(57)【要約】      （修正有）【課題】簡便な手法でありながら窒化物半導体基板から空気中への自然放出光の透過率を低下させることができる窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体２と、積層体２に設けられたレーザ導波路３と、窒化物半導体基板１と積層体２との共通の端面を覆う誘電体膜４とを備えている。端面１０ａ，１０ａにおいて、レーザ導波路３の反射ミラー部３１を構成している領域以外の領域の一部には窪み部９０がある。窪み部９０は、その表面に大きさの異なる多数の突起９ａが形成されている非平坦構造９を有している。【選択図】図１
2019129257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体と、前記積層体に設けられたレーザ導波路と、前記窒化物半導体基板と前記積層体との共通の端面を覆う誘電体膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、
前記端面において、前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域以外の領域の一部には窪み部があり、
前記窪み部は、その表面に大きさの異なる多数の突起が形成されている非平坦構造を有していることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記誘電体膜は酸素を含み、前記非平坦構造の酸素濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域の酸素濃度よりも高いことを特徴する請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体と、前記積層体に設けられたレーザ導波路と、前記窒化物半導体基板と前記積層体との共通の端面を覆う誘電体膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、
前記端面において、前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域以外の領域の少なくとも一部には非平坦構造が形成されており、
前記誘電体膜は酸素を含み、前記非平坦構造の酸素濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域の酸素濃度よりも高いことを特徴する窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記非平坦構造の窪み部があり、
前記窪み部は、その表面に大きさの異なる多数の突起が形成されている前記非平坦構造を有していることを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記突起の大きさは、０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴する請求項１、請求項２又は請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記非平坦構造は、前記レーザ導波路の反射ミラー部に対して傾斜していることを特徴する請求項１から請求項５までの何れか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記誘電体膜はシリコンを含み、前記非平坦構造のシリコン濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域のシリコン濃度よりも低いことを特徴する請求項１から請求項６までの何れか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記誘電体膜はアルミニウムを含み、前記非平坦構造のアルミニウム濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域のアルミニウム濃度よりも低いことを特徴する請求項１から請求項７までの何れか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記非平坦構造の発光波長に対する吸収係数は、前記端面の前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域における発光波長に対する吸収係数に比べて大きいことを特徴とする請求項１から請求項８までの何れか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体と、前記積層体に設けられたレーザ導波路と、前記窒化物半導体基板と前記積層体との共通の端面を覆う誘電体膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子を製造する窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、
レーザ加工によって、前記端面において前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域以外の一部の領域を非平坦化させることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体レーザ素子は、劈開面の平坦性、簡素な電極構造、低貫通転位、比較的高い熱伝導率を実現するために、窒化物半導体基板として、例えば、導電性のＧａＮ基板が用いられることがある。以下、窒化物半導体基板としてＧａＮ基板を用いる場合を例にとって説明する。
【０００３】
現在、普及している多くの窒化物半導体レーザ素子はＧａＮ基板を用いている。加えて、ＧａＮ基板は、熱伝導率が２Ｗ／ｃｍ・Ｋであり、ＧａＮ系発光ダイオードで広く使われる安価なサファイヤ基板の熱伝導率０．４Ｗ／ｃｍ・Ｋよりも５倍高い値となっている。
【０００４】
ところで、動作電流密度が高く、光放射密度が高い窒化物半導体レーザ素子は、チップの温度上昇を伴いやすいので、放熱設計が重要になる。従って、上記チップの大部分の体積を占める基板の熱伝導率の高さは、窒化物半導体レーザ素子の放熱設計において非常に重要な要因となる。その点、ＧａＮ基板は有利である。以上のことから導電性のＧａＮ基板は、窒化物半導体レーザ素子の窒化物半導体基板として広く使われている。
【０００５】
一方、ＧａＮの屈折率は、発振波長５００ｎｍ程度で２．４と比較的高い。しかも、窒化物半導体レーザ素子の積層構造に用いられる材料と同様の材料が含まれるために、発光層からの光の一部が窒化物半導体基板に漏れ出やすい。窒化物半導体基板へ染み出した光は外部に放出され、非線形光であるレーザ光と混合する。そうすると、ファーフィールドパターン（ＦＦＰ：Ｆａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｐａｔｔｅｒｎ）にリップルが出現し、ノイズの原因となる。
【０００６】
これを防ぐために、活性層の上部及び下部のガイド層の層厚と組成を設定する技術（特許文献１参照）、レーザ導波路の反射ミラー面以外の端面に不透光膜を形成する技術（特許文献２参照）、共振面の少なくとも真下に空洞部を形成する技術（特許文献３参照）がそれぞれ開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−８５７９６号公報
【特許文献２】特開２００３−６０２８７号公報
【特許文献３】特開２００４−２５３７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のように、活性層の上部及び下部のガイド層の層厚と組成を設定する技術では、発光層から放出された光において、ガイド層の設計によって窒化物半導体基板への漏れ出しを完全に制限することは、設計の自由度を低下させる。例えば、光が窒化物半導体基板に到達しないように効果的に閉じ込めるためには、屈折率差を大きくする必要がある。それを実現するためには、屈折率の低いＡｌＧａＮ層のＡｌ組成を高くするか、層厚を大きくする必要がある。それには、結晶性の悪化、クラックのリスクが同時に伴う。従って、良好なレーザ特性と光の閉じ込めとを両立させることが難しい。
【０００９】
また、特許文献２に記載のように、レーザ導波路の反射ミラー面以外の端面に不透光膜を形成する技術では、電極、放射部分を除いて不透光膜を選択的に形成する必要がある。例えば、放射部分を覆い隠すための特殊な治具が必要である。それによって工数が増え、原価上昇につながる。
【００１０】
さらに、特許文献３に記載のように、共振面の少なくとも真下に空洞部を形成する技術では、ｐｎ接合部と底面との距離が空洞部分では顕著に小さくなる。このため、金属の電極を形成した際に、電流リークの原因となり、歩留りを低下させる恐れがある。
【００１１】
そこで、本発明は、簡便な手法でありながら窒化物半導体基板から空気中への自然放出光の透過率を低下させることができる窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、前記課題を解決するために、次の窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【００１３】
（１）第１態様の窒化物半導体レーザ素子
本発明に係る第１態様の窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体と、前記積層体に設けられたレーザ導波路と、前記窒化物半導体基板と前記積層体との共通の端面を覆う誘電体膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記端面において、前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域以外の領域の一部には窪み部があり、前記窪み部は、その表面に大きさの異なる多数の突起が形成されている非平坦構造を有していることを特徴とする。
【００１４】
前記第１態様の窒化物半導体レーザ素子において、前記誘電体膜は酸素を含み、前記非平坦構造の酸素濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域の酸素濃度よりも高いことが好ましい。
【００１５】
（２）第２態様の窒化物半導体レーザ素子
本発明に係る第２態様の窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体と、前記積層体に設けられたレーザ導波路と、前記窒化物半導体基板と前記積層体との共通の端面を覆う誘電体膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記端面において、前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域以外の領域の少なくとも一部には非平坦構造が形成されており、前記誘電体膜は酸素を含み、前記非平坦構造の酸素濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域の酸素濃度よりも高いことを特徴する。
【００１６】
本発明に係る第２態様の窒化物半導体レーザ素子において、前記非平坦構造の窪み部があり、前記窪み部は、その表面に大きさの異なる多数の突起が形成されている前記非平坦構造を有していることが好ましい。
【００１７】
（３）窒化物半導体レーザ素子の製造方法
本発明に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体と、前記積層体に設けられたレーザ導波路と、前記窒化物半導体基板と前記積層体との共通の端面を覆う誘電体膜とを備えた窒化物半導体レーザ素子を製造する窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、レーザ加工によって、前記端面において前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域以外の一部の領域を非平坦化させることを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記突起の大きさは、０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記非平坦構造は、前記レーザ導波路の反射ミラー部に対して傾斜していることが好ましい。
【００２０】
本発明において、前記誘電体膜はシリコンを含み、前記非平坦構造のシリコン濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域のシリコン濃度よりも低いことが好ましい。
【００２１】
本発明において、前記誘電体膜はアルミニウムを含み、前記非平坦構造のアルミニウム濃度は、前記端面の前記非平坦構造以外の領域のアルミニウム濃度よりも低いことが好ましい。
【００２２】
本発明において、前記非平坦構造の発光波長に対する吸収係数は、前記端面の前記レーザ導波路の反射ミラー部を構成している領域における発光波長に対する吸収係数に比べて大きいことが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、簡便な手法でありながら窒化物半導体基板から空気中への自然放出光の透過率を低下させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態に係る窒化物半導体レーザ素子を模式的に示す概略側面図である。
【図２】図１に示す窒化物半導体レーザ素子を模式的に示す概略平面図である。
【図３】図２に示すＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【図４】窒化物半導体レーザ素子を製造する第１工程を模式的に示す概略断面図である。
【図５】窒化物半導体レーザ素子を製造する第２工程を模式的に示す概略断面図である。
【図６】窒化物半導体レーザ素子を製造する第３工程を模式的に示す概略断面図である。
【図７】窒化物半導体レーザ素子を製造する第４工程を模式的に示す概略側面図である。
【図８】窒化物半導体レーザ素子を製造する第５工程を模式的に示す概略側面図である。
【図９】実施例で作製した窒化物半導体レーザ素子を模式的に示す概略断面図である。
【図１０】実施例で作製した窒化物半導体レーザ素子を模式的に示す概略側面図である。
【図１１】レーザ加工後のバー状のレーザ出射端面の顕微鏡写真である。
【図１２】レーザ加工を行った部分でのＥＤＸによる測定箇所のＳＥＭ写真である。
【図１３】レーザ加工を行っていない部分でのＥＤＸによる測定箇所のＳＥＭ写真である。
【図１４】レーザ加工を行った場合でのファーフィールドパターンのスペクトルを示すグラフである。
【図１５】レーザ加工を行っていない場合でのファーフィールドパターンのスペクトルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称及び機能も同じである。従って、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００２６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０を模式的に示す概略側面図である。図２は、図１に示す窒化物半導体レーザ素子１０を模式的に示す概略平面図である。図３は、図２に示すＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【００２７】
図１から図３に示すように、窒化物半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板（この例ではＧａＮ基板１）上に窒化物半導体からなる積層体２が設けられている。積層体２は、少なくともｎ型クラッド層２１、発光層２２、ｐ型クラッド層２３を有する。
【００２８】
窒化物半導体レーザ素子１０では、発光層２２から放出されたレーザ光は、レーザ導波路３で共振する。レーザ光を共振させるために、レーザ導波路３に反射ミラー面３１（反射ミラー部）が設けられる。誘電体膜４，４はレーザ導波路３の反射ミラー面３１を覆っている。ｐ型クラッド層２３にはリッジ５が形成されている。また、ｐ型クラッド層２３上には絶縁膜６が設けられている。さらに、絶縁膜６上にはｐ側電極７が設けられている。一方、ＧａＮ基板１の積層体２が形成された面と反対側の面（以下裏面と称することがある）にはｎ側電極８が設けられている。
【００２９】
そして、レーザ導波路３の反射ミラー面３１を構成している端面１０ａ，１０ａにおいて、レーザ導波路３の反射ミラー面３１以外の領域の一部には窪み部９０がある。窪み部９０は、その表面には大きさの異なる多数の突起９ａ〜９ａが形成されている非平坦構造９を有している。すなわち、非平坦構造９は、端面１０ａ，１０ａにおいて、レーザ導波路３の反射ミラー面３１以外の領域の少なくとも一部に形成されている。詳しくは、窪み部９０は、誘電体膜４の表面４ａからＧａＮ基板１に至っている。以上が、窒化物半導体レーザ素子１０の構造である。
【００３０】
次に、窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法について以下に説明する。図４から図６は、それぞれ、窒化物半導体レーザ素子１０を製造する第１工程から第３工程を模式的に示す概略断面図である。図７及び図８は、それぞれ、窒化物半導体レーザ素子１０を製造する第４工程及び第５工程を模式的に示す概略側面図である。
【００３１】
窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法において、先ず、第１工程では、導電性のＧａＮ基板１上に、窒化物半導体からなる積層体２としてｎ型クラッド層２１、発光層２２、ｐ型クラッド層２３を少なくとも形成する（図４参照）。次に、第２工程では、ｐ型クラッド層２３に対して所定の深さまでエッチングを行い、発光層２２へのキャリアの選択注入のためのリッジ５を形成する（図５参照）。次に、第３工程では、絶縁膜６、ｐ側電極７を形成し、裏面からＧａＮ基板１を研磨し、ｎ側電極８を形成する（図６参照）。その後、第４工程では、レーザ導波路３の反射ミラー面３１に複数層からなる誘電体膜４，４を形成する（図７参照）。その後、第５工程では、ＧａＮ基板１からの光を吸収させるために、非平坦構造９を形成する（図８参照）。
【００３２】
本実施の形態において、非平坦構造９は、レーザ導波路３の反射ミラー面３１に対して傾斜している。このように、非平坦構造９がレーザ導波路３の反射ミラー面３１に対して傾斜していることによって、光を散乱させることができる。これにより、ファーフィールドパターン（ＦＦＰ）のリップルを低下させることができる。しかも、窪み部９０の表面には突起９ａ〜９ａがあることから、レーザの発光波長及び屈折率を考慮に入れることで、レーザ光の散乱を強めることができる。それにより光路長が伸びて、非平坦構造９での吸収係数を大きくすることができる。
【００３３】
突起９ａ〜９ａの大きさとしては、例えば、０．１μｍ〜１０μｍを挙げることができる。突起９ａ〜９ａの大きさが０．１μｍより小さい場合、突起９ａ〜９ａがレーザの発光波長に対し小さくなりすぎて、レーザ光は散乱されずに透過してしまう。また、突起９ａ〜９ａの大きさが１０μｍより大きい場合には、突起９ａ〜９ａがレーザの発光波長よりも大きくなりすぎて、同様に、レーザ光は散乱されずに透過してしまう。したがって散乱を強めるためには、適切な大きさがあり、０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００３４】
一方、レーザ導波路３の反射ミラー面３１には、酸素（酸化膜）を含む誘電体膜４が設けられている。非平坦構造９の酸素濃度は、酸素を含む誘電体膜４が形成された非平坦構造９以外の領域の酸素濃度よりも高い。このように、レーザ導波路３の反射ミラー面３１に形成した複数層からなる誘電体膜４は酸化膜を含む場合、酸素濃度が非平坦構造９でそれ以外の誘電体膜４を含む領域よりも高くなる。そうすると、非平坦構造９の発光波長に対する吸収係数をレーザ導波路３の端面（２２ａ，２２ｂ）の発光波長に対する吸収係数に比べて上げることができ、同様にファーフィールドパターン（ＦＦＰ）のリップルを低下させることができる。また、上記と同様に突起の大きさが０．１μｍ〜１０μｍの範囲にあれば、光路長が大きくなり、さらに吸収係数を上げることができ、ファーフィールドパターンのリップルを有効に低下させることができる。
【００３５】
誘電体膜４の材料として、それには限定されないが、シリコン及び／又はアルミニウムを含んでいてもよい。誘電体膜４の材料としてシリコン及び／又はアルミニウムを含む場合は、非平坦構造９のシリコン及び／又はアルミニウムの濃度は、非平坦構造９以外の誘電体膜４を含む端面のシリコン及び／又はアルミニウムの濃度よりも低くなることが好ましい。
【００３６】
（第２実施形態）
第２実施形態では、レーザ導波路３の反射ミラー面３１には、シリコンを含む誘電体膜４が設けられている。非平坦構造９のシリコン濃度は、シリコンを含む誘電体膜４が形成された非平坦構造９以外の領域のシリコン濃度よりも低い。
【００３７】
（第３実施形態）
第３実施形態では、レーザ導波路３の反射ミラー面３１には、アルミニウムを含む誘電体膜４が設けられている。非平坦構造９のアルミニウム濃度は、アルミニウムを含む誘電体膜４が形成された非平坦構造９以外の領域のアルミニウム濃度よりも低い。
【００３８】
（第１実施形態から第３実施形態）
第１実施形態から第３実施形態の非平坦構造９では、端面１０ａの平坦性が下がり、吸収係数が上っているので、端面１０ａは、顕微鏡写真において黒色化してみえる。例えば、非平坦構造９は、誘電体膜４を形成した後、レーザ導波路３の反射ミラー面３１に当たらないように焦点を合わせ、レーザを照射することによって実現させることができる。
【実施例】
【００３９】
図９及び図１０は、それぞれ、実施例で作製した窒化物半導体レーザ素子１０Ａを模式的に示す概略断面図及び概略側面図である。
【００４０】
先ず、図９に示すように、導電性のＧａＮ基板１上に、有機金属気相成長法によって、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２４、発光層２２、ｐ側ガイド層２５、ｐ型クラッド層２３を少なくとも形成し、これらの積層構造（積層体２）をレーザ構造とした。
【００４１】
次に、ｐ型クラッド層２３に対して所定の深さまでエッチングを行い、発光層２２へのキャリアの選択注入のためのリッジ５を形成した。
【００４２】
その後、スパッタ法により絶縁膜６、ＥＢ蒸着法によってｐ側電極７を形成し、裏面からＧａＮ基板１を研磨し、ＥＢ蒸着法によってｎ側電極８を形成した。その後、ＧａＮ基板１上の半導体構造（半導体積層部）を２つの側面を有するバー状に分割する（図９参照）。
【００４３】
その後、図１０に示すように、一方の側面に誘電体膜４（４１）を形成し、高反射面２２ｂ（後面）を形成し、他方の側面に複数層から成る誘電体膜４（４２）をスパッタ法によって形成してレーザ導波路３の反射ミラー面３１とした。
【００４４】
レーザ導波路３の反射ミラー面３１の誘電体膜４（４２）の構造は、ＧａＮ基板１側から、ＡｌＯＮ層４２１、ＳｉＮ層４２２、ＳｉＯ2層４２３、ＳｉＮ層４２２と続き、ＳｉＯ2層４２３とＳｉＮ層４２２とは、反射率を調整するために繰り返し形成した。最表面はＡｌ2Ｏ3層４２４とした。
【００４５】
その後、レーザ加工装置によって、レーザ導波路３の反射ミラー面３１の誘電体膜４（４２）表面上に加工用レーザを照射した。加工用レーザの照射域は、レーザ導波路３の反射ミラー面３１のうち積層体２（半導体積層部）、特に発光層２２を避けつつＧａＮ基板１側のできるだけ広い部分に照射する。こうすることで、本発明の効果を向上させることができる。
【００４６】
レーザ加工装置の加工条件は、発振波長：３５５ｎｍ、出力：７００ｍＷ、速度：７ｍｍ／ｓ、周波数：６０ｋＨｚとした。最後にバー状の半導体構造をチップ状に分割することでレーザ素子とした。
【００４７】
レーザ加工後のバー状のレーザ導波路３の反射ミラー面３１の顕微鏡写真を図１１に示す。また、レーザ加工を行った部分と、レーザ加工を行っていない部分とでのＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：エネルギー分散型Ｘ線分光法）による測定箇所のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）写真をそれぞれ図１２及び図１３に示す。
【００４８】
図１１に示すように、レーザ導波路３の反射ミラー面３１が黒色化していることがわかる。また、図１２及び図１３に示すＳＥＭ写真は、それぞれ、レーザ加工しているサンプルの中でレーザ光を当てた部分と当てていない部分を示している。図１２及び図１３に示すＳＥＭ写真において、径の異なる略円形状の凸部が散在している領域がレーザ加工部である。
【００４９】
図１２に示すスペクトル１は非平坦構造においてＥＤＸで電子線を当てて解析した測定ポイント（スペクトル１の左上の「＋」参照）である。スペクトル１のＥＤＸによる解析結果より、酸素濃度は１７．０９（質量％）、アルミニウム濃度は２．８６（質量％）、シリコン濃度は１６．５５（質量％）であった。また、図１３に示すスペクトル２は平坦部においてＥＤＸで電子線を当てて解析した測定ポイント（スペクトル２の左上の「＋」参照）である。スペクトル２のＥＤＸ解析結果より、酸素濃度は１２．７４（質量％）、アルミニウム濃度は４．３８（質量％）、シリコン濃度は２２．６３（質量％）であった。
【００５０】
レーザ加工した場所の方が、レーザ非加工の部分よりも酸素濃度が高く、アルミニウム濃度、シリコン濃度は低かった。図１４及び図１５は、それぞれ、レーザ加工及びレーザ非加工のファーフィールドパターン（ＦＦＰ）のスペクトル１，２を示すグラフである。図７において、横軸は活性層に平行な方向から垂直方向への偏角（ｄｅｇ．：度）を表し、縦軸は光強度（ａ．ｕ．：任意単位）を表している。横軸における角度が正の方向は活性層からＧａＮ基板１側への偏角を表し、負の方向は発光層２２からリッジ５側への偏角を表している。
【００５１】
図１５に示すように、レーザ加工を行った場合では、ノイズとなるリップルが図１４に示すレーザ加工を行わなかった場合に比べ抑制していることがわかる。
【００５２】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されるものではなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、かかる実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【符号の説明】
【００５３】
１      ＧａＮ基板
１０    窒化物半導体レーザ素子
１０Ａ  窒化物半導体レーザ素子
１０ａ  端面
２      積層体
２１    ｎ型クラッド層
２２    発光層
２２ａ  レーザ出射端面
２２ｂ  高反射面
２３    ｐ型クラッド層
２４    ｎ側ガイド層
２５    ｐ側ガイド層
３      レーザ導波路
３１    レーザ導波路の反射ミラー面
４      誘電体膜
４ａ    表面
５      リッジ
６      絶縁膜
７      ｐ側電極
８      ｎ側電極
９      非平坦構造
【図１】
2019129257.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019129257.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019129257.tif 000007
【図６】
2019129257.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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