(57)【要約】【課題】副画素間のクロストークによる画像品質の低下を抑制する。【解決手段】ＯＬＥＤ表示装置は、基板の面上に配列された、複数の副画素と、複数の副画素それぞれの発光領域を囲む画素定義層と、を含む。複数の副画素のそれぞれは、上部電極と、下部電極と、上部電極と下部電極との間において上部電極及び下部電極と積層された有機発光層と、下部電極と有機発光層との間において下部電極及び有機発光層と積層された下部キャリア供給層と、を含む。下部キャリア供給層は、下部電極及び有機発光層それぞれと接触し、下部電極から有機発光層へキャリアを供給し、下部電極の画素定義層の開口内の全面を覆い、下部電極を囲む画素定義層の頂面に端を有する。有機発光層は、下部キャリア供給層の端を含む下部キャリア供給層の全面を覆う。【選択図】図２Ｂ
2019067747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に配列された、複数の副画素と、
前記複数の副画素それぞれの発光領域を囲む画素定義層と、を含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間において前記上部電極及び前記下部電極と積層された有機発光層と、
前記下部電極と前記有機発光層との間において前記下部電極及び前記有機発光層と積層された下部キャリア供給層と、を含み、
前記下部キャリア供給層は、
前記下部電極及び前記有機発光層それぞれと接触し、
前記下部電極から前記有機発光層へキャリアを供給し、
前記下部電極の前記画素定義層の開口内の全面を覆い、
前記下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有し、
前記有機発光層は、前記下部キャリア供給層の前記端を含む前記下部キャリア供給層の全面を覆う、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記下部キャリア供給層の前記端を含む第１端部は、前記画素定義層の前記頂面において、隣接する異なる色の副画素の下部キャリア供給層の第２端部と重なり、
前記有機発光層の一部は、前記第１端部が前記第２端部から離間するように、前記第１端部と前記第２端部との間に積層されている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記下部キャリア供給層の前記端は、隣接する異なる色の副画素の下部キャリア供給層から前記基板の面内方向において離間しており、
前記有機発光層の端部は、前記画素定義層の前記頂面において、前記下部キャリア供給層の前記端と前記隣接する異なる色の副画素の下部キャリア供給層との間に形成されている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
少なくとも３つの副画素は、それぞれ異なる第１色〜第３色を発光する副画素であり、
前記第１色の副画素の有機発光層は、前記第１色の副画素の下部キャリア供給層の前記端を含む全面を覆い、 
前記第１色の副画素と、前記第１色の副画素に隣接する第２色の副画素との間に配置された第１の画素定義部の頂面の上側において、前記第１色の副画素の有機発光層の端部と前記第２色の副画素の下部キャリア供給層とが接触し、
前記第１色の副画素の発光閾値電圧は、前記第２色の副画素の発光閾値電圧よりも高い、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記第１色の副画素と、前記第１色の副画素に隣接する第３色の副画素との間に配置された第２の画素定義部の頂面の上側において、前記第１色の副画素の有機発光層の端部と前記第３色の副画素の下部キャリア供給層とが接触し、
前記第１色の副画素の発光閾値電圧は、前記第３色の副画素の発光閾値電圧よりも高い、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素は、行列状に配置され、
前記第２色の副画素は、行列方向において第１色の副画素に隣接し、
前記第３色の副画素は、行列方向において第１色の副画素に隣接する、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項７】
請求項３に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素の有機発光層と前記複数の副画素の上部電極との間において、前記有機発光層及び前記上部電極と接触して積層された、前記複数の副画素に共通の上部キャリア供給層をさらに含み、
前記複数の副画素それぞれの前記上部電極は、一つの共通の上部電極層の一部であり、
前記複数の副画素のそれぞれの前記有機発光層の前記端部は、前記画素定義層の前記頂面において、前記上部キャリア供給層と前記下部キャリア供給層の前記端との間に形成されている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素の有機発光層と前記複数の副画素の上部電極との間において、前記有機発光層及び前記上部電極と接触して積層された、前記複数の副画素に共通の上部キャリア供給層をさらに含み、
前記複数の副画素それぞれの前記上部電極はカソード電極であって、一つの共通のカソード電極層の一部であり、
前記上部キャリア供給層は電子供給層であり、
前記下部電極はアノード電極であり、
前記下部キャリア供給層は正孔供給層である、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項９】
ＯＬＥＤ表示装置を製造する方法であって、
基板上に副画素の下部電極を形成する、第１ステップと、
前記下部電極を形成した基板上に、前記下部電極がそれぞれ露出する開口を含む画素定義層を形成する、第２ステップと、
第１色の副画素の第１下部電極及び前記画素定義層の上に、第１下部キャリア供給層を形成し、前記第１下部キャリア供給層のそれぞれは、前記開口において前記第１下部電極と接触して前記第１下部電極の全面を覆い、前記第１下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する、第３ステップと、
第２色の副画素の第２下部電極及び前記画素定義層の上に、第２下部キャリア供給層を形成し、前記第２下部キャリア供給層のそれぞれは、前記開口において前記第２下部電極と接触して前記第２下部電極の全面を覆い、前記第２下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する、第４ステップと、
第３色の副画素の第３下部電極及び前記画素定義層の上に、第３下部キャリア供給層を形成し、前記第３下部キャリア供給層のそれぞれは、前記開口において前記第３下部電極と接触しての前記第３下部電極の全面を覆い、前記第３下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する、第５ステップと、
前記第１下部キャリア供給層に接触し、前記第１下部キャリア供給層の前記端を含む前記第１下部キャリア供給層の全面を覆う、前記第１色の副画素それぞれの第１有機発光層を形成する、第６ステップと、
前記第２下部キャリア供給層に接触し、前記第２下部キャリア供給層の端を含む前記第２下部キャリア供給層の全面を覆う、第２有機発光層を形成する、第７ステップと、
前記第３下部キャリア供給層に接触し、前記第３下部キャリア供給層の端を含む前記第３下部キャリア供給層の全面を覆う、第３有機発光層を形成する、第８ステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記第３ステップの後に前記第６ステップを実行し、
前記第６ステップの後に前記第４ステップを実行し、
前記第４ステップの後に前記第７ステップを実行し、
前記第７ステップの後に前記第５ステップを実行し、
前記第５ステップの後に前記第８ステップを実行する、
方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記第３ステップ、前記第４ステップ及び前記第５ステップの後に、前記第６ステップ、前記第７ステップ及び前記第８ステップを実行する、
方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、
前記第３ステップ、前記第４ステップ及び前記第５ステップを、一つのメタルマスクを使用した蒸着により、同時に実行する、
方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、
前記第３ステップを、第１メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第６ステップを、前記第１メタルマスクよりも大きい開口を有する第２メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第４ステップを、第３メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第７ステップを、前記第３メタルマスクよりも大きい開口を有する第４メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第５ステップを、第５メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第８ステップを、前記第５メタルマスクよりも大きい開口を有する第６メタルマスクを使用した蒸着により実行する、
方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の方法であって、
少なくとも３つの副画素は、それぞれ異なる第１色〜第３色を発光する副画素であり、
前記第１色の副画素の有機発光層は、前記第１色の副画素の下部キャリア供給層の前記端を含む全面を覆い、 
前記第１色の副画素と、前記第１色の副画素に隣接する第２色の副画素との間に配置された第１の画素定義部の頂面の上側において、前記第１色の副画素の有機発光層の端部と前記第２色の副画素の下部キャリア供給層とが接触し、
前記第１色の副画素の発光閾値電圧は、前記第２色の副画素の発光閾値電圧よりも高い、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＯＬＥＤ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。
【０００３】
典型的なＯＬＥＤ表示装置は、行列状に配置された複数の副画素を含む。各副画素は、青、赤又は緑のいずれかの色を発光する有機発光層と、有機発光層を挟む陽極及び陰極を含む。例えば、特許文献１、２は、ＯＬＥＤ表示装置の構成例を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１３／０２４８８６７号明細書
【特許文献２】特開２０１６‐１０３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＯＬＥＤ表示装置においては様々な原因により画像品質が低下するので、その低下を抑制することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様のＯＬＥＤ表示装置は、基板の面上に配列された、複数の副画素と、前記複数の副画素それぞれの発光領域を囲む画素定義層と、を含む。前記複数の副画素のそれぞれは、上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間において前記上部電極及び前記下部電極と積層された有機発光層と、前記下部電極と前記有機発光層との間において前記下部電極及び前記有機発光層と積層された下部キャリア供給層と、を含む。前記下部キャリア供給層は、前記下部電極及び前記有機発光層それぞれと接触し、前記下部電極から前記有機発光層へキャリアを供給し、前記下部電極の前記画素定義層の開口内の全面を覆い、前記下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する。前記有機発光層は、前記下部キャリア供給層の前記端を含む前記下部キャリア供給層の全面を覆う。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一態様によれば、副画素間のクロストークによる画像品質の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態１において、ＯＬＥＤ表示装置の構成例を模式的に示す。
【図２Ａ】実施形態１において、表示領域の一部の平面図を示す。
【図２Ｂ】図２ＡにおけるＩＩＢ−ＩＩＢ切断線での断面図を示す。
【図２Ｃ】実施形態１において、ＴＦＴ基板の断面構造を模式的に示す。
【図２Ｄ】図２Ｂにおいて円破線Ｄで囲まれている部分の拡大図である。
【図３Ａ】実施形態１において、赤副画素Ｒのパターンに対応したメタルマスクの一例を示す。
【図３Ｂ】図３ＡにおけるＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ切断線での断面図を示す。
【図３Ｃ】図３ＡにおけるＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ切断線での断面図を示す。
【図４Ａ】実施形態１において、画素定義層に各色の有機材料が蒸着された状態を模式的に示す。
【図４Ｂ】図４ＡにおけるＩＶＢ−ＩＶＢ切断線での断面図を示す。
【図４Ｃ】図４ＡにおけるＩＶＣ−ＩＶＣ切断線での断面図を示す。
【図５】実施形態１において、画素定義層を形成した後の製造工程のフローチャートを示す。
【図６】実施形態１において、正孔供給層のためのメタルマスク及び有機発光層のためのメタルマスクの関係を模式的に示す。
【図７】実施形態１において、図６に示す関係を有する正孔供給層用メタルマスク及び有機発光層用メタルマスクを、各色の副画素に対して使用して製造したＴＦＴ基板の断面構造を模式的に示す。
【図８Ａ】実施形態２において、表示領域の一部の平面図を示す。
【図８Ｂ】実施形態２において、青副画素の正孔供給層と青有機発光層との間の関係を模式的に示す。
【図８Ｃ】図８ＡにおけるＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ切断線での断面構造の一部を示す。
【図９】実施形態２において、製造方法のフローチャートを示す。
【図１０】実施形態３において、正孔供給層の形成に使用されるメタルマスクの構成例を模式的に示す。
【図１１】図１０に示すメタルマスクを使用して正孔供給層を形成する製造方法のフローチャートを示す。
【図１２】ＴＦＴ基板の断面構造の例を模式的に示す。
【図１３】ＴＦＴ基板の断面構造の例を模式的に示す。
【図１４】ＴＦＴ基板の断面構造の例を模式的に示す。
【図１５】ＴＦＴ基板の断面構造の例を模式的に示す。
【図１６】ＴＦＴ基板の断面構造の例を模式的に示す。
【図１７】実施形態４において表示領域の一部の平面図を示す。
【図１８】図１７におけるＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ切断線での第１の断面図を示す。
【図１９】図１７におけるＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ切断線での第２の断面図を示す。
【図２０】図１８の断面図で説明した層構造を形成するために使用するメタルマスクを説明する図である。
【図２１】図１８の断面図で説明した層構造を形成するために使用するメタルマスクを説明する図である。
【図２２】実施形態４において画素定義層を形成した後の製造工程のフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下において、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）の構成及びその製造方法を開示する。本実施の形態で説明するＯＬＥＤ表示装置の発明者らは、ＯＬＥＤ表示パネルにおいて、青色の副画素のみを発光させた場合に、本来であれば発光しないはずの赤及び緑副画素が微弱に発光することがあることを見出した。意図しない副画素の発光は、表示画像の色純度の低下、特に、低階調表示異常を引き起こす。したがって、意図しない副画素の発光を防止することが望ましい。
【００１０】
発明者らの研究によれば、ＯＬＥＤ表示パネルにおいて、副画素において電極と有機発光層との間にキャリア移動性を有するキャリア供給層が表示領域全面にわたり形成されている場合、意図しない副画素の発光が起こることが分かった。キャリア供給層は、例えば正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含む正孔供給層である。
【００１１】
隣接副画素間で印加電圧に差が存在する場合、隣接副画素間でこのキャリア供給層を介したキャリアリークが発生する。例えば、青副画素のみを発光させる場合、青副画素に与えた電流の中の、微少な電流が、発光を意図しない赤及び緑の隣接副画素にこのキャリア供給層を介して流れる。この微小電流が流れる経路はリークパスとも呼ばれる。
【００１２】
この微少電流が、赤及び緑の隣接副画素をわずかに発光させる（いわゆる、クロストーク）。この現象は、隣接副画素間の距離が近いほどより顕著であり、特に、低諧調表示の場合に認識されやすい。そこで、本実施の形態では、このキャリアリークを抑制するため、リークパスを低減又は無くす、ＯＬＥＤ表示装置の構造を説明する。
【００１３】
以下に開示するＯＬＥＤ表示装置において、下部電極から有機発光層へキャリアを供給する下部キャリア供給層は、画素定義層の開口内で下部電極の全面を覆い、下部電極を囲む画素定義層の頂面に端を有する。有機発光層は、下部キャリア供給層の端を含む下部キャリア供給層の全面を覆う。これにより、隣接副画素間の下部キャリア供給層におけるリークパスを低減又は無くし、異なる色の隣接副画素間におけるキャリアリークを抑制することができる。
【００１４】
以下、添付図面を参照して実施形態を説明する。実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではない。各図において共通の構成については同一の参照符号が付されている。説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。
【００１５】
＜実施形態１＞
［装置構成］
図１は、本実施形態に係る、ＯＬＥＤ表示装置１０の構成例を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＯＬＥＤ素子が形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１００と、ＯＬＥＤ素子を封止する封止基板２００と、ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とを接合する接合部（ガラスフリットシール部）３００を含んで構成されている。ＴＦＴ基板１００と封止基板２００との間には、例えば、窒素が封入されており、接合部３００により封止されている。
【００１６】
ＴＦＴ基板１００の表示領域１２５の外側のカソード電極形成領域１１４の周囲に、走査ドライバ１３１、エミッションドライバ１３２、保護回路１３３、ドライバＩＣ１３４が配置されている。これらは、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１３５を介して外部の機器と接続される。
【００１７】
走査ドライバ１３１はＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する。エミッションドライバ１３２は、エミッション制御線を駆動して、各副画素の発光期間を制御する。ドライバＩＣ１３４は、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いて実装される。
【００１８】
ドライバＩＣ１３４は、走査ドライバ１３１及びエミッションドライバ１３２に電源及びタイミング信号（制御信号）を与え、さらに、データ線に映像データに対応するデータ電圧を与える。すなわち、ドライバＩＣ１３４は、表示制御機能を有する。
【００１９】
封止基板２００は、透明な絶縁基板であって、例えばガラス基板である。封止基板２００の光出射面（前面）に、λ／４位相差板と偏光板とが配置され、外部から入射した光の反射を抑制する。
【００２０】
図２Ａは、表示領域１２５の一部の平面図を示す。図２Ａは、行列状に配置された複数の副画素を示す。少なくとも３つの副画素は、それぞれ異なる第１色〜第３色を発光する副画素である。なお、第１色は例えば青色、第２色は例えば赤色、第３色は例えば緑色である。図２Ａは、赤副画素（発光領域）２５１Ｒ、青副画素（発光領域）２５１Ｂ、及び緑副画素（発光領域）２５１Ｇを示す。図２Ａにおける副画素のうち、赤、青、緑それぞれの一つの副画素のみが、符号で指示されている。各副画素は、赤、青、又は緑のいずれかの色を表示する。赤、青、及び緑副画素により一つの画素（主画素）が構成される。
【００２１】
図２Ａの例において、行方向（図２Ａにおける左右方向）において、赤副画素２５１Ｒ、青副画素２５１Ｂ、緑副画素２５１Ｇが、循環的に配列されている。図２Ａの例において、左から右に向かって、異なる色の副画素（発光領域）は、赤副画素２５１Ｒ、青副画素２５１Ｂ、緑副画素２５１Ｇの順で配列されている。列方向（図２Ａにおける上下方向）において、同一色の副画素が配列されている。なお、赤副画素、青副画素、緑副画素の順序は、任意であり、例えば、赤画素、緑副画素、青副画素の順序であっても良い。
【００２２】
それぞれの副画素（発光領域）は、絶縁性の画素定義層２５３で囲まれている。画素定義層２５３は、副画素（発光領域）それぞれを画定する。副画素（発光領域）は、画素定義層２５３の開口内に形成されている。
【００２３】
各副画素（発光領域）の全領域は、同色の有機発光層で覆われている。具体的には、赤副画素２５１Ｒ、青副画素２５１Ｂ、緑副画素２５１Ｇは、それぞれ、の有機発光層２６９Ｒ、青有機発光層２６９Ｂ、緑有機発光層２６９Ｇで完全に覆われている。なお、図２Ａにおける有機発光層のうち、赤、青、緑それぞれの一つの有機発光層のみが、符号で指示されている。
【００２４】
図２Ｂは、図２ＡにおけるＩＩＢ−ＩＩＢ切断線での断面図を示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＴＦＴ基板１００と、ＴＦＴ基板１００に対向する封止基板（透明基板）２００とを含む。図２Ｃは、ＴＦＴ基板１００の断面構造を模式的に示す。
【００２５】
ＯＬＥＤ表示装置１０は、絶縁基板２６１上に配置された、ＴＦＴ回路層２６３と、複数の分離した下部電極（例えば、アノード電極２６５Ｂ、２６５Ｇ）とを含む。分離した下部電極は、下部電極層に含まれる。ＯＬＥＤ表示装置１０は、さらに、上部電極（層）（例えば、カソード電極（層）２７３）と、複数の有機発光層２６９Ｂ、２６９Ｇとを含む。なお、層は同時に形成される連続した一つの部分又は分離した複数の部分で構成され得る。以下においては、層の一部も層と呼ぶことがある。
【００２６】
絶縁基板２６１は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。絶縁基板２６１に近い側を下側、遠い側を上側と記す。なお、カソード電極（上部電極）２７３の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。
【００２７】
アノード電極２６５Ｂ及び２６５Ｇは、それぞれ、青副画素２５１Ｂ及び緑副画素２５１Ｇのアノード電極である。カソード電極２７３は、有機発光層からの可視光の一部又は全てを封止構造部に向けて透過させる透明電極であり、全ての副画素に共通である。
【００２８】
カソード電極と１つのアノード電極との間に、有機発光層が配置されている。複数のアノード電極は、ＴＦＴ回路層２６３の面上（例えば、平坦化膜上）に配置され、１つのアノード電極の上に１つの有機発光層が配置されている。
【００２９】
ＴＦＴ回路層２６３は、それぞれが複数のＴＦＴを含む複数の副画素回路（以下、単に画素回路と記す）を有する。画素回路の各々は、絶縁基板２６１とアノード電極との間に形成され、アノード電極の各々に供給する電流を制御する。アノード電極は、平坦化膜のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によって画素回路に接続される。
【００３０】
任意構成の画素回路を使用することができる。画素回路の一例は、例えば、副画素選択用のスイッチＴＦＴ、ＯＬＥＤ素子の駆動用ＴＦＴ、ＯＬＥＤ素子への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチＴＦＴ、及び、保持容量を含む。
【００３１】
図２Ｂにおいて、カソード電極２７３とアノード電極２６５Ｂとの間に、有機発光層２６９Ｂが配置されている。カソード電極２７３とアノード電極２６５Ｇとの間に、有機発光層２６９Ｇが配置されている。図２Ｂの例において、異なる色の有機発光層が形成されている。
【００３２】
アノード電極と有機発光層との間に、正孔供給層が積層されている。正孔供給層は、アノード電極及び有機発光層それぞれと接触して界面を形成する。正孔供給層は、例えば、正孔注入層及び正孔輸送層からなる又はそれら層の機能を有する１層以上の層からなる。正孔供給層は、下部キャリア供給層とも呼ぶ。図２Ｂにおいて、各副画素の正孔供給層は、隣接する異なる色の副画素の正孔供給層から分離して形成されている。
【００３３】
例えば、正孔供給層２６７Ｂは、アノード電極２６５Ｂと有機発光層２６９Ｂとの間に配置されており、正孔供給層２６７Ｇは、アノード電極２６５Ｇと有機発光層２６９Ｇとの間に配置されている。正孔供給層２６７Ｂ、２６７Ｇは、分離されている。
【００３４】
カソード電極と有機発光層との間に、電子供給層が配置されている。電子供給層は、カソード電極及び有機発光層それぞれと接触して界面を形成する。図２Ｂにおいて、各副画素の電子供給層２７１は、副画素に共通な層の一部である。電子供給層２７１は、カソード電極２７３と有機発光層２６９Ｂとの間及びカソード電極２７３と有機発光層２６９Ｇとの間に配置されている。電子供給層２７１は、例えば、電子注入層及び電子輸送層からなる又はそれら層の機能を有する１層以上の層からなる。電子供給層２７１は、上部キャリア供給層とも呼ぶ。
【００３５】
一つのＯＬＥＤ素子は、画素定義層２５３の開口内において、下部電極であるアノード電極、正孔供給層、有機発光層、電子供給層、及び上部電極であるカソード電極を含んで構成される。
【００３６】
画素定義層は、アノード電極と正孔供給層との間の層である。図２Ｂにおいては、画素定義層２５３は、アノード電極２６５Ｂ、２６５Ｇと正孔供給層２６７Ｂ、２６７Ｇとの間に形成されている。画素定義層２５３は、副画素が形成される開口内の側面と、開口間の頂面を含む。図２Ｂの例において、頂面はフラットである。
【００３７】
図２Ｂに示すように、正孔供給層２６７Ｂは、アノード電極２６５Ｂ及び画素定義層２５３上に、それらに接触して形成されている。同様に、正孔供給層２６７Ｇは、アノード電極２６５Ｇ及び画素定義層２５３上に、それらに接触して形成されている。
【００３８】
図２Ｃは、副画素（画素定義層の開口）、正孔供給層、及び有機発光層の位置関係を模式的に示す。図２Ｂ及び２Ｃに示すように、正孔供給層２６７Ｂは、その周囲を囲む画素定義層２５３の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層２６７Ｂは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層２６７Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。
【００３９】
同様に、正孔供給層２６７Ｇは、その周囲を囲む画素定義層２５３の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層２６７Ｇは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層２６７Ｇの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。
【００４０】
正孔供給層２６７Ｂと正孔供給層２６７Ｇとは面内方向（絶縁基板２６１の主面内の方向）で離れており、それらの間にはギャップが存在する。具体的には、画素定義層２５３上において、正孔供給層２６７Ｂの端は、正孔供給層２６７Ｇの端から離れており、それらの間にはギャップＧが存在する。本例において、各副画素の正孔供給層は、隣接する異なる色の副画素の正孔供給層から離間している。本例において各副画素の正孔供給層は、隣接する全副画素の正孔供給層から離間しているが、同一色の隣接副画素の正孔供給層は、連続してもよい。
【００４１】
各副画素の正孔供給層は、マイクロキャビティ構造のために適切な厚みを有する。図２Ｂにおいて、正孔供給層緑副画素のための正孔供給層２６７Ｇは、青副画素のための正孔供給層２６７Ｂよりも厚い。
【００４２】
正孔供給層２６７Ｂの直上、つまり、正孔供給層２６７Ｂ上に、正孔供給層２６７Ｂと接触し界面を形成するように、有機発光層２６９Ｂが積層されている。同様に、正孔供給層２６７Ｇの直上、つまり、正孔供給層２６７Ｇ上に、正孔供給層２６７Ｇに接触して界面を形成するように有機発光層２６９Ｇが積層されている。有機発光層２６９Ｂは、正孔供給層２６７Ｂの全外周端を含む全面を覆っている。同様に、有機発光層２６９Ｂは、正孔供給層２６７Ｂの全外周端を含む全面を覆っている。
【００４３】
図２Ｄは、図２Ｂにおいて円破線Ｄで囲まれている部分の拡大図である。なお、円破線Ｄの平面位置については、図２Ｃの符号Ｄで示している。図２Ｄは、正孔供給層２６７Ｂ及び有機発光層２６９Ｂの端部を示す。図２Ｄは、画素定義層２５３、画素定義層２５３上の正孔供給層２６７Ｂ、及び、正孔供給層２６７Ｂ上の有機発光層２６９Ｂを示す。有機発光層２６９Ｂが正孔供給層２６７Ｂを完全に覆い、正孔供給層２６７Ｂは有機発光層２６９Ｂから一切露出していない。有機発光層２６９Ｂの外周端は、画素定義層２５３の頂面上に存在し、正孔供給層２６７Ｂの外周端を囲んでいる。
【００４４】
図２Ｂ、図２Ｃに示すように、有機発光層２６９Ｇが正孔供給層２６７Ｇを完全に覆い、正孔供給層２６７Ｇは有機発光層２６９Ｇから一切露出していないことが好ましい。有機発光層２６９Ｇの外周端は、画素定義層２５３の頂面上に存在し、正孔供給層２６７Ｇの外周端を囲んでいる。
【００４５】
図２Ｂ、図２Ｃにおいて、有機発光層の端は、その有機発光層が覆う正孔供給層の端と、隣接する異なる色の副画素の正孔供給層の端との間に存在する。例えば、青有機発光層２６９Ｂの端は、青副画素の正孔供給層２６７Ｂの端と、緑副画素の正孔供給層２６７Ｇとの間に存在する。同様に、緑有機発光層２６９Ｇの端は、緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの端と、青副画素の正孔供給層２６７Ｂとの間に存在する。
【００４６】
異なる色の副画素間のキャリアリークの実質的なリークパスは、正孔供給層に形成される。異なる色の副画素の正孔供給層が離間していることで、異なる色の副画素間のキャリアリークを低減できる。また、異なる色の副画素の正孔供給層が離間しており、その離間している場所に、電子供給層が成膜されているが、有機発光層が、異なる色の副画素間での正孔供給層の端を含む正孔供給層の全面を覆っている。
【００４７】
すなわち、異なる色の副画素の正孔供給層は、電子供給層に直接接することがない。正孔供給層と有機発光層のキャリア移動度が同程度であっても正孔供給層から有機発光層に正孔は容易に移動するが、正孔に対するエネルギ障壁が大きいことから有機発光層から正孔供給層にはほとんど移動しない。そのため、第１色の副画素の正孔供給層から、第１色の副画素の有機発光層、電子供給層、第２色の副画素の有機発光層を経由して、第２色の副画素の正孔供給層に至るリークパスの形成が抑制される。従って、異なる色の副画素間のキャリアリークをより効果的に防ぐことができる。
【００４８】
図２Ａに示すように、本例において、各画素の有機発光層は、隣接する副画素の有機発光層から分離されている。例えば、図２Ｂにおいて、青有機発光層２６９Ｂの端は、緑有機発光層２６９Ｇの端から面内方向において離れおり、それらの間にギャップが存在する。
【００４９】
有機発光層２６９Ｂ、２６９Ｇ上に有機発光層２６９Ｂ、２６９Ｇに接触して、電子供給層２７１が存在する。電子供給層２７１は、全ての副画素に共通の層である。図２Ｂの例において、電子供給層２７１は、画素定義層２５３上で切断されることなく、二つの副画素２５１Ｒ、２５１Ｂ間で連続している。電子供給層２７１は、副画素の色毎に形成されてもよい。
【００５０】
電子供給層２７１上に電子供給層２７１に接触して、カソード電極２７３が存在する。カソード電極２７３は、全ての副画素に共通の層である。図２Ｂの例において、カソード電極２７３は、画素定義層２５３上で切断されることなく、二つの副画素２５１Ｒ、２５１Ｂ間で連続している。
【００５１】
図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄは、青副画素２５１Ｂと緑副画素２５１Ｇとの間及びその近傍の構造を示す。図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄを参照する上記説明は、赤副画素の正孔供給層２６７Ｒ及び有機発光層２６９Ｒ、並びに、赤副画素２５１Ｒと他の色の副画素２５１Ｂ、２５１Ｇとの間の関係に適用される。
【００５２】
本実施の形態におけるＯＬＥＤ表示装置１０の製造方法の一例を説明する前に、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、本実施の形態における、メタルマスクを利用した正孔供給層等の有機材料の蒸着について簡単に説明する。なお、この蒸着の説明は、有機材料であれば、例えば発光材料であっても同様である。
【００５３】
図３Ａは、赤副画素Ｒのパターンに対応したメタルマスク４００Ｒの一例を示す。メタルマスク４００Ｒは、赤副画素Ｒのパターンに対応してレイアウトされた開口４０１Ｒを有する。なお、Ｘ方向は、紙面の左右方向を示し、Ｙ方向は紙面の上下方向を示す。
【００５４】
図３Ｂは、図３ＡにおけるＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ切断線での断面図を示す。図３Ｃは、図３ＡにおけるＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ切断線での断面図を示す。図３Ｂの基板１０１Ａは、画素定義層２５３が形成されている基板２６１を模式的に示す。基板１０１Ａの所定の箇所に赤副画素Ｒの有機材料が蒸着されるようにメタルマスク４００Ｒが配置（アライメント）される。
【００５５】
図３Ｂ、図３Ｃに示した蒸着源５００は、内部に蒸着される有機材料を収容する。蒸着源５００は、例えば、赤副画素Ｒの有機材料を収容する。蒸着源５００内に収容された有機材料が加熱され、加熱された有機材料が気化する。気化した有機材料は、ノズル（図示しない）の噴出口から外部に噴出する。噴出した有機材料は、メタルマスク４００Ｒの開口４０１Ｒを通過して基板１０１Ａにおける所定の箇所に蒸着されて製膜される。
【００５６】
蒸着源５００の形状は、例えば長方形状である。図３Ｂに示すように、蒸着源５００の長手方向は図３ＡのＸ方向に沿う。また、図３Ｃに示すように、蒸着源５００の短手方向は図３ＢのＹ方向に沿う。蒸着源５００は、図３ＡのＹ方向に沿って動く。この動きを、図３Ｃにおいて、紙面左右方向の矢印で示す。
【００５７】
蒸着源５００は、図３Ｂに示すように、図３ＡのＸ方向における一方向に向かって有機材料を噴出する。この噴出状態を、図３Ｂの点線矢印で示す。また、蒸着源５００は、図３Ｃに示すように、Ｙ方向においては複数の方向に向かって有機材料を噴出する。この噴出状態を、図３Ｃの点線矢印で示す。
【００５８】
蒸着源５００の移動方向及び噴出状態に起因して、有機材料の成膜後において、Ｘ方向における有機材料のテーパの形状と、Ｙ方向における有機材料のテーパの形状が異なる。
【００５９】
図４Ａは、画素定義層２５３に各色の有機材料が蒸着された状態を模式的に示す。赤画素の有機層４０２Ｒ、４０２Ｒａは、それぞれ、図２で説明した赤画素の正孔供給層、有機発光層を模式的に示す。青画素の有機層４０２Ｂは、青画素の正孔供給層、有機発光層を模式的に示す。緑画素の有機層４０２Ｇは、緑画素の正孔供給層、有機発光層を模式的に示す。青画素の有機層４０２Ｂ、緑画素の有機層４０２Ｇは、それぞれ、図３Ａで説明した、赤副画素用のメタルマスク４００Ｒにおける開口パターンと異なる開口パターンを有するメタルマスクにより蒸着されている。
【００６０】
図４Ｂは、図４ＡにおけるＩＶＢ−ＩＶＢ切断線での断面図であり、蒸着源５００の移動しない方向であるＸ方向における、有機層４０２Ｒ、４０２Ｂのテーパ形状を示す。図４Ｃは、図４ＢにおけるＩＶＣ−ＩＶＣ切断線での断面図であり、蒸着源５００が移動する方向であるＹ方向における、有機層４０２Ｒ、４０２Ｒａのテーパ形状を示す。
【００６１】
図４Ｂ、図４Ｃに示すように、Ｘ方向のテーパは、Ｙ方向のテーパに比べて急峻になる。詳しく説明すると、図４Ｂの有機層４０２Ｒの傾斜面４０２Ｒｘの角度（画素定義層２５３の平面部に対する角度）は、同じ有機層４０２Ｒの傾斜面４０２Ｒｙ（図４Ｃ参照）の角度よりも大きい。
【００６２】
なお、他の画素、例えば青画素の有機層４０２Ｂや赤画素の有機層４０２Ｒａの場合でも、Ｘ方向のテーパの方がＹ方向のテーパに比べて急峻になる。この理由は、蒸着源５００がＹ方向に移動し、さらに有機材料の噴出方向がＹ方向における複数の方向であるから、単位時間あたりにＸ方向に蒸着される有機材料の量が、Ｙ方向に積層される有機材料の量に比べて多くなる傾向があるからである。このように、異なる色の副画素が配置されるＸ方向において、有機層のテーパが急峻なので、異なる色の副画素が互いに接することを抑制できる。
【００６３】
なお、図３Ａ〜図４Ｃでは蒸着源が一方向（例えばＹ方向）に動く場合を例示したが、蒸着源又は基板１０１Ａを回転して有機材料を基板１０１Ａに蒸着させて成膜する、いわゆる回転成膜方法もある。この回転成膜方法の場合は、表示パネル内の副画素の位置により、この副画素のテーパの形状が異なる。
【００６４】
このように同じ画素でも各方向において有機層のテーパ形状が異なる現象は、スパッタリングやＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で有機材料を成膜した場合と異なり、メタルマスクを利用して有機材料を蒸着する場合に生じる固有の現象である。
【００６５】
［製造方法］
ＯＬＥＤ表示装置１０の製造方法の一例を説明する。以下の説明において、同一工程で（同時に）形成される要素は、同一層の要素である。ＯＬＥＤ表示装置１０の製造は、まず、絶縁基板２６１上に、ＴＦＴ回路層２６３を形成する。ＴＦＴ回路層２６３の形成は、公知の技術を利用することができ、詳細な説明を省略する。次に、ＴＦＴ回路層２６３上にアノード電極を形成する。例えば、スパッタを使用して、コンタクトホールを形成した平坦化膜上に、アノード電極を形成する。
【００６６】
アノード電極は、上部ＩＴＯ／Ａｇ合金／下部ＩＴＯで構成される。上部ＩＴＯの代わりにＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等の透明膜、上部ＩＴＯの代わりにＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ又はこれらの化合物金属の反射膜、及び下部ＩＴＯに替えて前記した透明膜を用いてもよい。なお、アノード電極の層構成は任意であり、例えばＡｌが１層でもよい。アノード電極は、コンタクト部を介して、ＴＦＴ回路層２６３内の画素回路に接続される。
【００６７】
次に、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って画素定義層２５３を形成する。パターニングにより画素定義層２５３には開口が形成され、各副画素のアノード電極が、形成された開口で露出する。画素定義層２５３により、副画素（発光領域）が分離される。
【００６８】
画素定義層２５３を形成した後の製造工程を、図４のフローチャートを参照して説明する。画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に赤副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１０１）。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層２５３を形成した基板２６１に付着して、赤副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が正孔注入層と正孔輸送層とを含む複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
【００６９】
次に、画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に緑副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１０２）。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層２５３を形成した基板２６１に付着して、緑副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
【００７０】
次に、画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に青副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１０３）。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層２５３を形成した基板２６１に付着して、青副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
【００７１】
図２Ｂ、図２Ｃに示すように、本例の製造ステップは、各色の副画素の正孔供給層の成膜において、画素定義層２５３に形成される開口よりも広い面積（蒸着塗分けマージンとも呼ぶ）に、正孔供給層を蒸着する。これは、メタルマスクのパターン精度、成膜中の熱によるメタルマスクの変形、メタルマスクと基板とのアライメント精度、蒸着分子の入射角度などを考慮したものである。なお、ステップＳ１０１、Ｓ１０２及びＳ１０３は、順不同である。
【００７２】
次に、正孔供給層の上に、有機発光材料を付着して有機発光層を成膜する。赤、緑、青の色毎に、有機発光材料を成膜して、正孔供給層上に、有機発光層を形成する。有機発光層の成膜は、メタルマスクを使用する。
【００７３】
まず、赤副画素の有機発光層を形成する（Ｓ１０４）。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、赤有機発光層の材料を、赤副画素の正孔供給層上に付着して、赤有機発光層を成膜する。
【００７４】
次に、緑副画素の有機発光層を形成する（Ｓ１０５）。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、緑有機発光層の材料を、緑副画素の正孔供給層上に付着して、緑有機発光層を成膜する。
【００７５】
次に、青副画素の有機発光層を形成する（Ｓ１０６）。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、青有機発光層の材料を、青副画素の正孔供給層上に付着して、青有機発光層を成膜する。
【００７６】
各色の副画素の有機発光層の成膜は、正孔供給層と同様に、画素定義層２５３に形成される開口よりも広い面積に、有機発光層を蒸着する。さらに、各副画素の有機発光層は、当該副画素の正孔輸送層の全面を覆うように成膜される。なお、ステップＳ１０４、Ｓ１０５及びＳ１０６は、順不同である。
【００７７】
次に、有機発光層上に電子供給層２７１の材料を付着して、全副画素に共通の電子供給層２７１を形成する（Ｓ１０７）。電子供給層２７１は、表示領域１２５全域に成膜する。電子供給層２７１は、全ての副画素に対して同時に成膜する。
【００７８】
次に、電子供給層２７１上にカソード電極２７３のための金属材料を付着する（Ｓ１０８）。カソード電極２７３は、表示領域１２５全域に成膜する。カソード電極２７３は、全ての副画素に対して同時に成膜する。カソード電極２７３は、例えば、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ又はこれらの合金を蒸着して、形成する。カソード電極２７３の形成後、光取り出し効率向上のため、ガラスより屈折率の高い絶縁膜を堆積させキャップ層を形成してもよい。
【００７９】
次に、ＴＦＴ基板１００の外周にガラスフリットを塗設し、その上に封止基板２００を載置し、ガラスフリット部をレーザ光により加熱し、溶融させＴＦＴ基板１００と封止基板２００を密封する。
【００８０】
上述のように、本実施形態は、各色の副画素の有機発光層を、その正孔供給層の全面を覆うように形成する。正孔供給層と有機発光層は、異なるメタルマスクを使用した蒸着により形成することができる。図６は、同一色副画素の正孔供給層のためのメタルマスク４３及び有機発光層のためのメタルマスク４５の関係を模式的に示す。
【００８１】
正孔供給層のためのメタルマスク４３は、対応する副画素のパターンに応じてレイアウトされた開口４３２を有する。有機発光層のためのメタルマスク４５は、対応する副画素のパターンに応じてレイアウトされた開口４５２を有する。なお、図６は、正孔供給層のための複数の開口の一つのみを符号４３２で指示し、有機発光層のための複数の開口の一つのみを符号４５２で指示している。
【００８２】
図６に示すように、有機発光層のための開口４５２は、正孔供給層のための開口４３２よりも大きい。有機発光層のための開口４５２は、正孔供給層のための開口４３２を収容できる形状及び大きさを有する。この関係により、正孔供給層の全面をより確実に有機発光層で覆うことができる。赤副画素、青副画素及び緑副画素それぞれのために、上記関係を有する正孔供給層のためのメタルマスク４３及び有機発光層のためのメタルマスク４５が用意される。
【００８３】
図７は、上記関係を有する正孔供給層用メタルマスク及び有機発光層用メタルマスクを、各色の副画素に対して使用して製造したＴＦＴ基板１００の断面構造を模式的に示す。
図２Ｂに示す構成例と比較して、青副画素の有機発光層２６９Ｂの、青副画素の正孔供給層２６７Ｂの外側の部分（マージン）が大きい。同様に、緑副画素の有機発光層２６９Ｇの、緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの外側の部分（マージン）が大きい。
【００８４】
＜実施形態２＞
以下において、実施形態２の表示領域の構成及び製造方法を説明する。主に実施形態１との相違点を説明する。
【００８５】
［表示領域の構成］
図８Ａは、表示領域１２５の一部の平面図を示す。図８Ａは、行列状に配置された複数の副画素を示す。図８Ａは、赤副画素（発光領域）２５１Ｒ、青副画素（発光領域）２５１Ｂ、及び緑副画素（発光領域）２５１Ｇを示す。図８Ａにおける副画素のうち、赤、青、緑それぞれの一つの副画素のみが、符号で指示されている。
【００８６】
図８Ａが示す副画素のレイアウトは、実施形態１における図２Ａが示すレイアウトと同様である。本構成例において、高精細化のために、副画素の間の距離が短い。同一色の副画素の有機発光層は連続している。具体的には、赤有機発光層２６９Ｒ、青有機発光層２６９Ｂ、及び緑有機発光層２６９Ｇは、それぞれ、同色の副画素の間で切断されておらず、連続である。
【００８７】
図８Ａに示していないが、正孔供給層も同様である。つまり、赤副画素の正孔供給層、青副画素の正孔供給層、及び緑副画素の正孔供給層は、それぞれ、同色の副画素の間で切断されておらず、連続である。
【００８８】
さらに、異なる色の隣接する有機発光層は、画素定義層２５３の頂面上で、部分的に重なっている。図８Ａの例において、赤有機発光層２６９Ｒの端部が、青有機発光層２６９Ｂの端部上に積層され、赤有機発光層２６９Ｒの他の端部が、緑有機発光層２６９Ｇの端部上に積層されている。また、緑有機発光層２６９Ｇの端部が、青有機発光層２６９Ｂの端部上に積層されている。
【００８９】
図８Ｂは、青副画素の正孔供給層２６７Ｂと青有機発光層２６９Ｂとの間の関係を模式的に示す。本例において、正孔供給層２６７Ｂは、青副画素２５１Ｂの配列方向において連続している。正孔供給層２６７Ｂは、青副画素２５１Ｂと緑副画素２５１Ｇとの間に一方の端を有し、青副画素２５１Ｂと赤副画素２５１Ｒとの間に他方の端を有する。有機発光層２６９Ｂは、正孔供給層２６７Ｂの両側の端を含む、正孔供給層２６７Ｂの全面を覆うように、正孔供給層２６７Ｂ上に積層されている。
【００９０】
図８Ｃは、図８ＡにおけるＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ切断線での断面構造の一部を示す。図８Ｃは、青副画素２５１Ｂと緑副画素２５１Ｇとの間において、二つの正孔供給層２６７Ｂ、２６７Ｇ及び二つの有機発光層２６９Ｂ、２６９Ｇの積層関係を模式的に示す。
【００９１】
実施形態１と同様に、青副画素の正孔供給層２６７Ｂは、その周囲を囲む画素定義層２５３の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層２６７Ｂは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層２６７Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。正孔供給層２６７Ｂの直上、つまり、正孔供給層２６７Ｂ上に正孔供給層２６７Ｂに接触して界面を形成するように青有機発光層２６９Ｂが積層されている。青有機発光層２６９Ｂは、正孔供給層２６７Ｂの両端（全端）を含む全面を覆っている。
【００９２】
緑副画素の正孔供給層２６７Ｇは、その周囲を囲む画素定義層２５３の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層２６７Ｂは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層２６７Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。
【００９３】
さらに、緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの一部は、画素定義層２５３の頂面上で、青副画素の正孔供給層２６７Ｂ及び有機発光層２６９Ｂの一部と重なっている。具体的には、緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの端部は、青有機発光層２６９Ｂの端部の直上に積層されている。緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの端部は、青副画素の正孔供給層２６７Ｂの端部及び青有機発光層２６９Ｂの端部と共に、積層構造を構成する。
【００９４】
緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの端は、青副画素の正孔供給層２６７Ｂの端及び青有機発光層２６９の端と、青副画素２５１Ｂとの間にある。青副画素の正孔供給層２６７Ｂの端及び青有機発光層２６９の端は、緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの端と緑副画素２５１Ｇとの間にある。
【００９５】
青有機発光層２６９Ｂの端部は、青副画素の正孔供給層２６７Ｂの端部と緑副画素の正孔供給層２６７Ｂの端部との間に存在している。青有機発光層２６９Ｂの端部は、青副画素の正孔供給層２６７Ｂの端を完全に覆っており、緑副画素の正孔供給層２６７Ｂは、青副画素の正孔供給層２６７Ｂに接触することなく、離間している。
【００９６】
このように、高精細化に伴い隣接副画素の正孔供給層が部分的に重なる構成において、有機発光層が、隣接副画素の積層された正孔供給層間に存在している。有機発光層は、積層されている正孔供給層の間において、下側の正孔供給層の端を含む全領域を覆い、上側の正孔供給層から下側の正孔供給層を分離している。キャリア移動度が小さい有機発光層が異なる色の正孔供給層間に存在し、正孔供給層間のリークパスを遮断する。
【００９７】
また、図２で説明したように、正孔供給層と有機発光層のキャリア移動度が同程度であっても正孔供給層から有機発光層に正孔は容易に移動するが、正孔に対するエネルギ障壁が大きいことから有機発光層から正孔供給層にはほとんど移動しないため、積層されている正孔供給層間のリークパスを遮断する。これらにより、正孔供給層間のリーク電流を防ぐことができる。
【００９８】
緑副画素の正孔供給層２６７Ｇの直上、つまり、正孔供給層２６７Ｇ上に正孔供給層２６７Ｇに接触して界面を形成するように緑有機発光層２６９Ｇが積層されている。緑有機発光層２６９Ｇは、正孔供給層２６７Ｇの両端（全端）を含む全面を覆っている。
【００９９】
本例において、正孔供給層２６７Ｇは、緑副画素２５１Ｇの配列方向において連続している。正孔供給層２６７Ｂは、青副画素２５１Ｂと緑副画素２５１Ｇとの間に一方の端を有し、青副画素２５１Ｂと赤副画素２５１Ｒとの間に他方の端を有する。有機発光層２６９Ｂは、正孔供給層２６７Ｂの両側の端を含む、正孔供給層２６７Ｂの全面を覆うように、正孔供給層２６７Ｂ上の積層されている。
【０１００】
図８Ｂ及び図８Ｃを参照した説明は、赤副画素の正孔供給層２６７Ｒ及び有機発光層２６９Ｒ、並びに、赤副画素２５１Ｒと他の色の副画素２５１Ｂ、２５１Ｇとの間の関係に適用される。上記例において、赤副画素の正孔供給層２６７Ｒは、緑及び青有機発光層２６９Ｇ及び２６９Ｂの上層である。
【０１０１】
［製造方法］
以下において、本実施形態の上記構成を有するＯＬＥＤ表示装置１を製造する方法を説明する。図９は、本実施形態の製造方法のフローチャートを示す。画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に赤副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１３１）。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層２５３を形成した基板に付着して、青副画素の正孔供給層を成膜する。
【０１０２】
次に、青有機発光層を形成する（Ｓ１３２）。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、青有機発光層の材料を、青副画素の正孔供給層上に付着して、青有機発光層を成膜する。上述のように、青有機発光層は、青副画素の正孔供給層の端を含む全面を覆うように、青副画素の正孔供給層上に積層される。
【０１０３】
青副画素の正孔供給層のメタルマスクと青有機発光層のメタルマスクは、共通でもよく、異なっていてもよい。共通なメタルマスクを使用する場合、メタルマスクに対する材料の入射角度を制御することで、正孔供給層及び有機発光層それぞれの成膜領域を制御することができる。
【０１０４】
次に、青有機発光層を成膜した絶縁基板２６１に緑副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１３３）。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を画素定義層２５３上に付着して、緑副画素の正孔供給層を成膜する。
【０１０５】
次に、緑有機発光層を形成する（Ｓ１３４）。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、緑有機発光層の材料を、緑副画素の正孔供給層上に付着して、緑有機発光層を成膜する。上述のように、緑有機発光層は、緑副画素の正孔供給層の端を含む全面を覆うように、緑副画素の正孔供給層上に積層される。緑副画素の正孔供給層のメタルマスクと緑有機発光層のメタルマスクは、共通でもよく、異なっていてもよい。
【０１０６】
次に、赤有機発光層を成膜した絶縁基板２６１に赤副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１３５）。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を画素定義層２５３上に付着して、赤副画素の正孔供給層を成膜する。
【０１０７】
次に、赤有機発光層を形成する（Ｓ１３６）。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、赤有機発光層の材料を、赤副画素の正孔供給層上に付着して、赤有機発光層を成膜する。上述のように、赤有機発光層は、赤副画素の正孔供給層の端を含む全面を覆うように、赤副画素の正孔供給層上に積層される。赤副画素の正孔供給層のメタルマスクと赤有機発光層のメタルマスクは、共通でもよく、異なっていてもよい。
【０１０８】
上述のように、異なる色の副画素の正孔供給層と有機発光層のペアを、順次形成する。異なる色の副画素のペアの形成順序は任意である。上述のように、本実施形態の製造方法は、一つの色の副画素の正孔供給層を形成した後すぐに、他の色の正孔供給層を形成する前に、同一色の副画素の有機発光層を形成する。これにより、異なる色の副画素の正孔供給層の端部が重なる構成において、それらの間に、正孔供給層よりもキャリア移動度が小さい有機発光層を形成することができ、それにより、正孔供給層間のリーク電流を効果的に防止できる。
【０１０９】
次に、電子供給層２７１の材料を付着して、全ての副画素に共通の電子供給層２７１を成膜する（Ｓ１３７）。電子供給層２７１は、表示領域１２５全域に成膜する。次に、電子供給層２７１上にカソード電極２７３のための金属材料を付着する（Ｓ１３８）。電子供給層２７１及びカソード電極２７３の形成は、実施形態１と同様である。なお、本実施形態の製造方法は、実施形態１で説明した構成のＯＬＥＤ表示装置１を製造することもできる。
【０１１０】
＜実施形態３＞
以下において、実施形態３の製造方法を説明する。主に他の実施形態との相違点を説明する。本実施形態は、全ての色の副画素の正孔供給層を同時に形成する。図１０は、正孔供給層の形成に使用されるメタルマスク４１の構成例を模式的に示す。メタルマスク４１は、赤副画素の正孔供給層のための開口４１２Ｒ、青副画素の正孔供給層のための開口４１２Ｂ、及び、緑副画素の正孔供給層のための開口４１２Ｇを有する。図１０は、それぞれの色の一つの開口にのみ符号で示している。開口パターンは、副画素のパターンに一致する。
【０１１１】
図１１は、図１０に示すメタルマスク４１を使用して正孔供給層を形成する製造方法のフローチャートを示す。画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に、全ての副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１５１）。具体的には、図１０に示す全ての副画素のための開口パターンを有するメタルマスク４１を介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層２５３を形成した基板２６１に付着して、全ての副画素の正孔供給層を成膜する。共通メタルマスク４１を使用することで、効率的に正孔供給層を形成できる。
【０１１２】
次に、正孔供給層上に、青副画素の有機発光層、緑副画素の有機発光層、及び赤副画素の有機発光層を、それぞれ異なるメタルマスクを使用した蒸着により、順次形成する（Ｓ１５２、Ｓ１５３、及びＳ１５４）。他の実施形態と同様に、各色の副画素の有機発光層は、対応する正孔供給層の全面を覆うように、成膜される。また、３色の有機発光層の成膜順序は、任意である。
【０１１３】
次に、電子供給層の材料を付着して、全ての副画素に共通の電子供給層を成膜する（Ｓ１５５）。電子供給層は、表示領域１２５全域に成膜する。次に、赤副画素（のみ）の電子供給層を、例えば、メタルマスクを使用した蒸着により形成する（Ｓ１５６）。次に、緑副画素（のみ）の電子供給層を、例えば、メタルマスクを使用した蒸着により形成する（Ｓ１５７）。
【０１１４】
赤副画素及び緑副画素の電子供給層をそれぞれ選択的に追加することで、マイクロキャビティ構造のために、各色の副画素の電子供給層の厚みを制御できる。なお、赤副画素の電子供給層の形成と緑副画素の電子供給層の形成の順序は、任意である。全副画素に共通の電子供給層を形成した後、赤副画素と緑副画素（青副画素を除く）に共通の電子供給層を形成し、次に、赤副画素（のみ）の電子供給層を形成してもよい。マイクロキャビティ構造が不要である場合、全ての副画素に共通の電子供給層のみを形成してもよい。
【０１１５】
次に、電子供給層上にカソード電極のための金属材料を付着する（Ｓ１５８）。カソード電極の形成は、実施形態１と同様である。
【０１１６】
図１２〜図１６を参照してＯＬＥＤデバイスの様々な断面構造について説明する。なお、副画素のアノード電極の下層にこの副画素のＯＬＥＤデバイスを駆動するための画素回路が形成されているが、この画素回路については図示を省略している。図１２は、ＴＦＴ基板１００の断面構造の例を模式的に示す。赤副画素のアノード電極２６５Ｒの上に、正孔注入層２６６Ｒ及び正孔輸送層２６８Ｒが形成されている。緑副画素のアノード電極２６５Ｇの上に、正孔注入層２６６Ｇ及び正孔輸送層２６８Ｇが形成されている。青副画素のアノード電極２６５Ｂの上に、正孔注入層２６６Ｂ及び正孔輸送層２６８Ｂが形成されている。
【０１１７】
破線の円Ｆａが示すように、赤副画素の有機発光層２６９Ｒは、正孔注入層２６６Ｒ及び正孔輸送層２６８Ｒを覆う。さらに、緑副画素の有機発光層２６９Ｇは、正孔注入層２６６Ｇ及び正孔輸送層２６８Ｇを覆う。また、青副画素の有機発光層２６９Ｂは、正孔注入層２６６Ｂ及び正孔輸送層２６８Ｂを覆う。これにより、メタルマスクのアライメントずれ等の原因により異なる色の副画素の正孔注入層／正孔輸送層の一部が重なる場合でも、キャリアリークを防ぐことができる。すなわち、高精細化を実現するため２つの副画素の距離を短くすると、隣接副画素の正孔供給層が部分的に重なる場合がある。しかし、この場合でも、図８Ｃで説明したように、キャリア移動度が小さい有機発光層を異なる色の正孔供給層間に積層することで、リークパスを遮断することができる。
【０１１８】
図１３は、ＴＦＴ基板１００の断面構造の例を模式的に示す。副画素毎に、電子供給層が形成されている。赤副画素、緑副画素、青副画素は、それぞれ、電子供給層２７１Ｒ、電子供給層２７１Ｇ、電子供給層２７１Ｂを含み、これらは分離している。
【０１１９】
破線の円Ｆｂが示すように、カソード電極２７３は、画素定義層２５３に接触している。そして、カソード電極２７３は、正孔輸送層２６８Ｒと正孔輸送層２６８Ｇとの間に形成されている。この構造により、例えば正孔輸送層２６８Ｒから漏れ出た電流は、カソード電極２７３に引き抜かれるので、赤副画素の隣の緑副画素の正孔輸送層２６８Ｇに流れることがない。すなわち、リーク電流が隣接する副画素の間で流れない。隣接画素の正孔注入層／正孔輸送層が全く重なっていなければ（分離していれば）、画素定義層２５３上での層構造は任意である。
【０１２０】
図１４は、ＴＦＴ基板１００の断面構造の例を模式的に示す。電子供給層２７１は全ての副画素に共通である。破線の円Ｆｃが示すように、電子供給層２７１は、画素定義層２５３に接触している。そして、正孔輸送層２６８Ｒと正孔輸送層２６８Ｇとの間に、電子供給層２７１が形成されている。この構造により、例えば正孔輸送層２６８Ｒにおける電流が、赤副画素の隣の緑副画素の正孔輸送層２６８Ｇに流れることが抑制される。
【０１２１】
すなわち、リーク電流が電子供給層２７１を介して隣接副画素間を流れることを抑制する。電子供給層２７１の抵抗が大きい（エネルギ障壁）ので、このような抑制を実現できる。隣接画素の正孔注入層／正孔輸送層が全く重なっていなければ（分離していれば）、画素定義層２５３上での層構造は任意である。
【０１２２】
図１５は、ＴＦＴ基板１００の断面構造の例を模式的に示す。赤副画素は、有機発光層２６９Ｒと正孔注入層２６６Ｒとの間に、２層の正孔輸送層である、下層の正孔輸送層６８１Ｒ、上層の正孔輸送層６８２Ｒを含む。緑副画素は、有機発光層２６９Ｇと正孔注入層２６６Ｇとの間に、２層の正孔輸送層である、下層の正孔輸送層６８１Ｇ、上層の正孔輸送層６８２Ｇを含む。青副画素は、有機発光層２６９Ｂと正孔注入層２６６Ｂとの間に、一層のみの正孔輸送層６８１Ｂを含む。カソード電極及び電子供給層２７３ａは、有機発光層２６９Ｒ、２６９Ｇ、２６９Ｂに接触している。なお、電子供給層は、前記したように、電子注入層及び電子輸送層からなる又はそれら層の機能を有する１又は３層以上の層からなる。
【０１２３】
各色の正孔注入層（２６６Ｒ、２６６Ｇ、２６６Ｂ）、下層の正孔輸送層（６８１Ｒ、６８１Ｇ）、青色の正孔輸送層６８１Ｂは、同一メタルマスクを使用して、分離した状態で形成されている。そして、赤副画素の有機発光層２６９Ｒ及び正孔輸送層６８２Ｒは、同一メタルマスクを使用して形成されている。緑副画素の有機発光層２６９Ｇ及び正孔輸送層６８２Ｇは、同一メタルマスクを使用して形成されている。青副画素の有機発光層２６９Ｒは、他の層とメタルマスクを共有することなく、単独で形成されている。
【０１２４】
以上説明したように、赤、緑の副画素については下層の正孔輸送層（６８１Ｒ、６８１Ｇ）、青画素については１層の正孔輸送層６８１Ｂを共通に形成し、さらに、赤、緑の副画素については上層の正孔輸送層（２６６Ｒ、２６６Ｇ）を形成している。この形成により、各色の正孔輸送層の膜厚を調整してマイクロキャビティ構造を実現する。カソード電極及び電子供給層２７３ａは、同一メタルマスクを使用して、分離しない状態（いわゆる共通層）で形成されている。
【０１２５】
ここで、基板に対してメタルマスクを配置する場合に生じるずれ、すなわち基板とメタルマスクとを重ね合わせる場合に生じるずれについて説明する。基板に対してメタルマスクを配置する場合、配置ズレを無くすことは困難である。そこで、この配置の設計においては、配置ズレに対する許容条件が定められる。許容条件の一例としては、厳しい許容条件（例えば、ずれが＋／−２ｕｍ以下）、また、緩い許容条件（例えば、ずれが＋／−５ｕｍ以下）がある。
【０１２６】
赤副画素の有機発光層２６９Ｒ及び正孔輸送層６８２Ｒは、厳しい許容条件を満たすように位置決めができたメタルマスクを使用して形成されている。緑副画素の有機発光層２６９Ｇ及び正孔輸送層６８２Ｇは、青副画素側（図１５の右側）にアライメントずれが生じてしまい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めがされたメタルマスクを使用して形成されている。同じく、赤副画素の有機発光層２６９Ｒは、緑副画素側（図１５の右側）にアライメントずれが生じてしまい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めがされたメタルマスクを使用して形成されている。
【０１２７】
なお、隣接する副画素において、第１副画素（例えば、赤副画素）のアノード電極の端と、第１副画素に隣接する第２副画素（例えば、緑副画素）のアノード電極の端との間の領域ＲＮＧ１に、正孔供給層、有機発光層の分離部分が収まるように、正孔供給層、有機発光層が蒸着される。
【０１２８】
図１６は、ＴＦＴ基板１００の断面構造の例を模式的に示す。カソード電極及び電子供給層２７３ａは、有機発光層２６９Ｒ、２６９Ｇ、２６９Ｂに接触している。赤副画素の有機発光層２６９Ｒ、正孔輸送層２６８Ｒ、及び正孔注入層２６６Ｒは、同一メタルマスクを使用して形成されている。緑副画素の有機発光層２６９Ｇ、正孔輸送層２６８Ｇ、及び正孔注入層２６６Ｇは、同一メタルマスクを使用して形成されている。
【０１２９】
青副画素の有機発光層２６９Ｂ、正孔輸送層２６８Ｂ、及び正孔注入層２６６Ｂは、同一メタルマスクを使用して形成されている。なお、カソード電極及び電子供給層２７３ａは、同一メタルマスクを使用して、分離しない状態（いわゆる共通層）で形成されている。
【０１３０】
赤副画素の有機発光層２６９Ｒ、正孔輸送層２６８Ｒ、及び正孔注入層２６６Ｒは、緑副画素側（図１５の右側）にアライメントずれが生じてしまい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めができたメタルマスクを使用して形成されている。
【０１３１】
緑副画素の有機発光層２６９Ｇ、正孔輸送層２６８Ｇ、及び正孔注入層２６６Ｇは、厳しい許容条件を満たすように位置決めできたメタルマスクを使用して形成されている。青副画素の有機発光層２６９Ｂ、正孔輸送層２６８Ｂ、及び正孔注入層２６６Ｂは、緑副画素側（図１５の左側）にアライメントずれが生じてしい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めがされたメタルマスクを使用して形成されている。
【０１３２】
以上説明したアライメントずれが生じた場合であっても、従来では、厳しい許容条件を満たさなければ良品を製造できなかったが、本願の構成を採用することにより、緩い許容条件を満たしさえすれば、異なる色の有機発光層を分離できるので良品が得られ製造歩留りが向上する。
【０１３３】
＜実施形態４＞
最初に実施形態４の概要について説明する。高精細化を実現するため、副画素の間の距離を短くする。この距離が短くなると、メタルマスクのアライメントずれ等の原因により、図８Ｃで示したように、ある副画素の有機発光層が、この副画素に隣接する副画素の正孔供給層に入り込むことがある。実施形態４では、入り込みが生じた場合であっても、副画素間のクロストークによる画像品質の低下をより抑制する積層構造について説明する。
【０１３４】
ＯＬＥＤ素子を発光させるためには、発光閾値電圧以上で電流をＯＬＥＤ素子に流す必要がある。発光閾値電圧とは、この電圧以上で電流が流れるとＯＬＥＤ素子が発光する電圧を意味する。例えば、青副画素２５１Ｂを発光させるためには、アノード電極２６５Ｂからカソード電極２７３（図８参照）に、青副画素２５１Ｂの発光閾値電圧以上で電流を流す必要がある。異なる色の副画素の発光閾値電圧（以下、閾値電圧と適宜記す）は異なる。例えば、青色のＯＬＥＤ素子の閾値電圧は、緑色のＯＬＥＤ素子の閾値電圧よりも高い。そして、緑色のＯＬＥＤ素子の閾値電圧は、赤色のＯＬＥＤ素子の閾値電圧よりも高い。
【０１３５】
実施形態４では、異なる色の副画素の発光閾値電圧が異なることを利用して、各色の有機発光層等の層構造を工夫することで副画素間のクロストークを抑制する。以下において、実施形態４の表示領域の構成及び製造方法を説明する。主に実施形態１との相違点を説明する。
【０１３６】
図１７は、表示領域１２５の一部の平面図を示す。図１７は、行列状に配置された複数の副画素を示す。図１７は、赤副画素（発光領域）２５１Ｒ、青副画素（発光領域）２５１Ｂ、及び緑副画素（発光領域）２５１Ｇを示す。図１７における副画素のうち、赤、青、緑それぞれの一つの副画素のみが、符号で指示されている。
【０１３７】
図１７が示す副画素のレイアウトにおいて、複数の副画素は、行列状に配置されている。実施形態１における図２Ａが示すレイアウトと異なり、列方向（図１７における上下方向）においても、同一色の副画素が配列されていない。すなわち、赤副画素２５１Ｒは、行列方向において青副画素２５１Ｂに隣接し、緑副画素２５１Ｇは、行列方向において青副画素２５１Ｂに隣接する。なお、行方向はＸ方向、列方向はＹ方向である。
【０１３８】
換言すれば、図１７の画素レイアウトでは、赤副画素２５１Ｒ、青副画素２５１Ｂ、緑副画素２５１Ｇの閾値電圧の中で閾値電圧が最も高い青副画素２５１Ｂが、赤副画素２５１Ｒ及び緑副画素２５１Ｇを囲むように配置されている。なお、斜め方向に隣接する２つの青副画素、同じく斜め方向に隣接する１つの赤副画素と１つの緑副画素により１つの主画素が構成される。図１７では、１点鎖線で、１つの主画素６００を示す。
【０１３９】
図１８は、図１７におけるＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ切断線での第１の断面図を示す。実施形態４では、青有機発光層２６９Ｂの上側の層（上層）に、赤有機発光層２６９Ｒ、緑有機発光層２６９Ｇが積層されている層構造を模式的に示す。換言すれば、赤有機発光層２６９Ｒ、緑有機発光層２６９Ｇの下側の層（下層）に、青有機発光層２６９Ｂが積層されている。なお、上側を矢印ＵＰで示し、下側を矢印ＤＷで示す。
【０１４０】
例えば、一点鎖線で示す符号ＲＢ１で示すように、青副画素２５１Ｂと、青副画素２５１Ｂに隣接する赤副画素２５１Ｒとの間に配置された第１の画素定義部２５３ａの頂面２５３ａ１の上側において、青副画素２５１Ｂの青有機発光層２６９Ｂの端部と赤副画素２５１Ｒの正孔供給層（例えば、赤副画素の正孔注入層２６６Ｒ、正孔輸送層２６８Ｒ）とが接触している。
【０１４１】
さらに、一点鎖線で示す符号ＲＢ２で示すように、青副画素２５１Ｂと、青副画素２５１Ｂに隣接する緑副画素２５１Ｇとの間に配置された第２の画素定義部２５３ｂ１の頂面２５３ｂ２の上側において、青副画素２５１Ｂの青有機発光層２６９Ｂの端部と緑副画素２５１Ｇの正孔供給層（例えば、緑副画素の正孔注入層２６６Ｇ、正孔輸送層２６８Ｇ）とが接触している。
【０１４２】
赤副画素２５１Ｒを発光させ、青副画素２５１Ｂ（又は緑副画素２５１Ｇ）を発光させない場合、赤副画素２５１Ｒの画素回路（図示しない）は、赤副画素２５１Ｒの閾値電圧以上、青画素２５１Ｂの閾値電圧未満の電流（以下、赤副画素の駆動電流と記す）を、アノード電極２６５Ｒからカソード電極２７３ａに流す。この電流により、赤有機発光層２６９Ｒは、発光する。
【０１４３】
符号ＲＢ１に示すように、青有機発光層２６９Ｂの左端は、正孔注入層２６６Ｒ、正孔輸送層２６８Ｒに接触している。そのため、仮に接触面積が僅かであっても、赤画素２５１Ｒの発光時に、赤副画素２５１Ｒの駆動電流が、青有機発光層２６９Ｂに流れ込む場合がある。しかし、赤副画素２５１Ｒの駆動電流の電圧は、青画素２５１Ｂの閾値電圧よりも小さいので、青画素２５１Ｂが発光することがない。
【０１４４】
すなわち、赤副画素２５１Ｒの発光時における隣接する青画素２５１Ｂの意図しない発光を抑制することができる。なお、青副画素２５１Ｂを発光させ、赤副画素２５１Ｒを発光させない場合を想定する。この場合には、図２で説明したように、正孔に対するエネルギ障壁が大きいことから、正孔は有機発光層から正孔供給層にはほとんど移動しない。そのため、青副画素２５１Ｂの駆動電流が、正孔注入層２６６Ｒに流れることはない。
【０１４５】
図１８で示した層構造を形成するためには、各色用のメタルマスクを利用して、正孔輸送層と有機発光層とを蒸着する。すなわち、１枚のメタルマスクを利用して、同色の正孔注入層と、正孔輸送層と、有機発光層とを蒸着する。なお、赤副画素用のメタルマスクについては、図３Ａを参照されたい。
【０１４６】
しかし、製造時においては、正孔注入層及び正孔輸送層を第１チャンバで蒸着し、有機発光層を第１チャンバとは異なる第２チャンバで蒸着する場合がある。また、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含む正孔供給層の端を有機発光層で確実に覆うことが好ましい。そこで、同色の正孔供給層と有機発光層とを異なる２枚のメタルマスクを利用して蒸着する。
【０１４７】
図１９は、図１７におけるＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ切断線での第２の断面図を示す。図１９では、正孔供給層の端を有機発光層で確実に覆う構造を説明する。図１８の断面図で説明したのと同様に、青有機発光層２６９Ｂの上側の層に、赤有機発光層２６９Ｒ、緑有機発光層２６９Ｇが積層されている層構造を図１９に模式的に示す。図１９に示すように、正孔輸送層の端の全面を覆う有機発光層の端部の厚みを大きくしている。例えば、符号ＲＢ２で示すように、正孔輸送層２６８Ｒの右端の全面を覆う赤有機発光層２６９Ｒの端部２６９Ｒ１の厚みを大きくしている。このように、有機発光層の端部の厚みを大きくすることで、確実にリークパスを遮断する。
【０１４８】
図２０、図２１は、図１８の断面図で説明した層構造を形成するために使用するメタルマスクを説明する図である。図２０のメタルマスク４７は、例えば青色用の正孔供給層を形成するために使用されるメタルマスクである。メタルマスク４７は、青副画素の正孔供給層のための開口４６１Ｂを有する。開口４６１Ｂの縦の長さはＬ１であり横の長さはＷ１である。
【０１４９】
次に、図２１のメタルマスク４９は、例えば青色用の有機発光層を形成するために使用されるメタルマスクである。メタルマスク４９は、青副画素の有機発光層のための開口４６３Ｂを有する。開口４６３Ｂの縦の長さは、長さＬ１よりも長いＬ２である。そして、開口４６３Ｂの横の長さは、長さＷ１よりも長いＷ２である。
【０１５０】
このように、正孔供給層用のメタルマスクの開口の縦横幅を有機発光層用のメタルマスクの開口の縦横幅よりも大きくすることで、正孔輸送層の端の全面を覆う有機発光層の端部の厚みを大きくする。
【０１５１】
実施形態４の層構造では、図１８、図１９で説明したように、青有機発光層２６９Ｂの上側の層（上層）に、赤有機発光層２６９Ｒ、緑有機発光層２６９Ｇが積層されている。この層構造を実現するため、最初に、青副画素の正孔供給層と有機発光層とを形成し、次に、緑副画素、赤副画素の正孔供給層と有機発光層とを形成する。
【０１５２】
以下、実施形態４における、画素定義層２５３を形成した後の製造工程を、図２２のフローチャートを参照して説明する。最初に、画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に青副画素の正孔供給層を形成する（Ｓ１６１）。具体的には、図２１に示した青副画素のパターンに対応したメタルマスク４７を介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層２５３を形成した基板２６１に付着して、青副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が正孔注入層と正孔輸送層とを含む複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
【０１５３】
次に、青副画素の有機発光層を形成する（Ｓ１６２）。具体的には、図２２に示した青副画素のパターンに対応したメタルマスク４９を介した蒸着により、青有機発光層の材料を、青副画素の正孔供給層上に付着して、青有機発光層を成膜する。
【０１５４】
次に、画素定義層２５３を形成した絶縁基板２６１に緑副画素の正孔供給層を形成し（Ｓ１６３）、緑副画素の有機発光層を形成し（Ｓ１６４）、赤副画素の正孔供給層を形成し（Ｓ１６５）、赤副画素の有機発光層を形成し（Ｓ１６６）、全副画素に共通の電子供給層２７１を形成し（Ｓ１６７）、電子供給層２７１上にカソード電極２７３のための金属材料を付着する（Ｓ１６８）。
【０１５５】
ステップＳ１６３〜Ｓ１６８までの工程の詳細は、それぞれ、図５のＳ１０２、Ｓ１０５、Ｓ１０３、Ｓ１０６、Ｓ１０７、Ｓ１０８で説明したので、これらの工程の詳細な説明は省略する。なお、緑副画素の正孔供給層と有機発光層との形成（Ｓ１６３、Ｓ１６４）と、赤副画素の正孔供給層と有機発光層との形成（Ｓ１６５、Ｓ１６６）との順序を入れかえてもよい（順不同）。
【０１５６】
以上、実施形態４では、各色の発光閾値電圧に着目して各色の有機層を積層したので、異なる発光層の重なりが生じた場合であっても、副画素間のクロストークによる画像品質の低下をより抑制する事ができる。
【０１５７】
上記各実施形態で説明した表示領域１２５は、トップエミッション型の画素構造を有する。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側（図面上側）に、複数の画素に共通のカソード電極２７３が配置される。カソード電極２７３は、表示領域１２５の全面を完全に覆う形状を有する。本開示の特徴は、ボトムエミッション型の画素構造を有するＯＬＥＤ表示装置にも適用できる。ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、ＴＦＴ基板１００を介して外部に光を出射する。
【０１５８】
上記各実施形態で説明した表示領域１２５の画素配列は、３色の副画素列が循環的に配置された、いわゆるストライプ配列である。本開示の特徴は、異なる色の副画素を含む画素列から構成される画素配列に適用することができ、モザイク配列、ペンタル配列等、様々な画素配列に適用することができる。
【０１５９】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。
【符号の説明】
【０１６０】
１０  ＯＬＥＤ表示装置、４１、４３、４５  メタルマスク、１００  ＴＦＴ基板、１１４  カソード電極形成領域、１２５  表示領域、１３１  走査ドライバ、１３２  エミッションドライバ、１３３  保護回路、２００  封止基板、２５１Ｂ  青副画素、２５１Ｇ  緑副画素、２５１Ｒ  赤副画素、２５３  画素定義層、２６１  絶縁基板、２６３  回路層、２６５Ｒ  赤副画素のアノード電極、２６５Ｂ  青副画素のアノード電極、２６５Ｇ  緑副画素のアノード電極、２６６Ｒ  赤副画素の正孔注入層、２６６Ｇ  緑副画素の正孔注入層、２６６Ｂ  青副画素の正孔注入層、２６７Ｂ  青副画素の正孔供給層、２６７Ｇ  緑副画素の正孔供給層、２６７Ｒ  赤副画素の正孔供給層、２６８Ｒ  赤副画素の正孔輸送層、２６８Ｇ  緑副画素の正孔輸送層、２６８Ｂ  青副画素の正孔輸送層、２６９Ｂ  青有機発光層、２６９Ｇ  緑有機発光層、２６９Ｒ  赤有機発光層、２７１  電子供給層、２７３  カソード電極、３００  接合部、４１２Ｂ  青副画素の開口、４１２Ｇ  緑副画素の開口、４１２Ｒ  赤副画素の開口、４５２  開口
【図１】
2019067747.tif 000003
【図２Ａ】
2019067747.tif 000004
【図２Ｂ】
2019067747.tif 000005
【図２Ｃ】
2019067747.tif 000006
【図２Ｄ】
2019067747.tif 000007
【図３Ａ】
2019067747.tif 000008
【図３Ｂ】
2019067747.tif 000009
【図３Ｃ】
2019067747.tif 000010
【図４Ａ】
2019067747.tif 000011
【図４Ｂ】
2019067747.tif 000012
【図４Ｃ】
2019067747.tif 000013
【図５】
2019067747.tif 000014
【図６】
2019067747.tif 000015
【図７】
2019067747.tif 000016
【図８Ａ】
2019067747.tif 000017
【図８Ｂ】
2019067747.tif 000018
【図８Ｃ】
2019067747.tif 000019
【図９】
2019067747.tif 000020
【図１０】
2019067747.tif 000021
【図１１】
2019067747.tif 000022
【図１２】
2019067747.tif 000023
【図１３】
2019067747.tif 000024
【図１４】
2019067747.tif 000025
【図１５】
2019067747.tif 000026
【図１６】
2019067747.tif 000027
【図１７】
2019067747.tif 000028
【図１８】
2019067747.tif 000029
【図１９】
2019067747.tif 000030
【図２０】
2019067747.tif 000031
【図２１】
2019067747.tif 000032
【図２２】
2019067747.tif 000033