(57)【要約】【課題】優れた表面平滑性と高い光反射率とを有するアルミニウム系めっき処理材およびその製造方法を提供することである。【解決手段】本発明のアルミニウム系めっき処理材は、導電性基体と、前記導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層とを有し、前記アルミニウム系めっき層の表面は、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であり、前記アルミニウム系めっき層は、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、セレン（Ｓｅ）から選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層とを有するアルミニウム系めっき処理材であって、
前記アルミニウム系めっき層の表面は、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であり、
前記アルミニウム系めっき層は、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、セレン（Ｓｅ）から選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことを特徴とする、アルミニウム系めっき処理材。
【請求項２】
前記アルミニウム系めっき層は、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム系めっき処理材。
【請求項３】
前記アルミニウム系めっき層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム系めっき処理材。
【請求項４】
前記アルミニウム系めっき層の平均結晶粒径が１０．０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアルミニウム系めっき処理材。
【請求項５】
前記導電性基体が、銅、銅合金、鉄または鉄合金であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のアルミニウム系めっき処理材。
【請求項６】
前記アルミニウム系めっき層の厚さが０．０１〜２０．００μｍの範囲であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のアルミニウム系めっき処理材。
【請求項７】
アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を形成する工程を含む、アルミニウム系めっき処理材の製造方法であって、
前記めっき液が、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｓｅから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量が、前記選択された元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることを特徴とする、アルミニウム系めっき処理材の製造方法。
【請求項８】
前記めっき液が、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量が、前記選択された元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることを特徴とする、請求項７に記載のアルミニウム系めっき処理材の製造方法。
【請求項９】
前記めっき液が、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量が、前記選択された元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることを特徴とする、請求項７に記載のアルミニウム系めっき処理材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム系めっき処理材およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気接点等の各種電子部品の基材として用いられる導電性基体には、銅、銅合金、鉄、または鉄合金等が使用されてきた。これらの材料が広く利用されてきた主な理由としては、良好な導電性や加工性を有すること、素材が入手しやすく安価であること等が挙げられる。また、これらの材料は、その表面に被覆処理を施すことが比較的容易、特にめっき処理を施すことが容易であることから、現在も上記基材として用いるのが主流となっている。
【０００３】
しかしながら、銅や鉄は、比較的比重が大きい材料であることから、例えば車載向けのワイヤーハーネスや航空機の機体等に対しては、銅や鉄よりも比重が小さいアルミニウム等の材料の適用が増えてきている。
【０００４】
さらに近年は、アルミニウムで表面処理を行うことにより、異種金属間接合によって生じる腐食を防止したい等のニーズが出現してきており、導電性基体をアルミニウムで被覆する手法についても検討が行われている。また、電気接点材料や光半導体用リードフレーム等においては、耐摩耗性や接触安定性、さらには光反射率等の特性が求められることが多く、表面に形成されためっきの表面粗さがある程度平滑であることが要求される。
【０００５】
また、温泉保養地向け照明端子材においては、優れた反射率とともに耐アルカリ性が求められる。さらに、従来は端子材に銅が用いられていたが、硫化銅の形成により、割れが発生してしまい、寿命が短縮されることがあった。
【０００６】
また、意匠性の高いコンピュータ用のキーボードにおけるバックライトスイッチでは、高い光反射率に加えて優れた摺動性を得たいというニーズもある。
【０００７】
しかしながら、アルミニウムのようなイオン化傾向の高い卑金属は湿式でのめっき処理が難しいという問題がある。そこで近年、非水溶媒を用いてアルミニウムめっき皮膜を形成するめっき法が開発されている。たとえば、特許文献１には、比較的安全でかつ安価なめっき液として、ジメチルスルホンを溶媒として用いた電解アルミニウムめっき液が記載されている。また、特許文献２には、溶融塩電気アルミニウムめっき浴が記載されている。特に特許文献２には、添加剤としてハロゲン化亜鉛、ハロゲン化マンガン、ハロゲン化ジルコニウム等を添加することにより、半光沢や光沢をもつアルミニウム皮膜が得られることが記載されている。
【０００８】
しかし、特許文献１は、アルミニウムめっき膜の付き回り性の改善を目的とするため、めっき液から作製されためっき皮膜の光沢については着目していない。また、特許文献２は、溶融塩電気アルミニウムめっき浴によって光沢のあるＡｌ−Ｍｎめっき皮膜（実施例１０）が得られていることを示しているが、このＡｌ−Ｍｎめっき皮膜は、光を吸収し易いマンガンの共析量が多いため、光反射率が、アルミニウム自体の本来有する光反射率から大幅に低下する。さらに、特許文献１および２では、めっき皮膜の表面粗さについては着目しておらず、まためっき皮膜の表面における光反射率の向上については言及していない。
【０００９】
また、特許文献３には、２以上のアミノ基を有するアルキルポリアミンまたはハロゲン化ジルコニウムの存在下でアルミニウムハロゲン化物の有機溶媒溶液からアルミニウムを電析させる光沢アルミニウム材料の製造方法が記載されている。
【００１０】
そして、特許文献３には、平均表面粗さＲａが０．０８μｍ（実施例１）と０．０９μｍ（実施例２）であるアルミニウム材料が得られることが記載されているものの、これらのアルミニウム材料の光反射率、例えば波長４５０ｎｍの光についての全反射率は、図３に示されているように、実施例１で約２０％、実施例２で約５８％と低い。このようなアルミニウム材料の光反射率は、アルミニウム自体の本来有する光反射率の物理的上限値（波長４５０ｎｍにおける全反射率で約９０％）からは未だ乖離している。そのため、このようなアルミニウム材料の光半導体用リードフレームへの使用を考慮すると、このようなアルミニウム材料について、未だ十分な特性を有しておらず、光反射率の更なる向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２９１４９０号公報
【特許文献２】特開２００８−１９５９８９号公報
【特許文献３】特開２０１３−０２３７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、優れた表面平滑性と高い光反射率とを有するアルミニウム系めっき処理材およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の要旨構成は、以下のとおりである。
［１］  導電性基体と、前記導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層とを有するアルミニウム系めっき処理材であって、前記アルミニウム系めっき層の表面は、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であり、前記アルミニウム系めっき層は、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、セレン（Ｓｅ）から選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことを特徴とする、アルミニウム系めっき処理材。
［２］  前記アルミニウム系めっき層は、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことを特徴とする、上記［１］に記載のアルミニウム系めっき処理材。
［３］  前記アルミニウム系めっき層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことを特徴とする、上記［１］に記載のアルミニウム系めっき処理材。
［４］  前記アルミニウム系めっき層の平均結晶粒径が１０．０μｍ以下であることを特徴とする、上記［１］乃至［３］のいずれか１つに記載のアルミニウム系めっき処理材。
［５］  前記導電性基体が、銅、銅合金、鉄または鉄合金であることを特徴とする、上記［１］乃至［４］のいずれか１つに記載のアルミニウム系めっき処理材。
［６］  前記アルミニウム系めっき層の厚さが０．０１〜２０．００μｍの範囲であることを特徴とする、上記［１］乃至［５］のいずれか１つに記載のアルミニウム系めっき処理材。
［７］  アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を形成する工程を含む、アルミニウム系めっき処理材の製造方法であって、前記めっき液が、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｓｅから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、前記めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量が、前記選択された元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることを特徴とする、アルミニウム系めっき処理材の製造方法。
［８］  前記めっき液が、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、前記めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量が、前記選択された元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることを特徴とする、上記［７］に記載のアルミニウム系めっき処理材の製造方法。
［９］  前記めっき液が、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、前記めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量が、前記選択された元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることを特徴とする、上記［７］に記載のアルミニウム系めっき処理材の製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、表面平滑性および光反射率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態のアルミニウム系めっき処理材の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施の形態に基づき詳細に説明する。
【００１７】
本発明者らは、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を有するアルミニウム系めっき処理材について鋭意研究を重ねた。その結果、特定の元素から選択される１種以上の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒めっき液を用いて、導体基板上に電析を行うことで、優れた表面平滑性と高い光反射率とを有するアルミニウム系めっき層が得られることを見出し、かかる知見に基づき本発明を完成させるに至った。
【００１８】
実施の形態のアルミニウム系めっき処理材（以下、略して「Ａｌ系めっき処理材」という。）は、導電性基体と、導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層（以下、略して「Ａｌ系めっき層」という。）とを有する。Ａｌ系めっき層の表面は、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満である。Ａｌ系めっき層は、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、セレン（Ｓｅ）から選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含む。
【００１９】
Ａｌ系めっき層が上記元素を上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき処理材は、従来、めっき処理後のそのままの状態、換言すると研磨加工なしのめっきままの状態では実現することができなかった、高い光反射率を実現し得る。すなわち、Ａｌ系めっき処理材は、研磨加工なしのめっきままの状態で、３００〜８００ｎｍの波長域の光、特に波長４５０ｎｍの光に対して高い反射率を有し、この反射率は、従来に比べて、アルミニウム自体の本来有する光反射率の物理的上限値により近い。このような高い光反射率を有するＡｌ系めっき処理材は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）用のリードフレーム等の優れた反射特性が要求されるアプリケーションへの適用に好適であり、特に、４５０ｎｍ程度の波長を有する青色光を発する青色ＬＥＤ用のリードフレームとして用いた場合には、優れた光の取り出し効率を発揮し得る。
【００２０】
また、Ａｌ系めっき処理材は、優れた表面平滑性を有し、表面の微小凹凸が極めて小さい。そのため、例えば、電気接点等の基材として用いた場合には、特に摺動時に、高い接続信頼性を発揮し得る。
【００２１】
また、Ａｌ系めっき層は、上記元素から選択される少なくとも１種の元素を合計して、０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．０１〜２．５０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層が上記元素を上記範囲で含むと、上述した効果がより効率的に向上する。
【００２２】
ここで、Ａｌ系めっき層が上記元素を上記範囲で含むことによって、上述した効果が得られる理由について、本発明者らは次のように考えている。すなわち、上記の元素はいずれも、後述するめっき液中で複数の価数をとる。そのため、Ａｌ系電析層であるＡｌ系めっき層が形成される際に、多段階の反応が生じる。このような多段階の反応により電析速度が部分的に抑制されることで、平滑なＡｌ系めっき層が形成される。
【００２３】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．１０〜１．５０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層が上記元素を上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、耐アルカリ性が向上する。
【００２４】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも１種の元素を合計して０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．３０〜３．２０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層が上記元素を上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、摺動性が向上する。
【００２５】
また、Ａｌ系めっき層は、Ａｕを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．０５〜０．９０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＡｕを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有する。
【００２６】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｔｉを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．１０〜１．５０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＴｉを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有する。
【００２７】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｓｅを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．０５〜１．６０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＳｅを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有する。
【００２８】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｎｂを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．５０〜２．３０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＮｂを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、耐アルカリ性が向上する。
【００２９】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｔａを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．０５〜１．６０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＴａを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、耐アルカリ性が向上する。
【００３０】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｒｕを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．１０〜１．７０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＲｕを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、摺動性が向上する。
【００３１】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｒｈを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．１０〜１．７０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＲｈを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、摺動性が向上する。
【００３２】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｉｒを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．０５〜１．５０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＩｒを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、摺動性が向上する。
【００３３】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｐｄを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．０５〜２．００ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＰｄを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、摺動性が向上する。
【００３４】
また、Ａｌ系めっき層は、Ｐｔを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むことが好ましく、０．１０〜１．８０ａｔ％の範囲で含むことがより好ましい。Ａｌ系めっき層がＰｔを上記範囲で含むと、Ａｌ系めっき層は、高い光反射率および優れた表面平滑性を有すると共に、摺動性が向上する。
【００３５】
また、Ａｌ系めっき処理材において、Ａｌ系めっき層の結晶粒径の平均、すなわち平均結晶粒径は、１０．０μｍ以下であることが好ましく、２．０μｍ以下であることがより好ましい。Ａｌ系めっき層の平均結晶粒径が小さくなるにつれて、Ａｌ系めっき層の硬度は増加する。硬度が不十分なＡｌ系めっき層では摺動時に摩耗や剥離が生じるが、硬度が増大することでＡｌ系めっき層の摺動性が向上する。Ａｌ系めっき層の平均結晶粒径が１０．０μｍ以下であれば、Ａｌ系めっき層の硬度は十分に高い。
【００３６】
Ａｌ系めっき処理材の一例として、図１は、実施の形態のＡｌ系めっき処理材の断面を模式的に示したものである。図１に示されるように、Ａｌ系めっき処理材１は、導電性基体１１と、導電性基体１１上に形成されたＡｌ系めっき層１２とを有する。
【００３７】
導電性基体１１を構成する材料としては、特に限定されないが、接続材料や導体として一般的に用いられている材料を広く用いることができる。例えば、導電性基体１１は、好適には、銅、銅合金、鉄または鉄合金である。中でも、高い導電率の観点から、導電性基体１１は、銅または銅合金であることがより好ましい。なお、銅合金としては、例えば、リン青銅合金、黄銅合金、コルソン合金等が挙げられ、鉄合金としては、例えば、４２アロイ、ステンレス等が挙げられる。
【００３８】
また、導電性基体１１の形状は、特に限定されないが、平板状や、線状、異形条などが挙げられ、中でも平板状が好ましい。また、導電性基体１１の表面１１Ａの状態は特に限定されないが、表面１１Ａに形成されるＡｌ系めっき層１２への影響を考慮し、表面１１Ａの表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．２μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。なお、Ａｌ系めっき処理材１に対する導電性基体１１の表面１１Ａの表面粗さの影響は、表面１１Ａに形成されるＡｌ系めっき層１２の厚さにより調整可能であり、上記範囲は特にＡｌ系めっき層１２を薄く形成する場合に好適となる。
【００３９】
Ａｌ系めっき層１２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。ここで、アルミニウム合金の添加元素（アルミニウム以外の元素）としては、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｓｅが挙げられる。さらに、これらの添加元素に加えて、Ｆｅ、Ｃｕが不可避不純物としてアルミニウム合金から検出されても良い。上記アルミニウム合金におけるＦｅおよびＣｕの含有量が多くなりすぎると、これらの元素による光の吸収がＡｌ系めっき層１２に生じてしまう。そのため、Ａｌ系めっき層１２中のＦｅおよびＣｕの合計含有量は、好ましくは２．００ａｔ％以下、より好ましくは１．５０ａｔ％以下である。
【００４０】
また、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａは、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａ（以下、単に「表面粗さＲａ」ということがある。）が０．０８０μｍ未満であり、好ましくは０．０５０μｍ以下である。Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａの表面粗さＲａを上記範囲とすることにより、従来に比べて、Ａｌ系めっき層１２は、アルミニウム自体の本来有する光反射率の物理的上限値により近い光反射率（例えば、波長４５０ｎｍの光に対する全反射率が６０％超）を実現できる。一方、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａの表面粗さＲａが０．０８０μｍ以上であると、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａが粗くなりすぎて、表面１２Ａの凹凸により光の吸収が生じるため、Ａｌ系めっき層１２の光反射率が低下する。また、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａの表面粗さＲａの下限値は、特に限定されないが、製造上実現できる下限としては０．００１μｍである。
【００４１】
なお、導電性基体１１の表面１１ＡおよびＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａの表面粗さは、算術平均粗さＲａを測定して評価した。具体的には、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３に基づき、表面粗さ計（例えば、株式会社小坂研究所製、サーフコーダＳＥ３５００）を用いて、それぞれの表面に対して、導電性基体１１の圧延方向および圧延方向に対して垂直な方向の２方向に沿ってそれぞれ測定し、測定値の平均を算術平均粗さＲａとした。なお、具体的な説明は後述する。
【００４２】
また、上記測定において、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａについては、何らの機械的処理（研磨等）または化学的処理（エッチング等）を受けていない、めっき処理後のそのままの状態のＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａを測定するものとする。Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａについて、このように測定した値に限定する理由は、めっき処理で形成したＡｌ系めっき層１２に対して、機械的または化学的処理を行った後のＡｌ系めっき層１２の加工ありの表面状態を、上記表面粗さＲａの範囲に制御する場合と区別するためである。また、仮にめっき処理後に、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａを機械的処理により鏡面化し、表面１２Ａの状態を上記表面粗さＲａの範囲に制御することができたとしても、製造工程の工程数が増加し、これに伴い製造コストも増加するため、生産性の観点で好ましくない。なお、表面１１Ａおよび表面１２Ａの状態に影響を及ぼさない範囲で行う洗浄等の処理は、上記の機械的処理または化学的処理に含まれないものとする。
【００４３】
Ａｌ系めっき層１２の厚さは、特に限定されないが、高い表面平滑性を実現する観点および実際に使用する際の特性を考慮して、０．０１〜２０．００μｍの範囲であることが好ましく、０．０１〜１０．００μｍの範囲であることがより好ましく、０．１０〜５．００μｍの範囲であることがさらに好ましい。特に、実際に使用する際の特性の観点では、例えば、Ａｌ系めっき層１２の厚さが小さすぎると、導電性基体１１から拡散してきた成分がＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａ側に到達しやすくなるため、当該成分によりＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａにおける光反射率が低下する恐れがある。また、Ａｌ系めっき層１２の厚さが大きすぎると、製造工程においてＡｌ系めっき層１２の製造コストが増大する他、Ａｌ系めっき処理材１としての曲げ加工性やプレス特性が悪化する恐れがある。
【００４４】
また、Ａｌ系めっき処理材１は、従来に比べて、アルミニウム自体の本来有する光反射率の物理的上限値により近い、優れた反射特性を発揮する。ここで、Ａｌ系めっき処理材１の表面は、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａである。すなわち、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａは、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの、波長４５０ｎｍの光に対する全反射率が６０％超であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。なお、反射率の測定は、分光光度計（例えば、株式会社日立ハイテクノロジーズ製、Ｕ−４１００）を用いて、３００〜８００ｎｍの波長域の光に対する全反射率を連続測定して行った。このとき、全反射率は、硫酸バリウムを基準片とした時の相対的な値として測定した。なお、具体的な測定条件は後述する。
【００４５】
次に、実施の形態のＡｌ系めっき処理材の製造方法について説明する。
【００４６】
Ａｌ系めっき処理材は、アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるＡｌ系めっき層を形成する工程を含む製造方法によって製造することができる。
【００４７】
めっき液は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｓｅから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液である。このめっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｓｅから選択された少なくとも１種の元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲である。
【００４８】
上記含有量を０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができる。一方、含有量が０．００１ｗｔ％未満であると、Ａｌ系めっき層の光沢が出にくく、またＡｌ系めっき層にピンホールが形成されやすい傾向にある。また、含有量が１．０００ｗｔ％超であると、表面平滑性の向上効果が低下し、かつ得られるＡｌ系めっき層中の添加元素の含有量が多くなりすぎ、Ａｌ系めっき層における光の吸収が発生しやすい傾向にある。
【００４９】
また、上記含有量は、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。含有量が上記範囲であると、上述した効果がより効率的に向上する。
【００５０】
また、めっき液は、Ｎｂ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｎｂ、Ｔａから選択された少なくとも１種の元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。当該含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の耐アルカリ性が向上する。
【００５１】
また、めっき液は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔから選択された少なくとも１種の元素成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。当該含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の摺動性が向上する。
【００５２】
また、めっき液は、Ａｕとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ａｕ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ａｕの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができる。
【００５３】
また、めっき液は、Ｔｉとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｔｉ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｔｉの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができる。
【００５４】
また、めっき液は、Ｓｅとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｓｅ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｓｅの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができる。
【００５５】
また、めっき液は、Ｎｂとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｎｂ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｎｂの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の耐アルカリ性が向上する。
【００５６】
また、めっき液は、Ｔａとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｔａ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｔａの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の耐アルカリ性が向上する。
【００５７】
また、めっき液は、Ｒｕとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｒｕ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｒｕの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の摺動性が向上する。
【００５８】
また、めっき液は、Ｒｈとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｒｈ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｒｈの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の摺動性が向上する。
【００５９】
また、めっき液は、Ｉｒとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｉｒ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｉｒの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の摺動性が向上する。
【００６０】
また、めっき液は、Ｐｄとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｐｄ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｐｄの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の摺動性が向上する。
【００６１】
また、めっき液は、Ｐｔとのハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液であり、めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、Ｐｔ成分に換算して、０．００１〜１．０００ｗｔ％の範囲であることが好ましく、０．０１０〜０．５００ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。Ｐｔの含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一であり、表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を容易に形成することができると共に、Ａｌ系めっき層の摺動性が向上する。
【００６２】
めっき液に含まれるアルミニウムハロゲン化物としては、例えばフッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム等が挙げられ、中でも、入手性や取り扱い性等の観点から、塩化アルミニウムが好ましい。また、めっき液中のアルミニウムハロゲン化物の含有量は、アルミニウム成分に換算して、好ましくは１０〜６０ｗｔ％の範囲であり、より好ましくは２０〜５０ｗｔ％の範囲である。当該含有量を上記範囲とすることにより、緻密で均一なＡｌ系めっき層を形成することができる。
【００６３】
Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｓｅから選択される少なくとも１種の元素とのハロゲン化物塩としては、例えばフッ化物塩、塩化物塩、臭化物塩等が挙げられ、中でも、取り扱い性の観点から、塩化物塩が好ましい。このようなハロゲン化物塩は、Ａｌ系めっき層の光沢化を助長する添加剤成分として特に重要である。
【００６４】
また、めっき液は、上述した効果を得ることができれば、必要に応じて上記以外の成分を含んでいてもよい。このような成分として、例えば、銅、鉄、亜鉛、ニッケルなどが挙げられる。
【００６５】
また、めっき液に含まれる非水溶媒としては、アルキルスルホンを好適に用いることができる。このようなアルキルスルホンとしては、例えばジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジプロピルスルホン、ジブチルスルホン等が挙げられ、中でも、電析性等の観点からジメチルスルホンがより好ましい。
【００６６】
また、導電性基体は、その表面にＡｌ系めっき層を形成する前に、前処理として、表面洗浄を行うことが好ましい。導電性基体の表面を清浄化することにより、後工程において、導電性基体の表面にＡｌ系めっき層が均質に析出し、導電性基体とＡｌ系めっき層との密着性を向上できる。表面洗浄は、公知の方法で行うことができ、浸漬脱脂またはカソード電解脱脂を行い、さらに酸洗浄（中和）することが好ましい。
【００６７】
Ａｌ系めっき処理材の製造方法は、上記所定の非溶媒めっき液を用いることが肝要であるが、必要に応じて電解条件を適宜制御することがより好ましく、効果的である。以下に好ましい条件の一例を挙げる。また、参照電極としては、例えばアルミニウム棒が挙げられる。
電流密度・・・好ましくは１０〜３０Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・好ましくは６０〜２００秒
液温・・・・・好ましくは１１０〜１５０℃
【００６８】
以上説明した実施の形態によれば、特定のハロゲン化物塩とアルミニウムハロゲン化物とを含有する非水溶媒溶液のめっき液を用いた電解めっき法によって、従来、研磨加工なしのめっきままのめっき層表面において実現することが困難であった、優れた表面平滑性と高い光反射率とを有するＡｌ系めっき処理材を簡便に得ることができる。このような製造方法により得られるＡｌ系めっき処理材は、Ａｌ系めっき層の表面において、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満となる。また、このようなＡｌ系めっき処理材は、高い光反射率を有し、例えば波長４５０ｎｍの光に対する全反射率が６０％超となる。
【００６９】
以上、実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の概念および特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含み、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【実施例】
【００７０】
次に、実施例および比較例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００７１】
（実施例１〜１６および比較例１）
まず、導電性基体として、表１に示す板材（３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）を準備した。なお、表１中、「Ｃ１４４１０」は、古河電気工業株式会社製の銅合金材（Ｃｕ−０．１５質量％Ｓｎ−０．０１質量％Ｐ）を用い、「Ｃ１９４００」は、株式会社神戸製鋼所製の銅合金材（Ｃｕ−２．３質量％Ｆｅ−０．１２質量％Ｚｎ−０．０３質量％Ｐ）を用い、「ＳＵＳ３０４」は、日新製鋼株式会社製のステンレス鋼材（Ｆｅ−１８質量％Ｃｒ−８質量％Ｎｉ）を用いた。
【００７２】
次に、上記導電性基体に対して前処理を行った。具体的は、脱脂液として水酸化ナトリウム６０ｇ／リットルの溶液を用いて、導電性基体をカソード電解脱脂し、水洗した後、酸洗液として１０質量％塩酸溶液を用い、室温（２５℃）、３０秒の条件で導電性基体を浸漬して酸洗中和し、さらに水洗した。
【００７３】
次に、非水溶媒としてのジメチルスルホン（関東化学株式会社製）に、所定量の塩化アルミニウム（関東化学株式会社製）とハロゲン化物塩（添加剤）とを溶解させためっき液を準備した。このとき、めっき液中のジメチルスルホンと塩化アルミニウムについて、ジメチルスルホン／塩化アルミニウムの質量比が６０／２５．５となるように調整した。また、めっき液中の各ハロゲン化物塩（添加剤）の含有量（ｗｔ％）を表１に示す値にして、塩化アルミニウム／ハロゲン化物塩の金属イオンのモル比が９９．８／０．２となるように調整した。また、めっき液中の各ハロゲン化物塩の金属イオンの含有量（添加剤の金属成分の含有量）（ｗｔ％）については、（添加剤の含有量）×（添加剤中の金属元素の原子量）／（添加剤の分子量）により求めた。
【００７４】
なお、実施例１〜７のハロゲン化物塩として、塩化パラジウム（ＩＩ）を用いた。実施例８のハロゲン化物塩として、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）を用いた。実施例９のハロゲン化物塩として、塩化チタン（ＩＶ）を用いた。実施例１０のハロゲン化物塩として、塩化セレン（ＩＶ）を用いた。実施例１１のハロゲン化物塩として、塩化ニオブ（Ｖ）を用いた。実施例１２のハロゲン化物塩として、塩化ロジウム（ＩＩＩ）を用いた。実施例１３のハロゲン化物塩として、塩化タンタル（Ｖ）を用いた。実施例１４のハロゲン化物塩として、塩化イリジウム（ＩＩＩ）を用いた。実施例１５のハロゲン化物塩として、塩化白金を用いた。実施例１６のハロゲン化物塩として、塩化金（ＩＩＩ）を用いた。比較例１のハロゲン化物塩として、塩化パラジウム（ＩＩ）を用いた。
【００７５】
その後、上記めっき液を用いた電解めっき法により、下記電解条件にて、上記それぞれの導電性基体上に表１に示すＡｌ系めっき層を形成し、Ａｌ系めっき処理材を作製した。
【００７６】
＜電解条件＞
電流密度・・・１０〜３０Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・６０〜２００秒
液温・・・・・１２０℃
【００７７】
（従来例１：特許文献３の実施例１に記載の方法で作製したＡｌ系めっき処理材）
まず、導電性基体として、表１に示す板材（３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）を準備して、実施例１と同様の条件で、導電性基体に対して前処理を行った。なお、表１中、「Ｃ１１０００」は、古河電気工業株式会社製の純銅材（≧９９．９０質量％Ｃｕ）を用いた。
【００７８】
次に、めっき液として、ジメチルスルホン（同上）に、ジメチルスルホン／塩化アルミニウムの質量比が６０／１７となるように塩化アルミニウム（同上）を、また、ジメチルスルホン／テトラエチレンペンタミンの質量比が１０／０．００６となるようにテトラエチレンペンタミン（関東化学株式会社製）を、それぞれ溶解させためっき液を準備した。
【００７９】
上記めっき液を用いた電解めっき法により、下記電解条件にて、上記導電性基体上に表１に示すＡｌ系めっき層を形成し、Ａｌ系めっき処理材を作製した。
【００８０】
＜電解条件＞
電流密度・・・６Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・６００秒
液温・・・・・１１０℃
【００８１】
（従来例２：特許文献３の実施例２に記載の方法で作製したＡｌ系めっき処理材）
従来例２はテトラエチレンペンタミンに代えて、ジメチルスルホン／塩化ジルコニウム（関東化学株式会社）の質量比が１０／０．００５を用いた以外は、従来例１と同様の方法にて、Ａｌ系めっき処理材を作製した。
【００８２】
［評価］
上記実施例、比較例および従来例で作製したＡｌ系めっき処理材を用いて、下記に示す特性評価を行った。各特性の評価条件は下記の通りである。結果を表１に示す。
【００８３】
［１］算術平均粗さＲａ
表面粗さ計（サーフコーダＳＥ３５００、株式会社小坂研究所製）を用い、触針先端半径２μｍ、測定力０．７５Ｎ以下の条件で、Ａｌ系めっき層の表面（研磨加工なしのめっきままの状態）を、導電性基体の圧延方向および圧延方向に対して垂直な方向（圧延垂直方向）の２方向に沿ってそれぞれ測定した。測定は各方向につきそれぞれ３回ずつ行い（Ｎ＝６）、その平均値を算術平均粗さＲａとした。
【００８４】
［２］Ａｌ系めっき層の厚さ
Ａｌ系めっき層の厚さは、蛍光Ｘ線膜厚測定装置（セイコーインスツル株式会社製、ＳＦＴ９４００）を使用し、コリメータ径０．１ｍｍにて３回測定し（Ｎ＝３）、その平均値を算出して求めた。
【００８５】
［３］反射率
反射率は、分光光度計（Ｕ−４１００、株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて、硫酸バリウムを基準片とし、基準片に対する相対的な値として、Ａｌ系めっき層の表面（研磨加工なしのめっきままの状態）を３００〜８００ｎｍの波長域の光に対する全反射率を連続測定し、このうち波長４５０ｎｍにおける全反射率（％）を求めた。そして、この全反射率が６０％超を合格レベルと評価した。
【００８６】
［４］平均結晶粒径
Ａｌ系めっき処理材の表面に垂直な方向にＡｌ系めっき処理材を切断した。そして、Ａｌ系めっき処理材の切断試料を集束イオンビーム（ＦＩＢ）により薄片化して、Ａｌ系めっき層の断面のＴＥＭ観察を行い、ＪＩＳ  Ｈ０５０１−１９８６に記載の切断法により、Ａｌ系めっき層の平均結晶粒径を算出した。なお、Ａｌ系めっき層について、異なる視野範囲におけるＴＥＭ観察を１０回行って得られた結晶粒径の平均値を平均結晶粒径とした。
【００８７】
［５］添加元素の含有量
Ａｌ系めっき層における１００μｍ×１００μｍの範囲においてＳＥＭ―ＥＤＸ測定を行い、Ａｌ系めっき層中の添加元素の含有量を測定した。なお、Ａｌ系めっき層について、異なる視野範囲におけるＳＥＭ―ＥＤＸ測定を３回行って得られた測定値の平均値を添加元素の含有量とした。なお、従来例１では、テトラエチレンペンタミンを添加しているため、ＳＥＭ−ＥＤＸによる含有量の測定は困難であることから、ＳＥＭ―ＥＤＸ測定を実施しなかった。
【００８８】
【表１】
2019112707.tif 000003
【００８９】
表１に示されるように、実施例１〜１６では、Ａｌ系めっき層の表面について、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満に制御されており、Ａｌ系めっき層について、波長４５０ｎｍの光に対する全反射率が６１〜７５％に制御されていた。このように、実施例１〜１６のＡｌ系めっき処理材は、優れた表面平滑性および高い光反射率の双方を実現しうることが確認された。
【００９０】
これに対し、比較例１、従来例１および２では、Ａｌ系めっき層の表面について、研磨加工なしのめっきままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満に制御されていなかった。特に、比較例１では、Ａｌ系めっき層に含まれる添加元素の含有量が少なかったため、算術平均粗さＲａはかなり増加した。そのため、実施例１〜１６に比べて、比較例１、従来例１および２のＡｌ系めっき処理材では、光反射率が劣っていることが確認された。
【００９１】
さらに、実施例１１、１３では、Ａｌ系めっき層が、それぞれ、Ｎｂ、Ｔａを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むため、耐アルカリ性が向上した。
【００９２】
さらに、実施例１〜８、１２、１４、１５では、Ａｌ系めっき層が、それぞれ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔを０．０１〜３．５０ａｔ％の範囲で含むため、摺動性が向上した。
【００９３】
さらに、実施例１〜１６のＡｌ系めっき処理材については、３００〜８００ｎｍの波長域の光に対しても６０％超えから８０％程度までの高い全反射率を有することが確認された。そのため、実施例１〜１６のＡｌ系めっき処理材は、３００〜８００ｎｍの波長域内の波長の光を発するＬＥＤのリードフレームとして適用でき、特に波長４５０ｎｍの光を発する青色ＬＥＤのリードフレームとして用いるのにより好適である。
【符号の説明】
【００９４】
１  アルミニウム系めっき処理材
１１  導電性基体
１２  アルミニウム系めっき層
【図１】
2019112707.tif 000004