(57)【要約】【課題】低熱膨張率の基板をコア基材として用いつつ、端面における不具合の発生を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、表面と裏面とを有し、低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、低熱膨張率基板及び絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、を備える配線基板である。低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。絶縁樹脂層は、他の領域よりも平均厚みが小さい薄肉化領域を有する。薄肉化領域は、絶縁樹脂層の端部を含む。また、薄肉化領域における絶縁樹脂層の平均厚みは、低熱膨張率基板の平均厚みの２％以上３０％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、
表面と裏面とを有し、前記低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、
前記低熱膨張率基板及び前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、
を備え、
前記低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成され、
前記絶縁樹脂層は、他の領域よりも平均厚みが小さい薄肉化領域を有し、
前記薄肉化領域は、前記絶縁樹脂層の端部を含み、
前記薄肉化領域における前記絶縁樹脂層の平均厚みは、前記低熱膨張率基板の平均厚みの２％以上３０％以下である、配線基板。
【請求項２】
表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、
表面と裏面とを有し、前記低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、
前記低熱膨張率基板及び前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、
を備え、
前記低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成され、
前記絶縁樹脂層は、他の領域よりも平均厚みが小さい薄肉化領域を有し、
前記薄肉化領域は、前記絶縁樹脂層の端部を含み、
前記薄肉化領域における前記絶縁樹脂層の平均厚みは、３μｍ以上、３０μｍ未満である、配線基板。
【請求項３】
前記薄肉化領域は、前記低熱膨張率基板の表面における端部から内側に向かって前記絶縁樹脂層の厚みが一定となる平坦領域を含む、請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記薄肉化領域における前記絶縁樹脂層の他の領域との接続部分は、前記他の領域に向かって厚みが連続的に増加する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁樹脂層において前記薄肉化領域と連続する他の領域は、前記薄肉化領域に向かって厚みが減少する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
平面視で少なくとも１つの角部を有し、
前記薄肉化領域は、前記少なくとも１つの角部に設けられる、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成された低熱膨張率基板を備える配線基板の製造方法であって、
表面と裏面とを有する低熱膨張率基板の少なくとも表面に、表面と裏面とを有する絶縁樹脂層を配置する工程と、
前記低熱膨張率基板及び前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配線部を配置する工程と、
前記絶縁樹脂層の一部を厚み方向に除去する工程と、
前記絶縁樹脂層が厚み方向に除去された領域において、少なくとも前記低熱膨張率基板を厚み方向に切断する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気機器の小型化に伴い、電気機器に使用される配線基板にも小型化及び高密度化が求められている。配線基板を小型化及び高密度化するには、配線を支持するコア基材の寸法精度を高める必要がある。そこで、表面の平坦度の高いガラス基板等の低熱膨張率基板をコア基材として用いた配線基板が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１の配線基板は、一般に複数の配線基板が集合したマザー基板からの切り出しによって個片化される。この切り出しはブレード切断により行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−９２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の配線基板では、低熱膨張率基板及び配線部が樹脂層（いわゆるビルドアップ層）で被覆される。そのため、配線基板の製造時に樹脂層を熱硬化させると、樹脂の硬化収縮に伴い、低熱膨張率基板の内部に応力が残留する。
【０００６】
ここで、上述のブレード切断による個片化の際に、配線基板の低熱膨張率基板の端部にはチッピングや欠陥が生じる。このとき低熱膨張率基板の内部に応力が残留していると、チッピングや欠陥を起点として低熱膨張率基板の内部に向かってクラックが進展しやすい。また、樹脂層の低熱膨張率基板からのデラミネーションが発生しやすい。そのため、従来の配線基板では、熱衝撃によって端面における樹脂剥がれや低熱膨張率基板の割れが引き起こされるおそれがある。
【０００７】
本開示の一局面は、低熱膨張率の基板をコア基材として用いつつ、端面における不具合の発生を抑制できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、表面と裏面とを有し、低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、低熱膨張率基板及び絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、を備える配線基板である。低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。絶縁樹脂層は、他の領域よりも平均厚みが小さい薄肉化領域を有する。薄肉化領域は、絶縁樹脂層の端部を含む。また、薄肉化領域における絶縁樹脂層の平均厚みは、低熱膨張率基板の平均厚みの２％以上３０％以下である。
【０００９】
また、本開示の別の態様は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、表面と裏面とを有し、低熱膨張率基板の少なくとも一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、低熱膨張率基板及び絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配置された配線部と、を備える配線基板である。低熱膨張率基板は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。絶縁樹脂層は、他の領域よりも平均厚みが小さい薄肉化領域を有する。薄肉化領域は、絶縁樹脂層の端部を含む。また、薄肉化領域における絶縁樹脂層の平均厚みは、３μｍ以上、３０μｍ未満である。
【００１０】
上述のような構成によれば、絶縁樹脂層の端部に一定の厚みの薄肉化領域があることで、絶縁樹脂層の硬化に伴って低熱膨張率基板にかかる応力が低減される。そのため、配線基板の端面における樹脂剥がれや低熱膨張率基板の割れが抑制される。
【００１１】
本開示の一態様では、薄肉化領域は、低熱膨張率基板の表面における端部から内側に向かって絶縁樹脂層の厚みが一定となる平坦領域を含んでもよい。このような構成によれば、低熱膨張率基板の残留応力をより確実に低減することができる。その結果、端面における不具合の発生抑制を促進できる。
【００１２】
本開示の一態様では、薄肉化領域における絶縁樹脂層の他の領域との接続部分は、他の領域に向かって厚みが連続的に増加してもよい。このような構成によれば、薄肉化領域による低熱膨張率基板の残留応力低減効果を促進できる。
【００１３】
本開示の一態様では、絶縁樹脂層において薄肉化領域と連続する他の領域は、薄肉化領域に向かって厚みが減少してもよい。このような構成によれば、絶縁樹脂層における薄肉化領域と他の領域とが連続する部分での機械的強度を高めることができる。
【００１４】
本開示の一態様は、平面視で少なくとも１つの角部を有してもよい。また、薄肉化領域は、少なくとも１つの角部に設けられてもよい。このような構成によれば、不具合が生じやすい角部において低熱膨張率基板の残留応力を低減できるため、配線基板の品質をより確実に高めることができる。
【００１５】
本開示の別の態様は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成された低熱膨張率基板を備える配線基板の製造方法である。配線基板の製造方法は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板の少なくとも表面に、表面と裏面とを有する絶縁樹脂層を配置する工程と、低熱膨張率基板及び絶縁樹脂層の少なくとも一方の表面に配線部を配置する工程と、絶縁樹脂層の一部を厚み方向に除去する工程と、絶縁樹脂層が厚み方向に除去された領域において、少なくとも低熱膨張率基板を厚み方向に切断する工程と、を備える。
【００１６】
このような構成によれば、薄肉化領域によって、絶縁樹脂層の硬化に起因する低熱膨張率基板の残留応力が低減できる。そのため、ブレード切断により個片化を行っても、低熱膨張率基板の不具合が生じにくい品質の高い配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図２】図１の配線基板の模式的な平面図である。
【図３】図１の配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】図４Ａは、図１の配線基板の製造方法における一工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｂは、図４Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｃは、図４Ｂの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｄは、図４Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５】図５Ａは、図４Ｄの次の工程を示す模式的な断面図であり、図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図６】図１とは異なる実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図７】図７Ａは、実施例１における応力の観察結果を示す写真であり、図７Ｂは、実施例２における応力の観察結果を示す写真であり、図７Ｃは、比較例１における応力の観察結果を示す写真であり、図７Ｄは、比較例２における応力の観察結果を示す写真であり、図７Ｅは、比較例３における応力の観察結果を示す写真である。
【図８】図８Ａは、実施例１における応力分布を示すグラフであり、図８Ｂは、実施例２における応力分布を示すグラフであり、図８Ｃは、比較例１における応力分布を示すグラフであり、図８Ｄは、比較例２における応力分布を示すグラフであり、図８Ｅは、比較例３における応力分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１に示す配線基板１は、１つの低熱膨張率基板２と、表裏１対の配線部３Ａ，３Ｂと、表裏１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂと、表裏１対のカバー層５Ａ，５Ｂとを備える。
【００１９】
＜低熱膨張率基板＞
低熱膨張率基板２は、表面と裏面とを有する。また、低熱膨張率基板２は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料（以下、「低熱膨張率材料」ともいう。）で構成される。
【００２０】
低熱膨張率材料は、例えばガラス又はセラミックスを主成分とする。ここで、「主成分」とは、９０質量％以上含有する成分を意味する。低熱膨張率基板２を構成するガラス又はセラミックスとしては、例えば石英ガラス、無アルカリガラス、アルカリガラス、結晶化ガラス、ホウケイ酸ガラス、ガラスセラミックス、アルミナセラミックス等が挙げられる。
【００２１】
低熱膨張率基板２の平均厚みの下限としては、１００μｍが好ましく、２００μｍがより好ましい。一方、低熱膨張率基板２の平均厚みの上限としては、１１００μｍが好ましく、７００μｍがより好ましく、５００μｍがより好ましい。低熱膨張率基板２の平均厚みが小さすぎると、強度が不十分となるおそれがある。逆に、低熱膨張率基板２の平均厚みが大きすぎると、低熱膨張率基板２の残留応力を低減させる必要性が低下する。なお、本明細書における「平均厚み」又は「平均距離」とは、特に断りがない限り、例えば厚み方向と垂直な方向に離間した１０点における厚み又は距離の計測値を平均した値を意味する。
【００２２】
低熱膨張率基板２には、図１に示すように１以上のスルーホール１３が設けられている。スルーホール１３は、低熱膨張率基板２を厚み方向に貫通している。スルーホール１３の内周面には、貫通導体が配置され、この貫通導体により表側配線部３Ａと裏側配線部３Ｂとが電気的に接続されている。
【００２３】
＜配線部＞
１対の配線部３Ａ，３Ｂのうち、表側配線部３Ａは、低熱膨張率基板２の表面に配置され、裏側配線部３Ｂは、低熱膨張率基板２の裏面に配置されている。
【００２４】
なお、本実施形態では、配線部３Ａ，３Ｂは、後述する絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの薄肉化領域４１には配置されていない。つまり、配線部３Ａ，３Ｂは、低熱膨張率基板２の端部には配置されていない。
【００２５】
１対の配線部３Ａ，３Ｂは、それぞれ、１以上の接続用端子１２と、ビア導体１４と、配線パターン部１５とを有する。接続用端子１２は、外部の端子等を半田により接続するための電極パッド（つまりランド部）である。
【００２６】
表側配線部３Ａの接続用端子１２は、図１に示すように、表側絶縁樹脂層４Ａの表面に配置されている。また、接続用端子１２は、表側カバー層５Ａに設けた開口１１によって表面が外部に露出している。接続用端子１２は、表側絶縁樹脂層４Ａを厚み方向に貫通するビア導体１４により、表側配線部３Ａの配線パターン部１５と接続されている。なお、裏側配線部３Ｂの構成は、表側配線部３Ａと同様である。
【００２７】
接続用端子１２の平面形状は特に限定されず、円や多角形状とすることができる。
接続用端子１２及びビア導体１４を含めた１対の配線部３Ａ，３Ｂは、導電性を有し、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、コストと導電性との観点から、銅が好ましい。
【００２８】
＜絶縁樹脂層＞
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのうち、表側絶縁樹脂層４Ａは、表側配線部３Ａの配線パターン部１５の低熱膨張率基板２とは反対側の表面に配置され、裏側絶縁樹脂層４Ｂは、裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５の低熱膨張率基板２とは反対側の表面に配置されている。
【００２９】
表側絶縁樹脂層４Ａは、表面及び裏面を有する。表側絶縁樹脂層４Ａは、裏面が表側配線部３Ａの配線パターン部１５と、低熱膨張率基板２の表面のうち、表側配線部３Ａが配置されていない部分とを被覆するように配置されている。裏側絶縁樹脂層４Ｂは、表側絶縁樹脂層４Ａを低熱膨張率基板２に対し略対称に配置したものであり、表側絶縁樹脂層４Ａと同様の構成を有する。
【００３０】
絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、絶縁性の樹脂と、無機フィラーとを主成分とする。絶縁性の樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等を用いることができる。また、これらの樹脂と、ガラス繊維等の無機繊維、又はポリアミド繊維等の有機繊維（例えば織布、不織布等）との複合材料も使用できる。さらに、連続多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた複合材料も使用できる。
【００３１】
無機フィラーとしては、シリカ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、焼成タルク、Ｍｏ酸亜鉛処理タルク、チタン酸バリウム、酸化チタン、クレー、アルミナ、マイカ、ベーマイト、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛、その他の金属酸化物又は金属水和物、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ガラス繊維、ホウ酸アルミニウムウィスカ、炭酸ケイ素ウィスカ等を用いることができる。これらの無機フィラーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、これらの無機フィラーの中でもシリカを主成分とするものが好ましい。
【００３２】
無機フィラーの形状やサイズは特に制限されず、異なるサイズの無機フィラーを併用することも可能である。さらに、無機フィラーはカップリング剤等により表面処理が施されてもよい。
【００３３】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂそれぞれにおいて、樹脂に対する無機フィラーの含有割合は、樹脂１００質量部に対し４０質量部以上８０質量部以下が好ましい。無機フィラーの含有量が小さすぎると、熱膨張率低減効果が不十分となるおそれがある。逆に、無機フィラーの含有量が大きすぎると、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの成形性が低下するおそれがある。
【００３４】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、それぞれ、薄肉化領域４１と、非薄肉化領域４２とから構成される。薄肉化領域４１は、他の領域である非薄肉化領域４２よりも平均厚みが小さい領域である。
【００３５】
ここで、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みは、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが配置された低熱膨張率基板２の表面又は裏面から、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面までの平均距離を意味する。ただし、薄肉化領域４１における平均厚みは、複数の測定値のうち、最小値の１５０％以下の値のみを平均した値とし、非薄肉化領域４２における平均厚みは、後述する漸減領域４２Ａを除いた領域の平均値とする。
【００３６】
薄肉化領域４１では、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面はカバー層５Ａ，５Ｂによって被覆されず、露出している。一方、非薄肉化領域４２は、配線部３Ａ，３Ｂを被覆した領域と、カバー層５Ａ，５Ｂに被覆された領域とを含む。
【００３７】
薄肉化領域４１は、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの厚み方向と垂直な方向における端部を含んでいる。なお、本実施形態では、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部は、低熱膨張率基板２の端部と一致している。そのため、薄肉化領域４１は、低熱膨張率基板２の表面又は裏面における端部と平面視で重なっている。つまり、配線基板１は、厚み方向と垂直な方向の端面において、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが露出している。
【００３８】
このように配線基板１の厚み方向と垂直な方向の端面において、低熱膨張率基板２が薄肉化された絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂによって被覆されることで、搬送時等に生じ得る低熱膨張率基板２における欠け等の破損を抑制することができる。
【００３９】
薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みは、低熱膨張率基板２の平均厚みの２％以上であり、２．５％以上がより好ましい。一方、薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みは、低熱膨張率基板２の平均厚みの３０％以下であり、７．５％未満がより好ましい。薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが小さすぎると、薄肉化領域４１と非薄肉化領域４２との境界に応力が集中するおそれがある。また、薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの強度が不十分となるおそれがある。逆に、薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが大きすぎると、低熱膨張率基板２における残留応力の低減効果が十分に得られないおそれがある。
【００４０】
また、薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みは、３μｍ以上、３０μｍ未満としてもよい。低熱膨張率基板２の厚みが大きい場合（例えば平均厚みが１００μｍ以上の場合）は、上限を３０μｍ未満とすることで、低熱膨張率基板２における残留応力の低減効果をより確実に得ることができる。
【００４１】
薄肉化領域４１は、平坦領域４１Ａを含んでいる。平坦領域４１Ａは、低熱膨張率基板２の表面における端部から内側に向かって絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの厚みが一定となる領域である。ここで、「厚みが一定」とは、厚みの最大値と最小値とが平均値の±５％以内であることを意味する。
【００４２】
薄肉化領域４１における非薄肉化領域４２との接続部分４１Ｂは、非薄肉化領域４２に向かって厚みが連続的に増加している。つまり、接続部分４１Ｂの表面は、薄肉化領域４１と非薄肉化領域４２とを滑らかに（つまり、角を有さないように）接続する湾曲面である。
【００４３】
絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂにおいて薄肉化領域４１と連続する非薄肉化領域４２は、薄肉化領域４１に向かって厚みが減少している。具体的には、非薄肉化領域４２は、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部に向かって厚みが漸減する漸減領域４２Ａを有する。漸減領域４２Ａでは、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面は、端部に向かうに連れて低熱膨張率基板２に近づくように傾斜している。なお、漸減領域４２Ａにおいて、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面にはカバー層５Ａ，５Ｂが積層されておらず、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが露出している。
【００４４】
非薄肉化領域４２における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みは、薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みよりも大きい。具体的には、非薄肉化領域４２における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。一方、非薄肉化領域４２における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みの上限としては、５００μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。非薄肉化領域４２における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが小さすぎると、カバー層５Ａ，５Ｂと低熱膨張率基板２との接着強度が不十分となるおそれがある。逆に、非薄肉化領域４２における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが大きすぎると、低熱膨張率基板２における残留応力の低減が不十分となるおそれがある。
【００４５】
本実施形態では、図２に示すように、配線基板１は、平面視で４つの角部１０を有する矩形状である。薄肉化領域４１は、４つの角部１０を含む配線基板１の外縁部分に設けられている。つまり、配線基板１において、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部は、全て薄肉化領域４１に含まれている。
【００４６】
薄肉化領域４１の幅Ｄ１の下限としては、５０μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。一方、幅Ｄ１の上限としては、１ｍｍが好ましい。幅Ｄ１が小さすぎると、非薄肉化領域４２における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂから低熱膨張率基板２が応力を受けやすくなる。逆に、幅Ｄ１が大きすぎると、回路の構成に寄与しない不要なスペースが大きくなる。なお、「薄肉化領域の幅」とは、低熱膨張率基板の表面と平行な方向（つまり平面視）において、絶縁樹脂層の端部と、薄肉化領域の内側の縁との最小距離を意味する。
【００４７】
＜カバー層＞
図１に示すように、１対のカバー層５Ａ，５Ｂのうち、表側カバー層５Ａは、表側絶縁樹脂層４Ａの表面に配置され、裏側カバー層５Ｂは、裏側絶縁樹脂層４Ｂの表面に配置されている。
【００４８】
カバー層５Ａ，５Ｂの材質は、特に限定されない。カバー層５Ａ，５Ｂは、ソルダーレジスト等の樹脂を主成分としてもよいし、低熱膨張率基板２と同様の低熱膨張率材料から構成されてもよい。
【００４９】
表側カバー層５Ａは、表面及び裏面を有する。表側カバー層５Ａは、配線基板１の一方側の最表層を構成しており、その表面が配線基板１の一方の最外面となる。また、表側カバー層５Ａは、厚み方向に貫通する１以上の開口１１を有する。この開口１１内において、接続用端子１２が露出している。裏側カバー層５Ｂは、表側カバー層５Ａを低熱膨張率基板２に対し略対称に配置したものであり、表側カバー層５Ａと同様の構成を有する。
【００５０】
［１−２．製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１の製造方法は、図３に示すように、配線パターン部配置工程Ｓ１と、絶縁樹脂層配置工程Ｓ２と、接続用端子配置工程Ｓ３と、カバー層配置工程Ｓ４と、絶縁樹脂層除去工程Ｓ５と、ブレード切断工程Ｓ６と、を備える。なお、配線パターン部配置工程Ｓ１と接続用端子配置工程Ｓ３とが、「低熱膨張率基板２の表面及び裏面に配線部３Ａ，３Ｂを配置する工程」を構成する。
【００５１】
＜配線パターン部配置工程Ｓ１＞
本工程では、まず、図４Ａに示すように、貫通孔を設けた低熱膨張率基板２を用意する。次に、図４Ｂに示すように、低熱膨張率基板２の表面及び裏面に表側配線部３Ａ及び裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５をそれぞれ配置する。
【００５２】
配線パターン部１５の配置は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法で実施できる。具体的には、例えば銅箔のエッチング、又は導電性ペーストの印刷により配線パターン部１５を形成する。なお、銅箔はスパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、無電解銅メッキ、電解銅メッキ等により形成できる。また、低熱膨張率基板２の表面にプライマー樹脂等を塗布してもよい。
【００５３】
＜絶縁樹脂層配置工程Ｓ２＞
本工程では、図４Ｃに示すように、配線パターン部１５を配置した低熱膨張率基板２の表裏両側に、配線パターン部１５と、低熱膨張率基板２の表面の一部とを被覆するように１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを配置する。
【００５４】
絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの配置は加熱しながらの真空貼り付けにより行う。また、貼り付け後、さらに加熱し、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを熱硬化させる。なお、ここで配置される１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、それぞれ、薄肉化されていない均一な厚みのフィルムである。
【００５５】
＜接続用端子配置工程Ｓ３＞
本工程では、まず、熱硬化した１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂにビアをそれぞれ形成する。ビアは、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを厚み方向に貫通しており、例えばレーザードリルにより形成できる。
【００５６】
次に、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面に、フォトリソグラフィにより接続用端子１２の形成領域以外をマスクしたレジストパターンをそれぞれ形成する。
その後、メッキ等によりビア内にビア導体を充填し、さらにその上に接続用端子１２を形成する。このとき、接続用端子１２は、ビア内においてレジストパターンの内側に形成される。レジストパターンを除去すると、図４Ｄに示すように、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面に配置された接続用端子１２が得られる。なお、接続用端子１２の表面は粗化されるとよい。
【００５７】
＜カバー層配置工程Ｓ４＞
本工程では、図５Ａに示すように、開口１１を設けた１対のカバー層５Ａ，５Ｂを１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面に配置する。
【００５８】
なお、カバー層５Ａ，５Ｂの配置後、接続用端子１２に、ニッケル、パラジウム、金などの表層メッキを施すことが好ましい。また、カバー層５Ａ，５Ｂの表面をプラズマ処理等により粗化してもよい。
【００５９】
さらに、接続用端子１２の表面（ビアランド）に印刷によってリフロー用の半田層（半田バンプ）を形成してもよい。半田層は、部品実装時にリフローされ、接続用端子１２と部品端子とを電気的に接続する。
【００６０】
＜絶縁樹脂層除去工程Ｓ５＞
本工程では、図５Ｂに示すように、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの一部をそれぞれ厚み方向に除去する。
【００６１】
具体的には、平面視で、次のブレード切断工程Ｓ６における切断線（つまり、個片化後の配線基板１の端部）を含む領域を薄肉化し、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂにそれぞれ薄肉化領域４１を形成する。また、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの薄肉化と同時に、１対のカバー層５Ａ，５Ｂのうち、薄肉化領域４１において絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを被覆していた部分を除去する。
【００６２】
絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂ及びカバー層５Ａ，５Ｂの除去方法としては、例えばブレードやレーザーによる切削、感光によるパターン形成等が挙げられる。感光を用いる場合は、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを非感光性樹脂の層と感光性樹脂の層との２層で構成し、薄肉化領域４１において感光により感光性樹脂の層を除去することで、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを薄肉化できる。
【００６３】
＜ブレード切断工程Ｓ６＞
上記工程Ｓ１〜Ｓ５により、複数の配線基板１を含む多数個取り基板（いわゆるマザー基板）が形成される。
【００６４】
本工程では、図５Ｃに示すように、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが厚み方向に除去された薄肉化領域４１において、低熱膨張率基板２及び絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの積層部分を厚み方向にブレード（例えばダイサー）により切断する。これにより、個片化された配線基板１が得られる。
【００６５】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部に一定の厚みの薄肉化領域４１があることで、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの硬化に伴って低熱膨張率基板２にかかる応力が低減される。そのため、配線基板１の端面における樹脂剥がれや低熱膨張率基板２の割れが抑制される。
【００６６】
（１ｂ）薄肉化領域４１が平坦領域４１Ａを含むため、低熱膨張率基板２の残留応力をより確実に低減することができる。その結果、端面における不具合の発生抑制を促進できる。
【００６７】
（１ｃ）薄肉化領域４１における非薄肉化領域４２との接続部分４１Ｂにおいて、非薄肉化領域４２に向かって厚みが連続的に増加するので、薄肉化領域４１による低熱膨張率基板２の残留応力低減効果を促進できる。
【００６８】
（１ｄ）非薄肉化領域４２は薄肉化領域４１に向かって厚みが減少するので、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂにおける薄肉化領域４１と非薄肉化領域４２とが連続する部分での機械的強度を高めることができる。
【００６９】
（１ｅ）薄肉化領域４１は、配線基板１の４つの角部１０を含む外縁に設けられているので、不具合が生じやすい角部１０を含んだ外縁全体で低熱膨張率基板２の残留応力を低減できる。そのため、配線基板１の品質をより確実に高めることができる。
【００７０】
［２．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００７１】
（２ａ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしも絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部は低熱膨張率基板２の端部と一致しなくてもよい。つまり、図６に示すように、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部が低熱膨張率基板２の端部よりも内側に位置してもよい。この場合、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部（つまり薄肉化領域４１）と低熱膨張率基板２の端部との間には、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが配置されずに低熱膨張率基板２が露出する領域が存在する。なお、図６の配線基板１Ａの製造方法では、ブレード切断工程Ｓ６において、低熱膨張率基板２のみが切断される。
【００７２】
（２ｂ）上記実施形態の配線基板１において、薄肉化領域４１は、必ずしも平坦領域４１Ａを有さなくてもよい。また、薄肉化領域４１と非薄肉化領域４２との接続部分４１Ｂは、必ずしも非薄肉化領域４２に向かって厚みが連続的に増加しなくてもよい。
【００７３】
さらに、非薄肉化領域４２は、薄肉化領域４１に向かって厚みが減少しなくてもよい。つまり、薄肉化領域４１と非薄肉化領域４２との間で、厚みが断続的に変化してもよく、例えば薄肉化領域４１と非薄肉化領域４２との境界が厚み方向と平行な面で構成されてもよい。
【００７４】
（２ｃ）上記実施形態の配線基板１において、薄肉化領域４１は、必ずしも配線基板１の外縁全体に設けられる必要はない。また、配線基板１の角部１０に必ずしも設けられる必要もない。なお、配線基板１の平面形状は矩形状に限定されず、他の多角形状や円形状とすることができる。
【００７５】
（２ｄ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしも低熱膨張率基板２の両面側に配線部を設けなくてもよい。つまり、配線基板１は、低熱膨張率基板２の表面側のみに配線部を配置した片面基板であってもよい。逆に、上記実施形態の配線基板１は、３層以上の多層構造を有してもよい。
【００７６】
（２ｅ）上記実施形態の配線基板１において、低熱膨張率基板２の表面又は裏面の替わりに、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面に配線部が配置されてもよい。また、図６の配線基板１Ａのように、低熱膨張率基板２の表面又は裏面と絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの表面との両方に配線部が配置されてもよい。
【００７７】
（２ｆ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００７８】
［３．実施例］
以下、本開示の効果を確認するために行った実施例１，２と比較例１−３との比較について説明する。
【００７９】
（実施例１）
図１に示す配線基板１を作製した。低熱膨張率基板２は、平均厚み４００μｍの無アルカリガラス基板とした。配線部３Ａ，３Ｂは、ガラス基板の上に形成した銅シード層に電解銅メッキをした後、フォトリソグラフィとエッチングとを施すことにより形成し、平均厚みを１５μｍとした。
【００８０】
絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂとしては、平均厚み６０μｍのＡＢＦフィルム（味の素ファインテクノ社製）を用いた。また、カバー層５Ａ，５Ｂとしては、平均厚み２５μｍのソルダーレジストを用いた。
【００８１】
また、薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みは１０μｍ、幅Ｄ１は１５０μｍとした。配線基板１は、上記部材を積層したマザー基板を薄肉化領域４１においてダイサーで切断することで個片化した。
【００８２】
得られた配線基板１について、熱衝撃試験を行った。具体的には、−６５℃から１５０℃までの温度サイクルを５００サイクル繰り返した。試験後、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックは見当たらなかった。
【００８３】
また、配線基板のガラス内部応力を複屈折計（フォトニックラティス社の「ＰＡ−ｍｉｃｒｏ」）を用いて、透過光を用いた複屈折観察による応力評価にて測定した。その結果を図７Ａ及び図８Ａに示す。
【００８４】
図７Ａは、配線基板の断面における内部応力の分布を示す観察写真であり、色の濃さで応力の高さを表している。図８Ａは、横軸を配線基板の厚み方向、縦軸をガラス基板の内部応力とするグラフである。図８Ａ中、「Ａ」は、ガラス基板の端面近傍における厚み方向の応力分布を示し、「Ｂ」は、薄肉化領域と非薄肉化領域との境界に相当する位置における厚み方向の応力分布を示す。実施例１における内部応力の最大値は１１．２ＭＰａであった。
【００８５】
（実施例２）
薄肉化領域４１における絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みを３０μｍとした点以外は、実施例１と同様の配線基板を作製した。
【００８６】
この配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。試験後、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックがわずかに見られた。また、実施例１と同様にガラス内部応力を測定した結果を図７Ｂ及び図８Ｂに示す。実施例２における内部応力の最大値は１８．９ＭＰａとなり、実施例１よりは高くなった。
【００８７】
（比較例１）
図１の配線基板１において、薄肉化領域４１を設けない、つまり絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの端部の厚みが他の領域と同じとした以外は、実施例１と同様の配線基板を作製した。
【００８８】
この配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックが見られた。また、実施例１と同様にガラス内部応力を測定した結果を図７Ｃ及び図８Ｃに示す。比較例１における内部応力の最大値は２２．０ＭＰａであった。
【００８９】
（比較例２）
図１の配線基板１において、絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの薄肉化領域４１を完全に除去し、薄肉化領域４１の替わりにガラス基板が露出した領域を設けた以外は、実施例１と同様の配線基板を作製した。
【００９０】
この配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、樹脂剥がれが見られた。また、実施例１と同様にガラス内部応力を測定した結果を図７Ｄ及び図８Ｄに示す。比較例１における内部応力の最大値は２５．１ＭＰａであった。
【００９１】
（比較例３）
比較例２の配線基板に対し、ガラス基板が露出した領域においてガラス基板を他の領域よりも表面側及び裏面側でそれぞれ１０μｍ薄肉化した配線基板を作製した。
【００９２】
この配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、樹脂剥がれが見られた。また、実施例１と同様にガラス内部応力を測定した結果を図７Ｅ及び図８Ｅに示す。比較例１における内部応力の最大値は２２．０ＭＰａであった。
【００９３】
（検証）
絶縁樹脂層の薄肉化領域を有する実施例１及び実施例２では、ガラス基板における残留応力が低減され、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックが抑制された。特に、実施例１では、図８Ａに示されるように厚み方向における応力の偏りが低減されている。
【００９４】
これに対し、薄肉化領域を設けない比較例１では、図８Ｃの「Ａ」における残留応力が高く、樹脂剥がれ及びガラス基板のクラックが発生した。一方、比較例２，３では、図８Ｄ，８Ｅの「Ａ」における残留応力は低減されたが、「Ｂ」において、ガラス基板の露出領域と樹脂による被覆領域との境界で大きな残留応力が発生し、樹脂剥がれが発生した。
【符号の説明】
【００９５】
１，１Ａ…配線基板、２…低熱膨張率基板、３Ａ…表側配線部、３Ｂ…裏側配線部、
４Ａ…表側絶縁樹脂層、４Ｂ…裏側絶縁樹脂層、５Ａ…表側カバー層、
５Ｂ…裏側カバー層、１０…角部、１１…開口、１２…接続用端子、
１３…スルーホール、１４…ビア導体、１５…配線パターン部、
４１…薄肉化領域、４１Ａ…平坦領域、４１Ｂ…接続部分、４２…非薄肉化領域、
４２Ａ…漸減領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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