(57)【要約】【課題】外部の基板搬送手段との基板の受け渡しを容易に行いつつ、基板に対して均一に紫外線を照射できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１ｂは、基板Ｗに紫外線を照射する装置である。基板処理装置１ｂは基板保持手段１０と移動手段２０と紫外線照射手段３０と制御手段６０とを備える。基板保持手段１０は基板Ｗを保持する。移動手段２０は外部の基板搬送手段と基板保持手段１０との間で基板Ｗの受け渡しを行う第１位置Ｐｙ１と、第１位置Ｐｙ１から水平方向に離れた第２位置Ｐｙ２との間において、基板保持手段１０を往復移動させる。紫外線照射手段３０は第１位置Ｐｙ１と第２位置Ｐｙ２との間の途中位置Ｐｙ３において基板Ｗに紫外線を照射する。制御手段６０は移動手段２０および紫外線照射手段３０を制御する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に紫外線を照射する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持手段と、
外部の基板搬送手段と前記基板保持手段との間で前記基板の受け渡しを行う第１位置と、前記第１位置から水平方向に離れた第２位置との間において、前記基板保持手段を往復移動させる移動手段と、
前記第１位置と前記第２位置との間の途中位置において前記基板に紫外線を照射する紫外線照射手段と、
前記移動手段および前記紫外線照射手段を制御する制御手段と、
を備える、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記紫外線照射手段と前記基板との間に気体を供給する少なくとも一つの供給口を有する気体供給手段を更に備える、基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも一つの供給口は、前記紫外線照射手段に対して前記第２位置側に設けられた第１供給口を含み、
前記気体は不活性ガスであり、
前記制御手段は、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させ、かつ、前記気体供給手段に前記第１供給口から前記気体を供給させた状態で、前記移動手段を制御して前記第１位置から前記第２位置へと前記基板保持手段を移動させる、基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも一つの供給口は、前記紫外線照射手段に対して前記第１位置側に設けられた第２供給口を含み、
前記気体は不活性ガスであり、
前記制御手段は、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させ、かつ、前記気体供給手段に前記第２供給口から前記気体を供給させた状態で、前記移動手段を制御して前記第２位置から前記第１位置へと前記基板保持手段を移動させる、基板処理装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記紫外線照射手段に対して前記少なくとも一つの供給口とは反対側に設けられ、前記気体を吸引する少なくとも一つの吸引口を有する気体吸引手段を備える、基板処理装置。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板と前記紫外線照射手段との間の鉛直方向の間隔を変更するように前記基板保持手段および前記紫外線照射手段を相対的に昇降させる昇降手段を更に備え、
前記気体供給手段は、酸素および不活性ガスを選択的に供給し、
前記制御手段は、前記第１位置から前記第２位置への前記基板保持手段の往路移動時、および、前記第２位置から前記第１位置への前記基板保持手段の復路移動時のいずれか一方において、(i)前記昇降手段を制御して前記間隔を第１値とし、前記気体供給手段に不活性ガスを供給させ、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させ、
前記往路移動時または前記復路移動時の他方において、(ii)前記昇降手段を制御して前記間隔を前記第１値よりも広い第２値とし、前記気体供給手段に酸素を供給させ、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させる、基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は前記往路移動時において前記処理(i)を行い、前記復路移動時において前記処理(ii)を行う、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板保持手段、前記紫外線照射手段および前記移動手段を収容する筐体を備え、
前記筐体には、前記第１位置から前記第２位置に向けて気流を形成する給気口および排気口が形成される、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板保持手段および前記紫外線照射手段の少なくともいずれか一方を水平面内において、交互に反対方向に回動させる回動手段を更に備える、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記第２位置に設けられ、前記基板の表面の有機物の量または帯電量を検出する検出手段を更に備える、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は前記検出手段の検出値に基づいて、前記第２位置から前記第１位置への前記基板保持手段の復路移動時に前記紫外線照射手段に紫外線を照射させるか否かを判断する、基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は前記復路移動時における前記基板保持手段の移動速度を、前記検出手段の検出値が大きいほど遅く決定する、基板処理装置。
【請求項１３】
基板処理方法であって、
第１位置に位置する基板保持手段に基板を渡す第１工程と、
紫外線照射手段に紫外線を照射させる第２工程と、
前記第１工程および前記第２工程の後に、紫外線照射中の前記紫外線照射手段を横切るように前記基板保持手段を移動させて、前記基板に紫外線を照射させる第３工程と、
前記第３工程の後に、前記基板保持手段を前記第１位置で停止させる第４工程と、
前記第４工程の後に、前記基板保持手段から基板を取り出す第５工程と
を備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、基板に紫外線を照射する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、紫外線を基板に照射する基板処理装置が知られている（例えば特許文献１〜４）。例えば特許文献１には、塗布現像処理システムが記載されている。この塗布現像処理システムでは、カセットステーションと露光装置とを繋ぐ２つの搬送ラインＡ，Ｂに沿って、複数の処理ユニットが配置されている。ガラス基板は搬送ラインＡ上の処理ユニットで順次に処理を施されつつカセットステーションから露光装置へと搬送される。このガラス基板は露光装置において露光された後、搬送ラインＢ上の処理ユニットで順次に処理を施されつつカセットステーションへと搬送される。
【０００３】
この塗布現像処理システムにおいて、搬送ラインＡ上の処理ユニットの一つには、ガラス基板を搬送ラインＡに沿って一方向にコロ搬送する搬送ローラと、ガラス基板に紫外線を照射するバー状の照射部とが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６０２２１号公報
【特許文献２】特開２０１６−５１７２７号公報
【特許文献３】特公表２００２−５１３８５６号公報
【特許文献４】特開２０１４−１１０４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、基板は搬送ラインＡ，Ｂをそれぞれ一方向に搬送される。一方で、基板処理システムには、基板が搬送ロボットを中心として処理装置間を搬送されるものがある（いわゆるクラスタ型の半導体製造装置）。この基板処理システムにおいては、搬送ロボットの周囲に複数の処理装置が配置される。処理装置間の搬送はこの搬送ロボットによって行われるので、搬送ロボットはセンタロボットとも呼ばれる。基板は、搬送ロボットを中心として処理装置を繋ぐ放射状の搬送ラインに沿って搬送され、搬送ロボットと処理装置との間で双方向に移動（往復）する。
【０００６】
この基板処理システムの処理装置の一つとして、基板に紫外線を照射する紫外線処理装置を採用することが考えられる。しかしながら、この紫外線処理装置に特許文献１の技術を採用することは難しい。なぜなら、特許文献１にかかる処理ユニットは基板を一方向にコロ搬送するので、搬送ロボットと処理装置との間で双方向に基板が移動する上記基板処理システムには適していないからである。
【０００７】
そこで、上記基板処理システムに適した態様として、基板を水平面で回転させる回転機構を処理装置内に設けることが考えられる。この場合、基板が処理装置内で移動する必要がないので、搬送ロボットとの間の基板の受け渡しが容易である。またバー状の照射部と対面する基板が水平面で回転するので、基板の全面に紫外線を照射することができる。
【０００８】
しかしながら、このような態様では、基板の外周側ほど紫外線が照射されないので、基板の全面に均一に紫外線を照射することは困難である。この点は、後にも詳述する。
【０００９】
そこで、本発明は、外部の基板搬送手段との基板の受け渡しを容易に行いつつ、基板に対して均一に紫外線を照射できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、基板処理装置の第１の態様は、基板に紫外線を照射する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持手段と、外部の基板搬送手段と前記基板保持手段との間で前記基板の受け渡しを行う第１位置と、前記第１位置から水平方向に離れた第２位置との間において、前記基板保持手段を往復移動させる移動手段と、前記第１位置と前記第２位置との間の途中位置において前記基板に紫外線を照射する紫外線照射手段と、前記移動手段および前記紫外線照射手段を制御する制御手段と、を備える。
【００１１】
基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記紫外線照射手段と前記基板との間に気体を供給する少なくとも一つの供給口を有する気体供給手段を更に備える。
【００１２】
基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記少なくとも一つの供給口は、前記紫外線照射手段に対して前記第２位置側に設けられた第１供給口を含み、前記気体は不活性ガスであり、前記制御手段は、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させ、かつ、前記気体供給手段に前記第１供給口から前記気体を供給させた状態で、前記移動手段を制御して前記第１位置から前記第２位置へと前記基板保持手段を移動させる。
【００１３】
基板処理装置の第４の態様は、第２または第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記少なくとも一つの供給口は、前記紫外線照射手段に対して前記第１位置側に設けられた第２供給口を含み、前記気体は不活性ガスであり、前記制御手段は、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させ、かつ、前記気体供給手段に前記第２供給口から前記気体を供給させた状態で、前記移動手段を制御して前記第２位置から前記第１位置へと前記基板保持手段を移動させる。
【００１４】
基板処理装置の第５の態様は、第３または第４の態様にかかる基板処理装置であって、前記紫外線照射手段に対して前記少なくとも一つの供給口とは反対側に設けられ、前記気体を吸引する少なくとも一つの吸引口を有する気体吸引手段を備える。
【００１５】
基板処理装置の第６の態様は、第２から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板と前記紫外線照射手段との間の鉛直方向の間隔を変更するように前記基板保持手段および前記紫外線照射手段を相対的に昇降させる昇降手段を更に備え、前記気体供給手段は、酸素および不活性ガスを選択的に供給し、前記制御手段は、前記第１位置から前記第２位置への前記基板保持手段の往路移動時、および、前記第２位置から前記第１位置への前記基板保持手段の復路移動時のいずれか一方において、(i)前記昇降手段を制御して前記間隔を第１値とし、前記気体供給手段に不活性ガスを供給させ、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させ、前記往路移動時または前記復路移動時の他方において、(ii)前記昇降手段を制御して前記間隔を前記第１値よりも広い第２値とし、前記気体供給手段に酸素を供給させ、前記紫外線照射手段に紫外線を照射させる。
【００１６】
基板処理装置の第７の態様は、第６の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御手段は前記往路移動時において前記処理(i)を行い、前記復路移動時において前記処理(ii)を行う。
【００１７】
基板処理装置の第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持手段、前記紫外線照射手段および前記移動手段を収容する筐体を備え、前記筐体には、前記第１位置から前記第２位置に向けて気流を形成する給気口および排気口が形成される。
【００１８】
基板処理装置の第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持手段および前記紫外線照射手段の少なくともいずれか一方を水平面内において、交互に反対方向に回動させる回動手段を更に備える。
【００１９】
基板処理装置の第１０の態様は、第１から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記第２位置に設けられ、前記基板の表面の有機物の量または帯電量を検出する検出手段を更に備える。
【００２０】
基板処理装置の第１１の態様は、第１０の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御手段は前記検出手段の検出値に基づいて、前記第２位置から前記第１位置への前記基板保持手段の復路移動時に前記紫外線照射手段に紫外線を照射させるか否かを判断する。
【００２１】
基板処理装置の第１２の態様は、第１１の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御手段は前記復路移動時における前記基板保持手段の移動速度を、前記検出手段の検出値が大きいほど遅く決定する。
【００２２】
基板処理方法の第１３の態様は、基板処理方法であって、第１位置に位置する基板保持手段に基板を渡す第１工程と、紫外線照射手段に紫外線を照射させる第２工程と、前記第１工程および前記第２工程の後に、紫外線照射中の前記紫外線照射手段を横切るように前記基板保持手段を移動させて、前記基板に紫外線を照射させる第３工程と、前記第３工程の後に、前記基板保持手段を前記第１位置で停止させる第４工程と、前記第４工程の後に、前記基板保持手段から基板を取り出す第５工程とを備える。
【発明の効果】
【００２３】
基板処理装置の第１の態様および基板処理方法の第１３の態様によれば、基板保持手段が移動することで、基板の表面に対して均一に紫外線を照射しやすい。しかも、外部の基板搬送手段は、第１位置に位置する基板保持手段と基板の受け渡しを行うことができる。よって、基板搬送手段は基板処理装置と基板の受け渡しを行いやすい。
【００２４】
基板処理装置の第２の態様によれば、紫外線照射器と基板との間の処理空間の雰囲気を制御することができる。
【００２５】
基板処理装置の第３および第４の態様によれば、気体は基板と紫外線照射器との間の処理空間を、基板の移動方向とは反対に流れる。よって、紫外線の照射によって基板から除去された物質（例えば有機物または電子）が基板に再付着したとしても、その物質は基板Ｗの移動に伴って再び紫外線照射器を横切り、また供給口へと近づく。よって、当該物質は基板から離れやすい。つまり、当該物質の基板への再付着を抑制できる。
【００２６】
基板処理装置の第５の態様によれば、気体が基板と紫外線照射器との間の空間を流れた後に吸引口から吸引される。よって、紫外線の照射によって基板から除去された物質（例えば有機物または電子）は気体の流れに沿って吸引口から吸引され得る。よって当該物質の再付着を更に抑制できる。
【００２７】
基板処理装置の第６の態様によれば、(i)の処理によって、不活性ガスを供給し、かつ、距離を短い第１値とすることで、紫外線を基板に直接に照射させることができる。これにより、紫外線の直接照射による有機物の分子結合の切断によって、基板の有機物を除去できる。
【００２８】
一方で、(ii)の処理によって、酸素を供給し、かつ、距離を長い第２値とすることで、処理空間内の酸素分子の数を増大させることができ、紫外線によって処理空間に十分な酸素を生成することができる。オゾンは酸化力が強いので、オゾンが基板の表面に作用することにより、基板の有機物を除去できる。
【００２９】
（i)の処理により、基板の有機物を速やかに除去する（スループットを向上する）とともに、(ii)の処理により、波長の短い紫外線によっては入り込めない基板のパターン間の隙間にもオゾンを作用させて当該隙間でも有機物を適切に除去できる。
【００３０】
基板処理装置の第７の態様によれば、往路移動時に処理(ii)を行い、復路移動時に処理(i)を行う場合に比べて、スループットを向上できる。
【００３１】
基板処理装置の第８の態様によれば、処理室内の空気が、外部の基板搬送手段が設けられた空間へ流れ出すことを抑制できる。
【００３２】
基板処理装置の第９の態様によれば、基板保持手段を交互に反対方向に回動させながら第１位置と第２位置との間を移動させることで、基板の各位置における入射角度を変えながら紫外線を基板に照射できる。これによれば、基板にパターンが形成されている場合であっても、パターンの隙間に対して紫外線を照射しやすい。
【００３３】
基板処理装置の第１０の態様によれば、基板の検査を行うことができる。
【００３４】
基板処理装置の第１１の態様によれば、復路移動時の処理の要否を適切に判断できる。
【００３５】
基板処理装置の第１２の態様によれば、移動速度を適切に決定できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図２】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図３】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図４】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】紫外線照射器３０の直下で基板Ｗを回転させる様子の一例を概略的に示す平面図である。
【図６】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】下流側の供給口のみから気体が供給された状態で基板が往路を移動するときの様子の一例を概略的に示す図である。
【図８】上流側の供給口のみから気体が供給された状態で基板が往路を移動するときの様子の一例を概略的に示す図である。
【図９】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図１０】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図１１】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図１２】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図１３】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図１４】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図１５】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図１６】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図１７】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図１８】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図１９】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。また理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００３８】
第１の実施の形態．
＜基板処理システムの全体構成の一例＞
図１は、基板処理システム１００の全体構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１００は、半導体基板などの基板に対して種々の処理を行うための装置であり、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この基板処理システム１００は、例えば、収容器保持部２、基板通過部３および複数の基板処理装置１を備えている。収容器保持部２は基板収容器を保持する。この基板収容器には、例えば複数の基板が収容される。図１の例においては、複数の収容器保持部２が設けられており、これらは、水平面に平行な一方向（以下、Ｘ方向とも呼ぶ）に沿って配列されている。
【００３９】
基板処理装置１は、基板に対して所定の処理を施すための装置である。図１の例においては、複数の基板処理装置１（図示例では基板処理装置１ａ，１ｂ）が設けられている。
【００４０】
例えば基板処理装置１ａは、基板に対して処理液を供給して、処理液に基づく処理を行う装置である。具体的な一例として、基板処理装置１ａは、基板の表面のレジストを除去するレジスト除去装置である。基板処理装置１ａは、レジスト除去用の処理液を基板の表面に供給する薬液処理と、薬液をリンス液（純水）で洗い流すリンス処理と、基板の表面を撥水化する撥水化処理と、リンス液を乾燥させる乾燥処理とを行う。乾燥処理は例えば基板を水平面で回転させることにより、基板を乾燥させる処理である。この乾燥途上では、純水の表面張力に起因して、基板の表面に形成されたパターンが倒壊し得る。この倒壊を抑制すべく、乾燥処理の前に撥水化処理が行われる。撥水化処理は撥水剤を含む処理液を基板の表面に供給してパターンの表面に撥水膜（有機物）を形成する処理である。これにより、パターンに作用する純水の表面張力を低減することができ、乾燥処理におけるパターンの倒壊を抑制することができる。その一方で、このような撥水膜は半導体製品としては不要である。よって乾燥処理の後にその除去が望まれる。
【００４１】
基板処理装置１ｂは、基板の表面に向かって紫外線を照射し、紫外線に基づく処理を基板に対して行う装置である。例えば紫外線が基板Ｗ１の表面の有機物（例えば撥水膜）に作用することで、有機物を分解および除去する。これは、紫外線の光子のエネルギーが大きいので、紫外線が有機物の分子結合を切断できるからである。この基板処理装置１ｂは撥水膜などの有機物の除去処理を基板の主面に対して行うことができる。
【００４２】
基板通過部３は収容器保持部２と基板処理装置１の各々との間に配置されている。図１の例においては、基板通過部３を挟む４つの位置にそれぞれ基板処理装置１が配置されている。具体的には、基板通過部３はＸ方向に垂直且つ水平なＹ方向に沿って延びている。この基板通過部３に対してＸ方向の両側の各々において、１つの基板処理装置１ａと１つの基板処理装置１ｂがＹ方向に隣り合って配置されている。図１の例では、２つの基板処理装置１ａが基板通過部３に対して互いに反対側に配置されており、２つの基板処理装置１ｂが基板通過部３に対して互いに反対側に配置されている。
【００４３】
未処理の基板は収容器保持部２から基板通過部３を経由して基板処理装置１ｂへと渡される。基板処理装置１ｂにおいて処理が施された処理済みの基板は、当該基板処理装置１ｂから基板通過部３を経由して、基板処理装置１ａへと渡される。
【００４４】
なお、基板通過部３を挟む４つの位置の各々において、複数の基板処理装置１が鉛直方向（以下、Ｚ方向とも呼ぶ）に沿って積層されていてもよい。これによれば、基板処理装置１をより多く設けることができ、基板処理システム１００の処理能力（同時に処理可能な基板の枚数）を向上することができる。
【００４５】
基板通過部３は例えばインデクサロボット４、パス部５および搬送ロボット６を備えている。インデクサロボット４は次に説明するインデクサ搬送路７をＸ方向に往復移動することができる。インデクサ搬送路７は、複数の収容器保持部２に隣り合ってＸ方向に延びる搬送路である。インデクサロボット４は、このインデクサ搬送路７において、各収容器保持部２と対向する位置で停止することができる。
【００４６】
インデクサロボット４は例えばアームとハンドとを有している。ハンドはアームの先端に設けられており、基板を保持したり、或いは、保持した基板を解放できる。ハンドは、アームの駆動によって、水平面に平行かつＸ方向に垂直な方向（以下、Ｙ方向とも呼ぶ）に往復移動可能である。インデクサロボット４は、収容器保持部２と対向した状態で、ハンドを収容器保持部２へと移動させて、未処理の基板を収容器保持部２から取り出したり、処理済みの基板を収容器保持部２に渡したりすることができる。
【００４７】
パス部５はインデクサ搬送路７に対して収容器保持部２とは反対側に位置している。例えばパス部５は、インデクサ搬送路７のＸ方向における中央部と対向する位置に形成されてもよい。例えばパス部５は、基板が載置される載置台あるいは棚を有していてもよい。インデクサロボット４はアームを水平面において１８０度回転させることができる。これにより、インデクサロボット４はハンドをパス部５へと移動させることができる。インデクサロボット４は、収容器保持部２から取り出した基板をパス部５に渡したり、パス部５に載置された基板をパス部５から取り出したりすることができる。
【００４８】
搬送ロボット６はパス部５に対してインデクサ搬送路７とは反対側に設けられている。また複数（図１では平面視で４つ）の基板処理装置１が搬送ロボット６を囲むように配置されている。
【００４９】
搬送ロボット６もインデクサロボット４と同様に、アームおよびハンドを有している。この搬送ロボット６はパス部５から基板を取り出したり、パス部５に基板を渡したりすることができる。また搬送ロボット６は各基板処理装置１へと基板を渡したり、各基板処理装置１から基板を取り出したりすることができる。なおインデクサロボット４および搬送ロボット６は、基板を搬送する基板搬送手段とみなすことができる。
【００５０】
＜基板処理装置＞
図２は、基板処理装置１ｂの構成の一例を概略的に示す側面図であり、図３は、基板処理装置１ｂの構成の一例を概略的に示す平面図である。この基板処理装置１ｂは基板Ｗの表面に向けて紫外線を照射して、紫外線に基づく処理を基板Ｗに対して行う装置である。
【００５１】
＜基板処理装置の具体的な内部構成＞
基板処理装置１ｂは基板保持部１０と移動機構２０と紫外線照射器３０と気体供給部４０と制御部６０と筐体７０とを備えている。
【００５２】
筐体７０は基板Ｗに対する処理を行うための処理室を形成する。この筐体７０はチャンバとも呼ばれる。筐体７０は例えばステンレス鋼によって形成される。図１を参照して、この筐体７０の側面には、基板Ｗが出入りするための搬出入口７１が形成される。具体的には、筐体７０の側面のうち、搬送ロボット６が設けられた空間に面する側面に、搬出入口７１が形成される。この搬出入口７１には、その開閉を切り替えるシャッタ（不図示）が設けられる。搬送ロボット６は、シャッタが開いた搬出入口７１を介して、基板Ｗを筐体７０の内部に搬入したり、筐体７０の内部から基板Ｗを搬出したりする。
【００５３】
＜基板保持部＞
再び図２を参照して、基板保持部１０は筐体７０の内部に配置されており、基板Ｗを水平に保持する。例えば基板Ｗは半導体基板であって、平面視で（つまりＺ方向に沿って見て）円形の形状を有する板状の基板である。但し、基板Ｗはこれに限らず、例えば液晶などの表示パネル用の基板であって、平面視で矩形状の形状を有する板状の基板であってもよい。以下では代表的に、円形の形状を有する基板Ｗを用いて基板処理装置１ｂを説明する。
【００５４】
例えば基板保持部１０は略円板形状を有しており、その上面に基板Ｗ１が載置される。基板保持部１０は例えばセラミック等で形成され得る。図２の例においては、基板保持部１０の上面には、複数の突起部（ピン）１１が設けられており、複数の突起部１１の先端が基板Ｗの下面を支持する。
【００５５】
＜移動機構＞
移動機構２０は筐体７０の内部に配置されており、基板保持部１０を水平方向（ここではＹ方向）に沿って移動させる。この移動機構２０は基板保持部１０を第１位置Ｐｙ１と第２位置Ｐｙ２との間で往復移動させることができる。第１位置Ｐｙ１は、基板保持部１０と搬送ロボット６との間で基板Ｗの搬出入（受け渡し）が行われる位置である。以下では、第１位置Ｐｙ１を受け渡し位置Ｐｙ１とも呼ぶ。第２位置Ｐｙ２は水平方向（ここではＹ方向）において第１位置Ｐｙ１と離れた位置である。後に詳述するように、移動機構２０は、基板Ｗが保持された基板保持部１０を第１位置Ｐｙ１から第２位置Ｐｙ２へ移動させた後に、基板Ｗの搬出のために再び第１位置Ｐｙ１へと移動させるので、以下では、第２位置Ｐｙ２を折り返し位置Ｐｙ２とも呼ぶ。受け渡し位置Ｐｙ１は折り返し位置Ｐｙ２よりも搬出入口７１に近い位置であるとも言える。図２および図３の例では、折り返し位置Ｐｙ２で停止した基板保持部１０および基板Ｗを二点鎖線で示している。
【００５６】
図３の例においては、移動機構２０は送り軸２１、送り軸モータ２２、一対のガイドレール２３および連結部材２４を含む。送り軸２１はＹ方向に沿って延在するように設けられている。送り軸２１は、例えばボールねじであり、送り軸モータ２２の回転軸に接続される。
【００５７】
一対のガイドレール２３もＹ方向に沿って延在するように設けられる。送り軸２１および一対のガイドレール２３は互いに平行となるように配置される。基板保持部１０のＸ方向の両側には柱部材１４が設けられており、この一対の柱部材１４は一対のガイドレール２３上に、それぞれＹ方向に移動可能に設けられる。基板保持部１０の下面には、基板保持部１０と送り軸２１を連結する連結部材２４が設けられる。
【００５８】
移動機構２０（具体的には送り軸モータ２２）は制御部６０により制御される。送り軸モータ２２が動作することにより送り軸２１が回転する。これにより連結部材２４およびこれに固定された基板保持部１０がＹ方向に沿って移動する。
【００５９】
移動機構２０は基板Ｗを移動させるので搬送部であるとも言える。また移動機構２０は基板処理システム１００において基板処理装置１ｂ内で基板Ｗを搬送することから、ローカル搬送部であるとも言える。
【００６０】
＜紫外線照射器＞
紫外線照射器３０は筐体７０の内部に配置されており、紫外線を照射する。紫外線照射器３０としては、例えばエキシマランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプまたはＵＶ(ultraviolet)−ＬＥＤ(Light Emitting Diode)などの光源が採用され得る。
【００６１】
紫外線照射器３０は受け渡し位置Ｐｙ１と折り返し位置Ｐｙ２との間の途中位置Ｐｙ３に配置されている。具体的には、紫外線照射器３０は途中位置Ｐｙ３において、基板Ｗおよび基板保持部１０と衝突しないように基板Ｗの上面よりも高い位置に配置されている。紫外線照射器３０は下方に向けて紫外線を照射する。
【００６２】
ここでは、基板保持部１０が受け渡し位置Ｐｙ１で停止した状態において、紫外線照射器３０からの紫外線が基板Ｗに照射されないように、受け渡し位置Ｐｙ１と途中位置Ｐｙ３との間の間隔が決定されている。同様に、基板保持部１０が折り返し位置Ｐｙ２で停止した状態において、紫外線照射器３０からの紫外線が基板Ｗに照射されないように、折り返し位置Ｐｙ２と途中位置Ｐｙ３との間の間隔が決定されている。
【００６３】
紫外線照射器３０は例えば棒状（バー状）の形状を有している。紫外線照射器３０は、その長手方向が、基板保持部１０の移動方向（ここではＹ方向）に直交する水平方向（ここでＸ方向）に沿うように配置されている。この紫外線照射器３０の長さ（Ｘ方向に沿う長さ）は基板Ｗの直径よりも長く、紫外線照射器３０の幅（Ｙ方向に沿う幅）は例えば基板Ｗの半径よりも短い。
【００６４】
基板保持部１０が基板Ｗを保持した状態で受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２まで移動することにより、基板Ｗが紫外線照射器３０の直下を横切る。これにより、基板Ｗの表面（上面）には紫外線が照射される。紫外線照射器３０と基板Ｗとの間の間隔（Ｚ方向に沿う間隔：以下、同様）は数［ｍｍ］程度（具体的には例えば２．２［ｍｍ］）に設定される。紫外線が基板Ｗの上面の有機物に作用することにより、当該有機物が分解されて基板Ｗの上面から除去される。基板Ｗの上面の有機物が分解して生成された物体（例えば水分または二酸化炭素などを含み、有機物それ自体も含む）を、以下では、分離物とも呼ぶ。この分離物は基板Ｗの上面から離れて空間中を移動する。
【００６５】
＜気体供給部＞
気体供給部４０は、紫外線照射器３０の直下の空間Ｈに気体を供給する少なくとも一つの供給口を有している。これにより、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の処理空間の雰囲気を制御することができる。当該気体としては例えば窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを採用することができる。図２および図３の例においては、気体供給部４０は、Ｙ方向において紫外線照射器３０を挟む位置の各々から空間Ｈへと気体を供給する。具体的には、気体供給部４０は配管４１〜４４と気体供給源４５とを備えている。配管４１は紫外線照射器３０よりも−Ｙ側（受け渡し位置Ｐｙ１側）に配置されており、配管４２は紫外線照射器３０よりも＋Ｙ側（折り返し位置Ｐｙ２側）に位置する配管４２に配置されている。配管４１，４２は基板Ｗの上面よりも高い位置において、その長手方向がＸ方向に沿う姿勢で配置されている。また例えば配管４１，４２の各々の一端は閉じており、他端はそれぞれ配管４３，４４を介して気体供給源４５に接続されている。
【００６６】
配管４１の側面には、空間Ｈに向けて開口する供給口４１ａが設けられている。具体的には、供給口４１ａの開口軸が空間Ｈを通るように斜めに傾斜している。供給口４１ａから供給される気体は、空間Ｈへと流れる。配管４２の側面にも、空間Ｈに向けて開口する供給口４２ａが設けられている。具体的には、供給口４２ａの開口軸が空間Ｈを通るように斜めに傾斜している。供給口４２ａの開口軸と供給口４１ａの開口軸とは互いに反対に傾斜することになる。供給口４２ａから供給される気体は空間Ｈへ向かって流れる。
【００６７】
配管４３の途中には開閉弁４６が設けられており、配管４４の途中には開閉弁４７が設けられている。開閉弁４６は供給口４１ａへの気体の供給／停止を切り替えることができる。開閉弁４６が開いたときには、気体供給源４５からの気体は配管４３，４１の内部をこの順に流れて供給口４１ａから空間Ｈへと供給され、開閉弁４６が閉じたときには、供給口４１ａへの気体の供給が停止される。開閉弁４７が開いたときには、気体供給源４５からの気体は配管４４，４２の内部をこの順で流れて供給口４２ａから空間Ｈへと供給され、開閉弁４７が閉じたときには、供給口４２ａへの気体の供給が停止される。
【００６８】
＜処理室内の吸排気＞
図２に例示するように、筐体７０には、受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２に向けて気流を形成するための給気口７２および排気口７３が形成されていてもよい。給気口７２は筐体７０の天井に形成されている。より具体的には、給気口７２は途中位置Ｐｙ３に対して受け渡し位置Ｐｙ１側で筐体７０の天井に形成されている。つまり、給気口７２は搬出入口７１に近い位置で筐体７０の天井に形成されている。給気口７２には、空気中の埃などの異物を除去するフィルタ（不図示）が設けられていてもよい。この給気口７２を介して筐体７０の外部から内部（処理室）へと空気が流れ込む。
【００６９】
排気口７３は例えば筐体７０の側面に形成されている。より具体的には、紫外線照射器３０に対して給気口７２とは反対側において、筐体７０の側面に形成されている。言い換えれば、排気口７３は途中位置Ｐｙ３に対して折り返し位置Ｐｙ２側で筐体７０に形成されている。また、排気口７３のＺ方向における高さ位置は紫外線照射器３０の下方側の端部よりも低い位置である。この構造によれば、排気口７３は空間Ｈに対して給気口７２とは反対側に形成される。
【００７０】
この排気口７３を介して処理室内の空気が筐体７０の外部へと排気される。なお、気流の流れは吸引装置を排気口７３に設けたり、あるいは、給気装置を給気口７２に設けたりすることで形成される。
【００７１】
これによれば、筐体７０の処理室内において、搬出入口７１に近い給気口７２から空間Ｈを介して排気口７３へ向けた気流が形成される。したがって、処理室内の空気が搬出入口７１から外部（搬送ロボット６側）へと流出することを抑制できる。処理室内の空気には、基板Ｗの上面の有機物が分解されて生成された分離物が含まれるところ、そのような不純物を含んだ空気が搬送ロボット６側へと流入することを抑制できる。ひいては、搬送ロボット６が設けられた空間を介して他の基板処理装置１の内部へと当該不純物が流入することを抑制できる。
【００７２】
＜制御部＞
制御部６０は基板処理装置１ｂの全体を制御することができる。具体的には、移動機構２０、紫外線照射器３０および開閉弁４６，４７を制御する。この制御部６０は基板処理システム１００の全体を制御してもよい。例えば制御部６０はインデクサロボット４および搬送ロボット６を制御してもよい。
【００７３】
制御部６０は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部６０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部６０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部６０が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。
【００７４】
＜基板処理方法＞
図４は、基板処理装置１ｂの動作の一例を示すフローチャートである。ここでは初期的には、移動機構２０は基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１で停止させている。また給気口７２への給気および排気口７３からの排気は常時行われているものとする。
【００７５】
まずステップＳ１にて、基板Ｗが基板処理装置１ｂに搬入される。具体的には、制御部６０は筐体７０のシャッタを開いた上で、搬送ロボット６に基板Ｗを基板処理装置１ｂに搬入させる。即ち搬送ロボット６は、基板Ｗを載置したハンドを、搬出入口７１を介して筐体７０の内部へと移動させて、基板保持部１０の上に基板Ｗを配置する。これにより、基板保持部１０は基板Ｗを保持する。その後、制御部６０は搬送ロボット６のハンドを筐体７０の外部へと移動させた上で、シャッタを閉じる。
【００７６】
次にステップＳ２にて、制御部６０は開閉弁４６，４７を開いて供給口４１ａ，４２ａから気体（例えば窒素）を空間Ｈへと供給する。これにより、例えば空間Ｈ内の酸素濃度を低減することができる。次にステップＳ３にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線を照射させる。なおステップＳ１〜Ｓ３の実行順序は適宜に変更し得る。
【００７７】
空間Ｈ内の酸素濃度が所定値以下になるのに十分な時間が経過すると、ステップＳ４にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へと移動させ、折り返し位置Ｐｙ２で停止させる。これにより、基板保持部１０に保持された基板Ｗが紫外線照射器３０の直下を横切り、基板Ｗの上面には、紫外線が照射されることになる。具体的には、基板保持部１０の移動に伴って、基板Ｗの上面における紫外線の照射領域がその＋Ｙ側の端部から−Ｙ側の端部へと移動することになる。これにより、基板Ｗの上面の全面に紫外線が照射される。基板Ｗの上面に紫外線が照射されることにより、基板Ｗの上面に付着した有機物を分解して除去することができる。
【００７８】
また気体供給部４０による気体（不活性ガス）の供給によって、紫外線照射器３０と基板Ｗとの間の処理空間の酸素濃度を低減できる。酸素は紫外線を吸収するので、処理空間の酸素濃度が高い場合には、基板Ｗの上面に作用する紫外線の量（強度）が低減する。本実施の形態では、処理空間の酸素濃度を低減できるので、基板Ｗの上面に作用する紫外線の量を向上することができる。よって、より効果的に有機物を基板Ｗの上面から除去することができる。
【００７９】
また紫外線の照射によって有機物が分解されて生じる分離物は、気体供給部４０から供給された気体によって、処理空間の外部へと導かれる。これにより、分離物の基板Ｗへの再付着を抑制することができる。この分離物は処理室内の全体的な気流（給気口７２から排気口７３への気流）に沿って排気口７３から外部へと排気される。
【００８０】
次にステップＳ５にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線の照射を停止させる。次にステップＳ６にて、制御部６０は開閉弁４６，４７を閉じて気体供給部４０による気体の供給を停止する。なおステップＳ５，Ｓ６の実行順序は逆であってもよい。
【００８１】
次にステップＳ７にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へ移動させ、受け渡し位置Ｐｙ１で停止させる。次にステップＳ８にて、基板Ｗが基板処理装置１ｂから搬出される。具体的には、制御部６０はシャッタを開き、搬出入口７１を介して搬送ロボット６に基板Ｗを搬出させる。即ち搬送ロボット６は空のハンドを筐体７０の内部へと移動させて、基板保持部１０から基板Ｗを取り出し、基板Ｗが載置されたハンドを筐体７０の外部へと移動させる。その後、制御部６０はシャッタを閉じる。
【００８２】
以上のように、基板処理装置１ｂにおいては、受け渡し位置Ｐｙ１で受け取った基板Ｗを、紫外線照射中の紫外線照射器３０の直下を通過させることにより、基板Ｗの上面の全面に対して紫外線を均一に照射することができる。この点について、紫外線照射器３０の直下で基板Ｗを水平面で回転させる場合と比較して説明する。
【００８３】
図５は、紫外線照射器３０の直下で基板Ｗを回転させる様子の一例を概略的に示す平面図である。図５の例において、紫外線照射器３０は二点鎖線で示されており、その中心が基板Ｗの中心とほぼ一致する位置で配置されている。基板Ｗは、自身の中心を通ってＺ方向に平行な軸を回転軸として回転する。図５の例においては、基板Ｗの回転方向が、基板Ｗに隣接して付記された矢印で示されている。
【００８４】
この基板Ｗの回転により、基板Ｗの上面の全面に紫外線を照射することができる。しかしながら、基板Ｗの１回転中に紫外線が照射される期間は、基板Ｗの上面の位置によって相違する。例えば基板Ｗの上面のうち中心領域Ｒ１（図５において破線で示される領域）は基板Ｗの１回転中において常に紫外線照射器３０の直下に位置する。よって、中心領域Ｒ１には常に紫外線が照射される。一方で、基板Ｗの上面のうち中心領域Ｒ１よりも外周側の位置では、１回転中に紫外線が照射される期間は基板Ｗの外周縁に近づくにしたがって短くなる。したがって、基板Ｗの上面に均一に紫外線を照射することは難しい。
【００８５】
これに対して本実施の形態では、基板Ｗが紫外線照射器３０の直下を水平方向に移動することによって、基板Ｗの上面の全面に紫外線を照射している。よって、基板Ｗを回転させる場合と比較して基板Ｗの上面により均一に紫外線を照射することができる。したがって、基板Ｗの上面の有機物を均一に除去することができる。
【００８６】
この均一性という観点では、制御部６０は基板Ｗが一定速度で紫外線照射器３０の直下を通過するように、移動機構２０を制御するとよい。これにより、基板Ｗの上面の各位置における単位面積当たりの紫外線の照射時間をより均一にすることができる。この基板Ｗの移動速度は、例えば、基板Ｗの上面の単位面積当たりの紫外線の照射時間が数十秒（例えば４０秒）程度になるように決定され得る。
【００８７】
また基板処理装置１ｂによれば、基板Ｗを折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させることができる。よって、搬送ロボット６は処理済みの基板Ｗを受け渡し位置Ｐｙ１において取り出すことができる。つまり、基板Ｗの受け渡しが容易である。
【００８８】
＜復路における除去処理＞
上述の例では、紫外線照射器３０は基板Ｗが受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２への往路を移動するときに紫外線を照射しているものの、これに限らない。紫外線照射器３０は基板Ｗが折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１への復路を移動するときに紫外線を照射してもよい。
【００８９】
図６は、この動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１１にて、基板Ｗが搬入される。次にステップＳ１２にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へと移動させ、折り返し位置Ｐｙ２で停止させる。この基板Ｗの往路移動時には、紫外線は照射されない。
【００９０】
次にステップＳ１３にて、制御部６０は開閉弁４６，４７を開いて気体（例えば窒素）を空間Ｈに供給し、ステップＳ１４にて、紫外線照射器３０に紫外線を照射させる。ステップＳ１３はステップＳ１２よりも前に実行されてもよく、またステップＳ１４の後に実行されてもよい。
【００９１】
次にステップＳ１５にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させ、受け渡し位置Ｐｙ１で停止させる。これにより、基板Ｗの復路移動時において、基板Ｗの上面に紫外線が照射される。
【００９２】
次にステップＳ１６にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線の照射を停止させ、ステップＳ１７にて、開閉弁４６，４７を閉じる。ステップＳ１６，Ｓ１７の実行順序は逆でもよい。次にステップＳ１８にて基板Ｗが搬出される。
【００９３】
これの動作によっても、基板Ｗは紫外線照射中の紫外線照射器３０の直下を水平方向に通過するので、基板Ｗの上面により均一に紫外線を照射することができる。また受け渡し位置Ｐｙ１において基板Ｗを受け渡すことができる。
【００９４】
＜往路及び復路における除去処理＞
紫外線照射器３０は基板の往路移動時および復路移動時の両方において紫外線を照射してもよい。つまり図４のステップＳ５，Ｓ６をステップＳ７，Ｓ８の間で実行しても構わない。これによっても、基板Ｗが紫外線照射中の紫外線照射器３０の直下を水平方向に通過するので、基板Ｗの上面により均一に紫外線を照射することができる。しかも、往路および復路における移動時間を有効に活用することができるので、全体としてのスループットを向上できる。
【００９５】
＜ブローシーケンス＞
上述の例では、供給口４１ａ，４２ａの両方から空間Ｈへと気体を供給している。しかるに、いずれか一方のみから空間Ｈへと気体を供給してもよい。これによっても、紫外線の照射によって基板Ｗの上面から離れた分離物は、気体の流れに沿って紫外線照射器３０と基板Ｗとの間の処理空間の外側に導かれる。よって、分離物の基板Ｗへの再付着を抑制できる。
【００９６】
ただし、分離物の再付着を抑制するという観点では、基板Ｗの移動方向において下流側に位置する供給口から気体を供給するとよい。例えば基板Ｗが往路を移動する際には、制御部６０は開閉弁４６を閉じて開閉弁４７を開くとよい。これにより、基板Ｗが往路を移動する際には、下流側に位置する供給口４２ａのみから気体が供給される。図７は、供給口４２ａのみから気体が供給された状態で基板Ｗが往路を移動するときの様子の一例を概略的に示す図である。
【００９７】
比較のために、上流側の供給口４１ａのみから気体が供給された状態で基板Ｗが往路を移動する場合を考慮する。図８は、供給口４１ａのみから気体が供給された状態で基板Ｗが往路を移動するときの様子の一例を概略的に示す図である。図７および図８の例においては、基板Ｗの移動方向および気体の流れる方向がそれぞれブロック矢印および一点鎖線の矢印で模式的に示されており、紫外線照射器３０からの紫外線の照射範囲が二点鎖線で模式的に示されている。また図７および図８の例では、分離物Ａ１が模式的に円で示されており、分離物Ａ１の移動が実線矢印で模式的に示されている。
【００９８】
図８に例示されるように、分離物Ａ１は供給口４１ａからの気体の流れに沿って、基板Ｗの移動方向に移動する。したがって、分離物Ａ１は紫外線照射器３０に対して下流側において基板Ｗの上面に再付着し得る。この分離物Ａ１は基板Ｗの移動に伴って紫外線照射器３０および供給口４１ａから離れるように移動する。よって、この分離物Ａ１には紫外線が照射されず、また供給口４１ａから受ける気体の圧力も低下する。
【００９９】
これに対して、図７の例においては、供給口４２ａからの気体は基板Ｗの移動方向とは逆方向に流れるので、分離物Ａ１は気体の流れに沿って基板Ｗの移動方向とは逆方向に移動する。つまり、分離物Ａ１は紫外線照射器３０に対して上流側において基板Ｗの上面に再付着し得る。この分離物Ａ１は基板Ｗの移動によって再び紫外線照射器３０の直下を通過する。よって、この分離物Ａ１は再び紫外線が照射されるので、紫外線による分解作用が促進されて基板Ｗの上面から離れやすくなる。また基板Ｗの移動によって分離物Ａ１が供給口４２ａに近づくので、再び気体の強い圧力を受けて基板Ｗの上面から離れる。これにより、基板Ｗの上面への分離物Ａ１の再付着を抑制することができるのである。
【０１００】
復路においても同様である。即ち、基板Ｗが復路を移動する際には、その移動方向の上流側に位置する供給口４２ａからは気体を供給せずに、下流側の供給口４１ａから気体を供給するとよい。つまり、制御部６０は開閉弁４７を閉じて開閉弁４６を開く。これにより、基板Ｗの移動方向とは逆方向に気体を流すことができるので、分離物の基板Ｗの上面への再付着を抑制することができる。
【０１０１】
下表は基板Ｗの移動方向と気体の供給態様との関係を例示する表である。
【０１０２】
【表１】
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【０１０３】
＜気体吸引部＞
図９は、基板処理装置１ｂの他の一例である基板処理装置１Ａの構成を概略的に示す図である。図９に示す基板処理装置１Ａは気体吸引部５０の有無という点で図２の基板処理装置１ｂと相違する。言い換えれば、基板処理装置１Ａは気体吸引部５０を更に備えている。
【０１０４】
気体吸引部５０は紫外線照射器３０に対して供給口４１ａとは反対側において吸引口５１ａを有し、この吸引口５１ａから気体を吸引する。また気体吸引部５０は紫外線照射器３０に対して供給口４２ａとは反対側において吸引口５２ａを有し、吸引口５２ａから気体を吸引する。具体的には、気体吸引部５０は配管５１〜５４と吸引装置５５とを備えている。配管５１は紫外線照射器３０に対して＋Ｙ側（折り返し位置Ｐｙ２側）において、配管４２と隣り合って配置されている。配管５１は基板Ｗの上面よりも高い位置において、その長手方向がＸ方向に沿う姿勢で配置されている。図９の例では、配管４２は紫外線照射器３０と配管５１との間に位置している。配管５１の一端は閉じており、他端は配管５３を介して吸引装置５５に接続されている。配管５１の側面には、空間Ｈに向けて開口する吸引口５１ａが設けられている。図９の例においては、吸引口５１ａの開口軸は空間Ｈを通るように斜めに傾斜している。
【０１０５】
配管５２は紫外線照射器３０に対して−Ｙ側（受け渡し位置Ｐ１側）において、配管４１と隣り合って配置されている。配管５２は基板Ｗの上面よりも高い位置において、その長手方向がＸ方向に沿う姿勢で配置されている。図９の例では、配管４１は紫外線照射器３０と配管５２との間に位置している。配管５２の一端は閉じており、他端は配管５４を介して吸引装置５５に接続されている。配管５２の側面には、空間Ｈに向けて開口する吸引口５２ａが設けられている。図９の例においては、吸引口５２ａの開口軸も空間Ｈを通るように斜めに傾斜しており、吸引口５１ａの開口軸とは反対側に傾斜する。
【０１０６】
配管５３の途中には開閉弁５６が設けられており、配管５４の途中には、開閉弁５７が設けられている。開閉弁５６は吸引口５１ａからの気体の吸引／停止を切り替えることができる。開閉弁５６が開いたときには、吸引口５１ａから吸引された気体は配管５１，５３の内部をこの順で介して吸引装置５５へ流れ、開閉弁５６が閉じたときには、吸引口５１ａからの気体の吸引が停止される。開閉弁５７が開いたときには、吸引口５２ａから吸引された気体は配管５２，５４の内部をこの順で介して吸引装置５５へと流れ、開閉弁５７が閉じたときには、吸引口５２ａからの気体の吸引が停止される。
【０１０７】
＜基板処理装置１Ａの動作＞
図１０は、基板処理装置１Ａの動作の一例を示すフローチャートである。まずステップＳ３１にて基板Ｗが搬入される。次にステップＳ３２にて、制御部６０は開閉弁４６，４７を開いて供給口４１ａ，４２ａから気体を供給し、ステップＳ３３にて、開閉弁５６，５７を開いて吸引口５１ａ，５２ａからの気体の吸引を開始する。次にステップＳ３４にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線を照射させる。なおステップＳ３１〜Ｓ３４の実行順序は適宜に変更し得る。
【０１０８】
次にステップＳ３５にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へ移動させ、折り返し位置Ｐｙ２で停止させる。これにより、基板Ｗの上面に紫外線をより均一に照射できる。しかも、基板Ｗの上面の有機物が分解されて生じる分離物は適宜に吸引口５１ａ，５２ａから吸引され得る。よって、分離物の基板Ｗへの再付着を更に抑制できる。
【０１０９】
次にステップＳ３６にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線の照射を停止させ、ステップＳ３７にて、開閉弁４６，４７を閉じて気体の供給を停止し、ステップＳ３８にて、開閉弁５６，５７を閉じて気体の吸引を停止する。ステップＳ３６〜Ｓ３８の実行順序は適宜に変更し得る。
【０１１０】
次にステップＳ３９にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させ、受け渡し位置Ｐｙ１で停止させる。次にステップＳ４０にて、基板Ｗが搬出される。
【０１１１】
以上のように、基板処理装置１Ａによれば、紫外線の照射によって基板Ｗの上面から離れた分離物が気体吸引部５０によって吸引され得るので、分離物の基板Ｗの上面への再付着を更に抑制することができる。
【０１１２】
＜ブローシーケンス＞
上述の例では、供給口４１ａ，４２ａの両方から気体を供給し、吸引口５１ａ，５２ａの両方から気体を吸引した。しかるに、供給口４１ａ，４２ａのいずれか一方から気体を供給し、この供給口に対応する吸引口から気体を吸引してもよい。具体的には、紫外線照射器３０に対して当該供給口とは反対側に位置する吸引口から気体を吸引すればよい。
【０１１３】
例えば基板Ｗが往路を移動するときには、供給口４２ａから気体を供給しつつ吸引口５２ａから気体を吸引する。このとき、供給口４１ａからは気体を供給せず、吸引口５１ａからは気体を吸引しない。つまり制御部６０は基板Ｗの往路移動時には開閉弁４６，５６を閉じて開閉弁４７，５７を開く。
【０１１４】
これによれば、供給口４２ａから供給された気体が紫外線照射器３０と基板Ｗとの間の処理空間を、基板Ｗの移動方向とは反対に流れて吸引口５２ａから吸引され得る。したがって、基板Ｗの上面から離れた分離物を吸引口５２ａから吸引し得る。よって、分離物の基板Ｗへの再付着を更に抑制することができる。また、もし吸引口５２ａから吸引されなかった分離物が基板Ｗの上面に再付着したとしても、この分離物は基板Ｗの移動によって再び紫外線が照射され、また供給口４２ａに近い位置で供給口４２ａの気体の強い圧力を受ける。よって分離物は基板Ｗの上面から離れやすく、再び気体の流れに沿って吸引口５２ａから吸引され得る。これにより、分離物の基板Ｗへの再付着を更に抑制できる。
【０１１５】
復路においても同様である。基板Ｗが復路を移動するときには、供給口４１ａから気体を供給しつつ吸引口５１ａから気体を吸引する。このとき、供給口４２ａからは気体を供給せず、吸引口５２ａからは気体を吸引しない。つまり制御部６０は基板Ｗの復路移動時には開閉弁４７，５７を閉じて開閉弁４６，５６を開く。これによっても、分離物の基板Ｗへの再付着を更に抑制できる。
【０１１６】
下表は基板Ｗの移動方向と気体の供給態様との関係を例示する表である。
【０１１７】
【表２】
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【０１１８】
＜基板処理装置１Ｂ＞
図１１は、基板処理装置１ｂの他の一例たる基板処理装置１Ｂの構成を概略的に示す図である。基板処理装置１Ｂは昇降機構８０の有無という点で図２の基板処理装置１ｂと相違する。言い換えれば、基板処理装置１Ｂは昇降機構８０を更に備えている。
【０１１９】
昇降機構８０は基板保持部１０をＺ方向に移動（昇降）させる。例えば昇降機構８０はボールねじ機構またはエアシリンダなどを有している。図１１の例においては、昇降機構８０は基板保持部１０と移動機構２０との間に配置されている。
【０１２０】
昇降機構８０は制御部６０によって制御される。制御部６０は基板保持部１０が受け渡し位置Ｐｙ１で停止している状態で、昇降機構８０を制御して基板保持部１０を高さ位置Ｐｚ１へ移動させる。この高さ位置Ｐｚ１は、搬送ロボット６と基板保持部１０との間の基板Ｗの受け渡しに適した高さ位置である。この状態で、制御部６０は搬送ロボット６を制御して基板Ｗを搬入あるいは搬出する。
【０１２１】
制御部６０は紫外線の照射処理を行う際に、昇降機構８０を制御して基板保持部１０を高さ位置Ｐｚ１から高さ位置Ｐｚ２へと移動させる。この高さ位置Ｐｚ２は、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の鉛直方向における間隔が紫外線の照射処理に適した間隔となるような高さ位置である。図１１の例においては、高さ位置Ｐｚ２に位置する基板保持部１０および基板Ｗが二点鎖線で示されている。この状態で、制御部６０は移動機構２０を制御して、基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へ、あるいは、折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へ移動させる。
【０１２２】
これによれば、基板Ｗの受け渡し及び紫外線の照射処理を、それぞれに適した高さ位置で行うことができる。
【０１２３】
＜基板処理装置１Ｃ＞
図１２は、基板処理装置１ｂの他の一例たる基板処理装置１Ｃの構成を概略的に示す図である。図１２の基板処理装置１Ｃは気体供給部４０の構成という点で図１１の基板処理装置１Ｂと相違する。
【０１２４】
基板処理装置１Ｃにおいては、気体供給部４０は不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）と酸素とを選択的に空間Ｈへと供給する。図１２の例においては、気体供給部４０は気体供給源４９と開閉弁４８ｎ，４８ｏとを更に備えている。
【０１２５】
気体供給源４５は開閉弁４８ｎを介して配管４３，４４の各他端（それぞれ配管４１，４２とは反対側の端部）に接続され、気体供給源４９は開閉弁４８ｏを介して配管４３，４４の各他端に接続される。開閉弁４８ｎ，４８ｏは制御部６０によって制御される。
【０１２６】
開閉弁４８ｏが閉じ、開閉弁４６，４７，４８ｎが開いているときには、気体供給源４５からの不活性ガス（例えば窒素）が供給口４１ａ，４２ａから空間Ｈへと供給される。また開閉弁４８ｎが閉じ、開閉弁４６，４７，４８ｏが開いているときには、気体供給源４９からの酸素が供給口４１ａ，４２ａから空間Ｈへと供給される。
【０１２７】
以上のように、気体供給部４０は空間Ｈへの不活性ガスの供給と、空間Ｈへの酸素の供給とを選択的に切り替えることができる。
【０１２８】
気体供給部４０が空間Ｈに不活性ガスを供給しつつ紫外線を照射する場合の処理は既に述べているので、ここでは気体供給部４０が空間Ｈに酸素を供給しつつ紫外線を照射する場合について述べる。空間Ｈへの酸素の供給により、空間Ｈ内の酸素濃度を増大することができる。よって、紫外線照射器３０が空間Ｈへと紫外線を照射すると、この紫外線が空間Ｈ内の酸素に作用して、より多くのオゾンが発生する。オゾンの酸化力は強いので、オゾンが基板Ｗの上面の有機物に作用することにより、この有機物を分解して除去することができる。
【０１２９】
以下では、酸素を供給しつつ紫外線を照射することで基板Ｗの上面にオゾンを作用させる処理をオゾン処理とも呼ぶ。これに対して、窒素を供給しつつ基板Ｗの表面に直接に紫外線を照射する既述の処理を、以下では、直接照射処理とも呼ぶ。また以下では、直接照射処理およびオゾン処理を纏めて紫外線の照射処理とも呼ぶ。
【０１３０】
直接照射処理においては、有機物に直接に紫外線を照射するので、基板Ｗの上面においける紫外線の強度はある程度高いことが望ましい。そこで直接照射処理においては、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の間隔（Ｚ方向に沿う間隔）を例えば数［ｍｍ］（例えば２．２［ｍｍ］）程度と狭く設定する。
【０１３１】
その一方でオゾン処理においては、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の処理空間内のオゾンの量がある程度多いことが望ましい。よってこのオゾン処理においては、当該処理空間の体積を増大させて当該処理空間内の酸素の量を増大させることを企図する。つまり、オゾン処理においては、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の間隔を例えば数十［ｍｍ］（例えば２０［ｍｍ］）程度と比較的広く設定する。言い換えれば、オゾン処理における基板Ｗと紫外線照射器３０との間の間隔は、直接照射処理における基板Ｗと紫外線照射器３０との間の間隔よりも広い（例えば５倍程度以上）。
【０１３２】
制御部６０はオゾン処理を行うに際して、基板保持部１０の高さ位置がオゾン処理に適した高さ位置Ｐｚ３となるように、昇降機構８０を制御する。この高さ位置Ｐｚ３は高さ位置Ｐｚ２よりも低い位置であり、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の間隔がオゾン処理に適した間隔となる位置である。図１２の例においては、基板保持部１０は折り返し位置Ｐｙ２において高さ位置Ｐｚ３に位置している。
【０１３３】
制御部６０は気体供給部４０に酸素を供給させつつ紫外線照射器３０に紫外線を照射させた状態で、移動機構２０を制御して、高さ位置Ｐｚ３に位置する基板保持部１０をＹ方向に沿って移動させる。これにより、基板Ｗは紫外線照射器３０の直下を横切る。紫外線照射器３０の直下の空間Ｈには紫外線によってオゾンが発生しているので、このオゾンが基板Ｗの上面の有機物に作用し、この有機物を除去することができる。つまり、オゾン処理を行うことができる。
【０１３４】
また制御部６０は気体供給部４０に不活性ガスを供給させつつ紫外線照射器３０に紫外線を照射させた状態で、移動機構２０を制御して、高さ位置Ｐｚ２に位置する基板保持部１０をＹ方向に沿って移動させる。これにより、基板Ｗは紫外線照射器３０の直下を横切り、紫外線を基板Ｗの上面に照射することができ、有機物を除去できる。つまり、直接照射処理を行うことができる。
【０１３５】
以上のように、基板処理装置１Ｃによれば、基板Ｗに対してオゾン処理および直接照射処理を選択的に施すことができる。
【０１３６】
さて、直接照射処理では、光子エネルギーが高い紫外線が有機物に作用して有機物を分解するので、その除去速度は高い。その一方で、光子エネルギーが高い（つまり波長の短い）紫外線は回折しにくいので、基板Ｗの上面にパターン（例えば配線パターンなど）が形成されている場合には、紫外線がそのパターン間の隙間に入り込みにくい場合がある。この事象はパターンの隙間が狭いほど生じやすい。
【０１３７】
他方、オゾン処理における有機物の除去速度は直接照射処理における有機物の除去速度よりも低いものの、オゾンは気体であるので基板Ｗのパターン間の隙間が狭くても、当該隙間に入り込むことができる。
【０１３８】
そこで、制御部６０は往路および復路の一方において直接照射処理を行い、往路および復路の他方においてオゾン処理を行ってもよい。これによれば、直接照射処理のみを用いた場合に比して、パターン間の隙間において有機物をより適切に除去することができ、またオゾン処理のみを用いた場合に比して、スループットを向上することができる。
【０１３９】
図１３は、基板処理装置１Ｃの動作の一例を示すフローチャートである。ここでは初期的に、基板保持部１０は受け渡し位置Ｐｙ１において高さ位置Ｐｚ１で停止しているものとする。高さ位置Ｐｚ１は、基板保持部１０と搬送ロボット６との間の基板Ｗの搬出入に適した高さ位置である。
【０１４０】
まずステップＳ４１にて、基板Ｗが搬入される。次にステップＳ４２にて、制御部６０は昇降機構８０を制御して基板保持部１０を高さ位置Ｐｚ２へ移動させる。高さ位置Ｐｚ２は直接照射処理に適した高さ位置である。次にステップＳ４３にて、制御部６０は開閉弁４６，４７，４８ｎを開いて、空間Ｈに不活性ガス（例えば窒素）を供給する。次にステップＳ４４にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線を照射させる。ステップＳ４２〜Ｓ４４の実行順序は適宜に変更し得る。
【０１４１】
次にステップＳ４５にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へと移動させ、折り返し位置Ｐｙ２で停止させる。これによれば、基板Ｗの往路において、直接照射処理を行うことができる。
【０１４２】
次にステップＳ４６にて、制御部６０は開閉弁４８ｎを閉じた上で開閉弁４８ｏを開いて、空間Ｈへの不活性ガスの供給を停止して酸素を供給する。次にステップＳ４７にて、制御部６０は昇降機構８０を制御して基板保持部１０を高さ位置Ｐｚ３へと移動させる。高さ位置Ｐｚ３はオゾン処理に適した高さ位置である。ステップＳ４６，Ｓ４７の実行順序は逆であってもよい。
【０１４３】
次にステップＳ４８にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させ、受け渡し位置Ｐｙ１で停止させる。これによれば、基板Ｗの復路において、オゾン処理を行うことができる。ステップＳ４８（オゾン処理）における基板保持部１０の移動速度はステップＳ４５（直接照射処理）における基板保持部１０の移動速度と異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【０１４４】
次にステップＳ４９にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線の照射を停止させ、ステップＳ５０にて、開閉弁４６，４７，４８ｏを閉じて酸素の供給を停止する。次にステップＳ５１にて、制御部６０は昇降機構８０を制御して、基板保持部１０を高さ位置Ｐｚ１へ移動させる。ステップＳ４９〜Ｓ５１の実行順序は適宜に変更できる。次にステップＳ５２にて基板Ｗが搬出される。
【０１４５】
以上の動作によれば、基板処理装置１Ｃにおいて、直接照射処理およびオゾン処理の両方が行われる。これにより、スループットの向上しつつ、基板Ｗの上面のパターン間の有機物を適切に除去できる。
【０１４６】
また上述の動作によれば、往路において直接照射処理を行い、復路においてオゾン処理を行っている。つまり直接照射処理をオゾン処理よりも先に行っている。これによれば、スループットを向上できる。この点について以下に詳述する。
【０１４７】
比較のためにオゾン処理を直接照射処理よりも先に行った場合について説明する。この場合、オゾン処理の終了後には空間Ｈには酸素が多く含まれている。続く直接照射処理においては、まず、この酸素濃度の高い空間Ｈに窒素を供給して酸素濃度を所定値以下に低下させる必要がある。オゾン処理後では空間Ｈの酸素濃度が高いので、この酸素濃度を所定値以下に低下させるのに要する時間は比較的長い。
【０１４８】
これに対して、先に直接照射処理を行う場合には、空間Ｈの酸素濃度は比較的に低いので、空間Ｈの酸素濃度を所定値以下に低下させるのに必要な時間は短い。よって速やかに直接照射処理を開始することができる。
【０１４９】
しかも、直接照射処理の後には速やかにオゾン処理を行うことができる。なぜなら、直接照射処理では、基板Ｗと紫外線照射器３０との間の間隔は狭いので、酸素濃度は紫外線照射器３０の近傍で低下し、紫外線照射器３０よりも遠い位置ではあまり低下しないからである。つまり、オゾン処理では基板Ｗは紫外線照射器３０に対して遠い位置を通過するところ、この位置では酸素濃度はあまり低下しておらず、直接照射処理の後に速やかにオゾン処理を行うことができるのである。
【０１５０】
以上のように、直接照射処理をオゾン処理よりも先に行うことで、その逆の場合に比べてスループットを向上することができる。
【０１５１】
なお上述の例では、直接照射処理およびオゾン処理の各々において供給口４１ａ，４２ａの両方から気体を供給しているものの、必ずしもこれに限らない。直接照射処理およびオゾン処理の各々において、例えば基板Ｗの移動方向の下流側の供給口のみから気体を供給してもよい。これによれば、既述のように、分離物の基板Ｗへの再付着を抑制できる。表１はオゾン処理にも適用できる。
【０１５２】
また基板処理装置１Ａのように気体吸引部５０が設けられてもよい。この場合、表２はオゾン処理にも適用できる。
【０１５３】
＜基板処理装置１Ｄ＞
図１４は、基板処理装置１ｂの他の一例たる基板処理装置１Ｄの構成の一例を概略的に示す図である。図１４の基板処理装置１Ｄは表面状態検出部９０の有無という点で図２の基板処理装置１ｂと相違する。言い換えれば、基板処理装置１Ｄは表面状態検出部９０を更に備えている。
【０１５４】
表面状態検出部９０は基板保持部１０が折り返し位置Ｐｙ２で停止したときに、基板Ｗの表面状態を示すパラメータ（ここでは有機物の量）を検出し、その検出値を制御部６０へ出力する。
【０１５５】
ここでは、基板処理装置１Ｄへの搬入前において基板Ｗの上面には撥水膜（有機物）が形成されており、基板処理装置１Ｄがこの撥水膜を除去する場合について述べる。この撥水膜が適切に除去された基板Ｗの上面に液滴を滴下した場合には、基板Ｗの上面の液滴の接触角は小さい。一方で、撥水膜が未だ十分に除去されていない基板Ｗの上面に液滴を滴下した場合には、その接触角は大きい。つまり、この接触角を検出することで基板Ｗの上面に存在する撥水膜（有機物）の量を検出（推定）することができる。
【０１５６】
そこで表面状態検出部９０として接触角計を採用する。具体的には、例えば表面状態検出部９０は、折り返し位置Ｐｙ２に位置する基板Ｗの上面に液滴(例えば水)を滴下する液供給部と、基板Ｗの上面の液滴の接触角を検出する接触角検出部とを備えている。液供給部は、例えば円筒状のノズルを有し、ノズルの先端から液滴を基板Ｗの上面に滴下する。接触角検出部は、基板Ｗの上面の液滴を撮像する光学センサと、画像を解析して接触角を算出する解析部とを備えている。表面状態検出部９０は算出した接触角を上記検出値として制御部６０へと出力する。なお解析部の機能は制御部６０に実装されていてもよい。この場合、光学センサは撮像した画像を制御部６０に出力する。
【０１５７】
制御部６０は、基板Ｗの往路における紫外線の照射処理が十分に行われたか否かを、表面状態検出部９０の検出値に基づいて判断する。つまり、制御部６０は基板Ｗの検査を行う。具体的には、制御部６０は基板Ｗの上面から十分に撥水膜（有機物）が除去されているか否かを、表面状態検出部９０の検出値に基づいて判断する。例えば制御部６０は、表面状態検出部９０によって検出された接触角と、所定の閾値とを比較し、当該接触角が閾値よりも小さいときに、紫外線の照射処理が十分に行われたと判断し、当該接触角が閾値よりも大きいときには、紫外線の照射処理が不十分であると判断する。
【０１５８】
制御部６０は、紫外線の照射処理が不十分であると判断したときに、更なる紫外線の照射処理（つまり復路における紫外線の照射処理）が必要であると判断してもよい。
【０１５９】
図１５は、基板処理装置１Ｄの動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ６１〜Ｓ６４はステップＳ１〜Ｓ４とそれぞれ同一である。ステップＳ６１〜Ｓ６４を実行することで、基板Ｗの往路において直接照射処理を行うことができる。
【０１６０】
次にステップＳ６５にて、表面状態検出部９０は、折り返し位置Ｐｙ２に位置する基板Ｗの表面状態を示すパラメータを検出する。具体的には、表面状態検出部９０は基板Ｗの上面に液滴を滴下し、その上面の液滴の接触角を検出値として検出し、その検出値を制御部６０へと出力する。
【０１６１】
次にステップＳ６６にて、制御部６０は更なる直接照射処理が必要であるか否かを、表面状態検出部９０の検出値に基づいて判断する。制御部６０は検出値と所定の閾値とを比較する。制御部６０は検出値が所定の閾値よりも大きいときに、更なる直接照射処理が必要であると判断し、検出値が所定の閾値よりも小さいときに、更なる直接照射処理が不要であると判断する。
【０１６２】
ステップＳ６６において更なる直接照射処理が必要であると判断したときには、ステップＳ６７にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させ、受け渡し位置Ｐｙ１で停止させる。これにより、基板Ｗの復路において直接照射処理を行うことができる。よって、往路における直接照射処理によっては除去しきれなかった基板Ｗの有機物を、復路における直接照射処理によって除去することができる。
【０１６３】
なおステップＳ６５で基板Ｗの上面に滴下した液滴は、ステップＳ６７において供給口４１ａ，４２ａからの気体によって吹き飛ばされる。言い換えれば、この液滴を吹き飛ばすことができる程度に、液滴の量および気体の流量が設定される。これにより、液滴が基板Ｗの上面から除去される。
【０１６４】
次にステップＳ６８にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線の照射を停止させ、ステップＳ６９にて、開閉弁４６，４７を閉じて気体の供給を停止し、ステップＳ７３にて、基板Ｗが搬出される。ステップＳ６８，Ｓ６９の実行順序は逆でもよい。
【０１６５】
ステップＳ６６において更なる直接照射処理が不要であると判断したときには、ステップＳ７０にて、制御部６０は紫外線照射器３０に紫外線の照射を停止させ、ステップＳ７１にて、移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させ、ステップＳ７２にて、開閉弁４６，４７を閉じて気体の供給を停止し、ステップＳ７３にて、基板Ｗが搬出される。ステップＳ７０〜Ｓ７２の実行順序は適宜に変更し得る。ただし、ステップＳ７１はステップＳ７０の後に実行される。またステップＳ７２はステップＳ７１の後に実行されることが望ましい。なぜなら、基板Ｗが供給口４１ａ，４２ａの直下を横切るときに、これらから供給された気体によって基板Ｗの上面の液滴を吹き飛ばすためである。
【０１６６】
上述の動作によれば、往路における直接照射処理が不十分であるときに、復路における直接照射処理が行われる。これにより、基板Ｗの上面の有機物を適切に除去することができる。一方で往路における直接照射処理が十分であるときには、復路において紫外線の照射処理が行われない。これにより、不要な紫外線の照射処理の実行を回避して、基板処理装置１Ｄの消費電力を低減することができる。
【０１６７】
＜基板の移動速度＞
制御部６０は更なる直接照射処理が必要であると判断したときには、表面状態検出部９０の検出値に基づいて移動機構２０による基板Ｗの移動速度を決定してもよい。例えば制御部６０は、表面状態検出部９０によって検出された有機物の量が多いほど、基板Ｗの移動速度を低く決定する。より具体的には、制御部６０は、表面状態検出部９０によって検出された液滴の接触角が大きいほど移動速度を低く決定する。
【０１６８】
有機物の量（あるいは接触角）と移動速度との関係は例えばシミュレーションまたは実験などによって予め決定することができる。具体的には、有機物を除去するのに十分な照射時間を確保できる移動速度であって比較的低い移動速度が、その有機物の量に応じて予め決定される。この関係は例えば制御部６０の記憶媒体に予め記憶される。例えば制御部６０は、表面状態検出部９０によって検出された検出値と、記憶媒体に記憶された当該関係とに基づいて、移動速度を決定する。
【０１６９】
図１６は、基板処理装置１Ｄの動作の他の一例を示すフローチャートである。図１６では、図１５のフローチャートと比べてステップＳ７４が更に実行される。ステップＳ７４はステップＳ６６において更なる直接照射処理が必要であると判断されたときに、実行される。このステップＳ７４においては、制御部６０は表面状態検出部９０の検出値に基づいて復路における基板Ｗの移動速度を上述のように決定する。
【０１７０】
次にステップＳ６７にて、制御部６０は移動機構２０を制御して基板保持部１０を折り返し位置Ｐｙ２から受け渡し位置Ｐｙ１へと移動させ、受け渡し位置Ｐｙ１で停止させる。このとき、制御部６０はステップＳ７４で決定した移動速度で基板Ｗが紫外線照射器３０の直下を横切るように、移動機構２０を制御する。
【０１７１】
ステップＳ７４では、表面状態検出部９０によって検出された有機物の量が多いほど移動速度が低く決定されるので、有機物の量が多いほど基板Ｗはゆっくりと紫外線照射器３０の直下を横切る。よって、より長時間に亘って紫外線を基板Ｗの上面に照射できる。したがって、基板Ｗの有機物の量が多くても、当該有機物を適切に除去することができる。逆に、表面状態検出部９０によって検出された有機物の量が少ない場合には、制御部６０はステップＳ７４で移動速度を高く決定する。よって、有機物の量が少ないときには基板Ｗは速やかに紫外線照射器３０の直下を横切る。したがって、紫外線は短時間で基板Ｗの上面に照射される。これにより、基板Ｗの上面の残り少ない有機物を適切に除去しつつ、スループットを向上することができる。
【０１７２】
なお制御部６０は表面状態検出部９０の検出値に応じて連続的に移動速度を決定してもよく、あるいは離散的に移動速度を決定してもよい。例えば、制御部６０は有機物の量（接触角）が第１基準値よりも大きく第２基準値よりも小さいときに、移動速度として第１値を採用し、有機物の量（接触角）が第２基準値よりも大きいときに、移動速度として、第１値よりも低い第２値を採用してもよい。
【０１７３】
＜基板処理装置１Ｅ＞
図１７は、基板処理装置１ｂの他の一例たる基板処理装置１Ｅの構成の一例を概略的に示す図である。図１７の基板処理装置１Ｅは回動機構８２の有無という点で図２の基板処理装置１ｂと相違する。言い換えれば、基板処理装置１Ｅは回動機構８２を更に備えている。
【０１７４】
回動機構８２は例えばモータを有しており、基板保持部１０を水平面で回動させることができる。例えば回動機構８２は、基板Ｗの中心を通ってＺ方向に平行な軸を回動軸として、基板保持部１０を回動させることができる。また回動機構８２は回動方向を交互に切り替えて基板保持部１０を回動させることにより、基板保持部１０を周方向に沿って揺動させることができる。これにより、基板Ｗが周方向に揺動する。回動機構８２は例えば基板保持部１０と移動機構２０との間に配置されており、制御部６０によって制御される。
【０１７５】
制御部６０は直接照射処理において回動機構８２および移動機構２０を制御して、基板Ｗを周方向に揺動させながら往路または復路を移動させる。
【０１７６】
図１８は、基板処理装置１Ｅの動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ８１〜Ｓ８３はそれぞれステップＳ１〜Ｓ３と同様である。次にステップＳ８４にて、制御部６０は回動機構８２を制御して基板保持部１０を周方向に揺動させる。具体的には、基板保持部１０を交互に回動方向を切り替えて回動させる。例えば回動機構８２は回動角度範囲が数度程度以下となるように、基板保持部１０を揺動させる。
【０１７７】
次にステップＳ８５にて、制御部６０は基板保持部１０を受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へと移動させ、折り返し位置Ｐｙ２で停止させる。なお、回動機構８２は基板Ｗが紫外線照射器３０の直下を通過する期間において、複数回にわたって回動方向を切り替えて基板Ｗを揺動させる。
【０１７８】
これによれば、基板Ｗの上面の各位置における入射角度を変化させながら、紫外線を各位置に照射できる。つまり、基板Ｗの上面の各位置において種々の入射角度で紫外線を照射することができる。例えば基板Ｗの上面にパターンが形成されている場合には、ある入射角度では紫外線がパターンによって遮られてそのパターンの隙間に紫外線が入射されないことがあり得る。基板処理装置１Ｅによれば、各位置における入射角度を変化させながら紫外線を各位置に照射させることができるので、パターンに遮られて紫外線が入射されなかった領域であっても、他の入射角度によって紫外線を入射することができる。したがって、基板Ｗの上面においてより適切に紫外線を照射することができる。ひいては基板Ｗの上面の有機物を適切に除去することができる。
【０１７９】
次に制御部６０はステップＳ８６〜Ｓ８９を実行する。ステップＳ８６〜Ｓ８９はそれぞれステップＳ５〜Ｓ８とそれぞれ同一である。
【０１８０】
＜基板処理装置１Ｆ＞
図１９は、基板処理装置１ｂの他の一例たる基板処理装置１Ｆの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１Ｆは加熱ユニット１１０と冷却ユニット１２０とを備えている。加熱ユニット１１０および冷却ユニット１２０は筐体７０の内部に配置される。加熱ユニット１１０および冷却ユニット１２０はＹ方向において間隔を隔てて配置されている。図１９の例においては、加熱ユニット１１０は受け渡し位置Ｐｙ１に配置され、冷却ユニット１２０は折り返し位置Ｐｙ２に配置される。
【０１８１】
基板Ｗは加熱ユニット１１０と冷却ユニット１２０との間において、ローカル搬送ロボット１３０によって搬送される。紫外線照射器３０は、加熱ユニット１１０と冷却ユニット１２０との間の途中位置Ｐｙ３に配置されている。紫外線照射器３０は、ローカル搬送ロボット１３０による基板Ｗの移動を阻害しないように、基板Ｗの移動経路の上方に配置される。また、その紫外線照射器３０の直下の空間へと気体を供給する気体供給部４０も配置されている。
【０１８２】
加熱ユニット１１０は加熱部１１１を備えている。例えば加熱部１１１はヒータであって制御部６０によって制御される。加熱部１１１は板状の形状を有しており、基板Ｗがこの加熱部１１１の上に載置される。図１９の例においては、加熱ユニット１１０には、複数のリフトピン１１２が配置されている。リフトピン１１２は棒状の形状を有しており、加熱部１１１をＺ方向に貫通している。リフトピン１１２はリフトピン昇降機構１１３によって昇降する。リフトピン昇降機構１１３は例えばエアシリンダを有しており、このエアシリンダが駆動することでリフトピン１１２が昇降する。リフトピン昇降機構１１３は制御部６０によって制御される。
【０１８３】
図１９の例においては、加熱ユニット１１０は受け渡し位置Ｐｙ１に配置されており、搬送ロボット６は基板Ｗを加熱ユニット１１０へと受け渡す。具体的には、例えば搬送ロボット６は基板Ｗが載置されたハンドを、搬出入口７１を介して筐体７０の内部に移動させ、基板Ｗをリフトピン１１２の上方に位置させる。そして、搬送ロボット６はこのハンドを下降させることにより、基板Ｗをリフトピン１１２の先端に載置する。次に搬送ロボット６は空のハンドを基板処理装置１Ｆの外部へと移動させる。リフトピン昇降機構１１３はリフトピン１１２の先端を加熱部１１１の上面よりも下方側に下降させる。これにより、基板Ｗが加熱部１１１の上面に載置される。次に加熱部１１１が基板Ｗを加熱する。これにより、例えば基板Ｗが乾燥される。基板Ｗが加熱された後には、リフトピン昇降機構１１３がリフトピン１１２を再び上昇させる。これにより、基板Ｗがリフトピン１１２によって上昇させられて、加熱部１１１から離れる。
【０１８４】
基板処理装置１Ｆには、ローカル搬送ロボット１３０が設けられている。ローカル搬送ロボット１３０はハンド１３１と、ハンド１３１をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向に移動させる移動機構１３２とを有している。移動機構１３２はこのハンド１３１を基板Ｗと加熱部１１１との間に挿入させる。この状態で、リフトピン昇降機構１１３がリフトピン１１２を下降させることにより、基板Ｗがハンド１３１の上に載置される。言い換えれば、ハンド１３１が基板Ｗを保持する。ハンド１３１は基板保持手段であるとも言える。
【０１８５】
移動機構１３２はハンド１３１を冷却ユニット１２０へと受け渡し位置Ｐｙ１から折り返し位置Ｐｙ２へとＹ方向に沿って移動させる。つまり、基板Ｗを加熱ユニット１１０から冷却ユニット１２０へと移動させる。この移動途中において、基板Ｗが紫外線照射器３０の直下を横切る。基板Ｗの移動中に紫外線照射器３０が紫外線を照射することにより、基板Ｗの上面には紫外線が照射される。また基板Ｗの移動中には、上述のように、気体供給部４０が空間Ｈへと気体を供給している。
【０１８６】
冷却ユニット１２０は冷却プレート１２１を有している。冷却プレート１２１は板状の形状を有しており、その上面に基板Ｗが配置される。冷却プレート１２１は例えばペルチェ素子などの冷却素子を有していてもよく、あるいは、有していなくてもよい。前者の場合、冷却素子は制御部６０によって制御されて、基板Ｗを冷却する。後者の場合には、基板Ｗが自然冷却される。
【０１８７】
図１９の例においては、冷却ユニット１２０には、複数のリフトピン１２２が配置されている。リフトピン１２２は棒状の形状を有しており、冷却プレート１２１をＺ方向に貫通している。リフトピン１２２はリフトピン昇降機構１２３によって昇降する。リフトピン昇降機構１２３は制御部６０によって制御される。
【０１８８】
移動機構１３２は基板Ｗが載置されたハンド１３１を、リフトピン１２２の上方に位置させる。リフトピン昇降機構１２３はリフトピン１２２を上昇させて、基板Ｗをリフトピン１２２の先端で受け取る。移動機構１３２は空のハンド１３１を移動させて基板Ｗと冷却プレート１２１との間の空間から外側に移動させる。リフトピン昇降機構１２３はリフトピン１２２の先端を冷却プレート１２１の上面よりも下方側に下降させる。これにより、基板Ｗが冷却プレート１２１の上面に載置される。冷却プレート１２１は基板Ｗを例えば常温まで冷却する。
【０１８９】
以上のように基板処理装置１Ｆでは、異なる２つの処理ユニット（加熱ユニット１１０および冷却ユニット１２０）が筐体７０の内部に配置されており、一方の処理ユニットから他方の処理ユニットへの基板Ｗの搬送時に、基板Ｗに対して紫外線を照射することができる。よって、処理ユニット間の移動時に、紫外線の照射処理を行うことができる。これにより、スループットを向上できる。
【０１９０】
また、この基板処理装置１Ｆによれば、加熱ユニット１１０によって加熱された基板Ｗに対して紫外線を照射できるので、紫外線による処理効率を向上することができる。例えば有機物の除去効率を向上することができる。
【０１９１】
＜変形例＞
＜往復移動の回数＞
上述の基板処理装置１ｂ（基板処理装置１Ａ〜１Ｆを含む：以下、同様）では、基板Ｗは受け渡し位置Ｐｙ１と折り返し位置Ｐｙ２との間を１往復しているものの、複数回往復してもよい。またこの複数回の往復において、適宜に紫外線の照射処理が行われてもよい。例えば複数回の往復のいずれの往路および復路においても、紫外線の照射処理が行われてもよい。
【０１９２】
＜基板の下面への照射＞
上述の例では、紫外線照射器３０は基板Ｗの上面に紫外線を照射しているものの、必ずしもこれに限らない。紫外線照射器３０が基板Ｗの下面よりも低い位置に配置されて、基板Ｗの下面に紫外線を照射しても構わない。この場合、気体供給部４０および気体吸引部５０は適宜に基板Ｗの下方側に配置される。
【０１９３】
＜紫外線照射器の昇降＞
上述の例では、基板保持部１０を昇降させる昇降機構８０が設けられているものの、これに替えて、あるいは、これと共に、紫外線照射器３０を昇降させる昇降機構が設けられてもよい。これによっても、紫外線照射器３０と基板Ｗとの間の間隔を変更することができる。
【０１９４】
＜紫外線照射器の揺動＞
上述の例では、基板保持部１０を揺動させる回動機構８２が設けられているものの、これに替えて、あるいは、これと共に、紫外線照射器３０を水平面で交互に反対方向に回動させる回動機構が設けられてもよい。具体的には、回動機構は、紫外線照射器３０の中心を通りＺ方向に平行な軸を回動軸として、交互に回動方向を切り替えて紫外線照射器３０を回動させる。これによっても、基板Ｗの上面の各位置への入射角度を変化させながら紫外線を基板Ｗの上面に照射することができる。
【０１９５】
＜除電処理＞
上述の例では、基板処理装置１ｂは基板Ｗに向けて紫外線を照射することで、基板Ｗの有機物（例えば撥水膜）を分解して除去した。しかしながら、基板処理装置１ｂは必ずしも有機物の除去処理を行う必要は無い。例えば基板処理装置１ｂは、負に帯電した基板Ｗの上面へと紫外線を照射することで、基板Ｗの帯電量を低減してもよい。基板Ｗの上面に紫外線が照射されることにより、光電効果によって基板Ｗの上面の電子が空間中に放出されるからである。この場合、基板処理装置１ｂは除電装置として機能する。
【０１９６】
例えば基板処理装置１ａ（図１参照）において、基板Ｗに対して適宜に処理液を供給して当該処理液に基づく処理を基板Ｗに対して行った後に、比抵抗の大きな純水を基板Ｗの表面に供給して基板Ｗを洗浄し、その後、基板Ｗを乾燥させることがある。このように比抵抗の大きな純水が基板Ｗの表面に供給されると、基板Ｗが負に帯電することがある。基板Ｗが帯電した状態で、比抵抗の小さな処理液が基板Ｗの表面に供給されると、処理液が基板Ｗの表面に到達する直前で基板Ｗの表面と処理液との間で放電が発生したり、あるいは、処理液が基板Ｗの表面に到達した後に基板Ｗから処理液へと大きな電流が流れたりし得る。このような放電または電流によって、基板Ｗの表面に不具合が生じ得る。
【０１９７】
そこで、搬送ロボット６は負に帯電した基板Ｗを基板処理装置１ａから基板処理装置１ｂに搬送する。基板処理装置１ｂは上述のように基板Ｗの表面に紫外線を照射するので、基板Ｗの表面の帯電量を低減することができる。また、この場合でも、基板Ｗの表面に均一に紫外線を照射できるので、基板Ｗの表面を均一に除電できる。
【０１９８】
なお、この基板処理装置１ｂにおいても、気体供給部４０による気体の供給によって、電子の基板Ｗへの再付着（再帯電）を抑制できる。基板Ｗの上面から放出された電子は空気中の分子に作用して当該分子をイオン化し、このイオンは気体供給部４０からの気体の流れに沿って移動し得るからである。つまり、気体供給部４０から気体によって電子（イオン）は基板Ｗと紫外線照射器３０との間の処理空間の外側に導かれ、電子の基板Ｗへの再付着が抑制される。また表１はこの基板処理装置１ｂにも適用できる。この場合でも、基板Ｗの下流側の供給口４１ａからの気体を供給することにより、分離物と同様の原理によって、電子（イオン）の基板Ｗへの再付着を抑制できる。
【０１９９】
また基板処理装置１ｂが除電装置を行う場合でも、図９の気体吸引部５０による気体の吸引によって、電子（イオン）の基板Ｗへの再付着を低減できる。基板Ｗから放出された電子が空気中の分子に作用してイオン化し、このイオンが気体の流れに沿って気体吸引部５０によって吸引されるからである。
【０２００】
基板処理装置１ｂが除電処理を行う場合には、図１４の表面状態検出部９０は基板Ｗの表面の帯電量を検出する。例えば表面状態検出部９０として、表面電位センサを採用することができる。表面電位センサは基板Ｗの表面の電位を検出し、その検出値を制御部６０へと出力する。基板Ｗの表面に負の電荷が多く帯電しているほど、基板Ｗの表面の電位は小さくなる。
【０２０１】
制御部６０は、基板Ｗの表面の電位が所定の閾値よりも小さいときに、更なる紫外線の照射処理が必要であると判断してもよい。また制御部６０は更なる紫外線の照射処理が必要であると判断したときに、移動機構２０による基板Ｗの移動速度を、基板Ｗの表面の電位に基づいて決定してもよい。具体的には、制御部６０は基板Ｗの帯電量が多いほど（言い換えれば、基板Ｗの表面の電位が低いほど）、移動速度を低く決定する。
【０２０２】
＜搬送経路＞
上述の例では、基板処理装置１ｂの外部（搬送ロボット６）との基板Ｗの受け渡しは第１位置Ｐｙ１において行われた。つまり、基板Ｗの搬入および搬出の両方が第１位置Ｐｙ１において行われた。しかしながら、必ずしもこれに限らない。要するに、基板処理装置１ｂの移動機構２０は必ずしも基板Ｗを第１位置Ｐｙ１と第２位置Ｐｙ２との間で往復移動させる必要は無い。例えば基板処理装置１ａにローカル搬送ロボットが設けられる場合などには、第１位置Ｐｙ１において基板Ｗが搬送ロボット６から基板処理装置１ｂへと搬入され、当該ローカル搬送ロボットが第２位置Ｐｙ２において基板Ｗを基板処理装置１ｂから基板処理装置１ａへと搬出してもよい。
【０２０３】
これによっても、基板Ｗは水平方向に紫外線照射器３０を通過するので、基板Ｗの上面により均一に紫外線を照射することができる。
【０２０４】
なお基板処理装置１Ｃ，１Ｄにおいては、基板Ｗが第１位置Ｐｙ１と第２位置Ｐｙ２との間で往復移動することを前提である。言い換えれば、基板処理装置１Ｃ，１Ｄ以外は基板Ｗの往復移動は前提としなくてもよい。例えば上述した気流に関していうと、基板Ｗが第１位置Ｐｙ１から第２位置Ｐｙ２へと一方向のみに移動する場合であっても、その移動方向の下流側の供給口から気体を供給することで、分離物（あるいは電子）の基板Ｗへの再付着を抑制できる。
【０２０５】
上述した各種実施の形態は相互に組み合わせることができる。言い換えれば、基板処理装置１ｂ，１Ａ〜１Ｆは相互に組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０２０６】
１ｂ，１Ａ〜１Ｆ  基板処理装置
１０  基板保持手段（基板保持部）
２０  移動手段（移動機構）
３０  紫外線照射手段（紫外線照射器）
４０  気体供給手段（気体供給部）
４１ａ  供給口（第２供給口）
４２ａ  供給口（第１供給口）
５０  気体吸引手段（気体吸引部）
５１ａ，５２ａ  吸引口
６０  制御手段（制御部）
７０  筐体
７２  吸引口
７３  排気口
８０  昇降手段（昇降機構）
８２  回動手段（回動機構）
９０  検出手段（表面状態検出部）
１３１  基板保持手段（ハンド）
１３２  移動手段（移動機構）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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