搬出入チャンバ１１１から前処理チャンバ１１２へ搬出された基板１０２をスパッタチャンバ１１３へ搬入する。また、前処理チャンバ１１２は、スパッタチャンバ１１３から前処理チャンバ１１２へ搬出された基板１０２を搬出入チャンバ１１１へ搬出する。
【００６８】
スパッタチャンバ１１３は、基板１０２に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置１１８、および、成膜レーン１１６と回収レーン１１７との間に配置されたレーン変更部１１９を備えている。スパッタチャンバ１１３は、前処理チャンバ１１２からスパッタチャンバ１１３へ搬入された成膜前の基板１０２に対し、カソード装置１１８を用いてＩＧＺＯ膜を形成する。スパッタチャンバ１１３は、レーン変更部１１９を用いて成膜後のトレイ１０１を成膜レーン１１６から回収レーン１１７へ移動させる。
【００６９】
［スパッタチャンバの構成］
スパッタチャンバ１１３の成膜レーン１１６は、図８に示すように、前処理チャンバ１１２からスパッタチャンバ１１３へ搬入された基板１０２を搬送方向に沿って搬送し、基板１０２への薄膜の形成が開始されてから終了されるまでの間は、成膜レーン１１６の途中でトレイ１０１の位置を固定する。トレイ１０１の位置がトレイ１０１を支持する支持部材によって固定されるとき、基板１０２における搬送方向の縁の位置も固定される。
【００７０】
スパッタチャンバ１１３のガス供給部１２１は、トレイ１０１とカソード装置１１８との間の隙間に、スパッタに用いられるガスを供給する。ガス供給部１２１から供給されるガスには、アルゴンガス等のスパッタガスと酸素ガス等の反応ガスとが含まれる。
【００７１】
カソード装置１１８は、１つのスパッタカソード（カソードユニット）１Ａ（１）を有し、スパッタカソード１Ａ（１）は、基板１０２の表面１０２ａと対向する平面に沿って配置されている。スパッタカソード１Ａ（１）では、ターゲット４０、バッキングプレート３０、磁気回路２０、および、ヨーク１０が、基板１０２に近い側からこの順に配置されている。
【００７２】
ターゲット４０は、基板１０２と対向する平面に沿った平板状に形成され、紙面と直交する方向である高さ方向において基板１０２よりも長い幅を有し、また、搬送方向において基板１０２よりも小さい幅、例えば５分の１程度の幅を有する。ターゲット４０の形成材料では主たる成分がＩＧＺＯである。
【００７３】
バッキングプレート３０は、基板１０２と対向する平面に沿った平板状に形成され、ターゲット４０にて基板１０２と向かい合わない面に接合されている。バッキングプレート３０には、直流電源１２６Ｄが接続している。直流電源１２６Ｄから供給される直流電力は、バッキングプレート３０を通じてターゲット４０に供給される。
【００７４】
磁気回路２０は、図１，図２に示すように、相互に異なる磁極を有した複数の磁性体によって構成され、ターゲット４０の表面４０ａであって、基板１０２と向かい合うターゲット４０の側面にマグネトロン磁場を形成する。ターゲット４０の表面４０ａに対する法線に沿った方向が法線方向であるとき、ターゲット４０の表面４０ａと基板１０２の表面１０２ａとの間の隙間で生成されるプラズマの密度は、磁気回路２０が形成するマグネトロン磁場のうち法線方向に沿った磁場成分が０（Ｂ⊥０）である部分において最も高くなる。以下では、磁気回路２０の形成するマグネトロン磁場のうち、法線方向に沿った磁場成分が０である領域がプラズマ密度の高い領域である。
【００７５】
カソード装置１１８は、スパッタカソード１Ａ（１）を１つの方向である走査方向に沿って移動させる走査部１２７を備える。走査方向は、搬送方向と平行な方向である。走査部１２７は、例えば、走査方向に沿って延びるレールと、スパッタカソード１Ａ（１）における高さ方向の２つの端部の各々に取り付けられたローラーと、ローラーの各々を自転させる複数のモーター等から構成される。走査部１２７のレールは、走査方向において基板１０２よりも長い幅を有する。なお、走査部１２７は、走査方向に沿ってスパッタカソード１Ａ（１）を移動させることが可能であれば、他の構成として具体化されてもよい。
【００７６】
走査部１２７は、スパッタカソード１Ａ（１）を走査方向に沿って移動させることによって、ＩＧＺＯ膜の形成領域Ｒ１と対向する空間である対向領域Ｒ２でスパッタカソード１Ａ（１）を走査する。成膜対象物の一例である基板１０２における表面１０２ａの全体が、ＩＧＺＯ膜の形成領域Ｒ１の一例である。走査部１２７は、カソード装置１１８がスパッタ粒子を放出してＩＧＺＯ膜の形成を開始するとき、例えば、走査部１２７における走査方向の一端部である開始位置Ｓｔから、走査方向の他端部である終了位置Ｅｎに向けて走査方向に沿ってスパッタカソード１Ａ（１）を移動させる。これにより、走査部１２７は、スパッタカソード１Ａ（１）のターゲット４０を形成領域Ｒ１と対向する対向領域Ｒ２で走査する。
【００７７】
形成領域Ｒ１と対向領域Ｒ２とが対向する方向が対向方向である。対向方向にて、基板１０２の表面１０２ａと、ターゲット４０の表面４０ａとの間の距離は、３００ｍｍ以下であり、例えば、１５０ｍｍである。
【００７８】
スパッタカソード１Ａ（１）が開始位置Ｓｔに配置されるとき、走査方向での形成領域Ｒ１の２つの端部のうち、スパッタ粒子が先に到達する第１端部Ｒｅ１と、走査方向にて第１端部Ｒｅ１に近いターゲット４０の第１端部４０ｅ１との間の走査方向に沿った距離が、１５０ｍｍ以上である。
【００７９】
スパッタカソード１Ａ（１）が終了位置Ｅｎに位置するとき、走査方向での形成領域Ｒ１の２つの端部のうち、スパッタ粒子が後に到達する第２端部Ｒｅ２と、走査方向にて、第２端部Ｒｅ２に近いターゲット４０の第２端部４０ｅ２との間の走査方向に沿った距離が、１５０ｍｍ以上である。
【００８０】
なお、形成領域Ｒ１にＩＧＺＯ膜が形成されるとき、走査部１２７は、スパッタカソード１Ａ（１）を開始位置Ｓｔから終了位置Ｅｎに向けて走査方向に沿って１回走査してもよい。あるいは、走査部１２７は、スパッタカソード１Ａ（１）を開始位置Ｓｔから終了位置Ｅｎに向けて走査方向に沿って走査した後、終了位置Ｅｎから開始位置Ｓｔに向けて走査方向に沿って走査してもよい。これにより、走査部１２７は、スパッタカソード１Ａ（１）を走査方向に沿って２回走査する。走査部１２７は、スパッタカソード１Ａ（１）を走査方向に沿って開始位置Ｓｔと終了位置Ｅｎとに交互に移動させることによって、スパッタカソード１Ａ（１）を開始位置Ｓｔと終了位置Ｅｎとの間で複数回走査してもよい。走査部１２７がスパッタカソード１Ａ（１）を走査する回数は、ＩＧＺＯ膜の厚さに合わせて変更され、スパッタカソード１Ａ（１）の走査回数以外の条件が同じであれば、ＩＧＺＯ膜の厚さが大きいほど、走査部１２７がスパッタカソード１Ａ（１）を走査する回数が大きい値に設定される。
【００８１】
本実施形態においては、いわゆるムービングカソードとして、スパッタカソード１Ａ（１）を走査しながら成膜をおこなう。この際、エロージョン５の面積を拡げることができ、単位面積当たりの投入電力が同じでも、投入電力総計を増大させて、ムービングカソードにおける成膜レートを増加することができる。
また、エロージョン５の面積を拡げることで、ターゲット４０に流入する熱量を減少させ、その結果、ターゲット４０の温度上昇の偏在を減少して、クラックの発生を低減することが可能となる。
【００８２】
本実施形態においては、シャントを磁石の側面に配置し、磁場を調整することができる。
また、本実施形態においては、シャントを磁気回路２０とターゲット４０との間に配置し、磁場を調整することができる。
さらに、第一補助磁石部２３ａ及び第二補助磁石部２３ｂの材質と中央磁石部２１及び周縁磁石部２２の材質とが互いに異なるように構成することもできる。
この場合、例えば、中央磁石部２１及び周縁磁石部２４の材質としてネオジウム，鉄，及びボロンを主成分とする異方性焼結磁石を用いる場合、第一補助磁石部２３ａ及び第二補助磁石部２３ｂとしては、サマリウムコバルト磁石，フェライト磁石等を用いることができる。
なお、必ずしも第一補助磁石部２３ａ及び第二補助磁石部２３ｂの材質を変える必要はなく、どちらか一方の磁石部の材質を変えても良いし、中央磁石部２１又は周縁磁石部２２の材質を変えた構成であってもよい。
【００８３】
さらに、磁石部の大きさが異なるように構成することもできる。
この場合、第一補助磁石部２３ａ及び第二補助磁石部２３ｂの高さが磁石部２１，２２よりも小さく設定されており、バッキングプレート３０との間に空隙７が形成されている。
なお、必ずしも第一補助磁石部２３ａと第二補助磁石部２３ｂの大きさを変える必要はなく、どちらか一方の磁石部の大きさを変えても良いし、中央磁石部２１又は周縁磁石部２２の大きさを変えてもよい。
【００８４】
また、磁石の磁力等に応じて適宜調節して、磁石部を設置してもよい。
【実施例】
【００８５】
以下、本発明にかかる実施例を説明する。
【００８６】
なお、本発明におけるスパッタリングカソードによるＩＧＺＯ膜の成膜における具体例について説明する。
ここでは、図１，図２に示すスパッタリングカソード１によって、ＩＧＺＯ膜の成膜を図４に示すテスト工程として、投入するパワーを１Ｗ／ｃｍ２ずつ増加させておこなう際における諸元を示す。
【００８７】
装置：インターバック式
放電方式：ＤＣ＋Ａ２ｋ（２０ｋＨｚ＿５μｓｅｃ）
ＴＧ  ：  ＩＧＺＯ
ＴＧ  Ｓｉｚｅ  ：  １３５ｍｍ×４６０ｍｍ
磁気回路（ＵＬＭＡＧ）大きさ  ：  １３５ｍｍ×４６０ｍｍ
【００８８】
このときの、成膜条件を示す。
成膜圧力：０．３Ｐａ
プロセスガス（Ａｒ）：９０ｓｃｃｍ
【００８９】
また、比較のため、第一補助磁石部２３ａと第二補助磁石部２３ｂとを有さない磁気回路にて、同様に、ＩＧＺＯ膜の成膜をおこなった。
磁気回路（Ｎｏｒｍａｌ）大きさ  ：  １３５ｍｍ×４６０ｍｍ
【００９０】
これらの結果を次に示す。
・パワー密度７（Ｗ／ｃｍ２）
Ｎｏｒｍａｌ：クラックなし  ＵＬＭＡＧ：クラックなし
・パワー密度８（Ｗ／ｃｍ２）
Ｎｏｒｍａｌ：クラック有り  ＵＬＭＡＧ：クラックなし
・パワー密度１０（Ｗ／ｃｍ２）
ＵＬＭＡＧ：クラックなし
・パワー密度１０（Ｗ／ｃｍ２）
ＵＬＭＡＧ：クラック有り
【００９１】
この結果から、本発明のＵＬＭＡＧの方がＮｏｒｍａｌに比べ１．４倍のＰｏｗｅｒが投入できることがわかる。また、Ｎｏｒｍａｌでは、クラックの発生寸法が、前記平行領域における長手寸法１／２よりも大きい状態であるのに対して、本発明のＵＬＭＡＧにおいて、クラックの発生寸法が、前記平行領域における長手寸法１／２よりも小さいことがわかる。
【００９２】
また、本発明のＵＬＭＡＧとＮｏｒｍａｌとにおける成膜レートを比較した。
これらの結果を図９に示す。なお、図９の縦軸は規格化している。
同一投入電力の場合、Ｎｏｒｍａｌと本発明のＵＬＭＡＧでの成膜レートは同等であった。したがって、投入電力を増大できる分だけ、本発明のＵＬＭＡＧでの成膜レートも増大することができる。また、本発明のＵＬＭＡＧにおいて、投入電力の増大による成膜レートの損失量は少ないことがわかる。
【００９３】
本発明のＵＬＭＡＧは、Ｎｏｒｍａｌとパワー密度がほぼ同等である。しかし、パワーまたは熱の入り方が、Ｎｏｒｍａｌではターゲットに集中するのに対して、本発明のＵＬＭＡＧはパワーまたは熱の入り方が分散されるため、Ｎｏｒｍａｌの磁気回路を有するカソードに比べて、本発明のＵＬＭＡＧでは、クラックを発生することなく投入できる最大パワーを上げることができたと考えられる。
【符号の説明】
【００９４】
１（１Ａ）…マグネトロンスパッタカソード（スパッタカソード）
１０…ヨーク
２０…磁気回路
２１…中央磁石部
２２…周縁磁石部
２３…補助磁石部
２３ａ…第一補助磁石部
２３ｂ…第二補助磁石部
３０…バッキングプレート
４０…ターゲット
４０ｅ１…第１端部
４０ｅ２…第２端部
４５…アースシールド
５…エロージョン
７…空隙
１０１…トレイ
１０２…基板
１１０…スパッタ装置
１１１…搬出入チャンバ
１１２…前処理チャンバ
１１３…スパッタチャンバ
１１４…ゲートバルブ
１１５…排気部
１１６…成膜レーン
１１７…回収レーン
１１８…カソード装置
１１９…レーン変更部
１２１…ガス供給部
１２６Ｄ…直流電源
１２７…走査部
Ｒｅ１…第１端部
Ｒｅ２…第２端部
Ｓｔ…開始位置
Ｅｎ…終了位置
Ｓ…平行領域
【図１】
2019196532.tif 000003
【図２】
2019196532.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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