(57)【要約】【課題】  端子の不具合を抑制し、表示装置の歩留まりを改善する。【解決手段】  一実施形態に係る表示装置は、画素が配置された表示領域と前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する基板と、前記周辺領域に配置された複数のパッドと、前記周辺領域に配置され、前記複数のパッドの各々と電気的に接続された複数の配線と、を備えている。前記配線は、前記基板の端部まで延びている。前記端部において、前記配線の位置での前記基板の厚さは第１厚さであり、隣り合う前記配線の間での前記基板の厚さは前記第１厚さよりも小さい第２厚さである。【選択図】    図７
2019158963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素が配置された表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する基板と、
前記周辺領域に配置された複数のパッドと、
前記周辺領域に配置され、前記複数のパッドの各々と電気的に接続された複数の配線と、を備え、
前記配線は、前記基板の端部まで延びており、
前記端部において、前記配線の位置での前記基板の厚さは第１厚さであり、隣り合う前記配線の間での前記基板の厚さは前記第１厚さよりも小さい第２厚さである、
表示装置。
【請求項２】
前記パッドの位置での前記基板の厚さは前記第１厚さであり、隣り合う前記パッドの間での前記基板の厚さは前記第２厚さである、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２厚さは、前記第１厚さよりも５μｍ以上小さい、
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の配線を覆う絶縁層をさらに備え、
前記端部において、前記配線は、前記絶縁層から露出している、
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記パッドと対向する接続部材と、
前記接続部材と前記パッドの間に配置された導電層と、をさらに備え、
前記絶縁層は、前記パッドの少なくとも一部を当該絶縁層から露出させる開口を有し、
前記導電層は、前記開口を通じて前記パッドと前記接続部材とを電気的に接続している、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記パッドと前記表示領域の間において、第３厚さを有する部分を含み、
前記開口の周辺における前記絶縁層の厚さは、前記第３厚さよりも小さい第４厚さである、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記開口の周辺において、前記絶縁層は、前記導電層と前記パッドとの間に位置している、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記パッドと前記表示領域との間において段差を有し、
前記段差と前記表示領域との間における前記絶縁層の厚さは前記第３厚さであり、前記段差と前記パッドとの間における前記絶縁層の厚さは前記第４厚さである、
請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記基板は、
第１層と、
前記第１層と前記複数の配線との間に配置された第２層と、
前記第１層と前記第２層との間に配置された第３層と、を含む、
請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記端部において、前記基板は、前記配線と接触した炭化部分を含む、
請求項１ないし９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置などの表示装置においては、画素を構成する電極やスイッチング素子などの要素が設けられた基板に、外部回路との接続用の端子が配置されている。
【０００３】
従来、表示装置の基板にはガラスを用いることが一般的であった。近年では、樹脂材料で基板を形成することにより、フレキシブルな表示装置を実現する技術が提案されている。
【０００４】
例えば、表示装置の製造工程において、樹脂材料で形成された基板をレーザー光にて切断する際に、切断線の近傍で基板の一部が炭化することがある。端子の近傍でこのような炭化が生じると、炭化した部分を介して複数の端子や複数の配線が導通し得る。
【０００５】
また、端子は例えば導電性を有した接着層を介して外部回路と接続される。この接着層と端子との接着力が不十分であると、外部回路と端子の導通不良が生じ得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−４１１８７号公報
【特許文献２】特開平１１−３２７４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した各種の端子の不具合により、表示装置の歩留まり低下が懸念される。そこで、端子の不具合を抑制可能な技術が望まれていた。  
本開示の目的の一つは、端子の不具合を抑制し、表示装置の歩留まりを改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態に係る表示装置は、画素が配置された表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する基板と、前記周辺領域に配置された複数のパッドと、前記周辺領域に配置され、前記複数のパッドの各々と電気的に接続された複数の配線と、を備えている。前記配線は、前記基板の端部まで延びている。前記端部において、前記配線の位置での前記基板の厚さは第１厚さであり、隣り合う前記配線の間での前記基板の厚さは前記第１厚さよりも小さい第２厚さである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態に係る表示装置の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】図２は、副画素の回路構成の一例を示す図である。
【図３】図３は、図１におけるIII−III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。
【図４】図４は、端子の近傍の概略的な構造を例示する平面図である。
【図５】図５は、図４におけるV−V線に沿う表示装置の概略的な断面図である。
【図６】図６は、図４におけるVI−VI線に沿う表示装置の概略的な断面図である。
【図７】図７は、図４におけるVII−VII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。
【図８】図８は、図４におけるVIII−VIII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、表示装置の製造工程の一例を示す、配線を含む断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、表示装置の製造工程の一例を示す、隣り合う配線の間の断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図９Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図９Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、図１０Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１０Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、図１１Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１１Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図１３】図１３は、比較例に係る表示装置の配線およびパッドに沿う概略的な断面図である。
【図１４】図１４は、比較例に係る表示装置の隣り合う配線の間の断面図である。
【図１５】図１５は、比較例に係る表示装置の複数の配線を含む断面図である。
【図１６】図１６は、第２実施形態に係る表示装置の配線およびパッドに沿う概略的な断面図である。
【図１７】図１７は、第２実施形態に係る表示装置の複数の配線を含む断面図である。
【図１８】図１８は、第２実施形態に係る表示装置の複数の配線および複数のパッドを含む断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１１】
各実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示素子を有した表示装置を例示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。例えば、他種の表示装置としては、液晶表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、Micro Electro Mechanical Systems（ＭＥＭＳ）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などが挙げられる。
【００１２】
［第１実施形態］  
図１は、第１実施形態に係る表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。表示装置１は、基板２と、光学フィルム３と、接続部材４とを備えている。本実施形態においては、図示したように第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚを定義する。第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚは、例えば互いに垂直に交わるが、垂直以外の角度で交わってもよい。第１方向Ｘおよび第２方向Ｙは、基板２の主面と平行な方向に相当する。第３方向Ｚは、基板２の厚さ方向に相当する。本開示では、第３方向Ｚと平行に表示装置１を見ることを平面視と呼ぶ。
【００１３】
基板２は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＰＡとを備えている。表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに配列された多数の画素ＰＸを有している。画素ＰＸは、異なる色に対応する複数の副画素ＳＰを含む。図１の例において、画素ＰＸは、赤色に対応する副画素ＳＰＲと、緑色に対応する副画素ＳＰＧと、青色に対応する副画素ＳＰＢとを含む。副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢは、例えば第１方向Ｘに並んでいる。画素ＰＸの態様はこの例に限られず、白色などの他の色の副画素を備えてもよい。
【００１４】
基板２は、第１端部Ｅ１と、第２端部Ｅ２と、第３端部Ｅ３と、第４端部Ｅ４とを有した矩形状である。第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２は、第１方向Ｘと平行である。第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４は、第２方向Ｙと平行である。なお、基板２は、正円形、楕円形、或いは四角形以外の多角形状など、矩形以外の形状であってもよい。図１の例では、表示領域ＤＡも矩形状であるが、基板２と同じく他の形状であってもよい。
【００１５】
基板２は、周辺領域ＰＡにおいて、端子ＴＭを有している。図１の例においては、端子ＴＭが第１端部Ｅ１に沿って配置されている。端子ＴＭは、第１方向Ｘに配列された複数のパッドＰを含む。それぞれのパッドＰには、配線Ｌが接続されている。例えば、これらの配線Ｌは、副画素ＳＰに印加される映像信号を供給するための配線を含む。接続部材４は、端子ＴＭに対し電気的に接続されている。接続部材４は、例えばフレキシブル回路基板であるが、表示装置１を外部回路と接続するものであれば他種の部材であってもよい。
【００１６】
光学フィルム３は、表示領域ＤＡに貼付されている。光学フィルム３は、例えば光の特定の偏光成分を通過させ他の偏光成分を吸収する偏光層、光に位相差を与える位相差層、光を拡散させる拡散層など、特定の光学機能を有した１つまたは複数の層を含む。光学フィルム３は、表示領域ＤＡを保護する保護フィルムであってもよい。
【００１７】
図２は、副画素ＳＰの回路構成の一例を示す図である。副画素ＳＰは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、第１スイッチング素子ＳＷ１と、第２スイッチング素子ＳＷ２とを備えている。
【００１８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極ＡＥは、第１スイッチング素子ＳＷ１を介して電源線ＰＬに接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極ＣＥは、接地されている。第１スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極とソース電極（或いはドレイン電極）との間には、保持容量ＣＳが形成されている。第１スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極は、第２スイッチング素子ＳＷ２を介して、映像信号が供給される映像線ＤＬに接続されている。第２スイッチング素子ＳＷ２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。例えば、各スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２は、ポリシリコン薄膜トランジスタで構成することができる。
【００１９】
図３は、図１におけるIII−III線に沿う表示装置１の概略的な断面図である。ここでは、副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの断面を示している。これら副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの構成は同様のため、主に副画素ＳＰＧの構成要素に符号を付し、副画素ＳＰＲ、ＳＰＢの構成要素は符号を省略している。
【００２０】
表示装置１は、基板２と、絶縁層５と、平坦化層６と、リブ７と、封止層ＳＬと、第１〜第３パッシベーション層ＰＶ１〜ＰＶ３と、光学フィルム３と、接着層ＡＤとを備えている。さらに、表示装置１は、各副画素ＳＰに配置される要素として、第１スイッチング素子ＳＷ１と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、反射層ＲＦとを備えている。なお、上述の第２スイッチング素子ＳＷ２の図示は省略している。隣り合う副画素ＳＰの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、リブ７により区画されている。
【００２１】
基板２は、例えばポリイミド、ポリエステルまたはポリカーボネートなどの樹脂材料で形成され、可撓性を有している。基板２は、第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１の反対側の第２面Ｆ２とを有している。
【００２２】
絶縁層５は、第１絶縁層５１（アンダーコート層）と、第２絶縁層５２（ゲート絶縁膜）と、第３絶縁層５３（層間絶縁膜）とを含む。第１絶縁層５１は、基板２の第１面Ｆ１を覆っている。第１絶縁層５１の上に第１スイッチング素子ＳＷ１の半導体層ＳＣが形成されている。第２絶縁層５２は、第１絶縁層５１および半導体層ＳＣを覆っている。第１スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＧＥは、第２絶縁層５２の上に形成されている。第３絶縁層５３は、第２絶縁層５２およびゲート電極ＧＥを覆っている。第１スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥは、第３絶縁層５３の上に形成され、各絶縁層５２、５３に形成されたコンタクトホールを通じて半導体層ＳＣに接触している。
【００２３】
平坦化層６は、第３絶縁層５３、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥを覆っている。平坦化層６は、第１スイッチング素子ＳＷ１や第２スイッチング素子ＳＷ２により生じる凹凸を平坦化する。第１パッシベーション層ＰＶ１は、平坦化層６の上に形成されている。反射層ＲＦは、第１パッシベーション層ＰＶ１の上に形成されている。例えば、反射層ＲＦは、アルミニウムや銀などの光反射率が高い材料で形成することができる。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極ＡＥ（画素電極）は、反射層ＲＦの上に形成されている。アノード電極ＡＥは、第１パッシベーション層ＰＶ１や平坦化層６を貫通するコンタクトホールを通じてドレイン電極ＤＥに接触している。リブ７は、第１パッシベーション層ＰＶ１およびアノード電極ＡＥの上に形成されている。有機発光層ＯＲＧは、隣り合うリブ７の間において、アノード電極ＡＥの上に形成されている。カソード電極ＣＥ（共通電極）は、リブ７および有機発光層ＯＲＧを覆っている。カソード電極ＣＥは、複数の副画素ＳＰに亘って連続的に形成されている。第２パッシベーション層ＰＶ２は、カソード電極ＣＥを覆っている。
【００２５】
封止層ＳＬは、第２パッシベーション層ＰＶ２の上に形成されている。封止層ＳＬは、第２パッシベーション層ＰＶ２およびカソード電極ＣＥとともに有機発光層ＯＲＧを覆っている。第３パッシベーション層ＰＶ３は、封止層ＳＬの上に形成されている。光学フィルム３は、透明な接着層ＡＤを介して第３パッシベーション層ＰＶ３に接着されている。
【００２６】
平坦化層６、リブ７および封止層ＳＬは、例えば絶縁性の有機樹脂材料で形成することができる。各パッシベーション層ＰＶ１〜ＰＶ３は、例えばＳｉＮなどの絶縁性の無機樹脂材料で形成することができる。アノード電極ＡＥおよびカソード電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）などの透明導電材料で形成することができる。なお、各要素の材料は以上挙げた例に限られない。
【００２７】
第１スイッチング素子ＳＷ１を介してアノード電極ＡＥに映像信号が供給されると、アノード電極ＡＥとカソード電極ＣＥとの間に電位差が生じる。この電位差により、有機発光層ＯＲＧが発光する。例えば、副画素ＳＰＲの有機発光層ＯＲＧが放つ色は赤色であり、副画素ＳＰＧの有機発光層ＯＲＧが放つ色は緑色であり、副画素ＳＰＢの有機発光層ＯＲＧが放つ色は青色である。各副画素ＳＰＲ、ＳＰＧ、ＳＰＢの有機発光層ＯＲＧが放つ光をいずれも同一色（例えば白色）とし、封止層ＳＬの上方にカラーフィルタを配置してもよい。
【００２８】
続いて、端子ＴＭの近傍における構造について説明する。図４は、端子ＴＭの近傍の概略的な構造を例示する平面図である。ここでは、基板２が備えるパッドＰおよび配線Ｌを示すとともに、接続部材４を鎖線で示している。さらに、接続部材４とパッドＰとを電気的に接続する異方性導電膜ＡＣＦを、ドットのパターンを付して示している。異方性導電膜ＡＣＦは、接続部材４とパッドＰとを接着する接着層としての役割も担う。
【００２９】
パッドＰは、第２方向Ｙに長尺な形状を有している。パッドＰの第１方向Ｘにおける幅は、配線Ｌの第１方向Ｘにおける幅よりも大きい。パッドＰは、一定間隔で第１方向Ｘに並んでいる。パッドＰと第１端部Ｅ１との間には、所定の間隔が設けられている。配線Ｌは、パッドＰと重畳している。配線Ｌは、第１端部Ｅ１まで延びている。なお、パッドＰおよび配線Ｌの形状や配置態様は、ここに例示したものに限られない。
【００３０】
接続部材４は、各パッドＰと重畳している。異方性導電膜ＡＣＦは、パッドＰと接続部材４との間に配置されている。図４の例においては、異方性導電膜ＡＣＦの表示領域ＤＡ側（図中上側）の縁と第１端部Ｅ１側（図中下側）の縁がいずれもパッドＰと重畳しているが、より広い範囲に異方性導電膜ＡＣＦが設けられてもよい。
【００３１】
図４の例においては、接続部材４の端部は、異方性導電膜ＡＣＦおよびパッドＰの双方と重畳している。接続部材４の端部は、パッドＰまたは異方性導電膜ＡＣＦよりも表示領域ＤＡ側（図中上側）に位置してもよい。
【００３２】
図５は、図４におけるV−V線に沿う表示装置１の概略的な断面図である。図６は、図４におけるVI−VI線に沿う表示装置１の概略的な断面図である。図５の断面図は配線ＬおよびパッドＰを含み、図６の断面図は配線ＬおよびパッドＰを含まない。
【００３３】
図５に示すように、基板２の上面に配線Ｌが配置され、配線Ｌの上にパッドＰが配置されている。配線ＬおよびパッドＰは、例えば金属材料で形成することができる。配線ＬおよびパッドＰは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。また、配線ＬおよびパッドＰは、ＩＴＯなどの透明導電材料を含んでもよい。図５の例においては、パッドＰの厚さが配線Ｌの厚さよりも大きいが、この例に限られない。
【００３４】
図５および図６に示すように、配線Ｌ、パッドＰおよび基板２の上面は、絶縁層１０で覆われている。絶縁層１０は、パッドＰと平面視において重畳する開口１２を有している。この開口１２を通じてパッドＰの一部が絶縁層１０から露出している。開口１２は、パッドＰの全体が絶縁層１０から露出する大きさを有してもよい。
【００３５】
例えば、絶縁層１０は、図３に示したリブ７と同一の材料で同一のプロセスにより形成することができる。他の例として、絶縁層１０は、図３に示した平坦化層６または封止層ＳＬと同一の材料で同一のプロセスにより形成されてもよい。また、絶縁層１０は、図３に示したいずれの層とも異なるプロセスで、有機または無機の樹脂材料により周辺領域ＰＡに形成されてもよい。
【００３６】
接続部材４は、基板４０と、配線４１と、保護層４２とを備えている。基板４０は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で形成することができる。配線４１は、例えば銅などの金属材料で形成することができるが、ＩＴＯなどの透明導電材料を含んでもよい。保護層４２は、例えば無機または有機の樹脂材料で形成されている。パッドＰと対向する位置においては、配線４１が保護層４２から露出している。
【００３７】
異方性導電膜ＡＣＦは、パッドＰと配線４１の間に配置され、開口１２を通じてパッドＰに接触するとともに、配線４１にも接触している。これにより、パッドＰと配線４１とが導通する。異方性導電膜ＡＣＦとしては、例えば熱硬化型樹脂に導電粒子を含ませたものを用いることができる。
【００３８】
図５および図６の例において、開口１２の周辺の絶縁層１０は、異方性導電膜ＡＣＦとパッドＰの間に位置している。さらに、異方性導電膜ＡＣＦの一部が絶縁層１０と保護層４２の間に位置している。
【００３９】
図４ないし図６に示すように、周辺領域ＰＡは、第１端部Ｅ１と表示領域ＤＡの間において、第１領域Ａ１と、第２領域Ａ２と、第３領域Ａ３と、第４領域Ａ４と、第５領域Ａ５とを有している。これらの領域Ａ１〜Ａ５は、第１端部Ｅ１から表示領域ＤＡに向けて順に並んでいる。
【００４０】
具体的には、第１領域Ａ１は、第１端部Ｅ１と各パッドＰの間の領域の一部である。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１と開口１２の間の領域である。第３領域Ａ３は、開口１２に対応する領域である。第４領域Ａ４は、開口１２と、パッドＰの表示領域ＤＡ側の端部から一定距離の位置との間の領域である。第５領域Ａ５は、第４領域Ａ４と表示領域ＤＡの間の領域である。
【００４１】
図５に示す断面、すなわちパッドＰおよび配線Ｌが存在する位置においては、基板２の厚さが各領域Ａ１〜Ａ５のいずれにおいても第１厚さＴ１で一定である。一方、図６に示す断面、すなわち隣り合う配線Ｌの間においては、基板２の厚さが各領域Ａ２、Ａ４、Ａ５においては第１厚さＴ１であり、第１領域Ａ１および第３領域Ａ３においては第１厚さＴ１よりも小さい第２厚さＴ２（Ｔ２＜Ｔ１）である。基板２の第２面Ｆ２は、全体的に平坦である。したがって、基板２の厚さが第１厚さＴ１と第２厚さＴ２の間で変化することより、第１面Ｆ１に凹凸が生じている。
【００４２】
図５および図６のいずれにおいても、絶縁層１０の厚さは、第５領域Ａ５においては第３厚さＴ３である。また、絶縁層１０の厚さは、第２領域Ａ２および第４領域Ａ４においては、パッドＰにより形成される段差近傍を除き、第３厚さＴ３よりも小さい第４厚さＴ４（Ｔ４＜Ｔ３）である。第１領域Ａ１および第３領域Ａ３には絶縁層１０が存在しない。第１領域Ａ１においては、配線Ｌが絶縁層１０から露出するが、この露出した配線Ｌは接続部材４などの外部回路とは接続されない。
【００４３】
絶縁層１０の厚さが第４領域Ａ４と第５領域Ａ５とで異なることから、これら領域Ａ４、Ａ５の境界には、段差１１が形成される。この段差１１は、パッドＰと表示領域ＤＡの間に位置しており、異方性導電膜ＡＣＦを堰き止める壁として機能する。すなわち、図５および図６に示す異方性導電膜ＡＣＦが硬化前に表示領域ＤＡ側（図中左側）に流れたとしても、段差１１により堰き止められる。
【００４４】
一例として、第１端部Ｅ１からパッドＰまでの第２方向Ｙにおける距離は１．０ｍｍであり、パッドＰの第２方向Ｙにおける長さは２．０ｍｍであり、開口１２の第２方向Ｙにおける長さは１．０ｍｍであり、絶縁層１０がパッドＰの端部を覆う部分の第２方向Ｙにおける長さはそれぞれ０．５ｍｍであり、パッドＰから段差１１までの第２方向Ｙにおける距離は０．２ｍｍである。ただし、ここで挙げた数値に限られず、各部の寸法は適宜に定め得る。
【００４５】
図５に示すように、基板２は、第１端部Ｅ１において炭化部分Ｃを含む。炭化部分Ｃは、配線Ｌに接触している。炭化部分Ｃは、後述するようにレーザー光によって基板２を切断する際に形成される。
【００４６】
図７は、図４におけるVII−VII線に沿う表示装置１の概略的な断面図である。図８は、図４におけるVIII−VIII線に沿う表示装置１の概略的な断面図である。これらの図においては、接続部材４および異方性導電膜ＡＣＦの図示を省略している。
【００４７】
図７に示すように、第１端部Ｅ１の近傍においては、配線Ｌの下方に炭化部分Ｃが位置している。一方で、隣り合う配線Ｌの間においては、炭化部分Ｃが存在しない。炭化部分Ｃを含めた基板２の厚さは上述の第１厚さＴ１であり、隣り合う配線Ｌの間における基板２の厚さは上述の第２厚さＴ２である。基板２は、第１厚さＴ１の部分と第２厚さＴ２の部分とが第２方向Ｙに交互に繰り返す形状を有している。他の観点から言えば、基板２は、隣り合う配線Ｌの間に溝を有している。
【００４８】
配線Ｌの位置で基板２が突出する高さ（Ｔ１−Ｔ２）は、炭化部分Ｃの厚さＴｃ以上である（Ｔｃ≦（Ｔ１−Ｔ２））。一例として、第１厚さＴ１は１０μｍ以上であり、厚さＴｃは５μｍである。この場合においては、第２厚さＴ２が第１厚さＴ１よりも５μｍ以上小さいことが好ましい（Ｔ２≦Ｔ１−５μｍ）。また、基板２の強度を保つ観点から、第２厚さＴ２は５μｍ以上であることが好ましい（５μｍ≦Ｔ２）。
【００４９】
なお、それぞれの配線Ｌの下方における炭化部分Ｃは、一様な厚さを有さない場合もある。この場合において、配線Ｌの位置で基板２が突出する高さ（Ｔ１−Ｔ２）は、それぞれの炭化部分Ｃの平均厚さＴａｖｅ以上であってもよい（Ｔａｖｅ≦（Ｔ１−Ｔ２））。
【００５０】
図８に示すように、パッドＰの位置においては、炭化部分Ｃが存在しない。ここでも、基板２は、第１厚さＴ１の部分と第２厚さＴ２の部分とが第２方向Ｙに交互に繰り返す形状を有している。なお、図４および図８の例においては、パッドＰの第１方向Ｘにおける幅が配線Ｌの同方向における幅よりも大きいが、この例に限られない。例えば、パッドＰと配線Ｌの第１方向Ｘにおける幅が同じであってもよい。
【００５１】
続いて、表示装置１の製造方法について以下に説明する。  
図９Ａおよび図９Ｂは、製造工程の一例を示す断面図である。図９Ａは図５と同じく配線Ｌを含む断面であり、図９Ｂは図６と同じく隣り合う配線Ｌの間の断面である。これらの図の段階においては、ガラス基板ＧＬの上に、基板２、配線Ｌ、パッドＰおよび絶縁層１０が形成されている。なお、表示領域ＤＡには、図３に示した絶縁層５、平坦化層６、リブ７、封止層ＳＬ、第１〜第３パッシベーション層ＰＶ１〜ＰＶ３、第１スイッチング素子ＳＷ１、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤおよび反射層ＲＦが形成されている。
【００５２】
ガラス基板ＧＬは、例えばより大きいサイズのマザーガラスから切り出されたものであり、上述の第１端部Ｅ１よりも第２方向Ｙに突出した端部Ｅ０を有している。基板２、配線Ｌおよび絶縁層１０は、この端部Ｅ０まで形成されている。端部Ｅ０の近傍において、配線Ｌには、検査用のパッドが設けられてもよい。また、端部Ｅ０およびガラス基板ＧＬの他の端部に沿って、表示領域ＤＡの各素子やその周囲に配置された回路の各素子を製造工程で発生する静電気から保護する環状のガードリングが設けられてもよい。
【００５３】
端部Ｅ０の近傍の基板２、配線Ｌおよび絶縁層１０は、切断線ＣＬに沿って切断される。例えば、基板２の第１面Ｆ１側からＵＶレーザー光を照射することで当該切断を実施することができるが、他の方法を用いてもよい。
【００５４】
切断線ＣＬに沿った切断の前または後に、絶縁層１０の第１領域Ａ１に存在する部分１０ａと、第３領域Ａ３に存在する部分１０ｂとが除去される。この除去は、例えばドライエッチングにて行うことができるが、絶縁層１０の材質に応じた適切な方法を適用すればよい。なお、部分１０ａ、１０ｂを完全には除去せずに、これら部分１０ａ、１０ｂを薄膜化してもよい。
【００５５】
図１０Ａおよび図１０Ｂは、それぞれ図９Ａおよび図９Ｂに続く製造工程を示す断面図である。上述の部分１０ａ、１０ｂを除去したことにより、第１領域Ａ１においては配線Ｌおよび基板２が絶縁層１０から露出する。さらに、第３領域Ａ３においては開口１２が形成され、パッドＰおよび基板２が絶縁層１０から露出する。
【００５６】
切断線ＣＬに沿った切断により、第１端部Ｅ１が形成される。例えば切断時のレーザー光の作用により基板２の一部が炭化し、上述の炭化部分Ｃが形成される。この時点では、炭化部分Ｃは、図１０Ａに示すように配線Ｌの下方に存在するだけでなく、図１０Ｂに示すように隣り合う配線Ｌの間の領域にも存在する。
【００５７】
図１１Ａおよび図１１Ｂは、それぞれ図１０Ａおよび図１０Ｂに続く製造工程を示す断面図である。ここでは、各領域Ａ１〜Ａ４における絶縁層１０および基板２を例えばエッチングにより薄膜化する。
【００５８】
具体的には、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、絶縁層１０の第２領域Ａ２に存在する部分１０ｃと、第４領域Ａ４に存在する部分１０ｄとを除去することにより、これら領域Ａ２、Ａ４の絶縁層１０を薄膜化する。同時に、図１１Ｂに示すように、基板２の第１領域Ａ１に存在する部分２ａと、第３領域Ａ３に存在する部分２ｂとを除去することにより、これら領域Ａ１、Ａ３の基板２を薄膜化する。
【００５９】
図１１Ａの断面においては、パッドＰおよび配線Ｌが存在するため、基板２が薄膜化されない。したがって、配線Ｌの下方の炭化部分Ｃがそのまま残っている。一方、図１１Ｂの断面においては、第１領域Ａ１において基板２が薄膜化されることにより、炭化部分Ｃが除去されている。
【００６０】
図１２Ａおよび図１２Ｂは、それぞれ図１１Ａおよび図１１Ｂに続く製造工程を示す断面図である。ここでは、開口１２を塞ぐように未硬化の異方性導電膜ＡＣＦが塗布されている。さらに、接続部材４の上方から加熱された熱工具ＨＴを押し当てることで、パッドＰと接続部材４の配線４１とが異方性導電膜ＡＣＦを介して導通するとともに、異方性導電膜ＡＣＦが硬化する。なお、異方性導電膜ＡＣＦは、テープ状に形成されたものを用いてもよい。
【００６１】
図１２Ａに示すように、開口１２の周辺では、絶縁層１０が上述の第４厚さＴ４に薄膜化されている。したがって、パッドＰの上面と、開口１２の周辺における絶縁層１０の上面との高低差が小さくなり、異方性導電膜ＡＣＦの密着性が向上する。異方性導電膜ＡＣＦのパッドＰを覆う部分が、主に接続部材４との圧着に寄与する。
【００６２】
一方、図１２Ｂに示すように、パッドＰが存在しない位置においては、開口１２の下方の基板２が薄膜化されているため、基板２の上面と開口１２の周辺における絶縁層１０の上面との高低差が大きくなる。これにより、接続部材４との圧着に寄与しない異方性導電膜ＡＣＦの流動性が向上する。
【００６３】
絶縁層１０から上述の部分１０ｄを除去したことにより、段差１１が形成されている。したがって、熱工具ＨＴを押し当てた際などに異方性導電膜ＡＣＦが表示領域ＤＡ側（図中左側）に流れたとしても、段差１１で堰き止められる。
【００６４】
ガラス基板ＧＬの下方からレーザー光ＬＺを照射すると、ガラス基板ＧＬと基板２が剥離する。このように、レーザー・リフト・オフ（ＬＬＯ）によりガラス基板ＧＬを取り除くことで、図５および図６に示した構造の表示装置１が得られる。
【００６５】
なお、表示装置１の製造方法は、以上例示したものに限られない。例えば、切断線ＣＬに沿った切断を行う前に、ガラス基板ＧＬを剥離してもよい。この場合、切断のためのレーザー光は、基板２の第２面Ｆ２側から照射されてもよい。ただし、接続部材４の圧着などの工程は、ガラス基板ＧＬを剥離する前の方が容易に実施できる。
【００６６】
図１３ないし図１５は、本実施形態との比較例に係る表示装置１００の概略的な断面図である。この表示装置１００は、本実施形態に係る表示装置１と同じく、基板２と、絶縁層１０と、配線Ｌと、パッドＰと、接続部材４と、異方性導電膜ＡＣＦとを備えている。図１３の断面図は、図５と同じく配線ＬおよびパッドＰに沿う断面を表す。図１４の断面図は、図６と同じく隣り合う配線Ｌの間の断面を表す。図１５の断面図は、図７と同じく第１端部Ｅ１の近傍における複数の配線Ｌを含む断面を表す。
【００６７】
図１３および図１４に示すように、表示装置１００においては、基板２が第１厚さＴ１で一定であり、絶縁層１０が第３厚さＴ３で一定である。絶縁層１０は、第１端部Ｅ１まで形成されている。配線Ｌの下および隣り合う配線Ｌの間のいずれにおいても、炭化部分Ｃが形成されている。
【００６８】
図１５に示すように、炭化部分Ｃは第１方向Ｘに連続的に分布し、複数の配線Ｌと接触している。したがって、この図の例においては、炭化部分Ｃを介して複数の配線Ｌが導通する。炭化部分Ｃは、局所的に形成されることもある。この場合であっても、隣り合う配線Ｌの双方に炭化部分Ｃが接触すれば、これら配線Ｌが導通する。例えば、配線Ｌが導通することにより、ある配線Ｌに供給されるべき接続部材４からの映像信号が他の配線Ｌにも供給されてしまい、表示不良が生じる。
【００６９】
これに対し、本実施形態においては、図７に示したように隣り合う配線Ｌの間で基板２が薄膜化されている。これにより、炭化部分Ｃも除去されるので、炭化部分Ｃを通じた配線Ｌの導通を抑制することができる。
【００７０】
炭化部分Ｃは、基板２の切断時にレーザー光が照射される面から最大で５μｍの深さまで形成されることがある。そこで、隣り合う配線Ｌの間で基板２を除去する深さ、言い換えれば、配線Ｌの位置で基板２が突出する高さ（Ｔ１−Ｔ２）を上述の通り５μｍ以上とすることが好ましい。
【００７１】
また、図１３の比較例においては、パッドＰの上面と、開口１２の周辺における絶縁層１０の上面との高低差が大きいため、開口１２の近傍における異方性導電膜ＡＣＦの密着性が低下し得る。これに対し、本実施形態においては、開口１２の周辺で絶縁層１０が薄膜化されている。したがって、上述の通り異方性導電膜ＡＣＦの密着性が向上し、接続部材４とパッドＰの剥離や導通不良を抑制できる。
【００７２】
このように、本実施形態によれば、端子ＴＭの近傍における各種の不具合を抑制できる。これにより、表示装置１の歩留まりを改善することが可能である。その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。
【００７３】
［第２実施形態］  
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第１実施形態と同様である。  
図１６ないし図１８は、本実施形態に係る表示装置１の概略的な断面図である。図１６の断面図は、図５と同じく配線ＬおよびパッドＰに沿う断面を表す。図１７の断面図は、図７と同じく第１端部Ｅ１の近傍における複数の配線Ｌを含む断面（第１領域Ａ１の断面）を表す。図１８の断面図は、図８と同じく複数の配線Ｌおよび複数のパッドＰを含む断面（第３領域Ａ３の断面）を表す。
【００７４】
図１６に示すように、本実施形態における基板２は、第１層２１と、第２層２２と、第３層２３とを備えている。基板２以外の構造は、図５の例と同様である。第１層２１は、上述の第２面Ｆ２を有する。第２層２２は、第１層２１と配線Ｌの間に配置されており、上述の第１面Ｆ１を有する。第３層２３は、第１層２１と第２層２２の間に配置されている。炭化部分Ｃは、第２層２２に形成されている。第１層２１および第２層２２は、例えばポリイミド、ポリエステルまたはポリカーボネートなどの樹脂材料で形成することができる。第３層２３は、例えば無機材料で形成することができる。
【００７５】
図１７に示すように、第１領域Ａ１においては、隣り合う配線Ｌの間に第２層２２が存在しない。配線Ｌの下方には、第２層２２（図示した位置では炭化部分Ｃ）が配置されている。隣り合う配線Ｌの間に第２層２２が存在しないので、各配線Ｌの下方の炭化部分Ｃは、それぞれ電気的に独立している。図１８に示すように、第３領域Ａ３においては、隣り合うパッドＰの間に第２層２２が存在しない。パッドＰの下方には、第２層２２が配置されている。
【００７６】
このように本実施形態においては、第１実施形態で基板２の厚さを第２厚さＴ２に減じる領域と同じ領域で、第２層２２が除去されている。他の例として、第１実施形態で基板２の厚さを第２厚さＴ２に減じる領域と同じ領域で、第２層２２を薄膜化してもよい。この場合、第１端部Ｅ１の近傍において、隣り合う配線Ｌの間での第２層２２の厚さが、配線Ｌの位置での第２層２２の厚さよりも小さくなる。  
本実施形態の構成であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
第１および第２実施形態にて開示した基板２、樹脂層１０、配線Ｌ、パッドＰ、異方性導電膜ＡＣＦおよび接続部材４に関する構成は、上述の通り他種の表示装置にも適用できる。例えば、アレイ基板と、対向基板と、これら基板の間に配置された液晶層とを備える液晶表示装置に対しては、アレイ基板に各実施形態の構成を適用してもよいし、対向基板に各実施形態の構成を適用してもよい。
【００７８】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。  
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。  
また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００７９】
１…表示装置、２…基板、３…光学フィルム、４…接続部材、１０…絶縁層、Ｅ１…基板の第１端部、ＤＡ…表示領域、ＰＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＴＭ…端子、Ｌ…配線、Ｐ…パッド、ＡＣＦ…異方性導電膜、Ｃ…炭化部分、Ａ１〜Ａ５…第１〜第５領域。
【図１】
2019158963.tif 000003
【図２】
2019158963.tif 000004
【図３】
2019158963.tif 000005
【図４】
2019158963.tif 000006
【図５】
2019158963.tif 000007
【図６】
2019158963.tif 000008
【図７】
2019158963.tif 000009
【図８】
2019158963.tif 000010
【図９Ａ】
2019158963.tif 000011
【図９Ｂ】
2019158963.tif 000012
【図１０Ａ】
2019158963.tif 000013
【図１０Ｂ】
2019158963.tif 000014
【図１１Ａ】
2019158963.tif 000015
【図１１Ｂ】
2019158963.tif 000016
【図１２Ａ】
2019158963.tif 000017
【図１２Ｂ】
2019158963.tif 000018
【図１３】
2019158963.tif 000019
【図１４】
2019158963.tif 000020
【図１５】
2019158963.tif 000021
【図１６】
2019158963.tif 000022
【図１７】
2019158963.tif 000023
【図１８】
2019158963.tif 000024