(57)【要約】【課題】メンテナンス性を向上させるデータ記憶装置およびデータ記憶方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係るデータ記憶装置は、第１モジュールと、不揮発性メモリと、第２モジュールとを備える。第１モジュールは、１つ以上設けられ、バックアップデータを生成する。不揮発性メモリは、バックアップデータを記憶する。第２モジュールは、第１モジュールからの通知に応じて値が変更される記憶領域を有し、記憶領域の値に基づいて不揮発性メモリにバックアップデータの書き込みを行う。第２モジュールは、第１モジュールから第１通知を取得する度に、記憶領域の値を第１態様で変更し、バックアップデータが生成されて第１モジュールから第２通知を取得する度に、記憶領域の値を第２態様で変更し、第２態様による変更で、記憶領域の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、不揮発性メモリにバックアップデータの書き込みを行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックアップデータを生成する１つ以上の第１モジュールと、
前記バックアップデータを記憶する不揮発性メモリと、
前記第１モジュールからの通知に応じて値が変更される記憶領域を有し、前記記憶領域の値に基づいて前記不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う第２モジュールと、
を備え、
前記第２モジュールは、
前記第１モジュールから第１通知を取得する度に、前記記憶領域の値を第１態様で変更し、
前記バックアップデータが生成されて前記第１モジュールから第２通知を取得する度に、前記記憶領域の値を第２態様で変更し、
前記第２態様による変更で、前記記憶領域の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、前記不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う
ことを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２】
前記第２モジュールは、
前記第１通知を取得する度に、前記記憶領域の値を初期値から所定値に変更し、
前記第２通知を取得する度に、前記記憶領域の値を前記所定値から前記初期値に変更し、
前記記憶領域の値が全て前記初期値となった場合に、前記不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記第２モジュールは、
前記第１通知を取得する度に、第１記憶領域の値を初期値から所定値に変更し、
前記第２通知を取得する度に、前記第１記憶領域とは異なる第２記憶領域の値を前記初期値から前記所定値に変更し、
前記第１記憶領域の値と前記第２記憶領域の値とが全て一致する場合に、前記不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記第２モジュールは、
電源がＯＮにされて、前記第１通知を取得する度に、前記記憶領域の値を前記第１態様で変更し、
前記電源をＯＦＦにする信号を取得した後に、前記第２通知を取得する度に、前記記憶領域の値を前記第２態様で変更する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
バックアップデータを生成する１つ以上の第１モジュールから第１通知を取得する度に、第２モジュールの記憶領域の値を第１態様で変更する第１変更工程と、
前記第１モジュールから第２通知を取得する度に、前記記憶領域の値を第２態様で変更する第２変更工程と、
前記第２態様による変更で、前記記憶領域の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う書き込み工程と
を含むことを特徴とするデータ記憶方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、データ記憶装置およびデータ記憶方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、バックアップデータを所定の条件が成立すると、フラッシュメモリに記憶させるデータ記憶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２０８８０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記データ記憶装置では、バックアップデータを生成するモジュールの数が増減した場合に、フラッシュメモリにバックアップデータを記憶させるプログラムを変更しなければならず、メンテナンス性で改善の余地がある。
【０００５】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、メンテナンス性を向上させるデータ記憶装置およびデータ記憶方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の一態様に係るデータ記憶装置は、第１モジュールと、不揮発性メモリと、第２モジュールとを備える。第１モジュールは、１つ以上設けられ、バックアップデータを生成する。不揮発性メモリは、バックアップデータを記憶する。第２モジュールは、第１モジュールからの通知に応じて値が変更される記憶領域を有し、記憶領域の値に基づいて不揮発性メモリにバックアップデータの書き込みを行う。第２モジュールは、第１モジュールから第１通知を取得する度に、記憶領域の値を第１態様で変更し、バックアップデータが生成されて第１モジュールから第２通知を取得する度に、記憶領域の値を第２態様で変更し、第２態様による変更で、記憶領域の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、不揮発性メモリにバックアップデータの書き込みを行う。
【発明の効果】
【０００７】
実施形態の一態様によれば、メンテナンス性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係るデータ記憶方法の概要を説明する図である。
【図２】図２は、電子制御ユニットの概略を説明するブロック図である。
【図３】図３は、記憶領域のビットの値の変化を示す図である。
【図４】図４は、バックアップデータの記憶制御を説明するフローチャートである。
【図５】図５は、変形例に係る電子制御ユニットにおける記憶領域のビットの値の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して、本願の開示するデータ記憶装置およびデータ記憶方法を説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
まず、実施形態に係るデータ記憶装置によって実行されるデータ記憶方法の概要について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係るデータ記憶方法の概要を説明する図である。
【００１１】
データ記憶装置である電子制御ユニット１（ＥＣＵ：Electronic  Control  Unit）は、車両Ｃに搭載され、車両Ｃのエンジン（不図示）を制御する。電子制御ユニット１は、スタートスイッチ（不図示）がＯＦＦにされた場合に、第１モジュールＢ（図２参照）によって生成されたバックアップデータを不揮発性メモリ２（図２参照）に記憶する。なお、電子制御ユニット１は、車両Ｃに限られず、バックアップデータを不揮発性メモリ２に記憶させるシステムに搭載することができる。
【００１２】
電子制御ユニット１は、車両ＣのスタートスイッチがＯＮにされて電源がＯＮになり、第１モジュールＢから第２モジュールＭ（図２参照）へ第１通知が通知される度に、第２モジュールＭの記憶領域１０のビットの値を第１態様で変更する（Ｓ１）。第１通知は、第１モジュールＢが不揮発性メモリ２からバックアップデータを読み出したことを示す通知である。第１態様は、記憶領域１０のビットの値を初期値である「０」から所定値である「１」に変更する態様である。
【００１３】
電子制御ユニット１は、その後、車両ＣのスタートスイッチがＯＦＦにされて電源をＯＦＦにするための電源信号を取得すると、第１モジュールＢから第２モジュールＭへ第２通知が通知される度に、記憶領域１０のビットの値を第２態様で変更する（Ｓ２）。第２通知は、第１モジュールＢがバックアップデータを生成したことを示す通知である。第２態様は、ビットの値を「１」から「０」に変更する態様である。
【００１４】
なお、電子制御ユニット１は、スタートスイッチがＯＦＦにされて電源をＯＦＦにする電源信号を取得した場合には、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込んだ後に電源をＯＦＦにする。
【００１５】
電子制御ユニット１は、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になり、記憶領域１０の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、バックアップデータを不揮発性メモリ２へ書き込む（Ｓ３）。
【００１６】
電子制御ユニット１は、第１モジュールＢの数に関わらず、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得した後に、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になった場合に、バックアップデータを不揮発性メモリ２へ書き込む。そのため、電子制御ユニット１は、第１モジュールＢが増減された場合でも、バックアップデータを不揮発性メモリ２に記憶させるプログラムを変更せずに、バックアップデータを不揮発性メモリ２へ書き込むことができる。従って、電子制御ユニット１は、メンテナンス性を向上させることができる。
【００１７】
次に、実施形態に係る電子制御ユニット１について図２を参照し説明する。図２は、電子制御ユニット１の概略を説明するブロック図である。
【００１８】
電子制御ユニット１は、不揮発性メモリ２と、制御部３とを備える。
【００１９】
不揮発性メモリ２は、フラッシュメモリなどである。不揮発性メモリ２は、第１モジュールＢのバックアップデータや、各種プログラムの情報等を記憶する。
【００２０】
制御部３は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。なお、制御部３は、一部または全部がＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）やＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）等のハードウェアで構成されてもよい。
【００２１】
制御部３は、ＲＯＭに記憶されたプログラム（図示略）をＲＡＭを作業領域として使用して実行することにより機能する第１モジュールＢおよび第２モジュールＭを備える。
【００２２】
第１モジュールＢは、１つ以上設けられる。第１モジュールＢは、例えば、排気量を算出するモジュール、燃費を算出するモジュール、排気浄化装置（不図示）の負圧を算出するモジュールである。また、第１モジュールＢは、各算出において使用する学習値などを算出する。
【００２３】
第１モジュールＢは、スタートスイッチがＯＦＦにされ、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得した場合に、学習値などのバックアップデータを生成する。第１モジュールＢは、スタートスイッチがＯＮにされ、電源がＯＮにされると、不揮発性メモリ２からバックアップデータを読み出す。
【００２４】
第２モジュールＭは、第１モジュールＢで生成されたバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むモジュールである。第２モジュールＭは、記憶領域１０と、取得部１１と、判定部１２と、指示部１３と、を備える。
【００２５】
記憶領域１０は、ＲＡＭに、複数のビットが割り当てられた領域である。記憶領域１０のビット数は、第１モジュールＢの増加を考慮して割り当てられる。ビットの値は、初期値として「０」に設定されており、第１モジュールＢから第１通知が取得される度に、「０」から「１」に変更される。また、ビットの値は、第１モジュールＢから第２通知が取得される度に、「１」から「０」に変更される。
【００２６】
取得部１１は、第１モジュールＢから第１通知および第２通知を取得する。取得部１１は、スタートスイッチがＯＦＦにされた場合に、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得する。
【００２７】
判定部１２は、電源信号に基づいてスタートスイッチがＯＦＦにされたか否かを判定する。具体的には、判定部１２は、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得されたか否かを判定する。
【００２８】
また、判定部１２は、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得された場合に、記憶領域１０の値が所定のバックアップデータ生成値となっているか否かを判定する。具体的には、判定部１２は、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になっているか否かを判定する。
【００２９】
指示部１３は、電源がＯＮになり、第１モジュールＢから第１通知が取得された場合には、第１通知が取得される度に、記憶領域１０のビットの値を「０」から「１」に変更する。すなわち、第１通知が取得される度に、記憶領域１０では、「１」となるビットの数が増加する。
【００３０】
指示部１３は、第１モジュールＢから第２通知が取得された場合には、第２通知が取得される度に、記憶領域１０のビットの値を「１」から「０」に変更する。すなわち、第２通知が取得される度に、記憶領域１０では、「０」となるビットの数が増加する。
【００３１】
指示部１３は、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得され、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になっている場合に、第１モジュールＢのバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込む。
【００３２】
ここで、記憶領域１０のビットの値について、図３を参照し説明する。図３は、記憶領域１０のビットの値の変化を示す図である。図３では、実線の矢印が第１モジュールＢの通知（第１通知および第２通知）を示している。また、ここでは、８つの第１モジュールＢから第１通知および第２通知が取得される場合を一例として説明する。また、８つの第１モジュールＢには、符号「Ｂ１」〜「Ｂ８」を付し、第１モジュールＢ１〜Ｂ８と区別して説明する。
【００３３】
電源がＯＦＦになっている場合には、図３（ａ）に示すように、記憶領域１０のビットの値は、初期値になっており、全て「０」になっている。
【００３４】
そして、電源がＯＮにされ、図３（ｂ）に示すように、第１モジュールＢ１から第２モジュールＭに第１通知が通知され、第２モジュールＭが第１通知を取得した場合には、記憶領域１０の１つのビットの値が「０」から「１」に変更される。
【００３５】
そして、図３（ｃ）に示すように、第２モジュールＭが他の第１モジュールＢ２〜Ｂ８の全てから第１通知を取得した場合には、記憶領域１０の７つのビットの値が「０」から「１」に変更される。これにより、記憶領域１０では、８つのビットの値が「１」になる。
【００３６】
その後、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得され、図３（ｄ）に示すように、第１モジュールＢ１から第２モジュールＭに第２通知が通知され、第２モジュールＭが第２通知を取得した場合には、記憶領域１０の１つのビットの値が「１」から「０」に変更される。
【００３７】
そして、図３（ｅ）に示すように、第２モジュールＭが他の第１モジュールＢ２〜Ｂ８の全てから第２通知を取得した場合には、記憶領域１０の７つのビットの値が「１」から「０」に変更される。これにより、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になる。
【００３８】
このように、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得され、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になった場合に、第１モジュールＢのバックアップデータが不揮発性メモリ２に書き込まれ、バックアップデータのバックアップが完了する。
【００３９】
なお、図３では、図３の左から順にビットの値が変更される例を一例として説明したが、これに限られることはなく、図３の右から順にビットの値が変更されてもよい。
【００４０】
また、記憶領域１０では、第１モジュールＢ１〜Ｂ８の通知に対して値が変更されるビットは、決められておらず、第１モジュールＢ１〜Ｂ８から通知が取得される度に、ビットの値は順次変更される。例えば、電源がＯＮにされて、最初に第１モジュールＢ３から第１通知が取得された場合には、図３の左端に示すビットの値が「０」から「１」に変更される。また、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得されて、最初に第１モジュールＢ５から第２通知が取得された場合には、図３の左端に示すビットの値が「１」から「０」に変更される。
【００４１】
そのため、電子制御ユニット１は、第１モジュールＢに対応する記憶領域１０のビットの位置を決めずに、簡易なプログラムによってバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むことができる。
【００４２】
第１モジュールＢが増減された場合であっても、第２モジュールＭは、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得し、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になった場合に、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込む。すなわち、第２モジュールＭは、第１モジュールＢの数に関わらず、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得し、記憶領域１０のビットの値が全て「０」になった場合に、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込む。
【００４３】
そのため、電子制御ユニット１は、第１モジュールＢが増減された場合でも、バックアップデータの不揮発性メモリ２に書き込むためのプログラムを変更せずに、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むことができる。
【００４４】
次に、実施形態に係るバックアップデータの記憶制御について図４を参照し説明する。図４は、バックアップデータの記憶制御を説明するフローチャートである。なお、ここでは、電源がＯＮにされて、記憶領域１０のビットの値が「１」になっているものとする。
【００４５】
第２モジュールＭは、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得したか否かを判定する（Ｓ１０）。第２モジュールＭは、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得していない場合には（Ｓ１０：Ｎｏ）、今回の処理を終了する。
【００４６】
第２モジュールＭは、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得した場合には（Ｓ１０：Ｙｅｓ）、第１モジュールＢから第２通知を取得したか否かを判定する（Ｓ１１）。第２モジュールＭは、第２通知を取得していない場合には（Ｓ１１：Ｎｏ）、第２通知を取得するまで第２通知を取得したか否かの判定を継続する（Ｓ１１）。
【００４７】
第２モジュールＭは、第２通知を取得した場合には（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、記憶領域１０のビットの値を「１」から「０」に変更する（Ｓ１２）。第２モジュールＭは、第２通知を取得する度に、記憶領域１０のビットの値を「１」から「０」に変更する。
【００４８】
第２モジュールＭは、記憶領域１０のビットの値が全て「０」であるか否かを判定する（Ｓ１３）。第２モジュールＭは、記憶領域１０のビットの値が、全て「０」とはなっていない場合には（Ｓ１３：Ｎｏ）、第２通知を取得したか否かの判定を継続する（Ｓ１１）。
【００４９】
第２モジュールＭは、記憶領域１０のビットの値が全て「０」である場合には（Ｓ１３：Ｙｅｓ）、バックアップデータを記憶領域１０に書き込む（Ｓ１４）。
【００５０】
第２モジュールＭは、電源がＯＮにされ、第１モジュールＢから第１通知を取得する度に、記憶領域１０のビットの値を「０」から「１」に変更する。第２モジュールＭは、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得し、第１モジュールＢから第２通知を取得する度に、記憶領域１０のビットの値を「１」から「０」に変更する。そして、第２モジュールＭは、記憶領域１０の値が全て「０」になった場合に、第１モジュールＢのバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込む。
【００５１】
これにより、電子制御ユニット１は、第１モジュールＢが増減した場合であっても、バックアップデータの不揮発性メモリ２に書き込むためのプログラムを変更せずに、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むことができる。そのため、電子制御ユニット１は、メンテナンス性を向上させることができる。
【００５２】
また、電子制御ユニット１は、少ない記憶領域１０を用いてバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むか否かを判定することができる。
【００５３】
また、電子制御ユニット１は、簡易なプログラムを用いて、電源がＯＦＦになる場合にバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むことができる。
【００５４】
なお、上記実施形態では、記憶領域１０のビットの初期値を「０」とし、所定値を「１」としたが、初期値を「１」とし、所定値を「０」としてもよい。この場合、第２モジュールＭは、第１通知を取得すると記憶領域１０のビットの値を「１」から「０」に変更し、第２通知を取得すると記憶領域１０のビットの値を「０」から「１」に変更する。
【００５５】
変形例に係る電子制御ユニット１は、第２モジュールＭに記憶領域１０を複数備える。例えば、第２モジュールＭは、第１記憶領域１０ａと第２記憶領域１０ｂとを備える。
【００５６】
この場合、第２モジュールＭは、第１通知を取得する度に、第１記憶領域１０ａのビットの値を「０」から「１」に変更する。また、第２モジュールＭは、第２通知を取得する度に、第２記憶領域１０ｂのビットの値を「０」から「１」に変更する。第２モジュールＭは、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得し、第１記憶領域１０ａのビットの値と、第２記憶領域１０ｂのビットの値が全て一致する場合に、第１モジュールＢのバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込む。
【００５７】
ここで、変形例に係る電子制御ユニット１における記憶領域１０のビットの値について、図５を参照し説明する。図５は、変形例に係る電子制御ユニット１におけるビットの値の変化を示す図である。図５では、実線の矢印が第１モジュールＢの通知（第１通知および第２通知）を示している。また、ここでは、図３と同様に、８つの第１モジュールＢから第１通知および第２通知が取得される場合を一例として説明する。
【００５８】
電源がＯＦＦになっている場合には、図５（ａ）に示すように、第１記憶領域１０ａのビットの値、および第２記憶領域１０ｂのビットの値は、全て「０」になっている。
【００５９】
そして、電源がＯＮにされ、図５（ｂ）に示すように、第１モジュールＢ１から第２モジュールＭに第１通知が通知され、第２モジュールＭが第１通知を取得した場合には、第１記憶領域１０ａの１つのビットの値が「０」から「１」に変更される。
【００６０】
そして、図５（ｃ）に示すように、第２モジュールＭが他の第１モジュールＢ２〜Ｂ８の全てから第１通知を取得した場合には、第１記憶領域１０ａの７つのビットの値が「０」から「１」に変更される。
【００６１】
その後、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得され、図５（ｄ）に示すように、第１モジュールＢ１から第２モジュールＭに第２通知が通知され、第２モジュールＭが第２通知を取得した場合には、第２記憶領域１０ｂの１つのビットの値が「０」から「１」に変更される。
【００６２】
そして、図５（ｅ）に示すように、第２モジュールＭが他の第１モジュールＢ２〜Ｂ８の全てから第２通知を取得した場合には、第２記憶領域１０ｂの７つのビットの値が「０」から「１」に変更される。
【００６３】
このように、電源をＯＦＦにするための電源信号が取得され、第１記憶領域１０ａのビットの値と、第２記憶領域１０ｂのビットの値とが全て一致する場合に、バックアップデータが不揮発性メモリ２に書き込まれ、バックアップデータのバックアップが完了する。
【００６４】
変形例に係る電子制御ユニット１は、第１モジュールＢが増減された場合でも、バックアップデータの不揮発性メモリ２に書き込むためのプログラムを変更せずに、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むことができる。
【００６５】
変形例に係る電子制御ユニット１は、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得する前、すなわちスタートスイッチがＯＮの場合に、第１モジュールＢによって生成されたバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込んでもよい。変形例に係る電子制御ユニット１は、電源がＯＮである場合であっても、記憶領域１０のビットの値が、全て「０」になるとバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込む。これにより、変形例に係る電子制御ユニット１は、電源がＯＮの場合であっても、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込むことができる。なお、変形例に係る電子制御ユニット１では、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込んだ後に、再び、第１モジュールＢから第２モジュールＭに第１通知が行われる。
【００６６】
変形例に係る電子制御ユニット１は、電源をＯＦＦにするための電源信号を取得した後に、記憶領域１０の値が所定のバックアップデータ生成値にならない場合には、予め設定された所定時間が経過した後に、バックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込んでもよい。すなわち、変形例に係る電子制御ユニット１は、所定時間が経過しても或る第１モジュールＢによってバックアップデータが生成されない場合には、他の第１モジュールＢで生成されたバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込んで、電源をＯＦＦにする。これにより、変形例に係る電子制御ユニット１は、バックアップデータを生成できない第１モジュールＢがある場合に、他の第１モジュールＢによって生成されたバックアップデータを不揮発性メモリ２に書き込みつつ、電源をＯＦＦにすることができる。
【００６７】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。従って、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１      電子制御ユニット（データ記憶装置）
２      不揮発性メモリ
３      制御部
１０    記憶領域
１０ａ  第１記憶領域
１０ｂ  第２記憶領域
Ｂ      第１モジュール
Ｍ      第２モジュール
【図１】
2019135581.tif 000003
【図２】
2019135581.tif 000004
【図３】
2019135581.tif 000005
【図４】
2019135581.tif 000006
【図５】
2019135581.tif 000007