(57)【要約】      （修正有）【課題】表面層と光導電層との間に干渉防止層を設ける構成の電子写真感光体において、干渉防止機能の検査を簡単に実施する。【解決手段】光導電層、光導電層の上に干渉防止層、および、干渉防止層の上に表面層を有する電子写真感光体の検査方法において、光導電層が、ケイ素原子を含有するアモルファス材料、干渉防止層が、ケイ素原子及び炭素原子を含有するアモルファス材料で形成されており、表面層の屈折率がｎｓであり、屈折率がｎｓにほぼ等しいｎｆを有し、膜厚がｄｆ１である第１のフィルムを表面層の表面に密着させた状態で波長λを変化させて光の反射光強度Ｒ１を測定する第１測定工程と、屈折率がｎｆに等しく、膜厚がｄｆ２である第２のフィルムを表面層の表面に密着させた状態で波長λを変化させて光の反射光強度Ｒ２を測定する第２測定工程と、反射光強度Ｒ１及び反射光強度Ｒ２の最大値と最小値との差を所定の閾値と比較する比較工程とを有する。【選択図】図４
2019109337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導電層、前記光導電層の上に干渉防止層、および、前記干渉防止層の上に表面層を有する電子写真感光体の検査方法において、
前記光導電層が、ケイ素原子を含有するアモルファス材料で形成されており、
前記干渉防止層が、ケイ素原子及び炭素原子を含有するアモルファス材料で形成されており、
前記表面層の屈折率がｎｓであり、
屈折率が前記ｎｓにほぼ等しいｎｆを有し、膜厚がｄｆ１である第１のフィルムを前記表面層の表面に密着させた状態で波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ１を測定する第１測定工程と、
屈折率が前記ｎｆに等しく、膜厚がｄｆ２（ｄｆ１≠ｄｆ２）である第２のフィルムを前記表面層の表面に密着させた状態で波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ２を測定する第２測定工程と、
前記反射光強度Ｒ１及び前記反射光強度Ｒ２の最大値と最小値との差を所定の閾値と比較する比較工程とを有することを特徴とする電子写真感光体の検査方法。
【請求項２】
前記比較工程における前記最大値と前記最小値との差が前記所定の閾値を超えないときは、前記フィルムを除去し前記電子写真感光体を次の工程に移行し、
前記比較工程における前記最大値と前記最小値との差が前記所定の閾値を超えるときは、前記電子写真感光体を次の工程には移行せず廃棄する請求項１に記載の電子写真感光体の検査方法。
【請求項３】
前記ｎｆと、前記ｎｓとが以下の式を満たす請求項１又は２に記載の電子写真感光体の検査方法：
０≦｜ｎｓ−ｎｆ｜＜０．０５。
【請求項４】
前記電子写真感光体を搭載する電子写真装置の画像露光光の波長をλＩＥ［ｎｍ］としたとき、
前記λminが（λＩＥ−２０）［ｎｍ］であり、
前記λmaxが（λＩＥ＋２０）［ｎｍ］である
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子写真感光体の検査方法。
【請求項５】
前記表面層の膜厚がｄｓであり、
前記ｎｆと前記ｎｓとはいずれもｎであり、
前記のλmin〜λmaxの範囲内に、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ１）／λ）＝１を満たすλ１が存在し、かつ
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ２）／λ）＝−１を満たすλ２が存在する、
又は
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ１）／λ）＝−１を満たすλ１が存在し、かつ
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ２）／λ）＝１を満たすλ２が存在する
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子写真感光体の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、帯電、画像露光、現像、転写、クリーニングなどの各種プロセスに関わるため、使用に伴って電子写真感光体の表面は摩耗する。したがって、より長い期間の使用に耐えうるように電子写真感光体に摩耗しにくい表面層を設ける技術が実用化されている。しかし、摩耗しにくい表面層を設けた場合であっても、摩耗がなくなるわけではなく、長い期間の使用により徐々に表面層は摩耗する。
【０００３】
例えば、アモルファスシリコンで構成された光導電層を有する電子写真感光体の場合、光導電層上にアモルファスシリコンカーバイドあるいはアモルファスカーバイドで構成された表面層を設ける技術が実用化されている。このように光導電層と表面層とを異なる材料で構成する場合、材料の屈折率が異なるため、光導電層と表面層との界面において画像露光光の一部が反射する。また、同様の理由から、表面層と大気との界面においても画像露光光の一部が反射する。これら２つの反射光は干渉するが、その干渉条件は、主として表面層の屈折率と膜厚で決まる。したがって、使用により表面層が摩耗すると、干渉条件が変化し、光導電層に到達する画像露光光の光量が変化してしまい、電子写真感光体の感度が変動してしまう。
【０００４】
このような、感度の変動を抑制するために、内部に干渉防止層を有する電子写真感光体が開示されている。
表面層をアモルファスシリコンカーバイドで構成し、表面層と光導電層との界面から前記表面層の自由表面側に向けて濃度が増大するように前記表面層中に炭素原子を分布させる干渉防止層の構成が開示されている。（特許文献１参照）
【０００５】
また、所定の条件を満たす屈折率を有する複数の層で構成され、所定の波長に対して干渉防止機能を有する干渉防止層が開示されている。そして、干渉防止機能の検査として、表面層の摩耗を再現するために、研磨手段によって表面層の研磨を行い、そのときの電子写真感光体の表面での反射率を測定することで、感度変動の代替評価を行うという技術が開示されている。（特許文献２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６２−２５８４６６号公報
【特許文献２】特開２０１２−３２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述のように、干渉防止機能の検査として表面層の膜厚を変化させ、そのときの電子写真感光体の表面での反射率が測定されている。
ここで、屈折率の異なる層を積層してなる多層膜の界面で生じる反射について説明する。
屈折率の異なる２つの層が作る界面に光が入射した場合、界面において入射光の一部が反射する。具体的には、図１に示すように屈折率ｎ１の層から入射角θ１で屈折率ｎ２の層に光が入射した場合、界面での振幅反射率ｒと振幅透過率ｔは、フレネルの式から、下記式（１）〜（４）で表される。ただし、屈折角をθ２とする。
入射面と偏光面が垂直であるＳ波の場合は下記式（１）、（２）のとおりである。
【０００８】
【数１】
2019109337.tif 000003
【０００９】
【数２】
2019109337.tif 000004
入射面と偏光面が平行であるＰ波の場合は下記式（３）、（４）のとおりである。
【００１０】
【数３】
2019109337.tif 000005
【００１１】
【数４】
2019109337.tif 000006
一方、スネルの法則から、入射角θ１と屈折角θ２は下記式（５）を満たしている。
【００１２】
【数５】
2019109337.tif 000007
【００１３】
電子写真装置の場合、電子写真感光体に潜像を形成する画像露光光は、通常、電子写真感光体の表面に対して垂直に近い角度で露光する。詳細には、主走査方向には±１５°程度、副走査方向には５°以下の入射角で露光されるのが一般的である。一方、電子写真感光体の表面層に用いられる材料の屈折率は、一般的に１．５以上であるから、表面層を透過した光は、１０°未満で下の層へ入射する。よって、表面層１０４と光導電層１０２との間に設ける干渉防止層１０３の反射を考慮する場合には、θ１＝θ２≒０と近似しても大きな問題はない。したがって、これらの近似より、振幅反射率ｒおよび振幅透過率ｔは、下記式（６）および（７）で表せる。
【００１４】
【数６】
2019109337.tif 000008
【００１５】
【数７】
2019109337.tif 000009
【００１６】
なお、反射光強度ＲはＲ＝｜ｒ｜２、透過光強度ＴはＴ＝１−Ｒである。
以上のことから、界面における反射光強度は、界面を形成している２種類の材料の屈折率で決まることがわかる。ちなみに、振幅反射率ｒが正の場合、入射光の位相と反射光の位相が一致していることを意味し、振幅反射率ｒが負の場合、入射光と反射光の位相がπずれることを意味している。したがって、低屈折率の層から高屈折率の層へ光が入射する場合には、反射光と入射光の位相差はπとなり、高屈折率の層から低屈折率の層へ光が入射する場合には、反射光と入射光の位相差は０（ゼロ）になる。
【００１７】
次に電子写真感光体を用いた、測定に関して説明する。
図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、電子写真感光体の一例を示す模式的断面図である。
図２（ｃ）に示す電子写真感光体は、基体１０１と、基体１０１の上に順次設けられる下部電荷注入阻止層１０２、光導電層１０３及び表面層１０４で構成されている。さらに、図２（ａ）及び（ｂ）に示す電子写真感光体は、光導電層１０３と表面層１０４の間に設けられた、干渉防止層１０５、又は干渉防止層１０６で構成される。
【００１８】
光導電層１０３は屈折率がｎｐ、膜厚がｄｐである。
表面層１０４は屈折率がｎｓ、膜厚がｄｓである。
図２（ａ）に示す干渉防止層１０５は、膜厚がｄｒで、光導電層１０３と接する部分は屈折率が光導電層１０３の屈折率と等しいｎｐで、表面層１０４と接する部分は表面層１０４の屈折率と等しいｎｓである。そして、干渉防止層１０５の中は、屈折率がｎｐからｎｓまで直線的に変化している。
よって、干渉防止層１０５の、光導電層１０３との界面部分と、表面層１０４との界面部分では生じる反射光は大幅に抑制されている。さらに、干渉防止層１０５の中の屈折率を直線的に所定の膜厚で変化させることで、干渉防止層１０５の中での反射も大幅に抑制されている。
【００１９】
図２（ｂ）に示す干渉防止層１０６は、図中に破線で示したように、所定の条件を満たす屈折率と膜厚を有する複数の層で構成されている。
これにより、各層間の反射光と入射光を多重反射させることで、特定の波長に対して干渉防止機能を付与している。
【００２０】
画像露光光は光導電層１０３で吸収させることで光キャリアを生成させ、電子写真感光体の表面に画像を形成している。よって、画像露光光は、光導電層１０３で吸収されるように波長が選択されている。そのため、光導電層１０３から、干渉防止層１０５に戻ってくる画像露光光はほとんど無視しても良い。
このため、図２（ａ）に示す電子写真感光体の表面で測定される画像露光光の反射率は、大気と表面層１０４の屈折率ｎｓとの界面で生じる反射光強度Ｒでほぼ決定される値となる。
【００２１】
一方、図２（ｃ）に示す、干渉防止層１０５、１０６が設けられていない電子写真感光体の場合は、反射光強度Ｒは、大気と表面層１０４との界面で生じる反射光と、表面層１０４と光導電層１０３との界面で発生する反射光との干渉によって決定される。
干渉は一般的に知られている様に、波長λと表面層１０４の屈折率ｎｓと膜厚ｄｓとによって変化し、波長λと屈折率ｎｓとを固定した場合、膜厚ｄｓによって反射光強度Ｒが増減する。
【００２２】
図３（ａ）に、図２（ａ）の電子写真感光体の表面での反射光強度Ｒを示し、図３（ｂ）に、図２（ｃ）の電子写真感光体の表面での反射光強度Ｒを示す。
図３（ａ）、（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射光強度Ｒ（％）を示す。そして、表面層１０４の屈折率ｎｓ＝１．６０とし、表面層１０４の膜厚を２６００Åから２０００Å、１５００Å、１０００Åへ順次変化させた。
【００２３】
図３（ｂ）に示すように、干渉防止層１０５を設けていない場合は、表面層１０４の膜厚を変化させると、例えば、画像露光光源として６６０（ｎｍ）の半導体レーザーを使用した場合、表面での反射光強度Ｒが２５（％）程度変化してしまう。
つまり表面層１０４から、電子写真感光体内への入射光量が２５（％）程度変化してしまう。
一方、図３（ａ）に示すように、干渉防止層１０５を設けた場合は、設けられた干渉防止層１０５が正常に機能すれば、表面層１０４の膜厚が変化しても、表面での反射光強度Ｒの変化は２（％）以下に抑えられている。
この様に、表面層１０４の膜厚を変化させ、そのときの反射光強度Ｒを計測することで、干渉防止層１０５、１０６が正常に機能しているかを評価することが可能である。
【００２４】
しかしながら表面層の膜厚を変化させるために、表面層を研磨手段により研磨する場合、一般的に摩耗しにくい表面層を設けてあるので、研磨に時間がかかり、その結果、検査工程に時間がかかる場合があった。
また、表面層を研磨するため、いわゆる破壊検査になるので、抜き取り検査が基本となり全数検査はできない状況であった。
【００２５】
さらに、この様に研磨に時間がかかるため検査に時間がかかったり、破壊検査で感光体をその都度廃棄したりすることで、感光体の製造コストがアップする要因となっていた。
本発明の目的は、表面層と光導電層との間に干渉防止層を設ける構成の電子写真感光体において、干渉防止機能の検査を簡単に実施することが可能な検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
そこで、本発明によれば、
光導電層、前記光導電層の上に干渉防止層、および、前記干渉防止層の上に表面層を有する電子写真感光体の検査方法において、
前記光導電層が、ケイ素原子を含有するアモルファス材料で形成されており、
前記干渉防止層が、ケイ素原子及び炭素原子を含有するアモルファス材料で形成されており、
前記表面層の屈折率がｎｓであり、
屈折率が前記ｎｓにほぼ等しいｎｆを有し、膜厚がｄｆ１である第１のフィルムを前記表面層の表面に密着させた状態で波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ１を測定する第１測定工程と、
屈折率が前記ｎｆに等しく、膜厚がｄｆ２（ｄｆ１≠ｄｆ２）である第２のフィルムを前記表面層の表面に密着させた状態で波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ２を測定する第２測定工程と、
前記反射光強度Ｒ１及び前記反射光強度Ｒ２の最大値と最小値との差を所定の閾値と比較する比較工程とを有する電子写真感光体の検査方法が提供される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、表面層と光導電層との間に干渉防止層を設ける構成の電子写真感光体において、干渉防止機能の検査を簡単に実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】屈折率の異なる界面に光が入射したときの透過光と反射光を示す模式図
【図２】電子写真感光体の一例を示す模式的断面図
【図３】表面層の膜厚と反射光強度との関係を示すグラフ
【図４】本発明に好適に用いられる電子写真感光体を検査するためのフィルムを密着した状態の一例を示す模式的断面図
【図５】表面層の膜厚を変化させたときの、反射光強度の変動率を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の電子写真感光体の検査方法を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
検査対象となる電子写真感光体は、光導電層、光導電層の上に干渉防止層、および干渉防止層の上に表面層を有する。
光導電層は、ケイ素原子を含有するアモルファス材料で形成されている。
干渉防止層は、ケイ素原子及び炭素原子を含有するアモルファス材料で形成されている。
表面層の屈折率をｎｓとする。
【００３０】
波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ１を測定する第１測定工程と、
波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ２を測定する第２測定工程と、
反射光強度Ｒ１及び反射光強度Ｒ２の最大値と最小値との差を所定の閾値と比較する比較工程とを有する。
【００３１】
第１測定工程においては、屈折率がｎｓにほぼ等しいｎｆを有し、膜厚がｄｆ１である第１のフィルムを表面層の表面に密着させた状態で波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ１を測定する。
第２測定工程においては、屈折率がｎｆに等しく、膜厚がｄｆ２（ｄｆ１≠ｄｆ２）である第２のフィルムを表面層の表面に密着させた状態で波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させて光の反射光強度Ｒ２を測定する。
比較工程においては、反射光強度Ｒ１及び反射光強度Ｒ２の最大値と最小値との差を所定の閾値と比較する。
【００３２】
比較工程において、反射光強度Ｒ１及び反射光強度Ｒ２の最大値と前記最小値との差が所定の閾値を超えないときは、フィルムを除去し電子写真感光体を次の工程に移行し、
比較工程において、最大値と前記最小値との差が前記所定の閾値を超えるときは、前記電子写真感光体を次の工程には移行せず廃棄する、というように比較工程における比較の結果を利用することができる。
【００３３】
図４（ａ）、図４（ｂ）は、膜厚の異なるフィルムを電子写真感光体の表面に密着させた場合の一例を示す模式的断面図である。
ここで、図４に示す電子写真感光体は、図２（ａ）に示す電子写真感光体と同じ層構成である。
第１のフィルム４０１の屈折率ｎｆは表面層１０４の屈折率ｎｓと等しく、膜厚がｄｆ１である。
第２のフィルム４０２の屈折率ｎｆは表面層１０４の屈折率ｎｓと等しく、膜厚がフィルム４０１と異なるｄｆ２である。
第１のフィルム４０１及び第２のフィルム４０２は、表面層１０４の上に密着させた。
【００３４】
本発明の電子写真感光体の検査方法は以下の様に実施される。
先ず、作製された電子写真感光体の表面に第１のフィルム４０１を密着させる。
密着の仕方は特に制限は無いが、フィルム４０１にテンションを付与して巻き付けるように電子写真感光体の表面に密着させても良い。また、表面層１０４の上に置いたフィルム４０１を冶具等で、上から押さえ付けて密着させてもよい。
【００３５】
第１のフィルム４０１を密着させた後、フィルム４０１の上の反射光強度Ｒ［％］の測定を行う。
第１のフィルム４０１を用いて測定する反射光強度Ｒ（４０１）は第１のフィルム４０１に対して垂直に光を入射し、所定の波長における反射光強度Ｒ（４０１）の測定を行う。測定箇所は必要に応じて設定すれば良く、電子写真感光体の周方向に、あるいは、長手方向に複数箇所測定しても良い。いずれの場合でも、測定箇所には、前述の方法で第１のフィルム４０１を電子写真感光体の表面に密着させて測定を行う。
【００３６】
測定する波長は、使用する電子写真装置の画像露光光の波長λとするのが好ましい。また、画像露光光の波長λを中心として任意の波長範囲（λmin〜λmax）で測定してもよい。
実際の電子写真装置の画像露光光源としてよく使用される半導体レーザーには、発振波長の中心波長に対して±数ｎｍ程度の半値幅が存在することが多く、ＬＥＤには、２０ｎｍ程度の半値幅が存在することが多い。また、半導体レーザーには、発振波長に０．２ｎｍ／℃程度の温度依存性（例えば５０℃差で１０ｎｍ）があることも知られている。したがって、画像露光光の波長λを中心に±２０ｎｍ程度の範囲の波長における反射光強度Ｒ［％］の測定をした方がより好ましい。
つまり、画像露光光の波長をλＩＥ［ｎｍ］としたとき、
λminを（λＩＥ−２０）［ｎｍ］とし、
λmaxを（λＩＥ＋２０）［ｎｍ］とすることがより好ましい。
【００３７】
第１のフィルム４０１を用いた反射光強度Ｒ（４０２）の測定が終了したら、第１のフィルム４０１を外し、第２のフィルム４０２を電子写真感光体の表面に密着させて、第１のフィルム４０１と同様に反射光強度Ｒ（４０２）の測定を行う。
次に、反射光強度Ｒ（４０１）、および反射光強度Ｒ（４０２）を用いて所定の解析を行い、干渉防止層１０５が正常に機能しているかの判定を行う。
干渉防止層１０５が正常に機能しているかは、フィルム４０１、フィルム４０２を用いてフィルムの膜厚を変化させたときの反射光強度Ｒ［％］の変動により判定することができる。
【００３８】
前述の図３（ａ）に示したように、干渉防止層１０５が正常に機能している場合には、表面層１０４の膜厚を変化させた場合の、画像露光光の波長λ（例えばλ＝６６０ｎｍ）における反射光強度Ｒの変化は非常に小さく、変化しても数％程度となっている。さらに、画像露光光の波長λの近傍の波長においても反射光強度Ｒの変化は非常に小さい。
【００３９】
一方、前述の図３（ｂ）に示したように、干渉防止層１０５が存在しない又は干渉防止層１０５が正常に機能していない場合には、画像露光光の波長λにおける反射光強度Ｒの変化は大きく、２５％近く変化する。
よって、前もって干渉防止層１０５が正常に機能している電子写真感光体に対して、第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２を用いて反射光強度Ｒの測定を行う。そして、画像露光光の波長λにおける反射光強度Ｒの変化、あるいは、画像露光光の波長λの近傍も含めた反射光強度Ｒの変化を基準とし、所定の閾値を決めてこの閾値を用いて判定を行えばよい。
【００４０】
第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２の屈折率ｎｆは、表面層１０４の屈折率ｎｓと同等にすることが好ましい。そのようにすることで、第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２と、表面層１０４との界面での光の反射を低減することができるためである。
第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２の屈折率と、表面層１０４の屈折率との間に大きな差が生じていると、「フィルム４０１，４０２の表面での反射光」と、「フィルム４０１、４０２と、表面層１０４との界面での反射光」とが干渉してしまう。この場合、測定される反射光強度Ｒの変動の要因として、フィルム膜厚を変化させたときの干渉に起因する変動が含まれてしまい、正確に、干渉防止層１０５の機能を評価できない場合が発生する。
よって、フィルム４０１、４０２の屈折率ｎｆと、表面層１０４の屈折率ｎｓとの差が以下の式を満たすことが好ましい。
０≦｜ｎｓ−ｎｆ｜＜０．０５
｜ｎｓ−ｎｆ｜が０．０５未満であれば、測定される反射光強度Ｒの変動の要因として、フィルム膜厚を変化させたときの干渉に起因する変動が含まれにくく、干渉防止層の機能を正しく評価することができる。
【００４１】
第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２に関しては特に制限は無い。
材料として、高分子膜が挙げられ、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデンが好適である。
膜厚についても、特に制限は無いが、入射波長に対しての吸収量が多くなると、反射光量が少なくなり正確に干渉状態を測定できない場合があるので、２０μｍ以下の薄膜が好ましい。
【００４２】
本発明の検査方法に用いられる電子写真感光体は、光導電層と表面層との間に干渉防止層を有しているものであれば特に制限は無い。
干渉防止層としては、前述のように光導電層１０２の屈折率ｎｐから、表面層１０４の屈折率ｎｓに直線的に屈折率を変化させた干渉防止層１０５でも良い。
また屈折率が各堆積膜中は一定で、それぞれの屈折率が異なる複数の堆積膜からなる多層膜を、所定の膜厚積層することで、多重反射を利用して特定の波長λに対して、干渉防止機能を有する干渉防止層１０６でも良い。
【００４３】
本発明の検査方法の検査対象となる電子写真感光体としては、アモルファスシリコンで構成された光導電層１０２が好適である。
この場合、プラズマＣＶＤ法などによって、基体１０１の上に各層を積層して形成することが一般的である。このような電子写真感光体の場合、原料ガスの流量および流量比、ならびに、反応圧力および印加電力などを調整することで、各層の屈折率の調整ができる。また、各層の膜厚は、形成時間や形成速度によって調整することができる。原料ガスとしては、例えば以下のものが挙げられる。シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、一酸化窒素（ＮＯ）などの材料ガス。ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ３）などのドーピングガス。水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの希釈ガス。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例、及び、比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００４５】
〔実施例１〕
プラズマＣＶＤ法により、図２（ａ）に示す構成の電子写真感光体を作製した。図２（ａ）に示す電子写真感光体は、基板１０１の上に、下部電荷注入阻止層１０２、光導電層１０３、干渉防止層１０５及び表面層１０４の各層がこの順に形成されている。
基板１０１としては、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、内径７８ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状の基体を用いた。
＜下部電荷注入阻止層＞
下部電荷注入阻止層１０２は、厚さ２．５μｍのアモルファシシリコンカーバイト層とした。
＜光導電層＞
光導電層１０３は、厚さｄｐ＝４０μｍ、屈折率ｎｐ＝３．４０のアモルファスシリコン層とした。
【００４６】
＜干渉防止層＞
干渉防止層１０５は、アモルファスシリコンカーバイト層で、厚さｄｒ＝６７００（Å）とした。
屈折率ｎｒは、
光導電層１０３の直上は、光導電層１０３の屈折率と同じｎｒ＝ｎｐ＝３．４０とし、
表面層１０４の直下は、表面層１０４の屈折率と同じｎｒ＝ｎｓ＝１．６０とした。
そして、光導電層１０３側から、表面層１０４側に向かって、膜中のシリコン含有量を減少させ、同時にカーボン含有量を増加させることで、膜厚に対して直線的に屈折率を変化させた。
＜表面層＞
表面層１０４としては、厚さｄｓ＝２６００（Å）、屈折率ｎｓ＝１．６０のアモルファスカーボン層とした。
【００４７】
次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、得られた電子写真感光体の表面層１０４の表面に第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２を密着させた。第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２としては、いずれも、ポリエステルフィルム（東レ（株）  商品名：ルミラーＦ５３）を用いた。
第１のフィルム４０１：膜厚ｄｆ１＝３．５（μｍ）、屈折率ｎｆ＝１．６０
第２のフィルム４０２：膜厚ｄｆ２＝５．７（μｍ）、屈折率ｎｆ＝１．６０
第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２は、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの形状とし、フィルムの両サイドを固定し、５〜２００［ＭＰａ］程度のテンション（張力）を付与した状態で、フィルムの中心部を電子写真感光体の表面に押しつけることで密着させた。フィルムに付与するテンションはフィルムが破れなければ特に制限はない。
【００４８】
そして、第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２の上から電子写真感光体に向かって、所定の入射光を照射したときの反射光強度Ｒを測定した。
また、フィルムが無い状態で表面層１０４の上からも同様に反射光強度Ｒを測定した。
測定には大塚電子（株）製の分光光度計（商品名：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて、波長６４０〜６８０ｎｍの範囲を評価した。評価に用いた波長範囲は、作製した電子写真感光体を搭載する電子写真装置の画像露光光源の発振波長が６６０ｎｍであることから、中心波長を６６０ｎｍとし、前後２０ｎｍの範囲とした。
【００４９】
そして、第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２に対し、６４０〜６８０ｎｍの範囲における反射光強度Ｒ（％）の最大値と最小値の差を求めた。この値を最大変動値とした。
そして、最大変動値の閾値を３．０（％）とし、閾値を超えているか否かで、干渉防止機能が正常かどうかの判断を行った。
また、第１のフィルム４０１を電子写真感光の表面に押しつけてから、閾値を超えているか否かの判断が終了するまでの時間を測定した。
得られた結果を表１に示す。
【００５０】
〔参考例１〕
プラズマＣＶＤ法により、図２（ｃ）に示す構成の電子写真感光体を作製した。図２（ｃ）に示す電子写真感光体は、基板１０１の上に、下部電荷注入阻止層１０２、光導電層１０３及び表面層１０４の各層がこの順に形成されている。
基板１０１としては、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、内径７８ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状の基体を用いた。
下部電荷注入阻止層１０２は、厚さ２．５μｍのアモルファシシリコンカーバイト層とした。
光導電層１０３は、厚さｄｐ＝４０μｍ、屈折率ｎｐ＝３．４０のアモルファスシリコン層とした。
表面層１０４は、厚さｄｓ＝２６００（Å）、屈折率ｎｓ＝１．６０のアモルファスカーボン層とした。
得られた、電子写真感光体に対して、実施例１と同様の検査を行った。
得られた結果を表１に示す。
【００５１】
〔比較例１〕
実施例１で用いた電子写真感光体に対し、表面層１０４を研磨機にて研磨し表面層１０４の膜厚ｄｓが２６００（Å）、２３００（Å）、２０００（Å）のときに、実施例１と同様に電子写真感光体の表面の反射光強度Ｒの測定を行った。
表面層１０４の研磨は、マグネットローラーに磁性粉体を担持させた磁気ブラシで電子写真感光体の表面を摺擦する研磨器を用いた。研磨条件は、電子写真感光体を９０ｒｐｍで回転し、電子写真感光体の方向に９００Ｇの磁極を持つマグネットを内包した直径１６ｍｍのマグネットローラーを電子写真感光体の回転方向とは逆方向に２４０ｒｐｍで回転させた。また、電子写真感光体とマグネットローラーとの間隔を０．４ｍｍ、マグネットローラーと板状の磁性体規制ブレードとの間隔を１．０ｍｍに調節した。磁性粉体には、同和鉄粉工業（株）（現  ＤＯＷＡＩＰクリエイション（株））製のＣｕ−Ｚｎフィライト（商品名：ＤＦＣ４５０）を用いた。
【００５２】
反射光強度Ｒの測定は実施例１と同じ装置で行った。
そして、実施例１と同様に、最大変動値を求めた。
また、表面層１０４の膜厚ｄｓが２６００（Å）のときの反射光強度Ｒの測定を開始してから、膜厚ｄｓが２０００（Å）のときの反射光強度Ｒの測定が終了するまでの時間を測定した。
得られた結果を表１に示す。
【００５３】
〔比較例２〕
参考例１で用いた電子写真感光体に対し、表面層１０４を研磨機にて研磨し表面層１０４の膜厚ｄｓが２６００（Å）、２３００（Å）、及び２０００（Å）のときに、実施例１と同様に電子写真感光体の表面の反射光強度Ｒの測定を行った。
そして比較例１と同様の検査を行った。
得られた結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
2019109337.tif 000010
【００５５】
本発明の電子写真感光体の検査方法によって、短時間で干渉防止機能の評価が可能となることが判った。
実施例１と参考例１を比較した場合、最大変動値が実施例１に使用した電子写真感光体の方が大幅に小さい。これは、干渉防止層１０５が正常に機能しているため各波長領域（本実施例では、６４０〜６８０ｎｍ）において反射が大幅に抑制されているからである。
【００５６】
一方、干渉防止層１０５を備えていない参考例１は、光導電層１０３と表面層１０４の界面で反射が発生する。その反射光と、表面層１０４の表面での反射光とで干渉が生じる。各波長により干渉条件が異なり、その結果、反射光強度Ｒ［％］が変化するため、最大変動値が大幅に大きくなる。
【００５７】
一方、実施例１と比較例１の反射光強度（反射率）の最大変動値を比較してみると、実施例１の方が大きく出ている。これは、表面層の屈折率と等しい屈折率を有するフィルムを密着させることで、屈折率が一定の部分の膜厚が厚くなったためである。
反射率は以下のような式（８）で表わされる。
Ｒ＝Ａ＋Ｂｃｏｓ（２πｎｄ／λ）…（８）
Ａ、Ｂは定数であり、ｎは屈折率、ｄは膜厚、λは波長である。
つまり、膜厚が薄いと測定波長の範囲内における反射率の周期の数が減少し、周期の数が１．０未満となって反射率の一部しか表示されない場合がある。すなわち、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）やピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）が表示されない場合がある。
一方、膜厚が厚いと反射率の周期の数が増加し、周期の数が１．０以上となれば、反射率の１周期分全てが表示される。すなわち、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）及びピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）が表示される。
よって、最大変動値（反射光強度Ｒの最大値と最小値の差）が、膜厚が厚い方が大きくなる。
【００５８】
本発明の様にフィルムを用いて表面層の膜厚を増したと等しい状態で評価した場合は、表面層の膜厚を研磨して表面層の膜厚を減じて評価した場合に比べ、より厳しく干渉防止機能を評価していることになるため、検査の信頼性が高くなる。
このように、本発明によれば、干渉防止機能の検査を短時間で正確に実施することが可能となった。
さらに、本発明の検査方法は、電子写真感光体の表層部にフィルムを密着させて検査するだけなので、電子写真感光体の表面に何らダメージを与えるものではないので、非破壊検査が実施可能となった。
【００５９】
〔実施例２〕
実施例１と同様に、図２（ａ）に示す構成の電子写真感光体を作製した。
本実施例においては、連続して電子写真感光体を作製し、それぞれの電子写真感光体に対して実施例１と同様に、第１のフィルム４０１、第２のフィルム４０２を用いて、波長６４０〜６８０ｎｍの範囲における反射光強度Ｒを測定した。そして、実施例１と同様に最大変動値を算出した。最大変動値が３．０（％）以下の場合は、電子写真感光体を次の工程に移行した。
そのときの、最大変動値を表２に示す。
【００６０】
【表２】
2019109337.tif 000011
【００６１】
表２において、５回目に作製した電子写真感光体において、最大変動値が３．０（％）を超えたので、５回目に作製した電子写真感光体は次の工程には移行させなかった。
５回目の電子写真感光体に関して前述の比較例１と同様に、研磨装置を用いて表面層１０４を研磨した。そして、表面層１０４の膜厚が所定の値になったとき、表面層の上から波長６４０〜６８０ｎｍの範囲における反射光強度Ｒを測定し、実施例１と同様に各膜厚で最大変動値を算出した。
さらに、最大変動値は３．０（％）以下であるが、直前の４回目に作製した電子写真感光体に関しても同様の評価を実施した
そのときの、表面層膜厚と最大変動値の値を図５のグラフに示す。
【００６２】
図５から明らかなように、４回目に作製した電子写真感光体は表面層１０４の膜厚が薄くなっても、常に反射率の変動が極めて小さく、干渉防止層１０５の干渉防止機能が充分に機能していることが分かった。
一方、５回目に作製した電子写真感光体は、表面層１０４の膜厚が薄くなっていくと、その過程で最大変動値が大きくなるところが発生していることが分かった。これは、干渉防止層１０５が充分に機能していないことが原因と考えられる。
【００６３】
５回目に作製した電子写真感光体の堆積膜形成状況を調査したところ、干渉防止層１０５の形成時に使用した高周波電力が所定の電力より少なかったことが判明した。その結果、干渉防止層１０５の膜厚が薄くなっていることが判った。さらにその影響で干渉防止層１０５の表面層１０４側の屈折率ｎｆが、表面層１０４の屈折率ｎｓより０．０８大きいことが分かった。これが原因で、干渉防止層１０５が充分な干渉防止機能を有していないことが判った。
このように、本発明によれば、干渉防止機能の評価を確実かつ容易に実施することが可能となる。また、評価の結果が判明した時点で、電子写真感光体を次の工程には移行させないことで、その後の不必要な工程を省略することが可能となる。
【００６４】
屈折率ｎ、膜厚ｄ、波長λ及び反射率に関する前記式（８）について説明を補足する。
表３に、表面層の膜厚ｄｓ、フィルムの膜厚ｄｆ、波長λ及びｃｏｓ（２πｎｄ／λ）の例を示す。
なお、屈折率ｎ＝表面層の屈折率ｎｓ＝フィルムの屈折率ｎｆとする。
【００６５】
＜フィルムの膜厚ｄｆが３５００ｎｍの場合＞
表３に示すように、ｄｆが３５００ｎｍのとき、λが６４０〜６８０ｎｍの範囲において、ｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λの下限は８．８、上限は９．４であり、周期の数は０．６、つまり１．０未満である。
そして、ｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λが「８．８」から「９．１」を経て「９．４」に至る過程において、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０から、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０へ変化する間に、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＝１を満たすλが存在することが分かる。
しかし、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０とはなるが、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０には至らないことから、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＝−１を満たすλは存在しないことが分かる。
つまり、λが６４０〜６８０ｎｍの範囲内で変化したとき、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）は表示されるが、ピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）は表示されない。
【００６６】
＜フィルムの膜厚ｄｆが５７００ｎｍの場合＞
表３に示すように、ｄｆが５７００ｎｍのとき、λが６４０〜６８０ｎｍの範囲において、ｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λの下限は１４．０、上限は１４．９であり、周期の数は０．９、つまり１．０未満である。
そして、ｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λが「１４．０」から「１４．４」を経て「１４．９」に至る過程において、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０から、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０となる間に、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＝−１を満たすλが６４０〜６８０ｎｍの範囲内に存在することが分かる。
しかし、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＜０から
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０かつsin（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＞０へ変化することはないから、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λ）＝１を満たすλは存在しないことが分かる。
つまり、λが６４０〜６８０ｎｍの範囲内で変化したとき、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）は表示されるが、ピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）は表示されない。
【００６７】
＜フィルムの膜厚ｄｆが７０００ｎｍの場合＞
表３に示すように、ｄｆが７０００ｎｍのとき、λ＝６４０〜６８０ｎｍの範囲において、ｎ（ｄｓ＋ｄｆ）／λの下限は１７．１、上限は１８．２であり、周期の数は１．１、つまり１．０以上である。
よって、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）及びピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）が表示される。
【００６８】
つまり、フィルムの膜厚が厚ければ（例えば、ｄｆが７０００ｎｍのとき）、周期の数は１．０以上となり、１枚のフィルムを使用するだけで、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）及びピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）が表示される。
また、フィルムの膜厚が厚くなくても、下記の条件（１）を満たす膜厚の異なる複数のフィルムを使用することによって、コサイン関数で周期的に変化する反射率のピークの山（Ｒ＝Ａ＋Ｂ）及びピークの谷（Ｒ＝Ａ−Ｂ）が表示される。
【００６９】
条件（１）
第１のフィルムの膜厚をｄｆ１とし、第２のフィルムの膜厚をｄｆ２とし、
波長λをλmin〜λmaxの範囲内で変化させるとき、λmin〜λmaxの範囲内に、
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ１）／λ）＝１を満たすλ１が存在し、かつ
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ２）／λ）＝−１を満たすλ２が存在する、
又は
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ１）／λ）＝−１を満たすλ１が存在し、かつ
cos（２πｎ（ｄｓ＋ｄｆ２）／λ）＝１を満たすλ２が存在する。
【００７０】
【表３】
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【符号の説明】
【００７１】
１０１・・・基体
１０２・・・下部電荷注入阻止層
１０３・・・光導電層
１０４・・・表面層
１０５、１０６・・・干渉防止層
４０１、４０２・・・フィルム
【図１】
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【図２】
2019109337.tif 000014
【図３】
2019109337.tif 000015
【図４】
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【図５】
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