(57)【要約】【課題】  大量生産向きの発電素子、及び、アブソリュートエンコーダを提供する。【解決手段】  発電素子は、第１面及び第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面に設けられる第１磁性膜と、前記第１磁性膜に重ねて設けられる第１絶縁部と、前記基板の前記第２面に設けられ、前記第１磁性膜とは磁化特性が異なる第２磁性膜と、前記第２磁性膜の前記基板とは反対側に重ねて設けられる第２絶縁部と、前記第１絶縁部、前記第１磁性膜、前記基板、前記第２磁性膜、及び前記第２絶縁部を含む積層領域の周りに巻き付けられるように配設されるコイルとを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面に設けられる第１磁性膜と、
前記第１磁性膜に重ねて設けられる第１絶縁部と、
前記基板の前記第２面に設けられ、前記第１磁性膜とは磁化特性が異なる第２磁性膜と、
前記第２磁性膜の前記基板とは反対側に重ねて設けられる第２絶縁部と、
前記第１絶縁部、前記第１磁性膜、前記基板、前記第２磁性膜、及び前記第２絶縁部を含む積層領域の周りに巻き付けられるように配設されるコイルと
を含む、発電素子。
【請求項２】
前記第１絶縁部及び前記第２絶縁部は、絶縁層である、請求項１記載の発電素子。
【請求項３】
前記第１絶縁部は、絶縁層であり、
前記第２絶縁部は、第２基板であり、
前記基板の第１面に前記第１磁性膜及び前記第１絶縁部がこの順に重ねて配置された第１積層体と、前記第２基板に前記第２磁性膜が重ねて配置された第２積層体とを前記基板の第２面と前記第２磁性膜とを貼り合わせた構成を有する、請求項１記載の発電素子。
【請求項４】
前記コイルは、前記積層領域の周りに巻き付けられるように配設される配線パターンによって構成される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の発電素子。
【請求項５】
前記配線パターンのうち、前記積層領域を積層方向に接続する部分は、前記第１絶縁部、前記第１磁性膜、前記基板、前記第２磁性膜、及び前記第２絶縁部を貫通するビアホール内に設けられたビアである、請求項４記載の発電素子。
【請求項６】
前記コイルは、前記積層領域の周りに巻回されたワイヤである、請求項１乃至３のいずれか一項記載の発電素子。
【請求項７】
第１面を有するスケール板と、
前記スケール板の前記第１面に対向して配置される基板と、
前記スケール板に取り付けられる磁石と、
前記基板に配設され、前記スケール板の移動に伴う磁界の変化によって発電する発電素子と、
前記発電素子が出力するパルス信号に基づいて、前記スケール板の移動位置を検出する移動位置検出部と
を含み、
前記発電素子は、
第１面及び第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面に設けられる第１磁性膜と、
前記第１磁性膜に重ねて設けられる第１絶縁部と、
前記基板の前記第２面に設けられ、前記第１磁性膜とは磁化特性が異なる第２磁性膜と、
前記第２磁性膜の前記基板とは反対側に重ねて設けられる第２絶縁部と、
前記第１絶縁部、前記第１磁性膜、前記基板、前記第２磁性膜、及び前記第２絶縁部を含む積層領域の周りに巻き付けられるように配設されるコイルと
を有する、アブソリュートエンコーダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発電素子、及び、アブソリュートエンコーダに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回転軸の一回転内の絶対位置を検出する絶対位置検出器と、多回転を検出する多回転検出器とを備えた絶対値エンコーダにおいて、前記多回転検出器は、前記回転軸の先端に設けられた永久磁石と、大バルクハウゼン効果をもつ磁性ワイヤ及びコイルから構成され前記永久磁石の磁界を検出できる位置に設けられた発電装置と、を備え、外部電源遮断時にモータの回転軸が外力により回転されると発電装置が発電し、前記発電装置から発電された電圧によって、前記多回転検出器の電源をバックアップすることを特徴とする絶対値エンコーダ装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０１４７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の絶対値エンコーダ装置の発電装置は、大バルクハウゼン効果を有する磁性ワイヤとその回りにコイルを巻いたもので、大バルクハウゼン効果による急峻な磁壁移動により磁性ワイヤの磁化が反転し、その磁化の反転によりコイルに誘起電圧が発生するようになっている。
【０００５】
このような磁性ワイヤとコイルによって構成される発電装置は、特に磁性ワイヤを巻回するのに手間が掛かるため、大量生産に不向きである。
【０００６】
そこで、大量生産向きの発電素子、及び、アブソリュートエンコーダを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の発電素子は、第１面及び第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面に設けられる第１磁性膜と、前記第１磁性膜に重ねて設けられる第１絶縁部と、前記基板の前記第２面に設けられ、前記第１磁性膜とは磁化特性が異なる第２磁性膜と、前記第２磁性膜の前記基板とは反対側に重ねて設けられる第２絶縁部と、前記第１絶縁部、前記第１磁性膜、前記基板、前記第２磁性膜、及び前記第２絶縁部を含む積層領域の周りに巻き付けられるように配設されるコイルとを含む。
【発明の効果】
【０００８】
大量生産向きの発電素子、及び、アブソリュートエンコーダを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態のアブソリュートエンコーダ１００がモータ５０に取り付けられた状態を示す図である。
【図２】実施の形態の発電素子２００を示す図である。
【図３】実施の形態の変形例の発電素子２００Ｍを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の発電素子、及び、この発電素子を用いたバッテリレスアブソリュートエンコーダを適用した実施の形態について説明する。
【００１１】
＜実施の形態＞
図１は、実施の形態のバッテリレスアブソリュートエンコーダ１００（以下、アブソリュートエンコーダ１００ともいう）がモータ５０に取り付けられた状態を示す図である。以下では、ＸＹＺ座標系を用いて説明し、ＸＹ面視することを平面視と称す。
【００１２】
アブソリュートエンコーダ１００は、基板１０１、スケール板１１０、磁石１１５、光学モジュール１２０、回路部品１３０、コネクタ１３５、エンコーダカバー１４０、マイクロコンピュータ１５０、及び発電素子２００を含む。
【００１３】
ここでは、まず、エンコーダカバー１４０について説明する。エンコーダカバー１４０は、図１に示すように円筒状の壁部１４０Ａを有する部材である。エンコーダカバー１４０は、円筒状の壁部１４０Ａの両端が開口された構成を有する。エンコーダカバー１４０は、カバーの一例である。
【００１４】
エンコーダカバー１４０のＺ軸負方向側の端部には、円板状の基板１０１が接続される。エンコーダカバー１４０と基板１０１の外径は等しい。また、エンコーダカバー１４０のＺ軸正方向側の端部には、モータ５０の円柱状の筐体５０Ａが接続される。ここでは、一例として、エンコーダカバー１４０の外径と、モータ５０の筐体５０Ａの外径は等しい。モータ５０は、例えば、サーボモータである。筐体５０ＡのＺ軸負方向側には、基板１０１と平行な壁部が設けられており、壁部の平面視での中心をモータ５０の回転軸が貫通している。
【００１５】
エンコーダカバー１４０は、基板１０１とモータ５０の筐体５０Ａの壁部とによって囲まれる空間内に、スケール板１１０、光学モジュール１２０、及びその他の電子部品等を収容している。
【００１６】
次に、基板１０１、スケール板１１０、光学モジュール１２０、回路部品１３０、コネクタ１３５について説明する。
【００１７】
基板１０１は、平面視で円形の配線基板である。基板１０１としては、例えば、ＦＲ−４(Flame Retardant type 4)規格の配線基板を用いることができる。基板１０１のＺ軸正方向側の面には、発電素子２００、光学モジュール１２０が実装され、基板１０１のＺ軸負方向側の面には、回路部品１３０、コネクタ１３５、マイクロコンピュータ１５０、及び発電素子２００が実装される。基板１０１には、回路部品１３０及びコネクタ１３５以外にも光学モジュール１２０に接続される回路を構成する電子部品等が実装されるが、ここでは図示を省略する。
【００１８】
スケール板１１０は、一例として、金属製の円板部１１０Ａと、円板部１１０Ａの中心のＺ軸正方向側に取り付けられる回転軸１１０Ｂとを有する。回転軸１１０Ｂは、モータ５０の回転軸に固定されている。スケール板１１０は、モータ５０の回転軸の回転に合わせてＸＹ面内で回転軸１１０Ｂを中心に回転する。このため、平面視で円形のスケール板１１０の回転方向と周方向は等しい。
【００１９】
スケール板１１０の円板部１１０Ａは、基板１０１に平行である。スケール板１１０のＺ軸負方向側の面には、外周に沿ってインクリメンタルパターンやアブソリュートパターン等の反射部が設けられている。スケール板１１０は、反射部材の一例であり、反射部は、反射パターンの一例である。スケール板１１０のＺ軸負方向側の面は、第１面の一例である。
【００２０】
スケール板１１０の円板部１１０ＡのＺ軸正方向側の面の中心には、磁石１１５が配設されている。スケール板１１０のＺ軸正方向側の面は、第２面の一例である。
【００２１】
磁石１１５は、Ｎ極とＳ極を有する永久磁石であり、スケール板１１０の円板部１１０ＡのＺ軸正方向側の面の中心に配設され、スケール板１１０とともに回転する。磁石１１５の残留磁束密度は、発電素子２００がパルス信号を発生し、パルス信号に基づいてスケール板１１０の多回転用の回転位置を表すデータが得られるのに十分なものであればよい。
【００２２】
光学モジュール１２０は、ＬＥＤと受光素子を有する。光学モジュール１２０は、基板１０１のＺ軸正方向側の表面に実装され、スケール板１１０に対向している。ＬＥＤは、発光面がＺ軸正方向側を向いている。ＬＥＤは、ランバート型である。
【００２３】
受光素子は、インクリメンタルパターンやアブソリュートパターン等を反射または透過した光を受光する受光素子であり、例えば、フォトダイオード（PD）を用いることができる。受光素子は、例えば、アブソリュートパターンに基づいた信号を受光する場合、Ｍ系列コードによるスケール板１１０の角度検出のビット数（９ビット）と等しい数だけ設けられており、スケール板１１０の回転方向に沿って、扇形に配置されている。
【００２４】
受光素子は、反射部による反射光を受光して光電変換を行い、光電流を出力する。
【００２５】
回路部品１３０は、基板１０１が有する配線によって、光学モジュール１２０の受光素子に接続されている。回路部品１３０は、受光素子が出力する光信号に応じた信号を出力する。
【００２６】
コネクタ１３５は、アブソリュートエンコーダ１００の出力信号を外部の装置に取り出すための端子である。
【００２７】
マイクロコンピュータ１５０は、発電素子２００が出力するパルス信号をカウントしてモータ５０の多回転量および回転位置を表すデータを生成するとともに、光学モジュール１２０から得られる光学情報に基づいて回転位置を表すデータを生成する。マイクロコンピュータ１５０は、移動位置検出部の一例である。
【００２８】
マイクロコンピュータ１５０によって生成される磁気系および光学系のデータによる回転量および回転位置に関するデータはコネクタ１３５を介して外部装置に出力される。
【００２９】
発電素子２００は、基板１０１のＺ軸負方向側の表面において、平面視で磁石１１５と重なる位置に、磁石１１５と所定距離を隔てて配設されている。発電素子２００は、大バルクハウゼン効果を利用したセンサである。この発電素子２００は、回転軸１１０Ｂの回転に伴う磁石１１５による磁束の変化によりパルス状の誘起電圧が発生する素子であり、このときのパルス状の誘起電圧により発電するとともに、このパルス信号により多回転量をカウントする。
【００３０】
図２は、実施の形態の発電素子２００を示す図である。図２では、図１と共通のＸＹＺ座標系を用いて説明する。
【００３１】
発電素子２００は、基板２１０、磁性膜２２０、酸化シリコン層２３０、基板２４０、磁性膜２５０、接着層２６０、及びコイル２７０を含む。
【００３２】
基板２１０は、一例としてガラス製の基板である。基板２１０のＺ軸正方向側の表面２１０Ａには、磁性膜２２０が配設されており、磁性膜２２０のＺ軸正方向側の表面には、酸化シリコン層２３０が配設されている。基板２１０のＺ軸正方向側の表面２１０Ａは、第１面の一例であり、基板２１０のＺ軸負方向側の表面２１０Ｂは、第２面の一例である。基板２１０の厚さは、例えば、0.3mm〜0.5mmである。
【００３３】
磁性膜２２０は、基板２１０のＺ軸正方向側の表面２１０Ａに配設される第１磁性膜の一例であり、磁性膜２５０とは異なる磁化特性を有する。このように、磁性膜２２０及び２５０が異なる磁化特性を有することにより、大バルクハウゼン効果が得られるように構成されている。
【００３４】
磁性膜２２０の材料は、例えば、コバルト、又はパーマロイである。また、磁性膜２２０の厚さは、例えば、１μｍ〜５μｍである。磁性膜２２０は、半導体製造技術によるスパッタ法等によって作製することができる。
【００３５】
酸化シリコン層２３０は、磁性膜２２０のＺ軸正方向側の表面に設けられており、絶縁層によって構成される第１絶縁部の一例である。酸化シリコン層２３０は、コイル２７０と磁性膜２２０との絶縁を取るために設けられている。
【００３６】
例えば、半導体製造技術によるスパッタ法等によって基板２１０の表面２１０Ａに磁性膜２２０を形成し、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等によって酸化シリコン層２３０を磁性膜２２０に積層すると、基板２１０、磁性膜２２０、及び酸化シリコン層２３０の積層体を作製することができる。
【００３７】
酸化シリコン層２３０の厚さは、例えば、５μｍ程度である。
【００３８】
基板２４０は、一例としてガラス製の基板である。基板２４０のＺ軸正方向側の表面２４０Ａには、磁性膜２５０が配設されている。基板２４０は、第２絶縁部の一例であるとともに、第２基板の一例である。基板２４０の厚さは、例えば、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍである。
【００３９】
磁性膜２５０は、基板２４０のＺ軸正方向側の表面２４０Ａに配設される第２磁性膜の一例であり、磁性膜２２０とは異なる磁化特性を有する。このように、磁性膜２２０及び２５０が異なる磁化特性を有することにより、大バルクハウゼン効果が得られるように構成されている。より具体的には、大バルクハウゼン効果による急峻な磁壁移動により磁性膜２２０、２５０の磁化方向が反転し、磁化方向の反転によりコイル２７０に誘起電圧が発生するようになっている。
【００４０】
磁性膜２５０の材料は、例えば、コバルト、又はパーマロイである。磁性膜２５０の厚さは、例えば、１μｍ〜５μｍである。
例えば、半導体製造技術によるスパッタ法等によって基板２４０の表面２４０Ａに磁性膜２５０を形成すると、基板２４０及び磁性膜２５０の積層体を作製することができる。
【００４１】
接着層２６０は、基板２１０の表面２１０Ｂと、磁性膜２５０とを接着している。上述したように、基板２１０、磁性膜２２０、及び酸化シリコン層２３０の積層体と、基板２４０及び磁性膜２５０の積層体とを別々に作製しておき、接着層２６０で接着することにより、容易に、基板２１０、磁性膜２２０、酸化シリコン層２３０、基板２４０、及び磁性膜２５０の積層体を作製することができる。
【００４２】
なお、接着層２６０として用いる接着剤としては、応力を緩和するシリコン系の接着材が適している。接着層２６０の厚さは、例えば、約１０μｍである。
【００４３】
コイル２７０は、基板２１０、磁性膜２２０、酸化シリコン層２３０、基板２４０、磁性膜２５０、及び接着層２６０の積層体２００Ａの周囲に巻回されるように配設される金属製のコイルである。図２では、一例として、コイル２７０の巻数は８回である。コイル２７０は、端部２７０Ａ、２７０Ｂを有する。
【００４４】
コイル２７０は、例えば、銅又はアルミニウム等の金属製であればよく、例えば、スパッタ法や蒸着法で金属膜を作製してから、エッチング処理によってパターニングすることによって作製することができる。このようにして作製されるコイル２７０は、配線基板に設けられるパターニングされた金属配線と同様の配線パターンである。
【００４５】
また、コイル２７０は、めっき処理（無電解めっき法及び電解めっき法）によって作製することもできる。積層体２００Ａのうち、コイル２７０によって囲まれる部分は、積層領域の一例である。
【００４６】
このような発電素子２００をアブソリュートエンコーダ１００に取り付けて、スケール板１１０が回転すると、大バルクハウゼン効果による急峻な磁壁移動により磁性膜２２０、２５０の磁化方向が反転し、磁化方向の反転によりコイル２７０にパルス状の誘起電圧が発生する。そして、このパルス状の誘起電圧を発電に利用するとともに、このパルス状の電圧信号をカウントすることによってモータの多回転量をカウントする。
【００４７】
例えば、アブソリュートエンコーダ１００の電源がオフのときに、モータ５０の回転軸が回転されると、コイル２７０が発生する誘起電圧で多回転検出系（マイクロコンピュータ１５０のうち多回転用の回転位置を表すデータを処理する部分）が動作可能な状態になるため、アブソリュートエンコーダ１００の電源がオフの場合でもスケール板１１０が回転した回転量又は回転位置を検出することができる。
【００４８】
以上のような発電素子２００は、基板２１０、磁性膜２２０、及び酸化シリコン層２３０の積層体と、基板２４０及び磁性膜２５０の積層体とを接着層２６０で接着した後に、コイル２７０を作製することによって、容易に製造することができる。
【００４９】
より具体的には、ガラス製の基板２１０と２４０に、磁性膜２２０及び酸化シリコン層２３０と磁性膜２５０をそれぞれ形成し、２個の積層体を接着層２６０で貼り合わせ、コイル２７０を作製すれば完成である。
【００５０】
このように、磁性膜２２０、酸化シリコン層２３０、磁性膜２５０、及びコイル２７０は、半導体製造技術を利用して作製することができるので、大量生産向きの発電素子２００を提供することができる。また、このような発電素子２００を用いれば、大量生産向きのアブソリュートエンコーダ１００を提供することができる。
【００５１】
以上、実施の形態によれば、大量生産向きの発電素子２００、及び、アブソリュートエンコーダ１００を提供することができる。
【００５２】
アブソリュートエンコーダ１００をモータ５０の制御に用いる際に、誤検出や誤動作があると、モータ５０の回転位置を正しく制御できなくなるおそれがあるが、このように信頼性の高いアブソリュートエンコーダ１００を用いれば、モータ５０の回転位置を正しく制御することができる。これは、モータ５０以外であっても同様である。
【００５３】
なお、以上では、積層体２００Ａの周囲にコイル２７０を作製する形態について説明したが、基板２１０、磁性膜２２０、酸化シリコン層２３０、基板２４０、磁性膜２５０、接着層２６０の側面（ＸＺ平面に平行な側面）にコイル２７０を形成する代わりに、積層体２００ＡをＺ軸方向に貫通するビアホールをサンドブラスト法等によって形成し、ビアホール内に蒸着法又はめっき処理等によってビアを作製してもよい。
【００５４】
この場合には、ビアと磁性膜２２０及び２５０が接触しないように、ビアの位置を避けるように磁性膜２２０及び２５０をパターニングすればよい。なお。この場合には、積層体２００ＡのＺ軸方向（厚さ方向）に設けられるビアを含むコイル２７０によって囲まれる部分が積層領域の一例である。
【００５５】
なお、以上では、配線パターンでコイル２７０を作製する形態について説明したが、コイル２７０としてワイヤを用いてもよい。例えば、銅製又はアルミニウム等の金属ワイヤを積層体２００Ａの周囲に巻回してもよい。
【００５６】
また、以上では、ガラス製の基板２１０、２４０を用いる形態について説明したが、基板２４０は、非磁性材料で、かつ、絶縁性を有する材料性であればよい。このため、基板２１０、２４０は、ガラス製に限られるものではない。
【００５７】
また、以上では、２枚の基板２１０、２４０を用いる形態について説明したが、図３に示すように、１枚の基板２１０Ｍを用いる発電素子２００Ｍであってもよい。図３は、実施の形態の変形例の発電素子２００Ｍを示す図である。
【００５８】
発電素子２００Ｍは、基板２１０Ｍ、磁性膜２２０Ｍ、酸化シリコン層２３０ＭＡ、２３０ＭＢ、磁性膜２５０Ｍ、及びコイル２７０Ｍを含む。
【００５９】
基板２１０Ｍは、一例として、シリコン製の基板である。基板２１０ＭのＺ軸正方向側の表面２１０ＭＡには、磁性膜２２０Ｍが配設されており、磁性膜２２０ＭのＺ軸正方向側の表面には、酸化シリコン層２３０ＭＡが配設されている。基板２１０ＭのＺ軸正方向側の表面２１０ＭＡは、第１面の一例であり、基板２１０ＭのＺ軸負方向側の表面２１０ＭＢは、第２面の一例である。基板２１０Ｍの厚さは、例えば、０．３〜０．５ｍｍである。
【００６０】
磁性膜２２０Ｍは、図２に示す磁性膜２２０と同様であり、基板２１０ＭのＺ軸正方向側の表面２１０ＭＡに配設されており、Ｙ軸方向においては、基板２１０Ｍの両端よりも内側にオフセットしている。磁性膜２２０Ｍの位置を破線で示す。
【００６１】
磁性膜２２０Ｍは、第１磁性膜の一例である。磁性膜２２０Ｍは、磁性膜２２０と同様に、磁性膜２５０Ｍとは異なる磁化特性を有する。磁性膜２２０Ｍとしては、磁性膜２２０と同様の磁性材料を用いればよく、半導体製造技術によるスパッタ法等によって作製することができる。
【００６２】
酸化シリコン層２３０ＭＡは、図２に示す酸化シリコン層２３０と同様であり、磁性膜２２０ＭのＺ軸正方向側の表面に設けられている。酸化シリコン層２３０ＭＡは、絶縁層によって構成される第１絶縁部の一例である。
【００６３】
磁性膜２５０Ｍは、図２に示す磁性膜２５０と同様であるが、基板２１０ＭのＺ軸負方向側の表面２１０ＭＢに配設されており、Ｙ軸方向においては、基板２１０Ｍの両端よりも内側にオフセットしている。磁性膜２５０Ｍの位置を破線で示す。磁性膜２５０Ｍとしては、磁性膜２５０と同様の磁性材料を用いればよく、半導体製造技術によるスパッタ法等によって作製することができる。
【００６４】
磁性膜２５０Ｍは、第２磁性膜の一例である。磁性膜２５０Ｍは、磁性膜２５０と同様に、磁性膜２２０Ｍとは異なる磁化特性を有する。磁性膜２２０Ｍ及び２５０Ｍは、互いに異なる磁化特性を有することにより、大バルクハウゼン効果が得られるように構成されている。
【００６５】
酸化シリコン層２３０ＭＢは、磁性膜２５０ＭのＺ軸負方向側の表面に配設される。
【００６６】
コイル２７０Ｍは、配線部２７１Ｍとビア２７２Ｍとを有する。配線部２７１Ｍは、酸化シリコン層２３０ＭＡのＺ軸正方向側の表面と、酸化シリコン層２３０ＭＢのＺ軸正方向側の表面とに設けられる。
【００６７】
ビア２７２Ｍは、基板２１０Ｍ、磁性膜２２０Ｍ、酸化シリコン層２３０ＭＡ、２３０ＭＢ、及び磁性膜２５０Ｍの積層体２００ＭＡをＺ軸方向に貫通するビアホールの内部に設けられている。ビア２７２Ｍは、配線部２７１Ｍ同士を接続しており、コイル２７０Ｍは、酸化シリコン層２３０ＭＡのＺ軸正方向側の表面と、酸化シリコン層２３０ＭＢのＺ軸正方向側の表面とに設けられる配線部２７１Ｍが、ビア２７２Ｍによって接続されることによって、コイル状になっている。
【００６８】
磁性膜２２０Ｍ、２５０ＭがＹ軸方向において、基板２１０Ｍの両端よりも内側にオフセットしているのは、ビア２７２Ｍとの接触を避けるためである。
【００６９】
以上のような構成の発電素子２００Ｍは、半導体製造技術を利用して、シリコン製の基板２１０Ｍの両面に磁性膜２２０Ｍ、２５０Ｍを形成し、磁性膜２２０Ｍ、２５０Ｍにそれぞれ酸化シリコン層２３０ＭＡ、２３０ＭＢを積層し、積層体２００ＭＡのＺ軸正方向側及びＺ軸負方向側の表面に配線部２７１Ｍを形成し、さらにビア２７２Ｍを形成することによって作製できる。
【００７０】
このため、大量生産向きの発電素子２００Ｍを提供することができる。また、このような発電素子２００Ｍを用いれば、大量生産向きのアブソリュートエンコーダ１００を提供することができる。
【００７１】
従って、実施の形態の変形例によれば、大量生産向きの発電素子２００Ｍ、及び、アブソリュートエンコーダ１００を提供することができる。
【００７２】
以上では、バッテリレスアブソリュートエンコーダ１００がロータリ型である形態について説明したが、エンコーダ１００は、リニア型であってもよい。
【００７３】
以上、本発明の例示的な実施の形態の発電素子、及び、アブソリュートエンコーダについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００７４】
５０  モータ
５０Ａ  筐体
１００  アブソリュートエンコーダ
１１０  スケール板
１２０  光学モジュール
１３０  回路部品
１４０  エンコーダカバー
１５０  マイクロコンピュータ
２００、２００Ｍ  発電素子
２１０、２１０Ｍ  基板
２２０、２２０Ｍ  磁性膜
２３０、２３０ＭＡ、２３０ＭＢ  酸化シリコン層
２４０  基板
２５０、２５０Ｍ  磁性膜
２６０  接着層
２７０、２７０Ｍ  コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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