(57)【要約】【課題】光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できるようにする。【解決手段】パッケージ１０１と、パッケージ１０１に収容された光導波路デバイス１０２、半導体電子デバイスによる第１チップ１０３、面型の光半導体デバイスによる第２チップ１０４を備える。光導波路デバイス１０２は、導波方向の一端が斜めに切断された傾斜切断面１０２ａを備え、第１チップ１０３のチップ表面１０３ａと、端の傾斜切断面１０２ａとのなす角が、鋭角とされている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージと、
前記パッケージに収容されて導波方向の一端が前記導波方向に対して斜めに切断された傾斜切断面を備える光導波路デバイスと、
前記傾斜切断面の側で前記パッケージに収容された半導体電子デバイスからなる第１チップと、
半導体基板の表面上に形成され、前記半導体基板の裏面が光入出力面とされ、前記半導体基板の裏面が前記傾斜切断面に当接して固定された面型の光半導体デバイスからなる第２チップと、
前記第１チップに形成された第１電極と、
前記第２チップのチップ表面に形成されて前記第１電極と電気的に接続される第２電極と
を備え、
前記第２チップと前記光導波路デバイスの前記傾斜切断面とがこれらの間を自由空間とした様態によって光結合され、
前記第１チップのチップ表面と前記傾斜切断面とのなす角は鋭角とされている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の光モジュールにおいて、
前記光導波路デバイスの延在方向は、前記第１チップが配置されている前記パッケージの内側底面に対して斜めとされ、前記光導波路デバイスと前記パッケージの内側上面との間隔は、前記光導波路デバイスの一端の側より徐々に変化する状態とされ、
前記光導波路デバイスの前記内側上面の側の面の前記傾斜切断面の近傍に形成されてグランド面として機能するグランド金属箔を備え、
前記グランド金属箔の上面に配置されて互いに並列接続された複数のキャパシタ部品から構成された回路と、
前記第２チップのチップ表面に形成されて前記回路に電気的に接続し、前記第２チップにバイアス電圧を印加するための第３電極と
を備えることを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
請求項２記載の光モジュールにおいて、
前記傾斜切断面が形成されている前記光導波路デバイスの一端の鋭角部に形成された中継電極を備え、
前記中継電極は、前記回路を構成する最も静電容量が小さなキャパシタ部品と、前記第３電極との電気的な接続を中継する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光モジュールにおいて、
前記半導体基板の裏面は、前記傾斜切断面に透明接着剤により固定されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュールにおいて、
前記半導体基板の裏面には、無反射コーティングが形成されていることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気デバイスと光デバイスとを集積した光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光通信技術分野では、データセンタの規模拡大や地球規模に及ぶ複数箇所への構築状況からも明らかなように、ネットワーク帯域向上に対する要求のみならず、帯域が拡大されたネットワーク自体の面的な規模拡大が求められている。これらネットワークに導入される光モジュールについては、ネットワーク装置の小型低消費電力化に対する要求から生じた一層の小型化が日々求められている。特に、光モジュールの低背化が喫緊の解決すべき課題となっている。
【０００３】
昨今の光モジュールでは、パッケージの内部に、光導波路デバイス、光半導体デバイス、ならびに半導体デバイスなどが一括搭載される複数の事例が見られる。それぞれの部品を個別モジュールとし、光学的に、あるいは電気的にモジュール相互を接続し、所望の機能を果たしてきた従来の構成ではなく、一体的にパッケージに搭載させることで、小型化と同時に性能向上実現に向けて光モジュール自体の容態が変化してきた。
【０００４】
１つのパッケージ内部で一体化させる際、パッケージサイズを決定する１つとなるパッケージ筐体高さについては、装置内での制限によって限界がある。他の電子部品の高さが低背化されている昨今の状況から、光モジュールについても同様に低背化の要求が避けられないのは至って自然である。しかしながら、光モジュールを構成する光部品と電子部品を必ずしも同一面内に搭載できないのが一般的であり、光モジュール内部で三次元的な配置構造にならざるを得ない。このため、低背化の実現については常にその困難さと直面してきたのがこれまでの状態であった。
【０００５】
上述した困難さを示した事例として、図６に従来の光モジュールの基本構造を示す。この例では、光導波路デバイスは光ファイバ６１１に相当し、基板６０１に含まれる光導波路６０２が光結合機構となり、面型光半導体デバイス６０３と光接続されている。光ファイバを伝搬する方向は紙面水平面、面型光半導体デバイスの光入出力面は紙面垂直方向である。この従来技術では、この角度差を吸収させるため、レンズ付きプリズム６０４や基板６０１に埋め込まれている両端を斜めカットした反射面６０５を備える光導波路６０２などを多用して、小型低背化の光モジュールを構成している。
【０００６】
従来技術としては、さらに半導体電子デバイスも組み込まれた低背化光モジュールが示されている。このモジュールは、図７に示すように、ベース部品７０１の上に、面型光半導体デバイス７０２と半導体電子デバイス７０３とが搭載されている。面型光半導体デバイス７０２と半導体電子デバイス７０３とは、各々の上面が同一の平面の上に配置される状態とされ、金ワイヤ７０４により電気的に接続されている。
【０００７】
面型光半導体デバイス７０２は、光ファイバ７０５とバットジョイント方式により光接続されている。光ファイバ７０５は、ガイド部７０６により屈曲され、被覆付き光ファイバ７０７に光接続している。
【０００８】
この従来技術においても、被覆付き光ファイバ７０７中の光信号のを伝搬方向と、面型光半導体デバイス７０２の光入出力面の方向とが互いに異なっている。このため、この技術では、ガイド部７０６により、光ファイバ７０５を９０°屈曲させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１４−１８６２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、図６を用いて説明した従来技術に見られるような、レンズ付きプリズムや基板埋め込み両端斜めカット光導波路などを多用すれば、光モジュールの低背化の可能性は、一程度あるように思われる。しかしながら、これらがすべてシングルモード用の光部品に置き換わった場合、各種部品の製造公差、および搭載位置精度による位置ずれの問題が顕著になり、面型光半導体までの光接続において無視できない光学的な損失が生じることは自明である。このため、従来の技術は、用途がマルチモード専用に限定されていることが十分想定される。
【００１１】
バットジョイント方式については、光ファイバの先端位置を高精度に面型光半導体デバイスに接触させれば、高効率に光結合が可能である。しかしながら、光ファイバはガラスで製造されるため、光ファイバの最小曲げ半径にはおのずと限界がある。屈曲における機械強度を増すために、ビニルなどの樹脂被覆をコーティングすることも考えられるが、樹脂材料そのものが備える膨張収縮特性により、光ファイバの先端位置が容易に変化することは避けられない。このため、光学的な過剰損失が生じてしまう。また同時に、屈曲半径の低減にも限界がある。これらことから、モジュール高さを決定している光ファイバ屈曲ガイド部材の厚み低減にも限界を与えてしまう。この結果として光モジュールの低背化にも限界が伴う。
【００１２】
上述したように、１つの光モジュール内部に光導波路デバイスと、少なくとも１つ以上の面型光半導体デバイス、そして同じく少なくとも１つ以上の半導体電子デバイスをすべて搭載しつつ、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率を高く維持したまま、光モジュール本体の小型低背化を同時に実現した構造は、従来技術では困難となっている。
【００１３】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る光モジュールは、パッケージと、パッケージに収容されて導波方向の一端が導波方向に対して斜めに切断された傾斜切断面を備える光導波路デバイスと、傾斜切断面の側でパッケージに収容された半導体電子デバイスからなる第１チップと、半導体基板の表面上に形成され、半導体基板の裏面が光入出力面とされ、半導体基板の裏面が傾斜切断面に当接して固定された面型の光半導体デバイスからなる第２チップと、第１チップに形成された第１電極と、第２チップのチップ表面に形成されて第１電極と電気的に接続される第２電極とを備え、第２チップと光導波路デバイスの傾斜切断面とがこれらの間を自由空間とした様態によって光結合され、第１チップのチップ表面と傾斜切断面とのなす角は鋭角とされている。
【００１５】
上記光モジュールにおいて、光導波路デバイスの延在方向は、第１チップが配置されているパッケージの内側底面に対して斜めとされ、光導波路デバイスとパッケージの内側上面との間隔は、光導波路デバイスの一端の側より徐々に変化する状態とされ、光導波路デバイスの内側上面の側の面の傾斜切断面の近傍に形成されてグランド面として機能するグランド金属箔を備え、グランド金属箔の上面に配置されて互いに並列接続された複数のキャパシタ部品から構成された回路と、第２チップのチップ表面に形成されて回路に電気的に接続し、第２チップにバイアス電圧を印加するための第３電極とを備える。
【００１６】
上記光モジュールにおいて、傾斜切断面が形成されている光導波路デバイスの一端の鋭角部に形成された中継電極を備え、中継電極は、回路を構成する最も静電容量が小さなキャパシタ部品と、第３電極との電気的な接続を中継する。
【００１７】
上記光モジュールにおいて、半導体基板の裏面は、傾斜切断面に透明接着剤により固定されていればよい。
【００１８】
上記光モジュールにおいて、半導体基板の裏面には、無反射コーティングが形成されているとよい。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、パッケージに収容される半導体電子デバイスによる第１チップのチップ表面と、光導波路デバイスの導波方向の一端の傾斜切断面とのなす角を鋭角としたので、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における光モジュールの構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態２における光モジュールの構成を示す構成図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態３における光モジュールの構成を示す構成図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態４における光モジュールの構成を示す構成図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態４における光モジュールの一部構成を示す平面図である。
【図６】図６は、従来の光モジュールの基本構造を示す構成図である。
【図７】図７は、従来の光モジュールの基本構造を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１における光モジュールについて、図１を参照して説明する。この光モジュールは、パッケージ１０１と、パッケージ１０１に収容された光導波路デバイス１０２、半導体電子デバイスからなる第１チップ１０３、面型の光半導体デバイスからなる第２チップ１０４を備える。パッケージ１０１は、例えば、直方体の箱である。第２チップ１０４は、半導体レーザであり、第１チップ１０３は、半導体レーザのドライバである。この場合、光モジュールは、Ｅ／Ｏ光モジュールとなる。また、第２チップ１０４は、フォトダイオード、アバランシェフォトダイオードであり、第１チップ１０３は、トランスインピーダンスアンプである。この場合、光モジュールは、Ｏ／Ｅ光モジュールである。
【００２３】
光導波路デバイス１０２は、導波方向の一端が導波方向に対して斜めに切断された傾斜切断面１０２ａを備える。第１チップ１０３は、傾斜切断面１０２ａの側でパッケージ１０１に収容されている。また、第１チップ１０３には、第１電極１３１が形成されている。
【００２４】
第２チップ１０４は、半導体基板（不図示）の上に形成されており、傾斜切断面１０２ａに固定されている。第２チップ１０４の光入出力面となる半導体基板の裏面（チップ裏面）１０４ａが、傾斜切断面１０２ａに当接して固定されている。裏面１０４ａは、第２チップ１０４の裏面である。第２チップ１０４の半導体基板の裏面１０４ａが第２チップ１０４の光入出力面とされている。裏面１０４ａが傾斜切断面１０２ａに当接して固定されている。第２チップ１０４と光導波路デバイス１０２の傾斜切断面１０２ａとがこれらの間を自由空間とした様態によって光結合されている。また、第２チップ１０４は、自身のデバイス側のチップ表面１０４ｂに形成されている第２電極１４１を備える。第２電極１４１は、第１電極１３１と電気的に接続される。なお、実施の形態１では、第２電極１４１が、第２チップ１０４の内側上面１０１ａの側に配置されている。
【００２５】
上述した構成において、本発明では、第１チップ１０３のチップ表面１０３ａと傾斜切断面１０２ａとのなす角が鋭角とされているところに大きな特徴がある。
【００２６】
なお、光導波路デバイス１０２は、パッケージ１０１の内側底面１０１ｂの上に、ベース部１０７を介して配置されている。また、第１チップ１０３は、パッケージ１０１の内側底面１０１ｂの上に、ベース部１０８を介して配置されている。光導波路デバイス１０２は、ベース部１０７の上に接着剤、ハンダなどで固定配置されている。また、第２チップ１０４は、ベース部１０８の上に接着剤、ハンダなどで固定配置されている。
【００２７】
また、第２チップ１０４の半導体基板の裏面１０４ａは、傾斜切断面１０２ａに透明接着剤（不図示）により固定されている。また、第２チップ１０４の半導体基板の裏面１０４ａには、無反射コーティング（不図示）が形成されている。また、光導波路デバイス１０２は、この他端が、レンズ窓１１０を介し、パッケージ１０１の外部との光ファイバ１１１と光接続される。なお、上述したように、外部との光結合は、レンズを介した空間光結合に限るものではない。例えば、メタライズ光ファイバを使用し、これを光導波路デバイス１０２の他端に、接着剤などにより直接接続した構成としてもよい。
【００２８】
上述した構成の光導波路デバイス１０２の傾斜切断面１０２ａと第２チップ１０４のデバイス側のチップ表面１０４ｂは、透明接着剤と第２チップ１０４の半導体基板からなる自由空間の間を光結合させていることになる。この光結合のにおいて発生する光の反射を光導波路デバイス１０２に再結合させるのを抑制するため、光導波路デバイス１０２の表面には、選択的領域に無反射コーティング１１５が施されている。
【００２９】
実施の形態１によれば、上述したように、第１チップ１０３のチップ表面１０３ａと傾斜切断面１０２ａとのなす角は、鋭角とされている。この構造によって、図１に示されているように、第１電極１３１と第２電極１４１とを、互いに近接するように配置することが可能となる。このような構造によって、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できるようになる。
【００３０】
なお、実施の形態１において、第１電極１３１と第２電極１４１との間の電気的接続は、例えば、所定の粘性を備える導電性接着剤から構成したポッティング１１３により行っている。第１チップ１０３は、パッケージ１０１の内部と外部とを接続する高周波線路１０５と金ワイヤ１１４で接続されている。なお、第１チップ１０３のチップ表面１０３ａの高さと高周波線路１０５の表面の高さを概一致させるため、高周波線路１０５は所定の高さのベース部１０９を介して内側底面１０１ｂの上に配置されている。高周波線路１０５は、ベース部１０９の上に接着剤、ハンダなどで固定されている。
【００３１】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について図２を参照して説明する。この光モジュールは、前述した実施の形態１と同様に、パッケージ１０１と、パッケージ１０１に収容された光導波路デバイス１０２、第１チップ１０３、面型の第２チップ１０４を備える。光導波路デバイス１０２は、ベース部１０７の上に固定され、第１チップ１０３は、ベース部１０８の上に固定されている。また、この光モジュールは、ベース部１０９の上に固定された高周波線路１０５、およびレンズ窓１１０を備える。
【００３２】
また、前述した実施の形態１と同様に、光導波路デバイス１０２は、第１電極１３１を備え、第１チップ１０３は、第２電極１４１を備える。また、第１電極１３１と第２電極１４１とは、ポッティング１１３により電気的に接続されている。また、第１チップ１０３は、高周波線路１０５と金ワイヤ１１４で接続されている。
【００３３】
実施の形態２では、第２電極１４１が、第２チップ１０４の内側底面１０１ｂの側に配置されている。ベース部１０７の高さを変更すればよい。実施の形態２においても、比較的十分な低背化が実現可能が可能となる。
【００３４】
［実施の形態３］
次に、本発明の実施の形態３について図３を参照して説明する。この光モジュールは、前述した実施の形態１と同様に、パッケージ１０１と、パッケージ１０１に収容された光導波路デバイス１０２、第１チップ１０３、面型の第２チップ１０４を備える。光導波路デバイス１０２は、ベース部１０７の上に固定され、第１チップ１０３は、ベース部１０８の上に固定されている。また、この光モジュールは、ベース部１０９の上に固定された高周波線路１０５、およびレンズ窓１１０を備える。
【００３５】
また、前述した実施の形態１と同様に、光導波路デバイス１０２は、第１電極１３１を備え、第１チップ１０３は、第２電極１４１を備える。また、第１電極１３１と第２電極１４１とは、ポッティング１１３により電気的に接続されている。また、第１チップ１０３は、高周波線路１０５と金ワイヤ１１４で接続されている。
【００３６】
実施の形態３では、光導波路デバイス１０２の延在方向が、パッケージ１０１の内側底面１０１ｂに対して斜めとされている。ここでは、傾斜切断面１０２ａの側が、内側底面１０１ｂから、より離れる状態としている。この構成により、光導波路デバイス１０２とパッケージ１０１の内側上面１０１ａとの間隔が、一端の側より徐々に変化する状態となる。
【００３７】
また、実施の形態３では、光導波路デバイス１０２の内側上面１０１ａの側の面の傾斜切断面１０２ａの近傍に形成されてグランド面として機能するグランド金属箔１２０を備える。また、この光モジュールは、グランド金属箔１２０の上面に配置されて互いに並列接続された複数のキャパシタ部品１１６，１１７から構成された回路１０６を備える。また、実施の形態３では、第２チップ１０４のデバイス側のチップ表面１０４ｂに形成された第３電極１４２を備える。第３電極１４２は、第２チップ１０４のデバイス側のチップ表面１０４ｂに形成されて回路１０６に電気的に接続し、第２チップ１０４にバイアス電圧を印加するために用いられる。
【００３８】
一般的に高速動作する光半導体デバイスのバイアス回路は、キャパシタを互いに並列接続したパスコン回路構造を備えている。この構成においては、静電容量が小さなキャパシタが第２チップ１０４の側に近くなるよう配置される。
【００３９】
実施の形態３では、図３に示すように、光導波路デバイス１０２の上面に選択的にグランド金属箔１２０を形成し、グランド金属箔１２０の上面に静電容量の小さなキャパシタ部品１１６および静電容量の大きなキャパシタ部品１１７を、導電性接着剤（不図示）などにより接着固定している。
【００４０】
実施の形態３では、キャパシタ部品１１６とキャパシタ部品１１７とを金ワイヤ１１９で接続している。また、キャパシタ部品１１６と、第３電極１４２とを、金ワイヤ１１８で接続している。
【００４１】
実施の形態３によれば、光導波路デバイス１０２の延在方向を、パッケージ１０１の内側底面１０１ｂに対して傾斜させているので、上面蓋１０１ｃと静電容量の大きなキャパシタ部品１１７の干渉衝突の防止が可能となる。実施の形態３においても、前述した実施の形態と同様に、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できるようになる。
【００４２】
［実施の形態４］
次に、本発明の実施の形態４について図４を参照して説明する。この光モジュールは、前述した実施の形態３と同様に、パッケージ１０１と、パッケージ１０１に収容された光導波路デバイス１０２、第１チップ１０３、面型の第２チップ１０４を備える。光導波路デバイス１０２は、ベース部１０７の上に固定され、第１チップ１０３は、ベース部１０８の上に固定されている。また、この光モジュールは、ベース部１０９の上に固定された高周波線路１０５、およびレンズ窓１１０を備える。
【００４３】
また、前述した実施の形態３と同様に、光導波路デバイス１０２は、第１電極１３１を備え、第１チップ１０３は、第２電極１４１を備える。また、第１電極１３１と第２電極１４１とは、ポッティング１１３により電気的に接続されている。また、第１チップ１０３は、高周波線路１０５と金ワイヤ１１４で接続されている。
【００４４】
また、実施の形態４でも、光導波路デバイス１０２の延在方向が、パッケージ１０１の内側底面１０１ｂに対して斜めとされている。また、実施の形態４でも、グランド金属箔１２０、キャパシタ部品１１６，１１７から構成された回路１０６を備える。また、実施の形態４でも第３電極１４２を備える。これらの構成は、前述した実施の形態３と同様である。
【００４５】
実施の形態４では、更に、傾斜切断面１０２ａが形成されている光導波路デバイス１０２の一端の鋭角部に形成された中継電極１２１を備える。中継電極１２１は、回路を構成する最も静電容量が小さなキャパシタ部品１１６と、第３電極１４２との電気的な接続を中継する。
【００４６】
実施の形態３では、回路１０６を形成している金ワイヤ１１８が比較的長くなる場合、誘導性による寄生成分が懸念される場合がある。これに対し、実施の形態４では、光導波路デバイス１０２の端面エッジに溝を形成し、この溝の中にメッキ処理などにより金属領域を形成して中継電極１２１としている。中継電極１２１の形状や寸法は、一般的な金ワイヤの直径２５μｍよりも十分大きいものとされていればよい。このように構成することで、中継電極１２１においては、誘導性による寄生成分が低減されるようになる。
【００４７】
実施の形態４では、実施の形態３における比較的長い金ワイヤ１１８の一部を、中継電極１２１に置き換えており、この両端を金ワイヤ１１８、金ワイヤ１２２で接続することによって、静電容量の小さなキャパシタ部品１１６から第３電極１４２までの誘導性による寄生成分を抑制している。
【００４８】
例えば、図５に示すように、第２チップ１０４は、複数の第２電極１４１ａ，第２電極１４１ｂ，第２電極１４１ｃ，第２電極１４１ｄ，第２電極１４１ｅを備え、複数の第３電極１４２ａ，第３電極１４２ｃ，第３電極１４２ｄ，第３電極１４２ｅを備えている。これに対応させて、中継電極１２１の側には、複数の中継電極１２１ａ，中継電極１２１ｃ，中継電極１２１ｄ，中継電極１２１ｅを設ける。中継電極１２１ａと第３電極１４２ａとは、短尺の金ワイヤ１２２ａで接続する。中継電極１２１ｃと第３電極１４２ｃとは、短尺の金ワイヤ１２２ｃで接続する。中継電極１２１ｄと第３電極１４２ｄとは、短尺の金ワイヤ１２２ｄで接続する。中継電極１２１ｅと第３電極１４２ｅとは、短尺の金ワイヤ１２２ｅで接続する。
【００４９】
なお、実施の形態４においても、前述した実施の形態と同様に、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できる。
【００５０】
以上に説明したように、本発明によれば、パッケージに収容される半導体電子デバイスからなる第１チップのチップ表面と、光導波路デバイスの導波方向の一端の傾斜切断面とのなす角を鋭角としたので、光導波路デバイスと面型光半導体デバイスの光学的な結合効率の低下を招くことなく、光モジュール本体の小型低背化が実現できるようになる。
【００５１】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、パッケージに１つの光導波路デバイス、１つの半導体電子デバイス、１つの光半導体デバイスを収容する場合を例示したが、これに限るものではなく、各々複数のデバイスを、１つのパッケージに終了する場合についても同様である。
【符号の説明】
【００５２】
１０１…パッケージ、１０１ａ…内側上面、１０１ｂ…内側底面、１０２…光導波路デバイス、１０２ａ…傾斜切断面、１０３…第１チップ、１０３ａ…チップ表面、１０４…第２チップ、１０４ａ…裏面、１０４ｂ…チップ表面、１０５…高周波線路、１０７…ベース部１０７、１０８…ベース部、１０９…ベース部、１１０…レンズ窓、１１１…光ファイバ、１１３…ポッティング、１１４…金ワイヤ、１１５…無反射コーティング、１３１…第１電極、１４１…第２電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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