(57)【要約】【課題】現像液を供給して現像処理を行った後のリンス処理において、基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることが可能な現像方法を提供する。【解決手段】基板Ｗに対して現像液Ｌｄｅｖを供給して現像処理を行った後、回転されている基板Ｗ上の基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置５１に第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。この動作は、第２リンスノズル４から吐出された界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに最初に着液する領域である着液領域５３に基板Ｗの中心が入らないように行われる。これにより、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１が分散されるので、基板Ｗの中心ＣＴとその付近で局所的にレジストパターンの線幅が太くなったり細くなったりすることが抑制される。そのため、リンス処理における基板Ｗ面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の中心周りに回転している基板に対して現像液を供給して現像処理を行う工程と、
前記現像処理を行った後に、界面活性剤リンスノズルから吐出された界面活性剤リンス液が前記基板に最初に着液する領域である着液領域に前記基板の中心が入らないように、回転している前記基板上の前記基板の中心から外れた位置に前記界面活性剤リンスノズルから前記界面活性剤リンス液の吐出を開始する工程と、
前記界面活性剤リンス液が前記基板に着液した直後から、前記基板上に着液した前記界面活性剤リンス液の広がりで前記基板の中心を覆う工程と、
前記界面活性剤リンス液が前記基板に着液した直後から前記界面活性剤リンスの吐出を停止するまで、前記界面活性剤リンス液の着液領域の位置を固定する工程と、
を備えていることを特徴とする現像方法。
【請求項２】
基板の中心周りに回転している基板に対して現像液を供給して現像処理を行う工程と、
前記現像処理を行った後に、界面活性剤リンスノズルから吐出された界面活性剤リンス液が前記基板に最初に着液する領域である着液領域に前記基板の中心が入らないように、回転している前記基板上の前記基板の中心から外れた位置に前記界面活性剤リンスノズルから前記界面活性剤リンス液の吐出を開始する工程と、
前記界面活性剤リンス液が前記基板に着液した直後から、前記基板上に着液した前記界面活性剤リンス液の広がりで前記基板の中心を覆う工程と、
前記界面活性剤リンス液の広がりで前記基板の中心を覆った後、前記基板上に着液した前記界面活性剤リンス液の広がりが前記基板の中心から外れない範囲内で前記界面活性剤リンス液の着液領域の位置を変位させる工程と、
を備えていることを特徴とする現像方法。
【請求項３】
請求項２に記載の現像方法において、
前記着液領域の位置を変位させる工程は、前記基板の中心を挟むように２つの折り返し位置が設定されている、前記基板の中心を含む経路で、前記着液領域の位置を往復移動させることを特徴とする現像方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の現像方法において、
前記現像処理を行った後、前記界面活性剤リンス液の吐出開始前に、回転している前記基板上に前記純水リンスノズルから純水の吐出を開始する工程を更に備え、
前記界面活性剤リンス液の吐出を開始する工程は、前記純水の吐出を停止すると同時に行われることを特徴とする現像方法。
【請求項５】
請求項４に記載の現像方法において、
前記純水リンスノズルからの前記純水の吐出を開始し、第１の回転速度で前記基板を回転させた後に、前記純水が吐出されている状態で予め設定された期間、前記第１の回転速度から前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で前記基板を回転させる工程を更に備えていることを特徴とする現像方法。
【請求項６】
請求項５に記載の現像方法において、
前記第１の回転速度および前記第２の回転速度は、５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下であることを特徴とする現像方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の現像方法において、
前記界面活性剤リンスノズルから前記界面活性剤リンス液の吐出を開始した後、前記界面活性剤リンス液の吐出を停止するまで、５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下で前記基板を回転させる工程を更に備えていることを特徴とする現像方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等の基板に対して、現像液を供給して現像処理を行う現像方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現像方法に係る現像装置は、基板を保持して基板を回転させる保持回転部と、基板に対して現像液を吐出する現像ノズルと、基板に対してリンス液を吐出するリンスノズルとを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、次のような課題が存在する。すなわち、基板の中心に保持されたリンス液中に気泡が含まれていると、基板の中心付近の遠心力が小さく、また、リンスノズルから吐出されたリンス液によって上から気泡が基板の中心に押し続けられる。そのため、基板上に気泡が残ってしまう可能性があり、これによって、残った気泡の部分でリンスが不十分になる可能性がある。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載の発明では、現像液の吐出を停止した後に、回転する基板上であって基板の中心部から外れた予め設定された吐出位置に、リンスノズルによりリンス液（脱イオン水（ＤＩＷ）などの純水）の吐出を開始している。そして、その吐出位置に吐出されたリンス液の広がりで基板の中心部を覆わせている。また、特許文献１には、リンス液は、吐出位置から移動させずに吐出されるが、往復スキャンしてもよいことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１２７２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の方法を含む従来の現像方法には、次のような問題がある。すなわち、ＥＵＶ（Extreme Ultra-Violet）リソグラフィの課題の１つとして、レジストパターンのパターン倒れが挙げられる。これは、基板に対して現像液を供給して現像処理を行った後、ＤＩＷなどの純水のみでリンス処理することで発生する。そのため、パターン倒れを防止するために、界面活性剤リンス液を用いてリンス処理が行われている。しかしながら、界面活性剤リンス液は、レジストの種類によって、レジストパターンを膨潤させたり、スリミングさせたりとレジストパターンの線幅に影響を与える。また、リンスノズルから基板の中心に界面活性剤リンス液が吐出され続けると、局所的に中心とその付近で線幅が太くなったり細くなったりする。したがって、従来の現像方法には、リンス処理において、基板面内のレジストパターンの線幅が不均一であるという問題がある。なお、線幅とは、基板表面に沿った方向の幅を意味する。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、現像液を供給して現像処理を行った後のリンス処理において、基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることが可能な現像方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る現像方法は、基板の中心周りに回転している基板に対して現像液を供給して現像処理を行う工程と、前記現像処理を行った後に、界面活性剤リンスノズルから吐出された界面活性剤リンス液が前記基板に最初に着液する領域である着液領域に前記基板の中心が入らないように、回転している前記基板上の前記基板の中心から外れた位置に前記界面活性剤リンスノズルから前記界面活性剤リンス液の吐出を開始する工程と、前記界面活性剤リンス液が前記基板に着液した直後から、前記基板上に着液した前記界面活性剤リンス液の広がりで前記基板の中心を覆う工程と、前記界面活性剤リンス液が前記基板に着液した直後から前記界面活性剤リンスの吐出を停止するまで、前記界面活性剤リンス液の着液領域の位置を固定する工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明に係る現像方法によれば、基板に対して現像液を供給して現像処理を行った後、回転している基板上の基板の中心から外れた位置に界面活性剤リンスノズルから界面活性剤リンス液の吐出を開始する。この動作は、界面活性剤リンスノズルから吐出された界面活性剤リンス液が基板に最初に着液する領域である着液領域に基板の中心が入らないように行われる。これにより、界面活性剤リンス液の着液領域の位置が分散されるので、基板の中心とその付近で局所的にレジストパターンの線幅が太くなったり細くなったりすることが抑制される。そのため、リンス処理における基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【００１０】
また、基板上に着液した界面活性剤リンス液の広がりで基板の中心を覆うので、界面活性剤リンス液を基板の中心から外した位置に吐出しても、界面活性剤リンス液で基板中心を洗浄することができる。
【００１１】
また、本発明に係る現像方法は、基板の中心周りに回転している基板に対して現像液を供給して現像処理を行う工程と、前記現像処理を行った後に、界面活性剤リンスノズルから吐出された界面活性剤リンス液が前記基板に最初に着液する領域である着液領域に前記基板の中心が入らないように、回転している前記基板上の前記基板の中心から外れた位置に前記界面活性剤リンスノズルから前記界面活性剤リンス液の吐出を開始する工程と、前記界面活性剤リンス液が前記基板に着液した直後から、前記基板上に着液した前記界面活性剤リンス液の広がりで前記基板の中心を覆う工程と、前記界面活性剤リンス液の広がりで前記基板の中心を覆った後、前記基板上に着液した前記界面活性剤リンス液の広がりが前記基板の中心から外れない範囲内で前記界面活性剤リンス液の着液領域の位置を変位させる工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る現像方法によれば、基板に対して現像液を供給して現像処理を行った後、回転されている基板上の基板の中心から外れた位置に界面活性剤リンスノズルから界面活性剤リンス液の吐出を開始する。この動作は、界面活性剤リンスノズルから吐出された界面活性剤リンス液が基板に最初に着液する領域である着液領域に基板の中心が入らないように行われる。これにより、界面活性剤リンス液の着液領域の位置が分散されるので、基板の中心とその付近で局所的にレジストパターンの線幅が太くなったり細くなったりすることが抑制される。また、界面活性剤リンス液の着液領域の位置を変位させることにより、界面活性剤リンス液の着液領域の位置を更に分散させることができる。そのため、リンス処理における基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【００１３】
また、基板上に着液した界面活性剤リンス液の広がりで基板の中心を覆うので、界面活性剤リンス液を基板の中心から外した位置に吐出しても、界面活性剤リンス液で基板中心を洗浄することができる。
【００１４】
また、界面活性剤リンス液の着液領域の位置を変位させている間に、基板の中心とその付近で基板表面が乾燥すると、基板表面から排出されずに残っている例えばレジスト溶解生成物が基板の中心とその付近に付着してしまうおそれがある。この付着物は、界面活性剤リンス液で容易に洗い流すことができない。基板上に着液した界面活性剤リンス液の広がりが前記基板の中心から外れない範囲内で、界面活性剤リンス液の着液領域の位置を変位させることで、界面活性剤リンス液の着液領域の位置を変位させていても、常に基板の中心は、界面活性剤リンス液で覆われる。そのため、基板の中心が乾燥せず、例えばレジスト溶解生成物が基板の中心とその付近に付着することを防止し、その付着物による欠陥を軽減することができる。
【００１５】
また、上述の現像方法において、前記着液領域の位置を変位させる工程は、前記基板の中心を挟むように２つの折り返し位置が設定されている、前記基板の中心を含む経路で、前記着液領域の位置を往復移動させることが好ましい。
【００１６】
例えば、仮に基板の中心に往復移動の折り返し位置が存在すると、界面活性剤リンス液の着液領域の位置が基板の中心に存在する時間が比較的長くなる。しかし、上記の場合には、基板の中心を挟むように設定された２つの折り返し位置の間で往復移動が行われるので、界面活性剤リンス液の着液領域の位置が基板の中心に存在する時間が比較的短くなり、基板の中心とその付近で局所的にレジストパターンの線幅が細くなったり太くなったりすることを軽減させることができる。
【００１７】
また、上述の現像方法において、前記現像処理を行った後、前記界面活性剤リンス液の吐出開始前に、回転している前記基板上に前記純水リンスノズルから純水の吐出を開始する工程を更に備え、前記界面活性剤リンス液の吐出を開始する工程は、前記純水の吐出を停止すると同時に行われることが好ましい。これにより、純水と界面活性剤リンス液を用いたリンス処理を行うことができる。
【００１８】
また、上述の現像方法において、前記純水リンスノズルからの前記純水の吐出を開始し、第１の回転速度で前記基板を回転させた後に、前記純水が吐出されている状態で予め設定された期間、前記第１の回転速度から前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で前記基板を回転させる工程を更に備えていることが好ましい。すなわち、第１の回転速度で回転している基板に対して純水でリンス処理しているときに、予め設定された期間、基板の回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に上げている。これにより、例えばレジストの溶解生成物を基板外へ排出し易くすることができる。
【００１９】
また、上述の現像方法において、前記第１の回転速度および前記第２の回転速度は、５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下であることが好ましい。第１の回転速度および第２の回転速度が５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下であるときに、リンス処理における基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【００２０】
また、上述の現像方法において、前記界面活性剤リンスノズルから前記界面活性剤リンス液の吐出を開始した後、前記界面活性剤リンス液の吐出を停止するまで、５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下で前記基板を回転させる工程を更に備えていることが好ましい。界面活性剤リンス液の吐出を開始した後から吐出を停止するまでの基板の回転速度が５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下であるときに、リンス処理における基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る現像方法によれば、現像液を供給して現像処理を行った後のリンス処理において、基板面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１に係る現像装置の概略構成を示す図である。
【図２】（ａ）は、第１リンスノズルを説明するための図であり、（ｂ）は、第２リンスノズルを説明するための図である。
【図３】現像ノズル移動機構およびリンスノズル移動機構の概略構成を示す図である。
【図４】実施例１に係る現像工程を示すタイミングチャートの一例を示す図である。
【図５】主現像工程を説明するための図である。
【図６】界面活性剤リンス液の吐出を説明するための図である。
【図７】（ａ）は、基板上に当たった界面活性剤リンス液の広がりが基板の中心から外れた場合を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図である。
【図８】（ａ）は、第２リンスノズルの往復移動を説明するための図であり、（ｂ）は、往復移動の経路および２つの折り返し位置等を示す平面図である。
【図９】変形例に係る第２リンスノズルの往復移動を説明するための図であり、（ｂ）は、往復移動の経路および２つの折り返し位置等を示す平面図である。
【図１０】他の変形例に係る第２リンスノズルの往復移動を説明するための図であり、（ｂ）は、往復移動の経路および２つの折り返し位置等を示す平面図である。
【図１１】他の変形例に係る第２リンスノズルの往復移動を説明するための図であり、（ｂ）は、往復移動の経路および２つの折り返し位置等を示す平面図である。
【図１２】（ａ）は、各条件に対するレジストパターンの線幅の平均値を示す図であり、（ｂ）は、各条件に対するレジストパターンの線幅の３sigmaを示す図である。
【図１３】図１２（ａ）、図１２（ｂ）のリンス工程の実験条件を示す図である。
【図１４】往復移動の距離を変化させたときの欠陥数と欠陥マップを示す図である。
【図１５】実施例２に係る現像工程を示すタイミングチャートの一例を示す図である。
【図１６】純水の吐出から界面活性剤リンス液の吐出への切り換えを説明するための図である。
【図１７】純水の吐出から界面活性剤リンス液の吐出への切り換えの変形例を説明するための図である。
【実施例１】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、現像装置１の概略構成を示す図である。図２（ａ）は、第１リンスノズル３を説明するための図である。図２（ｂ）は、第２リンスノズル４を説明するための図である。
【００２４】
＜現像装置１の構成＞
図１を参照する。現像装置１は、現像ノズル２、第１リンスノズル３、第２リンスノズル４および保持回転部５を備えている。
【００２５】
現像ノズル２は、基板Ｗに対して現像液を吐出する。現像ノズル２は、移動方向であるＸ方向に一列に並んだ複数（例えば５個）の吐出ノズル２Ａを備えている。これにより、幅広く現像液を吐出するので、基板Ｗ全面に素早く現像液を与えることができる。
【００２６】
第１リンスノズル３は、基板Ｗに対して脱イオン水（ＤＩＷ）等の純水を吐出する。第２リンスノズル４は、基板Ｗに対して界面活性剤リンス液を吐出する。界面活性剤リンス液は、例えば、非イオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤または双性界面活性剤を含んでいる。第１リンスノズル３は、本発明の純水リンスノズルに相当する。第２リンスノズル４は、本発明の界面活性剤リンスノズルに相当する。
【００２７】
保持回転部５は、略水平姿勢で基板Ｗを保持し、保持した基板Ｗを回転するものである。保持回転部５は、スピンチャック７と回転駆動部９とを備えている。スピンチャック７は、回転軸ＡＸ周りに回転可能に構成されている。スピンチャック７は、例えば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより基板Ｗを保持する。一方、回転駆動部９は、スピンチャック７を回転軸ＡＸ周りに回転させる駆動を行う。なお、回転軸ＡＸは、基板Ｗの中心ＣＴを通過しているものとする。回転駆動部９は、電動モータ等で構成されている。
【００２８】
現像ノズル２には、現像液供給源１１から現像液配管１３を通じて現像液が供給される。開閉弁Ｖ１とポンプＰ１は、現像液配管１３に設けられている。開閉弁Ｖ１は、現像液の供給とその停止を行う。ポンプＰ１は、現像液を現像ノズル２に送り出す。
【００２９】
第１リンスノズル３には、純水供給源１５から純水配管１７を通じて純水が供給される。開閉弁Ｖ２とポンプＰ２は、純水配管１７に設けられている。開閉弁Ｖ２は、純水の供給とその停止を行う。ポンプＰ２は、純水を第１リンスノズル３に送り出す。
【００３０】
第２リンスノズル４には、界面活性剤リンス液供給源１９から界面活性剤リンス液配管２１を通じて界面活性剤リンス液が供給される。開閉弁Ｖ３とポンプＰ３は、界面活性剤リンス液配管２１に設けられている。開閉弁Ｖ３は、界面活性剤リンス液の供給とその停止を行う。ポンプＰ３は、界面活性剤リンス液を第２リンスノズル４に送り出す。
【００３１】
現像装置１は、現像ノズル２を任意の位置に移動させる現像ノズル移動機構２３と、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４を任意の位置に移動させるリンスノズル移動機構２５とを備えている。なお、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４は、支持ブロック２７に設けられている。そのため、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４は、リンスノズル移動機構２５によって、一体的に移動される。
【００３２】
第１リンスノズル３は、図２（ａ）のように、基板Ｗの表面に対して垂直でなく、斜めに純水を吐出する。第２リンスノズル４は、図２（ｂ）のように、基板Ｗに対して垂直、すなわち、真下に向けて界面活性剤リンス液を吐出する。すなわち、支持ブロック２７の位置を変えることなく、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４は、同じ位置（例えば基板Ｗの中心ＣＴ）に純水または界面活性剤リンス液が吐出されるように構成されている。
【００３３】
図１に戻る。現像装置１は、１または２以上の制御部２９と、図示しない記憶部（メモリおよびストレージの少なくとも一方）とを備えている。制御部２９は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部２９は、現像装置１の各構成（例えばポンプＰ１〜Ｐ３、開閉弁Ｖ１〜Ｖ３、保持回転部５、現像ノズル移動機構２３およびリンスノズル移動機構２５）を制御する。記憶部には、現像装置１の動作プログラムが記憶されている。
【００３４】
＜現像ノズル移動機構２３とリンスノズル移動機構２５の構成＞
図３は、現像ノズル移動機構２３とリンスノズル移動機構２５を示す平面図である。
【００３５】
現像ノズル移動機構２３は、上下方向（Ｚ方向）および、基板Ｗの表面に沿った所定の第１方向（例えばＸ方向）に現像ノズル２を移動させる。現像ノズル移動機構２３は、アーム３１、上下移動機構３３および平面移動機構３５を備えている。アーム３１は、現像ノズル２を支持する。上下移動機構３３は、アーム３１を上下方向に移動させることで、現像ノズル２を上下方向に移動させる。平面移動機構３５は、上下移動機構３３を第１方向に移動させることで、現像ノズル２およびアーム３１を第１方向に移動させる。現像ノズル２の５つの吐出ノズル２Ａは、第１方向に１列で並んでいる。
【００３６】
リンスノズル移動機構２５は、上下方向（Ｚ方向）および、基板Ｗの表面に沿った所定の第１方向（例えばＸ方向）に現像ノズル２を移動させる。リンスノズル移動機構２５は、アーム４１、上下移動機構４３および平面移動機構４５を備えている。アーム４１は、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４が設けられた支持ブロック２７を支持する。上下移動機構４３は、アーム４１を上下方向に移動させることで、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４等を上下方向に移動させる。平面移動機構４５は、上下移動機構４３を第１方向に移動させることで、第１リンスノズル３、第２リンスノズル４およびアーム４１等を第１方向に移動させる。
【００３７】
上下移動機構３３，４３および平面移動機構３５，４５は各々、例えば、電動モータと、ネジ軸と、このネジ軸と噛み合う雌ネジが設けられたスライド部材と、スライド部材を案内するガイドレールとを備えている。
【００３８】
＜現像装置１の動作（現像方法）＞
次に、図４を参照しつつ、現像装置１の動作について説明する。図４は、現像工程を示すタイミングチャートの一例である。現像工程は、プリウェット工程（時間Ｔ０〜時間Ｔ３）と、主現像工程（時間Ｔ３〜時間Ｔ１０）と、リンス工程（時間Ｔ１０〜時間Ｔ１６）と、乾燥工程（時間Ｔ１６〜時間Ｔ１９）とを備えている。
【００３９】
図１において、図示しない搬送機構は、保持回転部５のスピンチャック７上に基板Ｗを搬送する。保持回転部５は、例えば基板Ｗの裏面を真空吸着することで基板Ｗを保持する。基板Ｗ上にはレジスト膜（フォトレジスト膜）ＲＦが形成されており（図１参照）、所定のパターンが露光されている。レジスト膜ＲＦは、基板Ｗに含まれているものとする。基板Ｗは、例えば直径３００ｍｍの円形の基板Ｗが用いられている。なお、基板Ｗは、直径３００ｍｍ以外のものであってもよい。
【００４０】
〔ステップＳ０１〕プリウェット工程
プリウェット工程は、この後に吐出される現像液Ｌｄｅｖを基板Ｗ上に広げやすくするために行われる。図４の時間Ｔ０において、保持回転部５は、保持する基板Ｗを２０ｒｐｍで回転させる。また、リンスノズル移動機構２５は、基板Ｗ外の所定の待機位置から基板Ｗの中心ＣＴ付近の上方に、第１リンスノズル３を移動させる。
【００４１】
第１リンスノズル３を移動した後の時間Ｔ１において、制御部２９は、図２（ａ）に示すように、第１リンスノズル３から基板Ｗの中心に純水の吐出を開始させる。この際、開閉弁Ｖ２は、閉状態（ＯＦＦ）から開状態（ＯＮ）に操作される。ポンプＰ２は、純水供給源１５から第１リンスノズル３に向けて純水Ｌｐｗを送り出す。第１リンスノズル３からの純水の吐出は、所定の期間（時間Ｔ１〜時間Ｔ２）行われる。基板Ｗ上に着液した純水は、例えば基板Ｗの回転や基板Ｗに着液したときの衝撃によって、基板Ｗの表面に広げられる。
【００４２】
時間Ｔ２において、開閉弁Ｖ２は、開状態（ＯＮ）から閉状態（ＯＦＦ）に操作される。これにより、基板Ｗに対する純水の吐出が停止される。その後（時間Ｔ２の経過後）時間Ｔ３が経過する前に、図３に示す現像ノズル移動機構２３は、第１リンスノズル３に代えて、現像ノズル２を基板Ｗの中心ＣＴの上方に移動させる。
【００４３】
〔ステップＳ０２〕主現像工程（現像液吐出工程と現像液パドル工程）
主現像工程は、現像液吐出工程（時間Ｔ３〜時間Ｔ８）と現像液パドル工程（時間Ｔ８〜時間Ｔ１０）とを備えている。
【００４４】
時間Ｔ３において、制御部２９は、２０ｒｐｍで回転される基板Ｗの中心ＣＴに現像ノズル２から現像液Ｌｄｅｖの吐出を開始する。この際、開閉弁Ｖ１は、閉状態から開状態に操作される。ポンプＰ１は、現像液供給源１１から現像ノズル２に向けて現像液Ｌｄｅｖを送り出す。基板Ｗ上には、純水Ｌｐｗの膜が形成されており、現像ノズル２から吐出された現像液Ｌｄｅｖは、基板Ｗ上の純水Ｌｐｗの膜を介して、基板Ｗの中心ＣＴに着液する。現像液Ｌｄｅｖは、時間Ｔ３から時間Ｔ８までの間、吐出され続ける。
【００４５】
時間Ｔ４において、制御部２９は、現像液Ｌｄｅｖを吐出させながら、保持回転部５を操作することで基板Ｗの回転速度を２５００ｒｐｍに上げる。これにより、純水Ｌｐｗおよび現像液Ｌｄｅｖが基板Ｗ上に広げられ、余分な純水Ｌｐｗおよび現像液Ｌｄｅｖが基板Ｗ外に排出される。時間Ｔ５において、制御部２９は、保持回転部５を操作して、２５００ｒｐｍから７００ｒｐｍに基板Ｗの回転速度を下げる。
【００４６】
基板Ｗの回転速度が７００ｒｐｍとなった後の時間Ｔ６から時間Ｔ７の前までにおいて、現像ノズル２の１回の往復移動（往復スキャン）を行わせる。この際、往復移動は、基板Ｗの中心ＣＴから予め設定された距離（例えば１００ｍｍ）の範囲内で行われる。すなわち、現像ノズル２から吐出された現像液Ｌｄｅｖの着液位置が基板Ｗの外縁部Ｅまで行かない範囲内で、往復運動が行われる。これにより、現像処理によるレジストパターンの線幅の基板Ｗ面内の均一性を改善することができる。また、基板Ｗの外縁部Ｅとその付近まで現像ノズル２を移動させると、現像液Ｌｄｅｖのミストが舞いやすい。例えば乾燥工程の後などに基板Ｗ上に舞い降りると、基板Ｗに問題を与えてしまうおそれがある。現像ノズル２が基板Ｗの外縁部Ｅまで移動しないことで、現像液Ｌｄｅｖのミストの発生を抑制することができる。なお、現像ノズル２（現像液Ｌｄｅｖの着液位置）の往復移動は、１回に限られず、２回以上であってもよい。
【００４７】
時間Ｔ７において、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を７００ｒｐｍから３０ｒｐｍに下げる。これにより、基板Ｗ上から基板Ｗ外への現像液Ｌｄｅｖの排出量が抑えられて、基板Ｗ上に現像液Ｌｄｅｖの液盛り（パドル）が形成される。なお、余分な現像液Ｌｄｅｖは基板Ｗ外へ排出される。
【００４８】
時間Ｔ８において、現像ノズル２からの現像液Ｌｄｅｖの吐出を停止する。この際、開閉弁Ｖ１は、開状態から閉状態に操作される。また、基板Ｗ上に現像液Ｌｄｅｖの液盛りが形成された状態で、基板Ｗが引き続き回転される。時間Ｔ９において、保持回転部５は、３０ｒｐｍから１００ｒｐｍに基板Ｗの回転速度を上げる。これにより、基板Ｗ上に保持される現像液Ｌｄｅｖが少なくなる。なお、時間Ｔ８の経過後、時間Ｔ１０が経過する前に、図３に示すリンスノズル移動機構２５は、現像ノズル２に代えて、第２リンスノズル４を基板Ｗの中心ＣＴの上方に移動させる。なお、現像ノズル２は、現像ノズル移動機構２３によって待機位置に戻される。
【００４９】
〔ステップＳ０３〕リンス工程
次に、本発明の特徴部分であるリンス工程について説明する。時間Ｔ１０において、保持回転部５は、１００ｒｐｍから１０００ｒｐｍに基板Ｗの回転速度を上げる。また、時間Ｔ１０において、制御部２９は、第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。この際、開閉弁Ｖ３は、閉状態から開状態に操作される。ポンプＰ３は、界面活性剤リンス液供給源１９から第２リンスノズル４に界面活性剤リンス液Ｌｓｆを送り出す。
【００５０】
ここで、本発明の課題について説明する。例えばＥＵＶリソグラフィにおいて、基板Ｗに対して現像液Ｌｄｅｖが吐出されて主現像工程（現像処理）が行われた後、ＤＩＷなどの純水のみでリンス工程を行うと、レジストパターンのパターン倒れの課題が生じる。この課題を解決するために、リンス液として、界面活性剤リンス液Ｌｓｆが用いられている。しかしながら、界面活性剤リンス液Ｌｓｆは、レジストパターンを膨潤させたり、スリミングさせたりとレジストパターンの線幅に影響を与える。すなわち、レジストの材料との相性によって、レジストパターンの線幅が太くなったり細くなったりする。また、リンスノズルから基板の中心に界面活性剤リンス液が吐出され続けると、局所的に基板Ｗの中心ＣＴとその付近で線幅が太くなったり細くなったりする。そのため、基板全面における線幅が不均一であるという課題が存在する。
【００５１】
そこで、制御部２９は、現像処理（現像）を行った後に、図６のように、回転している基板Ｗ上の基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置５１に第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出の開始は、第２リンスノズル４から吐出された界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに最初に着液する領域である着液領域５３に基板Ｗの中心ＣＴが入らないように行われる。すなわち、この動作は、第２リンスノズル４から吐出された界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗの中心ＣＴに着液しないように行われる。なお、着液位置５１は、例えば、基板Ｗの中心ＣＴから１０ｍｍ離れた位置であるが、これに限定されない。着液位置５１は、例えば、着液領域５３に中心ＣＴが入らず、かつ、中心ＣＴから１０ｍｍ以内の位置であってもよい。
【００５２】
また、制御部２９は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに着液した直後から、基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆う。界面活性剤リンス液Ｌｓｆで基板Ｗの中心ＣＴを覆わせないと、現像液Ｌｄｅｖと、レジストの溶解生成物とを基板Ｗの中心ＣＴで洗い流すことができないためである。なお、第２リンスノズル４の吐出口の直径は、例えば、３ｍｍであり、第２リンスノズル４から吐出される界面活性剤リンス液Ｌｓｆの流量は、例えば、２ｃｃ／秒である。図４において、界面活性剤リンス液Ｌｓｆは、時間Ｔ１０から時間Ｔ１５までの間、吐出され続ける。
【００５３】
基板Ｗの回転速度が１０００ｒｐｍになった後の時間Ｔ１１において、図３に示すリンスノズル移動機構２５は、第２リンスノズル４を往復移動させる。制御部２９は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆った後、基板Ｗ上に当たった界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲内で界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１を往復移動させる。上述の界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲は、例えば、基板Ｗの中心ＣＴから１０ｍｍの範囲である。
【００５４】
図７（ａ）は、第２リンスノズル４から吐出されて基板Ｗ上に当たった界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れた場合を示す図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の平面図である。この場合、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで覆われていない基板Ｗの中心ＣＴとその付近で、基板Ｗが乾燥してしまう。仮に、基板Ｗの中心ＣＴとその付近が乾燥すると、現像液Ｌｄｅｖまたは界面活性剤リンス液Ｌｓｆの液中に残っていた例えばレジストの溶解生成物が基板Ｗの中心ＣＴとその付近に付着してしまう。レジストの溶解生成物が付着してしまうと、その後、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで洗い流すことが難しくなる。そのため、着液位置５１の移動中でも、基板Ｗの中心ＣＴが乾燥しないように、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで基板Ｗの中心ＣＴを覆わせる必要がある。
【００５５】
そのため、リンスノズル移動機構２５は、基板Ｗの中心ＣＴから例えば１０ｍｍの範囲内で、第２リンスノズル４、すなわち、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を往復移動させる。図８（ａ）、図８（ｂ）において、リンスノズル移動機構２５は、基板Ｗの中心ＣＴと、基板Ｗの中心ＣＴから距離ＲＤ１離れた位置との間で、着液位置５１（第２リンスノズル４）を往復移動させる。
【００５６】
また、図９（ａ）、図９（ｂ）のように、リンスノズル移動機構２５は、基板Ｗの中心ＣＴを含む直線状の経路ＲＴで着液位置５１（第２リンスノズル４）を往復移動させてもよい。その経路ＲＴは、基板Ｗの中心ＣＴを挟むように２つの折り返し位置５５Ａ，５５Ｂが設定されている。図９（ａ）、図９（ｂ）において、折り返し位置５５Ｂと基板Ｗの中心ＣＴとの間の距離ＲＤ２は、折り返し位置５５Ａと基板Ｗの中心ＣＴとの間の距離ＲＤ１よりも小さい。
【００５７】
図１０（ａ）、図１０（ｂ）のように、折り返し位置５５Ａと基板Ｗの中心ＣＴとの間の距離ＲＤ１は、折り返し位置５５Ｂと基板Ｗの中心ＣＴとの間の距離ＲＤ１と同じであってもよい。すなわち、リンスノズル移動機構２５は、距離ＲＤ１の円の直径に対応する経路ＲＴで、着液位置５１（第２リンスノズル４）を往復移動させてもよい。また、図１１（ａ）、図１１（ｂ）のように、２つの折り返し位置５５Ａ，５５Ｂを結ぶ直線状の経路ＲＴは、基板Ｗの中心ＣＴを通らなくてもよい。この場合、経路ＲＴは、距離ＲＤ３×２である。
【００５８】
なお、経路ＲＴは、直線状に限られず、例えば円弧状であってもよい。位置５１の移動は、往復移動に限られず、例えば、基板Ｗの中心ＣＴから１０ｍｍの範囲内で、三角形その他二次元状の線または図形を描くように位置５１を移動させてもよい。また、位置５１の移動は、直線状の経路ＲＴの往路だけであってもよい。また、経路ＲＴは、折り返し位置５５Ａの着液領域５３と折り返し位置５５Ｂの着液領域５３とが重ならないような距離で設定されるのが好ましい。例えば、経路ＲＴは、着液領域５３の幅の１／２よりも長い距離で設定される。
【００５９】
界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出時間によって、１回または複数回の往復移動が行われる。時間Ｔ１２において、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を１０００ｒｐｍから８００ｒｐｍに下げる。また、時間Ｔ１２から時間Ｔ１３までの間において、最後の往復移動の復路の移動が行われてもよい。その後、着液位置５１（第２リンスノズル４）は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出開始位置である基板Ｗの中心ＣＴから距離ＲＤ１（例えば１０ｍｍ）の位置に戻される。着液位置５１が吐出開始位置に戻された後の時間Ｔ１３において、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を８００ｒｐｍから５００ｒｐｍに更に下げる。回転速度を下げることにより、基板Ｗからの界面活性剤リンス液Ｌｓｆの排出を抑え、１０００ｒｐｍで基板Ｗを回転しているときよりも、基板Ｗ上に界面活性剤リンス液Ｌｓｆを保持する。
【００６０】
時間Ｔ１４から時間Ｔ１６までの間で、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を５００ｒｐｍから６５０ｒｐｍに段階的に上げる。時間Ｔ１５において、第２リンスノズル４からの界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を停止する。この際、開閉弁Ｖ３は、開状態から閉状態に操作される。第１リンスノズル３および第２リンスノズル４は、リンスノズル移動機構２５によって待機位置に戻される。
【００６１】
なお、図４におけるリンス工程において、基板Ｗは、５００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下で回転されている。この点、時間Ｔ１０における第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始した後、界面活性剤リンス液の吐出を停止するまで、基板Ｗは、５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下で回転されてもよい。また、着液位置５１（第２リンスノズル４）を往復移動させるとき、基板Ｗの回転速度は、８００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
〔ステップＳ０４〕乾燥工程
時間Ｔ１６において、保持回転部５は、６５０ｒｐｍから１８００ｒｐｍに基板Ｗの回転速度を上げる。更に、１８００ｒｐｍで基板Ｗを回転させている状態を所定期間、維持する。その後、時間Ｔ１７において、保持回転部５は、１８００ｒｐｍから２５００ｒｐｍに基板Ｗの回転速度を更に上げる。これにより、更に、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを基板Ｗ外に排出する。２５００ｒｐｍで基板Ｗを回転させている状態を所定時間、維持する。その後、時間Ｔ１８において、保持回転部５は、基板Ｗの回転を停止させる。なお、時間Ｔ１９において、実際に、基板Ｗは停止する（０ｒｐｍ）。
【００６３】
基板Ｗの回転が停止した後、すなわち、ステップＳ０１〜ステップＳ０４の現像処理が終了した後、保持回転部５は、基板Ｗの保持を解除する。図示しない搬送機構は、保持回転部５のスピンチャック７上の基板Ｗを例えば他の処理部に移動させる。
【００６４】
本実施例によれば、基板Ｗに対して現像液Ｌｄｅｖを供給して現像処理を行った後、回転している基板Ｗ上の基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置に第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。この動作は、第２リンスノズル４から吐出された界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに最初に着液する領域である着液領域５３に基板Ｗの中心ＣＴが含まれないように行われる。これにより、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１が分散されるので、基板Ｗの中心ＣＴとその付近（周辺）で局所的にレジストパターンの線幅が太くなったり細くなったりすることが抑制される。また、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１を往復移動させることにより、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１を更に分散させることができる。そのため、リンス処理における基板Ｗ面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【００６５】
また、基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆うので、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを基板Ｗの中心ＣＴから外した位置に吐出しても、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで基板Ｗの中心ＣＴを洗浄することができる。
【００６６】
また、本実施例に係る現像方法は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆わせた後、第２リンスノズル４から吐出されて基板Ｗ上に到着した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲内（基板Ｗの中心ＣＴから予め設定された距離ＲＤ１の範囲内）で、第２リンスノズル４から吐出されて基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１を往復移動させている。
【００６７】
界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を往復移動させている間に、基板Ｗの中心ＣＴとその付近で基板Ｗ表面が乾燥すると、残っている例えばレジスト溶解生成物が基板Ｗの中心ＣＴとその付近に付着してしまうおそれがある。この付着物は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで容易に洗い流すことができない。基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲内（基板Ｗの中心ＣＴから予め設定された距離ＲＤ１の範囲内）で、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を往復移動させることで、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を往復移動させていても、常に基板Ｗの中心ＣＴには、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで覆われる。そのため、基板Ｗの中心ＣＴが乾燥せず、例えばレジスト溶解生成物が付着することを防止し、その付着物による欠陥を軽減することができる。
【００６８】
また、着液位置５１の往復移動は、基板Ｗの中心ＣＴを挟むように２つの折り返し位置が設定されている、基板Ｗの中心ＣＴを含む経路で、第２リンスノズル４から吐出されて基板Ｗ上に到着した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を往復移動させている。
【００６９】
例えば、仮に基板Ｗの中心ＣＴに往復移動の折り返し位置が存在すると、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３が基板Ｗの中心ＣＴに存在する時間が比較的長くなる。しかし、本実施例では、基板Ｗの中心ＣＴを挟むように設定された２つの折り返し位置の間で往復移動が行われるので、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置が基板Ｗの中心ＣＴに存在する時間が比較的短くなり、基板Ｗの中心ＣＴとその付近で局所的にレジストパターンの線幅が細くなったり太くなったりすることを軽減させることができる。なお、本発明は、ＥＵＶリソグラフィに限定されない。
【００７０】
＜実験結果＞
ここで、実験結果について説明する。図１２（ａ）は、各条件に対するレジストパターンの線幅（ＣＤ：Critical Dimension）の平均値を示す図である。図１２（ｂ）は、各条件に対するレジストパターンの線幅の３sigmaを示す図である。
【００７１】
図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、図４に示す現像工程によって基板Ｗを処理した後、レジストパターンの線幅を基板Ｗの面内で数十点計測して得られた結果である。「１０ｓ」、「３０ｓ」、「６０ｓ」は、１０秒、３０秒、６０秒である。図１３に示すように、第２リンスノズル４からの界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出時間を変えている。また、「１０ｓ」、「３０ｓ」、「６０ｓ」は、基板Ｗの中心ＣＴに界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出している。これに対し、「ＳＣＡＮ３０ｓ」は、基板Ｗの中心ＣＴに界面活性剤リンス液Ｌｓｆを約３０秒吐出し、その後、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出しつつ約３０秒の中で３回の往復移動（１０ｍｍ）させることを示している。
【００７２】
図１２（ａ）を参照する。１０秒、３０秒、６０秒と吐出時間が長くなるほど、レジストパターンの線幅の平均値が細くなっている。なお、６０秒の結果と、「ＳＣＡＮ３０ｓ」の結果は、ほぼ同じである。これは、「ＳＣＡＮ３０ｓ」が合計で約６０秒、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出しているためである。
【００７３】
図１２（ｂ）を参照する。１０秒、３０秒、６０秒と吐出時間が長くなるほど、３sigmaの値（均一性）が大きくなっている。また、「ＳＣＡＮ３０ｓ」の３sigmaの結果は、「１０ｓ」、「３０ｓ」、「６０ｓ」の結果よりも小さい。すなわち、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを基板Ｗの中心ＣＴに吐出し続ける場合よりも基板Ｗの中心ＣＴから界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を移動させる方が基板Ｗ面内のレジストパターンの線幅均一性を改善することができる。
【００７４】
なお、図１２（ａ）、図１２（ｂ）では、界面活性剤リンス液ＳＦの着液位置５１を往復移動させる前に、基板Ｗの中心ＣＴに界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始している。図１２（ａ）、図１２（ｂ）の効果をより確実にするために、本発明では、基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置５１に第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始している。
【００７５】
図１４は、往復移動の距離を変化させたときの欠陥数と欠陥マップを示す図である。現像液Ｌｄｅｖを供給して現像処理した後に、基板Ｗの中心ＣＴに界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。その後、「０ｍｍ（ｃｅｎｔｅｒ）」では往復移動させず、「１０ｍｍ」、「３０ｍｍ」では、その距離で往復移動させている。
【００７６】
図１４を参照する。欠陥は、例えばレジストの溶解生成物の残りである。「０ｍｍ（ｃｅｎｔｅｒ）」、「１０ｍｍ」、「３０ｍｍ」は共に、基板Ｗの全体的に欠陥が現れる。「１０ｍｍ」の欠陥数は、「０ｍｍ（ｃｅｎｔｅｒ）」および「３０ｍｍ」の欠陥数よりも少ない。「０ｍｍ（ｃｅｎｔｅｒ）」では、特に基板Ｗの中心付近に多く欠陥が現れる。「３０ｍｍ」では、図７に示すように、ドーナツ状に欠陥ＤＦが分布する。このドーナツ状の欠陥分布は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れるのが原因であると考えられる。
【００７７】
図１４の結果より、基板Ｗの中心ＣＴからの距離が大きい往復移動の場合は、ドーナツ状の欠陥分布が現れ、レジストパターンの線幅均一性とは別の問題が生じる。そのため、ドーナツ状の欠陥分布が現れない基板Ｗ中心ＣＴからの距離ＲＤ１の範囲内、すなわち、到着した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲内で、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１（第２リンスノズル４）の往復移動を行う必要がある。
【実施例２】
【００７８】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図１５は、実施例２に係る現像工程を示すタイミングチャートの一例を示す図である。
【００７９】
実施例１のリンス工程では、基板Ｗに対して界面活性剤リンス液Ｌｓｆのみが供給されていた。この点、実施例２のリンス工程では、基板Ｗに対して純水Ｌｐｗが供給された後、界面活性剤リンス液Ｌｓｆが供給されてもよい。
【００８０】
ここで、リンス処理において、純水Ｌｐｗと界面活性剤リンス液Ｌｓｆが用いられる理由を説明する。レジストパターンのパターン倒れは、基板Ｗに純水Ｌｐｗを供給してリンス処理を行っている最中に発生するというよりは、乾燥処理で基板Ｗが乾燥されるときに発生する。このパターン倒れを防止するために、リンス処理は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを用いて行われる。しかしながら、界面活性剤リンス液Ｌｓｆは、純水Ｌｐｗよりも費用がかかる。そのため、純水Ｌｐｗによるリンス処理と乾燥処理の間に、界面活性剤リンス液Ｌｓｆによるリンス処理を有する手法が採用されている。
【００８１】
図１５は、実施例２に係る現像工程を示すタイミングチャートの一例である。図１５において、プリウェット工程（時間Ｔ０〜時間Ｔ３）、主現像工程（時間Ｔ３〜時間Ｔ１０）、乾燥工程（時間Ｔ１６〜時間Ｔ１９）は、実施例１と同じ動作であるので、それらの説明を省略する。
【００８２】
図１５において、時間Ｔ８の経過後、時間Ｔ１０が経過する前に、図３に示すリンスノズル移動機構２５は、現像ノズル２に代えて、第１リンスノズル３を基板Ｗの中心ＣＴ付近の上方に移動させる。すなわち、リンスノズル移動機構２５は、第１リンスノズル３を基板Ｗの中心ＣＴを狙える位置（図２（ａ）参照）に移動させる。
【００８３】
〔ステップＳ０３〕リンス工程
時間Ｔ１０において、保持回転部５は、１００ｒｐｍから１０００ｒｐｍに基板Ｗの回転速度を上げる。また、時間Ｔ１０において、制御部２９は、基板Ｗの中心ＣＴに、第１リンスノズル３から純水Ｌｐｗの吐出を開始する。その後、時間Ｔ１０Ａまで、第１リンスノズル３から純水Ｌｐｗが吐出されている状態で、保持回転部５は、１０００ｒｐｍ（第１の回転速度）で基板Ｗを回転させる。
【００８４】
時間Ｔ１０Ａにおいて、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を１０００ｒｐｍから１８００ｒｐｍ（第２の回転速度）に上げる。時間Ｔ１０Ｂにおいて、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を１８００ｒｐｍから１０００ｒｐｍに下げる。すなわち、保持回転部５は、純水Ｌｐｗの吐出を開始した後、純水Ｌｐｗが吐出されている状態で、予め設定された期間（時間Ｔ１０Ａ〜時間Ｔ１０Ｂ）、１０００ｒｐｍよりも速い１８００ｒｐｍで基板Ｗを回転させる。これにより、現像液Ｌｄｅｖ中または純水Ｌｐｗ中に存在するレジストの溶解生成物などのスカム（またはダスト）を基板Ｗ外へ排出しやすくすることができる。
【００８５】
なお、第２の回転速度（１８００ｒｐｍ）は、第２リンスノズル４の往復移動時（時間Ｔ１１〜時間Ｔ１２）の回転速度（８００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下）よりも速い回転速度である。また、図１５の時間Ｔ１０Ａと時間Ｔ１０Ｂと間に示されるＶ字の二点鎖線ＣＬのように、回転速度を１８００ｒｐｍから１０００ｒｐｍに下げ、再び、回転速度を１０００ｒｐｍから１８００ｒｐｍに上げてもよい。すなわち、回転速度を１０００ｒｐｍから１８００ｒｐｍに上げる動作を２回行っている。この動作は２回に限られず、３回以上であってもよい。
【００８６】
時間Ｔ１０Ｂの後でかつ基板Ｗの回転速度が１０００ｒｐｍに戻った後に、第１リンスノズル３による純水Ｌｐｗの吐出から第２リンスノズル４による界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出に切り換える。切換の時間Ｔ１０Ｃまでに、リンスノズル移動機構２５は、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４が設けられた支持ブロック２７を第１方向に移動させる。これにより、第１リンスノズル３から吐出される純水Ｌｐｗの着液位置６１を、基板Ｗの中心ＣＴから距離ＲＤ１（例えば１０ｍｍ）離れた位置に移動させる（図１６（ｂ）参照）。この際、基板Ｗ状に当たった純水Ｌｐｗの広がりで基板Ｗの中心ＣＴが覆われる。
【００８７】
図１６（ａ）は、第１リンスノズル３から基板Ｗの中心ＣＴに純水Ｌｐｗを吐出している様子を示す図である。第１リンスノズル３から吐出される純水Ｌｐｗの着液位置６１は、基板Ｗの中心ＣＴにほぼ一致する。図１６（ｂ）は、純水Ｌｐｗの着液位置６１が中心ＣＴから距離ＲＤ１離れた位置に移動された状態を示す図である。図１６（ｃ）は、図１６（ｂ）の第１リンスノズル３による純水Ｌｐｗの吐出から第２リンスノズル４による界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出に切り換える動作を示す図である。時間Ｔ１０Ｃにおいて、純水Ｌｐｗの吐出を停止するとほぼ同時に、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。
【００８８】
時間Ｔ１０Ｃの界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出後でかつ、界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに着液した直後から、基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴが覆われる。
【００８９】
時間Ｔ１１において、リンスノズル移動機構２５は、図８（ａ）、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）の実施例１の往復動作のように、第２リンスノズル４を往復移動させる。すなわち、制御部２９は、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆わせた後、基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲内で界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３の位置５１を往復移動させる。すなわち、中心ＣＴから予め設定された距離（例えば１０ｍｍ）の範囲内で、位置５１を往復移動させる。
【００９０】
時間Ｔ１２〜時間Ｔ１６のリンス工程は、実施例１の動作と同じであるので、この説明を省略する。
【００９１】
本実施例によれば、現像処理を行った後、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出開始前に、回転している基板Ｗ上に第１リンスノズル３から純水Ｌｐｗの吐出を開始している。界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出の開始は、純水Ｌｐｗの吐出を停止すると同時に行われている。これにより、純水Ｌｐｗと界面活性剤リンス液Ｌｓｆを用いたリンス処理を行うことができる。
【００９２】
また、第１リンスノズル３からの純水Ｌｐｗの吐出を開始し、第１の回転速度で基板Ｗを回転させた後、純水Ｌｐｗが吐出されている状態で予め設定された期間、第１の回転速度から第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で基板Ｗを回転させている。すなわち、第１の回転速度で回転している基板Ｗに対して純水Ｌｐｗでリンス処理しているときに、予め設定された期間、基板Ｗの回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に上げている。これにより、例えばレジストの溶解生成物を基板Ｗ外へ排出し易くすることができる。
【００９３】
なお、図２（ａ）、図１６（ａ）に示す第１リンスノズル３は、基板Ｗの表面に対して垂直ではなく、傾斜して純水Ｌｐｗを吐出していた。この点、図１７（ａ）、図１７（ｂ）のように、第１リンスノズル３は、基板Ｗの表面に対して垂直に純水Ｌｐｗを吐出してもよい。この場合、第２リンスノズル４は、第１リンスノズル３に対して、距離ＲＤ１（例えば１０ｍｍ）以内の位置で支持ブロック２７に設けられている。更に、純水Ｌｐｗの着液位置６１が基板Ｗの中心ＣＴに存在しているときに、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液領域５３が基板Ｗの中心ＣＴを含まないような位置に界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出するように、第２リンスノズル４は支持ブロック２７に設けられている。
【００９４】
この場合における切り換える動作を説明する。図１７（ａ）のように、純水Ｌｐｗは、基板Ｗの中心ＣＴに吐出されている。図１７（ｂ）のように、純水Ｌｐｗの吐出から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出に切り換える。界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１は、支持ブロック２７を移動させずに、基板Ｗの中心ＣＴから距離ＲＤ１離れた位置となる。なお、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）の手法と図１７（ａ）、図１７（ｂ）の手法とを組み合わせてもよい。
【００９５】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００９６】
（１）上述した各実施例では、図４および図１５に示される第２リンスノズル４の往復移動期間（時間Ｔ１１〜時間Ｔ１３）において、基板Ｗの回転速度は、１０００ｒｐｍまたは８００ｒｐｍであった。この点、図１５の時間Ｔ１０Ａ〜時間Ｔ１０Ｃのように、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始した後、１０００ｒｐｍ（第１の回転速度）で基板Ｗを回転させる。その後、界面活性剤リンス液Ｌｓｆが吐出されている状態で予め設定された期間、１０００ｒｐｍ（第１の回転速度）から例えば１８００ｒｐｍ（第１の回転速度よりも速い第２の回転速度）で基板Ｗを回転させてもよい。
【００９７】
第２リンスノズル４の往復移動の際に、基板Ｗを高速回転させると、基板Ｗの中心ＣＴとその付近が乾燥してしまう可能性がある。そのため、第２リンスノズル４の往復移動の際に、制御部２９は、基板Ｗの中心ＣＴとその付近が乾燥しないように、第２リンスノズル４の折り返し位置５５Ａ，５５Ｂ、回転速度、および吐出流量などを制御する。また、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１が基板Ｗの中心ＣＴを通過するタイミングに合わせて、第１の回転速度から第２の回転速度に上げてもよい。第１の回転速度から第２の回転速度に上げることにより、例えばレジストの溶解生成物を基板Ｗ外に排出し易くなる。
【００９８】
（２）上述した各実施例および変形例（１）では、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆った後、第２リンスノズル４から吐出されて基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１を往復移動させていた。この点、界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに着液した直後から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を停止するまで、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置を移動せずに固定してもよい。すなわち、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始してから界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を停止するまで、第２リンスノズル４を移動させずに固定する。
【００９９】
これにより、基板Ｗに対して現像液Ｌｄｅｖを供給して現像処理を行った後、回転している基板Ｗ上の基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置に第２リンスノズル４から界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を開始する。この動作は、第２リンスノズル４から吐出された界面活性剤リンス液Ｌｓｆが基板Ｗに最初に着液する領域である着液領域５３に基板Ｗの中心ＣＴが入らないように行われる。これにより、界面活性剤リンス液の着液領域の位置が分散されるので、基板Ｗの中心ＣＴとその付近で局所的にレジストパターンの線幅が太くなったり細くなったりすることが抑制される。そのため、リンス処理における基板Ｗ面内のレジストパターンの線幅均一性を改善させることができる。
【０１００】
また、基板Ｗ上に着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆うので、界面活性剤リンス液Ｌｓｆを基板Ｗの中心ＣＴから外した位置に吐出しても、界面活性剤リンス液Ｌｓｆで基板Ｗの中心ＣＴを洗浄することができる。
【０１０１】
（３）上述した各実施例および各変形例では、図４、図１５のように、時間Ｔ１２〜時間Ｔ１６における回転速度は、１０００ｒｐｍ未満であったが、これに限定されない。例えば、時間Ｔ１２〜時間Ｔ１６における回転速度は、１０００ｒｐｍであってもよい。この場合、時間Ｔ１６において、保持回転部５は、基板Ｗの回転速度を１０００ｒｐｍから１８００ｒｐｍに上げる。
【０１０２】
（４）上述した各実施例および各変形例では、図３に示す平面移動機構４５は、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４等を第１方向（例えばＸ方向）に移動させていた。この点、平面移動機構４５は、第１方向に加えて、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に第１リンスノズル３および第２リンスノズル４を移動させるように構成されてもよい。
【０１０３】
また、上述した各実施例では、第２リンスノズル４は、基板Ｗの表面に対して垂直に界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出していたが、これに限られるものではなく、吐出開始直後の着液領域５３が基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置となる限り、基板Ｗの表面に対して傾斜して界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出するようにしてもよい。
【０１０４】
（５）上述した各実施例および各変形例では、図３に示すリンスノズル移動機構２５の平面移動機構４５は、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４等を第１方向（例えばＸ方向）に移動させていた。このような構成に代えて、リンスノズル移動機構２５は、図３において、基板Ｗの外側に配置された回転シャフト周りに、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４を回転（移動）させるように構成されていてもよい。また、リンスノズル移動機構２５は、多関節アームを備えていてもよい。これらの場合、リンスノズル移動機構２５は、電動モータを備えている。
【０１０５】
また、現像ノズル２、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４は個々に、移動されるように構成されていてもよい。また、現像ノズル２は、第１リンスノズル３および第２リンスノズル４の少なくとも一方と一体的に移動されるように構成されていてもよい。
【０１０６】
（６）上述した各実施例および各変形例では、プリウェット工程、現像工程および図１５に示す時間Ｔ１０〜時間Ｔ１０Ｃの純水Ｌｐｗを吐出する工程において、現像液Ｌｄｅｖまたは純水Ｌｐｗは、基板Ｗの中心ＣＴに吐出されていた。この点、回転されている基板Ｗ上の基板Ｗの中心ＣＴから外れた位置に第１リンスノズル３から純水Ｌｐｗの吐出を開始してもよい。この動作は、第１リンスノズル３から吐出された純水Ｌｐｗが基板Ｗに最初に着液する領域である着液領域に基板Ｗの中心ＣＴが入らないように行われる。また、純水Ｌｐｗが基板Ｗに着液した直後から、基板Ｗ上に着液した純水Ｌｐｗの広がりで基板Ｗの中心ＣＴを覆わせてもよい。現像液Ｌｄｅｖの場合も同様である。
【０１０７】
（７）上述した各実施例および各変形例では、界面活性剤リンス液Ｌｓｆの着液位置５１は、次のように移動された。すなわち、例えば図４に示す時間Ｔ１０において、基板Ｗの中心ＣＴから外れた着液位置５１（例えば、中心ＣＴから１０ｍｍ離れた位置）に界面活性剤リンス液Ｌｓｆを吐出する。時間Ｔ１１において、基板Ｗに着液した界面活性剤リンス液Ｌｓｆの広がりが基板Ｗの中心ＣＴから外れない範囲内（例えば、中心ＣＴから１０ｍｍの範囲内）で着液位置５１を１回または複数回、往復移動させる。その後、着液位置５１を最初の着液位置（例えば、中心ＣＴから１０ｍｍ離れた位置）に戻す。
【０１０８】
すなわち、着液位置５１の往復移動は、回数で決まっていた。これに限定されない。例えば、着液位置５１の往復移動は、期間で決まってもよい。すなわち、例えば図４において、時間Ｔ１１の往復移動の開始から時間Ｔ１５の界面活性剤リンス液Ｌｓｆの吐出を停止するまで、着液位置５１（第２リンスノズル４）を移動させ続けてもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１        …  現像装置
３        …  第１リンスノズル
４        …  第２リンスノズル
５        …  保持回転部
２５      …  リンスノズル移動機構
２９      …  制御部
５１，６１  …  着液位置
５３      …  到着領域
５５Ａ，５５Ｂ  …  折り返し位置
Ｌｐｗ      …  純水
Ｌｓｆ      …  界面活性剤リンス液
ＣＴ      …  中心
ＲＴ      …  経路
ＲＤ１〜ＲＤ３  …  距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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