(57)【要約】【課題】走査線から画素トランジスターへの電気的な影響を抑制しつつ、素子基板の基板本体側から画素トランジスターの半導体層への光の入射を抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置の素子基板１０では、走査線３ａと画素トランジスター３０の半導体層１ａとの間に、定電位が印加された遮光性のシールド配線２ａが設けられており、シールド配線２ａには定電位が印加されている。従って、シールド配線２ａおよび走査線３ａを半導体層１ａに近接させても、画素トランジスター３０に対して電気的な影響を及ぼしにくいので、素子基板１０の第１基板１９の側から半導体層１ａに入射しようとする光を効果的に遮ることができる。シールド配線２ａは、走査線３ａに対して交差する方向に延在している。【選択図】図６
2019040073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の一方面側に画素電極が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向する第２
基板の前記素子基板側の面に共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向
基板との間に設けられた電気光学層と、を有し、
前記素子基板は、
前記第１基板と前記画素電極との間に設けられた半導体層、および前記半導体層に対し
て前記画素電極側に設けられたゲート電極を備え画素トランジスターと、
前記第１基板と前記半導体層との間に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記半導体層との間に設けられた第２絶縁層と、
前記第１基板と前記第１絶縁層との間に設けられ、前記第１絶縁層および前記第２絶縁
層を貫通するコンタクトホールを介して前記ゲート電極に電気的に接続された走査線と、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に前記半導体層と平面視で重なるように設けら
れ、定電位が印加された遮光性のシールド配線と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記走査線は、遮光性を有し、前記半導体層と平面視で重なるように設けられているこ
とを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記シールド配線は、前記走査線に対して交差する方向に延在していることを特徴とす
る電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記半導体層は、前記走査線に対して交差する方向にチャネル長方向を向け、
前記コンタクトホールは、前記半導体層に対してチャネル幅方向で離間する位置に設け
られていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記定電位は、グランド電位、前記共通電極に印加される共通電位、または駆動回路用
の低電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板に画素トランジスターに対する遮光層を備えた電気光学装置、およ
び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置（液晶装置）では、光
源からの強い光が照射される。このため、光源からの光が素子基板の側から入射して画素
トランジスターの半導体層に入射すると、画素トランジスターが光電流に起因する誤動作
を発生させるおそれがある。また、光源からの光が対向基板の側から入射した場合でも、
迷光や戻り光が素子基板の基板本体側から画素トランジスターの半導体層に入射すると、
画素トランジスターが光電流に起因する誤動作を発生させるおそれがある。そこで、素子
基板の基板本体と半導体層との間に、半導体層に平面視で重なるように遮光層の走査線を
設け、走査線によって半導体層への光の入射を抑制する構造が提案されている（特許文献
１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１１９５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
画素トランジスターの半導体層に対する走査線による遮光効果を高めるには、半導体層
に走査線を近接させる必要があるが、その場合、走査線を介して供給される走査信号が画
素トランジスターに電気的な影響を及ぼすという問題がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、走査線から画素トランジスターへの電気的な
影響を抑制しつつ、素子基板の基板本体側から画素トランジスターの半導体層への光の入
射を抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板の一方面側に
画素電極が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向する第２基板の前記素子基板側の
面に共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた
電気光学層と、を有し、前記素子基板は、前記第１基板と前記画素電極との間に設けられ
た半導体層、および前記半導体層に対して前記画素電極側に設けられたゲート電極を備え
た画素トランジスターと、前記第１基板と前記半導体層との間に設けられた第１絶縁層と
、前記第１絶縁層と前記半導体層との間に設けられた第２絶縁層と、前記第１基板と前記
第１絶縁層との間に設けられ、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通するコンタク
トホールを介して前記ゲート電極に電気的に接続された走査線と、前記第１絶縁層と前記
第２絶縁層との間に前記半導体層と平面視で重なるように設けられ、定電位が印加された
遮光性のシールド配線と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明では、走査線と画素トランジスターの半導体層との間に、定電位が印加された遮
光性のシールド配線が設けられているため、素子基板の第１基板（基板本体）の側から半
導体層に入射しようとする光をシールド配線によって遮ることができる。また、定電位が
印加されたシールド配線であれば、半導体層に近接させても、画素トランジスターに対し
て電気的な影響を及ぼしにくい。それ故、走査線から画素トランジスターへの電気的な影
響を抑制しつつ、シールド配線によって、素子基板の第１基板の側から半導体層に入射し
ようとする光を効果的に遮ることができる。
【０００８】
本発明において、前記走査線は、遮光性を有し、前記半導体層と平面視で重なるように
設けられている態様を採用することができる。本発明では、走査線と半導体層との間にシ
ールド配線が介在するため、走査線を半導体層に近接させて、素子基板の第１基板の側か
ら半導体層に入射しようとする光を走査線によって遮る場合でも、走査線から画素トラン
ジスターへの電気的な影響を抑制することができる。
【０００９】
本発明において、前記シールド配線は、前記走査線に対して交差する方向に延在してい
る態様を採用することができる。かかる態様によれば、シールド配線の延在方向から半導
体層に向けて斜めに入射しようとする光をシールド配線で遮ることができ、走査線の延在
方向から半導体層に斜めに入射しようとする光を走査線で遮ることができる。
【００１０】
本発明において、前記半導体層は、前記走査線に対して交差する方向にチャネル長方向
を向け、前記コンタクトホールは、前記半導体層に対してチャネル幅方向で離間する位置
に設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、コンタクトホール
と重ならない領域でシールド配線を延在させることが容易である。
【００１１】
本発明において、前記定電位は、グランド電位、前記共通電極に印加される共通電位、
または駆動回路用の低電位である態様を採用することができる。かかる電位であれば、電
気光学装置でもとより用いられているので、シールド配線に供給する定電位を別途、準備
する必要がない。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。本発明では、電子機器のう
ち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に
供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光
学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の平面図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の断面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置のＦ−Ｆ′断面図である。
【図５】図３に示す構成要素のうち、走査線、半導体層、ゲート電極、コンタクトホール、およびシールド配線のレイアウトを示す平面図である。
【図６】図５に示す走査線、半導体層、ゲート電極、コンタクトホール、およびシールド配線の立体的な位置関係を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、素子基板に形成される層を説明す
る際、上層側あるいは表面側とは基板が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）
を意味し、下層側とは基板が位置する側を意味する。
【００１５】
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電
気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００で
は、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合
わされており、素子基板１０と対向基板２０とが対向している。シール材１０７は対向基
板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間で
シール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従
って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化
性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の
距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配
合されている。素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置
１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状
に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域
１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
【００１６】
素子基板１０は、基板本体として、石英基板やガラス基板等の透光性の第１基板１９を
有している。第１基板１９の対向基板２０側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａ
の外側には、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０
２が形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されてい
る。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１
０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００１７】
また、第１基板１９の一方面１９ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画
素電極９ａの各々に電気的に接続する画素トランジスター（図２には図示せず）がマトリ
クス状に形成されている。画素電極９ａに対して対向基板２０側には第１配向膜１６が形
成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。
【００１８】
対向基板２０は、基板本体として、石英基板やガラス基板等の透光性の第２基板２９を
有している。第２基板２９において素子基板１０と対向する一方面２９ｓ側には、ＩＴＯ
膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して素子基板１
０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２９の略全面に形
成されており、第２配向膜２６によって覆われている。第２基板２９の一方面２９ｓ側に
は、共通電極２１に対して素子基板１０とは反対側に、樹脂、金属または金属化合物から
なる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層
２８が形成されている。遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在す
る額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａに
より挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層２７ｂとしても形成されている。本形態
において、素子基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なるダミー
画素領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されてい
る。
【００１９】
第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、
ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学
層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液
晶分子は、素子基板１０および対向基板２０に対して所定の角度を成している。このよう
にして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード
の液晶装置として構成されている。
【００２０】
素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領
域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１
０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１
０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび
基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため
、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位が印加されている。
【００２１】
本形態において、素子基板１０には、例えば、端子１０２ａを介して共通電位Ｖｃｏｍ
が供給され、端子１０２ｂを介してグランド電位ＧＮＤが供給され、端子１０２ｃを介し
て駆動回路用の高電位Ｖｄｄが供給され、端子１０２ｄを介して駆動回路用の低電位Ｖｓ
ｓが供給される。
【００２２】
本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜（
透光性導電膜）により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構
成されている。かかる電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち
、一方側の基板から電気光学層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間
に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、対向基板２０から入射
した光が素子基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調さ
れ、画像を表示する。
【００２３】
（画素の具体的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。
図４は、図１に示す電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３、および後
述する図５では、各層を以下の線で表してある。また、図３では、互いの端部が平面視で
重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある
。
下層側遮光層８ａ（走査線３ａ）、およびゲート電極３ｂ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
シールド配線２ａ＝太い二点鎖線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
【００２４】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する面には、複数の画素
の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領
域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。画素間領域は縦横に延在し
ており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線
的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在し
ている。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が
形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３
ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａ
が形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。容量線５
ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。
画素トランジスター３０の上層側には上層側遮光層７ａが形成されており、かかる上層側
遮光層７ａは、データ線６ａおよび走査線３ａに重なるように延在している。画素トラン
ジスター３０の下層側には下層側遮光層８ａが形成されており、かかる下層側遮光層８ａ
は、走査線３ａとして用いられている。
【００２５】
図４に示すように、素子基板１０では、第１基板１９の一方面１９ｓ側には、シリコン
酸化膜等からなる透光性の第１絶縁層１１が形成され、第１絶縁層１１の上層側には、シ
リコン酸化膜等からなる透光性の第２絶縁層１２が積層されている。第１基板１９と第１
絶縁層１１との間には下層側遮光層８ａが形成されている。下層側遮光層８ａは、タング
ステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等の遮光膜からなる。下層側遮
光層８ａは走査線３ａとして構成されており、後述するコンタクトホール１２ａを介して
ゲート電極３ｂに電気的に接続されている。第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間には
後述するシールド配線２ａが形成されている。
【００２６】
第２絶縁層１２の上層側には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成さ
れている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導
体層１ａと、半導体層１ａの上層側で半導体層１ａの長さ方向と直交する方向（走査線３
ａの延在方向）に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂと
を備えている。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光
性のゲート絶縁層３２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶
縁層３２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの
両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。画素トランジスター３０は
、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チ
ャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反
対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００２７】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁層３２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層
３２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層３
２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイ
ド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、ゲート絶縁層３２、第２絶縁層
１２、および第１絶縁層１１を貫通して走査線３ａに到達するコンタクトホール１２ａを
介して走査線３ａに電気的に接続されている。
【００２８】
ゲート電極３ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成
され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４
ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導
電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃと一部が重なるよ
うに形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層３２を貫通するコンタクトホー
ル４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００２９】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッ
パー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層
側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン
窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜
、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸
化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコ
ン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。容量線５ａ
は、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成してい
る。
【００３０】
容量線５ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成さ
れており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の
導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコ
ン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６
ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁
層３２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂに導通している。中継
電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホ
ール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００３１】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、上層側遮光層７ａお
よび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４の表面は平坦
化されている。上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属
シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間
絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上
層側遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能してい
る。なお、上層側遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよ
い。
【００３２】
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性
の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等から
なる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、中継電極７ｂまで到達したコ
ンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介
して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、
中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している
。層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや
無機配向膜からなる透光性の第１配向膜１６が形成されている。
【００３３】
（半導体層１ａに対する遮光構造）
図５は、図３に示す構成要素のうち、走査線３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ｂ、コ
ンタクトホール１２ａ、およびシールド配線２ａのレイアウトを示す平面図である。図６
は、図５に示す走査線３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ｂ、コンタクトホール１２ａ、
およびシールド配線２ａの立体的な位置関係を示す説明図である。
【００３４】
図３および図４を参照して説明したように、素子基板１０では、第１基板１９と画素電
極９ａとの間に画素トランジスター３０が設けられており、画素トランジスター３０は、
半導体層１ａと、半導体層１ａに対して画素電極９ａ側に設けられたゲート電極３ｂとを
備えている。また、素子基板１０には、第１基板１９と半導体層１ａとの間に第１絶縁層
１１とが設けられ、第１絶縁層１１と半導体層１ａとの間に第２絶縁層１２が設けられて
いる。第１基板１９と第１絶縁層１１との間には、走査線３ａが設けられており、走査線
３ａは、半導体層１ａと平面視で重なるように形成されている。
【００３５】
本形態では、図４に示すように、第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間に、半導体層
１ａと平面視で重なるようにシールド配線２ａが形成されている。従って、走査線３ａと
半導体層１ａとの間にシールド配線２ａが介在している。シールド配線２ａは、タングス
テンシリサイド、タングステン、窒化チタン等からなり、遮光性を有している。シールド
配線２ａは、図１に示す表示領域１０ａの外側で配線（図示せず）から、グランド電位Ｇ
ＮＤ、共通電位Ｖｃｏｍ、または駆動回路用の低電位Ｖｓｓ等の定電位が印加されている
。
【００３６】
ここで、走査線３ａとゲート電極３ｂとは、ゲート絶縁層３２、第２絶縁層１２、およ
び第１絶縁層１１を貫通して走査線３ａに到達するコンタクトホール１２ａを介して走査
線３ａに電気的に接続されていることから、シールド配線２ａは、第１絶縁層１１と第２
絶縁層１２との間でコンタクトホール１２ａと重ならない方向に延在している。
【００３７】
より具体的には、図５および図６に示すように、半導体層１ａは、走査線３ａに対して
交差する方向にチャネル長方向（ソース領域１ｂとドレイン領域１ｃとを結ぶ方向）を向
けており、コンタクトホール１２ａは、半導体層１ａに対してチャネル幅方向（チャネル
長方向と交差する方向）で離間する位置に設けられている。本形態では、コンタクトホー
ル１２ａは、半導体層１ａをチャネル幅方向で挟む２個所に設けられており、２つのコン
タクトホール１２ａは、走査線３ａの延在方向で離間している。従って、シールド配線２
ａは、２つのコンタクトホール１２ａの間を通って走査線３ａの延在方向に対して交差す
る方向に延在している。
【００３８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、走査線３ａと画素トラン
ジスター３０の半導体層１ａとの間に、定電位が印加された遮光性のシールド配線２ａが
設けられているため、素子基板１０の第１基板１９（基板本体）の側から半導体層１ａに
入射しようとする光をシールド配線２ａによって遮ることができる。すなわち、光源光が
対向基板２０の側から入射した際、迷光や戻り光が素子基板１０の第１基板１９の側から
画素トランジスター３０の半導体層１ａに入射しようとするが、かかる光の入射をシール
ド配線２ａによって遮ることができる。それ故、画素トランジスター３０が光電流に起因
する誤動作を発生させることを抑制することができる。
【００３９】
また、定電位が印加されたシールド配線２ａであれば、半導体層１ａに近接させても、
画素トランジスター３０に対して電気的な影響を及ぼしにくい。それ故、走査線３ａから
画素トランジスター３０への電気的な影響を抑制しつつ、シールド配線２ａによって、第
１基板１９の側から半導体層１ａに入射しようとする光を効果的に遮ることができる。
【００４０】
また、走査線３ａは、半導体層１ａと平面視で重なるように設けられているため、素子
基板１０の第１基板１９の側から半導体層１ａに入射しようとする光を走査線３ａによっ
ても遮ることができる。ここで、走査線３ａと半導体層１ａとの間にシールド配線２ａが
介在するため、走査線３ａを半導体層１ａに近接させて、第１基板１９の側から半導体層
１ａに入射しようとする光を走査線３ａによって遮る場合でも、走査線３ａから画素トラ
ンジスター３０への電気的な影響を抑制することができる。
【００４１】
また、シールド配線２ａは、走査線３ａに対して交差する方向に延在している。このた
め、シールド配線２ａの延在方向から半導体層１ａに向けて斜めに入射しようとする光を
シールド配線２ａで遮ることができ、走査線３ａの延在方向から半導体層１ａに斜めに入
射しようとする光を走査線３ａで遮ることができる。それ故、素子基板１０の第１基板１
９の側から半導体層１ａに入射しようとする光を効果的に遮ることができる。
【００４２】
また、半導体層１ａは、走査線３ａに対して交差する方向にチャネル長方向を向けてお
り、コンタクトホール１２ａは、半導体層１ａに対してチャネル幅方向（走査線３ａの延
在方向）で離間する位置に設けられている。このため、シールド配線２ａを走査線３ａに
対して交差する方向に延在させることにより、コンタクトホール１２ａと重ならない領域
でシールド配線２ａを延在させることが容易である。
【００４３】
また、シールド配線２ａに印加されている定電位は、グランド電位ＧＮＤ、共通電位Ｖ
ｃｏｍ、または駆動回路用の低電位Ｖｓｓであり、かかる電位であれば、電気光学装置１
００でもとより用いられている。従って、シールド配線２ａに供給する定電位を別途、準
備する必要がない。
【００４４】
［他の実施形態］
上記実施形態では、シールド配線２ａを走査線３ａと交差する方向に延在させたが、シ
ールド配線２ａを走査線３ａに沿うように延在させてもよい。例えば、半導体層１ａがチ
ャネル長方向を走査線３ａの延在方向に向けている場合、コンタクトホール１２ａは、半
導体層１ａからチャネル幅方向（走査線３ａと交差する方向）に離間する位置に設けられ
る。従って、シールド配線２ａを走査線３ａに沿う方向に延在させれば、シールド配線２
ａとコンタクトホール１２ａとが重なることを容易に回避することができる。
【００４５】
上記実施形態では、光源光が対向基板２０の側から入射した場合を説明したが、光源光
が素子基板１０の側から入射する場合には特に、素子基板１０の第１基板１９側から画素
トランジスター３０の半導体層１ａに強い光が入射しようとする。この場合でも、本発明
によれば、かかる光の入射を効果的に遮ることができる。また、本発明は、素子基板１０
および対向基板２０の少なくとも一方に画素電極９ａと平面視で重なるレンズを設けた場
合にも適用してもよい。
【００４６】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図７
は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構
成図である。図７に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機
器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブ
として用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に
示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有
するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から
射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイッ
クミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。
分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂ
にそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が
長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出
射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４７】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１
１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって
、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射
光学系）によってカラー画像が投射される。
【００４８】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を
用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成
してもよい。
【００４９】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示
装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や
直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタル
スチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１ａ…半導体層、１ｂ…ソース領域、１ｃ…ドレイン領域、１ｇ…チャネル領域、２ａ…
シールド配線、３ａ…走査線、３ｂ…ゲート電極、５ａ…容量線、６ａ…データ線、８ａ
…下層側遮光層、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…表示領域、１１…第１絶縁
層、１２…第２絶縁層、１２ａ…コンタクトホール、１９…第１基板、２０…対向基板、
２１…共通電極、２９…第２基板、３０…画素トランジスター、３２…ゲート絶縁層、８
０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…ライトバルブ
、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット、２１２４…出射レンズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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