(57)【要約】【課題】エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することが可能なエッチング方法およびエッチング加工装置を提供する。【解決手段】  設定部に、少なくとも電力、圧力およびガス流量を入力し、前記設定部に入力された値に応じてチャンバ内でエッチング処理を行い、前記エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算するエッチング方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定部に、少なくとも電力、圧力およびガス流量を入力し、
前記設定部に入力された値に応じてチャンバ内でエッチング処理を行い、
前記エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算する
エッチング方法。
【請求項２】
更に、前記計算したイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値が、予め入力されたイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値に近づくよう、前記設定部の値を調整する
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記測定値は、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐまたは自己バイアス電圧Ｖｄｃを含む
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記測定値は、電子温度Ｔｅまたは電子温度分布ＥＥＤＦと、電子密度Ｎｅとを含む
請求項３に記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記電子温度Ｔｅまたは電子温度分布ＥＥＤＦと前記電子密度Ｎｅとは、前記エッチング処理の際に発光分光分析を行うことにより測定する
請求項４に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記チャンバ内に希ガスを添加し、
Ｍａｘｗｅｌｌ分布またはＢｉ−Ｍａｘｗｅｌｌ分布を用いて電子温度分布ＥＥＤＦを求める
請求項４に記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記イオンエネルギー分布関数を、前記測定値と、シミュレーションによって求められる算出値とから計算する
請求項３に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記計算したイオンエネルギー分布関数を、リアルタイムで表示する
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項９】
更に、前記イオンエネルギー分布関数から求めた、エッチング対象物へのイオン浸入深さの分布を表示する
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１０】
前記エッチング処理は、原子層エッチングである
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１１】
少なくとも電力、圧力およびガス流量が入力される設定部と、
前記設定部に入力された値に応じて、エッチング処理が施されるチャンバと、
前記エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算する処理部と
を備えたエッチング加工装置。
【請求項１２】
更に、制御部を有し、
前記制御部により、前記計算したイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値が、予め入力されたイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値に近づくよう、前記設定部の値が調整される
請求項１１に記載のエッチング加工装置。
【請求項１３】
更に、前記エッチング処理の際の発光分光分析を行う分析部を有し、
前記分析部で解析された解析値が、前記測定値とともに前記処理部に入力される
請求項１１に記載のエッチング加工装置。
【請求項１４】
更に、前記計算したイオンエネルギー分布関数をリアルタイムで表示する表示部を有する
請求項１１に記載のエッチング加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば原子層エッチング（ＡＬＥ：Atomic Layer Etching）に好適なエッチング方法およびエッチング加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、例えば、原子層エッチング技術などの、より高精度な加工技術が必要とされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えばシリコン（Ｓｉ）ウェハの原子層エッチングは、以下のようにして行う。まず、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン系のガスを、ウェハ表面に吸着させる。次いで、余分なガスを真空引きした後、アルゴン（Ａｒ）イオンで表面をたたく。これにより、反応生成物（ＳｉＣｌ）の形でウェハ表面の一層分のＳｉが除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００２−５２７８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような原子層エッチングなどのエッチング方法では、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することが望まれている。ここで、「エッチング深さ」は、除去された膜の深さを表し、「ダメージ」はイオン浸入等に起因した膜の変質を表す。
【０００６】
したがって、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することが可能なエッチング方法およびエッチング加工装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の一実施の形態に係るエッチング方法は、設定部に、少なくとも電力、圧力およびガス流量を入力し、設定部に入力された値に応じてチャンバ内でエッチング処理を行い、エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算するものである。
【０００８】
本技術の一実施の形態に係るエッチング方法では、エッチング処理の際にイオンエネルギー分布関数が計算されるので、例えばイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値が抽出される。
【０００９】
本技術の一実施の形態に係るエッチング加工装置は、少なくとも電力、圧力およびガス流量が入力される設定部と、設定部に入力された値に応じて、エッチング処理が施されるチャンバと、エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算する処理部とを備えたものである。
【００１０】
本技術の一実施の形態に係るエッチング加工装置では、エッチング処理の際のイオンエネルギー分布関数を計算する処理部が設けられているので、例えばイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値が抽出される。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の一実施の形態に係るエッチング方法およびエッチング加工装置によれば、エッチング処理の際にイオンエネルギー分布関数を計算するようにしたので、抽出されたイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値に応じてエッチングの処理条件を調整することができる。よって、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することが可能となる。
【００１２】
尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本技術の一実施の形態に係るエッチング加工装置の要部の構成を表すブロック図である。
【図２】図１に示した分析部の解析結果の一例を表す図である。
【図３Ａ】図１に示した表示部に表示される電子温度分布の一例を表す図である。
【図３Ｂ】図１に示した表示部に表示される電子温度分布の他の例を表す図である。
【図４】図１に示した表示部に表示されるイオンエネルギー分布の一例を表す図である。
【図５Ａ】図１に示した表示部に表示されるイオンの浸入深さの分布の一例を表す図である。
【図５Ｂ】図１に示した表示部に表示されるイオンの浸入深さの分布の他の例を表す図である。
【図６】図１に示したエッチング加工装置の動作を表す流れ図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、原子層エッチングの工程を順に説明するための図である。
【図８】バイアス電圧とイオンエネルギーとの関係を表す図である。
【図９】変形例に係るエッチング加工装置の要部の構成を表すブロック図である。
【図１０】図９に示したエッチング加工装置の動作を表す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
イオンエネルギー分布関数を計算する処理部を有するエッチング加工装置
２．変形例
シミュレーションを用いてイオンエネルギー分布関数を計算する例
【００１５】
〈実施の形態〉
[構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係るエッチング加工装置（エッチング加工装置１）の要部の構成を表している。エッチング加工装置１は、例えば原子層エッチングを行うためのものであり、設定部１１、チャンバ１２、分析部１３、処理部１４、表示部１５および制御部１６を有している。チャンバ１２内には、対向する上部電極および下部電極が設けられており、下部電極の上にエッチング対象となるウェハが配置される。上部電極および下部電極に電圧が印加されると、これらの間のガスがプラズマ化し、ウェハ表面がエッチングされるようになっている。
【００１６】
設定部１１は、チャンバ１２内で行われるエッチングの処理条件を設定するためのものである。この設定部１１に、いわゆるプロセスレシピが入力されるようになっている。設定部１１には、例えば、上部電極および下部電極各々の電力量、チャンバ１２内の圧力、チャンバ１２内に供給されるガス流量、チャンバ１２内の温度および処理時間などの通常のプロセスレシピが入力される。設定部１１には、このような通常のプロセスレシピに加えて、原子レベルのエッチングが可能となるイオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVが入力されるようになっている。この設定部１１に入力されるイオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVは、エッチング対象物およびチャンバ１２内の状態等に応じて調整される。
【００１７】
例えば、エッチング対象物がシリコン（Ｓｉ）であり、かつ、プラズマ中に酸素が存在しないとき、イオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVを、２０ｅＶ以下に設定する。ここで酸素が存在しないとは、ガス導入による酸素が存在しないだけでなく、チャンバ１２内の各部品からの酸素放出もないことをいう。エッチング対象物がシリコン（Ｓｉ）であり、かつ、プラズマ中に酸素が存在するときは、イオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVを、２０ｅＶ以上に設定する。
【００１８】
例えば、エッチング対象物が酸化シリコン（ＳｉＯ2）であるとき、イオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVを、４０ｅＶ以下に設定する。エッチングガスが、フッ素化炭化水素（ＣＦまたはＣＨＦ）を含む場合には、ＣＦ膜またはＣＨＦ膜に起因したエネルギー損失を考慮してイオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVを設定することが好ましい。
【００１９】
チャンバ１２では、設定部１１に入力された条件に応じてエッチング処理が行われる。エッチング対象物は、例えばシリコン（Ｓｉ）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）等である。チャンバ１２には、例えばチャンバ１２内の壁の温度およびウェハをステージに吸着する機構（静電チャック）の温度を制御するためのヒータが設けられている。このチャンバ１２には、ガスの供給口および排気口が設けられ、例えば、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）等を含むハロゲン系のエッチングガスが供給されるようになっている。
【００２０】
チャンバ１２内に供給されるガスには、２種類以上の希ガスが含まれていることが好ましい。この希ガスは、プロセスレシピに含まれていてもよく、プロセスレシピとは別に添加してもよい。プロセスレシピとは別に添加するときには、例えば希ガスが５％以下となるようにする。２種類以上の希ガスは、例えば、ヘリウム（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ），アルゴン（Ａｒ），キセノン（Ｘｅ）およびクリプトン（Ｋｒ）から選択されている。チャンバ１２内に２種類以上の希ガスを供給することにより、後述するように、２種類以上の希ガスの発光強度比から、より正確にプラズマの電子温度分布（ＥＥＤＦ：Electron Energy Distribution Function）を算出することができる。
【００２１】
分析部１３では、チャンバ１２内の発光分光分析（ＯＥＳ：Optical Emission Spectroscopy）がなされるようになっている。発光分光分析の分解能は、０．１ｎｍ以下であることが好ましい。この発光分光分析の解析結果は、処理部１４でイオンエネルギー分布関数を計算する際に用いられる。
【００２２】
図２は、分析部１３での発光分光分析の結果の一例を表している。分析部１３では、例えば、２以上の互いに異なる波長の光各々の発光強度、およびチャンバ１２に供給された２種類以上の希ガス各々の発光強度が測定される。
【００２３】
処理部１４では、チャンバ１２内の状態から、イオンエネルギー分布関数が計算される。具体的には、上部電極および下部電極各々の電力量、チャンバ１２内の圧力、チャンバ１２内に供給されるガス流量、チャンバ１２内の温度の測定値（実測値）と分析部１３の解析値とから、例えば、モンテカルロシミュレーションを用いて、イオンエネルギー分布関数が計算される。本実施の形態では、イオンエネルギー分布関数を計算する処理部１４が設けられているので、イオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値（後述のエネルギー値ＥMAX）に応じたフィードバックを行うことができる。詳細は後述するが、これにより、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することができる。
【００２４】
処理部１４でのモンテカルロシミュレーションによるイオンエネルギー分布関数Δεの計算は、例えば以下の式（１）〜（６）により行われる（例えば、K.Denpoh et al., Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5533およびD.Vender and R.W.Boswell, IEEE Trans. Plasma Sci. 18 (1990) 725参照）。
【００２５】
【数１】
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【数２】
2019036655.tif 000004
【数３】
2019036655.tif 000005
【数４】
2019036655.tif 000006
【数５】
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【数６】
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【００２６】
例えば、チャンバ１２内のピークトゥピーク電圧Ｖｐｐを測定し、このピークトゥピーク電圧Ｖｐｐの測定値から以下の式（７）を用いて式（１），（２）のＲＦ振幅ＶRFを求めるようにしてもよい。ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐと自己バイアス電圧Ｖｄｃとの校正曲線（Ｖｄｃ＝α×Ｖｐｐ+β、αおよびβは定数）を事前に作成しておき、この校正曲線を用いて、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐの測定値から求めた自己バイアス電圧Ｖｄｃを式（２），（５）に用いるようにしてもよい。
【００２７】
【数７】
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【００２８】
あるいは、チャンバ１２内の自己バイアス電圧Ｖｄｃを測定し、この自己バイアス電圧Ｖｄｃの測定値を式（２），（５）に用いるようにしてもよい。上記と同様に、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐと自己バイアス電圧Ｖｄｃとの校正曲線（Ｖｄｃ＝α×Ｖｐｐ+β、αおよびβは定数）を事前に作成しておき、この校正曲線を用いて、自己バイアス電圧Ｖｄｃの測定値からピークトゥピーク電圧Ｖｐｐを算出するようにしてもよい。この算出されたピークトゥピーク電圧Ｖｐｐの値と式（７）とから式（１），（２）のＲＦ振幅ＶRFが求められる。
【００２９】
式（２），（５）のプラズマポテンシャルＶｐｌ、式（４），（６）の電子温度Ｔｅおよび式（６）の電子密度Ｎｅは、例えば、分析部１３での発光分光分析の解析結果から算出されるようになっている。
【００３０】
例えば、電子温度Ｔｅは、２以上の互いに異なる波長の光の発光強度比を用いて算出することができる（例えば、H.Akatsuka et al., Proc. Of 2015 International Symposium on Dry Process, P95参照）。
【００３１】
電子温度Ｔｅに代えて、電子温度分布を用いるようにしてもよい。電子温度分布は、チャンバ１２に供給された２種類以上の希ガスの発光強度比から、Ｍａｘｗｅｌｌ分布またはＢｉ−Ｍａｘｗｅｌｌ分布により算出される。
【００３２】
図３Ａは、Ｍａｘｗｅｌｌ分布により算出された電子温度分布の一例を表し，図３Ｂは、Ｂｉ−Ｍａｘｗｅｌｌ分布により算出された電子温度分布の一例を表している。このようなＭａｘｗｅｌｌ分布またはＢｉ−Ｍａｘｗｅｌｌ分布により算出された電子温度分布は、イオンエネルギー分布関数の計算に用いられるとともに、例えば、表示部１５に表示される。表示部１５は、例えばディスプレイにより構成されている。
【００３３】
電子密度Ｎｅは、２以上の互いに異なる波長の光の発光強度比を用いて算出することができる（例えば、H.Akatsuka et al., Proc. Of 2015 International Symposium on Dry Process, P95）。
【００３４】
プラズマポテンシャルＶｐｌは、以下の式（８）を用いて求めることができる。式（８）中、係数ｋの値はイオン種により、例えば３〜７程度の範囲で変化する。例えばアルゴン（Ａｒ）イオンを用いるとき、係数ｋは約５であり、水素（Ｈ）を用いるとき係数ｋは約３．３である。
【数８】
2019036655.tif 000010
【００３５】
例えば、チャンバ１２内にＣＦ膜またはＣＨＦ膜が生成する場合には、これらの膜の厚みは、エリプソメトリ等の方法を用いることにより、測定することが好ましい。これらの膜に起因したエネルギー損失は、処理部１４で考慮される。
【００３６】
図４は、処理部１４で計算されたイオンエネルギー分布関数の一例を表している。この図では、横軸がエネルギー、縦軸がイオン数をそれぞれ表している。このようなエネルギー分布関数は、リアルタイムで表示部１５に表示される。処理部１４は、計算したイオンエネルギー分布関数から最大エネルギー値ＥMAXを抽出して、表示部１５に表示するとともに、この最大エネルギー値ＥMAXに関する情報を制御部１６に伝達する。最大エネルギー値ＥMAXは、図４に示したように、ピークの位置と重なることが多いが、ピークが検出されない場合であっても、最も高いエネルギーの位置（例えば、図４の横軸の右端）を抽出すればよい。ピークが検出されない場合とは、例えば、圧力が高い場合などである。
【００３７】
処理部１４で、イオンエネルギー分布関数の全体の面積（積分値）を算出し、これを最大のエネルギー値ＥMAXとともに、制御部１６に伝達するようにしてもよい。イオンエネルギー分布関数の全体の面積から電子密度Ｎｅを予測するようにしてもよい。
【００３８】
表示部１５には、電子密度Ｎｅ、分子重さｍｉおよびＲＦ振幅ＶRF等が表示されるようになっていてもよい。処理部１４で計算された結果に基づき、表示部１５で対象物のエッチング深さおよびダメージの深さが確認できるようになっていてもよい。例えば、表示部１５に、イオン（ダメージ）の浸入深さの分布、投影飛程（ダメージのピーク深さ）およびイオンの最深距離が表示されるように構成されている。
【００３９】
図５Ａ，図５Ｂは、表示部１５に表示されるイオンの浸入深さの分布のイメージ図である。例えば、エッチング対象物の種類を予め設定部１１に入力しておくことにより、このように対象物のエッチング深さを表示部１５で確認することが可能となる。
【００４０】
制御部１６では、処理部１４で抽出された最大エネルギー値ＥMAXと、設定部１１に入力された最大エネルギー値ＥSVとが比較される。エネルギー値ＥMAXとエネルギー値ＥSVとのずれを表示部１５に表示するようにしてもよい。制御部１６は、チャンバ１２内の状態に基づいて計算された最大エネルギー値ＥMAXが、設定部１１に入力された最大エネルギー値ＥSVに近づくように、設定部１１に信号を送る。具体的には、エネルギー値ＥMAXが、エネルギー値ＥSVの±１０％の範囲内となるバイアスパワー（Bias Power）が算出され、このバイアスパワーを実現するための上部電極の電力量および下部電極の電力量が、設定部１１に送られるようになっている。設定部１１では、上部電極および下部電極のどちらか一方の電力量が変更されてもよく、両方の電力量が変更されてもよい。エネルギー値ＥMAXが、エネルギー値ＥSVの±１０％の範囲内にある場合には、設定部１１の各値がそのまま維持される。
【００４１】
設定部１１に予め、イオンエネルギー分布関数の全体の面積（積分値）を入力しておき、処理部１４で算出されたイオンエネルギー分布関数の全体の面積が、この設定値に近づくようにしてもよい。制御部１６では、これを実現するためのソースパワー（Source Power）が算出されて、設定部１１に送られる。イオンエネルギー分布関数の全体の面積は、ウェハ上に照射されるイオンの電流密度（ｍＡ/ｃｍ2）、イオンフラックス（イオン個数/ｃｍ2/ｓ）およびプラズマ中の電子密度Ｎｅに比例する。このため、イオンエネルギー分布関数の全体の面積に代えて、電流密度（ｍＡ/ｃｍ2）、イオンフラックス（イオン個数/ｃｍ2/ｓ）および電子密度Ｎｅを入力するようにしてもよい。
【００４２】
[動作]
図６は、このようなエッチング加工装置１のエッチング処理の流れを表している。
【００４３】
まず、設定部１１に一般的なプロセスレシピおよびイオンエネルギー関数の最大エネルギー値ＥSVを入力する（ステップＳ１０１）。次に、この設定部１１に入力された条件下、チャンバ１２内でエッチング処理を開始する（ステップＳ１０２）。エッチングガスが、フッ素化炭化水素（ＣＦまたはＣＨＦ）を含む場合には、ウェハ１枚を処理する毎に、少なくとも酸素を含むガスを用いて、チャンバ１２内のプラズマクリーニングを行うことが好ましい。
【００４４】
エッチング処理開始後、チャンバ１２内の各値を測定する（ステップＳ１０３）。具体的には、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐ等を測定する。このステップＳ１０３ととともに、分析部１３でチャンバ１２内の発光分光分析を行う（ステップＳ１０４）。
【００４５】
ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐ等の測定値および分析部１３の解析値は、処理部１４へ送られ、処理部１４でイオンエネルギー分布関数の計算が行われる（ステップＳ１０５）。処理部１４では、このイオンエネルギー分布関数から最大エネルギー値ＥMAXを抽出する。イオンエネルギー分布関数および最大エネルギー値ＥMAXは、表示部１５に表示される。
【００４６】
最大エネルギー値ＥMAXが抽出された後、制御部１６は、設定部１１に入力されたエネルギー値ＥSVと、エネルギー値ＥMAXとを比較し（ステップＳ１０６）、これらのずれを検出する。このずれは、表示部１５に表示される。制御部１６は、このずれを小さくするためのフィードバックを行う。例えば、制御部１６は、エネルギー値ＥMAXをエネルギー値ＥSVに近づけるためのバイアスパワー（Bias Power）を算出し、この情報を設定部１１に送る。設定部１１では、制御部１６からの情報に基づいて、例えば、上部電極および下部電極の電力量等が調整される（ステップＳ１０７）。設定部１１の各値を調整後、再びチャンバ１２内の状態を検出するための測定がなされ（ステップＳ１０３，Ｓ１０４）、イオンエネルギー分布関数の計算（ステップＳ１０５）、エネルギー値ＥMAXとエネルギー値ＥSVとの比較（ステップＳ１０６）および設定部１１へのフィードバック（ステップＳ１０７）が、エッチング処理停止（ステップＳ１０８）時まで繰り返される。
【００４７】
[作用・効果]
本実施の形態のエッチング加工装置１では、チャンバ１２でのエッチング処理の際に、処理部１４でイオンエネルギー分布関数を計算するので、イオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値ＥMAXが抽出される。これにより、エッチング加工装置１では、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することが可能となる。以下、これについて説明する。
【００４８】
図７は、原子層エッチングの各工程を表している。例えば、シリコン（Ｓｉ）ウェハ表面に塩素（Ｃｌ）等のハロゲン系のガスを吸着させた後（図７（Ａ））、アルゴン（Ａｒ）イオンで、シリコンウェハ表面をたたく（図７（Ｂ）。これにより、反応生成物（ＳｉＣｌ）の形で、１層分の原子層が除去される（図７（Ｃ））。しかし、イオンエネルギーを調整しない場合には、シリコン層の除去が１層分で停止せずに、下地のシリコン層も削れてしまうおそれがある（図７（Ｄ））。
【００４９】
イオンエネルギーを計算せずに、他のパラメータのみで、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを予測する方法も考え得る。例えば、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐから校正曲線を用いてバイアス電圧Ｖｄｃを求め、このバイアス電圧Ｖｄｃを制御する方法が考えられる。
【００５０】
しかし、図８に示したように、自己バイアス電圧Ｖｄｃにより決まる電圧（中心の電圧）以上に、イオンは高いエネルギーを持つことになる。したがって、自己バイアス電圧Ｖｄｃを制御しても、イオンエネルギーを制御することはできない。即ち、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを制御することできない。
【００５１】
これに対し、本実施の形態では、処理部１４でチャンバ１２の状態に基づくイオンエネルギー分布関数が計算され、最大エネルギー値ＥMAXが抽出される。これにより、このエネルギー値ＥMAXを、設定部１１に入力した所望のエネルギー値ＥSVに近づけるように、エッチング処理条件（設定部１１の各値）を調整することができる。したがって、下地層を削ることなく、原子レベルのエッチングを行うことができる。
【００５２】
以上説明したように、本実施の形態では、処理部１４でイオンエネルギー分布関数を計算するようにしたので、抽出されたイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値ＥMAXに応じてエッチングの処理条件を調整することができる。よって、エッチング深さおよびウェハ上のダメージを高精度に制御することが可能となる。
【００５３】
また、計算されたイオンエネルギー分布関数は、表示部１５にリアルタイムで表示されるので、エッチング状況を容易にモニタリングすることができる。
【００５４】
以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００５５】
〔変形例〕
図９は、上記実施の形態の変形例に係るエッチング加工装置（エッチング加工装置１Ａ）の要部の構成を表している。このエッチング加工装置１Ａには、分析部（図１の分析部１３）が設けられていない。エッチング加工装置１Ａの処理部（処理部１４Ａ）では、エッチング加工装置１の処理部１４に比べて、より高度な計算処理を行われる。この点を除き、エッチング加工装置１Ａは、エッチング加工装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５６】
図１０は、エッチング加工装置１Ａの動作を表している。このエッチング加工装置１Ａでは、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐ等のチャンバ１２内の測定値（ステップＳ１０３）と、処理部１４Ａでのシミュレーションの算出値とから、イオンエネルギー分布関数が計算されるようになっている。即ち、エネルギー分布関数の計算に必要なパラメータが、処理部１４Ａでのシミュレーションを用いて算出される。
【００５７】
このように、発光分光分析に代えて、シミュレーションを用いることによりイオンエネルギー分布関数を計算するようにしてもよい。
【００５８】
以上、実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態等において例示したエッチング加工装置１，１Ａの構成要素は、あくまで一例であり、他の構成要素を更に備えていてもよい。
【００５９】
また、上記実施の形態等では、エッチング加工装置１，１Ａが原子層エッチングを行う場合を例に挙げて説明したが、本技術は他のドライエッチング技術にも適用できる。
【００６０】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【００６１】
なお、本技術は、以下のような構成も可能である。
（１）
設定部に、少なくとも電力、圧力およびガス流量を入力し、
前記設定部に入力された値に応じてチャンバ内でエッチング処理を行い、
前記エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算する
エッチング方法。
（２）
更に、前記計算したイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値が、予め入力されたイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値に近づくよう、前記設定部の値を調整する
前記（１）に記載のエッチング方法。
（３）
前記測定値は、ピークトゥピーク電圧Ｖｐｐまたは自己バイアス電圧Ｖｄｃを含む
前記（１）または（２）に記載のエッチング方法。
（４）
前記測定値は、電子温度Ｔｅまたは電子温度分布ＥＥＤＦと、電子密度Ｎｅとを含む
前記（３）に記載のエッチング方法。
（５）
前記電子温度Ｔｅまたは電子温度分布ＥＥＤＦと前記電子密度Ｎｅとは、前記エッチング処理の際に発光分光分析を行うことにより測定する
前記（４）に記載のエッチング方法。
（６）
前記チャンバ内に希ガスを添加し、
Ｍａｘｗｅｌｌ分布またはＢｉ−Ｍａｘｗｅｌｌ分布を用いて電子温度分布ＥＥＤＦを求める
前記（４）または（５）に記載のエッチング方法。
（７）
前記イオンエネルギー分布関数を、前記測定値と、シミュレーションによって求められる算出値とから計算する
前記（３）に記載のエッチング方法。
（８）
前記計算したイオンエネルギー分布関数を、リアルタイムで表示する
前記（１）ないし（７）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（９）
更に、前記イオンエネルギー分布関数から求めた、エッチング対象物へのイオン浸入深さの分布を表示する
前記（１）ないし（８）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（１０）
前記エッチング処理は、原子層エッチングである
前記（１）ないし（９）のうちいずれか１つに記載のエッチング方法。
（１１）
少なくとも電力、圧力およびガス流量が入力される設定部と、
前記設定部に入力された値に応じて、エッチング処理が施されるチャンバと、
前記エッチング処理の際の測定値を用いてイオンエネルギー分布関数を計算する処理部と
を備えたエッチング加工装置。
（１２）
更に、制御部を有し、
前記制御部により、前記計算したイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値が、予め入力されたイオンエネルギー分布関数の最大エネルギー値に近づくよう、前記設定部の値が調整される
前記（１１）に記載のエッチング加工装置。
（１３）
更に、前記エッチング処理の際の発光分光分析を行う分析部を有し、
前記分析部で解析された解析値が、前記測定値とともに前記処理部に入力される
前記（１１）または（１２）に記載のエッチング加工装置。
（１４）
更に、前記計算したイオンエネルギー分布関数をリアルタイムで表示する表示部を有する
前記（１１）ないし（１３）のうちいずれか１つに記載のエッチング加工装置。
【符号の説明】
【００６２】
１，１Ａ・・・エッチング加工装置、１１・・・設定部、１２・・・チャンバ、１３・・・分析部、１４，１４Ａ・・・処理部、１５・・・表示部、１６・・・制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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