(57)【要約】【課題】接合時に電子部品及び基板に対する密着性に優れ、接合強度が高く、接合後に高温雰囲気に晒されても再溶融せず、また電子部品及び／又は基板が発熱と冷却を反復したときに生じるクラックで電子部品を損傷させない。【解決手段】電子部品と基板の間に介在しＣｕＳｎ金属間化合物により構成された半導体モジュールの接合層である。この接合層の中心部から電子部品の端部の接合部にかけてＳｎの組成割合が増加するように構成される。ＣｕコアＳｎシェル粉末を含むペーストを電子部品と基板の間に介在させ、この介在させた状態で、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下、電子部品及び／又は基板に１ＭＰａ〜３０ＭＰａの圧力を加えかつ２５０℃〜３５０℃の温度で１分〜１０分間加熱して、電子部品を基板に接合することにより、半導体モジュールを製造する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と基板の間に介在しＣｕＳｎ金属間化合物により構成された半導体モジュールの接合層において、
前記接合層の中心部から前記電子部品の端部の接合部にかけてＳｎの組成割合が増加するように構成されたことを特徴とする半導体モジュールの接合層。
【請求項２】
前記接合層の中心部におけるＳｎの組成割合が２０質量％〜５０質量％であってＣｕの組成割合がその残部であり、前記電子部品の端部の接合部におけるＳｎの組成割合が６０質量％〜８０質量％であってＣｕの組成割合がその残部である請求項１記載の半導体モジュールの接合層。
【請求項３】
前記接合層の厚さが１０μｍ〜２００μｍである請求項１又は２記載の半導体モジュールの接合層。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の接合層が電子部品と基板の間に介在する半導体モジュール。
【請求項５】
ＣｕコアＳｎシェル粉末を含むペーストを電子部品と基板の間に介在させ、この介在させた状態で、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下、前記電子部品及び／又は前記基板に１ＭＰａ〜３０ＭＰａの圧力を加えかつ２５０℃〜３５０℃の温度で１分〜１０分間加熱して、前記電子部品を前記基板に接合することにより、半導体モジュールを製造する方法。
【請求項６】
前記ＣｕコアＳｎシェル粉末がＳｎの組成割合が４０質量％〜６０質量％であり、Ｃｕの組成割合がその残部である請求項５記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ素子、ＬＥＤチップ素子等の電子部品と基板の間に介在する半導体モジュールの接合層に関する。更にこの接合層が用いられた半導体モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、２００℃を超える高温でも動作する、ＳｉＣのようなワイドギャップ半導体が注目されている。高温で動作する半導体チップ素子の接合方法として、ＣｕとＳｎを含む接合材料を半導体チップ素子と基板との間に介在させ、Ｓｎの融点より高い温度で加熱し、前記接合材をＣｕ6Ｓｎ5やＣｕ3Ｓｎからなる組成の金属間化合物（Inter-Metallic Compound：ＩＭＣ）とする遷移的液相焼結法（Transient Liquid Phase Sintering：ＴＬＰ法）と呼ばれる接合方法が注目されている。この接合方法により形成される接続層又は接合剤を用いた半導体モジュールの製造方法が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【０００３】
特許文献１の半導体モジュールの製造方法では、２つのＣｕ含有はんだ付け母材と、これら２つのＣｕ含有はんだ付け母材の間に配置されたＳｎ含有はんだ層とを、所定の圧力で互いに加圧し合って、これらのはんだを溶融させ、所定の時間が終了した後、この液状のはんだから拡散されたＣｕ及びＳｎが、金属間化合物ＣｕＳｎ相を含む接続層を形成する。即ち、この製造方法では、表面をＣｕメタライズした接合母材同士をＳｎ含有はんだ層で挟み込んで接合層を形成している。この製造方法によれば、パワー半導体モジュールの動作中に生じる高温度の変動を伴う頻繁な温度変化に対する耐性（以下、高温での耐性という。）が改善されるとされる。
【０００４】
特許文献２の半導体モジュールの製造方法は、半導体チップ素子又は基板の接合面に、Ｃｕ粒子とＳｎ粒子を含む接合剤を塗布する工程と、半導体チップ素子の接合面と基板の接合面を接合剤を介在して合わせる工程と、Ｓｎの融点より高い温度で加熱し、接合剤のＣｕとＳｎを遷移的液相焼結させて、この接合剤をＣｕ6Ｓｎ5とＣｕ3Ｓｎを含む組成にする工程と、更に加熱し接合剤のＣｕ6Ｓｎ5をＣｕ3Ｓｎに変化させて、接合剤におけるＣｕ3Ｓｎの比率を増やす工程とを有する。即ち、この製造方法では、粉末状のＣｕと粉末状のＳｎを混合し、この混合物に溶剤やフラックスを加えてペースト化し、このペーストを半導体チップ素子の電極と基板の電極に印刷する。この製造方法によれば、高温で動作する半導体チップ素子の接合に、従来のはんだを用いる方法を用いた場合、高温での動作時に、はんだの再溶融、界面に金属間化合物（ＩＭＣ）の形成などにより半導体チップ素子の性能が劣化していたが、これを解決できるとされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−７４７２６号公報（要約）
【特許文献２】特開２０１４−１９９８５２号公報（請求項１、段落[０００５]、段落[０００６]）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された接続層又は特許文献２に記載された接合剤（以下、接合層という。）は、いずれも接合層の組成が、基板に搭載する半導体チップ素子の接合面の一方の端部から他方の端部まで均一に金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5相又はＣｕ3Ｓｎで形成される。こうしたＣｕＳｎ金属間化合物層は高強度であるものの、脆性材料で作られているため、半導体モジュールがオンオフ動作を繰り返して半導体チップ素子及び／又は基板が発熱と冷却を反復した場合には、図５に示すように、半導体モジュール１において、ＣｕＳｎ金属間化合物層により構成された接合層３を介して接合された半導体チップ素子４及び基板５は、両者の熱膨張差に起因して生じた接合層への応力を十分に緩和することができず、接合層３の端部から水平方向にクラックＣが入ってしまう。このクラックＣは半導体チップ素子４から発生する熱を基板５に放熱させる際の熱抵抗要因となり得る。時には、このクラックＣが進展して、半導体チップ素子４の剥離を生じさせ、即ち電子部品を損傷させることがあった。
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決し、接合時に電子部品及び基板に対する密着性に優れ、接合強度が高く、接合後に高温雰囲気に晒されても再溶融せず、また電子部品及び／又は基板が発熱と冷却を反復したときに生じるクラックで電子部品を損傷させない半導体モジュールの接合層を提供することにある。本発明の別の目的は、半導体モジュールがオンオフ動作を繰り返しても電子部品が損傷しない半導体モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点は、図３に示すように、電子部品１４と基板１５の間に介在しＣｕＳｎ金属間化合物により構成された半導体モジュール１０の接合層１３において、接合層１３の中心部１３ａから電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにかけてＳｎの組成割合が増加するように構成されたことを特徴とする半導体モジュール１０の接合層１３である。
【０００９】
本発明の第２の観点は、第１の観点に基づく発明であって、接合層１３の中心部１３ａにおけるＳｎの組成割合が２０質量％〜５０質量％であってＣｕの組成割合がその残部であり、電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにおけるＳｎの組成割合が６０質量％〜８０質量％であってＣｕの組成割合がその残部である半導体モジュール１０の接合層１３である。
【００１０】
本発明の第３の観点は、第１又は第２の観点に基づく発明であって、接合層１３の厚さが１０μｍ〜２００μｍである。
【００１１】
本発明の第４の観点は、第１ないし第３の観点のいずれかの観点の接合層１３が電子部品１４と基板１５の間に介在する半導体モジュール１０である。
【００１２】
本発明の第５の観点は、ＣｕコアＳｎシェル粉末１１を含むペースト１２ａを電子部品１４と基板１５の間に介在させ、この介在させた状態で、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下、電子部品１４及び／又は基板１５に１ＭＰａ〜３０ＭＰａの圧力を加えかつ２５０℃〜３５０℃の温度で１分〜１０分間加熱して、電子部品１４を基板１５に接合することにより、半導体モジュール１０を製造する方法である。
【００１３】
本発明の第６の観点は、第５の観点に基づく発明であって、ＣｕコアＳｎシェル粉末１１がＳｎの組成割合が４０質量％〜６０質量％であり、Ｃｕの組成割合がその残部である半導体モジュール１０の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
図３に示すように、本発明の第１の観点の接合層１３では、その中心部１３ａから電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにかけてＳｎの組成割合が増加するように構成されているため（図３の拡大図参照。）、中心部１３ａがＣｕ組成が多いＣｕＳｎ金属間化合物となり、接合部１３ｂ、１３ｃがＳｎ組成が多いＣｕＳｎ金属間化合物となる。これにより、中心部１３ａの接合層１３は高温での耐性が高く、放熱性に優れる。また接合部１３ｂ、１３ｃの脆性が従来の接合部と比較して減少し、半導体モジュール１０がオンオフ動作を繰り返して電子部品１４及び／又は基板１５が発熱と冷却を反復して接合層１３に冷熱衝撃が加わっても、製造時に応力が比較的大きく加わった電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂにおいて伸び縮みする。そして図４に示すように、電子部品１４及び基板１５の熱膨張差に起因して接合部１３の端部１３ｂ、１３ｃから水平方向にクラックＣが生じても、接合部１３ｂ、１３ｃへの応力を緩和することができ、クラックＣが進展しにくくなる。この結果、半導体チップ素子１４から発生する熱を基板１５に円滑に放熱させて電子部品の損傷を防止できる。
【００１５】
本発明の第２の観点の接合層１３では、図３の拡大図に示すように、接合層１３の中心部１３ａにおけるＳｎの組成割合が２０質量％〜５０質量％であってＣｕの組成割合がその残部であり、電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにおけるＳｎの組成割合が６０質量％〜８０質量％であってＣｕの組成割合がその残部であるため、電子部品及び基板に対する高い密着性、高い接合強度及び高温での耐性を有することに加えて、接合部１３ａ、１３ｂにおける接合層１３の脆性がより確実に減少し、接合層１３に冷熱衝撃が加わって、図４に示すように接合部１３の端部１３ｂ、１３ｃから水平方向にクラックＣが生じても、接合部１３ｂ、１３ｃへの応力を緩和することができ、クラックＣがより進展しにくくなる。
【００１６】
本発明の第３の観点の接合層１３では、その厚さが１０μｍ〜２００μｍであるため、高い接合強度を具備し再溶融しない特長に加えて、冷熱衝撃への耐久性がより高まる。
【００１７】
本発明の第４の観点の半導体モジュール１０は、ＣｕＳｎ金属間化合物により構成された接合層１３が第１ないし第３の観点の特徴を有するため、半導体モジュール１０がオンオフ動作を繰り返して、接合部１３の端部１３ｂ、１３ｃから水平方向にクラックＣが生じても、接合部１３ｂ、１３ｃへの応力を緩和することができ、クラックＣが進展しにくくなる。この結果、半導体チップ素子１４から発生する熱を基板１５に円滑に放熱させて電子部品の損傷を防止できる。
【００１８】
本発明の第５の観点の半導体モジュール１０の製造方法では、図１に示すように、ＣｕコアＳｎシェル粉末１１を含むペースト１２ａを電子部品１４と基板１５の間に介在させ、図２に示すように、この介在させた状態で、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下、電子部品１４及び／又は基板１５に１ＭＰａ〜３０ＭＰａの圧力を加えかつ２５０℃〜３５０℃の温度で１分〜１０分間加熱する。これにより、図１の拡大図及び図２の拡大図にそれぞれ示すように、加熱によりシェルをなす融点２３２℃のＳｎが溶融し、シェル構造が崩れて隣り合う粉末のＳｎ同士が一体となって液状になる。一方ペースト中のＣｕコアＳｎシェル粉末１１のコアをなす融点１０８５℃のＣｕは溶融せず、上記液状のＳｎと一部拡散反応によりＣｕＳｎ金属間化合物を形成し始める。加圧により電子部品１４の下面中心部から端部１４ａ及び１４ｂに液状のＳｎが移動し、電子部品１４の下面中心部では溶融しないＣｕ（図中、実線の円形で示す。以下同じ。）と、僅かに形成されたＣｕＳｎ金属間化合物とが熱圧前の状態で留まった接合層前駆体１２ｂになる。所定時間の熱圧成形後、加圧状態で冷却すると、図３に示すように、電子部品１４と基板１５との間の接合層前駆体１２ｂは、その中心部がＣｕ及びＣｕＳｎ金属間化合物からなり、その両端部がＳｎ及びＣｕＳｎ金属間化合物からなる接合層１３になる（図中、溶融したＣｕは破線の円形で示す。）これにより、電子部品１４は接合層１３により基板１５に接合され、接合層１３は、その接合層１３の中心部１３ａから電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにかけてＳｎの組成割合が増加したＣｕＳｎ金属間化合物になる（図３の拡大図参照。）。
【００１９】
本発明の第６の観点では、ＣｕコアＳｎシェル粉末１１中のＳｎの組成割合が所定の割合であるため、接合層１３の中心部１３ａにおけるＳｎの組成割合を２０質量％〜５０質量％に、接合部１３ｂ、１３ｃにおけるＳｎの組成割合を６０質量％〜８０質量％にすることが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態の半導体モジュールの製造工程のうち、ＣｕコアＳｎシェル粉末を含むペーストを電子部品と基板の間に介在させる図である。
【図２】本実施形態の半導体モジュールの製造工程のうち、電子部品及び／又は基板を熱圧成形している図である。
【図３】本実施形態の半導体モジュールの製造工程のうち、電子部品及び／又は基板を熱圧成形した後の電子部品を基板に接合した状態の図である。
【図４】本実施形態の半導体モジュールの接合層にクラックが生じたときの模式図である。
【図５】従来の半導体モジュールの接合層にクラックが生じたときの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
〔半導体モジュールの製造方法〕
＜ＣｕコアＳｎシェル粉末＞
図１の拡大図に示すように、本実施形態のＣｕコアＳｎシェル粉末１１は、コア（中心核）１１ａがＣｕ又はＣｕとＳｎの金属間化合部からなり、シェル（外殻）１１ｂがＳｎからなる。このため、２５０℃〜３５０℃の温度で加熱すると、シェルのＳｎが溶融する一方、コアのＣｕが溶融しない特徴を有する。
【００２３】
このＣｕコアＳｎシェル粉末は、平均粒径が１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。１μｍ未満では、粉末が凝集しやすくペースト化困難であり、またＳｎシェルの厚みが薄くなるため、接合時のＣｕ／Ｓｎの拡散によりＳｎ液相が不十分になるため疎な接合組織になる不具合がある。１０μｍを超えると、Ｓｎシェルの厚みが厚くなるため、接合時のＣｕ／Ｓｎの拡散によるＣｕＳｎ金属間化合物の生成に時間がかかる。また粉末間の充填が不十分となり疎な接合組織になる不具合がある。この平均粒径は、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置（堀場製作所社製、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定装置ＬＡ−９５０）にて測定した体積累積中位径(Ｍｅｄｉａｎ径、Ｄ50)である。
【００２４】
またこのＣｕコアＳｎシェル粉末は、Ｓｎの組成割合が４０質量％〜６０質量％であり、Ｃｕの組成割合がその残部であることが好ましい。更に好ましいＳｎの組成割合は４５質量％〜５５質量％である。Ｓｎの組成割合が４０質量％未満では、後述する電子部品及び基板に対する密着性及び接合性が十分に高まらず、電子部品及び／又は基板の熱圧成形時に溶融するＳｎの量が少なく、電子部品の端部の接合層のＳｎの組成割合が増加しにくい。Ｓｎの組成割合が６０質量％を超えると、熱圧成形後に残存するＳｎが多くなり耐熱性に劣る。
【００２５】
本実施形態のＣｕコアＳｎシェル粉末の製造方法について説明する。先ず、Ｃｕを含む化合物、例えば塩化銅(II)、硫酸銅(II)又は酢酸銅若しくはＣｕ粉末と、Ｓｎを含む化合物、例えば塩化錫(II)、硫酸錫(II)、酢酸錫(II)、シュウ酸錫(II)と、分散剤とをそれぞれ添加して混合することにより、溶解液を調製する。溶解液中における錫を含む化合物、銅を含む化合物の割合は、ＣｕコアＳｎシェル粉末製造後に、Ｓｎ及びＣｕの組成割合が上記範囲になるように調整する。
【００２６】
溶媒としては、水、アルコール、エーテル、ケトン、エステル等が挙げられる。また、分散剤としては、セルロース系、ビニル系、多価アルコール等が挙げられ、その他にゼラチン、カゼイン等を用いることができる。調製した溶解液はｐＨ０〜２．０の範囲に調整する。ｐＨは、生成したハンダ粉末の再溶解等を考慮して、０〜２．０の範囲に調整するのが好ましい。
【００２７】
次いで、還元剤を溶解した水溶液を調製し、この水溶液のｐＨを、上記調製した溶解液と同程度に調整する。還元剤としては、テトラヒドロホウ酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン等のホウ素水素化物、ヒドラジン等の窒素化合物、三価のチタンイオンや２価のクロムイオン等の金属イオン等が挙げられる。
【００２８】
次に、上記溶解液に還元剤水溶液を添加して混合することにより、溶解液中のＳｎイオン、Ｃｕイオンが還元され、液中にＳｎ粉末、Ｃｕ粉末が分散した分散液が得られる。この還元反応では、上記Ｃｕを含む化合物、Ｓｎを含む化合物が溶解する溶解液を用いた場合は、先ず、Ｓｎよりも貴なＣｕが還元され、最後にＳｎが還元される。これにより、Ｃｕからなるコア（中心核）と、このコアを被覆するＳｎからなるシェル（外殻）で構成されたＣｕコアＳｎシェル粉末の前駆体が形成される。
【００２９】
更に続いて、この分散液を、デカンテーション等によって固液分離し、回収した固形分を水又はｐＨを０．５〜２に調整した塩酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、或いはメタノール、エタノール、アセトン等で洗浄する。洗浄後は、再度固液分離して固形分を回収する。洗浄から固液分離までの工程を、好ましくは２〜５回繰り返す。これによりＣｕコアＳｎシェル粉末が得られる。
【００３０】
＜ペースト＞
得られたＣｕコアＳｎシェル粉末を接合用フラックスと所定の割合で混合してペーストにする。このペーストの調製に用いられる接合用フラックスは、特に限定されないが、公知の汎用される溶剤、ロジン、チキソ剤及び活性剤等の各成分を混合して調製されたフラックスを用いることができる。なお、本実施形態のペーストは、特許文献２に示されるような、Ｃｕ粉末とＳｎ粉末とをフラックスに混合して調製されるペーストは含まない。
【００３１】
＜電子部品と基板の間へのペーストの介在＞
次いで、図２に示すように、本実施形態の半導体チップ素子、ＬＥＤチップ素子等の電子部品１４と基板１５の間に得られたペースト１２ａを介在させる。例えば、電子部品を実装する部分が開口したメタルマスクを水平に置いた基板に重ね、メタルマスク上にペーストを配置し、スキージを用いてペーストをメタルマスクの開口部に流し込んだ後、メタルマスクを維持した状態で基板を降下させることにより、基板の上記開口部に相当する位置にペーストを残存させる。続いて電子部品をこのペーストに載せることにより、電子部品と基板の間に得られたペーストを介在させる。メタルマスクの厚さを２０μｍ〜３００μｍにすることにより、後述する接合層の厚さを１０μｍ〜２００μｍにすることができる。
【００３２】
＜熱圧成形＞
次に、電子部品１４をペースト１２ａに載せた状態、即ちペースト１２ａを電子部品１４と基板１５との間に介在させた状態で、図２に示すように、図示しない下プレスと上プレスとにより、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下、熱圧成形する。熱圧成形条件は、電子部品及び／又は基板に１ＭＰａ〜３０ＭＰａの圧力が加えられ、同時に２５０℃〜３５０℃の温度が１分〜１００分間加えられる。この加熱により、図２の拡大図に示すように、ペースト中のＣｕコアＳｎシェル粉末１１のシェル１１ｂのＳｎが溶融し、シェル構造が崩れて隣り合う粉末のＳｎ同士が一体となって液状になる。加圧により、液状になったＳｎが電子部品１４の下面中心部から端部１４ａ及び１４ｂに移動し、電子部品１４の下面中心部では溶融しないＣｕが熱圧前の状態で留まった接合層前駆体１２ｂになる。
【００３３】
この熱圧成形は、得られる接合層の酸化防止のために、真空ガス、窒素ガス、アルゴンガス若しくは窒素とアルゴンの混合ガス等の不活性雰囲気又は窒素と水素の混合ガス若しくはギ酸ガス等の還元性雰囲気で行われる。圧力が１ＭＰａ未満では、加圧による液状化したＳｎを電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃへの押し出し力が十分でなく、接合部１３ｂ、１４ｂにおけるＳｎ組成の増加が起こらない。圧力が３０ＭＰａを超えると、電子部品が損傷する。好ましい圧力は２ＭＰａ〜２０ＭＰａ、更に好ましい圧力は５ＭＰａ〜１５ＭＰａである。また所定の圧力で加圧することにより、ペーストの厚さとともに後述する接合層の厚さを１０μｍ〜２００μｍにすることができる。
【００３４】
熱圧成形時の温度が２５０℃未満では、ＣｕコアＳｎシェル粉末のシェルのＳｎが溶融不足になり、電子部品と基板との密着性及び接合性に劣る。３５０℃を超えると、接合層前駆体１２ｂを冷却するときに接合層前駆体１２ｂの熱応力による歪みが大きくなるとともに、半導体モジュールへの熱的負荷が大きくなる。好ましい温度は２８０℃〜３２０℃である。
【００３５】
熱圧成形時の時間が１分未満では、ＣｕコアＳｎシェル粉末のＳｎ及び／又はＣｕの相互拡散によるＣｕＳｎ金属間化合物の生成が不十分になり、接合層の高温での耐性に劣る。加熱時間の上限値を１０分とするのは、１０分間で上記ＣｕＳｎ金属間化合物の生成はほぼ終了するので、１０分を超えて加熱することは熱エネルギーの浪費となり、かつ生産性が低下する。好ましい時間は３分〜５分である。
【００３６】
〔半導体モジュール〕
所定時間の熱圧成形後、加圧状態で冷却すると、図３に示すように、ＣｕＳｎ金属間化合物からなる接合層１３により電子部品１４が基板１５に接合した半導体モジュール３０が得られる。即ち、冷却後、電子部品１４と基板１５との間の接合層前駆体１２ｂがすべてＣｕＳｎ金属間化合物となった接合層１３になる。これにより、電子部品１４は接合層１３により基板１５に接合され、接合層１３は、その接合層１３の中心部１３ａから電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにかけてＳｎの組成割合が増加したＣｕＳｎ金属間化合物になる。
【００３７】
接合層１３は、融点の高い金属間化合物Ｃｕ3Ｓｎ（凝固開始温度が６７６℃）又はＣｕ6Ｓｎ5（凝固開始温度が４１５℃）のＣｕＳｎ金属間化合物により構成されているため、電子部品１４及び基板１５に対する接合強度が高く、接合後に高温雰囲気に晒されても、接合後に高温雰囲気に晒されても再溶融せず、高温での耐性に優れる。
【００３８】
接合層１３は、その中心部１３ａにおけるＳｎの組成割合が２０質量％〜５０質量％、好ましくは３０質量％〜４０質量％であって、Ｃｕの組成割合がその残部であり、電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにおけるＳｎの組成割合が６０質量％〜８０質量％、好ましくは６０質量％〜７０質量％であって、Ｃｕの組成割合がその残部である半導体モジュール１０の接合層１３であることが好ましい。
【００３９】
接合層１３の中心部１３ａにおけるＳｎの組成割合に関して、２０質量％未満では、接合層１３の中心部１３ａにおける電子部品１４及び基板１５に対する密着性及び接合性が低下し易い。また５０質量％を超えると、熱伝導性が良好でないＣｕ6Ｓｎ5の割合が多くなり、放熱性に劣り易くなる。
【００４０】
電子部品１４の端部１４ａ、１４ｂの接合部１３ｂ、１３ｃにおけるＳｎの組成割合に関して、６０質量％未満では、接合部１３ｂ、１３ｃにおける接合層１３の脆性の低下が見られず、接合部１３ｂ、１３ｃに冷熱衝撃が加わったときに、応力緩和が発現しにくい。また８０質量％を超えると、Ｓｎ相が接合後にも多量に残存し、高温での耐性が低下し易い。
【００４１】
接合層１３の厚さは１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１００μｍである。この厚さは、前述したように、図１に示すペースト１１の厚さ及び熱圧成形時の加圧力により調整される。この厚さが１０μｍ未満では、電子部品１４及び基板１５に対する接合層１３の密着性及び接合性が低下し易い。２００μｍを超えると、接合層１３の熱抵抗が大きくなり、接合層の放熱特性が低下し易い。
【００４２】
本実施形態の半導体モジュール１０は、接合層１３が、凝固開始温度４１５℃のＣｕ6Ｓｎ5及び／又は凝固開始温度６７６℃のＣｕ3Ｓｎに代表される高い凝固開始温度を有するＣｕＳｎ金属間化合物からなる。これにより、接合層１３は、耐熱性が大幅に向上し、再溶融及び接合強度の低下を防止することができ、特に高温雰囲気に晒される電子部品の基板への実装に適する。また接合層１３中の端部１３ｂ、１３ｃは、Ｓｎ組成割合が高いため、電子部品１４及び／又は基板１５が発熱と冷却を反復したときに、延び縮みして応力を緩和するとともに、図４に示すように、電子部品１４と基板１５の各熱膨張差に起因して接合部１３の端部１３ｂ、１３ｃから水平方向にクラックＣが生じても、端部１３ｂ、１３ｃへの応力を緩和することができ、クラックＣが進展しにくくなる。この結果、半導体チップ素子１４から発生する熱を基板１５に円滑に放熱させて電子部品の損傷を防止できる。
【実施例】
【００４３】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【００４４】
＜実施例１＞
平均粒径５μｍのＣｕコアＳｎシェル粉末（Ｃｕ：５０質量％、Ｓｎ：５０質量％）と弱い活性剤を添加した弱活性化フラックス（ＲＭＡフラックス）を、フラックスの割合が１３質量％になるように混合してペーストを調製した。得られたペーストを０．５ｍｍ厚の２０ｍｍ□のコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）基板上に厚さ５０μｍで塗布した。次いでこのペーストの上に、裏面がＡｕがスパッタリングされた２．５ｍｍ□の半導体チップ素子を搭載した。次に加圧加熱炉内に半導体チップ素子を搭載したコバール基板を導入し、そこで窒素雰囲気中、半導体チップ素子とコバール基板に１０ＭＰａの圧力を加え、３００℃の温度で５分間維持して熱圧成形した。これにより半導体チップ素子がコバール基板に接合された模擬的な半導体モジュールを得た。実施例１の熱圧成形前のペーストの条件と模擬的な半導体モジュールを熱圧成形する条件を表１に示す。
【００４５】
【表１】
2019129214.tif 000003
【００４６】
＜実施例２〜１１、比較例２〜７＞
表１に示す熱圧成形前のペーストの条件と模擬的な半導体モジュールを熱圧成形する条件に設定して、実施例１と同様に、実施例２〜１１及び比較例２〜７の模擬的な半導体モジュールを得た。実施例４では、加圧成形するときの雰囲気を５体積％の水素ガスを含む窒素ガスの雰囲気とした。
【００４７】
＜比較例１＞
平均粒径１０μｍのＳｎ粉末と、平均粒径１０μｍのＣｕ粉末とを、Ｃｕ：５０質量％、Ｓｎ：５０質量％の割合で混合して混合粉末を作製した。この混合粉末にＲＭＡフラックスを、フラックスの割合が１３質量％になるように混合してペーストを調製した。以下、実施例１と同様にして、半導体チップ素子がコバール基板に接合された模擬的な半導体モジュールを得た。表１に比較例１の熱圧成形前のペーストの条件と模擬的な半導体モジュールを熱圧成形する条件を示す。
【００４８】
＜比較評価＞
実施例１〜１１及び比較例１〜７の１８種類の模擬的な半導体モジュールについて、(1) 半導体モジュールの接合層の厚さと、(2) この接合層のＣｕとＳｎの組成比（質量比）を次に述べる方法で測定した。また(3) 冷熱衝撃試験を次に述べる方法で行った。これらの結果を表２に示す。
【００４９】
(1) 半導体モジュールの接合層の厚さ
半導体モジュールの接合層の断面を光学顕微鏡（キーエンス社製、型番ＶＨＸ−１０００）を用いて、倍率１５０倍で５箇所観察し、接合層の厚さを平均値で求めた。
【００５０】
(2) 接合層のＣｕとＳｎの組成比（質量比）
接合層中のＣｕとＳｎの組成比（質量比）を走査型電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＳＥＭ−ＥＤＸ）により求めた。
【００５１】
(3) 冷熱衝撃試験
接合層で接合されたコバール基板及び半導体チップ素子で構成された模擬的な半導体モジュールを冷熱衝撃試験機（エスペック社製TSB-51）を用いて、液相（フロリナート）で、−４０℃で５分間、２００℃で５分間の冷熱サイクルを２０００回実施した。この冷熱衝撃試験の後で１８種類の模擬的な半導体モジュールのシェア強度を、ＪＩＳ  Ｚ  ３１９８−７に記されている鉛フリーハンダ試験方法−第７部の「チップ部品におけるハンダ接合のシェア強度測定方法」に準拠して、室温でそれぞれ測定した。その結果を表２に示す。シェア強度が４０ＭＰａ以上であれば「優」とし、２０ＭＰａ〜４０ＭＰａであれば「良」とし、１０ＭＰａ〜２０ＭＰａであれば「可」とし、１０ＭＰａ未満であれば「不可」とした。
【００５２】
【表２】
2019129214.tif 000004
【００５３】
表２から実施例１〜１１と比較例１〜７とを比較すると次のことが分かった。接合層の中心部から前記電子部品の端部の接合部にかけてＳｎの組成割合が増加するように構成された接合層において、実施例１，２，３，８，１０ではいずれも冷熱衝撃試験後のシェア強度が２０ＭＰａ以上となり、良好な接合状態が維持されていることが分かった。また、実施例４，５，６，７，９，１１ではいずれも冷熱衝撃試験後のシェア強度が１０〜２０ＭＰａ以上となった。接合は維持しているものの比較的低い強度を示しており、接合層の厚みやＳｎの組成割合には好ましい範囲が存在することが確認された。
一方、接合層の中心部から端部の接合部にかけて、実施例１〜１１と比較してＳｎの組成割合があまり変化しない比較例１ではシェア強度は１０ＭＰａ以下に低下していた。これは、Ｓｎの組成割合があまり変化しないために熱衝撃試験中に接合層にかかる応力から発生したクラックが進展して、接合層の剥離が生じているからと考えられる。また、Ｓｎの組成割合が比較例１と比較して増加する比較例２〜７においてもシェア強度は１０ＭＰａ以下に低下していた。これらは、加圧不足による接合層と基板、素子との密着性不足（比較例２）、過剰な圧力による基板、素子の部分的破壊（比較例３）、低温によるＳｎ液相の生成不足による密着性不足（比較例４）、高温から室温に冷却した時の各部材の熱膨張差による過剰な応力ひずみによる部分的破壊（比較例５）、加熱不足によりＳｎ−Ｃｕ相互拡散による金属間化合物生成不足（比較例６）、過加熱によるＳｎ−Ｃｕ相互拡散によるカーケンダールボイド（kirkendall void）の生成（比較例７）などのためと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、高温雰囲気に晒される電子部品を基板に接合して構成され、かつ冷熱を繰り返す半導体モジュールに利用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１０  半導体モジュール
１１  ＣｕコアＳｎシェル粉末
１２ａ  ペースト
１２ｂ  接合層前駆体
１３  接合層
１４  電子部品
１５  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成31年1月22日(2019.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、２００℃を超える高温でも動作する、ＳｉＣのようなワイドギャップ半導体が注目されている。高温で動作する半導体チップ素子の接合方法として、ＣｕとＳｎを含む接合材を半導体チップ素子と基板との間に介在させ、Ｓｎの融点より高い温度で加熱し、前記接合材をＣｕ6Ｓｎ5やＣｕ3Ｓｎからなる組成の金属間化合物（Inter-Metallic Compound：ＩＭＣ）とする遷移的液相焼結法（Transient Liquid Phase Sintering：ＴＬＰ法）と呼ばれる接合方法が注目されている。この接合方法により形成される接続層又は接合剤を用いた半導体モジュールの製造方法が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
＜電子部品と基板の間へのペーストの介在＞
次いで、図１に示すように、本実施形態の半導体チップ素子、ＬＥＤチップ素子等の電子部品１４と基板１５の間に得られたペースト１２ａを介在させる。例えば、電子部品を実装する部分が開口したメタルマスクを水平に置いた基板に重ね、メタルマスク上にペーストを配置し、スキージを用いてペーストをメタルマスクの開口部に流し込んだ後、メタルマスクを維持した状態で基板を降下させることにより、基板の上記開口部に相当する位置にペーストを残存させる。続いて電子部品をこのペーストに載せることにより、電子部品と基板の間に得られたペーストを介在させる。メタルマスクの厚さを２０μｍ〜３００μｍにすることにより、後述する接合層の厚さを１０μｍ〜２００μｍにすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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