(57)【要約】【課題】溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量を低減させる技術を提供する。【解決手段】処理液供給ユニット３は、フィルタ３１ａ〜３１ｄで濾過された処理液を複数の処理ユニット２に供給する装置である。フィルタ３１ａ〜３１ｄに接続された一次側配管３２には、供給バルブ３３が介装されている。また、一次側供給配管３２における供給バルブ３３の一次側には、排液配管４１が接続されている。そして排液配管４１には、排液バルブ４２が介装されている。制御部５２は、処理液中のパーティクル量に応じて、供給バルブ３３を閉鎖し、排液バルブ４２を開放することによって、溶解モジュール３０および一次側供給配管３２および排液配管４１を通じて処理液を排液する。【選択図】図１
2019169586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液の原液に気体を溶解させる溶解モジュールと、
その一方端が前記溶解モジュールの二次側に接続されている一次側供給配管と、
前記一次側供給配管の他方端に接続され、前記処理液を濾過するフィルタと、
前記フィルタの二次側に接続され、前記フィルタを通過した前記処理液が通過する流路を形成する二次側供給配管と、
前記一次側供給配管に接続されており、前記処理液を排液部に送る排液配管と、
前記一次側供給配管に設けられ、前記溶解モジュールと前記フィルタとが連通する状態と、前記溶解モジュールと前記排液部とが連通する状態との間で切り替える切替部と、
前記切替部の一次側に設けられ、前記一次側供給配管を通過する前記処理液中のパーティクル量を測定するパーティクル測定部と、
前記パーティクル測定部によって測定された前記パーティクル量に応じて、前記切替部による切替動作を制御する制御部と、
を備える、処理液供給装置。
【請求項２】
請求項１の処理液供給装置であって、
前記パーティクル測定部は、前記一次側供給配管における前記排液配管が接続された部分よりも一次側を通過する前記処理液中の前記パーティクル量を測定する、処理液供給装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２の処理液供給装置であって、
前記切替部は、
前記一次側供給配管に介装され、前記一次側供給配管内の流路を開閉する供給バルブと、
前記排液配管に介装され、前記排液配管内の流路を開閉する排液バルブと、
を備え、
前記制御部は、前記供給バルブおよび前記排液バルブの開閉動作を制御する、処理液供給装置。
【請求項４】
請求項３の処理液供給装置であって、
前記制御部は、前記供給バルブを閉鎖しかつ前記排液バルブを開放した状態で、前記パーティクル測定部により測定される前記パーティクル量に応じて、出力装置により外部に通知を出力する、処理液供給装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４の処理液供給装置であって、
前記一次側供給配管は前記切替部の二次側において複数の分岐配管に分岐しており、その複数の分岐配管各々に１つの前記フィルタがそれぞれ接続されている、処理液供給装置。
【請求項６】
基板を処理する基板処理装置であって、
請求項１から請求項５のいずれか１項の処理液供給装置と、
前記処理液供給装置の前記フィルタで濾過された前記処理液で基板を処理する処理部と、
を備える、基板処理装置。
【請求項７】
処理液を供給する処理液供給方法であって、
（ａ）溶解モジュールによって処理液の原液に気体を溶解させる工程と、
（ｂ）前記気体が溶解された前記処理液を前記溶解モジュールから一次側供給配管に供給する工程と、
（ｃ）前記一次側供給配管を通過した前記処理液を前記一次側供給配管に接続されたフィルタで濾過する工程と、
（ｄ）前記一次側供給配管を通過する前記処理液中のパーティクル量を測定する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）にて測定された前記パーティクル量に応じて、前記工程（ｃ）における前記フィルタへの前記処理液の供給を停止するとともに、前記溶解モジュールを通過した前記処理液を前記一次側供給配管から分岐する排液配管を通じて排液部に送る工程と、
を含む、処理液供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象の基板を処理する処理部に処理液を供給する処理液供給装置および処理液供給方法に関する。処理対象になる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板を処理液によって処理する基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、例えば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと有する処理部を、本体部に備えている。処理液ノズルに処理液を供給するために、基板処理装置には、本体部とは別に処理液供給装置が備えられる。処理液ノズルには、処理液供給装置から延びる処理液供給配管が接続されており、この処理液供給配管を介して処理液供給装置の処理液タンクに貯留された処理液が供給される（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、溶解モジュールにより所定のガスを溶解させた処理液で基板を処理することも行われている。例えば、純水を主成分とするリンス液で基板を処理する際、その純水に炭酸ガスを所定濃度で溶解させた炭酸水が用いられる場合がある（例えば、特許文献２）。炭酸水で基板をリンス処理することにより、基板の帯電が防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３５１７０９号公報
【特許文献２】特開２０１６−１５７８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記溶解モジュールの長時間使用による経年劣化などの理由により、溶解モジュールを通過した処理液中にパーティクル（異物）が発生することが懸念されている。半導体構造の微細化に伴い、処理液中のパーティクル量の除去が強く求められていることから、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量を低減させる技術が求められている。
【０００６】
そこで、本発明は、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量を低減させ得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、第１態様は、処理液を供給する処理液供給装置であって、処理液の原液に気体を溶解させる溶解モジュールと、その一方端が前記溶解モジュールの二次側に接続されている一次側供給配管と、前記一次側供給配管の他方端に接続され、前記処理液を濾過するフィルタと、前記フィルタの二次側に接続され、前記フィルタを通過した前記処理液が通過する流路を形成する二次側供給配管と、前記一次側供給配管に接続されており、前記処理液を排液部に送る排液配管と、前記一次側供給配管に設けられ、前記溶解モジュールと前記フィルタとが連通する状態と、前記溶解モジュールと前記排液部とが連通する状態との間で切り替える切替部と、前記切替部の一次側に設けられ、前記一次側供給配管を通過する前記処理液中のパーティクル量を測定するパーティクル測定部と、前記パーティクル測定部によって測定された前記パーティクル量に応じて、前記切替部による切替動作を制御する制御部とを備える。
【０００８】
第２態様は、第１態様の処理液供給装置であって、前記パーティクル測定部は、前記一次側供給配管における前記排液配管が接続された部分よりも一次側を通過する前記処理液中の前記パーティクル量を測定する。
【０００９】
第３態様は、第１態様または第２態様の処理液供給装置であって、前記切替部は、前記一次側供給配管に介装され、前記一次側供給配管内の流路を開閉する供給バルブと、前記排液配管に介装され、前記排液配管内の流路を開閉する排液バルブと、を備え、前記制御部は、前記供給バルブおよび前記排液バルブの開閉動作を制御する。
【００１０】
第４態様は、第３態様の処理液供給装置であって、前記制御部は、前記供給バルブを閉鎖しかつ前記排液バルブを開放した状態で、前記パーティクル測定部により測定される前記パーティクル量に応じて、出力装置により外部に通知を出力する。
【００１１】
第５態様は、第３態様または第４態様の処理液供給装置であって、前記一次側供給配管は前記切替部の二次側において複数の分岐配管に分岐しており、その複数の分岐配管各々に１つの前記フィルタがそれぞれ接続されている。
【００１２】
第６態様は、基板を処理する基板処理装置であって、第１態様から第５態様のいずれか１つの処理液供給装置と、前記処理液供給装置の前記フィルタで濾過された前記処理液で基板を処理する処理部とを備える。
【００１３】
第７態様は、処理液を供給する処理液供給方法であって、（ａ）溶解モジュールによって処理液の原液に気体を溶解させる工程と、（ｂ）前記気体が溶解された前記処理液を前記溶解モジュールから一次側供給配管に供給する工程と、（ｃ）前記一次側供給配管を通過した前記処理液を前記一次側供給配管に接続されたフィルタで濾過する工程と、（ｄ）前記一次側供給配管を通過する前記処理液中のパーティクル量を測定する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）にて測定された前記パーティクル量に応じて、前記工程（ｃ）における前記フィルタへの前記処理液の供給を停止するとともに、前記溶解モジュールを通過した前記処理液を前記一次側供給配管から分岐する排液配管を通じて排液部に送る工程とを含む。
【発明の効果】
【００１４】
第１態様の処理液供給装置によると、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量が低減されるまで処理液を排出できる。これにより、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量を低減できる。また、フィルタへの処理液の供給を停止し、一次側供給配管を排水配管に連通させることにより、一次側供給配管内のパーティクルを含む処理液を、フィルタを通さずに排出できる。これにより、パーティクルを含む処理液がフィルタを通過することを低減できるため、フィルタの長寿命化を図ることができる。また、パーティクルを含む処理液が、フィルタの二次側に拡散することを低減し得る。
【００１５】
第２態様の処理液供給装置によると、一次側供給配管において、排液配管に向かう処理液中のパーティクル量を測定できる。このため、排液処理中にパーティクル量が低減されているか否かを確認できる。
【００１６】
第３態様の処理液供給装置によると、制御部が、測定されたパーティクル量に基づき、供給バルブおよび排液バルブを自動的に開閉制御して排液処理を行うため、作業者負担を軽減できる。
【００１７】
第４態様の処理液供給装置によると、排液処理中に測定されたパーティクル量に応じて外部に通知を行うことにより、パーツの保守・交換時期等を作業者が適切に認知し得る。
【００１８】
第５態様の処理液供給装置によると、複数のフィルタの一次側で排液を行うことにより、高濃度のパーティクルがフィルタ各々を通過することを低減できる。このため、各フィルタの長寿命化を図ることができるとともに、パーティクルが各フィルタの二次側に拡散することを低減し得る。
【００１９】
第６態様の基板処理装置によると、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量が低減されるまで処理液を排出できる。これにより、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量を低減できる。また、フィルタへの処理液の供給を停止し、一次側供給配管を排水配管に連通させることにより、一次側供給配管内のパーティクルを含む処理液を、フィルタを通さずに排出できる。これにより、フィルタの長寿命化を図ることができる。また、パーティクルとともに、パーティクルを含む処理液が、処理部に供給されることを低減し得る。
【００２０】
第７態様の処理液供給方法によると、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量が低減されるまで処理液を排出できる。これにより、溶解モジュールを通過した処理液中のパーティクル量を低減できる。また、フィルタへの処理液の供給を停止し、一次側供給配管を排水配管に連通させることにより、一次側供給配管内のパーティクルを含む処理液を、フィルタを通さずに排出できる。これにより、パーティクルを含む処理液がフィルタを通過することを低減できるため、フィルタの長寿命化を図ることができる。また、パーティクルを含む処理液が、フィルタの二次側に拡散することを低減し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態の基板処理装置１を模式的に示す図である。
【図２】基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図３】処理液供給ユニット３の排液処理時の動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】制御部５２による排液処理時の制御内容を説明するためのタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００２３】
＜１．  実施形態＞
図１は、実施形態の基板処理装置１を模式的に示す図である。基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）を処理する。基板処理装置１は、複数の処理ユニット２（処理部）と、各処理ユニット２に処理液を供給する処理液供給ユニット３（処理液供給装置）を備えている。ここでは、４つの処理ユニット２に対して１つの処理液供給ユニット３から処理液が供給されているが、各処理ユニットに対して専用の処理液供給ユニットが設けられていてもよい。
【００２４】
処理ユニット２は、ウエハＷを１枚ずつ処理液で処理する枚葉型の装置である。処理ユニット２は、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック４と、処理液としての処理液をウエハＷに供給するノズル５とを備えている。
【００２５】
スピンチャック４は、ウエハＷをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転可能なスピンベース８と、このスピンベース８を鉛直軸線まわりに回転させる回転駆動機構９とを含む。ノズル５は、ウエハＷ上での処理液の着液位置が固定された固定ノズルとされていてもよいし、着液位置がウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁に至る範囲で移動される可動ノズル（スキャンノズル）とされていてもよい。ノズル５には、処理液供給ユニット３から処理液が供給される。
【００２６】
処理液供給ユニット３は、溶解モジュール３０、フィルタ３１ａ〜３１ｄ、一次側供給配管３２、供給バルブ３３、二次側供給配管３４ａ〜３４ｄ、ポンプ３５、給気バルブ３６、排液配管４１、排液バルブ４２、パーティクル測定部５１、制御部５２、吐出バルブ５３ａ〜５３ｄを備えている。
【００２７】
溶解モジュール３０は、炭酸ガス（ＣＯ２）と処理液の原液である純水（ＤＩＷ）とを混合した炭酸水を生成する装置である。溶解モジュール３０には、純水源から純水が供給されるとともに、炭酸ガス源（ボンベ等）から炭酸ガスが供給される。純水の供給は、純水源と溶解モジュール３０とをつなぐ配管に設けられたポンプ３５によって行われる。また、炭酸ガスの供給は、溶解モジュール３０と炭酸ガス源とをつなぐ配管に介装された給気バルブ３６によって制御される。溶解モジュール３０は、例えば中空糸膜を備えており、その中空糸膜を介して純水に炭酸ガスを給気することによって、炭酸ガスを純水中に溶解させる。処理ユニット２では、純水に炭酸ガスが溶解された処理液（炭酸水）でウエハＷを処理（リンス処理）することによって、ウエハＷの帯電を低減する。
【００２８】
フィルタ３１ａ〜３１ｄは、処理ユニット２各々に供給される処理液を濾過する。フィルタ３１ａ〜３１ｄは、例えば、無数のポア孔を備えており、処理ユニット２に供給される処理液を濾過して、処理液からパーティクルを除去する。
【００２９】
一次側供給配管３２は、処理液の流路を形成している。一次側供給配管３２の一端は溶解モジュール３０に接続されている。また、一次側供給配管３２の他端側は、途中の分岐部Ｄ１にて複数の分岐配管３２０ａ〜３２０ｄに分岐している。分岐配管３２０ａ〜３２０ｄは、フィルタ３１ａ〜３１ｄ各々に接続されている。
【００３０】
供給バルブ３３は、一次側供給配管３２に介装されている。より詳細には、供給バルブ３３は、溶解モジュール３０と分岐部Ｄ１との間に設けられている。供給バルブ３３は、一次側供給配管３２が形成する流路を開閉することによって、溶解モジュール３０からフィルタ３１ａ〜３１ｄへの処理液供給のオンオフを制御する。
【００３１】
二次側供給配管３４ａは、一端がフィルタ３１ａに接続されており、他端が複数の処理ユニット２のうち１つのノズル５に接続されている。他の二次側供給配管３４ｂ〜３４ｄについても、一端がフィルタ３１ｂ〜３１ｄの１つに接続されており、他端が複数の処理ユニット２のうち１つのノズル５に接続されている。二次側供給配管３４ａ〜３４ｄは、各々に接続されたフィルタ３１ａ〜３１ｄで濾過された処理液を、処理ユニット２のノズル５に供給する。
【００３２】
二次側供給配管３４ａ〜３４ｄ各々には、吐出バルブ５３ａ〜５３ｄがそれぞれ介装されている。吐出バルブ５３ａ〜５３ｄは、二次側供給配管３４ａ〜３４ｄが形成する処理液の流路を開閉することによって、ノズル５各々からの処理液の吐出のオンオフを制御する。なお、吐出バルブ５３ａ〜５３ｄは、二次側供給配管３４ａ〜３４ｄの流路の開度を調整可能に構成してもよい。この開度調整によって、ノズル５各々からの処理液の単位時間当たりの吐出量が制御可能とされ得る。
【００３３】
排液配管４１は、一次側供給配管３２の供給バルブ３３の一次側の分岐部Ｄ２から分岐して、排液タンク９０に接続されている。排液タンク９０は、処理液供給ユニット３から排出された処理液を溜めておくために設けられている。排液タンク９０に溜められた処理液は、排出配管９２を通じて基板処理装置１の機外に排液される。
【００３４】
排液バルブ４２は、排液配管４１に介装されている。排液バルブ４２は、排液配管４１が形成する流路を開閉することにより、一次側供給配管３２内から排液タンク９０へ向けた処理液排出のオンオフを制御する。
【００３５】
供給バルブ３３および排液バルブ４２は、一次側供給配管３２に設けられ、溶解モジュール３０とフィルタ３１ａ〜３４ｄとが連通する状態と、溶解モジュール３０と排液タンク９０（排液部）とが連通する状態との間で切り替える切替部の一例である。
【００３６】
パーティクル測定部５１は、一次側供給配管３２を通過する処理液中のパーティクル量を測定する。パーティクル測定部５１は、例えば、処理液中に存在するパーティクル（埃や微粒子、不純物など）を計数する計測器（パーティクルカウンタ）である。パーティクル測定部５１は、例えば、パーティクルからの光の散乱の強さを測り、そのパーティクルの大きさに比例した光強度を電気信号として取り出すことでパーティクル量を測定する。
【００３７】
パーティクル測定部５１は、一次側供給配管３２における溶解モジュール３０から分岐部Ｄ２までの間の配管部分３２２を通過する処理液中のパーティクル量を測定する。ここでは、パーティクル測定部５１は、この配管部分３２２をバイパスするサンプリング配管５１０を有する。サンプリング配管５１０は、一次側供給配管３２よりも小径とされる。パーティクル測定部５１は、サンプリング配管５１０を通過するパーティクル量を測定することにより、配管部分３２２を通過する処理液中のパーティクル量を測定する。
【００３８】
図２は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御部５２は、マイクロコンピュータを備えており、所定の制御プログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。特に、制御部５２は、ポンプ３５、給気バルブ３６、供給バルブ３３、排液バルブ４２および吐出バルブ５３ａ〜５３ｄを制御する。制御部５２には、パーティクル測定部５１が接続されている。なお、ポンプ３５および給気バルブ３６を制御部５２によって制御することは必須ではない。例えば、ポンプ３５は、処理液供給ユニット３の起動時には常時駆動することによって、純水源から純水を常時汲み出すようにしてもよい。
【００３９】
また、制御部５２には、記憶部９４が接続されている。記憶部９４には、レシピ９４０が保存されている。レシピ９４０には、処理ユニット２においてウエハＷに対して施されるべき処理の条件が所定のデータ形式で記述されている。具体的には、処理手順または処理内容（処理時間、温度、圧力または供給量）などが記述されている。制御部５２は、記憶部９４にアクセスしてレシピ９４０を適宜読み出し可能となっている。
【００４０】
制御部５２は、パーティクル測定部５１によって測定された、一次側供給配管３２を通過する処理液中のパーティクル量に基づき、フィルタ３１ａ〜３４ｄに対する処理液の供給または停止する判断をする。詳細には、制御部５２は、パーティクル量が所定の排液基準値を超えた場合に、供給バルブ３３および排液バルブ４２の開閉を制御することにより、溶解モジュール３０および一次側供給配管３２内の処理液を排出する排液処理を行う。制御部５２は、排液処理を行う場合、供給バルブ３３を閉鎖し、排液バルブ４２を開放する。この状態で、ポンプ３５により溶解モジュール３０に送られた処理液が、溶解モジュール３０および一次側供給配管３２を通って、排液配管４１に流れ込み、そして排液される。これにより、溶解モジュール３０や一次側供給配管３２などに蓄積されていたパーティクルが、処理液によって適宜洗い流される。
【００４１】
排液処理時においては、給気バルブ３６を閉鎖することにより、二酸化炭素を含まない純水のみが溶解モジュール３０および一次側供給配管３２を通過する。この場合、主に純水によって、溶解モジュール３０および一次側供給配管３２の内部が浄化される。ただし、排液処理時に溶解モジュール３０に炭酸ガスを供給することによって、二酸化炭素を含む処理液が一次側供給配管３２を通過させてもよい。
【００４２】
＜処理液供給ユニット３の動作説明＞
制御部５２は、処理ユニット２各々に処理液を供給する場合、ポンプ３５を駆動するとともに、給気バルブ３６を開放する。これにより、溶解モジュール３０において、処理液（炭酸水）が生成される。そして、制御部５２は、供給バルブ３３を開放状態とし、排液バルブ４２を閉鎖状態として、溶解モジュール３０にて生成された処理液を、一次側供給配管３２を通じてフィルタ３１ａ〜３１ｄに供給する（供給工程）。すると、フィルタ３１ａ〜３１ｄ各々を処理液が通過することにより、処理液が濾過される（濾過工程）。この濾過によりパーティクルが除去された処理液が、処理ユニット２各々に送られると、各処理ユニット２のノズル５からウエハＷに供給されて、ウエハＷが処理される。
【００４３】
図３は、処理液供給ユニット３の排液処理時の動作を説明するためのフローチャートである。図４は、制御部５２による排液処理時の制御内容を説明するためのタイムチャートである。
【００４４】
図３に示すように、処理液供給ユニット３における排液処理の動作には、制御部５２が、所定の判断基準に基づいて、排液処理の要否を判断するステップＳ１を含む。このステップＳ１では、上述したように、パーティクル量を判断基準とする。
【００４５】
具体的には、パーティクル測定部５１がパーティクル量を測定する（パーティクル量測定工程）。そして、制御部５２は、その測定結果であるパーティクル量の情報を受け取ると、そのパーティクル量が所定の排液基準値を超えるか否かを判断する。超えていない場合（ステップＳ１にてＮｏ）、ステップＳ１が再度実行される。なお、この場合、ステップＳ１の判断は、パーティクル測定部５１がパーティクル量を測定するサイクル毎に、行われるとよい。パーティクル量が排液基準値を超えていた場合（ステップＳ１においてＹｅｓ）、制御部５２は、次のステップＳ２を実行する。
【００４６】
ステップＳ２では、制御部５２が、供給バルブ３３を開放状態から閉鎖状態とする。図４に示すように、供給バルブ３３が閉鎖されると、処理液がフィルタ３１ａ〜３１ｄに供給される状態から、停止される状態となる。
【００４７】
制御部５２は、供給バルブ３３を閉鎖すると、それに若干遅れて、あるいは、それとほぼ同時のタイミングで、排液バルブ４２を閉鎖状態から開放状態とする（図３のステップＳ３、図４参照）。これにより、溶解モジュール３０、一次側供給配管３２（詳細には、配管部分３２２）および排液配管４１が、排液タンク９０に連通する状態となる。このとき、図４に示すように、ポンプ３５は稼働状態である。また、給気バルブ３６が閉鎖される。このため、二酸化炭素を含まない処理液の原液（純水）が、溶解モジュール３０から一次側供給配管３２を通って排液配管４１へ流れ込み、排液タンク９０に向けて排出される（排液工程）。なお、上述したように、排液工程においては、給気バルブ３６を閉鎖することは必須ではない。すなわち、二酸化炭素を含む処理液を排液するようにしてもよい。
【００４８】
図４に示すように、本実施形態の排液工程では、排液バルブ４２を開放した後、供給バルブ３３は閉鎖したまま、排液バルブ４２を所定時間Ｔ１分だけ閉鎖として再び所定時間分だけ開放するサイクル制御を複数回（ここでは４回）行っている。このように、排液バルブ４２を定期的に閉鎖することにより、溶解モジュール３０および一次側供給配管３２内の処理液の流れを間欠的に停止させることができる。以下、このような排液処理を「フラッシュ排液処理」と呼ぶ。フラッシュ排液処理によると、処理液の流れに緩急を付けることができるため、溶解モジュール３０および一次側供給配管３２の内部に付着していたパーティクルが落ち易くなるため、パーティクルの除去効率の向上が期待できる。
【００４９】
なお、制御部５２が、フラッシュ排液処理において、排液バルブ４２を開閉制御する際に、図４中破線で示されるように、ポンプ３５の駆動をオンオフ制御してもよい。すなわち、排液バルブ４２を閉鎖するタイミングに合わせてポンプ３５を停止させ、排液バルブ４２を開放するタイミングに合わせてポンプ３５を駆動させてもよい。これにより、排液バルブ４２の閉鎖時に溶解モジュール３０または一次側供給配管３２の内部の圧力上昇を抑制できる。したがって、溶解モジュール３０やポンプ３５にかかる負担を軽減し得る。
【００５０】
また、排液工程の間、排液バルブ４２を常時開放して、ポンプ３５の駆動をオンオフ制御してもよい。この場合においても、フラッシュ排液処理を実行することが可能である。また、フラッシュ排液処理を実行することは必須ではない。つまり、排液工程において、ポンプ３５を常時駆動するとともに、排液バルブ４２を常時開放してもよい。
【００５１】
また、排液工程において、制御部５２が特定の条件を満たすと判断したときに、フラッシュ排液処理が行われるようにしてもよい。「特定の条件」とは、例えば、パーティクル測定部５１によって測定されたパーティクル量が所定のしきい値を超える異常値であるときである。
【００５２】
ステップＳ３において、排液バルブ４２が開放された後、制御部５２は、パーティクル測定部５１によって測定されるパーティクル量が所定の許容値以下になったかどうかを判断する（ステップＳ４）。処理液の排出により溶解モジュール３０および一次側供給配管３２内部のパーティクルが除去された場合は、パーティクル量が減少すると期待される。このため、ステップＳ５において、パーティクル量を監視することにより、排液を継続するか否かが判断される。
【００５３】
パーティクル量が所定の許容値を超えている場合（ステップＳ４においてＮｏ）、ステップＳ３に戻って、処理液の排出が継続して行われる。一方、処理液の排出によりパーティクル量が所定の許容値以下となった場合（ステップＳ４においてＹｅｓ）、制御部５２は、排液バルブ４２を閉鎖状態とする（図３のステップＳ５、図４参照）。排液バルブ４２が閉鎖されることにより、処理液の排出が停止される。このように、制御部５２がパーティクル量を監視して排液処理を行うことにより、排液処理が必要以上に行われることを抑制できる。
【００５４】
なお、ステップＳ４において、パーティクル測定部５１が測定するパーティクル量に応じて、制御部５２が出力装置（表示装置、印刷装置またはランプなど）によって外部に通知を出力してもよい。例えば、排液処理の継続時間（または、処理液の排出量）に関して、予め基準値を定めることが考えられる。すなわち、ステップＳ４において、排液処理の継続時間（または、処理液の排出量）が基準値を超えても、パーティクル量が許容値を下回らない場合、制御部５２が出力装置によって外部に通知を出力するとよい。この通知により、作業者は、処理液供給ユニット３の異常を認知できるため、溶解モジュール３０などのパーツの保守・交換時期を適切に認知し得る。
【００５５】
制御部５２は、排液バルブ４２を閉鎖状態とすると、それに若干遅れて、あるいは、それとほぼ同時のタイミングで、供給バルブ３３を閉鎖状態から開放状態とする（図３のステップＳ６、図４参照）。また、給気バルブ３６が開放されることにより、溶解モジュール３０に対して炭酸ガスが供給される。これにより、二酸化炭素を含む処理液が再び一次側供給配管３２内を流れて、フィルタ３１ａ〜３１ｄ各々に供給される状態となる（図４参照）。すなわち、処理液供給ユニット３が処理ユニット２に対して処理液供給可能な状態となる。
【００５６】
以上のように、本実施形態の基板処理装置１によると、処理液供給ユニット３において、供給バルブ３３が閉鎖され（ステップＳ２）、排液バルブ４２が開放される（ステップＳ３）。これにより、溶解モジュール３０を通過した処理液中のパーティクル量を低減することができる。また、フィルタ３１ａ〜３１ｄよりも一次側（すなわち、処理液の供給源側）において、処理液を排出できる。したがって、溶解モジュール３０、一次側供給配管３２またはそれ以外の発塵源で発生したパーティクルが、フィルタ３１ａ〜３１ｄを通ることなく、外部に排出される。この場合、フィルタ３１ａ〜３１ｄの一次側で発生したパーティクルを多く含む処理液が、フィルタ３１ａ〜３１ｄを通過することを低減できる。これにより、フィルタ３１ａ〜３１ｄの長寿命化を図ることができる。
【００５７】
また、フィルタ３１ａ〜３１ｄの一次側で多くのパーティクルを含む処理液を排出できるため、そのパーティクルを含む処理液が、フィルタ３１ａ〜３１ｄの二次側へ拡散するリスクを低減し得る。
【００５８】
また、パーティクル測定部５１によって測定されるパーティクル量に基づき排液処理を行う場合には、高濃度のパーティクルを含む処理液がフィルタ３１ａ〜３１ｄを通過することを適切に抑制できる。また、パーティクルを多く含む処理液がウエハＷの処理に使用されることを抑制できる。また、排液処理が余計に行われることを抑制できる。
【００５９】
＜２．  変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００６０】
例えば、パーティクル測定部５１が測定するパーティクル量について、予め、溶解モジュール３０などのパーツを保守・交換する目安となるメンテナンス基準値が設定されてもよい。具体的には、パーティクル量が所定のメンテナンス基準値を超えている場合、制御部５２が、出力装置（表示装置、印刷装置またはランプなど）によって外部に通知を出力するようにしてもよい。外部に通知がなされることにより、作業者は、溶解モジュール３０などのパーツの保守・交換時期を適切に認知し得る。
【００６１】
また、供給バルブ３３および排液バルブ４２は、上記実施形態のように、制御部５２の制御下で電動開閉可能に構成されてもよいが、少なくとも一方を手動で開閉可能に構成されてもよい。ただし、自動で開閉制御することにより、作業者負担を軽減できる。
【００６２】
また、切替部として供給バルブ３３および排液バルブ４２を一次側供給配管３２に介装する代わりに、これらの機能を兼ね備える三方バルブを利用することも考えられる。この場合、一次側供給配管３２における排液配管４１につながる分岐部Ｄ２に三方バルブを設けるとよい。
【００６３】
処理液供給ユニット３が供給する処理液は、炭素ガスを溶解させたものに限られず、たとえば窒素ガスなどの他の種類のガスを溶解させたものとしてもよい。また、炭酸水または窒素ガスなどの他の種類のガスを溶解させた液体に、薬液などの他の液体を混合させたものを処理液としてもよい。
【００６４】
上記実施形態の基板処理装置１は、処理ユニット２にてウエハＷを１枚ずつ処理液で処理する枚葉式の装置である。しかしながら、本発明は、複数のウエハＷを同時に複数枚のウエハＷを処理液で処理するバッチ式の処理ユニットを備えた基板処理装置にも適用可能である。
【００６５】
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
【００６６】
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【００６７】
１  基板処理装置
２  処理ユニット（処理部）
３  処理液供給ユニット（処理液供給装置）
３０  溶解モジュール
３１ａ〜３１ｄ  フィルタ
３２  一次側供給配管
３２０ａ〜３２０ｄ  分岐配管
３３  供給バルブ
３４ａ〜３４ｄ  二次側供給配管
３５  ポンプ
４１  排液配管
４２  排液バルブ
５１  パーティクル測定部
５２  制御部
９０  排液タンク（排液部）
９２  排出配管
Ｄ１，Ｄ２  分岐部（接続部分）
Ｗ  ウエハ
【図１】
2019169586.tif 000003
【図２】
2019169586.tif 000004
【図３】
2019169586.tif 000005
【図４】
2019169586.tif 000006