(57)【要約】【課題】  薄膜サーミスタ部の外周縁と電極の外縁とが上下で重なる重複点でのリーク電流の発生を抑制することができる温度センサを提供すること。【解決手段】  絶縁性基板２と、絶縁性基板の一方の面にサーミスタ材料で四角形状に形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極４及び陰極側電極５とを備え、陽極側電極及び陰極側電極が、互いに平行に延在する複数の櫛部４ａ，５ａと、複数の櫛部の基端が接続され複数の櫛部の並ぶ方向に延在する基端接続部４ｂ，５ｂとを有し、陰極側電極が、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して延在した部分を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一方の面にサーミスタ材料で四角形状に形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極及び陰極側電極とを備え、
前記陽極側電極及び前記陰極側電極が、互いに平行に延在する複数の櫛部と、
複数の前記櫛部の基端が接続され複数の前記櫛部の並ぶ方向に延在する基端接続部とを有し、
前記陰極側電極が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して延在した部分を有していることを特徴とする温度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
前記陰極側電極が、前記基端接続部の両端に接続され前記櫛部に沿って延在する一対の側部延在部をさらに有し、
前記陰極側電極の前記基端接続部及び一対の前記側部延在部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の温度センサにおいて、
前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺が、複数の前記櫛部が並ぶ方向に延在し複数の前記櫛部の直下又は直上を横切って配されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項４】
請求項２に記載の温度センサにおいて、
前記陰極側電極が、一対の前記側部延在部の少なくとも一方に接続されていると共に前記陽極側電極の前記基端接続部に沿って延在した延長部を有し、
前記延長部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項５】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
前記陰極側電極が、一端が前記基端接続部の一端に接続され前記櫛部に沿って延在する側部延在部と、
一端が前記側部延在部の他端に接続され前記基端接続部に対向して複数の前記櫛部の並ぶ方向に延在する対向延在部とをさらに有し、
前記陰極側電極の前記基端接続部、前記側部延在部及び前記対向延在部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項６】
請求項５に記載の温度センサにおいて、
前記陰極側電極が、前記対向延在部の他端に接続されていると共に前記櫛部に沿って延在した延長部を有し、
前記延長部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜サーミスタを用いた温度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁性フィルム上に薄膜状のサーミスタ部を形成したフィルム型の温度センサが開発されている。例えば、特許文献１には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、櫛型電極と薄膜サーミスタ部とを覆って絶縁性フィルム上に形成された保護膜とを備えている温度センサが開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３８７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
上記従来の温度センサでは、対向電極の縁部や、薄膜サーミスタ部の縁部による対向電極の段差部にプロセス時の残渣等の汚れが残り易く、高温高湿雰囲気で通電すると電極に腐食が発生する場合があった。すなわち、残渣等が存在する部分は、腐食電位が低下して腐食電流が発生し、電荷移動に伴ってその部分の電極材料が腐食してしまう。特に、陽極側の対向電極が腐食してしまう不都合があった。このような腐食電流は、陽極側の対向電極と最寄りの陰極側の対向電極との間で生じ、電極の腐食によって素子が高抵抗化してしまう場合があった。
【０００５】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高温高湿雰囲気で使用しても陽極側電極の腐食発生を抑制することができる温度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方の面にサーミスタ材料で四角形状に形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極及び陰極側電極とを備え、前記陽極側電極及び前記陰極側電極が、互いに平行に延在する複数の櫛部と、複数の前記櫛部の基端が接続され複数の前記櫛部の並ぶ方向に延在する基端接続部とを有し、前記陰極側電極が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して延在した部分を有していることを特徴とする。
【０００７】
この温度センサでは、陰極側電極が、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して延在した部分を有しているので、薄膜サーミスタ部の外周縁の多くが陰極側電極に重なることで、陽極側電極と薄膜サーミスタ部の外周縁とが重なる部分（段差部）を減らし、陽極側電極の腐食の発生を低減することができる。
【０００８】
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記陰極側電極が、前記基端接続部の両端に接続され前記櫛部に沿って延在する一対の側部延在部をさらに有し、前記陰極側電極の前記基端接続部及び一対の前記側部延在部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、陰極側電極の基端接続部及び一対の側部延在部が、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部の外周縁の３辺が陰極側電極の基端接続部及び一対の側部延在部に重なることで、陽極側電極と薄膜サーミスタ部の外周縁とが重なる部分（段差部）を減らすことができる。
【０００９】
第３の発明に係る温度センサは、第２の発明において、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺が、複数の前記櫛部が並ぶ方向に延在し複数の前記櫛部の直下又は直上を横切って配されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺が、複数の櫛部が並ぶ方向に延在し複数の櫛部の直下又は直上を横切って配されているので、陽極側電極と薄膜サーミスタ部の外周縁との重なり部分が陽極側電極の櫛部だけになってさらに減り、陽極側電極の腐食の発生をより低減することができる。
【００１０】
第４の発明に係る温度センサは、第２の発明において、前記陰極側電極が、一対の前記側部延在部の少なくとも一方に接続されていると共に前記陽極側電極の前記基端接続部に沿って延在した延長部を有し、前記延長部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、延長部が、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺の直下又は直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部の外周縁のほとんどが陰極側電極と重なることになり、陽極側電極の腐食の発生をさらに低減することができる。
【００１１】
第５の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記陰極側電極が、一端が前記基端接続部の一端に接続され前記櫛部に沿って延在する側部延在部と、一端が前記側部延在部の他端に接続され前記基端接続部に対向して複数の前記櫛部の並ぶ方向に延在する対向延在部とをさらに有し、前記陰極側電極の前記基端接続部、前記側部延在部及び前記対向延在部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、陰極側電極の基端接続部、側部延在部及び対向延在部が、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部の外周縁の３辺が陰極側電極の基端接続部、側部延在部及び対向延在部に重なることで、陽極側電極と薄膜サーミスタ部の外周縁とが重なる部分（段差部）を減らすことができる。
【００１２】
第６の発明に係る温度センサは、第５の発明において、前記陰極側電極が、前記対向延在部の他端に接続されていると共に前記櫛部に沿って延在した延長部を有し、前記延長部が、前記薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺の直下又は直上に対向して配されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、延長部が、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち前記３辺以外の１辺の直下又は直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部の外周縁のほとんどが陰極側電極と重なることになり、陽極側電極の腐食の発生をさらに低減することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、陰極側電極が、薄膜サーミスタ部の外周縁のうち３辺の直下又は直上に対向して延在した部分を有しているので、薄膜サーミスタ部の外周縁の多くが陰極側電極に重なることで、陽極側電極と薄膜サーミスタ部の外周縁とが重なる部分（段差部）を減らし、陽極側電極の腐食の発生を低減することができる。
したがって、本実施形態の温度センサでは、腐食の発生に伴う高抵抗化を抑制し、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る温度センサの第１実施形態を示す平面図である。
【図２】第１実施形態において、薄膜サーミスタ部と陽極用電極及び陰極側電極とだけを示す温度センサの平面図である。
【図３】本発明に係る温度センサの第２実施形態において、薄膜サーミスタ部と陽極用電極及び陰極側電極とだけを示す温度センサの平面図である。
【図４】本発明に係る温度センサの第３実施形態において、薄膜サーミスタ部と陽極用電極及び陰極側電極とだけを示す温度センサの平面図である。
【図５】本発明に係る温度センサの第４実施形態において、薄膜サーミスタ部と陽極用電極及び陰極側電極とだけを示す温度センサの平面図である。
【図６】本発明に係る温度センサの第５実施形態において、薄膜サーミスタ部と陽極用電極及び陰極側電極とだけを示す温度センサの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る温度センサにおける第１実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１６】
本実施形態の温度センサ１は、図１及び図２に示すように、絶縁性基板２と、絶縁性基板２の一方の面にサーミスタ材料で四角形状に形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部３の上又は下に互いに対向して形成された陽極側電極４及び陰極側電極５とを備えている。なお、本実施形態では、陽極側電極４及び陰極側電極５が薄膜サーミスタ部３の上に形成されている。
【００１７】
上記陽極側電極４は、互いに平行に延在する複数の櫛部４ａと、複数の櫛部４ａの基端が接続され複数の櫛部４ａの並ぶ方向に延在する基端接続部４ｂとを有している。
上記陰極側電極５は、互いに平行に延在する複数の櫛部５ａと、複数の櫛部５ａの基端が接続され複数の櫛部５ａの並ぶ方向に延在する基端接続部５ｂとを有している。
上記陰極側電極５は、基端接続部５ｂの両端に接続され櫛部５ａに沿って延在する一対の側部延在部５ｃ，５ｄをさらに有している。すなわち、陰極側電極５は、コ字状に延在している。
【００１８】
また、陽極側電極４は、基端接続部４ｂに接続された陽極側端子部４ｅを有し、陰極側電極５は、側部延在部５ｃの基端に接続された陰極側端子部５ｅを有している。
陰極側電極５の基端接続部５ｂ及び一対の側部延在部５ｃ，５ｄは、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｃの直上に対向して配されている。
【００１９】
したがって、本実施形態では、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち前記３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄだけが、陽極側電極４の基端接続部４ｂの直下に配されている。この部分を、図１において、二点鎖線Ａで囲んで示している。
なお、図中、陽極側電極４及び陰極側電極５には、ハッチングを施している。
【００２０】
また、本実施形態の温度センサ１は、絶縁性基板２の一方の面に陽極側電極４及び陰極側電極５と薄膜サーミスタ部３とを覆って形成された絶縁性保護膜７を備えている。
上記絶縁性保護膜７は、スクリーン印刷等によりポリイミド樹脂で矩形状にパターン形成されている。
【００２１】
上記絶縁性基板２は、長方形とされた絶縁性フィルムであり、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性基板２の絶縁性フィルムは、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート，ＬＣＰ：液晶ポリマー等でも作製できる。
【００２２】
上記薄膜サーミスタ部３は、フレキシブル性を有したサーミスタ膜であって、例えばスパッタリングで成膜されたＭ−Ａｌ−Ｎ膜（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示す）である。
すなわち、薄膜サーミスタ部３は、一般式：ＭｘＡｌｙＮｚ（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示す。０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９８、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
【００２３】
なお、本実施形態では、特にＴｉ−Ａｌ−Ｎのサーミスタ材料で矩形状に形成された薄膜サーミスタ部３を採用している。すなわち、薄膜サーミスタ部３は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
本実施形態では、薄膜サーミスタ部３が四角形状に形成されているが、全体として四角形状であればよく、例えば角部を切り欠いたものでも構わない。
【００２４】
上記陽極側電極４及び陰極側電極５は、互いに対向して櫛型状にパターン形成された櫛型電極であり、陽極側電極４の櫛部４ａと陰極側電極５の櫛部５ａとが、交互に配されている。
これら陽極側電極４及び陰極側電極５は、例えば膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍ形成された電極層とを有している。
【００２５】
このように本実施形態の温度センサ１では、陰極側電極５の基端接続部５ｂ及び一対の側部延在部５ｃ，５ｄが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｃの直下又は直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部３の外周縁の多くが陰極側電極５に重なることで、陽極側電極４と薄膜サーミスタ部３の外周縁とが重なる部分（段差部）を減らし、陽極側電極４の腐食の発生を低減することができる。
【００２６】
次に、本発明に係る温度センサの第２及び第３実施形態について、図３及び図４を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００２７】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄが、陽極側電極４の基端接続部４ｂの直下に配されているのに対し、第２実施形態の温度センサ２１では、図３に示すように、薄膜サーミスタ部２３の外周縁のうち前記３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄが、複数の櫛部４ａが並ぶ方向に延在し複数の櫛部４ａの直下を横切って配されている点である。
【００２８】
すなわち、第２実施形態では、陽極側電極４の基端接続部４ｂが薄膜サーミスタ部３外周縁の１辺３ｄの外側近傍に配されており、複数の櫛部４ａの基端部が、薄膜サーミスタ部３外周縁の１辺３ｄの直上に配されている。
なお、図３において、複数の櫛部４ａと薄膜サーミスタ部３の外周縁とが重なる部分を二点鎖線Ｂで囲んで示している。
【００２９】
このように第２実施形態の温度センサ２１では、薄膜サーミスタ部２３の外周縁のうち前記３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄが、複数の櫛部４ａが並ぶ方向に延在し複数の櫛部４ａの直下又は直上を横切って配されているので、陽極側電極４と薄膜サーミスタ部２３の外周縁との重なり部分が陽極側電極４の櫛部４ａだけになってさらに減り、陽極側電極４の腐食の発生をより低減することができる。
【００３０】
第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄが、陽極側電極４の基端接続部４ｂの直下に配されているのに対し、第３実施形態の温度センサ３１では、図４に示すように、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄの多くの部分も陰極側電極３５の直下に配されている点である。
【００３１】
すなわち、第３実施形態では、陰極側電極３５が、一対の側部延在部５ｃ，５ｄの少なくとも一方に接続されていると共に陽極側電極３４の基端接続部３４ｂに沿って延在した延長部３５ｆを有し、延長部３５ｆが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち前記３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄの直上に対向して配されている点である。
【００３２】
上記陽極側電極３４の基端接続部３４ｂは、第１実施形態に比べて細く形成されており、陰極側電極３５の内側に配されている。
陽極側電極３４は、基端接続部３４ｂに一端が接続されていると共に他端が陽極側端子部３４ｅに接続された細線部３４ｆを有している。この細線部３４ｆは、延長部３５ｆと側部延在部５ｃとの間を通って延長部３５ｆの外側に配された陽極側端子部３４ｅに接続されている。
【００３３】
したがって、第３実施形態では、陽極側電極３４の細線部３４ｆが薄膜サーミスタ部３外周縁の１辺３ｄの直上に配されている。
なお、図４において、細線部３４ｆと薄膜サーミスタ部３の外周縁とが重なる部分を二点鎖線Ｃで囲んで示している。
【００３４】
このように第３実施形態の温度センサ３１では、延長部３５ｆが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち前記３辺３ａ，３ｂ，３ｃ以外の１辺３ｄの直上又は直下に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部３の外周縁のほとんどが陰極側電極５と重なることになり、陽極側電極３４の腐食の発生をさらに低減することができる。
なお、本実施形態の延長部３５ｆは、一対の側部延在部５ｃ，５ｄの一方である側部延在部５ｄに接続されているが、一対の側部延在部５ｃ，５ｄの両方から基端接続部３４ｂに沿って一対の延長部を設けても構わない。
【００３５】
次に、第４実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、陰極側電極５が基端接続部５ｂ及び一対の側部延在部５ｃ，５ｄを有しているのに対し、第４実施形態の温度センサ４１では、図５に示すように、陰極側電極４５が、基端接続部４５ｂと、一端が基端接続部４５ｂの一端に接続され櫛部４５ａに沿って延在する側部延在部４５ｄと、一端が側部延在部４５ｄの他端に接続され基端接続部４５ｂに対向して複数の櫛部４５ａの並ぶ方向に延在する対向延在部４５ｃとを有している点である。
すなわち、第４実施形態の陰極側電極４５は、側部延在部４５ｄを一つだけ有し、対向延在部４５ｃを有してコ字状に形成されている。
【００３６】
また、第１実施形態では、陰極側電極５の基端接続部５ｂ及び一対の側部延在部５ｃ，５ｄが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｃの直上に対向して配されているのに対し、第４実施形態の温度センサ４１では、陰極側電極４５の基端接続部４５ｂ、側部延在部４５ｄ及び対向延在部４５ｃが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄの直上に対向して配されている点で異なっている。
【００３７】
第４実施形態では、陽極側電極４４が、基端接続部４４ｂと、基端接続部４４ｂの端部に接続され櫛部４４ａに沿って延在した側部延在部４４ｃとを有している。この陽極側電極４４の側部延在部４４ｃが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄ以外の１辺３ｃの直上に対向して配されている。
また、陰極側端子部４５ｅは対向延在部４５ｃの端部に設けられ、陽極側端子部４４ｅは陽極側電極４４の側部延在部４４ｃの端部に設けられている。したがって、第１実施形態では、陰極側端子部５ｅ及び陽極側端子部４ｅが、櫛部５ａの先端側に配置されていたが、第４実施形態では、陰極側端子部４５ｅ及び陽極側端子部４４ｅが、複数の櫛部４４ａ，４５ａが並ぶ方向の先に配置されている。
【００３８】
このように第４実施形態の温度センサ４１では、陰極側電極４５の基端接続部４５ｂ、側部延在部４５ｄ及び対向延在部４５ｃが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄの直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部３の外周縁の３辺３ａ，３ｂ，３ｄが陰極側電極４５の基端接続部４５ｂ、側部延在部４５ｄ及び対向延在部４５ｃに重なることで、陽極側電極４４と薄膜サーミスタ部３の外周縁とが重なる部分（段差部）を減らすことができる。
【００３９】
次に、第５実施形態と第４実施形態との異なる点は、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄ以外の１辺３ｃが、陽極側電極４４の側部延在部４４ｃの直下に配されているのに対し、第５実施形態の温度センサ４１では、図６に示すように、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄ以外の１辺３ｃの多くの部分も陰極側電極５５の直下に配されている点である。
【００４０】
すなわち、第５実施形態では、陰極側電極５５が、対向延在部４５ｃの他端に接続されていると共に櫛部４５ａに沿って延在した延長部５５ｆを有し、延長部５５ｆが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄ以外の１辺３ｃの直上に対向して配されている。
上記陽極側電極５４の基端接続部５４ｂは、第４実施形態に比べて細く形成されており、陰極側電極５５の内側に配されている。
【００４１】
陽極側電極５４は、基端接続部５４ｂに一端が接続されていると共に他端が陽極側端子部５４ｅに接続された細線部５４ｆを有している。この細線部５４ｆは、延長部５５ｆと基端接続部４５ｂとの間を通って延長部５５ｆの外側に配された陽極側端子部５４ｅに接続されている。
したがって、第５実施形態では、陽極側電極５４の細線部５４ｆが薄膜サーミスタ部３外周縁の１辺３ｃの直上に配されている。
なお、図６において、細線部５４ｆと薄膜サーミスタ部３の外周縁とが重なる部分を二点鎖線Ｅで囲んで示している。
【００４２】
このように第５実施形態の温度センサ５１では、延長部５５ｆが、薄膜サーミスタ部３の外周縁のうち３辺３ａ，３ｂ，３ｄ以外の１辺３ｃの直上に対向して配されているので、薄膜サーミスタ部３の外周縁のほとんどが陰極側電極５５と重なることになり、陽極側電極５４の腐食の発生をさらに低減することができる。
【００４３】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、薄膜サーミスタ部の上に陽極側電極及び陰極側電極が形成され、陰極側電極が薄膜サーミスタ部の外周縁の直上に配されているが、薄膜サーミスタ部の下に陽極側電極及び陰極側電極を形成し、陰極側電極を薄膜サーミスタ部の外周縁の直下に配しても構わない。
【符号の説明】
【００４４】
１，２１，３１，４１，５１…温度センサ、２…絶縁性基板、３，２３…薄膜サーミスタ部、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ…薄膜サーミスタ部の外周縁の各辺、４，３４，４４，５４…陽極側電極、４ａ，５ａ，４４ａ，４５ａ…櫛部、４ｂ，５ｂ，３４ｂ，４４ｂ，４５ｂ…基端接続部、５，３５，４５，５５…陰極側電極、５ｃ，５ｄ，４４ｃ，４５ｄ…側部延在部、３５ｆ，５５ｆ…延長部、４５ｃ…対向延在部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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