(57)【要約】【課題】ＳｉＣ基板の品質を評価する方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ基板の評価方法では、走査型電子顕微鏡を用いて、前記ＳｉＣ基板の表面である｛０００１｝面の法線に対して傾斜する入射電子角度で当該ＳｉＣ基板の表面に電子線を入射して得られた映像に基づいて、前記ＳｉＣ基板の品質を評価する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶系のＳｉＣ基板の評価方法において、
走査型電子顕微鏡を用いて、前記ＳｉＣ基板の表面である｛０００１｝面の法線に対して傾斜する入射電子角度で当該ＳｉＣ基板の表面に電子線を入射して得られた映像に基づいて、前記ＳｉＣ基板の品質を評価することを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＳｉＣ基板の評価方法であって、
前記ＳｉＣ基板の表面には、ステップ／テラス構造が形成されており、
前記走査型電子顕微鏡を用いて電子線を入射して得られる映像には、表面直下が第１積層配向のテラスと、表面直下が第２積層配向のテラスと、の明暗の差を示すコントラストが含まれており、当該コントラストに基づいて、前記ＳｉＣ基板の品質を評価することを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＳｉＣ基板の評価方法であって、
前記ＳｉＣ基板へ入射する電子線の加速電圧が１．０ｋＶ以下であることを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項４】
請求項１から３までの何れか一項に記載のＳｉＣ基板の評価方法であって、
前記入射電子角度が３０°から４０°の間であることを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項５】
請求項１から４までの何れか一項に記載のＳｉＣ基板の評価方法であって、
前記入射電子角度は、前記法線に対して＜１−１００＞方向又はその反対方向へ傾斜していることを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ基板の品質を評価する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、走査型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光器に関する校正及び評価を行う技術を開示する。Ｘ線のエネルギー校正は、銅又はアルミニウム等の純金属を測定することで行う。特許文献１では、被検体を収集した濾紙を保持するための把持部材をこの純金属製にすることで、部品点数を減らすことができる技術である。
【０００３】
特許文献２は、走査型電子顕微鏡で得られた映像の寸法の校正及び評価を行う技術を開示する。特許文献２の標準試料は、微細な目盛りが形成された標準マイクロスケールの上に、互いに寸法が異なる複数の粒子を配置したものである。詳細な校正方法の説明は省略するが、上記の構成により、標準マイクロスケールだけでは寸法を校正できない場合にも容易に対応できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２３５７７８号公報
【特許文献２】特開２００２−３５２７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主要な目的は、ＳｉＣ基板の品質を評価する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び効果】
【０００６】
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段とその効果を説明する。
【０００７】
本発明の観点によれば、以下の六方晶系のＳｉＣ基板の評価方法が提供される。即ち、このＳｉＣ基板の評価方法では、走査型電子顕微鏡を用いて、前記ＳｉＣ基板の表面である｛０００１｝面の法線に対して傾斜する入射電子角度で当該ＳｉＣ基板の表面に電子線を入射して得られた映像に基づいて、前記ＳｉＣ基板の品質を評価する。
【０００８】
前記のＳｉＣ基板の評価方法においては、以下のようにすることが好ましい。即ち、前記ＳｉＣ基板の表面には、ステップ／テラス構造が形成されている。前記走査型電子顕微鏡を用いて電子線を入射して得られる映像には、表面直下が第１積層配向のテラスと、表面直下が第２積層配向のテラスと、の明暗の差を示すコントラストが含まれており、当該コントラストに基づいて、前記ＳｉＣ基板の品質を評価する。
【０００９】
前記のＳｉＣ基板の評価方法においては、前記ＳｉＣ基板へ入射する電子線の加速電圧が１．０ｋＶ以下であることが好ましい。
【００１０】
前記のＳｉＣ基板の評価方法においては、前記入射電子角度が３０°から４０°の間であることが好ましい。
【００１１】
前記のＳｉＣ基板の評価方法においては、前記入射電子角度は、前記法線に対して＜１−１００＞方向又はその反対方向へ傾斜していることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】走査型電子顕微鏡を用いた一般的な観察方法を示す模式断面図。
【図２】溝状の標準試料を作製する工程を示す図。
【図３】相似六角形状及び同心円状の標準試料を示す図。
【図４】４Ｈ−ＳｉＣ及び６Ｈ−ＳｉＣの分子配列と周期を示す模式図。
【図５】４Ｈ−ＳｉＣ及び６Ｈ−ＳｉＣから構成される標準試料の表面の模式断面図。
【図６】電子線の入射電子角度θを示す図及び積層配向と反射電子及び二次電子の放出の関係を示す図。
【図７】電子線の入射電子角度θを変化させたときのコントラストの変化を示す顕微鏡写真。
【図８】試料回転角度を示す図、試料回転角度を変化させたときのコントラストの変化を示す図、及び試料回転角度を変化させたときの分子配列図。
【図９】４Ｈ−ＳｉＣと６Ｈ−ＳｉＣの表面を観察したときの顕微鏡写真及び模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００１４】
初めに、図１を参照して、走査型電子顕微鏡の構成について簡単に説明する。図１に示すように、走査型電子顕微鏡１０は、ビームブースター１１と、電磁レンズ１２と、静電レンズ１３と、スキャンコイル１４と、を備える。
【００１５】
走査型電子顕微鏡１０の図略の電子放出部から放出された電子線は、ビームブースター１１によって加速され、電磁レンズ１２及び静電レンズ１３によって収束されて被検体３０へ照射される。また、スキャンコイル１４は、発生させた磁界によって電子線の向きを変更できる。これにより、電子線で被検体３０の表面を走査することができる。
【００１６】
また、走査型電子顕微鏡１０は、ＳＥ２検出部１５と、インレンズ検出部１６と、反射電子検出部１７と、コレクタグリッド１８と、フィルタリンググリッド１９と、を備えている。
【００１７】
ＳＥ２検出部１５及びインレンズ検出部１６は、走査型電子顕微鏡１０が照射した電子線（一次電子）が被検体表面で跳ね返った、若しくは被検体と相互作用した後に放出された電子である反射電子、及び相互作用の過程で生じた電子（二次電子）の両者を検出する。また、コレクタグリッド１８は電子を意図的に集め、フィルタリンググリッド１９は、通過させる電子のエネルギーの下限を決定する。また、反射電子検出部１７は、フィルタリンググリッド１９を通過した電子のみを検出する特徴を有する。
【００１８】
また、被検体３０は、支持台２０に載せられている。
【００１９】
ＳＥ２検出部１５、インレンズ検出部１６、及び反射電子検出部１７の検出結果は、処理装置２１へ出力される。処理装置２１は、被検体３０の位置と、当該位置で検出した電子と、に基づいて走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を作成する。処理装置２１は、作成した走査型電子顕微鏡写真を表示装置２２へ出力する。表示装置２２は、入力された走査型電子顕微鏡写真を表示する。
【００２０】
次に、走査型電子顕微鏡及びＳｉＣ基板を評価するための標準試料について説明する。
【００２１】
初めに、標準試料４１の製造方法について図２及び図３を参照して説明する。図２は、溝状の標準試料４１を作製する工程を示す図である。図３は、同心円状及び相似六角形状の標準試料４１を示す図である。
【００２２】
溝状の標準試料４１を製造するためには、初めにレーザを照射する等してＳｉＣ基板４０に溝を形成する。その後、溝を形成したＳｉＣ基板４０をＳｉ蒸気圧下で１７００℃から１９００℃の温度範囲で加熱する。
【００２３】
この加熱処理により、ＳｉＣ基板４０のＳｉＣがＳｉ2Ｃ又はＳｉＣ2の形態で熱昇華するとともに、六方晶系ＳｉＣ単結晶の最安定面である｛０００１｝面が自発的に形成し、ＳｉＣ基板４０が平坦化される。これにより、ＳｉＣ基板４０の表面をエッチングしつつ、当該表面を原子レベルで平坦化することができる。その結果、後述の図５（ａ）に示すような積層半周期に相当する高さを有するステップ、及び原子レベルで平坦なテラスからなるステップ／テラス構造が形成される。
【００２４】
また、相似六角形状の標準試料４１（図３（ｂ））及び同心円状の４１（図３（ｃ））を製造するためには、図３（ａ）に示すようにＳｉＣ基板にレーザを照射して凹部を形成する。その後、上記と同様に加熱処理（エッチング）を行う。このとき、凹部の底面に転位（貫通刃状転位等）が存在している場合、その転位を中心として、相似六角形状又は同心円状の標準試料４１が形成される。この標準試料４１も、後述の図５（ａ）に示すような積層半周期に相当する（ハーフユニット）高さを持ったステップと原子レベルで平坦なテラスからなるステップ／テラス構造を有している。
【００２５】
次に、上記のようにして製造された標準試料４１の構成について図４及び図５を参照して説明する。
【００２６】
初めに、図４を参照して、ハーフユニット高さ及び分子配列について説明する。図４は、４Ｈ−ＳｉＣ及び６Ｈ−ＳｉＣの分子配列と周期を示す模式図である。上記のようにエッチング処理を行うことで、ＳｉＣ基板４０の表面が平坦化して、４Ｈ−ＳｉＣ及び６Ｈ−ＳｉＣの積層の半周期分であるハーフユニット高さからなるステップで終端する。
【００２７】
「ハーフユニット高さ」とは、前記１周期の半分の時点での積層の高さをいう。従って、４Ｈ−ＳｉＣのハーフユニット高さは、図４（ａ）に示すように、２分子層（０．５０ｎｍ）である。また、６Ｈ−ＳｉＣのハーフユニット高さは、図４（ｂ）に示すように、３分子層（０．７５ｎｍ）である。
【００２８】
また、図４に示すように、六方晶系ＳｉＣ単結晶基板は、積層配向（Ｓｉ−Ｃからなる分子層が積み重なる方向）が半周期毎に＜１−１００＞方向又はその反対方向へと折り返す構成である。４Ｈ−ＳｉＣの場合、Ｓｉ−Ｃ対同士の間隔をＬとすると、Ｓｉ原子の積層配向は２Ｌ毎に反転する（図４（ａ）の太線を参照）。なお、太線は示していないが、Ｃ原子も、同様に２Ｌ毎に積層配向が反転する。
【００２９】
一方、６Ｈ−ＳｉＣの場合、原子同士の間隔をＬとするとＳｉ原子は３Ｌ毎に積層配向が反転する（図４（ｂ）の太線を参照）。なお、太線は示していないが、Ｃ原子も、同様に３Ｌ毎に積層配向が反転する。このように積層配向は２種類存在し、一方が第１積層配向に該当し、他方が第２積層配向に該当する。
【００３０】
図５は、４Ｈ−ＳｉＣ及び６Ｈ−ＳｉＣから構成される標準試料の表面の模式断面図である。図５（ａ）の標準試料４１は４Ｈ−ＳｉＣからなり、図５（ｂ）の標準試料４１は６Ｈ−ＳｉＣからなる。
【００３１】
図５に示すように、本実施形態の標準試料４１はステップ／テラス構造が形成されている。ここで、ステップ／テラス構造とは、複数の段差からなる構造であり、段差の平坦な部分をテラスと称し、高さが変化する段差部分をステップと称する。ここで、図５では分かり易いようにテラス幅が数原子程度となっているが実際のテラス幅は非常に広く、例えば０．１μｍから２０μｍ程度の広さである。
【００３２】
また、各ステップは、上述したハーフユニット高さで終端している。従って、ステップを介して隣り合うテラス同士では、表面直下の積層配向が互いに反転しあった関係を満たす（図５の太線を参照）。標準試料４１は、この特徴を有効に活用して、走査型電子顕微鏡及びＳｉＣ基板を評価することができる。なお、高さ校正用試料として従来用いられてきた単結晶Ｓｉは、ダイヤモンド構造であることから表面直下の積層配向が変化しないため、このような特徴を有しておらず、本実施形態の標準試料４１と構成及び性質が異なる。
【００３３】
次に、標準試料４１の性質について説明する。初めに、電子線を垂直ではなく傾斜して標準試料４１に照射したときに当該標準試料４１が示す性質について図６及び図７を参照して説明する。なお、以下の説明では、図３（ｃ）で示す同心円状の標準試料４１を用いる。
【００３４】
まず４Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面に対し、入射電子角度θに応じて得られる走査型顕微鏡写真がどのように変化するかを説明する。ここで、入射電子角度θとは、図６（ａ）に示すように、標準試料４１を側方から見たときに、標準試料４１の表面の垂線９１に対して、電子線照射方向９２が傾いている角度を示す。なお、表面が（０００１）Ｓｉ面である場合、入射電子角度θは、＜１−１００＞方向又はその反対方向への傾斜角度と表現することもできる。
【００３５】
図７は、加速電圧を１．０ｋＶとして、電子線の入射電子角度θを変化させたときのコントラストの変化を示す顕微鏡写真（反射電子＋二次電子像）である。図７の左上の数字は入射電子角度θである。入射電子角度θが０°の場合には、標準試料４１の表面のステップ／テラス構造は見られない。一方、入射電子角度θを大きくすると、同心円状のモフォロジーが現れることが分かった。このモフォロジーは明るい領域と暗い領域からなる２つの領域に分類でき、これら２つの領域の境界はステップの位置と一致している。
【００３６】
上述したように、４Ｈ−ＳｉＣはハーフユニット（０．５ｎｍ）高さを有するステップを介した２つのテラスでは互いに表面直下の積層配向が反転した関係を満たす。従って走査型顕微鏡写真に現れた明暗のコントラストは４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）のテラスの表面における表面直下の積層配向の反転を反映している。この明暗のコントラストは、入射電子角度θに応じて変化する。具体的には、入射電子角度θを大きくするに従ってコントラストが大きくなり、θ＝３０°〜３１°の間でコントラストが最大になる。その後、更に入射電子角度θを大きくすると再びコントラストが小さくなりθ＝４５°においてコントラストが反転する（明るい領域と暗い領域が入れ替わる）。その後、更に入射電子角度θを大きくすることで、コントラストが大きくなり、θ＝５５°において再びコントラストが反転して元の状態へと戻り、微小なコントラストを示す。
【００３７】
以上を考慮すると、おおよその傾向としては、図６（ｂ）に示すように、入射電子線と、テラスの表面直下の積層配向と、の角度差が小さい場合は、反射電子線及び二次電子線が強くなることが分かる。一方で、入射電子線と、テラスの表面直下の積層配向と、の角度差が大きい場合は、反射電子線及び二次電子線が弱くなることが分かる。
【００３８】
このように表面直下の積層配向を反映したコントラストは、電子線のチャネリング効果によって得られるものと類似している。しかし、今回の例は加速電圧が１．０ｋＶ以下であり、このように電子線が低加速の領域におけるチャネリングコントラストは従来知られていない。
【００３９】
次に、標準試料４１を水平方向に回転したときに標準試料４１が示す性質について図８を参照して説明する。なお、図８（ａ）に示すように、標準試料４１を表面の垂線９１を回転軸として回転させる角度を試料回転角度φと称する。図８（ｂ）は、入射電子角度θを３０°、加速電圧を０．４０ｋＶとして試料回転角度φを変化させた時に得られる走査型顕微鏡写真である。また、図８（ｃ）は、φが０°、３０°、６０°のときに電子が入射される方向と分子配列とを示す図である。φ＝０°、６０°の場合には入射電子は４Ｈ−ＳｉＣの積層配向に平行である＜１−１００＞方向に平行に入射しており、互いに入射電子の入射方法に対する積層配向が反転している。一方、φ＝３０°の場合には入射電子は＜１１−２０＞方向に対して平行に入射しており、入射電子に対し、４Ｈ−ＳｉＣの表面下の積層配向は特徴を持たない配置となっている。
【００４０】
図８（ｂ）に示すように、φ＝０°において明確な明暗のコントラストを有する同心円状モフォロジーが見られ、４Ｈ−ＳｉＣのハーフユニットに相当する２分子層（０．５ｎｍ）高さのステップを境にして中心から暗・明・暗の順に色が反転していることが分かる。その後、試料回転角度φが徐々に増大していくにつれ、明暗のコントラストは弱まっていき、φ＝３０°においてコントラストは消失している。更にφ＝４０°にまで試料を回転させると、再び明暗のコントラストが現れている。ここでは、φ＝０°で見られたものに対してコントラストが反転していることが分かる。φ＝４０°において反転した状態で再び現れたコントラストは標準試料４１を更に回転させることで増大し、φ＝６０°において、反転状態を維持したまま極大を迎える。
【００４１】
なお、図８（ｂ）には示していないが、この明暗のコントラストはφ＝１２０°、１８０°、２４０°、３００°、３６０°において再び極大を迎え、そのうちφ＝１８０°、３００°ではコントラストが反転していた。即ち６０°回転によりコントラストは反転し、１２０°回転では同一のコントラストが得られる。これより、コントラストが４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）の有する３回対称性を示し、表面直下の積層配向を反映していることが確認できる。
【００４２】
次に、図９を参照して、標準試料４１の深さ方向の違いが寄与する影響を説明する。具体的には、４Ｈ−ＳｉＣと、４Ｈ−ＳｉＣよりも１分子層（０．２５ｎｍ）分深い位置で積層の折り返しを有する６Ｈ−ＳｉＣを対象として、観察を行った。図９に示す走査型顕微鏡写真は、加速電圧が１．０ｋＶであり、入射電子角度θ＝３１°、試料回転角度φ＝０°で観察を行ったものである。
【００４３】
図９に示すように６Ｈ−ＳｉＣ（０００１）においても、４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）と同じように明暗の同心円状モフォロジーが現れていることが分かる。なお、ＡＦＭによる断面高さ解析の結果より、明るい領域と暗い領域の境界は６Ｈ−ＳｉＣのハーフユニットに相当する３分子層（０．７５ｎｍ）であることが検出されたため、明るい領域と暗い領域では表面直下の積層配向が真逆の関係にあることが分かる。これより、４Ｈ−ＳｉＣよりも積層周期の長い６Ｈ−ＳｉＣにおいても、表面直下の積層配向を反映したコントラストが得られることが分かった。
【００４４】
更に、この明暗コントラストに加え、６Ｈ−ＳｉＣには薄暗い中間領域も見られる。この薄暗い中間領域と明るい領域の境界は、ＡＦＭの解析により１分子層高さ（０．２５ｎｍ）のステップであることが検出された。これより、明るい領域又は暗い領域が３分子層分の積層を有するのに対し、薄暗い中間領域は４Ｈ−ＳｉＣと同じ２分子層分の積層しか持たないことが分かる。この結果より、本手法により観察されるコントラストは、表面直下の積層配向の違いを反映するだけでなく、４Ｈ−ＳｉＣに現れる２分子層の積層と６Ｈ−ＳｉＣに現れる３分子層の積層の差である１分子層（０．２５ｎｍ）分の深さの違いも反映することが分かる。
【００４５】
次に、上記の特徴を有する標準試料４１を用いて走査型電子顕微鏡及びＳｉＣ基板を評価する方法を説明する。
【００４６】
上述のように、標準試料４１は、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣともにハーフユニットに相当する高さを有するステップと原子レベルで平坦な表面を有するテラスからなる均一なステップ／テラス構造を有しており、テラスの表面直下の積層配向が２種類存在する。また、標準試料４１の垂線に対して傾斜させて電子線を照射することで、この表面直下の積層配向を反映したコントラストを観測できる。
【００４７】
ここで、電子線の入射条件（入射電子角度θ、試料回転角度φ、及び加速電圧等）が同一であれば、走査型電子顕微鏡で観測できるコントラストは同じになる。そのため、予め高精度の走査型電子顕微鏡等でコントラストを求めておき、このコントラストと、評価対象の走査型電子顕微鏡で得られるコントラストと、を照らし合わせることで、走査型電子顕微鏡の評価を客観的に行うことができる。
【００４８】
より具体的には、高精度の走査型電子顕微鏡で入射電子角度θを変化させたときのコントラスト強度を測定してその結果を示すデータを保存する。そして、このデータとともに標準試料４１を所定のユーザへ供給する。ユーザは、供給されたデータと、自身が有する走査型電子顕微鏡で入射電子角度θを変化させたときのコントラスト強度の測定を行って得られた結果と、を照らし合わせることで、自身の走査型電子顕微鏡の性能（詳細には電子線の平行性、及び電子線が所定の方向に照射されているかを示す性能）を評価することができる。
【００４９】
なお、上述したように標準試料４１は、表面直下の積層配向の折り返し位置の深さに応じて異なるコントラスト強度を示す。従って、表面から２分子層（０．５ｎｍ）の深さで積層の折り返しを有する４Ｈ−ＳｉＣからなる標準試料４１と、表面から３分子層（０．７５ｎｍ）の深さで積層の折り返しを有する６Ｈ−ＳｉＣからなる標準試料４１と、を測定して、測定結果を比較することで、２つの標準試料４１の差である１分子層（０．２５ｎｍ）に相当する深さに対する走査型電子顕微鏡の分解能を評価することができる。
【００５０】
また、本実施形態では入射電子線に対して、標準試料４１である４Ｈ−ＳｉＣ及び６Ｈ−ＳｉＣの有するテラス幅が十分大きいため、電子線のビーム径をあまり絞ることなく測定を行うことができる。そのため、加速電圧を抑えることができるので、標準試料４１の内部ではなく表面直下の積層配向の情報をより的確に取得できる。
【００５１】
次に、ＳｉＣ基板品質を評価する方法を説明する。上述のように、入射電子角度θを変化させたときに得られるコントラストは、表面直下の積層配向を反映している。従って、例えば強いコントラストが得られるはずの入射電子角度θで電子を入射した場合に、テラス幅が均一でない場合や表面が原子レベルで平坦でないときには、コントラストの境界が明瞭に現れなかったり、明るい領域に一部暗い領域が混ざったりすると考えられる。言い換えれば、ＳｉＣ基板の表面の状態を検出して、ＳｉＣ基板の品質を評価することができる。換言すれば、ＡＦＭでは検出できなかったテラス表面直下の積層配向を本実施形態の方法により検出することができる。
【００５２】
また、ＳｉＣの切り出し角度が｛０００１｝面に対して１°から８°程度傾いた、表面に現れるテラス長が前記標準試料のテラス長より極めて短いＳｉＣ基板に対しては、以下のようにしてＳｉＣ基板品質の評価を行うことが可能である。
【００５３】
｛０００１｝面に対する［１１−２０］方向への切り出し角度θ’が１°から８°のＳｉＣ基板においては、ＳｉＣ基板表面にハーフユニット高さのステップで覆われた表面が形成した場合、第１積層配向若しくは第２積層配向のみで表面が終端されたテラスの幅は、理想的には４Ｈ−ＳｉＣの場合は２９ｎｍ以下，６Ｈ−ＳｉＣの場合は４３ｎｍ以下となり、明暗コントラストの差を用いてＳｉＣ基板品質の評価を行うことは困難となるが、入射電子角度θと基板切り出し角度θ’により決まる実効的な入射電子角度θeffに応じた明暗の平均輝度が得られるはずである。表面が均一であれば、任意の箇所を測定しても、実効的な入射電子角度θeffに応じて、同一の平均輝度が得られる。一方で、同一のθeffに対しても、測定箇所によって平均輝度が異なる場合、この平均輝度の違いは表面の不均一性に由来する。従って、表面を均一化した試料で予め平均輝度を求めておき、この平均輝度と、評価対象のＳｉＣ基板から得られた平均輝度とを比較することで、基板の切り出し角度θ’が大きく、テラス幅が短いＳｉＣ基板の品質を評価することも可能である。
【００５４】
以上に説明したように、本実施形態の標準試料４１は、表面がハーフユニット高さのステップと、原子レベルで平坦なテラスからなるステップ／テラス構造で終端された六方晶系ＳｉＣ単結晶からなり、それぞれのテラスの表面は、第１積層配向又は第２積層配向の何れかである。また、テラスの表面の垂直線に対して、走査型電子顕微鏡１０から照射される電子線がなす角度を入射電子角度θとしたときに、この標準試料４１は、表面直下が第１積層配向のテラスの映像と、表面直下が第２積層配向のテラスの映像と、の明暗の差であるコントラストが入射電子角度θに応じて変化する。
【００５５】
また、本実施形態においては、標準試料４１に対して入射電子角度を変化させつつ電子線を照射することで得られた前記コントラストの変化と、予め求められたコントラストの変化と、を比較することで、走査型電子顕微鏡１０が照射する電子線の方向に関する精度を評価する方法が示されている。
【００５６】
これにより、走査型電子顕微鏡１０の評価を客観的に行うことができる。また、ＳｉＣは耐熱性及び耐酸化性に優れるので使用環境の制約があまりなく、かつ、長期間にわたって使用可能な標準試料が実現できる。
【００５７】
また、本実施形態においては、標準試料４１に対して走査型電子顕微鏡１０から電子線を照射することで得られたコントラストと、評価対象のＳｉＣ基板に電子線を照射することで得られたコントラストと、を比較することでＳｉＣ基板の品質を評価する方法が示されている。
【００５８】
更に、ＳｉＣ基板表面に形成されるステップ／テラス構造においてテラス幅が走査型電子顕微鏡１０から照射される電子線のビーム径に対して十分広くない場合においても、均一な表面を有するＳｉＣ基板から予め得られた、実効的な入射電子角度θeffに対する平均輝度と、評価対象のＳｉＣ基板に電子線を照射することで得られた平均輝度と、を比較することで、ＳｉＣ基板の品質を評価する方法が示されている。
【００５９】
これにより、ＳｉＣ基板の表面の平坦性及び表面の均一性を客観的に評価することができる。
【００６０】
以上に本発明の好適な実施の形態を説明したが、上記の構成は例えば以下のように変更することができる。
【００６１】
図７及び上記では、入射電子角度θを３０°から３１°の範囲にすることで、コントラストが最大となると説明した。しかし、コントラストが最大となる入射電子角度θの範囲は、加速電圧及び電子を照射する面によって異なる。また、これらの条件を変えた場合であっても、原則として入射電子角度θが３０°から４０°の範囲でコントラストが最大になることが出願人の検証により確かめられた。
【００６２】
上記で説明した標準試料４１の形状は任意であり、積層配向が異なるステップが複数形成されるのであれば、任意の形状とすることができる。
【００６３】
上記では、（０００１）Ｓｉ面が表面となる標準試料４１を説明したが、（０００−１）Ｃ面が表面となる標準試料４１であっても同様の効果を発揮できる。また、両者の標準試料４１の測定結果を比較することで、ＳｉとＣにおける差異を評価することができる。
【００６４】
本実施形態の標準試料４１は、入射電子角度θを変化させることが可能な走査型電子顕微鏡であれば、走査型電子顕微鏡１０と異なる構成であっても評価を行うことができる。
【００６５】
標準試料４１を製造するときの温度、圧力、時間、加熱装置等は任意である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  走査型電子顕微鏡
２０  支持台
４０  ＳｉＣ基板
４１  標準試料（走査型電子顕微鏡用標準試料）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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