(57)【要約】      （修正有）【課題】湾曲した１対の基板間での位置ずれに起因する表示むらを抑制しつつ、それに伴う開口率の犠牲を抑制することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素構造を有し、非湾曲方向Ｙにおいて平坦であってかつ非湾曲方向Ｙに垂直な湾曲方向Ｘにおいて湾曲した表示面を有する。液晶表示装置は、液晶層と、対向基板と、アレイ基板１とを有する。対向基板は、液晶層に面し、ブラックマトリクスを有し、表示面に沿って湾曲している。アレイ基板１は、対向基板との間に液晶層を狭持し、表示面に沿って湾曲しており、非湾曲方向Ｙに垂直な方向に沿って延びる複数の第１の電極線４と複数の第１の電極線に交差する複数の第２の電極線５とが設けられている。非湾曲方向Ｙに交差する方向において互いに隣り合う画素構造の間に２つ以上の複数の第２の電極線が配置されている。【選択図】図８
2019078799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素構造を有し、非湾曲方向において平坦であってかつ前記非湾曲方向に垂直な湾曲方向において湾曲した表示面を有する液晶表示装置であって、
液晶層と、
前記液晶層に面し、ブラックマトリクスを有し、前記表示面に沿って湾曲した対向基板と、
前記対向基板との間に前記液晶層を狭持し、前記表示面に沿って湾曲し、前記非湾曲方向に垂直な方向に沿って延びる複数の第１の電極線と前記複数の第１の電極線に交差する複数の第２の電極線とが設けられたアレイ基板と、
を備え、前記非湾曲方向に交差する方向において互いに隣り合う画素構造の間に２つ以上の前記第２の電極線が配置されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素構造は、前記非湾曲方向における第１の画素数と、前記非湾曲方向に垂直な方向における第２の画素数とを有しており、前記第２の電極線の数は前記第２の画素数よりも大きく、前記第１の電極線の数は前記第１の画素数よりも小さい、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極線は、前記非湾曲方向に対して斜めに延びている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数の画素構造の各々は、非湾曲方向における第１の寸法と、非湾曲方向に垂直な方向における第２の寸法とを有しており、前記第２の寸法は前記第１の寸法よりも大きい、請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数の第１の電極線はゲート線である、請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極線の数が１６２０以下である、請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、湾曲した表示面を有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、透過型の液晶表示装置（ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ））は、液晶パネルとバックライトとが積層されることによって構成されている。液晶パネルは、一対の平板状のガラス基板と、それらの間に封入された流動性のある液晶と、当該ガラス基板の各々の外側面に配置された偏光板とを有している。液晶表示装置は一般的には平面状の表示面を有しているが、厚み０．３ｍｍ以下の薄型ガラス、またはプラスチックフィルムのような、可撓性を有する基板を用いることにより、湾曲した表示面を設けることもできる。これにより、意匠の面での自由度を大きくすることができることに加え、実用性の面でも優れた機能を付与することができる。例えば、ある特定の曲面形状を用いることによって、外光の反射を効果的に抑制することができる（特開平６−３６５０号公報（特許文献１）参照）。
【０００３】
薄型ガラス基板を用いて液晶表示装置を製造する場合であっても、基板表面に形成される各種微細構造のパターニング精度を保つために、また搬送などの取り扱いのし易さを確保するために、製造工程の途中までは、厚いガラス基板が用いられる。そして２枚の基板を貼り合わせた後に、エッチングまたは研磨などにより薄型化がなされる（特開２００５−１２８４１１号公報（特許文献２）参照）。
【０００４】
しかしながら、平板状のガラス基板を貼り合わせた後に基板を薄型化しそして湾曲させた場合、湾曲の影響で画像表示時に表示むらが発生し得る。詳しくは後述するが、この理由は、２枚の基板の曲率がほぼ基板の厚み分だけ異なるために、両基板に配置された画素構造の相対位置が湾曲方向においてずれるためである。この位置ずれが許容範囲を超えると、意図しない光漏れが生じ、その結果として表示むらを引き起こす。このような位置ずれは、平板の状態での貼り合わせ後に湾曲が行なわれる場合に生じ得るものであり、ガラス基板の代わりにプラスチックフィルムを用いる場合でも発生し得る。
【０００５】
上述した位置ずれを抑制する方法として、液晶層内に形成された樹脂の壁構造で２枚の基板を接着する方法が提案されている（特開２００４−２１９７６９号公報（特許文献３）参照）。また、画素構造のうち、通常は対向基板に設けられるカラーフィルタおよびブラックマトリクスを、アレイ基板に設ける方法が提案されている（特開２００７−９４１０２号公報（特許文献４）参照）。さらに、カラムスペーサを、遮光性を有する材料を用いてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子のチャネル上に設ける方法が提案されている（特開２００２−２３１７０号公報（特許文献５））。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−３６５０号公報
【特許文献２】特開２００５−１２８４１１号公報
【特許文献３】特開２００４−２１９７６９号公報
【特許文献４】特開２００７−９４１０２号公報
【特許文献５】特開２００２−２３１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特開２００４−２１９７６９号公報の方法では、液晶中に混入された光硬化性樹脂への光照射によって壁構造と基板とが接着される。このため、未硬化成分が不純物として液晶内に残る。この残留物に起因して、焼付きなどの表示不良が発生しやすくなる。特開２００７−９４１０２号公報の方法では、通常は対向基板の製造プロセスにおいて行なわれるカラーフィルタおよびブラックマトリクスの形成が、アレイ基板の製造プロセスにおいて行なわれる。このためアレイ基板の製造プロセスに要する時間が長くなる。よって、アレイ基板の製造プロセスと並行して行なわれ得る対向基板の製造プロセスにおいてカラーフィルタおよびブラックマトリクスが形成される場合と比較して、液晶表示装置の製造の開始から完了までに要する時間が長くなる。特開２００２−２３１７０号公報の方法では、ＴＦＴ素子以外からの光漏れが十分に考慮されない。湾曲に伴って光漏れが生じ得る箇所はＴＦＴ素子に限られないので、この方法では光漏れを十分に抑制することができない。
【０００８】
光漏れを抑えるためのシンプルかつ効果的な方法としては、ブラックマトリクスの開口を十分に小さくすることによって、位置ずれが表示に及ぼす影響を抑えることが考えられる。具体的には、ブラックマトリクスのうち、湾曲方向に垂直な方向に沿って延びる電極線の近傍を覆う部分の幅寸法（湾曲方向における寸法）が大きくされる。これにより、ある程度の位置ずれがあっても、それに起因して光が漏れることが避けられる。一方で、ブラックマトリクスの開口が小さくなるほど画素の開口率が低下し、よって液晶表示装置の輝度が低下する。特に、最近の液晶表示装置においては高精細化のために画素の小型化が進んでおり、このため表示面に占めるブラックマトリクスの割合が高くなっている。その場合に上記のようにブラックマトリクスの開口がさらに小さくされると、開口率の低下の悪影響がより大きくなりやすい。
【０００９】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、湾曲した１対の基板間での位置ずれに起因する表示むらを抑制しつつ、それに伴う開口率の犠牲を抑制することができる液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素構造を有し、非湾曲方向において平坦であってかつ非湾曲方向に垂直な湾曲方向において湾曲した表示面を有するものである。液晶表示装置は、液晶層と、対向基板と、アレイ基板とを有している。対向基板は、液晶層に面しており、ブラックマトリクスを有しており、表示面に沿って湾曲している。アレイ基板は、対向基板との間に液晶層を狭持しており、表示面に沿って湾曲しており、非湾曲方向に垂直な方向に沿って延びる複数の第１の電極線と複数の第１の電極線に交差する複数の第２の電極線とが設けられている。非湾曲方向に交差する方向において互いに隣り合う画素構造の間に２つ以上の複数の第２の電極線が配置されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、非湾曲方向に交差する方向において互いに隣り合う画素構造の間に２つ以上の第２の電極線が配置される。これにより、画素構造の各々の制御のために必要な第１の電極線の数を削減することができる。よって、ブラックマトリクスのうち、第１の電極線の近傍を覆う部分の面積を減少させることができる。これにより、非湾曲方向に交差する方向において互いに隣り合う画素構造の間に１つの第２の電極線が配置される場合とは異なる、画素構造のパターンを用いることができる。よって画素構造のパターンを選択する融通性が高められる。この融通性を用いることで、湾曲した１対の基板間での位置ずれに起因する表示むらを抑制しつつ、それに伴う開口率の犠牲を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の構成を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】図１の液晶表示装置が有する液晶パネルのＺＸ平面における形状を概略的に示す平面図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿う概略断面図である。
【図４】図１の液晶表示装置が有する対向基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図５】図１の液晶表示装置が有するアレイ基板において、コモン電極のスリット形成領域と画素電極とによって液晶制御領域が構成される様子を示す部分平面図である。
【図６】図１の液晶表示装置が有するアレイ基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図７】図１の液晶表示装置が有するアレイ基板の内部構成を概略的に示す部分平面図である。
【図８】図１の液晶表示装置が有するアレイ基板の内部構成を概略的に示す部分平面図である。
【図９】図１の液晶表示装置の線ＩＸ−ＩＸ（図４〜図８）に沿う概略部分断面図である。
【図１０】２つの基板の外周が貼り合わされた後に湾曲が行なわれることによって得られた構造の、非湾曲方向に垂直な面での断面図である。
【図１１】２つの基板の外周をずらしつつ湾曲を行なうことによって得られた構造の、非湾曲方向に垂直な面での断面図である。
【図１２】２つの基板の外周をずらしつつ湾曲を行ないながらそれらを互いに貼り合わせる方法の例を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１におけるアレイ基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図１４】比較例のアレイ基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図１５】比較例のアレイ基板と、過大な大きさのカラーフィルタを有する対向基板との貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向に垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視による、中央、左端および右端における部分平面図とである。
【図１６】本発明の実施の形態１のアレイ基板と、過大な大きさのカラーフィルタを有する対向基板との貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向に垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視による、中央、左端および右端における部分平面図とである。
【図１７】比較例のアレイ基板と、適正な大きさのカラーフィルタを有する対向基板との貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向に垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視による、中央、左端および右端における部分平面図とである。
【図１８】本発明の実施の形態１のアレイ基板と、適正な大きさのカラーフィルタを有する対向基板との貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向に垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視による、中央、左端および右端における部分平面図とである。
【図１９】比較例のアレイ基板上の不透明な電極と、対向基板のカラーフィルタが配置され得る領域との関係を示す部分平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態１のアレイ基板上の不透明な電極と、対向基板のカラーフィルタが配置され得る領域との関係を示す部分平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第１の工程を概略的に示す部分平面図である。
【図２２】図２１における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第２の工程を示す部分平面図である。
【図２４】図２３における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第３の工程を示す部分平面図である。
【図２６】図２５における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第４の工程を示す部分平面図である。
【図２８】図２７における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第５の工程を示す部分平面図である。
【図３０】図２９における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第６の工程を示す部分平面図である。
【図３２】図３１における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態１における液晶表示装置が有するアレイ基板の製造方法の第７の工程を示す部分平面図である。
【図３４】図３３における線Ａ−Ａ’、線Ｂ−Ｂ’、および線Ｃ−Ｃ’に沿う部分断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態２における液晶表示装置が有する対向基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図３６】本発明の実施の形態２における液晶表示装置が有するアレイ基板において、コモン電極のスリット形成領域と画素電極とによって液晶制御領域が構成される様子を示す部分平面図である。
【図３７】本発明の実施の形態２における液晶表示装置が有するアレイ基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図３８】本発明の実施の形態２における液晶表示装置が有するアレイ基板の内部構成を概略的に示す部分平面図である。
【図３９】本発明の実施の形態２における液晶表示装置が有するアレイ基板の内部構成を概略的に示す部分平面図である。
【図４０】非湾曲方向に沿って延びるソース線の近傍を十分なマージンで覆うのに必要なブラックマトリクスの幅と、非湾曲方向から傾いて延びるソース線の近傍を十分なマージンで覆うのに必要なブラックマトリクスの幅とを説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１４】
＜実施の形態１＞
（全体構造）
図１は、本実施の形態における液晶表示装置９０の構成を概略的に示す分解斜視図である。液晶表示装置９０は、液晶パネル５０と、支持板２８と、バックライト２５とを有している。液晶パネル５０は、アレイ基板１と、液晶層１９と、対向基板２と、１対の偏光板２２とを有している。アレイ基板１および対向基板２の各々は液晶層１９に面している。言い換えれば、液晶層１９はアレイ基板１と対向基板２との間に狭持されている。アレイ基板１および対向基板２の間には、液晶層１９の厚みを一定に保持するための柱としてのスペーサ（図示せず）が設けられている。この構造の一方面および他方面の各々の上に偏光板２２が配置されている。バックライト２５は、液晶パネル５０へ光を供給するためのものであり、光源を有している。光源は、例えば発光ダイオードである。典型的には、バックライトは、点光源を面光源へ変換するための板、すなわち導光板、も有している。バックライト２５の光出射側の主面上に液晶パネル５０が積層されている。
【００１５】
液晶パネル５０は、マトリクス状に配置された複数の画素構造を有している。アレイ基板１は、複数の画素構造のそれぞれに対応して設けられた複数の電極構造を有している。電極構造の各々には、詳しくは後述するが、スイッチング素子としてのＴＦＴが接続されている。ＴＦＴは、対応する電極構造に画像信号が入力される際にオン状態とされる。これにより、画像信号に対応した電界が各電極構造から生成される。この電界が液晶層１９の液晶の偏光方向を制御する。この偏光方向の制御と、１対の偏光板２２による偏光の選択的な透過とが組み合わされることによって、液晶表示装置９０は所望の画像を表示することができる。
【００１６】
図１の分解図においては各部材が平板状に示されているが、後述するように液晶パネル５０は湾曲している。なお図中、ＸＹＺ直交座標系が示されている。ＸＹＺ直交座標系は、互いに直交する方向Ｘと方向Ｙと方向Ｚとを有している。
【００１７】
図２は、液晶パネル５０のＺＸ平面における形状を概略的に示す平面図である。図３は、図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿う概略断面図である。液晶パネル５０は表示面５０Ｄを有している。図２に示されているように、表示面５０Ｄは、その中心において方向Ｚに沿った法線方向を有しており、この方向を「中心法線方向」と称する。図３に示されているように、液晶パネル５０は、Ｙ方向に沿って平坦な形状を有する表示面５０Ｄを有している。このように表示面が平坦な形状を有する方向を、表示面の「非湾曲方向」と称する。表示面５０Ｄは非湾曲方向として方向Ｙを有している。一方、表示面５０Ｄは、図２に示されているように、Ｘ方向に沿った平坦な形状は有しておらず、湾曲している。このように湾曲が存在し、かつ、中心法線方向（Ｚ方向）および非湾曲方向（Ｙ方向）の各々に垂直な方向を、表示面の「湾曲方向」と称する。表示面５０Ｄは湾曲方向としてＸ方向を有している。表示面５０Ｄに沿って、アレイ基板１および対向基板２（図１）の各々が湾曲している。表示面５０Ｄの湾曲は、平坦な液晶パネルを湾曲することによって得られる。液晶パネル５０の湾曲は、支持板２８に設けられた湾曲面に液晶パネル５０が貼り付けられることによって得られる。支持板２８は、透光性材料からなり、例えばガラスまたはアクリルからなる。なお、以下において、図面に言及する際に、表示面５０Ｄに対応する湾曲面上の視野を「湾曲面上の平面視」と呼ぶことがある。
【００１８】
（画素構造）
次に、上述した画素構造に対応する具体的な構成について、以下に説明する。
【００１９】
図４は、対向基板２の構成を概略的に示す部分平面図である。図５は、アレイ基板１において、コモン電極のスリット形成領域ＲＳと画素電極３Ｐとによって液晶制御領域ＲＣが構成される様子を示す部分平面図である。図６は、アレイ基板１の構成を概略的に示す部分平面図である。図７および図８は、アレイ基板１の内部構成を概略的に示す部分平面図である。図９は、液晶パネル５０の、線ＩＸ−ＩＸ（図５〜図８）に沿う概略部分断面図であり、１つの画素構造を概略的に示している。
【００２０】
図４および図９を参照して、対向基板２は、偏光板２２と、ガラス基板２４と、ブラックマトリクス１０と、カラーフィルタ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ（総称して「カラーフィルタ９」ともいう）と、オーバーコート膜２１と、配向膜２０とを有している。例えば、ブラックマトリクス１０およびカラーフィルタ９はガラス基板２４の一方の面に設けられており、偏光板２２はガラス基板２４の他方の面に設けられている。ブラックマトリクス１０は遮光性を有している。カラーフィルタ９Ｒ、９Ｇおよび９Ｂのそれぞれは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のカラーフィルタである。１組のカラーフィルタ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂによって、１単位のカラー表示が行なわれる。図中、液晶制御領域ＲＣは、アレイ基板１を用いて生成される電界によって液晶が適切に制御され得る領域を示している。カラーフィルタ９の各々は、液晶制御領域ＲＣに包含されるように配置されている。これらカラーフィルタ９のレイアウトが画素構造のレイアウトに対応する。画素構造の各々、すなわちカラーフィルタ９の各々、は、図４に示されているように、非湾曲方向Ｙにおける寸法Ｌ１（第１の寸法）と、非湾曲方向Ｙに垂直な方向（図中、横方向）における寸法Ｌ２（第２の寸法）とを有している。寸法Ｌ２は寸法Ｌ１よりも大きい。よって画素構造にとって、非湾曲方向Ｙに垂直な方向（図中、横方向）が長手方向である。図４に示された例においては、カラーフィルタ９（画素構造）の各々は矩形状であり、その短辺が寸法Ｌ１に対応しており、その長辺が寸法Ｌ２に対応している。なお画素構造の形状は矩形状に限定されるものではない。
【００２１】
上記液晶制御領域ＲＣは、図５に示されているように、画素電極３Ｐと、コモン電極１７（図６）のスリット形成領域ＲＳとが重なる領域である。スリット形成領域ＲＳは、コモン電極１７にスリット１７ｓ（図６）が形成されることによって櫛歯電極構造が設けられている領域である。コモン電極の櫛歯電極構造が画素電極３Ｐに対向することによって、フリンジ電界を生成することができる。
【００２２】
アレイ基板１（図９）は、一方の面（図９における下面）および他方の面（図９における上面）を有するガラス基板２３を含む。ガラス基板２３の一方の面上には偏光板２２が設けられている。ガラス基板２３の他方の面上には、複数のゲート線４（第１の電極線）と、ゲート絶縁層１３と、複数の半導体層１４と、金属膜５と、第１の層間絶縁層１５と、導電膜３と、第２の層間絶縁層１６と、コモン電極１７と、配向膜１８とが、順に積層されている。
【００２３】
ゲート線４（図９）は、ガラス基板２３上に設けられている。ゲート線４は、不透明な金属からなり、例えばクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなる。ゲート線４の各々は、非湾曲方向Ｙに垂直な方向、すなわち図８における横方向、に沿って延びている。複数のゲート線４は、非湾曲方向において、間隔を空けて配置されている。ゲート線４は、ゲート絶縁層１３（図９）に覆われている。
【００２４】
半導体層１４（図８および図９）は、ゲート絶縁層１３を介してゲート線４の一部分上に設けられている。ゲート線４の当該一部分はゲート電極としての機能を有する。ゲート電極の面積を十分に確保するために、ゲート線４は、図８に示されているように、半導体層１４を配置するための突出部（図８における、下方向への突出部）を有していてよい。半導体層１４は、例えばアモルファスシリコンからなる。
【００２５】
金属膜５（図８および図９）は、複数のソース線５Ｌ（第２の電極線）と、複数のソース電極５Ｓと、複数のドレイン電極５Ｄとを有している。金属膜５は、不透明な金属からなり、例えばＣｒ、ＡｌまたはＭｏからなる。ソース線５Ｌの各々は、図９に示されているようにゲート絶縁層１３によってゲート線４から絶縁されつつ、図８に示されているようにゲート線４に交差しており、本実施の形態においては複数のゲート線４に直交している。ソース線５Ｌの各々には、図８に示されているように、複数のソース電極５Ｓがつながっている。ドレイン電極５Ｄは、ソース線５Ｌおよびソース電極５Ｓから分離されている。半導体層１４はソース電極５Ｓとドレイン電極５Ｄとにまたがっており、これにより、画素構造ごとにＴＦＴ８（図９）が構成されている。非湾曲方向Ｙに交差する方向、すなわち図８における横方向、において互いに隣り合う画素構造の間には、２つ以上のソース線５Ｌが配置されており、本実施の形態においては２つのソース線５Ｌが配置されている。
【００２６】
第１の層間絶縁層１５（図９）はＴＦＴ８を覆っている。第１の層間絶縁層１５はドレイン電極５Ｄ上にコンタクトホール１５Ｈを有している。
【００２７】
導電膜３（図７および図９）は第１の層間絶縁層１５上に設けられている。導電膜３は、互いに分離された複数の画素電極３Ｐおよび複数のコモン線３Ｗを有している。導電膜３は、透明な導電材料からなり、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる。画素電極３Ｐはコンタクトホール１５Ｈを通ってドレイン電極５Ｄに接続されている。コモン線３Ｗは、例えば、図７および図８に示されているように、おおよそゲート線４に沿って配置されている。
【００２８】
第２の層間絶縁層１６は導電膜３を覆っている。第２の層間絶縁層１６はコモン線３Ｗ上にコンタクトホール１６Ｈ（図６および図７）を有している。コモン電極１７は第２の層間絶縁層１６上に設けられている。コモン電極１７はコンタクトホール１６Ｈを通ってコモン線３Ｗに接続されている。これによりコモン電極１７にコモン電位が供される。コモン電極１７は配向膜１８に覆われている。
【００２９】
（変形例）
上述したように導電膜３に透明な材料を用いる理由は、バックライト２５（図１）からの光を選択的に透過することによって表示を行なう透過型ＬＣＤにおいては、透光性の画素電極３Ｐを形成する必要があるためである。変形例として、外光を選択的に反射して表示を行なう反射型ＬＣＤが構成される場合、導電膜の材料として、Ａｌおよび銀（Ａｇ）のような、光を反射する金属材料が用いられる。また反射による表示と透過による表示との両方を兼ね備えた半透過型ＬＣＤが構成される場合は、光反射性および透光性の両方の特性を有する画素電極が形成されればよい。
【００３０】
非湾曲方向Ｙに垂直な方向に沿って延びる複数の第１の電極線として、ゲート線に代わってソース線が設けられてもよい。この場合、このソース線に交差するようにゲート線が設けられる。
【００３１】
ガラス基板に代わり、ガラス以外の材料からなる透明絶縁性基板が用いられてもよく、例えばプラスチックフィルムが用いられてもよい。
【００３２】
（各構造の機能および動作）
各画素構造に配置された各構造の機能および動作について、以下に説明する。
【００３３】
ゲート線４（図８）にパルス状の選択電圧を印加することによって、縦方向に並ぶ同一列の画素が選択される。選択電圧が印加される選択期間中にソース線５Ｌ（図８）に画像信号電圧が印加される。選択期間中はＴＦＴ８（図９）がオン状態であるので、ソース線５Ｌから画素電極３Ｐに画像信号電圧が印加される。このようにして、同一列の画素電極３Ｐ（図７）に一斉に画像信号電圧が印加される。
【００３４】
続いて隣接するゲート線４に選択電圧が印加され、上記動作が繰り返される。この繰り返しにより、表示領域の全画素電極３Ｐにそれぞれの画像信号電圧が印加される。選択電圧が印加されない非選択期間中の画素においてはＴＦＴ８がオフ状態であるので、画素電極３Ｐの電位は保持される。
【００３５】
アレイ基板１の液晶層１９（図９）側に配置されたコモン電極１７には所定の電圧が印加されており、コモン電極１７と各画素電極３Ｐとの間の電圧によってフリンジ電界が発生する。これにより、フリンジ電界の影響下にある液晶層１９の液晶分子の配向状態が変化する。画素電極３Ｐとコモン電極１７との間の電圧の値に依存して液晶層１９の複屈折性が調整される。この調整と、アレイ基板１および対向基板２の外側表面に設けられた１対の偏光板２２との組合せによって、透過率が制御される。
【００３６】
対向基板２（図９）側に配置されたカラーフィルタ９によって、各画素の透過光は、Ｒ、ＧおよびＢのいずれかの色に着色される。カラーフィルタ９上には透明なオーバーコート膜２１が配置されており、これにより、対向基板２の液晶層１９側の表面（図９における下面）が平坦化されると同時に、カラーフィルタ９から液晶層１９への不純物の拡散が遮断される。
【００３７】
（光漏れメカニズムと開口率）
アレイ基板１（図８）において、不透明な金属からなるソース線５Ｌおよびゲート線４に囲まれた領域内に画素が配置され得る。平面視において、この領域内であって、かつ対向基板２（図４）においてカラーフィルタ９が設けられた領域が、画素の表示領域となる。
【００３８】
ブラックマトリクス１０（図４）の、ソース線５Ｌ（図８）近傍を覆う部分の幅ＷＳは、隣り合う画素間でひとまとまりに配置されている複数のソース線５Ｌ（本実施の形態においては２つのソース線５Ｌ）全体の幅よりも大きな幅である。またブラックマトリクス１０（図４）の、ゲート線４（図８）近傍を覆う部分の幅ＷＧは、隣り合う画素間に配置されている１つのゲート線４の幅よりも大きな幅である。ブラックマトリクス１０のパターンは、ソース線５Ｌおよびゲート線４の近傍の透明な領域から光が漏れることを防止することができるように決定されている。
【００３９】
湾曲させられる前の液晶パネル５０は、ＸＹ面に平行な表示面と、Ｘ方向に沿った延在方向を有するゲート線４とを有している。液晶パネル５０が湾曲させられると、詳しくは後述するように、アレイ基板１と対向基板２と間で位置ずれが起こる。その際、湾曲方向Ｘに沿って延在していたゲート線４は、アレイ基板１と対向基板２との間で方向Ｙにおけるずれがない限り、その延在方向に垂直な方向Ｙにおける位置ずれを起こすことはない。これに対して、湾曲方向Ｘに交差する方向に沿って延在するソース線５Ｌは、湾曲によって、延在方向に垂直な方向（本実施の形態においては方向Ｘ）における位置ずれを起こす。よって、幅ＷＳのマージンが不十分であると、湾曲によって、ソース線５Ｌの近傍の透明な領域が、ブラックマトリクス１０に十分に覆われなくなる。その結果として光漏れが生じる。この光漏れは、液晶表示装置９０の表示むらの原因となる。これを回避するためには、湾曲に起因してのソース線５Ｌの位置ずれに対応して、幅ＷＳのマージンを十分に確保する必要がある。一方で、ブラックマトリクス１０の幅ＷＳを大きくするほど、液晶パネル５０の開口率は低下する。
【００４０】
本実施の形態によれば、隣り合う画素間に、ひとまとまりに複数のソース線５Ｌ（具体的には２つのソース線５Ｌ）が配置されている。このため、隣り合う画素間に１つのソース線のみが配置される場合に比して、幅ＷＳを大きくする必要があり、このこと自体は開口率の低下につながる。しかしながら、ソース線５Ｌの数が増やされることによって、各画素を制御するために必要なゲート線４の数が削減される。よって、ブラックマトリクス１０の、幅ＷＧを有する部分の数が削減される。これを利用することで、開口率を高めることができる。特に、画素構造の長手方向が非湾曲方向Ｙに垂直な場合、開口率を効果的に高めることができる。
【００４１】
以上から、アレイ基板１と対向基板２との間の位置ずれに起因する表示むら（光漏れ）の発生を抑制しつつ、それに伴う開口率の犠牲を抑制することができる。
【００４２】
（湾曲時の画素構造）
湾曲時の液晶パネル５０の画素構造について、以下に説明する。
【００４３】
はじめに、湾曲時に生じる一般的な現象について説明する。図１０は、基板１０１および基板１０２の外周が貼り合わされた後に湾曲が行なわれることによって得られた構造の、非湾曲方向Ｙに垂直な面での断面図である。基板１０１と基板１０２とが外周で貼り合わされているため、外周近傍の領域では隙間が形成されない。一方、他の領域では、基板１０１および基板１０２の厚みに起因しての基板１０１と基板１０２との間での曲率の差に応じて、これらの間に隙間ができる。図１１は、基板１０１および基板１０２の外周をずらしつつ湾曲を行なうことによって得られた構造の、非湾曲方向Ｙに垂直な面での断面図である。この場合、上述したような隙間をなくすことができる。よって、不必要な隙間の発生を避けつつ貼り合わせを行なうためには、基板１０１および基板１０２の外周をずらしつつ湾曲を行なう必要がある。図１２は、２つの基板の外周をずらしつつ湾曲を行ないながらそれらを互いに貼り合わせる方法の例を示す断面図である。この方法においては、湾曲面を有する支持筐体９８が用いられる。この湾曲面上に基板１０１および基板１０２が重ね置かれる。そして基板１０１および基板１０２がローラー９９によって、湾曲面上へ押さえ付けられながら互いに貼り合わされる。なお、図１２に示された方法は、２つの基板の外周をずらしつつ湾曲を行ないながらそれらを互いに貼り合わせる方法の一例にすぎず、これ以外の他の方法が用いられてもよい。
【００４４】
よって、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせる場合も、このような外周のずれが付与される。このずれが及ぼす影響について検討する。図１３および図１４のそれぞれは、本実施の形態のアレイ基板１および比較例のアレイ基板１Ｃの構成を概略的に示す部分平面図である。アレイ基板１Ｃ（図１４）においては、方向Ｘにおいて隣り合う画素間にソース線５Ｌが１つのみ設けられており、また方向Ｙにおいて隣り合う画素間に必ずゲート線（図１４においては、コモン配線３Ｗに隠れている）が設けられている。
【００４５】
図１５は、比較例のアレイ基板１Ｃ（図１４）と、過大な大きさのカラーフィルタを有する対向基板２Ｃとの貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向Ｙに垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視ＥＬによる領域ＰＣ、ＰＬおよびＰＲにおける部分平面図とである。図１６は、本実施の形態のアレイ基板１（図１３）と、過大な大きさのカラーフィルタを有する対向基板２との貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向Ｙに垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視ＥＬによる領域ＰＣ、ＰＬおよびＰＲにおける部分平面図とである。領域ＰＣは湾曲面の中央であり、領域ＰＬおよびＰＲのそれぞれは湾曲面の左端および右端の近傍である。太い破線で囲まれた領域は、カラーフィルタ９の配置の、好ましくない例を示している。アレイ基板と対向基板との間で湾曲面の中央の領域ＰＣでの位置ずれがないように貼り合わせが行なわれても、端部近傍の領域ＰＬおよび領域ＰＲでは位置ずれが生じる。湾曲面の左端近傍の領域ＰＬでは、アレイ基板を基準としてカラーフィルタ９が左方にずれる。また湾曲面の右端近傍の領域ＰＲでは、アレイ基板を基準としてカラーフィルタ９が右方にずれる。これらのずれによってブラックマトリクスに覆われなくなった領域のうち、ソース線５Ｌなどの不透明な部材が配置されていない部分から、バックライト２５（図１）からの光漏れが生じてしまう。この問題を解決するには、湾曲に伴う基板の位置ずれを考慮して、カラーフィルタ９をより狭くする必要、言い換えればブラックマトリクスをより広くする必要、がある。
【００４６】
図１７は、比較例のアレイ基板１Ｃ（図１４）と、適正な大きさのカラーフィルタを有する対向基板２Ｃとの貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向Ｙに垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視ＥＬによる領域ＰＣ、ＰＬおよびＰＲにおける部分平面図とである。図１８は、本実施の形態のアレイ基板１（図１３）と、適正な大きさのカラーフィルタを有する対向基板２との貼り合わせによって得られた構造の、非湾曲方向Ｙに垂直な面での断面図と、湾曲面上の平面視ＥＬによる領域ＰＣ、ＰＬおよびＰＲにおける部分平面図とである。これらの図に示された構成においては、上述した位置ずれを考慮して、より狭いカラーフィルタ９が設けられている。これによりバックライト２５（図１）からの光漏れが抑制される一方、開口率は、ある程度犠牲になる。この犠牲の程度が、比較例に比して、本実施の形態によれば抑制される。この、開口率の犠牲の抑制効果について、以下に説明する。
【００４７】
（サブ画素単位における開口率）
図１９は、比較例のアレイ基板１Ｃ上の不透明な電極と、対向基板のカラーフィルタ９が配置され得る領域との関係を示す部分平面図である。図２０は、本実施の形態のアレイ基板１上の不透明な電極と、対向基板のカラーフィルタ９が配置され得る領域との関係を示す部分平面図である。これらの図において、サブ画素横長さＭ０１およびサブ画素縦長さＭ０２のそれぞれは横方向および縦方向における画素構造の周期に対応している。これらサブ画素横長さＭ０１およびサブ画素縦長さＭ０２に含まれる領域をサブ画素単位と称し、これらの積をサブ画素単位面積と称する。ゲート電極幅Ｍ０５およびＭ０６は、サブ画素単位に含まれるゲート線４の幅であり、アレイ基板１Ｃ（図１９）においてはゲート電極幅Ｍ０５およびＭ０６の和がゲート線４の幅に対応しており、アレイ基板１（図２０）においてはゲート電極幅Ｍ０５がゲート線４の幅の半分に対応している。このように差異があるのは、アレイ基板１Ｃに比してアレイ基板１においてはゲート線４が１つおきに間引かれているためである。ソース電極配線幅Ｍ０７は、１つのソース線５Ｌの幅に対応している。なおサブ画素単位中のソース線５Ｌの数は、アレイ基板１Ｃにおいては１つであり、アレイ基板１においては２つである。ＴＦＴ幅Ｍ０８は、横方向におけるＴＦＴ８（図９参照）の寸法である。ソース線間幅Ｍ０９は、アレイ基板１における、隣り合う画素間でひとまとまりに配置されている２つのソース線５Ｌ間の寸法である。位置ずれマージンＭ０３は、カラーフィルタ９をＴＦＴ８から十分に離して配置するためのマージンである。位置ずれマージンＭ０４は、カラーフィルタ９をソース線５Ｌから十分に離して配置するためのマージンである。以下の表に、これらの寸法の設計例を示す。
【００４８】
【表１】
2019078799.tif 000003
【００４９】
上記設計例によれば、比較例（アレイ基板１Ｃ）においては、カラーフィルタ９の寸法は縦４０μおよび横１１５μｍとなり、よってその面積は４６００μｍ２となる。その結果、開口率は６１．３％となる。一方、実施例（アレイ基板１）においては、カラーフィルタ９の寸法は縦４５μおよび横１０７μｍとなり、よってその面積は４８１５μｍ２となる。その結果、開口率は６４．２％となる。よって比較例と比べて実施例によれば、より高い開口率が得られることがわかる。具体的には、開口率が３％程度改善している。
【００５０】
比較例と比べて実施例によれば、カラーフィルタ９の横寸法が短くなり、かつカラーフィルタ９の縦寸法が長くなっている。これは、ソース線５Ｌの本数が２倍になり、かつゲート線４が１つおきに間引かれているためである。このことは開口率の向上に寄与している。
【００５１】
なお、画素構造が、非湾曲方向Ｙにおける第１の画素数と、非湾曲方向Ｙに垂直な方向における第２の画素数とを有しているものとすると、図２０からわかるように、本実施の形態によれば、ソース線５Ｌの数は第２の画素数よりも大きくなり、ゲート線４の数は第１の画素数よりも小さくなる。
【００５２】
（画素数）
液晶パネル５０の画素数は、ＦＨＤ（Ｆｕｌｌ  Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）と呼ばれる画素数１９２０×１０８０とされてもよい。近年、ＦＨＤの液晶表示装置は、テレビおよびスマートフォン等の民生用では一般的になりつつあるが、民生用と比べて高い信頼性が必要な、中〜小型の車載・産業用では、かなり高精細な部類である。ＦＨＤ用のアレイ基板に設けられるＴＦＴには、選択時間内に液晶容量および補助容量を所定の電位に充電する能力が特に求められる。ＴＦＴの選択時間はゲート線の数に依存する。ゲート線の数が１０８０本、駆動フレームレートが６０Ｈｚとすると、各画素の充電時間はおおよそ１５μｓｅｃとなる。これ対して、ＴＦＴに使用されるアモルファスシリコンの移動度は０．１〜１．０ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１程度であり、ＴＦＴのチャネル幅、チャネル長およびゲート絶縁膜の単位容量にもよるが、必要な充電時間は１０μｓｅｃ程度となる。
【００５３】
Ｒ、ＧおよびＢの３種類のサブ画素の存在を考慮すると、上記画素数１９２０の３倍の数のゲート線が必要となり、比較例（図１９参照）におけるゲート線４の数は３２４０本となる。よって比較例においては、各画素の充電時間はおよそ５μｓｅｃ程度となり、半導体として比較的低い移動度を有するアモルファスシリコンが用いられる場合、充電不足となる可能性が高い。これに対して、本実施の形態（図２０参照）によれば、ゲート線４の数が半分に間引かれるため、ゲート線４の数は１６２０本となる。そのため、各画素の充電時間は、比較例の充電時間の２倍の、おおよそ１０μｓｅｃ程度となる。よって半導体としてアモルファスシリコンが用いられる場合であっても、十分に充電可能となる。つまり、ゲート線４の数が、１６２０に限らず、１６２０以下であれば、充電不足を十分に避けることができる。よって、充電不足による表示品質の低下を避けつつ、半導体としてアモルファスシリコンを用いることによって製造コストを抑制することができる。
【００５４】
（アレイ基板１の製造方法）
次に、本実施の形態のアレイ基板１の製造方法について、具体的な実施例にも言及しつつ、図２１〜図３４を参照しつつ説明する。工程順に示された、図２１、図２３、図２５、図２７、図２９、図３１、および図３３のそれぞれの部分平面図に、図２２、図２４、図２６、図２８、図３０、図３２、および図３４の部分断面図が対応している。図中、線Ａ−Ａ’はＴＦＴ８（図９）付近の断面位置を示し、線Ｂ−Ｂ’はコンタクトホール１５Ｈ（図８）付近の断面位置を示し、線Ｃ−Ｃ’はコンタクトホール１６Ｈ（図７）付近の断面位置を示す。
【００５５】
図２１および図２２を参照して、まず、ガラス基板２３が洗浄液または純水を用いて洗浄される。次に、ガラス基板２３上において、導電膜の成膜とそのパターニングとが行なわれる。これによりガラス基板２３上にゲート線４が形成される。導電膜の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、ＣｕまたはＭｏ等の金属、またはこれら金属に他の元素を微量に添加した合金等を用いることができる。また、これら材料を組み合わせた、２層以上の積層膜が用いられてもよい。これらの金属および合金を用いることによって、比抵抗値が５０μΩｃｍ以下（導電率が２×１０４Ｓ／ｃｍ以上）の低抵抗膜を得ることができる。
【００５６】
実施例としては、厚み０．５ｍｍの無アルカリガラス基板上に、厚み２００ｎｍのＭｏ膜が、Ａｒガスを用いたスパッタリング法によって成膜された。その後、Ｍｏ膜上にレジスト材が塗布された。塗布されたレジスト材をフォトマスクを用いて露光することによって、レジスト材を感光させた。次に、感光させられたレジスト材を現像することによってレジスト材をパターニングすることでフォトレジストパターンを得た。なお、このようにフォトレジストパターンを形成する一連の工程を写真製版工程（フォトリソグラフィープロセス）と呼称する。この１回目の写真製版工程で得られたフォトレジストパターン（図示せず）をエッチングマスクとしてＭｏ膜を選択的にエッチングすることによって、Ｍｏ膜がパターニングされた。このエッチングプロセスは、リン酸（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ  ａｃｉｄ）、硝酸（Ａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）および酢酸（Ｎｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）を含む溶液（以下「ＰＡＮ溶液」と呼称）によるウェットエッチングにより行なわれた。ＰＡＮ溶液は、４０〜９３ｗｔ％（重量％）のリン酸と、１〜４０ｗｔ％の酢酸と、０．５〜１５ｗｔ％の硝酸とを含むものが好ましく、実施例においては、リン酸７０ｗｔ％、酢酸７ｗｔ％、硝酸５ｗｔ％および水を含むものが、液温４０℃で用いられた。
【００５７】
図２３および図２４を参照して、次に、ガラス基板２３上にゲート絶縁層１３が形成される。これによりゲート線４がゲート絶縁層１３で覆われる。ゲート絶縁層１３は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）層である。ＳｉＮ層は、化学的気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成され得る。実施例においては、シラン（ＳｉＨ４）ガス、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスおよびアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いて、厚み３００ｎｍのＳｉＮ層が、１５０℃〜４００℃の基板加熱条件下で形成された。
【００５８】
次に、ゲート絶縁層１３上に、半導体層１４となる半導体膜が形成される。ゲート絶縁層１３と半導体層１４になる半導体膜とは、同チャンバ内で連続的に形成されてもよい。半導体膜は、ゲート絶縁層１３と同様にＣＶＤ法を用いて形成され得る。具体的には、まず、シランガスおよび水素ガスを用いて、チャネルとなる半導体層が形成され、その後に、この半導体層とその上に形成されることになるソース電極５Ｓとのコンタクトを良好なものとする目的で、ｎ型アモルファスシリコン層が形成される。ｎ型アモルファスシリコン層を形成するためのプロセスガスは、一般的には、シランガスおよび水素ガスにホスフィン（ＰＨ３）ガスが添加されたものである。実施例においては、シランガスおよび水素ガスを用いて厚み１５０ｎｍのアモルファスシリコン膜が１５０〜４００℃の基板加熱条件下で形成された後、シランガス、水素ガスおよびホスフィンガスを用いて、厚み５０ｎｍのｎ型アモルファスシリコン層が、１５０〜４００℃の基板加熱条件下で形成された。
【００５９】
半導体膜を形成した後、２回目の写真製版工程が行なわれる。これにより形成されたフォトレジストパターン（図示せず）をエッチングマスクとして用いて半導体膜を選択的にエッチングすることによって半導体膜がパターニングされる。これにより、ゲート線４の上方に半導体層１４が得られる。その後、フォトレジストパターンが除去される。
【００６０】
図２５および図２６を参照して、次に、ガラス基板２３上に金属膜５が形成される。金属膜５の材料としては、ゲート線４となる導電膜の材料として例示したものを用いることができ、それにより電気抵抗を低くすることができる。金属膜５がパターニングされることによって、ソース線５Ｌと、ソース電極５Ｓと、ドレイン電極５Ｄとが形成される。この際、半導体層１４のチャネル部上には、ソース電極５Ｓとドレイン電極５Ｄとに挟まれた間隙が形成される。次にこの間隙において、前述したｎ型アモルファスシリコン層の部分がエッチングによって除去され、チャネルとして機能する半導体層のみが残される。金属膜５のエッチングはウェットエッチング法によって行なうことができ、エッチャントとしてはＰＡＮ溶液が用いられ得る。ｎ型アモルファスシリコン層を除去するエッチングはドライエッチング法によって行なわれ得る。
【００６１】
実施例においては、金属膜５として、厚み２００ｎｍのＭｏ膜が、Ａｒガスを用いたスパッタリング法によって成膜された。その後、３回目の写真製版工程によりフォトレジストパターン（図示せず）が形成された。当該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いてＭｏ膜を選択的にエッチングすることによって、Ｍｏ膜がパターニングされた。エッチャントとしては、リン酸７０ｗｔ％、酢酸７ｗｔ％、硝酸５ｗｔ％および水を含むＰＡＮ溶液が、液温２５℃で用いられた。ｎ型アモルファスシリコン層のエッチングは、フッ素を含むガス（例えばＳＦ６）、酸素ガス、およびアルゴンガスを用いたドライエッチングによって行なわれた。その後、フォトレジストパターンが除去された。
【００６２】
図２７および図２８を参照して、次に、金属膜５を覆うように第１の層間絶縁層１５が形成される。例えば、１５０〜４００℃の温度範囲内で加熱されたガラス基板２３上に、ＣＶＤ法によって、厚み３００ｎｍのＳｉＮ層が形成される。
【００６３】
次に、第１の層間絶縁層１５を貫通してドレイン電極５Ｄに達するコンタクトホール１５Ｈが形成される。具体的には、４回目の写真製版工程でフォトレジストパターンが形成される。当該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いてＳｉＮ層が選択的にエッチングされる。このエッチングは、フッ素ガスを用いたドライエッチング法によって行なわれ得る。その後、フォトレジストパターンが除去される。
【００６４】
なお、第１の層間絶縁層１５はＣＶＤ法以外の手法で形成することもできる。例えば、有機膜またはＳＯＧ膜がスピンコートまたはスリットコートを用いて形成されてもよい。第１の層間絶縁層１５の材料が感光性の場合、当該材料自体を用いた写真製版工程によって、エッチングおよびその後のフォトレジストパターンの除去を必要とすることなく第１の層間絶縁層１５をパターニングすることができる。あるいは、ＣＶＤ法によってＳｉＮ層を形成した後、その上に有機膜またはＳＯＧ膜等が形成され、その後にパターニングが行なわれてもよい。この場合、ＴＦＴ８の信頼性および第１の層間絶縁層１５の平坦性の両方を高めることができる。
【００６５】
図２９および図３０を参照して、次に、第１の層間絶縁層１５を覆うように、かつコンタクトホール１５Ｈを埋め込むように、導電膜３が形成される。導電膜３としては透明導電膜が形成される。実施例においては、導電性酸化物であるＩｎＺｎＯ膜（ＩＺＯ膜）がスパッタリング法を用いて厚み１００ｎｍで形成された。ＩｎＺｎＯ膜としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）との重量％における混合比９０：１０を有するものが用いられた。なお透明導電膜は、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）膜に限定されるものではなく、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜を用いることもできる。
【００６６】
その後、５回目の写真製版工程により、導電膜３上にフォトレジストパターン（図示せず）が形成される。当該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて導電膜３を選択的にエッチングすることによって、導電膜３がパターニングされる。これによりコモン線３Ｗおよび画素電極３Ｐが形成される。その後、フォトレジストパターンが除去される。このエッチングプロセスは、シュウ酸系溶液を用いたウェットエッチングによって行われ得る。
【００６７】
図３１および図３２を参照して、次に、導電膜３を覆うように、第２の層間絶縁層１６が形成される。例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＮ層が形成される。実施例においては、シラン（ＳｉＨ４）ガス、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、およびアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いて、厚み３００ｎｍのＳｉＮ層が、１５０〜２５０℃の基板加熱条件下で形成された。なお、第１の層間絶縁層１５として有機膜が形成されている場合は、基板加熱によって第１の層間絶縁層１５が黄変することがあるため、第２の層間絶縁層１６の形成時の基板加熱温度が過度に高くならないようにする必要がある。
【００６８】
その後、第２の層間絶縁層１６にコンタクトホール１６Ｈが形成される。具体的には、６回目の写真製版工程によって、第２の層間絶縁層１６上にフォトレジストパターンが形成される。当該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いてＳｉＮ層が選択的にエッチングされる。このエッチングは、フッ素ガスを用いたドライエッチング法によって行なわれ得る。
【００６９】
図３３および図３４を参照して、次に、第２の層間絶縁層１６を覆うように、かつコンタクトホール１６Ｈを埋め込むように、コモン電極１７が形成される。コモン電極１７としては透明導電膜が形成される。実施例においては、透明導電膜として導電膜３と同様のＩＺＯ膜が形成された。なお透明導電膜は、ＩＺＯ膜に限定されるものではなく、例えばＩＴＯ膜を用いることもできる。
【００７０】
その後、７回目の写真製版工程によって、コモン電極１７上にフォトレジストパターン（図示せず）が形成される。当該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いてコモン電極１７を選択的にエッチングすることによって、コモン電極１７にスリット１７ｓが形成される。このエッチングプロセスは、シュウ酸系溶液によるウェットエッチングによって行なわれ得る。その後、フォトレジストパターンが除去される。
【００７１】
以上によりアレイ基板１が得られる。
【００７２】
（液晶表示装置９０の製造方法）
上記製造方法によって得られたアレイ基板１の表面に、配向膜１８（図９）およびスペーサ（図示せず）が形成される。配向膜は、液晶分子を配列させるための膜であり、ポリイミド等で構成される。また、対向基板２が準備される。そして、アレイ基板１と対向基板２とが互いに貼り合わせられる。次に、貼り合わされたアレイ基板１および対向基板２が弗化水素酸（ＨＦ）またはバッファード弗化水素酸（ＢＨＦ：ＨＦ+ＮＨ４Ｆ）のエッチング溶液に浸漬される。これにより生じるエッチングによって、アレイ基板１および対向基板２が有するガラス基板２３およびガラス基板２４の厚みが０．０５ｍｍから０．３ｍｍの範囲で薄くされ、例えば０．１５ｍｍ程度にまで薄くされる。この厚みが小さ過ぎると、後の工程（例えば、後述する液晶注入工程または偏光板貼り付け工程）において割れが生じやすくなる。逆にこの厚みが大き過ぎると、ガラス基板２３およびガラス基板２４が湾曲しにくくなるため、湾曲工程において割れが生じやすくなる。
【００７３】
次に、ガラススクライバ等を用いての切断が行われることによって、液晶表示装置１つ分の大きさへの加工が行なわれる。なお、アレイ基板１の、外部の画像信号出力部と接続される配線端子が存在する辺に対向する位置においては、対向基板２を、接続端子が形成された箇所よりも内側で切断する。そして、上記スペーサによって両基板間に形成されている間隙中に液晶が注入されることによって、液晶層１９が形成される。その後、両基板の外側に偏光板２２が配設される。
【００７４】
以上により液晶パネル５０が得られる。
【００７５】
続いて、ローラー等で液晶パネル５０を支持板２８（図１）に押さえつけながら、シート状の粘着フィルムを用いて液晶パネル５０と支持板２８とが互いに貼り合わされる。支持板２８としては、アクリルまたはポリカーボネート等の透明樹脂を、所定の曲率（所望の表示面の曲率半径に液晶パネルの厚みを加えた曲率半径）で湾曲した形状に整形したものが用いられる。なお一実施例においては、液晶パネル５０の湾曲方向Ｘの端部においては、内側の対向基板２内の大きな応力に起因して支持板２８に若干の変形が生じ、その結果、上記曲率からの若干のずれが生じた。
【００７６】
支持板２８によって湾曲させられた液晶パネル５０にバックライト２５（図１）が積層される。また対向基板２側から筐体（図示せず）が被せられる。また、フレキシブル基板を用いて回路基板との接続が行われる。
【００７７】
以上により液晶表示装置９０が得られる。
【００７８】
＜実施の形態２＞
図３５は、本実施の形態における対向基板２Ｖの構成を概略的に示す部分平面図であり、実施の形態１の図４に対応する図である。図３６は、本実施の形態におけるアレイ基板１Ｖにおいて、コモン電極のスリット形成領域ＲＳと画素電極３Ｐとによって液晶制御領域ＲＣが構成される様子を示す部分平面図であり、実施の形態１の図５に対応する図である。図３７は、アレイ基板１Ｖの構成を概略的に示す部分平面図であり、実施の形態１における図６に対応する図である。図３８および図３９は、アレイ基板１Ｖの内部構成を概略的に示す部分平面図であり、実施の形態１における図７および図８のそれぞれに対応する図である。
【００７９】
実施の形態１のソース線５Ｌ（図８）は非湾曲方向Ｙに沿って延びているが、本実施の形態のソース線５Ｌｃ（図３９）は非湾曲方向Ｙに対して斜めに延びており、具体的にはジグザグに延びている。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とおおよそ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。また実施の形態１と２との差異は対向基板およびアレイ基板の各部材のパターン形状の差異であることから、実施の形態２における製造方法は、実施の形態１における製造方法とおおよそ同じである。よって本実施の形態における製造方法の説明は省略する。
【００８０】
図４０は、非湾曲方向Ｙに沿って延びるソース線５Ｌの近傍を十分なマージンＷＭで覆うのに必要なブラックマトリクス１０の幅ＷＢ１と、非湾曲方向Ｙから角度ＡＧ傾いて延びるソース線５Ｌｃの近傍を十分なマージンＷＭで覆うのに必要なブラックマトリクス１０の幅ＷＢ２とを説明する平面図である。この図からわかるように、幅ＷＢ２は幅ＷＢ１よりも小さい。よって本実施の形態のように、ソース線５Ｌに代わりソース線５Ｌｃを用いることによって、湾曲方向Ｘにおける位置ずれに対して十分なマージンＷＭを確保しつつも、ブラックマトリクス１０の幅を小さくすることができることがわかる。このことを利用して、開口率を増加させることができる。
【００８１】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００８２】
ＲＣ  液晶制御領域、ＲＳ  スリット形成領域、１，１Ｖ  アレイ基板、２，２Ｖ  対向基板、３  導電膜、３Ｐ  画素電極、３Ｗ  コモン線、４  ゲート線、５  金属膜、５Ｄ  ドレイン電極、５Ｌ，５Ｌｃ  ソース線、５Ｓ  ソース電極、１７  コモン電極、８  ＴＦＴ、９，９Ｂ，９Ｇ，９Ｒ  カラーフィルタ、１０  ブラックマトリクス、１３  ゲート絶縁層、１４  半導体層、１５  第１の層間絶縁層、１５Ｈ，１６Ｈ  コンタクトホール、１６  第２の層間絶縁層、１７ｓ  スリット、１８，２０  配向膜、１９  液晶層、２１  オーバーコート膜、２２  偏光板、２３，２４  ガラス基板、２５  バックライト、２８  支持板、５０  液晶パネル、５０Ｄ  表示面、９０  液晶表示装置。
【図１】
2019078799.tif 000004
【図２】
2019078799.tif 000005
【図３】
2019078799.tif 000006
【図４】
2019078799.tif 000007
【図５】
2019078799.tif 000008
【図６】
2019078799.tif 000009
【図７】
2019078799.tif 000010
【図８】
2019078799.tif 000011
【図９】
2019078799.tif 000012
【図１０】
2019078799.tif 000013
【図１１】
2019078799.tif 000014
【図１２】
2019078799.tif 000015
【図１３】
2019078799.tif 000016
【図１４】
2019078799.tif 000017
【図１５】
2019078799.tif 000018
【図１６】
2019078799.tif 000019
【図１７】
2019078799.tif 000020
【図１８】
2019078799.tif 000021
【図１９】
2019078799.tif 000022
【図２０】
2019078799.tif 000023
【図２１】
2019078799.tif 000024
【図２２】
2019078799.tif 000025
【図２３】
2019078799.tif 000026
【図２４】
2019078799.tif 000027
【図２５】
2019078799.tif 000028
【図２６】
2019078799.tif 000029
【図２７】
2019078799.tif 000030
【図２８】
2019078799.tif 000031
【図２９】
2019078799.tif 000032
【図３０】
2019078799.tif 000033
【図３１】
2019078799.tif 000034
【図３２】
2019078799.tif 000035
【図３３】
2019078799.tif 000036
【図３４】
2019078799.tif 000037
【図３５】
2019078799.tif 000038
【図３６】
2019078799.tif 000039
【図３７】
2019078799.tif 000040
【図３８】
2019078799.tif 000041
【図３９】
2019078799.tif 000042
【図４０】
2019078799.tif 000043