(57)【要約】【課題】タッチセンサ内蔵表示装置の製造効率の向上を図る。【解決手段】本開示のタッチセンサ内蔵表示装置は、上面側に配置された第１の端子を有する基板と、前記基板の上方に配置された発光素子と、前記発光素子を覆い、第１の無機絶縁膜を含む封止膜と、前記封止膜の上方に２次元的に配列され、第１の接続線を介して接続された複数の第１のタッチ電極と、前記封止膜の上方に２次元的に配列され、前記第１の接続線と平面視で交差する第２の接続線を介して接続された複数の第２のタッチ電極と、前記第１の接続線と前記第２の接続線との間に介在し、前記第１の無機絶縁膜の端面と連続した端面を有する層間絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面に亘って配置され、前記第１のタッチ電極又は前記第２のタッチ電極と、前記第１の端子とを接続する引出配線と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側に配置された第１の端子を有する基板と、
前記基板の上方に配置された発光素子と、
前記発光素子を覆い、第１の無機絶縁膜を含む封止膜と、
前記封止膜の上方に２次元的に配列された複数の第１のタッチ電極であって、第１方向に隣り合う前記第１のタッチ電極は第１の接続線を介して接続される、複数の前記第１のタッチ電極と、
前記封止膜の上方に２次元的に配列された複数の第２のタッチ電極であって、前記第１の方向に交差する第２方向に隣り合う前記第２のタッチ電極は、前記第１の接続線と平面視で交差する第２の接続線を介して接続される、複数の第２のタッチ電極と、
前記第１の接続線と前記第２の接続線との間に介在し、前記第１の無機絶縁膜の端面と連続した端面を有する層間絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面に亘って配置され、前記第１のタッチ電極又は前記第２のタッチ電極と、前記第１の端子とを接続する引出配線と、
を含む、タッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項２】
前記基板と前記第１の無機絶縁膜の端面とがなす角度が４０度以下である、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項３】
前記封止膜は、前記第１の無機絶縁膜よりも上方に配置された第２の無機絶縁膜を更に含み、前記第２の無機絶縁膜は、前記第１の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面と連続した端面を有する、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項４】
前記第１のタッチ電極、前記第２のタッチ電極の内の少なくとも一方は、表面側にインジウム系酸化物を含む、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項５】
前記第１のタッチ電極、前記第２のタッチ電極の内の少なくとも一方は、
インジウム系材料とオーミックコンタクトする材料を含む第１の層と、
前記第１の層の上方に設けられ、インジウム系酸化物を含む第２の層と、
を含む、請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項６】
前記インジウム系酸化物は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯの内の少なくとも一つである、
請求項４又は５に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項７】
前記インジウム系材料とオーミックコンタクトする材料は、Ａｇ又はＭｏｗである、
請求項５に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項８】
前記引出配線は、前記第１の端子を介して、前記発光素子よりも下方に設けられた配線と電気的に接続される、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項９】
前記第１の端子よりも前記発光素子から離れた位置に配置された第２の端子を更に含み、前記配線が、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する、
請求項８に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項１０】
前記第１の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面は、平面視で前記第１の端子と前記発光素子との間に配置された、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項１１】
前記第１の無機絶縁膜の端面、前記第２の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面は、平面視で前記第１の端子と前記発光素子との間に配置された、
請求項３に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項１２】
前記第１の端子は、表面側にインジウム系酸化物を含む、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
【請求項１３】
上面側に配置された第１の端子を有する基板を準備する工程と、
前記基板の上方に配置された発光素子を形成する工程と、
前記発光素子及び前記第１の端子を覆う第１の無機絶縁膜を含む封止膜を形成する工程と、
前記封止膜の上方に２次元的に配列された複数の第１のタッチ電極を形成する工程と、
前記封止膜の上方に２次元的に配列された複数の第２のタッチ電極を形成する工程と、
第１の方向に交差する第２方向に隣り合う前記第２のタッチ電極を接続する第２の接続線を形成する工程と、
前記第１のタッチ電極、前記第２のタッチ電極、前記第２の接続線、及び前記第１の端子を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上方において、前記第１方向に隣り合う前記第１のタッチ電極を接続し、前記第２の接続線と平面視で交差する第１の接続線を形成する工程と、
前記第１の端子上の前記第１の無機絶縁膜と前記層間絶縁膜とをエッチングし、前記第１の端子の少なくとも一部を露出させると共に、前記第１の無機絶縁膜、及び前記層間絶縁膜に連続した端面を形成する工程と、
前記第１の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面に亘って配置され、前記第１のタッチ電極又は前記第２のタッチ電極と、前記第１の端子とを接続する引出配線を形成する工程と、
を含む、タッチセンサ内蔵表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の端子上の前記第１の無機絶縁膜と前記層間絶縁膜とをエッチングする工程において、前記第１のタッチ電極上又は前記第２のタッチ電極上の前記層間絶縁膜をエッチングし、前記第１のタッチ電極又は前記第２のタッチ電極の少なくとも一部を露出させる、
請求項１３に記載のタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記引出配線を形成する工程において、前記引出配線を、前記層間絶縁膜から露出された前記第１のタッチ電極又は前記第２のタッチ電極の少なくとも一部と接続させる、
請求項１４に記載のタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチセンサ内蔵表示装置、及びタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、基板の上方に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子と、この有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う無機絶縁膜と、を含む表示装置が開示されている。更に、無機絶縁膜の上方には、表示装置に内蔵されたタッチセンサが開示されている。タッチセンサは、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたＸ方向に延びる第１の電極と、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたＹ方向に延びる第２の電極とが、層間絶縁層を挟んで配置された構成を有している。Ｙ方向に延びる第２の電極は、基板上面側から露出された端子に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−５０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の構成においては、更なる製造効率の向上が課題となっていた。即ち、上記従来の構成においては、端子の上面に形成された無機絶縁層を除去する工程と、端子の上面に形成された層間無機絶縁層を除去する工程と、が必要になるため、製造効率の向上が課題となっていた。
【０００５】
本発明の目的は、タッチセンサ内蔵表示装置の、製造効率の向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示のタッチセンサ内蔵表示装置は、上面側に露出された第１の端子を有する基板と、前記基板の上方に配置された発光素子と、前記発光素子を覆い、第１の無機絶縁膜を含む封止膜と、前記封止膜の上方に２次元的に配列された複数の第１のタッチ電極であって、第１方向に隣り合う前記第１のタッチ電極は第１の接続線を介して接続される、複数の前記第１のタッチ電極と、前記封止膜の上方に２次元的に配列された複数の第２のタッチ電極であって、前記第１の方向に交差する第２方向に隣り合う前記第２のタッチ電極は、前記第１の接続線と平面視で交差する第２の接続線を介して接続される、複数の第２のタッチ電極と、前記第１の接続線と前記第２の接続線との間に介在し、前記第１の無機絶縁膜の端面と連続した端面を有する層間絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜の端面、及び前記層間絶縁膜の端面に亘って配置され、前記第１のタッチ電極又は前記第２のタッチ電極と、前記第１の端子とを接続する引出配線と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の模式的な平面図である。
【図２】図１における一点鎖線の枠内を拡大した平面図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面を示す模式的な断面図である。
【図４】図３における表示領域と周辺領域との境界部分を拡大した断面図である。
【図５】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図６】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図７】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図８】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図９】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図１０】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図１１】本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１０】
図１は、実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置（以下、単に表示装置ともいう）の平面図である。図２は、図１に示す一点鎖線の枠内を拡大した図である。表示装置の例として、有機ＥＬ表示装置を挙げる。表示装置１は、例えば赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせてフルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。
【００１１】
表示装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０の表示領域１５上に形成されたタッチセンサ２０とを有している。表示パネル１０の表示領域１５の外側には周辺領域（額縁領域）１１が形成されており、周辺領域１１には画素を駆動するための集積回路チップ１２が搭載され、外部との電気的接続のためのＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）１３が接続されている。以下の説明においては、周辺領域１１のＦＰＣ１３が接続される辺に沿った方向をＸ方向とし、それと直交する方向をＹ方向とする。
【００１２】
図３は、図１に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの断面図である。図４は、図３における表示領域１５と周辺領域１１との境界部分を拡大した図である。これらの図では、断面構造を見易くするため、基板３０、平坦化膜５１及び画素分離膜５５などの一部の層のハッチングを省略している。以下の説明では、積層方向を上方向とする。
【００１３】
基板３０は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる。基板３０はアンダーコート層３１によって覆われている。アンダーコート層３１上には半導体層４１が形成されており、半導体層４１はゲート絶縁膜３３によって覆われている。ゲート絶縁膜３３上にはゲート電極４３が形成されており、ゲート電極４３はパシベーション膜３５によって覆われている。ドレイン電極４５及びソース電極４７は、ゲート絶縁膜３３とパシベーション膜３５とを貫通して半導体層４１に接続されている。半導体層４１、ゲート電極４３、ドレイン電極４５及びソース電極４７により薄膜トランジスタ４０が構成される。薄膜トランジスタ４０は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。アンダーコート層３１、ゲート絶縁膜３３及びパシベーション膜３５は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成されている。
【００１４】
パシベーション膜３５上には、ドレイン電極４５及びソース電極４７に加えて、周辺領域１１に配線４９が形成されている。図示の配線４９は、タッチセンサ２０とＦＰＣ１３とを電気的に接続するための配線である。ドレイン電極４５、ソース電極４７及び配線４９は平坦化膜５１によって覆われており、平坦化膜５１は無機絶縁膜５３によって覆われている。ドレイン電極４５、ソース電極４７及び配線４９は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成されている。平坦化膜５１は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有している。無機絶縁膜５３は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成されている。
【００１５】
無機絶縁膜５３上には画素電極６１（例えば陽極）が形成されている。画素電極６１は、平坦化膜５１と無機絶縁膜５３とを貫通してソース電極４７に接続されている。画素電極６１は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。画素電極６１は反射電極として形成されている。また、周辺領域１１には、基板３０の上面側において無機絶縁膜５３等から露出された第１の端子６７、第２の端子６８が形成されており、平坦化膜５１と無機絶縁膜５３とを貫通して配線４９の両方の端部にそれぞれ接続されている。第２の端子６８は、第１の端子６７よりも表示領域１５から離れた位置に配置される。即ち、第２の端子６８は、第１の端子６７よりも、後述する発光素子６０から離れた位置に配置されている。
【００１６】
画素電極６１及び第１の端子６７、第２の端子６８は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料を含んで形成されている。また、第１の端子６７、第２の端子６８は、工程中に雰囲気に曝される機会が多いため、表面酸化等を生じにくい材料、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等のインジウム系酸化物が含まれていてもよい。即ち、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料と、表面酸化等を生じにくいインジウム系酸化物との２層構造を有していてもよい。第１の端子６７、第２の端子６８が、その表面側にインジウム系酸化物を含んでいる場合、後述する第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３などをエッチングして除去する際に、インジウム系酸化物は、エッチング液に対する選択比が小さいため、第１の端子６７、第２の端子６８の形状を保持することができ望ましい。また、表示装置１がボトムエミッション方式の場合は、画素電極６１は透過電極として形成される必要があり、この場合も前述のインジウム系酸化物を用いることができる。
【００１７】
画素電極６１の周囲には画素分離膜５５が配置されている。画素分離膜５５はリブ又はバンクとも呼ばれる。画素分離膜５５には、画素電極６１が底に露出する開口５５ａが形成されている。開口５５ａを形成する画素分離膜５５の内縁部分は画素電極６１の周縁部分に載っており、上方に向かうに従って外方に広がるテーパー形状を有している。なお、画素分離膜５５は、表示領域１５、及び周辺領域１１と表示領域１５との境界近傍に形成される。画素分離膜５５は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
【００１８】
画素分離膜５５の開口５５ａの底に露出した画素電極６１上には、発光層６３が互いに離れて個別に形成されている。発光層６３は、複数の単位画素のそれぞれに対応して例えば赤、緑及び青からなる複数色で発光する。発光層６３とともに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子輸送層の少なくとも一層が形成されてもよい。発光層６３はマスクを用いて個別に蒸着形成される。発光層６３は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜として蒸着形成されてもよく、その場合、発光層６３は単色（例えば白色）で発光し、カラーフィルタや色変換層によって例えば赤、緑及び青からなる複数色のそれぞれの成分が取り出される。なお、発光層６３は蒸着形成に限らず、塗布形成されてもよい。
【００１９】
発光層６３及び画素分離膜５５は対向電極６５（例えば陰極）によって覆われている。対向電極６５は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜として形成されている。発光層６３並びに発光層６３を挟む画素電極６１及び対向電極６５によって発光素子６０が構成され、発光層６３は画素電極６１と対向電極６５との間を流れる電流によって発光する。対向電極６５は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料又はＭｇＡｇ等の金属薄膜で形成される。表示装置１がトップエミッション方式の場合は、対向電極６５は透過電極として形成される必要があり、金属薄膜を用いる場合は、光が透過する程度に膜厚を小さくする必要がある。
【００２０】
画素分離膜５５及び対向電極６５は、封止膜（パシベーション膜）７０によって覆われることで封止され、水分から遮断される。封止膜７０は、例えば第１の無機絶縁膜７１、有機絶縁膜７３及び第２の無機絶縁膜７５を下からこの順に含む三層積層構造を有している。第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成されている。有機絶縁膜７３は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されており、封止膜７０の上面を平坦化させる。
【００２１】
ここで、第１の無機絶縁膜７１の端面と、第２の無機絶縁膜７５の端面とは、連続する構成となっている。これは、後述するエッチング工程によって、引出配線２５に接続される第１の端子６７のコンタクト領域を露出させる際に、第１の無機絶縁膜７１の端面と、第２の無機絶縁膜７５の端面とを、同時にエッチングするためである。
【００２２】
第１の無機絶縁膜７１の端面は、発光素子６０と第１の端子６７との間に配置される。なお、この第１の無機絶縁膜７１の端面と基板３０とがなす角度は、４０度以下であることが望ましい。このような構成とすることにより、後述する引出配線２５の断線の発生を抑制することができる。
【００２３】
表示装置１は、封止膜７０上にタッチセンサ２０を有している。具体的には、封止膜７０上に保護絶縁膜８１が形成されており、保護絶縁膜８１上に２次元的に配列された複数の第１のタッチ電極２１と複数の第２のタッチ電極２２とが形成されている。第１のタッチ電極２１及び第２のタッチ電極２２上に層間絶縁膜８３が形成されている。第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２とは、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する。保護絶縁膜８１と層間絶縁膜８３とは、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。なお、保護絶縁膜８１は省略されてもよく、その場合、封止膜７０上に第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２が形成される構成となる。
【００２４】
図１及び図２に示されるように、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２のそれぞれは、Ｘ方向（第１方向）とこれに交差（例えば直交）するＹ方向（第２方向）とを対角方向とする矩形状、いわゆる菱形状（ダイヤモンド形状）で形成されている。
【００２５】
本実施形態において、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２は、インジウム系材料とオーミックコンタクトするＡｇやＭｏＷ等の材料を含む第１の層と、第１の層上に設けられ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯなどのインジウム系酸化物を含む第２の層と、を含む積層構造を有する。第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２の表面側にインジウム系酸化物を含む第２の層が設けられることにより、後述する、層間絶縁膜８３に開口８３ａを形成する工程において、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２の形状を保持することができ望ましい。即ち、インジウム系酸化物は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料をエッチングする際に使用するエッチング液に対する選択比が小さいため、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２の形状を保持することができる。
【００２６】
図１、図２に示すように、複数の第１のタッチ電極２１はＸ方向とＹ方向とにそれぞれ並んで２次元的に配列されている。これらの第１のタッチ電極２１のうち、Ｘ方向に隣り合う第１のタッチ電極２１は第１の接続線２３を介して接続されており、Ｙ方向に隣り合う第１のタッチ電極２１は接続されていない。すなわち、複数の第１のタッチ電極２１は、Ｘ方向に隣り合う第１のタッチ電極２１が第１の接続線２３を介して接続されることでＸ方向に延びる複数の電極列をそれぞれ形成しており、それぞれの電極列はＹ方向には電気的に分離されている。
【００２７】
複数の第２のタッチ電極２２もＸ方向とＹ方向とにそれぞれ並んで２次元的に配列されている。これらの第２のタッチ電極２２のうち、Ｙ方向に隣り合う第２のタッチ電極２２は第１の接続線２３と平面視で交差する第２の接続線２４を介して接続されており、Ｘ方向に隣り合う第２のタッチ電極２２は接続されていない。すなわち、複数の第２のタッチ電極２２は、Ｙ方向に隣り合う第２のタッチ電極２２が第２の接続線２４を介して接続されることでＹ方向に延びる複数の電極列を形成しており、それぞれの電極列はＸ方向には電気的に分離されている。
【００２８】
それぞれの第２のタッチ電極２２は、平面視で第１のタッチ電極２１に囲まれるよう配置されている。例えば、それぞれの第２のタッチ電極２２は、Ｘ方向とＹ方向の両方に交差する方向（例えば４５度又は−４５度の方向）に隣り合う第１のタッチ電極２１の間に配置されており、４つの第１のタッチ電極２１に囲まれている。第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２とは、互いに接触しないように間隔を空けることで電気的に分離されている。
【００２９】
本実施形態では、複数の第１のタッチ電極２１と複数の第２のタッチ電極２２とは、封止膜７０と層間絶縁膜８３との間の同層に配置されているが、これに限られず、互いに異なる層に配置されてもよい。すなわち、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２との一方が層間絶縁膜８３下に配置され、他方が層間絶縁膜８３上に配置されてもよい。また、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２との両方が層間絶縁膜８３上に配置されてもよい。
【００３０】
図２、図３に示すように、第１の接続線２３と第２の接続線２４とは平面視で交差している。平面視で交差する第１の接続線２３と第２の接続線２４との間には層間絶縁膜８３が介在しており、両者は電気的に分離されている。
【００３１】
本実施形態では、第１の接続線２３が、層間絶縁膜８３上に配置されたいわゆるブリッジ配線である。第１の接続線２３は、層間絶縁膜８３に形成されたスルーホールを通じて第１のタッチ電極２１に接続されている。一方、第２の接続線２４は、層間絶縁膜８３下で第２のタッチ電極２２と連続的に形成されている。第１の接続線２３は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成されている。第１の接続線２３は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの３層構造を有してもよく、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏの３層構造を有してもよい。第１の接続線２３をこのような積層構造とすることにより、第１の接続線２３の低抵抗化を図ることができ、タッチセンサ２０における検出の時定数の遅延の発生を抑制することができる。本実施形態において、第２の接続線２４は、インジウム系材料とオーミックコンタクトするＡｇやＭｏｗ等の材料を含む第１の層と、第１の層上に設けられ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯなどのインジウム系酸化物を含む第２の層と、を含む積層構造を有する。このように、第２の接続線２４が、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２と同様の積層構造を有する構成とすることにより、上述した第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２を形成するステップにおいて、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２を形成するのと同時に、第２の接続線２４を形成することができる。
【００３２】
なお、本開示は上述した構成に限られず、第２の接続線２４が層間絶縁膜８３上にブリッジ配線として配置され、第１の接続線２３が層間絶縁膜８３下で第１のタッチ電極２１と連続的に形成されてもよい。また、第１の接続線２３がブリッジ配線として第２の接続線２４と交差する交差部と、第２の接続線２４がブリッジ配線として第１の接続線２３と交差する交差部とが混在していてもよい。
【００３３】
ここで、層間絶縁膜８３の端面は、上述した第１の無機絶縁膜７１の端面、及び第２の無機絶縁膜７５の端面と連続する構成となっている。これは、後述するエッチング工程によって、引出配線２５に接続される第１の端子６７のコンタクト領域を露出させる際に、第１の無機絶縁膜７１の端面、第２の無機絶縁膜７５の端面、及び層間絶縁膜８３を、同時にエッチングするためである。このような構成により、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３が形成される度に、第１の端子６７の上面を露出させるべく複数のエッチング工程を経る必要が無く、一度のエッチング工程により、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３から第１の端子６７の上面を露出させることが可能となる。層間絶縁膜８３の端面、第１の無機絶縁膜７１の端面、及び第２の無機絶縁膜７５の端面は、平面視で第１の端子６７と発光素子６０の間に配置される。
【００３４】
図２〜図４に示されるように、タッチセンサ２０は、表示領域１５の周縁部から周辺領域１１に引き出された複数の引出配線２５を有している。引出配線２５は、層間絶縁膜８３上の第１の接続線２３と同時に形成される。引出配線２５は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの３層構造を有してもよく、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏの３層構造を有してもよい。引出配線２５をこのような積層構造とすることにより、引出配線２５の低抵抗化を図ることができ、タッチセンサ２０における検出の時定数の遅延の発生を抑制することができる。
【００３５】
それぞれの引出配線２５は、層間絶縁膜８３に形成された開口８３ａを通じて第１のタッチ電極２１又は第２のタッチ電極２２に接続されており、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３の端面に亘って形成され、上述したエッチング工程により露出された第１の端子６７の上面にまで接続されている。引出配線２５は、第１の端子６７を介して、発光素子６０よりも下方に配置された配線４９に接続される。
【００３６】
なお、開口８３ａの形成は、上述した第１の端子６７の上面を露出させるためのエッチング工程において、同時に行ってもよい。その際、第１の端子６７の上には、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３の３層が形成されているのに対し、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２の上には、層間絶縁膜８３しか形成されていない。従って、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３の３層がエッチングされる前に、エッチング液が第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２に到達してしまう可能性がある。しかし、上述したとおり、本実施形態において、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２は、その表面側に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯなどのインジウム系酸化物を含む第の２層を含む構造を有するため、エッチング液に対する選択比の小さい第２の層の存在により、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２の形状を保持することができる。
【００３７】
一方、図３に示すように、表示領域１５から離れた側に配置された第２の端子６８には、異方導電部材１３９を介してＦＰＣ１３が接続されている。また、周辺領域１１には発光素子６０に電気的に接続された不図示の端子（第３端子）も設けられており、この不図示の端子にも異方導電部材１３９を介してＦＰＣ１３が接続されている。この不図示の端子は、例えば薄膜トランジスタ４０及び集積回路チップ１２等を介して発光素子６０に電気的に接続されている。
【００３８】
さらに、本実施形態では、ＦＰＣ１３は、タッチセンサ２０に電気的に接続された第２の端子６８と、発光素子６０に電気的に接続された不図示の端子（第３端子）との両方に接続されている。このため、１枚のＦＰＣ１３によってタッチセンサ２０と発光素子６０との両方に外部から信号を供給することが可能である。
【００３９】
以下、図５〜図１０を用いて、本実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例について説明する。
【００４０】
図５は、発光素子６０が完成した状態を示している。周辺領域１１には、第１の端子６７、第２の端子６８が設けられている。なお、図５に示された断面においては、タッチセンサ２０が、配線４９及び、第１の端子６７、第２の端子６８に接続されている状態を示しているが、異なる位置では、発光素子６０の対向電極６５が、配線４９及び、第１の端子６７、第２の端子６８に接続されている。
【００４１】
図６は、封止膜７０を形成する工程を示している。ここで、有機絶縁膜７３は表示領域１５に形成され、周辺領域１１には形成されない。有機絶縁膜７３は、有機絶縁膜７３の外縁よりも外側で、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５が密着することによって封止されている。このため、周辺領域１１は、２層の第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５によって覆われている。第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５は例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成され、有機絶縁膜７３は例えばインクジェット法により形成される。
【００４２】
図７は、保護絶縁膜８１を形成する工程を示している。ここで、保護絶縁膜８１は表示領域１５に形成され、周辺領域１１には形成されない。詳しくは、保護絶縁膜８１の外縁は、画素分離膜５５の外縁よりも外側に位置している。保護絶縁膜８１は、有機絶縁材料で形成されており、表示領域１５における平坦度を向上させる。なお、この保護絶縁膜８１を形成する工程は、省略しても構わない。
【００４３】
図８は、タッチセンサ２０を形成する工程を示している。まず、保護絶縁膜８１上に（保護絶縁膜８１を形成しない場合は、封止膜７０上に）、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２及び第２の接続線２４を形成する。その際、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２、及び第２の接続線２４が、インジウム系材料とオーミックコンタクトするＡｇやＭｏｗ等の材料を含む第１の層と、第１の層上に設けられ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯなどのインジウム系酸化物を含む第２の層と、を含む積層構造を有するよう形成する。第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２の表面側にインジウム系酸化物を含む第２の層が設けられることにより、後述する、層間絶縁膜８３に開口８３ａを形成する工程において、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２の形状を保持することができ望ましい。即ち、インジウム系酸化物は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料をエッチングする際に使用するエッチング液に対する選択比が小さいため、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２の形状を保持することができる。第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２、及び第２の接続線２４は、フォトリソグラフィプロセス、及びウェットエッチング工程を用いてパターン形成される。
【００４４】
その後、例えばマスクＣＶＤ法等により、層間絶縁膜８３を形成する。層間絶縁膜８３は、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２及び第２の接続線２４の上面から、第１の端子６７の上面までを覆うように形成する。本実施形態においては、層間絶縁膜８３が、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５と同じ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成されている。層間絶縁膜８３の材料を、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５と同じ無機絶縁材料で構成することにより、層間絶縁膜８３と、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５とを、一括エッチングすることが可能となる。
【００４５】
図９は、第１の端子６７を露出させるエッチング工程を示している。一度のエッチング工程により、第１の端子６７のコンタクト領域上に形成された第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３を除去する。このような製造方法により、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３が形成される度に、第１の端子６７の上面を露出させるべく複数のエッチング工程を減る必要が無く、一度のエッチング工程により、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３から第１の端子６７の上面を露出させることが可能となる。
【００４６】
このような製造工程を経た場合、図９に示すように、層間絶縁膜８３の端面が、第１の無機絶縁膜７１の端面、及び第２の無機絶縁膜７５の端面と連続する構成となる。
【００４７】
また、このエッチング工程において、第１の端子６７のコンタクト領域を露出させると同時に、第１のタッチ電極２１、又は第２のタッチ電極２２を露出させる開口８３aを形成してもよい。図８を用いて上述したとおり、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２、及び第２の接続線２４は、インジウム系材料とオーミックコンタクトするＡｇやＭｏｗ等の材料を含む第１の層と、第１の層上に設けられ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯなどのインジウム系酸化物を含む第２の層と、を含む積層構造を有するよう形成している。そのため、第１のタッチ電極２１、第２のタッチ電極２２の表面側に、エッチング液に対する選択比が小さいインジウム系酸化物を含む第２の層が設けられることにより、この開口８３ａを形成する工程において、第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２の形状を保持することができ望ましい。
【００４８】
また、第１の端子６７も同様に、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料と、表面酸化等を生じにくいインジウム系酸化物との２層構造を有していてもよい。第１の端子６７が、その表面側にインジウム系酸化物を含んでいる場合、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３をエッチングして除去する際に、エッチング液に対する選択比が小さいインジウム系酸化物の存在により、第１の端子６７の形状を保持することができ望ましい。
【００４９】
図１０は、第１の接続線２３及び引出配線２５を形成する工程を示している。引出配線２５は、層間絶縁膜８３に形成された開口８３ａを通じて第１のタッチ電極２１又は第２のタッチ電極２２に接続される。また、引出配線２５は、第１の無機絶縁膜７１、第２の無機絶縁膜７５、及び層間絶縁膜８３の端面に亘って形成され、上述したエッチング工程により露出された第１の端子６７の上面にまで形成される。第１の接続線２３、及び引出配線２５は、フォトリソグラフィー工程、及びエッチング工程を用いてパターン形成される。
【００５０】
図１１は、タッチセンサ２０を覆う保護膜８５等を形成する工程を示している。ここでは、タッチセンサ２０の全部、さらには引出配線２５及び第１の端子６７を覆うように保護膜８５が形成される。保護膜８５は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。保護膜８５上には円偏光フィルム８７が配置されてもよい。円偏光フィルム８７上にはカバーフィルム８９が配置されてもよい。また、保護膜８５に覆われない第２の端子６８には、異方導電部材１３９を介してＦＰＣ１３が接続される。
【００５１】
以上に説明した実施形態においては、タッチセンサ２０は、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する第１のタッチ電極２１と第２のタッチ電極２２とを備える場合を例示したが、タッチセンサ２０は、これらの電極に加えて、感圧機能を実現するための電極をさらに備えてもよい。
【００５２】
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００５３】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１  タッチセンサ内蔵表示装置、１０  表示パネル、１１  周辺領域、１２  集積回路チップ、１３  ＦＰＣ、１５  表示領域、２０  タッチセンサ、２１  第１のタッチ電極、２２  第２のタッチ電極、２３  第１の接続線、２４  第２の接続線、２５  引出配線、３０  基板、３１  アンダーコート層、３３  ゲート絶縁膜、３５  パシベーション膜、４０  薄膜トランジスタ、４１  半導体層、４３  ゲート電極、４５  ドレイン電極、４７  ソース電極、４９  配線、５１  平坦化膜、５３  無機絶縁膜、５５  画素分離膜、５５ａ  開口、６０  発光素子、６１  画素電極、６３  発光層、６５  対向電極、６７  第１の端子、６８  第２の端子、７０  封止膜、７１  第１の無機絶縁膜、７３  有機絶縁膜、７５  第２の無機絶縁膜、８１  保護絶縁膜、８３  層間絶縁膜、８３ａ  開口、８５  保護膜、８７  円偏光フィルム、８９  カバーフィルム、１３９  異方導電部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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