(57)【要約】【課題】リアルタイムに試料の脱離ガスを観測するのに併せて、元素の結合状態も分析できる分析装置を提供する。【解決手段】分析装置１は、試料Ｓａを載置する測定室２と、赤外光の光度を測定する光度測定部４と、昇温によって脱離したガスを分析するガス分析部５と、試料Ｓａへ赤外光を照射する赤外光照射部６とを備えている。測定室２は、試料Ｓａへ赤外光を照射するとき、超高真空で維持される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外光の光度を測定する光度測定部と、昇温によって脱離したガスを分析するガス分析部とを備えた分析装置であって、
試料を載置する測定室と、
試料へ赤外光を照射する赤外光照射部とを備え、
前記測定室は、試料へ赤外光を照射するとき、超高真空で維持されていること
を特徴とする分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の分析装置であって、
前記ガス分析部は、前記測定室の上部に設けられ、
前記ガス分析部の下方を遮蔽する遮蔽部が設けられていること
を特徴とする分析装置。
【請求項３】
請求項２に記載の分析装置であって、
前記光度測定部は、前記測定室の上部に設けられ、
前記遮蔽部は、前記光度測定部の下方を遮蔽すること
を特徴とする分析装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１つに記載の分析装置であって、
前記赤外光照射部は、試料を加熱する加熱光照射部と、前記光度測定部で検知される赤外光を生じさせる測定光照射部とで構成されていること
を特徴とする分析装置。
【請求項５】
請求項４に記載の分析装置であって、
前記測定光照射部は、試料を挟んで前記光度測定部と対向して配置され、
前記光度測定部は、試料を透過した赤外光の光度を測定すること
を特徴とする分析装置。
【請求項６】
請求項４に記載の分析装置であって、
前記測定光照射部は、前記測定室のうち、前記光度測定部が設けられている側に配置され、
前記光度測定部は、試料で反射した赤外光の光度を測定すること
を特徴とする分析装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１つに記載の分析装置であって、
前記測定室は、試料へ赤外光を照射するとき、１×１０−７Ｐａ以下で維持されていること
を特徴とする分析装置。
【請求項８】
赤外光の光度を測定する光度測定部と、昇温によって脱離したガスを分析するガス分析部とを備えた分析装置を用いた分析方法であって、
試料へ赤外光を照射して加熱し、試料から生じた赤外光の光度を測定するのに併せて、試料から脱離したガスを分析する分析工程を含み、
前記分析工程では、超高真空を維持した状態で、試料へ赤外光を照射すること
を特徴とする分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外光の光度の測定と、昇温によって脱離したガスの分析とを行う分析装置および分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの製造技術の発展に伴い、信頼性の高いデバイスが要求されている。特に、地球温暖化対策として注目されるシリコン系太陽電池において、水素は、ダングリングボンド密度の減少に重要な役割を持っている。そのため、リアルタイムでの、温度に対するＳｉ−Ｈ結合状態変化や水素脱離挙動などの情報を得ることは、太陽電池での特性の改善に大きく貢献し、非常に重要かつ有用である。
【０００３】
現在、分子結合状態を分析するＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）と、超高真空化で試料を加熱し、脱離ガス成分を分析するＴＤＳ（昇温脱離ガス分析）装置とがそれぞれ存在している。しかし、試料を加熱しながら分子結合状態の変化を評価することができないという課題がある。
【０００４】
ところで、近年、アルカリあるいはアルカリ土類型ゼオライトにおいて、ルイス酸点に吸着したアンモニアを定量し、ブレンステッド・ルイス酸点それぞれの量と強度とを算出する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９２３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の赤外スペクトルからの酸点の量・強度算出方法は、固体酸性質のうち、ブレンステッド・ルイス酸点それぞれの量と強度とを決定するためのアンモニアＩＲＭＳ−ＴＰＤ（赤外−質量分析−昇温脱離）法に関し、試料を納めたセル内に気体アンモニアを導入しつつ、昇温しながら赤外分光計で赤外スペクトルを測定している。そして、出口気体中のアンモニア濃度を質量分析計で測定している。
【０００７】
図９は、従来の測定方法を行う測定装置を示す概略説明図である。
【０００８】
従来の測定方法を行う測定装置１００は、試料Ｓａを収納する反応室１０１と、反応室１０１に設けられたガス導入口１０２およびガス排出口１０３と、赤外スペクトルを測定する赤外分光計１０４とを備えている。反応室１０１に対しては、矢符Ｃに示すように、ガス導入口１０２からキャリアガスが導入される。キャリアガスは、試料Ｓａで吸着された後、矢符Ｄに示すように、ガス排出口１０３から排出される。また、赤外分光計１０４に対しては、矢符Ｅに示すように、試料Ｓａへ照射された赤外光が入射する。上述した方法では、ヘリウムやアンモニアなどのキャリアガス種を使用しており、キャリアガスと同じ成分を含むガス種の分析が難しいという課題がある。また、キャリアガスを導入しながら測定を行うので、超高真空を保つことができない。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、リアルタイムに試料の脱離ガスを観測するのに併せて、元素の結合状態も分析できる分析装置および分析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る分析装置は、赤外光の光度を測定する光度測定部と、昇温によって脱離したガスを分析するガス分析部とを備えた分析装置であって、試料を載置する測定室と、試料へ赤外光を照射する赤外光照射部とを備え、前記測定室は、試料へ赤外光を照射するとき、超高真空で維持されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る分析装置では、前記ガス分析部は、前記測定室の上部に設けられ、前記ガス分析部の下方を遮蔽する遮蔽部が設けられている構成としてもよい。
【００１２】
本発明に係る分析装置では、前記光度測定部は、前記測定室の上部に設けられ、前記遮蔽部は、前記光度測定部の下方を遮蔽する構成としてもよい。
【００１３】
本発明に係る分析装置では、前記赤外光照射部は、試料を加熱する加熱光照射部と、前記光度測定部で検知される赤外光を生じさせる測定光照射部とで構成してもよい。
【００１４】
本発明に係る分析装置では、前記測定光照射部は、試料を挟んで前記光度測定部と対向して配置され、前記光度測定部は、試料を透過した赤外光の光度を測定する構成としてもよい。
【００１５】
本発明に係る分析装置では、前記測定光照射部は、前記測定室のうち、前記光度測定部が設けられている側に配置され、前記光度測定部は、試料で反射した赤外光の光度を測定する構成としてもよい。
【００１６】
本発明に係る分析装置では、前記測定室は、試料へ赤外光を照射するとき、１×１０−７Ｐａ以下で維持されている構成としてもよい。
【００１７】
本発明に係る分析方法は、赤外光の光度を測定する光度測定部と、昇温によって脱離したガスを分析するガス分析部とを備えた分析装置を用いた分析方法であって、試料へ赤外光を照射して加熱し、試料から生じた赤外光の光度を測定するのに併せて、試料から脱離したガスを分析する分析工程を含み、前記分析工程では、超高真空を維持した状態で、試料へ赤外光を照射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、超高真空中で測定を行うことで、微量な脱離ガスに対して、測定の感度を向上させることができる。また、ガス分析部と光度測定部とによって、リアルタイムに試料の脱離ガスを観測するのに併せて、元素の結合状態も分析できる。このようにして得られたデータを総合的に解析することで、より詳細な材料構造の分析を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【図２】分析結果の一例であって、水素脱離挙動を示す特性図である。
【図３】分析結果の一例であって、各温度におけるＳｉＨｘ結合状態の変化を示す特性図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【図９】従来の測定方法を行う測定装置を示す概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る分析装置について、図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【００２２】
本発明の第１実施形態に係る分析装置１は、試料Ｓａを載置する測定室２と、赤外光の光度を測定する光度測定部４と、昇温によって脱離したガスを分析するガス分析部５と、試料Ｓａへ赤外光を照射する赤外光照射部６とを備えている。
【００２３】
測定室２は、一方の側面に設けられた導入口２ａと、他方の側面に設けられた排出口２ｂと、試料Ｓａが載置される試料台３とを備えたロードロックチャンバーとされている。測定室２は、導入口２ａから導入された試料Ｓａが試料台３に載置され、測定の後、排出口２ｂから試料Ｓａが排出される。導入口２ａおよび排出口２ｂは、適宜開閉することができ、閉じることで、測定室２内の圧力が変動しないように密閉することができる。なお、分析装置１には、試料Ｓａを搬送するためのアーム（図示しない）などが設けられていてもよく、例えば、導入口２ａおよび排出口２ｂの外から測定室２内に挿入される構成としてもよいし、測定室２内にアームを備えた構成としてもよい。また、測定室２は、内部を減圧させる真空ポンプ（図示しない）などが接続されており、超高真空（１×１０−７Ｐａ以下）にすることができる。
【００２４】
試料台３は、赤外光を透過させる構成とされていることが好ましく、例えば、石英などの材料で形成されていることが好ましい。なお、試料台３全体を同一の材料で形成する必要はなく、試料Ｓａが載置される位置を予め設定しておき、試料Ｓａの下方だけを赤外光が透過するようにしてもよい。また、試料Ｓａの一部を支持するように、試料台３に開口を設けた構造としてもよい。
【００２５】
光度測定部４は、赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）であって、測定室２の上部（試料Ｓａの直上）に設けられている。なお、光度測定部４は、測定室２の内部に設けられていてもよいし、測定室２の外部に設けられていてもよい。光度測定部４を測定室２の外部に設けた際には、試料Ｓａから生じた赤外光が光度測定部４に到達するように、赤外光を透過させるレンズなどを設ければよい。
【００２６】
ガス分析部５は、四重極型質量分析計（Ｑ−ＭＳ）であって、測定室２の上部（試料Ｓａの斜め上）に設けられている。なお、光度測定部４およびガス分析部５で測定した一例については、後述する図２および図３を参照して、詳細に説明する。
【００２７】
赤外光照射部６は、試料台３の下方に設けられている。本実施の形態において、赤外光照射部６は、試料を加熱する加熱光照射部６ｂと、光度測定部４で検知される赤外光を生じさせる測定光照射部６ａとが一体とされた構成とされている。このように、加熱と測定とに用いる手段を、赤外光に統一することで、測定室２への影響を個別に考慮する必要がなく、簡素な構成とすることができる。なお、以下では赤外光照射部６から照射される赤外光を区別するため、測定光照射部６ａから照射され、光度測定部４での検知に対応した赤外光を測定光Ａと呼び、加熱光照射部６ｂから照射され、試料を加熱する赤外光を加熱光Ｂと呼ぶことがある。
【００２８】
上述したように、測定光照射部６ａは、試料Ｓａを挟んで光度測定部４と対向して配置され、光度測定部４は、試料Ｓａを透過した赤外光の光度を測定する。つまり、光度測定部４は、試料Ｓａを透過した測定光Ａに基づいて、試料Ｓａの分子結合状態を分析する。上述したように、本実施の形態は、赤外光を透過させる試料Ｓａの分析に適している。
【００２９】
測定室２内には、光度測定部４およびガス分析部５の下方を遮蔽する遮蔽部７が設けられている。遮蔽部７は、例えば、石英ガラスで形成され、測定室２の上面から吊り下げられている。なお、ガス分析部５と遮蔽部７との間には、隙間が設けられており、物質の行き来を完全に塞いでいるわけではない。遮蔽部７は、光度測定部４に検知される赤外光を透過させつつ、試料Ｓａから脱離したガスが、光度測定部４およびガス分析部５のレンズに付着して、汚染することを防止できる。また、遮蔽部７を併用しているので、測定室２内に設ける部品を最小限とすることができ、分析結果に影響が生じる要因を減らすことができる。
【００３０】
図１では、測定室２に導入口２ａおよび排出口２ｂを備えた構成を示したが、これに限定されず、導入口２ａだけを設けた構成としてもよい。この際、測定室２に対しては、導入口２ａを介して、試料Ｓａの導入と排出とが行われる。
【００３１】
次に、上述した分析装置１を用いた分析方法について説明する。先ず、測定室２へ導入した試料Ｓａを試料台３に載置し、測定室２内を超高真空状態にする。その後、試料Ｓａへ赤外光（測定光Ａおよび加熱光Ｂ）を照射して加熱する。試料Ｓａを加熱して昇温している際には、光度測定部４によって試料Ｓａから生じた赤外光の光度を測定するのに併せて、ガス分析部５によって試料Ｓａから脱離したガスを分析する。
【００３２】
次に、分析装置１で分析した結果の一例について、図２および図３を参照して説明する。以下に示す一例では、シリコンウェハー上に約１００ｎｍ程度のａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜を形成した試料Ｓａを用いており、８０℃から１０５０℃まで加熱し、水素脱離挙動と各温度におけるＳｉＨｘ結合状態の変化とを調べた。
【００３３】
図２は、分析結果の一例であって、水素脱離挙動を示す特性図である。
【００３４】
図２において、横軸は、温度を示し、縦軸は、ガス分析部５によって検知した脱離ガスの強度を示しており、各温度において脱離したガスの量を表すグラフとされている。図２に示すように、３００℃を超えたところから徐々に脱離ガスの強度が上昇し、４００℃付近で突出したピークが見られる。さらに、温度が上昇すると、脱離ガスの強度は一旦減少するが、５００℃を超えたところから徐々に脱離ガスの強度が上昇して、６００℃を少し超えたところでピークを迎え、その後は、脱離ガスの強度が急激に減少する。つまり、一例として用意した試料Ｓａでは、４００℃と６００℃とにおいて、ガスが脱離するピークを確認できた。
【００３５】
図３は、分析結果の一例であって、各温度におけるＳｉＨｘ結合状態の変化を示す特性図である。
【００３６】
図３において、横軸は、波数を示し、縦軸は、光度測定部４によって検知した赤外光の強度を示したグラフとされている。なお、横軸は、左端が２２００［ｃｍ−１］とされ、右端が１９００［ｃｍ−１］とされているが、図３は測定結果の一部を抽出したものであって、分析装置１での測定範囲はこれに限定されない。また、以下では説明のため、横軸について、左端側を高波数側と呼び、右端側を低波数側と呼ぶことがある。
【００３７】
各波数における赤外光の強度を比較することで、試料Ｓａの分子結合状態を把握することができる。一例として用意した試料Ｓａにおいては、例えば、Ｓｉ−Ｈ結合状態を観測できるが、ａ−Ｓｉ膜では、ＳｉＨ１結合とＳｉＨ２結合とを含んでいる。そして、ＳｉＨ１結合は２０００［ｃｍ−１］に対応し、ＳｉＨ２結合は２０９０［ｃｍ−１］に対応することが知られている。
【００３８】
図３では、３００℃における赤外光の強度を表す３００℃特性Ｇ１と、４００℃における赤外光の強度を表す４００℃特性Ｇ２と、５００℃における赤外光の強度を表す５００℃特性Ｇ３と、６００℃における赤外光の強度を表す６００℃特性Ｇ４とが示されている。
【００３９】
３００℃特性Ｇ１では、２０００［ｃｍ−１］付近を中心とした大きなピークが見られ、高波数側に向かうにしたがって、徐々に赤外光の強度が減少し、２１５０［ｃｍ−１］より高波数側では、赤外光の強度が非常に小さくなっている。但し、２０９０［ｃｍ−１］付近では、２１５０［ｃｍ−１］より高波数側に比べると、赤外光の強度が充分に大きい。つまり、３００℃特性Ｇ１では、２０００［ｃｍ−１］に対応するＳｉＨ１結合の強度が大きいので、相対的に２０９０［ｃｍ−１］での強度が小さく見えるが、２０９０［ｃｍ−１］付近に対応するＳｉＨ２結合を含むことが確認できる。
【００４０】
４００℃特性Ｇ２では、３００℃特性Ｇ１に比べると、全体的に赤外光の強度が小さくなっているが、略同様の傾向とされている。また、５００℃特性Ｇ３では、４００℃特性Ｇ２よりもさらに赤外光の強度が小さくなっているが、３００℃特性Ｇ１と略同様の傾向とされている。
【００４１】
６００℃特性Ｇ４では、２０００［ｃｍ−１］付近を中心とした小さなピークが見られるが、２０５０［ｃｍ−１］より高波数側では、赤外光の強度が非常に小さくなっている。つまり、６００℃特性Ｇ４において、２０９０［ｃｍ−１］付近では、周囲と同じように赤外光の強度が横ばいになっているので、ＳｉＨ２結合を含まないことが確認できる。
【００４２】
上述した図２と図３とを併せて分析すると、温度を上昇させるにつれて、ＳｉＨｘ結合ピークの強度が全体的に減少していく傾向が見られた。特に、６００℃においては、高波数側のピークが消えていることが確認された。また、赤外光の強度の推移から、図２において脱離温度の低いピークがＳｉＨ２結合であり、脱離温度の高いピークがＳｉＨ１結合であるという情報が得られる。
【００４３】
上述したように、分析装置１では、超高真空（１×１０−７Ｐａ以下）中で測定を行うことで、微量な脱離ガスに対して、測定の感度を向上させることができる。また、ガス分析部５と光度測定部４とによって、リアルタイムに試料の脱離ガスを観測するのに併せて、元素の結合状態も分析できる。このようにして得られたデータを総合的に解析することで、より詳細な材料構造の分析を行うことができる。また、分析を行う際、１×１０−７Ｐａ以下の超高真空とされていると、脱離したガスが微量であっても、圧力の変化が相対的に大きくなるため、ガス分析部５で感度良く検知することができる。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る分析装置について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態と同様の機能を有する構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００４５】
図４は、本発明の第２実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【００４６】
第２実施形態は、第１実施形態に対し、赤外光照射部６の配置が異なっている。具体的に、赤外光照射部６は、試料台３の下方に設けられているが、加熱光照射部６ｂと測定光照射部６ａとが独立して配置されている。測定光照射部６ａは、試料Ｓａの直下であって、光度測定部４と対向する位置に設けられ、加熱光照射部６ｂは、試料Ｓａの斜め下方に設けられている。このように、加熱光照射部６ｂと測定光照射部６ａとを別々に設けることで、赤外光の光度の測定と昇温によるガスの脱離とを同時に分析できるのに併せて、片方のみの分析も行うことができる。
【００４７】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る分析装置について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態および第２実施形態と同様の機能を有する構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００４８】
図５は、本発明の第３実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【００４９】
第３実施形態は、第２実施形態に対し、赤外光照射部６の配置が異なっている。具体的に、赤外光照射部６では、加熱光照射部６ｂと測定光照射部６ａとが独立して配置されており、測定光照射部６ａは試料台３の上方に設けられ、加熱光照射部６ｂは試料台３の下方に設けられている。加熱光照射部６ｂは、上述した第１実施形態および第２実施形態と同様に、試料Ｓａに加熱光Ｂを照射して加熱する。
【００５０】
測定光照射部６ａは、試料Ｓａの上方から遮蔽部７を介して、試料Ｓａに測定光Ａを照射する。測定光Ａは、試料Ｓａによって上方へ反射されて、光度測定部４に入射する。  上述したように、測定光照射部６ａは、測定室２のうち、光度測定部４が設けられている側に配置され、光度測定部４は、試料で反射した赤外光の光度を測定する構成とされている。つまり、本実施の形態は、赤外光を反射させる試料Ｓａの分析に適している。
【００５１】
図５では、測定光照射部６ａと光度測定部４とが重なるように設けられているが、実際には、光度測定部４に入射する赤外光を阻害しないように、測定光照射部６ａが配置されていればよい。
【００５２】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る分析装置について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態ないし第３実施形態と同様の機能を有する構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００５３】
図６は、本発明の第４実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【００５４】
第４実施形態は、第１実施形態に対し、光度測定部４の配置が異なっている。具体的に、光度測定部４は、測定室２の下部（試料Ｓａの直下）に設けられている。つまり、本実施の形態において、光度測定部４と測定光照射部６ａとは、測定室２の下部に設けられている。測定光Ａは、試料Ｓａの下方から照射されて、試料Ｓａによって下方へ反射され、光度測定部４に入射する。
【００５５】
図６では、図５と同様に、赤外光照射部６と光度測定部４とが重なるように設けられているが、実際には、光度測定部４に入射する赤外光を阻害しないように、赤外光照射部６が配置されていればよい。
【００５６】
遮蔽部７は、ガス分析部５の下方だけを遮蔽する構成とされていればよく、第１実施形態より小さいものを用いてもよい。本実施の形態において、測定室２の上部に設けられた遮蔽部７は、光度測定部４を遮蔽していないが、試料台３によって光度測定部４を遮蔽する構成としてもよい。例えば、石英ガラスで形成された試料台３を用いた場合では、試料台３によって、赤外光を透過させ、下方へ飛散する物質を遮ることができ、遮蔽部７と略同様の働きをする。
【００５７】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係る分析装置について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態ないし第４実施形態と同様の機能を有する構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００５８】
図７は、本発明の第５実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【００５９】
第５実施形態は、第４実施形態に対し、赤外光照射部６の配置が異なっている。具体的に、赤外光照射部６では、加熱光照射部６ｂと測定光照射部６ａとが独立して配置されており、第２実施形態と同様に、測定光照射部６ａは、試料Ｓａの直下に設けられ、加熱光照射部６ｂは、試料Ｓａの斜め下方に設けられている。本実施の形態では、第２実施形態と同様に、赤外光の光度の測定と昇温によるガスの脱離とを同時に分析できるのに併せて、片方のみの分析も行うことができる。
【００６０】
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態に係る分析装置について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態ないし第５実施形態と同様の機能を有する構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００６１】
図８は、本発明の第６実施形態に係る分析装置を示す概略構成図である。
【００６２】
第６実施形態は、第４実施形態に対し、赤外光照射部６の配置が異なっている。具体的に、赤外光照射部６では、第２実施形態と同様に、加熱光照射部６ｂと測定光照射部６ａとが独立して配置されており、測定光照射部６ａは試料台３の上方に設けられ、加熱光照射部６ｂは試料台３の下方に設けられている。測定光照射部６ａは、上方から試料Ｓａに測定光Ａを照射し、試料Ｓａを透過した測定光Ａが光度測定部４に入射する。
【００６３】
図８では、加熱光照射部６ｂが試料Ｓａの直下に設けられた構成を示したが、これに限定されず、加熱光照射部６ｂは、他の部品の機能を阻害しない位置に配置されていればよく、例えば、図７のように、試料Ｓａの斜め下方に設けられていてもよい。
【００６４】
なお、今回開示した実施の形態は全ての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
１  分析装置
２  測定室
２ａ  導入口
２ｂ  排出口
３  試料台
４  光度測定部
５  ガス分析部
６  赤外光照射部
６ａ  測定光照射部
６ｂ  加熱光照射部
７  遮蔽部
Ｓａ  試料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2019158804.tif 000006
【図５】
2019158804.tif 000007
【図６】
2019158804.tif 000008
【図７】
2019158804.tif 000009
【図８】
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【図９】
2019158804.tif 000011