(57)【要約】【課題】  真空スパッタリング技術を使用する必要がない、セラミック回路基板及びその製造方法の提供。【解決手段】  本発明はセラミック回路基板及びその製造方法に関し、該セラミック回路基板が、基板と、複合材料層を含み、該複合材料層が該基板上に形成され、かつ該複合材料層の成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、該複合材料層の表面に界面層が露出され、該界面層が、該金属酸化物粉末から還元した金属と、低原子価金属酸化物と、その共晶構造を含む。【選択図】  図１
2019129306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック回路基板の製造方法であって、
基板を用意する工程と、
前記基板上に、金属酸化物粉末とセラミック粉末を成分として含む複合材料層を形成する工程と、
前記複合材料層にレーザー光線を照射し、該レーザー光線が照射された該複合材料層の区域内の金属酸化物粉末を還元して界面層を形成し、該界面層が該複合材料層の表面に露出され、かつ該金属酸化物粉末から還元された金属を含む工程と、
を含むことを特徴とする、セラミック回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板を用意する工程が、
金属板である底板を用意する工程と、
前記底板上にセラミック層を形成する工程と、
を含み、
前記複合材料層が前記セラミック層上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記複合材料層の金属酸化物粉末が、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数であることを特徴とする、請求項１または２に記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記界面層が、該金属酸化物粉末から還元された該金属、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を含むことを特徴とする、請求項３に記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記界面層上に導電金属層を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項６】
セラミック回路基板であって、
基板と、
前記基板上に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含む複合材料層と、
を含み、
前記複合材料層の表面に界面層が露出され、前記界面層が、前記複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含むことを特徴とする、セラミック回路基板。
【請求項７】
前記基板が、
金属板である底板と、
前記底板上に形成されたセラミック層と、
を含み、
前記複合材料層が前記セラミック層上に形成されることを特徴とする、請求項６に記載のセラミック回路基板。
【請求項８】
前記複合材料層の金属酸化物粉末が、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数であることを特徴とする、請求項６または７に記載のセラミック回路基板。
【請求項９】
前記界面層が、前記金属酸化物粉末から還元された前記金属、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を含むことを特徴とする、請求項６乃至８のいずれかに記載のセラミック回路基板。
【請求項１０】
前記界面層上に形成された導電金属層を含むことを特徴とする、請求項６乃至９のいずれかに記載のセラミック回路基板。
【請求項１１】
セラミック回路基板であって、底板と、上セラミック層と、下セラミック層と、孔内セラミック層と、上複合材料層と、下複合材料層と、孔内複合材料層と、上導電金属層と、下導電金属層と、孔内導電金属層と、を含み、
前記底板が金属板であって、かつ貫通孔を備え、
前記上セラミック層が前記底板の上表面に形成され、
前記下セラミック層が前記底板の下表面に形成され、
前記孔内セラミック層が前記貫通孔の壁面に形成され、かつ前記上セラミック層と前記下セラミック層に連接され、
前記上複合材料層が、前記上セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、前記上複合材料層の表面に上界面層が露出され、前記上界面層が前記上複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、
前記下複合材料層が、前記下セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、前記下複合材料層の表面に下界面層が露出され、前記下界面層が前記下複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、
前記孔内複合材料層が、前記孔内セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、前記孔内複合材料層が前記上複合材料層と前記下複合材料層に連接され、かつ前記孔内複合材料層の表面に孔内界面層が露出され、前記孔内界面層が前記孔内複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、かつ前記上界面層と前記下界面層に連接され、
前記上導電金属層が、前記上界面層の表面に形成され、
前記下導電金属層が、前記下界面層の表面に形成され、
前記孔内導電金属層が、前記孔内界面層の表面に形成され、かつ前記上導電金属層と前記下導電金属層に連接されることを特徴とする、セラミック回路基板。
【請求項１２】
前記上複合材料層、前記下複合材料層及び前記孔内複合材料層の少なくとも１つの前記金属酸化物粉末が、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数であることを特徴とする、請求項１１に記載のセラミック回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック放熱回路基板は一般に直接銅メッキ基板（ＤＰＣ）技術を採用しており、これは真空スパッタリング技術（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）と露光現像方式を利用してセラミック基板上に回路パターンを形成するもので、具体的なプロセスは特許文献１（米国特許公開第２０１１００７９４１８号）を参照することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公開第２０１１００７９４１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、真空スパッタリング技術を使用する必要がない、セラミック回路基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のセラミック回路基板の製造方法は、基板を用意する工程と、該基板上に金属酸化物粉末とセラミック粉末を成分として含む複合材料層を形成する工程と、該複合材料層にレーザー光線を照射し、該レーザー光線が照射された該複合材料層の区域内の金属酸化物粉末を還元して、該複合材料層の表面に露出された界面層を形成する工程と、を含む。該界面層は、該金属酸化物粉末から還元された金属を含む、または該金属酸化物粉末から還元された金属、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を含む。
【０００６】
一実施例において、本発明の前記基板を用意する工程は、金属板である底板を用意する工程と、該底板上にセラミック層を形成する工程と、を含み、該複合材料層が該セラミック層上に形成される。
【０００７】
一実施例において、本発明の前記製造方法は、該界面層上に導電金属層を形成する工程を含む。
【０００８】
本発明のセラミック回路基板は、基板と、複合材料層を含み、該複合材料層が該基板上に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含む。該複合材料層の表面に界面層が露出される。該界面層が、該複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含む、または該金属酸化物粉末から還元された金属、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を含むことができる。
【０００９】
一実施例において、本発明のセラミック回路基板の前記基板は、底板と、セラミック層を含み、該底板が金属板であり、該セラミック層が該底板上に形成され、該複合材料層が該セラミック層上に形成される。
【００１０】
一実施例において、本発明のセラミック回路基板は、該界面層上に形成された導電金属層を含む。
【００１１】
本発明の別のセラミック回路基板は、底板と、上セラミック層と、下セラミック層と、孔内セラミック層と、上複合材料層と、下複合材料層と、孔内複合材料層と、上導電金属層と、下導電金属層と、孔内導電金属層と、を含み、該底板が金属板であり、貫通孔を備える。上セラミック層が該底板の上表面に形成され、該下セラミック層が該底板の下表面に形成され、該孔内セラミック層が該貫通孔の壁面に形成され、かつ該上セラミック層と該下セラミック層に連接される。該上複合材料層が該上セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、該上複合材料層の表面に上界面層が露出され、該上界面層が、該上複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含む。該下複合材料層が該下セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末と、セラミック粉末を含み、該下複合材料層の表面に下界面層が露出され、該下界面層が、該下複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含む。該孔内複合材料層が該孔内セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末と、セラミック粉末を含み、該孔内複合材料層が該上複合材料層と該下複合材料層に連接され、かつ該孔内複合材料層の表面に孔内界面層が露出され、該孔内界面層が該孔内複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、かつ該上界面層と該下界面層に連接される。該上導電金属層が該上界面層の表面に形成され、該下導電金属層が該下界面層の表面に形成され、該孔内導電金属層が該孔内界面層の表面に形成され、かつ該上導電金属層と該下導電金属層に連接される。
【００１２】
一実施例において、本発明の前記金属酸化物粉末（前記上複合材料層、前記下複合材料層及び前記孔内複合材料層の少なくとも１つの金属酸化物粉末）は、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数とすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
先行技術と比較して、本発明の上述の製造方法を利用すると前記セラミック回路基板を迅速に製造でき、かつ製作過程でレーザー光線を前記複合材料層に照射するだけで導電金属の電気めっきに供することができる界面層を得ることができ、設備コストが高く、製作速度が遅い真空スパッタリング技術を使用する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のセラミック回路基板１００の製造方法の最良の実施例を示す断面図（Ａ）〜（Ｄ）である。
【図２】図１（Ｃ）の平面図である。
【図３】図１（Ｄ）の平面図である。
【図４】本発明のセラミック回路基板の製造方法の別の最良の実施例を示す断面図（Ａ）〜（Ｃ）である。
【図５】図４（Ａ）の平面図である。
【図６】図４（Ｃ）の平面図である。
【図７】本発明の別のセラミック回路基板１００ａの部分断面図である。
【図８】本発明のさらに別のセラミック回路基板１００ｂの部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１（Ａ）〜（Ｄ）の部分断面図は、本発明のセラミック回路基板１００の製造方法の一実施例を説明するためのものであり、該製造方法は、次の工程を含む。
【００１６】
まず、図１（Ａ）に示すように、基板１０を用意する。基板１０の材料は、例えば金属板、非金属板、セラミック板、多層板など、制限はない。本実施例において、基板１０は、底板１と、底板１上に形成されたセラミック層２を含むが、これに限らない。底板１の厚さは約０.３ｍｍ〜１.５ｍｍが好ましく、底板１としては、金属板や樹脂板等がある。金属板には、アルミ板、アルミ合金板、銅板、銅合金板等があり、樹脂板には、プラスチック板、フェノール樹脂板、ポリエステル板（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ、ＰＥＴ）、ポリアミド板（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）等がある。セラミック層２の材料は、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素のいずれか１つまたは複数を選択でき、その厚さは約１０μｍ〜３０μｍの間であり、必要に応じて無機熱伝導粉末（例：カーボングラファイト）をセラミック層２に添加し、その放熱性を高めることができる。本実施例において、セラミック粉末と液体樹脂（例：シリコン樹脂、シリコンベース樹脂またはエポキシ樹脂）を均一に混合した後、底板１の表面（例えば上面）にスプレーコーティングまたはフローコーティングし、さらに加熱（約２００℃）して前述のセラミック層２を形成する。このセラミック層２は高電圧耐性、電気絶縁性、放熱性等の特性を備えている。
【００１７】
続いて、図１（Ｂ）に示すように、基板１０上（すなわち、セラミック層２上）に複合材料層３ａを形成する。複合材料層３ａの成分は、金属酸化物粉末と、セラミック粉末を含む。本実施例においては、金属酸化物粉末とセラミック粉末を混合した後、噴霧乾燥でナノレベルの混合粉末としてから、該ナノレベルの混合粉末と液体樹脂（例：シリコン樹脂、シリコンベース樹脂またはエポキシ樹脂）を均一に混合し、基板１０のセラミック層２の表面（例えば上面）にスプレーコーティングまたはフローコーティングした後、加熱（約２００℃）して前述の複合材料層３ａを形成する。前記金属酸化物は、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルのうちのいずれか、または複数を選択できるが、これらに限らない。複合材料層３ａに使用するセラミック粉末は、上述のセラミック層２に使用するセラミック粉末と同じまたは類似したものとすることができる。
【００１８】
続いて、図１（Ｃ）に示すように、レーザー光を複合材料層３ａに照射し、該レーザー光線が照射された該複合材料層３ａの区域内の金属酸化物粉末を還元して導電金属でめっき可能な界面層３を形成し、かつ該界面層３が該複合材料層３ａの表面に露出される。該レーザー光線が照射される区域は、複合材料層３ａの全部の表面、または一部の表面を含むことができる。本実施例において、複合材料層３ａは、一部の表面のみ該レーザー光線の照射を受けて還元されて界面層３を形成し、残りの表面は該レーザー光線の照射を受けず、複合材料層３ａのままとなる。この複合材料層３ａはセラミック粉末を含有するため、高電圧耐性、電気絶縁性、放熱性等の特性を備えており、上述のセラミック層２にしっかりと接合できる。
【００１９】
本実施例において、該レーザー光線の波長は１０６４ｎｍであるが、金属酸化物粉末の材料によっては、例えば波長が２６６ｎｍ、５３２ｎｍ、１０.６μｍのレーザー光線など、その他異なる波長のレーザー光線を選択できる。このほか、該レーザー光線はスキャン方式で複合材料層３ａに照射してもよく、例えば、予め設計されたパターン（例えば回路パターン）に基づき該レーザー光線を制御して複合材料層３ａをスキャンし、形状が該パターンと同じ界面層３を得ることができる。例えば図２に示す形状の界面層３を２つ備えてもよい。
【００２０】
該レーザー光線が照射される区域内の金属酸化物は、該レーザー光線によって励起され、還元されて金属、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を形成し、これが即ち前述の界面層３となる。前記金属酸化物の還元反応は主に、特定のナノレベルの金属原子が具備する光による励起と脱酸素還元の特性を利用している。例えば、複合材料層３ａ中の金属酸化物に酸化銅（ＣｕＯ）を選択した場合、ナノ銅原子は光による励起還元の特性を備えているため、酸化銅が光によって励起された後、脱酸素還元されてゼロ原子価の銅（Ｃｕ）、酸化第一銅（ＣｕＯ２）及びその共晶構造になる。
【００２１】
好ましくは、図１（Ｄ）及び図３に示すように、本発明の製造方法はさらに上述の界面層３上に導電金属層４を形成する工程を含む。導電金属層４の材料は、銅、銀、インジウム、ニッケルまたは、それらの２種以上の合金から選択できる。本実施例において、導電金属層４は電気めっき方式で形成される。
【００２２】
別の一実施例において、図４（Ａ）及び図５に示すように、複合材料層３ａの全部の表面が該レーザー光線の照射を受ける場合、複合材料層３ａの表面の全部が上述の界面層３になる。続いて、図４（Ｂ）に示すように、電気めっきを経た後、界面層３の全部の表面に１層の導電金属層４が形成される。その後、図４（Ｃ）及び図６に示すように、公知のプリント配線板の製造技術を利用して、導電金属層４に所望のパターン（例えば回路パターン）を製作する。図４（Ｃ）では、図４（Ｂ）に示す導電金属層４の一部（所望のパターン以外の部分）が除去される。
【００２３】
図１から図６に示す実施例において、本発明の製造方法は底板１の上表面（下表面であってもよい）に実施されているため、得られるセラミック回路基板１００は片面回路基板であり、上述の導電金属層４は該片面回路基板上の回路となる。
【００２４】
しかしながら、図７に示すように、本発明の製造方法を底板１の該上表面と該下表面に実施する場合、得られるセラミック回路基板１００ａは、上述の底板１、上セラミック層２０と下セラミック層２１（いずれも上述のセラミック層２と同じ）、上複合材料層３０ａと下複合材料層３１ａ（いずれも上述の複合材料層３ａと同じ）、上界面層３００と下界面層３０１（いずれも上述の界面層３と同じ）を含み、好ましくはさらに上導電金属層４００と下導電金属層４０１（いずれも上述の導電金属層４と同じ）を含む。つまり、セラミック回路基板１００ａは両面回路基板であり、上導電金属層４００と下導電金属層４０１がそれぞれ該両面回路基板の上面と下面の回路となる。
【００２５】
さらに、図８に示すように、底板１が少なくとも１つの貫通孔５を備え、かつ本発明の製造方法を底板１の上表面、下表面及び貫通孔５に実施した場合、得られるセラミック回路基板１００ｂは図７に示す層構造を備えるだけでなく、さらに該貫通孔５、貫通孔５の壁面上に形成された孔内セラミック層２２（上述のセラミック層２と同じ）、及び孔内セラミック層２２上に形成された孔内複合材料層３２ａ（上述の複合材料層３ａと同じ）を含む。孔内セラミック層２２は上セラミック層２０と下セラミック層２１に連接され、孔内複合材料層３２ａは上複合材料層３０ａと下複合材料層３１ａに連接される。孔内複合材料層３２ａの表面に孔内界面層３０２（上述の界面層３と同じ）が露出される。孔内界面層３０２は孔内複合材料層３２ａの金属酸化物粉末から還元され、かつ該上界面層３００と下界面層３０１に連接される。セラミック回路基板１００ｂは、好ましくはさらに、孔内界面層３０２上に形成され、かつ上導電金属層４００と下導電金属層４０１に連接された少なくとも１つの孔内導電金属層４０２（上述の導電金属層４と同じ）を含む。つまり、セラミック回路基板１００ｂは導電貫通孔を備えた両面回路基板であり、上導電金属層４００と下導電金属層４０１がそれぞれ該両面回路基板の上面と下面の回路となり、該２つの回路が孔内導電金属層４０２により電気的に接続される。
【００２６】
このほか、底板１の底面及び（または）上面に１つまたは複数のプレカット溝（Ｖ−ＣＵＴ、図示しない）を形成してもよく、それにより後続で製作したセラミック回路基板１００、１００ａまたは１００ｂを複数個に分割する際により便利となる。
【００２７】
上述の説明から分かるように、本発明の方法を利用することで片面または両面のセラミック回路基板を迅速に製作でき、かつその製作過程でレーザー光線を前記複合材料層３ａに照射するだけで導電金属の電気めっきに供することができる界面層３を得ることができ、設備コストが高く、製作速度が遅い真空スパッタリング技術を使用する必要がない。
【符号の説明】
【００２８】
１        底板
１００、１００ａ、１００ｂ    セラミック回路基板
１０      基板
２        セラミック層
２０      上セラミック層
２１      下セラミック層
２２      孔内セラミック層
３        界面層
３ａ      複合材料層
３００    上界面層
３０１    下界面層
３０ａ    上複合材料層
３１ａ    下複合材料層
３２ａ    孔内複合材料層
４        導電金属層
４００    上導電金属層
４０１    下導電金属層
４０２    孔内導電金属層
５        貫通孔
【図１】
2019129306.tif 000003
【図２】
2019129306.tif 000004
【図３】
2019129306.tif 000005
【図４】
2019129306.tif 000006
【図５】
2019129306.tif 000007
【図６】
2019129306.tif 000008
【図７】
2019129306.tif 000009
【図８】
2019129306.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月5日(2019.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック回路基板の製造方法であって、
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金を含む金属、フェノール、ポリエステル、ポリイミドを含む樹脂からなる群から選択された材料で形成された基板を用意する工程と、
前記基板上に、セラミック粉末及び樹脂を含むセラミック層を形成する工程と、
前記セラミック層上に、金属酸化物粉末、セラミック粉末及び樹脂を含む複合材料層を形成する工程と、
前記複合材料層が、レーザー光線が照射された界面層と、前記レーザー光線が照射されていない部分とを有するように、前記複合材料層に前記レーザー光線を照射する工程と、を有し、
前記界面層の成分は、前記金属酸化物粉末から還元された金属を含み、
前記レーザー光線が照射されていない部分は、前記セラミック層の全体を覆うとともに、前記複合材料層と同じ成分を有することを特徴とする、セラミック回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記複合材料層の金属酸化物粉末が、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記界面層が、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を含むことを特徴とする、請求項２に記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記界面層上に導電金属層を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のセラミック回路基板の製造方法。
【請求項５】
セラミック回路基板であって、
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金を含む金属、フェノール、ポリエステル、ポリイミドを含む樹脂からなる群から選択された材料で形成された基板と、
前記基板上に形成され、セラミック粉末及び樹脂を含むセラミック層と、
前記セラミック層上に形成され、かつ金属酸化物粉末、樹脂及びセラミック粉末を含む複合材料層と、を有し、
前記複合材料層は、レーザー光線が照射された界面層と、前記レーザー光線が照射されていない部分とを有し、
前記界面層の成分は、前記金属酸化物粉末から還元された金属を含むとともに、前記レーザー光線が照射されていない部分は、前記セラミック層の全体を覆うとともに、前記複合材料層と同じ成分を有することを特徴とする、セラミック回路基板。
【請求項６】
前記複合材料層の金属酸化物粉末が、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数であることを特徴とする、請求項５に記載のセラミック回路基板。
【請求項７】
前記界面層が、低原子価金属酸化物及びその共晶構造を含むことを特徴とする、請求項５又は６に記載のセラミック回路基板。
【請求項８】
前記界面層上に形成された導電金属層を含むことを特徴とする、請求項５乃至７のいずれかに記載のセラミック回路基板。
【請求項９】
セラミック回路基板であって、底板と、上セラミック層と、下セラミック層と、孔内セラミック層と、上複合材料層と、下複合材料層と、孔内複合材料層と、上導電金属層と、下導電金属層と、孔内導電金属層と、を含み、
前記底板が金属板であって、かつ貫通孔を備え、
前記上セラミック層が前記底板の上表面に形成され、
前記下セラミック層が前記底板の下表面に形成され、
前記孔内セラミック層が前記貫通孔の壁面に形成され、かつ前記上セラミック層と前記下セラミック層に連接され、
前記上複合材料層が、前記上セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、前記上複合材料層の表面に上界面層が露出され、前記上界面層が前記上複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、
前記下複合材料層が、前記下セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、前記下複合材料層の表面に下界面層が露出され、前記下界面層が前記下複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、
前記孔内複合材料層が、前記孔内セラミック層の表面に形成され、かつ成分が金属酸化物粉末とセラミック粉末を含み、前記孔内複合材料層が前記上複合材料層と前記下複合材料層に連接され、かつ前記孔内複合材料層の表面に孔内界面層が露出され、前記孔内界面層が前記孔内複合材料層の金属酸化物粉末から還元された金属を含み、かつ前記上界面層と前記下界面層に連接され、
前記上導電金属層が、前記上界面層の表面に形成され、
前記下導電金属層が、前記下界面層の表面に形成され、
前記孔内導電金属層が、前記孔内界面層の表面に形成され、かつ前記上導電金属層と前記下導電金属層に連接されることを特徴とする、セラミック回路基板。
【請求項１０】
前記上複合材料層、前記下複合材料層及び前記孔内複合材料層の少なくとも１つの前記金属酸化物粉末が、酸化銀、酸化銅、または酸化ニッケルから選択されたいずれか１つ、または複数であることを特徴とする、請求項９に記載のセラミック回路基板。
【請求項１１】
貫通孔を備え、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金を含む金属、フェノール、ポリエステル、ポリイミドを含む樹脂からなる群から選択された材料で形成された基板と、
前記基板の上表面に形成され、セラミック粉末及び樹脂を含む上セラミック層と、
前記基板の下表面に形成され、セラミック粉末及び樹脂を含む下セラミック層と、
前記基板の前記貫通孔の壁面に形成されて、前記上セラミック層と前記下セラミック層に連接され、セラミック粉末及び樹脂を含む孔内セラミック層と、
前記上セラミック層の上表面に形成され、金属酸化物粉末、樹脂及びセラミック粉末を含み、レーザー光線が照射された上界面層と、レーザー光線が照射されていない上部分とを備えた上複合材料層と、
前記下セラミック層の下表面に形成され、金属酸化物粉末、樹脂及びセラミック粉末を含み、レーザー光線が照射された下界面層と、レーザー光線が照射されていない下部分とを備えた下複合材料層と、
前記孔内セラミック層上に形成されて、前記上複合材料層と前記下複合材料層に連接され、金属酸化物粉末、樹脂及びセラミック粉末を含み、レーザー光線が照射された孔内界面層と、レーザー光線が照射されていない内部分とを備えた孔内複合材料層と、を有し、
前記上界面層、前記孔内界面層及び前記下界面層は、それぞれの前記金属酸化物粉末から還元された金属を含み、
前記上部分は、前記上セラミック層の全体を覆い、前記上複合材料層と同じ成分を有し、
前記内部分は、前記孔内セラミック層の全体を覆い、前記孔内複合材料層と同じ成分を有し、
前記下部分は、前記下セラミック層の全体を覆い、前記下複合材料層と同じ成分を有することを特徴とする、セラミック回路基板。
【請求項１２】
前記上界面層は、前記上複合材料層の金属酸化物粉末から還元された低原子価金属酸化物及び共晶構造を有し、
前記下界面層は、前記下複合材料層の金属酸化物粉末から還元された低原子価金属酸化物及び共晶構造を有し、
前記孔内界面層は、前記孔内複合材料層の金属酸化物粉末から還元された低原子価金属酸化物及び共晶構造を有することを特徴とする、請求項１１に記載のセラミック回路基板。
【請求項１３】
前記上複合材料層、前記下複合材料層及び前記孔内複合材料層のそれぞれの前記金属酸化物粉末は、酸化銀、酸化銅及び酸化ニッケルからなる群から選択された材料を有することを特徴とする、請求項１１に記載のセラミック回路基板。
【請求項１４】
前記上界面層の上表面に形成された上導電金属層と、
前記下界面層の下表面に形成された下導電金属層と、
前記孔内界面層上に形成され、前記上導電金属層と前記下導電金属層に連接された孔内導電金属層と、
を有することを特徴とする、請求項１１に記載のセラミック回路基板。