(57)【要約】【課題】低熱膨張率の基板をコア基材として用いつつ、端面における不具合の発生を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、表面と裏面とを有し、低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された被覆層と、低熱膨張率基板及び被覆層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、を備える配線基板である。低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。被覆層は、絶縁樹脂製の第１部分と、第１部分よりも伸び率が大きい第２部分とを有する。被覆層の端部において、第２部分は低熱膨張率基板の表面に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、
表面と裏面とを有し、前記低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された被覆層と、
前記低熱膨張率基板及び前記被覆層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、
を備え、
前記低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成され、
前記被覆層は、絶縁樹脂製の第１部分と、前記第１部分よりも伸び率が大きい第２部分とを有し、
前記被覆層の端部において、前記第２部分は前記低熱膨張率基板の表面に配置される、配線基板。
【請求項２】
前記第２部分の伸び率は、１００％以上１０００％以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２部分の引張強さは、０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下である、請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２部分のヤング率は、０．１ＭＰａ以上１ＧＰａ以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記被覆層の端部は、前記低熱膨張率基板の端部と一致している、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２部分の平均厚みは、前記低熱膨張率基板の表面から前記被覆層の表面までの平均距離の１０％以上５０％以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
平面視で少なくとも１つの角部を有し、
前記第２部分は、前記少なくとも１つの角部に設けられる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第２部分は、厚み方向と垂直な方向の内側に向かって厚みが減少する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気機器の小型化に伴い、電気機器に使用される配線基板にも小型化及び高密度化が求められている。配線基板を小型化及び高密度化するには、配線を支持するコア基材の寸法精度を高める必要がある。そこで、表面の平坦度の高いガラス基板等の低熱膨張率基板をコア基材として用いた配線基板が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１の配線基板は、一般に複数の配線基板が集合したマザー基板からの切り出しによって個片化される。この切り出しはブレード切断により行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−９２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の配線基板では、低熱膨張率基板及び配線部が樹脂層（いわゆるビルドアップ層）で被覆される。そのため、配線基板の製造時に樹脂層を熱硬化させると、樹脂の硬化収縮に伴い、低熱膨張率基板の内部に応力が残留する。
【０００６】
ここで、上述のブレード切断による個片化の際に、配線基板の低熱膨張率基板の端部にはチッピングや欠陥が生じる。このとき低熱膨張率基板の内部に応力が残留していると、チッピングや欠陥を起点として低熱膨張率基板の内部に向かってクラックが進展しやすい。また、樹脂層の低熱膨張率基板からのデラミネーションが発生しやすい。そのため、従来の配線基板では、熱衝撃によって端面における樹脂剥がれや低熱膨張率基板の割れが引き起こされるおそれがある。
【０００７】
本開示の一局面は、低熱膨張率の基板をコア基材として用いつつ、端面における不具合の発生を抑制できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、表面と裏面とを有し、低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された被覆層と、低熱膨張率基板及び被覆層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、を備える配線基板である。低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。被覆層は、絶縁樹脂製の第１部分と、第１部分よりも伸び率が大きい第２部分とを有する。被覆層の端部において、第２部分は低熱膨張率基板の表面に配置される。
【０００９】
このような構成によれば、被覆層の端部に、樹脂製の第１部よりも伸び率の高い第２部分が配置されることで、第２部分の変形によって第１部分の硬化により発生する応力が緩和される。そのため、第１部分の硬化時に低熱膨張率基板にかかる応力が低減される。その結果、配線基板の端面における樹脂剥がれや低熱膨張率基板の割れが抑制される。
【００１０】
本開示の一態様では、第２部分の伸び率は、１００％以上１０００％以下であってもよい。また、本開示の一態様では、第２部分の引張強さは、０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であってもよい。さらに、本開示の一態様では、第２部分のヤング率は、０．１ＭＰａ以上１ＧＰａ以下であってもよい。これらの構成によれば、低熱膨張率基板の残留応力をより確実に低減することができる。その結果、端面における不具合の発生抑制を促進できる。
【００１１】
本開示の一態様では、被覆層の端部は、低熱膨張率基板の端部と一致してもよい。このような構成によれば、被覆層によって低熱膨張率基板の端部を保護できるので、搬送時における低熱膨張率基板の欠け等の発生を抑制できる。
【００１２】
本開示の一態様では、第２部分の平均厚みは、低熱膨張率基板の表面から被覆層の表面までの平均距離の１０％以上５０％以下であってもよい。このような構成によれば、第１部分を第２部分に重ねて層間の接着強度を維持しつつ、低熱膨張率基板の残留応力をより確実に低減することができる。その結果、端面における不具合の発生抑制を促進できる。
【００１３】
本開示の一態様は、平面視で少なくとも１つの角部を有してもよい。また、第２部分は、少なくとも１つの角部に設けられてもよい。このような構成によれば、不具合が生じやすい角部において低熱膨張率基板の残留応力を低減できるため、配線基板の品質をより確実に高めることができる。
【００１４】
本開示の一態様では、第２部分は、厚み方向と垂直な方向の内側に向かって厚みが減少してもよい。このような構成によれば、第１部分と第２部分との熱膨張率の差による応力の発生が抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図２】図１の配線基板の模式的な平面図である。
【図３】図１の配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】図４Ａは、図１の配線基板の製造方法における一工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｂは、図４Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｃは、図４Ｂの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｄは、図４Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５】図４Ｃにおける第２部分の配置を示す模式的な平面図である。
【図６】図６Ａは、図４Ｄの次の工程を示す模式的な断面図であり、図６Ｂは、図６Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図６Ｃは、図６Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図７】図７Ａは、図１とは異なる実施形態の配線基板を示す模式的な断面図であり、図７Ｂは、図１及び図７Ａとは異なる実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図８】図５とは異なる第２部分の配置例を示す模式的な平面図である。
【図９】図９Ａは、実施例１における応力の観察結果を示す写真であり、図９Ｂは、比較例１における応力の観察結果を示す写真である。
【図１０】図１０Ａは、実施例１における応力分布を示すグラフであり、図１０Ｂは、比較例１における応力分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１に示す配線基板１は、１つの低熱膨張率基板２と、表裏１対の配線部３Ａ，３Ｂと、表裏１対の被覆層４Ａ，４Ｂと、表裏１対のカバー層５Ａ，５Ｂと、を備える。
【００１７】
＜低熱膨張率基板＞
低熱膨張率基板２は、表面と裏面とを有する。また、低熱膨張率基板２は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料（以下、「低熱膨張率材料」ともいう。）で構成される。
【００１８】
低熱膨張率材料は、例えばガラス又はセラミックスを主成分とする。ここで、「主成分」とは、９０質量％以上含有する成分を意味する。低熱膨張率基板２を構成するガラス又はセラミックスとしては、例えば石英ガラス、無アルカリガラス、アルカリガラス、結晶化ガラス、ホウケイ酸ガラス、ガラスセラミックス、アルミナセラミックス等が挙げられる。
【００１９】
低熱膨張率基板２の平均厚みの下限としては、１００μｍが好ましく、２００μｍがより好ましい。一方、低熱膨張率基板２の平均厚みの上限としては、１１００μｍが好ましく、７００μｍがより好ましく、５００μｍがより好ましい。低熱膨張率基板２の平均厚みが小さすぎると、強度が不十分となるおそれがある。逆に、低熱膨張率基板２の平均厚みが大きすぎると、低熱膨張率基板２の残留応力を低減させる必要性が低下する。なお、本明細書における「平均厚み」又は「平均距離」とは、特に断りがない限り、例えば厚み方向と垂直な方向に離間した１０点における厚み又は距離の計測値を平均した値を意味する。
【００２０】
低熱膨張率基板２には、図１に示すように１以上のスルーホール１３が設けられている。スルーホール１３は、低熱膨張率基板２を厚み方向に貫通している。スルーホール１３の内周面には、貫通導体が配置され、この貫通導体により表側配線部３Ａと裏側配線部３Ｂとが電気的に接続されている。
【００２１】
＜配線部＞
１対の配線部３Ａ，３Ｂのうち、表側配線部３Ａは、低熱膨張率基板２の表面に配置され、裏側配線部３Ｂは、低熱膨張率基板２の裏面に配置されている。
【００２２】
なお、本実施形態では、配線部３Ａ，３Ｂは、後述する被覆層４Ａ，４Ｂの第２部分４２が配置される領域には存在しない。つまり、配線部３Ａ，３Ｂは、低熱膨張率基板２の端部には配置されていない。
【００２３】
１対の配線部３Ａ，３Ｂは、それぞれ、１以上の接続用端子１２と、ビア導体１４と、配線パターン部１５とを有する。接続用端子１２は、外部の端子等を半田により接続するための電極パッド（つまりランド部）である。
【００２４】
表側配線部３Ａの接続用端子１２は、図１に示すように、表側被覆層４Ａの表面に配置されている。また、接続用端子１２は、表側カバー層５Ａに設けた開口１１によって表面が外部に露出している。接続用端子１２は、表側被覆層４Ａを厚み方向に貫通するビア導体１４により、表側配線部３Ａの配線パターン部１５と接続されている。なお、裏側配線部３Ｂの構成は、表側配線部３Ａと同様である。
【００２５】
接続用端子１２の平面形状は特に限定されず、円や多角形状とすることができる。
接続用端子１２及びビア導体１４を含めた１対の配線部３Ａ，３Ｂは、導電性を有し、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、コストと導電性との観点から、銅が好ましい。
【００２６】
＜被覆層＞
１対の被覆層４Ａ，４Ｂのうち、表側被覆層４Ａは、表側配線部３Ａの配線パターン部１５の低熱膨張率基板２とは反対側の表面に配置され、裏側被覆層４Ｂは、裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５の低熱膨張率基板２とは反対側の表面に配置されている。
【００２７】
表側被覆層４Ａは、表面及び裏面を有する。表側被覆層４Ａは、裏面が表側配線部３Ａの配線パターン部１５と、低熱膨張率基板２の表面のうち、表側配線部３Ａが配置されていない部分とを被覆するように配置されている。裏側被覆層４Ｂは、表側被覆層４Ａを低熱膨張率基板２に対し略対称に配置したものであり、表側被覆層４Ａと同様の構成を有する。
【００２８】
被覆層４Ａ，４Ｂは、樹脂製の第１部分４１と、第１部分４１よりも伸び率が大きい第２部分４２とを有する。なお、「伸び率」とは、ＪＩＳ−Ｋ７１６１−１：２０１４に準拠した手順で測定される値である。
【００２９】
（第１部分）
第１部分４１は、低熱膨張率基板２及び配線部３Ａ，３Ｂを被覆し、かつカバー層５Ａ，５Ｂに被覆されている。つまり、第１部分４１は、低熱膨張率基板２とカバー層５Ａ，５Ｂとを接着する部位である。
【００３０】
第１部分４１は、絶縁性の樹脂と、無機フィラーとを主成分とする。絶縁性の樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等を用いることができる。また、これらの樹脂と、ガラス繊維等の無機繊維、又はポリアミド繊維等の有機繊維（例えば織布、不織布等）との複合材料も使用できる。さらに、連続多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた複合材料も使用できる。
【００３１】
無機フィラーとしては、シリカ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、焼成タルク、Ｍｏ酸亜鉛処理タルク、チタン酸バリウム、酸化チタン、クレー、アルミナ、マイカ、ベーマイト、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛、その他の金属酸化物又は金属水和物、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ガラス繊維、ホウ酸アルミニウムウィスカ、炭酸ケイ素ウィスカ等を用いることができる。これらの無機フィラーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、これらの無機フィラーの中でもシリカを主成分とするものが好ましい。
【００３２】
無機フィラーの形状やサイズは特に制限されず、異なるサイズの無機フィラーを併用することも可能である。さらに、無機フィラーはカップリング剤等により表面処理が施されてもよい。
【００３３】
第１部分４１における樹脂に対する無機フィラーの含有割合は、樹脂１００質量部に対し、４０質量部以上８０質量部以下が好ましい。無機フィラーの含有量が小さすぎると、熱膨張率低減効果が不十分となるおそれがある。逆に、無機フィラーの含有量が大きすぎると、第１部分４１の成形性が低下するおそれがある。
【００３４】
第１部分４１の第２部分４２と重なっていない領域における平均厚み（つまり低熱膨張率基板２の表面から被覆層４Ａ，４Ｂの表面までの平均距離）の下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。一方、第１部分４１における上記領域の平均厚みの上限としては、５００μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。
【００３５】
第１部分４１における上記領域の平均厚みが小さすぎると、カバー層５Ａ，５Ｂと低熱膨張率基板２との接着強度が不十分となるおそれがある。逆に、第１部分４１における上記領域の平均厚みが大きすぎると、低熱膨張率基板２における残留応力の低減が不十分となるおそれがある。
【００３６】
（第２部分）
第２部分４２は、被覆層４Ａ，４Ｂの端部に設けられている。また、第２部分４２は、低熱膨張率基板２の表面に配置され、第２部分４２の表面にはさらに第１部分４１が配置されている。つまり、被覆層４Ａ，４Ｂの端部において、第２部分４２及び第１部分４１がこの順で低熱膨張率基板２の表面に配置されている。なお、第２部分４２は、配線部３Ａ，３Ｂの表面には配置されていない。
【００３７】
第２部分４２の材質は、第１部分４１よりも伸び率が大きいものであれば、特に限定されないが、樹脂が好ましい。つまり、第２部分４２は樹脂を主成分とするとよい。樹脂としては、シリコーン樹脂が特に好適である。
【００３８】
第２部分４２の主成分として樹脂を用いる場合、フィラーを含有させるとよい。フィラーの含有量の調節により、後述する第２部分４２のパラメータを調整することができる。また、第２部分４２の耐熱性を高めることができる。
【００３９】
本実施形態では、被覆層４Ａ，４Ｂの端部は、低熱膨張率基板２の端部と一致している。そのため、第２部分４２及び第１部分４１は、低熱膨張率基板２の表面又は裏面における端部と平面視で重なっている。つまり、配線基板１は、厚み方向と垂直な方向の端面において、被覆層４Ａ，４Ｂが露出している。
【００４０】
第２部分４２は、厚み方向と垂直な方向の内側に向かって厚みが減少している。換言すれば、第２部分４２と第１部分４１との界面は、被覆層４Ａ，４Ｂの端部から内側に向かうに連れて低熱膨張率基板２に近づく向きに傾斜している。
【００４１】
第２部分４２の伸び率の下限としては、１００％が好ましく、２００％がより好ましい。一方、第２部分４２の伸び率の上限としては、１０００％が好ましく、８００％がより好ましい。
【００４２】
第２部分４２の伸び率が小さすぎると、第１部分４１の伸縮を第２部分４２が吸収しきれず、低熱膨張率基板２における残留応力の低減効果が十分に得られないおそれがある。逆に、第２部分４２の伸び率が大きすぎると、被覆層４Ａ，４Ｂの機械的強度が不十分となるおそれがある。
【００４３】
第２部分４２の引張強さの下限としては、０．１ＭＰａが好ましく、１ＭＰａがより好ましい。一方、第２部分４２の引張強さの上限としては、５０ＭＰａが好ましく、２０ＭＰａがより好ましい。ここで、「引張強さ」とは、ＪＩＳ−Ｋ７１６１−１：２０１４に準拠した手順で測定される値である。
【００４４】
第２部分４２の引張強さが小さすぎると、ブレードによる切断時に第２部分４２が破断し、低熱膨張率基板２における残留応力の低減効果が十分に得られないおそれがある。逆に、第２部分４２の引張強さが大きすぎると、第２部分４２の材質が制限されるおそれがある。
【００４５】
第２部分４２のヤング率の下限としては、０．１ＭＰａが好ましい。一方、第２部分４２のヤング率の上限としては、１ＧＰａが好ましい。第２部分４２のヤング率は、例えば過度に小さくなく、また過度に大きくない０．５ＭＰａ以上、２ＭＰａ以下が好ましい。ここで、「ヤング率」とは、ＪＩＳ−Ｋ７１６１−１：２０１４に準拠した手順で測定される引張弾性率である。
【００４６】
第２部分４２のヤング率が小さすぎる（つまり過度に軟らかい）と、配線基板１の平坦性に課題が生じるおそれがある。すなわち、第２部分４２の上に第１部分４１を圧力により積層する際に、第２部分４２のヤング率が小さすぎると、第２部分４２が圧力により収縮された状態で第１部分４１が積層される。その後、圧力が解除された際に第２部分４２が元の形状に復元することで、第１部分４１のうち、第２部分４２と重なる部分における平坦性が失われるおそれがある。また、第２部分４２の上に形成された配線部に例えばワイヤボンディング等を行う場合、第２部分４２が過度に軟らかいと、良好なボンディングができないおそれがある。逆に、第２部分４２のヤング率が大きすぎると、第１部分４１の伸縮を第２部分４２が吸収しきれず、低熱膨張率基板２における残留応力の低減効果が十分に得られないおそれがある。
【００４７】
第２部分４２の３０℃以上２００℃以下における熱膨張率の下限としては、１００ｐｐｍ／Ｋが好ましく、１５０ｐｐｍ／Ｋがより好ましい。一方、第２部分４２の３０℃以上２００℃以下における熱膨張率の上限としては、３００ｐｐｍ／Ｋが好ましく、２５０ｐｐｍ／Ｋがより好ましい。
【００４８】
第２部分４２の熱膨張率が小さすぎると、第２部分４２の材質が制限されるおそれがある。逆に、第２部分４２の熱膨張率が大きすぎると、第２部分４２と低熱膨張率基板２との熱膨張率の差が大きくなって残留応力の低減効果が十分に得られないおそれがある。
【００４９】
第２部分４２の平均厚みは、被覆層４Ａ，４Ｂの平均厚みよりも小さい。第２部分４２の平均厚みの下限としては、低熱膨張率基板２の表面から被覆層４Ａ，４Ｂの表面までの平均距離の１０％が好ましく、２０％がより好ましい。一方、第２部分４２の平均厚みの上限としては、低熱膨張率基板２の表面から被覆層４Ａ，４Ｂの表面までの平均距離の５０％が好ましい。
【００５０】
また、第２部分４２の平均厚みの下限としては、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、第２部分４２の平均厚みの上限としては、５０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましい。なお、第２部分４２の平均厚みは、厚みの複数の測定値のうち、最大値の５０％以上の値のみを平均した値とする。
【００５１】
第２部分４２の平均厚みが小さすぎると、残留応力の緩和が不十分になるおそれがある。逆に、第２部分４２の平均厚みが大きすぎると、第２部分４２が変形しにくくなって残留応力の低減効果が十分に得られないおそれがある。
【００５２】
本実施形態では、図２に示すように、配線基板１は、平面視で４つの角部１０を有する矩形状である。第２部分４２は、４つの角部１０を含む配線基板１の外縁部分に設けられている。つまり、配線基板１において、被覆層４Ａ，４Ｂの端部には、全て第２部分４２が配置されている。
【００５３】
第２部分４２の幅Ｄ１の下限としては、１０μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。一方、幅Ｄ１の上限としては、１ｍｍが好ましい。幅Ｄ１が小さすぎると、第１部分４１から低熱膨張率基板２が応力を受けやすくなる。逆に、幅Ｄ１が大きすぎると、カバー層５Ａ，５Ｂと低熱膨張率基板２との接着強度が不十分となるおそれがある。なお、「第２部分の幅」とは、低熱膨張率基板の表面と平行な方向（つまり平面視）において、被覆層の端部と、第２部分のうち厚みが最大厚みの半分以上の領域における内側の縁との最小距離を意味する。
【００５４】
＜カバー層＞
図１に示すように、１対のカバー層５Ａ，５Ｂのうち、表側カバー層５Ａは、表側被覆層４Ａにおける第１部分４１の表面に配置されており、裏側カバー層５Ｂは、裏側被覆層４Ｂにおける第１部分４１の表面に配置されている。
【００５５】
カバー層５Ａ，５Ｂの材質は、特に限定されない。カバー層５Ａ，５Ｂは、ソルダーレジスト等の樹脂を主成分としてもよいし、低熱膨張率基板２と同様の低熱膨張率材料から構成されてもよい。
【００５６】
表側カバー層５Ａは、表面及び裏面を有する。表側カバー層５Ａは、配線基板１の一方側の最表層を構成しており、その表面が配線基板１の一方の最外面となる。また、表側カバー層５Ａは、厚み方向に貫通する１以上の開口１１を有する。この開口１１内において、接続用端子１２が露出している。裏側カバー層５Ｂは、表側カバー層５Ａを低熱膨張率基板２に対し略対称に配置したものであり、表側カバー層５Ａと同様の構成を有する。
【００５７】
［１−２．製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１の製造方法は、図３に示すように、配線パターン部配置工程Ｓ１と、被覆層配置工程Ｓ２と、接続用端子配置工程Ｓ３と、カバー層配置工程Ｓ４と、ブレード切断工程Ｓ５と、を備える。
【００５８】
＜配線パターン部配置工程Ｓ１＞
本工程では、まず、図４Ａに示すように、貫通孔を設けた低熱膨張率基板２を用意する。次に、図４Ｂに示すように、低熱膨張率基板２の表面及び裏面に表側配線部３Ａ及び裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５をそれぞれ配置する。
【００５９】
配線パターン部１５の配置は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法で実施できる。具体的には、例えば銅箔のエッチング、又は導電性ペーストの印刷により配線パターン部１５を形成する。なお、銅箔はスパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、無電解銅メッキ、電解銅メッキ等により形成できる。また、低熱膨張率基板２の表面にプライマー樹脂等を塗布してもよい。
【００６０】
＜被覆層配置工程Ｓ２＞
本工程では、配線パターン部１５を配置した低熱膨張率基板２の表裏両側に、配線パターン部１５と、低熱膨張率基板２の表面の一部とを被覆するように１対の被覆層４Ａ，４Ｂを配置する。
【００６１】
具体的には、まず、図４Ｃ及び図５に示すように、低熱膨張率基板２の表面及び裏面のうち、ブレード切断工程Ｓ５における切断線（つまり、個片化後の配線基板１の端部）を含む領域に第２部分４２を配置する。
【００６２】
次に、図４Ｄに示すように、第２部分４２、配線パターン部１５、及び低熱膨張率基板２を被覆するように第１部分４１を配置する。
なお、第１部分４１及び第２部分４２の配置は加熱しながらの真空貼り付けにより行う。また、貼り付け後、さらに加熱し、第１部分４１を熱硬化させる。
【００６３】
＜接続用端子配置工程Ｓ３＞
本工程では、まず、熱硬化した１対の被覆層４Ａ，４Ｂにビアをそれぞれ形成する。ビアは、被覆層４Ａ，４Ｂを厚み方向に貫通しており、例えばレーザードリルにより形成できる。
【００６４】
次に、１対の被覆層４Ａ，４Ｂの表面に、フォトリソグラフィにより接続用端子１２の形成領域以外をマスクしたレジストパターンをそれぞれ形成する。
その後、メッキ等によりビア内にビア導体を充填し、さらにその上に接続用端子１２を形成する。このとき、接続用端子１２は、ビア内においてレジストパターンの内側に形成される。レジストパターンを除去すると、図６Ａに示すように、被覆層４Ａ，４Ｂの表面に配置された接続用端子１２が得られる。なお、接続用端子１２の表面は粗化されるとよい。
【００６５】
＜カバー層配置工程Ｓ４＞
本工程では、図６Ｂに示すように、開口１１を設けた１対のカバー層５Ａ，５Ｂを１対の被覆層４Ａ，４Ｂの表面に配置する。
【００６６】
なお、カバー層５Ａ，５Ｂの配置後、接続用端子１２に、ニッケル、パラジウム、金などの表層メッキを施すことが好ましい。また、カバー層５Ａ，５Ｂの表面をプラズマ処理等により粗化してもよい。
【００６７】
さらに、接続用端子１２の表面（ビアランド）に印刷によってリフロー用の半田層（半田バンプ）を形成してもよい。半田層は、部品実装時にリフローされ、接続用端子１２と部品端子とを電気的に接続する。
【００６８】
＜ブレード切断工程Ｓ５＞
上記工程Ｓ１〜Ｓ４により、複数の配線基板１を含む多数個取り基板（いわゆるマザー基板）が形成される。
【００６９】
本工程では、図６Ｃに示すように、第２部分４２と重なる位置において、低熱膨張率基板２及び被覆層４Ａ，４Ｂの積層部分を厚み方向にブレード（例えばダイサー）により切断する。これにより、個片化された配線基板１が得られる。
【００７０】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）被覆層４Ａ，４Ｂの端部に、樹脂製の第１部分４１よりも伸び率の高い第２部分４２が配置されることで、第２部分４２の変形によって第１部分４１の硬化により発生する応力が緩和される。そのため、第１部分４１の硬化時に低熱膨張率基板２にかかる応力が低減される。その結果、配線基板１の端面における樹脂剥がれや低熱膨張率基板２の割れが抑制される。
【００７１】
（１ｂ）配線基板１の厚み方向と垂直な方向の端面において、被覆層４Ａ，４Ｂが露出し、被覆層４Ａ，４Ｂによって低熱膨張率基板２の端部を保護できるので、運搬時における低熱膨張率基板２の欠け等の発生を抑制できる。
【００７２】
（１ｃ）第２部分４２は、配線基板１の４つの角部１０を含む外縁に設けられているので、不具合が生じやすい角部１０を含んだ外縁全体で低熱膨張率基板２の残留応力を低減できる。そのため、配線基板１の品質をより確実に高めることができる。
【００７３】
（１ｄ）第２部分４２は、厚み方向と垂直な方向の内側に向かって厚みが減少している。そのため、第１部分４１と第２部分４２との熱膨張率の差による応力の発生を抑制することができる。
【００７４】
［２．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００７５】
（２ａ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしも被覆層４Ａ，４Ｂの端部は低熱膨張率基板２の端部と一致しなくてもよい。つまり、図７Ａに示すように、被覆層４Ａ，４Ｂの端部が低熱膨張率基板２の端部よりも内側に位置してもよい。この場合、被覆層４Ａ，４Ｂの端部と低熱膨張率基板２の端部との間には、被覆層４Ａ，４Ｂが配置されずに低熱膨張率基板２が露出する領域が存在する。
【００７６】
さらに、図７Ｂに示すように、第２部分４２の端部と第１部分４１との端部が一致しなくてもよい。つまり、第２部分４２の表面は必ずしも第１部分４１によって被覆されなくてもよい。
【００７７】
（２ｃ）上記実施形態の配線基板１において、第２部分４２は、必ずしも配線基板１の外縁全体に設けられる必要はない。つまり、図８に示すように、被覆層配置工程Ｓ２において、各配線基板１の角部１０となる部分にのみ第２部分４２を配置してもよい。
【００７８】
さらに、第２部分４２は、配線基板１の角部１０に必ずしも設けられる必要はない。なお、配線基板１の平面形状は矩形状に限定されず、他の多角形状や円形状とすることができる。
【００７９】
（２ｄ）上記実施形態の配線基板１において、第２部分４２は、必ずしも厚み方向と垂直な方向の内側に向かって厚みが減少しなくてもよい。つまり、第２部分４２の内側の縁は、図７Ａ，７Ｂの配線基板１Ａ，１Ｂのように、厚み方向と平行な面で構成されてもよい。
【００８０】
（２ｅ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしも低熱膨張率基板２の両面側に配線部を設けなくてもよい。つまり、配線基板１は、低熱膨張率基板２の表面側のみに配線部を配置した片面基板であってもよい。逆に、上記実施形態の配線基板１は、３層以上の多層構造を有してもよい。
【００８１】
（２ｆ）上記実施形態の配線基板１において、低熱膨張率基板２の表面又は裏面の替わりに、被覆層４Ａ，４Ｂの表面に配線部が配置されてもよい。また、図７Ａ，７Ｂの配線基板１Ａ，１Ｂのように、低熱膨張率基板２の表面又は裏面と被覆層４Ａ，４Ｂの表面との両方に配線部が配置されてもよい。
【００８２】
（２ｇ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００８３】
［３．実施例］
以下、本開示の効果を確認するために行った実施例１と比較例１との比較について説明する。
【００８４】
（実施例１）
図１に示す配線基板１を作製した。低熱膨張率基板２は、平均厚み３００μｍの無アルカリガラス基板とした。配線部３Ａ，３Ｂは、ガラス基板の上に形成した銅シード層に電解銅メッキをした後、フォトリソグラフィとエッチングとを施すことにより形成し、平均厚みを１５μｍとした。
【００８５】
被覆層４Ａ，４Ｂは、第１部分４１を平均厚み３５μｍのＡＢＦフィルム（味の素ファインテクノ社製）を２枚重ねて形成し、第２部分４２をシリコーン樹脂（信越化学社の「ＫＥ−１８５４」、ヤング率０．５１ＭＰａ、伸び率５５０％、せん断接着強度２．２ＭＰａ、３０℃以上２００℃以下における熱膨張率２１８ｐｐｍ／Ｋ）を主成分とする材料で形成した。また、第２部分の平均厚みは２５μｍ、幅Ｄ１は２００μｍとした。ただし、第２部分４２は、表側被覆層４Ａのみに設け、裏側被覆層４Ｂには設けていない。つまり、裏側被覆層４Ｂは第１部分４１のみとした。
【００８６】
カバー層５Ａ，５Ｂとしては、平均厚み２５μｍのソルダーレジストを用いた。
配線基板１は、上記部材を積層したマザー基板を第２部分４２と重なる位置においてダイサーで切断することで個片化した。
【００８７】
得られた配線基板１について、熱衝撃試験を行った。具体的には、−６５℃から１５０℃までの温度サイクルを５００サイクル繰り返した。試験後、少なくとも配線基板の表側（つまり第２部分を設けた側）には樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックは見当たらなかった。
【００８８】
また、配線基板のガラス内部応力を複屈折計（フォトニックラティス社の「ＰＡ−ｍｉｃｒｏ」）を用いて、透過光を用いた複屈折観察による応力評価にて測定した。その結果を図９Ａ及び図１０Ａに示す。
【００８９】
図９Ａは、配線基板の断面における内部応力の分布を示す観察写真であり、色の濃さで応力の高さを表している。図１０Ａは、横軸を配線基板の厚み方向、縦軸をガラス基板の端面近傍における内部応力とするグラフである。実施例１における内部応力の最大値は２２．５ＭＰａであったが、ガラス基板の厚み方向中心よりも表側（図１０Ａのグラフ左側）では、内部応力の最大値は１０ＭＰａであった。
【００９０】
（比較例１）
図１の配線基板１において、第２部分４２を設けない、つまり表側被覆層４Ａ及び裏側被覆層４Ｂを共に第１部分４１のみからなる構成とした以外は、実施例１と同様の配線基板を作製した。
【００９１】
この配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックが見られた。また、実施例１と同様にガラス内部応力を測定した結果を図９Ｂ及び図１０Ｂに示す。比較例１における内部応力の最大値は２３．１ＭＰａであった。
【００９２】
（検証）
第２部分を設けた実施例１のガラス基板の表側では、ガラス基板における残留応力が低減され、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックが抑制された。これに対し、第２部分を設けない比較例１では、ガラス基板における残留応力が高く、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックが発生した。
【符号の説明】
【００９３】
１，１Ａ，１Ｂ…配線基板、２…低熱膨張率基板、３Ａ…表側配線部、
３Ｂ…裏側配線部、４Ａ…表側被覆層、４Ｂ…裏側被覆層、５Ａ…表側カバー層、
５Ｂ…裏側カバー層、１０…角部、１１…開口、１２…接続用端子、
１３…スルーホール、１４…ビア導体、１５…配線パターン部、４１…第１部分、
４２…第２部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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