(57)【要約】      （修正有）【課題】電極形成後のエッチング残渣に起因する表示装置の動作不良を防止すること。【解決手段】表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配置された画素領域２０を有する表示装置であって、複数の画素電極は、画素領域のいずれか一辺に沿って位置する複数の第１画素電極１３２Ａと、第１画素電極よりも前記領域の中央側に位置する複数の第２画素電極１３２Ｂとを含み、平面視において、第１画素電極と第２画素電極とは輪郭が異なり、平面視において、第１画素電極の輪郭は、ジグザグ状の辺３１を有する。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極がマトリクス状に配置された領域を有する表示装置であって、
前記複数の電極は、前記領域のいずれか一辺に沿って位置する複数の第１電極と、前記複数の第１電極よりも前記領域の中央側に位置する複数の第２電極とを含み、
平面視において、前記第１電極と前記第２電極とは輪郭が異なり、
平面視において、前記複数の第１電極の輪郭は、ジグザグ状の辺又は凹凸を有する辺を含む、
表示装置。
【請求項２】
前記複数の第１電極の内の隣り合う２つの第１電極の間隙は、第１の間隙と、前記第１の間隙よりも狭い第２の間隙とを有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の第１電極の内の隣り合う２つの第１電極の間隙は、前記複数の第２電極の内の隣り合う２つの第２電極の間隙よりも狭い部分を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の第１電極の内の隣り合う２つの第１電極の間隙と、前記複数の第２電極の内の隣り合う２つの第２電極の間隙とが一直線上に位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第１電極は、前記領域の最外周に位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記領域は、画素領域であり、
前記複数の電極は、複数の画素電極であり、
前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極は、それぞれ複数の第１画素電極及び複数の第２画素電極である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の画素電極の端部を覆うと共に、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクをさらに有し、
平面視において、前記開口の輪郭は、前記ジグザグ状の辺又は前記凹凸を有する辺とは重ならない、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素電極の端部を覆うと共に、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクをさらに有し、
前記第１画素電極の上に形成される前記開口と、前記第２画素電極の上に形成される前記開口の形状が等しい、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の画素電極は、それぞれ副画素を構成する画素電極であり、
１つの主画素は、複数の前記副画素により構成され、
複数の前記主画素の内のいずれかは、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数の電極は、銀又は銀合金を含む金属材料で構成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の第１電極の輪郭のうち第１方向に沿った辺は、前記ジグザグ状の辺又は前記凹凸を有する辺であり、
前記複数の第１電極の輪郭のうち前記第１方向と交差する第２方向に沿った辺は、直線状の辺である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ジグザグ状の辺又は前記凹凸を有する辺は、前記一辺に向かって突出する突出部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。特に、発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子を有する有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯端末などの表示画面に使用するディスプレイとして、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比べてコントラスト特性及び視野角特性が良いといった利点を有する。そのため、液晶表示装置に代わるディスプレイとして、有機ＥＬ表示装置の開発が急がれている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子は、アノード（陽極）とカソード（陰極）の間に、発光材料として有機ＥＬ材料を設けた構造を有する。有機ＥＬ素子は、アノードとカソードとを用いて有機ＥＬ材料に電圧をかけることにより発光する。現時点においては、カソード側から光を取り出す構造の有機ＥＬ素子が主流となっている。この場合、発光効率を高めるため、アノードには反射性の高い金属材料が用いられる。近年では、銀及び銀合金を反射電極として用いた有機ＥＬ表示装置が開発されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５／７７５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
銀及び銀合金は、反射率が高いという利点を有するものの、エッチングの制御が難しいという欠点がある。例えば、銀のイオン化傾向は小さいため、銀のエッチングには、強い酸化力を有するエッチング液を用いたウェットエッチング処理が用いられる。そのため、基板上の銀薄膜をウェットエッチング処理によりエッチングする場合は、他の材料への影響を考慮する必要がある。このような事情から、銀薄膜をエッチングする際には、エッチング処理の制御性を上げるために、基板を傾けた状態で基板上にエッチング液を流す方法が採用されている。
【０００６】
しかしながら、このような方法を用いた場合、銀のエッチング後に残渣（エッチングされずに残った銀の残留物）が発生する場合がある。例えば銀薄膜に対してウェットエッチング処理を施してアノード電極を形成する際、アノード電極間に残渣が発生すると、隣接するアノード電極が短絡するおそれがある。エッチング残渣を防ぐ対策として、銀薄膜が形成された基板を水平に保ち、エッチング液を基板上に長い時間保持することが考えられるが、前述のように、他の材料への影響を考慮すると望ましい方法とは言えない。したがって、基板を傾けた状態で基板上にエッチング液を流す方法を前提とした上で、エッチング残渣を低減する方法の開発が求められている。
【０００７】
本発明の課題の一つは、電極形成後のエッチング残渣に起因する表示装置の動作不良を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態における表示装置は、複数の電極がマトリクス状に配置された領域を有する表示装置である。この表示装置において、前記複数の電極は、前記領域のいずれか一辺に沿って位置する複数の第１電極と、前記複数の第１電極よりも前記領域の中央側に位置する複数の第２電極とを含み、平面視において、前記第１電極と前記第２電極とは輪郭が異なり、平面視において、前記複数の第１電極の輪郭は、ジグザグ状の辺又は凹凸を有する辺を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】第１実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図３】第１実施形態における画素電極の構成を示す断面図である。
【図４Ａ】第１実施形態における画素領域の構成を示す平面図である。
【図４Ｂ】第１実施形態における画素電極の形状を説明するための平面図である。
【図５】第１実施形態における画素電極とバンクの位置関係を示す平面図である。
【図６】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】第１実施形態における画素電極の形成工程を示す図である。
【図９】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１Ａ】第２実施形態における画素領域の構成を示す平面図である。
【図１１Ｂ】第２実施形態における画素領域の構成を示す平面図である。
【図１２Ａ】第３実施形態における画素電極の形状を説明するための図である。
【図１２Ｂ】第３実施形態における画素電極の形状を説明するための図である。
【図１２Ｃ】第３実施形態における画素電極の形状を説明するための図である。
【図１２Ｄ】第３実施形態における画素電極の形状を説明するための図である。
【図１３】第４実施形態における画素電極の形状を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１３】
また、本明細書および特許請求の範囲において、「上」及び「下」とは、基板における電気光学素子が形成される側の面（以下、単に「表面」という。）を基準とした相対的な位置関係を指す。例えば、本明細書では、基板の表面から遠ざかる方向を「上」と言い、基板の表面に近づく方向を「下」と言う。
【００１４】
「表示装置」とは、電気光学層を用いて映像を表示する構造体を指す。例えば、表示装置という用語は、電気光学層を含む表示セルを指す場合もあるし、表示セルに対して他の
光学部材（例えば、偏光部材、バックライト、タッチパネル等）を装着した構造体を指す場合もある。ここで、「電気光学層」には、技術的な矛盾を生じない限り、液晶層、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）層、エレクトロクロミック（ＥＣ）層、電気泳動層が含まれ得る。したがって、後述する実施形態について、表示装置として、有機ＥＬ層を含む有機ＥＬ表示装置を例示して説明するが、上述した他の電気光学層を含む表示装置への適用を排除するものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
＜表示装置の構成＞
本実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。有機ＥＬ表示装置は、電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた表示装置である。
【００１６】
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の構成を示す平面図である。図１において、アレイ基板１０１は、支持基板（図示せず）の表面側に有機ＥＬ素子を含む複数の画素が形成された基板である。アレイ基板１０１は、アクティブマトリクス基板と呼ばれる場合もある。
【００１７】
アレイ基板１０１は、画素領域２０及び周辺領域２２を含む。画素領域２０には、有機ＥＬ素子を含む画素２０ａが複数配置される。具体的には、画素２０ａは、図１に示されるＤ１方向（行方向）及びＤ２方向（列方向）に並び、全体としてマトリクス状に配置される。周辺領域２２には、画素２０ａに信号を伝達する回路（例えば、シフトレジスタ回路など）が配置される。ただし、本実施形態において、周辺領域２２にどのような回路要素が配置されるかについては、特に制限はない。なお、画素領域２０には、実際に映像表示に寄与する画素だけでなく、映像表示に寄与しないダミー画素が設けられていてもよい。この場合、映像表示に寄与する画素が設けられた領域を表示領域と呼ぶ場合がある。
【００１８】
アレイ基板１０１は、周辺領域２２の一部として端子領域２４を含む。端子領域２４には、複数の配線が集約され、それらの配線に対してフレキシブルプリント回路基板２６が電気的に接続される。フレキシブルプリント回路基板２６を介して外部装置から伝達された信号（例えば映像信号）は、端子領域２４から延びる複数の配線を介して画素２０ａに伝達される。
【００１９】
本実施形態では、フレキシブルプリント回路基板２６に対してＩＣチップ等で構成される駆動回路２８が実装されている。駆動回路２８は、周辺領域２２に配置されたシフトレジスタ回路等に対してスタートパルスなどの制御信号を送ったり、映像信号に対して所定の信号処理を施したりする役割を有する。ただし、駆動回路２８は必須の構成ではなく、省略することも可能である。
【００２０】
次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００の画素２０ａの構成について説明する。図１に示した画素２０ａは、実際には、ＲＧＢの３つ色に対応した３つの副画素（サブピクセル）で構成される。しかしながら、ここでは説明の便宜上、１つの副画素について説明する。
【００２１】
図２は、第１実施形態における画素２０ａの構成を示す断面図である。図２において、支持基板２０１上には、下地膜２０２を介して薄膜トランジスタ５０が設けられている。本実施形態では、支持基板２０１としてガラス基板を用いるが、アクリル、ポリイミド等の樹脂材料で構成される基板を用いてもよい。下地膜２０２としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いる。
【００２２】
薄膜トランジスタ５０は、いわゆるトップゲート型の薄膜トランジスタである。しかし、これに限らず、どのようなタイプの薄膜トランジスタを設けてもよい。図２に示す薄膜トランジスタ５０は、有機ＥＬ素子６０に対して電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。また、本実施形態では、薄膜トランジスタ５０として、Ｎチャネル型トランジスタを用いる。なお、薄膜トランジスタ５０の構造は、公知の構造であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００２３】
薄膜トランジスタ５０には、保持容量５５が接続される。保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０を構成する、２つの導電膜とその間に設けられた絶縁膜とを利用して構成することができる。例えば、本実施形態の保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０の活性層を構成する半導体層、ゲート絶縁膜、及び容量電極（ゲート電極と同時に形成される電極）を用いて形成することができる。ただし、保持容量５５の構造は、これに限られるものではない。
【００２４】
薄膜トランジスタ５０は、有機絶縁膜１２０で覆われている。有機絶縁膜１２０は、薄膜トランジスタ５０の形状に起因する起伏を平坦化する平坦化膜として機能する。本実施形態では、有機絶縁膜１２０として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を含む絶縁膜を用いる。
【００２５】
有機絶縁膜１２０には、開口部１２２が設けられる。開口部１２２は、酸化物導電膜１２４で覆われる。本実施形態では、酸化物導電膜１２４として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｉｘｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｉｘｄｅ）等の金属酸化物材料で構成される薄膜をパターン化したものを用いる。しかし、これに限らず、他の酸化物導電膜を用いてもよい。酸化物導電膜１２４は、開口部１２２によって露出した薄膜トランジスタ５０の一部（具体的には、ソース電極）に接続されている。
【００２６】
さらに、有機絶縁膜１２０の上面には、酸化物導電膜１２４と同時に形成された酸化物導電膜を用いて保持容量５７の下部電極１２６が形成されている。下部電極１２６は、有機ＥＬ素子６０の下方に設けられている。後述するように、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、上方に向かって光を出射する構成となっているため、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を利用して保持容量５７を形成することが可能である。
【００２７】
なお、図２では図示を省略するが、酸化物導電膜１２４及び保持容量５７の下部電極１２６の形成に用いた酸化物導電膜を、別の用途（例えば配線）として用いることも可能である。その際、配線として使用する酸化物導電膜の上に金属膜を重ねて配置することにより、配線抵抗を下げることもできる。金属酸化物で構成される酸化物導電膜は、金属膜に比べて抵抗が高いため、配線として用いる場合は、金属膜を重ねて全体の抵抗を下げることが好ましい。このとき、前述の酸化物導電膜１２４は、金属膜を形成する際に、薄膜トランジスタ５０のソース電極をエッチングガスから保護する保護膜としても機能する。
【００２８】
酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６の上には、無機絶縁膜１２８が設けられている。本実施形態では、無機絶縁膜１２８として、窒化シリコン膜を用いるが、これに限らず、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの他の無機絶縁膜を用いることもできる。無機絶縁膜１２８には、有機絶縁膜１２０を露出させる開口部１３０ａが設けられている。開口部１３０ａは、水抜き領域６５として機能する。水抜き領域６５は、有機絶縁膜１２０を形成した後の加熱工程により有機絶縁膜１２０から発生した水分等を外部に逃がす役割を果たす。
【００２９】
無機絶縁膜１２８の上には、画素電極１３２が設けられる。画素電極１３２は、無機絶縁膜１２８に設けられた開口部１３０ｂを介して酸化物導電膜１２４に接続される。すなわち、画素電極１３２は、酸化物導電膜１２４を介して薄膜トランジスタ５０に接続される。また、画素電極１３２は、保持容量５７の上部電極としても機能すると共に、有機ＥＬ素子６０の陽極（アノード電極）としても機能する。
【００３０】
なお、前述のとおり、画素領域２０には、複数の画素２０ａがマトリクス状に配置されるため、画素電極１３２もマトリクス状に複数配置される。本実施形態では、一部の画素電極１３２の輪郭を、他の画素電極１３２の輪郭と異ならせているが、この点についての詳細は、後述する。
【００３１】
本実施形態では、画素電極１３２として、酸化物導電膜で銀を含む層を挟んだ積層構造の導電膜を用いる。具体的には、図３に示されるように、画素電極１３２は、ＩＺＯ層１３２ａ、銀層１３２ｂ及びＩＺＯ層１３２ｃで構成される。ただし、ＩＺＯ層１３２ａ、１３２ｃに代えてＩＴＯ層を用いることも可能である。有機ＥＬ素子６０から発した光が上方に出射するように構成するためには、画素電極１３２は、反射性を有する導電膜を含むことが望ましい。そのため、本実施形態では、画素電極１３２の一部に、反射率の高い銀又は銀合金を含む金属材料で構成された層を用いている。
【００３２】
また、本実施形態では、保持容量５７の誘電体が他の絶縁膜に比べて誘電率の高い窒化シリコン膜であるため、大きな容量を確保しやすいという利点を有する。さらに、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を有効活用して配置することができるため、保持容量５７の占有面積を大きく確保しやすいという利点を有する。
【００３３】
画素電極１３２は、その一部が、有機材料で構成されるバンク１３４に覆われている。具体的には、バンク１３４は、画素電極１３２の端部を覆うと共に、画素電極１３２の上面の一部を露出させる開口部１３６を有している。このようにして露出した画素電極１３２の上面の一部が、画素２０ａの実質的な発光領域となる。つまり、バンク１３４は、画素２０ａの発光領域を画定する役割を持つ。バンク１３４を構成する有機材料としては、感光性アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の樹脂材料を用いることができるが、これに限られるものではない。
【００３４】
画素電極１３２の上面のうちバンク１３４に重畳しない領域（すなわち、開口部１３６の内側の領域）には、有機ＥＬ層１３８が設けられる。本実施形態では、有機ＥＬ層１３８は、有機ＥＬ材料を蒸着法により成膜して形成する。有機ＥＬ層１３８は、少なくとも発光層（図示せず）を含み、その他に、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層及び／又は正孔ブロッキング層を含むことができる。有機ＥＬ層１３８は、例えば赤色、青色、緑色のいずれかに発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。
【００３５】
なお、本実施形態では、画素ごとに発光色の異なる発光層を設ける構成を例示するが、これに限るものではない。例えば、図示は省略するが、白色発光の有機ＥＬ層を複数の画素にわたって設けることができる。この場合、白色の光を各画素に設けたカラーフィルタでＲＧＢの各色に分離する。また、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層といった機能層については、複数の画素にわたって設けられていてもよい。
【００３６】
有機ＥＬ層１３８の上には、アルカリ金属を含む導電膜で構成される共通電極１４０が設けられる。アルカリ金属としては、例えばマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）などを用いることができる。本実施形態では、アルカリ金属を含む導電膜として、マグネシウムと銀の合金であるＭｇＡｇ膜を用いる。共通電極１４０は、有機ＥＬ素子６０の陰極（カソード電極）として機能する。また、共通電極１４０は、複数の画素にわたって設けられる。
【００３７】
有機ＥＬ層１３８からの出射光を上面側、つまり共通電極１４０側に取り出すトップエミッション型の表示装置とする場合、共通電極１４０には光に対する透過性が要求される。共通電極１４０として前述のアルカリ金属を含む導電膜を用いる場合、光に対する透過性を付与するために、共通電極１４０の膜厚を出射光が透過する程度に薄くする。具体的には、共通電極１４０の膜厚を１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることで光に対する透過性を付与することができる。
【００３８】
上述の画素電極１３２、有機ＥＬ層１３８及び共通電極１４０によって有機ＥＬ素子６０が構成される。
【００３９】
共通電極１４０の上（つまり、有機ＥＬ素子６０の上）には、封止膜１４２が設けられる。本実施形態の封止膜１４２は、下方から順に、無機材料で構成される第１封止膜１４２ａ、有機材料で構成される第２封止膜１４２ｂ及び無機材料で構成される第３封止膜１４２ｃの三層で構成されている。これらの封止膜は、外部からの水分等の侵入を防ぎ、有機ＥＬ層１３８及び共通電極１４０の劣化を防ぐ役割を果たす。
【００４０】
本実施形態では、第１封止膜１４２ａ及び第３封止膜１４２ｃとして、窒化シリコン膜を用いる。しかし、これに限らず、窒化シリコン膜に代えて酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜を用いてもよい。つまり、第１封止膜１４２ａとしては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、特にシリコン窒化物を含む絶縁膜を用いることが好ましい。
【００４１】
また、第２封止膜１４２ｂとして、樹脂材料で構成された有機絶縁膜を用いる。本実施形態では、第２封止膜１４２ｂとして樹脂材料で構成される有機絶縁膜を用いることにより、バンク１３４により形成された起伏を平坦化することができる。第１封止膜１４２ａは、膜厚が１μｍ前後であるため、バンク１３４の傾斜面に沿って形成される。これに対し、第２封止膜１４２ｂは、１０μｍ前後の膜厚で形成されるため、バンク１３４に設けられた開口部１３６等の段差を十分に埋めることが可能である。したがって、第２封止膜１４２ｂとして有機絶縁膜を用いることにより、第１封止膜１４２ａの上面に生じた凹凸よりも、第２封止膜１４２ｂの上面に生じた凹凸を小さくすることができる。
【００４２】
＜画素電極の構成＞
前述のとおり、本実施形態では、一部の画素電極１３２の輪郭を、他の画素電極１３２の輪郭と異ならせている。その点について以下に説明する。
【００４３】
図４Ａは、第１実施形態における画素領域２０の構成を示す平面図である。具体的には、図１の画素領域２０を構成する辺２１ａ〜２１ｄのうち辺２１ａの近傍を拡大した図に相当する。有機ＥＬ表示装置１００の画素領域２０には、平面視における輪郭が互いに異なる、二種類の画素電極が配置される。具体的には、複数の画素電極は、画素領域２０を構成する辺２１ａ〜２１ｄのいずれか一辺に沿って位置する複数の第１画素電極１３２Ａと、複数の第１画素電極１３２Ａよりも画素領域２０の中央側（図４ＡにおいてＤ１方向における下側）に位置する複数の第２画素電極１３２Ｂとを含む。
【００４４】
第１画素電極１３２Ａは、平面視における輪郭の一部にジグザグ状の辺３１を有する。本実施形態において、ジグザグ状の辺３１は、Ｄ１方向に沿って設けられている。第１画素電極１３２Ａは、ジグザグ状に加工された辺３１同士がＤ２方向において互いに向かい合う構成を有する。なお、第１画素電極１３２Ａの輪郭のうち、第１方向と交差する第２方向に沿った辺３２は、直線状の辺となっている。しかし、辺３２は、直線状である必要はなく、任意の形状であってもよい。
【００４５】
第２画素電極１３２Ｂは、平面視における輪郭がいずれも直線状の辺で構成される。具体的には、Ｄ１方向に沿った辺３３及びＤ２方向に沿った辺３４のいずれもが直線状の辺となっている。ただし、辺３３及び辺３４は、直線状である必要はなく、任意の形状であっても構わない。
【００４６】
ここで、図４Ａに示した第１画素電極１３２Ａは、画素領域２０の最外周に位置する。つまり、複数の第１画素電極１３２Ａの辺３２の一方が、図１に示した画素領域２０の各辺２１ａ〜２１ｄのうち、辺２１ａを構成している。なお、本実施形態では、第１画素電極１３２Ａは、画素領域２０の辺２１ａのみに沿って配置されており、辺２１ｂ〜２１ｄに沿って配置されていない。ただし、第１画素電極１３２Ａは、画素領域２０の少なくともいずれか一辺に配置されていればよく、第１画素電極１３２Ａは他の辺（例えば辺２１ｂ〜２１ｄ）に沿って配置されていてもよい。本実施形態では、第１画素電極１３２Ａは、画素電極１３２を形成する際、エッチング液が流れる最も上流側に位置している。この点については後述する。
【００４７】
本実施形態における複数の画素電極１３２は、それぞれが副画素を構成している。例えば、図４Ａにおいて、副画素３５ａ〜３５ｄは、それぞれ赤色、緑色、青色、白色の４色に対応する画素として機能する。そして、これらの副画素３５ａ〜３５ｄが組み合わさって主画素（メインピクセル）３５として機能する。本実施形態では、画素領域２０の最外周の副画素を第１画素電極１３２Ａとしているため、１つの主画素３５の中に第１画素電極１３２Ａと第２画素電極１３２Ｂとが混在する。しかし、これに限らず、画素領域２０の最外周から２行目までを第１画素電極１３２Ａとし、主画素単位で輪郭の異なる画素電極を配置する構成としてもよい。また、画素を構成する副画素の内訳については、上記に限定するものではない。
【００４８】
図４Ｂは、第１実施形態における画素電極１３２の形状を説明するための平面図である。図４Ｂに示されるように、第１画素電極１３２Ａは、ジグザグ形状の辺３１を有し、それらが互いに向かい合っている。そのため、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙は、第１の間隙Ｗ１と第１の間隙Ｗ１よりも狭い第２の関係Ｗ２とを有する。また、本実施形態では、ジグザグ形状の辺３１が、画素領域２０の一辺（第１画素電極１３２Ａが配置される辺）に向かって突出する突出部３６を含む構成となっている。
【００４９】
このような構成は、いずれも画素電極をウェットエッチングにより形成する際の残渣を低減するための工夫である。後述するように、画素電極を形成する際には、処理対象の基板を傾けた状態で所定の方向からエッチング液を基板表面に対して流す。図４Ｂの場合を例に挙げると、Ｄ１方向に沿って、上方から下方に向かってエッチング液が流れる。したがって、流れるエッチング液を、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙に出来るだけ長く留まらせるために、第１画素電極１３２Ａの辺３１はジグザグ形状となっているのである。しかも、ジグザグ形状の辺３１が、エッチング液の流れる方向に向かって突出する突出部３６を含むため、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙に、エッチング液を滞留させるポケットを形成することができる。
【００５０】
これに対し、第２画素電極１３２Ｂは、辺３３が直線状になっている。そのため、隣り合う２つの第２画素電極１３２Ｂの間隙Ｗ３は一定である。なお、本実施形態では、間隙Ｗ１とＷ３が等しくなるように設計されている。すなわち、間隙Ｗ２は、間隙Ｗ３よりも狭い。このように、本実施形態では、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙が、隣り合う２つの第２画素電極１３２Ｂの間隙よりも狭い部分を有する構造となっている。隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間に、幅の狭い領域が存在することにより、エッチング液が長く滞留できる構造となっている。
【００５１】
なお、本実施形態では、図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙と、隣り合う２つの第２画素電極１３２Ｂの間隙とは一直線上に位置する。つまり、画素電極を形成する際のエッチング液は、銀又は銀合金を含む層をエッチングしながら、図４Ａ及び図４ＢのＤ１方向に沿って上流側から下流側に向かって直線状に流れる。
【００５２】
また、図４Ａ及び図４Ｂに示したように、本実施形態では、第１画素電極１３２Ａの一辺をジグザグ状に加工するが、このような形状は、画素電極としての機能には何ら影響を与えない。図５は、第１実施形態における画素電極１３２とバンク１３４の位置関係を示す平面図である。バンク１３４は、画素電極１３２の上面の一部を露出するように画素電極１３２の縁を覆って設けられる。そのため、第１画素電極１３２Ａ及び第２画素電極１３２Ｂのうち、バンク１３４によって覆われていない部分（すなわち、第１開口部１３６Ａ及び第２開口部１３６Ｂ）が実効的なアノードとして機能する。
【００５３】
第１開口部１３６Ａ及び第２開口部１３６Ｂは、図５に示されるように、平面視においていずれも形状（すなわち輪郭）が等しい。本実施形態では、バンク１３４に第１開口部１３６Ａ及び第２開口部１３６Ｂを形成する際、第１画素電極１３２Ａ及び第２画素電極１３２Ｂの縁が第１開口部１３６Ａ及び第２開口部１３６Ｂの輪郭に重ならないように設計している。つまり、第１開口部１３６Ａの輪郭は、第１画素電極１３２Ａにおけるジグザグ状の辺３１とは重ならない。そのため、第１開口部１３６Ａ及び第２開口部１３６Ｂの輪郭は、第１画素電極１３２Ａ及び第２画素電極１３２Ｂの形状に依存することなく、同じ輪郭とすることができる。勿論、これは一例に過ぎず、第１開口部１３６Ａ及び第２開口部１３６Ｂの輪郭は、異なる形状であってもよい。
【００５４】
また、本実施形態では、辺３１がジグザグ状である例を示して説明したが、これに限られるものではない。例えば、ジグザグ状でなくとも凹凸状の辺であれば、上述したエッチング液を滞留させる効果を得ることができる。
【００５５】
第１画素電極１３２Ａの一辺をジグザグ状とすることで、厳密には、第１画素電極１３２Ａと第２画素電極１３２Ｂとで面積が異なる。電気的制御に着目すると、この面積の違いによって、画素電極自身が持つ容量値の違いが生ずるため、充電又は放電の時の時定数がわずかに異なる場合がある。この影響を最小限とするため、第２画素電極１３２Ｂに対して、第１画素電極１３２Ａの面積は±５％以下、より好ましくは±３％以下となるように辺３１の形状を決めることが好ましい。
【００５６】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。図６、図７、図９及び図１０は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程を示す断面図である。図８は、第１実施形態における画素電極１３２の形成工程を示す図である。
【００５７】
まず、図６に示されるように、支持基板２０１上に薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成する。薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５の形成方法は、特に限定されず、公知の方法で形成することができる。支持基板２０１として、本実施形態ではガラス基板を用いるが、他の絶縁基板を用いてもよい。
【００５８】
なお、支持基板２０１として、樹脂材料で構成されるフレキシブル基板を用いる場合は、ガラス基板等の支持基板上にポリイミド等の樹脂膜を形成し、その樹脂膜の上に薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成する。そして、最終的に、図２に示した第１封止膜１４２ａ、第２封止膜１４２ｂ及び第３封止膜１４２ｃを形成した後に支持基板から樹脂膜を剥離すればよい。
【００５９】
本実施形態では、支持基板２０１上に下地膜２０２を設け、その上に半導体膜５０ａを形成する。次に、半導体膜５０ａを覆うゲート絶縁膜５０ｂを形成する。ゲート絶縁膜５０ｂを形成したら、ゲート絶縁膜５０ｂ上の、半導体膜５０ａと重畳する領域にゲート電極５０ｃを形成する。さらに、ゲート電極５０ｃの形成と同時に、保持容量５５の一部を構成する容量電極５０ｄを形成する。
【００６０】
次に、ゲート電極５０ｃ及び容量電極５０ｄを覆う絶縁膜５０ｅを形成し、その後、絶縁膜５０ｅに形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して半導体膜５０ａに接続されるソース電極５０ｆ及びドレイン電極５０ｇを形成する。このとき、ソース電極５０ｆは、平面視において容量電極５０ｄと重なるように形成される。こうして、支持基板２０１上に、薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５が形成される。
【００６１】
次に、図７に示されるように、薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成した後、有機絶縁膜１２０を形成する。本実施形態では、有機絶縁膜１２０を構成する材料として、ポジ型の感光性を有するアクリル樹脂材料を用いる。より詳細には、有機絶縁膜１２０を構成するアクリル樹脂材料を塗布した後、フォトリソグラフィにより開口部１２２を形成する領域を選択的に感光させてパターニングを行い、不要なアクリル樹脂材料を除去する。これにより、エッチング処理を行うことなく、開口部１２２を有する有機絶縁膜１２０を形成することができる。なお、図７に示されるように、開口部１２２は、薄膜トランジスタ５０の一部（具体的にはソース電極５０ｆ）を露出させるように形成される。
【００６２】
次に、開口部１２２を形成した後、開口部１２２を覆ってＩＴＯ等の金属酸化物材料で構成される酸化物導電膜１２４及び保持容量５７の下部電極１２６を形成する。酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６は、有機絶縁膜１２０を覆って形成されたＩＴＯ等の酸化物導電膜をフォトリソグラフィによりパターン化して形成する。このとき、酸化物導電膜１２４は、薄膜トランジスタ５０のソース電極５０ｆに対して電気的に接続される。下部電極１２６は、後に有機ＥＬ素子６０が形成される領域に設けられる。
【００６３】
次に、酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６を形成した後、無機絶縁膜１２８を形成する。本実施形態では、無機絶縁膜１２８として、窒化シリコン膜を形成する。また、無機絶縁膜１２８には、有機絶縁膜１２０の一部を露出させる開口部１３０ａと、酸化物導電膜１２４の一部を露出させる開口部１３０ｂとが形成される。なお、無機絶縁膜１２８は、有機絶縁膜１２０から発生する水分が有機ＥＬ素子６０に影響を与えることを防ぐ保護膜として機能すると共に、保持容量５７を構成する誘電体としても機能する。
【００６４】
無機絶縁膜１２８に対して開口部１３０ａ及び開口部１３０ｂを形成した後、無機絶縁膜１２８の上に導電膜４１を形成する。導電膜４１は、図３に示したＩＺＯ薄膜１３２ａ、銀薄膜１３２ｂ及びＩＺＯ薄膜１３２ｃで構成される積層構造を有する。つまり、導電膜４１は、後述するエッチング処理により画素電極１３２を構成する。
【００６５】
次に、導電膜４１の上にレジストマスク４２を設ける。その後、導電膜４１に対してウェットエッチング処理を施し、画素電極１３２を形成する。導電膜４１は、イオン化傾向の低い銀を含む薄膜を有するため、ウェットエッチング処理に用いるエッチング液としては、強い酸化力をもつ溶液を用いる。具体的には、本実施形態では、混酸を用いて導電膜４１のエッチング処理を行う。ここでいう混酸とは、濃硫酸と濃硝酸を３：１の体積比で混合した液体を指す。なお、本実施形態では、混酸を例示したが、混酸にシュウ酸を混合した液体を用いたり他のエッチング液を用いたりしてもよい。
【００６６】
このとき、図８に示されるように、導電膜４１のウェットエッチング処理は、支持基板２０１を斜めに傾けた状態で行われる。具体的には、本実施形態のウェットエッチング処理では、導電膜４１が形成された支持基板２０１を、水平面４４に対して角度θをなすように斜めに保持する。そして、支持基板２０１を斜めに保持した状態で、Ｄ１方向に沿って上方から下方に向かってエッチング液を流す方法が採用されている。図８の場合、エッチング液は、二点鎖線で示される矢印４５に沿って上方から下方に流れる。以後の説明においては、Ｄ１方向における位置を説明する際に、エッチング液の「上流側」又は「下流側」と表現する場合がある。
【００６７】
なお、通常、表示装置を支持基板上に形成する際、大型の支持基板を用いて複数の表示装置を同時に形成する。図８の場合、支持基板２０１の上には、複数のデバイス形成領域４６が設けられており、それぞれに、図７に示した導電膜４１及びレジストマスク４２が形成されている。したがって、図８の構成によれば、支持基板２０１の上のすべてのデバイス形成領域４６に形成された導電膜４１に対して、一括してウェットエッチング処理を施すことができる。
【００６８】
図８において、上流側から流れるエッチング液は、まず各デバイス形成領域４６に形成された導電膜４１を上流側からエッチングする。画素領域２０以外の領域には、画素電極１３２を形成する必要がないため、レジストマスク４２が配置されていない。そのため、画素領域２０以外の領域では、導電膜４１は消失する。
【００６９】
これに対し、エッチング処理が画素領域２０に到達すると、レジストマスク４２の形状に沿って導電膜４１がエッチングされることにより、所定の形状の画素電極１３２が形成される。ここで、画素領域２０のうちエッチング液の上流側に位置する辺の近傍では、エッチング液が速やかに下方に通過してしまうため、画素電極１３２を形成したときに銀薄膜１３２ｂの残渣が残りやすい。そこで、本実施形態では、画素領域２０を構成する各辺のうち、エッチング液が流れる上流側に位置する辺に沿って、図４Ａ及び図４Ｂに示したジグザグ形状の辺３１を有する第１画素電極１３２Ａを形成する。
【００７０】
図４Ａ及び図４Ｂを用いて説明したように、第１画素電極１３２Ａの辺３１はジグザグ形状になっているため、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙には、エッチング液が滞留しやすい。特に、本実施形態では、ジグザグ形状の辺３１が、エッチング液の流れる方向に向かって突出する突出部３６を含んでいる。これにより、隣り合う２つの第１画素電極１３２Ａの間隙には、エッチング液を滞留させるポケットが形成され、より効率よくエッチング液を滞留させることができる。
【００７１】
このように、本実施形態では、エッチング液が流れる上流側に位置する第１画素電極１３２Ａにジグザグ形状の辺３１が形成されるため、エッチング液を向かい合う辺３１の間に滞留させることができ、銀薄膜１３２ｂの残渣を除去することができる。なお、本実施形態では、最も上流側の１行目に第１画素電極１３２Ａを形成する例を示したが、複数行にわたって第１画素電極１３２Ａを形成してもよい。また、画素領域２０の最外周がダミー画素である場合は、ダミー画素に含まれる電極（画素電極に相当する電極）が第１画素電極１３２Ａの役割を果たしても良い。
【００７２】
第１画素電極１３２Ａが形成された後は、エッチング液がさらに下方へと流れ、エッチング処理が進行する。エッチング処理の進行に伴い、上流側から徐々に導電膜４１がエッチングされ、順次第２画素電極１３２Ｂが形成される。なお、画素領域２０のうちエッチング液の上流側に位置する辺の近傍では、エッチング液が速やかに下方に通過してしまう傾向がある。しかしながら、ある程度画素領域２０の中央側にエッチング液が進むと、エッチング液の進行が遅くなるため、第１画素電極１３２Ａのようにジグザグ形状の辺３１を有していなくてもおおきな問題とはならない。
【００７３】
以上のプロセスを経て、図９に示されるように、画素電極１３２が形成される。画素電極１３２は、開口部１３０ｂの内側で酸化物導電膜１２４と電気的に接続される。換言すれば、画素電極１３２は、酸化物導電膜１２４を介して薄膜トランジスタ５０と電気的に接続される。
【００７４】
このとき、開口部１３０ａの内側において、有機絶縁膜１２０が露出した領域は、図２に示した水抜き領域６５として機能する。つまり、開口部１３０ａを形成した以降に加熱処理があった場合に、有機絶縁膜１２０の内部で蒸発した水分は、水抜き領域６５を介して外部に放出される。
【００７５】
また、画素電極１３２を形成することにより、下部電極１２６、無機絶縁膜１２８及び画素電極１３２で構成される保持容量５７が形成される。本実施形態において、図示は省略するが、保持容量５７は、Ｎチャネル型トランジスタで構成された薄膜トランジスタ５０のゲート電極５０ｃとソース電極５０ｆとの間に配置される。すなわち、保持容量５７の一方の電極である下部電極１２６は、ゲート電極５０ｃに接続される。また、保持容量５７の他方の電極である画素電極１３２は、ソース電極５０ｆに接続される。
【００７６】
次に、画素電極１３２を形成した後、図１０に示されるように、樹脂材料で構成されるバンク１３４を形成する。本実施形態では、バンク１３４を構成する材料として、感光性のアクリル樹脂材料を用いる。バンク１３４は、画素電極１３２の外縁を覆うと共に、画素電極１３２の上面を露出させるようにパターニングされる。このパターニングにより形成される開口部１３６は、画素電極１３２の上面に、有機ＥＬ素子６０として機能する領域（発光領域）を画定する。
【００７７】
バンク１３４を形成したら、次に、有機ＥＬ層１３８及び共通電極１４０を形成する。本実施形態では、有機ＥＬ層１３８及び共通電極１４０の形成に蒸着法を用い、画素ごとに分けて形成する例を示すが、これに限られるものではない。例えば、発光層以外の電子輸送層又は正孔輸送層などの機能層については、複数の画素に対して共通に設けてもよい。本実施形態において使用し得る有機ＥＬ層１３８については特に制限はなく、公知の材料を用いることが可能である。
【００７８】
本実施形態では、共通電極１４０としてマグネシウムと銀とを含む合金で構成された導電膜（ＭｇＡｇ膜）を用いる。このようなアルカリ金属を含む導電膜は、有機ＥＬ層１３８と同様に水分等に弱い。そのため、有機ＥＬ層１３８の蒸着と共通電極１４０の蒸着は、大気開放せずに行うことが望ましい。この場合、真空を維持したまま連続的に蒸着処理を行うことが好ましいが、これに限らず、窒素雰囲気等の不活性雰囲気を維持したままに連続的に蒸着処理を行うことも有効である。
【００７９】
この時点において、バンク１３４に設けられた開口部１３６の内側には、画素電極１３２、有機ＥＬ層１３８及び共通電極１４０で構成される有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００８０】
次に、窒化シリコン膜で構成される第１封止膜１４２ａ、樹脂材料で構成される第２封止膜１４２ｂ、及び窒化シリコン膜で構成される第３封止膜１４２ｃをこの順に積層して図２に示した構造を得る。このとき、第２封止膜１４２ｂは、バンク１３４に形成された開口部１３６に起因する起伏を平坦化することができる。
【００８１】
さらに、パーティクル等の異物が共通電極１４０の上に存在していたとしても、第２封止膜１４２ｂによって起伏を平坦化できるため、第２封止膜１４２ｂの上に形成される第３封止膜１４２ｃが異物の影響で剥がれたりカバレッジ不良を起こしたりする可能性を低減することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
本実施形態では、画素領域２０における第１画素電極１３２Ａの配置を第１実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００８３】
第１実施形態では、画素領域２０の各辺のうち、エッチング液が流れる上流側に位置する辺に沿って１行分だけ第１画素電極１３２Ａを配置する例を示した。すなわち、第１実施形態では、図４Ａに示されるように、第１画素電極１３２Ａが、画素領域２０の最外周に位置する例を示した。これに対し、本実施形態では、画素領域２０の最外周だけでなく、画素領域２０の中央側にも第１画素電極１３２Ａを配置する例を示す。
【００８４】
図１１Ａは、第２実施形態における画素領域２０の構成を示す平面図である。図１１Ａに示されるように、本実施形態では、画素領域２０の最外周から複数行を第１画素電極１３２Ａで構成している。具体的には、画素領域２０の最外周から３行目までを第１画素電極１３２Ａで構成しているが、これに限られるものではない。
【００８５】
本実施形態では、画素電極１３２を形成する際、複数行の第１画素電極１３２Ａによってエッチング液が滞留する。つまり、画素領域２０の各辺のうちエッチング液の上流側に位置する一辺の近傍に、第１実施形態の構成よりも長い時間エッチング液を滞留させることが可能である。そのため、画素電極１３２を構成する銀薄膜１３２ｂのエッチング残渣をより低減することが可能である。
【００８６】
なお、本実施形態では、画素領域２０の最外周から３行目までを第１画素電極１３２Ａで構成する例を示したが、これに限らず、２行以上の画素電極１３２を第１画素電極１３２Ａで構成することができる。勿論、画素領域２０に配置するすべての画素電極１３２を第１画素電極１３２Ａで構成することも可能である。
【００８７】
また、本実施形態の変形例として、画素電極１３２の輪郭を、主画素３５を単位として異ならせることも可能である。ここで、図１１Ｂは、第２実施形態における画素領域２０の構成を示す平面図である。図１１Ｂでは、画素領域２０の最外周から２行目までを第１画素電極１３２Ａで構成し、最外周から３行目以降を第２画素電極１３２Ｂで構成している。すなわち、画素電極１３２の輪郭を、主画素３５を単位として異ならせた構成となっている。したがって、図１１Ｂの例によれば、画素領域２０の最外周から４行目までを第１画素電極１３２Ａで構成し、最外周から５行目以降を第２画素電極１３２Ｂで構成することも可能である。
【００８８】
（第３実施形態）
本実施形態では、平面視における第１画素電極の形状（輪郭）を第１実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００８９】
図１２Ａ〜図１２Ｄは、第３実施形態における画素電極の形状（輪郭）を説明するための図である。なお、図１２Ａ〜図１２Ｄでは、説明の便宜上、４つの副画素についてのみ説明するが、画素領域２０には、さらに多くの副画素を有する。また、画素領域２０の最外周に位置する画素電極のみを第１画素電極とした例を示すが、第２実施形態のように、任意の位置の画素電極を第１画素電極としてもよい。
【００９０】
図１２Ａにおいて、第１画素電極１３２Ａ−１は、ジグザグ形状の辺３１ａを有する。辺３１ａは、図４Ａ及び図４Ｂに示した辺３１に比べて、より鋭角な突出部３６ａを有している。そのため、図１２Ａの上方から流れてくるエッチング液をより長く辺３１ａの近傍に滞留させることができる。
【００９１】
図１２Ｂにおいて、第１画素電極１３２Ａ−２は、ジグザグ形状の辺３１ｂを有する。辺３１ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに示した辺３１に比べて、鈍角な突出部３６ｂを有している。このような形状であっても隣り合う第１画素電極１３２Ａ−２の間隙には、異なる幅の間隙が形成されるため、エッチング液を滞留させることが可能である。
【００９２】
図１２Ｃにおいて、第１画素電極１３２Ａ−３は、波形状の辺３１ｃを有する。このような形状であっても隣り合う第１画素電極１３２Ａ−３の間隙には、異なる幅の間隙が形成されるため、エッチング液を滞留させることが可能である。
【００９３】
図１２Ｄにおいて、第１画素電極１３２Ａ−４は、矩形状の辺３１ｄを有する。このような形状であっても隣り合う第１画素電極１３２Ａ−４の間隙には、異なる幅の間隙が形成されるため、エッチング液を滞留させることが可能である。また、矩形の凹部に当たる部分３６ｄはエッチング液が溜まるポケットとして機能するため、より長くエッチング液を辺３１ｄの近傍に滞留させることができる。
【００９４】
（第４実施形態）
本実施形態では、平面視における第１画素電極の形状（輪郭）を第１実施形態及び第３実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００９５】
図１３は、第４実施形態における画素電極の形状（輪郭）を説明するための図である。なお、図１２Ａ〜図１２Ｄでは、説明の便宜上、４つの副画素についてのみ説明するが、画素領域２０には、さらに多くの副画素を有する。また、画素領域２０の最外周に位置する画素電極のみを第１画素電極とした例を示すが、第２実施形態のように、任意の位置の画素電極を第１画素電極としてもよい。
【００９６】
図１３において、第１画素電極１３２Ａ−５は、曲線状の辺３１ｅを有する。具体的には、辺３１ｅは、エッチング液が流れてくる方向に向かって凹部を形成する。そのため、Ｄ１方向において上方から流れてきたエッチング液は、辺３１ｅの近傍に溜まる。したがって、辺３１ｅの近傍における銀薄膜１３２ｂのエッチング残渣を防ぐことができる。
【００９７】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９８】
また、上述した各実施形態では、本発明の実施形態として、画素電極の形状を例に挙げて説明したが、銀又は銀合金を含む薄膜のように、エッチング残渣が残りやすい特長を有する電極を備えた表示装置全般に適用可能である。すなわち、本発明は、複数の電極がマトリクス状に配置された領域を有する表示装置に対して適用することができる。
【００９９】
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１００】
２０…画素領域、２０ａ…画素、２１ａ〜２１ｄ…辺、２２…周辺領域、２４…端子領域、２６…フレキシブルプリント回路基板、２８…駆動回路、３１ａ〜３１ｅ…辺、３５…主画素、３５ａ〜３５ｄ…副画素、３６ａ、３６ｂ、３６ｄ…突出部、４１…導電膜、４２…レジストマスク、４４…水平面、４５…矢印、４６…デバイス形成領域、５０…薄膜トランジスタ、５０ａ…半導体膜、５０ｂ…ゲート絶縁膜、５０ｃ…ゲート電極、５０ｄ…容量電極、５０ｅ…絶縁膜、５０ｆ…ソース電極、５０ｇ…ドレイン電極、５５、５７…保持容量、６０…有機ＥＬ素子、６５…水抜き領域、１００…表示装置、１０１…アレイ基板、１２０…有機絶縁膜、１２２…開口部、１２４…酸化物導電膜、１２６…下部電極、１２８…無機絶縁膜、１３０ａ、１３０ｂ…開口部、１３２…画素電極、１３２ａ…ＩＺＯ薄膜、１３２ｂ…銀薄膜、１３２ｃ…ＩＺＯ薄膜、１３２Ａ、１３２Ａ−１、１３２Ａ−２、１３２Ａ−３、１３２Ａ−４、１３２Ａ−５…第１画素電極、１３２Ｂ…第２画素電極、１３４…バンク、１３６…開口部、１３６Ａ…第１開口部、１３６Ｂ…第２開口部、１３８…有機ＥＬ層、１４０…共通電極、１４２…封止膜、１４２ａ…第１封止膜、１４２ｂ…第２封止膜、１４２ｃ…第３封止膜、２０１…支持基板、２０２…下地膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３】
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