(57)【要約】【課題】金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターン１２を形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板の一方の面に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターンを形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより、複数の金属−セラミックス接合回路基板を製造することを特徴とする、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属板を配置する前に前記セラミックス基板の一方の面の略全面に活性金属含有ろう材を塗布し、この活性金属含有ろう材の上に前記金属板を配置し、前記回路パターンおよび放熱板を形成した後、前記スクライブラインを形成する前に、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去することを特徴とする、請求項１に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項３】
セラミックス基板の両面に金属板を配置して、セラミックス基板の両面に金属板を接合した後、それぞれの金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して、セラミックス基板の一方の面の金属板上に回路パターン形成用レジストを形成するとともに他方の面の金属板上に放熱板形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストおよび放熱板用レジストを除去してそれぞれ複数の回路パターンおよび放熱板を形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間または他方の面の隣接する放熱板の間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより、複数の金属−セラミックス接合回路基板を製造することを特徴とする、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属板を配置する前に前記セラミックス基板の両面の略全面に活性金属含有ろう材を塗布し、この活性金属含有ろう材の上に前記金属板を配置し、前記回路パターンおよび放熱板を形成した後、前記スクライブラインを形成する前に、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去することを特徴とする、請求項３に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記活性金属含有ろう材が、銀と銅と錫と活性金属を含有することを特徴とする、請求項２または４に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記活性金属が、チタンまたはジルコニウムであることを特徴とする、請求項５に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記セラミックス基板が、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化珪素またはジルコニア含有アルミナを主成分とすることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属板が、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジストが、紫外線硬化アルカリ剥離型レジストであることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法に関し、特に、セラミックス基板に金属板が接合した金属−セラミックス接合回路基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気自動車、電車、工作機械などの大電力を制御するためにパワーモジュールが使用されており、このようなパワーモジュール用の金属−セラミックス絶縁基板として、セラミックス基板の表面にアルミニウムやアルミニウム合金などの金属からなる金属回路板を接合した金属−セラミックス接合回路基板が使用されている。
【０００３】
このような金属−セラミックス接合回路基板を製造する方法として、セラミックス基板と金属板の間にろう材を介在させ、不活性雰囲気中または真空下で加熱処理して、セラミックス基板に金属板を接合させる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、特許文献１の方法によって金属−セラミックス接合回路基板を大量生産する場合には、１枚の大きなセラミックス基板を複数のセラミックス基板に分割した後に、個々のセラミックス基板に金属板を接合させる必要があり、製造時間が長くなって製造コストが高くなる。
【０００５】
金属−セラミックス接合回路基板を大量生産する方法として、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分けるスクライブラインを形成し、セラミックス基板の一方の面に金属板を接合して金属−セラミックス接合体を得た後、スクライブラインが露出するように金属板を加工して複数の回路パターンを形成し、金属−セラミックス接合体をスクライブラインに沿って分割することによって、複数の金属−セラミックス接合基板を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、セラミックス母材に形成されたスクライブラインに沿ってセラミックス母材を複数のセラミックス基板に分割して、セラミックス基板に金属層が積層されたパワーモジュール用基板を複数製造する方法であって、セラミックス母材にレーザー光を照射してスクライブラインを形成し、このスクライブラインが形成されたセラミックス母材をアルミニウム用エッチング液で洗浄した後、セラミックス母材に金属層を形成する金属板をろう付け接合し、セラミックス母材に接合された金属板をエッチングすることによりパターンを形成した後、セラミックス母材をスクライブラインに沿って分割する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２３０８５８号公報（段落番号００１０）
【特許文献２】特開２００９−２５２９７１号公報（段落番号００１４）
【特許文献３】特開２０１５−１８５６０６号公報（段落番号００１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献２〜３の方法では、セラミックス基板と金属板を接合する前にスクライブラインを形成しているため、複数の金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後でなければ、金属−セラミックス接合回路基板の製造を開始することができない。
【０００９】
そのため、金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することが困難であった。
【００１０】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の一方の面（または両面）に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面（または両面）に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して、セラミックス基板の一方の面の金属板上に回路パターン形成用レジストを形成（またはセラミックス基板の一方の面の金属板上に回路パターン形成用レジストを形成するとともに他方の面の金属板上に放熱板形成用レジストを形成）し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターンを形成（または回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターンを形成するとともに放熱板形成用レジストを除去して複数の放熱板を形成）し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間（または他方の面の隣接する放熱板の間）にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより、金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターンを形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより、複数の金属−セラミックス接合回路基板を製造することを特徴とする。この金属−セラミックス接合回路基板の製造方法において、金属板を配置する前にセラミックス基板の一方の面の略全面に活性金属含有ろう材を塗布し、この活性金属含有ろう材の上に金属板を配置し、回路パターンおよび放熱板を形成した後、スクライブラインを形成する前に、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去してもよい。
【００１３】
また、本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の両面に金属板を配置して、セラミックス基板の両面に金属板を接合した後、それぞれの金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して、セラミックス基板の一方の面の金属板上に回路パターン形成用レジストを形成するとともに他方の面の金属板上に放熱板形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストおよび放熱板用レジストを除去してそれぞれ複数の回路パターンおよび放熱板を形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間または他方の面の隣接する放熱板の間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより、複数の金属−セラミックス接合回路基板を製造することを特徴とする。この金属−セラミックス接合回路基板の製造方法において、金属板を配置する前にセラミックス基板の両面の略全面に活性金属含有ろう材を塗布し、この活性金属含有ろう材の上に金属板を配置し、回路パターンおよび放熱板を形成した後、スクライブラインを形成する前に、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去してもよい。
【００１４】
これらの金属−セラミックス接合回路基板の製造方法において、活性金属含有ろう材は、銀と銅と錫と活性金属を含有するのが好ましく、活性金属は、チタンまたはジルコニウムであるのが好ましい。また、セラミックス基板は、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化珪素またはジルコニア含有アルミナを主成分とするのが好ましく、金属板は、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるのが好ましい。また、レジストは、紫外線硬化アルカリ剥離型レジストであるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定する前に、大きい金属−セラミックス接合基板を製造して保管しておくことができるので、金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】金属−セラミックス接合基板に回路パターン形成用レジストを形成する工程を説明する図である。
【図２】金属−セラミックス接合基板に放熱板形成用レジストを形成する工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法の実施の形態では、セラミックス基板の一方の面に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合して（図１および図２において参照符号１０で示す）金属−セラミックス接合基板を製造した後、それぞれの金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して、セラミックス基板の一方の面の金属板上に複数（図示した実施の形態では１２個（＝３×４個））の（図１において参照符号１２で示す）回路パターン形成用レジストを形成するとともに、他方の面の金属板上に複数（図示した実施の形態では１２個）の（図２において参照符号１４で示す）放熱板形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジスト１２および放熱板形成用レジスト１４を除去して、それぞれ複数の回路パターンおよび放熱板を形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間または他方の面の隣接する放熱板の間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより、複数の金属−セラミックス接合回路基板を製造する。
【００１８】
セラミックス基板は、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化珪素またはジルコニア含有アルミナを主成分とするのが好ましく、金属板は、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるのが好ましい。セラミックス基板の大きさは、複数の金属−セラミックス接合回路基板に分割することができる（例えば、平面形状が略矩形のセラミックス基板では一辺の長さが５０ｍｍ以上の）大きさであり、このセラミックス基板の両面に（好ましくは、セラミックス基板の各辺から１〜２ｍｍ程度はみ出す大きさか、あるいは、セラミックス基板の各辺から１〜２ｍｍ程度小さい大きさの）金属板を配置して、加熱することによりセラミックス基板に金属板を接合する。また、セラミックス基板の厚さは、０．２５〜２ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜１．５ｍｍであるのがさらに好ましい。また、使用するセラミックス基板は、予めレーザー加工やスクライブ加工により寸法精度の高い外形寸法にしておくのが好ましい。
【００１９】
なお、金属板を配置する前にセラミックス基板の両面の略全面に、活性金属含有ろう材（好ましくは銀と銅と活性金属を含有するろう材、さらに好ましくは銀と銅と錫と活性金属を含有するろう材（例えば、金属成分として５〜５０質量％のＣｕと１〜８質量％のＳｎと１〜５質量％の活性金属とＡｇを含むろう材））を塗布し、この活性金属含有ろう材の上に金属板を配置し、回路パターンおよび放熱板を形成した後、スクライブラインを形成する前に、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去してもよい。この活性金属含有ろう材は、一辺の長さが８０ｍｍ以上の略矩形の大きいセラミックス基板を金属板と接合する場合にも、セラミックス基板の端部に（ひび割れやボイドなどの）接合不良が生じないように、錫を含むのが好ましい。この活性金属含有ろう材の活性金属は、チタンまたはジルコニウムであるのが好ましい。なお、活性金属含有ろう材の塗布は、セラミックス基板の側面を位置決めの基準とする位置決め治具で固定して行うのが好ましい。
【００２０】
このようにして大きいセラミックス基板に金属板を接合した大きい金属−セラミックス接合基板を在庫として保管しておけば、金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる。
【００２１】
また、金属−セラミックス接合基板を製造した後、金属板の略全面を覆うように紫外線硬化アルカリ剥離型レジストインクをスクリーン印刷し、紫外線を露光してレジストインクを硬化させて、レジストを形成する。また、紫外線硬化アルカリ剥離型レジストに代えて、電着レジストを使用してもよい。なお、レジストインクの印刷は、セラミックス基板の側面を位置決めの基準とする位置決め治具で固定して行うのが好ましい。
【００２２】
このようにしてレジストを形成した後、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストおよび放熱板形成用レジストを形成する。このレーザー照射では、セラミックス基板の側面を位置決めの基準とする位置決め治具で固定して、セラミックス基板の中心を基準として、レーザーマーカーにより不要なレジストを除去して、回路パターンおよび放熱板の形状を描画する。
【００２３】
このようにして回路パターン形成用レジストを形成した後、塩化銅と塩酸と水の混合溶液などのエッチング液や、塩化鉄を含むエッチング液によって、金属板の不要な部分をエッチングし、レジスト除去液（アルカリ剥離型レジストの場合は水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ溶液）により回路パターン形成用レジストおよび放熱板形成用レジストを除去して、複数の金属回路パターンおよび放熱板を形成する。
【００２４】
このようにして複数の金属回路パターンおよび放熱板を形成し、その後、（活性金属含有ろう材を使用した場合はそのろう材の不要な部分を除去した後に）スクライブ装置を使用して単結晶ダイヤモンドの回転刃で複数回加工することにより、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間または他方の面の隣接する放熱板の間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割する。なお、セラミックス基板のスクライブ加工は、通常の超硬合金とダイヤモンドパウダーからなる刃により行うことができるが、このような刃では、窒化珪素基板、アルミナ基板または薄アルミナ基板などのセラミックス基板に接合した金属回路パターン間に直線的にスクライブライン（分割溝）を形成し難く、分割不良が生じるおそれがあるため、単結晶ダイヤモンドの回転刃で複数回加工することにより、セラミックス基板の表面の各々の回路パターンの間にスクライブラインを形成する。
【００２５】
このようにしてセラミックス基板を分割した後、あるいは、スクライブラインを形成する前に、金属回路パターンをＮｉなどによりめっきしてもよい。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明による金属−セラミックス接合回路基板の製造方法の実施例について詳細に説明する。
【００２７】
［実施例１］
セラミックス基板としての１２５ｍｍ×１０５ｍｍ×０．６ｍｍの大きさの平面形状が略矩形のＡｌＮ基板の両面の略全面に、金属成分として８３質量％の銀と１０質量％の銅と５質量％の錫と（活性金属成分としての）２質量％のチタンを含有するペースト状の活性金属含有ろう材（Ａｇ：Ｃｕ：Ｓｎ：Ｔｉ＝８３：１０：５：２）を厚さ２０μｍになるようにスクリーン印刷し、その上に金属板としての１２１ｍｍ×１０１ｍｍ×０．２５ｍｍの大きさの銅板を配置し、真空中で８５０℃に加熱してＡｌＮ基板の両面に銅板を接合することにより、金属−セラミックス接合基板を製造した。
【００２８】
次に、ＡｌＮ基板の両面に接合した銅板の略全面に紫外線硬化アルカリ剥離型レジストをスクリーン印刷により塗布し、レジストに紫外線を照射して硬化させた。
【００２９】
次に、ＡｌＮ基板の一方の面に接合した銅板（回路用銅板）の略全面に塗布されたレジストに、出力３０ＷのＹｂレーザー（株式会社キーエンス社製のＦ３００ＦＡＹｂ）によりレーザー照射してレジストの所定の部分を除去して、９個（＝３×３個）の回路パターン形成用レジストを形成した。また、ＡｌＮ基板の他方の面に接合した銅板（放熱用銅板）の略全面に塗布されたレジストに、同様のレーザーによりレーザー照射してレジストの所定の部分を除去して、９個（＝３×３個）の放熱板形成用レジストを形成した。
【００３０】
次に、塩化銅と塩酸と水とからなるエッチング液により回路用銅板の不要な部分をエッチングし、水酸化ナトリウム水溶液によりレジストを除去して９個の銅回路パターンを形成した。
【００３１】
次に、希硫酸に２０秒間浸漬して酸洗し、ＥＤＴＡとアンモニア水と過酸化水素水を含むキレート水溶液に浸漬することにより、活性金属含有ろう材の不要な部分を除去した。
【００３２】
次に、隣接する銅回路パターンの間の略中央線に沿ってスクライブ装置（株式会社ナガセインテグレックス製のＳＰＳ１５０）を使用して単結晶ダイヤモンドの回転刃を回転させながら往復動させることによりＡｌＮ基板の表面にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってＡｌＮ基板を分割して、４０ｍｍ×３０ｍｍの大きさの９個の金属−セラミックス接合回路基板を得た。
【００３３】
このようにして得られた金属−セラミックス接合回路基板を光学顕微鏡により観察（外観検査）して、ＡｌＮ基板に対する回路パターンのずれを測定したところ、設計値に対して±０．３ｍｍの範囲であり、精度は良好であった。また、各々の金属−セラミックス接合回路基板の分割面の直線性も良好であった。
【００３４】
また、得られた金属−セラミックス接合回路基板について、回路パターン面を下にして配置した後にスパン間距離３０ｍｍの中間の部分に上から荷重を加えるＪＩＳ  Ｂ７７７８に準じて、金属−セラミックス接合基板に割れ（クラック）が生じた時点の荷重から、３点曲げによる（初期の）抗折強度を測定したところ、初期の抗折強度は約６００ＭＰａであり、金属−セラミックス接合回路基板の強度は十分であった。また、通炉３回後（還元雰囲気（水素／窒素＝２０／８０）下において３５０℃で１０分間加熱した後に室温まで冷却する処理を３回繰り返した後）の３点曲げによる抗折強度を測定したところ、通炉３回後の抗折強度は約４００ＭＰａであり、金属−セラミックス接合回路基板の耐ヒートサイクル性は高かった。
【００３５】
また、得られた金属−セラミックス接合回路基板について、室温から１０分間で３８０℃まで昇温させて１０分間保持した後に５分間で室温に戻す通炉処理を５回繰り返したときに、ＡｌＮ基板にクラックが発生するか否かを目視により観察したところ、いずれもクラックの発生はなかった。また、上記の通炉処理を１０回繰り返しても、いずれもクラックの発生はなく、通炉処理を繰り返しても（クラックの発生などの）異常が生じない通炉回数（通炉耐量）は１０回以上であった。
【００３６】
［実施例２］
セラミックス基板として５６ｍｍ×５３ｍｍ×０．３８ｍｍの大きさの窒化珪素基板を使用するとともに、金属板として５２ｍｍ×４８ｍｍ×０．２５ｍｍの大きさの銅板を使用し、それぞれ４０個（＝８×５個）の回路パターン形成用レジストおよび放熱板形成用レジストを形成した以外は、実施例１と同様の方法により、（１０ｍｍ×７ｍｍの大きさの４０個の）金属−セラミックス接合回路基板を得た。
【００３７】
このようにして得られた金属−セラミックス接合回路基板を光学顕微鏡により観察（外観検査）して、窒化珪素基板に対する回路パターンのずれを測定したところ、設計値に対して±０．３ｍｍの範囲であり、精度は良好であった。また、各々の金属−セラミックス接合回路基板の分割面の直線性も良好であった。
【００３８】
［実施例３］
セラミックス基板として８９ｍｍ×６９ｍｍ×０．６ｍｍの大きさのアルミナ基板を使用するとともに、金属板として８５ｍｍ×６５ｍｍ×０．２５ｍｍの大きさの銅板を使用し、アルミナ基板上に（ろう材を印刷しないで）銅板を配置し、窒素ガス雰囲気中で１０７０℃程度に加熱してアルミナ基板に銅板を接合し、それぞれ４個（＝２×２個）の回路パターン形成用レジストおよび放熱板形成用レジストを形成した以外は、実施例１と同様の方法により、（４０ｍｍ×３０ｍｍの大きさの４個の）金属−セラミックス接合回路基板を得た。
【００３９】
このようにして得られた金属−セラミックス接合回路基板を光学顕微鏡により観察（外観検査）して、アルミナ基板に対する回路パターンのずれを測定したところ、設計値に対して±０．３ｍｍの範囲であり、精度は良好であった。また、各々の金属−セラミックス接合回路基板の分割面の直線性も良好であった。
【００４０】
［実施例４］
セラミックス基板として１１４ｍｍ×１００ｍｍ×０．２５ｍｍの大きさのアルミナ基板を使用するとともに、金属板として１１０ｍｍ×９６ｍｍ×０．２５ｍｍの大きさの銅板を使用し、アルミナ基板上に（ろう材を印刷しないで）銅板を配置し、窒素ガス雰囲気中で１０７０℃程度に加熱してアルミナ基板に銅板を接合し、それぞれ６個（＝３×２個）の回路パターン形成用レジストおよび放熱板形成用レジストを形成した以外は、実施例１と同様の方法により、（４０ｍｍ×３０ｍｍの大きさの６個の）金属−セラミックス接合回路基板を得た。
【００４１】
このようにして得られた金属−セラミックス接合回路基板を光学顕微鏡により観察（外観検査）して、アルミナ基板に対する回路パターンのずれを測定したところ、設計値に対して±０．３ｍｍの範囲であり、精度は良好であった。また、各々の金属−セラミックス接合回路基板の分割面の直線性も良好であった。
【００４２】
［比較例１］
単結晶タイヤモンドの回転刃に代えて、多結晶体ダイヤモンドの回転刃を使用した以外は、実施例２と同様の方法により、金属−セラミックス接合回路基板を得た。
【００４３】
このようにして得られた金属−セラミックス接合回路基板を光学顕微鏡により観察したところ、金属−セラミックス接合回路基板の分割面の直線性が悪かった。また、回転刃の押し付け圧、加工速度、往復回数などのスクライブの条件を変更してスクライブラインを形成しても、スクライブラインに沿って分割することができなかった。
【００４４】
［比較例２］
単結晶タイヤモンドの回転刃に代えて、多結晶体ダイヤモンドの回転刃を使用した以外は、実施例３と同様の方法により、金属−セラミックス接合回路基板を得た。
【００４５】
このようにして得られた金属−セラミックス接合回路基板を光学顕微鏡により観察したところ、金属−セラミックス接合回路基板の分割面の直線性が悪かった。また、回転刃の押し付け圧、加工速度、往復回数などのスクライブの条件を変更してスクライブラインを形成しても、スクライブラインに沿って分割することができなかった。
【符号の説明】
【００４６】
１０  金属−セラミックス接合基板
１２  回路パターン形成用レジスト
１４  放熱板形成用レジスト
【図１】
2019067845.tif 000003
【図２】
2019067845.tif 000004