(57)【要約】【課題】成膜時に生じ得るガラス基板の変形を抑制しつつ、ガラス基板全面への成膜を好適に行える膜付きガラス基板の製造方法（製造装置）を提供する。【解決手段】ベースとなるガラス基板Ｇ１の下面Ｇｙが保持基台１５に対して吸着保持される。つまり、成膜時に生じ得るガラス基板Ｇ１の変形を抑制しつつ、ガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘの略全体を成膜ノズル１２に臨むような保持がなされ、ガラス基板Ｇ１全面への成膜が好適に行える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ２ｍｍ以下であり、第１主面と第２主面とを有するガラス基板の前記第１主面上に透明導電膜を形成して、膜付きガラス基板を製造する膜付きガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の第２主面を保持基台に吸着保持し、前記吸着保持した状態を保ちつつ、前記ガラス基板の第１主面に前記透明導電膜を形成することを特徴とする膜付きガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記保持基台が多孔質材からなることを特徴とする請求項１に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス基板を加熱しつつ前記ガラス基板の第１主面に成膜用ガスを供給して、前記透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板の第１主面側にヒータが配置されることを特徴とする請求項３に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ヒータが赤外線放射ヒータからなることを特徴とする請求項４に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記赤外線放射ヒータと前記ガラス基板との間に熱変換部材を配置することを特徴とする請求項５に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
【請求項７】
厚さ２ｍｍ以下であり、第１主面と第２主面とを有するガラス基板と、前記ガラス基板の第１主面上に形成された透明導電膜とを備えた膜付きガラス基板の製造装置であって、
前記ガラス基板を保持する保持装置を備え、
前記保持装置は、前記ガラス基板を保持基台に吸着保持するように構成されていることを特徴とする膜付きガラス基板の製造装置。
【請求項８】
前記ガラス基板を加熱するヒータと、
前記ガラス基板に対し成膜用ガスを供給する成膜ノズルと
を備えることを特徴とする請求項７に記載の膜付きガラス基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜付きガラス基板の製造方法、及び膜付きガラス基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
膜付きガラス基板としては、例えば特許文献１に開示されているものがある。特許文献１に開示の膜付きガラス基板は、ベースのガラス基板の主面に対し、ＦＴＯ膜（フッ素ドープ酸化スズ膜）からなる透明導電膜の成膜処理が施されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−８０６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１の透明導電膜の成膜処理においては、熱ＣＶＤ法（熱化学気相成長法）を用いている。この特許においては、成膜温度に加熱されたガラス基板上にガス化した原料を吹き付けることにより、ＦＴＯ膜を成膜している。
【０００５】
しかし、この成膜方法では、成膜条件によっては、ベースのガラス基板が湾曲や波打ち形状等に変形し、その変形により膜質や膜厚にバラつきを生じることがある。特に、ガラス基板がより薄板化する程（例えば厚さ２ｍｍ以下）、成膜時の加熱により生じ得るガラス基板の変形がより大きくなり易い。また、押圧部材により、ガラス基板の少なくとも一部が遮蔽されてしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、成膜時に生じ得るガラス基板の変形を抑制しつつ、ガラス基板全面への成膜を好適に行える膜付きガラス基板の製造方法、及び膜付きガラス基板の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する膜付きガラス基板の製造方法は、厚さ２ｍｍ以下であり、第１主面と第２主面とを有するガラス基板の前記第１主面上に透明導電膜を形成して、膜付きガラス基板を製造する膜付きガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板の第２主面を保持基台に吸着保持し、前記吸着保持した状態を保ちつつ、前記ガラス基板の第１主面に前記透明導電膜を形成する。
【０００８】
上記態様によれば、成膜処理の際、ガラス基板の第２主面が保持基台に対して吸着保持される。つまり、成膜時に生じ得るガラス基板の変形を抑制しつつ、ガラス基板の第１主面の略全体を成膜ノズルに臨むようにして保持可能なため、ガラス基板全面への成膜が可能である。
【０００９】
上記膜付きガラス基板の製造方法において、前記保持基台が多孔質材からなる。
上記態様によれば、多孔質材の保持基台を用い、保持基台の気孔を吸引流路とした吸引動作にてガラス基板の吸着保持を行うことができるため、保持基台に対して吸引ポンプと連通する吸引用の溝や孔を別途形成することが不要である。つまり、ガラス基板の吸着保持を簡易且つ確実に行うことが可能である。
【００１０】
上記膜付きガラス基板の製造方法において、前記ガラス基板を加熱しつつ前記ガラス基板の第１主面に成膜用ガスを供給して、前記透明導電膜を形成する。
上記態様によれば、成膜時の加熱により生じ得るガラス基板の変形を抑制可能である。なお、基板の加熱は、熱による分解反応や化学反応を利用するＣＶＤを含み、例えば、ホットワイヤー型ＣＶＤやミストＣＶＤも含む。
【００１１】
上記膜付きガラス基板の製造方法において、前記ガラス基板の第１主面側にヒータが配置される。
上記態様によれば、ガラス基板の第１主面側にヒータが配置されてガラス基板の加熱を行うため、ガラス基板の成膜用ガスが供給される部分の局部的な加熱が可能であり、ガラス基板のより効率的な加熱が図れる。
【００１２】
上記膜付きガラス基板の製造方法において、前記ヒータが赤外線放射ヒータからなる。
上記態様によれば、赤外線放射のヒータを用い、赤外線の保持基台への照射にて生じる輻射熱（熱変換）にてガラス基板の加熱が行われるため、保持基台がガラス基板の保持の他、ガラス基板と当接する保持基台そのものが加熱体としても機能する。つまり、ガラス基板のより効率的な加熱が別部材を用いることなく簡易に図れる。特に、厚さ２ｍｍ以下の熱容量の小さいガラス基板を効率的に加熱できる。
【００１３】
上記膜付きガラス基板の製造方法において、前記赤外線放射ヒータと前記ガラス基板との間に熱変換部材を配置する。
上記態様によれば、赤外線放射のヒータを用いると共にヒータとガラス基板との間に熱変換部材を介在し、熱変換部材による赤外線の熱変換にて生じる熱の伝達にてガラス基板の加熱が行われるため、保持基台に熱変換機能を持たせる必要はなく、保持基台の材料自由度を大きくする等の効果が期待できる。
【００１４】
上記課題を解決する膜付きガラス基板の製造装置は、厚さ２ｍｍ以下であり、第１主面と第２主面とを有するガラス基板と、前記ガラス基板の第１主面上に形成された透明導電膜とを備えた膜付きガラス基板の製造装置であって、前記ガラス基板を保持する保持装置を備え、前記保持装置は、前記ガラス基板を保持基台に吸着保持するように構成されている。
【００１５】
上記態様（製造装置）においても、上記製造方法と同様に、成膜時により生じ得るガラス基板の変形を抑制しつつ、ガラス基板の第１主面の略全体を成膜ノズルに臨むようにして保持可能なため、ガラス基板全面への成膜が可能である。
【００１６】
上記膜付きガラス基板の製造装置において、前記ガラス基板を加熱するヒータと、前記ガラス基板に対し成膜用ガスを供給する成膜ノズルとを備える。
上記態様（製造装置）においても、上記製造方法と同様に、成膜時の加熱により生じ得るガラス基板の変形を抑制可能である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の膜付きガラス基板の製造方法、及び膜付きガラス基板の製造装置によれば、成膜時に生じ得るガラス基板の変形を抑制しつつ、ガラス基板全面への成膜を好適に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態におけるガラス基板の成膜処理を含む製造装置の概略正面図。
【図２】第２実施形態におけるガラス基板の成膜処理を含む製造装置の概略正面図。
【図３】比較例におけるガラス基板の成膜処理を含む製造装置の概略正面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１実施形態）
以下、膜付きガラス基板の製造方法及び製造装置の第１実施形態について説明する。
図１に示すように、本実施形態における膜付きガラス基板の製造装置（成膜装置）１０は、熱ＣＶＤ法を用いた成膜処理を行い、ベースのガラス基板Ｇ１の主面に対しＦＴＯ膜、ＡＴＯ膜、ＩＴＯ膜等の透明導電膜を形成して膜付きガラス基板Ｇ２を製造するものである。本実施形態で扱うガラス基板Ｇ１は、例えば厚さ０．０５〜２ｍｍ程度の薄板ガラス基板である。つまり、成膜処理時にガラス基板Ｇ１に変形が生じ易い薄板ガラス基板である。また、本実施形態で扱うガラス基板Ｇ１は、例えば縦横長さがそれぞれ１００ｍｍ以上、３０００ｍｍ以下である。
【００２０】
膜付きガラス基板の製造装置１０は、成膜前のベースとなるガラス基板Ｇ１を保持する保持装置１１、成膜ノズル１２、及びヒータ１３を備える。
保持装置１１は、保持基台１５と吸引ポンプ１６とを備える。保持基台１５は、ガラス基板Ｇ１の主面面積よりも十分に大きい矩形板状をなし、水平面に沿う上面がベースのガラス基板Ｇ１を載置する載置面１５ａとして機能する。保持基台１５は、多孔質で且つ輻射率（放射率）の高い黒色を呈するように例えば炭化ケイ素材（ポーラスＳｉＣ材）にて作製されている。また、保持基台１５の載置面１５ａ以外、本実施形態では保持基台１５の一側面１５ｂには、吸引ポンプ１６が接続されている。吸引ポンプ１６による吸引動作が行われると、多孔質よりなる保持基台１５と、その載置面１５ａ上に載置（セット）されたガラス基板Ｇ１との間の空気を、保持基台１５内部の気孔を吸引流路として吸引し、ガラス基板Ｇ１の下面（第２主面）Ｇｙの略全面を保持基台１５に吸着させ、ガラス基板Ｇ１を保持する。つまり、ガラス基板Ｇ１は、上面（第１主面）Ｇｘに上方の成膜ノズル１２からの成膜用ガスが吹き付けられても、保持基台１５の載置面１５ａから動かないように保持される。
【００２１】
保持基台１５（保持装置１１）にて保持されるガラス基板Ｇ１の上方には、成膜ノズル１２が配置されている。成膜ノズル１２は、ガラス基板Ｇ１に対してＦＴＯ膜、ＡＴＯ膜、ＩＴＯ膜等の透明導電膜の形成のための成膜用ガスＧＳを供給可能な供給部１２ａと、供給部１２ａの両側に配置され、未反応の成膜用ガスＧＳや反応ガスを外部に排気可能な排気部１２ｂにより構成されている。そして、成膜ノズル１２の供給部１２ａより放出された成膜用ガスＧＳは、ガラス基板Ｇ１に到達し、ガラス基板Ｇ１の表面に沿って移動し、最後に排気部１２ｂから外部に排気される。
【００２２】
また、保持基台１５（保持装置１１）にて保持されるガラス基板Ｇ１の上方には、成膜ノズル１２の両側に並設される一対のヒータ１３が配置されている。各ヒータ１３は、赤外線を主として放射するハロゲンヒータにて構成されている。各ヒータ１３は、成膜ノズル１２の両側から、ガラス基板Ｇ１の成膜用ガスＧＳが吹き付けられる部分を少なくとも含む範囲が加熱されるようにそれぞれ赤外線を照射する。つまり、各ヒータ１３から出射した赤外線からなる輻射熱により保持基台１５が発熱、詳しくは各ヒータ１３から出射した赤外線の大部分を黒色の保持基台１５が吸収して発熱（熱変換により発熱）する。またこの場合、吸引ポンプ１６によりガラス基板Ｇ１が保持基台１５の載置面１５ａに密着して保持されているため、保持基台１５からガラス基板Ｇ１に効率的にかつ均一に熱伝達し、ガラス基板Ｇ１が効率的にかつ均一に加熱される。ヒータ１３は、熱ＣＶＤ法を用いる成膜処理に適切な温度の５００℃〜６００℃程度にガラス基板Ｇ１を加熱する。
【００２３】
ここで、成膜用ガスＧＳの温度は例えば２００℃程度に設定されている。また、ガラス基板Ｇ１の下面Ｇｙ側は、ヒータ１３により５００℃〜６００℃程度に加熱される。つまり、成膜用ガスＧＳが供給されるガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘ側と、加熱する保持基台１５と接触するガラス基板Ｇ１の下面Ｇｙ側との温度差が３００℃程度に達することになる。このことが、ガラス基板Ｇ１の変形を招く一つの原因である。特に、厚さ０．０５〜２ｍｍ程度の薄板のガラス基板Ｇ１を成膜対象とする本実施形態では、薄板のガラス基板Ｇ１であっても、成膜時において、ガラス基板Ｇ１が保持基台１５に吸着保持されているため、変形することが十分に抑制されている。
【００２４】
上記製造装置（成膜装置）１０を用いた膜付きガラス基板の製造方法は、以下の通りである。
先ず、保持基台１５の載置面１５ａ上にガラス基板Ｇ１を載置（セット）し、吸引ポンプ１６を起動してガラス基板Ｇ１をガラス基板Ｇ１の下面Ｇｙの略全面を保持基台１５に吸着させ、ガラス基板Ｇ１を保持する。次に、ヒータ１３によりガラス基板Ｇ１を５００℃〜６００℃に加熱しつつ、成膜ノズル１２の供給部１２ａから成膜用ガスＧＳを、ガラス基板Ｇ１に供給することにより、ガラス基板Ｇ１上に膜が形成される。
【００２５】
図３は、比較例の成膜態様を示している。比較例のガラス基板の製造装置（成膜装置）２０は、載置台２１と錘２２とを用いている。載置台２１は、耐熱性の高いアルミナセラミックやガラスセラミックにて作製され、ガラス基板Ｇ１の主面の大きさよりも大きい載置面２１ａを上面に有してなる。ガラス基板Ｇ１は、下面Ｇｙ全体が載置台２１の載置面２１ａと当接するように配置され、載置台２１の下方に位置するヒータ２３からこの載置台２１を通じて加熱されるようになっている。成膜時には、載置台２１に配置されたガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘの周縁部に錘２２が載せられ、載置台２１（載置面２１ａ）に対するガラス基板Ｇ１の密着性の維持とガラス基板Ｇ１の変形とが防止されている。
【００２６】
このような比較例においては、成膜時のガラス基板Ｇ１の変形を抑制できるものの、ガラス基板Ｇ１の大部分の領域に錘２２を配置しなければならない。そのため、ガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘの周縁部に載せる錘２２が成膜ノズル１２側から見てガラス基板Ｇ１の一部を遮蔽する態様となるため、ガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘへの成膜面積が縮小する（成膜効率が低下）という問題がある（ガラス基板Ｇ１全面への成膜が困難である）。また、ガラス基板Ｇ１の周縁部に錘２２を配置して周縁部を押さえる態様であり、中央部は押さえられていないため、中央部の変形を確実に抑制することができない。
【００２７】
これに対し本実施形態では、図１に示すように、ガラス基板Ｇ１の下面Ｇｙを吸着保持する態様としたため、上面Ｇｘの全面に対して成膜用ガスＧＳが行き渡り、全面に膜が形成された膜付きガラス基板Ｇ２の製造が可能である。しかも、保持基台１５とのガラス基板Ｇ１の密着性が維持されるため、ガラス基板Ｇ１が変形することなく成膜が行うことができる。
【００２８】
本実施形態の効果について説明する。
（１）成膜処理の際、成膜前のベースとなるガラス基板Ｇ１の下面（第２主面）Ｇｙが保持基台１５に吸着保持されるようにした。つまり、成膜時の加熱等の要因により生じ得るガラス基板Ｇ１の変形を抑制しつつ、ガラス基板Ｇ１の上面（第１主面）Ｇｘの略全体を成膜ノズル１２に臨むようにして保持可能なため、ガラス基板Ｇ１全面への成膜を行うことができる。
【００２９】
（２）多孔質材の保持基台１５を用い、保持基台１５の気孔を吸引流路とした吸引動作にてガラス基板Ｇ１の吸着保持を行う態様としたため、保持基台１５に吸引ポンプ１６と連通する吸引用の溝や孔を別途形成することが不要である。つまり、ガラス基板Ｇ１の吸着保持を簡易且つ確実に行うことができる。なお、保持基台１５の載置面１５ａに現れる気孔径は、ガラス基板Ｇ１の厚みよりも小さく設定することが好ましい。例えば、ガス吸着法により測定した気孔径は５〜１０００μｍであることが好ましい。また、気孔率は３０〜７５％であることが好ましい。気孔径及び気孔率の範囲を当該範囲とすることにより、ガラス基板Ｇ１を確実に吸着することができ、成膜時の変形を抑制することができる。気孔径が５μｍより小さい場合は、気孔同士が繋がりにくく吸着経路を得ることが難しくなり、１０００μｍより大きい場合は、部分的に保持基台１５からの熱伝導が得られなかったり、ガラス基板Ｇ１が変形したりする虞がある。気孔率が３０％より小さい場合は、気孔同士が繋がりにくく吸着経路を得ることが難しくなり、気孔率が７５％より大きい場合は、保持基台１５の機械的強度が低下する虞がある。
【００３０】
（３）成膜用ガスＧＳが供給されるガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘ側にヒータ１３が配置されてガラス基板Ｇ１の加熱が行われる態様としたため、ガラス基板Ｇ１の成膜用ガスＧＳが供給される部分の局部的な加熱が可能であり、ガラス基板Ｇ１のより効率的な加熱を図ることができる。
【００３１】
（４）赤外線を放射して加熱するヒータ１３を用い、ガラス基板Ｇ１を透過した赤外線の保持基台１５への照射にて生じる輻射熱（熱変換）にてガラス基板Ｇ１の加熱が行われる態様としたため、保持基台１５がガラス基板Ｇ１の保持の他、ガラス基板Ｇ１と当接する保持基台１５そのものが加熱体としても機能する。つまり、ガラス基板Ｇ１の加熱を簡易に行うことができる。
【００３２】
（第２実施形態）
以下、膜付きガラス基板の製造装置の第２実施形態について説明する。
図２に示すように、本実施形態における膜付きガラス基板の製造装置（成膜装置）１０ａは、上記第１実施形態と同様、熱ＣＶＤ法を用いた成膜処理にて、例えば厚さ０．０５〜２ｍｍ程度の薄板ガラス基板よりなるベースのガラス基板Ｇ１の主面に透明導電膜を形成して膜付きガラス基板Ｇ２を製造するものである。
【００３３】
本実施形態の膜付きガラス基板の製造装置１０ａは、第１実施形態の製造装置１０と異なる点として先ず、保持装置１１ａを構成する保持基台１７が例えば多孔質のアルミナ材（ポーラスアルミナ材）にて構成されている。上述のアルミナ材は、高い黒色を呈する保持基台よりも輻射率（放射率）が低い。そして、保持基台１７は、第１実施形態の保持基台１５と同様に、ガラス基板Ｇ１の主面面積よりも十分に大きい矩形板状をなし、水平面に沿う上面がベースのガラス基板Ｇ１を載置する載置面１７ａとして機能する。また、保持基台１７の一側面１７ｂに吸引ポンプ１６が接続され、吸引ポンプ１６による吸引動作にて、その載置面１７ａ上に載置（セット）されたガラス基板Ｇ１との間の空気を、保持基台１５内部の気孔を吸引流路として吸引し、ガラス基板Ｇ１の下面（第２主面）Ｇｙの略全面を保持基台１５に吸着させ、ガラス基板Ｇ１を保持する。ガラス基板Ｇ１は、上面（第１主面）Ｇｘに上方の成膜ノズル１２からの成膜用ガスが吹き付けられても、保持基台１７の載置面１７ａから動かないように保持される。
【００３４】
また、本実施形態の一対のヒータ１３の赤外線放射部の後段、即ち各ヒータ１３とガラス基板Ｇ１（保持基台１７）との間には、それぞれ熱変換部材１８が設置されている。上記第１実施形態では、保持基台１５の輻射率が高いため、赤外線により保持基台１５が加熱されるが、本実施形態で用いる保持基台１７は輻射率が低いため、熱変換部材１８を別途設ける構成としている。各熱変換部材１８は、結晶化ガラス等の耐熱ガラスよりなる発熱板１８ａのヒータ１３側の面に、輻射率の高い黒色塗料（例えばジャパンセンサー株式会社製ＪＳＣ−３号）を塗布した黒色部１８ｂが設けられている。そして、各ヒータ１３から出射した赤外線を各熱変換部材１８の黒色部１８ｂが吸収して発熱板１８ａと共に発熱し、発熱板１８ａからの熱放射にてガラス基板Ｇ１の成膜用ガスＧＳが吹き付けられる部分を加熱する構成としている。因みに、保持基台１７は、熱変換部材１８からの熱放射により加熱される。
【００３５】
このような本実施形態のガラス基板の製造装置１０ａにおいても、ガラス基板Ｇ１の下面Ｇｙを吸着保持する態様としているため、上面Ｇｘの全面に対して成膜用ガスＧＳが行き渡り、全面に膜が形成された膜付きガラス基板Ｇ２の製造が可能である。しかも、保持基台１７とのガラス基板Ｇ１の密着性が維持されるため、成膜時のガラス基板Ｇ１の変形の抑制も図れる。
【００３６】
本実施形態の効果について説明する。
（１）本実施形態においても、上記第１実施形態の効果（１）〜（３）と同様な効果を得ることができる。
【００３７】
（２）赤外線放射のヒータ１３を用いると共にヒータ１３とガラス基板Ｇ１との間に熱変換部材１８を配置し、熱変換部材１８による赤外線の熱変換にてガラス基板Ｇ１の加熱が行われる態様としたため、放射率の低いアルミナ製の保持基台１７等を用いた場合でも、効率的に加熱することができる。
【００３８】
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・保持基台１５，１７に多孔質材のものを用いたが、非多孔質材の保持基台を用いてもよい。この場合、保持基台におけるガラス基板Ｇ１の載置面に吸引用の溝や孔を別途形成し、吸引ポンプ１６と連通するように保持基台を作製すれば対応可能である。なお、この場合においても、保持基台の載置面に現れる溝幅や孔径は、ガラス基板Ｇ１の厚みよりも小さく設定することが好ましい。
【００３９】
・保持基台１５，１７に単層構造のものを用いたが、多層構造の保持基台を用いてもよい。例えば、ガラス基板Ｇ１の載置面を多孔質材、それ以外の壁面を非多孔質材にて構成してもよい。つまり、吸引ポンプ１６による保持基台の吸引面を限定的とすることが可能である。多層構造とする場合、熱膨張の関係で各層同材料を用いるのが好ましい。
【００４０】
・成膜ノズル１２の配置位置と同じガラス基板Ｇ１の上面Ｇｘ側にヒータ１３を配置したが、ヒータ１３の位置はこれに限らず、例えば保持基台の下面側に配置する態様、保持基台に内蔵する態様としてもよい。
【００４１】
・ヒータ１３によるガラス基板Ｇ１の加熱は、局部加熱でもよく、全体加熱でもよい。
・保持基台１５の黒色（第１実施形態）、熱変換部材１８の黒色部１８ｂ（第２実施形態）は一例であり、ヒータ１３から放射される赤外線を吸収して熱変換可能であれば黒色に限らない。
【００４２】
・保持基台１５，１７の上方に成膜ノズル１２を配置し、ガラス基板Ｇ１を水平保持して成膜を行ったが、保持基台１５，１７と成膜ノズル１２の配置関係やガラス基板Ｇ１の保持姿勢は適宜変更してもよい。
【００４３】
・第１実施形態と第２実施形態とを組み合わせてもよい。具体的には、第１実施形態のように、保持基台として、多孔質で且つ輻射率（放射率）の高い黒色を呈する保持基台１５を用い、かつ、第２実施形態のように、ヒータ１３とガラス基板Ｇ１との間に熱変換部材１８を配置させてもよい。
【００４４】
・成膜処理の際の雰囲気は、空気や空気以外の気体を用いてもよい。
上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想について記載する。
（イ）前記ガラス基板の加熱は、前記成膜ノズルの両側から行われることを特徴とする膜付きガラス基板の製造方法。
【００４５】
（ロ）前記ガラス基板の加熱は、前記ガラス基板の成膜用ガスが供給される部分の局部的な加熱が行われることを特徴とする膜付きガラス基板の製造方法。
【符号の説明】
【００４６】
１１…保持装置、１２…成膜ノズル、１３…ヒータ、１５，１７…保持基台、１８…熱変換部材、Ｇ１…ガラス基板、Ｇ２…膜付きガラス基板、Ｇｘ…上面（第１主面）、Ｇｙ…下面（第２主面）、ＧＳ…成膜用ガス。
【図１】
2019131870.tif 000003
【図２】
2019131870.tif 000004
【図３】
2019131870.tif 000005