(57)【要約】【課題】銅パターン間に銅パターン間樹脂層が設けられた回路基板であって、熱応力による銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面剥離を抑制できる回路基板を提供する。【解決手段】基材１と、前記基材１上に形成された銅パターン２と、前記銅パターン２間に充填された銅パターン間樹脂層４と、前記銅パターン２上および前記銅パターン間樹脂層４上に形成された樹脂層３とを有し、銅パターン間樹脂層４と樹脂層３のうち少なくとも前記銅パターン間樹脂層４に無機フィラーが含まれ、前記銅パターン間樹脂層４中の前記無機フィラーの濃度が、前記樹脂層３中の前記無機フィラーの濃度よりも高濃度である回路基板１０とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上に形成された銅パターンと、前記銅パターン間に充填された銅パターン間樹脂層と、前記銅パターン上および前記銅パターン間樹脂層上に形成された樹脂層とを有し、
前記銅パターン間樹脂層と前記樹脂層のうち少なくとも前記銅パターン間樹脂層に無機フィラーが含まれ、前記銅パターン間樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、前記樹脂層中の前記無機フィラーの濃度よりも高濃度であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記銅パターン間樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、前記樹脂層中の前記無機フィラーの濃度よりも５体積％以上高濃度であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、３０体積％以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記銅パターン間樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、４０〜６５体積％であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記無機フィラーが、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記銅パターンがコイルパターンであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源用多層基板などに使用される回路基板として、基材と、基材上に形成された銅パターンと、銅パターン間に充填された銅パターン間樹脂層と、銅パターン上および銅パターン間樹脂層上に形成された樹脂層とを有するものがある。
【０００３】
特許文献１には、金属板と、前記金属板上に設けられ有機樹脂からなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ配線パターンに形成された第１の配線導体層と、有機樹脂からなる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層を介して前記第１の配線導体層の上に積層され配線パターンに形成された第２の配線導体層とを有し、前記第２の絶縁層が前記第１の配線導体層の各配線パターンの間の部位にも設けられている配線基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−９７６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基材と、基材上に形成された銅パターンと、銅パターン間に充填された銅パターン間樹脂層とを有する従来の回路基板は、銅パターン間樹脂層と銅パターンとの密着性が不十分であった。銅パターン間樹脂層と銅パターンとの密着性が不十分であると、ヒートサイクル試験などでの熱応力によって、銅パターン間樹脂層と銅パターンの側面との界面が剥離する。
【０００６】
一般的に、銅パターン上に樹脂層が形成された回路基板を製造する際には、銅パターンの上面と樹脂層との密着性を向上させるために、処理液を用いて銅パターンの上面を粗面化してから、銅パターン上に樹脂層を形成している。
しかしながら、銅パターンの上面を粗面化する処理では、銅パターンの側面に十分に処理液が行き渡らないため、銅パターンの側面を十分に粗面化することはできなかった。このため、銅パターンの上面を粗面化する処理を行っても、熱応力による銅パターン間樹脂層と銅パターンの側面との界面剥離を十分に抑制することはできなかった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、銅パターン間に銅パターン間樹脂層が設けられた回路基板であって、熱応力による銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面剥離を抑制できる回路基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］基材と、前記基材上に形成された銅パターンと、前記銅パターン間に充填された銅パターン間樹脂層と、前記銅パターン上および前記銅パターン間樹脂層上に形成された樹脂層とを有し、
前記銅パターン間樹脂層と前記樹脂層のうち少なくとも前記銅パターン間樹脂層に無機フィラーが含まれ、前記銅パターン間樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、前記樹脂層中の前記無機フィラーの濃度よりも高濃度であることを特徴とする回路基板。
【０００９】
［２］前記銅パターン間樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、前記樹脂層中の前記無機フィラーの濃度よりも５体積％以上高濃度であることを特徴とする［１］に記載の回路基板。
［３］前記樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、３０体積％以上であることを特徴とする［１］または［２］に記載の回路基板。
［４］前記銅パターン間樹脂層中の前記無機フィラーの濃度が、４０〜６５体積％であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の回路基板。
【００１０】
［５］前記無機フィラーが、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の回路基板。
［６］前記銅パターンがコイルパターンであることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載の回路基板。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の回路基板は、銅パターン間に銅パターン間樹脂層が充填され、銅パターン上および銅パターン間樹脂層上に樹脂層が形成され、銅パターン間樹脂層と樹脂層のうち少なくとも銅パターン間樹脂層に無機フィラーが含まれ、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの濃度が、樹脂層中の前記無機フィラーの濃度よりも高濃度である。このため、熱応力による銅パターンと銅パターン間樹脂層との熱膨張の差が、銅パターンと樹脂層との熱膨張の差よりも小さいものとなり、熱応力による銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面剥離が生じにくいものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態の回路基板の一例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明者は、上記課題を解決するために、以下に示すように、鋭意検討を重ねた。
ヒートサイクル試験などでの熱応力による銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面剥離は、以下に示すように発生すると推定される。すなわち、熱応力によって、回路基板の樹脂層が熱膨張すると、樹脂層に接している銅パターン間樹脂層を介して、銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面に応力が発生する。この応力が、銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面剥離を生じさせる。
【００１４】
本発明者は、上記課題を解決するために、銅パターン間に銅パターン間樹脂層が充填され、銅パターン上および銅パターン間樹脂層上に樹脂層が形成された回路基板における、銅パターンと銅パターン間樹脂層と樹脂層の熱膨張係数に着目して検討した。その結果、銅パターン間樹脂層と樹脂層のうち少なくとも銅パターン間樹脂層に無機フィラーが含まれ、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの濃度が、樹脂層中の無機フィラーの濃度よりも高濃度である回路基板とすればよいことを見出した。
【００１５】
銅の熱膨張係数は１６．５×１０−６／Ｋであり、樹脂の熱膨張係数は５０×１０−６／Ｋ〜８０×１０−６／Ｋ程度であり、熱膨張係数の差が大きい。また、無機フィラーの熱膨張係数は１×１０−６／Ｋ〜２５×１０−６／Ｋ程度である。したがって、上記の回路基板では、銅パターン間樹脂の熱膨張係数が、銅パターンの熱膨張係数と樹脂層の熱膨張係数との間の値となる。したがって、熱応力による銅パターンと銅パターン間樹脂層との熱膨張の差が、銅パターンと樹脂層との熱膨張の差よりも小さくなり、熱応力によって銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面に発生する応力が緩和される。よって、熱応力による銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との界面剥離が生じにくいものとなる。
本発明者は、このような知見に基づいて本発明を想到した。
【００１６】
以下、本発明の回路基板について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合がある。したがって、図面に記載された各構成要素の寸法比率などは、実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施できる。
【００１７】
「回路基板」
図１は、本実施形態の回路基板の一例を示した概略断面図である。本実施形態の回路基板１０は、電源用多層基板などに好適に使用できるものである。本実施形態の回路基板１０は、基材１と、基材１上に形成された銅パターン２と、銅パターン２間に充填された銅パターン間樹脂層４と、銅パターン２上および銅パターン間樹脂層４上に形成された樹脂層３とを有する。
【００１８】
基材１としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミドからなるフレキシブル基板など、従来公知の基材を用いることができる。
銅パターン２の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、コイルパターンであってもよい。本実施形態の回路基板１０では、銅パターン２がコイルパターンである場合にコイルで熱が発生しても、熱応力によって銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離が生じにくいため、コイルに流すことのできる電流を大きくできる。
【００１９】
本実施形態の回路基板１０では、銅パターン間樹脂層４と樹脂層３のうち少なくとも銅パターン間樹脂層４に無機フィラーが含まれている。
無機フィラーとしては、炭酸カルシウム（熱膨張係数は２５×１０−６／Ｋ）、酸化マグネシウム（熱膨張係数は１３×１０−６／Ｋ）、酸化亜鉛（熱膨張係数は３×１０−６／Ｋ）、窒化ホウ素（熱膨張係数は１×１０−６／Ｋ）、アルミナ（熱膨張係数は６×１０−６／Ｋ）、シリカ（熱膨張係数は１５×１０−６／Ｋ）、窒化アルミニウム（熱膨張係数は４．５×１０−６／Ｋ）、硫酸バリウム（熱膨張係数は１５×１０−６／Ｋ）などを用いることができる。これらの無機フィラーの中でも、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウムから選ばれる少なくとも１種以上であることが好ましい。
【００２０】
炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウムは、いずれも熱膨張係数が大きく、熱伝導率も大きい。このため、銅パターン間樹脂層４と樹脂層３のうち少なくとも銅パターン間樹脂層４が、これらの無機フィラーから選ばれる１種以上含む回路基板１０は、良好な放熱性を有する。
【００２１】
樹脂層３は、樹脂を含むものであり、無機フィラーが含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。
樹脂層３が無機フィラーを含む場合、銅パターン２および銅パターン間樹脂層４と樹脂層３との熱膨張係数の差が小さくなり、熱応力による銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離をより効果的に抑制できる。また、樹脂層３が無機フィラーを含む場合、より良好な放熱性を有する回路基板１０となる。
【００２２】
樹脂層３が無機フィラーを含む場合、樹脂層３中の無機フィラーの濃度は、３０体積％以上であることが好ましく、４０体積％以上であることがより好ましい。樹脂層３中の無機フィラー含有量が３０体積％以上であると、銅パターン２および銅パターン間樹脂層４と樹脂層３との熱膨張係数の差がより小さくなり、熱応力による銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離をより効果的に抑制できる。また、樹脂層３中の無機フィラー含有量が３０体積％以上であると、より良好な放熱性が得られる。
樹脂層３中の無機フィラー含有量が５０体積％以下であると、銅パターンおよび銅パターン間樹脂層との密着性や形状追従性が良好となるため、好ましい。
【００２３】
樹脂層３に含まれる樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂などを用いることができ、電気絶縁性、耐水性、耐薬品性などの観点から、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
樹脂層３を形成している樹脂と、銅パターン間樹脂層４中に含まれる樹脂とは、同じであってもよいし、異なるものであってもよい。
【００２４】
銅パターン間樹脂層４は、樹脂と無機フィラーとを含む。
樹脂層３が無機フィラーを含む場合、樹脂層３に含まれる無機フィラーと、銅パターン間樹脂層４中に含まれる無機フィラーとは、同じであってもよいし、異なるものであってもよい。
【００２５】
銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度は、樹脂層３中の無機フィラーの濃度よりも高濃度である。銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度は、樹脂層３中の無機フィラーの濃度よりも５体積％以上高濃度であることが好ましく、１０体積％以上高濃度であることがより好ましい。銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度が樹脂層３中の無機フィラーの濃度よりも５体積％以上高濃度であると、相対的に銅パターン２と銅パターン間樹脂層４との熱膨張係数の差が小さくなる。その結果、熱応力によって銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面に発生する応力を緩和する効果が大きくなり、熱応力による銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離をより効果的に抑制できる。
【００２６】
銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度と、樹脂層３中の無機フィラーの濃度との差を大きくするには、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度を十分に高い濃度とする必要がある。しかし、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度が高すぎると、銅パターン間樹脂層４を形成する際に、無機フィラーが銅パターン間樹脂層４となる樹脂組成物の流動性を低下させて、銅パターン２間における銅パターン間樹脂層４の充填性に支障をきたす恐れがある。このため、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度と、樹脂層３中の無機フィラーの濃度との差は３５体積％以下であることが好ましく、２５体積％以下であることがより好ましい。
【００２７】
銅パターン間樹脂層４中には、無機フィラーが４０〜６５体積％含まれていることが好ましく、５０〜６０体積％含まれていることがより好ましい。銅パターン間樹脂層４中の無機フィラー含有量が４０体積％以上であると、より良好な放熱性が得られる。また、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラー含有量が４０体積％以上であると、銅パターン２と銅パターン間樹脂層４との熱膨張係数の差が十分に小さくなる。その結果、熱応力によって銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面に発生する応力を緩和する効果が大きくなり、熱応力による銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離をより効果的に抑制できる。また、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラー含有量が６５体積％以下であると、銅パターン間樹脂層４を形成する際に、無機フィラーが銅パターン間樹脂層４となる樹脂組成物の流動性を低下させて、銅パターン２間における銅パターン間樹脂層４の充填性に支障をきたすことを防止できる。
【００２８】
銅パターン間樹脂層４に含まれる樹脂としては、エポキシ樹脂（熱膨張係数は６０×１０−６／Ｋ）、フェノール樹脂（熱膨張係数は６０×１０−６／Ｋ）、ビスマレイミド樹脂（熱膨張係数は５０×１０−６／Ｋ）などを用いることができ、電気絶縁性、耐水性、耐薬品性などの観点から、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００２９】
「回路基板の製造方法」
次に、図１に示す回路基板の製造方法の一例を説明する。
図１に示す回路基板１０を製造するには、まず、基材１上に公知の方法により銅箔層を形成し、銅薄層を公知の方法によりコイルパターンの形状など所定の形状にパターニングし、銅パターン２を形成する。
次に、銅パターン間２に、銅パターン間樹脂層４を形成する。
【００３０】
銅パターン間樹脂層４を形成する方法としては、例えば、銅パターン間２に銅パターン間樹脂層４となる樹脂組成物を充填し、熱処理して硬化させる方法が挙げられる。樹脂組成物を硬化させるための熱処理の温度、時間などの条件は、銅パターン間樹脂層４の厚み、銅パターン間樹脂層４となる樹脂の種類などに応じて適宜決定できる。
【００３１】
銅パターン間樹脂層４となる樹脂組成物としては、例えば、上述した樹脂および無機フィラーと、硬化剤と溶媒とを含む液状のものなどが挙げられる。硬化剤および溶媒の種類は、上記の樹脂の種類に応じて適宜決定できる。また、硬化剤および溶媒の含有量は、樹脂の種類、無機フィラーの含有量などに応じて適宜決定できる。ここで、銅パターン間樹脂層４中にボイドを発生させないために、樹脂として液状樹脂を用いた無溶剤の樹脂組成物を使用することが好ましい。
液状の樹脂組成物を充填する方法としては、例えば、ロールコータを用いる方法、ディスペンサーを用いる方法、スクリーン印刷法など、公知の方法を用いることができる。
【００３２】
本実施形態では、上記の方法により銅パターン間樹脂層４を形成するので、例えば、Ｂステージ（半硬化）状態の熱硬化性樹脂を銅パターン２上に積層して熱プレスする方法により形成する場合と比較して、ボイドが形成されにくい。このため、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラー含有量を多くして、放熱性を向上させることができるとともに、熱応力による銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離をより効果的に抑制できる。
【００３３】
次に、銅パターン２上および銅パターン間樹脂層４上を、化学的方法および／または物理的方法を用いて平坦化処理することが好ましい。上記の平坦化処理を行って銅パターン２上と銅パターン間樹脂層４上とを連続した平坦面とすることで、銅パターン２上および銅パターン間樹脂層４上に容易に樹脂層３を形成できる。また、上記の平坦化処理を行うことにより、例えば、銅パターン２上の一部または全部が銅パターン間樹脂層４によって覆われている場合に、銅パターン２の上面を露出させることができる。
平坦化処理の方法としては、例えば、バフ研磨など公知の研磨方法を用いることができる。
【００３４】
また、樹脂層３を形成する前に、銅パターン２上と銅パターン間樹脂層４上のうち少なくとも銅パターン２上を、処理液を用いて粗面化することが好ましい。このことにより、銅パターン２の上面と樹脂層３との密着性が良好なものとなる。
粗面化に用いる処理液は、例えば、有機酸系エッチング液、硫酸系エッチング液、過酸化水素系エッチング液などの公知のエッチング液を用いることができる。市販されている有機酸系エッチング液としては、例えば、メック社製のＣＺ―８１００（商品名）などを用いることができる。市販されている硫酸／過酸化水素系エッチング液（硫酸および過酸化水素を含むエッチング液）としては、例えば、マクダーミッド社製のマルチボンド１００（商品名）などを用いることができる。
【００３５】
次に、銅パターン２上および銅パターン間樹脂層４上に、樹脂層３を形成する。樹脂層３は、公知の方法により形成することができ、例えば、Ｂステージ（半硬化）状態の熱硬化性樹脂を銅パターン２上および銅パターン間樹脂層４上に積層し、熱プレスする方法などにより形成できる。
以上の工程により回路基板１０が得られる。
【００３６】
本実施形態の回路基板は、銅パターン２間に銅パターン間樹脂層４が充填され、銅パターン２上および銅パターン間樹脂層４上に樹脂層３が形成され、銅パターン間樹脂層４と樹脂層３のうち少なくとも銅パターン間樹脂層４に無機フィラーが含まれ、銅パターン間樹脂層４中の無機フィラーの濃度が、樹脂層３中の無機フィラーの濃度よりも高濃度である。このため、熱応力による銅パターン２と銅パターン間樹脂層４との熱膨張の差が、銅パターン２と樹脂層３との熱膨張の差よりも小さいものとなり、熱応力による銅パターン２の側面２１と銅パターン間樹脂層４との界面剥離が生じにくいものとなる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明の内容をより詳細に説明する。本発明は、下記の実施例に限定されるものではない。
【００３８】
（実施例１〜２２、比較例１〜１３）
ガラスエポキシからなる基材上に形成された銅箔層を、エッチングすることによりパターニングして、厚み１００μｍ、隣接する銅パターン間の距離が１ｍｍのコイルパターンである銅パターンを形成した。
次に、銅パターン間に、以下に示す方法により、厚みが１００μｍ、幅が１ｍｍである銅パターン間樹脂層を形成した。
【００３９】
銅パターン間樹脂層は、以下に示す樹脂組成物をスクリーン印刷することにより銅パターン間に充填し、１１０℃の温度で６０分間熱処理して樹脂組成物を硬化させて形成した。使用した無機フィラーの種類を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
「銅パターン樹脂層に使用した樹脂組成物」
表１に示す無機フィラーを秤量し、所定量の液状の無溶剤型エポキシ樹脂に添加して、三本ロールにて混錬することにより、銅パターン間樹脂層の形成に使用する樹脂組成物を得た。上記無溶剤型エポキシ樹脂の組成は、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８３０、ＤＩＣ株式会社製）５１．２質量％、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤（商品名：ＨＮ２２００、日立化成株式会社製）４７．８質量％、イミダゾール系硬化触媒（商品名：２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業株式会社製）１質量％である。
【００４２】
次に、銅パターン上および銅パターン間樹脂層上を、バフ研磨にて平坦化処理を行い、銅パターン上と銅パターン間樹脂層上とを連続した平坦面にするとともに、銅パターンの上面を露出させた。
次に、銅パターン上および銅パターン間樹脂層上に、エッチング液をスプレー噴霧する方法により、銅パターンの樹脂層との対向面を粗面化した。エッチング液としては、ＣＺ−８１００（商品名、メック社製の有機酸系エッチング液）を用いた。
【００４３】
次に、エッチング後の銅パターン上およびエッチング後の銅パターン間樹脂層上に、ガラス繊維からなる芯材と、芯材に含浸された半硬化状態（Ｂステージ状態）の以下に示す樹脂組成物とからなるプリプレグを積層し、１８５℃、４．５ＭＰａの圧力で６０分間熱プレスする方法により、樹脂層を形成した。
以上の工程により実施例１〜２２、比較例１〜１３の回路基板を得た。
【００４４】
「樹脂層に使用した樹脂組成物」
表１に示す無機フィラーを所定量含む無溶剤型エポキシ樹脂を用いた。上記無溶剤型エポキシ樹脂の組成は、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８３０、ＤＩＣ株式会社製）５１．２質量％、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤（商品名：ＨＮ２２００、日立化成株式会社製）４７．８質量％、イミダゾール系硬化触媒（商品名：２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業株式会社製）１質量％である。
表１における「無機フィラー含有量の差」とは、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの濃度（体積％）から、樹脂層中の無機フィラーの濃度（体積％）を引いた値である。
【００４５】
実施例１〜２２、比較例１〜１３の回路基板について、それぞれ以下に示す方法により、以下に示す各項目について調べた。その結果を表１に示す。
（無機フィラーの含有量（体積％））
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影した回路基板の断面の画像において、銅パターン間樹脂層の長さ２０ｍｍの範囲に含まれる無機フィラーの粒径から、１００個以上の無機フィラーの体積を算出した。その平均値を、銅パターン間樹脂層中に含まれる無機フィラーの含有量（体積％）とした。
同様に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影した回路基板の断面の画像において、樹脂層の長さ２０ｍｍの範囲に含まれる無機フィラーの粒径から、１００個以上の無機フィラーの体積を算出した。その平均値を、樹脂層中に含まれる無機フィラーの含有量（体積％）とした。
【００４６】
（パターン間樹脂層ボイドありなし）
回路基板を樹脂に埋め込んで切断し、切断面を研磨した。切断面に露出した銅パターン間樹脂層の表面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を取得した。取得した画像上の銅パターン間樹脂層について、長さ２０ｍｍの範囲内にボイドが形成されているか否かを目視により調べた。
【００４７】
（温度サイクル試験）
回路基板に対し、低温−４０、高温１５５℃の条件で温度サイクル試験を行い、５００サイクル後、１０００サイクル後、３０００サイクル後の回路基板について、それぞれ銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層とが剥離しているか否かを調べた。剥離の有無は、回路基板を樹脂に埋め込んで切断し、切断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を取得し、目視により確認し、以下に示すように評価した。
【００４８】
３０００：３０００サイクル後の回路基板に剥離が見られなかった。
１０００：３０００サイクル後の回路基板は剥離していたが、１０００サイクル後の回路基板には剥離が見られなかった。
５００：１０００サイクル後の回路基板は剥離していたが、５００サイクル後の回路基板には剥離が見られなかった。
【００４９】
表１に示す温度サイクル試験の結果のとおり、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの濃度が、樹脂層中の無機フィラーの濃度よりも高濃度である実施例１〜２２では、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの濃度が、樹脂層中の無機フィラーの濃度と同じまたは、銅パターン間樹脂層中よりも低濃度である比較例１〜１３と比較して、銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との密着性が優れていることが確認できた。
【００５０】
表１に示す温度サイクル試験の結果のとおり、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの濃度が、樹脂層中の無機フィラーの濃度よりも５体積％以上高濃度であって、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの含有量が４０体積％以上である実施例３〜５、７、８、１０〜１３、１５〜１７、１９〜２２では、銅パターンの側面と銅パターン間樹脂層との密着性がより良好であることが確認できた。
【００５１】
また、銅パターン間樹脂層中の無機フィラーの含有量が４０〜６５体積％である実施例１〜９、１１〜２２では、銅パターン間樹脂層にボイドは形成されていなかったが、無機フィラーの含有量が６５体積％を超える実施例１０では、ボイドが形成されていた。
【符号の説明】
【００５２】
１…基材、２…銅パターン、３…樹脂層、４…銅パターン間樹脂層、１０…回路基板、２１…側面。
【図１】
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