(57)【要約】【課題】本発明の実施例が表示パネルと表示装置を提供し、表示技術分野に関する。本発明により、表示パネルが製造過程で静電気破壊によって破損するリスクを低減することができる。【解決手段】表示パネルは圧力検出センサを備え、圧力検出センサは第１入力信号線、第２入力信号線、第１出力信号線及び第２出力信号線を備え、第１入力信号線、第２入力信号線、第１出力信号線及び第２出力信号線のうちの少なくとも１つはジャンパ線であり、ジャンパ線は、第１導電層に位置し、圧力検出センサに接続される第１接続線と、第１ビアホールを介して第１接続線に接続され、第２導電層に位置する第２接続線と、第２ビアホールを介して第２接続線に接続され、第１導電層に位置する第３接続線とを備える。【選択図】図４
2019040173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルであって、
第１入力端と、第２入力端と、第１出力端と、第２出力端とを備え、非表示領域に位置する圧力検出センサと、
前記第１入力端に接続される第１入力信号線と、
前記第２入力端に接続される第２入力信号線と、
前記第１出力端に接続される第１出力信号線と、
前記第２出力端に接続される第２出力信号線とを備え、
前記第１入力信号線、前記第２入力信号線、前記第１出力信号線及び前記第２出力信号線のうちの少なくとも１つは、ジャンパ線であり、
前記ジャンパ線は、
第１導電層に位置し、前記圧力検出センサに接続される第１接続線と、
第１ビアホールを介して前記第１接続線に接続され、第２導電層に位置する第２接続線と、
第２ビアホールを介して前記第２接続線に接続され、前記第１導電層に位置する第３接続線とを備えることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第２接続線は、酸化インジウムスズ材料により製造され、
前記第２接続線の前記第１ビアホールと前記第２ビアホールとの間の長さがＬであり、Ｌが５０μｍ＜Ｌ＜２００μｍを満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記圧力検出センサは、半導体材料により製造されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
薄膜トランジスタをさらに備え、
前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲート及び活性層を備え、前記圧力検出センサと前記活性層が同一の層に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第１導電層と前記第２導電層は、ゲート金属層、ソース・ドレイン金属層及びタッチ信号線金属層のうちの任意の異なる２つの層であることを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記非表示領域には、ゲート駆動回路及び前記ゲート駆動回路に接続されるゲート駆動回路信号線がさらに設置され、
前記ゲート駆動回路信号線は、前記第１導電層に位置し、前記表示パネルの所在する平面に、前記第２接続線の正射影が前記ゲート駆動回路信号線の正射影と交差することを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記非表示領域には、ゲート駆動回路及び前記ゲート駆動回路に接続されるゲート駆動回路信号線が設置され、
前記圧力検出センサと前記ゲート駆動回路信号線との間の最小距離は、５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記圧力検出センサは、ホイートストンブリッジ式圧力センサであり、
前記ホイートストンブリッジ式圧力センサは、第１入力端、第２入力端、第１出力端、第２出力端、第１歪み圧力センサ、第２歪み圧力センサ、第３歪み圧力センサ及び第４歪み圧力センサを備え、
前記第１歪み圧力センサは、前記第１入力端と前記第１出力端との間に直列に接続され、前記第２歪み圧力センサは、前記第２入力端と前記第２出力端との間に直列に接続され、前記第３歪み圧力センサは、前記第２入力端と前記第１出力端との間に直列に接続され、前記第４歪み圧力センサは、前記第１入力端と前記第２出力端との間に直列に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記圧力検出センサは、シリコンピエゾ抵抗型圧力センサであることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記圧力検出センサは、多結晶シリコン材料により製造されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記表示パネルは、表示領域を備え、前記非表示領域は、前記表示領域を囲み、
前記圧力検出センサは、前記非表示領域における、前記表示領域に近い側に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術分野に関し、特に表示パネルと表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチ表示技術の発展に伴い、従来のタッチ位置を検出可能なタッチ技術の他に、タッチ・押圧の圧力の大きさを検出可能な圧力タッチ技術も現れる。圧力タッチにより、より便利なヒューマンコンピュータインタラクションを実現することができ、圧力検出センサが圧力タッチを図るために必要な素子である。
【０００３】
圧力検出センサが表示パネルに集積されており、圧力センサと駆動チップとの間に接続線が設置され、駆動チップが接続線を介して圧力センサにバイアス電圧を供給するとともに、接続線を介して圧力センサから出力される信号を受け取ることにより、圧力タッチを検出する。しかしながら、表示パネルの製造過程では、静電気が起きる恐れがあり、圧力センサと駆動チップとの間の接続線が長く、静電気を圧力センサに伝達しやすいため、圧力センサが静電気破壊によって破損されてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施例が表示パネルと表示装置を提供し、表示パネルが製造過程で静電気破壊によって破損されるリスクを低減させることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例により表示パネルが提供され、当該表示パネルは、
第１入力端と、第２入力端と、第１出力端と、第２出力端とを備え、非表示領域に位置する圧力検出センサと、
前記第１入力端に接続される第１入力信号線と、
前記第２入力端に接続される第２入力信号線、
前記第１出力端に接続される第１出力信号線、
前記第２出力端に接続される第２出力信号線とを備え、
前記第１入力信号線、前記第２入力信号線、前記第１出力信号線及び前記第２出力信号線のうちの少なくとも１つはジャンパ線であり、
前記ジャンパ線は、
第１導電層に位置し、前記圧力検出センサに接続される第１接続線と、
第１ビアホールを介して前記第１接続線に接続され、第２導電層に位置する第２接続線と、
第２ビアホールを介して前記第２接続線に接続され、前記第１導電層に位置する第３接続線とを備える。
【０００６】
本発明の実施例は表示装置をさらに提供し、当該表示装置は上記表示パネルを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施例にかかる表示パネルと表示装置は、圧力検出センサに近い位置に、圧力検出センサの信号線をジャンパ線接続とし、即ち、第１導電層における第１接続線を圧力検出センサに接続し、第２導電層における第２接続線を第１ビアホールを介して第１接続線に接続し、第１導電層における第３接続線を第２ビアホールを介して第２接続線に接続することにより、圧力検出センサの信号線を形成し、先に製造された接続線に静電気を直接に圧力検出センサに伝達させることなく、表示パネルが製造過程で、静電気破壊によって破損されるリスクを低減する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の実施例または従来技術における技術案をより明瞭に説明するために、実施例または従来技術の記述に必要な図面を以下で簡単に説明する。明らかに、後述する図面は、本発明の幾つかの実施例に係るものである。当業者であれば、創造的労力を要しない前提で、これらの図面から他の図面を得ることができる。
【図１】本発明の実施例にかかる表示パネルの構造模式図である。
【図２】図１に示す圧力検出センサの拡大模式図である。
【図３】図１に示す圧力検出センサの所在する箇所の拡大模式図である。
【図４】図３に示すＡ−Ａ´方向における断面構造を示す模式図である。
【図５】図１に示す表示パネルにおける一部の表示領域の拡大模式図である。
【図６】図５に示すＢ−Ｂ´方向における断面構造を示す模式図である。
【図７】図４と図６における構造の比較模式図である。
【図８】本発明の実施例にかかる有機発光表示パネルの部分断面構造を示す模式図である。
【図９】図１に示す圧力検出センサの所在する箇所のもう１つの拡大模式図である。
【図１０】図９に示すＣ−Ｃ´方向における断面構造を示す模式図である。
【図１１】図１に示す圧力検出センサの所在する箇所のもう１つの拡大模式図である。
【図１２】図１１に示すＤ−Ｄ´方向における断面構造を示す模式図である。
【図１３】本発明の実施例にかかる圧力検出センサの構造模式図である。
【図１４】本発明の実施例にかかる表示装置の構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施例の目的、解決手段及びメリットをより明瞭にするために、以下では、本発明の実施例における図面を参照しながら、本発明の実施例における解決手段について明確、全面的に説明する。明らかに、説明する実施例は、本発明の一部の実施例であり、すべての実施例ではない。当業者が本発明の実施例に基づき、創造的労力を要しない前提で得たすべての他の実施例はいずれも本発明の保護範囲に含まれる。
【００１０】
本発明の実施例において使用される用語は、単に特定の実施例を記述するためのものであり、本発明を制限するためのものではない。本発明の実施例及び添付する特許請求の範囲に使用されている単数形態の「一種」、「前記」及び「当該」は、他の意味としてコンテキストで明瞭に表さない限り、複数形態も含む。
【００１１】
図１は本発明の実施例にかかる表示パネルの構造模式図である。本発明の実施例は、図１に示すように、表示パネルを提供し、当該表示パネルが表示領域１と、非表示領域２と、非表示領域２に位置する圧力検出センサ３とを備えている。表示パネルには、通常複数の圧力検出センサ３が設置される。図２は図１に示す圧力検出センサの所在する箇所の拡大模式図であり、図３は図２に示す圧力検出センサと信号線との接続箇所の拡大模式図である。図２と図３に示すように、それぞれの圧力検出センサ３が第１入力端ＩＮ１と、第２入力端ＩＮ２と、第１出力端ＯＵＴ１と、第２出力端ＯＵＴ２と、第１入力端ＩＮ１に接続される第１入力信号線Ｓ１と、第２入力端ＩＮ２に接続される第２入力信号線Ｓ２と、第１出力端ＯＵＴ１に接続される第１出力信号線Ｌ１と、第２出力端ＯＵＴ２に接続される第２出力信号線Ｌ２とを備えている。第１入力信号線Ｓ１、第２入力信号線Ｓ２、第１出力信号線Ｌ１及び第２出力信号線Ｌ２のうちの少なくとも１つがジャンパ線である。図４は図３に示すＡ−Ａ´方向における断面構造を示す模式図である。ジャンパ線は、第１導電層Ｍ１に位置し、圧力検出センサ３に接続される第１接続線４１と、第１ビアホール５１により第１接続線４１に接続され、第２導電層Ｍ２に位置する第２接続線４２と、第２ビアホール５２により第２接続線４２に接続され、第１導電層Ｍ１に位置する第３接続線４３とを備える。
【００１２】
具体的には、第１導電層Ｍ１と第２導電層Ｍ２との間に絶縁層５が設置され、第１ビアホール５１と第２ビアホール５２がいずれも絶縁層５におけるビアホールである。第３接続線４３は圧力検出センサ３に近い位置から駆動チップに接続されるために用いられる。そして、圧力検出センサ３に近い位置に、第２接続線４２と第１接続線４１で、ジャンパ線の形式により圧力検出センサ３に接続される。この構成により、表示パネルの製造過程で、圧力検出センサ３が静電気破壊によって破損するリスクを低減することができる。例えば、先に圧力検出センサ３及び第１導電層Ｍ１における第１接続線４１と第３接続線４３を製造しておき、第２導電層Ｍ２における第２接続線４２をまだ製造していない状態で、第３接続線４３が表示パネルの底端における駆動チップに接続されるように表示パネルの周辺に沿って設置されているとともに、表示パネルの底端まで延出する。そのため、製造過程で静電気が第３接続線４３に伝達しやすい。しかしながら、第３接続線４３が圧力センサ３に接続されていないため、静電気が圧力検出センサ３に伝達することがない。
【００１３】
本発明の実施例にかかる表示パネルは、圧力検出センサに近い位置にある圧力検出センサの信号線をジャンパ線接続とする。即ち、第１導電層における第１接続線を圧力検出センサに接続し、第２導電層における第２接続線を第１ビアホールを介して第１接続線に接続し、第１導電層における第３接続線を第２ビアホールを介して第２接続線に接続することにより、圧力検出センサの信号線を形成する。先に製造された第３接続線が静電気を直接に圧力検出センサに伝達させることがなく、表示パネルが製造過程で静電気破壊によって破損するリスクを低減する。
【００１４】
選択的に、図４に示すように、第２接続線４２が酸化インジウムスズ（Ｉnｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄe、ＩＴＯ）材料により製造され、第２接続線４２の第１ビアホール５１と第２ビアホール５２との間の長さがＬであり、Ｌが５０μｍ＜Ｌ＜２００μｍを満たす。
【００１５】
一方で、図１に示すように、圧力検出センサ３が表示パネルの非表示領域２に位置し、液晶表示パネルにおいて、液晶の密封を図るために、非表示領域２にはフレームシールゲルを設ける必要がある。フレームシールゲルが硬化する過程でレーザを照射する必要がある。しかし、ＩＴＯから製造された第２接続線４２が透明接続線であり、レーザによる照射を遮断することがないため、フレームシールゲルの硬化により有利である。一方で、表示パネルの非表示領域２に、通常ゲート駆動回路（図示せず）が設置され、ゲート駆動回路が複数のカスケード接続されるシフトレジスタを備え、圧力検出センサ３が通常そのうちの隣接する２つのシフトレジスタの間に位置する。隣接する２つのシフトレジスタ間の距離は約１００μｍである。図９は図１に示す圧力検出センサの所在する箇所のもう１つの拡大模式図である。図９に示すように、圧力検出センサ３に対応する第１入力信号線Ｓ１、第２入力信号線Ｓ２、第１出力信号線Ｌ１と第２出力信号線Ｌ２が通常圧力検出センサ３の同一側において延出する。そのため、４つの信号線間の間隔を除き、それぞれの信号線の幅が約２０μｍである。即ち、第２接続線４２の幅が約２０μｍであり、ＩＴＯのシート抵抗が約１００Ωである。圧力検出センサ３の第１入力端ＩＮ１と第２入力端ＩＮ２との間の抵抗をＲａとし、圧力検出センサ３の第１出力端ＯＵＴ１と第２出力端ＯＵＴ２との間の抵抗をＲｂとすると、Ｒａ＝Ｒｂである。通常、５００Ω＜Ｒａ＜２０００Ωを満たし、圧力検出センサ３の信号線が製造完了後、もし依然として静電気が圧力検出センサ３に伝達していれば、圧力検出センサ３が大電流で発熱量が大きすぎる問題を改善するために、第２接続線４２の抵抗値を大きく設定してもよい。これにより、電流制限の機能を果たし、圧力検出センサ３の発熱量を低減させる。なお、圧力検出センサ３が動作中に、第２接続線４２の分圧が大きすぎることを回避するように、第２接続線４２の抵抗値はあまり大きくしてはいけない。上記２つの理由をともに考慮すると、Ｒａを２つの第２接続線４２の抵抗値の和に等しくしてもよい。このように設定すると、第２接続線４２の抵抗値Ｒｉｔｏ＝（Ｒｓ×Ｌ）／Ｗ である。ここで、Ｒsは第２接続線４２のシート抵抗であり、Ｌは第２接続線４２の長さであり、Ｗは第２接続線４２の幅である。Ｒａを２つの第２接続線４２の抵抗値の和に等しくする場合、以下の式が成立する。即ち、Ｒａ=２×Ｒｉｔｏ＝（２×１００×Ｌ）／２０＝１０Ｌとなり、Ｒａ＝５００Ωである場合、Ｌ＝５０μｍであり、Ｒａ＝２０００Ωである場合、Ｌ＝２００μｍであり、５００Ω＜Ｒａ＜２０００Ωであるため、５０μｍ＜Ｌ＜２００μｍとなる。
【００１６】
選択的に、圧力検出センサ３が半導体材料から製造される。
【００１７】
具体的に、金属材料で製造される圧力検出センサ３に比べ、半導体材料で製造される圧力検出センサ３は、圧力歪み下での抵抗変化がより大きく、より高い感度を有する。
【００１８】
図５は図１に示す表示パネルにおける一部の表示領域の拡大模式図であり、図６は図５に示すＢ−Ｂ´方向における断面構造を示す模式図であり、図７は図４と図６における構造の比較模式図である。上記表示パネルが薄膜トランジスタ６をさらに備え、薄膜トランジスタ６がソース６１、ドレイン６２、ゲート６３及び活性層６４を備えている。図４と図６を参照すると、圧力検出センサ３と活性層６４が同一の層に位置する。
【００１９】
具体的に、図５と図６に示すように、例えば、表示パネルが液晶表示パネルである場合、表示パネルが複数本のゲート線７と複数本のデータ線８を備え、複数本のゲート線７と複数本のデータ線８が交差して、マトリクス状に配列される複数のサブ画素ユニットが区画されている。それぞれのサブ画素ユニットに対応して薄膜トランジスタ６が設置され、薄膜トランジスタ６のソース６１が、対応するデータ線６に接続され、薄膜トランジスタ６のドレイン６２が、対応する画素電極（図示せず）に接続され、薄膜トランジスタ６のゲート６３が、対応するゲート線７に接続されている。当該液晶表示パネルは、対向設置されるアレイ基板とカラーフィルタ基板を備え、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に液晶層が設置されている。データ線８がデータ信号を伝送し、ゲート線７が走査信号を伝送し、液晶表示パネルの動作中に、複数本のゲート線７に対応する薄膜トランジスタ６が走査信号による制御で行を単位に順次に導通し、それとともに、データ線８がデータ信号を順次に対応する画素電極に伝送し、これによって、画素電極が充電され、画素電極と共通電極との間に電界が形成されることにより、液晶層における液晶の偏向を駆動し、正常の表示を行う。カラーフィルタ基板が格子状のブラックマトリックス及びブラックマトリックスの開口内に設置され、アレイ配列される複数のカラーレジストを備え、カラーレジストが赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト及び青色カラーレジストを含む。
【００２０】
なお、他の実施可能な形態において、表示パネルが他の種類の表示パネルであってもよく、本発明の実施例には、表示パネルの種類について限定しない。
【００２１】
例えば、表示パネルが有機発光表示パネルである場合、有機発光表示パネルがアレイ基板を備え、アレイ基板が複数の画素回路を備える。有機発光表示パネルはアレイ基板に設置される複数の有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）をさらに備え、それぞれの有機発光ダイオードの陽極が対応的にアレイ基板における画素回路に電気的に接続される。図８は本発明の実施例にかかる有機発光表示パネルの部分断面構造を示す模式図である。それぞれの有機発光ダイオードＥが順次に設置される陽極層１０１、発光層１０２及び陰極層１０３を備える。画素回路が薄膜トランジスタ６を備え、薄膜トランジスタ６がソース６１、ドレイン６２、ゲート６３及び活性層６４を備える。画素回路は蓄積コンデンサＣｓｔをさらに備え、蓄積コンデンサＣｓｔが第１電極板Ｃ１と第２電極板Ｃ２を備える。ここで、ゲート６３と第２電極板Ｃ２が第１導電層に位置し、第１電極板Ｃ１が第２導電層に位置し、ソース６１とドレイン６２が第３導電層に位置する。陽極層１０２の陰極層１０３に離間する一方の側に、順次に第３導電層、第２導電層、第１導電層及び活性層６３が設置され、有機発光ダイオードＥの陽極層１０１がビアホールを介して対応する薄膜トランジスタのドレイン６２に接続されている。複数の発光ダイオードが赤色光を発する発光ダイオード、緑色光を発する発光ダイオード及び青色光を発する発光ダイオードを含む。なお、有機発光表示パネルは、複数の有機発光ダイオードを覆う封止層をさらに備える。なお、図８には、画素回路における蓄積コンデンサＣｓｔ及び有機発光ダイオードＥに直接に接続される１つの薄膜トランジスタ晶体管６のみを模式的に示すが、他のトランジスタの層の構造が当該薄膜トランジスタ６の構造と同じである。また、各層の構造の関係も図８に示す構造に限らず、例えば、第１電極板Ｃ１と第２電極板Ｃ２が他の層において製造されてもよく、コンデンサの２つの電極板を構成することができれば良い。もし有機発光ダイオードＥが上面発光構造であれば、即ち、有機発光ダイオードＥが陰極層１０３の陽極層１０１から離間する側から発光する場合、像素駆動回路における各素子が有機発光ダイオードＥの下方に設置されてもよく、もし有機発光ダイオードＥが底面発光構造であれば、即ち、有機発光ダイオードＥが陽極層１０１の陰極層１０３から離間する側から発光する場合、画素回路における各素子が有機発光ダイオードＥの発光区域の外に設置される必要があり、これにより、表示に悪影響を与えることがない。
【００２２】
次に、表示パネルがマイクロ型発光ダイオードによる表示パネルである場合、マイクロ型発光ダイオードによる表示パネルがアレイ基板を備え、アレイ基板が複数の画素回路を備える。また、マイクロ型発光ダイオードによる表示パネルが、アレイ基板に設置される複数のマイクロ型発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、Ｍｉｃ−ＬＥＤ）をさらに備え、それぞれのマイクロ型発光ダイオードの陽極が対応的にアレイ基板における画素回路に電気的に接続される。複数のマイクロ型発光ダイオードは、赤色光を発するマイクロ型発光ダイオード、緑色光を発するマイクロ型発光ダイオード及び青色光を発するマイクロ型発光ダイオードを含む。ここで、マイクロ型発光ダイオードは、成長基板に製造されてから、移転によりアレイ基板に移転される。
【００２３】
選択的に、図４、図５、図６及び図７に示すように、第１導電層Ｍ１と第２導電層Ｍ２が、ゲート金属層、ソース・ドレイン金属層及びタッチ信号線金属層のうちの任意の異なる２つの層である。
【００２４】
具体的に、液晶表示パネルを例として説明する。図５及び図６に示すように、ゲート金属層がゲート線７とゲート６３を備え、ソース・ドレイン金属層がソース６１、ドレイン６２及びデータ線８を備える。タッチ信号線金属層はタッチ信号線９を備え、共通電極がマトリクス状に配列される複数の共通電極ブロックを備える。それぞれの共通電極ブロックが少なくとも１つのタッチ信号線９に接続され、表示段階では、タッチ信号線９が全ての共通電極ブロックに共通電極信号を出力する。タッチ段階では、共通電極ブロックがタッチ電極として、タッチ信号線９がそれぞれの共通電極ブロックにタッチ駆動信号に出力するとともに、それぞれの共通電極ブロックの感知信号を受け取る。これにより、タッチ位置を判断する。なお、図４と図７には、第１導電層Ｍ１がソース・ドレイン金属層であり、第２導電層Ｍ２がタッチ信号線金属層である構造のみを示すが、本発明の実施例には、これについて限定しない。
【００２５】
図１０は図９に示すＢ−Ｂ´方向における断面構造を示す模式図である。非表示領域にゲート駆動回路（図面に示されていない）及びゲート駆動回路に接続されるゲート駆動回路信号線１０が設置される。ゲート駆動回路信号線１０は第１導電層Ｍ１に位置し、表示パネルの所在する平面において、第２接続線４２の正射影がゲート駆動回路信号線１０の正射影と交差している。
【００２６】
具体的に、プロセスを簡略化するために、ゲート駆動回路信号線１０、第１接続線４１及び第３接続線４３が第１導電層Ｍ１に位置するようにしてもよい。このように、１度のパターニング工程でゲート駆動回路信号線１０、第１接続線４１及び第３接続線４３を形成することができる。ゲート駆動回路がカスケード接続される多段シフトレジスタを備え、多段シフトレジスタが表示パネルの縁の方向に沿って配列され、圧力検出センサ３がゲート駆動回路の近傍に設置されている。そのため、ゲート駆動回路信号線１０は、圧力検出センサ３をバイパスする必要があり、配線がより便利になるように、ゲート駆動回路信号線１０が圧力検出センサ３に対応する信号線のジャンパ線部分を通すようにしてもよい。即ち、ゲート駆動回路信号線１０が第２接続線４２の所在する位置を通すようにしてもよい。当然ながら、他の実施可能の形態において、ゲート金属層にゲート駆動回路信号線１０を製造してもよい。第２導電層Ｍ２がゲート金属層から遠いため、ゲート駆動回路信号線１０が第２接続線４２の所在する位置を通すことにより、圧力検出センサ３に対応する信号線とゲート駆動回路信号線１０との間の負荷容量をさらに低減させることができる
【００２７】
図１１は図１に示す圧力検出センサの所在する箇所のもう１つの拡大模式図である。図１２は図９に示すＣ−Ｃ´方向における断面構造を示す模式図である。非表示領域に、ゲート駆動回路及びゲート駆動回路に接続されるゲート駆動回路信号線１０が設置され、圧力検出センサ３とゲート駆動回路信号線１０との間の最小距離が５０μｍ以上である。
【００２８】
具体的に、表示パネルの底端における駆動チップに接続されるために、ゲート駆動回路信号線１０が長く、且つ表示パネルの縁に沿って配置されてもよい。従って、ゲート駆動回路信号線１０上の静電気で圧力検出センサ３を破壊することを回避し、またゲート駆動回路信号線１０と圧力検出センサ３とが互いに影響することを回避するために、圧力検出センサ３とゲート駆動回路信号線１０との間の最小距離を５０μｍ以上とする。プロセスを簡略化するために、ゲート駆動回路信号線１０と第２接続線４２がいずれも第２導電層Ｍ２に位置するようにしてもよい。このように、１度のパターニング工程でゲート駆動回路信号線１０と第２接続線４２を形成することができる。当然ながら、他の実施可能な形態において、第１導電層Ｍ２又はゲート金属層においてゲート駆動回路信号線１０を製造してもよい。
【００２９】
図１３は本発明の実施例にかかる圧力検出センサの構造模式図である。圧力検出センサがホイートストンブリッジ式圧力センサであり、ホイートストンブリッジ式圧力センサが第１入力端ＩＮ１、第２入力端ＩＮ２、第１出力端ＯＵＴ１、第２出力端ＯＵＴ２、第１歪み圧力センサＭ１、第２歪み圧力センサＭ２、第３歪み圧力センサＭ３及び第４歪み圧力センサＭ４を備える。それぞれの圧力検知ユニットにおいて、第１歪み圧力センサＭ１が第１入力端ＩＮ１と第１出力端ＯＵＴ１との間に直列に接続され、第２歪み圧力センサＭ２が第２入力端ＩＮ２と第２出力端ＯＵＴ２との間に直列に接続され、第３歪み圧力センサＭ３が第２入力端ＩＮ２と第１出力端ＯＵＴ１との間に直列に接続され、第４歪み圧力センサＭ４が第１入力端ＩＮ１と第２出力端ＯＵＴ２との間に直列に接続されている。
【００３０】
選択的に、図３に示すように、圧力検出センサがシリコンピエゾ抵抗型圧力センサである。シリコンピエゾ抵抗型圧力センサが四角形構造であってもよく、４つの辺がそれぞれ第１入力端ＩＮ１、第２入力端ＩＮ２、第１出力端ＯＵＴ１及び第２出力端ＯＵＴ２に接続され、第１入力端ＩＮ１と第２入力端ＩＮ２がそれぞれ対向する２つの辺に接続され、第１出力端ＯＵＴ１と第２出力端ＯＵＴ２がそれぞれ対向する他の２つの辺に接続されている。
【００３１】
なお、図２に示す圧力検出センサの構造の場合でも、図１３に示す圧力検出センサの構造の場合でも、圧力検出センサがいずれも端から端まで順次に接続される第１ブリッジアーム、第２ブリッジアーム、第３ブリッジアーム及び第４ブリッジアームからなる電気ブリッジと等価なものになる。第１ブリッジアームと第４ブリッジアームとの接続箇所が第１入力端ＩＮ１であり、第２ブリッジアームと第３ブリッジアームとの接続箇所が第２入力端ＩＮ２であり、第１ブリッジアームと第２ブリッジアームとの接続箇所が第１出力端ＯＵＴ１であり、第３ブリッジアームと第４ブリッジアームとの接続箇所が第２出力端ＯＵＴ２である。表示パネルが変形していない場合、第１ブリッジアームと第２ブリッジアームとの抵抗値の比が、第４ブリッジアームと第３ブリッジアームとの抵抗値の比に等しいとき、電気ブリッジがバランス状態となり、第１出力端ＯＵＴ１での電圧値が第２出力端ＯＵＴ２での電圧値に等しくなる。表示パネルが変形した場合、上記４つのブリッジアームがいずれも変形し、これによって、各ブリッジアームの抵抗値が変化し、電気ブリッジのバランス状態が崩れる。即ち、第１ブリッジアームと第２ブリッジアームとの抵抗値の比が、第４ブリッジアームと第３ブリッジアームとの抵抗値の比に等しくなく、第１出力端ＯＵＴ１での電圧値が第２出力端ＯＵＴ２での電圧値に等しくなく、第１出力端ＯＵＴ１での電圧値と第２出力端ＯＵＴ２での電圧値との差が、表示パネルで受け取る圧力値と対応関係を有する。圧力検出の過程では、第１出力端ＯＵＴ１での電圧値と第２出力端ＯＵＴ２での電圧値を取得することにより、対応する圧力値を得ることができる。
【００３２】
選択的に、圧力検出センサ３が多結晶シリコン材料で製造される。
【００３３】
具体的に、多結晶シリコンの抵抗が大きく、融点が低いため、静電気による大電流が多結晶シリコンを通すとき、圧力検出センサ３を焼損しやすい。従って、多結晶シリコン材料で製造される圧力検出センサ３が本発明の実施例により適用されることができる。
【００３４】
選択的に、図１に示すように、表示パネルが表示領域１を備え、非表示領域２が表示領域１を囲んでおり、圧力検出センサ３が非表示領域２における、表示領域１に近い側に位置する。
【００３５】
具体的に、表示パネルが押圧されたとき、中心に近いほど、その位置の変形が大きくなる。そのため、圧力検出センサ３の圧力検知効果を向上させるために、それを非表示領域２における、表示領域１に近い側に設置することにより、押圧時に大きい変形が発生することで検知の感度が良くなるとともに、正常の表示品質に影響することもない。
【００３６】
図１４は本発明の実施例にかかる表示装置の構造模式図である。本発明の実施例が表示装置を提供し、当該表示装置は、上記表示パネル１００を備える。
【００３７】
ここで、表示パネル１００の具体的な構造及び原理が上記実施例と同様であり、ここで繰り返し述べない。表示装置は、例えば、タッチディスプレイスクリーン、携帯電話、タブレットＰＣ、ノートパソコン又はテレビ等の表示機能を有する如何なる電子機器であってもよい。
【００３８】
本発明の実施例にかかる表示装置は、圧力検出センサに近い位置において、圧力検出センサの信号線をジャンパ線接続とする。即ち、第１導電層における第１接続線を圧力検出センサに接続し、第２導電層における第２接続線を第１ビアホールを介して第１接続線に接続し、第１導電層における第３接続線を第２ビアホールを介して第２接続線に接続する。これにより、圧力検出センサの信号線を形成するため、先に製造された接続線に静電気を直接に圧力検出センサに伝達させることなく、表示パネルが製造過程で静電気破壊によって破損されるリスクを低減させる。
【００３９】
上記各実施例は本発明の技術案を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。上記各実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、当業者であれば分かるように、上記各実施例に記載の技術案を変更し、またはその一部や全部の技術的特徴に対して均等置換可能である。これらの変更や置換があえてかかる技術案の要旨を本発明の各実施例の技術案の範囲から逸脱させることはない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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