(57)【要約】【課題】プラズマエッチングの際のトレイとウェハとの貼り付けが不十分となることを抑制できる受発光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】受発光デバイスの製造方法は、受発光デバイスのための半導体積層部及び半導体積層部上に形成されたレジストマスクを表面側に有するウェハの裏面と、平板状のトレイの一方の面とが、圧力に応じて色が変化する圧力測定フィルムを介して互いに接着されてなる構造体を準備する準備工程と、ウェハの表面とトレイとの間に押圧力を付与しつつ、圧力測定フィルムの色の変化をトレイの他方の面側から確認する確認工程と、ウェハの表面に対してプラズマエッチングを行うことにより、半導体積層部の表面形状を加工するエッチング工程と、圧力測定フィルムとウェハとを互いに分離する分離工程と、を備える。【選択図】図１
2019040937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受発光デバイスの製造方法であって、
前記受発光デバイスのための半導体積層部及び前記半導体積層部上に形成されたレジストマスクを表面側に有するウェハの裏面と、平板状のトレイの一方の面とが、圧力に応じて色が変化する圧力測定フィルムを介して互いに接着されてなる構造体を準備する準備工程と、
前記ウェハの表面と前記トレイとの間に押圧力を付与しつつ、前記圧力測定フィルムの色の変化を前記トレイの他方の面側から確認する確認工程と、
前記ウェハの表面に対してプラズマエッチングを行うことにより、前記半導体積層部の表面形状を加工するエッチング工程と、
前記圧力測定フィルムと前記ウェハとを互いに分離する分離工程と、
を備える、受発光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記確認工程では、前記圧力測定フィルムの色が変化した領域の面積の割合が所定割合以上になったことを確認する、請求項１に記載の受発光デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記準備工程において、少なくともウェハ側の面に熱剥離性接着材を有する両面接着フィルムを介して前記ウェハと前記圧力測定フィルムとを互いに接着する、請求項１または２に記載の受発光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記準備工程において、少なくとも前記トレイ側の面に熱剥離性接着材を有する別の両面接着フィルムを介して前記圧力測定フィルムと前記トレイとを互いに接着する、請求項３に記載の受発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記受発光デバイスが垂直共振器面発光レーザである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の受発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受発光デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関する記述が記載されている。この文献に記載された方法及び装置では、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材を介してトレイと基板とを接着する。そして、トレイを支持台上に載置して基板表面をプラズマにより処理する。プラズマ処理の後、トレイを加熱することにより基板とトレイとを分離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−４３９２８号公報
【特許文献２】特開２００７−２０１４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
受発光デバイスを製造する際に、ウェハ上に成長した半導体積層部の表面をエッチングにより加工する場合がある。その際のエッチング方法として、例えば反応性イオンエッチングといったプラズマエッチングを用いることがある。反応性イオンエッチングでは、反応室内においてエッチングガスをプラズマ化し、プラズマ中のイオン種を半導体積層部の表面に衝突させる。その際、イオンによるスパッタリングと、エッチングガスとの化学反応が同時に生じ、半導体積層部の表面がエッチングされる。
【０００５】
プラズマエッチングを行うと、プラズマによりウェハが加熱されウェハ温度が上昇する。エッチングマスクとしてレジストマスクを用いる場合、ウェハ温度が過度に上昇するとマスクが変質するので、ウェハ温度の上昇を抑える必要がある。そこで、例えば石英製であるトレイにウェハを貼り付け、トレイを介したウェハの冷却をプラズマエッチングと並行して行うことにより、ウェハ温度の上昇を抑えることができる。
【０００６】
しかしながら、トレイとウェハとの貼り付けが十分でなく、トレイとウェハとの間に隙間が生じると、プラズマエッチングの際にウェハがトレイから剥がれてしまうおそれがある。この場合、ウェハを十分に冷却することができなくなってしまうので、ウェハの温度が過度に上昇し、レジストマスクが変質してエッチングマスクとして正常に機能しなくなる。しかし、トレイとウェハとの間に隙間が生じているか否かをエッチングの前に確認できないため、そのままエッチングを行うと、そのウェハが製造不良となり、歩留まりが低下してしまう。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、プラズマエッチングの際のトレイとウェハとの貼り付けが十分であるか否かを容易に確認できる受発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、一実施形態に係る受発光デバイスの製造方法は、受発光デバイスの製造方法であって、受発光デバイスのための半導体積層部及び半導体積層部上に形成されたレジストマスクを表面側に有するウェハの裏面と、平板状のトレイの一方の面とが、圧力に応じて色が変化する圧力測定フィルムを介して互いに接着されてなる構造体を準備する準備工程と、ウェハの表面とトレイとの間に押圧力を付与しつつ、圧力測定フィルムの色の変化をトレイの他方の面側から確認する確認工程と、ウェハの表面に対してプラズマエッチングを行うことにより、半導体積層部の表面形状を加工するエッチング工程と、圧力測定フィルムとウェハとを互いに分離する分離工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による受発光デバイスの製造方法によれば、プラズマエッチングの際のトレイとウェハとの貼り付けが十分であるか否かを容易に確認できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、一実施形態に係る製造方法によって製造される受発光デバイスとしての半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、一実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図５は、一実施形態において用いられる貼り付け装置の構成を概略的に示す模式図である。
【図６】図６は、両面接着フィルムの断面構造を示す模式図である。
【図７】図７は、貼り付け装置を用いてエピタキシャルウェハとトレイとを貼り付ける方法を示すフローチャートである。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、圧力測定フィルムの色の変化の例を示す図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は、圧力測定フィルムの色の変化の例を示す図である。
【図１０】図１０は、Ｏリングの内側の面積に対する変色領域の面積の割合の変化の一例を示すグラフである。
【図１１】図１１（ａ），図１１（ｂ）は、エッチング工程を模式的に示す図である。
【図１２】図１２（ａ），図１２（ｂ）は、エッチング工程を模式的に示す図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、一変形例における貼り付け工程での圧力測定フィルムの変色領域の変化を示す図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、一変形例における貼り付け工程での圧力測定フィルムの変色領域の変化を示す図である。
【図１５】図１５は、比較例による貼り付け装置の構成を示す模式図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、トレイとエピタキシャルウェハとの間に隙間が生じる原因を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る受発光デバイスの製造方法は、受発光デバイスの製造方法であって、受発光デバイスのための半導体積層部及び半導体積層部上に形成されたレジストマスクを表面側に有するウェハの裏面と、平板状のトレイの一方の面とが、圧力に応じて色が変化する圧力測定フィルムを介して互いに接着されてなる構造体を準備する準備工程と、ウェハの表面とトレイとの間に押圧力を付与しつつ、圧力測定フィルムの色の変化をトレイの他方の面側から確認する確認工程と、ウェハの表面に対してプラズマエッチングを行うことにより、半導体積層部の表面形状を加工するエッチング工程と、圧力測定フィルムとウェハとを互いに分離する分離工程と、を備える。
【００１２】
この製造方法では、トレイとウェハとの間に圧力測定フィルムを介在させる。圧力測定フィルムでは、圧力に応じて色が変化するので、ウェハとトレイとの間に押圧力を付与する際に、押圧力が不十分な箇所（すなわちトレイとウェハとの貼り付けが不十分な箇所）においては色が変化しないか、或いは色の変化が少なくなる。したがって、トレイのウェハが貼り付けられた面とは反対側の面から圧力測定フィルムの色の変化を確認することによって、トレイとウェハとの貼り付けが全体にわたって十分であるか否かを容易に確認することができる。故に、上記の製造方法によれば、プラズマエッチングの際にトレイとウェハとの貼り付けが不十分となることを抑制できる。
【００１３】
上記の製造方法の確認工程では、圧力測定フィルムの色が変化した領域の面積の割合が所定割合以上になったことを確認してもよい。これにより、トレイとウェハとの貼り付けが全体にわたって十分であるか否かの判断を複数のウェハに対して均等に行うことができる。また、例えば圧力測定フィルムの色の変化をトレイの他方の面側から撮像し、得られた画像に基づいてコンピュータが自動的に判断することも可能となる。
【００１４】
上記の製造方法の準備工程において、少なくともウェハ側の面に熱剥離性接着材を有する両面接着フィルムを介してウェハと圧力測定フィルムとを互いに接着してもよい。これにより、プラズマエッチングの後、圧力測定フィルム及びトレイとウェハとを容易に分離することができる。
【００１５】
上記の製造方法の準備工程において、少なくともトレイ側の面に熱剥離性接着材を有する別の両面接着フィルムを介して圧力測定フィルムとトレイとを互いに接着してもよい。これにより、プラズマエッチングの後、ウェハとトレイとをより確実に分離することができる。
【００１６】
上記の製造方法において、受発光デバイスは垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であってもよい。ＶＣＳＥＬを製造する際には、フッ酸よるウェット処理やフルオロカーボン系ガスによるドライエッチングの処理が困難なので、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜をエッチングマスクとして使えない。そのため、エッチングマスクとしてレジストマスクが用いられる。したがって、ＶＣＳＥＬを製造する際に、上記の製造方法は特に有効である。
【００１７】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る受発光デバイスの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る製造方法によって製造される受発光デバイスとしての半導体レーザ素子１の構成を示す断面図である。図１に示されるように、半導体レーザ素子１は、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。半導体レーザ素子１は、半導体基板２と、第１積層体３と、活性層４と、電流狭窄層５と、第２積層体６と、絶縁膜７と、電極８，９とを備えている。半導体基板２上には、第１積層体３と、活性層４と、電流狭窄層５と、第２積層体６とが順に積層されている。半導体レーザ素子１においては、第１積層体３の一部と、活性層４と、電流狭窄層５と、第２積層体６とによって半導体メサＭが設けられている。以下では、半導体レーザ素子１を構成する層（例えば活性層４）の厚さ方向を、方向Ｔと定義する。
【００１９】
半導体基板２は、III−Ｖ族半導体基板であり、例えばｉ型又はｎ型のＧａＡｓ基板である。半導体基板２がｎ型である場合、例えばｎ型ドーパントであるＴｅ（テルル）、Ｓｉ（ケイ素）等が含まれている。なお、III族元素は例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）等であり、Ｖ族元素は例えばＡｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）等である。半導体基板２は、回路基板に実装される前に研磨等によって薄型加工されてもよい。この場合、半導体基板２の厚さは、例えば１００μｍ〜２００μｍに設定される。
【００２０】
第１積層体３は、活性層４に対する下部分布ブラッグ反射器（下部ＤＢＲ）として機能する層状物であり、複数の半導体層を備えている。第１積層体３は、半導体基板２の表面２ａ上に設けられており、例えば第１超格子層１１と、コンタクト層１２と、第２超格子層１３とを有する。第１超格子層１１、コンタクト層１２、及び第２超格子層１３は、半導体基板２の表面２ａから方向Ｔに沿って順に積層されている。すなわち、コンタクト層１２は、方向Ｔにおいて第１超格子層１１と第２超格子層１３との間に位置している。
【００２１】
第１超格子層１１は、ｉ型の半導体層である。第１超格子層１１は、複数の異なる半導体層を含む単位構造が積層されてなる超格子構造を有する。この単位構造は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．１２）と、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）とを含む。第１超格子層１１に含まれる単位構造の数は、例えば５０〜１００である。第１超格子層１１の厚さは、例えば４０００ｎｍ〜６０００ｎｍである。
【００２２】
コンタクト層１２は、半導体レーザ素子１において電極９に接する単層のｎ型半導体層である。コンタクト層１２は、例えばＳｉがドープされるＧａＡｓ層である。コンタクト層１２は、互いに厚さが異なり得る第１部分１２ａ及び第２部分１２ｂを有する。第１部分１２ａは、電極９に接する部分であり、平面視にて半導体メサＭの外側に位置する部分（一部）である。第１部分１２ａは、第２部分１２ｂの厚さ以下である部分である。コンタクト抵抗の観点から、第１部分１２ａの厚さは、例えば２５０ｎｍ〜５００ｎｍである。第２部分１２ｂは、半導体メサＭの一部になる部分（他部）である。第２部分１２ｂの厚さは、例えば第１部分１２ａの厚さ以上であって５００ｎｍ以下である。
【００２３】
第２超格子層１３は、ｎ型の半導体層（ｎ型の第１半導体層）であり、コンタクト層１２の第２部分１２ｂ上に設けられている。第２超格子層１３は、第１超格子層１１と同様に、複数の異なる半導体層を含む単位構造が積層されてなる超格子構造を有する。この単位構造は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．１２）と、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）とを含む。第２超格子層１３に含まれる単位構造の数は、例えば１０〜３０である。第２超格子層１３には、例えばＳｉがドープされる。第２超格子層１３の厚さは、例えば１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【００２４】
活性層４は、電子と正孔との再結合によって光が発生する半導体層であり、第１積層体３の第２超格子層１３上に設けられている。活性層４は、下部スペーサ層２１と、多重量子井戸構造部２２と、上部スペーサ層２３とを有する。下部スペーサ層２１、多重量子井戸構造部２２、及び上部スペーサ層２３は、第１積層体３上から方向Ｔに沿って順に積層されている。すなわち、多重量子井戸構造部２２は、方向Ｔにおいて下部スペーサ層２１と上部スペーサ層２３との間に位置している。活性層４の厚さは、例えば５０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２５】
下部スペーサ層２１は、方向Ｔにおいて第２超格子層１３と多重量子井戸構造部２２との間に位置すると共に、ｎ型ドーパントを含む半導体層である。下部スペーサ層２１は、例えばＳｉがドープされたＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．３０）である。多重量子井戸構造部２２は、例えば井戸層であるＧａＡｓ層と、障壁層であるＡｌＧａＡｓ層とを交互に含む。上部スペーサ層２３は、ノンドープ半導体層と、ｐ型ドーパントを含む半導体層とを有する。ノンドープ半導体層は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．３０）である。ｐ型ドーパントを含む半導体層は、例えばＺｎ（亜鉛）を含むＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）である。ｐ型ドーパントは、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃ（炭素）、またはＺｎである。
【００２６】
電流狭窄層５は、半導体メサＭ内の活性層４に注入される電流（キャリア）を狭窄するための半導体層である。電流狭窄層５は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９８）から形成されており、高抵抗部３１及び低抵抗部３２を有する。高抵抗部３１は、方向Ｔから見て低抵抗部３２を囲うように設けられており、アルミニウム酸化物が形成されている部分である。低抵抗部３２は、高抵抗部３１よりも電気抵抗が低い部分であり、アルミニウム酸化物を含まない部分である。電流狭窄層５の厚さは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍである。電流狭窄層５においては、低抵抗部３２に電流が集中することによって、当該電流を狭窄する。
【００２７】
第２積層体６は、活性層４に対する上部分布ブラッグ反射器（上部ＤＢＲ）として機能する層状物であり、複数の半導体層を備えている。第２積層体６は、電流狭窄層５上に設けられており、例えば超格子層４１と、コンタクト層４２とを有する。超格子層４１及びコンタクト層４２は、電流狭窄層５上から方向Ｔに沿って順に積層されている。
【００２８】
超格子層４１は、ｐ型の半導体超格子層（ｐ型の第２半導体層）である。超格子層４１は、第１超格子層１１等と同様に、単位構造が積層されてなる超格子構造を有する。この単位構造は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．１２）と、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）とを含む。超格子層４１に含まれる単位構造の数は、例えば５０〜１００である。超格子層４１の厚さは、例えば３０００ｎｍ〜５０００ｎｍである。超格子層４１には、例えばＺｎがドープされる。コンタクト層４２は、半導体レーザ素子１において電極８に接する単層のｐ型半導体層である。コンタクト層４２は、例えばＺｎがドープされるＧａＡｓ層である。コンタクト層４２の厚さは、例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２９】
絶縁膜７は、半導体レーザ素子１内の半導体層に対する保護膜であり、例えば無機絶縁膜である。無機絶縁膜は、例えば酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜等である。絶縁膜７には、半導体メサＭ上に設けられる開口部７ａと、半導体メサＭとは離れて設けられる開口部７ｂとが設けられる。開口部７ａ，７ｂのそれぞれは、方向Ｔにおいて絶縁膜７を貫通するように設けられる。このため、開口部７ａを介してコンタクト層４２が露出し、開口部７ｂを介してコンタクト層１２の第１部分１２ａが露出する。開口部７ａ，７ｂは、それぞれ複数設けられているが、１つだけ設けられてもよい。半導体レーザ素子１が出射する光に対して高い反射率を絶縁膜７に備えさせる観点から、絶縁膜７の厚さは、２００ｎｍ〜５００ｎｍであってもよい。
【００３０】
電極８は、半導体メサＭ上に設けられており、且つ、開口部７ａに埋め込まれる導電層である。電極８は、開口部７ａを介してコンタクト層４２に接している。電極８は、例えばチタン層、白金層、金層を有する積層構造を有している。
【００３１】
電極９は、半導体メサＭとは離れて設けられており、且つ、開口部７ｂに埋め込まれる導電層である。電極９は、開口部７ｂを介してコンタクト層１２の第１部分１２ａに接している。電極９は、例えば金−ゲルマニウム−ニッケル合金層である。
【００３２】
図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ）〜（ｃ）、及び図４（ａ），（ｂ）を参照しながら、本実施形態に係る半導体レーザ素子１の製造方法について説明する。図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ）〜（ｃ）、及び図４（ａ），（ｂ）は、本実施形態に係る半導体レーザ素子１の製造方法を説明するための断面図である。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示されるエピタキシャルウェハ１００を準備する。エピタキシャルウェハ１００は、後に半導体基板２となるウェハ１０の主面１０ａ上に、ＶＣＳＥＬのための半導体積層部Ｓが形成されたものである。この工程では、ウェハ１０の主面１０ａ上に、後に第１積層体３になる半導体層１４、後に活性層４になる半導体層１５、後に電流狭窄層５になる半導体層１６、及び後に第２積層体６になる半導体層１７を有する半導体積層部Ｓを形成する。半導体層１４〜１７のそれぞれは、分子線エピタキシー成長法もしくは有機金属気相成長法によって、順にエピタキシャル成長する。続いてこの工程では、半導体積層部Ｓ上にレジストマスクＲを形成する。このレジストマスクＲは、図１に示された半導体メサＭと略同じ平面形状を有する。レジストマスクＲは、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて形成される。レジストマスクＲは、ウェハ１０上に複数設けられる。
【００３４】
次に、エピタキシャルウェハ１００の表面（半導体積層部Ｓ側の面）に対してプラズマエッチング（例えば反応性イオンエッチング）を行う。これにより、図２（ｂ）に示されるように、半導体層１４〜１７のうちレジストマスクＲに覆われていない部分が除去され、残存したコンタクト層１２の第１部分１２ａが露出すると共に、残存したコンタクト層１２の第２部分１２ｂを含む半導体メサＭが形成される。なお、この工程の詳細については後述する。この工程の後、例えば酸素プラズマまたは有機溶媒を用いてレジストマスクＲを除去する。
【００３５】
続いて、図３（ａ）に示されるように、半導体層１６の一部を酸化することにより、電流狭窄層５を形成する。この工程では、半導体層１６の外表面を水蒸気に曝すことによって、当該外表面側から半導体層１６を酸化させる。これによって、少なくとも外周面に位置する高抵抗部３１、及び高抵抗部３１に囲まれる低抵抗部３２を有する電流狭窄層５を形成する。
【００３６】
続いて、図３（ｂ）に示されるように、半導体メサＭを覆う絶縁膜７を形成する。この工程では、例えばプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜７を形成する。絶縁膜７の形成後、例えばドライエッチングによって、コンタクト層４２を露出する開口部７ａと、コンタクト層１２の第１部分１２ａを露出する開口部７ｂとを形成する。半導体レーザ素子１の生産性向上の観点から、開口部７ａ，７ｂは同時に形成されてもよい。
【００３７】
続いて、図３（ｃ）に示されるように、コンタクト層４２に接する電極８と、コンタクト層１２の第１部分１２ａに接する電極９とを形成する。この工程では、例えば開口部７ａに埋め込まれる電極８を形成した後、開口部７ｂに埋め込まれる電極９を形成する。
【００３８】
続いて、図４（ａ）に示されるように、ウェハ１０の薄型加工を行う。この工程では、例えばバックグラインダーもしくはラッピング装置等を用いて、ウェハ１０の裏面１０ｂ側を研磨する。ウェハ１０を薄型加工した後、例えばダイサー等を用いてウェハ１０を個片化してチップ状の半導体レーザ素子１を形成する。
【００３９】
続いて、図４（ｂ）に示されるように、半導体レーザ素子１を回路基板４３上に実装する。この工程では、接着剤等を用いて半導体レーザ素子１を回路基板４３にダイボンディングする。そして、電極８と回路基板４３上の電極４４とをボンディングワイヤＷ１によって電気的に接続する。同様に、電極９と回路基板４３上の電極４５とをボンディングワイヤＷ２によって電気的に接続する。
【００４０】
ここで、上述したエッチング工程（図２（ｂ））の詳細について説明する。上述したように、エッチング工程では、エピタキシャルウェハ１００の半導体積層部Ｓに対してプラズマエッチング（例えば反応性イオンエッチング）を行う。プラズマエッチングを行うと、プラズマによりエピタキシャルウェハ１００が加熱されウェハ温度が上昇する。エッチングマスクとしてレジストマスクＲを用いる場合、ウェハ温度が過度に上昇するとマスクが変質するので、ウェハ温度の上昇を抑える必要がある。そこで、ウェハ１０の裏面に例えば石英製のトレイを貼り付け、トレイを介したエピタキシャルウェハ１００の冷却をプラズマエッチングと並行して行うことにより、ウェハ温度の上昇を抑えることができる。
【００４１】
しかしながら、トレイとウェハ１０との貼り付けが十分でなく、トレイとウェハ１０との間に隙間が生じると、プラズマエッチングの際にウェハがトレイから剥がれてしまうおそれがある。この場合、ウェハ１０を十分に冷却することができなくなってしまうので、ウェハ１０の温度が過度に上昇し、レジストマスクＲが変質してエッチングマスクとして正常に機能しなくなる。
【００４２】
そこで、本実施形態では、トレイとウェハ１０との貼り付けが十分に行われていることを確認し、その後にプラズマエッチングを行う。図５は、本実施形態において用いられる貼り付け装置５０の構成を概略的に示す模式図である。図５に示されるように、貼り付け装置５０は、本体部５１と、上蓋５２と、Ｏリング５３，５４と、給気管５５と、排気管５６と、カメラ５７と、照明５８と、を備える。また、この貼り付け装置５０内には、構造体１８が収容される。構造体１８は、エピタキシャルウェハ１００、両面接着フィルム６１、圧力測定フィルム６２、両面接着フィルム６３、及びトレイ６０を有する。
【００４３】
トレイ６０は、平板状の透明な部材であって、例えば石英製である。トレイ６０は、互いに反対方向を向く平坦な一対の面６０ａ及び６０ｂを有する。一方の面６０ａは、ウェハ１０の裏面１０ｂと対向しており、両面接着フィルム６１、圧力測定フィルム６２、及び両面接着フィルム６３を介して裏面１０ｂに接着されている。面６０ａ及び６０ｂの面積は、ウェハ１０の裏面１０ｂの面積よりも十分に広い。
【００４４】
圧力測定フィルム６２は、圧力（内部応力）に応じて色が変化するフィルム状（薄膜状）の部材である。圧力測定フィルム６２としては、例えば富士フィルム製のプレスケール（登録商標）を用いることができる。プレスケールは、圧力がない状態では白色であり、所定の大きさ以上の圧力が加わると桃色に変色する。圧力測定フィルム６２の一方の面は、両面接着フィルム６１を介してトレイ６０の一方の面６０ａに接着されている。圧力測定フィルム６２の他方の面は、両面接着フィルム６３を介してウェハ１０の裏面１０ｂに接着されている。
【００４５】
図６は、両面接着フィルム６１，６３の断面構造を示す模式図である。両面接着フィルム６１，６３は、フィルム状の透明な基材７０と、基材７０の両面に設けられた接着層７１とを有する。基材７０は、例えばポリエステルといった樹脂製である。少なくとも両面接着フィルム６３のウェハ１０側の面に設けられた接着層７１は、熱剥離性接着材を含むことが好ましい。熱剥離性接着材とは、所定温度以上に加熱されることにより接着機能が著しく低下する接着材である。また、両面接着フィルム６１のトレイ６０側の面に設けられた接着層７１もまた、熱剥離性接着材を含んでもよい。或いは、両面接着フィルム６１，６３の両面に設けられた接着層７１のすべてが、熱剥離性接着材を含んでもよい。基材７０及び２つの接着層７１を含めた両面接着フィルム６１，６３の厚さは、例えば１００μｍである。両面接着フィルム６１，６３としては、例えば日東電工製のリバアルファ（登録商標）を用いることができる。
【００４６】
再び図５を参照する。本体部５１は、上述した構造体１８を収容する上部空間５１ｃと、カメラ５７及び照明５８を収容する下部空間５１ｄとを有する。上部空間５１ｃと下部空間５１ｄとは上下方向に連通しており、上部空間５１ｃと下部空間５１ｄとの境界周辺には段差面５１ａが設けられている。段差面５１ａは上方を向いており、トレイ６０は、他方の面６０ｂの周縁部が段差面５１ａと対向する状態で段差面５１ａ上に載置される。
【００４７】
上蓋５２は、本体部５１の上部空間５１ｃの上側の開口部を塞ぐ部材である。上蓋５２は、例えば平板状といった形状を有しており、その一方の面５２ａがＯリング５３を挟んで本体部５１の周縁部の上端と対向している。Ｏリング５３は、上蓋５２及び本体部５１の双方と接触する。これにより、本体部５１の上部空間５１ｃが気密に封止される。また、上蓋５２は、図示しないアクチュエータによって下降及び荷重の付与（図中の矢印Ａ１）が可能となっている。荷重の大きさは、例えば０．０１ＭＰａ〜０．４ＭＰａの間で可変である。
【００４８】
Ｏリング５４は、上蓋５２の一方の面５２ａとエピタキシャルウェハ１００の表面（半導体積層部Ｓ）の周縁部との間に挟まれ、これらの双方と接触する。Ｏリング５４は、上蓋５２とエピタキシャルウェハ１００との間に設けられる隙間を気密に封止する。
【００４９】
給気管５５は、上蓋５２を貫通して設けられ、上蓋５２とエピタキシャルウェハ１００との隙間に気体を導入する（図中の矢印Ａ２）。気体は、例えば窒素ガスである。気体の供給圧力は例えば０．３ＭＰａである。また、排気管５６は、Ｏリング５４の外部において本体部５１を貫通しており、上蓋５２とエピタキシャルウェハ１００との隙間の外側における上部空間５１ｃ内の排気を行う（図中の矢印Ａ３）。排気圧力は例えば−７０ｋＰａである。このＯリング５４の内外の圧力差、及び上蓋５２に付与される荷重Ａ１によって、エピタキシャルウェハ１００の表面（半導体積層部Ｓ側の面）とトレイ６０との間に押圧力を満遍なく付与し、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０との接着強度を、エピタキシャルウェハ１００の全域にわたって均等に高めることができる。
【００５０】
カメラ５７は、本体部５１の下部空間５１ｄの底面５１ｂ上に載置され、トレイ６０の他方の面６０ｂを介して圧力測定フィルム６２の色の変化を撮像する。カメラ５７は、圧力測定フィルム６２の変化色の波長に感度を有する。照明５８は、下部空間５１ｄ内に設けられ、下部空間５１ｄ内を照明する。照明５８が発する光は、例えば可視光である。照明５８からの光がカメラ５７の画像に写り込まないように、照明５８は、カメラ５７の側方に設けられた下部空間５１ｄの横穴５１ｅに収容される。
【００５１】
ここで、上述した貼り付け装置５０を用いてエピタキシャルウェハ１００とトレイ６０とを貼り付ける方法について説明する。図７は、この貼り付け方法を示すフローチャートである。まず、トレイ６０の一方の面６０ａに両面接着フィルム６１を貼り付ける（工程Ｓ１）。次に、両面接着フィルム６１上に圧力測定フィルム６２を貼り付ける（工程Ｓ２）。続いて、圧力測定フィルム６２上に両面接着フィルム６３を貼り付ける（工程Ｓ３）。なお、上記の工程Ｓ１〜Ｓ３においては、エピタキシャルウェハ１００を扱わないので、トレイ６０、両面接着フィルム６１、圧力測定フィルム６２、及び両面接着フィルム６３の相互間に押圧力を強く付与し、全域にわたって接着強度を十分に高めることができる。これにより、これらの間に生じる隙間は極力排除される。
【００５２】
続いて、両面接着フィルム６３上にエピタキシャルウェハ１００を載置する（工程Ｓ４）。このとき、強い押圧力を与えず、両面接着フィルム６３上にエピタキシャルウェハ１００を軽く載せるにとどめる。以上の工程Ｓ１〜Ｓ４は、本実施形態における構造体１８の準備工程である。こうして準備された構造体１８を、貼り付け装置５０の上部空間５１ｃに収容する。そして、貼り付け装置５０の上蓋５２の下降させ、荷重を付与する（工程Ｓ５）。
【００５３】
このとき、上蓋５２の荷重を増加させながら、カメラ５７から得られる画像を通じて、圧力測定フィルム６２の色の変化をトレイ６０の他方の面６０ｂ側から確認する（第１の確認工程、工程Ｓ６）。図８（ａ）〜図８（ｃ）は、工程Ｓ５における圧力測定フィルム６２の色の変化の例を示す図である。図中の領域Ｂは、圧力測定フィルム６２の色が変化した領域（以下、変色領域）を表す。図８（ａ）に示されるように、上蓋５２に荷重が付与されていない状態では、エピタキシャルウェハ１００に押圧力が全く加わらないので、圧力測定フィルム６２の色の変化はない。上蓋５２の荷重が次第に増加すると、Ｏリング５４からエピタキシャルウェハ１００の表面への押圧力が徐々に増す。これにより、図８（ｂ）に示されるように、圧力測定フィルム６２の一部に色の変化が生じる。
【００５４】
その後、エピタキシャルウェハ１００と上蓋５２との隙間を気密に封止できる程度に十分な荷重が上蓋５２に加えられると、図８（ｃ）に示されるように、Ｏリング５４に対向する圧力測定フィルム６２の領域の全周にわたって色が変化する。言い換えると、Ｏリング５４の形状が圧力測定フィルム６２の変色領域Ｂに転写される。このような色の変化を、カメラ５７から得られる画像を通じて確認することにより、エピタキシャルウェハ１００の反りが平坦化したこと、及びＯリング５４とエピタキシャルウェハ１００との接触圧が均等且つ十分であることを確認できる。Ｏリング５４の形状が圧力測定フィルム６２の変色領域Ｂに十分に転写されるまで上蓋５２の荷重を増大させ、十分に転写されたことを確認して上蓋５２を停止する。こうして、上部空間５１ｃの開口部が閉じられ、Ｏリング５３によって上部空間５１ｃが気密に封止されるとともに、Ｏリング５４によってエピタキシャルウェハ１００と上蓋５２との隙間が気密に封止される。
【００５５】
続いて、給気管５５を通じて上蓋５２とエピタキシャルウェハ１００との隙間への気体の導入を開始するとともに、排気管５６を通じて上部空間５１ｃの排気を開始する（工程Ｓ７）。これにより、エピタキシャルウェハ１００の表面とトレイ６０との間に押圧力が付与され始める。例えば、まず排気を１分間行い、その後、排気を継続しながら給気（加圧）を１分間行う。
【００５６】
続いて、カメラ５７から得られる画像を通じて、圧力測定フィルム６２の色の変化をトレイ６０の他方の面６０ｂ側から確認する（第２の確認工程、工程Ｓ８）。具体的には、Ｏリング５４の内側の面積に対する、圧力測定フィルム６２の色が変化した変色領域Ｂの面積の割合が所定割合（例えば８０％若しくは９０％）以上になったことを確認する。
【００５７】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、工程Ｓ８における圧力測定フィルム６２の色の変化の例を示す図である。図９（ａ）に示されるように、給気管５５及び排気管５６を通じた給排気が行われていない状態では、エピタキシャルウェハ１００に圧力差が加わらないので、圧力測定フィルム６２の色の変化はない。給気管５５及び排気管５６を通じた給排気が次第に行われると、Ｏリング５４の内外の圧力差によってエピタキシャルウェハ１００の表面に押圧力が付与され始める。これにより、図９（ｂ）に示されるように、Ｏリング５４の転写領域の内側における圧力測定フィルム６２の色がまだらに変化し始める。
【００５８】
その後、Ｏリング５４の内外の圧力差が十分に高まり、エピタキシャルウェハ１００の表面とトレイ６０との間の全域に押圧力が均等且つ十分に付与されると、図９（ｃ）に示されるように、Ｏリング５４の転写領域の内側における圧力測定フィルム６２の色が全体にわたって変化する。このような色の変化を、カメラ５７から得られる画像を通じて確認することにより、エピタキシャルウェハ１００の表面とトレイ６０との間に押圧力が満遍なく均等に付与されていることを確認できる。圧力測定フィルム６２の色が変化した変色領域Ｂの面積の割合が所定割合よりも小さい場合には、給気管５５からのガスの供給圧力、及び上蓋５２の荷重を調整することにより、変色領域Ｂの面積の割合を高める。変色領域Ｂの面積の割合が所定割合以上になったことを確認したのち、給気管５５及び排気管５６を通じた給排気を停止する（工程Ｓ９）。
【００５９】
図１０は、工程Ｓ８における、Ｏリング５４の内側の面積に対する変色領域Ｂの面積の割合の変化の一例を示すグラフである。図１０において、横軸は給排気時間を示し、縦軸は変色領域Ｂの面積割合を示す。図１０に示されるように、給気管５５及び排気管５６を通じた給排気を開始すると、変色領域Ｂの面積割合は時間経過とともに単調に上昇する。本実施形態では、変色領域Ｂの面積割合が所定割合に達した時間ｔ１に、給排気を停止する。なお、給排気を停止しない場合、変色領域Ｂの面積割合は１００％に漸近する。
【００６０】
上記の工程ののち、構造体１８を貼り付け装置５０から取り出す（工程Ｓ１０）。以上の工程Ｓ１〜Ｓ１０を経て、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０との貼り付け作業が完了する。
【００６１】
その後、エピタキシャルウェハ１００の表面に対してプラズマエッチングを行うことにより、半導体積層部Ｓの表面形状を加工する（エッチング工程）。図１１（ａ），図１１（ｂ）及び図１２（ａ），図１２（ｂ）は、エッチング工程を模式的に示す図である。
【００６２】
まず、図１１（ａ）に示されるように、構造体１８を準備する。構造体１８は、上述した方法によって作製される。次に、図１１（ｂ）に示されるように、プラズマエッチング装置８０の真空チャンバ８１内にエピタキシャルウェハ１００を収容する。プラズマエッチング装置８０は、例えば誘電結合プラズマ反応性イオンエッチング装置（ＩＣＰ−ＲＩＥ装置）であり、プラズマエッチングは、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）である。ＩＣＰパワーは例えば５０Ｗ〜１０００Ｗに設定され、ＢＩＡＳパワーは例えば５０Ｗ〜５００Ｗに設定される。プラズマエッチング装置８０は静電チャック８２を備えており、トレイ６０の面６０ｂは静電チャック８２によって支持される。また、静電チャック８２には冷却のための管が設けられており、チラーによって冷却された例えばＨｅガスといった冷却ガスＧが、この管を通ってトレイ６０の面６０ｂ側に吹き付けられる。トレイ６０が冷却されると、その熱がエピタキシャルウェハ１００に伝わり、エピタキシャルウェハ１００も冷却される。これにより、プラズマＰによる加熱を抑えてエピタキシャルウェハ１００の温度を例えば１００℃以下に保つことができる。冷却ガスＧの温度は例えば１０℃〜２０℃である。
【００６３】
続いて、真空チャンバ８１内にエッチングガスを供給する。エッチングガスは、塩素系ガスであり、例えばＢＣｌ３ガス、又はＢＣｌ３とＣｌ２との混合ガスである。真空チャンバ８１には、上記塩素系ガスに加えて不活性ガス（例えば、Ａｒガス）も供給される。真空チャンバ８１内に供給されるガスの合計流量は、例えば１００ｓｃｃｍである。塩素系ガスがＢＣｌ３ガスである場合、例えばＢＣｌ３ガスの流量は３０ｓｃｃｍに設定され、Ａｒガスの流量は７０ｓｃｃｍに設定される。塩素系ガスが上記混合ガスである場合、例えばＢＣｌ３ガスの流量は２０ｓｃｃｍに設定され、Ｃｌ２ガスの流量は１０ｓｃｃｍに設定され、Ａｒガスの流量は７０ｓｃｃｍに設定される。このとき、真空チャンバ８１内においてエッチングガスはプラズマ化し、プラズマＰ中のイオン種がエピタキシャルウェハ１００の表面（半導体積層部Ｓ）に衝突する。その際、イオンによるスパッタリングと、エッチングガスとの化学反応が同時に生じ、エピタキシャルウェハ１００の表面がエッチングされる。
【００６４】
続いて、真空チャンバ８１から構造体１８を取り出す。そして、圧力測定フィルム６２とエピタキシャルウェハ１００とを互いに分離する（分離工程）。例えば、両面接着フィルム６３のエピタキシャルウェハ１００側の接着層７１（図６参照）が熱剥離性接着材からなる場合、図１２（ａ）に示されるように、トレイ６０の面６０ｂにホットプレート７４を貼り付ける。ホットプレート７４によって構造体１８を加熱することにより、熱剥離性接着材を発泡させ、接着力（粘着力）を低減させてエピタキシャルウェハ１００と両面接着フィルム６３とを剥離させる。このとき、両面接着フィルム６３の圧力測定フィルム６２側の接着層７１、及び両面接着フィルム６１の両側の接着層７１のうち熱剥離性接着材からなるものについては、同時に発泡し、接着力が低減（粘着力）する。こうして、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０とが確実に分離される。ホットプレート７４の温度は例えば１５０℃である。その後、図１２（ｂ）に示されるように、エピタキシャルウェハ１００からレジストマスクＲを除去する。
【００６５】
以上に説明した、本実施形態による受発光デバイスの製造方法によって得られる効果について、比較例が有する課題と共に説明する。図１５は、比較例による貼り付け装置２００の構成を示す模式図である。図１５に示されるように、この貼り付け装置２００は、本体部５９と、上蓋５２と、Ｏリング５３，５４と、給気管５５と、排気管５６とを備える。本体部５９は、本実施形態の本体部５１（図５参照）とは異なり、下部空間５１ｄを有していない。また、この貼り付け装置５０内には、構造体１９が収容される。構造体１９は、エピタキシャルウェハ１００、両面接着フィルム６３、及びトレイ６０を有する。エピタキシャルウェハ１００の裏面１０ｂは、両面接着フィルム６３を介してトレイ６０に接着されている。この貼り付け装置２００では、本実施形態の貼り付け装置５０と同様に、給気管５５及び排気管５６による給排気を行うことでＯリング５４の内外に圧力差を生じさせ、エピタキシャルウェハ１００の表面とトレイ６０との間に押圧力を発生させる。この押圧力によって、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０とを、両面接着フィルム６３を介して十分に接着させる。
【００６６】
しかしながら、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との貼り付けが十分でなく、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との間に隙間が生じると、プラズマエッチングの際にこの隙間は真空となるので、この隙間によってトレイ６０とエピタキシャルウェハ１００とが断熱され、エピタキシャルウェハ１００を十分に冷却することができなくなってしまう。この場合、エピタキシャルウェハ１００の温度が過度に上昇し、レジストマスクＲが変質してエッチングマスクとして正常に機能しなくなるおそれがある。しかし、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との間に隙間が生じているか否かをエッチングの前に確認できないため、そのままエッチングを行うと、そのエピタキシャルウェハ１００が製造不良となり、歩留まりが低下してしまう。
【００６７】
このような問題に対し、本実施形態の製造方法では、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との間に圧力測定フィルム６２を介在させる。圧力測定フィルム６２では、圧力に応じて色が変化するので、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０との間に押圧力を付与する際に、押圧力が不十分な箇所（すなわちトレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との貼り付けが不十分な箇所）においては色が変化しないか、或いは色の変化が少なくなる。したがって、トレイ６０のエピタキシャルウェハ１００が貼り付けられた面６０ａとは反対側の面６０ｂから圧力測定フィルム６２の色の変化を確認することによって、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との貼り付けが全体にわたって十分であるか否かを容易に確認することができる。故に、本実施形態の製造方法によれば、プラズマエッチングの際にトレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との貼り付けが不十分となることを抑制し、プラズマＰからの加熱によってエピタキシャルウェハ１００の温度が過度に上昇することを抑制できる。従って、歩留まりを向上することができる。
【００６８】
図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との間に隙間が生じる原因を説明する図である。図１６（ａ）は、ウェハ１０の反りを表している。通常、ウェハ１０は例えば５μｍ〜５０μｍの反りＣを有する。反りＣの大きさは、複数のウェハ１０毎にばらつき、一定ではない。この反りＣによって、ウェハ１０の外周部分とトレイ６０とが貼り付きにくくなり、隙間が生じ易くなる。本実施形態の製造方法では、Ｏリング５４の形状が変色領域Ｂに転写されたことを確認することにより（図８（ｃ））、反りＣが平坦化されことを確認できる。また、反りＣが平坦化されていない場合には、上蓋５２の荷重を増加することにより、反りＣを平坦に近づけることができる。
【００６９】
また、図１６（ｂ）は、両面接着フィルム６３を拡大して示す図である。通常、基材７０の両面は厳密には平坦ではなく、両面に設けられる接着層７１の厚さも均一ではない。従って、両面接着フィルム６３には厚さｔのばらつきが存在する。例えば、厚みｔの設計値が例えば１００μｍである場合、±５μｍ程度のばらつきが存在する。このような両面接着フィルム６３の厚さｔのばらつきが、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との間の気泡の原因となる。また、図１６（ｃ）は、トレイ６０の表面を拡大して示す図である。トレイ６０が例えば石英製である場合、研削によって平坦な面６０ａを削り出すが、研削の際にうねりが生じる。うねりの山と谷との高低差ｈは例えば最大５０μｍである。このようなトレイ６０の面６０ａのうねりによって、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との間に気泡が入り込み、隙間が生じることとなる。本実施形態の製造方法では、Ｏリング５４の内側の略全体に変色領域Ｂが拡がったことを確認することにより（図９（ｃ））、隙間の空気が抜けたことを確認できる。また、隙間が残っている場合には、給気管５５からのガスの供給圧力を増加することにより、隙間の空気を更に抜くことができる。
【００７０】
また、本実施形態の製造方法によれば、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０との間の異物の挟み込みを検知することもできる。エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０との間の異物が挟み込まれると、貼り付け装置５０の加圧時にエピタキシャルウェハ１００が割れるおそれがある。そこで、減圧時に変色領域Ｂの分布に基づいて異物の挟み込みを検知し、異物を除去してエピタキシャルウェハ１００とトレイ６０とを貼り直すことにより、エピタキシャルウェハ１００の割れを低減し、歩留まりを更に向上することができる。
【００７１】
また、本実施形態のように、圧力測定フィルム６２の色の変化を確認する工程において、圧力測定フィルム６２の色が変化した変色領域Ｂの面積の割合が所定割合（例えば８０％若しくは９０％）以上になったことを確認してもよい。これにより、トレイ６０とエピタキシャルウェハ１００との貼り付けが全体にわたって十分であるか否かの判断を複数のエピタキシャルウェハ１００に対して均等に行うことができる。また、圧力測定フィルム６２の色の変化を、カメラ５７により撮像して得られた画像に基づいてコンピュータ等が画像解析を行うことにより自動的に判断することも可能となる。
【００７２】
また、本実施形態のように、構造体１８を準備する工程において、少なくともエピタキシャルウェハ１００側の面に熱剥離性接着材を有する両面接着フィルム６３を介してエピタキシャルウェハ１００と圧力測定フィルム６２とを互いに接着してもよい。これにより、プラズマエッチングの後、圧力測定フィルム６２及びトレイ６０とエピタキシャルウェハ１００とを容易に分離することができる。
【００７３】
また、本実施形態のように、構造体１８を準備する工程において、少なくともトレイ６０側の面に熱剥離性接着材を有する別の両面接着フィルム６１を介して圧力測定フィルム６２とトレイ６０とを互いに接着してもよい。これにより、プラズマエッチングの後、エピタキシャルウェハ１００とトレイ６０とをより確実に分離することができる。
【００７４】
また、本実施形態のように、受発光デバイスはＶＣＳＥＬであってもよい。ＶＣＳＥＬを製造する際には、フッ酸よるウェット処理やフルオロカーボン系ガスによるドライエッチングの処理が困難なので、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜をエッチングマスクとして使えない。そのため、エッチングマスクとしてレジストマスクＲが用いられる。したがって、ＶＣＳＥＬを製造する際に、本実施形態の製造方法は特に有効である。
【００７５】
（変形例）
ここで、上記実施形態の一変形例について説明する。図１３（ａ）〜図１３（ｃ）及び図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、本変形例における貼り付け工程での圧力測定フィルム６２の変色領域Ｂの変化を示す図であって、上記実施形態の図８（ａ）〜図８（ｃ）及び図９（ａ）〜図９（ｃ）に対応する。本変形例では、複数（例えば３つ）のエピタキシャルウェハ１００をトレイ６０の面６０ａ上に並べ、これらのエピタキシャルウェハ１００を同時にトレイ６０に貼り付ける。この場合、貼り付け装置５０のＯリング５４はエピタキシャルウェハ１００の枚数分だけ設けられる。このような形態であっても、上記実施形態の効果を同様に奏することができる。
【００７６】
本発明による受発光デバイスの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では受発光デバイスとしてＶＣＳＥＬを例示したが、本発明による製造方法が適用される受発光デバイスは、ＶＣＳＥＬ以外の半導体レーザ素子であってもよく、また、半導体レーザ素子以外の種々の受発光デバイスであってもよい。また、上記実施形態ではウェハとトレイとを貼り付ける手段として熱剥離性の接着材を例示したが、他の様々な接着材を用いてもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１…半導体レーザ素子、２…半導体基板、２ａ…表面、４…活性層、５…電流狭窄層、７…絶縁膜、７ａ，７ｂ…開口部、８，９…電極、１０…ウェハ、１０ａ…主面、１０ｂ…裏面、１２…コンタクト層、１４〜１７…半導体層、１８，１９…構造体、２１…下部スペーサ層、２２…多重量子井戸構造部、２３…上部スペーサ層、３１…高抵抗部、３２…低抵抗部、４１…超格子層、４２…コンタクト層、４３…回路基板、４４，４５…電極、５０…貼り付け装置、５１，５９…本体部、５１ａ…段差面、５１ｂ…底面、５１ｃ…上部空間、５１ｄ…下部空間、５１ｅ…横穴、５２…上蓋、５３，５４…Ｏリング、５５…給気管、５６…排気管、５７…カメラ、５８…照明、６０…トレイ、６１，６３…両面接着フィルム、６２…圧力測定フィルム、７０…基材、７１…接着層、７４…ホットプレート、８０…プラズマエッチング装置、８１…真空チャンバ、８２…静電チャック、１００…エピタキシャルウェハ、Ｂ…変色領域、Ｇ…冷却ガス、Ｍ…半導体メサ、Ｐ…プラズマ、Ｒ…レジストマスク、Ｓ…半導体積層部、Ｗ１，Ｗ２…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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