(57)【要約】【課題】基板の表面におけるマイクロスクラッチの発生を有効に抑制しつつ、表面の異物を除去する技術を提供する。【解決手段】反転機構４０は、デバイス形成面９１が鉛直方向上向きの半導体ウエハ９を、水平方向に延びる回転軸線Ｑ１まわりに回転させることによって、水平姿勢であり、かつ、デバイス形成面９１が鉛直方向下向きとなる水平反転姿勢にする（基板回転工程Ｓ２２）。振動付与機構２０は、水平反転姿勢の半導体ウエハ９に振動を印加する（振動印加工程Ｓ２３）。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理方法であって、
（ａ）対象面が鉛直方向上向きの基板を、水平方向に延びる回転軸線まわりに回転させることによって、水平姿勢であり、かつ、対象面が鉛直方向下向きとなる水平反転姿勢にする工程と、
（ｂ）前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する工程と、
を含む、基板処理方法。
【請求項２】
請求項１の基板処理方法であって、
前記工程（ｂ）は、前記水平反転姿勢の前記基板における基板保持部で保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に対して振動発生器により振動を印加する工程である、基板処理方法。
【請求項３】
請求項２の基板処理方法であって、
前記工程（ｂ）は、前記水平反転姿勢の前記基板に対して、上面側から前記振動発生器により振動を印加する工程である、基板処理方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３の基板処理方法であって、
（ｃ）前記工程（ｂ）よりも前に、前記基板の上側の面に処理液の液膜を形成する工程、
をさらに含み、
前記工程（ｂ）は、前記振動発生器が、前記工程（ｃ）により形成された前記液膜を介して前記基板に振動を印加する工程を含む、基板処理方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項の基板処理方法であって、
（ｄ）前記工程（ｂ）により前記基板に振動が印加されている間、前記基板の下方において吸気を行う工程、
をさらに含む、基板処理方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項の基板処理方法であって、
（ｅ）前記工程（ａ）により前記水平反転姿勢にされた前記基板に対して所定処理を行う工程、
をさらに含む、基板処理方法。
【請求項７】
基板を処理する基板処理装置であって、
対象面が鉛直方向上向きの基板を、水平方向に延びる回転軸線まわりに回転させることによって、水平姿勢であり、かつ、対象面が鉛直方向下向きとなる水平反転姿勢にする反転機構と、
前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する振動印加機構と、
を備える、基板処理装置。
【請求項８】
請求項７の基板処理装置であって、
前記水平反転姿勢の前記基板を保持可能な基板保持部、
をさらに備え、
前記振動印加機構は、
前記基板における、前記基板保持部で保持された被保持部分とは異なる被印加部分に対して振動を印加する振動発生器、を有する、基板処理装置。
【請求項９】
請求項８の基板処理装置であって、
前記振動発生器が、前記水平反転姿勢の前記基板の上側から振動を印加する、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９の基板処理装置であって、
前記水平反転姿勢の前記基板における上面に処理液を供給する処理液供給部、
をさらに備え、
前記振動発生器は、前記基板に形成された前記処理液の液膜を介して前記基板に振動する、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記振動印加機構により前記基板に振動が印加されている間、前記基板の下方において吸気を行う吸気部、
をさらに備える、基板処理装置。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記基板を一時的に保持するパス部と、
前記反転機構により前記水平反転姿勢にされた前記基板に対して所定処理を行う処理部と、
前記パス部と前記処理部との間で前記基板を搬送する基板搬送部と、
を備える、基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２の基板処理装置であって、
前記振動印加機構は、前記パス部において前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する、基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１３の基板処理装置であって、
前記振動印加機構は、前記処理部において、前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する、基板処理装置。
【請求項１５】
基板を処理する基板処理装置であって、
対象面が鉛直方向上向きの基板を、水平方向に延びる回転軸線まわりに回転させることによって、対象面が鉛直方向下向きとなる反転姿勢にする反転機構と、
前記反転姿勢の前記基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板における、前記基板保持部に保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に対して、前記基板に振動を印加する振動発生器と、
を備える、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する技術に関し、特に、基板表面に付着した異物を除去する技術に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基板を複数枚収容するＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）内、あるいは、基板処理装置の各処理ユニット内などにおいて、基板割れが発生すると、その破片が異物として他の基板の表面に付着してしまう場合がある。このような異物は、一般的には、ＤＩＷ（脱イオン水）などを吹き付けるなどの洗浄処理により、基板から除去される。
【０００３】
また、特許文献１には、基板上の異物を除去する際に、吸着ユニットで吸着保持された基板を水平面に対して垂直または９０°より大きく斜めに傾けた状態で、吸着ユニットを介して基板を振動させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２１１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術では、基板に付着した大きい異物が、基板表面上を擦り落ちることによって、基板表面にマイクロスクラッチが発生する虞があった。
【０００６】
そこで、本発明は、基板の表面におけるマイクロスクラッチの発生を有効に抑制しつつ、表面の異物を除去する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、第１態様は、基板を処理する基板処理方法であって、（ａ）対象面が鉛直方向上向きの基板を、水平方向に延びる回転軸線まわりに回転させることによって、水平姿勢であり、かつ、対象面が鉛直方向下向きとなる水平反転姿勢にする工程と、（ｂ）前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する工程とを含む。
【０００８】
第２態様は、第１態様の基板処理方法であって、前記工程（ｂ）は、前記水平反転姿勢の前記基板における基板保持部で保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に対して振動発生器により振動を印加する工程である。
【０００９】
第３態様は、第２態様の基板処理方法であって、前記工程（ｂ）は、前記水平反転姿勢の前記基板に対して、上面側から前記振動発生器により振動を印加する工程である。
【００１０】
第４態様は、第２態様または第３態様の基板処理方法であって、（ｃ）前記工程（ｂ）よりも前に、前記基板の上側の面に処理液の液膜を形成する工程、をさらに含み、前記工程（ｂ）は、前記振動発生器が、前記工程（ｃ）により形成された前記液膜を介して前記基板に振動を印加する工程を含む。
【００１１】
第５態様は、第１態様から第４態様のいずれか１つの基板処理方法であって、（ｄ）前記工程（ｂ）により前記基板に振動が印加されている間、前記基板の下方において吸気を行う工程をさらに含む。
【００１２】
第６態様は、第１態様から第５態様のいずれか１つの基板処理方法であって、（ｅ）前記工程（ａ）により前記水平反転姿勢にされた前記基板に対して所定処理を行う工程をさらに含む。
【００１３】
第７態様は、基板を処理する基板処理装置であって、対象面が鉛直方向上向きの基板を、水平方向に延びる回転軸線まわりに回転させることによって、水平姿勢であり、かつ、対象面が鉛直方向下向きとなる水平反転姿勢にする反転機構と、前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する振動印加機構とを備える。
【００１４】
第８態様は、第７態様の基板処理装置であって、前記水平反転姿勢の前記基板を保持可能な基板保持部、をさらに備え、前記振動印加機構は、前記基板における、前記基板保持部で保持された被保持部分とは異なる被印加部分に対して振動を印加する振動発生器を有する。
【００１５】
第９態様は、第８態様の基板処理装置であって、前記振動発生器が、前記水平反転姿勢の前記基板の上側から振動を印加する。
【００１６】
第１０態様は、第８態様または第９態様の基板処理装置であって、前記水平反転姿勢の前記基板における上面に処理液を供給する処理液供給部、をさらに備え、前記振動発生器は、前記基板に形成された前記処理液の液膜を介して前記基板に振動する。
【００１７】
第１１態様は、第７態様から第１０態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記振動印加機構により前記基板に振動が印加されている間、前記基板の下方において吸気を行う吸気部をさらに備える。
【００１８】
第１２態様は、第７態様から第１１態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記基板を一時的に保持するパス部と、前記反転機構により前記水平反転姿勢にされた前記基板に対して所定処理を行う処理部と、前記パス部と前記処理部との間で前記基板を搬送する基板搬送部とを備える。
【００１９】
第１３態様は、第１２態様の基板処理装置であって、前記振動印加機構は、前記パス部において前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する。
【００２０】
第１４態様は、第１３態様の基板処理装置であって、前記振動印加機構は、前記処理部において、前記水平反転姿勢の前記基板に振動を印加する。
【００２１】
第１５態様は、基板を処理する基板処理装置であって、対象面が鉛直方向上向きの基板を、水平方向に延びる回転軸線まわりに回転させることによって、対象面が鉛直方向下向きとなる反転姿勢にする反転機構と、前記反転姿勢の前記基板を保持可能な基板保持部と、前記基板における、前記基板保持部に保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に対して、前記基板に振動を印加する振動発生器とを備える。
【発明の効果】
【００２２】
第１態様の基板処理装置によると、対象面が鉛直方向下向きにした水平反転姿勢の基板に振動が印加される。このため、振動印加によって対象面から剥離した異物が基板上から擦り落ちることを抑制することができる。これにより、対象面におけるマイクロスクラッチの発生を抑制することができる。
【００２３】
第２態様の基板処理方法によると、振動発生器が水平反転姿勢の基板に振動を印加する。このとき、基板における、基板保持部に保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に振動が印加されるため、被印加部分と被保持部分の間の中間部分を、微小に波打つように振動させることができる。したがって、基板保持部を介して基板に振動を印加する場合よりも、対象面の異物を効率的に剥離することができる。
【００２４】
第３態様の基板処理方法によると、水平反転姿勢の基板の上側に振動発生器を接触させるため、下側の対象面の異物を有効に落下させることができる。下面がデバイス面である場合、当該振動発生器が当該デバイス面に直接接触させないことによって当該デバイス面を適切に保護することができる。
【００２５】
第４態様の基板処理方法によると、液膜に振動を印加することによって、基板における異物を効率的に剥離することができる。
【００２６】
第５態様の基板処理方法によると、振動により基板から落下した異物を吸気することができる。
【００２７】
第６態様の基板処理方法によると、所定処理をするために基板を水平反転姿勢にした機会に乗じて、振動印加を行うことができる。これにより、対象面からの異物の剥離を効率良く行うことができる。
【００２８】
第７態様の基板処理装置によると、対象面が鉛直方向下向きにした水平反転姿勢の基板に振動が印加される。このため、振動印加によって対象面から剥離した異物が基板上から擦り落ちることを抑制することができる。これにより、対象面におけるマイクロスクラッチの発生を抑制することができる。
【００２９】
第８態様の基板処理方法によると、振動発生器が反転姿勢の基板に振動を印加する。このとき、基板における、基板保持部に保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に振動が印加されるため、被保持部分を固定端として、基板を振動させることができる。したがって、基板保持部を介して基板に振動印加する場合よりも、対象面の異物を効率的に剥離することができる。
【００３０】
第９態様の基板処理装置によると、水平反転姿勢の基板の上側から振動を印加するため、下側の対象面の異物を有効に落下させることができる。また、下面がデバイス面である場合、当該振動発生器が当該デバイス面に直接接触させないことによって当該デバイス面を適切に保護することができる。
【００３１】
第１０態様の基板処理装置によると、液膜に振動を印加することによって、対象面の異物を効率的に剥離することができる。
【００３２】
第１１態様の基板処理装置によると、基板の下方に落下した異物を吸気することができる。
【００３３】
第１２態様の基板処理装置によると、所定処理をするために基板を水平反転姿勢にした機会に乗じて、振動印加を行うことができる。これにより、対象面からの異物の剥離を効率良く行うことができる。
【００３４】
第１３態様の基板処理装置によると、パス部において水平反転姿勢にされた基板に対して振動を印加することができる。このため、反転処理のついでに振動印加処理を行うことができるため、基板からの異物の剥離を効率よく行うことができる。
【００３５】
第１４態様の基板処理装置によると、基板を水平反転姿勢で処理する処理部において、水平反転姿勢の基板に振動印加処理を行うことができる。このため、基板処理のついでに基板に振動を印加することができるため、基板からの異物剥離を効率よく行うことができる。
【００３６】
第１５態様の基板処理装置によると、振動する振動発生器が回転姿勢の基板に振動を印加する。このとき、基板における、基板保持部に保持されている被保持部分とは異なる被印加部分に振動が印加されるため、被保持部分を固定端とする、基板を振動させることができる。したがって、基板保持部を介して基板に振動印加する場合よりも、対象面に付着した異物を効率的に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】第１実施形態の基板処理装置１の全体構成を示す概略平面図である。
【図２】第１実施形態のパス部１７の構成を示す概略平面図である。
【図３】第１実施形態のパス部１７を示す概略側面図である。
【図４】第１実施形態のパス部１７を示す概略側面図である。
【図５】第１実施形態の洗浄処理ユニット１１ｂを示す図である。
【図６】第２実施形態に係る洗浄処理ユニット１１ｂを示す概略図である。
【図７】第３実施形態のセンターロボット１８ａを示す図である。
【図８】第４実施形態の振動印加機構２０が回転姿勢の半導体ウエハ９に振動を印加する様子を示す概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００３９】
＜１．  第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置１の全体構成を示す概略平面図である。基板処理装置１は、半導体の製造工程において、半導体ウエハ９の表面に付着したパーティクル等の異物を除去する、枚様式の洗浄装置である。基板処理装置１は、制御部１０と、洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂと、流体ボックス１２と、インデクサユニット１３と、オープナー１４とを備える。
【００４０】
制御部１０は、基板処理装置１が備える各要素の動作を制御する。制御部１０のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部１０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、および、制御用アプリケーションまたはデータ等を記憶する記憶部を備えている。
【００４１】
洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂは、半導体ウエハ９を内部に収容して洗浄を行う。洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂの詳細については、後述する。洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂは、通路１５を挟んで配置されている。図示を省略するが、複数の洗浄処理ユニット１１ａおよび複数の洗浄処理ユニット１１ｂが、上段および下段に重ねられていてもよい。洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂには、それぞれ、後述するセンターロボット１８に面して搬入出口１１１が設けられている。
【００４２】
洗浄処理ユニット１１ａは、半導体ウエハ９の両側の主面のうち一方側の主面を洗浄対象とする。ここでは、洗浄処理ユニット１１ａが処理する一方側の主面を、半導体デバイスが形成される主面である。以下、この主面をデバイス形成面９１と称する。洗浄処理ユニット１１ａは、半導体ウエハ９をデバイス形成面９１が鉛直方向上向きとなる水平姿勢として、当該デバイス形成面９１を処理する。「水平姿勢」とは、半導体ウエハ９の両側の主面が水平面に対して平行な状態をいう。
【００４３】
また、洗浄処理ユニット１１ｂは、半導体ウエハ９の両側の主面のうち他方側の主面を洗浄処理の対象とする。ここでは、他方側の主面は、デバイス形成面９１とは反対側の主面である。以下、この主面を裏面９２と称する。洗浄処理ユニット１１ｂは、半導体ウエハ９を裏面９２が鉛直方向上向きの水平姿勢として、当該裏面９２を処理する。洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂの構成については、後に詳述する。
【００４４】
流体ボックス１２は、洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂの各々に隣接しており、洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂに供給される液体や気体の配管、開閉弁等を収容する。
【００４５】
インデクサユニット１３は、通路１５と直交する方向に延びている。インデクサユニット１３の略中央と、通路１５とは連結している。インデクサユニット１３内には、オープナー１４から搬入した半導体ウエハ９をパス部１７へと受け渡すインデクサロボット１６が備えられている。インデクサロボット１６は、インデクサユニット１３内を、通路１５と直交する方向に移動する。
【００４６】
インデクサロボット１６は、半導体ウエハ９を保持するハンド部１６１を有している。ハンド部１６１は、上下方向に昇降移動自在であるとともに、上下方向に延びる回転軸を中心として、回転自在である。
【００４７】
オープナー１４は、半導体ウエハ９を複数枚収容したＦＯＵＰ（Front Open Unified Pod）を載置する載置面１４１と、ＦＯＵＰをインデクサユニット１３内に運び入れるための開閉蓋１４２とを有する。
【００４８】
通路１５には、パス部１７およびセンターロボット１８が配置されている。パス部１７は、半導体ウエハ９を一時的に保持する空間（ここでは、載置される空間）を形成している。パス部１７は、半導体ウエハ９の表裏を反転させる反転機構４０を備える。
【００４９】
センターロボット１８は、半導体ウエハ９を１枚ずつ保持し、パス部１７と洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂとの間で半導体ウエハ９の受け渡しを行うハンド部１８１を有する。ハンド部１８１は、上下方向に昇降移動自在であるとともに、水平方向に伸縮自在である。また、センターロボット１８は、ハンド部１８１を、搬入出口１１１から洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂの内部まで移動させることができる。
【００５０】
ここで、基板処理装置１の外部から半導体ウエハ９を洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂへと搬入する手順について説明する。
【００５１】
基板処理装置１の外部から自動搬送車両等により搬入されたＦＯＵＰは、オープナー１４の載置面１４１に載置される。次に、オープナー１４の開閉蓋１４２が開放され、インデクサロボット１６がＦＯＵＰから未処理の半導体ウエハ９を１枚ずつ取り出す。インデクサロボット１６は、取り出した半導体ウエハ９を保持しつつ、インデクサユニット１３内を、通路１５に隣接する位置まで移動する。そして、インデクサロボット１６は、パス部１７へと半導体ウエハ９を受け渡す。このとき、パス部１７において、半導体ウエハ９は、水平姿勢であり、かつ、デバイス形成面９１（対象面）が上向きに、裏面９２が下向きの姿勢となっている。以下、この姿勢を「水平初期姿勢」と称する。
【００５２】
パス部１７に半導体ウエハ９が載置されると、後述するように、パス部１７において、反転機構４０が半導体ウエハ９を１８０°反転させる。これにより、半導体ウエハ９が、水平姿勢であり、かつ、デバイス形成面９１（対象面）が下向きに、裏面９２が上向きの姿勢となる。以下、この姿勢を「水平反転姿勢」と称する。水平反転姿勢では、裏面９２が上面となる。
【００５３】
半導体ウエハ９が水平反転姿勢にされると、センターロボット１８のハンド部１８１は、パス部１７にアクセスして、水平反転姿勢の半導体ウエハ９を受け取る。そして、センターロボット１８は、ハンド部１８１を搬入出口１１１から洗浄処理ユニット１１ｂ内へと延ばし、半導体ウエハ９を洗浄処理ユニット１１ｂ内へと搬入する。搬入終了後、搬入出口１１１は閉鎖され、洗浄処理ユニット１１ｂ内で半導体ウエハ９（詳細には、半導体ウエハ９の裏面９２）の洗浄が行われる。
【００５４】
洗浄処理ユニット１１ｂ内で半導体ウエハ９の処理が完了すると、センターロボット１８は、当該半導体ウエハ９を、洗浄処理ユニット１１ｂから搬出し、パス部１７に移載する。そして、パス部１７において、反転機構４０が水平反転姿勢の半導体ウエハ９を１８０°反転させる。すなわち、デバイス形成面９１が上向きに、裏面９２が下向きの水平初期姿勢となる。
【００５５】
続いて、センターロボット１８のハンド部１８１は、パス部１７にアクセスして、水平初期姿勢の半導体ウエハ９を受け取る。そして、センターロボット１８は、ハンド部１８１を搬入出口１１１から洗浄処理ユニット１１ａ内へと延ばし、半導体ウエハ９を洗浄処理ユニット１１ａ内へと搬入する。搬入終了後、搬入出口１１１は閉鎖され、洗浄処理ユニット１１ａ内で半導体ウエハ９（詳細には、半導体ウエハ９のデバイス形成面９１）の洗浄が行われる。
【００５６】
なお、センターロボット１８のハンド部１８１は上下方向に昇降自在とされている。複数の洗浄処理ユニット１１ａが、上下２段に重なって配置されている場合、センターロボット１８のハンド部１８１は、上段の洗浄処理ユニット１１ａおよび下段の洗浄処理ユニット１１ａのいずれにも半導体ウエハ９を搬入できる。
【００５７】
同様に、洗浄処理ユニット１１ｂが上下２段に重なって配置されている場合、センターロボット１８のハンド部１８１は、上段の洗浄処理ユニット１１ｂおよび下段の洗浄処理ユニット１１ｂのいずれにも半導体ウエハ９を搬入できる。
【００５８】
また、パス部１７についても、上下に半導体ウエハ９を載置する載置空間を複数形成していてもよい。この場合、インデクサロボット１６およびセンターロボット１８は、パス部１７の各載置空間との間で半導体ウエハ９の搬出入が可能に構成される。
【００５９】
洗浄処理ユニット１１ａ内で半導体ウエハ９の処理が完了すると、センターロボット１８は、当該半導体ウエハ９を洗浄処理ユニット１１ａから搬出し、パス部１７に移載する。そして、水平初期姿勢の半導体ウエハ９は、インデクサロボット１６によってＦＯＵＰの所定の位置に収容される。
【００６０】
基板処理装置１では、上記のように、少なくとも２種類の洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂを備えており、複数枚の半導体ウエハ９を、各洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂにおいて並列に処理できる。
【００６１】
＜パス部１７＞
図２は、第１実施形態のパス部１７の構成を示す概略平面図である。図３および図４は、第１実施形態のパス部１７を示す概略側面図である。パス部１７は、基板支持部１７０と、振動印加機構２０と、吸気機構３０と、反転機構４０とを備える。
【００６２】
基板支持部１７０は半導体ウエハ９が水平姿勢で載置される載置部を形成している。ここでは、基板支持部１７０は、水平な台から起立する複数のピンで構成されており、これら複数のピンの上端部によって半導体ウエハ９が支持される。
【００６３】
反転機構４０は、半導体ウエハ９の両端を把持する一対の把持部４２，４２と、一対の把持部４２，４２を変位させる変位機構４４とを備える。一対の把持部４２，４２は、半導体ウエハ９を両側から挟んで保持する。変位機構４４は、接離駆動部４４０、昇降駆動部４４２、および、回転駆動部４４４を含む。
【００６４】
接離駆動部４４０は、一対の把持部４２，４２を接近させることによって半導体ウエハ９を保持させ、一対の把持部４２，４２を離間させることによって、半導体ウエハ９の保持を解除させる。
【００６５】
昇降駆動部４４２は、一対の把持部４２，４２を、基板支持部１７０に支持された半導体ウエハ９を受け取る受取位置Ｌ１１と、受取位置Ｌ１１よりも高い回転位置Ｌ１２との間で昇降移動させる。
【００６６】
回転駆動部４４４は、回転位置Ｌ１２に配された一対の把持部４２，４２を、水平方向に延びる回転軸線Ｑ１まわりに回転させる。回転軸線Ｑ１は、回転位置Ｌ１２における一対の把持部４２，４２の間の位置であって、ここでは、中央の位置である。また、基板支持部１７０（詳細には、ピンの上端）から回転軸線Ｑ１までの高さＨ１は、半導体ウエハ９の幅の半分の寸法ｒ（半導体ウエハ９が円形の場合は半径）よりも大きい寸法である（すなわち、Ｈ１＞ｒ）。
【００６７】
また、図３に示すように、一対の把持部４２，４２は、１８０°反転させた状態の半導体ウエハ９を保持する。すなわち、一対の把持部４２，４２は、水平反転姿勢の半導体ウエハ９を保持可能な基板保持部の一例である。
【００６８】
＜振動印加機構２０＞
ＦＯＵＰ内などで特定の半導体ウエハ９に割れ（基板割れ）が発生した際、その破片などが異物ＰＴ１として他の半導体ウエハ９に付着する場合がある。当該異物ＰＴ１は、例えば縦横の幅および厚さが０．１ｍｍ以上のものを含み得る。このような異物ＰＴ１が半導体ウエハ９のデバイス形成面９１に付着していた場合、デバイス形成に支障をきたす虞があるほか、当該異物ＰＴ１がデバイス形成面９１上を擦過することにより、デバイス形成面９１にマイクロスクラッチが形成される虞がある。振動印加機構２０は、半導体ウエハ９に振動を印加することによって、半導体ウエハ９から異物ＰＴ１を落下させる。
【００６９】
ここでは、振動印加機構２０は、一対の把持部４２，４２（基盤保持物）によって保持された半導体ウエハ９に振動を印加する。より詳細には、振動印加機構２０は、振動発生器２１、アーム２２、回転機構２３、昇降機構２４を備えている。
【００７０】
振動発生器２１は、例えば圧電素子などの振動子を内蔵している。振動発生器２１は、制御部１０からの制御信号に基づいて振動子を振動させることにより、圧電素子を所定周波数（例えば、１ｋＨｚ以上、好ましくは５０ｋＨｚ）で微小振動させる。振動発生器２１は、この振動を対象物に伝達することで、対象物を振動させる。
【００７１】
振動発生器２１は、ここでは、水平方向に延びるアーム２２の先端部において吊下状に支持されている。アーム２２の基端部には、アーム２２を鉛直方向に延びる回転軸線Ｑ１０まわりに回転させる回転機構２３と、アーム２２を鉛直方向に昇降させる昇降機構２４とを備えている。回転機構２３および昇降機構２４は、制御部１０からの制御信号に基づいて、アーム２２を回転変位および昇降変位させることにより、振動発生器２１を変位させる。回転機構２３および昇降機構２４は、振動発生器移動機構の一例である。
【００７２】
後述するように、回転機構２３および昇降機構２４は、振動発生器２１を、印加位置Ｌ２１と隔離位置Ｌ２２との間で移動させる。印加位置Ｌ２１は、回転位置Ｌ１２の一対の把持部４２，４２に保持された半導体ウエハ９に振動発生器２１が振動を印加するときの、振動発生器２１の位置である。また、隔離位置Ｌ２２は、印加位置Ｌ２１よりも半導体ウエハ９から隔離されるときの振動発生器２１の位置である。ここでは、回転位置Ｌ１２の一対の把持部４２，４２把持された半導体ウエハ９の周縁部よりも径方向外側の位置である。
【００７３】
＜吸気機構３０＞
吸気機構３０は、半導体ウエハ９に対する振動印加によって、半導体ウエハ９から落下した異物ＰＴ１を吸気する機構である。吸気機構３０は、回転位置Ｌ１２に配された半導体ウエハ９の下方の位置において上方に向けて開口を形成する１つ以上の吸気口部３１と、真空ポンプ３２と、各吸気口部３１と真空ポンプ３２とを接続する吸気ライン３３とを含む。ここでは、４つの吸気口部３１が、隣接する基板支持部１７０（ピン）の間にそれぞれ配置されている。
【００７４】
＜反転処理および振動印加処理＞
次に、パス部１７において実施される反転処理および振動印加処理について、図３および図４を参照しつつ説明する。なお、図３は、半導体ウエハ９が水平初期姿勢から水平反転姿勢にされる様子を示しており、図４は、半導体ウエハ９に振動が印加される様子を示している。
【００７５】
まず、パス部１７に半導体ウエハ９が基板支持部１７０において水平初期姿勢（デバイス形成面９１が上向きとなる姿勢）で載置された状態で、反転機構４０が一対の把持部４２，４２を半導体ウエハ９の両側に配する。そして、接離駆動部４４０が、一対の把持部４２，４２を互いに接近させて受取位置Ｌ１１に移動させる。これにより、一対の把持部４２，４２が半導体ウエハ９を保持する（基板保持工程Ｓ２１）。
【００７６】
半導体ウエハ９が一対の把持部４２，４２に保持されると、昇降駆動部４４２が一対の把持部４２，４２を受取位置Ｌ１１から回転位置Ｌ１２まで上昇させる。そして、回転駆動部４４４が一対の把持部４２，４２を回転軸線Ｑ１まわりに１８０°回転させることにより、半導体ウエハ９を水平初期姿勢から水平反転姿勢とする（基板回転工程Ｓ２２）。
【００７７】
半導体ウエハ９が水平反転姿勢とされると、図４に示すように、振動印加機構２０が振動発生器２１を印加位置Ｌ２１まで移動させる。詳細には、回転機構２３がアーム２２を回動させて振動発生器２１を半導体ウエハ９よりも上側の位置に配する。そして、昇降機構２４が、アーム２２を下降させることにより、振動発生器２１を半導体ウエハ９の上面（ここでは、裏面９２）に当接する印加位置Ｌ２１に配置する。そして、振動発生器２１が、半導体ウエハ９の上面に当接した状態で振動することによって、半導体ウエハ９を振動させる（振動印加工程Ｓ２３）。
【００７８】
また、吸気機構３０が吸気口部３１から雰囲気を吸気する（吸気工程Ｓ２４）。これにより、水平反転姿勢の半導体ウエハ９から振動によって落下する異物ＰＴ１が回収される。吸気機構３０が吸気を開始するタイミングは、例えば、半導体ウエハ９がパス部１７に導入された時点から振動印加機構２０が半導体ウエハ９に振動を印加する時点までの間で任意に設定され得る。振動印加機構２０が半導体ウエハ９を振動させている間は、吸気機構３０が吸気を継続して行うことが望ましい。また、振動印加機構２０が半導体ウエハ９を振動させる前から吸気機構３０が吸気を開始することによって、反転処理により半導体ウエハ９から自然に落下した異物ＰＴ１についても回収することができる。
【００７９】
振動印加機構２０は、半導体ウエハ９に振動を印加し始めてから所定時間が経過すると、振動発生器２１の振動を停止させる。そして、昇降機構２４および回転機構２３がアーム２２を昇降および旋回させることによって、印加位置Ｌ２１の振動発生器２１を隔離位置Ｌ２２に移動させる。
【００８０】
半導体ウエハ９への振動印加が完了すると、昇降駆動部４４２が一対の把持部４２，４２を回転位置Ｌ１２から受取位置Ｌ１１まで下降させる。本実施形態では、振動発生器２１は、半導体ウエハ９の上側にある。このため、一対の把持部４２，４２の下降は、振動発生器２１の印加位置Ｌ２１から隔離位置Ｌ２２へ向けた移動を開始するよりも前に行われてもよい。
【００８１】
一対の把持部４２，４２が受取位置Ｌ１１まで下降することにより、半導体ウエハ９が基板支持部１７０に支持された状態となる。そして、接離駆動部４４０が一対の把持部４２，４２を互いに離間させることにより、一対の把持部４２，４２による半導体ウエハ９の保持が解除され、半導体ウエハ９が基板支持部１７０に渡される。以上のようにして、パス部１７においては、半導体ウエハ９が、デバイス形成面９１が上向きとなる水平初期姿勢から、デバイス形成面９１が下向きとなる水平反転姿勢に変換される。
【００８２】
パス部１７においては、反転機構４０は、水平反転姿勢の半導体ウエハ９を水平初期姿勢に変換することも可能である。この姿勢変換は、図３において説明した内容と同じ要領で行うことができるため、ここでは、詳細な説明を省略する。
【００８３】
半導体ウエハ９が水平反転姿勢の状態で、かつ、異物ＰＴ１が付着した対象面（ここでは、デバイス形成面９１）が下方に向けられた状態で、半導体ウエハ９に振動が印加される。このため、振動により半導体ウエハ９から剥離した異物ＰＴ１が、半導体ウエハ９の表面に沿って擦過することなく、下方に落下させることができる。このため、半導体ウエハ９にマイクロスクラッチが発生することを有効に抑制しつつ、異物ＰＴ１を剥離することができる。
【００８４】
なお、一対の把持部４２，４２を振動させることによって、半導体ウエハ９に振動を印加するようにしてもよい。しかしながら、一対の把持部４２，４２などの保持部を振動させることによって半導体ウエハ９を振動させる場合、半導体ウエハ９全体が同一方向に震えるように振動することで、半導体ウエハ９を良好に振動させることが困難なときがある。これに対して、本実施形態では、半導体ウエハ９において、一対の把持部４２，４２によって保持されている部分（被保持部分）は略固定されており、これとは異なる被印加部分に振動が印加される。このため、半導体ウエハ９において、被保持部分を固定端として、半導体ウエハ９が振動する。これにより、被印加部分と被保持部分との間が、波打つように振動する。したがって、半導体ウエハ９のデバイス形成面９１に付着した異物ＰＴ１を効率的に剥離することができる。
【００８５】
また、洗浄処理ユニット１１ｂに半導体ウエハ９を搬送するために半導体ウエハ９を水平反転姿勢にした機会に乗じて、振動印加機構２０が半導体ウエハ９を振動させる。このため、半導体ウエハ９のデバイス形成面９１に付着した異物ＰＴ１を、効率良く剥離することができる。
【００８６】
なお、本実施形態では、反転機構４０が水平初期姿勢の半導体ウエハ９を１８０°回転させて水平反転姿勢としている。しかしながら、例えば、パス部１７において、反転機構４０が、デバイス形成面９１の法線方向が鉛直方向上向きであるが、水平姿勢でない半導体ウエハ９を、水平反転姿勢してもよい。この場合、反転機構４０は、半導体ウエハ９を回転軸線Ｑ１まわりに１８０°未満の角度だけ回転させて、水平反転姿勢にするとよい。
【００８７】
また、振動発生器２１が振動印加する際、一対の把持部４２，４２が回転位置Ｌ１２よりも低い位置に配してもよい。これにより、半導体ウエハ９を吸気口部３１に近づけることができるため、異物ＰＴ１を良好に回収することができる。
【００８８】
また、本実施形態では、一対の把持部４２，４２によって空中に保持された状態の半導体ウエハ９を振動印加機構２０が振動させている。しかしながら、振動印加機構２０は、基板支持部１７０（ここでは、複数のピン）に保持された水平反転姿勢の半導体ウエハ９に対して、振動を印加するようにしてもよい。
【００８９】
また、振動印加機構２０が半導体ウエハ９に直接接触して振動を印加することは必須ではなく、非接触で半導体ウエハ９を振動させてもよい。例えば、振動発生器２１が半導体ウエハ９から離れた位置から半導体ウエハ９に向けて超音波を発することによって、半導体ウエハ９を振動させてもよい。
【００９０】
また、半導体ウエハ９を保持する保持部を介して、半導体ウエハ９に振動を印加するようにしてもよい。例えば、半導体ウエハ９を保持する一対の把持部４２，４２、または、基板支持部１７０などを振動させることによって、半導体ウエハ９を振動させてもよい。
【００９１】
また、反転機構４０は、半導体ウエハ９を反転させる（すなわち、水平初期姿勢と水平反転姿勢との間で姿勢変換させる）ことが可能であればどのような構成でもよい。例えば、一対の把持部４２，４２で半導体ウエハ９を挟持する代わりに、基板支持部１７０に載置された半導体ウエハ９の上面を吸着して、これを保持する吸着保持部も採用し得る。この場合、吸着保持された半導体ウエハ９の中心を通る水平な回転軸線まわりに吸着保持部を回転させて、半導体ウエハ９を反転させるとよい。
【００９２】
また、本実施形態では、先に振動印加処理を行った後に、洗浄処理ユニット１１ａにおいて洗浄処理が行われる。すなわち、先にデバイス形成面９１の異物ＰＴ１を除去してから、当該デバイス形成面９１の洗浄処理が行われる。このため、デバイス形成面９１の洗浄処理の際に、比較的大きな異物ＰＴ１によるデバイス形成面９１の擦過を有効に抑制することができる。
【００９３】
＜洗浄処理ユニット１１ｂの構成＞
図５は、第１実施形態の洗浄処理ユニット１１ｂを示す図である。洗浄処理ユニット１１ｂは、ステージ５０と、複数のチャックピン５２と、ステージ回転駆動部５４と、処理液供給ノズル５６と、ガススプレーノズル５８と、カップ５９とを備える。
【００９４】
ステージ５０は、円板状に形成された部材であり、その上面に複数のチャックピン５２が設けられている。複数のチャックピン５２は、半導体ウエハ９の周縁部を保持可能である。各チャックピン５２は、回転軸線Ｑ２まわりに等間隔で設けられている。ステージ回転駆動部５４は、回転軸線Ｑ２まわりにステージ５０を回転させる。
【００９５】
処理液供給ノズル５６は、チャックピン５２に保持された半導体ウエハ９の上面に向けてられている。処理液供給ノズル５６は、不図示の処理液供給源に配管接続されており、ポンプなどの圧送機構によって、処理液を半導体ウエハ９に供給する。ここでは、処理液供給ノズル５６は、半導体ウエハ９の上面（ここでは、裏面９２）の中心に向けて処理液を吐出する。処理液としては、半導体ウエハ９の液処理に用いられる液体である。処理液は、脱イオン水（ＤＩＷ）であってもよい。
【００９６】
ガススプレーノズル５８は、ガスをチャックピン５２に保持された洗浄処理ユニット１１の上面に向けて供給するためのノズルである。ガススプレーノズル５８は、ガス供給源に配管接続されており、ガスを半導体ウエハ９に向けて噴射する。ガスは例えば不活性ガスである窒素や、空気などである。ノズル移動機構５８１は、ガススプレーノズル５８を水平方向荷移動させる。
【００９７】
カップ５９は、ステージ５０および半導体ウエハ９の外周を取り囲み可能な略筒状に形成されている。カップ５９は、洗浄処理ユニット１１ｂにおいて半導体ウエハ９の上面を処理する際に、回転する半導体ウエハ９から周囲に振り切られる処理液を受け止める。カップ５９は、不図示の昇降機構によって、半導体ウエハ９を取り囲み可能な位置と、半導体ウエハ９よりも低い位置との間で昇降可能とされている。
【００９８】
＜洗浄処理ユニット１１ｂにおける洗浄処理について＞
洗浄処理ユニット１１ｂは、水平反転姿勢（裏面９２が上向きの姿勢）の半導体ウエハ９を複数のチャックピン５２で保持する。そして、ステージ回転駆動部５４がステージ５０を回転軸線Ｑ２まわりに回転させることによって、半導体ウエハ９を回転させる。
【００９９】
処理液供給ノズル５６は、回転する半導体ウエハ９の上面に向けて、所定の処理液を吐出し、半導体ウエハ９の上面を液処理する。半導体ウエハ９の上面に供給された処理液は、回転する半導体ウエハ９の周縁部に向けて移動し、さらに、その周縁部から外側へ振り切られる。半導体ウエハ９から振り切られた処理液は、カップ５９の内面で受け止められる。
【０１００】
半導体ウエハ９の上面に処理液が供給されている間、ガススプレーノズル５８が半導体ウエハ９の上面に向けてガスを噴射する（ガススプレー処理）。ガススプレーノズル５８は、ノズル移動機構５８１によって、回転中の半導体ウエハ９上を径方向に走査することによって、半導体ウエハ９の全面にガスを吹き付ける。洗浄処理ユニット１１ｂでは、ガスの吹き付けおよび処理液の供給により、半導体ウエハ９に付着したパーティクル（主に、異物ＰＴ１よりも小さな異物（例えば、縦横の幅および厚さが０．１ｍｍ未満のもの））が除去される。
【０１０１】
なお、半導体ウエハ９が、ＤＩＷを適用することができない基板である場合（例えば、ｌｏｗ−Ｋ膜を有する場合など、吸湿で変質するような場合）、洗浄処理ユニット１１ｂにおいては、ガススプレー処理のみが行われるようにしてもよい。
【０１０２】
本実施形態では、先に振動印加処理によって大きい異物が除去されているため、比較的小さい異物が半導体ウエハ９に存在する。このため、ガススプレー処理や液処理を行った際に、異物ＰＴ１による半導体ウエハ９におけるマイクロスクラッチの発生を抑制することができる。
【０１０３】
＜２．  第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号またはアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。
【０１０４】
図６は、第２実施形態に係る洗浄処理ユニット１１ｂを示す概略図である。本実施形態では、洗浄処理ユニット１１ｂに振動印加機構２０が設けられており、洗浄処理ユニット１１ｂにおいて半導体ウエハ９に振動が印加されることにより、異物ＰＴ１の剥離が行われる。以下、洗浄処理ユニット１１ｂにおいて行われる振動印加処理について説明する。
【０１０５】
＜洗浄処理ユニット１１ｂにおける振動印加処理について＞
まず、水平反転姿勢の半導体ウエハ９が、洗浄処理ユニット１１ｂに搬入され、複数のチャックピン５２によって把持される。この水平反転姿勢の半導体ウエハ９は、パス部１７において、反転機構４０により反転されたものである。
【０１０６】
次に、振動印加機構２０が、振動発生器２１を印加位置に移動させて、複数のチャックピン５２に保持された半導体ウエハ９の上面（裏面９２）に接触させる。そして、振動発生器２１は、所定時間だけ、半導体ウエハ９に対して振動を印加する。所定時間が経過すると、振動印加機構２０は、振動発生器２１を半導体ウエハ９から退避させる。
【０１０７】
なお、ここでは、振動発生器２１が半導体ウエハ９に接触することにより、半導体ウエハ９に振動が印加されるが、これは必須ではない。例えば、振動発生器２１が、液体などの媒体を介して半導体ウエハ９に振動を印加してもよい。
【０１０８】
具体的には、図６に示すように、半導体ウエハ９の上面（裏面９２）に、処理液供給ノズル５６から処理液（例えば、ＤＩＷ）が供給されることにより、処理液の液膜が形成された状態とする。なお、ステージ回転駆動部５４がステージ５０を低回転速度（例えば、１００ｒｐｍ以下）で回転させることにより、半導体ウエハ９が回転させてもよい。これにより、半導体ウエハ９の上面に処理液の液膜を安定的に形成することができる。また、低回転速度とすることにより、下面側（デバイス形成面９１側）の異物ＰＴ１が半導体ウエハ９の周囲に勢いよく飛散することを抑制することができる。
【０１０９】
処理液の液膜が形成されると、振動印加機構２０が印加位置Ｌ２１ａに配置され、半導体ウエハ９に振動が与えられる。印加位置Ｌ２１ａは、振動発生器２１の下面が、半導体ウエハ９の上面（裏面９２）から所定の距離だけ僅かに離間しており、かつ、液膜に接触可能な高さ位置である。
【０１１０】
本実施形態では、振動発生器２１は、印加位置Ｌ２１ａにおいて、処理液を介して半導体ウエハ９に振動を印加する。振動が印加される被印加部分は、例えば、半導体ウエハ９の中央部である。この場合、振動発生器２１を半導体ウエハ９に直接接触させる場合よりも、振動伝播効率が高めることができる。また、基板に振動発生器２１を直接接触させることなく基板に大きな振動エネルギーを印加することが可能となる。したがって、半導体ウエハ９からの異物ＰＴ１の剥離を効率良く行うことができる。また、振動を印加された半導体ウエハ９は、その周縁部のチャックピン５２各々に保持された被保持部分を固定端として振動する。このため、基板保持部である各チャックピン５２を介して振動を印加する場合に比べて、異物ＰＴ１の剥離を効率良く行うことができる。
【０１１１】
振動印加処理が完了すると、第１実施形態において説明したように、洗浄処理ユニット１１ｂが液処理およびガススプレー処理を行うとよい。振動印加処理および洗浄処理が終わると、複数のチャックピン５２による半導体ウエハ９の保持が解除される。そして、センターロボット１８が半導体ウエハ９を洗浄処理ユニット１１ｂから搬出する。
【０１１２】
洗浄処理ユニット１１ｂにおいては、半導体ウエハ９が搬送された後、ステージ５０上面の洗浄が行われてもよい。詳細には、処理液供給ノズル５６が洗浄液をステージ５０に向けて吐出するとともに、ステージ回転駆動部５４がステージ５０を所定の回転速度で回転させる。これにより、洗浄液がステージ５０の中央部から外縁部に向けて移動し、外縁部からステージ５０の外側へ振り切られる。この洗浄液の移動により、ステージ５０に落下した異物ＰＴ１がステージ５０から除去される。
【０１１３】
なお、半導体ウエハ９の下方にて雰囲気の吸気を行う吸気機構を設けてもよい。例えば、ステージ５０に、吸気ラインに接続された１つ以上の吸気孔を設けてもよい。当該吸気孔から吸気を行うことによって、振動印加処理の際に半導体ウエハ９から剥離して落下した異物ＰＴ１を回収することができる。
【０１１４】
＜３．  第３実施形態＞
上記第１および第２実施形態では、パス部１７において、半導体ウエハ９の反転が行われている。しかしながら、半導体ウエハ９の反転は、搬送機構が行ってもよい。
【０１１５】
図７は、第３実施形態のセンターロボット１８ａを示す図である。センターロボット１８ａは、図１に示すセンターロボット１８の代わりに用いられる搬送機構であって、パス部１７と洗浄処理ユニット１１ａ，１１ｂとの間で半導体ウエハ９の搬送を行う。
【０１１６】
センターロボット１８ａは、図２に示す反転機構４０と同様に、基板を両側から挟持する水平方向に延びる一対の把持部４２ａ，４２ａと、一対の把持部４２ａ，４２ａを接離させる接離駆動部４４０、および、一対の把持部４２ａ，４２ａを回転軸線Ｑ２まわりに回転させる平行な転駆動部４４４ａとを備える。
【０１１７】
センターロボット１８ａは、パス部１７から水平初期姿勢の半導体ウエハ９を受け取る際、一対の把持部４２ａ，４２ａで半導体ウエハ９を保持する。そして、センターロボット１８ａは、パス部１７または洗浄処理ユニット１１ａから取り出した水平初期姿勢の半導体ウエハ９を、洗浄処理ユニット１１ｂに搬入する前に、水平反転姿勢にする。
【０１１８】
詳細には、接離駆動部４４０ａが一対の把持部４２ａ，４２ａを回転軸線Ｑ２まわりに回転させることにより、半導体ウエハ９を１８０°反転させて水平反転姿勢とする。そして、センターロボット１８ａは、当該水平反転姿勢の半導体ウエハ９を洗浄処理ユニット１１ｂに搬入する。また、センターロボット１８ａは、これと同じ要領で、水平反転姿勢の半導体ウエハ９をさらに反転させることにより、水平初期姿勢にする。
【０１１９】
洗浄処理ユニット１１ｂに搬入された半導体ウエハ９は、図６において説明したように、洗浄処理ユニット１１ｂにおいて振動印加機構２０から振動が印加される。これにより、洗浄処理ユニット１１ｂのデバイス形成面９１に付着した異物ＰＴ１を剥離することができる。
【０１２０】
本実施形態の場合、洗浄処理ユニット１１ｂに搬入するために、半導体ウエハ９をセンターロボット１８ａが反転させた機会に乗じて、振動印加機構２０が半導体ウエハ９を振動させる。このため、半導体ウエハ９のデバイス形成面９１に付着した異物ＰＴ１の剥離を効率良く行うことができる。
【０１２１】
なお、洗浄処理ユニット１１ｂにおいて振動印加機構２０が振動を印加することは必須ではない。例えば、図３において説明したように、パス部１７から半導体ウエハ９を受け取ったセンターロボット１８ａが、パス部１７において半導体ウエハ９を反転させる。そして、パス部１７に配設された振動印加機構２０が、センターロボット１８ａに保持された半導体ウエハ９に振動印加処理を行ってもよい。
【０１２２】
また、洗浄処理ユニット１１ｂとは別の場所に設けられた専用処理スペースを設け、当該専用処理スペースにおいて、基板に処理液パドルし、処理液を会して半導体ウエハ９に振動を印加させる装置構成としてもよい。
【０１２３】
また、基板処理装置１におけるパス部１７および洗浄処理ユニット１１ａ、洗浄処理ユニット１１ｂとは異なる場所に、振動印加を行う専用のチャンバーが設け、そのチャンバー内に振動印加機構２０を設けてもよい。専用チャンバーにおいて振動印加処理が行われてもよい。
【０１２４】
また、本実施形態では、センターロボット１８ａが反転機構を備えているが、インデクサロボット１６がセンターロボット１８ａと同様の反転機構を備えてもよい。
【０１２５】
また、本実施形態では、反転機構４０における一対の把持部４２，４２またはセンターロボット１８ａの一対の把持部４２ａ，４２ａが、半導体ウエハ９を挟持しているが、これは必須ではない。例えば、センターロボット１８ａが半導体ウエハ９を挟持する代わりに、吸着して保持するようにしてもよい。
【０１２６】
＜４．  第４実施形態＞
図８は、第４実施形態の振動印加機構２０が回転姿勢の半導体ウエハ９に振動を印加する様子を示す概略側面図である。本実施形態では、第２実施形態において説明した反転機構４０と同様に、一対の把持部４２，４２が水平初期姿勢の半導体ウエハ９を把持する。しかしながら、本実施形態では、回転駆動部４４４が、一対の把持部４２，４２を回転軸線Ｑ１まわりに９０°以上１８０°未満の角度θ（例えば、１３５°）だけ回転させる。これにより、半導体ウエハ９の姿勢が水平方向に対して傾いた反転姿勢とされる。すなわち、デバイス形成面９１（対象面）が、鉛直方向下向きではあるものの水平方向に対して傾いた状態となる。図８に示すように、この反転姿勢は、鉛直方向に対して斜めに傾斜した傾斜姿勢である。
【０１２７】
本実施形態の振動印加機構２０は、この回転姿勢の半導体ウエハ９の裏面９２に振動発生器２１を当接する。振動発生器２１の下面も反転姿勢の半導体ウエハ９の傾きに対応した角度（ここでは、４５°）だけ傾斜した状態で、傾斜姿勢の半導体ウエハ９の裏面９２に当接して、半導体ウエハ９に振動を印加する。
【０１２８】
本実施形態においても、デバイス形成面９１の法線方向は、鉛直方向下向きの成分を持つ。このため、裏面９２側から振動発生器２１で振動を印加することによって、デバイス形成面９１に付着した異物ＰＴ１を剥離して、下方に落下させることができる。
【０１２９】
また、上述したように、振動発生器２１で振動を印加することによって、被保持部分を固定端とする振動を半導体ウエハ９に発生させることができる。このため、一対の把持部４２，４２を介して振動印加する場合よりも、対象面であるデバイス形成面９１から異物ＰＴ１を効率良く剥離することができる。
【０１３０】
本実施形態では、水平姿勢でない状態で振動が印加される。このため、デバイス形成面９１から剥離した異物ＰＴ１が、デバイス形成面９１上の他の部分に接触して落下する可能性がある。したがって、第１実施形態〜第３実施形態で説明したように、水平反転姿勢の半導体ウエハ９に対して行われることが望ましい。
【０１３１】
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１  基板処理装置
１０  制御部
１１ｂ  洗浄処理ユニット（処理部）
１１１  搬入出口
１７  パス部
１８，１８ａ  センターロボット（基板搬送部）
２０  振動印加機構
２１  振動発生器
３０  吸気機構
４０  反転機構
４２，４２ａ  把持部
４４  変位機構
５０  ステージ
５６  処理液供給ノズル
９  半導体ウエハ
９１  デバイス形成面（対象面）
９２  裏面
ＰＴ１  異物
Ｑ１  回転軸線
Ｓ２１  基板保持工程
Ｓ２２  基板回転工程
Ｓ２３  振動印加工程
Ｓ２４  吸気工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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