(57)【要約】【課題】生産性を向上させることが可能な高反射率のパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第１導電部材と、第２導電部材と、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間に位置する基体と、前記第１導電部材と前記第２導電部材と前記基体とを連続して被覆する金属膜と、を含み、前記金属膜は、前記第１導電部材上の第１金属膜と、前記第２導電部材上の第２金属膜と、前記基体上の第３金属膜と、を含む、パッケージ部材を準備する工程と、前記第３金属膜の少なくとも一部にレーザ光を照射して前記第３金属膜の少なくとも一部を除去し、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを互いに電気的に分離する、レーザ照射工程と、を備えたパッケージの製造方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電部材と、第２導電部材と、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間に位置する基体と、前記第１導電部材と前記第２導電部材と前記基体とを連続して被覆する金属膜と、を含み、前記金属膜は、前記第１導電部材上の第１金属膜と、前記第２導電部材上の第２金属膜と、前記基体上の第３金属膜と、を含む、パッケージ部材を準備する工程と、
前記第３金属膜の少なくとも一部にレーザ光を照射して前記第３金属膜の少なくとも一部を除去し、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを互いに電気的に分離する、レーザ照射工程と、
を備えたパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記レーザ照射工程は、前記第３金属膜の全てを除去する工程を含む、請求項１記載のパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記基体は壁部及び底部を備えた凹部を有し、前記金属膜は、壁部の上面に配置される第４金属膜と、壁部の側面上に配置される第５金属膜を含み、
前記レーザ照射工程は、前記第４金属膜及び第５金属膜の一部にレーザ光を照射して前記第４金属膜及び５金属膜の一部を除去し、前記第１金属膜又は前記第２金属膜と、前記第４金属膜及び５金属膜とを互いに電気的に分離する工程を含む、請求項１又は請求項２記載のパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記基体は壁部及び底部を備えた凹部を有し、前記金属膜は、壁部の上面に配置される第４金属膜と、壁部の側面上に配置される第５金属膜を含み、
前記レーザ照射工程は、前記第４金属膜及び５金属膜の一部にレーザ光を照射して前記第４金属膜及び第５金属膜の一部を除去し、前記第４金属膜及び５金属膜を、前記第１金属膜と連続する部分と、前記第２金属膜と連続する部分とに分離する工程を含む、請求項１又は請求項２に記載のパッケージの製造方法。
【請求項５】
第１導電部材と、第２導電部材と、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間に位置する基体と、前記第１導電部材と前記第２導電部材と前記基体とを連続して被覆する金属膜と、を含み、前記金属膜は、前記第１導電部材上の第１金属膜と、前記第２導電部材上の第２金属膜と、前記基体上の第３金属膜と、を含む、パッケージ部材を準備する工程と、
前記第３金属膜の少なくとも一部にレーザ光を照射して前記第３金属膜の少なくとも一部を除去し、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを互いに電気的に分離する、レーザ照射工程と、
を含む、パッケージを形成する工程と、
前記パッケージの上面に発光素子を固定する工程と、
を備えた、発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置において、パッケージに発光素子が設けられる。パッケージの反射率を向上することで、発光装置の光取り出し効率が向上できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２１０６−２２５５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、生産性を向上させることが可能な高反射率のパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、第１導電部材と、第２導電部材と、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間に位置する基体と、前記第１導電部材と前記第２導電部材と前記基体とを連続して被覆する金属膜と、を含み、前記金属膜は、前記第１導電部材上の第１金属膜と、前記第２導電部材上の第２金属膜と、前記基体上の第３金属膜と、を含む、パッケージ部材を準備する工程と、前記第３金属膜の少なくとも一部にレーザ光を照射して前記第３金属膜の少なくとも一部を除去し、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを互いに電気的に分離する、レーザ照射工程と、を備えたパッケージの製造方法が提供される。  
本発明の実施形態によれば、第１導電部材と、第２導電部材と、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間に位置する基体と、前記第１導電部材と前記第２導電部材と前記基体とを連続して被覆する金属膜と、を含み、前記金属膜は、前記第１導電部材上の第１金属膜と、前記第２導電部材上の第２金属膜と、前記基体上の第３金属膜と、を含む、パッケージ部材を準備する工程と、前記第３金属膜の少なくとも一部にレーザ光を照射して前記第３金属膜の少なくとも一部を除去し、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを互いに電気的に分離する、レーザ照射工程と、を含む、パッケージを形成する工程と、前記パッケージの上面に発光素子を固定する工程と、を備えた、発光装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、生産性を向上させることが可能な高反射率のパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係るパッケージの製造方法を例示するフローチャートである。
【図２】第１実施形態に係るパッケージの一部を例示する模式平面図である。
【図３】第１実施形態に係るパッケージの一部を例示する模式端面図である。
【図４】第１実施形態に係るパッケージの一部を例示する模式平面図である。
【図５】第１実施形態に係るパッケージの一部を例示する模式端面図である。
【図６】第１実施形態に係るパッケージの製造方法を例示する模式端面図である。
【図７】第１実施形態に係るパッケージを例示する模式平面図である。
【図８】第１実施形態に係るパッケージを例示する模式端面図である。
【図９】第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式平面図である。
【図１０】第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式端面図である。
【図１１】第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式的平面図である。
【図１２】第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式的平面図である。
【図１３】第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式的断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る発光装置を例示する模式的端面図である。
【図１５】第２実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
【図１６】実施形態に係るパッケージの表面の高さを例示するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の厚さと幅との関係、部材間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るパッケージの製造方法を例示するフローチャートである。  図１に示すように、本実施形態に係るパッケージの製造方法は、パッケージ部材を準備する工程（ステップＳ１１０）と、レーザ照射工程（ステップＳ１２０）と、を含む。
【００１０】
以下、パッケージ部材の例について説明する。  
図２及び図３は、第１実施形態に係るパッケージの一部を例示する模式図である。  
図２は、図３の矢印ＡＲ方向から見た平面図である。図３は、図２のIII-III線端面図である。
【００１１】
図２及び図３に示すように、パッケージ部材となる部品５０が準備される。この部品５０に後述する金属膜を形成することにより、パッケージ部材が得られる。
【００１２】
部品５０は、第１導電部材１１、第２導電部材１２及び基体２１、を含む。基体２１は、第１導電部材１１と第２導電部材１２との間に位置する部分を含む。
【００１３】
図３に示すように、この例においては、部品５０は、凹部５０ｄを有する。凹部５０ｄは、壁部２５と底部５０ｂとを備える。凹部５０ｄの底部５０ｂにおいて、第１導電部材１１、第２導電部材１２及び基体２１が設けられている。
【００１４】
例えば、底部５０ｂは、Ｘ−Ｙ平面に沿っている。Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、高さ方向に対応する。
【００１５】
図３に示すように、壁部２５の上面２５ｐは、底部５０ｂよりも高い。例えば、壁部２５の２つの領域（領域２５ａ及び領域２５ｂ）の間に、底部５０ｂが位置する。
【００１６】
壁部２５は、絶縁性である。壁部２５は、例えば、基体２１と連続している。壁部２５の材料は、基体２１の材料と同じでも良い。
【００１７】
図２に示すように、この例では、複数の凹部５０ｄが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って並ぶ。
【００１８】
基体２１は、絶縁性である。
【００１９】
基体２１は、例えば、セラミックを含む。基体２１は、樹脂を含んでも良い。基体２１は、例えば、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムの少なくともいずれかを含んでも良い。基体２１は、例えば、熱可塑性樹脂（例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート、または、不飽和ポリエステルなど）を含んでも良い。基体２１は、例えば、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、または、変性シリコーン樹脂など）を含んでも良い。基体２１は、樹脂と、複数の粒子（ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、またはＭｇＯなどの粒子）と、を含んでも良い。基体２１がこれらの複数の粒子を含むことにより、例えば、高い反射率が得られる。複数の粒子は、例えば、顔料などを含んでも良い。複数の粒子は、例えば、一部の波長の光を減衰させ、所望の波長特性を提供できる。
【００２０】
第１導電部材１１及び第２導電部材１２は、例えば、Ｃｕ、ＡｌまたはＦｅなどの金属を含む。例えば、第１導電部材１１及び第２導電部材１２の熱伝導率は、基体２１の熱伝導率よりも高い。
【００２１】
このような部品５０に金属膜を形成することで、パッケージが得られる。
【００２２】
図４及び図５は、第１実施形態に係るパッケージの一部を例示する模式図である。  
図４は、図５の矢印ＡＲ方向から見た平面図である。図５は、図４のV-V線端面図である。これらの図に示すように、部品５０の表面に金属膜３０が形成されて、パッケージ部材５１となる。金属膜３０は、例えば、スパッタなどの手法により形成される。金属膜３０は、第１導電部材１１、第２導電部材１２及び基体２１を連続して被覆する。
【００２３】
金属膜３０は、例えば、銀を含む。例えば、金属膜３０の最表面は、銀を含む。これにより、高い反射率が得られる。金属膜３０が複数の膜（積層膜）を含む場合、銀膜と、第１導電部材１１と、の間に他の膜（例えばＮｉ膜、Ｐｄ膜、またはＴｉ膜など）が位置する。金属膜３０の少なくとも一部は、銀を含む合金を含んでいても良い。
【００２４】
金属膜３０は、光反射膜である。例えば、金属膜３０の反射率は、第１導電部材１１の反射率よりも高い。反射率は、後述する発光素子から放出される光のピーク波長における反射率である。
【００２５】
金属膜３０は、第１金属膜３１、第２金属膜３２及び第３金属膜３３を含む。第１金属膜３１、第２金属膜３２及び第３金属膜３３は、金属膜３０に含まれる複数の領域（第１〜第３金属領域）に対応する。第１金属膜３１は、第１導電部材１１上に位置する。第２金属膜３２は、第２導電部材１２上に位置する。第３金属膜３３は、基体２１上に位置する。第１金属膜３１、第２金属膜３２及び第３金属膜３３は、互いに連続している。例えば、第１金属膜３１は、第１導電部材１１と電気的に接続される。第２金属膜３２は、第２導電部材１２と電気的に接続される。
【００２６】
この例では、金属膜３０は、例えば、壁部２５の上面２５ｐ、及び、壁部２５の側面２５ｓにも設けられる。壁部２５の側面２５ｓは、Ｘ−Ｙ平面に沿う方向と交差する。側面２５ｓは、凹部５０ｄの内側面の少なくとも一部である。
【００２７】
金属膜３０は、第４金属膜３４及び第５金属膜３５をさらに含んでも追い。第４金属膜３４は、壁部２５の上面２５ｐに設けられる。第５金属膜３５は、Ｘ−Ｙ平面に沿う方向において、壁部２５の側面２５ｓを被覆している。第４金属膜３４及び第５金属膜３５は、金属膜３０に含まれる複数の領域（第４金属領域及び第５金属領域）に対応する。第４金属膜３４及び第５金属膜３５は、第１金属膜３１、第２金属膜３２及び第３金属膜３３と連続する。
【００２８】
パッケージ部材を準備する工程（ステップＳ１１０、図１参照）において、このような構成を有するパッケージ部材５１が準備される。実施形態に係るパッケージの製造方法は、パッケージ部材５１を形成する工程の少なくとも一部を含んでも良い。
【００２９】
図６は、第１実施形態に係るパッケージの製造方法を例示する模式図である。  
図６は、レーザ照射工程（ステップＳ１２０、図１参照）を例示している。図６に示すように、第３金属膜３３の少なくとも一部にレーザ光６１を照射する。レーザ光６１の照射により、第１金属膜３１と第２金属膜３２とが、互いに電気的に分離されるように、第３金属膜３３の一部が除去される。
【００３０】
レーザ光６１の波長は、例えば、１９３ｎｍ以上１０．６μｍ以下である。レーザ光６１は、例えば、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、またはＣＯ２レーザなどから出射される。
【００３１】
レーザ光６１とパッケージ部材５１との間のＸ−Ｙ平面内における相対的な位置を変更する。例えば、レーザ光６１が、Ｘ−Ｙ平面に沿って走査される。レーザ光６１が、パッケージ部材５１の所望の位置に照射される。
【００３２】
レーザ光６１が照射された位置において、金属膜３０が局所的に消失する。これは、例えば、アブレーションに基づく。例えば、レーザ光６１の照射により、金属膜３０の一部の温度が、局所的に上昇する。例えば、金属膜３０の一部において、分解、及び／または、気化、及び／または、蒸散が生じる。これにより、金属膜３０の第１金属膜３１と第２金属膜３２とが、互いに電気的に分離されるように、第３金属膜３３の一部が除去される。
【００３３】
１つの例において、レーザ光６１は、基体２１上に位置する第３金属膜３３に照射され、第１金属膜３１及び第２金属膜３２に照射されなくても良い。レーザ光６１が照射された第３金属膜３３が消失し、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が残る。第３金属膜３３が消失することにより、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が電気的に分離される。
【００３４】
別の例において、レーザ光６１は、第３金属膜３３、第１金属膜３１及び第２金属膜３２に照射されても良い。既に説明したように、例えば、第１導電部材１１及び第２導電部材１２の熱伝導率は、基体２１の熱伝導率よりも高い。このため、レーザ光６１が第３金属膜３３、第１金属膜３１及び第２金属膜３２に照射された場合に、第１金属膜３１及び第２金属膜３２の温度は、第３金属膜３３の温度に比べて上昇し難い。これは、第１金属膜３１及び第２金属膜３２の熱が、第１導電部材１１及び第２導電部材１２を介して放熱され易いためである。このため、レーザ光６１が、第３金属膜３３、第１金属膜３１及び第２金属膜３２に照射された場合において、第３金属膜３３が選択的に除去される。第１金属膜３１及び第２金属膜３２は、レーザ光の照射によって除去されずに残る。
【００３５】
図６の例において、レーザ光６１の焦点は、Ｚ軸方向に沿って変化しても良い。例えば、パッケージ部材５１が凹凸を有する場合がある。図６に示す例においては、壁部２５が設けられており、パッケージ部材５１は、凹部５０ｄを有する。例えば、凹部５０ｄの底部５０ｂと、壁部２５の上面２５ｐと、において、高さ（Ｚ軸方向に沿う位置）が異なる。金属膜３０が、レーザ光６１の焦点に位置する場合に、金属膜３０が消失する。金属膜３０がレーザ光６１の焦点から離れると、金属膜３０は消失し難い。
【００３６】
例えば、レーザ光６１の焦点を、パッケージ部材５１（金属膜３０）の凹凸に沿ってＺ軸方向に変化させる。これにより、所望の高さ位置の金属膜３０を除去できる。
【００３７】
例えば、壁部２５の材料が基体２１の材料と同じ場合がある。この場合において、レーザ光６１の焦点の高さ方向の位置が、基体２１上の金属膜３０（第３金属膜３３）に位置すると、第３金属膜３３は、除去される。このとき、例えば、レーザ光６１の焦点の高さ方向の位置を変えないでレーザ光６１が壁部２５の上面２５ｐの第４金属膜３４に照射されると、第４金属膜３４は除去されない。一方、レーザ光６１の焦点の高さ位置が、壁部２５の高さの変化に応じて変更されてレーザ光６１の焦点の位置を第４金属膜３４に合わせることで、第４金属膜３４も除去される。
【００３８】
レーザ光６１のパッケージ部材５１に対する相対的な位置は、任意の方向に沿って変更することが可能である。例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の少なくともいずれかの成分を含む方向において、レーザ光６１とパッケージ部材５１との間の相対的な位置が変更可能である。レーザ光６１の照射において、種々の変更が可能である。従って、金属膜３０の除去において、種々の変形が可能である。
【００３９】
実施形態においては、第３金属膜３３の少なくとも一部が除去され、さらに、必要に応じて金属膜３０の第４金属膜３４又は第５金属膜３５の一部が除去される。これにより、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が電気的に分離される。これにより、パッケージが得られる。
【００４０】
実施形態に係る製造方法においては、金属膜３０の成膜（例えばスパッタ）と、レーザ光６１の照射と、により、金属膜３０が所望の形状に加工できる。レーザ光６１の照射により、基体２１の上の第３金属膜３３が選択的に除去される。これにより、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が互いに電気的に分離される。例えば、成膜とエッチングを用いる場合に比べて、この製造方法においては、金属膜３０を所望の形状に、高い生産性で加工できる。これにより、パッケージ及び発光装置に、高反射率を有する金属膜３０を高い生産性で導入できる。実施形態によれば、生産性を向上可能な高反射率のパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法を提供できる。
【００４１】
実施形態に係る製造方法においては、例えば、エッチングを用いないため、エッチングに用いたエッチャントによる金属膜３０（Ａｇなど）への悪影響が抑制される。これにより、例えば、Ａｇ膜の劣化（化学的変化など）を抑制できる。金属膜３０において、高い反射率が維持し易くなる。また、マスクを形成する工程も不要となる。
【００４２】
実施形態に係る製造方法においては、例えば、金属膜３０の加工において、高い精度が得られる。例えば、第１金属膜３１及び第２金属膜３２などの面積を大きくできる。より高い反射率が得られる。さらに、高い放熱性が得られる。
【００４３】
図７及び図８は、第１実施形態に係るパッケージを例示する模式図である。  
図７は、図８の矢印ＡＲ方向から見た平面図である。図８は、図７のVIII-VIII線端面図である。パッケージ１１０は、例えば、上記の製造方法により得られる。パッケージ１１０は、第１導電部材１１、第２導電部材１２、基体２１、第１金属膜３１及び第２金属膜３２を含む。第１金属膜３１及び第２金属膜３２は、互いに電気的に分離されている。例えば、パッケージ１１０に後述する発光素子が固定される。第１導電部材１１は、例えば、発光素子のアノード及びカソードの一方となる。第２導電部材１２は、例えば、発光素子のアノード及びカソードの他方となる。
【００４４】
パッケージ１１０においては、壁部２５の側面２５ｓに設けられた第５金属膜３５の一部が除去される。例えば、凹部５０ｄの底部５０ｂに近い第５金属膜３５の一部（下端領域）が、図７に示すように、壁部２５に沿って連続して除去される。これにより、第５金属膜３５の残部と、第１金属膜３１と、が、互いに電気的に分離される。第５金属膜３５の残部と、第２金属膜３２と、が、互いに電気的に分離される。更に、第３金属膜３３が除去されていることにより、第１金属膜３１と、第２金属膜３２と、が互いに電気的に分離される。図７に示す例では、第３金属膜３３は、全てが除去されている。
【００４５】
例えば、図６に関して説明した工程において、レーザ光６１の焦点の高さ方向の位置が、第３金属膜３３の高さ位置にある状態で、レーザ光６１を第３金属膜３３に照射することで、第３金属膜３３が除去される。このとき、例えば、レーザ光６１の焦点の高さ方向の位置を実質的に変えないでレーザ光６１が、第５金属膜３５のうちの少なくとも下端領域に照射される。焦点の高さ方向の位置は、第５金属膜３５の下端領域の高さ方向と実質的に同じである。この場合、第５金属膜３５の下端領域は、除去される。
【００４６】
この例において、レーザ光６１は、第１金属膜３１及び第２金属膜３２に照射されてもよい。レーザ光６１が照射された場合においても、第１金属膜３１及び第２金属膜３２の下に位置する第１導電部材１１及び第２導電部材１２の高い熱伝導率によって放熱されるため、第１金属膜３１及び第２金属膜３２は、残る。
【００４７】
この例において、レーザ光６１は、第４金属膜３４に照射されても良い。レーザ光６１の焦点の高さ位置が、第４金属膜３４の高さ位置と異なるため、第４金属膜３４が残る。
【００４８】
この例において、レーザ光６１は、第５金属膜３５の上側領域に照射されても良い。レーザ光６１の焦点の高さ位置が、第５金属膜３５の上側領域の高さ位置と異なるため、第５金属膜３５の上側領域は残る。
【００４９】
例えば、後述する発光素子が底部５０ｂに設けられる。壁部２５の側面２５ｓに設けられる第５金属膜３５の少なくとも一部が残ることで、発光素子から放出された光が、第５金属膜３５で反射する。第５金属膜３５の反射率は、樹脂部材よりも高い。そのため高い光取り出し効率が得られる。
【００５０】
図９及び図１０は、第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式図である。  
図９は、図１０の矢印ＡＲ方向から見た平面図である。図１０は、図９のX-X線端面図である。パッケージ１１１においても、第１導電部材１１、第２導電部材１２、基体２１、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が設けられる。この例においても、第１金属膜３１及び第２金属膜３２は、互いに電気的に分離されている。パッケージ１１１においては、第３金属膜３３の一部が残っている。詳細には、第１金属膜３１と第２金属膜３２の間の樹脂部材の基体２１の上において、第１金属膜３１と繋がる一部と、第２金属膜３２の一部と繋がるように、第３金属膜３３の一部が残っている。
【００５１】
例えば、図６に関して説明した工程において、第３金属膜３３の一部にレーザ光６１が照射される。これにより、第１金属膜３１と第２金属膜３２とが向かい合う領域において、第１金属膜３１が第２金属膜３２から離れる。さらに、壁部２５に沿って第５金属膜３５の一部が除去される。これにより、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が電気的に分離される。この例においては、例えば、第１金属膜３１及び第２金属膜３２を電気的に分離するために必要な箇所の金属膜３０が選択的に除去される。パッケージ１１１の製造方法においては、第３金属膜３３の全体にレーザ光６１を照射する場合に比べて、例えば、レーザ光６１の照射の時間が短くできる。パッケージ１１１の製造方法においては、第１金属膜３１及び第２金属膜３２の少なくとも一部にレーザ光６１を照射する場合に比べて、例えば、レーザ光６１の照射の時間が短くできる。さらに高い生産性が得られる。
【００５２】
図１１は、第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式的平面図である。  
図１１は、図５の矢印ＡＲ方向から見た状態に対応する平面図である。パッケージ１２０においても、第１導電部材１１、第２導電部材１２、基体２１、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が設けられる。この例においては、壁部２５が設けられ、その上に、第４金属膜３４及び第５金属膜３５が設けられている。
【００５３】
基体２１の上に形成された第３金属膜３３（図１１では図示しない）がレーザ光６１の照射により除去されている。この例では、Ｘ軸方向に沿って金属膜３０が除去されることで、第３金属膜３３が除去される。さらに、レーザ光６１は、Ｘ軸方向に沿って走査され、第４金属膜３４の一部及び第５金属膜３５の一部にも照射される。例えば、レーザ光６１の焦点の高さ方向の位置が、第４金属膜３４及び第５金属膜３５の高さ方向の位置に応じて変更される。これにより、レーザ光６１が照射された第４金属膜３４の一部及び第５金属膜３５の一部が除去される。第４金属膜３４の一部及び第５金属膜３５の一部の除去により、第１金属膜３１及び第２金属膜３２が、互いに電気的に分離される。第４金属膜３４及び第５金属膜３５は、第１金属膜３１と連続する部分と、第２金属膜３２と連続する部分と、の２つに分離される。
【００５４】
この例において、第１導電部材１１から第２導電部材１２に向かう方向は、Ｘ軸方向と交差し、Ｚ軸方向と交差する。第１導電部材１１から第２導電部材１２に向かう方向と交差する方向に沿ってレーザ光６１を走査することで、第３金属膜３３、第４金属膜３４の上記の一部、及び、第５金属膜３５の上記の一部が除去される。
【００５５】
図１２は、第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式的平面図である。  
図１２は、図５の矢印ＡＲ方向から見た状態に対応する平面図である。パッケージ１２１においては、第４金属膜３４が除去される。これ以外のパッケージ１２１の構成は、パッケージ１２０の構成と同様である。
【００５６】
パッケージ１２１においては、第３金属膜３３及び第４金属膜３４が、レーザ光６１の照射により除去される。そして、第５金属膜３５の一部（Ｘ軸方向において第３金属膜３３と連続する部分）が、除去される。第１金属膜３１及び第２金属膜３２が、互いに電気的に分離される。第５金属膜３５の別の一部は、残る。
【００５７】
パッケージ１２１においては、壁部２５の上面２５ｐの第４金属膜３４が除去される。壁部２５の上面２５ｐに設けられる第４金属膜３４が残っていると、第４金属膜３４他の導電部材と電気的にショートし易い場合がある。第４金属膜３４を除去することで、ショートなどが抑制できる。
【００５８】
図１３は、第１実施形態に係る別のパッケージを例示する模式的断面図である。  
図１３に示すように、本実施形態に係るパッケージ１３０は、平板状である。この例においても、パッケージ１３０は、第１導電部材１１、第２導電部材１２、基体２１、第１金属膜３１及び第２金属膜３２を含む。パッケージ１３０においても、第３金属膜の少なくとも一部にレーザ光６１を照射して、第３金属膜３３の少なくとも一部を除去する。これにより、第１金属膜３１及び第２金属膜３２は、互いに電気的に分離される。
【００５９】
（第２実施形態）  
本実施形態は発光装置の製造方法に係る。本製造方法は、例えば、パッケージを形成する工程と、パッケージに発光素子を固定する工程と、を含む。パッケージを形成する工程は、第１実施形態に係る製造方法、及び、その変形の製造方法を含む。
【００６０】
図１４は、第２実施形態に係る発光装置を例示する模式的端面図である。  
図１４に示す発光装置２１０は、第１実施形態に係る製造方法で製造されたパッケージ（この例では、パッケージ１２０）を含む。発光装置２１０は、発光素子７０をさらに含む。
【００６１】
発光素子７０は、例えば、パッケージ１２０（パッケージ部材５１）の凹部５０ｄの底部５０ｂに固定される。例えば、発光素子７０は、第１金属膜３１及び第２金属膜３２の一方の上に置かれる。この例では、発光素子７０は、第１金属膜３１の上に置かれる。
【００６２】
発光素子７０は、例えば、半導体発光素子（例えばＬＥＤ）である。発光素子７０は、例えば、ｎ型半導体層７１、ｐ型半導体層７２、及びその間に位置する発光層７３を含む。また、サファイアなどの絶縁性基板を備えていてもよい。この例では、第１金属膜３１とｐ型半導体層７２との間にｎ型半導体層７１が位置する。
【００６３】
この例では、第１電極７１ｅ及び第２電極７２ｅがさらに設けられている。第１電極７１ｅは、ｎ型半導体層７１と電気的に接続される。第２電極７２ｅは、ｐ型半導体層７２と電気的に接続される。第１ワイヤ８１及び第２ワイヤ８２がさらに設けられている。この例では、第１ワイヤ８１は、第１電極７１ｅと第１金属膜３１とを電気的に接続する。第２ワイヤ８２は、第２電極７２ｅと第２金属膜３２とを電気的に接続する。
【００６４】
発光装置２１０において、第１導電部材１１と第２導電部材１２との間に電圧が印加される。これらの導電部材を介して、発光素子７０に電流が供給され、発光素子７０の発光層７３から光が放出される。
【００６５】
これらの半導体層は、例えば、窒化物半導体を含む。窒化物半導体は、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を含む。
【００６６】
図１５は、第２実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。  
図１５に示すように、発光装置２１１は、封止部材８３を含む。発光装置２１１におけるこれ以外の構成は、発光装置２１０の構成と同様である。発光装置２１１の製造方法は、例えば、パッケージを形成する工程、及び、パッケージに発光素子７０を固定する工程に加え、封止部材８３を形成する工程をさらに含む。
【００６７】
封止部材８３は、例えば、複数の波長変換粒子８６と、樹脂部８５と、を含む。複数の波長変換粒子８６の少なくとも一部の周りに、樹脂部８５が設けられる。例えば、樹脂部８５に複数の波長変換粒子８６が分散される。複数の波長変換粒子８６は、例えば、蛍光体粒子である。樹脂部８５は、例えば、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂などの樹脂を含む。波長変換粒子を含む封止部材８３を設けることで、発光素子７０から放出された光の波長が変換される。例えば、発光素子７０から青色光が放出され、波長が変換されて、発光装置２１１において、例えば、白色光が得られる。封止部材８３により、発光素子７０が保護される。
【００６８】
封止部材８３を形成する工程は、例えば、樹脂部８５となる樹脂液に複数の波長変換粒子８６が分散される。この樹脂液を発光素子７０の上に塗布した後、樹脂液を固体化させる。これにより、封止部材８３が得られる。実施形態において、封止部材８３を形成する方法は任意である。
【００６９】
実施形態において、封止部材８３は、複数の波長変換粒子８６を含まなくても良い。この場合、例えば、封止部材８３は、発光素子７０を保護する。また、封止部材８３は、図１５に示すように、凹部５０ｄ内のみに配置してもよいし、壁部２５の上面２５ｐを被覆するように配置してもよい。壁部２５の上面２５ｐに第４金属膜３４が形成されている場合、封止部材８３で保護することができる。また、第４金属膜３４は、封止部材８３で覆われ覆われない場合、外部に露出されていることになる。そのため、第４金属膜３４を極性を示すカソードマーク又はアノードマークとして機能させることができる。壁部２５の上面２５ｐにおいて、薄い膜厚の封止部材８３が形成されている場合も、封止部材８３を介して第４金属膜３４を視認することができる場合も、同様に機能させることができる。
【００７０】
以下、実施形態に係る製造方法により製造されたパッケージの表面の構造の例について説明する。
【００７１】
図１６は、実施形態に係るパッケージの表面の高さを例示するグラフである。  
図１６は、基体２１及び第１金属膜３１の表面の凹凸の評価結果を例示している。横軸は、Ｘ軸方向における位置ｐＸ（μｍ）である。縦軸は、Ｚ軸方向における位置ｐＺ（μｍ）である。位置ｐＺは、表面の高さ（深さ）に対応する。図１６には、基体２１及び第１金属膜３１の境界の近傍の評価結果が示されている。この例では、第１金属膜３１は、厚さが約１μｍのＡｇ膜である。基体２１の材料は、シリコーン樹脂である。試料において、基体２１の上、及び、導電部材（第１導電部材１１及び第２導電部材１２）の上に、金属膜３０（Ａｇ膜）が形成され、基体２１の上の金属膜３０にレーザ光６１が照射されて金属膜３０の一部が除去されている。これにより、基体２１の表面が露出される。
【００７２】
図１６に示すように、基体２１の表面に凹凸が形成されている。凹凸の高低差（深さ）は、約０．５μｍである。凹凸の凸部どうしの間隔は、約８μｍである。この凹凸（溝）は、レーザ光６１の照射により形成されたと考えられる。例えば、レーザ光６１の走査のピッチに対応した溝が基体２１の表面に形成されたと考えられる。
【００７３】
例えば、図１５に関して説明した封止部材８３が設けられた場合に、上記の凹凸（溝）により、基体２１と封止部材８３との間の密着性が向上する。
【００７４】
実施形態によれば、生産性を向上可能な高反射率のパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法を提供できる。
【００７５】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【００７６】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、パッケージ及び発光装置の製造方法で用いられる、導電部材、金属膜、レーザ及び発光素子などのそれぞれの具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００７７】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００７８】
その他、本発明の実施の形態として上述したパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００７９】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８０】
１１、１２…第１、第２導電部材、  ２１…基体、  ２５…壁部、  ２５ａ、２５ｂ…領域、  ２５ｐ…上面、  ２５ｓ…側面、  ３０…金属膜、  ３１〜３５…第１〜第５金属膜、  ５０…部品、  ５０ｂ…底部、  ５０ｄ…凹部、  ５１…パッケージ部材、  ６１…レーザ光、  ７０…発光素子、  ７１…ｎ型半導体層、  ７１ｅ…第１電極、  ７２…ｐ型半導体層、  ７２ｅ…第２電極、  ７３…発光層、  ８１、８２…第１、第２ワイヤ、  ８３…封止部材、  ８５…樹脂部、  ８６…波長変換粒子、  １１０、１１１、１２０、１２１、１３０…パッケージ、  ２１０、２１１…発光装置、  ＡＲ…矢印、  ｐＸ、ｐＺ…位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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