(57)【要約】【課題】切り出した後のウェーハのトレーサビリティを容易に確保することができるようにすること。【解決手段】インゴット（６０）には、第１の面（６１ａ）と、第１の面と反対側の第２の面（６１ｂ）と、第１の面及び第２の面に交差する方向に延在する外周面（６１ｃ）とが形成されている。インゴットの外周面には、第１の面及び第２の面に垂直な方向であり、且つ、第１の面から第２の面に渡って延在する縞模様状マーク（７１）がインゴットのＩＤとして形成されている。かかるインゴットでは、切り出したウェーハ（Ｗ）それぞれに縞模様状マークが形成され、縞模様状マークに基づいて何れのインゴットからウェーハが切り出されたものか検出可能となる。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面と、該第１の面及び該第２の面に交差する方向に延在する外周面とが形成されたインゴットであって、
該第１の面及び該第２の面に垂直な方向に且つ該第１の面から該第２の面に渡って延在する縞模様状マークがインゴットのＩＤとして該外周面に形成されているインゴット。
【請求項２】
該外周面は結晶方位を示すオリフラを含み、該オリフラに該縞模様状マークが形成されていることを特徴とする請求項１記載のインゴット。
【請求項３】
第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面と、該第１の面及び該第２の面に交差する方向に延在する外周面とが形成されたインゴットからウェーハを切り出すウェーハの加工方法であって、
ウェーハを切り出す方向と垂直な方向に該第１の面から該第２の面に渡って延在する縞模様状マークをインゴットのＩＤとして該外周面に形成するマーク形成ステップと、
該マーク形成ステップを実施した該インゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該第１の面から生成するウェーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該インゴットとを相対的に移動して該レーザービームを該第１の面に照射し、該第１の面に平行な改質層及び該改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、
該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウェーハの厚みに相当する板状物を該インゴットから剥離してウェーハを生成するウェーハ剥離ステップと、を備え、
該剥離後のウェーハの該外周面に形成された該縞模様状マークにて、何れのインゴットから切り出されたものか検出可能であること、を特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項４】
該外周面は結晶方位を示すオリフラを含み、
該マーク形成ステップにおいて、該オリフラに該縞模様状マークを形成することを特徴とする請求項３記載のウェーハの加工方法。
【請求項５】
該マーク形成ステップにおいて、該オリフラに該縞模様形状マークに並列して、該第１の面から該第２の面に渡って傾斜する傾斜線状マークを形成し、
該剥離後のウェーハの該オリフラに形成された該縞模様状マーク及び該傾斜線状マークにて、何れのインゴットの何番目に切り出されたものか検出可能であること、を特徴とする請求項４記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スライスするよう切り出されることで複数のウェーハを形成するインゴット及びインゴットからウェーハを切り出すウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ、ＬＥＤなどのデバイスが形成されるウェーハは、円柱状のインゴットからワイヤーソーで切り出されて形成されることが知られている（例えば、特許文献１参照）。切り出されたウェーハの表裏面にはワイヤーソーの加工歪みが発生するので、これを除去するためにウェーハの表裏面が研磨される。この研磨による除去量は、インゴットの７〜８割に及ぶこととなり不経済である。そこで、レーザー光線を照射してインゴットの内部に分離起点となる改質層及びクラックを形成する加工方法が考案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−０９０３８７号公報
【特許文献２】特開２０１６−１２７１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２においては、１枚ウェーハを切り出す毎に研削加工及び研磨加工を行うため、それらの加工中にウェーハがどのインゴットから切り出したか不明になる場合がある。このように不明になると、ウェーハの切り出し元となるインゴットを特定不能となり、ウェーハのトレーサビリティが確保できなくなる、という問題がある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、切り出した後のウェーハのトレーサビリティを容易に確保することができるインゴット及びウェーハの加工方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のインゴットは、第１の面と、第１の面と反対側の第２の面と、第１の面及び第２の面に交差する方向に延在する外周面とが形成されたインゴットであって、第１の面及び第２の面に垂直な方向に且つ第１の面から第２の面に渡って延在する縞模様状マークがインゴットのＩＤとして外周面に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、インゴットの縞模様状マークの一部を、切り出された複数のウェーハそれぞれに同様に形成した状態にすることができる。従って、切り出された後の全てのウェーハが縞模様状マークによるインゴットＩＤを表示できるようになり、ウェーハがどのインゴットから切り出したものか検出可能としてトレーサビリティを容易に確保することができる。
【０００８】
上記インゴットにおいて、外周面は結晶方位を示すオリフラを含み、オリフラに縞模様状マークが形成されているとよい。
【０００９】
本発明の一態様のウェーハの加工方法は、第１の面と、第１の面と反対側の第２の面と、第１の面及び第２の面に交差する方向に延在する外周面とが形成されたインゴットからウェーハを切り出すウェーハの加工方法であって、ウェーハを切り出す方向と垂直な方向に第１の面から第２の面に渡って延在する縞模様状マークをインゴットのＩＤとして外周面に形成するマーク形成ステップと、マーク形成ステップを実施したインゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を第１の面から生成するウェーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、集光点とインゴットとを相対的に移動してレーザービームを第１の面に照射し、第１の面に平行な改質層及び改質層から伸長するクラックを形成して分離起点を形成する分離起点形成ステップと、分離起点形成ステップを実施した後、分離起点からウェーハの厚みに相当する板状物をインゴットから剥離してウェーハを生成するウェーハ剥離ステップと、を備え、剥離後のウェーハの外周面に形成された縞模様状マークにて、何れのインゴットから切り出されたものか検出可能であること、を特徴とする。
【００１０】
上記ウェーハの加工方法において、外周面は結晶方位を示すオリフラを含み、マーク形成ステップにおいて、オリフラに縞模様状マークを形成するとよい。
【００１１】
上記ウェーハの加工方法において、マーク形成ステップにおいて、オリフラに縞模様状マークに並列して、第１の面から第２の面に渡って傾斜する傾斜線状マークを形成し、剥離後のウェーハのオリフラに形成された縞模様状マーク及び傾斜線状マークにて、何れのインゴットの何番目に切り出されたものか検出可能であるとよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、縞模様状マークをインゴットのＩＤとして外周面に形成したので、切り出した後のウェーハそれぞれでインゴットのＩＤを簡単に検出可能となり、切り出した後のウェーハのトレーサビリティを容易に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態のレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】レーザービーム発生ユニットのブロック図である。
【図３】インゴットの概略構成図である。
【図４】マーク形成ステップの説明図である。
【図５】分離起点形成ステップの説明図である。
【図６】分離起点形成ステップの説明図である。
【図７】分離起点形成ステップの説明図である。
【図８】分離起点形成ステップの説明図である。
【図９】分離起点形成ステップの説明図である。
【図１０】ウェーハ剥離ステップの説明図である。
【図１１】ウェーハ剥離ステップの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法に用いるレーザー加工装置について説明する。図１は、本実施の形態のレーザー加工装置の斜視図である。図２は、レーザービーム発生ユニットのブロック図である。なお、レーザー加工装置は、本実施の形態のインゴットからウェーハを加工可能な構成であればよく、図１に示す構成に限定されない。
【００１５】
図１に示すように、レーザー加工装置１は、レーザー光線を照射するレーザー加工手段３１とインゴット６０（図３参照）を保持した保持テーブル２１とを相対移動させて、インゴット６０をレーザー加工するように構成されている。
【００１６】
レーザー加工装置１の基台１０上には、レーザー加工手段３１に対して保持テーブル２１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動するテーブル移動手段１１が設けられている。テーブル移動手段１１は、基台１０上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１２と、一対のガイドレール１２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１４とを有している。また、テーブル移動手段１１は、Ｘ軸テーブル１４の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１３と、一対のガイドレール１３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１５とを有している。
【００１７】
Ｘ軸テーブル１４及びＹ軸テーブル１５の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成されており、これらのナット部にボールネジ１６、１７が螺合されている。そして、ボールネジ１６、１７の一端部に連結された駆動モータ１８、１９が回転駆動されることで、保持テーブル２１がガイドレール１２、１３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。また、Ｙ軸テーブル１５上には、インゴット６０を保持する保持テーブル２１が設けられている。保持テーブル２１の上面には保持面２２が形成されている。
【００１８】
基台１０において、保持テーブル２１の後方には立壁部２５が立設されており、この立壁部２５にレーザービーム照射機構（レーザービーム照射手段）３０が取り付けられている。レーザービーム照射機構３０は、ケーシング３２中に収容された図２に示すレーザービーム発生ユニット３４と、ケーシング３２の先端に取り付けられた集光器（レーザーヘッド）３６とから構成される。ケーシング３２の先端には集光器３６とＸ軸方向に整列して顕微鏡及びカメラを有する撮像ユニット３８が取り付けられている。
【００１９】
レーザービーム発生ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器４０と、繰り返し周波数設定手段４２と、パルス幅調整手段４４と、パワー調整手段４６とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器４０はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器４０から出射されるレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
【００２０】
レーザービーム発生ユニット３４のパワー調整手段４６により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器３６のミラー４８により反射され、更に集光レンズ５０により保持テーブル２１に固定された被加工物であるインゴット６０の内部に集光点を位置づけられて照射される。
【００２１】
図１に戻り、基台１０の図１中左側にはコラム５２が設けられ、このコラム５２に形成された開口５３を介して押圧機構５４が昇降可能に搭載されている。
【００２２】
続いて、加工対象物となるインゴット６０について、図３を参照して説明する。図３Ａはインゴットの斜視図、図３Ｂは図３Ａのインゴットの正面図である。インゴット６０は、六方晶単結晶インゴットとされ、ＳｉＣ、ＧａＮ、リチウムタンタレート、リチウムナイオベート、シリコン、サファイアにより構成される。
【００２３】
インゴット６０は、第１の面（上面）６１ａと、第１の面６１ａと反対側の第２の面（裏面）６１ｂとを有している。また、インゴット６０は外周面６１ｃを有しており、外周面６１ｃは、第１の面６１ａ及び第２の面６１ｂの外縁に連なり、それらに直交する方向に延在している。インゴット６０の表面６１ａは、レーザービームの照射面となるため鏡面に研磨されている。
【００２４】
インゴット６０の外周面６１ｃは、第１のオリフラ（オリエンテーションフラット）６３と、第１のオリエンテーションフラット６３に直交する第２のオリフラ（オリエンテーションフラット）６５とを有している。第１のオリフラ６３の長さは第２のオリフラ６５の長さより長く形成されている。第１のオリフラ６３及び第２のオリフラ６５はインゴット６０の結晶方位を示すものである。
【００２５】
インゴット６０は、表面６１ａの垂線６７に対して第２のオリフラ６５方向にオフ角α傾斜したｃ軸６８と、ｃ軸６８に直交するｃ面６９とを有している。ｃ面６９はインゴット６０の表面６１ａに対してオフ角α傾斜している。一般的に、六方晶単結晶のインゴット６０では、短い第２のオリフラ６５の伸長方向に直交する方向がｃ軸の傾斜方向である。
【００２６】
ｃ面６９はインゴット６０中にインゴット６０の分子レベルで無数に設定される。本実施形態では、オフ角αは４°に設定されている。しかし、オフ角αは４°に限定されるものではなく、例えば１°〜６°の範囲で自由に設定してインゴット６０を製造することができる。
【００２７】
次いで、本実施の形態のウェーハの生成方法について図４乃至図１１を参照して説明する。図４はマーク形成ステップ、図５乃至図９は分離起点形成ステップ、図１０及び図１１はウェーハ剥離ステップの説明図をそれぞれ示している。なお、上記の各図に示すステップは、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。
【００２８】
図４に示すように、先ず、インゴット６０に対してマーク形成ステップを実施する。マーク形成ステップは、インゴット６０の第１のオリフラ６３に縞模様状マーク７１及び傾斜線状マーク７２を形成する。縞模様状マーク７１及び傾斜線状マーク７２の形成は、特に限定されるものでないが、レーザーマーキングやインクジェット印刷等の手段が例示できる。縞模様状マーク７１は、第１の面６１ａから第２の面６１ｂに渡って延在しており、ウェーハＷ（図１１参照）を切り出す方向と垂直な方向、すなわち、各面６１ａ、６１ｂに直交する方向と平行な方向に延在している。縞模様状マーク７１は、バーコードと同様にして、線の太さや間隔により各種情報が得られるものであり、インゴット６０のＩＤとして複数のインゴットから区別し得る識別情報を含むものである。
【００２９】
傾斜線状マーク７２は、第１のオリフラ６３にて縞模様状マーク７１に並列して形成されている。傾斜線状マーク７２は、第１の面６１ａから第２の面６１ｂに渡って傾斜しており、本実施の形態では、第２の面６１ｂに近付くに従い隣接する縞模様状マーク７１に対して次第に離れる方向に傾いて形成されている。なお、傾斜線状マーク７２の傾斜方向は、図４にて上下反転する方向としてもよい。
【００３０】
マーク形成ステップを実施した後、分離起点形成ステップを実施する。分離起点形成ステップは、先ず、図５に示すように、インゴット６０の第２のオリフラ６５がＸ軸方向に整列するようにインゴット６０を保持テーブル２１上に例えばワックス又は接着剤で固定する。この固定では、図６に示すように、オフ角α（図３参照）が形成されるＹ１方向に直交する方向、すなわち矢印Ａ方向をＸ軸に合わせる。これにより、オフ角αが形成される方向に直交するＡ方向に沿ってレーザービームが走査される。換言すると、オフ角αが形成される方向Ｙ１に直交するＡ方向が保持テーブル２１の加工送り方向となる。
【００３１】
インゴット６０の固定と前後して、レーザービームの波長をインゴット６０に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍの波長）に設定する。そして、図７に示すように、レーザービームＬＢの集光点を、インゴット６０の第１の面（表面）６１ａから生成すべきウェーハＷ（図１１参照）の厚みに相当する深さＤ１に位置づける。その後、レーザービームＬＢの集光点とインゴット６０とを相対的にＸ軸方向（Ａ方向）に移動してレーザービームＬＢを第１の面６１ａ側から照射する。すると、インゴット６０にて第１の面６１ａに平行な改質層７５が形成されると共に、改質層７５からｃ面６９（図３参照）に沿って伝播するクラック７６が形成され、これら改質層７５及びクラック７６が分離起点として形成される（図８参照）。改質層７５は、レーザービームＬＢの照射によってインゴット６０の内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層７５は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００３２】
分離起点形成ステップは、上記のようにレーザービームＬＢを照射して改質層７５及びクラック７６を形成する改質層形成ステップと、オフ角が形成されるＹ軸方向に集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップとを含んでいる。
【００３３】
インデックスステップでは、インゴット６０を矢印Ｙ１方向に移動することで、レーザービームＬＢの集光点をオフ角が形成される方向で且つｃ面６９（図３参照）が下り坂となる矢印Ｙ２方向に所定量インデックスする。インデックス方向をこのように設定すると、直線状となる改質層７５がｃ面６９上に形成されると共に改質層７５の両側にｃ面６９に沿ってクラック７６が伝播して形成されても、次に照射されるレーザービームＬＢの照射をクラック７６が妨げなくなる。
【００３４】
また、分離起点形成ステップは、直線状の改質層７５からｃ面方向に伝播して形成されるクラック７６の幅を計測し、集光点のインデックス量を設定するインデックス量設定ステップを含んでいる。
【００３５】
インデックス量設定ステップにおいて、図７に示すように、直線状の改質層７５からｃ面６９（図３参照）方向に伝播して改質層７５の片側に形成されるクラック７６の幅をＷ１とした場合、インデックスすべき所定量Ｗ２は、幅Ｗ１以上であり幅Ｗ１を２倍した値以下（Ｗ１≦Ｗ２≦２＊Ｗ１）に設定される。
【００３６】
ここで、好ましい実施の形態でのレーザー加工条件は以下のように設定される。
【００３７】
光源：Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザー
波長：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数：８０ｋＨｚ
平均出力：３．２Ｗ
パルス幅：４ｎｓ
スポット径：１０μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ）：０．４５
インデックス量：４００μｍ
【００３８】
上述したレーザー加工条件においては、図７において、改質層７５からｃ面６９（図３参照）に沿って伝播するクラック７６の幅Ｗ１が略２５０μｍに設定され、インデックス量Ｗ２が４００μｍに設定される。
【００３９】
レーザービームＬＢの平均出力は３．２Ｗに限定されるものではなく、本実施の形態の加工方法では、平均出力を２Ｗ〜４．５Ｗに設定して良好な結果が得られた。平均出力２Ｗの場合、クラック７６の幅Ｗ１は略１００μｍとなり、平均出力４．５Ｗの場合には、クラック７６の幅Ｗ１は略３５０μｍとなった。
【００４０】
平均出力が２Ｗ未満の場合及び４．５Ｗより大きい場合には、インゴット６０の内部に良好な改質層７５を形成することができないため、照射するレーザービームＬＢの平均出力は２Ｗ〜４．５Ｗの範囲内が好ましく、本実施形態では平均出力３．２ＷのレーザービームＬＢをインゴット６０に照射した。図７において、改質層７５を形成する集光点の第１の面６１ａからの深さＤ１は５００μｍに設定した。
【００４１】
図９Ａ及び図９Ｂは、分離起点形成ステップにおけるレーザービームの走査方向を説明するための模式図である。図９Ａに示すように、分離起点形成ステップは往路Ｘ１及び復路Ｘ２で実施され、往路Ｘ１でインゴット６０に改質層７５を形成したレーザービームの集光点は、所定量インデックスされた後、復路Ｘ２でインゴット６０に改質層７５を形成する。
【００４２】
また、分離起点形成ステップにおいて、レーザービームの集光点のインデックスすべき所定量Ｗ２がクラック７６の幅Ｗ１以上であり幅Ｗ１を２倍した値以下に設定された場合、インゴット６０にレーザービームの集光点が位置づけられ最初の改質層７５が形成されるまでの集光点のインデックス量Ｗ２は幅Ｗ１以下に設定されるのが好ましい。
【００４３】
例えば、図９Ｂに示すように、レーザービームの集光点をインデックスすべき所定量が４００μｍの場合には、インゴット６０に最初の改質層７５が形成されるまでは、インデックス量２００μｍでレーザービームの走査を複数回実行する。
【００４４】
最初の方のレーザービームの走査は空打ちであり、インゴット６０の内部に最初に改質層７５を形成したのが判明したならば、インデックス量４００μｍに設定してインゴット６０の内部に改質層７５を形成する。
【００４５】
分離起点形成ステップを実施した後、外力を付与して改質層７５及びクラック７６からなる分離起点から形成すべきウェーハＷの厚みに相当する板状物をインゴット６０から剥離してウェーハＷを生成するウェーハ剥離ステップを実施する。ウェーハ剥離ステップは、例えば図１０Ａに示すような押圧機構５４により実施する。押圧機構５４は、コラム５２（図１参照）内に内蔵された移動機構により上下方向に移動するヘッド５６と、ヘッド５６に対して、図１０Ｂに示すように、矢印Ｒ方向に回転される押圧部材５８とを含んでいる。
【００４６】
図１０Ａに示すように、押圧機構５４を保持テーブル２１に固定されたインゴット６０の上方に位置づけ、図１０Ｂに示すように、押圧部材５８がインゴット６０の第１の面（表面）６１ａに圧接するまでヘッド５６を下降する。
【００４７】
押圧部材５８をインゴット６０の第１の面６１ａに圧接した状態で、押圧部材５８を矢印Ｒ方向に回転すると、インゴット６０にねじり応力が発生し、改質層７５及びクラック７６（図７参照）が形成された分離起点からインゴット６０が破断される。これにより、インゴット６０から図１１に示すウェーハＷが剥離され、インゴット６０からウェーハＷが切り出されることとなる。なお、ウェーハＷをインゴット６０から剥離後、ウェーハＷの分離面及びインゴット６０の分離面を研磨して鏡面に加工するのが好ましい。
【００４８】
図１１に示すように、インゴット６０から剥離された後の複数のウェーハＷには、それぞれの第１のオリフラ６３に縞模様状マーク７１が形成される。単一のインゴット６０から複数のウェーハＷを切り出して剥離しても、各ウェーハＷには同一の縞模様状マーク７１が形成される。これにより、ウェーハＷの縞模様状マーク７１をバーコードリーダ等の検出装置で読み取ることで、切り出し元となるインゴット６０のＩＤを取得でき、ウェーハＷについて何れのインゴット６０から切り出されたものかを検出することが可能となる。
【００４９】
また、単一のインゴット６０から切り出される複数のウェーハＷには傾斜線状マーク７２も形成される。インゴット６０にて傾斜線状マーク７２を上述のように傾斜する方向に形成したので、各ウェーハＷでの傾斜線状マーク７２は、第１のオリフラ６３の延出方向（図１１中左右方向）にて形成位置がそれぞれ異なることとなる。例えば、図１１にて、１枚目に切り出したウェーハＷの縞模様状マーク７１から傾斜線状マーク７２までの距離ａ１と、２枚目に切り出したウェーハＷの縞模様状マーク７１から傾斜線状マーク７２までの距離ａ２とは異なっている。従って、剥離後のウェーハＷの第１のオリフラ６３に形成された縞模様状マーク７１と傾斜線状マーク７２との相対位置によって、ウェーハＷが何れのインゴット６０の何番目に切り出されたものか検出することが可能となる。
【００５０】
以上のように、本実施の形態のインゴット６０によれば、切り出された複数のウェーハＷそれぞれにインゴット６０の縞模様状マーク７１の一部を同様に形成することができる。これにより、インゴット６０から切り出された全てのウェーハＷが縞模様状マーク７１によるインゴット６０のＩＤを表示することができる。これにより、切り出し後にウェーハＷに研削や研磨等の各種加工を実施し、複数のインゴット６０から切り出されるウェーハＷが混在しても、ウェーハＷがどのインゴットから切り出したものか検出でき、トレーサビリティを容易に確保することができる。
【００５１】
また、本実施の形態では、切り出された複数のウェーハＷにそれぞれ位置が異なる傾斜線状マーク７２を形成することができる。これにより、ウェーハＷの傾斜線状マーク７２の位置を検出することで、インゴット６０にてウェーハＷを切り出した順番を検出することができる。
【００５２】
また、図７に示すように、インデックス方向を矢印Ｙ２方向とし、改質層７５の両側にｃ面６９（図３参照）に沿ってクラック７６が形成されても、次の改質層７５を形成するためのレーザービームＬＢの照射をクラック７６が妨げなくなる。これにより、改質層７５及びクラック７６からなる分離起点からウェーハＷの厚みに相当する板状物をインゴット６０から容易に剥離してウェーハＷを生成することができる。
【００５３】
なお、縞模様状マーク７１及び傾斜線状マーク７２の形成位置は、第２のオリフラ６５としたり、オリフラ６３、６５以外の外周面６１ｃに形成したり、オリフラ６３、６５を有しないインゴット６０の外周面６１ｃに形成したりしてもよい。但し、オリフラ６３、６５に各マーク７１、７２を形成する方が作業性の観点から有利となる。
【００５４】
また、本実施の形態では、レーザー加工装置で分離起点形成ステップ、ウェーハ剥離ステップが実施される構成にしたが、この構成に限定されない。それらのステップは、それぞれ専用の装置で実施されてもよい。
【００５５】
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００５６】
また、本発明の実施の形態及び変形例は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【００５７】
また、本実施の形態では、本発明をインゴットに適用した構成について説明したが、改質層によって良好に分割可能な被加工物に適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
以上説明したように、本発明は、切り出した後のウェーハのトレーサビリティを容易に確保することができるという効果を有し、特に、レーザー加工でウェーハ等の複数の板状物が切り出されるインゴットに有用である。
【符号の説明】
【００５９】
６０  インゴット
６１ａ  第１の面
６１ｂ  第２の面
６１ｃ  外周面
６３  第１のオリフラ
７１  縞模様状マーク
７２  傾斜線状マーク
７５  改質層
７６  クラック
ＬＢ  レーザービーム
Ｗ  ウェーハ
【図１】
2019067944.tif 000003
【図２】
2019067944.tif 000004
【図３】
2019067944.tif 000005
【図４】
2019067944.tif 000006
【図５】
2019067944.tif 000007
【図６】
2019067944.tif 000008
【図７】
2019067944.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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