(57)【要約】【課題】絶縁層の開口部内の接続パッドに金属ピンを接続する際に、金属ピンが傾いて接続されることを防止できる新規な構造の配線基板を提供する。【解決手段】接続パッドＰと、接続パッドＰの上に開口部１２ａを備えた絶縁層１２と、絶縁層１２の開口部１２ａに配置された金属接合材１４によって接続パッドＰに接続された金属ピン２０とを含み、絶縁層１２の開口部１２ａは、主開口部Ａと、主開口部Ａの外周から外側に突出する複数の突出開口部Ｂ１〜Ｂ４とから形成され、金属ピン２０の下端面の外周が、主開口部Ａの外周の位置よりも外側の位置に配置されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パッドと、
前記接続パッドの上に開口部を備えた絶縁層と、
前記絶縁層の開口部に配置された金属接合材によって前記接続パッドに接続された金属ピンと
を有し、
前記絶縁層の開口部は、主開口部と、前記主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成され、
前記金属ピンの下端面の外周が、前記主開口部の外周の位置よりも外側の位置に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の突出開口部は、前記主開口部を中心にして十字状の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記金属ピンの下端面の外周部が前記絶縁層の上面に当接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記主開口部は円状であり、前記突出開口部は四角状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
第１接続パッドと、
前記第１接続パッドの上に開口部を備えた絶縁層と、
前記絶縁層の開口部に配置された金属接合材によって前記第１接続パッドに接続された金属ピンと
を含み、
前記絶縁層の開口部は、主開口部と、前記主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成され、かつ、前記金属ピンの下端面の外周が、前記主開口部の外周の位置よりも外側の位置に配置された第１配線基板と、
第２接続パッドを備えた第２配線基板と
を有し、
前記第１配線基板の金属ピンの先端面に前記第２配線基板の第２接続パッドが接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
前記第１配線基板及び前記第２配線基板の少なくとも一方に搭載された電子部品と、
前記第１配線基板と前記第２配線基板の間に充填され、前記電子部品及び前記金属ピンを封止する封止樹脂と
を有することを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
接続パッドを備えた基板を用意する工程と、
前記基板の上に、前記接続パッドの上に開口部が配置された絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の開口部に配置された金属接合材によって前記接続パッドに金属ピンを接続する工程と
を有し、
前記絶縁層の開口部は、主開口部と、前記主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成され、
前記金属ピンの下端面の外周が、前記主開口部の外周の位置よりも外側の位置に配置されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属ピンを接続する工程において、
前記金属ピンの下端面の外周部が前記絶縁層の上面に当接することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法と電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、下側の半導体パッケージの上に上側の半導体パッケージを積層した積層型の半導体装置がある。そのような積層型の半導体装置では、下側の半導体パッケージと上側の半導体パッケージとが金属ポスト又ははんだボールなどによって接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１４６３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
後述する予備的事項で説明するように、積層型の電子装置は、下側配線基板に立設する金属ピンに、上側配線基板の接続パッドが接続されて構築される。下側配線基板の金属ピンは、ソルダレジスト層の開口部内の接続パッドにはんだで接続される。
【０００５】
このとき、金属ピンが位置ずれすると、金属ピンの外周がソルダレジスト層の開口部内に落ち込んで配置されるため、金属ピンが傾いて接続パッドに接続されてしまう。
【０００６】
このため、下側配線基板の金属ピンに上側配線基板の接続パッドを信頼性よく接続することが困難になり、製造歩留りの低下の要因になる。
【０００７】
絶縁層の開口部内の接続パッドに金属ピンを接続する際に、金属ピンが傾いて接続されることを防止できる新規な構造の配線基板及び製造方法と電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、接続パッドと、前記接続パッドの上に開口部を備えた絶縁層と、前記絶縁層の開口部に配置された金属接合材によって前記接続パッドに接続された金属ピンとを有し、前記絶縁層の開口部は、主開口部と、前記主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成され、前記金属ピンの下端面の外周が、前記主開口部の外周の位置よりも外側の位置に配置されている配線基板が提供される。
【０００９】
また、その開示の他の観点によれば、第１接続パッドと、前記第１接続パッドの上に開口部を備えた絶縁層と、前記絶縁層の開口部に配置された金属接合材によって前記第１接続パッドに接続された金属ピンとを含み、前記絶縁層の開口部は、主開口部と、前記主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成され、かつ、前記金属ピンの下端面の外周が、前記主開口部の外周の位置よりも外側の位置に配置された第１配線基板と、第２接続パッドを備えた第２配線基板とを有し、前記第１配線基板の金属ピンの先端面に前記第２配線基板の第２接続パッドが接続されている電子装置が提供される。
【００１０】
さらに、その開示の他の観点によれば、接続パッドを備えた基板を用意する工程と、前記基板の上に、前記接続パッドの上に開口部が配置された絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の開口部に配置された金属接合材によって前記接続パッドに金属ピンを接続する工程とを有し、前記絶縁層の開口部は、主開口部と、前記主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成され、前記金属ピンの下端面の外周が、前記主開口部の外周の位置よりも外側の位置に配置される配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
以下の開示によれば、配線基板では、接続パッドの上に絶縁層の開口部が配置され、接続パッドに金属ピンが接続されている。絶縁層の開口部は、主開口部と、主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成される。
【００１２】
これにより、金属ピンを接続パッドに接続する際に、金属ピンが絶縁層の開口部から位置ずれするとしても、金属ピンの下端面の外周が主開口部内に落ち込まずに、突出開口部の上に配置されるようになっている。
【００１３】
このため、金属ピンの下端面の外周が絶縁層の主開口部の周囲の上面部にバランスよく配置されるため、金属ピンが傾いて接続されることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は予備的事項に係る下側配線基板の接続パッドに金属ピンが接続された様子を示す断面図及び平面図である。
【図２】図２は図１（ａ）の金属ピンが位置ずれして傾いて接続された様子を示す断面図である。
【図３】図３は図２の下側配線基板の金属ピンに上側配線基板の接続パッドを接続する様子を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は実施形態の配線基板の接続パッド上に配置されたソルダレジスト層の開口部の様子を示す平面図及び断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は図４（ａ）及び（ｂ）の配線基板のソルダレジスト層の開口部に金属ピンが位置合わせされて配置された様子を示す平面図及び断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は図４（ａ）及び（ｂ）の配線基板のソルダレジスト層の開口部に金属ピンが位置ずれして配置された様子を示す平面図及び断面図（その１）である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は図４（ａ）及び（ｂ）の配線基板のソルダレジスト層の開口部に金属ピンが位置ずれして配置された様子を示す平面図及び断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）及び（ｂ）は図４（ａ）及び（ｂ）の配線基板のソルダレジスト層の開口部に金属ピンが位置ずれして配置された様子を示す平面図及び断面図（その３）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は実施形態の配線基板のソルダレジスト層の開口部の第１変形例を示す平面図及び断面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は実施形態の配線基板のソルダレジスト層の開口部の第２変形例を示す平面図及び断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｄ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１４】図１４は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１５】図１５は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１６】図１６は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１７】図１７は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１８】図１８は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図１９】図１９は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図２０】図２０は実施形態の電子装置の製造方法を示す断面図（その９）である。
【図２１】図２１は実施形態の電子装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１６】
実施形態を説明する前に、基礎となる予備的事項について説明する。予備的事項の記載は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない技術内容を含む。
【００１７】
図１（ａ）及び（ｂ）には、予備的事項に係る下側配線基板の接続パッドに接続された金属ピンの周りの構造が部分的に示されている。図１（ａ）は図１（ｂ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、下側配線基板５００では、絶縁層１００の上に接続パッドＰが形成されている。接続パッドＰは絶縁層１００に形成されたビア導体（不図示）を介して内部の多層配線層（不図示）に接続されている。
【００１９】
絶縁層１００の上には、接続パッドＰの上に開口部２００ａが配置されたソルダレジスト層２００が形成されている。そして、円柱状の金属ピン３００の下端面がはんだ３２０によって接続パッドＰに接続されている。
【００２０】
図１（ａ）及び（ｂ）のように、ソルダレジスト層２００の開口部２００ａの直径は、金属ピン３００の直径よりも小さく設定されている。
【００２１】
金属ピン３００がソルダレジスト層２００の開口部２００ａに位置合わせされて配置される場合は、金属ピン３００の下端面の外周の全体がソルダレジスト層２００の開口部２００ａの周囲の上面に当接して配置される。このため、金属ピン３００が傾くことなく、はんだ３２０によって接続パッドＰに接続される。
【００２２】
図２には、予備的事項に係る下側配線基板５００の金属ピン３００がソルダレジスト層２００の開口部２００ａから位置ずれして配置された様子が示されている。
【００２３】
図２に示すように、金属ピン３００がソルダレジスト層２００の開口部２００ａの内壁よりも右側に位置ずれして配置されると、金属ピン３００の下端面の左側の外周がソルダレジスト層２００の開口部２００ａ内に落ち込んで配置される。
【００２４】
このため、金属ピン３００は、ソルダレジスト層２００の段差によって左側に傾いて状態で、はんだ３２０によって接続パッドＰに接続されてしまう。
【００２５】
続いて、図３に示すように、上側配線基板６００を用意する。図２の下側配線基板５００の金属ピン３００に上側配線基板６００が接続されて積層型の電子装置が構築される。図３の上側配線基板６００では、接続パッドＰｘの周りの構造が部分的に示されている。
【００２６】
上側配線基板６００では、絶縁層１１０の上（図３では下）に接続パッドＰｘが形成されている。また、絶縁層１１０の上に、接続パッドＰｘの上に開口部２１０ａが配置されたソルダレジスト層２１０が形成されている。さらに、ソルダレジスト層２１０の開口部２１０ａ内にはんだ３３０が塗布されている。
【００２７】
そして、下側配線基板５００の金属ピン３００の上端面に上側配線基板６００の接続パッドＰｘがはんだ３３０によって接続される。
【００２８】
このとき、下側配線基板５００の金属ピン３００が傾いて配置されていると、金属ピン３００が上側配線基板６００の接続パッドＰｘから位置ずれしたり、接続パッドＰｘに届かなかったりする。
【００２９】
このため、下側配線基板５００の金属ピン３００に上側配線基板６００の接続パッドＰｘを信頼性よく接続することが困難になり、電子装置の製造歩留りの低下の要因になる。
【００３０】
以下に説明する実施形態の配線基板及びその製造方法と電子装置では、前述した課題を解消することができる。
【００３１】
（実施の形態）
図４〜図１１は実施形態の配線基板を説明するための図、図１１〜図２０は実施形態の電子装置の製造方法を説明するための図、図２１は実施形態の電子装置を示す図である。
【００３２】
図４（ａ）及び（ｂ）には、実施形態の配線基板の接続パッドの周りの構造が部分的に示されている。図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ１−Ｘ１に沿った断面図である。
【００３３】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、実施形態の配線基板１では、絶縁層１０の上に接続パッドＰが形成されている。
【００３４】
また、絶縁層１０の上に、接続パッドＰの上に開口部１２ａを備えたソルダレジスト層１２が形成されている。ソルダレジスト層１２の開口部１２ａは接続パッドＰ上の中央部に配置され、接続パッドＰの外周部がソルダレジスト層１２で被覆されている。
【００３５】
ソルダレジスト層１２は、配線基板１の最外に保護層として形成される絶縁層の一例であり、感光性の絶縁樹脂から形成される。
【００３６】
また、絶縁層１０は、上下の配線層の間に配置されるエポキシ樹脂などの層間絶縁樹脂層である。また、接続パッドＰは銅などの配線材料から形成される。接続パッドＰは、絶縁層１０に形成されたビア導体（不図示）を介して内部の多層配線層（不図示）に接続されている。
【００３７】
接続パッドＰは、島状に配列されていてもよいし、引き出し配線の一端又は内部に繋がって配置されていてもよい。
【００３８】
図４（ａ）に示すように、接続パッドＰの上に配置されたソルダレジスト層１２の開口部１２ａは、平面視で、主開口部Ａと、主開口部Ａの外周から外側に突出する４つの突出開口部Ｂ１〜Ｂ４とから形成される。ソルダレジスト層１２の開口部１２ａは、主開口部Ａと、４つの突出開口部Ｂ１〜Ｂ４とが連通して形成される。
【００３９】
図４（ａ）の例では、主開口部Ａは円状で形成され、突出開口部Ｂ１〜Ｂ４は四角状に形成されている。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、主開口部Ａの横方向の対向する外周部分から外側に一対の突出開口部Ｂ１，Ｂ２が突出して配置されている。また、主開口部Ａの縦方向の対向する外周部分から外側に一対の突出開口部Ｂ３，Ｂ４がそれぞれ突出して配置されている。
【００４１】
そして、横方向で対向する一対の突出開口部Ｂ１，Ｂ２の延在方向と、縦方向で対向する一対の突出開口部Ｂ３，Ｂ４の延在方向とが直交している。
【００４２】
このように、図４（ａ）の例では、４つの突出開口部Ｂ１〜Ｂ４は、主開口部Ａを中心にして主開口部Ａの外周の十字状の位置に配置されている。十字状の位置は右側又は左側に傾いた位置であってもよく、主開口部Ａの外周の均等な４つの位置に突出開口部Ｂ１〜Ｂ４が配置されていればよい。
【００４３】
主開口部Ａの外周に配置された突出開口部Ｂ１〜Ｂ４は、金属ピンをソルダレジスト層１２の開口部１２ａ内の接続パッドＰに接続する際に、金属ピンが位置ずれしても、金属ピンが傾いて接続されることを防止するために形成される。
【００４４】
図５（ａ）及び（ｂ）には、図４（ａ）及び（ｂ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａに金属ピン２０が位置合わせされて配置された場合が示されている。図５（ｂ）は図５（ａ）のＸ２―Ｘ２に沿った断面図であり、図５（ａ）では金属ピン２０は太破線で示されている。
【００４５】
図５（ａ）では、図４（ａ）の接続パッドＰが省略されている。後述する図６（ａ）、図７（ａ）及び図８（ａ）についても同じである。
【００４６】
ソルダレジスト層１２の開口部１２ａの対向する一対の突出開口部Ｂ１，Ｂ２（又はＢ３，Ｂ４）の一端から他端までの寸法Ｌは金属ピン２０直径Ｄと同じに設定されている。
【００４７】
本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、金属ピン２０は、ソルダレジスト層１２の開口部１２ａに配置されたはんだ１４によって接続パッドＰに接続される。
【００４８】
はんだ１４は金属接合材の一例であり、はんだ１４の他に、銀ペーストなどの導電性ペーストを使用してもよい。そして、金属ピン２０の下端面の外周部がソルダレジスト層１２の上面に当接している。金属ピン２０は、銅などからなる円柱状の金属部品であり、上端面と下端面とが平行に配置されて平坦面となっている。
【００４９】
図５（ｂ）の断面図は、図５（ａ）の一対の突出開口部Ｂ１，Ｂ２よりも下側の領域（Ｘ２−Ｘ２）の断面図である。
【００５０】
ここで、図５（ａ）に示すように、ソルダレジスト層１２の主開口部Ａの周囲に４つの突出開口部Ｂ１〜Ｂ４が配置されることで、主開口部Ａの周囲にソルダレジスト層１２の４つの上面部Ｓが均等に区画される。
【００５１】
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属ピン２０がソルダレジスト層１２の開口部１２ａに位置合わせされて配置される場合は、金属ピン２０の下端面の外周が開口部１２ａの周囲のソルダレジスト層１２の４つの上面部Ｓの相互に同じ位置に当接して配置される。そして、金属ピン２０の下端面の外周の一部が４つの突出開口部Ｂ１〜Ｂ４の先端の上に配置される。
【００５２】
このように、金属ピン２０の下端面の外周が主開口部Ａの周囲のソルダレジスト層１２の上面部Ｓにバランスよく配置されるため、金属ピン２０は傾くことなく、はんだ１４によって接続パッドＰに接続される。
【００５３】
ソルダレジスト層１２の開口部１２ａの主開口部Ａの直径Ｄｘは、金属ピン２０の直径Ｄの６０％〜４０％に設定される。例えば、金属ピン２０の直径Ｄが０．２５ｍｍの場合は、ソルダレジスト層１２の主開口部Ａの直径Ｄｘは０．１５〜０．１ｍｍに設定される。また、金属ピン２０の高さｈ（図５（ｂ））は、例えば、０．４５ｍｍである。
【００５４】
また、ソルダレジスト層１２の開口部１２ａのトータルの面積が金属ピン２０の下端面の面積の６０％〜８０％程度になるように、主開口部Ａ及び突出開口部Ｂ１〜Ｂ４の各面積が調整される。
【００５５】
これにより、ソルダレジスト層の開口部を円形状で配置する場合とはんだによる接続面積がほぼ同じになるため、突出開口部Ｂ１〜Ｂ４を設けるとしても接続強度や電気接続の信頼性が確保される。
【００５６】
図６（ａ）及び（ｂ）には、図４（ａ）及び（ｂ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａに金属ピン２０が上側に位置ずれして配置された場合が示されている。図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ３―Ｘ３に沿った断面図であり、図６（ａ）では金属ピン２０は太破線で示されている。
【００５７】
図６（ａ）に示すように、主開口部Ａに繋がる突出開口部Ｂ１〜Ｂ４の基端Ｅ１から終端Ｅ２までの長さＬｘは、金属ピン２０とソルダレジスト層１２の開口部１２ａとの間の最大の位置ずれ量よりも長くなるように設定される。
【００５８】
金属ピン２０の最大の位置ずれ量は、ソルダレジスト層１２の開口部１２ａを形成する際の位置ずれ量と、ピン振込冶具によって金属ピン２０を配置する際の位置ずれ量とを足したトータルの位置ずれ量である。
【００５９】
このため、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属ピン２０がソルダレジスト層１２の開口部１２ａから上側に位置ずれするとしても、金属ピン２０の下端面の外周は主開口部Ａ内に落ち込まずに、下側の突出開口部Ｔ４の上に配置される。
【００６０】
これにより、金属ピン２０の下端面の外周が主開口部Ａの周囲のソルダレジスト層１２の４つの上面部Ｓに配置されるため、金属ピン２０が傾くことなく、はんだ１４によって接続パッドＰに接続される。
【００６１】
なお、本実施形態においても、金属ピン２０が位置ずれする際に、金属ピン２０の下端面の外周が主開口部Ａ内に落ち込んで配置されると、金属ピン２０は傾いて接続される。
【００６２】
このため、金属ピン２０が最大に位置ずれするとしても、金属ピン２０の下端面の外周が突出開口部Ｂ１〜Ｂ４の基端Ｅ（図６（ａ））の位置よりも外側の位置に配置されるようにしている。
【００６３】
これにより、金属ピン２０が最大に位置ずれしても、金属ピン２０が傾いて配置されることが防止される。突出開口部Ｂ１〜Ｂ４の基端Ｅは、突出開口部Ｂ１〜Ｂ４が主開口部Ａの外周に繋がる部分である。
【００６４】
このように、実施形態の配線基板１では、金属ピン２０の下端面の外周が、主開口部Ａの外周の位置よりも外側の位置に配置されている。
【００６５】
図７（ａ）及び（ｂ）には、図４（ａ）及び（ｂ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａに金属ピン２０が右側に位置ずれして配置された場合が示されている。図７（ｂ）は図６（ａ）のＸ４―Ｘ４に沿った断面図であり、図７（ａ）では金属ピン２０は太破線で示されている。
【００６６】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属ピン２０がソルダレジスト層１２の開口部１２ａから右側に位置ずれするとしても、金属ピン２０の下端面の外周は主開口部Ａ内に落ち込まずに、左側の突出開口部Ｂ２の上に配置される。
【００６７】
これにより、金属ピン２０の下端面の外周が主開口部Ａの周囲のソルダレジスト層１２の４つの上面部Ｓに配置されるため、金属ピン２０が傾くことなく、はんだ１４によって接続パッドＰに接続される。
【００６８】
図８（ａ）及び（ｂ）には、図４（ａ）及び（ｂ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａに金属ピン２０が右斜め上側に位置ずれして配置された場合が示されている。図８（ｂ）は図８（ａ）のＸ５―Ｘ５に沿った断面図であり、図８（ａ）では金属ピン２０は太破線で示されている。
【００６９】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属ピン２０がソルダレジスト層１２の開口部１２ａから右斜め上側に位置ずれするとしても、金属ピン２０の下端面の外周は主開口部Ａ内に落ち込まずに、左側及び下側の突出開口部Ｂ２，Ｂ４の上に配置される。
【００７０】
これにより、金属ピン２０の下端面の外周が主開口部Ａの周囲のソルダレジスト層１２の４つの上面部Ｓに配置されるため、金属ピン２０が傾くことなく、はんだ１４によって接続パッドＰに接続される。
【００７１】
次に、実施形態の配線基板１のソルダレジスト層１２の開口部１２ａの形状の変形例について説明する。図９（ａ）及び（ｂ）には、ソルダレジスト層の開口部の第１変形例が示されている。図９（ｂ）は図９（ａ）のＸ６―Ｘ６に沿った断面図である。
【００７２】
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、前述した図４（ａ）において、主開口部Ａの外周に配置する突出開口部Ｂの数を増やしてもよい。図９（ａ）の例では、突出開口部Ｂは６個で形成されているが、任意に設定することができる。
【００７３】
また、図１０（ａ）及び（ｂ）には、ソルダレジスト層の開口部の第２変形例が示されている。図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＸ７―Ｘ７に沿った断面図である。
【００７４】
図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、主開口部Ａを四角状で形成し、主開口部Ａの４つの外周辺に三角状の突出開口部Ｂを配置してもよい。
【００７５】
主開口部Ａの形状は、円状や四角状以外に、六角状、八角状、又は楕円状などであってもよい。また、突出開口部Ｂ１〜Ｂ４の形状は、四角状や三角状以外に、楕円状などであってもよい。さらに、主開口部Ａの外周に配置される突出開口部の数は複数であればよく、金属ピンの位置ずれ方向を考慮して任意に設定することができる。
【００７６】
図９（ａ）及び図１０（ａ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａの形状などを採用しても、図４（ａ）の構造と同様な原理で、金属ピン２０が位置ずれしても、金属ピン２０が傾いて接続されることが防止される。
【００７７】
以上の実施形態で例示したように、配線基板は、接続パッドと、接続パッドの上に開口部を備えた絶縁層（ソルダレジスト層１２）と、接続パッドに接続された金属ピンとを備えている。そして、絶縁層の開口部は、主開口部と、主開口部の外周から外側に突出する複数の突出開口部とから形成される。
【００７８】
次に、実施形態の配線基板の製造方法について説明する。まず、図１１（ａ）に示すように、絶縁層１０とその上に形成された接続パッドＰとを備えた基板３を用意する。次いで、図１１（ｂ）に示すように、絶縁層１０及び接続パッドＰの上にネガ型の感光性樹脂層１２ｘを塗布する。
【００７９】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、前述した図４（ａ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａの形状を得るためのフォトマスク（不図示）用意する。そして、フォトマスクを介して感光性樹脂層１２ｘに対して露光を行った後に、現像することより、感光性樹脂層１２ｘに開口部１２ａを形成する。
【００８０】
ネガ型の感光性樹脂層１２ｘでは、露光部分が架橋して残り、未露光部分が現像液で除去されて開口部１２ａとなる。さらに、開口部１２ａが形成された感光性樹脂層１２ｘを加熱処理して硬化させる。
【００８１】
これにより、図１１（ｄ）に示すように、前述した図４（ａ）のソルダレジスト層１２の開口部１２ａが得られる。ソルダレジスト層１２は絶縁層の一例であり、各種の絶縁材料をパターニングして開口部を形成してもよい。
【００８２】
なお、ネガ型の感光性樹脂層１２ｘの代わりに、ポジ型の感光性樹脂層を使用しても同様な開口部を備えたソルダレジスト層を形成することができる。ポジ型の感光性樹脂層では、露光部分が現像液で除去されて開口部となり、未露光部分が残される。
【００８３】
その後に、ソルダレジスト層１２の開口部１２ａ内の接続パッドＰにはんだによって金属ピンが接続される。金属ピンの接続方法は、後述する電子装置の製造方法で説明する。
【００８４】
次に、前述した図４（ａ）及び（ｂ）の実施形態の配線基板１を使用して積層型の電子装置を製造する方法について説明する。
【００８５】
図１２（ａ）には、前述した図４（ａ）及び（ｂ）の配線基板１の全体の様子が第１配線基板５として示されている。図１２（ａ）に示すように、第１配線基板５では、最下に配置された保護絶縁層３０の上に絶縁層３２が形成されている。絶縁層３２の上に配線層４０が形成されている。
【００８６】
さらに、絶縁層３２及び配線層４０の上に絶縁層１０が形成されている。また、絶縁層１０の上に接続パッドＰが形成されている。接続パッドＰは絶縁層１０に形成されたビア導体ＶＣを介して配線層４０に接続されている。
【００８７】
また、絶縁層１０及び接続パッドＰの上には、ソルダレジスト層１２が形成されている。接続パッドＰの上にソルダレジスト層１２の開口部１２ａが配置されている。図１２（ａ）のＧで示される領域のソルダレジスト層１２の開口部１２ａが前述した図４（ａ）と同じ形状を有し、Ｇで示される領域の接続パッドＰに金属ピンが接続される。
【００８８】
そして、図１２（ｂ）に示すように、金属ピン２０の下端面をはんだ１４によって接続パッドＰに接続する。
【００８９】
図１３及び図１４には、金属ピン２０の接続方法が示されている。図１３（ａ）に示すように、まず、第１配線基板５のソルダレジスト層１２の開口部１２ａ内の接続パッドＰの上にフラックスを含有するはんだペースト１４ａを塗布する。
【００９０】
さらに、ピン振込冶具１６を用意する。ピン振込冶具１６には複数の振込穴１６ａが設けられている。ピン振込冶具１６の振込穴１６ａは、第１配線基板５の金属ピンが接続される接続パッドＰに対応して配置されている。
【００９１】
続いて、ソルダレジスト層１２に形成された位置合わせマーク（不図示）を画像認識することにより、ピン振込冶具１６の振込穴１６ａを第１配線基板５のソルダレジスト層１２の開口部１２ａに位置合わせする。そして、ピン振込冶具１６の上側から振込穴１６ａに金属ピン２０を挿通させる。
【００９２】
これより、図１３（ｂ）に示すように、金属ピン２０が自重で接続パッドＰ上のはんだペースト１４ａに落下し、はんだペースト１４ａに仮接着される。また同時に、金属ピン２０の下端面の外周部がソルダレジスト層１２の上面に当接する。
【００９３】
前述したように、ソルダレジスト層１２の開口部１２ａは突出開口部Ｂ１〜Ｂ４を備えている。このため、金属ピン２０が位置ずれするとしても、金属ピン２０の下端面の外周がソルダレジスト層１２の上面にバランスよく当接するようになっている。よって、金属ピン２０が傾いて配置されることが防止される。
【００９４】
ピン振込冶具１６の振込穴１６ａの内壁と金属ピン２０の外面との間のクリアランスが小さいため、金属ピン２０はほぼ垂直に立設して接続パッドＰに接続される。
【００９５】
その後に、図１４に示すように、金属ピン２０が仮接着された第１配線基板５からピン振込冶具１６を取り外す。
【００９６】
さらに、はんだペースト１４ａをリフロー加熱することにより、ソルダレジスト層１２の開口部１２ａに配置されたはんだ１４によって金属ピン２０を接続パッドＰに接続する。
【００９７】
例えば、はんだペースト１４ａとして、錫（Ｓｎ）・銀（Ａｇ）・銅（Ｃｕ）はんだなどの鉛フリーはんだを使用する場合は、２２０℃〜２７０℃の温度でリフロー加熱が行われる。その後に、フラックス洗浄が行われる。
【００９８】
リフロー加熱する際に、はんだペースト１４ａからフラックスが外部に流出してソルダレジスト層１２の開口部１２ａの全体にはんだ１４が充填されるように、図１３（ａ）のはんだペースト１４ａのボリュームが調整される。
【００９９】
このとき、ソルダレジスト層１２の上面ははんだの濡れ性が悪いと共に、開口部１２ａの周囲のソルダレジスト層１２の上面に金属ピン２０の下端面の外周部が当接している。このため、リフロー加熱ではんだ１４が溶融する際に、金属ピン２０の下端面とソルダレジスト層１２の上面との間にはんだ１４は流出しない。
【０１００】
このようにして、金属ピン２０の下端面の外周部がソルダレジスト層１２の上面に当接した状態で、金属ピン２０が傾くことなく、はんだ１４によって接続パッドＰに信頼性よく接続される。
【０１０１】
次いで、図１５に示すように、半導体チップ５０とキャパシタ素子６０とを用意する。そして、第１配線基板５の部品搭載領域の接続パッドＰに半導体チップ５０のバンプ電極５２をフリップチップ接続する。さらに、半導体チップ５０の下側にアンダーフィル樹脂５４を充填する。
【０１０２】
また、半導体チップ５０の横方向の接続パッドＰにキャパシタ素子６０の接続端子６２を接続する。
【０１０３】
半導体チップ５０及びキャパシタ素子６０は、電子部品の一例であり、各種の電子部品を搭載してもよい。
【０１０４】
以上により、金属ピン２０が接続され、半導体チップ５０及びキャパシタ素子６０が搭載された第１配線基板５が得られる。第１配線基板５は、金属ピン２０、半導体チップ５０及びキャパシタ素子６０を含んで構築される。
【０１０５】
次に、図１６に示すように、第２配線基板６を用意する。第２配線基板６では、絶縁層７２の下面に接続パッドＰｘが形成され、絶縁層７２の上面に配線層８０が形成されている。接続パッドＰｘは、絶縁層７２に形成されたビア導体ＶＣを介して配線層８０に接続されている。
【０１０６】
絶縁層７２の下には接続パッドＰｘの上に開口部７０ａが配置されたソルダレジスト層７０が形成されている。
【０１０７】
また、絶縁層７２及び配線層８０の上に絶縁層７４が形成されている。さらに、絶縁層７４の上には接続パッドＰｙが形成されている。接続パッドＰｙは絶縁層７４に形成されたビア導体ＶＣを介して配線層８０に接続されている。
【０１０８】
そして、絶縁層７４の上に、接続パッドＰｙの上に開口部７６ａが配置されたソルダレジスト層７６が形成されている。
【０１０９】
接続パッドＰｙは、前述した第１配線基板５の金属ピン２０に接続される電極であり、金属ピン２０の配列に対応して配置されている。また、反対側の接続パッドＰｘは外部接続用の電極である。
【０１１０】
次いで、図１７に示すように、図１６の第２配線基板６の接続パッドＰｙの上にはんだ８２を塗布した後に、第２配線基板６を上下反転させ、第２配線基板６の接続パッドＰｙを第１配線基板５の金属ピン２０に位置合わせして配置する。
【０１１１】
さらに、図１８に示すように、リフロー加熱することにより、第１配線基板５の金属ピン２０の上端面に第２配線基板６の接続パッドＰｙをはんだ８２によって接続する。このとき、前述したように、第１配線基板５の金属ピン２０は傾いておらず垂直に配置されている。
【０１１２】
このため、第１配線基板５の金属ピン２０が第２配線基板６の接続パッドＰｙから位置ずれしたり、接続パッドＰｙに届かなかったりする不具合が解消される。よって、第１配線基板５の金属ピン２０に第２配線基板６の接続パッドＰｙが信頼性よく接続される。
【０１１３】
続いて、図１９に示すように、第１配線基板５と第２配線基板６と間に封止樹脂７８を充填する。これにより、半導体チップ５０、キャパシタ素子６０及び金属ピン２０が封止樹脂７８によって封止される。
【０１１４】
さらに、図２０に示すように、第２配線基板６の接続パッドＰｘにはんだボールを搭載するなどして外部接続端子Ｔを形成する。
【０１１５】
以上により、図２１に示すように、実施形態の電子装置２が得られる。図２１では、図２０の構造体を上下反転させている。第１配線基板５及び第２配線基板６として、多数の製品領域が区画された多面取りの大型基板を使用する場合は、第１配線基板５から第２配線基板６まで切断されて、各製品領域から個々の電子装置２が得られる。
【０１１６】
図２１に示すように、実施形態の電子装置２は、前述した図１２（ａ）〜図１５で説明した第１配線基板５の金属ピン２０の先端面に、前述した図１６で説明した第２配線基板６の接続パッドＰｙがはんだ８２によって接続されている。
【０１１７】
また、第１配線基板５と第２配線基板６との間に封止樹脂７８が充填されている。第１配線基板５に搭載された半導体チップ５０、キャパシタ素子６９及び金属ピン２０が封止樹脂７８で封止されている。さらに、第２配線基板６の下面側の接続パッドＰｘに外部接続端子Ｔが設けられている。電子装置２の外部接続端子Ｔがマザーボードなどの実装基板の接続電極に接続される。
【０１１８】
電子装置２の外部接続端子Ｔは、第２配線基板６の接続パッドＰｘ、配線層８０及び接続パッドＰｙを介して第１配線基板５の金属ピン２０に接続されている。また、第１配線基板５の金属ピン２０は接続パッドＰ及び配線層４０を介して半導体チップ５０及びキャパシタ素子６０に接続されている。
【０１１９】
本実施形態の電子装置２では、前述したように、第１配線基板５の金属ピン２０が傾いて接続されることが防止される。このため、第１配線基板５の金属ピン２０と第２配線基板６の接続パッドＰｙとが信頼性よく接続され、製造歩留りの向上を図ることができる。
【０１２０】
また、第１配線基板５の金属ピン２０の傾きが防止されるため、金属ピン２０の配列の狭ピッチ化が可能になり、電子装置の高密度化及び高性能化に対応することができる。
【０１２１】
前述した実施形態では、第１配線基板５の接続パッドＰの上に図４（ａ）のソルダレスト層の開口部１２ａを形成し、第１配線基板５の接続パッドＰに金属ピン２０を接続している。
【０１２２】
あるいは、図１６の第２配線基板６の接続パッドＰｙの上に図４（ａ）のソルダレスト層１２の開口部１２ａを配置し、第２配線基板６の接続パッドＰｙに同様に金属ピン２０を接続してもよい。
【０１２３】
また、第１配線基板５の接続パッドＰ及び第２配線基板６の接続パッドＰｙの両者に、図４（ａ）のソルダレスト層１２の開口部１２ａを配置してもよい。
【０１２４】
また、図２１では、第１配線基板５は、電子部品が搭載されているが、電子部品が搭載されていない配線基板であってもよい。その他の態様として、第１配線基板５の保護絶縁層３０側の面に電子部品を搭載してもよいし、第１配線基板５の内部に電子部品を埋め込んで配置してもよい。
【０１２５】
また、第２配線基板６は、電子部品が搭載されていないが、電子部品が搭載された配線基板であってもよい。
【０１２６】
第１配線基板５及び第２配線基板６のいずれか一方に電子部品が搭載されていてもよいし、第１配線基板５及び第２配線基板６の両者に電子部品が搭載されていてもよい。
【０１２７】
あるいは、第１配線基板５及び第２配線基板６は、両者共に、電子部品が搭載されていない配線基板やインターポーザなどであってもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１…配線基板、２…電子装置、３…基板、５…第１配線基板、６…第２配線基板、１０，３２，７２，７４…絶縁層、１２，７０，７６…ソルダレジスト層、１２ａ，７０ａ，７６ａ…開口部、１４，８２…はんだ、１４ａ…はんだペースト、１６…ピン振込冶具、１６ａ…振込穴、２０…金属ピン、３０…保護絶縁層、４０，８０…配線層、５０…半導体チップ、５２…バンプ電極、５４…アンダーフィル樹脂、６０…キャパシタ素子、６２…接続端子、７８…封止樹脂、Ａ…主開口部、Ｂ，Ｂ１，Ｂ２、Ｂ３，Ｂ４…突出開口部、Ｓ…上面部、Ｔ…外部接続端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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