(57)【要約】【課題】半導体試料における内部電界の状態および裏面反射の状態を低コストかつ短時間で分析する技術を提供する。【解決手段】電界強度取得部７０５は、遅延部４０を制御することによって、検出器３１がテラヘルツ波を第１および第２タイミングｔ１，ｔ２各々で検出するときの第１および第２電界強度Ｅ１，Ｅ２を取得する。第１タイミングｔ１は、検出器３１がパルス状のテラヘルツ波ＬＴ１について最大の第１電界強度Ｅ１を検出するように設定されるタイミングである。第２タイミングｔ２は、テラヘルツ波ＬＴ１が太陽電池基板９内で発生してから太陽電池基板９の裏面で反射して表面に到達するまでの期間に相当する遅延時間Δｔだけ第１タイミングｔ１から遅延したタイミングである。【選択図】図６
2019058042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体試料を検査する検査装置であって、
半導体試料を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記半導体試料の表面を、前記半導体試料からテラヘルツ波を放射させる検査用パルス光で走査する走査部と、
前記検査用パルス光の照射に応じて前記半導体試料から放射されたパルス状の前記テラヘルツ波を、検出用パルス光が入射するタイミングで検出する検出器と、
前記テラヘルツ波が前記検出器に到達するタイミングに対して前記検出用パルス光が前記検出器に入射するタイミングを相対的に遅延させる遅延部と、
前記遅延部を制御することによって、前記検出器が前記テラヘルツ波を第１および第２タイミング各々で検出するときの第１および第２電界強度を取得する電界強度取得部と、
前記走査部により前記検査用パルス光が照射される前記半導体試料の計測地点各々について前記電界強度取得部が取得する前記第２電界強度に基づいて、前記半導体試料における前記第２電界強度の分布を示す分布画像を生成する画像生成部と、
を備え、
前記第１タイミングは、前記検出器が前記パルス状のテラヘルツ波について最大の前記第１電界強度を検出するように設定されるタイミングであり、
前記第２タイミングは、前記テラヘルツ波が前記半導体試料内で発生してから前記半導体試料の裏面で反射して表面に到達するまでの期間に相当する遅延時間Δｔだけ前記第１タイミングから遅延したタイミングである、検査装置。
【請求項２】
請求項１の検査装置であって、
前記分布画像が、前記計測地点各々について、前記第２電界強度の第１電界強度に対する比の値の分布を示す画像である、検査装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２の検査装置であって、
前記検出器は、ダイポール型またはボウタイ型の光伝導アンテナを含み、
前記第１タイミングは、前記光伝導アンテナによって最大の電界強度である第１ピークが検出されるタイミングであり、
前記第２タイミングは、前記光伝導アンテナにより、前記第１ピークから遅延して検出される第２ピークであり、
前記第２ピークは前記第１ピークと同符号である、検査装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項の検査装置であって、
前記保持部は、半導体試料の一種である板状の太陽電池を保持可能であり、
前記走査部は、前記保持部に保持された前記太陽電池における太陽光の受光面側に前記検査用パルス光を入射させる、検査装置。
【請求項５】
半導体試料を検査する検査方法であって、
（ａ）半導体試料を保持部で保持する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）で前記保持部に保持された前記半導体試料の表面を、前記半導体試料からテラヘルツ波を放射させる検査用パルス光で走査する工程と、
（ｃ）検出用パルス光が入射するタイミングでテラヘルツ波を検出する検出器によって前記工程（ｂ）で前記検査用パルス光の照射に応じて前記半導体試料から放射されたパルス状の前記テラヘルツ波を検出する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）にて、前記テラヘルツ波が前記検出器に到達する時間に対して前記検出用パルス光が前記検出器に入射する時間を相対的に遅延させる工程と、
（ｅ）前記工程（ｃ）にて、前記検出器が前記テラヘルツ波を第１および第２タイミング各々で検出するときの第１および第２電界強度を取得する工程と、
（ｆ）前記工程（ｂ）における前記検査用パルス光が照射される前記半導体試料の計測地点各々について、前記工程（ｆ）にて取得された前記第２電界強度に基づき、前記半導体試料における前記第２電界強度の分布を示す分布画像を生成する工程と、
を含み、
前記第１タイミングは、前記検出器が前記パルス状のテラヘルツ波について最大の前記第１電界強度を検出するように設定されるタイミングであり、
前記第２タイミングは、前記テラヘルツ波が前記半導体試料内で発生してから前記半導体試料の裏面で反射して表面に到達するまでの期間に相当する遅延時間Δｔだけ前記第１タイミングから遅延したタイミングである、検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体試料を検査する技術であって、特に、半導体試料の裏面反射特性を分析する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体試料にフェムト秒レーザパルスを照射すると、発生した光励起キャリアが内部電界によって加速され、それによりテラヘルツ波が発生することが知られている。また、その原理を材料またはデバイス分析システムに応用した装置として、レーザテラヘルツエミッション顕微鏡（ＬＴＥＭ：Laser Terahertz Emission Microscope）として知られている。
【０００３】
このＬＴＥＭを、たとえばフォトデバイスの一種である太陽電池に適用した場合、太陽電池内のサブピコ秒オーダーの内部電界の変化および光励起キャリアの振る舞いを計測することができる。このため、太陽電池の変換効率など、性能向上のための情報をうることができる（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、フォトデバイスの一種である太陽電池では、変換効率向上のため、光の有効利用という面で表面での反射率を低減するのはもちろんのこと、太陽電池裏面に到達した一部の光も裏面で反射され、再び太陽電池内部に戻って発電に寄与しうる。このため、一般的には、太陽電池裏面の反射率が高くする程、変換効率が向上すると考えられている。したがって、太陽電池裏面の状態を検査することは重要であると考えられる。
【０００５】
太陽電池裏面の状態を検査する手法として、これまでにもいくつか提案されている（たとえば、特許文献２，３参照）。従来の検査技術では、裏面の情報を取得するために、比較的長い波長（たとえば約１１００ｎｍ〜１２５０ｎｍ）の光を使った分光反射率測定装置を用いて、太陽電池裏面における反射率を測定し評価される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１７５４４２号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３３７５７号公報
【特許文献３】特開２００２−２７０８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したように、フォトデバイスの一種である太陽電池について、内部電界に関する分析および裏面反射特性に関する分析の双方を行う場合、ＬＴＥＭおよび上記分光反射率測定装置の双方が必要であった。このため、検査コストが高くなるという問題があった。また、これらの検査は個別に行われるため、検査時間が長くなるという問題もあった。
【０００８】
そこで、本発明は、半導体試料における内部電界の状態および裏面反射特性を低コストかつ短時間で分析する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、第１態様は、半導体試料を検査する検査装置であって、半導体試料を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記半導体試料の表面を、前記半導体試料からテラヘルツ波を放射させる検査用パルス光で走査する走査部と、前記検査用パルス光の照射に応じて前記半導体試料から放射されたパルス状の前記テラヘルツ波を、検出用パルス光が入射するタイミングで検出する検出器と、前記テラヘルツ波が前記検出器に到達するタイミングに対して前記検出用パルス光が前記検出器に入射するタイミングを相対的に遅延させる遅延部と、前記遅延部を制御することによって、前記検出器が前記テラヘルツ波を第１および第２タイミング各々で検出するときの第１および第２電界強度を取得する電界強度取得部と、前記走査部により前記検査用パルス光が照射される前記半導体試料の計測地点各々について前記電界強度取得部が取得する前記第２電界強度に基づいて、前記半導体試料における前記第２電界強度の分布を示す分布画像を生成する画像生成部とを備え、前記第１タイミングは、前記検出器が前記パルス状のテラヘルツ波について最大の前記第１電界強度を検出するように設定されるタイミングであり、前記第２タイミングは、前記テラヘルツ波が前記半導体試料内で発生してから前記半導体試料の裏面で反射して表面に到達するまでの期間に相当する遅延時間Δｔだけ前記第１タイミングから遅延したタイミングである。
【００１０】
また、第２態様は、第１の検査装置であって、前記分布画像が、前記計測地点各々について、前記第２電界強度の第１電界強度に対する比の値の分布を示す画像である。
【００１１】
また、第３態様は、第１または第２態様の検査装置であって、前記検出器は、ダイポール型またはボウタイ型の光伝導アンテナを含み、前記第１タイミングは、前記光伝導アンテナによって最大の電界強度である第１ピークが検出されるタイミングであり、前記第２タイミングは、前記光伝導アンテナにより、前記第１ピークから遅延して検出される第２ピークであり、前記第２ピークは前記第１ピークと同符号である。
【００１２】
また、第４態様は、第１から第３態様のいずれか１つの検査装置であって、前記保持部は、半導体試料の一種である板状の太陽電池を保持可能であり、前記走査部は、前記保持部に保持された前記太陽電池における太陽光の受光面側に前記検査用パルス光を入射させる。
【００１３】
また、第５態様は、半導体試料を検査する検査方法であって、（ａ）半導体試料を保持部で保持する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）で前記保持部に保持された前記半導体試料の表面を、前記半導体試料からテラヘルツ波を放射させる検査用パルス光で走査する工程と、（ｃ）検出用パルス光が入射するタイミングでテラヘルツ波を検出する検出器によって前記工程（ｂ）で前記検査用パルス光の照射に応じて前記半導体試料から放射されたパルス状の前記テラヘルツ波を検出する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）にて、前記テラヘルツ波が前記検出器に到達する時間に対して前記検出用パルス光が前記検出器に入射する時間を相対的に遅延させる工程と、（ｅ）前記工程（ｃ）にて、前記検出器が前記テラヘルツ波を第１および第２タイミング各々で検出するときの第１および第２電界強度を取得する工程と、（ｆ）前記工程（ｂ）における前記検査用パルス光が照射される前記半導体試料の計測地点各々について、前記工程（ｆ）にて取得された前記第２電界強度に基づき、前記半導体試料における前記第２電界強度の分布を示す分布画像を生成する工程とを含み、前記第１タイミングは、前記検出器が前記パルス状のテラヘルツ波について最大の前記第１電界強度を検出するように設定されるタイミングであり、前記第２タイミングは、前記テラヘルツ波が前記半導体試料内で発生してから前記半導体試料の裏面で反射して表面に到達するまでの期間に相当する遅延時間Δｔだけ前記第１タイミングから遅延したタイミングである。
【発明の効果】
【００１４】
第１態様の検査装置によると、半導体試料で発生したテラヘルツ波は、直接表面側に放射されるとともに、裏面反射して表面側に放射される。直接表面側に放射されるテラヘルツ波は、電界強度が最大となる第１電界強度として検出される。第１電界強度は半導体試料の内部電界に対応した強度であるため、この第１電界強度から半導体試料における内部電界の状態を検査できる。また、裏面反射したテラヘルツ波は、直接表面側に放射されたテラヘルツ波に対して、半導体試料の厚さに相関した時間分遅れて放射される。このため、第１電界強度が検出されるときから半導体試料の厚さに相関した時間分だけ遅延して検出される第２電界強度を取得することにより、裏面反射したテラヘルツ波の強度を計測できる。この第２電界強度を特定することにより、半導体試料の裏面反射に関する情報を得ることができる。したがって、同一の検査装置で、内部電界の情報および裏面反射特性に関する情報を得ることができるため、検査コストを抑えつつ、効率的に半導体試料を分析できる。
【００１５】
第２態様の検査装置によると、第２電界強度の第１電界強度に対する比の値を求めることにより、反射率の度合いを示す分布画像を取得できる。
【００１６】
第３態様の検査装置によると、第２電界強度が時間波形においてピークとして検出されるため、第２電界強度の特定が容易となる。
【００１７】
第４態様の検査装置によると、板状の太陽電池の裏面におけるテラヘルツ波の反射特性を検査できる。太陽電池では、変換効率向上のため裏面に到達した光を反射させることにより、発電に寄与させている。このため、太陽電池におけるテラヘルツ波の裏面反射を計測することにより、太陽電池の発電性能を検査しうる。
【００１８】
第５態様の検査方法によると、上記第１態様と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態の検査装置１の概略構成図である。
【図２】実施形態の検査装置１の光照射部２０および検出部３０を示す概略構成図である。
【図３】太陽電池基板９の一部を示す概略平面図（上）および概略断面図（下）である。
【図４】ダイポール型の光伝導アンテナ３１０の概略平面図である。
【図５】太陽電池基板９の裏面で反射するテラヘルツ波ＬＴ１を概念的に示す概略側面図である。
【図６】太陽電池基板９の表面上の一計測地点において発生したテラヘルツ波ＬＴ１の時間波形ＴＷ１を示す図である。
【図７】実施形態の検査装置１を用いた太陽電池基板９の検査の流れを示す図である。
【図８】第１電界強度分布画像Ｍ１を示す図である。
【図９】第２電界強度分布画像Ｍ２を示す図である。
【図１０】反射率分布画像Ｍ３を示す図である。
【図１１】スパイラル型の光伝導アンテナを用いた場合におけるテラヘルツ波ＬＴ１の時間波形ＴＷ２を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００２１】
＜１．  実施形態＞
図１は、実施形態の検査装置１の概略構成図である。図２は、実施形態の検査装置１の光照射部２０および検出部３０を示す概略構成図である。検査装置１は、検査対象物である半導体試料に対し、所定波長のパルス光を照射し、その光の照射に応じて半導体試料が放射するテラヘルツ領域（具体的には、周波数が０．１ＴＨｚ〜１０ＴＨｚ）の電磁波（以下、「テラヘルツ波」と称する。）を検出する。このテラヘルツ波を検出することにより、半導体試料の特性を検査する。
【００２２】
半導体試料は、半導体デバイスとフォトデバイスを含みうる。半導体デバイスは、半導体により構成されたトランジスタ、集積回路（ＩＣまたはＬＳＴ）、抵抗またはコンデンサなどを含む電子装置である。また、フォトデバイスは、フォトダイオード、ＣＭＯＳセンサもしくはＣＣＤセンサなどのイメージセンサ、太陽電池またはＬＥＤなど、半導体における光電効果を利用する電子装置である。以下では、半導体試料が太陽電池用シリコン基板（以下、「太陽電池基板」と称する。）９である場合を主に説明する。
【００２３】
図３は、太陽電池基板９の一部を示す概略平面図（上）および概略断面図（下）である。太陽電池基板９は、下から順に、ｐ型シリコン層９１、ｎ型シリコン層９２およびパッシベーション膜９３を備える。パッシベーション膜９３は、いわゆる反射防止膜であり、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ膜）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）である。また、ｐ型シリコン層９１およびｎ型シリコン層９２の接合部分が、ｐｎ接合部９７である。太陽電池基板９のうち、パッシベーション膜９３側が受光面となっている。
【００２４】
また、太陽電池基板９は、裏面側（ｐ型シリコン層９１側）に設けられた裏面電極９５と、表面側（パッシベーション膜９３側）に設けられた表面電極９６とを有する太陽電池セルである。図３に示す表面電極９６は、直線状に延びる複数のフィンガー電極である。裏面電極９５および表面電極９６は、アルミニウムなどで形成されている。太陽電池セルに、半田付け、積層体作成、ラミネート処理が施されることにより、太陽電池モジュールが完成する。なお、検査装置１においては、図３に示すような太陽電池セルだけではなく、太陽電池モジュールなど検査対象とすることも考えられる。
【００２５】
太陽電池基板９は平板状に形成されている。ただし、検査装置１の検査対象となる半導体試料は、太陽電池基板９のように平板状であることは必須ではない。
【００２６】
図１に示すように、検査装置１は、ステージ１０、光照射部２０、検出部３０、遅延部４０（図２参照）、ステージ駆動部５０および制御部７０を備えている。
【００２７】
ステージ１０は、平坦な表面を有する部材であり、図示を省略する固定手段により、板状の太陽電池基板９をその表面上に保持する。固定手段としては、太陽電池基板９の両端部を挟持する挟持具、太陽電池基板９の裏側主面に粘着する粘着シート、ステージ１０の表面に形成される吸着孔からエアを吸引する手段など、種々のものが考えられる。なお、挟持具のように太陽電池基板９を挟持するものである場合、当該挟持具は、金属製よりも樹脂製である方が好ましい。ステージ１０は、半導体試料を保持する保持部の一例である。
【００２８】
＜光照射部２０＞
図２に示すように、光照射部２０は、フェムト秒レーザ２１を備えている。フェムト秒レーザ２１は、例えば、３００ｎｍ（ナノメートル）以上１．５μｍ（マイクロメートル）以下の可視光領域を含む波長のパルス光ＬＰ１を出力する。好適な例としては、中心波長が８００ｎｍ付近であり、周期が数ｋＨｚ〜数百ＭＨｚ、パルス幅が１０〜１５０フェムト秒程度の直線偏光のパルス光が、フェムト秒レーザから放射される。もちろん、その他の波長領域（例えば、青色波長（４５０〜４９５ｎｍ）、緑色波長（４９５〜５７０ｎｍ）の可視光波長）のパルス光が出射されるようにしてもよい。
【００２９】
フェムト秒レーザ２１から出射されたパルス光ＬＰ１は、ビームスプリッタＢＥ１により２つに分光される。一方のパルス光は、検査用パルス光ＬＰ１１として、太陽電池基板９の表面に照射され、もう一方のパルス光は、後述する検出用パルス光ＬＰ２１として、検出部３０に照射される。ステージ１０は、太陽電池基板９の表面側（パッシベーション膜９３側）に検査用パルス光ＬＰ１１が入射するように太陽電池基板９を保持する。光照射部２０は、検査用パルス光ＬＰ１１の光軸がパッシベーション膜９３の表面に対して斜めになるように、検査用パルス光ＬＰ１１を太陽電池基板９に照射する。
【００３０】
本実施形態では、光照射部２０は、検査用パルス光ＬＰ１１を、ステージ１０に保持された太陽電池基板９の受光面（光が入射するように設計されている採光面）に照射する。また、太陽電池基板９の表面に対する検査用パルス光ＬＰ１１の入射角度を４５°としている。ただし、入射角度は、これに限定されるものではなく、０°から９０°の範囲内で任意に設定しうる。また、検査用パルス光ＬＰ１１の入射角度が変更可能なように光照射部２０を構成してもよい。
【００３１】
検査用パルス光ＬＰ１１は、パッシベーション膜９３に対してスポット状に照射される。パッシベーション膜９３における検査用パルス光ＬＰ１１のスポット径（照射径）は、例えば１μｍ〜１０ｍｍとされるが、これに限定されるものではない。
【００３２】
太陽電池基板９の内部電界が存在する部位に、禁制帯幅を超えるエネルギーを持つ検査用パルス光ＬＰ１１（パルス光）が照射されると、光励起キャリア（自由電子および自由正孔）が発生する。その光励起キャリアは、太陽電池基板９の内部電場によって加速される。これによりパルス状の電流が発生することとなり、それに応じて、検査用パルス光ＬＰ１１とは波長領域が異なるパルス状のテラヘルツ波ＬＴ１（テラヘルツ波）が発生する。このため、テラヘルツ波ＬＴ１を計測することにより、内部電界の状態（強さや電界の向きなど）を検査しうる。
【００３３】
＜検出部３０＞
検出部３０は、検査用パルス光ＬＰ１１の照射に応じて太陽電池基板９が放射するテラヘルツ波ＬＴ１を検出する検出器３１を備えている。検出器３１は、テラヘルツ波ＬＴ１が入射する太陽電池基板９の表面と同一の面側に放射されるテラヘルツ波ＬＴ１を検出するように設けられている。検出器３１は、ここでは、ダイポール型の光伝導アンテナ３１０により構成されている。
【００３４】
図４は、ダイポール型の光伝導アンテナ３１０の概略平面図である。ダイポール型の光伝導アンテナ３１０は、検出用パルス光ＬＰ２１が入射したときに電子および正孔を生成する光伝導膜３１１、および、光伝導膜３１１上に平行に形成された金属製の一対の平行伝送線３１２，３１２（電極）を備える。一対の平行伝送線３１２，３１２各々の中央部には、内向きに延びてギャップ（たとえば５μｍ）を形成する一対の突出部（アンテナ３１３）が設けられている。また、一対の平行伝送線３１２、３１２間には、電流計３１４が設けられる。
【００３５】
アンテナ３１３，３１３間のギャップに検出用パルス光ＬＰ２１が照射されると、光伝導膜３１１において光励起キャリアが生成される。光励起キャリアが生成されても、テラヘルツ波ＬＴ１がギャップに入射していない状態では、ギャップ間に電位差が生じていないため、アンテナ３１３，３１３間に電流は発生しない。一方、テラヘルツ波ＬＴ１が検出用パルス光ＬＰ２１と重なるタイミングで入射すると、アンテナ３１３，３１３間にテラヘルツ波ＬＴ１の強度に比例した電位差が瞬時的に発生し、電流が発生する。電流計３１４によって測定された電流量は、図示しないロックインアンプやＡ／Ｄ変換回路などを介してデジタル量に変換され、制御部７０に取り込まれる。
【００３６】
このように、検出器３１は、光伝導アンテナ３１０を備えることにより、検出用パルス光ＬＰ２１の照射に応じて太陽電池基板９が放射するテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を検出する。
【００３７】
なお、検出器３１の光伝導アンテナ３１０は、図４に示すように、ダイポール型であることは必須ではなく、たとえば、ボウタイ型であってもよい。ボウタイ型の光伝導アンテナは、アンテナ部分が先細り状に形成されている点で、ダイポール型の光伝導アンテナ３１０と相違する。
【００３８】
＜遅延部４０＞
遅延部４０は、検出用パルス光ＬＰ２１に遅延を与える遅延機構である。図２に示すように、遅延部４０は、遅延ステージ４１および遅延ステージ駆動部４３を備えている。
【００３９】
遅延ステージ４１は、検出用パルス光ＬＰ２１の光路上に設けられている。遅延ステージ４１は、検出用パルス光ＬＰ２１をその入射方向と平行に、かつ、その入射時の光軸からずらして反射する反射ミラー４１Ｍを備えている。反射ミラー４１Ｍで反射したＬＰ２１は、その光路上に配されたミラー群で反射して、検出器３１に導かれる。
【００４０】
遅延ステージ駆動部４３は、遅延ステージ４１を、反射ミラー４１Ｍに入射する検出用パルス光ＬＰ２１の光路に沿って直線的に往復移動させる。これにより、検出用パルス光ＬＰ２１の光路長が変更されるため、検出用パルス光ＬＰ２１が検出器３１に到達する時間が遅延されることとなる。すなわち、検出器３１がテラヘルツ波ＬＴ１を検出するタイミングが遅延される。太陽電池基板９が放射するテラヘルツ波ＬＴ１は、パルス波である。このため、検出用パルス光ＬＰ２１に遅延を与えることにより、テラヘルツ波ＬＴ１の強度を位相毎に検出し得る。
【００４１】
なお、本実施形態では遅延部４０は、検出用パルス光ＬＰ２１に遅延を与えている。しかしながら、検査用パルス光ＬＰ１１に遅延を与えるようにしてもよい。具体的には、検査用パルス光ＬＰ１１の光路上に遅延ステージ４１を設けて、その遅延ステージ４１を遅延ステージ駆動部４３により移動させることにより、検査用パルス光ＬＰ１１の光路長を変更するとよい。これにより、太陽電池基板９に検査用パルス光ＬＰ１１が入射するタイミングを遅延でき、もって、テラヘルツ波ＬＴ１が発生するタイミング、ひいては、テラヘルツ波ＬＴ１が検出器３１に到達するタイミングを遅延できる。したがって、検査用パルス光ＬＰ１１に遅延を与えることにより、テラヘルツ波ＬＴ１の強度を異なる位相毎に検出し得る。
【００４２】
＜ステージ駆動部５０＞
ステージ駆動部５０は、ステージ１０をその上面に平行な水平面内に沿って、光照射部２０および検出部３０に対して相対移動させる。これによって、検査装置１は、ステージ１０の上面に保持された太陽電池基板９の表面（パッシベーション膜９３）を、検査用パルス光ＬＰ１１で走査する。ステージ駆動部５０および光照射部２０は、走査部の一例である。
【００４３】
なお、走査部は、ステージ駆動部５０のような構成に限定されない。例えば、光照射部２０および検出部３０を水平面内で移動させる機構を走査部として設けてもよい。光照射部２０を水平面内で移動させることにより、ステージ１０に保持された太陽電池基板９の表面を、検査用パルス光ＬＰ１１で走査し得る。また、走査部として、検査用パルス光ＬＰ１１の光路を変更する変更手段（ガルバノミラー等）を設けてもよい。この変更手段で検査用パルス光ＬＰ１１の光路を変更することにより、太陽電池基板９の表面を検査用パルス光ＬＰ１１で走査しうる。
【００４４】
＜制御部７０＞
制御部７０は、検査装置１の動作を制御する。制御部７０は、一般的なコンピュータとしての構成（ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなど）を備えている。また、制御部７０は、記憶部７２を備えている。なお、記憶部７２は、ＲＡＭなどの一時的に情報を記憶するものであってもよい。さらに、制御部７０には、各種情報を表示する液晶ディスプレイで構成される表示部７４、および、キーボードやマウス等の各種入力デバイスで構成される操作部７６が接続されている。
【００４５】
図１に示すように、制御部７０のＣＰＵが所定のプログラムに従って動作することにより、制御部７０はステージ駆動制御部７０２、遅延ステージ駆動制御部７０３、時間波形復元部７０４、電界強度取得部７０５、および、画像生成部７０７として機能する。
【００４６】
ステージ駆動制御部７０２は、ステージ駆動部５０を制御する。ステージ駆動制御部７０２は、オペレータによる太陽電池基板９上の検査対象箇所を指定する操作入力を、操作部７６を介して受け付ける。ステージ駆動制御部７０２は、受け付けた操作入力に基づきステージ駆動部５０を制御することにより、その検査対象箇所が検査用パルス光ＬＰ１１の入射位置に合うように、ステージ１０を移動させる。また、ステージ駆動制御部７０２は、オペレータが検査したい検査対象範囲を指定する操作入力を受け付ける。そして、受け付けた検査対象範囲が検査用パルス光ＬＰ１１で走査されるように、ステージ１０を移動させる。
【００４７】
遅延ステージ駆動制御部７０３は、遅延ステージ駆動部４３を制御することにより遅延ステージ４１を移動させ、検出用パルス光ＬＰ２１に時間遅延を付与する。これによって、パルス状に発生するテラヘルツ波ＬＴ１について、位相毎の電界強度が検出される。
【００４８】
時間波形復元部７０４は、遅延ステージ駆動制御部７０３が遅延ステージ駆動部４３を制御することにより収集されたテラヘルツ波ＬＴ１の位相毎の電界強度に基づき、テラヘルツ波ＬＴ１の時間波形を復元する。より詳細には、時間波形復元部７０４は、横軸を位相（時間）、縦軸を電界強度とする二次元座標上に、検出された電界強度をプロットすることによって、テラヘルツ波ＬＴ１の時間波形を復元する。
【００４９】
電界強度取得部７０５は、遅延部４０を制御することによって、検出器３１がテラヘルツ波ＬＴ１を第１および第２タイミングｔ１，ｔ２で検出するときの第１および第２電界強度を取得する。第１タイミングｔ１は、検出器３１がパルス状のテラヘルツ波ＬＴ１について最大の第１電界強度Ｅ１（正のピーク値）を検出するように設定されるタイミングである。また、第２タイミングｔ２は、テラヘルツ波ＬＴ１が太陽電池基板９内で発生してから太陽電池基板９の裏面（ここでは、裏面電極９５）で反射してから表面に到達するまでの期間に相当する遅延時間Δｔだけ第１タイミングから遅延したタイミングである（すなわち、ｔ２＝ｔ１＋Δｔ）。
【００５０】
ここで第１および第２タイミングｔ１，ｔ２について具体的に説明する。図５は、太陽電池基板９の裏面で反射するテラヘルツ波ＬＴ１を概念的に示す概略側面図である。図５に示すように、上述したように、太陽電池基板９の表面に検査用パルス光ＬＰ１１が照射されると、主に、太陽電池基板９内の空乏層付近に発生する。この空乏層は、太陽電池基板９の表面に近い部分であるため、テラヘルツ波ＬＴ１もこの表面付近で主に発生しうる。太陽電池基板９の表面付近で発生したテラヘルツ波ＬＴ１は、表面側に直接放射されるテラヘルツ波ＬＴ１ａと、裏面側に進むテラヘルツ波ＬＴ１ｂとを含む。テラヘルツ波ＬＴ１ｂは、太陽電池基板９の裏面（たとえば裏面電極９５）で反射して表面に進んだ後、太陽電池基板９の表面から放射される。このため、テラヘルツ波ＬＴ１ｂは、テラヘルツ波ＬＴ１ａに対して時間Δｔだけ遅延して検出器３１に到達することとなる。
【００５１】
この時間Δｔは、太陽電池基板９の幅をｄ、屈折率をｎ、光速をｃとおくと次式（１）で表される。
【００５２】
【数１】
2019058042.tif 000003
【００５３】
そこで、テラヘルツ波ＬＴ１ａに対して時間Δｔだけ遅延して計測されるテラヘルツ波ＬＴ１ｂの電界強度を検出することにより、裏面反射したテラヘルツ波ＬＴ１の情報を得ることができる。このような情報を得ることにより、検出用パルス光ＬＰ２１を照射した計測地点における裏面状態を検査できる。
【００５４】
図６は、太陽電池基板９の表面上の一計測地点において発生したテラヘルツ波ＬＴ１の時間波形ＴＷ１を示す図である。時間波形ＴＷ１は、遅延ステージ駆動制御部７０３が遅延ステージ駆動部４３を制御することにより、テラヘルツ波ＬＴ１を検出器３１が異なるタイミングで検出した電界強度を、時間波形復元部７０４が時間軸に沿って二次元座標上にプロットしたものである。
【００５５】
図６に示すように、時間波形ＴＷ１は、最大の電界強度となる第１ピークＰ１、および、第１ピークＰ１から遅延して現れるピークであって第１ピークＰ１と同符号（ここでは正）である第２ピークＰ２を含んでいる。
【００５６】
ここで、第１ピークＰ１は、図５に示したように、太陽電池基板９で発生したテラヘルツ波ＬＴ１のうち、表面側に直接放射されたテラヘルツ波ＬＴ１ａが寄与する電界強度であると考えられる。また、第１ピークＰ１から遅延して検出される第２ピークＰ２は、図５に示したように、太陽電池基板９で発生したテラヘルツ波ＬＴ１のうち、裏面で反射したテラヘルツ波ＬＴ１ｂが主に寄与する電界強度であると考えられる。図６に示す例では、第２ピークＰ２の第１ピークＰ１に対する遅延時間は３．４（ｐｓ）であるから、これを式（１）に代入して基板の厚さｄを求める。結晶シリコンである太陽電池基板９の屈折率３、光速ｃを３×１０８（ｍ／ｓ）とすると、次式（２）のようにｄが求められる。
【００５７】
【数２】
2019058042.tif 000004
【００５８】
式（２）で求められた１７０μｍは、太陽電池基板９の厚さの実寸に近い値であることから、第２ピークＰ２の第１ピークＰ１に対する遅延時間は、テラヘルツ波ＬＴ１ｂがテラヘルツ波ＬＴ１ａに対して遅延した時間Δｔに相当する時間であると考えられる。このことから、第２ピークＰ２が示す電界強度は、太陽電池基板９の裏面で反射したテラヘルツ波ＬＴ１ｂが主に寄与する電界強度であることが裏付けられる。
【００５９】
以上のように、第１および第２ピークＰ１，Ｐ２が示す電界強度（第１および第２電界強度Ｅ１，Ｅ２）を取得することにより、太陽電池基板９にて発生するテラヘルツ波ＬＴ１の強度情報のほか、太陽電池基板９の裏面で反射するテラヘルツ波の強度を取得できる。
【００６０】
このような原理に基づき、電界強度取得部７０５は、遅延部４０を制御することにより、検出器３１にてテラヘルツ波ＬＴ１を第１および第２タイミングｔ１，ｔ２で検出する。これにより、電界強度取得部７０５は、第１および第２電界強度Ｅ１，Ｅ２を取得する。検査装置１では、検査用パルス光ＬＰ１１で太陽電池基板９の表面が走査されることにより、複数の計測地点に検査用パルス光ＬＰ１１が照射される。電界強度取得部７０５は、これら複数の計測地点の各々について、上記第１および第２タイミングｔ１，ｔ２でテラヘルツ波ＬＴ１の検出を行うことにより、第１および第２電界強度Ｅ１，Ｅ２を取得する。
【００６１】
画像生成部７０７は、表示部７４に表示する画像を生成する。画像生成部７０７は、たとえば、計測地点各々について電界強度取得部７０５によって取得される第２電界強度Ｅ２に基づいて、太陽電池基板９における第２電界強度の分布（面内分布）を示す分布画像（第２電界強度分布画像）を生成する。
【００６２】
また、画像生成部７０７は、計測地点各々について電界強度取得部７０５によって取得される第１電界強度Ｅ１に基づいて、太陽電池基板９における第１電界強度の分布（面内分布）を示す分布画像（第１電界強度分布画像）を生成する。
【００６３】
さらに、画像生成部７０７は、計測地点各々について電界強度取得部７０５によって取得される第２電界強度Ｅ２の第１電界強度Ｅ１に対する比の値の分布（面内分布）を示す分布画像（反射率分布画像）を生成する。
【００６４】
上記各分布画像は、電界強度（または比の値）の計測地点毎の相違を、その大きさに応じて異なる色または異なる模様で視覚的に表す画像である。
【００６５】
＜動作＞
次に、検査装置１の動作について説明する。図７は、実施形態の検査装置１を用いた太陽電池基板９の検査の流れを示す図である。なお、以下の各動作は、特に断らない限りは、制御部７０の制御下で行われるものとする。
【００６６】
まず、太陽電池基板９が検査装置１に搬入され、ステージ１０に保持される（ステップＳ１１）。この搬入動作は、人間が行ってもよいし、ロボットなどの搬送装置が行ってもよい。ステージ１０に搬入された太陽電池基板９は、ステージ１０上の一定位置に保持される。ステージ１０は、太陽電池基板９の表面（太陽光の受光面）に検査用パルス光ＬＰ１１が入射する姿勢で太陽電池基板９を保持する。
【００６７】
続いて、検査装置１は、太陽電池基板９の任意の位置について、テラヘルツ波計測を行う（ステップＳ１２）。このとき、ステージ駆動部５０によって太陽電池基板９を適宜の位置に移動させてもよい。ステップＳ１２では、光照射部２０が検査用パルス光ＬＰ１１を太陽電池基板９の表面上の任意の位置に集光させることによって、検査用パルス光ＬＰ１１が太陽電池基板９の表面よりも小さいサイズでスポット状に照射される。そして、検査用パルス光ＬＰ１１の照射に応じて太陽電池基板９から放射されたテラヘルツ波ＬＴ１が、検出器３１によって検出される。検出器３１は、太陽電池基板９の検査用パルス光ＬＰ１１が入射する表面と同じ側に放射されるテラヘルツ波ＬＴ１を検出する。
【００６８】
また、ステップＳ１２では、遅延ステージ駆動制御部７０３が遅延ステージ駆動部４３を制御して、遅延ステージ４１を移動させる。これにより、検出用パルス光ＬＰ２１に遅延時間が与えられるため、検出器３１が、入射するパルス状のテラヘルツ波ＬＴ１の電界強度を異なるタイミングで検出する。これにより、テラヘルツ波ＬＴ１の異なる位相毎の電界強度が検出される。検出された電界強度を示すデータは、制御部７０に送られ、記憶部７２がこのデータを記憶する。
【００６９】
続いて、時間波形復元部７０４が、ステップＳ１２で取得された異なる位相毎の電界強度から、時間波形を復元する（ステップＳ１３）。詳細には、図６に示すように、横軸が位相（時間）、縦軸が電界強度で定義された二次元座標において、各位相の電界強度がプロットされることにより、テラヘルツ波ＬＴ１の時間波形ＴＷ１が得られる。
【００７０】
続いて、電界強度取得部７０５が第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を記憶部７２に保存する（ステップＳ１４）。既述のように、第１および第２タイミングｔ１，ｔ２は、それぞれ、検出器３１によりパルス状のテラヘルツ波ＬＴ１における第１および第２ピークＰ１，Ｐ２が検出されるタイミングである（図６参照）。ここでは、ステップＳ１２で計測された電界強度に基づいて、第１および第２タイミングｔ１，ｔ２が特定され、その後、電界強度取得部７０５が第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を記憶部７２に保存する。ここで、第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を特定する態様としては、以下の態様が考えられる。
【００７１】
まず、第１の態様は、オペレータが第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を特定する態様である。この場合、ステップＳ１３で生成された時間波形ＴＷ１を表示部７４に表示される。そして、オペレータが、時間波形ＴＷ１において、最も大きい正の第１ピークＰ１とるタイミングを第１タイミングｔ１とし、その第１ピークＰ１からΔｔ遅延して現れる正の第２ピークＰ２をとるタイミングを第２タイミングｔ２とする所定入力操作を行う。この入力操作は、たとえば、表示部７４の画面に表示された所定のカーソルで、時間波形ＴＷ１における第１および第２ピークＰ１，Ｐ２を選択するような操作とすることが考えられる。このような入力操作に基づき、電界強度取得部７０５が第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を記憶部７２に保存するとよい。
【００７２】
また、第２の態様は、電界強度取得部７０５が第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を自動的に特定する態様である。所定のアルゴリズムにしたがって、電界強度取得部７０５が、ステップＳ１２で計測された電界強度を読み取って、第１および第２ピークＰ１，Ｐ２を特定し、それぞれに対応する第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を特定するとよい。この場合、ステップＳ１３における時間波形ＴＷ１の生成は必須ではない。したがって、検査装置１はステップＳ１３をスキップしてもよい。
【００７３】
また、第３の態様は、第１および第２タイミングｔ１，ｔ２のうち、一方をオペレータが特定し、他方を電界強度取得部７０５が自動で特定する態様である。たとえば、第１ピークＰ１は比較的大きい電界強度であるため、電界強度取得部７０５によっても比較的精度良く自動検出できると考えられる。これに対して、第２ピークＰ２は、比較的小さい値であるため、自動検出した場合、ノイズなどに邪魔されて良好に検出することが困難な場合が想定される。そこで、第１ピークＰ１に対応する第１タイミングｔ１については電界強度取得部７０５が自動で特定し、第２ピークＰ２に対応する第２タイミングｔ２についてはオペレータが特定することが考えられる。もちろん、第１タイミングｔ１をオペレータが特定し、第２タイミングｔ２を電界強度取得部７０５が特定するようにしてもよい。
【００７４】
なお、上記説明では、第２タイミングｔ２は第２ピークＰ２から求められているが、これは必須ではない。たとえば、第１タイミングｔ１が決定された状態で、電界強度取得部７０５が、式（２）に基づき時間Δｔを算出し、第１タイミングｔ１に時間Δｔを加算することによって、第２タイミングｔ２が算出されてもよい。この場合、電界強度取得部７０５が、太陽電池基板９の厚さｄおよび屈折率ｎに関する情報の入力を適宜のタイミングで受け付けるとよい。
【００７５】
なお、第１および第２タイミングｔ１，ｔ２は、遅延ステージ４１の各位置に対応するものである。このため、ステップＳ１４において、第１および第２タイミングｔ１，ｔ２を保存することは、遅延ステージ４１の各位置（詳細には、遅延ステージ駆動部４３の駆動情報）を記憶部７２が記憶することと等価である。
【００７６】
続いて、電界強度取得部７０５が、検出器３１の検出タイミングを第１タイミングｔ１に固定して、テラヘルツ波計測を行う（ステップＳ１５）。具体的には、電界強度取得部７０５が、遅延ステージ駆動部４３を制御することにより、遅延ステージ４１を第１タイミングｔ１に対応する位置に移動させて固定する。この状態で、電界強度取得部７０５が、ステージ駆動部５０を制御することにより、太陽電池基板９の表面を検査用パルス光ＬＰ１１で走査することにより、複数の計測地点に検査用パルス光ＬＰ１１を照射する。そして、各計測地点で発生したテラヘルツ波ＬＴ１を検出器３１で検出する。これにより、電界強度取得部７０５が、各計測地点についての第１電界強度Ｅ１を取得する。
【００７７】
続いて、電界強度取得部７０５が、検出器３１の検出タイミングを第２タイミングｔ２に固定して、テラヘルツ波計測を行う（ステップＳ１６）。具体的には、電界強度取得部７０５が、遅延ステージ駆動部４３を制御することにより、遅延ステージ４１を第２タイミングｔ２に対応する位置に移動させて固定する。この状態で、電界強度取得部７０５が、ステージ駆動部５０を制御することにより、太陽電池基板９の表面を検査用パルス光ＬＰ１１で走査することにより、複数の計測地点に検査用パルス光ＬＰ１１を照射する。この複数の計測地点は、ステップＳ１５における複数の計測地点に一致する。これにより、電界強度取得部７０５が、各計測地点についての第２電界強度Ｅ２を取得する。
【００７８】
なお、図７に示す流れでは、ステップＳ１５，Ｓ１６のそれぞれで、太陽電池基板９の走査を計２回行っている。しかしながら、太陽電池基板９の走査を１回にしてもよい。この場合、各測定地点で遅延ステージ４１を第１および第２タイミングｔ１，ｔ２各々に対応する位置に移動させるとよい。これにより、各測定地点において、第１および第２電界強度Ｅ１，Ｅ２を取得してもよい。
【００７９】
続いて、画像生成部７０７が、反射率を算出する（ステップＳ１７）。具体的には、画像生成部７０７が、測定地点毎について、第２電界強度Ｅ２の第１電界強度Ｅ１に対する比の値（＝Ｅ２／Ｅ１）を求める。図５に示すように、テラヘルツ波ＬＴ１ｂの反射前の強度は、テラヘルツ波ＬＴ１ａの強度と同等であると考えられる。テラヘルツ波ＬＴ１ｂの反射率は、上記比の値（＝Ｅ２／Ｅ１）により求められると考えられる。なお、テラヘルツ波ＬＴ１ｂは、太陽電池基板９の内部を通過する間に減衰する可能性がある。このため、上記比の値は、厳密な意味での反射率ではなく、反射率の度合い（相対値）である。
【００８０】
続いて、画像生成部７０７が、複数種類の分布画像を生成し、表示部７４に表示する（ステップＳ１８）。具体的には、画像生成部７０７は、ステップＳ１５で得られた第１電界強度の分布情報に基づく第１電界強度分布画像Ｍ１、ステップＳ１６で得られた第２電界強度の分布情報に基づく第２電界強度分布画像Ｍ２、さらに、ステップＳ１７で得られた反射率の分布情報に基づく反射率分布画像Ｍ３を生成する。そして、画像生成部７０７は、これらの各分布画像Ｍ１〜Ｍ３を表示部７４に表示する。ただし、これら全ての画像が生成されることは必須ではない。
【００８１】
図８は、第１電界強度分布画像Ｍ１を示す図である。図５および図６にて説明したように、第１タイミングｔ１で計測される第１電界強度Ｅ１は、太陽電池基板９の表面付近で発生したテラヘルツ波ＬＴ１ａが主に寄与する電界強度と考えられる。テラヘルツ波ＬＴ１ａは、太陽電池基板９の内部電界に応じて放射される電磁波であるため、ステップＳ１５にて得られる第１電界強度Ｅ１の分布情報から、第１電界強度分布画像Ｍ１を生成することにより、太陽電池基板９の内部電界の領域特性や異常箇所などを検査できる。なお、表面電極９６では、検査用パルス光ＬＰ１１を照射してもテラヘルツ波ＬＴ１が実質的に発生しない。このため、図８に示す第１電界強度分布画像Ｍ１においては、表面電極９６（フィンガー電極）に相当する線状に延びる領域は、電界強度が比較的弱い領域となっている。
【００８２】
図９は、第２電界強度分布画像Ｍ２を示す図である。図５および図６で説明したように、第２タイミングｔ１で計測される第２電界強度Ｅ２は、太陽電池基板９の裏面で反射したテラヘルツ波ＬＴ１ｂが主に寄与する電界強度と考えられる。このため、ステップＳ１６にて得られる第２電界強度Ｅ２の分布情報から、第２電界強度分布画像Ｍ２を生成することにより、太陽電池基板９の裏面の領域特性や異常箇所などを検査できる。
【００８３】
図１０は、反射率分布画像Ｍ３を示す図である。この反射率分布画像Ｍ３は、図９の第２電界強度分布画像Ｍ２が示す第２電界強度Ｅ２を、図８に示す第１電界強度分布画像Ｍ１が示す第１電界強度Ｅ１で割った値をピクセル毎に求めて得たものである。このように、第２電界強度Ｅ２の第１電界強度Ｅ１に対する比の値を取ることにより、テラヘルツ波ＬＴ１ｂの反射率を求めることができる。したがって、別の分光反射率測定装置などを用いることなく、検査装置１において太陽電池基板９裏面における反射率の度合いの情報を取得できる。
【００８４】
以上のように、検査装置１によると、テラヘルツ波の２つの第１および第２タイミングｔ１，ｔ２における電界強度を検出することによって、内部電界に関する情報（主に、空乏層の状態を示す情報）および裏面反射特性を示す情報（裏面の出来に関する情報）を得ることができる。このため、太陽電池基板９の分析を効率的に得ることができる。また、裏面の反射率を検査するための装置（分光反射率測定器）を別途用意する必要がないため、検査コストを抑えることができる。
【００８５】
特に、太陽電池では、変換効率向上のため裏面に到達した光を反射させることにより、発電に寄与させている。このため、太陽電池基板９におけるテラヘルツ波の裏面反射を分析することにより、太陽電池の発電性能を検査できる。
【００８６】
図１１は、スパイラル型の光伝導アンテナを用いた場合におけるテラヘルツ波ＬＴ１の時間波形ＴＷ２を示す図である。図１１に示すように、検出器３１においてスパイラル型の光伝導アンテナを用いた場合、第１ピークＰ１は良好に特定しうるが、第２ピークＰ２を特定することは困難である。このため、スパイラル型ではないダイポール型、ボウタイ型などの光伝導アンテナを用いることにより、第２ピークＰ２を好適に検出することが期待できるため、第２タイミングｔ２の決定が容易となりうる。
【００８７】
＜２．  変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００８８】
上記実施形態では、半導体試料として、裏面電極９５を有する太陽電池基板９を例示しているが、裏面電極９５以外の構造を有する太陽電池基板も検査対象物となりうる。たとえば、裏面パッシベーション型太陽電池（Passivated Emitter and Rear Cell: PERC）では、パッシベーション膜が裏面に用いられている。このような太陽電池も検査装置１の検査対象物として好適である。
【００８９】
また、上述したように、検査装置１は、太陽電池以外のフォトデバイス、たとえば、イメージセンサ（ＣＣＤなど）、発光デバイス（ＬＥＤ）が含まれる。これらを検査する場合には、パルス光の波長を、各デバイスのＲＧＢ領域に応じて変更するとよい。この場合、光源としてフェムト秒レーザ２１が波長可変機構を備えていてもよい。
【００９０】
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【００９１】
１  検査装置
９  太陽電池基板
１０  ステージ（保持部）
２０  光照射部（走査部）
２１  フェムト秒レーザ
３１  検出器
３１０  光伝導アンテナ
４０  遅延部
５０  ステージ駆動部（走査部）
７０  制御部
７２  記憶部
７０２  ステージ駆動制御部
７０３  遅延ステージ駆動制御部
７０４  時間波形復元部
７０５  電界強度取得部
７０７  画像生成部
Ｅ１  第１電界強度
Ｅ２  第２電界強度
ＬＰ１１  検査用パルス光
ＬＰ２１  検出用パルス光
ＬＴ１，ＬＴ１ａ，ＬＴ１ｂ  テラヘルツ波
Ｍ１  第１電界強度分布画像
Ｍ２  第２電界強度分布画像
Ｍ３  反射率分布画像
Ｐ１  第１ピーク
Ｐ２  第２ピーク
ＴＷ１，ＴＷ２  時間波形
ｔ１  第１タイミング
ｔ２  第２タイミング
Δｔ  遅延時間
【図１】
2019058042.tif 000005
【図２】
2019058042.tif 000006
【図３】
2019058042.tif 000007
【図４】
2019058042.tif 000008
【図５】
2019058042.tif 000009
【図６】
2019058042.tif 000010
【図７】
2019058042.tif 000011
【図８】
2019058042.tif 000012
【図９】
2019058042.tif 000013
【図１０】
2019058042.tif 000014
【図１１】
2019058042.tif 000015