(57)【要約】【課題】インプリント処理における基板面内のレジストパターンの均一性を向上させること。【解決手段】実施形態のインプリント装置は、１回のインプリントで基板上にパターンが形成される領域をショット領域としたとき、基板上に液滴下条件に基づいて樹脂系マスク材の液滴を射出する射出部と、第１ショット領域に対して樹脂系マスク材に転写されるパターンに応じた第１の液滴下条件、及び、第１ショット領域の凹凸である下地段差量に応じた第２の液滴下条件を選択し、射出部に液滴を射出させる制御部と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１回のインプリントで基板上にパターンが形成される領域をショット領域としたとき、
基板上に液滴下条件に基づいて樹脂系マスク材の液滴を射出する射出部と、
第１ショット領域に対して樹脂系マスク材に転写されるパターンに応じた第１の液滴下条件、及び、前記第１ショット領域の凹凸である下地段差量に応じた第２の液滴下条件を選択し、前記射出部に液滴を射出させる制御部と、を備える、
インプリント装置。
【請求項２】
前記基板を載置する載置台と、
前記基板上の前記液滴の射出後の位置である射出位置を検出する検出部と、を備え、
前記制御部は、
前記第１の液滴下条件により前記液滴を前記射出部に射出させた後、前記液滴の射出位置を前記検出部に検出させ、
検出された前記射出位置に応じて前記載置台の位置を補正し、前記第２の液滴下条件により前記液滴を前記射出部に射出させる、
請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記基板の前記第１ショット領域と異なる第２ショット領域の下地段差量に応じた第３の液滴下条件を選択し、
前記第２ショット領域に対して前記第３の液滴下条件にしたがって前記液滴を前記射出部に射出させる、
請求項１または請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記基板上に射出される樹脂系マスク材に転写されるパターンに応じて適正化された複数の液滴下条件の中から選択した前記第１の液滴下条件を、前記基板の全ての前記ショット領域に対して適用し、
前記基板の前記ショット領域ごとの下地段差量に応じて適正化された複数の液滴下条件の中から選択した前記第２の液滴下条件を、前記基板の所定の前記ショット領域に対して適用する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
１回のインプリントで基板上にパターンが形成される領域をショット領域としたとき、
第１ショット領域に対して、前記基板上に射出される樹脂系マスク材に転写されるパターンに応じた第１の液滴下条件にしたがって樹脂系マスク材の液滴を射出する第１射出ステップと、
前記第１ショット領域に対して、前記第１ショット領域の下地段差量に応じた第２の液滴下条件にしたがって樹脂系マスク材の液滴を射出する第２射出ステップと、を含む、
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細なパターンを形成する方法として、インプリント法が提案されている。インプリント法では、被加工膜上にレジストを塗布し、微細なパターンが形成されたテンプレートをレジストに押し付けて、テンプレートの凹部にレジストを充填させた後、紫外線を照射してレジストを硬化させる。テンプレートが離型されたレジストが、被加工膜を加工する際のマスクとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２０１２７８号公報
【特許文献２】特開２０１２−０１９２２２号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６２２８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来技術においては、例えば、インプリント処理における基板面内のレジストパターンの均一性についてさらなる改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のインプリント装置は、１回のインプリントで基板上にパターンが形成される領域をショット領域としたとき、基板上に液滴下条件に基づいて樹脂系マスク材の液滴を射出する射出部と、第１ショット領域に対して樹脂系マスク材に転写されるパターンに応じた第１の液滴下条件、及び、前記第１ショット領域の凹凸である下地段差量に応じた第２の液滴下条件を選択し、前記射出部に液滴を射出させる制御部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態にかかるインプリントシステムの全体構成を示す図である。
【図２】図２は、実施形態にかかるインプリント部の構成を示す図である。
【図３】図３は、ウェハに配置されるショット領域を示す模式図である。
【図４】図４は、実施形態にかかるレシピ生成装置が生成したドロップレシピＡの例である。
【図５】図５は、実施形態にかかるレシピ生成装置が生成したドロップレシピＢの例である。
【図６】図６は、実施形態にかかるインプリント装置におけるインプリント処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【図７】図７は、比較例にかかるインプリント装置でインプリント処理されたウェハの断面図である。
【図８】図８は、実施形態にかかるインプリント装置でインプリント処理されたウェハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【０００８】
［実施形態］
図１〜図８を用いて、実施形態のインプリント装置について説明する。
【０００９】
（インプリントシステムの構成例）
図１は、実施形態にかかるインプリントシステム１の全体構成を示す図である。図１に示すように、インプリントシステム１は、インプリント装置１００及び液滴下条件生成装置としてのレシピ生成装置２００ａ，２００ｂを備える。インプリント装置１００及びレシピ生成装置２００ａ，２００ｂは、相互に通信可能に接続される。
【００１０】
インプリント装置１００は、インプリント部１０、及び制御部としてのインプリント制御装置２０を備える。インプリント部１０及びインプリント制御装置２０は、相互に通信可能に接続される。
【００１１】
インプリント部１０は、基板としてのウェハにレジストを射出し、テンプレートのパターンをレジストに転写する。レジストの射出は、第１の液滴下条件としてのドロップレシピＡまたは第２、第３の液滴下条件としてのドロップレシピＢにしたがって行われる。ドロップレシピＡ，Ｂは、射出されるレジストのドロップレット（液滴）の数、配置、サイズ等を規定する。レジストとは、例えば光硬化型の硬化前の樹脂系マスク材または硬化後の樹脂系マスクである。以降、光硬化前の液状樹脂系マスク材および光硬化後のパターニングされた樹脂系マスクを共にレジストと呼ぶ。
【００１２】
インプリント部１０は、検出部５０を備える。検出部５０は、ウェハ上に射出されたドロップレットの射出位置を検出する。
【００１３】
インプリント制御装置２０は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等のハードウェアプロセッサ、メモリ、及び、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等を備えるコンピュータとして構成されている。
【００１４】
インプリント制御装置２０は、ウェハのうち、１回のインプリントでパターニングされる領域であるショット領域に対して、ウェハ上に射出されるレジストに転写されるパターンに応じたドロップレシピＡにしたがってレジストのドロップレットを後述のインプリント部１０の液滴下装置１７に射出させる。また、インプリント制御装置２０は、上記ドロップレットが射出されたショット領域に対して、ウェハのショット領域の下地段差量に応じたドロップレシピＢにしたがってレジストのドロップレットを液滴下装置１７に射出させる。下地段差量は、ウェハの反り等も含めたショット領域における凹凸である。このような機能を実現するため、インプリント制御装置２０は、機能概念的に、液滴下条件選択部としてのレシピ選択部２１、インプリント制御部２２、及び記憶部２３を備える。レシピ選択部２１、インプリント制御部２２、及び記憶部２３は、ＣＰＵがプログラムを実行することにより実現されてもよく、または、専用のハードウェア回路で実現されてもよい。また、記憶部２３は、ＨＤＤ等により実現されてもよい。レシピ選択部２１及びインプリント制御部２２は、相互に通信可能に接続される。レシピ選択部２１及びインプリント制御部２２は、また、記憶部２３に格納される各種情報を参照可能に記憶部２３に接続される。
【００１５】
レシピ選択部２１は、インプリント部１０がインプリント処理時に用いるドロップレシピＡ，Ｂを選択する。後述するように、ドロップレシピＡは、例えば、レジストに転写されるパターンが異なるごとに複数生成されている。したがって、ドロップレシピＡの選択は、例えば、レジストに転写されるパターンの密度等に応じて行われる。後述するように、ドロップレシピＢは、例えば、ウェハの反りを含めた下地段差量が異なるごとに複数生成されている。したがって、ドロップレシピＢの選択は、例えば、ウェハの各所の下地段差量に応じて行われる。
【００１６】
インプリント制御部２２は、インプリント部１０を制御して、インプリント部１０にインプリント処理を行わせる。
【００１７】
記憶部２３には、レシピ生成装置２００ａ，２００ｂにより生成された複数のドロップレシピＡ及び複数のドロップレシピＢが格納されている。各々のドロップレシピＡには、個々に異なるパターンが対応付けられている。つまり、１つのドロップレシピＡには１つのパターンが対応付けられている。各々のドロップレシピＢには、個々に異なる下地段差量が対応付けられている。つまり、ドロップレシピＢは、ウェハの各所の下地段差量に応じて複数存在する。
【００１８】
レシピ生成装置２００ａ，２００ｂは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等のハードウェアプロセッサ、メモリ、及び、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等を備えるコンピュータとして構成されている。
【００１９】
レシピ生成装置２００ａは、レジストに転写されるパターンごとに適正化されたドロップレシピＡを生成するよう構成される。具体的には、レシピ生成装置２００ａは、機能概念的に、演算部３１ａ、生成部３２ａ、及び記憶部３３ａを備える。演算部３１ａ、生成部３２ａ、及び記憶部３３ａは、ＣＰＵがプログラムを実行することにより実現されてもよく、または、専用のハードウェア回路で実現されてもよい。また、記憶部３３ａは、ＨＤＤ等により実現されてもよい。演算部３１ａおよび生成部３２ａは、相互に通信可能に接続される。演算部３１ａおよび生成部３２ａは、また、記憶部３３ａに格納される各種情報を参照可能に記憶部３３ａに接続される。
【００２０】
演算部３１ａは、設計データから得られた情報に基づき、複数の密度マップを作成する。密度マップは、転写されるパターンの密度等に応じてドロップレットの数や配置がそれぞれ適正化されたマップである。
【００２１】
生成部３２ａは、演算部３１ａが作成した密度マップを基に、それぞれの密度マップに応じたドロップレシピＡを生成する。つまり、１つの密度マップに対し、１つのドロップレシピＡが生成される。
【００２２】
記憶部３３ａには、種々のパターンの設計データ、演算部３１ａが作成した密度マップ、生成部３２ａが生成したドロップレシピＡが格納される。
【００２３】
レシピ生成装置２００ｂは、ウェハの各所の下地段差量ごとに適正化されたドロップレシピＢを生成するよう構成される。具体的には、レシピ生成装置２００ｂは、機能概念的に、演算部３１ｂ、生成部３２ｂ、及び記憶部３３ｂを備える。演算部３１ｂ、生成部３２ｂ、及び記憶部３３ｂは、ＣＰＵがプログラムを実行することにより実現されてもよく、または、専用のハードウェア回路で実現されてもよい。また、記憶部３３ｂは、ＨＤＤ等により実現されてもよい。演算部３１ｂおよび生成部３２ｂは、相互に通信可能に接続される。演算部３１ｂおよび生成部３２ｂは、また、記憶部３３ｂに格納される各種情報を参照可能に記憶部３３ｂに接続される。
【００２４】
演算部３１ｂは、ウェハの各所の下地段差量に基づき、凹凸マップを作成する。下地段差量がウェハの反りに起因する場合は、例えば、ウェハ面内で相対的にへこみの大きいところ（凹部）、ウェハ面内で相対的にへこみの小さいところ（凸部）に区分けされる。凹凸マップは、これらの凹部および凸部に対して作成される。
【００２５】
生成部３２ｂは、演算部３１ｂが作成した凹凸マップを基に、後述するウェハ上のショット面内での凹凸の配置にしたがって、複数のドロップレシピＢ１，Ｂ２，Ｂ３・・・を生成する。つまり、異なる凹凸配置を持つ複数のショット領域に対し、それぞれドロップレシピＢが生成される。ショット領域は、１回のインプリント処理でパターニングされる領域である。
【００２６】
記憶部３３ｂには、種々のショットの下地段差量（凹凸配置）、演算部３１ｂが作成した凹凸マップ、生成部３２ｂが生成したドロップレシピＢが格納される。
【００２７】
インプリント装置１００及びレシピ生成装置２００ａ，２００ｂには、これらの装置１００，２００ａ，２００ｂに測定情報を送信可能に、測定器３００が接続される。測定器３００は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等のウェハの各所の下地段差量が測定可能な装置である。
【００２８】
（インプリント装置の構成例）
次に、インプリント装置１００の構成についてさらに説明する。
【００２９】
まずは、図２を用い、インプリント部１０の構成について説明する。図２は、実施形態にかかるインプリント部１０の構成を示す図である。図２に示すように、インプリント部１０は、テンプレートステージ１１、載置台１２、基準マーク１５、アライメント部１６、射出部としての液滴下装置１７、ステージベース１８、光源１９、及び検出部５０を備えている。
【００３０】
載置台１２は、ウェハチャック１４、及び本体１３を備える。ウェハチャック１４は、ウェハＷを本体１３上の所定位置に固定する。載置台１２上には、基準マーク１５が設けられている。基準マーク１５は、ウェハＷを載置台１２上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００３１】
載置台１２は、ウェハＷを載置するとともに、図示しないモータにより載置したウェハＷと平行な平面内（水平面内）を移動する。載置台１２は、ウェハＷにレジストを滴下する際にはウェハＷを液滴下装置１７の下方側に移動させ、ウェハＷへの転写処理を行う際には、ウェハＷをテンプレートＴｘの下方側に移動させる。
【００３２】
テンプレートＴｘは、例えばナノインプリントリソグラフィ等で用いられる原版である。テンプレートＴｘの下面側には、テンプレートパターンが３次元状に形成されている。
【００３３】
ステージベース１８は、テンプレートステージ１１によってテンプレートＴｘを支持するとともに、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレートＴｘのテンプレートパターンをウェハＷ上のレジストに押当てる。
【００３４】
ステージベース１８上には、アライメント部１６が設けられている。アライメント部１６は、例えば、図示しない顕微鏡等を備え、ウェハＷの位置検出やテンプレートＴｘの位置検出を行う。
【００３５】
液滴下装置１７は、インクジェット方式によってウェハＷ上に光硬化型のレジストを滴下する装置である。液滴下装置１７が備えるインクジェットヘッドは、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有しており、ドット状のレジスト（ドロップレット）をウェハＷ上に滴下する。ドロップレットの数、配置、サイズ等の滴下条件は、ドロップレシピＡ，Ｂに従う。
【００３６】
光源１９は、例えば紫外線を照射する装置であり、ステージベース１８の上方に設けられている。光源１９は、テンプレートＴｘがレジストに押当てられた状態で、テンプレートＴｘ上から光を照射する。
【００３７】
検出部５０は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサ等を含む。検出部５０は、ウェハＷ上に射出されたレジストのドロップレットの射出位置を検出する。なお、アライメント部１６が検出部としての機能を兼ねていてもよい。
【００３８】
インプリント制御装置２０は、テンプレートステージ１１、載置台１２、基準マーク１５、アライメント部１６、液滴下装置１７、ステージベース１８、光源１９、及び検出部５０を制御する。
【００３９】
ところで、インプリント処理後のウェハＷには複数のショットが配置されることとなる。図３は、ウェハＷに配置されたショット領域Ｓを示す模式図である。１つのショット領域Ｓは、１回のインプリント（テンプレートＴｘの押圧）でパターニングされる領域である。ショット領域ＳのレジストにテンプレートＴｘが押圧され、レジストがパターニングされることで、ウェハＷにはショットが形成される。つまり、ショット領域Ｓは、ショット形成予定領域とも言える。なお、１回のインプリントごとに、ショット領域Ｓ内には、数千〜数万滴のレジストのドロップレットが滴下される。
【００４０】
インプリント制御装置２０は、かかるショット領域Ｓに、ドロップレシピＡ，Ｂにしたがって、レジストのドロップレットを射出する。
【００４１】
ドロップレシピＡは、レジストに転写されるパターンに応じて選択される。かかる情報は、例えばロット処理を開始するにあたり、予め、インプリント制御装置２０により取得される。インプリント制御装置２０のレシピ選択部２１は、記憶部２３を参照してレジストに転写されるパターンの情報を得る。得られたパターン情報にしたがって、レシピ選択部２１はドロップレシピＡを選択する。
【００４２】
ドロップレシピＢは、各々のショット領域Ｓが有する下地段差量に応じて選択される。かかる下地段差量は、予め、インプリント処理対象の各ウェハＷの各ショット領域Ｓに対して測定されている。レシピ選択部２１は、記憶部２３を参照してインプリント処理の対象となっているショット領域Ｓの下地段差量の情報を得る。得られた下地段差量の情報にしたがって、レシピ選択部２１はドロップレシピＢを選択する。
【００４３】
インプリント制御装置２０のインプリント制御部２２は、所定のショット領域Ｓが液滴下装置１７の下方に位置するよう、載置台１２を移動させる。そして、インプリント制御部２２は、選択されたドロップレシピＡにしたがって、液滴下装置１７により、レジストのドロップレットを、ウェハＷ上の所定のショット領域Ｓに射出させる。
【００４４】
インプリント制御部２２は、また、検出部５０を制御して、ショット領域Ｓに射出されたドロップレットの射出位置を検出させる。液滴下装置１７は選択されたドロップレシピＡに従って、ドロップレットを射出するが、ウェハＷ上の実際のドロップレットの位置が、ターゲット位置と異なることがある。これは、載置台１２の移動制御の精度によるものである。
【００４５】
インプリント制御部２２は、検出されたドロップレットの射出位置がターゲット位置からずれていた場合は、載置台１２を移動させて、そのズレを補正する。
【００４６】
インプリント制御部２２は、液滴下装置１７を制御して、補正された載置台１２位置にて、選択されたドロップレシピＢに従って、レジストのドロップレットを、ウェハＷ上の同じショット領域Ｓに射出させる。
【００４７】
以上のようにレジストのドロップレットが射出されたショット領域Ｓに対し、インプリント部１０におけるインプリント処理では、テンプレートＴｘをレジストに押し付けて、テンプレートＴｘの凹部にレジストを充填させた後、紫外線を照射してレジストを硬化させ、その後、テンプレートＴｘを離型する。
【００４８】
（レシピ生成装置の機能）
次に、図４及び図５を用いて、レシピ生成装置２００ａ，２００ｂの機能についてさらに詳細に説明する。
【００４９】
図４は、実施形態にかかるレシピ生成装置２００ａが生成したドロップレシピＡの例である。図４に示すように、レシピ生成装置２００ａは、あるショットパターンＳＰに対して適正なドロップレシピＡを生成する。図４のショットパターンＳＰは、ショット領域Ｓの中央付近に９つの密エリアＡｄを有し、ショット領域Ｓの外周付近に疎エリアＡｓを有する。レシピ生成装置２００ａは、密エリアＡｄには多数のドロップレットＲｄを高密度に配置する。レシピ生成装置２００ａは、疎エリアＡｓには少数のドロップレットＲｄを低密度に配置する。このように、レシピ生成装置２００ａは、１つのショットパターンＳＰに対し、１つのドロップレシピＡを生成する。
【００５０】
図５は、実施形態にかかるレシピ生成装置２００ｂが生成したドロップレシピＢ１，Ｂ２，Ｂ３の例である。図５に示すように、レシピ生成装置２００ｂは、あるショット領域Ｓの下地段差の配置（凹凸配置）に対して適正なドロップレシピＢを生成する。例えば、あるショット領域Ｓ１は凹凸配置Ｗ１を有している。凹凸配置Ｗ１は、ショット領域Ｓ１の中央部分が相対的に凹部Ａｃｃとなっている。つまり、凹凸配置Ｗ１は、ショット領域Ｓ１の中央部分でのへこみが大きい。また、凹凸配置Ｗ１は、ショット領域Ｓ１の外周部分が相対的に凸部Ａｃｖとなっている。つまり、凹凸配置Ｗ１は、ショット領域Ｓ１の外周部分でのへこみが小さい。レシピ生成装置２００ｂは、凹部Ａｃｃには多数のドロップレットＲｄを高密度に配置する。レシピ生成装置２００ｂは、凸部Ａｃｖには少数のドロップレットＲｄを低密度に配置する。このように、ドロップレシピＢ１が生成される。
【００５１】
また、あるショット領域Ｓ２は、紙面左上側が凹部Ａｃｃであるような凹凸配置Ｗ２を有している。凹凸配置Ｗ２の凹部Ａｃｃ及び凸部Ａｃｖに上記と同様にドロップレットＲｄを配置することで、ドロップレシピＢ２が生成される。
【００５２】
また、あるショット領域Ｓ３は、紙面中央下側が凹部Ａｃｃであるような凹凸配置Ｗ３を有している。凹凸配置Ｗ３の凹部Ａｃｃ及び凸部Ａｃｖに上記と同様にドロップレットＲｄを配置することで、ドロップレシピＢ３が生成される。
【００５３】
このように、レシピ生成装置２００ｂは、例えば異なる凹凸配置Ｗ１〜Ｗ３を有するショット領域Ｓ１〜Ｓ３に対し、それぞれドロップレシピＢ１〜Ｂ３を生成する。
【００５４】
（インプリント装置の処理の例）
次に、図６を用い、半導体装置の製造処理の一処理としてのインプリント装置１００におけるインプリント処理の例について説明する。図６は、実施形態にかかるインプリント装置１００におけるインプリント処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【００５５】
図６の例においては、インプリント処理の開始前に、転写されるパターンの情報がインプリント装置１００の外部から送信され、記憶部２３に格納されているものとする。また、インプリント処理の開始前に、測定器３００によりインプリント処理にかかるウェハＷの下地段差測定がなされているものとする。ウェハＷ上の各ショット領域Ｓについて下地段差の凹凸配置の情報は測定器３００からインプリント装置１００に送信され、記憶部２３に格納されているものとする。インプリント処理にかかるウェハＷの各ショット領域Ｓは、上述の凹凸配置Ｗ１〜Ｗ３のいずれかの凹凸配置を有するものとする。
【００５６】
図６に示すように、ステップＳ１０において、レシピ選択部２１は、記憶部２３を参照して、転写されるパターンに基づき、ドロップレシピＡを選択してロードする。ウェハＷ上の全ショットに対し、転写されるパターンは通常１種類のみであるので、このときロードされたドロップレシピＡは、当該ウェハＷの全ショットに対して適応される。
【００５７】
ステップＳ２１において、レシピ選択部２１は、記憶部２３を参照して、次のインプリント処理にかかるショット領域Ｓがどの凹凸配置Ｗ１〜Ｗ３を有しているか検索する。ステップＳ２２において凹凸配置Ｗ１であったときは、ステップＳ２３ａにおいて、レシピ選択部２１はドロップレシピＢ１を選択する。凹凸配置Ｗ２であったときは、ステップＳ２３ｂにおいて、レシピ選択部２１はドロップレシピＢ２を選択する。凹凸配置Ｗ３であったときは、ステップＳ２３ｃにおいて、レシピ選択部２１はドロップレシピＢ３を選択する。
【００５８】
ステップＳ３０において、インプリント制御部２２は、インプリント部１０の各部を制御して、ドロップレシピＡに基づき、インプリント処理対象のショット領域Ｓに対してレジストのドロップレットを射出する。
【００５９】
ステップＳ４１において、インプリント制御部２２は、検出部５０により、射出したドロップレットを撮像させる。ステップＳ４２において、インプリント制御部２２は、撮像されたドロップレットの位置を算出する。ステップＳ４３において、インプリント制御部２２は、算出したドロップレットの位置から、ターゲット位置に対して実際の射出位置がずれているか否かを判定する。ズレがなかったときは（Ｎｏ）、ステップＳ５０に進む。ズレがあったときは（Ｙｅｓ）、ステップＳ４４において、インプリント制御部２２は、載置台１２の位置を補正する。
【００６０】
ステップＳ５０において、インプリント制御部２２は、インプリント部１０の各部を制御して、選択されたドロップレシピＢに基づき、ドロップレシピＡによるドロップレットが射出済みのショット領域Ｓに対してレジストのドロップレットを射出する。
【００６１】
ステップＳ６０において、インプリント制御部２２は、ドロップレット射出に続くインプリント処理を行う。
【００６２】
ステップＳ７０において、インプリント制御部２２は、全ショット領域Ｓのインプリント処理が終了したか否かを判定する。終了していなければ（Ｎｏ）、ステップＳ２１に戻って、次のショット領域Ｓに対し、同様のフローを繰り返す。このように、各ショット領域Ｓに対し、ドロップレシピＢを適宜選択しながら、インプリント処理を行っていく。全ショット領域Ｓの処理が終了していれば（Ｙｅｓ）、当該ウェハＷに対するインプリント処理を終了する。
【００６３】
以上により、インプリント装置１００におけるインプリント処理が終了する。
【００６４】
（効果）
ここで、実施形態のインプリント装置１００の効果を説明するため、図７及び図８を用いて、比較例のインプリント装置と実施形態のインプリント装置１００とを比較する。
【００６５】
図７は、比較例にかかるインプリント装置でインプリント処理されたウェハの断面図である。図７左側がショットの中央部分であり、右側がショットの外周部分である。比較例のインプリント装置では、１つのショットに対しドロップレットの射出は１回のみ行われる。しかしながら、例えば、当該ショットが、中央のへこみが比較的小さく、外周部のへこみが比較的大きいショットである場合、図７に示すように、ショットの中央と外周部とでインプリント処理の仕上がりが異なってしまう場合がある。へこみの大きい外周部では、レジスト残膜厚Ｒｒ’が中央より厚く、テンプレート凹部へのレジストの充填も不充分である。テンプレートのウェハに対する押圧力が弱いためである。レジスト残膜厚Ｒｒ’の適正化とレジスト充填の改善とは通常トレードオフの関係にあり、このような仕上がり差を単純にドロップレシピの適正化で改善することは非常に困難である。
【００６６】
また、比較例のインプリント装置においては、ウェハ上の全ショットに対して同じ１つのドロップレシピが適用される。したがって、上記のような仕上がりの差が、ショットごとに生じてしまう場合もある。
【００６７】
実施形態のインプリント装置１００においては、１つのショット領域Ｓに対し、それぞれ異なる２つのドロップレシピＡ，Ｂにしたがってドロップレットの射出を２回行う。パターン密度に基づくドロップレシピＡは、例えば、密パターンにおいてもレジストの充填が充分なされるよう組まれたドロップレシピである。ショット領域Ｓ面内の凹凸配置に基づくドロップレシピＢは、例えば、へこみの大きい部分においてもレジスト残膜厚Ｒｒが適正となるよう組まれたドロップレシピである。これにより、図８に示すように、ショット領域Ｓ内でのインプリント処理の仕上がり差が抑制される。
【００６８】
また、実施形態のインプリント装置１００においては、各ショット領域Ｓに対し、適正なドロップレシピＢを選択する。これにより、各ショット領域Ｓが異なる凹凸配置を有していても、それぞれにレジスト残膜厚Ｒｒを適正化することがでる。よって、ショット領域Ｓ間でのインプリント処理の仕上がり差が抑制される。
【００６９】
また、実施形態のインプリント装置１００においては、２回目のドロップレットの射出時、１回目のドロップレットの実際の射出位置から、載置台１２の位置を補正する。これにより、より正確な位置にドロップレットを射出することができる。
【００７０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７１】
１…インプリントシステム，１０…インプリント部，２０…インプリント制御装置，２１…レシピ選択部，３１ａ，３１ｂ…演算部，３２ａ，３２ｂ…生成部，５０…検出部，１００…インプリント装置，２００ａ，２００ｂ…レシピ生成装置，３００…測定器，Ｓ…ショット領域，Ｔｘ…テンプレート，Ｗ…ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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