(57)【要約】【課題】ダイシングテープからデバイスチップを容易にピックアップする。【解決手段】ウェーハと、該ウェーハの裏面に装着された接着フィルムと、を分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、該ウェーハと、該接着フィルムを介して該ウェーハの裏面に貼着されたダイシングテープと、該ダイシングテープを介して該ウェーハを支持する環状のフレームと、を含むウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備工程と、該ウェーハユニット準備工程を実施した後に、該ウェーハユニットに該ダイシングテープ側から紫外線を照射する紫外線照射工程と、該紫外線照射工程を実施した後に、該ウェーハ及び該接着フィルムに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該ウェーハに該表面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハ及び該接着フィルムを分割する分割工程と、を有する。【選択図】図２
2019075504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインが表面に設定され、該分割予定ラインによって区画された該表面の複数の領域のそれぞれにデバイスが形成されたウェーハと、該ウェーハの裏面に装着された接着フィルムと、を該分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、
該ウェーハと、該接着フィルムを介して該ウェーハの裏面に貼着されたダイシングテープと、該ダイシングテープを介して該ウェーハを支持する環状のフレームと、を含むウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備工程と、
該ウェーハユニット準備工程を実施した後に、該ウェーハユニットに該ダイシングテープ側から紫外線を照射する紫外線照射工程と、
該紫外線照射工程を実施した後に、該ウェーハ及び該接着フィルムに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該ウェーハに該表面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハ及び該接着フィルムを分割する分割工程と、を有することを特徴とするウェーハ及び接着フィルムの分割方法。
【請求項２】
該分割工程を実施する前に該ウェーハの該表面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程をさらに有することを特徴とする、請求項１記載のウェーハ及び接着フィルムの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着フィルムが予め装着されたウェーハの該接着フィルムを該ウェーハごと分割する分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に複数の交差する分割予定ラインを設定する。そして、該分割予定ラインで区画される各領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスを形成する。その後、該ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着し、該ウェーハを該分割予定ライン（ストリート）に沿って分割する。すると、該ダイシングテープ上に個々のデバイスチップが形成される。
【０００３】
形成された個々のデバイスチップの裏面には、該デバイスチップが所定の実装対象に実装される際に接着剤として機能するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と称されるダイボンディング用の接着フィルムが配設される。該デバイスチップは、該接着フィルムを介して所定の実装対象に実装される。
【０００４】
デバイスチップの裏面に該接着フィルムを装着するには、例えば、分割前のウェーハの裏面に接着フィルムを貼着し、該接着フィルムを介してウェーハをダイシングテープに貼着する。その後、該分割予定ラインに沿って切削ブレードにより該ウェーハとともに該接着フィルムを切断することにより、裏面に該接着フィルムが装着されたデバイスチップを形成できる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、切削ブレードによりウェーハとともに該接着フィルムを切削すると、該接着フィルムに含まれる粘接着材が軟化し、形成されるデバイスチップの裏面に欠けが生じる場合がある。また、該接着フィルムに髭状のバリと呼ばれる突起物が発生する場合がある。該バリは、該デバイスチップと、該所定の実装対象と、の間を電気的に接続するボンディングワイヤーの結線を妨げる場合がある。
【０００７】
そこで、該ウェーハを分割する際に、該接着フィルムが装着されたウェーハに表面側から該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射し、アブレーション加工により該ウェーハ及び該接着フィルムを分割する方法が提案されている。ところが、レーザビームを照射して該ウェーハ及び該接着フィルムを分割すると、該接着フィルムが溶融して該ウェーハ裏面側に貼着されたダイシングテープに融着してしまう場合がある。
【０００８】
この場合、形成されたデバイスチップをダイシングテープからピックアップしようとする際に、ダイシングテープを該デバイスチップから剥離しにくくなり、該デバイスチップに損傷が生じる恐れがある。また、該接着フィルムが該ダイシングテープにより強く融着する場合、該デバイスチップをピックアップできない恐れがある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ダイシングテープからデバイスチップを容易にピックアップできるウェーハ及び接着フィルムの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によると、交差する複数の分割予定ラインが表面に設定され、該分割予定ラインによって区画された該表面の複数の領域のそれぞれにデバイスが形成されたウェーハと、該ウェーハの裏面に装着された接着フィルムと、を該分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、該ウェーハと、該接着フィルムを介して該ウェーハの裏面に貼着されたダイシングテープと、該ダイシングテープを介して該ウェーハを支持する環状のフレームと、を含むウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備工程と、該ウェーハユニット準備工程を実施した後に、該ウェーハユニットに該ダイシングテープ側から紫外線を照射する紫外線照射工程と、該紫外線照射工程を実施した後に、該ウェーハ及び該接着フィルムに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該ウェーハに該表面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハ及び該接着フィルムを分割する分割工程と、を有することを特徴とするウェーハ及び接着フィルムの分割方法が提供される。
【００１１】
なお、本発明の一態様は、該分割工程を実施する前に該ウェーハの該表面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程をさらに有していてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る分割方法では、接着層を有するダイシングテープを用いてウェーハユニットを準備する。該ウェーハユニットは、ウェーハと、該ウェーハの裏面に装着された接着フィルムと、該接着フィルムを介して該ウェーハの裏面に貼着された該ダイシングテープと、を有する。
【００１３】
該分割方法では、該ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該ウェーハ及び該接着フィルムを分割する分割工程を実施する前に、該ダイシングテープに紫外線を照射する紫外線照射工程を実施する。該ダイシングテープに紫外線を照射すると、該ダイシングテープの該接着層の接着力が低下するとともに、該ダイシングテープが硬化する。
【００１４】
すると、該接着フィルムがレーザビームの照射により溶融した際に、溶融した該接着フィルムの該ダイシングテープへの融着が抑制される。そのため、形成されたデバイスチップをピックアップする際に、容易に該ダイシングテープを該デバイスチップから剥離できる。
【００１５】
したがって、本発明の一態様によると、ダイシングテープからデバイスチップを容易にピックアップできるウェーハ及び接着フィルムの分割方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハユニット準備工程の一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハユニット準備工程の他の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、ウェーハユニットを模式的に示す断面図であり、図２（Ｂ）は、紫外線照射工程を模式的に示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、分割工程を模式的に示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、分割工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る分割方法で分割するウェーハ及び接着フィルムについて説明する。図１（Ａ）に、裏面１ｂ側に接着フィルム７が貼着されたウェーハ１の斜視図を模式的に示す。
【００１８】
ウェーハ１は、例えば、シリコン、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる円板状の基板である。図１（Ａ）に示す通り、該ウェーハ１の表面１ａには、互いに交差する複数のストリートと呼ばれる分割予定ライン３が設定されている。該分割予定ライン３により区画された各領域にそれぞれＩＣ（Integrated circuit）やＬＥＤ（Light emitting diode）等のデバイス５が形成されている。
【００１９】
ウェーハ１の裏面１ｂに貼着される接着フィルム７は、デバイスチップを所定の実装対象に実装する際にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と称される接着材として機能する。該接着フィルム７は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、合成ゴム、ポリイミド等からなる基材（不図示）と、該基材上に配設されたアクリル系又はゴム系の糊層（不図示）と、を含む。
【００２０】
該ウェーハ１の裏面１ｂに該接着フィルム７を貼着し、該分割予定ライン３に沿って該ウェーハ１及び該接着フィルム７を分割すると、裏面に接着フィルム７が装着された個々のデバイスチップが得られる。なお、例えば、該ウェーハ１の厚さは３０μｍ〜７５μｍであり、該接着フィルム７の厚さは２０μｍ〜４０μｍである。
【００２１】
次に、本実施形態に係るウェーハ１及び接着フィルム７の分割方法の各工程について詳述する。該分割方法では、まず、該ウェーハ１と、ダイシングテープと、環状のフレームと、を含むウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備工程を実施する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、それぞれ、該ウェーハユニット準備工程の例を模式的に示す斜視図である。
【００２２】
該ウェーハユニット準備工程では、図１（Ａ）に示す通り、ダイシングテープ１１が張られた環状のフレーム９を準備する。環状のフレーム９は、例えば、金属で形成されており、該ウェーハ１の径よりも大きな内径の開口を有する。該フレーム９には、該開口を塞ぐように該ダイシングテープ１１が張られている。該ダイシングテープ１１は、接着力を有する接着層（不図示）を有し、該接着層側が該フレーム９に貼着されている。なお、該接着層は、紫外線が照射されることにより硬化し接着力が低下する樹脂を含む。
【００２３】
裏面１ｂに貼着された接着フィルム７を介してウェーハ１に該ダイシングテープ１１を貼着すると、ウェーハ１と、接着フィルム７と、ダイシングテープ１１と、フレーム９と、が一体となったウェーハユニットが形成される。
【００２４】
後述の通り、該ウェーハ１及び該接着フィルム７が該分割予定ライン３に沿って分割されると、個々のデバイスチップが形成される。該ダイシングテープ１１が拡張されると該デバイスチップ間の間隔が広がり、該デバイスチップのピックアップが容易となる。なお、ダイシングテープ１１を拡張しなくても該デバイスチップのピックアップは可能である。
【００２５】
また、該ウェーハユニット準備工程では、予め該ウェーハ１の裏面１ｂに接着フィルム７が装着されていなくてもよく、該接着フィルム７は、例えば、図１（Ｂ）に示す通り、環状の該フレーム９に張られたダイシングテープ１１上に予め配設されていてもよい。その場合、ウェーハユニット準備工程では、ウェーハ１の裏面１ｂ側に該ダイシングテープ１１を貼着することでウェーハユニットを形成する。
【００２６】
以上に説明したウェーハユニット準備工程で形成されたウェーハユニットを図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）に示す通り、該ウェーハ１は、該ダイシングテープ１１を介して環状のフレーム９に支持される。
【００２７】
本実施形態に係るウェーハ１及び接着フィルム７の分割方法では、次に、ウェーハユニットに該ダイシングテープ１１側から紫外線を照射する紫外線照射工程を実施する。図２（Ｂ）は、該紫外線照射工程を模式的に示す斜視図である。図２（Ｂ）に示す通り、紫外線照射工程では、紫外線照射装置２により該ウェーハユニットに裏面側から紫外線を照射する。
【００２８】
ここで、該紫外線照射工程で該ダイシングテープ１１に照射される紫外線の強度について説明する。該ダイシングテープ１１に紫外線を照射すると該ダイシングテープの接着層（不図示）で化学反応等が生じ、該接着層が硬化するとともに該接着層の接着力が弱まる。該化学反応等を進行させやすく、該接着層の硬化に適した紫外線の照射条件は、該ダイシングテープ１１の種類により異なる。
【００２９】
該化学反応等の進行度は、例えば、照射される紫外線のエネルギー量により決まり、該紫外線のエネルギー量は、該紫外線の強度及び照射時間の積で決まる。例えば、紫外線照射装置２により該接着層の化学反応等を完全に進行させるのに足るエネルギー量を１００％としたとき、該紫外線照射工程では該ダイシングテープ１１に１００％のエネルギー量で紫外線を照射する必要はない。
【００３０】
該ダイシングテープ１１に１００％に満たないエネルギー量で紫外線を照射しても、該化学反応等は該エネルギー量に応じて進行し、該接着層がある程度硬化して接着力が低下する。該紫外線照射工程では、例えば、該エネルギー量の２０％以上、好ましくは５０％以上のエネルギー量で紫外線を該ダイシングテープ１１に照射する。すると、後述の分割工程においてレーザビームを該接着フィルム７に照射して該接着フィルム７が溶融したとき、該接着フィルム７が該ダイシングテープ１１に融着しにくくなる。
【００３１】
なお、該紫外線照射工程において１００％のエネルギー量で該ダイシングテープ１１に紫外線を照射すると、該化学反応等が完全に進行して該ダイシングテープ１１の接着力が失われる場合がある。すると、形成されるデバイスチップのサイズが比較的小さい場合に該デバイスチップが飛散しやすくなる。
【００３２】
最終的に該ウェーハ１及び接着フィルム７を分割してデバイスチップを形成した後、該ダイシングテープ１１に紫外線を照射して、該接着層の接着力を弱めて該デバイスチップからダイシングテープ１１を剥離しやすくする。この際、照射される紫外線のエネルギー量は、例えば、該紫外線照射工程で照射される紫外線のエネルギー量との総和が該１００％を超えるように決定される。
【００３３】
次に、該紫外線工程を実施した後に実施される該ウェーハ１及び該接着フィルム７を分割する分割工程について説明する。該分割工程では、ウェーハユニットをレーザ加工装置に設置し、該ウェーハ１の表面１ａ側から該分割予定ライン３に沿ってレーザビームを照射する。図３（Ａ）は、該分割工程を模式的に示す斜視図である。
【００３４】
まず、該レーザ加工装置４について説明する。該レーザ加工装置４は、該ウェーハユニットを保持するチャックテーブル６と、該チャックテーブル６に保持された該ウェーハユニットのウェーハ１にレーザビームを照射するレーザ加工ユニット８と、を備える。
【００３５】
該チャックテーブル６の上面は、該ウェーハユニットを保持する保持面（不図示）となる。該チャックテーブル６は、一端が該チャックテーブル６の該保持面に通じ、他端が図示しない吸引源に接続された吸引路（不図示）を内部に備える。該吸引源を作動させると、該保持面上に載せられた該ウェーハユニットに負圧が作用して、該ウェーハユニットは該チャックテーブル６に吸引保持される。また、該チャックテーブル６は該保持面６ａに垂直な軸の周りに回転できる。
【００３６】
レーザ加工ユニット８は、該チャックテーブル６の上方に配設される。該レーザ加工ユニット８は、加工ヘッド１０と、撮像ユニット１２と、を備える。該レーザ加工ユニット８は該ウェーハ１及び該接着フィルム７が吸収性を有する波長のレーザビームを発振する機能を有し、該加工ヘッド１０は発振されたレーザビームを集光する機能を有する。該レーザビームには、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４またはＮｄ：ＹＡＧを媒体とし発振されるレーザビームの第２高調波、第３高調波、または第４高調波が用いられる。
【００３７】
該レーザ加工ユニット８は、該チャックテーブル６の保持面に垂直な方向に移動可能であり、該レーザ加工ユニット８を該方向に移動させると、該加工ヘッド１０の集光点の高さ位置を変えられる。該ウェーハ１及び接着フィルム７等の被加工物をレーザ加工する際は、該被加工物の表面に該加工ヘッド１０の集光点が位置付けられる。
【００３８】
該レーザビームを該被加工物の表面に位置付けて該レーザビームを該被加工物に照射すると、該被加工物が加熱されてアブレーション加工される。該チャックテーブル６は、該保持面に平行な方向に移動できる。該被加工物にレーザビームを照射しながら該チャックテーブル６を該保持面に平行な方向に加工送りさせると、該被加工物には加工溝１３が形成される。
【００３９】
なお、レーザビームが該被加工物の被加工箇所のそれぞれに照射される回数は、複数でもよい。すなわち、レーザビームの照射を繰り返して該ウェーハ１及び接着フィルム７に所望の深さの加工溝１３を形成してもよい。被加工箇所にレーザビームを照射する毎に徐々に加工溝１３を深くして、所定の回数レーザビームを照射して所望の深さの加工溝１３を形成する。
【００４０】
照射するレーザビームの出力が高すぎると、加工が予定された領域以外もレーザビームの照射により破壊される場合がある。例えば、デバイス５やウェーハ１に損傷が生じる場合がある。そこで、レーザビームの照射回数を複数として、一度に照射するレーザビームの出力を抑える。すると、デバイス５やウェーハ１の予期せぬ損傷の発生を抑制できる。
【００４１】
該レーザ加工装置４のレーザ加工ユニット８は、さらに、撮像ユニット１２を備える。該撮像ユニット１２は、該ウェーハ１及び接着フィルム７のレーザ加工時に、被加工箇所を撮影する。撮影により得られた画像は、加工予定箇所を適切にレーザ加工できるように該加工ヘッド１０と、該チャックテーブル６と、の位置を調整するアライメントに使用される。
【００４２】
該レーザ加工装置４を使用した分割工程では、まず、該ダイシングテープ１１側を下方に向け該ウェーハ１側を上方に向けた状態で、該レーザ加工装置４のチャックテーブル６の保持面上にウェーハユニットを載せる。次に、該チャックテーブル６の吸引源を作動させて、該ウェーハユニットを該チャックテーブル６に吸引保持させる。そして、該ウェーハ１の分割予定ライン３に沿って該ウェーハ１及び該接着フィルム７をアブレーション加工できるように該チャックテーブル６と、該加工ヘッド１０と、を相対的に移動させる。
【００４３】
次に、該加工ヘッド１０の集光位置が該ウェーハ１の表面１ａの高さ位置となるように該加工ヘッド１０の高さを調整し、レーザ加工ユニット８によるレーザビームの発振を開始し、該チャックテーブル６を加工送りする。すると、該ウェーハ１は該分割予定ライン３に沿ってレーザ加工されて、ウェーハ１に浅い加工溝が形成される。
【００４４】
さらに、チャックテーブル６を移動させ同様に該分割予定ライン３に沿ってレーザ加工を実施し、該加工溝を深くする。このようにレーザビームの照射を繰り返して、図３（Ｂ）に示されるように該ウェーハ１及び該接着フィルム７を分割する加工溝１３を形成する。図３（Ｂ）は、分割工程を模式的に示す断面図である。なお、レーザビームを繰り返して照射する際に、例えば、レーザビームを数回照射する毎に該加工ヘッド１０を下降させて集光位置の高さを該加工溝１３の底部の高さ位置付近に合わせても良い。
【００４５】
レーザビームの照射条件の一例について説明する。該レーザビームには、例えば、波長２６６ｎｍ〜５３２ｎｍのレーザビームが使用される。該レーザビームは、例えば、周波数１０ｋＨｚ〜２ＭＨｚ、パルス幅１０ｆｓ〜１００ｎｓ、パルスエネルギーが１００ｍＪ以下のパルスで被加工物に照射される。加工送り速度（チャックテーブル６の移動速度）は７００ｍｍ／ｓであり、一つの分割予定ライン３に沿って照射されるレーザビームの照射回数は、例えば、１０回である。
【００４６】
一つの分割予定ラインに沿って加工溝１３が形成され該ウェーハ１と、接着フィルム７と、が分割された後、該分割予定ラインに隣接する分割予定ラインに沿って次々と加工溝１３を形成し、該ウェーハ１と接着フィルム７とを分割する。
【００４７】
一つの方向に沿った全ての分割予定ラインに沿って加工溝１３を形成した後、該チャックテーブル６を保持面に垂直な軸の周りに回転させて、他の方向に沿った分割予定ラインに沿って次々と加工溝１３を形成する。すると、ウェーハ１及び接着フィルム７がすべての分割予定ラインに沿って分割されて、個々のデバイスチップが形成される。
【００４８】
該分割工程では、接着フィルム７にもレーザビームが照射される。該接着フィルム７に該レーザビームが照射されると、該接着フィルム７が溶融する。本実施形態に係るウェーハ１及び接着フィルム７の分割方法では、該分割工程を実施する前に紫外線照射工程が実施され、該ダイシングテープ１１に紫外線が照射されるため、該ダイシングテープ１１の接着層の接着力が低下する。そのため、溶融した該接着フィルムが該ダイシングテープ１１に融着しにくい。
【００４９】
なお、本実施形態に係るウェーハ１及び接着フィルム７の分割方法では、該分割工程を実施する前に該ウェーハ１の表面１ａに保護膜を被覆する保護膜被覆工程を実施してもよい。該分割工程でウェーハ１にレーザビームを照射してアブレーション加工を実施すると、デブリと呼ばれる加工屑が発生し、該ウェーハ１の表面１ａに該デブリが付着する場合がある。その後、ウェーハ１の該表面１ａを洗浄しても、該表面１ａに付着したデブリを除去するのは容易ではない。
【００５０】
そこで、該分割工程を実施する前に、該表面１ａに水溶性の樹脂でなる保護膜を塗布する。その後、該保護膜を通してウェーハ１にレーザビームを照射して分割工程を実施する。そして、該表面１ａが該保護膜により被覆されていると、アブレーション加工で生じたデブリが該保護膜に付着する。
【００５１】
分割工程を実施する前に保護膜被覆工程を実施した場合、該分割工程を実施した後に保護膜除去工程を実施する。該保護膜除去工程では、該ウェーハ１の表面１ａを純水等で洗浄し水溶性の樹脂でなる該保護膜を除去する。すると、該保護膜に付着したデブリも除去されるため、該表面１ａにはデブリが残らない。
【００５２】
分割工程を実施した後、該ダイシングテープ１１を径方向外側に引いて拡張する拡張ステップを実施してもよい。該ダイシングテープ１１を拡張することにより該ウェーハ１に該径方向外側に向いた力を加え、形成された個々のデバイスチップ間の間隔を広げると、該デバイスチップを容易にピックアップできるようになる。
【００５３】
該デバイスチップをピックアップする前に、上述の紫外線照射工程と同様に該ダイシングテープ１１に紫外線を照射して、該ダイシングテープ１１の接着層の接着力をさらに低下させてもよい。ここで照射する紫外線のエネルギー量は、例えば、該紫外線照射工程で照射した紫外線のエネルギー量との総和が該接着層に生じる化学反応等を１００％進行させるエネルギー量よりも大きいエネルギー量とする。
【００５４】
該ウェーハ１が分割されて形成されたデバイスチップから該ダイシングテープ１１を剥離させると、裏面側に接着フィルムが装着されたデバイスチップを形成できる。該デバイスチップを所定の実装対象に実装する際に該接着フィルムを加熱すると、該接着フィルム７が接着材として機能して該デバイスチップが該所定の実装対象に実装される。
【００５５】
以上に示す通り、本実施形態に係るウェーハ及び接着フィルムの分割方法によると、該接着フィルムにレーザビームが照射されても、該接着フィルムがダイシングテープ１１に融着しにくく、ダイシングテープ１１からデバイスチップを容易にピックアップできる。
【００５６】
なお、本発明は、上記の実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。上記の実施形態では、ダイシングテープ１１の接着層に紫外線が照射されることにより硬化する材料を用いることを説明したが、本発明の一態様では、接着フィルム７もまた紫外線が照射されることにより硬化が進行してもよい。
【００５７】
紫外線照射工程では、該ダイシングテープ１１に紫外線を照射する際に、一部の紫外線が該接着フィルム７に到達する。該接着フィルム７の硬化が進むと、分割工程で該接着フィルム７にレーザビームが照射された際の該接着フィルム７の溶融が抑制され、該接着フィルム７と、該ダイシングテープ１１と、の融着が抑制される。ただし、硬化が完全に進行するほどのエネルギー量の紫外線が該接着フィルム７に到達すると、該接着フィルム７の接着力が低下して、形成されたデバイチップの接着材としての機能が低下してしまう。
【００５８】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５９】
１  ウェーハ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
３  分割予定ライン
５  デバイス
７  接着フィルム
９  フレーム
１１  ダイシングテープ
１３  加工溝
２  紫外線照射装置
４  レーザ加工装置
６  チャックテーブル
８  レーザ加工ユニット
１０  加工ヘッド
１２  撮像ユニット
１４  レーザビーム
【図１】
2019075504.tif 000003
【図２】
2019075504.tif 000004
【図３】
2019075504.tif 000005