(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】ダイパッドＤＰの上面のめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤを介して半導体チップＣＰが搭載されている。平面視において、半導体チップＣＰはめっき層ＰＬ１に内包されている。めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のそれぞれの少なくとも一部に接合材ＢＤが達しているが、平面視において接合材ＢＤはめっき層ＰＬ１から、はみ出していない。角部ＫＤ１と角部ＫＤ３とを結ぶ対角線に沿ったＺ１方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１とめっき層ＰＬ１の外周との間の距離は、Ｙ方向におけるめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１と半導体チップＣＰの辺ＣＰ１との間の距離以下で、かつ、Ｘ方向におけるめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ２と半導体チップＣＰの辺ＣＰ２との間の距離以下である。【選択図】図９
2019040994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを搭載する主面、および前記主面と反対側の裏面を有するチップ搭載部と、
複数のリードと、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部の少なくとも一部、および前記複数のリードの少なくとも一部、を封止する封止体と、
を備える半導体装置であって、
前記チップ搭載部および前記複数のリードは、銅を主成分とする金属材料からなり、
前記チップ搭載部の前記主面の一部には、めっき層が形成され、
前記めっき層は、銀めっき層、金めっき層、または白金めっき層からなり、
前記半導体チップは、前記チップ搭載部の前記主面の前記めっき層上に、第１接合材を介して搭載され、
前記めっき層の面積は、前記半導体チップの面積よりも大きく、平面視において、前記半導体チップは前記めっき層に内包され、
前記チップ搭載部の前記主面のうち、前記めっき層が形成されていない第１領域の表面粗さは、前記複数のリードのうち、前記封止体から露出する第２領域の表面粗さよりも粗く、
平面視において、前記半導体チップは、第１方向に延在する第１チップ辺と、前記第１方向と直交する第２方向に延在する第２チップ辺と、前記第１チップ辺の反対側に位置しかつ前記第１方向に延在する第３チップ辺と、前記第２チップ辺の反対側に位置しかつ前記第２方向に延在する第４チップ辺と、前記第１チップ辺と前記第２チップ辺とにより形成される第１角部と、前記第２チップ辺と前記第３チップ辺とにより形成される第２角部と、前記第３チップ辺と前記第４チップ辺とにより形成される第３角部と、前記第４チップ辺と前記第１チップ辺とにより形成される第４角部と、を有し、
平面視において、前記めっき層は、前記第１チップ辺に沿うように延在する第１辺と、前記第２チップ辺に沿うように延在する第２辺と、前記第３チップ辺に沿うように延在する第３辺と、前記第４チップ辺に沿うように延在する第４辺と、を有し、
前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺および前記第４辺は、それぞれ、前記めっき層の外周の一部を構成し、
前記めっき層の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺および前記第４辺のそれぞれの少なくとも一部に前記第１接合材が達しているが、平面視において前記第１接合材は前記めっき層から、はみ出しておらず、
平面視において、前記第１角部と前記第３角部とを結ぶ第１対角線に沿った第３方向における、前記半導体チップの前記第１角部と前記めっき層の外周との間の第１距離は、前記第２方向における前記めっき層の前記第１辺と前記半導体チップの前記第１チップ辺との間の第２距離以下で、かつ、前記第１方向における前記めっき層の前記第２辺と前記半導体チップの前記第２チップ辺との間の第３距離以下である、半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップ全体の下方に前記第１接合材があり、前記半導体チップと前記めっき層との間には、前記封止体は介在していない、半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１距離は、前記第２距離よりも小さく、かつ、前記第３距離よりも小さく、
平面視において、前記半導体チップの前記第１角部は前記めっき層の外周から離間している、半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１距離は、前記第２距離の半分以下であり、かつ、前記第３距離の半分以下である、半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１距離は、２０μｍ以上である、半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
平面視において、前記第３方向における前記半導体チップの前記第３角部と前記めっき層の外周との間の第４距離は、前記第２方向における前記めっき層の前記第３辺と前記半導体チップの前記第３チップ辺との間の第５距離以下で、かつ、前記第１方向における前記めっき層の前記第４辺と前記半導体チップの前記第４チップ辺との間の第６距離以下であり、
平面視において、前記第２角部と前記第４角部とを結ぶ第２対角線に沿った第４方向における、前記半導体チップの前記第２角部と前記めっき層の外周との間の第７距離は、前記第３距離以下で、かつ、前記第５距離以下であり、
平面視において、前記第４方向における前記半導体チップの前記第４角部と前記めっき層の外周との間の第８距離は、前記第２距離以下で、かつ、前記第６距離以下である、半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
平面視において、前記めっき層は、前記第１辺と第２辺との間をつなぐ第５辺と、前記第２辺と第３辺との間をつなぐ第６辺と、前記第３辺と第４辺との間をつなぐ第７辺と、前記第４辺と第１辺との間をつなぐ第８辺と、を有する、半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
平面視において、前記第５辺は、第１曲率半径を有する曲線であり、
前記第１曲率半径は、前記第２距離以上で、かつ、前記第３距離以上であり、
前記第１距離は、前記第３方向における、前記半導体チップの前記第１角部と前記めっき層の前記第５辺との間の距離に対応している、半導体装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置において、
平面視において、前記第５辺は、前記第１および第２方向に交差する第５方向に延在する直線であり、
前記第１距離は、前記第３方向における、前記半導体チップの前記第１角部と前記めっき層の前記第５辺との間の距離に対応している、半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１接合材は、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材からなる、半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１接合材は、焼結金属からなる、半導体装置。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップの複数のパッド電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数のワイヤを更に有し、
前記封止体は、前記複数のワイヤを封止している、半導体装置。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の前記裏面は、前記封止体から露出されている、半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の前記主面のうち、前記めっき層が形成されていない前記第１領域の表面粗さは、前記チップ搭載部の前記裏面の表面粗さよりも粗い、半導体装置。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の前記封止体に接する領域は、粗面化されている、半導体装置。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記めっき層は銀めっき層である、半導体装置。
【請求項１７】
（ａ）めっき層が部分的に形成された主面を有するチップ搭載部と、複数のリードと、を有するリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームの前記チップ搭載部の前記主面の前記めっき層上に、接合材を介して半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記接合材を硬化させる工程、
（ｄ）前記半導体チップと前記チップ搭載部の少なくとも一部と前記複数のリードの少なくとも一部とを封止する封止体を形成する工程、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ａ）工程で準備された前記リードフレームは、銅を主成分とする金属材料からなり、前記チップ搭載部のうち、前記封止体で覆われる予定領域の表面粗さは、前記複数のリードのうち、前記封止体から露出する予定領域の表面粗さよりも粗く、
前記めっき層は、銀めっき層、金めっき層、または白金めっき層からなり、
前記（ｂ）工程で前記半導体チップを搭載した状態で、平面視において、前記半導体チップは、第１方向に延在する第１チップ辺と、前記第１方向と直交する第２方向に延在する第２チップ辺と、前記第１チップ辺の反対側に位置しかつ前記第１方向に延在する第３チップ辺と、前記第２チップ辺の反対側に位置しかつ前記第２方向に延在する第４チップ辺と、前記第１チップ辺と前記第２チップ辺とにより形成される第１角部と、前記第２チップ辺と前記第３チップ辺とにより形成される第２角部と、前記第３チップ辺と前記第４チップ辺とにより形成される第３角部と、前記第４チップ辺と前記第１チップ辺とにより形成される第４角部と、を有し、
前記（ｂ）工程で前記半導体チップを搭載した状態で、平面視において、前記めっき層は、前記第１チップ辺に沿うように延在する第１辺と、前記第２チップ辺に沿うように延在する第２辺と、前記第３チップ辺に沿うように延在する第３辺と、前記第４チップ辺に沿うように延在する第４辺と、を有し、前記めっき層の面積は、前記半導体チップの面積よりも大きく、平面視において前記半導体チップは前記めっき層に内包され、
前記（ｂ）工程で前記半導体チップを搭載した状態で、平面視において、前記第１角部と前記第３角部とを結ぶ第１対角線に沿った第３方向における、前記半導体チップの前記第１角部と前記めっき層の外周との間の第１距離は、前記第２方向における前記めっき層の前記第１辺と前記半導体チップの前記第１チップ辺との間の第２距離以下で、かつ、前記第１方向における前記めっき層の前記第２辺と前記半導体チップの前記第２チップ辺との間の第３距離以下であり、
前記（ｂ）工程では、前記接合材は導電性材料と樹脂材料とを含有し、前記めっき層の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺および前記第４辺のそれぞれの少なくとも一部に前記接合材が到達するが、平面視において前記接合材は前記めっき層から、はみ出さない、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記接合材は、前記導電性材料として複数の銀粒子を含有している、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程後で、前記（ｃ）工程前に、
（ｂ１）前記半導体チップの複数のパッド電極と前記複数のリードとを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
を更に有し、
前記封止体は、前記複数のワイヤも封止する、半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で準備された前記リードフレームにおいて、前記チップ搭載部のうち、前記封止体で覆われる予定領域は、粗面化されている、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、チップ搭載部上に半導体チップを搭載してパッケージ化した半導体装置およびその製造方法に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
ダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップのパッド電極とリードとをワイヤを介して電気的に接続し、それらを樹脂封止することにより、半導体パッケージ形態の半導体装置を製造することができる。
【０００３】
特開２０１４−１７９５４１号公報（特許文献１）には、ダイパッド上にＳｉＣチップを搭載してパッケージ化した半導体装置に関する技術が記載されている。特開２００９−２３１８０５号公報（特許文献２）には、ダイパッド上にシリコンチップを搭載してパッケージ化した半導体装置に関する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１７９５４１号公報
【特許文献２】特開２００９−２３１８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
チップ搭載部上に半導体チップを搭載してパッケージ化した半導体装置において、信頼性を向上させることが望まれる。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、半導体装置は、チップ搭載部と、前記チップ搭載部の主面のめっき層上に第１接合材を介して搭載された半導体チップと、複数のリードと、それらを封止する封止体と、を有している。平面視において、前記半導体チップは前記めっき層に内包されている。平面視において、前記半導体チップは、第１方向に延在する第１チップ辺と、前記第１方向と直交する第２方向に延在する第２チップ辺と、前記第１チップ辺の反対側に位置しかつ前記第１方向に延在する第３チップ辺と、前記第２チップ辺の反対側に位置しかつ前記第２方向に延在する第４チップ辺と、を有している。前記半導体チップは、前記第１チップ辺と前記第２チップ辺とにより形成される第１角部と、前記第２チップ辺と前記第３チップ辺とにより形成される第２角部と、前記第３チップ辺と前記第４チップ辺とにより形成される第３角部と、前記第４チップ辺と前記第１チップ辺とにより形成される第４角部と、を有している。平面視において、前記めっき層は、前記第１チップ辺に沿うように延在する第１辺と、前記第２チップ辺に沿うように延在する第２辺と、前記第３チップ辺に沿うように延在する第３辺と、前記第４チップ辺に沿うように延在する第４辺と、を有している。前記めっき層の前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺および前記第４辺のそれぞれの少なくとも一部に前記第１接合材が達しているが、平面視において前記第１接合材は前記めっき層から、はみ出していない。前記第１角部と前記第３角部とを結ぶ第１対角線に沿った第３方向における、前記半導体チップの前記第１角部と前記めっき層の外周との間の第１距離は、前記第２方向における前記めっき層の前記第１辺と前記半導体チップの前記第１チップ辺との間の第２距離以下で、かつ、前記第１方向における前記めっき層の前記第２辺と前記半導体チップの前記第２チップ辺との間の第３距離以下である。
【発明の効果】
【０００８】
一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】一実施の形態である半導体装置の下面図である。
【図３】一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図４】一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図５】一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図６】一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図７】一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図８】一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図９】一実施の形態である半導体装置の部分拡大平面透視図である。
【図１０】一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図１１】一実施の形態である半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。
【図１２】一実施の形態である半導体装置を製造するためのリードフレームを示す平面図である。
【図１３】図１２のリードフレームの断面図である。
【図１４】ダイボンディング工程を示す平面図である。
【図１５】ダイボンディング工程を示す断面図である。
【図１６】ワイヤボンディング工程を示す平面図である。
【図１７】ワイヤボンディング工程を示す断面図である。
【図１８】モールド工程を示す平面図である。
【図１９】モールド工程を示す断面図である。
【図２０】リード加工工程を示す断面図である。
【図２１】第１検討例の半導体装置の断面図である。
【図２２】第２検討例の半導体装置の断面図である。
【図２３】第２検討例の半導体装置の平面透視図である。
【図２４】第２検討例の半導体装置の平面透視図である。
【図２５】第２検討例の半導体装置の平面透視図である。
【図２６】第３検討例の半導体装置の断面図である。
【図２７】第３検討例の半導体装置の平面透視図である。
【図２８】一実施の形態の半導体装置の部分拡大平面透視図である。
【図２９】第４検討例の半導体装置の部分拡大平面透視図である。
【図３０】変形例の半導体装置の部分拡大平面透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１１】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１２】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００１３】
（実施の形態）
本発明の一実施の形態の半導体装置を図面を参照して説明する。
【００１４】
＜半導体装置（半導体パッケージ）の構造について＞
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置ＰＫＧの上面図であり、図２は、半導体装置ＰＫＧの下面図（裏面図）であり、図３〜図６は、半導体装置ＰＫＧの平面透視図であり、図７および図８は、半導体装置ＰＫＧの断面図であり、図９は、半導体装置ＰＫＧの一部を拡大した平面透視図（部分拡大平面透視図）である。
【００１５】
図３には、封止部ＭＲを透視したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。また、図４は、図３において、更にワイヤＢＷを透視（省略）したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。また、図５は、図４において、更に半導体チップＣＰを透視（省略）したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。また、図６は、図４において、更に接合材ＢＤを透視（省略）したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。図６は、平面図であるが、理解を簡単にするために、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに形成されているめっき層ＰＬ１にハッチングを付してある。また、図１および図３〜図６では、半導体装置ＰＫＧの向きは同じであり、また、図３〜図６では、封止部ＭＲの外周の位置を点線で示してある。また、図１〜図３のＡ−Ａ線の位置での半導体装置ＰＫＧの断面が、図７にほぼ対応し、図１〜図３のＢ−Ｂ線の位置での半導体装置ＰＫＧの断面が、図８にほぼ対応している。また、図９では、半導体装置ＰＫＧにおけるダイパッドＤＰ付近を拡大して示してある。なお、図９では、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａ上に搭載されている半導体チップＣＰの位置（外周位置）を実線で示し、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに形成されているめっき層ＰＬ１の位置（外周位置）を実線で示し、接合材ＢＤの位置（外周位置）を一点鎖線で示してある。また、各平面図に示されているＸ方向（第１方向）およびＹ方向（第２方向）は、互いに交差する方向であり、より特定的には、互いに直交する方向である。なお、Ｘ方向およびＹ方向は、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに略平行な方向でもある。
【００１６】
図１〜図９に示される本実施の形態の半導体装置（半導体パッケージ）ＰＫＧは、樹脂封止型の半導体パッケージ形態の半導体装置であり、ここではＱＦＰ（Quad Flat Package）形態の半導体装置である。以下、図１〜図９を参照しながら、半導体装置ＰＫＧの構成について説明する。
【００１７】
図１〜図９に示される本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、半導体チップＣＰと、半導体チップＣＰを搭載するダイパッドＤＰと、導電体によって形成された複数のリードＬＤと、半導体チップＣＰの複数のパッド電極ＰＤと複数のリードＬＤとを電気的に接続する複数のワイヤＢＷと、これらを封止する封止部（封止体）ＭＲと、を備えている。
【００１８】
樹脂封止部（樹脂封止体）としての封止部ＭＲは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部ＭＲを形成することができる。エポキシ系の樹脂以外にも、低応力化を図る等の理由から、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴムおよびフィラー等が添加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂を、封止部ＭＲの材料として用いても良い。
【００１９】
封止部ＭＲは、一方の主面である上面ＭＲａと、上面ＭＲａの反対側の主面である下面（裏面、底面）ＭＲｂと、上面ＭＲａおよび下面ＭＲｂに交差する側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４と、を有している。すなわち、封止部ＭＲの外観は、上面ＭＲａ、下面ＭＲｂおよび側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４で囲まれた薄板状とされている。封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４のうち、側面ＭＲｃ１と側面ＭＲｃ３とが互いに反対側に位置し、側面ＭＲｃ２と側面ＭＲｃ４とが互いに反対側に位置し、側面ＭＲｃ１と側面ＭＲｃ２，ＭＲｃ４とが互いに交差し、側面ＭＲｃ３と側面ＭＲｃ２，ＭＲｃ４とが互いに交差している。
【００２０】
封止部ＭＲの平面形状、すなわち、封止部ＭＲの上面ＭＲａおよび下面ＭＲｂの平面形状は、例えば矩形状（長方形状）であり、この矩形の角に丸みを帯びさせることもでき、また、この矩形の４つの角のうち、任意の角を落とす（面取りする）こともできる。
【００２１】
複数のリードＬＤのそれぞれは、一部が封止部ＭＲ内に封止され、他の一部が封止部ＭＲの側面から封止部ＭＲの外部に突出している。以下では、リードＬＤのうちの封止部ＭＲ内に位置する部分をインナリード部と呼び、リードＬＤのうちの封止部ＭＲ外に位置する部分をアウタリード部と呼ぶものとする。
【００２２】
なお、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、各リードＬＤの一部（アウタリード部）が封止部ＭＲの側面から突出した構造であり、以下ではこの構造に基づいて説明するが、この構造に限定されるものではない。例えば、封止部ＭＲの側面から各リードＬＤがほとんど突出せず、かつ封止部ＭＲの下面ＭＲｂで各リードＬＤの一部が露出した構成（ＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）型の構成）などを採用することもできる。
【００２３】
ダイパッドＤＰは、半導体チップＣＰを搭載するチップ搭載部である。ダイパッドＤＰの平面形状は、例えば矩形状である。ダイパッドＤＰは、一方の主面である上面ＤＰａと、上面ＤＰａの反対側の主面である下面（裏面、底面）ＤＰｂと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１に沿った側面と、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２に沿った側面と、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３に沿った側面と、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４に沿った側面と、を有している。ダイパッドＤＰの各側面は、上面ＭＲａおよび下面ＭＲｂに交差している。
【００２４】
ダイパッドＤＰは封止部ＭＲ内に封止されているが、封止部ＭＲの下面ＭＲｂからダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが露出されている。ダイパッドＤＰの上面ＤＰａおよび側面は、封止部ＭＲから露出されていない。なお、図２、図７および図８には、封止部ＭＲの下面ＭＲｂからダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが露出されている場合が示されているが、他の形態として、封止部ＭＲの下面ＭＲｂからダイパッドＤＰが露出しないようにすることもでき、その場合は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂは封止部ＭＲで覆われた状態になる。
【００２５】
ダイパッドＤＰと複数のリードＬＤとは、導電体で構成されており、好ましくは銅（Ｃｕ）を主成分とする金属材料からなり、具体的には、銅（Ｃｕ）または銅合金からなる。ダイパッドＤＰと複数のリードＬＤにおける銅（Ｃｕ）の含有率は、好ましくは、約９５原子％以上である。また、ダイパッドＤＰと複数のリードＬＤとは、同じ材料（金属材料）で形成されていることが好ましく、これにより、ダイパッドＤＰおよび複数のリードＬＤが連結されたリードフレームを作製しやすくなり、リードフレームを用いた半導体装置ＰＫＧの製造が容易になる。
【００２６】
半導体装置ＰＫＧが有する複数のリードＬＤは、平面視においてダイパッドＤＰの周囲に配置されている。なお、平面視とは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに略平行な平面で見た場合に対応している。このため、半導体装置ＰＫＧが有する複数のリードＬＤは、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤとで構成されている。
【００２７】
すなわち、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１に沿って、複数のリードＬＤのインナリード部が配置（配列）され、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２に沿って、複数のリードＬＤのインナリード部が配置（配列）されている。また、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３に沿って、複数のリードＬＤのインナリード部が配置（配列）され、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４に沿って、複数のリードＬＤのインナリード部が配置（配列）されている。
【００２８】
封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１から封止部ＭＲ外に突出している。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２から封止部ＭＲ外に突出している。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３から封止部ＭＲ外に突出している。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４から封止部ＭＲ外に突出している。
【００２９】
各リードＬＤのアウタリード部は、アウタリード部の端部近傍の下面が封止部ＭＲの下面ＭＲｂとほぼ同一平面上に位置するように、折り曲げ加工されている。リードＬＤのアウタリード部は、半導体装置ＰＫＧの外部接続用端子部（外部端子）として機能する。
【００３０】
ダイパッドＤＰの平面形状を構成する矩形の四隅には、それぞれ吊りリードＴＬが一体的に接続されている。各吊りリードＴＬは、ダイパッドＤＰと同じ材料によりダイパッドＤＰと一体的に形成されている。ダイパッドＤＰの外縁の四隅のそれぞれに、吊りリードＴＬが一体的に形成され、その吊りリードＴＬは、平面矩形状の封止部ＭＲの四隅に向かって、封止部ＭＲ内を延在している。吊りリードＴＬは、封止部ＭＲの形成後に封止部ＭＲから突出する部分が切断されており、吊りリードＴＬの切断により生じた切断面（端面）が封止部ＭＲの四隅側面で露出している。
【００３１】
ダイパッドＤＰの上面ＤＰａ上には、半導体チップＣＰが、その表面（上面）を上に向け、かつ、その裏面（下面）をダイパッドＤＰに向けた状態で搭載されている。ダイパッドＤＰの平面寸法（平面積）は、半導体チップＣＰの平面寸法（平面積）よりも大きく、平面視において、半導体チップＣＰは、ダイパッドＤＰの上面に内包されている。
【００３２】
ここで、半導体チップＣＰにおいて、互いに反対側に位置する２つの主面のうち、複数のパッド電極ＰＤが形成されている側の主面を半導体チップＣＰの表面（上面）と呼び、この表面とは反対側でかつダイパッドＤＰに対向する側の主面を半導体チップＣＰの裏面と呼ぶものとする。
【００３３】
半導体チップＣＰは、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップに分離して製造したものである。半導体チップＣＰは、その厚さと交差する平面形状が矩形状である。このため、平面視において、半導体チップＣＰ（の表面）は、Ｘ方向（第１方向）に延在する辺（第１チップ辺）ＣＰ１と、Ｘ方向と直交するＹ方向（第２方向）に延在する辺（第２チップ辺）ＣＰ２と、辺ＣＰ１の反対側に位置しかつＸ方向に延在する辺（第３チップ辺）ＣＰ３と、辺ＣＰ２の反対側に位置しかつＹ方向に延在する辺（第４チップ辺）ＣＰ４と、を有している（図９参照）。辺ＣＰ１と辺ＣＰ３とは互いに平行で、かつ互いに反対側に位置し、また、辺ＣＰ２と辺ＣＰ４とは互いに平行で、かつ互いに反対側に位置している。半導体チップＣＰの辺ＣＰ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１に沿った辺であり、半導体チップＣＰの辺ＣＰ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２に沿った辺であり、半導体チップＣＰの辺ＣＰ３は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３に沿った辺であり、半導体チップＣＰの辺ＣＰ４は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４に沿った辺である。また、平面視において、半導体チップＣＰ（の表面）は、辺ＣＰ１と辺ＣＰ２とにより形成される角部（第１角部）ＫＤ１と、辺ＣＰ２と辺ＣＰ３とにより形成される角部（第２角部）ＫＤ２と、辺ＣＰ３と辺ＣＰ４とにより形成される角部（第３角部）ＫＤ３と、辺ＣＰ４と辺ＣＰ１とにより形成される角部（第４角部）ＫＤ４と、を有している（図９参照）。角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４は、それぞれ、略直角の角部である。半導体チップＣＰの平面寸法は、例えば２ｍｍ×２ｍｍ程度であるが、これに限定されない。
【００３４】
平面視において、ダイパッドＤＰ（の上面ＤＰａ）は、半導体チップＣＰの辺ＣＰ１に沿うようにＸ方向に延在する辺ＤＰ１と、半導体チップＣＰの辺ＣＰ２に沿うようにＹ方向に延在する辺ＤＰ２と、半導体チップＣＰの辺ＣＰ３に沿うようにＸ方向に延在する辺ＤＰ３と、半導体チップＣＰの辺ＣＰ４に沿うようにＹ方向に延在する辺ＤＰ４と、を有している（図９参照）。辺ＤＰ１と辺ＤＰ３とは、互いに略平行であり、かつ、互いに反対側に位置し、また、辺ＤＰ２と辺ＤＰ４とは、互いに略平行であり、かつ、互いに反対側に位置している。
【００３５】
なお、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａには、めっき層（めっき膜）ＰＬ１が形成されている。めっき層ＰＬ１は、好ましくは、銀（Ａｇ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層、または白金（Ｐｔ）めっき層である。このため、めっき層ＰＬ１は、好ましくは、めっき法で形成された銀層（Ａｇ層）、金層（Ａｕ層）または白金層（Ｐｔ層）である。めっき層ＰＬ１は、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａ全体に形成されているのではなく、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａの一部（中央部付近）に部分的に形成されている。
【００３６】
半導体チップＣＰは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に、接合材（接合材層、接着層）ＢＤを介して搭載されている。すなわち、半導体チップＣＰの裏面が、接合材ＢＤを介してダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１に接合（接着）されて固定されている。半導体チップＣＰは、封止部ＭＲ内に封止されており、封止部ＭＲから露出されない。
【００３７】
平面視において、めっき層ＰＬ１（の上面）は、半導体チップＣＰの辺ＣＰ１に沿うように延在する辺（第１辺）ＳＤ１と、半導体チップＣＰの辺ＣＰ２に沿うように延在する辺（第２辺）ＳＤ２と、半導体チップＣＰの辺ＣＰ３に沿うように延在する辺（第３辺）ＳＤ３と、半導体チップＣＰの辺ＣＰ４に沿うように延在する辺（第４辺）ＳＤ４と、を有している（図９参照）。めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１と辺ＳＤ３とは、互いに略平行であり、それぞれＸ方向に延在しており、互いに反対側に位置している。また、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ２と辺ＳＤ４とは、互いに略平行であり、それぞれＹ方向に延在しており、互いに反対側に位置している。
【００３８】
めっき層ＰＬ１は、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４を有しているが、辺ＳＤ１と辺ＳＤ２とが交わることで形成される直角の角部は有しておらず、また、辺ＳＤ２と辺ＳＤ３とが交わることで形成される直角の角部は有していない。また、めっき層ＰＬ１は、辺ＳＤ３と辺ＳＤ４とが交わることで形成される直角の角部は有しておらず、また、辺ＳＤ４と辺ＳＤ１とが交わることで形成される直角の角部は有していない。めっき層ＰＬ１の平面形状は、矩形をベースとし、その矩形の角を内側（矩形の内側、半導体チップＣＰに近づく側）に後退させたような形状を有している。例えば、めっき層ＰＬ１の平面形状は、矩形の角に丸みを付けた形状（図８および図９参照）、または、矩形の角を落とした形状（後述の図３０参照）を有している。
【００３９】
このため、平面視において、めっき層ＰＬ１（の上面）は、辺ＳＤ１と辺ＳＤ２との間をつなぐ辺（第５辺）ＳＤ５と、辺ＳＤ２と辺ＳＤ３との間をつなぐ辺（第６辺）ＳＤ６と、辺ＳＤ３と辺ＳＤ４との間をつなぐ辺（第７辺）ＳＤ７と、辺ＳＤ４と辺ＳＤ１との間をつなぐ辺（第８辺）ＳＤ８と、を有している（図９参照）。辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８のそれぞれは、直線であっても、曲線であってもよく、あるいはジグザグ状（階段状）であってもよい。辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８のそれぞれは、図９の場合は円弧状の曲線であり、後述の図３０の場合は直線である。
【００４０】
辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８により、めっき層ＰＬ１の外周が形成され、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８は、それぞれ、めっき層ＰＬ１の外周の一部を構成している。
【００４１】
なお、本実施の形態では、「辺」というときは、その辺は直線である場合には限定されず、曲線である場合も含む。但し、「Ｘ方向に延在する辺」や「Ｙ方向に延在する辺」のように、一方向に延在することに言及した辺は、実質的に直線の辺に該当する。このため、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４は、実質的に直線の辺であるが、辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８は、直線であっても、曲線であってもよく、あるいはジグザグ状であってもよい。
【００４２】
接合材ＢＤは、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材からなる。接合材ＢＤとして、銀（Ａｇ）ペーストのような導電性ペースト型の接合材（接着材）を好適に用いることができるが、製造された半導体装置ＰＫＧにおいては、接合材ＢＤは既に硬化している。
【００４３】
ダイパッドＤＰは、半導体チップＣＰで発生した熱を放散するためのヒートシンクとしての機能も有することができる。半導体チップＣＰで発生した熱は、接合材ＢＤおよびめっき層ＰＬ１を介してダイパッドＤＰに伝導される。封止部ＭＲの下面ＭＲｂからダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが露出する場合は、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰに伝導された熱を、封止部ＭＲから露出されるダイパッドＤＰの下面ＤＰｂから、半導体装置ＰＫＧの外部に放散することができる。半導体チップＣＰとダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤは、導電性を有しているため、熱伝導率が高くなる。接合材ＢＤの熱伝導率が高いことは、半導体チップＣＰで発生した熱を、接合材ＢＤを介してダイパッドＤＰに効率よく伝導させる上で、有利に作用する。また、半導体チップＣＰの裏面に裏面電極が形成されている場合は、接合材ＢＤが導電性を有することで、半導体チップＣＰの裏面電極を、導電性の接合材ＢＤおよびめっき層ＰＬ１を介して、ダイパッドＤＰに電気的に接続することができる。
【００４４】
図４〜図９からも分かるように、めっき層ＰＬ１の平面寸法（平面積）は、半導体チップＣＰの平面寸法（平面積）よりも大きく、平面視において、半導体チップＣＰはめっき層ＰＬ１に内包されている。すなわち、平面視において、半導体チップＣＰはめっき層ＰＬ１から、はみ出していない。半導体チップＣＰが平面視においてめっき層ＰＬ１に内包されていることで、めっき層ＰＬ１における外周領域は半導体チップＣＰと平面視において重なっておらず、めっき層ＰＬ１における外周領域よりも内側の領域が、半導体チップＣＰと平面視において重なっている。半導体チップＣＰ（の裏面）全体の下方に接合材ＢＤが存在しており、半導体チップＣＰ（の裏面）とめっき層ＰＬ１との間には、接合材ＢＤが介在し、封止部ＭＲは介在していない。
【００４５】
また、平面視において、接合材ＢＤはめっき層ＰＬ１から、はみ出していない。そして、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の少なくとも一部に、接合材ＢＤが達している（到達している）。すなわち、平面視において、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１の少なくとも一部に接合材ＢＤが達し、かつ、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ２の少なくとも一部に接合材ＢＤが達し、かつ、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ３の少なくとも一部に接合材ＢＤが達し、かつ、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ４の少なくとも一部に接合材ＢＤが達している。従って、平面視において、接合材領域ＢＤＲはめっき層ＰＬ１に内包されているが、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の少なくとも一部は、接合材領域ＢＤＲの外周と平面視で重なっている。ここで、接合材ＢＤが存在している（配置されている）平面領域を、接合材領域ＢＤＲと称することとする。平面視において、接合材ＢＤは、接合材領域ＢＤＲ内全体に存在している。
【００４６】
また、平面視において、半導体チップＣＰは、接合材領域ＢＤＲに内包されており、すなわち、半導体チップＣＰは接合材領域ＢＤＲから、はみ出していない。このため、半導体チップＣＰの裏面全体の下には接合材ＢＤが存在し、半導体チップＣＰの裏面全体が、接合材ＢＤで覆われている。
【００４７】
平面視において接合材領域ＢＤＲはめっき層ＰＬ１に内包されているが、これには、めっき層ＰＬ１と接合材領域ＢＤＲとが平面視で一致している場合と、めっき層ＰＬ１の上面が、接合材ＢＤ１で覆われている部分だけではなく、接合材ＢＤ１で覆われていない部分も有する場合と、があり得るが、本実施の形態は、その両方の場合を許容する。但し、より好ましいのは、めっき層ＰＬ１と接合材領域ＢＤＲとが平面視で一致している場合である。めっき層ＰＬ１と接合材領域ＢＤＲとが平面視で一致している場合には、めっき層ＰＬ１の上面全体が接合材ＢＤで覆われるため、めっき層ＰＬ１の上面は、封止部ＭＲとは接しない。一方、めっき層ＰＬ１の上面が、接合材ＢＤ１で覆われている部分だけではなく、接合材ＢＤ１で覆われていない部分も有する場合には、接合材ＢＤ１で覆われない部分のめっき層ＰＬ１の上面は、封止部ＭＲと接する。
【００４８】
半導体チップＣＰの表面には、複数のパッド電極（パッド、ボンディングパッド）ＰＤが形成されている。半導体チップＣＰの複数のパッド電極ＰＤと、複数のリードＬＤとは、複数のワイヤ（ボンディングワイヤ）ＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、各ワイヤＢＷの一端が半導体チップＣＰのパッド電極ＰＤに接続され、各ワイヤＢＷの他端がリードＬＤに接続されており、それによって、半導体チップＣＰのパッド電極ＰＤとリードＬＤとがワイヤＢＷを介して電気的に接続される。
【００４９】
半導体チップＣＰの表面において辺ＣＰ１に沿って配列する複数のパッド電極ＰＤが、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰの表面において辺ＣＰ２に沿って配列する複数のパッド電極ＰＤが、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。半導体チップＣＰの表面において辺ＣＰ３に沿って配列する複数のパッド電極ＰＤが、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。半導体チップＣＰの表面において辺ＣＰ４に沿って配列する複数のパッド電極ＰＤが、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。
【００５０】
ワイヤ（ボンディングワイヤ）ＢＷは、導電性の接続部材であり、より特定的には導電性のワイヤである。ワイヤＢＷは、金属からなるため、金属線（金属細線）とみなすこともできる。ワイヤＢＷとしては、金（Ａｕ）ワイヤ、銀（Ａｇ）ワイヤ、銅（Ｃｕ）ワイヤ、あるいはアルミニウム（Ａｌ）ワイヤなどを好適に用いることができる。ワイヤＢＷは、封止部ＭＲ内に封止されており、封止部ＭＲから露出されない。各リードＬＤにおいて、ワイヤＢＷの接続箇所は、封止部ＭＲ内に位置するインナリード部（より特定的にはインナリード部の上面）である。
【００５１】
また、各リードＬＤのインナリード部の上面に、めっき層ＰＬ２を設けることもできる。めっき層ＰＬ２を設けた場合は、各ワイヤＢＷの一方の端部（パッド電極ＰＤに接続された側とは反対側の端部）は、リードＬＤのインナリード部の上面のめっき層ＰＬ２に接続される。ワイヤＢＷをリードＬＤのインナリード部の上面のめっき層ＰＬ２に接続することで、ワイヤＢＷの接続強度を高めることができる。めっき層ＰＬ２は、上記めっき層ＰＬ１と同じ材料により形成することができる。すなわち、めっき層ＰＬ１が銀（Ａｇ）めっき層の場合は、めっき層ＰＬ２も銀（Ａｇ）めっき層からなり、めっき層ＰＬ１が金（Ａｕ）めっき層の場合は、めっき層ＰＬ２も金（Ａｕ）めっき層からなり、めっき層ＰＬ１が白金（Ｐｔ）めっき層の場合は、めっき層ＰＬ２も白金（Ｐｔ）めっき層からなることが好ましい。めっき層ＰＬ２と上記めっき層ＰＬ１とが同じ材料により形成されていれば、めっき層ＰＬ２とめっき層ＰＬ１とを同じ（共通の）めっき工程で形成することが可能になるので、リードフレームを作製しやすくなり、リードフレームを用いた半導体装置ＰＫＧの製造が容易になる。
【００５２】
＜粗面化について＞
本実施の形態では、封止部ＭＲの剥離を防止するために、ダイパッドＤＰとリードＬＤのインナリード部とに、粗面化処理を施している。図１０は、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧの断面図であり、上記図７と同じ断面が示されているが、ダイパッドＤＰおよびリードＬＤにおける粗面化領域が判別できるように、ダイパッドＤＰおよびリードＬＤにおいて、粗面化された領域を、細かい凹凸で模式的に示してある。
【００５３】
本実施の形態の半導体装置ＰＫＧにおいては、図１０からも分かるように、ダイパッドＤＰの封止部ＭＲと接触する領域は、粗面化されている。具体的には、ダイパッドＤＰの側面全体と、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのうちのめっき層ＰＬ１が形成されていない領域とは、粗面化されている。これにより、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとが接する領域において、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができる。なお、めっき層ＰＬ１で覆われている領域のダイパッドＤＰの上面ＤＰａは、封止部ＭＲとは接しないため、粗面化されていても、粗面化されていなくともよい。
【００５４】
また、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧにおいては、図１０からも分かるように、リードＬＤの封止部ＭＲと接触する領域は、粗面化されている。具体的には、リードＬＤのインナリード部の上面と側面と下面とは、粗面化されている。これにより、リードＬＤと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができる。なお、めっき層ＰＬ２で覆われている領域のリードＬＤ（インナリード部）の上面は、封止部ＭＲとは接しないため、粗面化されていても、粗面化されていなくともよい。
【００５５】
このように、封止部ＭＲに接する部分のダイパッドＤＰの表面と、封止部ＭＲに接する部分のリードＬＤの表面とに、粗面化処理が施されている。
【００５６】
一方、リードＬＤのアウタリード部は、粗面化しないことが好ましい。なぜなら、後述するリードフレームＬＦにおいて、リードＬＤのアウタリード部も粗面化してしまうと、モールド工程で封止部ＭＲを形成した際に、リードフレームＬＦのリードＬＤのアウタリード部にも樹脂材料が樹脂バリとして付着してしまい、その樹脂バリを除去しにくくなるからである。各リードＬＤにおいて、インナリード部は粗面化するが、アウタリード部は粗面化しないことで、リードＬＤのインナリード部と封止部ＭＲとの密着性を高めることができるとともに、リードＬＤのアウタリード部に樹脂バリが残るのを防止しやすくなる。
【００５７】
また、ダイパッドＤＰにおいて、封止部ＭＲを形成すると封止部ＭＲに接する部分は、粗面化することが好ましいが、封止部ＭＲを形成しても封止部ＭＲで覆われずに露出される部分は、粗面化しないことが好ましい。すなわち、図１０のように、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂを封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出させた場合は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂは、粗面化しないことが好ましい。なぜなら、後述するリードフレームＬＦのダイパッドＤＰにおいて、封止部ＭＲを形成しても封止部ＭＲで覆われずに露出される部分（ここではダイパッドＤＰの下面ＤＰｂ）も粗面化してしまうと、そこに、封止部ＭＲを形成した際の樹脂バリが付着してしまい、その樹脂バリを除去しにくくなるからである。このため、ダイパッドＤＰにおいて、封止部ＭＲを形成すると封止部ＭＲで覆われる部分は粗面化するが、封止部ＭＲで覆われずに露出される部分（ここではダイパッドＤＰの下面ＤＰｂ）は粗面化しないことで、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとの密着性を高めることができるとともに、ダイパッドＤＰの露出面（ここではダイパッドＤＰの下面ＤＰｂ）に樹脂バリが残るのを防止しやすくなる。
【００５８】
一方、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲで覆われて露出されない場合は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂにも粗面化処理を施すことが好ましく、これにより、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができる。
【００５９】
ダイパッドＤＰおよびリードＬＤにおいて、粗面化された領域は、粗面化されていない領域よりも、表面粗さが粗くなっている。
【００６０】
このため、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧにおいては、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのうち、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域の表面粗さは、リードＬＤのうち、封止部ＭＲから露出する領域（アウタリード部）の表面粗さよりも粗くなっている。また、ダイパッドＤＰの側面の表面粗さは、リードＬＤのうち、封止部ＭＲから露出する領域（アウタリード部）の表面粗さよりも粗くなっている。これにより、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができるとともに、リードＬＤのアウタリード部に樹脂バリが残るのを防止しやすくなる。また、リードＬＤのうち、封止部ＭＲで覆われた領域（インナリード部）の表面粗さは、リードＬＤのうち、封止部ＭＲから露出する領域（アウタリード部）の表面粗さよりも粗くなっている。これにより、リードＬＤと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができるとともに、リードＬＤのアウタリード部に樹脂バリが残るのを防止しやすくなる。
【００６１】
なお、リードＬＤのうち、封止部ＭＲから露出する領域（アウタリード部）の表面上に、めっき層（外装めっき層）を形成する場合もある。この場合、リードＬＤのうち、封止部ＭＲから露出する領域（アウタリード部）の表面粗さは、外装めっき層の表面粗さではなく、外装めっき層の下地のリードＬＤ（銅を主成分とするリードＬＤ）自身の表面粗さである。
【００６２】
また、上述のように、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出している場合は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂには粗面化処理を施さないことが好ましい。そうした場合は、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのうち、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域の表面粗さと、ダイパッドＤＰの側面の表面粗さとは、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂの表面粗さよりも粗くなる。これにより、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができるとともに、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂに樹脂バリが残るのを防止しやすくなる。また、リードＬＤのうち、封止部ＭＲで覆われた領域（インナリード部）の表面粗さは、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂの表面粗さよりも粗くなる。これにより、リードＬＤと封止部ＭＲとの密着性を向上させることができるとともに、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂに樹脂バリが残るのを防止しやすくなる。
【００６３】
また、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２は、めっき法で形成しているため、表面の平坦性は高い。このため、ダイパッドＤＰの上面のうち、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域の表面粗さは、めっき層ＰＬ１（の上面）の表面粗さよりも粗くなっている。
【００６４】
ダイパッドＤＰおよびリードＬＤにおいて、粗面化された領域の表面粗さは、例えば、Ｒａ（算術平均粗さ）については０．２０±０．１２（μｍ）程度、Ｒｚについては２．５±１．５（μｍ）程度を例示できる。
【００６５】
＜半導体装置の製造工程について＞
次に、上記図１〜図９に示される半導体装置ＰＫＧの製造工程（組立工程）について説明する。図１１は、上記図１〜図８に示される半導体装置ＰＫＧの製造工程を示すプロセスフロー図である。図１２〜図２０は、半導体装置ＰＫＧの製造工程中の平面図または断面図である。図１２〜図２０のうち、図１２、図１４、図１６および図１８が平面図であり、図１３、図１５、図１７、図１９および図２０が断面図であり、断面図としては、上記図７に相当する断面が示されている。
【００６６】
半導体装置ＰＫＧを製造するには、まず、リードフレームＬＦを準備し（図１１のステップＳ１）、また、半導体チップＣＰを準備する（図１１のステップＳ２）。リードフレームＬＦと半導体チップＣＰとは、どちらを先に準備してもよく、また、同時に準備してもよい。
【００６７】
図１２および図１３に示されるように、リードフレームＬＦは、フレーム枠（図示せず）と、フレーム枠に連結された複数のリードＬＤと、フレーム枠に複数の吊りリードＴＬを介して連結されたダイパッドＤＰと、を一体的に有している。リードフレームＬＦは、銅（Ｃｕ）を主成分とする金属材料からなり、具体的には、銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金からなる。リードフレームＬＦのダイパッドＤＰの上面ＤＰａには、めっき層ＰＬ１が形成されている。また、リードフレームＬＦの各リードＬＤの先端部（インナリード部の先端部）の上面には、めっき層ＰＬ２が形成されている。めっき層ＰＬ１，ＰＬ２は、めっき法（好ましくは電解めっき法）を用いて形成することができる。リードフレームのダイパッドＤＰの上面ＤＰａに形成されているめっき層ＰＬ１の平面寸法（平面積）は、後で搭載する半導体チップＣＰの平面寸法（平面積）よりも大きい。めっき層ＰＬ１は、ダイパッドＤＰの上面全体に形成されているのではなく、ダイパッドＤＰの上面の一部（例えば中央部）に形成されている。
【００６８】
リードフレームＬＦは、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２を形成する前、または、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２を形成した後に、粗面化処理が施される。めっき層ＰＬ１，ＰＬ２形成工程（めっき工程）と、粗面化処理工程とは、どちらが先でも良い。
【００６９】
すなわち、金属板（銅板または銅合金板）を加工してリードフレームＬＦを作製した後、リードフレームＬＦのダイパッドＤＰの上面のめっき層ＰＬ１と、リードフレームＬＦのリードＬＤのインナリード部の上面のめっき層ＰＬ２とを、めっき法（好ましくは電解めっき法）を用いて形成し、その後、リードフレームＬＦに対して粗面化処理を施す。これにより、粗面化処理が施され、かつ、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２が形成されたリードフレームＬＦが準備される。
【００７０】
あるいは、金属板（銅板または銅合金板）を加工してリードフレームＬＦを作製した後、リードフレームＬＦに対して粗面化処理を施し、その後、リードフレームＬＦのダイパッドＤＰの上面のめっき層ＰＬ１と、リードフレームＬＦのリードＬＤのインナリード部の上面のめっき層ＰＬ２とを、めっき法（好ましくは電解めっき法）を用いて形成する。これにより、粗面化処理が施され、かつ、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２が形成されたリードフレームＬＦが準備される。
【００７１】
粗面化処理は、対象物（対象面）の表面粗さを粗くする処理であり、例えばエッチングを用いて行うことができる。なお、表面粗さの程度を表す指標としては、算術平均粗さ（Ｒａ）などがある。本実施の形態でも、算術平均粗さ（Ｒａ）を表面粗さの程度を表す指標として好適に用いることができる。
【００７２】
めっき層ＰＬ１，ＰＬ２形成工程（めっき工程）の後に、粗面化処理工程を行った場合は、めっき層ＰＬ１の直下のダイパッドＤＰの上面は、粗面化処理されておらず、また、めっき層ＰＬ２の直下のリードＬＤ（インナリード部）の上面も、粗面化処理されていない。
【００７３】
めっき層ＰＬ１，ＰＬ２形成工程（めっき工程）の後に、粗面化処理工程を行った場合は、粗面化処理に使用する薬液（例えばエッチング液）にめっき層ＰＬ１，ＰＬ２がさらされることになるが、銅を主成分とする金属材料からなるリードフレームＬＦに比べて、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）からなるめっき層ＰＬ１，ＰＬ２は、その薬液によってエッチングされにくい。このため、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２は、粗面化処理の影響をほとんど受けず、めっき層ＰＬ１で覆われていない領域のダイパッドＤＰの表面と、めっき層ＰＬ２で覆われていない領域のリードＬＤのインナリード部の表面とが、選択的に粗面化されることになる。めっき層ＰＬ１，ＰＬ２は、粗面化処理の影響をほとんど受けずに済むため、後でめっき層ＰＬ２にワイヤを接続する際に、不都合は生じないで済む。
【００７４】
一方、粗面化処理工程の後に、めっき層ＰＬ１，ＰＬ２形成工程（めっき工程）を行った場合は、めっき層ＰＬ１の直下のダイパッドＤＰの上面も、粗面化処理されており、また、めっき層ＰＬ２の直下のリードＬＤ（インナリード部）の上面も、粗面化処理されている。粗面化処理工程の後にめっき層ＰＬ１，ＰＬ２を形成した場合は、粗面化された面上にめっき層ＰＬ１，ＰＬ２が形成されることになるが、その場合でも、めっき法で形成されためっき層ＰＬ１，ＰＬ２の表面の平坦度はある程度高い。このため、後でめっき層ＰＬ２にワイヤを接続する際に、不都合は生じないで済む。
【００７５】
ステップＳ１で準備されたリードフレームＬＦにおいて、ダイパッドＤＰのうち、封止部ＭＲで覆われる予定の領域は、粗面化されている。また、ステップＳ１で準備されたリードフレームＬＦにおいて、リードＬＤのうち、封止部ＭＲで覆われる予定の領域は、粗面化されている。ステップＳ１で準備されたリードフレームＬＦにおいて、ダイパッドＤＰおよびリードＬＤのそれぞれにおいて、封止部ＭＲで覆われずに露出される予定の領域は、粗面化されていないことが好ましい。ダイパッドＤＰの封止部ＭＲに接する面は、粗面化されずにある程度平坦な表面を有する場合よりも、粗面化されて粗い表面を有する場合の方が、封止部ＭＲとの密着性が高くなる。リードＬＤについても、同様である。
【００７６】
次に、図１４および図１５に示されるように、半導体チップＣＰのダイボンディング工程を行って、リードフレームＬＦのダイパッドＤＰ（めっき層ＰＬ１）上に半導体チップＣＰを導電性の接合材ＢＤ１を介して搭載する（図１１のステップＳ３）。ステップＳ３のダイボンディング工程は、具体的には、次のようにして行うことができる。
【００７７】
すなわち、まず、リードフレームＬＦのダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に、接合材ＢＤ１を供給（塗布）する。接合材ＢＤ１は、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材からなるが、銀（Ａｇ）ペーストのような導電性ペースト型の接合材（接着材）を、接合材ＢＤ１として好適に用いることができる。接合材ＢＤ１が含有する導電性材料としては、銀（Ａｇ）粒子のような金属粒子を好適に用いることができる。
【００７８】
接合材ＢＤ１は、後で上記接合材ＢＤになるものであるが、この段階の接合材ＢＤ１は、まだ硬化しておらず、粘性を有している。すなわち、この段階の接合材ＢＤ１は、ペースト状の接合材であり、流動性がある。接合材ＢＤ１は、リードフレームのダイパッドＤＰの上面ＤＰａにおいて、チップ搭載予定領域（半導体チップＣＰを搭載する予定の領域）に供給（塗布）される。リードフレームのダイパッドＤＰの上面ＤＰａにおいて、半導体チップＣＰを搭載する予定の領域には、めっき層ＰＬ１が形成されているため、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に、接合材ＢＤ１が供給（塗布）されることになる。なお、この時点（接合材ＢＤ１供給後でかつ半導体チップＣＰを搭載する前の時点）では、接合材ＢＤ１は、めっき層ＰＬ１全体に拡がっているわけではなく、めっき層ＰＬ１上に局所的に配置されている。
【００７９】
それから、リードフレームのダイパッドＤＰの上面ＤＰａのチップ搭載予定領域に半導体チップＣＰを配置（搭載）する。この際、半導体チップＣＰは、半導体チップＣＰの表面側が上方を向き、半導体チップＣＰの裏面側が下方（すなわちダイパッドＤＰの上面ＤＰａ側）を向くように、フェイスアップでダイパッドＤＰの上面ＤＰａ上に配置される。すなわち、半導体チップＣＰは、半導体チップＣＰの裏面がダイパッドＤＰの上面と対向するように、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに配置される。リードフレームのダイパッドＤＰの上面ＤＰａにおいて、半導体チップＣＰを搭載する予定の領域には、めっき層ＰＬ１が形成されているため、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に、接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰが配置（搭載）されることになる。ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに形成されているめっき層ＰＬ１の平面寸法（平面積）は、半導体チップＣＰの平面寸法（平面積）よりも大きく、半導体チップＣＰがめっき層ＰＬ１に平面視において内包されるように、半導体チップＣＰがめっき層ＰＬ１上に配置される。
【００８０】
ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１にペースト状の（すなわち流動性のある）接合材ＢＤ１を配置した状態で（すなわち接合材ＢＤ１が硬化していない状態で）、半導体チップＣＰをダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に配置する。この際、半導体チップＣＰの表面（パッド電極ＰＤが形成された側の主面）に対して、半導体チップＣＰの表面に略垂直な方向の荷重（力）が印加される。このため、半導体チップＣＰの裏面によって接合材ＢＤ１が押し拡げられ、半導体チップＣＰの裏面とダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１との間の領域全体に接合材ＢＤ１が拡がることになる。これにより、半導体チップＣＰの裏面とめっき層ＰＬ１との間に、接合材ＢＤ１が充填された状態となる。また、半導体チップＣＰの裏面によって押し広げられた接合材ＢＤ１は、平面視において半導体チップＣＰから若干はみ出た状態になるが、平面視においてめっき層ＰＬ１から接合材ＢＤ１がはみ出ないように、めっき層ＰＬ１の面積および平面形状と接合材ＢＤ１の量とが予め調整されている。この段階で、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のそれぞれの少なくとも一部に接合材ＢＤ１が到達しているが、平面視において接合材ＢＤはめっき層ＰＬ１からは、はみ出していない。また、この段階で、後述の第１〜第４の条件は満たされている。
【００８１】
次に、熱処理（ベーク処理）を行って、接合材ＢＤ１を硬化させる（図１１のステップＳ４）。これにより、接合材ＢＤ１が硬化して、接合材ＢＤとなる。接合材ＢＤは、接合材ＢＤ１が硬化したものである。接合材ＢＤ１が含有する樹脂材料として、熱硬化性の樹脂材料を用いれば、熱処理により接合材に含まれる熱硬化性樹脂材料を硬化させ、それによって接合材ＢＤ１を硬化させることができる。半導体チップＣＰは、硬化した接合材ＢＤ１（すなわち接合材ＢＤ）によって、ダイパッドＤＰ（めっき層ＰＬ１）に接合されて固定される。
【００８２】
また、ダイボンディング時に、接合材ＢＤ１は半導体チップＣＰの裏面によって押し拡げられるため、半導体チップＣＰは、平面視において、接合材ＢＤ１に内包され、従って、接合材ＢＤ１を硬化した後は、半導体チップＣＰは、平面視において、接合材ＢＤ（接合材領域ＢＤＲ）に内包される。
【００８３】
次に、図１６および図１７に示されるように、ワイヤボンディング工程を行う（図１１のステップＳ５）。
【００８４】
ステップＳ５のワイヤボンディング工程では、半導体チップＣＰの複数のパッド電極ＰＤとリードフレームＬＦの複数のリードＬＤとの間を、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続する。
【００８５】
次に、モールド工程（樹脂成形工程）による樹脂封止を行って、図１８および図１９に示されるように、半導体チップＣＰおよびそれに接続された複数のワイヤＢＷを封止部ＭＲによって封止する（図１１のステップＳ６）。このステップＳ６のモールド工程によって、半導体チップＣＰ、ダイパッドＤＰ、複数のリードＬＤのインナリード部、複数のワイヤＢＷおよび吊りリードＴＬを封止する封止部ＭＲが形成される。なお、図１９の場合は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂは、封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出される。
【００８６】
次に、封止部ＭＲから露出しているリードＬＤのアウタリード部とダイパッドＤＰの下面ＤＰｂとに必要に応じてめっき処理を施してめっき膜（外装めっき膜）を形成してから、封止部ＭＲの外部において、リードＬＤおよび吊りリードＴＬを所定の位置で切断して、リードフレームＬＦのフレーム枠から分離する（図１１のステップＳ７）。
【００８７】
次に、図２０に示されるように、封止部ＭＲから突出するリードＬＤのアウタリード部を折り曲げ加工（リード加工、リード成形）する（図１１のステップＳ８）。例えば、封止部ＭＲから露出したリードＬＤのアウタリード部を、封止部ＭＲから離れる方向に延在する第１部分と、第１部分から封止部ＭＲの下面ＭＲｂ側に向かって延在する第２部分と、第２部分に接続されかつ封止部ＭＲから離れる方向に延在する第３部分とからなるように成形する。すなわち、リードＬＤのアウタリード部を、ガルウィング形状に成形する。なお、第１部分と第３部分とは、封止部ＭＲの上面ＭＲａまたは下面ＭＲｂに略平行である。
【００８８】
このようにして、上記図１〜図９に示されるような半導体装置ＰＫＧが製造される。
【００８９】
＜検討例について＞
図２１は、本発明者が検討した第１検討例の半導体装置（半導体パッケージ）ＰＫＧ１０１の断面図であり、上記図７に相当する断面図が示されている。
【００９０】
図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１は、主として以下の点が、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧと相違している。
【００９１】
すなわち、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１においては、上記ダイパッドＤＰに相当するダイパッドＤＰ１０１上に、半導体チップＣＰが、上記接合材ＢＤに相当する接合材ＢＤ１０１を介して搭載されているが、ダイパッドＤＰ１０１の上面に、上記めっき層ＰＬ１に相当するものは形成されていない。このため、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１においては、めっき層が形成されていないダイパッドＤＰ１０１の上面上に、半導体チップＣＰの裏面が、接合材ＢＤ１０１を介して接合されて固定されている。他の構成は、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１も、上記半導体装置ＰＫＧとほぼ同様であるので、ここではその繰り返しの説明は省略する。
【００９２】
ダイパッドＤＰ１０１は、ダイパッドＤＰと同様の材料からなり、具体的には、銅を主成分とする金属材料（銅または銅合金）からなる。このため、ダイボンディング工程を行ってダイパッドＤＰ１０１の上面上に半導体チップＣＰを搭載する前に、銅または銅合金からなるダイパッドＤＰ１０１の表面（露出表面）が酸化される懸念がある。ダイボンディング工程を行う前にダイパッドＤＰ１０１の上面が酸化されてしまうと、ダイパッドＤＰ１０１の上面上に接合材ＢＤ１０１を介して半導体チップＣＰを搭載した場合に、その接合材ＢＤ１０１とダイパッドＤＰ１０１との界面に、酸化層（以下、界面酸化層と称す）が介在することになる。この界面酸化層は、ダイボンディング工程の前に、ダイパッドＤＰ１０１の露出表面が酸化されたことで形成された酸化層に対応している。界面酸化層は、接合材ＢＤ１０１やダイパッドＤＰ１０１に比べて、熱伝導率が低い。このため、接合材ＢＤ１０１とダイパッドＤＰ１０１との界面に界面酸化層が存在することは、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への熱伝導経路の熱抵抗を増加させるように作用する。
【００９３】
すなわち、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１においては、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への熱伝導経路の熱抵抗は、半導体チップＣＰと接合材ＢＤ１０１との界面の熱抵抗と、接合材ＢＤ１０１の熱抵抗と、接合材ＢＤ１０１とダイパッドＤＰ１０１との界面の熱抵抗と、の合計になる。接合材ＢＤ１０１とダイパッドＤＰ１０１との界面に界面酸化層が形成されていると、接合材ＢＤ１０１とダイパッドＤＰ１０１との界面の熱抵抗が大きくなってしまい、それに伴い、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなってしまう。
【００９４】
このため、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１においては、接合材ＢＤ１０１とダイパッドＤＰ１０１との界面に界面酸化層が存在することで、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなり、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への放熱効率が低くなってしまう懸念がある。半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなって、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への放熱効率が低くなると、半導体チップＣＰの発熱に起因して半導体チップＣＰの温度が上昇しやすくなる。半導体チップＣＰの温度上昇は、半導体装置ＰＫＧ１０１の信頼性や性能の低下につながるため、できるだけ抑制することが望ましい。
【００９５】
図２２は、本発明者が検討した第２検討例の半導体装置（半導体パッケージ）ＰＫＧ２０１の断面図であり、上記図７や上記図２１に相当する断面図が示されている。図２３〜図２５は、第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１の平面透視図であり、それぞれ、上記図３〜図５に相当するものである。
【００９６】
図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１は、ダイパッドＤＰ２０１の上面にめっき層ＰＬ２０１を形成している点が、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１と相違している。
【００９７】
すなわち、図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１においては、上記ダイパッドＤＰに相当するダイパッドＤＰ２０１の上面にめっき層ＰＬ２０１が形成され、そのめっき層ＰＬ２０１上に、上記接合材ＢＤに相当する接合材ＢＤ２０１を介して半導体チップＣＰが搭載されている。すなわち、半導体チップＣＰの裏面が、ダイパッドＤＰ２０１の上面のめっき層ＰＬ２０１に、接合材ＢＤ２０１を介して接合されて固定されている。
【００９８】
ダイパッドＤＰ２０１は、上記ダイパッドＤＰ，ＤＰ１０１と同様の材料からなり、めっき層ＰＬ２０１は、上記めっき層ＰＬ１と同様の材料からなる。具体的には、めっき層ＰＬ２０１は、上記めっき層ＰＬ１と同様に、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）からなる。このため、上記めっき層ＰＬ１と同様に、めっき層ＰＬ２０１も、酸化されにくい材料から形成されていることになる。従って、ダイボンディング工程を行う前までに、銅または銅合金からなるダイパッドＤＰ２０１の露出表面は酸化される懸念があるが、めっき層ＰＬ２０１の露出表面は、酸化されずに済む。このため、ダイパッドＤＰ２０１の上面のめっき層ＰＬ２０１上に接合材ＢＤ２０１を介して半導体チップＣＰを搭載した場合に、その接合材ＢＤ２０１とめっき層ＰＬ２０１との界面には、酸化層（界面酸化層）は介在せずに済み、めっき層ＰＬ２０１の表面が直接的に接合材ＢＤ２０１と接触することになる。また、めっき層ＰＬ２０１は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）からなるため、熱伝導率が高い。このため、図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１においては、ダイパッドＤＰ２０１の上面上にめっき層ＰＬ２０１を設けてそのめっき層ＰＬ２０１上に接合材ＢＤ２０１を介して半導体チップＣＰを搭載したことで、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ２０１への熱伝導経路の熱抵抗を抑制することができる。従って、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１よりも、図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１の方が、半導体チップ（ＣＰ）からダイパッド（ＤＰ１０１，ＤＰ２０１）への放熱効率を向上させることができる。
【００９９】
しかしながら、本発明者の検討により、図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１において、次のような課題（第１の課題）が生じることが分かった。
【０１００】
めっき層ＰＬ２０１は、上記めっき層ＰＬ１に相当するものであるが、第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１におけるめっき層ＰＬ２０１の面積は、本実施の形態の上記半導体装置ＰＫＧにおける上記めっき層ＰＬ１の面積と相違しており、めっき層ＰＬ２０１の面積は、上記めっき層ＰＬ１の面積よりも大きい。また、めっき層ＰＬ２０１の平面形状は、矩形である。
【０１０１】
このため、本実施の形態とは異なり、第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１においては、めっき層ＰＬ２０１の外周は接合材ＢＤ２０１から離間しており、接合材ＢＤ２０１は、めっき層ＰＬ２０１の外周には達してない。すなわち、平面視において、めっき層ＰＬ２０１の各辺は、接合材ＢＤ２０１の外周から離間しており、具体的には、めっき層ＰＬ２０１の各辺は、接合材ＢＤ２０１の外周から距離Ｌ２０１だけ離間している（図２５参照）。このため、めっき層ＰＬ２０１のうち、接合材ＢＤ２０１で覆われていない領域の面積は、ある程度大きくなってしまう。すなわち、めっき層ＰＬ２０１は、接合材ＢＤ２０１で覆われた領域と、接合材ＢＤ２０１で覆われていない領域とを有しているが、めっき層ＰＬ２０１の外周が接合材ＢＤ２０１から離間していることで、接合材ＢＤ２０１で覆われていない領域の面積は、ある程度大きくなってしまう。
【０１０２】
めっき層ＰＬ２０１のうち、接合材ＢＤ２０１で覆われていない領域は、封止部ＭＲに接してその封止部ＭＲで覆われる。このため、第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１においては、めっき層ＰＬ２０１のうち、接合材ＢＤ２０１で覆われずに封止部ＭＲで覆われた領域（封止部ＭＲに接する領域）の面積が、ある程度大きくなってしまう。しかしながら、めっき層ＰＬ２０１と封止部ＭＲとの密着性は、比較的低い。具体的には、めっき層ＰＬ２０１が形成されていない領域のダイパッドＤＰ２０１の表面と封止部ＭＲとの密着性に比べて、めっき層ＰＬ２０１と封止部ＭＲとの密着性は、低い。
【０１０３】
このため、めっき層ＰＬ２０１の表面と封止部ＭＲとが接触している箇所の密着性が低いことから、そこが、封止部ＭＲの剥離が生じやすい箇所となる。図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１においては、めっき層ＰＬ２０１のうち、接合材ＢＤ２０１で覆われずに封止部ＭＲに接する領域の面積が大きいことから、封止部ＭＲの剥離のリスクが高くなってしまう。つまり、図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１においては、封止部ＭＲの剥離が生じやすくなるという第１の課題が発生してしまう。封止部ＭＲの剥離は、半導体装置が高温環境下に長時間さらされた場合、あるいは、半導体装置の温度サイクル試験を実施した場合などに、発生する虞がある。
【０１０４】
封止部ＭＲの剥離が生じてしまうと、そこが起点となって封止部の剥離が進行してしまい、封止部ＭＲの剥離箇所が拡がりやすい。封止部ＭＲの剥離が拡がることは、封止部ＭＲの剥離箇所を通じて水分の侵入を招くなど、半導体装置の信頼性の低下につながる。このため、樹脂封止型の半導体装置の信頼性を向上させる上では、封止部ＭＲの剥離を防ぐことが有効である。
【０１０５】
図２６は、本発明者が検討した第３検討例の半導体装置（半導体パッケージ）ＰＫＧ３０１の断面図であり、上記図７や上記図２１や上記図２２に相当する断面図が示されている。図２７は、第３検討例の半導体装置ＰＫＧ３０１の平面透視図であり、上記図４に相当するものである。但し、図２７においては、めっき層ＰＬ３０１の形成領域を理解し易くするために、めっき層ＰＬ３０１の外周位置を二点鎖線で示してある。
【０１０６】
図２６および図２７に示される第３検討例の半導体装置ＰＫＧ３０１においては、上記ダイパッドＤＰ，ＤＰ２０１に相当するダイパッドＤＰ３０１の上面にめっき層ＰＬ３０１が形成され、そのめっき層ＰＬ３０１上に、上記接合材ＢＤ，ＢＤ２０１に相当する接合材ＢＤ３０１を介して半導体チップＣＰが搭載されている。
【０１０７】
めっき層ＰＬ３０１は、上記めっき層ＰＬ１，ＰＬ２０１に相当するものであるが、第３検討例におけるめっき層ＰＬ３０１の面積は、第２検討例におけるめっき層ＰＬ２０１の面積や本実施の形態における上記めっき層ＰＬ１の面積と相違しており、めっき層ＰＬ３０１の面積は、上記めっき層ＰＬ１，ＰＬ２０１のそれぞれの面積よりも小さい。このため、本実施の形態とは異なり、第３検討例の半導体装置ＰＫＧ３０１においては、平面視において、接合材ＢＤ３０１はめっき層ＰＬ３０１からはみ出している。また、めっき層ＰＬ３０１の平面形状は、矩形である。
【０１０８】
ところで、封止部ＭＲの剥離は、半導体装置の信頼性の低下につながるため、本発明者は、封止部ＭＲの剥離を防止することについて検討している。封止部ＭＲの剥離を防止するには、ダイパッドＤＰ３０１の表面に対して粗面化処理を施しておくことが有効である。そうすることで、ダイパッドＤＰ３０１と封止部ＭＲとの密着性が向上するため、ダイパッドＤＰ３０１と封止部ＭＲとの界面で剥離が発生するのを抑制することができる。
【０１０９】
第３検討例の半導体装置ＰＫＧ３０１のように、平面視において接合材ＢＤ３０１がめっき層ＰＬ３０１からはみ出している場合には、以下の第２の課題または第３の課題が生じる虞がある。
【０１１０】
ダイボンディング工程で半導体チップＣＰをダイパッドＤＰ３０１のめっき層ＰＬ３０１上に硬化前の接合材ＢＤ３０１を介して搭載した際に、その接合材ＢＤ３０１が平面視においてめっき層ＰＬ３０１からはみ出した場合には、そのはみ出した接合材ＢＤ３０１に含まれる樹脂成分や添加材成分が、粗面化されたダイパッドＤＰ３０１の上面上を毛細管現象により滲み出してしまう懸念がある。すなわち、樹脂のブリードアウト現象（ブリード現象、エポキシブリードアウト現象）が生じる懸念がある。これは、ダイパッドＤＰ３０１の上面が粗面化されていると、その表面の凹凸の凹部を伝って、接合材ＢＤ３０１に含まれる樹脂成分や添加材成分が滲み出す（流出する）ためである。この現象が生じてしまうと、接合材ＢＤ３０１のダイボンディング材としての機能が損なわれてしまい、半導体チップＣＰの接合不良を招くなどして、半導体装置の信頼性を低下させてしまう虞がある。これが第２の課題である。
【０１１１】
この第２の課題を防ぐためには、めっき層ＰＬ３０１以外のダイパッドＤＰ３０１の上面に、ブリードアウト防止剤（アンチエポキシブリードアウト材）を塗布しておくことが有効である。そうすることにより、ダイボンディング工程では、粗面化されたダイパッドＤＰ３０１の表面上に接合材ＢＤ３０１がはみ出しても、接合材ＢＤ３０１に含まれる樹脂成分や添加材成分は滲み出しにくくなり、樹脂のブリードアウト現象は生じにくくなる。しかしながら、この場合は、接合材ＢＤ３０１に含まれる樹脂成分や添加材成分だけでなく、接合材ＢＤ３０１全体が、ダイパッドＤＰ３０１の表面上を濡れ広がりにくくなるため、以下の第３の課題が発生してしまう。
【０１１２】
すなわち、めっき層ＰＬ３０１上からはみ出した接合材ＢＤ３０１は、ダイパッドＤＰ３０１の上面上を濡れ広がりにくいことで、図２６のように半導体チップＣＰの側面を伝って半導体チップＣＰの表面上に這い上がりやすくなる。半導体チップＣＰの表面上に接合材ＢＤ３０１が這い上がることは、半導体チップＣＰのパッド電極ＰＤへの接合材ＢＤ３０１の付着を招き、パッド電極ＰＤへの導電性接続部材（ここではワイヤＢＷ）の接続不良を招くなどして、半導体装置の信頼性を低下させてしまう虞がある。これが第３の課題である。
【０１１３】
つまり、ダイパッドＤＰ３０１の上面にブリードアウト防止剤を塗布しなかった場合には、第２の課題が懸念され、ダイパッドＤＰ３０１の上面にブリードアウト防止剤を塗布した場合には、第３の課題が懸念される。このため、ダイパッドＤＰ３０１の表面にブリードアウト防止剤を塗布するか否かに関わらず、第３検討例の半導体装置ＰＫＧ３０１のように、平面視において、接合材ＢＤ３０１がめっき層ＰＬ３０１からはみ出した場合には、半導体装置の信頼性が低下する懸念がある。
【０１１４】
従って、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１の場合は、上述したように、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなって、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰ１０１への放熱効率が低くなってしまう懸念がある。これは、半導体チップＣＰの発熱により半導体チップＣＰの温度が上昇しやすくなることにつながるため、半導体装置ＰＫＧ１０１の信頼性や性能を低下させる虞がある。また、図２２〜図２５に示される第２検討例の半導体装置ＰＫＧ２０１の場合は、めっき層ＰＬ２０１の表面と封止部ＭＲとが接触している箇所の密着性が低く、かつ、その面積が大きいことから、封止部ＭＲの剥離が生じる懸念がある。これは、半導体装置ＰＫＧ２０１の信頼性が低下させる虞がある。また、図２６および図２７に示される第３検討例の半導体装置ＰＫＧ３０１の場合は、接合材ＢＤ３０１に含まれる樹脂成分や添加剤成分のブリードアウト現象が生じるか、あるいは、接合材ＢＤ３０１が半導体チップＣＰの表面にまで這い上がる現象が生じる懸念がある。これは、半導体装置ＰＫＧ３０１の信頼性を低下させる虞がある。
【０１１５】
なお、ダイボンディング工程で使用する接合材（銀ペーストなど）の濡れ性が悪い場合や、あるいは、ダイボンディング工程での半導体チップの搭載位置の位置ずれが大きい場合には、ダイパッドの上面におけるブリードアウト防止剤の有無にかかわらず、接合材が半導体チップＣＰの側面を伝って半導体チップＣＰの表面上に這い上がる虞がある。使用する接合材（銀ペーストなど）の成分によっても、這い上がりのしやすさが変化する。このため、接合材ＢＤ３０１がめっき層ＰＬ３０１からはみ出した場合に、接合材ＢＤ３０１が半導体チップＣＰの側面を伝って半導体チップＣＰの表面上に這い上がる課題は、ダイパッドＤＰ３０１の上面の粗面化の有無にかかわらず、発生する場合がある。
【０１１６】
＜主要な特徴と効果について＞
本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、半導体チップＣＰと、半導体チップＣＰを搭載するチップ搭載部であるダイパッドＤＰと、複数のリードＬＤと、半導体チップＣＰ、ダイパッドＤＰの少なくとも一部および複数のリードＬＤの少なくとも一部を封止する封止部ＭＲ（封止体）と、備えている。ダイパッドＤＰおよび複数のリードＬＤは、銅を主成分とする金属材料からなる。ダイパッドＤＰの上面ＤＰａの一部にはめっき層ＰＬ１が形成されており、めっき層ＰＬ１は、銀めっき層、金めっき層、または白金めっき層からなる。半導体チップＣＰは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤ（第１接合材）を介して搭載されている。
【０１１７】
本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａにめっき層ＰＬ１が形成され、半導体チップＣＰは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤを介して搭載されていることである。これにより、上記第１検討例に関連して説明したような課題を解決することができる。これについて、以下に説明する。
【０１１８】
本実施の形態とは異なり、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａにめっき層ＰＬ１が形成されていない場合が、上記図２１の第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１にほぼ相当している。本実施の形態とは異なり、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａにめっき層ＰＬ１が形成されていなければ、上記第1検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１に関連して説明した課題が発生する懸念がある。簡単に言えば、半導体チップＣＰを搭載するための接合材（ＢＤ１０１）とダイパッド（ＤＰ１０１）との界面に酸化層（界面酸化層）が介在してしまい、半導体チップＣＰからダイパッド（ＤＰ１０１）への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなり、半導体チップＣＰからダイパッド（ＤＰ１０１）への放熱効率が低くなってしまう懸念がある。
【０１１９】
それに対して、本実施の形態では、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａにめっき層ＰＬ１が形成されており、めっき層ＰＬ１は、銀めっき層、金めっき層、または白金めっき層からなる。めっき層ＰＬ１は、酸化されにくい材料（銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ））からなるため、銅を主成分とする金属材料からなるダイパッドＤＰよりも酸化されにくい。このため、ダイボンディング工程を行う前までに、銅を主成分とする金属材料からなるダイパッドＤＰの露出表面は酸化される懸念があるが、めっき層ＰＬ１の露出表面は、酸化されずに済む。このため、ダイパッドＤＰの上面のめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤを介して半導体チップＣＰを搭載した場合に、その接合材ＢＤとめっき層ＰＬ１との界面には、酸化層（界面酸化層）は介在せずに済み、めっき層ＰＬ１の表面が直接的に接合材ＢＤと接触することになる。また、めっき層ＰＬ１は、銀（Ａｇ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層、または白金（Ｐｔ）めっき層からなるため、熱伝導率が高い。このため、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧにおいては、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａにめっき層ＰＬ１を設けてそのめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤを介して半導体チップＣＰを搭載したことで、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰへの熱伝導経路の熱抵抗を抑制することができる。従って、図２１に示される第１検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１よりも、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧの方が、半導体チップ（ＣＰ）からダイパッド（ＤＰ，ＤＰ１０１）への放熱効率を向上させることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、半導体装置の性能を向上させることができる。
【０１２０】
本実施の形態の主要な特徴のうちの他の一つは、めっき層ＰＬ１の面積は半導体チップＣＰの面積よりも大きく、平面視において半導体チップＣＰはめっき層ＰＬ１に内包されており、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のそれぞれの少なくとも一部に接合材ＢＤが達しているが、平面視において接合材ＢＤは、めっき層ＰＬ１から、はみ出していないことである。これにより、上記第２検討例に関連して説明したような課題と、上記第３検討例に関連して説明したような課題とを、解決することができる。これについて、以下に説明する。
【０１２１】
本実施の形態とは異なり、上記図２２〜図２５の第２検討例のように、めっき層ＰＬ２０１の各辺に接合材ＢＤ２０１が達していない場合には、めっき層ＰＬ２０１の各辺は、接合材ＢＤ２０１の外周から距離Ｌ２０１だけ離間してしまい、この距離Ｌ２０１の分だけ、めっき層ＰＬ２０１と封止部ＭＲとが接する面積が増加してしまう。つまり、めっき層ＰＬ２０１の各辺に接合材ＢＤ２０１が達していない場合には、平面視においてめっき層ＰＬ２０１の各辺の位置が半導体チップＣＰの各辺から不必要に離れすぎており、距離Ｌ２０１の分だけ、めっき層ＰＬ２０１は無駄な寸法を有していることを示唆している。これは、めっき層ＰＬ２０１と封止部ＭＲとの接触面積を増大させ、封止部ＭＲの剥離を招くリスクを増大させてしまい、半導体装置の信頼性を低下させてしまう。かといって、本実施の形態とは異なり、上記図２６および図２７の第３検討例のように、めっき層ＰＬ３０１から接合材ＢＤ３０１がはみ出した場合には、接合材ＢＤ３０１に含まれる樹脂成分や添加剤成分のブリードアウト現象が生じるか、あるいは、接合材ＢＤ３０１が半導体チップＣＰの表面にまで這い上がる現象が生じる懸念があり、半導体装置の信頼性が低下してしまう。
【０１２２】
それに対して、本実施の形態では、めっき層ＰＬ１の面積は半導体チップＣＰの面積よりも大きく、平面視において半導体チップＣＰはめっき層ＰＬ１に内包されている。そして、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のそれぞれの少なくとも一部に接合材ＢＤが達しているが、平面視において接合材ＢＤは、めっき層ＰＬ１から、はみ出していない。すなわち、本実施の形態では、上記距離Ｌ２０１に相当するものは、実質的にゼロとなっている。めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤが達していることで、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の位置が、半導体チップＣＰの各辺ＣＰ１、ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４から不必要に離れすぎることを防止して、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を低減させることができるため、封止部ＭＲの剥離を招くリスクを低減させることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。そして、平面視において接合材ＢＤがめっき層ＰＬ１から、はみ出していないことで、上記第３検討例に関連して説明したような課題の発生を防止することができるため、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【０１２３】
つまり、上記第３検討例に関連して説明した課題の発生を防止しながら、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を低減させるためには、本実施の形態のように、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤが達しているが、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出さないように、各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の位置を設定することが望ましい。これにより、本実施の形態では、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を低減させて、封止部ＭＲの剥離を招くリスクを低減できるともに、上記第３検討例に関連して説明した課題の発生を防止することができる。従って、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１２４】
封止部ＭＲと各部材との密着性を比較すると、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域のダイパッドＤＰの表面と封止部ＭＲとの密着性に比べて、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性は低いが、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性に比べて、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの密着性は、更に低い。このため、本実施の形態では、密着性が低いめっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触領域の面積を小さくすることを意図して、めっき層ＰＬ１の平面形状を設定している。
【０１２５】
めっき層ＰＬ１が封止部ＭＲと接触していた場合に、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの間の密着性が低くなるのは、めっき層ＰＬ１の表面の平坦性が高いためである。すなわち、めっき法で形成しためっき層ＰＬ１の表面（上面）の平坦性は、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域のダイパッドＤＰの上面ＤＰａの平坦性よりも高くなっている。言い換えると、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域のダイパッドＤＰの上面ＤＰａの表面粗さは、めっき層ＰＬ１の表面（上面）の表面粗さよりも粗くなっている。これは、めっき法を用いると、表面の平坦性が高い膜（めっき膜）が成膜されることを反映している。このため、めっき層ＰＬ１が形成されていない領域のダイパッドＤＰの上面ＤＰａと封止部ＭＲとの密着性に比べて、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの密着性が低くなってしまう。また、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性は比較的高く、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの密着性よりも、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性の方が高い。封止部ＭＲの密着性が相対的に低い箇所があれば、その箇所が起点となって封止部ＭＲの剥離が進行する虞がある。このため、封止部ＭＲの剥離を抑制または防止するためには、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとが接触する面積をできるだけ減らすことが有効である。本実施の形態では、上述の工夫と後述の工夫とにより、密着性が低いめっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を効率的に減らすことができるため、封止部ＭＲの剥離が生じるリスクを低減して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１２６】
また、製造された半導体装置ＰＫＧにおいて、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤが達しているが、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤは、はみ出していない。半導体装置ＰＫＧを製造する際には、上記ステップＳ３でダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰを搭載した段階で、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤ１が達しているが、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤ１は、はみ出していない。そして、ステップＳ４で接合材ＢＤ１を硬化した段階およびその後の段階でも、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤが達しているが、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤは、はみ出していない。
【０１２７】
図２８は、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧの一部を拡大した平面透視図（部分拡大平面透視図）であり、上記図９と同じ平面領域が示されているが、図２８では、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａ上に搭載されている半導体チップＣＰの位置（外周位置）と、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに形成されているめっき層ＰＬ１の位置（外周位置）とを実線で示し、接合材ＢＤの図示は省略している。
【０１２８】
本実施の形態の主要な特徴のうちの更に他の一つは、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の位置だけでなく、めっき層ＰＬ１の角部に相当する領域の平面形状も工夫していることである。すなわち、以下の第１、第２、第３および第４の条件のうちの１つ以上を満たすように、より好ましくは４つ全てを満たすように、めっき層ＰＬ１の平面形状が設定されている。
【０１２９】
第１条件として、平面視において、Ｚ１方向における半導体チップＣＰの角部ＫＤ１とめっき層ＰＬ１の外周との間の距離Ｌ１（第１距離）は、Ｙ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ１とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１との間の距離Ｌ２（第２距離）以下で、かつ、Ｘ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ２とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ２との間の距離Ｌ３（第３距離）以下である。すなわち、第１の条件は、Ｌ１≦Ｌ２かつＬ１≦Ｌ３を満たすことである。なお、距離Ｌ１は、Ｚ１方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ５との間の距離に対応している。
【０１３０】
第２条件として、平面視において、Ｚ１方向における半導体チップＣＰの角部ＫＤ３とめっき層ＰＬ１の外周との間の距離Ｌ４（第４距離）は、Ｙ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ３とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ３との間の距離Ｌ５（第５距離）以下で、かつ、Ｘ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ４とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ４との間の距離Ｌ６（第６距離）以下である。すなわち、第２の条件は、Ｌ４≦Ｌ５かつＬ４≦Ｌ６を満たすことである。なお、距離Ｌ４は、Ｚ１方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ３とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ７との間の距離に対応している。
【０１３１】
第３条件として、平面視において、Ｚ２方向における半導体チップＣＰの角部ＫＤ２とめっき層ＰＬ１の外周との間の距離Ｌ７（第７距離）は、上記距離Ｌ３以下で、かつ上記距離Ｌ５以下である。すなわち、第３の条件は、Ｌ７≦Ｌ３かつＬ７≦Ｌ５を満たすことである。なお、距離Ｌ７は、Ｚ２方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ６との間の距離に対応している。
【０１３２】
第４条件として、平面視において、Ｚ２方向における半導体チップＣＰの角部ＫＤ４とめっき層ＰＬ１の外周との間の距離Ｌ８（第８距離）は、上記距離Ｌ２以下で、かつ上記距離Ｌ６以下である。すなわち、第４の条件は、Ｌ８≦Ｌ２かつＬ８≦Ｌ６を満たすことである。なお、距離Ｌ８は、Ｚ２方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ４とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ８との間の距離に対応している。
【０１３３】
ここで、距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８は、図２８に示されている。また、Ｚ１方向（第３方向）およびＺ２方向（第４方向）は、図９および図２８に示されており、Ｚ１方向は、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１（第１角部）と角部ＫＤ３（第３角部）とを結ぶ対角線（仮想直線）に沿った方向であり、Ｚ２方向は、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２（第２角部）と角部ＫＤ４（第４角部）とを結ぶ対角線（仮想直線）に沿った方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ１方向およびＺ２方向は、ダイパッドＤＰの上面ＤＰａに略平行な方向でもある。
【０１３４】
上記第１〜第４の条件を設定する理由について以下に説明する。
【０１３５】
ダイボンディング工程では、硬化前の接合材（ＢＤ１）が半導体チップＣＰの裏面で押し拡げられる。このため、平面視において、半導体チップＣＰの各辺ＣＰ１、ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４から接合材（ＢＤ１）がはみ出した状態になる。しかしながら、半導体チップＣＰの外周からの接合材（ＢＤ１）のはみ出し距離は、半導体チップＣＰの外周位置に依存して異なる。なお、半導体チップＣＰの外周からの接合材（ＢＤ１，ＢＤ）のはみ出し距離は、平面視における、半導体チップＣＰの外周と接合材領域ＢＤＲの外周（図９の一点鎖線に対応）との間の距離に対応している。
【０１３６】
すなわち、半導体チップＣＰの各辺ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４の中央付近では、接合材（ＢＤ１，ＢＤ）のはみ出し距離は比較的大きいが、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４では、接合材（ＢＤ１，ＢＤ）のはみ出し距離は、非常に小さくなる。これは、硬化前の接合材（ＢＤ１）の表面張力に起因して生じる現象である。つまり、平面視において、半導体チップＣＰの外周からの接合材（ＢＤ１，ＢＤ）のはみ出しは、半導体チップＣＰの各辺ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４の中央付近では、かなり生じやすいのに対して、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４では、ほとんど生じないか、生じても僅かである。
【０１３７】
従って、平面視において、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４での接合材ＢＤのはみ出し距離は、半導体チップＣＰの各辺ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４の中央付近での接合材ＢＤのはみ出し距離よりも、大きくはならないと言える。つまり、平面視において、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ３での接合材ＢＤのはみ出しは、方向Ｚ１に生じるはずであるが、そのはみ出し距離が小さく、また、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ２，ＫＤ４での接合材ＢＤのはみ出しは、方向Ｚ２に生じるはずであるが、そのはみ出し距離が小さいのである。
【０１３８】
そして、上述のように、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤが達しているが、平面視においてめっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出していないが、これは、以下のことを示唆している。すなわち、平面視において、半導体チップＣＰの辺ＣＰ１（の中央付近）での接合材ＢＤのはみ出し距離は、Ｙ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ１とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１との間の距離Ｌ２とほぼ一致している。また、平面視において、半導体チップＣＰの辺ＣＰ２（の中央付近）での接合材ＢＤのはみ出し距離は、Ｘ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ２とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ２との間の距離Ｌ３とほぼ一致している。また、平面視において、半導体チップＣＰの辺ＣＰ３（の中央付近）での接合材ＢＤのはみ出し距離は、Ｙ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ３とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ３との間の距離Ｌ５とほぼ一致している。また、平面視において、半導体チップＣＰの辺ＣＰ４（の中央付近）での接合材ＢＤのはみ出し距離は、Ｙ方向における半導体チップＣＰの辺ＣＰ４とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ４との間の距離Ｌ６とほぼ一致している。
【０１３９】
従って、平面視において、Ｚ１方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１での接合材ＢＤのはみ出し距離は、距離Ｌ２，Ｌ３よりも大きくはならないことになる。また、Ｚ２方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２での接合材ＢＤのはみ出し距離は、距離Ｌ３，Ｌ５よりも大きくはならないことになる。また、Ｚ１方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ３での接合材ＢＤのはみ出し距離は、距離Ｌ５，Ｌ６よりも大きくはならないことになる。また、Ｚ２方向における、半導体チップＣＰの角部ＫＤ４での接合材ＢＤのはみ出し距離は、距離Ｌ２，Ｌ６よりも大きくはならないことになる。
【０１４０】
このため、もしも、めっき層ＰＬ１において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１から距離Ｌ２，Ｌ３よりも遠い領域があれば、必然的にその領域は接合材ＢＤでは覆われずに、封止部ＭＲと接する領域となってしまう。また、もしも、めっき層ＰＬ１において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２から距離Ｌ３，Ｌ５よりも遠い領域があれば、必然的にその領域は接合材ＢＤでは覆われずに、封止部ＭＲと接する領域となってしまう。また、もしも、めっき層ＰＬ１において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ３から距離Ｌ５，Ｌ６よりも遠い領域があれば、必然的にその領域は接合材ＢＤでは覆われずに、封止部ＭＲと接する領域となってしまう。また、もしも、めっき層ＰＬ１において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ４から距離Ｌ２，Ｌ６よりも遠い領域があれば、必然的にその領域は接合材ＢＤでは覆われずに、封止部ＭＲと接する領域となってしまう。
【０１４１】
つまり、Ｚ１方向において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１から距離Ｌ２，Ｌ３よりも遠い領域がめっき層ＰＬ１に存在すれば、その領域は無駄な領域であり、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積の増大に寄与してしまう。また、Ｚ２方向において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２から距離Ｌ３，Ｌ５よりも遠い領域がめっき層ＰＬ１に存在すれば、その領域は無駄な領域であり、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積の増大に寄与してしまう。また、Ｚ１方向において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ３から距離Ｌ５，Ｌ６よりも遠い領域がめっき層ＰＬ１に存在すれば、その領域は無駄な領域であり、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積の増大に寄与してしまう。また、Ｚ２方向において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ４から距離Ｌ２，Ｌ６よりも遠い領域がめっき層ＰＬ１に存在すれば、その領域は無駄な領域であり、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積の増大に寄与してしまう。
【０１４２】
そこで、上記第１〜第４の条件を設定する。上記第１の条件（Ｌ１≦Ｌ２かつＬ１≦Ｌ３）を満たすことで、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１の近傍において、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出すのを防止しながら、めっき層ＰＬ１の無駄な領域を効率的に減らすことができ、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積を減らすことができる。また、上記第２の条件（Ｌ４≦Ｌ５かつＬ４≦Ｌ６）を満たすことで、半導体チップＣＰの角部ＫＤ３の近傍において、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出すのを防止しながら、めっき層ＰＬ１の無駄な領域を効率的に減らすことができ、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積を減らすことができる。また、上記第３の条件（Ｌ７≦Ｌ３かつＬ７≦Ｌ５）を満たすことで、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２の近傍において、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出すのを防止しながら、めっき層ＰＬ１の無駄な領域を効率的に減らすことができ、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積を減らすことができる。また、上記第４の条件（Ｌ８≦Ｌ２かつＬ８≦Ｌ６）を満たすことで、半導体チップＣＰの角部ＫＤ４の近傍において、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出すのを防止しながら、めっき層ＰＬ１の無駄な領域を効率的に減らすことができ、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積を減らすことができる。
【０１４３】
本実施の形態では、上記第１〜第４の条件を満たすようにめっき層ＰＬ１の平面形状を設定することで、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４の近傍において、めっき層ＰＬ１の無駄な領域を効率的に減らすことができるため、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積を減らすことができる。これにより、封止部ＭＲの剥離を招くリスクを低減させることができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１４４】
上記第１〜第４の条件のうち、少なくとも１つを満たせば、半導体チップＣＰの４つの角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４の何れかの近傍において、めっき層ＰＬ１の無駄な領域を減らすことができるため、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積の低減効果を見込める。但し、上記第１〜第４の条件のうちの１つを満たす場合よりも、上記第１〜第４の条件のうちの２つを満たす場合の方が好ましく、それよりも、上記第１〜第４の条件のうちの３つを満たす場合の方がより好ましく、それよりも、上記第１〜第４の条件のうちの４つ全部を満たす場合の方が更に好ましい。なぜなら、上記第１〜第４の条件のうち、条件を満たす数が多くなるほど、めっき層ＰＬ１の無駄な領域をより効率的に減らすことができるため、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積を減らす効果が大きくなり、半導体装置の信頼性をより向上させることができるからである。このため、本実施の形態では、上記第１〜第４の条件のうちの１つ以上を満たすようにめっき層ＰＬ１の平面形状を設定しているが、上記第１〜第４の条件の全部を満たすようにめっき層ＰＬ１の平面形状を設定することが最も好適である。
【０１４５】
また、製造された半導体装置ＰＫＧにおいて、上記第１〜第４の条件は満たされているが、半導体装置ＰＫＧを製造する際には、上記ステップＳ３でダイパッドＤＰの上面ＤＰａのめっき層ＰＬ１上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰを搭載した段階で、上記第１〜第４の条件は満たされている。そして、ステップＳ４で接合材ＢＤ１を硬化した段階およびその後の段階でも、上記第１〜第４の条件は満たされている。
【０１４６】
図２９は、本発明者が検討した第４検討例の半導体装置の一部を拡大した平面透視図（部分拡大平面透視図）であり、上記図２８に対応するものである。上記図２８と同様に、図２９においても、接合材ＢＤの図示は省略している。
【０１４７】
図２８（本実施の形態）の場合と図２９（第４検討例）の場合のいずれも、めっき層ＰＬ１の平面形状は、矩形をベースとし、その矩形の角に丸みを付けた形状を有しているが、その丸みの曲率半径は、図２８（本実施の形態）の場合よりも図２９（第４検討例）の場合の方が小さい。すなわち、図２９（第４検討例）は、図２８（本実施の形態）よりも、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８の曲率半径を小さくした場合に対応している。
【０１４８】
具体的には、図２８（本実施の形態）の場合は、辺ＳＤ５の曲率半径Ｒ１は、上記距離Ｌ２以上で、かつ、上記距離Ｌ３以上であり、すなわち、Ｒ１≧Ｌ２かつＲ１≧Ｌ３が成り立つ。このように辺ＳＤ５の曲率半径Ｒ１を設定することで、上記第１の条件（Ｌ１≦Ｌ２かつＬ１≦Ｌ３）を満たすことができる。辺ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８についても、辺ＳＤ５と同様である。すなわち、辺ＳＤ６の曲率半径は、上記距離Ｌ３以上で、かつ、上記距離Ｌ５以上であり、このように辺ＳＤ６の曲率半径を設定することで、上記第３の条件（Ｌ７≦Ｌ３かつＬ７≦Ｌ５）を満たすことができる。また、辺ＳＤ７の曲率半径は、上記距離Ｌ５以上で、かつ、上記距離Ｌ６以上であり、このように辺ＳＤ７の曲率半径を設定することで、上記第２の条件（Ｌ４≦Ｌ５かつＬ４≦Ｌ６）を満たすことができる。また、辺ＳＤ８の曲率半径は、上記距離Ｌ２以上で、かつ、上記距離Ｌ６以上であり、このように辺ＳＤ８の曲率半径を設定することで、上記第４の条件（Ｌ８≦Ｌ２かつＬ８≦Ｌ６）を満たすことができる。
【０１４９】
一方、図２９（第４検討例）の場合は、辺ＳＤ５の曲率半径Ｒ１は、上記距離Ｌ２未満で、かつ、上記距離Ｌ３未満であり、すなわち、Ｒ１＜Ｌ２かつＲ１＜Ｌ３となっている。この場合には、上記第１の条件は満たされず、Ｚ１方向における半導体チップＣＰの角部ＫＤ１とめっき層ＰＬ１の外周との間の距離Ｌ１は、半導体チップＣＰの辺ＣＰ１とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１との間の距離Ｌ２よりも大きく、かつ、半導体チップＣＰの辺ＣＰ２とめっき層ＰＬ１の辺ＳＤ２との間の距離Ｌ３よりも大きくなってしまう（すなわちＬ１＞Ｌ２かつＬ１＞Ｌ３）。この場合、めっき層ＰＬ１において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１から距離Ｌ２，Ｌ３よりも遠い領域が存在するので、必然的にその領域は接合材ＢＤでは覆われずに、封止部ＭＲと接する領域となってしまい、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積の増大に寄与してしまう。つまり、Ｚ１方向において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１から距離Ｌ２，Ｌ３よりも遠い領域がめっき層ＰＬ１に存在すれば、その領域は無駄な領域であるが、図２９（第４検討例）の場合は、その無駄な領域を削減できていないことになる。図２９（第４検討例）の場合は、辺ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８についても、辺ＳＤ５と同様である。このため、図２９（第４検討例）の場合は、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４の近傍において、めっき層ＰＬ１の無駄な領域の削減が不十分となっている。
【０１５０】
本実施の形態では、上記第３検討例に関連して説明した課題の発生を防止しながら、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を低減させるために、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４に接合材ＢＤが達しているが、めっき層ＰＬ１から接合材ＢＤがはみ出さないように、各辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の位置を設定している（図９参照）。そして、平面視において、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４での接合材ＢＤのはみ出し距離が、半導体チップＣＰの各辺ＣＰ１，ＣＰ２、ＣＰ３，ＣＰ４での接合材ＢＤのはみ出し距離よりも大きくはならないという知見を考慮して、上記第１〜第４の条件を満たすように、半導体チップＣＰの角部の近傍でのめっき層ＰＬ１の平面形状を設定している（図２８参照）。本実施の形態では、このように、めっき層ＰＬ１の外周全体の位置を、めっき層ＰＬ１の無駄な領域をできるだけ小さくすることを意図して設定することで、密着性が低いめっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を効率的に減らすことができ、封止部ＭＲの剥離を招くリスクを低減して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１５１】
図３０は、本実施の形態の変形例を示す平面透視図であり、上記図２８に対応するものである。上記図２８と同様に、図３０においても、接合材ＢＤの図示は省略している。
【０１５２】
図９および図２８の場合は、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８は、円弧状の曲線であったが、図３０の場合は、めっき層ＰＬ１の各辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８は、直線である。すなわち、図３０の場合は、平面視において、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ５、ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８のそれぞれは、Ｘ方向とＹ方向とに交差する方向に延在する直線である。辺ＳＤ５，ＳＤ７のそれぞれの延在方向は、Ｘ方向およびＹ方向の両方に交差する方向であるが、例えばＺ２方向とすることができる。また、辺ＳＤ６，ＳＤ８のそれぞれの延在方向は、Ｘ方向およびＹ方向の両方に交差する方向であるが、例えばＺ１方向とすることができる。それ以外は、図３０の変形例も、上記図９および図２８の場合と同様である。
【０１５３】
図３０の場合も、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４の位置は、図９および図２８の場合と同様に設定されている。そして、図３０の場合も、図９および図２８の場合と同様に、上記第１〜第４の条件を満たすように、めっき層ＰＬ１の辺ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８の位置が設定されている。このため、図３０の場合も、めっき層ＰＬ１の外周全体の位置を、めっき層ＰＬ１の無駄な領域をできるだけ小さくすることを意図して設定することができ、密着性が低いめっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を効率的に減らすことができる。従って、封止部ＭＲの剥離を招くリスクを低減して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。このため、図３０の変形例も、本実施の形態に含むものとする。
【０１５４】
但し、図２８の場合と図３０の場合とで、距離Ｌ１が互いに同じで、かつ距離Ｌ４が互いに同じで、かつ、距離Ｌ７が互いに同じで、かつ距離Ｌ８が互いに同じであると仮定すると、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を減らす効果は、図２８の場合が大きくなる。このため、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積をできるだけ減らすという観点では、図３０の場合よりも図２８の場合の方が有利である。
【０１５５】
また、本実施の形態では、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を減らす工夫をしているが、密着性が比較的高い接合材ＢＤと封止部ＭＲとの接触箇所は、減らさなくともよい。接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性が高い理由の一つは、接合材ＢＤが、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材からなるからである。
【０１５６】
本実施の形態とは異なり、接合材ＢＤが半田であれば、半田と封止部ＭＲとの密着性は比較的低いため、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を減らしたとしても、半田と封止部ＭＲとの密着性が低いことで、半田と封止部ＭＲとの接触箇所が起点となって封止部ＭＲの剥離が進行する虞がある。
【０１５７】
それに対して、本実施の形態では、接合材ＢＤとしては、半田を用いずに、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材を用いている。封止部ＭＲは樹脂材料を含んでおり、一方、接合材ＢＤも樹脂材料を含んでいることで、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性は高くなる。また、接合材ＢＤは、導電性材料も含んでいるため、接合材ＢＤの熱伝導性も高くなり、これも、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰへの熱伝導経路の熱抵抗を抑制するように作用し、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰへの放熱効率を向上させるように作用する。このため、本実施の形態は、接合材ＢＤが、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材からなる場合に適用すれば、その効果は極めて大きくなる。
【０１５８】
ダイボンディング時に使用する接合材（上記接合材ＢＤ１に対応）としては、導電性ペースト型の接合材を好適に用いることができ、銀（Ａｇ）ペーストが特に好ましい。銀（Ａｇ）ペーストは、導電性材料としての銀（Ａｇ）粒子と、樹脂材料とを含んでいる。ダイボンディング時は、接合材（ＢＤ１）は、まだ硬化しておらず、ペースト状であり、粘性を有しているが、ダイボンディング後の熱処理（ベーク処理）により、ペースト状の接合材（ＢＤ１）が硬化して、硬化した接合材ＢＤとなる。接合材ＢＤ１が含有する樹脂材料として、熱硬化性の樹脂材料を用いれば、熱処理により接合材に含まれる熱硬化性樹脂材料を硬化させ、それによって接合材ＢＤ１を硬化させることができる。硬化した接合材ＢＤが、樹脂材料を含有することで、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性が高くなり、封止部ＭＲと接合材ＢＤとの間の界面では、封止部ＭＲの剥離は生じにくくなる。
【０１５９】
また、ダイボンディング時に使用する接合材ＢＤ１としては、導電性材料としての金属粒子（好ましくは銀（Ａｇ）粒子）と樹脂材料とを含有するペースト状の接合材を好適に用いることができるが、ダイボンディング後の熱処理（上記ステップＳ４に相当する熱処理）で接合材ＢＤ１に含まれる金属粒子を焼結させる場合もあり得る。この場合、接合材ＢＤは、焼結金属（金属粒子の焼結体）からなり、接合材ＢＤ１に含まれていた金属粒子が銀（Ａｇ）粒子であれば、接合材ＢＤを構成する焼結金属は、焼結銀（焼結Ａｇ）である。この場合、焼結金属（好ましくは焼結銀）からなる接合材ＢＤ中には、樹脂材料はほとんど残存していないが、焼結金属の内部には多数の隙間が存在しているため、モールド工程で封止部ＭＲを形成した際に、焼結金属からなる接合材ＢＤ中の隙間に封止部ＭＲを構成する樹脂材料が侵入することができる。このため、焼結金属（好ましくは焼結銀）からなる接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性は、比較的高くなり、具体的には、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの密着性よりも高くなり、また、接合材ＢＤとして半田を用いた場合のその半田と封止部ＭＲとの密着性よりも高くなる。このため、本実施の形態は、接合材ＢＤが、焼結金属（好ましくは焼結銀）からなる場合に適用しても、その効果は極めて大きくなる。
【０１６０】
このため、接合材ＢＤが、導電性材料（好ましくは銀粒子のような金属粒子）と樹脂材料とを含有する導電性接合材からなる場合と、接合材ＢＤが焼結金属（好ましくは焼結銀）からなる場合とが、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性が高くなるため、好ましい。従って、接合材ＢＤ１としては、導電性材料（好ましくは銀粒子のような金属粒子）と樹脂材料とを含有する導電性接合材を用いれば、接合材ＢＤと封止部ＭＲとの密着性が高くなるため、好ましいと言える。
【０１６１】
なお、ダイボンディングで半田を用いた場合は、その半田は、一旦溶融した後に固化される。このため、半田は、焼結金属には該当しない。また、半田は、導電性材料と樹脂材料とを含有する導電性接合材にも該当しない。溶融後に固化した半田は、焼結体が有するような隙間は形成されず、また、樹脂材料も含んでいないため、半田と樹脂封止部との密着性は、焼結金属と樹脂封止部との密着性や、導電性材料および樹脂材料を含有する導電性接合材と樹脂封止部との密着性よりも、低くなる。このため、本実施の形態では、接合材ＢＤとしては、半田ではなく、上述のように、導電性材料（好ましくは銀粒子のような金属粒子）と樹脂材料とを含有する導電性接合材か、あるいは、焼結金属（好ましくは焼結銀）を採用することが好ましい。
【０１６２】
また、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂは、封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出する場合と、露出しない場合とがあり得る。ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出する場合は、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰに伝導された熱を、封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出するダイパッドＤＰの下面ＤＰｂから、半導体装置ＰＫＧの外部に放熱することができる。このため、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出させた半導体装置においては、半導体チップＣＰからダイパッドＤＰへの熱伝導経路の熱抵抗をできるだけ低くすることが重要であり、それによって、半導体チップＣＰで生じた熱をダイパッドＤＰを経由して半導体装置の外部に効率的に放熱することができるようになり、半導体装置の放熱特性を向上させることができる。このため、めっき層ＰＬ１を設けたことで半導体チップＣＰからダイパッドＤＰへの熱伝導経路の熱抵抗を抑制することができる本実施の形態は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出する場合に適用すれば、その効果は極めて大きい。
【０１６３】
めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの界面で剥離が生じてそこを起点として剥離が進行すると、その剥離は半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面にまで到達し、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面での剥離につながる虞がある。半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面で剥離が生じることは、半導体チップＣＰへの影響が大きいため、できるだけ防ぐことが、半導体装置（半導体パッケージ）の信頼性向上の点で、重要である。このため、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面に連続的に繋がる封止部ＭＲの界面において、封止部ＭＲの密着性が低い箇所ができるだけ生じないようにすることが、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面での剥離を的確に防止して半導体装置の信頼性向上を図る上で、極めて重要である。
【０１６４】
そこで、本実施の形態では、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面に連続的に繋がる封止部ＭＲの界面において、封止部ＭＲの密着性が低い箇所ができるだけ少なくなるように、めっき層ＰＬ１と封止部ＭＲとの接触面積を低減し、また、接合材ＢＤを工夫し、また、ダイパッドＤＰを粗面化している。このような工夫により、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面に連続的に繋がる封止部ＭＲの界面において、封止部ＭＲの密着性を全体的に向上させることができるため、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面での剥離につながるような封止部ＭＲの剥離を的確に防止でき、半導体装置の信頼性を的確に向上させることができる。
【０１６５】
また、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出する場合には、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとの界面が封止部ＭＲの下面ＭＲｂで露出することになる。この場合、封止部ＭＲの下面ＭＲｂで露出する、ダイパッドＤＰと封止部ＭＲとの界面から、水分が侵入して半導体チップＣＰにまで伝達されてしまうことを防ぐために、半導体チップＣＰと封止部ＭＲとの界面での剥離につながるような封止部ＭＲの剥離を防ぐことは、極めて重要になる。この点でも、本実施の形態は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂが封止部ＭＲの下面ＭＲｂから露出する場合に適用すれば、その効果は極めて大きい。
【０１６６】
また、上記第１の条件を満たす場合、上記距離Ｌ１は、上記距離Ｌ２よりも小さく、かつ、上記距離Ｌ３よりも小さいことが好ましく（すなわちＬ１＜Ｌ２かつＬ１＜Ｌ３）、上記距離Ｌ１が、上記距離Ｌ２の半分以下で、かつ、上記距離Ｌ３の半分以下であれば、更に好ましい（すなわちＬ１＜Ｌ２×０．５かつＬ１＜Ｌ３×０．５）。これは、平面視において、半導体チップＣＰの外周からの接合材ＢＤのはみ出しは、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４では、ほとんど生じないか、生じても僅かだからである。上記第１の条件を満たす場合に、好ましくはＬ１＜Ｌ２かつＬ１＜Ｌ３が成り立つように、より好ましくはＬ１＜Ｌ２×０．５かつＬ１＜Ｌ３×０．５が成り立つようにすることで、めっき層ＰＬ１の無駄な領域をより効率的に減らして、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積をより効率的に減らすことができる。
【０１６７】
同様に、上記第２の条件を満たす場合、上記距離Ｌ４は、上記距離Ｌ５よりも小さく、かつ、上記距離Ｌ６よりも小さいことが好ましく（すなわちＬ４＜Ｌ５かつＬ４＜Ｌ６）、上記距離Ｌ４が、上記距離Ｌ５の半分以下で、かつ、上記距離Ｌ６の半分以下であれば、更に好ましい（すなわちＬ４＜Ｌ５×０．５かつＬ４＜Ｌ６×０．５）。また、上記第３の条件を満たす場合、上記距離Ｌ７は、上記距離Ｌ３よりも小さく、かつ、上記距離Ｌ５よりも小さいことが好ましく（Ｌ７＜Ｌ３かつＬ７＜Ｌ５）、上記距離Ｌ７が、上記距離Ｌ３の半分以下で、かつ、上記距離Ｌ５の半分以下であれば、更に好ましい（すなわちＬ７＜Ｌ３×０．５かつＬ７＜Ｌ５×０．５）。また、上記第４の条件を満たす場合、上記距離Ｌ８は、上記距離Ｌ２よりも小さく、かつ、上記距離Ｌ６よりも小さいことが好ましく（Ｌ８＜Ｌ２かつＬ８＜Ｌ６）、上記距離Ｌ８が、上記距離Ｌ２の半分以下で、かつ、上記距離Ｌ６の半分以下であれば、より好ましい（すなわちＬ８＜Ｌ２×０．５かつＬ８＜Ｌ６×０．５）。これにより、めっき層ＰＬ１の無駄な領域をより効率的に減らして、封止部ＭＲとめっき層ＰＬ１との接触面積をより効率的に減らすことができる。
【０１６８】
また、上記第１の条件を満たす場合、平面視において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１はめっき層ＰＬ１の外周から離間していることが好ましく（すなわちＬ１＞０）、上記距離Ｌ１が２０μｍ以上であれば、更に好ましい（すなわちＬ１≧２０μｍ）。なお、平面視において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ１がめっき層ＰＬ１の外周から離間していることは、上記距離Ｌ１がゼロより大きい（すなわちＬ１＞０）ことに対応している。
【０１６９】
同様に、上記第２の条件を満たす場合、平面視において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ３はめっき層ＰＬ１の外周から離間していることが好ましく（すなわちＬ４＞０）、上記距離Ｌ４が２０μｍ以上であれば、更に好ましい（すなわちＬ４≧２０μｍ）。また、上記第３の条件を満たす場合、平面視において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ２はめっき層ＰＬ１の外周から離間していることが好ましく（すなわちＬ７＞０）、上記距離Ｌ７が２０μｍ以上であれば、更に好ましい（すなわちＬ７≧２０μｍ）。また、上記第４の条件を満たす場合、平面視において、半導体チップＣＰの角部ＫＤ４はめっき層ＰＬ１の外周から離間していることが好ましく（すなわちＬ８＞０）、上記距離Ｌ８が２０μｍ以上であれば、更に好ましい（すなわちＬ８≧２０μｍ）。
【０１７０】
平面視において、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１、ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４をめっき層ＰＬ１の外周から離間させることが好ましく、距離Ｌ１，Ｌ４，Ｌ７，Ｌ８をそれぞれ２０μｍ以上とすることが更に好ましい理由は、以下のようなものである。
【０１７１】
すなわち、ダイボンディング工程では、半導体チップＣＰの搭載位置が、設計位置よりも若干ずれてしまう場合もあり得るが、そのような場合でも、搭載された半導体チップＣＰがめっき層ＰＬ１に平面視において内包されるようにしておくことが好ましい。なぜなら、もしも、搭載された半導体チップＣＰの下にめっき層ＰＬ１が存在しない領域があると、そこに接合材ＢＤは充填されず、封止部ＭＲの一部が半導体チップＣＰの裏面とダイパッドＤＰの上面ＤＰａとの間に充填される虞があるからである。封止部ＭＲの一部が半導体チップＣＰの裏面とダイパッドＤＰの上面ＤＰａとの間に充填されてしまうと、半導体チップＣＰの裏面とめっき層ＰＬ１との接合材ＢＤを介した接合に悪影響を与えてしまい、ダイパッドＤＰ（めっき層ＰＬ１）からの半導体チップＣＰの剥離を生じさせる懸念がある。
【０１７２】
このため、本実施の形態では、平面視において半導体チップＣＰがめっき層ＰＬ１に内包されるようにし、半導体チップＣＰ（の裏面）全体の下方に接合材ＢＤが存在し、半導体チップＣＰ（の裏面）とめっき層ＰＬ１との間には、封止部ＭＲは介在しないようにしている。これが、ダイボンディング工程で半導体チップＣＰの搭載位置のずれが生じた場合でも達成できるように、平面視において、半導体チップＣＰの各角部ＫＤ１、ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４をめっき層ＰＬ１の外周から離間させることが好ましく、距離Ｌ１，Ｌ４，Ｌ７，Ｌ８をそれぞれ２０μｍ以上とすることが更に好ましい。そうすることで、ダイボンディング工程で半導体チップＣＰの搭載位置のずれが生じたとしても、搭載された半導体チップＣＰの下にめっき層ＰＬ１が存在しない箇所が生じるのを防止することができるため、封止部ＭＲの一部が半導体チップＣＰの裏面とダイパッドＤＰの上面ＤＰａとの間に充填されるのを防止することができる。このため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、ダイボンディング工程の管理が容易になり、半導体装置の製造工程を行いやすくなる。また、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１７３】
一例を挙げると、距離Ｌ１，Ｌ４，Ｌ７，Ｌ８は、好適には、それぞれ５０μｍ程度に設定することができる。また、距離Ｌ２，Ｌ３，Ｌ５，Ｌ６は、例えば、それぞれ１５０μｍ程度に設定することができる。
【０１７４】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１７５】
ＢＤ，ＢＤ１，ＢＤ１０１，ＢＤ２０１，ＢＤ３０１  接合材
ＢＤＲ  接合材領域
ＢＷ  ワイヤ
ＣＰ  半導体チップ
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４  辺
ＤＰ，ＤＰ１０１，ＤＰ２０１，ＤＰ３０１  ダイパッド
ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３，ＤＰ４  辺
ＤＰａ  上面
ＤＰｂ  下面
ＫＤ１，ＫＤ２，ＫＤ３，ＫＤ４  角部
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８，Ｌ２０１  距離
ＬＤ  リード
ＬＦ  リードフレーム
ＭＲ  封止部
ＭＲａ  上面
ＭＲｂ  下面
ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４  側面
ＰＤ  パッド電極
ＰＫＧ，ＰＫＧ１０１，ＰＫＧ２０１，ＰＫＧ３０１  半導体装置
ＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ２０１，ＰＬ３０１  めっき層
Ｒ１  曲率半径
ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５，ＳＤ６，ＳＤ７，ＳＤ８  辺
ＴＬ  吊りリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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