(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザスクライブを行った際に基板の表面にデブリが付着することを抑制する半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】素子領域と分割領域との間の段差を低減するように半導体ウエハ１２の表面６Ａの側において分割領域に樹脂２３を塗布する。次いで、半導体ウエハの表面側に粘着テープ２４を貼り付けし、分割領域にレーザビームを照射して、粘着テープに半導体ウエハの分割領域を露出させる露出部を形成する。次いで、半導体ウエハの裏面４Ａをダイシングテープ２２で保持した状態で、半導体ウエハの表面をプラズマに晒して、素子領域を粘着テープによってプラズマから保護しながら、露出部に露出する分割領域を裏面４Ａに達するまでエッチングすることにより、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。そして、個片化された半導体チップの表面６Ａに残存する粘着テープを除去する。【選択図】図１Ｊ
2019169686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを備えるとともに、前記第１の面に、電極を有する複数の素子領域と、前記素子領域を画定し前記素子領域よりも高さが低い分割領域とを備える基板を準備し、
前記素子領域と前記分割領域との間の段差を低減するように前記基板の前記第１の面の側において前記分割領域に樹脂を塗布し、
前記基板の前記第１の面の側に粘着テープを貼り付けし、
前記分割領域にレーザビームを照射して、前記粘着テープに前記基板の前記分割領域を露出させる露出部を形成し、
前記基板の前記第２の面を保持部材で保持した状態で、前記基板の前記第１の面をプラズマに晒して、前記素子領域を前記粘着テープによって前記プラズマから保護しながら、前記露出部に露出する前記分割領域を前記第２の面に達するまでエッチングすることにより、前記基板を複数の素子チップに個片化し、
個片化された前記基板の表面に残存する前記粘着テープを除去する
ことを含む、素子チップの製造方法。
【請求項２】
前記樹脂が水溶性を備える、請求項１に記載の素子チップの製造方法。
【請求項３】
前記粘着テープが水溶性を備える、請求項１または請求項２に記載の素子チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子チップの製造には、プラズマエッチングが使用されることがある。プラズマエッチングの用途は広く、例えば、基板を個片化するためのプラズマダイシングと称される方法がその一つとして知られている。分割領域で画定される複数の素子領域を備える基板のプラズマダイシングでは、基板の一方の面から他方の面に達するまで分割領域をプラズマエッチングし、基板を各素子チップへと個片化する。このようなプラズマダイシングでは、分割領域のみがプラズマエッチングされ、素子領域はプラズマエッチングから保護される必要がある。そのため、一般に、プラズマエッチング前に、耐プラズマ性を有するマスクを素子領域の表面に形成する。このマスクは、プラズマダイシング後にアッシング等によって除去される。
【０００３】
素子チップの種類によっては、ＴＥＧ（Test Element Group）と称される評価デバイスが分割領域に形成されることがある。素子チップの製造工程では、このＴＥＧを用いて種々の特性調査が行われ、実際のデバイス特性のモニタリングが行われている。ＴＥＧは一般に金属や無機物を含む材料からなるため、プラズマダイシングの妨げとなり得る。従って、この場合、レーザスクライブによって分割領域を一定程度切削してＴＥＧを除去した後に、残りの部分をプラズマダイシングすることがある。このようなレーザスクライブおよびプラズマダイシングを含む素子チップの製造方法が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１には、マスクの形成方法として、膜状に形成された樹脂を貼り付ける方法や液状の樹脂をスピンコーティングにより塗布する方法が開示されている。膜状に形成された樹脂を貼り付ける方法は、液状の樹脂をスピンコーティングにより塗布する方法に比べ、比較的簡単な設備で行うことができる等の利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５０２３６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
レーザスクライブを行うとデブリと称される切削屑が発生する。通常、レーザスクライブは、特許文献１に記載されているようにマスクの上から行われるため、デブリが基板表面に付着することは防止される。しかし、素子チップの表面には、電極等の様々な凹凸部分があるため、膜状に形成された樹脂をマスクとして貼り付ける場合、マスクを凹凸部分に完全に沿わせて貼り付けることは困難である。そのため、基板の表面とマスクとの間には部分的に空隙が発生することがある。特にレーザスクライブする分割領域に当該空隙が発生していると、当該空隙からマスク内にデブリが入り込み、基板の表面に付着することがある。基板の表面に過剰にデブリが付着すると、素子チップとしては不良品となる。
【０００６】
本発明は、素子チップの製造方法において、レーザスクライブを行った際に基板の表面にデブリが付着することを抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを備えるとともに、前記第１の面に、電極を有する複数の素子領域と、前記素子領域を画定し前記素子領域よりも高さが低い分割領域とを備える基板を準備し、前記素子領域と前記分割領域との間の段差を低減するように前記基板の前記第１の面の側において前記分割領域に樹脂を塗布し、前記基板の前記第１の面の側に粘着テープを貼り付けし、前記分割領域にレーザビームを照射して、前記粘着テープに前記基板の前記分割領域を露出させる露出部を形成し、前記基板の前記第２の面を保持部材で保持した状態で、前記基板の前記第１の面をプラズマに晒して、前記素子領域を前記粘着テープによって前記プラズマから保護しながら、前記露出部に露出する前記分割領域を前記第２の面に達するまでエッチングすることにより、前記基板を複数の素子チップに個片化し、個片化された前記基板の表面に残存する前記粘着テープを除去することを含む、素子チップの製造方法を提供する。
【０００８】
この方法によれば、レーザスクライブを行う前に分割領域に樹脂を塗布することによって素子領域と分割領域との間の段差を低減できる。上記基板では分割領域の高さが素子領域の高さよりも低いため、高さの低い分割領域を樹脂で埋めることによって段差を低減している。段差を低減することにより、粘着テープを基板に貼り付けた際に粘着テープが基板に密着する面積を増加できる。その結果、粘着テープが基板に密着した状態でレーザスクライブできるため、基板の表面にデブリが付着することを抑制できる。
【０００９】
前記樹脂が水溶性を備えてもよい。
【００１０】
この方法によれば、樹脂が厚い場合であっても、基板を複数の素子チップに個片化した後に樹脂を水洗で簡単に除去できる。また、粘着テープが樹脂を介して基板に貼り付いた状態で樹脂を水洗によって除去すると、粘着テープを樹脂ごと水洗によって除去することもできる。
【００１１】
前記粘着テープが水溶性を備えてもよい。
【００１２】
この方法によれば、基板を複数の素子チップに個片化した後に粘着テープを水洗で簡単に除去できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、素子チップの製造方法において、レーザスクライブを行った際に基板の表面にデブリが付着することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の第１準備工程を示す断面図。
【図１Ｂ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の第２準備工程を示す断面図。
【図１Ｃ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の保護工程を示す断面図。
【図１Ｄ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の薄化工程を示す断面図。
【図１Ｅ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の第１保持工程を示す断面図。
【図１Ｆ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の第２保持工程を示す断面図。
【図１Ｇ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の第１マスク形成工程を示す断面図。
【図１Ｈ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の第２マスク形成工程を示す断面図。
【図１Ｉ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法のレーザスクライブ工程を示す断面図。
【図１Ｊ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法の個片化工程を示す断面図。
【図１Ｋ】第１実施形態に係る素子チップの製造方法のマスク除去工程を示す断面図。
【図２】レーザスクライブ工程における各領域の位置関係を示す半導体ウエハの平面図。
【図３】第１実施形態の第２マスク形成工程の比較例を示す断面図。
【図４】プラズマエッチング装置の模式図。
【図５】素子チップの製造装置の概略構成図。
【図６Ａ】第２実施形態に係る素子チップの製造方法の第１マスク形成工程を示す断面図。
【図６Ｂ】第２実施形態に係る素子チップの製造方法の第２マスク形成工程を示す断面図。
【図６Ｃ】第２実施形態に係る素子チップの製造方法の第３マスク形成工程を示す断面図。
【図６Ｄ】第２実施形態に係る素子チップの製造方法のレーザスクライブ工程を示す断面図。
【図６Ｅ】第２実施形態に係る素子チップの製造方法の個片化工程を示す断面図。
【図６Ｆ】第２実施形態に係る素子チップの製造方法のマスク除去工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。添付図面における各部の寸法は、模式的に示されており、実際のものとは異なる場合がある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１Ａから図１Ｋは本発明の第１実施形態に係る半導体チップ（素子チップ）２の製造工程を示している。完成図である図１Ｋを参照すると、製造された半導体チップ２は、半導体層４と、半導体層４上に形成された配線層６と、配線層６上に形成された保護膜８および電極としてのバンプ１０とを備える。半導体層４は、例えばＳｉまたはＳｉ系材料からなり、配線層６は例えばＳｉＯ２などの絶縁膜とＣｕなどの金属からなる。配線層６の絶縁膜の材質は、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、またはＬｏｗ−ｋ材料等であり得る。また、配線層６の金属の材質は、Ａｌ、Ａｌ合金、またはＷ等であり得る。また、配線層６には、ＴＥＧも含まれている。バンプ１０に含まれる金属は、銅、銅と錫と銀との合金、銀と錫との合金、鉛と錫との合金、金、アルミニウム、またはアルミニウム合金等であり得る。バンプ１０の形状は、特に限定されず、角柱、円柱、山型、またはボール型等であってもよい。バンプ１０の配置および個数は特に限定されず、目的に応じて適宜設定される。
【００１７】
図１Ａに示す第１準備工程では、半導体ウエハ（基板）１２を準備する。図１Ａに示すように、半導体ウエハ１２は、半導体層４と、半導体層４上に形成された配線層６とを備える。半導体層４の厚みは、例えば５μｍである。配線層６の厚みは、例えば５０μｍである。
【００１８】
図１Ｂに示す第２準備工程では、半導体ウエハ１２の配線層６の表面（第１の面）６Ａに、保護膜８およびバンプ１０を形成する。バンプ１０の高さは、例えば５０μｍである。本工程を経た半導体ウエハ１２は、バンプ１０が形成された複数の素子領域１４と、個々の素子領域１４の周囲に隣接する分割領域１６を備える。換言すれば、分割領域１６によって個々の素子領域１４が画定されている。
【００１９】
素子領域１４の高さと分割領域１６の高さとを比べると、バンプ１０を形成したことによって分割領域１６の高さの方が低くなっている。本実施形態では、バンプ１０によってこのような高低差が生じているが、高低差が生じる要因はバンプ１０以外にも様々に考えられ、例えば、半導体ウエハ１２の表面に実装された他の実装部品によっても高低差は生じ得る。また、半導体ウエハ１２がＣＭＯＳイメージセンサやＭＥＭＳ素子を含む場合、ＣＭＯＳイメージセンサの備えるレンズやＭＥＭＳ素子の備える構造体によっても高低差は生じ得る。バンプ１０以外の他の実装部品、レンズや構造体によって高低差が生じる場合であっても、分割領域１６の高さが素子領域１４の高さよりも低い形状であればよい。また、分割領域１６の高さが素子領域１４の高さよりも低い形状であれば、電極の態様はバンプ１０のような凸型に限定されず、パッドのような凹型であってもよい。
【００２０】
図１Ｃに示す保護工程では、半導体ウエハ１２の表面６Ａに、裏面４Ａの研削時の保護のためのＢＧ（バックグラインド）テープ２０を貼り付ける。なお、図１Ｃは、図１Ａ，１Ｂに対して上下が反対に示されている。ＢＧテープ２０は、粘着層２０Ａと、樹脂製の基材層２０Ｂとからなる保護フィルムである。即ち、粘着層２０Ａを半導体ウエハ１２の表面６Ａに貼り付け、基材層２０Ｂにより半導体ウエハ１２の表面６Ａを保護する。ＢＧテープ２０は、半導体ウエハ１２に貼り付けられた後に、または、貼り付けられる前に、半導体ウエハ１２の外形に合わせて切断されるため、半導体ウエハ１２のハンドリング性は損なわれない。
【００２１】
図１Ｄに示す薄化工程では、図示しない研削装置により半導体ウエハ１２の裏面（第２の面）４Ａ側から半導体層４を研削する。半導体ウエハ１２は、半導体層４の研削により所定の厚みに薄化される。
【００２２】
図１Ｅに示す第１保持工程では、ダイシングテープ（保持部材）２２を半導体ウエハ１２の裏面４Ａに貼り付ける。なお、図１Ｅは、図１Ｃ，１Ｄに対して上下が反対に示されている。ダイシングテープ２２は、粘着層２２Ａと、樹脂製の基材層２２Ｂとからなる保持フィルムである。粘着層２２Ａが半導体ウエハ１２の裏面４Ａに貼り付けられ、基材層２２Ｂにより半導体ウエハ１２が保持されている。また、ダイシングテープ２２には、ハンドリング性の観点からフレーム２２Ｃが取り付けられている。
【００２３】
図１Ｆに示す第２保持工程では、半導体ウエハ１２からＢＧテープ２０を剥離し、除去する。ＢＧテープ２０が除去された状態では、半導体ウエハ１２の表面６Ａでバンプ１０が露出している。
【００２４】
図１Ｇに示す第１マスク形成工程では、半導体ウエハ１２の表面上に水溶性の樹脂２３を塗布する。樹脂２３は、半導体ウエハ１２の表面上の段差を低減するために塗布される。樹脂２３の塗布方法には、スプレーコートやスピンコートを採用できる。本実施形態では、素子領域１４にバンプ１０が形成されているため、分割領域１６の高さに比べて素子領域１４の高さが高い。従って、当該段差を低減するためには少なくとも分割領域１６に樹脂２３を塗布することが必要である。図１Ｇの例では、樹脂２３の塗布方法としてスピンコートを採用し、半導体ウエハ１２の表面６Ａの全体に樹脂２３を塗布している。このとき、素子領域１４の特にバンプ１０上に形成される樹脂２３の厚みは、分割領域１６に形成される樹脂２３の厚みよりも薄いため、半導体ウエハ１２上の段差は低減される。これに代えて、スプレーノズルやディスペンサによって分割領域１６にのみ樹脂を塗布してもよい。
【００２５】
図１Ｈに示す第２マスク形成工程では、半導体ウエハ１２の表面６Ａに水溶性の粘着テープ２４を押圧して貼り付ける。粘着テープ２４の厚みは、５〜５０μｍ程度であり、本実施形態では例えば２０μｍである。粘着テープ２４は、ベースとなる基材層２４Ａと、半導体ウエハ１２に貼り付けられる粘着層２４Ｂとからなる２層構造を有している。本実施形態では、基材層２４Ａおよび粘着層２４Ｂの両方が水溶性を有している。また、粘着テープ２４（特に基材層２４Ａ）は、耐プラズマ性を有している。そのため、半導体ウエハ１２のうち、粘着テープ２４が貼り付けられた部分は、後のプラズマエッチングから保護される。即ち、粘着テープ２４がプラズマに対するマスクとして機能する。
【００２６】
図２は、仮想的に第１マスク形成工程を経ずに第２マスク形成工程を実行したときの断面図である。図１Ｈと図２とを比較して、図２ではバンプ１０の周囲と粘着テープ２４との間に空隙Ｓが発生している一方、図１Ｈでは空隙Ｓが概ね発生していない。また、仮に空隙Ｓが発生しても相対的に小さいものになる。従って、第１マスク形成工程を実行することによって、空隙Ｓの発生を抑制できるか、または空隙Ｓを小さくできる。図示の例では、バンプ１０が半導体ウエハ１２の表面６Ａから突出することで生じた段差に起因して空隙Ｓが発生しているが、段差が形成される要因はバンプ１０以外にも様々に考えられ、例えば、半導体ウエハ１２の表面に実装された他の実装部品によっても高低差は形成され得る。また、半導体ウエハ１２が、ＣＭＯＳイメージセンサやＭＥＭＳ素子を含む場合、ＣＭＯＳイメージセンサの備えるレンズやＭＥＭＳ素子の備える構造体によっても高低差は形成され得る。従って、実際には、図示のようにバンプ１０の周囲だけでなく、様々な態様で空隙Ｓは生じ得る。
【００２７】
分割領域１６に発生する空隙Ｓは、小さいほど好ましく、後の工程に影響を与えない。そのため、粘着テープ２４を貼り付けた後に、空隙Ｓが発生している可能性を考慮し、分割領域１６のみさらに押圧したり、熱可塑性の粘着テープ２４を使用し、熱を加えて粘着テープ２４を軟化させてから押圧したりして、空隙Ｓを小さくしてもよい。また、粘着テープ２４を貼り付けた後に、真空チャンバ内に半導体ウエハ１２を投入して段階的に減圧することにより、空隙Ｓ内の空気を抜いて、空隙Ｓを小さくして、空隙Ｓを減らしても良い。
【００２８】
図１Ｉに示すレーザスクライブ工程では、分割領域１６（図１Ｈ参照）に対応する部分において、粘着テープ２４と樹脂２３と半導体ウエハ１２とをレーザスクライブにより切削し、露出部１８を形成する。詳細には、露出部１８は、配線層６、保護膜８、樹脂２３、および粘着テープ２４にレーザビームを照射することによって、これらを切削して形成される。このとき、半導体層４は一部切削されてもよいし、切削されなくてもよいが、完全には切削されない。従って、半導体ウエハ１２を表面６Ａ側から見ると、露出部１８では半導体層４が露出している。
【００２９】
図３は、レーザスクライブ工程における各領域１４，１６の位置関係を示す半導体ウエハ１２の平面図である。図示のように半導体ウエハ１２上には、縦横に延びるストリート状の分割領域１６と、分割領域１６によって画定される矩形状の素子領域１４とが設けられている。素子領域１４の幅ｗ１は例えば２００μｍ〜５０ｍｍである。分割領域１６の幅ｗ２は２０〜８０μｍ程度あり、本実施形態では例えば５０μｍである。素子領域１４には、複数のバンプ１０が配置されている。バンプ１０の並び方は必ずしも規則的でなく、図示の例のように様々な並び方であり得る。
【００３０】
素子領域１４の外縁部にはシールリング１４Ｂと称される配線パターンが形成されている。シールリング１４Ｂは、後述する個片化工程後の配線層６の剥離を抑制するためのものであり、配線層６同士の境界で剥離が発生した時に、この剥離の内部への進行を抑制する機能を有している。このようにシールリング１４Ｂによって素子領域１４の外縁部が形成されるため、分割領域１６はシールリング１４Ｂの外側の領域ということもできる。
【００３１】
図３の分割領域１６には、レーザスクライブ工程において照射されるレーザビームの軌跡を模式的に示している（符号ＬＢ参照）。ビーム径は例えば５〜２０μｍであり、分割領域１６の幅ｗ２に比べて十分小さい。レーザは、分割領域１６内を直線的に移動しながら照射される。レーザの照射は、１列であってもよいし、２列以上であってもよい。
【００３２】
図２に示す比較例のように、分割領域１６では必ずしも全領域で粘着テープ２４が密着しているわけではなく、粘着テープ２４と半導体ウエハ１２との間に空隙Ｓが分割領域１６に発生することがある。レーザスクライブ工程では、分割領域１６にレーザを照射して露出部１８を形成するが（図１Ｉ参照）、好ましくは粘着テープ２４が密着した分割領域１６にレーザを照射する。仮に、分割領域１６のうち、空隙Ｓが存する領域にレーザを照射すると、粘着テープ２４がレーザによって切削された際に、粘着テープ２４の端部が半導体ウエハ１２の表面６Ａから剥がれるおそれがある。そうすると、剥がれた部分からデブリ（切削屑）が粘着テープ２４と半導体ウエハ１２との間に入り、デブリが半導体ウエハ１２の表面６Ａに付着するおそれがある。これを抑制するため、本実施形態では、第１マスク形成工程にて半導体ウエハ１２に樹脂２３を塗布し、第２マスク形成工程において空隙Ｓ（図２参照）が発生することを抑制した上でレーザを照射し、粘着テープ２４が剥がれないようにしている。
【００３３】
図１Ｊに示す個片化工程では、半導体ウエハ１２の裏面４Ａをダイシングテープ２２で保持した状態で、半導体ウエハ１２をプラズマエッチング（プラズマダイシング）により個片化する。さらに、図２は、本工程で使用されるドライエッチング装置（プラズマエッチング装置）５０の一例を示している。ドライエッチング装置５０のチャンバ５２の頂部には誘電体窓が設けられており、誘電体窓の上方には上部電極としてのアンテナ５４が配置されている。アンテナ５４は、第１高周波電源部５６に電気的に接続されている。一方、チャンバ５２内の処理室５８の底部側には、半導体ウエハ１２が配置されるステージ６０が配置されている。ステージ６０は下部電極としても機能し、第２高周波電源部６２に電気的に接続されている。また、ステージ６０は図示しない静電吸着用電極（ＥＳＣ電極）を備え、ステージ６０に載置されたダイシングテープ２２（即ち半導体ウエハ１２）をステージ６０に静電吸着できるようになっている。これに代えて、真空吸着機構を採用し、ステージ６０に載置されたダイシングテープ２２（即ち半導体ウエハ１２）をステージ６０に真空吸着してもよい。また、ステージ６０には冷却用ガスを供給するための図示しない冷却用ガス孔が設けられており、冷却用ガス孔からヘリウムなどの冷却用ガスを供給することでステージ６０に静電吸着された半導体ウエハ１２を冷却できる。チャンバ５２のガス導入口６４はエッチングガス源６６に流体的に接続されており、排気口６８はチャンバ５２内を真空排気するための真空ポンプを含む真空排気部７０に接続されている。
【００３４】
この個片化工程では、ダイシングテープ２２を介して半導体ウエハ１２をステージ６０に載置し、処理室５８内を真空排気部７０によって真空排気するとともにエッチングガス源６６から処理室５８内に例えばＳＦ６であるエッチングガスを供給する。そして、処理室５８内を所定圧力に維持し、アンテナ５４に対して第１高周波電源部５６から高周波電力を供給し、処理室５８内にプラズマを発生させて半導体ウエハ１２に照射する。このとき、プラズマ中のラジカルとイオンの物理化学的作用により露出部１８で露出している半導体ウエハ１２の半導体層４が除去される。この個片化工程を経て、半導体ウエハ１２は、矩形の個々の半導体チップ２に形成される。
【００３５】
図１Ｋに示すマスク除去工程では、半導体チップ２の表面６Ａからマスクとしての粘着テープ２４および樹脂２３を除去する。本実施形態では、粘着テープ２４および樹脂２３がともに水溶性を備えるため、これらをまとめて水洗によって除去する。水溶性の粘着テープ２４および樹脂２３の材質としては、ポリビニルアルコール、オキサゾールとスチレンスルホン酸リチウム、またはポリエステルなどを含有する合成樹脂を使用できる。
【００３６】
また、樹脂２３のみが水溶性を備え、粘着テープ２４が非水溶性である場合でも水洗による除去は可能である。非水溶性の粘着テープ２４が水溶性の樹脂２３を介して半導体ウエハ１２に貼り付いた状態で樹脂２３を水洗によって除去すると、粘着テープ２４を樹脂２３ごと水洗によって除去できる。
【００３７】
また、粘着テープ２４および樹脂２３がともに非水溶性である場合には、水洗に代えて、アッシングによって粘着テープ２４および樹脂２３を除去してもよい。具体的には、個片化工程でのプラズマエッチングとは異なるガス種を使用し、当該ガス種に反応する粘着テープ２４および樹脂２３を使用し、粘着テープ２４および樹脂２３をまとめてエッチングによって除去してもよい。代替的には、粘着テープ２４および樹脂２３を機械的に剥離してもよいが、個片化された各半導体チップ２から一枚一枚粘着テープ２４を剥離するのは時間がかかるため、上記のようにアッシングによってまとめて粘着テープ２４および樹脂２３を除去できることが好ましい。
【００３８】
このようにして、図１Ａ〜１Ｋの各工程を経て、半導体チップ２が製造される。
【００３９】
図５は、上記一連の工程を実行する半導体チップ（素子チップ）の製造装置１００である。この製造装置１００は、搬入出部１１０と、第１マスク形成部１２０と、第２マスク形成部１３０と、レーザスクライブ部１４０と、個片化部１５０と、マスク除去部１６０と、搬送機構１７０と、制御装置１８０とを備える。各部１１０〜１６０間の半導体ウエハ１２の搬送は、搬送機構１７０によって行われる。
【００４０】
搬入出部１１０には、第１準備工程、第２準備工程、保護工程、薄化工程、第１保持工程、および第２保持工程を経た半導体ウエハ１２が搬入される。搬入された半導体ウエハ１２は第１マスク形成部１２０に搬送され、マスク形成工程が実行される。次いで、半導体ウエハ１２は第２マスク形成部１３０に搬送され、第２マスク形成工程が実行される。次いで、半導体ウエハ１２はレーザスクライブ部１４０に搬送され、レーザスクライブ工程が実行される。次いで、半導体ウエハ１２は個片化部１５０に搬送され、個片化工程が実行される。次いで、半導体ウエハ１２はマスク除去部１６０に搬送され、マスク除去工程が実行される。そして、これらの工程をすべて完了した後、半導体ウエハ１２は半導体チップ２として搬入出部１１０から取り出される。
【００４１】
本実施形態によれば、レーザスクライブを行う前に分割領域１６に樹脂２３を塗布することによって素子領域１４と分割領域１６との間の段差を低減できる。半導体ウエハ１２では分割領域１６の高さが素子領域１４の高さよりも低いため、高さの低い分割領域１６を樹脂２３で埋めることによって段差を低減している。段差を低減することにより、粘着テープ２４を半導体ウエハ１２に貼り付けた際に粘着テープ２４が半導体ウエハ１２に密着する面積を増加できる。その結果、粘着テープ２４が半導体ウエハ１２に密着した状態でレーザスクライブできるため、半導体ウエハ１２の表面６Ａにデブリが付着することを抑制できる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、樹脂２３および粘着テープ２４がともに水溶性であるので、粘着テープ２４や樹脂２３が厚い場合であっても、個片化工程後に粘着テープ２４および樹脂２３を水洗で簡単に除去できる。
【００４３】
（第２実施形態）
図６Ａ〜６Ｆは、第２実施形態に係る半導体チップ（素子チップ）２の創造方法における各製造工程を示している。図６Ａ〜６Ｆはそれぞれ、第１マスク形成工程、第２マスク形成工程、第３マスク形成工程、レーザスクライブ工程、個片化工程、およびマスク除去工程を示している。なお、第１実施形態における第１準備工程、第２準備工程、保護工程、薄化工程、第１保持工程、および第２保持工程は、本実施形態でも第１実施形態と同様に実行されるが、同内容であるため、説明を省略する。また、第１マスク形成工程、第２マスク形成工程、第３マスク形成工程、レーザスクライブ工程、個片化工程、およびマスク除去工程においても第１実施形態と同じ内容となる部分については説明を省略する場合がある。
【００４４】
図６Ａに示す第１マスク形成工程では、半導体ウエハ１２の表面上に水溶性の樹脂２３を塗布する。樹脂２３は、半導体ウエハ１２の表面上の段差を低減するために塗布される。好ましくは、樹脂２３の材質は、後述する粘着層２４Ｂと粘着性の高いものである。具体的には、後述する基材層２４Ａと粘着層２４Ｂとの間の粘着力よりも樹脂２３と粘着層２４Ｂとの間の粘着力が高くなる程度のものであることが好ましい。
【００４５】
図６Ｂに示す第２マスク形成工程では、半導体ウエハ１２の表面６Ａに粘着テープ２４を貼り付ける。粘着テープ２４の厚みは、５〜５０μｍ程度であり、本実施形態では例えば２０μｍである。粘着テープ２４は、ベースとなる基材層２４Ａと、半導体ウエハ１２に貼り付けられる粘着層２４Ｂとからなる２層構造を有している。当該２層構造では、基材層２４Ａを粘着層２４Ｂから容易に剥離できるようになっている。
【００４６】
図６Ｃに示す第３マスク形成工程では、粘着テープ２４の基材層２４Ａを剥がし取る。詳細には、粘着層２４Ｂを残した状態で基材層２４Ａのみを除去する。このとき、基材層２４Ａと粘着層２４Ｂとの間の粘着力よりも樹脂２３と粘着層２４Ｂとの間の粘着力が高いほど、粘着層２４Ｂを半導体ウエハ１２上に残して基材層２４Ａを粘着層２４Ｂから容易に剥離できる。以降、残された粘着層２４Ｂのことを単に粘着テープ２４ともいう。本実施形態では、粘着層２４Ｂが水溶性および耐プラズマ性を有している。そのため、半導体ウエハ１２のうち、粘着層２４Ｂが貼り付けられた部分は、後のプラズマエッチングから保護される。即ち、粘着層２４Ｂがプラズマに対するマスクとして機能する。なお、粘着テープ２４の基材層２４Ａについては、本工程で除去されるので、材質について特に限定されず、任意の材質のものを使用できる。
【００４７】
図６Ｄに示すレーザスクライブ工程、図６Ｅに示す個片化工程、および図６Ｆに示すマスク除去工程は、粘着テープ２４が粘着層２４Ｂのみとなっていることを除いて第１実施形態と同じである。
【００４８】
本実施形態に係る素子チップの製造方法は、第１実施形態と同様の製造装置１００によって実行される（図５参照）。ただし、第２マスク形成工程と第３マスク形成工程の両方が第２マスク形成部１３０にて実行される点で第１実施形態とは処理が異なる。
【００４９】
本実施形態によれば、第２マスク形成工程以降、粘着テープ２４が粘着層２４Ｂのみとなっている。そのため、第１実施形態と比べて、マスク除去工程では粘着層２４Ｂのみを除去すればよいため、第１実施形態と比べて処理が簡単であり、粘着テープ２４の残存を抑制できる。
【符号の説明】
【００５０】
２  半導体チップ（素子チップ）
４  半導体層
４Ａ  裏面（第２の面）
６  配線層
６Ａ  表面（第１の面）
８  保護膜
１０  バンプ
１２  半導体ウエハ（基板）
１４  素子領域
１４Ｂ  シールリング
１６  分割領域
１８  露出部
２０  ＢＧテープ
２０Ａ  粘着層
２０Ｂ  基材層
２２  ダイシングテープ（保持部材）
２２Ａ  粘着層
２２Ｂ  基材層
２２Ｃ  フレーム
２３  樹脂
２４  粘着テープ
２４Ａ  基材層
２４Ｂ  粘着層
５０  ドライエッチング装置
５２  チャンバ
５４  アンテナ
５６  第１高周波電源部
５８  処理室
６０  ステージ
６２  第２高周波電源部
６４  ガス導入口
６６  エッチングガス源
６８  排気口
７０  真空排気部
１００  半導体チップ（素子チップ）の製造装置
１１０  搬入出部
１２０  第１マスク形成部
１３０  第２マスク形成部
１４０  レーザスクライブ部
１５０  個片化部
１６０  マスク除去部
１７０  搬送機構
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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