(57)【要約】【課題】半導体パッケージの反りを低減することができるプリプレグを提供する。【解決手段】チップ２と、チップ２が実装された基板３と、を備える半導体パッケージ４の製造に用いられるプリプレグ１である。プリプレグ１は、半硬化状態である。基板３は、プリプレグ１の硬化物を含む。チップ２は、基板３と反対側に位置する第１チップ面２１と、第１チップ面２１と反対側に位置する第２チップ面２２と、を有する。チップ２が基板３に実装される前の、チップ２の第１チップ面２１の熱膨張率をＸ１とし、チップ２が基板３に実装された後の、チップ２の第１チップ面２１の熱膨張率をＸ２とした場合に、以下の関係式（Ｉ）が成り立つ。2019112479.tif 000019【選択図】図１
2019112479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップと、前記チップが実装された基板と、を備える半導体パッケージの製造に用いられるプリプレグであって、
前記プリプレグは、半硬化状態であり、
前記基板は、前記プリプレグの硬化物を含み、
前記チップは、前記基板と反対側に位置する第１チップ面と、前記第１チップ面と反対側に位置する第２チップ面と、を有し、
前記チップが前記基板に実装される前の、前記チップの前記第１チップ面の熱膨張率をＸ１とし、
前記チップが前記基板に実装された後の、前記チップの前記第１チップ面の熱膨張率をＸ２とした場合に、以下の関係式（Ｉ）が成り立つ、
【数１】
2019112479.tif 000017
プリプレグ。
【請求項２】
前記基板は、前記チップが実装される第１基板面と、前記第１基板面と反対側に位置する第２基板面と、を有し、
前記チップが前記第１基板面に実装される前の、前記第１基板面の前記チップが実装される領域の反対側に位置する、前記第２基板面の領域の熱膨張率をＹ１とし、
前記チップが前記第１基板面に実装された後の、前記第１基板面の前記チップが実装された領域の反対側に位置する、前記第２基板面の領域の熱膨張率をＹ２とした場合に、以下の関係式（ＩＩ）が成り立つ、
【数２】
2019112479.tif 000018
請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
基材と、前記基材に含浸された樹脂組成物の半硬化物と、を備える、
請求項１又は２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記基材は、略直交する縦糸及び横糸で織られた織布を含み、
前記縦糸又は前記横糸に対して斜め４５°方向における、前記プリプレグの硬化物の引張り伸び率が５％以上３０％未満の範囲内である、
請求項３に記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂及びビニルエステル樹脂からなる群より選ばれた１種以上の樹脂を含む、
請求項３又は４に記載のプリプレグ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物を含む、
基板。
【請求項７】
絶縁層と、
前記絶縁層の少なくともいずれかの面に設けられた金属層と、を備え、
前記絶縁層は、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物を含む、
金属張積層板。
【請求項８】
チップと、前記チップが実装された基板と、を備え、
前記基板は、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物を含む、
半導体パッケージ。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体パッケージと、前記半導体パッケージが実装されたプリント配線板と、を備える、
プリント回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般にプリプレグ、基板、金属張積層板、半導体パッケージ及びプリント回路板に関する。本開示は、詳細には半導体パッケージの製造に用いられるプリプレグ、プリプレグの硬化物を含む基板、絶縁層と金属層とを備える金属張積層板、チップと基板とを備える半導体パッケージ、及び、半導体パッケージとプリント配線板とを備えるプリント回路板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージを製造するにあたって、チップを基板に実装する際の基板の反りを抑制するために、基板を低熱膨張化及び高弾性率化しておくことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１において、基板の材料となるプリプレグは、熱硬化性樹脂組成物を含んでいる。この熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、充填材と、アミノ変性シロキサンと、を含んでいる。そして、充填材が板状フィラーを含み、アミノ変性シロキサンが芳香族アゾメチン骨格含有アミノ変性シロキサンを含むことにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物が低熱膨張化及び高弾性率化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１３２８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板の低熱膨張化及び高弾性率化の目的は、次のとおりである。すなわち、低熱膨張化の目的は、基板とチップとの熱膨張率（ＣＴＥ：coefficient of thermal expansion）の差を小さくするためである。一方、高弾性率化の目的は、基板が、チップに生じる熱応力に耐えられるようにするためである。このような低熱膨張化及び高弾性率化を両立させることによって、チップ実装時の基板の反りを抑制しようとしている。
【０００６】
しかしながら、基板が高弾性率化されている場合、基板とチップとの熱膨張率の差が小さくても、チップには大きな応力が発生しやすい。そしてこの応力が、半導体パッケージの反りを誘発するおそれがある。
【０００７】
本開示の目的は、半導体パッケージの反りを低減することができるプリプレグ、基板、金属張積層板、半導体パッケージ及びプリント回路板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係るプリプレグは、チップと、前記チップが実装された基板と、を備える半導体パッケージの製造に用いられるプリプレグである。前記プリプレグは、半硬化状態である。前記基板は、前記プリプレグの硬化物を含む。前記チップは、前記基板と反対側に位置する第１チップ面と、前記第１チップ面と反対側に位置する第２チップ面と、を有する。前記チップが前記基板に実装される前の、前記チップの前記第１チップ面の熱膨張率をＸ１とし、前記チップが前記基板に実装された後の、前記チップの前記第１チップ面の熱膨張率をＸ２とした場合に、以下の関係式（Ｉ）が成り立つ。
【０００９】
【数１】
2019112479.tif 000003
【００１０】
本開示の一態様に係る基板は、前記プリプレグの硬化物を含む。
【００１１】
本開示の一態様に係る金属張積層板は、絶縁層と、前記絶縁層の少なくともいずれかの面に設けられた金属層と、を備える。前記絶縁層は、前記プリプレグの硬化物を含む。
【００１２】
本開示の一態様に係る半導体パッケージは、チップと、前記チップが実装された基板と、を備える。前記基板は、前記プリプレグの硬化物を含む。
【００１３】
本開示の一態様に係るプリント回路板は、前記半導体パッケージと、前記半導体パッケージが実装されたプリント配線板と、を備える。
【発明の効果】
【００１４】
本開示によれば、半導体パッケージの反りを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１Ａは、本開示の一実施形態に係るプリプレグを示す概略断面図である。図１Ｂは、本開示の一実施形態に係る半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図２】図２Ａは、同上の半導体パッケージにおいて、チップが膨張したときの基板の挙動を示す説明図である。図２Ｂは、同上の半導体パッケージにおいて、チップが収縮したときの基板の挙動を示す説明図である。
【図３】図３Ａは、チップを基板に実装する前の様子を斜め上から見た斜視図である。図３Ｂは、チップを基板に実装する前の様子を斜め下から見た斜視図である。
【図４】図４Ａは、チップを基板に実装した後の様子を斜め上から見た斜視図である。図４Ｂは、チップを基板に実装した後の様子を斜め下から見た斜視図である。
【図５】図５Ａは、チップとバンプとの接合箇所の層構成を示す概略断面図である。図５Ｂは、チップの第２チップ面を示す底面図である。図５Ｃは、基板の第１基板面を示す平面図である。
【図６】図６は、本開示の一実施形態に係るプリプレグを構成する基材を示す概略平面図である。
【図７】図７Ａは、本開示の一実施形態に係る基板を示す概略断面図である。図７Ｂは、本開示の他の一実施形態に係る金属張積層板を示す概略断面図である。
【図８】図８は、本開示の他の一実施形態に係る基板を示す概略断面図である。
【図９】図９Ａ〜図９Ｇは、セミアディティブ法の一連の工程を示す概略断面図である。
【図１０】図１０Ａは、セミアディティブ法の実施後に、内層パターンとめっきとの間に樹脂スミアが残っていない状態を示す概略断面図である。図１０Ｂは、セミアディティブ法の実施後に、内層パターンとめっきとの間に樹脂スミアが残っている状態を示す概略断面図である。
【図１１】図１１Ａ〜図１１Ｇは、モディファイドセミアディティブ法の一連の工程を示す概略断面図である。
【図１２】図１２Ａは、モディファイドセミアディティブ法の実施後に、内層パターンとめっきとの間に樹脂スミアが残っていない状態を示す概略断面図である。図１２Ｂは、モディファイドセミアディティブ法の実施後に、内層パターンとめっきとの間に樹脂スミアが残っている状態を示す概略断面図である。
【図１３】図１３Ａは、本開示の一実施形態に係る半導体パッケージを示す概略断面図である。図１３Ｂは、本開示の他の一実施形態に係る半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図１４】図１４Ａは、本開示の一実施形態に係るプリント回路板に使用される半導体パッケージを示す概略断面図である。図１４Ｂは、本開示の一実施形態に係るプリント回路板に使用されるプリント配線板を示す概略断面図である。図１４Ｃは、本開示の一実施形態に係るプリント回路板を示す概略断面図である。
【図１５】図１５Ａは、同上のプリント回路板において、チップ及びプリント配線板が膨張したときの基板の挙動を示す説明図である。図１５Ｂは、同上のプリント回路板において、チップ及びプリント配線板が収縮したときの基板の挙動を示す説明図である。
【図１６】図１６は、一般的な半導体パッケージが反る様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［プリプレグ］
（１）概要
図１Ａに本実施形態に係るプリプレグ１を示す。このプリプレグ１は、図１Ｂに示すような半導体パッケージ４の製造に用いられる。プリプレグ１は、半硬化状態であるが、半導体パッケージ４を製造する際には、硬化状態の基板３に加工して用いられる。つまり、基板３は、プリプレグ１の硬化物を含む。そして、半導体パッケージ４は、チップ２と、基板３と、を備える。チップ２は、基板３に実装される。
【００１７】
本実施形態に係るプリプレグ１を用いて製造された半導体パッケージ４は、チップ２が温度変化により膨張又は収縮しても、図２Ａ及び図２Ｂに示すようなメカニズムで反りが低減される。なお、図２Ａ及び図２Ｂでは、反り低減のメカニズムを理解しやすくするために、半導体パッケージ４の挙動を誇張して図示している。
【００１８】
図２Ａは、高温時にチップ２が膨張する際の挙動を示している。チップ２が膨張すると、この挙動に逆らうことなく、基板３も膨張する。より詳しく言えば、基板３全体が膨張するのではなく、基板３全体のうちチップ２に近い部位がチップ２と同程度に膨張するだけで、これ以外の部位はそれほど膨張しない。
【００１９】
一方、図２Ｂは、低温時にチップ２が収縮する際の挙動を示している。チップ２が収縮すると、この挙動に逆らうことなく、基板３も収縮する。より詳しく言えば、基板３全体が収縮するのではなく、基板３全体のうちチップ２に近い部位がチップ２と同程度に収縮するだけで、これ以外の部位はそれほど収縮しない。
【００２０】
このように、半導体パッケージ４において、基板３全体のうちチップ２に近い部位が、チップ２の挙動に逆らわずに、チップ２と同様の挙動を示すことにより、チップ２に大きな応力がかかりにくくなる。言い換えると、チップ２に大きなひずみが発生しにくくなる。したがって、半導体パッケージ４の反りが低減される。
【００２１】
（２）詳細
（２．１）基本構成
本実施形態に係るプリプレグ１の基本構成について説明する。
【００２２】
図１Ａに示すようにプリプレグ１はシート状である。プリプレグ１の厚さは特に限定されないが、例えば５μｍ以上２００μｍ以下の範囲内である。
【００２３】
プリプレグ１は、半硬化状態である。詳しくは、プリプレグ１の材料の一部は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物であり、この樹脂組成物が半硬化状態である。樹脂組成物の詳細については後述する。プリプレグ１は、基材１１も含み得るが、これについても後述する。
【００２４】
ここで、半硬化状態とは、硬化反応の中間段階（Ｂステージ）の状態を意味する。中間段階は、ワニス状態の段階（Ａステージ）と、硬化状態の段階（Ｃステージ）との間の段階である。プリプレグ１は加熱されると一度溶融した後、完全に硬化して硬化状態となる。以下、半硬化状態のものを半硬化物といい、硬化状態のものを硬化物ということがある。
【００２５】
プリプレグ１は電気的絶縁性を有する。プリプレグ１の硬化物も電気的絶縁性を有する。
【００２６】
（２．２）確認方法
本実施形態に係るプリプレグ１は、簡単に言えば、次のような確認方法を使用することで、一般的なプリプレグと区別される。まずチップ２の熱膨張率を測定する。次にプリプレグ１で基板３を製造し、この基板３に上記のチップ２を実装して半導体パッケージ４を製造する。その後、半導体パッケージ４の状態でチップ２の熱膨張率を再度測定する。そして、実装前後のチップ２の熱膨張率の比が所定の範囲内であるか否かにより、本実施形態に係るプリプレグ１であったか否かを確認することができる。
【００２７】
その結果、本実施形態に係るプリプレグ１であった場合には、プリプレグ１の構成（例えば熱硬化性樹脂組成物の組成など）をそのまま採用して、半導体パッケージ４の反りを低減できるプリプレグ１を量産することができる。
【００２８】
一方、本実施形態に係るプリプレグ１でなかった場合には、プリプレグ１の構成を適宜変更して、上記の実装前後のチップ２の熱膨張率の比を所定の範囲内に収めることにより、本実施形態に係るプリプレグ１を得ることができる。
【００２９】
以下、本実施形態に係るプリプレグ１の確認方法について詳述する。なお、一部の図面において、以降の説明を理解しやすくするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を図示した。Ｚ軸方向を上下方向（厚さ方向）、Ｚ軸の正の向きを上、Ｚ軸の負の向きを下と規定するが、この規定は便宜的なものである。
【００３０】
（２．２．１）チップ
チップ２は、例えばシリコン単結晶基板２４を主体に形成されている。チップ２は、ＴＥＧチップ（Test Element Group chip）であってよく、特に限定されない。なお、一般にＴＥＧチップは、ＩＣ（Integrated Circuit）及びＬＳＩ（Large Scale Integratedcircuit）などに発生する設計上及び製造上の問題を見つけ出すための評価用チップである。
【００３１】
図３Ａなどに示すように、チップ２は、略直方体状である。チップ２は、第１チップ面２１と、第２チップ面２２と、を有する。第１チップ面２１及び第２チップ面２２は、チップ２の表裏を成している。チップ２の厚さ（第１チップ面２１と第２チップ面２２との間の距離）は特に限定されないが、例えば２０μｍ以上３００μｍ以下の範囲内である。
【００３２】
図４Ａなどに示すように、第１チップ面２１は、基板３と反対側に位置する。チップ２を真上から見た場合、第１チップ面２１の形状は、略正方形である。便宜上、第１チップ面２１の四辺のうち相対する二辺はＸ軸に平行とし、残りの相対する二辺はＹ軸に平行としてある。第１チップ面２１の大きさは特に限定されないが、例えば３ｍｍ×３ｍｍ〜２０ｍｍ×２０ｍｍの範囲内である。つまり、第１チップ面２１の各辺の長さは例えば３ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲内である。
【００３３】
第２チップ面２２は、第１チップ面２１と反対側に位置する。言い換えると、第２チップ面２２は、基板３に対向する面である。詳しくは、第２チップ面２２は、基板３の第１基板面３１に対向する面である。第２チップ面２２の形状及び大きさは、第１チップ面２１の形状及び大きさと略同一である。
【００３４】
図３Ｂなどに示すように、チップ２は複数のバンプ２３を有する。複数のバンプ２３は、第２チップ面２２に形成されている。各バンプ２３の形状は、略球形である。
【００３５】
ここで、第２チップ面２２とバンプ２３との接合箇所の層構成の一例を図５Ａに示す。以下、この層構成について説明する。チップ２は、主体であるシリコン単結晶基板２４と、下地層２５と、外部端子２６と、パッシベーション層２７と、アンダーバンプメタル層２８（以下「ＵＢＭ層２８」という。）と、を有する。
【００３６】
下地層２５は、シリコン単結晶基板２４の略全面に形成されている。下地層２５は、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により成膜されたシリコン酸化膜である。
【００３７】
外部端子２６は、バンプ２３の接合箇所ごとに形成されている。外部端子２６は、２層で構成されている。すなわち、外部端子２６は、下地層２５から順に、ＴｉＮ層２６１及びＡｌ−Ｃｕ系合金層２６２を積層して形成されている。
【００３８】
パッシベーション層２７は、２層で構成されている。すなわち、パッシベーション層２７は、下地層２５から順に、ＳｉＮ層２７１及びポリイミド層２７２を積層して形成されている。ポリイミド層２７２の外表面が第２チップ面２２である。ＳｉＮ層２７１は、各Ａｌ−Ｃｕ系合金層２６２の表面（略中央部を除く）にも形成されている。ＳｉＮ層２７１は、プラズマＣＶＤの一種であるＨＤＰ（High Density Plasma）により形成されている。
【００３９】
ＵＢＭ層２８は、バンプ２３の接合箇所ごとに形成されている。ＵＢＭ層２８は、各Ａｌ−Ｃｕ系合金層２６２の表面の略中央部からパッシベーション層２７にかけて形成されている。ＵＢＭ層２８は、Ｔｉ／ＮｉＶ／Ｃｕで形成されている。
【００４０】
バンプ２３は、ＵＢＭ層２８に形成されている。バンプ２３ははんだ合金で形成されている。はんだ合金は特に限定されないが、例えばＳＡＣ３０５（Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ）である。
【００４１】
図５Ａに示すように、各バンプ２３のバンプ径Ｄは特に限定されない。バンプ径Ｄは、バンプ２３を真下から見た場合の、略円形のバンプ２３の直径である。
【００４２】
図５Ａに示すように、各バンプ２３のバンプ高さＨは特に限定されない。バンプ高さＨは、バンプ２３を真横から見た場合の、第２チップ面２２の略平坦面からバンプ２３の先端までの距離である。
【００４３】
複数のバンプ２３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに平行に形成されている。Ｘ軸方向におけるバンプ２３の個数と、Ｙ軸方向におけるバンプ２３の個数とは同じであってよい。バンプ２３の総数は特に限定されない。
【００４４】
図５Ａに示すように、バンプピッチＰは特に限定されない。バンプピッチＰは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおいて、隣り合うバンプ２３，２３の中心間距離である。
【００４５】
ここで、チップ２におけるバンプ２３の配置の一例を図５Ｂに示す。図５Ｂでは、第２チップ面２２を、Ｘ軸方向に３つ、Ｙ軸方向に３つ、計９つの略正方形状のブロック２２０に分けている。各ブロック２２０において、複数のバンプ２３が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに平行に形成されている。なお、第２チップ面２２は、複数のブロック２２０に分けられていなくてもよい。
【００４６】
図５Ｂに示すように、第２チップ面２２が複数のブロック２２０に分けられている場合には、各ブロック２２０内におけるバンプピッチＰを一定とし、隣り合うブロック２２０，２２０間の間隔を、上記のバンプピッチＰよりも幅広くしてよい。
【００４７】
（２．２．２）基板
基板３は、パッケージ基板（インターポーザ）としての役割を果たす。図３Ａなどに示すように、基板３は、チップ２よりも一回り大きい矩形板状である。基板３は、第１基板面３１と、第２基板面３２と、を有する。第１基板面３１及び第２基板面３２は、基板３の表裏を成している。基板３の厚さ（第１基板面３１と第２基板面３２との間の距離）は特に限定されないが、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内である。
【００４８】
図４Ａなどに示すように、基板３にチップ２が実装される。詳しくは、第１基板面３１にチップ２が実装される。より詳しくは、第１基板面３１の実装領域３４にチップ２が実装される。基板３の第１基板面３１は、チップ２に対向する面である。第１基板面３１の形状は特に限定されないが、例えば略正方形である。便宜上、第１基板面３１の四辺のうち相対する二辺はＸ軸に平行とし、残りの相対する二辺はＹ軸に平行としてある。第１基板面３１の大きさは特に限定されない。
【００４９】
第２基板面３２は、第１基板面３１と反対側に位置する。第２基板面３２の形状及び大きさは、第１基板面３１の形状及び大きさと略同一である。
【００５０】
基板３は、プリプレグ１の硬化物を含む。詳しくは、基板３は、１枚のプリプレグ１を加熱加圧して硬化させたものでもよいし、２枚以上のプリプレグ１を重ねて加熱加圧して硬化させたものでもよい。基板３は電気的絶縁性を有する。
【００５１】
プリプレグ１を加熱する際の温度は特に限定されないが、例えば１８０℃以上４００℃以下の範囲内である。プリプレグ１を加圧する際の圧力は特に限定されないが、例えば０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲内である。プリプレグ１を加熱加圧する時間は特に限定されないが、例えば１０分以上３００分以下の範囲内である。１枚の基板３の製造に使用されるプリプレグ１の枚数は特に限定されないが、例えば１枚以上８枚以下の範囲内である。
【００５２】
１枚の基板３は、１枚の基材１１（後述の織布など）を含んでいてもよいし、２枚以上の基材１１を含んでいてもよい。
【００５３】
図３Ａなどに示すように、基板３は実装領域３４（一点鎖線で囲まれた領域）を有する。実装領域３４は、第１基板面３１の略中央に位置している。実装領域３４は、第２チップ面２２の形状と略同一である。例えば、第２チップ面２２の形状が略正方形であれば、実装領域３４の形状も、略正方形である。実装領域３４は、第２チップ面２２の大きさと略同一である。便宜上、実装領域３４の四辺のうち相対する二辺はＸ軸に平行とし、残りの相対する二辺はＹ軸に平行としてある。
【００５４】
図３Ａなどに示すように、基板３は複数のパッド３３を有する。複数のパッド３３は、第１基板面３１に形成されている。詳しくは、複数のパッド３３は、第１基板面３１の実装領域３４内に形成されている。各パッド３３の形状は、略円形である。
【００５５】
各パッド３３のパッド径は特に限定されない。パッド径は、パッド３３を真上から見た場合の、略円形のパッド３３の直径である。
【００５６】
図３Ａに示すように、複数のパッド３３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに平行に形成されている。Ｘ軸方向におけるパッド３３の個数と、Ｙ軸方向におけるパッド３３の個数とは同じであってよい。
【００５７】
基板３のパッド３３の総数は、チップ２のバンプ２３の総数と同じである。ＸＹ平面内において、複数のパッド３３の位置関係と複数のバンプ２３の位置関係とは同じである。複数のパッド３３の各々の位置と複数のバンプ２３の各々の位置とは一対一に対応している。パッドピッチはバンプピッチＰと同じである。パッドピッチは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおける、隣り合うパッド３３，３３の中心間距離である。
【００５８】
ここで、図５Ｂのようにチップ２の第２チップ面２２にバンプ２３が配置されている場合には、基板３の第１基板面３１におけるパッド３３は、図５Ｃに示すように配置されている。図５Ｃでは、第１基板面３１の実装領域３４を、Ｘ軸方向に３つ、Ｙ軸方向に３つ、計９つの略正方形状のブロック３３０に分けている。各ブロック３３０において、複数のパッド３３が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに平行に形成されている。各パッド３３は導体で形成されている。導体は特に限定されないが、例えば銅である。
【００５９】
（２．２．３）半導体パッケージ
図４Ａに示すように半導体パッケージ４は、チップ２と、基板３と、を備える。チップ２のバンプ２３と基板３のパッド３３とがはんだ付けにより接合されて、チップ２は、基板３に実装されている。チップ２の第２チップ面２２と、基板３の第１基板面３１との間の距離は特に限定されない。（２．２）の欄で説明したように、この半導体パッケージ４は、基板３の材料として使用したプリプレグ１が、望む特性を有するものであったか否かを事後的に確認するのに用いることができる。つまり、この半導体パッケージ４は、評価用半導体パッケージとして用いることができる。
【００６０】
（２．２．４）熱膨張率の測定
熱膨張率の測定には、デジタル画像相関法（ＤＩＣ：Digital Image Correlation）を使用することができる。デジタル画像相関法は、物体表面に描かれた図形（例えばドットパターン）の変形前後の画像を比較し、物体表面の変位を調べる手法である。したがって、デジタル画像相関法によれば、熱膨張率の算出も可能である。
【００６１】
物体表面の図形の撮影には、ステレオ法の原理が利用され得る。すなわち、複数のカメラ（例えばＣＣＤカメラ）を使用し、物体表面の図形を複数の異なる方向から撮影することで、三次元表面の変位及びひずみ分布を測定することができる。なお、１つのカメラで、物体表面の図形を複数の異なる方向から撮影してもよい。
【００６２】
本実施形態では、具体的には、チップ２を基板３に実装する前と実装した後との２回に分けて、チップ２の第１チップ面２１の熱膨張率をデジタル画像相関法により測定する。
【００６３】
ここで、図３Ａに示すように、チップ２が基板３に実装される前の、チップ２の第１チップ面２１の熱膨張率をＸ１とする。一方、図４Ａに示すように、チップ２が基板３に実装された後の、チップ２の第１チップ面２１の熱膨張率をＸ２とする。要するに、Ｘ１は、実装前のチップ２の第１チップ面２１の熱膨張率であり、Ｘ２は、実装後のチップ２の第１チップ面２１の熱膨張率である。このようにした場合に、本実施形態では、以下の関係式（Ｉ）が成り立つ。
【００６４】
【数２】
2019112479.tif 000004
【００６５】
関係式（Ｉ）が成り立つと、実装後のチップ２が温度変化により膨張又は収縮しても、このチップ２に大きな応力がかかりにくくなる。言い換えると、実装後のチップ２に発生するひずみが小さくなりやすい。つまり、チップ２の伸び縮みに応じて、基板３も伸び縮みするようになる。したがって、半導体パッケージ４の反りを低減することができる。さらに、チップ２の伸び縮みに応じて基板３も伸び縮みすることで、チップ２と基板３との接合箇所に大きな応力がかかりにくくなる。したがって、半導体パッケージ４において、チップ２と基板３との間の電気的及び物理的な接続信頼性を確保することができる。
【００６６】
すなわち、関係式（Ｉ）が成り立つようなプリプレグ１を材料として用いると、反りが低減された半導体パッケージ４を得ることができる。しかもこの半導体パッケージ４においては、チップ２に大きな応力がかかっておらず、発生するひずみも小さい。実装後のチップ２に大きな応力がかかるような場合には、この応力に耐えるために基板３の厚さをある程度厚くする必要があるが、本実施形態では、実装後のチップ２に大きな応力がかからないので、基板３の厚さを薄くすることもできる。したがって、反りの低減された半導体パッケージ４の薄型化を実現し得る。なお、チップ２における応力の発生状況及びひずみ分布は、デジタル画像相関法を使用して確認することができる。
【００６７】
関係式（Ｉ）が成り立たない場合は、図１６に示すように半導体パッケージ４が反った状態となったり、あるいは、見掛け上は反っていなくてもチップ２に大きな応力がかかって、反りを誘発するような状態となったりする。これらの状態では、チップ２と基板３との接合箇所に大きな応力がかかりやすくなり、チップ２と基板３との間の電気的及び物理的な接続信頼性を確保できないおそれがある。
【００６８】
さらに本実施形態では、好ましくは、以下の関係式（ＩＩ）が成り立つ。
【００６９】
【数３】
2019112479.tif 000005
【００７０】
ここで、Ｙ１は、図３Ｂに示すように、チップ２が第１基板面３１に実装される前の、第１基板面３１のチップ２が実装される領域（実装領域３４）の反対側に位置する、第２基板面３２の領域（一点鎖線で囲まれた領域であり、以下「対応領域３５」ともいう。）の熱膨張率である。対応領域３５は、実装領域３４のちょうど真裏に位置する。一方、Ｙ２は、図４Ｂに示すように、チップ２が第１基板面３１に実装された後の、対応領域３５の熱膨張率である。要するに、Ｙ１は、チップ２を基板３に実装する前の、基板３の第２基板面３２における対応領域３５の熱膨張率であり、Ｙ２は、チップ２を基板３に実装した後の、基板３の第２基板面３２における対応領域３５の熱膨張率である。
【００７１】
関係式（ＩＩ）が成り立つと、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、プリント回路板８において基板３の厚さ方向の両側に存在するチップ２及びプリント配線板７が温度変化により膨張又は収縮しても、次のようなメカニズムで接続信頼性を確保することができる。ここで、接続信頼性とは、チップ２と基板３との間の電気的及び物理的な接続信頼性、並びに、基板３とプリント配線板７との間の電気的及び物理的な接続信頼性を意味する。なお、本明細書では、プリント回路板８とは、パッドを含む導体パターンが形成され、かつ、半導体パッケージ４を含む電子部品が実装されて、電子回路として動作するようになったものを意味する。一方、プリント配線板７とは、導体パターンが形成されているだけで、電子部品が実装されていないものを意味する。ここでのプリント配線板７は、マザーボード又はメインボードとしての役割を果たしている。
【００７２】
図１５Ａは、高温時にチップ２及びプリント配線板７が膨張する際の挙動を示している。チップ２及びプリント配線板７は、主として材質の違いから異なる程度に膨張する。チップ２及びプリント配線板７が膨張すると、これらの挙動に逆らうことなく、基板３も膨張する。より詳しく言えば、基板３全体が一様に膨張するのではなく、基板３全体のうちチップ２に近い部位はチップ２と同様に膨張し、プリント配線板７に近い部位はプリント配線板７と同様に膨張する。
【００７３】
一方、図１５Ｂは、低温時にチップ２及びプリント配線板７が収縮する際の挙動を示している。チップ２及びプリント配線板７は、主として材質の違いから異なる程度に収縮する。チップ２及びプリント配線板７が収縮すると、これらの挙動に逆らうことなく、基板３も収縮する。より詳しく言えば、基板３全体が一様に収縮するのではなく、基板３全体のうちチップ２に近い部位がチップ２と同様に収縮し、プリント配線板７に近い部位はプリント配線板７と同様に収縮する。
【００７４】
このように、プリント回路板８において、基板３全体のうちチップ２に近い部位が、チップ２の挙動に逆らわずに、チップ２と同様の挙動を示し、プリント配線板７に近い部位が、プリント配線板７の挙動に逆らわずに、プリント配線板７と同様の挙動を示す。つまり、チップ２及びプリント配線板７のそれぞれの伸び縮みに応じて、基板３も伸び縮みするようになる。そのため、チップ２と基板３との接合箇所、及び、基板３とプリント配線板７との接合箇所に大きな応力がかかりにくくなる。したがって、プリント回路基板８の接続信頼性を確保することができる。
【００７５】
（２．３）材料
本実施形態に係るプリプレグ１の材料として好適な具体例について説明する。
【００７６】
図１Ａに示すように、プリプレグ１は、基材１１と、基材１１に含浸された樹脂組成物の半硬化物１２と、を備える。このように、プリプレグ１が基材１１と半硬化物１２との複合材料であると、既述の関係式（Ｉ）、更には関係式（ＩＩ）が成り立ちやすくなる。
【００７７】
（２．３．１）基材
基材１１は、電気的絶縁性を有する。好ましくは、図６に示すように、基材１１は、略直交する縦糸１１１及び横糸１１２で織られた織布を含む。織布の織り方として例えば平織が挙げられるが特に限定されない。織布の具体例として、ガラスクロスのように無機繊維からなるもの、及び、アラミドクロスのように有機繊維からなるものが挙げられる。基材１１は、不織布でもよい。基材１１の厚さは５μｍ以上２００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００７８】
（２．３．２）樹脂組成物
樹脂組成物の半硬化物１２も、その硬化物も電気的絶縁性を有する。好ましくは、樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂及びビニルエステル樹脂からなる群より選ばれた１種以上の樹脂を含む。これにより、既述の関係式（Ｉ）、更には関係式（ＩＩ）が成り立つようなプリプレグ１が得られやすくなる。
【００７９】
好ましくは、樹脂組成物は、後述の（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分のうちの少なくともいずれかの成分と、後述の（Ｂ）成分と、後述の（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分のうちの少なくともいずれかの成分と、を含有する。すなわち、樹脂組成物は、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の両方を含有してもよいし、（Ａ１）成分を含有し、かつ（Ａ２）成分を含有しなくてもよいし、（Ａ１）成分を含有せず、かつ（Ａ２）成分を含有してもよい。また樹脂組成物は、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の両方を含有してもよいし、（Ｃ１）成分を含有し、かつ（Ｃ２）成分を含有しなくてもよいし、（Ｃ１）成分を含有せず、かつ（Ｃ２）成分を含有してもよい。
【００８０】
以下、樹脂組成物を構成する各成分について順に説明する。
【００８１】
（Ａ１）成分について説明する。（Ａ１）成分は、高剛性成分であるマトリックス樹脂である。具体的には、（Ａ１）成分は、ナフタレン骨格及びビフェニル骨格のうちの少なくともいずれかの骨格を有するエポキシ樹脂である。このように、（Ａ１）成分のエポキシ樹脂は、ナフタレン骨格及びビフェニル骨格の両方を有していてもよいし、ナフタレン骨格を有し、かつビフェニル骨格を有しなくてもよいし、ナフタレン骨格を有さず、かつビフェニル骨格を有していてもよい。以下では、ナフタレン骨格を有し、かつビフェニル骨格を有しないエポキシ樹脂を、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂という場合がある。またナフタレン骨格を有さず、かつビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を、ビフェニル骨格含有エポキシ樹脂という場合がある。
【００８２】
（Ａ２）成分について説明する。（Ａ２）成分も、高剛性成分であるマトリックス樹脂である。具体的には、（Ａ２）成分は、ナフタレン骨格及びビフェニル骨格のうちの少なくともいずれかの骨格を有するフェノール樹脂である。このように、（Ａ２）成分のフェノール樹脂も、ナフタレン骨格及びビフェニル骨格の両方を有していてもよいし、ナフタレン骨格を有し、かつビフェニル骨格を有しなくてもよいし、ナフタレン骨格を有さず、かつビフェニル骨格を有していてもよい。以下では、ナフタレン骨格を有し、かつビフェニル骨格を有しないフェノール樹脂を、ナフタレン骨格含有フェノール樹脂という場合がある。またナフタレン骨格を有さず、かつビフェニル骨格を有するフェノール樹脂を、ビフェニル骨格含有フェノール樹脂という場合がある。
【００８３】
上記のように、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の両方が、ナフタレン骨格及びビフェニル骨格のうちの少なくともいずれかの骨格を有しているので、プリプレグ１の硬化物の耐熱性（例えばはんだ耐熱性）を高めることができる。特にナフタレン骨格は剛直な骨格であるため、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の少なくともいずれかがナフタレン骨格を有していれば、プリプレグ１の硬化物の耐熱性を更に高めることができる。
【００８４】
（Ｂ）成分について説明する。（Ｂ）成分は、低弾性成分であり、例えばエポキシ変性アクリル樹脂である。具体的には、（Ｂ）成分は、下記式（ｂ１）、下記式（ｂ２）及び下記式（ｂ３）のうちの少なくとも下記式（ｂ２）及び下記式（ｂ３）で表される構造を有する。
【００８５】
【化１】
2019112479.tif 000006
【００８６】
式（ｂ１）中のｘ、式（ｂ２）中のｙ及び式（ｂ３）中のｚは、次の関係式を満たす。ｘ：ｙ：ｚ（モル分率）＝０：０．９５：０．０５〜０．２：０．６：０．２（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ≦１、０≦ｘ≦０．２、０．６≦ｙ≦０．９５、０．０５≦ｚ≦０．２）である。式（ｂ２）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、グリシジル基及びエポキシ化されたアルキル基のうち、少なくともグリシジル基及びエポキシ化されたアルキル基のうちの１つを含む。式（ｂ３）中、Ｒ３は水素原子又はメチル基、Ｒ４はＰｈ（フェニル基）、−ＣＯＯＣＨ２Ｐｈ又は−ＣＯＯ（ＣＨ２）２Ｐｈである。
【００８７】
すなわち、（Ｂ）成分の主鎖は、式（ｂ１）、式（ｂ２）及び式（ｂ３）のうちの少なくとも式（ｂ２）及び式（ｂ３）で表される構造を有している。
【００８８】
（Ｂ）成分の主鎖が式（ｂ１）、式（ｂ２）及び式（ｂ３）で表される構造を有する場合、式（ｂ１）、式（ｂ２）及び式（ｂ３）で表される構造の配列順序は特に限定されない。この場合、（Ｂ）成分の主鎖において、式（ｂ１）で表される構造同士が連続していても連続していなくてもよく、また式（ｂ２）で表される構造同士が連続していても連続していなくてもよく、また式（ｂ３）で表される構造同士が連続していても連続していなくてもよい。
【００８９】
（Ｂ）成分の主鎖が式（ｂ２）及び式（ｂ３）で表される構造を有する場合も、式（ｂ２）及び式（ｂ３）で表される構造の配列順序は特に限定されない。この場合、（Ｂ）成分の主鎖において、式（ｂ２）で表される構造同士が連続していても連続していなくてもよく、また式（ｂ３）で表される構造同士が連続していても連続していなくてもよい。
【００９０】
ここで、式（ｂ２）中のＲ２が、水素原子、アルキル基、グリシジル基及びエポキシ化されたアルキル基のうち、少なくともグリシジル基及びエポキシ化されたアルキル基のうちの１つを含むことの意味について補足説明する。前提として、１つの式（ｂ２）で表される構造におけるＲ２は１つである。（Ｂ）成分が、式（ｂ２）で表される構造を１つのみ有する場合と、２つ以上有する場合とに分けて説明する。
【００９１】
前者の場合、すなわち（Ｂ）成分が１つの式（ｂ２）で表される構造を有する場合、Ｒ２は、グリシジル基又はエポキシ化されたアルキル基である。
【００９２】
後者の場合、すなわち（Ｂ）成分が２つ以上の式（ｂ２）で表される構造を有する場合、少なくとも１つの式（ｂ２）で表される構造におけるＲ２は、グリシジル基又はエポキシ化されたアルキル基であり、残りの式（ｂ２）で表される構造におけるＲ２は、水素原子又はアルキル基である。少なくとも１つの式（ｂ２）で表される構造におけるＲ２が、グリシジル基又はエポキシ化されたアルキル基であるから、全部の式（ｂ２）で表される構造におけるＲ２が、グリシジル基又はエポキシ化されたアルキル基でもよい。
【００９３】
式（ｂ３）で表される構造は、Ｐｈ（フェニル基）、−ＣＯＯＣＨ２Ｐｈ、−ＣＯＯ（ＣＨ２）２Ｐｈを有している。Ｐｈ、−ＣＯＯＣＨ２Ｐｈ、−ＣＯＯ（ＣＨ２）２Ｐｈは熱的に安定であるため、プリプレグ１の硬化物の強度が高められる。したがって、プリプレグ１を材料として製造された基板の吸湿耐熱性を向上させることができる。
【００９４】
（Ｂ）成分は、隣り合う炭素原子間に不飽和結合（二重結合及び三重結合）を有しないことが好ましい。すなわち、（Ｂ）成分の隣り合う炭素原子同士は飽和結合（単結合）により結合されていることが好ましい。これにより、経時的な酸化を低減することができるので、弾性を失って脆くなることを抑制することができる。
【００９５】
（Ｂ）成分は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０万以上８５万以下の範囲内である高分子量体である。重量平均分子量の有効数字は２桁である。３桁目（千の位）を四捨五入して２０万又は８５万となる数値も、上記の２０万以上８５万以下の範囲内に含まれる。（Ｂ）成分の重量平均分子量が２０万より小さいと、耐薬品性が悪くなるおそれがある。逆に（Ｂ）成分の重量平均分子量が８５万より大きいと、成形性が悪くなるおそれがある。（Ｂ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万以上５０万以下の範囲内である。
【００９６】
（Ｂ）成分が樹脂組成物に含有されていると、プリプレグ１の硬化物が吸湿しにくくなることによって、基板３の耐湿性を高めることができ、絶縁信頼性を向上させることができる。またプリプレグ１の硬化物が吸湿したとしても、この硬化物を構成する樹脂の破断強度が高められているので、基板３の吸湿耐熱性を向上させることができる。特に絶縁層の厚さが０．２ｍｍ以上の場合であっても、吸湿耐熱性が高められているので、はんだ付けなどの加熱による絶縁層の膨れを抑制することができる。もちろん絶縁層の厚さが０．２ｍｍ未満の場合も吸湿耐熱性は高められている。
【００９７】
ここで、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分と（Ｂ）成分とは、樹脂組成物の半硬化状態及び硬化状態において、相溶しないで相分離していることが好ましい。これにより、プリプレグ１の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）の低下が抑制され、基板３の耐熱性（例えばはんだ耐熱性）を高めることができる。
【００９８】
（Ｂ）成分のエポキシ価は０．０１ｅｑ／ｋｇ以上０．８０ｅｑ／ｋｇ以下の範囲内であることが好ましい。エポキシ価は、（Ｂ）成分１ｋｇ中に存在するエポキシ基の当量数である。（Ｂ）成分のエポキシ価が上記の範囲内であると、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分と（Ｂ）成分とが相溶しにくくなり、これによりプリプレグ１の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）の低下が抑制され、基板３の耐熱性を高めることができる。（Ｂ）成分のエポキシ価は、より好ましくは０．０６ｅｑ／ｋｇ以上０．４０ｅｑ／ｋｇ以下の範囲内であり、さらに好ましくは０．１４ｅｑ／ｋｇ以上０．２８ｅｑ／ｋｇ以下の範囲内である。
【００９９】
（Ｃ１）成分について説明する。（Ｃ１）成分は、下記式（ｃ１）で表される第１シランカップリング剤で第１無機充填材を表面処理して得られた第１充填材である。すなわち、第１無機充填材は微粒子の集合体であり、個々の微粒子の表面に、式（ｃ１）で表される第１シランカップリング剤がその反応基（メトキシ基又はエトキシ基が加水分解したことにより生成するシラノール）によって化学結合している。このようにして、（Ｃ１）成分である第１充填材が形成されている。
【０１００】
【化２】
2019112479.tif 000007
【０１０１】
式（ｃ１）中、Ｒ５はメトキシ基又はエトキシ基であり、Ｒ６は炭素数３以上１８以下の脂肪族アルキル基の末端にイソシアネート基、グリシジル基又はアミノ基を有する。
【０１０２】
第１無機充填材の具体例として、球状シリカ、硫酸バリウム、酸化ケイ素粉、破砕シリカ、焼成タルク、チタン酸バリウム、酸化チタン、クレー、アルミナ、マイカ、ベーマイト、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛、その他の金属酸化物及び金属水和物が挙げられる。
【０１０３】
好ましくは、平均粒子径が４５μｍ以上の無機充填材が樹脂組成物に含有されていない。このような粗粒子が含有されていると、特に薄物の材料では絶縁信頼性が低下するおそれがある。なお、平均粒子径は、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。
【０１０４】
式（ｃ１）で表される第１シランカップリング剤は、特定の官能基（イソシアネート基、グリシジル基又はアミノ基）を末端に有する特定炭素数の脂肪族アルキル基がケイ素原子に結合した三官能アルコキシシランである。
【０１０５】
脂肪族アルキル基の末端にイソシアネート基を有するシランカップリング剤の具体例として、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
【０１０６】
脂肪族アルキル基の末端にグリシジル基を有するシランカップリング剤の具体例として、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン及び３−グリシドキシオクチルトリメトキシシランが挙げられる。
【０１０７】
脂肪族アルキル基の末端にアミノ基を有するシランカップリング剤の具体例として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシランが挙げられる。
【０１０８】
（ｃ１）で表される第１シランカップリング剤で第１無機充填材が表面処理されると、第１充填材の表面には特定炭素数の脂肪族アルキル基が存在することになる。この脂肪族アルキル基の末端には、イソシアネート基、グリシジル基又はアミノ基が結合しており、これらの反応基は、（Ａ１）成分のエポキシ樹脂及び（Ａ２）成分のフェノール樹脂との親和性が高い。したがって、これらの反応基によって、（Ｃ１）成分の第１充填材と（Ａ１）成分のエポキシ樹脂及び（Ａ２）成分のフェノール樹脂とが化学結合することになる。なお、（Ｂ）成分は、エポキシ変性されているが（式（ｂ２）参照）、量的には少ないので、（Ｃ１）成分との親和性は低い。そのため、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分と（Ｂ）成分とは、樹脂組成物の半硬化状態及び硬化状態において、相溶しないで相分離した構造をとりやすい。
【０１０９】
式（ｃ１）で表される第１シランカップリング剤における反応基Ｒ６の脂肪族アルキル基の炭素数は３以上１８以下である。脂肪族アルキル基の炭素数が３未満であると、プリプレグ１の硬化物の弾性が大きくなり過ぎる。
【０１１０】
（Ｃ２）成分について説明する。（Ｃ２）成分は、下記式（ｃ２）で表される第２シランカップリング剤で第２無機充填材を表面処理して得られた第２充填材である。すなわち、第２無機充填材は微粒子の集合体であり、個々の微粒子の表面に、式（ｃ２）で表される第２シランカップリング剤がその反応基（メトキシ基又はエトキシ基）によって化学結合している。このようにして、（Ｃ２）成分である第２充填材が形成されている。
【０１１１】
【化３】
2019112479.tif 000008
【０１１２】
式（ｃ２）中、Ｒ７はメトキシ基又はエトキシ基であり、Ｒ８は炭素数３以上１８以下の脂肪族アルキル基の末端にメタクリロイル基又はビニル基を有する。
【０１１３】
第２無機充填材の具体例として、（Ｃ１）成分の場合と同様のもの、つまり第１無機充填材の具体例が挙げられる。（Ｃ１）成分の第１無機充填材と（Ｃ２）成分の第２無機充填材とは、材質、平均粒子径などが同じでもよいし、異なっていてもよい。
【０１１４】
式（ｃ２）で表される第２シランカップリング剤は、特定の官能基（メタクリロイル基又はビニル基）を末端に有する特定炭素数の脂肪族アルキル基がケイ素原子に結合した三官能アルコキシシランである。なお、メタクリロイル基の慣用名はメタクリル基である。
【０１１５】
脂肪族アルキル基の末端にメタクリロイル基を有するシランカップリング剤の具体例として、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン及び３−メタクリロキシオクチルトリメトキシシランが挙げられる。
【０１１６】
脂肪族アルキル基の末端にビニル基を有するシランカップリング剤の具体例として、ビニルトリメトキシシラン及びビニルトリエトキシシランが挙げられる。
【０１１７】
（ｃ２）で表される第２シランカップリング剤で第２無機充填材が表面処理されると、第２充填材の表面には特定炭素数の脂肪族アルキル基が存在することになる。この脂肪族アルキル基の末端には、メタクリロイル基又はビニル基が結合しており、これらの反応基は、（Ｂ）成分との親和性が高い。したがって、これらの反応基によって、（Ｃ２）成分の第２充填材と（Ｂ）成分とが化学結合することになる。
【０１１８】
式（ｃ２）で表される第２シランカップリング剤における反応基Ｒ８の脂肪族アルキル基の炭素数は３以上１８以下である。脂肪族アルキル基の炭素数が３未満であると、プリプレグ１の硬化物の弾性が大きくなり過ぎる。
【０１１９】
一般に、樹脂及び無機充填材を含有する樹脂組成物の硬化物において、無機充填材に比べて樹脂の方が吸湿しやすい。そのため、樹脂組成物の硬化物において、無機充填材の分散が不均一であると、無機充填材の疎らな部分には樹脂が多く存在するため、吸湿される水分も多くなり、逆に無機充填材の密な部分には樹脂があまり存在しないため、吸湿される水分も少なくなる。つまり、無機充填材の分散が不均一であると、吸湿される水分の分散も不均一となる。このような樹脂組成物の硬化物について吸湿耐熱性試験を行うと、水分が偏在し、この部分の水分が蒸発して、膨れが発生することになる。
【０１２０】
これに対して、２種類のシランカップリング剤（第１シランカップリング剤及び第２シランカップリング剤）で２種類の無機充填材（第１無機充填材及び第２無機充填材）を表面処理して得られた２種類の充填材（第１充填材及び第２充填材）を使用すれば、吸湿耐熱性を向上させることができる。すなわち、（Ｃ１）成分の第１充填材は、（Ａ１）成分のエポキシ樹脂及び（Ａ２）成分のフェノール樹脂と親和性が高く、（Ｃ２）成分の第２充填材は、（Ｂ）成分と親和性が高い。そのため、（Ｃ１）成分の第１充填材及び（Ｃ２）成分の第２充填材の全体が、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の近くに片寄ったり、あるいは（Ｂ）成分の近くに片寄ったりしにくくなる。つまり、第１充填材及び第２充填材の全体が樹脂組成物の硬化物において均一に分散するようになる。これにより、水分も均一に分散して吸湿されることとなる。その結果、水分の偏在が低減し、膨れの発生が抑制されて、吸湿耐熱性を向上させることができる。
【０１２１】
また（Ｃ１）成分の第１充填材及び（Ｃ２）成分の第２充填材が樹脂組成物に含有されていると、基板の寸法安定性を高めることができる。
【０１２２】
以下、（Ｃ１）成分の第１充填材及び（Ｃ２）成分の第２充填材に共通する事項について説明する。なお、単に充填材といえば、第１充填材及び第２充填材の両方を意味する。また単に無機充填材といえば、第１無機充填材及び第２無機充填材の両方を意味する。また単にシランカップリング剤といえば、式（ｃ１）で表される第１シランカップリング剤及び式（ｃ２）で表される第２シランカップリング剤の両方を意味する。
【０１２３】
脂肪族アルキル基は、硬化後のプリプレグ１が熱膨張又は熱収縮する際に発生する応力を緩和させる機能を有する。シランカップリング剤で無機充填材が表面処理されると、脂肪族アルキル基に起因する応力緩和層が無機充填材の表面に形成される。応力緩和層を有する充填材が、（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分中に存在することで、（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分に対して、熱膨張又は熱収縮による応力緩和作用が発揮される。その結果、充填材を含有する硬化後のプリプレグ１は熱変形が起こりにくくなる。このことから、基板３の吸湿耐熱性を更に向上させることができる。充填材の表面に脂肪族アルキル基が存在することによって応力緩和作用が生じる理由としては、いくつか考えられる。その理由の一つは、アルキル基の単結合が自由回転できることにより、（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分の熱膨張又は熱収縮と共に充填材のアルキル基も熱膨張又は熱収縮することができるためである。
【０１２４】
さらに脂肪族アルキル基は、プリプレグ１を材料として形成された金属張積層板５の穴あけ後のデスミア処理（デスミアエッチング）の中で、エッチング量を少なくする機能を有する。
【０１２５】
ここで、デスミア処理とは、レーザ加工又はドリル加工での穴あけの際に発生した樹脂スミアを、ケミカルホールクリーニングなどで除去することをいう。具体的なデスミア処理として過マンガン酸処理が挙げられる。過マンガン酸処理では、アルカリ性過マンガン酸カリウムを主成分としたデスミア液が用いられる。
【０１２６】
上述のエッチング量とは、デスミア処理によって削れる樹脂の量を意味する。エッチング量が多い場合には、穴あけで形成した穴の内径が拡大するおそれがある。そのため、エッチング量は可能な限り少ない方が好ましい。
【０１２７】
上述のように充填材の表面に脂肪族アルキル基が存在すると、樹脂組成物の硬化物の内部へのデスミア液の浸透を抑制することができるので、エッチング量を少なくすることができる。このようにして、デスミア処理を行っても、穴の内径の拡大を抑制することができる。
【０１２８】
脂肪族アルキル基は、末端にイソシアネート基、グリシジル基、アミノ基、メタクリロイル基又はビニル基を有しており、これらの官能基が（Ａ１）成分、（Ａ２）成分又は（Ｂ）成分と強固に結合するため、デスミア処理時のエッチング量を少なくすることができる。脂肪族アルキル基の末端にイソシアネート基、グリシジル基、アミノ基、メタクリロイル基及びビニル基のいずれの官能基も有しない場合に比べて、デスミア処理時のエッチング量を少なくすることができる。
【０１２９】
無機充填材をシランカップリング剤で表面処理する方法としては、例えば、直接処理法、インテグラルブレンド法及びドライコンセントレート法を挙げることができる。無機充填材をシランカップリング剤で表面処理するにあたって、無機充填材に対するシランカップリング剤の添加量は、特に限定されない。無機充填材の表層全体にシランカップリング剤の単分子層を形成するのに必要なシランカップリング剤の量は、以下の式（１）で計算することができる。この計算値の０．１倍以上１５倍以下の量が好ましいシランカップリング剤の添加量である。この場合、無機充填材による応力緩和の作用がより効率的に発揮される。
【０１３０】
【数４】
2019112479.tif 000009
【０１３１】
ＷＣ：単分子層の形成に必要なシランカップリング剤の量（ｇ）
ＷＦ：無機充填材の添加量（ｇ）
ＳＦ：無機充填材の比表面積（ｍ２／ｇ）
ＳＣ：シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）
好ましくは、（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分は、平均粒子径が１００ｎｍ以下のナノフィラーである。より好ましくは、（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分は、平均粒子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のナノフィラーである。（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分のいずれかの平均粒子径が１００ｎｍ以下であれば、デスミア処理における樹脂スミアの除去効果を向上させることができる。この点についてより詳しく説明する。樹脂スミアの主成分は、高分子量体の（Ｂ）成分であると考えられる。そして、第一の場合として、（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分のいずれかが上記のナノフィラーである場合には、このナノフィラーが樹脂スミアの中に均一に分散することとなる。このような樹脂スミアは、デスミア処理によって容易に除去することができる。第二の場合として、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分がいずれも上記のナノフィラーでない場合には、樹脂スミアが、ほぼ樹脂成分のみで構成されてしまう。このような樹脂スミアは、第一の場合よりもデスミア処理の条件を激しくすれば除去し得るが、第一の場合と同じ条件のデスミア処理では除去しにくくなる。すなわち、デスミア処理の条件が同じであれば、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の両方の平均粒子径が１００ｎｍを超える場合に比べて、（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分のいずれかの平均粒子径が１００ｎｍ以下である場合の方が、樹脂スミアを容易に除去することができる。この理由は、上述のように平均粒子径が１００ｎｍ以下のナノフィラーが樹脂スミア内で均一に分散しているからであると考えられる。（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分のいずれかの平均粒子径が１０ｎｍ以上であれば、ワニス状態の樹脂組成物の増粘を抑制することができる。なお、以下において、単にナノフィラーといえば、平均粒子径が１００ｎｍ以下の第１充填材又は第２充填材を意味する。
【０１３２】
樹脂組成物において（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の合計と（Ｂ）成分の質量比は９０：１０〜５０：５０であることが好ましく、８０：２０〜６０：４０であることがより好ましい。言い換えると、（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、（Ｂ）成分の含有量は、好ましくは１０質量部以上５０質量部以下の範囲内であり、より好ましくは２０質量部以上４０質量部以下の範囲内である。（Ａ１）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量１に対して、（Ａ２）成分のフェノール樹脂の水酸基当量が０．２以上１．１以下の範囲内であることが好ましい。（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計の含有量は、樹脂組成物の全量に対して８０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることがより好ましい。この場合の（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の含有量は、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分がそれぞれ所定のシランカップリング剤で表面処理されているときは、シランカップリング剤も含む表面処理後の（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の含有量である。（Ｃ１）成分と（Ｃ２）成分の比率（質量比）は、好ましくは９８：２〜６０：４０であり、より好ましくは９５：５〜８０：２０である。言い換えると、（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計１００質量部に対して、（Ｃ２）成分の含有量は、好ましくは２質量部以上４０質量部以下の範囲内であり、より好ましくは５質量部以上２０質量部以下の範囲内である。
【０１３３】
（Ｃ１）成分又は（Ｃ２）成分がナノフィラーである場合、（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、ナノフィラーは、好ましくは１質量部以上３０質量部以下の範囲内であり、より好ましくは３質量部以上１０質量部以下の範囲内である。ナノフィラーが１質量部以上であれば、デスミア処理における樹脂スミアの除去効果を向上させることができる。より詳しく言えば、デスミア処理の条件が同じであれば、ナノフィラーが１質量部未満である場合に比べて、ナノフィラーが１質量部以上である場合の方が、樹脂スミアを容易に除去することができる。ナノフィラーが３０質量部以下であれば、ワニス状態の樹脂組成物の増粘を抑制することができる。
【０１３４】
樹脂組成物は添加剤を更に含有してもよい。添加剤の具体例として、リン系難燃剤が挙げられる。樹脂組成物がリン系難燃剤を含有することで、プリプレグ１の硬化物及び基板３の難燃性を向上させることができる。なお、リン系難燃剤は吸湿しやすいが、２種類のシランカップリング剤で２種類の無機充填材を表面処理して得られた２種類の充填材を使用すれば、吸湿耐熱性を向上させることができる。リン系難燃剤は、無機充填材の分散性にはほとんど影響を及ぼさない。樹脂組成物で小さな部品（例えば半導体パッケージ４など）を製造する場合には難燃性を付与する必要性は低いが、樹脂組成物で大きな部品（例えばマザーボードなど）を製造する場合には難燃性を付与する必要性が高い。したがって、後者の場合には樹脂組成物にリン系難燃剤を添加しておくことが好ましい。
【０１３５】
樹脂組成物は硬化促進剤を更に含有してもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、オクタン酸亜鉛等の金属石鹸類、第二級アミン類、第三級アミン類並びに第四級アンモニウム塩を挙げることができる。
【０１３６】
（２．４）物性
プリプレグ１の硬化物を試料として動的粘弾性測定（ＤＭＡ：dynamicmechanical analysis）を行うと、損失正接（ｔａｎδ）のチャートが得られる。このチャート（ｔａｎδ曲線）において、好ましくは１００℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにそれぞれピークが１つずつ存在し、より好ましくは６０℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにそれぞれピークが１つずつ存在する。２００℃以上の温度域のピークは、主分散ピークである。主分散ピークは、硬化物の分子構造の主鎖の運動に関連し、ガラス転移温度（Ｔｇ）に起因している。一方、１００℃以下又は６０℃以下の温度域のピークは、副分散ピークである。副分散ピークは、硬化物の分子構造の側鎖の運動に関連し、特に（Ｂ）成分の高分子量体に起因している。副分散ピークが、１００℃以下から６０℃以下へと、より低温側にシフトすることで、硬化物により高い伸び特性と、更なる低弾性とを付与することができる。
【０１３７】
上記の動的粘弾性測定は、周波数を一定（例えば１０Ｈｚ）にして行われる。損失正接（ｔａｎδ）は損失弾性率（Ｅ”）と貯蔵弾性率（Ｅ’）の比である。つまり、損失正接（ｔａｎδ）＝損失弾性率（Ｅ”）／貯蔵弾性率（Ｅ’）である。損失正接（ｔａｎδ）のチャートは、縦軸に損失正接（ｔａｎδ）をとり、横軸に温度をとったチャートであり、損失正接（ｔａｎδ）の温度依存性を示している。
【０１３８】
プリプレグ１は、硬化状態において、損失弾性率（Ｅ”）と貯蔵弾性率（Ｅ’）の比が、好ましくは１００℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにおいて０．０５以上であり、より好ましくは６０℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにおいて０．０５以上である。特に好ましくは１００℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにおける損失正接（ｔａｎδ）のピークの値がいずれも０．０５以上であり、より好ましくは６０℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにおける損失正接（ｔａｎδ）のピークの値がいずれも０．０５以上である。
【０１３９】
損失正接（ｔａｎδ）のチャートにおいて、１００℃以下の温度域と２００℃以上の温度域とにそれぞれ０．０５以上の値のピークが１つずつ存在していると、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の高剛性成分と（Ｂ）成分の低弾性成分の両方の特徴を併せ持つことが可能となる。上述のように、副分散ピークが、１００℃以下から６０℃以下へと、より低温側にシフトすることで、硬化物により高い伸び特性と、更なる低弾性とを付与することができる。
【０１４０】
またプリプレグ１が基材１１として織布を含む場合、縦糸１１１又は横糸１１２に対して斜め４５°方向（例えば図６の両矢印の方向）における、プリプレグ１の硬化物の引張り伸び率が５％以上３０％未満の範囲内であることが好ましい。引張り伸び率の測定には通常、１枚のプリプレグ１を硬化状態（Ｃステージ状態）としたものを試料として用いるが、縦糸１１１及び横糸１１２の方向がそれぞれ一致するように複数枚のプリプレグ１を積層して硬化状態としたものを試料として用いてもよい。
【０１４１】
引張り伸び率の測定は、次のような引張り試験により行うことができる。まず、引張り試験前に縦糸１１１又は横糸１１２に対して斜め４５°方向における試料の長さ（Ｌ０）を測定する。このとき試料の幅は５ｍｍに調整しておく。次に引張り試験機を用いて、速度５ｍｍ／分で縦糸１１１又は横糸１１２に対して斜め４５°方向に試料を引張り、この試料が破断する直前の長さ（Ｌ）を測定する。そして、以下の式（２）によって引張り伸び率を算出することができる。
【０１４２】
【数５】
2019112479.tif 000010
【０１４３】
上記のようにして得られる引張り伸び率が５％以上３０％未満の範囲内であることによって、半導体パッケージ４の反りを更に低減することができる。
【０１４４】
（２．５）製造方法
樹脂組成物は特に限定されないが、ここでは（２．３．２）の欄で説明した好適な樹脂組成物を用いてプリプレグ１を製造する方法について説明する。
【０１４５】
まず樹脂組成物のワニスを調製する。溶剤に（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分のうちの少なくともいずれかの成分と、（Ｂ）成分と、を加えて溶解させた後、必要に応じて添加剤及び硬化促進剤を加えて配合することによってベースワニスを調製する。ここで、溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、及び、ジメチルホルムアミド等の窒素含有溶剤を挙げることができる。
【０１４６】
次にベースワニスに（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分のうちの少なくともいずれかの成分を加えて分散させることによって樹脂組成物のワニスを調製することができる。（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分のうちの少なくともいずれかの成分を分散させる際には、ホモジナイザー、ディスパー及びビーズミルなどの分散機を使用してもよい。
【０１４７】
次に、ワニス状態（Ａステージ状態）の樹脂組成物を基材１１に含浸させると共に、これを半硬化状態（Ｂステージ状態）となるまで加熱乾燥することによってプリプレグ１を製造することができる。
【０１４８】
（２．６）用途
本実施形態に係るプリプレグ１は、半導体パッケージ４の製造に用いられる。ここでの半導体パッケージ４は、評価用半導体パッケージではなく、実際に各種の電子回路を構成し得る電子部品としての半導体パッケージを意味する。より詳しくは、本実施形態に係るプリプレグ１は、半導体パッケージ４を構成する基板３、及び、この基板３に加工され得る金属張積層板５の材料として用いることができる。以下では、パッケージ基板である基板３にチップ２を実装することを１次実装と呼び、マザーボード（メインボード）であるプリント配線板７に半導体パッケージ４を実装することを２次実装と呼ぶことがある。
【０１４９】
［基板］
図７Ａに本実施形態に係る基板３を示す。基本的に、基板３については、（２．２．２）の欄で説明したとおりである。ただし、基板３の形状及び大きさは特に限定されない。基板３は、１枚の基材１１を含んでいてもよいし、２枚以上の基材１１を含んでいてもよい。
【０１５０】
基板３の第１基板面３１において、パッド３３以外の箇所に導体パターン（導体配線）が形成されていてもよい。この場合、好ましくは、パッド３３以外の箇所にソルダーレジスト層３６が形成されている。ソルダーレジスト層３６が形成されていると、１次実装の際にはんだがパッド３３以外の箇所に付着することを抑制することができる。また第１基板面３１に形成された導体パターン（不図示）を外部環境から保護することができる。さらに第１基板面３１に形成された導体パターン間の電気的絶縁性を維持し、ショートを抑制することができる。ソルダーレジスト層３６を形成する材料は特に限定されない。
【０１５１】
２次実装のため、基板３は、第２基板面３２に複数のパッド３７を有する。これらのパッド３７は、第１基板面３１の複数のパッド３３と電気的に接続されている。基板３の第２基板面３２において、パッド３７以外の箇所に導体パターンが形成されていてもよい。この場合、好ましくは、パッド３７以外の箇所にソルダーレジスト層３８が形成されている。ソルダーレジスト層３８が形成されていると、２次実装の際にはんだがパッド３７以外の箇所に付着することを抑制することができる。また第２基板面３２に形成された導体パターン（不図示）を外部環境から保護することができる。さらに第２基板面３２に形成された導体パターン間の電気的絶縁性を維持し、ショートを抑制することができる。ソルダーレジスト層３８を形成する材料は特に限定されない。半導体パッケージ４の製造時に、各パッド３７にはんだボール３９が設けられてもよい（図１４Ａ参照）。
【０１５２】
ここで、基板３は、プリプレグ１の硬化物を含む。このプリプレグ１については、関係式（Ｉ）が成り立っている。そのため、実装後のチップ２が温度変化により膨張又は収縮しても、このチップ２に大きな応力がかかりにくくなる。言い換えると、実装後のチップ２に発生するひずみが小さくなりやすい。つまり、実装後のチップ２の伸び縮みに応じて、基板３も伸び縮みするようになる。
【０１５３】
［金属張積層板］
図７Ｂに本実施形態に係る金属張積層板５を示す。この金属張積層板５は、絶縁層４１と、金属層６と、を備える。絶縁層４１は、プリプレグ１の硬化物を含む。金属層６は、絶縁層４１の少なくともいずれかの面に設けられる。つまり、金属張積層板５には、両面金属張積層板（図７Ｂ）及び片面金属張積層板（不図示）が含まれる。金属層６の具体例として、金属箔が挙げられる。なお、特に断らない限り、単に金属箔といえば、単独で取り扱うことのできる程度の厚さ（例えば１２μｍ程度）を有する金属箔を意味する。
【０１５４】
詳しくは、金属張積層板５は、１枚のプリプレグ１の片面又は両面に金属箔を重ねて加熱加圧して硬化させたものでもよいし、２枚以上のプリプレグ１を重ね、さらにこの片面又は両面に金属箔を重ねて加熱加圧して硬化させたものでもよい。絶縁層４１は電気的絶縁性を有する。半硬化状態のプリプレグ１は、加熱されることで、硬化状態の絶縁層４１となる。絶縁層４１の厚さが０．２ｍｍ未満の場合はもちろん、０．２ｍｍ以上の場合でも、金属張積層板５の吸湿耐熱性を向上させることができる。金属張積層板５の絶縁層４１の厚さの上限は０．４ｍｍ程度である。金属箔としては、例えば銅箔が挙げられる。積層成形は、例えば多段真空プレス又はダブルベルトプレスを用いて加熱加圧して行うことができる。
【０１５５】
金属張積層板５を加工して、本実施形態に係る基板３を得ることができる。具体的には、金属張積層板５の金属層６の一部を除去して、パッド３３、３７を含む導体パターンを設けることができる。この場合、絶縁層４１の一方の面が第１基板面３１となり、他方の面が第２基板面３２となる。導体パターンの形成は、例えばサブトラクティブ法により行うことができる。
【０１５６】
ところで、金属層６は、いわゆるキャリア付き極薄金属箔の極薄金属箔（例えば極薄銅箔）で構成されてもよい。キャリア付き極薄金属箔は３層構造である。すなわち、キャリア付き極薄金属箔は、キャリアと、キャリアの表面に設けられた剥離層と、剥離層の表面に設けられた極薄金属箔と、を備えている。極薄金属箔は、単独では取り扱うのが難しいほど極薄であり、もちろんキャリアよりも薄い。キャリアは、極薄金属箔を保護し支持する役割を有する金属箔（例えば銅箔）である。キャリア付き極薄金属箔は、ある程度の厚さを有しているので取り扱いやすい。極薄金属箔及びキャリアの厚さは特に限定されないが、例えば、極薄金属箔の厚さは１μｍ以上５μｍ以下の範囲内であり、キャリアの厚さは１８μｍ以上３５μｍ以下の範囲内である。極薄金属箔は、必要に応じてキャリアから剥離可能である。
【０１５７】
キャリア付き極薄金属箔を使用する場合には、次のようにして金属張積層板５を製造することができる。すなわち、１枚のプリプレグ１の片面又は両面にキャリア付き極薄金属箔を積層して成形してもよいし、複数枚のプリプレグ１を重ね、この片面又は両面にキャリア付き極薄金属箔を積層して成形してもよい。この場合、プリプレグ１の表面には、キャリア付き極薄金属箔の極薄金属箔を重ねる。積層成形後に、極薄金属箔からキャリアを剥離する。極薄金属箔は、プリプレグ１の硬化物である絶縁層４１の表面に金属層６として接着されている。剥離層は、キャリアと共に剥離されて、極薄金属箔の表面に残らないことが好ましいが、残っていたとしても容易に除去可能である。絶縁層４１の表面に接着している極薄金属箔は、モディファイドセミアディティブ法（ＭＳＡＰ：Modified Semi Additive Process）におけるシード層として利用可能であり（例えば図１１Ａ参照）、このシード層に電解めっき処理を行って導体パターンを形成することができる。
【０１５８】
さらに、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、化学的気相成長法（ＣＶＤ）又は液相成長法（例えば無電解めっきなどのめっき法）のいずれかの方法で、絶縁層４１に金属層６を設けるようにしてもよい。このようにして設けられた金属層６は、セミアディティブ法（ＳＡＰ：Semi Additive Process）におけるシード層として利用可能である。
【０１５９】
サブトラクティブ法、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法の順に、より幅の細い導体パターン（微細パターン）を形成することができる。なお、セミアディティブ法及びモディファイドセミアディティブ法については後述する。
【０１６０】
上述のように、本実施形態に係る金属張積層板５によれば、実装後のチップ２の伸び縮みに応じて伸び縮みするような基板３を容易に製造することができる。
【０１６１】
プリント配線板としての基板３の他の一例を図８に示す。この基板３は、サブトラクティブ法により導体パターン７０が形成され、ビルドアップ法により多層化された多層プリント配線板である。絶縁層４１の内部の導体パターン７０は内層パターン７１であり、絶縁層４１の外部表面の導体パターン７０は外層パターン７２である。この場合の絶縁層４１の厚さＴが０．２ｍｍ未満の場合はもちろん、０．２ｍｍ以上の場合でも、基板３の吸湿耐熱性を向上させることができる。基板３の絶縁層４１の厚さＴの上限は０．４ｍｍ程度である。
【０１６２】
導体パターン７０を形成するにあたって、絶縁層４１に層間接続のための穴あけを行う。層間接続は、異なる層の導体パターン７０同士の電気的な導通を行うことである。穴は、基板３を貫通する貫通穴（スルーホール）でもよいし、貫通しない非貫通穴（ブラインドホール）でもよい。図８に示すように、貫通穴の内面にめっきを行うなどしてバイアホール８０を形成することができ、非貫通穴の内面にめっきを行うなどしてブラインドバイアホール９を形成することができる。図示省略しているが、ベリードバイアホールを形成してもよい。穴の内径は例えば０．０１ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下の範囲内である。穴の深さは例えば０．０２ｍｍ以上０．８０ｍｍ以下の範囲内である。穴あけはレーザ加工又はドリル加工により行うことができる。
【０１６３】
（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の充填材が絶縁層４１に含有されていると、シランカップリング剤の脂肪族アルキル基の末端の官能基がイソシアネート基、グリシジル基、アミノ基、メタクリロイル基又はビニル基であるので、デスミア処理時のエッチング量を少なくすることができる。樹脂スミアが発生しても、穴内をケミカルホールクリーニングなどのデスミア処理で洗浄すれば、穴内の樹脂スミアをさらに除去することができる。これにより、樹脂スミアに起因する導通不良を解消し、導通信頼性を向上させることができる。
【０１６４】
（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の充填材が絶縁層４１に含有されていると、シランカップリング剤の脂肪族アルキル基が応力緩和層として機能するので、基板３をその熱膨張率を小さくした上で低弾性にすることができ、高い伸び特性を付与することもできる。このことから、基板３の吸湿耐熱性を更に向上させることができる。
【０１６５】
ここで、ブラインドバイアホール９を含む導体パターンの形成に利用し得る２種類の方法について説明する。２種類の方法は、セミアディティブ法及びモディファイドセミアディティブ法である。
【０１６６】
まず図９Ａ〜図９Ｇを示しながらＳＡＰについて説明する。
【０１６７】
図９Ａは、内層パターン７１１を内部に有し、主面４２０を外部に有する絶縁層４２を示す。
【０１６８】
まず、図９Ｂに示すように、絶縁層４２に穴あけを行って非貫通穴９０を形成する。穴あけはレーザ加工により行うことができる。レーザＬの具体例として、ＣＯ２レーザ及びＵＶ−ＹＡＧレーザが挙げられる。非貫通穴９０は絶縁層４２の主面４２０の側において開口している。非貫通穴９０の底面９１は、内層パターン７１１の表面である。穴あけの際に樹脂スミア４９が発生し、この樹脂スミア４９は、非貫通穴９０の底面９１である内層パターン７１１の表面に付着する。
【０１６９】
次に、上記の樹脂スミア４９を除去するために、図９Ｃに示すようにデスミア処理を行う。この際、絶縁層４２の主面４２０、非貫通穴９０の内側面９２及び底面９１が粗化処理されるとともに、非貫通穴９０の底面９１及び内側面９２から樹脂スミア４９が除去される。
【０１７０】
次に、図９Ｄに示すように、絶縁層４２の主面４２０、非貫通穴９０の底面９１及び内側面９２にかけて無電解めっき処理を行って、シード層６０となる無電解めっき層６１を形成する。
【０１７１】
次に、図９Ｅに示すように、絶縁層４２の主面４２０にめっきレジスト４３を形成する。めっきレジスト４３は、絶縁層４２の主面４２０において外層パターン７２１を形成しない部分に形成する。
【０１７２】
次に、図９Ｆに示すように、電解めっき処理を行って、めっきレジスト４３でマスクされていない部分にめっき６２を充填する。
【０１７３】
その後、図９Ｇに示すように、めっきレジスト４３を除去するとともに、めっきレジスト４３と絶縁層４２の主面４２０との間に介在していたシード層６０をエッチングにより除去する。このようにして、内層パターン７１１と外層パターン７２１とを電気的に接続するブラインドバイアホール９が形成される。特にブラインドバイアホール９は、めっき６２が充填されているので、フィルドバイアとも呼ばれる。
【０１７４】
ここで、絶縁層４２に（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の充填材の両方が含有されていないと、図１０Ｂに示すように、ＳＡＰの実施後に、内層パターン７１１と無電解めっき層６１との間に樹脂スミア４９が残ったフィルドバイアが形成されるおそれがある。この樹脂スミア４９は、デスミア処理でも除去しきれずに残ったものである。そして、このように樹脂スミア４９が残っていると、樹脂スミア４９に起因する導通不良が発生し、導通信頼性を損なわれるおそれがある。
【０１７５】
これに対して、絶縁層４２に（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の充填材の両方が含有されていると、図１０Ａに示すように、ＳＡＰの実施後に、内層パターン７１１と無電解めっき層６１との間に樹脂スミア４９が残っていないフィルドバイアが形成される。つまり、樹脂スミア４９は、デスミア処理により容易に除去することができる。これにより、樹脂スミア４９に起因する導通不良を解消し、導通信頼性を向上させることができる。なお、樹脂スミア４９が残っていないとは、全く残っていない場合のみならず、導通信頼性にほとんど影響を及ぼさない程度にごく微量残っている場合も含まれる。
【０１７６】
次に図１１Ａ〜図１１Ｇを示しながらＭＳＡＰについて説明する。
【０１７７】
図１１Ａは、内層パターン７１１を内部に有し、主面４２０を外部に有する絶縁層４２を示す。主面４２０には、第１シード層６０１となる非常に薄い金属箔６３が設けられている。
【０１７８】
まず、図１１Ｂに示すように、第１シード層６０１も含めて絶縁層４２に穴あけを行って非貫通穴９０を形成する。穴あけはレーザ加工により行うことができる。レーザＬの具体例として、ＣＯ２レーザ及びＵＶ−ＹＡＧレーザが挙げられる。非貫通穴９０は絶縁層４２の主面４２０の側において開口している。非貫通穴９０の底面９１は、内層パターン７１１の表面である。穴あけの際に樹脂スミア４９が発生し、この樹脂スミア４９は、非貫通穴９０の底面９１である内層パターン７１１の表面に付着する。
【０１７９】
次に、上記の樹脂スミア４９を除去するために、図１１Ｃに示すようにデスミア処理を行う。この際、絶縁層４２の主面４２０に設けられた第１シード層６０１、非貫通穴９０の内側面９２及び底面９１が粗化処理されるとともに、非貫通穴９０の底面９１及び内側面９２から樹脂スミア４９が除去される。
【０１８０】
次に、図１１Ｄに示すように、絶縁層４２の主面４２０に設けられた第１シード層６０１、非貫通穴９０の底面９１及び内側面９２にかけて無電解めっき処理を行って、第２シード層６０２となる無電解めっき層６１を形成する。
【０１８１】
次に、図１１Ｅに示すように、絶縁層４２の主面４２０にめっきレジスト４３を形成する。めっきレジスト４３は、絶縁層４２の主面４２０において外層パターン７２１を形成しない部分に形成する。
【０１８２】
次に、図１１Ｆに示すように、電解めっき処理を行って、めっきレジスト４３でマスクされていない部分にめっき６２を充填する。
【０１８３】
その後、図１１Ｇに示すように、めっきレジスト４３を除去するとともに、めっきレジスト４３と絶縁層４２の主面４２０との間に介在していた第１シード層６０１及び第２シード層６０２をエッチングにより除去する。このようにして、内層パターン７１１と外層パターン７２１とを電気的に接続するブラインドバイアホール９が形成される。特にブラインドバイアホール９は、めっき６２が充填されているので、フィルドバイアとも呼ばれる。
【０１８４】
ここで、絶縁層４２に（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の充填材の両方が含有されていないと、図１２Ｂに示すように、ＭＳＡＰの実施後に、内層パターン７１１と無電解めっき層６１との間に樹脂スミア４９が残ったフィルドバイアが形成されるおそれがある。この樹脂スミア４９は、デスミア処理でも除去しきれずに残ったものである。そして、このように樹脂スミア４９が残っていると、樹脂スミア４９に起因する導通不良が発生し、導通信頼性を損なわれるおそれがある。
【０１８５】
これに対して、絶縁層４２に（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の充填材の両方が含有されていると、図１２Ａに示すように、ＭＳＡＰの実施後に、内層パターン７１１と無電解めっき層６１との間に樹脂スミア４９が残っていないフィルドバイアが形成される。つまり、樹脂スミア４９は、デスミア処理により容易に除去することができる。これにより、樹脂スミア４９に起因する導通不良を解消し、導通信頼性を向上させることができる。なお、樹脂スミア４９が残っていないとは、全く残っていない場合のみならず、導通信頼性にほとんど影響を及ぼさない程度にごく微量残っている場合も含まれる。
【０１８６】
［半導体パッケージ］
基本的に、本実施形態に係る半導体パッケージ４については、（２．２．３）の欄で説明したとおりである。すなわち、半導体パッケージ４は、チップ２と、基板３と、を備える。基板３には、チップ２が実装されている。ただし、ここでの半導体パッケージ４は、評価用半導体パッケージではなく、実際に各種の電子回路を構成し得る電子部品としての半導体パッケージを意味する。したがって、半導体パッケージ４を構成するチップ２も、ＴＥＧチップのような評価用チップではない。半導体パッケージ４の形状及び大きさは特に限定されない。
【０１８７】
図１３Ａ及び図１３Ｂに半導体パッケージ４の一例を示す。図１３Ａに示す半導体パッケージ４では、チップ２と基板３との間に隙間４４が形成されている。このままでもよいが、図１３Ｂに示すように、隙間４４にアンダーフィル樹脂を充填して、アンダーフィル樹脂層４５を形成するようにしてもよい。アンダーフィル樹脂層４５が形成されていることで、チップ２と基板３との熱膨張率のミスマッチを更に抑制することができる。アンダーフィル樹脂は、電気的絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。
【０１８８】
ここで、基板３は、プリプレグ１の硬化物を含む。このプリプレグ１については、関係式（Ｉ）が成り立っている。そのため、実装後のチップ２が温度変化により膨張又は収縮しても、このチップ２に大きな応力がかかりにくくなる。言い換えると、実装後のチップ２に発生するひずみが小さくなりやすい。つまり、チップ２の伸び縮みに応じて、基板３も伸び縮みするようになる。したがって、半導体パッケージ４の反りを低減することができる。さらに、実装後のチップ２に大きな応力がかからないので、基板３の厚さを薄くすることもできる。したがって、反りの低減された半導体パッケージ４の薄型化を実現し得る。
【０１８９】
半導体パッケージ４の具体例として、ＦＢＧＡ（Fine pitch Ball Grid Array）が挙げられる。半導体パッケージ４をサブパッケージとして用い、複数のサブパッケージを積層することによって、ＰｏＰ（Package on Package）パッケージを製造することもできる。このように、様々な形態のパッケージを製造することができるが、いずれのパッケージについても、既述の好適な材料を使用すれば、（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分によって、反りが低減されていると共に吸湿耐熱性も高められている。すなわち、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分によって剛性を高め、（Ｂ）成分によって弾性を低下させて応力を緩和させることができるので、パッケージの形態に依存することなく、汎用的にパッケージの反りを低減することができる。さらに（Ａ１）成分、（Ａ２）成分及び（Ｂ）成分によってパッケージの吸湿耐熱性も高めることができる。
【０１９０】
［プリント回路板］
図１４Ｃに示すように、本実施形態に係るプリント回路板８は、半導体パッケージ４と、プリント配線板７と、を備える。プリント配線板７には、半導体パッケージ４が実装されている。プリント回路板８の製造に用いられる半導体パッケージ４を図１４Ａに示し、プリント配線板７を図１４Ｂに示す。
【０１９１】
図１４Ａに示す半導体パッケージ４では、２次実装のため、各パッド３７にはんだボール３９が設けられている。
【０１９２】
図１４Ｂに示すプリント配線板７としては、一般的なプリント配線板を使用することができる。本実施形態に係るプリプレグ１を使用してプリント配線板７を製造してもよい。プリント配線板７は、第１配線面７０１と、第２配線面７０２と、を有する。第１配線面７０１及び第２配線面７０２は、プリント配線板７の表裏を成している。プリント配線板７の厚さ（第１配線面７０１と第２配線面７０２との間の距離）は特に限定されない。
【０１９３】
プリント配線板７は、２次実装のため、複数のパッド７３１を有する。複数のパッド７３１は、第１配線面７０１に形成されている。詳しくは、複数のパッド７３１の各々の位置と、半導体パッケージ４における複数のはんだボール３９の各々の位置とは一対一に対応している。
【０１９４】
プリント配線板７の第１配線面７０１において、パッド７３１以外の箇所に導体パターンが形成されていてもよい。この場合、好ましくは、パッド７３１以外の箇所にソルダーレジスト層３６１が形成されている。ソルダーレジスト層３６１が形成されていると、２次実装の際にはんだがパッド７３１以外の箇所に付着することを抑制することができる。また第１配線面７０１に形成された導体パターン（不図示）を外部環境から保護することができる。さらに第１配線面７０１に形成された導体パターン間の電気的絶縁性を維持し、ショートを抑制することができる。ソルダーレジスト層３６１を形成する材料は特に限定されない。
【０１９５】
プリント配線板７は、第２配線面７０２に導体パターン７３２を有してもよい。この場合、好ましくは、第２配線面７０２にソルダーレジスト層３８１が形成されている。ソルダーレジスト層３８１が形成されていると、導体パターン７３２を外部環境から保護することができる。さらに導体パターン７３２間の電気的絶縁性を維持し、ショートを抑制することができる。ソルダーレジスト層３８１を形成する材料は特に限定されない。
【０１９６】
半導体パッケージ４は、プリント配線板７に実装される。詳しくは、半導体パッケージ４のはんだボール３９とプリント配線板７のパッド７３１とがはんだ付けにより接合されて、半導体パッケージ４は、プリント配線板７に実装されている。この場合、半導体パッケージ４の基板３はインターポーザ、プリント配線板７はマザーボードとなる。
【０１９７】
ここで、プリント回路板８は、既述の関係式（Ｉ）が成り立つプリプレグ１を材料として製造されている。そのため、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、プリント回路板８において、基板３全体のうちチップ２に近い部位が、チップ２の挙動に逆らわずに、チップ２と同様の挙動を示す。つまり、チップ２の伸び縮みに応じて、基板３も伸び縮みするようになる。そのため、チップ２と基板３との接合箇所（バンプ２３を含む部分）に大きな応力がかかりにくくなる。したがって、プリント回路基板８の接続信頼性を確保することができる。
【０１９８】
さらにプリント回路板８が、既述の関係式（Ｉ）及び（ＩＩ）が成り立つプリプレグ１を材料として製造されていると、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、基板３全体のうちプリント配線板７に近い部位が、プリント配線板７の挙動に逆らわずに、プリント配線板７と同様の挙動を示す。つまり、プリント配線板７の伸び縮みに応じて、基板３も伸び縮みするようになる。そのため、基板３とプリント配線板７との接合箇所（はんだボール３９を含む部分）に大きな応力がかかりにくくなる。したがって、プリント回路基板８の接続信頼性を確保することができる。
【０１９９】
［まとめ］
以上説明したように、第１の態様に係るプリプレグ（１）は、チップ（２）と、チップ（２）が実装された基板（３）と、を備える半導体パッケージ（４）の製造に用いられるプリプレグ（１）である。プリプレグ（１）は、半硬化状態である。基板（３）は、プリプレグ（１）の硬化物を含む。チップ（２）は、基板（３）と反対側に位置する第１チップ面（２１）と、第１チップ面（２１）と反対側に位置する第２チップ面（２２）と、を有する。チップ（２）が基板（３）に実装される前の、チップ（２）の第１チップ面（２１）の熱膨張率をＸ１とし、チップ（２）が基板（３）に実装された後の、チップ（２）の第１チップ面（２１）の熱膨張率をＸ２とした場合に、以下の関係式（Ｉ）が成り立つ。
【０２００】
【数６】
2019112479.tif 000011
【０２０１】
この構成によれば、実装後のチップ（２）が温度変化により膨張又は収縮しても、このチップ（２）に大きな応力がかかりにくくなる。したがって、半導体パッケージ（４）の反りを低減することができる。
【０２０２】
第２の態様に係るプリプレグ（１）では、第１の態様において、基板（３）は、チップ（２）が実装される第１基板面（３１）と、第１基板面（３１）と反対側に位置する第２基板面（３２）と、を有する。チップ（２）が第１基板面（３１）に実装される前の、第１基板面（３１）のチップ（２）が実装される領域（３４）の反対側に位置する、第２基板面（３２）の領域（３５）の熱膨張率をＹ１とし、チップ（２）が第１基板面（３１）に実装された後の、第１基板面（３１）のチップ（２）が実装された領域（３４）の反対側に位置する、第２基板面（３２）の領域（３５）の熱膨張率をＹ２とした場合に、以下の関係式（ＩＩ）が成り立つ。
【０２０３】
【数７】
2019112479.tif 000012
【０２０４】
この構成によれば、プリント回路板（８）におけるチップ（２）及びプリント配線板（７）が温度変化により膨張又は収縮しても、接続信頼性を確保することができる。
【０２０５】
第３の態様に係るプリプレグ（１）では、第１又は２の態様において、基材（１１）と、基材（１１）に含浸された樹脂組成物の半硬化物（１２）と、を備える。
【０２０６】
この構成によれば、関係式（Ｉ）、更には関係式（ＩＩ）が成り立ちやすくなる。
【０２０７】
第４の態様に係るプリプレグ（１）では、第３の態様において、基材（１１）は、略直交する縦糸（１１１）及び横糸（１１２）で織られた織布を含む。縦糸（１１１）又は横糸（１１２）に対して斜め４５°方向における、プリプレグ（１）の硬化物の引張り伸び率が５％以上３０％未満の範囲内である。
【０２０８】
この構成によれば、半導体パッケージ（４）の反りを更に低減することができる。
【０２０９】
第５の態様に係るプリプレグ（１）では、第３又は４の態様において、樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂及びビニルエステル樹脂からなる群より選ばれた１種以上の樹脂を含む。
【０２１０】
この構成によれば、関係式（Ｉ）、更には関係式（ＩＩ）が成り立つようなプリプレグ（１）が得られやすくなる。
【０２１１】
第６の態様に係る基板（３）は、第１〜５のいずれかの態様に係るプリプレグ（１）の硬化物を含む。
【０２１２】
この構成によれば、実装後のチップ（２）の伸び縮みに応じて、基板（３）も伸び縮みするようになる。
【０２１３】
第７の態様に係る金属張積層板（５）は、絶縁層（４１）と、絶縁層（４１）の少なくともいずれかの面に設けられた金属層（６）と、を備える。絶縁層（４１）は、第１〜５のいずれかの態様に係るプリプレグ（１）の硬化物を含む。
【０２１４】
この構成によれば、実装後のチップ（２）の伸び縮みに応じて伸び縮みするような基板（３）を容易に製造することができる。
【０２１５】
第８の態様に係る半導体パッケージ（４）は、チップ（２）と、チップ（２）が実装された基板（３）と、を備える。基板（３）は、第１〜５のいずれかの態様に係るプリプレグ（１）の硬化物を含む。
【０２１６】
この構成によれば、実装後のチップ（２）が温度変化により膨張又は収縮しても、このチップ（２）に大きな応力がかかりにくくなる。したがって、半導体パッケージ（４）の反りを低減することができる。さらに、実装後のチップ（２）に大きな応力がかからないので、基板（３）の厚さを薄くすることもできる。したがって、反りの低減された半導体パッケージ（４）の薄型化を実現し得る。
【０２１７】
第９の態様に係るプリント回路板（８）は、第８の態様に係る半導体パッケージ（４）と、半導体パッケージ（４）が実装されたプリント配線板（７）と、を備える。
【０２１８】
この構成によれば、プリント回路基板（８）の接続信頼性を確保することができる。
【実施例】
【０２１９】
以下、本開示を実施例によって具体的に説明する。
【０２２０】
＜ワニス配合＞
（Ａ１）成分
・ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＨＰ−９５００」）
・ビフェニル骨格含有エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製「ＮＣ−３０００」）
・トリフェニルメタン骨格含有エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」）
（Ａ２）成分
・ナフタレン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＨＰＣ−９５００Ｐ」）
・フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＴＤ−２０９０」）
・リン変性フェノール樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＨＰＣ−９１００」）
（Ｂ）成分
・エポキシ変性アクリル樹脂（ナガセケムテックス株式会社製「ＰＡＳＲ−００１」）
これは、式（ｂ１）、式（ｂ２）及び式（ｂ３）で表される構造を有し、隣り合う炭素原子間に不飽和結合を有さず、重量平均分子量が５０万、エポキシ価が０．２１ｅｑ／ｋｇである。
【０２２１】
（Ｃ１）成分
・エポキシシラン処理シリカ
これは、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランで表面処理された球状シリカ（株式会社アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＥＪ」）であり、平均粒子径は０．５μｍ（５００ｎｍ）である。
【０２２２】
（Ｃ２）成分
・メタクリルシラン処理シリカ
これは、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理された球状シリカ（株式会社アドマテックス製「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」」）であり、平均粒子径は５０ｎｍである。
【０２２３】
（その他の樹脂成分）
・フェニルメタンマレイミド（大和化成工業株式会社製「ＢＭＩ−２３００」）
（改質剤）
・コアシェルゴム（三菱ケミカル株式会社製「ＳＲＫ２００Ａ」）
これは、粒子状のゴム（シリコーン・アクリル複合ゴム）の外部にグラフト層を持ったコアシェルタイプの改質剤である。
【０２２４】
（硬化促進剤）
・２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製「２Ｅ４ＭＺ」）
（溶剤）
・メチルエチルケトン
【０２２５】
＜プリプレグ＞
表１に示す配合量（質量部）で、溶剤に（Ａ１）成分、（Ａ２）成分、（Ｂ）成分及びその他の樹脂成分を加えて溶解させた後、さらに硬化促進剤及び改質剤を加えて配合し、次に（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分を加えて分散させることによって樹脂組成物のワニスを調製した。実施例１、２では、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分と（Ｂ）成分とは相溶しないで相分離している。実施例３では、（Ａ２）成分と（Ｂ）成分とは相溶しないで相分離している。
【０２２６】
次に、上記の樹脂組成物のワニスを織布基材（日東紡績株式会社製ガラスクロス「２１１６」）に含浸させると共に、これを半硬化状態となるまで１３０℃で５分間加熱乾燥することによって、厚さが１００μｍのプリプレグを製造した。
【０２２７】
＜金属張積層板＞
上記のプリプレグを２枚重ね、この両面に金属箔として銅箔（厚さ１２μｍ）を積層して、真空条件下、３ＭＰａで加圧しながら、２２０℃で６０分間加熱して成形することによって、金属張積層板として銅張積層板（ＣＣＬ）を製造した。金属張積層板の絶縁層の厚さは２００μｍであった。
【０２２８】
＜基板＞
上記の金属張積層板の一方の面の金属箔の一部をエッチングにより除去して、実装領域（大きさ１５．０６ｍｍ×１５．０６ｍｍ）を形成し、他方の面の金属箔の全部をエッチングにより除去することによって、基板（大きさ３５ｍｍ×３５ｍｍ）を製造した（図５Ｃ参照）。基板の実装領域が形成された面が第１基板面であり、その反対側の面が第２基板面である。実装領域は、第１基板面の中央に位置している。実装領域は、Ｘ軸方向に３つ、Ｙ軸方向に３つ、計９つの正方形状のブロックに分けられている。各ブロックにおいて、複数の円形のパッドがＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに平行に形成されている。各ブロックにおいて、パッドピッチは２００μｍである。隣り合うブロック間の間隔は１００μｍである。各パッドのパッド径は１２０μｍである。各ブロックにおけるパッド数は４８４個（２２×２２）である。
【０２２９】
＜半導体パッケージ＞
上記の基板の他に、チップ（株式会社ウォルツ製「ＦＣ２００ＳＣＪＹ  ＬＦ」、大きさ１５．０６ｍｍ×１５．０６ｍｍ）を用意した。チップの第２チップ面は、Ｘ軸方向に３つ、Ｙ軸方向に３つ、計９つの正方形状のブロックに分けられている（図５Ｂ参照）。各ブロックにおいて、複数のバンプが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに平行に形成されている。各ブロックにおいて、バンプピッチは２００μｍである。各バンプのバンプ径は１００μｍである。各ブロックにおけるバンプ数は４８４個（２２×２２）である。各バンプは、ＳＡＣ３０５で形成されている。第２チップ面の反対側の面が第１チップ面である。チップの厚さは１６０μｍである。
【０２３０】
そして、次のようにして半導体パッケージを製造した。まず基板をガラス板上に固定した。次に基板上のパッドにフラックスを塗布した後、実装領域にチップを載せた。次に上記のガラス板をホットプレート上に載せて、２６０℃で５分間加熱した後、室温まで冷却して、バンプとパッドとを接合することによって、チップを基板に実装した。その後、フラックスを洗浄して取り除き、１２０℃で１時間乾燥させた。このようにして半導体パッケージを製造した。なお、チップを基板に実装する前と実装した後とで、後述のようにして、チップの第１チップ面及び基板の第２基板面の対応領域の熱膨張率を測定した。対応領域は、実装領域のちょうど真裏の領域である。
【０２３１】
【表１】
2019112479.tif 000013
【０２３２】
＜物性評価＞
以下の物性評価を行った。その結果を表２に示す。
【０２３３】
（熱膨張率（ＣＴＥ））
３Ｄ加熱表面形状測定装置（ＡＫＲＯＭＥＴＲＩＸ社製「ＴＨＥＲＭＯＩＲＥ  ＰＳ２００」）を用いて、実装前後のチップの第１チップ面の熱膨張率（Ｘ１及びＸ２）を算出し、その比（Ｘ２／Ｘ１）を求めた。同様にして、実装前後の基板の対応領域の熱膨張率（Ｙ１及びＹ２）を算出し、その比（Ｙ１／Ｙ２）を求めた。
【０２３４】
より詳しくは、実装前のチップの第１チップ面については、５０℃から２６０℃まで２０℃／分で昇温し、２６０℃から５０℃まで１５℃／分で降温する操作を２回行い、２回目の５０℃から２２０℃まで昇温したときのひずみデータから熱膨張率（ＣＴＥ）を以下の式（３）で算出した。なお、バンプの融点が２１７℃であるため、２２０℃までの熱膨張率を算出した。
【０２３５】
【数８】
2019112479.tif 000014
【０２３６】
ｅｘｘ（５０）：５０℃におけるＸ軸方向のひずみ量
ｅｘｘ（２２０）：２２０℃におけるＸ軸方向のひずみ量
なお、式（３）中の分母の数値（１７０）は、温度変化（２２０−５０）の数値である。
【０２３７】
上記と同様にして、実装後のチップの第１チップ面及び実装前後の基板の対応領域について熱膨張率を算出した。
【０２３８】
（半導体パッケージ反り量）
上記の半導体パッケージについて、３Ｄ加熱表面形状測定装置（ＡＫＲＯＭＥＴＲＩＸ社製「ＴＨＥＲＭＯＩＲＥ  ＰＳ２００」）を用いてシャドウモアレ測定理論に基づいて反りを測定した。半導体パッケージ反り量は、上記の半導体パッケージを室温（約３０℃）から２２０℃まで加熱し、その後２５℃まで冷却したときのコプラナリティの最大値と最小値の差として求めた。
【０２３９】
（損失正接（ｔａｎδ）≧０．０５となるピークトップ温度）
金属張積層板の両面の金属箔をエッチングにより除去することによって、厚さ０．２ｍｍのアンクラッド板を製造した。このアンクラッド板を、織布基材の縦糸方向に対して４５°傾けた方向（バイアス方向）に５ｍｍ幅で短冊状に切り出して、長さ２５ｍｍの試料を作製した。この試料について、動的粘弾性測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製「ＤＭＳ６１００」）を用いて、チャッキング間距離１０ｍｍ、昇温速度５℃／分、引張モードの条件で動的粘弾性測定（ＤＭＡ：dynamic mechanical analysis）を行った。この測定により得られた損失正接（ｔａｎδ）のチャートを読み取ることによって、ｔａｎδ≧０．０５となるピークトップ温度を求めた。
【０２４０】
（弾性率）
上記の測定により得られた損失正接（ｔａｎδ）のチャートから、２５℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）を読み取り、これを弾性率とした。
【０２４１】
（引張り伸び率）
金属張積層板の両面の金属箔をエッチングにより除去することによって、厚さ０．２ｍｍのアンクラッド板を製造した。このアンクラッド板を、織布基材の縦糸方向に対して４５°傾けた方向（バイアス方向）に５ｍｍ幅で短冊状に切り出して、長さ８０ｍｍの試料を作製した。この試料について、引張試験機（株式会社島津製作所製「オートグラフＡＧＳ−Ｘ」）を用いて、標線間距離６０ｍｍ、５ｍｍ／分の条件で引張試験を行った。そして、引張試験を行う前の初期の試料の長さ（Ｌ０）と、引張試験により試料が破断する直前の長さ（Ｌ）とから、次の式（２）によって引張り伸び率を算出した。
【０２４２】
【数９】
2019112479.tif 000015
【０２４３】
【表２】
2019112479.tif 000016
【符号の説明】
【０２４４】
１  プリプレグ
１１  基材
１１１  縦糸
１１２  横糸
１２  半硬化物
２  チップ
２１  第１チップ面
２２  第２チップ面
３  基板
３１  第１基板面
３２  第２基板面
４  半導体パッケージ
４１  絶縁層
５  金属張積層板
６  金属層
７  プリント配線板
８  プリント回路板
【図１】
2019112479.tif 000020
【図２】
2019112479.tif 000021
【図３】
2019112479.tif 000022
【図４】
2019112479.tif 000023
【図５】
2019112479.tif 000024
【図６】
2019112479.tif 000025
【図７】
2019112479.tif 000026
【図８】
2019112479.tif 000027
【図９】
2019112479.tif 000028
【図１０】
2019112479.tif 000029
【図１１】
2019112479.tif 000030
【図１２】
2019112479.tif 000031
【図１３】
2019112479.tif 000032
【図１４】
2019112479.tif 000033
【図１５】
2019112479.tif 000034
【図１６】
2019112479.tif 000035