(57)【要約】【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】一実施の形態による半導体装置の製造方法は、アルミニウムから成るパッド（電極パッド）１１Ｔおよびパッド（電極パッド）１１Ｃと、アルミニウムよりも硬い導電性材料から成り、かつ、パッド１１Ｔの一部分を覆うように形成されたカバー膜１５と、を有する半導体ウエハを準備する工程を含む。また、半導体装置の製造方法は、カバー膜１５とプローブ針とを接触させた後、このカバー膜１５を覆うように、絶縁膜２２を形成する工程を含む。また半導体装置の製造方法は、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線（導体パターン）２１の一部がカバー膜１５と重なるように、再配線２１を絶縁膜２２の表面上に形成する工程を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）主面と、前記主面上に形成され、かつ、アルミニウムから成り、かつ、第１の信号または第１の電位が供給される第１電極パッドと、前記主面上に形成され、かつ、アルミニウムから成り、かつ、前記第１の信号または前記第１の電位とは異なる第２の信号または第２の電位が供給される第２電極パッドと、前記主面上に形成され、かつ、前記第１電極パッドの一部を露出する第１開口部および前記第２電極パッドの一部を露出する第２開口部を備えた第１絶縁膜と、アルミニウムよりも硬い導電性材料から成り、かつ、前記第１電極パッドの前記第１絶縁膜から露出する部分を覆うように形成された第１カバー膜と、を有する半導体ウエハを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１カバー膜とプローブ針とを接触させる工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１カバー膜を覆うように、第２絶縁膜を前記第１絶縁膜の表面上に形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第２電極パッドと電気的に接続される第１導体パターンの一部が前記第１カバー膜と重なるように、前記第１導体パターンを前記第２絶縁膜の表面上に形成する工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｃ）工程は、前記第２絶縁膜の原料である液状の有機材料を塗布した後、前記半導体ウエハを回転させて前記有機材料を前記第１絶縁膜上に広げる工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１カバー膜は、アルミニウムより硬い導電性材料から成る第１導電膜と、アルミニウムより酸化され難い導電性材料から成る第２導電膜と、を含む積層膜であり、
前記（ｂ）工程では、前記プローブ針は前記第２導電膜と接触する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１カバー膜は、前記第１導電膜と前記第１電極パッドとの間にある第３導電膜を有し、
前記第２導電膜は、前記第１電極パッド、前記第１導電膜、および前記第３導電膜のそれぞれより電気抵抗率が低い、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記半導体ウエハは、前記第２電極パッドのうち前記第１絶縁膜から露出する部分を覆うように形成された導電膜である第２カバー膜をさらに有し、
前記第１カバー膜および前記第２カバー膜は、無電解メッキ法により形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
平面視において、前記第１カバー膜は、前記第１開口部の外には無い、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｂ）工程では、前記第１カバー膜に前記プローブ針の接触痕が形成され、
平面視において、前記第１導体パターンは、前記接触痕と重なっている、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１導体パターンの一部分に外部端子を接続する工程、をさらに有し、
平面視において、前記外部端子は、前記第１電極パッドと重なっている、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、
前記半導体ウエハは、チップ領域を有し、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１導体パターンの一部分に外部端子を接続する工程、をさらに有し、
平面視において、前記外部端子は、前記チップ領域の周縁部の内側に形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記半導体ウエハは、チップ領域を有し、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１導体パターンの一部分に外部端子を接続する工程、をさらに有し、
平面視において、前記外部端子は、前記チップ領域の周縁部より外側にある、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、
前記半導体ウエハは、前記第２電極パッドのうち前記第１絶縁膜から露出する部分を覆うように形成された導電膜である第２カバー膜をさらに有し、
前記（ｂ）工程には、前記第２カバー膜と前記プローブ針とを接触させて、前記第２電極パッドと検査回路とを電気的に接続する工程が含まれ、
前記（ｄ）工程では、前記第２絶縁膜の前記第２カバー膜と重なる部分に第３開口部が形成され、前記第１導体パターンは、前記第２カバー膜の前記プローブ針と接触した部分に接続される、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、電極パッドとプローブ針とを電気的に接続する工程を含む半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法において、半導体ウエハのパッドにプローブ針を接触させて検査する技術がある。また、パッドの形成層の上層にさらに配線層を形成し、平面視においてパッドと異なる位置に外部端子を形成する技術がある（特開２００９−２４６２１８号公報（特許文献１）、特開２０１６−９２３０５号公報（特許文献２）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４６２１８号公報
【特許文献２】特開２０１６−９２３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体ウエハのパッドにプローブ針を押し付けて電気的な検査を行う工程がある。プローブ針をアルミニウム製のパッドに擦り付ける場合、プローブ針がパッド表面の酸化膜を突き破ってパッドに食い込むことにより、プローブ針とパッドとの接触抵抗を低減できる。また、プローブ針がパッドに擦り付けられることにより、パッドを構成するアルミニウムの一部がパッドの周囲または上方に押し出される。
【０００５】
また、半導体ウエハ（半導体チップ）のパッド形成層の上層に、さらに配線層（再配線層）を設ける事で、半導体チップの外部端子のレイアウトの自由度を向上させる技術がある。上記した電気的な検査を行う工程を含む半導体装置の製造工程において、再配線層を形成する場合、パッドの周囲または上方に押し出されたアルミニウムの一部と再配線層とが接触することを回避する必要がある。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、アルミニウムから成る第１電極パッドおよび第２電極パッドと、アルミニウムよりも硬い導電性材料から成り、かつ、上記第１電極パッドの一部分を覆うように形成された第１カバー膜と、を有する半導体ウエハを準備する工程を含む。また、半導体装置の製造方法は、上記第１カバー膜とプローブ針とを接触させた後、上記第１カバー膜を覆うように、絶縁膜を形成する工程を含む。また半導体装置の製造方法は、上記第２電極パッドと電気的に接続される第１導体パターンの一部が上記第１カバー膜と重なるように、上記第１導体パターンを上記絶縁膜の表面上に形成する工程を含む。
【発明の効果】
【０００８】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施の形態である半導体装置の実装面側の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】図１に示すＢ部の拡大平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線の拡大断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程フローの一例を示す説明図である。
【図６】図５に示すウエハ準備工程で準備する半導体ウエハの平面図である。
【図７】図６のＡ部の拡大平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図９】図８に示すパッド上にカバー膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図１０】図９に示すパッドの拡大断面図である。
【図１１】図１０に対する変形例であって、パッド上の導電膜を電解メッキ法により形成した場合の拡大断面図である。
【図１２】図１０に対する変形例である導電膜を無電解メッキ法により形成した場合の拡大断面図である。
【図１３】図５に示すウエハ検査工程において、半導体ウエハのパッドと検査用のプローブ針とを電気的に接続した状態を模式的に示す拡大断面図である。
【図１４】図１３に示すプローブ針の先端部分の構造を示す拡大断面図である。
【図１５】ウエハ検査工程後のパッド周辺の拡大平面図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線に沿った断面において、パッドを覆う絶縁膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図１７】図１６に示す絶縁膜に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図１８】図１７に示す絶縁膜上に再配線を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図１９】図１７に示す絶縁膜上に再配線を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図２０】図１９に示す再配線を絶縁膜で覆った状態を示す拡大断面図である。
【図２１】図５に示す第２開口部形成工程で、再配線のランド部上に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図２２】図２１に示す再配線のランド部上の開口部に導電膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図２３】図５に示す外部端子形成工程で、半導体ウエハの再配線層上に複数の外部端子を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図２４】図１に対する変形例である半導体装置の実装面側の平面図である。
【図２５】図２４のＡ−Ａ線の断面図である。
【図２６】図２４に示す半導体装置が備える再配線によるパッドと端子との接続関係の一例を示す拡大平面図である。
【図２７】図２４〜図２６に示す半導体装置の製造工程フローの一例を示す説明図である。
【図２８】図３に対する変形例である半導体装置の拡大平面図である。
【図２９】図４に対する変形例である半導体装置の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１１】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１２】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１３】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１４】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１５】
＜半導体装置の構造＞
まず、本実施の形態の半導体装置の構造について説明する。図１は、本実施の形態の半導体装置の実装面側の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線の断面図である。図３は、図１に示すＢ部の拡大平面図である。また、図４は、図３のＡ−Ａ線の拡大断面図である。図３では、パッド１１、カバー膜１５、および再配線２１を点線で示している。
【００１６】
本実施の形態では半導体チップ上に再配線層を形成することにより、平面視において、半導体チップの電極パッドとは異なる位置に端子を設ける、再配線技術を適用した半導体装置について説明する。この一例として、ＷＰＰ（Wafer Process Package）、またはＷＬＰ（Wafer Level Package）と呼称される半導体パッケージを取り上げて説明する。
【００１７】
図１に示す半導体装置ＰＡＣ１は、主面ＰＭＳｔと、主面ＰＭＳｔの反対側の主面ＰＭＳｂ（図２参照）を有する。平面視において、主面ＰＭＳｔは、四辺形を成す。詳しくは主面ＰＭＳｔは、Ｘ方向に延びる辺ＰＳ１、辺ＰＳ１の反対側の辺ＰＳ２、Ｘ方向に交差するＹ方向に延びる辺ＰＳ３、および辺ＰＳ３の反対側の辺ＰＳ４を備える。平面視において、辺ＰＳ１は辺ＰＳ３および辺ＰＳ４のそれぞれと交差し、辺ＰＳ２は辺ＰＳ３および辺ＰＳ４のそれぞれと交差する。
【００１８】
また、半導体装置ＰＡＣ１は、主面ＰＭＳｔ上に配列される複数の端子（外部端子、突起電極、半田ボール）ＳＢを有する。本実施の形態の場合、複数の端子ＳＢのそれぞれは、略球形に成形された半田材料から成る半田ボールである。なお、半導体装置ＰＡＣ１では、端子ＳＢの一例として半田ボールを取り上げて説明するが、端子ＳＢの構造には、種々の変形例がある。例えば、柱状に形成された柱状導体（ピラーバンプ）を用いても良い。柱状導体の場合、例えば銅（Ｃｕ）を主要成分とする柱状導体の先端に、半田層が積層される。また、図１に示す例では、複数の端子ＳＢは、Ｘ方向およびＹ方向に沿って配列されている。半導体装置ＰＡＣ１のように、主面ＰＭＳｔ上に複数の外部端子が配列されている半導体装置は、エリアアレイ型の半導体装置と呼ばれる。エリアアレイ型の半導体装置は、主面ＰＭＳｔが図示しない実装基板の実装面と対向した状態で実装される。この場合、半導体装置の実装面積が低減でき、かつ、端子数を増加させることができる。
【００１９】
また、図２に示すように、半導体装置ＰＡＣ１は、半導体チップ１０と半導体チップ１０上に形成された再配線部２０と、を有する。半導体チップ１０は、例えばトランジスタやダイオードなどの複数の半導体素子、および複数の半導体素子に電気的に接続される複数のパッド１１（図４参照）を備える。再配線部２０は、複数の端子ＳＢと半導体チップ１０との間に配置され、半導体チップ１０と端子ＳＢとを電気的に接続する、再配線２１（図４参照）を備える。再配線部２０を有する半導体装置ＰＡＣ１は、平面視において、半導体チップ１０のパッド１１と異なる位置に端子ＳＢを配置することができる。
【００２０】
図４に示す半導体チップ１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）などの半導体材料からなる半導体基板１２を有する。半導体基板１２は、半導体チップ１０および半導体装置ＰＡＣ１の基材である。また、半導体基板１２は、半導体素子形成面（主面）１２ｔを有し、半導体素子形成面１２ｔに上記した複数の半導体素子が形成されている。図４では図示を省略したが、半導体基板１２は半導体素子形成面１２ｔの反対側にも主面を有している。半導体素子形成面１２ｔの反対側の主面は図２に示す主面ＰＭＳｂと同一面である。
【００２１】
また、半導体素子形成面１２ｔ上には、配線層（チップ配線層）１３が積層される。配線層１３は、パッド形成面である主面（電極パッド形成面）１３ｔを有し、主面１３ｔ上に半導体チップ１０の複数のパッド（電極パッド、アルミパッド）１１が形成される。配線層１３は、半導体基板１２の半導体素子とパッド１１とを電気的に接続する配線を備える。言い換えれば、パッド１１は、配線層１３を介して半導体素子と電気的に接続されている。配線層１３に形成された配線は、例えば銅（Ｃｕ）などの導電性材料から成る。また、配線層１３は複数の配線を有し、複数の配線のそれぞれは無機材料から成る絶縁層に埋め込まれ、互いに絶縁されている。なお、配線層１３は一層には限定されず、複数層の配線層１３が積層されていても良い。
【００２２】
配線層１３の主面１３ｔ上に形成される複数のパッド１１のそれぞれは、アルミニウムから成る。また、主面１３ｔ上には、絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４は、半導体チップ１０の（配線層１３の）主面１３ｔ側を保護するパッシベーション膜である。絶縁膜１４は、無機材料から成る無機膜である。無機膜から成る絶縁膜１４の例としては、例えば、酸化珪素膜（ＳｉＯ２膜）、窒化珪素膜（ＳｉＮ膜）、あるいはこれらの積層膜などを例示することができる。
【００２３】
また、絶縁膜１４は、パッド１１の一部を露出させる開口部を有する。複数のパッド１１のそれぞれは、絶縁膜１４の開口部において、一部分が絶縁膜１４から露出し、かつ他の部分は絶縁膜１４に覆われている。また、絶縁膜１４の開口部内には、カバー膜（導電膜）１５が形成されている。カバー膜１５の詳細については後述する。
【００２４】
また、図３に示すように、複数のパッド１１は、主面ＰＭＳｔの周縁の辺に沿って配置されている。図３に示す例では、複数のパッド１１は、辺ＰＳ１に沿って配列されている。図示は省略するが、半導体装置ＰＡＣ１の場合、図１に示す辺ＰＳ２、ＰＳ３、およびＰＳ４のそれぞれに沿って複数のパッド１１（図３参照）が配列されている。ただし、図１に示す辺ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ３、およびＰＳ４のうち、一部の辺に沿ってパッド１１が配置されていても良い。
【００２５】
トランジスタやダイオードなどの半導体素子により構成される主要な回路は、平面視において主面ＰＭＳｔの中央領域に配置される。一方、複数のパッド１１を含む入出力回路は、主面ＰＭＳｔの周辺領域に配置される。また、半導体装置ＰＡＣ１の場合、複数の端子ＳＢのそれぞれは、平面視において、複数のパッド１１より内側の領域に配列されている。ただし、変形例として複数の端子ＳＢの一部が、パッド１１と重なる位置、あるいはパッド１１より外側の位置に配置される場合もある。
【００２６】
図４に示すように、端子ＳＢとパッド１１とは、再配線部２０の再配線２１を介して電気的に接続される。再配線部２０は、絶縁膜１４の上面（主面、表面）１４ｔ上に形成された絶縁膜（有機絶縁膜）２２を有する。また、再配線部２０は、絶縁膜２２上に形成された再配線２１を有する。また、再配線部２０は、絶縁膜２２上に形成され、再配線２１を覆う絶縁膜（有機絶縁膜）２３を有する。
【００２７】
再配線２１は、カバー膜１５を介してパッド１１に電気的に接続されるコンタクト部２１Ｃと、導電膜ＵＢＭを介して端子ＳＢに接続されるランド部２１Ｌと、コンタクト部２１Ｃとランド部２１Ｌとを接続する配線部２１Ｗと、を有する。なお、図示は省略するが、半導体装置ＰＡＣ１に対する変形例として、カバー膜１５を介さずに、コンタクト部２１Ｃがパッド１１と接続される半導体装置がある。また、別の変形例として、導電膜ＵＢＭを介さずに、ランド部２１Ｌが端子ＳＢと接続される半導体装置がある。
【００２８】
再配線２１は、例えば、絶縁膜２２上に形成されるシード層２１Ｓと、シード層２１Ｓ上に積層される導体層２１Ｍとで構成される。シード層２１Ｓは、有機絶縁膜である絶縁膜２２上に、例えばスパッタ法などにより形成される。また、導体層２１Ｍは、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属膜であって、例えばめっき法によりシード層２１Ｓ上に選択的に形成されている。
【００２９】
また、絶縁膜２２は、再配線２１の下地層を構成する。無機材料から成る絶縁膜１４よりも誘電率が低い、有機材料から成る。本実施の形態では、絶縁膜２２は、例えば、ポリイミド樹脂から成る。絶縁膜２２として有機絶縁膜を用いることにより、再配線２１と配線層１３との間に形成される寄生容量を低減できる。また、絶縁膜２２の厚さ（絶縁膜２３との密着界面から絶縁膜１４との密着界面までの距離）は、３〜５μｍ程度である。
【００３０】
また、絶縁膜２２は、絶縁膜２２を厚さ方向に貫通する開口部２２Ｈを備える。開口部２２Ｈには、再配線２１のコンタクト部２１Ｃが埋め込まれている。また、開口部２２Ｈはパッド１１Ｃ上（図４に示す例ではカバー膜１５Ｃ上）に形成されている。カバー膜１５Ｃの一部分は、開口部２２Ｈにおいて絶縁膜２２から露出している。この構成により、コンタクト部２１Ｃとカバー膜１５Ｃとを電気的に接続することができる。
【００３１】
また、絶縁膜２３は、再配線２１を覆うように形成され、再配線２１を保護する保護膜として機能する。絶縁膜２３は、例えばポリイミド膜などの有機絶縁膜から成る。絶縁膜２３は、半導体装置ＰＡＣ１の主面ＰＭＳｔを持っている。絶縁膜２３を有機絶縁膜とすることにより、絶縁膜２２との密着性を向上させることができる。
【００３２】
また、絶縁膜２３は、絶縁膜２３を厚さ方向に貫通する開口部２３Ｈを備える。開口部２３Ｈには、導電膜ＵＢＭが埋め込まれている。また、開口部２３Ｈは再配線２１のランド部２１Ｌ上に形成されている。ランド部２１Ｌの一部分は、開口部２３Ｈにおいて絶縁膜２３から露出している。この構成により、導電膜ＵＢＭとランド部２１Ｌとを電気的に接続することができる。
【００３３】
また、図４に示すように、カバー膜１５Ｔには擦過痕（プローブ痕）ＳＣＲがある。詳細は後述するが、擦過痕ＳＣＲは、半導体装置ＰＡＣ１の製造工程において電気的な検査を行う際に、プローブ針をカバー膜１５Ｔに押し付けた痕跡である。図４に示すように、本実施の形態の場合、擦過痕ＳＣＲと再配線２１とが厚さ方向に重なっている。言い換えれば、平面視において、再配線２１の配線部２１Ｗと擦過痕ＳＣＲとは重なっている。後で詳細に説明するように、本実施の形態の半導体装置ＰＡＣ１の場合、パッド１１Ｔ上に形成されたカバー膜１５Ｔ上にプローブ針を接触させる。これにより、擦過痕ＳＣＲの凹凸を小さくすることができる。
【００３４】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。本セクションでは、半導体装置ＰＡＣ１の製造工程について、図５に示す製造工程フローに沿って説明する。図５は、図１に示す半導体装置の製造工程フローの一例を示す説明図である。図５に示す製造工程フローは、一例であって、種々の変形例がある。例えば、図５に示す各工程の途中に別の工程を実施しても良い。また例えば、以下で説明する技術思想を損なわない範囲で、工程の順序を入れ替えても良い。また、以下の説明では、ウエハ準備工程と、パッド１１を覆うカバー膜１５を形成するカバー膜形成工程と、ウエハに形成された回路の電気的な検査を行うウエハ検査工程と、をそれぞれ別工程として説明する。ただし、変形例としてはカバー膜形成工程をウエハ準備工程の一部と見做すこともできる。また、カバー膜形成工程およびウエハ検査工程をウエハ準備工程の一部と見做すこともできる。
【００３５】
＜ウエハ準備工程＞
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、ウエハ準備工程を含む。ウエハ準備工程では、例えば、図６〜図８に示すウエハＷＨ１を準備する。図６は、図５に示すウエハ準備工程で準備する半導体ウエハの平面図である。図７は図６のＡ部の拡大平面図である。また、図８は、図７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００３６】
図６に示すウエハＷＨ１は、略円形の平面形状を有する主面ＷＨｔを有している。ウエハＷＨ１の主面ＷＨｔは図４に示す半導体チップ１０の絶縁膜１４の上面１４ｔに対応している。ウエハＷＨ１は、複数のチップ領域ＷＨｃを有し、各チップ領域ＷＨｃが、それぞれ図２に示す半導体チップ１０に相当する。複数のチップ領域ＷＨｃには、それぞれ図４に示す半導体チップ１０が有する半導体素子、パッド１１、半導体基板１２、配線層１３、および絶縁膜１４が形成されている。
【００３７】
また、複数のチップ領域ＷＨｃのうち、隣り合うチップ領域ＷＨｃの間には、スクラブ領域ＷＨｓが形成されている。スクラブ領域ＷＨｓは格子状に形成され、ウエハＷＨ１の主面ＷＨｔ上を複数のチップ領域ＷＨｃに区画している。複数のチップ領域ＷＨｃのそれぞれは、図１に示す主面ＰＭＳｔの各辺に対応する辺ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ３、およびＰＳ４を備える。すなわち、チップ領域ＷＨｃは、Ｘ方向に延びる辺ＰＳ１、辺ＰＳ１の反対側の辺ＰＳ２、Ｘ方向に交差するＹ方向に延びる辺ＰＳ３、および辺ＰＳ３の反対側の辺ＰＳ４を備える。また、図示は省略するが、スクラブ領域ＷＨｓに、複数の導体パターンが形成されていても良い。この導体パターンには、チップ領域ＷＨｃ内に形成される半導体素子などが正しく形成されているか否かを確認するための、ＴＥＧ（Test Element Group）が含まれる。
【００３８】
図６〜図８に示すウエハＷＨ１を準備するウエハ準備工程には、以下の工程が含まれる。まず、ウエハ準備工程は、基材となる半導体基板１２（図４参照）を準備する半導体基板準備工程を含む。半導体基板１２は、略円形のウエハ（例えば、シリコンウエハ）である。半導体基板１２は、平面視において、図６に示す複数のチップ領域ＷＨｃを備えている。なお、図６に示すチップ領域ＷＨｃは、ダイシングされることにより半導体チップ１０（図２参照）になる予定領域であって、チップ領域ＷＨｃとスクラブ領域ＷＨｓとの境界が図６に示すように視認可能な状態で区画されていなくても良い。
【００３９】
また、ウエハ準備工程は、半導体基板準備工程の後、半導体基板１２の半導体素子形成面１２ｔ（図４参照）に複数の半導体素子を形成する半導体素子形成工程を含む。また、ウエハ準備工程は、半導体素子形成工程の後、半導体素子形成面１２ｔ（図４参照）上に、配線層（チップ配線層）１３（図４参照）を形成するチップ配線層形成工程を含む。配線層１３には、半導体素子と電気的に接続される配線と、隣り合う配線間を絶縁する絶縁層１３ｉ（図８参照）と、を有する。
【００４０】
また、ウエハ準備工程は、チップ配線層形成工程の後、図８に示すように、パッド形成面である配線層１３の主面１３ｔ上にパッド１１を形成するパッド形成工程を含む。パッド形成工程では、主成分としてアルミニウムを含む金属材料（アルミニウムやアルミニウム合金）から成る金属膜であるパッド１１を主面１３ｔ上に形成する。本願では、パッド１１の主要部を構成する金属膜のことを、アルミニウムから成る膜、またはアルミニウム膜と呼ぶが、アルミニウムから成る膜、またはアルミニウム膜には、アルミニウムのみから成る金属膜の他、アルミニウム合金膜も含む。また、図８では図示を省略したが、後述する図１０に示すように、アルミニウム膜であるパッド１１と主面１３ｔとの間に、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などのバリアメタル膜１１ＢＭが介在しても良い。また、アルミニウム膜の上層（上面１１ｔ上）に、上記バリアメタル膜１１ＢＭが形成されていても良い。
【００４１】
パッド形成工程で形成されるパッド１１には、パッド１１Ｔとパッド１１Ｃとが含まれる。パッド１１Ｔとパッド１１Ｃには、互いに異なる電位または信号が供給される。例えば、パッド１１Ｔは、図５に示すウエハ検査工程において、回路検査用の検査信号または検査用電位が供給される。またパッド１１Ｃは、図示しない入出力回路を介して、半導体素子形成面１２ｔに形成された半導体素子に接続されている。パッド１１Ｃが信号制御系のパッドである場合、パッド１１Ｃには半導体素子への入力信号または半導体素子からの出力信号が供給される。また、パッド１１Ｃが回路を駆動する電源系のパッドである場合、パッド１１Ｃには、電源系回路に供給される電源電位または基準電位が供給される。パッド１１Ｔとパッド１１Ｃとは互いに異なる回路に接続されている。また、パッド１１Ｔに電位または信号を供給する回路とパッド１１Ｃに電位または信号を供給する回路とは電気的に分離されている。
【００４２】
また、ウエハ準備工程は、パッド形成工程の後、配線層１３の主面１３ｔおよびパッド１１を覆うように保護膜としての絶縁膜１４を形成する保護膜形成工程を含む。保護膜形成工程では、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）や窒化珪素（ＳｉＮ）などの無機絶縁材料から成る絶縁膜１４が形成される。絶縁膜１４は複数層の無機絶縁膜の積層膜であっても良い。保護膜形成工程では、複数のパッド１１の全体が絶縁膜１４により覆われる。
【００４３】
また、ウエハ準備工程は、保護膜形成工程の後、絶縁膜１４に複数の開口部１４Ｈを形成し、開口部１４Ｈにおいて複数のパッド１１のそれぞれの一部分を露出させる開口部形成工程を含む。パッド１１は、配線層１３の主面１３ｔと対向する下面（裏面）１１ｂと下面の反対側の上面（表面）１１ｔを有する。開口部形成工程では、パッド１１の上面１１ｔの一部分が露出する。ただし、パッド１１の上面の周縁部は、開口部１４Ｈと重ならない。言い換えれば、パッド１１の上面の周縁部は、開口部形成工程の後も絶縁膜１４に覆われている。また、開口部形成工程では、パッド１１のアルミニウム膜が露出する。例えば、上記したように、アルミニウム膜の上面１１ｔ上にバリアメタル膜１１ＢＭ（後述する図１０参照）が形成されている場合、開口部形成工程において、このバリアメタル膜１１ＢＭの一部分が除去される。これにより、アルミニウム膜の上面１１ｔの一部分（周縁部の内側の中央部）は、絶縁膜１４およびバリアメタル膜１１ＢＭから露出する。
【００４４】
＜カバー膜形成工程＞
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、図５に示すカバー膜形成工程を含む。カバー膜形成工程では、図９に示すように、パッド１１のうち、絶縁膜１４から露出する部分を覆うようにカバー膜であるカバー膜１５を形成する。図９は、図８に示すパッド上にカバー膜を形成した状態を示す拡大断面図である。また、図１０は、図９に示すパッドの拡大断面図である。また図１１は、図１０に対する変形例であって、パッド上の導電膜を電解メッキ法により形成した場合の拡大断面図である。また図１２は、図１０に対する変形例である導電膜を無電解メッキ法により形成した場合の拡大断面図である。
【００４５】
カバー膜形成工程の詳細を説明する前に、カバー膜形成工程を実施する理由について説明する。図５に示すウエハ検査工程では、プローブ針とパッド１１とを電気的に接続することによりウエハに形成された回路の電気的な試験（検査）を行う。この時、アルミニウムから成るパッド１１に直接プローブ針を擦り付けた場合、パッド１１の一部分がプローブ針により排斥され、プローブ針の周囲に金属片（アルミニウム片）が盛り上がる。そして、図３に示すように平面視においてパッド１１Ｃに接続される再配線２１とパッド１１Ｔとが重なっている場合、プローブ針により排斥された金属片と再配線２１とが接触してしまう場合があることが判った。
【００４６】
パッド１１Ｃとパッド１１Ｔには、上記したように異なる電位または異なる信号が供給されるので、パッド１１Ｔに接続される金属片とパッド１１Ｃに接続される再配線２１との接触は回避する必要がある。本願発明者は、パッド１１Ｃとパッド１１Ｔとの短絡回避策について検討した。
【００４７】
まず、パッド１１Ｃとパッド１１Ｔとの短絡回避策としては、平面視において、パッド１１Ｃに接続される再配線２１とパッド１１Ｔとが重ならないように、再配線２１のレイアウトを制限する方法が考えられる。この場合、ウエハ検査工程において、プローブ針とアルミニウム膜とを接触させることにより金属片が生じたとしても、パッド１１Ｔと再配線２１との距離が十分に離れていれば、短絡は回避できる。しかし、この方法の場合、再配線２１のレイアウトに制約が生じる。特に、近年は、半導体装置の高機能化に伴い、一つの半導体チップが有するパッドの数は増加する傾向にある。これに伴って再配線２１の数も増加するので、再配線２１のレイアウトに制約が生じると、パッドの数の増加を阻害する。あるいは、再配線２１の引き回しスペースを確保するため、半導体チップの平面サイズが増大する。
【００４８】
また、別の方法として、図４に示す絶縁膜２２の厚さ（絶縁膜２３との密着界面から絶縁膜１４との密着界面までの距離）を大きくする方法がある（例えば、絶縁膜２２の厚さを、５μｍより大きくする）。この方法の場合、パッド１１の一部分がプローブ針ＰＲ１（後述する図１３参照）により排斥され、かつ、パッド１１Ｃに接続された再配線２１が、パッド１１Ｔ、すなわち、排斥されたパッド１１の一部分（プローブ針ＰＲ１により排斥された金属片）の近傍（上方）を経由するように引き回されているとしても、排斥されたパッド１１の一部分と再配線２１との間に絶縁膜２２を介在させることができる。このため、プローブ針ＰＲ１により排斥された金属片と再配線２１とが互いに接触（短絡）することを抑制できる。しかし、この方法の場合、パッド１１Ｃに再配線２１を接続するために絶縁膜２２に形成される開口部２２Ｈのアスペクト比が大きくなる、すなわち、開口部２２Ｈの幅に対して、開口部２２Ｈの深さが大きくなる。これにより、この開口部２２Ｈ内において、再配線２１が断線する懸念が生じる。
【００４９】
したがって、パッド１１の高密度化、半導体チップの小型化、あるいは再配線の信頼性の観点からは、ウエハ検査工程において金属片の発生を抑制する、あるいはウエハ検査工程において発生した金属片の大きさを低減する技術が好ましい。
【００５０】
ウエハ検査工程においてアルミニウムがプローブ針に多く排斥される理由の一つは、アルミニウムが柔らかい金属材料であることである。また、ウエハ検査工程においてアルミニウムがプローブ針に多く排斥される理由の一つとして、アルミニウム膜は、表面に酸化アルミニウム膜が形成され易いという特性がある。この場合、プローブ針とパッド１１との接触抵抗を低減する観点から、アルミニウムから成るパッド１１の表面に形成された酸化膜を貫通するようにプローブ針を食い込ませる必要がある。この結果、プローブ針はパッド１１に強い力でこすり付けられ、結果として多くのアルミニウムが排斥されて、金属片の大きさが大きくなる。
【００５１】
そこで、本実施の形態のカバー膜形成工程で形成されるカバー膜１５は、アルミニウムよりも硬い導電性材料を含んでいる。例えばカバー膜１５は、パラジウム（Ｐｄ）を主成分として含んでいる。詳しくは、図１０に示すように、カバー膜１５は、ニッケル（Ｎｉ）から成る導電膜１５Ｌ１と、パラジウムから成る導電膜１５Ｌ２と、の積層膜である。パラジウムおよびニッケルは、いずれもアルミニウムより硬い（言い換えればヤング率が大きい）。このため、後述するウエハ検査工程において、プローブ針をカバー膜１５に擦り付けた場合、パッド１１に擦り付けた場合と比較して排斥される金属の量を低減することができる。
【００５２】
例えば、アルミニウム製のパッド１１にプローブ針を擦り付けた場合、３μｍを超える高さの金属片がパッド１１の上面１１ｔから盛り上がるように形成される。一方、プローブ針を導電膜１５Ｌ２に擦り付けた場合、金属片が生じたとしてもその高さは０．５μｍ以下である。
【００５３】
また、パラジウムは、アルミニウムより酸化され難い（言い換えれば、イオン化傾向が小さい）導電性材料である。このため、プローブ針が導電膜１５Ｌ２に食い込まなくてもプローブ針と導電膜１５Ｌ２との接触抵抗は小さい。また、プローブ針と導電膜１５Ｌ２との接触抵抗が小さいので、プローブ針を導電膜１５Ｌ２に擦り付ける力を小さくすることができる。これにより、さらに金属片を発生し難くすることができる。この結果、絶縁膜２２の厚さを薄くすることができる。なお、本実施の形態では、前述のように絶縁膜２２の厚さは３〜５μｍ程度であるが、金属片の高さよりも厚ければ（高ければ）、その厚さはさらに薄くても良い。
【００５４】
なお、カバー膜１５は、パラジウムから成る導電膜１５Ｌ２の単相膜であっても良い。しかし、パラジウム膜とアルミニウム膜との接合特性を考慮すると、パラジウム膜とアルミニウム膜との間にニッケル膜が介在していることが好ましい。このため、本実施の形態では、図１０に示すように導電膜１５Ｌ２とパッド１１との間に、導電膜１５Ｌ１が介在している。
【００５５】
また、カバー膜１５は、メッキ法により形成される。詳しくは、本実施の形態の場合、カバー膜１５は、無電解メッキ法により形成される。カバー膜１５は電解メッキ法によって形成することもできる。ただし、以下の観点からは、カバー膜１５は無電解メッキ法により形成されることが好ましい。
【００５６】
電解メッキ法の場合、図１１に示すように、絶縁膜１４を覆うようにマスク（メッキマスク）ＰＭを配置する。マスクＰＭには開口部ＰＭＨを有し、開口部ＰＭＨにおいて露出する被メッキ面にカバー膜１５を成長させる。このため、絶縁膜１４の開口部１４ＨとマスクＰＭの開口部ＰＭＨとの位置合わせ精度が低い場合、カバー膜１５とパッド１１との位置ずれが大きくなる。本実施の形態のように、パッド１１の配置密度が高い場合、カバー膜１５とパッド１１との位置ずれの程度によっては、隣り合うように配置されるパッド１１がカバー膜１５を介して短絡してしまう懸念がある。
【００５７】
一方、本実施の形態のように、カバー膜１５を無電解メッキ法により形成した場合、図１０に示すように、カバー膜１５は、パッド１１の上面１１ｔのうち、絶縁膜１４から露出した部分の上に選択的に成長する。言い換えれば、無電解メッキ法の場合、絶縁膜１４に設けられた開口部１４Ｈによってカバー膜１５が形成される位置が制御される。したがって、無電解メッキ法の場合、上記したカバー膜１５とパッド１１との位置ずれを考慮しなくて良い。
【００５８】
ただし、無電解メッキ法によりカバー膜１５を形成する場合でも、カバー膜１５が成長し続ければ、カバー膜１５が絶縁膜１４上に広がる。そして、カバー膜１５が過剰に広がれば、隣り合うパッド１１同士が短絡する可能性がある。本実施の形態の場合、図３に示すように、カバー膜１５は、平面視において、開口部１４Ｈ内にあり、かつ、開口部１４Ｈの外（外側）には無い。このようにカバー膜１５が形成される範囲が、平面視において開口部１４Ｈの内側であれば、隣り合うパッド１１がカバー膜１５を介して短絡することを防止できる。
【００５９】
なお、無電解メッキ法により成膜する場合、図１０に示すように、開口部１４Ｈの中央部分におけるカバー膜１５の厚さが周縁部分におけるカバー膜１５の厚さより厚くなる場合がある。この場合、カバー膜１５の厚さ方向（図１０に示すＺ方向）において、最も厚い部分が開口部１４Ｈの周縁部における絶縁膜１４の上面１４ｔより高い位置まで盛り上がっていても良い。
【００６０】
また、カバー膜１５を形成する成膜方法の変形例としては、本実施の形態で説明した無電解メッキ法の他、図１１に示す電界メッキ法による成膜方法、あるいはスパッタリング法による成膜方法など、種々の変形例がある。ただし、上記したように、隣り合うパッド１１がカバー膜１５を介して短絡することを防止する観点からは、金属材料などの導電性材料が露出している領域に選択的に導電膜を成膜できる方法が好ましい。このため、カバー膜１５は、無電解メッキ法により形成されていることが特に好ましい。
【００６１】
また、カバー膜１５は、上記したように、ウエハ検査工程においてプローブ針を接触させた時の金属片の発生を抑制するために形成された膜である。したがって、全てのパッド１１上にカバー膜１５が形成されていなくても良い。例えば、後述するウエハ検査工程において、プローブ針が接触しないパッド１１がある場合には、そのパッド１１には、カバー膜１５が形成されていても良いし、形成されていなくても良い。カバー膜１５が電解メッキ法により形成される場合には、図１１に示すマスクＰＭの開口部ＰＭＨの数を低減することができる。一方、無電解メッキ法によりカバー膜１５を形成する場合には、全てのパッド１１上にカバー膜１５が形成されている方がカバー膜形成工程の効率が良い。
【００６２】
また、図９〜図１１に示すカバー膜１５を構成する導電性材料の構成には、種々の変形例がある。例えば、図１２に示すように、カバー膜１５は、導電膜１５Ｌ１、導電膜１５Ｌ２、および導電膜１５Ｌ３の三層の積層構造であっても良い。
【００６３】
図１２に示す例では、導電膜１５Ｌ２は、アルミニウムより硬い導電性材料（例えばパラジウム）を主成分として含んでいる。また、導電膜１５Ｌ３は、アルミニウムより酸化され難い（イオン化傾向が小さい）導電性材料（例えば金（Ａｕ））を主成分として含んでいる。また、導電膜１５Ｌ２とパッド１１との間にある導電膜１５Ｌ１は、例えばニッケルを主成分として含んでいる。積層膜であるカバー膜１５のうち、最上層に積層される導電膜１５Ｌ３は、パッド１１、導電膜１５Ｌ１および導電膜１５Ｌ２のそれぞれより電気抵抗率が低い。このため、ウエハ検査工程において、プローブ針とカバー膜１５との接触抵抗を低減できる。なお、金のヤング率は、パラジウムやニッケルのヤング率よりも小さい（言い換えれば金は柔らかい）。導電膜１５Ｌ３に金を主成分とする導電性材料を用いる場合には、図１２に示すように、導電膜１５Ｌ３の厚さが導電膜１５Ｌ１の厚さより薄いことが好ましい。図１２に示す例では、導電膜１５Ｌ３の厚さは、導電膜１５Ｌ２の厚さと同程度であり、例えば０．５μｍ程度である。一方、導電膜１５Ｌ１の厚さは、１〜２μｍ程度である。
【００６４】
また、図１０、図１１あるいは図１２に示すように、カバー膜１５が複数種類の導電膜の積層膜である場合、複数の導電膜１５Ｌ１、１５Ｌ２、１５Ｌ３（図１１および図１２参照）のうち、最も厚い導電膜１５Ｌ１は、アルミニウムより硬い（言い換えればヤング率が大きい）導電性材料から成ることが好ましい。
【００６５】
また、上記したようにニッケルは、アルミニウムより硬い（言い換えればヤング率が大きい）。したがって、図１２に示す導電膜１５Ｌ２および導電膜１５Ｌ１の部分がニッケルを主成分とする導電性材料により形成されていても良い。この場合、図１２に示すように、カバー膜１５の最上層には、例えば金など、ニッケルより酸化され難い（イオン化傾向が小さい）導電性材料により形成された導電膜１５Ｌ３で覆われていることが好ましい。
【００６６】
また、導電膜１５Ｌ３が、チタン（Ｔｉ）を主成分とする導電性材料、あるいはクロム（Ｃｒ）を主成分とする導電性材料により形成されていても良い。あるいは、導電膜１５Ｌ３が、上記した導電性材料のうち、複数種類の導電性材料から成る導電膜の積層膜であっても良い。言い換えれば、カバー膜１５は、４層以上の導電膜の積層膜であっても良い。また、上記の導電膜の構成は、図１１に示すように電解メッキにより成膜される場合にも同様である。
【００６７】
また、スパッタリング法によりカバー膜１５を形成する例として、チタン（Ｔｉ）膜（チタンを主成分とする導電膜）とパラジウム膜（パラジウムを主成分とする導電膜）の積層膜、あるいは窒化チタン（ＴｉＮ）膜（窒化チタンを主成分とする導電膜）とパラジウム膜の積層膜を例示することもできる。
【００６８】
＜ウエハ検査工程＞
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、図５に示すウエハ検査工程を含む。ウエハ検査工程では、図１３に示すように、カバー膜１５Ｔとプローブ針ＰＲ１とを接触させて、ウエハに形成された回路の電気的な試験を行う。図１３は、図５に示すウエハ検査工程において、半導体ウエハのパッドと検査用のプローブ針とを電気的に接続した状態を模式的に示す拡大断面図である。また、図１４は、図１３に示すプローブ針の先端部分の構造を示す拡大断面図である。また、図１５は、ウエハ検査工程後のパッド周辺の拡大平面図である。
【００６９】
図１３に模式的に示すように、プローブ針ＰＲ１は、検査回路（回路）ＴＣ１と電気的に接続されている。ウエハ検査工程で、プローブ針ＰＲ１とカバー膜１５Ｔとを接触させると、パッド１１Ｔと検査回路ＴＣ１とは電気的に接続される。また、パッド１１Ｔは、ウエハＷＨ１のチップ領域ＷＨｃに形成された回路ＷＣ１と電気的に接続されている。ウエハ検査工程で、プローブ針ＰＲ１とカバー膜１５Ｔとを接触させると、検査回路ＴＣ１と回路ＷＣ１とが電気的に接続される。パッド１１Ｔは、例えばテスト用のパッドであって、パッド１１Ｔには、例えば、検査回路ＴＣ１から回路ＷＣ１の電気的な試験に用いる信号（検査用信号）または電位（検査用電位）が供給される。あるいは、パッド１１Ｔには、回路ＷＣ１から出力された検査用の出力信号または電位が供給される。
【００７０】
図１４に示すように、プローブ針ＰＲ１は、カバー膜１５に接触するコンタクト部ＰＲｃとＹ方向に沿って延びる延在部ＰＲｗとを備え、コンタクト部ＰＲｃと延在部ＰＲｗとの間には、９０度より大きな角度で屈曲する屈曲部ＰＲｂがある。図１４に示す構造のプローブ針ＰＲ１はカンチレバーと呼ばれる。プローブ針ＰＲ１を、図１４のＺ方向に沿ってカバー膜１５に近づく方向に押し下げると、コンタクト部ＰＲｃの先端は、カバー膜１５に押し付けられながらＹ方向に移動（滑走）する（以下、滑走動作と呼ぶ）。この滑走動作によりコンタクト部ＰＲｃの一部分がカバー膜１５の上面（露出面、表面）１５ｔに食い込み、良好な接触状態（接触抵抗が低減された状態）が得られる。一方、カバー膜１５の上面１５ｔには、プローブ針ＰＲ１との接触痕である擦過痕（プローブ痕、接触痕）ＳＣＲ（図１５参照）が形成される。
【００７１】
上記した滑走動作では、強い荷重がプローブ針ＰＲ１から印加される。このため、本実施の形態のようなカバー膜１５Ｔを設けず、プローブ針ＰＲ１とアルミニウム膜であるパッド１１とを直接接触させた場合、上記した滑走動作により多量のアルミニウムが排斥される。この結果、擦過痕ＳＣＲの凹凸が大きくなり、その一部が金属片としてパッド１１の周囲に盛り上がる。しかし、本実施の形態によれば、アルミニウムより硬い導電性材料からなるカバー膜１５とプローブ針ＰＲ１とを接触させることにより、擦過痕ＳＣＲの凹凸が大きくなることを抑制できる。
【００７２】
また、本実施の形態の場合、図１５に示すカバー膜１５Ｔおよびカバー膜１５Ｃのそれぞれにプローブ針ＰＲ１（図１３参照）を接触させる。このため、カバー膜１５Ｃおよびカバー膜１５Ｔにはそれぞれ擦過痕ＳＣＲが形成される。ただし、変形例としては、複数のカバー膜１５の一部にプローブ針ＰＲ１を接触させても良い。この場合、プローブ針ＰＲ１が接触しなかったカバー膜１５には、擦過痕ＳＣＲが形成されない。
【００７３】
＜再配線部形成工程＞
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、図５に示す再配線部形成工程を含む。
【００７４】
図５に示す再配線部形成工程には、以下の工程が含まれる。まず、再配線部形成工程は、図１６に示すように、ウエハ検査工程の後、パッド１１Ｔおよび１１Ｃを覆うように、絶縁膜２２を絶縁膜１４の上面１４ｔ上に形成する、第１絶縁膜形成工程を含む。図１６は、図１５のＡ−Ａ線に沿った断面において、パッドを覆う絶縁膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【００７５】
本実施の形態では、上記したように、複数のパッド１１のそれぞれの上にカバー膜１５が形成された状態で絶縁膜２２を形成する。したがって、第１絶縁膜形成工程では、カバー膜１５Ｔおよびカバー膜１５Ｃを覆うように、絶縁膜２２が形成される。
【００７６】
本工程で絶縁膜１４上に形成される絶縁膜２２は、絶縁膜１４より誘電率が低い有機材料から成る。本実施の形態の場合、絶縁膜２２は、例えば、ポリイミド樹脂から成る。上記したように、絶縁膜２２として有機絶縁膜を用いることにより、図４に示す再配線２１と配線層１３との間に形成される寄生容量を低減できる。また、再配線２１への寄生容量の影響を低減する観点からは、絶縁膜２２の膜厚を均一化することが好ましい。このように絶縁膜２２の膜厚を均一化する方法として、本実施の形態では、絶縁膜２２はスピンコート法により形成されている。
【００７７】
スピンコート法により絶縁膜２２を形成する場合、まず、絶縁膜２２の原料である液状の有機材料（ポリイミド樹脂と溶媒とを含む液体であって、以下では原料液と呼ぶ）を絶縁膜１４上に塗布する。その後、ウエハＷＨ１を回転させ、その遠心力を利用することにより、原料液を絶縁膜１４上に広げる。その後、原料液に含まれる溶媒成分を蒸発させ、樹脂成分を硬化させることにより、ポリイミド樹脂から成る絶縁膜２２が得られる。絶縁膜２２を形成する他の方法としては、ノズルから原料液を吐出することにより塗布する方法や、インクジェットヘッドにより原料液を塗布する方法などがある。スピンコート法は、上記の変形例と比較して、得られる膜の膜厚を均一化できる点、および膜厚を薄くできる点で優れている。絶縁膜２２を形成する他の方法として、予めフィルム状に形成された絶縁膜２２を絶縁膜１４に貼り付ける方法もある。ただし、絶縁膜２２と絶縁膜１４との密着性を向上させる観点からは、本実施の形態のように、スピンコート法により絶縁膜２２が形成されることが好ましい。
【００７８】
スピンコート法により絶縁膜２２を形成する場合、原料液を遠心力により拡散させる。このため、パッド１１上に金属片が残留していると、金属片の大きさによっては、金属片の全体を絶縁膜２２を覆うことが出来ず、金属片の一部が絶縁膜２２から露出してしまう場合がある。絶縁膜２２は、図４に示す再配線２１の下地層である。このため、金属片の一部が絶縁膜２２から露出していると、再配線２１と金属片とが接触する原因になる。あるいは、再配線２１のレイアウト上の制約が増大する原因になる。
【００７９】
本実施の形態の場合、図１３を用いて説明したように、カバー膜１５にプローブ針ＰＲ１を接触させる。この場合、図４に示す擦過痕ＳＣＲの凹凸の高さを低減できる。このため、本実施の形態によれば、絶縁膜２２の形成方法としてスピンコート法を採用した場合でも、擦過痕ＳＣＲの一部が絶縁膜２２から露出することを防止できる。擦過痕ＳＣＲが絶縁膜２２に覆われた状態であれば、図４に示す再配線２１と擦過痕ＳＣＲとは接触しない。したがって、図４に示すように、カバー膜１５Ｔの擦過痕ＳＣＲとパッド１１Ｃに接続される再配線２１とが重畳している（言い換えれば、平面視において、カバー膜１５Ｔの擦過痕ＳＣＲとパッド１１Ｃに接続される再配線２１とが重なっている）状態でも、パッド１１Ｔとパッド１１Ｃとの短絡は生じない。言い換えれば、本実施の形態によれば、再配線２１のレイアウトの自由度を向上させることができる。
【００８０】
また、再配線部形成工程は、図１７に示すように、第１絶縁膜形成工程の後、カバー膜１５Ｃの上面１５ｔの一部分が絶縁膜２２から露出するように、絶縁膜２２に開口部２２Ｈを形成する、第１開口部形成工程を含む。図１７は、図１６に示す絶縁膜に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。
【００８１】
第１開口部形成工程では、パッド１１Ｃを外部端子である端子ＳＢ（図４参照）に電気的に接続するため、パッド１１Ｃ上に形成されたカバー膜１５Ｃの上面１５ｔを露出させる。本実施の形態に対する変形例として、パッド１１Ｃにはカバー膜１５Ｃが形成されない場合もある（ウエハ検査工程でパッド１１Ｃに図１３に示すプローブ針ＰＲ１を接触させない場合）。この場合、第１開口部形成工程では、パッド１１の上面１１ｔが絶縁膜２２から露出するように開口部２２Ｈが形成される。
【００８２】
開口部２２Ｈは、例えばエッチングにより形成される。開口部２２Ｈの開口面積（詳しくは底部の開口面積）は、図１５に示すカバー膜１５の平面積（言い換えれば、図７に示す開口部１４Ｈの開口面積）より小さい。
【００８３】
また、本実施の形態の場合、図１７に示すパッド１１Ｔは、ウエハ検査工程において使用される検査用のパッドであって、図２に示す複数の端子ＳＢには接続されない。この場合、カバー膜１５Ｔ上には開口部２２Ｈが形成されず、カバー膜１５Ｔは、全体が絶縁膜２２に覆われている。
【００８４】
ただし、本実施の形態に対する変形例として、パッド１１Ｔが図２に示す端子ＳＢと電気的に接続される構造の場合、本工程において、カバー膜１５Ｔ上にも開口部２２Ｈが形成され、カバー膜１５Ｔの上面１５ｔの一部分が開口部２２Ｈにおいて絶縁膜２２から露出する。
【００８５】
また、再配線部形成工程は、図１８および図１９に示すように、第１開口部形成工程の後、再配線（導体パターン）２１を絶縁膜２２上に形成する、再配線形成工程を含む。図１８は、図１７に示す絶縁膜上に再配線を形成した状態を示す拡大平面図である。また、図１９は、図１７に示す絶縁膜上に再配線を形成した状態を示す拡大断面図である。
【００８６】
図１８および図１９に示すように、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線２１は、コンタクト部２１Ｃがパッド１１Ｃと重なるように形成される。コンタクト部２１Ｃは、絶縁膜２２の開口部２２Ｈ内、およびその近傍に形成される。また、コンタクト部２１Ｃに接続される配線部２１Ｗおよび配線部２１Ｗを介してコンタクト部に接続されるランド部２１Ｌ（図１８参照）のそれぞれは、絶縁膜２２の上面２２ｔ上に形成される。本実施の形態の場合、絶縁膜２２の上面２２ｔ上には、ウエハ検査工程で生じた金属片などが露出しない。このため、配線部２１Ｗおよびランド部２１Ｌは絶縁膜２２の上面２２ｔ上において、絶縁膜２２の下層の構造に関わらず、効率的に配置される。
【００８７】
例えば、図１８および図１９に示すように、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線２１の配線部２１Ｗは、パッド１１Ｃとは異なる信号または電位が供給されるパッド１１Ｔと重なる位置に配置されている。また、図１８および図１９に示す例では、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線２１の配線部２１Ｗは、パッド１１Ｔ上に形成されたカバー膜１５Ｔと重なる位置に配置されている。また、図１８に示すように、本実施の形態の例では、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線２１の配線部２１Ｗは、カバー膜１５Ｔに残る擦過痕（接触痕）ＳＣＲと重なる位置に配置されている。
【００８８】
このように、本実施の形態によれば、擦過痕ＳＣＲにおける凹凸の程度を小さくできるので、擦過痕ＳＣＲと重なる位置、あるいその周辺領域であっても、再配線２１の配線部２１Ｗを配置することができる。
【００８９】
再配線形成工程では、まず、絶縁膜２２の上面２２ｔおよび開口部２２Ｈ内にシード層２１Ｓを形成する。シード層２１Ｓは、銅あるいはニッケルなどの導体薄膜であって、例えばスパッタリング法により形成される。次に、シード層２１Ｓをフォトリソグラフィ技術を利用してパターニングする。その後、パターニングされたシード層２１Ｓ上に導体層２１Ｍを積層する。導体層２１Ｍは例えば銅を主成分とする金属膜であって、例えば電解メッキ法により形成される。
【００９０】
また、再配線部形成工程は、図２０に示すように、再配線形成工程の後、再配線２１および絶縁膜２２を覆うように、絶縁膜２２上に絶縁膜２３を形成する、第２絶縁膜形成工程を含む。図２０は、図１９に示す再配線を絶縁膜で覆った状態を示す拡大断面図である。上記したように、絶縁膜２３は、例えばポリイミド膜などの有機絶縁膜から成る。絶縁膜２３は、再配線２１を保護する保護膜として機能する。絶縁膜２３を有機絶縁膜とすることにより、絶縁膜２２と絶縁膜２３との密着性が向上するので、再配線２１に対して外部から水分や不純物が侵入することを抑制できる。また、絶縁膜２３は、絶縁膜２２より硬い（ヤング率が大きい）材料により構成されている。これにより、再配線２１を含む、半導体装置ＰＡＣ１（図４参照）の構成部材を外力から保護することができる。
【００９１】
また、再配線部形成工程は、図２１に示すように、第２絶縁膜形成工程の後、再配線２１の一部分（ランド部２１Ｌ）が絶縁膜２３から露出するように、開口部２３Ｈを形成する、第２開口部形成工程を含む。図２１は、図５に示す第２開口部形成工程で、再配線のランド部上に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。開口部２３Ｈは、再配線２１のうち、ランド部２１Ｌと重なる領域に形成される。ランド部２１Ｌの上面（表面）２１Ｌｔの一部分は、開口部２３Ｈにおいて絶縁膜２３から露出する。
【００９２】
また、再配線部形成工程は、図２２に示すように、第２開口部形成工程の後、開口部において露出する再配線のランド部２１Ｌ上に、導電膜ＵＢＭを形成する導電膜形成工程を含む。図２２は、図２１に示す再配線のランド部上の開口部に導電膜を形成した状態を示す拡大断面図である。導電膜ＵＢＭは、端子ＳＢ（図４参照）と再配線２１との間に配置され、アンダーバンプメタルと呼ばれ、例えば電解メッキ法、あるいは無電解メッキ法により形成される。導電膜ＵＢＭは、半田バリア性の高い導電性材料から成り、導電膜ＵＢＭを設けることにより、端子ＳＢからの半田の拡散を抑制できる。ただし、変形例としては、導電膜ＵＢＭを設けずに、ランド部２１Ｌの絶縁膜２３から露出した部分に端子ＳＢを接合する場合もある。この場合、再配線部形成工程内での導電膜形成工程は省略できる。
【００９３】
＜外部端子形成工程＞
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、図５に示す外部端子形成工程を含む。図２３は、図５に示す外部端子形成工程で、半導体ウエハの再配線層上に複数の外部端子を形成した状態を示す拡大平面図である。図２３では、ウエハＷＨ１が備える複数のチップ領域ＷＨｃの一つを拡大して示している。
【００９４】
図２３に示すように本実施の形態では、平面視において、端子ＳＢのそれぞれは、チップ領域ＷＨｃの周縁部の内側にある。詳しくは、複数の端子ＳＢのそれぞれは、チップ領域ＷＨｃの内側にある。チップ領域ＷＨｃの周縁部には、辺ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ３およびＰＳ４が含まれる。また、チップ領域ＷＨｃの周縁部は、チップ領域ＷＨｃとスクラブ領域ＷＨｓとの境界として定義することもできる。本実施の形態のように、チップ領域ＷＨｃの周縁部の内側に複数の端子ＳＢが配置されるＷＬＰのことを、ＦＩＷＬＰ(Fan-In Wafer Level Package)と呼ぶ。一方、変形例として後述するように、複数の外部端子の一部がチップ領域の外側に配置されるＷＬＰをＦＯＷＬＰ(Fan-Out Wafer Level Package)と呼ぶ。
【００９５】
端子ＳＢは、例えば以下の方法により再配線２１（図２２参照）と電気的に接続される。まず、印刷や転写法により、再配線２１のランド部２１Ｌ（図２２参照）上に形成された導電膜ＵＢＭ（図２２参照）にフラックスを供給する。次に、フラックス上に複数の半田ボールを整列させて、ランド部２１Ｌの上方に載せる。次に、ウエハＷＨ１を加熱するリフロー工程により、各半田ボールを溶融させて、導電膜ＵＢＭと接合し、その後、放熱することにより図２３に示す端子ＳＢが得られる。
【００９６】
＜個片化工程＞
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、図５に示す個片化工程を含む。個片化工程では、図２３に示すスクラブ領域ＷＨｓに沿ってウエハＷＨ１を切断し、チップ領域ＷＨｃ毎に個片化する。ウエハＷＨ１の切断方法としては、半導体ウエハを分割して複数の半導体チップを取得する一般的なダイシング技術を適用することができる。例えば、本実施の形態では、ダイシングブレードと呼ばれる切断治具を用いて、スクラブ領域ＷＨｓを切削し、複数の半導体装置ＰＡＣ１に個片化する。ただし、スクラブ領域ＷＨｓに図２０に示す絶縁膜２２や絶縁膜２３が形成されている場合、ダイシングブレードで切削する前に、レーザ照射等により有機絶縁膜を予め除去することが好ましい。
【００９７】
個片化工程の後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１〜図４に示す完成品の半導体装置ＰＡＣ１となる。そして、半導体装置ＰＡＣ１は出荷され、あるいは図示しない実装基板に実装される。
【００９８】
なお、上記実施の形態中でもいくつかの変形例について説明したが、以下では、上記実施の形態で説明した変形例以外の代表的な変形例について説明する。
【００９９】
＜変形例１＞
例えば、図１〜図２３では、チップ領域ＷＨｃの周縁部の内側に複数の端子ＳＢが配置される、ＦＩＷＬＰを取り上げて説明した。しかし、再配線と金属片とが接触することにより隣り合うパッド１１が短絡することを回避する技術は、種々のＷＬＰに適用できる。例えば、チップ領域ＷＨｃの外側に複数の端子の一部が配置されるＦＯＷＬＰに上記した技術を適用しても良い。図２４は、図１に対する変形例である半導体装置の実装面側の平面図である。図２５は、図２４のＡ−Ａ線の断面図である。図２６は、図２４に示す半導体装置が備える再配線によるパッドと端子との接続関係の一例を示す拡大平面図である。図２６では、再配線部２０が備える複数の再配線２１の一部、および再配線部２０の下層にある半導体チップ１０の輪郭、およびパッド１１の輪郭を実線で示している。
【０１００】
図２４〜図２６に示す半導体装置ＰＡＣ２は、平面視における半導体チップ１０の周囲、および半導体チップ１０の裏面１０ｂが封止体３０により封止されている点で図１〜図４に示す半導体装置ＰＡＣ１と相違する。また、半導体チップ１０は、主面ＰＭＳｔの辺ＰＳ１に沿って延びる辺ＣＳ１、辺ＣＳ１の反対側の辺ＣＳ２、Ｘ方向に交差するＹ方向に延びる辺ＣＳ３、および辺ＣＳ３の反対側の辺ＣＳ４を備える。平面視において、辺ＣＳ１は辺ＣＳ３および辺ＣＳ４のそれぞれと交差し、辺ＣＳ２は辺ＣＳ３および辺ＣＳ４のそれぞれと交差する。辺ＣＳ１、ＣＳ２、ＣＳ３、およびＣＳ４のそれぞれは、主面ＰＭＳｔの周縁部の内側にある。
【０１０１】
また、半導体装置ＰＡＣ２は、図２４に示すように、平面視において、複数の端子ＳＢの一部が半導体チップ１０（チップ領域）より外側にある点で図１に示す半導体装置ＰＡＣ１と相違する。詳しくは、半導体装置ＰＡＣ２の場合、平面視において、複数の端子ＳＢの一部は、半導体チップ１０（チップ領域）より外側にあり、かつ、複数の端子ＳＢの他の一部が半導体チップ１０の周縁部の内側にある。つまり、半導体装置ＰＡＣ２は、ＦＯＷＬＰである。
【０１０２】
半導体チップ１０と半導体チップ１０の周縁部との位置関係は以下のように表現しても良い。すなわち、半導体装置ＰＡＣ２の複数の端子ＳＢの少なくとも一部は、半導体チップ１０の辺ＣＳ１と半導体装置ＰＡＣ２の辺ＰＳ１との間、辺ＣＳ２と辺ＰＳ２との間、辺ＣＳ３と辺ＰＳ３との間、または辺ＣＳ４と辺ＰＳ４との間にある。また、半導体装置ＰＡＣ２の複数の端子ＳＢの少なくとも一部は、辺ＣＳ１、ＣＳ２、ＣＳ３、およびＣＳ４で囲まれた領域内にある。
【０１０３】
図２６に示すように、ＦＯＷＬＰの場合、複数のパッド１１は半導体チップ１０の内側に配置され、端子ＳＢは半導体チップ１０の外側および内側にある。このため、再配線２１のレイアウトが複雑になる。このため、図２６に示すように、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線２１の一部分（配線部２１Ｗ）と、パッド１１Ｃとは異なる信号または電位が供給されるパッド１１Ｔと、が平面視において重なるように再配線２１を配置することで、再配線２１のレイアウトを効率化できる場合がある。
【０１０４】
そこで、本変形例においても、上記したウエハ検査工程で説明した図１３に示すように、パッド１１Ｔ上にカバー膜１５が形成された状態でプローブ針ＰＲ１をカバー膜１５に接触させることが好ましい。これにより、プローブ針ＰＲ１の滑走動作により形成される擦過痕ＳＣＲ（図４参照）の凹凸の大きさを低減させることができるので、擦過痕ＳＣＲと重なる位置、あるいその周辺領域であっても、再配線２１の配線部２１Ｗを配置することができる。
【０１０５】
図２４〜図２６に示す半導体装置ＰＡＣ２の製造工程は、例えば以下の点で図５に示す製造工程と相違する。図２７は、図２４〜図２６に示す半導体装置の製造工程フローの一例を示す説明図である。
【０１０６】
図２７に示すように、本変形例では、ウエハ検査工程の後、かつ、再配線部形成工程の前に個片化工程を実施する。また、本変形例では、個片化工程の後、かつ、再配線部形成工程の前に、封止工程を実施する。封止工程では、図２５に示す半導体チップ１０の側面および裏面１０ｂを樹脂で封止して、封止体３０を形成する。詳しくは、封止工程では、樹脂封止の前に、半導体チップ１０の上面（図２５に示す上面１４ｔ）に図示しない基板を貼り付ける。この基板は、半導体チップ１０の上面１４ｔ側が樹脂封止されることを防止する基材である。このため、基板は、上面１４ｔよりも広い面積を有し、上面１４ｔの全体が基板に覆われる。この状態で基板に貼り付けられた半導体チップ１０を樹脂で封止する。封止体３０は、例えば熱硬化性樹脂を主成分として含む封止材を原料として、トランスファモールド方式で封止される。この製法によれば、図２５に示すように、半導体チップ１０の上面１４ｔに加え、封止体３０の上面３０ｔにも再配線部２０が形成される。この場合、複数の端子ＳＢの一部は、封止体３０の上面３０ｔの上方に配置される。
【０１０７】
上記した相違点を除き、図２４〜２６に示す半導体装置ＰＡＣ２は図１〜４に示す半導体装置ＰＡＣ１と同様である。また、図２７に示す半導体装置の製造方法は図５に示す半導体装置の製造方法と同様である。したがって、重複する説明は省略する。
【０１０８】
＜変形例２＞
また例えば、図１８や図２６では、パッド１１Ｃと電気的に接続される再配線２１の配線部２１Ｗがパッド１１Ｔと重なっている実施態様について説明した。しかし、パッド１１Ｔと重なるのは、配線部２１Ｗには限定されない。例えば、図２８に示す半導体装置ＰＡＣ３のように、パッド１１Ｃに接続される再配線２１のランド部２１Ｌがパッド１１Ｔと重なっていても良い。図２８は、図３に対する変形例である半導体装置の拡大平面図である。半導体装置ＰＡＣ３は、平面視において、ランド部２１Ｌがパッド１１Ｔと重なっている点を除き、半導体装置ＰＡＣ１と同様である。
【０１０９】
＜変形例３＞
また例えば、図１８に示す例では、パッド１１Ｃは、プローブ針ＰＲ１（図１３参照）が接触する領域とは異なる位置に、再配線２１のコンタクト部２１Ｃが接続されている。これは、コンタクト部２１Ｃが擦過痕ＳＣＲ上に形成されることにより、コンタクト部２１Ｃとカバー膜１５との接合界面の抵抗が大きくなることを防止するためのレイアウトである。
【０１１０】
ただし、上記したように、プローブ針ＰＲ１をカバー膜１５に接触させる場合、擦過痕ＳＣＲの凹凸を小さくすることができる。このため、仮に、カバー膜１５上の擦過痕ＳＣＲ上にコンタクト部２１Ｃが接合されたとしても、接合界面の抵抗の増大を低減できる。例えば図２９に示す半導体装置ＰＡＣ４の場合、カバー膜１５上の擦過痕ＳＣＲ上にコンタクト部２１Ｃが接合されている。図２９は、図４に対する変形例である半導体装置の拡大断面図である。
【０１１１】
半導体装置ＰＡＣ４の製造方法では、半導体ウエハは、パッド１１Ｃのうち絶縁膜１４から露出する部分を覆うように形成された導電膜であるカバー膜１５Ｃを有している。また、図５を用いて説明したウエハ検査工程には、カバー膜１５Ｃとプローブ針ＰＲ１（図１３参照）とを接触させて、パッド１１Ｃと検査回路ＴＣ１（図１３参照）とを電気的に接続する工程が含まれる。また、図５を用いて説明した再配線部形成工程では、絶縁膜２２のカバー膜１５Ｃと重なる部分に開口部２２Ｈが形成され、再配線２１のコンタクト部２１Ｃは、カバー膜１５Ｃの擦過痕ＳＣＲ（プローブ針と接触した部分）に接続される。
【０１１２】
上記のように、カバー膜１５上の擦過痕ＳＣＲ上にコンタクト部２１Ｃが接合される場合、カバー膜１５の面積を低減できる。これにより、半導体チップ１０の平面積を小型化できる。
【０１１３】
図２９に示す半導体装置ＰＡＣ４は、上記した相違点を除き、半導体装置ＰＡＣ１と同様である。したがって、重複する説明は省略する。
【０１１４】
＜変形例４＞
また、例えば、上記の通り種々の変形例について説明したが、上記で説明した各変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【０１１５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１１６】
また、上記実施の形態で説明した半導体装置について技術的思想を抽出すれば、下記のように表現することができる。
【０１１７】
〔付記１〕
主面と、
前記主面上に形成され、かつ、アルミニウムから成り、かつ、第１の信号または第１の電位が供給される第１電極パッドと、
前記主面上に形成され、かつ、アルミニウムから成り、前記第１の信号または前記第１の電位とは異なる第２の信号または第２の電位が供給される第２電極パッドと、
前記主面上に形成され、かつ、前記第１電極パッドの一部を露出する第１開口部および前記第２電極パッドの一部を露出する第２開口部を備えた第１絶縁膜と、
アルミニウムよりも硬い導電性材料から成り、かつ、前記第１電極パッドの前記第１絶縁膜から露出する部分を覆うように形成され、かつ擦過痕が形成された第１カバー膜と、
有機材料を含み、前記第１絶縁膜および前記第１電極パッドを覆うように配置された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、かつ前記第２電極パッドと電気的に接続される第１導体パターンと、
を有し、
平面視において、前記第１導体パターンは、前記第１電極パッドと重なっている、半導体装置。
【符号の説明】
【０１１８】
１０  半導体チップ
１０ｂ  裏面
１１，１１Ｃ，１１Ｔ  パッド（電極パッド、アルミパッド）
１１ｂ  下面（裏面）
１１ＢＭ  バリアメタル膜
１１ｔ  上面（表面）
１２  半導体基板
１２ｔ  半導体素子形成面（主面）
１３  配線層（チップ配線層）
１３ｉ  絶縁層
１３ｔ  主面（電極パッド形成面）
１４  絶縁膜（無機絶縁膜）
１４Ｈ  開口部
１４ｔ  上面（主面、表面）
１５，１５Ｃ，１５Ｔ  カバー膜（導電膜）
１５Ｌ１，１５Ｌ２，１５Ｌ３  導電膜
１５ｔ  上面（露出面、表面）
２０  再配線部
２１  再配線（導体パターン）
２１Ｃ  コンタクト部
２１Ｌ  ランド部
２１Ｌｔ  上面（表面）
２１Ｍ  導体層
２１Ｓ  シード層
２１Ｗ  配線部
２２，２３  絶縁膜（有機絶縁膜）
２２Ｈ，２３Ｈ  開口部
２２ｔ  上面
３０  封止体
３０ｔ  上面
ＣＳ１，ＣＳ２，ＣＳ３，ＣＳ４，ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３，ＰＳ４  辺
ＰＡＣ１，ＰＡＣ２，ＰＡＣ３，ＰＡＣ４  半導体装置
ＰＭ  マスク（メッキマスク）
ＰＭＨ  開口部
ＰＭＳｂ，ＰＭＳｔ  主面
ＰＲ１  プローブ針
ＰＲｂ  屈曲部
ＰＲｃ  コンタクト部
ＰＲｗ  延在部
ＳＢ  端子（外部端子、突起電極、半田ボール）
ＳＣＲ  擦過痕（プローブ痕、接触痕）
ＴＣ１  検査回路（回路）
ＵＢＭ  導電膜
ＷＣ１  回路
ＷＨ１  ウエハ
ＷＨｃ  チップ領域
ＷＨｓ  スクラブ領域
ＷＨｔ  主面
【図１】
2019046964.tif 000003
【図２】
2019046964.tif 000004
【図３】
2019046964.tif 000005
【図４】
2019046964.tif 000006
【図５】
2019046964.tif 000007
【図６】
2019046964.tif 000008
【図７】
2019046964.tif 000009
【図８】
2019046964.tif 000010
【図９】
2019046964.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2019046964.tif 000013
【図１２】
2019046964.tif 000014
【図１３】
2019046964.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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