(57)【要約】【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供する。【解決手段】制御部と表示領域とを有する表示装置であって、制御部は制御情報および情報を供給し、制御部はアップコンバータおよびタイミングコントローラを備える。アップコンバータは、第１の画像情報に基づいて、第２の画像情報を生成し、第２の画像情報は、画像情報が備える解像度より高い解像度を備える。アップコンバータは、ニューラルネットワークを備え、ニューラルネットワークはニューロン回路を備え、ニューロン回路は、積和演算器および変換器を備える。タイミングコントローラは、第２の画像情報に基づいて、制御情報および情報を生成する。表示領域は、情報に基づいて、第２の画像情報を表示する。【選択図】図１
2019040027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御部と、
表示部と、を有し、
前記制御部は、制御情報および情報を供給し、
前記制御部は、アップコンバータおよびタイミングコントローラを備え、
前記アップコンバータは、第１の画像情報に基づいて、第２の画像情報を生成し、
前記第２の画像情報は、前記第１の画像情報が備える解像度より高い解像度を備え、
前記アップコンバータは、ニューラルネットワークを備え、
前記ニューラルネットワークは、ニューロン回路を備え、
前記ニューロン回路は、積和演算器および変換器を備え、
前記タイミングコントローラは、前記第２の画像情報に基づいて、前記制御情報および前記情報を生成し、
前記表示部は、表示領域を備え、
前記表示領域は、前記情報に基づいて、前記第２の画像情報を表示する、表示装置。
【請求項２】
前記積和演算器は、記憶素子および第１のトランジスタを備え、
前記記憶素子は、記憶ノードおよび第２のトランジスタを備え、
前記記憶素子は、前記記憶ノードの電位を保持する機能を備え、
前記記憶ノードの電位は、荷重係数に基づいて決定され、
前記第２のトランジスタは、前記記憶ノードと接続される第１の電極を備え、
前記第１の電極は、ソース電極またはドレイン電極の機能を備え、
前記第２のトランジスタは、第１の半導体膜を備え、
前記第１の半導体膜は、金属酸化物を含み、
前記第１のトランジスタは、前記記憶ノードと電気的に接続されるゲート電極を備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
駆動部を有し、
前記駆動部は、第１の駆動回路および第２の駆動回路を備え、
前記第１の駆動回路は、前記制御情報に基づいて選択信号を供給し、
前記第１の駆動回路は、第３のトランジスタを備え、
前記第３のトランジスタは、第２の半導体膜および第１のゲート絶縁膜を備え、
前記第２の駆動回路は、前記制御情報および前記情報に基づいて画像信号を供給し、
前記第２の駆動回路は、第４のトランジスタを備え、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタより短いチャネル長を備え、
前記第４のトランジスタは、第３の半導体膜および第２のゲート絶縁膜を備え、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜より薄く、
前記第３の半導体膜は、金属酸化物を含む、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示領域は、一群の画素、他の一群の画素、走査線および信号線を備え、
前記一群の画素は、画素を含み、
前記一群の画素は、行方向に配設され、
前記他の一群の画素は、前記画素を含み、
前記他の一群の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
前記走査線は、前記一群の画素と電気的に接続され、
前記走査線は、前記選択信号を供給され、
前記信号線は、他の一群の画素と電気的に接続され、
前記信号線は、前記画像信号を供給される、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素は、画素回路を備え、
前記画素回路は、第５のトランジスタを備え、
前記第５のトランジスタは、第４の半導体膜を備え、
前記第４の半導体膜は、金属酸化物を含む、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
入力部と、表示部と、を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置を備え、
前記入力部は、検知領域を備え、
前記入力部は、前記検知領域に近接するものを検知し、
前記検知領域は、前記表示領域と重なる領域を備える入出力装置。
【請求項７】
演算装置と、入出力装置と、を有し、
前記演算装置は、入力情報または検知情報を供給され、
前記演算装置は、制御情報および画像情報を供給し、
前記入出力装置は、前記入力情報および前記検知情報を供給し、
前記入出力装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給され、
前記入出力装置は、表示部、入力部および検知部を備え、
前記表示部は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置を備え、
前記表示部は、前記制御情報に基づいて、前記画像情報を表示し、
前記入力部は、前記入力情報を生成し、
前記検知部は、前記検知情報を生成する、情報処理装置。
【請求項８】
前記演算装置は、人工知能部を備え、
前記人工知能部は、前記入力情報または前記検知情報を供給され、
前記人工知能部は、前記制御情報を供給し、
前記人工知能部は、半導体装置を有し、
前記半導体装置は、前記入力情報または前記検知情報に基づいて、前記制御情報を推論する請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記半導体装置は、ニューラルネットワークを備え、
前記ニューラルネットワークは、入力層、中間層および出力層を備え、
前記入力層は、第１の一群のニューロン回路を備え、
前記中間層は、第２の一群のニューロン回路を備え、
前記出力層は、第３の一群のニューロン回路を備え、
前記第２の一群のニューロン回路は、第１のニューロン回路および第２のニューロン回路を含み、
前記第１のニューロン回路は、前記第１の一群のニューロン回路と電気的に接続され、
前記第２のニューロン回路は、前記第３の一群のニューロン回路と電気的に接続され、
前記第１の一群のニューロン回路は、前記入力情報または前記検知情報を供給され、
前記第３の一群のニューロン回路は、前記制御情報を供給する、請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１のニューロン回路は、一群の入力信号、一群の重み情報およびバイアス信号を供給され、
前記第１のニューロン回路は、積和演算器および変換器を備え、
前記積和演算器は、前記変換器と電気的に接続され、
前記積和演算器は、前記一群の入力信号および前記一群の重み情報の積和値および前記バイアス信号に基づいて積和信号を生成し、
前記変換器は、前記積和信号に基づいて出力信号を生成する請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置と、を含む、情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
テレビジョン（ＴＶ）は、大画面化に伴い、高精細度の映像を視聴できることが望まれている。日本国では、２０１５年に通信衛星（ＣＳ）およびケーブルテレビ等による４Ｋ実用放送が開始され、２０１６年に放送衛星（ＢＳ）による４Ｋ・８Ｋ試験放送が開始されている。今後、８Ｋ実用放送の開始が予定されている。そのため、８Ｋ放送に対応するための各種の電子機器が開発されている（非特許文献１）。８Ｋの実用放送では、４Ｋ放送、２Ｋ放送（フルハイビジョン放送）も併用される予定である。
【０００４】
８Ｋ放送の映像の解像度（水平・垂直の画素数）は７６８０×４３２０であり、４Ｋ（３８４０×２１６０）の４倍、２Ｋ（１９２０×１０８０）の１６倍である。したがって、８Ｋ放送の映像を見る者は、２Ｋ放送の映像、または４Ｋ放送の映像等を見る者より高い臨場感を感じることができると期待される。
【０００５】
また、テレビジョンに限らず様々な電子機器に対して人工ニューラルネットワーク等を利用した人工知能を付する開発が進められている。人工ニューラルネットワークを利用することで、従来のノイマン型コンピュータよりも高性能なコンピュータが実現できると期待されており、近年、電子回路上で人工ニューラルネットワークを構築する種々の研究が進められている。非特許文献２には、人工ニューラルネットワークによる自己学習機能を備えたチップに関する技術が記載されている。
【０００６】
さらに、特許文献１には、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを用いた記憶装置によって、人工ニューラルネットワークを用いた計算に必要な重みデータを保持する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許公開第２０１６／０３４３４５２号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｓ．Ｋａｗａｓｈｉｍａ，  ｅｔ  ａｌ．，  ”１３．３−Ｉｎ．８Ｋ  Ｘ  ４Ｋ  ６６４−ｐｐｉ  ＯＬＥＤ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｕｓｉｎｇ  ＣＡＡＣ−ＯＳ  ＦＥＴｓ，”  ＳＩＤ  ２０１４  ＤＩＧＥＳＴ，ｐｐ．６２７―６３０．
【非特許文献２】Ｙｕｔａｋａ  Ａｒｉｍａ  ｅｔ  ａｌ，”Ａ  Ｓｅｌｆ−Ｌｅａｒｎｉｎｇ  Ｎｅｕｒａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｃｈｉｐ  ｗｉｔｈ  １２５  Ｎｅｕｒｏｎｓ  ａｎｄ  １０Ｋ  Ｓｅｌｆ−Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｓｙｎａｐｓｅｓ”，  ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ  ＣＩＲＣＵＩＴＳ，  ＶＯＬ．２６，ＮＯ．４，  ＡＰＲＩＬ  １９９１，  ｐｐ．６０７−６１１．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明の一態様は、制御部２３８と、表示領域２３１と、を有する表示装置である。
【００１２】
制御部２３８は制御情報ＳＰ１１および情報Ｖ１１を供給し、制御部２３８はアップコンバータ２３４およびタイミングコントローラ２３６を備える。
【００１３】
アップコンバータ２３４は、第１の画像情報Ｖ１に基づいて、第２の画像情報Ｖ２を生成する。第２の画像情報Ｖ２は、画像情報Ｖ１が備える解像度より高い解像度を備える。アップコンバータ２３４は、ニューラルネットワークＮＮを備える。
【００１４】
ニューラルネットワークＮＮはニューロン回路７１を備え、ニューロン回路７１は積和演算器１０および変換器３０を備える。
【００１５】
タイミングコントローラ２３６は第２の画像情報Ｖ２に基づいて、制御情報ＳＰ１１および情報Ｖ１１を生成する。
【００１６】
表示領域２３１は、情報Ｖ１１に基づいて、第２の画像情報Ｖ２を表示する。
【００１７】
これにより、ニューラルネットワークを用いて、画像情報Ｖ１から補完データを生成することができる。または、画像情報Ｖ１および補完データに基づいて、画像情報Ｖ２を生成することができる。または、供給される画像情報Ｖ１の解像度より高い解像度の画像情報Ｖ２を生成することができる。または、画像情報Ｖ２を表示領域２３１に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００１８】
（２）また、本発明の一態様は、上記の積和演算器１０が記憶素子１１および第１のトランジスタＴＲ２を備える表示装置である。
【００１９】
記憶素子１１は記憶ノードＮおよび第２のトランジスタＴＲ１を備え、記憶素子１１は記憶ノードＮの電位を保持する機能を備える。記憶ノードＮの電位は荷重係数Ｗ［ｉ］に基づいて決定される。
【００２０】
第２のトランジスタＴＲ１は記憶ノードＮと接続される第１の電極を備え、第１の電極はソース電極またはドレイン電極の機能を備える。
【００２１】
第２のトランジスタＴＲ１は第１の半導体膜３０８を備え、第１の半導体膜３０８は金属酸化物を含む。
【００２２】
第１のトランジスタＴＲ２は記憶ノードＮと電気的に接続されるゲート電極を備える。
【００２３】
これにより、積和演算に用いる重み変数Ｗ［ｉ］を記憶ノードＮに保持することができる。または、記憶ノードの電位を用いて、トランジスタＴＲ２を流れる電流を制御することができる。または、例えば、トランジスタＴＲ２を流れる電流の大きさに基づいて、積和演算をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００２４】
（３）また、本発明の一態様は、駆動部を有する上記の表示装置である。
【００２５】
駆動部は、第１の駆動回路ＧＤ１および第２の駆動回路ＳＤ１を備える。
【００２６】
第１の駆動回路ＧＤ１は、制御情報ＳＰ１１に基づいて選択信号を供給し、第１の駆動回路ＧＤ１は、第３のトランジスタＴＲ３を備える。
【００２７】
第３のトランジスタＴＲ３は、第２の半導体膜５０８および第１のゲート絶縁膜５０６を備える。
【００２８】
第２の駆動回路ＳＤ１は、制御情報ＳＰ１１および情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給し、第２の駆動回路ＳＤ１は、第４のトランジスタＴＲ４を備える。
【００２９】
第４のトランジスタＴＲ４は第３のトランジスタＴＲ３より短いチャネル長を備え、第４のトランジスタＴＲ４は第３の半導体膜４０８および第２のゲート絶縁膜４０６を備える。
【００３０】
第２のゲート絶縁膜４０６は、第１のゲート絶縁膜５０６より薄く、第３の半導体膜４０８は、金属酸化物を含む。
【００３１】
これにより、第３のトランジスタＴＲ３と比較して、高い周波数で第４のトランジスタＴＲ４を動作させることができる。または、低温ポリシリコンを用いる半導体膜と比較して、表面凹凸が小さい半導体膜を、第３の半導体膜４０８に用いることができる。または、半導体膜の表面凹凸に由来して薄くなるゲート絶縁膜の一部に、電界が集中しないようにすることができる。または、第２のゲート絶縁膜４０６の厚さを薄くすることができる。具体的には、厚さ２０ｎｍの絶縁膜を第２のゲート絶縁膜４０６に用いることができる。または、低温ポリシリコンを用いるトランジスタと比較して、導通状態の第４のトランジスタＴＲ４を流れる電流を、大きくすることができる。または、非導通状態におけるリーク電流を抑制し、消費電力を低減することができる。または、実装部品を削減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００３２】
（４）また、本発明の一態様は、上記の表示領域２３１が、一群の画素、他の一群の画素、走査線Ｇ１（ｉ）および信号線Ｓ１（ｊ）を備える上記の表示装置である。
【００３３】
一群の画素は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の画素は行方向に配設される。
【００３４】
他の一群の画素は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の画素は行方向と交差する列方向に配設される。
【００３５】
走査線Ｇ１（ｉ）は一群の画素と電気的に接続され、走査線Ｇ１（ｉ）は選択信号を供給される。
【００３６】
信号線Ｓ１（ｊ）は他の一群の画素と電気的に接続され、信号線Ｓ１（ｊ）は画像信号を供給される。
【００３７】
（５）また、本発明の一態様は、上記の画素７０２（ｉ，ｊ）が、画素回路５３０（Ｉ，Ｊ）を備える上記の表示装置である。
【００３８】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第５のトランジスタＴＲ５を備える。
【００３９】
第５のトランジスタＴＲ５は第４の半導体膜５０８を備え、第４の半導体膜５０８は金属酸化物を含む。
【００４０】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。または、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。または、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。または、駆動に伴う消費電力を低減することができる。または、画素回路が一のフレーム画像を表示する画像信号を保持している間に、アップコンバータは次のフレーム画像に用いる第２の画像情報を生成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００４１】
（６）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。
【００４２】
表示部は上記の表示装置を備え、入力部は検知領域を備える。
【００４３】
入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は表示領域と重なる領域を備える。
【００４４】
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【００４５】
（７）また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置である。
【００４６】
演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は制御情報および画像情報を供給する。
【００４７】
入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給され、入出力装置は表示部、入力部および検知部を備える。
【００４８】
表示部は上記の表示装置を備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示する。
【００４９】
入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。
【００５０】
（８）また、本発明の一態様は、上記の演算装置が人工知能部を備える情報処理装置である。
【００５１】
人工知能部は入力情報または検知情報を供給され、人工知能部は制御情報を供給し、人工知能部は半導体装置を有する。
【００５２】
半導体装置は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を推論する。
【００５３】
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【００５４】
（９）また、本発明の一態様は、上記の半導体装置がニューラルネットワークを備える情報処理装置である。
【００５５】
ニューラルネットワークは、入力層、中間層および出力層を備える。入力層は第１の一群のニューロン回路を備え、中間層は第２の一群のニューロン回路を備え、出力層は第３の一群のニューロン回路を備える。
【００５６】
第２の一群のニューロン回路は、第１のニューロン回路および第２のニューロン回路を含む。第１のニューロン回路は第１の一群のニューロン回路と電気的に接続され、第２のニューロン回路は第３の一群のニューロン回路と電気的に接続される。
【００５７】
第１の一群のニューロン回路は、入力情報または検知情報を供給される。
【００５８】
第３の一群のニューロン回路は、制御情報を供給する。
【００５９】
（１０）また、本発明の一態様は、上記の第１のニューロン回路が、一群の入力信号、一群の重み情報およびバイアス信号を供給される情報処理そうちである。
【００６０】
第１のニューロン回路は、積和演算器および変換器を備える。
【００６１】
積和演算器は変換器と電気的に接続され、積和演算器は一群の入力信号および一群の重み情報の積和値およびバイアス信号に基づいて積和信号を生成する。
【００６２】
変換器は積和信号に基づいて出力信号を生成する。
【００６３】
（１１）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示装置と、を含む、情報処理装置である。
【００６４】
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【００６５】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００６６】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００６７】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００６８】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００６９】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００７０】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００７１】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００７２】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示装置、新規な情報処理装置、または、新規な半導体装置を提供することができる。
【００７３】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図２】実施の形態に係るアップコンバータの構成を説明する図。
【図３】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図４】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図５】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図６】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図７】実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図８】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。
【図９】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。
【図１０】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャート。
【図１１】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る情報処理装置の人工知能部を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図１４】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００７５】
本発明の一態様の表示装置は、制御部と表示領域とを有する。制御部は制御情報および情報を供給し、制御部はアップコンバータおよびタイミングコントローラを備える。アップコンバータは、第１の画像情報に基づいて、第２の画像情報を生成し、第２の画像情報は、画像情報が備える解像度より高い解像度を備える。アップコンバータは、ニューラルネットワークを備え、ニューラルネットワークはニューロン回路を備え、ニューロン回路は、積和演算器および変換器を備える。タイミングコントローラは、第２の画像情報に基づいて、制御情報および情報を生成する。表示領域は、情報に基づいて、第２の画像情報を表示する。
【００７６】
これにより、ニューラルネットワークを用いて、画像情報から補完データを生成することができる。または、画像情報および補完データに基づいて、画像情報を生成することができる。または、供給される画像情報の解像度より高い解像度の画像情報を生成することができる。または、画像情報を表示領域に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００７７】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００７８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１乃至図７を参照しながら説明する。
【００７９】
図１は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。
【００８０】
図２は本発明の一態様の表示装置のアップコンバータの構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様のニューラルネットワークを説明するブロック図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示すニューラルネットワークのニューロン回路を説明するブロック図である。図２（Ｃ）は図２（Ｂ）に示すニューロン回路に用いることができる積和演算器の一部を説明する回路図であり、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）に示す回路に用いることができるトランジスタの構成を説明する断面図である。
【００８１】
図３は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図３（Ａ）は表示装置の上面図であり、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）は図３（Ａ）に示す表示装置の画素の一部を説明する上面図である。
【００８２】
図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。また、図４（Ｂ）は表示装置が備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００８３】
図５（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置の画素の構成を説明する図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す画素の一部を説明する断面図であり、図５（Ｃ）は、駆動回路に用いることができるトランジスタを説明する断面図である。
【００８４】
図６（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。また、図６（Ｂ）は表示装置が備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００８５】
図７（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置の画素の構成を説明する図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す画素の一部を説明する断面図であり、図７（Ｃ）は、駆動回路に用いることができるトランジスタを説明する断面図である。
【００８６】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００８７】
＜表示装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示領域２３１と、を有する（図１参照）。
【００８８】
《制御部２３８の構成例１．》
制御部２３８は、制御情報ＳＰ１１および情報Ｖ１１を供給する。
【００８９】
制御部２３８は、アップコンバータ２３４およびタイミングコントローラ２３６を備える。
【００９０】
《アップコンバータ２３４の構成例１．》
アップコンバータ２３４は、画像情報Ｖ１に基づいて、画像情報Ｖ２を生成する。なお、画像情報Ｖ２は画像情報Ｖ１が備える解像度より高い解像度を備える。例えば、アップコンバータ２３４は、所謂４Ｋの解像度を備える画像情報Ｖ１に基づいて、８Ｋの解像度を備える画像情報Ｖ２を生成する。具体的には、鑑別器（Ｄｉｓｃｒｉｍｉｎａｔｏｒ）を用いて強化学習した生成器（Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）をアップコンバータ２３４に用いることができる。
【００９１】
アップコンバータ２３４は、ニューラルネットワークＮＮを備える（図２（Ａ）参照）。
【００９２】
《ニューラルネットワークＮＮの構成例１．》
ニューラルネットワークＮＮは、ニューロン回路７１を備える。また、ニューロン回路７１は、積和演算器１０および変換器３０を備える（図２（Ｂ）参照）。
【００９３】
《タイミングコントローラ２３６の構成例１．》
タイミングコントローラ２３６は、第２の画像情報Ｖ２に基づいて、制御情報ＳＰ１１および情報Ｖ１１を生成する（図１参照）。
【００９４】
《表示領域２３１の構成例１．》
表示領域２３１は、情報Ｖ１１に基づいて、第２の画像情報Ｖ２を表示する。
【００９５】
これにより、ニューラルネットワークを用いて、画像情報Ｖ１から補完データを生成することができる。または、画像情報Ｖ１および補完データに基づいて、画像情報Ｖ２を生成することができる。または、供給される画像情報Ｖ１の解像度より高い解像度の画像情報Ｖ２を生成することができる。または、画像情報Ｖ２を表示領域２３１に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００９６】
《積和演算器１０の構成例１．》
積和演算器１０は、記憶素子１１およびトランジスタＴＲ２を備える（図２（Ｃ）参照）。
【００９７】
《記憶素子１１の構成例１．》
記憶素子１１は、記憶ノードＮおよびトランジスタＴＲ１を備える。記憶素子１１は、記憶ノードＮの電位を保持する機能を備える。なお、記憶ノードＮの電位は、荷重係数Ｗ［ｉ］に基づいて決定される。
【００９８】
《トランジスタＴＲ１の構成例１．》
トランジスタＴＲ１は記憶ノードＮと接続される第１の電極を備える。なお、第１の電極は、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。トランジスタＴＲ１は半導体膜３０８を備え、半導体膜３０８は金属酸化物を含む（図２（Ｄ）参照）。例えば、実施の形態２において説明する金属酸化物を半導体膜３０８に用いることができる。なお、半導体膜３０８は、導電膜３１２Ａと電気的に接続される領域３０８Ａ、導電膜３１２Ｂと電気的に接続される領域３０８Ｂを備える。半導体膜３０８は、領域３０８Ａおよび領域３０８Ｂの間に領域３０８Ｃを備える。
【００９９】
《トランジスタＴＲ２の構成例１．》
トランジスタＴＲ２は記憶ノードＮと電気的に接続されるゲート電極を備える。
【０１００】
これにより、積和演算に用いる重み変数Ｗ［ｉ］を記憶ノードＮに保持することができる。または、記憶ノードの電位を用いて、トランジスタＴＲ２を流れる電流を制御することができる。または、例えば、トランジスタＴＲ２を流れる電流の大きさに基づいて、積和演算をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０１０１】
《制御部２３８の構成例２．》
制御部２３８は、伸張回路２３３および画像処理回路２３５を備える（図１参照）。
【０１０２】
《伸張回路２３３の構成例１．》
伸張回路２３３は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３３は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
【０１０３】
《画像処理回路２３５の構成例１．》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。
【０１０４】
画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。
【０１０５】
＜表示装置の構成例２．＞
本実施の形態で説明する表示装置は、駆動部を有する（図１参照）。
【０１０６】
《駆動部の構成例１．》
駆動部は、駆動回路ＧＤ１および駆動回路ＳＤ１を備える。
【０１０７】
《駆動回路ＧＤ１の構成例１．》
駆動回路ＧＤ１は、制御情報ＳＰ１１に基づいて選択信号を供給する。なお、駆動回路ＧＤ１はトランジスタＴＲ３を備え、トランジスタＴＲ３は半導体膜５０８およびゲート絶縁膜５０６を備える。例えば、金属酸化物を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０１０８】
駆動回路ＧＤ１は、シフトレジスタおよびラッチ回路を備える。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いるトランジスタと同じ構成を備えるトランジスタを駆動回路ＧＤ１に用いることができる。（図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。これにより、駆動回路ＧＤ１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）を、同一の工程で作製することができる。
【０１０９】
なお、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いるトランジスタより高速で動作するように、駆動回路ＧＤ１に用いるトランジスタの寸法等を設計することができる。
【０１１０】
《駆動回路ＧＤ１の構成例２．》
駆動回路ＧＤ１は、３０Ｈｚ以上の頻度で、選択信号を走査線Ｇ１（ｉ）に供給する機能を備える。または、駆動回路ＧＤ１は、頻度を変えて選択信号を供給する機能を備える。例えば、１Ｈｚ以下または３０Ｈｚ以上の頻度で、選択信号を走査線Ｇ１（ｉ）に供給する機能を備える。
【０１１１】
《駆動回路ＳＤ１の構成例１．》
駆動回路ＳＤ１は、制御情報ＳＰ１１および情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する。なお、駆動回路ＳＤ１はトランジスタＴＲ４を備える。
【０１１２】
駆動回路ＳＤ１は、シフトレジスタ、ラッチ回路、デジタルアナログ変換回路およびバッファアンプ等を備える。デジタルアナログ変換回路は、例えば、抵抗列およびパストランジスタを用いた論理回路を備える。
【０１１３】
例えば、単結晶シリコンを半導体に用いるトランジスタを、駆動回路ＳＤ１に用いることができる。または、例えば、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを駆動回路ＳＤ１に用いることができる。
【０１１４】
例えば、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを、論理回路のパストランジスタに用いることができる。これにより、例えば、レーザ結晶化に伴いリッジが形成されてしまうポリシリコン膜に比べて、半導体膜の表面の凹凸を小さくすることができる。または、例えば、２０ｎｍ程度の薄い絶縁膜をゲート絶縁膜に用いることができる。または、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタの駆動能力を高めることができる。または、ポリシリコンを用いるトランジスタで構成する論理回路等に比べて、動作速度を速くすることができる。
【０１１５】
《トランジスタＴＲ４、の構成例１．》
トランジスタＴＲ４は、トランジスタＴＲ３より短いチャネル長を備える（図７（Ｃ）参照）。具体的には、チャネル長が０．８μｍであって、チャネル幅が２０μｍであるトランジスタを、トランジスタＴＲ４に用いることができる。また、トランジスタＴＲ１と同一の工程で形成することができる半導体膜をトランジスタＴＲ４に用いることができる。
【０１１６】
トランジスタＴＲ４は、半導体膜４０８およびゲート絶縁膜４０６を備える。なお、半導体膜４０８は、導電膜４１２Ａと電気的に接続される領域４０８Ａ、導電膜４１２Ｂと電気的に接続される領域４０８Ｂを備える。半導体膜４０８は、領域４０８Ａおよび領域４０８Ｂの間に領域４０８Ｃを備える。ゲート絶縁膜４０６はゲート絶縁膜５０６より薄く、半導体膜４０８は金属酸化物を含む。具体的には、厚さが２０ｎｍの絶縁膜をゲート絶縁膜４０６に用いることができる。
【０１１７】
ところで、インジウム、元素Ｍ及び亜鉛を有する金属酸化物（ＩｎＭＺｎＯ）を半導体膜４０８に用いることができる。例えば、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどを、元素Ｍに用いることができる。または、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどを、元素Ｍに用いることができる。または、上記から選んだ複数の元素を金属酸化物に用いることもできる。例えば、原子数比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７等であるターゲットを用いてスパッタリング法により成膜した金属酸化物膜を半導体膜４０８に用いることができる。具体的には、原子数比が、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７等であるターゲットを用いると、トランジスタの動作周波数特性を高めることができる。または、容量の３０％から７０％の範囲を用いて動作する回路を駆動回路に用いることができる。これにより、例えば、駆動回路の動作周波数特性を高めることができる。
【０１１８】
これにより、トランジスタＴＲ３と比較して、高い周波数でトランジスタＴＲ４を動作させることができる。または、低温ポリシリコンを用いる半導体膜と比較して、表面凹凸が小さい半導体膜を、半導体膜４０８に用いることができる。または、半導体膜の表面凹凸に由来して薄くなるゲート絶縁膜の一部に、電界が集中しないようにすることができる。または、ゲート絶縁膜４０６の厚さを薄くすることができる。具体的には、厚さ２０ｎｍの絶縁膜をゲート絶縁膜４０６に用いることができる。または、低温ポリシリコンを用いるトランジスタと比較して、導通状態のトランジスタＴＲ４を流れる電流を、大きくすることができる。または、非導通状態におけるリーク電流を抑制し、消費電力を低減することができる。または、実装部品を削減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０１１９】
《表示領域２３１の構成例２．》
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）および信号線Ｓ１（ｊ）を備える（図１参照）。
【０１２０】
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向に配設される。
【０１２１】
他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向に配設される。
【０１２２】
走査線Ｇ１（ｉ）は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。また、走査線Ｇ１（ｉ）は、前記選択信号を供給される。
【０１２３】
信号線Ｓ１（ｊ）は、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。また、信号線Ｓ１（ｊ）は、画像信号を供給される。
【０１２４】
《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える（図４（Ａ）参照）。
【０１２５】
《機能層５２０の構成例１．》
機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。
【０１２６】
《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図４（Ａ）参照）。
【０１２７】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図５（Ａ）参照）。
【０１２８】
例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１２９】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１および容量素子Ｃ１１を含む。
【０１３０】
例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図４（Ｂ）、図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。なお、本実施の形態において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタを便宜的にトランジスタＴＲ５とする。
【０１３１】
《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える。具体的には、液晶素子を偏光板と組み合わせて用いることができる。例えば、液晶材料を含む層７５３を液晶素子に用いることができる。
【０１３２】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は液晶材料を含む層７５３を備える（図５（Ａ）参照）。
【０１３３】
例えば、反射型の液晶表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０１３４】
例えば、透過型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、表示パネル７００は、バックライトＢＬが射出する光の透過を制御して、画像を表示する機能を備える。
【０１３５】
《液晶素子の構成例》
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０１３６】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０１３７】
《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、電極７５１（ｉ，ｊ）、電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。
【０１３８】
電極７５１（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１３９】
電極７５２は、液晶材料の配向を制御する電界を、電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配設される。
【０１４０】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。
【０１４１】
《液晶材料を含む層７５３》
液晶材料を含む層７５３は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２に挟まれる領域を備える。
【０１４２】
例えば、１．０×１０１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を液晶材料を含む層７５３に用いることができる。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑制することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を書き換える頻度を低減することができる。
【０１４３】
《構造体ＫＢ１》
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０１４４】
《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例２．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図６（Ａ）参照）。
【０１４５】
《機能層５２０の構成例２．》
機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。
【０１４６】
《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図６（Ｂ）参照）。
【０１４７】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａ（ｉ，ｊ）において、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図７（Ａ）参照）。
【０１４８】
例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１４９】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２および容量素子Ｃ２１を含む。
【０１５０】
例えば、トランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる。
【０１５１】
具体的には、トランジスタＴＲ５を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる（図６（Ｂ）参照）。なお、本実施の形態において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ２に用いるトランジスタを便宜的にトランジスタＴＲ５とする。
【０１５２】
《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。
【０１５３】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を備える（図７（Ａ）参照）。
【０１５４】
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍｎ  Ｄｏｔ  ＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、光を射出する機能を備える表示素子として、マイクロＬＥＤを有する表示素子を用いることができる。
【０１５５】
《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例１．》
例えば、信号線Ｓ１（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１５６】
具体的には、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）、発光性の材料を含む層５５３（ｊ＋１）および発光性の材料を含む層５５３（ｊ＋２）に、色相が互いに異なる光を発する材料を用いることができる。これにより、例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の色相を、列ごとに異ならせることができる。
【０１５７】
例えば、青色の光を発する材料、緑色の光を発する材料および赤色の光を発する材料を、色相が互いに異なる光を発する材料に用いることができる。
【０１５８】
《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例２．》
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１５９】
具体的には、色相が互いに異なる光を発する材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１６０】
例えば、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１６１】
例えば、発光ユニットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を１つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は、電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。
【０１６２】
例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。また、複数の発光ユニットおよび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。
【０１６３】
例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと、他の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１６４】
例えば、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１６５】
《電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２》
電極５５１（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａ（ｉ，ｊ）において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図７（Ａ）参照）。
【０１６６】
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。
【０１６７】
例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または、可視光について透光性を有する材料を用いることができる。
【０１６８】
例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。これにより、例えば、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間の距離を調整することができる。または、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。
【０１６９】
例えば、効率よく光を反射する膜を、電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を金属膜に用いることができる。
【０１７０】
《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例３．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチを含む。例えば、トランジスタをスイッチに用いることができる。
【０１７１】
《スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２の構成例》
スイッチに用いるトランジスタは半導体を含む（図７（Ｂ）参照）。例えば、スイッチＳＷ１またはスイッチＳＷ２にトランジスタを用いることができる。また、非導通状態において流れる電流を抑制するように、スイッチに用いるトランジスタの寸法等を設計することができる。
【０１７２】
なお、スイッチＳＷ２に用いることができるトランジスタと同じ構成のトランジスタをトランジスタＭに用いることができる（図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。これにより、スイッチＳＷ２およびトランジスタＭを、同一の工程で作製することができる。また、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタより高い電流駆動能力が得られるように、トランジスタＭの寸法等を設計することができる。
【０１７３】
トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える（図７（Ｂ）参照）。
【０１７４】
半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。
【０１７５】
導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。
【０１７６】
絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０１７７】
導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０１７８】
また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を備える。導電膜５２４を、例えば、導電膜５０４と電気的に接続することができる。
【０１７９】
なお、例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０１８０】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０１８１】
《半導体膜５０８の構成例１．》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。
【０１８２】
［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。
【０１８３】
［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
【０１８４】
または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【０１８５】
または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。
【０１８６】
または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０１８７】
［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
【０１８８】
《半導体膜５０８の構成例２．》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。または、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。または、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。または、駆動に伴う消費電力を低減することができる。または、画素回路が一のフレーム画像を表示する画像信号を保持している間に、アップコンバータは次のフレーム画像に用いる第２の画像情報を生成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０１８９】
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０１９０】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０１９１】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０１９２】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０１９３】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０１９４】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０１９５】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０１９６】
これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１９７】
《半導体膜５０８の構成例３．》
例えば、化合物半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を用いることができる。
【０１９８】
例えば、有機半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を用いることができる。これにより、例えば、印刷法またはインクジェット法等を用いて半導体膜を形成することができる。または、安価な方法で半導体膜を作製することができる。
【０１９９】
《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例２．》
表示領域２３１は、複数の画素を備える。例えば、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える画素を表示領域２３１に用いることができる。または、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
【０２００】
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
【０２０１】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図３（Ｃ）参照）。
【０２０２】
具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【０２０３】
また、例えば、白色等を表示する副画素を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。
【０２０４】
《表示領域２３１の構成例１．》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える（図３（Ｃ）参照）。
【０２０５】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大きく０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色の光を射出する。
【０２０６】
画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色を射出する。
【０２０７】
画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満である光を射出する。
【０２０８】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、ＣＩＥ色度図（ｘ，ｙ）におけるＢＴ．２０２０の色域に対する面積比が８０％以上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。
【０２０９】
《表示領域２３１の構成例２．》
表示領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、表示領域２３１は７６００個以上の画素を行方向に備え、４３００個以上の画素を列方向に備える。例えば、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。
【０２１０】
なお、複数の表示パネルの表示領域をタイル状に並べて、１つの表示領域を構成することもできる。
【０２１１】
表示領域２３１は、例えば、６０Ｈｚ以上好ましくは１２０Ｈｚ以上のフレーム周波数で表示をすることができる。または、プログレッシブ方式を用いて、１２０Ｈｚのフレーム周波数で表示をすることができる。または、国際規格であるＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ  ＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．２０２０−２を満たす、極めて高解像度な表示をすることができる。または、極めて高解像度な表示をすることができる。
【０２１２】
＜表示装置の構成例３．＞
表示装置は、基材５１０、基材７７０および機能層５２０を備える（図７（Ａ）参照）。
【０２１３】
機能層５２０は、基材５１０および基材７７０の間に挟まれる領域を備える。
【０２１４】
《基材５１０、基材７７０》
透光性を備える材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。
【０２１５】
ところで、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基材７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。
【０２１６】
例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。
【０２１７】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）、第１１世代（３０００ｍｍ×３３２０ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０２１８】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
【０２１９】
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材５１０または基材７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０２２０】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
【０２２１】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０または基材７７０に形成することができる。
【０２２２】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０２２３】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を用いることができる。
【０２２４】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を用いることができる。
【０２２５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、これらの樹脂を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。
【０２２６】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
【０２２７】
また、紙または木材などを基材５１０または基材７７０に用いることができる。
【０２２８】
例えば、可撓性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
【０２２９】
例えば、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。または、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を、例えば、基材５１０または基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０２３０】
《機能層５２０の構成例２．》
機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６および絶縁膜５０１Ｄを備える。または、絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５２８等を備える。
【０２３１】
［絶縁膜５２１］
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図７（Ａ）参照）。
【０２３２】
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
【０２３３】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
【０２３４】
例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。
【０２３５】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０２３６】
なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。
【０２３７】
例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。
【０２３８】
例えば、透光性を有する材料を絶縁膜５２１に用いることができる。具体的には、窒化シリコンを絶縁膜５２１に用いることができる。
【０２３９】
［絶縁膜５１８］
絶縁膜５１８は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。なお、積層膜を絶縁膜５１８に用いることができる。
【０２４０】
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。
【０２４１】
例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
【０２４２】
［絶縁膜５１６］
絶縁膜５１６は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５１８の間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。なお、積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、絶縁膜５１６Ａおよび絶縁膜５１６Ｂを積層した絶縁膜を絶縁膜５１６に用いることができる。
【０２４３】
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる。
【０２４４】
［絶縁膜５０６］
絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。
【０２４５】
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。
【０２４６】
［絶縁膜５０１Ｄ］
絶縁膜５０１Ｄは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。
【０２４７】
例えば、絶縁膜５０６に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｄに用いることができる。
【０２４８】
［絶縁膜５０１Ｃ］
絶縁膜５０１Ｃは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基材５１０の間に挟まれる領域を備える（図７（Ａ）参照）。
【０２４９】
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０２５０】
［絶縁膜５０１Ａ］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。または、ポリイミド等を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２５１】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を、備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２５２】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２５３】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２５４】
［絶縁膜５２８］
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図７（Ａ）参照）。電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止する。
【０２５５】
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０２５６】
《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、導電膜ＡＮＯ、端子等に用いることができる。
【０２５７】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０２５８】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０２５９】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０２６０】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０２６１】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０２６２】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０２６３】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０２６４】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０２６５】
《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０２６６】
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。
【０２６７】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。
【０２６８】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。
【０２６９】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。
【０２７０】
《接合層５０５》
接合層５０５は、機能層５２０および基材５１０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材５１０を貼り合せる機能を備える。
【０２７１】
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【０２７２】
《機能層７２０》
機能層７２０は、着色膜ＣＦ、絶縁膜７７１および遮光膜ＢＭを備える。
【０２７３】
着色膜ＣＦは、基材７７０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０２７４】
遮光膜ＢＭは、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０２７５】
《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等》
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０２７６】
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２７７】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２７８】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２７９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２８０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。
【０２８１】
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。
【０２８２】
また、非単結晶酸化物半導体の１つとして、半結晶性酸化物半導体（Ｓｅｍｉ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼称される酸化物半導体が挙げられる。半結晶性酸化物半導体とは、単結晶酸化物半導体と非晶質酸化物半導体との中間構造を有する。半結晶性酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と比較して構造が安定である。例えば、半結晶性酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ構造を有し、かつＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構成である酸化物半導体がある。ＣＡＣの詳細については、以下で説明を行う。
【０２８３】
また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いてもよい。
【０２８４】
なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ−ＯＳまたはＣＡＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。
【０２８５】
なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体層として、ＣＡＣ−ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ−ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。
【０２８６】
以下では、ＣＡＣ−ＯＳの詳細について説明する。
【０２８７】
ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２８８】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２８９】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０２９０】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２９１】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２９２】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。
【０２９３】
なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。
【０２９４】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２９５】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２９６】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２９７】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０２９８】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０２９９】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０３００】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０３０１】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０３０２】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０３０３】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０３０４】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０３０５】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０３０６】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０３０７】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０３０８】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０３０９】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０３１０】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０３１１】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ＯＳを半導体膜に用いるトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）は、チャネル長を短くすることができ、オン電流を大きくすることができ、オフ電流をきわめて小さくすることができ、ばらつきを抑制することができ、信頼性が高く、第８世代から第１０世代程度の大型のガラス基板に作製することができる。これにより、大型の有機ＥＬテレビのバックプレーンに好適に用いることができる。
【０３１２】
また、金属酸化物は、エネルギーギャップが大きく、電子が励起されにくいこと、ホールの有効質量が大きい。また、ＯＳトランジスタは、一般的なＳｉトランジスタと比較して、アバランシェ崩壊等が生じにくい場合がある。従って、例えばアバランシェ崩壊に起因するホットキャリア劣化等を抑制できる場合がある。ホットキャリア劣化を抑制できることで、高いドレイン電圧でＯＳトランジスタを駆動することができる。
【０３１３】
また、ＯＳトランジスタは、電子を多数キャリアとする蓄積型トランジスタである。そのため、ｐｎ接合を有する反転型トランジスタ（代表的には、Ｓｉトランジスタ）と比較して短チャネル効果の一つであるＤＩＢＬ（Ｄｒａｉｎ‐Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｌｏｗｅｒｉｎｇ）の影響が小さい。つまり、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも短チャネル効果に対する高い耐性を有する。
【０３１４】
また、ＯＳトランジスタは、短チャネル効果に対する耐性が高いために、ＯＳトランジスタの信頼性を劣化させずに、チャネル長を縮小できるので、ＯＳトランジスタを用いることで回路の集積度を高めることができる。チャネル長が微細化するのに伴いドレイン電界が強まるが、上掲したように、ＯＳトランジスタはＳｉトランジスタよりもアバランシェ崩壊が起きにくい。また、ＯＳトランジスタは、短チャネル効果に対する耐性が高いために、Ｓｉシリコン等トランジスタよりもゲート絶縁物を厚くすることが可能となる。例えば、チャネル長及びチャネル幅が５０ｎｍ以下の微細なトランジスタにおいても、１０ｎｍ程度の厚いゲート絶縁物を設けることが可能な場合がある。ゲート絶縁物を厚くすることで、寄生容量を低減することができるので、回路の動作速度を向上できる。またゲート絶縁物を厚くすることにで、リーク電流が低減されるため、静的消費電流の低減につながる。
【０３１５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３１６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図８を参照しながら説明する。
【０３１７】
図８は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【０３１８】
＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図８参照）。
【０３１９】
《表示部２３０》
例えば、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置を、表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。
【０３２０】
《入力部２４０》
入力部２４０は、検知領域２４１を備える。入力部２４０は、検知領域２４１に近接するものを検知する。
【０３２１】
検知領域２４１は、表示領域２３１と重なる領域を備える。
【０３２２】
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０３２３】
《入力部２４０の構成例２．》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備えることができる（図８参照）。
【０３２４】
《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備える。
【０３２５】
検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【０３２６】
一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【０３２７】
また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【０３２８】
《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
【０３２９】
具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。
【０３３０】
また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。
【０３３１】
これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインターにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
【０３３２】
具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
【０３３３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３３４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図９乃至図１２を参照しながら説明する。
【０３３５】
図９（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図９（Ｂ）および図９（Ｃ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。
【０３３６】
図１０は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１０（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１０（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０３３７】
図１１は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１１（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１１（Ｂ）は、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１１（Ｃ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【０３３８】
図１２は本発明の一態様の人工知能部を説明する図である。図１２（Ａ）は本発明の一態様の人工知能部を説明するブロック図である。図１２（Ｂ）は本発明の一態様のニューラルネットワークを説明するブロック図である。図１２（Ｃ）は本発明の一態様のニューロン回路を説明するブロック図である。
【０３３９】
＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図９（Ａ）参照）。なお、入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図９（Ｂ）または図９（Ｃ）参照）。
【０３４０】
《演算装置２１０の構成例１．》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。
【０３４１】
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【０３４２】
伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。
【０３４３】
《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【０３４４】
《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
【０３４５】
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【０３４６】
《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
【０３４７】
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
【０３４８】
《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給される（図９（Ａ）参照）。
【０３４９】
例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。
【０３５０】
例えば、画像情報Ｖ１を表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３５１】
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態３において説明する入出力装置を用いることができる。
【０３５２】
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。
【０３５３】
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。
【０３５４】
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。
【０３５５】
《表示部２３０》
表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて画像を表示する機能を備える。
【０３５６】
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤ１と、駆動回路ＳＤ１と、表示パネル７００と、を有する（図１参照）。例えば、実施の形態１において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
【０３５７】
《入力部２４０》
入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図９（Ａ）参照）。
【０３５８】
例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
【０３５９】
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【０３６０】
例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【０３６１】
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【０３６２】
《検知部２５０》
検知部２５０は検知情報ＤＳを供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【０３６３】
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。
【０３６４】
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
【０３６５】
《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【０３６６】
《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
【０３６７】
これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０３６８】
なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
【０３６９】
《演算装置２１０の構成例２．》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図９（Ａ）参照）。
【０３７０】
《人工知能部２１３の構成例１．》
人工知能部２１３は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成する（図１２（Ａ）参照）。
【０３７１】
人工知能部２１３は半導体装置９０を備える。
【０３７２】
［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３７３】
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３７４】
［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３７５】
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３７６】
［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いて、推論ＲＩを生成することができる。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３７７】
具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３７８】
なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部２４８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３７９】
《半導体装置９０》
半導体装置９０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを供給する。
【０３８０】
半導体装置９０は情報ＩＮを供給され、推論ＲＩを供給する（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）参照）。例えば、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いることができる。または、例えば、推論ＲＩを制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３８１】
例えば、半導体装置９０は、入力情報ＩＩまたは検知情報から、特徴を抽出することができる。半導体装置９０は、抽出した特徴に基づいて制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３８２】
例えば、半導体装置９０は、入力情報ＩＩまたは検知情報から、一部を抽出することができる。半導体装置９０は、抽出した一部を他の一部とは異なるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３８３】
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０３８４】
《半導体装置９０の構成例２．》
半導体装置９０はニューラルネットワーク８０を備える（図１２（Ａ）参照）。
【０３８５】
《ニューラルネットワーク８０》
畳み込みニューラルネットワークをニューラルネットワーク８０に用いることができる。または、再帰型ニューラルネットワークをニューラルネットワーク８０に用いることができる。例えば、ニューラルネットワーク８０は、入力層８１、中間層８２および出力層８３を備える（図１２（Ｂ）参照）。
【０３８６】
入力層８１は第１の一群のニューロン回路を備える。
【０３８７】
中間層８２は第２の一群のニューロン回路を備える。
【０３８８】
出力層８３は第３の一群のニューロン回路を備える。
【０３８９】
第２の一群のニューロン回路は、第１のニューロン回路７１および第２のニューロン回路７２を含む。
【０３９０】
第１のニューロン回路７１は、第１の一群のニューロン回路と電気的に接続される。
【０３９１】
第２のニューロン回路７２は、第３の一群のニューロン回路と電気的に接続される。
【０３９２】
第１の一群のニューロン回路は情報ＩＮを供給される。例えば、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いることができる。
【０３９３】
第３の一群のニューロン回路は、推論ＲＩを供給する。例えば、推論ＲＩを制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３９４】
《ニューロン回路７１》
ニューロン回路７１は積和演算器１０および変換器３０を備える（図１２（Ｃ）参照）。
【０３９５】
《積和演算器１０》
積和演算器１０は一群の入力信号Ｘ［１］乃至入力信号Ｘ［Ｎ］を供給される。積和演算器１０は一群の重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］を供給される。また、積和演算器１０はバイアス信号Ｂを供給される。
【０３９６】
積和演算器１０は一群の入力信号Ｘ［１］乃至入力信号Ｘ［Ｎ］および重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］の積和値およびバイアス信号Ｂに基づいて積和信号Ｕを生成し、供給する。例えば、酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を、重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］を記憶するメモリに用いることができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を含むトランジスタをメモリに用いることができる。また、例えば、アナログ演算回路を積和演算器１０に用いることができる。これにより、デジタル演算回路と比較して、回路規模を小さくすることができる。または、消費電力を低減することができる。
【０３９７】
《変換器３０》
変換器３０は積和演算器１０と電気的に接続される。変換器３０は積和信号Ｕに基づいて出力信号ｆ（Ｕ）を生成し供給する。
【０３９８】
＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）を参照しながら説明する。
【０３９９】
《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１０（Ａ）参照）。
【０４００】
［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１０（Ａ）（Ｓ１）参照）。
【０４０１】
例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
【０４０２】
［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１０（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
【０４０３】
なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
【０４０４】
［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１０（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることができる。
【０４０５】
例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
【０４０６】
《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
【０４０７】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
【０４０８】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。
【０４０９】
《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。
【０４１０】
３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
【０４１１】
例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。
【０４１２】
ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
【０４１３】
［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１０（Ａ）（Ｓ４）参照）。
【０４１４】
例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
【０４１５】
［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１０（Ａ）（Ｓ５）参照）。
【０４１６】
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１０（Ｂ）参照）。
【０４１７】
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１０（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
【０４１８】
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図１０（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
【０４１９】
なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。
【０４２０】
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１０（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
【０４２１】
＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１１を参照しながら説明する。
【０４２２】
図１１（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１１（Ａ）は、図１０（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０４２３】
なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１０（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０４２４】
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１１（Ａ）参照）。
【０４２５】
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１１（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
【０４２６】
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１１（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。
【０４２７】
例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１１（Ｂ）参照）。
【０４２８】
例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる（図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。
【０４２９】
なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。
【０４３０】
これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。
【０４３１】
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１１（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
【０４３２】
《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
【０４３３】
また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
【０４３４】
例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
【０４３５】
具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。
【０４３６】
《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。
【０４３７】
例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０４３８】
例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０４３９】
例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
【０４４０】
例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
【０４４１】
なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図９（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
【０４４２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４４３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１３および図１４を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１３および図１４を参照しながら説明する。
【０４４４】
図１３および図１４は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１３（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１４（Ａ）乃至図１４（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０４４５】
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図１３（Ａ）参照）。
【０４４６】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０４４７】
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０４４８】
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０４４９】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０４５０】
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
【０４５１】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０４５２】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０４５３】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０４５４】
《情報処理装置の構成例１．》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１３（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０４５５】
《情報処理装置の構成例２．》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図１３（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０４５６】
《情報処理装置の構成例３．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１３（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【０４５７】
《情報処理装置の構成例４．》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１３（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０４５８】
《情報処理装置の構成例５．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１４（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【０４５９】
《情報処理装置の構成例６．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１４（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【０４６０】
《情報処理装置の構成例７．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１４（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【０４６１】
《情報処理装置の構成例８．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１４（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【０４６２】
《情報処理装置の構成例９．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１４（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【０４６３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４６４】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０４６５】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０４６６】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０４６７】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０４６８】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０４６９】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０４７０】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０４７１】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０４７２】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０４７３】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０４７４】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【０４７５】
ＡＮＯ    導電膜
Ｂ    バイアス信号
Ｃ１１    容量素子
Ｃ２１    容量素子
ＣＩ    制御情報
ＤＳ    検知情報
Ｇ１    走査線
Ｇ２    走査線
ＧＣＬＫ    信号
ＧＤ１    駆動回路
ＧＤＡ    駆動回路
ＧＤＢ    駆動回路
ＧＤＣ    駆動回路
ＩＩ    入力情報
ＩＮ    情報
ＮＮ    ニューラルネットワーク
Ｐ１    位置情報
ＰＷＣ１    信号
ＰＷＣ２    信号
Ｓ１    信号線
ＳＤ１    駆動回路
ＳＰ１１    制御情報
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
ＴＲ１    トランジスタ
ＴＲ２    トランジスタ
ＴＲ３    トランジスタ
ＴＲ４    トランジスタ
ＴＲ５    トランジスタ
Ｕ    積和信号
Ｖ１    画像情報
Ｖ２    画像情報
Ｖ１１    情報
Ｗ    重み情報
１０    積和演算器
１１    記憶素子
３０    変換器
７１    ニューロン回路
７２    ニューロン回路
８０    ニューラルネットワーク
８１    入力層
８２    中間層
８３    出力層
９０    半導体装置
２００    情報処理装置
２１０    演算装置
２１１    演算部
２１２    記憶部
２１３    人工知能部
２１４    伝送路
２１５    入出力インターフェース
２２０    入出力装置
２３０    表示部
２３１    表示領域
２３３    伸張回路
２３４    アップコンバータ
２３５    画像処理回路
２３６    タイミングコントローラ
２３８    制御部
２４０    入力部
２４１    検知領域
２４８    制御部
２５０    検知部
２９０    通信部
３０８    半導体膜
３０８Ａ    領域
３０８Ｂ    領域
３０８Ｃ    領域
３１２Ａ    導電膜
３１２Ｂ    導電膜
４００    分子量
４０６    絶縁膜
４０８    半導体膜
４０８Ａ    領域
４０８Ｂ    領域
４０８Ｃ    領域
４１２Ａ    導電膜
４１２Ｂ    導電膜
５０１Ａ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０１Ｄ    絶縁膜
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５０８Ａ    領域
５０８Ｂ    領域
５０８Ｃ    領域
５１０    基材
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１６Ａ    絶縁膜
５１６Ｂ    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０    画素回路
５５０    表示素子
５５１    電極
５５２    電極
５５３    発光性の材料を含む層
５９１Ａ    開口部
７００    表示パネル
７００ＴＰ    入出力パネル
７０２    画素
７０３    画素
７０５    封止材
７２０    機能層
７５０    表示素子
７５１    電極
７５２    電極
７５３    液晶材料を含む層
７７０    基材
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
７７５    検知素子
５２００Ｂ    情報処理装置
５２１０    演算装置
５２２０    入出力装置
５２３０    表示部
５２４０    入力部
５２５０    検知部
５２９０    通信部
【図１】
2019040027.tif 000003
【図２】
2019040027.tif 000004
【図３】
2019040027.tif 000005
【図４】
2019040027.tif 000006
【図５】
2019040027.tif 000007
【図６】
2019040027.tif 000008
【図７】
2019040027.tif 000009
【図８】
2019040027.tif 000010
【図９】
2019040027.tif 000011
【図１０】
2019040027.tif 000012
【図１１】
2019040027.tif 000013
【図１２】
2019040027.tif 000014
【図１３】
2019040027.tif 000015
【図１４】
2019040027.tif 000016