(57)【要約】【課題】外部応力の影響を可及的に低減したＭＥＭＳ発振器を提供する。【解決手段】収納凹部５を有するベース６と、発振回路を含むＩＣチップ３と、ＭＥＭＳ共振子を含むＭＥＭＳ素子２と、収納凹部５の開口を閉塞するリッド７とを備え、ＩＣチップ３及びＭＥＭＳ素子２が収納された収納凹部５が、リッド７によって気密に封止され、少なくともＭＥＭＳ素子２は、その外周面が収納凹部５とリッド７との接合によって形成される空間Ｓ内に露出している。平面視略矩形のＩＣチップ３を、その長手方向が、平面視略矩形のベース６の長手方向に直交する方向となるように収納している。【選択図】図２
2019129437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納凹部を有するベースと、
発振回路を含む集積回路素子と、
ＭＥＭＳ共振子を含むＭＥＭＳ素子と、
前記収納凹部の開口を閉塞する蓋体とを備え、
前記集積回路素子及び前記ＭＥＭＳ素子が収納された前記収納凹部が、前記蓋体によって気密に封止され、
少なくとも前記ＭＥＭＳ素子は、その外周面が前記収納凹部と前記蓋体との接合によって形成される空間内に露出しており、
前記ベース及び前記集積回路素子は、平面視略矩形であり、
前記集積回路素子は、その長手方向が、前記ベースの長手方向に対して直交する方向となるように前記収納凹部に収納されている、
ことを特徴するＭＥＭＳ発振器。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳ素子は、その能動面が前記集積回路素子の能動面に対向するように、前記集積回路素子に接合されている、
請求項１に記載のＭＥＭＳ発振器。
【請求項３】
前記集積回路素子の前記能動面とは反対側の非能動面が、接着剤を介して前記収納凹部の底面に接合されている、
請求項２に記載のＭＥＭＳ発振器。
【請求項４】
前記ベースが、セラミック材料からなる、
請求項１ないし３のいずれかに記載のＭＥＭＳ発振器。
【請求項５】
前記ベースの前記収納凹部の内周壁には、前記収納凹部の底面よりも高い段部が形成されている、
請求項１ないし４のいずれかに記載のＭＥＭＳ発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ共振子を備えたＭＥＭＳ発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ(Micro Electro-Mechanical Systems:微小電気機械システム)技術を用いたＭＥＭＳデバイスの開発が広く行われている。ＭＥＭＳ技術とは、シリコンなどの半導体製造プロセス等における技術を応用して種々の機械要素の小型化を実現する技術であり、マイクロマシンと呼ばれる場合もある。
【０００３】
このようなＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳデバイスとして、例えば、特許文献１には、ＭＥＭＳ技術を用いて製作されたセンサチップと、ＩＣチップとを樹脂でパッケージしたデバイスが開示されている。この特許文献１では、その図４に記載されているように、センサチップがフリップチップボンディングされたＩＣチップを、リードフレームに組み付け、センサチップ及びＩＣチップの全体を樹脂モールドしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００５−５２８９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１のＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ技術を用いて製作されたＭＥＭＳ素子であるセンサチップは、ＩＣチップと共に完全に樹脂で覆われているために、温度変化による樹脂の膨張と収縮によって生じる応力と、センサチップの材料である単結晶シリコンと樹脂との線膨張係数の差異により発生する応力とがセンサチップに加わることになり、特に高精度が要求されるアプリケーションでは、これらの応力の影響を無視できなくなる。
【０００６】
特に、ＭＥＭＳ素子が、ＭＥＭＳ発振器を構成するＭＥＭＳ共振子（ＭＥＭＳレゾネータ）である場合には、これらの応力が、例えばＭＥＭＳ共振子に歪みを生じさせ、発振振周波数が温度に対して変化する、いわゆる周波数温度特性の本来の特性からの変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性が悪化する等の現象が生じてしまう。
【０００７】
また、ＭＥＭＳ発振器が実装される回路基板からの外部応力の影響もある。
【０００８】
本発明は、上記のような点に鑑みて為されたものであって、外部応力の影響を可及的に低減したＭＥＭＳ発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【００１０】
すなわち、本発明のＭＥＭＳ発振器は、収納凹部を有するベースと、発振回路を含む集積回路素子と、ＭＥＭＳ共振子を含むＭＥＭＳ素子と、前記収納凹部の開口を閉塞する蓋体とを備え、前記集積回路素子及び前記ＭＥＭＳ素子が収納された前記収納凹部が、前記蓋体によって気密に封止され、少なくとも前記ＭＥＭＳ素子は、その外周面が前記収納凹部と前記蓋体との接合によって形成される空間内に露出しており、前記ベース及び前記集積回路素子は、平面視略矩形であり、前記集積回路素子は、その長手方向が、前記ベースの長手方向に対して直交する方向となるように前記収納凹部に収納されている。
【００１１】
前記ＭＥＭＳ素子は、その能動面が前記集積回路素子の能動面に対向するように、前記集積回路素子に接合されているのが好ましい。
【００１２】
本発明のＭＥＭＳ発振器によれば、ＭＥＭＳ共振子を含むＭＥＭＳ素子の外周面は、ベースの収納凹部と蓋体との接合によって形成される空間内に露出しているので、ＭＥＭＳ素子の外周面が樹脂で覆われて、空間内に露出していない上記特許文献１のように樹脂の膨張、収縮による応力を受けることがない。これによって、ＭＥＭＳ素子が周囲の樹脂の応力を受けて歪むといったことがなく、ＭＥＭＳ発振器の周波数温度特性の変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性を改善することができる。
【００１３】
集積回路素子及びＭＥＭＳ素子を収納する平面視略矩形のベースは、当該ＭＥＭＳ発振器が実装された回路基板の温度変化等に起因する変形によって変位するが、この変位は、ベースの短辺方向に比べて、ベースの長辺方向、すなわち、ベースの長手方向の方が大きくなる。
【００１４】
平面視略矩形の集積回路素子は、当該集積回路素子が収納されるベースの変位による応力を受けるが、その応力は、集積回路素子の短辺方向に比べて、長辺方向、すなわち、集積回路素子の長手方向の方が大きくなる。
【００１５】
本発明では、集積回路素子は、ベースから受ける応力が大きくなる、その長手方向を、回路基板の変形による変位が大きくなる、ベースの長手方向ではなく、長手方向に対して直交する方向、すなわち、ベースの短辺方向となるようにベースに収納されているので、集積回路素子を、その長手方向をベースの長手方向となるようにベースに収納した場合に比べて、集積回路素子がベースから受ける応力を低減することができる。
【００１６】
このように集積回路素子がベースから受ける応力を低減することによって、この集積回路素子の能動面に対向するように接合されたＭＥＭＳ素子に作用する応力を緩和することができる。
【００１７】
前記集積回路素子の前記能動面とは反対側の非能動面が、接着剤を介して前記収納凹部の底面に接合されているのが好ましい。
【００１８】
上記構成によれば、ベースの収納凹部の底面に接合された集積回路素子の能動面に、ＭＥＭＳ素子を接合することができるので、ベースとＭＥＭＳ素子との間に、集積回路素子が介在することになる。これによって、ＭＥＭＳ素子を直接ベースに接合する構成に比べて、ベースからＭＥＭＳ素子に作用する応力を低減することができる。また、接着剤として、樹脂系の接着剤を使用することによって、ベースから集積回路素子に作用する応力を緩和することができ、したがって、集積回路素子に搭載されたＭＥＭＳ素子に作用する応力を一層緩和することができる。
【００１９】
前記ベースは、硬度が高く耐熱性及び耐腐食性等に優れたセラミック材料からなるのが好ましい。
【００２０】
前記ベースの前記収納凹部の内周壁には、前記収納凹部の底面よりも高い段部が形成されているのが好ましい。
【００２１】
上記構成によれば、ベースに段部が形成されているので、ベースの厚みが増して剛性が高まることになる。これによって、当該ＭＥＭＳ発振器が実装される回路基板等の外部からの応力を低減することができ、ベースの収納凹部に収納されているＭＥＭＳ素子に作用する応力を低減することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ＭＥＭＳ共振子を含むＭＥＭＳ素子の外周面は、ベースの収納凹部と蓋体との接合によって形成される空間内に露出しているので、ＭＥＭＳ素子の外周面が樹脂で完全に覆われて、空間内に露出していない上記特許文献１のように樹脂の温度変化などによる膨張、収縮による応力を受けることがない。これによって、ＭＥＭＳ素子が周囲の樹脂の応力を受けて歪むといったことがなく、ＭＥＭＳ発振器の周波数温度特性の変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性を改善することができる。
【００２３】
また、集積回路素子は、その長手方向を、当該ＭＥＭＳ発振器が実装される回路基板の変形による変位が大きくなる、ベースの長手方向ではなく、長手方向に対して直交する方向、すなわち、ベースの短辺方向となるようにベースに収納されているので、集積回路素子を、その長手方向をベースの長手方向となるようにベースに収納した場合に比べて、集積回路素子がベースから受ける応力を低減することができる。
【００２４】
このように集積回路素子がベースから受ける応力を低減することによって、この集積回路素子に接合されるＭＥＭＳ素子に作用する応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳ発振器の断面図である。
【図２】図２は図１のＭＥＭＳ発振器のリッドを外した状態の平面図である。
【図３】図３は比較例の図２に対応する平面図である。
【図４】図４は本発明の他の実施形態に係るＭＥＭＳ発振器の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施形態１）
図１は、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳ発振器の断面図であり、図２は、図１のＭＥＭＳ発振器のリッドを外した状態の平面図である。
【００２８】
この実施形態のＭＥＭＳ発振器１は、ＭＥＭＳ共振子（ＭＥＭＳレゾネータ）を含むＭＥＭＳ素子２と、発振回路を含む集積回路素子としてのＩＣチップ３と、これらを収納して気密に封止するパッケージ４とを備えている。
【００２９】
パッケージ４は、上部が開口した収納凹部５を有し、ＭＥＭＳ素子２及びＩＣチップ３を収納保持するベース６と、ベース６の上部開口を閉塞して、収納凹部５を気密封止する蓋体としてのリッド７と、リッド７をベース６に接合するシールリング８とを備えている。
【００３０】
ベース６は、平面視略矩形であり、アルミナ等のセラミック材料からなり、セラミックグリーンシートを積層して上部が開口した凹状に一体焼成して構成されている。
【００３１】
ベース６の収納凹部５は、平面視略矩形であり、ベース６の長手方向である長辺方向（図１，図２の左右方向）の両端の内周壁に、収納凹部５の底面５ａよりも高い段部５ｂ，５ｃが、ベース６の短辺方向（図２の上下方向）に沿ってそれぞれ設けられている。各段部５ｂ，５ｃの底面５ａからの高さは略等しく、各段部５ｂ，５ｃの上面には、ＩＣチップ３接続用の導体配線パターンからなる複数の接続電極９ｂ，９ｃがそれぞれ形成されている。
【００３２】
このようにベース６の収納凹部５の内周壁には、底面５ａより高い段部５ｂ，５ｃが形成されてベース６が厚くなっているので、段部が形成されていない構成に比べて、ベース６の剛性が高まる。これによって、当該ＭＥＭＳ発振器１が実装される回路基板からの外部応力を低減することができ、ベース６の収納凹部５に収納されているＩＣチップ３及びＭＥＭＳ素子２への外部応力を低減することができる。
【００３３】
ＩＣチップ３は、例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）であり、ＭＥＭＳ素子２と共に、発振回路を構成する。このＩＣチップ３には、必要に応じてＰＬＬ回路や温度補償回路等が内蔵される。このＩＣチップ３は、平面視略矩形である。ＩＣチップ３は、その能動面（上面）とは反対側の非能動面（下面）が、ベース６の収納凹部５の底面５ａに、樹脂系の導電性接着剤１０によって接合されている。この樹脂系の導電性接着剤１０としては、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、あるいは、シリコン系の導電性接着剤などを使用することができる。
【００３４】
ベース６の収納凹部５の底面５ａには、ベタのグランド配線パターン（図示せず）が形成されており、ＩＣチップ３の裏面を、導電性接着剤１０を介してグランド配線パターンに接続し、ＩＣチップ３の裏面の電位をグランド電位に固定している。
【００３５】
ＩＣチップ３の能動面には、その周縁部に、ベース６の上記接続電極９ｂ，９ｃにそれぞれ接続される複数の電極パッド１１ｂ，１１ｃが形成されている。また、ＩＣチップ３の能動面の中央側には、ＭＥＭＳ素子２を搭載するための図示しない電極パッドが形成されている。
【００３６】
ＩＣチップ３の各電極パッド１１ｂ，１１ｃは、ベース６の段部５ｂ，５ｃ上に形成された対応する接続電極９ｂ，９ｃにボンディングワイヤー１２ｂ，１２ｃによってそれぞれ電気的に接続されている。ボンディングワイヤー１２ｂ，１２ｃの素材としては、信頼性の観点からＡｕが好ましいが、Ｃｕなどであってもよい。
【００３７】
ＭＥＭＳ素子２は、上記のＭＥＭＳ技術を用いて製作された素子であり、Ｓｉ共振子を含んでおり、可動部分が気密封止されている。この実施形態のＭＥＭＳ素子２は、酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した構造のシリコンウェーハであるＳＯＩ（Silicon on Insulator)ウェーハを用いて製作されたものである。
【００３８】
このＭＥＭＳ素子２は、ＩＣチップ３の外形より小さく、その能動面がＩＣチップ３の能動面に対向するように、ＩＣチップ３に接合されている。すなわち、ＭＥＭＳ素子２は、その能動面の電極パッドとＩＣチップ３の接続パッドとが、金属バンプであるＡｕバンプ１３によってフリップチップ接続されている。金属バンプは、Ａｕバンプに限らず、半田バンプなどであってもよい。
【００３９】
ＭＥＭＳ素子２とＩＣチップ３との間の隙間には、機械的接合強度を向上させるために封止樹脂としてのアンダーフィル樹脂を充填してもよい。
【００４０】
ベース６の接続電極９ｂ，９ｃは、ベース６の内部に形成された図示しない導体配線パターンによって、ベースの下面に形成された外部接続端子（図示せず）に接続されている。
【００４１】
リッド７は、例えばコバールなどの金属からなり、矩形の平板となっている。
【００４２】
このリッド７は、コバールなどからなる封止材としての矩形環状のシールリング８によって、ベース６の開口の周縁部にシーム溶接などで接合され、パッケージ４の内部に気密な空間Ｓが形成される。この接合は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中で行われ、パッケージ４の内部の空間Ｓは、窒素ガス等の不活性ガスが封入または真空とされる。このようにシールリング８を備えているので、シールリングのない構成に比べて、パッケージ４が変形しにくいものとなる。
【００４３】
なお、リッド７には、上記した金属以外に、セラミックス、樹脂、あるいはガラスなどを用いることができ、例えばガラス製のリッドを用いた場合には、低融点ガラスを接合材として用いるなど、リッドの材料に応じて適宜に接合材を選定し、ベース６とリッド７との接合を行うことができる。
【００４４】
この実施形態によれば、ＭＥＭＳ素子２の外周面、具体的には、ＭＥＭＳ素子２の能動面以外の外周面は、ベース６の収納凹部５とリッド７との接合によって形成される空間Ｓ内に露出している。
【００４５】
このようにＭＥＭＳ素子２の外周面が、空間Ｓ内に露出しているので、ＭＥＭＳ素子の外周面を完全に樹脂で封止して、空間に露出していない上記特許文献１のように、温度変化などによる樹脂の膨張、収縮による応力をＭＥＭＳ素子２が受けることがない。これによって、ＭＥＭＳ素子２が、周囲の樹脂の応力によって歪むといった事態を回避することができ、ＭＥＭＳ発振器１の周波数温度特性の変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性を改善することができる。
【００４６】
しかも、ＭＥＭＳ素子２は、ベース６の収納凹部５に固着されたＩＣチップ３上に搭載されるので、ＭＥＭＳ素子２とベース６との間には、ＩＣチップ３が介在することになる。これによって、ＭＥＭＳ素子２をベース６に直接接合するのに比べて、ＭＥＭＳ素子２に作用するベース６からの応力を一層低減することができ、ＭＥＭＳ素子２の特性変動を低減することができる。
【００４７】
更に、ＩＣチップ３は、樹脂製の導電性接着剤１０によって、ベース６の収納凹部５の底面５ａに接合されるので、ベース６からの応力を緩和することができ、ＩＣチップ３に接合されたＭＥＭＳ素子２に作用する応力を低減することができる。
【００４８】
また、この実施形態では、ＭＥＭＳ素子２のみならず、ＩＣチップ３の外周も空間Ｓ内に露出しているので、ＩＣチップの外周面を完全に樹脂で封止して、空間に露出していない上記特許文献１のように温度変化などによる樹脂の膨張、収縮による応力をＩＣチップ３が受けることがない。
【００４９】
ＭＥＭＳ技術を用いて製作されたＭＥＭＳ素子２は、非常に小さいので、ＭＥＭＳ発振器１の小型化を図ることができる。
【００５０】
このＭＥＭＳ発振器１は、ベース６の下面の外部接続端子（図示せず）が、回路基板に半田付けされて実装される。回路基板が温度変化等によって変形すると、ベース６が変位することになるが、この変位は、平面視略矩形のベース６の短辺方向（図２の上下方向）に比べて、長辺方向、すなわち、ベース６の長手方向（図１，図２の左右方向）の方が大きくなる。
【００５１】
このベース６に収納されるＩＣチップ３も平面視略矩形であり、ベース６の変位によって受ける応力は、ＩＣチップ３の短辺方向に比べて、長辺方向、すなわち、ＩＣチップ３の長手方向の方が大きくなる。
【００５２】
この実施形態では、回路基板の変形によって、ベース６を介してＩＣチップ３が受ける応力を低減し、更には、ＩＣチップ３に接合されるＭＥＭＳ素子２に作用する応力を低減するために、次のようにしている。
【００５３】
すなわち、ＩＣチップ３は、図２に示すように、その長手方向（図２の上下方向）が、ベース６の長手方向（図２の左右方向）に対して直交する方向となるように、ベース６の収納凹部５に収納されている。
【００５４】
つまり、ＩＣチップ３は、ベース６から受ける応力が大きくなる、その長手方向を、回路基板の変形による変位が大きくなる、ベース６の長手方向ではなはなく、長手方向に対して直交する方向、すなわち、ベース６の短辺方向（図２の上下方向）となるようにベース６に収納されている。
【００５５】
これによって、例えば、図３に示すように、ＩＣチップ３を、その長手方向が（図３の左右方向）ベース６の長手方向（図３の左右方向）となるようにベース６に収納した場合に比べて、ＩＣチップ３がベース６から受ける応力を低減することができる。
【００５６】
したがって、ＩＣチップ３に接合されているＭＥＭＳ素子２に作用する応力を低減することができる。
【００５７】
このように、ＩＣチップ３を、その長手方向がベース６の長手方向に対して直交する方向となるように収納することによって、ベース６からＩＣチップ３に加わる応力を低減することができるので、ＩＣチップ３に接合されたＭＥＭＳ素子２に作用する応力を低減することができる。これによって、ＭＥＭＳ素子２の特性変動を低減して、ＭＥＭＳ発振器１の周波数温度特性の変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性を改善することができる。
【００５８】
（実施形態２）
図４は、本発明の他の実施形態のＭＥＭＳ発振器１1の断面図であり、上述の実施形態に対応する部分には、対応する参照符号を付す。
【００５９】
この実施形態のＭＥＭＳ発振器１1は、ＩＣチップ３1を、ベース６1の図示しない複数の接続電極に、ワイヤーボンディングによって接続するのではなく、フリップチップによって接続するようにしている。
【００６０】
パッケージ４1を構成するベース６1は、ＭＥＭＳ素子２及びＩＣチップ３1を収納する収納凹部５1を有している。この収納凹部５1には、その平面視略矩形の内周壁の全周に、収納凹部５1の底面５1ａよりも高い段部５1ｂが設けられている。この段部５1ｂは、ＭＥＭＳ素子２に対応した比較的狭い矩形の領域を囲むように形成されている。すなわち、段部５1ｂと収納凹部５1の底面５1ａによって、ＭＥＭＳ素子２を収納する空間が区画されている。この段部５1ｂの上面には、導体配線パターンからなる複数の接続電極がそれぞれ形成されている。
【００６１】
ＩＣチップ３1は、その能動面の周縁部の電極パッドが、ベース６1の段部５1ｂ上の接続電極９1に、金属バンプであるＡｕバンプ１５によってフリップチップ接続されている。金属バンプは、Ａｕバンプに限らず、半田バンプなどであってもよい。
【００６２】
ＭＥＭＳ素子２は、上記実施形態と同様に、その能動面がＩＣチップ３1の能動面に対向するように、ＩＣチップ３1に接合されている。すなわち、ＭＥＭＳ素子２は、その能動面の電極パッドとＩＣチップ３1の接続パッドとが、金属バンプであるＡｕバンプ１３によってフリップチップ接続されている。
【００６３】
ＭＥＭＳ素子２とＩＣチップ３1との間の隙間には、封止樹脂としてのアンダーフィル樹脂を充填してもよい。
【００６４】
ＩＣチップ３1の周縁部の電極パッドが、ベース６1の段部５1ｂ上の接続電極９1にフリップチップ接続された状態では、ＩＣチップ３1の中央寄りに接合されたＭＥＭＳ素子２は、ベース６1の収納凹部５1の底面５1ａと段部５1ｂの側面とによって区画された空間Ｓ2内に位置する。このとき、ＭＥＭＳ素子２の能動面とは反対側の非能動面が、ベース６1の収納凹部５1の底面５1ａから離間した状態で、底面５1ａに対向している。
【００６５】
この実施形態においても、図１に示される上記実施形態と同様に、ＩＣチップ３1は、その長手方向がベース６1の長手方向（図４の左右方向）に対して直交する方向になるように、収納凹部５1に収納されている。
【００６６】
その他の構成は、上記実施形態と同様である。
【００６７】
この実施形態によれば、ＭＥＭＳ素子２の能動面以外の外周面は、ベース６1の収納凹部５1とリッド７との接合によって形成される空間Ｓ1、具体的には、ベース６1の段部５1ｂと収納凹部５1の底面５1ａとによって区画される空間Ｓ1内に露出しているので、ＭＥＭＳ素子の外周面を完全に樹脂で封止して、空間に露出していない上記特許文献１のように温度変化などによる樹脂の膨張、収縮による応力をＭＥＭＳ素子２が受けることがない。これによって、ＭＥＭＳ素子２が、周囲の樹脂の応力によって歪むのを防止することができ、ＭＥＭＳ発振器１の周波数温度特性の変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性を改善することができる。
【００６８】
また、この実施形態では、収納凹部５1の底面５1ａよりも高い段部５1ｂの形成領域が広い、すなわち、ベース６1が厚く形成されている領域が広いので、ベース６1の剛性が一層高まり、当該ＭＥＭＳ発振器１1が実装される回路基板からの外部応力を低減することができる。これによって、ベース６1の収納凹部５1に収納されているＩＣチップ３1及びＭＥＭＳ素子２への外部応力を低減することができる。
【００６９】
この実施形態においても、ＭＥＭＳ素子２は、ＩＣチップ３1が介在した状態でベース６1の収納凹部５1内に接合されている、すなわち、ＭＥＭＳ素子２はＩＣチップ３1に接合され、このＩＣチップ３1が、ベース６1に接合されている。これによって、ＭＥＭＳ素子２とベース６1との間には、ＩＣチップ３1が介在することになり、ＭＥＭＳ素子２をベース６1に直接接合するのに比べて、ＭＥＭＳ素子２に作用するベース６1の応力を一層低減することができる。
【００７０】
上記実施形態では、ＩＣチップ３の非能動面の全面をベース６の収納凹部５の底面５ａに接合したが、この実施形態では、ＩＣチップ３1の能動面の電極パッドを、ベース６1の接続電極にＡｕバンプ１５によってフリップチップ接続するので、接合に係る面積が小さくなると共に、熱膨張率がＡｕバンプの方が樹脂よりも小さくなるため、ベース６1からＩＣチップ３1へ作用する応力を低減することができる。これによって、ＭＥＭＳ素子２に伝わる応力を低減することができ、ＭＥＭＳ発振器１の周波数温度特性の変動や、周波数ヒステリシス特性を改善することができる。
【００７１】
また、ＩＣチップ３1を、その長手方向がベース６1の長手方向に対して直交する方向となるように収納するので、ベース６1からＩＣチップ３1に加わる応力を低減することができ、これによって、ＩＣチップ３1に接合されているＭＥＭＳ素子２に作用する応力を一層低減することができる。
【００７２】
上記各実施形態では、段部５ｂ，５ｃ，５1ｂは１段設けたが、複数段設けてもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１，１1           ＭＥＭＳ発振器
２                ＭＥＭＳ素子
３，３1           ＩＣチップ（集積回路素子）
４，４1           パッケージ
５，５1           収納凹部
６，６1           ベース
７                リッド（蓋体）
【図１】
2019129437.tif 000003
【図２】
2019129437.tif 000004
【図３】
2019129437.tif 000005
【図４】
2019129437.tif 000006