(57)【要約】【課題】  フィルム等に直接成膜することができ、高抵抗でかつ高Ｂ定数を有した非晶質のサーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサを提供すること。【解決手段】  一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなる。このサーミスタの製造方法は、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなることを特徴とするサーミスタ。
【請求項２】
基材と、
前記基材上に請求項１に記載のサーミスタで形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に形成された一対の対向電極とを備えていることを特徴とするサーミスタセンサ。
【請求項３】
請求項２に記載のサーミスタセンサにおいて、
前記基材が、絶縁性フィルムであることを特徴とするサーミスタセンサ。
【請求項４】
請求項１に記載のサーミスタを製造する方法であって、
Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有していることを特徴とするサーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム等に直接成膜可能なサーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
温度センサ等に使用されるサーミスタ材料は、高精度、高感度のために、高いＢ定数が求められている。また、薄膜サーミスタ材料においては、結晶配向度に優れた、高い結晶性をもつ薄膜サーミスタ材料として、近年、非焼成で熱処理が不要であり、高Ｂ定数が得られる金属窒化物材料が開発されている。
【０００３】
例えば、本願発明者らは、Ａｌ−Ｎ系のサーミスタ用金属窒化物材料の研究開発を鋭意進め、非焼成で絶縁性基材に直接成膜できるサーミスタ用金属窒化物材料として、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるサーミスタ用金属窒化物材料を開発している（特許文献１）。その他にも、非焼成で形成でき、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｉ及びＡｌの少なくとも１種の窒化物材料であり、上記結晶構造を有するものであって高Ｂ定数が得られる材料を開発している（特許文献２〜７）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１７９１６１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１２３６４６号公報
【特許文献３】特開２０１４−２３６２０４号公報
【特許文献４】特開２０１５−６５４０８号公報
【特許文献５】特開２０１５−６５４１７号公報
【特許文献６】特開２０１５−７３０７７号公報
【特許文献７】特開２０１５−７３０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した金属窒化物材料の他にも、絶縁性フィルム上に直接、成膜することができると共に非焼成で高Ｂ定数が得られるサーミスタが求められている。
特に、上記高い結晶性をもつ金属窒化物材料からなるサーミスタ膜をポリイミド等の絶縁性フィルム上に成膜した場合や、圧縮応力が大きくなる条件で成膜した場合、クラックが発生しやすいため、非晶質で高Ｂ定数のサーミスタが求められている。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、絶縁性フィルム上に成膜してもクラックが生じ難く、高Ｂ定数が得られる非晶質のサーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係るサーミスタは、一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなることを特徴とする。
【０００８】
このサーミスタでは、一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなるので、クラックが発生し難く、高Ｂ定数を有したサーミスタ特性を有している。
なお、上記「ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）」（すなわち、Ｎ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ）組成比）が０．４５未満であると、ＳｉＷが窒化不足となってしまうため、比抵抗が小さくなり過ぎて金属的振る舞いが生じ、サーミスタ特性が得られない。
また、上記「ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）」が０．５０を超えると、絶縁性が高くなり過ぎてしまうため、サーミスタとしての使用が困難である。
また、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」（すなわち、Ｗ／（Ｓｉ＋Ｗ）組成比）がゼロ、すなわち、ＳｉＮ非晶質であると、絶縁性が高くなり過ぎてしまうため、サーミスタとしての使用が困難である。
さらに、上記「ｙ／（ｘ＋ｙ）」が０．３を超えると、十分な耐熱性が得られないため、高温で使用した後の抵抗値変化率が大きくなってしまう。
【０００９】
第２の発明に係るサーミスタセンサは、基材と、前記基材上に第１の発明のサーミスタで形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に形成された一対の対向電極とを備えていることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタセンサでは、第１の発明のサーミスタで薄膜サーミスタ部が形成されているので、薄膜サーミスタ部にクラック発生が生じ難く、高Ｂ定数が得られるので、良好なサーミスタ特性を有したサーミスタセンサが得られる。
【００１０】
第３の発明に係るサーミスタセンサは、第２の発明のサーミスタセンサにおいて、前記基材が、絶縁性フィルムであることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタセンサでは、ポリイミド等の絶縁性フィルム上に形成された薄膜サーミスタ部に大きな圧縮応力が加わっても、クラックの発生が抑制され、良好なサーミスタ特性が得られる。また、基材が柔軟な絶縁性フィルムであるため、全体として柔軟性を有したフレキシブルサーミスタセンサが得られる。
【００１１】
第４の発明に係るサーミスタの製造方法は、第１の発明のサーミスタを製造する方法であって、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有していることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタの製造方法では、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有しており、ターゲット中にＳｉ３Ｎ４窒化物が含まれているので、膜の良好な窒化が可能であると共に、スパッタ中の窒素含有量の調整によって、ＳｉｘＷｙＮｚ膜の窒化量（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ）組成比）を調整することができ、安定して非晶質ＳｉｘＷｙＮｚのサーミスタを作製することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るサーミスタによれば、一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなるので、クラックが発生し難く、高Ｂ定数を有したサーミスタ特性を有している。
また、本発明に係るサーミスタの製造方法によれば、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有しているので、スパッタ中の窒素含有量の調整によって、ＳｉｘＷｙＮｚ膜の窒化量を調整することができ、安定して非晶質ＳｉｘＷｙＮｚのサーミスタを作製することができる。
さらに、本発明に係るサーミスタセンサによれば、上記本発明のサーミスタで薄膜サーミスタ部が形成されているので、クラック発生が生じ難く、さらに高Ｂ定数が得られるので、良好なサーミスタ特性を有したサーミスタセンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るサーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサの一実施形態において、基材上のサーミスタを示す断面図である。
【図２】本実施形態及び本発明に係る実施例において、サーミスタセンサ及び膜評価用素子を示す正面図及び平面図である。
【図３】本発明に係る実施例１について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて元素分析を行った結果を示すグラフである。
【図４】本発明に係る実施例及び比較例において、２５℃比抵抗値に対するＢ定数を示すグラフである。
【図５】本発明に係る実施例において、組成比Ｎ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ）に対するＢ定数を示すグラフである。
【図６】本発明に係る実施例１について、Ｘ線回折（ＸＲＤ）の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係るサーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサにおける一実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１５】
本実施形態のサーミスタは、一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなるサーミスタ材料である。
なお、非晶質の判断は、Ｘ線回折実験により実施した。なお、ポリイミドのような樹脂基板は、Ｘ線の吸収が大きく、非晶質の判断が難しいため、熱酸化（ＳｉＯ２）膜付きＳｉ基板にＳｉｘＷｙＮｚ膜を成膜し、結晶性を判断した。具体的には、視斜角入射Ｘ線回折（Grazing Incidence X-ray Diffraction）により、実施し、管球をＣｕとし、入射角を１度とした。また、入射角を０度とし、２θ＝２０〜１００度の範囲で対称測定（一般的なθ−２θ測定）を実施した。この際に、ａ軸配向（１００）やｃ軸配向（００２）等の結晶性のピークが無いことによって非晶質であることを判断している。
【００１６】
また、本実施形態のサーミスタには、サーミスタ特性を大きく変えない範囲内において、酸素が含まれていてもよい。本実施形態のサーミスタを後述するスパッタリングにより成膜した際には、膜中に不可避不純物として含まれる酸素（組成比Ｏ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ＋Ｏ））は、いずれも２％未満である。
また、本実施形態のサーミスタの表面が酸化した場合でも、酸化層の厚みが電気的に影響の少ない膜厚（例えば、数ｎｍ以下）であれば表面に酸化層が存在してもよい。
【００１７】
また、本実施形態のサーミスタセンサ１０は、図１及び図２に示すように、基材２と、基材２上に上記サーミスタで形成された薄膜サーミスタ部１と、薄膜サーミスタ部１の上及び下の少なくとも一方に形成された一対の対向電極５とを備えている。
【００１８】
上記基材２は、ポリイミド等の絶縁性フィルムが採用される。
なお、上記絶縁性フィルムとしては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、柔軟性と耐熱性とが要求される。例えば定着ローラの温度測定用としては、最高使用温度が２００℃程度と高いため、耐熱性に優れたポリイミドフィルムが望ましい。
上記一対の対向電極５は、例えばＣｒ膜とＡｕ膜との積層金属膜でパターン形成され、薄膜サーミスタ部１上で互いに対向状態とされていると共に、複数の櫛部５ａを有した櫛形パターンとされている。
【００１９】
上記サーミスタの製造方法及びこれを用いたサーミスタセンサの製造方法について、以下に説明する。
【００２０】
本実施形態のサーミスタを製造する方法は、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有している。
例えば、非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜を形成するには、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用い、スパッタ条件は、到達真空度４×１０−５Ｐａ、スパッタガス圧０．６７Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分率を例えば４０％とする。
なお、Ｓｉ−Ｗ合金スパッタリングターゲットを用いた場合、膜の窒化が難しいため、スパッタリングターゲットにＳｉ３Ｎ４のような窒化物が含まれていることが好ましい。本実施形態では、スパッタリングターゲット材料にＳｉ３Ｎ４が含まれているものを採用しているが、さらに良好な窒化膜を得るために、Ｗ−Ｎが含まれているものを採用してもよい。
【００２１】
また、本実施形態のサーミスタセンサ１０を製造する場合、まず基材２上に上記サーミスタの製法の成膜工程によって薄膜サーミスタ部１を成膜する。
次に、スパッタ法にて、例えばＣｒ膜を２０ｎｍ形成し、さらにＡｕ膜を２００ｎｍ形成する。さらに、その上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントによりウェットエッチングを行い、図２に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛部５ａを有した対向電極５を形成する。このようにして本実施形態のサーミスタセンサ１０が作製される。
【００２２】
このように本実施形態のサーミスタでは、一般式：ＳｉｘＷｙＮｚ（０＜ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３０、０．４５≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される非晶質の金属窒化物からなるので、クラックが発生し難く、高Ｂ定数を有したサーミスタ特性を有している。
【００２３】
また、本実施形態のサーミスタセンサ１０では、上記サーミスタで薄膜サーミスタ部１が形成されているので、薄膜サーミスタ部１にクラック発生が生じ難く、高Ｂ定数が得られ、良好なサーミスタ特性を有したサーミスタセンサが得られる。特に、ポリイミド等の絶縁性フィルム上に形成された薄膜サーミスタ部１に大きな圧縮応力が加わっても、クラックの発生が抑制され、良好なサーミスタ特性が得られる。また、基材２が柔軟な絶縁性フィルムである場合、全体として柔軟性を有したフレキシブルサーミスタセンサが得られる。
【００２４】
さらに、本実施形態のサーミスタの製造方法では、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有しているので、ターゲット中のＳｉ３Ｎ４により膜の良好な窒化が可能であると共に、スパッタ中の窒素含有量の調整によって、ＳｉｘＷｙＮｚ膜の窒化量を調整することができ、安定して非晶質ＳｉｘＷｙＮｚのサーミスタを作製することができる。
【実施例】
【００２５】
次に、本発明に係るサーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサについて、上記実施形態に基づいて作製した実施例により評価した結果を、図３から図６を参照して具体的に説明する。
【００２６】
＜膜評価用素子の作製＞
本発明の実施例及び比較例として、熱酸化膜（ＳｉＯ２）付きＳｉ基板の基材２２を用いて、非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜のサーミスタを有する図２に示すサーミスタセンサを膜評価用素子として次のように作製した。
まず、反応性スパッタ法にて、Ｓｉ３Ｎ４とＷとの混合焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、熱酸化膜（ＳｉＯ２）付きＳｉ基板の基材２２上に非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎの薄膜サーミスタ部１を形成した。このような薄膜サーミスタ部１を成膜した実施例を、組成比を変えて複数作製した（実施例１〜６）。そのときの非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎのスパッタ条件は、上記と同様である。
【００２７】
なお、比較例として、反応性スパッタ法にて、Ｓｉ３Ｎ４のみからなるスパッタリングターゲットを用いて、熱酸化膜（ＳｉＯ２）付きＳｉ基板の基材２２上に非晶質Ｓｉ−Ｎ膜（比較例１，２）を、薄膜サーミスタ部１に該当する部分へ形成した。また、反応性スパッタ法にて、Ｓｉ−Ｗ合金スパッタリングターゲットを用いて、熱酸化膜（ＳｉＯ２）付きＳｉ基板の基材２２上に本発明の組成範囲外の非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜（比較例３）を、薄膜サーミスタ部１に該当する部分へ形成した。
【００２８】
次に、上記薄膜サーミスタ部１の上に、上述した条件で対向電極５を形成した。そして、これをチップ状にダイシングして、本発明の実施例及び比較例の膜評価用素子とした。実施例における非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎの薄膜サーミスタ部１の膜厚は、２００ｎｍであり、比較例における非晶質Ｓｉ−Ｎ膜又は非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜の膜厚は、２００ｎｍである。
【００２９】
＜膜の評価＞
（１）組成分析
上記薄膜サーミスタ部１について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて元素分析を行った。このＸＰＳでは、Ａｒスパッタにより、最表面から深さ２０ｎｍのスパッタ面において、定量分析を実施した。その結果を表１に示す。なお、以下の表中の組成比は「原子％」で示している。一部のサンプルに対して、最表面から深さ１００ｎｍのスパッタ面における定量分析を実施し、深さ２０ｎｍのスパッタ面と定量精度の範囲内で同じ組成であることを確認している。
【００３０】
なお、上記Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、Ｘ線源をＭｇＫα（３５０Ｗ）とし、パスエネルギー：５８．５ｅＶ、測定間隔：０．１２５ｅＶ、試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ、分析エリアを約８００μｍφの条件下で定量分析を実施した。なお、定量精度について、Ｎ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ）の定量精度は±２％、Ｗ／（Ｓｉ＋Ｗ）の定量精度は±１％である。
【００３１】
（２）ＸＰＳによるＳｉの結合エネルギー評価
本発明の実施例について、ＸＰＳによりＳｉ２ｐのスペクトルを取得し、ピーク位置よりＳｉの結合エネルギーを測定した結果を表１に示す。なお、一例として本発明の実施例１におけるＸＰＳによるスペクトルのプロファイルを、図３に示す。また、本実施例の他に比較のため、バルク体のＳｉ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２それぞれのＸＰＳによるスペクトルも図３に破線で図示している。
【００３２】
Ｘ線光電子分光の化学状態分析は、非晶質のように、原子配列に長周期性がなく、原子が不規則に配列されていたとしても、原子間の結合状態やミクロな特定の構造（微細な構造）を評価することが可能となる。本発明のいずれの実施例も、ＳｉのピークがＳｉ３Ｎ４よりも低いエネルギー側にピークを有したスペクトルが観察されている。すなわち、本発明のいずれの非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜の原子間の結合状態や構造については、Ｓｉ３Ｎ４結晶構造と同様の結晶構造、結合状態がミクロな領域で構成されていると考えられる。さらにＳｉ３Ｎ４の結晶構造におけるＳｉサイトにＷが入ってスペクトルのピークが低いエネルギー側にシフトしていると考えられ、窒化珪素の結晶中にＷが固溶していることがわかる。また、Ｓｉ２ｐのスペクトルは単一のピークであることから、相分離はしておらず、Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜は単一相と考えられる。
【００３３】
＜比抵抗測定＞
上記反応性スパッタ法にて得られた実施例及び比較例の各非晶質膜について、４端子法（van der pauw法）にて２５℃での比抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
＜Ｂ定数測定＞
各膜評価用素子の２５℃及び５０℃の抵抗値を恒温槽内で測定し、２５℃と５０℃との抵抗値よりＢ定数を算出した。その結果を表１に示す。
この結果、本発明の実施例は、いずれも２５℃と５０℃との抵抗値より負の温度特性をもつサーミスタであることを確認している。これらの比較例及び実施例の結果について、２５℃の比抵抗値に対するＢ定数を示すグラフを図４に示すと共に、組成比Ｎ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ）に対するＢ定数を示すグラフを図５に示す。
【００３６】
なお、本発明におけるＢ定数算出方法は、上述したように２５℃と５０℃とのそれぞれの抵抗値から以下の式によって求めている。
Ｂ定数（Ｋ）＝ｌｎ（Ｒ２５／Ｒ５０）／（１／Ｔ２５−１／Ｔ５０）
Ｒ２５（Ω）：２５℃における抵抗値
Ｒ５０（Ω）：５０℃における抵抗値
Ｔ２５（Ｋ）：２９８．１５Ｋ  ２５℃を絶対温度表示
Ｔ５０（Ｋ）：３２３．１５Ｋ  ５０℃を絶対温度表示
【００３７】
これらの結果からわかるように、本発明の実施例では、いずれも高い比抵抗値及びＢ定数が得られている。また、同程度のＷ／（Ｓｉ＋Ｗ）比をもつ材料について、窒化量（組成比Ｎ／（Ｓｉ＋Ｗ＋Ｎ）が大きくなると共に、比抵抗値及びＢ定数が大きくなっている。すなわち、ＳｉｘＷｙＮｚ膜の窒化量を調整することでサーミスタ特性を調整することが可能である。
これらに対し、非晶質Ｓｉ−Ｎ膜の比較例１，２は、絶縁性が高くなり過ぎ、比抵抗値が大きくなり過ぎてサーミスタ特性が得られず、Ｂ定数の測定ができていない。また、本発明の組成範囲外である非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎの比較例３は、Ｓｉ−Ｗ合金スパッタリングターゲットを用いたため、窒化量が小さく、低い比抵抗値及びＢ定数であった。
【００３８】
＜Ｘ線回折による非晶質性の評価＞
次に、本発明の実施例は非晶質の膜であり、結晶化膜でないことを、視斜角入射Ｘ線回折（Grazing Incidence X-ray Diffraction）を用いて確認した。
なお、視斜角入射Ｘ線回折の条件は、管球をＣｕとし、入射角を１度とした。
この結果、本発明の各実施例は、結晶性を示すピークは検出されておらず、非晶質であることがわかった。
【００３９】
一例として非晶質Ｓｉ−Ｗ−Ｎ膜の実施例１のＸＲＤプロファイルを、図６に示す。これらの結果からわかるように、本発明の実施例１は、結晶化膜を示すピークが検出されていない。
なお、グラフ中（＊）は装置由来および熱酸化膜付きＳｉ基板由来のピークであり、サンプル本体のピーク、もしくは、不純物相のピークではないことを確認している。また、入射角を０度として、対称測定（一般的なθ−２θ測定）を実施し、そのピークが消失していることを確認し、装置由来および熱酸化膜付きＳｉ基板由来のピークであることを確認した。
【００４０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、薄膜サーミスタ部の上に一対の対向電極を形成しているが、薄膜サーミスタ部の下、すなわち絶縁性フィルムの一方の面上に一対の対向電極を形成し、その上に薄膜サーミスタ部を形成しても構わない。
【符号の説明】
【００４１】
１…薄膜サーミスタ部、２，２２…基材、５…対向電極、１０…サーミスタセンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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