(57)【要約】【課題】基板にダメージを与えることなくテーブルから脱着させる。【解決手段】形態１によれば、基板処理装置が提供され、かかる基板処理装置は、基板を保持するためのテーブルと、前記テーブルの周囲に配置され、基板を前記テーブルに配置および前記テーブルから離脱させるための、前記テーブルの表面に垂直な方向に移動可能な複数のリフトピンと、前記リフトピンを前記テーブルの表面に垂直な方向に移動させるためのモータを有する駆動機構と、前記駆動機構を制御するための制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記リフトピンを第１速度および前記第１速度とは異なる第２速度で移動可能に構成される。【選択図】図７
2019036640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
基板を保持するためのテーブルと、
前記テーブルの周囲に配置され、基板を前記テーブルに配置および前記テーブルから離脱させるための、前記テーブルの表面に垂直な方向に移動可能な複数のリフトピンと、
前記リフトピンを前記テーブルの表面に垂直な方向に移動させるためのモータを有する駆動機構と、
前記駆動機構を制御するための制御装置と、を有し、
前記制御装置は、前記リフトピンを第１速度および前記第１速度とは異なる第２速度で移動可能に構成される、
基板処置装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記テーブルは、
表面に画定される開口部と、
前記開口部に連通する流体通路と、を有する、
基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記流体通路は、純水源、空気源、窒素ガス源、薬液源、および真空源の少なくともいずれか１つの連結可能に構成される、
基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記リフトピンを保持するための保持部材を有し、
前記保持部材は前記駆動機構に連結されており、前記保持部材が移動することで前記リフトピンが移動するように構成される、
基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記保持部材は開口部を有し、前記テーブルは前記保持部材の開口部の内側に配置される、
基板処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記テーブルの表面は鉛直上方を向くように配置されている、
基板処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の基板処理装置であって、
前記テーブルに保持された基板の表面に液体を供給するための液体供給機構を有する、基板処理装置。
【請求項８】
テーブルに保持された基板を前記テーブルから離脱させる方法であって、
複数のリフトピンを前記基板に向かって第１位置まで第１速度で移動させるステップを有し、前記第１位置は、前記複数のリフトピンが前記基板に接触する位置、または前記複数のリフトピンが前記基板に接触する直前の位置であり、
前記複数のリフトピンを前記第１位置から第２速度で第２位置まで移動させるステップ有し、前記第２位置は、前記基板が前記テーブルから離れた位置であり、前記第２速度は、前記第１速度よりも遅い、
方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記複数のリフトピンを前記第２位置から第３速度で第３位置まで移動させるステップを有し、前記第３速度は前記第２速度よりも速い、
方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２位置において、前記テーブル側から前記基板に向かって液体を供給するステップを有する、
方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記第３位置において、前記テーブル側から前記基板に向かって液体を供給するステップを有する、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は基板処理装置および基板を基板処理装置のテーブルから離脱させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造において、基板の表面を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ，Chemical Mechanical Polishing）装置が知られている。ＣＭＰ装置では、研磨テーブルの上面に研磨パッドが貼り付けられて、研磨面が形成される。このＣＭＰ装置は、トップリングによって保持される基板の被研磨面を研磨面に押しつけ、研磨面に研磨液としてのスラリーを供給しながら、研磨テーブルとトップリングとを回転させる。これによって、研磨面と被研磨面とが摺動的に相対移動され、被研磨面が研磨される。
【０００３】
代表的なＣＭＰ装置は、研磨テーブルあるいは研磨パッドは研磨される基板よりも大きく、基板はトップリングによって被研磨面を下向きに保持されて研磨されるものである。研磨後の基板は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などのスポンジ材を回転させながら基板に接触させることにより洗浄され、さらに乾燥される。
【０００４】
研磨後の基板に対して基板よりも小径の接触部材を基板に押し付けて、基板と接触部材を相対運動させる仕上げユニットが知られている（たとえば、特許文献１）。このような仕上げユニットは、メインの研磨部とは別にＣＭＰ装置内に設けられ、メイン研磨後の基板をわずかに追加研磨したり、洗浄したりすることができる。仕上げ処理ユニットにおいて、接触部材を高い圧力で接触させて洗浄効果を高めたり研磨速度を高めたりするには、基板の裏面全体に接触するテーブルで基板を保持する必要がある。一例として、テーブルの支持面に、真空源に接続された流体通路に連通する複数の開口部が形成されており、基板は、これら開口部を通してテーブルに真空吸着される。また、基板は、例えば弾性を有する発泡ポリウレタンから形成される、バッキング材を介してテーブルに吸着されてもよい。この場合、バッキング材における、テーブルの開口部に対応する位置に貫通孔が設けられる。
【０００５】
基板をテーブルに配置する際または基板をテーブルから取り除く際に、テーブルの外周に沿って配置される複数の伸縮可能なリフトピンを使用することがある（たとえば、特許文献２）。具体的には、リフトピンが、テーブルの支持面より上方の位置で、搬送ロボットにより搬送される基板の下面を支持して基板を受け取る。その後、リフトピンはテーブルの支持面より下方の位置まで下降する。リフトピンの下降中、リフトピンがテーブルを通過する際に、基板がテーブルの支持面に配置される。テーブル上での処理が終わった後、リフトピンは、下端位置から上端位置へと上昇させられる。リフトピンの上昇中、リフトピンがテーブルを通過する際に、リフトピンが基板の下面に接触し、下面を支持して基板を持ち上げる。リフトピンが上方の位置に達すると、搬送ロボットが基板を下から掬い上げるようにして持ち上げることにより、リフトピンから搬送ロボットに基板が受け渡される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−７１５１１号公報
【特許文献２】特開２０１７−１０７９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
テーブルに真空吸着などにより配置された基板をリフトピンを用いてテーブルから引き離す場合、リフトピンを基板の平面に垂直な方向に移動または伸縮させる駆動機構が設けられる。かかる駆動機構として、たとえばリフトピンが固定された保持部材を、空圧式に駆動してリフトピンを移動させることができる（たとえば、特許文献２）。基板をテーブルから離脱させるときに、リフトピンで基板を上昇させる前に、基板の真空吸着を解放する。しかし、基板の真空吸着を解放しても、基板がテーブルの表面から剥がれにくいことがある。また、リフトピンを空圧式に移動させる場合、リフトピンの移動速度が大きいために、テーブルに吸い付いた基板をリフトピンで持ち上げるときに一時的に基板に大きな力が加わり、基板が反ったり、振動したりして基板にダメージを与えることがあり得る。また、この場合、基板がテーブルから離れるときに大きな音が発生する。
【０００８】
本開示による基板処理装置および基板を基板処理装置のテーブルから離脱させる方法は、これらの問題の少なくとも一部を緩和または解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［形態１］形態１によれば、基板処理装置が提供され、かかる基板処理装置は、基板を保持するためのテーブルと、前記テーブルの周囲に配置され、基板を前記テーブルに配置および前記テーブルから離脱させるための、前記テーブルの表面に垂直な方向に移動可能な複数のリフトピンと、前記リフトピンを前記テーブルの表面に垂直な方向に移動させるためのモータを有する駆動機構と、前記駆動機構を制御するための制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記リフトピンを第１速度および前記第１速度とは異なる第２速度で移動可能に構成される。
【００１０】
［形態２］形態２によれば、形態１に記載の基板処理装置であって、前記テーブルは、
表面に画定される開口部と、前記開口部に連通する流体通路と、を有する。
【００１１】
［形態３］形態３によれば、形態２に記載の基板処理装置であって、前記流体通路は、純水源、空気源、窒素ガス源、薬液源、および真空源の少なくともいずれか１つの連結可能に構成される。
【００１２】
［形態４］形態４によれば、形態１または形態２に記載の基板処理装置であって、前記リフトピンを保持するための保持部材を有し、前記保持部材は前記駆動機構に連結されており、前記保持部材が移動することで前記リフトピンが移動するように構成される。
【００１３】
［形態５］形態５によれば、形態４に記載の基板処理装置であって、前記保持部材は開口部を有し、前記テーブルは前記保持部材の開口部の内側に配置される。
【００１４】
［形態６］形態６によれば、形態１から形態５のいずれか１つの形態による基板処理装置であって、前記テーブルの表面は鉛直上方を向くように配置されている。
【００１５】
［形態７］形態７によれば、形態１から形態６のいずれか１つの形態による基板処理装置であって、前記テーブルに保持された基板の表面に液体を供給するための液体供給機構を有する。
【００１６】
［形態８］形態８によれば、テーブルに保持された基板を前記テーブルから離脱させる方法が提供され、かかる方法は、複数のリフトピンを前記基板に向かって第１位置まで第１速度で移動させるステップを有し、前記第１位置は、前記複数のリフトピンが前記基板に接触する位置、または前記複数のリフトピンが前記基板に接触する直前の位置であり、前記複数のリフトピンを前記第１位置から第２速度で第２位置まで移動させるステップ有
し、前記第２位置は、前記基板が前記テーブルから離れた位置であり、前記第２速度は、前記第１速度よりも遅い。
【００１７】
［形態９］形態９によれば、形態８に記載の方法であって、前記複数のリフトピンを前記第２位置から第３速度で第３位置まで移動させるステップを有し、前記第３速度は前記第２速度よりも速い。
【００１８】
［形態１０］形態１０によれば、形態８に記載の方法であって、前記第２位置において、前記テーブル側から前記基板に向かって液体を供給するステップを有する。
【００１９】
［形態１１］形態１１によれば、形態９に記載の方法であって、前記第３位置において、前記テーブル側から前記基板に向かって液体を供給するステップを有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】一実施形態による基板処理装置における、基板ＷＦが配置されたテーブル及びその周辺部を示す概略図である。
【図２】図１に示される複数のリフトピンの基板ＷＦに対する配置を示す上面図である。
【図３】一実施形態による、テーブルの支持面を示す上面図である。
【図４Ａ】図２のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図であり、リフトピンが処理位置にある状態を示す図である。
【図４Ｂ】図２のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図であり、リフトピンが脱着開始位置にある状態を示す図である。
【図４Ｃ】図２のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図であり、リフトピンが脱着完了位置にある状態を示す図である。
【図４Ｄ】図２のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図であり、リフトピンが洗浄位置にある状態を示す図である。
【図４Ｅ】図２のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図であり、リフトピンが受渡位置にある状態を示す図である。
【図５】一実施形態による、駆動機構を概略的に示す斜視図である。
【図６】図５に示される駆動機構の側面図である。
【図７】図５に示される駆動機構の側面図であり、リフトピンが脱着開始位置にある状態を示している。
【図８】図５に示される駆動機構の側面図であり、リフトピンが受渡位置にある状態を示している。
【図９】一実施形態による、テーブルに保持された基板を前記テーブルから離脱させる方法を示すフローチャートである。
【図１０】一実施形態による基板処理装置を示す側面図である。
【図１１】一実施形態による基板処理装置を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明に係る基板処理装置および基板を基板処理装置のテーブルから離脱させる方法の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
【００２２】
図１は、基板処理装置１００における、基板ＷＦが配置されたテーブル２００及びその周辺部を示す概略図である。図１に示す基板処理装置１００は、半導体ウェハなどの基板の研磨処理を行うＣＭＰ装置の一部またはＣＭＰ装置内の１ユニットとして構成すること
ができる。一例として、基板処理装置１００は、研磨ユニット、洗浄ユニット、基板の搬送機構、を含む基板処理システムに組み込むことができ、基板処理装置１００は、基板処理システム内でのメイン研磨の後に仕上げ処理に用いることができる。
【００２３】
テーブル２００は、基板ＷＦを支持するための支持面２０２を有する。支持面２０２は、基板ＷＦを吸着するのに使用することのできる流体通路２１０の開口部２０４を有する。流体通路２１０は、真空源５０２に接続され、基板ＷＦを支持面２０２に真空吸着させることができる。基板ＷＦは、図１に示されるように、バッキング材２５０を介してテーブル２００に吸着させるようにしてもよい。バッキング材２５０は、たとえば弾性を有する発泡ポリウレタンから形成することができる。あるいは、バッキング材２５０はシリコンゴムであっても良い。バッキング材２５０は、テーブル２００と基板ＷＦとの間の緩衝材として、基板ＷＦに傷がつくことを防いだり、テーブル２００の表面の凹凸の研磨処理への影響を緩和したりすることができる。バッキング材２５０は、粘着テープによりテーブル２００の表面に取り付けることができる。バッキング材２５０は公知のものを利用することができ、テーブル２００の開口部２０４に対応する位置に貫通孔２５２が設けられているものを使用することができる。
【００２４】
なお、本明細書において、基板ＷＦがバッキング材２５０を介してテーブル２００に取り付けられる場合は、バッキング材２５０が取り付けられた状態におけるバッキング材２５０の表面が基板ＷＦを支持する「支持面」となり、バッキング材２５０を介さずにテーブル２００に直接的に基板ＷＦが吸着される場合、テーブル２００の表面が基板ＷＦを支持する「支持面」となる。以下、単に「支持面２０２」または「テーブル２００の支持面２０２」という場合、この両者の場合を含むものとする。
【００２５】
さらに、テーブル２００は、テーブル２００上の搬送機構として、図示しない搬送ロボットにより搬送される基板ＷＦを受け取り、テーブル２００に基板ＷＦを配置するためのリフトピン４８を有する。リフトピン４８は、テーブル２００の外周に沿って複数配置されている。リフトピン４８はテーブル２００の支持面に垂直な方向に移動可能である。リフトピン４８は、リフトピン４８が支持面２０２より高い位置に突出した状態で基板ＷＦの外周部を支持して受け取り、その後、リフトピン４８が支持面より低い位置に後退して基板ＷＦをテーブル２００の支持面２０２に載置する。テーブル２００上で基板ＷＦの処理が終わった後、リフトピン４８が高い位置に移動して基板ＷＦの外周部を支持して持ち上げ、搬送ロボットが基板ＷＦを下から掬い上げるようになっている。本実施形態では、リフトピン４８の移動時、リフトピン４８は、後述するように、様々な位置において様々な速度で移動することができる。
【００２６】
また、テーブル２００は、図示していない駆動機構によって回転軸２Ａの周りに回転できるようになっている。
【００２７】
上記したように、テーブル２００は、基板ＷＦを支持面２０２に真空吸着させるための負圧が導入される流体通路２１０を備えている。この流体通路２１０は、さらに、基板ＷＦを脱着させるために使用する窒素源５０４、テーブル２００の支持面２０２を洗浄するときに任意選択で利用することができる純水供給源５０６および薬液供給源５０８に接続することができる。基板ＷＦをテーブル２００から脱着させる際にも、純水供給源５０６から純水を供給することができ、純水と窒素の混合物を供給してもよい。テーブル２００の流体通路２１０に負圧、純水、薬液、および窒素ガスを供給する配管にはそれぞれ開閉弁５１２、５１４、５１６、５１８が設けられる。制御装置９００を用いて開閉弁５１２、５１４、５１６、５１８の開閉を制御することにより、任意のタイミングでテーブル２００の流体通路２１０を通じて支持面２０２に負圧、純水、薬液、および窒素ガスを供給することができる。流体通路２１０内の圧力を測定するための圧力センサ５２０を、図１
に示すように配管に設けることができる。なお、制御装置９００は、基板処理装置１００の各種の駆動機構およびセンサ等に接続されており、制御装置９００は、基板処理装置１００の動作を制御することができる。制御装置９００は、記憶装置、ＣＰＵ、入出力機構など備える一般的なコンピュータに所定のプログラムをインストールすることで構成することができる。
【００２８】
一実施形態において、基板処理装置１００は、テーブル２００の支持面２０２および支持面２０２上に支持された基板ＷＦに液体を供給するための、液体供給ノズル３００を備えることができる。液体供給ノズル３００は、上述の純水供給源５０６や薬液供給源５０８などに接続できるように構成することができ、あるいは、別の液体源に接続できるように構成してもよい。液体供給ノズル３００から液体を供給することで、基板ＷＦおよびテーブル２００の支持面２０２の洗浄を行うことができる。
【００２９】
図２は、図１に示される複数のリフトピン４８の基板ＷＦに対する配置を示す上面図である。図２において、基板ＷＦは、テーブル２００の支持面２０２に配置されている。図２に示されるように、本実施形態では複数（図示の例では４つ）のリフトピン４８が、基板ＷＦの外周に沿って等間隔に配置されている。リフトピン４８は、基板ＷＦの外周端面を案内可能な基板案内面４８−１を含む先端部と、基板案内面４８−１からリフトピン４８の径方向外側に延びて基板ＷＦの下面に当接可能な基板保持面４８−２を含む基端部と、を備えている（図４等参照）。基板案内面４８−１は、テーパ部４８−１ａ（図４等参照）を含む、実質的に円筒状の外周面である。リフトピン４８は、基板ＷＦの帯電を防止するように、例えば、炭素繊維強化ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂で形成することができる。
【００３０】
図３は、テーブル２００の支持面２０２を示す上面図である。図３に示されるように、支持面２０２には、複数の開口部２０４（バッキング材２５０が使用されている場合には、開口部２０４に連通する貫通孔２５２）が形成されている。これら複数の開口部２０４は、図１に示される流体通路２１０に連通しており、基板ＷＦの処理中は、流体通路２１０を介して基板ＷＦと支持面２０２との間に負圧が導入されるように構成されている。
【００３１】
また、テーブル２００の外周部には、リフトピン４８に対応する位置に複数の円弧状の切欠き部２５４が形成されている。バッキング材２５０が使用される場合には、バッキング材２５０における、テーブル２００の切欠き部２５４に対応する位置に同様の切欠き部が形成される。各切欠き部２５４は、少なくとも、リフトピン４８の基板保持面４８−２の一部を受け入れることができ、これにより、リフトピン４８がテーブル２００に対して昇降することが許容される。尚、切欠き部２５４の形状は特に限られず、任意の形状とすることができる。
【００３２】
尚、本実施形態では、基板ＷＦの半径とテーブル２００の半径とは実質的に等しく設定されている。従って、切欠き部２５４には、基板保持面４８−２のみが受け入れられる。しかし、基板ＷＦの半径及び切欠き部２５４とリフトピン４８の寸法によっては、切欠き部２５４は、リフトピン４８の基板保持面４８−２だけでなく、基板案内面４８−１も受け入れることができる。
【００３３】
本実施形態では、複数のリフトピン４８は、基板の処理中のテーブル２００の回転を妨げないように各リフトピン４８が全体にテーブル２００の切欠き部２５４の外側に配置される処理位置、基板ＷＦの脱着を開始する脱着開始位置、基板ＷＦの脱着を完了する脱着完了位置、基板ＷＦの裏面を洗浄する洗浄位置、および基板ＷＦを搬送ロボットに受け渡す受渡位置、の間で段階的に移動可能である。また、これらのリフトピン４８がこれらの位置を移動するときに移動速度は異なるものとすることができる。図４Ａ〜図４Ｅは、図
２のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図であり、それぞれ、リフトピン４８の処理位置（図４Ａ）、脱着開始位置（図４Ｂ）、脱着完了位置（図４Ｃ）、洗浄位置（図４Ｄ）、および受渡位置（図４Ｅ）を示している。
【００３４】
図４Ａに示す処理位置では、切欠き部２５４内にリフトピン４８の部分は存在しない。そのため、基板ＷＦの処理中にテーブル２００の回転がリフトピン４８により妨げられることはない。処理位置においては、テーブル２００の流体通路２１０は、真空源５０２に接続されており、基板ＷＦはテーブル２００の支持面２０２に真空吸着されている。
【００３５】
図４Ｂに示す脱着開始位置では、リフトピン４８の基板案内面４８−１は、テーブル２００の支持面２０２より上方の位置まで延びており、リフトピン４８の基板保持面４８−２が切欠き部２５４内に位置し、基板ＷＦにわずかに接触または接触する直前である。着脱開始位置において、テーブル２００の流体通路２１０は純水供給源５０６および／または窒素源５０４に接続されて、テーブル２００の開口部２０４から基板ＷＦに向かって純水および／窒素を供給することで、基板ＷＦを支持面２０２から脱着させることができる。
【００３６】
図４Ｃに示す脱着完了位置は、リフトピン４８により基板ＷＦを持ち上げ、基板ＷＦがテーブル２００の支持面２０２から完全に離れた位置である。脱着完了位置は、基板ＷＦがテーブル２００の支持面２０２から数ｍｍ程度、たとえば７ｍｍ〜１０ｍｍ程度離れた位置とすることができる。後述するように、脱着開始位置から脱着完了位置まではリフトピン４８の移動速度は他の位置への移動速度よりも小さくなるようにする。リフトピン４８を小さな速度で移動させて基板ＷＦをゆっくり支持面２０２から引き離すことで、基板ＷＦに反りやダメージを与えることを防止することができる。
【００３７】
図４Ｄに示す洗浄位置は、基板ＷＦの裏面を洗浄するときの位置である。洗浄位置において、テーブル２００の流体通路２１０に薬液や純水などを供給して、開口部２０４を介して基板ＷＦの裏面に薬液や純水などを供給して基板ＷＦの裏面を洗浄することができる。なお、洗浄位置は、離脱完了位置と同一の位置でもよい。また、基板ＷＦの裏面の洗浄が必要なければ洗浄位置は設けなくてもよい。
【００３８】
図４Ｅに示す受渡位置は、基板ＷＦを搬送ロボットに受け渡す位置である。また、搬送ロボットから基板を受け取るときも、リフトピン４８は受渡位置で基板ＷＦを受け取る。リフトピン４８は、基板ＷＦがテーブル２００から取り外されるとき、及び、基板ＷＦがテーブル２００に配置されるときのそれぞれにおいて、一定時間の間、図４Ｅに示す受渡位置に保持される。
【００３９】
一実施形態による基板処理装置は、リフトピン４８を移動させるための駆動機構４００を備える。図５は、駆動機構４００を概略的に示す斜視図である。図５に示されるように、駆動機構４００は、リング状の保持部材４０２を備える。リング状の保持部材４０２の内側の空間には、テーブル２００が配置される。また、テーブル２００は、ベースプレート６００の上に配置される。ただし、図示の明瞭化のために図５にはテーブル２００は図示されていない。保持部材４０２にはリフトピン４８を固定するための固定部材４０４が設けられている。リフトピン４８は、固定部材４０４の内部にネジ止め当により固定されている。上述したように、テーブル２００の切欠き部２５４の位置にリフトピン４８が配置される。
【００４０】
保持部材４０２は、ボールネジ４０６に連結されている。ボールネジ４０６は、ベースプレート６００に形成された開口部を通って下方向に延びている。ベースプレート６００の下方には、ボールネジ４０６を駆動するためのモータ４０８および駆動ベルト４１０が
配置されている。図５に示される実施形態による駆動機構４００においては、ボールネジ４０６を駆動することで、保持部材４０２をテーブル２００の支持面２０２に垂直な方向に移動させることで、リフトピン４８をテーブル２００の支持面２０２に垂直な方向に移動させることができる。また、本実施形態においては、駆動機構４００としてモータおよびボールネジ４０６を使用しているので、モータ４０８の回転速度を調整することで、所望の速度でリフトピン４８を移動させることができる。
【００４１】
図６は、図５に示される駆動機構４００の側面図である。図６は、リフトピン４８が処理位置にある状態を示している。図６において、テーブル２００およびベースプレート６００は二点鎖線で示されている。図７は、図５に示される駆動機構４００の側面図であり、リフトピン４８が脱着開始位置にある状態を示している。図８は、図５に示される駆動機構４００の側面図であり、リフトピン４８が受渡位置にある状態を示している。
【００４２】
図９は、一実施形態による、テーブルに保持された基板を前記テーブルから離脱させる方法を示すフローチャートである。本方法は、上述の実施形態による基板処理装置１００を使用して行うことができる。図９のフローチャートは、基板ＷＦが基板処理装置１００により研磨等の処理が完了したところから開始している。基板ＷＦに対して研磨等の処理が行われているときは、リフトピン４８は処理位置（図４Ａ、図６）にある。基板ＷＦの処理が終了するとき、基板ＷＦをテーブル２００から離脱させるために、リフトピン４８は、処理位置から脱着開始位置へ第１速度で移動させる。リフトピン４８の移動は、上述のようなモータ４０８およびボールネジ４０６を使用した駆動機構により行うことができる。第１速度は任意であるが、基板処理装置の全体の処理速度の観点からは速やかに移動させることが好ましい。速度はモータ４０８の回転速度により調整可能である。上述のように、脱着開始位置では、テーブル２００の開口部２０４から基板ＷＦに向かって純水および／窒素を供給することで、基板ＷＦを支持面２０２から脱着させる。
【００４３】
次に、リフトピン４８を脱着開始位置から、脱着完了位置へ第２速度で移動させる。第２速度は遅い速度とすることが好ましい。リフトピン４８により基板ＷＦをテーブル２００からゆっくり脱着させることで、基板ＷＦに大きな力が与えられることを防止し、基板ＷＦにダメージを与えることを防止することができる。たとえば、第２速度は第１速度よりも小さくすることができる。リフトピン４８の移動は、上述のようなモータ４０８およびボールネジ４０６を使用した駆動機構により行うことができ、この場合、速度はモータ４０８の回転速度により調整可能である。
【００４４】
リフトピン４８をゆっくり脱着完了位置まで移動させて基板ＷＦの脱着を行ったら、リフトピン４８を洗浄位置へ移動させる。洗浄位置は脱着完了位置から数ｍｍほどテーブル２００から離れた位置とすることができる。あるいは、洗浄位置は脱着完了位置と同じ位置でもよい。その場合、脱着完了位置から洗浄位置へのリフトピン４８の移動は不要になる。リフトピン４８を洗浄位置への移動させるときの速度は任意であるが、速やかに行うことが望ましい。洗浄位置では、リフトピン４８に載っている基板ＷＦの裏面（テーブル２００側の面）の洗浄を行う。基板ＷＦの裏面の洗浄は、たとえば、図１に示される基板処理装置１００においては、流体通路２１０に純水および／または薬液を供給して、テーブル２００の開口部２０４から純水および／または薬液を基板ＷＦの裏面に供給することで行うことができる。なお、基板ＷＦの裏面を洗浄しているときに、液体供給ノズル３００からも純水および／または薬液を基板ＷＦの表面に供給してもよい。これは、基板ＷＦの裏面から供給された純水および／または薬液により汚れや基板ＷＦの処理時に使用した処理液が基板ＷＦの表面に回り込むことを防止するためである。基板ＷＦの裏面の洗浄が必要なければ、基板ＷＦの裏面の洗浄は行わなくてもよい。
【００４５】
最後にリフトピン４８を洗浄位置から受渡位置へ移動させる。リフトピン４８を受渡位
置への移動させるときの速度は任意であるが、速やかに行うことが望ましい。受渡位置では、図示しない搬送ロボットがリフトピン４８に乗せられた基板ＷＦを受け取る。搬送ロボットはその後、基板ＷＦを他の場所へ運ぶ。
【００４６】
図１０は、一実施形態による基板処理装置１００を示す側面図である。図１０においては、テーブル２００およびリフトピン４８の構造のみを示しており、その他の構造は省略しているが、その他の構造は図１に示される実施形態と同様の構造あるいはそれ以外の構造とすることができる。図１０に示される実施形態による基板処理装置１００は、テーブル２００の支持面２０２の法線が水平方向を向いている。換言すれば、テーブル２００の支持面２０２は鉛直方向に平行である。図１０に示されるリフトピン４８は、凹部４８−３を備える。図１０の基板処理装置１００において、複数のリフトピン４８のそれぞれの凹部４８−３により、基板ＷＦを支持するように構成される。図１０のリフトピン４８は、既述のリフトピン４８と同様に、テーブル２００の支持面２０２に垂直な方向（図１０中の矢印参照）に移動させることができる。さらに、図１０に示される各リフトピン４８は、互いに離れる方向（図１０中の矢印参照）に、すなわち、テーブル２００の支持面２０２に平行な方向に移動可能である。これは、基板ＷＦをリフトピン４８の凹部４８−３に保持し、また解放するためである。
【００４７】
図１１は、一実施形態による基板処理装置１００を示す側面図である。図１１においては、テーブル２００およびリフトピン４８の構造のみを示しており、その他の構造は省略しているが、その他の構造は図１に示される実施形態と同様の構造あるいはそれ以外の構造とすることができる。図１１に示される実施形態による基板処理装置１００は、テーブル２００の支持面２０２が鉛直下方を向いている。図１１に示されるリフトピン４８は、配置される向きが異なるだけで、図１０に示されるリフトピン４８と同一の構造とすることができる。
【００４８】
図１０および図１１の実施形態の他に、同様の構造を備え、テーブル２００の支持面２０２が任意の方向を向くように基板処理装置１００を構成してもよい。
【００４９】
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
４８…リフトピン
１００…基板処理装置
２００…テーブル
２０２…支持面
２０４…開口部
２１０…流体通路
２５０…バッキング材
２５２…貫通孔
２５４…切欠き部
３００…液体供給ノズル
４００…駆動機構
４０２…保持部材
４０４…固定部材
４０６…ボールネジ
４０８…モータ
４１０…駆動ベルト
５０２…真空源
５０４…窒素源
５０６…純水供給源
５０８…薬液供給源
６００…ベースプレート
９００…制御装置
ＷＦ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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