(57)【要約】【課題】基板上の配線パターンにおいて、搭載される電子部品の隣り合う端子に対向して配置される隣り合う配線部同士の間隔を低減できるプリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】プリント基板の製造方法は、金属箔と、絶縁層と、を準備する工程と、レーザー光またはパンチングにより前記金属箔に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔が形成された金属箔に接着剤を介在させて前記絶縁層をプレスで接着する工程と、前記絶縁層に接着された金属箔の所定エリアおよび前記貫通孔をマスクしてから前記金属箔をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と、絶縁層と、を準備する工程と、
レーザー光またはパンチングにより前記金属箔に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔が形成された金属箔に接着剤を介在させて前記絶縁層をプレスで接着する工程と、
前記絶縁層に接着された金属箔の所定エリアおよび前記貫通孔をマスクしてから前記金属箔をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、を有するプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記接着剤は、前記金属箔または前記絶縁層に予め形成されている請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
接着された後に前記金属箔と前記絶縁層の間に形成された前記接着剤の厚みは、１０μｍ以上２５０μｍ以下の均一な厚みである請求項１または請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
金属箔と、未硬化の絶縁層と、を準備する工程と、
レーザー光またはパンチングにより前記金属箔に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔が形成された金属箔に前記未硬化の絶縁層をプレスで接着する工程と、
前記絶縁層に接着された金属箔の所定エリアおよび前記貫通孔をマスクしてから前記金属箔をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、を有するプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属箔の厚さは、２μｍ以上１２０μｍ以下である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔を形成する工程において、前記レーザー光は、発振波長が２５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、パワーが５Ｗ以上６０Ｗ以下であり、周波数が１００ｋＨｚ以上３０００ｋＨｚ以下のパルス光であり、パルス幅が１０ピコ秒以上１００ナノ秒以下であり、走査速度が１００ｍｍ／秒以上３０００ｍｍ／秒以下である請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔を形成する工程において、前記レーザー光のスポット径は５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔を形成する工程において、前記貫通孔の形状は一方向に長い長孔であり、前記貫通孔を形成した後における前記貫通孔の短手方向の幅は１０μｍ以上５０μｍ以下である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記貫通孔を形成する工程において、前記貫通孔の形状は少なくとも１対の平行したライン形状を有し、さらに櫛歯形状である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法によってプリント基板を製造する工程と、
発光素子または発光装置を前記配線パターンに実装する工程と、を有する光源装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のプリント基板の製造方法によってプリント基板を製造する工程と、
半導体素子を前記配線パターンに実装する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
絶縁層と、
前記絶縁層上の接着剤層と、
前記接着剤層上に形成された配線パターンと、を備え、
前記配線パターンは、
搭載される電子部品の隣り合う２つの端子に対向して配置される２つの配線部を有し、
前記２つの配線部の向かい合う側面は、それぞれ、前記絶縁層に対する傾斜角度が８５°以上９５°以下であり、前記配線部の他の側面は、前記絶縁層に対する傾斜角度が９５°以上であり、
前記２つの配線部の間において、前記接着剤層の高さは、前記配線部の高さと同等であるプリント基板。
【請求項１３】
前記２つの配線部の間において、前記接着剤層の高さは、前記配線部の厚さの１／２の位置までの高さ以上、前記配線部の高さ以下である請求項１２に記載のプリント基板。
【請求項１４】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線パターンと、を有し、
前記配線パターンは、
搭載される電子部品の隣り合う２つの端子に対向して配置される２つの配線部を有し、
前記２つの配線部の向かい合う側面は、それぞれ、前記絶縁層に対する傾斜角度が８５°以上９５°以下であり、前記配線部の他の側面は、前記絶縁層に対する傾斜角度が９５°以上であり、
前記２つの配線部の間において、前記絶縁層の高さは、前記配線部の高さと同等であるプリント基板。
【請求項１５】
前記２つの配線部の間において、前記絶縁層の高さは、前記配線部の厚さの１／２の位置までの高さ以上、前記配線部の高さ以下である請求項１４に記載のプリント基板。
【請求項１６】
請求項１２から請求項１５のいずれか一項に記載のプリント基板と、
前記プリント基板上に実装される発光素子または発光装置と、を備える光源装置。
【請求項１７】
請求項１２から請求項１５のいずれか一項に記載のプリント基板と、
前記プリント基板上に実装される半導体素子と、を備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、プリント基板、光源装置および半導体装置、ならびにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板の形成方法はサブトラクティブ法が主流である。サブトラクティブ法では、エッチング工程でのサイドエッチングによる問題から、隣り合う配線の間隔を狭めることには限界があり、セミアディティブ法に移行しつつある。セミアディティブ法は、めっき層を形成した後に、めっき下地層の不要エリアを除去するエッチング工程を有している（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６４５９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品を小型化するためには、電子部品を搭載する基板上の配線パターンにおいて、この電子部品の隣り合う端子に対向して配置される隣り合う配線部同士の間隔を狭めることが有効である。しかしながら、エッチングにより隣り合う配線部を形成すると、本来エッチングしたくない部分もエッチングされてしまい、配線部を狙い通りの寸法に仕上げることが難しい。そのため、隣り合う配線部同士の間隔を狭めようとすると、ショートする懸念などもあった。
【０００５】
そこで、本開示に係る実施形態は、基板上の配線パターンにおいて、搭載される電子部品の隣り合う端子に対向して配置される隣り合う配線部同士の間隔を低減できるプリント基板、光源装置および半導体装置、ならびにそれらの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、金属箔と、絶縁層と、を準備する工程と、レーザー光またはパンチングにより前記金属箔に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔が形成された金属箔に接着剤を介在させて前記絶縁層をプレスで接着する工程と、前記絶縁層に接着された金属箔の所定エリアおよび前記貫通孔をマスクしてから前記金属箔をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、を有する。
【０００７】
本開示の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、金属箔と、未硬化の絶縁層と、を準備する工程と、レーザー光またはパンチングにより前記金属箔に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔が形成された金属箔に前記未硬化の絶縁層をプレスで接着する工程と、
前記絶縁層に接着された金属箔の所定エリアおよび前記貫通孔をマスクしてから前記金属箔をエッチングすることで配線パターンを形成する工程と、を有する。
【０００８】
本開示の実施形態に係るプリント基板は、絶縁層と、前記絶縁層上の接着剤層と、前記接着剤層上に形成された配線パターンと、を備え、前記配線パターンは、搭載される電子部品の隣り合う２つの端子に対向して配置される２つの配線部を有し、前記２つの配線部の向かい合う側面は、それぞれ、前記絶縁層に対する傾斜角度が８５°以上９５°以下であり、前記配線部の他の側面は、前記絶縁層に対する傾斜角度が９５°以上であり、前記２つの配線部の間において、前記接着剤層の高さは、前記配線部の高さと同等である。
【０００９】
本開示の実施形態に係るプリント基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線パターンと、を有し、前記配線パターンは、搭載される電子部品の隣り合う２つの端子に対向して配置される２つの配線部を有し、前記２つの配線部の向かい合う側面は、それぞれ、前記絶縁層に対する傾斜角度が８５°以上９５°以下であり、前記配線部の他の側面は、前記絶縁層に対する傾斜角度が９５°以上であり、前記２つの配線部の間において、前記絶縁層の高さは、前記配線部の高さと同等である。
【発明の効果】
【００１０】
本開示に係る実施形態によれば、搭載される電子部品の隣り合う端子に対向して配置される隣り合う配線部同士の間隔を低減できるプリント基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】第１実施形態に係るプリント基板を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により貫通孔が形成された金属箔を示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における貫通孔形成工程を示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面を示す。
【図５】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により絶縁層に接着された金属箔を示す平面図である。
【図６】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置を示す断面図である。
【図７】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス後の各部材の配置を示す断面図であり、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面を示す。
【図８】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法によりエッチングマスクが形成された金属箔を示す平面図である。
【図９】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す平面図である。
【図１０】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す断面図であり、図９のＸ−Ｘ線における断面を示す。
【図１１】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置の第１変形例を示す断面図である。
【図１２】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置の第２変形例を示す断面図である。
【図１３】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置の第３変形例を示す断面図である。
【図１４】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例により放熱板が接着されたプリント基板を示す断面図である。
【図１５】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図１６】第２実施形態に係るプリント基板を示す平面図である。
【図１７】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法により絶縁層に接着された金属箔を示す平面図である。
【図１８】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置を示す断面図である。
【図１９】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス後の各部材の配置を示す断面図であり、図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面を示す。
【図２０】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す平面図である。
【図２１】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す断面図であり、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面を示す。
【図２２】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例により放熱板が接着されたプリント基板を示す断面図である。
【図２３】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例におけるプレス前の各部材の配置を示す断面図である。
【図２４】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例におけるプレス後の各部材の配置を示す断面図である。
【図２５】第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例により放熱板が接着されたプリント基板を示す断面図である。
【図２６】第３実施形態に係る光源装置を示す平面図である。
【図２７】第３実施形態に係る光源装置を示す断面図であり、図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線における断面を示す。
【図２８】金属箔に形成された貫通孔の一例を示す平面図である。
【図２９】第４実施形態に係る半導体装置のプリント基板を示す平面図である。
【図３０】第４実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線における断面に相当する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るプリント基板、光源装置および半導体装置、ならびにそれらの製造方法について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、または、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称および符号については原則として同一または同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係るプリント基板およびその製造方法について、図１〜図１０を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。図２は、第１実施形態に係るプリント基板を示す平面図である。図３は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により貫通孔が形成された金属箔を示す平面図である。図４は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における貫通孔形成工程を示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面を示す。図５は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により絶縁層に接着された金属箔を示す平面図である。図６は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置を示す断面図である。図７は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス後の各部材の配置を示す断面図であり、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面を示す。図８は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法によりエッチングマスクが形成された金属箔を示す平面図である。図９は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す平面図である。図１０は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す断面図であり、図９のＸ−Ｘ線における断面を示す。なお、図８は平面図であるが、便宜的に、エッチングマスクにハッチングを施して示している。
【００１４】
［プリント基板の構成］
第１実施形態に係る製造方法で製造されるプリント基板１０は、図２、図９および図１０に示すように、絶縁層１と、絶縁層１上の接着剤２と、接着剤２上に形成された配線パターン３と、を備えている。
配線パターン３は、配線部として、電子部品が実装される電極パッド４、外部接続用の端子５、これらを接続するリード線６などを有することが好ましい。
プリント基板１０の詳細な構成については、その製造方法とともに説明する。
【００１５】
以下では、図２の平面図において、左下隅に配置された複数（６個）の電極パッド４が形成されるエリアを拡大して製造工程を説明する。電極パッド４ａ，４ｂは、例えば搭載される電子部品の隣り合う２つの端子に対向して配置される。この場合、電極パッド４ａは、発光素子の一方の外部端子であるｐ側パッド電極が接合される電極パッドである。また、電極パッド４ｂは、発光素子の他方の外部端子であるｎ側パッド電極が接合される電極パッドである。
【００１６】
［プリント基板の製造方法］
第１実施形態に係るプリント基板の製造方法は、準備工程Ｓ１１と、貫通孔形成工程Ｓ１２と、接着工程Ｓ１３と、エッチングマスク形成工程Ｓ１４と、エッチング工程Ｓ１５と、エッチングマスク除去工程Ｓ１６とが含まれている。
準備工程Ｓ１１は、プリント基板１０の材料として、絶縁層１となる絶縁材と、金属箔７と、を準備する工程である。
【００１７】
絶縁層１は、プリント基板１０において、表面に配線パターンを形成することができるベースとなる。絶縁層１を構成する絶縁材は、光源材料に用いるプリント基板の場合、熱による変色が小さいものが好ましく、さらに白色など反射率の高い材料が好ましい。絶縁層１の厚さは、１５μｍ以上３００μｍ以下であり、好ましくは６０μｍ以上１５０μｍである。
【００１８】
絶縁層１に用いられる絶縁材の種類は、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラスコンポジット基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、またはセラミック基板など一般的な材料でよい。ここで、紙フェノール基板は、紙基材を油脂を含んだフェノール樹脂で固めて作った基板である。紙エポキシ基板は、紙基材をエポキシ樹脂で固めて作った基板である。ガラスコンポジット基板は、切り揃えたガラス繊維を重ねて、エポキシ樹脂を含浸させた基板である。ガラスエポキシ基板は、ガラスファイバで織った布をエポキシ樹脂で固めて、強度と絶縁性、難燃性を持たせた基板である。フレキシブル基板は、プラスチックフィルムを基材として折り曲げが可能な基板である。セラミック基板はアルミナや窒化アルミニウム、炭化珪素などの無機物を加熱処理し焼き固めた焼結体の基板である。
【００１９】
絶縁層１に用いられる絶縁材は、次の樹脂により構成された材料でもよい。例えば絶縁材として、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂および芳香族ポリエステル樹脂（液晶ポリマー）からなる群から選択される１または２以上の樹脂であってもよい。
【００２０】
なお、絶縁層１は、高強度、高靭性機能を持たせるために、ガラス繊維、セラミックス繊維、カーボン繊維およびアラミド繊維からなる群から選択される１または２以上の強化材を含有するのが好ましい。
また、絶縁層１は、放熱機能を持たせるために、熱伝導性の高い無機フィラーを含有させるのが好ましい。無機フィラーはシリカ、アルミナ、窒化アルミ、窒化ボロン、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、水酸化アルミニウムからなる群から選択される１または２以上の無機フィラーである。
また、絶縁層１の金属箔７を接着する側の面とは反対側の面には、放熱性の高い放熱板を貼付けてもよい。
【００２１】
金属箔７は、絶縁層１の表面に接着する配線パターンを形成する。金属箔７の厚さＴ７（図４参照）は、２μｍ以上１２０μｍ以下であり、好ましくは２〜３５μｍである。金属箔７を構成する金属は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ、ＦｅおよびＡｌから選択される金属、またはこれらの金属を主成分として含む合金である。金属箔７を構成する金属としては、好ましくは、熱伝導性の優れるＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、より好ましくは電解Ｃｕまたは圧延Ｃｕを用いる。また、薄層金属箔を用いる場合、キャリア金属箔やキャリア樹脂と一体化された上記金属箔を用いることもできる。
【００２２】
貫通孔形成工程Ｓ１２は、レーザー光またはパンチングにより金属箔７に貫通孔８を形成する工程である。この工程では、配線パターン３においてｐ電極パッドとｎ電極パッドとの間のように狭ピッチ化が必要な配線部となる所定エリアに微小な貫通孔８が形成される。貫通孔８の形状は、特に限定されず、例えば、円、楕円、長孔、矩形、櫛歯状（図２８）等である。図３に示す貫通孔８は、一方向に長い長孔であり、例えば、電極パッド４ａと電極パッド４ｂとの間のエリアに対応する貫通孔である。この貫通孔８を形成した後における貫通孔８の短手方向の幅Ｗ１は１０μｍ以上５０μｍ以下である。なお、貫通孔８は、製造工程中に一時的に形成されるものである。貫通孔８は、後記するエッチングにより金属箔７から削り取られたエリアとつながって一体となる。そのため、完成後のプリント基板１０において、例えば電極パッド４ａと電極パッド４ｂのピッチが幅Ｗ１となる。
【００２３】
貫通孔形成工程Ｓ１２では、レーザー加工機を使用してレーザー光により貫通孔を形成することや、パンチングマシーンを使用してパンチングで貫通孔を形成することができる。以下では、一例として、レーザー加工機を使用するものとして説明する。この工程では、レーザー加工機のステージに載置した金属箔７にレーザー光を照射して金属箔７を加工する。加工の際には、レーザー光により貫通した金属箔とステージとの接触部で融着が起こらないようにレーザー条件を調整することが好ましい。また、金属箔７の融着が発生しないように、金属箔７とステージとの間に不織布のような緩衝材を設置してもよい。
【００２４】
レーザー加工条件は、金属箔７に適切に貫通孔８を形成できるものであれば、特に限定されないが、以下に示すものが好ましい。
レーザー光２０の発振波長は、金属箔７の加工部における好ましくない熱的損傷の発生を抑制する観点からは、２５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であることがより好ましい。例えば、レーザー光２０の発振波長は、３５５ｎｍである。
【００２５】
レーザー光２０の出力（レーザーパワー）は、加工速度を高速化する観点からは、５Ｗ以上６０Ｗ以下であることが好ましい。レーザー光２０はパルス光であり、レーザー光２０のパルス幅は、加工品質を向上させる観点からは、１０ピコ秒以上１００ナノ秒以下であることが好ましい。レーザー光２０の繰り返し周波数は、加工品質を向上させる観点からは、１００ｋＨｚ以上３０００ｋＨｚ以下であることが好ましく、１ＭＨｚ以上３ＭＨｚ以下であることがより好ましい。
【００２６】
レーザー光２０のスポット径Ｗ２（図４参照）は、レーザー加工の狭ピッチ化の観点からは、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
レーザー光２０の走査速度は、特に限定されないが、加工速度を高速化する観点からは１００ｍｍ／秒以上３０００ｍｍ／秒以下であることが好ましい。
【００２７】
レーザー光による加工方法は、例えば、レーザー光を直線に沿って走査することで、金属箔７を切断して貫通孔８を形成してもよいこと等、特に限定されない。
また、図４に示すように、特定の領域を取り囲むようにレーザー光を走査することで金属箔７の特定の領域をくり抜いて、任意の大きさおよび形状の貫通孔８を形成してもよい。レーザー光の照射は形成しようとする貫通孔８に対して１回だけでなく複数回走査させてもよい。レーザー光の集光点は金属箔７の厚みに応じて、加工中に金属箔７の表面から金属箔７の内部方向に変更して加工してもよい。図４に示す例では、レンズ２１により集光されたレーザー光の集光点は金属箔７の内部に位置している。
なお、金属箔７には、パンチングまたはレーザー加工によって、プリント基板１０の位置決めやハンドリングのためのアライメント穴を設けておいてもよい。
【００２８】
接着工程Ｓ１３は、接着剤２を介在させて、貫通孔８が形成された金属箔７と、絶縁層１となる絶縁材とをプレスで接着する工程である。
接着剤２の種類および形態は、貼り合わせる金属箔７や絶縁層１の種類などに応じて適宜選択される。接着剤２としては、一般的にはシート状の接着剤が多用される。接着剤２の厚みは金属箔７の厚みによって決定する。接着後の接着剤２の厚みが、１０μｍ以上２５０μｍ以下で均一な厚みになるように、接着剤２の厚みやプレスの圧力が調整される。
【００２９】
接着剤２を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられるが、金属との接着力に富むエポキシ樹脂が特に好ましい。
接着剤２は、絶縁接着剤であってもよい。絶縁接着剤は、例えば、酸化アルミニウム、窒化硼素、酸化珪素、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム等の電気絶縁性であって、しかも熱伝導性の高い無機充填剤あるいは水酸化アルミニウムなど難燃性を持つ無機充填剤を含有することが好ましい。
電極パッド４に発光素子を載置する場合、接着剤２に、反射率の高い材料を用いるようにしてもよい。これにより、発光効率を高めた光源装置を製造することが可能である。
【００３０】
接着剤２は、高熱伝導接着剤であってもよい。高熱伝導接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、または、各種エンジニアリングプラスチック等が挙げられる。これらの中で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シリコーン樹脂は電気性が高く、耐熱性が優れているので好ましい。これにより、電極パッド４に発光素子を載置する場合、発光素子の放熱効率を高めた光源装置を製造することが可能である。
【００３１】
接着方法としては特に限定されない。図６に示すように、例えば、接着剤２は、絶縁層１や金属箔７とは別に準備されてもよい。プレスにより金属箔７を絶縁層１に接着するには、真空熱プレス装置、真空ラミネート装置や熱ロールラミネート装置を用いることができる。プレス条件やキュア条件は、使用する接着剤２や接着方法により異なるが、接着された後に金属箔７と絶縁層１の間に形成された接着剤２の厚みＴ２（図７参照）は、１０μｍ以上２５０μｍ以下の均一な厚みになるように調整される。金属箔７と接着された後の接着剤２では、金属箔７に対面する位置において接着剤２の高さが、貫通孔８以外では金属箔７の接着面と同じ高さである。
【００３２】
金属箔７と絶縁層１とを接着する前に既に貫通孔８が形成されているため、プレス時の圧力により、貫通孔８へ接着剤２が押し出されて貫通孔８に入り込んだ構造が形成される。つまり、プレス後に、貫通孔８には接着剤２が入り込んで貫通孔８の側壁に沿って所定高さまで到達した状態となっている。このとき、貫通孔８では、金属箔７の厚さの１／２以上の高さまで接着剤２がせり上がった状態になるようプレス条件を調整する。
【００３３】
接着工程Ｓ１３では、金属箔７と絶縁層１とを接着した後、周辺に流れ出た接着剤を切断することでプリント基板１０の定寸になるよう調整する。
なお、レーザー加工により発生した金属箔７の加工屑が金属箔７のレーザー照射面に付着して完成後のプリント基板の品質に悪影響を与える場合も考えられる。このような場合には、金属箔７と接着剤２とを接着する際には、金属箔７のレーザー照射面が接着剤２と接触する向きに接着することが好ましい。また、必要に応じて、金属箔７の表面に流れ出た樹脂やレーザー加工屑による堆積物を、セラミックロールやブラシなどにより研磨して整面化してもよい。
【００３４】
プリント基板１０は、従来のめっきのためのシード層が存在しないため、後記する配線パターン３を形成するときに、シード層のエッチングによる側壁のサイドエッチングの問題を考慮しなくてもよい。そのため、アスペクト比率の高い配線パターンを形成することができる。また、プリント基板１０は、配線を構成する金属箔７が、絶縁層１との接着面側における表面粗さとして、Ｒｚ＝５μｍ以上の粗化度の大きいものが使用できる。そのため、アンカー効果による絶縁層１と金属箔７との密着強度の確保が容易である。
【００３５】
エッチングマスク形成工程Ｓ１４、エッチング工程Ｓ１５、およびエッチングマスク除去工程Ｓ１６は、配線パターン３を形成するための一連の工程である。これらの工程（以下、総称して配線パターン形成工程）は、金属箔７のうち、配線パターン３を形成するために所定のエリアをエッチングする工程である。
配線パターン３を形成するために、金属箔７から図２の電極パッド４ａと電極パッド４ｂとの間のエリアのような微小なエリアについては、前記した貫通孔形成工程Ｓ１２によって既に除去されている。よって、この配線パターン形成工程では、このような微小エリア以外のエリアであって、広く削る必要のある大面積のエリアをエッチングして配線パターンを形成する。ここで、エッチングは、従来のプリント基板の製造方法において、配線パターンを形成するためのエッチングと同様の手法で行うことができる。
【００３６】
エッチングマスク形成工程Ｓ１４は、エッチングを施して除去する領域である金属箔除去領域が露出するように、他の領域の金属箔をマスクする工程である。このエッチングマスク形成工程Ｓ１４では、金属箔７の所定エリアおよび貫通孔８をマスクで覆い、図８に示すように、電極パッドとして残す領域にエッチングマスク２２ａ，２２ｂを施す。また、エッチングマスク形成工程Ｓ１４では、配線パターンとして残す領域にエッチングマスク２２ｃ，２２ｄを施すと共に、端子５として残す領域にもエッチングマスクを施す。
エッチングマスク形成工程Ｓ１４は、プリント基板の製造ラインにおいて、配線パターンを形成するためのエッチングマスクとして、例えばシート状で感光層を有するドライフィルムフォトレジスト（Dry Film photo Resist（ＤＦＲ））を使用することができる。ＤＦＲは、露光および現像して、エッチングマスクとして用いる。
【００３７】
エッチング工程Ｓ１５は、エッチングマスクの形成後に、金属箔７をエッチングする工程である。金属箔７として用いられている金属の種類に応じたエッチング液で、マスクから露出した金属箔７を除去することで、配線パターンを形成することができる。なお、エッチングにより削り取られたエリアは、金属箔７の貫通孔８とつながって一体となる。
【００３８】
エッチングマスク除去工程Ｓ１６は、エッチング後に、エッチングマスクを除去する工程である。エッチングマスクとしてＤＦＲを用いる場合、エッチングマスクとして用いた後に、一般的にはアルカリ溶液で剥離される。剥離に用いるアルカリ溶液としては、例えば、カリウム、ナトリウム、カルシウム水酸化物の水溶液や、これらアルカリ金属の炭酸塩の水溶液を挙げることができる。
【００３９】
なお、配線パターン形成工程では、配線パターンはこれに限定されず、目的に応じて形成することができる。例えば、発光素子のほか、保護素子の搭載を考慮した回路が構成できるように配線パターンを形成してもよい。以上の工程を行うことにより、プリント基板１０を製造することができる。
【００４０】
図１０において、電極パッド４ａの側面１４に隣接するエリアは、前記配線パターン形成工程により、エッチングされた箇所の一例である。プリント基板１０は、図１０の側面１４より下方に示すように、エッチングされた箇所においては、金属箔７の接着面と同じ高さで接着剤２が露出した形状となる。この電極パッド４ａの側面１４は、絶縁層１の上面１１に対する傾斜角度Ｂが９５°以上である。図示した例では、傾斜角度Ｂが約１２０°である。傾斜角度Ｂが９５°を超えるのは、通常のエッチング工程によりサイドエッチングが起きるためである。
【００４１】
一方、プリント基板１０は、電極パッド４ａ，４ｂの向かい合う側面１２，１３は、金属箔７の貫通孔８に対応しており、レーザー光またはパンチングにより形成されたものであるから、略垂直である。また、貫通孔８では、金属箔７の厚さの１／２以上の高さまで接着剤２がせり上がった状態になっているため、エッチングマスクが接着剤２の表面ならびに電極パッド４ａ，４ｂの向かい合う側面１２，１３に密着し、エッチング工程Ｓ１５において側面１２，１３のサイドエッチングが防止される。したがって、本実施形態において、電極パッド４ａ，４ｂの向かい合う側面１２，１３は、それぞれ、絶縁層１の上面１１に対する傾斜角度Ａが８５°以上９５°以下である。このように、側面が垂直に近い電極パッドを形成することができると、電極パッド間距離をより近づけることが可能となり、プリント基板の高密度化が可能となる。
【００４２】
また、電極パッド４ａ，４ｂの間において、接着剤２の高さＨ２は、電極パッド４ａ，４ｂの高さＨ１と同等である。ここで、同等とは、金属箔７の厚さＴ７の１／２以上の高さＨ２まで接着剤２が入り込んだ形状となっていることを意味する。例えば、絶縁層１の下面を基準にしたときに、電極パッド４の上面の高さ（金属箔７の上面の高さ）をＨ１とし、金属箔７の厚さＴ７の１／２の位置までの高さをＨ０とする。また、電極パッド４ａと電極パッド４ｂとの間のエリア（貫通孔８に相当するエリア）に配設された接着剤２の上面の位置までの高さをＨ２とする。このとき、Ｈ０≦Ｈ２≦Ｈ１の関係がある。
【００４３】
このように電極パッド４ａ，４ｂの間において、接着剤２の高さＨ２は、電極パッド４ａ，４ｂの高さＨ１と同等で段差が小さく、あるいは段差が無いため、発光素子などを半田実装する際に、半田がブリッジすることを防止することができる。
【００４４】
次に、プリント基板の製造方法の変形例について、図１１〜図１４を参照して説明する。図１１は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置の第１変形例を示す断面図である。図１２は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置の第２変形例を示す断面図である。図１３は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置の第３変形例を示す断面図である。図１４は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例により放熱板が接着されたプリント基板を示す断面図である。
【００４５】
第１変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記した接着工程Ｓ１３において、予め接着剤２が絶縁層１に形成されていることとしたものである。その他の工程については、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。このように接着剤２が絶縁層１に予め形成されていることで、接着剤２と絶縁層１との間に空気層が介在するのを防ぐことができる。
【００４６】
第２変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記した接着工程Ｓ１３において、予め接着剤２が金属箔７に形成されていることとしたものである。そのために、貫通孔形成工程Ｓ１２では、接着剤２が形成された金属箔７に貫通孔８を形成する。その他の工程については、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。このように接着剤２が金属箔７に予め形成されていることで、金属箔７と接着剤２との間に空気層が介在するのを防ぐことができる。
【００４７】
第３変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記した接着工程Ｓ１３において、予め接着剤２が絶縁層１および金属箔７の双方に形成されていることとしたものである。その他の工程については、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。このようにすることで、接着剤２と絶縁層１との間、および、金属箔７と接着剤２との間に空気層が介在するのを防ぐことができる。
【００４８】
第４変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記した接着工程Ｓ１３の後に、絶縁層１に接着剤２Ｂを介して放熱板９を接着することとしたものである。これにより、プリント基板は、金属箔７と放熱板９で絶縁層１をサンドイッチした構造となる。その他の工程については、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。
【００４９】
放熱板９を構成する材料は金属箔７と同じ金属やセラミックスでもよい。放熱板９を構成する金属としては、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、ＮｉおよびＭｏから選択される金属、またはこれらの金属を主成分として含む合金で、セラミックスはアルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素などが選択される。放熱板９は、金属、セラミックスともに熱伝導性の高い材料が好ましい。接着剤２Ｂとしては、金属箔７と絶縁層１に使用した接着剤２と同じものでもよい。接着剤２Ｂは、放熱性を良くするために高熱伝導性の接着シートが好ましい。このように構成することで、プリント基板１０の機械的強度を高めることができる。また、熱の発生量が多い電子部品をプリント基板に実装するような場合、放熱効率を高めることができる。放熱板９の代わりにフィンをヒートシンクとして接着してもよい。
【００５０】
第５変形例に係るプリント基板の製造方法は、配線パターン３を形成した後に、金属箔７の全面または一部に、めっきによる表面処理を行うこととしたものである。めっきの種類は、限定されず、金属箔７を構成する材料や回路仕様、用途によって選定することができる。主なものとしては、電解直金めっき、電解ニッケル／金めっき、無電解ニッケル／金めっき、無電解ニッケル／パラジウム／金めっき、ソフト金めっき、錫めっき、半田めっきなどがある。これにより、金属箔７で形成された電極パッド４や端子５において、半田など接合部材の濡れ性を向上させることができる。また、金属箔７の酸化を防止したり、腐蝕を防止したりすることができる。ここでの「／」は積層の順番を示している。
【００５１】
第６変形例に係るプリント基板の製造方法は、配線パターン３を形成した後に、はんだ付け不要な部分をソルダレジストで覆うこととしたものである。ソルダレジストは、フィルム状、液状のものが使用でき、回路仕様や用途によって最適な形成方法を選定する。これにより、はんだ不要部分へのはんだ付着を防止することができ、また、回路間の電気絶縁性が長期間維持できる。なお、ソルダレジストを形成した後に、はんだ付け必要な部分に、めっき、防錆処理等による表面処理を行うこととしてもよい。
【００５２】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係るプリント基板およびその製造方法について、図１５〜図２１を参照して説明する。図１５は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。図１６は、第２実施形態に係るプリント基板を示す平面図である。図１７は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法により絶縁層に接着された金属箔を示す平面図である。図１８は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス前の各部材の配置を示す断面図である。図１９は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるプレス後の各部材の配置を示す断面図であり、図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面を示す。図２０は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す平面図である。図２１は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法により配線パターンが形成されたプリント基板を示す断面図であり、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面を示す。
【００５３】
［プリント基板の構成］
第２実施形態に係る製造方法で製造されるプリント基板１０Ｂは、図１６、図２０および図２１に示すように、絶縁層５１と、絶縁層５１上に形成された配線パターン３と、を備えている。プリント基板１０Ｂの詳細な構成については、その製造方法とともに説明する。以下では、図１６の平面図において、左下隅に配置された複数（６個）の電極パッド４が形成されるエリアを拡大して製造工程を説明する。
【００５４】
［プリント基板の製造方法］
第２実施形態に係るプリント基板の製造方法は、準備工程Ｓ２１と、貫通孔形成工程Ｓ１２と、接着工程Ｓ２３と、エッチングマスク形成工程Ｓ１４と、エッチング工程Ｓ１５と、エッチングマスク除去工程Ｓ１６とが含まれている。
【００５５】
準備工程Ｓ２１は、プリント基板１０Ｂの材料として、絶縁層５１となる未硬化の絶縁材と、金属箔７と、を準備する工程である。
【００５６】
絶縁層５１は、プリント基板１０Ｂにおいて、表面に配線パターンを形成することができるベースとなる。絶縁層５１を構成する絶縁材は、絶縁層１を構成する絶縁材と同様であるが、金属箔と絶縁層を接着する接着剤の代わりになるように、未硬化の状態で金属箔７に接着される絶縁材料を使用する。未硬化状態の絶縁層５１Ｂは、反射率が高く、高熱伝導のものが好ましい。未硬化状態の絶縁層５１Ｂとして、プリプレグを用いることができる。プリプレグは、ガラス繊維布に熱硬化性樹脂を含浸させた材料で作られている。通常の絶縁層と異なるのは熱硬化性樹脂が完全には硬化していないＢステージと呼ばれる状態である点である。Ｂステージは、熱硬化性樹脂が半硬化状態のもので、温度を上げると一旦溶けるが、その後、高温を加え樹脂の硬化反応を行い完全に硬化する特性を有する。
【００５７】
接着工程Ｓ２３は、貫通孔８が形成された金属箔７と、絶縁層５１となる未硬化状態の絶縁材とをプレスで接着する工程である。この工程では、例えば真空熱プレスを用いて、金属箔７と絶縁層５１とを接着する。まず、図１８に示すように、未硬化の絶縁層５１Ｂの上に金属箔７を配置した状態の基板材料を真空熱プレスに入れて、例えば２〜４ＭＰａ程度の圧力で圧縮し、１２０度程度まで加熱し、溶融状態になった絶縁層５１Ｂが金属箔７と密着する。その後、温度を１７０度程度まで上げ、６０分程度放置すると、熱硬化性樹脂が完全に硬化して絶縁層５１となる。
【００５８】
金属箔７が絶縁層５１に接着される前に既に貫通孔８が形成されているため、プレス時の圧力により、貫通孔８へ、溶融状態になった絶縁層５１Ｂが押し出されて貫通孔８に入り込んだ構造が形成される。つまり、図１９に示すように、プレス後、貫通孔８には、硬化した絶縁層５１が入り込んで貫通孔８の側壁に沿って所定高さまで到達した状態となっている。このとき、貫通孔８では、金属箔７の厚さの１／２以上の高さまで絶縁層５１がせり上がった状態になるようプレス条件を調整する。また、金属箔７の貫通孔８から絶縁層５１の溶融物が真空熱プレスの熱板に付着することを防止するためにテフロン（登録商標）シートなどの離型性フィルムを設置してプレスしてもよい。
【００５９】
エッチングマスク形成工程Ｓ１４、エッチング工程Ｓ１５、およびエッチングマスク除去工程Ｓ１６では、金属箔７から図１６の電極パッド４ａと電極パッド４ｂとの間のエリアのような微小なエリア以外の所定エリアをエッチングして配線パターン３を形成する。
図２１において、電極パッド４ａの側面１４に隣接するエリアは、前記配線パターン形成工程により、エッチングされた箇所の一例である。プリント基板１０Ｂは、図２１の側面１４より下方に示すように、エッチングされた箇所においては、金属箔７の接着面と同じ高さで絶縁層５１が露出した形状となる。この電極パッド４ａの側面１４は、絶縁層５１の下面５２に対する傾斜角度Ｂが９５°以上である。
【００６０】
一方、プリント基板１０Ｂは、電極パッド４ａ，４ｂの向かい合う側面１２，１３は、金属箔７の貫通孔８に対応しており、レーザー光またはパンチングにより形成されたものであるから、略垂直である。また、貫通孔８では、金属箔７の厚さの１／２以上の高さまで絶縁層５１がせり上がった状態になっているため、エッチングマスクが絶縁層５１の表面ならびに電極パッド４ａ，４ｂの向かい合う側面１２，１３に密着し、エッチング工程Ｓ１５において側面１２，１３のサイドエッチングが防止される。したがって、本実施形態において、電極パッド４ａ，４ｂの向かい合う側面１２，１３は、それぞれ、絶縁層５１の下面５２に対する傾斜角度Ａが８５°以上９５°以下である。このように、側面が垂直に近い電極パッドを形成することができると、電極パッド間距離をより近づけることが可能となり、プリント基板の高密度化が可能となる。
【００６１】
また、電極パッド４ａ，４ｂの間において、絶縁層５１の高さｈ２は、電極パッド４ａ，４ｂの高さｈ１と同等である。ここで、同等とは、金属箔７の厚さＴ７の１／２以上の高さｈ２まで絶縁層５１が入り込んだ形状となっていることを意味する。例えば、絶縁層５１の下面５２を基準にしたときに、電極パッド４の上面の高さ（金属箔７の上面の高さ）をｈ１とし、金属箔７の厚さＴ７の１／２の位置までの高さをｈ０とする。また、電極パッド４ａと電極パッド４ｂとの間のエリア（貫通孔８に相当するエリア）に配設された絶縁層５１の上面の位置までの高さをｈ２とする。このとき、ｈ０≦ｈ２≦ｈ１の関係がある。このように電極パッド４ａ，４ｂの間において、絶縁層５１の高さｈ２は、電極パッド４ａ，４ｂの高さｈ１と同等で段差が小さく、あるいは段差が無いため、発光素子などを半田実装する際に、半田がブリッジすることを防止することができる。
【００６２】
次に、プリント基板の製造方法の変形例について、図２２〜図２５を参照して説明する。図２２は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例により放熱板が接着されたプリント基板を示す断面図である。図２３は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例におけるプレス前の各部材の配置を示す断面図である。図２４は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例におけるプレス後の各部材の配置を示す断面図である。図２５は、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法の変形例により放熱板が接着されたプリント基板を示す断面図である。
【００６３】
第７変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記した接着工程Ｓ２３の後に、絶縁層５１に接着剤２Ｂを介して放熱板９を接着することとしたものである。これにより、プリント基板は、金属箔７と放熱板９で絶縁層５１をサンドイッチした構造となる。その他の工程については、前記した第２実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。このように構成することで、プリント基板１０Ｂの機械的強度を高めると共に、放熱効率を高めることができる。
【００６４】
第８変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記した接着工程Ｓ２３において、絶縁層５１となる未硬化状態の絶縁材と、絶縁層１となる絶縁材と、をプレスで接着することとしたものである。この工程では、例えば真空熱プレスを用いて、金属箔７と絶縁層５１と絶縁層１とを接着する。この場合、まず、図２３に示すように、下から、絶縁層５１となる未硬化状態の絶縁材、未硬化の絶縁層５１Ｂ、および金属箔７をこの順番に配置した状態の基板材料を真空熱プレスに入れる。そして、例えば２〜４ＭＰａ程度の圧力で圧縮し、１２０度程度まで加熱し、溶融状態になった絶縁層５１Ｂが金属箔７および絶縁層１と密着する。その後、温度を１７０度程度まで上げ、６０分程度放置すると、熱硬化性樹脂が完全に硬化して、図２４に示すように絶縁層５１となる。その他の工程については、前記した第２実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。このように構成することで、プリント基板１０Ｂの機械的強度を高めることができる。さらに、図２５に示すように絶縁層１に接着剤２Ｂを介して放熱板９を接着することとしてもよい。
なお、第２実施形態に係るプリント基板の製造方法においても、配線パターン３を形成した後に、金属箔７の全面または一部にめっきによる表面処理を行ったり、はんだ付け不要な部分をソルダレジストで覆ったりしてもよい。
【００６５】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る光源装置およびその製造方法について、図２６および図２７を参照して説明する。図２６は、第３実施形態に係る光源装置を示す平面図である。図２７は、第３実施形態に係る光源装置を示す断面図であり、図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線における断面を示す。
【００６６】
［光源装置の構成］
光源装置１００は、例えば第１実施形態に係るプリント基板１０に発光素子３０を実装することで構成される。また、発光素子３０は、封止部材４０で封止される。光源装置１００の詳細な構成については、その製造方法とともに説明する。
【００６７】
［光源装置の製造方法］
光源装置の製造方法は、例えば、プリント基板準備工程と、発光素子実装工程と、封止工程と、が含まれている。
プリント基板準備工程は、例えば、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法によって、プリント基板１０を準備する工程である。
【００６８】
発光素子実装工程は、プリント基板１０に、発光素子３０を実装する工程である。
発光素子３０は、平面視形状が略矩形であり、基板３１と、半導体積層体３２と、ｎ側パッド電極３３と、ｐ側パッド電極３４とを備えている。
発光素子３０は、基板３１の一方の主面上に、例えば、窒化物半導体を用いた、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを積層した半導体積層体３２を備えるＬＥＤチップである。
【００６９】
本実施形態では、発光素子３０は、半導体積層体３２の一方の面側に隣り合う外部端子としてｎ側パッド電極３３およびｐ側パッド電極３４が設けられている。ｎ側パッド電極３３およびｐ側パッド電極３４は、接合部材３５を用いて、プリント基板１０の各素子領域の電極パッド４ａ，４ｂに接合されている。接合部材３５は、半田や異方導電性接着剤などの導電性を有する部材である。
【００７０】
なお、発光素子３０の実装形態は、フリップチップ実装のほか、発光素子３０をダイボンド樹脂を用いてフェイスアップ型で実装し、導電性のワイヤを用いて電極パッド４ａ，４ｂと電気的に接続するようにしてもよい。
【００７１】
封止工程は、発光素子３０を覆うように、封止部材４０を形成する工程である。プリント基板１０上に実装された発光素子３０は、封止部材４０によって封止される。封止部材４０は、透光性を有する樹脂を用いることができる。また、封止部材４０に、発光素子３０からの光の一部または全部を吸収して、異なる波長の光に変換する蛍光体の粒子などを含有させるようにしてもよい。封止部材４０は、金型を用いた成形法や、各種の塗布法などによって形成することができる。また、封止部材４０は、樹脂のポッティング等によりレンズを形成してもよい。また、板状の封止部材４０を、発光素子３０の上面に貼付するようにしてもよい。
【００７２】
以上の工程を行うことで、第３実施形態に係る光源装置１００を製造することができる。なお、封止部材は設けないようにしてもよく、封止部材に代えて、発光素子３０の一部を覆う部材を設けるようにしてもよい。また、プリント基板１０に代えてプリント基板１０Ｂに発光素子３０を実装するようにしてもよい。さらに、光源装置は、１または複数の発光素子３０をパッケージ化した発光装置をプリント基板１０，１０Ｂに実装して構成してもよい。
【００７３】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図２８〜図３０を参照して説明する。図２８は、金属箔に形成された貫通孔の一例を示す平面図である。図２９は、第４実施形態に係る半導体装置のプリント基板を示す平面図である。図３０は、第４実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線における断面に相当する。なお、図２９は平面図であるが、便宜的に、上面に配置された接着剤２ｂよりも高い位置に配置された接着剤２ａにハッチングを施して示している。
【００７４】
［半導体装置の構成］
半導体装置１００ａは、例えば第１実施形態に係るプリント基板の製造方法で製造されたプリント基板に半導体素子３０ａを実装することで構成される。半導体装置１００ａの詳細な構成については、その製造方法とともに説明する。ここで、半導体素子は、トランジスタや、ＩＣ（integrated circuit）、ＬＳＩ（large-scale integrated circuit）、ＶＬＳＩ（very large scale integration）、ＵＬＳＩ（ultra large-scale integration）などにも使用することができる。また、例えばＬＳＩは、メモリやＣＰＵ（Central Processing Unit）として機能するものであっても構わない。
【００７５】
［半導体装置の製造方法］
半導体装置の製造方法は、例えば、プリント基板準備工程と、半導体素子実装工程と、封止工程と、が含まれている。
プリント基板準備工程は、例えば、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法によって、プリント基板１０Ｃを準備する工程である。
【００７６】
プリント基板１０Ｃは、半導体素子３０ａを実装するために用いられる基板である。ここでは、半導体素子３０ａは、平面視形状が略矩形であり、例えば、ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)であるものとする。この半導体素子３０ａは、底面の４辺に端子として、複数のパッド電極３４ａを備えている。よって、この場合、プリント基板１０Ｃは、半導体素子３０ａの複数のパッド電極３４ａがマウントする配線部である複数のマウントパッド４ｄを備えている。
【００７７】
プリント基板１０Ｃを製造する場合、複数のマウントパッド４ｄを形成できるように、貫通孔形成工程Ｓ１２において、図２８に示すように、金属箔７ａに櫛歯状の貫通孔８ａを形成しておく。なお、図２８には、使用する金属箔の一部のエリアを拡大して示している。以下では、この一部のエリアで製造工程を簡単に説明する。
【００７８】
接着工程Ｓ１３では、接着剤２を介在させて、貫通孔８ａが形成された金属箔７ａと、絶縁層１となる絶縁材とをプレスで接着する。これにより、完成品のプリント基板１０Ｃでは、図３０に示すように、複数のマウントパッド４ｄの間に接着剤２ａがせり上がった状態となる。
【００７９】
エッチングマスク形成工程Ｓ１４では、金属箔７ａの所定エリアおよび貫通孔８ａをマスクで覆う。このとき、複数のマウントパッド４ｄとして残す領域、および貫通孔８ａにエッチングマスクを施す。続いて、エッチング工程Ｓ１５において、金属箔７ａをエッチングすることで、複数のマウントパッド４ｄに分離される。
【００８０】
これにより、完成品のプリント基板１０Ｃでは、図３０に示すように、エッチングマスクで保護されていたエリアでは、マウントパッド４ｄの外周部がレーザーやパンチングで形成されているためマウントパッド４ｄの側面が略垂直となる。また、エッチングされたエリアでは、マウントパッド４ｄの側面の傾斜が大きくなる。また、エッチングマスクで保護されていたエリアにおける接着剤２ａの高さは、エッチングにより金属箔が除去されたエリアにおける接着剤２ｂの高さよりも高くなる。このため、マウントパッド４ｄはセミアディティブ工法、サブトラクティブ工法などを用いた場合に比べ、狭隣接、狭ピッチで形成することができる。
【００８１】
エッチング後に、エッチングマスクを除去することで、所定の配線パターンが形成される。以上の工程を行うことにより、プリント基板１０Ｃを製造することができる。
なお、完成品において隣接するマウントパッド４ｄのピッチである幅Ｗ１ａが、１０μｍ以上５０μｍ以下となるように櫛歯状の貫通孔８ａを形成しておくことが好ましい。
【００８２】
また、プリント基板１０Ｃには、必要に応じて、内層配線６０を有する多層基板やビルドアップ基板を用いることもできる。さらに貫通孔８ａを用いて形成したマウントパッド４ｄは、基板の両面に形成することも可能である。
【００８３】
半導体素子実装工程は、プリント基板１０に、半導体素子３０ａを実装する工程である。
半導体素子３０ａは、例えばＳｉ、Ｇａ−Ａｓ等からなる基板にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを積層し配線層を形成したものである。また、半導体素子３０ａは、例えば薄膜金属によって形成された複数のパッド電極３４ａを備え、接合部材３５ａを用いて、プリント基板１０Ｃの複数のマウントパッド４ｄに接合されている。
【００８４】
以上の工程を行うことで、第４実施形態に係る半導体装置１００ａを製造することができる。なお、半導体素子をフリップチップ実装する代わりに、半導体素子をダイボンド樹脂を用いてフェイスアップ型で実装し、導電性のワイヤを用いてマウントパッド４ｄと電気的に接続するようにしてもよい。また、半導体素子を、信頼性向上のため封止部材で覆う封止工程を行うこともできる。封止工程で用いられる封止部材は、既に説明したものと同じものを使用することができる。なお、半導体素子のパッケージの種類は、ＱＦＮに限らず、他のＱＦＰ（Quad Flat Package）や、ＰＧＡ（Pin Grid Array）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等であっても構わない。
【００８５】
以上、本開示に係るプリント基板、光源装置および半導体装置、ならびにそれらの製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００８６】
１，５１  絶縁層
２，２ａ，２ｂ，２Ｂ  接着剤
３      配線パターン
４，４ａ，４ｂ  電極パッド（配線部）
４ｄ    マウントパッド（配線部）
７，７ａ  金属箔
８，８ａ  貫通孔
１０，１０Ｂ，１０Ｃ  プリント基板
１２，１３，１４  側面
３０    発光素子（電子部品）
３３    ｎ側パッド電極（端子）
３４    ｐ側パッド電極（端子）
３４ａ  パッド電極（端子）
５１Ｂ  未硬化の絶縁層
１００  光源装置
１００ａ  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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