(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上のインプリント材と型を接触させた際に基板と型の位置合わせを行いつつ、インプリント材のはみ出しを低減する。【解決手段】型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、型を保持する型保持部と、基板上のインプリント材１４の粘性を増加させるための照射光をインプリント材に照射する光学系と、を有し、照射光は、型が型保持部によって保持された状態において型のパターン部の中心から側面に向かって光強度が大きくなる光強度分布５６を有し、型と基板上のインプリント材を接触させた状態で、型のパターン部の側面を含む領域において型のパターン部の中心から側面に向かって移動するインプリント材に対して照射光を照射する。【選択図】図５
2019067918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための照射光をインプリント材に照射する光学系と、を有し、
前記照射光は、前記型が前記型保持部によって保持された状態において、前記型のパターン部の中心から側面に向かって光強度が大きくなる光強度分布を有し、
前記型と前記基板上のインプリント材を接触させた状態で、前記型のパターン部の側面を含む領域において前記型のパターン部の中心から側面に向かって移動するインプリント材に対して前記照射光を照射する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記光強度分布のピークが、前記型のパターン部の側面より外側の位置にあることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記型と前記基板の間のインプリント材の界面の位置に合わせて、前記光強度分布の位置を変更することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記型と前記基板の間のインプリント材の界面が前記型のパターン部の側面に到達する前に、前記照射光の照射を開始することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記光学系は、前記光強度分布を形成する空間光変調素子を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記光学系は、前記空間光変調素子を用いて、前記基板を加熱する光の光強度分布を形成することを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載のインプリント装置を用いて、基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工する工程と、を有し、
加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、基板の上に配置された樹脂に型を接触させ樹脂を硬化させることによって基板の上に樹脂の硬化物からなるパターンを形成する。インプリント装置では、基板上のショット領域に配置された樹脂と型を接触させる際に、樹脂と型に押圧力を加えるため、樹脂が広がるように移動し、ショット領域の外側や基板のエッジの外側にインプリント材がはみ出るおそれがある。
【０００３】
特許文献１には、基板上のエッジショット領域に配置された樹脂と型を接触させる際に、パターン形成領域の境界付近にＵＶ光を照射して、基板のエッジの方に広がる樹脂を硬化させて、はみ出しを防止することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−６９９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、パターン形成領域の境界付近に照射するＵＶ光の光強度分布について具体的な説明はない。例えば、基板のエッジの方に広がる樹脂に対して均一な強度分布の光を照射して完全に硬化させてしまうと、型と基板が接触状態で固定され、その後の基板のショット領域と型のパターンとの位置合わせが困難になる。また、特許文献１には、型のパターンが形成されている部分（メサ）の側面に樹脂がはみ出して不要な樹脂の凹凸が生じてしまうことに対する対策はされていない。
【０００６】
そこで、本発明は、基板上のインプリント材と型を接触させた際に基板と型の位置合わせを行いつつ、インプリント材のはみ出しを低減するインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント装置は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持する型保持部と、前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための照射光をインプリント材に照射する光学系と、を有し、前記照射光は、前記型が前記型保持部によって保持された状態において、前記型のパターン部の中心から側面に向かって光強度が大きくなる光強度分布を有し、前記型と前記基板上のインプリント材を接触させた状態で、前記型のパターン部の側面を含む領域において前記型のパターン部の中心から側面に向かって移動するインプリント材に対して前記照射光を照射する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板上のインプリント材と型を接触させた際に基板と型の位置合わせを行いつつ、インプリント材のはみ出しを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インプリント装置の構成を示す図である。
【図２】インプリント処理のフローチャートを示す図である。
【図３】型の側面にはみ出る樹脂を示す図である。
【図４】型の側面を含む領域を照射する照射光を示す図である。
【図５】型の側面を含む領域を照射する照射光の光強度分布を示す図である。
【図６】照射光を生成する光学系の構成を示す図である。
【図７】第２実施形態における照射光の位置の制御を説明する図である。
【図８】第３実施形態における照射光を生成する光学系の構成を示す図である。
【図９】遮光板の構成を示す図である。
【図１０】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置は、基板上にインプリント材を供給し、凹凸のパターンが形成されたモールド（型）を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化させる。そして、モールドと基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）することで、基板上のインプリント材にモールドのパターンを転写することができる。このような一連の処理を、インプリント処理と呼び、基板における複数のショット領域の各々について行われる。つまり、１枚の基板における複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行う場合には、該１枚の基板におけるショット領域の数だけインプリント処理が繰り返し行われることとなる。
【００１２】
第１実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す図である。このインプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどの製造に使用され、基板１０上の未硬化樹脂１４を型８で成形し、基板１０上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１を例にして説明する。また、図１においては、基板１０上の樹脂１４に入射する紫外線９の光軸と平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取る。インプリント装置１は、まず、露光照明系２と、型保持機構３と、基板ステージ４と、塗布部５と、形状補正機構３８と、制御部７とを備える。
【００１３】
露光照明系２は、インプリント処理の際に、型８および基板１０に対して紫外線９を照射する。この露光照明系２は、光源と、この光源から照射された紫外線９をインプリントに適切な光に調整する光学素子とから構成される。紫外線９は、ダイクロイックミラー３６で反射され、型８および基板１０へ導かれる。
【００１４】
型８は、外周形状が正方形であり、基板１０に対向する面には、中心付近に周囲よりも突出した部分（パターン部、メサとも言う）が設けられている。そのパターン部には、回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン面８ａが形成されている。また、パターン部は側面８ｂを含む。型８の材質は、紫外線９を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。さらに、型８は、後述するような形状補正機構３８によるパターン面８ａの変形を容易とするために、紫外線９が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さを有するキャビティ（凹部）が形成された形状としても良い。
【００１５】
型保持機構３は、まず、型８を保持する型保持部１１と、この型保持部１１を保持し、型８の姿勢制御やＺ方向の移動を行う型駆動機構１２とを有する。型保持部１１は、型８における紫外線９の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型８を保持し得る。例えば、型保持部１１が真空吸着力により型８を保持する場合には、型保持部１１は、外部に設置された真空ポンプに接続され、この真空ポンプのＯＮ／ＯＦＦにより型８の脱着が切り替えられる。また、型保持部１１および型駆動機構１２は、露光照明系２から照射された紫外線９が基板１０に向かうように、中心部（内側）に開口領域１３を有する。この開口領域１３には、開口領域１３の一部と型８とで囲まれる空間を密閉空間とする光透過部材４１（例えば石英板）を設置し、加圧源などを含む不図示の圧力調整装置により開口領域１３内の空間圧力が調整出来る構成としても良い。圧力調整装置は、例えば、型８と基板１０上の樹脂１４との押し付けに際して、空間内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン面８ａを基板１０に向かい凸形にたわませ、樹脂１４に対してパターン面８ａの中心部から接触させ得る。これにより、パターン面８ａと樹脂１４との間に気体が残留することを抑え、パターン面８ａの凹凸部に樹脂１４を隅々まで充填させることができる。また、パターン面８ａを基板１０に向かって凸形にたわませるのではなく基板１０上に樹脂１４を塗布した面をパターン面８ａに向かって、凸型にたわませて、型８と基板１０を接触させても良い。
【００１６】
型駆動機構１２は、型８と基板１０上の樹脂１４との押し付け、または引き離しを選択的に行う。この型駆動機構１２に採用可能なアクチュエータとしては、例えばボイスコイルモータやエアシリンダ等がある。また、型８の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはθ軸（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、型８の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置１におけるパターン面８ａの押し付け、および引き離し動作は、型８をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
【００１７】
基板１０は、例えば、Ｓｉウエハである。他に、ガラス基板やブランクマスクを用いることもできる。
【００１８】
基板ステージ４は、基板１０を保持し、型８と基板１０上の樹脂１４との押し付けに際して、型８と基板１０との位置合わせを実施する。この基板ステージ４は、基板１０を真空吸着力や静電力により保持する基板保持部１６と、この基板保持機構１６を機械的手段により保持し、各軸方向に移動可能とする基板ステージ駆動機構１７とを有する。この基板ステージ駆動機構１７に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータや平面パルスモータがある。基板ステージ駆動機構１７も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板１０のθ方向の位置調整機能、または基板１０の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。
【００１９】
また、基板ステージ４は、その側面に、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの各方向に対応した複数の参照ミラー１８を備える。これに対して、インプリント装置１は、これらの参照ミラー１８にそれぞれビームを照射することで、基板ステージ４の位置を測定する複数のレーザ干渉計（測長器）１９を備える。レーザ干渉計１９は、基板ステージ４の位置を計測し、後述する制御部７は、このときの計測値に基づいて基板１０（基板ステージ４）の位置決め制御を実行する。
【００２０】
塗布部５は、型保持機構３の近傍に設置され、基板１０上に樹脂（未硬化樹脂）１４を塗布する。ここで、この樹脂１４は、紫外線９を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂（インプリント材、組成物）であり、半導体デバイスなどの物品の製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、塗布部５から吐出される樹脂１４の量も、基板１０上に形成される樹脂１４の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。
【００２１】
また、インプリント装置１は、インプリント処理に際し、型８と基板１０との相対位置情報を得るためのアライメント計測部６を備える。アライメント計測部６から照射されるアライメント光３５は、ダイクロイックミラー３６を透過し、型８および基板１０上に形成されたアライメントマークに照射される。これらのアライメントマークで反射したアライメント光３５は、アライメント計測部６で受光され、型８と基板１０との相対位置情報を得ることが出来る。
【００２２】
制御部７は、インプリント装置１に含まれる各構成要素の動作、および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って、各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくとも型保持機構３、基板ステージ４、形状補正機構３８、露光照明系２、アライメント計測部６の動作を制御する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体（共通の筐体内に）で構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体（別の筐体内に）で構成してもよい。
【００２３】
また、インプリント装置１は、基板ステージ４を載置するベース定盤２７と、型保持機構３を支持するブリッジ定盤２８と、ベース定盤２７から延設され、除振器２９を介してブリッジ定盤２８を支持するための支柱３０とを備える。除振器２９は、床面からブリッジ定盤２８へ伝わる振動を除去する。さらに、インプリント装置１は、型８を装置外部から型保持機構３へ搬送する型搬送機構や、基板１０を装置外部から基板ステージ４へ搬送する基板搬送機構などを含み得る。
【００２４】
次に、インプリント装置１を用いたインプリント処理を説明する。図２に、インプリント装置１を用いたインプリント処理のフローチャートを示す。
【００２５】
まず、工程１０１において、インプリント装置１内に基板１０を搬送する。次に、工程１０２で、インプリント処理を行う基板１０上のショット領域に、塗布部５を用いて樹脂１４を塗布（吐出）する。工程１０３で、基板１０上に塗布された樹脂１４に対して型８を接触させて押印する。その際、図３（ａ）に示すように、樹脂１４は型８との濡れ性が良いため、樹脂１４が型８のメサ部分の側面８ｂに染み出し、付着することがある。側面８ｂに樹脂１４が付着した状態で型のパターン部分に入り込んだ樹脂を硬化させて、型８を樹脂１４から離型すると、図３（ｂ）に示すように、側面８ｂに対応した樹脂１４の突起形状が形成される。樹脂１４の突起形状が形成さると、膜厚が不均一となり、後工程のエッチング処理等で不具合を生じさせる原因となる。また、側面８ｂに付着した樹脂１４の一部が、インプリント処理の最中に基板１０上へ落下し、落下した樹脂上に型８を押しつけると、型８のパターン面８ａが破壊される。また、基板上のパターン形成不良によって、製造されるデバイスの欠陥を引き起こす原因となる。
【００２６】
工程１０３において型８を樹脂１４に接触させている際に、照射光５０を型８の側面８ｂを含む領域に照射する工程１０４を行う。図４（ａ）に照射光５０による照射領域（斜線部）の断面図、図４（ｂ）にその平面図を示す。照射光５０の照射開始タイミングは、例えば、型８を樹脂１４に接触させた後であって押印が完了する前や、型８を樹脂１４に接触させる前などが挙げられる。照射開始タイミングは、樹脂１４の種類などによっても異なるため、別途実験を行って決める必要がある。照射光５０は樹脂１４が重合反応する光であれば良く、紫外光に限らない。
【００２７】
図５（ａ）に示す型８と基板１０に挟まれた樹脂１４が押印されることで、図５（ｂ）に示すように型のパターン面８ａの外側に向かって樹脂１４の気液界面（最外周境界）１４ｂが広がり始める。型８と基板１０の間の樹脂１４の気液界面１４ｂが型８の側面８ｂに到達する前に、照射光の照射を開始する。
【００２８】
照射光５０は図５（ｂ）に示すように、型８の断面において光強度分布５６を有する。光強度分布５６は型８の中心部から側面８ｂに向かって、光強度が大きくなるように形成する。図５（ｂ）では光強度分布５６のピークは側面８ｂより外側に位置している。ただし、当該ピークが側面８ｂの位置にある場合又は側面８ｂの内側にある場合でもよい。なお、光強度分布５６のピークより外側の位置では、照射光５０の光強度分布は、外側に向かって光強度が小さくなるように形成されている。
【００２９】
型８によって樹脂１４がさらに押圧されると、樹脂１４の気液界面１４ｂは図５（ｃ）に示すように、さらに外側に向かって広がり、気液界面１４ｂの樹脂が照射される照射光５０の強度が段階的に増加する。気液界面１４ｂの樹脂１４は、外側に向かって移動するため、照射光５０の光強度の大きさに応じて徐々に重合反応が開始され、気液界面１４の樹脂の粘性が増加する。気液界面１４ｂの樹脂の粘性が増加することで、気液界面１４ｂの移動速度が低下する。そして、照射光５０によって、気液界面１４ｂが型８の側面８ｂの位置に来たときに移動が止まるようにすれば、型８の側面８ｂに樹脂１４が付着することを防ぐことが可能となる。このとき、樹脂は完全に硬化させず、半硬化状態とすることにより、その後の型と基板のアライメントを容易にできる。そして、製造されるデバイスの不良や型８の破壊を低減し、歩留まりの高いインプリント装置を提供することができる。なお、樹脂１４の粘性変化に必要な照射光５０の強度分布は、樹脂１４の種類などによっても異なるため、別途実験を行って決める必要がある。
【００３０】
次に、照射光５０を型８の側面８ｂに照射するための、露光照明系２の光学系の一例を説明する。図６にその光学系の模式図を示す。光源５１は、樹脂１４が重合反応する波長の光、例えば紫外線を射出する。光源５１は樹脂１４を所望の粘度に重合反応させるために必要な光出力が得られるものを選定し、例えば、ランプ、レーザダイオード、ＬＥＤ等が挙げられる。光源５１から発せられた光は光学素子５４ａによって、空間的に振幅、位相又は偏光を変調する空間光変調素子５３へ導かれる。本実施形態では空間光変調素子５３としてデジタルマイクロミラーデバイス（以下ＤＭＤ）を使用した例を示すが、その他の空間光変調素子であるＬＣＤデバイスやＬＣＯＳデバイス等を構成しても構わない。空間光変調素子５３を用いることで、照射光の照射領域や強度の設定が、他のデバイスより自由に出来るようになる。光源５１および空間光変調素子５３は制御部７により制御される。空間光変調素子５３によって照射領域や光強度が制御された照射光５０は、光学素子５４ｂにより、型８および基板１０に投影される倍率が調整される。照射光５０の強度分布は光学素子５４ｂによる光学ボケによって実現される。本実施形態では、この光学ボケをつかって照射光の強度分布を形成するため、比較的安価な光学素子５４ｂで構成することが可能である。
【００３１】
工程１０４では、図４（ｂ）に示すように型８の側面８ｂを含む領域に照射光５０を照射し、パターンが形成されている型８のパターン面８ａの中心部へは照射光５０を照射しない。このようにすることで、側面８ｂへ樹脂１４が付着することを防ぎ、型８のパターン面８ａの中心部にある樹脂１４に関しては粘性を変化させずに、パターン面８ａへ樹脂の充填性を維持することが出来る。
【００３２】
工程１０３において型８と基板１０を接触させて押印した後、工程１０５において、型８と基板１０との位置合わせが実行される。工程１０５の一部においては、型８と基板１０の押圧が引き続き行われていてもよい。
【００３３】
工程１０４において、型８の側面８ｂ近傍の樹脂１４を完全に硬化させてしまうと、その後の型８と基板１０との位置合わせを行うことが出来ず、高精度な位置合わせが困難となる。また、型８の側面８ｂに近い位置に型のパターンが設けられる場合、樹脂１４がパターンの凹部に充填される前に硬化することとなり、未充填欠陥を増加させる原因となる。このような位置合わせ精度の悪化と未充填欠陥の増加は歩留まりを低下させる要因となる。そのため、工程１０４では、樹脂１４を完全に硬化させず、位置合わせ精度の悪化と未充填欠陥の増加を抑えている。
【００３４】
工程１０６では、制御部７によって位置合わせ精度が判定され、位置合わせ精度が判定値を満足していると判断した場合、工程１０７において、基板のショット領域全体の樹脂を硬化させるために露光照明系２を用いて露光する。これにより、型８のパターン８ａの凹部に充填された樹脂が硬化し、硬化された樹脂の凹凸パターンが形成される。露光照明系２の光学系において、空間光変調素子５３としてＤＭＤを用いた場合、ＤＭＤ全体のマイクロミラーによって基板に向けて紫外光を反射させて、ショット領域全体を紫外光で照射することができる。
【００３５】
次に、工程１０８において、樹脂と型を引き離す離型が行われる。工程１０６において、位置合わせ精度が判定値を満足していないと判断した場合、工程１０５を継続するか、強制的に次工程に進むかは、装置の運用によって決定される。
【００３６】
工程１０９において、基板１０上に指定した全てのショット領域についてインプリント処理が完了したかどうかの終了判定が行われる。インプリント処理が終了した場合、基板１０をインプリント装置１外に搬出する。インプリント処理が完了していない場合、工程１０２に進み、次のショット領域に樹脂１４を塗布し、インプリント処理が完了するまで各工程が繰り返される。
【００３７】
＜第２実施形態＞
本実施形態のインプリント処理において、第１実施形態のインプリント処理のフローの工程１０４以外は、第１実施形態と同様である。
【００３８】
第１実施形態では、工程１０４において、予め決まった位置に照射光５０を照射したが、本実施形態では樹脂１４の気液界面の位置に合わせて、照射光５０の位置を変化させる。
【００３９】
工程１０３において、図７（ａ）に示すように、型８を樹脂１４に押しつけると、樹脂１４は型８のパターン面８ａの中心部から型８の側面８ｂに向かって気液界面５５が移動する。そして、本実施形態の工程１０４において、樹脂１４の気液界面５５の位置に合わせて、照射光５０を照射する。図７（ｂ）に示すように、型８を更に樹脂１４に押しつけると、側面８ｂに向かって気液界面５５が移動する。そのため、樹脂１４の気液界面５５の位置に合わせて、照射光５０の位置を変更する。このようにすることで、樹脂１４の気液界面５５近傍のみに照射光５０を照射することが可能となるため、気液界面５５近傍のみに粘性変化を限定することが出来る。気液界面５５近傍のみ粘性変化を起こすことで、気液界面５５の移動速度の低下と、型８のパターン８ａへの樹脂の充填性と、を両立することが出来る。
【００４０】
第１実施形態で説明した空間光変調素子５３としてＤＭＤを使用する場合、ＤＭＤのマイクロミラーのうち、基板面に向けて照射光５０を反射させるマイクロミラーの位置を変更することで、照射光５０の位置を移動させることができる。
【００４１】
例えば、ＤＭＤのマイクロミラーのうち、基板１０に向けて照射光５０を反射させるマイクロミラーを、図７（ｃ）に示す第１領域５３ａ、第２領域５３ｂ、第３領域５４ｃの順に外側に移動させることで、照射光５０を中心から外側へ移動させることができる。したがって、照射光５０が気液界面５５の移動に追従することが出来る。なお、気液界面５５の移動速度は、工程１０３の押印工程で設定している型８と基板１０における隙間の時間変化から予測することが可能である。そのため、予測された気液界面５５の移動速度に基づいて、照射光５０の位置を制御することができる。
【００４２】
＜第３実施形態＞
インプリント装置１では、基板のショット領域と型のパターンとの位置合わせを行うために、基板のショット領域を加熱して、ショット領域の形状を制御することができる。加熱光の光強度分布はショット領域が目標形状となるように設定され、その光強度分布を形成するための光学素子として空間光変調素子が使用される。そのため、上記実施形態で用いる空間光変調素子５３と、加熱光用の空間光変調素子を兼用することによって、簡易で小型な光学系を構成することができる。
【００４３】
図８に、その光学系の構成を示す。図６に示した光学系に、基板を加熱するための光を射出する光源６１と、遮光板６２、ビームスプリッタ６３、６４が追加されている。遮光板６２は、図９に示すように開口６２ａが設けられ、回転可能に構成されている。基板を加熱するときは開口６２ａが加熱光の光路に配置され、樹脂を硬化させるときは開口６２ａが硬化光の光路に配置されるように、制御部７によって遮光板６２の回転が制御される。開口６２ａを通過した光は空間光変調素子５３に入射して、基板１０に向かって反射される。また、遮光板６２の代わりに波長フィルタを用いることもできる。光源６１からの光の波長と光源５１からの光の波長を互いに異ならせ、どちらか一方の光を透過させて、他方を吸収することによって、型や基板に導く光を選択（波長選択）することができる。
【００４４】
＜第４実施形態＞
上記実施形態ではパターン部を有する型を用いたが、パターン部がない型を用いて基板上の樹脂を成形する成形装置に対しても、上述の装置、方法、特に工程１０４を適用することができる。
【００４５】
＜物品の製造方法の実施形態＞
物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置（インプリント方法）を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４６】
インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４７】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４８】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１０（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４９】
図１０（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１０（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５０】
図１０（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５１】
図１０（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１０（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
2019067918.tif 000003
【図２】
2019067918.tif 000004
【図３】
2019067918.tif 000005
【図４】
2019067918.tif 000006
【図５】
2019067918.tif 000007
【図６】
2019067918.tif 000008
【図７】
2019067918.tif 000009
【図８】
2019067918.tif 000010
【図９】
2019067918.tif 000011
【図１０】
2019067918.tif 000012