(57)【要約】      （修正有）【課題】化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造を提供する。【解決手段】化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２に形成されるコンタクト金属層３０、コンタクト金属層の裏面３０２に形成され、非導電材料で作られる、少なくとも一層のストレス均衡層４０、複数のストレス均衡層ビア７２、およびダイ取り付け層５０よりなる。ストレス均衡層ビアは、それぞれ、ストレス均衡層を貫通する。ダイ取り付け層は、導電材料で作られ、ストレス均衡層の裏面、および、複数のストレス均衡層ビアそれぞれの内壁に形成され、複数のストレス均衡層ビアの少なくとも一つを通して、コンタクト金属層と電気的に接続される。コンタクト金属層およびダイ取り付け層の間に少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが均衡され、ウェーハーの歪みが低減される。【選択図】図１Ａ
2019004128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体ウェーハーの裏面に形成されるコンタクト金属層、
前記コンタクト金属層裏面に形成され、非導電材料で作られる、少なくとも一層のストレス均衡層、
前記少なくとも一層のストレス均衡層を貫通する、複数のストレス均衡層ビア、および、
前記少なくとも一層のストレス均衡層および前記複数のストレス均衡層ビアそれぞれの内壁に形成され、導電材料で作られるダイ取り付け層、
より構成され、
前記ダイ取り付け層および前記コンタクト金属層は、前記複数のストレス均衡層ビアを通して、互いに電気的に接続し、
前記コンタクト金属層および前記ダイ取り付け層の間に前記少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、前記化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが打ち消され均衡し、前記化合物半導体ウェーハーの歪みが低減される、
ことを特徴とする、
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項２】
前記コンタクト金属層と前記化合物半導体ウェーハーの裏面の間にオーミックコンタクトを形成し、前記コンタクト金属層でオーミック電極を形成する、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項３】
前記オーミック電極を少なくとも一つのダイオードのために活用し、
前記少なくとも一つのダイオードが、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、垂直共振器型面発光レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード, 電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより、少なくとも一つ選ばれる、
ことを特徴とする、
請求項２記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項４】
前記少なくとも一つのダイオードは、それぞれ、前記複数のストレス均衡層ビアのうち少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする、
請求項３記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項５】
前記複数のストレス均衡層ビアは、それぞれ、前記ダイ取り付け層で埋められる、
ことを特徴とする、
請求項４記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項６】
前記複数のストレス均衡層ビアは、それぞれ、前記ダイ取り付け層で埋められる、
ことを特徴とする、
請求項３記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項７】
前記複数のストレス均衡層ビアは、それぞれ、前記ダイ取り付け層で埋められる、
ことを特徴とする、
請求項２記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項８】
前記複数のストレス均衡層ビアは、それぞれ、前記ダイ取り付け層で埋められる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項９】
前記化合物半導体ウェーハーの厚さが、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１０】
前記化合物半導体ウェーハーの直径が、３インチ以上である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１１】
前記化合物半導体ウェーハーは、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１２】
前記コンタクト金属層が、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１３】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、誘電体材料、ガラス、およびポリマーからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１４】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、SiN、SiC、および、SiO2からなるグループより少なくとも一つ選ばれる材料で作られる、
ことを特徴とする、
請求項１３記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１５】
前記少なくとも一層のストレス均衡層は、化学蒸着、あるいは、コーティングによって、前記コンタクト金属層の裏面に形成される、
ことを特徴とする、
請求項１３記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１６】
前記ダイ取り付け層は、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより選ばれる少なくとも一つの材料から作られる、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【請求項１７】
前記少なくとも一層のストレス均衡層の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である、
ことを特徴とする、
請求項１記載の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、化合物半導体ウェーハーのゆがみを低減するための改良構造、特に、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを打ち消し均衡化させるための改良構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体ウェーハー上に集積回路を作成する工程において、大小のストレスが蓄積され、その結果化合物半導体ウェーハーがストレスの影響を受ける。たとえば、化合物半導体ウェーハー上に形成した薄膜や成長したエピタキシャル構造がストレスを有する場合、化合物半導体ウェーハーには比較的大きなストレスが加わることになる。その際、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが打ち消されない限り、化合物半導体ウェーハーに反り歪みが生じる。その結果、化合物半導体ウェーハーの端の部分にクラックが入ることがある。更に、薄膜化工程によって薄膜化した後では、化合物半導体ウェーハーにかかるストレスを適正に均衡させることは更に難しくなる。よって、化合物半導体ウェーハーの反り歪みはより深刻な問題になり、ウェーハー端部に更にクラックを発生させる原因になりうる。
【０００３】
化合物半導体ウェーハーの直径に関して言えば、ストレスによって生じる反り歪みは、直径が３インチ以下であればほとんど目立たない。一方、直径が３インチ以上、たとえば、４インチ、５インチ、６インチ、あるいは、それ以上であれば、反り歪みはより顕著になってくる。
【０００４】
従来技術では、シリコン半導体ウェーハーの歪みを均衡させる改良構造が公開されている。図３は、シリコン半導体ウェーハーにおける従来技術である改良構造を示す断面図である。シリコン半導体ウェーハー１０の表面１０１上に集積回路１１が形成されている。一方、シリコン半導体ウェーハー１０の裏面１０２にストレス均衡層１２が裏打されている。これは、集積回路１１を形成する工程で蓄積し、ウェーハーに影響を及ぼすストレスを打ち消し均衡させるためのものである。
【０００５】
化合物半導体ウェーハーに適用する場合、集積回路を形成するにはウェーハー上に積層エピタキシャル構造を成長させる必要がある。シリコンウェーハー上にシリコンベースの集積回路を形成するのに比べ、通常、化合物半導体ウェーハーにはより大きなストレスが加わる。しかしながら、従来技術は、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを効果的に打ち消し均衡させるストレス均衡構造を公開していない。更に、化合物半導体デバイスのある応用例においては、化合物半導体ウェーハーの裏面には金属層、あるいは、オーミック電極を形成する必要がある。シリコン半導体ウェーハーのストレスを均衡させる従来技術の改良構造では、このような問題に対処することが出来ない。
【０００６】
したがって、本願では、上述した問題を避け、経済的合理性を加味しつつ化合物半導体デバイスの性能を著しく向上するために開発された新構造を提案する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願が解決しようとしている主な技術的課題は、化合物半導体ウェーハーの裏面に金属層および少なくとも一層のストレス均衡層を設け、ストレス均衡性能と電気的導電性を兼ね備えた改良構造をいかにして形成するか、という問題である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した問題を解決し期待される効果を得るために、本願は、コンタクト金属層、少なくとも一層のストレス均衡層、複数のストレス均衡層ビア、およびダイ取り付け層からなる、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造を提案する。ここで、前記コンタクト金属層は、化合物半導体ウェーハーの裏面に形成される。前記少なくとも一層のストレス均衡層は、前記コンタクト金属層の裏面に形成され、少なくとも一種の非導電材料で作られる。前記複数のストレス均衡層ビアは、それぞれ、少なくとも一層のストレス均衡層を貫通する。前記ダイ取り付け層は、少なくとも一層のストレス均衡層の裏面、および、前記複数のストレス均衡層ビアそれぞれの内壁に形成され、導電材料で作られる。前記ダイ取り付け層および前記コンタクト金属層は、前記ストレス均衡層ビアを通して電気的に接続する。このように、前記コンタクト金属層と前記ダイ取り付け層の間に、前記少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、前記化合物半導体ウェーハーに加わるストレスを打ち消し均衡させ、ウェーハーの歪みを低減する。前記コンタクト金属層および前記ダイ取り付け層は導電材料で作られ、前記複数のストレス均衡層ビアを通して互いに電気的に接続する。よって、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造は、ストレス均衡特性および電気的導電性の両方を兼ね備えることが出来る。
【０００９】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記コンタクト金属層と前記化合物半導体ウェーハーの裏面の間にオーミックコンタクトを形成し、前記コンタクト金属層でオーミック電極を形成する。
【００１０】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記オーミック電極は少なくとも一つのダイオードの電極である。ただし、前記少なくとも一つのダイオードは、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、垂直共振器型面発光レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード、電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより選ばれる、少なくとも一つのダイオードとする。
【００１１】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一つのダイオードは、それぞれ、前記複数のストレス均衡層ビアのうちの少なくとも一つを含有する。
【００１２】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記複数のストレス均衡ビアは、それぞれ、前記ダイ取り付け層で埋められる。
【００１３】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記ウェーハーの厚さは２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である。
【００１４】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記化合物半導体ウェーハーの直径は、３インチ以上である。
【００１５】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記化合物半導体ウェーハーは、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料で作られる。
【００１６】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記コンタクト金属層は、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる。
【００１７】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、誘電体材料、ガラス、および、ポリマーからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料で作られる。
【００１８】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するために改良した前記構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、それぞれ、SiN、SiC、および、SiO2からなるグループより少なくとも一つ選ばれる材料である。
【００１９】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層は、化学蒸着、あるいは、コーティングによって、前記コンタクト金属層の裏面に形成する。
【００２０】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記ダイ取り付け層は、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料である。  
【００２１】
化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造の一実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である。
【００２２】
更に本願の特徴と効果を理解するため、以下図面を参照しながら好ましい実施形態について述べる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】図１Ａは、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一実施形態の断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の別の一実施形態の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。
【図３】図３は、従来技術のシリコン半導体ウェーハーのための改良構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１Ａを参照する。この図は、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一実施形態の断面図である。本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１は、コンタクト金属層３０、少なくとも一層のストレス均衡層４０、複数のストレス均衡層ビア７２、およびダイ取り付け層５０からなる。前記コンタクト金属層３０は、化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２に形成される。ここで、前記化合物半導体ウェーハー２０は、上面２０１と裏面２０２を有する。前記化合物半導体ウェーハー２０の材料は、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、AlN、ZnSe、InAs、およびGaSbからなるグループより選ばれる材料であればよい。前記化合物半導体ウェーハー２０の厚さは、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下である。ある好ましい実施形態においては、化合物半導体ウェーハー２０の直径は、３インチ以上である。ただし、一般には、ウェーハーの直径を大きくすると、ウェーハーの歪みはより深刻になる。よって、本願の化合物半導体ウェーハー２０の歪みを低減するための改良構造１は、ウェーハーの直径が３インチ以上のとき、その効果をより発揮しやすくなる。前記コンタクト金属層３０の材料は、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、AuおよびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料である。前記ストレス均衡層４０は、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成し、非導電材料で作られる。また、前記ストレス均衡層４０は、化学蒸着、コーティング、真空蒸着、イオンめっき、あるいは、スパッターなどによって、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成される。ある好ましい実施形態においては、前記ストレス均衡層４０は、化学蒸着、あるいは、コーティングによって、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成される。前記ストレス均衡層４０の厚さは、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である。ある実施形態において、前記少なくとも一層のストレス均衡層４０の材料は、それぞれ、誘電体材料、ガラス、およびポリマーからなるグループより選ばれる、少なくとも一つである。前記少なくとも一層のストレス均衡層４０の材料は、それぞれ、SiN、SiC、および、SiO2からなるグループより選ばれる、少なくとも一つである。前記複数のストレス均衡層ビア７２は、それぞれ、前記ストレス均衡層４０を貫通する。前記ダイ取り付け層５０は、前記ストレス均衡層４０の裏面４０２、および、前記複数のストレス均衡層ビア７２それぞれの内壁７４に形成され、導電材料で作られる。前記ダイ取り付け層５０および前記コンタクト金属層３０は、前記複数のストレス均衡層ビア７２を通して互いに電気的に接続する。前記ダイ取り付け層５０は、AuあるいはAu合金、AgあるいはAg合金、SnあるいいはSn合金、および銀導電性接着樹脂からなるグループより選ばれる、少なくとも一つである。前記コンタクト金属層３０および前記ダイ取り付け層５０の間に、前記少なくとも一層のストレス均衡層４０を置くことにより、前記化合物半導体ウェーハー２０に加わるストレスが適度に打ち消され均衡し、ウェーハーの歪みを低減することができる。前記コンタクト金属層３０および前記ダイ取り付け層５０は、すべて導電材料で出来ており、��記複数のストレス均衡層ビア７２を通して互いに電気的に接続しているので、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減する改良構造１は、前記化合物半導体ウェーハー２０に加わるストレスを均衡してウェーハー歪みを低減するばかりでなく、導電性能を併せ持ち、いくつかの特定の応用の要件を満たす。前記化合物半導体ウェーハー２０に加わるストレスに従い、ウェーハー歪みを低減するための本願の改良構造１は、前記化合物半導体ウェーハー２０の上面２０１に形成する構造のストレスを均衡させるよう、適正な材料と適正な膜厚（含前記コンタクト金属層３０、前記ストレス均衡層４０および前記ダイ取り付け層５０）を選ぶことになる。
【００２５】
ある好ましい実施形態において、前記化合物半導体ウェーハー２０の材料は、GaAs、サファイア、InP、GaP、SiC、GaN、およびAlNからなるグループより選ばれる。ある好ましい実施形態において、前記コンタクト金属層３０の材料は、Pd、Ge、Ni、Ti、Pt、Au、およびAgからなるグループより選ばれる、少なくとも一つの材料である。ある好ましい実施形態において、前記ダイ取り付け層５０の材料は、金あるいは金合金である。
【００２６】
ある好ましい実施形態において、前記化合物半導体ウェーハー２０の厚さは、２５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、３５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、５０マイクロメート以上３５０マイクロメートル以下、７５マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、１００マイクロメートル以上３５０マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上３００マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上２５０マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上２００マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上１５０マイクロメートル以下、２５マイクロメートル以上１００マイクロメートル以下である。ある好ましい実施形態において、前記ストレス均衡層４０の膜厚は、５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下、７５ナノメートル以上５マイクロメートル以下、１００ナノメートル以上５マイクロメートル以下、１５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下、２００ナノメートル以上５マイクロメートル以下、２５０ナノメートル以上５マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上４．５マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上４マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上３．５マイクロメートル以下、５０ナノメートル以上３マイクロメートル以下である。
【００２７】
図１Ｂ参照。この図は、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の別の一実施形態の断面図である。図１Ｂの実施形態は、前記ダイ取り付け層５０が複数のダイ取り付け層くぼみ７６を有することを除けば、基本的に図１Ａの実施形態と同じである。前記ダイ取り付け層５０を形成するとき、前記複数のダイ取り付け層くぼみ７６の幅と深さは、前記複数のストレス均衡層ビア７２の幅と深さ、前記ストレス均衡層４０の厚さ、および、前記ダイ取り付け層５０の厚さ、に関連している。ある実施形態において、前記ダイ取り付け層くぼみ７６の深さは、前記ダイ取り付け層５０の厚さ以下で、前記複数のストレス均衡層ビア７２は、それぞれ、前記ダイ取り付け層５０で埋められる。他のある実施形態では、前記ダイ取り付け層くぼみ７６の深さは、前記ダイ取り付け層５０の厚さより大きく、前記複数のストレス均衡層ビア７２は、前記ダイ取り付け層５０で埋まらない。
【００２８】
図２Ａを参照する。この図は、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。ただし、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１’は、複数の垂直共振器型面発光レーザーダイオード２を形成するためのものである。図２Ａの実施形態において、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１’は、コンタクト金属層３０、少なくとも一層のストレス均衡層４０、複数のストレス均衡層ビア７２、およびダイ取り付け層５０からなる。前記コンタクト金属層３０は、化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２に形成する。前記ストレス均衡層４０は、前記コンタクト金属層３０の裏面３０２に形成する。前記複数のストレス均衡層ビア７２は、それぞれ、前記ストレス均衡層４０を貫通する。前記ダイ取り付け層５０は、前記ストレス均衡層４０の裏面４０２および前記複数のストレス均衡層ビア７２それぞれの内壁７４に形成される。前記ダイ取り付け層５０および前記コンタクト金属層３０は、前記複数のストレス均衡層ビア７２を通して、互いに電気的に接続している。図２Ａの実施形態の、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための前記改良構造１’は、オーミックコンタクトを前記コンタクト金属層３０と前記化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２の間に形成して前記コンタクト金属層３０でオーミック電極を形成することを除き、基本的に図１Aの実施形態の改良構造１と同じである。本実施形態では、オーミック電極はN型オーミック電極である。図２Ａの実施形態は、さらに、N型分散ブラッグレフレクター６０、量子井戸構造６２、酸化閉じ込め層６４、P型分散ブラッグレフレクター６６、P型オーミック電極６８、複数のメサ構造６７、および複数のくぼみ６９よりなる。N型分散ブラッグレフレクター６０は、前記化合物半導体ウェーハー２０の上面２０１に形成する。量子井戸構造６２は、前記N型分散ブラッグレフレクター６０上に形成する。前記酸化閉じ込め層６４は、前記量子井戸構造６２の上に形成する。前記P型分散ブラッグレフレクター６６は、前記酸化閉じ込め層６４の上に形成する。前記P型オーミック電極６８は、前記P型分散ブラッグレフレクター６６の上に形成する。前記複数のくぼみ６９は、前記P型オーミック電極６８、前記P型分散ブラッグレフレクター６６、および前記酸化閉じ込め層６４を、前記複数のくぼみ６９が出来る領域内でエッチングすることによって形成する。こうして前記複数のメサ構造６７が形成される。各メサ構造６７は、P型オーミック電極６８、P型分散ブラッグレフレクター６６、および酸化閉じ込め層６４を含む。図２Ｂを参照する。この図は、垂直共振器型面発光レーザーダイオードを採用した本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造の一応用例の断面図である。破線７０に沿って図２Ａを切り取ると、図２Ｂにのように、複数の垂直共振器型面発光レーザーダイオード２のうちの一つが得られる。垂直共振器型面発光レーザーダイオード２は、それぞれ、前記ダイ取り付け層５０、前記ストレス均衡層４０、少なくとも一層のストレス均衡層ビア７２、前記コンタクト金属層３０（N型オーミック電極）、前記化合物半導体ウェーハー２０、前記N型分散ブラッグレフレクター６０、前記量子井戸構造６２、前記酸化閉じ込め層６４、前記P型分散ブラッグレフレクター６６、前記P型オーミック電極６８、および、一つのメサ構造６７よりなる。
【００２９】
ある実施形態、すなわち、本願の化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造１’（オーミックコンタクトを前記コンタクト金属層３０および前記化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２の間に形成して前記コンタクト金属層３０でオーミック電極ができるようにしたもの）において、前記コンタクト金属層３０により形成するオーミック電極は、図２Ａのように、垂直共振器型面発光レーザーダイオード２に活用することができ、更に、PNダイオード、ショットキーダイオード、発光ダイオード、レーザーダイオード、フォトダイオード、可変容量（バリキャップ）ダイオード, 電流調整ダイオード、および、ツェナーダイオードからなるグループより選ばれる少なくとも一つのダイオードにも活用できる。
【００３０】
上記の記述および添付図面によって説明したように、本願は、化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造を提供することが出来る。それは新規であり、産業上の応用に適うものである。
【００３１】
上記本願の実施形態を詳細に説明してきたが、ここで開示したものから学び十分に習熟したものであれば、多くの修正や変種を作り出すことが可能である。よって、本願の精神と等価である如何なる修正も如何なる変種も以下に加える請求項によって定義される範囲に含まれるものと理解されるべきである。
【図１Ａ】
2019004128.tif 000003
【図１Ｂ】
2019004128.tif 000004
【図２Ａ】
2019004128.tif 000005
【図２Ｂ】
2019004128.tif 000006
【図３】
2019004128.tif 000007