(57)【要約】【課題】独立したスナバコンデンサ基板を用いなくても、スナバコンデンサの故障によって正側端子と負側端子が短絡状態となることを抑制することができるパワーモジュールを得る。【解決手段】パワーモジュールは、第１のパワー半導体チップを固定し、第１のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第１のベース板と、第２のパワー半導体チップを固定する第２のベース板と、第２のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第３のベース板と、第１のサージ電圧吸収素子の他方の端子と、第２のサージ電圧吸収素子の他方の端子を固定する第４のベース板とが、樹脂パッケージに覆われ、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージの二側面から突出して構成されている。【選択図】図２
2019075519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパワー半導体チップと、
前記第１のパワー半導体チップに電気的に直列接続される第２のパワー半導体チップと、
前記第１のパワー半導体チップおよび前記第２のパワー半導体チップに電気的に並列接続される第１のサージ電圧吸収素子と、
前記第１のサージ電圧吸収素子に電気的に直列接続され、前記第１のパワー半導体チップおよび前記第２のパワー半導体チップに電気的に並列接続される第２のサージ電圧吸収素子と、
前記第１のパワー半導体チップを固定し、前記第１のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第１のベース板と、
前記第２のパワー半導体チップを固定する第２のベース板と、
前記第２のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第３のベース板と、
前記第１のサージ電圧吸収素子の他方の端子と、前記第２のサージ電圧吸収素子の他方の端子を固定する第４のベース板と、
前記第１のパワー半導体チップ、前記第２のパワー半導体チップ、前記第１のベース板、前記第２のベース板、前記第３のベース板、前記第４のベース板、前記第１のサージ電圧吸収素子および前記第２のサージ電圧吸収素子を覆う樹脂パッケージと、
を備え、
前記第４のベース板の両端部は、前記樹脂パッケージの二側面から突出している
パワーモジュール。
【請求項２】
前記樹脂パッケージは、直方体形状であり、
前記樹脂パッケージの長手方向に沿って、前記第２のベース板と、前記第３のベース板と、前記第４のベース板と、前記第１のベース板が並んで位置し、
前記第４のベース板は、前記樹脂パッケージの短手方向に延びて、前記樹脂パッケージの対向する二側面から突出している
請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記樹脂パッケージには、前記樹脂パッケージの一側面から突出する突出部が設けられ、
前記第４のベース板は、前記樹脂パッケージに設けられる前記突出部内に位置し、
前記第４のベース板の前記両端部は、前記樹脂パッケージに設けられる前記突出部二側面から突出している
請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
前記樹脂パッケージは、直方体形状であり、
前記樹脂パッケージの長手方向に沿って、前記第２のベース板と、前記第３のベース板と、前記第１のベース板が並んで位置し、
前記突出部は、前記樹脂パッケージの短手方向に突出し、
前記第４のベース板は、前記長手方向に延びて、前記突出部の対向する二側面から突出している
請求項３に記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記第４のベース板は、前記樹脂パッケージの角部内に位置し、
前記第４のベース板の前記両端部は、前記樹脂パッケージの前記角部の隣接する二側面から突出している
請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記樹脂パッケージは、直方体形状であり、
前記樹脂パッケージの長手方向と短手方向のいずれにも傾斜して、前記第２のベース板と、前記第３のベース板と、前記第１のベース板が並んで位置し、
前記第４のベース板は、前記第２のベース板、前記第３のベース板および前記第１のベース板が傾斜する方向と垂直な方向に傾斜している
請求項５に記載のパワーモジュール。
【請求項７】
前記第１のパワー半導体チップおよび前記第２のパワー半導体チップは、それぞれ、ワイドバンドギャップ半導体によって形成される
請求項１から６のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項８】
前記第１のサージ電圧吸収素子および前記第２のサージ電圧吸収素子は、それぞれ、積層セラミックコンデンサである
請求項１から７のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種部品が樹脂によって封止されることで樹脂パッケージに覆われるパワーモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来において、パワーモジュール（例えば、特許文献１参照）に用いられる半導体チップとして、シリコン半導体に替えて、ワイドバンドギャップ半導体によって形成される半導体チップを採用することが検討されている。なお、ワイドバンドギャップ半導体としては、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドが挙げられる。
【０００３】
ワイドバンドギャップ半導体によって形成される半導体チップをパワーモジュールに用いることで、パワーモジュールを高周波で動作させることができる。その結果、パワーモジュールの周辺部品の小型化、およびパワーモジュールを搭載した電力変換器の小型化が実現可能となる。
【０００４】
ただし、パワーモジュールを高周波で動作させる場合、大きなサージ電圧が発生し、その結果、半導体チップが破損する可能性がある。したがって、このような半導体チップの破損を防止するために、インダクタンスが低減されたスナバ回路によって、サージ電圧を効果的に低減することが必要となる。具体的には、パワーモジュールのパッケージ内の半導体チップの直近にスナバコンデンサを配置することで、インダクタンスが低減されたスナバ回路を実現することが望ましい。
【０００５】
ここで、スナバコンデンサとしては、一般的には、積層セラミックコンデンサが用いられる。スナバコンデンサとして積層セラミックコンデンサが用いられる場合、短絡故障が発生し、コンデンサの両端子、すなわち、正側端子と負側端子が短絡状態となる可能性がある。そのため、このような短絡故障の防止策として、２個以上のスナバコンデンサを直列に接続した構成とすることが望ましい。このような構成によって、１個のスナバコンデンサが短絡故障しても、残りのスナバコンデンサによって、正側端子と負側端子が短絡状態となることを防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５１６９３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のパワーモジュールにおいては、複数のスナバコンデンサを搭載するための基板として、独立したスナバコンデンサ基板が設けられているので、部品点数が多いという問題がある。また、従来のパワーモジュールにおいては、独立したスナバコンデンサ基板が用いられるので、高周波動作に有害な基板パターンのインダクタンスが影響し、その結果、サージ電圧を低減するのに限界があるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、独立したスナバコンデンサ基板を用いなくても、スナバコンデンサの故障によって正側端子と負側端子が短絡状態となることを抑制することができるパワーモジュールを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明におけるパワーモジュールは、第１のパワー半導体チップと、第１のパワー半導体チップに電気的に直列接続される第２のパワー半導体チップと、第１のパワー半導体チップおよび第２のパワー半導体チップに電気的に並列接続される第１のサージ電圧吸収素子と、第１のサージ電圧吸収素子に電気的に直列接続され、第１のパワー半導体チップおよび第２のパワー半導体チップに電気的に並列接続される第２のサージ電圧吸収素子と、第１のパワー半導体チップを固定し、第１のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第１のベース板と、第２のパワー半導体チップを固定する第２のベース板と、第２のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第３のベース板と、第１のサージ電圧吸収素子の他方の端子と、第２のサージ電圧吸収素子の他方の端子を固定する第４のベース板と、第１のパワー半導体チップ、第２のパワー半導体チップ、第１のベース板、第２のベース板、第３のベース板、第４のベース板、第１のサージ電圧吸収素子および第２のサージ電圧吸収素子を覆う樹脂パッケージと、を備え、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージの二側面から突出しているものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のパワーモジュールによれば、第１のサージ電圧吸収素子の一端子と、第１のサージ電圧吸収素子と電気的に直列接続される第２のサージ電圧吸収素子の一端子を固定するベース板の両端部が樹脂パッケージの二側面から突出して構成されている。これにより、独立したスナバコンデンサ基板を用いなくても、スナバコンデンサの故障によって正側端子と負側端子が短絡状態となることを抑制することができるパワーモジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパワーモジュールの回路図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるパワーモジュールを示す上面図である。
【図３】図２のパワーモジュールが樹脂によって封止される前の状態を示す上面図である。
【図４】図２のパワーモジュールの比較例を示す上面図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるパワーモジュールを示す上面図である。
【図６】本発明の実施の形態３におけるパワーモジュールを示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるパワーモジュールを、好適な実施の形態にしたがって図面を用いて説明する。なお、図面の説明においては、同一部分または相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１におけるパワーモジュールの回路図である。図１に示す半導体パワーモジュールは、第１のパワー半導体チップ１と、第２のパワー半導体チップ２と、第１のサージ電圧吸収素子３と、第２のサージ電圧吸収素子４と、正側端子５と、負側端子６と、交流出力端子７と、樹脂パッケージ８とを備える。
【００１４】
第１のパワー半導体チップ１および第２のパワー半導体チップ２は、それぞれ、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のトランジスタを含んで構成される。第２のパワー半導体チップ２は、第１のパワー半導体チップ１に電気的に直列接続される。
【００１５】
第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４は、それぞれ、パワーモジュールで発生するサージ電圧を吸収する。第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４は、それぞれ、リードのないチップ部品である。
【００１６】
第１のサージ電圧吸収素子３は、第１のパワー半導体チップ１および第２のパワー半導体チップ２に電気的に並列接続される。第２のサージ電圧吸収素子４は、第１のサージ電圧吸収素子３に電気的に直列接続され、さらに、第１のパワー半導体チップ１および第２のパワー半導体チップ２に電気的に並列接続される。
【００１７】
第１のパワー半導体チップ１および第２のパワー半導体チップ２は、それぞれ、例えば、ワイドバンドギャップ半導体によって形成される。第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４は、それぞれ、例えば、積層セラミックコンデンサである。
【００１８】
次に、図１に示す半導体パワーモジュールの詳細な構成について、図２を参照しながらさらに説明する。図２は、本発明の実施の形態１におけるパワーモジュールを示す上面図である。なお、図２では、樹脂パッケージ８の外形線を二点鎖線で示している。
【００１９】
第１のベース板９には、第１のパワー半導体チップ１がはんだによって固定される。第２のベース板１０には、第２のパワー半導体チップ２がはんだによって固定される。
【００２０】
第１のベース板９には、第１のサージ電圧吸収素子３の一方の端子がはんだによって固定される。第３のベース板１１には、第２のサージ電圧吸収素子４の一方の端子がはんだによって固定される。
【００２１】
第４のベース板１２には、第１のサージ電圧吸収素子３の他方の端子と、第２のサージ電圧吸収素子４の他方の端子がはんだによって固定される。
【００２２】
第２のベース板１０は、ワイヤ１５によって、第１のパワー半導体チップ１と接続される。第３のベース板１１は、ワイヤ１５によって、第２のパワー半導体チップ２と接続される。制御端子１３には、第１のパワー半導体チップ１内のトランジスタのオンとオフを切り替える制御信号が入力される。制御端子１４には、第２のパワー半導体チップ２内のトランジスタのオンとオフを切り替える制御信号が入力される。
【００２３】
制御端子１３は、ワイヤ１５によって、第１のパワー半導体チップ１と接続される。制御端子１４は、ワイヤ１５によって、第２のパワー半導体チップ２と接続される。
【００２４】
第１のパワー半導体チップ１、第２のパワー半導体チップ２、第１のベース板９、第２のベース板１０、第３のベース板１１、第４のベース板１２、第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４は、樹脂によって封止されることで、直方体形状の樹脂パッケージ８に覆われる。
【００２５】
図２に示すように、樹脂パッケージ８内では、樹脂パッケージ８の長手方向に沿って、第２のベース板１０と、第３のベース板１１と、第４のベース板１２と、第１のベース板９が並んで位置する。
【００２６】
第１のベース板９の両端部は、樹脂パッケージ８の短手方向に沿って、当該短手方向に垂直な樹脂パッケージ８の対向する二側面から突出している。換言すると、第１のベース板９の両端部は、上から見たとき、樹脂パッケージ８の外周に交わる。第１のベース板９の樹脂パッケージ８から突出している一端部が、正側端子５に相当する。
【００２７】
以下、樹脂パッケージ８の長手方向をｘ方向と称し、樹脂パッケージ８の短手方向をｙ方向と称す。
【００２８】
第３のベース板１１の両端部は、ｙ方向に沿って、当該ｙ方向に垂直な樹脂パッケージ８の対向する二側面から突出している。換言すると、第３のベース板１１の両端部は、上から見たとき、樹脂パッケージ８の外周に交わる。第３のベース板１１の樹脂パッケージ８から突出している一端部が、負側端子６に相当する。
【００２９】
第２のベース板１０の両端部は、ｙ方向に沿って、当該ｙ方向に垂直な樹脂パッケージ８の対向する二側面から突出している。換言すると、第２のベース板１０の両端部は、上から見たとき、樹脂パッケージ８の外周に交わる。第２のベース板１０の樹脂パッケージ８から突出している一端部が、交流出力端子７に相当する。
【００３０】
第４のベース板１２は、ｙ方向に延びており、上から見たとき、矩形形状である。第４のベース板１２の両端部は、ｙ方向に沿って、当該ｙ方向に垂直な樹脂パッケージ８の対向する二側面から突出している。換言すると、第４のベース板１２の両端部は、上から見たとき、樹脂パッケージ８の外周に交わる。
【００３１】
上記のような構成によって、第１のサージ電圧吸収素子３と第２のサージ電圧吸収素子４は、第４のベース板１２を介して、電気的に直列に接続され、さらに、正側端子５と負側端子６の間に接続される。
【００３２】
次に、図２に示すパワーモジュールが樹脂によって封止される前の状態について、図３を参照しながら説明する。図３は、図２のパワーモジュールが樹脂によって封止される前の状態を示す上面図である。なお、図３では、樹脂によって封止した後の樹脂パッケージ８の外形線を破線で示し、タイバー１６を切断する際のカット線（タイバーカット線１７と称す）を一点鎖線で示している。
【００３３】
図２に示すパワーモジュールが樹脂によって封止される前では、第１のベース板９、第２のベース板１０、第３のベース板１１、第４のベース板１２、制御端子１３および制御端子１４は、外形が矩形状のタイバー１６に連結されている。第４のベース板１２の両端部は、タイバー１６によって保持されているので、第４のベース板１２の位置精度の確保が可能となる。
【００３４】
タイバー１６と連結して一体となっている状態の第１のベース板９、第２のベース板１０、第３のベース板１１、第４のベース板１２、制御端子１３および制御端子１４は、樹脂成形によって樹脂パッケージ８に覆われる。
【００３５】
この樹脂成形時では、第１のベース板９、第２のベース板１０、第３のベース板１１、第４のベース板１２、制御端子１３および制御端子１４のそれぞれは、予め設定される位置で樹脂によって封止されるように、成形金型に押し付けられる。この樹脂成形の後、タイバー１６は、タイバーカット線１７に沿って切断され、樹脂パッケージ８に覆われている第１のベース板９、第２のベース板１０、第３のベース板１１、第４のベース板１２、制御端子１３および制御端子１４から切り離される。
【００３６】
以下、第４のベース板１２の両端部がタイバー１６によって保持されることによって得られる効果について、図４を参照しながら説明する。図４は、図２のパワーモジュールの比較例を示す上面図である。なお、図４では、比較例として、第４のベース板１２の両端部のうちの一端部のみが樹脂パッケージ８から突出している場合を示している。
【００３７】
図４に示すパワーモジュールが樹脂によって封止される前では、第４のベース板１２の両端部のうちの一端部のみがタイバーに連結されている。この状態で、樹脂成形が行われた後、図３と同様に、タイバーカット線に沿って切断される。そのため、このタイバーは、樹脂パッケージ８に覆われている第１のベース板９、第２のベース板１０、第３のベース板１１、第４のベース板１２、制御端子１３および制御端子１４から切り離される。これにより、図４に示すパワーモジュールが得られる。
【００３８】
上記のように、第４のベース板１２の一端部のみがタイバーに連結されている場合、すなわち、タイバーによって、第４のベース板１２の一端部が保持され、第４のベース板１２の他端部が保持されない場合、第４のベース板１２の他端部側の位置精度が悪い状態となる。この状態で、第１のサージ電圧吸収素子３の両端子は、第４のベース板１２と第１のベース板９に跨ってはんだによって固定され、第２のサージ電圧吸収素子４の両端子は、第４のベース板１２と第３のベース板１１に跨ってはんだによって固定されている。
【００３９】
つまり、タイバーによって保持されない第４のベース板１２の他端部は、位置精度が悪い状態で、第１のベース板９および第３のベース板１１と協働して、第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４を固定する。上記の樹脂成形時では、第４のベース板１２は、予め設定される位置で樹脂によって封止されるように成形金型に押し付けられて位置精度が矯正される。
【００４０】
そのため、第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４として、強度が低い積層セラミックコンデンサが用いられる場合、第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４に力がかかってこれらが破損してしまう可能性がある。
【００４１】
これに対して、図２および図３に示すパワーモジュールでは、第４のベース板１２は、第１のベース板９および第３のベース板１１と同様に、タイバー１６によって両端が保持されているので、位置精度を確保している。その結果、樹脂成形時に、第１のサージ電圧吸収素子３および第２のサージ電圧吸収素子４に力がかかってこれらが破損する懸念がない。
【００４２】
以上、本実施の形態１のパワーモジュールによれば、第１のパワー半導体チップを固定し、第１のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第１のベース板と、第２のパワー半導体チップを固定する第２のベース板と、第２のサージ電圧吸収素子の一方の端子を固定する第３のベース板と、第１のサージ電圧吸収素子の他方の端子と、第２のサージ電圧吸収素子の他方の端子を固定する第４のベース板とが、樹脂パッケージに覆われて構成されている。また、このパワーモジュールの構成において、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージの二側面から突出して構成されている。具体的には、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージの対向する二側面から突出して構成されている。
【００４３】
これにより、樹脂成型時に、第１のサージ電圧吸収素子および第２のサージ電圧吸収素子が破損する懸念がない。また、独立したスナバコンデンサ基板を用いなくても、スナバコンデンサに相当するサージ電圧吸収素子の故障によって正側端子と負側端子が短絡状態となることを抑制することができる。
【００４４】
さらに、上記のとおり独立したスナバコンデンサ基板を用いる必要がないので、パワーモジュールにおいて、部品点数を削減できるとともに高周波動作に有害な基板パターンのインダクタンスの影響をなくすことができる。その結果、高周波動作に適したパワーモジュールを得ることができる。
【００４５】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２では、先の実施の形態１と構成が異なるパワーモジュールについて説明する。なお、本実施の形態２では、先の実施の形態１と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
【００４６】
図５は、本発明の実施の形態２におけるパワーモジュールを示す上面図である。ここで、先の実施の形態１では、第１のベース板９と第３のベース板１１の間に第４のベース板１２が位置しているので、パワーモジュールの小型化が不十分である可能性がある。そこで、本実施の形態２では、先の実施の形態１と比べて、さらなる小型化を図ったパワーモジュールについて説明する。
【００４７】
図５に示すように、樹脂パッケージ８には、ｙ方向に沿って、当該ｙ方向に垂直な樹脂パッケージ８の一側面から突出する突出部１８が設けられる。すなわち、突出部１８は、ｙ方向に突出する。
【００４８】
樹脂パッケージ８内では、ｘ方向に沿って、第２のベース板１０と、第３のベース板１１と、第１のベース板９が並んで位置する。樹脂パッケージ８に設けられる突出部１８内では、第４のベース板１２がｘ方向に延びて位置する。
【００４９】
第４のベース板１２は、ｘ方向に延びており、上から見たとき、矩形形状である。第４のベース板１２の両端部は、ｘ方向に沿って、当該ｘ方向に垂直な突出部１８の対向する二側面から突出している。換言すると、第４のベース板１２の両端部は、上から見たとき、樹脂パッケージ８に設けられる突出部１８の外周に交わる。
【００５０】
第１のベース板９には、第１のサージ電圧吸収素子３の一方の端子がはんだによって固定される。第３のベース板１１には、第２のサージ電圧吸収素子４の一方の端子がはんだによって固定される。第４のベース板１２には、第１のサージ電圧吸収素子３の他方の端子と、第２のサージ電圧吸収素子４の他方の端子がはんだによって固定される。
【００５１】
このように構成することで、先の実施の形態１のように第１のベース板９と第３のベース板１１の間に第４のベース板１２が位置しないので、先の実施の形態１と比べて、第４のベース板１２の長さを短くすることができる。その結果、パワーモジュールのさらなる小型化に寄与する。
【００５２】
以上、本実施の形態２のパワーモジュールによれば、先の実施の形態１の構成に対して、樹脂パッケージの一側面から突出する突出部が樹脂パッケージに設けられ、第４のベース板は、樹脂パッケージに設けられる突出部内に位置し、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージに設けられる突出部の二側面から突出して構成されている。具体的には、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージに設けられる突出部の対向する二側面から突出して構成されている。
【００５３】
これにより、先の実施の形態１と同様の効果が得られるとともに、パワーモジュールのさらなる小型化に寄与することができる。
【００５４】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３では、先の実施の形態１および２と構成が異なるパワーモジュールについて説明する。なお、本実施の形態３では、先の実施の形態１および２と同様である点の説明を省略し、先の実施の形態１および２と異なる点を中心に説明する。
【００５５】
図６は、本発明の実施の形態３におけるパワーモジュールを示す上面図である。ここで、先の実施の形態２では、突出部１８が設けられた樹脂パッケージ８の構成となっているので、パワーモジュールの小型化が不十分である可能性がある。そこで、本実施の形態３では、先の実施の形態２と比べて、さらなる小型化を図ったパワーモジュールについて説明する。
【００５６】
図６に示すように、樹脂パッケージ８内では、ｘ方向とｙ方向のいずれにも傾斜して、第２のベース板１０と、第３のベース板１１と、第１のベース板９が並んで位置する。樹脂パッケージ８の角部１９内では、第４のベース板１２は、第２のベース板１０、第３のベース板１１および第１のベース板９が傾斜する方向と垂直な方向に傾斜して位置する。
【００５７】
第４のベース板１２の形状は、上から見たとき、第４のベース板１２の傾斜方向に沿って延びる台形である。第４のベース板１２の両端部は、樹脂パッケージ８の角部１９の隣接する二側面から突出している。換言すると、第４のベース板１２の両端部は、上から見たとき、樹脂パッケージ８の角部１９の外周に交わる。
【００５８】
第１のベース板９には、第１のサージ電圧吸収素子３の一方の端子がはんだによって固定される。第３のベース板１１には、第２のサージ電圧吸収素子４の一方の端子がはんだによって固定される。第４のベース板１２には、第１のサージ電圧吸収素子３の他方の端子と、第２のサージ電圧吸収素子４の他方の端子がはんだによって固定される。
【００５９】
図６に示すパワーモジュールが樹脂によって封止される前では、第４のベース板１２の両端部が、樹脂パッケージ８の隣接する２辺に沿ったタイバーに連結される。したがって、先の実施の形態１と同様に、第４のベース板１２の両端部がタイバーによって保持されることとなる。
【００６０】
このように構成することで、先の実施の形態２と比べて、突出部１８を新たに設けることなく、第４のベース板１２の長さを短くすることができ、その結果、パワーモジュールのさらなる小型化に寄与する。
【００６１】
以上、本実施の形態３のパワーモジュールによれば、先の実施の形態１の構成に対して、第４のベース板は、樹脂パッケージの角部内に位置し、第４のベース板の両端部は、樹脂パッケージの角部の隣接する二側面から突出して構成されている。
【００６２】
これにより、先の実施の形態１と同様の効果が得られるとともに、パワーモジュールのさらなる小型化に寄与することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  第１のパワー半導体チップ、２  第２のパワー半導体チップ、３  第１のサージ電圧吸収素子、４  第２のサージ電圧吸収素子、５  正側端子、６  負側端子、７  交流出力端子、８  樹脂パッケージ、９  第１のベース板、１０  第２のベース板、１１  第３のベース板、１２  第４のベース板、１３  制御端子、１４  制御端子、１５  ワイヤ、１６  タイバー、１７  タイバーカット線、１８  突出部、１９  角部。
【図１】
2019075519.tif 000003
【図２】
2019075519.tif 000004
【図３】
2019075519.tif 000005
【図４】
2019075519.tif 000006
【図５】
2019075519.tif 000007
【図６】
2019075519.tif 000008