(57)【要約】【課題】受発光デバイスの小さな電極に対しても２つのプローブを容易に接触させることができる測定用プローブ及び測定装置を提供する。【解決手段】測定用プローブは、第１方向に沿って延びるとともに第１方向と交差する方向に並んでおり、第１方向における先端の位置が互いに揃っている第１の部分と、第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って第１の部分の他端から延びる第２の部分とをそれぞれ含む金属製の棒状の第１及び第２の導電体と、第１及び第２の導電体の第１の部分同士を互いに固定する絶縁性の固定部材と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿って延びるとともに前記第１方向と交差する方向に並んでおり、前記第１方向における先端の位置が互いに揃っている第１の部分と、前記第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って前記第１の部分の他端から延びる第２の部分とをそれぞれ含む金属製の棒状の第１及び第２の導電体と、
前記第１及び第２の導電体の前記第１の部分同士を互いに固定する絶縁性の固定部材と、
を備える、測定用プローブ。
【請求項２】
前記第１及び第２の導電体の前記第１の部分がＢｅ及びＣｕを含む、請求項１に記載の測定用プローブ。
【請求項３】
前記固定部材が樹脂製である、請求項１または２に記載の測定用プローブ。
【請求項４】
前記固定部材がセラミック製である、請求項１または２に記載の測定用プローブ。
【請求項５】
前記第１の部分の先端部を擦って該先端部のクリーニングを行うセラミックプレートを更に備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の測定用プローブ。
【請求項６】
請求項１に記載の測定用プローブである第１及び第２の測定用プローブと、
前記第１の測定用プローブの前記第１の導電体の前記第２の部分と前記第２の測定用プローブの前記第１の導電体の前記第２の部分との間に電気的に接続された電圧計と、
前記第１の測定用プローブの前記第２の導電体の前記第２の部分と前記第２の測定用プローブの前記第２の導電体の前記第２の部分との間に電気的に接続された電流計と、
を備える、測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定用プローブ及び測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プローブを用いて特性を測定する場合の測定不良の発生を抑制することを目的とする半導体装置が記載されている。この文献には、面発光レーザ素子の電極パッドにプローブを物理的に接触させて電圧を印加するとともに電流を注入し、面発光レーザ素子をレーザ発振させてその特性（例えばしきい値電流やスロープ効率）を測定することが記載されている。
【０００３】
特許文献２には、面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法が記載されている。この文献には、面発光型半導体レーザ素子の電極にプローブを接触させ、ストレス用電源から出力されたストレス電流をプローブを介して面発光型半導体レーザ素子の電極に供給することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１３５１９５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５８０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
受発光デバイスの動作特性などを測定するために、受発光デバイスの電極にプローブを接触させて電圧を測定することがある。その場合、受発光デバイスの動作特性によっては、電圧を極めて精度良く測定することが求められる。そのような場合に、１つの電極に対して２つのプローブを同時に接触させ、一方のプローブを介して電圧を測定し、他方のプローブを介して電流を測定する、いわゆるケルビン接続を行うことが有効である。ケルビン接続により、プローブの先端部から測定器までの抵抗による電圧降下に起因する測定誤差の発生を回避して、受発光デバイスの動作特性を精度よく測定することができる。
【０００６】
しかしながら、近年の受発光デバイスの小型化により、受発光デバイスの電極も次第に小さくなっており、１つの電極に対して２つのプローブを同時に接触させることが困難になりつつある。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、受発光デバイスの小さな電極に対しても２つのプローブを容易に接触させることができる測定用プローブ及び測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、一実施形態に係る測定用プローブは、第１方向に沿って延びるとともに第１方向と交差する方向に並んでおり、第１方向における先端の位置が互いに揃っている第１の部分と、第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って第１の部分の他端から延びる第２の部分とをそれぞれ含む金属製の棒状の第１及び第２の導電体と、第１及び第２の導電体の第１の部分同士を互いに固定する絶縁性の固定部材と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明による測定用プローブ及び測定装置によれば、受発光デバイスの小さな電極に対しても２つのプローブを容易に接触させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態による測定装置の外観を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、固定部材付近の構成を示す平面図である。
【図３】図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、一実施形態の測定装置の使用方法を示す図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、測定装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、支持部材を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示されたVII−VII線に沿った断面図である。
【図８】図８は、別の例による支持部材を示す平面図である。
【図９】図９は、図８に示されたIX−IX線に沿った断面図である。
【図１０】図１０は、測定対象であるＶＣＳＥＬの平面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示されるXI−XI線に沿った断面図であって、ＶＣＳＥＬの発光部の断面構造を示す。
【図１２】図１２は、このような構成を備えるＶＣＳＥＬの動作特性を測定する様子を示す模式図である。
【図１３】図１３（ａ）は、測定装置によって測定されるＶＣＳＥＬの電流−光出力特性の一例を示すグラフである。図１３（ｂ）は、測定装置によって測定されるＶＣＳＥＬの電流−電圧特性の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る測定用プローブは、第１方向に沿って延びるとともに第１方向と交差する方向に並んでおり、第１方向における先端の位置が互いに揃っている第１の部分と、第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って第１の部分の他端から延びる第２の部分とをそれぞれ含む金属製の棒状の第１及び第２の導電体と、第１及び第２の導電体の第１の部分同士を互いに固定する絶縁性の固定部材と、を備える。
【００１１】
この測定用プローブでは、第１及び第２の導電体の第１の部分がそれらの延伸方向と交差する方向に並んでおり、それらの先端の位置が互いに揃っている。これにより、受発光デバイスの小さな電極に対しても、第１及び第２の導電体の先端部を同時に接触させることが容易にできる。すなわち、上記の測定用プローブによれば、ケルビン接続を容易に行うことができる。また、上記の測定用プローブでは、第１及び第２の導電体の第２の部分が、第１方向に対して傾斜する方向に沿って第１の部分の他端から延びている。これにより、第１の部分の先端を受発光デバイスの電極に接触させたときに、第１の部分と第２の部分との成す角度が弾性的に変化し、第１の部分の先端と電極との接触状態を適切に保つことができる。
【００１２】
上記の測定用プローブにおいて、第１及び第２の導電体の第１の部分はＢｅ及びＣｕを含んでもよい。Ｂｅ及びＣｕを含む金属は、例えばタングステンといった従来の測定用プローブに用いられている金属と比較して柔らかいので、受発光デバイスの電極が例えば金（Ａｕ）といった柔らかい金属からなる場合であっても、電極の損傷を低減できる。
【００１３】
上記の測定用プローブにおいて、固定部材は樹脂製であってもよい。或いは、固定部材はセラミック製であってもよい。例えばこれらのいずれかにより、第１及び第２の導電体の第１の部分同士を、これらの絶縁を維持しつつ固定することができる。特に、固定部材が樹脂製である場合には、機械加工が不要であるため固定部材を容易に作製できる。
【００１４】
上記の測定用プローブは、第１の部分の先端部を擦って該先端部のクリーニングを行うセラミックプレートを更に備えてもよい。測定用プローブの使用を続けると、第１の部分の先端部と電極との接触によって先端部が摩耗し、次第に先端部に汚れが付着する。先端部に汚れが付着すると、先端部と電極との接触抵抗が大きくなり、測定誤差が増大する。セラミックプレートを用いて先端部のクリーニングを行うことにより、先端部の汚れを除去して先端部と電極との接触抵抗を低く抑え、測定誤差の増大を抑制できる。
【００１５】
一実施形態に係る測定装置は、上記いずれかの測定用プローブである第１及び第２の測定用プローブと、第１の測定用プローブの第１の導電体の第２の部分と第２の測定用プローブの第１の導電体の第２の部分との間に電気的に接続された電圧計と、第１の測定用プローブの第２の導電体の第２の部分と第２の測定用プローブの第２の導電体の第２の部分との間に電気的に接続された電流計と、を備える。この測定装置によれば、上述した測定用プローブである第１及び第２の測定用プローブを備えるので、受発光デバイスの一対の電極に対し、プローブを各々２つずつ容易に接触させることができる。そして、電圧計を用いて一対の電極間の電圧を測定し、電流計を用いて一対の電極間の電流を測定することにより、受発光デバイスの動作特性を極めて精度良く測定することができる。
【００１６】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る測定用プローブ及び測定装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による測定装置１Ａの外観を模式的に示す斜視図である。図１に示されるように、本実施形態の測定装置１Ａは、第１の測定用プローブ１０Ａと、第２の測定用プローブ１０Ｂと、電圧計１７と、電流計１８とを備える。この測定装置１Ａは、一対の電極パッド２１，２２を有する例えば垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）といった受発光デバイスの動作特性を測定するために用いられる。
【００１８】
第１の測定用プローブ１０Ａは、第１の導電体１１と、第２の導電体１２と、固定部材１５とを備える。第１の導電体１１は、金属製の棒状（または針状）の部材であって、その延在方向に並ぶ第１の部分１１ａ及び第２の部分１１ｂを含む。同様に、第２の導電体１２は、金属製の棒状（または針状）の部材であって、その延在方向に並ぶ第１の部分１２ａ及び第２の部分１２ｂを含む。
【００１９】
第１の部分１１ａ，１２ａは、第１方向Ａ１に沿って延びる棒状の部分であって、その長手方向に垂直な断面の形状は例えば円形である。第１の部分１１ａと第１の部分１２ａとは、第１方向Ａ１と交差する（例えば直交する）方向Ａ３に沿って並んでいる。なお、方向Ａ３は、第１方向Ａ１に加えて第２方向Ａ２とも交差してよい。第１の部分１１ａ，１２ａは、Ｂｅ及びＣｕを含む金属（例えばＢｅ−Ｃｕ）からなる。第１の部分１１ａ，１２ａは、第１方向Ａ１における先端部１１ｃ，１２ｃをそれぞれ有する。第１方向Ａ１における先端部１２ｃの位置は、同方向における第１の導電体１１の先端部１１ｃの位置と揃っている（一致している）。先端部１１ｃ，１２ｃは、同時に電極パッド２１と接触することにより電極パッド２１と電気的に接続される。
【００２０】
第２の部分１１ｂ，１２ｂは、第１方向Ａ１に対して傾斜する第２方向Ａ２に沿って第１の部分１１ａ，１２ａの他端からそれぞれ延びる棒状の部分である。第１方向Ａ１と第２方向Ａ２との成す角度は弾性的に変化し、先端部１１ｃ，１２ｃが電極パッド２１に接触していない状態では例えば４５°であり、先端部１１ｃ，１２ｃが電極パッド２１に接触している状態では例えば３０°である。第２の部分１１ｂ，１２ｂは、第１の部分１１ａ，１２ａと同じ種類の金属からなってもよく、第１の部分１１ａ，１２ａとは異なる種類の金属からなってもよい。また、第２の部分１１ｂ，１２ｂの長手方向に垂直な断面の形状は、第１の部分１１ａ，１２ａと同じであってもよく、異なってもよい。第２の部分１１ｂ，１２ｂは、第１の部分１１ａ，１２ａとは反対側の一端である後端１１ｄ，１２ｄをそれぞれ有する。後端１１ｄは電圧計１７の一方の端子と電気的に接続され、後端１２ｄは電流計１８の一方の端子と電気的に接続されている。
【００２１】
固定部材１５は、第１の導電体１１の第１の部分１１ａと、第２の導電体１２の第１の部分１２ａとを互いに固定する絶縁性の部材である。図２は、固定部材１５付近の構成を示す平面図である。図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。図２及び図３に示されるように、固定部材１５は、第１の部分１１ａ，１２ａを保持する。より詳細には、固定部材１５は、第１の部分１１ａ，１２ａの先端部１１ｃ，１２ｃを除く部分を、互いに間隔をあけた状態で一括して覆っている。固定部材１５は、第１方向Ａ１において互いに対向する一端面１５ａ及び他端面１５ｂを有する。第１の部分１１ａ，１２ａは、一端面１５ａと他端面１５ｂとの間を貫通している。図３に示されるように、第１方向Ａ１に垂直な断面における固定部材１５の形状は例えば長方形状である。言い換えると、本実施形態の固定部材１５は例えば直方体状である。固定部材１５は、第１の部分１１ａ，１２ａと第２の部分１１ｂ，１２ｂとの接続部分を覆っておらず、該接続部分は固定部材１５から露出している。
【００２２】
固定部材１５は、例えばエポキシ等の樹脂製、もしくはセラミック製である。或いは、固定部材１５は他の絶縁性材料からなってもよく、樹脂及びセラミックを含む複数の絶縁性材料を組み合わせて構成されてもよい。固定部材１５が樹脂製である場合、図２及び図３に示された固定部材１５の形状は、例えばモールド成形によって形成される。なお、本実施形態では導電体１１，１２の第１の部分１１ａ，１２ａが固定部材１５の内部を貫通しているが、第１の部分１１ａ，１２ａは固定部材１５の側面上に互いに間隔をあけて固着もしくは接着されてもよい。
【００２３】
再び図１を参照する。第２の測定用プローブ１０Ｂは、上述した第１の測定用プローブ１０Ａと同様の構成を備える。具体的には、第２の測定用プローブ１０Ｂは、第１の導電体１３と、第２の導電体１４と、固定部材１６とを備える。第１の導電体１３は、金属製の棒状（または針状）の部材であって、その延在方向に並ぶ第１の部分１３ａ及び第２の部分１３ｂを含む。同様に、第２の導電体１４は、金属製の棒状（または針状）の部材であって、その延在方向に並ぶ第１の部分１４ａ及び第２の部分１４ｂを含む。
【００２４】
第１の部分１３ａ，１４ａは、第１方向Ａ１に沿って延びる棒状の部分であって、その長手方向に垂直な断面の形状は例えば円形である。第１の部分１３ａと第１の部分１４ａとは、方向Ａ３に沿って並んでいる。第１の部分１３ａ，１４ａは、Ｂｅ及びＣｕを含む金属（例えばＢｅ−Ｃｕ）からなる。第１の部分１３ａ，１４ａは、第１方向Ａ１における先端部１３ｃ，１４ｃをそれぞれ有する。第１方向Ａ１における先端部１４ｃの位置は、同方向における第１の導電体１３の先端部１３ｃの位置と揃っている（一致している）。先端部１３ｃ，１４ｃは、同時に電極パッド２２と接触することにより電極パッド２２と電気的に接続される。
【００２５】
第２の部分１３ｂ，１４ｂは、第１方向Ａ１に対して傾斜する第２方向Ａ２に沿って第１の部分１３ａ，１４ａの他端からそれぞれ延びる棒状の部分である。第１方向Ａ１と第２方向Ａ２との成す角度は弾性的に変化し、先端部１３ｃ，１４ｃが電極パッド２２に接触していない状態では例えば４５°であり、先端部１３ｃ，１４ｃが電極パッド２２に接触している状態では例えば３０°である。第２の部分１３ｂ，１４ｂは、第１の部分１３ａ，１４ａと同じ種類の金属からなってもよく、第１の部分１３ａ，１４ａとは異なる種類の金属からなってもよい。また、第２の部分１３ｂ，１４ｂの長手方向に垂直な断面の形状は、第１の部分１３ａ，１４ａと同じであってもよく、異なってもよい。第２の部分１３ｂ，１４ｂは、第１の部分１３ａ，１４ａとは反対側の一端である後端１３ｄ，１４ｄをそれぞれ有する。後端１３ｄは電圧計１７の他方の端子と電気的に接続され、後端１４ｄは電流計１８の他方の端子と電気的に接続されている。
【００２６】
固定部材１６は、第１の導電体１３の第１の部分１３ａと、第２の導電体１４の第１の部分１４ａとを互いに固定する絶縁性の部材である。固定部材１６の詳細な形状は、図２及び図３に示された固定部材１５の形状と同様である。固定部材１６は、例えば樹脂製もしくはセラミック製である。或いは、固定部材１６は他の絶縁性材料からなってもよく、樹脂及びセラミックを含む複数の絶縁性材料を組み合わせて構成されてもよい。また、本実施形態では導電体１３，１４の第１の部分１３ａ，１４ａが固定部材１６の内部を貫通しているが、第１の部分１３ａ，１４ａは固定部材１６の側面上に互いに間隔をあけて固着もしくは接着されてもよい。
【００２７】
電圧計１７は、第１の測定用プローブ１０Ａの第１の導電体１１の第２の部分１１ｂと、第２の測定用プローブ１０Ｂの第１の導電体１３の第２の部分１３ｂとの間に電気的に接続されている。電圧計１７は、導電体１１の先端部１１ｃに接触する電極パッド２１と、導電体１３の先端部１３ｃに接触する電極パッド２２との間の電圧の大きさを測定する。なお、電圧計１７は、導電体１１と導電体１３との間に任意の大きさの電圧を印加する機能を併せて備えてもよい。
【００２８】
電流計１８は、第１の測定用プローブ１０Ａの第２の導電体１２の第２の部分１２ｂと、第２の測定用プローブ１０Ｂの第２の導電体１４の第２の部分１４ｂとの間に電気的に接続されている。電流計１８は、導電体１２の先端部１２ｃに接触する電極パッド２１と、導電体１４の先端部１４ｃに接触する電極パッド２２との間に流れる電流の大きさを測定する。
【００２９】
なお、第１の測定用プローブ１０Ａと第２の測定用プローブ１０Ｂとは、図示しない支持部材を介して互いに固定されてもよい。その場合、各導電体１１〜１４の先端部１１ｃ〜１４ｃの位置は、第１方向Ａ１において互いに揃えられる。言い換えると、各先端部１１ｃ〜１４ｃは、方向Ａ３に沿った直線上に並ぶ。支持部材は、各導電体１１〜１４の第２の部分１１ｂ〜１４ｂ、電圧計１７、及び電流計１８を主面上に搭載する共通の基板であってもよい。
【００３０】
本実施形態の寸法例を示す。電極パッド２１，２２は円形であり、その直径は例えば６０μｍである。第１の測定用プローブ１０Ａと第２の測定用プローブ１０Ｂとの中心間距離は例えば１００μｍである。受発光デバイスがＶＣＳＥＬである場合、第１の測定用プローブ１０Ａと第２の測定用プローブ１０Ｂとの中点と、ＶＣＳＥＬの光出射部（発光面）の中心との距離は例えば１００μｍである。固定部材１５，１６の第１方向Ａ１における長さＬ１は例えば１０ｍｍである。固定部材１５，１６から露出した各導電体１１〜１４の第１方向Ａ１における長さＬ２は例えば１ｍｍである。第１の部分１１ａ〜１４ａと第２の部分１１ｂ〜１４ｂとの境界部分（屈曲部分）から固定部材１５，１６までの各導電体１１〜１４の第１方向Ａ１における長さＬ３は例えば１ｍｍである。各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａの直径Ｄ１は例えば１０μｍであり、第１の部分１１ａと第１の部分１２ａとの間隔及び第１の部分１３ａと第１の部分１４ａとの間隔Ｗ２は、直径Ｄ１と略等しく、例えば１０μｍである。
【００３１】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本実施形態の測定装置１Ａの使用方法を示す図である。まず、図４（ａ）に示されるように、各導電体１１〜１４の先端部１１ｃ〜１４ｃを電極パッド２１，２２に近づける。このとき、各導電体１１〜１４の第２の部分１１ｂ〜１４ｂと電極パッド２１，２２の表面とを互いに平行とする。先端部１１ｃ〜１４ｃは電極パッド２１，２２に接触していないので、各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａと電極パッド２１，２２の表面との角度θ１は例えば４５°となる。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示されるように、各導電体１１〜１４の先端部１１ｃ〜１４ｃを電極パッド２１，２２に接触させる。このとき、先端部１１ｃ〜１４ｃは電極パッド２１，２２の表面を滑りながら移動し、第１の部分１１ａ〜１４ａと第２の部分１１ｂ〜１４ｂとの成す角度が弾性的に拡大する。その結果、各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａと電極パッド２１，２２の表面との角度θ２は例えば３０°となる。
【００３３】
こうして各導電体１１〜１４の先端部１１ｃ〜１４ｃと電極パッド２１，２２とが接触した状態で測定を行ったのち、先端部１１ｃ〜１４ｃのクリーニングを行う。すなわち、図４（ｃ）に示されるように、平坦な表面を有するセラミックプレート３０を用意し、先端部１１ｃ〜１４ｃをセラミックプレート３０の表面に擦り付けて先端部１１ｃ〜１４ｃの汚れを除去する。セラミックプレート３０は、本実施形態の測定装置１Ａの一構成要素である。
【００３４】
続いて、本実施形態の第１の測定用プローブ１０Ａの製造方法について説明する。図５（ａ）〜図５（ｃ）は、測定装置１Ａの製造方法を示す図である。なお、第２の測定用プローブ１０Ｂの製造方法もこれと同様である。まず、図５（ａ）に示されるように、屈曲前の第１の導電体１１及び第２の導電体１２を、それらの長手方向と交差する方向に並べる。次に、図５（ｂ）に示されるように、導電体１１，１２の先端部を長さＬ２だけ残し、長さＬ１にわたる導電体１１，１２の部分を固定部材１５によって被覆・固定する。続いて、図５（ｃ）に示されるように、固定部材１５によって被覆された部分を含む導電体１１，１２の第１の部分１１ａ，１２ａを角度θ１だけ曲げる。こうして、本実施形態の第１の測定用プローブ１０Ａが作製される。
【００３５】
ここで、測定用プローブ１０Ａ及び１０Ｂを支持する支持部材の例について詳細に説明する。図６は、支持部材４０Ａを示す平面図である。図７は、図６に示されたVII−VII線に沿った断面図である。支持部材４０Ａは、例えば長方形もしくは正方形といった平面形状を有する板状部材４１を有する。板状部材４１は、平坦な主面４１ａと、主面４１ａの反対側に位置する平坦な裏面４１ｂとを有する。板状部材４１の四隅それぞれには、他の装置に固定されるための固定ネジ４２が設けられている。固定ネジ４２は、板状部材４１をその厚さ方向に貫通している。
【００３６】
板状部材４１の略中央部には、開口４１ｃが形成されている。開口４１ｃの平面形状は例えば円形である。開口４１ｃは、板状部材４１の主面４１ａと裏面４１ｂとの間を貫通している。図６に示すように、板状部材４１の厚み方向から見て、各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａは、この開口４１ｃの縁部から内側に向けて突出している。また、図７に示すように、各導電体１１〜１４の第２の部分１１ｂ〜１４ｂは、板状部材４１の裏面４１ｂに沿って配置され、裏面４１ｂに固定されている。そして、各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａは、裏面４１ｂに対して傾斜する方向（主面４１ａから離れる方向）に突出している。言い換えると、この例では、第１方向Ａ１が裏面４１ｂに対して傾斜している。
【００３７】
図６に示すように、各導電体１１〜１４の第２の部分１１ｂ〜１４ｂは、開口４１ｃから離れる方向に互いの間隔を広げながら延びている。そして、各導電体１１〜１４の後端１１ｄ〜１４ｄは、板状部材４１を厚み方向に貫通する端子４４ａ〜４４ｄとそれぞれ繋がっている。これにより、板状部材４１の主面４１ａ側から各導電体１１〜１４との導通を図ることが可能となる。
【００３８】
支持部材４０Ａの寸法の一例を示す。板状部材４１の外形は例えば一辺３００ｍｍの正方形である。開口４１ｃの直径Ｄ２は例えば５０ｍｍである。板状部材４１の厚さ（主面４１ａと裏面４１ｂとの間隔）Ｔ１は例えば２ｍｍである。裏面４１ｂを含む平面を基準とする各導電体１１〜１４の先端部１１ｃ〜１４ｃの高さＨ１は例えば７ｍｍである。
【００３９】
本実施形態の測定装置１Ａは、このような支持部材４０Ａを備えてもよい。その場合、支持部材４０Ａは、例えば複数の受発光デバイスが形成されたウェハの表面と板状部材４１の裏面４１ｂとが対向するようにウェハ上に配置される。そして、ウェハと支持部材４０Ａとの相対位置を主面４１ａ及び裏面４１ｂと平行な方向に移動させながら、各受発光デバイスの電極パッドに各導電体１１〜１４の先端部１１ｃ〜１４ｃを接触させて各受発光デバイスの動作特性を測定する。これにより、ケルビン接続を用いて受発光デバイスの動作特性を精度良く測定することができる。また、微細な第１の部分１１ａ〜１４ａを支持部材４０Ａによって保護することができる。なお、各受発光デバイスがＶＣＳＥＬである場合、各ＶＣＳＥＬから出射されるレーザ光は、開口４１ｃを通じて取り出される。
【００４０】
図８は、別の例による支持部材４０Ｂを示す平面図である。図９は、図８に示されたIX−IX線に沿った断面図である。上述した支持部材４０Ａと支持部材４０Ｂとの相違点は、測定用プローブの数、及び光ファイバの有無である。
【００４１】
具体的には、支持部材４０Ｂは、例えば長方形もしくは正方形といった平面形状を有する板状部材４３を有する。板状部材４３は、平坦な主面４３ａと、主面４３ａの反対側に位置する平坦な裏面４３ｂとを有する。板状部材４３の四隅それぞれには、他の装置に固定されるための固定ネジ４２が設けられている。固定ネジ４２は、板状部材４３をその厚さ方向に貫通している。
【００４２】
また、図９に示すように、板状部材４３の裏面４３ｂ上には、一対の測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂからなる測定用プローブ対が複数対（図では１０対）並んで配置されている。各測定用プローブ対において、導電体１１〜１４の第２の部分１１ｂ〜１４ｂは、板状部材４３の裏面４３ｂに沿って配置され、裏面４３ｂに固定されている。そして、各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａは、板状部材４３の略中央付近において、裏面４３ｂに対して傾斜する方向（主面４３ａから離れる方向）に突出している。言い換えると、この例では、第１方向Ａ１が裏面４３ｂに対して傾斜している。複数の測定用プローブ対の先端部１１ｃ〜１４ｃは、一直線上に並んで配置されている。
【００４３】
図８に示すように、導電体１１，１２の第２の部分１１ｂ，１２ｂと、導電体１３，１４の第２の部分１３ｂ，１４ｂとは、それらの後端１１ｄ〜１４ｄに向けて間隔を広げながら延びている。そして、各導電体１１〜１４の後端１１ｄ〜１４ｄは、板状部材４３を厚み方向に貫通する端子４４ａ〜４４ｄとそれぞれ繋がっている。これにより、板状部材４３の主面４３ａ側から各導電体１１〜１４との導通を図ることが可能となる。なお、図８には端子４４ａ〜４４ｄが２列に並んで配列されている例が示されているが、端子４４ａ〜４４ｄの配置はこれに限らない。
【００４４】
板状部材４３の主面４３ａ上には、複数の光ファイバ４５ａからなる光ファイバ束４５が設けられている。光ファイバ束４５は、板状部材４３の主面４３ａに固定され、板状部材４３の略中央付近から各導電体１１〜１４とは反対側に延びている。また、各光ファイバ４５ａの先端部４５ｂは、板状部材４３の略中央付近において板状部材４３を貫通しており、板状部材４３の裏面４３ｂから突出している。先端部４５ｂは先球形状となっており、受発光デバイスがＶＣＳＥＬである場合に、各ＶＣＳＥＬから出射されるレーザ光を集光しつつ受ける。なお、光ファイバ束４５は必要に応じて設けられ、省略することも可能である。複数の先端部４５ｂは、複数の測定用プローブ対の先端部１１ｃ〜１４ｃの並び方向に沿って一直線上に並んで配置されている。また、各先端部４５ｂは、対応する測定用プローブ対の先端部１１ｃ〜１４ｃと向かい合って配置されている。
【００４５】
以上に説明した、本実施形態の測定装置１Ａ及び測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂによって得られる効果について説明する。測定用プローブ１０Ａでは、導電体１１，１２の第１の部分１１ａ，１２ａがそれらの延伸方向と交差する方向に並んでおり、それらの先端部１１ｃ，１２ｃの位置が互いに揃っている。これにより、受発光デバイス（例えばＶＣＳＥＬ５０）の小さな電極パッド２１に対し、導電体１１，１２の先端部１１ｃ，１２ｃを同時に接触させることが容易にできる。すなわち、本実施形態の測定用プローブ１０Ａによれば、ケルビン接続を容易に行うことができる。また、測定用プローブ１０Ａでは、導電体１１，１２の第２の部分１１ｂ，１２ｂが、第１方向Ａ１に対して傾斜する方向に沿って第１の部分１１ａ，１２ａの他端から延びている。これにより、第１の部分１１ａ，１２ａの先端部１１ｃ，１２ｃを受発光デバイスの電極パッド２１に接触させたときに、第１の部分１１ａ，１２ａと第２の部分１１ｂ，１２ｂとの成す角度が弾性的に変化し、先端部１１ｃ，１２ｃと電極パッド２１，２２との接触状態を適切に保つことができる。測定用プローブ１０Ａに関するこれらの効果は、測定用プローブ１０Ｂについても同様である。
【００４６】
また、本実施形態のように、導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａはＢｅ及びＣｕを含んでもよい。Ｂｅ及びＣｕを含む金属は、例えばタングステンといった従来の測定用プローブに用いられている金属と比較して柔らかいので、受発光デバイスの電極パッド２１，２２が例えば金（Ａｕ）といった柔らかい金属からなる場合であっても、電極パッド２１，２２の損傷を低減できる。
【００４７】
また、本実施形態のように、固定部材１５，１６は樹脂製であってもよい。或いは、固定部材１５，１６はセラミック製であってもよい。例えばこれらのいずれかにより、導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａ同士を、これらの絶縁を維持しつつ固定することができる。特に、固定部材１５，１６が樹脂製である場合には、機械加工が不要であるため固定部材１５，１６を容易に作製できる。
【００４８】
また、本実施形態のように、第１の部分１１ａ〜１４ａの先端部１１ｃ〜１４ｃを擦って先端部１１ｃ〜１４ｃのクリーニングを行うセラミックプレート３０を更に備えてもよい。測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂの使用を続けると、先端部１１ｃ〜１４ｃと電極パッド２１，２２との接触によって先端部１１ｃ〜１４ｃが摩耗し、次第に先端部１１ｃ〜１４ｃに汚れが付着する。先端部１１ｃ〜１４ｃに汚れが付着すると、先端部１１ｃ〜１４ｃと電極パッド２１，２２との接触抵抗が大きくなり、測定誤差が増大する。セラミックプレート３０を用いて先端部１１ｃ〜１４ｃのクリーニングを行うことにより、先端部１１ｃ〜１４ｃの汚れを除去して先端部１１ｃ〜１４ｃと電極パッド２１，２２との接触抵抗を低く抑え、測定誤差の増大を抑制できる。
【００４９】
また、本実施形態の測定装置１Ａは、上述した測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂを備えるので、受発光デバイスの一対の電極パッド２１，２２に対し、プローブを各々２つずつ容易に接触させることができる。そして、電圧計１７を用いて一対の電極パッド２１，２２間の電圧を測定し、電流計１８を用いて一対の電極パッド２１，２２間の電流を測定することにより、受発光デバイスの動作特性を極めて精度良く測定することができる。
【００５０】
また、本実施形態のように、測定対象はＶＣＳＥＬであってもよい。通常、ＶＣＳＥＬは数ｍＡの電流で発振するので、測定器側のプローブや配線などの抵抗の影響が大きくなる。また、通常、ＶＣＳＥＬの電極パッド２１，２２は例えば直径６０μｍと極めて小さい。しかも、通常、ＶＣＳＥＬは電極パッド２１，２２と同じ面からレーザ光Ｌを出射するので、レーザ光Ｌの出射を妨げないようにプローブを傾けることも必要となる。本実施形態の測定装置１Ａ及び測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂによれば、このようなＶＣＳＥＬの電極パッド２１，２２に対してケルビン接続が可能であり、また、固定部材１５，１６によって導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａを保持するので、第１の部分１１ａ〜１４ａが電極パッド２１，２２に対して傾斜した状態であっても第１の部分１１ａ〜１４ａの撓みを抑え、先端部１１ｃ〜１４ｃと電極パッド２１，２２とを十分に接触させることができる。特に、導電体１１〜１４がＢｅ−Ｃｕからなる場合、Ｂｅ−Ｃｕは柔らかい材質であるため撓んだ状態で使用すると劣化が早まる。従って、本実施形態の測定装置１Ａ及び測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂが特に有効である。
【００５１】
（使用例）
上記実施形態の一使用例として、ＶＣＳＥＬの動作特性を測定する場合について説明する。図１０は、測定対象であるＶＣＳＥＬ５０の平面図である。図１１は、図１０に示されるXI−XI線に沿った断面図であって、ＶＣＳＥＬ５０の発光部５１の断面構造を示す。図１０に示されるように、ＶＣＳＥＬ５０は、一対の電極パッド２１，２２と、発光部５１とを備える。電極パッド２１，２２は、例えば円形といった平面形状を有しており、略正方形状の半導体基板５２（図１１を参照）上において或る一辺に沿って並んで配置されている。半導体基板５２の各辺の長さは例えば２５０μｍであり、電極パッド２１，２２の直径は例えば６０μｍである。
【００５２】
図１１に示されるように、発光部５１は、半導体基板５２と、第１積層体５３と、活性層５４と、電流狭窄層５５と、第２積層体５６と、絶縁膜５７と、電極５８，５９とを備えている。半導体基板５２上には、第１積層体５３と、活性層５４と、電流狭窄層５５と、第２積層体５６とが順に積層されている。発光部５１においては、第１積層体５３の一部と、活性層５４と、電流狭窄層５５と、第２積層体５６とによって半導体メサＭが設けられている。以下では、発光部５１を構成する層（例えば活性層５４）の厚さ方向を、方向Ｔと定義する。
【００５３】
半導体基板５２は、III−Ｖ族半導体基板であり、例えばｉ型又はｎ型のＧａＡｓ基板である。半導体基板５２がｎ型である場合、例えばｎ型ドーパントであるＴｅ（テルル）、Ｓｉ（ケイ素）等が含まれている。なお、III族元素は例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）等であり、Ｖ族元素は例えばＡｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）等である。半導体基板５２は、回路基板に実装される前に研磨等によって薄型加工されてもよい。この場合、半導体基板５２の厚さは、例えば１００μｍ〜２００μｍに設定される。
【００５４】
第１積層体５３は、活性層５４に対する下部分布ブラッグ反射器（下部ＤＢＲ）として機能する層状物であり、複数の半導体層を備えている。第１積層体５３は、半導体基板５２の表面５２ａ上に設けられており、例えば第１超格子層６１と、コンタクト層６２と、第２超格子層６３とを有する。第１超格子層６１、コンタクト層６２、及び第２超格子層６３は、半導体基板５２の表面５２ａから方向Ｔに沿って順に積層されている。すなわち、コンタクト層６２は、方向Ｔにおいて第１超格子層６１と第２超格子層６３との間に位置している。
【００５５】
第１超格子層６１は、ｉ型の半導体層である。第１超格子層６１は、複数の異なる半導体層を含む単位構造が積層されてなる超格子構造を有する。この単位構造は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．１２）と、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）とを含む。第１超格子層６１に含まれる単位構造の数は、例えば５０〜１００である。第１超格子層６１の厚さは、例えば４０００ｎｍ〜６０００ｎｍである。
【００５６】
コンタクト層６２は、発光部５１において電極５９に接する単層のｎ型半導体層である。コンタクト層６２は、例えばＳｉがドープされるＧａＡｓ層である。コンタクト層６２は、互いに厚さが異なり得る第１部分６２ａ及び第２部分６２ｂを有する。第１部分６２ａは、電極５９に接する部分であり、平面視にて半導体メサＭの外側に位置する部分である。第１部分６２ａは、第２部分６２ｂの厚さ以下である部分である。コンタクト抵抗の観点から、第１部分６２ａの厚さは、例えば２５０ｎｍ〜５００ｎｍである。第２部分６２ｂは、半導体メサＭの一部になる部分である。第２部分６２ｂの厚さは、例えば第１部分６２ａの厚さ以上であって５００ｎｍ以下である。
【００５７】
第２超格子層６３は、ｎ型の半導体層であり、コンタクト層６２の第２部分６２ｂ上に設けられている。第２超格子層６３は、第１超格子層６１と同様に、複数の異なる半導体層を含む単位構造が積層されてなる超格子構造を有する。この単位構造は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．１２）と、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）とを含む。第２超格子層６３に含まれる単位構造の数は、例えば１０〜３０である。第２超格子層６３には、例えばＳｉがドープされる。第２超格子層６３の厚さは、例えば１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【００５８】
活性層５４は、電子と正孔との再結合によって光が発生する半導体層であり、第１積層体５３の第２超格子層６３上に設けられている。活性層５４は、下部スペーサ層７１と、多重量子井戸構造部７２と、上部スペーサ層７３とを有する。下部スペーサ層７１、多重量子井戸構造部７２、及び上部スペーサ層７３は、第１積層体５３上から方向Ｔに沿って順に積層されている。すなわち、多重量子井戸構造部７２は、方向Ｔにおいて下部スペーサ層７１と上部スペーサ層７３との間に位置している。活性層５４の厚さは、例えば５０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００５９】
下部スペーサ層７１は、方向Ｔにおいて第２超格子層６３と多重量子井戸構造部７２との間に位置すると共に、ｎ型ドーパントを含む半導体層である。下部スペーサ層７１は、例えばＳｉがドープされたＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．３０）である。多重量子井戸構造部７２は、例えば井戸層であるＧａＡｓ層と、障壁層であるＡｌＧａＡｓ層とを交互に含む。上部スペーサ層７３は、ノンドープ半導体層と、ｐ型ドーパントを含む半導体層とを有する。ノンドープ半導体層は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．３０）である。ｐ型ドーパントを含む半導体層は、例えばＺｎ（亜鉛）を含むＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）である。ｐ型ドーパントは、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃ（炭素）、またはＺｎである。
【００６０】
電流狭窄層５５は、半導体メサＭ内の活性層５４に注入される電流（キャリア）を狭窄するための半導体層である。電流狭窄層５５は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９８）から形成されており、高抵抗部８１及び低抵抗部８２を有する。高抵抗部８１は、方向Ｔから見て低抵抗部８２を囲うように設けられており、アルミニウム酸化物が形成されている部分である。低抵抗部８２は、高抵抗部８１よりも電気抵抗が低い部分であり、アルミニウム酸化物を含まない部分である。電流狭窄層５５の厚さは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍである。電流狭窄層５５においては、低抵抗部８２に電流が集中することによって、当該電流を狭窄する。
【００６１】
第２積層体５６は、活性層５４に対する上部分布ブラッグ反射器（上部ＤＢＲ）として機能する層状物であり、複数の半導体層を備えている。第２積層体５６は、電流狭窄層５５上に設けられており、例えば超格子層９１と、コンタクト層９２とを有する。超格子層９１及びコンタクト層９２は、電流狭窄層５５上から方向Ｔに沿って順に積層されている。
【００６２】
超格子層９１は、ｐ型の半導体超格子層（ｐ型の第２半導体層）である。超格子層９１は、第１超格子層６１等と同様に、単位構造が積層されてなる超格子構造を有する。この単位構造は、例えばＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．１２）と、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成：０．９０）とを含む。超格子層９１に含まれる単位構造の数は、例えば５０〜１００である。超格子層９１の厚さは、例えば３０００ｎｍ〜５０００ｎｍである。超格子層９１には、例えばＺｎがドープされる。コンタクト層９２は、発光部５１において電極５８に接する単層のｐ型半導体層である。コンタクト層９２は、例えばＺｎがドープされるＧａＡｓ層である。コンタクト層９２の厚さは、例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００６３】
絶縁膜５７は、発光部５１内の半導体層に対する保護膜であり、例えば無機絶縁膜である。無機絶縁膜は、例えば酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜等である。絶縁膜５７には、半導体メサＭ上に設けられる開口部５７ａと、半導体メサＭとは離れて設けられる開口部５７ｂとが設けられる。開口部５７ａ，５７ｂのそれぞれは、方向Ｔにおいて絶縁膜５７を貫通するように設けられる。このため、開口部５７ａを介してコンタクト層９２が露出し、開口部５７ｂを介してコンタクト層６２の第１部分６２ａが露出する。開口部５７ａ，５７ｂは、それぞれ複数設けられているが、１つだけ設けられてもよい。発光部５１が出射する光に対して高い反射率を絶縁膜５７に備えさせる観点から、絶縁膜５７の厚さは、２００ｎｍ〜５００ｎｍであってもよい。
【００６４】
電極５８は、半導体メサＭ上に設けられており、且つ、開口部５７ａに埋め込まれる導電層である。電極５８は、開口部５７ａを介してコンタクト層９２に接している。電極５８は、例えばチタン層、白金層、金層を有する積層構造を有している。電極５８は、方向Ｔから見て円環状を呈しており、電極５８によって囲まれた領域は光出射領域５１ａとなる。
【００６５】
電極５９は、半導体メサＭとは離れて設けられており、且つ、開口部５７ｂに埋め込まれる導電層である。電極５９は、開口部５７ｂを介してコンタクト層６２の第１部分６２ａに接している。電極５９は、例えば金−ゲルマニウム−ニッケル合金層である。電極５９は、方向Ｔから見て円環の一部を切り欠いた円弧状を呈している。
【００６６】
再び図１０を参照する。電極パッド２１は、絶縁膜５７上に設けられた配線２１ａを介して、電極５８と電気的に接続されている。電極パッド２２は、絶縁膜５７上に設けられた配線２２ａを介して、電極５９と電気的に接続されている。従って、電極パッド２１と電極パッド２２との間に電流が供給されることにより、発光部５１において活性層５４が発光し、レーザ光が光出射領域５１ａから出力される。
【００６７】
図１２は、このような構成を備えるＶＣＳＥＬ５０の動作特性を測定する様子を示す模式図である。測定用プローブ１０Ａの先端部１１ｃ，１２ｃを電極パッド２１に接触させ、測定用プローブ１０Ｂの先端部１３ｃ，１４ｃを電極パッド２２に接触させることにより、ＶＣＳＥＬ５０の動作特性を測定する。このとき、レーザ光Ｌの出射を妨げないように、各導電体１１〜１４の第１の部分１１ａ〜１４ａを、レーザ光Ｌとは反対側に傾斜させる。言い換えると、先端部１１ｃ〜１４ｃに対してレーザ光Ｌとは反対側に後端１１ｄ〜１４ｄが位置するように、測定用プローブ１０Ａ，１０Ｂを配置する。なお、レーザ光Ｌの光軸ＡＸ１に対する拡がり角θ３は、例えば３０°である。第１の部分１１ａ〜１４ａの傾斜角θ１は、この拡がり角θ３に基づいて設定されるとよい。
【００６８】
図１３（ａ）は、測定装置１Ａによって測定されるＶＣＳＥＬ５０の電流−光出力特性の一例を示すグラフである。この電流−光出力特性のグラフから、例えば下記のパラメータ（１）〜（５）を算出する。
（１）しきい値電流Ｉｔｈ：指定光出力の２点を結んだ直線と電流軸との交点となる電流値（図中のＡ値）。
（２）スロープ効率η［Ｗ／Ａ］：指定光出力の２点を結んだ直線Ｂの傾き。
（３）動作電流Ｉｏｐ：指定光出力時（Ｐｏｐ）の駆動電流値（図中のＣ値）。
（４）最大駆動電流値Ｉｍａｘ（図中のＤ値）。
（５）最大光出力値Ｐｍａｘ（図中のＥ値）。
【００６９】
また、図１３（ｂ）は、測定装置１Ａによって測定されるＶＣＳＥＬ５０の電流−電圧特性の一例を示すグラフである。この電流−電圧特性のグラフから、例えば下記のパラメータ（６）〜（９）を算出する。
（６）微分抵抗Ｒｓ：指定電流の２点を結んだ直線Ｆ（順方向電圧）の傾き。
（７）しきい値電圧Ｖｔｈ：しきい値電流Ｉｔｈ時の順方向電圧値（図中のＧ値）。
（８）最大駆動電圧Ｖｍａｘ（図中のＨ値）。
（９）動作電圧Ｖｏｐ：指定光出力、電流値Ｉｏｐ時の電圧値（図中のＩ値）。
【００７０】
本発明による測定用プローブ及び測定装置は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記使用例ではＶＣＳＥＬの動作特性の測定に本発明の測定用プローブ及び測定装置を用いる例を説明したが、本発明の測定用プローブ及び測定装置は、ＶＣＳＥＬに限らず様々な受発光デバイスの測定に使用可能である。また、上記実施形態では測定装置が複数の測定用プローブを備える例について説明したが、本発明の測定装置は、単一の測定用プローブを備えるものであってもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１Ａ…測定装置、１０Ａ…第１の測定用プローブ、１０Ｂ…第２の測定用プローブ、１１，１３…第１の導電体、１１ａ〜１４ａ…第１の部分、１１ｂ〜１４ｂ…第２の部分、１１ｃ〜１４ｃ…先端部、１１ｄ〜１４ｄ…後端、１２，１４…第２の導電体、１５，１６…固定部材、１５ａ…一端面、１５ｂ…他端面、１７…電圧計、１８…電流計、２１，２２…電極パッド、２１ａ，２２ａ…配線、３０…セラミックプレート、４０Ａ，４０Ｂ…支持部材、４１…板状部材、４１ａ…主面、４１ｂ…裏面、４１ｃ…開口、４２…固定ネジ、４３…板状部材、４３ａ…主面、４３ｂ…裏面、４４ａ〜４４ｄ…端子、４５…光ファイバ束、４５ａ…光ファイバ、４５ｂ…先端部、５０…ＶＣＳＥＬ、５１…発光部、５１ａ…光出射領域、５２…半導体基板、５２ａ…表面、５４…活性層、５５…電流狭窄層、５７…絶縁膜、５７ａ，５７ｂ…開口部、５８，５９…電極、６２…コンタクト層、７１…下部スペーサ層、７２…多重量子井戸構造部、７３…上部スペーサ層、８１…高抵抗部、８２…低抵抗部、９１…超格子層、９２…コンタクト層、ＡＸ１…光軸、Ｌ…レーザ光、Ｍ…半導体メサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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