(57)【要約】【課題】ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造する。【解決手段】圧電デバイス１（デバイス）は、第１電極層１１２と、第１電極層１１２との間に圧電体層１２１を挟んで第２電極層１２２が形成されたデバイス部１２と、デバイス部１２と離間して形成され、デバイス部１２と同等な積層構造を有する電極パッド１３と、電極パッド１３における第２電極層１２２と第１電極層１１２とを通電する通電部１４と、を備えたことを特徴としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、
前記第１電極層との間に電気的に駆動される素子層を挟んで第２電極層が形成されたデバイス部と、
前記デバイス部と離間して形成され、前記デバイス部と同等な積層構造を有する電極パッドと、
前記電極パッドにおける前記第２電極層と前記第１電極層とを通電する通電部と、
を備えたことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記通電部は、前記電極パッドにおける前記第２電極層の一部が、前記第１電極層に至るまで延出したものであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記通電部は、前記電極パッドにおける前記第２電極層と、前記第１電極層と、に亘って塗布された導電性接着材であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
板状の基体、及び当該基体の表面に形成された第１電極層、を有する基板と、
前記基板上に、前記第１電極層との間に圧電体層を挟んで第２電極層が形成されたデバイス部と、
前記基板上に前記デバイス部と離間して形成され、前記デバイス部と同等な積層構造を有する電極パッドと、
前記電極パッドにおける前記第２電極層と前記基板における前記第１電極層とを通電する通電部と
を備えたことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項５】
基板上の第１電極層との間に電気的に駆動される素子層を挟んで第２電極層が形成されており、前記第２電極層と前記第１電極層とが通電されていることを特徴とする電極パッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス、圧電デバイス、及び電極パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電体を用いて駆動力を発生させる圧電デバイスが知られている。このような圧電デバイスにおいては、圧電体層を挟んで第１電極層と第２電極層が形成されている。これらの電極層を介して圧電体層に駆動信号を印加することで、圧電体層を膨張収縮させて駆動力を発生させるように構成されている。上記のような電極層としては金や白金等の金属層が用いられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ここで、圧電デバイスにおける電極層への配線にワイヤボンディングが利用されることがある。このとき、ワイヤボンディングを行ない易くするために、広く形成した第１電極層の上に、当該第１電極層との間に圧電体層を挟んで第２電極層が形成された島状のデバイス部が形成されることがある。このような構成によれば、デバイス部における第２電極層と、このデバイス部から延出した第１電極層と、に同じ方向からワイヤボンディングを行うことが可能となり便利である。
【０００４】
ワイヤボンディングにおけるワイヤの接合強度の観点からは、接合対象の電極層が金等のように、ワイヤとなじみやすい金属で形成されていることが望ましい。上記のような圧電デバイスの場合、圧電体層の上に形成される第２電極層については形成材料の自由度が高く、上記のような望ましい金属で形成することができる。他方で、圧電体層の下層となる第１電極層については、圧電体層を良好に形成するために白金等のように、金等と比べるとワイヤボンディングにおけるワイヤとなじみ難い金属で形成せざるを得ない場合がある。このような場合には、第１電極層の上に、ワイヤとなじみ易い金属で電極パッドを形成しておく等といったことが行われている。このような電極パッドを設けることで、第１電極層についても良好な接合強度を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１０８１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のように電極パッドを第１電極層に形成した圧電デバイスは、その製造においてデバイス部とは別途に電極パッドを形成する必要があり、その分、工数が嵩むこととなる。
【０００７】
尚、ここまで、ワイヤボンディングのために電極パッドを別途に形成することで工数が嵩むという事情について、圧電デバイスを例に挙げて説明した。しかしながら、このような事情は、圧電デバイスに限るものではなく、電気的に駆動される素子層を第１電極層と第２電極層とで挟んだデバイス部を有するデバイスであれば一般的に生じ得る。更に一般的には、このようなデバイス部に駆動信号を印加する電極パッドについても生じ得る事情である。
【０００８】
したがって、本発明の課題は、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができるデバイス、圧電デバイス、及び電極パッドを提供すること等が一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した課題を解決し目的を達成するために、請求項１に記載の本発明のデバイスは、第１電極層と、前記第１電極層との間に電気的に駆動される素子層を挟んで第２電極層が形成されたデバイス部と、前記デバイス部と離間して形成され、前記デバイス部と同等な積層構造を有する電極パッドと、前記電極パッドにおける前記第２電極層と前記第１電極層とを通電する通電部と、を備えたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施例に係る圧電デバイスを示す模式図である。
【図２】図１に示されている圧電デバイスを製造するための圧電デバイス製造方法を模式的に表した製造フローである。
【図３】図１及び図２を参照して説明した第１実施例の変形例を示す模式図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る圧電デバイスを示す模式図である。
【図５】図１に示されている第１実施例の圧電デバイス、及び、図４に示されている第２実施例の圧電デバイス、の双方と比較するための比較例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を説明する。本発明の実施形態に係るデバイスは、第１電極層と、デバイス部と、電極パッドと、通電部と、を備える。デバイス部は、第１電極層との間に電気的に駆動される素子層を挟んで第２電極層が形成された部位である。電極パッドは、デバイス部と離間して形成され、このデバイス部と同等な積層構造を有する部位である。通電部は、電極パッドにおける第２電極層と第１電極層とを通電する部位である。
【００１２】
本実施形態のデバイスによれば、電極パッドがデバイス部と同等な積層構造を有しているので、電極パッドへのワイヤボンディングは、デバイス部へのワイヤボンディングと同様に、上層に位置する第２電極層に対して行われることとなる。第２電極層は通電部によって第１電極層に通電されるので、上記のような電極パッドへのワイヤボンディングは第１電極層へのワイヤボンディングと電気的にはほぼ同じ効果となる。このとき、第２電極層は、素子層の下層に位置する第１電極層に比べて形成材料の自由度が高いことから、良好な接合強度を得られる材料で形成することができる。そして、電極パッドがデバイス部と同等な積層構造を有しているので、デバイスの製造に際しては、電極パッドをデバイス部と一緒に形成して工数を抑えることが可能となる。このように、本実施形態のデバイスによれば、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができる。
【００１３】
ここで、本実施形態のデバイスにおいて、通電部は、電極パッドにおける第２電極層の一部が、第１電極層に至るまで延出したものであってもよい。これによれば、電極パッドと一緒に通電部も形成することができるので、更に工数を抑えてデバイスを製造することができる。
【００１４】
また、本実施形態のデバイスにおいて、通電部は、電極パッドにおける第２電極層と、第１電極層と、に亘って塗布された導電性接着材であってもよい。これによれば、導電性接着剤の塗布という簡単な手法により通電部を形成することができるので、歩留りの低下を抑えてデバイスを製造することもできる。
【００１５】
また、本発明の実施形態に係る圧電デバイスは、基板と、デバイス部と、電極パッドと、通電部と、を備える。基板は、板状の基体、及び当該基体の表面に形成された第１電極層、を有する部位である。デバイス部は、基板上に、第１電極層との間に圧電体層を挟んで第２電極層が形成された部位である。電極パッドは、基板上にデバイス部と離間して形成され、デバイス部と同等な積層構造を有する部位である。通電部は、電極パッドにおける第２電極層と基板における第１電極層とを通電する部位である。
【００１６】
本実施形態の圧電デバイスによれば、電極パッドがデバイス部と同等な積層構造を有しているので、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができる。
【００１７】
また、本発明の実施形態に係る電極パッドは、基板上の第１電極層との間に電気的に駆動される素子層を挟んで第２電極層が形成されており、第２電極層と第１電極層とが通電されたものとなっている。
【００１８】
本実施形態の電極パッドは、第１電極層との間に素子層を挟んで第２電極層が形成された積層構造を有している。このため、電極パッドへのワイヤボンディングは、上層に位置する第２電極層に対して行われることとなる。第２電極層は第１電極層に通電されるので、上記のような電極パッドへのワイヤボンディングは第１電極層へのワイヤボンディングを意味する。このとき、第２電極層は、素子層の下層に位置する第１電極層に比べて形成材料の自由度が高いことから、良好な接合強度を得ることができる。そして、電極パッドが上記の積層構造を有しているので、例えば、この電極パッドと同等な積層構造のデバイス部にこの電極パッドを組合せたデバイス等の製造に際しては、電極パッドをデバイス部と一緒に形成して工数を抑えることが可能となる。このように、本実施形態の電極パッドによれば、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができる。
【００１９】
尚、本発明の実施形態に係る圧電デバイス及び電極パッドについては、ここでは各々の基本形態についてのみ説明した。しかしながら、これらの圧電デバイス及び電極パッドに対しても、上述した本発明の実施形態に係るデバイスの通電部における各種形態が適用可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００２０】
以下、本発明の実施例について図を参照して具体的に説明する。まず、第１実施例について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１実施例に係る圧電デバイスを示す模式図である。図１の上段には圧電デバイス１の平面図が示され、下段には、Ｖ１１−Ｖ１１線に沿った圧電デバイス１の断面図が示されている。
【００２２】
図１に示されている圧電デバイス１は、圧電体を用いて駆動力を発生させるものであり、基板１１と、デバイス部１２と、電極パッド１３と、通電部１４と、を備えている。
【００２３】
基板１１は、シリコンで形成された板状の基体１１１と、この基体１１１の表面における酸化膜１１１ａの上に白金で形成された第１電極層１１２と、を有している。
【００２４】
デバイス部１２は、基板１１の上に、第１電極層１１２との間に、電気的に駆動される素子層としての圧電体層１２１を挟んで第２電極層１２２が金で形成されたものである。本実施例では、図１の上段の平面視に示されているように、平面視で第２電極層１２２よりも圧電体層１２１が広くなるようにデバイス部１２が形成されている。そして、このデバイス部１２において圧電体層１２１の上層に位置し、金で形成された第２電極層１２２に、ワイヤボンディングによって第１ワイヤＢＷ１が接合される。
【００２５】
電極パッド１３は、基板１１の上に、デバイス部１２と離間して形成された平面視で矩形状の島状部位であり、このデバイス部１２と同等な積層構造を有する。即ち、この電極パッド１３も、デバイス部１２と同様に、第１電極層１１２との間に圧電体層１２１を挟んで第２電極層１２２が金で形成されたものとなっている。そして、この電極パッド１３において圧電体層１２１の上層に位置し、金で形成された第２電極層１２２に、ワイヤボンディングによって第２ワイヤＢＷ２が接合される。
【００２６】
通電部１４は、電極パッド１３における第２電極層１２２と基板１１における第１電極層１１２とを通電する。本実施例では、通電部１４は、電極パッド１３における第２電極層１２２の一部が、矩形状の平面視外形における全外周に亘って延出して垂れ下がることで、第１電極層１１２に至るものとなっている。この通電部１４によって電極パッド１３における第２電極層１２２が第１電極層１１２に通電されるので、上記のような電極パッド１３へのワイヤボンディングは第１電極層１１２へのワイヤボンディングと、電気的にはほぼ同じ効果となる。
【００２７】
以上に説明した圧電デバイス１では、デバイス部１２における第２電極層１２２へのワイヤボンディングと、電極パッド１３における第２電極層１２２へのワイヤボンディングと、により、圧電体層１２１に駆動信号を印加するための配線が行われることとなる。
【００２８】
図２は、図１に示されている圧電デバイスを製造するための圧電デバイス製造方法を模式的に表した製造フローである。この図２では、製造フローにおける各段階が、図１の下段に示されている圧電デバイス１の断面図に対応する断面図で示されている。
【００２９】
この製造フローの第１ステップ（Ｓ１１）は、シリコン製で板状の基体１１１の表面の酸化膜１１１ａの上に白金で第１電極層１１２が形成された基板１１の上に、次のような層構造部材１５を形成する層構造形成工程となっている。層構造部材１５は、第１電極層１１２との間に圧電体層１２１を挟んで第２電極層１２２が金で形成されたものとなっている。
【００３０】
第１ステップ（Ｓ１１）に続く第２ステップ（Ｓ１２）、第３ステップ（Ｓ１３）、及び第４ステップ（Ｓ１４）は、次のような除去工程となっている。除去工程は、層構造部材１５から、図１に示されているデバイス部１２及び電極パッド１３を残して第２電極層１２２を除去する工程である。
【００３１】
まず、第２ステップ（Ｓ１２）において、デバイス部１２及び電極パッド１３をマスクするようにレジストマスク１６が形成される。次の第３ステップ（Ｓ１３）において、エッチング処理が行われ、レジストマスク１６が形成された領域を残して第２電極層１２２が除去される。そして、第４ステップ（Ｓ１４）において、レジストマスク１６が除去される。
【００３２】
第４ステップ（Ｓ１４）に続く第５ステップ（Ｓ１５）、第６ステップ（Ｓ１６）、及び第７ステップ（Ｓ１７）は、次のような通電工程となっている。通電工程は、電極パッド１３における第２電極層１２２と基板１１における第１電極層１１２とを通電する工程である。ここで、本実施例では、この通電工程が、電極パッド１３について、第２電極層１２２の一部が第１電極層１２２に至るまで垂れ下がるように圧電体層１２１を除去する工程となっている。
【００３３】
まず、第５ステップ（Ｓ１５）において、電極パッド１３の一部となる圧電体層１２１と、デバイス部１２の一部となる圧電体層１２１と、を残すようにレジストマスク１７が形成される。このときのレジストマスク１７は、第４ステップ（Ｓ１４）で残された第２電極層１２２を覆うとともに、デバイス部１２の側については、第２電極層１２２の外周から若干張出すように形成される。
【００３４】
次の第６ステップ（Ｓ１６）において、エッチング処理が行われて圧電体層１２１が除去される。このときのエッチングは、レジストマスク１７で覆われている部分の内側まである程度浸食されるようなエッチング時間をかけて行われる。ここでのエッチングにより、電極パッド１３の側については、後述するように通電部１４として垂れ下がる第２電極層１２２が周囲に張り出すように矩形ブロック状の圧電体層１２１が残される。
【００３５】
また、デバイス部１２の側については、上記のように張出したレジストマスク１７の下部に相当する部分の圧電体層１２１が除去される。ここでの除去により、図１に示されるように、デバイス部１２において、平面視で第２電極層１２２よりも若干広い圧電体層１２１が形成される。
【００３６】
第６ステップ（Ｓ１６）におけるエッチング時間は、電極パッドの第２電極層１２２が、後のステップで圧電体層１２１から垂れ下がって通電部１４形成するのに十分な広さで張出した形状となる時間に設定されている。このとき、デバイス部１２の側についても、電極パッド側と同じ量の圧電体層１２１が除去される。そのときにデバイス部１２の圧電体層１２１が除去されることで、デバイス部１２の第２電極層１２２が第１電極層１１２に向けて垂れ下がることがないように、第５ステップ（Ｓ１５）では、デバイス部１２の側についてはレジストマスク１７が上記のように張出した形状で広めに形成される。
【００３７】
最後に第７ステップ（Ｓ１７）において、レジストマスク１７が除去される。このときのレジストマスク１７の除去は、溶剤を用いたウェット法により行われる。これにより、圧電体層１２１から張出した電極パッド１３の側の第２電極層１２２が下方へと垂れ下がる。そして、矩形ブロック状の圧電体層１２１の四側面から第１電極層１１２にかけて表面張力により強固に貼り付く。この貼り付きにより通電部１４が形成される。
【００３８】
本実施例では、上記の第２ステップ（Ｓ１２）から第４ステップ（Ｓ１４）に至る除去工程において、電極パッド１３の側については、通電部１４として機能する分も含めて広めに第２電極層１２２を残すようにレジストマスク１６が形成される。
【００３９】
第７ステップ（Ｓ１７）により、基板１１の上に、圧電体層１２１と第２電極層１２２とを有するデバイス部１２と、これと同等な積層構造を有する電極パッド１３と、電極パッド１３の第２電極層１２２を第１電極層１１２に通電する通電部１４と、が完成する。即ち、この第７ステップ（Ｓ１７）によって図１に示されている圧電デバイス１が完成し、本実施例における圧電デバイス製造方法が終了する。
【００４０】
次に、図１及び図２を参照して説明した第１実施例の変形例について説明する。この変形例は、通電部の形状が第１実施例における通電部１４の形状と異なっている。
【００４１】
図３は、図１及び図２を参照して説明した第１実施例の変形例を示す模式図である。この図３には、図２に示されている第５ステップ（Ｓ１５）から第７ステップ（Ｓ１７）に至る通電工程に相当する３つのステップを示すことで、変形例における通電部１４１が示されている。
【００４２】
まず、変形第５ステップ（Ｓ１５１）に至るまでの除去工程で、電極パッド１３１の側について、第２電極層１２２が、ワイヤボンディングの対象となる矩形状の領域から、通電部１４１として機能する枝状に延出した第２電極層１２２及びその下の圧電体層１２１が残される。変形第５ステップ（Ｓ１５１）では、この残された第２電極層１２２を覆うようにレジストマスク１７１が形成され、これに続いて、圧電体層１２１のエッチングが行われる。図３では、変形第５ステップ（Ｓ１５１）について、圧電体層１２１が、レジストマスク１７１の直下の部分が残る段階まで除去された状態が図示されている。
【００４３】
変形第５ステップ（Ｓ１５１）に続く、変形第６ステップ（Ｓ１６１）でも圧電体層１２１のエッチングが続けられる。ここでのエッチングは、枝状に延出した第２電極層１２２の下の圧電体層１２１が除去されるまで行われる。このようなエッチングの程度は、エッチング時間を適宜に調節することでコントロールされる。
【００４４】
最後に変形第７ステップ（Ｓ１７１）において、レジストマスク１７が溶剤を用いたウェット法により除去される。以上の工程により、上記のように第２電極層１２２の枝状の部分が、矩形ブロック状の圧電体層１２１から下方へと垂れ下がって第１電極層１１２にかけて貼り付く。第２電極層１２２における枝状の部分が第１電極層１１２に達するまで貼り付いて通電部１１４が確実に形成されることとなる。
【００４５】
次に、第２実施例について説明する。この第２実施例は、その通電部が、上述した第１実施例や変形例と異なっている。以下、第２実施例について、第１実施例との相違点である通電部に注目して説明する。
【００４６】
図４は、本発明の第２実施例に係る圧電デバイスを示す模式図である。図４の上段には圧電デバイス２の平面図が示され、下段には、Ｖ２１−Ｖ２１線に沿った圧電デバイス２の断面図が示されている。尚、この図４では、図１に示されている第１実施例の圧電デバイス１の構成要素と同等な構成要素については、図１と同じ符号が付されており、以下では、それら同等な構成要素の重複説明を省略する。
【００４７】
図４に示されている圧電デバイス２は、上述の第１実施例と同様に、シリコン製の基体１１１の酸化膜１１１ａの上に白金製の第１電極層１１２が形成された基板１１を備えている。そして、この基板１１における第１電極層１１２の上に、デバイス部２２と、電極パッド２３と、通電部２４と、が形成されている。
【００４８】
ここで、本実施例では、デバイス部２２における圧電体層２２１と第２電極層２２２が平面視で互いに同形状に形成されている。同様に、電極パッド２３における圧電体層２２１と第２電極層２２２についても平面視で互いに同形状に形成されている。デバイス部２２において圧電体層２２１の上層に位置し、金で形成された第２電極層２２２に、ワイヤボンディングによって第１ワイヤＢＷ１が接合される。また、電極パッド２３において圧電体層２２１の上層に位置し、金で形成された第２電極層２２２に、ワイヤボンディングによって第２ワイヤＢＷ２が接合される。
【００４９】
そして、通電部２４が、電極パッド２３における第２電極層２２２と、基板１１における第１電極層１１２と、に亘って塗布された導電性接着材となっている。
【００５０】
本実施例では、上述の第１実施例のように電極パッド１３における第２電極層１２２を垂れ下がらせて通電部１４を形成するものではないことから、エッチングの際に、このように垂れ下がらせる第２電極層１２２を残す必要がない。このため、本実施例では、上記のように、デバイス部２２及び電極パッド２３のそれぞれにおいて、圧電体層２２１と第２電極層２２２が平面視で互いに同形状に形成されることとなっている。
【００５１】
本実施例における圧電デバイス製造方法は、上記のように第２電極層１２２を残すためのレジストマスクの範囲が異なる他は、基本的に、図２に示す第１実施例における圧電デバイス製造方法と同じである。ただし、本実施例では、第１実施例の第７ステップ（Ｓ１７）のように第２電極層１２２で通電部１４が形成される必要がない。本実施例では、このレジストマスク１７の除去までの工程では、単に、残された第２電極層２２２と対応する圧電体層２２１が除去されるだけである。そして、この後に、電極パッド２３における第２電極層２２２、及び基板１１における第１電極層１１２に亘って導電性接着剤を塗布して通電部２４を形成する通電工程が行われる。この通電部２４の形成を以て、図４の圧電デバイス２が完成することとなる。
【００５２】
図５は、図１に示されている第１実施例の圧電デバイス、及び、図４に示されている第２実施例の圧電デバイスと、本発明を用いない場合の圧電デバイスとを比較するための比較例を示す図である。
【００５３】
この図５に示されている比較例の圧電デバイス５は、電極パッド５３を除いて、図４に示されている第２実施例の圧電デバイス２と同等の構成を有している。尚、図５では、図４に示されている第２実施例の圧電デバイス２の構成要素と同等な構成要素については、図４と同じ符号が付されており、以下では、それら同等な構成要素の重複説明を省略する。
【００５４】
この比較例の圧電デバイス５も、シリコン製の基体１１１の酸化膜１１１ａの上に白金製の第１電極層１１２が形成された基板１１を備えている。そして、この基板１１における第１電極層１１２の上に、平面視で互いに同形状に形成された圧電体層２２１と第２電極層２２２を有するデバイス部２２と、電極パッド５３と、が形成されている。
【００５５】
ここで、この比較例の圧電デバイス５では、基板１１における第１電極層１１２の上に金により単層の電極パッド５３が形成されている。この電極パッド５３は、デバイス部２２の第２電極層２２２に対するワイヤボンディングによる第１ワイヤＢＷ１の接合と、同等な接合強度を、第１電極層１１２に対するワイヤボンディングによる第２ワイヤＢＷ２の接合について得るためのものである。
【００５６】
この比較例の圧電デバイス５は、その製造においてデバイス部２２２とは別途に単層の電極パッド５３を形成する必要があり、その分、工数が嵩むこととなる。
【００５７】
これに対し、上述した第１実施例、その変形例、及び第２実施例の圧電デバイス１，２によれば、何れにおいても、電極パッド１３，２３，１３１がデバイス部１２，２２と同等な積層構造を有している。電極パッド１３，２３，１３１へのワイヤボンディングは、デバイス部１２，２２へのワイヤボンディングと同様に、上層に位置する第２電極層１２２，２２２に対して行われることとなる。第２電極層１２２，２２２は通電部１４，２４，１４１によって第１電極層１１２に通電されるので、上記のような電極パッド１３，２３，１３１へのワイヤボンディングは第１電極層１１２へのワイヤボンディングと電気的にほぼ同じ効果となる。このとき、第２電極層１２２，２２２は、圧電体層１２１，２２１の下層に位置する第１電極層１１２に比べて形成材料の自由度が高いことから、良好な接合強度を得るために金で形成されている。そして、電極パッド１３，２３，１３１がデバイス部１２，２２と同等な積層構造を有しているので、圧電デバイス１，２の製造に際しては、デバイス部１２，２２の製造工程において、電極パッド１３，２３，１３１を同時に形成して製造工数を抑えることが可能となる。このように、第１実施例、その変形例、及び第２実施例の圧電デバイス１，２によれば、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができる。
【００５８】
ここで、第１実施例の圧電デバイス１やその変形例では、通電部１４，１４１が、電極パッド１３，１３１における第２電極層１２２の一部が、第１電極層１１２に至るまで延出したものとなっている。これによれば、電極パッド１３，１３１の製造工程において、同時に通電部１４，１４１も形成することができるので、更に工数を抑えてデバイスを製造することができる。
【００５９】
また、第２実施例の圧電デバイス２では、通電部２４が、電極パッド２３における第２電極層２２２と、基板１１における第１電極層１１２と、に亘って塗布された導電性接着材となっている。これによれば、導電性接着剤の塗布という簡単な手法により通電部２４を形成することができるので、歩留りの低下を抑えて圧電デバイス２を製造することができる。
【００６０】
また、上述した第１実施例、その変形例、及び第２実施例を、各圧電デバイス１，２で採用されている電極パッド１３，２３，１３１について見た場合にも、以下のことが言える。
【００６１】
即ち、第１実施例、変形例、及び第２実施例の電極パッド１３，２３，１３１は、第１電極層１１２との間に圧電体層１２１，２２１を挟んで第２電極層１２２，２２２が形成された積層構造を有している。このため、電極パッド１３，２３，１３１へのワイヤボンディングは、上層に位置する第２電極層１２２，２２２に対して行われることとなる。第２電極層１２２，２２２から通電部１４、１４１を介して第１電極層１１２に通電されるので、上記のような電極パッド１３，２３，１３１へのワイヤボンディングは第１電極層１１２へのワイヤボンディングと電気的にほぼ同じ効果となる。このとき、第２電極層１２２，２２２は、圧電体層１２１の下層に位置する第１電極層１１２に比べて形成材料の自由度が高いことから、良好な接合強度を得るために金で形成されている。そして、電極パッド１３，２３，１３１が上記の積層構造を有しているので、この電極パッド１３，２３，１３１と同等な積層構造のデバイス部１２，２２にこの電極パッド１３，２３，１３１を組合せた圧電デバイス１，２の製造に際しては、デバイス部１２，２２の製造工程において電極パッド１３，２３，１３１を同時に形成して工数を抑えることが可能となる。このように、第１実施例、変形例、及び第２実施例の電極パッド１３，２３，１３１によれば、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができる。
【００６２】
また、上述した第１実施例、その変形例、及び第２実施例を、各圧電デバイス１，２を製造するための圧電デバイス製造方法について見た場合にも、以下のことが言える。
【００６３】
即ち、第１実施例、変形例、及び第２実施例の圧電デバイス製造方法によれば、製造された圧電デバイス１，２における電極パッド１３，２３，１３１がデバイス部１２，２２と同等な積層構造を有することとなる。このため、電極パッド１３，２３，１３１へのワイヤボンディングは、デバイス部１２，２２へのワイヤボンディングと同様に、上層に位置する第２電極層１２２，２２２に対して行われることとなる。第２電極層１２２，２２２から通電部１４、１４１を介して第１電極層１１２に通電されるので、上記のような電極パッド１３，２３，１３１へのワイヤボンディングは第１電極層１１２へのワイヤボンディングと電気的にほぼ同じ効果となる。このとき、第２電極層１２２，２２２は、圧電体層１２１，２２１の下層に位置する第１電極１１２に比べて形成材料の自由度が高いことから、良好な接合強度を得るために金で形成される。そして、上記の除去工程と通電工程とを経て、デバイス部１２，２２の製造工程において電極パッド１３，２３，１３１が同時に形成されるので、工数を抑えることが可能となる。このように、第１実施例、変形例、及び第２実施例の圧電デバイス製造方法によれば、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えてデバイスを製造することができる。
【００６４】
また、第１実施例のデバイス製造方法やその変形例では、通電工程が、電極パッド１３，１３１について、第２電極層１２２の一部が第１電極層１１２に至るまで垂れ下がるように圧電体層１２１を除去する工程となっている。これによれば、電極パッド１３，１３１の製造工程において同時に通電部１４，１４１も形成することができるので、更に工数を抑えてデバイスを製造することができる。
【００６５】
また、上述した第１実施例、その変形例、及び第２実施例を、各圧電デバイス製造方法で採用されている電極パッド製造方法について見た場合にも、以下のことが言える。
【００６６】
即ち、第１実施例、変形例、及び第２実施例の電極パッド製造方法は、次の２つの工程を備えている。つまり、基板１１の上の第１電極層１１２との間に圧電体層１２１，２２１を挟んで第２電極層１２２，２２２を形成する工程と、第２電極層１２２，２２２と第１電極層１１２とを通電する工程と、である。前者の工程は、図１の第１〜第４ステップ（Ｓ１１〜Ｓ１４）がこれに当り、後者の工程は、図１の第５〜第７ステップ（Ｓ１５〜Ｓ１７）がこれに当る。
【００６７】
この電極パッド製造方法によれば、製造された電極パッド１３，２３が、第１電極層１１２との間に圧電体層１２１，２２１を挟んで第２電極層１２２，２２２が形成された積層構造を有することとなる。このため、製造された電極パッド１３，２３へのワイヤボンディングは、上層に位置する第２電極層１２２，２２２に対して行われることとなる。第２電極層１２２，２２２から通電部１４、１４１を介して第１電極層１１２に通電されるので、上記のような電極パッド１３，２３へのワイヤボンディングは第１電極層１１２へのワイヤボンディングと電気的にほぼ同じ効果となる。このとき、第２電極層１２２，２２２は、圧電体層１２１，２２１の下層に位置する第１電極１１２に比べて形成材料の自由度が高いことから、良好な接合強度を得るために金で形成している。そして、電極パッド１３，２３が上記の積層構造を有することとなるので、この電極パッド１３，２３と同等な積層構造のデバイス部１２，２２にこの電極パッド１３，２３を組合せた圧電デバイス１，２の製造に際しては、デバイス部１２，２２の製造工程において電極パッド１３，２３，１３１を同時に形成して工数を抑えることが可能となる。このように、第１実施例、変形例、及び第２実施例の電極パッド製造方法によれば、ワイヤボンディングについての良好な接合強度を担保しつつも、工数を抑えて製造することができる。
【００６８】
尚、本発明は、以上に説明した実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成できる他の構成等を含み、以下に示すような変形等も本発明に含まれる。
【００６９】
例えば、上述した第１実施例、変形例、及び第２実施例では、本発明にいうデバイスの一例として、第１電極層１１２と第２電極層１２２，２２２との間に圧電体層１２１，２２１を挟んだデバイス部１２，２２を備えた圧電デバイス１，２が例示されている。しかしながら、本発明にいうデバイスはこれらに限るものではなく、第１電極層との間に電気的に駆動される素子層を挟んで第２電極層が形成されたデバイス部を備えるものであれば、２つの電極層で挟まれる素子層については任意に設定し得る。
【００７０】
また、上述した第１実施例、変形例、及び第２実施例では、本発明にいうデバイス、圧電デバイス、及び電極パッドの各一例として、図１、図３、及び図４に示されている形状の圧電デバイス１，２、及び電極パッド１３，２３が例示されている。しかしながら、本発明にいうデバイス、圧電デバイス、及び電極パッドはこれらに限るものではなく、その具体的な形状を問うものではない。
【符号の説明】
【００７１】
１，２    圧電デバイス
１１      基板
１２，２２    デバイス部
１３，２３，１３１    電極パッド
１４，２４，１４１    通電部
１５      層構造部材
１６，１７，１７１      レジストマスク
１１１    基体
１１１ａ  酸化膜
１１２    第１電極層
１２１，２２１    圧電体層
１２２，２２２    第２電極層
ＢＷ１    第１ワイヤ
ＢＷ２    第２ワイヤ
【図１】
2019146095.tif 000003
【図２】
2019146095.tif 000004
【図３】
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【図４】
2019146095.tif 000006
【図５】
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