(57)【要約】【課題】本願明細書に開示される技術は、樹脂の機械的強度を低下させずに、製造コストを削減し、かつ、放熱性を向上させるための技術を提供することを目的とするものである。【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する半導体装置は、絶縁基板（１２）と、絶縁基板の上面に配置される半導体素子（１４）と、半導体素子を内側に収容するように絶縁基板に接続されるケース（１６）と、半導体素子を埋め込むようにケースの内側に充填される樹脂（２０）とを備え、ケースの内側における樹脂の上面には、第１の凹部（２００）が形成され、第１の凹部は、平面視において半導体素子全体を包含する位置に形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上面に配置される半導体素子と、
前記半導体素子を内側に収容するように前記絶縁基板に接続されるケースと、
前記半導体素子を埋め込むように前記ケースの内側に充填される樹脂とを備え、
前記ケースの内側における前記樹脂の上面には、第１の凹部が形成され、
前記第１の凹部は、平面視において前記半導体素子全体を包含する位置に形成される、
半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子と電気的に接続される少なくとも１つの配線をさらに備え、
前記樹脂は、前記配線を埋め込むように充填される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の凹部の底面に形成される第２の凹部をさらに備える、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の凹部および前記第２の凹部のうちの少なくとも一方の側面がテーパー形状である、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子は、ＳｉＣを含むワイドギャップ半導体からなる、
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
絶縁基板の上面に配置された半導体素子を埋め込むように、前記半導体素子を収容するケースの内側に樹脂を充填し、
充填された前記樹脂の上面に、前記樹脂との金属の型を配置し、
前記金属の型が配置された状態の前記樹脂に対し、熱硬化処理を行い、
前記熱硬化処理後に、前記金属の型を取り外し、
前記樹脂の上面には、第１の凹部が形成され、
前記第１の凹部は、平面視において前記半導体素子全体を包含する位置に形成される、
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属の型には、Ｎｉめっきが形成される、
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属の型は、前記樹脂よりも線膨張係数が大きい金属からなる、
請求項６または請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子は、ＳｉＣを含むワイドギャップ半導体からなる、
請求項６から請求項８のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願明細書に開示される技術は、たとえば、電力用の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のパワーモジュールは、ダイレクトポッティング樹脂（以下、ＤＰ樹脂）で封止される場合があるが、その場合には内部電極の最上面までＤＰ樹脂を封止する必要があった（たとえば、特許文献１を参照）。
【０００３】
また、従来のパワーモジュールは、応力低減の目的で、部分的に封止樹脂が注入される場合もあった（たとえば、特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−５８５６３号公報
【特許文献２】特開昭６４−１８２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に示された電力半導体装置は、内部電極の最上面までＤＰ樹脂を封止する必要があるため、余分な領域まで樹脂が充填され、製造コストが増大するという課題があった。
【０００６】
一方で、特許文献２に示されたように半導体素子周りの樹脂を削減する場合には、半導体素子上の樹脂が厚いため、半導体素子から樹脂表面への熱の伝わりが悪くなり、結果として放熱性が悪くなるという課題があった。また、半導体素子を取り囲むように溝が形成されるため、樹脂形状が歪となり、突起部の樹脂の機械的強度が低下するという課題があった。
【０００７】
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を解決するためになされたものであり、樹脂の機械的強度を低下させずに、製造コストを削減し、かつ、放熱性を向上させるための技術を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配置される半導体素子と、前記半導体素子を内側に収容するように前記絶縁基板に接続されるケースと、前記半導体素子を埋め込むように前記ケースの内側に充填される樹脂とを備え、前記ケースの内側における前記樹脂の上面には、第１の凹部が形成され、前記第１の凹部は、平面視において前記半導体素子全体を包含する位置に形成される。
【０００９】
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、絶縁基板の上面に配置された半導体素子を埋め込むように、前記半導体素子を収容するケースの内側に樹脂を充填し、充填された前記樹脂の上面に、前記樹脂との金属の型を配置し、前記金属の型が配置された状態の前記樹脂に対し、熱硬化処理を行い、前記熱硬化処理後に、前記金属の型を取り外し、前記樹脂の上面には、第１の凹部が形成され、前記第１の凹部は、平面視において前記半導体素子全体を包含する位置に形成される。
【発明の効果】
【００１０】
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配置される半導体素子と、前記半導体素子を内側に収容するように前記絶縁基板に接続されるケースと、前記半導体素子を埋め込むように前記ケースの内側に充填される樹脂とを備え、前記ケースの内側における前記樹脂の上面には、第１の凹部が形成され、前記第１の凹部は、平面視において前記半導体素子全体を包含する位置に形成されるものである。このような構成によれば、半導体素子と樹脂の上面との間の距離を短くすることができるため、半導体素子が発熱した際に樹脂の上面に効率よく熱が伝わり、当該熱の外部大気への放熱性を向上させることができる。また、半導体素子の上方に第１の凹部が形成され、樹脂の突起部などが形成されないため、樹脂の機械的強度を低下させずに、製造コストを削減することができる。
【００１１】
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、絶縁基板の上面に配置された半導体素子を埋め込むように、前記半導体素子を収容するケースの内側に樹脂を充填し、充填された前記樹脂の上面に、前記樹脂との金属の型を配置し、前記金属の型が配置された状態の前記樹脂に対し、熱硬化処理を行い、前記熱硬化処理後に、前記金属の型を取り外し、前記樹脂の上面には、第１の凹部が形成され、前記第１の凹部は、平面視において前記半導体素子全体を包含する位置に形成される。このような構成によれば、半導体素子と樹脂の上面との間の距離を短くすることができるため、半導体素子が発熱した際に樹脂の上面に効率よく熱が伝わり、当該熱の外部大気への放熱性を向上させることができる。また、半導体素子の上方に第１の凹部が形成され、樹脂の突起部などが形成されないため、樹脂の機械的強度を低下させずに、製造コストを削減することができる。
【００１２】
本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態に関する、半導体装置の構成の例を概略的に示す断面図である。
【図２】実施の形態に関する、半導体装置の構成の例を概略的に示す断面図である。
【図３】図２に例が示された実施の形態に関する半導体装置の構成を示す平面図である。
【図４】実施の形態に関する、半導体装置の構成の例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。
【００１５】
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。
【００１６】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【００１７】
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。
【００１８】
また、以下に記載される説明において、「第１の」、または、「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
【００１９】
＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する半導体装置、および、半導体装置の製造方法について説明する。
【００２０】
＜半導体装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する半導体装置の構成の例を概略的に示す断面図である。図１に例が示されるように、半導体装置は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２の上面にはんだ２２を介して配置された半導体素子１４と、半導体素子１４を内側に収容するように接着剤１８を介して絶縁基板１２に接続されたケース１６と、ケース１６の内側に半導体素子１４を埋め込むように充填されたＤＰ樹脂２０とを備える。
【００２１】
絶縁基板１２は、絶縁板１２Ａと、絶縁板１２Ａの上面に設けられる電極パターン１２Ｂおよび電極パターン１２Ｄと、絶縁板１２Ａの下面に設けられる電極パターン１２Ｃとを備える。また、ケース１６は、半導体素子１４を収容する内側の面に、電極１６Ａおよび電極１６Ｂが形成される。
【００２２】
絶縁基板１２の電極パターン１２Ｂとケース１６の電極１６Ａとは、配線２４Ａを介して電気的に接続される。また、絶縁基板１２の電極パターン１２Ｄとケース１６の電極１６Ｂとは、配線２４Ｂを介して電気的に接続される。また、半導体素子１４と電極パターン１２Ｄとは、配線２６を介して電気的に接続される。配線２６、配線２４Ａおよび配線２４Ｂは、ともにＤＰ樹脂２０に埋め込まれる。
【００２３】
図１に例が示されるように、ＤＰ樹脂２０の最上面は配線２４Ａ、配線２４Ｂおよび配線２６よりも上方に位置する。そして、ＤＰ樹脂２０の最上面には凹部２００が形成されている。凹部２００は半導体素子１４の上方に位置しているため、半導体素子１４の上面に対向するＤＰ樹脂２０の厚みは、凹部２００が形成されない場合よりも薄く形成される。また、ＤＰ樹脂２０のケース１６に近い部分の最上面は、ＤＰ樹脂２０の半導体素子１４の上面における最上面、すなわち、凹部２００が形成される上面よりも高く位置する。なお、凹部２００は、平面視において半導体素子１４全体を包含する位置に形成される。すなわち、半導体素子１４は、平面視において凹部２００の内側に位置する。
【００２４】
このような構成によれば、半導体素子１４の上面に対向するＤＰ樹脂２０の厚みは、凹部２００が形成されない場合よりも薄く形成される。そのため、凹部２００を形成することによって、半導体素子１４とＤＰ樹脂２０の最上面との間の距離を短くすることができるため、ＤＰ樹脂２０の最上面の温度上昇を促し、かつ、外部大気へ半導体素子１４の熱を放熱する性能を向上させることができる。
【００２５】
また、半導体素子１４の上面におけるＤＰ樹脂２０の量が減少するため、製造コストを低減させることができる。また、ＤＰ樹脂２０の形状が歪にならない、すなわち、ＤＰ樹脂２０の突起部などが形成されないため、機械的強度が損なわれない。
【００２６】
＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する半導体装置、および、半導体装置の製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【００２７】
＜半導体装置の構成について＞
図２は、本実施の形態に関する半導体装置の構成の例を概略的に示す断面図である。図２に例が示されるように、半導体装置は、絶縁基板１２と、半導体素子１４と、ケース１６と、ＤＰ樹脂２０Ａとを備える。図３は、図２に例が示された本実施の形態に関する半導体装置の構成を示す平面図である。
【００２８】
図２および図３に例が示されるように、ＤＰ樹脂２０Ａの最上面には凹部２００Ａおよび凹部２０１Ａが形成されている。
【００２９】
凹部２００Ａは半導体素子１４の上方に位置しているため、半導体素子１４の上面に対向するＤＰ樹脂２０Ａの厚みは、凹部２００Ａが形成されない場合よりも薄く形成される。なお、凹部２００Ａは、平面視において半導体素子１４全体を包含する位置に形成される。
【００３０】
凹部２０１Ａは、凹部２００Ａの底面にさらに形成された凹部である。したがって、凹部２０１Ａは凹部２００Ａよりも深く形成される。また、凹部２０１Ａは平面視において半導体素子１４の周りを少なくとも一部囲んで形成されているため、半導体素子１４の周辺に位置するＤＰ樹脂２０Ａの厚みは、凹部２０１Ａが形成されない場合よりも薄く形成される。
【００３１】
このような構成によれば、半導体素子１４の上面に対向するＤＰ樹脂２０Ａの厚みは、凹部２００Ａが形成されない場合よりも薄く形成される。そのため、凹部２００Ａを形成することによって、半導体素子１４とＤＰ樹脂２０Ａの最上面との間の距離を短くすることができるため、ＤＰ樹脂２０Ａの最上面の温度上昇を促し、かつ、外部大気へ半導体素子１４の熱を放熱する性能を向上させることができる。
【００３２】
また、半導体素子１４、配線２４Ａおよび配線２４Ｂなどを封止していない領域のＤＰ樹脂２０Ａが凹部２０１Ａが形成されることによって削減されるため、製造コストを効果的に低減させることができる。さらに、凹部２００Ａおよび凹部２０１Ａが形成されることによってＤＰ樹脂２０Ａの表面積が増えるため、外部大気への放熱性が向上する。また、必要となるＤＰ樹脂２０Ａの削減によって、同じ樹脂量でサイズの大きい基板部品に適用することができる。
【００３３】
＜第３の実施の形態＞
本実施の形態に関する半導体装置、および、半導体装置の製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【００３４】
＜半導体装置の構成について＞
図４は、本実施の形態に関する半導体装置の構成の例を概略的に示す断面図である。図４に例が示されるように、半導体装置は、絶縁基板１２と、半導体素子１４と、ケース１６と、ＤＰ樹脂２０Ｂとを備える。
【００３５】
図４に例が示されるように、ＤＰ樹脂２０Ｂの最上面には凹部２００Ｂおよび凹部２０１Ｂが形成されている。
【００３６】
凹部２００Ｂは、側面がテーパー形状である凹部である。凹部２００Ｂは半導体素子１４の上方に位置しているため、半導体素子１４の上面に対向するＤＰ樹脂２０Ｂの厚みは、凹部２００Ｂが形成されない場合よりも薄く形成される。なお、凹部２００Ｂは、平面視において半導体素子１４全体を包含する位置に形成される。
【００３７】
凹部２０１Ｂは、側面がテーパー形状である凹部である。凹部２０１Ｂは凹部２００Ｂよりも深く形成される。また、凹部２０１Ｂは平面視において半導体素子１４の周りを少なくとも一部囲んで形成されているため、半導体素子１４の周辺に位置するＤＰ樹脂２０Ｂの厚みは、凹部２０１Ｂが形成されない場合よりも薄く形成される。
【００３８】
このような構成によれば、配線などの湾曲した形状に追従するようにＤＰ樹脂２０Ｂを形成することによって、半導体素子１４、配線２４Ａおよび配線２４Ｂなどを封止していない領域のＤＰ樹脂２０Ｂを効果的に削減することができる。
【００３９】
なお、上記の構造のうち、凹部２００Ｂが図２に例が示された凹部２００Ａのように側面が底面と直交する構造に置き換えられてもよいし、凹部２０１Ｂが図２に例が示された凹部２０１Ａのように側面が底面と直交する構造に置き換えられてもよい。
【００４０】
＜第４の実施の形態＞
本実施の形態に関する半導体装置、および、半導体装置の製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【００４１】
＜半導体装置の製造方法について＞
第１から第３の実施の形態に関する半導体装置は、まず、未硬化のＤＰ樹脂をケース１６内にポッティングする。そして、半導体素子１４をＤＰ樹脂内に埋め込む。
【００４２】
その後、ケース１６内に充填されたＤＰ樹脂の上面に、ＤＰ樹脂との密着性が低い金属、たとえばＮｉめっきなどを用いた型を載せる。そして、さらにＤＰ樹脂のキュア処理、すなわち、熱硬化処理を行って、ＤＰ樹脂を硬化させる。ＤＰ樹脂が硬化した後に、ＤＰ樹脂の上面に載せられた型を取り外す。
【００４３】
第１から第３の実施の形態に例が示された半導体装置においては、樹脂の形状が歪でなく、すなわち、樹脂の突起部などが形成されず、また、ＤＰ樹脂のケース１６に近い部分の最上面がＤＰ樹脂の半導体素子１４の上面における最上面よりも高く位置するため、ＤＰ樹脂の上面に載せられた型を容易に取り外すことができる。
【００４４】
＜第５の実施の形態＞
本実施の形態に関する半導体装置、および、半導体装置の製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【００４５】
＜半導体装置の製造方法について＞
第１から第３の実施の形態に関する半導体装置は、まず、未硬化のＤＰ樹脂をケース１６内にポッティングする。その後、ケース１６内に充填されたＤＰ樹脂の上面に、ＤＰ樹脂との密着性が低い金属、たとえばＮｉめっきなどを用いた型を載せる。そして、さらにＤＰ樹脂のキュア処理、すなわち、熱硬化処理を行って、ＤＰ樹脂を硬化させる。ＤＰ樹脂が硬化した後に、ＤＰ樹脂の上面に載せられた型を取り外す。
【００４６】
ここで、ＤＰ樹脂の上面に載せられる型に用いる金属材料は、ＤＰ樹脂よりも線膨張係数が大きい金属材料を用いることができる。
【００４７】
高温でのキュア処理を行い、冷却後に上記の型を取り外すと、型の線膨張率が大きいためにＤＰ樹脂よりも方が縮む。そうすると、型を容易に取り外すことができる。
【００４８】
＜第６の実施の形態＞
本実施の形態に関する半導体装置、および、半導体装置の製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【００４９】
＜半導体装置の構成について＞
本実施の形態に関する半導体装置は、上記いずれかの実施の形態に例が示された半導体装置であり、かつ、半導体素子１４の材料としてＳｉＣなどのワイドギャップ半導体を用いるものである。
【００５０】
ここで、上記の炭化珪素（ＳｉＣ）はワイドギャップ半導体の一種である。ワイドギャップ半導体とは、一般に、およそ２ｅＶ以上の禁制帯幅をもつ半導体を指し、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの３族窒化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの２族酸化物、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）などの２族カルコゲナイド、ダイヤモンドおよび炭化珪素などが知られる。本実施の形態では炭化珪素を用いた場合を説明するが、他の半導体およびワイドギャップ半導体であっても、同様に適用できる。
【００５１】
このような構成によれば、半導体素子１４の発熱量が高いとＤＰ樹脂の表面温度も高くなるため、放熱性を向上させることができる。
【００５２】
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
【００５３】
また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
【００５４】
以上に記載された実施の形態によれば、半導体装置は、絶縁基板１２と、半導体素子１４と、ケース１６と、樹脂とを備える。ここで、樹脂は、たとえば、ＤＰ樹脂２０、ＤＰ樹脂２０ＡおよびＤＰ樹脂２０Ｂのうちの少なくとも１つに対応するものである。半導体素子１４は、絶縁基板１２の上面に配置される。ケース１６は、半導体素子１４を内側に収容するように絶縁基板１２に接続される。ＤＰ樹脂２０は、半導体素子１４を埋め込むようにケース１６の内側に充填される。そして、ケース１６の内側におけるＤＰ樹脂２０の上面には、第１の凹部が形成される。ここで、第１の凹部は、たとえば、凹部２００、凹部２００Ａおよび凹部２００Ｂのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、凹部２００は、平面視において半導体素子１４全体を包含する位置に形成される。
【００５５】
このような構成によれば、半導体素子１４とＤＰ樹脂２０の上面との間の距離を短くすることができるため、半導体素子１４が発熱した際にＤＰ樹脂２０の上面に効率よく熱が伝わり、当該熱の外部大気への放熱性を向上させることができる。また、半導体素子１４の上方に凹部が形成され、ＤＰ樹脂２０の突起部などが形成されないため、ＤＰ樹脂２０の機械的強度を低下させずに、製造コストを削減することができる。
【００５６】
なお、これらの構成以外の本願明細書に例が示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、少なくともこれらの構成を備えていれば、以上に記載された効果を生じさせることができる。
【００５７】
しかしながら、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも１つを以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
【００５８】
また、以上に記載された実施の形態によれば、半導体素子１４と電気的に接続される少なくとも１つの配線を備える。ここで、配線は、たとえば、配線２６、配線２４Ａおよび配線２４Ｂのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、ＤＰ樹脂２０は、配線２６、配線２４Ａおよび配線２４Ｂを埋め込むように充填される。このような構成によれば、樹脂は、半導体素子１４の上方に凹部が形成され、かつ、半導体素子１４と電気的に接続される配線ＤＰを埋め込んで形成されるため、放熱性を向上させつつ、製造コストを削減することができる。
【００５９】
また、以上に記載された実施の形態によれば、凹部２００Ａの底面に形成される第２の凹部を備える。ここで、第２の凹部は、たとえば、凹部２０１Ａに対応するものである。このような構成によれば、半導体素子１４、配線２４Ａおよび配線２４Ｂなどを封止していない領域のＤＰ樹脂２０Ａが凹部２０１Ａが形成されることによって削減されるため、製造コストを効果的に低減させることができる。さらに、凹部２００Ａおよび凹部２０１Ａが形成されることによってＤＰ樹脂２０Ａの表面積が増えるため、外部大気への放熱性が向上する。
【００６０】
また、以上に記載された実施の形態によれば、凹部２００Ｂおよび凹部２０１Ｂのうちの少なくとも一方の側面がテーパー形状である。このような構成によれば、配線などの湾曲した形状に追従するようにＤＰ樹脂２０Ｂを形成することによって、半導体素子１４、配線２４Ａおよび配線２４Ｂなどを封止していない領域のＤＰ樹脂２０Ｂを効果的に削減することができる。また、ＤＰ樹脂２０Ｂの表面積が増えるため、ＤＰ樹脂２０Ｂの外部大気への放熱性が向上する。また、必要となるＤＰ樹脂２０Ｂの削減によって、同じ樹脂量でサイズの大きい基板部品に適用することができる。
【００６１】
また、以上に記載された実施の形態によれば、半導体素子１４は、ＳｉＣを含むワイドギャップ半導体からなる。このような構成によれば、半導体素子１４の発熱量が高いとＤＰ樹脂の表面温度も高くなるため、放熱性を向上させることができる。
【００６２】
以上に記載された実施の形態によれば、半導体装置の製造方法において、半導体素子１４を埋め込むように、絶縁基板１２の上面に配置された半導体素子１４を収容するケース１６の内側にＤＰ樹脂２０を充填する。そして、充填されたＤＰ樹脂２０の上面に、ＤＰ樹脂２０との金属の型を配置する。そして、金属の型が配置された状態のＤＰ樹脂２０に対し、熱硬化処理を行う。そして、熱硬化処理後に、金属の型を取り外す。ここで、ＤＰ樹脂２０の上面には、凹部２００が形成される。また、凹部２００は、平面視において半導体素子１４全体を包含する位置に形成される。
【００６３】
このような構成によれば、半導体素子１４とＤＰ樹脂２０の上面との間の距離を短くすることができるため、半導体素子１４が発熱した際にＤＰ樹脂２０の上面に効率よく熱が伝わり、当該熱の外部大気への放熱性を向上させることができる。また、半導体素子１４の上方に凹部が形成され、ＤＰ樹脂２０の突起部などが形成されないため、ＤＰ樹脂２０の機械的強度を低下させずに、製造コストを削減することができる。
【００６４】
なお、これらの構成以外の本願明細書に例が示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、少なくともこれらの構成を備えていれば、以上に記載された効果を生じさせることができる。
【００６５】
しかしながら、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも１つを以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
【００６６】
また、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。
【００６７】
また、以上に記載された実施の形態によれば、金属の型には、Ｎｉめっきが形成される。このような構成によれば、金属の型とＤＰ樹脂との密着性が低くなるため、金属の型をＤＰ樹脂から容易に取り外すことができる。
【００６８】
また、以上に記載された実施の形態によれば、金属の型は、樹脂よりも線膨張係数が大きい金属からなる。このような構成によれば、高温でのキュア処理を行い冷却後に上記の型を取り外すと、型の線膨張率が大きいためにＤＰ樹脂よりも方が縮む。そうすると、型を容易に取り外すことができる。
【００６９】
＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
【００７０】
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【００７１】
また、本願明細書における説明は、本技術に関するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。
【００７２】
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
【符号の説明】
【００７３】
１２  絶縁基板、１２Ａ  絶縁板、１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ  電極パターン、１４  半導体素子、１６  ケース、１６Ａ，１６Ｂ  電極、１８  接着剤、２０，２０Ａ，２０Ｂ  ＤＰ樹脂、２４Ａ，２４Ｂ，２６  配線、２００，２００Ａ，２００Ｂ，２０１Ａ，２０１Ｂ  凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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