(57)【要約】      （修正有）【課題】製造の途中段階において、ディスペンサの針先が接触したとしても、無機膜の破損を招かない、有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】製造方法では、補修対象となる行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ１３の一部であって、平面視において、金属箔パターンと重複する部位に、ディスペンサの付着針２１３を接近させ、堰を積層する。かかる金属箔パターンは、層間絶縁層の上面に形成された画素電極や層間絶縁層の下面に形成された配線箔であり、相応の剛性を有しているので、たとえ付着針の接触を受けたとしても、下方にある無機膜１６、ポリイミド膜１５を撓ませることはなく、無機膜１６に亀裂を生じさせない。【選択図】図１５
2019036426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
可撓性基板に複数の金属箔パターンを形成する箔形成工程と、
絶縁性を有する行バンクを、可撓性基板の上面に複数形成する行バンク形成工程と、
前記複数の行バンクと交差するように、絶縁性を有する列バンクを、可撓性基板の上面に形成し、前記可撓性基板上の領域を、複数の矩形領域に区切る列バンク形成工程と、
形成された複数の列バンクにおける欠陥部を検出する検出工程と、
検出された欠陥部が存する列バンクの行方向両側にある矩形領域の列方向に位置する行バンクの一部分を補修対象部位として選択し、平面視において、前記補修対象部位と、前記金属箔パターンとが重なる部分に、行方向に沿って補修材を積載する補修工程と、
前記複数の矩形領域のそれぞれに、有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することで有機発光層を形成する塗布工程とを含む
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記箔形成工程は、可撓性基板の上面を平坦化層で覆い平坦化する第１工程と、
行方向及び列方向に間隔をあけて、前記金属箔パターンとしての複数の画素電極を、平坦化層の上面に形成する第２工程とを含み、
前記行バンク形成工程は、
前記平坦化層の上面のうち、列方向に隣接する画素電極間の間隙を覆うのと共に、画素電極の列方向外縁を覆うように、複数行バンクのそれぞれを形成する
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記箔形成工程は、
前記可撓性基板の上方に、金属箔パターンを形成する第１工程と、
前記金属箔パターンが形成された可撓性基板の上面を平坦化層で覆う第２工程と、
前記平坦化層上に、行方向及び列方向に間隔を空けて、複数の画素電極を形成する第３工程とを含み、
前記行バンク形成工程では、
前記平坦化層の上面のうち、列方向に隣接する２つの画素電極間の間隙を覆うのと共に、平面視において、一部が前記金属箔パターンと重なるように、前記複数行バンクを形成する
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
可撓性を有する有機ＥＬ表示パネルであって、
複数の金属箔パターンが形成された可撓性基板と、
絶縁性を有し、可撓性基板の上面において行方向に延伸する複数の行バンクと、
絶縁性を有し、複数の前記行バンクと交差するように列方向に延伸して、可撓性基板上面の領域を、複数の矩形領域に区切る複数の列バンクと、
有機発光材料により構成され、複数の前記矩形領域のそれぞれに形成された複数の有機発光層とを備え、
前記複数の列バンクの一部には、欠陥部が存在し、
前記行バンクの一部分であって前記欠陥部の行方向に隣接する矩形領域の列方向に存在するものには堰が形成されていて、
前記堰を形成する補修材は、前記行バンクの一部分のうち、平面視において前記金属箔パターンと重なる部分に積載されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記可撓性基板は平坦化層を備え、
前記平坦化層の上面には、行方向及び列方向に間隔をあけて、前記複数の金属箔パターンとしての複数の画素電極が配置されている
ことを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記可撓性基板は、その上面に平坦化層を備え、
前記平坦化層と、前記可撓性基板との間、又は、前記平坦化層の内部には、前記金属箔パターンとしての配線パターンが形成されている
ことを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
可撓性を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
絶縁性を有する行バンクを、可撓性基板の上面に複数形成する行バンク形成工程と、
前記複数の行バンクと交差するように、絶縁性を有する列バンクを、可撓性基板の上面に形成し、前記可撓性基板上の領域を、複数の矩形領域に区切る列バンク形成工程と、
前記行バンク形成工程により行バンクが形成された後、複数の金属箔パターンを行バンクの上面に複数形成する箔形成工程と、
形成された複数の列バンクにおける欠陥部を検出する検出工程と、
検出された欠陥部が存する列バンクの行方向両側にある矩形領域の列方向に存在する前記行バンクの一部分を補修対象部位として選択し、当該補修対象部位として選択された行バンクの上面のうち、金属箔パターンが形成された部分に、行方向に沿って補修材を積載する補修工程と、
前記複数の矩形領域のそれぞれに、有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することで有機発光層を形成する塗布工程とを含む
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
可撓性を有する有機ＥＬ表示パネルであって、
可撓性基板と、
絶縁性を有し、可撓性基板の上面において行方向に延伸する複数の行バンクと、
絶縁性を有し、複数の行バンクと交差するように列方向に延伸して、可撓性基板上面の領域を、複数の矩形領域に区切る複数の列バンクと、
有機発光材料により構成され、複数の矩形領域のそれぞれに形成された複数の有機発光層とを備え、
前記行バンクの上面には、金属箔パターンが形成されており、
前記何れかの列バンクには欠陥部が存在しており、
前記行バンクの一部分であって前記欠陥部の行方向に隣接する矩形領域の列方向に存在するものには堰が形成されていて、
前記堰を形成する補修材は、前記行バンクの一部分のうち、平面視において前記金属箔パターンと重なる部分に積載されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ラインバンク方式の有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関し、特に、バンクの下地基材として、可撓性基板を用いる場合の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に行バンク、列バンクを形成しておいて、これら行バンク、列バンクで区画された矩形領域に有機発光層を形成するという工程をとる。この有機発光層の形成にはウェット方式が広く用いられる。ウェット方式とは、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含むインクをインクジェットで矩形領域に塗布することにより有機機能層を形成するという工法である。
【０００３】
ところで、ウェット方式にて有機発光層を形成する際、ある矩形領域を対象として吐出されたインク材が、列バンクの垣根を越えて隣接する矩形領域に漏れ出すことがある。このようなインク材の漏洩は、列バンクの形成不良や、列バンクに付着していた異物を原因として発生する。こうしたインク漏れがあると、ラインバンク方式におけるバンクの高低差が裏目にでる。つまり、ラインバンク方式では、行バンクの高さが低く設定されているため、混色したインク材が多くの矩形領域に到達し、混色の影響が多くの画素に波及する。そこで、従来技術では、列バンクの欠陥部が発見された場合にバンクリペアを実行する。バンクリペアとは、欠陥部に隣接する矩形領域の周囲に背高姿勢の堰を形成し、混色したインク材の囲い込みを図る補修方法をいう。特許文献１は、補修材を用いた堰形成に先立ち、バンク成形体の予備焼成を行う有機EL表示パネルの製造方法を開示する。また特許文献２は、下地となる基板を、ガラス基板から可撓性樹脂基板に置き換えた有機ＥＬ表示パネルを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2016-71992号公報
【特許文献２】特開2014-26969号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記のバンクリペアで堰を形成するには、補修材を付着した付着針を行バンクの上面に接触させて、付着針に付着した補修材を、行バンクの上面に落下する構成を採る。しかしながら、例えば、特許文献２に記載されているような可撓性基板を行バンクの下地基材として用いる場合、上記の付着針の接触が、可撓性基板の損傷を招くという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、可撓性基板の損傷を回避しつつ、バンクリペアを実行することができる、有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決することができる有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、可撓性基板に複数の金属箔パターンを形成する箔形成工程と、絶縁性を有する行バンクを、可撓性基板の上面に複数形成する行バンク形成工程と、前記複数の行バンクと交差するように、絶縁性を有する列バンクを、可撓性基板の上面に形成し、前記可撓性基板上の領域を、複数の矩形領域に区切る列バンク形成工程と、形成された複数の列バンクにおける欠陥部を検出する検出工程と、検出された欠陥部が存する列バンクの行方向両側にある矩形領域の列方向に位置する行バンクの一部分を補修対象部位として選択し、平面視において、前記補修対象部位と、前記金属箔パターンとが重なる部分に、行方向に沿って補修材を積載する補修工程と、前記複数の矩形領域のそれぞれに、有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することで有機発光層を形成する塗布工程とを含む。
【発明の効果】
【０００８】
上記有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、欠陥の補修時において、補修に用いられる付着針が、当該行バンクに接触したとしても、当該接触が、可撓性基板の撓み、変形をもたらすことはない。可撓性基板の損傷を回避しつつも、補修材を用いた列バンクの補修を実行することができるので、上記製造方法で製造される有機ＥＬ表示パネルの品位を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】携帯型の有機ＥＬ表示装置１の外観を示す。
【図２】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１００を表示面側から見た場合の概略構成を模式的に示す斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１００を図３のＡ−Ａ´線で切断した一部拡大断面図である。図４（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１００を図２のＢ−Ｂ´線で切断した一部拡大断面図である。
【図５】有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｆ）は、ポリイミド膜１５の形成から、ホール注入層２３の形成までの段階を模式的に示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ１３の形成及び列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の形成の段階を模式的に示す断面図である。
【図８】図８（ａ）は、ラインバンク方式により形成された複数の行バンク、複数の列バンクを示す。図８（ｂ）は、混色の範囲が、列バンク１１ｃ２を介して隣接する２つのサブ画素列に波及した状態を示す。図８（ｃ）は、Ｘ=１の座標に位置する全てのサブ画素、Ｘ=２の座標に位置する全てのサブ画素が滅点（混色による滅点）となった状態を示す。図８（ｄ）は、混色の疑いがあるとして堰領域が形成された複数の矩形領域のレイアウトを示す。
【図９】バンク欠陥部の検出と、その補修とに用いられる補修装置２００の一例を示す概略構成図である。
【図１０】図１０（ａ）は、スキャン時におけるヘッド部２０３の動作を示し、図１０（ｂ）は、補修材付着時のヘッド部２０３の動作を示す。
【図１１】図１１（ａ）は、付着針２１３の針先が行バンク１２ｒ１の表面に触れた状態を示す。図１１（ｂ）は、付着針２１３の針先が、列バンク１１ｃ１の表面に触れたため、無機膜１６に亀裂が生じた状態を示す。図１１（ｃ）は、有機発光層２５ｒ１０、２５ｒ１１に水分の影響が及んだ状態を示す。
【図１２】画素電極２２との重複領域を対象とした堰形成の処理手順を示すフローチャートである。
【図１３】図１３（ａ）は、欠陥部に隣接する矩形領域（P（ｉ，ｊ）、P（ｉ＋１，ｊ））と、当該矩形領域の列方向端部を覆う行バンク（行バンク１２ｒ１１、ｒ１２、ｒ２１、ｒ２２）と、これらと交差する列バンク（列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３）とを示す平面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の平面図のうち、一点鎖線Ｃ−Ｃ´の位置で切断した場合の断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、補修材容器２１４の断面を示す。図１４（ｂ）は、補修材Ｐａ１が付着した状態の付着針の先端２１３topを示す。図１４（ｃ）は、行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ３１の上面における微小なうねり（図１４（ｃ）のＷｖ１参照）を示す。図１４（ｄ）は、付着針２１３を下降させる過程を示す。図１４（ｅ）は、行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ３１の上面における微小量の押下を示す。
【図１５】図１５（ａ）は、行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２の列方向両端部に、補修材を付着した状態を示す。図１５（ｂ）は、矩形領域Ｐ（ｉ，ｊ）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ）の列方向両端部を覆う行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ２１、１２ｒ２２に、補修材を付着した状態を示す。
【図１６】図１６（ａ）は、本焼成後の状態を示す。図１６（ｂ）は、矩形領域にインク２５ｍが塗布された状態を示す。図１６（ｃ）は、塗布したインクを乾燥することで、各矩形領域内に有機発光層２５ｒ１１、２５ｒ１２の成膜がなされた状態を示す。
【図１７】図１７（ａ）は、実施の形態２に係る行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ１３、１２ｒ２１〜１２ｒ２３、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の平面配置を示す図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の平面構成のうち、一点鎖線Ｃ−Ｃ´の位置で切断した場合の断面構成を示す図である。
【図１８】図１８（ａ）〜（ｅ）は、実施の形態２において、平坦化層１８の下面に金属箔パターン３１ｒ１１、３１ｒ１２、３１ｒ１３が形成される過程を示す。
【図１９】図１９（ａ）は、実施の形態３に係る行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ１３、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の平面配置を示す図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の平面構成のうち、一点鎖線Ｃ−Ｃ´の位置で切断した場合の断面構成を示す図である。
【図２０】図２０（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態２において、行バンク１１ｒ１１〜１１r１３の上面に金属箔パターン３２ｒ１１、３２ｒ１２、３２ｒ１３が形成される過程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜本開示の一態様＞
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、可撓性基板に複数の金属箔パターンを形成する箔形成工程と、絶縁性を有する行バンクを、可撓性基板の上面に複数形成する行バンク形成工程と、前記複数の行バンクと交差するように、絶縁性を有する列バンクを、可撓性基板の上面に形成し、前記可撓性基板上の領域を、複数の矩形領域に区切る列バンク形成工程と、形成された複数の列バンクにおける欠陥部を検出する検出工程と、検出された欠陥部が存する列バンクの行方向両側にある矩形領域の列方向に位置する行バンクの一部分を補修対象部位として選択し、平面視において、前記補修対象部位と、前記金属箔パターンとが重なる部分に、行方向に沿って補修材を積載する補修工程と、前記複数の矩形領域のそれぞれに、有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することで有機発光層を形成する塗布工程とを含む。
【００１１】
上記態様の有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、行バンクのうち、金属箔パターンが形成されている領域と重複する領域を、堰形成の場所として選ぶので、付着針が行バンクの上面に接触したとしても、その接触により、可撓性基板を撓ませることはない。付着針の接触が可撓性基板の撓みを生じさせないので、水分が可撓性基板を通過して、有機発光層に到達することはない。
【００１２】
箔形成工程、行バンク形成工程は以下の下位概念に展開することができる。つまり箔形成工程は、可撓性基板の上面を平坦化層で覆い平坦化する第１工程と、行方向及び列方向に間隔をあけて、前記金属箔パターンとしての複数の画素電極を、平坦化層の上面に形成する第２工程とを含み、前記行バンク形成工程は、前記平坦化層の上面のうち、列方向に隣接する画素電極間の間隙を覆うのと共に、画素電極の列方向外縁を覆うように、複数行バンクのそれぞれを形成するものとしてもよい。付着針の位置を端部に寄せるよう、付着針の位置決めを行わせる製造設備（補修装置）を一部改良することで、付着針接触時の無機膜の撓みを回避することができる。これにより既存の製造工程を大きく改変することなく、バンクリペアにあたっての無機膜損傷を回避することができる。
【００１３】
前記箔形成工程、行バンク形成工程は、更に別の下位概念に展開することができる。具体的にいうと、前記箔形成工程は、前記可撓性基板の上方に、金属箔パターンを形成する第１工程と、前記金属箔パターンが形成された可撓性基板の上面を平坦化層で覆う第２工程と、前記平坦化層上に、行方向及び列方向に間隔を空けて、複数の画素電極を形成する第３工程とを含み、前記行バンク形成工程では、前記平坦化層の上面のうち、列方向に隣接する２つの画素電極間の間隙を覆うのと共に、平面視において、一部が前記金属箔パターンと重なるように、前記複数行バンクを形成する。
【００１４】
一般的な可撓性基板は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層の上面を、平坦化層で覆うという構成になっているから、平坦化層で覆われる金属箔パターンは、ＴＦＴ層における配線箔の一部として形成することができる。ＴＦＴ層形成時に併せて、可撓性基板上に、金属箔パターンを形成することができるので、既存の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を大きく改変することなく、有機発光層の表示品位の低下を防止することができる。
【００１５】
有機ＥＬ表示パネルの局面で、上記課題解決を図る場合、有機ＥＬ表示パネルの局面において、複数の金属箔パターンが形成された可撓性基板と、絶縁性を有し、可撓性基板の上面において行方向に延伸する複数の行バンクと、絶縁性を有し、複数の前記行バンクと交差するように列方向に延伸して、可撓性基板上面の領域を、複数の矩形領域に区切る複数の列バンクと、有機発光材料により構成され、複数の前記矩形領域のそれぞれに形成された複数の有機発光層とを備え、前記複数の列バンクの一部には、欠陥部が存在し、前記行バンクの一部分であって前記欠陥部の行方向に隣接する矩形領域の列方向に存在するものには堰が形成されていて、前記堰を形成する補修材は、前記行バンクの一部分のうち、平面視において前記金属箔パターンと重なる部分に積載されている構成とすることができる。上記態様の有機ＥＬ表示パネルでは、行バンクのうち、金属箔パターンが形成されている領域と重複する領域が、堰形成の場所として選ばれているので、当該有機ＥＬ表示パネルでは、バンクリペアの実行時において、可撓性基板の撓みが生じなかったことが保障される。かかる有機ＥＬ表示パネルでは可撓性基板の亀裂がなく、水分が、可撓性基板を通過して、有機発光層に到達することはなく、メーカーによる長期の品質保証が可能となる。
【００１６】
前記可撓性基板は更なる構成要件をもつものに展開することができる。具体的にいうと可撓性基板は、平坦化層を備え、前記平坦化層の上面には、行方向及び列方向に間隔をあけて、前記複数の金属箔パターンとしての複数の画素電極が配置されている。付着針の位置を端部に寄せるよう、付着針の位置決めを行わせるという製造設備（補修装置）の一部の改良により、付着針接触時の無機膜の撓みを回避しているので、当該有機ＥＬ表示パネルは、既存の製造工程を大きく改変することなく、製造される。製造工程の改変を伴わずに、無機膜損傷を回避することができるので、有機ＥＬ表示パネルのコストパフォーマンスを高めることができ、大量生産による低価格化が可能になる。
【００１７】
前記可撓性基板は別の構成要件をもつものに展開することができる。具体的にいうと可撓性基板は、その上面に平坦化層を備え、前記平坦化層と、前記可撓性基板との間、又は、前記平坦化層の内部には、前記金属箔パターンとしての配線パターンが形成されている。行バンクの剛性補強のための金属箔パターンは、可撓性基板の配線箔の一部としての形成が可能になるから、一般的なフレキシブルタイプの有機ＥＬ表示パネルとあまり変わらないコストでの製造が可能になる。これにより、大量生産による低価格が可能になる。
【００１８】
有機ＥＬ表示パネルの製造方法に係る開示の別の態様としては、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、絶縁性を有する行バンクを、可撓性基板の上面に複数形成する行バンク形成工程と、前記複数の行バンクと交差するように、絶縁性を有する列バンクを、可撓性基板の上面に形成し、前記可撓性基板上の領域を、複数の矩形領域に区切る列バンク形成工程と、前記行バンク形成工程により行バンクが形成された後、複数の金属箔パターンを行バンクの上面に複数形成する箔形成工程と、形成された複数の列バンクにおける欠陥部を検出する検出工程と、検出された欠陥部が存する列バンクの行方向両側にある矩形領域の列方向に存在する前記行バンクの一部分を補修対象部位として選択し、当該補修対象部位として選択された行バンクの上面のうち、金属箔パターンが形成された部分に、行方向に沿って補修材を積載する補修工程と、前記複数の矩形領域のそれぞれに、有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することで有機発光層を形成する塗布工程とを含むものである。
【００１９】
有機ＥＬ表示パネルに係る開示の別の態様としては、可撓性基板と、絶縁性を有し、可撓性基板の上面において行方向に延伸する複数の行バンクと、絶縁性を有し、複数の行バンクと交差するように列方向に延伸して、可撓性基板上面の領域を、複数の矩形領域に区切る複数の列バンクと、有機発光材料により構成され、複数の矩形領域のそれぞれに形成された複数の有機発光層とを備え、前記行バンクの上面には、金属箔パターンが形成されており、前記何れかの列バンクには欠陥部が存在しており、前記行バンクの一部分であって前記欠陥部の行方向に隣接する矩形領域の列方向に存在するものには堰が形成されていて、前記堰を形成する補修材は、前記行バンクの一部分のうち、平面視において前記金属箔パターンと重なる部分に積載されている。行バンク形成後の追加的な処理として、行バンク上に金属箔パターンを形成するから、行バンクの剛性補強のための金属箔パターンを、行バンクの上面に形成するので、既存の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を大きく改変することなく、有機発光層の表示品位の低下を防止することができる。
【００２０】
＜実施の形態１＞
［有機ＥＬ表示装置の全体構成］
図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の外観を示す。図１に示すように、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１は、折り曲げ可能なタブレット型の機器として構成される。図２は、有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
【００２１】
図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１０１とを有している。有機ＥＬ表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部１０１は、走査線駆動回路１０２、１０３と、信号線駆動回路１０４、１０５と、制御回路１０６とから構成されている。
【００２２】
走査線駆動回路１０２、１０３は、フレーム画像を構成する複数の画素ラインのうち、何れかを選択する内容の走査線信号を出力する。
信号線駆動回路１０４、１０５は、複数の画素ラインのうち、何れかを選択する内容の走査線信号が走査線駆動回路１０２、１０３から出力されれば、当該走査線信号により選択された画素ラインに属する複数の有機ＥＬ素子に対して、ライン画素信号を出力する。ライン画素信号は、ライン画素の個々の画素の原色成分毎の輝度（各画素の原色成分のそれぞれがどれだけの明るさをもつかを示す）からなり、複数の有機ＥＬ表示素子のうち、選択された画素ラインと、位置的に対応するものに、当該輝度値を供給する。そうすると、各有機ＥＬ素子には、座標（i,j）に位置する画素の、ｋ番目の原色成分の輝度Y（i,j,k）に応じた値の増幅電流であるId(Y(i,j,k))が流れる。なお、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部１０１の配置などは、これに限られない。
【００２３】
［有機ＥＬ表示パネルの構成］
図３は、有機ＥＬ表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０の表示面には、列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３、１１ｃ４、１１ｃ５〜１１ｃ８が、列方向（Ｙ軸方向）に延伸する。また、行バンク１２ｒ１、１２ｒ２、１２ｒ３が行方向（Ｘ軸方向）に延伸し、列バンクと交差する。行バンク、列バンクが互いに交差することで、有機ＥＬ表示パネルの表面を、複数の矩形領域（R（1,1)、G（2,1)、B(3,1)、R（4,1)、G（5,1)、B(6,1)、R(7,1)、G(8,1)、R(1,2)、G（2,2)、B(3,2)、R（4,2)、G（5,2)、B(6,2)、R(7,2)、G(8,2)、R（1,3)、G（2,3)、B(3,3)、R（4,3)、G（5,3)、B(6,3)、R(7,3)、G（8,3)・・・・・）に分割する。これらの矩形領域は、表示しようとするフレーム画像を構成するＲＧＢセット画素のそれぞれのサブ画素に対応しており、後段のインク塗布工程において、インク材の塗布の対象になる。これらの矩形領域の参照符号は、表示しようとする原色の区別（ＲＧＢの区別）を示すアルファベットと、座標値との組み合わせからなる。原色サブ画素に対応する矩形領域のそれぞれ奥行き方向（Ｚ軸方向）には、有機ＥＬ素子と、対応する駆動回路とが存在する。行方向に並ぶ赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素の有機ＥＬ素子に輝度を設定して同時に発光させることで、ＲＧＢの各原色が、独自の階調を有した自然色画素を構成することができる。
【００２４】
図３において行バンク１２ｒ１、ｒ２、ｒ３は、列バンク１１ｃ１、ｃ２、ｃ３と交差することで得られる複数の小区間（小区間１２ｒ１１、１２ｒ２１、１２ｒ３１、１２ｒ４１・・・・、１２ｒ１２、１２ｒ２２、１２ｒ３２、１２ｒ４２・・・・、１２ｒ１３、１２ｒ２３、１２ｒ３３、１２ｒ４３・・・・）に分割される。以降の説明では、これらの小区間を便宜上「行バンク」として扱い、数字と、アルファベットとの組み合わせからなる参照符号を付して、バンクリペアの対象として説明する。
【００２５】
図４（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１００を図３のＡ−Ａ´線で切断した一部拡大断面図である。図４（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１００を図２のＢ−Ｂ´線で切断した一部拡大断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、いわゆるトップエミッション型であって、Ｚ方向側が表示面となっている。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００は、その主な構成として、可撓性基板２１（ポリイミド膜１５、無機膜１６、ＴＦＴ層１７、平坦化層１８から構成される）、画素電極２２（図４（ａ）（ｂ）の画素電極２２ｒ１１、２２ｒ２１、２２ｒ３１、２２ｒ４１を含む）、ホール注入層２３、列バンク１１（図４（ａ）の列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３）、行バンク１２（図４（ｂ）の行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３）、有機発光層２５（図４（ａ）の有機発光層２５ｒ１１、２５ｒ２１、２５ｒ３１）、電子輸送層２６、共通電極２７、封止層２８を備える。
【００２６】
各有機発光層（有機発光層２５ｒ１１、２５ｒ２１、２５ｒ３１）は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する原色サブ画素を構成する。
［可撓性基板］
以下、可撓性基板２１の構成要素（ポリイミド膜１５、無機膜１６、ＴＦＴ層１７、平坦化層１８）について説明する。
【００２７】
ポリイミド膜１５は、イミド結合により結合した構造体を繰り返し単位とする樹脂膜であり、吸水性、保水性を有し、また弾力性を有する。構造体のうち、特に芳香化合物を直接イミド結合で連結したもの（芳香族ポリイミド）は、その共役構造により、剛直で強固な分子構造を持つ。本実施形態のポリイミド膜は、ジアミン（アミノ基を２つ有するポリアミン）と、酸無水物（オキソ酸2分子が脱水縮合した化合物）とを原料としている。ジアミンとしては、4，4'−ジアミノジフェニルサルフォン、トランス−1,4−ジアミノシクロヘキサン、4，4'−ジアミノシクロヘキシルメタン、2，2'−ビス（4−アミノシクロヘキシル）−ヘキサフルオロプロパン、2，2'−ビス（トリフルオロメチル）−4，4'−ジアミノビシクロヘキサン等を用いる。
【００２８】
酸無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、2，2'−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物などを用いる。
無機膜１６は、窒化珪素などからなり、画素電極２２や有機発光層２５への水分の進入を阻止する。
【００２９】
ＴＦＴ層１７は、原色サブ画素に対応する、薄膜トランジスタ素子回路を形成する。
平坦化層１８は、無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１７と画素電極２２との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層１７の上面の段差を平坦化する。画素電極形成の下地面を平坦にすることで、平坦化層１８は、ＴＦＴ層１７の上面に段差が存在することによる影響を抑制する。そうした無機絶縁材料としては、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等がある。
【００３０】
［画素電極］
画素電極２２（図４（ａ）の画素電極２２ｒ１１〜２２ｒ４１、図４（ｂ）の画素電極２２ｒ１０〜２２ｒ４１）は、原色サブ画素毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極２２は、陽極である。
【００３１】
なお、画素電極２２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極２２とホール注入層２３の間に介在し、各層間の接合性を向上にする。
［ホール注入層］
ホール注入層２３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層２３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層２５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
［列バンク］
列バンク１１（図４（ａ）に示す列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３）は、撥液性の材質（インク材をはじく性質をもった材質）で構成され、列方向（Ｙ軸方向）に延伸する状態で設けられている。列バンクを行方向で平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。このような、順テーパー台形状の断面形状を有することで、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３は発光層２５の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めるのと共に、有機発光層２５の行方向外縁を形造る。これらバンク１１ｃ１、１１ｃ２は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。
【００３２】
［行バンク］
行バンク１２（図４（ｂ）に示す行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３から構成される）は、親液性の材質で構成され、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられている。行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３、１２ｒ１４のそれぞれは、列方向において、１の画素電極と、行方向に隣接する画素電極２２との間隙に存在し、画素電極２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３のうちコンタクトホール領域ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３が存在する側の端部ｅｇ１、ｅｇ３、ｅｇ５を、列方向の長い側の端部で覆い、画素電極２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３のうちコンタクトホール領域が存在しない側の端部ｅｇ２、ｅｇ４を、列方向の短い側の端部で覆う。それと共に、列バンク１１ｃ２を貫通して、列バンク１１ｃ２の上面ｓｆ１よりも低い位置に上面（ｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ４）をなす。行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３は、こうした構造により、画素電極２２と、共通電極２７との間の電気的リークを防止するとともに、列方向におけるサブ画素の発光領域の外縁を形成する。
【００３３】
［有機発光層］
有機発光層２５（図４（ａ）の有機発光層２５ｒ２１、２４ｒ３１）は、キャリア（正孔と電子）が再結合して発光する部位であって、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含む。この有機発光層２５は、上記のバンク１１ｃ１、１１ｃ２によって区画された矩形領域に形成されている。そして、互いに色の異なる有機発光層２５は、バンク１１ｃ１、１１ｃ２を挟んで配置されている。
【００３４】
有機発光層２５の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げら
れる。
【００３５】
［電子輸送層］
電子輸送層２６は、共通電極２７から注入された電子を有機発光層２５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成されている。
［共通電極］
共通電極２７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成され全ての原色サブ画素に亘って設けられている。本実施形態において、共通電極２７は陰極である。
【００３６】
［封止層］
封止層２８は、ホール注入層２３、有機発光層２５、電子輸送層２６、共通電極２７を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層２８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
【００３７】
［表示パネルの製造方法］
図５は、有機EL表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。図６（ａ）〜（ｆ）は、ポリイミド膜１５の形成から、ホール注入層２３の形成までの段階を模式的に示す断面図である。図７（ａ）〜（ｄ）は、行バンク２２ｒ１０〜２２ｒ１３の形成及び列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の形成の段階を模式的に示す断面図である。図５の工程図、図６（ａ）〜（ｆ）の断面図、図７（ａ）〜（ｄ）の断面図を参照しながら、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について説明する。
【００３８】
始めに、ポリイミド膜を形成する（ステップＳ１）。かかる形成は図６（ａ）の過程を経てなされる。つまり、ロール状のベース基板７０に、ポリイミド又はポリイミド前駆体の樹脂溶液を塗布し、加熱する。こうすることで、ベース基板７０によって支持される形でポリイミド膜１５を形成する。続いて、ポリイミド膜１５が形成された後、塗布、蒸着、スパッタ等の工法を実行することで、ポリイミド膜１５の上に無機膜１６を形成する（ステップＳ２）。この結果、ベース基板７０の表面には、図６（ｂ）に示すようにポリイミド膜１５と、無機膜１６との積層構造が形成される。
【００３９】
その後、ベース基板７０から、ポリイミド膜１５と、無機膜１６とを取り外して（ステップＳ３）、無機膜１６の上面に、ＴＦＴ層１７を形成する（図５のステップＳ４）。この結果、図６（ｃ）に示すように、可撓性基板２１の主要部分（ポリイミド膜１５と、無機膜１６と、ＴＦＴ層１７とで構成される部分）が完成する。
ＴＦＴ層１７が完成した後、ＴＦＴ層１７の上に、フォトレジスト法により絶縁性に優れる有機材料を、約４μｍの厚みで成膜し、平坦化層１８を得る（ステップＳ５）。この結果が、図６（ｄ）である。この図６（ｄ）において、ＴＦＴ層１７の上面が平坦化される。なお、平坦化層１８の形成にあたって、平坦化層１８を貫通するように、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３が形成される。
【００４０】
次に、平坦化層１８の上面において、絶縁のための間隔を行方向及び列方向に確保しつつ、画素電極２２を原色サブ画素毎に形成する（ステップＳ６）。この画素電極２２の形成は、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚みが４００［ｎｍ］程度の金属箔の成膜を行うことでなされる。図６（ｅ）は、平坦化層１８の上面に、複数の画素電極（画素電極２２ｒ１０、２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３）が形成された状態を示す。この状態において、複数の画素電極（画素電極２２ｒ１０、２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３）の間には空白部分（ｎｓ１，ｎｓ２，ｎｓ３）が存在する。
【００４１】
続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、可撓性基板２１および画素電極２２上に一様に塗布することで、ホール注入層２３を形成する（ステップＳ７）。この塗布が完了した状態を図６（ｆ）に示す。図６（ｆ）では、平坦化層１８の上面のうち、画素電極（画素電極２２ｒ１０、２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３）が形成された部分、形成されていない部分ｎｓ１、ｎｓ２、ｎｓ３の凹凸を覆うように、ホール注入層２３が一様に形成されている。
【００４２】
続いて、行バンク１２の成形及び予備焼成を行う（ステップＳ８）。具体的にいうと、図７（ａ）に示すように、ホール注入層２３上に、行バンクの材料となるバンク材料１２ｍを一様に塗布する。そして、バンク材料１２ｍの塗布により形成された材料層にマスクパターンＰｔ１２を重ねて、マスクパターンＰｔ１２の上から紫外線光の照射ｕｖ２を行う。かかるマスクパターンＰｔ１２は、形成しようとする行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３のパタ
ーンに合わせた開口を有する。かかる開口を通じて、バンク材料に紫外線光を照射することで（ｕｖ２）、バンク材料１２ｍのうち、光の照射を受けた部分のみが硬化する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出す。これにより、図７（ｂ）に示すように、バンク材料１２ｍを行バンクの形状（行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３）にする。以降、行バンク１２の予備焼成を行う。これにより、画素電極２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３に介在する形で行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３が形成される。
【００４３】
続いて、列バンク１１の成形及び予備焼成を行う（ステップＳ９）。具体的にいうと、図７（ｃ）に示すように、ホール注入層２３及び行バンク１２が形成された、可撓性基板２１の上面に、列バンクの材料であるバンク材料１１ｍを一様に塗布する。そして、バンク材料１１ｍの塗布により形成された材料層にマスクパターンｐｔ１１を重ねて、マスクパターンｐｔ１１の上から露光を行う（ｕｖ１）。かかるマスクパターンｐｔ１１は、形成しようとする列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３のパターンに合わせた開口を有する。かかるマスクパターンｐｔ１１の開口を通じて、バンク材料１１ｍに光を照射することで、バンク材料１１ｍのうち、光の照射を受けた部分のみが硬化する。次に、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出す。これにより、図７（ｄ）に示すようにバンク材料１１ｍの形状が列バンクの形状（列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３の形状）になる。その後、列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３の予備焼成を行う。これにより、列バンク１１ｃ１、１ｃ２、１１ｃ３が完成する。バンク材料１１ｍの成形体が形成された際、隣接する列バンク１１ｃ１、１ｃ２、１１ｃ３の間の領域は、有機発光層形成のための矩形領域（図７（ｄ）におけるＲ（１、１）、Ｇ（２、１））となる。
【００４４】
［バンク材料の具体例］
列バンク形成用のバンク材料１１ｍ、行バンク形成用のバンク材料１２ｍとしては、光重合開始剤を添加した熱硬化型樹脂の組成物を用いる。かかる組成物は、熱を加えることによって硬化するのと共に、紫外線光が照射されることで重合を開始する。
樹脂の種類としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する熱硬化性の樹脂が挙げられる。また、これらの樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
【００４５】
また、この樹脂構造の中に、フッ素を含むフッ化ポリマーを導入してもよい。フッ化ポリマーとしては、フッ素化ポリオレフィン系樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアクリル樹脂などのフッ素樹脂を含む感光性レジストが挙げられる。
フッ化ポリマーを導入した樹脂の具体例としては、フルオロエチレンとビニルエーテルとの共重合体であるルミフロン（LUMIFLON、登録商標、旭硝子）が挙げられる。
【００４６】
行バンク形成のためのバンク材料は、上述した樹脂にフッ素を添加することで撥液性を付与する。あるいは、樹脂に撥インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量は０．０１〜１０ｗｔ％とする。撥インク剤の添加量をこの範囲にすることにより、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰のインクに対する撥液性も良好となる。
予備焼成時の加熱方法としては、例えば、熱風乾燥炉においてバンクの成形体に熱風を当てる方法や、赤外線ランプで熱線を照射する方法、ホットプレートで加熱する方法を用いることができる。
【００４７】
上記の加熱は、目標温度Ｔ１において、一定の時間維持することが不可欠である。この目標温度Ｔ１は、バンク材料の熱硬化（重合反応）をある程度進めることができ、且つ重合反応の完了までは至らない温度として定める。また、温度Ｔ１を維持する時間は２０分〜３０分程度とする。
通常、熱硬化性樹脂は１００℃以上になれば熱硬化が開始されて重合が進むので、目標温度Ｔ１は１００℃以上１５０℃以下に設定することが好ましい。
これは、目標温度Ｔ１を２００℃程度の高温にすると、予備焼成の段階で熱硬化性樹脂の重合が進み過ぎ、本焼成後のバンク成形体の表面の撥液性が損なってしまうことを防止する目的による。
【００４８】
こうして、行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ３１、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３が形成されれば、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３に対して欠陥部の検出を実行する（ステップＳ１０）。図７（ｄ）の段階における欠陥部検出、つまり、行バンク１２ｃ１〜１２ｃ３の成形体が完成した段階における欠陥部の検出は、例えば、可撓性基板２１上に形成した行バンク１２ｃ１〜１２ｃ３の成形体の表面画像を撮影し、その表面画像に対しパターン検査を実行することでなされる。上記の可撓性基板スキャンより、補修可能な上限数を超える数の欠陥部が発見された場合、有機ＥＬ表示パネルを製品として出荷することは不可能であるとして廃棄する。一方、補修可能な上限数以下の欠陥部が発見された場合、バンクリペアを行う（図５のステップＳ１１）。
【００４９】
［補修の対象となるバンクの欠陥部］
次に、補修の対象となるバンク欠陥部について説明する。欠陥部には、バンク成形体の下あるいは中に異物が入り込むことで生じるものと、バンク成形体の一部が欠損することで生じるものとがある。
前者の欠陥部の原因となる異物は、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。
【００５０】
バンク成形体の中に異物が入り込んだ場合、その異物が列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の壁面を隣の矩形領域まで貫通することがある。また、１本のバンク成形体の下に異物が入り込むことで、その異物が隣の矩形領域まで貫通することもある。異物とバンク材料との密着性が悪い場合、バンク成形体の内部や下に入った異物によって隙間が生じてインクの筒抜けになってしまう。異物が繊維片の場合、インクが異物に吸収され、異物自体が流通路になってインクが他の矩形領域に漏れ出てしまう。
【００５１】
後者の欠陥部（バンク成形体の欠損による欠陥部）について説明する。バンク成形体における欠損は、バンク材料層に対する露光不良が原因で発生する。このような露光不良箇所は、バンク素材１１ｍの重合が充分でない。次段の現像工程におけるエッチング剤の洗い流しによってバンク成形体が決壊してしまう。そうすると、その決壊した列バンク１１を介して隣り合う矩形領域において、インクの混色が発生する。
【００５２】
発光層に混色領域が生じたパネルを用いて有機EL表示パネル１０を製造すると、混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。一般に、異なる発光色の蛍光体が混合された場合、波長の長い蛍光体の発光色が優勢になる。
例えば赤色インクと緑色インクが混合されて生じた混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになるので、この混色領域が広がると発光色不良の原因となる。
【００５３】
以上説明したように、バンク成形体において異物や決壊が生じている箇所は、発光色が異なるインクの混色が生じて、発光色不良の原因となるので、この箇所を欠陥部としている。
バンク成形体の下あるいは中に異物が入り込むと、その箇所では、列バンク１１が上に膨らんで行バンク１２が高くなり、バンク成形体が決壊した箇所では、列バンク１１の高さが低くなる。
【００５４】
［欠陥部が存在することによる影響］
図８（ａ）は、ラインバンク方式により形成された複数の行バンク（行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２、１２ｒ１３、１２ｒ１４、１２ｒ１５、１２ｒ２１、１２ｒ２２、１２ｒ２３、１２ｒ２４、１２ｒ２５、）、複数の列バンク（列バンク５１ｃ１、５１ｃ２、５１ｃ３）を示す。図８（ｂ）の列バンクにおいて、欠陥部の存在を看過したまま、インク材の塗布を行ったとすると、図８（ｂ）に示すように、この欠陥部に隣接する２つのサブ画素列に、混色の範囲が及ぶ。更に図８（ｃ）に示すように、縦方向に存在する全てのサブ画素（1080個のサブ画素）の範囲に混色による表示不良が及ぶ。そのため、かかる有機ＥＬ表示パネルを製品として出荷することはできない。そこで、バンクリペアのための堰形成を実行する。図８（ｄ）は、画素電極との非重複領域に堰が形成された複数の矩形領域のレイアウトを示す。かかるレイアウトにおいて、Ｒ（１、１）、Ｇ(２、１)、Ｒ（１、２）、Ｇ(２、２)は、列バンクと同じ高さの堰（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）が形成されている。
【００５５】
［補修装置２００の構成］
図９は、バンク欠陥部の検出と、その補修に用いられる補修装置の一例を示す概略構成図である。
補修装置２００は、ベース２０１と、可撓性基板２１（ポリイミド膜１５からＴＦＴ層１７、平坦化層１８、画素電極２２、ホール注入層２３、列バンク１１、行バンク１２が形成済みのもの）を載置し、テーブルヘッド位置制御信号（Ｘ、Ｙ）に基づき、列方向に移動するテーブル２０２と、テーブルヘッド位置制御信号（Ｘ、Ｙ）に基づき、Ｘ軸方向に移動するのと共に、ディスペンサ制御信号（Ｚ）によりＺ軸方向に移動するヘッド部２０３と、コントローラ２０４と、作業用の画像を表示させる表示部２０５と、ユーザからの操作入力を受け付ける操作部２０６とで構成される。
【００５６】
ヘッド部２０３は、撮像素子２１１及びディスペンサ２１２を備える。ディスペンサ２１２は、補修材付着のための付着針２１３と、補修材を貯蔵する補修材容器２１４とを含む。
コントローラ２０４は、テーブルヘッド位置制御信号（Ｘ，Ｙ）の出力制御、及び、ディスペンサ制御信号（Ｚ）の出力制御を実行する。これらの出力制御により、欠陥部発見のためのスキャン動作、及び、補修材付着動作を実現する。
図１０（ａ）は、スキャン時におけるヘッド部２０３の動作を示し、図１０（ｂ）は、補修材付着時のヘッド部２０３の動作を示す。スキャン動作では、図１０（ａ）に示すように、ヘッド部２０３のＺ軸方向位置を、列バンク１１の上面を俯瞰し得る高さに維持しつつ、可撓性基板２１のＸ軸方向の左端からＸ軸方向の右端まで、ヘッド部２０３を水平移動させるという動作（図１０（ａ）のｓｃａｎ１）を、可撓性基板２１の全てのＹ軸位置において実行する。こうすることで、可撓性基板２１上面の表面画像を示す画像データが取得される。
【００５７】
一方、補修材付着動作では、図１０（ｂ）に示すようにヘッド部２０３のＸ軸方向における位置、及び、Ｙ軸方向における位置を維持しつつ、ヘッド部２０３のＺ軸方向の高さのみを変化させ（図１０（ｂ）のｄｏｗｎ１）、ヘッド部２０３の先端を行バンク１２の上面に接近させる。
図９に戻って、補修装置２００の説明を再開する。画像データ記憶部２２１は、スキャン動作の実行時において、撮像素子２１１が可撓性基板２１の各部上面を撮影することで取得した画像データを記憶する。
【００５８】
欠陥認識部２２２は、可撓性基板２１の上面の撮影により取得された画像データにおいて、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の成形体同士を比較し、相違点を検出することによって、欠陥部の検出を行う。そして、欠陥部が検出された場合、検出された欠陥部の位置（Ｘ軸方向、及び、列方向における欠陥部の中心点の位置）を欠陥位置記憶部２２３に記憶させる。
【００５９】
テーブルヘッド位置決め部２２４は、欠陥部の中心位置から堰形成の対象となる位置を決定して、テーブル２０２及びヘッド部２０３を、当該対象位置に移動させる旨のテーブルヘッド位置制御信号（Ｘ，Ｙ）を出力する。詳しくいうと、テーブルヘッド位置決め部２２４は、有機ＥＬ表示パネルの設計データ（行バンクの幅や画素電極間の間隔、画素電極の行方向、列方向の長さを明示する）を参照して、列バンクの欠陥部に隣接する一対の矩形領域（これらを矩形領域P(ｉ，ｊ)、矩形領域Ｐ（ｉ＋１、ｊ）とする）を特定し、これらの矩形領域の列方向両端部を覆う行バンクに針先が配置されるよう、ディスペンサ２１２の位置決めを行う。この際、本願特有の処理として、テーブルヘッド位置決め部２２４は、ディスペンサ２１２の針先の位置寄せを行う。この位置寄せは、矩形領域P(ｉ，ｊ)、矩形領域Ｐ（ｉ＋１、ｊ）の列方向端部を覆う行バンク１２のうち、画素電極２２と重複する部分にディスペンサ２１２の針先が配置されるように、ディスペンサ２１２を移動させることでなされる。このようにして、針先の位置決めを行った後、テーブルヘッド位置決め部２２４は、行バンク１２の上面における画素電極寄りの位置を示すテーブルヘッド位置制御信号（Ｘ，Ｙ）をヘッド部２０３に出力する。
【００６０】
上昇／下降制御部２２５は、操作部２０６が入力したユーザ操作に従い、ヘッド部２０３に上昇／下降を行わせる。ディスペンサ２１２の先端が、行バンク１２の上面に接近した場合、表示部２０５には、行バンク１２のうち、ディスペンサ２１２の先端が接近している箇所の拡大画像ｉｍ１が表示されるから、操作者はこの拡大画像ｉｍ１を参照することで、ディスペンサの針先が行バンク１２の上面に接触したかどうかを目視で確認することができる。
【００６１】
［バンクリペアに用いる補修材］
補修装置２００におけるテーブル２０２に載置されている可撓性基板２１の上に、ディスペンサ２１２から堰形成用の補修材を、欠陥部の周囲を囲むように塗布して、堰を形成することによって、バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の成形体の補修を行う。補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物（光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂）を用いる。そのような樹脂としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。
【００６２】
また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。
補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰に撥インク性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種の撥インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量を０．０１〜１０ｗｔ％とすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰の撥インク性も良好となる。
【００６３】
なお、補修材の樹脂として、バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の成形体を形成するバンク材料の樹脂と同じものを用いてもよい。ただしバンク材料の場合は、アルカリ現像液に可溶の酸成分が含まれているが、堰を形成する補修材には、アルカリ現像液に可溶の酸成分は含有しないことが好ましい。これは、堰成形体を形成するときには現像は行われず、酸成分が堰に残存すると堰の耐溶剤性が低下するためである。
【００６４】
補修材には、このような樹脂組成物に、溶剤、光重合開始剤を適宜添加する。
溶剤としては、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が１５０〜２５０℃程度の溶剤を１種類あるいは２種類以上用いることができる。光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。
補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば２０〜９０ｗｔ％に調整し、粘度は例えば１０〜５０ｃＰ（センチポイズ）に調整する
光重合開始剤の添加量は、例えば全固形分に対して０．１〜５０ｗｔ％、好ましくは５重量％〜３０重量％である。
【００６５】
[補修材による堰の形成場所]
補修材による堰の形成場所としては、隣接する矩形領域そのものに形成するという考えと、隣接する矩形領域の列方向端部を覆う行バンクに堰を形成するという考えとがある。前者の場合（欠陥に隣接する矩形領域に堰を形成する場合）、堰が形成された矩形領域の端部でインクの未濡れが発生する。このインクの未濡れとは、後述するインクジェットによるインク塗布時において、インクが行き届かず、有機発光層２５が未形成になって、画素電極２２ｒ１１、２２ｒ２１、２２ｒ３１が剥き出しとなる状態をいう。こうした未塗りが存在する状態で共通電極２６を成膜すると、画素電極であるカソード極と、共通電極であるアノード極とがショートしてしまう。
【００６６】
これに対し後者の場合（隣接する矩形領域の列方向端部を覆う行バンクに堰を形成する場合）、堰を形成したとしても、矩形領域には、インクの未濡れは発生しないから画素電極であるカソード極と、共通電極であるアノード極とのショートが発生しない。加えて、可撓性基板２１のスキャンにより欠陥部が検出されたが、後段のインク塗布工程において、混色が発生しなかったような場合、欠陥部に隣接する矩形領域をサブ画素として再登用することができる。
【００６７】
欠陥部を通じたインク漏れが発生しなかった場合、欠陥部に隣接する矩形領域を、サブ画素として再利用する可能性を考慮に入れて、本実施形態に係る補修装置２００は、堰の形成場所を、行バンク１２の上面に制限している。
かかる制限の下、図１１（ａ）に示すように行バンク１２ｒ１の上面における複数の位置に、付着針２１３を接近させ、行バンク１２ｒ１の上面に補修材の塊Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を付着させる。
【００６８】
この接近時において、付着針２１３の針先が行バンク５２ｒ１の上面に触れた状態を、図１１（ｂ）に示す。かかる針先により、列バンク１２ｒ１の上面を押下すると、有機ＥＬ表示パネルでは、付着針２１３の押下により、行バンク５２ｒ１だけでなく、その下方にあるポリイミド膜１５や無機膜１６も一緒に撓む。このように無機膜１６が行バンク１２ｒ１やポリイミド膜１５と一緒に撓むことで、無機膜１６に亀裂（図１１（ｂ）のＣｌａｃｋ１）を生じさせる。
【００６９】
無機膜直下のポリイミド膜１５は、図１１（ｃ）に示すように多くの水分を蓄え（図１１（ｃ）におけるＨ2Ｏ）、また、多くの水分を通過させる性質をもつ。行バンクの補修を終え、有機発光層（図中の有機発光層２５ｒ１１、２５ｒ１２、２５ｒ１３）が形成された後に、亀裂ｃｌａｃｋ１を通じて水分が、有機ＥＬ表示パネルの内部に進入したとする（図１１（ｃ）におけるｒｔ１、ｒｔ２参照）。そうすると、その上位にある有機発光層（図１１（ｃ）における有機発光層２５ｒ１０、２５ｒ１１）の発光特性が低下してしまう。こうした、有機発光層の発光特性の低下は、図１に示したような有機ＥＬ表示装置１のダークスポット（図１のＤＳ１、ＤＳ２）になる。このようなダークスポットの発生の回避を図るべく、補修装置２００は、画素電極との重複領域を、堰の形成場所として選ぶこととした。
【００７０】
［ディスペンサ２１２における針先の位置決め］
以上のディスペンサ２１２の位置決め、及び、画素電極２２との重複領域を対象とした堰形成について説明する。図１２は、画素電極２２との重複領域を対象とした堰形成の処理手順を示すフローチャートである。本図において、変数ｍは、画像処理によって発見されたｍ番目の欠陥部を指示する変数である。先ず、ステップＳ２１において、変数ｍを初期化し、ステップＳ２２において、ｍ番目の欠陥部の左隣に位置する画素の矩形領域を、Ｐ（ｉ，ｊ）とする。
【００７１】
ステップＳ２３では、重複領域のうち、列方向の幅が広いものの列方向の幅Ｏｗ、重複領域のうち、列方向の幅が狭いものの幅Ｏｎを算出する。重複領域の幅の算出過程を具体的に表したのが、図１３（ｂ）である。列方向の行バンク１２の長さをＢａｎＫ＿Ｈとし、列方向における画素電極２２の間隔をＡＭ＿Ｃとする。また、コンタクトホールの径をＤｈとする。列方向の幅が広い重複領域は、コンタクトホール領域を覆うため、その列方向の幅はコンタクトホール領域の径Ｄｈを少し上回る程度となる。よってコンタクトホール領域の径Ｄｈに基づき、重複領域の列方向の広い側の幅Ｏｗを算出する。
【００７２】
一方、Ｏｎは、行バンク１２の列方向の幅から、重複領域の列方向の広い側の幅Ｏｗ、画素電極２２の間隔ＡＭ＿Ｃを差し引いた値にする。ステップＳ２３では、これらの計算により、Ｏｗ、Ｏｎを定める。
図１２のステップＳ２４では、堰形成ラインの位置決めを行う。具体的にいうと、座標（ｉ，ｊ）に相当する矩形領域Ｐ（ｉ，ｊ）の上側を覆う行バンク１２の上面において、画素電極寄りの位置を、堰形成ラインの形成場所とする。この形成場所を具体的に表したのが、図１３（ａ）である。図１３（ａ）は、欠陥部に隣接する矩形領域（P（ｉ，ｊ）、P（ｉ＋１，ｊ））と、当該矩形領域の列方向端部を覆う行バンク（行バンク１２ｒ１１、ｒ１２、ｒ２１、ｒ２２）と、これらと交差する列バンク（列バンク１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３）とを示す平面図である。ステップＳ２４では、堰形成ラインＬｉ１のＹ座標を、図１３（ａ）に示すように、行バンクの左上の基準位置Ｙｓから、ＢＡＮＫ＿Ｈ−Ｏｎ／２だけ隔てた座標（Ｙｓ＋Ｂａｎｋ＿Ｈ−Ｏｎ／２）に設定する。
【００７３】
以下、ステップＳ２５〜Ｓ２９のループ処理を実行することで、堰形成ラインＬｉ１の上に、補修材の塊を付着してゆく。このループ処理における変数ｕは、堰形成ラインに沿って形成される、個々の堰を指示する変数である。ステップＳ２５で、かかる変数ｕを「１」に初期化した後、堰形成ラインのｕ番目の位置に、付着針の針先を移動する。
ここで単純化のため、補修材の塊は、半径ｒの球状、半球状、円錐形状をなすものとする。ステップＳ２６では、上記堰形成ラインにおいて、図１３（ａ）に示すように行バンクの左上の基準位置Ｘｓから、ｒ（２ｕ−１）だけ隔てた座標（Ｘｓ＋ｒ（２ｕ−１））に、付着針を移動させる。そのように付着針２１３を移動した後、補修材の塊を、行バンク１２の上面に付着させる。以下、付着針２１３による補修材の付着について説明する。
【００７４】
補修装置２００が備えるディスペンサ２１２は、ニードル式のディスペンサであり、その先端部分に補修材を収納する補修材容器２１４が取り付けられる。図１４（ａ）は、補修材容器２１４の断面を示す。補修材容器２１４の底面ｂｍには、針を挿通させるための挿通孔２１４ｈが形成されている。この挿通孔２１４ｈを覆うように、容器の底面の内側及び内周面にそってペースト溜まりＰｏ１が形成されている。つまり補修材容器に収容された補修材には、表面張力が存在するから、補修材から流れ出すことなく、図１４（ａ）に示すようなペースト溜まりＰｏ１を形成している。
【００７５】
ペースト溜まりＰｏ１が形成された容器の上部から付着針２１３を下降させると、その針先２１３ｔｏｐには、図１４（ｂ）に示すように補修材ｐａ１が付着する。このように、補修材が付着した針先２１３ｔｏｐを行バンク１２の上面に接触させ、付着針２１３から行バンク上面に補修材を落下させることで、行バンク１２の上面に堰を形成する。これにより、付着針２１３に付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布する。
【００７６】
ここで注意を要するのは、行バンク１２の上面には、微小なうねり（図１４（ｃ）のＷｖ１参照）が存在する点である。うねりの上に、補修材を付着させようとすると、うねりによる凸部の上部に、補修材の塊Ｐｏ１が乗せられる形態となり、行バンク１２ｒ１１〜ｒ１３と、補修材の塊との間に隙間（図１４（ｃ）のｇａｐ１）が生じる。補修材が図１４（ｃ）の形態で付着した場合、隙間から、インクが漏れ出す可能性があるので、混色を充分に防止することができない。
【００７７】
その一方、針先で行バンク１２ｒ１１を強く押下したとすると、ディスペンサ２１３の針先で行バンク１２ｒ１１の上面を傷つけてしまう恐れがある。行バンク１２ｒ１１と、補修材との間の隙間をなくし、かつ、行バンク上面の破損を回避すべく、ステップＳ２７では、（１）微小量の針の下降（図１４（ｄ）におけるΔｈ１、Δｈ２、Δｈ３、Δｈ４、Δｈ５参照）、（２）針先が行バンク１２ｒ１１の上面に到達したかどうかの目視による確認という、（１）−（２）の動作の繰り返しを行う。尚、（１）の操作においては、一回の付着針の下降幅を、２μｍ程度にすることが望ましい。
【００７８】
上述したように、ディスペンサ２１２には、撮像素子２１１が随伴しているので、（１）の下降時において、ディスペンサ２１２の針先と、行バンク１２ｒ１１の上面との位置関係（ディスペンサ２１２の針先が、行バンク１２ｒ１１の上面からどれだけ隔てられているか、ディスペンサ２１２の針先が、行バンク１２ｒ１１の上面に接したか）を、撮影画像を通じて目視で確認することができる。かかる目視により、針先の接触が確認されたのであれば、下降を停止する。尚、初期位置から行バンク１２ｒ１１の上面までの距離は、１０μｍであり、大体、５回程度の、（１）−（２）の動作の繰り返しにより、付着針の針先が行バンク１２ｒ１１の上面に接触する。かかる操作を経て、付着針２１３の針先が行バンク１２ｒ１１の上面に接触した場合、図１４（ｅ）に示すように、行バンク１２ｒ１１の上面は針先によって僅かな量だけ押下されることで平滑化される。尚、付着針の針先が、行バンク１２ｒ１１の上面に接触した際の押下量は２〜３μｍである。こうして停止した際、針先に付着した補修材は自重で落下し、行バンク１２ｒ１１の上面で塊をなす。付着針に付着していた補修材は、そのように、平滑化された行バンク１２ｒ１１の上面に落下するから、行バンク１２ｒ１１と、補修材の塊とに隙間を生じさせることなく、行バンク上面に、補修材が付着する。
【００７９】
ステップＳ２８は、ステップＳ２４〜Ｓ２９からなるループ処理を継続するかどうかの判定である。変数ｕが、最大数を下回る場合（ステップＳ２８でＹｅｓ）、ループの継続要件が成立するとして、ステップＳ２９で変数ｕをインクリメントした上、ステップＳ２６に戻る。変数ｕが、最大数以上になった場合（ステップＳ２８でＮｏ）、ループの継続要件が成立しないとして、ステップＳ３０に移行する。
【００８０】
ステップＳ３０では、矩形領域Ｐ（ｉ、ｊ）の下側を覆う行バンク１２の上面において、堰形成ラインの位置決めを行う。具体的にいうと、図１５（ａ）に示すように行バンク１２の左上の基準位置Ｙｓから、Ｏｗ／２だけ隔てた座標（Ｙｓ＋Ｏｗ／２）を、堰形成ラインのＹ座標とする。このＹｓ＋Ｏｗ／２の堰形成ラインを対象として、ステップＳ３１〜Ｓ３５の処理を繰り返す（ステップＳ３１〜Ｓ３５の処理内容は、ステップＳ２５〜Ｓ２９の処理内容と同じであり、説明を省略する）。
【００８１】
こうして、矩形領域Ｐ（ｉ、ｊ）の列方向上端を覆う行バンク、矩形領域Ｐ（ｉ、ｊ）の列方向下端を覆う行バンクを対象とした、補修材の付着が終了すると、今度は、矩形領域Ｐ（ｉ＋１，ｊ）の列方向上端を覆う行バンク、矩形領域Ｐ（ｉ＋１，ｊ）の列方向下端を覆う行バンクを対象とした、補修材の付着を実行する。
つまり、ステップＳ３６において、矩形領域Ｐ（ｉ＋１，ｊ）の列方向上端を覆う行バンクの上面を対象として堰形成ラインの位置決めを行う。具体的にいうと、ステップＳ３６では、ステップＳ２４と同様、堰形成ラインのＹ座標を、Ｙｓ＋Ｂａｎｋ＿Ｈ−Ｏｎ／２とする。
その後、ステップＳ３７〜Ｓ４１において当該堰形成ライン上に、補修材を付着してゆく（ステップＳ３７〜Ｓ４１の処理は、ステップＳ２５〜Ｓ２９の処理と同じであり、説明を省略する）。
【００８２】
同様に、ステップＳ４２において、矩形領域Ｐ（ｉ＋１，ｊ）の列方向下端を覆う行バンクの上面を対象として堰形成ラインの位置決めを行う。具体的にいうと、ステップＳ４２では、ステップＳ３０と同様、堰形成ラインのＹ座標を、Ｙｓ＋Ｏｗ／２とする。その後、ステップＳ４３〜Ｓ４７において当該堰形成ライン上に、補修材を付着してゆく。
行バンクの列方向の両端からＯｗ／２、Ｏｎ／２だけ隔てた位置に、堰形成ラインを設定しているので、（１）−（２）の繰り返しによる付着針の接触点は、行バンクのうち画素電極の列方向端部を覆っている部分の範囲内に限られる。行バンク１２のうち、画素電極２２の列方向端部を覆う被覆部分は、相応の剛性を有しているので、列バンク補修の過程で、無機膜の亀裂が生じることはない。欠陥部ｄｅｆに隣接する矩形領域Ｐ（ｉ、ｊ）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ）は、堰で囲まれるから、後段のインク塗布工程において、欠陥部ｄｅｆを通じたインク漏れが発生したとしても、インク混色が生じることはない。
【００８３】
その後、バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の成形体と堰の成形体とを加熱し、本焼成することによって、熱硬化性樹脂の重合反応を完了させる（ステップＳ１２）。
加熱方法としては、上記予備焼成のときと同様、熱風乾燥炉で、可撓性基板２１上に形成されたバンク１１ｃ１〜１１ｃ３の成形体に熱風を当てて加熱する方法の他、赤外線ランプで熱線を照射する方法や、ホットプレートで加熱する方法を用いることができる。本焼成にあたっては、可撓性基板２１の温度を上昇させ、目標温度Ｔ２で一定の時間維持した後、徐々に下降することが望ましい。目標温度Ｔ２は、熱硬化性樹脂の重合を完了させるため、高温（２００℃〜２２０℃）に設定し、加熱時間は例えば６０分程度とする。
【００８４】
図１６（ａ）は、本焼成後の状態を示す。かかる焼成後の状態においては、行バンク１２ｒ１１、１２ｒ２１が堰１２ｄ１、１２ｄ２、１２ｄ３、１２ｄ４によって補修されている。
続いて、有機発光層２５を構成する有機材料と、溶媒とを混合したインクをバンク１１ｃ１、１１ｃ２同士の間の矩形領域Ｒ（１，１）、Ｒ（１、２）にインクジェットを用いて塗布することで、有機発光層の成膜を行い、塗布されたインク２５ｍに含まれる溶媒を蒸発・乾燥させる（ステップＳ１３）。図１６（ｂ）は、矩形領域にインク２５ｍが塗布された状態を示す。図１６（ｃ）は、塗布したインクを乾燥することで、各矩形領域Ｒ（１，１）、Ｒ（１、２）の内部に有機発光層２５ｒ１１、２５ｒ１２の成膜がなされた状態を示す。
【００８５】
次に、有機発光層２５およびバンク１１ｃ１、１１ｃ２の上で、真空蒸着法による成膜を行い、電子輸送層２６を形成する（ステップＳ１４）。
そして、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極２７を形成する（ステップＳ１５）。
共通電極２７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法あるいはＣＶＤ法等で成膜して、封止層２８を形成する（ステップＳ１６）。以上の工程を経て有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。
【００８６】
［まとめ］
以上のように本実施形態によれば、行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２のうち、画素電極２２ｒ１１、２２ｒ１２と重複する部分に堰形成ラインを定め、この堰形成ラインに補修材を付着するよう、補修装置２００がディスペンサ２１２の位置決めを行うから、付着針２１３の降下作業において、たとえ行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２の上面を強く押下することがあっても、画素電極２２ｒ１１、２２ｒ１２上で行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２がへこむだけで、その下方の無機膜１６やポリイミド膜１５が撓むことはなく、かかる押下により無機膜に亀裂が生じることはない。バンクリペアの工程において、無機膜の破損を危惧する必要はなくなるから、有機ＥＬ表示パネルの製造効率を高めることができる。
【００８７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、行バンク１２のうち、画素電極２２を覆う部分に、付着針２１３を接近させ、補修材を行バンク１２の上面に付着させていた。これに対し実施の形態２では、行バンク１２のうち、画素電極２２を覆っていない部分の下方に、金属箔パターンを挿入することで、付着針接触時の応力発生を緩和する改良に関する。
【００８８】
図１７（ａ）は、実施の形態２に係る行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ13、１２ｒ２１〜１２ｒ２３、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３の平面配置を示す図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の平面構成のうち、一点鎖線Ｃ−Ｃ´の位置で切断した場合の断面構成を示す図である。行バンク１２ｒ１１のうち、画素電極２２ｒ１１の列方向端部と重複していない非重複部分（図１７（ｂ）のｎｓ１）の真下には、平坦化層１８と、ＴＦＴ層１７との境界ｂｄ１に沿って金属箔パターン３１ｒ１１が形成されている。他の行バンク（行バンク１２ｒ１２、１２ｒ１３）にも、画素電極２２ｒ１２、２２ｒ１３の列方向端部と重複していない非重複部分（図１７（ｂ）のｎｓ２、ｎｓ３）の真下に同様の金属箔パターン（金属箔パターン３１ｒ１２、３１ｒ１３）が形成されている。
金属箔パターン３１ｒ１１、３１ｒ１２、３１ｒ１３は、厚みが２００ｎｍ程度のアルミニュウム膜である。画素電極２２の合間に、かかる金属箔パターン３１ｒ１１、３１ｒ１２、３１ｒ１３が挿入されたことで、有機ＥＬ表示パネルのうち、画素電極の合間の部分は、相応の曲げ剛性を有する。そのため、画素電極の合間の部分が、ディスペンサ２１２の針先で押下されたとしても、無機膜１６のうち、接触箇所の真下となる部分に、応力が集中することはない。そのため、バンクリピアの過程で、ディスペンサ２１２の針先が、行バンク１２ｒ１１〜１１ｒ３１のうち、画素電極２２の列方向端部と重複していない箇所に接触したとしても、無機膜１６に亀裂が生じることはない。
上記のように、平坦化層１８の下面に金属箔が形成された有機ＥＬ表示パネルの製造工程について説明する。かかる工程は、実施の形態１で説明した製造工程のうち、層間絶縁層の形成工程でなされる。
【００８９】
図１８（ａ）は、可撓性基板２１のうち、ポリイミド膜１５から薄膜トランジスタ層１７までが形成された段階を示す。かかる段階において、画素電極間の領域に、金属箔３１ｒ１１、３１ｒ１２、３１ｒ１３を形成する。その後、図１８（ｂ）に示すように平坦化層１８を形成し、金属箔３１ｒ１１、３１ｒ１２、３１ｒ１３が存在することによる段差を平坦化する。
【００９０】
続いて、図１８（ｃ）に示すように画素電極２２ｒ１０〜２２ｒ１３を形成する。この形成にあたっては、金属箔３１ｒ１１〜３１ｒ１３が、画素電極の合間になるようにする。続いて、図１８（ｄ）に示すようにホール注入層２３の形成と、行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ１３の形成とを行う。以降、列バンク１１ｃ１〜１１ｃ３における欠陥位置の検出を行い、欠陥が発見されると、図１８（ｅ）に示すように欠陥に隣接する矩形領域の列方向端部を覆う行バンク１２（行バンク１２ｒ１１、１２ｒ１２）を堰形成の対象とする。行バンク１２のうち、画素電極端部と重複していない非重複部分は、Ｚ軸方向の下方に金属箔３１ｒ１１、３１ｒ１２が存在していて、これらにより剛性が高められているから、行バンク１２の上面のうち画素電極２２と重複していない部分が、ディスペンサ２１３により強い応力を受けたとしても、その接触箇所で、可撓性基板２１が撓むことはない。
【００９１】
［まとめ］
以上のように本実施形態によれば、平坦化層１８の下面であって、電極間領域の裏側にあたる位置に、金属箔パターンを予め形成するので、行バンクの剛性が高めることができる。これにより、バンクリペア工程で、ディスペンサ２１２の針先が行バンク１２の上面に接触したとしても、行バンク１２の上面が大きく撓むことはなく、無機膜の破損を招かない。有機発光層２５への水分進入を防止することができるので、有機発光層２５の表示品位を維持することができる。
【００９２】
［実施の形態３］
実施の形態２では、剛性補強のための金属箔パターンを、平坦化層１８の下面であって、画素電極２２の合間にあたる部分に設けていた。これに対し実施の形態３では、剛性補強のための金属箔パターンを、行バンクの上面であって、２つの画素電極２２の合間にあたる部分に設ける。
【００９３】
図１９（ａ）は、実施の形態３に係る行バンク、列バンクの平面配置を示す図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の平面構成のうち、一点鎖線Ｃ−Ｃ´の位置で切断した場合の断面構成を示す図である。行バンク１２ｒ１１の上面のうち、画素電極２２ｒ１１の列方向端部と重複していない非重複部分（図１９（ｂ）のｎｓ１）には、金属箔パターン３２ｒ１１が形成されている。他の行バンク（行バンク１２ｒ１２、１２ｒ１３）の上面にも、画素電極２２ｒ１０、２２ｒ１１、２２ｒ１２、２２ｒ１３の列方向端部と重複していない非重複部分（図１９（ｂ）のｎｓ２、ｎｓ３）に同様の金属箔パターン（金属箔パターン３２ｒ１２、３２ｒ１３）が形成されている。
金属箔パターン３２ｒ１１、３２ｒ１２、３２ｒ１３は、厚みが２００ｎｍ程度のアルミニュウム膜である。画素電極の合間に、かかる金属箔パターンが挿入されたことで、有機ＥＬ表示パネルのうち、画素電極の合間の部分は、相応の曲げ剛性を有する。そのため、画素電極の合間の部分が、ディスペンサ２１２の針先で押下されたとしても、無機膜のうち、接触箇所の真下となる部分に、応力が集中することはない。そのため、バンクリピアの過程で、ディスペンサ２１２の針先が、行バンクのうち、画素電極２２の列方向端部と重複していない箇所に接触したとしても、無機膜に亀裂が生じることはない。
上記のように、行バンクの上面に金属箔が形成された有機ＥＬ表示パネルの製造工程について説明する。かかる工程は、実施の形態１で説明した製造工程のうち、行バンク１１の形成が完了した段階でなされる。
【００９４】
図２０（ａ）は、行バンクの形成が完了した段階を示す。この段階において、図２０（ｂ）に示すように、行バンク１２ｒ１１〜１２ｒ１３の上面に、金属箔パターン３２ｒ１１〜３２ｒ１３を形成する。このように、行バンクの上面に、金属箔パターン３２ｒ１１〜３２ｒ１３を形成した後、ディスペンサ２１２を、金属箔で覆われた補修対象行バンクの上面に移動させ、付着針を補修対象行バンクの上面に接触させる。こうすることで、補修材を、補修対象行バンクに乗せる。補修対象行バンクの上面は、金属箔によって剛性が高められているから、ディスペンサ２１２の接触により応力を受けたとしても、この接触箇所において、可撓性基板２１が撓むことはない。補修材の付着時に、可撓性基板２１の撓みを生じさせないから、ポリイミド膜１６を通じて水分が有機ＥＬ表示パネルの内部に進入することはない。これにより、有機発光層２５の表示品位を維持することができる。
【００９５】
［まとめ］
以上のように本実施形態によれば、行バンクの上面に、金属箔パターンを形成するから、ディスペンサ２１２における付着針２１３の針先が、行バンクに接触したとしても、かかる接触が、無機膜１６の損傷を招くことはない。
[その他の変形例]
以上、実施の形態に係る有機EL表示パネル１０について説明したが、有機ＥＬ表示パネル１０を以下のように変形することも可能であり、本開示が上述の実施の形態で示した通りの有機ＥＬ表示パネル１０の構成に限られないことは勿論である。
【００９６】
（１）実施の形態１〜３では、欠陥部の両側に存在する矩形領域Ｐ（ｉ，ｊ）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ）の列方向の上側端部、及び、下側端部を覆う行バンクを堰形成の対象とした。これに限らず、欠陥部の両側に存在する矩形領域と同じ列位置に存在する、矩形領域（Ｐ（ｉ，ｊ−1）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ−１）、Ｐ（ｉ，ｊ＋1）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ＋１）など）の列方向の上側端部、又は、下側端部を覆う行バンクを堰形成の対象にしてもよい。列バンク１１に異物が入り込んでいて、欠陥部による混色が広い範囲の矩形領域に及ぶ場合、列方向に並ぶ2以上の矩形領域に、欠陥部による混色の影響が及ぶ場合がある。このような場合であっても、矩形領域Ｐ（ｉ，ｊ−1）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ−１）、Ｐ（ｉ，ｊ＋1）、Ｐ（ｉ＋１、ｊ＋１）の列方向の上側端部、又は、下側端部を覆う行バンクを堰形成の対象とすることで、欠陥部による混色を効果的に防止することができる。
【００９７】
また、実施の形態２の金属箔パターン３１ｒ１１〜３１ｒ１３は、ＴＦＴ層１７の上面ではなく、平坦化層１８の内部に形成されてもよい。
（２）実施の形態１〜３では、有機発光層で発生した光を共通電極２８側から取り出す場合（トップエミッション）を例として説明したが、有機発光層で発生した光を画素電極２２側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。その場合、画素電極２２は、ＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成され、共通電極２７は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成すべきである。
（３）共通電極は反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。また、ボトムエミッションの場合には、カラーフィルタ基板を、例えば基板におけるＴＦＴ層１７と、平坦化層１８との間に設けることが可能である。
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではない。また、上記実施の形態では、ＴＦＴ層１７が設けられた可撓性基板２１に近い側にアノード極である画素電極、遠い側にカソード極である共通電極を設けていた。これに限らず、ＴＦＴ層が設けられた可撓性基板２１に近い側にカソード極、遠い側にアノード極が設けられている場合も、同様に実施できる
（４）有機ＥＬ表示パネルの製造機器にあたっては、代表的な解像度を提示し、これら解像度の選択をユーザから受け付け、受け付けた解像度と、画面インチ数とから、列方向における画素電極のクリアランスを算出してもよい。またバンクリペアにあたっては、補修装置２００が、列方向における画素電極と、行バンクとの重複部分の長さＯｗ、Ｏｎを算出して、行バンクの列方向端部からＯｗ、Ｏｎだけ隔てた位置に、付着針を接近させてもよい。代表的な解像度としては、1920×1080(２Ｋ画質）、3840×2160(４Ｋ画質)、7680×4320(８Ｋ画質)、 640×480 (SD画質)、1280×720、960×540、720×576、720×480がある。
（５）上記実施の形態では、バンク成形体をフォトリソグラフィー法で形成したが、バンク成形体の形成方法はフォトリソグラフィー法に限らない。例えば、熱硬化性樹脂を含むバンク材をインプリント法で基板上にバンク形状に塗布することによってバンク成形体を形成することもできる。
【００９８】
その場合も、上記実施の形態と同様に、バンク成形体の予備焼成、欠陥部の検出、補修材の塗布を行うことによって、同様に補修されたバンクを形成し、同様の効果を得ることができる。
（６）重複領域の列方向の長さＯｎ、Ｏｗを算出して、行バンクの列方向端部からＯｎ／２、Ｏｗ／２の位置に、付着針の針先の位置合わせを行うこととしたが、列方向の長さＯｎ、Ｏｗの算出は必須ではない。列方向における行バンクの中心位置から画素電極寄りの位置に、付着針の針先を移動させるだけでもよい。
【００９９】
（７）上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではない。また、上記実施の形態では、ＴＦＴ層が設けられた基板に近い側にアノード極である画素電極、遠い側にカソード極である共通電極を設けていた。これに限らず、ＴＦＴ層が設けられた基板に近い側にカソード極、遠い側にアノード極が設けられている場合も、同様に実施できる。
【０１００】
（８）以上で説明した実施の形態は、いずれも本開示の実施形態の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本開示の実施形態を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本開示の実施形態の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本開示の実施形態は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本開示の実施形態の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。さらに、有機ＥＬ表示パネルにおいては基板上に回路部品、リード線等の部材も存在するが、電気的配線、電気回路について当該技術分野における通常の知識に基づいて様々な態様を実施可能であり、本開示の実施形態の説明として直接的には無関係のため、説明を省略している。尚、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明にかかる有機EL表示パネル及びその製造方法は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置を製造するのに利用可能である。
【符号の説明】
【０１０２】
１    有機ＥＬ表示装置
１０    有機ＥＬ表示パネル
１１ｃ１〜１１ｃ３    列バンク
１２ｒ１１〜１２ｒ１３    行バンク
１５    ポリイミド膜
１６    無機膜
１７    ＴＦＴ層
１８    平坦化層
２１    可撓性基板
２２ｒ１１〜１２ｒ１３    画素電極
２３    ホール注入層
２５    有機発光層
２６    電子輸送層
２７    共通電極
２８    封止層
３１ｒ１１〜３１ｒ１３  金属箔パターン
３２ｒ１１〜３２ｒ１３  金属箔パターン
１００    有機ＥＬ表示パネル
１０１    駆動制御部
１０２、１０３    走査線駆動回路
１０４、１０５    信号線駆動回路
１０６    制御回路
２００    補修装置
２０１    ベース
２０２    テーブル
２０３    ヘッド部
２０４    コントローラ
２０５    表示部
２０６    操作部
２１１    撮像素子
２１２    ディスペンサ
２１３    付着針
２１３ｔｏｐ  針先
２１４    補修材容器
２１４ｈ  挿通孔
２２１    記憶部
２２２    欠陥認識部
２２３    欠陥位置記憶部
２２４    テーブルヘッド位置決め部
２２５    上昇／下降制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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