(57)【要約】      （修正有）【課題】化合物半導体ウェーハーの歪みを低減する裏面オーミック構造を提供する。【解決手段】構造１は、コンタクト金属層３０、少なくとも一層のストレス均衡層４０およびダイ取り付け層５０よりなる。コンタクト金属層は、化合物半導体ウェーハー２０の裏面に形成される。少なくとも一層のストレス均衡層は、コンタクト金属層の裏面に形成され、少なくとも一つ導電材料で作られる。ダイ取り付け層は、少なくとも一層のストレス均衡層の裏面に形成され、導電材料で作られる。コンタクト金属層およびダイ取り付け層の間に少なくとも一層のストレス均衡層を置くことにより、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが均衡し、ウェーハーの歪みが低減する。【選択図】図１
2019004127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体ウェーハーの裏面に形成するコンタクト金属層、
前記コンタクト金属層の裏面に形成し、少なくとも一つの導電材料で作られ、少なくとも一層のストレス均衡層、
および、前記少なくとも一層のストレス均衡層の上に形成し、導電材料で作られるダイ取り付け層、
より構成され、
前記コンタクト金属層および前記ダイ取り付け層の間に前記少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、前記化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが均衡され、前記化合物半導体ウェーハーの歪みが低減する、
ことを特徴とする、
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項２】
前記コンタクト金属層と前記化合物半導体ウェーハーの裏面の間にオーミックコンタクトを形成し、前記コンタクト金属層でオーミック電極を形成する、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項３】
前記オーミック電極を少なくとも一つのダイオードのために活用し、
前記少なくとも一つのダイオードが、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、垂直共振器型面発光レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード, 電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより、少なくとも一つ選ばれる、
ことを特徴とする、
請求項２記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項４】
前記化合物半導体ウェーハーの厚さが、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項５】
前記化合物半導体ウェーハーの直径が、３インチ以上である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項６】
前記化合物半導体ウェーハーは、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項７】
前記コンタクト金属層が、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項８】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、金属あるいは合金で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項９】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれTiあるいはTi合金、WあるいはW合金、AuあるいはAu合金、TiW合金、TiWN合金、およびWN合金からなるグループより選ばれる少なくとも一つの材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項８記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１０】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、スパッター、あるいは、電気めっきによって、前記コンタクト金属層の裏面に形成されること、
を特徴とする、
請求項８記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１１】
前記ダイ取り付け層は、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより選ばれる少なくとも一つの材料から作られること、
を特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１２】
前記少なくとも一層のストレス均衡層の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下であること、
を特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１３】
前記少なくとも一層のストレス均衡層の熱伝達係数は、１０W/m-K以上である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、化合物半導体ウェーハーのゆがみを低減するための改良構造、特に、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを打ち消し均衡させるための改良構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体ウェーハー上に集積回路を作成する工程において、大小のストレスが蓄積され、化合物半導体ウェーハーがストレスの影響を受ける。たとえば、化合物半導体ウェーハー上に形成した薄膜や成長したエピタキシャル構造がストレスを有する場合、化合物半導体ウェーハーには比較的大きなストレスが加わることになる。その際、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが打ち消されない限り、化合物半導体ウェーハーに反り歪みが生じる。その結果、化合物半導体ウェーハーの端の部分にクラックが入ることがある。更に、薄膜化工程によって薄膜化した後では、化合物半導体ウェーハーにかかるストレスを適正に均衡させることは更に難しくなる。よって、化合物半導体ウェーハーの反り歪みはより深刻な問題になり、ウェーハー端部に更にクラックを発生させる原因になりうる。
【０００３】
化合物半導体ウェーハーの直径に関して言えば、ストレスによって生じる反り歪みは、直径が３インチ以下であればほとんど目立たない。一方、直径が３インチ以上、たとえば、４インチ、５インチ、６インチ、あるいは、それ以上であれば、反り歪みはより顕著になってくる。
【０００４】
従来技術では、シリコン半導体ウェーハーの歪みを均衡させる改良構造が公開されている。図３は、シリコン半導体ウェーハーにおける従来技術である改良構造を示す断面図である。シリコン半導体ウェーハー１０の表面１０１上に集積回路１１が形成されている。一方、シリコン半導体ウェーハー１０の裏面１０２にストレス均衡層１２が裏打されている。これは、集積回路１１を形成する工程で発生し、ウェーハーに影響を及ぼすストレスを打ち消し均衡させるためのものである。
【０００５】
化合物半導体ウェーハーに適用する場合、集積回路を形成するにはウェーハー上に積層エピタキシャル構造を成長させる必要がある。シリコンウェーハー上にシリコンベースの集積回路を形成するのに比べ、通常、化合物半導体ウェーハーにはより大きなストレスが加わる。しかしながら、従来技術は、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを効果的に打ち消し均衡化させるストレス均衡構造を公開していない。更に、化合物半導体デバイスのある応用例においては、化合物半導体ウェーハーの裏面には金属層、あるいは、オーミック電極を形成する必要がある。シリコン半導体ウェーハーのストレスを均衡させる従来技術の改良構造では、このような問題に対処することが出来ない。
【０００６】
したがって、本願では、上述した問題を避け、経済的合理性を加味しつつ化合物半導体デバイスの性能を著しく向上するために開発した新構造を提案する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願が解決しようとしている主な技術的課題は、化合物半導体ウェーハーの裏面に金属層および少なくとも一層のストレス均衡層を設け、ストレス均衡性能と電気的導電性を兼ね備えた改良構造をいかにして形成するか、という問題である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した問題を解決し期待される効果を得るために、本願は、コンタクト金属層、少なくとも一層のストレス均衡層、およびダイ取り付け層からなる、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減する改良構造を提案する。ここで、前記コンタクト金属層は、化合物半導体ウェーハーの裏面に形成される。前記少なくとも一層のストレス均衡層は、前記コンタクト金属層の裏面に形成され、少なくとも一種の導電材料で作られる。前記ダイ取り付け層は、少なくとも一層のストレス均衡層の裏面に形成され、導電材料で作られる。このように、前記コンタクト金属層と前記ダイ取り付け層の間に前記少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、前記化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを打ち消し均衡させ、ウェーハーの歪みを低減する。前記コンタクト金属層、少なくとも一層のストレス均衡層およびダイ取り付け層は、すべて導電材料で出来ている。よって、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造は、ストレス均衡性能と電気的導電性の両方を兼ね備えることが可能である。
【０００９】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記コンタクト金属層と化合物半導体ウェーハーの裏面の間にオーミックコンタクトを形成し、前記コンタクト金属層をオーミック電極とする。
【００１０】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記オーミック電極は少なくとも一つのダイオードの電極である。ただし、前記少なくとも一つのダイオードは、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、垂直共振器型面発光レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード、電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより少なくとも一つ選ばれるダイオードとする。
【００１１】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記ウェーハーの厚さは２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である。
【００１２】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記化合物半導体ウェーハーの直径は、３インチ以上である。
【００１３】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記化合物半導体ウェーハーは、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料で作られる。
【００１４】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記コンタクト金属層は、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる。
【００１５】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、金属か合金で作られる。
【００１６】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するために改良した前記構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれTiあるいはTi合金、WあるいはW合金、AuあるいはAu合金、TiW合金、TiWN合金、およびWN合金からなるグループより少なくとも一つ選ばれる材料で作られる。
【００１７】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、スパッターか電気めっきによって、前記コンタクト金属層の裏面に形成する。
【００１８】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記ダイ取り付け層は、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより少なくとも一つ選べばよい。
【００１９】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である。
【００２０】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層の熱伝達係数は、１０W/m-K以上である。
【００２１】
更に本願の特徴と効果を理解するため、以下図面を参照しながら好ましい実施形態について述べる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一実施形態の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。
【図３】図３は、従来技術のシリコン半導体ウェーハーのための改良構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１を参照する。この図は、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一実施形態の断面図である。本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１は、コンタクト金属層３０、少なくとも一層のストレス均衡層４０、およびダイ取り付け層５０からなる。前記コンタクト金属層３０は、化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２に形成される。ここで、前記化合物半導体ウェーハー２０は、上面２０１と裏面２０２を有する。前記化合物半導体ウェーハー２０の材料は、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料でれあればよい。前記化合物半導体ウェーハー２０の厚さは、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である。ある好ましい実施形態においては、化合物半導体ウェーハー２０の直径は３インチ以上である。ただし、一般には、ウェーハーの直径をより大きくすると、ウェーハー歪みはより深刻になる。よって、本願の化合物半導体ウェーハー２０の歪みを低減するための改良構造１は、ウェーハーの直径が３インチ以上のとき、その効果をより発揮する。前記コンタクト金属層３０の材料は、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、AuおよびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料である。前記ストレス均衡層４０は、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成し、少なくとも一つの導電材料からなる。また、前記ストレス均衡層４０は、スパッター、電気めっき、真空蒸着、イオンめっき、あるいは、化学蒸着などによって、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成される。ある好ましい実施形態においては、前記ストレス均衡層４０は、スパッターあるいは電気めっきによって、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成される。前記ストレス均衡層４０の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である。ある好ましい実施形態においては、前記ストレス均衡層４０の熱伝達係数は、１０W/m-K以上である。ある好ましい実施形態においては、前記少なくとも一層のストレス均衡層４０の材料は、それぞれ、金属または合金である。ある好ましい実施形態においては、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、TiあるいはTi合金、WあるいはW合金、AuあるいはAu合金、TiW合金、TiWN合金、およびWN合金からなるグループより少なくとも一つ選ばれる。前記ダイ取り付け層５０は、前記ストレス均衡層４０の裏面４０２に形成する。その材料は導電材料であり、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより少なくとも一つ選ばれる。前記コンタクト金属層３０および前記ダイ取り付け層５０の間に、前記少なくとも一層のストレス均衡層４０を置くことにより、前記化合物半導体ウェーハー２０に加わるストレスが適度に打ち消され均衡し、ウェーハー歪みを低減することができる。前記コンタクト金属層３０、前記ストレス均衡層４０、および前記ダイ取り付け層５０のすべてが導電材料より出来ているので、本願の改良構造１は、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを均衡してウェーハーの歪みを低減するばかりでなく、電的な特徴も有し、いくつかの特徴ある応用上の要件を満たすことができる。前記化合物半導体ウェーハー２０に加わるストレスに従い、ウェーハーの歪みを低減するための本願の改良構造１は、前記化合物半導体ウェーハー２０の上面２０１に形成する構造のストレスを均衡させるよう、適正な材料と適正な膜厚（含前記コンタクト金属層３０、前記ストレス均衡層４０および前記ダイ取り付け層５０）を選ぶことになる。
【００２４】
ある好ましい実施形態において、前記化合物半導体ウェーハー２０の材料は、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、およびAlNからなるグループより選ばれる材料である。ある好ましい実施形態において、前記コンタクト金属層３０の材料は、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料である。ある好ましい実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層の材料は、それぞれTiあるいはTi合金、WあるいはW合金、AuあるいはAu合金、およびTiW合金からなるグループより少なくとも一つ選べばれる材料である。ある好ましい実施形態において、前記ダイ取り付け層５０の材料は、金あるいは金合金である。
【００２５】
ある好ましい実施形態において、前記化合物半導体ウェーハー２０の厚さは、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、３５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、５０マイクロメート以上３５０マイクロメートル以下、７５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、１００マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上３００マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上２５０マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上２００マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上１５０マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上１００マイクロメートル以下である。ある好ましい実施形態において、前記ストレス均衡層４０の膜厚は、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下、７５ナノメートル以上５マイクロメートル以下、１００ナノメートル以上５マイクロメートル以下、１５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下、２００ナノメートル以上５マイクロメートル以下、２５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上４．５マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上４マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上３．５マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上３マイクロメートル以下である。
【００２６】
図２Ａを参照する。この図は、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。ただし、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１’は、複数の垂直共振器型面発光レーザーダイオード２を形成するためのものである。図２Ａの実施形態において、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１’は、コンタクト金属層３０、少なくとも一層のストレス均衡層４０、およびダイ取り付け層５０からなる。前記コンタクト金属層３０は、化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２に形成する。前記ストレス均衡層４０は、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成する。前記ダイ取り付け層５０は、前記ストレス均衡層４０の裏面４０２に形成する。図２Ａの実施形態の、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造１’は、オーミックコンタクトを前記コンタクト金属層３０と前記化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２の間に形成して前記コンタクト金属層３０をオーミック電極にすることを除き、基本的に図１の実施形態の改良構造１と同じである。本実施形態では、オーミック電極はN型オーミック電極である。図２Ａの実施形態は、さらに、N型分散ブラッグレフレクター６０、量子井戸構造６２、酸化閉じ込め層６４、P型分散ブラッグレフレクター６６、P型オーミック電極６８、複数のメサ構造６７、および複数のくぼみ６９よりなる。N型分散ブラッグレフレクター６０は、前記化合物半導体ウェーハー２０の上面２０１に形成する。量子井戸構造６２は、前記N型分散ブラッグレフレクター６０上に形成する。前記酸化閉じ込め層６４は、前記量子井戸構造６２の上に形成する。前記P型分散ブラッグレフレクター６６は、前記酸化閉じ込め層６４の上に形成する。前記P型オーミック電極６８は、前記P型分散ブラッグレフレクター６６の上に形成する。前記複数のくぼみ６９は、前記P型オーミック電極６８、前記P型分散ブラッグレフレクター６６、および前記酸化閉じ込め層６４を、前記複数のくぼみ６９が出来る領域内でエッチングすることによって形成する。こうして前記複数のメサ構造６７が形成される。各メサ構造６７は、P型オーミック電極６８、P型分散ブラッグレフレクター６６、および酸化閉じ込め層６４を含む。図２Ｂを参照する。この図は、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減する改良構造の一応用例の断面図である。複数の破線７０に沿って図２Ａの構造を切り出すと、複数の垂直共振器型面発光レーザーダイオード２が得られる。図２Ｂは、そのうちの一つである。前記垂直共振器型面発光レーザーダイオード２の一つは、前記ダイ取り付け層５０、前記ストレス均衡層４０、前記コンタクト金属層３０（N型オーミック電極）、前記化合物半導体ウェーハー２０、前記N型分散ブラッグレフレクター６０、前記量子井戸構造６２、前記酸化閉じ込め層６４、前記P型分散ブラッグレフレクター６６、前記P型オーミック電極６８、および一つのメサ構造６７よりなる。
【００２７】
ある実施形態、すなわち、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１’（オーミックコンタクトを前記コンタクト金属層３０および前記化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２の間に形成して前記コンタクト金属層３０でオーミック電極を作成したもの）において、前記コンタクト金属層３０により形成するオーミック電極は、図２Ａのように垂直共振器型面発光レーザーダイオード２に活用することができ、更に、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード, 電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより選ばれる少なくとも一つのダイオードにも活用できる。
【００２８】
上の記載および添付図面によって説明したように、本願は、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造を提供することが出来る。それは新規であり、産業上の応用に適うものである。
【００２９】
上記本願の実施形態を詳細に説明してきたが、ここで開示したものから学び十分習熟したものであれば、多くの修正や変種を作り出すことが可能である。よって、本願の精神と等価である如何なる修正も如何なる変種も以下に加える請求項によって定義される範囲に含まれるものと理解されるべきである。
【図１】
2019004127.tif 000003
【図２Ａ】
2019004127.tif 000004
【図２Ｂ】
2019004127.tif 000005
【図３】
2019004127.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月29日(2018.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体ウェーハーの裏面に形成するコンタクト金属層、
前記コンタクト金属層の裏面に形成し、少なくとも一つの導電材料で作られ、少なくとも一層のストレス均衡層、
および、前記少なくとも一層のストレス均衡層の上に形成し、導電材料で作られるダイ取り付け層、
前記化合物半導体ウェーハーの表面に形成される、ストレスの多いエピタキシャル構造、
より構成され、
前記少なくとも一層のストレス均衡層のうちの少なくとも一層は、TiあるいはTi合金、WあるいはW合金、TiW合金、TiWN合金、およびWN合金からなるグループより少なくとも一つ選ばれる材料で作られ、
前記コンタクト金属層および前記ダイ取り付け層の間に前記少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、前記化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが均衡され、前記化合物半導体ウェーハーの歪みが低減する、
ことを特徴とする、
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項２】
前記コンタクト金属層と前記化合物半導体ウェーハーの裏面の間にオーミックコンタクトを形成し、前記コンタクト金属層でオーミック電極を形成する、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項３】
前記オーミック電極を少なくとも一つのダイオードのために活用し、
前記少なくとも一つのダイオードが、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、垂直共振器型面発光レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード, 電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより、少なくとも一つ選ばれる、
ことを特徴とする、
請求項２記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項４】
前記化合物半導体ウェーハーの厚さが、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項５】
前記化合物半導体ウェーハーの厚さが、２５マイクロメートル以上２００マイクロメートル以下である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項６】
前記化合物半導体ウェーハーの直径が、３インチ以上である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項７】
前記化合物半導体ウェーハーは、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項８】
前記コンタクト金属層が、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項９】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、AuあるいはAu合金で作られる１つの層をさらに備える、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１０】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、スパッター、あるいは、電気めっきによって、前記コンタクト金属層の裏面に形成されること、
を特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１１】
前記ダイ取り付け層は、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより選ばれる少なくとも一つの材料から作られること、
を特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１２】
前記少なくとも一層のストレス均衡層の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下であること、
を特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１３】
前記少なくとも一層のストレス均衡層の熱伝達係数は、１０W/m-K以上である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。