(57)【要約】【課題】基板の温度の均一性を向上できる熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理装置は、加熱部と導入室とし整流板１５を備える。加熱部は、加熱部上に載置される基板Ｗを加熱する。導入室は、加熱部の上方に設けられる。導入室は、気体を導入する。整流板１５は、加熱部の上方、かつ、導入室の下方に設けられる。整流板１５は、複数の開口１７を有する。整流板１５は、導入室の気体を下向きに整流する。整流板１５は、周縁領域４５含む。周縁領域４５は、周方向Ｄに沿って変動する開口率を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理装置において、
加熱部であって、前記加熱部上に載置される基板を加熱する前記加熱部と、
前記加熱部の上方に設けられ、気体を導入するための導入室と、
前記加熱部の上方、かつ、前記導入室の下方に設けられ、複数の開口を有し、前記導入室の気体を下向きに整流する整流板と、
を備え、
前記整流板は、基板の周方向に沿って変動する開口率を有する変動領域を含む
熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記整流板は、
前記加熱部上に載置される基板の中央部分の上方に位置し、略円形状を有する中央領域と、
前記加熱部上に載置される基板の周縁部分の上方に位置し、略環形状を有する周縁領域と、
を含み、
前記変動領域は、前記周縁領域を含む
熱処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の熱処理装置において、
前記周縁領域は、
前記第１領域と、
前記第２領域と、
を含み、
前記第１領域と前記第２領域は、前記周方向に並び、
前記第１領域における開口率は、前記第２領域における開口率よりも高い
熱処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の熱処理装置において、
前記第１領域において前記周方向に隣り合う前記開口の間隔は、前記第２領域において前記周方向に隣り合う前記開口の間隔よりも小さい
熱処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の熱処理装置において、
前記第１領域における前記開口率は、前記中央領域における開口率と略同等またはそれよりも高い
熱処理装置。
【請求項６】
請求項３から５のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記加熱部は、
前記加熱部に載置される基板の前記周縁部分の下方に配置される第１周縁加熱部と、
前記加熱部に載置される基板の前記周縁部分の下方、かつ、前記第１周縁加熱部の側方に配置される第２周縁加熱部と、
を含み、
前記第１周縁加熱部の温度と前記第２周縁加熱部の温度を、互いに独立して調整可能であり、
前記第１領域は、前記第１周縁加熱部と前記第２周縁加熱部の境界の上方に位置する
熱処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の熱処理装置において、
前記第１周縁加熱部と前記第２周縁加熱部は、前記周方向に並ぶ
熱処理装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の熱処理装置において、
基板は、基板の中央部分よりも外側で、かつ、基板の周縁部分よりも内側に位置し、略環形状を有する中間部分を含み、
前記中間部分は、
略環形状を有する内側中間部分と、
前記内側中間部分よりも外側に位置し、略環形状を有する外側中間部分と、
を含み、
前記整流板は、
前記加熱部上に載置される基板の前記内側中間部分の上方に位置する内側中間領域と、
前記加熱部上に載置される基板の前記外側中間部分の上方に位置する外側中間領域と、
を含み、
前記外側中間領域における開口率は、前記内側中間領域における開口率よりも高い
熱処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の熱処理装置において、
前記内側中間領域における前記開口率は、前記中央領域における開口率よりも低い
熱処理装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記導入室に対する気体の供給量を調整する調整部と、
基板および前記加熱部の少なくともいずれかに関する目標温度に基づいて、前記加熱部と前記調整部を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記目標温度が高くなるにしたがって、前記導入室に対する気体の供給量を増加させる
熱処理装置。
【請求項１１】
熱処理装置において、
加熱部であって、前記加熱部上に載置される基板を加熱する前記加熱部と、
前記加熱部の上方に設けられ、気体を導入するための導入室と、
前記加熱部の上方、かつ、前記導入室の下方に設けられ、前記導入室の気体を下向きに整流する整流板と、
を備え、
一様に分布する開口を有する基準整流板を通じて導入室から基板に気体を供給し、かつ、前記加熱部が基板を目標温度に加熱するとき、前記目標温度よりも閾値以上高い温度を有する基板の部分を、高温部分とし、
前記整流板は、前記整流板全体の開口率よりも高い開口率を有する高透過領域を含み、
前記高透過領域は、前記加熱部上に載置される基板の高温部分の少なくとも一部の上方に位置する
熱処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の熱処理装置において、
前記加熱部は、
前記加熱部に載置される基板の下方に配置される第１加熱部と、
前記加熱部に載置される基板の下方、かつ、前記第１加熱部の側方に配置される第２加熱部と、
を含み、
前記第１加熱部の温度と前記第２加熱部の温度を、互いに独立して調整可能であり、
前記高温部分の少なくとも一部、および、前記高透過領域の少なくとも一部は、前記第１加熱部と前記第２加熱部の境界の上方に位置する
熱処理装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の熱処理装置において、
前記第１加熱部と前記第２加熱部は、前記加熱部に載置される基板の周縁部分の下方に配置される
熱処理装置。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記整流板は、前記整流板全体の開口率よりも低い開口率を有する低透過領域を含み、
前記高透過領域の少なくとも一部と前記低透過領域の少なくとも一部は、基板の周方向に並ぶ
熱処理装置。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記導入室に対する気体の供給量を調整する調整部と、
基板および前記加熱部の少なくともいずれかに関する目標温度に基づいて、前記加熱部と前記調整部を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記目標温度が高くなるにしたがって、前記導入室に対する気体の供給量を増加させる
熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、熱処理装置を開示する。熱処理装置は、ホットプレートと気体噴出手段と整流板を備える。ホットプレートは、基板を加熱する。気体吹出手段は、気体を基板に供給する。整流板は、複数の孔を有する。気体は、整流板を介して、気体噴出手段から基板に供給される。これにより、基板の中央部と周縁部の温度差を小さくできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９１２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、熱処理の品質の向上が求められている。具体的には、熱処理において、基板の面内温度のばらつきをさらに抑制することが求められている。すなわち、基板の全体にわたる温度の均一性をさらに向上させることが求められている。
【０００５】
ただし、ホットプレートの温度を調整しても、基板の温度のばらつきを緩和することは難しい場合がある。例えば、基板の温度が周方向にばらつく場合、ホットプレートの温度を調整することによって基板の温度のばらつきを抑制することは難しい。例えば、基板が比較的に高い温度を有する部分（以下、「ホットスポット」という）を含む場合、ホットプレートの温度を調整することによってホットスポットの温度を選択的に低減することは難しい。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の温度の均一性を向上できる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、熱処理装置において、加熱部であって、前記加熱部上に載置される基板を加熱する前記加熱部と、前記加熱部の上方に設けられ、気体を導入するための導入室と、前記加熱部の上方、かつ、前記導入室の下方に設けられ、複数の開口を有し、前記導入室の気体を下向きに整流する整流板と、を備え、前記整流板は、基板の周方向に沿って変動する開口率を有する変動領域を含む熱処理装置である。
【０００８】
気体は、整流板を通じて、導入室から基板に供給される。変動領域においては、開口率が周方向に沿って変動する。すなわち、変動領域は、開口率が高い領域と開口率が低い領域を含む。基板は、開口率が高い領域の下方に位置する部分と、開口率が低い領域の下方に位置する部分を含む。開口率が高い領域の下方に位置する基板の部分に対する気体の供給量は、開口率が低い領域の下方に位置する基板の部分に対する気体の供給量よりも多い。開口率が高い領域と開口率が低い領域は、周方向に並ぶ。このため、開口率が高い領域の下方に位置する基板の部分と開口率が低い領域の下方に位置する基板の部分は、周方向に並ぶ。よって、開口率が高い領域の下方に位置する基板の部分と開口率が低い領域の下方に位置する基板の部分にわたる気体の流れを促進できる。すなわち、気体が周方向に流れることを促進できる。その結果、基板の温度の均一性が向上する。このように、本熱処理装置によれば、基板の温度の均一性を好適に向上できる。
【０００９】
上述の熱処理装置において、前記整流板は、前記加熱部上に載置される基板の中央部分の上方に位置し、略円形状を有する中央領域と、前記加熱部上に載置される基板の周縁部分の上方に位置し、略環形状を有する周縁領域と、を含み、前記変動領域は、前記周縁領域を含むことが好ましい。周縁領域の開口率は、周方向に沿って変動する。よって、基板の周縁部分における温度の均一性を効果的に向上できる。
【００１０】
上述の熱処理装置において、前記周縁領域は、前記第１領域と、前記第２領域と、を含み、前記第１領域と前記第２領域は、前記周方向に並び、前記第１領域における開口率は、前記第２領域における開口率よりも高いことが好ましい。周縁領域は、第１領域と、第１領域と開口率が異なる第２領域を備える。このため、周縁領域における開口率を周方向に沿って好適に変動させることができる。基板は、第１領域の下方に位置する第１部分と、第２領域の下方に位置する第２部分を含む。第１部分に対する気体の供給量と第２部分に対する気体の供給量は、異なる。このため、第１部分と第２部分にわたる気体の流れを促進できる。したがって、第１部分と第２部分の温度差を効果的に低減できる。
【００１１】
上述の熱処理装置において、前記第１領域において前記周方向に隣り合う前記開口の間隔は、前記第２領域において前記周方向に隣り合う前記開口の間隔よりも小さいことが好ましい。第１領域における開口率を第２領域における開口率よりも好適に高くできる。
【００１２】
上述の熱処理装置において、前記第１領域における前記開口率は、前記中央領域における開口率と略同等またはそれよりも高いことが好ましい。１つの開口を通過する気体の量が、開口の位置に応じてばらつくことを好適に抑制できる。例えば、第１領域における１つの開口を通過する気体の量が、中央領域における１つの開口を通過する気体の量に比べて過度に少なくなることを好適に防止できる。
【００１３】
上述の熱処理装置において、前記加熱部は、前記加熱部に載置される基板の前記周縁部分の下方に配置される第１周縁加熱部と、前記加熱部に載置される基板の前記周縁部分の下方、かつ、前記第１周縁加熱部の側方に配置される第２周縁加熱部と、を含み、前記第１周縁加熱部の温度と前記第２周縁加熱部の温度を、互いに独立して調整可能であり、前記第１領域は、前記第１周縁加熱部と前記第２周縁加熱部の境界の上方に位置することが好ましい。第１周縁加熱部と第２周縁加熱部の境界の上方に位置する基板の部分に対する気体の供給量は、比較的に多い。このため、第１周縁加熱部と第２周縁加熱部の境界の上方に位置する基板の部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【００１４】
上述の熱処理装置において、前記第１周縁加熱部と前記第２周縁加熱部は、前記周方向に並ぶことが好ましい。基板の周縁部分は複数の加熱部（具体的には、第１周縁加熱部と第２周縁加熱部）によって、加熱される。第１周縁加熱部と第２周縁加熱部は周方向に並ぶ。このため、基板の温度が周方向に沿ってばらつき易い。このような場合であっても、本熱処理装置は、基板の温度のばらつきを好適に緩和できる。言い換えれば、加熱部がこのように構成される場合には、整流板は一層高い有用性を発揮する。
【００１５】
上述の熱処理装置において、基板は、基板の中央部分よりも外側で、かつ、基板の周縁部分よりも内側に位置し、略環形状を有する中間部分を含み、前記中間部分は、略環形状を有する内側中間部分と、前記内側中間部分よりも外側に位置し、略環形状を有する外側中間部分と、を含み、前記整流板は、前記加熱部上に載置される基板の前記内側中間部分の上方に位置する内側中間領域と、前記加熱部上に載置される基板の前記外側中間部分の上方に位置する外側中間領域と、を含み、前記外側中間領域における開口率は、前記内側中間領域における開口率よりも高いことが好ましい。外側中間領域における開口率は内側中間領域における開口率よりも高い。このため、基板の外側中間部分に対する気体の供給量は、基板の内側中間部分に対する気体の供給量よりも多い。これにより、外側中間部分と内側中間部分にわたる気体の流れを促進できる。その結果、基板の温度の均一性を一層向上できる。
【００１６】
上述の熱処理装置において、前記内側中間領域における前記開口率は、前記中央領域における開口率よりも低いことが好ましい。これによれば、基板の中央部分に対する気体の供給量は、基板の内側中間部分に対する気体の供給量よりも多い。よって、中央部分と内側中間部分にわたる気体の流れを促進できる。その結果、基板の温度の均一性をさらに一層向上できる。
【００１７】
上述の熱処理装置において、前記導入室に対する気体の供給量を調整する調整部と、基板および前記加熱部の少なくともいずれかに関する目標温度に基づいて、前記加熱部と前記調整部を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記目標温度が高くなるにしたがって、前記導入室に対する気体の供給量を増加させることが好ましい。目標温度が高くなるにしたがって、基板の温度のばらつきは大きくなり易い。この点を考慮して、制御部は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室に対する気体の供給量を増加させる。ここで、導入室に対する気体の供給量は、基板に対する気体の供給量に相当する。このため、目標温度が高い場合であっても、基板の温度の均一性を好適に向上できる。
【００１８】
また、本発明は、熱処理装置において、加熱部であって、前記加熱部上に載置される基板を加熱する前記加熱部と、前記加熱部の上方に設けられ、気体を導入するための導入室と、前記加熱部の上方、かつ、前記導入室の下方に設けられ、前記導入室の気体を下向きに整流する整流板と、を備え、一様に分布する開口を有する基準整流板を通じて導入室から基板に気体を供給し、かつ、前記加熱部が基板を目標温度に加熱するとき、前記目標温度よりも閾値以上高い温度を有する基板の部分を、高温部分とし、前記整流板は、前記整流板全体の開口率よりも高い開口率を有する高透過領域を含み、前記高透過領域は、前記加熱部上に載置される基板の高温部分の少なくとも一部の上方に位置する熱処理装置である。
【００１９】
高透過領域は基板の高温部分の少なくとも一部の上方に配置される。高透過領域は比較的に高い開口率を有する。このため、高温部分の少なくとも一部に対する気体の供給量は比較的に多い。これにより、高温部分の少なくとも一部における温度を効果的に低減できる。その結果、基板の温度の均一性は向上する。このように、本熱処理装置によれば、基板の温度の均一性を効果的に向上できる。
【００２０】
上述の熱処理装置において、前記加熱部は、前記加熱部に載置される基板の下方に配置される第１加熱部と、前記加熱部に載置される基板の下方、かつ、前記第１加熱部の側方に配置される第２加熱部と、を含み、前記第１加熱部の温度と前記第２加熱部の温度を、互いに独立して調整可能であり、前記高温部分の少なくとも一部、および、前記高透過領域の少なくとも一部は、前記第１加熱部と前記第２加熱部の境界の上方に位置することが好ましい。高温部分の少なくとも一部は、第１加熱部と第２加熱部の境界の上方に位置する。このため、第１加熱部の温度および第２加熱部の温度のいずれを調整しても、高温部分の温度のみを低減することは難しい。高透過領域の少なくとも一部は、第１加熱部と第２加熱部の境界の上方に位置する。これにより、整流板は、基板の高温部分に対して比較的に多い量の気体を分配する。したがって、高温部分における温度を効果的に低減でき、基板の温度のばらつきを好適に緩和できる。言い換えれば、高温部分が第１加熱部と第２加熱部の境界の上方に位置する場合には、整流板は一層高い有用性を発揮する。
【００２１】
上述の熱処理装置において、前記第１加熱部と前記第２加熱部は、前記加熱部に載置される基板の周縁部分の下方に配置されることが好ましい。基板の周縁部分における温度の均一性を効果的に向上できる。
【００２２】
上述の熱処理装置において、前記整流板は、前記整流板全体の開口率よりも低い開口率を有する低透過領域を含み、前記高透過領域の少なくとも一部と前記低透過領域の少なくとも一部は、基板の周方向に並ぶことが好ましい。基板は、高透過領域の下方に位置する部分と、低透過領域の下方に位置する基板の部分を含む。高透過領域の下方に位置する基板の部分に対する気体の供給量は、低透過領域の下方に位置する基板の部分に対する気体の供給量よりも多い。高透過領域の少なくとも一部と低透過領域の少なくとも一部は、周方向に並ぶ。このため、高透過領域の下方に位置する基板の部分と、低透過領域の下方に位置する基板の部分は、周方向に並ぶ。よって、気体が周方向に流れることを促進できる。その結果、基板の温度の均一性を一層向上できる。
【００２３】
上述の熱処理装置において、前記導入室に対する気体の供給量を調整する調整部と、基板および前記加熱部の少なくともいずれかに関する目標温度に基づいて、前記加熱部と前記調整部を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記目標温度が高くなるにしたがって、前記導入室に対する気体の供給量を増加させることが好ましい。目標温度が高くなるにしたがって、基板の温度のばらつきは大きくなり易い。この点を考慮して、制御部は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室に対する気体の供給量を増加させる。ここで、導入室に対する気体の供給量は、基板に対する気体の供給量に相当する。このため、目標温度が高い場合であっても、基板の温度の均一性を好適に向上できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、基板の温度の均一性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態１に係る熱処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】加熱部上に載置される基板の平面図である。
【図３】整流板の平面図である。
【図４】中央領域の平面図である。
【図５】内側中間領域の平面図である。
【図６】外側中間領域の平面図である。
【図７】周縁領域の平面図である。
【図８】実施形態２に係る熱処理装置の加熱部の平面図である。
【図９】基準整流板の平面図である。
【図１０】基板の高温部分を例示する平面図である。
【図１１】変形実施形態に係る整流板の平面図である。
【図１２】変形実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す図である。
【図１３】変形実施形態に係る熱処理装置の加熱部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜実施形態１＞
以下、図面を参照して本発明の実施形態１を説明する。図１は、実施形態１に係る熱処理装置１の概略構成を示す図である。熱処理装置１は、基板Ｗに熱処理を行う。
【００２７】
「基板Ｗ」は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などである。
【００２８】
熱処理装置１は、加熱部３を備える。加熱部３は、加熱部３上に基板Ｗを載置する。加熱部３は、加熱部３上に載置された基板Ｗを加熱する。
【００２９】
加熱部３は、水平な略円盤形状を有する。加熱部３は、略水平な上面３Ａを有する。基板Ｗは、水平姿勢で、上面３Ａ上に載置される。
【００３０】
加熱部３は、例えば、温調部とプレート（いずれも不図示）を備えている。温調部は熱を発生する。さらに、温調部は、加熱部３の温度を調整可能である。より詳しくは、温調部は、加熱部３全体（より具体的には上面３Ａ全体）の温度を一律に調整可能である。温調部は例えばヒータである。温調部はプレートに取り付けられる。温調部は、例えば、プレートの下部またはプレートの内部に配置される。プレートは、上述した上面３Ａを含む。プレートは、基板Ｗを載置する。プレートは、温調部が発した熱をプレート上の基板Ｗに伝達する。プレートは例えば金属製である。加熱部３はこのように構成されるので、加熱部３は、加熱部３上に載置される基板Ｗの温度を調整可能である。
【００３１】
熱処理装置１は、導入室５を備える。導入室５は、加熱部３の上方に設けられる。導入室５は、気体を導入するための空間である。導入室５は、加熱部３上に載置される基板Ｗと略同等の広さを有することが好ましい。導入室５は、平面視で、加熱部３上に載置される基板Ｗの全体と重なることが好ましい。導入室５は、加熱部３と略同等の広さを有することが好ましい。導入室５は、平面視で、加熱部３上の全体と重なることが好ましい。
【００３２】
熱処理装置１は、筐体７を備える。筐体７は、略円筒形状を有する。筐体７の底部は、開放されている。筐体７は、筐体７の内部に空間を有する。筐体７内の空間は、導入室５に相当する。すなわち、筐体７は、導入室５を区画する。
【００３３】
熱処理装置１は、気体供給源１１と供給管１２と流量調整部１３を備える。気体供給源１１は、気体を供給する。気体は、例えば、空気または不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素である。供給管１２は、第１端と第２端を備える。供給管１２の第１端は、気体供給源１１に接続される。供給管１２の第２端は、筐体７に接続される。供給管１２の第２端と筐体７の接続位置は、例えば、基板Ｗの中心Ｃの上方に位置する。供給管１２の第２端と筐体７の接続位置は、例えば、中心軸Ａ上に位置する。中心軸Ａは、基板Ｗの中心Ｃを通り、かつ、基板Ｗに垂直な仮想線である。中心軸Ａは、鉛直方向と略平行である。供給管１２の第２端は、導入室５に連通する。気体は、供給管１２を通じて、気体供給源１１から導入室５に流れる。流量調整部１３は、供給管１１上に設けられる。流量調整部１３は、供給管１１を流れる気体の流量を調整する。すなわち、流量調整部１３は、気体供給源１１から導入室５に供給される気体の供給量を調整する。流量調整部１３は、例えば、ニードル弁またはマスフローメータの少なくともいずれかを含む。流量調整部１３は、本発明における調整部の例である。
【００３４】
熱処理装置１は、整流板１５を備える。整流板１５は、加熱部３の上方、かつ、導入室５の下方に設けられる。整流板１５は、筐体７の底部に設けられる。整流板１５は、導入室５の底面と接する。すなわち、整流板１５は、導入室５の底面を区画する。整流板１５は、略水平な板形状を有する。整流板１５は、加熱部３上の基板Ｗと略平行である。
【００３５】
整流板１５は、複数の開口１７を有する。開口１７は、整流板１５を略鉛直方向に貫通する。開口１７は、整流板１５の上面と下面にわたる。開口１７は、整流板１５の上方、および、整流板１５の下方に開放される。導入室５の気体は、開口１７を通過する。整流板１５は、導入室５の気体を下向きに整流する。具体的には、整流板１５は、導入室５の気体を略鉛直方向下向きに整流する。
【００３６】
気体は、整流板１５から下方に向かって流れる。気体は、加熱部３上の基板Ｗに供給される。基板Ｗに対する気体の供給量は、導入室５に対する気体の供給量と略等しい。
【００３７】
整流板１５と加熱部３の間の空間は、基板Ｗを熱処理するための処理空間１９に相当する。より詳しく言えば、処理空間１９は、整流板１５の下方、かつ、加熱部３の上方の空間である。
【００３８】
熱処理装置１は、排出口２１を備える。排出口２１は、処理空間１９の気体を吸い込む。排出口２１は、加熱部３上に載置される基板Ｗの上面の近傍の気体を吸い込むことが好ましい。排出口２１は、例えば、加熱部３の側方に配置される。排出口２１は、加熱部３の周囲にわたって設けられてもよい。あるいは、排出口２１は、加熱部３の一側方のみに設けられてもよい。排出口２１は、例えば、整流板１５よりも低い位置に配置される。排出口２１は、例えば、加熱部３の上面３Ａと略同じ高さ位置に配置される。
【００３９】
熱処理装置１は、排出管２２と排気機構２３を備える。排出管２２は、第１端と第２端を備える。排出管２２の第１端は、排出口２１に接続される。排出管２２の第２端は、排気機構２３に接続される。排気機構２３は、気体を吸引し、排出する。排気機構２３は、排出口２１を通じて排出される気体の排出量を調整可能である。排気機構２３は、例えば、気体の流量または気体の吸引圧を調整することによって、気体の排出量を調整可能である。排気機構２３は、例えば真空ポンプ、排気ブロアまたはエジェクタを含む。
【００４０】
熱処理装置１は、制御部２５を備える。制御部２５は、加熱部３と流量調整部１３と排気機構２３を制御する。具体的には、制御部２５は、加熱部３の温度を調整する。制御部２５は、流量調整部１３を制御して、導入室５に対する気体の供給量を調整する。制御部２５は、排気機構２３を制御して、処理空間１９からの気体の排出量を調整する。
【００４１】
制御部２５は、基板Ｗに関する目標温度に基づいて、加熱部３と流量調整部１３と排気機構２３を制御する。ここで、目標温度は、基板Ｗの温度の目標値に関する情報である。
【００４２】
制御部２５は、例えば、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）と、固定ディスク等の記憶媒体を含む。記憶媒体は、処理レシピ（処理プログラム）と関連情報を記憶している。
【００４３】
処理レシピは、熱処理装置１が行う熱処理に関する各種の条件を規定する情報である。処理レシピは、上述した目標温度を含む。処理レシピおよび目標温度は、熱処理装置１が基板Ｗに熱処理を行う前に、設定されている。
【００４４】
関連情報は、目標温度と目標供給量の関係を規定する。ここで、目標供給量は、気体の供給量の目標値に関する情報である。関連情報は、目標温度が高くなるにしたがって、目標供給量が大きくなるような関係を規定する。関連情報は、熱処理装置１が基板Ｗに熱処理を行う前に、設定されている。
【００４５】
図２は、加熱部３上に載置される基板Ｗの平面図である。加熱部３の上面３Ａは、平面視で基板Ｗよりも大きい。加熱部３の上面３Ａは、平面視で基板Ｗの全部と重なる。加熱部３の上面３Ａは、例えば、略円形状を有する。
【００４６】
基板Ｗは、円形基板である。基板Ｗは、平面視で、中心Ｃを中心とする略円形状を有する。
【００４７】
基板Ｗは、中央部分３１と中間部分３２と周縁部分３５を含む。中央部分３１と中間部分３２と周縁部分３５はそれぞれ、基板Ｗよりも小さい。
【００４８】
中央部分３１は、基板Ｗの中心Ｃを含む。中央部分３１は、平面視において略円形状を有する。
【００４９】
周縁部分３５は、基板Ｗの外周縁を含む。周縁部分３５は、中央部分３１の外側に位置する。より詳しく言えば、周縁部分３５は、中央部分３１よりも径方向外方に位置する。径方向は、中心軸Ａと直交する方向である。周縁部分３５は、平面視において略環形状を有する。
【００５０】
中間部分３２は、中央部分３１よりも外側で、かつ、周縁部分３５よりも内側に位置する。より詳しく言えば、中間部分３２は、中央部分３１よりも径方向外方、かつ、周縁部分３５よりも径方向内方に位置する。中間部分３２は、平面視において略環形状を有する。中間部分３２は、中央部分３１と接する。中間部分３２の内周縁は、中央部分３１の外周縁と接する。中間部分３２は、中央部分３１と隣り合う。中間部分３２は、周縁部分３５と接する。中間部分３２の外周縁は、周縁部分３５の内周縁と接する。中間部分３２は、周縁部分３５と隣り合う。
【００５１】
中間部分３２は、さらに、内側中間部分３３と外側中間部分３４を含む。内側中間部分３３は、平面視で略環形状を有する。内側中間部分３３は、中央部分３１と接する。内側中間部分３３の内周縁は、中間部分３２の内周縁に相当する。内側中間部分３３は、中央部分３１と隣り合う。外側中間部分３４は、内側中間部分３３の外側に位置する。外側中間部分３４は、平面視で略環形状を有する。外側中間部分３４は、内側中間部分３３と接する。外側中間部分３４の内周縁は、内側中間部分３３の外周縁と接する。外側中間部分３４は、内側中間部分３３と隣り合う。外側中間部分３４は、周縁部分３５と接する。外側中間部分３４の外周縁は、中間部分３２の外周縁に相当する。外側中間部分３４は、周縁部分３５と隣り合う。
【００５２】
図３は、整流板１５の平面図である。図３は、便宜上、加熱部３上に載置される基板Ｗを一点鎖線で示す。
【００５３】
整流板１５は、平面視で略円形状を有する。整流板１５は、基板Ｗと同等以上の広さを有することが好ましい。整流板１５は、平面視で、加熱部３上に載置される基板Ｗの全体と重なることが好ましい。
【００５４】
開口１７は、基板Ｗよりも十分に小さい。各開口１７は、略同じ形状を有する。開口１７は、平面視において略円形である。各開口１７の直径は、実質的に同じである。
【００５５】
開口率は、基板Ｗの周方向Ｄに沿って変動する。周方向Ｄは、中心軸Ａ回りの方向である。ここで、開口率は、平面視において、ある領域の面積に対する、その領域に含まれる全ての開口の面積の総和の割合である。領域は、整流板１５の全部または一部である。
【００５６】
整流板１５は、中央領域４１と中間領域４２と周縁領域４５を含む。中央領域４１は、加熱部３上に載置される基板Ｗの中央部分３１の上方に位置する。中央領域４１は、平面視において基板Ｗの中央部分３１と重なる。中央領域４１は、平面視において略円形状を有する。中間領域４２は、加熱部３上に載置される基板Ｗの中間部分３２の上方に位置する。中間領域４２は、平面視において基板Ｗの中間部分３２と重なる。中間領域４２は、平面視において略環形状を有する。周縁領域４５は、加熱部３上に載置される基板Ｗの周縁部分３５の上方に位置する。周縁領域４５は、平面視において基板Ｗの周縁部分３５と重なる。周縁領域４５は、平面視において略環形状を有する。
【００５７】
中間領域４２は、内側中間領域４３と外側中間領域４４を含む。内側中間領域４３は、加熱部３上に載置される基板Ｗの内側中間部分３３の上方に位置する。内側中間領域４３は、平面視において基板Ｗの内側中間部分３３と重なる。内側中間領域４３は、平面視において略環形状を有する。外側中間領域４４は、加熱部３上に載置される基板Ｗの外側中間部分３４の上方に位置する。外側中間領域４４は、平面視において基板Ｗの外側中間部分３４と重なる。外側中間領域４４は、平面視において略環形状を有する。
【００５８】
図４は、中央領域４１の平面図である。中央領域４１は、複数の開口１７を有する。中央領域４１における開口率は、周方向Ｄに変動しない。中央領域４１においては、中心軸Ａを中心とする円周上に複数の開口１７が等間隔に配置される。図４は、中心軸Ａを中心とする仮想円Ｉを一点鎖線で示す。仮想円Ｉは、中央領域４１に位置する。中央領域４１は、仮想円Ｉの円周上に位置する１２個の開口１７を含む。すなわち、１２個の開口１７は、周方向Ｄに並ぶ。１２個の開口１７は、平面視において、等間隔に配置される。１２個の開口１７は、一定の間隔Ｅ１をあけて配置される。すなわち、中央領域４１において周方向Ｄに隣り合う開口１７同士の間隔Ｅ１は、一律である。間隔Ｅ１は、揃っている。
【００５９】
図５は、内側中間領域４３の平面図である。内側中間領域４３は、開口１７を有しない。内側中間領域４３における開口率は、零である。内側中間領域４３における開口率は、中央領域４１における開口率よりも低い。
【００６０】
図６は、外側中間領域４４の平面図である。外側中間領域４４は、複数の開口１７を有する。外側中間領域４４における開口率は、周方向Ｄに変動しない。外側中間領域４４において、中心軸Ａを中心とする円周上に複数の開口１７が等間隔に配置される。外側中間領域４４における開口率は、内側中間領域４３における開口率よりも高い。外側中間領域４４における開口率は、中央領域４１における開口率よりも低い。
【００６１】
図７は、周縁領域４５の平面図である。周縁領域４５は、複数の開口１７を有する。周縁領域４５における開口率は、周方向Ｄに変動する。周縁領域４５において、複数の開口１７が中心軸Ａを中心とする円周上に配置されている。ただし、同一円周上に配置される複数の開口１７は、平面視で、等間隔に配置されていない。
【００６２】
ここで、周方向Ｄに沿って変動する開口率を有する整流板１５の領域を、「変動領域」と呼ぶ。周縁領域４５は、変動領域である。中央領域４１と中間領域４２は、変動領域ではない。すなわち、変動領域は、周縁領域４５を含む。変動領域は、中央領域４１と中間領域４２を含まない。
【００６３】
周縁領域４５は、第１領域４６ａ、４６ｂ、４６ｃと、第２領域４７ａ、４７ｂ、４７ｃを含む。第１領域４６ａ−４６ｃと、第２領域４７ａ−４７ｃは、周方向Ｄに並ぶ。領域４６ａ、４７ａ、４６ｂ、４７ｂ、４６ｃ、４７ｃは、この順に並ぶ。第１領域４６ａ、４６ｂ、４６ｃは、周方向Ｄに約１２０度ずつ、ずれている。第２領域４７ａ、４７ｂ、４７ｃは、周方向Ｄに１２０度ずつ、ずれている。第１領域４６ａ−４６ｃを特に区別しない場合には、「第１領域４６」と呼ぶ。第２領域４７ａ−４７ｃを特に区別しない場合には、「第２領域４７」と呼ぶ。
【００６４】
第１領域４６と第２領域４７は、交互に並ぶ。第１領域４６と第２領域４７は、隣り合う。
【００６５】
第１領域４６と第２領域４７はそれぞれ、周方向Ｄに延びる。第１領域４６ａ、４６ｂ、４６ｃは、略同じ形状を有する。第２領域４７ａ、４７ｂ、４７ｃは、略同じ形状を有する。第１領域４６と第２領域４７はそれぞれ、略円弧形状を有する。第１領域４６は、第２領域４７よりも小さい。平面視において、第１領域４６の面積は、第２領域４７の面積よりも小さい。
【００６６】
第１領域４６における開口率は、第２領域４７における開口率よりも高い。第１領域４６において、中心軸Ａを中心とする円周上に複数の開口１７が等間隔に配置される。第２領域４７において、中心軸Ａを中心とする円周上に複数の開口１７が等間隔に配置される。平面視において、第１領域４６において周方向Ｄに隣り合う開口１７の間隔Ｅ６は、第２領域４７において周方向Ｄに隣り合う開口１７の間隔Ｅ７よりも小さい。
【００６７】
第１領域４６における開口率は、中央領域４１における開口率と略同等である。第１領域４６における開口率は、内側中間領域４３および外側中間領域４４における開口率よりも高い。第２領域４７における開口率は、中央領域４１および外側中間領域４４における開口率よりも低い。
【００６８】
図２を参照する。基板Ｗの周縁部分３５は、第１部分３６ａ、３６ｂ、３６ｃと、第２部分３７ａ、３７ｂ、３７ｃを含む。第１部分３６ａ−３６ｃは、第１領域４６ａ−４６ｃの下方に位置する。第１部分３６ａ−３６ｃは、平面視において第１領域４６ａ−４６ｃと重なる。第２部分３７ａ−３７ｃは、第２領域４７ａ−４７ｃの下方に位置する。第２部分３７ａ−３７ｃは、平面視において第２領域４７ａ−４７ｃと重なる。第１部分３６ａ−３６ｃを区別しない場合、「第１部分３６」と呼ぶ。第２部分３７ａ−３７ｃを区別しない場合、「第２部分３７」と呼ぶ。
【００６９】
次に、図１を参照して、実施形態１に係る熱処理装置１の動作例を説明する。制御部２５は、目標温度に基づいて、基板Ｗの温度が目標温度になるように、加熱部３の温度を調整する。制御部２５は、目標温度に基づいて、流量調整部１３を制御する。より具体的には、制御部２５は、関連情報において目標温度に関連付けられる目標供給量を特定する。制御部２５は、導入室５に対する気体の供給量が目標供給量になるように、流量調整部１３を調整する。これにより、例えば、目標温度が比較的に高いとき、制御部２５は、比較的に多い量の気体を導入室５に供給させる。例えば、目標温度が比較的に低いとき、制御部２５は、比較的に少ない量の気体を導入室５に供給させる。このように、制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室５に対する気体の供給量を増加させる。
【００７０】
加熱部３は、加熱部３上に載置される基板Ｗを加熱する。
【００７１】
気体は、供給管１２を通じて、気体供給源１１から導入室５に流れる。気体は、導入室５から整流板１５の開口１７を通過する。整流板１５は、気体を下向きに整流する。気体は、整流板１５の開口１７から、整流板１５の下方に吹き出る。気体は、基板Ｗの上面に到達する。このように、気体は基板Ｗに供給される。すなわち、気体は処理空間１９に供給される。処理空間１９の気体は、排出口２１および排出管２２を通じて排出される。これにより、処理空間１９の気体は、気体供給源１１によって供給される気体に置換される。
【００７２】
整流板１５を通過する気体について、詳しく説明する。中央領域４１を通過した気体は、主として基板Ｗの中央部分３１に直接的に供給される。内側中間領域４３は開口１７を有しないので、気体は、内側中間領域４３を通過しない。外側中間領域４４を通過した気体は、主として基板Ｗの外側中間部分３４に直接的に供給される。第１領域４６を通過した気体は、主として基板Ｗの第１部分３６に直接的に供給される。第２領域４７を通過した気体は、主として基板Ｗの第２部分３７に直接的に供給される。
【００７３】
ここで、中央領域４１における開口率は、内側中間領域４３における開口率よりも大きい。内側中間領域４３における開口率は外側中間領域４４における開口率よりも小さい。したがって、中央部分３１に対する気体の供給量は、内側中間部分３３に対する気体の供給量よりも多い。内側中間部分３３に対する気体の供給量は、外側中間部分３４に対する気体の供給量よりも少ない。これにより、中央部分３１と内側中間部分３３と外側中間部分３４にわたって、基板Ｗの上面の近傍を気体が流れることを、促進できる。
【００７４】
第１領域４６における開口率は、第２領域４７における開口率よりも大きい。したがって、第１領域４６に対する気体の供給量は、第２領域４７に対する気体の供給量よりも多い。これにより、第１部分３６と第２部分３７にわたって、基板Ｗの上面の近傍を気体が流れることを促進できる。
【００７５】
実施形態１によれば、以下の効果を奏する。
【００７６】
整流板１５は、周方向Ｄに変動する開口率を有する。これにより、基板Ｗに対する気体の供給量が周方向Ｄに変動する。このため、基板Ｗの上面近傍において基板Ｗが周方向Ｄに流れることを促進できる。よって、基板Ｗにおける温度の均一性を向上できる。
【００７７】
具体的には、周縁領域４５は、周方向Ｄに変動する開口率を有する。これにより、周縁部分３５に対する気体の供給量が周方向Ｄに変動する。このため、周縁部分３５の上面近傍において基板Ｗが周方向Ｄに流れることを促進できる。よって、基板Ｗの周縁部分３５における温度の均一性を向上できる。
【００７８】
より具体的には、周縁領域４５は第１領域４６と第２領域４７を含む。第１領域４６と第２領域４７は周方向Ｄに並ぶ。第１領域４６における開口率は、第２領域４７における開口率よりも高い。このため、周縁領域４５における開口率を周方向Ｄに沿って好適に変動させることができる。
【００７９】
第１領域４６において周方向Ｄに隣り合う開口１７の間隔Ｅ６は、第２領域４７において周方向Ｄに隣り合う開口１７の間隔Ｅ７よりも小さい。このため、第１領域４６における開口率を第２領域４７における開口率よりも好適に高くできる。
【００８０】
第１領域４６における開口率は第２領域４７における開口率よりも高い。このため、第１領域４６を通過する気体の量は、第２領域４７を通過する気体の量よりも多い。よって、第１部分３６に対する気体の供給量は、第２部分３７に対する気体の供給量よりも多い。整流板１５が第１部分３６と第２部分３７に気体をこのように分配するので、第１部分３６と第２部分３７にわたって基板Ｗの上面の近傍を気体が流れることを促進できる。このため、第１部分３６と第２部分３７の温度差を効果的に低減できる。すなわち、周縁部分３５における温度の均一性を向上できる。
【００８１】
第１領域４６における開口率は、中央領域４１における開口率と略同等である。このため、導入室５の気体が中央領域４１ばかりに偏って導かれることを好適に防止できる。すなわち、第１領域を通過する気体が不足することを好適に防止できる。したがって、第１領域における１つの開口を通過する気体の量が、中央領域４１における１つの開口を通過する気体の量に比べて、過度に少なくなることを、好適に防止できる。このように、１つの開口を通過する気体の通過量が、開口の位置に応じてばらつくことを抑制できる。
【００８２】
外側中間領域４４における開口率は、内側中間領域４３における開口率よりも高い。このため、外側中間部分３４に対する気体の供給量は、内側中間部分３３に対する気体の供給量よりも多い。これにより、内側中間部分３３と外側中間部分３４にわたって基板Ｗの上面の近傍を気体が流れることを促進できる。このため、内側中間部分３３と外側中間部分３４の温度差を効果的に低減できる。
【００８３】
内側中間領域４３における開口率は、中央領域４１における開口率よりも低い。このため、基板Ｗの中央部分３１に対する気体の供給量は、基板Ｗの内側中間部分３３に対する気体の供給量よりも多い。これにより、中央部分３１と内側中間部分３３にわたって基板Ｗの上面の近傍を気体が流れることを促進できる。このため、中央部分３１と内側中間部分３３の温度差を効果的に低減できる。
【００８４】
流量調整部１３は、導入室５に対する気体の供給量を調整する。導入室５に対する気体の供給量は、基板Ｗに供給される気体の供給量に相当する。よって、流量調整部１３は、基板Ｗに対する気体の供給量を好適に調整できる。
【００８５】
制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室５に対する気体の供給量を増加させる。これにより、目標温度が高くなるにしたがって基板Ｗの温度のばらつきが大きくなり易いという傾向を、好適に打ち消すことができる。よって、目標温度が低い場合であっても目標温度が高い場合であっても、基板Ｗの温度の均一性を好適に向上できる。すなわち、目標温度の値にかかわらず、基板Ｗの温度の均一性を好適に向上できる。
【００８６】
具体的には、制御部２５は、目標供給量に基づいて、導入室５に対する気体の供給量を調整する。ここで、目標供給量は、目標温度が高くなるにしたがって目標供給量が大きくなるように、規定されている。このため、制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室５に対する気体の供給量を好適に増加させることができる。
【００８７】
＜実施形態２＞
以下、図面を参照して本発明の実施形態２を説明する。なお、実施形態１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００８８】
実施形態２に係る熱処理装置１は、図１に示す熱処理装置１と同じ構成を備える。ただし、実施形態２に係る熱処理装置１は、加熱部３の構造の点で、実施形態１と異なる。
【００８９】
図８は、実施形態２に係る熱処理装置１の加熱部３の平面図である。図８は、便宜上、加熱部３上に載置される基板Ｗを一点鎖線で示す。
【００９０】
加熱部３は、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆを含む。中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、平面視において基板Ｗよりも小さい。中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、互いに側方に並ぶ。中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、略同じ高さ位置に配置される。中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、基板Ｗの一部を載置する上面を含む。中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆの上面の全体は、加熱部３の上面３Ａに相当する。
【００９１】
中央加熱部５１ａ−５１ｃは、主として基板Ｗの中央部分３１を加熱する。中央加熱部５１ａ−５１ｃは、加熱部３上に載置される基板Ｗの中央部分３１の下方に位置する。中央加熱部５１ａ−５１ｃは、平面視において、加熱部３上に載置される基板Ｗの中央部分３１と重なる。中央加熱部５１ａ−５１ｃは、周方向Ｄに並ぶ。中央加熱部５１ａ−５１ｃは、同じ形状を有する。各中央加熱部５１ａ−５１ｃはそれぞれ、略扇形状を有する。各中央加熱部５１ａ−５１ｃはそれぞれ、基板Ｗの中央部分３１の一部を加熱する。
【００９２】
中間加熱部５２ａ−５２ｆは、主として基板Ｗの中間部分３２を加熱する。中間加熱部５２ａ−５２ｆは、加熱部３上に載置される基板Ｗの中間部分３２の下方に位置する。中間加熱部５２ａ−５２ｆは、平面視において、加熱部３上に載置される基板Ｗの中間部分３２と重なる。中間加熱部５２ａ−５２ｆは、周方向Ｄに並ぶ。中間加熱部５２ａ−５２ｆは、同じ形状を有する。各中間加熱部５２ａ−５２ｆはそれぞれ、略円弧形状を有する。各中間加熱部５２ａ−５２ｆはそれぞれ、基板Ｗの中間部分３２の一部を加熱する。
【００９３】
周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、主として基板Ｗの周縁部分３５を加熱する。周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、加熱部３上に載置される基板Ｗの周縁部分３５の下方に位置する。周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、平面視において、加熱部３上に載置される基板Ｗの周縁部分３５と重なる。周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、周方向Ｄに並ぶ。周縁加熱部５５ａ、５５ｂ、５５ｃ、５５ｄ、５５ｅ、５５ｆは、この順に並ぶ。周縁加熱部５５ａは、周縁加熱部５５ｂおよび周縁加熱部５５ｆと隣り合う。周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、同じ形状を有する。各周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、略円弧形状を有する。各周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、基板Ｗの周縁部分３５の一部を加熱する。
【００９４】
中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、互いに独立して温度調整可能である。具体的には、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、ヒータ（不図示）を備えている。制御部２５は、各ヒータを互いに独立して制御可能である。すなわち、中央加熱部５１ａ−５１ｃの温度と中間加熱部５２ａ−５２ｆの温度と周縁加熱部５５ａ−５５ｆの温度を、互いに独立して調整可能である。
【００９５】
中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、プレート（不図示）を備えている。例えば、全てのプレートは一体に構成されていてもよい。すなわち、各プレートは、互いに分離不能であってもよい。あるいは、各プレートは別体で構成されていてもよい。すなわち、各プレートは、互いに分離可能であってもよい。
【００９６】
整流板１５は、図３−７に示す整流板１５と同じ構造を有する。
【００９７】
整流板１５と加熱部３の位置関係について説明する。中央領域４１は、中央加熱部５１ａ−５１ｃの上方に位置する。中間領域４２は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの上方に位置する。内側中間領域４３は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの内側部分の上方に位置する。外側中間領域４４は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する。周縁領域４５は、周縁加熱部５５ａ−５５ｆの上方に位置する。
【００９８】
第１領域４６ａは、周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１の上方に位置する。第１領域４６ａは、平面視で境界Ｋ１と重なる。第１領域４６ｂは、周縁加熱部５５ｃと周縁加熱部５５ｄの境界Ｋ３の上方に位置する。第１領域４６ｂは、平面視で境界Ｋ３と重なる。第１領域４６ｃは、周縁加熱部５５ｅと周縁加熱部５５ｆの境界Ｋ５の上方に位置する。第１領域４６ｃは、平面視で境界Ｋ５と重なる。
【００９９】
第２領域４７ａは、周縁加熱部５５ｂと周縁加熱部５５ｃの境界Ｋ２の上方に位置する。第２領域４７ａは、平面視で境界Ｋ２と重なる。第２領域４７ｂは、周縁加熱部５５ｄと周縁加熱部５５ｅの境界Ｋ４の上方に位置する。第２領域４７ｂは、平面視で境界Ｋ４と重なる。第２領域４７ｃは、周縁加熱部５５ｆと周縁加熱部５５ａの境界Ｋ６の上方に位置する。第２領域４７ｃは、平面視で境界Ｋ６と重なる。
【０１００】
より具体的には、周縁加熱部５５ａは、第１端部５５ａ１と、第２端部５５ａ２と、本体部５５ａ３を含む。第１端部５５ａ１は、周方向Ｄの第１方側Ｄ１の端部である。第２端部５５ａ２は、周方向Ｄの第２方側Ｄ２の端部である。本体部５５ａ３は、第１端部５５ａ１と第２端部５５ａ２の間にわたり、周方向Ｄに延びる。同様に、周縁加熱部５５ｂ−５５ｆは、第１端部５５ｂ１−５５ｆ１と、第２端部５５ｂ２−５５ｆ２と、本体部５５ｂ３−５５ｆ３を含む。第１領域４６ａは、周縁加熱部５５ａの第２端部５５ａ２と周縁加熱部５５ｂの第１端部５５ｂ１の上方に位置する。第１領域４６ｂは、周縁加熱部５５ｃの第２端部５５ｃ２と周縁加熱部５５ｄの第１端部５５ｄ１の上方に位置する。第１領域４６ｃは、周縁加熱部５５ｅの第２端部５５ｅ２と周縁加熱部５５ｆの第１端部５５ｆ１の上方に位置する。
【０１０１】
第２領域４７ａは、周縁加熱部５５ｂの第２端部５５ｂ２および本体部５５ｂ３と、周縁加熱部５５ｃの第１端部５５ｃ１および本体部５５ｃ３の上方に位置する。第２領域４７ｂは、周縁加熱部５５ｄの第２端部５５ｄ２および本体部５５ｄ３と、周縁加熱部５５ｅの第１端部５５ｅ１および本体部５５ｅ３の上方に位置する。第２領域４７ｃは、周縁加熱部５５ｆの第２端部５５ｆ２および本体部５５ｆ３と、周縁加熱部５５ａの第１端部５５ａ１および本体部５５ａ３の上方に位置する。
【０１０２】
周縁加熱部５５ａ、５５ｂは、本発明における第１、第２周縁加熱部の例である。周縁加熱部５５ｃ、５５ｄは、本発明における第１、第２周縁加熱部の例である。周縁加熱部５５ｅ、５５ｆは、本発明における第１、第２周縁加熱部の例である。境界Ｋ１、Ｋ３、Ｋ５は、本発明における、第１周縁加熱部と第２周縁加熱部の境界の例である。
【０１０３】
次に、実施形態２に係る熱処理装置１の動作例を説明する。制御部２５は、目標温度に基づいて、基板Ｗの温度が目標温度になるように、加熱部３の温度を調整する。具体的には、制御部２５は、目標温度に基づいて、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆの温度を個別に調整する。制御部２５は、目標温度に基づいて、流量調整部１３を制御する。これにより、制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室５に対する気体の供給量を増加させる。
【０１０４】
加熱部３は、加熱部３上に載置される基板Ｗを加熱する。具体的には、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、基板Ｗを加熱する。
【０１０５】
気体は、供給管１２を通じて、気体供給源１１から導入室５に流れる。気体は、導入室５から整流板１５を通じて基板Ｗに供給される。処理空間１９の気体は、排出口２１および排出管２２を通じて排出される。
【０１０６】
実施形態２によれば、実施形態１と同様の効果を奏する。さらに、実施形態２によれば、以下の効果を奏する。
【０１０７】
第１領域４６ａは、周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１の上方に位置する。このため、周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。ちなみに、周縁加熱部５５ａ、５５ｂはいずれも、周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの間における境界Ｋ１の温度を選択的に低減できない。このため、仮に周縁加熱部５５ａ、５５ｂの温度を調整したとしても、境界Ｋ１の上方に位置する基板Ｗの部分の温度を選択的に低減することは困難である。
【０１０８】
同様に、第１領域４６ｂは、周縁加熱部５５ｃと周縁加熱部５５ｄの境界Ｋ３の上方に位置する。このため、周縁加熱部５５ｃと周縁加熱部５５ｄの境界Ｋ３の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【０１０９】
６
第１領域４６ｃは、周縁加熱部５５ｅと周縁加熱部５５ｆの境界Ｋ５の上方に位置する。このため、周縁加熱部５５ｅと周縁加熱部５５ｆの境界Ｋ５の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【０１１０】
基板Ｗの周縁部分３５は、異なる加熱部（具体的には、周縁加熱部５５ａ−５５ｆ）によって、加熱される。周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、周方向Ｄに並ぶ。このような場合であっても、整流板１５が基板Ｗの第１部分３６および第２部分３７に分配する気体によって、基板Ｗの温度のばらつきを好適に緩和できる。言い換えれば、加熱部３が周縁加熱部５５ａ−５５ｆを備える場合には、本熱処理装置１は一層高い有用性を発揮する。
【０１１１】
第１領域４６ａは、周縁加熱部５５ａの一部（具体的には、第２端部５５ａ２）の上方に位置する。第２領域４７ｃは、周縁加熱部５５ａの他の一部（具体的には、第１端部５５ａ１および本体部５５ａ３）の上方に位置する。このため、基板Ｗに供給される気体によって、周縁加熱部５５ａの上方に位置する基板Ｗの部分における温度の均一性を好適に向上できる。ちなみに、周縁加熱部５５ａは、周縁加熱部５５ａ全体の温度を一律に変更できるが、周縁加熱部５５ａの一部のみの温度を変更することはできない。このため、仮に周縁加熱部５５ａの上方に位置する基板Ｗの部分の温度がばらつく場合、周縁加熱部５５ａの温度を調整したとしても、周縁加熱部５５ａの上方に位置する基板Ｗの部分の温度は、ばらつきを含んだままで、変わるだけである。すなわち、周縁加熱部５５ａの温度を調整することによって、周縁加熱部５５ａの上方に位置する基板Ｗの部分における温度の均一性を向上させることは困難である。
【０１１２】
同様に、第１領域４６は、周縁加熱部５５ｂ−５５ｆの一部の上方に位置する。第２領域４７は、周縁加熱部５５ｂ−５５ｆの他の一部の上方に位置する。このため、基板Ｗに供給される気体によって、周縁加熱部５５ｂ−５５ｆの上方に位置する基板Ｗの部分における温度の均一性を好適に向上できる。したがって、基板Ｗの周縁部分３５における温度の均一性を好適に向上できる。
【０１１３】
内側中間領域４３は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの内側部分の上方に位置する。外側中間領域４４は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する。このため、中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【０１１４】
内側中間領域４３は、中間加熱部５２ａの一部（具体的には、内側部分）の上方に位置する。外側中間領域４４は、中間加熱部５２ａの他の一部（具体的には、外側部分）の上方に位置する。このため、基板Ｗに供給される気体によって、中間加熱部５２ａの上方に位置する基板Ｗの部分における温度の均一性を好適に向上できる。ちなみに、仮に中間加熱部５２ａの温度を調整したとしても、中間加熱部５２ａの上方に位置する基板Ｗの部分における温度の均一性を向上させることは困難である。
【０１１５】
同様に、内側中間領域４３は、中間加熱部５２ｂ−５２ｆの一部の上方に位置する。外側中間領域４４は、中間加熱部５２ｂ−５２ｆの他の一部の上方に位置する。このため、基板Ｗに供給される気体によって、中間加熱部５２ｂ−５２ｆの上方に位置する基板Ｗの部分における温度の均一性を好適に向上できる。したがって、基板Ｗの中間部分３２における温度の均一性を好適に向上できる。
【０１１６】
加熱部３は、互いに独立して温度を調整可能な中央加熱部５１ａ−５１ｃを含む。このため、基板Ｗの中央部分３１の温度の均一性を一層向上できる。
【０１１７】
加熱部３は、互いに独立して温度を調整可能な中間加熱部５２ａ−５２ｆを含む。このため、基板Ｗの中間部分３２の温度の均一性を一層向上できる。
【０１１８】
加熱部３は、互いに独立して温度を調整可能な周縁加熱部５５ａ−５５ｆを含む。このため、基板Ｗの周縁部分３５の温度の均一性を一層向上できる。
【０１１９】
＜実施形態３＞
以下、図面を参照して本発明の実施形態３を説明する。なお、実施形態１、２と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【０１２０】
実施形態３に係る熱処理装置１は、実施形態２に係る熱処理装置１と実質的に同じ構成を備える。実施形態３に係る熱処理装置１は、基板Ｗの高温部分が既知である点で、実施形態２と異なる。
【０１２１】
高温部分の位置は、基準整流板を用いて、特定される。以下、具体的に説明する。
【０１２２】
図９は、基準整流板６１の平面図である。図９は、便宜上、加熱部３上に載置される基板Ｗを一点鎖線で示す。
【０１２３】
基準整流板６１は、整流板１５と同じ外形状を有する。基準整流板６１は、開口６３を有する。各開口６３は、略同じ形状を有する。開口６３は、整流板１５の開口１７と同じ形状を有する。
【０１２４】
開口６３は、一様に分布する。より詳しく言えば、開口６３は、基準整流板６１の全体にわたって、一様に分布する。開口率は、基準整流板６１の全体にわたって一様である。開口率は、周方向Ｄに沿って変動しない。開口率は、周方向Ｄに沿って一定である。平面視で、基準整流板６１において周方向Ｄに隣り合う開口６３同士の間隔は、一律である。例えば、基準整流板６１は、最外周の円周上に配置される複数の開口６３を含む。複数の開口６３は、平面視において、等間隔に配置される。複数の開口６３は、一定の間隔Ｅ０をあけて配置される。すなわち、周方向Ｄに隣り合う開口６３同士の間隔Ｅ０は、一律である。間隔Ｅ０は、揃っている。
【０１２５】
基板Ｗの高温部分を特定するときには、整流板１５に代えて基準整流板６１を設置する。具体的には、基準整流板６１を、加熱部３の上方、かつ、導入室５の下方に設置する。基準整流板６１を通じて気体を基板Ｗに供給し、加熱部３が基板Ｗを目標温度に加熱し、かつ、基板Ｗの各位置の温度を測定する。基板Ｗの温度の測定結果に基づいて、高温部分を特定する。高温部分は、目標温度よりも閾値以上高い温度が測定された基板Ｗの部分である。閾値は、例えば、目標温度（摂氏温度）の０．０１％である。
【０１２６】
要するに、基準整流板６１を通じて気体を基板Ｗに供給し、かつ、加熱部３が基板Ｗを目標温度に加熱するとき、目標温度よりも閾値以上高い温度を有する基板Ｗの部分を、「高温部分」とする。
【０１２７】
高温部分は、熱処理装置１が基板Ｗに熱処理を行う前に、特定されている。すなわち、高温部分は、既知である。
【０１２８】
図１０は、基板Ｗの高温部分を例示する平面図である。基板Ｗは、高温部分６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄを含む。高温部分６５ａ−６５ｃは、基板Ｗの周縁部分３５に位置する。高温部分６５ａ−６５ｃは、周方向Ｄに並ぶ。高温部分６５ａ−６５ｃは、互いに離れている。高温部分６５ｄは、基板Ｗの外側中間部分３４に位置する。高温部分６５ｄは、高温部分６５ａ−６５ｃから離れている。高温部分６５ｄは、周方向Ｄに連なっている。高温部分６５ｄは、略環形状を有する。
【０１２９】
高温部分と加熱部３の位置関係を説明する。高温部分６５ａは、周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１の上方に位置する。高温部分６５ａは、平面視で周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１と重なる。高温部分６５ｂは、周縁加熱部５５ｃと周縁加熱部５５ｄの境界Ｋ３の上方に位置する。高温部分６５ｂは、平面視で周縁加熱部５５ｃと周縁加熱部５５ｄの境界Ｋ３と重なる。高温部分６５ｃは、周縁加熱部５５ｅと周縁加熱部５５ｆの境界Ｋ５の上方に位置する。高温部分６５ｃは、平面視で周縁加熱部５５ｅと周縁加熱部５５ｆの境界Ｋ５と重なる。高温部分６５ｄは、中間加熱部５２ａ−５２ｆの上方に位置する。より詳しく言えば、高温部分６５ｄは、中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する。高温部分６５ｄは、平面視で中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分と重なる。
【０１３０】
整流板１５は、高温部分６５ａ−６５ｄの位置によって決められる開口率を有する。
【０１３１】
便宜上、図３を参照して、高温部分６５ａ−６５ｄと整流板１５の位置関係を説明する。整流板１５は、中央領域４１と中間領域４２と周縁領域４５を含む。中間領域４２は、内側中間領域４３と外側中間領域４４を含む。周縁領域４５は、第１領域４６と第２領域４７を含む。
【０１３２】
第１領域４６は、高温部分６５ａ−６５ｃの上方に位置する。具体的には、第１領域４６ａ−４６ｃは、平面視において、加熱部３に載置された基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｃと重なる。
【０１３３】
第２領域４７は、高温部分６５ａ−６５ｄの上方に位置しない。具体的には、第２領域４７は、平面視において、加熱部３に載置された基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｄと重ならない。
【０１３４】
外側中間領域４４は、高温部分６５ｄの上方に位置する。具体的には、外側中間領域４４は、平面視において、加熱部３に載置された基板Ｗの高温部分６５ｄと重なる。
【０１３５】
中央領域４１および内側中間領域４３は、高温部分６５ａ−６５ｄの上方に位置しない。具体的には、中央領域４１および内側中間領域４３は、平面視において、加熱部３に載置された基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｄと重ならない。
【０１３６】
第１領域４６は、整流板１５全体の開口率よりも高い開口率を有する。第２領域４７は、整流板１５全体の開口率よりも低い開口率を有する。外側中間領域４４は、整流板１５全体の開口率よりも高い開口率を有する。内側中間領域４３は、整流板１５全体の開口率よりも低い開口率を有する。
【０１３７】
第１領域４６と外側中間領域４４は、本発明における高透過領域の例である。第２領域４７と内側中間領域４３は、本発明における低透過領域の例である。
【０１３８】
周縁加熱部５５ａ、５５ｂは、本発明における第１、第２加熱部の例である。周縁加熱部５５ｃ、５５ｄは、本発明における第１、第２加熱部の例である。周縁加熱部５５ｅ、５５ｆは、本発明における第１、第２加熱部の例である。境界Ｋ１、Ｋ３、Ｋ５は、本発明における、第１加熱部と第２加熱部の境界の例である。
【０１３９】
整流板１５が有する開口１７の数は、基準整流板６１が有する開口６３の数よりも少ない。したがって、平面視で、整流板１５における全ての開口の面積の総和は、基準整流板６１における全ての開口の面積の総和よりも小さい。よって、整流板１５における開口率は、基準整流板６１における開口率よりも低い。
【０１４０】
整流板１５と加熱部３の位置関係について説明する。中央領域４１は、中央加熱部５１ａ−５１ｃの上方に位置する。中間領域４２は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの上方に位置する。内側中間領域４３は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの内側部分の上方に位置する。外側中間領域４４は、中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する。周縁領域４５は、周縁加熱部５５ａ−５５ｆの上方に位置する。
【０１４１】
第１領域４６ａは、境界Ｋ１の上方に位置する。第１領域４６ｂは、境界Ｋ３の上方に位置する。第１領域４６ｃは、境界Ｋ５の上方に位置する。
【０１４２】
第２領域４７ａは、境界Ｋ２の上方に位置する。第２領域４７ｂは、境界Ｋ４の上方に位置する。第２領域４７ｃは、境界Ｋ６の上方に位置する。
【０１４３】
次に、実施形態３に係る熱処理装置１の動作例を説明する。なお、熱処理装置１が基板Ｗに熱処理を行うとき、基準整流板６１は使用されない。
【０１４４】
制御部２５は、目標温度に基づいて、基板Ｗの温度が目標温度になるように、加熱部３の温度を調整する。具体的には、制御部２５は、目標温度に基づいて、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆの温度を個別に調整する。制御部２５は、目標温度に基づいて、流量調整部１３を制御する。これにより、制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室５に供給される気体の供給量を増加させる。
【０１４５】
加熱部３は、加熱部３上に載置される基板Ｗを加熱する。具体的には、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆはそれぞれ、基板Ｗを加熱する。
【０１４６】
気体は、供給管１２を通じて、気体供給源１１から導入室５に流れる。気体は、導入室５から整流板１５を通じて基板Ｗに供給される。処理空間１９の気体は、排出口２１および排出管２２を通じて排出される。
【０１４７】
実施形態３によれば、実施形態１、２と同様の効果を奏する。さらに、実施形態３によれば、以下の効果を奏する。
【０１４８】
基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｄの位置は、既知である。整流板１５は、高温部分６５ａ−６５ｄの位置によって決められる開口率を有する。このため、基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｄにおける温度を、気体によって的確に低減できる。よって、基板Ｗにおける温度の均一性を的確に向上できる。
【０１４９】
具体的には、第１領域４６は、基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｃの上方に位置する。第１領域４６は、整流板１５全体の開口率よりも高い開口率を有する。このため、高温部分６５ａ−６５ｃに対する気体の供給量は比較的に多い。これにより、高温部分６５ａ−６５ｃにおける温度を効果的に低減できる。その結果、基板Ｗの全体における温度の均一性は向上する。このように、本熱処理装置１によれば、基板Ｗの温度の均一性を効果的に向上できる。
【０１５０】
高温部分６５ａは、周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１の上方に位置する。このため、周縁加熱部５５ａの温度および周縁加熱部５５ｂの温度のいずれを調整しても、高温部分６５ａの温度を選択的に低減することは難しい。このような場合であっても、整流板１５は、基板Ｗの高温部分６５ａに対して比較的に多い量の気体を分配する。したがって、高温部分６５ａにおける温度を選択的に低減できる。すなわち、基板Ｗの温度のばらつきを効果的に小さくできる。このように、高温部分６５ａが周縁加熱部５５ａと周縁加熱部５５ｂの境界Ｋ１の上方に位置する場合には、整流板１５は一層高い有用性を発揮する。
【０１５１】
同様に、高温部分６５ｂは、周縁加熱部５５ｃと周縁加熱部５５ｄの境界Ｋ３の上方に位置する。このような場合であっても、整流板１５は基板Ｗの温度の均一性を効果的に向上できる。
【０１５２】
同様に、高温部分６５ｃは、周縁加熱部５５ｅと周縁加熱部５５ｆの境界Ｋ５の上方に位置する。このような場合であっても、整流板１５は基板Ｗの温度の均一性を効果的に向上できる。
【０１５３】
外側中間領域４４は、基板Ｗの高温部分６５ｄの上方に位置する。外側中間領域４４は、整流板１５全体の開口率よりも高い開口率を有する。このため、高温部分６５ｄに対する気体の供給量は比較的に多い。これにより、高温部分６５ｄにおける温度を効果的に低減できる。その結果、基板Ｗの全体における温度の均一性を一層向上できる。
【０１５４】
高温部分６５ｄは、中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する。このため、中間加熱部５２ａ−５２ｆの温度を調整しても、高温部分６５ｄの温度を選択的に低減することは難しい。このような場合であっても、整流板１５が基板Ｗの高温部分６５ｄに対して比較的に多い量の気体を分配するので、高温部分６５ｄにおける温度を選択的に低減できる。すなわち、基板Ｗの温度のばらつきを効果的に小さくできる。このように、高温部分６５ｄが中間加熱部５２ａ−５２ｆの外側部分の上方に位置する場合には、整流板１５は一層高い有用性を発揮する。
【０１５５】
整流板１５における開口率は、基準整流板６１における開口率よりも低い。よって、整流板１５における１つの開口１７が吹き出す気体の量は、基準整流板６１における１つの開口６３が吹き出す気体の量よりも大きい。このため、基板Ｗの高温部分６５ａ−６５ｄにおける温度を効果的に低減できる。よって、基板Ｗの全体における温度の均一性を一層向上できる。
【０１５６】
第１領域４６と第２領域４７は、周方向に並ぶ。これにより、第１部分３６に対する気体の供給量と、第２部分３７に対する気体の供給量が異なる。このため、第１部分３６と第２部分３７にわたって基板Ｗの上面の近傍を気体が流れることを促進できる。このため、周縁部分３５における温度の均一性を向上できる。
【０１５７】
周縁加熱部５５ａ−５５ｆは、基板Ｗの周縁部分３５の下方に配置される。このため、基板Ｗの周縁部分３５における温度の均一性を一層向上できる。
【０１５８】
制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、導入室５に対する気体の供給量を増加させる。これにより、目標温度が高くなるにしたがって基板Ｗの温度のばらつきが大きくなり易いという傾向を、好適に打ち消すことができる。すなわち、目標温度の値にかかわらず、基板Ｗの温度の均一性を好適に向上できる。
【０１５９】
本発明は、実施形態１−３に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１６０】
（１）上述した実施形態１−３では、整流板１５における開口１７の配置を例示した。ただし、これに限られない。整流板１５における開口１７の配置を適宜に変更してもよい。
【０１６１】
図１１は、変形実施形態に係る整流板１５の平面図である。図１１は、便宜上、加熱部３上に載置される基板Ｗを一点鎖線で示す。なお、実施形態１−３と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【０１６２】
中央領域４１は、開口１７を含む。中央領域４１における開口率は、周方向Ｄに変動しない。変形実施形態における中央領域４１の開口率は、実施形態１−３における中央領域４１の開口率よりも低い。
【０１６３】
内側中間領域４３は、開口１７を含まない。内側中間領域４３における開口率は、零である。内側中間領域４３における開口率は、周方向Ｄに変動しない。
【０１６４】
外側中間領域７０は、開口１７を含む。外側中間領域７０における開口率は、周方向Ｄに変動する。
【０１６５】
具合的には、外側中間領域７０は、第１領域７１と第２領域７２を有する。第１領域７１と第２領域７２は、周方向Ｄに並ぶ。第１領域７１における開口率は、第２領域７２における開口率よりも高い。第１領域７１における開口率は、中央領域４１における開口率よりも高い。
【０１６６】
周縁領域４５は、開口１７を含む。周縁領域４５における開口率は、周方向Ｄに変動する。
【０１６７】
具合的には、周縁領域４５は、第１領域４６ａ−４６ｃと第２領域７７ａ−７７ｆと第３領域７８ａ−７８ｃを含む。第１領域４６ａ−４６ｃと第２領域７７ａ−７７ｆと第３領域７８ａ−７８ｃは、周方向に並ぶ。
【０１６８】
第１領域４６ａは、第２領域７７ａ、７７ｆと隣り合う。具体的には、第２領域７７ａは、第１領域４６ａの周方向Ｄの第２方側Ｄ２に位置する。第２領域７７ｆは、第１領域４６ａの周方向Ｄの第１方側Ｄ１に位置する。このように、第２領域７７ａ、７７ｆは、第１領域４６ａの周方向Ｄの両側に位置する。同様に、第１領域４６ｂは、第２領域７７ｂ、７７ｃと隣り合う。第１領域４６ｃは、第２領域７７ｄ、７７ｅと隣り合う。
【０１６９】
第３領域７８ａは、第２領域７７ａ、７７ｂと隣り合う。具体的には、第２領域７７ａは、第３領域７８ａの周方向Ｄの第１方側Ｄ１に位置する。第２領域７７ｂは、第３領域７８ａの周方向Ｄの第２方側Ｄ２に位置する。このように、第２領域７７ａ、７７ｂは、第３領域７８ａの周方向Ｄの両側に位置する。同様に、第３領域７８ｂは、第２領域７７ｃ、７７ｄと隣り合う。第３領域７８ｃは、第２領域７７ｅ、７７ｆと隣り合う。
【０１７０】
第１領域４６ａ−４６ｃは、周方向Ｄに約１２０度ずつ、ずれている。第３領域７８ａ−７８ｃは、周方向Ｄに約１２０度ずつ、ずれている。第１領域４６ａと第３領域７８ａは、周方向Ｄに約６０度、ずれている。第２領域７７ａ−７７ｆは、周方向Ｄに６０度ずつ、ずれている。
【０１７１】
第１領域４６ａ−４６ｃを特に区別しない場合には、「第１領域４６」と呼ぶ。第２領域７７ａ−７７ｆを特に区別しない場合には、「第２領域７７」と呼ぶ。第３領域７８ａ−７８ｃを特に区別しない場合には、「第３領域７８」と呼ぶ。
【０１７２】
第１領域４６における開口率は、第２領域７７における開口率および第３領域７８における開口率よりも高い。第３領域７８における開口率は、第２領域７７における開口率よりも高い。第１領域４６における開口率は、中央領域４１における開口率よりも高い。
【０１７３】
加熱部３は周縁加熱部５５ａ−５５ｆを含む（図８参照）。
【０１７４】
第１領域４６ａは、境界Ｋ１の上方に位置する。第１領域４６ａは、平面視で境界Ｋ１と重なる。第１領域４６ｂは、境界Ｋ３の上方に位置する。第１領域４６ｂは、平面視で境界Ｋ３と重なる。第１領域４６ｃは、境界Ｋ５の上方に位置する。第１領域４６ｃは、平面視で境界Ｋ５と重なる。
【０１７５】
第３領域７８ａは、境界Ｋ２の上方に位置する。第３領域７８ａは、平面視で境界Ｋ２と重なる。第３領域７８ｂは、境界Ｋ４の上方に位置する。第３領域７８ｂは、平面視で境界Ｋ４と重なる。第３領域７８ｃは、境界Ｋ６の上方に位置する。第３領域７８ｃは、平面視で境界Ｋ６と重なる。
【０１７６】
本変形実施形態では、外側中間領域７０と周縁領域４５は、変動領域ある。中央領域４１と内側中間領域４３は、変動領域ではない。すなわち、変動領域は、外側中間領域７０と周縁領域４５を含む。変動領域は、中央領域４１と内側中間領域４３を含まない。
【０１７７】
本変形実施形態によれば、実施形態１−３と同様の効果を奏する。さらに、本変形実施形態によれば、以下の効果を奏する。
【０１７８】
整流板１５は周方向Ｄに変動する開口率を有する。よって、基板Ｗにおける温度の均一性を好適に向上できる。
【０１７９】
外側中間領域７０における開口率は周方向Ｄに変動するので、基板Ｗの外側中間部分３４における温度の均一性の好適に向上できる。
【０１８０】
第１領域４６と第２領域７７と第３領域７８における開口率は、互いに異なる。このため、基板Ｗの周縁部分３５における温度の均一性を一層向上できる。
【０１８１】
第１領域４６における開口率は、中央領域４１における開口率よりも高い。このため、第１領域４６を通過する気体が不足することを一層好適に防止できる。したがって、１つの開口を通過する気体の通過量が、開口の位置に応じてばらつくことを一層抑制できる。
【０１８２】
第３領域７８ａは、境界Ｋ２の上方に位置する。このため、境界Ｋ２の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【０１８３】
同様に、第３領域７８ｂは、境界Ｋ４の上方に位置する。このため、境界Ｋ４の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【０１８４】
第３領域７８ｃは、境界Ｋ６の上方に位置する。このため、境界Ｋ６の上方に位置する基板Ｗの部分が、比較的に高い温度になることを好適に防止できる。
【０１８５】
（２）上述した実施形態１−３では、中央領域４１と中間領域４２における開口率は周方向Ｄに変動しない。ただし、これに限られない。中央領域４１の少なくとも一部における開口率が周方向Ｄに沿って変動してもよい。中間領域４２の少なくとも一部における開口率が周方向Ｄに沿って変動してもよい。例えば、内側中間領域４３における開口率および外側中間領域４４における開口率の少なくとも１つが、周方向Ｄに変動してもよい。
【０１８６】
（３）上述した実施形態１−３では、周縁領域４５における開口率が周方向Ｄに変動する。ただし、これに限られない。周縁領域４５の少なくとも一部における開口率が周方向Ｄに沿って変動しなくてもよい。
【０１８７】
（４）上述した実施形態１−３では、整流板１５は、開口率が周方向Ｄに変動しない部分を含む。ただし、これに限られない。整流板１５は、開口率が周方向Ｄに変動しない部分を含まなくてもよい。整流板１５の全体にわたって、開口率が周方向Ｄに変動してもよい。
【０１８８】
（５）上述した実施形態１−３では、変動領域以外の領域（例えば、中央領域４１）における開口１７の配置を例示した。ただし、これに限られない。変動領域以外の領域では、開口１７が一様に分布すれば、足りる。例えば、開口１７は、格子状に配置されてもよい。具体的には、開口１７は縦方向および横方向に行列上に配置される。縦方向に隣り合う開口同士の間隔は一律である。横方向に隣り合う開口１７同士の間隔は一律である。縦方向に隣り合う開口同士の間隔と横方向に隣り合う開口同士の間隔は等しい。ここで、縦方向および横方向はともに、略水平方向である。縦方向と横方向は、互いに略直交する。
【０１８９】
（６）上述した実施形態１−３では、中央領域４１と内側中間領域４３と外側中間領域４４における開口率は、互いに異なる。ただし、これに限られない。中央領域４１と内側中間領域４３と外側中間領域４４の少なくとも２つにおける開口率は、等しくてもよい。
【０１９０】
（７）上述した実施形態１−３では、第１領域４６の数は３つである。ただし、これに限られない。第１領域４６の数は、１つ、２つ、または、４つ以上でもよい。上述した実施形態１−３では、第２領域４７の数は３つである。ただし、これに限られない。第２領域４７の数は、１つ、２つ、または、４つ以上でもよい。
【０１９１】
（８）上述した実施形態２、３では、第１領域４６は、境界Ｋ１、Ｋ３、Ｋ５の上方に位置する。ただし、これに限られない。第１領域４６を境界Ｋ１−Ｋ６の少なくともいずれかの上方に位置してもよい。あるいは、第１領域４６は、境界Ｋ１−Ｋ６の上方に位置しなくてもよい。
【０１９２】
（９）上述した実施形態２、３では、第２領域４７は、境界Ｋ２、Ｋ４、Ｋ６の上方に位置する。ただし、これに限られない。第２領域４７を境界Ｋ１−Ｋ６の少なくともいずれかの上方に位置してもよい。あるいは、第２領域４７は、境界Ｋ１−Ｋ６の上方に位置しなくてもよい。
【０１９３】
（１０）上述した実施形態２では、第１領域４６は、境界Ｋ１、Ｋ３、Ｋ５の上方に配置される。ただし、これに限られない。第１領域４６を適宜な位置に配置してもよい。
【０１９４】
図１２を参照する。図１２は、変形実施形態に係る熱処理装置１の概略構成を示す図である。なお、実施形態１−３と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【０１９５】
熱処理装置１は、基板Ｗを昇降するためのピン８１を備える。ピン８１は、略鉛直方向に延びる。ピン８１は、不図示の昇降機構に接続される。ピン８１は、加熱部３に対して昇降可能である。ピン８１は、基板Ｗを支持するための上端部を有する。ピン８１が昇降することによって、基板Ｗは、処理位置と受け渡し位置に移動する。受け渡し位置は、処理位置よりも高い。図１２は、処理位置にある基板Ｗを実線で示す。図１２は、受け渡し位置にある基板Ｗを破線で示す。処理位置は、加熱部３に載置される基板Ｗの位置に相当する。基板Ｗが処理位置にあるとき、熱処理装置１は基板Ｗに熱処理を行う。基板Ｗが受け渡し位置にあるとき、基板Ｗは不図示の搬送機構に受け渡される。
【０１９６】
加熱部３は、ピン８１を収容するための貫通孔８２を有する。貫通孔８２は、加熱部３に形成される。貫通孔８２は、加熱部３の上面３Ａに達する。貫通孔８２は、加熱部３の上方に開放される。
【０１９７】
熱処理装置１は、基板Ｗを支持する凸部８３を備える。凸部８３は、加熱部３の上面３Ａに設けられる。凸部８３は、上面３Ａから上方に隆起する。基板Ｗが加熱部３に載置されるとき、凸部８３は基板Ｗを支持する。これにより、基板Ｗと上面３Ａとの間に微小な間隙を形成する。凸部８３は、プロキシミティボールと呼ばれる。
【０１９８】
加熱部３は、基板Ｗを吸着するための吸着孔８４を有する。吸着孔８４は、加熱部３内に形成される。吸着孔８４は、加熱部３の上面３Ａに達する。吸着孔８４は、加熱部３の上方に開放される。吸着孔８４は、配管８５に接続される。吸着孔８４は、配管８５を介して、不図示の吸引機構に接続される。基板Ｗが加熱部３に載置されている状態で、吸引機構は吸着孔８４を通じて気体を吸引する。これにより、基板Ｗの下面は、加熱部３の上面３Ａまたは凸部８３に吸着される。これにより、加熱部３に載置されている基板Ｗが反ることなどを防止する。
【０１９９】
ピン８１、貫通孔８２、凸部８３および吸着孔８４は、基板Ｗの下方に配置される。
【０２００】
図１３は、変形実施形態に係る熱処理装置１の加熱部３の平面図である。図１３は、便宜上、加熱部３上に載置される基板Ｗを一点鎖線で示す。
【０２０１】
ピン８１、貫通孔８２、凸部８３および吸着孔８４は、平面視で基板Ｗと重なる。ピン８１および貫通孔８２は、平面視で、基板Ｗの中央部分３１と中間部分３２の境界と重なる。凸部８３は、平面視で、基板Ｗの中央部分３１、中間部分３２および周縁部分３５と重なる。一部の吸着孔８４は、平面視で、基板Ｗの中央部分３１と中間部分３２の境界と重なる。その他の吸着孔８４は、平面視で、基板Ｗの中間部分３２と周縁部分３５の境界と重なる。
【０２０２】
この場合、整流板１５は、ピン８１、貫通孔８２、凸部８３および吸着孔８４の少なくともいずれかの位置に応じて決められる開口率を有してもよい。すなわち、ピン８１、貫通孔８２、凸部８３および吸着孔８４の少なくともいずれかの位置に応じて、整流板１５の開口率を変動させてもよい。
【０２０３】
例えば、整流板１５は、ピン８１、貫通孔８２、凸部８３および吸着孔８４の少なくともいずれかの上方に位置する第１領域（不図示）を含んでもよい。さらに、整流板１５は、第２領域（不図示）を含んでもよい。第１領域の少なくとも一部と第２領域の少なくとも一部は、周方向Ｄに並ぶ。第１領域における開口率は、第２領域における開口率よりも小さい。本変形実施形態によっても、基板Ｗにおける温度の均一性を向上できる。
【０２０４】
例えば、整流板１５は、ピン８１、貫通孔８２、凸部８３および吸着孔８４の少なくともいずれかの上方に位置する高透過領域（不図示）を含んでもよい。さらに、整流板１５は、低透過領域（不図示）を含んでもよい。高透過領域の少なくとも一部と低透過領域の少なくとも一部は、周方向Ｄに並ぶ。高透過領域における開口率は、整流板１５全体の開口率よりも高い。低透過領域における開口率は、整流板１５全体の開口率よりも低い。本変形実施形態によっても、基板Ｗにおける温度の均一性を向上できる。
【０２０５】
（１１）上述した実施形態１−３では、第１領域４６において周方向Ｄに隣り合う開口１７の間隔Ｅ６は、第２領域４７において周方向Ｄに隣り合う開口１７の間隔Ｅ７よりも小さい。ただし、これに限られない。例えば、第１領域４６における開口１７は、第２領域４７における開口１７よりも大きくてもよい。例えば、第１領域４６における開口１７の直径は、第２領域４７における開口１７の直径よりも大きくてもよい。本変形実施形態によっても、簡易な構造で、第１領域４６における開口率を、第２領域４７における開口率よりも高くできる。
【０２０６】
（１２）上述した実施形態１−３では、開口１７は平面視で略円形状である。ただし、これに限られない。例えば、開口１７は、平面視で矩形や楕円形であってもよい。
【０２０７】
（１３）上述した実施形態３では、第１領域４６と外側中間領域４４は、高透過領域である。ただし、これに限られない。例えば、外側中間領域４４は高透過領域でなくてもよい。すなわち、第１領域４６のみが高透過領域であってもよい。
【０２０８】
（１４）上述した実施形態３では、高透過領域は、中間領域４２と周縁領域４５に位置する。ただし、これに限られない。例えば、中央領域４１と中間領域４２と周縁領域４５の少なくともいずれかに、高透過領域を配置してもよい。
【０２０９】
（１５）上述した実施形態３では、高透過領域は全ての高温部分６５ａ−６５ｄの上方に位置する。ただし、これに限られない。高透過領域は、高温部分６５ａ−６５ｄの少なくともいずれかの上方に位置してもよい。本変形実施形態によっても、高温部分６５ａ−６５ｄの少なくともいずれかの温度を効果的に低減できる。よって、基板Ｗにおける温度の均一性を向上させることができる。
【０２１０】
（１６）上述した実施形態３では、整流板１５の開口率は、高温部分６５ａ−６５ｄの位置によって決められる。ただし、これに限られない。例えば、高温部分６５ａ−６５ｄと目標温度との差に応じて、整流板１５の開口率が決められてもよい。例えば、高温部分と目標温度との差が大きくなるにしたがって、その高温部分の上方に位置する高透過領域の開口率を大きくしてもよい。これによれば、高温部分における温度を一層効率良く低減できる。
【０２１１】
（１７）上述した実施形態３は、高温部分６５ａ−６５ｄの位置を例示する。ただし、これに限られない。高温部分は、基板Ｗのいずれの位置に位置してもよい。上述した実施形態３は、高温部分の数は４つである。ただし、これに限られない。高温部分の数は、１つ、２つ、３つ、または、５つ以上であってもよい。
【０２１２】
（１８）上述した実施形態１−３では、目標温度は、基板Ｗの温度の目標値に関する情報である。ただし、これに限られない。目標温度は、加熱部３の温度の目標値に関する情報であってもよい。目標温度は、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆの温度の目標値に関する情報であってもよい。あるいは、目標温度は、基板Ｗの温度の目標値に関する情報と、加熱部３の温度の目標値に関する情報を含んでもよい。
【０２１３】
（１９）上述した各実施形態１−３において、制御部２５は、目標温度に基づいて、排気機構２３を制御してもよい。例えば、制御部２５は、目標温度が高くなるにしたがって、加熱部３と整流板１５の間の処理空間１９からの気体の排出量を増加させてもよい。例えば、制御部２５は、目標温度に関わらず、加熱部３と整流板１５の間の処理空間１９からの気体の排出量を調整してもよい。例えば、制御部２５は、導入室５に対する気体の目標供給量に基づいて、加熱部３と整流板１５の間の処理空間１９からの気体の排出量を調整してもよい。
【０２１４】
（２０）上述した各実施形態において、目標供給量は関連情報に規定される。ただし、これに限られない。目標供給量は、処理レシピに規定されてもよい。
【０２１５】
（２１）上述した実施形態２、３において、中央加熱部５１ａ−５１ｃと中間加熱部５２ａ−５２ｆと周縁加熱部５５ａ−５５ｆを特に区別しない場合、「分割加熱部」と呼ぶ。分割加熱部の数は、１５個である。ただし、これに限られない。分割加熱部の数は、２個以上で１４個以下であってもよい。分割加熱部の数は、１６個以上であってもよい。
【０２１６】
（２２）上述した実施形態２、３において、分割加熱部の形状および配置を例示した。ただし、これに限られない。分割加熱部の形状および配置を適宜に変更してもよい。
【０２１７】
（２３）上述した各実施形態１−３および上記（１）から（２２）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。
【符号の説明】
【０２１８】
１  …  熱処理装置
３  …  加熱部
５  …  導入室
１３  …  流量調整部（調整部）
１５  …  整流板
１７  …  開口
２５  …  制御部
３１  …  中央部分
３２  …  中間部分
３３  …  内側中間部分
３４  …  外側中間部分
３５  …  周縁部分
３６  …  第１部分
３７  …  第２部分
４１  …  中央領域
４２  …  中間領域
４３  …  内側中間領域（低透過領域）
４４  …  外側中間領域（高透過領域）
４５  …  周縁領域（変動領域）
４６、４６ａ−４６ｃ  …  第１領域（高透過領域）
４７、４７ａ−４７ｃ  …  第２領域（低透過領域）
５１ａ−５１ｃ  …  中央加熱部
５２ａ−５２ｆ  …  中間加熱部
５５ａ−５５ｆ  …  周縁加熱部（第１周縁加熱部、第２周縁加熱部、第１加熱部、第２加熱部）
６５  …  基準整流板
６７  …  開口
６５ａ−６５ｄ  …  高温部分
７０  …外側中間領域（変動領域）
７１  …  第１領域
７２  …  第２領域
７７ａ−７７ｆ  …  第２領域
７８ａ−７８ｃ  …  第３領域
Ａ  …  中心軸
Ｃ  …  中心
Ｄ  …  周方向
Ｅ６  …  第１領域において周方向に隣り合う開口の間隔
Ｅ７  …  第２領域において周方向に隣り合う開口の間隔
Ｋ１−Ｋ６  …  境界
Ｗ  …  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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