(57)【要約】      （修正有）【課題】高い放熱効率を有し、外部衝撃による発光素子の損傷を防止することができる有機発光表示装置を提供する。【解決手段】発光素子を覆う封止層５００及び封止層５００上に位置する封止基板６００を含む有機発光表示装置に関するもので、高熱伝導率を有する封止基板６００の外側表面に金属コーティング層７００を設け、外部衝撃による発光素子の損傷を防止し、金属コーティング層７００をキャッピング層８００で覆うことにより、金属コーティング層７００による表面粗さを減少させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と封止基板の間に位置する発光素子；
前記発光素子と前記封止基板の間に位置する封止層；
前記封止基板の外側表面に塗布された金属粒子を含む金属コーティング層；及び
前記金属粒子を覆うキャッピング層を含む、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記封止基板と対向する前記キャッピング層の表面は平面である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記金属粒子は磁性物質を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記磁性物質は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）のいずれか１種である、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記キャッピング層は前記封止基板の側面上に伸びる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記キャッピング層は前記封止基板の前記側面と直接接触する領域を含む、請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記キャッピング層は有機絶縁物質を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記封止基板はアルミニウムを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子及び／又は駆動回路で発生した熱を早く外部に放出するために高熱伝導率の封止基板を含む有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、モニター、ＴＶ、ノートブック型パソコン、デジタルカメラのような電子機器は映像を具現するためにディスプレイ装置を含む。例えば、前記ディスプレイ装置は液晶表示装置及び／又は有機発光表示装置を含むことができる。
【０００３】
前記有機発光表示装置は発光素子を含むことができる。前記発光素子は特定の色を示す光を生成することができる。例えば、前記発光素子は順に積層された第１電極、発光層及び第２電極を含むことができる。
【０００４】
前記有機発光表示装置は、外部水分が前記発光素子に浸透することを防止することができる。例えば、前記有機発光表示装置は前記発光素子を覆う封止層及び前記封止層上に位置する封止基板を含むことができる。
【０００５】
映像を具現する動作において前記発光素子及び前記発光素子を制御するための駆動回路は熱が発生することがある。前記発光層は熱に非常に脆弱であることがある。よって、前記有機発光表示装置は、前記発光素子及び／又は前記駆動回路から発生した熱を外部に早く放出することができる。例えば、前記有機発光表示装置は、アルミニウム（Ａｌ）のような熱伝導率が相対的に高い物質を含む封止基板を含むことができる。
【０００６】
しかし、前記熱伝導率の高い物質は相対的に低い剛性を有するので、前記有機発光表示装置は外部衝撃によって前記発光素子が損傷することがある。前記有機発光表示装置は、外部衝撃による前記発光素子の損傷を防止するために、前記封止基板上に剛性補強のための別途の層を追加することができるが、総厚が大幅増加する問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、高い放熱効率を有し、外部衝撃による発光素子の損傷を防止することができる有機発光表示装置を提供することである。
【０００８】
本発明が解決しようとする他の課題は、総厚の増加を最小化し、封止基板の剛性を補強することができる有機発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想による有機発光表示装置は素子基板上に位置する発光素子を含む。発光素子上には封止層が位置する。封止層上には封止基板が位置する。封止基板上には金属コーティング層を含む。金属コーティング層は封止基板の外側表面に塗布された金属粒子を含む。金属コーティング層上にはキャッピング層が位置する。
【００１０】
封止基板と対向するキャッピング層の表面は平面であってもよい。
【００１１】
金属粒子は磁性物質を含むことができる。
【００１２】
磁性物質は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）のいずれか１種であってもよい。
【００１３】
キャッピング層は封止基板の側面上に伸びることができる。
【００１４】
キャッピング層は封止基板の側面と直接接触する領域を含むことができる。
【００１５】
キャッピング層は有機絶縁物質を含むことができる。
【００１６】
封止基板はアルミニウムを含むことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、封止基板の外側表面に塗布された金属粒子を含む金属コーティング層及び前記金属コーティング層上に位置するキャッピング層を含むことができる。これにより、本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、金属粒子によって高熱伝導率を有する封止基板の剛性を補強することができる。また、本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、キャッピング層によって前記金属粒子による表面粗さが低下することができる。よって、本発明の技術的思想による有機発光表示装置は、放熱効率及び信頼性が向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図である。
【図２】図１のＰ領域を拡大した図である。
【図３】本発明の他の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の目的と技術的構成及びこれによる作用効果についての詳細な事項は、本発明の実施例を示している図面を参照する以下の詳細な説明によってより明らかに理解可能であろう。ここで、本発明の実施例は当業者に本発明の技術的思想が充分に伝達することができるようにするために提供するものなので、本発明は以下で説明する実施例に限定されないように他の形態に具体化することができる。
【００２０】
また、明細書全般にわたって同じ参照番号で表示した部分は同じ構成要素を意味し、図面において層又は領域の長さと厚さは便宜のために誇張して表現されることがある。また、第１構成要素が第２構成要素“上”にあると記載される場合、前記第１構成要素が前記第２構成要素と直接接触する上側に位置するものだけではなく、前記第１構成要素と前記第２構成要素の間に第３構成要素が位置する場合も含む。
【００２１】
ここで、前記第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するためのもので、一構成要素を他の構成要素と区別する目的で使う。ただ、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で第１構成要素と第２構成要素は当業者の便宜によって任意に名付けられることができる。
【００２２】
本発明の明細書で使用する用語は単に特定の実施例を説明するために使われるもので、本発明を限定しようとする意図ではない。例えば、単数で表現された構成要素は文脈上明白に単数のみを意味しなければ複数の構成要素を含む。また、本発明の明細書において、“含む”又は“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せが存在することを指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。
【００２３】
加えて、他に定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここで使うすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味がある。一般的に使われる予め定義されているような用語は関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味があるものと解釈しなければならなく、本発明の明細書で明らかに定義しない限り、理想的に又は過度に形式的な意味と解釈されない。
【００２４】
（実施例）
【００２５】
図１は本発明の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図である。図２は図１のＰ領域を拡大した図である。
【００２６】
図１及び図２を参照すると、本発明の実施例による有機発光表示装置は、素子基板１００を含むことができる。前記素子基板１００は絶縁性物質を含むことができる。前記素子基板１００は透明な物質を含むことができる。例えば、前記素子基板１００はガラス又はプラスチックを含むことができる。
【００２７】
前記素子基板１００は表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含むことができる。前記非表示領域ＮＡは前記表示領域ＡＡの外側に位置することができる。例えば、前記非表示領域ＮＡは前記素子基板１００の周縁部を含むことができる。
【００２８】
前記素子基板１００の前記表示領域ＡＡ上には薄膜トランジスタ２００が位置することができる。例えば、前記薄膜トランジスタ２００は、半導体パターン２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３０、層間絶縁膜２４０、ソース電極２５０及びドレイン電極２６０を含むことができる。
【００２９】
前記半導体パターン２１０は前記素子基板１００に近く位置することができる。前記半導体パターン２１０は半導体物質を含むことができる。例えば、前記半導体パターン２１０は非晶質シリコン又は多結晶シリコンを含むことができる。前記半導体パターン２１０は酸化物半導体であってもよい。例えば、前記半導体パターン２１０はＩＧＺＯを含むことができる。
【００３０】
前記半導体パターン２１０は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むことができる。前記チャネル領域は前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に位置することができる。前記チャネル領域の伝導率（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）は前記ソース領域の伝導率及び前記ドレイン領域の伝導率より低くてもよい。例えば、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は導電性不純物を含むことができる。
【００３１】
前記ゲート絶縁膜２２０は前記半導体パターン２１０上に位置することができる。前記ゲート絶縁膜２２０の大きさは前記半導体パターン２１０の大きさより小さくてもよい。例えば、前記ゲート絶縁膜２２０は前記半導体パターン２１０の前記チャネル領域と重畳することができる。
【００３２】
前記ゲート絶縁膜２２０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記ゲート絶縁膜２２０はシリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物を含むことができる。前記ゲート絶縁膜２２０はＨｉｇｈ−Ｋ物質を含むことができる。例えば、前記ゲート絶縁膜２２０はハフニウム酸化物（ＨｆＯ）又はチタン酸化物（ＴｉＯ）を含むことができる。前記ゲート絶縁膜２２０は多重層構造であってもよい。
【００３３】
前記ゲート電極２３０は前記ゲート絶縁膜２２０上に位置することができる。例えば、前記ゲート電極２３０は前記半導体パターン２１０の前記チャネル領域と重畳することができる。前記ゲート電極２３０は前記ゲート絶縁膜２２０によって前記半導体パターン２１０から絶縁されることができる。例えば、前記ゲート電極２３０の側面は前記ゲート絶縁膜２２０の側面と垂直に整列されることができる。
【００３４】
前記ゲート電極２３０は導電性物質を含むことができる。例えば、前記ゲート電極２３０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。
【００３５】
前記層間絶縁膜２４０は前記半導体パターン２１０及び前記ゲート電極２３０上に位置することができる。前記層間絶縁膜２４０は前記半導体パターン２１０の外側に伸びることができる。例えば、前記半導体パターン２１０の側面は前記層間絶縁膜２４０によって覆われることができる。
【００３６】
前記層間絶縁膜２４０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記層間絶縁膜２４０はシリコン酸化物を含むことができる。
【００３７】
前記ソース電極２５０は前記層間絶縁膜２４０上に位置することができる。前記ソース電極２５０は前記半導体パターン２１０の前記ソース領域と電気的に連結されることができる。例えば、前記ソース電極２５０は前記半導体パターン２１０の前記ソース領域と重畳することができる。前記層間絶縁膜２４０は前記半導体パターン２１０の前記ソース領域を部分的に露出するコンタクトホールを含むことができる。
【００３８】
前記ソース電極２５０は伝導性物質を含むことができる。例えば、前記ソース電極２５０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記ソース電極２５０は前記ゲート電極２３０と違う物質を含むことができる。
【００３９】
前記ドレイン電極２６０は前記層間絶縁膜２４０上に位置することができる。前記ドレイン電極２６０は前記半導体パターン２１０の前記ドレイン領域と電気的に連結されることができる。前記ドレイン電極２６０は前記ソース電極２５０から離隔することができる。例えば、前記ドレイン電極２６０は前記半導体パターン２１０の前記ドレイン領域と重畳することができる。前記層間絶縁膜２４０は前記半導体パターン２１０の前記ドレイン領域を部分的に露出するコンタクトホールをさらに含むことができる。
【００４０】
前記ドレイン電極２６０は伝導性物質を含むことができる。例えば、前記ドレイン電極２６０は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記ドレイン電極２６０は前記ゲート電極２３０と違う物質を含むことができる。前記ドレイン電極２６０は前記ソース電極２５０と同一の物質を含むことができる。
【００４１】
前記素子基板１００と前記薄膜トランジスタ２００の間にはバッファー層１１０が位置することができる。例えば、前記バッファー層１１０は前記素子基板１００と前記半導体パターン２１０の間に位置することができる。前記バッファー層１１０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記バッファー層１１０はシリコン酸化物を含むことができる。
【００４２】
前記薄膜トランジスタ２００上には下部保護膜１２０が位置することができる。前記下部保護膜１２０は外部衝撃及び水分から前記薄膜トランジスタ２００を保護することができる。例えば、前記下部保護膜１２０は前記ソース電極２５０及び前記ドレイン電極２６０の外側に伸びることができる。前記下部保護膜１２０は前記ソース電極２５０及び前記ドレイン電極２６０の外側で前記層間絶縁膜２４０と直接接触することができる。前記下部保護膜１２０は絶縁性物質を含むことができる。前記下部保護膜１２０は前記層間絶縁膜２４０と違う物質を含むことができる。例えば、前記下部保護膜１２０はシリコン窒化物を含むことができる。
【００４３】
前記下部保護膜１２０上にはオーバーコート層１３０が位置することができる。前記オーバーコート層１３０は前記薄膜トランジスタ２００による段差を除去することができる。例えば、前記素子基板１００と対向する前記オーバーコート層１３０の上部面は平面（ｆｌａｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）であってもよい。
【００４４】
前記オーバーコート層１３０は絶縁性物質を含むことができる。前記オーバーコート層１３０は前記下部保護膜１２０と違う物質を含むことができる。前記オーバーコート層１３０は相対的に流動性の高い物質を含むことができる。例えば、前記オーバーコート層１３０は有機絶縁物質を含むことができる。
【００４５】
前記オーバーコート層１３０上には発光素子３００が位置することができる。前記発光素子３００は特定の色を示す光を生成することができる。例えば、前記発光素子３００は、順に積層された第１電極３１０、発光層３２０及び第２電極３３０を含むことができる。
【００４６】
前記第１電極３１０は前記オーバーコート層１３０に近く位置することができる。前記発光素子３００は前記薄膜トランジスタ２００によって制御されることができる。例えば、前記第１電極３１０は前記薄膜トランジスタ２００の前記ドレイン電極２６０と電気的に連結されることができる。例えば、前記下部保護膜１２０は前記ドレイン電極２６０の少なくとも一部の領域を露出する下部コンタクトホール１２０ｈを含むことができる。前記オーバーコート層１３０は前記下部コンタクトホール１２０ｈと重畳する上部コンタクトホール１３０ｈを含むことができる。前記第１電極３１０は前記下部コンタクトホール１２０ｈの側壁及び前記上部コンタクトホール１３０ｈの側壁に沿って伸びることができる。
【００４７】
前記第１電極３１０は導電性物質を含むことができる。前記第１電極３１０は透明な物質を含むことができる。例えば、前記第１電極３１０はＩＴＯ又はＩＺＯのような透明な導電性物質を含む透明電極であってもよい。
【００４８】
前記発光層３２０は前記第１電極３１０と前記第２電極３３０間の電圧差に対応する輝度の光を生成することができる。例えば、前記発光層３２０は発光物質を含む発光物質層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含むことができる。前記発光物質は有機物質であってもよい。
【００４９】
前記発光層３２０は、発光効率を高めるために、多重層構造であってもよい。例えば、前記発光層３２０は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）の少なくとも一つをさらに含むことができる。
【００５０】
前記第２電極３３０は導電性物質を含むことができる。前記第２電極３３０は前記第１電極３１０と違う物質を含むことができる。例えば、前記第２電極３３０はアルミニウム（Ａｌ）のような反射率の高い金属を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は前記発光層３２０によって生成した光が前記素子基板１００を通じて外部に放出されることができる。
【００５１】
本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００上に多数の発光素子３００が位置することができる。各発光素子３００は独立的に駆動されることができる。例えば、各発光素子３００の前記第１電極３１０は隣接した発光素子３００の前記第１電極３１０から分離されることができる。隣接した発光素子３００の前記第１電極３１０の間にはバンク絶縁膜１４０が位置することができる。前記バンク絶縁膜１４０は前記第１電極３１０の周縁部を覆うことができる。前記発光層３２０及び前記第２電極３３０は前記バンク絶縁膜１４０によって露出した前記第１電極３１０の一部領域上に積層されることができる。
【００５２】
前記バンク絶縁膜１４０は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記バンク絶縁膜１４０は有機絶縁物質を含むことができる。前記バンク絶縁膜１４０は前記オーバーコート層１３０と違う物質を含むことができる。
【００５３】
前記バンク絶縁膜１４０によって露出した前記第１電極３１０の一部領域は前記薄膜トランジスタ２００から離隔することができる。例えば、前記バンク絶縁膜１４０は前記薄膜トランジスタ２００と重畳することができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記発光素子３００から前記素子基板１００の方向に進行する光が前記薄膜トランジスタ２００によって遮断されることはない。
【００５４】
前記第２電極３３０は前記バンク絶縁膜１４０上に伸びることができる。例えば、前記第２電極３３０は前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡに向かう前記バンク絶縁膜１４０の側面、前記オーバーコート層１３０の側面及び前記下部保護膜１２０の側面上に伸びることができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、外部水分が前記素子基板１００と前記第２電極３３０の間に積層された絶縁膜及び隣接した絶縁膜間の境界面を通じて浸透することを防止することができる。
【００５５】
前記素子基板１００と前記発光素子３００の間にはカラーフィルター４００が位置することができる。例えば、前記カラーフィルター４００は前記下部保護膜１２０と前記オーバーコート層１３０の間に位置することができる。前記カラーフィルター４００による段差は前記オーバーコート層１３０によって除去されることができる。前記カラーフィルター４００は前記発光素子３００から放出された光が示す色を変更することができる。例えば、前記発光層３２０は白色を示す光を生成し、前記カラーフィルター４００は前記発光層３２０によって生成した光を用いて青色、赤色又は緑色を具現することができる。前記カラーフィルター４００の水平幅は前記バンク絶縁膜１４０によって露出した前記第１電極３１０の一部領域の水平幅より大きくてもよい。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は光漏れを防止することができる。
【００５６】
前記発光素子３００上には封止層５００が位置することができる。前記封止層５００は外部衝撃及び水分から前記発光素子３００を保護することができる。前記封止層５００は前記素子基板１００の前記非表示領域ＮＡ上に伸びることができる。例えば、前記発光素子３００は前記封止層５００によって全く覆われることができる。
【００５７】
前記封止層５００は多重層構造であってもよい。例えば、前記封止層５００は下部封止層５１０及び前記下部封止層５１０上に位置する上部封止層５２０を含むことができる。前記発光素子３００は前記下部封止層５１０によって覆われることができる。前記上部封止層５２０は吸湿粒子５００ａを含むことができる。前記吸湿粒子５００ａは吸湿物質を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記吸湿粒子５００ａの膨張によって前記発光構造物３００に加わる応力（ｓｔｒｅｓｓ）を前記下部封止層５１０によって緩和することができる。
【００５８】
前記下部封止層５１０及び前記上部封止層５２０は絶縁性物質を含むことができる。前記下部封止層５１０及び前記上部封止層５２０は接着性物質を含むことができる。前記下部封止層５１０及び前記上部封止層５２０は硬化工程が必要でない物質を含むことができる。例えば、前記下部封止層５１０及び前記上部封止層５２０はオレフィン（ｏｌｅｆｉｎ）系物質を含むことができる。これにより、本実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５１０及び前記上部封止層５２０の形成工程による前記発光層３２０の劣化を防止することができる。前記上部封止層５２０は前記下部封止層５１０と違う物質を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記下部封止層５１０による応力緩和を効果的に果たすことができる。
【００５９】
本発明の実施例による有機発光表示装置は前記封止層５００が前記発光素子３００と直接接触するものとして説明した。しかし、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、発光素子３００と下部封止層５１０の間に位置する上部保護膜をさらに含むことができる。前記上部保護膜は外部衝撃及び水分から前記発光素子３００を保護することができる。前記上部保護膜は絶縁性物質を含むことができる。前記上部保護膜は多重層構造であってもよい。例えば、前記上部保護膜は無機絶縁物質を含む無機膜の間に位置する有機絶縁物質を含む有機膜が位置する構造であってもよい。
【００６０】
前記封止層５００上には封止基板６００が位置することができる。前記封止基板６００は前記封止層５００と直接接触することができる。これにより、前記封止基板６００は前記封止層５００を介して前記薄膜トランジスタ２００及び前記発光素子３００が形成された前記素子基板１００と結合されることができる。
【００６１】
前記封止基板６００は前記素子基板１００の前記表示領域ＡＡ及び前記非表示領域ＮＡと重畳することができる。前記封止基板６００の大きさは前記封止層５００の大きさより大きくてもよい。例えば、前記素子基板１００に向かう前記封止基板６００の下部面の周縁部は前記封止層５００によって露出することができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記上部封止層５２０の誤整列による不良を防止することができる。前記封止基板６００の大きさは前記素子基板１００の大きさより小さくてもよい。例えば、前記封止基板６００の側面は前記素子基板１００の側面と前記封止層５００の側面の間に位置することができる。
【００６２】
前記封止基板６００は前記素子基板１００と違う物質を含むことができる。前記封止基板６００は映像を具現する動作において前記発光素子３００及び／又は前記薄膜トランジスタ２００から発生した熱の放出経路を提供することができる。例えば、前記封止基板６００はアルミニウム（Ａｌ）のように熱伝導率が相対的に高い金属を含むことができる。
【００６３】
前記封止層５００と対向する前記封止基板６００の外側表面上には金属コーティング層７００が位置することができる。前記金属コーティング層７００は前記封止基板６００の外側表面に塗布された金属粒子７００ｍを含むことができる。すなわち、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板６００の外側表面が前記金属粒子７００ｍによってコートされることができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、総厚の増加を最小化し、前記封止基板６００の剛性を補強することができる。前記金属粒子７００ｍによって外側表面がコートされた前記封止基板６００は前記封止基板６００上に別途の補強層が形成される構造より堅くなることができる。また、前記封止基板６００の外側表面に塗布された前記金属粒子７００ｍは前記封止基板６００上の別途の補強層より高い熱伝導率を有することができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板６００の熱伝導率の減少幅を最小化し、外部衝撃による前記発光素子３００の損傷を防止することができる。よって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、放熱効率及び信頼性が向上することができる。
【００６４】
前記金属コーティング層７００上にはキャッピング層８００が位置することができる。前記キャッピング層８００は絶縁性物質を含むことができる。前記キャッピング層８００は前記金属粒子７００ｍを覆うことができる。例えば、前記キャッピング層８００は相対的に流動性の高い有機絶縁物質を含むことができる。前記封止基板６００と対向する前記キャッピング層８００の表面は平面であってもよい。例えば、前記キャッピング層８００の前記表面は前記封止基板６００の外側表面に平行であってもよい。前記キャッピング層８００は相対的に流動性の高い物質を含むことができる。例えば、前記キャッピング層８００は前記オーバーコート層１３０と同一の物質を含むことができる。前記金属粒子７００ｍ間の空間は前記キャッピング層８００で満たされることができる。前記キャッピング層８００は接着物質を含むことができる。例えば、前記キャッピング層８００は前記下部封止層５１０と同一の物質を含むことができる。前記キャッピング層８００はオレフィン系物質を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記金属粒子７００ｍによる表面粗さが減少することができる。よって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、粗い表面による損傷を防止することができる。
【００６５】
前記金属粒子７００ｍは磁性物質を含むことができる。例えば、前記金属粒子７００ｍは、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）のような強磁性金属を含むことができる。これにより、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板６００が磁性プレートを含むジグ（ｊｉｇ）によって移動することができる。すなわち、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記素子基板１００と前記封止基板６００の結合工程において前記封止基板６００の位置調節が容易になることができる。また、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記キャッピング層８００によって表面粗さが減少するので、前記移送ジグに前記封止基板６００を着脱する過程で発生する前記封止基板６００及び／又は前記素子基板１００の損傷を防止することができる。その上、本発明の実施例による有機発光表示装置は、前記移送ジグによって前記封止基板６００の着脱工程が簡易化することにより、前記素子基板１００と前記封止基板６００の結合工程にかかる時間が減少することができる。よって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、外部衝撃による発光素子３００の損傷を防止し、製造効率が向上することができる。
【００６６】
結果的に、本発明の実施例による有機発光表示装置は、アルミニウム（Ａｌ）のように熱伝導率が高い金属を含む封止基板６００の外側表面上に金属コーティング層７００及びキャッピング層８００が順に積層され、前記金属コーティング層７００が前記封止基板６００の外側表面に塗布された金属粒子７００ｍを含むことにより、総厚の増加及び放熱効率の低下を最小化し、前記封止基板６００の剛性を補強することができる。その上、本発明の実施例による有機発光表示装置は、磁性物質を含む金属粒子７００ｍ及びキャッピング層８００によって製造効率が向上することができる。よって、本発明の実施例による有機発光表示装置は、放熱効率、製造効率及び信頼性が向上することができる。
【００６７】
本発明の実施例による有機発光表示装置は前記キャッピング層８００が前記封止基板６００の外側表面上にのみ位置するものとして説明した。しかし、図３に示したように、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記キャッピング層８００が前記封止基板６００の側面６００ｓ上に伸びることができる。例えば、前記キャッピング層８００は前記封止基板６００の前記側面６００ｓと直接接触する領域８０１を含むことができる。これにより、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、金属粒子７００ｍが前記封止基板６００の前記側面６００ｓに部分的に塗布されることができる。すなわち、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、前記封止基板６００の外側表面に前記金属粒子７００ｍを塗布する工程に対する工程マージンが増加することができる。よって、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、放熱効率、製造効率及び信頼性が効果的に向上することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１００    素子基板
３００    発光構造物
５００    封止層
５００ａ    吸湿粒子
６００    封止基板
７００    金属コーティング層
８００    キャッピング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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