(57)【要約】【課題】成膜処理によって繋がった半導体バーを安定して分離可能な、半導体素子の製造装置及び方法を提供する。【解決手段】複数の半導体素子１を配列方向１１に配列した半導体バー１０と、スペーサ２と、半導体バーとスペーサとを交互に積層した積層体に対する一体的な成膜処理に供される成膜治具であってスペーサを厚み方向へ押下する押下部材を有する成膜治具３０と、分離すべき半導体バーに隣接するスペーサを配列方向へ圧縮して座屈変形させ半導体バーから分離する分離機構５１と、を有する。【選択図】図２Ｂ
2019129227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を配列方向に配列した板状の半導体バーと、
上記半導体バーに比べて柔軟でかつ配列方向に寸法の大きい板状のスペーサと、
上記半導体素子の厚み方向に上記半導体バーと上記スペーサとを交互に積層した積層体における半導体バー及びスペーサの露出面に対する一体的な成膜処理に供される成膜治具と、
成膜治具における積層体から分離すべき半導体バーに隣接するスペーサを上記配列方向へ圧縮して座屈変形させ上記半導体バーから分離する分離機構と、
を備えたことを特徴とする半導体素子の製造装置。
【請求項２】
上記分離機構は、上記積層体における上記スペーサの両側から上記配列方向にスペーサを圧縮する機構である、請求項１に記載の半導体素子の製造装置。
【請求項３】
上記成膜治具は、上記積層体における上記スペーサの一端側が当接する固定された固定当接部材を有し、
上記分離機構は、上記積層体における上記スペーサの他端側からのみ上記配列方向に圧縮を行う機構である、請求項１に記載の半導体素子の製造装置。
【請求項４】
上記分離機構は、上記積層体における上記スペーサの配列方向における側面に当接する当接部材を有し、該当接部材は、上記厚み方向において反積層体側へスペーサを湾曲させる変形支援部分を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体素子の製造装置。
【請求項５】
上記積層体において上記スペーサを分離した半導体バーを保持し搬送する取出機構をさらに備えた、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体素子の製造装置。
【請求項６】
複数の半導体素子を配列方向に配列した板状の半導体バーと、半導体バーに比べて柔軟でかつ配列方向に寸法の大きい板状のスペーサとを上記半導体素子の厚み方向において交互に積層し、半導体バー及びスペーサの露出面に対して一体的に保護膜を形成する、半導体素子の製造方法であって、
半導体バーとスペーサとの積層体から分離すべき半導体バーに隣接するスペーサを上記配列方向へ圧縮して座屈変形させ上記半導体バーから分離させる、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項７】
上記分離は、上記スペーサの両側から上記配列方向に圧縮して行う、請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
上記分離は、上記スペーサの上記配列方向における一方側を固定し他端側を配列方向に圧縮して行う、請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子、例えば半導体レーザ素子の製造装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体レーザ素子における発光面、及び該発光面に対向する面（以下、端面とする）には、素子特性の安定化、信頼性向上、及び長寿命化などの目的のため、発光周波数に適した素材及び厚みの保護膜が形成される。この保護膜形成には、真空蒸着、スパッタリング、あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などが用いられる。この保護膜形成は、生産性向上のため、多数の半導体レーザ素子を１列に並べ連結した半導体レーザバーと、スペーサとを交互に積層して治具に固定した状態で、一括に成膜処理される場合が多い。
【０００３】
成膜処理後、治具から半導体レーザバーを取り出す必要があるが、成膜処理によって半導体レーザバーとスペーサとが繋がってしまい、慎重に、個々の半導体レーザ素子を分離する必要があった。
成膜処理によって繋がった半導体レーザバーとスペーサとを分離する方法として、特許文献１に示すような方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３０６０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された、スペーサに曲げ方向の荷重を加えて撓ませる方法では、以下のような不具合が発生する。
特許文献１に記載するように、スペーサの両側を積層方向下向きに押圧して撓ませた場合、その荷重は、積層された半導体レーザバーに伝達する。半導体レーザバーは非常に脆弱であるため、過剰な機械的ストレスが加わった場合には、割れあるいは欠けが発生し、半導体レーザ素子が機能しなくなる場合がある。
【０００６】
また特許文献１は、半導体レーザバーとスペーサとの境界ラインに沿って円滑に切断できる旨を記載している。しかしながら、実際にスペーサが撓む場所は、スペーサを押圧した、スペーサの両側付近に限定され、スペーサ全体が撓むことは考え難く、円滑に切断可能とは言えない。
【０００７】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、成膜処理によって繋がった半導体バーを安定して分離可能な、半導体素子の製造装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の一態様における半導体素子の製造装置は、複数の半導体素子を配列方向に配列した板状の半導体バーと、上記半導体バーに比べて柔軟でかつ配列方向に寸法の大きい板状のスペーサと、上記半導体素子の厚み方向に上記半導体バーと上記スペーサとを交互に積層した積層体における半導体バー及びスペーサの露出面に対する一体的な成膜処理に供される成膜治具と、成膜治具における積層体から分離すべき半導体バーに隣接するスペーサを上記配列方向へ圧縮して座屈変形させ上記半導体バーから分離する分離機構と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記一態様における半導体素子の製造装置によれば、スペーサを圧縮して座屈変形させる分離機構を備えたことから、圧縮した際には、スペーサ全長にわたり変形を生じさせることができる。よって成膜処理により繋がった半導体バーとスペーサとを安定して分離することができる。
また、スペーサを配列方向に圧縮することから、圧縮しているスペーサに隣接する半導体バーに圧縮荷重が伝達することはない。よって、半導体バーに過剰な機械的ストレスが加わる恐れがない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】各実施の形態における製造装置にて使用する成膜治具を示す斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ａの正面図である。
【図２Ａ】実施の形態１における製造装置の概略構成を示す概念図であり、スペーサを圧縮する前の状態を示す図である。
【図２Ｂ】実施の形態１における製造装置の概略構成を示す概念図であり、スペーサを圧縮している状態を示す図である。
【図２Ｃ】実施の形態１における製造装置の概略構成を示す概念図であり、スペーサと半導体レーザバーとを分離した後の状態を示す図である。
【図２Ｄ】実施の形態１における製造装置の概略構成を示す概念図であり、次のスペーサを圧縮している状態を示す図である。
【図３】各実施の形態における製造装置にて実施される分離動作を示すフローチャートである。
【図４】各実施の形態における製造装置の具体的な構成の一例を示す斜視図である。
【図５】実施の形態２における製造装置の概略構成を示す概念図であり、スペーサを圧縮している状態を示す図である。
【図６Ａ】実施の形態３における製造装置の概略構成を示す概念図であり、スペーサを圧縮している状態を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す当接部材の拡大図である。
【図７】一般的な半導体レーザ素子を説明するための斜視図である。
【図８】図７の半導体レーザ素子が配列された半導体レーザバーを説明するための斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施形態である半導体素子の製造装置及び製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。また、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け当業者の理解を容易にするため、既によく知られた事項の詳細説明及び実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。また、以下の説明及び添付図面の内容は、特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１２】
また本実施形態では、半導体素子として半導体レーザ素子を例に採るが、半導体レーザ素子に限定するものではない。即ち、製造過程において、複数の半導体素子が配列方向に並んで配置された板状の半導体バーの形態で処理され、板状のスペーサとによって交互に積層されるような半導体素子に対しも本実施形態は適用可能である。
【００１３】
実施形態である半導体素子の製造装置及び製造方法について説明を行う前に、まず、図７から図８を参照して、一般的な半導体レーザ素子１及びその製造方法について簡単に説明する。
図７に示すように、半導体レーザ素子１は、一例として、幅（Ｗ）が３００μｍ程度、奥行き（Ｄ）が３００〜１５００μｍ程度、厚さ（Ｔ）が１００μｍ程度の大きさを有する。レーザ光を発光する前端面１Ａ、及び、前端面１Ａに対向する後端面１Ｂを総称して「端面」とし、端面１Ａ、１Ｂには、暴露に対する保護のため、例えば１μｍ未満の厚さにて保護膜が形成される。一方、半導体レーザ素子１の上面１Ｃ及び下面１Ｄは電極面と呼ばれ、該電極面に給電することで、半導体レーザ素子１からレーザが発光する。また半導体レーザ素子１の製造時にて電極面に上記保護膜が付着した場合、後工程のワイヤボンディング及びダイボンディングの工程の際に接合不具合が生じて通電不良及び放熱不良の原因となることから、電極面への保護膜の付着は、避けなければならない。
【００１４】
半導体レーザ素子１は、ウエハに形成後、個々の素子に分割する前には、ウエハにおける各素子部分の配列方向１１に沿って、図８に示すように各素子部分が一つずつ一列をなす半導体レーザバー１０の形態で処理される。尚、図８は概念図であり、１２個の半導体レーザ素子１が配列された状態を図示するが、実際には、数十個、例えば６０個程、の半導体レーザ素子１が並べて連結しており、半導体レーザバー１０の長さは、１５〜２０ｍｍである。このような半導体レーザバー１０に対して上述の保護膜が形成される。
以下には、このような半導体レーザバー１０を用いる、本実施形態における半導体素子の製造装置及び製造方法について説明する。
【００１５】
実施形態１．
図１Ａは、半導体レーザバー１０に対して上述の保護膜を形成する際の状態を示している。半導体レーザバー１０には、半導体レーザバー１０の上面１Ｃ及び下面１Ｄのそれぞれに、配列方向１１に配向した各スペーサ２が配置され、半導体レーザ素子１の厚み方向１２に沿って、半導体レーザバー１０とスペーサ２とが交互に積層されて、成膜治具３０に搭載される。スペーサ２は、半導体レーザバー１０における各電極面（上面１Ｃ及び下面１Ｄ）への保護膜の形成を防止するための被覆材であり、半導体レーザバー１０に比べて柔軟であり、かつ配列方向１１において半導体レーザバー１０の全長よりも約１０ｍｍ程、長い部材である。よって本例では、スペーサ２は、半導体レーザバー１０の両端からそれぞれ５ｍｍ程度、突出している。またスペーサ２の奥行き寸法は、半導体レーザバー１０の奥行き（Ｄ）寸法よりも約１０−２０μｍ小さく、厚さは半導体レーザバー１０の厚さ（Ｔ）に同じである。スペーサ２の材料として、例えばステンレス鋼、チタン、シリコン等が使用可能である。
【００１６】
半導体レーザバー１０における端面１Ａ及び１Ｂが同時あるいは片側ずつ露出するようにして、半導体レーザバー１０及びスペーサ２は、成膜治具３０に積層され保持される。このときスペーサ２は、半導体レーザバー１０の各電極面との間にすき間が生じないように、半導体レーザバー１０に密着させる必要がある。そのため、本実施形態では、成膜治具３０は、以下のように構成している。
【００１７】
成膜治具３０は、ベース３１、下側部材３２、及び押下機構３５を有する。下側部材３２は、厚み方向１２においてベース３１の下端にて、配列方向１１に沿って配置され固定されている。下側部材３２に対して、厚み方向１２においてスペーサ２と半導体レーザバー１０とが順次積層される。その積層手順は、まず下側部材３２に配列方向１１に沿ってスペーサ２が載置され、その上に、順次、半導体レーザバー１０、スペーサ２が交互に重ねられていく。図１Ａでは、６組の半導体レーザバー１０とスペーサ２とを重ねた状態を図示するが、実際の成膜治具３０では、３０〜６０組の半導体レーザバー１０とスペーサ２とを積層する。最後の半導体レーザバー１０を成膜治具３０に搭載した後、その上にスペーサ２を載置し、さらに最上段に、下記押下部材３５ａを載置する。
【００１８】
押下機構３５は、積層した半導体レーザバー１０とスペーサ２とを、上述のように密着させるように厚み方向１２へ押下する機構であり、本実施形態では、上側部材３３、押下部材３５ａ、及び押下用ねじ３５ｂを有する。上側部材３３は、ベース３１に対して着脱可能であり、厚み方向１２においてベース３１の上端にて、配列方向１１に沿って配置される。押下用ねじ３５ｂは、厚み方向１２に延在して上側部材３３に螺合しており、その先端が押下部材３５ａに接続されている。よって押下用ねじ３５ｂの回転により、押下部材３５ａを厚み方向１２に移動させることができ、積層状態の半導体レーザバー１０及びスペーサ２は押下可能となる。尚、押下機構３５は、このような構造に限定されず、積層した半導体レーザバー１０とスペーサ２とを密着可能とする、既知の構造が適用可能である。
【００１９】
上述のようにして成膜治具３０に搭載された、積層状態で密着した半導体レーザバー１０及びスペーサ２に対して、真空蒸着、スパッタリング、あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの成膜装置によって、端面１Ａ、１Ｂに保護膜が形成される。尚、成膜治具３０の場合、端面１Ａ、１Ｂには同時ではなく別々に保護膜が形成される。
この保護膜の成膜処理により、半導体レーザバー１０とスペーサ２との露出面が保護膜によって繋がってしまう。したがって、成膜処理後において、成膜治具３０から半導体レーザバー１０を取り出すときには、慎重に一つずつ半導体レーザバー１０をスペーサ２から分離する必要がある。
【００２０】
図２Ａから図２Ｄには、上述のように成膜処理によって繋がった半導体レーザバー１０をスペーサ２から安定して分離可能な、実施形態１における製造装置５０の概略構成を示している。
製造装置５０は、基本的構成部分として、上で既に説明した、半導体レーザバー１０、スペーサ２、及び成膜治具３０と、以下に説明する分離機構５１とを有している。また製造装置５０は、さらに取出機構５２を有することもできる。
【００２１】
分離機構５１は、半導体レーザバー１０及びスペーサ２の積層体１５から分離すべき半導体レーザバー１０に隣接したスペーサ２を、配列方向１１において圧縮して座屈変形させて、半導体レーザバー１０から分離させる機構であり、当接部材５１１と圧縮装置５１２とを有する。
【００２２】
当接部材５１１は、スペーサ２の配列方向１１における側面２ａ（図２Ａ）に接触可能な部材である。本実施形態１では、スペーサ２の両方の側面２ａに対向して、２つの当接部材５１１が備わる。
圧縮装置５１２は、配列方向１１においてスペーサ２が圧縮されスペーサ２に座屈変形を生じさせるように、各当接部材５１１を配列方向１１において互いに近づく方へ移動させる装置である。圧縮装置５１２によるスペーサ２の座屈変形により、半導体レーザバー１０は、スペーサ２から分離される。図２Ａ等では、各当接部材５１１に圧縮装置５１２を接続しているが、１台の圧縮装置５１２にて両方の当接部材５１１を移動させてもよい。
【００２３】
取出機構５２は、図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、圧縮装置５１２によって互いに分離された半導体レーザバー１０とスペーサ２とを、本実施形態１では交互に保持し搬送する機構である。このような取出機構５２は、半導体レーザバー１０及びスペーサ２をそれぞれ吸着保持する保持部材５２１と、保持部材５２１に接続された吸引装置５２２と、保持部材５２１の移動を行う移動装置５２３とを有する。
【００２４】
このような構成を有する製造装置５０の動作について、換言するとスペーサ２と半導体レーザバー１０との分離方法、あるいは半導体素子である半導体レーザ素子１の製造方法について、図３も参照しながら以下に説明する。尚、製造方法において以下の説明は、成膜治具３０に搭載されて保護膜の成膜処理を終了後の半導体レーザバー１０及びスペーサ２に対する方法を示している。
【００２５】
まず、図２Ａ、及び図３のステップＳ１に示すように、押下用ねじ３５ｂを緩めて、保護膜成膜を終えた成膜治具３０から上側部材３３及び押下部材３５ａを取り除く。
【００２６】
上述したように、半導体レーザバー１０の配列方向１１における長さに対してスペーサ２の同方向における長さは大きい。よってスペーサ２は、半導体レーザバー１０の両端から配列方向１１に、本実施形態１ではそれぞれ約５ｍｍ突出した各突出部分２ｂを有する。
したがって次の図３のステップＳ２では、図２Ａに示すように、最上段のスペーサ２−１の突出部分２ｂを両側から分離機構５１にて矢印の方向、つまり配列方向１１において分離機構５１の各当接部材５１１が近づく方へ移動してスペーサ２−１を挟む。
【００２７】
次に、図３のステップＳ３及び図２Ｂに示すように、挟んだスペーサ２−１に対して、既定量にて各当接部材５１１が近づく方へさらに移動して、スペーサ２−１を圧縮する。ここで上記既定量は、本実施形態１では、スペーサ２の長さよりも２０μｍ程度小さい長さが相当する。既定量としては、例えば２５−３０ｍｍ程度の長さのスペーサ２に対して、１０μｍ−２０μｍ程度であり、スペーサ２の長さの約０．１％程度に相当する。
【００２８】
上述の既定量によるスペーサ２−１の圧縮により、図３のステップＳ４及び図２Ｂに示すように、スペーサ２−１は座屈変形し、中央部分が約４５０μｍ程度上方に湾曲する。一方、半導体レーザバー１０は、柔軟性を有さず、スペーサ２−１の湾曲変形に追従できない。そのため、スペーサ２−１の直下に位置する最上段の半導体レーザバー１０−１とスペーサ２−１との間にすき間ができ、スペーサ２−１は、半導体レーザバー１０−１から分離される。
【００２９】
この分離作業の際に、分離されたスペーサ２−１が成膜治具３０から脱落するのを防止するため、例えば取出機構５２にて、あるいは別設したバー押圧機構（不図示）を用いて、スペーサ２−１を保持しながら分離作業を実行するのが好ましい。
【００３０】
スペーサ２−１の分離完了後、図３のステップＳ５及び図２Ｃに示すように、取出機構５２の保持部材５２１にてスペーサ２−１を吸着保持しながら、分離機構５１の各当接部材５１１を元の位置へ戻してスペーサ２−１の変形を解除する。
【００３１】
次に、図３のステップＳ６及び図２Ｃに示すように、保持部材５２１にて吸着保持しているスペーサ２−１を取出機構５２の移動装置５２３にて成膜治具３０の外へ搬送する。
【００３２】
次の動作では、あるいはスペーサ２−１が存在せずに半導体レーザバー１０−１が積層体１５の最上段に位置する場合では、半導体レーザバー１０−１の直下に位置するスペーサ２−２に対して、上述と同様の動作を行えばよい。つまり、図３のステップＳ７−ステップＳ１２、及び図２Ｄに示すように、スペーサ２−２に対して、その両側から分離機構５１にて各当接部材５１１を互いに近づく方へ移動させて、スペーサ２−２を座屈変形させる。これにより、半導体レーザバー１０−１とスペーサ２−２との間にすき間が生成され、両者間の分離が完了する。そして取出機構５２によって半導体レーザバー１０−１を取り除き、さらに、スペーサ２−２を取り除く。
【００３３】
図３のステップＳ１３に示すように、以降、上述の作業（ステップＳ７−ステップＳ１３）を繰り返し、成膜治具３０における積層体１５の上側から順次、半導体レーザバー１０とスペーサ２とを取り除いていく。
これらの動作によって、半導体レーザバー１０を割れ欠けすることなく、安定して、スペーサ２から分離することができる。
【００３４】
上述した動作を行うための、分離機構５１及び分離機構５１の圧縮装置５１２は、剛性と、μｍオーダーでの移動精度とを必要とするため、モータと、ボールねじあるいはリニアガイドとで構成した電動ステージが適している。図４には、分離機構５１の具体的な装置１００の構成例を示している。尚、図４では、取出機構５２は図示していない。
該装置１００は、成膜治具３０を当該装置１００に装着し易くするための、成膜治具Ｚステージ１０１、成膜治具３０と分離機構５１との干渉を避けるために、圧縮装置５１２をＺ方向に移動可能とする圧縮装置Ｚステージ１０２等を具備する。図４において、Ｘ方向が上述の配列方向１１に、Ｚ方向が上述の厚み方向１２に、それぞれ対応する。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態１における、半導体素子の製造装置及び製造方法によれば、スペーサ２を座屈変形させることから、スペーサ２の全長にわたって変形させることができる。よって、スペーサ２と半導体レーザバー１０とを確実に分離させることができる。
また、スペーサ２を配列方向１１において圧縮することから、圧縮するスペーサ２に接触している半導体レーザバー１０に、その圧縮荷重が作用することはない。よって、半導体レーザバー１０に過剰な機械的ストレスが加わる恐れはない。
【００３６】
実施の形態２．
次に、図５を参照して実施の形態２における製造装置６０について説明する。
実施形態１における製造装置５０では、図２Ｂに示すように、分離機構５１は、配列方向１１においてスペーサ２の両側から当接部材５１１が互いに近づく方向へ当接部材５１１を移動させて、スペーサ２の圧縮を行った。
これに対して実施の形態２の製造装置６０では、配列方向１１におけるスペーサ２の一方側には、成膜治具３０に固定されスペーサ２の一方側が当接する固定当接部材６１１を設けて、及び、分離機構５１の当接部材５１１を、スペーサ２の他方側にのみ設ける構造を採る。その他の構成は、実施の形態１における製造装置５０と同じである。
【００３７】
実施の形態２における分離機構５１でも、図５に示すように、当接部材５１１は、配列方向１１において固定当接部材６１１の方へ移動してスペーサ２を挟み、さらにスペーサの長さより２０μｍ程度狭くなるまで移動する。したがって、実施の形態１の場合と同様に、スペーサ２は座屈変形して湾曲し、半導体レーザバー１０とスペーサ２との分離を行うことができる。
【００３８】
このような実施の形態２における製造装置６０についても、実施の形態１における製造装置５０が奏する効果と同じ効果を奏することができ、さらに次の効果を得ることができる。即ち、固定当接部材６１１は、成膜治具３０に固定されており移動装置を有しないことから、実施の形態１に比べて分離機構５１の設計及び構成を簡易化することができる。
【００３９】
実施の形態３．
次に、図６Ａ及び図６Ｂを参照して実施の形態３における製造装置５０Ａについて説明する。
実施の形態３における製造装置５０Ａは、実施の形態１の製造装置５０と基本的に同じ構成を有するが、分離機構５１における当接部材の形状が相違する。製造装置５０Ａにおけるその他の構成は、製造装置５０の場合に同じである。
【００４０】
実施の形態１にて説明したように、分離機構５１によってスペーサ２を圧縮し座屈変形させたとき、当該スペーサ２の直下には積層した半導体レーザバー１０及びスペーサ２が存在することから、当該スペーサ２は、図２Ｂに示すように、厚み方向１２において上側つまり反積層体側へ湾曲する。一方、理論的にはスペーサ２は、反積層体側あるいは積層体側のいずれにも湾曲可能である。そこで本実施の形態３における製造装置５０Ａでは、より確実に上記反積層体側へ、つまり矢印１２ａ（図６Ａ）へ、スペーサ２を湾曲させる形状を当接部材５１５に設けた。
【００４１】
具体的には、図６Ｂに示すように、当接部材５１５は、スペーサ２の配列方向１１における側面２ａに当接する当接部材５１５の壁面５１５ａに変形支援部分５１６を有する。この変形支援部分５１６は、厚み方向１２において壁面５１５ａにおける下端側にて、配列方向１１において壁面５１５ａから突出して形成された部分である。尚、上記下端側とは、壁面５１５ａにおける積層体側つまり矢印１２ｂ側に相当する。よって変形支援部分５１６を含めて当接部材５１５の断面は、Ｌ字形をなす。変形支援部分５１６の厚み方向１２における高さＨは、半導体レーザバー１０の厚さ（Ｔ）、実施の形態１では約１００μｍ、よりも小さい寸法である。また、変形支援部分５１６の配列方向１１における長さＬは、一例として約２−３ｍｍ程度であり、スペーサ２が湾曲変形した状態においても半導体レーザバー１０と接触しないような寸法である。
【００４２】
このような変形支援部分５１６を形成した当接部材５１５を有する分離機構５１においても、実施の形態１の場合と同様にスペーサ２の圧縮動作を行う。この圧縮動作において、仮にスペーサ２が矢印１２ｂ方向へ凸として湾曲変形しようとした場合には、変形支援部分５１６にスペーサ２が押圧されることになる。よってスペーサ２は、変形支援部分５１６から反力を受け、上向きつまり矢印１２ａの方へ力が作用する。
一方、圧縮動作においてスペーサ２が上向きへ凸に湾曲変形しようとした場合には、スペーサ２は、変形支援部分５１６から離れることになる。よって変形支援部分５１６がスペーサ２の湾曲動作に干渉することはない。
このようにいずれの場合においても、変形支援部分５１６を設けたことで、スペーサ２は、必ず上向き（矢印１２ａの方向）に凸に湾曲変形する。したがって、圧縮されているスペーサ２の下側に位置する半導体レーザバー１０へ機械的ストレスが作用することはない。
このように変形支援部分５１６を設けることで、より確実に矢印１２ａの方へスペーサ２を湾曲させて、より確実に半導体レーザバー１０とスペーサ２とを分離させることが可能になる。
【００４３】
また、変形支援部分５１６を形成した当接部材５１５は、実施の形態２における製造装置６０に適用してもよい。
【００４４】
上述した各実施の形態を組み合わせた構成を採ることも可能であり、また、異なる実施の形態に示される構成部分同士を組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１  半導体レーザ素子、２  スペーサ、１０  半導体レーザバー、
１１  配列方向、１２  厚み方向、１Ａ、１Ｂ  端面、３０  成膜治具、
５０，５０Ａ、６０  製造装置、５１  分離機構、５２  取出機構、
５１１、５１５  当接部材、５１６  変形支援部分、６１１  固定当接部材。
【図１Ａ】
2019129227.tif 000003
【図１Ｂ】
2019129227.tif 000004
【図２Ａ】
2019129227.tif 000005
【図２Ｂ】
2019129227.tif 000006
【図２Ｃ】
2019129227.tif 000007
【図２Ｄ】
2019129227.tif 000008
【図３】
2019129227.tif 000009
【図４】
2019129227.tif 000010
【図５】
2019129227.tif 000011
【図６Ａ】
2019129227.tif 000012
【図６Ｂ】
2019129227.tif 000013
【図７】
2019129227.tif 000014
【図８】
2019129227.tif 000015