(57)【要約】【課題】検査対象物の形状が複雑であっても、検査対象物の部位を正確に特定して、検査対象物の平面特性を精度良く、しかも、容易に検出できる、形状検査装置及び形状検査方法並びに電子部品用パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】計測すべき部位に応じて設定された第１領域と、撮影した画像から得られた輝度情報に基づいて設定された第２領域と、が重なる第３領域において、高さ情報を求めてセラミックＰＫＧ１の形状を判定する。つまり、電極１７の高さ情報に基づいて、電極１７が配置された中間平面１３の平面度等を判定する。よって、必要な範囲において、演算処理の負担を少なくして、精度良く電極１７の高さを検出できるので、電極１７の高さ情報に基づいて、セラミックＰＫＧ１の形状（例えば平面度等の平面特性等）を精度よく求めることができる。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高さ及び輝度が異なる領域を有する検査対象物を撮影した画像に基づいて、前記検査対象物の同じ位置における高さを示す高さ情報と輝度を示す輝度情報とを画素毎に取得し、該取得したデータに基づいて、前記検査対象物の三次元の形状を検査する形状検査装置であって、
前記検査対象物に対し、高さを検査する領域として、計測すべき部位に応じて、第１領域を設定する第１領域設定部と、
前記撮影した画像から得られた前記輝度情報に基づいて、所定の輝度の範囲を示す第２領域を設定する第２領域設定部と、
前記第１領域と前記第２領域とが重なる第３領域を求め、該第３領域における前記高さ情報を求める高さ算出部と、
前記第３領域における前記高さ情報に基づいて、前記検査対象物の形状を判定する形状判定部と、
を備えた、形状検査装置。
【請求項２】
前記第３領域は、３以上の複数箇所設定されており、前記複数箇所における前記第３領域の前記高さ情報に基づいて、該複数箇所の前記第３領域の高さのバラツキ状態を検査する、
請求項１に記載の形状検査装置。
【請求項３】
前記複数箇所における前記第３領域の前記高さ情報によって規定される面の平面度を求める、
請求項２に記載の形状検査装置。
【請求項４】
前記撮影した画像において、前記検査対象物の特徴を用いて、前記検査対象物の２点以上の位置を検出する位置検出部と、
前記検出した位置の情報に基づいて、前記検査対象物の姿勢を検出する姿勢検出部と、
前記検出した姿勢に基づいて、前記第１領域又は前記第２領域の位置の補正を行う補正部と、
を備えた、請求項１〜３のいずれか１項に記載の形状検査装置。
【請求項５】
高さ及び輝度が異なる領域を有する検査対象物を撮影した画像に基づいて、前記検査対象物の同じ位置における高さを示す高さ情報と輝度を示す輝度情報とを画素毎に取得し、該取得したデータに基づいて、前記検査対象物の形状を検査する形状検査方法であって、
前記検査対象物に対し、高さを検査する領域として、計測すべき部位に応じて、第１領域を設定する第１領域設定工程と、
前記撮影した画像から得られた前記輝度情報に基づいて、所定の輝度の範囲を示す第２領域を設定する第２領域設定工程と、
前記第１領域と前記第２領域とが重なる第３領域を求め、該第３領域における前記高さ情報を求める高さ算出工程と、
前記第３領域における前記高さ情報に基づいて、前記検査対象物の形状を判定する形状判定工程と、
を有する、形状検査方法。
【請求項６】
前記第３領域は、３以上の複数箇所設定されており、前記複数箇所における前記第３領域の前記高さ情報に基づいて、該複数箇所の前記第３領域の高さのバラツキ状態を検査する、
請求項５に記載の形状検査方法。
【請求項７】
前記複数箇所における前記第３領域の前記高さ情報によって規定される面の平面度を求める、
請求項６に記載の形状検査方法。
【請求項８】
前記撮影した画像において、前記検査対象物の特徴を用いて、前記検査対象物の２点以上の位置を検出する位置検出工程と、
前記検出した位置の情報に基づいて、前記検査対象物の姿勢を検出する姿勢検出工程と、  前記検出した姿勢に基づいて、前記第１領域又は前記第２領域の位置の補正を行う補正工程と、
を有する、請求項５〜７のいずれか１項に記載の形状検査方法。
【請求項９】
セラミック基板と該セラミック基板の表面に配置された電極とを備えた電子部品搭載用のパッケージを製造する、電子部品用パッケージの製造方法において、
前記セラミック基板に、メタライズによって前記電極のベース部を形成する第１工程と、
前記第１工程の後において、前記ベース部にメッキする前又は後に、前記請求項５〜８のいずれか１項に記載の形状検査方法によって、前記ベース部のメッキ前又はメッキ後の前記高さ情報を求める第２工程と、
前記第２工程で求めた前記ベース部のメッキ前又はメッキ後の前記高さ情報に基づいて、電子部品用パッケージの形状の判定を行う第３工程と、
を有する、電子部品用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば平面度、平行度、高さ、深さといった３次元形状を高速に測定し検査する装置等や、例えば微小異物の有無を検査する外観検査装置等に関する。つまり、電子部品用パッケージ等の形状を検査する形状検査装置、及び、電子部品用パッケージ等の形状を検査する形状検査方法、並びに、前記形状検査方法を用いた電子部品用パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、被検査物（即ち検査対象物）に損害を与えずに、被検査物の形状を正確に計測する形状計測装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
この従来技術では、白色光にてスペックルパターン（例えば平行な縞模様である縞パターン）が投影された被検査物を撮像することで、被検査物の形状を計測し、設定された計測エリアにおける反りや変位を計測するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術では、下記のような問題があり、その改善が求められていた。
例えば、図１に示すように、中央部が階段状に凹んだ凹構造を有するセラミックパッケージ（即ちセラミックＰＫＧ）において、その階段部分に複数の電極を有する場合には、半導体チップは電極に接合するようにして実装される。このとき、複数の電極が同一平面に配置されていない場合には、半導体チップの接合を確実に行えない恐れがあるので、優れた平面特性（例えば高い平面度）が要求される。
【０００５】
そのため、セラミックＰＫＧ等の製品に対して、電極が形成された部位の平面特性を計測している。
また、製品や電極の微小化や製品のバラツキにより、計測範囲には電極以外にセラミック部分も含まれる場合があるが、一般的に、電極は周囲のセラミック部分に対して数μｍ〜数十μｍ程度は高くなっている。そのため、精度良く平面特性を計測するためには、電極を正確に特定する必要がある。
【０００６】
この電極を正確に特定する方法として、ＣＮＣ（Computer Numerical Control）画像計測装置を用いた評価により、電極毎にセラミックとの境界を検出することで、電極中心を求め、この電極中心における高さを求める方法がある。しかし、この方法を製造工程のインライン検査に用いるには、膨大な検査時間が必要である。
【０００７】
また、上述したスペックルパターンのような特徴あるパターンを投影し撮像する方法の場合には、短時間で３次元形状データを取得することが可能である。しかし、前記図１に示すような複雑な形状を有する製品においては、製品バラツキにより、計測領域内に不適当な部位が含まれることがあり、その場合には、電極の高さ（従って平面特性）を正確に計測できない恐れがある。
【０００８】
本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、検査対象物の形状が複雑であっても、検査対象物の部位を正確に特定して、検査対象物の平面特性を精度良く、しかも、容易に検出できる、形状検査装置及び形状検査方法並びに電子部品用パッケージの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の第１局面は、高さ及び輝度が異なる領域を有する検査対象物を撮影した画像に基づいて、検査対象物の同じ位置における高さを示す高さ情報と輝度を示す輝度情報とを画素毎に取得し、取得したデータに基づいて、検査対象物の三次元の形状を検査する形状検査装置に関するものである。
【００１０】
この形状検査装置は、検査対象物に対し、高さを検査する領域として、計測すべき部位に応じて、第１領域を設定する第１領域設定部と、撮影した画像から得られた輝度情報に基づいて、所定の輝度の範囲を示す第２領域を設定する第２領域設定部と、第１領域と第２領域とが重なる第３領域を求め、第３領域における高さ情報を求める高さ算出部と、第３領域における高さ情報に基づいて、検査対象物の形状を判定する形状判定部と、を備えている。
【００１１】
本第１局面の形状検査装置は、第１領域設定部にて、検査対象物に対し、高さを検査する領域として、計測すべき部位に応じて、第１領域を設定する。また、第２領域設定部にて、撮影した画像から得られた輝度情報に基づいて、所定の輝度の範囲を示す第２領域を設定する。そして、高さ算出部にて、第１領域と第２領域とが重なる第３領域を求めるとともに、第３領域における高さ情報を求め、形状判定部にて、第３領域における高さ情報に基づいて、検査対象物の形状を判定する。
【００１２】
このように、本第１局面では、計測すべき部位に応じて設定された第１領域と、撮影した画像から得られた輝度情報に基づいて設定された第２領域と、が重なる第３領域において、高さ情報を求めて検査対象物の形状を判定するので、演算処理の負担を少なくできるとともに、計測すべき部位を精度良く特定して高さを検出できる。よって、その高さ情報（例えば電極の高さ情報）に基づいて、検査対象物の形状（例えば平面度等の平面特性等）を精度よく求めることができる。
【００１３】
つまり、検査対象物の形状が複雑であっても、検査対象物の部位（例えば電極の部位）を正確に特定して、検査対象物の平面特性を精度良く、しかも、容易に検出できるという顕著な効果を奏する。
【００１４】
（２）本発明の第２局面では、第３領域は、３以上の複数箇所設定されており、複数箇所における第３領域の高さ情報に基づいて、複数箇所の第３領域の高さのバラツキ状態を検査してもよい。
【００１５】
本第２局面では、第３領域を３箇所以上設定することにより、各第３領域の高さのバラツキ状態を容易に検査することができる。
（３）本発明の第３局面では、複数箇所における第３領域の高さ情報によって規定される面の平面度を求めてもよい。
【００１６】
本第３局面では、複数箇所における第３領域の高さ情報によって、電極等の検査対象物が配置された平面の平面度を容易に求めることができる。
（４）本発明の第４局面では、撮影した画像において、検査対象物の特徴を用いて、検査対象物の２点以上の位置を検出する位置検出部と、検出した位置の情報に基づいて、検査対象物の姿勢を検出する姿勢検出部と、検出した姿勢に基づいて、第１領域又は第２領域の位置の補正を行う補正部と、を備えていてもよい。
【００１７】
本第４局面では、撮影した画像において、検査対象物の特徴を用いて、検査対象物の２点以上の位置を検出し、その検出した位置の情報に基づいて、検査対象物の姿勢を検出し、その検出した姿勢に基づいて、第１領域又は第２領域の位置の補正を行うことができる。
【００１８】
これにより、第１領域及び第２領域の位置の補正を好適に行うことができる。
（５）本発明の第５局面は、高さ及び輝度が異なる領域を有する検査対象物を撮影した画像に基づいて、検査対象物の同じ位置における高さを示す高さ情報と輝度を示す輝度情報とを画素毎に取得し、取得したデータに基づいて、検査対象物の形状を検査する形状検査方法に関するものである。
【００１９】
この形状検査方法では、検査対象物に対し、高さを検査する領域として、計測すべき部位に応じて、第１領域を設定する第１領域設定工程と、撮影した画像から得られた輝度情報に基づいて、所定の輝度の範囲を示す第２領域を設定する第２領域設定工程と、第１領域と第２領域とが重なる第３領域を求め、第３領域における高さ情報を求める高さ算出工程と、第３領域における高さ情報に基づいて、検査対象物の形状を判定する形状判定工程と、を有する。
【００２０】
本第５局面は、第１局面と同様な効果を奏する。
（６）本発明の第６局面では、第３領域は、３以上の複数箇所設定されており、複数箇所における第３領域の高さ情報に基づいて、複数箇所の第３領域の高さのバラツキ状態を検査してもよい。
【００２１】
本第６局面は、第２局面と同様な効果を奏する。
（７）本発明の第７局面では、複数箇所における第３領域の高さ情報によって規定される面の平面度を求めてもよい。
【００２２】
本第７局面は、第３局面と同様な効果を奏する。
（８）本発明の第８局面では、撮影した画像において、検査対象物の特徴を用いて、検査対象物の２点以上の位置を検出する位置検出工程と、検出した位置の情報に基づいて、検査対象物の姿勢を検出する姿勢検出工程と、検出した姿勢に基づいて、第１領域又は第２領域の位置の補正を行う補正工程と、を有していてもよい。
【００２３】
本第８局面は、第４局面と同様な効果を奏する。
（９）本発明の第９局面では、セラミック基板とセラミック基板の表面に配置された電極とを備えた電子部品搭載用のパッケージを製造する、電子部品用パッケージの製造方法に関するものである。
【００２４】
この電子部品用パッケージの製造方法では、セラミック基板に、メタライズによって電極のベース部を形成する第１工程と、第１工程の後において、ベース部にメッキする前又は後に、前記第５〜第８局面のいずれかに記載の形状検査方法によって、ベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報を求める第２工程と、第２工程で求めたベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報に基づいて、電子部品用パッケージの形状の判定を行う第３工程と、を有する。
【００２５】
本第９局面では、第５〜第８局面のいずれかの形状検査方法によって、ベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報を求め、そのベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報に基づいて、電子部品用パッケージの形状の判定を行う。
【００２６】
従って、メッキ前又はメッキ後において、電子部品用パッケージの形状の判定を、簡易な処理により、計測すべき部位を精度良く特定して検査を行うことができる。そのため、多数の電子部品用パッケージを製造する場合に、例えばメッキ前に形状の判定を行うときには、その段階で形状が好ましくない不良品を除外できるので、全体としての製造コストを低減できる。
【００２７】
＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・前記検査対象物としては、例えば電子部品用パッケージのようなセラミックパッケージが挙げられる。また、高さを求める対象（部位）としては、電極、又は電極以外の検査対象物の表面の部位が挙げられる。
【００２８】
・電子部品用パッケージとしては、電子部品が搭載される容器や基板が挙げられる。パッケージの材料（主成分）としては、アルミナ、窒化アルミ、ＬＴＣＣ等のセラミックが挙げられるが、他の材料（例えば有機材料）であってもよい。
【００２９】
・前記計測すべき部位（即ち計測したい範囲）としては、検査対象物の表面に設けられた例えば電極の場合には、電極を配置するための位置や大きさや形状等の設計値に基づいて設定された範囲が挙げられる。また、電極以外の場合には、検査対象物の表面（例えばセラミック自体の表面）の特定の位置にて設定された範囲が挙げられる。
【００３０】
・前記検査対象物の特徴としては、例えば検査対象物の形状や大きさが挙げられる。また、検査対象物上の特定の電極の特徴、例えば特定の位置（例えば角部等）に配置された特定の形状を有する電極を示す特徴が挙げられる。
【００３１】
・前記検査対象物の姿勢としては、ある基準（例えば画面）に対して、回転方向のずれ（角度）、画面の水平方向や垂直方向に対する傾きなどが挙げられる。
・前記セラミック基板とは、セラミックを主成分（即ちセラミックが５０体積％を上回る成分）とする基板である。セラミックとしては、アルミナ、窒化アルミ、ＬＴＣＣ等が挙げられる。
【００３２】
・メタライズに用いる金属材料としては、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀等が挙げられる。メッキに用いる金属成分としては、例えばニッケル、金が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（ａ）はセラミックＰＫＧの平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】形状検査システムを示す説明図である。
【図３】セラミックＰＫＧに投影される縞パターンを示す説明図である。
【図４】画像処理装置等の構成を示すブロック図である。
【図５】（ａ）はセラミックＰＫＧの輝度画像を示す説明図、（ｂ）はセラミックＰＫＧの高さ情報を画像化した距離画像の説明図である。
【図６】（ａ）は検査画像においてセラミックＰＫＧの位置検出するための特定の電極を示す説明図、（ｂ）各位置検出点の画像座標と物理座標との間の関係を表で示す説明図である。
【図７】セラミックＰＫＧの各電極と計測領域とを重ねて示す説明図である。
【図８】（ａ）はセラミックＰＫＧの輝度画像を示す説明図、（ｂ）は電極部分を特定し反転した計測マスク画像を示す説明図である。
【図９】計測領域（第１領域）と電極に対応する第２領域と第３領域との関係を示す説明図である。
【図１０】仮想平面と平面度との関係を示す説明図である。
【図１１】検査画像に計測領域や他計測領域を表示した説明図である。
【図１２】製品のセラミックＰＫＧの検査内容の設定構成を示す説明図である。
【図１３】（ａ）は表示装置の任意の表示画面を示す説明図、（ｂ）は他の表示画面を示す説明図である。
【図１４】（ａ）は平面度を示す説明図、（ｂ）は平行度及びパッド高さ（深さ）を示す説明図である。
【図１５】画像処理装置で行われる処理の全体を示すフローチャートである。
【図１６】画像処理装置で行われる位置決め処理を示すフローチャートである。
【図１７】画像処理装置で行われる計測マスク画像生成処理を示すフローチャートである。
【図１８】画像処理装置で行われる基準面の算出処理を示すフローチャートである。
【図１９】画像処理装置で行われる平面特性の算出処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
次に、本開示の形状検査装置及び形状検査方法並びに電子部品用パッケージの製造方法の実施形態について説明する。
明する。
［１．実施形態］
［１−１．電子部品用パッケージ］
まず、実施形態の電子部品用パッケージの形状検査方法の検査対象である電子部品用パッケージ（即ちセラミックパッケージ）について説明する。なお、以下では、セラミックパッケージをセラミックＰＫＧと記すこともある。
【００３５】
図１に示すように、本実施形態におけるセラミックＰＫＧ１は、例えばアルミナを主成分とする容器である。このセラミックＰＫＧ１は、平面視（厚み方向から見た場合）で矩形状（長方形）の板材である基板部３を備えている。そして、この基板部３の一方の主面側（図１（ｂ）に上方）に、矩形状の凹部５を有しており、更に凹部５の深さ方向の中央部分における周囲には、四角枠状の段部７が形成されている。つまり、凹部５は、中央部分ほど深くなるような階段構造となっている。
【００３６】
これにより、セラミックＰＫＧ１は、平面視で、凹部５の中央に矩形状の底面９を有し、段部７の表面に底面９の外周を囲むように四角枠状の中間平面１３を有し、基板部３の最表面（図１（ｂ）の上方）に、中間平面１３の外周を囲むように四角枠状の表面平面１５を有している。
【００３７】
また、中間平面１３には、平面視で矩形状の電極１７が、複数個（例えば２０個＝５個×４）配置されている。詳しくは、電極１７は、外周が長方形の四角枠状の中間平面１３の各枠部１３ａ（従って長方形の各辺）に沿って、それぞれ等間隔に５個ずつ配置されている。
【００３８】
なお、図示しないが、周知のように、この電極１７は、メタライズによって形成された例えばタングステンからなるベース部と、ベース部の表面にメッキによって形成されたニッケル及び金からなるメッキ部とを有している。
［１−２．形状検査システム］
次に、本実施形態の電子部品用パッケージの形状検査装置（以下、単に形状検査装置と記すこともある）が用いられる形状検査システムについて説明する。
【００３９】
＜形状検査システムの構成＞
まず、形状検査システムの全体構成について説明する。
図２に示すように、形状検査システム２１は、製品（即ちセラミックＰＫＧ）１の搬送および良否の振り分けの制御を行う検査装置主制御部２３と、セラミックＰＫＧ１の撮像およびデータ処理をすることで３次元形状を取得する３次元撮像制御装置２５と、３次元データを解析することでセラミックＰＫＧ１の良否判定等を行う画像処理装置２７を備えている。なお、この画像処理装置２７が、前記形状検査装置に該当するものである。
【００４０】
なお、前記検査装置主制御部２３、３次元撮像制御装置２５、画像処理装置２７は、周知のマイクロコンピュータやメモリ等を備えた電子制御装置である。
また、この形状検査システム１は、セラミックＰＫＧの撮像を行うカメラ（例えばＣＤＣＤカメラ）２９と、セラミックＰＫＧ１に対して照明となる均一な光（例えば白色光）を照射したり、例えば白色光の縞パターンを投影する照明装置３１を備えている。なお、カメラ２９および照明装置３１は、３次元撮像制御装置２５により制御される。
【００４１】
図３に、セラミックＰＫＧ１に対して投影される縞パターンを示す。ここでは、例えば斜めの平行なパターン（縞パターン）を投影する。
＜形状検査システムによる処理の概略＞
次に、形状検査システム１によって行われる処理の概略について説明する。
【００４２】
セラミックＰＫＧ１は、図２に示すように、特定の検査位置に搬送された後に、検査装置主制御部２３から画像処理装置２７に対して、トリガ信号が発せられることにより、検査開始が指示される。これにより、撮像および３次元特性検査（例えば平面度等の平面特性の検査）が行われる。
【００４３】
３次元撮像制御装置２５は、事前に設定された撮像条件に従い、セラミックＰＫＧ１に対して、前記図３に示すような縞パターンを投影して、セラミックＰＫＧ１を撮像する。そして、撮像して得られた画像を解析することで、セラミックＰＫＧ１の高さ情報を得る。
【００４４】
また、セラミックＰＫＧ１に対して、均一な照明光を照射して、セラミックＰＫＧ１を撮像する。そして、撮像して得られた画像から輝度情報を得る。つまり、これらの処理により、セラミックＰＫＧ１の同じ位置における輝度情報と高さ情報とを得ることができる。
【００４５】
ここで、上述のような同じ位置における輝度情報と高さ情報とを得る方法は、周知であるので、簡単に説明する（例えば、パナソニック電工技報（Vol.57 No.3）参照）。
具体的には、セラミックＰＫＧ１に対して、均一な照明光を照射して、セラミックＰＫＧ１を撮像することにより、各位置（従って各画素）における輝度を求める。また、セラミックＰＫＧ１に対して縞パターンを投影して、セラミックＰＫＧ１を撮像し、その画像を解析することにより、各位置（従って各画素）の高さを求める。そして、前記各位置におけるデータを統合することにより、各位置における輝度と高さとを求めることができる。
【００４６】
次に、セラミックＰＫＧ１を撮像して得られた輝度情報と高さ情報は、画像処理装置２７に転送され、事前に設定されたパラメータに従った良否判別（例えば平面度の良否判定）が行われ、その判定結果とともに、検査装置主制御部２３へ検査完了が通知される。
【００４７】
検査装置主制御部２３は、検査完了の通知とともに受信した判定結果に従って、セラミックＰＫＧ１を、良品または不良品に振り分ける。
［１−３．画像処理装置］
次に、図４に基づいて、本実施形態の要部である画像処理装置２７について説明する。
【００４８】
図４に示すように、画像処理装置２７は、検査装置主制御部２３および３次元撮像制御装置２５に接続されている。また、画像処理装置２７は、ＬＥＤ等による表示装置３３を備えている。
【００４９】
この画像処理装置２７は、機能的に、通信制御部４１、主制御部４３、画像取得部４５、位置検出部４７、計測位置補正部４９、計測領域特定部５１、高さ取得部５３、平面特性算出部５５、判定部５７等を備えている。また、計測領域定義テーブル５９も備えている。
【００５０】
以下、各部の構成及び動作について、詳細に説明する。
まず、検査装置主制御部２３からのトリガ信号が、通信制御部４１を介して主制御部４３に入力すると、主制御部４３から画像取得部４５へ撮像指示が発行される。
【００５１】
画像取得部４５は、撮像指示に従い、３次元撮像制御装置２５へ動作開始の指示を行うことで、セラミックＰＫＧ１の輝度画像（図５（ａ）参照）と高さ情報を画像化した画像（即ち距離画像：図５（ｂ）参照）を取得する。
【００５２】
つまり、３次元撮像制御装置２５では、セラミックＰＫＧ１に均一な照明光を照射して撮像することによって、輝度画像を得る。また、セラミックＰＫＧ１に前記縞パターンを投影して撮像することによって、距離画像を得る。なお、これらの画像から、上述した公知の処理により、セラミックＰＫＧ１の同じ位置における輝度情報と高さ情報とを得ることができる。
【００５３】
なお、輝度画像では、輝度が大きな電極１７の部分が最も白く表示されている。また、距離画像では、表面平面１５（図１（ｂ）上方）に近い部分ほど白く表示されている。
そして、上述のようにして取得されたデータは、位置検出部４７に対して、検査画像（即ち輝度画像および距離画像）として入力される。なお、セラミックＰＫＧ１の同じ位置における輝度情報と高さ情報も位置検出部４７に入力される。
【００５４】
位置検出部４７では、輝度画像を用いて、周知のパターンマッチングなどの位置探索処理によって、検査画像におけるセラミックＰＫＧ１の特徴ある部位２点以上検出して、検査画像とともに、計測位置補正部４９に入力する。
【００５５】
なお、特徴ある部位としては、図６（ａ）に示すように、セラミックＰＫＧ１に配置された複数の電極１７のうち、例えば図示の位置の検出点１〜３の３箇所の部位が挙げられる。ここで、検出点１〜３は、平面視で矩形状の各電極１７の重心が挙げられる。なお、この検出点１〜３の物理座標は、設計値であり予め分かっている。
【００５６】
計測位置補正部４９では、検査画像（詳しくは輝度画像）における検出点１〜３の位置（即ちピクセル座標）と、セラミックＰＫＧ１における物理座標である検出点１〜３の位置との組み合わせより、下記式（１）に示されるピクセル座標と物理座標とを変換する下記式（１）の係数（即ち変換係数である位置補正係数）を算出する。
【００５７】
【数１】
2019158371.tif 000003
なお、輝度画像における検出点１〜３の位置（即ちピクセル座標）は、輝度画像を輝度の閾値で区分して、前記特徴のある検出点１〜３を含む電極１７の位置を把握し、当該電極１７の例えば重心の位置から把握することができる。
【００５８】
つまり、図６（ｂ）に示すように、３箇所の検出点１〜３の各ピクセル座標と、それに対応した各物理座標との関係から、前記変換する式（１）の係数を算出する。これによって、座標変換の式（１）を設定することができる。
【００５９】
ここで、ピクセル座標は、例えば、表示装置３３の画面上（即ち表示部６１の画面上）に、セラミックＰＫＧ１を表示する場合には、表示部６１の画面において、例えば図６（ａ）の左上の角部を基準となる０点（０、０）とし、左右方向がＸ軸（右側ほど増加）、上下方向がＹ軸（上側ほど増加）となるような座標系で示される。
【００６０】
また、物理座標としては、製品中心を基準とした物理座標、例えば平面視で矩形のセラミックＰＫＧ１の重心の位置を基準となる０点（０：０）とした物理座標が挙げられる。詳しくは、セラミックＰＫＧ１の長辺方向（図６（ａ）では左右方向）がＸ軸、短辺方向（図６（ａ）では上下方向）がＹ軸となる座標系で示される。
【００６１】
なお、図６（ａ）では、表示部６１は矩形状であり、その中心に、表示部６１の重心とセラミックＰＫＧ１と重心とが一致し、且つ、表示部６１の上下の辺とセラミックＰＫＧ１の上限の辺とが平行となるように表示されている。
【００６２】
このように、前記式（１）は、３箇所の検出点１〜３について、ピクセル座標と物理座標との関係を示すものであるので、この式（１）によって、セラミックＰＫＧ１の姿勢がどのようであるかを把握することができる。
【００６３】
例えば検出点１と検出点２との位置が分かれば、セラミックＰＫＧ１が、画面上の上下左右のどのあたりにあるかが分かり、また、セラミックＰＫＧ１が回転方向にどの程度回転しているかが分かる。
【００６４】
また、下記表１に、計測領域定義テーブル５９を例示する。この計測領域定義テーブル５９とは、平面特性の評価に使用する高さを取得する高さ取得領域を示している。つまり、計測領域定義テーブル５９では、高さを取得するための領域として、位置、形状、大きさが定義されている。
【００６５】
この高さ取得領域（即ち計測領域）は、物理座標で管理することで、製品ＣＡＤデータなどから容易に生成可能である。なお、この高さ取得領域が、計測すべき部位に応じて、予め設定される第１領域である。
【００６６】
つまり、表１に示す各座標は物理座標であり、この表１に示すように、ここでは、計測領域として、半径（Ｒ）が３５０μｍの円形（図７、図９参照）が設定されている。  
【００６７】
【表１】
2019158371.tif 000004
また、検査画像上に計測領域を表示する際には、前記式（１）の逆変換を用いることで、図７に示すように表示できる。これによって、計測領域を視覚的に確認することができる。
【００６８】
図７では、矩形状の白色部分が電極１７であり、各電極１７を囲んで一部が重なるように、円形の枠で計測領域が示されている。
次に、計測領域特定部（以下単に計測部と記すこともある）５１では、輝度画像により、事前に設定された所定の輝度範囲、即ち所定の閾値以上の輝度の画素を特定することで、計測マスク画像を作成する。
【００６９】
具体的には、例えば図８（ａ）に示す輝度画像（即ち電極１７を最も明るい白色で表示したもの）に対して、電極１７を評価するために、図８（ｂ）に示すような計測マスク画像を作成する。なお、図８（ｂ）では、所定輝度以上の対象画素を黒色にて表示している。
【００７０】
ここで、計測マスク画像によって特定される領域が第２領域である。なお、第２領域はピクセル座標によって管理される。
そして、この計測マスク画像を、検査画像とともに、高さ取得部５３に入力する。
【００７１】
高さ取得部５３では、図９に示すように、円形の計測領域内において、計測マスク画像で特定された画素の高さ情報を用いて、例えば平均、最大、中央値などの統計量を、計測領域毎に算出することで、計測領域内の電極１７以外の高さ情報を除外することができる。
【００７２】
例えば、円形の計測領域（第１領域）と所定輝度以上の領域を示す計測マスク画像（第２領域）とが重なる領域が、図９のメッシュで示す第３領域であり、例えばこの第３領域における所定の画素（即ち特定の平面座標）に対応する位置の高さを、当該電極１７の高さとすることができる。
【００７３】
なお、第１領域は物理座標で管理され、第２領域はピクセル座標で管理されているので、第１領域と第２領域とから第３領域を特定する場合には、例えば式（１）を用いて、同じピクセル座標系に揃えてから特定する。
【００７４】
また、第３領域に該当する各領域で得られた高さの平面座標としては、簡易的に計測領域中心座標（即ち円の中心）を用いる方法や、対象画素の重心位置を用いる方法が考えられる。この例を下記表２に示すが、表２の示す座標（例えば計測領域中心座標）は、物理座標である。
【００７５】
【表２】
2019158371.tif 000005
なお、計測領域と計測マスク画像を併用することで、指定された電極のみの高さ情報を特定することができる。例えば計測領域として特定の電極のみを指定しておけば、当該電極のみの高さを求めることができる。
【００７６】
平面特性算出部５５では、高さ取得部５３から得られたデータ、例えば上記表２に示す計測結果より、図１０に示すように、最小二乗法をもちいて仮想平面を算出し、その平面と各計測点（即ち各電極の前記特定の平面座標）との最短距離のうち、平面上方／下方のそれぞれ最大値合計を平面度（即ち平面特性値の１種）として求める。
【００７７】
判定部５７では、平面特性算出部５５から得られたデータ、即ち算出した平面特性値（例えば平面度）と設定された規格値とを比較することで、良否判定を行う。例えば、平面度が規格値以内である場合には、セラミックＰＫＧ１を良品と判定し、一方、平面度が規格値外である場合には、セラミックＰＫＧ１を不良品と判定する。
【００７８】
また、規格値からの外れ量に応じた分類分けをすることで、不良結果の分類が可能となる。
さらに、図１１に示すように、仮想平面を算出する計測領域と平面特性を評価する領域や計測マスク画像を生成するための輝度範囲とを個別に管理することで、任意面に対する平面度や高さも得ることができる。
【００７９】
例えば図１１では、セラミックＰＫＧ１の表面平面１５の四隅に、電極１７に対応した円形の計測領域（ＫＲ１）とは別に、円形の計測領域（他計測領域ＫＲ２）を設定する。そして、この他計測領域に対して、電極１７に対応した計測領域に対して行った処理と同様にして高さを求めることができる。
【００８０】
なお、他計測領域はセラミック自体の表面の領域であるので、その輝度は電極１７よりも低いが、セラミックＰＫＧ１より外側の輝度よりは高い。従って、輝度画像として、セラミック自体の輝度を有する輝度画像を用いることにより、他計測領域の高さを求めることができる。ここでは、他計測領域は、第１領域及び第３領域に該当し、表面平面１５の全体が第２領域に該当する。
【００８１】
以上が、一連の位置検出部４７〜判定部５７段までの処理の流れである。
ここで、１つの検査画像より複数の平面特性検査を行うために、ｎ個の位置決め処理（即ち位置検出部４７で検出する位置の種類分け）と、ｍ個の計測パラメータ（例えば計測領域と計測処理条件、判定値）から構成される、例えば図１２のような階層設定データ構造をとることで、計測設定を一元的に管理することが容易となる。
【００８２】
また、セラミックＰＫＧ１等の検査対象物が撮像視野におさまらない場合には、分割して撮像したデータを連結した上で、上述した処理を行うことで、撮像視野以上の検査対象物（製品）に対しても検査可能となる。
【００８３】
＜表示装置＞
次に、画像処理装置２７の表示装置３３について説明する。
図１３（ａ）に示すように、例えば表示装置３３は、検査画像等を表示する表示部６１と、タッチパネルの機能を有する表示画面である操作部６３とを備えている。
【００８４】
例えば操作部６３には、ある位置決め基準に対して複数の計測条件（例えば平面度、平行度、パッド高さ（電極の高さ））に対応したボタン６３ａが設定されている。従って、このボタン６３ａにタッチすることにより、平面度等を求めることができる。
【００８５】
さらに、操作部６３には、計測条件のパラメータ（例えば判定のための閾値等）を設定するためのパラメータ入力部６３ｂも設定されている。
なお、位置決め基準は、例えば操作部６３の別画面６５である図１３（ｂ）に示すように、第１入力部６５ａを用いて検出点の数（位置検出点数）を設定し、第２入力部６５ｂを用いて各検出点の物理座標を設定することで、前述の位置検出部４７と計測位置補正部４９により変換式である前記式（１）が算出される。
【００８６】
また、評価する平面特性は、表示装置３３に表示される選択画面（即ち操作部６３）より選択することで切り替え可能である。平面特性の例としては、図１４に示すように、平面度、平行度、基準面（例えば表面平面１５）に対するパッド高さ（パッド深さ）のほか、仮想平面に対する距離に符号を付与した高さで評価する方法が考えられる。
【００８７】
なお、図１４（ａ）における基準面とは、例えば電極１７の高さより算出された仮想の基準面である。また、図１４（ｂ）における基準面とは、例えば底面９を基準とした仮想の基準面である。さらに、パッド高さとは、所定の基準面からの電極１７の高さ（図１（ｂ）の上下方向における高さ）を示し、パッド深さとは、基準面を表面平面１５とした場合の電極１７の深さを示している。
【００８８】
なお、平面特性算出方法は、この例に限定するものでなく、異なった算出方法を用意した際には、表示装置３３に表示される選択項目に追加することで利便性を維持できる。
また、表示装置の表示部６１には、検査完了後の良否結果のほかに、検出点や各計測領域における判定結果や計測値を、色分けして表示することができる。
［１−４．形状検査方法］
次に、本実施形態の電子部品用パッケージの形状検査方法（以下、単に形状検査方法と記すこともある）について説明する。この形状検査方法は、画像処理装置２７によって実施される処理により実現される。
【００８９】
＜メインの処理＞
まず、画像処理装置２７によって実施される処理の全体について、その概略を説明する。
本処理は、検査装置主制御部２３から画像処理装置２７に対して、トリガ信号が発せられることにより開始される。
【００９０】
図１５に示すように、ステップ（図面ではＳと記す）１００では、被検査物（検査対象物）であるセラミックＰＫＧ１の撮像を行う。具体的には、３次元撮像制御装置２５を駆動し、セラミックＰＫＧ１に対して、前記縞パターンを投影して、セラミックＰＫＧ１を撮像する。そして、撮像して得られた画像を解析することで、セラミックＰＫＧ１の高さ情報を得る。また、セラミックＰＫＧ１に対して、均一な照明光を照射して、セラミックＰＫＧ１を撮像する。そして、撮像して得られた画像から輝度情報を得る。
【００９１】
続くステップ１１０では、後述する位置決め処理を行う。
続くステップ１２０では、後述する計測マスク画像生成の処理を行う。
続くステップ１３０では、後述する基準面の算出の処理を行う。
【００９２】
続くステップ１４０では、後述する平面特性の算出の処理を行う。
続くステップ１５０では、前記ステップ１４０の平面特性の算出の処理で求めた平面特性に基づいて、平面特性の判定を行う。
【００９３】
具体的には、複数の電極１７の位置（高さ）に基づいて得られた平面、即ち複数の電極１７が配置された平面の特性（例えば平面度）が、所定の規格値を満たすか否か（即ち所定の許容範囲内であるか否か）を判定する。
【００９４】
続くステップ１６０では、前記ステップ１５０の判定結果を出力し、一旦本処理を終了する。例えば表示装置３３の表示部６１等に、例えば平面特性（例えば平面度）を表示するとともに、判定結果として、例えば規格値を満たしている場合には「良」と表示し、規格値を満たしていない場合には「不良」等の表示を行う。
【００９５】
＜位置決め処理＞
次に、図１５のステップ１１０の位置決め処理について説明する。
この位置決め処理は、予め設定された複数の検出点の座標（物理座標）を用いて、計測領域の座標を補正するための処理である。なお、検出点の情報は、上述のように、例えば操作部６３の別画面６５を用いて入力される。
【００９６】
図１６に示すように、まず、ステップ２００では、所定の電極１７の検出点１の物理座標に対応した第１座標の位置を検索する。つまり、検出点１に対応したピクセル座標である第１座標を求める。
【００９７】
具体的には、例えば、設計値である電極１７の位置の情報（セラミックＰＫＧ１のどの位置に配置されているかの情報）と、設計値である電極１７の形状や大きさの情報と、輝度情報とに基づいて、周知のパターンマッチングによって、第１座標に対応する電極１７を検出する。そして、その電極１７において予め設定された位置（例えば重心）の座標（即ち第１座標）を求める。
【００９８】
続くステップ２１０では、前記ステップ２００と同様にして、検出点２の物理座標に対応した第２座標の位置を検索する。
続くステップ２２０では、位置検出個所が３箇所以上であるか否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ２３０に進み、一方否定判断されるとステップ２４０に進む。
【００９９】
ステップ２３０では、前記ステップ２００と同様にして、検出点３の物理座標に対応した第３座標の位置を検索する。
ステップ２４０では、位置検出個所が４箇所以上であるか否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ２５０に進み、一方否定判断されるとステップ２６０に進む。なお、本実施形態では、位置検出個所は最大４箇所に設定されている。
【０１００】
ステップ２５０では、前記ステップ２００と同様にして、検出点４の物理座標に対応した第４座標の位置を検索する。
ステップ２６０では、上述した処理で求めた第１〜第４座標（ピクセル座標）と各第１〜第４座標に対応した各検出点の座標（物理座標）とに基づいて、前記式（１）の係数である位置補正係数を算出する。
【０１０１】
続くステップ２７０では、前記位置補正係数を用いた前記式（１）を用いて、計測領域の座標を補正する。
つまり、前記図９や図１１にて円形にて示す計測領域は、物理座標にて設定されているので、これを式（１）を用いてピクセル座標に変換する。このピクセル座標に変換することにより、例えば図１１に示す画像が得られる。尚、図１１に示す画像は、輝度画像を式（１）を用いて変換して表示装置３３の表示部６１に表示するとともに、それに重ね合わせて（変換後の）計測領域を表示したものである。
【０１０２】
＜計測マスク画像の生成処理＞
次に、図１５のステップ１２０の計測マスク画像の生成処理について説明する。
図１７に示すように、まず、ステップ３００では、計測する平面特性の判定を行う。ここで、どのような平面特性を求めるかは、予めの表示装置３３の操作部６３から入力されている。
【０１０３】
そして、例えば図１４（ａ）に示す平面度を計測する場合には、ステップ３１０にて、計測領域特定部５１で用いられる輝度判定用の閾値（即ち計測部用の閾値）にて、基準面マスク（Ｍ１）を生成する。この基準面とは、電極１７の高さから算出される仮想の基準面を示している。
【０１０４】
また、例えば図１４（ｂ）に示す平行度、パッド高さ（即ちパッド深さ）を計測する場合には、ステップ３２０にて、基準面用の閾値にて、基準面マスク（Ｍ２）を生成する。この基準面とは、底面９を示す仮想の基準面であり、基準面用の閾値は、計測部用の閾値とは異なる。
【０１０５】
ステップ３３０では、計測部用の閾値にて、例えば図８（ｂ）に示すような計測マスク画像を生成する。
＜基準面の算出処理＞
次に、図１５のステップ１３０の基準面の算出処理について説明する。
【０１０６】
図１８に示すように、まず、ステップ４００では、計測する平面特性の判定を行う。
そして、平面度を計測する場合には、ステップ４１０にて、計測部５１用の各計測領域の高さを抽出する。例えば各計測領域の重心（即ち円の中心）における高さを抽出する。なお、計測部５１用の各計測領域とは、例えば図１１に示す円形の計測領域（ＫＲ１）のことである。また、前記高さの情報は、上述のように３次元撮像制御装置２５から得られたものである。
【０１０７】
ステップ４２０では、ｎ番目の計測領域と基準面マスク（Ｍ１）より特定した画素群の高さを抽出する。つまり、各計測領域の重心と基準面マスク（Ｍ１）との距離を抽出する。
そして、ステップ４３０で、全ての計測領域の高さの抽出が終了したと判断された場合には、ステップ４４０に進む。なお、ステップ４１０〜４３０の処理は、全ての計測領域の高さの抽出が終了するまで、繰り返して実施される
ステップ４４０では、抽出した高さより、仮想基準面（Ｋ１）を算出する。
【０１０８】
一方、平行度やパッド高さ計測する場合には、ステップ４５０にて、基準面用の各計測領域の高さを抽出する。なお、基準面用の計測領域とは、例えば図１１に示す他計測領域ＫＲ２のことである。また、前記高さの情報は、上述のように３次元撮像制御装置２５から得られたものである。
【０１０９】
ステップ４６０では、ｎ番目の計測領域（ＫＲ２）と基準面マスク（Ｍ２）より特定した画素群の高さを抽出する。つまり、各計測領域の重心と基準面マスク（Ｍ２）との距離を抽出する。
【０１１０】
そして、ステップ４７０で、全ての計測領域の高さの抽出が終了したと判断された場合には、ステップ４８０に進む。なお、ステップ４５０〜４７０の処理は、全ての計測領域の高さの抽出が終了するまで、繰り返して実施される
ステップ４８０では、抽出した高さより、仮想基準面（Ｋ２）を算出する。
【０１１１】
＜平面特性の算出処理＞
次に、図１５のステップ４０の平面特性の算出処理について説明する。
図１９に示すように、まず、ステップ５００にて、計測部５１用の各計測領域の高さを抽出する。
【０１１２】
ステップ５１０では、ｎ番目の計測領域（ＫＲ１）と計測マスク画像（即ち計測マスク）とより限定した画素群の高さを抽出する。つまり、各計測領域の重心と計測マスクとの距離を抽出する。つまり、上述した第３領域における所定の画素（例えば計測領域の重心の画素）の高さを抽出する。
【０１１３】
ステップ５２０では、抽出した高さより、仮想基準面（Ｋ１またはＫ２）との最短距離を算出する。
そして、ステップ５３０にて、全ての計測領域の高さの抽出が終了したと判断された場合にステップ５４０に進む。
【０１１４】
ステップ５４０では、計測する平面特性の判定を行う。
そして、平面度の計測を行う場合には、ステップ５５０にて、各計測領域と仮想基準面（Ｋ１）との距離（±の符号付き）の「最大−最小」を算出し、平面特性値（平面度）とする。つまり、仮想基準面の一方の面と他方の面とにおける各計測領域の最大のずれ量（最大の距離）の合計を平面度とすることができる。
【０１１５】
また、平行度やパッド高さの計測を行う場合には、ステップ５６０にて、各計測領域と仮想基準面（Ｋ２）との距離の「最大値−最小値」を算出し、平面特性値（平行度）とする。なお、パッド高さは、各計測領域と仮想基準面（Ｋ２）との距離にて示すことができる。
［１−５．電子部品用パッケージの製造方法］
次に、上述した形状検査方法を利用した、電子部品用パッケージ（即ちセラミックＰＫＧ）の製造方法について説明する。
【０１１６】
このセラミックＰＫＧ１の製造方法は、セラミック基板である基板部３と基板部３の表面上に配置された電極１７とを備えたセラミックＰＫＧ１の製造方法に関するものである。
具体的には、このセラミックＰＫＧ１の製造方法では、第１工程にて、基板部３（詳しくは段部７の中間平面１３）に、メタライズによって電極１７の例えばタングステンからなるベース部（図示せず）を形成する。
【０１１７】
次に、第２工程では、ベース部にメッキする前又は後に、上述した形状検査方法によって、ベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報を求める。なお、メッキとしては、例えばニッケルメッキ後に、その上に金メッキする方法が挙げられる。
【０１１８】
次に、第３工程では、ベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報に基づいて、セラミックＰＫＧ１の形状の判定を行う。例えば電極１７の配置された中間平面１３の平面度等を求めて、その平面度が適切な範囲であるか等の判定を行う。
【０１１９】
これによって、目的の形状を有するセラミックＰＫＧ１を製造することができる。
［１−６．効果］
次に、本実施形態の効果を説明する。
【０１２０】
（１）本実施形態では、計測すべき部位に応じて設定された第１領域と、撮影した画像から得られた輝度情報に基づいて設定された第２領域と、が重なる第３領域において、高さ情報を求めてセラミックＰＫＧ１の形状を判定する。つまり、電極１７の高さ情報に基づいて、電極１７が配置された中間平面１３の平面度等を判定する。
【０１２１】
よって、必要な範囲において、演算処理の負担を少なくして、精度良く電極１７の高さを検出できるので、電極１７の高さ情報に基づいて、セラミックＰＫＧ１の形状（例えば平面度等の平面特性等）を精度よく求めることができる。
【０１２２】
このように、本実施形態では、セラミックＰＫＧ１の形状が複雑であっても、セラミックＰＫＧ１の計測すべき部位（例えば電極１７の部位）を正確に特定して、セラミックＰＫＧ１の平面特性を精度良く、しかも、容易に検出できるという顕著な効果を奏する。
【０１２３】
（２）本実施形態では、撮影した画像において、セラミックＰＫＧ１の特徴（例えば矩形状の特徴）を用いて、セラミックＰＫＧ１の２点以上の位置（例えば検出点１〜３の位置）を検出し、その検出した位置の情報に基づいて、セラミックＰＫＧ１の姿勢（画面上の傾き等）を検出し、その検出した姿勢に基づいて、第１領域及び第２領域の位置の補正を行うことができる。これにより、第１領域及び第２領域の位置の補正を好適に行うことができる。
【０１２４】
（３）また、本実施形態の形状検査方法を用いることにより、好適にセラミックＰＫＧ１を製造することができる。つまり、上述した形状検査方法によって、ベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報を求め、そのベース部のメッキ前又はメッキ後の高さ情報に基づいて、セラミックＰＫＧ１の形状の判定を行う。
【０１２５】
従って、セラミックＰＫＧ１の形状の判定を、簡易な処理により、精度良く行うことができる。そのため、多数のセラミックＰＫＧ１を製造する場合に、例えばメッキ前に形状の判定を行うときには、その段階で形状が好ましくない不良品を除外できるので、全体としての製造コストを低減できるという利点がある。
［１−７．文言の対応関係］
ここで、文言の対応関係について説明する。
【０１２６】
本実施形態の、セラミックＰＫＧ１、画像処理装置２７、計測領域特定部５１、高さ取得部５３、判定部５７、位置検出部４７、計測位置補正部４９が、それぞれ、本開示の、検査対象物、形状検査装置、第１領域設定部及び第２領域設定部、高さ算出部、判定部、位置検出部、姿勢検出部及び補正部、の一例に該当する。
［２．他の実施形態］
本開示は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本開示を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【０１２７】
（１）例えば、検査対象物としては、セラミックＰＫＧに限定されることはなく、各種の材料からなる容器や基板などを採用できる。
（２）例えば、検査対象物における位置を求める対象としては、電極に限定されるものではなく、金属層やセラミック層など、各種のものが挙げられる。また、電極の場合は、電極の材質、形状、配置、数等に限定されるものではない。
【０１２８】
（３）なお、上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【０１２９】
１…セラミックＰＫＧ
２７…画像処理装置
４７…位置検出部
４９…計測位置補正部
５１…計測領域特定部
５３…高さ取得部
５７…判定部
【図１】
2019158371.tif 000006
【図２】
2019158371.tif 000007
【図３】
2019158371.tif 000008
【図４】
2019158371.tif 000009
【図５】
2019158371.tif 000010
【図６】
2019158371.tif 000011
【図７】
2019158371.tif 000012
【図８】
2019158371.tif 000013
【図９】
2019158371.tif 000014
【図１０】
2019158371.tif 000015
【図１１】
2019158371.tif 000016
【図１２】
2019158371.tif 000017
【図１３】
2019158371.tif 000018
【図１４】
2019158371.tif 000019
【図１５】
2019158371.tif 000020
【図１６】
2019158371.tif 000021
【図１７】
2019158371.tif 000022
【図１８】
2019158371.tif 000023
【図１９】
2019158371.tif 000024