(57)【要約】      （修正有）【課題】筐体内部に実装されている光電変換素子及び半導体素子の放熱効率の高い光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュールは、上カバー及び下カバーを有する筐体と、光電変換素子１３及び光電変換素子に接続された半導体素子１５が、一方の面に実装されている基板１０と、基板に実装された光電変換素子及び半導体素子に接触している放熱部材８３と、剛性がある少なくとも１つのインナケース８１、８２と、を備え、基板の一方の面の側には上カバーが配置され、基板の他方の面の側には下カバーが配置されており、インナケースは、基板の他方の面の側から、基板を上カバー側に押圧するよう設置されている。【選択図】図２
2019067790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上カバー及び下カバーを有する筐体と、
光電変換素子及び前記光電変換素子に接続された半導体素子が、一方の面に実装されている基板と、
前記基板に実装された前記光電変換素子及び前記半導体素子に接触している放熱部材と、
剛性がある少なくとも１つのインナケースと、
を備え、
前記基板の一方の面の側には前記上カバーが配置され、前記基板の他方の面の側には前記下カバーが配置されており、
前記インナケースは、前記基板の他方の面の側から、前記基板を前記上カバー側に押圧するよう設置されている、
光モジュール。
【請求項２】
前記インナケースは、前記基板の両面を覆う少なくとも１つのインナケースを有する、
請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記基板の前記他方の面と、前記インナケースとの間隙には電波吸収部材が挿入されている、
請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記上カバーは、前記インナケースの一部が嵌合するよう形成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記インナケースは、前記基板に接続される光導波路を位置決めするガイドを有する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパーコンピュータ、ハイエンドサーバなど高速インタフェースの信号高速伝送化に対応する通信では、光通信が普及しつつある。特に、ＩＢＴＡ  ＥＤＲ（登録商標）、１００Ｇ  Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）などの規格で検討されている次世代インタフェースは、伝送距離が数十ｍと長いため、光通信が用いられ、電気信号を光信号に変換するための光モジュールが用いられている。光モジュールは、例えば、光ケーブルとサーバー等とを接続する際に用いられ、光ケーブルから入力した光信号を電気信号に変換してサーバー等に出力し、また、サーバー等から入力した電気信号を光信号に変換して光ケーブルへと出力する。
【０００３】
光モジュールは、筐体内部に、電気信号を光信号に変換する発光素子、光信号を電気信号に変換する受光素子、発光素子を駆動する駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、電流を電圧に変換するＴＩＡ（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）等が設けられている。発光素子、受光素子等の光電変換素子と、駆動ＩＣ、及びＴＩＡ等の半導体素子は、筐体内部のＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）に搭載されている。
【０００４】
ＦＰＣに実装される光電変換素子及び半導体素子は、光モジュールの動作に伴って発熱して高温となる。この熱による光モジュールの故障を防ぐため、例えば特許文献１には、光電変換素子及び半導体素子が実装されているＦＰＣの上面に放熱シートを配置し、筐体の上カバー及び下カバーでこれを挟み込む構成が記載されている。これにより、放熱シートを上カバーに密着させて圧縮応力をかけて、光電変換素子及び半導体素子の放熱効率の向上が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−２２１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
放熱シートは、圧縮率が所定範囲（３０〜５０％程度）のときに放熱効率が向上するため、圧縮率が所定範囲に収まるように押圧された状態で筐体内に組み込まれるのが好ましい。しかし、特許文献１に記載の構成では、放熱シートを挟み込む部品数が多く、組立寸法公差が大きいため、組立寸法公差の影響により放熱シートが受ける押圧力が弱過ぎる、または強過ぎる場合がある。この場合、放熱シートの圧縮率が所定範囲から外れ、ＦＰＣに実装されている光電変換素子及び半導体素子が充分な放熱効果を得られず、光電変換素子及び半導体素子の特性が低下する虞がある。
【０００７】
このため、筐体内部に実装されている光電変換素子及び半導体素子の放熱効率の高い光モジュールが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一観点に係る光モジュールは、上カバー及び下カバーを有する筐体と、光電変換素子及び前記光電変換素子に接続された半導体素子が、一方の面に実装されている基板と、前記基板に実装された前記光電変換素子及び前記半導体素子に接触している放熱部材と、剛性がある少なくとも１つのインナケースと、を備え、前記基板の一方の面の側には前記上カバーが配置され、前記基板の他方の面の側には前記下カバーが配置されており、前記インナケースは、前記基板の他方の面の側から、前記基板を前記上カバー側に押圧するよう設置されている。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、筐体内部に実装されている光電変換素子及び半導体素子の放熱効率の高い光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る光モジュールの分解斜視図。
【図２】第１実施形態に係る光モジュールの内部構成を示す断面図。
【図３】第２実施形態に係る光モジュールの分解斜視図。
【図４】第２実施形態に係る光モジュールの内部構成を示す断面図。
【図５】第３実施形態に係る光モジュールの分解斜視図。
【図６】第３実施形態に係る光モジュールの内部構成を示す断面図。
【図７】第４実施形態に係る光モジュールの分解斜視図。
【図８】第４実施形態に係る光モジュールの内部構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【００１２】
［第１実施形態］
図１及び図２を参照して第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る光モジュール１の分解斜視図である。図２は、光モジュール１の内部構成を示す断面図である。図２は、光モジュール１の光伝送方向に沿った断面図であり、ＦＰＣ１２の近傍を拡大視している。
【００１３】
以下では、光モジュール１の各構成要素の形状や位置関係の説明の際に、相互に直交する３軸（ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸）を基準とする。図１に示すように、ｘ軸は光モジュール１の光伝送方向であり、ｙ軸は光モジュール１の幅方向であり、ｚ軸は光モジュール１の主要部品の積層方向である。例えば、ｚ軸が上下方向であり、ｚ軸正方向の面が上面、ｚ軸負方向の面が下面である。また、ｘ軸およびｙ軸がｚ軸に直交する水平方向である。ｘ軸正方向側は、光導波路２０の両端部のうちＦＰＣ１２に接続される一方の端部が配置される側であり、ｘ軸負方向側はレンズ付きフェルール３１に接続される他方の端部が配置される側である。ｙ軸正方向側は、ＦＰＣ１２に搭載される素子のうち発光素子１３が配置される側であり、ｙ軸負方向側は受光素子１４が配置される側である。
【００１４】
図１に示すように、第１実施形態に係る光モジュール１は、プリント基板１０、光導波路２０、フェルール部３０、クリップ４０が、下カバー５１と上カバー５２により形成される筐体内に入れられており、光ケーブル６０が接続されている。上カバー５２及び下カバー５１は、例えば亜鉛ダイカストである。
【００１５】
プリント基板１０の上には、ＦＰＣ１２（基板）が接続されるＦＰＣコネクタ１１が設けられている。ＦＰＣ１２の上面には、電気信号を光信号に変換するＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ＬＡＳＥＲ）等の発光素子１３、光信号を電気信号に変換するフォトダイオード等の受光素子１４、発光素子１３を駆動する駆動ＩＣ１５、及び、受光素子１４からの電流を電圧に変換するＴＩＡ１６が搭載されている。また、プリント基板１０のｘ軸正方向の端部には、外部との接続のための接続端子１７が設けられている。プリント基板１０は、下カバー５１に設置される。
【００１６】
なお本実施形態では、発光素子１３及び受光素子１４を纏めて「光電変換素子」とも表記する。また、駆動ＩＣ１５及びＴＩＡ１６を纏めて「半導体素子」とも表記する。
【００１７】
光導波路２０はフレキシブルなシート状の光導波路でありｘ軸方向に延在する。光導波路２０のｘ軸正方向側の一方の端部はＦＰＣ１２に接続されている。また、光導波路２０のｘ軸負方向側の他方の端部はレンズ付きフェルール３１側に接続されており、光導波路２０とレンズ付きフェルール３１の接続部分は不図示のフェルールブーツにより保護されている。
【００１８】
フェルール部３０は、レンズ付きフェルール３１とＭＴフェルール３２を有する。レンズ付きフェルール３１とＭＴフェルール３２とは、ｘ軸方向に沿って接続された状態で、クリップ４０により挟まれ固定される。なお、ＭＴフェルール３２は、多心の光ファイバー等を一括接続できるＭＴ（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｌｙ  Ｔｒａｎｓｆｅｒａｂｌｅ）型のフェルールであり、レンズ付きフェルール３１は、このＭＴフェルール３２に対応した高密度化が図られたフェルールである。例えば、ＱＳＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｓｍａｌｌ  Ｆｏｒｍ  ｆａｃｔｏｒ  Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ）タイプの小型光コネクタでは、ＭＴフェルール３２とレンズ付きフェルール３１を有しており、ＭＴフェルール３２とレンズ付きフェルール３１を付き合わせることにより、ＭＴフェルール３２に接続された光ケーブル６０とレンズ付きフェルール３１に接続された光導波路との接続が行われる。
【００１９】
フェルール部３０は、下カバー５１に設置される。クリップ４０には、２カ所にねじ穴４０ａが設けられており、下カバー５１に設けられた２カ所の雌ねじ部５１ａとねじ穴４０ａとが位置合わせされた状態で、各々ねじ５３によりねじ止めされている。このようにクリップ４０を下カバー５１にねじ止めすることにより、フェルール部３０はクリップ４０を介し下カバー５１に固定される。
【００２０】
ＦＰＣ１２は、上下方向から上側インナケース８１及び下側インナケース８２により挟み込まれている。上側インナケース８１がＦＰＣ１２の上面を覆い、下側インナケース８２がＦＰＣ１２の下面を覆っている。上側インナケース８１及び下側インナケース８２は、ＦＰＣ１２より硬く、かつ、放熱特性の高い材料で形成される。また、上側インナケース８１及び下側インナケース８２は、剛性がある材料で形成される。ここで「剛性」とは、曲げやねじりの力に対する、寸法変化（変形）のしづらさの度合いをいい、「剛性がある」とは、このような力に対して変形が小さく、剛性が高いことをいう。「剛性」は、軸剛性、曲げ剛性、せん断剛性、ねじり剛性を含む。
【００２１】
上側インナケース８１及び下側インナケース８２の材料は、例えば金属、セラミック、金属フィラーが混合されたプラスチック、などである。上側インナケース８１及び下側インナケース８２は、例えばダイカストモールド、切削、プレス、折り曲げ加工によって製造することができる。
【００２２】
ＦＰＣ１２の光電変換素子や半導体素子が実装されている上面には、放熱シート８３（放熱部材）が設置されている。放熱シート８３は、光電変換素子や半導体素子が発生する熱を上カバー５２側へ伝導して放熱する。放熱シート８３は、少なくとも光電変換素子及び半導体素子の上面に接触してこれらを覆うことができる大きさで形成されている。放熱シート８３は、上側インナケース８１とＦＰＣ１２の上面との間に挿入されている。放熱シート８３は、例えばシリコン材料を主成分とし、柔軟性を有する。
【００２３】
ＦＰＣ１２の下面と、下側インナケース８２との間には、電波吸収シート８４（電波吸収部材）が設置されている。電波吸収シート８４は、ＦＰＣ１２の下面に接続されている光導波路２０と重ならないように切欠きが設けられており、これにより、ＦＰＣ１２と下側インナケース８２との間に挿入されたときに、図２に示すように光導波路２０とｚ軸方向で重ならないように形成されている。
【００２４】
図２に示すように、上側インナケース８１の下面には凹部８１ｂが設けられ、放熱シート８３、ＦＰＣ１２上の光電変換素子や半導体素子を嵌め込み可能とされている。図１に示すように、上側インナケース８１及び下側インナケース８２のｘ軸負方向側の端部には、それぞれ２つの貫通孔８１ａ，８２ａが設けられる。
【００２５】
上側インナケース８１、放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、下側インナケース８２は、この順で積層されて上カバー５２に固定されている。より詳細には、図２に示すように、上側インナケース８１の凹部８１ｂに放熱シート８３及びＦＰＣ１２が嵌め込まれ、ＦＰＣ１２の下面に電波吸収シート８４が配置され、さらに下側インナケース８２が重ねられている。そして、上側インナケース８１の２か所の貫通孔８１ａ，８１ａと、下側インナケース８２の２か所の貫通孔８２ａ，８２ａとの位置合わせがなされた状態で、ねじ８５が貫通孔８１ａ，８２ａに通され上カバー５２の下面に設けられた２カ所の雌ねじ部５２ｃに締結されている。
【００２６】
さらに、下側インナケース８２と、その下方のプリント基板１０との間には板バネ８６が設置されている。板バネ８６は、下側インナケース８２の略中央部、好ましくは放熱シート８３の真下に配置されている。板バネ８６は、下側インナケース８２とプリント基板１０とに挟まれて、上カバー５２側に押圧力を加えている。
【００２７】
また、図２に示すように、上カバー５２の下面には、上側インナケース８１が組み付けられる位置に、上側インナケース８１の上部と嵌合可能な凹部５２ｂが設けられ、組み付けられた上側インナケース８１が水平方向（ｘ軸方向、ｙ軸方向）へずれないように構成されている。
【００２８】
光ケーブル６０のＭＴフェルール３２と接続される端部近傍には、上下より、ケーブルブーツ７１、７２が被せられ、更にラッチ部７３が取り付けられている。
【００２９】
下カバー５１に、フェルール部３０がクリップ４０により固定され、プリント基板１０が載置されている状態で、上述のようにＦＰＣ１２などが下面に固定された上カバー５２が被せられ、上カバー５２における２カ所のねじ穴５２ａと、下カバー５１における２カ所の雌ねじ部５１ｂとの位置合わせがなされた状態で、ねじ５４によりねじ止めされる。
【００３０】
第１実施形態に係る光モジュール１の効果を説明する。第１実施形態に係る光モジュール１は、上カバー５２及び下カバー５１を有する筐体と、光電変換素子及び半導体素子が実装されているＦＰＣ１２と、ＦＰＣ１２に実装された発光素子１３、受光素子１４、駆動ＩＣ１５及びＴＩＡ１６に接触している放熱シート８３と、ＦＰＣ１２の上面及び下面に配置される上側インナケース８１及び下側インナケース８２と、を備える。ＦＰＣ１２の上面側には上カバー５２が配置され、ＦＰＣ１２の下面側には下カバー５１が配置されており、上側インナケース８１及び下側インナケース８２は、ＦＰＣ１２を上カバー５２側に押圧するよう設置されている。
【００３１】
特許文献１に記載の光モジュールの構成では、本実施形態の上カバー５２、放熱シート８３、ＦＰＣ１２上の電子部品、ＦＰＣ１２，電波吸収シート８４、プリント基板１０、下カバー５１に相当する部品が積層された状態で組み立てられる。つまり、放熱シート８３は、上カバー５２、駆動ＩＣ１５等の電子部品、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、プリント基板１０、下カバー５１の６点の部品により挟み込まれ、これらの部品により押圧力を受ける。放熱シート８３を挟む各部品にはそれぞれ公差があり、これらの部品の点数が多くなると部品点数分だけ公差が積みあがるため、最終的な組立寸法公差が大きくなる。組立寸法公差が大きいと、放熱シート８３が受ける押圧力の範囲が広がってしまい、押圧力が弱過ぎる、または強過ぎる場合がある。この場合、放熱シート８３の圧縮率が適切な範囲（３０〜５０％程度）から外れ、ＦＰＣ１２に実装されている光電変換素子や半導体素子を充分に放熱することができず、光電変換素子や半導体素子の特性が低下する、または光電変換素子や半導体素子に過度な圧力が加わることにより素子が破損する虞がある。
【００３２】
これに対して第１実施形態の光モジュール１は、上カバー５２、上側インナケース８１、放熱シート８３、駆動ＩＣ１５等の電子部品、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、下側インナケース８２が積層されて組み立てられる構成であり、放熱シート８３は、上側インナケース８１、駆動ＩＣ１５等の電子部品、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、下側インナケース８２の５点の部品により挟み込まれる。つまり、第１実施形態の光モジュール１では、放熱シート８３が受ける押圧力に関わる部品点数を従来の構成より削減できる。これにより、部品点数が少なくなった分だけ組立寸法公差の影響を低減できるので、放熱シート８３の圧縮率を適切な範囲に維持することが容易となり、筐体内部のＦＰＣ１２に実装されている光電変換素子及び半導体素子の放熱効率を向上させることができる。
【００３３】
また、第１実施形態では、上側インナケース８１がＦＰＣ１２の上面を覆っており、下側インナケース８２がＦＰＣ１２の下面を覆っている。ＦＰＣ１２は非常に薄く柔軟に変形するが、剛性があり、ＦＰＣ１２より硬い材料により形成される上側インナケース８１及び下側インナケース８２でＦＰＣ１２を上下方向から挟み込むことにより、ＦＰＣ１２を剛体によってパッケージ化して、ＦＰＣ１２を歪ませないようにフレキシブル性を抑制することができる。これにより、組立工程の際にＦＰＣ１２の不要な屈曲を抑制でき、ＦＰＣ１２を設置しやすくなるので、歩留まりや信頼性を改善できる。
【００３４】
また、第１実施形態に係る光モジュール１では、ＦＰＣ１２の下面と下側インナケース８２との間隙に電波吸収シート８４が挿入されているので、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：電磁妨害）の影響を抑制できる。
【００３５】
また、第１実施形態に係る光モジュール１では、上カバー５２の下面には、組立時に上側インナケース８１の一部が嵌合するよう凹部５２ｂが形成されているので、上カバー５２への上側インナケース８１の組み付け作業を容易にできる。
【００３６】
なお、放熱シート８３は、ＦＰＣ１２の発熱を上カバー５２側に伝導できる機能を有するものであればよく、シート状以外の放熱部材を適用することもできる。同様に、電波吸収シート８４は、ＥＭＩ抑制の機能を有するものであればよく、シート状以外の電波吸収部材を適用することもできる。
【００３７】
［第２実施形態］
図３及び図４を参照して第２実施形態について説明する。図３は、第２実施形態に係る光モジュール１Ａの分解斜視図である。図２は、光モジュール１Ａの内部構成を示す断面図である。
【００３８】
図３及び図４に示すように、第２実施形態の光モジュール１Ａは、上側インナケース８１に相当する部品を備えない点で、第１実施形態の光モジュール１と異なる。光モジュール１Ａは、第１実施形態の下側インナケース８２に相当するインナケース１８２を備える。インナケース１８２は、ＦＰＣ１２の下面の側に配置され、下面側からＦＰＣ１２を上カバー５２側に押圧するよう設置されている。
【００３９】
放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、インナケース１８２は、この順で積層されて、ねじ８５がインナケース１８２の２か所の貫通孔８２ａ，８２ａに通されて上カバー５２に締結されることで、上カバー５２に固定されている。また、インナケース１８２とプリント基板１０との間には板バネ８６が設置されている。
【００４０】
第２実施形態の光モジュール１Ａでは、上カバー５２、放熱シート８３、駆動ＩＣ１５等の電子部品、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、インナケース１８２が積層されて組み立てられる構成であり、放熱シート８３は、上カバー５２、電子部品、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、インナケース１８２の５点の部品により挟み込まれる。つまり、第２実施形態の光モジュール１Ａでは、放熱シート８３が受ける押圧力に関わる部品点数を第１実施形態よりさらに削減できる。これにより、組立寸法公差をさらに低減でき、ＦＰＣに実装されている光電変換素子及び半導体素子の放熱をさらに高めることができる。
【００４１】
［第３実施形態］
図５及び図６を参照して第３実施形態について説明する。図５は、第３実施形態に係る光モジュール１Ｂの分解斜視図である。図６は、光モジュール１Ｂの内部構成を示す断面図である。
【００４２】
図５及び図６に示すように、第３実施形態の光モジュール１Ｂは、ＦＰＣ１２の幅方向の両側からそれぞれＦＰＣ１２の両面を覆う一対のインナケース２８１，２８２を備える点で、第１実施形態の光モジュール１と異なる。
【００４３】
放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４は、この順で積層された状態で、ＦＰＣ１２の幅方向両側からインナケース２８１，２８２の内部に収容されつつ挟持されている。インナケース２８１，２８２は、ＦＰＣ１２の幅方向の略中央の位置にて結合している。インナケース２８１，２８２の貫通孔２８１ａ，２８２ａにねじ８５が通されて上カバー５２に締結されている。これにより、インナケース２８１，２８２、放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４は、一体的に上カバー５２に固定されている。また、インナケース２８１，２８２と、その下方のプリント基板１０との間には板バネ８６が設置されている。
【００４４】
第３実施形態の光モジュール１Ｂも、放熱シート８３が受ける押圧力に関わる部品点数を第１実施形態と同様に削減できるので、組立寸法公差を低減でき、ＦＰＣ１２に実装されている光電変換素子及び半導体素子の放熱効率を向上させることができる。
【００４５】
なお、インナケース２８１，２８２は、放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４を内部に収容し、ＦＰＣ１２の上面側及び下面側に配置されていればよく、ｙ軸方向に２分割する構成に限られない。例えば、インナケースを、内部空間をもつ箱型として、ｘ負方向側の端面に蓋を有する構成にもできる。この構成では、蓋を開けた状態で放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４を開口部から内部に挿入して、その後に蓋を閉じることによって放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４をインナケースの内部空間に収容できる。
【００４６】
［第４実施形態］
図７及び図８を参照して第４実施形態について説明する。図７は、第４実施形態に係る光モジュール１Ｃの分解斜視図である。図８は、光モジュール１Ｃの内部構成を示す断面図である。
【００４７】
図７及び図８に示すように、第４実施形態の光モジュール１Ｃは、上側インナケース３８１及び下側インナケース３８２が、ＦＰＣ１２に接続される光導波路２０を位置決めする上側ガイド３８５及び下側ガイド３８６をそれぞれ有する点で、第１実施形態の光モジュール１と異なる。
【００４８】
図７に示すように、上側インナケース３８１は光導波路２０側（ｘ軸負方向）へ延びる保持部３８３を有する。図８に示すように、保持部３８３の下面には、光導波路２０を上側から挟む上側ガイド３８５が設けられている。同様に、下側インナケース３８２は光導波路２０側へ延びる保持部３８４を有する。保持部３８４の上面には、光導波路２０を下側から挟む下側ガイド３８６が設けられている。上側ガイド３８５及び下側ガイド３８６は、上側インナケース３８１及び下側インナケース３８２が放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４を挟持したときに、上側ガイド３８５及び下側ガイド３８６の間に所定間隔の間隙ができるように形成されている。
【００４９】
図８に示すように、上側インナケース３８１、放熱シート８３、ＦＰＣ１２、電波吸収シート８４、下側インナケース３８２が積層されて上カバー５２に固定されている状態で、光導波路２０は上側ガイド３８５及び下側ガイド３８６により形成される間隙に沿って配置され、その形状が固定されている。これにより光導波路２０の変形を抑制することができ、光導波路２０を流れる光の伝導損失や散乱を低減できる。
【００５０】
なお、図７及び図８では、光導波路２０を位置決めするガイドを第１実施形態の上側インナケース８１及び下側インナケース８２に適用した構成を例示したが、第２、第３実施形態にも適用できる。第２実施形態に適用する場合、下側ガイド３８６に相当する要素はＦＰＣ１２の下面側に配置されるインナケース１８２に設けられ、上側ガイド３８５に相当する要素は、上カバー５２の下面のインナケース１８２と対向する部分に設けられる。
【００５１】
以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。
【００５２】
上記実施形態では、光電変換素子及び半導体素子が実装される基板の一例としてＦＰＣ１２を例示したが、ＦＰＣ１２の代わりに柔軟性の無いリジット基板を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ    光モジュール
１２    ＦＰＣ
１３    発光素子
１４    受光素子
１５    駆動ＩＣ
１６    ＴＩＡ
５１    下カバー
５２    上カバー
８１    上側インナケース
８２    下側インナケース
８３    放熱シート
８４    電波吸収シート
１８２，２８１，２８２    インナケース
３８５    上側ガイド
３８６    下側ガイド
【図１】
2019067790.tif 000003
【図２】
2019067790.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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