(57)【要約】【課題】  初透磁率μｒが高くコアロスｔａｎδが小さく、耐電圧が高く、耐湿性が大きい圧粉磁心、および、当該圧粉磁心に含まれる軟磁性材料を提供する。【解決手段】    表面に絶縁処理が施された軟磁性粉末と、表面に絶縁処理が施された箔片とを有する軟磁性材料である。軟磁性粉末は平均粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下である。箔片は平均長さが３．０μｍ以下である。（箔片の平均長さ／箔片の平均厚み）が２．０以上である。（箔片の平均長さ／軟磁性粉末の平均粒径）が０．３００以下である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁処理が施された軟磁性粉末と、表面に絶縁処理が施された箔片とを有する軟磁性材料であって、
前記軟磁性粉末は平均粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記箔片は平均長さが３．０μｍ以下であり、
（前記箔片の平均長さ／前記箔片の平均厚み）が２．０以上であり、
（前記箔片の平均長さ／前記軟磁性粉末の平均粒径）が０．３００以下であることを特徴とする軟磁性材料。
【請求項２】
前記軟磁性材料全体に対する前記箔片の添加割合が１０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下である請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項３】
請求項１または２に記載の軟磁性材料からなる圧粉磁心。
【請求項４】
それぞれの前記箔片の長さ方向と、基準方向との間の角度が平均１０°以下である請求項３に記載の圧粉磁心。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性材料および圧粉磁心に関する。
【背景技術】
【０００２】
より高透磁率な軟磁性材料および圧粉磁心を得ることは現在においても重要な課題である。近年では、扁平形状の粉末からなる軟磁性材料を用いることで、球形の粉末からなる軟磁性材料を用いる場合よりも高透磁率を得ることが知られている。
【０００３】
特許文献１には、粒子径が小さくアスペクト比が大きい軟磁性粉末と粒子径が大きくアスペクト比が小さい軟磁性粉末との両方を同時に用いる圧粉磁心用軟磁性材が記載されている。
【０００４】
しかし、現在では、さらに初透磁率μｒが高くコアロスｔａｎδが低い圧粉磁心が求められている。さらに、耐電圧および耐湿性も両立した圧粉磁心が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９０９３１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、初透磁率μｒが高くコアロスｔａｎδが小さく、耐電圧が高く、耐湿性が大きい圧粉磁心、および、当該圧粉磁心に含まれる軟磁性材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の軟磁性材料は、
表面に絶縁処理が施された軟磁性粉末と、表面に絶縁処理が施された箔片とを有する軟磁性材料であって、
前記軟磁性粉末は平均粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記箔片は平均長さが３．０μｍ以下であり、
（前記箔片の平均長さ／前記箔片の平均厚み）が２．０以上であり、
（前記箔片の平均長さ／前記軟磁性粉末の平均粒径）が０．３００以下であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の軟磁性材料は上記の特徴を有することで、圧粉磁心に用いられる場合に初透磁率μｒが高くコアロスｔａｎδが小さく、耐電圧が高く、耐湿性が大きい圧粉磁心とすることができる。
【０００９】
本発明の軟磁性材料は、前記軟磁性材料全体に対する前記箔片の添加割合が１０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であってもよい。
【００１０】
本発明の圧粉磁心は、上記の軟磁性材料からなる。
【００１１】
本発明の圧粉磁心は上記の特徴を有することで、初透磁率μｒが高くコアロスｔａｎδが小さく、耐電圧が高く、耐湿性が大きい圧粉磁心となる。
【００１２】
本発明の圧粉磁心は、それぞれの前記箔片の長さ方向と、基準方向との間の角度が平均１０°以下であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る軟磁性材料の模式図である。
【図２】本実施形態に係る圧粉磁心および箔片の断面図の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態に係る軟磁性材料は、軟磁性粉末１１および箔片１３を含む。
【００１６】
軟磁性粉末１１の材質および箔片１３の材質には特に制限はない。例えば、Ｆｅ単体またはＦｅ合金であってもよい。なお、Ｆｅ合金とは、Ｆｅの含有割合が１５ａｔ％以上である合金を指す。Ｆｅ合金としては、例えばＦｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系合金、Ｆｅ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系合金などが挙げられる。上記のＦｅ−Ｓｉ系合金とは、Ｆｅの含有割合が９７ａｔ％以上、Ｓｉの含有割合が２ａｔ％以上であり、その他の元素の含有割合が合計１ａｔ％以下である合金を指す。上記のＦｅ−Ｎｉ系合金とは、Ｆｅの含有割合が１５ａｔ％以上、Ｎｉの含有割合が４０ａｔ％以上であり、その他の元素の含有割合が合計４５ａｔ％以下である合金を指す。上記のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系合金とは、Ｆｅの含有割合が７９ａｔ％以上、Ｓｉの含有割合が９ａｔ％以上、Ｂの含有割合が９ａｔ％以上であり、その他の元素の含有割合が合計３ａｔ％以下である合金を指す。上記のＦｅ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ系合金とは、Ｆｅの含有割合が７５．６ａｔ％以上、Ｃｕの含有割合が０．６ａｔ％以上、Ｎｂの含有割合が０．１ａｔ％以上、Ｓｉの含有割合が１３．１ａｔ％以上、Ｂの含有割合が８．６ａｔ％以上であり、その他の元素の含有割合が合計２．０ａｔ％以下である合金を指す。上記のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系合金とは、Ｆｅの含有割合が７５．５ａｔ％以上、Ｓｉの含有割合が１０．５ａｔ％以上、Ｂの含有割合が１０．５ａｔ％以上、Ｃｒの含有割合が１．５ａｔ％以上であり、その他の元素の含有割合が合計２．０ａｔ％以下である合金を指す。また、軟磁性粉末１１の材質と箔片１３の材質は同一であってもよく異なっていてもよい。
【００１７】
また、本実施形態に係る軟磁性粉末１１は表面に絶縁処理が施されている。絶縁処理の種類は任意である。例えば、軟磁性粉末１１の表面に酸化膜を形成する絶縁処理や、非磁性金属の酸化物層を被覆させる絶縁処理等が挙げられる。箔片１３についても同様に表面に絶縁処理が施されている。絶縁処理を施すことで本実施形態に係る軟磁性材料から作成される圧粉磁心の渦電流が低下し、コアロスｔａｎδが低下する。
【００１８】
ここで、本実施形態に係る軟磁性材料における軟磁性粉末１１は粒径が最小で５μｍ以上であり、アスペクト比が２以下である形状を有する。なお、ここでの粒径およびアスペクト比は軟磁性材料をＳＥＭまたはＴＥＭで観察した場合における投影面積の円相当径を指す。また、箔片１３は長辺の長さが最大で４μｍ以下であり、長辺の長さを短辺の長さで割った値が最小で１．８以上である直方体形状または略直方体形状を有する。ここでの長辺の長さおよび短辺の長さは軟磁性材料をＳＥＭまたはＴＥＭで観察した場合における長辺の長さおよび短辺の長さである。以下、箔片１３の長辺の長さを単に長さとし、箔片１３の短辺の長さを厚みとする。
【００１９】
そして、本実施形態に係る軟磁性材料において、軟磁性粉末１１が平均粒径１０μｍ以上１００μｍ以下であり、箔片１３が平均長さ３．０μｍ以下であり、（箔片１３の平均長さ／箔片１３の平均厚み）が２．０以上であり、（箔片１３の平均長さ／軟磁性粉末１１の平均粒径）が０．３００以下である。なお、軟磁性材料全体に対する箔片１３の添加量は任意であるが、１０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。
【００２０】
軟磁性粉末１１の平均粒径の測定においては、少なくとも１０００個以上の軟磁性粉末１１の粒径を測定し、平均する。また、箔片１３の平均長さおよび平均厚みの測定においては、少なくとも５００個以上の箔片１３の平均長さおよび平均厚みを測定する。
【００２１】
なお、軟磁性粉末１１の平均粒径はＸＲＤを用いて測定することもでき、投影面積の円相当径と実質的に同一な値が得られる。
【００２２】
本実施形態に係る軟磁性材料では軟磁性粉末１１と箔片１３との間で大きさが異なる。このため、図２に示す成形方向２３の方向に加圧することで圧粉磁心１を製造する場合には、軟磁性粉末１１が成形方向２３の方向につぶれ、軟磁性粉末１１同士の間の隙間を箔片１３が埋める構造となる。そして、箔片１３の長さ方向１３ａが成形方向２３に略垂直な方向となる。具体的には、圧粉磁心１を成形方向２３に平行な断面で切断し、ＳＥＭまたはＴＥＭで観察した場合において、箔片１３の長さ方向１３ａと成形方向２３に垂直な方向である基準方向２１との間の角度θの平均が１０°以下であることが好ましい。なお、少なくとも１０個以上の軟磁性粉末１１が観察される測定範囲を設定する。また、箔片１３の厚み方向１３ｂは成形方向２３に略平行な方向となる。
【００２３】
軟磁性粉末１１が成形方向２３の方向につぶれる場合には軟磁性粉末１１のアスペクト比は大きくなる。しかし、軟磁性粉末１１の円相当径は実質的に変化しない。
【００２４】
また、圧粉磁心１を成形方向２３に平行な断面で切断し、ＳＥＭまたはＴＥＭで観察することで軟磁性粉末１１の平均粒径、箔片１３の平均長さおよび箔片１３の平均厚みを特定することが可能である。
【００２５】
そして、箔片１３は長さ方向１３ａに磁束を誘導する効果を有し、圧粉磁心１全体としてみれば箔片１３が概ね基準方向２１の方向に磁束を誘導する。この結果、比透磁率μｒが著しく向上する。
【００２６】
なお、ここでの基準方向２１は圧粉磁心の断面図をＳＥＭ観察することにより、軟磁性粉末１１がつぶれている方向から特定することができる。さらに具体的には、各軟磁性粉末１１がつぶれて長辺となっている方向を平均することで基準方向２１を特定することができる。
【００２７】
軟磁性粉末１１の平均粒径が大きすぎる場合には、渦電流が大きくなり、コアロスｔａｎδが増大する。また、箔片１３が基準方向２１の方向に並びづらくなり、角度θの平均が大きくなる。この結果、比透磁率μｒが低下する。さらに、軟磁性粉末１１間の隙間が拡大することで封止効果が低下し、耐電圧が低下し、耐湿性も低下する。
【００２８】
軟磁性粉末１１の平均粒径が小さすぎる場合には、比透磁率μｒが低下する。
【００２９】
箔片１３の平均長さが長すぎる場合には、箔片１３が基準方向２１の方向に並びづらくなり、角度θの平均が大きくなる。この結果、比透磁率μｒが低下する。
【００３０】
（箔片１３の平均長さ／箔片１３の平均厚み）が小さすぎる場合には、箔片１３の向きが加圧時に変化しにくくなり、圧粉磁心１全体からみて箔片１３が磁束を誘導する効果が小さくなる。この結果、比透磁率μｒが低下する。
【００３１】
なお、軟磁性材料全体に対する箔片１３の添加量が１０ｖｏｌ％以上である場合には、比透磁率μｒが十分に向上しやすくなる。また、箔片１３の添加量が４０ｖｏｌ％以下である場合には、軟磁性粉末１１が成形時の加圧により十分に変形しやすくなる。また、箔片１３も基準方向２１の方向に並びやすくなる。
【００３２】
なお、軟磁性粉末１１および箔片１３は、組成が異なる場合には、組成の違いにより区別することが可能である。組成が同一である場合には、形状の違いおよび／またはサイズの違いから区別することが可能である。
【００３３】
圧粉磁心を製造する際には、必要に応じて軟磁性材料にその他の化合物を添加してもよい。例えば、結合剤として樹脂を添加してもよい。しかし、樹脂を添加しすぎると箔片１３が基準方向２１の方向に並びづらくなり、角度θの平均が大きくなる。この結果、比透磁率μｒが低下する。
【００３４】
ここで、圧粉磁心１における軟磁性粉末１１および箔片１３の合計の充填率には特に制限はない。７５ｖｏｌ％以上が好ましい。また、充填率の算出方法に特に制限はない。例えば以下に示す方法が挙げられる。
【００３５】
まず、磁心を成形方向に平行に切断して得られた断面を研磨して観察面を作製する。次に、当該観察面に対して電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察する。観察面全体の面積に対する軟磁性粉末１１と箔片１３との合計の面積割合を算出する。そして、本実施形態では当該面積割合と充填率とが等しいとみなし、当該面積割合を充填率とする。
【００３６】
また、充填率は、原料となる軟磁性粉末１１および箔片１３の真密度および配合比から充填率が１００％であると仮定した場合の密度（理想密度）を算出し、実際に圧粉磁心の寸法と重量から算出した実測密度を理想密度で割ることにより充填率を算出してもよい。ＳＥＭから算出した充填率と実測密度及び理想密度から算出した充填率とでは実質的に一致する。
【００３７】
また、充填率を算出する上で、観察面は、軟磁性粉末１１と箔片１３との合計で１００個以上含む大きさとする。なお、観察面は複数であってもよく、合計で１０００個以上含む大きさとしていればよい。
【００３８】
以下、本実施形態に係る軟磁性材料および圧粉磁心の製造方法について説明するが、本実施形態に係る軟磁性材料および圧粉磁心の製造方法は以下の方法に限定されない。
【００３９】
まず、目的とする組成を有する軟磁性粉末を作製する。軟磁性粉末の作製方法は任意であり、例えば、ガスアトマイズ法、水アトマイズ法など本技術分野における通常の方法を用いることができる。軟磁性粉末の作製後に、粒径が１０μｍ以下の微粉を分級により除去することが好ましい。微粉を除去することで、後述する絶縁処理後において軟磁性粉末全体に対する絶縁処理した表面の面積が小さくなり、被覆性が向上しやすくなる。
【００４０】
次に、軟磁性粉末の表面に絶縁処理を行う。絶縁処理の方法は任意である。例えば、軟磁性粉末の表面を酸化させることで酸化膜を形成する方法、非磁性金属を添加した後に加熱還元を行うことで非磁性金属の酸化物層を被覆させる方法、ガラス粉（ガラスフリット）をコーティングする方法等が挙げられる。また、軟磁性粉末が実質的に鉄のみからなる場合には、リン酸処理により軟磁性粉末の表面にリン酸鉄膜を形成する方法もある。絶縁処理を施すことで本実施形態に係る軟磁性材料から作成される圧粉磁心の渦電流が低下し、コアロスが低下する。なお、通常は絶縁処理の前後で軟磁性粉末の平均粒径は実質的に変化しない。
【００４１】
また、目的とする組成を有する箔片を作製する。箔片の作製方法は任意であり、例えば、ストリップキャスト法が挙げられる。以下、ストリップキャスト法による作製方法について説明する。
【００４２】
まず、目的とする組成を有する母合金を作製する。母合金の作製方法は任意であり、本技術分野において通常用いられている方法を用いることができる。次に、母合金を加熱して溶融させた後に、冷却ロールに噴射させ、薄帯を作成する。そして、薄帯を粉砕した後に分級することで任意の形状の箔片を得ることができる。
【００４３】
次に、箔片の表面に絶縁処理を行う。絶縁処理の方法は任意である。例えば、箔片の表面を酸化させることで酸化膜を形成する方法や、非磁性金属を添加した後に加熱還元を行うことで非磁性金属の酸化物層を被覆させる方法等が挙げられる。絶縁処理を施すことで本実施形態に係る軟磁性材料から作成される圧粉磁心の渦電流が低下し、コアロスが低下する。なお、通常は絶縁処理の前後で箔片の平均粒径は実質的に変化しない。また、軟磁性粉末と箔片とで絶縁処理の種類を変化させてもよい。
【００４４】
そして、軟磁性粉末と箔片とを混合して本実施形態に係る軟磁性材料を作製する。なお、上記の製造方法では軟磁性粉末と箔片とで別個に絶縁処理を行っているが、軟磁性粉末と箔片とを混合後にまとめて絶縁処理を行ってもよい。
【００４５】
そして、本実施形態に係る軟磁性材料から圧粉磁心を作製する。
【００４６】
本実施形態に係る軟磁性材料から圧粉磁心を作製する場合には、軟磁性材料を少量、金型に投入する工程、金型を揺すって振動を加える工程、および成形方向に圧力を加えて成形する工程からなるサイクルを数回から数十回繰り返すことが好ましい。このように、少しずつ充填量を増やしながら成形することで、軟磁性粉末同士の間の隙間を箔片が埋めやすくなる。そして、透磁率μｒを向上させることができる。さらに、封止効果が大きくなり耐電圧および耐湿性が向上しやすくなる。
【００４７】
具体的には概ね高さ０．１ｍｍずつ軟磁性材料を金型に投入することが好ましい。また、金型を揺すって振動を加えることが好ましく、箔片が下へ移動し、軟磁性粉末同士の間の隙間を埋める。成形時の圧力は任意である。
【００４８】
本実施形態に係る圧粉磁心の用途には特に制限はない。例えば、インダクタ、リアクトル、トランスなどが挙げられる。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明を具体的な実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００５０】
（実験例１）
まず、軟磁性粉末を作製した。最終的に得られる軟磁性粉末の組成が、原子数比でＦｅ：Ｃｕ：Ｎｂ：Ｓｉ：Ｂ＝７６：１：０．５：１３．５：９となるようにした。また、軟磁性粉末の平均粒径が下表１に記載の値となるようにしてガスアトマイズ法で軟磁性粉末を作製した。その後、軟磁性粉末を分級し、粒径が１０μｍ以下の微粉を除去した。分級後の平均粒径が下表１に記載の値であることを乾式粒度分布測定器を用いて確認した。
【００５１】
次に、軟磁性粉末の表面に絶縁処理を施した。具体的には、軟磁性粉末に対してガラスフリットコーティングを行った。
【００５２】
次に、箔片を作製した。箔片は以下に示すストリップキャスト法で作製した。
【００５３】
まず、金属Ｆｅである母合金を加熱して溶融させた後に、冷却ロールに噴射させ、薄帯を作成した。
【００５４】
次に、薄帯を粉砕した後に分級することで箔片を得た。最終的に得られる箔片が下表１に示す平均長さおよび平均長さ／平均厚みを有するように分級した。
【００５５】
次に、箔片の表面に絶縁処理を施した。具体的には、箔片に対して（酸化処理）を行った。
【００５６】
そして、軟磁性粉末に箔片を添加し、混合して軟磁性材料を得た。軟磁性材料全体に対する箔片の添加量が下表１に示す量となるようにした。
【００５７】
次に、軟磁性材料を金型に充填した。金型の形状は最終的に得られる圧粉磁心の形状が外径１２ｍｍ、内径７ｍｍ、高さ２ｍｍのトロイダル形状となるようにした。
【００５８】
軟磁性材料を金型に充填する際には、軟磁性材料を少量、金型に投入する工程、金型を揺すって振動を加える工程、および成形圧８ｔｏｎ／ｃｍ２で成形する工程からなるサイクルを２０回、繰り返した。なお、軟磁性材料を金型に投入する量は少しずつ増やしていった。最終的にトロイダル形状の圧粉磁心を得た。なお、成形方向はトロイダル形状の高さ方向となるようにした。
【００５９】
各実施例および比較例について成形方向（高さ方向）に平行に切断した断面を観察した。具体的には、ＳＥＭを用いて軟磁性粒子が少なくとも１０００個以上見える測定範囲で観察した。各軟磁性粒子の円相当径を測定して平均して得られた平均円相当径が軟磁性粉末の平均粒径と実質的に同一であることを確認した。さらに、軟磁性粒子のつぶれ具合から特定した基準方向が成形方向に垂直な方向と実質的に一致することを確認した。そして、測定範囲内に存在する全ての箔片について平均長さおよび平均長さ／平均厚みを算出し、軟磁性材料における平均長さおよび平均長さ／平均厚みと一致することを確認した。さらに、測定範囲内に存在する全ての箔片について長さ方向と基準方向との間の角度θを測定し、平均した。結果を表１に示す。
【００６０】
各実施例および比較例の圧粉磁心について、ＳＥＭを用いて軟磁性粒子と箔片との合計の充填率を測定した。結果を下表１に示す。
【００６１】
各実施例および比較例について、周波数１００ｋＨｚとして比透磁率μｒおよびコアロスｔａｎδを測定した。比透磁率μｒはインピーダンス／ＧＡＩＮ−ＰＨＡＳＥ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ（横川ヒューレットパッカード株式会社製、４１９４Ａ）を用いて測定した。コアロスｔａｎδはＢ−Ｈ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ（岩崎通信株式会社製  ＳＹ−８２１８）を用いて摂動法により測定した。本実施例では比透磁率μｒは５０以上を良好とした。コアロスｔａｎδは１０００ｋＷ／ｍ３以下を良好とした。結果を下表１に示す。
【００６２】
各実施例および比較例について、耐電圧を測定した。各実施例および比較例についてトロイダル形状の圧粉磁心と同一の方法にて外径φ８ｍｍ、高さ５ｍｍの円柱形状の圧粉磁心を作製した。そして、円柱形状の圧粉磁心の向かい合う外径φ８ｍｍの円形の２面にＩｎＧａペーストを塗布した。ソースメーターの端子を塗布したＩｎＧａペーストに当てて電圧を印加し、１ｍＡの電流が流れたときの電圧値を向かい合う２面の距離（５ｍｍ）で割った値を耐電圧とした。耐電圧が２００Ｖ／ｍｍ以上である場合を良好とした。結果を下表１に示す。
【００６３】
各実施例および比較例について、耐湿試験を行った。具体的には、各実施例および比較例について温度８５℃、湿度８５％で１０００時間放置した。そして、１０００時間放置後の外観を評価した。１０００時間後の外観を観察して、表面に錆びが無い場合を○、点錆があるが表面全体に対する錆の面積割合が１０％未満である場合を△、表面全体に対する錆の面積割合が１０％以上である場合を×とした。○、△、×の順に好ましく、○または△である場合を良好とした。結果を表１に示す。
【００６４】
【表１】
2019169688.tif 000003
【００６５】
表１より、本願発明の範囲内である軟磁性材料を用いて作製された実施例１〜６の圧粉磁心は比透磁率μｒ、コアロスｔａｎδ、耐電圧および耐湿試験の結果が良好であった。
【００６６】
これに対し、軟磁性粉末の平均粒径が大きすぎる比較例１は箔片が基準方向に並びづらくなり、比透磁率μｒが低下しコアロスｔａｎδが上昇した。さらに、充填率が低下することで隙間が拡大し、封止効果が低下した。その結果、耐電圧が低下した。
【００６７】
軟磁性粉末の平均粒径が小さすぎる比較例２は箔片が基準方向に並びづらくなり、比透磁率μｒが低下した。
【００６８】
箔片の平均長さが長すぎる比較例３および比較例５は箔片が基準方向に並びづらくなり、比透磁率μｒが低下した。また、箔片の平均長さ／軟磁性粉末の平均粒径が大きすぎる比較例５は充填率が低下することで隙間が拡大し、封止効果が低下した。その結果、耐電圧が低下した。
【００６９】
箔片の平均長さ／平均厚みが小さすぎる比較例４は箔片が基準方向に並びづらくなり、箔片の磁束を誘導する効果が低下した結果、比透磁率μｒが低下した。
【００７０】
（実験例２）
実験例２では、軟磁性粉末の種類および／または箔片の種類を変化させた点以外は実施例１と同条件で実施した。結果を下表２に示す。
【００７１】
なお、下表２のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ合金組成は原子数比でＦｅ：Ｓｉ：Ｂ：Ｃｒ＝７６：１１：１１：２、Ｆｅ−Ｓｉ合金の組成は原子数比でＦｅ：Ｓｉ＝９８：２、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成は重量比でＦｅ：Ｎｉ＝２０：８０、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ合金の組成は原子数比でＦｅ：Ｓｉ：Ｂ＝８０：１０：１０である。
【００７２】
【表２】
2019169688.tif 000004
【００７３】
表２より、軟磁性粉末および／または箔片の種類を変化させても比透磁率μｒ、コアロスｔａｎδ、耐電圧および耐湿試験の結果が良好な圧粉磁心が得られた。
【符号の説明】
【００７４】
１・・・圧粉磁心
１１・・・軟磁性粉末
１３・・・箔片
１３ａ・・・箔片の長さ方向
１３ｂ・・・箔片の厚み方向
２１・・・基準方向
２３・・・成形方向
【図１】
2019169688.tif 000005
【図２】
2019169688.tif 000006