(57)【要約】【課題】保護層に窒化処理を施さずに、グライド試験の合格率を高くすることが可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体は、非磁性基板上に、磁性層と、保護層と、保護層上に接して形成されている潤滑剤層とをこの順で有する。保護層は、炭素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満である。潤滑剤層は、有機フッ素化合物を含む。有機フッ素化合物は、一般式（１）  （Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２）２−Ａ・・・（１）で表される化合物である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、磁性層と、保護層と、前記保護層上に接して形成されている潤滑剤層とをこの順で有し、
前記保護層は、炭素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満であり、
前記潤滑剤層は、有機フッ素化合物を含み、
前記有機フッ素化合物は、一般式（１）
（Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２）２−Ａ・・・（１）
（ただし、Ａは、２価のパーフルオロポリエーテル基であり、πは、アリーレン基または単結合であり、Ｒはアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｅは、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基またはエーテル結合であり、２個の一般式
Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２−
で表される基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
で表される化合物である磁気記録媒体。
【請求項２】
前記２価のパーフルオロポリエーテル基は、数平均式量が２５０〜６０００の範囲内である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記アリーレン基は、フェニレン基またはナフチレン基である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記Ｒは、ビニル基、アリル基、３−ブテン−１−イル基または２−プロピニル基である請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記有機フッ素化合物が、化学式
【化１】
2019067468.tif 000029
で表される化合物、化学式
【化２】
2019067468.tif 000030
で表される化合物、化学式
【化３】
2019067468.tif 000031
で表される化合物、化学式
【化４】
2019067468.tif 000032
で表される化合物、化学式
【化５】
2019067468.tif 000033
で表される化合物、化学式
【化６】
2019067468.tif 000034
で表される化合物、化学式
【化７】
2019067468.tif 000035
で表される化合物、および、化学式
【化８】
2019067468.tif 000036
で表される化合物の少なくとも１つであり、
各化学式において、ｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意である請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
非磁性基板上に、磁性層と、炭素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満である保護層とをこの順で有する基体に、有機フッ素化合物がフッ素系溶媒に溶解している溶液を塗布することにより、前記保護層上に潤滑剤層を形成する工程を有し、
前記有機フッ素化合物は、一般式（１）
（Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２）２−Ａ・・・（１）
（ただし、Ａは、２価のパーフルオロポリエーテル基であり、πは、アリーレン基または単結合であり、Ｒはアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｅは、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基またはエーテル結合であり、２個の一般式
Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２−
で表される基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
で表される化合物であり、
前記フッ素系溶媒は、パーフルオロアルカンを９０質量％以上含み、
前記溶液は、前記有機フッ素化合物の濃度が、それぞれ独立に、０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲内である磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に情報を記録する記録部と、
前記磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生部とからなる磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドからの記録再生信号を処理する信号処理部とを有する磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録媒体の記録密度は、４００ｋＴＰＩにも到達しており、外径６５ｍｍの磁気ディスク１枚の両面に情報を記録すると、記録容量が５００ＧＢに達する。今後さらに磁気記録再生装置の記録密度が向上すると言われている。磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために最も重要なことは、磁気ヘッドのセンサー部分と磁気記録媒体の記録層との距離（いわゆるスペースロス）を短くすることである。そのため、磁気ヘッド、磁気記録媒体の保護層を薄くすること、磁気ヘッドの飛行高さを低くすることが継続的に検討されてきた。この時、磁気記録媒体の保護層上に形成される潤滑剤層の厚さがスペースロスを招くことが判明しており、潤滑剤層を極力薄くする試みもたゆみなく続けられている。
【０００３】
従来から、磁気記録媒体として、磁気記録媒体用の基板上に記録層等を積層した後、記録層上にカーボン等の保護層を形成し、さらに保護層上に潤滑剤層を形成したものが知られている。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高めるものである。
【０００４】
しかしながら、磁気記録媒体の耐久性は十分ではない。
【０００５】
このため、一般に、保護層上に潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する。保護層上に潤滑剤層を形成することによって、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止することができるとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドの摩擦力を著しく低減させることができ、その結果、磁気記録媒体の耐久性が向上する。
【０００６】
磁気記録媒体に使用される潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル基を有する有機フッ素化合物が知られている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、化学式（３）
ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ・・・（３）
（ただし、ｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意である。）
で表される有機フッ素化合物を保護層上に塗布した磁気記録媒体が開示されている。このような有機フッ素化合物としては、例えば、フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）が挙げられる。
【０００８】
また、特許文献２には、化学式（４）
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ・・・（４）
（ただし、ｍおよびｎは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、化学式（４）で表される化合物の数平均分子量は５００〜５０００である。）
で表される有機フッ素化合物フォンブリンＺｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）よりなる潤滑剤層を有する磁気記録媒体が開示されている。
【０００９】
上述の有機フッ素化合物は、いずれも２価のパーフルオロポリエーテル基の両末端に、ヒドロキシメチレン基を有することを特徴としている。このため、磁気記録媒体の保護層に潤滑剤を吸着させる際には、保護層と潤滑剤との間に水素結合を形成するために、一般に、保護層に窒化処理を施す必要がある。
【００１０】
特許文献３〜６には、パーフルオロポリエーテル基をフラーレン骨格に付与した有機フッ素化合物からなる潤滑剤が開示されている。具体的には、フラーレンに縮合したシクロプロパン環やピロリジン環を介して、パーフルオロポリエーテル基が付与された有機フッ素化合物からなる潤滑剤が開示されている。このような有機フッ素化合物は、球状のπ共役系であるフラーレン部位を利用することにより、ｓｐ２炭素を含む保護層上に潤滑剤層が形成されている磁気記録媒体を実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開昭６２−６６４１７号公報
【特許文献２】特開平９−２８２６４２号公報
【特許文献３】特許第５６００２０２号公報
【特許文献４】特許第５６００２２２号公報
【特許文献５】特許第６１５２５０２号公報
【特許文献６】国際公開第２０１５／１２５９４０号
【特許文献７】特開２０１０−０９２５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
一般に、磁気記録媒体の保護層上に潤滑剤層を形成することは、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止することができるとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドの摩擦力を著しく低減させることができ、耐久性を向上させることができるため、磁気記録再生装置の構成に不可欠である。一方、磁気記録媒体の保護層上に潤滑剤を単に付着させるだけでは、経時によって潤滑剤層が剥がれ落ちてしまい、磁気記録媒体の耐摩耗性や耐久性を維持することができない。
【００１３】
そこで、磁気記録媒体の保護層上に潤滑剤を吸着させる必要がある。この吸着を実現するために、保護層と潤滑剤の間に作用する水素結合が利用されている。この水素結合は、例えば、窒化処理を施した保護層とヒドロキシ基を有する潤滑剤の組み合わせによって形成される。
【００１４】
一般に、潤滑剤の吸着に不可欠な窒化処理を施した保護層は、水などに対する耐腐食性が低下することが知られている。ここで、保護層は、一般に、特許文献７に記載されているように、炭素原子を主成分とする。そのため、このような保護層に、電気陰性度が大きい窒素原子が加わると、耐腐食性が低下する。
【００１５】
また、保護層への窒化処理は、薄膜である保護層の下に存在する磁性層にも影響しうる。これは、保護層への窒化処理が１０ｅＶオーダーのエネルギーを有しうるプラズマ照射により実施され、電場バイアスによりプラズマを保護層に引き付ける際に、プラズマの一部が磁性層に到達することが不可避であるためである。このため、保護層への窒化処理を省略することができれば、磁気記録再生装置の電磁変換特性が向上する。
【００１６】
さらに、保護層への窒化処理を省略した磁気記録媒体を実用化することができると、磁気記録再生装置の製造工程数を減少させることにより、生産コストを削減することが可能となる。
【００１７】
以上のような利点を実現するためには、窒化処理を施していない保護層に吸着することが可能な潤滑剤を用い、かつ、磁気記録再生装置として使用することが可能であることを保証するために、磁気ヘッドの安定飛行を判定するグライド試験の合格率を高くする必要がある。
【００１８】
しかしながら、窒化処理を施していない保護層には、ごくわずかな分極が存在するものの、有機フッ素化合物が有するヒドロキシ基のような極性部位に対して働く静電気的な相互作用が非常に弱い。このため、一般的に、窒化処理を施していない保護層に、ヒドロキシ基を有する有機フッ素化合物を吸着させることはできず、グライド試験の合格率を高くすることができない。
【００１９】
本発明の一態様は、上記のような事情を鑑み、保護層に窒化処理を施さずに、グライド試験の合格率を高くすることが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
すなわち、本発明は以下に示す構成を備えるものである。
［１］非磁性基板上に、磁性層と、保護層と、前記保護層上に接して形成されている潤滑剤層とをこの順で有し、前記保護層は、炭素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満であり、前記潤滑剤層は、有機フッ素化合物を含み、前記有機フッ素化合物は、一般式（１）
（Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２）２−Ａ・・・（１）
（ただし、Ａは、２価のパーフルオロポリエーテル基であり、πは、アリーレン基または単結合であり、Ｒはアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｅは、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基またはエーテル結合であり、２個の一般式
Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２−
で表される基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
で表される化合物である磁気記録媒体。
［２］前記２価のパーフルオロポリエーテル基は、数平均式量が２５０〜６０００の範囲内である［１］に記載の磁気記録媒体。
［３］前記アリーレン基は、フェニレン基またはナフチレン基である［１］または［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］前記Ｒは、ビニル基、アリル基、３−ブテン−１−イル基または２−プロピニル基である［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［５］前記有機フッ素化合物が、化学式
【００２１】
【化１】
2019067468.tif 000002
で表される化合物、化学式
【００２２】
【化２】
2019067468.tif 000003
で表される化合物、化学式
【００２３】
【化３】
2019067468.tif 000004
で表される化合物、化学式
【００２４】
【化４】
2019067468.tif 000005
で表される化合物、化学式
【００２５】
【化５】
2019067468.tif 000006
で表される化合物、化学式
【００２６】
【化６】
2019067468.tif 000007
で表される化合物、化学式
【００２７】
【化７】
2019067468.tif 000008
で表される化合物、および、化学式
【００２８】
【化８】
2019067468.tif 000009
で表される化合物の少なくとも１つであり、各化学式において、ｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意である［１］〜［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［６］非磁性基板上に、磁性層と、炭素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満である保護層とをこの順で有する基体に、有機フッ素化合物がフッ素系溶媒に溶解している溶液を塗布することにより、前記保護層上に潤滑剤層を形成する工程を有し、前記有機フッ素化合物は、一般式（１）
（Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２）２−Ａ・・・（１）
（ただし、Ａは、２価のパーフルオロポリエーテル基であり、πは、アリーレン基または単結合であり、Ｒはアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｅは、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基またはエーテル結合であり、２個の一般式
Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２−
で表される基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
で表される化合物であり、前記フッ素系溶媒は、パーフルオロアルカンを９０質量％以上含み、前記溶液は、前記有機フッ素化合物の濃度が、それぞれ独立に、０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲内である磁気記録媒体の製造方法。
［７］［１］〜［５］のいずれかに記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報を記録する記録部と、前記磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生部とからなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号を処理する信号処理部とを有する磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一態様によれば、保護層に窒化処理を施さずに、グライド試験の合格率を高くすることが可能な磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態である磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて、その構成を説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴を分かり易くするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合がある。各構成要素の寸法比率等は、一例であって、本発明は、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００３２】
以下、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体について図面を用いて説明する。
【００３３】
（磁気記録媒体）
図１に、本発明の一実施形態である磁気記録媒体の一例を示す。
【００３４】
磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、磁性層２と、保護層３と、保護層３上に接して形成されている潤滑剤層４とをこの順で有する。
【００３５】
なお、磁気記録媒体１１においては、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層と、軟磁性下地層と、シード層と、配向制御層とがこの順で積層されていてもよい。
【００３６】
以下では、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層と、軟磁性下地層と、シード層と、配向制御層とがこの順で積層されている構成を例に挙げて説明する。
【００３７】
ここで、密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層は、必要に応じて設けられるものであり、これらのうちの一部または全部は設けられていなくてもよい。
【００３８】
（非磁性基板）
非磁性基板１としては、ＡｌまたはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基板上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金、その他のアモルファス金属からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。
【００３９】
また、非磁性基板１としては、ガラス、石英、セラミックス、シリコンなどの非金属材料からなるものを用いてもよいし、非金属材料からなる基板上にアモルファス金属膜を形成したものを用いてもよい。
【００４０】
（密着層）
密着層は、非磁性基板１と、密着層上に設けられる軟磁性下地層とを接して配置した場合における非磁性基板１の腐食の進行を防止するものである。
【００４１】
密着層を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金などが挙げられる。
【００４２】
密着層の厚みは、２ｎｍ以上であることが好ましく、２〜１０ｎｍであることがより好ましい。これにより、密着層を設けることによる効果が十分に得られる。
【００４３】
（軟磁性下地層）
軟磁性下地層は、第１軟磁性層と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性層とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層は、２層の軟磁性層の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性層がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。これにより、外部からの磁界に対する耐性、並びに、垂直磁気記録方式に特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対する耐性を高めることができる。
【００４４】
軟磁性下地層の厚みは、１５〜８０ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。軟磁性下地層の厚みが１５ｎｍ以上であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができ、書き込みが十分となり、磁気記録媒体１１の記録再生特性が向上する。一方、軟磁性下地層の厚みが８０ｎｍ以下であると、磁気記録媒体１１の生産性が向上する。
【００４５】
第１および第２軟磁性層は、ＣｏＦｅ合金からなるものであることが好ましい。これにより、磁気記録媒体１１の高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４Ｔ以上）を実現することができる。
【００４６】
また、第１および第２軟磁性層に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１および第２軟磁性層の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能になる。
【００４７】
（シード層）
シード層は、その上に設けられる配向制御層および磁性層２の配向や結晶サイズを制御するためのものである。具体的には、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層２の磁化の方向をより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定するために、シード層が設けられる。
【００４８】
シード層は、ＮｉＷ合金からなるものであることが好ましい。
【００４９】
シード層を構成するＮｉＷ合金に、必要に応じて、Ｂ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
【００５０】
シード層の厚みは、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。シード層の厚みが２ｎｍ以上であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られる。一方、シード層の厚みが２０ｎｍ以下であると、磁性層２の結晶サイズを良好に制御することができる。
【００５１】
（配向制御層）
配向制御層は、磁性層２の配向が良好なものとなるように制御するものである。
【００５２】
配向制御層は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものであることが好ましい。
【００５３】
配向制御層の厚みは、５〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。配向制御層の厚みを５ｎｍ以上とすることで、磁性層２の配向を良好に制御することができる。一方、配向制御層の厚みを３０ｎｍ以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層との間の距離が小さいものとなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。
【００５４】
配向制御層は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。配向制御層が複数層からなるものである場合、各層を構成する材料が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００５５】
（磁性層）
磁性層２は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いている。
【００５６】
磁性層２は、ＣｏとＰｔを含むものであり、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを更に含むものであってもよい。
【００５７】
磁性層２に含まれる酸化物としては、例えば、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２などが挙げられる。
【００５８】
磁性層２は、１層からなるものであってもよいし、組成の異なる複数層からなるものであってもよい。
【００５９】
例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなるものである場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含む材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。
【００６０】
第１磁性層に含まれる酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物が挙げられる。その中でも、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などが好適に用いられる。
【００６１】
また、第１磁性層は、酸化物を２種以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。
【００６２】
第１磁性層に含まれる複合酸化物としては、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などが好適に用いられる。
【００６３】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕの中から選ばれる１種以上の元素を含むことができる。これにより、第１磁性層に含まれる磁性粒子の微細化を促進させる、または、第１磁性層の結晶性や配向性を向上させることができ、高密度記録に適した磁気記録媒体１１の記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００６４】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造のものであることが好ましい。
【００６５】
また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。
【００６６】
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる１種以上の元素を含むことができる。これにより、第３磁性層に含まれる磁性粒子の微細化を促進させる、または、第３磁性層の結晶性や配向性を向上させることができ、高密度記録に適した磁気記録媒体１１の記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００６７】
磁性層２の厚みは、５〜２５ｎｍとすることが好ましい。磁性層２の厚みが５ｎｍ以上であると、十分な再生出力が得られ、熱揺らぎ特性も向上する。一方、磁性層２の厚みが２５ｎｍ以下であると、磁性層２中の磁性粒子の微細化を促進させ、磁気記録媒体１１に情報を記録する、または、磁気記録媒体に記録された情報を再生する時のノイズが減少し、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）や記録特性（ＯＷ）に代表される磁気記録媒体１１の記録再生特性が向上する。
【００６８】
なお、磁性層２が複数層からなる場合、磁性層２の厚みとは、複数層の全体の厚みをいう。
【００６９】
また、磁性層２が複数層からなるものである場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を適度な厚みで設けることが好ましい。これにより、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、磁気記録媒体１１のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００７０】
例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
【００７１】
非磁性層を構成する材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（ただし、Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種以上の元素である。）などが挙げられる。
【００７２】
また、非磁性層を構成する合金は、酸化物、金属窒化物または金属炭化物をさらに含むことが好ましい。
【００７３】
酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３などが挙げられる。
【００７４】
金属窒化物としては、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮなどが挙げられる。
【００７５】
金属炭化物としては、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣなどが挙げられる。
【００７６】
非磁性層の厚みは、０．１〜１ｎｍとすることが好ましい。これにより、磁気記録媒体１１のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００７７】
また、磁性層２は、高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
【００７８】
（保護層）
保護層３は、記録層２を保護するためのものである。
【００７９】
保護層３は、一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。
【００８０】
保護層３は、炭素原子を含むものである。
【００８１】
一般には、保護層は、窒素等が含まれている。これは、保護層に潤滑剤を保持する方法として、潤滑剤にヒドロキシ基を導入し、保護層に窒素原子を導入することにより、極性を持たせて水素結合を形成するからである。
【００８２】
本実施形態においては、保護層３上に形成されている潤滑剤層４は、後述するように、パーフルオロアルカンを９０質量％以上含むフッ素系溶媒に有機フッ素化合物が溶解している溶液を塗布して形成されているため、保護層３上への有機フッ素化合物の分配係数を高めることができ、その結果、水素結合を利用しなくても、十分な厚さの潤滑剤層４を形成することができる。
【００８３】
したがって、本実施形態において、保護層３は、窒素原子を本質的に必要としないため、窒素原子の含有量を１原子％未満とすることが可能となる。
【００８４】
ここで、保護層３中の窒素原子の含有量は、Ｘ線光電子分光法を用いて測定する。具体的には、後述する実施例に記載されている方法を用いる。
【００８５】
保護層３の厚みは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。保護層３の厚みが１ｎｍ以上であると、記録層２を保護する効果が十分となる。一方、保護層３の厚みが１０ｎｍ以下であると、磁気記録媒体１１を備える磁気記録再生装置における磁気的スペーシングを十分に低減することができ、磁気記録媒体１１の記録密度を向上させるとともに、耐久性を向上させることができる。
【００８６】
一般に、保護層に窒素原子を導入すると、窒素原子の電気陰性度が炭素原子の電気陰性度よりも大きいため、保護層の極性が上昇し、親水性の汚染物質の影響を受けやすくなる。
【００８７】
一方、本実施形態においては、保護層３に窒素原子を導入する必要がない、即ち、窒化処理が不要であるので、磁気記録媒体１１の耐久性を向上させることができる上、工程数を削減することもできる。
【００８８】
（潤滑剤層）
潤滑剤層４は、磁気記録媒体１１の汚染を防止するとともに、磁気記録媒体１１上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１１の耐久性を向上させるためのものである。
【００８９】
潤滑剤層４は、保護層３上に接して形成されており、有機フッ素化合物を含む。
【００９０】
有機フッ素化合物は、一般式（１）
（Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２）２−Ａ・・・（１）
（ただし、Ａは、２価のパーフルオロポリエーテル基であり、πは、アリーレン基または単結合であり、Ｒはアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｅは、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基、化学式
−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−
で表される基またはエーテル結合（−Ｏ−）であり、２個の一般式
Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２−
で表される基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
で表される化合物である。
【００９１】
Ａにおける２価のパーフルオロポリエーテル基は、直鎖および分枝鎖のいずれであってもよいが、直鎖であることが好ましい。これにより、有機フッ素化合物の潤滑性やフッ素系溶媒に対する溶解性が向上する。
【００９２】
Ａにおける２価のパーフルオロポリエーテル基の炭素数は、５〜１００であることが好ましく、５〜４０であることがより好ましい。２価のパーフルオロポリエーテル基の炭素数が５以上であると、有機フッ素化合物のフッ素系溶媒に対する溶解性が向上するため、潤滑剤層４を形成しやすくなる。また、２価のパーフルオロポリエーテル基の炭素数が１００以下であると、２価のパーフルオロポリエーテル基を有する化合物の一般的な有機溶媒に対する溶解度が向上するため、有機フッ素化合物を合成しやすくなる。
【００９３】
Ａにおける２価のパーフルオロポリエーテル基は、一般式（２）
−（ＣＦ２）ｘＯ−・・・（２）
（ただし、式中ｘは１〜５の整数である。）
で表される構成単位を有することが好ましい。これにより、有機フッ素化合物のフッ素系溶媒に対する溶解性が増大し、その結果、被塗布面に、より均一に有機フッ素化合物を塗布することが可能になる。
【００９４】
また、Ａにおける２価のパーフルオロポリエーテル基が、ｘが１または２である一般式（２）で表される基を、それぞれ１〜５０個含むことがより好ましい。このような２価のパーフルオロポリエーテル基を有する化合物は、工業的に合成されており、容易に入手することができるため、産業上利用しやすい。
【００９５】
Ａにおける２価のパーフルオロポリエーテル基の数平均式量は、２５０〜６０００の範囲内であることが好ましく、２８０〜３０００の範囲内であることがより好ましい。２価のパーフルオロポリエーテル基の数平均式量が２５０以上であると、有機フッ素化合物のフッ素系溶媒に対する溶解性が向上するため、潤滑剤層４を形成しやすくなる。また、２価のパーフルオロポリエーテル基の数平均式量が６０００以下であると、２価のパーフルオロポリエーテル基を有する化合物の一般的な有機溶媒に対する溶解度が向上するため、有機フッ素化合物を合成しやすくなる。
【００９６】
πにおけるアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
【００９７】
πの少なくとも一つが単結合であることが好ましい。
【００９８】
Ｒにおけるアルケニル基またはアルキニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、３−ブテン−１−イル基、プロパルギル基（２−プロピニル基）などが挙げられる。その中でも、ビニル基、アリル基またはプロパルギル基が特に好ましい。
【００９９】
また、２個の一般式
Ｒ−π−Ｅ−ＣＨ２−
で表される基は、合成の工程数を縮減する上で、同一であることが好ましい。
【０１００】
有機フッ素化合物、即ち、一般式（１）で表される化合物の具体例としては、後述する、化合物１（Ｃ１）、化合物２（Ｃ２）、化合物３（Ｃ３）、化合物４（Ｃ４）、化合物５（Ｃ５）、化合物６（Ｃ６）、化合物７（Ｃ７）、化合物８（Ｃ８）などが挙げられる。
【０１０１】
なお、一般式（１）で表される化合物は、単独で使用してもよいし、二種以上併用してもよい。
【０１０２】
潤滑剤層４の平均厚みは、０．６ｎｍ（６Å）〜１．５ｎｍ（１５Å）の範囲内とすることが好ましく、０．８ｎｍ〜１．２ｎｍの範囲内とすることが特に好ましい。潤滑剤層４の平均厚みを０．６ｎｍ以上とすることにより、均一な厚みで保護層３の表面を高い被覆率で被覆することができる。また、潤滑剤層４の平均厚みを１．５ｎｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１１の記録密度を高くすることができる。
【０１０３】
保護層３の表面が潤滑剤層４によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１１の表面に吸着した、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質を含む水が、潤滑剤層４の隙間を通り抜けて、潤滑剤層４の下に侵入する。その結果、潤滑剤層４の下層に侵入した環境物質は、潤滑剤層４の下に隠されていた微少なイオン成分を凝集させてイオン性の汚染物質が生成する。そして、磁気記録媒体１１に情報を記録する、または、磁気記録媒体１１に記録された情報を再生する際に、凝集した汚染物質が磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドが破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。このような潤滑剤層４の隙間からの環境物質の侵入に起因する問題は、磁気記録媒体１１を高温条件下で保持した場合、より顕著に現れる。
【０１０４】
汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、イオン性不純物が挙げられる。
【０１０５】
イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンなどが挙げられる。
【０１０６】
イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、ケイ素イオン、塩化物イオン、炭酸水素イオン、硫酸水素イオン、硫酸イオン、アンモニアイオン、シュウ酸イオン、蟻酸イオンなどが挙げられる。
【０１０７】
次に、磁気記録媒体１１の製造方法を説明する。
【０１０８】
まず、非磁性基板１上に、磁性層２と、保護層３とを、この順で有する基体を作製する。
【０１０９】
基体を作製する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
【０１１０】
例えば、前述した密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層、磁性層２の成膜方法としては、スパッタリング法などを用いることができる。
【０１１１】
また、保護層３の成膜方法としては、カーボンターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエンなどの炭化水素の原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法などを用いることができる。
【０１１２】
次に、基体の表面に潤滑剤層用塗布液を塗布する。
【０１１３】
潤滑剤層用塗布液としては、パーフルオロアルカンを９０質量％以上含むフッ素系溶媒に有機フッ素化合物が溶解している溶液を用いる。これにより、基体の浸漬に伴い、有機フッ素化合物の分配平衡を基体の表面上に偏らせることが可能となり、潤滑剤層４を十分な厚さとすることができる。
【０１１４】
パーフルオロアルカンは、一般的に有機化合物を溶解させる能力に乏しいが、パーフルオロアルカンを９０質量％以上含むフッ素系溶媒に有機フッ素化合物を溶解させると、潤滑剤層用塗布液として、十分な濃度の溶液を調製することができる。
【０１１５】
基体上に潤滑剤層が形成される過程は、有機フッ素化合物の基体の表面と溶液中との分配平衡による。このとき、フッ素系溶媒が、一般的に有機化合物を溶解させる能力に乏しいパーフルオロアルカンを９０質量％以上含むことで、有機フッ素化合物が基体の表面に存在しやすいように分配平衡を偏らせることができる。すなわち、パーフルオロアルカンを９０質量％以上含むフッ素系溶媒に有機フッ素化合物が溶解している溶液に基体を浸漬することで、十分な厚さの潤滑剤層４を基体に形成することができる。一方で、一時的に十分な厚さの潤滑剤層４を基体に形成するだけでは、磁気記録媒体１１として、使用することは不可能であり、時間経過に伴って、潤滑剤層４が散逸しないように定着させる必要がある。
【０１１６】
本実施形態において、潤滑剤層４の主成分となる有機フッ素化合物、すなわち、一般式（１）で表される化合物を用いると、上記の方法により、十分な厚さの潤滑剤層４を形成することができる。さらに、一般式（１）で表される化合物は、分子中に反応性の高いアルケニル基またはアルキニル基を有することから、紫外光を照射することにより、基体の表面、すなわち、保護層３の表面のｓｐ２炭素上に存在するダングリングボンドと結合を形成する。このため、潤滑剤層４を定着させることが可能となり、磁気ヘッドの飛行に対する潤滑剤層４の十分な安定性を確保することができ、グライド試験の合格率が高い磁気記録媒体を提供することができる。
【０１１７】
溶液中の有機フッ素化合物の濃度は、０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲内であり、０．００１質量％〜０．０５質量％の範囲内であることが好ましい。溶液中の有機フッ素化合物の濃度が０．０００１質量％未満であると、必要な厚みの潤滑剤層４を形成することができなくなり、０．１質量％を超えると、潤滑剤層４が必要以上に厚くなり、磁気記録媒体１１の記録密度を損なう。
【０１１８】
パーフルオロアルカンの市販品としては、例えば、ＰＦ−５０６０（テトラデカフルオロヘキサン）（３Ｍ社製）などが挙げられる。
【０１１９】
潤滑剤層用塗布液の塗布方法としては、特に限定されないが、浸漬塗布が好ましい。
【０１２０】
具体的には、潤滑剤層用塗布液が入れられた浸漬塗布装置の浸漬槽中に基体を浸漬した後、浸漬槽から基体を一定の速度で引き上げることにより、保護層３上に潤滑剤層４を形成する。このとき、引き上げる気液界面でフッ素系溶媒が蒸発し、有機フッ素化合物が均一に塗布され、均一に混合した潤滑剤層４が形成される。
【０１２１】
（磁気記録再生装置）
図２に、本発明の一実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す。
【０１２２】
磁気記録再生装置１０１は、磁気記録媒体１１（図１参照）と、磁気記録媒体１１を記録方向に駆動する媒体駆動部１２３と、磁気ヘッド１２４と、磁気ヘッド１２４を磁気記録媒体１１に対して相対運動させるヘッド移動部１２６と、磁気ヘッド１２４からの記録再生信号を処理する信号処理部１２８とを有する。磁気ヘッド１２３は、磁気記録媒体に情報を記録する記録部と、磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生部からなる。
【０１２３】
磁気ヘッド１２４の素子部（再生部）をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、記録密度が高くても、十分な信号強度を得ることができ、記録密度が高い磁気記録再生装置を実現することができる。
【０１２４】
また、磁気ヘッド１２４の浮上量を０．００５μｍ（５ｎｍ）〜０．０２０μｍ（２０ｎｍ）で浮上させた場合には、出力が向上して高いＳＮＲが得られ、記録容量が大きく、信頼性が高い磁気記録再生装置とすることができる。
【０１２５】
磁気記録再生装置１０１は、磁気記録媒体１１上に存在する汚染物質が少ない磁気記録媒体１１を有しているので、磁気記録媒体１１上に存在する汚染物質が、磁気記録再生装置１０１の磁気ヘッド１２４に転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることが防止されたものとなる。したがって、磁気記録再生装置１０１は、安定した磁気記録再生特性を有するものとなる。
【０１２６】
また、磁気記録再生装置１０１は、窒化処理が施されていない保護層を有する磁気記録媒体１１を備えるため、窒化処理によって損なわれていた保護層の耐久性や磁性層の性能が向上する。その結果、磁気記録再生装置１０１は、優れた電磁変換特性と耐久性を有する。また、磁気記録再生装置１０１の製造工程数も、従来と比較して、減少する。
【実施例】
【０１２７】
以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。なお、本発明は、実施例のみに限定されるものではない。
【０１２８】
（合成例１）
化合物１および化合物Ａの合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（６．５ｇ、５．０ｍｍｏｌ）と、アリルグリシジルエーテル（１．１４ｇ、１０ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（５ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．５６ｇ、５．０ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で１２時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（１００ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（８．５ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物１を無色油状物質（３．２ｇ、２．１ｍｍｏｌ、収率４２％）として、化合物Ａを無色油状物質（１．４ｇ、１．０ｍｍｏｌ、収率２０％）として得た。
【０１２９】
【化９】
2019067468.tif 000010
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例２）
化合物２の合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（６．５ｇ、５．０ｍｍｏｌ）と、２−（（３−ブテン−１−イロキシ）メチル）オキシラン（１．２８ｇ、１０ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（５ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．５６ｇ、５．０ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で１２時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（１００ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（８．２ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物２を無色油状物質（３．６ｇ、２．３ｍｍｏｌ、収率４６％）として得た。
【０１３０】
【化１０】
2019067468.tif 000011
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例３）
化合物３の合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（６．５ｇ、５．０ｍｍｏｌ）と、プロパルギルグリシジルエーテル（１．１２ｇ、１０ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（５ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．５６ｇ、５．０ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で１２時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（１００ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（６．３ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物３を無色油状物質（１．８ｇ、１．２ｍｍｏｌ、収率２４％）として得た。
【０１３１】
【化１１】
2019067468.tif 000012
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例４）
化合物Ｂの合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（６．５ｇ、５．０ｍｍｏｌ）と、水素化ナトリウム（０．１３ｇ、５．５ｍｍｏｌ、１．１当量）とを、テトラヒドロフラン（１００ｍＬ）と混合した後、臭化アリル（０．６７ｇ、５．５ｍｍｏｌ、１．１当量）を加え、室温で１６時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（１００ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（１００ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（７．９ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物Ｂを無色油状物質（２．９ｇ、２．１ｍｍｏｌ、収率４２％）として得た。
【０１３２】
【化１２】
2019067468.tif 000013
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例５）
化合物５の合成：
合成例４で得た化合物Ｂ（２．７ｇ、２．０ｍｍｏｌ）と、１−（２−オキシラニルメトキシ）−３−（２−プロペン−１−イロキシ）−２−プロパノール（０．７５ｇ、４．０ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（２ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．２２ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で２時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（２０ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（３．３ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物５を無色油状物質（０．７９ｇ、０．５２ｍｍｏｌ、収率２６％）として得た。
【０１３３】
【化１３】
2019067468.tif 000014
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例６）
化合物５の合成：
合成例１で得た化合物Ａ（１．４ｇ、１．０ｍｍｏｌ）と、１−（２−オキシラニルメトキシ）−３−（２−プロペン−１−イロキシ）−２−プロパノール（０．３８ｇ、２．０ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（１ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．１１ｇ、１．０ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で２時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（２０ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（２．１ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物５を無色油状物質（０．２６ｇ、０．１６ｍｍｏｌ、収率１６％）として得た。
【０１３４】
【化１４】
2019067468.tif 000015
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例７）
化合物６の合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（１．３ｇ、１．０ｍｍｏｌ）と、ｐ−アリルフェニルグリシジルエーテル（０．４１ｇ、２．１ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（１ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．２４ｇ、２．１ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で６時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（２０ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（１．５ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物６を無色油状物質（０．７ｇ、０．４１ｍｍｏｌ、収率４１％）として得た。
【０１３５】
【化１５】
2019067468.tif 000016
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例８）
化合物７の合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約２０００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（２．０ｇ、１．０ｍｍｏｌ）と、２−（（（１−（２−プロペン−１−イル）−２−ナフタレニル）オキシ）メチル）オキシラン（０．４８ｇ、２．０ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（１ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．２４ｇ、２．１ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で１９時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（２０ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で二度抽出した。次に、合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（２．２ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（７：３））で精製することで、化合物７を無色油状物質（１．１ｇ、０．４４ｍｍｏｌ、収率４４％）として得た。
【０１３６】
なお、数平均分子量（Ｍｎ）約２０００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）は、化学式
ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ・・・（３Ａ）
（ただし、ｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意である。）
で表される化合物である。
【０１３７】
【化１６】
2019067468.tif 000017
（ただし、Ｒｆ２におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ２の数平均式量は約２０００である。）
（合成例９）
化合物Ｃの合成：
数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（２．６ｇ、２．０ｍｍｏｌ）と、２−（（（１−（２−プロペン−１−イル）−２−ナフタレニル）オキシ）メチル）オキシラン（０．５８ｇ、２．４ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（１ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（０．２７ｇ、２．４ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で３時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（２０ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）で二度抽出した。次に、合わせた有機層を硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、濾過した後、ロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（３．２ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物Ｃを無色油状物質（２．０ｇ、１．３ｍｍｏｌ、収率６６％）として得た。
【０１３８】
【化１７】
2019067468.tif 000018
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（合成例１０）
化合物８の合成：
合成例９で得た化合物Ｃ（０．９６ｇ、０．６２ｍｍｏｌ）と、アリルグリシジルエーテル（９０ｍｇ、０．７９ｍｍｏｌ）とを、ｔ−ブチルアルコール（０．４ｍＬ）と混合した後、カリウム（ｔ−ブトキシド）（８８ｍｇ、０．７８ｍｍｏｌ）を加え、７５℃で１７時間攪拌した。次に、反応混合物を希塩酸（２０ｍＬ）とフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で分液した後、水層をフッ素系溶媒ＡＫ−２２５（旭硝子社製）（２０ｍＬ）で二度抽出した。次に、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、濾過した。次に、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮することで、粗生成物（０．９８ｇ）を淡黄色油状物質として得た。次に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン−酢酸エチル（３：１））で精製することで、化合物８を無色油状物質（０．５５ｇ、０．３３ｍｍｏｌ、収率５３％）として得た。
【０１３９】
【化１８】
2019067468.tif 000019
（ただし、Ｒｆ１におけるｐ及びｑは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意であり、Ｒｆ１の数平均式量は約１３００である。）
（保護層中の窒素原子及び炭素原子の含有量）
走査型Ｘ線光電子分光分析装置ＰＨＩ  Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＩＩ（登録商標）（アルバック・ファイ社製）を用いて、保護層中の窒素原子及び炭素原子の含有量を測定した。このとき、測定された全原子種のピーク面積の合計を１００原子％とし、これに対する窒素原子及び炭素原子に由来するピーク面積の比をそれぞれ求め、窒素原子及び炭素原子の含有量［原子％］とした。
【０１４０】
（潤滑剤層の平均厚み）
フーリエ変換赤外分光光度計Ｎｉｃｏｌｅｔ  ｉＳ５０（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、高感度反射法により、赤外吸収スペクトルのＣ−Ｆ結合の伸縮振動エネルギーに相当する吸収ピークの強度を測定し、潤滑剤層の平均厚みを求めた。このとき、各潤滑剤層について、４点ずつ厚みを測定し、その平均値を平均厚みとした。
【０１４１】
（グライド試験）
磁気記録媒体に対し、ＡＥセンサーを付けた磁気ヘッドを、通常の磁気ヘッドの飛行高さよりも低い高さで飛行させて、表面の突起物を検出する試験をグライド試験という。磁気ヘッドの飛行高さは、通常、７〜１０ｎｍであるが、グライド試験では、磁気ヘッドの飛行高さを４〜７ｎｍとする。磁気記録媒体の全面に亘って、かつ、カバー率が２００％以上となるように、磁気ヘッドをシークさせ、突起物が一点でも観測されると、不合格となる。また、グライド試験は、磁気ヘッドの飛行安定性も同時に評価している。磁気ヘッドの飛行が不安定になると、ノイズが大きくなるが、基本ノイズの大きさを計測して、一定の閾値を用いて、全面において閾値以下であったものを合格とした。
【０１４２】
（実施例１）
外径６５ｍｍの洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置Ｃ−３０４０（アネルバ社製）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
【０１４３】
その後、このガラス基板の上に、スパッタリング法により、ＣｒＴｉターゲットを用いて厚み１０ｎｍの密着層を成膜した。
【０１４４】
次いで、密着層の上に、スパッタリング法により、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅの含有量２０原子％、Ｚｒの含有量５原子％、Ｔａの含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて、１００℃以下の基板温度で、厚み２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜した。さらに、第１軟磁性層の上に、厚み０．７ｎｍのＲｕからなる中間層と、厚み２５ｎｍのＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる第２軟磁性層とを成膜し、軟磁性下地層を形成した。
【０１４５】
次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法により、Ｎｉ−６Ｗ｛Ｗの含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、厚み５ｎｍのシード層を成膜した。その後、シード層の上に、スパッタリング法により、第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして、厚み１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により、第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして、厚み１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。
【０１４６】
続いて、第２の配向制御層の上に、スパッタリング法により、スパッタ圧力を２Ｐａとして、９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒの含有量１５原子％、Ｐｔの含有量１６原子％、残部Ｃｏの合金の含有量９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有量６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２の含有量３ｍｏｌ％｝からなる厚み９ｎｍの第１磁性層を成膜した。
【０１４７】
次に、第１磁性層の上に、スパッタリング法により、スパッタ圧力を２Ｐａとして、８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ２）｛Ｃｒの含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金の含有量８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２の含有量１２ｍｏｌ％｝からなる厚み０．３ｎｍの非磁性層を成膜した。その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により、９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒの含有量１１原子％、Ｐｔの含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金の含有量９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有量５ｍｏｌ％、ＴｉＯ２の含有量３ｍｏｌ％｝からなる厚み６ｎｍの第２磁性層を成膜した。
【０１４８】
その後、第２磁性層の上に、スパッタリング法により、Ｒｕからなる厚み０．３ｎｍの非磁性層を成膜した。次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法により、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１４Ｐｔ−３Ｂ｛Ｃｒの含有量２０原子％、Ｐｔの含有量１４原子％、Ｂの含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして、厚み７ｎｍの第３磁性層を成膜した。次に、ＣＶＤ法により、炭素原子からなる厚み２ｎｍの保護層を成膜し、基体を作製した。
【０１４９】
保護層は、炭素原子を主成分とし、窒素原子の含有量が１原子％未満であった。
【０１５０】
次に、浸漬塗布法を用いて、保護層上に潤滑剤を塗布した。具体的には、まず、化学式
【０１５１】
【化１９】
2019067468.tif 000020
で表される化合物１（Ｃ１）を、濃度が０．００５質量％となるように、テトラデカフルオロヘキサンに溶解させ、潤滑剤層用塗布液を調製した。次に、浸漬塗布装置の浸漬槽に入れられた潤滑剤層用塗布液中に、基体を浸漬した後、浸漬槽から基体を一定の速度で引き上げることにより、基体の保護層上に、平均厚み０．９ｎｍの潤滑剤層を形成した。次に、ナイロンテープおよびアルミナ粒子を含むポリエステルテープを用いて、潤滑剤層を研磨した。
【０１５２】
次に、１５０℃で１０分間空気中で焼成した後、低圧水銀灯ＥＵＶ２００ＵＳ−Ａ２（ＳＥＮ特殊光源社製）を用いて、波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線を２秒間照射し、磁気ディスクを作製した。
【０１５３】
磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品５０枚、不合格品０枚となった（表１参照）。
【０１５４】
（実施例２〜８）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物１の代わりに、表１に記載されている有機フッ素化合物をそれぞれ用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。すなわち、有機フッ素化合物として、化学式
【０１５５】
【化２０】
2019067468.tif 000021
で表される化合物２（Ｃ２）、
化学式
【０１５６】
【化２１】
2019067468.tif 000022
で表される化合物３（Ｃ３）、
化学式
【０１５７】
【化２２】
2019067468.tif 000023
で表される化合物４（Ｃ４）、
化学式
【０１５８】
【化２３】
2019067468.tif 000024
で表される化合物５（Ｃ５）、
化学式
【０１５９】
【化２４】
2019067468.tif 000025
で表される化合物６（Ｃ６）、
化学式
【０１６０】
【化２５】
2019067468.tif 000026
で表される化合物７（Ｃ７）、
化学式
【０１６１】
【化２６】
2019067468.tif 000027
で表される化合物８（Ｃ８）をそれぞれ用いた。
【０１６２】
また、実施例１と同様にして、グライド試験を実施した（表１参照）。
【０１６３】
（比較例１）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物１の代わりに、合成例８で使用した数平均分子量約２０００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）を用い、濃度を０．０１質量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。
【０１６４】
また、実施例１と同様にして、グライド試験を実施した（表１参照）。
【０１６５】
（比較例２）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物１の代わりに、数平均分子量約２０００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）を用い、濃度を０．０１質量％に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。
【０１６６】
また、実施例１と同様にして、グライド試験を実施した（表１参照）。
【０１６７】
なお、数平均分子量約２０００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）は、化学式
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ・・・（４Ａ）
（ただし、ｍおよびｎは平均重合度であり、（ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）との順序は任意である。）
で表される化合物である。
【０１６８】
表１に、潤滑剤層の平均厚み及びグライド試験の結果を示す。
【０１６９】
【表１】
2019067468.tif 000028
表１から、実施例１〜８の磁気記録媒体は、グライド試験の合格率が高いことがわかる。
【０１７０】
これに対して、比較例１、２の磁気記録媒体は、潤滑剤層が有機フッ素化合物を含むものの、一般式（１）で表される化合物を含まないため、グライド試験の合格率が低い。
【０１７１】
なお、実施例１〜３の磁気記録媒体を比較すると、一般式（１）で表される化合物は、Ｒがアリル基であることが好ましいことが示唆される。
【０１７２】
また、実施例１、４および５の磁気記録媒体を比較すると、一般式（１）で表される化合物は、Ｅの構造の好適性を断定的に論じることはできないが、２個のＥがいずれもヒドロキシ基を有することが好ましいことが示唆される。
【０１７３】
さらに、実施例１、６〜８の磁気記録媒体を比較すると、一般式（１）で表される化合物は、２個のπの少なくとも一方が単結合であることが好ましいことが示唆される。
【符号の説明】
【０１７４】
１    非磁性基板
２    磁性層
３    保護層
４    潤滑剤層
１１    磁気記録媒体
１０１    磁気記録再生装置
１２３    媒体駆動部
１２４    磁気ヘッド
１２６    ヘッド移動部
１２８    信号処理部
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本実施形態の磁気記録媒体および磁気記録再生装置は、高い記録密度と耐久性を示し、かつ製造工程数が削減された磁気記録媒体および磁気記録再生装置を利用する産業において利用可能性がある。
【図１】
2019067468.tif 000037
【図２】
2019067468.tif 000038