(57)【要約】【課題】基板の反りを抑制した状態で基板処理を行うこと。【解決手段】疎水化処理ユニットＵ５は、処理対象のウェハＷを載置する熱板２１ｃと、熱板２１ｃに形成された複数の第１貫通孔２１１，２１２を介してウェハＷの裏面に吸引力を付与しウェハＷを保持する吸引部７０と、第１貫通孔２１１，２１２よりも熱板２１ｃの外側において熱板２１ｃに形成された複数の第２貫通孔２１５に流体を吐出し、ウェハＷの裏面側においてウェハＷの外側に向かう水平方向の気流を形成する裏面パージガス供給部５０と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の基板を載置する載置部と、
前記載置部に形成された一又は複数の孔部を介して前記基板の裏面に吸引力を付与し前記基板を保持する吸引機構と、
前記孔部よりも前記載置部の外側において前記載置部に形成された一又は複数の吐出部に流体を吐出し、前記基板の裏面側において前記基板の外側に向かう水平方向の気流を形成する気流形成機構と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記吐出部は複数形成されており、
複数の前記吐出部は、前記基板に対して同心円状に形成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記吐出部は、前記載置部における前記基板の載置面に対して斜め方向に延びている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記吐出部の前記載置面に対する傾斜角度は、６０度以下、好ましくは３０度以下である、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板を収容する処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部を更に備え、
前記載置部は、前記基板を加熱する熱板である、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理ガス供給部によって供給される前記処理ガスの、前記基板の表面の外側に向かう流速は、前記気流形成機構によって形成される前記気流の、前記基板の裏面の外側に向かう流速よりも小さい、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記気流形成機構の吐出流量は、前記吸引機構の吸引流量よりも多い、請求項５又は６記載の基板処理装置。
【請求項８】
吸引が開始されるように前記吸引機構を制御することと、前記吸引機構による吸引が開始された後に、前記流体の吐出が開始されるように前記気流形成機構を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備える、請求項５〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記気流形成機構による前記流体の吐出が開始された後に、前記処理ガスの供給が開始されるように前記処理ガス供給部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項８記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器内に載置された基板の表面にＨＭＤＳ(hexamethyldisilazane)ガスを供給して当該基板を疎水化する基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−４８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、例えば３ＤＮＡＮＤ向けの基板等の反りが大きい（例えば反りが１００μｍ以上の）基板については、上述した疎水化処理のような基板処理を適切に行えないおそれがある。
【０００５】
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、基板の反りを抑制した状態で基板処理を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る基板処理装置は、処理対象の基板を載置する載置部と、載置部に形成された一又は複数の孔部を介して基板の裏面に吸引力を付与し基板を保持する吸引機構と、孔部よりも載置部の外側において載置部に形成された一又は複数の吐出部に流体を吐出し、基板の裏面側において基板の外側に向かう水平方向の気流を形成する気流形成機構と、を備える。
【０００７】
本開示に係る基板処理装置では、気流形成機構が、孔部よりも載置部の外側に形成された吐出部に流体を吐出し、基板の外側に向かう水平方向の気流を形成している。このような気流が形成されることにより、ベルヌーイ効果によって基板の裏面における中央寄りの領域（基板の裏面における、吐出部の吐出口に対応する領域よりも中央寄りの領域）では負圧が発生し、基板を載置部方向に吸引する力が加わる。このようなベルヌーイ効果によって生じる負圧による吸引力と、吸引機構の吸引力とが相俟って基板に加わることにより、基板を載置部に適切に保持することができ、基板の反りを抑制することができる。また、水平方向の気流によってベルヌーイ効果が生じることによって、基板の裏面における外側の領域（基板の裏面における、吐出部の吐出口に対応する領域よりも外側の領域）では陽圧が発生する。このように、気流形成機構によって吸引機構の吸引力とは異なる方向へも力が加えられることとなるので、吸引機構の吸引力を考慮して気流形成機構における流体の吐出流量を調整することにより、載置部における基板の姿勢を調整する（例えば、基板と載置部とが一定間隔で離間した状態で基板を保持する）ことができ、基板処理の自由度を広げることができる。また、ベルヌーイ効果の陽圧によって基板を載置部から離間させた場合には、載置部上のギャップピンと基板とが接触しにくくなり、基板の裏面に傷がつくこと、及び、裏面のメタル膜が剥がれてパーティクルが発生すること等を適切に抑制することができる。
【０００８】
上記基板処理装置において、吐出部は複数形成されており、複数の吐出部は、基板に対して同心円状に形成されていてもよい。これにより、基板の裏面側における、複数の吐出部に対応して気流が形成される領域を互いに同じ位置（基板の中心からの距離が同じ位置）とすることができ、基板をより安定的に保持することができる。
【０００９】
上記基板処理装置において、吐出部は、載置部における基板の載置面に対して斜め方向に延びていてもよい。これにより、基板の裏面側において水平方向の気流を容易に形成することができる。
【００１０】
上記基板処理装置において、吐出部の載置面に対する傾斜角度は、６０度以下、好ましくは３０度以下であってもよい。これにより、基板の裏面側において水平方向の気流を容易に形成することができる。
【００１１】
上記基板処理装置は、基板を収容する処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部を更に備え、載置部は、基板を加熱する熱板であってもよい。このように、載置部によって基板が加熱されると共に基板に処理ガスが供給される構成においては、基板の裏面側に処理ガス等（処理ガス又は処理中に発生した不要物等）が回りこんで基板と反応することが問題なる場合がある。この点、本開示に係る基板処理装置では、孔部よりも外側の吐出部から、基板の外側に向かう方向に流体が吐出されるため、該流体によって基板の裏面側に処理ガス等が回りこむことを抑制することができる。
【００１２】
上記基板処理装置において、処理ガス供給部によって供給される処理ガスの、基板の表面の外側に向かう流速は、気流形成機構によって形成される気流の、基板の裏面の外側に向かう流速よりも小さくてもよい。これにより、ベルヌーイ効果によって基板を載置部において適切に保持することができる。
【００１３】
気流形成機構の吐出流量は、吸引機構の吸引流量よりも多くてもよい。吸引機構の吸引によって、上述した処理ガス等を基板の裏面側に誘導してしまうことが考えられる。この点、基板の外側に向かう方向に吐出される流体の吐出流量を吸引機構の吸引流量よりも多くすることにより、吸引機構の吸引によって処理ガス等が基板の裏面側に回りこむことを効果的に抑制することができる。
【００１４】
上記基板処理装置は、吸引が開始されるように吸引機構を制御することと、吸引機構による吸引が開始された後に、流体の吐出が開始されるように気流形成機構を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備えていてもよい。例えば、気流形成機構による流体の吐出が吸引機構による吸引よりも先行して行われた場合には、ベルヌーイ効果の陽圧によって基板が過度に浮上し、基板の反りを十分に抑制できないことが考えられる。この点、吸引機構によって基板が載置部方向に保持された後に、陽圧を生じさせる気流形成機構による流体吐出が開始されることにより、基板を確実に載置部に保持した後に（すなわち基板の反りを好適に抑制した後に）、ベルヌーイ効果の陽圧を調整して基板の浮上量を調整することが可能となる。
【００１５】
制御部は、気流形成機構による流体の吐出が開始された後に、処理ガスの供給が開始されるように処理ガス供給部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。これにより、処理ガス等が基板の裏面に回りこむことをより効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本開示によれば、基板の反りを抑制した状態で基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】疎水化処理ユニットの概略構成を示す模式図である。
【図５】裏面パージによって生じるベルヌーイ効果を説明するための図である。
【図６】コントローラのハードウェハ構成図である。
【図７】疎水化処理手順のフローチャートである。
【図８】疎水化処理ユニットの効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００２０】
〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００（制御部）とを備える。
【００２１】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２２】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に供給する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
【００２３】
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜（例えば反射防止膜）を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２において行われる熱処理の具体例としては、下層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。処理モジュール１４は、疎水化処理ユニットＵ５を更に備える。疎水化処理ユニットＵ５は、例えば下層膜が形成されたウェハＷの表面において、種々の膜を塗布する際に密着性を高めるための疎水化処理を行うように構成されている。疎水化処理ユニットＵ５の詳細については後述する。
【００２４】
処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２５】
処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２６】
処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００２７】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００２８】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００２９】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００３０】
コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３１】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、及び疎水化処理ユニットＵ５を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３２】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３３】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３４】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００３５】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００３６】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、現像処理用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００３７】
〔疎水化処理ユニット〕
続いて、処理モジュール１４の疎水化処理ユニットＵ５について詳細に説明する。疎水化処理ユニットＵ５は、例えば下層膜が形成されたウェハＷの表面において、種々の膜を塗布する際に密着性を高めるための疎水化処理を行う処理ユニットである。図４に示すように、疎水化処理ユニットＵ５は、疎水化処理装置２０と、ガス供給部３０と、排気管４０と、裏面パージガス供給部５０（気流形成機構）と、開閉部６０と、吸引部７０（吸引機構）と、コントローラ１００（制御部）とを有する。
【００３８】
（疎水化処理装置）
疎水化処理装置２０は、処理容器２１と、蓋体２２とを有する。処理容器２１は、処理対象のウェハＷを収容する容器である。処理容器２１は、水平に配置される円形の底板２１ａと、底板２１ａの周縁部から鉛直上方に延伸する周壁２１ｂと、熱板２１ｃ（載置部）とを有している。なお、疎水化処理装置２０は、ウェハＷを支持する例えば３本の支持ピン（不図示）を有しており、該支持ピンがエアシリンダー（不図示）等により昇降させられることによって、ウェハＷが持ち上げられウェハＷが熱板２１ｃ上の所望の位置に配置される。周壁２１ｂには、厚さ方向（周壁２１ｂの延伸方向）に貫通する貫通孔２１ｘが形成されている。
【００３９】
熱板２１ｃは、処理対象のウェハＷを載置しウェハＷを加熱（熱処理）する円盤状の部材である。熱板２１ｃは、底板２１ａに載置されて処理容器２１に収容されている。熱板２１ｃは、例えば電熱線（不図示）を内蔵しており、該電熱線に給電されることにより昇温する。熱板２１ｃの温度は、例えば９０℃〜２００℃とされる。
【００４０】
熱板２１ｃには、その厚さ方向に貫通する第１貫通孔２１１，２１２（孔部）及び第２貫通孔２１５（吐出部）が形成されている。第１貫通孔２１１，２１２は、鉛直方向（熱板２１ｃにおけるウェハＷの載置面に垂直な方向）に形成されている。第１貫通孔２１１，２１２は、例えばウェハＷの直径が３００ｍｍ程度であり、熱板２１ｃの直径が３５０ｍｍ程度である場合において、熱板２１ｃの中心から径方向に４０ｍｍ〜１２０ｍｍだけ離れた位置に形成される。第１貫通孔２１１は、上述した各貫通孔のうち最も内側（径方向内側）に形成されており、熱板２１ｃの中心から径方向に所定長さだけ離れた位置において、周方向に並んで複数形成されている。第１貫通孔２１２は、第１貫通孔２１１よりも径方向外側の位置に形成されており、熱板２１ｃの中心から径方向に所定長さだけ離れた位置において、周方向に並んで複数形成されている。第２貫通孔２１５は、熱板２１ｃの裏面側（ウェハＷの載置面と反対側）から熱板２１ｃの載置面側に向かうにしたがって熱板２１ｃの中心から径方向外側に向かうように放射状に（斜めに）延びている。第２貫通孔２１５の傾斜角度（熱板２１ｃにおけるウェハＷの載置面に対する傾斜角度）は、例えば６０度以下、好ましくは３０度以下とされる。第２貫通孔２１５は、第１貫通孔２１２よりも径方向外側の位置に形成されており、周方向に並んで複数形成されている。複数の第２貫通孔２１５は、ウェハＷに対して同心円状に形成されている。すなわち、複数の第２貫通孔２１５の形成領域は、ウェハＷに対して同心円状に設けられている。なお、周方向に並ぶ複数の第２貫通孔２１５は、周方向において互いに連通し、全体として１つのスリットを形成するものであってもよい。
【００４１】
蓋体２２は、処理容器２１の上方の開口を覆うように配置される蓋部材である。蓋体２２は、水平に配置される円形の天板２２ａと、天板２２ａの周縁部から鉛直下方に延伸する周壁２２ｂとを有している。後述する開閉部６０により、処理容器２１の開口を覆う位置に蓋体２２が配置された状態においても、蓋体２２の周壁２２ｂの周縁部における下端２２ｙと、処理容器２１の周壁２１ｂの周縁部における上端２１ｙとの間には所定の隙間Ｇが形成される。所定の隙間Ｇは、例えば０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度に設定される。所定の隙間Ｇが形成された状態においては、処理容器２１と蓋体２２との間に処理空間Ｓが形成されている。周壁２２ｂには、厚さ方向（周壁２２ｂの延伸方向）に貫通する貫通孔２２ｘ、及び外周排気部２２ｃが形成されている。また、天板２２ａの中央部には、ガス流路２２ｄが形成されている。
【００４２】
貫通孔２２ｘは、処理容器２１の開口を覆う位置に蓋体２２が配置された状態において、処理容器２１の貫通孔２１ｘに連通するように形成されている。後述するガス供給部３０により、処理容器２１の内部にＨＭＤＳ(hexamethyldisilazane)ガスを供給するにあたり、貫通孔２１ｘの下端側からパージガスとしての窒素ガスが供給される。この場合、パージ処理における余剰な窒素ガスは、貫通孔２１ｘから貫通孔２２ｘに連通し、貫通孔２２ｘの上端から処理容器２１の外部に排出される。これにより、処理容器２１の内部と外部との間に、いわゆるエアカーテンが形成され、ＨＭＤＳガスの処理容器２１外部への漏洩が防止される。上記エアカーテンは、処理容器２１中のＨＭＤＳガスと外部雰囲気中の水分とが反応することを防止する機能を有する。
【００４３】
外周排気部２２ｃは、熱板２１ｃに載置されたウェハＷよりも外方（外周側）から、処理空間Ｓ内のガスを排気する。外周排気部２２ｃは、周壁２２ｂにおける貫通孔２２ｘよりも径方向内側に設けられており、例えば、周方向に沿って環状に等間隔に設けられた複数の排気孔により構成されている。各排気孔は、後述する排気管４０に連通している。
【００４４】
ガス流路２２ｄは、天板２２ａの中央部に形成されており、ガス供給部３０から供給される、処理ガスとしてのＨＭＤＳガス、及びパージ用ガスとしての窒素ガスを処理空間Ｓ内に流す。ガス流路２２ｄは、天板２２ａを厚さ方向に貫通するように形成されており、ガス供給部３０のガス供給管３５に連通している。
【００４５】
（ガス供給部）
ガス供給部３０は、ウェハＷの表面の疎水化のための処理ガスであるＨＭＤＳガスを処理容器２１に供給する。ＨＭＤＳガスのガス濃度（Ｖｏｌ％）は例えば１％である。ガス供給部３０は、コントローラ１００の制御に応じて（詳細は後述）、処理ガスであるＨＭＤＳガスを供給する。
【００４６】
また、ガス供給部３０は、処理容器２１内においてＨＭＤＳガスをパージするために、パージ用ガスである窒素ガスを供給するパージ用ガス供給部としても機能する。窒素ガスの相対湿度は、０％又は０％に限りなく近い値であり、上述した空気及びＨＭＤＳガスと比べて極めて低い。ガス供給部３０は、コントローラ１００の制御に応じて（詳細は後述）、処理ガスであるＨＭＤＳガスの供給後に、パージ用ガスである窒素ガスを供給する。
【００４７】
ガス供給部３０は、ＨＭＤＳ供給源３１と、窒素ガス供給源３２と、ＨＭＤＳ供給弁３３と、Ｎ２パージ弁３４と、ガス供給管３５と、を有する。ＨＭＤＳ供給源３１は、処理ガスであるＨＭＤＳガスの供給源である。ＨＭＤＳ供給源３１においては、例えばＨＭＤＳのリキッドが貯留されており、当該リキッドに対して窒素バブリングを行うことによって、ＨＭＤＳが気化されてＨＭＤＳガスとなる。窒素バブリングを行うため、ＨＭＤＳ供給源３１から供給される処理ガスには、ＨＭＤＳガスだけでなく微小の窒素ガスが含まれているが、本実施形態ではＨＭＤＳ供給源３１から供給される処理ガスを単にＨＭＤＳガスと記載する。窒素ガス供給源３２は、パージ用ガスである窒素ガスの供給源である。ガス供給管３５は、ＨＭＤＳ供給源３１及びガス流路２２ｄを接続すると共に、窒素ガス供給源３２及びガス流路２２ｄを接続する配管である。
【００４８】
ＨＭＤＳ供給弁３３は、ＨＭＤＳ供給源３１及びガス流路２２ｄを接続するガス供給管３５上に設けられている。Ｎ２パージ弁３４は、窒素ガス供給源３２及びガス流路２２ｄを接続するガス供給管３５上に設けられている。ＨＭＤＳ供給弁３３及びＮ２パージ弁３４は、ガス供給管３５内の流路を開閉する。ＨＭＤＳ供給弁３３が開くことにより、ＨＭＤＳ供給源３１からガス供給管３５を介してガス流路２２ｄに処理ガス（ＨＭＤＳガス）が流れる。Ｎ２パージ弁３４が開くことにより、窒素ガス供給源３２からガス供給管３５を介してガス流路２２ｄにパージ用ガス（窒素ガス）が流れる。ＨＭＤＳ供給弁３３及びＮ２パージ弁３４の開閉は、コントローラ１００により制御される（詳細は後述）。
【００４９】
（排気管）
排気管４０は、処理容器２１内のガスを外部に排出する配管である。排気管４０は、外周排気部２２ｃの各排気孔に連通している。排気管４０には、外周排気部２２ｃを介して、空気、処理ガス（ＨＭＤＳガス）、及びパージ用ガスとしての窒素ガスが流れ得る。
【００５０】
（開閉部）
開閉部６０は、コントローラ１００の制御に応じて（詳細は後述）処理容器２１を開放することにより、搬送アームＡ３による処理容器２１内へのウェハＷの搬入を可能にする。開閉部６０は、蓋体２２を把持する把持部６１と、アクチュエータを有し把持部６１を駆動させる駆動部６２とを有する。駆動部６２は、コントローラ１００の制御に応じて把持部６１を駆動させることにより、処理容器２１に対して蓋体２２を相対的に昇降させる。開閉部６０は、処理容器２１の開口を覆う位置に蓋体２２が配置された状態（閉められた状態）から、蓋体２２を上方に移動させることによって、処理容器２１を開放する。開閉部６０は、処理容器２１が開放された状態（開けられた状態）から、蓋体２２を下方に移動させることによって、処理容器２１の開口を蓋体２２によって覆う。
【００５１】
（裏面パージガス供給部）
裏面パージガス供給部５０は、コントローラ１００の制御に応じて（詳細は後述）第２貫通孔２１５に流体を吐出し、ウェハＷの裏面側においてウェハＷの外側（径方向外側）に向かう水平方向の気流を形成する。裏面パージガス供給部５０の吐出流量は、後述する吸引部７０の吸引流量よりも多くされる。裏面パージガス供給部５０によってウェハＷの裏面側に流体が供給されるのに対して、上述したガス供給部３０によっては、ウェハＷの表面側に処理ガスであるＨＭＤＳガスが供給される。ここで、ガス供給部３０によって供給されるＨＭＤＳガスの、ウェハＷの表面の外側に向かう流速は、裏面パージガス供給部５０によって形成される気流の、ウェハＷの裏面の外側に向かう流速よりも小さくされている。
【００５２】
裏面パージガス供給部５０は、窒素ガス供給源５１と、Ｎ２パージ弁５２と、供給口５３と、ガス供給管５４とを有する。窒素ガス供給源５１は、パージ用ガスである窒素ガスの供給源である。供給口５３は、第２貫通孔２１５の端部（熱板２１ｃの裏面側の端部）に設けられ、窒素ガスを第２貫通孔２１５に流し込む供給口である。ガス供給管５４は、窒素ガス供給源５１と供給口５３とを接続する配管である。Ｎ２パージ弁５２は、ガス供給管５４上に設けられており、ガス供給管５４内の流路を開閉する。Ｎ２パージ弁５２が開くことにより、窒素ガス供給源５１からガス供給管５４及び供給口５３を介して第２貫通孔２１５にパージ用ガス（窒素ガス）が流れる。Ｎ２パージ弁５２の開閉は、コントローラ１００により制御される（詳細は後述）。
【００５３】
上述したように、第２貫通孔２１５は、鉛直方向ではなく、熱板２１ｃにおけるウェハＷの載置面に対して斜め方向（且つ、熱板２１ｃの裏面側からウェハＷの載置面側に向かうにしたがって径方向外側に向かう方向）に延びている。このような第２貫通孔２１５に吐出されたパージ用ガスは、ウェハＷの裏面側において、ウェハＷの外側（径方向外側）に向かう水平方向の気流を形成することとなる。このような気流が形成されることにより、図５に示すように、ベルヌーイ効果によって、ウェハＷの裏面における係方向中央寄りの領域（第２貫通孔２１５の吐出口に対応する領域よりも中央寄りの領域）では負圧が発生し、ウェハＷを熱板２１ｃ方向に吸引する力が加わる。また、ウェハＷの裏面における係方向外側の領域（第２貫通孔２１５の吐出口に対応する領域よりも外側の領域）では陽圧が発生し、ウェハＷを浮上させる方向の力が加わる。
【００５４】
（吸引部）
吸引部７０は、第１貫通孔２１１，２１２を介してウェハＷの裏面に吸引力を付与しウェハＷを保持する（詳細には、熱板２１ｃにウェハＷを保持させる）。
【００５５】
吸引部７０は、吸引手段７１と、吸引弁７２，７３と、吸引口７４，７５と、吸引配管７６，７７とを有する。吸引手段７１は、圧力の作用によってガスを吸い上げる機構である。吸引口７４は、第１貫通孔２１１の端部（熱板２１ｃの裏面側の端部）に設けられ、吸引手段７１によって付与される吸引力を、第１貫通孔２１１を介して処理容器２１のガスに伝える部分である。吸引口７５は、第１貫通孔２１２の端部（熱板２１ｃの裏面側の端部）に設けられ、吸引手段７１によって付与される吸引力を、第１貫通孔２１２を介して処理容器２１内のガスに伝える部分である。吸引配管７６は、吸引手段７１と吸引口７４とを接続する配管である。吸引配管７７は、吸引手段７１と吸引口７５とを接続する配管である。吸引弁７２は、吸引配管７６上に設けられており、吸引配管７６内の流路を開閉する。吸引弁７２が開くことにより、処理容器２１内のガスが第１貫通孔２１１を介して吸引配管７６側に吸い上げられる。吸引弁７３は、吸引配管７７上に設けられており、吸引配管７７内の流路を開閉する。吸引弁７３が開くことにより、処理容器２１内のガスが第１貫通孔２１２を介して吸引配管７７側に吸い上げられる。吸引弁７２，７３の開閉は、コントローラ１００により制御される（詳細は後述）。
【００５６】
（コントローラ）
コントローラ１００は、吸引が開始されるように吸引部７０を制御することと、吸引部７０による吸引が開始された後に、流体（窒素ガス）の吐出が開始されるように裏面パージガス供給部５０を制御することと、を実行するように構成されている。
【００５７】
また、コントローラ１００は、裏面パージガス供給部５０による流体（窒素ガス）の吐出が開始された後に、処理ガスであるＨＭＤＳガスの供給が開始されるようにガス供給部３０を制御することを更に実行するように構成されている。
【００５８】
図４に示すように、コントローラ１００は、機能モジュールとして、開閉制御部１０１と、吸引制御部１０２と、パージ制御部１０３と、疎水化制御部１０４とを有する。
【００５９】
開閉制御部１０１は、処理容器２１を開放するように開閉部６０を制御する。具体的には、開閉制御部１０１は、処理容器２１の開口を覆っている蓋体２２が上方（処理容器２１から離れる方向）に向かって移動するように（蓋体２２をオープンするように）、開閉部６０の駆動部６２を制御する。蓋体２２がオープンされることにより、処理容器２１が開放され、処理容器２１に空気が供給される。開閉制御部１０１は、蓋体２２のオープン後、処理容器２１内へのウェハＷの搬入及び熱板２１ｃへのウェハＷの載置が完了した後に、処理容器２１の開口が蓋体２２によって覆われるように開閉部６０を制御する。具体的には、開閉制御部１０１は、処理容器２１を開放した状態から蓋体２２が下方（処理容器２１に近づく方向）に向かって移動するように（蓋体２２をクローズするように）、開閉部６０の駆動部６２を制御する。蓋体２２がクローズされることにより、処理容器２１の開口からの空気の流入が終了する。なお、上述したように、蓋体２２がクローズした状態においても、蓋体２２と処理容器２１との間の隙間Ｇから、処理容器２１に微小の空気が供給される。
【００６０】
吸引制御部１０２は、ウェハＷの裏面に吸引力が付与されるように吸引部７０を制御する。具体的には、吸引制御部１０２は、熱板２１ｃにウェハＷが載置され開閉制御部１０１により蓋体２２がクローズされた後に、吸引手段７１による吸引力が第１貫通孔２１１及び処理容器２１内のガスに作用するように、吸引弁７２を開く。また、吸引制御部１０２は、熱板２１ｃにウェハＷが載置され開閉制御部１０１により蓋体２２がクローズされた後に、吸引手段７１による吸引力が第１貫通孔２１２及び処理容器２１内のガスに作用するように、吸引弁７３を開く。吸引制御部１０２は、熱板２１ｃに載置されたウェハＷに対する基板処理（疎水化処理）が完了するまで、ウェハＷの裏面に継続的に吸引力が付与されるように吸引弁７２，７３を開く。吸引制御部１０２は、ウェハＷに対する基板処理（疎水化処理）が完了すると、吸引弁７２，７３を閉じる。なお、吸引制御部１０２は、吸引部７０による吸引力を吸引中において適宜変更してもよい。例えば、吸引制御部１０２は、吸引処理の初期においては強く吸引されるように制御し、徐々に吸引力を弱めるように制御してもよい。
【００６１】
パージ制御部１０３は、第２貫通孔２１５に窒素ガスが供給されるように裏面パージガス供給部５０を制御する。具体的には、パージ制御部１０３は、吸引部７０による吸引が開始された後に、第２貫通孔２１５への流体（窒素ガス）の吐出が開始されるように、Ｎ２パージ弁５２を開く。パージ制御部１０３は、熱板２１ｃに載置されたウェハＷに対する基板処理（疎水化処理）が完了するまで、第２貫通孔２１５に継続的に流体が吐出されるようにＮ２パージ弁５２を開く。パージ制御部１０３は、ウェハＷに対する基板処理（疎水化処理）が完了すると、Ｎ２パージ弁５２を閉じる。
【００６２】
疎水化制御部１０４は、ＨＭＤＳガスが供給されるようにガス供給部３０を制御する。具体的には、疎水化制御部１０４は、裏面パージガス供給部５０による窒素ガスの吐出が開始された後に、ＨＭＤＳ供給弁３３を開く。これにより、ＨＭＤＳ供給源３１からガス供給管３５及びガス流路２２ｄを介して、処理容器２１内にＨＭＤＳガスが供給される。疎水化制御部１０４は、所定時間（例えば３０秒間）経過後にＨＭＤＳ供給弁３３を閉じ、ＨＭＤＳガスの供給を終了する。
【００６３】
疎水化制御部１０４は、ガス供給部３０によるＨＭＤＳガスの供給が終了した後にパージ用ガスである窒素ガスを供給するようにガス供給部３０を制御する。具体的には、疎水化制御部１０４は、上述したＨＭＤＳガスの供給が終了した後に、Ｎ２パージ弁３４を開く。これにより、窒素ガス供給源３２からガス供給管３５及びガス流路２２ｄを介して、処理容器２１内に窒素ガスが供給される。疎水化制御部１０４は、所定時間（例えば１０秒間）経過後にＮ２パージ弁３４を閉じ、パージ用ガスである窒素ガスの供給を終了する。
【００６４】
コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図６に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。
【００６５】
入出力ポート１２４は、開閉部６０の駆動部６２、ガス供給部３０のＨＭＤＳ供給弁３３、ガス供給部３０のＮ２パージ弁３４、吸引部７０の吸引弁７２，７３及び裏面パージガス供給部５０のＮ２パージ弁５２等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。
【００６６】
なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００６７】
〔疎水化処理手順〕
次に、図７を参照して、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて疎水化処理ユニットＵ５が実行する疎水化処理手順を説明する。
【００６８】
まず、コントローラ１００は、処理容器２１の開口を覆っている蓋体２２が上方に向かって移動するように（蓋体２２をオープンするように）、開閉部６０の駆動部６２を制御し、ウェハＷの搬入を行う（ステップＳ１）。
【００６９】
つづいて、コントローラ１００は、ウェハＷの裏面の吸引が開始されるように吸引部７０を制御する（ステップＳ２）。具体的には、コントローラ１００は、熱板２１ｃにウェハＷが載置され蓋体２２がクローズされた後に、吸引手段７１による吸引力が第１貫通孔２１１及び処理容器２１内のガスに作用するように、吸引弁７２を開く。また、コントローラ１００は、熱板２１ｃにウェハＷが載置され蓋体２２がクローズされた後に、吸引手段７１による吸引力が第１貫通孔２１２及び処理容器２１内のガスに作用するように、吸引弁７３を開く。
【００７０】
つづいて、コントローラ１００は、第２貫通孔２１５への窒素ガスの供給（パージ）が開始されるように裏面パージガス供給部５０を制御する（ステップＳ３）。具体的には、コントローラ１００は、吸引部７０による吸引が開始された後に、第２貫通孔２１５への流体（窒素ガス）の吐出が開始されるように、Ｎ２パージ弁５２を開く。
【００７１】
つづいて、コントローラ１００は、ＨＭＤＳガスの供給が開始されるようにガス供給部３０を制御する（ステップＳ４）。具体的には、コントローラ１００は、裏面パージガス供給部５０による窒素ガスの吐出が開始された後に、ＨＭＤＳ供給弁３３を開く。コントローラ１００は、所定時間（例えば３０秒間）経過後にＨＭＤＳ供給弁３３を閉じてＨＭＤＳガスの供給を終了し、パージ用ガスである窒素ガスを供給するようにガス供給部３０を制御する。
【００７２】
つづいて、コントローラ１００は、ステップＳ４の処理が開始されてから所定の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ５）。ステップＳ５において所定の処理時間が経過したと判定されるまでは、ステップＳ５の判定が繰り返される。一方で、ステップＳ５において所定の処理時間が経過したと判定された場合には、疎水化処理が終了する。
【００７３】
〔本実施形態の効果〕
本実施形態に係る疎水化処理ユニットＵ５は、処理対象のウェハＷを載置する熱板２１ｃと、熱板２１ｃに形成された複数の第１貫通孔２１１，２１２を介してウェハＷの裏面に吸引力を付与しウェハＷを保持する吸引部７０と、第１貫通孔２１１，２１２よりも熱板２１ｃの外側において熱板２１ｃに形成された複数の第２貫通孔２１５に流体を吐出し、ウェハＷの裏面側においてウェハＷの外側に向かう水平方向の気流を形成する裏面パージガス供給部５０と、を備える。
【００７４】
本実施形態に係る疎水化処理ユニットＵ５では、裏面パージガス供給部５０が、第１貫通孔２１１，２１２よりも外側に形成された第２貫通孔２１５に流体を吐出し、ウェハＷの外側に向かう水平方向の気流を形成している。このような気流が形成されることにより、ベルヌーイ効果によってウェハＷの裏面における中央寄りの領域（ウェハＷの裏面における、第２貫通孔２１５の吐出口に対応する領域よりも中央寄りの領域）では負圧が発生し、ウェハＷを熱板２１ｃ方向に吸引する力が加わる（図５参照）。このようなベルヌーイ効果によって生じる負圧による吸引力と、吸引部７０の吸引力とが相俟ってウェハＷに加わることにより、ウェハＷを熱板２１ｃに適切に保持することができ、ウェハＷの反りを抑制することができる。例えば、反りウェハに対してＨＭＤＳガスにより処理された場合には、ウェハＷの外周部又は中央部においてウェハＷの温度が他よりも相対的に低くなり、結果としてＨＭＤＳガスとウェハＷとの反応が進まず、接触角が低くなることが問題となる。この点、上述した手法によりウェハＷの反りを抑制することで、当該問題が生じることを抑制できる。
【００７５】
また、水平方向の気流によってベルヌーイ効果が生じることによって、ウェハＷの裏面における外側の領域（ウェハＷの裏面における、第２貫通孔２１５の吐出口に対応する領域よりも外側の領域）では陽圧が発生する（図５参照）。このように、裏面パージガス供給部５０によって吸引部７０の吸引力とは異なる方向へも力が加えられることとなるので、吸引部７０の吸引力を考慮して裏面パージガス供給部５０における流体の吐出流量を調整することにより、熱板２１ｃにおけるウェハＷの姿勢を調整する（例えば、ウェハＷと熱板２１ｃとが一定間隔で離間した状態でウェハＷを保持する）ことができ、基板処理の自由度を広げることができる。また、ベルヌーイ効果の陽圧によって、熱板２１ｃ上のギャップピン（不図示）とウェハＷとが接触しにくくなり、ウェハＷの裏面に傷がつくこと、及び、ウェハＷのメタル膜が剥がれてパーティクルが発生すること等を適切に抑制することができる。
【００７６】
第２貫通孔２１５は複数形成されており、複数の第２貫通孔２１５は、ウェハＷに対して同心円状に形成されている。これにより、ウェハＷの裏面側における、複数の第２貫通孔２１５に対応して気流が形成される領域を互いに同じ位置（ウェハＷの中心からの距離が同じ位置）とすることができ、ウェハＷをより安定的に保持することができる。
【００７７】
第２貫通孔２１５は、熱板２１ｃにおけるウェハＷの載置面に対して斜め方向に延びていてもよい。具体的には、第２貫通孔２１５の載置面に対する傾斜角度は、６０度以下、好ましくは３０度以下であってもよい。これにより、ウェハＷの裏面側において水平方向の気流を容易に形成することができる。
【００７８】
疎水化処理ユニットＵ５は、ウェハＷを収容する処理容器２１に処理ガスであるＨＭＤＳガスを供給するガス供給部３０に備え、熱板２１ｃは、ウェハＷを加熱する熱板である。このように、熱板２１ｃによってウェハＷが加熱されると共にウェハＷに処理ガスが供給される構成においては、ウェハＷの裏面側に処理ガスが回りこんでウェハＷと反応することが問題なる場合がある。具体的には、ウェハＷの裏面においてＨＭＤＳガスと反応することにより、バックリンス時に残渣（異物）が増加し、当該異物が露光機のステージ上に堆積してしまうという不具合が考えられる。この点、疎水化処理ユニットＵ５では、第１貫通孔２１１，２１２よりも外側の第２貫通孔２１５から、ウェハＷの外側に向かう方向に流体が吐出されるため、該流体によってウェハＷの裏面側に処理ガスが回りこむことを抑制することができる。
【００７９】
図８に示す図は、上述した裏面パージガス供給部５０から吐出される流体によってウェハＷの裏面側に処理ガスが回りこむことが抑制されることを示す図である。図８では、横軸が時間、縦軸が処理ガス（ＨＭＤＳガス）濃度を示している。図８中の「Ｖａｐｏｒ」はガス供給部３０からＨＭＤＳガスが供給されている時間帯を示しており、「Ｎ２」はガス供給部３０からパージ用の窒素ガスが供給されている時間帯を示している。図８に示す破線は裏面パージガス供給部５０から流体が吐出されない場合のウェハＷ裏面におけるＨＭＤＳガス濃度を示しており、一点鎖線は裏面パージガス供給部５０から流体が吐出される（例えば５Ｌ／ｍｉｎで吐出される）場合のウェハＷ裏面におけるＨＭＤＳガス濃度を示している。図８に示すように、裏面パージガス供給部５０から流体が吐出されることによって、ウェハＷ裏面におけるＨＭＤＳガス濃度がほぼ０に近い値となっている。このことから、裏面パージガス供給部５０から流体が吐出されることにより、ウェハＷの裏面側に処理ガスが回りこむことを抑制することができることがわかる。なお、裏面パージガス供給部５０からのパージ量は、多くするほど、ウェハＷ裏面側へのＨＭＤＳガスの回りこみを効果的に抑制できる。
【００８０】
ガス供給部３０によって供給されるＨＭＤＳガスの、ウェハＷの表面の外側に向かう流速は、裏面パージガス供給部５０によって形成される気流の、ウェハＷの裏面の外側に向かう流速よりも小さくてもよい。これにより、ベルヌーイ効果によってウェハＷを熱板２１ｃにおいて適切に保持することができる。
【００８１】
裏面パージガス供給部５０の吐出流量は、吸引部７０の吸引流量よりも多い。吸引部７０の吸引によって、上述した処理ガスをウェハＷの裏面側に誘導してしまうことが考えられる。この点、ウェハＷの外側に向かう方向に吐出される流体の吐出流量を吸引部７０の吸引流量よりも多くすることにより、吸引部７０の吸引によって処理ガスがウェハＷの裏面側に回りこむことを効果的に抑制することができる。
【００８２】
疎水化処理ユニットＵ５は、吸引が開始されるように吸引部７０を制御することと、吸引部７０による吸引が開始された後に、流体の吐出が開始されるように裏面パージガス供給部５０を制御することと、を実行するように構成されたコントローラ１００を備える。例えば、裏面パージガス供給部５０による流体の吐出が吸引部７０による吸引よりも先行して行われた場合には、ベルヌーイ効果の陽圧によってウェハＷが過度に浮上し、ウェハＷの反りを十分に抑制できないことが考えられる。この点、吸引部７０によってウェハＷが熱板２１ｃ方向に保持された後に、陽圧を生じさせる裏面パージガス供給部５０による流体吐出が開始されることにより、ウェハＷを確実に熱板２１ｃに保持した後に（すなわちウェハＷの反りを好適に抑制した後に）、ベルヌーイ効果の陽圧を調整してウェハＷの浮上量を調整することが可能となる。
【００８３】
コントローラ１００は、裏面パージガス供給部５０による流体の吐出が開始された後に、処理ガスの供給が開始されるようにガス供給部３０を制御する。これにより、処理ガスがウェハＷの裏面に回りこむことをより効果的に抑制することができる。
【００８４】
以上、実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、裏面パージガス供給部５０等を備えた構成を疎水化処理ユニットＵ５に適用する例を説明したがこれに限定されない。すなわち、裏面パージガス供給部５０等を備えた構成は、処理ガスがウェハＷの裏面に回りこむ可能性があるその他の装置、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置又はドライエッチング装置等に適用されてもよい。また、裏面パージガス供給部５０等を備えた構成は、処理中に発生した不要物等がウェハＷの裏面に回りこむ可能性があるその他の装置、例えば熱処理（ＰＡＢ：Post Apply Bake）装置等に適用されてもよい。このような装置では、レジストやＢＡＲＣ、ＳＯＣ（SPIN On Carbon）塗布後のウェハＷを加熱して塗布膜中の溶媒を揮発させる。この場合、裏面パージガス供給部５０は、加熱処理によって膜より出てきてしまう昇華物（不要物）がウェハＷの裏面に回りこむことを防止する。さらに、裏面パージガス供給部５０等を備えた構成は、ウェハＷの裏面側への処理ガス等の回りこみが発生しない装置、例えばＰＥＢ（Post Exposure Bake）装置等に適用されてもよい。この場合においても、裏面パージガス供給部５０等は、ウェハＷの反り防止、及び、裏面におけるパーティクル発生の防止等の効果を生じさせることができる。また、裏面パージガス供給部５０等を備えた構成は、載置部に回転機構を有する装置（例えばウェハＷの現像装置）に適用されてもよい。
【００８５】
また、第２貫通孔２１５は熱板２１ｃの裏面側（ウェハＷの載置面と反対側）から熱板２１ｃの載置面側に向かうにしたがって熱板２１ｃの中心から径方向外側に向かうように放射状に（斜めに）延びている、として説明したがこれに限定されない。すなわち、第２貫通孔２１５は、流れる流体によってウェハＷの外側に向かう水平方向の気流が形成されるものであればよく、例えば熱板２１ｃの裏面側から垂直に立ち上がり、熱板２１ｃの載置面側で急激に水平方向に曲がるものであってもよい。
【００８６】
熱板２１ｃには、その厚さ方向に貫通する、孔部としての第１貫通孔２１１，２１２、及び、吐出部としての第２貫通孔２１５が形成されているとして説明したがこれに限定されず、孔部及び吐出部は熱板２１ｃを貫通するものでなくてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
２…塗布・現像装置（基板処理装置）、２１…処理容器、２１ｃ…熱板（載置部）、３０…ガス供給部（処理ガス供給部）、５０…裏面パージガス供給部（気流形成機構）、７０…吸引部（吸引機構）、１００…コントローラ（制御部）、２１１，２１２…第１貫通孔（孔部）、２１５…第２貫通孔（吐出部）、Ｗ…ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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