(57)【要約】  液体又は固体キセノンを生成するための装置は、気体キセノンを受け入れるための入口（１４）と、減少された温度で気体キセノンを真空チャンバ（６０）に配置されたノズルに出力するための出口（１６）とを有するダクト（１２）を含む。ハウジング（１８）は、ダクトの周りを延び、ダクトと熱的に接触するハロカーボン冷却剤と、液体窒素の流れをハウジング（１８）を通して運んでハロカーボンの温度を制御するためにハロカーボン冷却剤と熱的に接触する第２ダクト（２４）を含む。ダクトから出力されたキセノンガスの圧力とチャンバ内の圧力との差から、そのように冷却された気体が、ノズルの近傍で液化され又は固化されることになる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせるためのシステムであって、気体キセノンが真空チャンバに入ったときに該チャンバ内で液化又は固化する圧力及び温度まで気体キセノンの流れを加圧し、かつ、冷却するための手段を含むシステム。
【請求項２】
前記気体キセノンの流れを前記チャンバから前記加圧・冷却手段に引き出すためのポンプ手段と、前記加圧され冷却された気体キセノンを前記チャンバに戻すための手段とを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせるシステムであって、前記チャンバから気体キセノンの流れを引き出すためのポンプ手段と、前記気体の流れを加圧するための手段と、前記加圧された気体の流れを冷却して前記チャンバに戻し、前記チャンバに戻された気体キセノンを前記チャンバ内で液化又は固化させるための手段とを含むシステム。
【請求項４】
前記ポンプ手段が、前記チャンバに１０００ｍｂａｒから１０-10ｍｂａｒの範囲内の圧力を生じさせるように配置されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記チャンバに戻された加圧気体流の温度が、大気温度から−１５０℃の範囲内、好ましくは−５０℃から−１１０℃の範囲内となるように、冷却手段を制御するための手段を含むことを特徴とする上記請求項のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記加圧手段が、気体の流れを、１から１００ｂａｒまでの範囲内、好ましくは２から６０ｂａｒまでの範囲内に加圧するように配置されることを特徴とする上記請求項のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記冷却手段が、加圧ガス流を受け入れるための入口と前記チャンバに流れを戻すための出口とを有する、ダクトの周りを延びるハウジングを含み、前記ハウジングが、流れを冷却するための少なくとも１つの冷却剤を収容することを特徴とする上記請求項のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記ハウジングが、前記ダクトと熱的に接触する第１の冷却剤と、前記ダクトの周りを延び、第２の冷却剤の流れを前記ハウジング内に運んで第１の冷却剤の温度を制御するための手段とを含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ハウジングは、第１区域と、第１区域より小さく出口の付近にある第２区域を含み、前記第１区域が、前記ハウジング内に第２冷却剤を運ぶための手段を含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
流体の流れを冷却するための装置であって、流体の流れを受け入れるための入口と出口とを有するダクトと、前記ダクトの周りを延びるハウジングとを含み、前記ハウジングは、流体の流れを冷却するために前記ダクトと熱的に接触する第１冷却剤を含み、前記ハウジングは、第１区域と第１区域より小さく出口の付近にある第２区域を含み、前記第１区域は、前記第１冷却剤と熱的に接触した状態で第２冷却剤の流れを前記ハウジング内に運んで前記第１冷却剤の温度を制御するための手段を含む装置。
【請求項１１】
前記第１区域が、前記第２区域より大きい外径を有することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載のシステム又は装置。
【請求項１２】
前記運ぶ手段が、前記第１ダクトの周りを延びる第２ダクトを含むことを特徴とする請求項９から請求項１１までのいずれかに記載のシステム又は装置。
【請求項１３】
前記第２ダクトが、前記第１ダクトへの入口の近くにある入口と前記ハウジングの第２区域の近くにある出口とを有する螺旋ダクトを含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム又は装置。
【請求項１４】
前記ハウジングの第２区域が、前記ダクトを通る流体の流れの方向に、好ましくは０．２５ｍから１．５ｍの範囲内、より好ましくは０．４ｍから０．７５ｍの範囲内の長さを有することを特徴とする請求項９から請求項１３までのいずれかに記載のシステム又は装置。
【請求項１５】
前記第１冷却剤が、好ましくはテトラフルオロメタンであるハロカーボンを含むことを特徴とする請求項８から請求項１４までのいずれかに記載のシステム又は装置。
【請求項１６】
前記第２冷却剤が、好ましくは液体窒素である液体冷却剤を含むことを特徴とする請求項８から請求項１５までのいずれかに記載のシステム又は装置。
【請求項１７】
前記運ぶ手段内の前記第２冷却剤の流速を制御する手段を含むことを特徴とする請求項８から請求項１６までのいずれかに記載のシステム又は装置。
【請求項１８】
前記出口が、該出口にノズルを取り付けるための手段を有することを特徴とする請求項７から請求項１７までのいずれかに記載のシステム又は装置。
【請求項１９】
チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせるための装置であって、気体キセノンの加圧された流れを受け入れるための入口を有する第１ダクトと、前記ダクトの周りを延び、前記ダクトと熱的に接触した状態で気体キセノンを冷却するための第１冷却剤を収容するハウジングと、前記第１冷却剤と熱的に接触した状態で第２冷却剤の流れをハウジング内に運んで第１冷却剤の温度を制御するための第２ダクトであって、気体の流れをチャンバに出力するための出口を有する第２ダクトとを含み、使用の際に、前記チャンバ内の圧力と気体の流れの圧力との間の差が、流れを前記チャンバ内で液化又は固化させる大きさにされる、装置。
【請求項２０】
真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせる方法であって、チャンバから気体キセノンの流れを引き出し、気体の流れを加圧し、加圧された気体の流れを冷却し、そのように冷却され加圧された気体の流れをチャンバに戻し、チャンバに戻された気体キセノンをチャンバ内で液化又は固化させることを含む方法。
【請求項２１】
流体の流れを冷却する方法であって、流体の流れを受け入れるための入口と流れを放出するための出口とを有するダクトと、ダクトの周りを延び、ダクトと熱的に接触した状態で流体の流れを冷却するための第１冷却剤を収容し、第１区域と、第１区域より小さく出口の付近にある第２区域とを含むハウジングとを通して流体を流すことを含み、そしてまた、第１冷却剤の温度を制御するために第２冷却剤の流れをハウジングの第１区域を通して運ぶことを含む、方法。
【請求項２２】
液体又は固体キセノンの流れを生じさせる方法であって、ダクトが該ダクトの周りを延びるハウジングを有し、該ハウジングが気体の流れを冷却するためにダクトと熱的に接触する第１冷却剤を収容している状態で、ダクトに流れを供給し、第１冷却剤の温度を制御するために第１冷却剤と熱的に接触する第２冷却剤の流れをハウジングを通して運び、気体キセノンの流れを出口からチャンバに出力することによって気体キセノンの流れを冷却することを含み、前記チャンバの圧力が、流れがチャンバ内で液化又は固化されるような程度にされる、方法。
【請求項２３】
真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせる方法であって、キセノンの気体の流れを、真空チャンバに入ったときに該チャンバ内で液化し又は固化する圧力及び温度まで加圧し、冷却することを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体又は固体キセノンの流れを生じさせるためのシステムに関し、そしてまた、例えばキセノンのような不活性ガスの流体の流れを冷却して極紫外線（ＥＵＶ）放射を発生させるためのターゲットをもたらす装置及び方法に関する。
【０００２】
極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）は、集積回路の製造中に印刷可能なフィーチャの寸法の縮小をもたらすために１１から１４ｎｍの範囲内の波長を用いることによって、光リソグラフィの現在の技術を拡張する。ＥＵＶＬのためにＥＵＶ放射を発生させる公知の方法は、ターゲット上に放電するか又はレーザビームを合焦するものである。ターゲットは、典型的には、スズ又はリチウムといった金属から、又はキセノンのような不活性ガスから形成される。しかしながら、金属ターゲットの使用の結果として、ターゲットの表面から小さな粒子、原子及びイオンといった望ましくない破片が蒸発し、該破片が、ビームをターゲット上に合焦するのに用いられる精密な光学部品上に堆積することがある。金属ターゲットの使用はまた、レーザビームをターゲット表面上に合焦するために比較的複雑な光学系を必要とする。これらの問題は、ターゲット材料としてキセノンのような不活性ガスを用いることによって克服される。
【０００３】
ＥＵＶ放射を発生させるためのターゲット材料としてキセノンを用いるシステムにおいては、キセノンのストリームが、ノズルからチャンバに放出される。ＥＵＶ放射は、キセノンを通る透過率が低いので、キセノンプラズマが発生させられることになる位置の近傍に減少された圧力を発生させるために、ポンプシステムを用いる必要がある。さらに、ノズル位置とプラズマ位置との間の距離は、レーザビームによるノズルの消耗を避けるのに十分な大きさであるべきである。実際には、この位置の場所は、ノズルから出力されたストリームの密度に依存し、出力されたストリームの密度が増加するのに伴って、ノズル位置とプラズマ位置との間の距離も増加する。
【０００４】
本発明の少なくとも好ましい実施形態の目的は、キセノンプラズマが発生させられる位置がノズルから十分に離間され、ノズル損傷が最小になった装置を提供することである。
【０００５】
ＥＵＶ放射を発生させるためのターゲット材料としてキセノンを用いることに関連する１つの問題は、大気中にあるキセノンの濃度が非常に低い（およそ０．０８７ｐｐｍ）ために、金属ターゲットに比べて材料のコストが比較的高いことである。したがって、本発明の少なくとも好ましい実施形態の別の目的は、キセノンが真空チャンバから取り出され、再循環されてチャンバに戻されることを可能にするシステムを提供することである。
【０００６】
１つの態様において、本発明は、真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせるシステムであって、チャンバから気体キセノンの流れを引き出すためのポンプ手段と、気体の流れを加圧するための手段と、加圧された気体の流れを冷却してチャンバに戻し、チャンバに戻された気体キセノンをチャンバ内で液化又は固化させるための手段とを含むシステムを提供する。
【０００７】
したがって、本発明は、ポンプシステム、圧縮器、及び再循環されたキセノンを液化又は固化するための低温ランスのような装置を用いて、キセノンの再循環を可能にすることができる。これは、高価なキセノンガスを再循環させることによって製造コストを大きく低下させるとともに、チャンバ内のキセノンターゲットの密度を増加させることができ、例えば、液体形態のキセノンのストリームはおよそ３０５７ｋｇ／ｍ3（標準圧力及び沸点において）の密度を有し、気体形態のキセノンはおよそ５．５４ｋｇ／ｍ3（標準圧力及び室温において）の密度を有する。固体キセノンに関しては、密度は、温度と圧力の両方と共に変化するが、標準圧力及び沸点における液体キセノンの密度より高い。液体及び固体キセノンの比較的高い密度は、キセノンプラズマが発生させられる位置とキセノンがチャンバに入る入口点との間の距離を十分に大きくして（典型的には少なくとも１０ミリメートル）、プラズマ発生中に生じる破片の量が最小になるようにすることを可能にする。
【０００８】
気体キセノンを加圧し冷却して、キセノンの液体又は固体ストリームを与えることは、気体キセノンの再循環とは分離して与えられ、それゆえ、本発明はまた、真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせるためのシステムであって、気体キセノンの流れを、気体キセノンが真空チャンバに入ったときに該チャンバ内で液化又は固化する圧力及び温度まで加圧し、冷却するための手段を含むシステムも提供する。
【０００９】
好ましくは、ポンプ手段は、チャンバ内に大気圧からおよそ１０-10ｍｂａｒの超高真空までの範囲内の、好ましくは１０００ｍｂａｒから１０-10ｍｂａｒの範囲内の、より好ましくは１０００ｍｂａｒから１０-2ｍｂａｒの範囲内の圧力を生じさせるように配置される。チャンバ内へのキセノンの流速は、１０００ｍｂａｒから１０-2ｍｂａｒの範囲内のチャンバ圧力のとき、数（例えば４）ｓｌｐｍほどの高さとすることができる。
【００１０】
システムは、チャンバに戻された加圧気体流の温度が、好ましくは大気温度から−１５０℃の範囲内、より好ましくは−５０℃から−１１０℃の範囲内となるように、冷却手段を制御するための手段を含む。この温度範囲内では、チャンバが大気圧のとき又は大気圧付近のときには、液体キセノンのストリームがチャンバに入ることになり、圧力が大気圧より低いときには、液体及び／又は固体キセノンのストリームがチャンバに入ることになる。
【００１１】
加圧手段は、気体の流れを、好ましくは１から１００ｂａｒまでの範囲内、より好ましくは２から６０ｂａｒまでの範囲内、最も好ましくは２から２０ｂａｒまでの範囲内に加圧するように配置される。
【００１２】
１つの好ましい配置においては、冷却手段は、加圧ガス流を受け入れるための入口とチャンバに流れを戻すための出口とを有する、ダクトの周りを延びるハウジングを含み、該ハウジングは、流れを冷却するための少なくとも１つの冷却剤を収容する。ハウジングは、ダクトと熱的に接触する第１の冷却剤と、ダクトの周りを延び、第２の冷却剤の流れをハウジング内に運んで第１の冷却剤の温度を制御するための手段とを含むことが好ましい。これは、ダクトから放出された気体キセノンの温度を注意深く制御することを可能にする。
【００１３】
ハウジングは、第１区域と、第１区域より小さく出口の付近にある第２区域を含むことが好ましく、第１区域は、ハウジング内に第２冷却剤を運ぶための手段を含む。
【００１４】
本発明はまた、不活性ガスの流れのような流体の流れを冷却するための装置を提供し、該装置は、流体の流れを受け入れるための入口と出口とを有するダクトと、ダクトの周りを延びるハウジングとを含み、ハウジングは、流体の流れを冷却するためにダクトと熱的に接触する第１冷却剤を含み、ハウジングは、第１区域と第１区域より小さく出口の付近にある第２区域を含み、第１区域は、第１冷却剤と熱的に接触した状態で第２冷却剤の流れをハウジング内に運んで第１冷却剤の温度を制御するための手段を含む。
【００１５】
第１区域は、第２区域より大きい外径を有することが好ましい。好ましい実施形態においては、第１区域は、およそ６３．５ｍｍ（２．５インチ）の外径を有し、第２区域は、およそ１９ｍｍ（０．７５インチ）の外径を有する。
【００１６】
運ぶ手段は、最初に述べたダクトの周りを延びる第２ダクトを含むことが好ましい。好ましい実施形態においては、第２ダクトは、第１ダクトへの入口の近くにある入口とハウジングの第２区域の近くにある出口とを有する螺旋ダクトを含む。
【００１７】
ハウジングの第２区域は、ダクトを通る流体の流れの方向に、好ましくは０．２５ｍから１．５ｍの範囲内、より好ましくは０．４ｍから０．７５ｍの範囲内の長さを有することが好ましい。
【００１８】
第１冷却剤は、好ましくは四フッ化炭素（ＣＦ4）であるハロカーボンを含むことが好ましく、第２冷却剤は、液体窒素を含むことが好ましい。装置は、供給源から上述の運ぶ手段に液体窒素を供給するための手段を含むことが好ましい。液体窒素の供給源とハウジングとの間の距離は１ｍより小さいことが好ましい。装置は、第１冷却剤の温度、それによりダクトを通って流れる流体の冷却速度を制御するために、運ぶ手段内の第２冷却剤の流速を制御する手段を含んでも良い。
【００１９】
出口は、そこから流体ストリームを放出するノズルを該出口に取り付けるための手段を有することが好ましい。
【００２０】
したがって、冷却手段の好ましい実施形態は、低温ランスの形態であり、その機能は、熱サイホン型熱交換器の機能に基づくものである。ランス内では、受け入れられた気体キセノンが、外部空気から分離され、周囲のハロカーボン−１４（四フッ化炭素）浴によってもたらされた等温環境に曝される。ハロカーボン−１４（Ｈ−１４）は、液体窒素による間接的な冷却によって２つの相（液体−蒸気）状態において制御される。この熱力学状態においては、Ｈ−１４は、完全に均一な温度となり、それは限度内で調節可能である。Ｈ−１４の液体レベルは、ランス内のＨ−１４の最初の電荷（質量）及び作動温度に基づいている。液体レベルは、ランスのハウジングの第１区域と第２区域との間のほぼ交差点で維持されることが望ましい。
【００２１】
本発明はまた、チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせるための装置であって、気体キセノンの加圧された流れを受け入れるための入口を有する第１ダクトと、該ダクトの周りを延び、該ダクトと熱的に接触した状態で気体キセノンを冷却するための第１冷却剤を収容するハウジングと、第１冷却剤と熱的に接触した状態で第２冷却剤の流れをハウジング内に運んで第１冷却剤の温度を制御するための第２ダクトであって、気体の流れをチャンバに出力するための出口を有する第２ダクトとを含み、使用の際に、チャンバ内の圧力と気体の流れの圧力との間の差が、流れをチャンバ内で液化又は固化させる大きさにされる、装置を提供する。
【００２２】
本発明はさらに、真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせる方法であって、チャンバから気体キセノンの流れを引き出し、気体の流れを加圧し、加圧された気体の流れを冷却し、そのように冷却され加圧された気体の流れをチャンバに戻し、チャンバに戻された気体キセノンをチャンバ内で液化又は固化させることを含む方法を提供する。
【００２３】
本発明はまた、流体の流れを冷却する方法であって、流体の流れを受け入れるための入口と流れを放出するための出口とを有するダクトと、ダクトの周りを延び、ダクトと熱的に接触した状態で流体の流れを冷却するための第１冷却剤を収容し、第１区域と、第１区域より小さく出口の付近にある第２区域とを含むハウジングとを通して流体を流すことを含む方法を提供し、該方法はまた、第２冷却剤の流れをハウジングの第１区域を通して運んで、第１冷却剤の温度を制御することを含む。
【００２４】
本発明はさらに、液体又は固体キセノンの流れを生じさせる方法であって、ダクトが該ダクトの周りを延びるハウジングを有し、該ハウジングが気体の流れを冷却するためにダクトと熱的に接触する第１冷却剤を収容している状態で、ダクトに流れを供給し、第１冷却剤の温度を制御するために第１冷却剤と熱的に接触する第２冷却剤の流れをハウジングを通して運び、気体キセノンの流れを出口からチャンバに出力することによって気体キセノンの流れを冷却することを含む方法を提供し、チャンバの圧力は、流れがチャンバ内で液化又は固化されるような程度にされる。
【００２５】
本発明はまた、真空チャンバ内に液体又は固体キセノンの流れを生じさせる方法であって、キセノンの気体の流れを、真空チャンバに入ったときに該チャンバ内で液化し又は固化する圧力及び温度まで加圧し、冷却することを含む方法を提供する。
【００２６】
本発明の装置及びシステムの態様に関して上述された特徴は、方法の態様に等しく適用可能であり、逆もまた同様である。
【００２７】
ここで、本発明の好ましい特徴を、単なる例として付属の図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１を参照すると、気体キセノンのような流体の流れを冷却するための装置の実施形態は、流体の流れを受け入れるための入口１４とランスから冷却された流体を放出する出口１６とを有するダクト１２を備えるランス１０の形態である。出口１６は、該出口にノズルを取り付けるためにＶＣＲねじ付き接続部などのような手段１７を有する。好ましい実施形態においては、ダクト１２は、直径約３．１７５ｍｍのボアを有する。
【００２９】
シールされたハウジング１８は、ダクト１２の周りを延び、ダクト１２内の流体の流れを冷却するためにダクト１２と熱的に接触する、例えばハロカーボン−１４（四フッ化炭素）といったハロカーボンのような第１冷却剤２０を収容する。ハウジング１８は、ダクト１２の周りを延びる螺旋ダクト２４を含む第１区域２２を有する。ダクト２４は、第１冷却剤２０の温度を制御するために液体窒素のような第２冷却剤の流れを受け入れるための、ハウジング１８の第１区域２２の壁に位置する入口２６を有する。ダクト２４は、液体窒素の流れがハウジングから大気中に流出することを可能にする、同様にハウジング１８の第１区域２２の壁に位置する出口２８を有する。好ましい実施形態においては、ダクト２４は、直径約０．６２ｍｍのボアを有する。図２を参照すると、ダクトを通る液体窒素の流れを制御し、それによりハウジング内の第１冷却剤２０の温度を制御するために、液体窒素冷却剤が、入口２６の近くにあるソレノイド弁４２を介して入口２６に接続された液体窒素供給源４０から約０．７ＭＰａの圧力で供給される。好ましい実施形態においては、ソース４０を入口２６に接続するパイプ４４の長さは、１メートルより小さい。
【００３０】
図１を参照すると、ハウジング１８はさらに、第１区域２２よりサイズが小さい第２区域３０を有し、図１に示された実施形態においては、第２区域３０は、第１区域２２より小さい直径を有する。好ましい実施形態においては、第１ダクトの直径は３．１７５ｍｍであり、第２ダクトの直径は０．６２ｍｍである。この実施形態においては、ハウジング１８の第２区域３０は、約０．５ｍの長さＬを有し、第１区域は、約０．３ｍの長さを有する。
【００３１】
図２はまた、供給源５２からハウジング１８に第１冷却剤を供給するために、特に弁とポンプを含む配置５０を示す。ハウジング１８は、第１冷却剤で満たされた後に、そこから第１冷却剤が漏れるのを防止するためにシールされる。配置５０は、使用中に気体の流れの所望の冷却を得るために、ハウジングに満たされる間にハウジング１８内の第１冷却剤２０の圧力が制御されることを可能にする。実際には、ハウジング１８は、約−９０℃から−９５℃の最適な作動温度（「設計点」）で作動するときに、ハウジング１８内のＨ−１４の液体レベルがハウジング１８の第１区域と第２区域との間のほぼ交差点にあることを保証するのに十分な量のハロカーボン−１４（Ｈ−１４）で満たされる。
【００３２】
ダクト１２の出口１６は、ＥＵＶ放射チャンバ６０に入る。チャンバ６０は、電子又はレーザビームを生じさせ、ビームをＥＵＶ供給源、すなわち出口１６に取り付けられた１００μｍより一般に小さい直径のノズル（図示せず）からチャンバ６０に入るキセノンのストリームに合焦するための装置を含む。適切な装置は、当該技術分野では周知であり、さらには説明されない。１つ又はそれ以上のポンプ６２、例えばターボ分子ポンプ及びバッキングポンプの配置は、チャンバ６０と流体的に連通する状態で与えられる。キセノン再循環システム（ＸＲＳ）６４は、ポンプから気体キセノンを受け取り、気体キセノンをランス１０に戻すために、ポンプ装置６２に接続される。したがって、この装置は、ＥＵＶ供給源として用いられるキセノンのための一体の再循環経路を有する。実際には、再循環経路は、ボトル又はキャニスタのようなキセノンの供給源から最初に満たされる。
【００３３】
使用中に、ポンプ装置６２は、チャンバ６０から気体キセノンを引き出して、チャンバ内の圧力を望ましくは１０００ｍｂａｒから１０-10ｍｂａｒの範囲内、好ましくは１０-1ｍｂａｒから１０-5ｍｂａｒの範囲内に維持し、気体キセノンを大気圧でＸＲＳ６４に排出する。ＸＲＳ６４は、受け入れられた気体キセノンをろ過して何らかの汚染物質又はチャンバ６０において用いられる他の物質を除去するための一連のフィルタと、受け入れられた気体キセノンを１ｂａｒから１００ｂａｒの範囲内の圧力まで、好ましくは約５０ｂａｒまで圧縮するための圧縮器とを含む。加圧された気体キセノンは、ハウジング１８内のハロカーボン−１４及び液体窒素冷却剤によって冷却されるランス１０のダクト１２に入り、約−９０℃±０．５℃の温度及び２から５０ｂａｒの間の圧力でダクトの出口１６から放出される。そのように冷却され加圧された気体キセノンは、出口に取り付けられたノズルを通して真空チャンバ６０に放出され、そこで、出口１６とチャンバ６０との間の圧力差のために、キセノンは、迅速に冷却されて、固体及び／又は液体キセノンのストリーム又はフィラメントが生成され、それがチャンバに流入して、ＥＵＶ放射を発生させるためのターゲットを与える。キセノンのフィラメントは、チャンバ６０内で気体形態に戻って、チャンバからポンプ装置６２によって除去され、再循環のためのＸＲＳ６４及びランス１０を介して再循環され、固体形態でチャンバ６０に戻される。
【００３４】
ランスは、約−９０℃から−１０５℃の目標温度ではない温度で作動することができるが、実際には、これは、キセノンの氷点又は三重点（−１１１．８℃）による下限に、及びランス１０の「ドライアウト」による上限に制限される。この実施形態の上限（約−７３℃）において、液体レベルは、その低温（−９３℃）の作動レベルの約６０％に降下することになる。ドライアウトは、約−５０℃から−６０℃で起こることになり、実際の温度は、設定点における特定の気体−液体体積比に依存する。
【００３５】
まとめると、液体又は固体キセノンを生成するための装置は、気体キセノンを受け入れるための入口と、低下された温度で気体キセノンを真空チャンバに配置されたノズルに出力するための出口とを有するダクトを含む。ハウジングが、ダクトの周りを延び、ダクトと熱的に接触するハロカーボン冷却剤を収容し、該ハウジングは、第１区域と、第１区域より小さく出口の近くにある第２区域とを含み、第１区域は、液体窒素の流れをハウジングを通して運んでハロカーボンの温度を制御するためにハロカーボン冷却剤と熱的に接触する第２ダクトを含む。ダクトから出力されたキセノンガスの圧力とチャンバ内の圧力との差から、そのように冷却された気体が、ノズルの近傍で液化され又は固化されることになる。
【００３６】
上記のことは、本発明の一実施形態を表し、添付の請求項によって定義されるような本発明の真の範囲から逸脱することなく、当業者にはその他の実施形態が疑いもなく想到されることを理解されたい。
【００３７】
ランス１０から出力されたキセノンのストリームの温度の付加的な制御及び正確さを与えるために、例えば、ヒータ又は他の熱源をハウジング１２の第２区域３０の周りに設けることができる。こうした実施形態においては、キセノン温度制御の正確さが改善され、この熱源はまた、使用の終了時にＥＵＶチャンバの蒸発速度を早めるのに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】不活性ガスの流れを冷却するための装置を示す図である。
【図２】不活性ガスをチャンバに供給するための図１の装置を含むシステムを概略的に示す図である。
【図１】
2007506932.tif 000003
【図２】
2007506932.tif 000004
【国際調査報告】
2007506932.tif 000005
2007506932.tif 000006
2007506932.tif 000007
2007506932.tif 000008
2007506932.tif 000009