(57)【要約】【課題】第１絶縁層での破断又はクラック等の不具合を防ぐことが可能な貫通電極基板を提供する。【解決手段】貫通電極基板は、第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、前記基板の前記第１面に配置された第１導電層と、前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔とを備え、前記接続孔が、平面視で所定の形状を有する第１部分と、前記第１部分から前記接続孔の貫通方向に対して交差する方向に突出した少なくとも１つの第２部分とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、
前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、
前記基板の前記第１面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、
前記第１面側において、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、
前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔と
を備え、
前記接続孔が、平面視で所定の形状を有する第１部分と、前記第１部分から前記接続孔の貫通方向に対して交差する方向に突出した少なくとも１つの第２部分とを有する、貫通電極基板。
【請求項２】
前記接続孔が、前記第１部分の中心に対して放射状に延びる複数の前記第２部分を有する、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項３】
前記複数の第２部分が、前記第１部分の中心に関して互いに対向する位置に設けられている、請求項２に記載の貫通電極基板。
【請求項４】
対向する前記第２部分における開口幅は、前記第１部分における開口幅の３倍以下である、請求項３に記載の貫通電極基板。
【請求項５】
前記第２導電層は、キャパシタの一部を構成する第１導電部分と、前記第１導電部分から離間した第２導電部分と、前記第１導電部分と前記第２導電部分とを接続する第３導電部分とを有し、
前記接続孔が、前記第２導電部分の位置に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項６】
第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、
前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、
前記基板の前記第１面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、
前記第１面側において、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、
前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔と
を備え、
前記接続孔の前記第２導電層側の第１開口幅が、前記接続孔の前記樹脂層の表面側の第２開口幅よりも大きい、貫通電極基板。
【請求項７】
前記接続孔の側壁が、段差形状を有する、請求項６に記載の貫通電極基板。
【請求項８】
前記接続孔の側壁が、テーパ形状を有する、請求項６に記載の貫通電極基板。
【請求項９】
前記第１開口幅が、前記第２開口幅の３倍以下である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１０】
前記第２導電層は、キャパシタの一部を構成する第１導電部分と、前記第１導電部分から離間した第２導電部分と、前記第１導電部分と前記第２導電部分とを接続する第３導電部分とを有し、
前記接続孔が、前記第２導電部分の位置に配置されている、請求項６〜９のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１１】
第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、
前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、
前記基板の前記第１面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、
前記第１面側において、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、
前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔と
を備え、
前記第２導電層は、キャパシタの一部を構成する第１導電部分と、前記第１導電部分から離間した第２導電部分と、前記第１導電部分と前記第２導電部分とを接続する第３導電部分とを有し、
前記接続孔が、前記第２導電部分の位置に配置されている、貫通電極基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、貫通電極基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子デバイスでは、配線基板に貫通電極基板を介して半導体チップが取り付けられた形態が多く用いられている。特許文献１には、ガラスを基板材料とする貫通電極基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２００５／０３４５９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の貫通電極基板は、多層配線構造を有する。例えば、貫通電極基板は、基板と、基板上の第１導電層と、第１導電層上の第１絶縁層と、第１絶縁層上の第２導電層を備える。貫通電極基板の第２導電層と、配線基板や半導体チップ等とを接続するとき、基板を覆う樹脂層に接続孔（ビアと呼ぶ場合もある）が形成される。そして、接続孔内に形成された導電部及び樹脂層上に形成された第３導電層等を介して、第２導電層と、配線基板や半導体チップとが電気的に接続される。
【０００５】
しかし、貫通電極基板と、その上下に配置される配線基板や半導体チップ等との間の熱膨張率の差や、第２導電層と第１絶縁層との間の熱膨張率の差等によって、接続孔の部分に応力がかかり、この応力によって、第１絶縁層に破断又はクラック等の不具合が生じるおそれがある。
【０００６】
本開示は、第１絶縁層での上述の不具合を防ぐことが可能な貫通電極基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例をあげるならば、第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、前記基板の前記第１面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、前記第１面側において、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔とを備え、前記接続孔が、平面視で所定の形状を有する第１部分と、前記第１部分から前記接続孔の貫通方向に対して交差する方向に突出した少なくとも１つの第２部分とを有する、貫通電極基板が提供される。
【０００８】
また、他の例によれば、第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、前記基板の前記第１面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、前記第１面側において、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔とを備え、前記接続孔の前記第２導電層側の第１開口幅が、前記接続孔の前記樹脂層の表面側の第２開口幅よりも大きい、貫通電極基板が提供される。
【０００９】
また、他の例によれば、第１面と前記第１面に対して反対の側の第２面とを有する基板と、前記第１面と前記第２面とを導通する貫通電極と、前記基板の前記第１面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第２導電層と、前記第１面側において、前記第１導電層、前記第１絶縁層、及び前記第２導電層を覆うように配置された樹脂層と、前記樹脂層の前記第２導電層に対応する位置に形成された接続孔とを備え、前記第２導電層は、キャパシタの一部を構成する第１導電部分と、前記第１導電部分から離間した第２導電部分と、前記第１導電部分と前記第２導電部分とを接続する第３導電部分とを有し、前記接続孔が、前記第２導電部分の位置に配置されている、貫通電極基板が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、第１絶縁層での破断又はクラック等の不具合を防ぐことができる。本開示に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、上記した以外の、課題、構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施形態に係るインターポーザーを示す概略断面図である。
【図２】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおけるＭＩＭ構造の平面図である。
【図３】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおける接続孔の平面図である。
【図４】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおける接続孔の平面図である。
【図５】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおける接続孔の製造方法を説明する図である。
【図６】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおける接続孔の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおける接続孔の製造方法を説明する図である。
【図９】本開示の一実施形態に係るインターポーザーにおける接続孔の断面図である。
【図１０】本開示の一実施形態に係るインターポーザーを示す概略断面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本開示の一実施形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００１３】
本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。
【００１４】
以下では、配線基板と半導体チップ等の間に配置されるインターポーザーの形態を用いて説明するが、これに限定されない。すなわち、以下の実施形態は、貫通電極基板として用いることもできる。ここで、貫通電極基板とは、配線基板と半導体チップ等の間に配置されるインターポーザーだけでなく、半導体チップ等を設置しないＩＰＤ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｄｅｖｉｃｅ）等も含んでいる。この場合、上側及び下側の配線基板の一方が貫通電極と電気的に接続するように存在する態様となる。
【００１５】
図１は、本開示の一実施形態に係るインターポーザー１０を示す概略断面図である。インターポーザー１０は、例えば、絶縁層を金属で挟み込んだ構造であるＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造を有する。ＭＩＭ構造は、例えば、ＭＩＭキャパシタとして利用することができる。この場合、第１導電層１２の一部が下部電極、第１絶縁層１３が誘電体層、第２導電層１４が上部電極となる。
【００１６】
インターポーザー１０は、第１面１１ａと第１面１１ａに対して反対の側の第２面１１ｂとを有する基板１１と、基板１１の第１面１１ａに配置された第１導電層１２と、第１導電層１２の上に配置された第１絶縁層１３と、第１絶縁層１３の上に配置された第２導電層１４とを備える。なお、第１導電層１２は、基板１１の第１面１１ａに直接配置されていてもよいし、導電性又は絶縁性の層を少なくとも１層を介して基板１１の第１面１１ａに配置されていてもよい。例えば、基板１１の第１面１１ａにエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂から選択される絶縁性樹脂を配置することにより、第１導電層１２と基板１１の熱膨張率の差により発生する応力を緩和することができる。
【００１７】
基板１１は、第１面１１ａと第２面１１ｂとを導通する貫通孔１５を有する。第１導電層１２は、貫通孔１５に形成された貫通電極１６を介して第２面１１ｂに配置された第４導電層２１に電気的に接続されている。貫通孔１５の形態は、図示に限らず、貫通孔１５は、基板１１の第１面１１ａ及び第２面１１ｂから基板１１の厚み方向の中央部に向かうにつれて幅が小さくなる形状であってもよいし、貫通孔１５の側壁は、基板１１の第１面１１ａの法線方向に沿って広がっていてもよいし、基板１１の第１面１１ａの法線方向に沿って狭まっていてもよいし、また、側壁の一部が湾曲した形状を有してもよい。基板１１に、エッチング加工、レーザ加工、レーザ加工とエッチング加工の組合せによる加工、サンドブラスト加工、放電加工、ドリル加工などを行うことにより、貫通孔１５が形成される。貫通電極１６は、図１の形態に限らず、貫通孔１５内に導電材料が充填された形態であってもよい。
【００１８】
基板１１の第１面１１ａ及び第２面１１ｂには、樹脂層２０が形成されている。基板１１の第１面１１ａにおいて、樹脂層２０は、ＭＩＭ構造を覆うように形成されている。樹脂層２０の第２導電層１４に対応する位置には、接続孔１７が設けられている。接続孔１７内には、導電部材１８が充填されている。また、樹脂層２０の表面２０ａには、第３導電層１９が形成されている。基板１１の第１面１１ａ側において、第２導電層１４は、導電部材１８、第３導電層１９、及びはんだボール２３を介して半導体チップ５０に接続されている。
【００１９】
基板１１の第２面１１ｂにおいて、樹脂層２０の第４導電層２１に対応する位置には、接続孔１７が設けられている。接続孔１７内には、導電部材１８が充填されている。また、樹脂層２０の表面２０ｂには、第５導電層２２が形成されている。基板１１の第２面１１ｂ側において、第４導電層２１は、導電部材１８、第５導電層２２、及びはんだボール２３を介して、配線基板４０に接続されている。
【００２０】
この構成によれば、インターポーザー１０と、基板１１の第１面１１ａ側に配置され、貫通電極１６と電気的に接続された半導体チップ５０と、基板１１の第２面１１ｂ側に配置され、貫通電極１６と電気的に接続された配線基板４０と、を有する半導体装置が提供される。本実施形態のインターポーザー１０によれば、狭端子ピッチの半導体チップ５０の、大型の配線基板（マザーボードなど）４０への実装が簡便化される。
【００２１】
基板１１として、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、ガラスエポキシ基板、シリコン基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板、リン化インジウム（ＩｎＰ）基板、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）基板など、又は、これらが積層された基板を用いることができる。
【００２２】
好ましくは、基板１１は、ガラス基板である。一般にインターポーザーは、その縁に近い領域ほど熱変形による変位が大きくなる。ガラス基板を用いたインターポーザーの場合、この領域に対して、インターポーザーの上下に配置される配線基板等との熱膨張率の差を小さくするように対処できるという利点がある。
【００２３】
より好ましくは、基板１１として無アルカリガラスが用いられる。無アルカリガラスは、ソーダガラスとは異なりＮａ、Ｋなどのアルカリ成分を含まないので、ガラス表面にアルカリ成分が析出することがない。したがって、この態様では、インターポーザーに接続されるべき半導体チップの端子を腐食させる信頼性劣化要因が原理的に生じない利点がある。また、無アルカリガラスは、熱膨張率がシリコンのそれと同程度の大きさであり、接続される半導体チップとの関係で熱膨張率の点で整合性がよい。
【００２４】
上述の各導電層の材料として、金（Ａｕ）、Ａｇ（銀）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）等の導電性を有する材料が用いられる。なかでも導電性が高く、かつ材料コストの低いＣｕを用いることが好ましい。また、第１導電層１２の厚みは０．５μｍ〜２０μｍが好ましく、第２導電層１４の厚みは０．５μｍ〜５μｍが好ましい。配線パターンについては、金属箔（例えば、Ｃｕ等）のエッチングによるサブトラクティブな形成のほか、導電性ペースト（例えば、金属ナノペースト等）の塗布や、めっきによる形成等のアディティブな形成を採用することもできる。
【００２５】
第１絶縁層１３として、例えば、無機材料を用いることができ、より具体的には窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、又は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、アルミニウムを添加した酸化ハフニウムを用いることができる。なかでも比誘電率と絶縁破壊電圧の観点から窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）を好適に用いることができる。本実施形態において、第１絶縁層１３の厚みは、５０ｎｍ〜８００ｎｍであり、好ましくは、８０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２６】
本開示の実施形態では、上述の導電層及び絶縁層の成膜プロセスとして、化学蒸着（ＣＶＤ）（例えば、プラズマＣＶＤ、原子層堆積（ＡＬＤ））、物理蒸着（ＰＶＤ）（たとえば、スパッタリング又は蒸着）、又は電気めっきなどを使用することができる。また、導電層及び絶縁層のパターンを形成するために、フォトリソグラフィを使用することができる。また、導電層及び絶縁層の平坦化プロセスとして、エッチバック、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）などを使用することができる。
【００２７】
図２は、本開示の一実施形態に係るインターポーザー１０におけるＭＩＭ構造の概略平面図であり、図１の矢印Ｘから見た平面図である。図３は、図２から第３導電層１９及び導電部材１８を省略し、接続孔１７の形状を分かりやすく示した図である。接続孔１７は、平面視で円形形状の第１部分１７ａと、第１部分１７ａから接続孔１７の貫通方向に対して交差する方向に突出した複数の第２部分１７ｂとを有する。本例では、第２部分１７ｂは、接続孔１７の貫通方向に対して直交する方向に突出するように形成されている。
【００２８】
本実施形態では、第１部分１７ａが平面視で円形形状であるが、他の形状、例えば、多角形でもよい。第１部分１７ａにおける開口幅Ｌ１は、好ましくは、２０μｍ〜１００μｍである。本明細書において、開口幅とは、外縁が形成する図形の任意の２点間の最大距離をいう。なお、本実施形態のように外縁が形成する図形が円形である場合、上述の開口幅とは、円の直径をいう。
【００２９】
本実施形態では、第２部分１７ｂが平面視で四角形状であるが、他の形状でもよい。図３の例では、第１部分１７ａから突出した第２部分１７ｂは６個であるが、これに限定されず、少なくとも１つの第２部分１７ｂが設けられていればよい。複数の第２部分１７ｂは、円形形状の第１部分１７ａの中心に関して好ましくは２〜４方向、より好ましくは５〜８方向に放射状に延びるように形成される。この構成によれば、インターポーザー１０と、その上下に配置される配線基板４０や半導体チップ５０等との間の熱膨張率の差や、第２導電層１４と第１絶縁層１３との間の熱膨張率の差等によって、接続孔１７の部分に応力がかかった場合でも、図３の矢印で示したように、第２部分１７ｂの突出方向に応力を逃がすことができ、第１絶縁層１３での破断又はクラック等を防ぐことができる。
【００３０】
応力を逃がす観点から、複数の第２部分１７ｂの長さＬ２は、好ましくは、１０μｍ〜３０μｍである。さらに、効果的に応力を逃がす観点から、複数の第２部分１７ｂは、円形形状の第１部分１７ａの中心に関して互いに対向する位置に設けられることが好ましい。この構成において、対向する２つの第２部分１７ｂを含めた開口幅Ｌ３は、応力を逃がす観点及び配線の高密度化の観点から、好ましくは、開口幅Ｌ１に対して３倍以下であり、より好ましくは、２倍以下である。
【００３１】
図４は、本開示の一実施形態に係るインターポーザー１０における接続孔１７の概略平面図である。接続孔１７の第２部分１７ｂは、平面視で三角形状でもよい。この構成によれば、インターポーザー１０と、その上下に配置される配線基板４０や半導体チップ５０等との間の熱膨張率の差や、第２導電層１４と第１絶縁層１３との間の熱膨張率の差等によって、接続孔１７の部分に応力がかかった場合でも、三角形状の第２部分１７ｂの突出方向に応力を逃がすことができる。
【００３２】
なお、接続孔１７の第２部分１７ｂは、三角、四角形状に限定されず、例えば、半円形状等でもよく、応力を貫通方向に対して交差する方向に逃がす構造であれば制限されない。
【００３３】
図３及び図４の接続孔１７の形状は、フォトリソグラフィにより形成することができる。図５は、図３及び図４の接続孔１７を製造する方法を説明する図である。図５では、基板１１の第１面１１ａ上に第１導電層１２、第１絶縁層１３、及び第２導電層１４を積層した状態から説明する。図５（ａ）に示すように、例えば、真空ラミネート成形により、基板１１の第１面１１ａ側において、第１導電層１２、第１絶縁層１３、及び第２導電層１４を覆うように、光によりパターニングできる感光性樹脂（例えば、感光性ポリイミド）２０を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィにより、第２導電層１４に対応する部分の感光性樹脂層２０を除去する。このとき、図３又は図４のような形状となるように感光性樹脂層２０をマスクすればよい。次に、図５（ｃ）に示すように、接続孔１７に導電部材１８を充填し、その後、感光性樹脂層２０の表面２０ａに第３導電層１９を形成する。
【００３４】
図６は、本開示の一実施形態に係るインターポーザー１０における接続孔１７の概略平面図であり、第３導電層１９及び導電部材１８を省略し、接続孔１７の形状を分かりやすく示した図である。図７は、図６のＡ−Ａ線断面図である。本実施形態では、接続孔１７の側壁が、段差形状を有する。より具体的には、第２導電層１４側の第１側壁１７ｃにおける開口幅Ｗ１が、樹脂層２０の表面２０ａ側の第２側壁１７ｄにおける開口幅Ｗ２よりも大きくなっている。この構成によれば、インターポーザー１０と、その上下に配置される配線基板４０や半導体チップ５０等との間の熱膨張率の差や、第２導電層１４と第１絶縁層１３との間の熱膨張率の差等によって、接続孔１７の部分に応力がかかった場合でも、開口幅がより広い第１側壁１７ｃの部分において貫通方向に対して交差する方向（図７中の矢印方向）に応力を逃がすことができる。
【００３５】
開口幅Ｗ１は、好ましくは、３０μｍ〜９０μｍである。開口幅Ｗ２は、好ましくは、開口幅Ｗ１に対して３倍以下であり、より好ましくは、２倍以下である。
【００３６】
図８は、図６及び図７で示した接続孔１７を製造する方法を説明する図である。図８では、基板１１の第１面１１ａ上に第１導電層１２、第１絶縁層１３、及び第２導電層１４を積層した状態から説明する。図８（ａ）に示すように、第２導電層１４上に導電部材１８の第１部分１８ａを形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、例えば、真空ラミネート成形により、基板１１の第１面１１ａ側において、第１導電層１２、第１絶縁層１３、第２導電層１４、及び導電部材１８の第１部分１８ａを覆うように、感光性樹脂（例えば、感光性ポリイミド）２０を形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィにより、第２導電層１４に対応する部分の感光性樹脂層２０を除去する。このとき、接続孔１７の開口幅Ｗ２が導電部材１８の第１部分１８ａの幅Ｗ１よりも小さくなるように感光性樹脂層２０をマスクすればよい。結果として、第２導電層１４側の開口幅Ｗ１が樹脂層２０の表面２０ａ側の開口幅Ｗ２よりも大きくなるような接続孔１７となる。次に、図８（ｄ）に示すように、接続孔１７に導電部材１８の第２部分１８ｂを充填し、その後、感光性樹脂層２０の表面２０ａに第３導電層１９を形成する。この製造方法によれば、結果として、裾野部分が幅広となる接続孔１７を形成することができる。
【００３７】
図９は、本開示の一実施形態に係るインターポーザー１０における接続孔１７の概略断面図である。第２導電層１４側の接続孔１７の開口幅Ｗ１が、樹脂層２０の表面２０ａ側の接続孔１７の開口幅Ｗ２よりも大きくなるように、接続孔１７の側壁がテーパ形状を有してもよい。この構成によれば、インターポーザー１０と、その上下に配置される配線基板４０や半導体チップ５０等との間の熱膨張率の差や、第２導電層１４と第１絶縁層１３との間の熱膨張率の差等によって、接続孔１７の部分に応力がかかった場合でも、開口幅がより広い第２導電層１４側の側壁部分において矢印方向に応力を逃がすことができる。
【００３８】
図１０は、本開示の一実施形態に係るインターポーザー１０の概略平面図であり、図１１は、図１０のＡ−Ａ線断面図である。本実施形態では、接続孔１７が、キャパシタを構成する部分から離れた位置に形成されている。第２導電層１４は、キャパシタの一部を構成する第１導電部分１４ａと、第１導電部分１４ａから離間した第２導電部分１４ｂと、第１導電部分１４ａと第２導電部分１４ｂとを接続する第３導電部分１４ｃとを有する。第３導電部分１４ｃは、第１導電部分１４ａと第２導電部分１４ｂとを電気的に接続する役目を果たせばよく、図示の通り、第１導電部分１４ａ及び第２導電部分１４ｂに比べて幅が狭く形成されてよい。接続孔１７が、第１導電部分１４ａから離間した第２導電部分１４ｂの位置に形成されている。
【００３９】
この構成によれば、インターポーザー１０と、その上下に配置される配線基板４０や半導体チップ５０等との間の熱膨張率の差や、第２導電層１４と第１絶縁層１３との間の熱膨張率の差等によって、接続孔１７の部分に応力がかかった場合でも、キャパシタを構成する箇所から離れた位置に応力がかかるため、キャパシタ部分への影響を軽減できる。
【００４０】
なお、図１０及び図１１の構成に対して、上述した図２〜図９で説明した接続孔１７の構成を適用してもよい。この場合、キャパシタを構成する箇所から離れた位置にかかる応力を当該箇所で逃がすことにより、第１絶縁層１３での破断又はクラック等の不具合をより効果的に防ぐことができる。
【００４１】
上述のインターポーザー及び貫通電極基板は、携帯電話及びスマートホン、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）デバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、及び、コンピュータの群から選択されるデバイスに適用することができる。
【００４２】
なお、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、他の様々な変形例が含まれる。例えば、上述した実施形態は本開示を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることがあり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１０    …インターポーザー
１１    …基板
１１ａ  …第１面
１１ｂ  …第２面
１２    …第１導電層
１３    …第１絶縁層
１４    …第２導電層
１５    …貫通孔
１６    …貫通電極
１７    …接続孔
１８    …導電部材
１９    …第３導電層
２０    …樹脂層
２１    …第４導電層
２２    …第５導電層
２３    …はんだボール
４０    …配線基板
５０    …半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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