(57)【要約】【課題】パーティクルを効率よく除去することを目的とする。【解決手段】処理容器と、前記処理容器内にて被処理体を載置する載置台と、前記載置台の周縁部に配置されるエッジリングと、前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、前記エッジリングに直流電圧を印加する直流電源と、前記処理容器内を排気する排気部と、を有する処理装置のクリーニング方法であって、前記ガス供給部によりガスを所定の流量以上で前記処理容器内に供給しながら、前記排気部により該処理容器内のガスを排気する第１の工程と、前記直流電源により前記エッジリングに所定の直流電圧を印加する第２の工程と、を有する、クリーニング方法が提供される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
前記処理容器内にて被処理体を載置する載置台と、
前記載置台の周縁部に配置されるエッジリングと、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、
前記エッジリングに直流電圧を印加する直流電源と、
前記処理容器内を排気する排気部と、を有する処理装置のクリーニング方法であって、
前記ガス供給部によりガスを所定の流量以上で前記処理容器内に供給しながら、前記排気部により該処理容器内のガスを排気する第１の工程と、
前記直流電源により前記エッジリングに所定の直流電圧を印加する第２の工程と、
を有する、クリーニング方法。
【請求項２】
前記処理装置が、前記処理容器内にて前記載置台に対向して設けられる対向部材をさらに有し、
前記第２の工程において、前記対向部材に所定の直流電圧をさらに印加する、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
処理容器と、
前記処理容器内にて被処理体を載置する載置台と、
前記処理容器内にて前記載置台に対向して設けられる対向部材と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、
前記対向部材に直流電圧を印加する直流電源と、
前記処理容器内を排気する排気部と、を有する処理装置のクリーニング方法であって、
前記ガス供給部によりガスを所定の流量以上で前記処理容器内に供給しながら、前記排気部により該処理容器内のガスを排気する第１の工程と、
前記直流電源により前記対向部材に所定の直流電圧を印加する第２の工程と、
を有する、クリーニング方法。
【請求項４】
前記第２の工程は、
異なる大きさの直流電圧を切り替えて印加する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、
絶対値が５００Ｖ以上の直流電圧であって、正負が逆の直流電圧を切り替えて繰り返し印加する、
請求項４に記載のクリーニング方法。
【請求項６】
前記第２の工程は、第１の工程の実行中に前記直流電圧を印加する、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項７】
前記第１の工程は、
不活性ガス、ＳＦ６ガス、ＣＦ４ガス及びＯ２ガスからなる群より選ばれる１又は２種以上のガスを、１０００ｓｃｃｍ以上の流量で前記処理容器内に供給する、
請求項１〜６のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項８】
前記不活性ガスは、希ガス及びＮ２ガスの少なくともいずれかである、請求項７に記載のクリーニング方法。
【請求項９】
処理容器と、
前記処理容器内にて被処理体を載置する載置台と、
前記処理容器内にて前記載置台に対向して設けられる対向部材と、
前記載置台の周縁部に配置されるエッジリングと、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、
前記エッジリング及び前記対向部材の少なくとも一方に直流電圧を印加する直流電源と、
前記処理容器内を排気する排気部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記ガス供給部によりガスを所定の流量で前記処理容器内に供給しながら、前記排気部により該処理容器内のガスを排気し、
前記直流電源により前記エッジリング及び前記対向部材の少なくとも一方に所定の直流電圧を印加する、
処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クリーニング方法及び処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、大流量のガスを処理容器内に供給し、圧力上昇による衝撃波を発生させ、その衝撃波により処理容器内に付着したパーティクルを剥離させ、剥離したパーティクルをガスの粘性力により排気することが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２４３９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の手法では、処理容器内のパーティクルが除去しきれない場合がある。例えば、載置台上の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の周縁部に配置されるエッジリングの周辺部にパーティクルが残存する場合がある。そうすると、パーティクルが載置台に載置されたウェハの最外周等に吸着し、ウェハの処理に影響を与えることで歩留まりを低下させ、生産性を悪くする。また、載置台周辺以外であっても処理容器内に配置された部品からパーティクルが発生するとウェハの処理に影響を与える。
【０００５】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、パーティクルを効率よく除去することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内にて被処理体を載置する載置台と、前記載置台の周縁部に配置されるエッジリングと、前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、前記エッジリングに直流電圧を印加する直流電源と、前記処理容器内を排気する排気部と、を有する処理装置のクリーニング方法であって、前記ガス供給部によりガスを所定の流量以上で前記処理容器内に供給しながら、前記排気部により該処理容器内のガスを排気する第１の工程と、前記直流電源により前記エッジリングに所定の直流電圧を印加する第２の工程と、を有する、クリーニング方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、パーティクルを効率よく除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る処理装置の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係るクリーニング処理の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１０】
［プラズマ処理装置の全体構成］
まず、本発明の一実施形態に係る処理装置の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る処理装置１の一例を示す図である。本実施形態では、処理装置１の一例としてプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。
【００１１】
本実施形態にかかる処理装置１は、容量結合型の平行平板のプラズマ処理装置であり、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる円筒状の処理容器１０を有している。処理容器１０は接地されている。
【００１２】
処理容器１０の底部には、セラミックス等からなる絶縁板１２を介して円柱状の支持台１４が配置され、支持台１４の上には、例えばアルミニウムからなる載置台１６が設けられている。載置台１６の上には、被処理体の一例であるウェハＷが載置される。
【００１３】
載置台１６の上面には、ウェハＷを静電気力で吸着保持する静電チャック１８が設けられている。静電チャック１８は、導電膜からなる電極２０ａを一対の絶縁層２０ｂまたは絶縁シートで挟んだ構造を有する。電極２０ａには直流電源２２が接続されている。ウェハＷは、直流電源２２から供給される直流電圧により生じたクーロン力等の静電気力により静電チャック１８に吸着保持される。
【００１４】
ウェハＷの周縁部には、エッチングの均一性を向上させるために、例えばシリコンからなる導電性のエッジリング２４が配置されている。載置台１６及び支持台１４の側面には、例えば石英からなる円筒状の内壁部材２６が設けられている。
【００１５】
支持台１４の内部には、例えば環状に冷媒室２８が設けられている。冷媒室２８には、配管３０ａ，３０ｂを介して、外部に設けられたチラーユニットから所定温度の冷媒、例えば冷却水が供給され、循環する。これにより、冷媒の温度によって載置台１６上のウェハＷの温度が制御される。さらに、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスがガス供給ライン３２を介して静電チャック１８の上面とウェハＷの裏面との間に供給される。
【００１６】
載置台１６は、給電棒４７及び整合器４６を介して第１の高周波電源４８に接続されている。第１の高周波電源４８は、１３．５６ＭＨｚ以上の周波数、例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力を載置台１６に印加する。整合器４６は第１の高周波電源４８の内部（または出力）インピーダンスにプラズマ側の負荷インピーダンスを整合させる。これにより、処理容器１０内にプラズマが生成されているときに第１の高周波電源４８の内部インピーダンスと負荷インピーダンスを見かけ上一致するように機能する。
【００１７】
載置台１６は、給電棒８９及び整合器８８を介して第２の高周波電源９０に接続されている。第２の高周波電源９０は、第１の高周波電源４８が印加する高周波電力の周波数よりも低い２００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば４００ｋＨｚの周波数の高周波電力を載置台１６に印加する。整合器８８は、第２の高周波電源９０の内部（または出力）インピーダンスにプラズマ側の負荷インピーダンスを整合させる。これにより、処理容器１０内にプラズマが生成されているときに第２の高周波電源９０の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。以上の構成により、載置台１６は、下部電極としても機能する。なお、載置台１６は、静電チャック１８を有していなくてもよい。
【００１８】
載置台１６の上方には、載置台１６と対向する位置に配置される対向部材としてシャワーヘッド３４が設けられている。シャワーヘッド３４と載置台１６の間は処理空間となる。シャワーヘッド３４は、載置台１６との対向面を形成し、上部電極としても機能する。
【００１９】
シャワーヘッド３４は、絶縁性遮蔽部材４２を介して、処理容器１０の上部に支持されている。シャワーヘッド３４は、多数のガス吐出孔３７を有する電極板３６と、電極板３６を着脱自在に支持し、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる電極支持体３８とを有する。電極板３６は、シリコンやＳｉＣから形成されることが好ましい。電極支持体３８の内部には、ガス拡散室４０が設けられ、ガス拡散室４０からは多数のガス通流孔４１が下方に延び、ガス吐出孔３７に連通する。
【００２０】
電極支持体３８にはガス拡散室４０へガスを導くガス導入口６２が形成されており、このガス導入口６２にはガス供給管６４が接続されている。ガス供給管６４には、上流側から順にガス供給部６６、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６８及び開閉バルブ７０が接続されている。ガスは、ガス供給部６６から供給され、マスフローコントローラ６８及び開閉バルブ７０により流量及び供給タイミングを制御される。ガスは、ガス供給管６４からガス導入口６２を通ってガス拡散室４０に至り、ガス通流孔４１を介してガス吐出孔３７からシャワー状に処理空間に導入される。
【００２１】
シャワーヘッド３４には、可変直流電源５０が接続され、可変直流電源５０からの直流電圧がシャワーヘッド３４に印加される。エッジリング２４には、可変直流電源９４が接続され、可変直流電源９４からの直流電圧がエッジリング２４に印加される。可変直流電源５０、９４はバイポーラ電源であってもよい。
【００２２】
処理容器１０の底部には排気口７８が形成され、排気管８１を介して排気部８０が接続されている。排気口７８につながる排気路には、処理空間に生成されるプラズマを捕捉又は反射して排気部８０への漏洩を防止する排気プレート７７が設けられている。排気プレート７７としては、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆したものを用いることができる。
【００２３】
排気部８０は、ＡＰＣ（Adaptive Pressure Control：自動圧力制御）バルブ８２、ＴＭＰ（Turbo Molecular Pump：ターボ分子ポンプ）８３、ドライポンプ（Ｄｒｙ  Ｐｕｍｐ）８４及びバルブ８５を有する。
【００２４】
排気管８１には、ＡＰＣバルブ８２を介してＴＭＰ８３及びドライポンプ８４が接続されている。ドライポンプ８４は処理容器１０内を大気圧から中真空状態（例えば、１．３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する（粗引き）。その際、ドライポンプ８４と排気口７８とを繋ぐ配管（バイパスルート）に設けられたバルブ８５は開かれ、ＡＰＣバルブ８２は閉じられる。
【００２５】
ＴＭＰ８３は、ドライポンプ８４と協働して処理容器１０内を中真空状態より低い高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。その際、ＡＰＣバルブ８２は開かれ、バルブ８５は閉じられる。これにより、処理容器１０内を所望の真空度まで減圧することができる。
【００２６】
処理容器１０の側壁にはウェハＷの搬入出口８６ａが設けられており、搬入出口８６ａはゲートバルブ８６により開閉可能になっている。かかる構成の処理装置において、エッチング等の所定の処理を行う際には、まず、ゲートバルブ８６を開状態とし、搬入出口８６ａを介してウェハＷを処理容器１０内に搬入し、載置台１６上に載置する。
【００２７】
そして、ガス供給部６６からエッチングのためのガスを所定の流量でガス拡散室４０へ供給し、ガス通流孔４１およびガス吐出孔３７を介して処理容器１０内へシャワー状に供給する。また、排気部８０により処理容器１０内を排気する。
【００２８】
処理容器１０内にエッチングガスを導入した状態で、第１の高周波電源４８からプラズマ生成用の高周波電力を載置台１６に印加し、第２の高周波電源９０からイオン引き込み用の高周波電力を載置台１６に印加する。そして、直流電源２２から直流電圧を電極２０ａに印加して、ウェハＷを載置台１６に吸着させる。また、可変直流電源５０から直流電圧をシャワーヘッド３４に印加し、可変直流電源９４から直流電圧をエッジリング２４に印加する。処理容器１０内に供給されたエッチングガスは、プラズマ生成用の高周波電力のエネルギーによりプラズマ化し、ラジカルやイオンによってウェハＷがエッチングされる。
【００２９】
処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部２００が設けられている。制御部２００は、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）及びＲＡＭ（Random  Access  Memory）等のメモリとＣＰＵとを有する。制御部２００は、メモリに格納されたレシピに従ってエッチング等の所定の処理を制御する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、処理容器内温度（上部電極温度、処理容器の側壁温度、ウェハＷ温度、静電チャック温度等）、チラーから出力される冷媒の温度等が設定されている。なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００３０】
また、制御部２００は、メモリに格納されたクリーニング用のレシピに従ってクリーニング処理を制御する。クリーニング用のレシピには、クリーニング用のプロセス条件に対する装置の制御情報としてクリーニング時間、圧力（ガスの排気）、直流電圧、ガス流量、ＡＰＣバルブ８２及びバルブ８５の開閉等が設定されている。制御部２００は、クリーニング用のレシピに従い可変直流電源５０、９４から供給される直流電圧の正負を切り替える。
【００３１】
［クリーニング処理］
次に、本実施形態に係る処理装置１が実行するクリーニング処理の一例について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施形態に係るクリーニング処理の一例を示すフローチャートである。
【００３２】
本クリーニング処理は、処理装置１のメンテナンス時に実行される。本クリーニング処理が行われるタイミングの一例としては、例えば２５枚のウェハＷが収納されたロットの開始直前に行ってもよいし、ロットの終了直後に行ってもよいし、ロット間のアイドル中に行ってもよい。また、一枚又は所定枚数のウェハＷ処理後に本クリーニング処理を行ってもよい。
【００３３】
本処理が開始されると、制御部２００は、処理容器１０内を所定の圧力まで排気（真空引き）する（ステップＳ１０）。所定の圧力としては、１３×１０−２Ｐａ（１．０×１０−３Ｔｏｒｒ）以下であればよい。次に、制御部２００は、ＡＰＣバルブ８２を閉じ、バルブ８５を開いてドライポンプによる排気（粗引き）を行う（ステップＳ１２）。
【００３４】
次に、制御部２００は、マスフローコントローラ６８によりＮ２ガスを１０００ｓｃｃｍ以上の流量（以下、１０００ｓｃｃｍ以上の流量を「大流量」という。）に制御して、ガス供給部６６から大流量のＮ２ガスを処理容器１０内に供給し、処理容器１０内のパージを行う（ステップＳ１４）。
【００３５】
次に、制御部２００は、可変直流電源５０、９４から絶対値が５００Ｖ又はそれ以上の直流電圧であって、正負が逆の直流電圧を切り替えて繰り返し印加する（ステップＳ１６）。
【００３６】
次に、制御部２００は、所定時間が経過したかを判定し（ステップＳ１８）、所定時間が経過するまでステップＳ１６の処理を実行し、所定時間が経過したらステップＳ２０に進む。
【００３７】
次に、制御部２００は、ステップＳ２０において、可変直流電源５０、９４からの直流電圧の印加を停止する。次に、制御部２００は、大流量のＮ２ガスによる処理容器１０内のパージを停止し（ステップＳ２２）、ドライポンプ８４による粗引きを停止し、ＡＰＣバルブ８２を開き（ステップＳ２４）、本処理を終了する。
【００３８】
以上に説明した本実施形態に係るクリーニング処理によれば、最初に処理容器１０内を真空引きして、処理容器１０内の圧力を例えば、１３×１０−２Ｐａ（１．０×１０−３Ｔｏｒｒ）以下に減圧する。この状態で大流量のＮ２ガスにより処理容器１０内をパージするとともに真空排気を行うことで、処理容器１０内に衝撃波を発生させ、その衝撃波によって処理容器１０内のパーティクルを剥離する。
【００３９】
その後、直流電圧をエッジリング２４及びシャワーヘッド３４に印加することで静電気力を発生させ、その反発力（電磁応力）により直流電圧を印加したエッジリング２４の周辺部のパーティクルや、シャワーヘッド３４の周辺部のパーティクルを浮遊させる。浮遊したパーティクルは、大流量のＮ２ガスの粘性力を利用して排気口７８へと輸送され、排気部８０により排気される。
【００４０】
ステップ１２及びステップＳ１４は、ガス供給部６６によりガスを所定の流量で処理容器１０内に供給しながら、排気部８０により処理容器１０内のガスを排気する第１の工程の一例である。また、ステップ１６は、直流電源によりエッジリング２４及びシャワーヘッド３４に所定の直流電圧を印加する第２の工程の一例である。
【００４１】
このようにして、本実施形態に係るクリーニング処理では、処理容器１０内の急激な圧力上昇による衝撃波によってパーティクルを剥離させる第１の工程に加えて、エッジリング２４及びシャワーヘッド３４に所定の直流電圧を印加する第２の工程を実行する。これにより、衝撃波によってパーティクルを剥離させる第１の工程のみを行う場合よりもウェハＷのエッジ部、静電チャック１８の肩部、エッジリング２４の周辺部及びシャワーヘッド３４の周辺部のパーティクルを更に効率よく除去することができる。
【００４２】
特に、本実施形態では、＋５００Ｖ以上の直流電圧と−５００Ｖ以下の直流電圧という異なる値の２つの直流電圧を切り替えて、交互に繰り返しエッジリング２４及びシャワーヘッド３４に印加する。これによれば、プラスに帯電しているか、マイナスに帯電しているかが分からないパーティクルを、静電気力の反発力で確実に剥離することができる。
【００４３】
ただし、可変直流電源５０からシャワーヘッド３４に印加される直流電圧及び可変直流電源９４からエッジリング２４に印加される直流電圧は、絶対値が同じで正負が異なる電圧を繰り返し供給することに限らない。制御部２００は、可変直流電源５０、９４から異なる大きさの直流電圧を切り替えてシャワーヘッド３４及びエッジリング２４のそれぞれに印加してもよい。また、制御部２００は、可変直流電源５０、９４からある一定の直流電圧をシャワーヘッド３４及びエッジリング２４のそれぞれに印加してもよい。
【００４４】
なお、第１の工程にてパージに使用される不活性ガスは、Ａｒガス等の希ガス及び／又はＮ２ガスであってもよい。
また、第１の工程にてパージに使用されるガスは、粘性力の高いガスがより好ましく、例えば、粘性力の高いＳＦ６ガスを使用してもよい。第１の工程では、不活性ガス、ＳＦ６ガス、ＣＦ４ガス及びＯ２ガスからなる群より選ばれる１又は２種以上のガスを、１０００ｓｃｃｍ以上の流量で処理容器１０内に供給することが好ましい。また、第２の工程は、第１の工程を開始した後であって、第１の工程を実行中に実行されることが好ましい。
【００４５】
［処理装置の構成の変形例］
以上では、図１に示したように、エッジリング２４とシャワーヘッド３４の両方を有する装置構成の処理装置１が実行するクリーニング処理について説明した。つまり、本実施形態では、処理装置１は、処理容器１０と、処理容器内にてウェハＷを載置する載置台１６と、載置台１６に対向する対向部材であるシャワーヘッド３４と、載置台１６の周縁部に配置されるエッジリング２４と、処理容器１０内にガスを供給するガス供給部６６と、エッジリング２４及びシャワーヘッド３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０，９４と、処理容器１０内を排気する排気部８０とを有していた。
【００４６】
（変形例１）
しかしながら、処理装置１の構成はこれに限らず、変形例１に係る処理装置のようにシャワーヘッド３４と可変直流電源５０とを有しない構成であってもよい。つまり、変形例１に係る処理装置は、処理容器１０と、載置台１６と、載置台１６の周縁部に配置されるエッジリング２４と、処理容器１０内にガスを供給するガス供給部６６と、エッジリング２４に直流電圧を印加する可変直流電源９４と、処理容器内を排気する排気部８０とを有する構成であってもよい。
【００４７】
かかる装置構成の処理装置１が実行するクリーニング処理においても、処理容器１０内の急激な圧力上昇による衝撃波によってパーティクルを剥離させる工程と、可変直流電源９４からエッジリング２４に絶対値が５００Ｖ以上で正負が逆の直流電圧を切り替えて印加する工程と、が実行される。
【００４８】
これにより、ウェハＷのエッジ部、静電チャック１８の肩部、エッジリング２４の周辺部のパーティクルを効率よく除去することができる。なお、可変直流電源９４からエッジリング２４に絶対値が５００Ｖ以上で正負が逆の直流電圧を切り替えて印加する工程は、直流電源によりエッジリング２４に所定の直流電圧を印加する第２の工程の一例である。
【００４９】
（変形例２）
また、変形例２に係る処理装置のようにエッジリング２４と可変直流電源９４とを有しない構成であってもよい。つまり、変形例２に係る処理装置は、処理容器１０と、載置台１６と、載置台１６に対向するシャワーヘッド３４と、処理容器１０内にガスを供給するガス供給部６６と、シャワーヘッド３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０と、処理容器１０内を排気する排気部８０とを有する構成であってもよい。
【００５０】
かかる装置構成の処理装置１が実行するクリーニング処理においても、処理容器１０内の急激な圧力上昇による衝撃波によってパーティクルを剥離させる工程と、可変直流電源５０からシャワーヘッド３４に絶対値が５００Ｖ以上で正負が逆の直流電圧を切り替えて印加する工程と、が実行される。
【００５１】
これにより、シャワーヘッド３４やその周辺部のパーティクルを効率よく除去することができる。なお、可変直流電源５０からシャワーヘッド３４に絶対値が５００Ｖ以上で正負が逆の直流電圧を切り替えて印加する工程は、直流電源により対向部材に所定の直流電圧を印加する第２の工程の一例である。
【００５２】
以上、クリーニング方法及び処理装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかるクリーニング方法及び処理装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５３】
本発明に係る処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能であり、平行平板のプラズマ処理装置に限らない。また、本発明に係る処理装置はプラズマ処理装置に限られず、熱処理を行う処理装置等のノンプラズマ処理装置であってもよい。
【００５４】
本明細書では、被処理体の一例として半導体ウェハＷを挙げて説明した。しかし、被処理体は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００５５】
１  …処理装置
１０…処理容器
１６…載置台（下部電極）
２４…エッジリング
３４…シャワーヘッド（上部電極）
４８…第１の高周波電源
５０…可変直流電源
６６…ガス供給部
８０…排気部
８２…ＡＰＣバルブ
８３…ＴＭＰ
８４…ドライポンプ
９０…第２の高周波電源
９４…可変直流電源
２００…制御部
【図１】
2019169635.tif 000003
【図２】
2019169635.tif 000004