(57)【要約】【課題】製造効率の向上および製造コストの低減を実現する。【解決手段】端子Ｔｖ１ａと端子Ｔｖ２ａとを接続する配線Ｗ１、および端子Ｔｖ１ｂと端子Ｔｖ２ｂとを接続する配線Ｗ２が形成され、上面１００ｕ側から下面１００ｂ側に向かって設けられた４つの導体層１０１ａ〜１０１ｄを有し、配線Ｗ１は、導体層１０１ａに形成された導体パターンＰ１と、導体層１０１ｃに形成された導体パターンＰ２と、導体パターンＰ１，Ｐ２を端子Ｔｖ１ａ，Ｔｖ１ｂ側で接続するビアＶ１と、導体パターンＰ１，Ｐ２を端子Ｔｖ２ａ，Ｔｖ２ｂ側で接続するビアＶ２とを備えて構成され、配線Ｗ２は、導体層１０１ｂに形成された導体パターンＰ３と、導体層１０１ｄに形成された導体パターンＰ４と、導体パターンＰ３，Ｐ４を端子Ｔｖ１ａ，Ｔｖ１ｂ側で接続するビアＶ３と、導体パターンＰ３，Ｐ４を端子Ｔｖ１ａ，Ｔｖ１ｂ側で接続するビアＶ４とを備えて構成されている。【選択図】図３
2019109111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧検出部が接続される一対の第１端子のいずれか一方と測定対象に接触させる一対のプローブがそれぞれ接続される一対の第２端子のいずれか一方とを接続する第１配線、および前記各第１端子の他方と前記各第２端子の他方とを接続する第２配線が形成された回路基板であって、
当該回路基板の一面側から他面側に向かって設けられた第１導体層、第２導体層、第３導体層および第４導体層の少なくとも４つの導体層を有し、
前記第１配線は、前記第１導体層および前記第２導体層のいずれか一方の導体層に形成された第１導体パターンと、前記第３導体層および前記第４導体層のいずれか一方の導体層に形成された第２導体パターンと、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを前記第１端子側で接続する第１ビアと、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを前記第２端子側で接続する第２ビアとを備えて構成され、
前記第２配線は、前記第１導体層および前記第２導体層の他方の導体層に形成された第３導体パターンと、前記第３導体層および前記第４導体層の他方の導体層に形成された第４導体パターンと、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンを前記第１端子側で接続する第３ビアと、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンを前記第２端子側で接続する第４ビアとを備えて構成されている回路基板。
【請求項２】
前記第１導体パターンは、前記第１導体層に形成され、前記第２導体パターンは、前記第３導体層に形成され、前記第３導体パターンは、前記第２導体層に形成され、前記第４導体パターンは、前記第４導体層に形成されている請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１配線で構成される第１ループの開口面積と、前記第２配線で構成される第２ループの開口面積とが互いに等しくなるように構成されている請求項１または２記載の回路基板。
【請求項４】
電圧検出部が接続される一対のＡ端子のいずれか一方と測定対象に接触させる一対のプローブがそれぞれ接続される一対のＢ端子のいずれか一方とを接続するＡ配線、および前記各Ａ端子の他方と前記各Ｂ端子の他方とを接続するＢ配線が形成された回路基板であって、
当該回路基板の一面側から他面側に向かって設けられたＡ導体層、Ｂ導体層およびＣ導体層の少なくとも３つの導体層を有し、
前記Ａ配線は、前記Ａ導体層および前記Ｃ導体層のいずれか一方の導体層に形成されたＡ導体パターンと、前記Ａ導体層および前記Ｃ導体層の他方の導体層に形成されたＢ導体パターンと、前記Ａ導体パターンおよび前記Ｂ導体パターンを前記Ａ端子側で接続するＡビアと、前記Ａ導体パターンおよび前記Ｂ導体パターンを前記Ｂ端子側で接続するＢビアとを備えて構成され、
前記Ｂ配線は、前記Ｂ導体層に形成されたＣ導体パターンと、前記他方の導体層における前記Ａ端子側に形成されたＤ導体パターンと、前記他方の導体層における前記Ｂ端子側に形成されたＥ導体パターンと、前記Ｃ導体パターンおよび前記Ｄ導体パターンを前記Ａ端子側で接続するＣビアと、前記Ｃ導体パターンおよび前記Ｅ導体パターンを前記Ｂ端子側で接続するＤビアとを備えて構成されている回路基板。
【請求項５】
前記Ａ導体パターン、前記Ｂ配線、前記電圧検出部、前記各プローブおよび前記測定対象で構成されるＡループ、並びに前記Ａ導体パターンの一部、Ｂ導体パターン、前記Ａビア、前記Ｂビア、前記Ｂ配線、前記電圧検出部、前記各プローブおよび前記測定対象で構成されるＢループを同じ向きで同じ磁束密度の外部磁界が通過したときに当該各ループに生じる誘導起電力が互いに打ち消し合うように当該各ループの開口面積が規定されている請求項４記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の回路基板と、前記電圧検出部と、前記回路基板に形成された第３配線を介して前記測定対象に測定用電流を供給する電流供給部と、前記電圧検出部によって検出された電圧値および前記測定用電流の電流値に基づいて前記測定対象の被測定量を測定する測定部とを備えている測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧検出部と測定対象とを接続する配線が形成された回路基板、およびその回路基板を備えた測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
測定対象に測定用電流を供給したときに生じる電圧を測定して測定対象の被測定量を測定する際に、電流径路に測定電流が流れることによって生じる磁界の影響を軽減する測定装置として、下記特許文献１において出願人が開示した４端子対法で測定を行う回路基板検査装置が知られている。この回路基板検査装置では、測定電流供給用の電流プローブおよび電圧検出用の電圧プローブに接続されている同軸ケーブルのシールドをリード線で接続することにより、測定対象に流れる測定電流の向きとは逆向きに、シールドとリード線とで形成される電流径路に測定電流が流れ、これによって、測定電流によって生じる磁束（磁界）が相殺される結果、磁束による測定結果への影響を軽減して検査精度を向上させることが可能となっている。
【０００３】
一方、電圧検出部、ケーブル、電圧プローブおよび測定対象によって形成される電圧ループに外部磁界が通過したときには、その電圧ループに誘導起電力が発生し、その誘導起電力によって電圧検出値が影響を受ける。このため、出願人は、電圧検出部に接続される２本のケーブルを撚ることによって外部磁界によって発生する誘導起電力を相殺する技術を既に開発している。また、出願人は、誘導起電力を相殺する技術を測定装置内の回路基板で実現するために、多層基板における２つの導体層にそれぞれ形成した導体パターンをビアで接続して、２本の螺旋状の配線を撚り合わせた撚り形状の配線を形成し、この撚り形状の配線によって誘導起電力を相殺する技術を既に開発している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２５７３４０号公報（第５頁、第４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、出願人が既に開発している撚り形状の配線を基板内に形成する従来の回路基板には、改善すべき以下の課題ある。具体的には、撚り形状の配線を基板内に形成するには、２つの導体層に短い配線を間隔を空けてそれぞれ並べ、１つの導体層の各配線の各端部と他の１つの導体層の各配線の各端部とをビアで接続して第１の螺旋状の配線を作成し、その第１の螺旋状の配線と撚り合わせた状態となるように第２の螺旋状の配線を第１の螺旋状の配線と同様に作成する。しかしながら、撚り形状の配線を基板内に形成するには、数多くのビアを形成して各配線の各端部同士を接続する必要がある。したがって、従来の回路基板には、製造工程が煩雑となるため、製造効率が低下すると共に、製造コストが高騰するという課題が存在する。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、製造効率の向上および製造コストの低減を実現し得る回路基板および測定装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板は、電圧検出部が接続される一対の第１端子のいずれか一方と測定対象に接触させる一対のプローブがそれぞれ接続される一対の第２端子のいずれか一方とを接続する第１配線、および前記各第１端子の他方と前記各第２端子の他方とを接続する第２配線が形成された回路基板であって、当該回路基板の一面側から他面側に向かって設けられた第１導体層、第２導体層、第３導体層および第４導体層の少なくとも４つの導体層を有し、前記第１配線は、前記第１導体層および前記第２導体層のいずれか一方の導体層に形成された第１導体パターンと、前記第３導体層および前記第４導体層のいずれか一方の導体層に形成された第２導体パターンと、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを前記第１端子側で接続する第１ビアと、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを前記第２端子側で接続する第２ビアとを備えて構成され、前記第２配線は、前記第１導体層および前記第２導体層の他方の導体層に形成された第３導体パターンと、前記第３導体層および前記第４導体層の他方の導体層に形成された第４導体パターンと、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンを前記第１端子側で接続する第３ビアと、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンを前記第２端子側で接続する第４ビアとを備えて構成されている。
【０００８】
また、請求項２記載の回路基板は、請求項１記載の回路基板において、前記第１導体パターンは、前記第１導体層に形成され、前記第２導体パターンは、前記第３導体層に形成され、前記第３導体パターンは、前記第２導体層に形成され、前記第４導体パターンは、前記第４導体層に形成されている。
【０００９】
また、請求項３記載の回路基板は、請求項１または２記載の回路基板において、前記第１配線で構成される第１ループの開口面積と、前記第２配線で構成される第２ループの開口面積とが互いに等しくなるように構成されている。
【００１０】
また、請求項４記載の回路基板は、電圧検出部が接続される一対のＡ端子のいずれか一方と測定対象に接触させる一対のプローブがそれぞれ接続される一対のＢ端子のいずれか一方とを接続するＡ配線、および前記各Ａ端子の他方と前記各Ｂ端子の他方とを接続するＢ配線が形成された回路基板であって、当該回路基板の一面側から他面側に向かって設けられたＡ導体層、Ｂ導体層およびＣ導体層の少なくとも３つの導体層を有し、前記Ａ配線は、前記Ａ導体層および前記Ｃ導体層のいずれか一方の導体層に形成されたＡ導体パターンと、前記Ａ導体層および前記Ｃ導体層の他方の導体層に形成されたＢ導体パターンと、前記Ａ導体パターンおよび前記Ｂ導体パターンを前記Ａ端子側で接続するＡビアと、前記Ａ導体パターンおよび前記Ｂ導体パターンを前記Ｂ端子側で接続するＢビアとを備えて構成され、前記Ｂ配線は、前記Ｂ導体層に形成されたＣ導体パターンと、前記他方の導体層における前記Ａ端子側に形成されたＤ導体パターンと、前記他方の導体層における前記Ｂ端子側に形成されたＥ導体パターンと、前記Ｃ導体パターンおよび前記Ｄ導体パターンを前記Ａ端子側で接続するＣビアと、前記Ｃ導体パターンおよび前記Ｅ導体パターンを前記Ｂ端子側で接続するＤビアとを備えて構成されている。
【００１１】
また、請求項５記載の回路基板は、請求項４記載の回路基板において、前記Ａ導体パターン、前記Ｂ配線、前記電圧検出部、前記各プローブおよび前記測定対象で構成されるＡループ、並びに前記Ａ導体パターンの一部、Ｂ導体パターン、前記Ａビア、前記Ｂビア、前記Ｂ配線、前記電圧検出部、前記各プローブおよび前記測定対象で構成されるＢループを同じ向きで同じ磁束密度の外部磁界が通過したときに当該各ループに生じる誘導起電力が互いに打ち消し合うように当該各ループの開口面積が規定されている。
【００１２】
また、請求項６記載の測定装置は、請求項１から５のいずれかに記載の回路基板と、前記電圧検出部と、前記回路基板に形成された第３配線を介して前記測定対象に測定用電流を供給する電流供給部と、前記電圧検出部によって検出された電圧値および前記測定用電流の電流値に基づいて前記測定対象の被測定量を測定する測定部とを備えている。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１記載の回路基板、および請求項６記載の測定装置では、第１導体層および第２導体層のいずれか一方に形成された第１導体パターンと、第３導体層および第４導体層のいずれか一方に形成された第２導体パターンと、第１導体パターンおよび第２導体パターンを接続する第１ビアおよび第２ビアとを備えて第１配線が構成され、第１導体層および第２導体層の他方に形成された第３導体パターンと、第３導体層および第４導体層の他方に形成された第４導体パターンと、第３導体パターンおよび第４導体パターンを接続する第３ビアおよび第４ビアとを備えて第２配線が構成されている。つまり、この回路基板および測定装置では、外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能な第１配線および第２配線を４つの導体パターンと４つのビアで構成することができる。このため、この回路基板および測定装置によれば、２つの導体層にそれぞれ並べた数多くの配線を数多くのビアで接続して形成した２つの螺旋状の配線を撚り合わせた状態となるように構成することで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑える従来の構成と比較して、ビアの数が少なく製造工程を簡略化することができる分、製造効率を十分に向上させて製造コストを十分に低減することができる。
【００１４】
また、請求項２記載の回路基板、および請求項６記載の測定装置によれば、第１導体パターンを第１導体層に形成し、第２導体パターンを第３導体層に形成し、第３導体パターンを第２導体層に形成し、第４導体パターンを第４導体層に形成したことにより、例えば、第１導体パターンを第１導体層に形成し、第２導体パターンを第４導体層に形成し、第３導体パターンを第２導体層１０１ｂに形成し、第４導体パターンを第３導体層に形成する構成と比較して、第１配線で構成される第１ループの開口面積と第２配線で構成される第２ループの開口面積とを同程度に近づけることができる。このため、この回路基板および測定装置によれば、回路基板の周囲に外部磁界が発生しているときに各ループに発生する誘導起電力を同程度に近づけることができるため、誘導起電力を確実に打ち消すことができる結果、外部磁界による誘導起電力の影響をより少なく抑えることができる。
【００１５】
また、請求項３記載の回路基板、および請求項６記載の測定装置によれば、第１配線で構成される第１ループの開口面積と、第２配線で構成される第２ループの開口面積とが等しくなるように構成したことにより、回路基板の周囲に外部磁界が発生している場合に各ループに発生する誘導起電力を等しくすることができるため、誘導起電力同士をより確実に打ち消すことができる結果、外部磁界による誘導起電力の影響をさらに少なく抑えることができる。
【００１６】
また、請求項４記載の回路基板、および請求項６記載の測定装置では、Ａ導体層およびＣ導体層のいずれか一方に形成されたＡ導体パターンと、Ａ導体層およびＣ導体層の他方に形成されたＢ導体パターンと、Ａ導体パターンおよびＢ導体パターンを接続するＡビアおよびＢビアとを備えてＡ配線が構成され、Ｂ導体層に形成されたＣ導体パターンと、上記の他方の導体層に形成されたＤ導体パターンおよびＥ導体パターンと、Ｃ導体パターンおよびＤ導体パターンを接続するＣビアと、Ｃ導体パターンおよびＥ導体パターンを接続するＤビアとを備えてＢ配線が構成されている。つまり、この回路基板および測定装置では、４つのビアで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能なＡ配線およびＢ配線を構成することができる。このため、この回路基板および測定装置によれば、２つの導体層にそれぞれ並べた数多くの配線を数多くのビアで接続して形成した２つの螺旋状の配線を撚り合わせた状態となるように構成することで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑える従来の構成と比較して、ビアの数が少なく製造工程を簡略化することができる分、製造効率を十分に向上させて製造コストを十分に低減することができる。
【００１７】
また、請求項５記載の回路基板、および請求項６記載の測定装置では、ＡループおよびＢループを同じ向きで同じ磁束密度の外部磁界が通過したときに各ループに生じる誘導起電力が互いに打ち消し合うように各ループの開口面積が規定されている。このため、この回路基板および測定装置によれば、回路基板の周囲に外部磁界が発生している場合において、その外部磁界による誘導起電力の影響をさらに少なく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】測定装置１，１Ａ，１Ｂの構成を示す構成図である。
【図２】回路基板１００の構成を示す断面図である。
【図３】回路基板１００の構成を説明する説明図である。
【図４】回路基板２００の構成を示す断面図である。
【図５】回路基板２００の構成を説明する第１の説明図である。
【図６】回路基板２００の構成を説明する第２の説明図である。
【図７】回路基板２００の構成を説明する第３の説明図である。
【図８】回路基板１００Ａの構成を示す断面図である。
【図９】回路基板１００Ａの構成を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、回路基板および測定装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００２０】
最初に、図１に示す測定装置１の構成について説明する。測定装置１は、測定装置の一例であって、測定対象５０（図３参照）の物理量（例えば、抵抗値）を４端子法で測定可能に構成されている。具体的には、測定装置１は、同図に示すように、電流供給部１１、電圧検出部１２、処理部１３、および回路基板１００（図２，３参照）を備えて構成されている。
【００２１】
電流供給部１１は、処理部１３の制御に従い、測定用電流（例えば、直流定電流）を出力する。
【００２２】
電圧検出部１２は、処理部１３の制御に従い、測定対象５０に対する測定用電流の供給によって測定対象５０に生じる電圧の電圧値Ｖｍを検出する。
【００２３】
処理部１３は、電流供給部１１および電圧検出部１２を制御する。また、処理部１３は、測定部として機能し、電圧検出部１２によって検出された電圧値Ｖｍと、電流供給部１１から出力された測定用電流の電流値Ｉｍとに基づいて測定対象５０の抵抗値（被測定量）を測定する測定処理を実行する。
【００２４】
回路基板１００は、電流供給部１１、電圧検出部１２および処理部１３が実装される多層基板であって、図２に示すように、回路基板１００の上面１００ｕ側（一面側）から下面１００ｂ側（他面側）向かって設けられた４つの導体層１０１ａ（第１導体層に相当する）、導体層１０１ｂ（第２導体層に相当する）、導体層１０１ｃ（第３導体層に相当する）、および導体層１０１ｄ（第４導体層に相当する：以下、導体層１０１ａ〜１０１ｄを区別しないときには「導体層１０１」ともいう）と、各導体層１０１の間に設けられた３つの絶縁層１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃとを備えて構成されている。
【００２５】
また、図３に示すように、導体層１０１ａには、電流供給部１１の一方の電極が接続される端子Ｔｉ１ａ、および測定対象５０の端子５０ａに接触させる電流供給用のプローブ２１ａが接続される端子Ｔｉ２ａが設けられ、導体層１０１ｄには、電流供給部１１の他方の電極が接続される端子Ｔｉ１ｂ、および測定対象５０の端子５０ｂに接触させる電流供給用のプローブ２１ｂが接続される端子Ｔｉ２ｂが設けられている。
【００２６】
また、図２，３に示すように、導体層１０１ａには、電圧検出部１２の一方の電極が接続される端子Ｔｖ１ａ（第１端子に相当する）、および測定対象５０の端子５０ａに接触させる電圧検出用のプローブ２２ａが接続される端子Ｔｖ２ａ（第２端子に相当する）が設けられ、導体層１０１ｄには、電圧検出部１２の他方の電極が接続される端子Ｔｖ１ｂ（第１端子に相当する）、および測定対象５０の端子５０ｂに接触させる電圧検出用のプローブ２２ｂが接続される端子Ｔｖ２ｂ（第２端子に相当する）が設けられている。この場合、図２では、端子Ｔｉ１ａ，Ｔｉ１ｂ，Ｔｉ２ａ，Ｔｉ２ｂ、および後述する配線Ｗ３ａ，Ｗ３ｂの図示を省略している。なお、以下の説明において、端子Ｔｖ１ａ，Ｔｖ１ｂを区別しないときには「端子Ｔｖ１」ともいい、端子Ｔｖ２ａ，Ｔｖ２ｂを区別しないときには「端子Ｔｖ２」ともいう。また、端子Ｔｉ１ａ，Ｔｉ１ｂ，Ｔｉ２ａ，Ｔｉ２ｂ，Ｔｖ１ａ，Ｔｖ１ｂ，Ｔｖ２ａ，Ｔｖ２ｂを区別しないときには「端子Ｔ」ともいう。
【００２７】
また、回路基板１００には、各端子Ｔ同士を接続する配線が形成されている。具体的には、図３に示すように、回路基板１００の導体層１０１ａには、端子Ｔｉ１ａと端子Ｔｉ２ａとを接続する配線Ｗ３ａが形成され、回路基板１００の導体層１０１ｄには、端子Ｔｉ１ｂとＴｉ２ｂとを接続する配線Ｗ３ｂが形成されている。この場合、配線Ｗ３ａ，Ｗ３ｂは、第３配線に相当する。
【００２８】
また、回路基板１００には、図２，３に示すように、端子Ｔｖ１ａと端子Ｔｖ２ａとを接続する配線Ｗ１（第１配線に相当する）、および端子Ｔｖ１ｂと端子Ｔｖ２ｂとを接続する配線Ｗ２（第２配線に相当する）が形成されている。この場合、この回路基板１００では、電圧検出部１２によって行われる電圧値Ｖｍの検出に際して、電圧値Ｖｍに対する外部磁界の影響を低減させるため、配線Ｗ１および配線Ｗ２がループをなすように構成されている。
【００２９】
具体的には、配線Ｗ１は、図２，３に示すように、回路基板１００の導体層１０１ａに形成された導体パターンＰ１（第１導体パターンに相当する）と、回路基板１００の導体層１０１ｃに形成された導体パターンＰ２（第２導体パターンに相当する）と、導体パターンＰ１，Ｐ２を端子Ｔｖ１側で接続するビアＶ１と、導体パターンＰ１，Ｐ２を端子Ｔｖ２側で接続するビアＶ２とを備えて構成されている。
【００３０】
また、配線Ｗ２は、図２，３に示すように、回路基板１００の導体層１０１ｂに形成された導体パターンＰ３（第３導体パターンに相当する）と、回路基板１００の導体層１０１ｄに形成された導体パターンＰ４（第４導体パターンに相当する）と、導体パターンＰ３，Ｐ４を端子Ｔｖ１側で接続するビアＶ３と、導体パターンＰ３，Ｐ４を端子Ｔｖ２側で接続するビアＶ４とを備えて構成されている。なお、以下の説明において、ビアＶ１〜Ｖ４を区別しないときには「ビアＶ」ともいう。
【００３１】
また、この回路基板１００では、図２に示すように、配線Ｗ１（導体パターンＰ１，Ｐ２およびビアＶ１，Ｖ２）で構成されるループＬ１（同図に破線で示すループ：第１ループに相当する）の開口面と、配線Ｗ２（導体パターンＰ３，Ｐ４およびビアＶ３，Ｖ４）で構成されるループＬ２（同図に一点鎖線で示すループ：第２ループに相当する）の開口面とが対向し（同じ向きを向き）、ループＬ１の開口面積とループＬ２の開口面積とが互いに等しくなるように構成されている。
【００３２】
ここで、回路基板１００の周囲に外部磁界が発生していて、その外部磁界が各ループＬ１，Ｌ２を通過したときには、各ループＬ１，Ｌ２に誘導起電力が発生する。この場合、この回路基板１００では、図３に示すように、ループＬ１が電圧検出部１２の一方の電極に接続され、ループＬ２が電圧検出部１２の他方の電極に接続されている。また、この回路基板１００では、各ループＬ１，Ｌ２の開口面同士が対向し、各ループＬ１，Ｌ２の開口面積が互いに等しくなるように構成されている。このため、この回路基板１００では、各ループＬ１，Ｌ２に発生する誘導起電力が互いに打ち消し合うように電圧検出部１２に作用する。この結果、この回路基板１００では、電圧検出部１２が測定対象５０の電圧値Ｖｍを検出する際の外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能となっている。したがって、この回路基板１００を備えた測定装置１では、電圧検出部１２によって検出された電圧値Ｖｍに基づく測定対象５０の抵抗値を正確に測定することが可能となっている。
【００３３】
一方、この回路基板１００では、上記したように、導体層１０１ａ，１０１ｃにそれぞれ形成した導体パターンＰ１，Ｐ２を２つのビアＶ１，Ｖ２で接続した配線Ｗ１でループＬ１を構成し、導体層１０１ｂ，１０１ｄにそれぞれ形成した導体パターンＰ３，Ｐ４を２つのビアＶ３，Ｖ４で接続した配線Ｗ２でループＬ２を構成することで、外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能となっている。つまり、この回路基板１００では、４つのビアＶで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能な配線Ｗ１，Ｗ２を構成することができる。このため、この回路基板１００では、２つの導体層１０１にそれぞれ並べた数多くの配線を数多くのビアＶで接続して形成した２つの螺旋状の配線を撚り合わせた状態となるように構成することで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑える従来の構成と比較して、ビアＶの数が少なく製造工程を簡略化することができる分、製造効率を十分に向上させて製造コストを十分に低減することが可能となっている。
【００３４】
次に、測定装置１を用いて測定対象５０の被測定量としての抵抗値を４端子対法で測定する測定方法、およびその際の各部の動作について、図面を参照して説明する。
【００３５】
まず、図３に示すように、回路基板１００に設けられている端子Ｔｉ２ａ，Ｔｉ２ｂに電流供給用のプローブ２１ａ，２１ｂをそれぞれ接続し、端子Ｔｖ２ａ，Ｔｖ２ｂに電圧検出用のプローブ２２ａ，２２ｂをそれぞれ接続する。
【００３６】
次いで、図３に示すように、プローブ２１ａ，２２ａを測定対象５０の端子５０ａに接触させ、プローブ２１ｂ２２ｂを測定対象５０の端子５０ｂに接触させる。
【００３７】
続いて、図外の操作部を操作して測定の開始を指示する。これに応じて、処理部１３が測定処理を実行する。この測定処理では、処理部１３は、電流供給部１１を制御して、測定用電流（直流定電流）を出力させる。この際に、測定用電流が配線Ｗ３ａ，Ｗ３ｂおよびプローブ２１ａ，２１ｂを介して測定対象５０に供給される。
【００３８】
次いで、処理部１３は、電圧検出部１２を制御して、測定用電流の供給によって測定対象５０の端子５０ａ，５０ｂの間に生じる電圧の電圧値Ｖｍを検出させる。この場合、電圧検出部１２は、端子５０ａ，５０ｂにそれぞれ接触しているプローブ２２ａ，２２ｂおよび配線Ｗ１，Ｗ２を介して電圧値Ｖｍを検出する。
【００３９】
ここで、この測定装置１では、各々の開口面積が互いに等しくかつ開口面同士が対向する（同じ向きを向いている）ループＬ１，Ｌ２を構成する配線Ｗ１，Ｗ２が回路基板１００に形成され、配線Ｗ１，Ｗ２が電圧検出部１２の各電極にそれぞれ接続されている。このため、この測定装置１では、回路基板１００の周囲に外部磁界が発生して、その外部磁界が各ループＬ１，Ｌ２を通過している場合においても、各ループＬ１，Ｌ２の双方に発生する誘導起電力が互いに打ち消し合うように電圧検出部１２に作用する結果、誘導起電力の影響が少なく抑えられて、電圧検出部１２によって電圧値Ｖｍが正確に検出される。
【００４０】
続いて、処理部１３は、電圧検出部１２によって検出された電圧値Ｖｍと、電流供給部１１から出力された測定用電流の電流値Ｉｍとに基づいて測定対象５０の抵抗値（被測定量）を測定する。この場合、上記したように電圧検出部１２によって電圧値Ｖｍが正確に検出されている。このため、この測定装置１では、抵抗値の測定精度を十分に向上させることが可能となっている。
【００４１】
なお、上記した回路基板１００において、導体層１０１ａに導体パターンＰ１を形成し、導体層１０１ｃに導体パターンＰ２を形成し、導体層１０１ｂに導体パターンＰ３を形成し、導体層１０１ｄに導体パターンＰ４を形成する構成に代えて、導体層１０１ｂに導体パターンＰ１を形成し、導体層１０１ｄに導体パターンＰ２を形成し、導体層１０１ａに導体パターンＰ３を形成し、導体層１０１ｃに導体パターンＰ４を形成する構成を採用することもできる。
【００４２】
このように、この回路基板１００および測定装置１では、導体層１０１ａ，１０１ｃにそれぞれ形成された導体パターンＰ１，Ｐ２と、導体パターンＰ１，Ｐ２を接続するビアＶ１，Ｖ２とを備えて配線Ｗ１が構成され、導体層１０１ｂ，１０１ｄにそれぞれ形成された導体パターンＰ３，Ｐ４と、導体パターンＰ３，Ｐ４を接続するビアＶ３，Ｖ４とを備えて配線Ｗ２が構成されている。つまり、この回路基板１００および測定装置１では、外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能な配線Ｗ１，Ｗ２を４つの導体パターンＰと４つのビアＶで構成することができる。このため、この回路基板１００および測定装置１によれば、２つの導体層１０１にそれぞれ並べた数多くの配線を数多くのビアＶで接続して形成した２つの螺旋状の配線を撚り合わせた状態となるように構成することで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑える従来の構成と比較して、ビアＶの数が少なく製造工程を簡略化することができる分、製造効率を十分に向上させて製造コストを十分に低減することができる。
【００４３】
また、この回路基板１００および測定装置１によれば、導体パターンＰ１を導体層１０１ａに形成し、導体パターンＰ２を導体層１０１ｃに形成し、導体パターンＰ３を導体層１０１ｂに形成し、導体パターンＰ４を導体層１０１ｄに形成したことにより、例えば、導体パターンＰ１を導体層１０１ａに形成し、導体パターンＰ２を導体層１０１ｄに形成し、導体パターンＰ３を導体層１０１ｂに形成し、導体パターンＰ４を導体層１０１ｃに形成する構成と比較して、配線Ｗ１で構成されるループＬ１の開口面積と配線Ｗ２で構成されるループＬ２の開口面積とを同程度に近づけることができる。このため、この回路基板１００および測定装置１によれば、回路基板１００の周囲に外部磁界が発生しているときに各ループＬ１，Ｌ２に発生する誘導起電力を同程度に近づけることができるため、誘導起電力を確実に打ち消すことができる結果、外部磁界による誘導起電力の影響をより少なく抑えることができる。
【００４４】
また、この回路基板１００および測定装置１によれば、配線Ｗ１で構成されるループＬ１の開口面積と、配線Ｗ２で構成されるループＬ２の開口面積とが等しくなるように構成したことにより、回路基板１００の周囲に外部磁界が発生している場合に各ループＬ１，Ｌ２に発生する誘導起電力を等しくすることができるため、誘導起電力同士をより確実に打ち消すことができる結果、外部磁界による誘導起電力の影響をさらに少なく抑えることができる。
【００４５】
次に、回路基板の他の一例としての回路基板２００、および回路基板２００を備えた測定装置１Ａについて説明する。なお、以下の説明において、上記した回路基板１００および測定装置１と同様の構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。この回路基板２００は、図４に示すように、回路基板２００の上面２００ｕ側（一面側）から下面２００ｂ側（他面側）向かって設けられた３つの導体層２０１ａ（Ａ導体層に相当する）、導体層２０１ｂ（Ｂ導体層に相当する）、および導体層２０１ｃ（Ｃ導体層に相当する：以下、導体層２０１ａ〜２０１ｃを区別しないときには「導体層２０１」ともいう）と、各導体層２０１の間に設けられた２つの絶縁層２０２ａ，２０２ｂとを備えて構成されている。
【００４６】
また、図５に示すように、導体層２０１ａには、電流供給部１１の一方の電極が接続される端子Ｔｉ１ａ、および測定対象５０の端子５０ａに接触させる電流供給用のプローブ２１ａが接続される端子Ｔｉ２ａが設けられ、導体層２０１ｃには、電流供給部１１の他方の電極が接続される端子Ｔｉ１ｂ、および測定対象５０の端子５０ｂに接触させる電流供給用のプローブ２１ｂが接続される端子Ｔｉ２ｂが設けられている。
【００４７】
また、図４，５に示すように、導体層２０１ａには、電圧検出部１２の一方の電極が接続される端子ＴｖＡａ（Ａ端子に相当する）、および測定対象５０の端子５０ａに接触させる電圧検出用のプローブ２２ａが接続される端子ＴｖＢａ（Ｂ端子に相当する）が設けられ、導体層２０１ｃには、電圧検出部１２の他方の電極が接続される端子ＴｖＡｂ（Ａ端子に相当する）、および測定対象５０の端子５０ｂに接触させる電圧検出用のプローブ２２ｂが接続される端子ＴｖＢｂ（Ｂ端子に相当する）が設けられている。この場合、図４では、端子Ｔｉ１ａ，Ｔｉ１ｂ，Ｔｉ２ａ，Ｔｉ２ｂ、および後述する配線Ｗ３ａ，Ｗ３ｂの図示を省略している。なお、以下の説明において、端子ＴｖＡａ，ＴｖＡｂを区別しないときには「端子ＴｖＡ」ともいい、端子ＴｖＢａ，ＴｖＢｂを区別しないときには「端子ＴｖＢ」ともいう。また、端子Ｔｉ１ａ，Ｔｉ１ｂ，Ｔｉ２ａ，Ｔｉ２ｂ，ＴｖＡａ，ＴｖＡｂ，ＴｖＢａ，ＴｖＢｂを区別しないときには「端子Ｔ」ともいう。
【００４８】
また、回路基板２００には、各端子Ｔ同士を接続する配線が形成されている。具体的には、図５に示すように、回路基板２００の導体層２０１ａには、端子Ｔｉ１ａと端子Ｔｉ２ａとを接続する配線Ｗ３ａが形成され、回路基板２００の導体層２０１ｃには、端子Ｔｉ１ｂとＴｉ２ｂとを接続する配線Ｗ３ｂが形成されている。
【００４９】
また、回路基板２００には、図４，５に示すように、端子ＴｖＡａと端子ＴｖＢａとを接続する配線Ｗａ（Ａ配線に相当する）、および端子ＴｖＡｂと端子ＴｖＢｂとを接続する配線Ｗｂ（Ｂ配線に相当する）が形成されている。この場合、この回路基板２００では、電圧検出部１２によって検出される電圧値Ｖｍの検出に際して、電圧値Ｖｍに対する外部磁界の影響を低減させるため、配線Ｗ１および配線Ｗ２によってループが構成される。
【００５０】
具体的には、配線Ｗａは、図４，５に示すように、回路基板２００の導体層２０１ａに形成された導体パターンＰａ（Ａ導体パターンに相当する）と、回路基板２００の導体層２０１ｃに形成された導体パターンＰｂ（Ｂ導体パターンに相当する）と、導体パターンＰａ，Ｐｂを端子ＴｖＡ側で接続するビアＶａ（Ａビアに相当する）と、導体パターンＰａ，Ｐｂを端子ＴｖＢ側で接続するビアＶｂ（Ｂビアに相当する）とを備えて構成されている。
【００５１】
また、配線Ｗｂは、図４，５に示すように、回路基板２００の導体層２０１ｂに形成された導体パターンＰｃ（Ｃ導体パターンに相当する）と、回路基板２００の導体層２０１ｃの端子ＴｖＡ側に（端子ＴｖＡｂに接続するように）形成された導体パターンＰｄ（Ｄ導体パターンに相当する）と、導体層２０１ｃの端子ＴｖＢ側に（端子ＴｖＢｂに接続するように）形成された導体パターンＰｅ（Ｅ導体パターンに相当する）と、導体パターンＰｃの端子ＴｖＡ側と導体パターンＰｄとを接続するビアＶｃ（Ｃビアに相当する）と、導体パターンＰｃの端子ＴｖＢ側と導体パターンＰｅとを接続するビアＶｄ（Ｄビアに相当する）とを備えて構成されている。なお、以下の説明において、ビアＶａ〜Ｖｄを区別しないときには「ビアＶ」ともいう。
【００５２】
また、この回路基板２００では、図６に示すように、配線Ｗａの一部（導体パターンＰａ）、配線Ｗｂ（導体パターンＰｃ〜Ｐｅ、ビアＶｃ，Ｖｄ）、電圧検出部１２、プローブ２２ａ，２２ｂ、および測定対象５０で構成されるループＬａ（同図における斜線を付したループ：Ａループに相当する）の開口面と、図７に示すように、配線Ｗａの一部（導体パターンＰａの一部、導体パターンＰｂ、ビアＶａ，Ｖｂ）、配線Ｗｂ（導体パターンＰｃ〜Ｐｅ、ビアＶｃ，Ｖｄ）、電圧検出部１２、プローブ２２ａ，２２ｂ、および測定対象５０で構成されるループＬｂ（同図における斜線を付したループ：Ｂループに相当する）の開口面とが同じ向きを向くように構成されている。また、この回路基板２００では、ループＬａおよびループＬｂを同じ向きで同じ磁束密度の外部磁界が通過したときに各ループＬａ，Ｌｂに生じる誘導起電力が互いに打ち消し合うように各ループＬａ，Ｌｂの開口面積が規定されている。具体的には、図６に示すループＬａの全体の領域Ａ−１の開口面積と、図７に示すループＬｂのうちの領域Ｂ−１の開口面積から領域Ｂ−２および領域Ｂ−３の開口面積を差し引いた開口面積とが互いに等しくなるように構成されている。このため、この回路基板２００では、回路基板２００の周囲に外部磁界が発生しるときに各ループＬａ，Ｌｂに発生する誘導起電力が互いに打ち消し合うように電圧検出部１２に作用する。この結果、この回路基板２００では、電圧検出部１２が測定対象５０の電圧値Ｖｍを検出する際の外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能となっている。したがって、この回路基板２００を備えた測定装置１では、電圧検出部１２によって検出された電圧値Ｖｍに基づく測定対象５０の抵抗値を正確に測定することが可能となっている。
【００５３】
また、この回路基板２００では、上記したように、導体層２０１ａ，２０１ｃにそれぞれ形成した導体パターンＰａ，Ｐｂを２つのビアＶａ，Ｖｂで接続した配線Ｗａ、導体層２０１ｂ，２０１ｃにそれぞれ形成した導体パターンＰｃ〜Ｐｅを２つのビアＶｃ，Ｖｄで接続した配線Ｗｂ、電圧検出部１２、プローブ２２ａ，２２ｂおよび測定対象５０でループＬａ，Ｌｂを構成することで、外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能となっている。つまり、この回路基板２００では、４つのビアＶで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能な配線Ｗａ，Ｗｂを構成することができる。このため、この回路基板２００および測定装置１Ａにおいても、２つの導体層２０１にそれぞれ並べた数多くの配線を数多くのビアＶで接続して形成した２つの螺旋状の配線を撚り合わせた状態となるように構成することで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑える従来の構成と比較して、ビアＶの数が少なく製造工程を簡略化することができる分、製造効率を十分に向上させて製造コストを十分に低減することができる。
【００５４】
また、この回路基板２００では、上記したように、ループＬａおよびループＬｂを同じ向きで同じ磁束密度の外部磁界が通過したときに各ループＬａ，Ｌｂに生じる誘導起電力が互いに打ち消し合うように各ループＬａ，Ｌｂの開口面積が規定されている。このため、この回路基板２００および測定装置１Ａにおいても、回路基板１００の周囲に外部磁界が発生している場合において、その外部磁界による誘導起電力の影響をさらに少なく抑えることができる。
【００５５】
なお、上記した回路基板２００において、導体層２０１ａに導体パターンＰａを形成し、導体層２０１ｃに導体パターンＰｂ，Ｐｄ，Ｐｅを形成する構成に代えて、導体層２０１ａに導体パターンＰｂ，Ｐｄ，Ｐｅを形成し、導体層２０１ｃに導体パターンＰａを形成する構成を採用することもできる。
【００５６】
次に、回路基板の他の一例としての回路基板１００Ａ、および回路基板１００Ａを備えた測定装置１Ｂについて説明する。なお、以下の説明において、上記した回路基板１００および測定装置１と同様の構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。この回路基板１００Ａは、図８に示すように、上記した回路基板１００と同様に、上面１００ｕ側から下面１００ｂ側向かって設けられた４つの導体層１０１ａ〜１０１ｄと、各導体層１０１の間に設けられた３つの絶縁層１０２ａ〜１０２ｃとを備えて構成されている。
【００５７】
また、図８，９に示すように、回路基板１００Ａの導体層１０１ａには、上記した回路基板１００と同様に、端子Ｔｉ１ａ，Ｔｉ２ａ，Ｔｖ１ａ，Ｔｖ２ａが設けられ、導体層１０１ｄには、端子Ｔｉ１ｂ，Ｔｉ２ｂ，Ｔｖ１ｂ，Ｔｖ２ｂが設けられている。また、上記した回路基板１００と同様に、導体層１０１ａには、端子Ｔｉ１ａと端子Ｔｉ２ａとを接続する配線Ｗ３ａが形成され、導体層１０１ｄには、端子Ｔｉ１ｂとＴｉ２ｂとを接続する配線Ｗ３ｂが形成されている（図９参照）。なお、図８では、端子Ｔｉ１ａ，Ｔｉ１ｂ，Ｔｉ２ａ，Ｔｉ２ｂ、および配線Ｗ３ａ，Ｗ３ｂの図示を省略している。
【００５８】
また、回路基板１００Ａには、端子Ｔｖ１ａと端子Ｔｖ２ａとを接続する配線Ｗ１（第１配線に相当する）、および端子Ｔｖ１ｂと端子Ｔｖ２ｂとを接続する配線Ｗ２（第２配線に相当する）が形成されている。また、この回路基板１００Ａにおいても、上記した回路基板１００と同様に、電圧検出部１２によって検出される電圧値Ｖｍの検出に際して、電圧値Ｖｍに対する外部磁界の影響を低減させるため、配線Ｗ１および配線Ｗ２がループをなすように構成されている。
【００５９】
具体的には、配線Ｗ１は、図８，９に示すように、回路基板１００の導体層１０１ａに形成された導体パターンＰ１（第１導体パターンに相当する）と、回路基板１００の導体層１０１ｄに形成された導体パターンＰ２（第２導体パターンに相当する）と、導体パターンＰ１，Ｐ２を端子Ｔｖ１側で接続するビアＶ１と、導体パターンＰ１，Ｐ２を端子Ｔｖ２側で接続するビアＶ２とを備えて構成されている。
【００６０】
また、配線Ｗ２は、図８，９に示すように、回路基板１００の導体層１０１ｂに形成された導体パターンＰ３（第３導体パターンに相当する）と、回路基板１００の導体層１０１ｃに形成された導体パターンＰ４（第４導体パターンに相当する）と、導体層１０１ｃにおける端子Ｔｖ１側に（端子Ｔｖ１ｂに接続するように）形成された導体パターンＰ５と、導体層１０１ｃにおける端子Ｔｖ２側に（端子Ｔｖ２ｂに接続するように）形成された導体パターンＰ６と、導体パターンＰ３，Ｐ４，Ｐ５を端子Ｔｖ１側で接続するビアＶ３と、導体パターンＰ３，Ｐ４，Ｐ６を端子Ｔｖ２側で接続するビアＶ４とを備えて構成されている。
【００６１】
また、この回路基板１００Ａでは、図８に示すように、配線Ｗ１（導体パターンＰ１，Ｐ２およびビアＶ１，Ｖ２）で構成されるループＬ１（同図に破線で示すループ）の開口面と、配線Ｗ２（導体パターンＰ３，Ｐ４およびビアＶ３，Ｖ４）で構成されるループＬ２（同図に一点鎖線で示すループ）の開口面とが対向し（同じ向きを向き）、ループＬ１の開口面積とループＬ２の開口面積とが互いに等しくなるように構成されている。このため、この回路基板１００Ａにおいても、回路基板１００Ａの周囲に外部磁界が発生したときに各ループＬ１，Ｌ２に発生する誘導起電力が互いに打ち消し合うように電圧検出部１２に作用する結果、電圧検出部１２が測定対象５０の電圧値Ｖｍを検出する際の外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることができる。したがって、この回路基板１００Ａを備えた測定装置１においても、電圧検出部１２によって検出された電圧値Ｖｍに基づく測定対象５０の抵抗値を正確に測定することができる。
【００６２】
また、この回路基板１００Ａでは、上記したように、導体層１０１ａ，１０１ｄにそれぞれ形成した導体パターンＰ１，Ｐ２を２つのビアＶ１，Ｖ２で接続した配線Ｗ１でループＬ１を構成し、導体層１０１ｂ，１０１ｃにそれぞれ形成した導体パターンＰ３，Ｐ４を２つのビアＶ３，Ｖ４で接続した配線Ｗ２でループＬ２を構成することで、外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能となっている。つまり、この回路基板１００Ａでは、４つのビアＶで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑えることが可能な配線Ｗ１，Ｗ２を構成することができる。このため、この回路基板１００Ａにおいても、２つの導体層１０１にそれぞれ並べた数多くの配線を数多くのビアＶで接続して形成した２つの螺旋状の配線を撚り合わせた状態となるように構成することで外部磁界による誘導起電力の影響を少なく抑える従来の構成と比較して、ビアＶの数が少なく製造工程を簡略化することができる分、製造効率を十分に向上させて製造コストを十分に低減することができる。
【００６３】
なお、回路基板および測定装置の構成は上記の構成に限定されない。例えば、４つの導体層１０１を有する回路基板１００，１００Ａ、および３つの導体層２０１を有する回路基板２００に適用した例について上記したが、５つ以上の導体層１０１を有する回路基板１００，１００Ａにおける各導体層１０１のうちの４つの導体層１０１を用いて配線Ｗ１，Ｗ２を形成する構成や、４つ以上の導体層２０１を有する回路基板２００における各導体層２０１のうちの３つの導体層２０１を用いて配線Ｗａ，Ｗｂを形成する構成を採用することもできる。
【００６４】
また、ループＬ１，Ｌ２の各開口面積が互いに等しくなるように回路基板１００，１００Ａを構成した例について上記したが、ループＬ１，Ｌ２の各開口面積が異なる構成を採用することもできる。また、ループＬａの領域Ａ−１の開口面積と、ループＬｂのうちの領域Ｂ−１の開口面積から領域Ｂ−２および領域Ｂ−３の開口面積を差し引いた開口面積とが互いに等しくなるように回路基板２００を構成した例（各ループＬａ，Ｌｂに生じる誘導起電力が互いに打ち消し合う構成）について上記したが、これらの開口面積が異なる構成（各ループＬａ，Ｌｂに生じる誘導起電力が完全には打ち消し合わない構成）を採用することもできる。
【００６５】
また、被測定量としての抵抗値を測定する測定装置１に適用した例について上記したが、インピーダンス、インダクタンス、容量等の抵抗値以外の被測定量を測定する測定装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１，１Ａ，１Ｂ  測定装置
１２  電圧検出部
１１  電流供給部
１３  処理部
２２ａ，２２ｂ  プローブ
１００，１００Ａ，２００  回路基板
１００ｂ，２００ｂ  下面
１００ｕ，２００ｕ  上面
１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ，２０１ａ〜２０１ｃ  導体層
Ｉｍ  電流値
Ｐ１〜Ｐ４，Ｐａ〜Ｐｅ  導体パターン
Ｔｖ１ａ，Ｔｖ１ｂ，Ｔｖ２ａ，Ｔｖ２ｂ  端子
ＴｖＡａ，ＴｖＡｂ，ＴｖＢａ，ＴｖＢｂ  端子
Ｖ１〜Ｖ４，Ｖａ〜Ｖｄ  ビア
Ｖｍ  電圧値
Ｗ１，Ｗ２，Ｗａ，Ｗｂ，Ｗ３ａ，Ｗ３ｂ  配線
Ｌ１，Ｌ２，Ｌａ，Ｌｂ  ループ
【図１】
2019109111.tif 000003
【図２】
2019109111.tif 000004
【図３】
2019109111.tif 000005
【図４】
2019109111.tif 000006
【図５】
2019109111.tif 000007
【図６】
2019109111.tif 000008
【図７】
2019109111.tif 000009
【図８】
2019109111.tif 000010
【図９】
2019109111.tif 000011