(57)【要約】【課題】直列接続された複数の半導体光源の内のいずれかがオープン故障した際に、他の半導体光源の消灯時間を短くすると共に、その後もオープン故障の発生を表す信号を出力できる光源装置を提供する。【解決手段】この光源装置は、直列接続された複数の半導体光源及び電流検出抵抗と、それらに電流を流す電源回路と、電流検出抵抗に流れる電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出回路と、電流検出信号の電圧が目標値に近付くように電源回路を制御する制御回路と、各々の半導体光源に並列接続され、半導体光源の動作時における最大電圧よりも高いクランプ電圧を有するクランプ素子、及び、クランプ素子に直列接続されたバイパス抵抗を含み、半導体光源のオープン故障時に電流を流すバイパス回路と、バイパス抵抗の両端間電圧に基づいて複数の半導体光源のオープン故障をそれぞれ検出する複数の検出回路とを備える。【選択図】図１
2019129050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された複数の半導体光源と、
前記複数の半導体光源に直列接続された電流検出抵抗と、
前記複数の半導体光源及び前記電流検出抵抗に電流を流す電源回路と、
前記電流検出抵抗に流れる電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出回路と、
前記電流検出信号の電圧が目標値に近付くように前記電源回路を制御する制御回路と、
前記複数の半導体光源にそれぞれ並列接続された複数のバイパス回路であって、各々が、前記半導体光源の動作時における最大電圧よりも高いクランプ電圧を有するクランプ素子と、前記クランプ素子に直列接続されたバイパス抵抗とを含み、前記半導体光源のオープン故障時に電流を流す前記複数のバイパス回路と、
前記複数のバイパス回路のバイパス抵抗の両端間電圧に基づいて、前記複数の半導体光源のオープン故障をそれぞれ検出する複数の検出回路と、
を備える光源装置。
【請求項２】
前記複数のバイパス回路のクランプ素子のクランプ電圧の総和が、前記電源回路の耐圧よりも小さい、請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
前記複数のバイパス回路の各々において、前記バイパス抵抗が、前記クランプ素子よりも接地電位側に接続されている、請求項１又は２記載の光源装置。
【請求項４】
前記クランプ素子が、前記半導体光源の一端に接続されたカソードと、前記バイパス抵抗を介して前記半導体光源の他端に接続されたアノードとを有するツェナーダイオードを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項５】
前記バイパス抵抗が、前記電流検出抵抗の抵抗値よりも小さい抵抗値を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項６】
前記複数の検出回路から出力される検出信号のレベルをそれぞれシフトする複数のレベルシフターをさらに備え、
前記制御回路が、前記複数のレベルシフターから出力される前記検出信号に基づいて、前記複数の半導体光源のオープン故障に関する情報を出力する、
請求項１〜５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の光源装置を備える投写型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体光源を用いた光源装置に関する。さらに、本発明は、そのような光源装置を用いた投写型表示装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、複数のレーザーダイオードを用いた光源装置においては、それらのレーザーダイオードの明るさを均一にすると共に駆動回路を簡素化するために、それらのレーザーダイオードを直列接続して駆動することが行われている。しかしながら、その場合には、１つのレーザーダイオードがオープン故障すると、他のレーザーダイオードに電流が流れなくなってしまう。
【０００３】
そのような事態を避けるために、オープン故障が生じたレーザーダイオードをバイパスして電流を流すことが行われている。関連する技術として、特許文献１には、複数の半導体光源素子を直列接続して駆動する際に、半導体光源素子の一部が断線故障した場合でも、残りの半導体光源素子の点灯を継続させることができる半導体光源駆動装置が開示されている。
【０００４】
この半導体光源駆動装置は、少なくとも１つの半導体光源素子にスイッチング素子とツェナーダイオード及び発光素子が直列接続された過電圧検出回路とが並列接続された光源モジュールが複数個直列に接続されてなる光源ユニットと、光源ユニットに直流電圧を供給する直流電源部と、各光源モジュールのスイッチング素子の導通／非導通を駆動するスイッチング素子駆動部と、光源モジュールの発光素子に対抗して配置された光検出素子が光を検出するのに応じて同一の光源モジュールのスイッチング素子を導通させるようにスイッチング素子駆動部を制御する制御部とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１０５３９１号公報（段落０００７−０００８、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１によれば、いずれかの光源モジュールにおいて半導体光源素子が断線故障したことが発光素子及び光検出素子を介して制御部によって検出されるので、制御部がスイッチング素子駆動部を制御してその光源モジュールのスイッチング素子を導通させるまでに時間を要してしまい、その間に残りの光源モジュールが消灯してしまう。従って、そのような光源装置を用いた投写型表示装置において、画像を投写できない期間が生じてしまう。
【０００７】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の第１の目的は、直列接続された複数の半導体光源の内のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、他の半導体光源の消灯時間を短くすると共に、その後もオープン故障の発生を表す信号を出力することができる光源装置を提供することである。さらに、本発明の第２の目的は、そのような光源装置を用いた投写型表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の第１の観点に係る光源装置は、直列接続された複数の半導体光源と、複数の半導体光源に直列接続された電流検出抵抗と、複数の半導体光源及び電流検出抵抗に電流を流す電源回路と、電流検出抵抗に流れる電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出回路と、電流検出信号の電圧が目標値に近付くように電源回路を制御する制御回路と、複数の半導体光源にそれぞれ並列接続された複数のバイパス回路であって、各々が、半導体光源の動作時における最大電圧よりも高いクランプ電圧を有するクランプ素子と、クランプ素子に直列接続されたバイパス抵抗とを含み、半導体光源のオープン故障時に電流を流す複数のバイパス回路と、複数のバイパス回路のバイパス抵抗の両端間電圧に基づいて、複数の半導体光源のオープン故障をそれぞれ検出する複数の検出回路とを備える。
【０００９】
本発明の第１の観点によれば、直列接続された複数の半導体光源の内のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、電源回路から供給される駆動電圧が上昇することにより、その半導体光源に並列接続されたバイパス回路においてクランプ素子のクランプ動作によってバイパス電流が流れるので、他の半導体光源の消灯時間を短くすることができる。また、検出回路がバイパス抵抗の両端間電圧に基づいて半導体光源のオープン故障を検出することにより、その後もオープン故障の発生を表す信号を出力することができる。
【００１０】
ここで、複数のバイパス回路のクランプ素子のクランプ電圧の総和が、電源回路の耐圧よりも小さいことが望ましい。それにより、複数の半導体光源の全てにおいてオープン故障が発生したとしても、電源回路を故障から保護することができる。
【００１１】
また、複数のバイパス回路の各々において、バイパス抵抗が、クランプ素子よりも接地電位側に接続されていることが望ましい。その場合には、複数の検出回路の各々が接地電位側の電位を基準として動作するように構成できるので、半導体光源の両端間電圧が変動しても検出動作を安定化させることが可能である。
【００１２】
さらに、クランプ素子が、半導体光源の一端に接続されたカソードと、バイパス抵抗を介して半導体光源の他端に接続されたアノードとを有するツェナーダイオードを含むようにしても良い。ツェナーダイオードは、カソードとアノードとの間に印加される電圧が降伏電圧に達すると急激に電流を流すので、いずれかの半導体光源においてオープン故障が発生して電源回路から供給される駆動電圧が上昇した際に、他の半導体光源に直ちに電流を流すことができる。
【００１３】
以上において、バイパス抵抗が、電流検出抵抗の抵抗値よりも小さい抵抗値を有することが望ましい。電流検出抵抗は、複数の半導体光源に流れる電流を精度良く検出するためにある程度の抵抗値を有する必要があるのに対し、バイパス抵抗は、バイパス回路に電流が流れているか否かを検出できれば良いので、抵抗値を小さくすることによって発熱を低減することができる。
【００１４】
また、光源装置が、複数の検出回路から出力される検出信号のレベルをそれぞれシフトする複数のレベルシフターをさらに備え、制御回路が、複数のレベルシフターから出力される検出信号に基づいて、複数の半導体光源のオープン故障に関する情報を出力するようにしても良い。それにより、複数の半導体光源のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、その旨を外部のマイクロコンピューター等に通知することができる。
【００１５】
本発明の第２の観点に係る投写型表示装置は、上記いずれかの光源装置を備える。本発明の第２の観点によれば、直列接続された複数の半導体光源の内のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、他の半導体光源の消灯時間を短くすると共に、その後もオープン故障の発生を表す信号を出力することができる光源装置を用いて、投写型表示装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す回路図。
【図２】図１に示す検出回路の構成例を示す回路図。
【図３】本発明の一実施形態に係る投写型表示装置の構成例を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。
＜光源装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す回路図である。図１に示すように、この光源装置は、半導体装置（ＩＣ）１００と、直列接続された複数の半導体光源１１１、１１２、・・・と、複数の半導体光源１１１、１１２、・・・に直列接続された電流検出抵抗Ｒ０と、複数の半導体光源１１１、１１２、・・・にそれぞれ並列接続された複数のバイパス回路１２１、１２２、・・・とを含んでいる。
【００１８】
以下においては、一例として、ノードＮ１〜Ｎ５の間に４つの半導体光源１１１〜１１４が接続された場合について説明する。半導体光源１１１〜１１４の各々は、少なくとも１つのレーザーダイオード（ＬＤ）又は発光ダイオード（ＬＥＤ）等を含み、供給される電流の大きさに応じた明るさで発光する。
【００１９】
例えば、半導体光源１１１〜１１４の各々は、８個のＬＤで構成され、各々のＬＤの順方向電圧が４Ｖである場合に、半導体光源１１１〜１１４の各々の動作時における最大電圧は３２Ｖとなる。電流検出抵抗Ｒ０は、半導体光源１１１〜１１４に直列接続されており、例えば、５０ｍΩ〜１００ｍΩ程度の小さい抵抗値を有している。
【００２０】
バイパス回路１２１〜１２４の各々は、並列接続された半導体光源の動作時における最大電圧よりも高いクランプ電圧を有するクランプ素子と、クランプ素子に直列接続されたバイパス抵抗とを含み、半導体光源のオープン故障時に電流を流す。なお、本願において「オープン故障」とは、半導体光源又はその配線の断線のみならず、半導体光源の実装不良等によって電流経路が遮断されている状態も含む広い概念である。
【００２１】
図１には、バイパス回路１２１〜１２４にそれぞれ含まれているクランプ素子としてのツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４と、バイパス抵抗Ｒ１〜Ｒ４とが示されている。例えば、ツェナーダイオードＤ１は、半導体光源１１１の一端（図中上端）に接続されたカソードと、バイパス抵抗Ｒ１を介して半導体光源１１１の他端（図中下端）に接続されたアノードとを有している。
【００２２】
ツェナーダイオードは、カソードとアノードとの間に印加される電圧が降伏電圧に達すると急激に電流を流すので、いずれかの半導体光源においてオープン故障が発生して電源回路１０から供給される駆動電圧が上昇した際に、他の半導体光源に直ちに電流を流すことができる。
【００２３】
ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の各々の降伏電圧の下限は、対応する半導体光源の動作時に流れる電流値に応じた電圧に、電流値や半導体光源のばらつきを考慮してマージン電圧を加えた値に設定される。リップル等による誤動作を防ぐためには、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の降伏電圧を、半導体光源の動作時における最大電圧よりも３０％以上高く設定することが好ましい。
【００２４】
例えば、半導体光源の動作時における最大電圧が３２Ｖ（ＬＤ８個直列接続）である場合には、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の降伏電圧が４２Ｖ以上に設定される。また、半導体光源の動作時における最大電圧が４０Ｖ（ＬＤ１０個直列接続）である場合には、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の降伏電圧が５２Ｖ以上に設定される。
【００２５】
一方、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の各々の降伏電圧の上限は、半導体光源においてオープン故障が発生した際に、その半導体光源に並列接続されたバイパス回路のツェナーダイオードに流れる電流が定格電流以内となるように設定する必要がある。なお、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の各々に、調整用の抵抗を直列接続しても良い。
【００２６】
バイパス抵抗Ｒ１〜Ｒ４の各々は、電流検出抵抗Ｒ０と同様に５０ｍΩ〜１００ｍΩ程度の抵抗値を有しても良いが、電流検出抵抗Ｒ０よりも小さい抵抗値を有することが望ましい。電流検出抵抗Ｒ０は、半導体光源１１１〜１１４に流れる電流を精度良く検出するためにある程度の抵抗値を有する必要があるのに対し、バイパス抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、バイパス回路１２１〜１２４に電流が流れているか否かを検出できれば良いので、抵抗値を小さくすることによって発熱を低減することができる。
【００２７】
＜半導体装置＞
半導体装置１００は、電源回路１０と、複数の半導体光源１１１〜１１４に対応して設けられた複数の検出回路２１〜２４と、複数のレベルシフター（Ｌ／Ｓ）３１〜３４と、電流センスアンプ４０と、制御回路５０とを含んでいる。なお、図１に示されている半導体装置１００の構成要素の少なくとも一部をディスクリート部品又は外付けのＩＣにしても良い。
【００２８】
電源回路１０は、半導体装置１００の外部から電源電位ＶＤＤ及びＶＳＳが供給されて、ノードＮ５に駆動電位又は駆動電流を供給することにより、複数の半導体光源１１１〜１１４及び電流検出抵抗Ｒ０に電流を流す。本実施形態においては、電源電位ＶＳＳが接地電位（０Ｖ）であり、電源回路１０は、ノードＮ５と接地電位ＶＳＳのノードＮ０との間に駆動電圧を供給する。
【００２９】
ここで、複数のバイパス回路１２１〜１２４のクランプ素子のクランプ電圧の総和、即ち、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４の降伏電圧の総和は、電源回路１０の耐圧よりも小さいことが望ましい。それにより、複数の半導体光源１１１〜１１４の全てにおいてオープン故障が発生したとしても、電源回路１０を破壊から保護することができる。
【００３０】
電流センスアンプ４０は、電流検出抵抗Ｒ０の両端間電圧を所定の増幅率で増幅することにより、電流検出抵抗Ｒ０に流れる電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出回路である。制御回路５０は、例えば、デジタル調光又はアナログ調光により、電流検出信号の電圧（平均電圧、又は、所定の期間における電圧）が目標値に近付くように電源回路１０を制御する。目標値は、固定値であっても良いし、外部のマイクロコンピューター等から設定されても良い。
【００３１】
複数の半導体光源１１１〜１１４は直列接続されているので、１つの半導体光源がオープン故障すると、他の半導体光源に電流が流れなくなってしまう。そこで、複数のバイパス回路１２１〜１２４のバイパス抵抗Ｒ１〜Ｒ４の両端間電圧に基づいて、複数の半導体光源１１１〜１１４のオープン故障をそれぞれ検出する複数の検出回路２１〜２４が設けられている。
【００３２】
図２は、図１に示す検出回路の構成例を示す回路図である。図２には、一例として、検出回路２１の構成例が示されているが、検出回路２２〜２４の構成もこれと同様でも良い。図２に示すように、検出回路２１は、電流センスアンプ２５と、コンパレーター２６とを含み、バイパス回路１２１のバイパス抵抗Ｒ１の両端間電圧に基づいて、半導体光源１１１（図１）のオープン故障を検出する。検出回路２１の電源電圧は、第１のノードＮ１及び第２のノードＮ２から供給することができる。
【００３３】
電流センスアンプ２５は、例えば、差動アンプ又はシングルアンプ等で構成され、バイパス抵抗Ｒ１の両端間電圧を所定の増幅率で増幅して出力電圧を生成する。コンパレーター２６は、電流センスアンプ２５の出力電圧を基準電圧ＶＲＥＦと比較する。基準電圧ＶＲＥＦは、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に接続された定電圧回路又は分圧回路によって生成されても良い。
【００３４】
あるいは、コンパレーター２６がオフセットを有する場合には、オフセットの入力換算電圧が、基準電圧ＶＲＥＦとして用いられても良い。オフセットを有するコンパレーターを複数の検出回路２１〜２４（図１）において用いる場合には、コンパレーターに供給される電源電位が異なっていても、均一な基準電圧を容易に生成することができる。
【００３５】
コンパレーター２６は、電流センスアンプ２５の出力電圧が基準電圧ＶＲＥＦよりも小さいときに、検出信号ＤＥＴ１をローレベルに非活性化し、電流センスアンプ２５の出力電圧が基準電圧ＶＲＥＦよりも大きいときに、検出信号ＤＥＴ１をハイレベルに活性化する。
【００３６】
再び図１を参照すると、複数のバイパス回路１２１〜１２４の各々において、バイパス抵抗Ｒ１〜Ｒ４が、クランプ素子であるツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４よりも接地電位ＶＳＳ側に接続されていることが望ましい。その場合には、複数の検出回路２１〜２４の各々が接地電位ＶＳＳ側の電位を基準として動作するように構成できるので、半導体光源１１１〜１１４の両端間電圧が変動しても検出動作を安定化させることが可能である。
【００３７】
例えば、半導体光源１１１においてオープン故障が発生すると、電流検出抵抗Ｒ０に流れる電流が低下するので、電流センスアンプ４０から出力される電流検出信号の電圧が低下する。従って、制御回路５０は、半導体光源１１１〜１１４に供給される駆動電圧を上昇させるように電源回路１０を制御する。
【００３８】
電源回路１０から供給される駆動電圧が上昇することにより、半導体光源１１１に並列接続されたバイパス回路１２１において、ツェナーダイオードＤ１のカソード・アノード間電圧が降伏電圧に達して、ツェナーダイオードＤ１及びバイパス抵抗Ｒ１にバイパス電流が流れる。それにより、他の半導体光源１１２〜１１４にも電流が流れるので、他の半導体光源１１２〜１１４の消灯時間を短くすることができる。
【００３９】
バイパス回路１２１の両端間電圧は、ツェナーダイオードＤ１の降伏電圧とバイパス抵抗Ｒ１の両端間電圧との和に維持される。その場合に、光源装置の消費電力（発熱）は、オープン故障した半導体光源１１１の両端間をスイッチング素子によってショートする場合と比較して増大するが、これは、オープン故障した半導体光源１１１を新たな半導体光源に交換するまでの一時的な処置であるので許容される。
【００４０】
一方、オープン故障した半導体光源１１１の両端間をショートしないことにより、ノードＮ１及びノードＮ２から検出回路２１に電源電圧が供給されるので、検出回路２１が動作を継続して、バイパス抵抗Ｒ１の両端間電圧に基づいて、半導体光源１１１のオープン故障を検出することができる。検出回路２１は、バイパス抵抗Ｒ１の両端間電圧が所定の値を超えたときに、半導体光源１１１のオープン故障を検出して検出信号を活性化する。
【００４１】
複数のレベルシフター３１〜３４は、複数の検出回路２１〜２４から出力される検出信号のレベルをそれぞれシフトする。また、制御回路５０は、複数のレベルシフター３１〜３４から出力される検出信号に基づいて、複数の半導体光源１１１〜１１４のオープン故障に関する情報を出力する。
【００４２】
それにより、複数の半導体光源１１１〜１１４のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、その旨を外部のマイクロコンピューター等に通知することができる。例えば、制御回路５０は、複数のレベルシフター３１〜３４から出力される検出信号に基づいてオープン故障検出フラグＦ１〜Ｆ４を生成し、半導体装置１００の４つの端子からオープン故障検出フラグＦ１〜Ｆ４を出力しても良い。
【００４３】
あるいは、複数の半導体光源１１１〜１１４が１つのユニットになっている場合には、制御回路５０は、複数のレベルシフター３１〜３４のいずれかから出力される検出信号が活性化されたことを表すオープン故障検出フラグＦ０を生成し、半導体装置１００の１つの端子からオープン故障検出フラグＦ０を出力しても良い。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態によれば、直列接続された複数の半導体光源の内のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、電源回路から供給される駆動電圧が上昇することにより、その半導体光源に並列接続されたバイパス回路においてクランプ素子のクランプ動作によってバイパス電流が流れるので、他の半導体光源の消灯時間を短くすることができる。また、検出回路がバイパス抵抗の両端間電圧に基づいて半導体光源のオープン故障を検出することにより、バイパス回路を経由して電流が流れた後も検出回路はオープン故障の発生を表す信号を出力することができる。
【００４５】
＜投写型表示装置＞
次に、本発明の一実施形態に係る投写型表示装置（ビデオプロジェクター）について説明する。
図３は、本発明の一実施形態に係る投写型表示装置の構成例を示すブロック図である。投写型表示装置２００は、外部から電源電圧が供給されると共に、パーソナルコンピューターやビデオプレーヤー等の画像データ供給装置から画像データが供給されて、画像データに基づいてスクリーン（投射面）３００に画像を投射する。
【００４６】
図３に示すように、投写型表示装置２００は、電源回路２１０と、画像データ処理部２２０と、制御部２３０と、光源装置２４０と、パネル２５０と、投射光学系２６０とを含んでいる。ここで、光源装置２４０は、本発明の一実施形態に係る光源装置であり、半導体装置１００と、直列接続された複数の半導体光源１１０とを含んでいる。
【００４７】
電源回路２１０は、例えば、外部から供給されるＡＣ１００Ｖの電源電圧に基づいて、ＤＣのロジック電源電圧を生成して画像データ処理部２２０及び制御部２３０等に供給すると共に、ロジック電源電圧よりも高いＤＣの電源電圧を生成して光源装置２４０の半導体装置１００等に供給する。
【００４８】
画像データ処理部２２０及び制御部２３０は、例えば、少なくとも１つのマイクロコンピューター等で構成される。画像データ処理部２２０は、外部から供給される画像データを処理して表示用の画像信号及び同期信号を生成し、画像信号及び同期信号をパネル２５０に供給することにより、パネル２５０を駆動して描画を行う。
【００４９】
制御部２３０は、リモコン又は操作パネル（図示せず）を用いて操作者が行う操作に従って、投写型表示装置２００の各部を制御する。光源装置２４０が調光可能な場合には、制御部２３０が、操作者が指示した調光を実現するためのデジタル調光信号ＤＣＳ又はアナログ調光信号ＡＣＳを生成して、光源装置２４０の半導体装置１００に供給する。それにより、半導体装置１００が、直列接続された複数の半導体光源１１０の発光動作を制御する。
【００５０】
光源装置２４０は、制御部２３０から供給されるデジタル調光信号ＤＣＳ又はアナログ調光信号ＡＣＳに従う明るさで発光して、パネル２５０に光を照射する。例えば、半導体光源１１０が青色光を発生する複数のレーザーダイオードを含む場合に、光源装置２４０は、一部のレーザーダイオードが発生した青色光を受けて黄色光を発生する蛍光体と、波長に従って黄色光から赤色光及び緑色光を分離する分光部とをさらに含んでも良い。その場合には、光源装置２４０が、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の光を発生することができる。
【００５１】
パネル２５０は、画像データ処理部２２０から供給される画像信号及び同期信号に従って、光源装置２４０から照射される光を変調する。例えば、パネル２５０は、ＲＧＢの３色に対応した３枚の液晶パネルを含んでも良い。各々の液晶パネルは、マトリクス状に配置された複数の画素における光の透過率を変化させることによって画像を形成する。パネル２５０によって変調された変調光は、投射光学系２６０に導かれる。
【００５２】
投射光学系２６０は、少なくとも１つのレンズを含んでいる。例えば、パネル２５０によって変調された変調光をスクリーン３００上に投射して結像させるためのレンズ群である投射レンズと、投射レンズの絞りの状態、ズームの状態、又は、シフト位置等を調整する各種の調整機構とが、投射光学系２６０に設けられている。それらの調整機構は、制御部２３０によって制御される。投射光学系２６０が変調光をスクリーン３００上に投射することにより、スクリーン３００に画像が表示される。
【００５３】
本実施形態によれば、直列接続された複数の半導体光源１１０の内のいずれかにおいてオープン故障が発生した際に、他の半導体光源の消灯時間を短くすると共に、その後もオープン故障の発生を表す信号を出力することができる光源装置２４０を用いて、投写型表示装置２００の信頼性を向上させることができる。
【００５４】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…電源回路、２１〜２４…検出回路、２５…電流センスアンプ、２６…コンパレーター、３１〜３４…レベルシフター、４０…電流センスアンプ、５０…制御回路、１００…半導体装置、１１０〜１１４…半導体光源、１２１〜１２４…バイパス回路、２００…投写型表示装置、２１０…電源回路、２２０…画像データ処理部、２３０…制御部、２４０…光源装置、２５０…パネル、２６０…投射光学系、３００…スクリーン、Ｄ１〜Ｄ４…ツェナーダイオード、Ｒ０…電流検出抵抗、Ｒ１〜Ｒ４…バイパス抵抗
【図１】
2019129050.tif 000003
【図２】
2019129050.tif 000004
【図３】
2019129050.tif 000005