(57)【要約】【課題】効率的な冷却を実現しつつ劣化の促進を抑制可能なヒートシンクを提供する。【解決手段】ヒートシンク２は、冷媒流路２０を備える。冷媒流路２０は、第１方向Ｄ１に沿って延びる第１流路部２３及び第２流路部２４と、第２方向Ｄ２に沿って延びる第３流路部２５と、第３流路部２５と第２流路部２４とを接続する屈曲部２６と、を含む。第３流路部２５の断面積Ｓ２５は、深さＤ２５が第１流路部２３及び第２流路部２４の深さＤ２３，Ｄ２４よりも浅いことにより、第１流路部２３及び第２流路部２４の断面積Ｓ２３，Ｓ２４よりも小さくされている。屈曲部２６は、第１方向Ｄ１における第３流路部２５の側端部２５ｒに対応する位置から第２流路部２４に向かって延び、深さＤ２６ａが第２流路部２４よりも浅くされた浅部領域２６Ａを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子を冷却するためのヒートシンクであって、
第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる主面と、
冷媒が流通する冷媒流路と、を備え、
前記主面は、前記第１方向及び前記第２方向に交差する第３方向からみて前記半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含み、
前記冷媒流路は、冷媒が導入される導入部と、前記冷媒が導出される導出部と、前記第１方向に沿って前記導入部から前記載置エリアに向かうように延びる第１流路部と、前記第１方向に沿って前記載置エリアから前記導出部に至るように延びる第２流路部と、前記第３方向からみて前記載置エリアに重複する位置において前記第１流路部から前記第２流路部に向かうように前記第２方向に沿って延びる第３流路部と、前記第２方向における前記第３流路部の端部と前記第１方向における前記第２流路部の端部とを接続する屈曲部と、を含み、
前記第３流路部の断面積は、前記第３方向についての前記第３流路部の深さが前記第３方向についての前記第１流路部及び前記第２流路部の深さよりも浅いことにより、前記第１流路部及び前記第２流路部の断面積よりも小さくされており、
前記屈曲部は、前記第１方向における前記第３流路部の端部に対応する位置から前記第２流路部に向かって延び、前記第３方向についての深さが前記第２流路部よりも浅くされた浅部領域を含む、
ヒートシンク。
【請求項２】
前記第１方向についての前記浅部領域の幅は、前記第１方向についての前記第３流路部の幅以下である、
請求項１に記載のヒートシンク。
【請求項３】
前記第１方向についての前記浅部領域の幅は、前記第１方向についての前記第３流路部の幅の１／２以上２／３以下である、
請求項２に記載のヒートシンク。
【請求項４】
前記浅部領域と前記第２流路部との間には、前記第１方向の反対方向に向かうにつれて前記第３方向についての深さが漸増する漸増領域が設けられている、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【請求項５】
前記屈曲部の端部は曲面状に形成されている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートシンクに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、レーザダイオードアレイを冷却するためのヒートシンクが記載されている。このヒートシンクは、冷却水が流れる水路が形成された放熱体を備えている。水路には、レーザダイオードアレイが載置される領域において、冷却水の乱流を生じさせる屈曲部が形成されている。これにより、水路内を流れる冷却水の温度分布の均一化が図られている。
【０００３】
特許文献２には、電子部品を冷却するための冷却プレートが記載されている。この冷却プレートは、冷媒が貫流する流通路を有する良熱伝導部材からなる。流通路においては、電子部品の表面に対向する部分の断面積が、他の部分の断面積よりも小さくなるように、当該電子部品に対向する部分の内壁に突起部材が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４６２５９８号
【特許文献２】特公平７−７０８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、ヒートシンク等の冷却部材にあっては、冷媒に乱流を生じさせたり、流路の断面積を部分的に小さくしたりする等、効率的な冷却が図られている。これに対して、本発明者らは、互いに断面積が異なる流路が屈曲して接続されている部分においては、流路を形成する部材の劣化が促進されるおそれがあるとの問題点を見出した。
【０００６】
本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、効率的な冷却を実現しつつ劣化の促進を抑制可能なヒートシンクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の問題点を勘案してさらなる検討を進めた結果、互いに断面積が異なる流路が屈曲して接続されている部分にあっては、屈曲方向の冷媒の流れと、断面積が拡大する方向への冷媒の流れといったように、複数の方向への冷媒の流れが生じることに起因して意図せず乱流が生じることにより、当該部分において流路を形成する部材の劣化が促進されるとの知見を得るに至った。本発明は、そのような知見に基づいてなされたものである。
【０００８】
すなわち、本発明に係るヒートシンクは、半導体レーザ素子を冷却するためのヒートシンクであって、第１方向及び第１方向に交差する第２方向に沿って延びる主面と、冷媒が流通する冷媒流路と、を備え、主面は、第１方向及び第２方向に交差する第３方向からみて半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含み、冷媒流路は、冷媒が導入される導入部と、冷媒が導出される導出部と、第１方向に沿って導入部から載置エリアに向かうように延びる第１流路部と、第１方向に沿って載置エリアから導出部に至るように延びる第２流路部と、第３方向からみて載置エリアに重複する位置において第１流路部から第２流路部に向かうように第２方向に沿って延びる第３流路部と、第２方向における第３流路部の端部と第１方向における第２流路部の端部とを接続する屈曲部と、を含み、第３流路部の断面積は、第３方向についての第３流路部の深さが第３方向についての第１流路部及び第２流路部の深さよりも浅いことにより、第１流路部及び第２流路部の断面積よりも小さくされており、屈曲部は、第１方向における第３流路部の端部に対応する位置から第２流路部に向かって延び、第３方向についての深さが第２流路部よりも浅くされた浅部領域を含む。
【０００９】
このヒートシンクは、冷却対象である半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含む主面と冷媒流路とを有する。冷媒流路は、第１方向に沿って延びる第１流路部及び第２流路部と、第１流路部から第２流路部に向かうように第２方向に沿って延びる第３流路部と、第２流路部と第３流路部とを接続する屈曲部と、を含む。第１流路部は冷媒の導入部に接続されており、第２流路部は冷媒の導出部に接続されている。したがって、ここでは、冷媒は、第１流路部、第３流路部、屈曲部、及び、第２流路部の順に流通する。
【００１０】
特に、第３流路部は、載置エリアに重複する位置に設けられており、且つ、相対的に浅く断面積が小さくされている。このため、冷媒の流速が第３流路部を流通する際に増大され、載置エリアでの効率的な冷却が実現される。ここで、第２流路部と第３流路部とを接続する屈曲部は、第１方向における第３流路部の端部に対応する位置から第２流路部に向かって延び、相対的に浅い浅部領域を含む。このため、第３流路部を流通した冷媒が、この浅部領域において少なくとも部分的に屈曲して流通してから、相対的に深く断面積が大きな第２流路部に至る。したがって、当該屈曲部において、屈曲方向への冷媒の流れと、深さ方向（第３方向）への冷媒の流れとが混在しにくく、乱流の発生が抑制される。この結果、当該屈曲部において劣化の促進を抑制できる。
【００１１】
本発明に係るヒートシンクにおいては、第１方向についての浅部領域の幅は、第１方向についての第３流路部の幅以下であってもよい。浅部領域の幅をこのように設定することにより、乱流の発生を十分に抑制し、劣化の促進を抑制できる。
【００１２】
本発明に係るヒートシンクにおいては、第１方向についての浅部領域の幅は、第１方向についての第３流路部の幅の１／２以上２／３以下であってもよい。この場合には、浅部領域の幅が第３流路部の幅と同等である場合と比較して、圧力損失を抑制できる。
【００１３】
本発明に係るヒートシンクにおいては、浅部領域と第２流路部との間には、第１方向の反対方向に向かうにつれて第３方向についての深さが漸増する漸増領域が設けられていてもよい。この場合、深さ方向（第３方向）について、乱流の発生をより確実に抑制できる。
【００１４】
本発明に係るヒートシンクにおいては、屈曲部の端部は曲面状に形成されていてもよい。この場合にも、乱流の発生をより確実に抑制できる。また、冷媒の流通方向の急変を抑制することにより、直接的に劣化を抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、効率的な冷却を実現しつつ劣化の促進を抑制可能なヒートシンクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿っての概略断面図である。
【図３】図１，２に示されたヒートシンクを示す図である。
【図４】図３に示された冷媒流路を示す図である。
【図５】変形例に係る冷媒流路を示す図である。
【図６】別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。
【図７】さらに別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して半導体レーザ装置の一実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素同士、或いは、相当する要素同士には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。また、各図においては、第１方向Ｄ１、第１方向に交差（例えば直交）する第２方向Ｄ２、及び、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に交差（例えば直交）する第３方向Ｄ３を示す座標系Ｓを記す。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿っての概略断面図である。図１，２に示されるように、半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２と、基板３と、レーザユニット４と、を備えている。レーザユニット４は、一対のサブマウント５と、サブマウント５の間に配置された半導体レーザバー（半導体レーザ素子）６と、を有している。基板３は、絶縁層７を介して、第３方向Ｄ３に沿ってヒートシンク２上に積層されている。基板３は、例えば銅といった金属からなる。
【００１９】
絶縁層７は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの伝熱性及び電気絶縁性を有する材料によって板状に形成されている。絶縁層７の他の形成材料としては、炭化珪素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドなどが挙げられる。絶縁層７の両面は、ヒートシンク２と基板３との接合のため、メタライズ層が形成されている（メタライズされている）。基板３のヒートシンク２側の面は、全面にわたって絶縁層７を介してヒートシンク２に接合されている。ヒートシンク２と絶縁層７との接合には、鉛フリーの観点から、例えばインジウム（Ｉｎ）ハンダ、ＳｎＡｇＣｕハンダなどが用いられる。
【００２０】
メタライズ層は、例えば絶縁層７の表面側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）／銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の４層の金属層によって構成されている。メタライズ層は、例えば蒸着によって形成される。メタライズ層の厚さは、絶縁層７の両面において互いに等しい。メタライズ層の形成に起因する反りを抑えることができる。
【００２１】
レーザユニット４は、基板３上に設置されている。サブマウント５は、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）などの熱導電性及び電気伝導性を有する材料によって板状に形成されている。サブマウント５の他の構成材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、タングステン（Ｗ）、銅モリブデン（ＭｏＣｕ）複合材料、銅ダイヤモンド複合材料などが挙げられる。サブマウント５の表面には、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）による２層のめっき層、或いはクロム（Ｃｒ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）による３層のめっき層が形成されていてもよい。各サブマウント５は、基板３に対してハンダ接合されている。各サブマウント５と基板３との接合には、例えばインジウム（Ｉｎ）ハンダが用いられる。
【００２２】
半導体レーザバー６は、例えば板状をなしている。半導体レーザバー６の先端面は、複数の発光領域を有する出射端面となっている。半導体レーザバー６は、サブマウント５に接合されている。半導体レーザバー６とサブマウント５との接合には、ヒートシンク２と基板３との接合に用いられるハンダよりも高融点のハンダが用いられる。このようなハンダとしては、例えば金錫ハンダが挙げられる。
【００２３】
半導体レーザバー６は、化合物半導体からなる基板を有しており、発光領域に対応する位置に活性層が位置し、活性層の両側にクラッド層が位置している。基板の材料としては、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）などが挙げられる。本実施形態では、例えば基板の主成分はヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）である。活性層にはヒ化ガリウムに加えてインジウム（Ｉｎ）が含まれ、クラッド層にはヒ化ガリウムに加えてアルミニウム（Ａｌ）が含まれている。
【００２４】
以上のような半導体レーザ装置１を駆動する場合、サブマウント５に接続されている基板３に駆動電圧を印加する。これにより、半導体レーザバー６に駆動電流が供給され、その出射端面の複数の発光領域からそれぞれレーザ光が発振する。レーザ発振時に半導体レーザバー６で発生した熱は、サブマウント５から基板３に伝わり、ヒートシンク２側に放熱される。すなわち、半導体レーザバー６は、一方のサブマウント５、基板３、及び絶縁層７を介してヒートシンク２に熱的に接続されており、レーザ発振時に発生した熱がヒートシンク２を介して放出されるようになっている。
【００２５】
引き続いて、図１，２に示されたヒートシンクの一実施形態について説明する。図３は、図１，２に示されたヒートシンクを示す図である。図３の（ａ）は平面図であり、図３の（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿っての断面図である。図４は、図３に示された冷媒流路を示す図である。図４の（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は平面図である。図３，４に示されるヒートシンク２は、例えば、銅等の金属といった高い伝熱性を有する材料によって肉厚の矩形板状に形成されている。ヒートシンク２は、上述したように、半導体レーザバー６を冷却するためのものである。ヒートシンク２は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って延びる矩形状の主面２ｓを有している。
【００２６】
主面２ｓは、第３方向Ｄ３からみて半導体レーザバー６（レーザユニット４）が載置される載置エリア２ａを含む。載置エリア２ａは、例えば、第３方向Ｄ３に沿って半導体レーザバー６に重複する矩形状のエリアである。
【００２７】
ヒートシンク２には、冷媒（例えば水等の冷却液）が流通する冷媒流路２０が形成されている。冷媒流路２０は、第３方向Ｄ３からみて、全体としてＵ字状に屈曲して形成されている。具体的には、冷媒流路２０は、導入部２１、導出部２２、第１流路部２３、第２流路部２４、第３流路部２５、及び、屈曲部２６を含む。第１流路部２３、第２流路部２４、及び、第３流路部２５は、直方体状を呈している。導入部２１は、冷媒流路２０に冷媒を導入する（導入部２１から冷媒が導入される）。導出部２２は、冷媒流路２０から冷媒を導出する（導出部２２から冷媒が導出される）。
【００２８】
第１流路部２３は、第１方向Ｄ１に沿って導入部２１から載置エリア２ａに向かうように延びている。第１流路部２３は、一端部２３ａにおいて導入部２１に接続されており、他端部２３ｂにおいて第３流路部２５に接続されている。第１流路部２３は、第３方向Ｄ３についての深さＤ２３を有し、第１方向Ｄ１に交差（直交）する断面における断面積Ｓ２３を有している。
【００２９】
第２流路部２４は、第１方向Ｄ１に沿って載置エリア２ａから導出部２２に至るように延びている。第２流路部２４は、一端部２４ａにおいて屈曲部２６に接続されており、他端部２４ｂにおいて導出部２２に接続されている。第２流路部２４は、第３方向Ｄ３についての深さＤ２４を有し、第１方向Ｄ１に交差（直交）する断面における断面積Ｓ２４を有している。ここでは、一例として、深さＤ２３と深さＤ２４とは互いに略同一であり、断面積Ｓ２３と断面積Ｓ２４とは互いに略同一である。
【００３０】
第３流路部２５は、主面２ｓ近傍において、第１流路部２３から第２流路部２４に向かうように第２方向Ｄ２に沿って延びている。第３流路部２５は、第３方向Ｄ３からみて載置エリア２ａに重複するように位置している。換言すれば、第３流路部２５は、レーザユニット４（半導体レーザバー６）の直下に位置している。第３流路部２５は、一端部２５ａにおいて第１流路部２３の他端部２３ｂに接続されており、他端部２５ｂにおいて屈曲部２６に接続されている。
【００３１】
第３方向Ｄ３からみて、第１流路部２３は、第１方向における第３流路部２５の側端部２５ｒに対応する位置まで至っている（すなわち、第１方向における冷媒流路２０の端部まで延在している）。一方、第３方向Ｄ３からみて、第２流路部２４は、第３流路部２５の側端部２５ｒに対応する位置まで至っておらず、第３流路部２５の側端部２５ｒと反対側の側端部２５ｐに対応する位置でとどまっている（すなわち、第１方向Ｄ１における冷媒流路２０の端部まで至っていない）。これにより、第２流路部２４の一端部２４ａと第３流路部２５の他端部２５ｂとは、互いに離間する。屈曲部２６は、この一端部２４ａと他端部２５ｂとを接続することにより、第２流路部２４と第３流路部２５とを互いに接続している。
【００３２】
第３流路部２５は、第３方向Ｄ３についての深さＤ２５と、第２方向Ｄ２に交差（直交）する断面における断面積Ｓ２５と、を有している。第３流路部２５の断面積Ｓ２５は、深さＤ２５が深さＤ２３，Ｄ２４よりも浅いことにより、断面積Ｓ２３，Ｓ２４よりも小さくされている。ただし、第３流路部２５の第１方向についての幅Ｗ２５は、断面積Ｓ２５が断面積Ｓ２３，Ｓ２４よりも小さくなる範囲において、第１流路部２３及び第２流路部２４の第２方向についての幅よりも大きくてもよい。
【００３３】
屈曲部２６の第３方向Ｄ３についての深さは、ここでは、第２方向Ｄ２に沿って（ここでは２段階に）変化している。すなわち、屈曲部２６は、第３方向Ｄ３についての深さＤ２６ａと、第３方向Ｄ３についての別の深さＤ２６ｂと、を有している。深さＤ２６ａは、深さＤ２６ｂよりも小さい。深さＤ２６ｂは、ここでは、深さＤ２４と略同一である。これにより、屈曲部２６は、第３方向Ｄ３についての深さ（深さＤ２６ａ）が第２流路部２４よりも浅くされた浅部領域２６Ａを含むことになる。
【００３４】
浅部領域２６Ａは、第１方向Ｄ１における第３流路部２５の側端部２５ｒに対応する位置から第２流路部２４に向かって延びている。浅部領域２６Ａは、第２方向Ｄ２における第２流路部２４の側端部２４ｒに対応する位置まで至っている（すなわち、第２方向Ｄ２における冷媒流路２０の端部まで至っている）。第１方向Ｄ１についての浅部領域２６Ａの幅Ｗ２６Ａは、第１方向Ｄ１についての第３流路部２５の幅以下（幅Ｗ２５以下）である。ここでは、幅Ｗ２６Ａは、幅Ｗ２５の１／２以上２／３以下であり、一例として１／２程度である。
【００３５】
以上のような冷媒流路２０においては、導入部２１から導入された冷媒は、まず、第１流路部２３の一端部２３ａから他端部２３ｂに向けて第１方向Ｄ１に流通する。第１流路部２３の他端部２３ｂに至った冷媒は、第２方向Ｄ２に向けて屈曲しつつ第３流路部２５に流入し、第３流路部２５の一端部２５ａから他端部２５ｂに向けて第２方向Ｄ２に流通する。このとき、断面積の減少に応じて、冷媒の流速が増大される。第３流路部２５の他端部２５ｂに至った冷媒は、屈曲部２６を流通する過程で第１方向Ｄ１の反対方向に向けて屈曲され、第２流路部２４に流入する。
【００３６】
このとき、第３流路部２５から屈曲部２６の浅部領域２６Ａにわたって深さが浅い状態が維持されることから、少なくとも浅部領域２６Ａを流通する冷媒は、深さ方向（第３方向Ｄ３）への流れが生じない状態において第１方向Ｄ１の反対方向へ屈曲する。その後、浅部領域２６Ａを通過した冷媒に対して、第２流路部２４に向かうに際して深さ方向への流れが生じる。第２流路部２４に流入した冷媒は、第２流路部２４の一端部２４ａから他端部２４ｂに向けて第１方向Ｄ１の反対方向に流通し、導出部２２に至って導出部２２から導出される。
【００３７】
以上説明したように、ヒートシンク２においては、冷却対象である半導体レーザバー６が載置される載置エリア２ａを含む主面２ｓと冷媒流路２０とを有する。冷媒流路２０は、第１方向Ｄ１に沿って延びる第１流路部２３及び第２流路部２４と、第１流路部２３から第２流路部２４に向かうように第２方向Ｄ２に沿って延びる第３流路部２５と、第２流路部２４と第３流路部２５とを接続する屈曲部２６と、を含む。第１流路部２３は冷媒の導入部２１に接続されており、第２流路部２４は冷媒の導出部２２に接続されている。したがって、ここでは、冷媒は、第１流路部２３、第３流路部２５、屈曲部２６、及び、第２流路部２４の順に流通する。
【００３８】
特に、第３流路部２５は、載置エリア２ａに重複する位置に設けられており、且つ、相対的に浅く断面積が小さくされている。このため、冷媒の流速が第３流路部２５を流通する際に増大され、載置エリア２ａでの効率的な冷却が実現される。ここで、第２流路部２４と第３流路部２５とを接続する屈曲部２６は、第１方向Ｄ１における第３流路部２５の側端部２５ｒに対応する位置から第２流路部２４に向かって延び、相対的に浅い浅部領域２６Ａを含む。このため、第３流路部２５を流通した冷媒が、この浅部領域２６Ａにおいて少なくとも部分的に屈曲して流通してから、相対的に深く断面積が大きな第２流路部２４に至る。したがって、当該屈曲部２６において、屈曲方向への冷媒の流れと、深さ方向（第３方向Ｄ３）への冷媒の流れとが混在しにくく、乱流の発生が抑制される。この結果、当該屈曲部２６において劣化の促進を抑制できる。
【００３９】
また、ヒートシンク２においては、第１方向Ｄ１についての浅部領域２６Ａの幅Ｗ２６Ａは、第１方向Ｄ１についての第３流路部２５の幅Ｗ２５以下である。浅部領域２６Ａの幅Ｗ２６Ａをこのように設定することにより、乱流の発生を十分に抑制し、劣化の促進を抑制できる。
【００４０】
特に、ヒートシンク２においては、第１方向Ｄ１についての浅部領域２６Ａの幅Ｗ２６Ａは、第１方向Ｄ１についての第３流路部２５の幅Ｗ２５の１／２以上２／３以下である。このため、浅部領域２６Ａの幅Ｗ２６Ａが第３流路部２５の幅Ｗ２５と同等である場合と比較して、圧力損失が抑制される。
【００４１】
以上の実施形態は、本発明に係るヒートシンクの一例について説明したものである。したがって、本発明に係るヒートシンクは、上述したヒートシンク２を任意に変更したものとすることが可能である。
【００４２】
引き続いて、ヒートシンク２における冷媒流路２０の変形例について説明する。図５は、変形例に係る冷媒流路を示す図である。図５の（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は平面図である。図５に示される例のように、冷媒流路２０においては、第１方向Ｄ１についての浅部領域２６Ａの幅Ｗ２６Ａは、第１方向Ｄ１についての第３流路部２５の幅Ｗ２５と略同一であってもよい。この場合、屈曲部２６の全体が浅部領域２６Ａとなる。このような構成によれば、冷媒が屈曲部２６において屈曲して流通するときに、深さ方向（第３方向Ｄ３）への流れが生じないため、より確実に乱流の発生を抑制できる。
【００４３】
図６は、別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。図６の（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は平面図である。図６に示される例のように、冷媒流路２０においては、浅部領域２６Ａと第２流路部２４との間に、第１方向Ｄ１の反対方向に向かうにつれて第３方向Ｄ３についての深さが漸増する漸増領域２６Ｂが設けられている、ここでは、第３方向Ｄ３についての漸増領域２６Ｂの深さＤ２６ｂは、浅部領域２６Ａの深さＤ２６ａから第２流路部２４の深さＤ２４に至るまで一定の割合で（すなわち直線的に）漸増しているが、曲線的に漸増してもよい。このように漸増領域２６Ｂを設けた場合、深さ方向（第３方向）について、乱流の発生をより確実に抑制できる。
【００４４】
図７は、さらに別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。図７の（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図である。図７に示される例では、屈曲部２６の端部が曲面状に面取りされている。より具体的には、屈曲部２６のうち、浅部領域２６Ａのエッジ２６ｒが部分的な円筒面状に面取りされており、且つ、浅部領域２６Ａと漸増領域２６Ｂとの境界が部分的な円筒面状にされている。この場合には、乱流の発生をより確実に抑制できる。さらに、この場合には、冷媒の流通方向の急変を抑制することにより、直接的に劣化を抑制できる。
【符号の説明】
【００４５】
２…ヒートシンク、２ａ…載置エリア、２ｓ…主面、６…半導体レーザバー（半導体レーザ素子）、２０…冷媒流路、２１…導入部、２２…導出部、２３…第１流路部、２４…第２流路部、２５…第３流路部、２６…屈曲部、２６Ａ…浅部領域、２６Ｂ…漸増領域。
【図１】
2019067981.tif 000003
【図２】
2019067981.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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