(57)【要約】【課題】冷却ノズルの吐出口への霜の付着を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】冷却ノズル３０が基板に冷却ガスを吐出する動作状態のときには、第１シャッター３５が吐出口３７を開放するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を閉塞することにより、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスは吐出口３７から吐出される。一方、冷却ノズル３０が待機状態のときには、第１シャッター３５が吐出口３７を閉塞するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を開放することにより、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスはリーク開口３８から放出される。待機状態のときには、吐出口３７とは異なるリーク開口３８のみから冷却ガスを放出しているため、冷却ノズル３０の吐出口３７への霜の付着を防止することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された液膜に前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスを吐出して前記液膜を凍結させる基板処理装置であって、
前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、
前記冷却ガスを吐出する冷却ノズルと、
を備え、
前記冷却ノズルは、前記保持部に保持された前記基板に向けて前記冷却ガスを吐出するときの動作状態と、退避位置にて待機しているときの待機状態との間で切り換えられ、
前記冷却ノズルは、
前記動作状態にて前記冷却ガスを吐出する吐出口と、
前記待機状態にて前記冷却ガスを放出するリーク開口と、
前記冷却ノズルに送給された前記冷却ガスを、前記動作状態では前記吐出口から吐出させるとともに、前記待機状態では前記リーク開口から放出させるように流路を切り換える流路切換部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記待機状態にて前記吐出口を少なくとも前記冷却ガスよりも高い温度に温調する温調部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記温調部は、前記待機状態にて前記吐出口を前記チャンバー内に存在する蒸気の凝結点よりも高い温度に温調することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記待機状態にて前記リーク開口から放出された前記冷却ガスを回収する回収部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記動作状態にて前記吐出口から吐出される前記冷却ガスの流量は前記待機状態にて前記リーク開口から放出される前記冷却ガスの流量よりも多いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記流路切換部は、
前記動作状態では前記吐出口を開放するとともに、前記待機状態では前記吐出口を閉塞する第１シャッターと、
前記動作状態では前記リーク開口を閉塞するとともに、前記待機状態では前記リーク開口を開放する第２シャッターと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記流路切換部は、前記冷却ガスが送給される流路を、前記動作状態では前記吐出口に連通させるとともに、前記待機状態では前記リーク開口に連通させるソレノイドバルブを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板の表面に形成された液膜に前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスを吐出して前記液膜を凍結させる基板処理方法であって、
前記基板の上面に前記液膜を形成する液膜形成工程と、
冷却ノズルから前記基板に前記冷却ガスを吐出して前記液膜を凍結させる凍結工程と、
凍結した前記液膜を融解して除去する融解工程と、
を備え、
前記冷却ノズルは、前記凍結工程にて前記基板に向けて前記冷却ガスを吐出するときの動作状態と、退避位置にて待機しているときの待機状態との間で切り換えられ、
前記冷却ノズルに送給された前記冷却ガスを、前記動作状態では前記冷却ノズルに設けられた吐出口から吐出させるとともに、前記待機状態では前記冷却ノズルに設けられたリーク開口から放出させることを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項８記載の基板処理方法において、
前記待機状態では、前記吐出口を少なくとも前記冷却ガスよりも高い温度に温調することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９記載の基板処理方法において、
前記待機状態では、前記吐出口を前記チャンバー内に存在する蒸気の凝結点よりも高い温度に温調することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記待機状態では、前記リーク開口から放出された前記冷却ガスを回収することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記動作状態にて前記吐出口から吐出される前記冷却ガスの流量は前記待機状態にて前記リーク開口から放出される前記冷却ガスの流量よりも多いことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に形成された液膜に当該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスを吐出して当該液膜を凍結させる基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハー等の基板の表面に液膜を形成し、その液膜を冷却して凍結させることによって基板表面のパーティクル等の汚染物質を除去する凍結洗浄（または固化洗浄）と称される技術がある。例えば、特許文献１，２には、基板の表面に純水（ＤＩＷ：deionized water）の液膜を形成し、その液膜に対して低温の冷却ガスを吐出するノズルを走査移動させて当該液膜を凍結させ、その凍結した液膜をリンス液で融解して洗い流すことによって、凍結膜とともに基板に付着したパーティクル等の汚染物質を除去することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２０４５５９号公報
【特許文献２】特開２０１３−０３０６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
凍結洗浄技術においては、必要なときに直ちに冷却ガスを吐出することができるように、冷却ガスを吐出するノズルを予め低温に維持しておくことが望まれる。この目的のため、冷却ガスを基板に供給するタイミング以外の待機中においても比較的少量の冷却ガスをノズルから吐出し続けておくことが行われている（スローリーク）。
【０００５】
しかしながら、処理液（薬液および純水）を用いて基板処理を行うチャンバー内は一般的には高湿度環境であり、少量とはいえ低温の冷却ガスをノズルから吐出し続けているとノズルの吐出口近傍にチャンバー内の水分が凝結して霜が付着する。そうすると、液膜の凍結処理を実行する際に、ノズルの吐出口近傍に付着した霜が基板上に落下して当該基板を汚染するおそれがあった。
【０００６】
このため、特許文献１には、待機中に吐出される少量の冷却ガスを回収して吐出口から流れ出る冷却ガスを低減する技術が提案されている。また、特許文献２には、ノズルの吐出口の近傍に整流部材を近接配置し、チャンバー内の高湿度の雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制する技術が提案されている。しかし、特許文献１，２に開示される技術においても、わずかにでもノズルの吐出口から冷却ガスが流れ出るとともにチャンバー内の雰囲気も侵入してくるため、吐出口近傍に霜が付着するのを完全に防ぐことはできず、処理を重ねるごとに徐々に多量の霜が付着してしまうという問題があった。このような霜は一度ノズルに付着すると除去することが極めて困難である。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、冷却ノズルの吐出口への霜の付着を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の表面に形成された液膜に前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスを吐出して前記液膜を凍結させる基板処理装置において、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、前記冷却ガスを吐出する冷却ノズルと、を備え、前記冷却ノズルは、前記保持部に保持された前記基板に向けて前記冷却ガスを吐出するときの動作状態と、退避位置にて待機しているときの待機状態との間で切り換えられ、前記冷却ノズルは、前記動作状態にて前記冷却ガスを吐出する吐出口と、前記待機状態にて前記冷却ガスを放出するリーク開口と、前記冷却ノズルに送給された前記冷却ガスを、前記動作状態では前記吐出口から吐出させるとともに、前記待機状態では前記リーク開口から放出させるように流路を切り換える流路切換部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記待機状態にて前記吐出口を少なくとも前記冷却ガスよりも高い温度に温調する温調部をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記温調部は、前記待機状態にて前記吐出口を前記チャンバー内に存在する蒸気の凝結点よりも高い温度に温調することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記待機状態にて前記リーク開口から放出された前記冷却ガスを回収する回収部をさらに備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記動作状態にて前記吐出口から吐出される前記冷却ガスの流量は前記待機状態にて前記リーク開口から放出される前記冷却ガスの流量よりも多いことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記流路切換部は、前記動作状態では前記吐出口を開放するとともに、前記待機状態では前記吐出口を閉塞する第１シャッターと、前記動作状態では前記リーク開口を閉塞するとともに、前記待機状態では前記リーク開口を開放する第２シャッターと、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記流路切換部は、前記冷却ガスが送給される流路を、前記動作状態では前記吐出口に連通させるとともに、前記待機状態では前記リーク開口に連通させるソレノイドバルブを備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８の発明は、基板の表面に形成された液膜に前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスを吐出して前記液膜を凍結させる基板処理方法において、前記基板の上面に前記液膜を形成する液膜形成工程と、冷却ノズルから前記基板に前記冷却ガスを吐出して前記液膜を凍結させる凍結工程と、凍結した前記液膜を融解して除去する融解工程と、を備え、前記冷却ノズルは、前記凍結工程にて前記基板に向けて前記冷却ガスを吐出するときの動作状態と、退避位置にて待機しているときの待機状態との間で切り換えられ、前記冷却ノズルに送給された前記冷却ガスを、前記動作状態では前記冷却ノズルに設けられた吐出口から吐出させるとともに、前記待機状態では前記冷却ノズルに設けられたリーク開口から放出させることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る基板処理方法において、前記待機状態では、前記吐出口を少なくとも前記冷却ガスよりも高い温度に温調することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る基板処理方法において、前記待機状態では、前記吐出口を前記チャンバー内に存在する蒸気の凝結点よりも高い温度に温調することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１１の発明は、請求項８から請求項１０のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記待機状態では、前記リーク開口から放出された前記冷却ガスを回収することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１２の発明は、請求項８から請求項１１のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記動作状態にて前記吐出口から吐出される前記冷却ガスの流量は前記待機状態にて前記リーク開口から放出される前記冷却ガスの流量よりも多いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１から請求項７の発明によれば、冷却ノズルに送給された冷却ガスを、動作状態では吐出口から吐出させるとともに、待機状態ではリーク開口から放出させるため、待機状態のときには吐出口とは異なるリーク開口から冷却ガスを放出することとなり、冷却ノズルの吐出口への霜の付着を防止することができる。
【００２１】
特に、請求項２の発明によれば、待機状態にて吐出口を少なくとも冷却ガスよりも高い温度に温調するため、冷却ノズルの吐出口に霜が付着するのをより確実に防止することができる。
【００２２】
特に、請求項４の発明によれば、待機状態にてリーク開口から放出された冷却ガスを回収するため、放出された冷却ガスがチャンバー内に拡散することが抑制され、チャンバー内が冷却されることに起因したミストの凝結や微小な氷粒の発生を防止することができる。
【００２３】
請求項８から請求項１２の発明によれば、冷却ノズルに送給された冷却ガスを、動作状態では冷却ノズルに設けられた吐出口から吐出させるとともに、待機状態では冷却ノズルに設けられたリーク開口から放出させるため、待機状態のときには吐出口とは異なるリーク開口から冷却ガスを放出することとなり、冷却ノズルの吐出口への霜の付着を防止することができる。
【００２４】
特に、請求項９の発明によれば、待機状態では、吐出口を少なくとも冷却ガスよりも高い温度に温調するため、冷却ノズルの吐出口に霜が付着するのをより確実に防止することができる。
【００２５】
特に、請求項１１の発明によれば、待機状態では、リーク開口から放出された冷却ガスを回収するため、放出された冷却ガスがチャンバー内に拡散することが抑制され、チャンバー内が冷却されることに起因したミストの凝結や微小な氷粒の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体要部構成を示す図である。
【図２】動作状態の冷却ノズルの構成を示す図である。
【図３】待機状態の冷却ノズルの構成を示す図である。
【図４】基板処理装置における処理手順を示すフローチャートである。
【図５】基板の表面に液膜を形成した状態を示す図である。
【図６】液膜が形成された基板の中心部上方に冷却ノズルが到達した状態を示す図である。
【図７】冷却ガスを吐出する冷却ノズルが基板の中心部上方から端縁部上方に向けて走査移動する状態を示す図である。
【図８】基板上の液膜の全体が凍結した状態を示す図である。
【図９】図４の処理手順に沿った装置各部の動作を示すタイミングチャートである。
【図１０】第２実施形態の動作状態の冷却ノズルの構成を示す図である。
【図１１】第２実施形態の待機状態の冷却ノズルの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の全体要部構成を示す図である。この基板処理装置１は、半導体ウェハー等の円板形状の基板Ｗの表面に対して種々の液処理を行うとともに、基板Ｗの表面に付着しているパーティクル等の汚染物質を除去する凍結洗浄処理を行う装置である。処理対象となる基板Ｗのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２９】
基板処理装置１は、基板Ｗを収容して洗浄処理を施す処理空間を内部に有するチャンバー１０を備える。基板処理装置１は、チャンバー１０の内部に主たる要素として、基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック２０と、基板Ｗの表面に向けて冷却ガスを吐出する冷却ノズル３０と、基板Ｗの表面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル６０と、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面に対向配置された雰囲気遮断板７０と、を備える。また、基板処理装置１は、装置に設けられた各動作機構を制御して基板Ｗの処理を実行させる制御部９０を備える。
【００３０】
スピンチャック２０は、スピンベース２３、回転支軸２１、スピンモータ２２および複数のチャックピン２４を備える。回転支軸２１の上端部には、円盤状のスピンベース２３がネジ等の締結部品によって連結されている。回転支軸２１はスピンモータ２２の回転軸に連結されており、スピンモータ２２の駆動は回転支軸２１を介してスピンベース２３に伝達される。従って、制御部９０からの動作指令に応じてスピンモータ２２が駆動することにより、基板Ｗを保持するスピンベース２３が所定の回転数にて水平面内で回転する。
【００３１】
スピンベース２３の上面周縁部には、基板Ｗの端縁部を把持するための複数のチャックピン２４が立設されている。複数のチャックピン２４は、円板形状の基板Ｗを確実に把持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース２３の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。複数のチャックピン２４のそれぞれは、基板Ｗの端縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを把持する基板保持部とを備えている（いずれも図示省略）。各チャックピン２４は、当該基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離間した解放状態との間で切り換え可能に構成されている。
【００３２】
スピンベース２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う際には、複数のチャックピン２４の全てが解放状態とされ、基板Ｗに対して処理を行う際には、複数のチャックピン２４の全てが押圧状態とされる。複数のチャックピン２４を押圧状態とすることによって、それら複数のチャックピン２４は基板Ｗの端縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース２３の上面から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。
【００３３】
また、スピンチャック２０の回転支軸２１は中空軸である。回転支軸２１の内側には、基板Ｗの裏面に処理液を供給するための下側処理液供給管２５が挿通されている。これら回転支軸２１と下側処理液供給管２５とによって二重管構造が実現されており、回転支軸２１の内壁面と下側処理液供給管２５の外壁面との隙間は、円筒状の下側ガス供給路２９となる。下側処理液供給管２５および下側ガス供給路２９は、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの下面（裏面）に近接する位置まで延びており、それらの先端は当該基板Ｗの下面中央に向けて処理液および処理ガスを吐出する吐出口を形成する。
【００３４】
また、スピンチャック２０の周囲を取り囲むようにスプラッシュガード２８が設けられている。スプラッシュガード２８は、回転するスピンベース２３および基板Ｗから飛散する処理液を受け止めて回収する。スプラッシュガード２８は、処理液の種類（例えば、薬液と純水）に応じて異なる開口部分で受け止めて別経路で回収するような多段に構成されていても良い。
【００３５】
薬液ノズル６０は水平方向に沿って延びるように設けられたノズルアーム６１の先端に取り付けられている。ノズルアーム６１の基端は回転軸６２に連結されている。その回転軸６２はスピンチャック２０の側方に設けられた回動モータ６３に接続されている。従って、制御部９０からの動作指令に応じて回動モータ６３を駆動させることにより、薬液ノズル６０を基板Ｗの中心上方の吐出位置とスプラッシュガード２８よりも外側の退避位置との間で回動させることができる。薬液ノズル６０には図示省略の薬液供給機構からＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合溶液）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水と純水との混合溶液）等の薬液が送給可能とされている。上記の吐出位置に位置している薬液ノズル６０に薬液が送給されると、薬液ノズル６０から基板Ｗの中心近傍に薬液が吐出される。
【００３６】
スピンチャック２０の上方には雰囲気遮断板７０が設けられている。雰囲気遮断板７０は、中央に開口を有する円板形状の部材である。雰囲気遮断板７０は、その下面がスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面（表面）と対向するように設けられている。円板形状の雰囲気遮断板７０の直径は基板Ｗの直径よりも大きい。すなわち、雰囲気遮断板７０は、基板Ｗよりも大きな平面サイズを有する。
【００３７】
雰囲気遮断板７０は略円筒形状を有する支持軸７１の下端部に略水平姿勢にて取り付けられている。支持軸７１は、水平方向に延びるアーム７２により基板Ｗの中心を通る鉛直軸周りに回転可能に保持されている。アーム７２は、図示省略の昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降可能とされている。スピンチャック２０に対して基板Ｗの受け渡しを行う際には、雰囲気遮断板７０が上昇してスピンベース２３から離間する。一方、基板Ｗに対して雰囲気遮断板７０を用いた所定の処理を行う際には、雰囲気遮断板７０が下降してスピンチャック２０に保持された基板Ｗに近接する。
【００３８】
また、支持軸７１は、図示省略の回転機構によって基板Ｗの中心を通る鉛直軸周りで回転可能とされている。支持軸７１が回転することによって、雰囲気遮断板７０も水平面内で回転する。雰囲気遮断板７０は、スピンチャック２０によって回転される基板Ｗと同じ回転方向および略同じ回転速度にて回転するように構成されている。
【００３９】
支持軸７１の回転中心軸近傍には中空の上側ガス供給路７９が形成されている。中空の上側ガス供給路７９の内側には、基板Ｗの表面に処理液を供給するための上側処理液供給管７５が挿通されている。これら上側ガス供給路７９と上側処理液供給管７５とによって二重管構造が実現されており、厳密には上側ガス供給路７９の内壁面と上側処理液供給管７５の外壁面との隙間が円筒状のガス流路となる。上側処理液供給管７５および上側ガス供給路７９は、雰囲気遮断板７０の中心開口に連通しており、それらの先端はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面中央に向けて処理液および処理ガスを吐出する吐出口を形成する。
【００４０】
上側ガス供給路７９および下側ガス供給路２９は、図示省略のガス供給機構と連通接続されている。当該ガス供給機構は、上側ガス供給路７９および下側ガス供給路２９に所定の処理ガス（本実施形態では窒素ガス（Ｎ２））を送給する。上側ガス供給路７９に送給された窒素ガスは、雰囲気遮断板７０の開口部分に設けられた吐出口から雰囲気遮断板７０と基板Ｗの表面との間に形成される空間に供給される。また、下側ガス供給路２９に送給された窒素ガスは、下側ガス供給路２９の先端の吐出口からスピンベース２３の上面と基板Ｗの裏面との間に形成される空間に供給される。なお、上側ガス供給路７９および下側ガス供給路２９から供給される窒素ガスは常温（約２３℃）である。
【００４１】
上側処理液供給管７５および下側処理液供給管２５は、図示省略の処理液供給機構と連通接続されている。当該処理液供給機構は、上側処理液供給管７５および下側処理液供給管２５に所定の処理液を送給する。本明細書において、処理液とは薬液および純水（ＤＩＷ：deionized water）の双方を含む概念である。本実施形態では上側処理液供給管７５には処理液として純水が送給される。上側処理液供給管７５に送給された純水は、雰囲気遮断板７０の開口部分に設けられた吐出口から基板Ｗの表面に吐出される。上側処理液供給管７５に送給される純水は、熱交換器等の冷却機構によってその凝固点近傍にまで冷却されたものであっても良い。一方、下側処理液供給管２５には処理液として薬液または純水が送給される。下側処理液供給管２５に送給された処理液は、下側処理液供給管２５の先端の吐出口から基板Ｗの裏面に吐出される。
【００４２】
また、冷却ガスを吐出する冷却ノズル３０は水平方向に沿って延びるように設けられたノズルアーム３１の先端に取り付けられている。ノズルアーム３１の基端は回転軸３２に連結されている。その回転軸３２はスピンチャック２０の側方に設けられた回動モータ３３に接続されている。従って、制御部９０からの動作指令に応じて回動モータ３３を駆動させることにより、冷却ノズル３０を基板Ｗの上方の処理位置とスプラッシュガード２８よりも外側の退避位置との間で回動させることができる。ここで「処理位置」とは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心と端縁部との間の全ての部位の上方を含む位置である。一方、「退避位置」とは、スプラッシュガード２８よりも外方の固定位置である（図１の一点鎖線で示す冷却ノズル３０の位置）。また、制御部９０からの動作指令に応じて回動モータ３３を駆動させることにより、冷却ノズル３０を基板Ｗの上方の処理位置の範囲内にて揺動させることができる。
【００４３】
図２および図３は、冷却ノズル３０の構成を示す図である。図２には動作状態の冷却ノズル３０を示し、図３には待機状態の冷却ノズル３０を示す。「動作状態」とは、冷却ノズル３０が処理位置にてスピンチャック２０に保持された基板Ｗに向けて冷却ガスを吐出するときの状態であり、後述する吐出口３７から冷却ガスを吐出する状態である。一方、待機状態とは、冷却ノズル３０が退避位置にて待機しているときの状態であり、吐出口３７からの冷却ガスの吐出を停止している状態である。なお、冷却ノズル３０が退避位置にて動作状態となることもある。
【００４４】
図２および図３に示すように、冷却ノズル３０およびノズルアーム３１の内部は中空となっており、その中空部分が冷却ガスを送給するための流路３０１として機能する。図２に示すように、流路３０１の基端側はガス供給配管３０２と接続されている。そのガス供給配管３０２はガス供給源３０３と連通接続されている。また、ガス供給配管３０２の経路途中には熱交換器３０４と流量調整バルブ３０５とが介挿されている。ガス供給源３０３は、制御部９０からの動作指令に応じてガス供給配管３０２に窒素ガスを供給する。ガス供給源３０３から供給された窒素ガスは熱交換器３０４によって冷却される。熱交換器３０４は、例えば液体窒素とガス供給源３０３から供給された窒素ガスとの熱交換を行わせることによって、窒素ガスを少なくとも純水の凝固点よりも低い温度（例えば、−１５０℃）に冷却して冷却ガスを生成する。流量調整バルブ３０５は、制御部９０からの動作指令に基づいて、ガス供給配管３０２中を流れる冷却ガスの流量を指示された値に調整する。
【００４５】
流路３０１の先端側は冷却ノズル３０の下部において拡径されてバッファ空間３０６を形成する。バッファ空間３０６は、流路３０１を送給されてきた冷却ガスの流速を低下させる。冷却ノズル３０の下端においてバッファ空間３０６の下側が開口しており、その開口部分が冷却ノズル３０の吐出口３７として機能する。処理位置の冷却ノズル３０は、動作状態にて吐出口３７からスピンチャック２０に保持された基板Ｗに向けて冷却ガスを吐出する。
【００４６】
吐出口３７は、第１シャッター３５によって開閉可能とされている。第１シャッター３５は、図示省略の駆動機構によって吐出口３７を開放する位置（図２に示す位置）と吐出口３７を閉塞する位置（図３に示す位置）との間で移動可能とされている。第１シャッター３５は、動作状態では吐出口３７を開放するとともに、待機状態では吐出口３７を閉塞する。
【００４７】
また、流路３０１は、冷却ノズル３０の上部においても、その経路途中にてノズル外に開口している。流路３０１の経路途中の開口部分は、待機状態にて冷却ガスを放出するリーク開口３８として機能する。冷却ノズル３０は、待機状態にてリーク開口３８からノズル外に冷却ガスを放出する。
【００４８】
リーク開口３８は、第２シャッター３６によって開閉可能とされている。第２シャッター３６は、図示省略の駆動機構によってリーク開口３８を開放する位置（図３に示す位置）とリーク開口３８を閉塞する位置（図２に示す位置）との間で移動可能とされている。第２シャッター３６は、動作状態ではリーク開口３８を閉塞するとともに、待機状態ではリーク開口３８を開放する。
【００４９】
冷却ノズル３０の動作内容については後に詳述するが、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスを、動作状態では吐出口３７から吐出させるとともに、待機状態ではリーク開口３８から放出させる。これにより、冷却ノズル３０の待機中における吐出口３７への霜の付着を防止することができる。
【００５０】
また、図３に示すように、冷却ノズル３０の退避位置の近傍には、ガス回収部５０と温調部８０とが設けられている。ガス回収部５０は、受入部５１および排気ポンプ５２を備える。受入部５１は、退避位置に位置決めされた冷却ノズル３０のリーク開口３８に対向する開口を有している。受入部５１の内部空間は排気ポンプ５２に接続されている。排気ポンプ５２が作動すると、受入部５１の開口に負圧が作用し、冷却ノズル３０のリーク開口３８から放出された冷却ガスは受入部５１の開口から吸引されて排気ポンプ５２によってチャンバー１０の外部に排出される。
【００５１】
温調部８０は温調ガスノズル８１を備える。温調ガスノズル８１は、退避位置に位置決めされた待機状態の冷却ノズル３０の吐出口３７を閉塞する第１シャッター３５に対向する位置に設置されている。温調ガスノズル８１は二重管構造を有しており、円管状の排出路８３の周囲に円筒状の給気路８２が形成されている。温調ガスノズル８１の給気路８２には、図外の温調ガス供給機構から常温（約２３℃）に温調された窒素ガスが送給される。給気路８２に送給された常温の窒素ガスは、退避位置に位置決めされた冷却ノズル３０の吐出口３７を閉塞する第１シャッター３５に向けて供給される。第１シャッター３５に向けて供給された窒素ガスは、排出路８３に回収されて排出される。排出路８３による窒素ガスの排出を円滑に行うために、排出路８３に排気ポンプを接続するようにしても良い。
【００５２】
制御部９０は、基板処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部９０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部９０は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部９０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって基板処理装置１における処理が進行する。
【００５３】
次に、上記構成を有する基板処理装置１における処理動作について説明する。図４は、基板処理装置１における処理手順を示すフローチャートである。また、図５から図８は、図４の処理における動作を模式的に示す図である。さらに、図９は、図４の処理手順に沿った装置各部の動作を示すタイミングチャートである。以下に説明する基板処理装置１の処理手順は、制御部９０が基板処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
【００５４】
上記の基板処理装置１においては、未処理の基板Ｗがチャンバー１０内に搬入されてスピンチャック２０に略水平姿勢で保持され、その基板Ｗに対して種々の洗浄処理が実行される。例えば、薬液ノズル６０が基板Ｗの中心上方の吐出位置に移動し、スピンチャック２０によって回転される基板Ｗの表面の中心に薬液ノズル６０からＳＣ１等の薬液を供給して表面洗浄処理を行う。また、薬液による洗浄処理が終了した後、薬液ノズル６０が退避位置に退避するとともに、雰囲気遮断板７０が下降し、上側処理液供給管７５および下側処理液供給管２５から回転する基板Ｗの表裏両面に純水を供給して純水リンス処理を行う。
【００５５】
このような処理液を用いた基板Ｗの洗浄処理を行っている間、冷却ノズル３０は冷却ガスのアイドリングを行っている（ステップＳ１）。典型的には、基板処理装置１が設置されるクリーンルーム内は半導体製造分野における常温である約２３℃に温調されている。よって、冷却ガスを吐出していない冷却ノズル３０およびノズルアーム３１の内部の流路３０１も概ね常温となる。冷却ノズル３０から基板Ｗに向けて冷却ガスの吐出処理を行う際に、流路３０１が常温であると純水の凝固点よりも低い温度に冷却された冷却ガスが流路３０１によって加温されることとなり、流路３０１自体の温度が低下するまで冷却ガスを吐出することが困難となる。このため、必要なときに直ちに冷却ガスを吐出することができるように、図９に示す時刻ｔ０から時刻ｔ１の待機状態では比較的小さな流量にて冷却ガスを冷却ノズル３０に送給して流路３０１を低温に維持するアイドリングを行っているのである。
【００５６】
具体的には、時刻ｔ０〜時刻ｔ１の待機状態では冷却ノズル３０はスプラッシュガード２８よりも外方の退避位置に位置決めされている。そして、待機状態の冷却ノズル３０にガス供給源３０３および熱交換器３０４から冷却ガスが送給される。冷却ノズル３０に送給される冷却ガスの流量は流量調整バルブ３０５によって小流量に調整されている。また、第１シャッター３５が吐出口３７を閉塞するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を開放する。これにより、送給された小流量の冷却ガスがノズルアーム３１および冷却ノズル３０の流路３０１に沿って流れてリーク開口３８から放出され、流路３０１が低温に維持されることとなる。その結果、冷却ノズル３０は必要なときに直ちに冷却ガスを吐出することができる。
【００５７】
また、流路３０１に沿って冷却ノズル３０に送給された小流量の冷却ガスはリーク開口３８のみから放出され、吐出口３７からは全く放出されない（図３参照）。処理液を用いた液処理を行うチャンバー１０の内部は一般的には高湿度環境となっており、小流量であっても冷却ガスを冷却ノズル３０の吐出口３７から吐出していると、吐出口３７の近傍にチャンバー１０内の水分が凝結して霜が付着する。第１実施形態においては、冷却ガスが吐出口３７とは異なるリーク開口３８のみから放出され、吐出口３７からは全く放出されないため、吐出口３７の近傍に霜が付着するのを防止することができる。その結果、冷却ノズル３０が基板Ｗの上方の処理位置に移動したときに吐出口３７に付着した霜が基板Ｗ上に落下して当該基板Ｗを汚染するおそれもなくなる。
【００５８】
また、冷却ノズル３０のリーク開口３８から放出された冷却ガスはガス回収部５０によって吸引されて回収される。従って、待機状態にてリーク開口３８から放出された冷却ガスがチャンバー１０内に拡散することが抑制され、チャンバー１０内が冷却されることに起因したミストの凝結や微小な氷粒の発生を防止することができる。ガス回収部５０によって回収された冷却ガスは、再度冷却ノズル３０に送給して再利用することも可能である。
【００５９】
さらに、待機状態では冷却ノズル３０の吐出口３７を閉塞する第１シャッター３５が温調部８０によって概ね常温に温調されている。従って、冷却ノズル３０の吐出口３７も温調部８０によって間接的に概ね常温に温調されることとなり、吐出口３７の近傍に霜が付着するのをより確実に防止することができる。
【００６０】
次に、スピンチャック２０が基板Ｗを回転させつつ、上側処理液供給管７５から基板Ｗの表面の回転中心に純水を供給する。このとき、凝固点（０℃）近傍にまで冷却した純水を基板Ｗに供給するようにしても良い。基板Ｗの表面に供給された純水は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面上を径方向外向きに均一に拡がる。供給された純水の一部は遠心力によって基板Ｗの外方に振り切られる。これにより、基板Ｗの表面の全面にわたって均一な所定の厚さを有する純水の液膜（水膜）が形成される（ステップＳ２）。図５は、上側処理液供給管７５から純水を供給して基板Ｗの表面に液膜５を形成した状態を示す図である。なお、基板Ｗの回転を停止させた状態で基板Ｗの表面に純水を供給して液膜を形成するようにしても良い。
【００６１】
液膜形成が終了すると、雰囲気遮断板７０が上昇して基板Ｗの表面から離間する。このとき、冷却ノズル３０は退避位置にて待機状態であり、流路３０１を低温に維持するために送給された小流量の冷却ガスをリーク開口３８から放出している。そして、時刻ｔ１に制御部９０の制御下にて冷却ノズル３０は待機状態から動作状態に切り換わる。但し、時刻ｔ１の時点では、冷却ノズル３０はスプラッシュガード２８よりも外方の退避位置に停留したまま動作状態に切り換わる。
【００６２】
具体的には、時刻ｔ１に第１シャッター３５が吐出口３７を開放するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を閉塞する。また、流量調整バルブ３０５は、冷却ノズル３０に送給する冷却ガスの流量を小流量から大流量に増大する。冷却ノズル３０に送給される冷却ガスは熱交換器３０４によって少なくとも液膜５を構成する純水の凝固点（０℃）よりも低い温度（例えば、−１５０℃）に冷却されている。送給された大流量の冷却ガスは、ノズルアーム３１および冷却ノズル３０の流路３０１に沿って流れてバッファ空間３０６に流入し、吐出口３７から下方に向けて吐出される（図２参照）。上述の待機状態の間、小流量の冷却ガスを流すことによって流路３０１が低温に維持されているため、時刻ｔ１に待機状態から動作状態に切り換わると同時に冷却ガスを吐出口３７から吐出することができる。
【００６３】
時刻ｔ１に動作状態に切り換えられた後は、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスは吐出口３７のみから吐出され、リーク開口３８からは全く放出されない。また、動作状態にて冷却ノズル３０の吐出口３７から吐出される冷却ガスの流量は、待機状態にてリーク開口３８から放出される冷却ガスの流量よりも多い。
【００６４】
冷却ノズル３０が動作状態に切り換えられた後、時刻ｔ２に冷却ノズル３０が退避位置から基板Ｗの上方の処理位置に向けて移動を開始する（ステップＳ３）。冷却ノズル３０は回動モータ３３によって回動されることによって処理位置に向けて移動する。退避位置から離れた冷却ノズル３０はスプラッシュガード２８を越えて基板Ｗの端縁部上方を通過し、時刻ｔ３に基板Ｗの中心部上方に到達する。図６は、液膜５が形成された基板Ｗの中心部上方に冷却ノズル３０が到達した状態を示す図である。冷却ノズル３０は既に時刻ｔ１に動作状態に切り換えられており、退避位置から処理位置に向けて移動中も吐出口３７から冷却ガスを吐出し続けている。なお、このときには比較的高速で冷却ノズル３０が基板Ｗの中心部上方にまで移動するため、冷却ガスによって液膜５が凍結されることはない。
【００６５】
続いて、時刻ｔ３から時刻ｔ４にかけて冷却ノズル３０が大流量にて送給された冷却ガスを吐出口３７から回転する基板Ｗに向けて吐出しつつ、基板Ｗの中心部上方から端縁部上方に向けて徐々に走査移動していく。図７は、冷却ガスを吐出する冷却ノズル３０が基板Ｗの中心部上方から端縁部上方に向けて走査移動する状態を示す図である。
【００６６】
冷却ノズル３０から吐出される冷却ガスの温度は、液膜５を構成する純水の凝固点よりも低温である。そのような低温の冷却ガスを冷却ノズル３０から大流量にて液膜５に吹き付けることによって、基板Ｗ上の液膜５のうちの冷却ガスが吹き付けられた部分が局所的に冷却されて凍結する。そして、冷却ガスを吐出する冷却ノズル３０が回転する基板Ｗの中心部上方から端縁部上方に向けて徐々に走査移動することにより、基板Ｗの中心部から端縁部に向けて液膜５が凍結していくこととなる（ステップＳ４）。これにより、基板Ｗ上には純水の凍結膜７が形成され、その凍結膜７の形成領域は冷却ノズル３０の走査移動にともなって徐々に拡大する。
【００６７】
やがて時刻ｔ４に冷却ノズル３０が基板Ｗの端縁部上方に到達したときには、基板Ｗ上の液膜５の全体が凍結する。図８は、基板Ｗ上の液膜５の全体が凍結した状態を示す図である。時刻ｔ４に冷却ノズル３０が基板Ｗの端縁部上方に到達した時点で基板Ｗ上の液膜５の全体が凍結して凍結膜７に相転移している。
【００６８】
また、冷却ノズル３０が基板Ｗの端縁部上方に到達した時刻ｔ４に冷却ノズル３０は動作状態から待機状態に切り換わる。具体的には、時刻ｔ４に第１シャッター３５が吐出口３７を閉塞するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を開放する。また、流量調整バルブ３０５は、冷却ノズル３０に送給する冷却ガスの流量を大流量から小流量に減少する。送給された小流量の冷却ガスは、ノズルアーム３１および冷却ノズル３０の流路３０１に沿って流れてリーク開口３８から放出される。
【００６９】
また、時刻ｔ４には、冷却ノズル３０が基板Ｗの端縁部上方から退避位置に向けて戻る移動を開始する。基板Ｗの端縁部上方から離れた冷却ノズル３０はスプラッシュガード２８を越えて時刻ｔ５に退避位置に到達する。そして、退避位置に戻った待機状態の冷却ノズル３０は再び冷却ガスのアイドリングを行う（ステップＳ５）。すなわち、冷却ノズル３０に送給された小流量の冷却ガスがノズルアーム３１および冷却ノズル３０の流路３０１に沿って流れ、流路３０１が低温に維持される。流路３０１に沿って送給された小流量の冷却ガスはリーク開口３８のみから放出される。そのリーク開口３８から放出された冷却ガスはガス回収部５０によって回収される。
【００７０】
基板Ｗ上の液膜５の全体が凍結し、冷却ノズル３０が基板Ｗの端縁部上方から離れた後、雰囲気遮断板７０が下降して基板Ｗの表面に近接する。そして、上側処理液供給管７５から基板Ｗ上の凍結膜７に向けて常温の純水を供給してリンス処理を行う（ステップＳ６）。常温の純水が供給されることによって、凍結膜７が融解する。リンス処理を行う際には、上側ガス供給路７９および下側ガス供給路２９から窒素ガスを供給して雰囲気遮断板７０とスピンベース２３との間に挟まれた空間を窒素雰囲気とするようにしても良い。
【００７１】
凍結膜７の全体が完全に融解した後、上側処理液供給管７５からの純水供給を停止し、スピンチャック２０が基板Ｗを高速回転させることによって基板Ｗ上の液滴を振り切るスピン乾燥処理を行う（ステップＳ７）。スピン乾燥処理を行う際には、上側ガス供給路７９および下側ガス供給路２９から基板Ｗの表裏面に乾燥ガスとしての常温の窒素ガスを吹き付けつつ基板Ｗを高速回転させるのが好ましい。このようにして乾燥処理が終了すると、処理済みの基板Ｗがチャンバー１０から搬出されて１枚の基板Ｗに対する洗浄処理が完了する。
【００７２】
上述のような液膜５を凍結させることによって基板Ｗの表面を洗浄する原理について簡単に説明する。上記の如く冷却ガスを吹き付けて純水の液膜５を凍結させると、基板Ｗの表面とその表面に付着したパーティクルとの間に入り込んだ純水の体積が増加（０℃の水が０℃の氷に相転移すると、その体積は概ね１．１倍に増加する）し、当該パーティクルが微小距離だけ基板Ｗの表面から離される。その結果、基板Ｗの表面とパーティクルとの間の付着力が低減され、パーティクルが基板Ｗの表面から脱離することとなる。このとき、基板Ｗの表面に微細なパターンが形成されている場合であっても、液膜５の体積膨張によってパターンに加わる圧力はあらゆる方向について等しく、パターンに加えられる力が相殺される。このため、パターンの剥離や倒壊を防止しながら、パーティクルのみを基板Ｗの表面から脱離させることができる。そして、凍結膜７に常温の純水を供給して凍結膜７を融解し、リンス処理によって洗い流すことにより、基板Ｗの表面からパーティクル等の汚染物質を除去することができるのである。
【００７３】
第１実施形態においては、冷却ノズル３０が動作状態のときには、第１シャッター３５が吐出口３７を開放するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を閉塞することにより、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスは吐出口３７から吐出される。一方、冷却ノズル３０が待機状態のときには、第１シャッター３５が吐出口３７を閉塞するとともに、第２シャッター３６がリーク開口３８を開放することにより、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスはリーク開口３８から放出される。すなわち、第１実施形態では、第１シャッター３５および第２シャッター３６によって、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスを動作状態では吐出口３７から吐出させるとともに、待機状態ではリーク開口３８から放出させるように冷却ノズル３０内の流路を切り換えているのである。待機状態のときには、動作状態で冷却ガスを吐出する吐出口３７とは異なるリーク開口３８のみから冷却ガスを放出しており、吐出口３７からは冷却ガスが全く放出されないため、冷却ノズル３０の吐出口３７への霜の付着を効果的に防止することができる。
【００７４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置の全体構成は第１実施形態と概ね同様である。また、第２実施形態における基板Ｗの処理内容についても第１実施形態と概ね同じである。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、冷却ノズル３０内の流路を切り換える機構である。
【００７５】
図１０および図１１は、第２実施形態の冷却ノズル１３０の構成を示す図である。図１０には動作状態の冷却ノズル１３０を示し、図１１には待機状態の冷却ノズル１３０を示す。第２実施形態の冷却ノズル１３０は、いわゆるソレノイドバルブ（電磁弁）の機構を有する。冷却ノズル１３０の内部には可動コア（可動鉄心）１３１が設けられており、その可動コア１３１はコイル１３２に電流が流れることによって駆動される。
【００７６】
冷却ノズル１３０が動作状態のときには、ガス供給配管３０２に接続されて冷却ガスが送給される流路３０１が吐出口３７に連通するように、つまりリーク開口３８に至る流路が閉塞されるように可動コア１３１がコイル１３２によって位置決めされている（図１０）。これにより、冷却ノズル１３０に送給された冷却ガスは吐出口３７から吐出される。
【００７７】
一方、冷却ノズル３０が待機状態のときには、冷却ガスが送給される流路３０１がリーク開口３８に連通するように、つまり吐出口３７に至る流路が閉塞されるように可動コア１３１がコイル１３２によって位置決めされている（図１１）。これにより、冷却ノズル１３０に送給された冷却ガスはリーク開口３８から放出される。
【００７８】
このように、第１実施形態ではシャッター機構によって流路を切り換えていたのに代えて、第２実施形態においてはソレノイドバルブによって、冷却ノズル３０に送給された冷却ガスを動作状態では吐出口３７から吐出させるとともに、待機状態ではリーク開口３８から放出させるように冷却ノズル１３０内の流路を切り換えているのである。第２実施形態においても、待機状態のときには、動作状態で冷却ガスを吐出する吐出口３７とは異なるリーク開口３８のみから冷却ガスを放出しており、吐出口３７からは冷却ガスが全く放出されないため、冷却ノズル１３０の吐出口３７への霜の付着を効果的に防止することができる。なお、流路を切り換える機構を除く残余の第２実施形態の構成および動作内容については第１実施形態と同様である。
【００７９】
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、純水によって基板Ｗの表面に液膜を形成していたが、液膜を構成する液体は純水に限定されるものではない。例えば、炭酸水、水素水、希薄濃度（例えば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水、希薄濃度の塩酸、または純水に少量の界面活性剤を加えた液体によって基板Ｗの表面に液膜を形成するようにしても良い。
【００８０】
また、上記実施形態においては、冷却ガスとして液膜を構成する純水の凝固点よりも低い温度に冷却された窒素ガスを用いていたが、冷却ガスは窒素ガスに限定されるものではない。例えば、アルゴンガスのような希ガスや他の不活性ガス、或いは乾燥空気等を冷却ガスとして用いるようにしても良い。
【００８１】
また、チャンバー１０内に設けられていた雰囲気遮断板７０は必須の要素ではなく、本発明に係る技術は雰囲気遮断板を設けていない装置にも適用可能である。また、チャンバー１０内には、処理液と加圧した気体とを混合して液滴を生成し、その液滴と気体との混合流体を基板Ｗに噴射する二流体ノズルが設けられていても良い。
【００８２】
また、上記実施形態においては、待機状態のときに冷却ノズル３０の吐出口３７を温調部８０によって概ね常温に温調していたが、温調部８０による温調温度は常温に限定されるものではない。温調部８０は、冷却ノズル３０の吐出口３７を少なくとも冷却ガスよりも高い温度に温調すれば良く、吐出口３７への霜の付着を防止する観点からはチャンバー１０内に存在する蒸気の凝結点よりも高い温度に吐出口３７を温調するのが好ましい。
【００８３】
また、温調部８０は、ランプまたはヒータによって第１シャッター３５および吐出口３７を加温する機構であっても良い。
【００８４】
また、本発明に係る技術によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明に係る技術は、半導体ウェハー等の基板の表面に形成された液膜に冷却ガスを吐出して当該を凍結させて基板の洗浄処理を行う基板処理装置および基板処理方法に好適に適用することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１  基板処理装置
５  液膜
７  凍結膜
１０  チャンバー
２０  スピンチャック
３０，１３０  冷却ノズル
３１  ノズルアーム
３３  回動モータ
３５  第１シャッター
３６  第２シャッター
３７  吐出口
３８  リーク開口
５０  ガス回収部
７０  雰囲気遮断板
７５  上側処理液供給管
８０  温調部
９０  制御部
３０１  流路
３０２  ガス供給配管
３０３  ガス供給源
３０４  熱交換器
３０５  流量調整バルブ
３０６  バッファ空間
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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