(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性が高く、デザイン性に優れた表示装置、可撓性の表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１面及び第１面と反対側の第２面とを有する基板１０２と、第１面の複数の画素が配置された表示領域と、第１面の表示領域の外側の周辺領域と、周辺領域で複数の端子電極が配置された端子部１３０と、表示領域と端子部との間に配置される配線１１２と、表示領域と端子部とに亘る少なくとも１層の無機絶縁層１６０と、表示領域と端子部との間に配置される有機絶縁膜１２４と、を含み、無機絶縁層は、表示領域と端子部との間に開口部を有し、有機絶縁膜は、開口部に重ねて配置され、有機絶縁膜は、開口部の端部の膜厚Ｔ’に比べ中心部の膜厚Ｔが大きく、配線は、有機絶縁膜の上面に沿って配置される。【選択図】図５
2019120751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面とを有する基板と、
前記第１面の複数の画素が配置された表示領域と、
前記第１面の前記表示領域の外側の周辺領域と、
前記周辺領域で複数の端子電極が配置された端子部と、
前記表示領域と前記端子部との間に配置される配線と、
前記表示領域と前記端子部とに亘る少なくとも１層の無機絶縁層と、
前記表示領域と前記端子部との間に配置される有機絶縁膜と、
を含み、
前記無機絶縁層は、前記表示領域と前記端子部との間に開口部を有し、
前記有機絶縁膜は、前記開口部に重ねて配置され、
前記有機絶縁膜は、前記開口部の端部に比べ中心部の膜厚が大きく、
前記配線は、前記有機絶縁膜の上面に沿って配置される表示装置。
【請求項２】
前記画素はトランジスタを含み、
前記無機絶縁層は、前記トランジスタを構成するゲート絶縁膜を含み、
前記有機絶縁膜は前記ゲート絶縁膜の一部を覆う、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記無機絶縁層は、前記基板の上面に配置されたアンダーコートをさらに含み、
前記有機絶縁膜は前記アンダーコートの一部を覆う、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記無機絶縁層は、前記トランジスタを構成し、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極の上に配置された層間膜をさらに含み、
前記有機絶縁膜は前記層間膜の一部を覆う、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記無機絶縁層は、前記開口部において前記基板を露出し、
前記有機絶縁膜は、前記開口部において前記基板と接する請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記開口部は、前記基板の一端から対向する他端にかけて位置する請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記有機絶縁膜は、前記層間膜の上に突出する請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
表示領域と周辺領域を有する基板に、前記表示領域と前記周辺領域と重なるアンダーコートを形成し、
前記表示領域の前記アンダーコート上に、半導体膜、ゲート電極、および前記半導体膜と前記ゲート電極に挟まれるゲート絶縁膜を、前記ゲート絶縁膜が前記表示領域から前記周辺領域に延伸するように形成し、
前記半導体膜、前記ゲート電極、および前記周辺領域の前記ゲート絶縁膜と重なる層間膜を形成し、
前記アンダーコート、前記ゲート絶縁膜、および前記層間膜を部分的に除去することによって前記周辺領域で前記基板を露出させる開口部を形成し、
前記開口部に、露出した前記基板と接し、前記開口部の端部に比べ中心部の膜厚が大きい有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜の上面に沿って配線を形成することを含む、表示装置を作製する方法。
【請求項９】
前記有機絶縁膜を形成する前に、前記開口部を親液処理する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記親液処理をする前に、前記表示領域および前記周辺領域を撥液処理する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記有機絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の一部を覆うように形成される、請求項８乃至１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記有機絶縁膜は、前記アンダーコートの一部を覆うように形成される、請求項８乃至１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記有機絶縁膜は、前記層間膜の一部を覆うように形成される、請求項８乃至１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記開口部は、前記基板の一端から対向する他端にかけて形成される請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記有機絶縁膜は、前記層間膜の上に突出させる請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記配線の形成時、前記半導体膜と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記ソース／ドレイン電極と電気的に接続される表示素子を形成することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記有機絶縁膜を、インクジェット法で形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１９】
前記親液処理は、酸素を含む気体のグロー放電プラズマで処理する、請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
前記撥液処理は、フッ素を含む気体のグロー放電プラズマで処理する、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、表示装置に関する例えば有機発光素子を表示素子として有する表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、基板上に形成された複数の画素の各々に表示素子として液晶素子や有機発光素子（以下、発光素子）を有している。
【０００３】
基板として可撓性を有する基板を用いることで、表示装置全体に可撓性を付与することができる。これにより、湾曲した形状を有する表示装置や、ユーザが自由に変形可能な表示装置が提供される。表示装置を湾曲させる場合、特許文献１に開示されているように、表示に関与しない部分が表示領域と重なるように基板を折り曲げることで、見かけ上、表示領域の面積割合が増大し、デザイン性に優れた表示装置を提供することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１２６０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態の一つは、可撓性を有する表示装置において、基材が曲げられる領域に配置される配線の断線や短絡を防ぐことを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１面及び第１面と反対側の第２面とを有する基板と、第１面の複数の画素が配置された表示領域と、第１面の表示領域の外側の周辺領域と、周辺領域で複数の端子電極が配置された端子部と、表示領域と端子部との間に配置される配線と、表示領域と端子部とに亘る少なくとも１層の無機絶縁層と、表示領域と端子部との間に配置される有機絶縁膜と、を含み、無機絶縁層は、表示領域と端子部との間に開口部を有し、有機絶縁膜は開口部に重ねて配置され、有機絶縁膜は、開口部の端部に比べ中心部の膜厚が大きく、配線は、有機絶縁膜の上面に沿って配置される。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは表示装置を作製する方法である。この方法は、表示領域と周辺領域を有する基板に、表示領域と周辺領域と重なるアンダーコートを形成し、表示領域のアンダーコート上に、半導体膜、ゲート電極、および半導体膜とゲート電極に挟まれるゲート絶縁膜を、ゲート絶縁膜が表示領域から周辺領域に延伸するように形成し、半導体膜、ゲート電極、および周辺領域のゲート絶縁膜と重なる層間膜を形成し、アンダーコート、ゲート絶縁膜、および層間膜を部分的に除去することによって周辺領域で基板を露出させる開口部を形成し、開口部に、露出した基板と接し、開口部の端部に比べ中心部の膜厚が大きい有機絶縁膜を形成し、有機絶縁膜の上面に沿って配線を形成することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態の表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の実施形態の表示装置の側面模式図。
【図３】本発明の実施形態の表示装置の上面模式図。
【図４】本発明の実施形態の表示装置の断面模式図。
【図５】本発明の実施形態の表示装置の断面模式図。
【図６】本発明の実施形態の表示装置の断面模式図。
【図７】本発明の実施形態の表示装置の断面模式図。
【図８】本発明の実施形態の表示装置の断面模式図。
【図９】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１０】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１１】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１２】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１３】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１４】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１５】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１６】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１７】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１８】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１９】本発明の実施形態の表示装置の作製方法を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行って複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１２】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１３】
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【００１４】
（第１実施形態）
［１．全体構成］
本発明の実施形態の一つである表示装置１００の構造を説明する。図１に表示装置１００の上面模式図を示す。表示装置１００は基板１０２を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜を有する。これらの膜を適宜組み合わせることにより、複数の画素１０４や画素１０４を駆動するための走査線側駆動回路１０８が形成される。各画素１０４は色情報を与える最小単位であり、表示素子を駆動するための画素回路を含む領域である。複数の画素１０４は周期的に配置され、表示領域１０６を定義する。以下、表示素子として発光素子を用いた例について説明する。
【００１５】
走査線側駆動回路１０８は表示領域１０６の外側の周辺領域に配置される。表示領域１０６や走査線側駆動回路１０８からは配線１１２が基板１０２の一端へ延び、配線は基板１０２の端部に形成される端子１２８に接続される。これらの端子１２８はフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）などのコネクタ１１４と電気的に接続される。ここで示した例では、半導体基板上に形成された集積回路を有する駆動ＩＣ１１６がコネクタ１１４上にさらに搭載される。駆動ＩＣ１１６やコネクタ１１４を介して外部回路（図示せず）から映像信号や電源が配線１１２を介して走査線側駆動回路１０８や各画素１０４に伝送される。これらの映像信号や電源に基づいて画素１０４が制御、駆動され、表示領域１０６上に映像が表示される。駆動回路や駆動ＩＣ１１６の態様については図１に示す態様に限られず、例えば駆動ＩＣ１１６は基板１０２上に実装されてもよく、駆動ＩＣ１１６の機能の一部を駆動回路として基板１０２上に形成してもよい。
【００１６】
基板１０２として可撓性を有する基板を用いることで、表示装置１００に対して可撓性を付与することができ、表示装置１００を湾曲あるいは折り曲げることができる。例えば、配線１１２が設けられる領域（以下、配線領域）１２０、すなわち表示領域１０６と端子１２８が設けられる端子部１３０との間の領域で折り曲げることができる。この時の三次元構造の側面模式図を図２に示す。図２に示すように、配線領域１２０とこの領域に設けられる配線１１２を屈曲させることで、基板１０２の端部に位置する端子１２８やコネクタ１１４を表示領域１０６と重なるように配置することができる。本実施形態においては、表示装置１００を表示領域１０６の一辺に沿って、約１８０°複数の画素１０４が配置される面（第１面）とは反対側の面（第２面）方向に屈曲させる。表示領域１０６の近傍で折り曲げるほど、表示装置１００の狭額縁化を図ることができる。この時、三次元構造を安定化させるためにスペーサ１２２を設けてもよい。このように表示装置１００を変形することにより、表示領域１０６が占める見かけ上の面積の割合を大きくすることができ、デザイン性に優れた表示装置を提供することができる。
【００１７】
配線領域１２０の拡大上面図を図３に模式的に示す。配線領域１２０は表示領域１０６や走査線側駆動回路１０８と基板１０２の端部の間に設けられる。基板１０２の端部には、複数の端子１２８が配置される端子部１３０が設けられる。図３に示すように、それぞれの配線１１２は表示領域１０６や走査線側駆動回路１０８と、基板１０２の端部に形成される端子１２８とを電気的に接続する。配線領域１２０において、配線１１２は有機絶縁膜１２４の上面に配置される。
【００１８】
［２．画素の構造］
上述したように、各画素１０４には、パターニングされた種々の絶縁膜や半導体膜、導電膜によって発光素子ＯＬＥＤを含む画素回路が形成される。図４に表示装置１００の断面模式図を示す。図４では、支持基板１１８上の基板１０２の上に形成された隣接する三つの画素１０４の画素回路のうち、駆動トランジスタＤＲＴ、保持容量Ｃｓ、付加容量Ｃａｄ、発光素子ＯＬＥＤの断面構造が示されている。
【００１９】
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート１６０を介し、基板１０２上に設けられる。基板１０２は可撓性を有する有機樹脂材料が用いられる。有機樹脂材料としては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートなどの高分子が挙げられ、中でも耐熱性の高いポリイミドが好適である。
【００２０】
アンダーコート１６０は図４に示すように単層構造を有していてもよく、複数の膜から構成されていてもよい。複数の膜を用いる場合、例えば、酸化シリコンを含む膜、窒化シリコンを含む膜、および酸化シリコンを含む膜を順次基板１０２上に形成すればよい。
【００２１】
駆動トランジスタＤＲＴは、半導体膜１６２、ゲート絶縁膜１６４、ゲート電極１６６、ソース／ドレイン電極１６８、１７０を含む。ゲート絶縁膜１６４はゲート電極１６６と半導体膜１６２によって挟まれる。ゲート電極１６６は、ゲート絶縁膜１６４を介して半導体膜１６２の少なくとも一部と交差するように配置され、半導体膜１６２のゲート電極１６６が重なる領域にチャネル領域１６２ａが形成される。半導体膜１６２はさらに、チャネル領域１６２ａを挟持し、不純物がドープされた低濃度不純物領域１６２ｃ、およびこれらを挟持し、不純物がドープされたソース／ドレイン領域１６２ｂを有する。低濃度不純物領域１６２ｃの不純物の濃度は、ソース／ドレイン領域１６２ｂの不純物の濃度よりも低い。図４に示した例では駆動トランジスタＤＲＴはトップゲート型のトランジスタであるが、画素回路に含まれるトランジスタの構造に制約は無く、ボトムゲート型トランジスタでも良い。また、ソース／ドレイン電極１６８、１７０と半導体膜１６２との上下関係にも制約は無い。
【００２２】
ゲート絶縁膜１６４を介し、ゲート電極１６６と同一の層に存在する容量電極１７２が一方のソース／ドレイン領域１６２ｂと重なるように設けられる。ゲート電極１６６、容量電極１７２の上には層間膜１７４が設けられる。層間膜１７４とゲート絶縁膜１６４には、半導体膜１６２に達する開口が形成され、この開口を覆うようにソース／ドレイン電極１６８、１７０が配置される。ソース／ドレイン電極１７０の一部は、層間膜１７４を介してソース／ドレイン領域１６２ｂの一部と容量電極１７２と重なり、ソース／ドレイン領域１６２ｂの一部、ゲート絶縁膜１６４の一部、容量電極１７２、層間膜１７４、およびソース／ドレイン電極１７０の一部によって保持容量Ｃｓが形成される。
【００２３】
駆動トランジスタＤＲＴや保持容量Ｃｓの上にはさらに平坦化膜１７６が設けられる。平坦化膜１７６は、ソース／ドレイン電極１７０に達する開口を有し、この開口と平坦化膜１７６の上面の一部を覆う接続電極１７８がソース／ドレイン電極１７０と接するように設けられる。平坦化膜１７６上にはさらに付加容量電極１８０が設けられる。接続電極１７８や付加容量電極１８０は同時に形成してもよく、異なる材料を有するように異なる工程で形成してもよい。前者の場合、接続電極１７８や付加容量電極１８０は同一の層に存在し、同一の組成を有する。
【００２４】
接続電極１７８と付加容量電極１８０を覆うように付加容量絶縁膜１８２が形成される。付加容量絶縁膜１８２は、平坦化膜１７６の開口では接続電極１７８の一部を覆わず、接続電極１７８の上面を露出する。これにより、接続電極１７８を介し、その上に設けられる画素電極１９０とソース／ドレイン電極１７０間の電気的接続が可能となる。付加容量絶縁膜１８２には、その上に設けられる隔壁１８４と平坦化膜１７６の接触を許容するための開口１８６を設けてもよい。接続電極１７８や開口１８６の形成は任意である。接続電極１７８を設けることにより、その後のプロセスにおいてソース／ドレイン電極１６８の表面の腐食を防止することができ、ソース／ドレイン電極１６８のコンタクト抵抗の増大を防止することができる。開口１８６を通して平坦化膜１７６中の不純物を除去することができ、これによって画素回路や発光素子ＯＬＥＤの信頼性を向上させることができる。
【００２５】
付加容量絶縁膜１８２上には、接続電極１７８と付加容量電極１８０を覆うように、画素電極１９０が設けられる。付加容量絶縁膜１８２は付加容量電極１８０と画素電極１９０によって挟持され、この構造によって付加容量Ｃａｄが形成される。画素電極１９０は、付加容量Ｃａｄと発光素子ＯＬＥＤによって共有される。
【００２６】
画素電極１９０の上には、画素電極１９０の端部を覆う隔壁１８４が設けられる。隔壁１８４により、画素電極１９０に起因する凹凸が緩和され、この上に設けられる電界発光層（以下、ＥＬ層）１９２や対向電極１９４の切断を防止することができる。隔壁１８４と画素電極１９０を覆うようにＥＬ層１９２、およびＥＬ層１９２を覆う対向電極１９４が設けられる。発光素子ＯＬＥＤからの発光を画素電極１９０を通して取り出す場合には、画素電極１９０は可視光を透過するように構成される。この場合、具体的な材料としてはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過可能な導電性酸化物が用いられる。一方、発光素子ＯＬＥＤからの発光を対向電極１９４を通して取り出す場合には、画素電極１９０は可視光を反射するように構成される。この場合、画素電極１９０は銀やアルミニウムなどの可視光の反射率が高い金属を含む。あるいは画素電極１９０は、導電性酸化物を含む膜と反射率が高い金属を含む膜の積層構造を有してもよい。例えば、導電性酸化物を含む第１の導電膜、銀、アルミニウムなどの金属を含む第２の導電膜、導電性酸化物を含む第３の導電膜の積層構造を採用することができる。
【００２７】
ＥＬ層１９２の構造は任意であり、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、励起子ブロッキング層などの機能層を適宜組み合わせて形成することができる。ＥＬ層１９２の構造はすべての画素１０４間で同一でもよく、隣接する画素１０４間で一部の構造が異なってもよい。例えば隣接する画素１０４間で発光層の構造、あるいは材料が異なり、他の層は同一の構造を有するよう、画素１０４を構成してもよい。図４では、見やすさを考慮し、代表的な機能層としてホール輸送層１９２ａ、発光層１９２ｂ、電子輸送層１９２ｃが示されている。
【００２８】
発光素子ＯＬＥＤからの発光を画素電極１９０を通して取り出す場合には、対向電極１９４は可視光を反射するように構成される。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウムなどの反射率の高い金属やこれらの合金（例えばマグネシウムと銀の合金）を用いて形成される。一方、発光素子ＯＬＥＤからの発光を対向電極１９４を通して取り出す場合には、可視光を透過可能な導電性酸化物を含むように画素電極１９０が構成される。あるいは、上述した金属や合金を可視光が透過可能な厚さで形成してもよい。この場合、可視光に対して透光性を示す導電性酸化物の膜をさらに形成してもよい。
【００２９】
任意の構成として、対向電極１９４上にはパッシベーション膜１９６が配置される。パッシベーション膜１９６の構造も任意に決定することができ、単層構造、積層構造のいずれを採用してもよい。積層構造を有する場合、例えばケイ素含有無機化合物を含む第１の層１９６ａ、樹脂を含む第２の層１９６ｂ、ケイ素含有無機化合物を含む第１の層１９６ａが順次積層した構造を採用することができる。ケイ素含有無機化合物としては窒化ケイ素や酸化ケイ素が挙げられる。樹脂としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリエステル、ポリカルボナートなどが挙げられる。
【００３０】
［３．配線領域の構造］
図１の拡大図における鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面模式図を図５に示す。図１の拡大図における鎖線Ｂ−Ｂ´に沿った断面模式図を図６に示す。上述したように、表示領域１０６にはアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４が設けられる。これらは支持基板１１８上の基板１０２の端部にも延伸するように、基板１０２の略全面に設けられるが、図５に示すように、配線領域１２０の一部においてアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４は除去される。すなわち、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４は、表示領域１０６と端子部１３０との間に開口を有する。アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４はいずれも互いに重なる開口を有し、これらの開口において基板１０２が露出する。アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口は、表示領域１０６の一辺に沿って、基板１０２の一端から他端にかけて、帯状に形成される。
【００３１】
無機絶縁膜であるアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４は、表示装置１００を屈曲させるときに、皹が入ることがある。このため配線領域１２０の一部において、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４が開口を有することで、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口において屈曲させやすくなり、且つアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の破損を防ぐことができる。
【００３２】
図５に示した例では、アンダーコート１６０の開口の全体がゲート絶縁膜１６４の開口と重なり、ゲート絶縁膜１６４の開口全体が層間膜１７４の開口と重なる。アンダーコート１６０の開口よりゲート絶縁膜１６４の開口は大きく、ゲート絶縁膜１６４の開口より層間膜１７４の開口は大きい。すなわち、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４はそれぞれの開口端部において、段差構造を有する。しかしながらこれに限定されず、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口側面が同一平面上に存在してもよい。また、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口側面は膜に対して垂直であってもよく、それぞれの開口側面は膜底面に対して鋭角を有していてもよい。
【００３３】
配線領域１２０には、有機絶縁膜１２４が配置される。アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口を覆うように、有機絶縁膜１２４が設けられる。有機絶縁膜１２４は、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口側面を覆う。有機絶縁膜１２４は、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口端部における上面（基板１０２とは反対側の面）を覆う。図６に示すように、有機絶縁膜１２４は、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口において露出した基板１０２を覆う。有機絶縁膜１２４は、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口を充填し、それぞれの開口によって形成された段差構造を平坦化する。本実施形態において、有機絶縁膜１２４はさらに、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口付近において端部から中心部にかけて凸形状１２６を有する。有機絶縁膜１２４は、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口部の端部に比べ中心部の膜厚が大きい。有機絶縁膜１２４の凸形状１２６は、層間膜１７４上に突出する。すなわち、有機絶縁膜１２４の最大膜厚Ｔは、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の合計膜厚Ｔ’よりも大きい。凸形状１２６の形状はとくに限定しないが、連続した１つの凸形状であって、丸みを帯びて、角部を有さないことが好ましい。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁膜１２４の最大膜厚Ｔと、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の合計膜厚Ｔ’との差（Ｔ−Ｔ’）は、―０．５μｍ以上＋２．０μｍ以下の範囲であることが好ましい。有機絶縁膜１２４の表面形状は、凹凸構造が少なければよい。
【００３４】
有機絶縁膜１２４が、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口を充填し、凸形状１２６を有することによって、配線１１２がそれぞれの開口によって形成された段差構造に依存することなく、断線や短絡などによる信頼性の低下を抑制することができる。また、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の破損を抑制することで、これらの上の配線１１２における断線や短絡などによる信頼性の低下をさらに抑制することができる。
【００３５】
有機絶縁膜１２４は有機化合物を含み、有機化合物としては樹脂などの高分子が挙げられる。高分子は、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカルボナート、ポリシロキサン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などがから選択され、鎖状構造を有していてもよく、分子間で架橋していてもよい。中でも耐熱性の高いポリイミドが好適である。配線１１２は有機絶縁膜１２４上に設けられ、配線領域１２０において有機絶縁膜１２４と接する。したがって、配線１１２は凸形状１２６上に設けられる。配線領域１２０において有機絶縁膜１２４が設けられれない領域では、配線１１２は層間膜１７４と接する。
【００３６】
配線１１２は、表示領域１０６の画素回路または走査線側駆動回路１０８と接続する。配線１１２が画素回路と接続する場合、配線１１２は初期化信号信号または映像信号が伝送されるように構成されてもよい。配線１１２は、画素１０４に設けられるトランジスタのソース／ドレイン電極（例えば駆動トランジスタＤＲＴのソース／ドレイン電極１６８、１７０）と同一の層内に存在してもよい。あるいは、配線１１２が電流供給線の場合、ゲート電極１６６とソース／ドレイン電極１６８、１７０の間に図４では示されない電流供給線を設け、この電流供給線と同一の層内に存在する配線で配線１１２を形成してもよい。
【００３７】
図５に示した例では、画素１０４に設けられる付加容量絶縁膜１８２が表示領域１０６から配線領域１２０へ延伸し、配線１１２と接するように、配線１１２上に配置される。配線１１２は基板１０２の端部付近まで延伸し、配線領域１２０において付加容量絶縁膜１８２から露出される。配線１１２はさらに、端子部１３０において付加容量絶縁膜１８２から露出され、端子１２８を与える。端子１２８では、配線１１２を保護するための保護導電膜１８８が配線１１２上に設けられ、付加容量絶縁膜１８２は保護導電膜１８８の一部を覆う。保護導電膜１８８は、例えば接続電極１７８、あるいは付加容量電極１８０と同一の層内に存在し、好ましくはＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を含む。
【００３８】
配線１１２上にはさらに絶縁膜が備えられ、配線１１２が保護されてもよい。例えば図７に示した例では、画素１０４に設けられる隔壁１８４が、配線１１２と接するように、配線１１２上に配置される。しかしながらこれに限定されず、配線領域１２０上には、任意の絶縁膜を配置することができる。図５および図７に示した例では、平坦化膜１７６やパッシベーション膜１９６は有機絶縁膜１２４と重ならないが、図８に示すように、平坦化膜１７６は有機絶縁膜１２４と重なってもよい。また、図示しないが、パッシベーション膜１９６は有機絶縁膜１２４と重なってもよい。
【００３９】
上述した構造を有する表示装置１００では、配線領域１２０において、無機絶縁層であるアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４が開口を有することで、表示装置１００を屈曲させやすくなり、且つアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の破損を防ぐことができる。アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の開口において、凸形状１２６を有する有機絶縁膜１２４を有することで、配線１１２の断線や短絡などによる信頼性の低下を抑制することができる。また、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の破損を抑制することで、これらの上の配線１１２における断線や短絡などによる信頼性の低下をさらに抑制することができる。このため、配線領域１２０を折り曲げて表示装置１００を変形した場合、表示装置１００に高い信頼性を付与することができ、デザイン性に優れた表示装置を提供することができる。
【００４０】
（第２実施形態）
本実施形態では、可撓性を有する表示装置１００の作製方法について、図９（Ａ）から図１８を用いて説明する。これらの図のそれぞれにおいて、左側の図は表示領域１０６中の画素１０４を示し、図４の断面図の一部に対応する。一方、右側の図は配線領域１２０の一部の断面図であり、図５の断面図の一部に相当する。第１実施形態と同一、あるいは類似する構成については説明を割愛することがある。
【００４１】
まず、支持基板１１８上に基板１０２を形成する（図９（Ａ））。支持基板１１８はガラスや石英などを含み、その大きさや厚さは任意に選択することができる。例えば６８ｃｍ×８８ｃｍ、１１０ｃｍ×１３０ｃｍ、１５０ｃｍ×１８５ｃｍ、あるいは２２０ｃｍ×２５０ｃｍの大きさを有するガラス板を支持基板１１８として用いることができる。支持基板１１８の厚さは０．１ｍｍから１０ｍｍの範囲で任意に選択することができ、典型的には０．５ｍｍから０．７ｍｍである。
【００４２】
基板１０２は可撓性を示す絶縁膜であり、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基板１０２は、印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成される。表示装置１００に可撓性を付与しない場合、基板１０２の形成を省略すればよい。
【００４３】
次に、基板１０２上にアンダーコート１６０を形成する（図９（Ａ））。アンダーコートは、表示領域１０６と配線領域１２０の両方に設けられる。図９（Ａ）では、アンダーコート１６０が単一の層から構成される形態が示されているが、第１実施形態で述べたように、アンダーコート１６０は三層構造を有してもよい。こアンダーコート１６０は、化学気相堆積（ＣＶＤ）法やスパッタリング法を用いて形成することができる。図示しないが、トランジスタを形成する領域に可視光をブロックする遮光膜を設けてもよい。
【００４４】
次に、半導体膜１６２をアンダーコート１６０上に形成する（図９（Ａ））。半導体膜１６２はシランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。次に、半導体膜１６２のチャネル領域１６２ａと低濃度不純物領域１６２ｃを形成する領域に図示しないレジストマスクを形成し、半導体膜１６２に対してドーピング（第１のドーピング）を行い、ソース／ドレイン領域１６２ｂを形成する（図９（Ａ））。ドーピングは公知の方法を適用して行うことができる。
【００４５】
引き続き、半導体膜１６２を覆うようにゲート絶縁膜１６４を形成する（図９（Ｂ））。ゲート絶縁膜１６４は、配線領域１２０のアンダーコート１６０上にも設けられる。アンダーコート１６０と同様、ゲート絶縁膜１６４も窒化ケイ素や酸化ケイ素を含む膜を一つ、あるいは複数含み、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成される。
【００４６】
その後、ゲート絶縁膜１６４上にゲート電極１６６、および容量電極１７２をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図９（Ｂ））。この時、各種走査線（書込制御走査線１４０、初期化制御走査線１４２、補正制御走査線１４４、発光制御走査線１４８、リセット制御線１４６など）が形成される。ゲート電極１６６や容量電極１７２に含まれる金属としては、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタル、あるいはこれらの合金などが挙げらる。これらの電極や配線は単層構造を有していて良く、積層構造を有していても良い。例えば導電性の高い銅やアルミニウムなど金属が融点の高いモリブデンやチタンなどの金属で挟まれた構造を採用することができる。
【００４７】
この後、ゲート電極１６６をマスクとして用い、公知の方法により、半導体膜１６２に対してドーピング（第２のドーピング）を行う。これにより、低濃度不純物領域１６２ｃが形成されるとともに、ゲート電極１６６と重なるチャネル領域１６２ａが形成される（図９（Ｂ））。
【００４８】
次にゲート電極１６６や容量電極１７２上に層間膜１７４を形成する（図９（Ｃ））。層間膜１７４は配線領域１２０にも形成される。層間膜１７４もアンダーコート１６０やゲート絶縁膜１６４で使用可能な材料を含み、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して単層構造、あるいは積層構造を有するように形成される。
【００４９】
引き続き層間膜１７４に対してエッチングを行い、開口２１０を形成する（図１０（Ａ））。この時、配線領域１２０に位置する層間膜１７４に対してもエッチングが同時に行われ、開口２１０が形成される。引き続きゲート絶縁膜１６４に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン領域１６２ｂに達する開口２１２を形成する（図１０（Ｂ））。この時、配線領域１２０に位置するゲート絶縁膜１６４に対してもエッチングが同時に行われ、開口２１２が形成される。これにより、配線領域１２０においてアンダーコート１６０が露出する。引き続き配線領域１２０で露出したアンダーコート１６０に対してエッチングを行い、基板１０２を露出する開口２１４を形成する（図１０（Ｃ））。開口２１０、２１２、２１４は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。配線領域１２０に位置する層間膜１７４、ゲート絶縁膜１６４、アンダーコート１６０の開口２１０、２１２、２１４は、表示領域１０６の一辺に沿って、基板１０２の一端から他端にかけて、帯状に形成する。
【００５０】
次に、基板１０２上の略全面を撥液処理する。図１１（Ａ）に示すように、表示領域１０６と配線領域１２０の両方の表面を撥液処理する。撥液処理の方法としては、例えば、四フッ化炭素などを用いたフッ素を含む気体のグロー放電プラズマ処理により、フッ素ラジカルを表面に作用させることで、撥液性の表面を形成する。プラズマ処理は常圧で行っても、減圧で行っても良い。しかしながらこれに限定されず、高分子樹脂２００に対して撥液性が高い処理方法が好ましい。とくに層間膜１７４の表面を撥液処理することで、層間膜１７４において高分子樹脂２００の濡れ性が悪化し、撥液性が高くなる。なお撥液処理は、前述した層間膜１７４、ゲート絶縁膜１６４、アンダーコート１６０のエッチングと、連続して行ってもよい。
【００５１】
次に、配線領域１２０の開口２１０（開口２１２、２１４を含む）付近を親液処理する。図１１（Ｂ）に示すように、配線領域１２０の開口２１０付近の層間膜１７４、ゲート絶縁膜１６４、アンダーコート１６０、および基板１０２の表面を親液処理する。親液処理の方法としては、例えば、酸素を含む気体のグロー放電プラズマ処理により、酸素ラジカルを表面に作用させることで、親液性の表面を形成する。配線領域１２０の開口２１０付近にスリットを有するマスクを用いて酸素ラジカルを照射してもよく、ラインスキャンによって配線領域１２０の開口２１０付近に酸素ラジカルを照射してもよい。後者の場合、図１９に示すように、後述する高分子樹脂２００の塗布と一体型のノズルによって、高分子樹脂２００の塗布の直前に酸素ラジカルを照射してもよい。このとき、図１９（Ａ）に示す酸素ラジカルを照射するノズルＡと、図１９（Ｂ）に示す高分子樹脂２００を塗布するノズルＢは、図１９（Ｃ）に示すように一体型の装置３００に含まれる。装置３００が矢印方向に進むことで、酸素ラジカルの照射の直後に、連続して高分子樹脂２００の塗布を行うことができる。プラズマ処理は常圧で行っても、減圧で行っても良い。しかしながらこれに限定されず、高分子樹脂２００に対して親液性が高い処理方法が好ましい。とくに開口２１０の表面を親液処理することで、層間膜１７４、ゲート絶縁膜１６４、アンダーコート１６０、および基板１０２において高分子樹脂２００の濡れ性が向上し、親液性が高くなる。
【００５２】
次に、有機絶縁膜１２４を配線領域１２０に形成する。具体的には、まず、第１実施形態で述べた高分子樹脂２００を配線領域１２０の開口２１０（開口２１２、２１４を含む）に塗布する（図１１（Ｃ））。高分子樹脂２００は、印刷法、インクジェット法などを利用し、配線領域１２０の開口２１０に塗布される。この時、前処理の撥液処理（図１１（Ａ））、親液処理（図１１（Ｂ））の作用によって、高分子樹脂２００は、配線領域１２０の開口２１０付近に選択的に塗布される。このように高分子樹脂２００の撥液性、親液性を利用することで、有機絶縁膜１２４の成膜位置を制御することができる。しかしながらこれに限定されず、前処理は撥液処理または親液処理のいずれか一方であってもよい。
【００５３】
その後、焼成を行うことで、図１２（Ａ）に示すように、開口２１０、２１２、２１４を覆い、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の一部を覆う有機絶縁膜１２４を得ることができる。焼成時に高分子樹脂２００が収縮しても、有機絶縁膜１２４は層間膜１７４の上に突出している。すなわち、開口２１０（開口２１２、２１４を含む）において端部から中心部にかけて連続した凸形状１２６を有する有機絶縁膜１２４を形成することができる。従来のフォトリソグラフィ法による有機絶縁膜１２４の成膜方法では、有機絶縁膜１２４が下層の無機絶縁膜の段差構造を反映してしまい、特に開口中心部に凹構造、開口端部に凸構造が形成される。本実施形態に係る有機絶縁膜１２４の成膜方法では、開口の端部から中心部にかけて連続的な１つの凸構造が形成される。本実施形態に係る有機絶縁膜１２４の成膜方法では従来の方法と比較して、凹凸構造の少ない有機絶縁膜１２４を形成することができる。
【００５４】
次に、金属膜を基板１０２上に形成し、エッチングを行って成形し、ソース／ドレイン領域１６２ｂに接続されるソース／ドレイン電極１６８、１７０を形成するとともに、配線領域１２０では層間膜１７４や有機絶縁膜１２４と接する配線１１２を形成する（図１２（Ｂ））。ここまでのプロセスにより、駆動トランジスタＤＲＴや保持容量Ｃｓが形成される。なお、配線１１２はソース／ドレイン電極１６８、１７０と同時に形成しなくてもよい。
【００５５】
次に平坦化膜１７６を、駆動トランジスタＤＲＴや保持容量Ｃｓなどを覆うように形成する（図１２（Ｃ））。平坦化膜１７６はエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ポリカルボナートなどの高分子材料を含み、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、ディップコーティング法などを適用して形成することができる。
【００５６】
その後、平坦化膜１７６に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン電極１７０に達する開口を形成するとともに、配線領域１２０において不要な平坦化膜１７６を適宜除去し、配線１１２の一部を露出する（図１３（Ａ））。
【００５７】
引き続き、ソース／ドレイン電極１６８を露出する開口を覆うように接続電極１７８を形成するとともに、付加容量電極１８０を平坦化膜１７６上に形成する（図１３（Ａ））。この時、保護導電膜１８８が配線１１２上に同時に形成されてもよい（図５参照）。接続電極１７８や付加容量電極１８０、保護導電膜１８８は、例えば導電性酸化物をスパッタリングすることで形成することができる。
【００５８】
その後、接続電極１７８や付加容量電極１８０、保護導電膜１８８を覆うように付加容量絶縁膜１８２を形成する（図１３（Ｂ）、図５）。付加容量絶縁膜１８２も窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機化合物を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。付加容量絶縁膜１８２は、接続電極１７８の上面の一部を露出する開口を有する。この開口において、発光素子ＯＬＥＤの画素電極１９０と接続電極１７８の電気的接続が行われる。
【００５９】
次に、接続電極１７８と接するように、かつ、付加容量電極１８０と重なるように、画素電極１９０をスパッタリング法やＣＶＤ法を利用して形成する。（図１３（Ｂ））。その後、画素電極１９０の端部を覆うように、隔壁１８４を形成する（図１３（Ｃ））。隔壁１８４はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を用い、スピンコート法やインクジェット法などを利用して形成することができる。隔壁１８４により、画素電極１９０などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１０４の画素電極１９０同士を互いに電気的に絶縁することができる。
【００６０】
次に発光素子ＯＬＥＤのＥＬ層１９２、および対向電極１９４を、画素電極１９０と隔壁１８４を覆うように形成する（図１４（Ａ））。ＥＬ層１９２はインクジェット法や印刷法、あるいは蒸着法などの乾式成膜法を適用して形成される。対向電極１９４もスパッタリング法、あるいは蒸着法を利用して形成することができる。
【００６１】
次にパッシベーション膜１９６を形成する。図４に示すように、パッシベーション膜１９６が三層の構造を有している場合、まず第１の層１９６ａを対向電極１９４を覆うように形成する（図１４（Ａ））。第１の層１９６ａは、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機材料を含み、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成される。第１の層１９６ａは配線１１２と重なるように設けることができ、また、図示しないが、保護導電膜１８８を覆うように形成してもよい。
【００６２】
引き続き第２の層１９６ｂを形成する。第２の層１９６ｂは、図１４（Ｂ）に示すように、隔壁１８４に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層１９６ｂは、印刷法やインクジェット法、スピンコート法などによって形成することができる。あるいは、第１実施形態で述べた樹脂の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層１９６ａに吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって第２の層１９６ｂを形成してもよい。第２の層１９６ｂは、端子１２８を覆わないように形成することが好ましい。図１４（Ｂ）に示す例では、第２の層１９６ｂは、その端部が平坦化膜１７６の端部よりも端子１２８から遠くなるよう設けられる。すなわち、第２の層１９６ｂの全体が平坦化膜１７６と重なるよう、第２の層１９６ｂが形成される。
【００６３】
その後、第３の層１９６ｃを第２の層１９６ｂと接するように形成する（図１５）。第３の層１９６ｃは、第１の層１９６ａで使用可能な材料を含むことができ、第１の層１９６ａの形成に適用可能な方法で形成することができる。第３の層１９６ｃも保護導電膜１８８を覆うように形成してもよい。
【００６４】
この後、樹脂マスク２１６を表示領域１０６、および配線領域１２０の一部を覆うように形成し（図１５）、樹脂マスク２１６をマスクとして用い、樹脂マスク２１６から露出した第１の層１９６ａ、第３の層１９６ｃ、付加容量絶縁膜１８２をエッチングにより除去する（図１６）。図示しないが、これにより端子１２８において保護導電膜１８８が露出される。
【００６５】
この後、表示領域１０６や配線領域１２０を覆うように、接着層２１８を介してキャップフィルム２２０を配置してもよい（図１７）。キャップフィルム２２０はポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナフタレート）などのポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリカーボナート、ポリアクリル酸エステルなどの高分子を含むことができる。キャップフィルム２２０はラミネート法、あるいは湿式成膜法によって形成することができる。キャップフィルム２２０の表面に、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレンなどの含フッ素高分子フィルム、あるいはポリ塩化ビニリデンなどのガス透過性の低い高分子フィルムを設けてもよい。図示しないが、キャップフィルム２２０は端子１２８を覆わないように形成される。あるいは、キャップフィルム２２０を端子１２８を覆うように形成した後、端子１２８と重なる部分を除去してもよい。
【００６６】
引き続き、支持基板１１８側からレーザー光源やフラッシュランプなどの光源を用いて光照射を行い、支持基板１１８と基板１０２間の接着力を低下させる。その後、図１７の矢印で示す界面、すなわち、支持基板１１８と基板１０２の界面に沿って物理的に支持基板１１８を剥離する。これにより、基板１０２の底面が露出する。
【００６７】
その後、図１８に示すように、任意の構成としてベースフィルム２２２を基板１０２の底面に固定してもよい。ベースフィルム２２２はラミネート法を用いて固定することができる。この時、接着層を用いてもよい。ベースフィルム２２２はキャップフィルム２２０で使用可能な材料を含むことができる。
【００６８】
以上のプロセスにより、可撓性の表示装置１００を製造することができる。
【００６９】
上記説明から理解されるように、表示装置１００は通常の半導体製造プロセスを利用することで作製することができる。したがって、本実施形態を適用することにより、プロセスに大きな負担をかけることなく、信頼性の高い表示装置、可撓性表示装置を提供することが可能である。
【００７０】
上述した表示装置１００の製造方法では、無機絶縁層の撥液処理（図１０（Ｃ））、親液処理（図１１（Ａ））によって、高分子樹脂２００は、配線領域１２０の開口２１２、２１４付近に選択的に塗布される。このように高分子樹脂２００の撥液性、親液性を利用することで、有機絶縁膜１２４の成膜位置を制御することができる。したがって、従来のフォトリソグラフィ法による有機絶縁膜１２４の成膜方法と比較して、材料である高分子樹脂２００の使用量を大幅に抑制することができる。また、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法では、有機絶縁膜１２４の端部から中心部にかけて凸形状が形成される。本実施形態に係る有機絶縁膜１２４の成膜方法では従来の方法と比較して、凹凸構造の少ない有機絶縁膜１２４を形成することができる。このため、有機絶縁膜１２４の上に配置される配線１１２における断線や短絡などによる信頼性の低下を抑制することができる。
【００７１】
このように製造した表示装置１００は、無機絶縁層であるアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４が開口を有する配線領域１２０において、表示装置１００を屈曲させやすくなり、且つアンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の破損を防ぐことができる。また、アンダーコート１６０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１７４の破損を抑制することで、これらの上の配線１１２における断線や短絡などによる信頼性の低下をさらに抑制することができる。このため、配線領域１２０を複数の画素１０４が配置される面（第１面）とは反対側の面（第２面）方向に折り曲げて表示装置１００を変形した場合、表示装置１００に高い信頼性を付与することができ、デザイン性に優れた表示装置を提供することができる。
【００７２】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００７３】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００７４】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００７５】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素、１０６：表示領域、１０８：走査線側駆動回路、１１２：配線、１１４：コネクタ、１１８：支持基板、１２０：配線領域、１２２：スペーサ、１２４：有機絶縁膜、１２６：凸形状、１２８：端子、１３０：端子部、１３２：電流供給線、１３４：低電位電源線、１３６：第１の信号線、１３８：第２の信号線、１４０：書込制御走査線、１４２：初期化制御走査線、１４４：補正制御走査線、１４６：リセット制御線、１４８：発光制御走査線、１５０：リセット信号線、１６０：アンダーコート、１６２：半導体膜、１６２ａ：チャネル領域、１６２ｂ：ドレイン領域、１６２ｃ：低濃度不純物領域、１６４：ゲート絶縁膜、１６６：ゲート電極、１６８：ソース／ドレイン電極、１７０：ソース／ドレイン電極、１７２：容量電極、１７４：層間膜、１７６：平坦化膜、１７８：接続電極、１８０：付加容量電極、１８２：付加容量絶縁膜、１８４：隔壁、１８６：開口、１８８：保護導電膜、１９０：画素電極、１９２：ＥＬ層、１９２ａ：ホール輸送層、１９２ｂ：発光層、１９２ｃ：電子輸送層、１９４：対向電極、１９６：パッシベーション膜、１９６ａ：第１の層、１９６ｂ：第２の層、１９６ｃ：第３の層、２００：高分子樹脂、２１０：開口、２１２：開口、２１４：開口、２１８：接着層、２２０：キャップフィルム、２２２：ベースフィルム
【図１】
2019120751.tif 000003
【図２】
2019120751.tif 000004
【図３】
2019120751.tif 000005
【図４】
2019120751.tif 000006
【図５】
2019120751.tif 000007
【図６】
2019120751.tif 000008
【図７】
2019120751.tif 000009
【図８】
2019120751.tif 000010
【図９】
2019120751.tif 000011
【図１０】
2019120751.tif 000012
【図１１】
2019120751.tif 000013
【図１２】
2019120751.tif 000014
【図１３】
2019120751.tif 000015
【図１４】
2019120751.tif 000016
【図１５】
2019120751.tif 000017
【図１６】
2019120751.tif 000018
【図１７】
2019120751.tif 000019
【図１８】
2019120751.tif 000020
【図１９】
2019120751.tif 000021