(57)【要約】      （修正有）【課題】反り現象及び割れ現象を同時に防止した高品位の低い欠陥密度を有する窒化ガリウム基板の製造方法の提供。【解決手段】第１窒化ガリウムにボンディング酸化膜を形成するステップと；ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層を形成する第１窒化ガリウムの反り緩和ステップと；ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層を形成するステップと；第１窒化ガリウムのボンディング酸化膜と仮基板を貼り合わせるステップと；ブリスタ層を用いて第１窒化ガリウムを分離させてシード層１１５を形成するステップと；シード層１１５を用いて第２窒化ガリウム１４０を成長させてバルク窒化ガリウムを形成するステップとを含むことを特徴とする窒化ガリウム基板の製造方法。【選択図】図１Ｈ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１窒化ガリウムにボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）を形成するステップと、
前記ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層（ｄａｍａｇｅ  ｌａｙｅｒ）を形成する第１窒化ガリウムの反り緩和（ｂｏｗ  ｒｅｌｅａｓｅ）ステップと、
前記ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層（ｂｌｉｓｔｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップと、
前記第１窒化ガリウムのボンディング酸化膜と仮基板を貼り合わせるステップと、
前記ブリスタ層を用いて前記第１窒化ガリウムを分離させてシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップと、
前記シード層を用いて第２窒化ガリウムを成長させてバルク窒化ガリウムを形成するステップとを含むことを特徴とする、窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項２】
前記ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に第１イオン注入を行ってダメージ層を形成する前記第１窒化ガリウムの反り緩和ステップは、
前記第１イオン注入の加速電圧（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）に応じて、前記ダメージ層の厚さが調節されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項３】
前記ダメージ層の厚さに応じて、前記第１窒化ガリウムの反り（ｂｏｗ）の程度が調節されることを特徴とする、請求項２に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項４】
前記ブリスタ層は、前記第１窒化ガリウムの表面から０．１μｍ〜４μｍの深さに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項５】
前記ブリスタ層は、水素、ヘリウム、窒素、及びアルゴンのうちの少なくともいずれか１つの物質でイオン注入が行われることを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１窒化ガリウムは、Ｎ面（Ｎ−ｆａｃｅ）及びＧａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項７】
前記ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層を形成する前記ステップは、
前記第１窒化ガリウムの前記Ｇａ面に行われることを特徴とする、請求項６に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項８】
前記ボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層を形成する前記ステップは、
前記ブリスタ層を熱処理するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項９】
前記ブリスタ層を熱処理する前記ステップは、
４００℃〜８００℃の温度で行われることを特徴とする、請求項８に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１窒化ガリウムのボンディング酸化膜と仮基板を貼り合わせる前記ステップは、
２００℃〜４５０℃の温度で５時間行われることを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項１１】
前記シード層を用いて第２窒化ガリウムを成長させてバルク窒化ガリウムを形成する前記ステップは、
前記仮基板を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項１２】
前記仮基板は表面に非晶質薄膜を含むことを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項１３】
前記非晶質薄膜は、ＳｉＯｘ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＮｘ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、及びＳｉＯＮ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）のうちの少なくともいずれか１つであることを特徴とする、請求項１２に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【請求項１４】
前記仮基板は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、ＧａＡｓ（ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ）、スピネル（ｓｐｉｎｅｌ）、Ｓｉ（ｓｉｌｉｃｏｎ）、ＩｎＰ（ｉｎｄｉｕｍ  ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）、及びＳｉＣ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ）のうちの少なくともいずれか１つであることを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
〔関連出願との相互参照〕
本出願は、２０１８年０５月２９日付の米国特許出願第１５／９９１，５０５号に基づく優先権の利益を主張し、当該米国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として組み込まれる。
【０００２】
本発明は、複数のイオン注入を用いた窒化ガリウム基板の製造方法に関し、より詳細には、窒化ガリウム基板の反り現象及び割れ現象を防止して高品位の低い欠陥密度を有する窒化ガリウム基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
レーザーダイオードや発光ダイオードのような半導体素子の性能及び寿命は、当該素子を構成する種々の要素によって決定され、特に、素子が積層されるベース基板によって多くの影響を受ける。良質の半導体基板の製造のための様々な方法が提示されている。また、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に対する関心が高まっている。
【０００４】
代表的なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板としてＧａＮ基板が挙げられ、ＧａＮ基板は、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板などと共に、半導体素子に好適に用いられているが、ＧａＡｓ基板及びＩｎＰ基板に比べて製造コストが非常に高い。
【０００５】
ＧａＮ基板は、ＨＶＰＥ（ｈｙｄｒｉｄｅ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法のような気相法によって結晶成長を行うため、結晶成長速度が遅く、例えば、１００時間程度の結晶成長時間の間に、厚さ１０ｍｍ程度のＧａＮ結晶質バルクしか得られない。このような厚さの結晶からは、厚さ２００μｍ〜４００μｍ程度のＧａＮ基板を少量、例えば、１０枚程度しか切り出すことができない。
【０００６】
しかし、ＧａＮ基板の切り出し個数を増加させるために、ＧａＮ結晶質バルクから切り出すＧａＮ膜の厚さを薄くすると、機械的強度が低下してしまい、自立基板となることができない。したがって、ＧａＮ結晶質バルクから切り出されるＧａＮ薄膜の強度を補強する方法が要求されていた。
【０００７】
従来のＧａＮ薄膜の補強方法としては、ＧａＮとは化学組成の異なる異種基板にＧａＮ薄膜を貼り合わせた基板を製造する方法がある。しかし、従来の貼り合わせ基板の製造方法により製造した貼り合わせ基板は、ＧａＮ薄膜上に半導体層を積層させる工程中にＧａＮ薄膜が異種基板から容易に剥離されるという問題があった。
【０００８】
これを解決するために、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３に開示されたようなイオン注入を通じた薄膜分離方法が提案された。従来のイオン注入を通じた薄膜分離方法は、異種基板と貼り合わされるＧａＮ結晶質バルクの一面に、水素、ヘリウム又は窒素イオンを注入させて損傷層を形成し、損傷層が形成されたＧａＮ結晶質バルクを異種基板に直接貼り合わせ及び熱処理した後、損傷層上のＧａＮ結晶質バルクを分離させてＧａＮ薄膜貼り合わせ基板を製造する方法を開示する。
【０００９】
しかし、従来の方法は、ＧａＮ結晶質バルクの内部の結晶損傷を誘発して、反りなどのような外形の変形をもたらし、ＧａＮ結晶質バルクの再利用を不可能にして、製造原価上昇の原因となる。
【００１０】
また、Ｏ．Ｍｏｕｔａｎａｂｂｉｒによって行われた従来のＧａＮ基板の製造方法は、ＧａＮ基板の反りを減少させるために、ＧａＮ基板の両側面に水素イオン注入を行ったが、これは、ＧａＮ基板の両側面ともに水素イオン注入を行うため、ＧａＮ基板が、イオン注入により損傷を受ける層が多数形成されてしまい、ＧａＮ基板の品質が低下し、イオン注入を行った後、熱アニーリング（ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程を行うため、工程が複雑であるという問題があった（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１１−２４３９６８号公報
【特許文献２】韓国登録特許第１０−１５８１０４４号公報
【特許文献３】特開２０１２−２４３７９２号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】O. Moutanabbir, Stress Adjustment and Bonding of H-Implanted 2 in. Freestanding GaN Wafer: The Concept of Double-Sided Splitting, 2009
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の実施例は、少なくとも１回以上の第１イオン注入を行って第１窒化ガリウムの反りを緩和させた後、第２イオン注入を通じて、生産収率に致命的な不良要因となる窒化ガリウム基板の反り現象及び割れ現象を解決した窒化ガリウム基板の製造方法を提供しようとする。
【００１４】
また、本発明の実施例は、窒化ガリウム基板の反り現象及び割れ現象を同時に防止した高品位の低い欠陥密度を有する窒化ガリウム基板を製造しようとする。
【００１５】
また、本発明の実施例は、第１窒化ガリウムのＧａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）をシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）として使用した第２窒化ガリウムを成長させて、窒化ガリウム基板の欠陥比率を減少させた窒化ガリウム基板の製造方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１窒化ガリウムにボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）を形成するステップと；前記ボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）が形成された第１窒化ガリウムの表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層（ｄａｍａｇｅ  ｌａｙｅｒ）を形成する第１窒化ガリウムの反り緩和（ｂｏｗ  ｒｅｌｅａｓｅ）ステップと；前記ボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層（ｂｌｉｓｔｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップと；前記第１窒化ガリウムのボンディング酸化膜と仮基板を貼り合わせるステップと；前記ブリスタ層を用いて前記第１窒化ガリウムを分離させてシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップと；前記シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を用いて第２窒化ガリウムを成長させてバルク窒化ガリウムを形成するステップとを含む。
【００１７】
前記ボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）が形成された第１窒化ガリウムの表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層（ｄａｍａｇｅ  ｌａｙｅｒ）を形成する前記第１窒化ガリウムの反り緩和（ｂｏｗ  ｒｅｌｅａｓｅ）ステップは、前記第１イオン注入の加速電圧（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）に応じて、前記ダメージ層の厚さが調節されてもよい。
【００１８】
前記ダメージ層の厚さに応じて、前記第１窒化ガリウムの反り（ｂｏｗ）の程度が調節されてもよい。
【００１９】
前記ブリスタ層は、前記第１窒化ガリウムの表面から０．１μｍ〜４μｍの深さに形成されてもよい。
【００２０】
前記ブリスタ層は、水素、ヘリウム、窒素、及びアルゴンのうちの少なくともいずれか１つの物質でイオン注入が行われてもよい。
【００２１】
前記第１窒化ガリウムは、Ｎ面（Ｎ−ｆａｃｅ）及びＧａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）を含むことができる。
【００２２】
前記ボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層（ｂｌｉｓｔｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成する前記ステップは、前記第１窒化ガリウムのＧａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）に行われることを含むことができる。
【００２３】
前記ボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層（ｂｌｉｓｔｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成する前記ステップは、前記ブリスタ層を熱処理するステップをさらに含むことができる。
【００２４】
前記ブリスタ層を熱処理する前記ステップは、４００℃〜８００℃の温度で行われてもよい。
【００２５】
前記第１窒化ガリウムのボンディング酸化膜と仮基板を貼り合わせる前記ステップは、２００℃〜４５０℃の温度で５時間行われてもよい。
【００２６】
前記シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を用いて第２窒化ガリウムを成長させてバルク窒化ガリウムを形成する前記ステップは、前記仮基板を除去するステップをさらに含むことができる。
【００２７】
前記仮基板は表面に非晶質薄膜を含むことができる。
【００２８】
前記非晶質薄膜は、ＳｉＯｘ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＮｘ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、及びＳｉＯＮ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）のうちの少なくともいずれか１つであってもよい。
【００２９】
前記仮基板は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、ＧａＡｓ（ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ）、スピネル（ｓｐｉｎｅｌ）、Ｓｉ（ｓｉｌｉｃｏｎ）、ＩｎＰ（ｉｎｄｉｕｍ  ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）、及びＳｉＣ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ）のうちの少なくともいずれか１つであってもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の実施例によれば、少なくとも１回以上の第１イオン注入を行って第１窒化ガリウムの反りを緩和させた後、第２イオン注入を通じて、生産収率に致命的な不良要因となる窒化ガリウム基板の反り現象及び割れ現象を解決した窒化ガリウム基板を提供することができる。
【００３１】
また、本発明の実施例によれば、窒化ガリウム基板の反り現象及び割れ現象を同時に改善して高品位の低い欠陥密度を有する窒化ガリウム基板を製造することができる。
【００３２】
本発明の実施例によれば、第１窒化ガリウムのＧａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）をシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）として使用した第２窒化ガリウムを成長させて、窒化ガリウム基板の欠陥比率が減少した窒化ガリウム基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ−１Ｈ】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法を示した断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第１窒化ガリウムのＧａ面に第１イオン注入が行われた第１窒化ガリウムの透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）イメージである。
【図３Ａ】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入の加速電圧（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）によるダメージ層の厚さ（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｏｆ  ｄａｍａｇｅｄ  ｌａｙｅｒ）を示したグラフである。
【図３Ｂ】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって製造されたダメージ層の厚さによる第１窒化ガリウムの反り変形率（△Ｂｏｗ  ｏｆ  ＧａＮ  ｗａｆｅｒ）を示したグラフである。
【図４】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入を行った第１窒化ガリウムのＧａ面の表面からの深さ（Ｄｅｐｔｈ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）による空隙濃度（ｖａｃａｎｃｙ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）を示したグラフである。
【図５】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第１窒化ガリウムのＧａ面に第２イオン注入を行って形成された第１窒化ガリウムのイオン注入及び空隙の量を示した透過電子顕微鏡イメージ及びグラフである。
【図６】本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって製造された窒化ガリウム基板を示した透過電子顕微鏡イメージである。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、添付の図面及び添付の図面に記載された内容を参照して、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明が実施例によって制限又は限定されるものではない。
【００３５】
本明細書で使用された用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、文句で特に言及しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び／又は「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、言及された構成要素、段階、動作及び／又は素子以外に一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しない。
【００３６】
本明細書で使用される「実施例」、「例」、「側面」、「例示」などは、記述された任意の態様（ａｓｐｅｃｔ）又は設計が他の態様又は設計よりも良好であるか、または利点があるものと解釈すべきものではない。
【００３７】
また、「又は」という用語は、排他的論理和「ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ  ｏｒ」よりは、包含的な論理和「ｉｎｃｌｕｓｉｖｅ  ｏｒ」を意味する。すなわち、特に言及しない限り、または文脈から明らかでない限り、「ｘがａ又はｂを用いる」という表現は、包含的な自然順列（ｎａｔｕｒａｌ  ｉｎｃｌｕｓｉｖｅ  ｐｅｒｍｕｔａｔｉｏｎｓ）のいずれか一つを意味する。
【００３８】
また、本明細書及び請求項で使用される単数表現（「ａ」又は「ａｎ」）は、特に言及しない限り、または単数形態に関するものであることが文脈から明らかでない限り、一般的に「一つ以上」を意味するものと解釈しなければならない。
【００３９】
以下の説明で使用される用語は、関連する技術分野で一般的かつ普遍的なものが選択されたが、技術の発達及び／又は変化、慣例、技術者の選好などに応じて他の用語があり得る。したがって、以下の説明で使用される用語は、技術的思想を限定するものと理解されてはならず、実施例を説明するための例示的な用語として理解されなければならない。
【００４０】
また、特定の場合は、出願人が任意に選定した用語もあり、その場合、該当する説明部分で詳細にその意味を記載する。したがって、以下の説明で使用される用語は、単純な用語の名称ではなく、その用語が有する意味と、明細書全般にわたる内容とに基づいて理解されなければならない。
【００４１】
一方、「第１」、「第２」などの用語は、様々な構成要素を説明するのに使用できるが、構成要素がこのような用語によって限定されるものではない。前記用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。
【００４２】
また、膜、層、領域、構成要素などの部分が他の部分の「上に」又は「上部に」あるとするとき、これは、他の部分の「真上に」ある場合のみならず、それらの間に他の膜、層、領域、構成要素などが介在している場合も含む。
【００４３】
他の定義がなければ、本明細書で使用される全ての用語（技術及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に共通に理解される意味として使用され得る。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語は、明らかに特に定義されていない限り、理想的又は過度に解釈されない。
【００４４】
一方、本発明を説明するにおいて、関連する公知機能又は構成に関する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。そして、本明細書で使用される用語（ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ）は、本発明の実施例を適切に表現するために使用された用語であって、これは、使用者、運用者の意図、または本発明の属する分野の慣例などによって変わり得る。したがって、本用語に対する定義は、本明細書全般にわたる内容に基づいて行われるべきである。
【００４５】
以下では、図１Ａ乃至図１Ｈを参照して、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法について説明する。
【００４６】
図１Ａ乃至図１Ｈは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法を示した断面図である。
【００４７】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１窒化ガリウム１１０にボンディング酸化膜（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）１２０を形成し、ボンディング酸化膜１２０が形成された第１窒化ガリウム１１０の表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層（ｄａｍａｇｅ  ｌａｙｅｒ）１１３を形成することによって、第１窒化ガリウム１１０の反りを緩和（ｂｏｗ  ｒｅｌｅａｓｅ）する。
【００４８】
その後、ボンディング酸化膜１２０が形成された第１窒化ガリウム１１０の表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層（ｂｌｉｓｔｅｒ  ｌａｙｅｒ）１１４を形成する。
【００４９】
第１窒化ガリウム１１０のボンディング酸化膜１２０と仮基板１３０を貼り合わせ、ブリスタ層１１４を用いて第１窒化ガリウム１１０を分離させてシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）１１５を形成した後、シード層１１５を用いて第２窒化ガリウム１４０を成長させてバルク窒化ガリウム（ｂｕｌｋ  ＧａＮ）を形成する。
【００５０】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第２イオン注入を行う前に、第１窒化ガリウム１１０の表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層１１３を形成して、第１窒化ガリウム１１０の反りを緩和させることによって、窒化ガリウム基板の製造時に生産収率に致命的な不良要因となる窒化ガリウム基板の反り現象及び割れ現象を解決すると同時に、高品位の低い欠陥密度を有する窒化ガリウム基板を製造することができる。
【００５１】
以下、図１Ａ乃至図１Ｈを参照して、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法を詳細に説明する。
【００５２】
図１Ａは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第１窒化ガリウムを形成する過程を示した断面図である。
【００５３】
窒化ガリウム（ＧａＮ）は、優れた物理的及び化学的特性により、様々な光素子の核心素材として使用されている。窒化ガリウムは、サファイア、シリコンカーバイド、またはシリコンのような成長基板上に異種エピタキシャルによって成長させて使用される。
【００５４】
また、窒化ガリウムは、欠陥だけでなく、特に、重要な結晶性質として「結晶極性（ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌａｒｉｔｙ）」がある。
【００５５】
窒化ガリウムにおいて（例；ウルツ鉱（ｗｕｒｔｚｉｔｅ）窒化ガリウム）、各ガリウム原子は、４つの窒素原子に四面体的に配位される。もし、ガリウム（Ｇａ）原子から３個の最も近い隣接する窒素（Ｎ）原子までの３個の強い結合が、成長基板に向かって下方に方向を有すると、極性は＋ｃ（Ｇａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）とも知られている）であり、もし、ガリウム（Ｇａ）原子から３個の最も近い隣接する窒素（Ｎ）原子までの３個の強い結合が、成長方向に向かって上方に向かうと、反対の極性−ｃ（Ｎ面（Ｎ−ｆａｃｅ）とも知られている）を有する。
【００５６】
したがって、窒化ガリウムは、方向によって、Ｇａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）とＮ面（Ｎ−ｆａｃｅ）とに区分することができる。ここで、ラベルｃは、エピタキシー膜の平面に対して水平な結晶平面を示す。
【００５７】
窒化ガリウムの極性は表面性質ではないが、窒化ガリウムのバルク性質に多大な影響を及ぼす点に留意することが重要であり、極性に応じて異なる性質が発現され得る。したがって、エピタキシー窒化ガリウム成長層の極性特性を活用して素子を作製することができる。例えば、Ｇａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）を有する層は、窒化ガリウム部品の製造に時々好ましい。
【００５８】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法に使用される第１窒化ガリウム１１０は、Ｇａ面（Ｇａ−ｆａｃｅ）１１２及びＮ面（Ｎ−ｆａｃｅ）１１１を含む。
【００５９】
また、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、Ｇａ面１１２の第１窒化ガリウム１１０をシード層として使用して第２窒化ガリウムを成長させることによって、窒化ガリウム基板の欠陥比率を減少させることができる。
【００６０】
また、第１窒化ガリウム１１０は、反り（Ｂｏｗ）のない平坦な構造を有することが理想的であるが、一般的に使用される第１窒化ガリウム１１０は、上方又は下方に反った凸状（ｃｏｎｖｅｘ）又は凹状（ｃｏｎｃａｖｅ）の構造を有する。
【００６１】
図１Ａのように反った構造を有する第１窒化ガリウム１１０を使用すると、欠陥密度が向上するため、窒化ガリウム基板の品質が低下する。
【００６２】
したがって、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１窒化ガリウム１１０上に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行うことで反りを緩和（ｂｏｗ  ｒｅｌｅａｓｅ）させることができる。
【００６３】
図１Ｂ及び図１Ｃは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１窒化ガリウムの表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層（ｄａｍａｇｅ  ｌａｙｅｒ）を形成する、第１窒化ガリウムの反り緩和（ｂｏｗ  ｒｅｌｅａｓｅ）を行う過程を示した断面図である。
【００６４】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、図１Ａに示されたような第１窒化ガリウム１１０に、第１イオン注入を通じてダメージ層１１３を形成する。
【００６５】
より具体的には、図１Ａに示されたような第１窒化ガリウム１１０にボンディング酸化膜１２０を形成することができる。
【００６６】
ボンディング酸化膜１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）又はアルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）が使用されてもよい。
【００６７】
その後、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、ボンディング酸化膜１２０が形成された第１窒化ガリウム１１０の表面に少なくとも１回以上の第１イオン注入を行ってダメージ層１１３を形成することによって、第１窒化ガリウム１１０の反りを緩和させることができる。
【００６８】
第１イオン注入は、少なくとも１回以上行うことができ、第１イオン注入が複数回行われる場合、加速電圧（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）を異ならせて行うことができる。
【００６９】
また、第１イオン注入は、水素、ヘリウム、窒素、及びアルゴンのうちの少なくともいずれか１つのイオンで行うことができる。好ましくは、第１イオン注入は水素イオンで行うことができる。
【００７０】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法を通じて第１窒化ガリウム１１０にイオン注入を１回行ってダメージ層１１３を形成すると、イオン注入層が広く形成され得る。
【００７１】
それだけでなく、第１窒化ガリウム１１０に複数回のイオン注入によるダメージ層１１３を形成すると、最初のイオン注入が行われていたイオン注入層にイオン注入が集中するようにすることによって、イオン注入層を均一に形成することができる。
【００７２】
図１Ｂに示されたダメージ層１１３は、第１窒化ガリウム１１０の内部にガスバブルが生成されて多数の空隙（ｖａｃａｎｃｙ）を含むことができる。本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、ダメージ層１１３の多数の空隙により、第１窒化ガリウム１１０内に人為的なダメージが形成され得、第１窒化ガリウム１１０の反りを緩和させることによって、凸状又は凹状の構造の第１窒化ガリウム１１０を平らにする。
【００７３】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の第１イオン注入は、第１窒化ガリウム１１０の膨らんだ方向にイオン注入が行われ得る。
【００７４】
ダメージ層１１３は、第１窒化ガリウム１１０に１０ｋｅＶ〜２００ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を行って形成することができ、加速電圧が１０ｋｅＶ以下であると、ダメージ層の厚さが小さすぎるため、第１窒化ガリウム１１０の反りを十分に緩和させることができないという問題があり、加速電圧が２００ｋｅＶを超えると、ダメージ層１１３の厚さが過度に厚くなるため、反対方向に第１窒化ガリウム１１０が反るという問題がある。
【００７５】
また、ダメージ層１１３は、第１イオン注入の加速電圧に応じて厚さが調節され得、また、ダメージ層１１３の厚さに応じて、第１窒化ガリウム１１０の反りの程度が調節され得る。
【００７６】
第１イオン注入の加速電圧が増加するほど、ダメージ層１１３の厚さは増加し、ダメージ層１１３の厚さが増加するほど、第１窒化ガリウム１１０の反り変形率は大きくなる。
【００７７】
反り変形率は、初期の第１窒化ガリウム１１０と、反りが緩和された第１窒化ガリウム１１０との反り変形の程度の差を意味する。
【００７８】
図１Ｃに示されたように、初期の第１窒化ガリウム１１０の反りの程度に応じて、第１イオン注入の加速電圧を調節して、反りが緩和された第１窒化ガリウム１１０を収得することができる。
【００７９】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１イオン注入の角度を特に限定していないが、０°〜７°の角度で第１窒化ガリウム１１０に注入することができる。好ましくは、第１窒化ガリウム１１０に７°の傾きを持ってイオンを照射することによって、チャネリング効果（ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）を最小化することができる。
【００８０】
図１Ｄは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によるボンディング酸化膜が形成された第１窒化ガリウムの表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層（ｂｌｉｓｔｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成する過程を示した断面図である。
【００８１】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、ボンディング酸化膜１２０が形成された第１窒化ガリウム１１０の表面に第２イオン注入を行ってブリスタ層１１４を形成することができる。
【００８２】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の第２イオン注入を通じて、第１窒化ガリウム１１０の内部にガスバブルが生成されて、多数の空隙を含むブリスタ層１１４を形成する。
【００８３】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の第２イオン注入は、第１窒化ガリウム１１０のＧａ面１１２に行うことができる。
【００８４】
ブリスタ層１１４は、第１窒化ガリウム１１０に１０ｋｅＶ〜５００ｋｅＶの加速電圧を有する第２イオン注入を通じて形成され得る。加速電圧が１０ｋｅＶ以下であると、イオン注入が十分に行われないため、第１窒化ガリウム１１０を分離させることができないという問題があり、加速電圧が５００ｋｅＶを超えると、ブリスタ層１１４の厚さが過度に厚くなるため、第１窒化ガリウム１１０の欠陥が増加することがある。
【００８５】
また、第２イオン注入は、水素、ヘリウム、窒素、及びアルゴンのうちの少なくともいずれか１つのイオンで行うことができる。好ましくは、第２イオン注入は水素イオンで行うことができる。
【００８６】
また、実施例によって、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の第２イオン注入は、第１イオン注入よりも比較的低い加速電圧で第１窒化ガリウム１１０にイオン注入を行うことで、ブリスタ層１１４を形成することができる。
【００８７】
イオン注入は、加速電圧の大きさに応じて、第１窒化ガリウム１１０からのイオン注入層の深さが調節され得る。加速電圧が大きいと、第１窒化ガリウム１１０からさらに深い位置にイオン注入層が形成され、加速電圧が小さいと、相対的により浅い位置にイオン注入層が形成される。
【００８８】
したがって、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の第２イオン注入は、薄膜のシード層を形成するために、第１窒化ガリウム１１０の表面から浅い位置にブリスタ層１１４を形成するため、第１イオン注入よりも低い加速電圧で行うことができる。
【００８９】
反面、第１イオン注入は、反りを緩和させるために第１窒化ガリウム１１０に行うため、第２イオン注入よりも大きい加速電圧でイオン注入を行うことで、深い位置にダメージ層１１３が形成され得る。
【００９０】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第２イオン注入のイオン注入の角度を特に限定していないが、０°〜７°の角度で第１窒化ガリウム１１０に注入することができ、好ましくは、第１窒化ガリウム１１０に７°の傾きを持ってイオンを照射することによって、チャネリング効果（ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）を最小化することができる。
【００９１】
実施例によって、ブリスタ層１１４は、第１窒化ガリウム１１０の表面から０．１μｍ〜４μｍの深さに形成することができる。
【００９２】
ブリスタ層１１４の深さが０．１μｍ以下と浅いと、イオン注入が十分に行われないため、第１窒化ガリウム１１０を分離させることができないという問題があり、４μｍを超えると、ブリスタ層１１４の厚さが過度に厚くなるため、第１窒化ガリウム１１０の欠陥が増加することがある。
【００９３】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１窒化ガリウム１１０に第２イオン注入を行ってブリスタ層１１４を形成した後、ブリスタ層１１４を熱処理する過程をさらに含むことができる。
【００９４】
熱処理は、第１イオン注入及び第２イオン注入によるイオン注入で発生した第１窒化ガリウム１１０のストレスを解消し、第１窒化ガリウム１１０にイオンが効果的に注入され得るようにするために、ブリスタ層１１４によって第１窒化ガリウム１１０が分離されない温度、第１窒化ガリウム１１０が分離される温度以下で行われ得る。
【００９５】
例えば、熱処理は、４００℃〜８００℃の温度で行うことができる。熱処理温度が４００℃以下であると、第１窒化ガリウム１１０のストレスが十分に減少せず、８００℃を超えると、ブリスタ層１１４によって第１窒化ガリウム１１０が分離されることがある。
【００９６】
図１Ｅは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１窒化ガリウムのボンディング酸化膜と仮基板を貼り合わせる過程を示した断面図である。
【００９７】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１窒化ガリウム１１０を、後続工程においてブリスタ層１１４を分離させるために、仮基板１３０に貼り合わせる過程を含む。
【００９８】
例えば、図１Ｅに示されたように、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、第１窒化ガリウム１１０の表面に形成されたボンディング酸化膜１２０を介して第１窒化ガリウム１１０を仮基板１３０に貼り合わせる過程を含むことができる。
【００９９】
実施例によって、第１窒化ガリウム１１０は、熱又は圧力を用いて仮基板１３０に貼り合わせてもよく、好ましくは、第１窒化ガリウム１１０に２００℃〜４５０℃の温度の熱を５時間加えることで仮基板１３０に貼り合わせることができる。
【０１００】
第１窒化ガリウム１１０を仮基板１３０に貼り合わせる温度が高すぎると、貼り合わせが行われる前に欠陥（例；ｃｌｅａｖａｇｅ）が発生するという問題がある。
【０１０１】
仮基板１３０は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、ＧａＡｓ（ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ）、スピネル（ｓｐｉｎｅｌ）、Ｓｉ（ｓｉｌｉｃｏｎ）、ＩｎＰ（ｉｎｄｉｕｍ  ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）、及びＳｉＣ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ）のうちの少なくともいずれか１つであってもよい。
【０１０２】
実施例によって、仮基板１３０は表面に非晶質薄膜を含むことができ、非晶質薄膜は、ＳｉＯｘ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＮｘ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、及びＳｉＯＮ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）のうちの少なくともいずれか１つであってもよい。
【０１０３】
図１Ｆは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１窒化ガリウムを分離させてシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成する過程を示した断面図である。
【０１０４】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、仮基板１３０を熱処理方法や機械的な方法（例えば；切断）を用いてブリスタ層１１４を基準として第１窒化ガリウム１１０と分離させることによって、シード層１１５を形成することができる。
【０１０５】
また、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、仮基板１３０の熱処理を通じて、第１窒化ガリウム１１０が、ブリスタ層１１４の結晶の再配列及び気泡の凝集によってブリスタ層１１４から分離され得る。
【０１０６】
熱処理方法は、ブリスタ層１１４が第１窒化ガリウム１１０の内部のうち相対的に浅い位置に形成された場合に用いることができる。熱処理方法は、互いに貼り合わされた第１窒化ガリウム１１０と仮基板１３０を熱処理すると、イオンブリスタ層１１４が臭化（ｅｍｂｒｉｔｔｌｅｍｅｎｔ）し、その部分で第１窒化ガリウム１１０は、シード層１１５を残したまま分割される。熱処理温度は、注入されるイオンの特性に応じて４００℃〜８００℃に調節することができる。
【０１０７】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、熱処理温度が４００℃未満であると、熱処理方法によって第１窒化ガリウム１１０が分離されないという問題があり、８００℃を超えると、既に第１窒化ガリウム１１０が分離されたため、収率に問題がある。
【０１０８】
また、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の機械的方法は、ブリスタ層１１４が相対的に深い位置に形成された場合に用いることができる。機械的方法もまた、精度に優れ、実施が容易であり、確実に第１窒化ガリウム１１０を分離することができる。
【０１０９】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によれば、第２イオン注入を行った後、前述した熱処理方法又は機械的方法によって第１窒化ガリウム１１０を分離させることができ、分離面が平坦なシード層１１５を得ることができる。
【０１１０】
図１Ｇは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第２窒化ガリウムを成長させてバルク窒化ガリウムを形成する過程を示した断面図である。
【０１１１】
図１Ｇを参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、仮基板１３０上に形成されたシード層１１５上に第２窒化ガリウム１４０を成長させてバルク窒化ガリウムを形成する。
【０１１２】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、ＨＶＰＥ（ｈｙｄｒｉｄｅ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ）法及び昇華法のような方式、フラックス（ｆｌｕｘ）法及び高窒素圧溶液法のような液相法のいずれか１つを用いて第２窒化ガリウム１４０を成長させることができる。
【０１１３】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、Ｇａ面１１２の第１窒化ガリウム１１０をシード層１１５として使用して第２窒化ガリウム１４０を成長させることによって、窒化ガリウム基板の欠陥比率を減少させることができる。
【０１１４】
図１Ｈは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって製造された窒化ガリウム基板を示した断面図である。
【０１１５】
図１Ｈを参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、仮基板１３０及びボンディング酸化膜１２０を除去して、自立（ｓｅｌｆ−ｓｔａｎｄｉｎｇ）構造の窒化ガリウム基板１００を製造することができる。
【０１１６】
実施例によっては、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法は、図１Ｇに示されたように、第２窒化ガリウム１４０を成長させた後、仮基板１３０を除去せずに工程を終了することによって、テンプレート基板構造の窒化ガリウム基板を製造することもできる。
【０１１７】
以下では、図２乃至図５Ｂを参照して、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって製造された窒化ガリウム基板の特性について説明する。
【０１１８】
図２は、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第１窒化ガリウムのＧａ面に第１イオン注入が行われた第１窒化ガリウムの透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のイメージを示したものである。
【０１１９】
図２を参照すると、図１Ａに示したようなＧａ面及びＮ面を含む第１窒化ガリウムに、図１Ｂに示したように第１イオン注入を行って２３４ｎｍのダメージ層を形成した。
【０１２０】
また、図１Ａに示したような初期の第１窒化ガリウムの反りの程度は−１２μｍであったが、図１Ｂに示したように第１窒化ガリウムに２３４ｎｍのダメージ層を形成することによって、図１Ｃに示したように反りが緩和された第１窒化ガリウムは、＋１９μｍの反りの程度を有することによって、＋３１の反り変形率を示した。
【０１２１】
図３Ａは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法の第１イオン注入の加速電圧（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）によるダメージ層の厚さ（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｏｆ  ｄａｍａｇｅｄ  ｌａｙｅｒ）を示したグラフである。
【０１２２】
図３Ａを参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入の加速電圧に応じて、ダメージ層の厚さが増加することがわかる。
【０１２３】
図３Ｂは、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法のダメージ層の厚さによる第１窒化ガリウムの反り変形率（△Ｂｏｗ  ｏｆ  ＧａＮ  ｗａｆｅｒ）を示したグラフである。
【０１２４】
図３Ｂを参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入によるダメージ層の厚さに応じて、第１窒化ガリウムの反り変形率が増加することがわかる。
【０１２５】
反り変形率は、初期の第１窒化ガリウムと、反りが緩和された第１窒化ガリウムとの反り変形の程度の差を意味する。
【０１２６】
したがって、図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、図１Ａに示したような初期の第１窒化ガリウムの反りの程度に応じて、第１イオン注入の加速電圧を調節すると、容易に第１窒化ガリウムの反りを制御することができる。
【０１２７】
図４は、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入を行った第１窒化ガリウムのＧａ面の表面からの深さ（Ｄｅｐｔｈ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）による空隙濃度（ｖａｃａｎｃｙ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）を示したグラフである。
【０１２８】
図４を参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第１窒化ガリウムのＧａ面にそれぞれ３６ｋｅＶ、５３ｋｅＶ、７０ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を行った。また、第１窒化ガリウムのＧａ面に３６ｋｅＶ、５３ｋｅＶ、及び７０ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を３回（３−ｓｔｅｐ  Ｈ＋  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）行った。
【０１２９】
図４を参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入の加速電圧が大きくなるほど、ダメージ層の空隙の濃度が増加することがわかる。
【０１３０】
下記表１は、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入の加速電圧による反り変形率（△Ｂｏｗ）を示したものである。
【０１３１】
【表１】
2019206467.tif 000003
【０１３２】
表１を参照すると、３６ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を行ったときの反り変形率は＋３μｍであり、５３ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を行ったときの反り変形率は＋７μｍであり、７０ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を行ったときの反り変形率は＋２８μｍであり、第１窒化ガリウムのＧａ面に３６ｋｅＶ、５３ｋｅＶ、及び７０ｋｅＶの加速電圧で第１イオン注入を３回行ったときの反り変形率は＋３８μｍであった。
【０１３３】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１イオン注入の加速電圧が大きくなるほど、反り変形率は増加するということがわかる。
【０１３４】
また、第１イオン注入の加速電圧を増加させながら計３回のイオン注入を行うと、ダメージ層の厚さがさらに増加することがわかる。
【０１３５】
図５は、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって第１窒化ガリウムのＧａ面に第２イオン注入を行って形成された第１窒化ガリウムのイオン注入及び空隙の量を示した透過電子顕微鏡イメージ及びグラフである。
【０１３６】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第２イオン注入は、７０ＫｅＶのエネルギーで１．３×１０１７  Ｈ２＋／ｃｍ２のイオン注入量を注入して、２８６ｎｍのブリスタ層を形成した。また、第２イオン注入を行った後、第１窒化ガリウムを５００℃で３０分間熱処理した。
【０１３７】
図５を参照すると、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第１窒化ガリウム内に、第２イオン注入によって約３００ｎｍ程度のブリスタ層が形成された。したがって、ブリスタ層内のイオン注入及び空隙の量が増加した。
【０１３８】
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法による第２イオン注入によって、第１窒化ガリウム内に、空隙が多数形成されたブリスタ層が良好に形成されたことがわかる。
【０１３９】
図６は、本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板の製造方法によって製造された窒化ガリウム基板を示した透過電子顕微鏡イメージである。
【０１４０】
図６を参照すると、サファイア基板上に形成されたシリコン酸化膜上に窒化ガリウムが成長され、窒化ガリウム基板は、反り現象及び割れ現象がなく、反り現象及び割れ現象が同時に改善されて、高品位の低い欠陥密度を有する窒化ガリウム基板が製造された。
【０１４１】
以上のように、本発明は、たとえ限定された実施例と図面によって説明されたが、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者なら、このような記載から様々な修正及び変形が可能である。
【０１４２】
したがって、本発明の範囲は説明された実施例に限定されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものによって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１４３】
１００    窒化ガリウム基板
１１０    第１窒化ガリウム
１１１    Ｎ面
１１２    Ｇａ面
１１３    ダメージ層
１１４    ブリスタ層
１１５    シード層
１２０    ボンディング酸化膜
１３０    仮基板
１４０    第２窒化ガリウム
【図１Ａ】
2019206467.tif 000004
【図１Ｂ】
2019206467.tif 000005
【図１Ｃ】
2019206467.tif 000006
【図１Ｄ】
2019206467.tif 000007
【図１Ｅ】
2019206467.tif 000008
【図１Ｆ】
2019206467.tif 000009
【図１Ｇ】
2019206467.tif 000010
【図１Ｈ】
2019206467.tif 000011
【図２】
2019206467.tif 000012
【図３Ａ】
2019206467.tif 000013
【図３Ｂ】
2019206467.tif 000014
【図４】
2019206467.tif 000015
【図５】
2019206467.tif 000016
【図６】
2019206467.tif 000017