(57)【要約】【課題】半導体装置の製造方法において、工程数の増加を抑制する。【解決手段】基材（１１）の表面上における複数の個所で夫々、基材及び半導体素子（１２ａ、１２ｂ）の間並びに半導体素子及びヒートスプレッタ（１５ａ、１５ｂ）の間をはんだ（１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ）で接合する工程と、ヒートスプレッタの外表面の高さを複数の個所で夫々計測する工程と、計測された高さのばらつきを相補するように層厚が設定される弾性シート（３１ａ、３１ｂ）を、金型（４０）の押圧面で前記外表面上に押圧することで、押圧面及び弾性シートの層間並びに弾性シート及び外表面の層間を夫々シールする工程と、金型内にモールド樹脂（５０）を注入し硬化させることでモールドを施す工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基材の少なくとも一方の表面上における複数の個所で夫々、前記基材及び半導体素子の間並びに前記半導体素子及びヒートスプレッタの間をはんだで接合する工程と、
前記接合されたヒートスプレッタの前記接合された半導体素子と反対側に向く外表面の高さを前記複数の個所で夫々計測する工程と、
前記計測された高さの前記複数の個所相互間におけるばらつきを相補するように層厚が設定されると共に放熱板として機能する弾性シートを、前記基材、前記半導体素子及び前記ヒートスプレッタが積層されてなる積層構造並びに前記弾性シートを包含する金型の内部空間で、前記複数の個所夫々における前記外表面に対向配置させ前記金型の押圧面で前記外表面上に押圧することで、前記押圧面及び前記弾性シートの層間並びに前記弾性シート及び前記外表面の層間を夫々シールする工程と、
前記層間が夫々シールされている状態で、前記金型内にモールド樹脂を注入し硬化させることで、前記積層構造に対するモールドを施す工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基材上に、半導体素子及びヒートスプレッタ（以下適宜「Ｈ／Ｓ」と称する）を接合し、樹脂でモールドすることで、半導体装置を製造する方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の方法として、特許文献１記載のものがある。この方法では、基材上に、半導体素子をはんだ付けし、その上にＨ／Ｓをはんだ付けする。ここにＨ／Ｓは、半導体素子の（特にパワーデバイスとしての）動作時に発生する熱を拡散し放熱効率を高める目的で半導体素子及び放熱板間となる位置に、金属製のものが設けられる。その後、基材における半導体素子及びＨ／Ｓの接合された部位を樹脂でモールドすることによってモールド体を形成する。更に、該モールド体からＨ／Ｓの主面が露出するように該モールド体を切削する。この切削は、モールド材料が該主面を覆っていたのでは放熱効率を低下させてしまうので、該主面が露出するまで実行される。その後、このように露出した主面に対して放熱板を固定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０３９２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この方法によれば、モールド体に対して放熱板を固定する前に、半導体素子及びＨ／Ｓをはんだで接合するので、Ｈ／Ｓの主面は、仮にそのままでは、複数の素子間で平坦にならない。これは、Ｈ／Ｓには、はんだ付けの熱が冷却される際の熱収縮が生じ、素子間に段差或いは寸法公差が生じてしまうからである。特にはんだの熱収縮を含んだまま樹脂成型するので、この段差或いは寸法公差は無視し得ない程大きなものとなる。このため、係る段差或いは寸法公差を低減するように、モールド体を切削する工程では、先ずＨ／Ｓの主面が露出するまでモールド体を切削し、更に露出したＨ／Ｓの主面までも適宜切削することにより、複数のＨ／Ｓの主面間における平坦化を図ってから、該主面に放熱板を固定するようにしている。このように、モールド体を切削したりＨ／Ｓの主面を適宜削除したりで、更に切削後の洗浄や切削用刃具の定期交換を行ったりなど、全体として工程数が相応に多くなる或いは高コストになるという技術的課題がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、比較的容易にして工程数の増加を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は上記課題を解決するために、平板状の基材の少なくとも一方の表面上における複数の個所で夫々、前記基材及び半導体素子の間並びに前記半導体素子及びヒートスプレッタの間をはんだで接合する工程と、前記接合されたヒートスプレッタの前記接合された半導体素子と反対側に向く外表面の高さを前記複数の個所で夫々計測する工程と、前記計測された高さの前記複数の個所相互間におけるばらつきを相補するように層厚が設定されると共に放熱板として機能する弾性シートを、前記基材、前記半導体素子及び前記ヒートスプレッタが積層されてなる積層構造並びに前記弾性シートを包含する金型の内部空間で、前記複数の個所夫々における前記外表面に対向配置させ前記金型の押圧面で前記外表面上に押圧することで、前記押圧面及び前記弾性シートの層間並びに前記弾性シート及び前記外表面の層間を夫々シールする工程と、前記層間が夫々シールされている状態で、前記金型内にモールド樹脂を注入し硬化させることで、前記積層構造に対するモールドを施す工程とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態においてリードフレームに半導体素子及びＨ／Ｓをはんだで接合する工程を示す図式的断面図である。
【図２】実施形態において弾性シート（即ち放熱シート）を金型にセッティングする工程を示す図式的断面図である。
【図３】実施形態において弾性シートを金型でＨ／Ｓの外表面に圧着することでシールする工程（その序盤）を示す図式的断面図である。
【図４】実施形態において弾性シートを金型でＨ／Ｓの外表面に圧着することでシールする工程（その終盤）を示す図式的断面図である。
【図５】実施形態において金型内でモールドを施す工程を示す図式的断面図である。
【図６】実施形態においてモールド成型体を金型から取り外す工程を示す図式的断面図である。
【図７】実施形態においてモールド成型体である半導体装置から露出した弾性シートの主面にピンフィン板を取り付ける工程を示す図式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
実施形態に係る半導体装置の製造方法を、図１から図７を参照して説明する。ここに図１〜図７は、実施形態に係る製造方法の各工程を、順を追って示したものである。
図１に示すように先ず、基材の一例であるリードフレーム１１の一方の面（図１中上面）で、パワーデバイスを構成する半導体素子１３ａがはんだ１２ａにより接合され、更に半導体素子１３ａの表面（図１中上面）に金属製のＨ／Ｓ１５ａがはんだ１４ａにより接合される。他方で、リードフレーム１１の他方の表面（図１中下面）で、パワーデバイスを構成する半導体素子１３ｂがはんだ１２ｂにより接合され、更に半導体素子１３ｂの表面（図１中下面）に金属製のＨ／Ｓ１５ｂがはんだ１４ｂにより接合される。
【０００９】
これらにより、リードフレーム１１、半導体素子１３ａ、１３ｂ、Ｈ／Ｓ１５ａ、１５ｂを夫々含む積層構造１０がリードフレーム１１の複数個所に構築される。複数の積層構造１０は、製造しようとする半導体装置の仕様に応じて、リードフレーム１１の一方の面上及び他方の面上における複数の箇所に構築され、一枚の素子基板１とされる。以下に詳述するように、素子基板１に、放熱機能を有する各種部材を取り付けると共に絶縁機能を有するモールドをほぼ全域に施すことで、半導体装置を製造する。
【００１０】
この段階では、該複数の個所で（言い換えれば、複数の積層構造１０間で）、Ｈ／Ｓ１５ａの外表面（図１中上面）は平坦にならない。同様に、該複数の個所で、Ｈ／Ｓ１５ｂの外表面（図１中下面）は平坦にならない。
【００１１】
より具体的には、一の積層構造１０（図１では右側の積層構造１０）におけるＨ／Ｓ１５ａの外表面の高さＨ１ａと、他の積層構造１０（図１では左側の積層構造１０）におけるＨ／Ｓ１５ａの外表面の高さＨ２ａとはその性質上完全には一致しない。或いは無視できない程度の高さの差が両者間に生じる。同様に一の積層構造１０におけるＨ／Ｓ１５ｂの外表面の高さＨ１ｂと、他の積層構造１０におけるＨ／Ｓ１５ｂの外表面の高さＨ２ｂとはその性質上完全には一致しない。或いは、無視できない程度の高さの差が両者間に生じる。これは、Ｈ／Ｓ１５ａ，１５ｂには、はんだ付けの熱が冷却される際の熱収縮により複数の個所間に段差或いは寸法公差が生じてしまうからである。即ち、冷却後におけるはんだの厚みが複数の箇所間で均一にならないため、このような段差が生じてしまうからである。
【００１２】
そこで本実施形態では、はんだ付け後に、Ｈ／Ｓ１５ａの外表面の高さＨ１ａ及びＨ２ａ，Ｈ／Ｓ１５ｂの外表面の高さＨ１ｂ及びＨ２ｂが、複数の箇所で夫々計測される。ここでの計測は、Ｈ／Ｓ１５ａ、１５ｂの外表面に微細な機械的ダメージや微細な埃等の付着などを避けるべく、好ましくは、非接触方式の距離測定機により実行される。
【００１３】
図２に示すように次に、このように計測された高さの複数の個所相互間におけるばらつきを相補するように層厚が設定されると共に放熱板の少なくとも一部として機能する弾性シート３１ａ，３１ｂ（言い換えれば放熱シート）が用意される。即ち、Ｈ／Ｓ１５ａ、１５ｂの外表面に対向配置されることになる弾性シート３１ａ，３１ｂにおける、Ｈ／Ｓ１５ａ、１５ｂの外表面と反対側に向く外表面の高さの差が、複数の箇所に対応する複数の弾性シート相互間で無くなる若しくは低減されるように、Ｈ／Ｓ１５ａの外表面の高さのばらつきに応じて層厚ｔ１ａ，ｔ１ｂが設定された複数の弾性シート３１ａが用意され、Ｈ／Ｓ１５ｂの外表面の高さのばらつきに応じて層厚ｔ２ａ，ｔ２ｂが設定された複数の弾性シート３１ｂが用意される。
【００１４】
言い換えれば、Ｈ／Ｓ１５ａ（図１参照）の層厚と弾性シート３１ａの層厚ｔ１ａ，ｔ１ｂとの合計は、複数の個所相互間で等しくなるように、複数の弾性シート３１ａの層厚ｔ１ａ，ｔ１ｂが設定される。同様に、Ｈ／Ｓ１５ｂ（図１参照）の層厚と弾性シート３１ｂの層厚ｔ２ａ，ｔ２ｂとの合計は、複数の個所相互間で等しくなるように、複数の弾性シート３１ｂの層厚ｔ２ａ，ｔ２ｂが設定される。
【００１５】
このように層厚が設定された複数の弾性シート３１ａは、夫々対応するＨ／Ｓ１５ａに対向することになる位置において、上側可動入子４１ａの押圧面（図２中、下側に向く面）に固定される。複数の弾性シート３１ｂは、夫々対応するＨ／Ｓ１５ｂに対向することになる位置において、下側可動入子４１ｂの押圧面（図２中、上側に向く面）に固定される。
【００１６】
弾性シート３１ａ，３１ｂは、典型的には絶縁性樹脂から構成され、上側可動入子４１ａ及び下側可動入子４１ｂに夫々複数開孔された排気通路４５を介しての真空排気による吸着力（即ち真空チャック）により、上側可動入子４１ａ、下側可動入子４１ｂの押圧面に固定される。或いは、このような真空排気による固定に代え、弾性シート３１ａ．３１ｂは、上側可動入子４１ａ、下側可動入子４１ｂの押圧面に夫々、所定膜厚になるように塗布されることで、形成されてもよい。
【００１７】
このような弾性シート３１ａ、３１ｂは、例えば、エポキシ樹脂をベースに窒化ホウ素及びアルミナを含んでなる絶縁性熱伝導材から構成される。但し、その材料としては、弾性に加えて、放熱性或いは熱伝導性、電気的絶縁性、並びに、半導体装置に要求される物理的及び化学的安定性に優れていれば、エポキシ樹脂に限定されない。弾性シート３１ａ、３１ｂが電気的絶縁性を有することで、同じく電気的絶縁性を有するモールド樹脂５０の一部を弾性シート３１ａ、３１ｂに置き換える構造が可能とされていると捉えることもできる。
【００１８】
なお、本実施形態では、外表面の高さＨ１ａ及びＨ２ａを計測するのに代えて、Ｈ／Ｓ１５ａの外表面からＨ／Ｓ１５ｂの外表面までの高さ、言い換えれば、各積層構造１０（図１参照）の積層方向の合計層厚（即ち図１中、｛Ｈ１ａ＋リードフレーム１１の層厚＋Ｈ１ｂ｝や、｛Ｈ２ａ＋リードフレーム１１の層厚＋Ｈ２ｂ｝）を計測するのでもよい。この場合にも、計測結果に基づいて、該ばらつきを相補する、弾性シート３１ａ，３１ｂの層厚の設定／選択が行われればよい。
【００１９】
図３に示すように、このように層厚が設定された弾性シート３１ａ，３１ｂは、真空ポンプ４８により排気通路４５（図２参照）及び排気管４７（図３参照）を介して真空排気されることで、金型４０の押圧面（即ち、金型４０を構成する上側可動入子４１ａ及び下側可動入子４１ｂの押圧面）に真空吸着される。ここに金型４０は、上下母型４２ａ，４２ｂの中央に組み込まれた上型可動入子４１ａ及び下型可動入子４１ｂ（図２参照）を備えてなる。
【００２０】
リードフレームのアラインメントマーク（即ちアラインメント穴）に、下母型４２ｂに設けられたアラインメント突部４３が嵌められ、シール用及びモールド用の部材相互間の位置決めが正確に行われる。金型４０によって、複数の（層厚が相互に異なる）弾性シート３１ａ，３１ｂは、上型可動入子４１ａ及び下型可動入子４１ｂの押圧面に固定されたまま一挙に、複数のＨ／Ｓ１５ａ，１５ｂの外表面（即ち高さが相異なる表面）に対して、その背後から押圧される。なお、金型の構造によっては、上下母型に弾性シートを直接固定する方法を採用することも可能である。
【００２１】
図４に示すように次に、このように弾性シート３１ａ，３１ｂをＨ／Ｓ１５ａ，１５ｂの外表面上に、図中下向矢印４３ａ及び下向矢印４３ｂで示すように金型４０で押圧する。これにより、弾性シート３１ａ，３１ｂが圧縮され、金型４０の押圧面及び弾性シート３１ａ，３１ｂ（その外表面）の層間が夫々シールされる。同時に、弾性シート３１ａ，３１ｂが圧縮され、弾性シート３１ａ，３１ｂ（その外表面と反対側にある面）及びＨ／Ｓ１５ａ、１５ｂの外表面の層間が夫々シールされる。すると、Ｈ／Ｓ１５ａ，１５ｂの外表面の高さにばらつきがあるにもかかわらず、金型４０の押圧面及び（前記ばらつきを相補する層厚を夫々有する）複数の弾性シート３１ａ，３１ｂの層間についても、複数の弾性シート３１ａ，３１ｂ及び（前記ばらつきがある）複数のＨ／Ｓ１５ａ、１５ｂの層間夫々についても、簡単にして隙間なく或いは強固にシールすることが可能となる。
【００２２】
図５に示すように次に、このようにシールされた状態で、金型４０内にモールド樹脂５０を注入し硬化させることで、各積層構造１０に対するモールドが施される。具体的には、例えば、エポキシ樹脂を、素子基板１（図１参照）に対する損傷を回避する条件として樹脂圧力１０Ｍｐａ以下、金型温度２１０度Ｃ未満の条件で、トランスファーモールドする。すると、弾性シート３１ａ，３１ｂが圧縮されているので、その復元力或いは弾性力によって、隙間なくシールされた金型４０の押圧面及び複数の弾性シート３１ａ，３１ｂの層間についても、同じく該復元力或いは弾性力によって隙間なくシールされた複数の弾性シート３１ａ，３１ｂ及び複数のＨ／Ｓ１５ａ，１５ｂの層間夫々についても、モールド樹脂が入り込まないようにできる。このように弾性シート３１ａ，３１ｂとモールド樹脂５０とを同時に成型できるので、製造上、大変便利である。
【００２３】
図６に示すように次に、金型４０を取り外す。すると、複数の弾性シート３１ａ，３１ｂの外表面には、その層厚の厚薄に関わらず、モールド樹脂５０が残らず、しかも、複数の弾性シート３１ａ、３１ｂの外表面は、その層厚の厚薄に関わらず、高さが実質的に或いは実践上完全に揃えられる。加えて、弾性シート３１ａ，３１ｂの外表面の平行度も金型４０の押圧面の平行度に応じて確保されると共に、Ｈ／Ｓ１５ａ，１５ｂ相互間の距離も確保される。同時にＨ／Ｓ１５ａ，１５ｂ及び弾性シート３１ａ，３１ｂの層間にモールド樹脂５０が入り込んで、両者間の熱伝導率を低下させるような不都合な事態も、未然防止されている。
【００２４】
このようにして、弾性シート３１ａ，３１ｂのＨ／Ｓ１５ａ，１５ｂへの接合或いは弾性シート３１ａ，３１ｂの成型を含む形でモールド成型が実行される。即ち、弾性シート３１ａ，３１ｂの成型或いはＨ／Ｓ１５ａ，１５ｂへの接合と、モールド樹脂５０による素子基板１（図１参照）に対する絶縁とを同時並行的に実行できることになる。この結果、内部に放熱板の少なくとも一部としてとして機能する弾性シート３１ａ，３１ｂを有すると共に、その概ね全域が樹脂モールドされた半導体装置１００が構築される。
【００２５】
図７に示すように次に、放熱板を弾性シート３１ａ，３１ｂと共に構成するピンフィン板６０ａ，６０ｂを、弾性シート３１ａ，３１ｂに取り付ける。ピンフィン板６０ａ，６０ｂは夫々、複数のピンフィン６１ａ，６１ｂを有しており、その断面積の広さ及び冷却用空気の対流に優れている。ピンフィン板６０ａ，６０ｂは、Ｈ／Ｓ１５ａ，１５ｂ及び弾性シート３１ａ，３１ｂと協調して、動作時における半導体素子１３ａ，１３ｂで発生する熱を効率良く放熱可能となる。例えば、パワーデバイスを構成する当該半導体装置（図７参照）を、ＨＶ車両やＥＶ車両のインバータ内に設置している冷却器に係るパワーカードに利用すれば、高い冷却性能をもったパワーカードを構築できる。
【００２６】
以上図１から図７を参照して説明したように、本実施形態では、モールド体を切削する必要やＨ／Ｓの主面を適宜削除する必要が無く、よって切削後の洗浄や切削用刃具の定期交換を行ったりする必要もない。このように、本実施形態の製造方法を用いれば、少ない工程数で放熱性に優れた半導体装置を製造できる。
【００２７】
以上に説明した実施形態から導き出される発明の態様を以下に説明する。
【００２８】
＜１＞
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、平板状の基材の少なくとも一方の表面上における複数の個所で夫々、前記基材及び半導体素子の間並びに前記半導体素子及びヒートスプレッタの間をはんだで接合する工程と、前記接合されたヒートスプレッタの前記接合された半導体素子と反対側に向く外表面の高さを前記複数の個所で夫々計測する工程と、前記計測された高さの前記複数の個所相互間におけるばらつきを相補するように層厚が設定されると共に放熱板として機能する弾性シートを、前記基材、前記半導体素子及び前記ヒートスプレッタが積層されてなる積層構造並びに前記弾性シートを包含する金型の内部空間で、前記複数の個所夫々における前記外表面に対向配置させ前記金型の押圧面で前記外表面上に押圧することで、前記押圧面及び前記弾性シートの層間並びに前記弾性シート及び前記外表面の層間を夫々シールする工程と、前記層間が夫々シールされている状態で、前記金型内にモールド樹脂を注入し硬化させることで、前記積層構造に対するモールドを施す工程とを備える。
【００２９】
上述の態様においては、基材の両面又は片面である表面上で、半導体素子及びＨ／Ｓがこの順に積層され、基材及び半導体素子の間並びに半導体素子及びＨ／Ｓの間は夫々、はんだで接合される。このような積層及びはんだ付けは、基材の表面上における複数の箇所で夫々行われる。この段階では、該複数の個所で、Ｈ／Ｓの外表面は平坦にならない。これは、Ｈ／Ｓには、はんだ付けの熱が冷却される際の熱収縮が生じ、複数の個所間に段差或いは寸法公差が生じてしまうからである。
【００３０】
そこではんだ付け後に、Ｈ／Ｓの外表面の高さが、複数の箇所で夫々計測される。典型的には、基材の表面若しくは厚み方向の中心面からの外表面の高さ又は基準面からの積層方向の外表面の高さ、言い換えれば、半導体素子、ヒートスプレッタ及び基材が積層され接合されてなる積層構造の積層方向の厚みが、複数の個所で夫々計測される。
【００３１】
更に、このように計測された高さの複数の個所相互間におけるばらつきを相補するように層厚が設定されると共に放熱板の少なくとも一部として機能する弾性シートが用意される。即ち、Ｈ／Ｓの外表面に対向配置されることになる弾性シートにおける、Ｈ／Ｓの外表面と反対側に向く外表面の高さの差が、複数の箇所に対応する複数の弾性シート相互間で無くなる若しくは低減されるように、Ｈ／Ｓの外表面の高さのばらつきに応じて層厚が可変に設定された複数の弾性シートが用意される。即ち、Ｈ／Ｓの層厚と弾性シートの層厚との合計は、複数の個所相互間で等しくなるように、複数の弾性シート各々の層厚に対して調整が加えられる。このような弾性シートは、典型的には絶縁性樹脂から構成され、金型の押圧面に、接合手段（例えば、材料自身の粘着力や別途塗布された接着剤による接着力、或いは真空排気による吸着力）により固定される形で、設置されるか又は塗布される。
【００３２】
その後、このように層厚が設定された弾性シートがその背後から金型の押圧面で、Ｈ／Ｓの外表面上に押圧される。弾性シートをＨ／Ｓの外表面上に押圧することで、押圧面及び弾性シートの層間並びに弾性シート及びＨ／Ｓの外表面の層間を夫々シールする。すると、Ｈ／Ｓの外表面の高さにばらつきがあるにもかかわらず、押圧面及び複数の弾性シートの層間についても、複数の弾性シート及び複数のＨ／Ｓの層間夫々についても、簡単にして隙間なく或いは強固にシールすることが可能となる。
【００３３】
その後、このようにシールされた状態で、金型内にモールド樹脂を注入し硬化させることで、積層構造に対するモールドが施される。すると、隙間なくシールされた押圧面及び複数の弾性シートの層間についても、隙間なくシールされた複数の弾性シート及び複数のＨ／Ｓの層間夫々についても、モールド樹脂が入り込まないようにできる。この結果、金型を取り外した際に、複数の弾性シートの外表面には、その層厚の厚薄に関わらず、モールド樹脂が残らず、しかも、複数の弾性シートの外表面は、その層厚の厚薄に関わらず、高さが実質的に或いは実践上完全に揃えられたことになる。
【００３４】
これらの結果、モールド樹脂等に対する切削工程がなくなるので、即ちモールド体を切削したりＨ／Ｓの主面を適宜削除したりで工程数が多くなること或いは高コストになることを、極めて効率良く避けることが可能となる。しかも、例えば半導体素子等と金属冷却装置との絶縁を確保する目的で放熱板としての絶縁版を後付する等の必要もなくなり、金型内に絶縁樹脂からなる弾性シート或いは放熱シートを、直接塗布又は設置しモールド成型と同時に弾性シートをＨ／Ｓ上に成型できるので、製造効率が極めて高い。
【００３５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う半導体装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３６】
１…素子基板、１０…積層構造、１１…リードフレーム、１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂ…はんだ、１３ａ、１３ｂ…半導体素子、１５ａ、１５ｂ…Ｈ／Ｓ（ヒートスプレッタ）、３１ａ、３１ｂ…弾性シート（放熱シート）、４０…金型、５０…モールド樹脂、６０ａ、６０ｂ…ピンフィン板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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