(57)【要約】【課題】本発明は、電極同士の接続部のショートを抑制する技術を提供することを課題とする。【解決手段】電子装置は、複数の電極が表面に配列されている配線基板と、複数の電極が配列されている部位を覆うはんだを介して配線基板に接合される電子部品と、はんだを複数の電極間で仕切る絶縁壁と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極が表面に配列されている配線基板と、
前記複数の電極が配列されている部位を覆うはんだを介して前記配線基板に接合される電子部品と、
前記はんだを前記複数の電極間で仕切り、前記配線基板側の先端が前記配線基板の前記複数の電極間の材料に埋まっている絶縁壁と、を備える、
電子装置。
【請求項２】
前記配線基板の前記複数の電極間の材料は、前記絶縁壁の材料の弾性率よりも低い弾性率を有する、
請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記配線基板は、前記複数の電極間に凹部を有する、
請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記配線基板は、前記凹部の側部を形成する第１材料と、前記凹部の底面を形成し、前記第１材料の弾性率よりも弾性率の低い第２材料とを有する、
請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記複数の各電極は、中央部分が隆起している、
請求項１から４の何れか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記絶縁壁は、前記電子部品の表面に格子状に形成されている、
請求項１から５の何れか一項に記載の電子装置。
【請求項７】
複数の電極が表面に配列されている配線基板に、前記複数の電極が配列されている部位を覆う状態ではんだを配置する工程と、
前記はんだを前記複数の電極間で仕切る絶縁壁を表面に有する電子部品を、前記絶縁壁の前記配線基板側の先端が前記配線基板の前記複数の電極間の材料に埋まるように前記配線基板に接合する工程と、を有する、
電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記接合する工程では、前記複数の電極が配列されている部位を覆う状態で配置されたはんだを加熱溶融させた状態において、前記絶縁壁が前記配線基板に押し当てられるように前記電子部品が前記配線基板に接合される、
請求項７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記配置する工程では、Ｓｎを含み、Ｂｉの含有率が４０％以下のはんだが前記配線基板に配置される、
請求項７または８に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線基板の前記複数の電極間の材料は、前記絶縁壁の材料の弾性率よりも低い弾性率を有し、
前記接合する工程では、前記絶縁壁の前記配線基板側の先端が前記配線基板の前記複数の電極間の材料に接触する、
請求項７から９の何れか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配線基板は、前記複数の電極間に凹部を有し、
前記接合する工程では、前記絶縁壁の前記配線基板側の先端が前記凹部に入る、
請求項７から１０の何れか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記配線基板は、前記凹部の側部を形成する第１材料と、前記凹部の底面を形成し、前記第１材料の弾性率よりも弾性率の低い第２材料とを有し、
前記接合する工程では、前記絶縁壁の前記配線基板側の先端が前記凹部の底面の前記第２材料に接触する、
請求項７から１１の何れか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の各電極は、中央部分が隆起しており、
前記接合する工程では、前記絶縁壁の前記配線基板側の先端が、前記各電極の隆起によって前記凹部へ案内される、
請求項７から１２の何れか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁壁は、前記電子部品の表面に格子状に形成されており、
前記接合する工程では、前記絶縁壁の格子が前記複数の電極間に位置するように前記電子部品を前記配線基板に接合する、
請求項８から１３の何れか一項に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、電子装置、及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置は、小型化の一途を辿っている。電子装置の小型化に対応するため、近年では、例えば、半導体チップの実装構造についても各種の形態が提案されている（例えば、特許文献１−５を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４０７３８号公報
【特許文献２】特開２００８−１４７３１７号公報
【特許文献３】特開２０１５−１４９３１４号公報
【特許文献４】特許第４０２２１３９号公報
【特許文献５】特許第５４４３８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子装置が処理する情報量の増大に伴い、例えば、半導体チップ等の電子部品の実装に用いられるはんだボール数は増大の一途を辿っている。また、電子装置が処理する情報量の増加に伴って電子部品の消費電力も増大しており、半導体チップ等の電子部品の実装に用いられるはんだボールは、許容される電流密度を上回らない程度の大きさが求められる。よって、電子部品の実装に用いられるはんだボール間のピッチは、不可避的に狭小化している。
【０００５】
はんだボール間のピッチが狭小化すると、電気回路のショートを生じる可能性が高まる。よって、ＢＧＡパッケージ基板に備わるはんだボールは、互いに離間した状態でＢＧＡパッケージ基板に融着されることが求められる。しかし、電極のピッチの微細化の進展に伴い、はんだボール同士の接触を回避することが困難になりつつある。
【０００６】
そこで、本発明は、電極同士の接続部のショートを抑制する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの態様では、電子装置は、複数の電極が表面に配列されている配線基板と、複数の電極が配列されている部位を覆うはんだを介して配線基板に接合される電子部品と、はんだを複数の電極間で仕切る絶縁壁と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
１つの側面として、電極同士の接続部のショートを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係る電子装置の内部構造を示した図である。
【図２】図２は、電子部品の製造方法の一例を示した第１の図である。
【図３】図３は、電子部品の一例を示した斜視図である。
【図４】図４は、電子部品の実装方法の一例を示した第１の図である。
【図５】図５は、電子部品の実装方法の一例を示した第２の図である。
【図６】図６は、電子部品の実装方法の一例を示した第３の図である。
【図７】図７は、配線基板の製造方法の一例を示した第１の図である。
【図８】図８は、電子装置の変形例および比較例を示した図である。
【図９】図９は、配線基板の製造方法の一例を示した第２の図である。
【図１０】図１０は、配線基板の製造方法の一例を示した第３の図である。
【図１１】図１１は、電子部品の製造方法の一例を示した第２の図である。
【図１２】図１２は、比較例を示した第１の図である。
【図１３】図１３は、比較例を示した第２の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、単なる例示であり、本開示の技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。
【００１１】
図１は、実施形態に係る電子装置の内部構造を示した図である。電子装置１は、電子部品２と配線基板３とを備える電子装置である。電子装置１の具体例としては、例えば、コンピュータ、通信装置、携帯端末、医療機器、産業用機器、その他の様々な電子装置が挙げられる。
【００１２】
電子部品２は、はんだ４によって配線基板３に接合されている。はんだ４としては、例えば、Ｓｎを主成分とするＳｎＡｇはんだ、ＳｎＡｇＣｕはんだ、またはＩｎＳｎはんだが挙げられる。電子部品２は、板状の形態を有する電子部品本体２Ａと、電子部品本体２Ａの表面に縦横に配列される電極２Ｂと、電子部品本体２Ａの表面に形成された絶縁壁２Ｃとを有する。電子部品本体２Ａは、微細な配線構造を有する電子部品である。電子部品本体２Ａの具体例としては、例えば、微細な回路が集積された半導体装置が挙げられる。電極２Ｂは、微細な配線構造を有する電子部品本体２Ａの表面に形成されているため、電子部品本体２Ａの配線構造と同様に微細な電極である。
【００１３】
絶縁壁２Ｃは、電子部品本体２Ａの表面に形成された絶縁材料の構造体である。絶縁壁２Ｃは、電子部品本体２Ａの表面から立設するように形成された壁状の構造体である。絶縁壁２Ｃは、縦横に配列された各電極２Ｂ間に壁状のものを形成する構造体であるため、絶縁壁２Ｃ全体を俯瞰して見た場合、後述するように格子状の形態を呈する。
【００１４】
配線基板３は、板状の形態を有する基材３Ａと、基材３Ａの表面に縦横に配列される電極３Ｂとを有する。基材３Ａは、電極３Ｂを表面に形成するための基材であり、例えば、樹脂や繊維状の素材を固めた板状の部品を適用可能である。電極３Ｂは、基材３Ａの表面の電子部品２が実装される部位に形成される。電極３Ｂは、電子部品２の各電極２Ｂに対応する位置に配置されている。すなわち、電極３Ｂは、電極２Ｂと同様、基材３Ａの表面に縦横に配列されている。
【００１５】
ところで、はんだ４は、基材３Ａの表面のうち、複数の電極３Ｂが配列されている部位全体を覆うようにシート状に配置される。しかし、はんだ４は、絶縁壁２Ｃによって電極３Ｂ間で仕切られている。また、絶縁壁２Ｃの配線基板３側の先端が、基材３Ａに埋まっているとき、絶縁壁２Ｃの配線基板３側の先端と、先端を挟む２つの側面とは、基材３Ａと接している。そして、はんだ４を電極３Ｂ間で仕切る絶縁壁２Ｃは、図１に示されるように、配線基板３側の先端が、各電極３Ｂの間の部分で基材３Ａに埋まっている（突き刺さっていると捉えることもできる）。すなわち、はんだ４は、複数の電極３Ｂが配列されている部位全体を覆うように配置されているものの、各電極３Ｂ間を仕切る絶縁壁２Ｃにより、はんだ４を通じた各電極３Ｂ間の電気的な導通が遮断されている。したがって、各電極３Ｂは、はんだ４の部分を通じた電気的な経路については絶縁壁２Ｃによって互いに絶縁されている。各電極２Ｂも電極３Ｂと同様、はんだ４の部分を通じた電気的な経路に
ついては絶縁壁２Ｃによって互いに絶縁されている。
【００１６】
図２は、電子部品２の製造方法の一例を示した第１の図である。電子部品２は、例えば、次のような方法で製造することができる。すなわち、本製造方法においては、まず、絶縁壁２Ｃを形成するための穴１０Ａを形成したフィルム１０が用意される（図２（Ａ）を参照）。穴１０Ａは、例えば、レーザー加工で形成することができる。レーザー加工であれば、底部側が先細り状の穴を形成することができる。次に、穴１０Ａ内に絶縁材料が充填され、穴１０Ａ内に絶縁壁２Ｃが形成される（図２（Ｂ）を参照）。絶縁壁２Ｃは、例えば、熱硬化性樹脂を穴１０Ａ内に充填し、加熱して硬化させることにより形成可能である。次に、穴１０Ａ内に形成された絶縁壁２Ｃが各２Ｂ間に位置するようにフィルム１０が電子部品本体２Ａに搭載され、絶縁壁２Ｃが電子部品本体２Ａに接合される（図２（Ｃ）を参照）。次に、フィルム１０が電子部品本体２Ａの表面から除去される（図２（Ｄ）を参照）。フィルム１０が電子部品本体２Ａの表面から除去されることにより、絶縁壁２Ｃが電子部品本体２Ａの表面に形成された電子部品２が完成する。
【００１７】
図３は、電子部品２の一例を示した斜視図である。上記した電子部品２の製造方法において、例えば、絶縁壁２Ｃを形成するための穴１０Ａを格子状に形成したフィルム１０が用いられる場合、図３に示されるように、電子部品本体２Ａの表面に絶縁壁２Ｃが格子状に形成された電子部品２が完成することになる。
【００１８】
上記の方法で製造された電子部品２は、例えば、次のようにして配線基板３へ実装される。図４は、電子部品２の実装方法の一例を示した第１の図である。電子部品２は、例えば、図４に示されるように、電極３Ｂを基材３Ａの表面に縦横に配列した配線基板３に実装される。このような配線基板３に電子部品２が実装される際は、例えば、以下のような方法で電子部品２の実装が行われる。
【００１９】
図５は、電子部品２の実装方法の一例を示した第２の図である。配線基板３への電子部品２の実装に際しては、例えば、基材３Ａの表面の電極３Ｂが配列されている部位を覆う状態でシート状のはんだ４が配置される。そして、絶縁壁２Ｃが配線基板３の方へ向く状態で電子部品２がはんだ４に載置される。
【００２０】
図６は、電子部品２の実装方法の一例を示した第３の図である。絶縁壁２Ｃが配線基板３の方へ向く状態で電子部品２がはんだ４に載置された後は、はんだ４が加熱されながら、電子部品２が配線基板３側へ押下される（図６（Ａ）を参照）。はんだ４が加熱によって溶融すると、電子部品２の絶縁壁２Ｃがはんだ４を掻き分けながら降下し、やがて絶縁壁２Ｃの先端が配線基板３に接触する（図６（Ｂ）を参照）。そして、加熱の停止によってはんだ４が硬化し、はんだ４の体積が温度降下によって熱収縮すると、電子部品２が配線基板３側に引き寄せられる。電子部品２が配線基板３側に引き寄せられると、絶縁壁２Ｃの先端が各電極３Ｂ間で基材３Ａに食い込む（図６（Ｃ）を参照）。はんだ４が熱収縮すると、電子部品２が配線基板３側に引き寄せられるため、はんだ４内にボイドが生じる可能性は低い。なお、はんだ４にはＢｉが含有されていてもよいが、はんだ４の熱収縮特性に鑑みると、Ｂｉの体積比率は４０％以下であることが望ましい。Ｂｉの体積比率は４０％以下のはんだ４であれば、はんだ４が凝固時に十分な熱収縮を生ずるため、絶縁壁２Ｃの先端が各電極３Ｂ間で基材３Ａに十分に食い込む。
【００２１】
絶縁壁２Ｃの先端が基材３Ａに食い込むと、各電極３Ｂは、はんだ４の部分を通じた電気的な経路については絶縁壁２Ｃで互いに絶縁された状態になる。また、各電極２Ｂも電極３Ｂと同様、はんだ４の部分を通じた電気的な経路については絶縁壁２Ｃで互いに絶縁された状態になる。電子部品２が上記方法で配線基板３に実装されることにより、電子装置１が完成する。
【００２２】
なお、絶縁壁２Ｃの先端が基材３Ａに食い込むためには、基材３Ａが絶縁壁２Ｃより柔軟な材料で形成されていることが好ましい。基材３Ａに用いられる柔軟な材料は、絶縁壁２Ｃの弾性率よりも低い弾性率を有する材料である。材料の弾性率は、ナノインデンテーション法によって得られる荷重に対応する押し込み深さの値から導くことが可能である。基材３Ａが絶縁壁２Ｃより柔軟な材料で形成されていれば、絶縁壁２Ｃの先端が電極３Ｂ間で基材３Ａに食い込みやすい。絶縁壁２Ｃの先端が電極３Ｂ間で基材３Ａに食い込みやすくするには、基材３Ａ全体が絶縁壁２Ｃより柔軟な材料で形成される形態のみならず、例えば、以下の方法で製造される形態であってもよい。
【００２３】
図７は、配線基板３の製造方法の一例を示した第１の図である。本製造方法においては、樹脂や繊維状の素材を固めた絶縁性の板材である基材３Ａ１の表面に、基材３Ａ１よりも柔軟な樹脂材料１１が搭載される（図７（Ａ）を参照）。次に、樹脂材料１１に電極３Ｂを形成するためのパターニングが施される（図７（Ｂ）を参照）。パターニングが施された樹脂材料１１は、軟質部３Ａ２を形成する。次に、樹脂材料１１のパターニングされた部位に導電性の材料が埋め込まれ、電極３Ｂが形成される（図７（Ｃ）を参照）。以上により、各電極３Ｂ間に軟質部３Ａ２を有する配線基板３が完成する。
【００２４】
各電極３Ｂ間に軟質部３Ａ２を有する配線基板３が完成した後は、図６を使って説明したのと同様の方法が行われる。すなわち、基材３Ａ１の表面の電極３Ｂが配列されている部位を覆う状態でシート状のはんだ４が配置される（図７（Ｄ）を参照）。そして、絶縁壁２Ｃが配線基板３の方へ向く状態で電子部品２がはんだ４に載置される。そして、はんだ４が加熱されながら、電子部品２が配線基板３側へ押下される（図７（Ｅ）を参照）。はんだ４が加熱によって溶融すると、電子部品２の絶縁壁２Ｃがはんだ４を掻き分けながら降下し、やがて絶縁壁２Ｃの先端が配線基板３に接触する。そして、加熱の停止によってはんだ４が硬化し、はんだ４の体積が温度降下によって収縮すると、電子部品２が配線基板３側に引き寄せられる。電子部品２が配線基板３側に引き寄せられると、絶縁壁２Ｃの先端が各電極３Ｂ間で軟質部３Ａ２に食い込む（図７（Ｆ）を参照）。
【００２５】
各電極３Ｂ間に軟質部３Ａ２を有する配線基板３であれば、絶縁壁２Ｃの先端が軟質部３Ａ２に食い込みやすい。よって、各電極３Ｂについて、はんだ４の部分を通じた電気的な経路を絶縁壁２Ｃで互いにより確実に絶縁された状態にすることができる。各電極２Ｂにおけるはんだ４の部分を通じた互いの電気的な経路の絶縁状態についても、電極３Ｂと同様である。
【００２６】
また、電子装置１は、上記の形態に限定されるものではない。図８は、電子装置１の変形例および比較例を示した図である。図８（Ａ）は、上記実施形態の電子装置１に相当する。一方、図８（Ｂ）は、電子装置１の第１比較例を示した図である。また、図８（Ｃ）は、電子装置１の第２比較例を示した図である。図８（Ｄ）は、電子装置１の変形例を示した図である。
【００２７】
図８（Ｂ）に示す第１比較例の電子装置２０１は、上記実施形態の電子装置１と同様、電子部品２０２と配線基板２０３とを備えた電子装置であり、電子部品２０２がはんだ２０４で配線基板２０３に接合されている。そして、電子部品２０２の電子部品本体２０２Ａに設けられている電極２０２Ｂと、配線基板２０３の基材２０３Ａに設けられている電極２０３Ｂとを電気的に接続するはんだ２０４は、絶縁壁２０２Ｃで仕切られている。絶縁壁２０２Ｃの配線基板２０３側の先端は、基材２０３Ａの凹部２０３Ａ３に接している。
【００２８】
図８（Ｃ）に示す第２比較例の電子装置２０１も、図８（Ｂ）に示す第１比較例の電子
装置２０１とほぼ同様であるが、絶縁壁２０２Ｃの配線基板２０３側の先端が基材２０３Ａの凹部２０３Ａ４に嵌っている点が相違する。
【００２９】
上記第１比較例と第２比較例の電子装置２０１においても、上記実施形態の電子装置１と同様、電極２０２Ｂと電極２０３Ｂとを電気的に接続するはんだ２０４が、電極２０２Ｂ間に壁状に形成される絶縁壁２０２Ｃによって仕切られているが、絶縁壁２０２Ｃが基材２０３Ａに触れているだけなので、絶縁壁２０２Ｃの絶縁機能が十分に発揮されない可能性がある。一方、上記実施形態の電子装置１では、絶縁壁２Ｃの先端が基材３Ａに埋まっているため、電子装置１の反り等による絶縁壁２Ｃの絶縁機能の低下の可能性が低い。
【００３０】
もっとも、絶縁壁２Ｃが先細り状の形態でない場合であっても、凹部３Ａ４を設けることなく絶縁壁２Ｃの先端を基材３Ａに埋めることは可能である。電極３Ｂ間の基材３Ａの柔軟性によっては、例えば、図８（Ｄ）に示されるように、凹部３Ａ４の無い基材３Ａに対しても、先細り状の形態ではない絶縁壁２Ｃを埋め込むことが可能である。
【００３１】
なお、図８（Ｂ）に示した第１比較例の電子装置２０１では、絶縁壁２０２Ｃの配線基板２０３側の先端が基材２０３Ａの凹部２０３Ａ３に触れているのみであり、絶縁壁２０２Ｃの配線基板２０３側の先端が基材２０３Ａに埋まらない旨を上述したが、以下のような形態であれば絶縁壁の配線基板側の先端を基材の凹部に埋めることができる。図９は、配線基板３の製造方法の一例を示した第２の図である。すなわち、基材３Ａ１の表面に、基材３Ａ１よりも柔軟な樹脂材料１１と、樹脂材料１１よりは硬質な樹脂材料１２が搭載される（図９（Ａ）を参照）。次に、樹脂材料１１と樹脂材料１２に電極３Ｂを形成するためのパターニングが施される（図９（Ｂ）を参照）。パターニングが施された樹脂材料１１（本願でいう「第２材料」の一例である）は軟質部３Ａ２を形成する。また、パターニングが施された樹脂材料１２（本願でいう「第１材料」の一例である）は硬質部３Ａ５を形成する。次に、樹脂材料１１と樹脂材料１２のパターニングされた部位に導電性の材料が埋め込まれ、電極３Ｂが形成される（図９（Ｃ）を参照）。次に、硬質部３Ａ５に凹部３Ａ３が形成される（図９（Ｄ）を参照）。凹部３Ａ３は、例えば、硬質部３Ａ５の間隔と同程度の間隔を持つ剣山状の治具或いはレーザー光を、硬質部３Ａ５に当てながらスライドすることにより形成することができる。以上により、各電極３Ｂ間に凹部３Ａ３を有する配線基板３が完成する。樹脂材料１２が樹脂材料１１より硬質なため、凹部３Ａ３の底部は側部より柔軟になる。
【００３２】
各電極３Ｂ間に凹部３Ａ３を有する配線基板３が完成した後は、図６を使って説明したのと同様の方法が行われる。すなわち、基材３Ａ１の表面の電極３Ｂが配列されている部位を覆う状態ではんだ４が配置される（図９（Ｅ）を参照）。そして、絶縁壁２Ｃが配線基板３の方へ向く状態で電子部品２がはんだ４に載置される。そして、はんだ４が加熱されながら、電子部品２が配線基板３側へ押下される（図９（Ｆ）を参照）。はんだ４が加熱によって溶融すると、電子部品２の絶縁壁２Ｃがはんだ４を掻き分けながら降下し、やがて絶縁壁２Ｃの先端が配線基板３に接触する。そして、絶縁壁２Ｃの先端が凹部３Ａ３内に案内されることによって、配線基板３に対する電子部品２の相対的な位置合わせが行われる（図９（Ｇ）を参照）。加熱の停止によってはんだ４が硬化し、はんだ４の体積が温度降下によって収縮すると、電子部品２が配線基板３側に引き寄せられ、絶縁壁２Ｃの先端が各電極３Ｂ間で軟質部３Ａ２に食い込む。
【００３３】
なお、図９に示した配線基板３の製造方法は、例えば、以下のように変形してもよい。図１０は、配線基板３の製造方法の一例を示した第３の図である。すなわち、基材３Ａ１の表面に樹脂材料１１と樹脂材料１２が搭載され（図１０（Ａ）を参照）、樹脂材料１１と樹脂材料１２にパターニングが施された後（図１０（Ｂ）を参照）、樹脂材料１１と樹脂材料１２のパターニングされた部位に導電性の材料が埋め込まれ、隆起部３Ｂ１を有す
る電極３Ｂが形成される（図１０（Ｃ）を参照）。次に、硬質部３Ａ５に凹部３Ａ３が形成される（図１０（Ｄ）を参照）。以上により、隆起部３Ｂ１を有する電極３Ｂ、及び凹部３Ａ３を有する配線基板３が完成する。
【００３４】
各電極３Ｂ間に凹部３Ａ３を有する配線基板３が完成した後は、図６を使って説明したのと同様の方法が行われる。すなわち、基材３Ａ１の表面の電極３Ｂが配列されている部位を覆う状態でシート状のはんだ４が配置される（図１０（Ｆ）を参照）。そして、絶縁壁２Ｃが配線基板３の方へ向く状態で電子部品２がはんだ４に載置される。そして、はんだ４が加熱されながら、電子部品２が配線基板３側へ押下される（図１０（Ｆ）を参照）。はんだ４が加熱によって溶融すると、電子部品２の絶縁壁２Ｃがはんだ４を掻き分けながら降下し、やがて絶縁壁２Ｃの先端が配線基板３に接触する。そして、絶縁壁２Ｃの先端が隆起部３Ｂ１によって凹部３Ａ３内に案内され、配線基板３に対する電子部品２の相対的な位置合わせが行われる（図１０（Ｇ）を参照）。加熱の停止によってはんだ４が硬化し、はんだ４の体積が温度降下によって収縮すると、電子部品２が配線基板３側に引き寄せられ、絶縁壁２Ｃの先端が各電極３Ｂ間で軟質部３Ａ２に食い込む。
【００３５】
上記したように、凹部３Ａ３や隆起部３Ｂ１が配線基板３に設けられていれば、配線基板３に対する電子部品２の位置合わせが容易に行われる。
【００３６】
図１１は、電子部品２の製造方法の一例を示した第２の図である。電子部品２は、例えば、次のような方法で製造することもできる。すなわち、本製造方法においては、まず、電極２Ｂを表面に配列した電子部品本体２Ａにフィルム１３が貼着される（図１１（Ａ）を参照）。次に、フィルム１３に絶縁壁２Ｃを形成するための穴１３Ａが形成される（図１１（Ｂ）を参照）。穴１３Ａは、例えば、レーザー加工によって形成される。次に、穴１３Ａ内に絶縁材料が充填され、穴１３Ａ内に絶縁壁２Ｃが形成される（図１１（Ｃ）を参照）。絶縁壁２Ｃは、例えば、熱硬化性の樹脂を穴１３Ａ内に充填し、加熱することで形成可能である。次に、フィルム１３が電子部品本体２Ａの表面から除去され、洗浄が行われる（図１１（Ｄ）を参照）。フィルム１３が電子部品本体２Ａの表面から除去されることにより、先端が先細りでない絶縁壁２Ｃが電子部品本体２Ａの表面に形成された電子部品２が完成する。
【００３７】
図１２は、比較例を示した第１の図である。例えば、図１２に示されるように、配線基板１０３の電極１０３Ｂにはんだボール１０４が設けられる場合、リフロー開始前にはんだボール１０４が所定の位置に整列されていても（図１２（Ａ１）を参照）、リフロー中はフラックス１０５の粘度低下によりタッキング力が低下し、フラックス１０５の流動に追従してはんだボール１０４が電極１０３Ｂ上を動き回る（図１２（Ｂ１）を参照）。そして、はんだボール１０４が正常にリフローされれば、各はんだボール１０４は各電極１０３Ｂに溶着する（図１２（Ｃ１）を参照）。しかし、基材１０３Ａの表面に配列される電極１０３Ｂが微細化されると、電極１０３Ｂ同士の間隔が狭くなる。電極１０３Ｂ同士の間隔が狭いと、リフロー開始前にはんだボール１０４が所定の位置に整列されていても（図１２（Ａ２）を参照）、リフロー中に動き回るはんだボール１０４同士が接触する可能性が高まる（図１２（Ｂ２）を参照）。リフロー中にはんだボール１０４同士が接触すると、はんだボール１０４は、例えば、隣のはんだボール１０４と一体化した状態で硬化する（図１２（Ｃ２）に示す符号Ａを参照）。隣のはんだボール１０４と一体化した状態で硬化すると、電極１０３Ｂ同士が短絡することになる。はんだボール１０４同士が接触する可能性を抑制するために小径のはんだボール１０４を使うなど、接合部のはんだ量を減らすことは、接続部における電気抵抗の増大や接続部の信頼性低下、伝熱性の低下に繋がる。
【００３８】
図１３は、比較例を示した第２の図である。はんだボール１０４同士の接触は、配線基
板１０３上におけるリフロー時のみならず、例えば、図１３に示されるように、電子部品１０２を配線基板１０３に実装する場合にも生じ得る。すなわち、電極１０２Ｂにはんだボール１０４が正常に溶着した電子部品１０２が用意されていても、電子部品１０２を配線基板１０３へ実装する際のリフローにおいて、例えば、電子部品１０２の自重ではんだボール１０４が押し広げられれば、図１３において符号Ｂで示されるように、はんだボール１０４同士が接触する場合もある。
【００３９】
この点、上記実施形態や各変形例の電子装置１であれば、電極２Ｂと電極３Ｂとを電気的に接続するはんだ４が、電極２Ｂ間に壁状に形成される絶縁壁２Ｃによって仕切られるため、はんだボール１０４のように隣り合う電極のはんだ同士が接触することが無い。よって、電極２Ｂや電極３Ｂが微細化されていても、電極間同士の短絡が抑制される。また、接合部に十分なはんだ量を確保することができるため、接合部における電気抵抗を可及的に抑制することができる。また、接合部に十分なはんだ量を確保することができるため、伝熱性を確保することができる。また、はんだ間に絶縁壁があるため、近接するはんだ間における電界強度に起因するマイグレーションに耐えることができる。
【符号の説明】
【００４０】
１，２０１・・電子装置：２，１０２，２０２・・電子部品：２Ａ，２０２Ａ・・電子部品本体：２Ｂ，１０２Ｂ，２０２Ｂ・・電極：２Ｃ，２０２Ｃ・・絶縁壁：３，１０３，２０３・・配線基板：３Ａ，３Ａ１，１０３Ａ，２０３Ａ・・基材：３Ａ２・・軟質部：３Ａ３，３Ａ４，２０３Ａ３，２０３Ａ４・・凹部：３Ａ５・・硬質部：３Ｂ，１０３Ｂ・・電極：３Ｂ１・・隆起部：４，２０４・・はんだ：１０，１３・・フィルム：１０Ａ，１３Ａ・・穴：１１，１２・・樹脂材料：１０４・・はんだボール：１０５・・フラックス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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