(57)【要約】【課題】タッチセンサ機能を有する表示装置において、斜め方向から見た場合に生じる表示上の問題を抑制すること【解決手段】本発明の一実施形態における表示装置は、表示面に向けて発光する発光領域である画素開口部を画定するバンク層と、前記バンク層の前記表示面側に配置される導電部と、を備え、前記導電部と前記画素開口部とを最短距離で結ぶ直線で切った断面視において、前記画素開口部の前記導電部側の端部と前記導電部の前記開口部側の端部とを結ぶ線と、前記画素開口部の前記導電部側の端部を通り前記表示面に垂直な線とのなす第１の角が、前記バンク層の接線と、前記表示面に垂直な垂線とのなす最小角より大きい。【選択図】図５
2019067654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示面に向けて発光する発光領域である画素開口部を画定するバンク層と、
前記バンク層の前記表示面側に配置される導電部と、を備え、
前記導電部と前記画素開口部とを最短距離で結ぶ直線で切った断面視において、前記画素開口部の前記導電部側の端部と前記導電部の前記開口部側の端部とを結ぶ線と、前記画素開口部の前記導電部側の端部を通り前記表示面に垂直な線とのなす第１の角が、前記バンク層の接線と、前記表示面に垂直な垂線とのなす最小角より大きい、
表示装置。
【請求項２】
前記第１の角は、４０°より大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電部は、遮光性を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導電部は、静電容量型のタッチセンサの電極の一部であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記バンク層と前記導電部との間に配置される第１絶縁層と、
前記導電部と前記表示面との間に配置される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置される第３絶縁層と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁層は、前記導電部に接し、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層及び前記導電部と接することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層は、無機材料を含み、
前記第２絶縁層は、有機材料を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１絶縁層に接し、前記第１絶縁層と前記バンク層との間に配置される電極をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンなどの携帯電子機器において、表示面にタッチセンサ機能を設けた表示装置が用いられている。タッチセンサ機能を実現するための技術は様々であるが、近年、投影型静電容量方式のタッチセンサが多く用いられている。投影型静電容量方式を用いた表示装置は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−８１５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
タッチセンサ機能を有する表示装置は、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）による表示を行うパネルと、表示面側においてタッチセンサの機能を実現するための電極（以下「センサ電極」という場合がある。）とを備える。このセンサ電極は、ＯＬＥＤよりも光出射側に設けられるため、透明導電材料を用いて形成される。このセンサ電極が高い遮光性を有する場合には、センサ電極がＯＬＥＤからの発光を妨げないような位置に配置され、またはＯＬＥＤからの発光を妨げないような形状に形成される。しかしながら、表示面の垂直方向から見た場合には、発光を妨げない位置にセンサ電極が配置されていたとしても、斜め方向から見た場合には、センサ電極が発光を遮ってしまう場合がある。その結果、表示上の明るさが低下してしまう。
【０００５】
本発明の目的の一つは、タッチセンサ機能を有する表示装置において、斜め方向から見た場合に生じる表示上の問題を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、表示面に向けて発光する発光領域である画素開口部を画定するバンク層と、前記バンク層の前記表示面側に配置される導電部と、を備え、前記導電部と前記画素開口部とを最短距離で結ぶ直線で切った断面視において、前記画素開口部の前記導電部側の端部と前記導電部の前記開口部側の端部とを結ぶ線と、前記画素開口部の前記導電部側の端部を通り前記表示面に垂直な線とのなす第１の角が、前記バンク層の接線と、前記表示面に垂直な垂線とのなす最小角より大きい、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態における表示装置の構成を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるセンサ電極の形状を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態におけるセンサ電極の詳細形状を説明する図である。
【図５】本発明の一実施形態におけるセンサ電極による遮光状態を説明する図である。
【図６】比較例におけるセンサ電極による遮光状態を説明する図である。
【図７】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１０】
＜実施形態＞
［概略構成］
本発明の一実施形態における表示装置は、ＯＬＥＤを用いた有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置である。この例での有機ＥＬ表示装置は、それぞれ異なる色を放出する複数のＯＬＥＤを用いて、カラー表示を得ている。この例では、赤色（Ｒ）の光を放出するＯＬＥＤ、緑色（Ｇ）を放出するＯＬＥＤ、および青色（Ｂ）を放出するＯＬＥＤが用いられている。
【００１１】
表示装置は第１基板と第２基板とが貼り合わせ材によって貼り合わされた構成になっている。第１基板には、ＯＬＥＤの発光状態を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の駆動素子が配置されている。第２基板は、第１基板上に形成された素子を保護するカバーとなる基板である。なお、第１基板上に形成された素子を覆うようにカバー層を直接形成すれば、カバーとしての第２基板は存在しなくてもよい。
【００１２】
第１基板に配置されたＯＬＥＤからの光は、第１基板側とは反対側に放出され、第２基板を通してユーザに視認されるトップエミッション方式が用いられている。すなわち、第２基板側が表示面となる。表示装置は、以下に説明するとおり、タッチセンサ機能を備えている。この例では、タッチセンサ機能は、静電容量型、より詳細には相互容量方式により表示面への指およびスタイラス等（以下の説明では単に「指」という。）の接触を検出する。なお、指と表示面とが接触する場合に限らず、所定の距離が離れていてもよい。すなわち、タッチセンサは、表示面に対して指が指し示す位置を検出する。
【００１３】
［表示装置の構成］
図１は、本発明の一実施形態における表示装置の構成を説明する図である。表示装置１０００は、第１基板１、第１基板１に貼り合わされた第２基板２、および第１基板１の端子領域１９９に接続されたＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）９５０を備える。端子領域１９９は、複数の接続端子が並んで配置されている。ＦＰＣ９５０には、ドライバＩＣ９０１が実装されている。
【００１４】
表示装置１０００の第１基板１は、表示領域Ｄ１および駆動回路１０７が配置される領域を含む。表示領域Ｄ１には、ｘ方向に延在する走査線１０１、およびｘ方向とは異なるｙ方向に延在するデータ信号線１０３が配置されている。走査線１０１は、ｙ方向に並んで配置されている。データ信号線１０３は、ｘ方向に並んで配置されている。
【００１５】
この例では、ｘ方向とｙ方向とは垂直に交差している。走査線１０１とデータ信号線１０３との交差部に対応する位置には、画素１０５が配置されている。画素１０５は、ｘ方向とｙ方向とに沿って並んで配置されている。この例における画素１０５の具体的な配置については、後述する。なお、図１においては、１つの画素１０５に対して、ｘ方向およびｙ方向に沿って延びる信号線は、それぞれ１本であるが、それぞれ２本以上であってもよい。また、表示領域Ｄ１には電源線等の所定の電圧を供給する配線が配置されてもよい。
【００１６】
駆動回路１０７は、表示領域Ｄ１の周囲に配置され、走査線１０１に所定の信号を供給する。この例では、ドライバＩＣ９０１は、外部のコントローラから入力される信号に基づいて駆動回路１０７を制御すると共に、データ信号線１０３に映像信号等を供給する。なお、表示領域Ｄ１の周囲に、その他の駆動回路がさらに設けられていてもよい。
【００１７】
各画素１０５には、画素回路と、発光素子（ＯＬＥＤ）を含む表示素子とが配置されている。画素回路は、例えば、薄膜トランジスタおよびキャパシタを含む。発光素子は、画素回路の制御によって発光する発光領域を含む。この例では各画素１０５の発光領域は、赤色、緑色または青色に発光する。なお、発光色は、３色に限らず、さらに多くの種類の色で発光するようになっていてもよい。
【００１８】
画素回路は、走査線１０１に供給される制御信号、およびデータ信号線１０３に供給される映像信号等の各種信号によって、発光素子の発光を制御する。この発光の制御によって、表示領域Ｄ１に画像が表示される。発光素子からの光は第２基板２を通過することによって、表示面側において画像としてユーザに視認される。
【００１９】
また、表示領域Ｄ１には、タッチセンサ８００が配置されている。図１においては、他の構成との関係の説明を容易にするために、タッチセンサ８００の一部のみを示している。タッチセンサ８００は、画素１０５の発光領域よりも第２基板２側に配置されている。そのため、発光素子からの光は、タッチセンサ８００が設けられた層を通過した後、上述のように第２基板２を通過することによって、表示面においてユーザに視認される。タッチセンサ８００は、第１センサ電極８０１と第２センサ電極８０３との間の静電容量の変化を検出することによって、表示面に対して指が指し示す位置を検出する。取出配線８８０は、第１センサ電極８０１および第２センサ電極８０３を端子領域１９９の接続端子に接続するために用いられる。
【００２０】
［表示装置の断面構成］
続いて、図１に示す表示領域Ｄ１から端子領域１９９までの領域を含む範囲における表示装置１０００の断面構成について説明する。
【００２１】
図２は、本発明の一実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。以下に説明する断面構成は、図１に示すＡ−Ａ’断面線における端面図として表している。第１基板１における第１支持基板１０および第２基板２は、フレキシブル性を有する有機樹脂基板である。なお、第１支持基板１０および第２基板２の一方または双方が、ガラス基板であってもよい。
【００２２】
第１支持基板１０上に、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁層２０１を介して薄膜トランジスタ１１０が配置されている。薄膜トランジスタ１１０は、アモルファスシリコンまたは結晶性シリコンを半導体層として用いている。なお、半導体層は、酸化物半導体であってもよい。
【００２３】
薄膜トランジスタ１１０を覆うように、絶縁表面を有する層間絶縁層１０８、２００が配置されている。層間絶縁層２００上には画素電極３００が配置されている。この例では、層間絶縁層２００は、アクリル樹脂等の有機絶縁層２１０、および窒化シリコン膜（ＳｉＮ）等の無機絶縁層２２０を含む積層構造である。無機絶縁層２２０は、有機絶縁層２１０よりも画素電極３００側に配置されている。
【００２４】
画素電極３００は、画素１０５のそれぞれに対応して配置され、層間絶縁層２００に設けられたコンタクトホール２５０を介して導電層１１５に接続されている。導電層１１５は、薄膜トランジスタ１１０に層間絶縁層１０８を介して接続し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）をチタン（Ｔｉ）で挟んだ積層構造で形成される。画素電極３００は、ＯＬＥＤのアノード電極として用いられる。表示装置１０００はトップエミッション方式で画像を表示するため、画素電極３００は光透過性を有しなくてもよい。この例では、画素電極３００は、ＯＬＥＤが放出した光を反射する層（例えば、銀を含む金属）およびＯＬＥＤと接触する面に光透過性を有する導電性金属酸化物層（例えば、ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を含んでいる。
【００２５】
バンク層４００は、画素電極３００の端部および隣接する画素間を覆う。また、バンク層４００は、画素電極３００の一部を露出する画素開口部４１０（図４及び図５参照）を画定する。この例では、バンク層４００は、アクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
【００２６】
発光部５１０は、ＯＬＥＤであり、画素電極３００および一部のバンク層４００を覆って、これらの構成と接触する。発光部５１０は、複数種類の有機材料を積層した積層構造を有している。この例では、発光部５１０は、ホール注入層／輸送層５１１、発光層５１３および電子注入層／輸送層５１５を含む積層構造を有している。発光層５１３は、赤色、緑色および青色のそれぞれに対応して、異なる組成を有している。異なる色に対応した隣接する画素においては、発光層５１３がバンク層４００上において分離されている。
【００２７】
光透過性電極５０３は、発光部５１０を覆い、ＯＬＥＤのカソード電極（画素電極３００に対する対向電極）を形成する。光透過性電極５０３は、ＯＬＥＤからの光を透過する電極であり、例えば、光が透過する程度に薄い金属層等または透明導電性金属酸化物が適用される。画素電極３００、発光部５１０および光透過性電極５０３によって、発光領域ＬＡを有する発光素子５００が形成される。この発光領域ＬＡは、バンク層４００によって露出された画素電極３００の領域、すなわち、画素開口部４１０に対応する。
【００２８】
封止層（第１絶縁層）６０１は、発光素子５００を覆いつつ、表示領域の全体を覆う。つまり、封止層６０１は、発光素子５００の最上層である光透過性電極５０３に接触しつつ、表示領域の全体を覆う。第１導電部８１１は、バンク層４００の表示面側に配置される。具体的には、第１導電部８１１は、封止層６０１上に配置される。層間膜６０２は、封止層６０１及び一部の第１導電部８１１を覆って、これらの構成と接触する。第２導電部８１３は、層間膜６０２上の一部に配置され、層間膜６０２に設けられたコンタクトホールを介して第１導電部８１１に接続されている。封止層（第２絶縁層）６０３は、封止層６０１及び第２導電部８１３を覆う。封止層（第３絶縁層）６０５は、封止層６０３を覆う。
【００２９】
封止層６０１、６０３、６０５は、発光部５１０への水分、ガス等の発光部５１０を劣化させる成分の到達を抑制するための層である。この例では、封止層６０１、６０５は、窒化シリコン等の無機絶縁層である。封止層６０３は、封止層６０１および封止層６０５に挟まれて配置されたアクリル樹脂等の有機絶縁層である。また、封止層６０１、６０５の厚みは、５００ｎｍから１μｍが好ましい。この例では、封止層６０１、６０５の厚みは、１μｍである。封止層６０３の厚みは、１μｍから１００μｍであることが好ましい。この例では、封止層６０３は、１０μｍである。
【００３０】
第１導電部８１１及び第２導電部８１３（両者を合わせて「導電部」と呼ぶ場合がある。）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）をチタン（Ｔｉ）で挟んだ積層構造で形成される。なお、導電部は、他の材料、例えばモリブデン、タングステン、タンタル、クロム、銅またはこれらの合金等を含んでいてもよい。導電部は、単層構造の金属であってもよいし積層構造の金属であってもよい。また、導電部は、遮光性を有する金属で形成されているが、金属よりも遮光性が低い材料（光透過性が高い材料）、例えば、導電性金属酸化物で形成されていてもよい。また、この例では、第１導電部８１１と第２導電部８１３との間の層間膜６０２は、窒化シリコン等の無機絶縁層である。
【００３１】
取出配線８８０は、層間膜６０２上に配置され、層間膜６０２に形成されたコンタクトホール８５９を介して、第１導電部８１１と接続している。第２導電部８１３と取出配線８８０とは、同一層であって、同一の層間膜６０２上に配置されている。第２導電部８１３および取出配線８８０は、第１導電部８１１と同様の材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。
【００３２】
取出配線８８０は、層間絶縁層２００に形成されたコンタクトホール２５８を介して、保護電極３０８に覆われた端子配線１１９と電気的に接続する。保護電極３０８は、画素電極３００と同一の材料で形成されていてもよい。端子配線１１９は、端子領域１９９においてコンタクトホール２５９によって露出された部分が、保護電極３０９で覆われている。この部分が端子領域１９９における接続端子の一部となる。ＦＰＣ９５０は、異方性導電層９０９を介して、接続端子に電気的に接続される。
【００３３】
有機保護膜７００は、第１基板１と第２基板２との間に充填されて、これらを貼り合わせる材料であり、例えば、光透過性を有するアクリル樹脂である。この例では、第２基板２と有機保護膜７００との間には、円偏光板９００が配置されている。円偏光板９００は、１／４波長板９１０と直線偏光板９２０とを含む積層構造を有している。この構成により、発光領域ＬＡからの光が第２基板２の表示面ＤＳから外部に放出される。以上が、表示装置１０００の断面構成についての説明である。
【００３４】
［センサ電極の構成］
図３は、本発明の一実施形態におけるセンサ電極の形状を説明する図である。図４は、本発明の一実施形態におけるセンサ電極の詳細形状を説明する図である。図４は、図３における第２導電部８１３近傍について、表示面から見た場合における第２導電部８１３と画素開口部４１０との位置関係がわかる程度に拡大して示した図である。
【００３５】
第１センサ電極８０１および第２センサ電極８０３は、それぞれ、ｘ方向およびｙ方向を対角線とした略正方形の外縁に沿った外形を有する電極であるが、発光領域ＬＡに対応した位置に画素開口部４１０を有することにより、発光領域以外に対応した位置において配置されることによって、いわゆるメッシュ状の導電体を有している。この例では、第１センサ電極８０１は、遮光性を有する金属により形成されているが、発光領域からの光は画素開口部４１０を介して表示面に向けて通過することができる。なお、第２センサ電極８０３については、第１センサ電極８０１と同様の構成を有し、すなわち、メッシュ状の導電体を有している。第１導電部８１１は、第１センサ電極８０１及び第２センサ電極８０３を構成するメッシュ状に配置された導電体部分である。
【００３６】
ｙ方向に沿って隣接する第２センサ電極８０３は、互いに電気的に接続されている。一方、ｘ方向に沿って隣接する第２センサ電極８０３は、互いに離隔している。ｘ方向に沿って隣接する第１センサ電極８０１は、第２導電部８１３を介して、互いに電気的に接続されている。一方、ｙ方向に沿って隣接する第１センサ電極８０１は、互いに離隔している。タッチセンサ８００は、ｙ方向に沿って接続された第２センサ電極８０３と、ｘ方向に沿って接続された第１センサ電極８０１とを用いて、静電容量が変化した位置を測定することによって指が指し示す位置を検出する。なお、図１および図２において、第２導電部８１３は、第１センサ電極８０１および第２センサ電極８０３よりも上層、つまり第２基板２側に設けられているが、下層、つまり第１基板１側に設けられてもよい。第２導電部８１３が第１センサ電極８０１および第２センサ電極８０３よりも上層にある場合、第２導電部８１３は、第２センサ電極８０３及び層間膜６０２を乗り越えるジャンパといえる。この例では、図３に示すように、第２導電部８１３がｘ方向にジャンパとして配置されているが、これに限定されるものではなく、第２センサ電極８０３を接続するために、ｙ方向にジャンパを配置してもよい。
【００３７】
［センサ電極の発光への影響］
続いて、第１センサ電極８０１及び第２センサ電極８０３における第１導電部８１１と、第２導電部８１３が、発光領域ＬＡからの発光に与える影響（遮光状態）について説明する。
【００３８】
図５は、本発明の一実施形態におけるセンサ電極による遮光状態を説明する図である。図５は、図４に示すＢ−Ｂ’断面線における断面図として表している。図４に示すＢ−Ｂ’断面線は、第２導電部８１３と画素開口部４１０とを最短距離で結ぶ直線で切った線である。この例では、図５に示すように、第２導電部８１３の下に層間膜６０２を介して第１導電部８１１がある。もっとも、切る位置によっては、断面に第１導電部８１１及び第２導電部８１３があり、両者の間に層間膜６０２がない場合や、断面に第１導電部８１１、層間膜６０２があり、第２導電部８１３がない場合や、第２導電部８１３、層間膜６０２があり、第１導電部８１１がある場合もある。また、図５は、表示装置１０００の断面構成のうち、発光領域ＬＡ、画素開口部４１０と第２導電部８１３との位置関係に注目して示した図である。そのため、発光素子５００の詳細な構成、封止層６０５より上の層の構成、層間膜６０２の一部は、省略している。
【００３９】
各発光領域ＬＡからの光は、所定の拡がりを有して表示面ＤＳに向けて放射される。一方、放射された光は、導電部（第１導電部８１１および第２導電部８１３）により一部が遮光される。例えば、発光領域ＬＡから放射される光のうち、正面方向に対して角度θ1を有する方向よりも外側（さらに大きい角度の方向）に拡がる光は、第２導電部８１３又は第１導電部８１１によって遮られる。
【００４０】
図５の断面視において、θ1（第１の角）は、θ2_minよりも大きい。θ1（第１の角）は、画素開口部４１０の第２導電部８１３側の端部４１０ａと第２導電部８１３の画素開口部４１０側の端部８１３ａとを結ぶ線と、端部４１０ａを通り表示面ＤＳに垂直な線とのなす角である。θ2_minは、バンク層４００の接線と、表示面ＤＳに垂直な垂線とのなす最小角である。ここで、図５に示すように、バンク層４００の傾斜は、一定ではない。そのため、バンク層４００の接線と、表示面ＤＳに垂直な垂線とのなす角は、複数ある。複数ある角のうち、最小となるのは、バンク層４００の表示面ＤＳと水平な線に対する傾斜が一番急な地点を接点とした接線を対象とするときである。つまり、θ2_minは、バンク層４００の表示面ＤＳと水平な線に対する傾斜が一番急な地点を接点とした接線と、表示面ＤＳに垂直な垂線とのなす角である。また、θ1（第１の角）は、４０°より大きい。θ1（第１の角）は、６０°以上であることが好ましい。
【００４１】
ここで、本発明の一実施形態における特徴をわかりやすくするために、図６を用いて、従来の構造と比較する。図６は、比較例におけるセンサ電極による遮光状態を説明する図である。なお、図５と図６において、それぞれ対応する構成の幅や厚みは同じであるものとする。例えば、画素開口部４１０の幅ｗ1＝画素開口部１４１０の幅ｗ11、バンク層４００の幅ｗ2＝バンク層１４００のｗ12、第２導電部８１３の幅ｗ3＝第２導電部１８１３の幅ｗ13である。幅ｗ1は、５μｍから２０μｍであり、幅ｗ2は、５μｍから２０μｍであり、幅ｗ3は、１μｍから１０μｍである。この例では、ｗ1は、１８μｍ程度で、ｗ2は、１７μｍ程度で、ｗ3は、５μｍ程度である。
【００４２】
比較例においても、本発明の一実施形態と同様に、各発光領域ＬＡからの光は、所定の拡がりを有して表示面ＤＳに向けて放射される。一方、放射された光は、導電部（第１導電部１８１１および第２導電部１８１３）により一部が遮光される。例えば、発光領域ＬＡから放射される光のうち、正面方向に対して角度θ11を有する方向よりも外側（さらに大きい角度の方向）に拡がる光は、第２導電部１８１３又は第１導電部１８１１によって遮られる。
【００４３】
本発明の一実施形態と比較例とを比較すると、遮光状態になる角度が異なる。つまり、本発明の一実施形態においては、角度がθ1であるのに対し、比較例においては、角度は、θ11である。つまり、本発明の一実施形態は、比較例と比較して、角度において（θ1−θ11）分、遮光されない角度を広げることができる。その結果、斜め方向から見た場合に生じる表示上の問題を抑制することが可能になる。
【００４４】
ここで、図５における画素開口部の端部４１０ａを含む表示面ＤＳに平行な面と第１導電部８１１の下面を含む表示面ＤＳに平行な面との距離（厚み）をｔ1とする。また、図５における第１導電部８１１、層間膜６０２及び第２導電部８１３を併せた厚みをｔ2とする。同様に、図６における画素開口部の端部１４１０ａを含む表示面ＤＳに平行な面と第２導電部１８１３の端部１８１３ａを含む表示面ＤＳに平行な面との距離（厚み）をｔ11とする。そして、封止層６０３及び封止層６０５の厚みをｔ3とすると、ｔ11＝ｔ1＋ｔ2＋ｔ3となる。また、図５及び図６でみたときに、第２導電部８１３、第２導電部１８１３は、それぞれバンク層４００、バンク層１４００の中央に配置されているものとする。つまり、第２導電部８１３の端部８１３ａを通り表示面ＤＳに垂直な線と画素開口部の端部４１０ａを通り表示面ＤＳに水平な線との交点から画素開口部の端部４１０ａまでの距離は、（ｗ2−ｗ3）／２となる。
【００４５】
以上を前提とすると、以下の数式が成り立つ。
【数１】
2019067654.tif 000003
【数２】
2019067654.tif 000004
【００４６】
数式１及び数式２をそれぞれθ1及びθ11で表現すると、以下のとおりである。
【数３】
2019067654.tif 000005
【数４】
2019067654.tif 000006
【００４７】
（ｗ2−ｗ3）＝（ｗ12−ｗ13）であるから、数式３と数式４とを比較するとわかるように、θ1とθ11との差は、封止層６０３及び封止層６０５の厚みｔ3の値が影響する。ｔ3の値は、この例では、約１１μｍであり、他方で、ｔ1の値は、０．５μｍから３μｍである。そのため、θ1とθ11との差において、ｔ3の値は、相応に影響を及ぼす。なお、図６に示す例では、θ11≒２６．５°で、θ12_minは、４０°〜６０°であり、θ11＜θ12_minとなる。
【００４８】
比較例が導電部（第１導電部１８１１及び第２導電部１８１３）を封止層１６０５の上に配置しているのと異なり、本発明の一実施形態では、導電部（第１導電部８１１及び第２導電部８１３）を封止層６０１の上に、封止層６０１に接触させて配置している。つまり、比較例と異なり、本発明の一実施形態では、第２導電部８１３の上に、封止層６０３、６０５が配置される構成となっている。そのため、θ1がθ11と比較して大きくなり、遮光されない角度を広げることができる。以上で、センサ電極の発光への影響と本発明の一実施形態による効果について説明した。
【００４９】
続いて、本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一部について、図７から図１３を用いて説明する。図７から図１３は、本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の一工程を説明する断面図である。なお、製造方法については、本発明に特徴的な工程のみを説明し、その他の工程についての説明は省略する。
【００５０】
まず、図７に示すように、第１支持基板１０上に、絶縁層２０１、薄膜トランジスタ１１０、層間絶縁層１０８、２００、発光素子５００（画素電極３００、発光部５１０および光透過性電極５０３）が順に配置されたものを準備する。
【００５１】
次に、図８に示すように、発光素子５００を保護するために、発光素子５００を覆うように、封止層６０１を形成する。ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって無機膜を形成する。続いて、フォトマスクを介して露光を行い、無機膜を形成する必要がない箇所を除去することによって、封止層６０１を形成する。
【００５２】
続いて、封止層６０１の上に、スパッタリング法によって、チタン、アルミニウム、チタンを順に形成し、不要な部分を選択的にエッチングすることによって、第１導電部８１１を形成する（図９）。続いて、封止層６０１及び第１導電部８１１の上に、ＣＶＤ法によって、無機膜を形成し、フォトマスクを介して露光を行い、無機膜を形成する必要がない箇所を除去することによって、層間膜６０２を形成する（図１０）。
【００５３】
続いて、層間膜６０２の上に、スパッタリング法によって、チタン、アルミニウム、チタンを順に形成し、不要な部分を選択的にエッチングすることによって、第２導電部８１３を形成する（図１１）。次に、封止層６０１及び第２導電部８１３の上に、インクジェットによって塗布することによって、封止層６０３を形成する（図１２）。続いて、封止層６０３及び取出配線８８０の上に、ＣＶＤ法によって、無機膜を形成し、フォトマスクを介して露光を行い、無機膜を形成する箇所を除去することによって、封止層６０５を形成する（図１３）。表示装置を製造するための以降のプロセスは、ここでは説明を省略する。以上で、本発明の一実施形態における表示装置の製造方法のうち本発明に特徴的な工程について説明した。
【００５４】
＜その他の実施形態＞
以上の実施形態においては、封止層６０１及び第２導電部８１３の上に封止層６０３が配置されることを前提として説明した。もっとも、これに限定されるものではなく、封止層６０１と封止層６０３の間、第２導電部８１３と封止層６０３との間に、無機層を配置してもよい。本発明の一実施形態における表示装置の製造方法の説明において説明したように、封止層６０３は、インクジェットによって塗布することによって形成するが、インクジェットの下地は、均一であることが好ましい。つまり、以上の実施形態では、封止層６０１及び第２導電部８１３の上に封止層６０３が配置されているが、封止層６０１及び第２導電部８１３の上に、別の層を設けることが好ましい。そこで、封止層６０１及び第２導電部８１３の上に無機層を配置することによって、インクジェットの下地を均一にし、塗布性を向上させることが可能になる。
【００５５】
以上の実施形態の製造方法においては、封止層６０１を形成する際に、無機膜を形成する必要がない箇所を除去していた（図８参照）。もっとも、この方法に限定されるものではない。封止層６０１の形成段階では、無機膜を形成する必要がない箇所の除去をせずに、層間膜６０２を形成する際（図１０参照）に、無機膜を一括して除去してもよい。
【００５６】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１：第１基板  ２：第２基板  １０：第１支持基板  １０１：走査線
１０３：データ信号線  １０５：画素  １０７：駆動回路
１１０：薄膜トランジスタ  １１５：導電層  １１９：端子配線
１９９：端子領域  ２００：層間絶縁層  ２１０：有機絶縁層
２２０：無機絶縁層  ２５０：コンタクトホール  ２５８：コンタクトホール
２５９：コンタクトホール  ３００：画素電極  ３０８：保護電極
３０９：保護電極  ４００：バンク層  ４１０：画素開口部
４１０ａ：画素開口部の端部  ５００：発光素子  ５０３：光透過性電極
５１０：発光部  ５１１：ホール注入層／輸送層  ５１３：発光層
５１５：電子注入層／輸送層  ６０１：封止層  ６０２：層間膜
６０３：封止層  ６０５：封止層  ７００：有機保護膜  ８００：タッチセンサ
８０１：第１センサ電極  ８０３：第２センサ電極  ８１１：第１導電部
８１３：第２導電部  ８１３ａ：第２導電部の端部
８８０：取出配線  ９００：円偏光板  ９０９：異方性導電層  ９１０：波長板
９２０：直線偏光板  ９５０：ＦＰＣ  １０００：表示装置
１４００：バンク層  １４１０：画素開口部  １４１０ａ：画素開口部の端部
１８１１：第１導電部  １８１３：第２導電部  １８１３ａ：第２導電部の端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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