(57)【要約】【課題】１枚の異方性導電フィルムを用いてＩＣチップやＦＰＣ等の複数種の電子部品を１つの基板等の電子部品に接続するにあたり、異方性導電フィルムをそれぞれの電子部品により適合させ、接続に関与しない無用な導電粒子を低減させる。【解決手段】第１の端子パターンを有する第１電子部品３１と、第１の端子パターン３１と端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品３２とが、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品３３と異方性導電フィルム１０Ａ、１０Ｂにより異方性導電接続されている接続構造体４０Ａ、４０Ｂであって、異方性導電フィルム１０Ａが、導電粒子１が規則的に配列した領域、及び導電粒子１の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域の、少なくとも一方を有する。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子パターンを有する第１電子部品と、第１の端子パターンと端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品とが、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品と異方性導電フィルムにより異方性導電接続されている接続構造体であって、
異方性導電フィルムが、導電粒子が規則的に配列した領域、及び導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域の、少なくとも一方を有する接続構造体。
【請求項２】
異方性導電フィルムが、導電粒子が規則的に配列し、かつ導電粒子の個数密度が３５０００個／ｍｍ2未満の領域を有する請求項１記載の接続構造体。
【請求項３】
異方性導電フィルムが、導電粒子が規則的に配列し、かつ導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を有する請求項１記載の接続構造体。
【請求項４】
絶縁性樹脂層と、該絶縁性樹脂層に配置された導電粒子を有する異方性導電フィルムであって、
導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を有する異方性導電フィルム。
【請求項５】
導電粒子が規則的に配列している請求項４記載の異方性導電フィルム。
【請求項６】
異方性導電フィルムの短手方向又は長手方向に、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域が並んでいる請求項４又は５記載の異方性導電フィルム。
【請求項７】
絶縁性樹脂層の厚さ方向における導電粒子の位置が、絶縁性樹脂層の一方の表面又はその近傍で揃っている領域と、一方の表面又はその近傍と、他方の表面又はその近傍の双方で揃っている領域を有する請求項４〜６のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項８】
異方性導電フィルムの平面視において２つの導電粒子が重なり合った導電粒子ユニットが規則的に配列した領域と、単体の導電粒子が規則的に配列した領域を有する請求項７記載の異方性導電フィルム。
【請求項９】
絶縁性樹脂層に、該絶縁性樹脂層よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項４〜８のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１０】
導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する請求項４〜９のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１１】
前記傾斜では、導電粒子の近傍の絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けており、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少ない請求項１０記載の異方性導電フィルム。
【請求項１２】
絶縁性樹脂層の一方の表面に導電粒子を付着させ、該導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む第１の押し込み工程と、
平面視で、第１の押し込み工程で導電粒子を押し込んだ領域の一部となる領域、又は第１の押し込み工程で導電粒子を押し込んだ領域全体を含む領域、又は第１の押し込み工程で導電粒子を押し込んだ領域と部分的に重複する領域に導電粒子を付着させ、その導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む第２の押し込み工程と、
を有する異方性導電フィルムの製造方法であって、
少なくとも導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を形成する異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１３】
第１の押し込み工程で絶縁性樹脂層に押し込む導電粒子と、第２の押し込み工程で絶縁性樹脂層に押し込む導電粒子の粒子径及び硬さが同一である請求項１２記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１４】
第１の押し込み工程で絶縁性樹脂層に押し込む導電粒子と、第２の押し込み工程で絶縁性樹脂層に押し込む導電粒子の粒子径又は硬さが異なる請求項１２記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１５】
第１の押し込み工程で絶縁性樹脂層に押し込む導電粒子の配列又は個数密度と、第２の押し込み工程で絶縁性樹脂層に押し込む導電粒子の配列又は個数密度が異なる請求項１２〜１４のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１６】
第１の押し込み工程において、転写型を用いて導電粒子を絶縁性樹脂層に付着させ、第２の押し込み工程において、該転写型を用いて導電粒子を絶縁性樹脂層に付着させる請求項１２又は１３記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１７】
第２の押し込み工程において、導電粒子を絶縁性樹脂層の前記一方の表面又は他方の表面に付着させる請求項１２〜１６のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１８】
第２の押し込み工程後、導電粒子を押し込んだ絶縁性樹脂層をスリットする請求項１２〜１７のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１９】
第１の端子パターンを有する第１電子部品と、第１の端子パターンと端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品とを、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品と異方性導電フィルムにより異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
異方性導電フィルムとして、導電粒子が規則的に配列した領域を有する領域、及び導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域の、少なくとも一つを有する異方性導電フィルムを使用する接続構造体の製造方法。
【請求項２０】
第３電子部品上に異方性導電フィルムを介して載置された第１電子部品と第２電子部品を、該第１電子部品と第２電子部品の側から加圧ツールで圧着する請求項１９記載の接続構造体の製造方法。
【請求項２１】
第１電子部品と第２電子部品を同時に圧着する請求項１９記載の接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶表示素子においてガラス基板端部にＩＣチップとフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の双方を接続するなど、１つの基板に複数種の電子部品を、それぞれ異方性導電フィルムを用いて接続することがなされている。この場合、複数種の電子部品のそれぞれに適合した異方性導電フィルムが使用される。
【０００３】
これに対し、１枚の異方性導電フィルムを用いて２種の電子部品を１つの基板に接続することが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許４６５００５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
１枚の異方性導電フィルムを用いて２種の電子部品を１つの基板に接続すると、接続に要する工程数やスペースを低減させることができる。
【０００６】
しかしながら、従来、２種の電子部品を１つの基板に接続するために使用される異方性導電フィルムは、絶縁性樹脂層に導電粒子をランダムに分散させたものであるため、異方性導電フィルムにおける導電粒子の分散状態を精密に規定することができない。そこで、異方性導電フィルムにおける導電粒子の個数密度は、２種の電子部品のうち、端子の大きさやピッチが小さい方に適合させることが必要となり、接続に関与しない導電粒子が無用に多く存在することになっていた。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の問題に対し、１枚の異方性導電フィルムを用いてＩＣチップやＦＰＣ等の複数種の電子部品を１つの基板等の電子部品に接続するにあたり、異方性導電フィルムをそれぞれの電子部品に更に適合させ、接続に関与しない無用な導電粒子を低減させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、１枚の異方性導電フィルムを用いて端子パターンの異なる第１電子部品及び第２電子部品を第３電子部品に接続するにあたり、異方性導電フィルムにおける導電粒子を規則的に配列させると導電粒子のピッチや配列方向を制御できるので、導電粒子がランダムに配置されている場合に比して、第１電子部品と第２電子部品の双方を第３電子部品に適切に接続するために必要な導電粒子の個数密度を低減させることができ、また異方性導電接続した接続構造体の歩留まりを向上させやすくなること、さらに、１枚の異方性導電フィルムに導電粒子の個数密度、粒子径、硬度等が異なる複数の領域を設けることにより、第１電子部品及び第２電子部品のそれぞれに、より適合した接続を行うことが可能となり、無用な導電粒子をさらに低減できることを見いだし、本発明を想到した。
【０００９】
即ち、第１の本発明は、第１の端子パターンを有する第１電子部品と、第１の端子パターンと端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品とが、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品と異方性導電フィルムにより異方性導電接続されている接続構造体であって、異方性導電フィルムが、導電粒子が規則的に配列した領域、及び導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域の、少なくとも一方を有する接続構造体である。
【００１０】
第２の本発明は、絶縁性樹脂層と、該絶縁性樹脂層に配置された導電粒子を有する異方性導電フィルムであって、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を有する異方性導電フィルムである。
【００１１】
第３の本発明は、絶縁性樹脂層の一方の表面に導電粒子を付着させ、該導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む第１の押し込み工程と、
平面視で、第１の押し込み工程で導電粒子を押し込んだ領域の一部となる領域、又は第１の押し込み工程で導電粒子を押し込んだ領域全体を含む領域、又は第１の押し込み工程で導電粒子を押し込んだ領域と部分的に重複する領域に導電粒子を付着させ、その導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む第２の押し込み工程と、
を有する異方性導電フィルムの製造方法であって、
少なくとも導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を形成する異方性導電フィルムの製造方法である。
【００１２】
第４の本発明は、第１の端子パターンを有する第１電子部品と、第１の端子パターンと端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品とを、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品と異方性導電フィルムにより異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
異方性導電フィルムとして、導電粒子が規則的に配列した領域、及び導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域の、少なくとも一方を有する異方性導電フィルムを使用する接続構造体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の接続構造体は１枚の異方性導電フィルムにより第１電子部品と第２電子部品が第３電子部品に異方性導電接続されているので、第３電子部品と接続する電子部品ごとに異方性導電フィルムを変える場合に比して製造工程を簡略化でき、低コストで製造することができる。しかも、この接続構造体は、異方性導電フィルムとして、導電粒子が規則的に配列しているか、又は導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を有するものが使用されることにより製造されるので、１枚の異方性導電フィルムを使用して製造されているにもかかわらず、この異方性導電フィルムは第１電子部品及び第２電子部品のそれぞれに適合しており、かつ無用な導電粒子が低減している。
【００１４】
また、本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子が規則的に配列しているか、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域を有するので、これらの領域を、第１電子部品及び第２電子部品のそれぞれの端子パターンに応じたものとすることができる。したがって、上述のように異方性導電フィルムにおける導電粒子の無駄が低減する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の第１の接続構造体４０Ａの模式的平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の接続構造体４０Ａの模式的平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の接続構造体４０Ａの模式的平面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂの模式的平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂの模式的平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂの模式的平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の第２の接続構造体４０Ｂに使用した異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図７】図７は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図８】図８は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図９】図９は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図１０】図１０は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図１１】図１１は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図１２】図１２は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図１３】図１３は、接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。
【図１４】図１４は、異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、異方性導電フィルム１０Ｃの断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、異方性導電フィルム１０Ｃ’の断面図である。
【図１６】図１６は、異方性導電フィルム１０Ｄの断面図である。
【図１７】図１７は、異方性導電フィルム１０Ｅの断面図である。
【図１８】図１８は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｆの断面図である。
【図１９】図１９は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｇの断面図である。
【図２０】図２０は、比較対象用の異方性導電フィルム１０Ｘの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
【００１７】
［第１の接続構造体］
（全体構成）
図１は、本発明の接続構造体の態様のうち第１の接続構造体４０Ａの模式的平面図である。この接続構造体４０Ａでは、第１の端子パターンを有する第１電子部品３１と、第１の端子パターンと端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品３２とが、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品３３と異方性導電フィルム１０Ａにより異方性導電接続されている。本実施例では、第１電子部品３１として、例えば、ＩＣチップ、ＩＣモジュールなどの電子部品が接続されており、第２電子部品３２としてＦＰＣ等の電子部品が接続されている。また、これらが接続される第３電子部品３３として、ガラス基板、プラスチック基板、リジッド基板、セラミック基板などが使用されている。なお、本発明において、第１電子部品、第２電子部品及び第３電子部品の種類は特に限定されない。第１電子部品及び第２電子部品として、複数のＩＣチップ、ＩＣモジュールなどが接続されていてもよい。
【００１８】
また、図１には、異方性導電フィルム１０Ａの短手方向の一端側で第１電子部品３１を第３電子部品３３に接続し、他端側で第２電子部品３２を第３電子部品３３に接続しているが、１枚の異方性導電フィルム１０Ａで第１電子部品３１と第２電子部品３２を第３電子部品３３に接続するにあたり、これらの配置は特に限定されない。例えば図２に示すように、異方性導電フィルム１０Ａの長手方向に第１電子部品３１と第２電子部品３２が並ぶようにしてもよい。また、図３に示すように複数個の第１電子部品３１を第３電子部品３３に接続してもよく、複数個の第２電子部品３２を第３電子部品３３に接続してもよい。
【００１９】
（第１の接続構造体における異方性導電フィルム）
本発明の第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａでは絶縁性樹脂層２に導電粒子１が規則的に配列している。そのため、この異方性導電フィルム１０Ａを使用して第１電子部品３１と第２電子部品３２を異方性導電接続した後の第１の接続構造体４０Ａも、少なくとも第１電子部品３１も第２電子部品３２も接続されていない部分に導電粒子が規則的に配列している領域を有する。
【００２０】
・導電粒子の規則的な配列と個数密度
第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａに関し、導電粒子の規則的な配列としては、正方格子、六方格子、斜方格子、長方格子等をあげることができる。また、このような格子配列を形成する一部の導電粒子を意図的に除いたものも、格子配列に包含される。この導電粒子の除き方は、フィルムの長手方向に規則性があれば特に制限はない。また、導電粒子全体の粒子配置として、導電粒子１が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させてもよい。導電粒子を規則的な配列とし、導電粒子のピッチや配列方向を制御することにより、第１電子部品と第２電子部品の双方を第３電子部品に接続するために必要な導電粒子の個数密度を最適化しやすくなる。従来、第１電子部品と第２電子部品の双方を第３電子部品に接続する異方性導電フィルムでは、導電粒子がランダムに配置されていたため、異方性導電フィルムにおける導電粒子の個数密度を、第１電子部品の接続に適した個数密度と、第２電子部品の接続に適した個数密度のうち、個数密度の高い方に合わせることがなされており、そのために導電粒子が無駄に多く使用されていたが、本発明の第１の接続構造体４０Ａでは、上述のように異方性導電フィルムにおける導電粒子が規則的な配列をしていることにより、導電粒子の個数密度の最適化を図りやすいので、導電粒子の無駄を低減することができる。
【００２１】
例えば、第１電子部品と第３電子部品をＣＯＧ接続し、第２電子部品と第３電子部品をＦＯＧ接続する場合、異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子の個数密度は、３５０００個／ｍｍ2未満とすることができる。
【００２２】
・面積占有率
異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子の個数密度を定めるのに際し、導電粒子の個数密度と、導電粒子１個の平面視面積の平均から次式で算出される面積占有率は、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するための押圧治具に必要とされる推力の指標となる。
【００２３】
面積占有率（％）
＝［平面視における導電粒子の個数密度（個／ｍｍ2）］×[導電粒子１個の平面視面積の平均（ｍｍ2／個）]×１００ 
【００２４】
異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力を低く抑える点から、面積占有率は好ましくは３５％以下、より好ましくは０．３〜３０％の範囲である。
【００２５】
・導電粒子の粒子径
導電粒子の粒子径は、配線高さのばらつきに対応できるようにし、また、導通抵抗の上昇を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上９μｍ以下である。絶縁性樹脂層に分散させる前の導電粒子の粒子径は、一般的な粒度分布測定装置により測定することができる。また、絶縁性樹脂層に分散させた後の導電粒子の粒子径も粒度分布測定装置を用いて求めることができる。画像型でもレーザー型であってもよい。画像型の測定装置としては、一例として湿式フロー式粒子径・形状分析装置ＦＰＩＡ−３０００（マルバーン社）を挙げることができる。導電粒子の平均粒子径Ｄを測定するサンプル数（導電粒子数）は１０００個以上が好ましい。異方性導電フィルムにおける導電粒子の平均粒子径Ｄは、ＳＥＭなどの電子顕微鏡観察から求めることができる。この場合、導電粒子の平均粒子径Ｄを測定するサンプル数（導電粒子数）を２００個以上とすることが望ましい。
【００２６】
なお、導電粒子として、その表面に絶縁性微粒子が付着しているものを使用する場合、本発明における導電粒子の粒子径は、表面の絶縁性微粒子を含まない粒子径を意味する。
【００２７】
・導電粒子が非接触で存在する個数割合
第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａにおいて、導電粒子１は、フィルムの平面視にて互いに接触することなく存在していることが好ましい。そのため、導電粒子全体に対し、導電粒子１同士が互いに非接触で存在する個数割合は９５％以上、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９．５％以上である。後述するように、転写型を使用して導電粒子１を規則的に配置させると、導電粒子１同士が互いに非接触で存在する割合を容易に制御することができるので好ましい。導電粒子１が平面視で重なりあっている場合、それぞれを個別にカウントする。
【００２８】
・導電粒子のフィルム厚方向の位置
第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａにおいて、導電粒子１が互いに接触することなく存在する場合に、そのフィルム厚方向の位置が揃っていることが好ましい。例えば、図７に示したように、導電粒子１のフィルム厚方向の埋込量Ｌｂを揃えることができる。これにより、第１電子部品３１の端子と第３電子部品３３の端子の間においても、第２電子部品３２の端子と第３電子部品３３の端子の間においても、導電粒子の捕捉性が安定し易い。なお、異方性導電フィルム１０Ａにおいて、導電粒子１は、絶縁性樹脂層２から露出していても、完全に埋め込まれていてもよい。
【００２９】
ここで、埋込量Ｌｂは、導電粒子１が埋め込まれている絶縁性樹脂層２の表面（絶縁性樹脂層２の表裏の面のうち、導電粒子１が露出している側の表面、又は導電粒子１が絶縁性樹脂層２に完全に埋め込まれている場合には、導電粒子１との距離が近い表面）であって、隣接する導電粒子間の中央部における接平面２ｐと、導電粒子１の最深部との距離をいう。
【００３０】
・埋込率
導電粒子１の平均粒子径Ｄに対する埋込量Ｌｂの割合を埋込率（Ｌｂ/Ｄ）とした場合に、埋込率は３０％以上１０５％以下が好ましい。埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を３０％以上６０％未満とすると、導電粒子を保持する比較的高粘度の樹脂から導電粒子が露出している比率が高くなることから、より低圧実装が容易になる。６０％以上とすると、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の粒子分散状態あるいは所定の配列に維持し易くなる。また、１０５％以下とすることにより、異方性導電接続時に端子間の導電粒子を無用に流動させるように作用する絶縁性樹脂層の樹脂量を低減させることができる。尚、導電粒子１は絶縁性樹脂層２を貫通していてもよく、その場合の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）は１００％となる。
【００３１】
なお、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値は、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上が、当該埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値になっていることをいう。したがって、埋込率が３０％以上１０５％以下とは、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上の埋込率が３０％以上１０５％以下であることをいう。このように全導電粒子の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が揃っていることにより、押圧の加重が導電粒子に均一にかかるので、端子における導電粒子の捕捉状態が良好になり、導通の安定性が向上する。
【００３２】
（絶縁性樹脂層）
・絶縁性樹脂層の粘度
第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａにおいて、絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度は、特に制限はなく、異方性導電フィルムの使用対象や、異方性導電フィルムの製造方法等に応じて適宜定めることができる。例えば、後述の凹み２ｂ（図８）、２ｃ（図９）を形成できる限り、異方性導電フィルムの製造方法によっては１０００Ｐａ・ｓ程度とすることもできる。一方、異方性導電フィルムの製造方法として、導電粒子を絶縁性樹脂層の表面に所定の配置で保持させ、その導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む方法を行うとき、絶縁性樹脂層がフィルム形成を可能とする点から絶縁性樹脂層の最低溶融粘度を１１００Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。
【００３３】
また、後述の異方性導電フィルムの製造方法で説明するように、図８に示すように絶縁性樹脂層２に押し込んだ導電粒子１の露出部分の周りに凹み２ｂを形成したり、図９に示すように絶縁性樹脂層２に押し込んだ導電粒子１の直上に凹み２ｃを形成したりする点から、好ましくは１５００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは３０００〜１５０００Ｐａ・ｓ、さらにより好ましくは３０００〜１００００Ｐａ・ｓである。この最低溶融粘度は、一例として回転式レオメータ（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用い、測定圧力５ｇで一定に保持し、直径８ｍｍの測定プレートを使用し求めることができ、より具体的には、温度範囲３０〜２００℃において、昇温速度１０℃／分、測定周波数１０Ｈｚ、前記測定プレートに対する荷重変動５ｇとすることにより求めることができる。
【００３４】
絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度を１５００Ｐａ・ｓ以上の高粘度とすることにより、異方性導電フィルムの物品への圧着に導電粒子の無用な移動を抑制でき、特に、異方性導電接続時に端子間で挟持されるべき導電粒子が樹脂流動により流されてしまうことを防止できる。
【００３５】
また、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより異方性導電フィルム１０Ａの導電粒子分散層３を形成する場合において、導電粒子１を押し込むときの絶縁性樹脂層２は、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように導電粒子１を絶縁性樹脂層２に押し込んだときに、絶縁性樹脂層２が塑性変形して導電粒子１の周囲の絶縁性樹脂層２に凹み２ｂ（図８）が形成されるような高粘度の粘性体とするか、あるいは、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出することなく絶縁性樹脂層２に埋まるように導電粒子１を押し込んだときに、導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に凹み２ｃ（図９）が形成されるような高粘度の粘性体とする。そのため、絶縁性樹脂層２の６０℃における粘度は、下限は好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以上であり、上限は、好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５０００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。この測定は最低溶融粘度と同様の測定方法で行い、温度が６０℃の値を抽出して求めることができる。
【００３６】
絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むときの該絶縁性樹脂層２の具体的な粘度は、形成する凹み２ｂ、２ｃの形状や深さなどに応じて、下限は好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以上であり、上限は、好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５０００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。また、このような粘度を好ましくは４０〜８０℃、より好ましくは５０〜６０℃で得られるようにする。
【００３７】
上述したように、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の周囲に凹み２ｂ（図８）が形成されていることにより、異方性導電フィルムの物品への圧着時に生じる導電粒子１の扁平化に対して絶縁性樹脂から受ける抵抗が、凹み２ｂが無い場合に比して低減する。このため、異方性導電接続時に端子で導電粒子が挟持され易くなることで導通性能が向上し、また捕捉性が向上する。
【００３８】
また、絶縁性樹脂層２から露出することなく埋まっている導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に凹み２ｃ（図９）が形成されていることにより、凹み２ｃが無い場合に比して異方性導電フィルムの物品への圧着時の圧力が導電粒子１に集中し易くなる。このため、異方性導電接続時に端子で導電粒子が挟持され易くなることで捕捉性が向上し、導通性能が向上する。
【００３９】
＜凹みに代わる“傾斜”もしくは“起伏”＞
図８、図９に示すような異方性導電フィルムの 「凹み」２ｂ、２ｃは、「傾斜」もしくは「起伏」という観点から説明することもできる。以下に、図面（図１３〜２０）を参照しながら説明する。
【００４０】
異方性導電フィルム１０Ａは導電粒子分散層３から構成されている（図１３）。導電粒子分散層３では、絶縁性樹脂層２の片面に導電粒子１が露出した状態で規則的に分散している。フィルムの平面視にて導電粒子１は互いに接触しておらず、フィルム厚方向にも導電粒子１が互いに重なることなく規則的に分散し、導電粒子１のフィルム厚方向の位置が揃った単層の導電粒子層を構成している。
【００４１】
個々の導電粒子１の周囲の絶縁性樹脂層２の表面２ａには、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層２の接平面２ｐに対して傾斜２ｂが形成されている。なお後述するように、本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層の表面に起伏２ｃが形成されていてもよい（図１６、図１８）。
【００４２】
本発明において、「傾斜」とは、導電粒子１の近傍で絶縁性樹脂層の表面の平坦性が損なわれ、前記接平面２ｐに対して樹脂層の一部が欠けて樹脂量が低減している状態を意味する。換言すれば、傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が接平面に対して欠けていることになる。一方、「起伏」とは、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面にうねりがあり、うねりのように高低差がある部分が存在することで樹脂が低減している状態を意味する。換言すれば、導電粒子直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、導電粒子直上の絶縁性樹脂層の表面が接平面にあるとしたときに比して少なくなる。これらは、導電粒子の直上に相当する部位と導電粒子間の平坦な表面部分（図１６、図１８の２ｆ）とを対比して認識することができる。なお、起伏の開始点が傾斜として存在する場合もある。
【００４３】
上述したように、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の周囲に傾斜２ｂ（図１３）が形成されていることにより、異方性導電接続時に導電粒子１が端子間で挟持される際に生じる導電粒子１の扁平化に対して絶縁性樹脂から受ける抵抗が、傾斜２ｂが無い場合に比して低減するため、端子における導電粒子の挟持がされ易くなることで導通性能が向上し、また捕捉性が向上する。この傾斜は、導電粒子の外形に沿っていることが好ましい。接続における効果がより発現しやすくなる以外に、導電粒子を認識し易くなることで、異方性導電フィルムの製造における検査などが行い易くなるからである。また、この傾斜および起伏は絶縁性樹脂層にヒートプレスするなどにより、その一部が消失してしまう場合があるが、本発明はこれを包含する。この場合、導電粒子は絶縁性樹脂層の表面に１点で露出する場合がある。なお、異方性導電フィルムは、接続する電子部品が多様であり、これらに合わせてチューニングする以上、種々の要件を満たせるように設計の自由度が高いことが望まれるので、傾斜もしくは起伏を低減させても部分的に消失させても用いることができる。
【００４４】
また、絶縁性樹脂層２から露出することなく埋まっている導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に起伏２ｃ（図１６、図１８）が形成されていることにより、傾斜の場合と同様に、異方性導電接続時に端子からの押圧力が導電粒子にかかりやすくなる。また、起伏があることにより樹脂が平坦に堆積している場合よりも導電粒子の直上の樹脂量が低減しているため、接続時の導電粒子直上の樹脂の排除が生じやすくなり、端子と導電粒子とが接触し易くなることから、端子における導電粒子の捕捉性が向上し、導通信頼性が向上する。
【００４５】
（絶縁性樹脂層の厚さ方向における導電粒子の位置）
「傾斜」もしくは「起伏」という観点を考慮した場合の絶縁性樹脂層２の厚さ方向における導電粒子１の位置は、前述と同様に、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出していてもよく、露出することなく、絶縁性樹脂層２内に埋め込まれていても良いが、隣接する導電粒子間の中央部における接平面２ｐからの導電粒子の最深部の距離（以下、埋込量という）Ｌｂと、導電粒子の平均粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）（埋込率）が３０％以上１０５％以下であることが好ましい。
【００４６】
埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を３０％以上６０％未満とすると、導電粒子を保持する比較的高粘度の樹脂から粒子が露出している比率が高くなることから、より低圧実装が容易になる。６０％以上とすると、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の粒子分散状態あるいは所定の配列に維持し易くなる。また、１０５％以下とすることにより、異方性導電接続時に端子間の導電粒子を無用に流動させるように作用する絶縁性樹脂層の樹脂量を低減させることができる。
【００４７】
なお、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値は、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上が、当該埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値になっていることをいう。したがって、埋込率が３０％以上１０５％以下とは、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上の埋込率が３０％以上１０５％以下であることをいう。このように全導電粒子の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が揃っていることにより、押圧の加重が導電粒子に均一にかかるので、端子における導電粒子の捕捉状態が良好になり、導通の安定性が向上する。
【００４８】
埋込率（Ｌｂ/Ｄ）は、異方性導電フィルムから面積３０ｍｍ2以上の領域を任意に１０箇所以上抜き取り、そのフィルム断面の一部をＳＥＭ画像で観察し、合計５０個以上の導電粒子を計測することにより求めることができる。より精度を上げるため、２００個以上の導電粒子を計測して求めてもよい。
【００４９】
また、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の計測は、面視野画像において焦点調整することにより、ある程度の個数について一括して求めることができる。もしくは埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の計測にレーザー式判別変位センサ（（株）キーエンス製など）を用いてもよい。
【００５０】
（埋込率３０％以上６０％未満の態様）
埋込率（Ｌｂ/Ｄ）３０％以上６０％以下の導電粒子１のより具体的な埋込態様としては、まず、図１３に示した異方性導電フィルム１０Ａのように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように埋込率３０％以上６０％未満で埋め込まれた態様をあげることができる。この異方性導電フィルム１０Ａは、絶縁性樹脂層２の表面のうち該絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１と接している部分及びその近傍が、隣接する導電粒子間の中央部の絶縁性樹脂層の表面２ａにおける接平面２ｐに対して導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有している。
【００５１】
このような傾斜２ｂもしくは後述する起伏２ｃは、異方性導電フィルム１０Ａを、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより製造する場合に、導電粒子１の押し込みを、４０〜８０℃で３０００〜２００００Ｐａ・ｓ、より好ましくは４５００〜１５０００Ｐａ・ｓで行うことにより形成することができる。
【００５２】
（埋込率６０％以上１００％未満の態様）
埋込率（Ｌｂ/Ｄ）６０％以上１０５％以下の導電粒子１のより具体的な埋込態様としては、まず、図１３に示した異方性導電フィルム１０Ａのように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように埋込率６０％以上１００％未満で埋め込まれた態様をあげることができる。この異方性導電フィルム１０Ａは、絶縁性樹脂層２の表面のうち該絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１と接している部分及びその近傍が、隣接する導電粒子間の中央部の絶縁性樹脂層の表面２ａにおける接平面２ｐに対して導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有している。
【００５３】
このような傾斜２ｂもしくは後述する起伏２ｃは、異方性導電フィルム１０Ａを、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより製造する場合に、導電粒子１の押し込み時の粘度を、下限は、好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以上とし、上限は、好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下とする。また、このような粘度を好ましくは４０〜８０℃、より好ましくは５０〜６０℃で得られるようにする。なお、絶縁性樹脂層をヒートプレスすることなどにより傾斜２ｂや起伏２ｃの一部が消失してもよく、傾斜２ｂが起伏２ｃに変化してもよく、また、起伏２ｃを有する絶縁性樹脂層に埋め込まれた導電粒子が、その頂部の１点で絶縁性樹脂層２に露出してもよい。
【００５４】
（埋込率１００％の態様）
次に、本発明の異方性導電フィルムのうち、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）１００％の態様としては、図１４に示す異方性導電フィルム１０Ｂのように、導電粒子１の周りに図１３に示した異方性導電フィルム１０Ａと同様の導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有し、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の露出径Ｌｃが導電粒子の平均粒子径Ｄよりも小さいもの、図１５Ａに示す異方性導電フィルム１０Ｃのように、導電粒子１の露出部分の周りの傾斜２ｂが導電粒子１近傍で急激に現れ、導電粒子１の露出径Ｌｃと導電粒子の平均粒子径Ｄとが略等しいもの、図１６に示す異方性導電フィルム１０Ｄのように、絶縁性樹脂層２の表面に浅い起伏２ｃがあり、導電粒子１がその頂部１ａの１点で絶縁性樹脂層２から露出しているものをあげることができる。
【００５５】
なお、導電粒子の露出部分の周りの絶縁性樹脂層２の傾斜２ｂや、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の起伏２ｃに隣接して微小な突出部分２ｑが形成されていてもよい。この一例を図１５Ｂに示す。
【００５６】
これらの異方性導電フィルム１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｃ’、１０Ｄは埋込率１００％であるため、導電粒子１の頂部１ａと絶縁性樹脂層２の表面２ａとが面一に揃っている。導電粒子１の頂部１ａと絶縁性樹脂層２の表面２ａとが面一に揃っていると、図１３に示したように導電粒子１が絶縁性樹脂層２から突出している場合に比して、異方性導電接続時に個々の導電粒子の周辺にてフィルム厚み方向の樹脂量が不均一になりにくく、樹脂流動による導電粒子の移動を低減できるという効果がある。なお、埋込率が厳密に１００％でなくても、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の頂部と絶縁性樹脂層２の表面とが面一となる程度に揃っているとこの効果を得ることができる。言い換えると、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が概略８０〜１０５％、特に、９０〜１００％の場合には、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の頂部と絶縁性樹脂層２の表面とは面一であるといえ、樹脂流動による導電粒子の移動を低減させることができる。
【００５７】
これらの異方性導電フィルム１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｃ’１０Ｄの中でも、１０Ｄは導電粒子１の周りの樹脂量が不均一になりにくいので樹脂流動による導電粒子の移動を解消でき、また頂部１ａの１点であっても絶縁性樹脂層２から導電粒子１が露出しているので、端子における導電粒子１の捕捉性もよく、導電粒子のわずかな移動も起こりにくいという効果が期待できる。したがって、この態様は、特にファインピッチやバンプ間スペースが狭い場合に有効である。
【００５８】
なお、傾斜２ｂ、起伏２ｃの形状や深さが異なる異方性導電フィルム１０Ｂ（図１４）、１０Ｃ（図１５Ａ）、１０Ｃ’（図１５Ｂ）、１０Ｄ（図１６）は、後述するように、導電粒子１の押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度等を変えることで製造することができる。
【００５９】
（埋込率１００％超の態様）
本発明の異方性導電フィルムのうち、埋込率１００％を超える場合、図１７に示す異方性導電フィルム１０Ｅのように導電粒子１が露出し、その露出部分の周りの絶縁性樹脂層２に接平面２ｐに対する傾斜２ｂもしくは導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に接平面２ｐに対する起伏２ｃ（図１８）があるものをあげることができる。
【００６０】
なお、導電粒子１の露出部分の周りの絶縁性樹脂層２に傾斜２ｂを有する異方性導電フィルム１０Ｅ（図１７）と導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２に起伏２ｃを有する異方性導電フィルム１０Ｆ（図１８）は、それらを製造する際の導電粒子１の押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度等を変えることで製造することができる。
【００６１】
なお、図１７に示す異方性導電フィルム１０Ｅを異方性導電接続に使用すると、導電粒子１が端子から直接押圧されるので、端子における導電粒子の捕捉性が向上する。また、図１８に示す異方性導電フィルム１０Ｆを異方性導電接続に使用すると、導電粒子１が端子を直接押圧せず、絶縁性樹脂層２を介して押圧することになるが、押圧方向に存在する樹脂量が図２０の状態（即ち、導電粒子１が埋込率１００％を超えて埋め込まれ、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出しておらず、かつ絶縁性樹脂層２の表面が平坦である状態）に比べて少ないため、導電粒子に押圧力がかかりやすくなり、且つ異方性導電接続時に端子間の導電粒子１が樹脂流動により無用に移動することが妨げられる。
【００６２】
上述した導電粒子の露出部分の周りの絶縁性樹脂層２の傾斜２ｂ（図１３、図１４、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１７）や、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の起伏２ｃ（図１６、図１８）の効果を易くする点から傾斜２ｂの最大深さＬｅと導電粒子１の平均粒子径Ｄとの比（Ｌｅ／Ｄ）は、好ましくは５０％未満、より好ましくは３０％未満、さらに好ましくは２０〜２５％であり、傾斜２ｂや起伏２ｃの最大径Ｌｄと導電粒子１の平均粒子径Ｄとの比（Ｌｄ／Ｄ）は、好ましくは１００％以上、より好ましくは１００〜１５０％であり、起伏２ｃの最大深さＬｆと導電粒子１の粒子径Ｄとの比（Ｌｆ／Ｄ）は、０より大きく、好ましくは１０％未満、より好ましくは５％以下である。
【００６３】
なお、傾斜２ｂや起伏２ｃにおける導電粒子１の露出（直上）部分の径Ｌｃは、導電粒子１の平均粒子径Ｄ以下とすることができ、好ましくは平均粒子径Ｄの１０〜９０％である。導電粒子１の頂部の１点で露出するようにしてもよく、導電粒子１が絶縁性樹脂層２内に完全に埋まり、径Ｌｃがゼロとなるようにしてもよい。
【００６４】
なお、図１９に示すように、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が６０％未満の異方性導電フィルム１０Ｇでは、絶縁性樹脂層２上を導電粒子１が転がりやすくなるため、異方性導電接続時の捕捉率を向上させる点からは、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を６０％以上とすることが好ましい。
【００６５】
また、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が１００％を超える態様において、図２０に示す比較例の異方性導電フィルム１０Ｘのように絶縁性樹脂層２の表面が平坦な場合は導電粒子１と端子との間に介在する樹脂量が過度に多くなる。また、導電粒子１が直接端子に接触して端子を押圧することなく、絶縁性樹脂を介して端子を押圧するので、これによっても導電粒子が樹脂流動によって流され易い。
【００６６】
本発明において、絶縁性樹脂層２の表面の傾斜２ｂ、起伏２ｃの存在は、異方性導電フィルムの断面を走査型電子顕微鏡で観察することにより確認することができ、面視野観察においても確認できる。光学顕微鏡、金属顕微鏡でも傾斜２ｂ、起伏２ｃの観察は可能である。また、傾斜２ｂ、起伏２ｃの大きさは画像観察時の焦点調整などで確認することもできる。上述のようにヒートプレスにより傾斜もしくは起伏を減少させた後であっても、同様である。痕跡が残る場合があるからである。
【００６７】
（絶縁性樹脂層の組成）
絶縁性樹脂層２は、硬化性樹脂組成物から形成することができ、例えば、熱重合性化合物と熱重合開始剤とを含有する熱重合性組成物から形成することができる。熱重合性組成物には必要に応じて光重合開始剤を含有させてもよい。
【００６８】
熱重合開始剤と光重合開始剤を併用する場合に、熱重合性化合物として光重合性化合物としても機能するものを使用してもよく、熱重合性化合物とは別に光重合性化合物を含有させてもよい。好ましくは、熱重合性化合物とは別に光重合性化合物を含有させる。例えば、熱重合開始剤として熱カチオン系重合開始剤、熱重合性化合物としてエポキシ化合物を使用し、光重合開始剤として光ラジカル重合開始剤、光重合性化合物としてアクリレート化合物を使用する。
【００６９】
光重合開始剤として、波長の異なる光に反応する複数種類を含有させてもよい。これにより、異方性導電フィルムの製造時における、絶縁性樹脂層を構成する樹脂の光硬化と、異方性導電接続時に電子部品同士を接着するための樹脂の光硬化とで使用する波長を使い分けることができる。
【００７０】
異方性導電フィルムの製造時の光硬化では、絶縁性樹脂層に含まれる光重合性化合物の全部又は一部を光硬化させることができる。この光硬化により、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の配置が保持乃至固定化され、ショートの抑制と捕捉性の向上が見込まれる。また、この光硬化により、異方性導電フィルムの製造工程における絶縁性樹脂層の粘度を適宜調整してもよい。特にこの光硬化は、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子１の平均粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）が０．６未満である場合に行うことが好ましい。導電粒子の平均粒子径に対して絶縁性樹脂層２の層厚が薄い場合にも絶縁性樹脂層２で導電粒子の配置の保持乃至固定化をより確実に行うと共に、絶縁性樹脂層２の粘度調整を行い、異方性導電フィルムを用いた電子部品同士の接続において歩留まりの低下を抑制するためである。
【００７１】
絶縁性樹脂層における光重合性化合物の配合量は３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、２質量％未満がさらに好ましい。光重合性化合物が多すぎると接続時の押し込みにかかる推力が増加するためである。
【００７２】
熱重合性組成物の例としては、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合性アクリレート系組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合性エポキシ系組成物等が挙げられる。熱カチオン重合開始剤を含む熱カチオン重合性エポキシ系組成物に代えて、熱アニオン重合開始剤を含む熱アニオン重合性エポキシ系組成物を使用してもよい。また、特に支障を来さなければ、複数種の重合性化合物を併用してもよい。併用例としては、カチオン重合性化合物とラジカル重合性化合物の併用などが挙げられる。
【００７３】
ここで、（メタ）アクリレート化合物としては、従来公知の熱重合型（メタ）アクリレートモノマーを使用することができる。例えば、単官能（メタ）アクリレート系モノマー、二官能以上の多官能（メタ）アクリレート系モノマーを使用することができる。
【００７４】
熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ系化合物等を挙げることができる。特に、気泡の原因となる窒素を発生しない有機過酸化物を好ましく使用することができる。
【００７５】
熱ラジカル重合開始剤の使用量は、少なすぎると硬化不良となり、多すぎると製品ライフの低下となるので、（メタ）アクリレート化合物１００質量部に対し、好ましくは２〜６０質量部、より好ましくは５〜４０質量部である。
【００７６】
エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。また、エポキシ化合物に加えてオキセタン化合物を併用してもよい。
【００７７】
熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱カチオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により酸を発生するヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができ、特に、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。
【００７８】
熱カチオン重合開始剤の使用量は、少なすぎても硬化不良となる傾向があり、多すぎても製品ライフが低下する傾向があるので、エポキシ化合物１００質量部に対し、好ましくは２〜６０質量部、より好ましくは５〜４０質量部である。
【００７９】
熱重合性組成物は、膜形成樹脂やシランカップリング剤を含有することが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、製膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。重量平均分子量は１００００以上であることが好ましい。また、シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は、主としてアルコキシシラン誘導体である。
【００８０】
熱重合性組成物には、溶融粘度調整のために、上述の導電粒子１とは別に絶縁性導電粒子を含有させてもよい。これはシリカ粉やアルミナ粉などが挙げられる。絶縁性導電粒子粒径２０〜１０００ｎｍの微小な導電粒子が好ましく、また、配合量はエポキシ化合物等の熱重合性化合物（光重合性化合物）１００質量部に対して５〜５０質量部とすることが好ましい。
【００８１】
本発明の異方性導電フィルムには、上述の絶縁性導電粒子とは別に充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを含有させてもよい。
【００８２】
（絶縁性樹脂層の層厚）
第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａにおいて、絶縁性樹脂層２の層厚は導電粒子１の平均粒子径Ｄや第１電子部品３１、第２電子部品３２、及び第３電子部品３３の端子高さによって変動するため特に限定されないが、一例として、平均粒子径Ｄが１０μｍ未満の場合は、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子１の平均粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）を０．３以上１０以下とすることが好ましく、３以下とすることがより好ましく、１以下とすることがさらに好ましい。絶縁性樹脂層２における導電粒子１の配置の維持の点から、比（Ｌａ／Ｄ）を０．４以上とすることがより好ましい。また、異方性導電接続時の過度な樹脂流動の抑制及び低圧実装の実現の点から１以下とすることがより好ましい。さらに、導電粒子１を絶縁性樹脂層２から露出させることを容易とし、低圧実装をより容易にする点からは、この比（Ｌａ／Ｄ）を１未満とすることが好ましく、より好ましくは０．６未満、さらに好ましくは０．５以下である。尚、比（Ｌａ／Ｄ）を３以下とする場合、絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度の低い第２の絶縁性樹脂層４を設けることが好ましい場合がある。
【００８３】
一方、平均粒子径Ｄが１０μｍ以上の場合には、Ｌａ／Ｄは、上限に関しては、３．５以下、好ましくは２．５以下、より好ましくは２以下とし、下限に関しては０．８以上、好ましくは１以上、より好ましくは１．３より大きくする。
【００８４】
また、平均粒子径Ｄの大きさに関わらず、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが大き過ぎてこの比（Ｌａ／Ｄ）が過度に大きくなると、異方性導電接続時に導電粒子１が端子に押し付けられにくくなると共に、樹脂流動により導電粒子が流されやすくなる。そのため導電粒子が位置ずれしやすくなり、端子における導電粒子の捕捉性が低下する。また、導電粒子を端子に押し付けるために押圧治具に必要とされる推力も増大し、低圧実装の妨げになる。反対に絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが小さすぎてこの比が過度に小さくなると、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の位置に維持することが困難となる。
【００８５】
（第２の絶縁性樹脂層）
異方性導電フィルム１０Ａにおいては、絶縁性樹脂層２に、該絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性樹脂層４が積層されていてもよい（図１０〜図１２）。この第２の絶縁性樹脂層４は、異方性導電接続時に電子部品のバンプ等の端子によって形成される空間を充填し、対向する電子部品同士の接着性を向上させることができる。即ち、異方性導電フィルムを用いた電子部品の低圧実装を可能とするため、及び異方性導電接続時の絶縁性樹脂層２の樹脂流動を抑制して導電粒子１の粒子捕捉性を向上させるため、絶縁性樹脂層２の粘度を高くすると共に、導電粒子１が位置ずれを起こさない範囲で絶縁性樹脂層２の厚さは薄くすることが望ましいが、絶縁性樹脂層２の厚さを過度に薄くすると、対向する電子部品同士を接着させる樹脂量の不足を招くことから接着性の低下が懸念される。これに対し、異方性導電接続時に絶縁性樹脂層２よりも粘度が低い第２の絶縁性樹脂層４を設けることにより、電子部品同士の接着性も向上させることができ、第２の絶縁性樹脂層４の流動性が高いことから端子による導電粒子の挟持や押し込みを阻害し難くすることができる。
【００８６】
導電粒子分散層３に第２の絶縁性樹脂層４を積層する場合、第２の絶縁性樹脂層４が凹み２ｂの形成面上にあるか否かに関わらず、ツールで加圧する電子部品に第２の絶縁性樹脂層４が貼られるようにする（絶縁性樹脂層２がステージに載置される電子部品に貼られるようにする）ことが好ましい。このようにすることで、導電粒子の無用な移動を避けることができ、捕捉性を向上させることができる。
【００８７】
絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４との最低溶融粘度比は、差があるほど電子部品の電極やバンプによって形成される空間が第２の絶縁性樹脂層４で充填されやすくなり、電子部品同士の接着性を向上させることができる。また、この差があるほど導電粒子分散層３中に存在する絶縁性樹脂の移動量が相対的に少なくなり、端子間の導電粒子１が樹脂流動により流されにくくなることにより、端子における導電粒子の捕捉性が向上するので好ましい。実用上は、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４との最低溶融粘度比は、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは８以上である。一方、この比が大きすぎると長尺の異方性導電フィルムを巻装体にした場合に、樹脂のはみだしやブロッキングの虞があるので、実用上は１５以下が好ましい。第２の絶縁性樹脂層４の好ましい最低溶融粘度は、より具体的には、上述の比を満たし、かつ３０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下であり、特に好ましくは１００〜２０００Ｐａ・ｓである。
【００８８】
なお、第２の絶縁性樹脂層４は、絶縁性樹脂層２と同様の樹脂組成物において、粘度を調整することにより形成することができる。
【００８９】
また、第２の絶縁性樹脂層４の層厚は、好ましくは４〜２０μｍである。もしくは、導電粒子径、具体的にはその平均粒子径に対して、好ましくは１〜８倍である。
【００９０】
また、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４を合わせた異方性導電フィルム全体の最低溶融粘度は、実用上は８０００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは２００〜７０００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは２００〜４０００Ｐａ・ｓである。
【００９１】
第２の絶縁性樹脂層４の具体的な積層態様としては、例えば、図１０に示すように導電粒子分散層３の片面に第２の絶縁性樹脂層４を積層することができる。この場合、導電粒子１の平均粒子径Ｄと絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａとの関係は、前述のようにＬａ／Ｄを０．３以上１０以下とする。
【００９２】
図１１に示すように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２の片面から突出している場合に、その突出している面に第２の絶縁性樹脂層４を積層し、第２の絶縁性樹脂層４に導電粒子１を食い込ませてもよい。導電粒子１の埋込率が０．９５以下の場合、このように第２の絶縁性樹脂層４を積層することが好ましく、０．９以下の場合はそうすることがより好ましい。
【００９３】
図１２に示すように、導電粒子１が埋め込まれている絶縁性樹脂層２の面と反対側の面に第２の絶縁性樹脂層４を積層してもよい。
【００９４】
（第３の絶縁性樹脂層）
第２の絶縁性樹脂層４と絶縁性樹脂層２を挟んで反対側に第３の絶縁性樹脂層が設けられていてもよい。第３の絶縁性樹脂層をタック層として機能させることができる。第２の絶縁性樹脂層４と同様に、電子部品の電極やバンプによって形成される空間を充填させるために設けてもよい。
【００９５】
第３の絶縁性樹脂層の樹脂組成、粘度及び厚みは第２の絶縁性樹脂層と同様でもよく、異なっていても良い。絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４と第３の絶縁性樹脂層を合わせた異方性導電フィルムの最低溶融粘度は特に制限はないが、２００〜４０００Ｐａ・ｓとすることができる。
【００９６】
（異方性導電フィルム１０Ａの製造方法）
異方性導電フィルム１０Ａの製造方法としては、例えば、絶縁性樹脂層２の表面に導電粒子１を所定の規則的な配列で保持させ、その導電粒子１を平板又はローラで絶縁性樹脂層２に押し込む。
【００９７】
ここで、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の埋込量Ｌｂは、導電粒子１の押し込み時の押圧力、温度等により調整することができ、また、凹み２ｂ、２ｃの有無、形状及び深さは、押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度、押込速度、温度等により調整することができる。
【００９８】
また、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる手法としては、特に限定されるものではないが、例えば、転写型を使用して絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる。転写型としては、例えば、シリコン、各種セラミックス、ガラス、ステンレススチールなどの金属等の無機材料や、各種樹脂等の有機材料の転写型材料に対し、フォトリソグラフ法等の公知の開口形成方法によって開口を形成したものを使用することができる。なお、転写型は、板状、ロール状等の形状をとることができる。
【００９９】
異方性導電フィルムを用いて電子部品の接続を経済的に行うには、異方性導電フィルムはある程度の長尺であることが好ましい。そこで異方性導電フィルムは長さを、好ましくは５ｍ以上、より好ましくは１０ｍ以上、さらに好ましくは２５ｍ以上に製造する。一方、異方性導電フィルムを過度に長くすると、異方性導電フィルムを用いて電子部品の製造を行う場合に使用する従前の接続装置を使用することができなくなり、取り扱い性も劣る。そこで、異方性導電フィルムは長さを好ましくは５０００ｍ以下、より好ましくは１０００ｍ以下、さらに好ましくは５００ｍ以下に製造する。異方性導電フィルムのこのような長尺体は、巻芯に巻かれた巻装体とすることが取り扱い性に優れる点から好ましい。
【０１００】
（第１の接続構造体の製造方法）
第１の接続構造体４０Ａの製造方法としては、異方性導電フィルム１０Ａが導電粒子分散層３の単層からなる場合、各種基板などの第３電子部品３３に対し、異方性導電フィルムの導電粒子１が表面に埋め込まれている側から仮貼りして仮圧着し、仮圧着した異方性導電フィルムの導電粒子１が表面に埋め込まれていない側にＩＣチップ等の第１電子部品３１を合わせ、熱圧着すると共に、ＦＰＣ等の第２電子部品３２を合わせ、熱圧着することにより製造することができる。この場合、第１電子部品３１と第２電子部品３２の側から加圧ツールで第１電子部品３１と第２電子部品３２を同時に圧着してもよく、これらを別々に加圧ツールで圧着してもよい。
【０１０１】
なお、異方性導電フィルムの絶縁性樹脂層に熱重合開始剤と熱重合性化合物だけでなく、光重合開始剤と光重合性化合物（熱重合性化合物と同一でもよい）が含まれている場合、熱圧着に代えて光と熱を併用した圧着方法でもよい。このようにすれば、導電粒子の無用な移動は最小限に抑えることができる。また、導電粒子が埋め込まれていない側を第３電子部品３３に仮貼りして使用してもよい。第３電子部品ではなく、第１電子部品及び第２電子部品に異方性導電フィルムを仮貼りすることもできる。
【０１０２】
また、異方性導電フィルム１０Ａが、導電粒子分散層３と第２の絶縁性樹脂層４の積層体から形成されている場合、導電粒子分散層３を各種基板などの第３電子部品３３に仮貼りして仮圧着し、仮圧着した異方性導電フィルムの第２の絶縁性樹脂層４側にＩＣチップ等の第１電子部品３１やＦＰＣ等の第２電子部品３２をアライメントして載置し、熱圧着する。異方性導電フィルム１０Ａの第２の絶縁性樹脂層４側を第１電子部品３１や第２電子部品３２に仮貼りしてもよい。また、導電粒子分散層３側を第１電子部品３１や第２電子部品３２に仮貼りして使用することもできる。
【０１０３】
［第２の接続構造体］
（全体構成）
図４Ａは、本発明の接続構造体の態様のうち第２の接続構造体４０Ｂの模式的平面図であり、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅは、第２の接続構造体４０Ｂの異方性導電フィルム部分の模式的断面図の例である。この第２の接続構造体４０Ｂでも、第１の端子パターンを有する第１電子部品３１と、第１の端子パターンと端子の大きさ及びピッチが異なる第２の端子パターンを有する第２電子部品３２とが、第１の端子パターンと第２の端子パターンのそれぞれに対応する端子パターンを有する第３電子部品３３と異方性導電フィルム１０Ｂにより異方性導電接続されているが、この第２の接続構造体４０Ｂでは、第２の接続構造体４０Ｂの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ｂとして、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域１０ｐ、１０ｑを有するものが使用されている点が第１の接続構造体４０Ａと異なっている。これにより、第１電子部品３１及び第２電子部品３２のそれぞれに、第１の接続構造体４０Ａよりもさらに適合した接続を行うことが可能となり、無用な導電粒子をさらに低減することができる。
【０１０４】
第２の接続構造体４０Ｂにおいても、第１の接続構造体４０Ａについて示した図２、図３と同様に、第３電子部品３３に接続する第１電子部品３１や第２電子部品３２の個数や配置について、特に限定はない。
【０１０５】
第２の接続構造体４０Ｂにおいて、異方性導電フィルム１０Ｂが有する、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる領域１０ｐ、１０ｑは、図４Ａに示したように互いに隣接していてもよく、図５Ａに示したように領域１０ｐと領域１０ｑが、導電粒子が存在しない領域１０ｒを介して配置されていてもよい。図５Ｂ、図５Ｃは、図５Ａに示した第２の接続構造体４０Ｂの異方性導電フィルム部分の模式的断面図の例である。図６Ａに示したように、領域１０ｐと領域１０ｑが、これらよりも導電粒子の個数密度が高い領域１０ｓを介して配置されていてもよい。図６Ｂは、図６Ａに示した第２の接続構造体４０Ｂの異方性導電フィルム部分の模式的断面図の例である。また、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度の少なくとも一つが異なる複数の領域は、上述の図４Ａ等に示したようにフィルムの短手方向に並んでいても良く、長手方向に並んでいても良い。この場合、異方性導電フィルムは、絶縁性樹脂層の厚さ方向における導電粒子の位置が、絶縁性樹脂層の一方の表面又はその近傍で揃っている領域と、一方の表面又はその近傍と、他方の表面又はその近傍の双方で揃っている領域とを有することが好ましい。
【０１０６】
（第２の接続構造体における異方性導電フィルム）
第２の接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルム１０Ｂのより具体的な構成としては、例えば、第１電子部品３１と第３電子部品３３とをＣＯＧ接続する場合、異方性導電フィルム１０Ｂの領域１０ｐでは導電粒子の個数密度を７０００個／ｍｍ2以上３５０００個／ｍｍ2以下とし、又は導電粒子の粒子径を２μｍ以上９μｍ以下とし、又は、導電粒子の硬度として、２０％圧縮弾性率（２０％Ｋ値）を４０００Ｎ／ｍｍ2以上２８０００Ｎ／ｍｍ2以下、好ましくは４０００Ｎ／ｍｍ2以上２００００Ｎ／ｍｍ2以下とする。一方、第２電子部品３２と第３電子部品３３とをＦＯＧ接続する場合、異方性導電フィルム１０Ｂの領域１０ｑでは導電粒子の個数密度を５０個／ｍｍ2以上１００００個／ｍｍ2以下とし、又は導電粒子の粒子径を２μｍ以上３０μｍ以下とし、又は、導電粒子の硬度として、２０％圧縮弾性率（２０％Ｋ値）を２０００Ｎ／ｍｍ2以上１８０００Ｎ／ｍｍ2以下とする。
【０１０７】
なお、上記では第１電子部品３１と第３電子部品３３の接続領域と第２電子部品３２と第３電子部品３３の接続領域における種々の数値が重複しているが、各々では上述する範囲で数値が重複しないように設計して用いる。例えば、第１電子部品３１と第３電子部品３３とをＣＯＧ接続する領域の導電粒子の個数密度が８０００個／ｍｍ2であるなら、第２電子部品３２と第３電子部品３３とをＦＯＧ接続する領域の導電粒子の個数密度は８０００個／ｍｍ2未満、好ましくは識別し易くするために２０％以上差を設けて６０００個／ｍｍ2以下とすればよい。他のパラメーターについても同様である。
【０１０８】
ここで、２０％圧縮弾性率としては、微小圧縮試験機（例えば、フィッシャー社製、フィッシャースコープＨ−１００）を用いて導電粒子に圧縮荷重を加えたときの導電粒子の圧縮変量を測定し、
２０％圧縮弾性率（Ｋ）(Ｎ／ｍｍ2 )=（３／２1/2）・Ｆ・Ｓ-3/2・Ｒ-1/2
により算出されるＫ値を使用することができる。
式中、
Ｆ：導電粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電粒子の半径（ｍｍ）
である。
【０１０９】
領域１０ｐと領域１０ｑにおいて、導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度のいずれを異ならせるかは接続する第１電子部品３１と第２電子部品３２に応じて適宜定めるが、個数密度により定めることが好ましい。同じ導電粒子を用いれば、設計上のコンタミ（別種の導電粒子が意図せずに混入すること）を回避できるため、品質管理上好ましいからである。従って、少なくとも一方の面側に存在する導電粒子は、粒子径が同じであることが好ましく、粒子径と硬度が同じであることがより好ましい。
【０１１０】
また、例えば領域１０ｐと領域１０ｑにおいて導電粒子の個数密度を異ならせる場合に、図４Ｂに示したように、絶縁性樹脂層２の片面近傍の導電粒子１の個数密度を異ならせることにより領域１０ｐと領域１０ｑを形成してもよく、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅに示したように、絶縁性樹脂層２の表裏両面の導電粒子１を合わせて導電粒子の個数密度が異なる領域１０ｐと領域１０ｑを形成してもよい。この場合に、図４Ｄに示したように、絶縁性樹脂層２の表裏の導電粒子１が平面視で重なり合って導電粒子ユニット１ｕを形成し、該導電粒子ユニットが規則的に配列するようにしてもよい。
【０１１１】
第２の接続構造体４０Ｂの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ｂにおいて、導電粒子自体の構成、絶縁性樹脂層２の構成、第２の絶縁性樹脂層４の構成等は第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａと同様にすることができる。
【０１１２】
第２の接続構造体４０Ｂの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ｂの製造方法についても、第１の接続構造体４０Ａの製造に使用する異方性導電フィルム１０Ａに準じて製造することができる。例えば、絶縁性樹脂層２の片面に領域１０ｐを形成する導電粒子１を保持させ、その導電粒子１を平板又はローラで絶縁性樹脂層２に押し込み（第１の押し込み工程）、次に、先に導電粒子を押し込んだ絶縁性樹脂層２の片面又はその反対面に、領域１０ｐ、又は領域１０ｐ及び領域１０ｑを形成する導電粒子１を保持させ、その導電粒子を平板又はローラで絶縁性樹脂層に押し込む（第２の押し込み工程）。この場合、第２の押し込み工程で押し込む導電粒子１が、平面視で、第１の押し込み工程で導電粒子１を押し込んだ領域の一部となるようにしてもよく（図４Ｃ、図４Ｄ）、第１の押し込み工程で導電粒子１を押し込んだ領域全体を含むようにしてもよく（図４Ｅ）、第１の押し込み工程で導電粒子１を押し込んだ領域と部分的に重複するようにしてもよい（図６Ｂ）。導電粒子１の粒子配置によっては、第１の押し込み工程において導電粒子１を絶縁性樹脂層２に付着させるために用いた転写型を、第２の押し込み工程においても導電粒子１を絶縁性樹脂層２に付着させるために用いてもよい（図５Ｃ）。これにより、異方性導電フィルムの製造コストを低減させられるので好ましい。この場合、導電粒子１を絶縁性樹脂層２の一方の表面又は他方の表面に付着させることができる。
【０１１３】
第１の押し込み工程で押し込む導電粒子と、第２の押し込み工程で押し込む導電粒子の粒子径や硬度は、必要により同一としてもよく、異ならせてもよい。また、第１の押し込み工程で押し込む導電粒子の配列と第２の押し込み工程で押し込む導電粒子の配列を異ならせてもよく、第１の押し込み工程で押し込む導電粒子の個数密度と第２の押し込み工程で押し込む導電粒子の個数密度を異ならせてもよい。
【０１１４】
なお、一般に、異方性導電フィルムを巻装体に製造する場合、広幅の異方性導電フィルムを所定幅にスリットして帯状とし、それを巻き芯に巻くことがなされるが、例えば、図４Ｅに示した異方性導電フィルム１０Ｂでは、絶縁性樹脂層２の表裏両面近傍の導電粒子の個数密度を、それぞれ異なる個数密度で均一に形成しておき、それを破線の位置でスリットして帯状の異方性導電フィルムとし、そこに領域１０ｐと領域１０ｑを形成することができる。これにより、個数密度の異なる領域１０ｐと領域１０ｑを簡便に形成することができる。
【０１１５】
上記同様の理由から、フィルムの長手方向と直行する方向において、一方の側と反対の側で導電粒子の個数密度が異なることが好ましい。また製造上の理由から、フィルムの一方の面と反対の面で導電粒子の個数密度、粒子径及び硬度が異なることが好ましい。このとき、フィルムの一方の面と反対の面の何れか一方で、導電粒子の粒子間距離が異なることがより好ましい。
【実施例】
【０１１６】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【０１１７】
実施例１〜７、比較例１、２
（１）異方性導電フィルムの製造
表１に示した配合で、導電粒子分散層を形成する絶縁性樹脂層形成用樹脂組成物、及び第２の絶縁性樹脂層形成用樹脂組成物をそれぞれ調製した。絶縁性樹脂層の最低溶融粘度は３０００Ｐａ・ｓ以上であり、この絶縁性樹脂層の最低溶融粘度と第２の絶縁性樹脂層の最低溶融粘度の比は２以上であった。
【０１１８】
絶縁性樹脂層（高粘度樹脂層）を形成する樹脂組成物をバーコーターでフィルム厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃のオーブンにて５分間乾燥させ、ＰＥＴフィルム上に表２に示す厚さの絶縁性樹脂層を形成した。同様にして、第２の絶縁性樹脂層を表２に示す厚さでＰＥＴフィルム上に形成した。
【０１１９】
【表１】
2019036516.tif 000003
【０１２０】
一方、導電粒子（平均粒子径３μｍ又は４μｍ）が平面視で六方格子配列となり、導電粒子の平面視における個数密度（面密度）が表２に示す数値となるように金型を作製した。なお、表２においてＦＯＧ側とＣＯＧ側で導電粒子の面密度が異なるものは、一つの金型に面密度が異なる２つの領域を形成した。この金型に、公知の透明性樹脂のペレットを溶融させた状態で流し込み、冷やして固めることで、凹部が六方格子配列パターンの樹脂型を形成した。
【０１２１】
この樹脂型の凹部に、表２に示す平均粒子径の導電粒子(平均粒子径３μｍ：積水化学工業(株)製、ＡＵＬ７０３、及び平均粒子径４μｍ：積水化学工業(株)製、ＡＵＬ７０４)を充填し、その上に上述の絶縁性樹脂層を被せ、６０℃、０．５ＭＰａで押圧することで貼着させた。そして、型から絶縁性樹脂層を剥離し、絶縁性樹脂層上の導電粒子を（押圧条件：６０〜７０℃、０．５ＭＰａ）で該絶縁性樹脂層内に押し込み、導電粒子分散層を形成した（実施例１〜７）。
【０１２２】
比較例１、２では表１に示した絶縁性樹脂層を形成する樹脂組成物に導電粒子を混合し、導電粒子が単層でランダムに分散した導電粒子分散層を形成した。
【０１２３】
さらに、導電粒子分散層の表面に第２の絶縁性樹脂層を積層することにより２層タイプの異方性導電フィルムを作製した（実施例１〜７、比較例１、２）
【０１２４】
なお、使用した導電粒子の２０％圧縮弾性率（２０％Ｋ値）を、微小圧縮試験機（例えば、フィッシャー社製、フィッシャースコープＨ−１００）を用いて測定した。この結果を表２に示す。
【０１２５】
（２）評価
（１）で作製した実施例及び比較例の異方性導電フィルムを、以下の評価用接続物の作製に適用できるように十分な面積で裁断し、裁断した異方性導電フィルムの一部を以下に示す評価用ＩＣとガラス基板との間に配置し、１８０℃、６０ＭＰａ、５秒で加熱加圧して異方性導電接続し、次に、そのガラス基板に、同じ異方性導電フィルムの別の領域を使用して評価用ＦＰＣをツール幅１．５ｍｍ、２００℃、５ＭＰａ、５秒で加熱加圧して接続することにより、１枚の異方性導電フィルムによって評価用ＩＣと評価用ＦＰＣがガラス基板に異方性導電接続された評価用接続物を得た。
【０１２６】
評価用ＩＣ：
外形  １．８×３０ｍｍ
厚み  ０．５ｍｍ
バンプ仕様  サイズ３０×８５μｍ、バンプ間距離１０μｍ、バンプ高さ１５μｍ、端子個数８２０個
【０１２７】
評価用ＦＰＣ：
端子ピッチ  ２０μｍ
端子幅：端子間スペース＝１：１
ポリイミドフィルム厚／銅箔厚（ＰＩ／Ｃｕ）＝３８／８、Ｓｎ  ｐｌａｔｉｎｇ
【０１２８】
ガラス基板：
（ＣＯＧ側）
ガラス材質  コーニング社製１７３７Ｆ
電極  ＩＴＯ配線
配線厚み  ０．５ｍｍ
（ＦＯＧ側）
電極  ＩＴＯ配線
配線厚み  ０．７ｍｍ
【０１２９】
こうして得た評価用接続物に対し、以下のようにして（ａ）導通抵抗、（ｂ）導通信頼性、（ｃ）最低捕捉数、（ｄ）ショート率を測定し、評価した。結果を表２に示す。
【０１３０】
（ａ）導通抵抗
評価用接続物のＣＯＧ側接続部とＦＯＧ側接続部における導通抵抗を４端子法で測定した。実使用上２Ω以下が好ましい。
【０１３１】
（ｂ）導通信頼性
評価用接続物を温度８５℃、湿度８５％ＲＨの恒温槽に５００時間置き、その後のＣＯＧ側接続部とＦＯＧ側接続部の導通抵抗を、初期導通抵抗と同様に測定した。実使用上５Ω以下が好ましい。
【０１３２】
（ｃ）最低捕捉数
評価用接続物のＣＯＧ側接続部とＦＯＧ側接続部のそれぞれの端子１００個について導電粒子の捕捉数を計測し、最低捕捉数を求め、次の基準で評価した。実使用上、Ｂ評価以上が好ましい。
【０１３３】
最低捕捉数評価基準
Ａ：１０個以上
Ｂ：５個以上１０個未満
Ｃ：３個以上５個未満
Ｄ：３個未満
【０１３４】
（ｄ）ショート率
評価用接続物のＣＯＧ側接続部とＦＯＧ側接続部のそれぞれについて以下の手法でそれぞれのショート数を計測し、端子数に対する計測したショート数の割合としてショート率を求め、次の基準で評価した。実使用上Ｂ評価以上が好ましい。
【０１３５】
ＣＯＧ側接続部におけるショート率
次のショート率の評価用ＩＣを使用して上述と同様の接続条件でＣＯＧ側の評価用接続物を得、得られた評価用接続物のショート数を計測し、評価用ＩＣの端子数に対する計測したショート数の割合としてショート率を求めた。
【０１３６】
ショート率の評価用ＩＣ（７．５μｍスペースの櫛歯ＴＥＧ(test element group))：
外形  １５×１３ｍｍ
厚み  ０．５ｍｍ
バンプ仕様  サイズ２５×１４０μｍ、バンプ間距離７．５μｍ、バンプ高さ１５μｍ
【０１３７】
ＦＯＧ側接続部におけるショート率
（ａ）導通抵抗の試験の評価用接続物の作製に用いた評価用ＦＰＣと同じＦＰＣをノンアルカリガラス基板（厚み０．７ｍｍ）に同様の接続条件で接続することによりＦＯＧ側の評価用接続物を得、得られた評価用接続物のショート数を計測し、計測されたショート数と評価用接続物のギャップ数からショート率を求めた。
【０１３８】
ショート率評価基準
Ａ：５０ｐｐｍ未満
Ｂ：５０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満
Ｃ：１００ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ未満
Ｄ：２００ｐｐｍ以上  
【０１３９】
【表２】
2019036516.tif 000004
【０１４０】
表２から、実施例４、５、６、７ではＦＯＧ側接続部とＣＯＧ側接続部で導電粒子の面密度、粒子径、硬さのいずれも変わらないが、導電粒子が規則的に配列しているため、導通抵抗、導通信頼性、捕捉数、ショート率のいずれも実使用できる結果となった。また、実施例１、２、３では、ＦＯＧ側接続部とＣＯＧ側接続部とで導電粒子の面密度、粒子径、硬さが異なり、実施例４、５、６、７よりもＦＯＧ側又はＣＯＧ側接続部の導通信頼性が向上していることがわかる。これに対し、比較例１、２はＦＯＧ側接続部とＣＯＧ側接続部とで導電粒子の面密度、粒子径、硬さが変わらず、かつ導電粒子がランダムに分散しているため、導電粒子の個数密度が高い比較例１ではＦＯＧ側接続部の導通抵抗と導通信頼性が劣り、導電粒子の個数密度が低い比較例２ではＣＯＧ側接続部の導通抵抗と導通信頼性が劣っていた。
【符号の説明】
【０１４１】
１  導電粒子
２  絶縁性樹脂層
２ｂ  凹み（傾斜）
２ｃ  凹み（起伏）
３  導電粒子分散層
４  第２の絶縁性樹脂層
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ  異方性導電フィルム
１０ｐ、１０ｑ、１０ｒ、１０ｓ  異方性導電フィルムの領域
３１    第１電子部品
３２    第２電子部品
３３    第３電子部品
４０Ａ  第１の接続構造体
４０Ｂ  第２の接続構造体
Ｄ  導電粒子の平均粒子径
Ｌａ  絶縁性樹脂層の層厚
Ｌｂ  隣接する導電粒子間の中央部における接平面と導電粒子最深部との距離
Ｌｃ  傾斜又は起伏における導電粒子の露出（直上）部分の径
Ｌｄ  導電粒子の周り又は直上の絶縁性樹脂層の傾斜又は起伏の最大径
Ｌｅ  導電粒子の周りの絶縁性樹脂層における傾斜の最大深さ
Ｌｆ  導電粒子の直上の絶縁性樹脂層における起伏の最大深さ
【図１】
2019036516.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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