(57)【要約】【課題】アッシング不良を防止して生産性を向上させる。【解決手段】分割領域によって画定した複数の素子領域２７を有する第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有する基板２に対し、第１面に、分割領域２８を露出させた状態で素子領域２７を被覆するマスク３０を形成するマスク形成工程と、第２面を保持部材２２に保持した状態で、第１面をプラズマに晒して、分割領域２８を第２面に達するまでエッチングすることにより、基板２を複数の素子チップ２４に個片化する個片化工程と、素子チップ２４に、多孔質体１９を当接させて相対的に摺接させることにより、表面に残存するマスク３０の少なくとも一部を除去するマスク除去工程と、を実行する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割領域によって画定した複数の素子領域を有する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する基板に対し、
前記第１面に、前記分割領域を露出させた状態で前記素子領域を被覆するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記第２面を保持部材に保持した状態で、前記第１面をプラズマに晒して、前記分割領域を前記第２面に達するまでエッチングすることにより、前記基板を複数の素子チップに個片化する個片化工程と、
前記素子チップに、多孔質体を当接させて相対的に摺接させることにより、表面に残存する前記マスクの少なくとも一部を除去するマスク除去工程と、
を備える素子チップの製造方法。
【請求項２】
前記個片化工程後、前記マスク除去工程前に、プラズマによるアッシング工程を実行する、請求項１に記載の素子チップの製造方法。
【請求項３】
前記個片化工程後、前記マスク除去工程前に、前記保持部材を引き伸ばすことにより、前記保持部材に保持された複数の前記素子チップ間の間隔を拡張する間隔拡張工程を実行する、請求項１又は２に記載の素子チップの製造方法。
【請求項４】
前記マスク除去工程は、前記保持部材をステージに載置して真空吸着させた状態で実行する、請求項１から３のいずれ１項に記載の素子チップの製造方法。
【請求項５】
前記マスク除去工程は、前記保持部材をステージに載置して静電吸着させた状態で実行する、請求項１から３のいずれか１項に記載の素子チップの製造方法。
【請求項６】
前記マスク除去工程は、前記多孔質体に洗浄水を含ませた状態で実行する、請求項１から５のいずれか１項に記載の素子チップの製造方法。
【請求項７】
前記多孔質体の開口面積が、前記素子チップの平面視での占有面積よりも小さい、請求項１から６のいずれか１項に記載の素子チップの製造方法。
【請求項８】
分割領域によって画定した複数の素子領域を有する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する基板において、
前記第１面に、前記分割領域を露出させた状態で前記素子領域を被覆するマスクを形成するマスク形成装置と、
前記第２面を保持部材に保持した状態で、前記第１面をプラズマに晒して、前記分割領域を前記第２面に達するまでエッチングすることにより、前記基板を複数の素子チップに個片化するエッチング装置と、
前記素子チップに、多孔質体を当接させて相対的に摺接させることにより、表面に残存する前記マスクの少なくとも一部を除去するマスク除去装置と、
を備えている、素子チップの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子チップの製造方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ウエハをダイシングする方法として、マスクを形成したウエハにプラズマエッチングを施して個々のチップに分割するプラズマダイシングが知られている。搬送等におけるウエハのハンドリング性向上のために、外周がリング状のフレーム（ダイシングリング）で保持されたシートにウエハを貼り付けた状態で、ドライエッチング装置によるプラズマダイシングに供される。
従来、プラズマダイシング後にアッシング処理によりマスクの除去を行っている。
【０００３】
しかしながら、ダイシングリングに貼り付けられた状態でのアッシングであるので低温アッシングとなり、アッシング残渣が残るなどの課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２４８７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、アッシング不良を防止して生産性を向上させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、
分割領域によって画定した複数の素子領域を有する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備えた基板に対し、
前記第１面に、前記分割領域を露出させた状態で前記素子領域を被覆するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記第２面を保持部材に保持した状態で、前記第１面をプラズマに晒して、前記分割領域を前記第２面に達するまでエッチングすることにより、前記基板を複数の素子チップに個片化する個片化工程と、
前記素子チップに、多孔質体を当接させて相対的に摺接させることにより、表面に残存する前記マスクの少なくとも一部を除去するマスク除去工程と、
を備える素子チップの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、素子チップの表面に多孔質体を当接させて相対的に摺接させるようにしているので、素子チップの表面に残存するマスクを確実に除去することができる。すなわち、アッシング不良を防止して生産性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本実施形態に係るクラスタ装置の概略図である。
【図１Ｂ】本実施形態に係るエッチング装置を示す概略図である。
【図２】本実施形態に係るマスク除去装置を示す概略図である。
【図３Ａ】本実施形態に係る準備工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｂ】本実施形態に係る保護工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｃ】本実施形態に係る薄化工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｄ】本実施形態に係る第１保持工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｅ】本実施形態に係る第２保持工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｆ】本実施形態に係る第１マスク形成工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｇ】本実施形態に係る第２マスク形成工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｈ】本実施形態に係る個片化工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｉ】本実施形態に係る第１マスク除去工程での素子チップの断面図である。
【図３Ｊ】本実施形態に係る第２マスク除去工程での素子チップの断面図である。
【図４Ａ】本実施形態に係る第２マスク除去工程を実行した場合の素子チップの一部を示す拡大写真である。
【図４Ｂ】本実施形態に係る第１マスク除去工程のみを実行した場合の素子チップの一部を示す拡大写真である。
【図５Ａ】図１の素子チップ製造装置に採用可能なエキスパンド部の概略図である。
【図５Ｂ】図５Ａのエキスパンド部の動作状態を示す概略図である。
【図６Ａ】他の実施形態に係るスポンジの駆動機構を示す概略図である。
【図６Ｂ】他の実施形態に係るスポンジの駆動機構を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る実施形態を添付図面に従って説明する。なお、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物、あるいは、その用途を制限することを意図するものではない。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは相違している。
【００１０】
図１Ａは、半導体チップ２４の製造方法を実行するクラスタ装置１００の概略構成図である。クラスタ装置１００の中央には、搬送機構１５０が設けられており、搬送機構１５０の周囲には前述の各工程に対応するクラスタ１１０〜１４０が設けられている。但し、図１Ａに示す搬送機構１５０およびクラスタ１１０〜１４０の配置や形状は、概念的なものであり、実際の配置や形状とは必ずしも一致しない。
【００１１】
搬送機構１５０は、ウエハ２（基板）ないしこれを個片化した半導体チップ２４を各クラスタ１１０〜１４０に搬送するものである。
【００１２】
クラスタ１１０は、ウエハ２ないしこれを個片化した半導体チップ２４を搬入出するためのものである。
【００１３】
クラスタ１２０は、マスク形成工程が実行されるクラスタである。
【００１４】
クラスタ１３０は、ウエハ２（基板）にプラズマ処理を施すエッチング装置で、図１Ｂに示すように、減圧可能な処理室３を有するチャンバ４を備える。処理室３には、図示しない出入口を介してウエハ２を保持した搬送キャリア５を搬入及び搬出できるようになっている。
【００１５】
チャンバ４にはガス導入口６と排気口７とが形成されている。ガス導入口６にはエッチングガス源８とアッシングガス源９とが流体的に接続されている。排気口７には、チャンバ４内を真空排気する真空ポンプを含む真空排気部１０が接続されている。
【００１６】
チャンバ４の上方には、第１高周波電源部１１に電気的に接続されたアンテナ１２（プラズマ源）が配置されている。またチャンバ４内の底部側には、第２高周波電源部１３に電気的に接続されたステージ１４Ａが配置されている。
【００１７】
ステージ１４は、保持シート２２（即ちウエハ２）をステージ１４Ａに静電吸着するために、図示しない静電吸着用電極（ＥＳＣ電極）を備える。また、ステージ１４Ａには冷却用ガスを供給するための冷却用ガス孔１５が設けられている。冷却用ガス孔１５からヘリウムなどの冷却用ガスが供給され、ステージ１４Ａに静電吸着されたウエハ２が冷却される。さらに、ステージ１４Ａには、上面に載置した搬送キャリア５を持ち上げるための昇降ピン１６Ａが設けられている。
【００１８】
クラスタ１４０は、マスク除去工程が実行されるマスク除去装置である。図２に示すように、マスク除去装置内には、図示しない出入口を介してウエハ２を保持した搬送キャリア５を搬入及び搬出できるようになっている。マスク除去装置の上部にはレール１７が配置されている。レール１７に沿ってスポンジ保持部１８によって保持したスポンジ１９を移動できるようになっている。また、マスク除去装置内の底部側には、ステージ１４Ｂが配置されている。ステージ１４Ｂは、保持シート２１（すなわち、ウエハ２）を静電吸着するために、図示しない静電吸着用電極（ＥＳＣ電極）を備える。また、ステージ１４Ｂには、上面に載置した搬送キャリア５を持ち上げるための昇降ピン１６Ｂが設けられている。
【００１９】
スポンジ保持部１８には、ノズル２０が設けられ、液体供給ライン２１を介してスポンジ１９に純水や薬液等の洗浄水を供給できるようになっている。
【００２０】
スポンジ１９には、ポリビニルアルコールに酸を触媒としてホルムアルデヒドを反応させてアセタール化したポリビニルホルマール樹脂（スポンジ基材）を使用できる。スポンジ基材は、連続気孔を有する多孔質体であり、気孔率９０％程度、低圧損、高保持力である。また、スポンジ基材は、圧力負荷による脱落がなく、耐薬品性に優れており、反復洗浄が容易である。スポンジ１９の表面での連続気孔の開口面積は、後述する製造工程で得られる素子チップ２４の平面視での占有面積よりも小さく設定されている。これにより、スポンジ１９を素子チップ２４の表面に摺接させた際の引っ掛かり低減され、素子チップへの損傷を抑制できる。具体的には、例えば、素子チップ２４の平面視での形状が縦４００μｍ×横２００μｍの矩形（占有面積８００００μｍ２）である場合、表面での連続気孔の直径の平均が約１００μｍ（開口面積８０００μｍ２程度）のスポンジ１９を用いればよい。なお、スポンジ基材には、酢酸ビニールに代えて、ポリビニルアルコール（PVA）材やポリビニルホルマール（PVFM）等を用いても良い。また、スポンジ基材の形状は角状のスポンジ形状の他に、スティック状やブラシ状等でも良い。要は、スポンジ１９に限らず、軟質で素子チップ２４の表面に摺接させることができ、表面の開口部分に後述するアッシング残渣を回収可能な多孔質構造を有する材料であればよい。
【００２１】
搬送キャリア５は、ウエハ２を着脱可能に保持する保持部材すなわち保持シート２２を備える。保持シート２２としては、例えば、弾性的に伸展可能であって粘着力によりウエハ２を保持するが、紫外線の照射によって化学的特性が変化して粘着力が大幅に減少するいわゆるＵＶテープを使用できる。保持シート２２は、一方の面が粘着性を有する面（粘着面２２ａ）で構成され、他方が粘着性を有しない面（非粘着面２２ｂ）で構成されている。また保持シート２２は柔軟でそれ自身では容易に撓んで一定形状を維持できない。このため、保持シート２２の外周縁付近の粘着面２２ａには、概ねリング状で厚みの薄いフレーム２３（環状フレーム）が貼着されている。フレーム２３は、例えば金属製で、その形状を保持できるような剛性を有する。
【００２２】
保持シート２２の粘着面２２ａのうちフレーム２３で囲まれた円形領域２２ｃの中央にウエハ２が保持されている。具体的には、円形領域２２ｃの中心とウエハ２の中心とが概ね一致するように、保持シート２２に対するウエハ２の位置が設定されている。
【００２３】
次に、前記構成のクラスタ装置１００による素子チップ２４の製造方法について説明する。
【００２４】
図３Ａから図３Ｊは本発明の実施形態に係る半導体チップ（素子チップ２４）の製造工程を示す。この製造工程は、準備工程、保護工程、薄化工程、第１保持工程、第２保持工程、第１マスク形成工程、第２マスク形成工程、個片化工程、第１マスク除去工程、及び、第２マスク除去工程により行われる。
【００２５】
図３Ａに示す準備工程では、ウエハ２を準備する。ウエハ２は、半導体層２５と、半導体層２５上に形成された配線層２６とを備える。またウエハ２は、平面視で、複数の素子領域２７と、個々の素子領域２７の周囲に隣接する分割領域２８とを備える。換言すれば、分割領域２８によって個々の素子領域２７が画定されている。
【００２６】
図３Ｂに示す保護工程では、ウエハ２の表面２Ａに、裏面２Ｂの研削時の保護のためのＢＧ（バックグラインド）テープ２０を貼り付ける。ＢＧテープ２９は、粘着層２９Ａと、樹脂製の基材層２９Ｂとからなる保護フィルムである。ウエハ２の表面２Ａに粘着層２９Ａを貼り付けて基材層２９Ｂにより保護する。ＢＧテープ２９は、ウエハ２への貼り付け前又は後に、ウエハ２の外形形状に合わせて切断されるため、ウエハ２のハンドリング性は損なわれない。
【００２７】
図３Ｃに示す薄化工程では、図示しない研削装置によりウエハ２の裏面（第２面）２Ｂ側から半導体層２５を研削する。ウエハ２は、半導体層２５の研削により所定の厚みに薄くされる。
【００２８】
図３Ｄに示す第１保持工程では、保持シート２２をウエハ２の裏面２Ｂに貼り付ける。保持シート２２は、粘着層２２Ａと、樹脂製の基材層２２Ｂとからなるフィルムである。粘着層２２Ａがウエハ２の裏面２Ｂに貼り付けられ、基材層２２Ｂによりウエハ２が保持される。またハンドリング性の観点から、保持シート２２にはフレーム２３を取り付ける。
【００２９】
図３Ｅに示す第２保持工程では、ウエハ２からＢＧテープ２９を剥離する。
【００３０】
図３Ｆに示す第１マスク形成工程では、ウエハ２の表面２Ａにシート状で、耐プラズマ性を有するマスク３０を貼り付ける。このため、ウエハ２のマスク３０が貼り付けられた部分は、後のプラズマエッチングから保護される。なお、マスク３０を形成する方法は、このようにシート状のマスク３０を貼り付ける方法に限定されず、スピンコート法、又は、スプレーコート法等の任意の方法であってもよい。また、マスク３０を形成する方法は、第２保持工程においてウエハ２からＢＧテープ２９を剥離する際に、粘着層２９Ａをウエハ２の表面２Ａに残存させながら基材層２９Ｂをウエハ２から剥離し、ウエハ２の表面２Ａに残存させた粘着層２９Ａをマスク３０とする方法であってもよい。
【００３１】
図３Ｇに示す第２マスク形成工程では、分割領域２８（図１Ｇ参照）に対応する部分において、マスク３０とウエハ２とをレーザスクライビングやメカニカルダイシング等により切削し、露出部３１を形成する。詳細には、露出部３１は、配線層２６及びマスク３０を切削することで形成される。このとき、半導体層２５は一部切削されてもよいが、完全には切削されない。したがって、ウエハ２を表面２Ａ側から見ると、露出部３１では半導体層２５が露出する。代替的には、マスク３０に対する露光及び現像処理を行って、マスク３０の分割領域２８に対応する部分に開口を形成し、その後、配線層２６のエッチングを行って、露出部３１を形成するようにしてもよい。但し、マスク３０の分割領域２８に対応する部分への開口の形成は、露光に限らず、ＮＩＰ（ナノインプリント）、レーザー等を利用して行ってもよい。
【００３２】
図３Ｈに示す個片化工程では、ウエハ２の裏面２Ｂを保持シート２２で保持した状態で、ウエハ２をプラズマエッチング（プラズマダイシング）により個片化する。この個片化工程では、保持シート２２を介してウエハ２をステージ１４Ａに載置し、ＥＳＣ電極に電圧を印加して保持シート２２を静電吸着する。そして、処理室３内を真空排気部１０によって真空排気すると共に、エッチングガス源８から処理室３内に例えばＳＦ６を含むエッチングガスを供給する。続いて、処理室３内を所定圧力に維持し、アンテナ１２に対して第１高周波電源部１１から高周波電力を供給し、処理室３内にプラズマを発生させてウエハ２に照射する。このとき、プラズマ中のラジカルとイオンの物理化学的作用により露出部３１で露出しているウエハ２の半導体層２５が除去される。この個片化工程を経て、ウエハ２は、矩形の個々の半導体チップ（素子チップ２４）に形成される。ここで使用する「矩形」という用語は、完全な矩形だけでなく、角部に丸みを有するものなど、実質的に矩形であるものを含む。
【００３３】
図３Ｉに示す第１マスク除去工程では、アッシングガス源９からチャンバ４内にアッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）を導入しつつ減圧して所定圧力に維持する。その後、アンテナ１２に対して第１高周波電源部１１から高周波電力を供給し、チャンバ４内にプラズマを発生させてウエハ２に照射する。プラズマの照射によりウエハ２の表面２Ａからマスク３０が除去される。
【００３４】
図３Ｊに示す第２マスク除去工程では、保持シート２２を介してウエハ２をステージ１４Ｂに載置し、ＥＳＣ電極に電圧を印加して保持シート２２を静電吸着する。そして、レール１７に沿ってスポンジ１９を保持したスポンジ保持部１８を移動させる。このとき、ノズル２０から洗浄水を供給してスポンジ１９に含ませる。スポンジ１９は、撓んだ状態で、ステージ１４Ｂ上に保持したウエハ２の素子チップ２４の表面に、含有した洗浄水を供給しながら摺接する。素子チップ２４の表面には、第１マスク除去工程のアッシングでは除去しきれなかったアッシング残渣Ａが付着していることがある。このアッシング残渣Ａが、素子チップ２４の表面に摺接させるスポンジ１９の開口部分に取り込まれたり、掻き取られて洗浄水によって洗い流されたりして物理的に除去される。
【００３５】
図４Ａは、第１マスク除去工程に加えて、スポンジ１９を利用した第２マスク除去工程を実行した場合の素子チップ２４の一部を示す拡大写真である。一方、図４Ｂは、第１マスク除去工程のみで、第２マスク除去工程を実行しなかった場合の素子チップ２４の一部を示す拡大写真である。これらの写真から明らかなように、第１マスク除去工程のみでは、アッシング残渣（図４Ｂ中、Ａで示す。）が残っていたが、第２マスク除去工程を実行することにより、図４Ａに示すように、素子チップ２４の表面からアッシング残渣を除去することができた。
【００３６】
このようにしてアッシング残渣が除去されれば、図示しないエアブロー等により素子チップ２４の表面に空気を吹き付けて乾燥させる。得られた素子チップ２４は、半導体層２５と、半導体層２５上に形成された配線層２６とを備える。半導体層２５は、例えばＳｉ又はＳｉ系材料からなり、配線層２６は例えばＳｉＯ２などの絶縁膜とＣｕなどの金属からなる。配線層２６の絶縁膜の材質は、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、又はＬｏｗ−ｋ材料等であり得る。また、配線層２６の金属の材質は、Ａｌ、Ａｌ合金、又はＷ等であり得る。
【００３７】
このように、前記実施形態によれば、スポンジ等の多孔質体を素子チップ２４の表面に摺接させるようにしているので、素子チップ２４の表面に付着したアッシング残渣を確実に除去することができる。
【００３８】
なお、本発明は、前記実施形態に記載された構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
【００３９】
前記実施形態では、第１マスク除去工程で、チャンバ４内にアッシング用のプロセスガスとして酸素ガスを供給するようにしたが、さらにＳＦ６やＣＦ４等を混合した混合ガスを用いて１回目のアッシング処理を行い、その後、酸素ガスのみによる２回目のアッシング処理を行うようにしてもよい。この場合、１回目のアッシング処理で、バイアスパワーを導入し、２回目のアッシング処理で、ゼロバイアスとしても良い。これにより、プラズマダイシング処理で形成されてしまうマスク材の硬化層、変質層によるマスク材の残渣の発生を低減させることができる。
【００４０】
前記実施形態では、第２マスク除去工程で、スポンジ１９を摺接させることによりアッシング残渣を除去するだけとしたが、マスク除去残りがある場合には、例えば、弱いウェット洗浄等を行うようにしてもよい。第１マスク除去工程及び第２マスク除去工程で、マスク３０は概ね除去されているので、残る箇所は概ねパターン側面のラビットイヤー状の残渣の僅かな残りである。したがって、弱いウェット洗浄等であってもこれを除去できる。
【００４１】
前記実施形態では、個片化工程後、そのままマスク除去工程を実行するようにしたが、保持シート２２を引き延ばすことにより、素子チップ２４の間隔を拡張する間隔拡張工程を実行するようにしてもよい。すなわち、個片化工程（図３Ｈ参照）後のウエハ２では、各素子チップ２４の間隔が狭く、例えばその間隔は２０μｍ程度である。この間隔が狭いと、マスク除去工程を適切に行えない恐れがある。そこで、エキスパンド部３２により間隔拡張工程を実行して素子チップ２４同士の間隔を広げている。
【００４２】
図５Ａに示すように、エキスパンド部３２には、押圧部材３３と、リング部材３４と、昇降機３５と、載置台３６とが設けられている。押圧部材３３は、保持シート２２のフレーム２３に沿って配置され、フレーム２３を固定する。リング部材３４は、リング状の部材であって、保持シート２２の下方にフレーム２３と同心に配置され、保持シート２２をフレーム２３に対して昇降させる。昇降機３５は、リング部材３４を昇降させる。図５Ｂに示すように、エキスパンド部３２における加工では、載置台３６にウエハ２を載置し、押圧部材３３によって保持シート２２のフレーム２３を押圧して固定した状態で、昇降機３５によって載置台３６から保持シート２２を浮かせるようにリング部材３４を上昇させる。このとき、保持シート２２が引き伸ばされるため、素子チップ２４同士の間隔が広がり、例えばその間隔は５０μｍ程度となる。これにより、その後のマスク除去工程で、スポンジ１９をマスク除去のきっかけとなる、素子チップ２４の角部に接触させやすくなる。この結果、アッシング残渣Ａの除去に利用した場合にはさらに洗浄効果を向上させることができる。
【００４３】
前記実施形態では、クラスタ１４０にて、スポンジ１９に対し、その移動方向とは反対側にノズル２０を位置させ、スポンジ１９の背面側（素子チップ２４の表面に摺接するのとは反対側）の面に洗浄水を供給するようにしたが、図６Ａ又は図６Ｂに示すように構成することもできる。
【００４４】
図６Ａでは、スポンジ１９に対し、その移動方向側にノズル２０を位置させている。これにより、素子チップ２４の表面に先に洗浄水を供給した後、スポンジ１９が摺接させることができる。このため、素子チップ２４の表面への洗浄水の供給後、スポンジ１９の摺接が行われるまでの間に、洗浄水を素子チップ２４に十分に作用させるための時間を確保でき、アッシング残渣Ａが膨潤されることにより、その除去効率を高めることができるという利点がある。
【００４５】
図６Ｂでは、ノズル２０からスポンジ１９に直接、洗浄水を供給できるようにしている。これによれば、スポンジ１９が摺接する部分にのみ洗浄水を供給できるため、洗浄水を効率的に供給できるという利点がある。さらに、洗浄水の量を少なくできるため、洗浄水乾燥後に発生する洗浄水の残渣（ウォーターマーク等）を低減させることができるという利点もある。
【００４６】
前記実施形態では、マスク除去工程で、保持シート２２をステージ１４Ｂに静電吸着するようにしたが、ステージ１４Ｂに吸引孔を形成し、この吸引孔を介して真空引きすることにより、保持シート２２をステージ１４Ｂに真空吸着させるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１…素子チップ製造装置
２…ウエハ（基板）
２Ａ…表面
２Ｂ…裏面
３…処理室
４…チャンバ
５…搬送キャリア
６…ガス導入口
７…排気口
８…エッチングガス源
９…アッシングガス源
１０…真空排気部
１１…第１高周波電源部
１２…アンテナ
１３…第２高周波電源部
１４Ａ，１４Ｂ…ステージ
１５…冷却用ガス孔
１６Ａ，１６Ｂ…昇降ピン
１７…レール
１８…スポンジ保持部
１９…スポンジ（多孔質体）
２０…ノズル
２１…液体供給ライン
２２…保持シート
２２ａ…粘着面
２２ｂ…非粘着面
２２ｃ…円形領域
２２Ａ…粘着層
２２Ｂ…基材層
２３…フレーム
２４…素子チップ
２５…半導体層
２６…配線層
２７…素子領域
２８…分割領域
２９…ＢＧテープ
３０…マスク
３１…露出部
３２…エキスパンド部
３３…押圧部材
３４…リング部材
３５…昇降機
３６…載置台
Ａ…アッシング残渣
【図１Ａ】
2019067819.tif 000003
【図１Ｂ】
2019067819.tif 000004
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2019067819.tif 000008
【図３Ｄ】
2019067819.tif 000009
【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
2019067819.tif 000011
【図３Ｇ】
2019067819.tif 000012
【図３Ｈ】
2019067819.tif 000013
【図３Ｉ】
2019067819.tif 000014
【図３Ｊ】
2019067819.tif 000015
【図４Ａ】
2019067819.tif 000016
【図４Ｂ】
2019067819.tif 000017
【図５Ａ】
2019067819.tif 000018
【図５Ｂ】
2019067819.tif 000019
【図６Ａ】
2019067819.tif 000020
【図６Ｂ】
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