(57)【要約】【課題】撥液層をテンプレートの所望の領域に形成することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態の基板処理装置は第１チャンバ内に配置され、第１領域を有する被加工物を保持する保持部と、前記第１領域に対応する第２領域に前記被加工物の第１領域を構成する材料よりもモース硬度が低い材料によって構成され前記第１領域を遮蔽可能な膜と、前記膜の外周部に沿って厚さ方向に貫通するガス供給孔とを有する遮蔽板と、を備える。【選択図】図１
2019040957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１チャンバ内に配置され、第１領域を有する被加工物を保持する保持部と、
前記第１領域に対応する第２領域に前記被加工物の第１領域を構成する材料よりもモース硬度が低い材料によって構成され前記第１領域を遮蔽可能な膜と、前記膜の外周部に沿って厚さ方向に貫通するガス供給孔とを有する遮蔽板と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記被加工物の前記第１領域と接触した状態で前記遮蔽板を保持する遮蔽板保持部と、
前記第１チャンバ内の前記遮蔽板保持部に対して前記被加工物と反対側に設けられる撥液材料を保持する撥液材料保持部と、
前記撥液材料を加熱する撥液材料加熱部と、
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記膜は、前記被加工物を構成する材料よりも表面エネルギが小さい材料により構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記膜は、アルキル基およびシリル基のいずれかを有するシリコーン材料またはフルオロカーボン材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１チャンバ内に前記被加工物を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１チャンバと異なる第２チャンバを更に有し、前記第２チャンバ内に、前記遮蔽板に前記膜を製膜する製膜装置をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記製膜装置は、ＡＬＤ装置、ＣＶＤ装置、スピンコーティング装置またはインクジェット装置であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
テンプレートの台座部が接触する領域の外周部に沿って厚さ方向に貫通するガス供給孔を有する遮蔽板であって、
前記領域に前記テンプレートを構成する材料よりもモース硬度が低い材料からなる膜を備えることを特徴とする遮蔽板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置および遮蔽板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばインプリントに用いられるテンプレート等の被加工物に、遮蔽版を用いて撥液層を形成する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１９５２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、撥液層をテンプレートの所望の領域に形成することができる基板処理装置および遮蔽板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、保持部と、遮蔽板と、を備える基板処理装置が提供される。前記保持部は、第１チャンバ内に配置され、第１領域を有する被加工物を保持する。前記遮蔽板は、前記第１領域に対応する第２領域に前記被加工物の第１領域を構成する材料よりもモース硬度が低い材料によって構成され前記第１領域を遮蔽可能な膜と、前記膜の外周部に沿って厚さ方向に貫通するガス供給孔とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態による基板処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、テンプレートの概略構成の一例を示す断面図である。
【図３−１】図３−１は、実施形態による遮蔽板の構成の一例を模式的に示す図である。
【図３−２】図３−２は、実施形態による遮蔽板の構成の一例を模式的に示す図である。
【図４】図４は、実施形態による遮蔽板の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、実施形態によるテンプレートの撥液膜の形成状態の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、インプリント方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、実施形態よる基板処理装置の概略構成の一例を示すブロック図である。
【図８】図８は、比較例による基板処理方法の様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる基板処理装置、遮蔽板およびテンプレートの処理方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
基板処理装置は、たとえばテンプレートの台座部側面およびレジストとの対向面のうち台座部分を除いた領域（第１面）に、撥液膜を形成する装置である。この撥液膜によって、テンプレートを基板上のレジストに押印しているときに、レジストがテンプレートの台座部から台座部側面に染み出すことが抑制される。なお、本実施形態の基板処理装置はテンプレート以外の被加工物にも使用できる。
【０００９】
図１は、実施形態による基板処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。基板処理装置１は、チャンバ１０内に、撥液材料保持部１１と、撥液材料加熱部である撥液材料ヒータ１２と、を備える。撥液材料保持部１１は、被加工物に形成する撥液膜の原料となる撥液材料２１を保持する。撥液材料２１として、たとえばフルオロカーボン系の溶剤などを例示することができる。撥液材料ヒータ１２は、撥液材料保持部１１に保持されている撥液材料２１を蒸発させるために加熱するヒータである。
【００１０】
チャンバ１０内の撥液材料保持部１１よりも上の空間には、遮蔽板３０が設けられる。遮蔽板３０の詳細な構造については後述する。遮蔽板３０は、たとえばチャンバ１０の内壁に設けられた遮蔽板保持部１３によって、保持される。遮蔽板保持部１３は、遮蔽板３０が水平となるように、遮蔽板３０の周縁部付近を保持する。
【００１１】
チャンバ１０内の遮蔽板３０よりも上の空間には保持部１４と、加熱部であるヒータ１５と、が設けられる。保持部１４は、撥液膜の形成対象である被加工物４０を保持する。本実施形態においては被加工物は例えばテンプレートであり、テンプレートのパターン形成面を下側（遮蔽板３０側）にして保持する。以降、被加工物４０をテンプレート４０として説明する。保持部１４は、たとえば真空チャック機構または静電チャック機構などでテンプレート４０を保持し、上下方向に移動可能な構成を有する。ヒータ１５は、撥液膜形成中のテンプレート４０の温度を所定の温度にするためのヒータである。図１の例では、ヒータ１５は、保持部１４内に埋め込まれている。
【００１２】
図２は、本実施形態によるテンプレートの概略構成の一例を示す断面図である。テンプレート４０は、矩形状のテンプレート基板４１が加工されたものである。テンプレート基板４１の第１面４３側（遮蔽版との対向面側）の中央付近には、インプリント処理時に図示しない基板上のレジストと接触する凹凸パターンが設けられる台座（メサ）部４２が設けられる。台座部４２は第１面４３に対して突出したメサ構造を有する。台座部４２の遮蔽版との対向面は、凹凸パターンが設けられているので、パターン形成面４４となる。実施形態のテンプレート処理によって台座部側面４２ｔと第１面４３には、撥液膜４５が設けられる。テンプレート基板４１は、たとえば石英ガラスから構成される。
【００１３】
図１に戻り、チャンバ１０の側面には、開口部が設けられており、この開口部を塞ぐようにゲートバルブ１６が設けられる。テンプレート４０および遮蔽板３０は、開口部を介してチャンバ１０の中に搬送され、またチャンバ１０の中から搬出される。
【００１４】
なお、チャンバ１０には、チャンバ１０内の圧力が所定の値となるように排気部が設けられていてもよい。排気部は、たとえば真空ポンプである。
【００１５】
つぎに、遮蔽板３０について説明する。図３-１および３−２は、実施形態による遮蔽板の構成例を模式的に示す図であり、それぞれ（ａ）はテンプレートとの対向面を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。遮蔽板３０は、たとえば矩形状のプレート３１によって構成される。撥液膜形成時にテンプレート４０のパターン形成面４４（台座部４２）と接触するプレート３１の領域を遮蔽領域Ｒとする。テンプレート４０を遮蔽板３０に接触させたときに、遮蔽領域Ｒは、テンプレート４０のパターン形成面４４を完全に覆う。撥液膜がパターン形成面４４に形成されないように、遮蔽領域Ｒのサイズはパターン形成面４４のサイズと同じであることが望ましいが、遮蔽領域Ｒのサイズがパターン形成面４４のサイズよりも大きくてもよい。つまり、台座部４２の遮蔽板３０との対向面と同じ大きさでよい。遮蔽版３０はたとえば石英ガラスなどによって構成される。
【００１６】
遮蔽領域Ｒの外周部には、所定の間隔でガス供給孔３２が設けられる。ガス供給孔３２は、たとえばプレート３１を厚さ方向に貫通するように設けられる。遮蔽領域Ｒは、ガス供給孔３２を順に線で結んだ領域の内側に相当する。ガス供給孔３２は、図１の基板処理装置１で、撥液材料保持部１１から蒸発した撥液材料２１を、テンプレート４０へと供給するために設けられる。
【００１７】
遮蔽板３０の遮蔽領域Ｒの少なくとも周縁部には低硬度膜３３が設けられる。低硬度膜３３は、テンプレート４０を構成する材料よりもたとえばモース硬度が低い材料によって構成される。すなわち、撥液膜形成処理の際に、テンプレート４０のパターン形成面４４を遮蔽板３０に接触させるが、この接触によってパターン形成面４４が傷つかないように、テンプレート４０を構成する材料よりもモース硬度が低い材料が選ばれる。テンプレート４０は、たとえば石英ガラスによって構成される。石英ガラスのモース硬度は５．５〜６．５であるので、このモース硬度よりも低い材料が低硬度膜３３として選択される。低硬度膜３３の厚さは、３ｎｍ以上であればよく、５〜１００ｎｍであることが望ましい。
【００１８】
また、低硬度膜３３は、テンプレート４０を構成する材料よりもたとえば表面エネルギが低い材料によって構成される。通常、撥液材などの有機汚染物、周囲からの無機物のパーティクルなどのコンタミネーションが遮蔽板３０に吸着する。もし、テンプレート４０を構成する材料よりも表面エネルギが高い材料によって低硬度膜３３が構成されると、撥液膜形成処理の際にテンプレート４０と遮蔽板３０とを接近させて接触させたときに、コンタミネーションが遮蔽板３０からテンプレート４０へと転写されてしまう。しかし、テンプレート４０を構成する材料よりも表面エネルギが低い材料によって低硬度膜３３を構成することで、テンプレート４０と遮蔽板３０とを接近させて接触させたときに、コンタミネーションの遮蔽板３０からテンプレート４０への転写が抑制される。
【００１９】
テンプレート４０が石英ガラスによって構成される場合には、低硬度膜３３は、石英ガラスよりもモース硬度が低い光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂によって構成される。また、低硬度膜３３は、アルキル基またはシリル基を有する高分子材料であることが望ましい。このような材料として、シリコーン材料のＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）を例示することができる。ＰＤＭＳは、ゴム状の膜である。また、フルオロカーボン材料として、Ｃ8Ｆ13Ｈ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3を例示することができる。
【００２０】
低硬度膜３３は、図３−１に示されるように、遮蔽領域Ｒ全体に設けられていてもよい。また、テンプレート４０のパターン形成面４４への低硬度膜３３の接触面積をなるべく小さくするため、図３−２に示されるように、低硬度膜３３は、遮蔽領域Ｒの周縁部に設けられていてもよい。接触面積を小さくすることにより低硬度膜３３から凹凸パターンに不純物が転写する可能性を低減できる。さらには、たとえばガス供給孔３２の内壁、あるいはテンプレート４０と対向する遮蔽領域Ｒ以外の領域に設けられていてもよい。以上のように少なくとも遮蔽領域Ｒの周縁部に低硬度膜３３を設けることで、撥液材料のパターン形成面４４への混入と吸着を防止できる。
【００２１】
ここで、遮蔽板３０の製造方法について説明する。図４は、実施形態による遮蔽板の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。まず、図４（ａ）に示されるように、矩形状のプレート３１を用意する。プレート３１は、たとえば石英ガラスによって構成される。ついで、図４（ｂ）に示されるように、プレート３１の遮蔽領域Ｒとなる領域の外周部に沿って、所定の間隔でガス供給孔３２を形成する。ガス供給孔３２は、たとえばマシニングセンタ、レーザ加工装置などによって形成される。
【００２２】
ついで、図４（ｃ）に示されるように、ＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）法またはＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法によって、少なくともプレート３１の遮蔽領域Ｒを含む領域に低硬度膜３３を形成する。ＡＬＤ法では、１原子層の低硬度膜３３が形成される。また、１原子層を形成した後、表面を酸化させてさらにその上に１原子層を形成していくというＡＬＤサイクルで、複数の原子層が積層された低硬度膜３３を形成してもよい。ＣＶＤ法では、ある厚さの連続性の低硬度膜３３が形成される。
【００２３】
遮蔽領域Ｒのみに低硬度膜３３を形成する場合には、遮蔽領域Ｒ以外の領域をレジストなどのマスクで覆った後、上記の方法によって低硬度膜３３が形成される。また、遮蔽領域Ｒ以外の領域にも低硬度膜３３が形成されてもよい場合には、プレート３１の表面をマスクすることなく、上記の方法によって低硬度膜３３が形成される。
【００２４】
なお、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法によって生成された低硬度膜３３が硬化しない場合には、低硬度膜３３を形成した後、紫外線照射また加熱が行われる。低硬度膜３３が光硬化性樹脂の場合には、低硬度膜３３への紫外線照射によって低硬度膜３３の硬化が行われ、低硬度膜３３が熱硬化性樹脂の場合には、プレート３１の加熱によって低硬度膜３３の硬化が行われる。以上によって、遮蔽板３０が形成される。
【００２５】
なお、上記の遮蔽板３０の製造方法は、一例であり、他の方法によって製造されてもよい。たとえば、プレート３１に低硬度膜３３を形成した後に、ガス供給孔３２を形成してもよい。また、プレート３１の遮蔽領域Ｒ上に低硬度膜３３の原料となる溶剤を滴下し、スピンコート法によって遮蔽領域Ｒを含むプレート３１の表面に溶剤を塗布した後、紫外線照射または加熱によって溶剤を硬化させることによって、低硬度膜３３を形成してもよい。さらに、低硬度膜３３の原料となる溶剤をインクジェット法またはスクリーン印刷法などの印刷法によりプレート３１の遮蔽領域Ｒの周縁部に形成してもよいし、ＰＤＭＳのシートを貼り付けてもよい。
【００２６】
つぎに、このような基板処理装置１を用いたテンプレート４０の処理方法について図１を用いて説明する。まず、基板処理装置１のゲートバルブ１６を開け、チャンバ１０内の遮蔽板保持部１３に、低硬度膜３３をテンプレートと対向する側にした状態で遮蔽板３０を載置する。なお、遮蔽板３０は、テンプレートへの撥液化処理前に洗浄されている。また、凹凸パターンが形成されたテンプレート４０をチャンバ１０内の保持部１４に保持させる。テンプレート４０は、パターン形成面４４（台座部４２）が遮蔽板３０と対向するように保持部１４に保持される。その後、ゲートバルブ１６が閉じられる。
【００２７】
ついで、テンプレート４０と遮蔽板３０との位置合わせを行った後、テンプレート４０のパターン形成面４４が遮蔽板３０の低硬度膜３３と接触するまで、保持部１４を下方向（遮蔽版３０側）に下げる。低硬度膜３３は、テンプレート４０よりもモース硬度が低いので、両者を接触させたとしても、テンプレート４０のパターン形成面４４を傷つけることがない。また、低硬度膜３３の表面エネルギがテンプレート４０の表面エネルギよりも小さいので、両者を接近させて接触させる過程で、遮蔽板３０に吸着している有機汚染物または無機物のパーティクルなどのコンタミネーションがテンプレート４０へと転写されることがない。
【００２８】
その後、撥液材料ヒータ１２によって撥液材料保持部１１中のフルオロカーボン系の撥液材料２１を加熱し、気化させる。図５は、実施形態によるテンプレートの撥液膜の形成状態の一例を模式的に示す断面図である。図５に示されるように、気化された撥液材料２１ｇが遮蔽板３０のガス供給孔３２を介してテンプレート４０の下面側、すなわちテンプレート４０の第１面４３と台座部側面４２ｔとに付着する。なお、図３−１に示される構造の遮蔽板３０を用いる場合には、パターン形成面４４は遮蔽板３０の低硬度膜３３と接触しているので、パターン形成面４４には気化された撥液材料２１ｇは吸着しない。また、図３−２に示される構造の遮蔽板３０を用いる場合でも、パターン周縁部のみに遮蔽板３０の低硬度膜３３が接触しているので、パターン領域のほとんどを遮蔽板３０と接触されず、かつパターン形成面４４には気化された撥液材料２１ｇは吸着されない。このとき、ヒータ１５によってテンプレート４０が所定の温度に加熱される。所定時間が経過した後、撥液材料ヒータ１２およびヒータ１５による加熱を停止し、テンプレート４０を冷却する。これによって、テンプレート４０の台座部側面４２ｔと第１面４３に撥液膜４５が形成される。
【００２９】
ついで、ゲートバルブ１６を開き、テンプレート４０と遮蔽板３０をチャンバ１０内から取り出した後、再びゲートバルブ１６を閉じる。取り出されたテンプレート４０は、インプリント処理に使用される。
【００３０】
図６は、インプリント方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。インプリント処理では、たとえば図６（ａ）に示されるように半導体基板３００上にレジスト３１０ａを塗布する。ついで、図６（ｂ）に示されるように、上述した撥液膜４５が形成されたテンプレート４０のパターン形成面４４をレジスト３１０ａに押印させ、レジスト３１０ａを硬化させる。その後、図６（ｃ）に示されるように、テンプレート４０をレジストから離型することによって硬化されたレジストパターン３１０が半導体基板３００上に転写される。以上によって、テンプレート４０の処理が終了する。インプリントに使用されたテンプレートおよび遮蔽板３０には、レジストなどが吸着し、またはフルオロカーボン系の膜が付着しているので、上述したテンプレートへの撥液膜４５を形成する処理には、前処理として洗浄が行われる。
【００３１】
なお、遮蔽板３０に設けている低硬度膜３３は、低硬度膜３３が劣化するまであるいは低硬度膜３３が使用できない状態になるまで繰り返し使用してもよいし、インプリント処理毎に低硬度膜３３を付け直してもよい。低硬度膜３３を付け直す場合には、油または溶剤を低硬度膜３３に染み込ませ、膨潤させた後、プレート３１から低硬度膜３３を除去すればよい。プレート３１を洗浄した後、上記した手順で低硬度膜３３をプレート３１に再び形成することができる。また、低硬度膜３３が劣化した場合あるいは低硬度膜３３が使用できない状態になった場合にも、同様の手順で低硬度膜３３の付け替えを行うことができる。
【００３２】
また、上記した基板処理装置１は、遮蔽板３０を用いてテンプレート４０に撥液膜４５を形成するものであったが、遮蔽板３０に対して種々の処理を行う機能を持たせてもよい。図７は、実施形態による基板処理装置の概略構成の一例を示すブロック図である。基板処理装置１は、ロードロック室１０１、前処理室１０２、蒸着室１０３および後処理室１０４を備える。ロードロック室１０１は、前処理室１０２、蒸着室１０３および後処理室１０４と隣接して配置される。ロードロック室１０１は、外部から搬送されたテンプレート４０を大気開放せずに、蒸着室１０３に搬送する際の中継室である。また、ロードロック室１０１は、遮蔽板３０を大気開放せずに前処理室１０２と蒸着室１０３と後処理室１０４との間で搬送する際の中継室でもある。
【００３３】
前処理室１０２は、蒸着前の不要物除去、および下地改質を行う処理室であり、具体的には、遮蔽板３０を洗浄したり、遮蔽板３０に低硬度膜３３を形成したりする処理室である。前処理室１０２は、チャンバ内に、たとえば洗浄装置、ＡＬＤ装置、ＣＶＤ装置、スピンコーティング装置またはインクジェット装置などが配置されたものである。
【００３４】
蒸着室１０３は、テンプレート４０に撥液膜４５を形成する処理室である。蒸着室１０３は、たとえば図１に示した遮蔽板３０を内部に含むチャンバ１０によって構成される。
【００３５】
後処理室１０４は、蒸着後の不要物除去、および改質を行う処理室であり、具体的には、遮蔽板３０の低硬度膜３３を除去する処理室である。後処理室１０４では、上記したように、油または溶剤を低硬度膜３３に染み込ませて膨潤させて、膨潤した低硬度膜３３を除去する処理が行われる。
【００３６】
このような基板処理装置１における処理の概要について説明する。たとえば外部からロードロック室１０１にテンプレート４０と遮蔽板３０とがロードされる。遮蔽板３０は、前処理室１０２に搬送され、洗浄された後、プレート３１の遮蔽領域Ｒに低硬度膜３３が形成される。その後、前処理室１０２からロードロック室１０１を介して蒸着室１０３へと遮蔽板３０が搬送される。また、ロードロック室１０１からテンプレート４０が蒸着室１０３へと搬送される。蒸着室１０３では、上記した撥液膜４５を形成する撥液処理が行われる。撥液処理が完了すると、テンプレート４０が蒸着室１０３からロードロック室１０１へと搬送され、外部、たとえばインプリント装置へと搬送される。また、遮蔽板３０は蒸着室１０３からロードロック室１０１を介して後処理室１０４へと搬送される。後処理室１０４では、低硬度膜３３の除去処理が行われ、低硬度膜３３の除去が行われると、ロードロック室１０１を介して前処理室１０２へと遮蔽板３０が搬送される。なお、低硬度膜３３の除去は、低硬度膜３３が劣化した場合あるいは低硬度膜３３が使用できない状態になった場合に行われてもよい。
【００３７】
つぎに、比較例と比較したときの本実施形態の効果について説明する。図８は、比較例による基板処理方法の様子を模式的に示す図である。図８（ａ）に示されるように、比較例では、テンプレート４０のパターン形成面４４と遮蔽板３０とを、ｄ１の間隔を開けて配置して、ガス供給孔３２から気化された撥液材料２１ｇをテンプレート４０の台座部側面４２ｔと第１面４３とに形成している。間隔ｄ１は、たとえば５μｍ程度である。また、比較例では、遮蔽板３０の遮蔽領域Ｒに低硬度膜３３は形成されていない。テンプレート４０を遮蔽板３０に接触させてしまうと、テンプレート４０のパターン形成面４４が傷ついてしまう可能性があるため、比較例では、パターン形成面４４と遮蔽板３０との間に隙間ｄ１を設けている。
【００３８】
このように、隙間ｄ１を設ける場合には、図８（ｂ）に示されるように、テンプレート４０を遮蔽板３０へと接近させると、遮蔽板３０に付着していた有機汚染物７１または無機物のパーティクル７２が、静電気によってパターン形成面４４に吸着してしまう。吸着した有機汚染物７１またはパーティクル７２は、パターン欠陥の原因になり得るので好ましくない。
【００３９】
また、テンプレート４０のパターン形成面４４と遮蔽板３０との間に隙間を開けて配置する場合には、テンプレート４０のパターン形成面４４と遮蔽板３０との間の距離がどの場所でもｄ１となるように高精度に制御しなければならない。図８（ｃ）に示されるように、高精度に制御しないと、パターン形成面４４と遮蔽板３０との間の距離ｄ２，ｄ３にバラつきが生じることになる。このバラつきが原因となってガス供給孔３２からの気流差が生じ、パターン形成面４４に撥液膜４５が形成されてしまう虞があった。たとえば、図８（ｃ）の場合には、パターン形成面４４と遮蔽板３０との間の距離が大きい方の気流が大きくなり、パターン形成面４４と遮蔽板３０との間の距離が小さい方の気流が、大きい気流の方に引っ張られ、パターン形成面４４に撥液膜４５が形成されてしまう。
【００４０】
さらに、テンプレート４０のパターン形成面４４と遮蔽板３０との間の距離がどの場所でも同じになるように高精度に制御されたとしても、図８（ｄ）に示されるように、各ガス供給孔３２から供給されるガスの流量にバラつきが生じ、その結果圧力差ができて圧力が大きい方へと気化された撥液材料２１ｇが引っ張られてしまう。これによっても、パターン形成面４４に撥液膜４５が形成されてしまう虞があった。また、図８（ｅ）に示されるように、パターン形成面４４と遮蔽板３０との間の距離を高精度に制御したとしても、長時間製膜処理をしていると、隙間に気化された撥液材料２１ｇが入り込んでしまい、パターン形成面４４に撥液膜４５が形成されてしまう。
【００４１】
これに対して、本実施形態では、テンプレート４０の第１面４３と台座部側面４２ｔに撥液膜４５を形成する際に、テンプレート４０のメサ台座部４２のパターン形成面４４と遮蔽板３０の遮蔽領域Ｒとを接触させた。また、遮蔽領域Ｒには、テンプレート４０よりもモース硬度が低い低硬度膜３３を配置した。これによって、テンプレート４０と遮蔽板３０とを接触させた状態で、遮蔽板３０のガス供給孔３２から気化された撥液材料２１ｇがテンプレート４０の第１面４３と台座部側面４２ｔとに吸着し、撥液膜４５が形成される。このとき、テンプレート４０のパターン形成面４４は遮蔽板３０と接触した状態にあるので、気化された撥液材料２１ｇがパターン形成面４４に付着することがなく、所望の領域にのみ撥液膜４５を形成することができる。また、遮蔽板３０に設けられた低硬度膜３３は、テンプレート４０よりもモース硬度が低いので、両者を接触したときに、テンプレート４０に傷がついてしまうことを防ぐことができる。さらに、低硬度膜３３の表面エネルギをテンプレート４０の表面エネルギよりも小さくしたので、両者を接触するために接近させた際に、遮蔽板３０に付着している有機汚染物７１または無機物のパーティクル７２がテンプレート４０側に転写されることがない。また、両者を接触させているために、遮蔽板３０に付着している有機汚染物７１または無機物のパーティクル７２がパターン形成面４４に吸着されてしまうことを抑制することができる。
【００４２】
さらに、上記したテンプレート４０のパターン形成面４４と遮蔽板３０との間に隙間を設けないので、隙間の場所によるバラつきに起因する気流の乱れが生じない。また、パターン形成面４４と遮蔽板３０とを接触させているので、遮蔽板３０のガス供給孔３２からのガスの流量にバラつきが生じたとしても、パターン形成面４４にガスが入り込むことがないので、パターン形成面４４に撥液膜４５が形成されることがない。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  チャンバ、１１  撥液材料保持部、１２  撥液材料ヒータ、１３  遮蔽板保持部、１４  保持部、１５  ヒータ、１６  ゲートバルブ、２１  撥液材料、２１ｇ  気化された撥液材料、３０  遮蔽板、３１  プレート、３２  ガス供給孔、３３  低硬度膜、４０  テンプレート、４１  テンプレート基板、４２  台座部、４２ｔ  台座部側面、４３  第１面、４４  パターン形成面、４５  撥液膜、１０１  ロードロック室、１０２  前処理室、１０３  蒸着室、１０４  後処理室。
【図１】
2019040957.tif 000003
【図２】
2019040957.tif 000004
【図３−１】
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【図３−２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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