(57)【要約】【課題】信頼性を向上することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１基材と、該第１基材上に設けられ、表示部及び前記表示部の周辺に位置する非表示部に亘って設けられ、上面と第１端部とを有する有機絶縁膜と、前記非表示部において、前記上面から前記第１基材に亘って設けられ、当該上面と前記第１端部とを覆う無機絶縁膜と、前記表示部に位置する複数の画素電極と、該複数の画素電極に対向して設けられる共通電極と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に位置する電気泳動素子と、前記無機絶縁膜上に設けられて少なくとも前記電気泳動素子を封止するシール材と、を備える表示装置。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材と、
該第１基材上に設けられ、表示部及び前記表示部の周辺に位置する非表示部に亘って設けられ、第１上面と第１端部とを有する有機絶縁膜と、
前記非表示部において、前記第１上面から前記第１基材に亘って設けられ、当該第１上面と前記第１端部とを覆う無機絶縁膜と、
前記表示部に位置する複数の画素電極と、
該複数の画素電極に対向して設けられる共通電極と、
前記複数の画素電極と前記共通電極との間に位置する電気泳動素子と、
前記無機絶縁膜上に設けられて少なくとも前記電気泳動素子を封止するシール材と、
を備える表示装置。
【請求項２】
さらに、前記第１基材と前記有機絶縁膜との間に設けられ、無機絶縁材料によって形成された１又は複数層の絶縁膜を備えている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記第１端部よりも外側に位置する第２上面及び第２端部を有し、
前記無機絶縁膜は、前記第１上面、及び、前記第１端部をそれぞれ覆って前記第２上面に達している、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基材は、第３端部を有し、
前記無機絶縁膜は、第４端部を有し、
前記第２端部は前記第３端部の上に位置し、前記第４端部は前記第２端部の上に位置している、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１基材は、前記第２端部よりも外側に位置する第３上面及び第３端部を有し、
前記無機絶縁膜は、さらに前記第２端部も覆って前記第３上面に達している、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記無機絶縁膜は、第４端部を有し、
前記第４端部は、前記第３端部の上に位置している、請求項３または５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、第２端部を有し、
前記第１端部は、前記第２端部の上に位置し、
前記第１基材は、前記第２端部よりも外側に位置する第３上面及び第３端部を有し、
前記無機絶縁膜は、前記第１上面、前記第１端部、及び、前記第２端部をそれぞれ覆って前記第３上面に達している、請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記無機絶縁膜は、第４端部を有し、
前記第４端部は、前記第３端部の上に位置している、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記無機絶縁膜は、第４端部を備え、
平面視で、前記第１端部は、全周において、前記第４端部よりも内側に位置している、請求項２乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１基材は、第３端部を備え、
平面視で、前記第４端部は、前記第３端部と一致、あるいは、前記第３端部よりも内側に位置している、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
さらに、前記画素電極と前記電気泳動素子との間に位置する粘着層を備え、
前記シール材は、前記電気泳動素子と前記粘着層を封止する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
さらに、前記共通電極の上に位置し、第５端部を有する第２基材を備え、
前記シール材は、前記第５端部に達している、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記有機絶縁膜に空隙を有して対向する１又は複数の壁部を備え、
前記シール材は、前記有機絶縁膜から前記壁部に亘って設けられ、前記空隙にも充填されている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
さらに、前記第２基材を介して前記共通電極と対向し、前記非表示部において前記無機絶縁膜と対向する下面と第６端部とを有する保護基材を備え、
前記シール材は、前記下面と接し、前記第６端部より外側にはみ出さない外端部を有する、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
さらに、検出電極及び駆動電極を有するセンサ装置を備え、
前記センサ装置は、前記保護基材と前記共通電極との間に位置している、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
さらに、前記表示部を囲むフレームを備え、
前記フレームは、前記表示部の表示面より上に位置する第１領域と、前記表示面より下に位置する第２領域と、を有し、
前記第１領域の幅は、前記第２領域の幅より小さい、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記フレームの反射率は、前記表示面に表示される白画面の反射率と同等以下である、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記無機絶縁膜は、前記表示部において、前記有機絶縁膜と前記画素電極との間に位置している、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
さらに、前記表示部において、前記有機絶縁膜と前記無機絶縁膜との間に位置する導電層を備え、前記画素電極は、前記無機絶縁膜を介して前記導電層と重畳している、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一例では、素子基板と対向基板との間に、マイクロカプセルが配列された電気泳動素子を挟持した電気泳動表示装置が開示されている。この種の電気泳動表示装置において、内蔵される各種配線や各種電極の水分による腐食を抑制することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２１０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
第１基材と、該第１基材上に設けられ、表示部及び前記表示部の周辺に位置する非表示部に亘って設けられ、上面と第１端部とを有する有機絶縁膜と、前記非表示部において、前記上面から前記第１基材に亘って設けられ、当該上面と前記第１端部とを覆う無機絶縁膜と、前記表示部に位置する複数の画素電極と、該複数の画素電極に対向して設けられる共通電極と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に位置する電気泳動素子と、前記無機絶縁膜上に設けられて少なくとも前記電気泳動素子を封止するシール材と、を備える表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】図３は、第１基板ＳＵＢ１における基材１０、絶縁膜１３、絶縁膜１４のそれぞれを示す平面図である。
【図４】図４は、図１に示した表示装置ＤＳＰの画素ＰＸを示す平面図である。
【図５】図５は、図４に示した画素ＰＸのＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【図６】図６は、表示装置ＤＳＰの第１変形例を示す断面図である。
【図７】図７は、表示装置ＤＳＰの第２変形例を示す断面図である。
【図８】図８は、表示装置ＤＳＰの第３変形例を示す断面図である。
【図９】図９は、表示装置ＤＳＰの第４変形例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、表示装置ＤＳＰの第５変形例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＦ−Ｆ’線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。
【図１２】図１２は、図１０のＦ−Ｆ’線に沿った表示装置ＤＳＰの他の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１０のＦ−Ｆ’線に沿った表示装置ＤＳＰのさらに他の変形例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示した表示装置ＤＳＰのＨ−Ｈ’線に沿った断面図である。
【図１６】図１６は、第２構成例の変形例を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本実施形態に適用可能なセンサ装置１００の平面図である。
【図１８】図１８は、図１７に示したセンサ装置１００を備えた表示装置ＤＳＰの一例を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す断面図である。
【図２０】図２０は、第３構成例の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに交差する方向であり、第３方向Ｚは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【０００９】
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材５０とを備えている。表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに沿って延出した辺Ｅ１及びＥ２と、第２方向Ｙに沿って延出した辺Ｅ３及びＥ４と、を備えている。これらの辺Ｅ１乃至Ｅ４は、第１基板ＳＵＢ１に含まれる。第２基板ＳＵＢ２は、辺Ｅ１乃至Ｅ４よりも内側に位置している。表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡの周囲の非表示部ＮＤＡと、を備えている。非表示部ＮＤＡは、額縁状に形成されている。表示部ＤＡは、平面視で第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳する領域に位置している。表示部ＤＡは、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。また、表示装置ＤＳＰは、非表示部ＮＤＡにおいて、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２と、ソースドライバＳＤとを備えている。図示した例では、ゲートドライバＧＤ１は辺Ｅ３と表示部ＤＡとの間に位置し、ゲートドライバＧＤ２は辺Ｅ４と表示部ＤＡとの間に位置し、ソースドライバＳＤは辺Ｅ２と表示部ＤＡとの間に位置している。なお、図示した例では、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２、及び、ソースドライバＳＤは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳する領域に位置しているが、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳しない領域に位置していてもよい。  
フレキシブル配線基板２は、ＩＣチップ３を備えている。フレキシブル配線基板２は、辺Ｅ２と表示部ＤＡとの間において、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。  
シール材５０は、耐水性を有するエポキシ樹脂やアクリル樹脂などによって形成される。シール材５０は、主に第２基板ＳＵＢ２の周辺に位置し、ループ状に形成されている。シール材５０は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とにそれぞれ接している。図示した例では、シール材５０は、平面視で、辺Ｅ１乃至Ｅ４と、第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。
【００１０】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、図２では、各種ドライバ等の回路やフレキシブル配線基板の図示を省略している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、粘着層４０によって貼合されている。図示した断面において、表示装置ＤＳＰの観察位置は、第２基板ＳＵＢ２の上方（第２基板ＳＵＢ２の表面の法線方向）にあるものとする。第１基板ＳＵＢ１は、基材１０と、絶縁膜１１乃至１４と、導電層Ｃと、画素電極ＰＥと、を備えている。絶縁膜１１乃至１４は、いずれも表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡに亘って配置されている。
【００１１】
基材１０は、絶縁性のガラスやポリイミド樹脂などの樹脂で形成されている。基材１０は、観察位置の反対側に位置しているため、不透明であってもよいし、透明であってもよい。絶縁膜１１は、基材１０の上に位置し、上面１１Ａ及び端部１１Ｓを有している。絶縁膜１２は、絶縁膜１１の上に位置し、上面１２Ａ及び端部１２Ｓを有している。絶縁膜１１及び１２は、第１基板ＳＵＢ１の辺Ｅ２まで達しており、絶縁膜１１の端部１１Ｓ及び絶縁膜１２の端部１２Ｓはいずれも基材１０の端部１０Ｓの上に位置している。なお、図示しないが、絶縁膜１１及び１２は、第１基板ＳＵＢ１の他の辺Ｅ１、Ｅ３、Ｅ４にもそれぞれ達している。絶縁膜１３は、上面１２Ａに接している。絶縁膜１３は、上面１３Ａ及び端部１３Ｓを有している。端部１３Ｓは、非表示部ＮＤＡに位置している。絶縁膜１３は、辺Ｅ２まで達していない。端部１３Ｓは、辺Ｅ２よりも表示部ＤＡ側に位置している。このため、絶縁膜１１及び１２は、端部１３Ｓと辺Ｅ２との間では、絶縁膜１３とは重ならない。また、この端部１３Ｓは、第２基板ＳＵＢ２の端部（基材２０の端部２０Ｓ）よりも外方に突出している。同様に、この端部１３Ｓは、粘着層４０の端部４０Ｓや最も外側のマイクロカプセル３０よりも外方に突出している。絶縁膜１４は、端部１４Ｓを有している。絶縁膜１４は、非表示部ＮＤＡにおいて、上面１３Ａと、端部１３Ｓと、をそれぞれ覆って、上面１２Ａに達している。図示した例では、絶縁膜１４は、上面１２Ａを覆って、辺Ｅ２まで達している。端部１４Ｓは、端部１２Ｓの上に位置している。図示した例では、絶縁膜１４は、上面１３Ａと、端部１３Ｓと、上面１２Ａとにそれぞれ接している。このように、本実施形態では、絶縁膜１４は、第２基板ＳＵＢ２の端部よりも外方に突出している絶縁膜１３の端部１３Ｓも覆っている。この結果、この絶縁膜１４も、第２基板ＳＵＢ２の端部よりも外方に突出している。同様に、この絶縁膜１４の端部１４Ｓは、粘着層４０の端部４０Ｓや最も外側のマイクロカプセル３０よりも外方に突出している。なお、これら絶縁膜１３の端部１３Ｓや絶縁膜１４の端部１４Ｓが第２基板ＳＵＢ２の端部よりも突出しない構成を採用することも可能である。また、図２の断面は、図１における所謂下辺Ｅ２側を示した構成となっているが、その他の辺、即ち左右辺Ｅ３及びＥ４や上辺Ｅ１の絶縁膜１３、１４とシール材５０との配置についても、図２と同じ構成となっている。もちろん、このうちのいずれかの辺に沿ってのみ、図２の構成となっているものも採用可能である。
【００１２】
図３は、第１基板ＳＵＢ１における基材１０、絶縁膜１３、絶縁膜１４のそれぞれを示す平面図である。図中において、絶縁膜１４は斜線で示し、絶縁膜１３の端部１３Ｓは点線で示している。絶縁膜１３の端部１３Ｓは、全周において、絶縁膜１４の端部１４Ｓよりも内側に位置している。図示した例では、端部１４Ｓは、基材１０の端部１０Ｓと一致している。端部１０Ｓと端部１３Ｓとの間は、絶縁膜１４によって覆われている。なお、図中に一点鎖線で示した通り、端部１４Ｓは、端部１３Ｓよりも外側であって且つ端部１０Ｓよりも内側に位置していてもよい。  
各画素ＰＸにおいては、絶縁膜１４が配置されていない部分が存在する。すなわち、図中に丸で囲んだ部分を拡大して示すが、絶縁膜１３は、各画素ＰＸにおいて、図中に一点鎖線で示すコンタクトホールＣＨ３を有している。絶縁膜１４は、各画素ＰＸにおいて、図中に実線で示すコンタクトホールＣＨ４を有している。コンタクトホールＣＨ４は、絶縁膜１４が配置されていない部分に相当する。コンタクトホールＣＨ４は、平面視で、コンタクトホールＣＨ３の内側に位置している。つまり、コンタクトホールＣＨ３における絶縁膜１３の端部１３ＳＡは、絶縁膜１４によって覆われている。
【００１３】
再び、図２に戻って説明する。絶縁膜１１、絶縁膜１２、及び、絶縁膜１４は、いずれも、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜に相当する。これらの絶縁膜１１、絶縁膜１２、及び、絶縁膜１４は、それぞれが単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。  
絶縁膜１３は、アクリル樹脂などの有機材料によって形成された有機絶縁膜に相当する。絶縁膜１３は、上記の無機絶縁膜（絶縁膜１１、絶縁膜１２、及び、絶縁膜１４）のいずれよりも厚く形成されている。また、絶縁膜１３は、有機材料を塗布したり印刷したりした後に、この有機材料を硬化させることによって形成される。このため、絶縁膜１３の上面１３Ａは、ほぼ平坦化されている。
【００１４】
導電層Ｃは、上面１３Ａに位置し、絶縁膜１４によって覆われている。導電層Ｃは、導電層Ｃ１と導電層Ｃ２とを有している。導電層Ｃ１は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。導電層Ｃ２は、例えば、アルミニウムなどの金属材料によって形成されている。具体例としては、導電層Ｃ２は、アルミニウムとチタンとの積層体や、アルミニウムとモリブデンとの積層体などで形成されている。図示した例では、導電層Ｃ２が導電層Ｃ１の上に位置しているが、導電層Ｃ１が導電層Ｃ２の上に位置してもよい。  
画素電極ＰＥは、表示部ＤＡにおいて、絶縁膜１４の上に位置している。画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１４を介して導電層Ｃと対向している。画素電極ＰＥは、絶縁膜１４を介して導電層Ｃと重畳し、画素ＰＸの蓄積容量を形成している。絶縁膜１４は、導電層Ｃと画素電極ＰＥとの間に介在する容量絶縁膜に相当する。
【００１５】
第２基板ＳＵＢ２は、基材２０と、共通電極ＣＥと、電気泳動素子２１と、を備えている。基材２０は、絶縁性のガラスやポリイミド樹脂などの樹脂で形成されている。基材２０は、観察位置側に位置しているため、透明である。共通電極ＣＥは、基材２０と電気泳動素子２１との間に位置している。共通電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成された透明電極である。電気泳動素子２１は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に位置している。電気泳動素子２１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面内においてほとんど隙間なく配列された複数のマイクロカプセル３０によって形成されている。
【００１６】
粘着層４０は、画素電極ＰＥと電気泳動素子２１との間に位置している。粘着層４０は、非表示部ＮＤＡにおいて、絶縁膜１４と電気泳動素子２１との間に位置している。
【００１７】
共通電極ＣＥの端部ＣＥＳ、電気泳動素子２１の端部２１Ｓ、及び、粘着層４０の端部４０Ｓは、基材２０の端部２０Ｓの直下に位置している。
【００１８】
シール材５０は、非表示部ＮＤＡに位置し、電気泳動素子２１を封止している。図示した例では、シール材５０は、電気泳動素子２１のみならず、粘着層４０も封止している。シール材５０は、絶縁膜１４に接している。より具体的には、シール材５０は、第２基板ＳＵＢ２よりも外方に突出する絶縁膜１３の端部１３Ｓを覆う絶縁膜１４に接している。このように、絶縁膜１３の端部１３Ｓは、第２基板ＳＵＢ２よりも突出しているものの、シール材５０と上面１３Ａとの間、及び、シール材５０と端部１３Ｓとの間にはそれぞれ絶縁膜１４が介在しているため、シール材５０が絶縁膜１３と直接的に接することはない。また、シール材５０は、粘着層４０と電気泳動素子２１の側部（又は端部）を覆っている。図示した例では、シール材５０は、端部４０Ｓ、端部２１Ｓ、端部ＣＥＳ、及び、端部２０Ｓにそれぞれ接している。絶縁膜１３は、シール材５０よりも内側に位置する一方で、絶縁膜１４は、シール材５０よりも外方に亘って設けられている。
【００１９】
マイクロカプセル３０は、例えば２０μｍ〜７０μｍ程度の粒径を有する球状体である。図示した例では、スケールの関係上、１つの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に、多くのマイクロカプセル３０が配置されているが、１辺の長さが百〜数百μｍ程度の矩形状、又は多角形状の画素ＰＸにおいては、１個〜１０個程度のマイクロカプセル３０が配置されている。  
マイクロカプセル３０は、分散媒３１と、複数の黒色粒子３２と、複数の白色粒子３３とを備えている。黒色粒子３２及び白色粒子３３は、電気泳動粒子と称される場合もある。マイクロカプセル３０の外殻部（壁膜）３４は、例えば、アクリル樹脂等の透明な樹脂を用いて形成されている。分散媒３１は、マイクロカプセル３０内において、黒色粒子３２と、白色粒子３３とを分散させる液体である。黒色粒子３２は、例えば、アニリンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されている。白色粒子３３は、例えば、二酸化チタン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されている。これらの顔料には、必要に応じて各種添加剤を添加することができる。また、黒色粒子３２及び白色粒子３３の代わりに、例えば赤色、緑色、青色、イエロー、シアン、マゼンタなどの顔料を用いてもよい。
【００２０】
上記構成の電気泳動素子２１において、画素ＰＸを黒表示させる場合、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥよりも相対的に高電位に保持される。すなわち、共通電極ＣＥの電位を基準電位としたとき、画素電極ＰＥが正極性に保持される。これにより、正に帯電した黒色粒子３２が共通電極ＣＥに引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子３３が画素電極ＰＥに引き寄せられる。その結果、共通電極ＣＥ側からこの画素ＰＸを観察すると黒色が視認される。一方、画素ＰＸを白表示させる場合には、共通電極ＣＥの電位を基準電位としたとき、画素電極ＰＥが負極性に保持される。これにより、負に帯電した白色粒子３３が共通電極ＣＥ側へ引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子３２が画素電極ＰＥに引き寄せられる。その結果、この画素ＰＸを観察すると白色が視認される。
【００２１】
本実施形態によれば、無機絶縁膜である絶縁膜１４が有機絶縁膜である絶縁膜１３の周囲を覆っている。より具体的には、絶縁膜１３の四周の縁部である端部１３Ｓ及び上面１３Ａが絶縁膜１４で覆われているのである。有機絶縁膜の四周の縁部に対応する非表示部ＮＤＡの外縁部は、表示装置ＤＳＰの内部への水分の浸入経路となり得、特に有機絶縁膜は無機絶縁膜と比較して水分の浸透速度が速く、有機絶縁膜をできるだけ水分から遮断することが望まれる。本実施形態においては、水分の浸入経路となる位置に有機絶縁膜の端部が位置しているが、当該端部が無機絶縁膜によって覆われているのである。無機絶縁膜は有機絶縁膜と比較して、吸水性が低く、初期水分量が低く、さらに、水分放出量が少ない。さらには、無機絶縁膜は、水分の浸透速度も有機絶縁膜に比べて著しく遅い。このため、表示装置ＤＳＰの端部から絶縁膜１３を介した水分浸入が抑制される。また、水分浸入に起因した不所望なイオンの発生も抑制される。これにより、内蔵される各種配線や各種電極の水分による腐食、或いは電気泳動素子２１の劣化が抑制される。この結果、パネルの信頼性が向上する。
【００２２】
また、シール材５０は、絶縁膜１４に接し、しかも、粘着層４０の端部４０Ｓ及び電気泳動素子２１の端部２１Ｓを覆っている。シール材５０が絶縁膜１４に密着することにより、シール材５０と絶縁膜１４との間の界面における水分経路を遮断することができる。また、絶縁膜１４と粘着層４０との界面における水分経路、及び、粘着層４０と電気泳動素子２１との界面における水分経路も遮断される。さらに、端部４０Ｓ及び端部２１Ｓからの水分浸入も抑制される。
【００２３】
さらに、絶縁膜１３よりも外側（表示部ＤＡから離間する側）において、絶縁膜１２及び１４が接している。絶縁膜１２及び１４は、いずれも無機絶縁膜であり、密着している。このため、絶縁膜１２及び１４の界面における水分経路を遮断することができる。
【００２４】
加えて、絶縁膜１３は、絶縁膜１４及びシール材５０によって二重に封止されている。このため、シール材５０のみで封止する場合と比較して、封止性能を向上することができる。
【００２５】
図４は、図１に示した表示装置ＤＳＰの画素ＰＸを示す平面図である。ここでは、画素ＰＸのうち、図１に示した第１基板ＳＵＢ１が備える主な要素のみを図示している。図４において、半導体層ＳＣを点線で示し、走査線Ｇを一点鎖線で示し、信号線Ｓを二点鎖線で示し、画素電極ＰＥを実線で示している。なお、導電層Ｃについては図示を省略し、導電層Ｃに設けられた開口部ＯＰのみを図示する。
【００２６】
画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、導電層Ｃと、画素電極ＰＥと、を備えている。スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２と、半導体層ＳＣと、ソース電極ＳＥと、ドレイン電極ＤＥとを備えている。図示したスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造であるが、シングルゲート構造であってもよい。また、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２が配置されるトップゲート構造であってもよいし、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２が配置されるボトムゲート構造であってもよい。  
半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいてコンタクトホールＣＨ１を通じて信号線Ｓ１と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいてコンタクトホールＣＨ２を通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。半導体層ＳＣは、一端部ＳＣＡと他端部ＳＣＢとの間において、走査線Ｇ１と交差している。
【００２７】
ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、走査線Ｇ１のうち、半導体層ＳＣと重畳する領域に相当する。図示した例では、走査線Ｇ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、画素ＰＸの中央部を横切っている。ソース電極ＳＥは、信号線Ｓ１のうち、半導体層ＳＣにコンタクトした領域を含む。図示した例では、信号線Ｓ１は、第２方向Ｙに沿って延出し、画素ＰＸの左側端部に位置している。ドレイン電極ＤＥは、島状に形成され、信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。  
導電層Ｃは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んだ複数の画素ＰＸと重畳し、また、走査線Ｇ１及び信号線Ｓ１のいずれとも重畳している。導電層Ｃは、各画素ＰＸにおいて、ドレイン電極ＤＥと重畳する位置に開口部ＯＰを有している。導電層Ｃは、図１に示した表示部ＤＡの略全域に亘って形成されている。導電層Ｃは、例えば、非表示部ＮＤＡにおいてコモン電位が供給される。  
画素電極ＰＥは、画素ＰＸにおいて、導電層Ｃ、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ１、及び、信号線Ｓ１と重畳している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３及びＣＨ４、及び、開口部ＯＰを通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘに沿った長さと第２方向Ｙに沿った長さとが等しい正方形状に形成されているが、この例に限らない。画素電極ＰＥは、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに延びた長方形状であってもよいし、その他の多角形であってもよい。
【００２８】
図５は、図４に示した画素ＰＸのＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。走査線Ｇ１と一体のゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、基材１０の上に位置し、絶縁膜１１によって覆われている。走査線Ｇ１、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコン（例えば低温ポリシリコン）によって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。信号線Ｓ１と一体のソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜１３によって覆われている。信号線Ｓ１、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、同一材料によって形成され、例えば、上記の金属材料を用いて形成されている。ソース電極ＳＥは、絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１を通じて、半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ２を通じて、半導体層ＳＣにコンタクトしている。
【００２９】
導電層Ｃは、例えば、第２基板ＳＵＢ２側からの入射光を反射する反射膜として機能するとともに、第２基板ＳＵＢ２側からスイッチング素子ＳＷに向かう光を遮る遮光膜としても機能する。  
画素電極ＰＥは、開口部ＯＰと重畳する位置において、絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ３及び絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＨ４を通じて、ドレイン電極ＤＥにコンタクトしている。
【００３０】
次に、いくつかの変形例について説明する。各変形例では、表示装置ＤＳＰの辺Ｅ２付近の断面に着目して説明するが、各変形例の表示装置ＤＳＰは、辺Ｅ２のみならず、他の辺Ｅ１、Ｅ３、Ｅ４付近においても、同様の端部構造を有する。
【００３１】
図６は、表示装置ＤＳＰの第１変形例を示す断面図である。図６に示した第１変形例は、図２に示した第１構成例と比較して、粘着層４０を省略した点で相違している。電気泳動素子２１は、表示部ＤＡにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に位置している。電気泳動素子２１は、非表示部ＮＤＡにおいては、絶縁膜１４と共通電極ＣＥ（あるいは基材２０）との間に位置している。シール材５０は、絶縁膜１４に接するとともに、端部２１Ｓ、端部ＣＥＳ、及び、端部２０Ｓをそれぞれ覆っている。  
このような第１変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、表示装置ＤＳＰが薄型化される。また、電気泳動素子２１と画素電極ＰＥとの間の粘着層が省略されたことにより、画素電極ＰＥが電気泳動素子２１に接近し、電気泳動素子２１に対して電界が印加しやすくなる。このため、電気泳動素子２１を低電圧で駆動することが可能となる。
【００３２】
図７は、表示装置ＤＳＰの第２変形例を示す断面図である。第２変形例は、図２に示した第１構成例と比較して、絶縁膜１１及び１２が辺Ｅ２まで達していない点で相違している。端部１３Ｓは、端部１１Ｓ及び１２Ｓの上に位置している。絶縁膜１４は、絶縁膜１３の上面１３Ａ及び端部１３Ｓと、絶縁膜１２の端部１２Ｓと、絶縁膜１１の端部１１Ｓと、をそれぞれ覆って、基材１０の上面１０Ａに達している。図示した例では、絶縁膜１４は、辺Ｅ２まで達しており、端部１１Ｓよりも外側に位置する上面１０Ａを覆っている。端部１４Ｓは、端部１０Ｓの上に位置している。  
なお、端部１１Ｓ及び１２Ｓは、端部１３Ｓと重ならなくてもよい。例えば、端部１１Ｓ、端部１２Ｓ、端部１３Ｓ、及び、辺Ｅ２のそれぞれの第２方向Ｙにおける位置に着目したとき、端部１１Ｓ及び１２Ｓが端部１３Ｓよりも内側に位置していてもよい。この場合には、端部１１Ｓ及び１２Ｓは絶縁膜１３によって覆われる。このような場合には、絶縁膜１４は、端部１１Ｓ及び１２Ｓに接することはなく、上面１３Ａ及び端部１３Ｓと、上面１０Ａとをそれぞれ覆う。また、端部１１Ｓ及び１２Ｓが端部１３Ｓと辺Ｅ２との間に位置する場合については、以下の第３変形例で説明する。  
このような第２変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、水分浸入経路となり得る基材１０と絶縁膜１１との界面、及び、絶縁膜１２と絶縁膜１３との界面が絶縁膜１４によって塞がれる。このため、表示装置ＤＳＰへの水分浸入がさらに抑制される。
【００３３】
図８は、表示装置ＤＳＰの第３変形例を示す断面図である。第３変形例は、図２に示した第１構成例と比較して、絶縁膜１１及び１２が絶縁膜１３より外側に設けられているが、辺Ｅ２まで達していない点で相違している。端部１１Ｓ及び１２Ｓは、端部１３Ｓと端部１０Ｓとの間に位置している。また、端部１１Ｓは、端部１２Ｓと端部１０Ｓとの間に位置している。端部１２Ｓは、端部１３Ｓと端部１１Ｓとの間に位置している。絶縁膜１４は、絶縁膜１３の上面１３Ａ及び端部１３Ｓと、端部１３Ｓよりも外側に位置する絶縁膜１２の上面１２Ａ及び端部１２Ｓと、端部１２Ｓよりも外側に位置する絶縁膜１１の上面１１Ａ及び端部１１Ｓと、をそれぞれ覆って、上面１０Ａに達している。図示した例では、絶縁膜１４は、辺Ｅ２まで達しており、端部１１Ｓよりも外側に位置する上面１０Ａを覆っている。端部１４Ｓは、端部１０Ｓの上に位置している。  
端部１１Ｓ、端部１２Ｓ、及び、端部１３Ｓのそれぞれの第２方向Ｙにおける位置に着目したとき、端部１１Ｓが端部１２Ｓと端部１３Ｓとの間に位置していてもよい。この場合には、端部１１Ｓは絶縁膜１２によって覆われる。このような場合には、絶縁膜１４は、上面１１Ａ及び端部１１Ｓに接することはなく、上面１３Ａ及び端部１３Ｓと、上面１２Ａ及び端部１２Ｓと、上面１０Ａとをそれぞれ覆う。  
このような第３変形例においても、第２変形例と同様の効果が得られる。
【００３４】
図９は、表示装置ＤＳＰの第４変形例を示す断面図である。基材１０の端部１０Ｓは、端部２０Ｓの直下に位置している。端部１３Ｓは、端部１０Ｓ及び端部２０Ｓよりも表示部ＤＡ側に位置している。端部１０Ｓの直上には、端部１１Ｓ、端部１２Ｓ、及び、端部１４Ｓがそれぞれ位置している。シール材５０は、端部１１Ｓ、端部１２Ｓ、及び、端部１４Ｓをそれぞれ覆っている。また、シール材５０は、端部１０Ｓの少なくとも一部にも接している。  
このような第４変形例によれば、上記した効果に加えて、辺Ｅ２のみならず、他の辺Ｅ１、Ｅ３、Ｅ４付近においても同様の端部構造を有するため、表示装置ＤＳＰが狭額縁化される。
【００３５】
図１０は、表示装置ＤＳＰの第５変形例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１が備える要素のうち、絶縁膜１３及び壁部ＷＬを図示している。第２基板ＳＵＢ２については、図中に点線で示している。図１０に示した変形例は、図２に示した第１構成例と比較して、絶縁膜１３に空隙ＧＲを介して対向する１又は複数の壁部ＷＬを備えた点で相違している。図示した例では、２つの壁部ＷＬ１及びＷＬ２が設けられている。壁部ＷＬ１は、絶縁膜１３よりも外側に位置し、空隙ＧＲ１を介して絶縁膜１３から離間している。壁部ＷＬ２は、壁部ＷＬ１よりも外側に位置し、空隙ＧＲ２を介して壁部ＷＬ１から離間している。空隙ＧＲ１及びＧＲ２は、いずれも非表示部ＮＤＡに位置している。図示した例では、空隙ＧＲ１及びＧＲ２は、ループ状に形成されている。これらの壁部ＷＬ１及びＷＬ２、絶縁膜１３と同一材料によって形成することができるが、絶縁膜１３とは異なる材料によって形成されてもよい。  
ＩＣチップ３を備えたフレキシブル配線基板２は、壁部ＷＬ２と辺Ｅ２との間において、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。  
シール材５０については図示を省略するが、平面視で第２基板ＳＵＢ２と辺Ｅ１乃至Ｅ４との間に位置している。一例では、シール材５０は、全周に亘って、空隙ＧＲ１及びＧＲ２の少なくとも一部に重畳している。この点について、図１１の断面図を参照しながら説明する。
【００３６】
図１１は、図１０のＦ−Ｆ’線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。絶縁膜１４は、少なくとも絶縁膜１３を覆う。図示した例では、絶縁膜１４は、絶縁膜１３、壁部ＷＬ１及びＷＬ２をそれぞれ覆っている。また、空隙ＧＲ１及びＧＲ２においては、絶縁膜１４は、絶縁膜１２に接している。シール材５０は、絶縁膜１３から壁部ＷＬ１及びＷＬ２に亘って設けられ、空隙ＧＲ１及びＧＲ２に充填されている。  
このような第５変形例によれば、有機絶縁膜である絶縁膜１３は、空隙ＧＲを介してその外側に位置する壁部ＷＬから離間している。また、少なくとも１つの空隙ＧＲにおいて、絶縁膜１４は、絶縁膜１３を覆うとともに、絶縁膜１３より下方に位置する絶縁膜１１及び１２のいずれか、または、基材１０に接している。これにより、絶縁膜１３を介した水分浸入を抑制することができる。加えて、絶縁膜１４とシール材５０との接触面積が増大し、両者の密着性を向上することができる。また、シール材５０を塗布した際に、シール材５０の広がりを抑制することができる。
【００３７】
図１２は、図１０のＦ−Ｆ’線に沿った表示装置ＤＳＰの他の変形例を示す断面図である。図１２に示した例は、図１１に示した例と比較して、壁部ＷＬ１及びＷＬ２の上に導電層Ｃが重なっている点で相違している。なお、壁部ＷＬ１及びＷＬ２に重なる導電層Ｃとしては、導電層Ｃ１及びＣ２のいずれか一方であってもよいし、導電層Ｃ１及びＣ２の双方が積層されてもよい。  
これにより、空隙ＧＲ１及びＧＲ２の深さが大きくなり、シール材５０が空隙ＧＲ１及びＧＲ２に充填された際に、絶縁膜１４とシール材５０との接触面積が増大するとともに、シール材５０の広がりが抑制される。
【００３８】
図１３は、図１０のＦ−Ｆ’線に沿った表示装置ＤＳＰのさらに他の変形例を示す断面図である。図１３に示した例は、図１１に示した例と比較して、空隙ＧＲ２及び壁部ＷＬ２の直下に絶縁膜１２が存在しない点で相違している。空隙ＧＲ２においては、絶縁膜１４が絶縁膜１１に接している。壁部ＷＬ２は、絶縁膜１１に接している。これにより、空隙ＧＲ２の深さが大きくなり、図１２に示した例と同様の効果が得られる。  
空隙ＧＲ１及びＧＲ２のいずれか一方、あるいは、空隙ＧＲ１及びＧＲ２の双方において、絶縁膜１４は、基材１０に接していてもよいし、絶縁膜１１に接していてもよい。また、壁部ＷＬ１及びＷＬ２のいずれか一方、あるいは、壁部ＷＬ１及びＷＬ２の双方は、基材１０に接していてもよいし、絶縁膜１１に接していてもよい。
【００３９】
図１４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す平面図である。図１４に示した第２構成例は、図１に示した第１構成例と比較して、表示装置ＤＳＰが保護基材として第３基板ＳＵＢ３を有している点で相違している。平面視において、第３基板ＳＵＢ３は、第２基板ＳＵＢ２より大きく、第１基板ＳＵＢ１と同じ大きさあるいは第１基板ＳＵＢ１より大きな大きさを有している。第３基板ＳＵＢ３は、第２基板ＳＵＢ２の上に位置し、第２基板ＳＵＢ２の外側において第１基板ＳＵＢ１と重畳している。シール材５０は、第２基板ＳＵＢ２の外側において、第１基板ＳＵＢ１と第３基板ＳＵＢ３との間を封止している。シール材５０は、一定のシール幅５０Ｗを有している。図示した例では、シール材５０は、第２基板ＳＵＢ２と接していないが、シール材５０が第２基板ＳＵＢ２と接していてもよい。  
フレキシブル配線基板２は、表示部ＤＡと辺Ｅ２との間において、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。ＩＣチップ３は、表示部ＤＡとフレキシブル配線基板２との間において、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。図示した例では、フレキシブル配線基板２の実装部分及びＩＣチップ３は、図中に点線で示したように、第１基板ＳＵＢ１と第３基板ＳＵＢ３との間に位置している。
【００４０】
図１５は、図１４に示した表示装置ＤＳＰのＨ−Ｈ’線に沿った断面図である。第３基板ＳＵＢ３は、一例では、ガラス基板であり、基材２０に接着されている。第３基板ＳＵＢ３は、非表示部ＮＤＡにおいて、絶縁膜１４と対向する下面３Ｂと、端部３Ｓとを有している。第３基板ＳＵＢ３は、第２基板ＳＵＢ２の観察位置側に位置しているため、少なくとも表示部ＤＡにおいては透明である。端部３Ｓは、端部２０Ｓより外側に位置している。図示した例では、端部３Ｓは、端部１０Ｓの直上に位置している。なお、第３基板ＳＵＢ３は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの樹脂基板の下面に、無機絶縁膜によって形成されたバリア膜を備えた構成であってもよい。  
シール材５０は、下面３Ｂと絶縁膜１４とにそれぞれ接している。図示した例では、シール材５０は、第２基板ＳＵＢ２や粘着層４０に接していないが、第２基板ＳＵＢ２や粘着層４０に接していてもよい。シール材５０は、端部３Ｓより外側（表示部ＤＡから離間する側）にははみ出さず、端部３Ｓにも接していない。つまり、シール材５０の外端部５０Ｓは、端部３Ｓよりも内側（表示部ＤＡに近接する側）に位置している。
【００４１】
このような表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを粘着層４０によって貼合した後に、シール材５０を絶縁膜１４上に塗布し、第３基板ＳＵＢ３を第２基板ＳＵＢ２に接着し、シール材５０を硬化させることによって得られる。
第２構成例において好適なシール材５０としては、エポキシやアクリル系のベース樹脂に、ギャップを均一に保つためのシリカなどのフィラーを混ぜた材料を使用することができる。また、シール材５０を塗布した後の広がりを抑制する観点では、シール材５０は、未硬化の状態で２万〜５０万ｍＰａ・sの粘度を有する材料であることが望ましい。
【００４２】
第２構成例によれば、第３基板ＳＵＢ３を第２基板ＳＵＢ２に接着した後にシール材５０を塗布する場合と比較して、高粘度のシール材５０を適用することができる。このため、シール材５０の広がりを抑制することができ、シール幅５０Ｗを小さくすることができる。このため、非表示部ＮＤＡの幅を小さくすることができる。  
また、第３基板ＳＵＢ３は、第２基板ＳＵＢ２に接着されているため、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３との間に空気層が介在する場合と比較して、界面での反射や屈折を抑制することができ、視認性を向上することができる。
【００４３】
図１６は、第２構成例の変形例を示す断面図である。図１６に示した変形例は、図１５に示した第２構成例と比較して、基材２０及び粘着層４０を省略した点で相違している。共通電極ＣＥは、第３基板ＳＵＢ３の下面３Ｂに設けられている。電気泳動素子２１は、表示部ＤＡにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に保持されている。電気泳動素子２１は、非表示部ＮＤＡにおいては、絶縁膜１４と共通電極ＣＥ（あるいは第３基板ＳＵＢ３）との間に位置している。シール材５０は、電気泳動素子２１を封止し、第３基板ＳＵＢ３及び絶縁膜１４にそれぞれ接している。  
このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、表示装置ＤＳＰが薄型化される。また、画素電極ＰＥが電気泳動素子２１に接近し、電気泳動素子２１に対して電界が印加しやすくなる。
【００４４】
図１７は、本実施形態に適用可能なセンサ装置１００の平面図である。ここでは、センサ装置１００として、静電容量方式の装置について説明する。センサ装置１００は、複数の検出電極Ｒｘと、複数の駆動電極Ｔｘとを備えている。検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘは、ＩＴＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１方向Ｘに並んだ検出電極Ｒｘは、第１接続線Ｌａによって互いに電気的に接続されている。第２方向Ｙに並んだ駆動電極Ｔｘは、第２接続線Ｌｂによって互いに電気的に接続されている。第１接続線Ｌａ及び第２接続線Ｌｂは、平面視において、交差している。
【００４５】
図１８は、図１７に示したセンサ装置１００を備えた表示装置ＤＳＰの一例を示す断面図である。図１８に示した断面図は、図１４に示した表示装置ＤＳＰのＨ−Ｈ’線に沿った断面図に相当する。センサ装置１００は、第３基板ＳＵＢ３と共通電極ＣＥとの間に位置している。図示した例では、センサ装置１００は、下面３Ｂに形成されているが、基材２０の上面２０Ａあるいは下面２０Ｂに形成されてもよい。また、センサ装置１００は、第２基板ＳＵＢ２及び第３基板ＳＵＢ３とは別個の基材に形成されたものであってもよい。  
検出電極Ｒｘ及び第２接続線Ｌｂは、下面３Ｂに配置されている。また、図示しない駆動電極Ｔｘも下面３Ｂに配置され、第２接続線Ｌｂと一体的に形成されている。第２接続線Ｌｂは、隣り合う検出電極Ｒｘの間において、これら検出電極Ｒｘと間隔を空けて配置されている。検出電極Ｒｘ及び第２接続線Ｌｂは、絶縁膜３００によって覆われている。第１接続線Ｌａは、絶縁膜３００と基材２０との間に配置され、第２接続線Ｌｂを挟んで隣り合う検出電極Ｒｘにそれぞれ接している。オーバーコート層ＯＣは、絶縁膜３００及び第１接続線Ｌａを覆っている。本実施形態においては、検出電極Ｒｘと駆動電極Ｔｘとを用いてセンシングする相互容量方式のセンサ装置１００を開示している。しかしながら、センサ装置１００は、例えば検出電極自体が有する容量を利用してセンシングする自己容量方式など、他の方式のセンサであってもよい。また、センサ装置１００は、静電容量方式に限らず、抵抗膜方式、光学方式、超音波方式のいずれを用いてもよい。  
なお、図１８に示した例においても、基材２０及び粘着層４０を省略してもよい。この場合には、共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣに接する。
【００４６】
図１９は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す断面図である。表示装置ＤＳＰは、例えば、図１７に示した第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、第３基板ＳＵＢ３の他に、フレーム５００と、フレーム７００と、を備えている。第３基板ＳＵＢ３は、上面３Ａを有している。上面３Ａは、表示部ＤＡに重畳する表示面ＶＡを有している。
【００４７】
フレーム５００は、表示部ＤＡを囲み、非表示部ＮＤＡに位置している。フレーム５００は、表示面ＶＡより上に位置する第１領域５１０と、表示面ＶＡより下に位置する第２領域５２０とを有している。図示した断面の右側において、第１領域５１０の幅ＷＲ１は、第２領域５２０の幅ＷＲ２より小さい。同様に、図示した断面の左側においても、第１領域５１０の幅ＷＬ１は、第２領域５２０の幅ＷＬ２より小さい。  
第１領域５１０は、上面３Ａに接している。第１領域５１０は、上面３Ａとのなす角度θが鋭角である順テーパーの斜面５１０Ｓを有している。  
また、フレーム５００は、表示面ＶＡに表示される白画面の反射率と同等以下の反射率を有している。例えば、フレーム５００の色としては、オフホワイト、グレー、黒などが好適である。
【００４８】
第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、第３基板ＳＵＢ３は、フレーム７００と第１領域５１０との間に位置している。第２領域５２０は、フレーム７００に固定されている。駆動回路ＩＣは第１基板ＳＵＢ１の上に位置し、シール材５０は第２基板ＳＵＢ２と駆動回路ＩＣとの間に位置している。
【００４９】
このような第３構成例によれば、フレーム５００のうち、表示面ＶＡより上に位置する第１領域５１０の幅が表示面ＶＡより下に位置する第２領域５２０の幅より小さいため、表示面ＶＡがフレーム５００よりも接近しているように視認できる。また、フレーム５００の反射率が表示面ＶＡの白画面の反射率と同等以下であるため、表示面ＶＡの明るさを際立たせることができる。さらに、第１領域５１０が順テーパーの斜面５１０Ｓを有しているため、表示装置ＤＳＰを斜め方向から観察した場合であっても表示面ＶＡにフレーム５００の死角が形成されにくくなる。したがって、表示面ＶＡの視認性を向上することができる。
【００５０】
図２０は、第３構成例の変形例を示す断面図である。図２０に示した変形例は、図１９に示した第３構成例と比較して、第２領域５２０が斜面５２０Ｓを有している点で相違している。斜面５２０Ｓは、第１領域５１０から外側に向かって下降するように傾斜している。  
このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することができる。
【００５２】
上記の本実施形態において、絶縁膜１３は有機絶縁膜に相当し、上面１３Ａは第１上面に相当し、端部１３Ｓは第１端部に相当する。  
絶縁膜１１及び１２は、基材１０及び絶縁膜１３の間に位置する１又は複数層の絶縁膜に相当し、上面１１Ａ及び１２Ａは第２上面に相当し、端部１１Ｓ及び１２Ｓは第２端部に相当する。  
基材１０は第１基材に相当し、上面１０Ａは第３上面に相当し、端部１０Ｓは第３端部に相当する。  
絶縁膜１４は無機絶縁膜に相当し、端部１４Ｓは第４端部に相当する。  
基材２０は第２基材に相当し、端部２０Ｓは第５端部に相当する。  
第３基板ＳＵＢ３は保護基材に相当し、端部３Ｓは第６端部に相当する。
【００５３】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
ＤＳＰ…表示装置
ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ＳＵＢ３…第３基板  １００…センサ装置
１１乃至１４…絶縁膜  Ｃ…導電層  ＰＥ…画素電極  ＣＥ…共通電極  ２１…電気泳動素子  ４０…粘着層  ５０…シール材
５００…フレーム  ＶＡ…表示面
【図１】
2019078954.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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