(57)【要約】【課題】制御基板に搭載される揮発性メモリーの終端抵抗値を柔軟に設定可能とする。【解決手段】制御基板製造方法が、終端抵抗値を可変に設定可能である揮発性メモリー２１を制御基板２０にマウントすることと、終端抵抗値を設定するのに用いられるパラメーターが記憶される書換え可能な特定領域２５を有する不揮発性メモリー２４を制御基板２０にマウントすることと、揮発性メモリー２１の表面に表示された揮発性メモリー２１の種別を特定する識別情報を読み取ることと、読み取られた識別情報に基づいて、揮発性メモリー２１の種別に対応した終端抵抗値を示す対応パラメーターを決定することと、決定された対応パラメーターを不揮発性メモリー２４の特定領域２５に書き込むことと、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
終端抵抗値を可変に設定可能である揮発性メモリーを制御基板にマウントすることと、
前記終端抵抗値を設定するのに用いられるパラメーターが記憶される書換え可能な特定領域を有する不揮発性メモリーを前記制御基板にマウントすることと、
前記揮発性メモリーの表面に表示された前記揮発性メモリーの種別を特定する識別情報を読み取ることと、
読み取られた前記識別情報に基づいて、前記揮発性メモリーの種別に対応した前記終端抵抗値を示す対応パラメーターを決定することと、
決定された前記対応パラメーターを前記不揮発性メモリーの前記特定領域に書き込むことと、を備えることを特徴とする制御基板製造方法。
【請求項２】
前記識別情報は、前記揮発性メモリーの製造者および型番を示す情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の制御基板製造方法。
【請求項３】
前記制御基板の動作開始時に前記不揮発性メモリーの前記特定領域にアクセスして前記対応パラメーターを読み取り、読み取った前記対応パラメーターに基づいて前記揮発性メモリーの前記終端抵抗値を設定するようにプログラムされたファームウェアを有するメモリーコントローラーをマウントすることを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の制御基板製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の制御基板製造方法によって製造された制御基板を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
終端抵抗値を可変に設定可能である揮発性メモリーと、前記終端抵抗値を設定するのに用いられるパラメーターが記憶される書換え可能な特定領域を有する不揮発性メモリーと、を制御基板にマウントするマウンターと、
前記揮発性メモリーの表面に表示された前記揮発性メモリーの種別を特定する識別情報を読み取る読取り部と、
前記識別情報と前記パラメーターとを対応付けて記憶している管理テーブルを記憶する記憶部と、
読み取られた前記識別情報と前記管理テーブルとを照合して、前記揮発性メモリーの種別に対応した前記終端抵抗値を示す対応パラメーターを決定するパラメーター決定部と、
決定された前記対応パラメーターを前記不揮発性メモリーの前記特定領域に書き込む書込み部と、を備えることを特徴とする制御基板製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性メモリー、不揮発性メモリー、およびメモリーコントローラーがマウントされた制御基板の製造方法、制御基板を備えた画像形成装置、並びに制御基板製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の電子機器において、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の揮発性メモリーやＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）等の不揮発性メモリーが搭載されたプリント回路板（Printed Circuit Board）が用いられている。例えば、複写機、プリンター、スキャナー、およびファクシミリの各機能を備えた複合機（Multi-Function Peripheral）に、上記したプリント回路板が制御基板として組み込まれている。以上のプリント回路板には、揮発性メモリーと不揮発性メモリーとを制御するメモリーコントローラーが搭載される。
【０００３】
近年、ＤＲＡＭとメモリーコントローラーとの間のデータ転送速度の高速化が著しく、信号品質の劣化が問題となっている。特に、データ転送速度が３．２Ｇｂｐｓ以上の環境では、伝送路間のインピーダンス不整合に起因する反射ノイズの影響が増大し、信号品質の劣化がより顕著となる。以上のインピーダンス不整合は、制御基板上に形成された伝送線路と、ＤＲＡＭモジュールが有する伝送線路との間において発生し易い。
【０００４】
ＤＲＡＭの終端抵抗値は、様々な要因によって変動する。例えば、温度変化や電源電圧変化の影響によって終端抵抗値が変動し得る。温度変化や電源電圧変化による終端抵抗値の変動は、ＤＤＲ（Double Data Rate）の第３世代（ＤＤＲ３）以降のＤＲＡＭに採用されるＺＱ（Zero Quotient）キャリブレーションによって補償することが可能である。
【０００５】
また、インピーダンス整合を実現するための技術として、ＤＲＡＭの終端抵抗値を可変に設定できるＯＤＴ（On Die Termination）機能が実現されている（例えば、特許文献１）。ＯＤＴ機能は、ＤＤＲ２以降のＤＲＡＭに採用されている機能であり、非選択状態のＤＲＡＭ（Off Rank DRAM）の入出力回路を終端抵抗として利用できる機能である。ＯＤＴインピーダンス（終端抵抗値）は、ＤＲＡＭの内部に設けられたモードレジスターに書き込まれたパラメーターに基づいて選択される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１３５６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
揮発性メモリーであるＤＲＡＭの終端抵抗値は、ＤＲＡＭの製造者（メーカー）や型番によっても異なる。製造者や型番によってＤＲＡＭの回路設計が異なるからである。以上の終端抵抗値の変動は、ＺＱキャリブレーションによって補正することが困難である。そのため、制御基板を設計する際には、実際に搭載される製造者および型番に対応したＤＲＡＭに基づいて伝送線路シミュレーションを実行することにより、ＯＤＴ機能で設定すべき終端抵抗値を設定することが一般的である。
【０００８】
一般に、ＤＲＡＭ製造ではプロセスシュリンク（回路の線幅等を微細化すること）が頻繁に行われるので、ある製造者が同じ型番を有するＤＲＡＭ（すなわち、同じ仕様のＤＲＡＭ）を長期にわたって供給することが少ない。そのため、制御基板を設計する際には、特定の製造者および型番のＤＲＡＭが製造中止になることを見越して、複数の製造者および型番のＤＲＡＭに対応できるように設計する必要性が高い。
【０００９】
前述の通り、ＤＲＡＭの終端抵抗値は製造者や型番に応じて異なる。特に、同じ終端抵抗値（例えば、４０Ω）をモードレジスターに設定しても、回路設計の差異等に起因して実際の終端抵抗値は製造者や型番に応じて異なる。そのため、複数の製造者および型番のＤＲＡＭに対応するには、ＤＲＡＭごとにメモリーコントローラーのファームウェアを準備する必要がある。
【００１０】
ところが、一般に、制御基板の製造プロセスにおいて、ＤＲＡＭを基板上にマウントする工程と、メモリーコントローラーのファームウェアを書き込む工程とは相違する。したがって、ＤＲＡＭとファームウェアとを関連付けて管理することは困難である。また、ＤＲＡＭごとにファームウェアを準備するためのコストも膨大である。
【００１１】
以上の課題は、長期間にわたって使用されるケースが多く、制御基板の交換やメンテナンス作業が難しい複合機等の電子機器において、より一層顕著なものとなる。
【００１２】
以上の事情を考慮して、本発明は、制御基板に搭載される揮発性メモリーの終端抵抗値を柔軟に設定可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記した目的を達成するため、本発明の制御基板製造方法は、終端抵抗値を可変に設定可能である揮発性メモリーを制御基板にマウントすることと、前記終端抵抗値を設定するのに用いられるパラメーターが記憶される書換え可能な特定領域を有する不揮発性メモリーを前記制御基板にマウントすることと、前記揮発性メモリーの表面に表示された前記揮発性メモリーの種別を特定する識別情報を読み取ることと、読み取られた前記識別情報に基づいて、前記揮発性メモリーの種別に対応した前記終端抵抗値を示す対応パラメーターを決定することと、決定された前記対応パラメーターを前記不揮発性メモリーの前記特定領域に書き込むことと、を備える。
【００１４】
好適には、前記識別情報が前記揮発性メモリーの製造者および型番を示す情報を含む。
【００１５】
好適には、制御基板製造方法が、前記制御基板の動作開始時に前記不揮発性メモリーの前記特定領域にアクセスして前記対応パラメーターを読み取り、読み取った前記対応パラメーターに基づいて前記揮発性メモリーの前記終端抵抗値を設定するようにプログラムされたファームウェアを有するメモリーコントローラーをマウントすることを備える。
【００１６】
また、本発明の画像形成装置は、上記した制御基板製造方法によって製造された制御基板を備える。
【００１７】
また、本発明の制御基板製造装置は、終端抵抗値を可変に設定可能である揮発性メモリーと、前記終端抵抗値を設定するのに用いられるパラメーターが記憶される書換え可能な特定領域を有する不揮発性メモリーと、を制御基板にマウントするマウンターと、前記揮発性メモリーの表面に表示された前記揮発性メモリーの種別を特定する識別情報を読み取る読取り部と、前記識別情報と前記パラメーターとを対応付けて記憶している管理テーブルを記憶する記憶部と、読み取られた前記識別情報と前記管理テーブルとを照合して、前記揮発性メモリーの種別に対応した前記終端抵抗値を示す対応パラメーターを決定するパラメーター決定部と、決定された前記対応パラメーターを前記不揮発性メモリーの前記特定領域に書き込む書込み部と、を備える。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、制御基板に搭載される揮発性メモリーの終端抵抗値が柔軟に設定可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る画像形成装置を示す概略図（正面図）である。
【図２】本発明の一実施形態に係る制御基板を示す構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る制御基板製造装置を示す構成図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る制御基板製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態に係る揮発性メモリーの識別情報を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る管理テーブルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
１．画像形成装置の全体構成
本発明の一実施形態に係る制御基板２０を有する画像形成装置１の全体的な構成について、図１を参照しながら説明する。画像形成装置１は、例えば、コピー機能、プリント機能、スキャン機能、およびファクス機能等を複合的に備える複合機である。
【００２１】
以下、説明の便宜上、図１の紙面手前側を画像形成装置１の前側とする。また、以下の各図に示す「Ｌ」は「左」を示し、「Ｒ」は「右」を示し、「Ｕ」は「上」を示し、「Ｄ」は「下」を示す。
【００２２】
図１は、画像形成装置１を示す概略図（正面図）である。以下の説明において、「搬送方向」はシートＳ（媒体）が搬送される方向を指す。また、「上流」および「下流」ならびにこれらに類する用語は、シートＳの搬送方向における「上流」および「下流」ならびにこれらに類する概念を指す。
【００２３】
画像形成装置１は、略箱型形状の装置本体２を備える。装置本体２の下部には、普通紙等のシートＳを収容する給紙カセット３が着脱可能に設けられ、装置本体２の上部には、排紙トレイ４が設けられる。なお、媒体の一例としてのシートＳは紙製に限定されず、例えば樹脂製であってもよい。
【００２４】
装置本体２は、給紙装置５と作像装置６と定着装置７とを備える。給紙装置５は、給紙カセット３から排紙トレイ４まで伸びた搬送路８の上流端部に設けられる。作像装置６は搬送路８の中間部に設けられ、定着装置７は搬送路８の下流側に設けられる。
【００２５】
作像装置６は、トナーコンテナ１０とドラムユニット１１と光走査装置１２とを含む。トナーコンテナ１０は、例えば、黒色のトナー（現像剤）を収容する。ドラムユニット１１は、感光体ドラム１３（像担持体）と帯電装置１４と現像装置１５と転写ローラー１６とを含む。転写ローラー１６は、下側から感光体ドラム１３に接触して転写ニップを形成する。なお、トナーは、トナーとキャリアとを混合した２成分現像剤であってもよく、磁性トナーからなる１成分現像剤であってもよい。
【００２６】
また、装置本体２は、各装置を制御するＣＰＵ２８等が搭載された制御基板２０を備える。制御基板２０の詳細については後述される。
【００２７】
２．画像形成装置の処理概略
次いで、前述した構成を備える画像形成装置１による画像形成処理について、概略的に説明する。画像形成装置１は、ネットワーク等を介して接続された外部のコンピューター等から画像データが入力され印刷開始が指示されると、画像形成処理を開始する。
【００２８】
制御基板２０に搭載されたＣＰＵ（Central Processing Unit）２８による制御の下、画像形成処理が以下のように実行される。まず、帯電装置１４が、感光体ドラム１３の表面を帯電させる。光走査装置１２は、画像データに対応する走査光を出射して、感光体ドラム１３の表面に静電潜像を形成する。現像装置１５は、トナーコンテナ１０から供給されたトナーを用いて、感光体ドラム１３上に担持された静電潜像をトナー像に現像する。シートＳが給紙装置５によって給紙装置５から搬送路８に送り出され、感光体ドラム１３上にトナー像が転写ニップを通過するシートＳに転写される。定着装置７はトナー像をシートＳに定着させ、トナー像が定着したシートＳは排紙トレイ４に排出される。
【００２９】
３．制御基板
図２を参照しながら、画像形成装置１に備えられた制御基板２０について説明する。図２は、制御基板２０に搭載される主な構成要素を示す図である。制御基板２０は、揮発性メモリー２１と不揮発性メモリー２４とメモリーコントローラー２６とＣＰＵ２８とを備える。以上の構成要素はバス３０によって接続される。
【００３０】
揮発性メモリー２１は、例えば、ＯＤＴ機能に対応したＤＲＡＭによって構成される。揮発性メモリー２１は、ＯＤＴ機能によって終端抵抗値を可変に設定可能である。揮発性メモリー２１としてのＤＲＡＭは、複数のメモリーセルと周辺回路とモードレジスター２２と終端抵抗２３とを含む。各メモリーセルは、キャパシターおよび電界効果トランジスターを含んで構成され、キャパシターの電荷によって１ビットのデータを記憶可能である。周辺回路は、メモリーセルに接続されたワード線およびビット線を制御してデータの書込みおよび読出しを行い、外部の装置と信号を送受信する。
【００３１】
モードレジスター２２は、揮発性メモリー２１の動作モードを指定するパラメーターを格納する記憶回路であり、例えば、終端抵抗２３の抵抗値を指定するパラメーターを格納する。また、終端抵抗２３は、複数の終端抵抗値のいずれかに設定可能である。
【００３２】
不揮発性メモリー２４は、例えば、書換え可能なＥＥＰＲＯＭによって構成される。不揮発性メモリー２４は、特定のアドレスによって指定される書換え可能な領域（特定領域２５）を有する。特定領域２５には、揮発性メモリー２１の終端抵抗値を設定するのに用いられる（すなわち、揮発性メモリー２１のモードレジスター２２に書き込まれる）パラメーターが記憶される。
【００３３】
なお、不揮発性メモリー２４は、データの維持にリフレッシュが不要なメモリー素子であればよく、例えば、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）やＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）であってもよい。
【００３４】
メモリーコントローラー２６は、揮発性メモリー２１および不揮発性メモリー２４の読出し／書込み並びに揮発性メモリー２１のリフレッシュ等を制御する装置である。メモリーコントローラー２６はフラッシュメモリー等によって構成された記憶回路を備える。以上の記憶回路には、メモリーコントローラー２６が所定の処理を実行するようにプログラムされたファームウェア２７が格納されている。
【００３５】
メモリーコントローラー２６は、ファームウェア２７に従って動作することにより、画像形成装置１（特に、制御基板２０）の動作開始時に、不揮発性メモリー２４の特定領域２５にアクセスしてパラメーターを読み取り、読み取ったパラメーターを揮発性メモリー２１のモードレジスター２２に書き込む。換言すると、メモリーコントローラー２６は、不揮発性メモリー２４から読み取ったパラメーターに基づいて、揮発性メモリー２１の終端抵抗値を設定する。
【００３６】
ＣＰＵ２８は、画像形成装置１の動作を制御する装置である。ＣＰＵ２８は、揮発性メモリー２１および不揮発性メモリー２４に記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、上記の制御を行う。なお、ＣＰＵ２８がメモリーコントローラー２６の機能を備え、制御基板２０にメモリーコントローラー２６の専用チップが搭載されない構成も採用可能である。
【００３７】
４．制御基板の製造
図３から図６を参照しながら、制御基板２０の製造（組立て）について説明する。図３は、制御基板２０の製造装置４０を示す模式図である。図４は、制御基板２０の製造方法を示すフローチャートである。図５は、揮発性メモリー２１の表面に表示された識別情報Ｉの例を示す図である。図６は、識別情報Ｉと終端抵抗値とを関連付けて記憶している管理テーブルＴを示す図である。
【００３８】
図３に示す通り、製造装置４０は、はんだ印刷部４１とマウンター４２とリフロー炉４３と読取り部４４と記憶部４６とパラメーター決定部４８と書込み部５０とテスト部５２とを備える。
【００３９】
はんだ印刷部４１は、電子部品がマウントされる前の制御基板２０の表面にクリームはんだを塗布する装置である。制御基板の製造が開始すると、はんだ印刷部４１は、所定箇所に孔が開けられたメタルマスクを用いて、制御基板２０に対して部位選択的にクリームはんだの塗布を実行する（図４のステップＳ１００）。
【００４０】
マウンター４２は、クリームはんだが塗布された状態の制御基板２０に対し、揮発性メモリー２１および不揮発性メモリー２４等の電子部品を配置する装置である。ステップＳ１００の後、リールやトレイによって電子部品がマウンター４２に供給され、制御基板２０に電子部品がマウントされる（図４のステップＳ１０２）。
【００４１】
リフロー炉４３は、リフローはんだ付けを行う装置である。ステップＳ１０２の後、リフロー炉４３は、クリームはんだが塗布され電子部品がマウントされた制御基板２０を加熱することで、電子部品を制御基板２０にはんだ付けする（図４のステップＳ１０４）。
【００４２】
読取り部４４は、揮発性メモリー２１の表面に表示された識別情報Ｉを読み取る装置である。図５に示す通り、揮発性メモリー２１の表面には、揮発性メモリー２１の種別を特定する識別情報Ｉ（ＤＲＡＭマーキング）が表示されている。識別情報Ｉは、揮発性メモリー２１の製造者、型番、ロット番号、製造日、製造国、などを示す情報項目を含む。
【００４３】
読取り部４４は、揮発性メモリー２１の表面を撮像する画像センサー４４ａ（例えば、ＣＣＤカメラ）と、撮像された画像から文字等を認識して識別情報Ｉを取得する認識処理部４４ｂとを備える。ステップＳ１０４の後、読取り部４４は、揮発性メモリー２１の表面を撮像して表面画像を取得し、表面画像に対して認識処理（例えば、ＯＣＲ処理）を行って識別情報Ｉを取得する（図４のステップＳ１０６）。なお、識別情報Ｉとして、揮発性メモリー２１の製造者および型番を示す情報が取得されると好適である。
【００４４】
記憶部４６は、識別情報Ｉと、揮発性メモリー２１の終端抵抗値を設定するのに用いられるパラメーターとを対応付けて記憶している管理テーブルＴを記憶すると共に、製造装置４０のＣＰＵが実行する制御用プログラムおよび制御用データを記憶する。
【００４５】
図６に示す通り、管理テーブルＴは、揮発性メモリー２１の製造者および型番、設定すべき終端抵抗値、並びに終端抵抗値に対応する３ビットのパラメーターを関連付けて記憶している。ここで、設定すべき終端抵抗値は、製造者および型番によって特定される揮発性メモリー２１を用いた実験またはシミュレーションにより定められると好適である。
【００４６】
パラメーター決定部４８は、読取り部４４で読み取られた識別情報Ｉと管理テーブルＴとを照合して、その識別情報Ｉが示す揮発性メモリー２１の種別に対応した終端抵抗値を示すパラメーター（以下、「対応パラメーター」と称する場合がある）を決定する要素である。ステップＳ１０６の後、パラメーター決定部４８は、上記した対応パラメーターの決定を実行する（図４のステップＳ１０８）。
【００４７】
書込み部５０は、パラメーター決定部４８によって決定された対応パラメーターを、不揮発性メモリー２４を特定領域２５に書き込む要素である。ステップＳ１０８の後、書込み部５０は、決定された３ビットの対応パラメーターを、不揮発性メモリー２４の特定領域２５に書き込む動作を実行する（図４のステップＳ１１０）。
【００４８】
テスト部５２は、完成した制御基板２０に不良箇所があるか否かをテストする要素である。テスト部５２は、インサーキットテスター５２ａとファンクションテスター５２ｂとを備える。インサーキットテスター５２ａは、電子部品の実装が正しくなされたかを確認するための装置であり、治具にセットされた制御基板２０上のテストポイント間の抵抗値等を測定することにより、電子部品の実装ミスや回路の短絡が無いかどうかテストする。ファンクションテスター５２ｂは、制御基板２０が仕様通りに正しく機能するかどうかを確認するための装置であり、実際の動作電流を制御基板２０に流し、ＣＰＵ２８にプログラムを実行させて、仕様通りの動作が実現するか否かをテストする。
【００４９】
ステップＳ１１０の後、テスト部５２は、上記したテストを実行する（図４のステップＳ１１２）。テスト部５２によるテストが終了すると、製造装置４０による制御基板２０の製造が完了する。
【００５０】
認識処理部４４ｂ、パラメーター決定部４８、および書込み部５０は、製造装置４０に搭載されたＣＰＵ（不図示）が、記憶部４６に記憶された制御用プログラムおよび制御用データに基づいて動作することにより実現される機能ブロックである。
【００５１】
５．本実施形態の効果
以上説明した本実施形態に係る制御基板２０の製造方法では、揮発性メモリー２１の表面に表示された識別情報Ｉが読み取られ、識別情報Ｉに基づいて揮発性メモリー２１の種別に対応した終端抵抗値が決定され、決定された終端抵抗値に対応する対応パラメーターが不揮発性メモリー２４の特定領域２５に書き込まれる。
【００５２】
以上の構成によれば、終端抵抗値を示すパラメーターがメモリーコントローラー２６のファームウェア２７に固定的に書き込まれている構成と比較して、制御基板２０の製造時に、制御基板２０に搭載される揮発性メモリー２１の終端抵抗値が柔軟に設定可能となる。また、製造工程において揮発性メモリー２１の種別が特定され、対応する終端抵抗値が設定されるので、工程上、揮発性メモリー２１とメモリーコントローラー２６のファームウェア２７とを紐付けて管理する必要が無くなる。
【００５３】
加えて、制御基板２０に実際にマウントされた揮発性メモリー２１に表示されている識別情報Ｉを製造装置４０が読み取るので、人的作業による人為ミスの発生を抑制できる。また、揮発性メモリー２１の種別ごとにファームウェア２７を用意する必要がないので、製造コストを抑制できる。さらに、制御基板２０に実装すべき揮発性メモリー２１の種類が増えたとしても、管理テーブルＴを更新すれば、製造装置４０はその新しい揮発性メモリー２１に対応することが可能である。
【００５４】
また、本実施形態に係る制御基板２０の製造方法によれば、識別情報Ｉが、揮発性メモリー２１の製造者および型番を示す情報を含む。以上の構成によれば、揮発性メモリー２１の製造者および型番に応じた終端抵抗値の設定が実現される。したがって、開発過程において、異なる製造者および型番を有する複数の揮発性メモリー２１（例えば、ＤＲＡＭ）に対して、それぞれ個別にファームウェア２７を開発する必要性が無くなる。
【００５５】
また、本実施形態に係る制御基板２０の製造方法によれば、制御基板２０にマウントされるメモリーコントローラー２６が、制御基板２０の動作開始時に不揮発性メモリー２４の特定領域２５にアクセスして対応パラメーターを読み取り、読み取った対応パラメーターに基づいて揮発性メモリー２１の前記終端抵抗値を設定するようにプログラムされたファームウェア２７を有する。以上の構成によれば、制御基板２０の動作が開始する際に揮発性メモリー２１の終端抵抗値が設定される。
【００５６】
また、本実施形態の構成によれば、上記した製造方法により製造された制御基板２０を備える画像形成装置１と、上記した製造方法を実現するのに好適な製造装置４０とが実現される。
【００５７】
６．変形例
以上の実施形態は多様に変形される。具体的な変形の態様を以下に例示する。以上の実施の形態および以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない限り適宜に併合され得る。
【００５８】
上記した本実施形態では、揮発性メモリー２１が制御基板２０に直接マウントされる場合を示すが、これに限らず、例えば、揮発性メモリー２１が制御基板２０上のメモリースロットに挿入されることでマウントされてもよい。
【００５９】
上記した本実施形態では、読取り部４４が文字情報である識別情報ＩをＯＣＲ処理によって読み取る場合を示すが、これに限らず、例えば、揮発性メモリー２２の表面に表示されるＱＲコード（登録商標）等の非文字情報を取得して、この非文字情報を所定のアルゴリズムによって変換して識別情報Ｉを読み取ってもよい。
【００６０】
また、本実施形態の説明では、一例として、本発明による制御基板２０をモノクロ印刷の複合機（画像形成装置１）に搭載した場合を示すが、これに限らず、例えば、カラー印刷の複合機、単機能のプリンター、複写機、またはファクシミリ等に本発明による制御基板２０が搭載されてもよい。また、印刷機能を有しない電子機器に本発明による制御基板２０が搭載されてもよい。
【００６１】
なお、上記実施形態の説明は、本発明に係る制御基板製造方法、画像形成装置、および制御基板製造装置における一態様を示すものであって、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６２】
１      画像形成装置
２０    制御基板
２２    揮発性メモリー
２４    不揮発性メモリー
２５    特定領域
２６    メモリーコントローラー
２７    ファームウェア
４０    製造装置（制御基板製造装置）
４２    マウンター
４４    読取り部
４６    記憶部
４８    パラメーター決定部
５０    書込み部
【図１】
2019110191.tif 000003
【図２】
2019110191.tif 000004
【図３】
2019110191.tif 000005
【図４】
2019110191.tif 000006
【図５】
2019110191.tif 000007
【図６】
2019110191.tif 000008