(57)【要約】【課題】ガラス基板などの被処理基板の被処理面側では反応ガスの乱れを抑制して安定的にエッチング処理でき、被処理面とは反対側ではエッチングを抑制可能なエッチング装置を提供する。【解決手段】エッチング装置１のノズル面１９の外端部分に凸部１４を形成するか、対向面２９の外端部分に凹部２４を形成する。これによって、連通開口部３４におけるノズル面側開口隙間３４ａの高さｈ３が対向面側開口隙間３４ｂの高さｈ４よりも小さくする。かつ、これら開口隙間の比（ｈ３／ｈ４）を、処理空間３１のノズル面側空間部３１ａの高さｈ１と、対向面側空間部３１ｂの高さｈ２との比（ｈ１／ｈ２）より小さくする。【選択図】図１
2019067898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有物を含む被処理基板の被処理面を、フッ素系反応成分を含有する反応ガスによってエッチングする装置であって、
ノズル面と、前記ノズル面に設けられた前記反応ガスの吹出口と、前記ノズル面における前記吹出口よりも外端側に設けられた吸込口とを有するノズル部と、
前記ノズル面と対向する対向面を有し、前記ノズル部との間に扁平な処理空間を画成する対向部材と、
前記被処理面を前記ノズル面へ向けた被処理基板を、前記吸込口と前記吹出口とを結ぶ方向に沿って前記処理空間内に通す搬送手段と、
を備え、前記ノズル面における外端部分と、前記対向面における前記外端部分と対向する部分との間には、前記処理空間を前記ノズル部の外部の空間と連ねる連通開口部が形成されており、
前記連通開口部における前記被処理基板の通過位置を挟んでノズル面側の開口隙間の高さｈ３が対向面側の開口隙間の高さｈ４よりも小さく、
前記処理空間の前記吹出口から前記吸込口までの部分における前記被処理基板の通過位置を挟んでノズル面側の空間部の高さｈ１と、対向面側の空間部の高さｈ２との比（ｈ１／ｈ２）に対して、前記ノズル面側の開口隙間の高さｈ３と前記対向面側の開口隙間の高さｈ４との比（ｈ３／ｈ４）が小さいことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
前記ノズル面における前記外端部分に凸部が形成され、前記ノズル面側の開口隙間の高さｈ３が、前記ノズル面側の空間部の高さｈ１よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項３】
前記対向面における前記外端部分と対向する部分に凹部が形成され、前記対向面側の開口隙間の高さｈ４が、前記対向面側の空間部の高さｈ２よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン含有物を含むガラスやウェハーなどの被処理基板を、フッ素系反応成分を含有する化学的に活性な反応ガスによってドライエッチングする装置に関し、特に被処理基板における素子形成面等となる非処理面への反応ガスの接触を抑制しながら、接触帯電等を防止すべき被処理面を軽く粗化するのに適したエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスなどのシリコン含有基板を、フッ化水素を含有する反応ガスによってエッチングすることは公知である（特許文献１〜４等参照）。
特許文献１においては、ガラス基板が通過可能な扁平な処理空間を形成する上下一対の対向面のうち、下側の対向面に反応ガスの供給部と排気部を設けるとともに、上側の対向面の中央に外気引き込み口を設けることで、ガラス基板の上面側に外気の引き込み流を形成し、反応ガスがガラス基板の上面に接触するのを抑制しようとしている。
特許文献２においては、ガラス基板の上面側に窒素等の反応に寄与しない不活性ガスを流し、該上面側へ回り込む反応ガスを希釈或いは排除しながら、ガラス基板の下面（被処理面）のエッチング処理を行なっている。
特許文献３においては、ノズル部を囲むチャンバーの基板搬入出口における上下の縁部をそれぞれ高さ調節可能にし、かつガラス基板が通る高さを挟んで下側の縁部までの距離を上側の縁部までの距離よりも小さくすることにより、ガラス基板の下側での外気流入を抑制し、ひいてはノズル部の処理エリア内におけるガラス基板の下側での反応ガスの乱れを抑制しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１２５４１４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１９１００１号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２０１７／０４３６５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１においては、上側対向面に設けた外気引き込み口への外気引き込みによって、処理空間における反応ガス中のフッ化水素が希釈されて、処理性能が低下する可能性がある。また、前記引き込みの流れによって、かえってフッ化水素がガラス基板の上面に回り込む懸念がある。
特許文献２においては、不活性ガスの流量をガラス基板の搬送速度に応じて適切に調整することで、上記のような性能低下が起きないようにすることができるが、流量調節を間違えて排気量以上の不活性ガスを処理空間に押し込んだ場合、フッ化水素が処理空間の外部に漏洩する可能性がある。
特許文献３においては、チャンバーの基板搬入出口からノズル部までの離隔空間において、ガラス基板の上側の気流が、ガラス基板の幅方向の縁部から下側へ回り込む可能性があり、ガラス基板の下側（被処理面側）での反応ガスの乱れを十分に抑制することができない。
本発明は、かかる考察に鑑み、ガラス基板などの被処理基板の被処理面側では反応ガスの乱れを抑制して安定的にエッチング処理でき、被処理面とは反対側では反応ガスの回り込みを抑えてエッチングを抑制可能なエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、本発明は、シリコン含有物を含む被処理基板の被処理面を、フッ素系反応成分を含有する反応ガスによってエッチングする装置であって、
ノズル面と、前記ノズル面に設けられた前記反応ガスの吹出口と、前記ノズル面における前記吹出口よりも外端側に設けられた吸込口とを有するノズル部と、
前記ノズル面と対向する対向面を有し、前記ノズル部との間に扁平な処理空間を画成する対向部材と、
前記被処理面を前記ノズル面へ向けた被処理基板を、前記吸込口と前記吹出口とを結ぶ方向に沿って前記処理空間内に通す搬送手段と、
を備え、前記ノズル面における外端部分と、前記対向面における前記外端部分と対向する部分との間には、前記処理空間を前記ノズル部の外部の空間と連ねる連通開口部が形成されており、
前記連通開口部における前記被処理基板の通過位置を挟んでノズル面側の開口隙間の高さｈ３が対向面側の開口隙間の高さｈ４よりも小さく、
前記処理空間の前記吹出口から前記吸込口までの部分における前記被処理基板の通過位置を挟んでノズル面側の空間部の高さｈ１と、対向面側の空間部の高さｈ２との比（ｈ１／ｈ２）に対して、前記ノズル面側の開口隙間の高さｈ３と前記対向面側の開口隙間の高さｈ４との比（ｈ３／ｈ４）が小さいことを特徴とする。
つまり、下式が成り立つ。
ｈ３＜ｈ４                          （式１）
【数１】
2019067898.tif 000003
ここで、前記高さｈ１，ｈ２，ｈ３，ｈ４は、ノズル面と対向面の対向方向に沿う寸法を言う。
シリコン含有物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ等が挙げられる。
フッ素系反応成分は、前記シリコン含有物と反応可能な化合物であり、ＨＦ、ＣＯＦ２等が挙げられる。
【０００６】
前記ノズル面における前記外端部分に凸部が形成され、前記ノズル面側の開口隙間の高さｈ３が、前記ノズル面側の空間部の高さｈ１よりも小さいことが好ましい。
前記対向面における前記外端部分と対向する部分に凹部が形成され、前記対向面側の開口隙間の高さｈ４が、前記対向面側の空間部の高さｈ２よりも大きくてもよい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ガラス基板などの被処理基板の被処理面側では、外気の流れ込みを抑えることで、反応ガスの乱れを抑制して安定的にエッチング処理できる。被処理面とは反対側では、外気が確実に流れ込むようにすることで、反応ガスの回り込みを抑えてエッチングを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図２】図２（ａ）は、前記エッチング装置の搬送上流側の連通開口部の周辺部を拡大して示す側面断面図である。図２（ｂ）は、前記エッチング装置の搬送下流側の連通開口部の周辺部を拡大して示す側面断面図である。
【図３】図３は、前記エッチング装置の搬送上流側の連通開口部の周辺部を、ガラス基板の搬送先端部が入って来た状態で示す拡大側面断面図である。
【図４】図４は、前記エッチング装置の搬送下流側の連通開口部の周辺部を、ガラス基板の搬送後端部が出て行く状態で示す拡大側面断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図６】図６は、本発明の第３実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図７】図７は、本発明の第４実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
＜第１実施形態＞
図１〜図４は、本発明の第１実施形態を示したものである。図１に示すように、本発明形態の被処理基板は、液晶パネル用のガラス基板９である。ガラス基板９は、ＳｉＯ２等のシリコン含有物を含む。ガラス基板９における、接触帯電を抑制すべき裏面（図１において下面）が、被処理面９ａとなっている。該被処理面９ａをエッチング装置１によって化学的にエッチングすることで、被処理面９ａに所望の表面粗さ（凹凸）を付与する。
なお、ガラス基板９の表面（図１の上面）は、ＴＦＴなどの素子が形成される素子形成面であり、エッチングしたくない非処理面９ｂである。
【００１０】
エッチング装置１は、搬送手段２と、反応ガス生成部３と、処理部４を備えている。
搬送手段２は、例えば円盤形状のコロ２ｃを有するコロコンベアによって構成されている。搬送手段２によって、ガラス基板９が搬送方向（図１の左右方向）に沿って搬送される。搬送中のガラス基板９は、被処理面９ａが下方へ向けられ、非処理面９ｂが上方へ向けられる。
【００１１】
詳細な図示は省略するが、反応ガス生成部３は、互いに対向する一対の電極を有している。これら電極間の放電空間で大気圧近傍のグロー放電を形成するとともに、前記放電空間にフッ素系原料ガスを導入することによって、フッ素系反応ガスを生成している。
なお、放電形式は、グロー放電に限られず、アーク放電、コロナ放電などであってもよい。
本明細書において大気圧近傍とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
【００１２】
前記フッ素系原料ガスは、フッ素含有ガスと、水（Ｈ２Ｏ）と、キャリアガスを含む。
フッ素含有ガスとしては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等のＰＦＣ（パーフルオロカーボン）、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２、その他のフッ素含有化合物が挙げられる。ここでは、フッ素含有ガスとして、ＣＦ４が用いられている。
キャリアガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガス、窒素、その他の不活性ガスが挙げられる。ここでは、キャリアガスとして、例えば窒素（Ｎ２）が用いられている。
フッ素系原料ガスが、前記放電空間においてプラズマ化（励起、活性化、ラジカル化、イオン化などを含む）されることで、フッ素含有ガス（ＣＦ４）が分解されて、フッ素系反応成分であるフッ化水素（ＨＦ）が生成される。これによって、フッ素系原料ガスからフッ化水素を含む反応ガスが生成される。フッ化水素の生成反応式は、例えば下式である。
ＣＦ４＋２Ｈ２Ｏ→４ＨＦ＋ＣＯ２      （式ａ）
【００１３】
反応ガス生成部３には反応ガス供給路３ｂを介して処理部４が接続されている。
処理部４は、ノズル部１０と、対向部材２１を含む。
ノズル部１０は、図１の紙面直交方向に沿う幅方向に延びる容器状になっている。ノズル部１０の上面が、ノズル面１９を構成している。ノズル面１９に吹出口１１と一対の吸込口１２，１３が形成されている。吹出口１１は、搬送方向（図１の左右方向）におけるノズル面１９の中央部に配置されている。吹出口１１は、幅方向（図１の紙面直交方向）に延びるスリット状になっている。吹出口１１の長さは、ガラス基板９の幅寸法（図１の紙面直交方向の寸法）と同程度か、それより少し大きい。
【００１４】
図示は省略するが、ノズル部１０の内部には、整流部が設けられている。整流部は、チャンバー、スリット、多孔板等を含む。反応ガス生成部３からの反応ガスが、整流部を通過することによって、ノズル部１０の幅方向（図１の紙面直交方向）に均一化されたうえで、吹出口１１から上方へ均等に吹出される。
【００１５】
ノズル面１９における吹出口１１を挟んで搬送方向の両側に一対の吸込口１２，１３が設けられている。吸込口１２は、ノズル面１９における吹出口１１よりも搬送上流の外端側（図１において右端側）に配置されている。吸込口１３は、ノズル面１９における吹出口１１よりも搬送下流の外端側（図１において左端側）に配置されている。各吸込口１２，１３は、幅方向（図１の紙面直交方向）へスリット状に延びている。詳細な図示は省略するが、これら吸込口１２，１３は、吸引路１７を介して真空ポンプなどの吸引手段や除害手段に接続されている。
【００１６】
ノズル部１０の上方に離れて対向部材２１が配置されている。対向部材２１は、水平な板状に形成され、ノズル部１０と平行に幅方向（図１の紙面直交方向）へ延びている。対向部材２１の下面が、対向面２９を構成している。対向面２９とノズル面１９との間に扁平な処理空間３１が画成されている。処理空間３１の搬送方向（図１の左右方向）における中央部に吹出口１１が連通され、両側部に吸込口１２，１３が連通されている。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、ノズル面１９における吸込口１２付近よりも搬送上流側（同図において右側）の外端部分１９ａと、対向面２９における前記外端部分１９ａと対向する部分２９ａとの間に、連通開口部３４が形成されている。
図２（ｂ）に示すように、ノズル面１９における吸込口１２付近よりも搬送下流側（同図において左側）の外端部分１９ｂと、対向面２９における前記外端部分１９ｂと対向する部分２９ｂとの間に、連通開口部３５が形成されている。
図１に示すように、処理空間３１の搬送方向の両端部が、これら連通開口部３４，３５を介してノズル部１０の外部の空間と連なっている。
なお、図示は省略するが、処理空間３１の幅方向の両端部（図１の紙面手前側の端部及び奥側の端部）は、一対の端壁によって塞がれている。
【００１８】
搬送手段２によって、ガラス基板９が、搬送方向（吸込口１２，１３と吹出口１１とを結ぶ方向）に沿って搬送されながら連通開口部３４から処理空間３１に導入されて、処理空間３１に通され、連通開口部３５から導出される。
図３に示すように、ガラス基板９が導入側の連通開口部３４を通過する時には、連通開口部３４が、ガラス基板９の通過位置を挟んでノズル面１９側の開口隙間３４ａと、対向面２９側の開口隙間３４ｂとに隔てられる。
図２（ｂ）に示すように、ガラス基板９が処理空間３１内を通過する時には、処理空間３１が、ガラス基板９の通過位置を挟んでノズル面１９側の空間部３１ａと、対向面２９側の空間部３１ｂとに隔てられる。ガラス基板９の被処理面９ａが、空間部３１ａに面して、ノズル面１９へ向けられる。非処理面９ｂが、空間部３１ｂに面して、対向面２９へ向けられる。
図４に示すように、ガラス基板９が導出側の連通開口部３５を通過する時には、連通開口部３５が、ガラス基板９の通過位置を挟んでノズル面１９側の開口隙間３５ａと、対向面２９側の開口隙間３５ｂとに隔てられる。
【００１９】
図２に示すように、エッチング装置１においては、ノズル面側開口隙間３４ａ，３５ａの高さｈ３が、対向面側開口隙間３４ｂ，３５ｂの高さｈ４よりも小さい。
ｈ３＜ｈ４                            （式１）
かつ、ノズル面側開口隙間３４ａ，３５ａの高さｈ３と対向面側開口隙間３４ｂ，３５ｂの高さｈ４との比（ｈ３／ｈ４）が、ノズル面側空間部３１ａの高さｈ１と対向面側空間部３１ｂの高さｈ２との比（ｈ１／ｈ２）よりも小さい。
【数２】
2019067898.tif 000004
【００２０】
詳しくは、図２（ａ）に示すように、ノズル面１９における搬送上流側の外端部分１９ａには、凸部１４が形成されている。凸部１４は、ノズル面１９から上方の対向部材２１へ向かって突出されている。凸部１４によって、連通開口部３４の高さが狭められている。これによって、開口隙間３４ａ，３４ｂ及び空間部３１ａ，３１ｂの間に式１及び式２の関係が成り立っている。
【００２１】
同様に、図２（ｂ）に示すように、ノズル面１９における搬送下流側の外端部分１９ｂには、凸部１５が形成されている。凸部１５は、ノズル面１９から上方の対向部材２１へ向かって突出されている。凸部１５によって、連通開口部３５の高さが狭められている。これによって、開口隙間３５ａ，３５ｂ及び空間部３１ａ，３１ｂの間に式１及び式２の関係が成り立っている。
凸部１４，１５どうしの突出高さは、互いに等しい。
【００２２】
凸部１４，１５の突出高さは、ガラス基板９の搬送方向の先端部（図２において左端部）が垂れても凸部１４，１５に突き当たらない範囲内で設定されている。好ましくは、ノズル面側開口隙間３４ａ，３５ａの高さｈ３がなるべく小さくなるように設定されている。
なお、厳密には、高さｈ３は、ガラス基板９が連通開口部３４，３５を通過する時の、ノズル面１９から被処理面９ａまでの距離を言い、高さｈ４は、対向面２９から非処理面９ｂまでの距離を言う。また、高さｈ１は、ガラス基板９が処理空間３１を通過する時の、ノズル面１９から被処理面９ａまでの距離を言い、高さｈ２は、対向面２９から非処理面９ｂまでの距離を言う。
ノズル面側開口隙間３４ａ，３５ａの高さｈ３と、対向面側開口隙間３４ｂ，３５ｂの高さｈ４との比（ｈ３／ｈ４）は、例えばｈ３：ｈ４＝１：１.５〜１：５程度である。
ノズル面側空間部３１ａの高さｈ１と、対向面側空間部３１ｂの高さｈ２との比（ｈ１／ｈ２）は、例えばｈ１：ｈ２＝０．８：１．２〜１．２：０．８程度である。
【００２３】
エッチング装置１によって、ガラス基板９が次のようにして表面処理される。
反応ガス生成部３で生成されたフッ化水素（ＨＦ）を含む反応ガスが、反応ガス供給路３ｂを経て処理部４に送られ、吹出口１１から処理空間３１に供給される（反応ガス供給工程）。
併行して、搬送手段２によって、ガラス基板９が、連通開口部３４を経て処理空間３１に通される（搬送工程）。
処理空間３１内においてガラス基板９の被処理面９ａに反応ガスが接触する。これによって、反応ガス中のフッ化水素（ＨＦ）と被処理面９ａにおけるシリコン含有物とのエッチング反応が起き、被処理面９ａを所望の表面粗さＲａにできる。反応式は、例えば下式である。
ＳｉＯ２＋４ＨＦ＋Ｈ２Ｏ→ＳｉＦ４＋３Ｈ２Ｏ    （式ｂ）
未反応のままで吸込口１２，１３まで流れて来た反応ガスあるいは反応により生成したガスは、吸込口１２，１３に吸い込まれて排出される。
【００２４】
更に、ノズル部１０の外側の外気（空気）が、連通開口部３４，３５に引き込まれ、吸込口１２，１３に吸い込まれる。この外気の引き込み流によって、反応ガスが外部に漏れるのを防止できる。
しかも、エッチング装置１によれば、連通開口部３４に凸部１４が形成されているために、連通開口部３４における外気の引き込み流速が、凸部１４の無い場合よりも高速になる。したがって、反応ガスが外部に漏れるのを一層確実に防止できる。
【００２５】
図３に示すように、ガラス基板９の搬送先端部（図３において左端部）が連通開口部３４に入って来たときは、ノズル面側開口隙間３４ａが相対的に狭く、対向面側開口隙間３４ｂが相対的に広いために、外気ｇ０は主に対向面側開口隙間３４ｂから引き込まれる。該開口隙間３４ｂにおける外気ｇ０の引き込み流によって、処理空間３１の反応ガスｇ１が、ガラス基板９の非処理面９ｂ上に流れ込もうとするのを排除できる。たとえ反応ガスｇ１の一部が非処理面９ｂ上に流れ込んだとしても、該反応ガスｇ１を前記引き込んだ外気ｇ０によって希釈できる。この結果、非処理面９ｂがエッチングされるのを十分に抑制できる。
一方、狭いノズル面側開口隙間３４ａには外気ｇ０が入り込みにくいから、ノズル面側空間部３１ａの反応ガスｇ０が外気ｇ１で希釈されたり流れが乱されたりするのを抑制できる。したがって、被処理面９ａを安定的にエッチング処理できる。
【００２６】
図４に示すように、ガラス基板９の搬送後端部（図４において右端部）が連通開口部３５から出て行くときは、ノズル面側開口隙間３５ａが相対的に狭く、対向面側開口隙間３５ｂが相対的に広いために、外気ｇ０は主に対向面側開口隙間３５ｂから引き込まれる。該開口隙間３５ｂにおける外気の引き込み流によって、処理空間３１の反応ガスｇ１がガラス基板９の非処理面９ｂ上に流れ込もうとするのを排除できる。たとえ反応ガスｇ１の一部が非処理面９ｂ上に流れ込んだとしても、該反応ガスｇ１を前記引き込んだ外気ｇ０によって希釈できる。この結果、非処理面９ｂがエッチングされるのを十分に抑制できる。
【００２７】
エッチング装置１によれば、前述したように、外気がガラス基板９の上側に流れ込みやすいから、特許文献１の外気引き込み部や、特許文献２の不活性ガス供給部が不要である。更に、特許文献３のような、ノズル部を囲むチャンバーの基板搬入出口に高さ調節機構を設けなくても、ガラス基板９の下側への外気の流れ込みを抑制できる。したがって、装置コストを低減でき、ランニングコストを抑えることができる。また、不活性ガスの供給過多によって反応ガスが漏れるおそれもなく、安全性が向上する。
【００２８】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
＜第２実施形態＞
凸部１４，１５は、必ずしもノズル面１９に直接配置されている必要はない。
図５に示す第２実施形態では、凸部１４が、ノズル部１０の搬送上流側（図５において右側）の側面に取付けられるとともに、ノズル面１９より上方へ突出されている。また、凸部１５が、ノズル部１０の搬送下流側（図５において左側）の側面に取付けられるとともに、ノズル面１９より上方へ突出されている。
【００２９】
＜第３実施形態＞
図６に示す第３実施形態では、凸部１４が、吸込口１２の搬送上流側（図５において右側）の内面に取付けられるとともに、ノズル面１９より上方へ突出されている。また、凸部１５が、吸込口１３の搬送下流側（図５において左側）の内面に取付けられるとともに、ノズル面１９より上方へ突出されている。
【００３０】
＜第４実施形態＞
図７は、本発明の第４実施形態に係るエッチング装置１Ｄを示したものである。エッチング装置１Ｄにおいては、ノズル部１０に凸部１４，１５を設けるのに代えて、対向部材２０に凹部２４，２５が形成されている。
【００３１】
凹部２４は、対向面２９における搬送上流側の外端部分２９ａ（外端部分１９ａと対向する部分）に形成されるとともに、対向部材２１の搬送上流側の端面（図７において右端面）に達している。凹部２４の深さ分だけ、連通開口部３４の対向面側開口隙間３４ｂが広くなっている。
これによって、開口隙間３４ａ，３４ｂと空間部３１ａ，３１ｂの間に、式１及び式２の関係が成立している。
【００３２】
凹部２５は、対向面２９における搬送下流側の外端部分２９ｂ（外端部分１９ｂと対向する部分）に形成されるとともに、対向部材２１の搬送下流側の端面（図７において左端面）に達している。凹部２５の深さ分だけ、連通開口部３５の対向面側開口隙間３５ｂが広くなっている。
これによって、開口隙間３５ａ，３５ｂと空間部３１ａ，３１ｂの間に、式１及び式２の関係が成り立っている。
好ましくは、凹部２４，２５の深さひいては対向面側開口隙間３４ｂ，３５ｂの高さｈ４は、反応ガスの漏れが起きない程度になるべく大きく設定されている。
【００３３】
エッチング装置１Ｄにおいても、対向面側開口隙間３４ｂ，３５ｂがノズル面側開口隙間３４ａ，３５ａよりも広いために、第１実施形態と同様に、外気が主に対向面側開口隙間３４ｂ，３５ｂから処理空間３１に引き込まれる。該引き込み流によって、処理空間３１の反応ガスが、ガラス基板９の非処理面９ｂ上に流れ込もうとするのを排除したり希釈したりできる。この結果、非処理面９ｂがエッチングされるのを十分に抑制できる。
一方、狭いノズル面側開口隙間３４ａ，３５ａからは、相対的に外気が引き込まれにくいから、ノズル面側空間部３１ａの反応ガスが外気で希釈されたり流れが乱されたりするのを抑制できる。したがって、被処理面９ａを安定的にエッチング処理できる。
【００３４】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の改変をなすことができる。
例えば、ノズル面１９の外端部分１９ａ，１９ｂに凸部１４，１５が形成され、かつ対向面２９の外端部分２９ａ，２９ｂに凹部２４，２５が形成されていてもよい。
ノズル面１９と対向面２９の対向方向は、必ずしも上下方向である必要は無く、斜めや水平方向であってもよい。高さｈ１，ｈ２，ｈ３，ｈ４は、ノズル面１９と対向面２９の対向方向に沿う寸法であり、必ずしも鉛直方向の寸法とは限られない。被処理基板９は、必ずしも水平な状態である必要は無く、斜めや鉛直な状態で搬送されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、例えばフラットパネル用ガラス基板の表面処理に適用できる。
【符号の説明】
【００３６】
１，１Ｄ  エッチング装置
２        搬送手段
３        反応ガス生成部
４        処理部
９        ガラス基板（被処理基板）
９ａ      被処理面
９ｂ      非処理面
１０      ノズル部
１１      吹出口
１２，１３  吸込口
１４，１５  凸部
１９      ノズル面
１９ａ，１９ｂ  外端部分
２１      対向部材
２４，２５  凹部
２９      対向面
２９ａ，２９ｂ  外端部分と対向する部分
３１      処理空間
３１ａ    ノズル面側空間部
３１ｂ    対向面側空間部
３４      連通開口部
３４ａ    ノズル面側開口隙間
３４ｂ    対向面側開口隙間
３５      連通開口部
３５ａ    ノズル面側開口隙間
３５ｂ    対向面側開口隙間
ｈ１      ノズル面側空間部の高さ
ｈ２      対向面側空間部の高さ
ｈ３      ノズル面側開口隙間の高さ
ｈ４      対向面側開口隙間の高さ
ｇ０      外気
ｇ１      反応ガス
【図１】
2019067898.tif 000005
【図２】
2019067898.tif 000006
【図３】
2019067898.tif 000007
【図４】
2019067898.tif 000008
【図５】
2019067898.tif 000009
【図６】
2019067898.tif 000010
【図７】
2019067898.tif 000011