(57)【要約】【課題】描画処理のＴＡＴ（Turn  Around  Time）を短縮する。【解決手段】本実施形態によるデータ処理方法は、設計データから描画データを作成し、該描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理方法であって、１個のチップに対応する前記設計データを分割した複数の第１フレームデータに対し、複数の変換処理を行って描画データを作成する工程と、前記チップの描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理を行い、該チップの描画データを前記荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、を有する。前記複数の変換処理、及び前記複数の前処理を、それぞれフレーム単位のパイプライン処理で行う。前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録をフレーム単位で行う。【選択図】図３
2019004024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計データから描画データを作成し、該描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理方法であって、
１個のチップに対応する前記設計データを分割した複数の第１フレームデータに対し、複数の変換処理を行って描画データを作成する工程と、
前記チップの描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理を行い、該チップの描画データを前記荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、
を有し、
前記複数の変換処理、及び前記複数の前処理を、それぞれフレーム単位のパイプライン処理で行い、
前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録をフレーム単位で行うことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２】
前記チップを複数の同一サイズのフレームに分割して前記複数の第１フレームデータを生成し、
前記チップのサイズ、フレームサイズ、及び分割フレーム数を含むチップ構成情報ファイルを生成し、前記荷電粒子ビーム描画装置に登録することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理方法。
【請求項３】
前記チップをサイズの異なる複数のフレームに分割して前記複数の第１フレームデータを生成し、
各フレームのサイズ情報を前記荷電粒子ビーム描画装置に入力することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理方法。
【請求項４】
１個のチップに対応する設計データを分割した複数の第１フレームデータに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データが登録される荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記チップの描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、該チップの描画データを登録する前処理部と、
前記描画データに基づいてショットデータを生成するショットデータ生成部と、
前記ショットデータに基づいて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記描画データの登録をフレーム単位で行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
１個のチップに対応する設計データを分割した複数の第１フレームデータに対して複数の変換処理をパイプライン処理で行い、処理後の描画データを記憶装置に格納すると共に、前記チップのサイズ、フレームサイズ、及び分割フレーム数を含むチップ構成情報ファイルを生成し、該チップ構成情報ファイルを前記記憶装置に格納する変換装置と、
前記記憶装置から前記チップの描画データ及び前記チップ構成情報ファイルを取り出し、該描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、該チップの描画データをフレーム単位で登録する前処理部、前記描画データに基づいてショットデータを生成するショットデータ生成部、及び該ショットデータに基づいて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部を有する荷電粒子ビーム描画装置と、
を備える荷電粒子ビーム描画システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画装置の外部（外部装置）において、設計データ（ＣＡＤデータ）に対し、描画装置に適した図形分割やフォーマット変換等の処理が行われ、描画装置用フォーマットに基づく描画データが作成される。この描画データは、描画装置に転送・入力され、フォーマット検査やショット密度の計算処理等の複数段の処理を含むデータ登録処理が行われる。
【０００４】
設計データ及び描画データは、チップ構成等の情報を含む複数のチップデータと、各チップの配置位置等の情報を含むレイアウトデータとを有する。チップデータは、複数のフレームに分割され、外部装置におけるデータ変換処理や、描画装置におけるデータ登録処理を、フレームを単位としたパイプライン処理とすることで、処理速度を向上させている。
【０００５】
従来、描画装置への描画データの登録（入力）はレイアウト単位で行われており、外部装置において全てのチップデータ及びレイアウトデータに対する処理が終了した後に、描画装置でのデータ登録処理が開始されていた。そのため、描画処理のＴＡＴ（Turn  Around  Time）を短縮することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１８８０１４号公報
【特許文献２】特開平１１−３２９９６１号公報
【特許文献３】特開２００９−８１３４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、描画処理のＴＡＴを短縮することができるデータ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるデータ処理方法は、設計データから描画データを作成し、該描画データを荷電粒子ビーム描画装置に登録するデータ処理方法であって、１個のチップに対応する前記設計データを分割した複数の第１フレームデータに対し、複数の変換処理を行って描画データを作成する工程と、前記チップの描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理を行い、該チップの描画データを前記荷電粒子ビーム描画装置に登録する工程と、を有し、前記複数の変換処理、及び前記複数の前処理を、それぞれフレーム単位のパイプライン処理で行い、前記荷電粒子ビーム描画装置への前記描画データの登録をフレーム単位で行うものである。
【０００９】
本発明の一態様によるデータ処理方法は、前記チップを複数の同一サイズのフレームに分割して前記複数の第１フレームデータを生成し、前記チップのサイズ、フレームサイズ、及び分割フレーム数を含むチップ構成情報ファイルを生成し、前記荷電粒子ビーム描画装置に登録する。
【００１０】
本発明の一態様によるデータ処理方法は、前記チップをサイズの異なる複数のフレームに分割して前記複数の第１フレームデータを生成し、各フレームのサイズ情報を前記荷電粒子ビーム描画装置に入力する。
【００１１】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、１個のチップに対応する設計データを分割した複数の第１フレームデータに対して外部装置が複数の変換処理をパイプライン処理で行って作成された描画データが登録される荷電粒子ビーム描画装置であって、前記チップの描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、該チップの描画データを登録する前処理部と、前記描画データに基づいてショットデータを生成するショットデータ生成部と、前記ショットデータに基づいて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部と、を備え、前記描画データの登録をフレーム単位で行うものである。
【００１２】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画システムは、１個のチップに対応する設計データを分割した複数の第１フレームデータに対して複数の変換処理をパイプライン処理で行い、処理後の描画データを記憶装置に格納すると共に、前記チップのサイズ、フレームサイズ、及び分割フレーム数を含むチップ構成情報ファイルを生成し、該チップ構成情報ファイルを前記記憶装置に格納する変換装置と、前記記憶装置から前記チップの描画データ及び前記チップ構成情報ファイルを取り出し、該描画データを分割した複数の第２フレームデータに対し、複数の前処理をパイプライン処理で行い、該チップの描画データをフレーム単位で登録する前処理部、前記描画データに基づいてショットデータを生成するショットデータ生成部、及び該ショットデータに基づいて、荷電粒子ビームにより基板にパターンを描画する描画部を有する荷電粒子ビーム描画装置と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、描画処理のＴＡＴを短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態における描画システムの構成図である。
【図２】データの階層構造を示す図である。
【図３】本実施形態によるデータ処理の一例を示す図である。
【図４】比較例によるデータ処理の一例を示す図である。
【図５】変形例によるデータ処理の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、実施の形態における描画システムの構成を示す概念図である。描画システムは、変換装置１００と描画装置２００とを備える。
【００１７】
描画装置２００は、制御部２１０と描画部２３０とを備えている。描画装置２００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部２３０は、描画チャンバ（描画室）２４０ａ、電子鏡筒２４０ｂ、ＸＹステージ２５０、電子銃２４１、照明レンズ２４２、第１成形アパーチャ２４３、投影レンズ２４４、偏向器２４５、第２成形アパーチャ２４６、対物レンズ２４７、偏向器２４８を有している。ＸＹステージ２５０上には、描画時には描画対象となるマスク基板２７０が配置される。
【００１８】
描画部２３０において、描画対象となるマスク基板２７０は描画チャンバ２４０ａに収容され、描画チャンバ２４０ａには光学鏡筒２４０ｂが連なっている。描画チャンバ２４０ａは気密性を有する真空チャンバとして機能する。また、光学鏡筒２４０ｂは、描画チャンバ２４０ａの上面に設けられており、光学系により電子ビームを成形及び偏向し、描画チャンバ２４０ａ内のマスク基板２７０に対して照射する。このとき、描画チャンバ２４０ａ及び光学鏡筒２４０ｂの両方の内部は減圧されて真空状態にされている。
【００１９】
描画チャンバ２４０ａ内には、マスク基板２７０を支持するステージ２５０が設けられている。このステージ２５０は水平面内で互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向（以下、単にＸ方向及びＹ方向という）に移動可能に形成されている。また、光学鏡筒２４０ｂ内には、電子ビーム２６０を出射する電子銃などの出射部２４１と、その電子ビーム２６０を集光する照明レンズ２４２と、ビーム成形用の第１成形アパーチャ２４３と、投影用の投影レンズ２４４と、ビーム成形用の成形偏向器２４５と、ビーム成形用の第２成形アパーチャ２４６と、マスク基板２７０上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ２４７と、マスク基板２７０に対するビームショット位置を制御するための偏向器２４８とが配置されている。
【００２０】
描画部２３０では、電子ビーム２６０が出射部２４１から出射され、照明レンズ２４２により第１成形アパーチャ２４３に照射される。この第１成形アパーチャ２４３は例えば矩形状の開口を有している。これにより、電子ビーム２６０が第１成形アパーチャ２４３を通過すると、その電子ビームの断面形状は矩形状に成形され、投影レンズ２４４により第２成形アパーチャ２４６に投影される。なお、この投影位置は成形偏向器２４５により偏向可能であり、投影位置の調整により電子ビーム２６０の形状と寸法を制御することができる。その後、第２成形アパーチャ２４６を通過した電子ビーム２６０は、その焦点が対物レンズ２４７によりステージ２５０上のマスク基板２７０に合わされて照射される。このとき、ステージ２５０上のマスク基板２７０に対する電子ビーム２６０のショット位置は偏向器２４８により調整可能である。
【００２１】
制御部２１０は、制御計算機２１２、メモリ２１４、磁気ディスク装置等の記憶装置２１６、及び偏向制御部２１８を有している。制御計算機２１２は、前処理部２２０、ショットデータ生成部２２５、及び描画制御部２２６を有する。前処理部２２０は、入力・転送部２２１、フォーマット検査部２２２、ショット密度算出部２２３及び整合性処理部２２４を含む。
【００２２】
前処理部２２０、ショットデータ生成部２２５、及び描画制御部２２６といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。前処理部２２０、ショットデータ生成部２２５、及び描画制御部２２６に入出力されるデータや演算中のデータは、メモリ２１４にその都度格納される。記憶装置２１６は、ショットデータ生成部２２５により生成されるショットデータを格納する。
【００２３】
ショットデータ生成部２２５は、後述する方法により登録された描画データに規定される描画パターンをストライプ状（短冊状）の複数のストライプ領域（長手方向がＸ方向であり、短手方向がＹ方向である）に分割し、さらに、各ストライプ領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。加えて、ショットデータ生成部２２５は、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画不可能である場合には、描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及びドーズ量（或いはドーズ変調量）といった情報が定義される。
【００２４】
描画制御部２２６は、パターンを描画する際、ステージ２５０をストライプ領域の長手方向（Ｘ方向）に移動させつつ、電子ビーム２６０を偏向器２４８により所定位置にショットして図形を描画する。その後、１つのストライプ領域の描画が完了すると、ステージ２５０をＹ方向にステップ移動させてから次のストライプ領域の描画を行い、これを繰り返してマスク基板２７０の描画領域の全体に電子ビーム２６０による描画を行う。描画制御部２２６は、ショットデータに基づく制御信号を偏向制御部２１８に出力し、成形偏向器２４５及び偏向器２４８による電子ビーム２６０の偏向を制御する。
【００２５】
変換装置１００は、フラクチャリング処理部１０２、フォーマット変換部１０４、及び構成情報ファイル生成部１０６を有し、記憶装置１１０に格納されている設計データ（ＣＡＤデータ）を処理してデータ変換を行い、描画データを作成する。作成された描画データは、記憶装置１２０に格納される。
【００２６】
設計データは、チップの配置位置等の情報を含むレイアウトデータ、及びレイアウトに含まれる複数のチップの各々についてのチップデータを有し、半導体集積回路の設計者などによって作成される。描画データは、描画装置２００に入力可能なフォーマットのデータである。記憶装置１１０、１２０としては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置（フラッシュメモリ）などを用いることが可能である。
【００２７】
設計データは、通常、多数の微小なパターン（図形など）を含んでおり、そのデータ量は大きい。設計データをデータ変換して作成される描画データのデータ量はさらに大きい。そのため、データを階層化することによってデータ量の圧縮が図られている。
【００２８】
図２は、データの階層構造の一例を示す図である。設計データでは、チップ上に複数のセルが配置され、各セルには、かかるセルを構成するパターンとなる図形が配置されている。描画データでは、例えば図４に示すように、描画領域が、チップの層、チップ領域をｙ方向に向かって短冊状に複数の仮想領域に分割したフレームの層、フレーム領域を所定の大きさの領域に分割したブロックの層、ブロックに含まれるセルの層、セルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
【００２９】
設計データには、多角形図形など様々な形状のパターンが含まれており、変換装置１００のフラクチャリング処理部１０２は、これらの図形を描画装置２００に入力可能な複数種の台形に分割する。フォーマット変換部１０４は、設計データを、描画装置２００に適応したフォーマットに変換する。
【００３０】
設計データの各チップデータは、フレーム単位に分割され、フレーム単位のデータファイルで構成されている。フラクチャリング処理部１０２による図形分割処理、及びフォーマット変換部１０４によるフォーマット変換処理はフレーム単位のパイプライン処理で行われる。変換装置１００は、フレーム毎の描画データ（フレームファイル）を生成する。各フレームのサイズは同じである。
【００３１】
構成情報ファイル生成部１０６は、チップ毎に、チップサイズ、フレームサイズ（ｘ方向のサイズＬｘ、ｙ方向のサイズＬｙ）、分割フレーム数ｎ等の情報を記載したチップ構成情報ファイルを生成する。
【００３２】
変換装置１００は、チップ構成情報ファイルを生成し、記憶装置１２０に格納する。チップ構成情報ファイルの生成後、変換装置１００は、フレーム単位のパイプライン処理を行い、処理後、フレームファイルを記憶装置１２０に順次格納する。
【００３３】
描画装置２００の前処理部２２０の入力・転送部２２１は、記憶装置１２０を監視し、記憶装置１２０から描画データファイルを入力（転送）する。具体的には、入力・転送部２２１は、記憶装置１２０にチップ構成情報ファイルが格納されると、チップ構成情報ファイルを取り出す。また、入力・転送部２２１は、記憶装置１２０に格納されたフレームファイルを速やかに取り出す。フォーマット検査部２２２は、フォーマット検査として、例えば、フレーム毎にパリティチェックを行う。
【００３４】
ショット密度算出部２２３は、フレーム毎に、単位面積当り（又は描画中の単位時間当り）のショット数であるショット密度を算出する。入力・転送部２２１、フォーマット検査部２２２、及びショット密度算出部２２３の処理はフレーム単位のパイプライン処理で行われる。
【００３５】
整合性処理部２２４は、レイアウトデータ及びチップ構成情報ファイルが揃わないとできない処理や、チェックサム検査などの整合性処理を行う。レイアウトデータ及びチップ構成情報ファイルが揃わないとできない処理は、例えば、マスクにチップが収まるか否かの判定処理である。レイアウトデータにはチップが配置される位置情報が含まれている。一方、チップサイズに関する情報はチップ構成情報ファイルに含まれている。整合性処理部２２４は、レイアウトデータに含まれるチップの配置位置情報と、チップ構成情報ファイルに含まれるチップサイズ情報とから、マスクにチップが収まるか否か判定する。
【００３６】
本実施形態では、描画装置２００への描画データ（フレームファイル）の登録をフレーム単位で行う。すなわち、変換装置１００において１フレーム分の描画データが作成されると、この１フレーム分の描画データの描画装置２００への登録処理が行われる。
【００３７】
図３に、変換装置１００及び描画装置２００によるデータ処理の一例を示す。図３は、マスクに２つのチップＣ１、Ｃ２が含まれ、チップＣ１、Ｃ２のチップデータは３つのフレームＦ１〜Ｆ３に仮想分割されるものとする。例えば、図中「Ｃ１Ｆ１」は、チップＣ１のフレームＦ１に対応するフレームファイルを示す。
【００３８】
変換装置１００は、チップＣ１のチップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆを生成し、記憶装置１２０に格納する。チップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆの生成後、変換装置１００は、チップＣ１のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３の順にパイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。各フレームファイルは、処理後、記憶装置１２０に順次格納される。
【００３９】
描画装置２００の前処理部２２０は記憶装置１２０を監視し、格納されたチップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆを速やかに取得する。また、前処理部２２０は、記憶装置１２０を監視し、チップＣ１のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３の順に、フレーム単位でパイプライン処理となるように、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。
【００４０】
前処理部２２０は、記憶装置１２０から転送したフレームファイルの数が、チップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆに含まれるフレーム数ｎと同数になると、チップＣ１の全てのフレームファイルが入力されたと判定する。
【００４１】
なお、描画装置２００において描画データを処理する際に必要なパラメータを記述したパラメータファイルが事前に準備され、描画装置２００に登録されている。パラメータファイルには、例えば、面積計算用のメッシュサイズや、ショット数算出用の最大ショットサイズなどが含まれている。
【００４２】
チップＣ１のチップデータに対する、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算の各処理が正常に終了すると、前処理部２２０は、整合性情報を作成する。ここで、整合性情報とは、前処理部２２０のパイプライン処理中に出力されたファイルのチェックサム情報や、パラメータファイルに記載されていた情報である。整合性情報は、整合性処理部２２４による整合性処理に用いられる。
【００４３】
チップＣ２についても、チップＣ１と同様の処理が行われる。その後、レイアウトデータが転送される。
【００４４】
前処理部２２０は、レイアウトデータの登録に伴い、整合性処理を行う。整合性処理の後、描画部２３０によるマスク基板２７０への描画処理が行われる。
【００４５】
［比較例］
図４は、描画装置への描画データ（チップデータ）の登録をレイアウト単位で行う場合のデータ処理の例を示す。図３に示す例と同様に、マスクに２つのチップＣ１、Ｃ２が含まれ、チップＣ１、Ｃ２のチップデータは３つのフレームＦ１〜Ｆ３に分割されるものとする。
【００４６】
まず、変換装置は、チップＣ１のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３、チップＣ２のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３の順に、パイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。そして、チップＣ２のフレームＦ３についての処理が終了すると、レイアウトデータに対するデータ処理が行われる。
【００４７】
変換装置においてレイアウトデータがデータ処理されると、描画装置へのデータ登録処理が開始され（図４の時刻Ｔ１）、描画装置にレイアウトデータが登録される。レイアウトデータが登録されると（図４の時刻Ｔ２）、描画装置は、チップＣ１のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３、チップＣ２のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３の順に、パイプライン処理となるように、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。その後、マスク基板２７０への描画処理が行われる。この比較例では、描画装置にレイアウトデータが先に登録されているため、上記実施形態のような整合性処理は行われない。
【００４８】
比較例によるデータ処理のように描画データ（チップデータ）の登録をレイアウト単位で行う場合、変換装置で全てのデータに対する処理が完了してから、描画装置へのデータ登録を開始する。そのため、描画処理のＴＡＴ（図４のＴＡＴ２）が長くなる。
【００４９】
一方、上記実施形態では、描画装置２００への描画データの登録は、フレーム単位で行われる。例えば、図３に示すように、チップＣ１のフレームＦ１についての処理が終了し、フレームファイルが作成されると、このフレームファイルは描画装置２００に速やかに登録される。そのため、描画処理のＴＡＴ（図３のＴＡＴ１）を、比較例におけるＴＡＴ（図４のＴＡＴ２）よりも短縮することができる。フレーム数が多い程、ＴＡＴの短縮効果は大きい。
【００５０】
例えば、レイアウトに５つのチップが含まれ、各チップが２００フレームに分割され、各フレーム処理時間が３０秒、レイアウト処理時間が１０分、描画部２３０による実描画時間が８時間、整合性処理に要する時間が３０分とした場合、本実施形態のようにフレーム単位で描画データを登録すると、ＴＡＴは約１６時間となる。一方、比較例のようにレイアウト単位で描画データを登録すると、ＴＡＴは約２５時間となる。本実施形態による手法は、比較例の手法よりも、ＴＡＴを約３５％短縮できる。
【００５１】
上記実施形態では、チップ構成情報ファイルの転送後にフレームファイルの転送を行っていたが、フレームファイルの転送後にチップ構成情報ファイルの転送を行ってもよい。
【００５２】
記憶装置１２０は、変換装置１００と、制御計算機２１２とがアクセスできる記憶領域であればよく、共有ディスクでもよいし、ネットワークを介した記憶領域であってもよい。記憶装置１２０の場所（ディレクトリパス）は、変換装置１００及び制御計算機２１２に予め登録される。
【００５３】
上記実施形態では、チップデータをフレーム単位に分割する際に、各フレームのサイズを同じ（固定）とした。しかし、パターンの配置に偏りがある場合、パターン数の多いフレームと、パターン数の少ないフレームとが生じ、各フレームファイルのデータサイズが大きく異なり、パイプライン処理の効率を低下させることがある。
【００５４】
そのため、各フレームのサイズを可変としてもよい。この場合、変換装置１００は、フレームファイルの生成に伴い、各フレームのサイズ（例えばフレーム高さ）を示すフレームサイズ情報を生成する。チップ構成情報ファイルにはチップサイズが記載され、フレームサイズやフレーム数等は省略される。
【００５５】
図５に、フレームサイズ可変モードの場合の、変換装置１００及び描画装置２００によるデータ処理の一例を示す。
【００５６】
変換装置１００は、チップＣ１のチップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆ．ｂａｓｅを生成し、記憶装置１２０に格納する。チップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆ．ｂａｓｅには、チップサイズの情報や、フレームサイズ可変モードであることが記載される。チップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆ．ｂａｓｅの生成後、変換装置１００は、フレームファイルが所定のデータサイズとなるように、チップＣ１をフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３に分割し、フレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３の順にパイプライン処理となるように図形分割及びフォーマット変換を行う。各フレームファイルは、処理後、フレーム高さ情報（Ｆｒａｍｅ．Ｈｅｉｇｈｔ）と共に、記憶装置１２０に順次格納される。
【００５７】
描画装置２００の前処理部２２０は記憶装置１２０を監視し、格納されたチップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆ．ｂａｓｅを速やかに取得する。また、前処理部２２０は、記憶装置１２０を監視し、フレームファイル及びフレーム高さ情報が格納されると、チップＣ１のフレームＦ１、Ｆ２、Ｆ３の順に、フレーム単位でパイプライン処理となるように、データ転送、フォーマット検査、及びショット密度計算を行う。
【００５８】
変換装置１００は、１個のチップの全てのフレームファイルを生成、出力した後、終了検知ファイルＥｎｄを出力する。前処理部２２０は、記憶装置１２０に終了検知ファイルＥｎｄが格納されると、チップＣ１の全てのフレームファイルが入力されたと判定する。
【００５９】
前処理部２２０は、変換装置１００から転送されたフレーム高さ情報に記載されているフレーム高さを合計し、合計値が、チップ構成情報ファイルＣ１．ｃｎｆ．ｂａｓｅに記載されているチップサイズに達した場合に、チップＣ１の全てのフレームファイルが入力されたと判定してもよい。この場合、変換装置１００による終了検知ファイルＥｎｄの出力は不要である。
【００６０】
このように、フレームサイズを可変とした場合でも、描画装置２００への描画データの登録をフレーム単位で行い、ＴＡＴを短縮することができる。
【００６１】
上記実施形態において、制御計算機２１２にタイムアウト時間を設定し、記憶装置１２０を監視し、何らかのエラーにより変換装置１００からデータが登録されない時間がタイムアウト時間に達した場合に、エラー終了処理するようにしてもよい。
【００６２】
上記実施形態による描画装置は、可変成形型でなく、マルチビーム描画装置でもよい。上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
【００６３】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１００  変換装置
１０２  フラクチャリング処理部
１０４  フォーマット変換部
１０６  構成情報ファイル生成部
２００  描画装置
２１０  制御部
２１２  制御計算機
２２０  前処理部
２２１  入力・転送部
２２２  フォーマット検査部
２２３  ショット密度算出部
２２４  整合性処理部
２２５  ショットデータ生成部
２２６  描画制御部
２３０  描画部
【図１】
2019004024.tif 000003
【図２】
2019004024.tif 000004
【図３】
2019004024.tif 000005
【図４】
2019004024.tif 000006
【図５】
2019004024.tif 000007