(57)【要約】【課題】耐衝撃性が強く屈曲可能な静電容量方式タッチパネルの製造方法の提供。【解決手段】絶縁基板に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記第１の電極を形成する工程と、第１の電極の上に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記第２の電極を形成する工程からなる。【選択図】  図２
2019169184.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂からなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成された、透明導電膜からなる複数の第１の電極と、
前記複数の第１の電極の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された、透明導電膜からなり、前記第１の電極と交差する複数の第２の電極と、
前記複数の第２の電極の上に形成された保護膜を備えた静電容量方式タッチパネルの製造方法において、
大気中において前記絶縁基板に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記第１の電極を形成する工程と、
大気中において前記第１の電極を含む前記絶縁基板の上に、液体の感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記絶縁膜を形成する工程と、
大気中において前記絶縁膜の上に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記第２の電極を形成する工程と、
大気中において前記第２の電極を被って、有機系樹脂材料を塗布して、前記保護膜を形成する工程と、からなる
ことを特徴とする静電容量方式タッチパネルの製造方法。
【請求項２】
前記保護膜および、前記第１の電極、前記第２の電極の屈折率が、ほぼ同じである
ことを特徴とする請求項１に記載の静電容量方式タッチパネルの製造方法。
【請求項３】
前記保護膜は、スクリーン印刷あるいはインクジェット方式によって塗布可能される
ことを特徴とする請求項１に記載の静電容量方式タッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静電容量方式タッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の表示領域に重ねて配置される静電容量方式タッチパネルは、その基板上に、ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるｘ方向電極と、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるｙ方向電極が、絶縁されて形成されている。
【０００３】
このように構成された静電容量方式タッチパネルは、それに指等を触れると、その箇所の電極に容量変化が生じ、外付けの制御回路（コントローラ）によって、容量変化が生じたｘ方向電極、ｙ方向電極の検出によりｘ、ｙ座標を演算し、その情報を表示装置に反映させるようになっている。
【０００４】
また、静電容量方式タッチパネルは、その基板、ｘ方向電極、ｙ方向電極等が透光性材料で形成することにより、該静電容量方式タッチパネルを通して表示装置の表示領域を目視できるようにし、表示装置の表示領域におけるｘ、ｙ座標と対応づけられたものとなっている。
【０００５】
このような技術は、たとえば下記特許文献１に開示がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許ＵＳ００５８４４５０６Ａ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した静電容量方式タッチパネルは、その基板をガラス基板とし、ｘ方向電極、ｙ方向電極のそれぞれはたとえばスパッタリングで形成した透明導電膜（たとえば、ITO: Indium Tin Oxide）をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングでパターン化したものとなっている。このため、基板上への透明導電膜の形成に真空プロセスを採用することを免れず、作業を複雑にするとともに、製造コストの増大をもたらすものとなっていた。
【０００８】
また、基板上の透明導電膜の形成にたとえばスパッタリングを用いていることから、そのプロセス温度が比較的高温であり、基板としては耐熱性のガラス基板を用いざるを得ず、耐衝撃性の強く屈曲可能な静電容量方式タッチパネルの実現を困難にしていた。
【０００９】
さらに、ＩＴＯ等の透明導電膜は、金属酸化物からなり、その光屈折率と、ｘ方向電極とｙ方向電極との間に介在される絶縁膜の光屈折率は、比較的大きく異なることを免れ得ない。このため、ｘ方向電極、ｙ方向電極のそれぞれのパターンが目視されやすくなっているという不都合を有する。
【００１０】
本発明の目的は、製造を容易にできる構成の静電容量方式タッチパネルの製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、耐衝撃性が強く屈曲可能な静電容量方式タッチパネルの製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、電極のパターンを目視し難く構成された静電容量方式タッチパネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明による静電容量方式タッチパネルは、そのｘ方向電極、ｙ方向電極を塗布によって形成される透明高分子材料によって構成したものである。
【００１４】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１５】
（１）本発明の静電容量方式タッチパネルの製造方法は、
樹脂からなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成された、透明導電膜からなる複数の第１の電極と、
前記複数の第１の電極の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された、透明導電膜からなり、前記第１の電極と交差する複数の第２の電極と、
前記複数の第２の電極の上に形成された保護膜を備えた静電容量方式タッチパネルの製造方法において、
大気中において前記絶縁基板に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記第１の電極を形成する工程と、
大気中において前記第１の電極を含む前記絶縁基板の上に、液体の感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記絶縁膜を形成する工程と、
大気中において前記絶縁膜の上に、感光性高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィでパターニングして、前記第２の電極を形成する工程と、
大気中において前記第２の電極を被って、有機系樹脂材料を塗布して、前記保護膜を形成する工程と、からなることを特徴とする。
【００１６】
（２）本発明の静電容量方式タッチパネルの製造方法は、（１）において、前記保護膜および、前記第１の電極、前記第２の電極の屈折率が、ほぼ同じであることを特徴とする。
【００１７】
（３）本発明の静電容量方式タッチパネルの製造方法は、（１）において、前記保護膜は、スクリーン印刷あるいはインクジェット方式によって塗布可能されることを特徴とする。
【００１８】
なお、上述した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００１９】
このように構成した静電容量方式タッチパネルの製造方法によれば、製造を容易にできる構成とすることができる。また、耐衝撃性が強く屈曲可能とすることができる。また、電極のパターンを目視し難く構成することができる。
【００２０】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の静電容量型タッチパネルの一実施例を示す断面図で、図２のI−I線における断面に相当する。
【図２】本発明の静電容量型タッチパネルの一実施例の平面図である。
【図３】本発明の静電容量型タッチパネルの電極に用いられる材料の実施例を示す構造図である。
【図４】本発明の静電容量型タッチパネルに接続されるタッチパネルコントローラの実施例を示す回路図である。
【図５】図４に示すタッチパネルコントローラの信号のタイミングを示す図である。
【図６】本発明の画面入力型表示装置の実施例を示す斜視分解図である。
【図７】本発明の画面入力型表示装置をモバイル機器と接続された状態を示すブロック図である。
【図８】本発明の静電容量型タッチパネルの他の実施例を示す断面図である。
【図９】本発明の画面入力型表示装置の他の実施例を示す斜視分解図である。
【図１０】本発明の画面入力型表示装置が適用される機器の例を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００２３】
〈実施例１〉
（静電容量方式タッチパネル）
図２は、本発明の静電容量方式タッチパネル（以下、単にタッチパネルと称する場合がある）の実施例１を示す平面図である。また、図１は、図２のI−I線における断面図である。
【００２４】
図２において、たとえば矩形状の基板ＳＵＢがある。この基板ＳＵＢは、たとえば液晶表示パネルに重ねられて配置され該液晶表示パネルの大きさに対応されて形成されている。この基板ＳＵＢはたとえばガラスあるいは樹脂等から構成されている。
【００２５】
基板ＳＵＢの表面にはたとえば複数のｙ方向電極ＹＰが形成されている。ｙ方向電極ＹＰは図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されて形成されている。ｙ方向電極ＹＰは、その延在方向において、線幅が小さい部分と大きい部分が交互に配列されたパターンをなして形成されている。ｙ方向電極ＹＰにおいて、線幅が小さい部分はその線長が短く、線幅が大きい部分はその線長が大きく形成されている。ｙ方向電極ＹＰの線幅が大きい部分（この部分をパッド部ＰＤｙと称する場合がある）はたとえば菱形状をなし、その一対の対角の部分において線幅が小さい部分と接続されるようになっている。ｙ方向電極ＹＰの各パッド部ＰＤｙは、並設される他のｙ方向電極ＹＰのパッド部ＰＤｙとともに図中ｘ方向に並設されるようになっている。ここで、ｙ方向電極ＹＰは、透明導電膜からなり、その材料は塗布して形成される高分子材料によって形成されている。基板ＳＵＢの表面に該高分子材料を塗布し、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングを施すことにより、上述したパターンに形成することができる。この場合、前記高分子材料として感光性を有するものを用いることで、フォトリソグラフィ技術のみで（選択エッチングの省略）上述したパターンに形成することができる。前記高分子材料としては、たとえば、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェリレン硫化物、ポリｐ−フェニレン、ポリヘテロ環ビニレンを用いることができる。典型的な高分子材料としては、たとえば図３に構造式を示したもので、ＰＥＤＯＴと称される置換ポリチオフェン、ポリ(３，４−エチレンジオキシチオフェン）を用いることができる。感光性を有する高分子材料は、上述した高分子材料に、感光性材料は光重合開始剤、バインダー：多官能アクリルモノマを付加することによって形成することができる。そして、上述した高分子材料に、塗布して形成される絶縁材料を付加することによって、たとえばスクリーン印刷、あるいはインクジェットを用いて、所定のパターンで透明導電膜を形成することができる。すなわち、フォリソグラフィ技術を用いることなく所定のパターンの透明導電膜を形成することができる。このように構成されるｙ方向電極ＹＰにおいて、そのシート抵抗は１０００（Ω／□）より小さく、光透過率が厚さ４００〜７００ｎｍで９０％以上、光屈折率は２．０よりも小さくなることが確認される。
【００２６】
ｙ方向電極ＹＰは、それぞれ、たとえば図中下側の端部から線幅の小さな配線ＷＬｙとして引き出され、基板ＳＵＢのたとえば右下に搭載されるコネクタＣＮに接続されるようになっている。
【００２７】
基板ＳＵＢの表面には、ｙ方向電極ＹＰをも被って、絶縁膜ＩＮが形成されている。この絶縁膜ＩＮは、この上面に形成される後述のｘ方向電極ＸＰが前記ｙ方向電極ＹＰと絶縁がなされる層間絶縁膜として機能するようになっている。ここで、絶縁膜ＩＮは、その材料として、塗布して形成されるSiO系材料、あるいは塗布して形成される有機樹脂系材料によって形成されている。塗布して形成されるSiO系材料としては、ＳＯＧ(Spin on Glass：シリカ（SiO2)を溶剤に溶かした液体）を用いることができる。これらの材料は通常時に液体となっており基板ＳＵＢの表面に塗布によって形成することができる。この絶縁膜ＩＮに感光性を付加することにより、フォトリソグラフィ技術によってのみパターン加工ができ、エッチング工程を不要とすることができる。また、絶縁膜ＩＮとして塗布して形成される有機樹脂系材料を用いることによって、たとえばスクリーン印刷、あるいはインクジェットを用いて、所定のパターンで絶縁膜ＩＮを形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィ技術を用いることなく所定のパターンの絶縁膜ＩＮを形成することができる。このように構成される絶縁膜ＩＮにおいて、その耐熱性は１５０℃より大きいのが望ましく、誘電率は１ＭＨｚで３〜４が望ましく、パターンの解像度は約５μｍ以下が望ましく、可視光透過率は９0％よりも大きくなることが望ましい。さらに光学的な屈折率は１．２から２．０であることが望ましい。
【００２８】
絶縁膜ＩＮの表面にはたとえば複数のｘ方向電極ＸＰが形成されている。ｘ方向電極ＸＰは図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されて形成されている。ｘ方向電極ＸＰは、ｙ方向電極ＹＰと同様のパターンをなして形成されている。すなわち、ｘ方向電極ＸＰの延在方向において、線幅が小さい部分と大きい部分が交互に配列されたパターンをなして形成されている。ｘ方向電極ＸＰにおいて、線幅が小さい部分はその線長が短く、線幅が大きい部分はその線長が大きく形成されている。ｘ方向電極ＸＰの線幅が大きい部分（この部分をパッド部ＰＤｘと称する場合がある）は菱形状をなし、その一対の対角の部分において線幅が小さい部分と接続されるようになっている。ｘ方向電極ＹＰの各パッド部ＰＤｘは、並設される他のｘ方向電極ＸＰのパッド部ＰＤｘとともに図中ｙ方向に並設されるようになっている。そして、平面的に観た場合に、ｘ方向電極ＸＰの各パッド部ＰＤｘは、ｙ方向電極ＹＰの隣接する４個のパッド部ＰＤｙに囲まれた領域にそれらに重なることなく配置されるようになっている。この関係は、ｙ方向電極ＹＰの各パッド部ＰＤｙにおいても同様となり、これらパッド部ＰＤｙは、ｘ方向電極ＸＰの隣接する４個のパッド部ＰＤｘに囲まれた領域にそれらに重なることなく配置されるようになっている。ｙ方向電極ＹＰとｘ方向電極Ｘは、それらの線幅の小さい部分において、交差による重なりがなされるようになっている。
【００２９】
ここで、ｘ方向電極ＸＰは、透明導電膜からなり、その材料は、ｙ方向電極ＹＰと同様に、塗布によって形成される高分子材料によって形成されている。この場合、ｘ方向電極ＸＰの材料は、ｙ方向電極ＹＰの材料と全く同一にする必要はないが、ｙ方向電極ＹＰの上述した各材料等から選択されたものとなっている。
【００３０】
ｘ方向電極ＸＰは、それぞれ、たとえば図中右側の端部から線幅の小さな配線ＷＬｘによって引き出され、前記コネクタＣＮに接続されるようになっている。
【００３１】
基板ＳＵＢの表面には、ｘ方向電極ＸＰをも被って保護膜ＰＳが形成されている。該保護膜ＰＳは外的傷害からｘ方向電極ＸＰを保護等するために設けられている。ここで、保護膜ＰＳは、その材料として、絶縁膜ＩＮと同様に、塗布して形成されるSiO系材料、あるいは塗布して形成される有機樹脂系材料によって形成され、また、絶縁膜ＩＮと同様の製造によって形成されている。この場合、保護膜ＰＳの材料は、絶縁膜ＩＮの材料と全く同一にする必要はないが、絶縁膜ＩＮの上述した材料の各材料等から選択されたものとなっている。
【００３２】
このように構成された静電容量方式タッチパネルは、基板ＳＵＢの表面に、大気中において塗布した材料によって、ｙ方向電極ＹＰ、絶縁膜ＩＮ、ｘ方向電極ＸＰ、保護膜ＰＳを形成することができる。このことは、たとえばｙ方向電極ＹＰ、ｘ方向電極ＸＰを、真空雰囲気内で蒸着等によって形成するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等によって形成する従来の方法に比較すると、極めて作業を容易にでき、製造コストを大幅に低減させることができる。この場合、フォトリソグラフィ技術のみで選択エッチングを用いることなく材料層を加工（パターン化）することができ、このようにした場合、さらに作業を容易にでき、製造コストを大幅に低減させることができる。さらに、材料層をたとえば印刷等で形成することができ、このようにした場合、フォトリソグラフィ技術を用いることなくパターン化できることから、さらに作業を容易にでき、製造コストを大幅に低減させることができる。
【００３３】
このように構成された静電容量方式タッチパネルは、ｙ方向電極ＹＰ、絶縁膜ＩＮ、ｘ方向電極ＸＰ、保護膜ＰＳの形成にあって、プロセス温度を２００℃以下の低温に抑えることができる。このため、基板ＳＵＢとして、樹脂膜、あるいは表面に絶縁処理を施した金属薄膜等をも使用することができる。したがって、耐衝撃性が強く、あるいは、屈曲させて使用可能なタッチパネルを得ることができる。
【００３４】
このように構成された静電容量方式タッチパネルは、そのｙ方向電極ＹＰ、ｘ方向電極ＸＰが塗布して形成される高分子材料で構成され、この塗布して形成される高分子材料は光学的特性を制御でき、たとえば屈性率を絶縁膜ＩＮあるいは保護膜ＰＳの屈折率とほぼ等しくすることができる。このため、平面的に観た場合、ｙ方向電極ＹＰ、ｘ方向電極ＸＰの各パターンを目視できにくくする効果を得ることができるようになる。
【００３５】
このように構成された静電容量方式タッチパネルは、そのｙ方向電極ＹＰ、ｘ方向電極ＸＰが塗布して形成される高分子材料で構成されているため、たとえばＩＴＯ等で形成された従来のものと比べて弾力性に優れたものとなるため、機械的な摩耗に強く、耐衝撃性に優れたものを得ることができる。同様に、絶縁膜ＩＮ、保護膜ＰＳが塗布して形成される材料で構成され、たとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等で形成された従来のものと比べて弾力性に優れたものとなるため、機械的な摩耗に強く、耐衝撃性に優れたものを得ることができる。
【００３６】
〈タッチパネルコントローラ〉
図４は、前記タッチパネル１００に接続させて用いられるタッチパネルコントローラ３の構成の実施例を示す回路図である。
【００３７】
図４において、該タッチパネルコントローラ３は、たとえば、前記タッチパネル１００と接続される積分回路３０と、該積分回路３０と接続されるＡＤコンバータ４０と、該ＡＤコンバータ４０と接続される演算処理回路５０とで構成されている。積分回路３０は、オペアンプ３１の入出力端子間に積分容量（Ｃｃ）３２とリセットスイッチ３３が並列接続されて構成されている。オペアンプ３１の入力端子は、タッチパネル１００のたとえばｘ方向電極ＸＰに接続されるノードＡとなっており、このノードＡには電流源Ｉが接続されるようになっている。タッチパネル１００の端子容量Ｃｐおよび指接触容量Ｃｆで生じた電荷は積分容量（Ｃｃ）３２に蓄積されるようになっている。オペアンプ３２の出力端子（ノードＢ）の出力電圧は、積分容量（Ｃｃ）３２と（Ｃｐ＋Ｃｆ）の比で決定される。前記リセットスイッチ３３は、そのオン・オフが所定の周期からなるクロック信号Ｖｒｓｔによって制御され、検出時間が制御されるようになっている。積分回路３０からの出力はＡＤコンバータ４０を介してデジタル化された後に、演算処理回路５０によって、タッチパネル１００に接触した指のｘ座標を演算するようになっている。このような構成は、タッチパネル１００のｙ方向電極ＹＰに接続される回路においても同様となっており、タッチパネル１００に接触した指のｙ座標を演算するようになっている。
【００３８】
なお、上述した構成において、前記ＡＤコンバータ４０に代え、ＡＤ変換部を時間に変換する回路を適用するようにしてもよい。また、タッチパネルコントローラ３は図４に示した構成以外の構成であってもよく、要は、容量あるいは電荷の変化を検出できる構成となっていればよい。
【００３９】
図５は、前記積分回路３０の動作シーケンスを示すタイミング図である。（ａ）はリセットスイッチ３３をオンするクロック信号Ｖｒｓｔを示し、（ｂ）はノードＢにおける電圧を示し、（ｃ）はＡＤコンバータ４０からの出力を示し、（ｄ）はタッチパネル１００に指が接触しているか否か（図中、接触している場合をＴＣ、接触していない場合をＮＴで示している）を示している。前記クロック信号Ｖｒｓｔは、時間Ｔ０、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３において出力され、Ｔ０〜Ｔ１の間は非接触、Ｔ１〜Ｔ２の間は接触、Ｔ２〜Ｔ３の間は非接触の場合を示している。ノードＡ（図４参照）の電圧は、指の非接触時において、電流源Ｉがたとえばｘ方向電極ＸＰの端子容量Ｃｐに充電された時間で決まり、指の接触時においてたとえばｘ方向電極ＸＰの端子容量Ｃｐおよび接触時の容量Ｃｆに充電される時間で決まる。また、ノードＢ（図４参照）の電圧は、前記リセットスイッチ２２のクロック信号Ｖｒｓｔによるオンで接地レベルとなる。ここで、指が接触した時間Ｔ２におけるノードＢの電圧はＶ（Ｔ２）で表され、指が非接触の時間Ｔ１におけるノードＢの電圧はＶ（Ｔ１）で表される。その差分Ｄは信号成分で示され、次式（１）で表される。
【００４０】
Ｖ（Ｔ２）−Ｖ（Ｔ１）=ＩｔＣｃ／Ｃｐ−ＩｔＣｃ／（Ｃｆ＋Ｃｐ）
=Ｃｆ／Ｃｐ／（Ｃｆ＋Ｃｐ）Ｃｃ  ……  （１）
ここで、Ｃｐ：端子容量、Ｃｆ：指接触時の容量、Ｉ：電流源Ｉの電流値、Ｃｃ：積分回路３０の積分容量である。
【００４１】
（タッチパネルを備える表示装置）
図６は、上述したタッチパネル１００を備えた表示装置、すなわち画面入力型表示装置の一実施例を示す斜視分解図である。
【００４２】
前記表示装置はたとえば液晶表示パネルＰＮＬが用いられている。液晶表示パネルＰＮＬは、液晶ＬＣを挟持するＴＦＴ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２とで液晶表示パネルＰＮＬの外囲器を構成している。この場合、ＴＦＴ基板および対向基板ＳＵＢ２は、ガラス基板であっても樹脂からなる基板であってもよい。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣ側の面にはマトリックス状に配置された複数の画素が形成され、これら各画素はそれに隣接して形成された薄膜トランジスタ（図示せず）によって独立に駆動されるようになっている。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１にはフレキシブル基板ＦＰＣが接続され、該フレキシブル基板ＦＰＣを介して各画素に独立に信号を供給するようになっている。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対側の面に下側偏光板ＰＯＬ１、対向基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣと反対側の面に上側偏光板ＰＯＬ２が配置され、各画素の液晶ＬＣの挙動を可視化できるようになっている。また、液晶表示パネルＰＮＬの各画素は光透過量を制御する非発光素子であるため、該液晶表示パネルＰＮＬの観察者の反対側の面にはバックライトＢＬが配置されている。
【００４３】
タッチパネル１００は、前記液晶表示パネルＰＮＬの観察者側の面に配置され、該液晶表示パネルＰＮＬの表示領域は該タッチパネル１００を通して目視できるようになっている。該タッチパネル１００は、基板ＳＵＢのたとえば液晶表示装置ＰＮＬと反対側の面にｘ方向電極ＸＰおよびｙ方向電極ＹＰが形成され、これらｘ方向電極ＸＰおよびｙ方向電極ＹＰが形成されたタッチパネル１００の面側にはたとえばアクリルからなる保護板ＰＢが配置されるようになっている。なお、該タッチパネル１００は粘着層ＡＤＬを介して前記液晶表示パネルＰＮＬと接着されている。
また、図７は、上述した液晶表示パネルＰＮＬ、液晶駆動回路ＤＲ、タッチパネル１００、タッチパネルコントローラ３によって液晶ディスプレイモジュールＬＤＭを構成し、モバイル機器ＭＭと接続させた構成を示す図である。モバイル機器ＭＭはプロセッサＣＰＵを備え、該プロセッサＣＰＵとタッチコントローラ３の通信は、ＳＰＩや、Ｉ２Ｃなどで行われ、該プロセッサＣＰＵと液晶表示ドライバＤＲの通信は、ＲＧＢインターフェースや、ＣＰＵインターフェースを介してなされるようになっている。これにより、モバイル機器ＭＭから液晶ディスプレイモジュールＬＤＭへ、起動、サンプリング周波数、検出分解能などの初期設定データが送信される。そして、液晶ディスプレイモジュールＬＤＭからモバイル機器ＭＭへ、検出データ（ｘ、ｙ座標データ、指タッチの有無等）が送信され、タッチパネル１００で検出された位置情報を基に、モバイル機器ＭＭ内のプロセッサＣＰＵで処理され、液晶表示装置ＰＮＬの表示情報に加えられるようになっている。
【００４４】
〈実施例２〉
図８は、本発明のタッチパネルの他の実施例を示す断面図である。図８は、図１と対応した図となっている。
【００４５】
図８において、図１の場合と比較して異なる構成は、基板ＳＵＢに対してｙ方向電極ＹＰは一方の面（図中上側の面）に形成されているのに対し、ｘ方向電極ＸＰは他方の面（図中下側の面）に形成されていることにある。これにより、基板ＳＵＢはｙ方向電極ＹＰとｘ方向電極ＸＰの層間絶縁膜として機能することになる。平面的に観た場合、ｙ方向電極ＹＰと、基板ＳＵＢを通して観たｘ方向電極ＸＰとは、図２に示したような位置関係になっていることは変わらない。基板ＳＵＢの一方の面にはｙ方向電極ＹＰをも被って保護膜ＰＳ（図中符号ＰＳ（１）で示す）が形成され、基板ＳＵＢの他方の面にはｘ方向電極ＸＰをも被って保護膜ＰＳ（図中符号ＰＳ（２）で示す）が形成されている。このように構成した場合であっても、ｙ方向電極ＹＰ、ｘ方向電極ＸＰ、保護膜ＰＳ（１）、ＰＳ（２）のそれぞれの材料は、実施例１に示した材料で構成されている。
【００４６】
〈実施例３〉
図９は、本発明の表示装置の他の実施例を示す分解斜視図である。図９は、図６に対応した図となっている。
【００４７】
図９において、図６と比較して異なる構成は、タッチパネル１００のｘ方向電極ＸＰおよびｙ方向電極ＹＰは、基板ＳＵＢの液晶表示装置ＰＮＬ側の面に形成されていることにある。そして、該タッチパネル１００の液晶表示表示装置ＰＮＬとの接着は、前記ｘ電極ＸＰおよびｙ方向電極ＹＰが形成された面において、粘着層ＡＤＬを介してなされていることにある。このように構成した場合、基板ＳＵＢがｘ方向電極ＸＰおよびｙ方向電極ＹＰの保護を兼用できるため、タッチパネル１００自体の薄型化を実現することができる効果を奏する。
【００４８】
〈実施例４〉
図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明による画面入力型表示装置が適用される機器の例を示した図である。図１０（ａ）はＰＤＡを示し、その表示部ＡＲには、観察者側にタッチパネル１００が配置された液晶表示パネルＰＮＬが組み込まれている。図１０（ｂ）は携帯電話を示し、その表示部ＡＲには、観察者側にタッチパネル１００が配置された液晶表示パネルＰＮＬが組み込まれている。なお、本発明による画面入力型表示装置が適用される機器としは、上述したものに限定されないことは勿論である。
【００４９】
〈実施例５〉
上述した実施例では、表示装置として液晶表示パネルを例に挙げて示したものであるが、たとえば有機ＥＬ装置のような他の表示装置を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
ＳＵＢ、ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＹＰ……ｙ方向電極、ＰＤｙ……パッド部（ｙ方向電極）、ＸＰ……ｘ方向電極、ＰＤｘ……パッド部（ｘ方向電極）、ＷＬｙ……配線（ｙ方向電極）、ＷＬｘ……（ｘ方向電極）、ＣＮ……コネクタ、ＩＮ……絶縁膜、ＰＳ、ＰＳ（１）、ＰＳ（２）……保護膜、ＰＢ……保護板、ＡＤＬ……粘着層、ＰＯＬ１……下側偏光板、ＰＯＬ２……上側偏光板、ＬＣ……液晶、ＦＰＣ……フレキシブル基板、ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＢＬ……バックライト、ＬＤＭ……液晶ディスプレイモジュール、ＭＭ……モバイル機器、ＤＲ……液晶駆動回路、３……タッチパネルコントローラ、３０……積分回路、３１……オペアンプ、３３……リセットスイッチ、４０……ＡＤコンバータ、５０……演算処理回路、１００……静電容量型タッチパネル。
【図１】
2019169184.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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