(57)【要約】【課題】基板における金属製の端子と金属製の箔とを常に一定のはんだ付け条件ではんだ付けする場合に比べて、端子及び箔の少なくとも一方の酸化によるはんだ不良を抑制できるはんだ付け装置と基板装置の製造方法とを得る。【解決手段】基板４０に設けられた孔に挿入された金属製の端子の酸化状態又は孔の周囲に形成された金属製の箔の酸化状態を検出する検出部３２と、検出部３２が検出した端子の酸化状態又は箔の酸化状態に応じてはんだ付け条件を設定する設定部３０と、設定部３０が設定したはんだ付け条件に則って端子を箔にはんだ付けする接合部２０と、を備えたはんだ付け装置１０とする。そして、そのはんだ付け装置１０によって端子を箔にはんだ付けしてなる基板装置の製造方法とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた孔に挿入された金属製の端子の酸化状態又は該孔の周囲に形成された金属製の箔の酸化状態を検出する検出部と、
該検出部が検出した該端子の酸化状態又は該箔の酸化状態に応じてはんだ付け条件を設定する設定部と、
該設定部が設定したはんだ付け条件に則って該端子を該箔にはんだ付けする接合部と、
を備えたはんだ付け装置。
【請求項２】
基板に設けられた孔に挿入された金属製の端子の酸化状態及び該孔の周囲に形成された金属製の箔の酸化状態を検出する検出部と、
該検出部が検出した該端子の酸化状態及び該箔の酸化状態のうち、酸化が進んでいる方の状態に応じてはんだ付け条件を設定する設定部と、
該設定部が設定したはんだ付け条件に則って該端子を該箔にはんだ付けする接合部と、
を備えたはんだ付け装置。
【請求項３】
前記端子の酸化状態及び前記箔の酸化状態は、比較画像とのマッチング率で求める請求項１又は請求項２に記載のはんだ付け装置。
【請求項４】
前記比較画像は、３個以上である請求項３に記載のはんだ付け装置。
【請求項５】
前記端子の酸化状態及び前記箔の酸化状態と前記はんだ付け条件とが１：１で対応している請求項１〜請求項４の何れか１項に記載のはんだ付け装置。
【請求項６】
前記はんだ付け条件は、前記接合部の移動速度、前記接合部によるはんだ付け時間の長さ、前記接合部から噴出されるはんだの流量及び流速の少なくとも一方、前記接合部から噴出されるはんだの温度、前記箔へ供給される窒素の流量、又は前記箔へ塗布されるフラックスの塗布量である請求項１〜請求項５の何れか１項に記載のはんだ付け装置。
【請求項７】
基板に設けられた孔に金属製の端子を挿入する第１工程と、
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載のはんだ付け装置により前記端子を前記孔の周囲に形成された金属製の箔にはんだ付けする第２工程と、
を有する基板装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだ付け装置及び基板装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板の銅ランド部に耐変色防錆保護被膜を形成し、その銅ランド部の経時的酸化変色及び腐食を防止するとともに、はんだ濡れ性の劣化を防止し、長期保管後も良好なはんだ付け性が維持されるようにしたものは、従来に提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１０５３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、基板における金属製の端子と金属製の箔とを常に一定のはんだ付け条件ではんだ付けする場合に比べて、端子及び箔の少なくとも一方の酸化によるはんだ不良を抑制できるはんだ付け装置と基板装置の製造方法とを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載のはんだ付け装置は、基板に設けられた孔に挿入された金属製の端子の酸化状態又は該孔の周囲に形成された金属製の箔の酸化状態を検出する検出部と、該検出部が検出した該端子の酸化状態又は該箔の酸化状態に応じてはんだ付け条件を設定する設定部と、該設定部が設定したはんだ付け条件に則って該端子を該箔にはんだ付けする接合部と、を備えている。
【０００６】
また、本発明に係る請求項２に記載のはんだ付け装置は、基板に設けられた孔に挿入された金属製の端子の酸化状態及び該孔の周囲に形成された金属製の箔の酸化状態を検出する検出部と、該検出部が検出した該端子の酸化状態及び該箔の酸化状態のうち、酸化が進んでいる方の状態に応じてはんだ付け条件を設定する設定部と、該設定部が設定したはんだ付け条件に則って該端子を該箔にはんだ付けする接合部と、を備えている。
【０００７】
また、請求項３に記載のはんだ付け装置は、請求項１又は請求項２に記載のはんだ付け装置であって、前記端子の酸化状態及び前記箔の酸化状態は、比較画像とのマッチング率で求める。
【０００８】
また、請求項４に記載のはんだ付け装置は、請求項３に記載のはんだ付け装置であって、前記比較画像は、３個以上である。
【０００９】
また、請求項５に記載のはんだ付け装置は、請求項１〜請求項４の何れか１項に記載のはんだ付け装置であって、前記端子の酸化状態及び前記箔の酸化状態と前記はんだ付け条件とが１：１で対応している。
【００１０】
また、請求項６に記載のはんだ付け装置は、請求項１〜請求項５の何れか１項に記載のはんだ付け装置であって、前記はんだ付け条件は、前記接合部の移動速度、前記接合部によるはんだ付け時間の長さ、前記接合部から噴出されるはんだの流量及び流速の少なくとも一方、前記接合部から噴出されるはんだの温度、前記箔へ供給される窒素の流量、又は前記箔へ塗布されるフラックスの塗布量である。
【００１１】
また、本発明に係る請求項７に記載の基板装置の製造方法は、基板に設けられた孔に金属製の端子を挿入する第１工程と、請求項１〜請求項６の何れか１項に記載のはんだ付け装置により前記端子を前記孔の周囲に形成された金属製の箔にはんだ付けする第２工程と、を有している。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１及び請求項２に記載の発明によれば、基板における金属製の端子と金属製の箔とを常に一定のはんだ付け条件ではんだ付けする場合に比べて、端子及び箔の少なくとも一方の酸化によるはんだ不良を抑制することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、端子の酸化状態及び箔の酸化状態を、例えば接触式のセンサーで求める場合に比べて、端子の酸化状態及び箔の酸化状態を精度良く求めることができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明によれば、比較画像が２個以下である場合に比べて、端子及び箔の少なくとも一方の酸化によるはんだ不良を抑制することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明によれば、端子の酸化状態及び箔の酸化状態よりも、はんだ付け条件が少ない場合に比べて、端子及び箔の少なくとも一方の酸化によるはんだ不良を抑制することができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明によれば、はんだ付け条件が、接合部の移動速度、接合部によるはんだ付け時間の長さ、接合部から噴出されるはんだの流量及び流速の少なくとも一方、接合部から噴出されるはんだの温度、箔へ供給される窒素の流量、又は箔へ塗布されるフラックスの塗布量でない場合に比べて、端子及び箔の少なくとも一方の酸化によるはんだ不良を効果的に抑制することができる。
【００１７】
請求項７に記載の発明によれば、請求項１〜請求項６の何れか１項に記載のはんだ付け装置により端子を箔にはんだ付けしない場合に比べて、はんだ濡れ性が良好とされた基板装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係るはんだ付け装置の本体部を示す概略構成図である。
【図２】ポイントフローはんだ付け方式となるノズルの移動を示す説明図である。
【図３】（Ａ）溶融はんだを吐出しながらノズルを移動してはんだ付けを行っている状態を示す説明図である。（Ｂ）基板の背面とノズルとの間の溶融はんだが基板の背面から離れる直前を示す説明図である。（Ｃ）ノズルが電子部品の端部に位置するリードを過ぎて基板の背面から離れた状態を示す説明図である。
【図４】本実施形態に係るはんだ付け装置の撮像部及び制御部を示す概略構成図である。
【図５】（Ａ）ランドが酸化していない状態の基板を示す拡大図である。（Ｂ）ランドが酸化している状態の基板を示す拡大図である。
【図６】撮像部で撮像した画像と制御部に記憶されている比較画像とのテンプレートマッチングを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施の形態について、図面を基に詳細に説明する。なお、説明の便宜上、図１において、はんだ付け装置１０の上下方向をＺ方向とし、そのＺ方向に直交する紙面左右方向をＸ方向、紙面垂直方向をＹ方向とするが、それらの方向に特に限定されるものではない。また、図２における矢印Ｔ１及び矢印Ｔ２は、１つのノズル２０の軌跡を表しており、図２では、移動するノズル２０を実線で示している。
【００２０】
＜はんだ付け装置の本体部の構成＞
まず、本実施形態に係るはんだ付け装置１０の本体部１２の構成について説明する。なお、このはんだ付け装置１０は、所謂ポイントフローはんだ付け方式とされている。
【００２１】
図１に示されるように、はんだ付け装置１０は、本体部１２と、プリント配線基板（以下「基板」という）４０を保持する保持部１８と、本体部１２をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させる駆動部１６と、を有している。
【００２２】
本体部１２は、溶融はんだＳを吐出する接合部の一例としてのノズル２０と、溶融はんだＳが貯留された貯留槽１４と、を有している。ノズル２０は  図２、図３に示されるように、先端部２４が縮径されたノズル本体２２と、ノズル本体２２の先端部２４に装着された略円筒状のアタッチメント２８と、を有している。
【００２３】
アタッチメント２８は、その外周部に側面視で径方向外側へ鋭角に張り出すエッジ部２８Ｂを有する形状とされており、その先端面２８Ａが、ノズル本体２２の先端部２４における先端面２４Ａと略面一になるように、ノズル本体２２の先端部２４に嵌められている。そして、ノズル本体２２の先端部２４に形成されている開口が、溶融はんだＳが吐出される吐出口２６となっている。
【００２４】
また、図１に示されるように、本体部１２は、貯留槽１４に貯留された溶融はんだＳをノズル２０の吐出口２６から吐出可能に構成されるとともに、吐出させた余剰の溶融はんだＳを貯留槽１４に回収可能に構成されている。なお、図１における矢印Ｍは、余剰となった溶融はんだＳの回収経路を表している。
【００２５】
駆動部１６は、本体部１２を保持部１８（基板４０）に対してＺ方向に移動させることにより、ノズル２０を基板４０の背面４０Ａに対して接離させるようになっている。そして、駆動部１６は、本体部１２を保持部１８（基板４０）に対してＹ方向及びＸ方向に移動させることにより、ノズル２０を基板４０の背面４０Ａに沿って、そのＹ方向及びＸ方向へ移動させるようになっている。
【００２６】
つまり、このはんだ付け装置１０は、図３に示されるように、後述する電子部品５０の金属製の端子の一例としてのリード４８がスルーホール４４に挿入された基板４０の背面４０Ａに、溶融はんだＳが吐出口２６から吐出された状態のノズル２０を接近させ、かつ、そのノズル２０を基板４０の背面４０Ａに沿って移動させることにより、リード４８を基板４０にはんだ付けするようになっている。
【００２７】
なお、本実施形態における「接離」とは、基板４０のスルーホール４４に挿入された電子部品５０におけるリード４８の先端（下端）にノズル２０が接触せず、かつリード４８に溶融はんだＳが接触するように、ノズル２０を基板４０の背面４０Ａに接近させること、及びリード４８の先端に溶融はんだＳが接触しないように、基板４０の背面４０Ａからノズル２０を充分に離隔させることを指す。
【００２８】
＜基板＞
次に、基板４０について説明する。
【００２９】
図５に示されるように、基板４０は、平板状の基板本体４２を有しており、その基板本体４２には、配線パターン（図示省略）が形成されている。つまり、基板４０は、基板本体４２に配線パターンが形成されることで構成されている。そして、この基板４０には、少なくとも電子部品５０の複数本のリード４８をそれぞれ挿入させるために、各リード４８に対応した孔の一例としての複数個のスルーホール４４が形成されている。
【００３０】
詳細に説明すると、基板４０には、平面視円形状とされた複数の貫通孔（図示省略）が形成されており、各貫通孔を囲むように略円筒状のランド４６が一体的に設けられている。ランド４６は、銅素材に有機被膜が塗布されてなる金属製の箔の一例であり、貫通孔の内周面に外周面が密着される円筒部４６Ｂと、その円筒部４６Ｂの一端部及び他端部に一体に設けられた平面視円環形状（リング形状）のフランジ部４６Ａと、を有している。
【００３１】
そして、ランド４６の円筒部４６Ｂにおける貫通孔が、電子部品５０のリード４８が挿入されるスルーホール４４になっている。なお、各スルーホール４４の内径は、主にリード４８の外径と、内部に充填する溶融はんだＳの量とによって決められるが、基板４０に形成された配線パターンのスペースにより、溶融はんだＳの量に関係なく決められる場合もある。この場合は、各スルーホール４４に対して溶融はんだＳを充填可能となるように、溶融はんだＳの量が調整される。
【００３２】
＜基板装置の製造方法＞
次に、基板装置３８（図３（Ｃ）参照）の製造方法（基板４０に対する電子部品５０の取付方法）について説明する。
【００３３】
まず、電子部品５０の各リード４８を基板４０の各スルーホール４４に挿入する（第１工程）。なお、これより前に、ランド４６にフラックス（図示省略）を塗布するようにしてもよい。そして、その基板４０を保持部１８に保持させるが、保持部１８内には窒素が供給されるように構成されていてもよい。
【００３４】
その後、図３（Ａ）に示されるように、駆動部１６（図１参照）により、溶融はんだＳを吐出口２６から吐出させた状態のノズル２０をＺ方向へ移動させて基板４０の背面４０Ａに接近させる。そして、そのノズル２０を基板４０の背面４０Ａに沿ってＹ方向及びＸ方向へ移動させる。
【００３５】
その後、図３（Ｂ）に示されるように、駆動部１６により、電子部品５０におけるノズル２０の移動方向（矢印Ｔ１：図２参照）側の端部に位置するリード４８まで、ノズル２０を移動させる。そして、図３（Ｃ）に示されるように、駆動部１６により、ノズル２０を基板４０の背面４０Ａから離隔させる。その後、溶融はんだＳを加熱して固化することにより、リード４８を基板４０（ランド４６）にはんだ付けする（第２工程）。以上により、基板装置３８が製造される。
【００３６】
なお、本実施形態では、ノズル本体２２の先端部２４に、エッジ部２８Ｂを有するアタッチメント２８が装着されているため、エッジ部２８Ｂを有するアタッチメント２８が装着されていない場合に比べて、ノズル２０と基板４０の背面４０Ａとの間の余剰の溶融はんだＳが矢印Ｍに沿ってスムーズに流れ落ちる。よって、各リード４８間が、はんだで繋がってしまう所謂はんだブリッジの発生が抑制又は防止される。
【００３７】
また、「はんだブリッジの発生が抑制される」とは、はんだブリッジの発生率が０．１％以下となることを意味している。更に、余剰の溶融はんだＳが矢印Ｍに沿ってスムーズに流れ落ちるため、ノズル２０の基板４０に対する移動速度が高速化される。つまり、電子部品５０のリード４８に溶融はんだＳを塗布する速度が高速化される。
【００３８】
＜はんだ付け装置の撮像部及び制御部の構成＞
以上のような基板装置３８の製造方法（基板４０に対する電子部品５０の取付方法）において、次に、その基板装置３８におけるはんだ不良を抑制するためのはんだ付け装置１０の撮像部（カメラ３２）及び制御部３０の構成について説明する。
【００３９】
図４に示されるように、このはんだ付け装置１０は、本体部１２のノズル２０によってはんだ付けする前に、基板４０のはんだ付けする背面４０Ａ側を撮像し、その背面４０Ａ側のランド４６（図５参照）の酸化状態（酸化レベル）又はスルーホール４４に挿入されたリード４８（図３参照）の酸化状態（酸化レベル）を検出する検出部の一例としての撮像部、より具体的にはカメラ３２を有している。
【００４０】
そして、はんだ付け装置１０は、そのカメラ３２に電気的に接続し、そのカメラ３２で検出したランド４６の酸化状態（酸化レベル）又はリード４８の酸化状態（酸化レベル）に応じて、はんだ付け条件を設定する設定部の一例としての制御部３０を有している。この制御部３０で設定したはんだ付け条件に則って、制御部３０が駆動部１６を制御してリード４８を基板４０（ランド４６）にはんだ付けすることにより、基板装置３８において、はんだ不良の発生が抑制されるようになっている。
【００４１】
＜はんだ付け装置の撮像部及び制御部の作用＞
そこで次に、そのはんだ付け装置１０の撮像部（カメラ３２）及び制御部３０の作用（基板装置３８において、はんだ不良が発生することを抑制する方法）について説明する。
【００４２】
基板４０のランド４６及び電子部品５０のリード４８は、酸化すると黒色度合いが高くなる。例えば、図５（Ａ）では、酸化なし（後述する酸化レベル１）のランド４６が示されており、図５（Ｂ）では、酸化状態が最悪（後述する酸化レベル１０）のランド４６が示されている。
【００４３】
ランド４６及びリード４８の少なくとも一方が酸化すると、はんだ濡れ性（はんだがランド４６にどれぐらい濡れ広がっているかを面積で示したもの）が悪化し、はんだ不良が発生する割合が高くなる。そのため、本実施形態に係るはんだ付け装置１０では、リード４８をランド４６にはんだ付けする前に、そのランド４６の酸化状態（酸化レベル）又はリード４８の酸化状態（酸化レベル）を調べるようになっている。
【００４４】
ここで、ランド４６の酸化状態（酸化レベル）又はリード４８の酸化状態（酸化レベル）は、予め用意された複数、望ましくは３個以上（例えば１０個）の比較画像３６（図６参照）とのマッチング率で求めるようになっている。
【００４５】
ランド４６の場合を例に採って説明すると、図６に示されるように、制御部３０には、予めランド４６の酸化レベル１（酸化なし）〜１０（酸化状態が最悪）の１０段階（１０個）の比較画像３６（比較画像３６Ａ〜３６Ｊ）が記憶されている。 
【００４６】
したがって、まず、はんだ付け装置１０の本体部１２を保持部１８の下方に配置する前に、カメラ３２で基板４０の背面４０Ａを撮像する。そして、そのカメラ３２で撮像した画像の中から、評価するランド４６の画像３４を抽出（検出）し、その抽出した評価対象のランド４６の画像３４を、酸化レベル１〜１０のランド４６の比較画像３６Ａ〜３６Ｊと順次比較（パターンマッチング、より具体的にはテンプレートマッチング）する。
【００４７】
これにより、それぞれのランド４６の比較画像３６（比較画像３６Ａ〜３６Ｊ）について、評価するランド４６とのマッチング率が得られる。つまり、評価する１つのランド４６に対して、１０個のマッチング率が得られる。そして、この中でマッチング率が最大のランド４６の比較画像３６を抽出することにより、評価するランド４６の酸化レベル（酸化状態）が求められる。
【００４８】
具体的に例を挙げて説明すると、それぞれのランド４６の比較画像３６Ａ〜３６Ｊに対して評価対象のランド４６の画像３４をテンプレートマッチングした結果、次のような結果が得られたとする。 
【００４９】
酸化レベル１の比較画像３６Ａとのマッチング率＝２０％ 
酸化レベル２の比較画像３６Ｂとのマッチング率＝３５％ 
酸化レベル３の比較画像３６Ｃとのマッチング率＝５０％ 
酸化レベル４の比較画像３６Ｄとのマッチング率＝６５％ 
酸化レベル５の比較画像３６Ｅとのマッチング率＝８０％ 
酸化レベル６の比較画像３６Ｆとのマッチング率＝８３％ 
酸化レベル７の比較画像３６Ｇとのマッチング率＝７９％ 
酸化レベル８の比較画像３６Ｈとのマッチング率＝６０％ 
酸化レベル９の比較画像３６Ｉとのマッチング率＝５０％ 
酸化レベル１０の比較画像３６Ｊとのマッチング率＝４０％ 
【００５０】
この場合、酸化レベル６のランド４６の比較画像３６Ｆとのマッチング率（＝８３％）が最大値なので、この基板４０のランド４６における酸化レベルは「６」と判断される。
【００５１】
こうして、ランド４６の酸化レベルを求めたら、その酸化レベルに応じてはんだ付け条件を設定（変更）してはんだ付けする。具体的には、ランド４６の酸化レベルが比較的良い（酸化していない）場合には、はんだ濡れ性が良いため、はんだ付けする時間を短めにする。
【００５２】
逆に、ランド４６の酸化レベルが比較的悪い場合には、はんだ濡れ性が悪いため、はんだ付けする時間を長めにする。酸化レベル６は、標準レベルよりもややはんだ濡れ性が悪いため、この場合のはんだ付け条件としては、例えばノズル２０の移動速度を標準速度よりも少し遅くするように設定（変更）することが挙げられる。
【００５３】
より具体的には、酸化レベルが「１０」のときのノズル２０の移動速度が１ｍｍ／ｓであり、酸化レベルが「１」のときのノズル２０の移動速度が１０ｍｍ／ｓであって、酸化レベルが１段階変化する毎に移動速度が１ｍｍ／ｓずつ変化する仕様の場合には、酸化レベルが「６」のときのノズル２０の移動速度は５ｍｍ／ｓとなるため、その５ｍｍ／ｓの速度でノズル２０を移動させることになる。
【００５４】
これにより、ランド４６の酸化によるはんだ濡れ性の悪化が抑制され、基板装置３８において、はんだ不良の発生が抑制される。なお、ランド４６の酸化状態とはんだ付け条件とは１：１で対応している。したがって、例えばランド４６の酸化状態よりも、はんだ付け条件が少ない場合に比べて、ランド４６の酸化によるはんだ不良の発生が抑制される。
【００５５】
また、はんだ濡れ性の悪化を抑制するために、ランド４６の酸化を防止する処理（耐変色防錆保護被膜処理）を基板４０に施すことも可能であるが、この場合には、基板４０が高価になる。本実施形態によれば、基板４０が高価になることなく、はんだ濡れ性の悪化が抑制され、はんだ不良の発生が抑制される。
【００５６】
また、はんだ付け条件は、ノズル２０の移動速度に限定されるものではなく、ノズル２０によるはんだ付け時間（ノズル２０を停止させる時間であり、ランド４６が溶融はんだＳに接触している時間）の長さ、ノズル２０から噴出される溶融はんだＳの流量及び流速の少なくとも一方、ノズル２０から噴出される溶融はんだＳの温度、ランド４６へ供給される窒素の流量、又はランド４６へ塗布されるフラックスの塗布量などでもよい。
【００５７】
また、リード４８の場合も同様である。すなわち、リード４８の場合も酸化レベル１（酸化なし）〜１０（酸化状態が最悪）の１０段階（１０個）の比較画像３６（比較画像３６Ａ〜３６Ｊ）が制御部３０に予め記憶されており、カメラ３２で撮像したリード４８の画像３４とのテンプレートマッチングにより、リード４８の酸化レベルが求められる。
【００５８】
なお、予め用意するランド４６及びリード４８の比較画像３６は、グレー画像（２５６階調の画像）でもよいし、カラー画像でもよい。また、ランド４６の酸化状態（酸化レベル）及びリード４８の酸化状態（酸化レベル）の両方を求め、ランド４６の酸化状態（酸化レベル）及びリード４８の酸化状態（酸化レベル）のうち、酸化が進んでいる（酸化レベルが大きい）方の状態に応じて、はんだ付け条件を設定（変更）するようにしてもよい。
【００５９】
以上、本実施形態に係るはんだ付け装置１０及び基板装置３８の製造方法について、図面を基に説明したが、本実施形態に係るはんだ付け装置１０及び基板装置３８の製造方法は、図示のものに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能なものである。
【００６０】
例えば、予め用意する比較画像３６は、複数（望ましくは３個以上）であればよく、図示の１０個に限定されるものではない。また、検出部の一例としての撮像部は、カメラ３２に限定されるものではなく、カメラ３２以外に、例えばＣＣＤやＣＭＯＳなどでもよい。
【００６１】
また、図示のはんだ付け装置１０は、基板４０が固定されてノズル２０が移動するポイントフローはんだ付け方式とされているが、本実施形態に係るはんだ付け装置１０は、ノズル２０が固定されて基板４０が移動するフローはんだ付け方式とされていてもよい。その場合におけるはんだ付け条件は、基板４０の搬送速度や搬送時間などとなる。
【符号の説明】
【００６２】
１０  はんだ付け装置
２０  ノズル（接合部の一例）
３０  制御部（設定部の一例）
３２  カメラ（検出部の一例）
３６  比較画像
３８  基板装置
４０  基板
４４  スルーホール（孔の一例）
４６  ランド（箔の一例）
４８  リード（端子の一例）
【図１】
2019041000.tif 000003
【図２】
2019041000.tif 000004
【図３】
2019041000.tif 000005
【図４】
2019041000.tif 000006
【図５】
2019041000.tif 000007
【図６】
2019041000.tif 000008