(57)【要約】【課題】酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間の密着性の低下が抑制される、樹脂組成物層に磁性フィラーを含有する支持体付き樹脂シートを用いたインダクタ基板の製造方法等の提供。【解決手段】（Ａ）支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、（Ｂ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、（Ｃ）絶縁層に穴あけ加工する工程、（Ｄ）絶縁層表面に、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行う工程、及び（Ｅ）湿式デスミア処理が行われた絶縁層の表面に導体層を形成する工程、をこの順で含み、樹脂組成物層は、磁性フィラーを含む樹脂組成物から形成されており、ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持したときの磁性フィラーの重量減少率が０％以上４０％以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
（Ｂ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、
（Ｃ）絶縁層に穴あけ加工する工程、
（Ｄ）絶縁層表面に、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行う工程、及び
（Ｅ）湿式デスミア処理が行われた絶縁層の表面に導体層を形成する工程、
をこの順で含み、複数の絶縁層と複数の導体層とによりインダクタが形成されるインダクタ基板の製造方法であって、
樹脂組成物層は、磁性フィラーを含む樹脂組成物から形成されており、
ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持したときの磁性フィラーの重量減少率が０％以上４０％以下である、インダクタ基板の製造方法。
【請求項２】
磁性フィラーが、磁性粉末と磁性粉末を被覆する被覆層とを有する、請求項１に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項３】
被覆層が、アクリル樹脂、及びケイ素酸化合物の少なくともいずれかである、請求項２に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項４】
磁性フィラーの含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上９５質量％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項５】
磁性フィラーの含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、６０質量％以上９５質量％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項６】
樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項７】
エポキシ樹脂の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％以上４０質量％以下である、請求項６に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項８】
樹脂組成物が、活性エステル化合物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項９】
活性エステル化合物の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％以上４０質量％以下である、請求項８に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１０】
樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１１】
熱可塑性樹脂の含有量が、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上２０質量％以下である、請求項１０に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１２】
工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間、又は工程（Ｃ）の後に、支持体を剥離する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１３】
工程（Ｃ）は、レーザーにより穴あけ加工が行われる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１４】
工程（Ｅ）が、湿式めっき法により行われる、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１５】
磁性フィラーの平均粒子径が、０．０１μｍ以上８μｍ以下である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１６】
磁性フィラーのアスペクト比が、２以下である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１７】
磁性フィラーが、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類を含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１８】
絶縁層の比透磁率が、１より大きい、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項１９】
絶縁層の損失係数が、０．０７以下である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のインダクタ基板の製造方法。
【請求項２０】
ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持における重量減少率が０％以上４０％以下である磁性フィラーを含み、複数の絶縁層と複数の導体層によりインダクタが形成されるインダクタ基板の絶縁層形成用である、樹脂組成物。
【請求項２１】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項２０に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、支持体付き樹脂シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ基板の製造方法、及びその製造方法に用いられる樹脂組成物、並びに支持体付き樹脂シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーインダクタ、高周波帯域用インダクタ、コモンモードチョークコイルと呼ばれるインダクタは、携帯電話機、スマートフォンなどの情報端末に数多く搭載されている。従来は独立したインダクタ部品がプリント配線板上に実装されていたが、近年はプリント配線板の導体パターンによりコイルを形成し、インダクタをプリント配線板の内部に設ける手法が行われるようになってきている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、多層基板の複数層に複数回巻きの渦巻状導体パターンを形成し、各層の導体パターンの端を上層および下層と層間接続し、全体としてらせん状のコイルを形成した、インダクタが内蔵された多層プリント配線板が開示されている。また特許文献２には、プリント配線板の薄型化のため、インダクタ基板をプリント配線板のコア基板に内蔵することが開示されている。
【０００４】
このように絶縁層上に形成される複数の導体パターンによりインダクタを形成したインダクタ基板を製造する場合、絶縁層を形成するための材料としては、従来から多層プリント配線板のビルドアップ工法に使用されている樹脂組成物に磁性材料を含有させることが考えられる。このような樹脂組成物を用いて形成した絶縁層を用いれば、インダクタンス値を高くすることができ、またインダクタ外への磁力線の漏れも防ぐことができる。例えば、特許文献２には、支持体付き樹脂シートの樹脂組成物層を構成する樹脂組成物に磁性フィラーを含有させ、形成される絶縁層を磁性体とすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６５０４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８６４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らが鋭意検討したところ、ビルドアップ工法において、樹脂組成物層に磁性フィラーを含有する支持体付き樹脂シートを用いて、絶縁層上に導体層を形成する際に湿式デスミア処理を行ったところ、湿式デスミア処理に用いる酸化剤溶液により磁性フィラーの溶解に起因して、絶縁層表面の粗化形状が悪化し、形成される導体層に膨れが生じるなど、絶縁層と導体層との間の密着性（ピール強度）が低下するということを知見した。また、本発明者らは、磁性体となる絶縁層の透磁率（比透磁率）を上げるため、樹脂組成物中に磁性フィラーを高い含有量で配合させると、密着性の低下が特に顕著であることも知見した。
【０００７】
よって本発明の課題は、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間の密着性の低下が抑制される、樹脂組成物層に磁性フィラーを含有する支持体付き樹脂シートを用いたインダクタ基板の製造方法、及びその製造方法に用いられる樹脂組成物、並びに支持体付き樹脂シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持させたときの重量減少率が所定の範囲内となる磁性フィラーを樹脂組成物に含有させることにより、絶縁層と導体層との間の密着性の低下が抑制されることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
（Ｂ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、
（Ｃ）絶縁層に穴あけ加工する工程、
（Ｄ）絶縁層表面に、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行う工程、及び
（Ｅ）湿式デスミア処理が行われた絶縁層の表面に導体層を形成する工程、
をこの順で含み、複数の絶縁層と複数の導体層とによりインダクタが形成されるインダクタ基板の製造方法であって、
樹脂組成物層は、磁性フィラーを含む樹脂組成物から形成されており、
ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持したときの磁性フィラーの重量減少率が０％以上４０％以下である、インダクタ基板の製造方法。
［２］  磁性フィラーが、磁性粉末と磁性粉末を被覆する被覆層とを有する、［１］に記載のインダクタ基板の製造方法。
［３］  被覆層が、アクリル樹脂、及びケイ素酸化合物の少なくともいずれかである、［２］に記載のインダクタ基板の製造方法。
［４］  磁性フィラーの含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上９５質量％以下である、［１］〜［３］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［５］  磁性フィラーの含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、６０質量％以上９５質量％以下である、［１］〜［４］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［６］  樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む、［１］〜［５］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［７］  エポキシ樹脂の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％以上４０質量％以下である、［６］に記載のインダクタ基板の製造方法。
［８］  樹脂組成物が、活性エステル化合物を含む、［１］〜［７］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［９］  活性エステル化合物の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％以上４０質量％以下である、［８］に記載のインダクタ基板の製造方法。
［１０］  樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含む、［１］〜［９］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１１］  熱可塑性樹脂の含有量が、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上２０質量％以下である、［１０］に記載のインダクタ基板の製造方法。
［１２］  工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間、又は工程（Ｃ）の後に、支持体を剥離する、［１］〜［１１］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１３］  工程（Ｃ）は、レーザーにより穴あけ加工が行われる、［１］〜［１２］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１４］  工程（Ｅ）が、湿式めっき法により行われる、［１］〜［１３］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１５］  磁性フィラーの平均粒子径が、０．０１μｍ以上８μｍ以下である、［１］〜［１４］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１６］  磁性フィラーのアスペクト比が、２以下である、［１］〜［１５］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１７］  磁性フィラーが、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類を含む、［１］〜［１６］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１８］  絶縁層の比透磁率が、１より大きい、［１］〜［１７］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［１９］  絶縁層の損失係数が、０．０７以下である、［１］〜［１８］のいずれかに記載のインダクタ基板の製造方法。
［２０］  ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持における重量減少率が０％以上４０％以下である磁性フィラーを含み、複数の絶縁層と複数の導体層によりインダクタが形成されるインダクタ基板の絶縁層形成用である、樹脂組成物。
［２１］  支持体と、該支持体上に設けられた、［２０］に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、支持体付き樹脂シート。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間の密着性の低下が抑制される、樹脂組成物層に磁性フィラーを含有する支持体付き樹脂シートを用いたインダクタ基板の製造方法、及びその製造方法に用いられる樹脂組成物、並びに支持体付き樹脂シートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一例としてのインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図２】図２は、一例としてのインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図３】図３は、一例としてのインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図４】図４は、一例としてのインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図５は、一例としてのインダクタ素子内蔵配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。
【図６】図６は、一例としてのＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ素子内蔵配線板の切断端面を示す模式的な図である。
【図７】図７は、一例としてのインダクタ素子内蔵配線板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【００１３】
本発明のインダクタ基板の製造方法について説明する前に、インダクタ基板の製造方法において使用され得る樹脂組成物及び支持体付き樹脂シートについて説明する。
【００１４】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持における重量減少率が０％以上４０％以下である磁性フィラーを含み、複数の絶縁層と複数の導体層によりインダクタが形成されるインダクタ基板の絶縁層形成用である。
【００１５】
このような磁性フィラーを樹脂組成物に含有させることで、絶縁層と導体層との間のピール強度の低下を抑制することが可能となる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらにエポキシ樹脂、活性エステル化合物、熱可塑性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、カルボジイミド化合物、及びその他の添加剤を含み得る。
【００１６】
＜磁性フィラー＞
樹脂組成物は、磁性フィラーを含有する。磁性フィラーは、ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持における重量減少率が４０％以下であり、好ましくは３８％以下、より好ましくは３５％以下である。下限は０％以上等とし得る。斯かる範囲の重量減少率を有する磁性フィラーを樹脂組成物に含有させることにより、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間のピール強度の低下を抑制することが可能となる。重量減少率の測定は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００１７】
磁性フィラーの材料は、上記重量減少率を有していれば特に限定されない。磁性フィラーは、ピール強度の低下を抑制する観点から、コア−シェル構造の磁性フィラーであることが好ましい。コア−シェル構造の磁性フィラーとしては、例えば、コアに含まれる磁性粉末と、磁性粉末を被覆する被覆層（シェル）とから形成される態様が挙げられる。コア−シェル構造の磁性フィラーは、磁性粉末及び被覆層の２層構造を有していてもよいが、さらに任意の層を含む３層以上の構造を有していてもよい。
【００１８】
コアに含まれる磁性粉末としては、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。中でも、磁性粉末としては、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末等の、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類が好ましく、Ｓｉ及びＣｒを含むＦｅ合金類がより好ましい。
【００１９】
磁性粉末としては、市販の磁性粉末を用いることができる。用いられ得る市販の磁性粉末の具体例としては、山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」、エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」、戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」、日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」、ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」、キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」、ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。磁性粉末は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００２０】
シェルを構成する材料は、磁性粉末表面に被膜を形成することができ、酸化剤溶液に対する耐性を有する化合物を含むことが好ましい。
【００２１】
このような化合物としては、例えば、アクリル樹脂、及びケイ素酸化合物の少なくともいずれかであることが好ましい。アクリル樹脂及び／又はケイ素酸化合物を被覆層として用いることにより、ピール強度の低下を抑制することが可能となる。
【００２２】
アクリル樹脂は、アクリルモノマーを重合させることで得ることができる。重合には、例えばアゾビスイソブチロニトリル等の重合開始剤を使用することが好ましい。アクリル樹脂を構成し得るアクリルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸；トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ（メタ）アルキルアクリレート類；エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコールのモノ又はジ（メタ）アクリレート類；Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等のアミノアルキル（メタ）アクリレート類；ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール等の多価アルコール又はこれらのエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはε−カプロラクトンの付加物の多価（メタ）アクリレート類；フェノキシ（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート等のフェノール類、あるいはそのエチレンオキサイドあるいはプロピレンオキサイド付加物などの（メタ）アクリレート類；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテルから誘導されるエポキシ（メタ）アクリレート類；メラミン（メタ）アクリレート類等が挙げられる。中でも、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレート、多価（メタ）アクリレート類が好ましく、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレートがより好ましい。
【００２３】
多価（メタ）アクリレートにおける３価の（メタ）アクリレート類としては、例えば、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ付加トリ（メタ）アクリレート、グリセリンＰＯ付加トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラフルフリルアルコールオリゴ（メタ）アクリレート、エチルカルビトールオリゴ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールオリゴ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールオリゴ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンオリゴ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールオリゴ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（β−ヒドロキシエチル）エチルジアミンの（メタ）アクリル酸エステルなどが挙げられる。３価以上の（メタ）アクリレート類としては、例えば、トリ（２−（メタ）アクリロイルオキシエチル）ホスフェート、トリ（２−（メタ）アクリロイルオキシプロピル）ホスフェート、トリ（３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル）ホスフェート、トリ（３−（メタ）アクリロイル−２−ヒドロキシルオキシプロピル）ホスフェート、ジ（３−（メタ）アクリロイル−２−ヒドロキシルオキシプロピル）（２−（メタ）アクリロイルオキシエチル）ホスフェート、（３−（メタ）アクリロイル−２−ヒドロキシルオキシプロピル）ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシエチル）ホスフェート等のリン酸トリエステル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらアクリルモノマーは１種単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて共重合させたものであってもよい。「（メタ）アクリル酸」とは、メタクリル酸及びアクリル酸を指し、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。「ＥＯ」とは、エチレンオキシドを指し、「ＰＯ」とは、プロピレンオキシドを指す。
【００２４】
ケイ素酸化合物は、酸性又は塩基性条件下でシリカ前駆体を加水分解、重縮合させる、いわゆるゾルゲル法によって得ることができる。ケイ素酸化合物を構成し得るシリカ前駆体としては、例えば、オルトケイ酸テトラエチル等のケイ酸エステル；ケイ酸ソーダ等のケイ酸塩などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせてゾルを形成したものであってもよい。
【００２５】
磁性フィラーが、コア−シェル構造の磁性フィラーである場合、磁性粉末と被覆層との質量比（磁性粉末／被覆層）としては、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは１以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１０以下である。上記の質量比を斯かる範囲内とすることにより、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間のピール強度の低下を抑制することが可能となる。上記質量比における磁性粉末の質量は、コア−シェル構造の磁性フィラーを製造する際の磁性粉末の仕込み量を表し、被覆層の質量は、コア−シェル構造の磁性フィラーを製造する際の、被覆層を形成するモノマーやシリカ前駆体の合計仕込み量を表す。
【００２６】
被覆層の厚さとしては、絶縁層と導体層との間のピール強度の低下を抑制する観点から、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下である。被覆層の厚さは、例えばＳＥＭにて断面観察を行うことにより測定することができる。
【００２７】
コア−シェル構造の磁性フィラーは、磁性粉末にシェルを構成する材料を添加し、撹拌することでシェルを構成する材料を重合等させて製造することができる。被覆層としてケイ素酸化合物を用いる場合、被覆層の表面をシランカップリング剤による処理を行ってもよい。
【００２８】
磁性フィラーの平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは８μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは４μｍ以下である。磁性フィラーの平均粒径を斯かる範囲内とすることにより、比透磁率の維持が可能となる。磁性フィラーがコア−シェル構造の磁性フィラーである場合、磁性粉末の平均粒径は斯かる範囲内であることが好ましい。
【００２９】
磁性フィラーの長辺の長さを短辺の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下である。一般に、磁性フィラーは球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間のピール強度の低下を抑制し、且つ比透磁率を維持する観点から、球状の（Ｂ）磁性フィラーを用いる方が、所望の特性を有する樹脂組成物を容易に得ることができる。
【００３０】
磁性フィラーの平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、磁性フィラーの粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性フィラーを超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。
【００３１】
磁性フィラーの含有量（体積％）は、比透磁率を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは７５体積％以下、さらに好ましくは６５体積％以下である。
【００３２】
磁性フィラーの含有量は、比透磁率を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。また、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８８質量％以下である。
【００３３】
＜エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有し得る。エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ビキシレノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】
エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。中でも、（Ａ）成分としては、ピール強度などの物性に優れた絶縁層を得る観点から、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有することがより好ましい。縮合環構造を有するエポキシ樹脂としては、上記例示したもののうち、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００３５】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、樹脂組成物は、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを組み合わせて含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。液状エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。固体状エポキシ樹脂は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましい。
【００３６】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、三菱ケミカル社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」、「Ｎ−６８０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ノボラック型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）支持体付き樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）支持体付き樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．５〜１：８の範囲がさらに好ましい。
【００３９】
樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【００４０】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００４１】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４２】
エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは５０００未満、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下である。下限は、好ましくは１００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００４３】
エポキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは２５℃を超え、より好ましくは３０℃以上、さらに好ましくは３５℃以上である。上限は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４００℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。
【００４４】
＜活性エステル化合物＞
樹脂組成物は、活性エステル化合物を含有し得る。活性エステル化合物は、１分子中に活性エステル基を１個以上有する活性エステル化合物である。活性エステル化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
活性エステル化合物としては、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル化合物は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル化合物が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル化合物がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００４６】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【００４７】
活性エステル化合物の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）等が挙げられる。
【００４８】
樹脂組成物が活性エステル化合物及びエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［活性エステル化合物の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：５の範囲が好ましく、１：０．０５〜１：３がより好ましく、１：０．１〜１：１．５がさらに好ましい。ここで、活性エステル化合物の反応基とは、活性エステル基である。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、活性エステル化合物の反応基の合計数とは、各活性エステル化合物の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての活性エステル化合物について合計した値である。エポキシ樹脂と活性エステル化合物との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。
【００４９】
樹脂組成物が活性エステル化合物を含有する場合、活性エステル化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１．５質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上である。また、上限は好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は５質量％以下である。活性エステル化合物の含有量を斯かる範囲内とすることにより、絶縁層と導体層との間のピール強度の低下を抑制することが可能となる。
【００５０】
＜熱可塑性樹脂＞
樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有し得る。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、ポリ（メタ）アクリル樹脂、ポリアルキレン樹脂、ポリアルキレンオキシ樹脂、ポリイソプレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。ポリ（メタ）アクリル樹脂とは、ポリアクリル樹脂とポリメタクリル樹脂とを指す。
【００５１】
フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工社製Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００５２】
フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ６９５４」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１」、「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。中でもポリアルキレンオキシ構造を有するフェノキシ樹脂が好ましく、具体例としては三菱ケミカル社製の「ＹＸ−７１８０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」が挙げられる。
【００５３】
熱可塑性樹脂は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することがより好ましく、ポリブタジエン構造、及びポリアルキレンオキシ構造から選択される１以上の構造を有することがさらに好ましい。上記の構造を有する樹脂を含むことで絶縁層が低弾性となり、シェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性に優れるようになり、さらに反りの発生を抑制することがきる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
なお、ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。
ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。
【００５４】
熱可塑性樹脂は、樹脂組成物が硬化した際の反りを低下させるために高分子量であることが好ましい。数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１，０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは３０００以上、５０００以上である。上限は、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは９００，０００以下である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００５５】
熱可塑性樹脂は、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、エポキシ樹脂と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。
【００５６】
好適な一実施形態において、エポキシ樹脂と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、数平均分子量（Ｍｎ）は、５，０００以上であることが好ましい。
【００５７】
ポリブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００５８】
ポリ（メタ）アクリル樹脂としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」、「Ｗ−１９７Ｃ」、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」等が挙げられる。
ポリカーボネート樹脂としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００５９】
また、他の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等）、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、クラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００−２」、「電化ブチラール５０００−Ａ」、「電化ブチラール６０００−Ｃ」、「電化ブチラール６０００−ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ−５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ−１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」、日立化成社製の「ＫＳ９１００」及び「ＫＳ９３００」、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」及び「Ｐ３５００」、ガンツ化成社製の「ＡＣ３８３２」等が挙げられる。
【００６０】
樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有する場合、熱可塑性樹脂の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下、又は３質量％以下である。熱可塑性樹脂の含有量を斯かる範囲内とすることにより、硬化物の比透磁率を維持でき、ピール強度の低下も抑制させることができる。
【００６１】
＜硬化剤＞
樹脂組成物は、硬化剤を含有し得る。但し、硬化剤は、活性エステル化合物を含めない。硬化剤としては、エポキシ樹脂等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。硬化剤は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤であることが好ましく、一態様として、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上であることがさらに好ましい。
【００６２】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、硬化物が十分な強度を得る観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。
【００６３】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。
【００６４】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００６５】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００６６】
硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。硬化剤の含有量を斯かる範囲内とすることにより、ピール強度の低下を抑制することができる。
【００６７】
＜硬化促進剤＞
樹脂組成物は、硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６８】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００６９】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００７０】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００７１】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００７２】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００７３】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００７４】
樹脂組成物が硬化促進剤を含有する場合、硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０８質量％以下、さらに好ましくは０．０５質量％以下である。硬化促進剤の含有量を斯かる範囲内とすることにより、ピール強度の低下を抑制することができる。
【００７５】
＜カルボジイミド化合物＞
樹脂組成物は、カルボジイミド化合物を含有し得る。カルボジイミド化合物は、１分子中にカルボジイミド基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−）を１個以上有する化合物であり、カルボジイミド化合物を含有させることで導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができる。カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物が好ましい。カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７６】
一実施形態において、本発明の樹脂組成物に含まれるカルボジイミド化合物は、下記式（１）で表される構造を含有する。
【００７７】
【化１】
2019067960.tif 000002
（式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１〜５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。＊は結合手を表す。）
【００７８】
Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アルキレン基の好適な例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。
【００７９】
Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該シクロアルキレン基の好適な例としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。
【００８０】
Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。該アリーレン基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アリーレン基の好適な例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
【００８１】
Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基として用いられるアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。置換基として用いられるシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。置換基として用いられるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアリールオキシ基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシル基は、式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシルオキシ基は、式：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１は上記と同じ意味を表す。）をいう。中でも、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、及びアシルオキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
【００８２】
式（１）中、ｐは１〜５の整数を表す。耐熱性、レーザービア信頼性、及びピール強度に一層優れる絶縁層を実現する観点から、ｐは、好ましくは１〜４、より好ましくは２〜４、さらに好ましくは２又は３である。
【００８３】
式（１）中、Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。好適な一実施形態において、少なくとも１つのＸは、アルキレン基又はシクロアルキレン基であり、これらは置換基を有していてもよい。
【００８４】
好適な一実施形態において、カルボジイミド化合物は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量％としたとき、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、さらにより好ましくは８０質量％以上又は９０質量％以上にて、式（１）で表される構造を含有する。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（１）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。
【００８５】
樹脂組成物を硬化する際のアウトガスの発生を抑制し得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、好ましくは５００以上、より好ましくは６００以上、さらに好ましくは７００以上、さらにより好ましくは８００以上、特に好ましくは９００以上又は１０００以上である。また、良好な相溶性を得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量の上限は、好ましくは５０００以下、より好ましくは４５００以下、さらに好ましくは４０００以下、さらにより好ましくは３５００以下、特に好ましくは３０００以下である。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。
【００８６】
なお、カルボジイミド化合物は、その製法に由来して、分子中にイソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合がある。良好な保存安定性を示す樹脂組成物を得る観点、ひいては所期の特性を示す絶縁層を実現する観点から、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下又は０．５質量％以下である。
【００８７】
カルボジイミド化合物は、市販品を使用してもよい。市販のカルボジイミド化合物としては、例えば、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０２Ｂ、Ｖ−０３、Ｖ−０４Ｋ、Ｖ−０７及びＶ−０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０が挙げられる。
【００８８】
樹脂組成物がカルボジイミド化合物を含有する場合、カルボジイミド化合物の含有量は、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性のいずれの特性にも優れる絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上がさらに好ましい。カルボジイミド化合物の含有量の上限は特に限定されないが、３質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下がさらに好ましい。
【００８９】
＜任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、難燃剤、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００９０】
難燃剤としては、例えば、ホスファゼン化合物、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。ホスファゼン化合物の具体例としては、例えば、大塚化学社製の「ＳＰＨ−１００」、「ＳＰＳ−１００」、「ＳＰＢ−１００」、「ＳＰＥ−１００」、伏見製薬所社製の「ＦＰ−１００」、「ＦＰ−１１０」、「ＦＰ−３００」、「ＦＰ−４００」等が挙げられ、ホスファゼン化合物以外の難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。
【００９１】
＜樹脂組成物の物性＞
本発明の樹脂組成物を１３０℃で３０分間、さらに１６５℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、該硬化物表面に湿式デスミア処理を行っても、金属層、特にメッキにより形成されたメッキ導体層とのピール強度に優れるという特性を示す。即ちピール強度に優れた絶縁層をもたらす。ピール強度としては、好ましくは０．１ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．２ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．３ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。ピール強度の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００９２】
本発明の樹脂組成物を１３０℃で３０分間、さらに１６５℃で３０分間熱硬化させ、湿式デスミア処理を行った硬化物表面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が低いという特性を示す。即ち、湿式デスミア処理を行っても算術平均粗さが低い絶縁層をもたらす。算術平均粗さは４５０ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、３５０ｎｍ以下が更に好ましく、３３０ｎｍ以下が更に一層好ましく、３００ｎｍ以下が特に好ましい。一方、算術平均粗さの下限値は特に限定されず、１ｎｍ以上などし得る。算術平均粗さの測定は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００９３】
樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは１より大きく、より好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上である。また、好ましくは２０以下、より好ましくは１８以下、さらに好ましくは１５以下である。比透磁率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００９４】
樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、周波数１００ＭＨｚにおける損失係数が低いという特性を示す。周波数１００ＭＨｚにおける損失係数は、好ましくは０．０７以下、より好ましくは０．０６以下、さらに好ましくは０．０５以下である。下限は特に限定されないが０．０００１以上等とし得る。損失係数は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００９５】
樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、抵抗値が高いという特性を示す。即ち、抵抗値が高い絶縁層をもたらす。抵抗値としては、好ましくは１×１０１０Ω以上、より好ましくは３×１０１０Ω以上、さらに好ましくは５×１０１０Ω以上である。上限は特に限定されないが１×１０１５Ω以下等とし得る。
【００９６】
［支持体付き樹脂シート］
支持体付き樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
【００９７】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下、１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、５μｍ以上、１０μｍ以上、２０μｍ以上等とし得る。
【００９８】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【００９９】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【０１００】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【０１０１】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【０１０２】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【０１０３】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１０４】
支持体付き樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。支持体付き樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１０５】
［インダクタ基板及びインダクタ基板の製造方法］
以下、インダクタ基板の製造方法を通してインダクタ基板及びその製造方法について説明する。
【０１０６】
図５は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図６は、ＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ基板の切断端面を示す模式的な図である。図７は、インダクタ基板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【０１０７】
インダクタ基板は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化体である絶縁層（磁性層）と、この絶縁層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、絶縁層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた絶縁層のうちの一部分によって構成されるインダクタを含んでいる。
【０１０８】
インダクタ基板１０は、図５および図６に一例として示されるように、複数の絶縁層（第１絶縁層３２、第２絶縁層３４）及び複数の導体層（第１導体層４２、第２導体層４４）を有する、即ちビルドアップ絶縁層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板である。また、インダクタ基板１０は、内層基板２０を備えている。
【０１０９】
図６より、第１絶縁層３２および第２絶縁層３４は一体的な絶縁層としてみることができる絶縁部３０を構成している。よってコイル状導電性構造体４０は、絶縁部３０に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ基板１０において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４０と、絶縁部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた絶縁部３０のうちの一部分である芯部によって構成されている。
【０１１０】
図７に一例として示されるように、第１導体層４２はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２ａと電気的に接続される矩形状のランド４２ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。
【０１１１】
同様に、第１絶縁層３２上には第２導体層４４が設けられている。第２導体層４４はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図５又は図６では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図５又は図６では第２導体層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。
【０１１２】
本実施形態のインダクタ基板が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚであることが想定されている。また、本実施形態のインダクタ基板が備えるインダクタ素子は電源系が想定されている。
【０１１３】
本実施形態のインダクタ基板の製造方法は、
（Ａ）支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
（Ｂ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、
（Ｃ）絶縁層に穴あけ加工する工程、
（Ｄ）絶縁層表面に、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行う工程、及び
（Ｅ）絶縁層の表面に導体層を形成する工程、
をこの順で含む。インダクタ基板の製造方法は、本発明の支持体付き樹脂シートを用いて絶縁層を形成する。本発明の支持体付き樹脂シートにおける樹脂組成物層は、ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持したときの重量減少率が０％以上４０％以下である磁性フィラーを含有するので、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、絶縁層と導体層との間の密着性の低下が抑制される。
【０１１４】
工程（Ａ）を行うにあたって、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを準備する工程を含んでいてもよい。支持体及び樹脂組成物層は、上記［支持体付き樹脂シート］において説明したとおりである。
【０１１５】
支持体付き樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【０１１６】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１１７】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１１８】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）において、図１に一例を示すように、支持体３３と、該支持体３３上に設けられた樹脂組成物層３２ａとを含む支持体付き樹脂シート３１を、樹脂組成物層３２ａが内層基板２０と接合するように、内層基板２０に支持体付き樹脂シート３１を積層させる。
【０１１９】
内層基板２０は、絶縁性の基板である。内層基板２０の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２０は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。
【０１２０】
内層基板２０としては、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」を用い、銅層をパターニングすることにより導体層とした配線板が挙げられる。
【０１２１】
図１に一例を示すように、内層基板２０は、第１主表面２０ａ上に設けられる第１導体層４２と、第２主表面２０ｂ上に設けられる外部端子２４とを有している。第１導体層４２は、複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４０を構成する配線のみが示されている。外部端子２４は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４は、第２主表面２０ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。
【０１２２】
第１導体層４２、外部端子２４、その他の導体層を構成し得る導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズおよびインジウムからなる群から選択される１種以上の金属が挙げられる。第１導体層４２、外部端子２４、その他の配線は、単金属により構成されていても合金により構成されていてもよく、合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケルクロム合金、銅ニッケル合金および銅チタン合金）が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【０１２３】
第１導体層４２、外部端子２４、その他の導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第１導体層４２、外部端子２４、その他の導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。
【０１２４】
第１導体層４２、外部端子２４、その他の導体層の厚さは、所望の多層プリント配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。
【０１２５】
内層基板２０が有する第１導体層４２および外部端子２４の厚さは特に限定されない。第１導体層４２および外部端子２４の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。外部端子２４の厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【０１２６】
第１導体層４２および外部端子２４のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる絶縁層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【０１２７】
内層基板２０は第１主表面２０ａから第２主表面２０ｂに至るように内層基板２０を貫通する複数のスルーホール２２を有している。スルーホール２２にはスルーホール内配線２２ａが設けられている。スルーホール内配線２２ａは、第１導体層４２と外部端子２４とを電気的に接続している。
【０１２８】
樹脂組成物層３２ａと内層基板２０との接合は、例えば、支持体３３側から、支持体付き樹脂シート３１を内層基板２０に加熱圧着することにより行うことができる。支持体付き樹脂シート３１を内層基板２０に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を支持体付き樹脂シート３１に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２０の表面の凹凸に支持体付き樹脂シート３１が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。
【０１２９】
加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃〜１６０℃、より好ましくは９０℃〜１４０℃、さらに好ましくは１００℃〜１２０℃の範囲であり、加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。支持体付き樹脂シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。
【０１３０】
支持体付き樹脂シート３１の樹脂組成物層３２ａと内層基板２０との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【０１３１】
支持体付き樹脂シート３１と内層基板２０との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された支持体付き樹脂シート３１の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【０１３２】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）において、図２に一例を示すように、内層基板２０に接合させた樹脂組成物層３２ａを熱硬化し第１絶縁層３２を形成する。熱硬化工程の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を適用することができる。
【０１３３】
第１絶縁層３２は、既に説明した支持体付き樹脂シート３１を用いて形成されるので、第１導体層４２の封止性に優れている。また、第１絶縁層３２は、支持体付き樹脂シート３１を用いて形成されるので、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲における比透磁率が向上しており、さらに、通常は磁性損失が低減されている。
【０１３４】
例えば、樹脂組成物層３２ａの熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃〜２４０℃、より好ましくは１５０℃〜２２０℃、さらに好ましくは１７０℃〜１９０℃である。硬化時間は好ましくは５分間〜９０分間、より好ましくは１０分間〜７５分間、さらに好ましくは１５分間〜６０分間とすることができる。
【０１３５】
樹脂組成物層３２ａを熱硬化させる前に、樹脂組成物層３２ａを硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層３２ａを熱硬化させるのに先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１１０℃以下）の温度にて、樹脂組成物層３２ａを５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。
【０１３６】
支持体３３は、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間に除去してもよく、工程（Ｃ）の後に剥離してもよい。
【０１３７】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）において、図３に一例を示すように、第１絶縁層３２に穴あけ加工をし、ビアホール３６を形成する。ビアホール３６は、第１導体層４２と、後述する第２導体層４４とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６は第１絶縁層３２の特性を考慮して、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる方法により形成することができるが、プリント配線板の高密度化に伴う穴の小径化、高精度化、加工装置の汎用性という観点からレーザーにより穴あけ加工を行うことが好ましい。例えば、この時点で支持体付き樹脂シートの支持体（図示せず）が残存している場合には、支持体を介してレーザー光を第１絶縁層３２に照射することにより、ビアホール３６を形成することもできる。
【０１３８】
ビアホール３６の形成に用いられ得るレーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。
【０１３９】
ビアホール３６の形成は、市販されているレーザー装置を用いて実施することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」、三菱電機社製「ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ」、松下溶接システム社製の基板穴あけレーザー加工機が挙げられる。
【０１４０】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）において、第１絶縁層表面に、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行う。従来、酸化剤溶液で絶縁層中に含まれる磁性フィラーが溶解し、第１絶縁層と第２導体層４４との間のピール強度が低下してしまうので、通常、乾式スパッタにより絶縁層表面の粗化処理を行っていた。しかし、本発明では、ｐＨ１の酸性溶液中、２０℃、３時間保持したときの重量減少率が０％以上４０％以下である磁性フィラーが絶縁層中に含まれるので、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理を行っても、ピール強度が低下することを抑制することができる。その結果、大面積のインダクタ基板を製造することが可能となる。
【０１４１】
湿式デスミア処理の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される手順、条件を採用することができる。湿式デスミア処理として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施する。
【０１４２】
湿式デスミア処理に用いられ得る膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。
【０１４３】
膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に絶縁層が設けられた内層基板を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に絶縁層を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。
【０１４４】
酸化剤溶液による粗化処理に用いられ得る酸化剤溶液としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤の溶液に絶縁層を１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤溶液としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
【０１４５】
中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた絶縁層を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。
【０１４６】
一実施形態において、工程（Ｄ）を行った後の絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは４５０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３５０ｎｍ以下、さらに一層好ましくは３３０ｎｍ以下である。下限については特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ以上等とし得る。算術平均粗さは、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【０１４７】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）において、図４に一例を示すように、第１絶縁層３２の湿式デスミア処理が行われた表面に第２導体層４４を形成する。第２導体層４４は、複数の配線を含んでいる。
【０１４８】
第２導体層４４を構成し得る導体材料は、第１導体層４２と同様である。第２導体層４４は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第２導体層４４が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。また、第２導体層４４の厚さは、第１導体層４２の厚さと同様である。
【０１４９】
第２導体層４４は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４として形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６内にビアホール内配線３６ａが併せて形成される。
【０１５０】
第２導体層４４の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６ａにより第１導体層４２の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａにより第１導体層４２のランド４２ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａ、ランド４２ａ、スルーホール内配線２２ａを経て外部端子２４に電気的に接続される。
【０１５１】
コイル状導電性構造体４０は、第１導体層４２の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２の渦巻状の配線部と第２導体層４４の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６ａにより構成されている。
【０１５２】
次に、図６に一例を示すように、第２導体層４４およびビアホール内配線３６ａが形成された第１絶縁層３２上に第２絶縁層３４を形成する。第２絶縁層３４は既に説明した工程と同様の工程により形成すればよい。
【０１５３】
第２絶縁層３４は、第１絶縁層３２と同様に支持体付き樹脂シートに由来する層であるので、第２導体層４４の封止性に優れている。また第２絶縁層３４は、支持体付き樹脂シートを用いて形成されるので、通常は比透磁率が向上しており、さらに通常は磁性損失が低減されている。
【０１５４】
本発明におけるインダクタ基板１０は、複数の絶縁層と複数の導体層とによりインダクタが形成されている。よって、絶縁層がビルドアップ絶縁層であり、導体層がビルドアップ導体層であるビルドアップ導体層である。本実施形態のインダクタ基板１０において、前記の工程（Ａ）から前記の工程（Ｅ）までの既に説明した一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
【０１５５】
本実施形態では、コイル状導電性構造体４０が、第１導体層４２および第２導体層４４の２層の導体層を含む例を説明したが、３層以上の導体層（および３層以上のビルドアップ絶縁層）によりコイル状導電性構造体４０を構成することもできる。この場合には、最上層の導体層と最下層の導体層とに挟まれるように配置される図示しない導体層の渦巻状の配線部は、その一端が最上層側であって直近に配置される導体層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続され、その他端が最下層側であって直近に配置される導体層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続される。
【０１５６】
本実施形態にかかるインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【０１５７】
また、プリント配線板がキャビティを有する場合、キャビティ内に本実施形態にかかるインダクタ基板を内蔵させた、インダクタ基板内蔵プリント配線板としてもよい。係る配線板の詳細は、特開２０１２−１８６４４０号公報の段落００１１〜０１６４の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１５８】
また、かかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【０１５９】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。重量減少率は、ｐＨ１の５質量％硫酸水溶液に磁性フィラーを浸漬した後、磁性フィラーを乾燥させて測定した値である。
【０１６０】
〔ピール強度及び算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定〕
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．８ｍｍ、パナソニック社製、Ｒ１５１５Ａ）の両面を、エッチング剤（メック社製、ＣＺ８１０１）にて１μｍエッチングして銅表面の粗化処理をおこなった。
【０１６１】
（２）支持体付き樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した支持体付き樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（ＭＶＬＰ−５００、名機製作所社製）を用いて、積層板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａで圧着することにより行った。
【０１６２】
（３）樹脂組成物層の硬化
ラミネートされた支持体付き樹脂シートを、１３０℃、３０分続けて１６５℃、３０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して絶縁層を形成し、その後支持体を剥離した。
【０１６３】
（４）湿式デスミア処理（粗化処理）
実施例１〜３、５、および比較例１に関しては、積層板の絶縁層表面を、膨潤液である、アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガントＰ（グリコールエーテル類、水酸化ナトリウムの水溶液）に、６０℃で５分間浸漬した。次に粗化液として、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に、８０℃で２０分間浸漬した。最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション・セキュリガントＰ（硫酸の水溶液）に４０℃で５分間浸漬した。その後８０℃で３０分乾燥した。粗化処理後の積層板を積層板Ａという。
【０１６４】
実施例４に関しては、積層板の絶縁層表面を、膨潤液である、アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガントＰ（グリコールエーテル類、水酸化ナトリウムの水溶液）に、６０℃で３分間浸漬した。次に粗化液として、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に、８０℃で１０分間浸漬した。最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション・セキュリガントＰ（硫酸の水溶液）に４０℃で５分間浸漬した。その後８０℃で３０分乾燥した。粗化処理後の積層板を積層板Ａという。
【０１６５】
（５）セミアディティブ工法によるメッキ
積層板Ａを、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ用溶液に４０℃で５分間浸漬し、次に無電解銅メッキ液に２５℃で２０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、２５μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この基板を評価基板とした。
【０１６６】
（６）メッキ導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
評価基板の導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がして、つかみ治具であるオートコム型試験機（ティー・エス・イー社製、ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ）で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。評価基板に膨れが発生し、ピール強度の測定が出来なかった場合、下表には膨れと記載した。
【０１６７】
（７）算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定
湿式デスミア工程まで行った積層板Ａを、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる数値によりＲａ値を求めた。無作為に選んだ３点の平均値を求めることにより測定した。
【０１６８】
〔比透磁率、透磁損失の測定方法〕
各実施例および比較例において、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を、フッ素樹脂系離型剤（ＥＴＦＥ）処理を施したＰＥＴフィルム（三菱樹脂社製「フルオロージュＲＬ５０ＫＳＥ」）に変えた。以上の事項以外は各実施例および比較例と同様にして、各支持体付き樹脂シートを得た。
【０１６９】
得られた支持体付き樹脂シートを、１９０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化体を得た。得られた硬化体を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「ＨＰ８３６２Ｂ」を用いて、短絡ストリップライン法にて測定周波数を１ＭＨｚから１０ＧＨｚの範囲とし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）および透磁損失（μ’’）を測定し、損失係数を得た。損失係数は、以下の式より算出した。
ｔａｎδ＝μ’／μ’’
測定周波数が１００ＭＨｚである場合の透磁率、損失係数を下表に示す。
【０１７０】
〔抵抗値の測定〕
各実施例および比較例で得られた支持体付き樹脂シートそれぞれを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機製作所社製、「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、ラインおよびスペースの幅をＬ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍとし、回路（配線パターン）の厚さが８μｍである、くし型配線パターンが形成された厚さが３８μｍであるポリイミドフィルムの配線パターン側にラミネートした。このラミネートにより形成された支持体付き樹脂シートから支持体を剥離して、１９０℃、９０分間の加熱処理を行うことで熱硬化させて絶縁層を形成し積層構造体を得た。得られた積層構造体を評価用サンプルとした。得られた評価用サンプルに３．３Ｖの電圧を印加することで、抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値から、平均値を算出した。
【０１７１】
＜製造例１：磁性フィラーの作製＞
コア粒子として磁性粉末（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ３）を、３リットルのセパラブルフラスコに３００ｇ投入し、さらにミネラルスピリットを１４００ｇ添加した後、攪拌することによりスラリーとした。攪拌を継続しつつ、系内に窒素ガスをパージして窒素雰囲気下とした後、８０℃まで昇温した。以下の操作は、特に断りの無い限り本条件を維持したまま行なっている。
【０１７２】
次いで、アクリル酸０．９０ｇ、トリメチロールプロパントリアクリレート８．４０ｇ、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート７．９０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）１．０ｇを上記のスラリーに添加した。
【０１７３】
そして、８時間攪拌を継続しラジカル重合反応を行なった。その後、このスラリーを３５℃以下に冷却し反応を終了させ、更にこれを濾過し、１リットルのミネラルスピリットで洗浄することにより、磁性粉末の表面に被覆層としてアクリル樹脂が形成された磁性フィラー（コア−シェル構造磁性フィラーＡ）を得た。コア−シェル構造磁性フィラーＡは、磁性粉末に被覆層が１２０ｎｍの厚さで被覆されたものであった。
【０１７４】
１ｇのコア−シェル構造磁性フィラーＡをｐＨ１の５質量％硫酸水溶液５０ｇ中に２０℃、３時間浸漬したところ、重量減少率は５％であった。一方、磁性粉末（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ３）１ｇをｐＨ１の５質量％硫酸水溶液５０ｇ中に２０℃、３時間浸漬したところ重量減少率は１００％であった。
【０１７５】
＜製造例２：磁性フィラーの作製＞
製造例１において、
１）アクリル酸の量を０．９０ｇから０．４５ｇに変え、
２）トリメチロールプロパントリアクリレートの量を８．４０ｇから４．２０ｇに変え、
３）トリシクロデカンジメタノールジメタクリレートの量を７．９０ｇから３．９５ｇに変え、
４）アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）の量を１．０ｇから０．５０ｇに変えた。
以上の事項以外は製造例１と同様にしてコア−シェル構造磁性フィラーＢを作製した。
【０１７６】
コア−シェル構造磁性フィラーＢは、磁性粉末に被覆層が６０ｎｍの厚さで被覆されたものであった。１ｇのコア−シェル構造磁性フィラーＢをｐＨ１の５質量％硫酸水溶液５０ｇ中に２０℃、３時間浸漬したところ、重量減少率は８％であった。
【０１７７】
＜製造例３：磁性フィラーの作製＞
コア粒子として磁性粉末（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ３）を５００ｍＬの三つ口フラスコに１００ｇ投入し、６０ｍｌのエタノールを添加し５３分間超音波分散を行った。窒素フロー（６０ｍｌ／ｍｉｎ）及び冷却管を三つ口フラスコに取り付け、２０ｍｌのエタノールとアンモニア水（水２３．７ｇ、アンモニア４．５９ｇからなる１６質量％アンモニア水）の混合溶液を添加し、２５℃のオイルバス中で３００ｒｐｍにて１時間撹拌した。３００ｍＬのエタノールで希釈したオルトケイ酸テトラエチル（５．６ｇ）を滴下漏斗にて添加して強制撹拌機で５００ｒｐｍにて撹拌しながら２５℃で３時間反応させた。１００ｍｌのメタノールを添加し、反応を停止した。エタノールを用いて２回洗浄、乾燥後にシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）１．０ｇで、処理することにより、磁性体コア粒子の表面に被覆層としてケイ素酸が形成されたコア−シェル構造磁性フィラーＣを得た。コア−シェル構造磁性フィラーＣは、粒子粉末に被覆層が２０ｎｍの厚さで被覆されたものにシランカップリング剤で処理されていた。１ｇのコア−シェル構造磁性フィラーＣをｐＨ１の５質量％硫酸水溶液５０ｇ中に２０℃、３時間浸漬したところ、重量減少率は３５％であった。
【０１７８】
＜実施例１＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）３部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）１０部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ−４０３２」、エポキシ当量約１５０）２部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）４．４部を、メチルエチルケトン８部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへトリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」水酸基当量約１５１の固形分５０％の２-メトキシプロパノール溶液）２部、活性エステル型硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）５部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、固形分５０％のトルエン溶液）２．５部、硬化促進剤（和光純薬工業社製「４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）０．４部、製造例１で作製したコア−シェル構造磁性フィラーＡ  ８９部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を作製した。
【０１７９】
次いで、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが３５μｍとなるように樹脂ワニス１を均一に塗布し、７５〜９２℃（平均８３℃）で３分間乾燥させて、支持体付き樹脂シート１を作製した。
【０１８０】
＜実施例２＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）５．２５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）５．２５部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）３．３部を、メチルエチルケトン８部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへトリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」水酸基当量約１５１の固形分５０％の２-メトキシプロパノール溶液）１．５部、活性エステル型硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）３．７５部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、固形分５０％のトルエン溶液）２部、硬化促進剤（和光純薬工業社製「４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）０．３部、製造例１で作製したコア−シェル構造磁性フィラーＡ  １０３部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を作製した。
【０１８１】
実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス２に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして支持体付き樹脂シート２を作製した。
【０１８２】
＜実施例３＞
実施例２において、コア−シェル構造磁性フィラーＡ  １０３部を、コア−シェル構造磁性フィラーＢ  １０３部に変えた。以上の事項以外は、実施例２と同様にして樹脂ワニス３、及び支持体付き樹脂シート３を作製した。
【０１８３】
＜実施例４＞
実施例２において、コア−シェル構造磁性フィラーＡ  １０３部を、コア−シェル構造磁性フィラーＣ  １０３部に変えた。以上の事項以外は、実施例２と同様にして樹脂ワニス４、及び支持体付き樹脂シート４を作製した。
【０１８４】
＜実施例５＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）６部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）３部、ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１９３）１部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）３．３部を、メチルエチルケトン８部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへトリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」水酸基当量約１５１の固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）３部、活性エステル型硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）４部、硬化促進剤（和光純薬工業社製「４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）０．３部、コア−シェル構造磁性フィラーＡ  １０３部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス５を作製した。
【０１８５】
実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス５に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして支持体付き樹脂シート５を作製した。
【０１８６】
＜比較例１＞
実施例２において、コア−シェル構造磁性フィラーＡ  １０３部を、磁性粉末（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ３）１０３部に変えた。以上の事項以外は、実施例２と同様にして樹脂ワニス６、及び支持体付き樹脂シート６を作製した。
【０１８７】
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。また、下記の表において、略称の意味は、下記のとおりである。
８２８ＵＳ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、エポキシ当量約１８０）
ＮＣ３０００Ｌ：ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、エポキシ当量約２６９）
ＹＸ４０００ＨＫ：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、エポキシ当量約１９３）
ＨＰ−４０３２：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エポキシ当量約１５０）
ＬＡ−３０１８−５０Ｐ：トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ社製、水酸基当量約１５１の固形分５０％の２-メトキシプロパノール溶液）
ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ：活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）
Ｖ−０３：カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製、固形分５０％のトルエン溶液）
ＹＬ７５５３ＢＨ３０：フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）
ＤＭＡＰ：アミン系硬化促進剤（和光純薬工業社製「４−ジメチルアミノピリジン」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）
ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ：磁性粉末（エプソンアトミックス社製、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ３）
【０１８８】
【表１】
2019067960.tif 000003
【符号の説明】
【０１８９】
１０      インダクタ基板
２０      内層基板
２０ａ    第１主表面
２０ｂ    第２主表面
２２      スルーホール
２２ａ    スルーホール内配線
２４      外部端子
３０      磁性部
３１      支持体付き樹脂シート
３２ａ    樹脂組成物層
３２      第１絶縁層
３３      支持体
３４      第２絶縁層
３６      ビアホール
３６ａ    ビアホール内配線
４０      コイル状導電性構造体
４２      第１導体層
４２ａ    ランド
４４      第２導体層
【図１】
2019067960.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
2019067960.tif 000007
【図５】
2019067960.tif 000008
【図６】
2019067960.tif 000009
【図７】
2019067960.tif 000010