(57)【要約】      （修正有）【課題】被加工物の内部に良好な加工を施すことができるレーザー加工装置を提供する。【解決手段】レーザー照射手段は、レーザー光線ＬＢを発振する発振器２８と、発振器２８が発振したレーザー光線ＬＢを集光する集光器とを含む。集光器は、凹レンズ３８と、凹レンズ３８と所定の間隔をもって配設され大気中において集光点の収差が零となる位置に配設された凸レンズ４０と、凹レンズ３８に対する凸レンズ４０の距離を変更して大気中において集光点に収差を生成するアクチュエーター４２とから少なくとも構成される。アクチュエーター４２は、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成する。【選択図】図２
2019042749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置づけてレーザー光線を被加工物に照射して加工を施すレーザー照射手段と、該保持手段と該レーザー照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置であって、
該レーザー照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光する集光器と、を含み、
該集光器は、凹レンズと、該凹レンズと所定の間隔をもって配設され大気中において集光点の収差が零となる位置に配設された凸レンズと、該凹レンズに対する該凸レンズの距離を変更して大気中において集光点に収差を生成するアクチュエーターと、から少なくとも構成され、
該アクチュエーターは、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成するレーザー加工装置。
【請求項２】
該アクチュエーターは、ピエゾ素子によって構成される請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の内部に加工を施すためのレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ、ＳＡＷフィルタ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されＳｉ（シリコン）基板、ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板、Ａｌ２Ｏ３（サファイア）基板、ＬｉＴａＯ３（リチウムタンタレート）基板等の上面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
レーザー加工装置は下記（１）又は（２）のタイプのものが存在する。
（１）ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに位置づけてレーザー光線をウエーハに照射しアブレーション加工によって分割予定ライン上に溝を形成して個々のデバイスに分割するタイプ（たとえば特許文献１参照。）
（２）ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に改質層を形成して個々のデバイスに分割するタイプ（たとえば特許文献２参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献３】特開２０１６−１１１１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レーザー光線の集光点の収差が大気中において零となる集光器を用いて集光点を被加工物の内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射しても必ずしも良好な改質層が形成されるわけではないという問題がある。かかる問題は、ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの領域に集光点を位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射しＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共にクラックがｃ面に沿って延びた剥離層を形成する場合（たとえば上記特許文献３参照。）にも生じ得る。
【０００６】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、被加工物の内部に良好な加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のレーザー加工装置である。すなわち、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置づけてレーザー光線を被加工物に照射して加工を施すレーザー照射手段と、該保持手段と該レーザー照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置であって、該レーザー照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光する集光器と、を含み、該集光器は、凹レンズと、該凹レンズと所定の間隔をもって配設され大気中において集光点の収差が零となる位置に配設された凸レンズと、該凹レンズに対する該凸レンズの距離を変更して大気中において集光点に収差を生成するアクチュエーターと、から少なくとも構成され、該アクチュエーターは、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成するレーザー加工装置である。光学上、集光点の収差が完全に零になることはないところ、本明細書において集光点の収差が零であるとは、レーザー加工が良好に行われる程度に限りなく小さく、実質的に零とみなすことができる収差を意味する。
【０００８】
好ましくは、該アクチュエーターは、ピエゾ素子によって構成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明が提供するレーザー加工装置は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置づけてレーザー光線を被加工物に照射して加工を施すレーザー照射手段と、該保持手段と該レーザー照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置であって、該レーザー照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光する集光器と、を含み、該集光器は、凹レンズと、該凹レンズと所定の間隔をもって配設され大気中において集光点の収差が零となる位置に配設された凸レンズと、該凹レンズに対する該凸レンズの距離を変更して大気中において集光点に収差を生成するアクチュエーターと、から少なくとも構成され、該アクチュエーターは、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成するように構成されているので、被加工物の内部に良好な加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー照射手段のブロック図。
【図３】図２に示すピエゾ素子の上下方向寸法の変化量の電圧特性の一例を示すグラフ。
【図４】ウエーハの斜視図。
【図５】図１に示すレーザー加工装置を用いて図４に示すウエーハの内部に加工を施している状態を示す斜視図。
【図６】（ａ）ＳｉＣインゴットの正面図、（ｂ）ＳｉＣインゴットの平面図、（ｃ）ＳｉＣインゴットの斜視図。
【図７】（ａ）図１に示すレーザー加工装置を用いて図６に示すＳｉＣインゴットの内部に加工を施している状態を示す斜視図、（ｂ）（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１に示すレーザー加工装置２は、被加工物を保持する保持手段４と、保持手段４に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置づけてレーザー光線を被加工物に照射して加工を施すレーザー照射手段６と、保持手段４とレーザー照射手段６とを相対的に加工送りする加工送り手段８と、から少なくとも構成される。
【００１３】
図１に示すとおり、保持手段４は、Ｘ軸方向に移動自在に基台１０に搭載されたＸ軸方向可動板１２と、Ｙ軸方向に移動自在にＸ軸方向可動板１２に搭載されたＹ軸方向可動板１４と、Ｙ軸方向可動板１４の上面に固定された支柱１６と、支柱１６の上端に固定されたカバー板１８とを含む。カバー板１８にはＹ軸方向に延びる長穴１８ａが形成され、長穴１８ａを通って上方に延びるチャックテーブル２０が支柱１６の上端に回転自在に搭載されている。チャックテーブル２０の上面には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の吸着チャック２２が配置されている。そして、チャックテーブル２０は、吸引手段で吸着チャック２２の上面に吸引力を生成することにより、吸着チャック２２の上面に載せられた被加工物を吸着して保持することができる。また、チャックテーブル２０の周縁には、周方向に間隔をおいて複数のクランプ２４が配置されている。なお、Ｘ軸方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ軸方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ軸方向に直交する方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
【００１４】
図１及び図２を参照してレーザー照射手段８について説明する。図１に示すとおり、レーザー照射手段６は、基台１０の上面から上方に延び次いで実質上水平に延びる枠体２６を含む。図２に示すとおり、枠体２６の内部には、被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器２８と、発振器２８が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力を調整するアッテネーター３０と、アッテネーター３０によって出力が調整されたパルスレーザー光線ＬＢの光路を変換するミラー３２とが配置されている。また、図１に示すとおり、枠体２６の先端下面には、ミラー３２によって光路が変換されたパルスレーザー光線ＬＢを集光する集光器３４と、チャックテーブル２０に保持された被加工物を撮像してレーザー加工すべき領域を検出するための撮像手段３６とが、Ｘ軸方向に間隔をおいて装着されている。
【００１５】
図２を参照して集光器３４について説明する。集光器３４は、凹レンズ３８と、凹レンズ３８と所定の間隔をもって配設され大気中においてパルスレーザー光線ＬＢの集光点の収差が零となる位置に配設された凸レンズ４０と、凹レンズ３８に対する凸レンズ４０の距離を変更して大気中において集光点に収差を生成するアクチュエーター４２と、から少なくとも構成され、アクチュエーター４２は、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成するようになっている。凹レンズ３８は、昇降自在に枠体２６に装着された凹レンズ支持部４４に支持されている。凸レンズ４０は、上下方向に間隔をおいて配置された第一の凸レンズ４０ａ、第二の凸レンズ４０ｂ及び第三の凸レンズ４０ｃから構成され、凹レンズ支持部４４の下方に配置された凸レンズ支持部４６に支持されている。図示の実施形態におけるアクチュエーター４２は、凹レンズ支持部４４の下端と凸レンズ支持部４６の上端とに接続されたピエゾ素子によって構成されている。所定の上下方向寸法Ｌに形成されているピエゾ素子は、電源を有するコントローラ４８に電気的に接続され、コントローラ４８から印加される電圧の大きさに応じて上下方向寸法Ｌが変化するようになっている。ピエゾ素子に印加される電圧とピエゾ素子の上下方向寸法Ｌの変化量ΔＬとの関係は、たとえば図３に示すとおりの比例関係である。図２に示すとおり、凹レンズ支持部４４は、ナット部５０ａが凹レンズ支持部４４に固定され上下方向に延びるボールねじ５０と、ボールねじ５０の片端部に連結されたモータ５２とを有する集光点位置調整手段５４によって昇降されるようになっており、これによって集光器３４で集光するパルスレーザー光線ＬＢの集光点の上下方向位置が調整される。このような構成の集光器３４においては、アクチュエーター４２のピエゾ素子に電圧が印加されていない状態では、集光点の収差が大気中において零となるように凹レンズ３８に対して凸レンズ４０が配置されている。一方、アクチュエーター４２のピエゾ素子に電圧が印加されると、ピエゾ素子の上下方向寸法Ｌが変化することにより、凹レンズ３８に対する凸レンズ４０の距離が変更され、大気中においてパルスレーザー光線ＬＢの集光点に収差が生成される。そして、集光器３４においては、被加工物の屈折率や加工位置の深さに応じてピエゾ素子に印加する電圧を適宜調整することにより、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成することができるようになっている。
【００１６】
図１を参照して加工送り手段８について説明する。加工送り手段８は、レーザー照射手段６に対してチャックテーブル２０をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動手段５６と、レーザー照射手段６に対してチャックテーブル２０をＹ軸方向に移動させるＹ軸方向移動手段５８と、支柱１６に対してチャックテーブル２０を回転させる回転手段（図示していない。）とを含む。Ｘ軸方向移動手段５６は、基台１０上においてＸ軸方向に延びるボールねじ６０と、ボールねじ６０の片端部に連結されたモータ６２とを有する。ボールねじ６０のナット部（図示していない。）は、Ｘ軸方向可動板１２の下面に固定されている。そしてＸ軸方向移動手段５６は、ボールねじ６０によりモータ６２の回転運動を直線運動に変換してＸ軸方向可動板１２に伝達し、基台１０上の案内レール１０ａに沿ってＸ軸方向可動板１２をＸ軸方向に進退させ、これによってレーザー照射手段６に対してチャックテーブル２０をＸ軸方向に移動させる。Ｙ軸方向移動手段５８は、Ｘ軸方向可動板１２上においてＹ軸方向に延びるボールねじ６４と、ボールねじ６４の片端部に連結されたモータ６６とを有する。ボールねじ６４のナット部（図示していない。）は、Ｙ軸方向可動板１４の下面に固定されている。そしてＹ軸方向移動手段５８は、ボールねじ６４によりモータ６６の回転運動を直線運動に変換してＹ軸方向可動板１４に伝達し、Ｘ軸方向可動板１２上の案内レール１２ａに沿ってＹ軸方向可動板１４をＹ軸方向に進退させ、これによってレーザー照射手段６に対してチャックテーブル２０をＹ軸方向に移動させる。回転手段は、支柱１６に内蔵されたモータ（図示していない。）を有し、上下方向に延びる軸線を中心として支柱１６に対してチャックテーブル２０を回転させる。
【００１７】
図４には、被加工物の一例としてのウエーハ７０が示されている。Ｓｉ（シリコン）基板、ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板、ＬｉＴａＯ３（リチウムタンタレート）基板等から形成され得る円盤状のウエーハ７０の表面７０ａは、格子状の分割予定ライン７２によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはデバイス７４が形成されている。図示の実施形態では、周縁が環状フレーム７６に固定された粘着テープ７８にウエーハ７０の裏面７０ｂが貼り付けられている。
【００１８】
被加工物をウエーハ７０として、上述のレーザー加工装置２を用いてウエーハ７０の内部に改質層を形成する加工方法について説明する。図示の実施形態では、まず、ウエーハ７０の表面７０ａを上に向けて、チャックテーブル２０の上面にウエーハ７０を吸着させると共に、環状フレーム７６の外周縁部を複数のクランプ２４で固定する。次いで、撮像手段３６で上方からウエーハ７０を撮像する。次いで、撮像手段３６で撮像したウエーハ７０の画像に基づいて、Ｘ軸方向移動手段５６、Ｙ軸方向移動手段５８及び回転手段でチャックテーブル２０を移動及び回転させることにより、格子状の分割予定ライン７２をＸ軸方向に整合させると共に、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン７２の片端部の上方に集光器３４を位置づける。次いで、ウエーハ７０の屈折率や加工位置の深さに応じた適宜の電圧をアクチュエーター４２としてのピエゾ素子に印加して凹レンズ３８に対する凸レンズ４０の距離を変更することにより、ウエーハ７０の内部においてパルスレーザー光線ＬＢの集光点の収差が零となるように大気中において集光点の収差を生成する。次いで、集光点位置調整手段５４によって集光点を分割予定ライン７２の内部に位置づける。次いで、図５に示すとおり、集光点に対してチャックテーブル２０を所定の送り速度でＸ軸方向移動手段５６によってＸ軸方向に移動させながら、ウエーハ７０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３４からウエーハ７０に照射する改質層形成加工を行う。図示の実施形態では、ウエーハ７０の内部において集光点の収差が零であることから、改質層形成加工を行うことによって、分割予定ライン７２に沿ってウエーハ７０の内部に分割の起点となる改質層８０を良好に形成することができる。次いで、分割予定ライン７２の間隔の分だけ、集光点に対してチャックテーブル２０をＹ軸方向移動手段５８でＹ軸方向にインデックス送りする。そして、改質層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン７２のすべてに改質層形成加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブル２０を９０度回転させた上で、改質層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に改質層形成加工を施した分割予定ライン７２と直交する分割予定ライン７２のすべてにも改質層形成加工を施し、格子状の分割予定ライン７２に沿って改質層８０を形成する。このような加工方法は、たとえば、屈折率が３．５のＳｉ（シリコン）からウエーハ７０が形成されている場合には、以下の加工条件で実施することができる。なお、下記の標準位置とは、大気中においてレーザー光線の集光点の収差が零となる凸レンズの位置である。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：１０ｋＨｚ
平均出力                    ：１．０Ｗ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．７
送り速度                    ：１００ｍｍ／ｓ
集光器                      ：凹レンズから凸レンズを標準位置から１６８μｍ遠
ざけて、大気中において２８μｍの収差を生成
改質層の位置                ：ウエーハの表面から深さ４５０μｍの位置
【００１９】
また、屈折率が２．２のＬｉＴａＯ３（リチウムタンタレート）からウエーハ７０が形成されている場合には、以下の加工条件で上述の加工方法を実施することにより、分割予定ライン７２に沿ってウエーハ７０の内部に分割の起点となる改質層８０を良好に形成することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：１０ｋＨｚ
平均出力                    ：１．０Ｗ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．７
送り速度                    ：１００ｍｍ／ｓ
集光器                      ：凹レンズから凸レンズを標準位置から２７０μｍ遠
ざけて、大気中において４５μｍの収差を生成
改質層の位置                ：ウエーハの表面から深さ４５０μｍの位置
【００２０】
さらに、上述のレーザー加工装置２を用いると、ＳｉＣ（炭化ケイ素）インゴットの内部にウエーハを剥離するための剥離層を良好に形成することができる。図６に示すＳｉＣインゴット９０は、屈折率が２．６であり、六方晶単結晶ＳｉＣから全体として円柱形状に形成されており、円形状の第一の面９２と、第一の面９２と反対側の円形状の第二の面９４と、第一の面９２及び第二の面９４の間に位置する周面９６と、第一の面９２から第二の面９４に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。ＳｉＣインゴット９０においては、第一の面９２の垂線９８に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の面９２とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図６に矢印Ａで示す。周面９６には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１００及び第二のオリエンテーションフラット１０２が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１００は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１０２は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図６（ｂ）に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット１０２の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１００の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。なお、レーザー加工装置２によって加工が施され得るＳｉＣインゴットは、第一の面の垂線に対してｃ軸が傾いておらず、ｃ面と第一の面とのオフ角が０度である（すなわち、第一の面の垂線とｃ軸とが一致している）ＳｉＣインゴットでもよい。
【００２１】
レーザー加工装置２を用いて、ＳｉＣインゴット９０の内部に剥離層を形成する際は、まず、チャックテーブル２０の上面にＳｉＣインゴット９０を吸着させ、撮像手段３６で上方からＳｉＣインゴット９０を撮像する。次いで、撮像手段３６で撮像したＳｉＣインゴット９０の画像に基づいて、Ｘ軸方向移動手段５６、Ｙ軸方向移動手段５８及び回転手段でチャックテーブル２０を移動及び回転させることにより、ＳｉＣインゴット９０の向きを所定の向きに調整すると共にＳｉＣインゴット９０と集光器３４とのＸＹ平面における位置を調整する。ＳｉＣインゴット９０の向きを所定の向きに調整する際は、図７（ａ）に示すとおり、第二のオリエンテーションフラット１０２をＸ軸方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ軸方向に整合させる。次いで、ＳｉＣインゴット９０の屈折率や加工位置の深さに応じた適宜の電圧をアクチュエーター４２としてのピエゾ素子に印加して凹レンズ３８に対する凸レンズ４０の距離を変更することにより、ＳｉＣインゴット９０の内部においてパルスレーザー光線ＬＢの集光点の収差が零となるように大気中において集光点の収差を生成する。次いで、集光点位置調整手段５４によって集光点をＳｉＣインゴット９０の上端面（図示の実施形態では第一の面９２）から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づける。次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ軸方向に集光点に対してチャックテーブル２０を所定の送り速度でＸ軸方向移動手段５６によって移動させながら、ＳｉＣインゴット９０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３４からＳｉＣインゴット９０に照射する剥離層形成加工を行う。図示の実施形態では、ＳｉＣインゴット９０の内部において集光点の収差が零であることから、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層１０４と、改質層１０４からｃ面に沿って改質層１０４の両側に延びるクラック１０６とを良好に形成することができる。次いで、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ軸方向に、集光点に対してチャックテーブル２０をＹ軸方向移動手段５８で所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りする。そして、剥離層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に沿って延びる直線状の改質層１０４を、オフ角αが形成される方向Ａに所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて複数形成すると共に、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接するクラック１０６とクラック１０６とが重なるようにする。これによって、ＳｉＣインゴット９０の上端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、複数の改質層１０４およびクラック１０６からなる、ＳｉＣインゴット９０からウエーハを剥離するための剥離層１０８を形成することができる。このような加工方法は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：８０ｋＨｚ
平均出力                    ：３．２Ｗ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．７
インデックス量              ：２５０〜４００ｍｍ
送り速度                    ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
集光器                      ：凹レンズから凸レンズを標準位置から２３７μｍ遠
ざけて、大気中において３５μｍの収差を生成
剥離層の位置                ：ＳｉＣインゴットの端面から深さ４５０μｍの位置
なお、上述の説明では、剥離層形成加工においてオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に集光点に対してＳｉＣインゴット９０を相対的に移動させ、かつインデックス送りにおいてオフ角αが形成される方向Ａに集光点に対してＳｉＣインゴット９０を相対的に移動させる例を説明したが、集光点に対するＳｉＣインゴット９０の相対的な移動方向はオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向でなくてもよく、また、インデックス送りにおける集光点に対するＳｉＣインゴット９０の相対的な移動方向はオフ角αが形成される方向Ａでなくてもよい。
【００２２】
以上のとおり図示の実施形態では、集光器３４は、凹レンズ３８と、凹レンズ３８と所定の間隔をもって配設され大気中において集光点の収差が零となる位置に配設された凸レンズ４０と、凹レンズ３８に対する凸レンズ４０の距離を変更して大気中において集光点に収差を生成するアクチュエーター４２と、から少なくとも構成され、アクチュエーター４２は、被加工物の内部において集光点の収差が零となるように大気中において収差を生成するように構成されているので、被加工物の内部に良好な加工を施すことができる。
【００２３】
なお、ウエーハ７０の内部に改質層を形成する説明では、ウエーハ７０の表面７０ａを上に向けてパルスレーザー光線ＬＢを表面７０ａからウエーハ７０に照射する例を説明したが、ウエーハ７０の裏面７０ｂを上に向けてパルスレーザー光線ＬＢを裏面７０ｂからウエーハ７０に照射してもよい。ウエーハ７０の裏面７０ｂを上に向けてパルスレーザー光線ＬＢを裏面７０ｂからウエーハ７０に照射する場合には、赤外線カメラを備える撮像手段によって、ウエーハ７０の裏面７０ｂから透かして表面７０ａの分割予定ライン７２を撮像して、分割予定ライン７２と集光器３４との位置合わせ（アライメント）を行う。
【符号の説明】
【００２４】
２：レーザー加工装置
４：保持手段
６：レーザー照射手段
８：加工送り手段
２８：発振器
ＬＢ：パルスレーザー光線
３４：集光器
３８：凹レンズ
４０：凸レンズ
４０ａ：第一の凸レンズ
４０ｂ：第二の凸レンズ
４０ｃ：第三の凸レンズ
４２：アクチュエーター
【図１】
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【図２】
2019042749.tif 000004
【図３】
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【図４】
2019042749.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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