(57)【要約】【課題】配線パターン等の影響によるミラークランプ回路の誤動作を抑制し、ひいては、インバータを安定して動作させる。【解決手段】実施形態のインバータ用ゲート駆動回路は、インバータを構成しているゲート端子を有するスイッチングトランジスタの駆動を行うインバータ用ゲート駆動回路であって、インバータに設けられゲート端子に接続された駆動信号入力端子に電気的に接続可能な第１端子と、インバータに設けられゲート端子に接続された検出用端子に電気的に接続可能な第２端子と、実効的に電流が流れ込まない高入力インピーダンスの入力端子を介して第２端子に接続され、第１端子を介してゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されている場合、かつ、第２端子の電圧が所定のクランプ基準電圧以下となった場合に、前記ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インバータを構成しているゲート端子を有するスイッチングトランジスタの駆動を行うインバータ用ゲート駆動回路であって、
前記ゲート端子に電気的に接続可能な第１端子と、
前記ゲート端子に電気的に接続可能な第２端子と、
入力端子を介して前記第２端子に接続され、前記第１端子を介して前記ゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されている場合、かつ、前記第２端子の電圧が所定のクランプ基準電圧以下となった場合に、前記ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路と、
を備えたインバータ用ゲート駆動回路。
【請求項２】
前記ミラークランプ回路は、前記高入力インピーダンスの入力端子としての非反転入力端子と、前記クランプ基準電圧が印加された反転入力端子と、を有し、前記第２端子の電圧と前記クランプ基準電圧とを比較し、比較結果信号を出力するコンパレータと、
前記非反転入力端子と低電位側電源ラインとの間に接続された短絡用スイッチと、
前記比較結果信号に基づいて前記短絡用スイッチを閉状態として前記ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするように制御するロジック回路と、
を備えた請求項１記載のインバータ用ゲート駆動回路。
【請求項３】
それぞれゲート端子を有するスイッチングトランジスタを複数備え、複数の前記スイッチングトランジスタによりレグを構成したインバータを制御するための車載用電子制御装置であって、
それぞれの前記スイッチングトランジスタに対応する複数のインバータ用ゲート駆動回路と、
複数のインバータ用ゲート駆動回路を制御するインバータ制御装置と、を備え、
前記インバータ用ゲート駆動回路は、前記インバータに設けられ前記ゲート端子に接続された駆動信号入力端子に電気的に接続可能な第１端子と、
前記インバータに設けられ前記ゲート端子に接続された電圧検出用端子に電気的に接続可能な第２端子と、
前記第２端子に高入力インピーダンスの入力端子を介して接続され、前記第１端子を介して前記ゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されている場合、かつ、前記第２端子の電圧が所定のクランプ基準電圧以下となった場合に、前記ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路と、
を備える車載用電子制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インバータ用ゲート駆動回路及び車載用電子制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力変換装置であるインバータ用パワーモジュールを構成しているIＧＢＴ等のパワートランジスタを駆動するインバータ用ゲート駆動回路においては、パワートランジスタがターンオフ（“Ｈ”→“Ｌ”）する時に、ドレイン−ゲート間の寄生容量により寄生ターンオン（セルフターンオン）が生じる虞があった。
【０００３】
このため、パワートランジスタのゲート電圧を監視し、パワートランジスタの誤動作を防止するためのミラークランプ回路を設け、パワートランジスタのゲートとソースを短絡させ、ゲート電圧の持ち上がりを抑制し寄生ターンオン（セルフターンオン）を防止する構成を採っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１７４０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、パワートランジスタのゲートを駆動するゲート駆動回路とパワートランジスタのゲートとの間の配線インピーダンス及び寄生インダクタンスにより一時的に大きな電圧降下が発生し、ミラークランプ回路の動作基準電圧を下回る電圧となり、ミラークランプ回路の誤動作が発生することとなる。
このようにミラークランプ回路が誤動作した場合には、パワートランジスタのゲート電圧が急峻に立ち下がるため、インバータの出力電流が急激に変化し、発生するサージ電圧が大きくなる虞がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、配線パターン等の影響によるミラークランプ回路の誤動作を抑制し、ひいては、インバータを安定して動作させることが可能なインバータ用ゲート駆動回路及び車載用電子制御装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のインバータ用ゲート駆動回路は、インバータを構成しているゲート端子を有するスイッチングトランジスタの駆動を行うインバータ用ゲート駆動回路であって、インバータに設けられゲート端子に接続された駆動信号入力端子に電気的に接続可能な第１端子と、インバータに設けられゲート端子に接続された検出用端子に電気的に接続可能な第２端子と、実効的に電流が流れ込まない高入力インピーダンスの入力端子を介して第２端子に接続され、第１端子を介してゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されており、かつ、第２端子の電圧が所定のクランプ基準電圧以下となった場合に、前記ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路と、を備える。
【０００８】
実施形態の車載用電子制御装置は、それぞれゲート端子を有するスイッチングトランジスタを複数備え、複数のスイッチングトランジスタによりレグを構成したインバータを制御するための車載用電子制御装置であって、それぞれのスイッチングトランジスタに対応する複数のインバータ用ゲート駆動回路と、複数のインバータ用ゲート駆動回路を制御するインバータ制御装置と、を備え、インバータ用ゲート駆動回路は、インバータに設けられゲート端子に接続された駆動信号入力端子に電気的に接続可能な第１端子と、インバータに設けられゲート端子に接続された電圧検出用端子に電気的に接続可能な第２端子と、第２端子に高入力インピーダンスの入力端子を介して接続され、第１端子を介してゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されており、かつ、第２端子の電圧が所定のクランプ基準電圧以下となった場合に、ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成によれば、配線パターン等の影響によるゲート端子の電圧検出誤差に起因するミラークランプ回路の誤動作を抑制し、ひいては、インバータを安定して動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、モータ駆動システムの概要構成ブロック図である。
【図２】図２は、ゲート駆動回路の概要構成ブロック図である。
【図３】図３は、従来技術の説明図である。
【図４】図４は、コンパレータに印加されるミラークランプ電圧の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に図面を参照して、インバータ用ゲート駆動回路及び車載用電子制御装置の実施形態を詳細に説明する。
本実施形態は、車両用電子制御装置として、インバータ駆動ユニット（インバータ駆動用ＥＣＵ（Electronic  Control  Unit））に適用した例について説明するが、他の車載用電子制御装置に適用しても良い。
【００１２】
以下においては、車両に搭載される三相交流モータ（回転電機）を駆動制御するためのインバータに用いられるパワートランジスタのサージ電圧を抑制する実施形態を例として説明する。
【００１３】
図１は、モータ駆動システムの概要構成ブロック図である。
モータ駆動システム１０は、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両の駆動源となる三相交流モータＭを駆動するためのシステムであり、大別すると、バッテリ１１と、平滑コンデンサ１２と、インバータ１３と、インバータ駆動ユニット１４と、電流センサユニット１５と、回転センサ１６と、を備えている。
【００１４】
上記構成において、バッテリ１１は、電圧２００〜４００［Ｖ］の高圧バッテリであり、例えば、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池等の二次電池（充電池）や、電気二重層キャパシタ等が用いられる。
【００１５】
平滑コンデンサ１２は、高電位側電源ラインＬＨと低電位側電源ラインＬＬとの間の電圧を平滑化し、モータＭの消費電力の変動（回転数の変動）に応じて変動する直流電圧を安定化させるものである。
【００１６】
インバータ１３は、Ｕ相上アームを構成しコレクタ端子が高電位側電源ラインＬＨに接続されたパワートランジスタ１３ＵＨと、Ｕ相下アームを構成しコレクタ端子がパワートランジスタ１３ＵＨのエミッタ端子に接続され、エミッタ端子が低電位側電源ラインＬＬに接続されたパワートランジスタ１３ＵＬとを備えている。
【００１７】
また、インバータ１３は、Ｖ相上アームを構成しコレクタ端子が高電位側電源ラインＬＨに接続されたパワートランジスタ１３ＶＨと、Ｖ相下アームを構成しコレクタ端子がパワートランジスタ１３ＶＨのエミッタ端子に接続され、エミッタ端子が低電位側電源ラインＬＬに接続されたパワートランジスタ１３ＶＬとを備えている。
【００１８】
さらにインバータ１３は、直流−交流（本実施形態では三相交流）変換を行う電力変換装置であり、Ｗ相上アームを構成しコレクタ端子が高電位側電源ラインＬＨに接続されたパワートランジスタ１３ＷＨと、Ｗ相下アームを構成しコレクタ端子がパワートランジスタ１３ＷＨのエミッタ端子に接続され、エミッタ端子が低電位側電源ラインＬＬに接続されたパワートランジスタ１３ＷＬとを備えている。
【００１９】
この場合において、パワートランジスタ１３ＵＨ、１３ＵＬ、１３ＶＨ、１３ＶＬ、１３ＷＨ、１３ＷＬとしては、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide - Metal Oxide Semiconductor FET）、ＳｉＣ−ＳＩＴ（SiC - Static Induction Transistor）等が適用可能である（図１の例では、ＩＧＢＴ）。
【００２０】
インバータ駆動ユニット１４は、複数のゲート駆動回路２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬを備えたゲート駆動ユニット２１と、車両ＥＣＵ３０の制御下でゲート駆動ユニット２１を制御して実行的にインバータ１３を制御するインバータ制御装置２２と、を備えている。
ゲート駆動回路２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬの構成については、後に詳述する。
【００２１】
電流センサユニット１５は、Ｕ相の電流を検出するＵ相電流センサ１５Ｕと、Ｖ相の電流を検出するＶ相電流センサ１５Ｖと、Ｗ相の電流を検出するＷ相電流センサ１５Ｗと、を備えている。なお、本実施形態では、三つの電流センサを用いているがいずれか二つの相にそれぞれ電流センサを設け、それらの差分により他の電流センサを設けていない相の電流を検出するように構成することも可能である。
【００２２】
回転センサ１６は、三相交流モータＭのステータとロータとのリアクタンス変化を検出して回転数（回転角）を検出するレゾルバ等が用いられる。
【００２３】
次にゲート駆動回路２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬについて説明する。この場合において、ゲート駆動回路２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬは同様の構成となっているので、ゲート駆動回路２１ＵＬを例として説明する。
【００２４】
図２は、ゲート駆動回路の概要構成ブロック図である。
ゲート駆動回路２１ＵＬは、大別すると、スイッチング部４０と、スイッチングコントロール部５０と、備えている。
【００２５】
スイッチング部４０は、ゲート駆動用電源（高電位側）に一端が接続された第１電流制限抵抗４１と、スイッチングコントロール部５０の出力端子ＯＵＴから出力されたスイッチング制御信号ＳＣがベース端子に入力され、高電位側電流制限抵抗４１の他端にコレクタ端子が接続されて上アームを構成している第１スイッチングトランジスタ４２と、スイッチングコントロール部５１の出力端子ＯＵＴから出力されたスイッチング制御信号ＳＣがベース端子に入力され、第１スイッチングトランジスタ４２のエミッタ端子にコレクタ端子が接続されて下アームを構成している第２スイッチングトランジスタ４３と、第２スイッチングトランジスタ４３のエミッタ端子に一端が接続され、他端がグランド（低電位側）に接続された第２電流制限抵抗４４と、を備えている。
【００２６】
スイッチングコントロール部５０は、集積回路（ＩＣ）として構成されており、大別するとコンパレータ５１と、ロジック回路５２と、スイッチングトランジスタ５３と、を備えている。
【００２７】
コンパレータ５１は、非反転入力端子に、インバータ１３を構成しているパワートランジスタ１３ＵＬのゲート電圧（信号）がクランプ電圧入力端子ＣＬＡＭＰ、ゲート電圧検出用端子Ｔ１２、Ｔ２２を介して印加され、反転入力端子にクランプ基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。
【００２８】
ロジック回路５２は、非反転入力端子に印加されたゲート電圧がクランプ基準電圧Ｖｒｅｆを下回った場合に、スイッチングトランジスタ５３をオン状態（閉状態）として、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子をグランドに短絡する（クランプする：当該パワートランジスタのゲート端子の電位レベルを低電位側電位レベルに固定する）ように制御を行う。
【００２９】
上記構成において、コンパレータ５１、ロジック回路５２及びスイッチングトランジスタ５３は、共働して、ミラークランプ動作を行うミラークランプ回路として機能する。
【００３０】
次に実施形態の動作を説明する。
まず、実施形態の動作説明に先立ち、従来技術の問題点について説明する。
図３は、従来技術の説明図である。
図３において、図２と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
【００３１】
図３に示すように、ゲート駆動ユニット２１にインバータ１３を電気的に接続した場合、ゲート駆動ユニット２１のゲート駆動出力端子Ｔ１１と、第１スイッチングトランジスタ４２のエミッタ端子−第２スイッチングトランジスタ４３のコレクタ端子の接続点と、の間には、配線パターンあるいは配線部材により寄生インダクタンスＰＬ１（＝第１寄生インダクタンス）が存在する。
【００３２】
同様に、ゲート駆動ユニット２１のゲート駆動出力端子Ｔ１１とインバータ１３のゲート駆動入力端子Ｔ２１との間には、配線部材により寄生インダクタンスＰＬ２が存在する。
【００３３】
さらに、インバータ１３のゲート駆動入力端子Ｔ２１とパワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子との間には、配線パターンあるいは配線部材により寄生インダクタンスＰＬ３が存在する。
【００３４】
したがって、コンパレータ５１の非反転入力端子を、図３に示すように、第１スイッチングトランジスタ４２のエミッタ端子−第２スイッチングトランジスタ４３のコレクタ端子の接続点に接続した場合、スイッチングコントロール部５０が第１スイッチングトランジスタ４２をオフ状態（開状態）とし、さらに第２スイッチングトランジスタ４３をオン状態（閉状態）とした場合には、パワートランジスタ１３ＵＬが接続された高電位側電源から、高電位側寄生容量ＣＰ−Ｕ→寄生インダクタンスＰＬ３→寄生インダクタンスＰＬ２→寄生インダクタＰＬ１→第２スイッチングトランジスタ４３のエミッタ端子→第２スイッチングトランジスタ４３のコレクタ端子→第２電流制限抵抗４４を介してグランドに電流が流れ込むこととなる。
【００３５】
この結果、寄生インダクタＰＬ１〜ＰＬ３に起因する電圧降下により、コンパレータ５１の非反転入力端子に印加される電圧は、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート電圧よりも降下した電圧となる。
【００３６】
図４は、コンパレータに印加されるミラークランプ電圧の説明図である。
図４（ｂ）に示すように、図３の接続状態では、寄生インダクタＰＬ１〜ＰＬ３に起因する電圧降下により、コンパレータ５１の非反転入力端子に印加される電圧は、時刻ｔ１において、コンパレータ５１のクランプ基準電圧Ｖｒｅｆを下回り、コンパレータ５１の出力信号は、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することとなる。
【００３７】
これにより、その後すぐにコンパレータ５１の非反転入力端子に印加される電圧が再びコンパレータ５１のクランプ基準電圧Ｖｒｅｆを上回ることとなるにもかかわらず、ロジック回路５２は、スイッチングトランジスタ５３をオン状態（閉状態）として、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子をグランドに短絡するように制御を行うこととなる。
【００３８】
したがって、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子の電圧が急峻に立ち下がることとなるため、インバータ１３の出力側の単位時間当たりの電流変化が大きくなり、パワートランジスタ１３ＵＬのサージ電圧が大きくなる可能性があった。
【００３９】
ここで、再び図２に戻って実施形態の動作を説明する。
本実施形態においては、コンパレータ５１は、非反転入力端子に、インバータ１３を構成しているパワートランジスタ１３ＵＬのゲート電圧（信号）がクランプ電圧入力端子ＣＬＡＭＰ、ゲート電圧検出用端子Ｔ１２、Ｔ２２を介して印加され、反転入力端子にクランプ基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。
【００４０】
この場合において、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子からゲート電圧検出用端子Ｔ１２、Ｔ２２を介してコンパレータ５１の非反転入力端子に到る経路は、コンパレータ５１を構成しているオペアンプの高入力インピーダンスに起因して電流が流れることはない。
【００４１】
したがって、図４（ａ）に示すように、スイッチングコントロール部５０が第１スイッチングトランジスタ４２をオフ状態（開状態）とし、さらに第２スイッチングトランジスタ４３をオン状態（閉状態）とした場合（すなわち、スイッチングコントロール部５０がゲート端子の電位を“Ｈ”レベル［高電位側レベル］から“Ｌ”レベル［低電位側電位レベル］に遷移させる駆動信号を出力した場合）であっても、コンパレータ５１の非反転入力端子に印加される電圧は、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子の電圧波形とほぼ同様となる。
【００４２】
したがって、ロジック回路５２がスイッチングトランジスタ５３をオン状態（閉状態）として、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子をグランドに短絡する（クランプする：当該パワートランジスタのゲート端子の電位レベルを低電位側電位レベルに固定する）ように制御を行うのは、実際にミラークランプ回路を動作させるべき時刻ｔ２のみとなり、パワートランジスタ１３ＵＬのゲート端子の電圧が急峻に立ち下がることはない。
【００４３】
すなわち、インバータ１３の出力側の単位時間当たりの電流変化も小さくなり、パワートランジスタ１３ＵＬのサージ電圧が小さくなって確実に所定のミラークランプ動作を行わせることができ、ミラークランプ回路としての高い信頼性を維持することが可能となる。
【００４４】
また、不要な電流を流すこともなく、消費電力を抑制し、長期にわたって信頼性を維持することが可能となる。
【００４５】
以上の説明のように、本実施形態によれば、寄生インピーダンスあるいは寄生インダクタンスの影響を受けることなく、インバータのアーム（レグ）を構成しているパワー他トランジスタのゲート電圧を検出して、正しいミラークランプ動作を行わせることが可能となる。
【００４６】
以上の説明においては、パワートランジスタ１３ＵＬを例として説明したが、パワートランジスタ１３ＵＨにおいては、図２及び図３に括弧書きで示すように、上記説明における高電位側電源ラインである中間電源ラインＬＵを高電位側電源ラインＬＨに読み替え、低電位側電源ラインＬＬ（グランド）を低電位側電源ラインとして機能する中間電源ラインＬＵに読み替えることにより適用が可能である。
同様にパワートランジスタ１３ＶＬにおいては、上記説明における高電位側電源ラインである中間電源ラインＬＵを低電位側電源ラインとして機能する中間電源ラインＬＶに読み替えることにより適用が可能である。
また、パワートランジスタ１３ＶＨにおいては、上記説明における高電位側電源ラインである中間電源ラインＬＵを高電位側電源ラインＬＨに読み替え、低電位側電源ラインＬＬ（グランド）を低電位側電源ラインとして機能する中間電源ラインＬＶに読み替えることにより適用が可能である。
【００４７】
また、パワートランジスタ１３ＷＬにおいては、上記説明における高電位側電源ラインである中間電源ラインＬＵを低電位側電源ラインとして機能する中間電源ラインＬＷに読み替えることにより適用が可能である。
また、パワートランジスタ１３ＷＨにおいては、上記説明における高電位側電源ラインである中間電源ラインＬＵを高電位側電源ラインＬＨに読み替え、低電位側電源ラインＬＬ（グランド）を低電位側電源ラインとして機能する中間電源ラインＬＷに読み替えることにより適用が可能である。
【００４８】
以上においては、車両に搭載される三相交流モータ（回転電機）を駆動制御するためのインバータに用いられるパワートランジスタのサージ電圧を抑制する実施形態について説明したが、これに限らず、他の用途に適用されるインバータ用ゲート駆動回路に適用することが可能である。
この場合において、インバータとしては、マルチレベルインバータについても各アームを構成しているパワートランジスタのそれぞれについて同様に適用が可能である。
【００４９】
以上の説明においては、第１スイッチングトランジスタ４２及び第２スイッチングトランジスタとして、バイポーラトランジスタを用いていたが、第１スイッチングトランジスタ４２及び第２スイッチングトランジスタとしてパワーＭＯＳトランジスタを用いることも可能である。
【００５０】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００５１】
また、本実施形態のインバータ用ゲート駆動回路は、少なくとも以下の構成を備える。
本実施形態のインバータ用ゲート駆動回路は、インバータを構成しているゲート端子を有するスイッチングトランジスタ（１３ＵＨ、１３ＵＬ、１３ＶＨ、１３ＶＬ、１３ＷＨ、１３ＷＬ）の駆動を行うインバータ用ゲート駆動回路（２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬ）であって、ゲート端子に電気的に接続可能な第１端子（Ｔ１１）と、ゲート端子に電気的に接続可能な第２端子（Ｔ１２）と、入力端子を介して前記第２端子（Ｔ１２）に接続され、第１端子（Ｔ１１）を介して前記ゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されている場合、かつ、第２端子（Ｔ１２）の電圧が所定のクランプ基準電圧（Ｖｒｅｆ）以下となった場合に、ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路（５１，５２，５３）と、を備える。
この構成によれば、配線パターン等の影響によるミラークランプ回路の誤動作を抑制し、ひいては、インバータを安定して動作させることができる。
【００５２】
また、ミラークランプ回路（５１，５２，５３）は、（高入力インピーダンスの）入力端子としての非反転入力端子と、前記クランプ基準電圧が印加された反転入力端子と、を有し、前記第２端子の電圧と前記クランプ基準電圧とを比較し、比較結果信号を出力するコンパレータ（５１）と、非反転入力端子と低電位側電源ライン（ＬＬ、ＬＵ、ＬＶ、ＬＷ）との間に接続された短絡用スイッチ（５３）と、比較結果信号に基づいて前記短絡用スイッチ（５３）を閉状態として前記ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするように制御するロジック回路（５２）と、を備えるのが好ましい。
この構成によれば、サージ電圧が大きくなっても、実効的には、サージ電圧が小さい場合と同様に処理が行え、配線パターン等の影響によるミラークランプ回路の誤動作を抑制し、ひいては、インバータを安定して動作させることができる。
【００５３】
それぞれゲート端子を有するスイッチングトランジスタ（１３ＵＨ、１３ＵＬ、１３ＶＨ、１３ＶＬ、１３ＷＨ、１３ＷＬ）を複数備え、複数の前記スイッチングトランジスタ（１３ＵＨ、１３ＵＬ、１３ＶＨ、１３ＶＬ、１３ＷＨ、１３ＷＬ）によりレグを構成したインバータ（１３）を制御するための車載用電子制御装置（１４）であって、それぞれの前記スイッチングトランジスタ（１３ＵＨ、１３ＵＬ、１３ＶＨ、１３ＶＬ、１３ＷＨ、１３ＷＬ）に対応する複数のインバータ用ゲート駆動回路（２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬ）と、複数のインバータ用ゲート駆動回路（２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬ）を制御するインバータ制御装置（２２）と、を備え、インバータ用ゲート駆動回路（２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬ）は、前記インバータ（１３）に設けられゲート端子に接続された駆動信号入力端子（Ｔ２１）に電気的に接続可能な第１端子（Ｔ１１）と、インバータ（１３）に設けられゲート端子に接続された電圧検出用端子（Ｔ２２）に電気的に接続可能な第２端子（Ｔ１２）と、第２端子（Ｔ１２）に高入力インピーダンスの入力端子を介して接続され、第１端子（Ｔ１１）を介してゲート端子の電位を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させる駆動信号が出力されている場合、かつ、第２端子（Ｔ１２）の電圧が所定のクランプ基準電圧（Ｖｒｅｆ）以下となった場合に、ゲート端子の電位レベルを“Ｌ”レベルにクランプするミラークランプ回路（５１，５２，５３）と、を備える。
この構成によれば、車載用電子制御装置は、配線パターン等の影響によるミラークランプ回路の誤動作を抑制し、ひいては、インバータを安定して動作させることができる。
【符号の説明】
【００５４】
２１ＵＨ、２１ＵＬ、２１ＶＨ、２１ＶＬ、２１ＷＨ、２１ＷＬ…ゲート駆動回路、４０…スイッチング部、５０…スイッチングコントロール部、５１…コンパレータ、５２…ロジック回路、５３…スイッチングトランジスタ、Ｔ１１…（第１端子）、Ｔ１２…（第２端子）。
【図１】
2019146353.tif 000003
【図２】
2019146353.tif 000004
【図３】
2019146353.tif 000005
【図４】
2019146353.tif 000006