(57)【要約】【課題】高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる導電性組成物を提供すること。【解決手段】本発明の導電性組成物は、導電性粒子と、フラックス組成物と、を含有し、前記導電性粒子が、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末と、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子と、を含有し、前記フラックス組成物が、（Ｄ）活性剤を含有することを特徴とするものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子と、フラックス組成物と、を含有し、
前記導電性粒子が、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末と、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子と、を含有し、
前記フラックス組成物が、（Ｄ）活性剤を含有する
ことを特徴とする導電性組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の導電性組成物において、
前記（Ａ）成分が、スズ−銀−銅系またはスズ−ビスマス系のはんだ合金銀粒子であり、かつ、
前記（Ａ）成分の平均粒子径が、１０μｍ以上３０μｍ以下である
ことを特徴とする導電性組成物。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の導電性組成物において、
前記（Ａ）成分の配合量が、前記導電性粒子１００質量％に対して、２０質量％以上７０質量％以下である
ことを特徴とする導電性組成物。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の導電性組成物において、
前記（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ｂ）成分および前記（Ｃ）成分の合計量１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下である
ことを特徴とする導電性組成物。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の導電性組成物において、
前記（Ｃ）成分の形状が、フレーク状である
ことを特徴とする導電性組成物。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の導電性組成物を用いて電子基板を製造する方法であって、
配線基板の電極上に、前記導電性組成物を塗布する塗布工程と、
前記導電性組成物上に、電子部品を搭載する搭載工程と、
前記（Ａ）成分の融点よりも高い温度で加熱して、前記電極と前記電子部品とを接合する接合工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性組成物および電子基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワー半導体素子と電極との接合には、融点が２８０℃以上の高融点はんだ合金が用いられていた。高融点はんだ合金を用いることで、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる。高融点はんだ合金としては、スズ−鉛系はんだ合金、スズ−鉛−アンチモン系はんだ合金、および鉛−銀系はんだ合金などが挙げられる。これら高融点はんだ合金は、いずれも鉛を含有するため、環境への配慮からその使用が制限される傾向にある。
そこで、高融点はんだ合金であり、かつ、鉛を含有しないはんだ合金が求められており、例えば、６質量％〜７０質量％のスズと、５０質量％未満の銅とを含み、残部が実質アンチモンからなるはんだ合金が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２９０９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のはんだ合金は、銅に対するはんだぬれ性の点で十分ではなかった。一方で、銀粉末と、熱硬化性樹脂とからなる銀ペーストを用いて、パワー半導体素子と電極とを接合することも提案されている。しかしながら、銀ペーストを用いる方法は、製造コストの点で問題があった。
【０００５】
本発明は、高温（例えば２５０℃以上、または２７０℃以上）に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる導電性組成物、並びに、それを用いた電子基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決すべく、本発明は、以下のような導電性組成物および電子基板の製造方法を提供するものである。
本発明の導電性組成物は、導電性粒子と、フラックス組成物と、を含有し、前記導電性粒子が、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末と、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子と、を含有し、前記フラックス組成物が、（Ｄ）活性剤を含有することを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ａ）成分が、スズ−銀−銅系またはスズ−ビスマス系のはんだ合金銀粒子であり、かつ、前記（Ａ）成分の平均粒子径が、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ａ）成分の配合量が、前記導電性粒子１００質量％に対して、２０質量％以上７０質量％以下であることが好ましい。
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ｂ）成分および前記（Ｃ）成分の合計量１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ｃ）成分の形状が、フレーク状であることが好ましい。
【０００８】
本発明の電子基板の製造方法は、前記本発明の導電性組成物を用いて電子基板を製造する方法であって、配線基板の電極上に、前記導電性組成物を塗布する塗布工程と、前記導電性組成物上に、電子部品を搭載する搭載工程と、前記（Ａ）成分の融点よりも高い温度で加熱して、前記電極と前記電子部品とを接合する接合工程と、を備えることを特徴とする方法である。
【０００９】
本発明の導電性組成物によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
すなわち、本発明の導電性組成物においては、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末が、電子基板の配線および電子部品の電極だけでなく、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子とを含めて、はんだ接合を形成する。このはんだ接合により、接合部分の抵抗値を十分に低くできる。また、はんだ接合の際には、はんだと金属との間に、金属間化合物が形成されるが、（Ｂ）成分は平均粒子径が１μｍ未満の微粒子であるため、金属間化合物に取り込まれる。この金属間化合物は、（Ｂ）成分を多く含むものとなるために、その融点が高くなる。そして、電子基板の配線と電子部品の電極との間の少なくとも一部には、融点が３００℃以上である（Ｃ）成分の複数の粒子が、融点が高い金属間化合物を介して接合されている柱状部分が形成される。この柱状部分は、融点が３００℃以上となるので、仮に、３００℃の高温に曝され、柱状部分の周りの（Ａ）成分が溶融しても、柱状部分は溶融せずに、せん断強度を維持できる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる導電性組成物、並びに、それを用いた電子基板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［導電性組成物］
まず、本実施形態の導電性組成物について説明する。本実施形態の導電性組成物は、以下説明する導電性粒子、およびフラックス組成物を含有するものである。また、この導電性粒子は、以下説明する（Ａ）はんだ粉末、（Ｂ）第一金属粒子、および（Ｃ）第二金属粒子を含有する。
【００１２】
［（Ａ）成分］
本実施形態に用いる（Ａ）はんだ粉末は、スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末である。このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズ（Ｓｎ）を主成分とする合金が好ましい。なお、スズを主成分とするとは、（Ａ）成分中のスズの含有量が５０質量％以上（好ましくは、７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上）であることをいう。また、この合金の第二元素としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）およびアンチモン（Ｓｂ）などが挙げられる。さらに、この合金には、必要に応じて他の元素（第三元素以降）を添加してもよい。他の元素としては、銅、銀、ビスマス、インジウム、アンチモン、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。
（Ａ）成分は、鉛フリーはんだ粉末であることが好ましい。ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、３００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
鉛フリーのはんだ粉末としては、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ−Ａｌ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ａｇなどが挙げられる。これらの中でも、はんだ接合の強度の観点からは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金が好ましく、特に、９６．５Ｓｎ／３Ａｇ／０．５Ｃｕのはんだ合金が特に好ましい。そして、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだの融点は、通常２００℃以上２３０℃以下である。また、これらの中でも、低融点の観点からは、Ｓｎ−Ｂｉ系のはんだ合金が好ましく、４２Ｓｎ／５８Ｂｉのはんだ合金が特に好ましい。そして、Ｓｎ−Ｂｉ系のはんだの融点は、通常１３０℃以上１７０℃以下である。このような低融点のはんだ粉末を用いる場合、リフロー温度を下げることができるため、ガラス転移温度の低い配線基板にも対応でき、電子部品への熱負荷を軽減できる。
【００１４】
（Ａ）成分の平均粒子径は、はんだ溶融性の観点から、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。
【００１５】
（Ａ）成分の配合量は、導電性粒子１００質量％に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３５質量％以上６５質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることが特に好ましい。（Ａ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ溶融性を更に向上できる。他方、（Ａ）成分の配合量が前記上限以下であれば、高温でのせん断強度を更に向上できる。
【００１６】
［（Ｂ）成分］
本実施形態に用いる（Ｂ）第一金属粒子は、平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である金属粒子である。（Ｂ）成分の平均粒子径が１μｍ以上であれば、はんだ接合における金属間化合物中に取り込ませることができない。また、（Ｂ）成分の融点が３００℃未満であれば、高温でのせん断強度が不十分となる。
【００１７】
（Ｂ）成分としては、導電性を有する金属粒子であれば、適宜公知のものを用いることができる。（Ｂ）成分としては、銀粒子、銅粒子およびニッケル粒子などが挙げられる。これらの中でも、銀粒子、銅粒子が好ましく、銀粒子がより好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
（Ｂ）成分の形状は、特に限定されず、球状、フレーク状、針状などが挙げられる。これらの形状の中でも、はんだ接合における金属間化合物中に取り込ませやすくするという観点から、球状であることが好ましい。
（Ｂ）成分の平均粒子径は、はんだ接合における金属間化合物中に取り込ませやすくするという観点から、１０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００１８】
（Ｂ）成分の配合量は、高温でのせん断強度の観点から、導電性粒子１００質量％に対して、３質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上３５質量％以下であることがより好ましく、６質量％以上３０質量％以下であることが特に好ましい。
【００１９】
［（Ｃ）成分］
本実施形態に用いる（Ｃ）第二金属粒子は、平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である金属粒子である。（Ｃ）成分の平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であれば、高温でのせん断強度を向上できる。また、（Ｃ）成分の融点が３００℃未満であれば、高温でのせん断強度が不十分となる。
【００２０】
（Ｃ）成分としては、導電性を有する金属粒子であれば、適宜公知のものを用いることができる。（Ｃ）成分としては、銀粒子、銅粒子およびニッケル粒子などが挙げられる。これらの中でも、銀粒子が好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
（Ｃ）成分の形状は、特に限定されず、球状、フレーク状、針状などが挙げられる。これらの形状の中でも、高温でのせん断強度の更なる向上の観点から、フレーク状であることが好ましい。
（Ｃ）成分の平均粒子径は、高温でのせん断強度の更なる向上の観点から、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上７μｍ以下であることがより好ましい。
【００２１】
（Ｃ）成分の配合量は、高温でのせん断強度の更なる向上の観点から、導電性粒子１００質量％に対して、１５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１７質量％以上５０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上４５質量％以下であることが特に好ましい。
【００２２】
本実施形態の導電性組成物おいて、（Ｂ）成分の配合量が、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分の合計量１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上３０質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ）成分の配合量が前記下限以上であれば、せん断強度を更に向上できる。他方、（Ｂ）成分の配合量が前記上限以下であれば、はんだ溶融性およびせん断強度を更に向上できる。
【００２３】
［フラックス組成物］
本実施形態の導電性組成物は、以下説明するフラックス組成物と、前記導電性粒子とを含有するものである。また、本実施形態に用いるフラックス組成物は、以下説明する（Ｄ）活性剤を含有するものである。
【００２４】
フラックス組成物の配合量は、導電性組成物１００質量％に対して、１０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４５質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上４０質量％以下であることが特に好ましい。樹脂組成物の配合量が１０質量％未満の場合（導電性粒子の配合量が９０質量％を超える場合）には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物と導電性粒子とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が５０質量％を超える場合（導電性粒子の配合量が５０質量％未満の場合）には、得られる導電性組成物を用いた場合に、十分な導電性を得られにくくなる傾向にある。
【００２５】
［（Ｄ）成分］
本実施形態に用いる（Ｄ）活性剤としては、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、これらの中でも、環境対策の観点や、はんだ付け部分での腐食を抑制するという観点からは、有機酸、アミン系活性剤（ハロゲンを含有しないもの）を用いることが好ましく、有機酸を用いることがより好ましい。
【００２６】
有機酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。
【００２７】
非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の２つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、およびトリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、１，３−ジクロロ−２−プロパノール、および１，４−ジクロロ−２−ブタノールなどの塩素化アルコール、３−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、並びに、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシル化合物としては、２−ヨード安息香酸、３−ヨード安息香酸、２−ヨードプロピオン酸、５−ヨードサリチル酸、および５−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物、２−クロロ安息香酸、および３−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物、２，３−ジブロモプロピオン酸、２，３−ジブロモコハク酸、および２−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物、並びに、その他これらに類する化合物が挙げられる。
【００２８】
アミン系活性剤としては、アミン類（エチレンジアミンなどのポリアミンなど）、アミン塩類（トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、およびジエチルアミンなどのアミン、並びにアミノアルコールなどの有機酸塩または無機酸塩（塩酸、硫酸、および臭化水素酸など））、アミノ酸類（グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびバリンなど）、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩（塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、およびセバシン酸塩など）、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、並びに、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。
【００２９】
（Ｄ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上３５質量％以下であることが特に好ましい。（Ｄ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付け性を更に向上できる。他方、（Ｄ）成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さを十分に抑制できる。
【００３０】
［（Ｅ）成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物においては、はんだ溶融性などの観点から、さらに（Ｅ）ロジン系樹脂を含有することが好ましい。ここで用いる（Ｅ）ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジン（完全水添ロジン、部分水添ロジン、並びに、不飽和有機酸（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香環を有する不飽和カルボン酸など）の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物（「水添酸変性ロジン」ともいう））およびこれらの誘導体などが挙げられる。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３１】
（Ｅ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上２０質量％以下であることが特に好ましい。（Ｅ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだを濡れやすくする、いわゆるはんだ付け性を向上できる。他方、（Ｅ）成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さ量を十分に抑制できる。
【００３２】
［（Ｆ）成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物においては、印刷性などの観点から、さらに（Ｆ）溶剤を含有することが好ましい。ここで用いる（Ｆ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような溶剤としては、沸点１７０℃以上の溶剤を用いることが好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、１,５−ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、セバシン酸ジイソプロピル、およびマレイン酸ジブチルなどが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３３】
（Ｆ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以上５５質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上５０質量％以下であることが特に好ましい。溶剤の配合量が前記範囲内であれば、得られる導電性組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。
【００３４】
［（Ｇ）成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物においては、印刷性などの観点から、さらに（Ｇ）チクソ剤を含有していてもよい。ここで用いる（Ｇ）チクソ剤としては、硬化ひまし油、ポリアミン類、ポリアミド類、ビスアマイド類、ジベンジリデンソルビトール、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、ガラスフリットなどが挙げられる。これらの中でも、加熱ダレの抑制の観点から、ポリアミド類が好ましい。これらのチクソ剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３５】
（Ｇ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上８質量％以下であることがより好ましい。配合量が前記下限以上であれば、十分なチクソ性が得られ、ダレを十分に抑制できる。また、配合量が前記上限以下であれば、チクソ性が高すぎて、印刷不良となることはない。
【００３６】
［他の成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物には、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分および（Ｇ）成分の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、消泡剤、酸化防止剤、改質剤、つや消し剤、発泡剤、硬化促進剤などが挙げられる。その他の樹脂としては、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
【００３７】
［導電性組成物の製造方法］
本実施形態の導電性組成物は、上記説明したフラックス組成物と、上記説明した導電性粒子とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
【００３８】
［電子基板の製造方法］
次に、本実施形態の電子基板の製造方法について説明する。
本実施形態の電子基板の製造方法は、前述した導電性組成物を用いて電子基板を製造する方法であって、以下説明する塗布工程、搭載工程、および接合工程を備える方法である。
【００３９】
塗布工程においては、配線を有する配線基板の電極上に、前記導電性組成物を塗布する。
配線基板は、リジット基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。また、配線基板は、金属フレームであってもよい。配線基板の基材としては、特に限定されず、公知の基材を適宜用いることができる。
配線の金属としては、銅、銀、および金などが挙げられる。また、配線は、蒸着法、めっき法などで形成できる。
また、塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、ジェットディスペンサーなどが挙げられる。
塗布膜の厚みは、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが特に好ましい。
【００４０】
搭載工程においては、前記導電性組成物上に、電子部品を搭載する。
電子部品としては、パワー半導体素子、チップ、およびパッケージ部品などが挙げられる。前述の本実施形態の導電性組成物によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる。そのため、動作温度が高温になるパワー半導体素子であっても、好適に接合できる。
また、搭載装置としては、適宜公知の搭載装置を用いることができる。
【００４１】
接合工程においては、（Ａ）成分の融点よりも高い温度で加熱して、前記電極と前記電子部品とを接合する。
加熱炉としては、公知の加熱炉を適宜用いることができる。
加熱条件としては、加熱温度が、（Ａ）成分の融点よりも高く、かつ３５０℃以下であることが好ましく、（Ａ）成分の融点よりも１℃以上高く、かつ３２０℃以下であることがより好ましく、（Ａ）成分の融点よりも５℃以上高く、かつ３００℃以下であることが特に好ましい。加熱温度が前記範囲内であれば、はんだ接合を形成でき、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
加熱時間は、１０秒間以上１０分間以下であることが好ましく、２０秒間以上５分間以下であることがより好ましく、３０秒間以上２分間以下であることが特に好ましい。加熱時間が前記範囲内であれば、はんだ接合を形成でき、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
【００４２】
以上のような本実施形態の電子基板の製造方法によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる。
なお、本発明の導電性組成物および電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００４３】
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
（（Ａ）成分）
はんだ粉末Ａ：粒子径は１０〜３０μｍ（平均粒子径は２０μｍ）、はんだ融点２１７〜２２０℃、はんだ組成は９６．５Ｓｎ／３．０Ａｇ／０．５Ｃｕ
はんだ粉末Ｂ：粒子径は１０〜３０μｍ（平均粒子径は２０μｍ）、はんだの融点は１３９℃、はんだの組成は４２Ｓｎ／５８Ｂｉ
（（Ｂ）成分）
第一金属粒子：銀粉末（球状）、平均粒子径は０．８μｍ、商品名「ＡＧ−２−１Ｃ」、ＤＯＷＡ社製
（（Ｃ）成分）
第二金属粒子Ａ：銀粉末（フレーク状）、平均粒子径は６．８μｍ、商品名「ＡｇＣ−２２４２」、福田金属箔粉工業社製
第二金属粒子Ｂ：銀粉末（フレーク状）、平均粒子径は３．５μｍ、商品名「ＦＡ−８−１」、ＤＯＷＡ社製
第二金属粒子Ｃ：銀粉末（フレーク状）、平均粒子径は４．４μｍ、商品名「ＡｇＣ−Ａ」、福田金属箔粉工業社製
第二金属粒子Ｄ：銀コート銅粉末（銀１０％）、平均粒子径は１５μｍ、商品名「ＡＣＡＸ−２」、三井金属鉱業社製
（（Ｄ）成分）
活性剤Ａ：グルタル酸
活性剤Ｂ：ジグリコール酸
（（Ｅ）成分）
ロジン系樹脂：水添酸変性ロジン、商品名「パインクリスタルＫＥ−６０４」、荒川化学工業社製
（（Ｆ）成分）
溶剤Ａ：ヘキシルジグリコール（ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル）
溶剤Ｂ：セバシン酸ジイソプロピル
（（Ｇ）成分）
チクソ剤：商品名「ゲルオールＤ」、新日本理化社製
【００４４】
［実施例１］
ロジン系樹脂５質量％、活性剤Ａ２質量％、活性剤Ｂ８質量％、溶剤Ａ４質量％、溶剤Ｂ１０質量％、およびチクソ剤１質量％を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物１１質量％、はんだ粉末Ａ３０質量％、第一金属粒子１０質量％および第二金属粒子Ａ３０質量％（合計で１００質量％）を容器に投入し、三本ロールにて混合し、分散することで導電性組成物を調製した。
そして、銅板に、電極に対応するパターンを有するマスク（厚み：１００μｍ）を用い、得られた導電性組成物を印刷した。その後、電子部品（銅チップ部品、大きさ：２ｍｍ×２ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）を搭載し、３００℃にて１分間の加熱処理を行い、電子部品を銅板に接合して、評価用基板を作製した。
【００４５】
［実施例２〜６、並びに、比較例１〜５］
下記表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、導電性組成物を得た。
そして、実施例２〜４および６、並びに、比較例１〜５については、得られた導電性組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、電子部品を基板に接合した。
実施例５については、得られた導電性組成物を用い、かつ、加熱処理の条件を１６０℃にて１分間に変更した以外は実施例１と同様にして、電子部品を基板に接合した。
【００４６】
＜導電性組成物の評価＞
導電性組成物の評価（はんだ溶融性、２５℃におけるせん断強度、２５０℃におけるせん断強度）を以下のような方法で行った。得られた結果を表１に示す。
（１）はんだ溶融性
銅板に、直径０．５ｍｍの円形のパターンを有するマスク（厚み：１００μｍ）を用い、導電性組成物を印刷して、試料を得た。この試料を、窒素雰囲気下にて３００℃で１分間加熱したのち、室温まで冷却し、試料の表面を拡大鏡（倍率：１００倍）で観察した。そして、下記の基準に従って、はんだ接合性を評価した。
○：なめらかな金属光沢が見られるのが、全体の９０％以上の面積である。
△：なめらかな金属光沢が見られるのが、全体の５０％以上９０％未満の面積である。
×：なめらかな金属光沢が見られるのが、全体の５０％未満の面積である。
（２）２５℃におけるせん断強度
評価用基板上のチップ部品をボンドテスター（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製）で剥離し、その際のせん断強度（単位：Ｎ）を測定した。なお、測定は、室温（２５℃）で行った。そして、下記の基準に従って、２５℃におけるせん断強度を評価した。
○：せん断強度が、１０Ｎ以上である。
△：せん断強度が、１Ｎ以上１０Ｎ未満である。
×：せん断強度が、１Ｎ未満である。
（３）２５０℃におけるせん断強度
評価用基板上のチップ部品を２５０℃に加熱しながら、ボンドテスター（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製）で剥離し、その際のせん断強度（単位：Ｎ）を測定した。そして、下記の基準に従って、２５０℃におけるせん断強度を評価した。
○：せん断強度が、１０Ｎ以上である。
△：せん断強度が、１Ｎ以上１０Ｎ未満である。
×：せん断強度が、１Ｎ未満である。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
表１に示す結果からも明らかなように、本発明の導電性組成物を用いた場合（実施例１〜６）には、はんだ溶融性、２５℃におけるせん断強度、および２５０℃におけるせん断強度が全て良好であることが分かった。従って、本発明の導電性組成物によれば、高温（２５０℃）に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の導電性組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として特に好適に用いることができる。