(57)【要約】【課題】ＤＡＦをウエハに貼り付けた状態で行うダイシングカットにおいて、切削ひげの発生を抑制する。【解決手段】表面２０ａおよび裏面２０ｂを有する基板２０と、裏面２０ｂに貼り付けられたフィルム３０と、を備える半導体装置の製造方法であって、裏面２０ｂにフィルム３０を貼り付けることと、フィルム３０と共に基板２０を裏面２０ｂからハーフカットし、裏面側溝部８０を形成することと、裏面側溝部８０を形成することの後に、フィルム３０に保護部材９０を貼り付けることと、保護部材９０を貼り付けることの後に、表面２０ａから基板２０のダイシングカットを行い、裏面側溝部８０と連結された表面側溝部１１０を形成することと、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（２０ａ）および裏面（２０ｂ）を有する基板（２０）と、前記裏面に貼り付けられたフィルム（３０）と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記裏面に前記フィルムを貼り付けることと、
前記フィルムと共に前記基板を前記裏面からハーフカットし、裏面側溝部（８０）を形成することと、
前記裏面側溝部を形成することの後に、前記フィルムに保護部材（９０）を貼り付けることと、
前記保護部材を貼り付けることの後に、前記表面から前記基板のダイシングカットを行い、前記裏面側溝部と連結された表面側溝部（１１０）を形成することと、を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記裏面側溝部を形成することでは、前記基板のうち前記裏面側溝部と前記表面とで挟まれた部分の抗折強度が、前記表面側溝部を形成することにおいて前記基板の割れが生じる抗折強度よりも高くなるように、前記基板をハーフカットする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記表面側溝部を形成することでは、前記表面側溝部が前記裏面に向かうにつれて幅が狭くなる段付き形状となるように、１つの溝部の底部に該溝部よりも開口幅が小さい別の溝部を形成することを少なくとも１回行う請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記表面側溝部を形成することでは、前記表面に第１表面側溝部（１１１）を形成した後、前記第１表面側溝部の底部に前記第１表面側溝部よりも開口幅が小さい第２表面側溝部（１１２）を形成し、前記第２表面側溝部を前記裏面側溝部と連結させる請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記表面側溝部を形成することでは、前記基板のうち前記裏面側溝部と前記表面に形成された１つの溝部とで挟まれた部分の抗折強度が、該１つの溝部の底部に別の溝部を形成するときに前記基板の割れが生じる抗折強度よりも高くなるように、該１つの溝部を形成する請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記表面側溝部を形成することでは、ダイシングブレード（１００、１３０）と前記裏面側保護部材とが離された状態でダイシングを行う請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
表面（２０ａ）および裏面（２０ｂ）を有する基板（２０）と、前記裏面に貼り付けられたフィルム（３０）と、を備える半導体装置であって、
前記表面および前記裏面の外周部が内周部よりも凹むことにより、前記表面の内周部から前記表面の外周部、前記基板の側面（２０ｃ）、前記裏面の外周部を経て前記裏面の内周部に至る部分が段付き形状とされており、
前記フィルムは、前記裏面の内周部に貼り付けられている半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）が貼り付けられた半導体チップの製造方法として、例えば、特許文献１に次のような製造方法が提案されている。すなわち、この製造方法では、ウエハ裏面に保持用粘着テープを貼り付けた状態で表面側からハーフカットを行い、保持用粘着テープをウエハ表面に貼り替えた後、ウエハ裏面側からウエハを研削してウエハをチップ単位に分割する。そして、チップ単位に分割されたウエハの裏面にＤＡＦを貼り付け、ＤＡＦのうちウエハに装着されていない部分を引張力にて破断することにより、裏面にＤＡＦが貼り付けられた半導体チップが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１９３２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、ＤＡＦをウエハと同じ形に切断し、ウエハに正確に貼り付ける必要がある。また、ウエハの表面側に保持用粘着テープを貼り付けた状態でＤＡＦを貼り付けるため、ＤＡＦ貼り付け時のウエハの加熱により、保持用粘着テープの粘着層の流動性が増加することで粘着力が増加し、保持用粘着テープの剥離が困難になるおそれがある。
【０００５】
また、引張力にてＤＡＦを破断する際に、保持用粘着テープにたるみが発生するおそれがある。これを避ける方法として、例えば、チップの裏面に、チップと同じ大きさに切断したＤＡＦを貼り付ける方法が考えられる。しかし、この方法では、チップが小型化するにつれて、ＤＡＦをチップの大きさに合わせて切断してチップに貼り付けることが困難になる。
【０００６】
また、ウエハをチップ単位に分割する前にＤＡＦをウエハに貼り付け、引張力による破断ではなく、ダイシングによってＤＡＦをウエハごと切断する方法が考えられる。
【０００７】
しかしながら、例えばウエハの裏面にＤＡＦを貼り付け、ＤＡＦの外側の面を保持用粘着テープに貼り付け、ウエハの表面からダイシングを行う場合、ＤＡＦは変形しやすい保持用粘着テープで支持される。すると、ダイシングブレードが当たったときにＤＡＦが変形し、ダイシングブレードの表面の凹凸にＤＡＦが付着して、ＤＡＦの切削ひげが発生してしまう。
【０００８】
切削ひげが存在すると、切削ひげがチップの下に潜り込むことでピックアップが阻害されたり、切削ひげが配線に接触することでショートが発生したりする恐れがある。また、半導体チップがセンサ素子を含む場合、実装基板への実装時に実装基板と半導体チップとの間に切削ひげが潜り込むと、センサの水平度が低下し、センサ精度が低下する。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、ＤＡＦをウエハに貼り付けた状態で行うダイシングカットにおいて、切削ひげの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表面（２０ａ）および裏面（２０ｂ）を有する基板（２０）と、裏面に貼り付けられたフィルム（３０）と、を備える半導体装置の製造方法であって、裏面にフィルムを貼り付けることと、フィルムと共に基板を裏面からハーフカットし、裏面側溝部（８０）を形成することと、裏面側溝部を形成することの後に、フィルムに保護部材（９０）を貼り付けることと、保護部材を貼り付けることの後に、表面から基板のダイシングカットを行い、裏面側溝部と連結された表面側溝部（１１０）を形成することと、を備える。
【００１１】
このように、基板の裏面に貼り付けたフィルムと共に基板を裏面側からハーフカットする場合には、フィルムが硬い基板に支持された状態で切断されるので、フィルムの切削ひげの発生を抑制することができる。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明では、表面（２０ａ）および裏面（２０ｂ）を有する基板（２０）と、裏面に貼り付けられたフィルム（３０）と、を備える半導体装置であって、表面および裏面の外周部が内周部よりも凹むことにより、表面の内周部から表面の外周部、基板の側面（２０ｃ）、裏面の外周部を経て裏面の内周部に至る部分が段付き形状とされており、フィルムは、裏面の内周部に貼り付けられている。
【００１３】
このような半導体装置は、基板の裏面にフィルムを貼り付け、フィルムと共に基板を裏面側からハーフカットして裏面側溝部を形成した後に、基板の表面側からダイシングブレードの幅を変えて複数回ダイシングカットを行い、裏面側溝部と連結された段付き形状の表面側溝部を形成することで形成される。
【００１４】
このように、基板の裏面に貼り付けたフィルムと共に基板を裏面側からハーフカットする場合には、フィルムが硬い基板に支持された状態で切断されるので、フィルムの切削ひげの発生を抑制することができる。
【００１５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図２】第１実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】第１実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】比較例におけるチッピングの発生の様子を示す断面図である。
【図５】第１実施形態におけるチッピングの発生の様子を示す断面図である。
【図６】比較例におけるチッピングの発生の様子を示す断面図である。
【図７】第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図８】第２実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】第２実施形態の効果を説明するための断面図である。
【図１０】第３実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図１１】第３実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１８】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態の半導体装置は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０が備える基板２０に貼り付けられたＤＡＦ３０と、実装基板４０と、ボンディングワイヤ５０とを備えている。
【００１９】
半導体チップ１０は、Ｓｉ等で構成された基板２０にセンサ素子等の図示しない半導体素子が形成されたものである。基板２０の表面２０ａには、図示しないパッドが形成されており、ボンディングワイヤ５０は、このパッドと実装基板４０とを接続している。
【００２０】
ＤＡＦ３０は、基板２０の裏面２０ｂに貼り付けられており、半導体チップ１０はＤＡＦ３０によって実装基板４０に固定されている。本実施形態では、基板２０の裏面２０ｂと側面２０ｃとの間の角部に凹部２０ｄが形成されており、裏面２０ｂの外周端部は内周部よりも凹んだ形状とされている。ＤＡＦ３０は、裏面２０ｂの内周部に貼り付けられている。
【００２１】
半導体装置の製造方法について図２、図３を用いて説明する。図２（ａ）に示す工程では、ウエハ状の基板２０を用意し、基板２０に図示しない半導体素子、ボンディングパッド等を形成した後、ＤＡＦ貼り付け機を用いて基板２０の裏面２０ｂにＤＡＦ３０を貼り付け、ＤＡＦ３０を基板２０の縁に沿って切断する。これにより、基板２０の裏面２０ｂ全体に円形状のＤＡＦ３０が貼り付けられる。
【００２２】
図２（ｂ）に示す工程では、基板２０の表面２０ａに保護部材６０を貼り付ける。本実施形態では、保護部材６０として、支持層６１と、紫外線が照射されることにより硬化する粘着層６２とが積層された構成のものを用い、表面２０ａに粘着層６２を貼り付ける。
【００２３】
なお、図２（ａ）に示す工程の前に図２（ｂ）に示す工程を行うと、ウエハ状の基板２０をリングに固定した状態でＤＡＦ３０を貼り付けることになる。このような方法として、例えばＤＡＦ３０を基板２０に貼り付けた後、保護部材６０を切断しないように基板２０と同じ形状にＤＡＦ３０を切断する方法が考えられる。しかし、基板２０は薄いため、保護部材６０を切断しないようにＤＡＦ３０を基板２０と同じ形状に切断することは困難である。また、あらかじめ基板２０と同じ形状に加工したＤＡＦ３０を基板２０に貼り付ける方法が考えられる。しかし、この方法では基板２０とＤＡＦ３０との位置にずれが生じやすい。よって、図２（ａ）に示す工程でＤＡＦ３０を貼り付けた後に図２（ｂ）に示す工程を行うことが望ましい。
【００２４】
図２（ｃ）に示す工程では、ダイシングブレード７０を用いて裏面２０ｂからＤＡＦ３０と共に基板２０をハーフカットする。すなわち、基板２０を厚さ方向の途中まで切削し、基板２０に溝部８０を作成する。基板２０を構成するＳｉは赤外線を透過するので、赤外線カメラを用いて裏面２０ｂ側から表面２０ａ側のパターンを観察してアライメントを行うことができる。溝部８０は、裏面側溝部に相当する。
【００２５】
なお、溝部８０の幅が小さいと、後述する図３（ｃ）に示す工程で形成する溝部１１０の位置を溝部８０に合わせることが困難になる。そのため、溝部８０の幅をある程度大きくすることが好ましい。
【００２６】
また、後述するように、溝部８０の深さがあまりに大きいと、基板２０のうち表面２０ａと溝部８０とで挟まれた部分の抗折強度が低下して、図３（ｃ）に示す工程で基板２０が割れるおそれがある。そのため、図２（ｃ）に示す工程では、基板２０のうち表面２０ａと溝部８０とで挟まれた部分の厚さ、すなわち、後述する溝部１１０の深さをＨ１とし、溝部８０の深さをＨ２として、Ｈ１がある程度大きくなるように深さＨ２を設定する。
【００２７】
図３（ａ）に示す工程では、ＤＡＦ３０に保護部材９０を貼り付ける。本実施形態では、保護部材９０として、支持層９１と、紫外線が照射されることにより硬化する粘着層９２とが積層された構成のものを用い、ＤＡＦ３０のうち基板２０とは反対側の面に粘着層９２を貼り付ける。
【００２８】
図３（ｂ）に示す工程では、表面２０ａに貼り付けられた保護部材６０に紫外線を照射し、粘着層６２の粘着力を弱めて、保護部材６０を表面２０ａから剥離させる。これにより、表面２０ａが露出する。
【００２９】
図３（ｃ）に示す工程では、ダイシングブレード１００を用いて基板２０のダイシングカットを行い、溝部１１０を形成する。溝部１１０は、表面側溝部に相当する。
【００３０】
なお、図３（ｃ）に示す工程では、表面２０ａに形成されたスクライブライン等を基準にアライメントを行い、溝部１１０が溝部８０と連結されるようにする。また、溝部１１０の幅Ｗ１が溝部８０の幅Ｗ２よりも小さくなるように、ダイシングブレード１００としてダイシングブレード７０よりも細いものを用いる。これにより、溝部１１０の幅Ｗ１が溝部８０の幅Ｗ２よりも小さい段付き形状の溝が形成される。そして、基板２０がチップ単位に分割されて半導体チップ１０が形成されるとともに、基板２０の側面２０ｃと裏面２０ｂとの間の角部に凹部２０ｄが形成される。
【００３１】
また、図３（ｃ）に示す工程では、裏面２０ｂに貼られた保護部材９０を切削しないように、ダイシングブレード１００と保護部材９０とが離された状態を維持しながら基板２０の切削を行う。
【００３２】
図３（ｃ）に示す工程の後、半導体チップ１０およびＤＡＦ３０を保護部材９０から剥離させて、半導体チップ１０をＤＡＦ３０によって実装基板４０に固定する。そして、ワイヤボンディングを行い、基板２０の表面２０ａに形成された図示しないパッドと実装基板４０とをボンディングワイヤ５０によって接続する。このようにして、半導体装置が製造される。
【００３３】
このように、ダイシングテープ等よりも硬いＳｉ等で構成された基板２０でＤＡＦ３０を下から支持して切削を行うことで、ダイシングブレード７０がＤＡＦ３０に接触した際のＤＡＦ３０の変形を抑えることができる。したがって、ＤＡＦ３０をダイシングテープ等で支持して切断する場合に比べて、ダイシングブレードの表面の凹凸にＤＡＦが付着することによる切削ひげの発生を抑制することができる。
【００３４】
なお、ダイシングブレード１００の幅がダイシングブレード７０の幅よりも大きいと、図４に示すように溝部１１０の幅Ｗ１が溝部８０の幅Ｗ２よりも大きくなる。このように溝部１１０を形成すると、基板２０のうち溝部８０の外側の領域にダイシングブレード１００との接触による応力が生じ、チッピングが広範囲に発生するおそれがある。そして、このようなチッピングによって側面２０ｃにクラックが発生し、基板２０の強度が低下する。
【００３５】
一方、図５に示すように、幅Ｗ１が幅Ｗ２よりも小さくなるように、ダイシングブレード１００としてダイシングブレード７０よりも幅が小さいものを用いると、ダイシングブレード１００による応力が開放されるため、チッピングの発生が抑えられる。また、溝部８０の外側にチッピングが発生することが抑制されるため、クラックによる基板２０の強度の低下を抑制することができる。
【００３６】
また、ダイシングの際にダイシングブレード１００が保護部材９０に接触すると、保護部材９０が変形し、溝部８０の周辺に糊残りが発生するおそれがある。また、ダイシングブレードは劣化すると先端が丸くなるため、ダイシングブレード１００の先端部では正常に切削できないおそれがある。
【００３７】
したがって、ダイシングブレード１００と保護部材９０との接触を抑制し、また、ダイシングブレード１００のうち先端部から離れた部分でダイシングを行うために、溝部８０の深さＨ２をある程度大きくすることが好ましい。具体的には、ダイシングブレード１００の丸くなった先端部の長さをＨ３１とし、ダイシングブレード１００が溝部８０に入る深さをＨ３２として、Ｈ２＞Ｈ３２＞Ｈ３１とすることが好ましい。これにより、ダイシングブレード１００と保護部材９０とが離された状態を維持しながら、ダイシングブレード１００のうち先端部から離れた部分で正常に切削することができる。
【００３８】
ただし、溝部８０の深さＨ２があまりに大きいと、基板２０のうち表面２０ａと溝部８０とで挟まれた部分の抗折強度が低下して、図６に示すようにチッピングが発生したときに、ダイシングブレード１００からの力で基板２０が割れるおそれがある。したがって、基板２０のうち溝部８０と表面２０ａとで挟まれた部分の抗折強度が、図３（ｃ）に示す工程において基板２０の割れが生じる抗折強度よりも高くなるように、深さＨ２をある程度小さくすることが好ましい。
【００３９】
なお、基板２０の抗折強度は、深さＨ２の他、溝部８０の幅Ｗ２や基板２０の材料によっても変化する。さらに、チッピングが発生するときの基板２０の抗折強度は、ダイシングブレード１００の幅等によっても変化するため、基板２０の材料、ダイシングブレード１００の幅等を考慮して深さＨ１、Ｈ２、幅Ｗ２を設定することが好ましい。
【００４０】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して基板２０の形状を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００４１】
図７に示すように、本実施形態では、基板２０の表面２０ａと側面２０ｃとの間の角部に凹部２０ｅが形成され、表面２０ａの外周端部が内周部よりも凹んだ形状とされている。これにより、表面２０ａの内周部から表面２０ａの外周部、側面２０ｃ、裏面２０ｂの外周部を経て裏面２０ｂの内周部に至る部分が段付き形状とされている。そして、ボンディングワイヤ５０は、表面２０ａの内周部に接続されている。
【００４２】
本実施形態では、第１実施形態と同様に図２（ａ）に示す工程から図３（ｂ）に示す工程を行った後に、溝部１１０が裏面２０ｂに向かうにつれて幅が狭くなる段付き形状となるように、１つの溝部の底部に該溝部よりも開口幅が小さい別の溝部を形成する。
【００４３】
具体的には、基板２０の表面２０ａに形成されたスクライブライン等を基準にアライメントを行い、図８（ａ）に示すように、裏面２０ｂに形成された溝部８０に合わせてダイシングブレード１２０を配置し、表面２０ａに溝部１１１を形成する。そして、図８（ｂ）に示すように、ダイシングブレード１３０を用いて、溝部１１１の底部に溝部１１２を形成する。このとき、溝部１１１、１１２の幅をそれぞれＷ１１、Ｗ１２として、幅Ｗ１２が幅Ｗ１１よりも小さくなるように、ダイシングブレード１３０としてダイシングブレード１２０よりも幅が小さいものを用いる。溝部１１１、１１２は、それぞれ、第１、第２表面側溝部に相当する。
【００４４】
これにより、溝部１１１と溝部１１２とで構成された段付き形状の溝部１１０が形成され、溝部１１０は溝部１１２において溝部８０と連結される。そして、基板２０がチップ単位に分割されるとともに、基板２０の裏面２０ｂと側面２０ｃとの間の角部に凹部２０ｄが形成され、表面２０ａと側面２０ｃとの間の角部に凹部２０ｅが形成される。
【００４５】
なお、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、溝部１１１、溝部１１２と溝部８０との位置合わせを容易にするために、溝部８０の幅Ｗ２をある程度大きくすることが好ましい。また、チッピングおよびクラックの発生を抑制するために、溝部１１２の幅Ｗ１２を溝部８０の幅Ｗ２よりも小さくすることが好ましい。
【００４６】
また、第１実施形態と同様に、ダイシングブレード１３０と保護部材９０とが離された状態を維持しながら、ダイシングブレード１３０のうち先端部から離れた部分で正常に切削するために、Ｈ２＞Ｈ３２＞Ｈ３１とすることが好ましい。また、基板２０のうち溝部８０と表面２０ａとで挟まれた部分の抗折強度が、図８（ａ）に示す工程において基板２０の割れが生じる抗折強度よりも高くなるように、深さＨ２を、ある程度小さくすることが好ましい。また、基板２０のうち溝部８０と溝部１１１とで挟まれた部分の抗折強度が、図８（ｂ）に示す工程において基板２０の割れが生じる抗折強度よりも高くなるように、深さＨ１１、Ｈ２を、ある程度小さくすることが好ましい。
【００４７】
基板２０に凹部２０ｅが形成された本実施形態では、図９に示すように、表面２０ａと側面２０ｃとの間の角部が欠けた分だけワイヤルーピングを第１実施形態よりも小さくすることができる。これによりボンディングワイヤ５０を短くすることが可能となる。また、ボンディングワイヤ５０を短くすることで、ボンディングワイヤ５０の強度を向上させることができる。なお、図９において、破線は第１実施形態の基板２０の角部の形状を示し、一点鎖線は第１実施形態のボンディングワイヤ５０の形状を示す。
【００４８】
なお、基板２０に凹部２０ｅが形成されていない場合でも表面２０ａに形成された図示しないボンディングパッドの位置を基板２０の端部に近づければボンディングワイヤ５０を短くすることはできる。しかし、このようにボンディングパッドを配置すると、ボンディングワイヤ５０が大きく曲げられ、ボンディングワイヤ５０の強度が低下する。これに対して、基板２０に凹部２０ｅが設けられた本実施形態では、ボンディングワイヤ５０の変形を抑制しつつ実装基板４０上のパッド位置を基板２０の端部に近づけることができ、高密度実装が可能となる。
【００４９】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して基板２０の構成を変更したものであり、その他については第２実施形態と同様であるため、第２実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５０】
図１０に示すように、本実施形態では、基板２０の内部に中空部２０ｆが形成されている。このような基板２０としては、例えば、図１１に示すように、Ｓｉ層２１と、酸化膜２２と、Ｓｉ層２３と、酸化膜２４と、Ｓｉ層２５とが順に積層された構成のものが挙げられる。
【００５１】
中空部２０ｆには加速度等を検出する図示しないセンサ部が形成されている。ボンディングワイヤ５０は、Ｓｉ層２５に形成された図示しないＴＳＶにてＳｉ層２３に接続されている図示しないボンディングパッドと、実装基板４０上の図示しないボンディングパッドとを接続している。
【００５２】
本実施形態では、図２（ａ）に示す工程の前に、Ｓｉ層２１の表面を熱酸化して酸化膜２２を形成し、エッチングによりＳｉ層２１および酸化膜２２の一部を除去して凹部を形成し、Ｓｉ層２１に酸化膜２２を介してＳｉ層２３を貼り合わせる。そして、Ｓｉ層２３に図示しないセンサ部を形成する。また、Ｓｉ層２５の表面に酸化膜２４を形成し、エッチングによりＳｉ層２５および酸化膜２４の一部を除去して凹部を形成し、Ｓｉ層２３に酸化膜２４を介してＳｉ層２５を貼り合わせ、Ｓｉ層２５に図示しないＴＳＶおよびボンディングパッドを形成する。このようにして、中空部２０ｆが形成された基板２０が製造される。そして、図２（ａ）に示す工程から図３（ｂ）に示す工程を行った後に、図１１に示すように、段付き形状の溝部１１０を形成する。なお、本実施形態では、図２（ｃ）に示す工程において、赤外線カメラを用いて裏面２０ｂ側から中空部２０ｆや表面２０ａ側のパターンを観察してアライメントを行うことができる。
【００５３】
基板２０が異なる材料で構成された複数の層を備える場合には、材料に合わせてダイシングブレードを選択することが望ましく、図８に示すように溝部１１０を複数回のダイシングカットで形成することにより、ダイシング条件の自由度を向上させることができる。
【００５４】
なお、基板２０の内部に中空部２０ｆが形成されている場合には、基板２０のうち溝部１１２と中空部２０ｆとで挟まれた部分の幅Ｗ３が小さくなるにつれて基板２０の抗折強度が低下する。したがって、基板２０の抗折強度の低下を抑制するために、幅Ｗ３をある程度大きくすることが望ましい。
【００５５】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５６】
例えば、上記第１実施形態を内部に中空部２０ｆが形成された基板２０を備える半導体装置に適用してもよい。
【００５７】
また、上記第２実施形態では溝部１１０を溝部１１１と溝部１１２とで構成し、２段の段付き形状としたが、溝部１１０を３段以上の段付き形状としてもよい。すなわち、図３（ｂ）に示す工程を行った後に、溝部１１０が裏面２０ｂに向かうにつれて幅が狭くなる段付き形状となるように、１つの溝部の底部に該溝部よりも開口幅が小さい別の溝部を形成することを複数回行ってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
２０    基板
３０    ＤＡＦ
８０    溝部
９０    保護部材
１１０  溝部
【図１】
2019004053.tif 000003
【図２】
2019004053.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2019004053.tif 000008
【図７】
2019004053.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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