(57)【要約】      （修正有）【課題】加圧実装に好適な（非導電性フィルム）ＮＣＦの提供。【解決手段】（Ａ）エポキシ当量が２２０〜３４０の固形エポキシ樹脂１００質量部に対し、（Ｂ）室温で液状であり、２，５−ジエチル−４−メチル−１，３−フェニレンジアミン及び／又は２−メチル−４，６−ビス（メチルチオ）ベンゼン−１，３−ジアミンを含む芳香族アミンを６〜２７質量部、（Ｃ）シリカフィラーを各成分の合計質量１００質量部に対して、２０〜６５質量部、（Ｄ）質量平均分子量（Ｍｗ）が６０００から１０００００の高分子樹脂を含み、前記（Ａ）成分、および前記（Ｄ）の含有割合（（Ａ）：（Ｄ））が、９９：１〜６５：３５であり、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下である加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）固形エポキシ樹脂、
（Ｂ）室温で液状であり、下記式１、式２の構造の少なくとも一方を含む芳香族アミン、
【化１】
2019019194.tif 000013
【化２】
2019019194.tif 000014
（Ｃ）シリカフィラー、
（Ｄ）質量平均分子量（Ｍｗ）が６０００から１０００００の高分子樹脂を含み、
前記（Ａ）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量が２２０〜３４０であり、
前記（Ａ）成分１００質量部に対し、前記（Ｂ）成分を６〜２７質量部含有し、
前記（Ｃ）成分の含有量が、各成分の合計質量１００質量部に対して、２０〜６５質量部であり、
前記（Ａ）成分、および前記（Ｄ）の含有割合（（Ａ）：（Ｄ））が、９９：１〜６５：３５であり、
１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、
２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム。
【請求項２】
１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度上昇率が５０％以下である、請求項１に記載の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム。
【請求項３】
前記（Ｄ）成分の高分子量樹脂がビスフェノールＦ構造を有するフェノキシ樹脂である、請求項１または２に記載の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分のシリカフィラーの平均粒径が１μｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの記載の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムの硬化物。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムを用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加圧実装用ＮＣＦに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体実装においては、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップの電極（バンプ）が形成されている面と、基板の電極（電極パット）が形成された面とを対峙させ、ＩＣチップのバンプと基板の電極パッドとを電気的に接続するフリップチップ法が行われている。
このフリップチップ法では、電極同士の接続部分を外部から保護し、ＩＣチップと基板との線膨張係数の違いに起因する応力を緩和するために、通常、電極接続後に、アンダーフィル剤と呼ばれる液状の熱硬化性接着剤を半導体チップと基板との間に流し込み硬化させるようにする。
【０００３】
近年、ＩＣチップの微細化が急速に進んでいる。これに伴い、隣接する電極間のピッチや、半導体チップと基板との間のギャップが益々狭くなる傾向にある。このため、毛細管現象を利用してアンダーフィル剤をＩＣチップと基板との間に流し込むと、ボイドが発生したり、アンダーフィル剤の流し込みに長時間を要する等の問題が発生してしまう。
このため、ＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）と呼ばれる液状の接着剤、もしくは、ＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）と呼ばれるフィルム状の接着剤を予め基板に塗布、もしくは、貼付し、その後、フィリップチップボンダー等による、加熱圧接（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  Ｂｏｎｄｉｎｇ：ＴＣＢ）で樹脂を硬化させ、ＩＣチップのバンプと基板の電極パッドとを接続する、いわゆる先入れ法が試みられている（特許文献１参照）。
【０００４】
半導体実装時におけるボイドを抑制する方法として、加圧雰囲気下で加熱して実装する加圧実装が提案されている（特許文献２、特許文献３参照）。 
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−５０３２２０号公報
【特許文献２】特開２０１３−１２３０３３号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２０１６／１４８１２１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、加圧実装に好適なＮＣＦ、より具体的には、加圧実装に使用した場合にボイド抑制効果が高いＮＣＦを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明は、
（Ａ）固形エポキシ樹脂、
（Ｂ）室温で液状であり、下記式１、式２の構造の少なくとも一方を含む芳香族アミン、
【化１】
2019019194.tif 000002
【化２】
2019019194.tif 000003
（Ｃ）シリカフィラー、
（Ｄ）質量平均分子量（Ｍｗ）が６０００から１０００００の高分子樹脂を含み、
前記（Ａ）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量が２２０〜３４０であり、
前記（Ａ）成分１００質量部に対し、前記（Ｂ）成分を６〜２７質量部含有し、
前記（Ｃ）成分の含有量が、各成分の合計質量１００質量部に対して、２０〜６５質量部であり、
前記（Ａ）成分、および前記（Ｄ）の含有割合（（Ａ）：（Ｄ））が、９９：１〜６５：３５であり、
１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、
２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム。
【０００８】
本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムにおいて、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度上昇率が５０％以下であることが好ましい。
【０００９】
本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムにおいて、前記（Ｄ）成分の高分子量樹脂がビスフェノールＦ構造を有するフェノキシ樹脂であることが好ましい。
【００１０】
本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムにおいて、前記（Ｃ）成分のシリカフィラーの平均粒径が１μｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明は、本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムの硬化物を提供する。
【００１２】
また、本発明は、本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムを用いた半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルムは、加圧実装に使用した場合にボイド抑制効果が高い。そのため、加圧実装用のＮＣＦに好適である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム（以下、加圧実装用ＮＣＦと記載する。）は、（Ａ）固形エポキシ樹脂、（Ｂ）後述する特定の芳香族アミン、（Ｃ）シリカフィラー、および（Ｄ）後述する特定の高分子樹脂を含む。
【００１５】
（Ａ）固形エポキシ樹脂
（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂は、本発明の加圧実装用ＮＣＦの接着性に主として寄与する。
本発明において固形エポキシ樹脂とは常温で固形のエポキシ樹脂を意味する。（Ａ）成分として、固形エポキシ樹脂を用いることにより、フィルム形成能力を付与できる。
【００１６】
（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂としては、常温で固形のエポキシ樹脂から幅広く選択することができる。具体的には、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等を用いることができる。
上記の中でも、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が、耐熱性、密着性、信頼性が優れるから好ましい。
なお、（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂として、上記のうちいずれか１種を使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１７】
（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂は、溶融粘度の調整と反応性の観点から、エポキシ当量が２２０〜３４０である。エポキシ当量が２２０未満だと、プレッシャーオーブン（加圧加熱）実施時にＮＣＦが硬化しておりボイドを抑制することができない。エポキシ当量が３４０超だと、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ超となり、プレッシャーオーブン実装を行ってもボイドを抑制することができない。
（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂は、エポキシ当量が２２０〜３１０であることが好ましく、２２５〜２９０であることがより好ましい。
【００１８】
（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂は、質量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜３０００であることが好ましく、７５０〜２５００であることがより好ましい。
【００１９】
（Ｂ）芳香族アミン
（Ｂ）成分の芳香族アミンは、室温で液状であり、下記式１、式２の構造の少なくとも一方を含む。
【化３】
2019019194.tif 000004
【化４】
2019019194.tif 000005
【００２０】
（Ｂ）成分の芳香族アミンが室温で液状であることにより、加圧実装用ＮＣＦが適度な靱性を有する。
また、（Ｂ）成分の芳香族アミンが、上記式１、式２の構造の少なくとも一方を含むことにより、１２０℃における溶融粘度、および２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度を後述する条件に調整することができる。
（Ｂ）成分の芳香族アミンは、上記式１、式２の構造のうち、いずれか一方を含んでいてもよく、両方を含んでもよい。
【００２１】
強靭性、溶融粘度の調整および反応性の観点から、（Ｂ）成分の芳香族アミンの含有量は、（Ａ）成分の固体エポキシ樹脂１００質量部に対し、６〜２７質量部であり、１４〜２６質量部であることがより好ましい。
【００２２】
（Ｃ）シリカフィラー
（Ｃ）成分のシリカフィラーは、加圧実装用ＮＣＦにより実装された半導体パッケージの信頼性を向上させる目的で添加される。
加圧実装用ＮＣＦのフィルム形成性、および透明性の観点から、（Ｃ）成分のシリカフィラーの含有量は、加圧実装用ＮＣＦの各成分の合計質量１００質量部に対して、２０〜６５質量部である。（Ｃ）成分の含有量が２０質量部未満だと、加圧実装用ＮＣＦにより実装された半導体パッケージの信頼性が低下する。（Ｃ）成分の含有量が６５質量部超だと、フィルム形成性、および加圧実装用ＮＣＦの透明性が低下する。
（Ｃ）成分の含有量は、加圧実装用ＮＣＦの各成分の合計質量１００質量部に対して、
（Ｃ）成分のシリカフィラーは、平均粒径が１μｍ以下であることが、フィルム平滑性、フィルム透明性、チップダメージ低減のため好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましい。
（Ｃ）成分のシリカフィラーとして、シランカップリング剤等で表面処理が施されたものを使用してもよい。
【００２３】
（Ｄ）高分子樹脂
（Ｄ）成分の高分子樹脂は、フィルム形成剤であり、加圧実装用ＮＣＦの強靭性に寄与する。（Ｄ）成分の高分子樹脂は、質量平均分子量（Ｍｗ）が６０００から１０００００である。（Ｄ）成分の高分子樹脂のＭｗが６０００未満だとフィルム形成性が悪化する。一方、（Ｄ）成分の高分子樹脂のＭｗが１０００００超だと、１２０℃における溶融粘度、および２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が増加し、後述する条件を満たすことができず、プレッシャーオーブン（加圧加熱）実施時にボイドを抑制することができない。
（Ｄ）成分の高分子樹脂としては、結晶核が存在しないものが、加圧実装用ＮＣＦの透明性の観点から好ましい。
（Ｄ）成分の高分子樹脂としては、フェノキシ樹脂が好ましく、中でも、ビスフェノールＦ型構造を有するものがより好ましい。
【００２４】
（Ｄ）成分の高分子樹脂の含有割合は、（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂に対する質量比（（Ａ）：（Ｄ））で９９：１〜６５：３５である。（Ｄ）成分の含有割合が少なすぎると、フィルム形成性が悪化する。（Ｄ）成分の含有割合が多すぎると、１２０℃における溶融粘度、および２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が増加し、後述する条件を満たすことができず、プレッシャーオーブン（加圧加熱）実施時にボイドを抑制することができない。
【００２５】
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、さらに以下の成分を任意成分として含有してもよい。
（液状エポキシ樹脂）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、粘度調整の目的で、液状エポキシ樹脂を含有させてもよい。本発明において液状エポキシ樹脂とは常温で液状のエポキシ樹脂を意味する。具体的には、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が挙げられる。
液状エポキシ樹脂を含有させる場合、その不純物濃度に留意する必要がある。また、液状エポキシ樹脂の含有量が多すぎると、加圧実装用ＮＣＦに流動性や柔軟性が付与され、取り扱い性が低下するため、液状エポキシ樹脂の含有量が多すぎないよう留意する必要がある。
【００２６】
（カップリング剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、ＩＣチップや基板に対する密着性を向上させる目的でカップリング剤を含有させてもよい。
カップリング剤としては、エポキシ基もしくは（メタ）アクリレート基を含有するものが好ましい。
【００２７】
（硬化促進剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、エポキシ樹脂の硬化促進剤を必要に応じて含有させてもよい。
【００２８】
（レオロジー調整剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、レオロジー調整剤を塗布適性、流動適性を調整する目的で必要に応じて含有させてもよい。
【００２９】
（分散剤、沈降防止剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、（Ｃ）成分のシリカフィラー、および任意成分の着色剤の分散性向上、沈降防止の目的で分散剤、沈降防止剤を必要に応じて含有させてもよい。
【００３０】
（消泡剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、消泡性調整の目的で消泡剤を必要に応じて含有させてもよい。
【００３１】
（着色剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、着色目的で着色剤を必要に応じて含有させてもよい。
【００３２】
（表面調整剤）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、表面状態、濡れ性の調整の目的で表面調整剤を必要に応じて含有させてもよい。
【００３３】
（エラストマー類）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、弾性率、応力の調整の目的でエラストマー類を必要に応じて含有させてもよい。
【００３４】
（加圧実装用ＮＣＦの製造）
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、慣用の方法により製造することができる。例えば、溶剤の存在下または非存在下で、上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分、さらに必要に応じて含有させるその他の成分を加熱真空混合ニーダーにより混合して樹脂組成物を調製する。
上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分、さらに必要に応じて含有させるその他の成分が所望の含有割合となるように、所定の溶剤濃度に溶解し、それらを１０〜８０℃に加温された反応釜に所定量投入し、回転数１００〜１０００ｒｐｍで回転させながら、常圧混合を３時間行った後、真空下（最大１Ｔｏｒｒ）でさらに３〜６０分混合攪拌することができる。
上記の手順で調製された樹脂組成物を溶剤で希釈してワニスとし、これを支持体の少なくとも片面に塗布し、乾燥させた後、支持体付の加圧実装用ＮＣＦ、または、支持体から剥離した加圧実装用ＮＣＦとして提供することができる。
【００３５】
ワニスとして使用可能な溶剤としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；トルエン、キシレン等の芳香族溶剤；ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート等の高沸点溶剤等が挙げられる。溶剤の使用量は特に限定されず、従来から使用されている量とすることができるが、好ましくは、加圧実装用ＮＣＦの各成分に対して２０〜９０質量％である。
【００３６】
支持体は、加圧実装用ＮＣＦの製造方法における所望の形態により適宜選択され、特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム等の金属箔、ポリエステル、ポリエチレン等の樹脂のキャリアフィルム等が挙げられる。本発明の加圧実装用ＮＣＦを、支持体から剥離したフィルムの形態として提供する場合、支持体は、シリコーン化合物等の離型剤で離型処理されていることが好ましい。
【００３７】
ワニスを塗布する方法は、特に限定されないが、例えば、スロットダイ方式、グラビア方式、ドクターコーター方式等が挙げられ、所望のフィルムの厚みなどに応じて適宜選択される。塗布は、乾燥後に形成されるフィルムの厚みが、所望の厚みになるように行われる。このような厚みは、当業者であれば、溶剤含有量から導くことができる。
【００３８】
乾燥の条件は、ワニスに使用される溶剤の種類や量、ワニスの使用量や塗布の厚みなどに応じて適宜設計され、特に限定されるものではないが、例えば、６０〜１００℃であり、大気圧下で行うことができる。
【００３９】
次に本発明の加圧実装用ＮＣＦの特性について述べる。
【００４０】
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である。これにより、加圧実装時において、チップマウント時の流動性が良好になり、この段階におけるボイドが抑制される。
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、１２０℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００４１】
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下である。これにより、加圧実装時において、ＴＣＢ後やチップマウント後に実施するリフロー時の流動性が良好になり、この段階におけるボイドが抑制される。
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度が１８０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００４２】
本発明の加圧実装用ＮＣＦは、１２０℃における溶融粘度と、２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度との比として求まる２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度上昇率（（２６０℃以上で５〜９０秒間加熱した後の１２０℃における溶融粘度）／（１２０℃における溶融粘度）×１００）が５０％以下であることが加圧実装時において、ＴＣＢ後やチップマウント後に実施するリフロー時の流動性が良好になることから好ましく、４５％以下であることがより好ましい。
【００４３】
次に本発明の加圧実装用ＮＣＦの使用手順を以下に示す。
本発明の加圧実装用ＮＣＦを用いて半導体パッケージを実装する場合、基板上の半導体チップを実装する位置へ加圧実装用ＮＣＦを所望の形状にてラミネータ等で貼り付ける。
また、半導体回路が形成されたウエハ上へラミネータ等にて貼り付けた後、ダイサー等により個々のチップへ切り出すこともできる。ラミネーション条件は特に限定されないが、加熱、加圧、減圧などの条件を適宜組み合わせることができる。特に微細な凹凸へボイド等の欠陥なく貼り付けるためには、加熱温度は４０〜１２０℃、減圧度は１ｈＰａ以下、圧力は０．０１ＭＰａ以上が好ましい。
加圧実装用ＮＣＦをラミネーション等により貼り付けた後、基板上のチップ搭載位置へチップマウントした後、所定の温度に加熱してリフローする。リフロー時の加熱温度は、２２０〜２８０℃であることが好ましい。次に、プレッシャーオーブンを用いて加圧加熱硬化を実施する。加圧加熱硬化の加熱温度は１６５〜１８５℃、圧力は０．２〜１．０ＭＰａとし、この条件で３０分以上４時間以下で加圧加熱硬化する。
加圧実装用ＮＣＦをラミネーション等により貼り付けた後、フリップチップボンダー等により加熱圧接（ＴＣＢ）によって基板上のチップ搭載位置へチップマウントした後、上記と同様の手順で加圧実装を実施してもよい。ＴＣＢ条件は特に限定されないが、半導体チップサイズ、バンプ材質、バンプ数等によりＴＣＢ条件を適宜選択することができる。
加熱温度は５０〜３００℃、時間０．５〜２０秒、圧力は５〜４５０Ｎであることが好ましい。
【００４４】
本発明の半導体装置は、半導体装置の製造時に、本発明の加圧実装用ＮＣＦを使用したものである限り特に限定されない。本発明の半導体装置の具体例としては、フリップチップ構造を有する半導体装置が挙げられる。フリップチップは、バンプと呼ばれる突起状の電極を有しており、この電極を介して基板等の電極と接続される。バンプ材質としては、はんだ、金、銅等が上げられる。フリップチップと接続される基板としてはＦＲ−４等の単層、または積層された有機基板、シリコン、ガラス、セラミックなどの無機基板があり、銅および銅上への金メッキまたはスズメッキ、はんだ層等を形成した電極が用いられる。フリップチップ構造の半導体装置としては、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリーデバイス、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーデバイス、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等に使用されるドライバーＩＣ等が挙げられる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１〜１１、比較例１〜９）
下記表に示す配合割合となるように各原料を混合し、混合物が５０ｗｔ％の濃度となるように溶剤中に溶解・分散させて塗工用ワニスを調製した。溶剤はメチルエチルケトン（和光純薬工業株式会社製）を使用した。
離型剤を塗布したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上へ塗工用ワニスを約２０μｍの乾燥厚みとなるよう塗工した。その後、塗工用ワニスを塗工した離型剤処理されたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを乾燥機中で８０℃にて１０分間乾燥して溶剤を除去し、２０μｍ厚の加圧実装用ＮＣＦを作製した。なお、表中の各組成に関する数値は質量部を表している。
【００４７】
加圧実装用ＮＣＦの作成時に使用した成分は以下の通り。
（Ａ）固形エポキシ樹脂
（Ａ−１）ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、商品名ＮＣ３０００、日本化薬株式会社製、エポキシ当量２６５〜２８５
（Ａ−２）フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、商品名ＮＣ２０００Ｌ、日本化薬株式会社製、エポキシ当量２２９〜２４４
（Ａ´−１）ビフェニル型エポキシ樹脂、商品名ＹＸ４０００Ｈ、ジャパンエポキシレジン社製社製、エポキシ当量１８７〜１９７
（Ａ´−２）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、商品名ｊＥＲ１００１、三菱化学製、エポキシ当量１８７〜１９７
【００４８】
（Ｂ）液状芳香族アミン
（Ｂ−１）下記式（２）の構造を含む芳香族アミン、商品名ＥＨ１０５、ＡＤＥＫＡ製
【化５】
2019019194.tif 000006
（Ｂ´１）下記式（３）の構造を含む芳香族アミン、商品名ＨＤＡＡ、日本化薬製
【化６】
2019019194.tif 000007
（Ｂ−２）下記式（１）の構造を含む芳香族アミン、商品名エタキュア１００、アルベマール日本株式会社製
【化７】
2019019194.tif 000008
（Ｂ´２）フェノールノボラック樹脂、商品名ＣＲＭ−９５３、アイカＳＤＫフェノール株式会社製
（Ｃ）シリカフィラー
（Ｃ１）平均粒径０．１μｍ
（Ｃ２）平均粒径０．５μｍ
（Ｄ）高分子樹脂
（Ｄ−１）ビスフェノールＦ型構造を有するフェノキシ樹脂、商品名ｊＥＲ４２５０、三菱化学製、Ｍｗ６００００
（Ｄ−２）ビスフェノールＦ型構造を有するフェノキシ樹脂、商品名ＦＸ３１６、東都化成製、Ｍｗ４５０００
（Ｄ´−１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、商品名ｊＥＲ１０１０、三菱化学製、Ｍｗ５５００
（Ｄ´−２）ポリビニルホルマール、商品名ビニレックＥ、チッソ製、Ｍｗ１２６０００
【００４９】
上記の手順で作製した加圧実装用ＮＣＦを用いて、以下の評価を実施した。
（フィルム形成性）
以下に示す手順で折り曲げ試験を実施した。
上記の手順で作製した加圧実装用ＮＣＦを１８０°折りまげた後、割れの有無を確認する。
折り曲げ試験の実施後のフィルムにおける割れの有無を確認した。割れが認められなかった場合は○とし、我が認められた場合は×とした。
（視認性）
上記の手順で作製した加圧実装用ＮＣＦをマークを有するチップ上にラミネート（温度８０℃、圧力０．４ＭＰａ）し、目視により評価した。チップ上のマークが確認できた場合は○とし、チップ上のマークが確認できない場合は×とした。
（１２０℃粘度（２６０℃前））
ＴＡインスツルメント社製  ＡＲＥＳ−Ｇ２で測定条件・８ｍｍアルミパラレルプレート・周波数１Ｈｚ  ・ｓｔｒａｉｎ  ０．０００４〜１０００％で測定した一番低い値を１２０℃における溶融粘度とした。
（１２０℃粘度（２６０℃後））
２６０℃で１０秒間加熱した後、上記と同様の手順で１２０℃における溶融粘度を測定した。
（硬化後の流動性）
プレッシャーオーブンを用いて、加圧条件下で加熱硬化した後、流動性を以下の手順で評価した。加圧条件下での加熱硬化は、圧力０．７ＭＰａ、温度１７５℃で３時間実施した。針による指針により、流動性がないことを確認した。
（プレッシャーオーブン後のボイド）
上記の手順で加圧条件下で加熱硬化した後、ボイドの有無を超音波顕微鏡を用いて観察した。観察エリア内におけるボイド面積が５％以下の場合は合格とし、５％より大きい場合は不合格とした。
（信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー））
上記の手順で加圧条件下で加熱硬化した後、温度２５５℃に加熱してリフローさせた後、
ボイドの有無を超音波顕微鏡を用いて観察した。観察エリア内におけるボイド面積が５％以下の場合は合格とし、５％より大きい場合は不合格とした。
なお、プレッシャーオーブン後のボイドと信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）については、同一サンプルを５つ作成し、これら５つのサンプルについて評価を実施した。
【００５０】
結果を下記表に示す。
【表１】
2019019194.tif 000009
【００５１】
【表２】
2019019194.tif 000010
【００５２】
【表３】
2019019194.tif 000011
【００５３】
【表４】
2019019194.tif 000012
【００５４】
実施例１〜１１は、いずれもフィルム形成性、視認性、プレッシャーオープン後のボイド、信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）が良好であった。なお、実施例２は、実施例１に対し（Ａ）成分の固形エポキシ樹脂を変えた実施例である。実施例３は、実施例１に対し（Ｂ）成分の液状芳香族アミンを変えた実施例である。実施例４は、（Ｃ）成分のシリカフィラーの粒径を変えた実施例である。実施例５は、実施例１に対し（Ｄ）成分の高分子樹脂を変えた実施例である。実施例６は、実施例５に対し（Ｄ）成分の配合割合を変えた実施例である。実施例７は、実施例１に対し（Ｄ）成分の配合割合を変えた実施例である。実施例８，９は、実施例１に対し、（Ａ）成分に対する（Ｂ）成分の配合割合を変えた実施例である。実施例１０，１１は、実施例１に対し、（Ｃ）成分の配合割合を変えた実施例である。比較例１は、（Ｄ）成分の配合割合が多く、１２０℃における溶融粘度（２６０℃前、２６０℃後）が本発明の条件を満たさない例であり、プレッシャーオーブン後のボイドと信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）が劣っていた。比較例２は、本発明以外の構造の液状芳香族アミンを使用した例であり、プレッシャーオーブン後のボイドと信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）が劣っていた。比較例３は、（Ｂ）成分の配合割合が少ない例であり、硬化後に流動性が見られた。比較例４は、エポキシ当量が低い固形エポキシ樹脂を使用した例であり、プレッシャーオーブン後のボイドと信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）が劣っていた。比較例５は、エポキシ当量が高い固形エポキシ樹脂を使用し、１２０℃における溶融粘度（２６０℃前）が本発明の条件を満たさない例であり、プレッシャーオーブン後のボイドと信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）が劣っていた。比較例６は、（Ｂ）成分の代わりにノボラックフェノール樹脂を使用した例であり、硬化後に流動性が見られた。比較例７は、Ｍｗが低い高分子樹脂を使用した例であり、フィルム形成性が劣っていた。比較例８は、Ｍｗが高い高分子樹脂を使用し、１２０℃における溶融粘度（２６０℃前、２６０℃後）が本発明の条件を満たさない例であり、プレッシャーオーブン後のボイドと信頼性（プレッシャーオーブン＋リフロー）が劣っていた。比較例９は、（Ｃ）成分のシリカフィラーの配合割合が多く、１２０℃における溶融粘度（２６０℃前、２６０℃後）が本発明の条件を満たさない例であり、全ての評価項目が劣っていた。