(57)【要約】      （修正有）【課題】特に高周波用途のためのサブストレートまたはインターポーザまたはスーパーストレートとしての、電子部品における板ガラスの提供。【解決手段】インターポーザおよび／またはサブストレートおよび／またはスーパーストレートとして、電子部品を製造するための板ガラスであって、板ガラスは、４．３未満の比誘電率εおよび５ＧＨｚで０．００４以下の誘電損失係数ｔａｎδを有し、電子部品は、特にアンテナ、例えばパッチアンテナもしくはアンテナのアレイ、または移相器素子、特に液晶ベースの移相器素子であるかまたは含む。組成は最大でも９８モル％の含有量で、網目形成体の酸化物、特にケイ素および／またはホウ素の酸化物を含み、ここで、有利には、前記板ガラスのＳｉＯ２含有量は、７２モル％〜８５モル％、特に有利には７６モル％〜８５モル％である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にインターポーザおよび／またはサブストレートおよび／またはスーパーストレートとして、電子部品を製造するための板ガラスの使用であって、ここで、前記板ガラスは、４．３未満の比誘電率εおよび５ＧＨｚで０．００４以下の誘電損失係数ｔａｎδを有し、ここで、前記電子部品は、特にアンテナ、例えばパッチアンテナもしくはアンテナのアレイ、または移相器素子、特に液晶ベースの移相器素子であるかまたは含む、使用。
【請求項２】
前記板ガラスは、最大でも９８モル％の含有量で、網目形成体の酸化物、特にケイ素および／またはホウ素の酸化物を含み、ここで、有利には、前記板ガラスのＳｉＯ２含有量は、７２モル％〜８５モル％、特に有利には７６モル％〜８５モル％である、請求項１記載の使用。
【請求項３】
前記板ガラスはＢ２Ｏ３を含み、ここで、有利には、前記板ガラスのＢ２Ｏ３含有量は、１０モル％〜２５モル％、特に有利には１０モル％〜２２モル％であり、かつ／または前記板ガラスはＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３を含み、ここで、有利には、
Σ（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）  ９２モル％〜９８モル％
が適用される、請求項１または２記載の使用。
【請求項４】
ΣＲ２Ｏ  １モル％〜５モル％
が適用され、ここで、Ｒ２Ｏはアルカリ金属酸化物を表し、
かつ／または
前記板ガラスの成分のモル量の比に関して、
Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２  ０．１２〜０．３５、および／または
Σ（ＭｅｘＯｙ）／（Σ（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）  ０．０２〜０．１０
が適用され、ここで、Ｍｅは、酸化物において通常は酸化数ｙを有する金属、特にアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属ならびにアルミニウムを表す、請求項１から３までのいずれか１項記載の使用。
【請求項５】
前記板ガラスに含まれる鉄イオンの質量分率の比に関して、
０．１≦Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）≦０．３
が適用され、ここで、有利には、前記板ガラスに含まれる鉄イオンの全含有量は、２００ｐｐｍ未満、好ましくは１００ｐｐｍ未満、特に好ましくは５０ｐｐｍ未満であり、前記ｐｐｍは質量を基準とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の使用。
【請求項６】
前記板ガラスに含まれる金属Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖの質量分率（ｐｐｍ）に関して、
Σ（１×Ｆｅ＋３００×Ｃｏ＋７０×Ｎｉ＋５０×Ｃｒ＋２０×Ｃｕ＋５×Ｍｎ＋２×Ｖ）［質量ｐｐｍ］
は、２００ｐｐｍ未満、好ましくは１５０ｐｐｍ未満、より好ましくは１００ｐｐｍ未満、さらにより好ましくは５０ｐｐｍ未満、最も好ましくは２５ｐｐｍ未満であり、
ここで、前記板ガラス中の考慮される金属の全含有量は、その酸化状態に関係なく考慮される、請求項１から５までのいずれか１項記載の使用。
【請求項７】
前記板ガラスの変態温度Ｔｇは４５０℃〜５５０℃であり、
かつ／または
前記板ガラスは、粘度ηを有し、ここで、Ｉｇηは、１０００℃〜１３２０℃の温度で４の値を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の使用。
【請求項８】
前記板ガラスは、以下の耐薬品性値：
−  耐水性クラス  ＤＩＮ  ＩＳＯ  ７１９準拠  クラスＨＧＢ  １、
−  耐酸性クラス  ＤＩＮ  １２１１６準拠  クラスＳ  １  Ｗ、および
−  耐アルカリ性クラス  ＤＩＮ  ＩＳＯ  ６９５準拠  クラスＡ３以上
を有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の使用。
【請求項９】
前記板ガラスは、以下の成分：
ＳｉＯ２  ７２モル％〜８５モル％、好ましくは７６モル％〜８５モル％
Ｂ２Ｏ３  １０モル％〜２５モル％、好ましくは１０モル％〜２２モル％
Ａｌ２Ｏ３  ０．２モル％〜２．５モル％
Ｎａ２Ｏ  ０．５モル％〜５．０モル％
Ｋ２Ｏ  ０モル％〜１．０モル％
Ｌｉ２Ｏ  ０モル％〜１．５モル％
を含み、ここで、有利には前記板ガラスに含まれるアルカリ金属酸化物Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏの合計、有利には前記板ガラスに含まれる全てのアルカリ金属酸化物の合計は５モル％未満である、請求項１から８までのいずれか１項記載の使用。
【請求項１０】
前記板ガラスは、１００，０００ｍｍ２の面積にわたって１０μｍ未満、有利には１００，０００ｍｍ２の面積にわたって８μｍ未満、特に好ましくは１００，０００ｍｍ２の面積にわたって５μｍ未満の全体の厚さのばらつきを示す、請求項１から９までのいずれか１項記載の使用。
【請求項１１】
前記板ガラスは２ｎｍ未満の粗さＲａ値を有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の使用。
【請求項１２】
前記板ガラスの表面は、固有の表面として形成されており、特に火炎研磨されて存在する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の使用。
【請求項１３】
前記板ガラスの厚さが１ｍｍで、前記板ガラスの透過率は、電磁放射に対して、
２５４ｎｍの波長で２０％以上、好ましくは６０％以上、特に好ましくは８５％以上、最も好ましくは８８％以上であり、かつ／または
好ましくは、３００ｎｍの波長で８２％以上、好ましくは９０％以上、好ましくは９１％以上であり、かつ／または
好ましくは、３５０ｎｍの波長で９０％以上、好ましくは９１％以上であり、かつ／または
好ましくは、５４６ｎｍの波長で９２％以上、好ましくは９２．５％以上であり、かつ／または
好ましくは、１４００ｎｍの波長で９２．５％以上、好ましくは９３％以上であり、かつ／または
好ましくは、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長範囲で９１．５％以上、好ましくは９２％以上であり、かつ／または
好ましくは、７８０ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲で９２．５％以上、好ましくは９３％以上である、請求項１から１２までのいずれか１項記載の使用。
【請求項１４】
前記板ガラスは、溶融プロセスとそれに続く熱間成形、特にフロート法、ロール法、または引き上げ法、例えばダウンドロー法、有利にはオーバーフローフュージョンダウンドロー法、またはアップドロー法もしくはフーコー法において製造されるか、または製造可能である、請求項１から１３までのいずれか１項記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、特に高周波用途のためのサブストレートまたはインターポーザとしての、アンテナ、特にパッチアンテナ用のサブストレートとしての、ＬＣ移相器（液晶移相器）用のサブストレートおよびスーパーストレートとしての電子部品における板ガラスの使用に関する。
【０００２】
先行技術
ガラスの材料クラスは久しい以前から知られている。
【０００３】
板ガラスも長年にわたり先行技術に属している。板ガラスは、一般的に、平坦な、特にシート状またはリボン状に形成されたガラスを指す。板ガラスの既知の製造方法には、例えば、フロート法、ロール法、およびダウンドロー法またはアップドロー法などの引き上げ法が含まれる。
【０００４】
特にホウケイ酸ガラスは、ガラスの種類において特に重要である。それらは、例えば、温度変化に対する低い感受性、広範囲の試薬に対する高い耐薬品性および高温でも良好なそれらの寸法安定性などの、それらの特別な特性のために広範囲の用途に用いられる。このガラス系は特に、特定の波長範囲、例えば約８５０ｎｍから約１５００ｎｍまでのＮＩＲ波長範囲における材料の特に高い透過率などの特定の特性を実現することを可能にする。それゆえ、ガラスの特性を調整するための様々な可能性に基づき、ホウケイ酸ガラスの多岐にわたる用途および組成が知られている。
【０００５】
国際特許出願第２０１２／１４６８６０号(WO 2012/146860 A1)は、誘導用途のためのホウケイ酸ガラスの使用に関する。ここでは、アルカリホウケイ酸ガラスの使用および無アルカリのホウケイ酸ガラスの使用の両方が記載されている。特にホウケイ酸ガラスの使用は、低い熱膨張係数、特に５．０×１０−６／Ｋの膨張係数を有する材料を熱的に強化することができ、その結果として十分な硬度および強度を有するガラスパネルが調理面として得られるので有利であると考えられる。
【０００６】
さらに、独国特許出願第４３２５６５６号明細書(DE 4325656 A1)には、アルカリホウケイ酸ガラスを熱的に高度に強化した防火クラスＧの耐火グレージングが記載されている。このようなガラスの熱膨張係数（ＷＡＫまたはＣＴＥとも呼ばれる）は、例えば４×１０−６／Ｋである。全てのガラスは、６質量％〜１０質量％の範囲の比較的高い含有量のアルカリ土類酸化物ならびにＺｎＯおよびＺｒＯ２を有する。
【０００７】
独国特許出願公開第１０１５０８８４号明細書(DE 101 50 884 A1)には、熱的に強化されるのに非常に適しているアルカリホウケイ酸ガラスが記載されている。それは、例えば４×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有し、かつアルカリ土類酸化物ＣａＯも含む。
【０００８】
米国特許出願公開第２０１７／０２４７２８４号明細書(US 2017/0247284 A1)には、ヒーター用のカバープレートのような赤外線用途のためのホウケイ酸ガラスが記載されている。ガラス１〜１０の実施形態に関してそこに挙げられている例は、無アルカリのアルカリ土類ホウケイ酸ガラスである。それに対して、米国特許出願公開第２０１７／０２４７２８４号明細書(US 2017/0247284 A1)の例１１〜１３には、Ｎｅｏｃｅｒａｍガラスセラミック、「Ｐｙｒｅｘ」タイプのホウケイ酸ガラス、およびＴＦＴ用途のための無アルカリのホウケイ酸ガラスが挙げられている。
【０００９】
米国特許第９，１４５，３３３号明細書(US 9,145,333 B1)には、化学的強化、つまり、例えば拡散係数、圧縮ストレス（ガラス表面での圧縮応力）などに関して最適化されたアルカリホウケイ酸ガラス用の組成物が記載されている。
【００１０】
さらに、アルカリホウケイ酸ガラスは、例えばいわゆるバイオチップまたはマイクロアレイのためのキャリアサブストレートとしても使用される。例えば、欧州特許第１４４６３６２号明細書(EP 1 446 362 B1)には、そのようなガラスが記載されている。このガラスは、低い固有蛍光および優れたＵＶ透過率を有する。着色性イオンの含有量に関しては、Ｆｅ２Ｏ３含有量（１５０ｐｐｍ未満）、八面体結合Ｆｅ３＋が１０ｐｐｍ未満、かつＣｒ３＋が１０ｐｐｍ未満、さらに有利には２ｐｐｍ未満であることについてのみ制限がある。他の着色性元素、特に第３周期の遷移金属（つまり原子番号２１〜３０のもの、ここでは特にチタンから銅までの金属）は、ここでは制限されてない。
【００１１】
本発明の文脈において、周期表の第３周期の遷移金属は、略して「３ｄ元素」または「３ｄ金属」とも呼ばれる。遷移金属は、本発明の文脈において、原子番号２１〜３０、３９〜４８、５７〜８０ならびに８９および１０４〜１１２の金属である。
【００１２】
独国特許出願公開第１０２０１４１１９５９４号明細書(DE 10 2014 119 594 A1)は、低い脆性および高い固有強度を示すホウケイ酸ガラス、ならびにその製造および使用に関する。
【００１３】
米国特許出願第２０１７／００５２３１１号明細書(US 2017/0052311 A1)には、導光板用のガラスが記載されている。これは４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲での光に対して非常に透過性であり、かつ選択的な望ましくない光吸収がない。例示的にＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＴｉおよびＶなどの３ｄ元素の光透過率低減イオンは、合計で５０ｐｐｍ以下の含有量となるように意図されている。二価鉄Ｆｅ２＋の含有量は、米国特許出願公開第２０１７／００５２３１１号明細書(US 2017/0052311 A1)のガラス中の全鉄含有量と比較して可能な限り低いものとなるように意図されている。
【００１４】
米国特許出願第２０１７／０２４７２８５号明細書(US 2017/0247285 A1)にも、ガラスが高アルカリ−アルカリ土類−ホウケイ酸ガラスであるガラス製の導光板が記載されている。このガラスは、３８０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲で高い光透過率を示す。化学的に強化するために、Ｎａ２Ｏ含有量は４モル％よりも高い。それぞれの場合において、Ｂ２Ｏ３含有量は１０モル％未満である。例えばＣｏ、ＮｉおよびＣｒなどのいくつかの３ｄ元素の含有量は制限されているが、他の３ｄ元素、例えばＣｕ、Ｍｎ、ＴｉおよびＶなどは全く考慮されていない。Ａｌ２Ｏ３とＮａ２Ｏのモル比は、それぞれの場合において約１に設定されているが、これにより特に良好な強化が達成され得るからである。
【００１５】
日本国特許第５５４０５０６号公報(JP 5540506)は、良好なＵＶ透過率および良好な耐ソラリゼーション性を示すアルカリホウケイ酸ガラスに関する。ここでは、ＳｉＯ２含有量は最大でも７５質量％である。ＳｎＯ２に加えて、これらのガラスの組成には、Ｎｂ２Ｏ５およびＡｓ２Ｏ５も含まれている。Ｆｅ２Ｏ３の含有量は１ｐｐｍ〜５０ｐｐｍである。
【００１６】
国際特許出願第２０１７／０７０５００号（WO 2017/070500 A1）には、蛍光検出法のためのマイクロアレイとして使用するためのガラスサブストレートが記載されており、それは、例えば顕微鏡キャリアガラス、ペトリ皿、または他のガラススライド（例えば該スライド上もしくはスライド内にテクスチャが導入されてある）用にも適し得る。記載された全てのガラスサブストレートは、必須的にＢ２Ｏ３含有量を有する。得られた膨張係数は４．９〜８．０×１０−６／Ｋの範囲である。さらに、国際公開第２０１７／０７０５００号(WO 2017/070500 A1)に記載されているガラスはＳｎＯ２を含む。
【００１７】
国際特許出願第２０１７／０７００６６号(WO 2017/070066 A1)には、ガラスサブストレートからなる導光板の製造が記載されており、ここで、このガラスは国際特許出願第２０１７／０７０５００号(WO 2017/070500 A1)のものに対応する。特に、国際公開第２０１７／０７００６６号(WO 2017/070066 A1)に記載されているガラス組成物について、ＳｉＯ２含有量は６５．７９モル％〜７８．１７モル％であり、Ｂ２Ｏ３の含有量は０〜１１．１６モル％である。
【００１８】
日本国特許出願第２０１０／２０８９０６号公報(JP 2010/208906 A)は、３６５ｎｍの波長を有するＵＶ線に対して安定であるガラスに関する。ベースガラスはソーダ石灰ガラスであり、かつＢ２Ｏ３を含まない。ソラリゼーションは、０．２質量％〜２．０質量％の含有量のＴｉＯ２、０．０１質量％〜０．０１５質量％の含有量の酸化鉄の添加、およびＦｅ２＋／Ｆｅ３＋の制御調整された酸化還元比によって防止される。これらの措置は、可視スペクトル範囲（約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍ）のＵＶ線によって引き起こされる透過率の低減を１％以下に抑えることを意図している。
【００１９】
米国特許第４，２９８，３８９号明細書(US 4,298,389)には、太陽電池用途のための高透過率ガラスが記載されている。ここでは、最適化された日射透過率は３５０ｎｍ〜２１００ｎｍの波長範囲に関する。ベースガラスは、２質量％〜１０質量％のＢ２Ｏ３含有量を有するアルミノアルカリ土類ホウケイ酸ガラスである。Ｆｅ２Ｏ３含有量は２００ｐｐｍであり、ここで全ての鉄は三価の酸化状態で存在する。それゆえ、ＵＶ透過率は極めて低い。
【００２０】
米国特許出願第２０１４／０１５２９１４号明細書(US 2014/0152914 A1)には、タッチスクリーン用途のためのガラスが記載されている。このガラスは、商標「Ｇｏｒｉｌｌａ」またはＧｏｒｉｌｌａガラスの名称で入手可能なアルミノシリケートガラスである。
【００２１】
欧州特許出願第２２６１１８３号明細書(EP 2 261 183 A2)には、高透過性ガラスシートが記載されている。このガラスは、Ｎａ２ＯおよびＣａＯならびにＳｉＯ２を含む組成を有し、かつＢ２Ｏ３を含まない。ＵＶ照射、つまり４００ｎｍまでの波長での照射後、このシートは可視スペクトル領域において透過率の低減を示さないとされる。
【００２２】
ＤＥ６９２１４９８５Ｔ２（欧州特許公報の翻訳文）は、可視域では高い分光透過率を示すが、一方で低いＵＶ透過率を示すとされるホウケイ酸ガラス組成物に関する。このような組成を有するガラスシートは、特にヒ化ガリウム太陽電池用のカバーガラスとして役立つ。ホウケイ酸ガラスは、６．４〜７．０×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有する。ＣｅＯ２はＵＶ遮断剤として使用される。
【００２３】
独国特許明細書第４３３８１２８号(DE 43 38 128 C1)には、ＵＶ領域での高い透過率ならびに３．２×１０−６／Ｋ〜３．４×１０−６／Ｋの範囲の低い熱膨張係数および高い耐薬品性を示すホウケイ酸ガラスが記載されている。還元剤として金属ケイ素が使用される。その結果、Ｆｅ３＋と比較してＦｅ２＋の割合が高く、これにより近ＩＲ領域での透過率を減少させる。
【００２４】
さらに、独国特許明細書第４３３５２０４号(DE 43 35 204 C1)には、ＵＶ領域で高い透過率（２５４ｎｍおよび厚さ１ｍｍガラスの場合８５％）を有する還元性溶融ホウケイ酸ガラスが記載されている。ＳｉＯ２含有量は５８質量％〜６５質量％であり、かつ熱膨張係数は５〜６×１０−６／Ｋである。溶融物中の還元剤として炭素が使用されていた。
【００２５】
独国特許第３８０１８４０号明細書(DE 38 01 840 A1)は、６４質量％〜６６．５質量％のＳｉＯ２および２０質量％〜２２．５質量％のＢ２Ｏ３の組成を有し、還元剤として糖および金属アルミニウムが使用されるＵＶ透過性ホウケイ酸ガラスに関する。熱膨張係数は３．８×１０−６／Ｋ〜４．５×１０−６／Ｋである。
【００２６】
米国特許明細書第４，９２５，８１４号(US 4,925,814)には、６０モル％〜７０モル％のＳｉＯ２および１６モル％〜２０モル％のＢ２Ｏ３を有するＵＶ透過性ガラスが記載されている。熱膨張係数は４．７×１０−６／Ｋ〜６．２×１０−６／Ｋの範囲内である。
【００２７】
独国特許出願第１０２００９０２１１１５号明細書(DE 10 2009 021 115 A1)には、ＵＶ領域で高い透過率を有するケイ酸ガラスが記載されている。ガラスは、６５質量％〜７７質量％のＳｉＯ２含有量、０．５質量％〜８質量％のＢ２Ｏ３含有量、さらに高含有量のアルカリ金属イオンおよびアルカリ土類イオンを有する。熱膨張係数は９×１０−６／Ｋ〜１０×１０−６／Ｋである。三価の鉄を二価の鉄に還元するために、炭素または金属ケイ素が添加される。
【００２８】
独国特許明細書第１０２０１２２１９６１４号(DE 10 2012 219 614 B4)には、耐ソラリゼーション性ホウケイ酸ガラスが記載されている。このガラスの組成は、６５質量％〜８５質量％のＳｉＯ２および７質量％〜２０質量％のＢ２Ｏ３を含む。耐ソラリゼーション性は、ＵＶ端部の定義された位置（厚さ１．３ｍｍのガラスの場合、約２８０ｎｍで５％の透過率、２５６ｎｍで０％の透過率）によって達成される。したがって、このガラスはＵＶ−Ｃ線をもはや透過しない。ＵＶ端部の特定の位置は、ＴｉＯ２、ＭｏＯ３、およびＶ２Ｏ５の組合せによって達成される。
【００２９】
独国特許出願公報第２５１９５０５号(DE 25 19 505)には、６１質量％〜７０質量％のＳｉＯ２および０．５質量％〜３．５質量％のＢ２Ｏ３を有するＵＶ透過性ホウケイ酸ガラスが記載されており、ここで有機還元剤がガラスに添加される。ＵＶ照射後、このガラスはほとんどソラリゼーションを示さない。
【００３０】
独国特許出願公開第３８２６５８６号(DE 38 26 586 A1)には、ＵＶ透過性のアルカリアルミノホウケイ酸ガラスが記載されている。熱膨張係数は５．２×１０−６／Ｋ〜６．２×１０−６／Ｋの範囲内であり、ここで、ＳｉＯ２の含有量は５８質量％〜６２質量％であり、かつＢ２Ｏ３の含有量は１５質量％〜１８質量％である。厚さ１ｍｍのガラスの場合、ＵＶ透過率は、２５４ｎｍの波長で少なくとも８０％である。しかしながら、そこに記載されているガラスは、５．６×１０−６／Ｋ〜６．２×１０−６／Ｋの高い熱膨張係数を有する。
【００３１】
国際特許出願第２０１６／１１５６８５号(WO 2016/115685 A1)には、低い熱膨張率を有すると同時に高いＵＶ透過率および耐ソラリゼーション性を有するガラスが記載されている。２種類のガラス、すなわち、一方では５０モル％〜７５モル％のＳｉＯ２、５モル％〜２０モル％のＢ２Ｏ３および３モル％〜２５モル％のアルカリ土類酸化物含有量の組成を有する無アルカリのアルカリ土類ホウケイ酸ガラスと、他方では７８モル％〜８５モル％のＳｉＯ２、５モル％〜２０モル％のＢ２Ｏ３および０モル％〜１３モル％のアルカリ酸化物含有量の組成を有する無アルカリ土類のアルカリホウケイ酸ガラスが記載されている。熱膨張係数は２×１０−６／Ｋ〜４×１０−６／Ｋの範囲内である。ここで、ＵＶ透過率は、非架橋酸素原子の数を調整することによって、つまり、ガラスネットワーク構造に影響を及ぼすことによって改善されるとされている。ここで、０．０１モル％未満のＦｅ２Ｏ３含有量を有する高純度ガラスを用いて、２４８ｎｍで５１％および３０８ｎｍで８８％の透過率が達成された。しかしながら、高純度ガラスと、著しく高いＦｅ２Ｏ３含有量を有するガラスとを比較すると、後者は、ＵＶ領域で著しく低減した透過率、すなわち２４８ｎｍで１０％および３０８ｎｍで６１％の透過率を示すことが明らかになった。そのため、記載されていること以外に、ＵＶ透過率にとって非架橋酸素原子の数はそれほど重要なものではなく、むしろ不純物の含有量、特に着色性イオンの形態、例えば鉄イオンなどの不純物の含有量が重要であると思われる。この記載した国際特許出願は、例えば他の３ｄ元素などの他の着色性イオンの含有量に関して一切言及していないことに留意すべきである。
【００３２】
国際特許出願第２０１７／１１９３９９号(WO 2017/119399 A1)では、３つの異なる種類のガラスが提案されており、これらは３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長を有する可視スペクトル領域において高透過性であると記載されている。記載されたタイプＡのガラスは、高アルカリ含有量のアルカリ土類アルミノケイ酸ガラスであり、タイプＢのガラスは高アルカリ含有量のホウケイ酸ガラスであり、タイプＣのガラスは無アルカリのアルカリ土類ホウケイ酸ガラスである。低屈折率をこれらのガラスで実現することはできない；国際特許出願第２０１７／１１９３９９号(WO 2017/119399 A1)の表１の例示的なガラスは全て１．５を超える屈折率を有する。
【００３３】
国際特許出願第２０１７／０５２３３８号(WO 2017/052338 A1)には、７５質量％〜８５質量％のＳｉＯ２、５質量％〜２０質量％のＢ２Ｏ３含有量、１質量％〜５質量％のＡｌ２Ｏ３および３質量％〜８質量％のＲ２Ｏ（ここで、Ｒは、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの元素のうちの少なくとも１つを表す）ならびに０．００２５質量％未満のＦｅ２Ｏ３の組成を有するガラス製の導光板が記載されている。
【００３４】
日本国特許出願第２０１０／２０８９０６号公報(JP 2010/208906 A)では、ＵＶ線に耐性のあるガラス用組成物を提案している。これは、６６質量％〜７５質量％のＳｉＯ２、０．１質量％〜３０質量％のＡｌ２Ｏ３、５質量％〜１５質量％のＮａ２Ｏ、５質量％〜１５質量％のＲ２Ｏ（ここで、Ｒ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの合計である）、３質量％〜１０質量％のＣａＯ、０質量％〜７質量％のＭｇＯおよび３質量％〜１８質量％のＲＯ含有量（ここで、ＲＯは、アルカリ土類酸化物ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯおよびＳｒＯの合計である）、合計で０．００５質量％〜０．０２質量％の酸化鉄ＦｅＯおよびＦｅ２Ｏ３の割合ならびに０．２質量％および２質量％のＴｉＯ２の含有量の範囲の組成を有するソーダ石灰ガラスである。
【００３５】
日本国特許出願第２０１５／１９３５２１号公報(JP 2015/193521 A)には、５０質量％〜８０質量％のＳｉＯ２、１質量％〜４５質量％のＡｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３の合計の含有量、０質量％〜２５質量％のＬｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの合計の含有量ならびに０質量％〜２５質量％のアルカリ土類酸化物ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量の組成範囲からなる高透過性ホウケイ酸ガラスが記載されている。さらに、Ｆｅ２Ｏ３およびＴｉＯ２の含有量の合計は１００ｐｐｍ未満であるとされる。例示的なガラスは全て約６５質量％の非常に低い含有量のＳｉＯ２と同時に約８質量％〜１３質量％の高い含有量のアルカリ酸化物を有する。したがって、これらは約５．５×１０−６／Ｋ〜７．５×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有する高膨張ガラスである。
【００３６】
国際特許出願第２０１６／１９４７８０号(WO 2016/194780 A1)には、特にＤＵＶにおいて、すなわちＵＶ−Ｃ線の範囲において、電磁放射に対して高い透過率を有するホウケイ酸ガラスが記載されており、これは以下の組成範囲からもたらされる：５５モル％〜８０モル％のＳｉＯ２、１２モル％〜２７モル％のＢ２Ｏ３、０モル％〜３．５モル％のＡｌ２Ｏ３、０モル％〜２０モル％のＬｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの含有量の合計ならびに０モル％〜５モル％のアルカリ土類酸化物ＲＯの含有量。例示的なガラスは全て高アルカリ含有量を有し、かつ４×１０−６／Ｋ〜７×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有する。
【００３７】
さらに、ガラスは一般的に有利な誘電特性を有することが知られている。特に特殊ガラスを使用することができる。現在、シリコン部品が、例えば半導体技術においてインターポーザとして使用されている。このプロセスは非常によく制御されているが、シリコンは１１．６８という非常に高い比誘電率（および材料の厳密な設計によってはさらに非常に高い誘電損失）を有することから、高周波用途におけるシリコンの使用は制限される。
【００３８】
プラスチックもサブストレートおよび／またはインターポーザとしてますます使用されている。しかしながら、これらの材料は、例えば高い熱膨張係数のような、好ましくない機械的特性、例えば熱機械的特性を有する。さらに、これらの材料は容易に変形可能であり、すなわち、それらは半導体およびエレクトロニクス産業において要求される高い精度に必要な寸法安定性を示さない。
【００３９】
さらに、セラミックも使用されている。しかしながら、セラミックの均質性は限られており、特にそれらは不均質な微細構造を有する。特に、セラミックはたいてい多孔質で形成されている。これは、気孔のガス放出に関連する問題を引き起こす可能性があることから、メタライズプロセスにおいて特に不利である。通常用いられるセラミックの比誘電率は、一般に過度に高い。セラミックはガラスと比べて部分的に熱伝導率が非常に高いため、電力用途によく使用されている。
【００４０】
現在、ガラスもすでに使用されている。例えば、Ｂｏｒｏｆｌｏａｔ  ３３の名称で市販されているホウケイ酸ガラス、無アルカリのアルカリ土類アルミノケイ酸ガラスであるＡＦ  ３２、またはＣｏｒｎｉｎｇ社のガラス「ＥＡＧＬＥ」を使用することが知られている。しかしながら、これらのガラスも４．５を超える過度に高い誘電率を有し、かつ２４ＧＨｚの周波数で０．０１以上の高い誘電損失を引き起こす。
【００４１】
国際特許出願第２０１８／０５１７９３号(WO 2018/051793 A1)には、高周波部品用のガラスサブストレートおよび対応する導体板が記載されている。ガラスサブストレートは１．５ｎｍ以下の非常に低い粗さＲａを有する。しかしながら、そのような低い粗さを達成するために、サブストレートは後処理されなければならず、特に研磨されなければならない。
【００４２】
特に、ＳｉＯ２のみを含む純石英ガラス（またはシリカガラス）は有利な誘電特性を有する。しかしながら、この材料の融点は非常に高いので、経済的にも技術的にも板ガラスとして製造することはできない。
【００４３】
それゆえ、先行技術の上記の問題を克服するかまたは少なくとも軽減し、特に有利には低い比誘電率と低い誘電損失係数とを組み合わせ、そして特に有利には経済的にも技術的にも製造することができる板ガラスが必要とされている。
【００４４】
発明の課題
本発明の課題は、独立請求項の主題によって解決される。より具体的で好ましい実施形態は、従属請求項に明記されている。
【００４５】
したがって、本発明は、電子部品を製造するための板ガラスの使用に関し、ここで、板ガラスは、特にインターポーザおよび／またはサブストレートおよび／またはスーパーストレートとして使用され、ここで、板ガラスは、４．３未満の比誘電率εおよび５ＧＨｚで０．００４以下の誘電損失係数ｔａｎδを有し、ここで、電子部品は、特にアンテナ、例えばパッチアンテナもしくはアンテナのアレイ、または移相器素子、特に液晶ベースの移相器素子であるかまたは含む。
【００４６】
ここで、本発明に従った板ガラスの誘電損失係数は周波数５ＧＨｚで測定した。近似的に、ＧＨｚ範囲における誘電損失の周波数依存性は、損失、すなわちｔａｎδが周波数に比例することによって説明することができる。
【００４７】
このような板ガラスを、例えば電子パッケージング用、すなわち電子部品のパッケージング用、アンテナ用、および半導体部品、受動素子、例えば絶縁体またはコンデンサの異種集積化、ならびに最後にアンテナ部品用のサブストレートとして使用することは、これらの部品の性能面でも製造面でもメリットがある。使用されるガラスの重要な特性は、特に、低い比誘電率および低い誘電損失係数の両方である。記載されているガラスは、更なるＲＦ用途、例えばＲＦフィルタ、コンデンサおよびコイル用にも使用可能である。
【００４８】
低い比誘電率および低い誘電損失係数を有するこのようなガラスは、以下の用途に適用することができる：
−  ファンアウトパッケージ、すなわち薄いガラス板の１つ以上の切欠きに埋め込まれた１つ以上の半導体チップ、
−  サブストレート材料として薄いガラスを含むカプセルパッケージング、ここで、半導体チップは、ガラスサブストレートの少なくとも片面または両面にさえも適用することができる、
−  ガラスサブストレート上のフリップチップカプセルパッケージング、
−  ガラスインターポーザ、すなわち半導体および／または他の電気もしくは誘電部品用のパッケージ内の中間層としてのガラス、ここで、ガラスサブストレートは、少なくとも１つ、通常であれば多数の穿孔、特にメタライズされた穿孔（ビアまたはメタライズビア）を有する、
−  特に高出力密度用途のためのガラスパッケージング、ここで、ガラスまたはガラスサブストレートは、熱伝導性ビアと使用される、
−  整合用インダクタンスが統合されたフィルタ、特にＢＡＷ（バルク弾性波）フィルタ、
−  フィルタ素子を低雑音増幅器(low noise amplifier)と組み合わせるための電気通信用途（例えばスマートフォン）、
−  ガラスサブストレート内および／またはガラス内に統合された光導波路を有する光電子部品（例えば、１５５０ｎｍの通信用Ｃバンドで動作する導波路）、
−  ガラスを通して光信号を伝送するために光透過性が利用されるオプトエレクトロニクス、
−  異なる半導体材料（例えば、高周波および／または高速用途のためのＳｉおよびＧａＡｓ、および／または高出力部品のためのＳｉＣ）を含む異種集積化、
−  異なる最小加工寸法で存在するシリコン半導体を使用した異種集積化（例えば、６０ｎｍの構造サイズ（ノード）以上の構造を有する高出力および／またはプロセッサ部品と組み合わせられた１４ｎｍの構造サイズ（ノード）で存在するメモリチップ）、
−  異なる能動部品（半導体チップ）と受動部品（コンデンサ、インダクタ、抵抗器、サーキュレータ、アンテナなど）とで構成される異種集積化、
−  メモリ部品とプロセッサ部品とを高いデータレートで１つのパッケージング（パッケージ）にまとめるため、
−  異なる再分配層（例えば味の素ビルドアップフィルム）および／またはメタライゼーションを片面または両面に適用するか、または適用し得るために、パッケージング内で機械的剛性層および／またはコアとしてガラスまたはガラスサブストレートを使用すること、
−  再分配層または再配線層において５μｍ未満の小さな製造公差を達成するために、パッケージング内で機械的剛性層またはコアとしてガラスまたはガラスサブストレートを使用すること、
−  遅延時間が重要になる、数Ｇｂｐｓの範囲の非常に高いデータレートによる用途での使用（なぜなら、遅延は比誘電率の実数部の平方根にほぼ比例するからである）、
−  数Ｇｂｐｓの範囲の非常に高いデータレートによる用途での使用、比誘電率が低いため、寄生容量が少なくなる、
−  レーダービームステアリングおよび空間分解能（例えば７７ＧＨｚで）を有する自動車レーダーシステム用のアンテナアレイ、
−  車両間通信(car-to-car communication)および自動運転用のパッケージング、
−  ジェスチャ制御およびジェスチャ認識用のアンテナアレイ用パッケージング（例えば６０ＧＨｚで）、
−  低減衰（例えば２４ＧＨｚで５０ｄＢ／ｍ未満、７７ＧＨｚで２００ｄＢ／ｍ未満、および１００ＧＨｚで３００ｄＢ／ｍ未満）でガラス上に適用され、パターン化されメタライズされた信号線（例えば５０Ωマイクロストリップラインとして）。
【００４９】
本発明の文脈において、以下の定義が適用されるものとする：
本発明の意味において、板ガラスは、他の２つの空間方向におけるよりも少なくとも１桁小さい１つの空間方向における幾何学的寸法を有するガラス体であると理解される。すなわち、簡単に言えば、このガラス体の厚さは、その長さおよび幅よりも少なくとも一桁小さい。板ガラスは、例えば、その長さがその幅よりもかなり大きいようにリボンの形態になっていてもよく、または板ガラスがシートとして提供されるように長さおよび幅がほぼ同じ大きさであってもよい。
【００５０】
特に、板ガラスは、すでに製造プロセスそのものからシート状またはリボン状に形成された物体として得られるガラスであると理解される。したがって、本発明の意味において、全てのシート状またはリボン状の物体が板ガラスとして理解されるべきではない。例えば、ガラスブロックから切断し、続けて研削および／または研磨することによってガラスシートを製造することも可能である。しかしながら、そのような平坦な、リボン状またはシート状のガラス体は、本発明の意味における板ガラスとは明らかに異なる。特に、そのような板ガラスは、溶融プロセスとそれに続く熱間成形、特にフロート法、ロール法、または引き上げ法、例えばダウンドロー法、有利にはオーバーフローフュージョンダウンドロー法、またはアップドロー法もしくはフーコー法において得られる。板ガラスの表面は火炎研磨されて存在していてもよく、あるいは冷間後加工工程における熱間成形プロセスの後に後加工されていてもよい。ここで、板ガラスの表面特性は、選択された熱間成形プロセスに応じて異なる。
【００５１】
本出願の文脈において熱膨張係数に言及する場合、これは、特に明記しない限り、線熱膨張係数αである。これは、特に明記しない限り、２０℃〜３００℃の範囲で与えられる。ＣＴＥ、ＷＡＫ、αおよびα２０〜３００という表現ならびにまた一般的に「熱膨張係数」は、本発明の文脈において同義的に使用される。所与の値は、静的測定によって決定される、ＩＳＯ  ７９９１に従った公称平均熱膨張係数である。
【００５２】
変態温度Ｔｇは、５Ｋ／分の加熱速度で測定したときの膨張曲線の２つの分枝に対する接線の交点によって定められる。これは、ＩＳＯ  ７８８４−８またはＤＩＮ  ５２３２４に準拠した測定に対応する。
【００５３】
したがって、本発明によれば、板ガラスは、すなわち、特に固有の表面を有することができる平坦なシート状またはリボン状のガラス体である。ここで、本発明の文脈において、板ガラスの表面と呼ばれるのは、ガラス体の２つの基本面、すなわち、ガラス体の長さおよび幅によって画定されている表面である。この意味において、端面は表面であるとは理解されない。第一に、それらは板ガラス本体の非常に僅かな面積割合しか占めず、第二に、板ガラス本体は、製造プロセスから得られた板ガラス本体から、すなわち通常であればガラスリボンから、顧客または製造仕様に従って所望のサイズに切断される。
【００５４】
本発明による板ガラスの形態におけるガラスの供給は広範囲にわたる利点を有する。例えば、時間がかかるだけでなく費用もかかる煩雑な調製工程が省かれる。それに、慣用の板ガラス製造法によって実現可能な形状、すなわち、特に板ガラスの大きな寸法が容易に実現可能である。さらに、火炎研磨とも呼ばれるガラスの固有の表面は、例えば、ガラス体の機械的特性を決定するが、ここで、ガラスの表面の後加工は、たいていの場合、強度の著しい損失をもたらす。したがって、本発明による板ガラスは、有利には、後加工されたガラスと比較してより高い強度を有する。
【００５５】
本発明の一実施形態によれば、板ガラスは、最大でも９８モル％の含有量で網目形成体の酸化物、特にケイ素および／またはホウ素の酸化物を含む。
【００５６】
ここで、網目形成体は、サッカリアセンの意味において理解され、すなわち、それらは主に３または４の配位数を有するカチオンを含む。これらは特に、元素Ｓｉ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓのカチオンである。これにより、網目形成体は、例えば通常６以上の配位数を有するＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｂａのような網目修飾体、および４〜６の酸化数を主に有するＡｌ、Ｍｇ、Ｚｎのような中間酸化物とは区別される。
【００５７】
ガラス中の網目形成体の酸化物のそのような最大含有量により、ガラスを技術的にも経済的にも、特に連続溶融装置においても、そして有利には成形プロセスにおいても実現可能となる。
【００５８】
ＳｉＯ２含有量の減少によって溶融性はさらに改善される。本発明の好ましい実施形態によれば、板ガラス中のＳｉＯ２含有量は７２モル％〜８５モル％、特に有利には７６モル％〜８５モル％である。
【００５９】
更なる実施形態によれば、板ガラスはＢ２Ｏ３を含む。ホウ酸ガラスは、特に純粋な形態において非常に良好な光学特性を有し、さらに溶融性に優れている。しかしながら、強い吸湿性が欠点である。それゆえ、板ガラス中のＢ２Ｏ３含有量は、有利には１０モル％〜２５モル％、特に有利には１０モル％〜２２モル％である。
【００６０】
ガラスが網目形成体としてＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３の両方を含んでいる場合、特に有利な特性が達成される。
【００６１】
たしかに、他のカチオン、特にＮａ＋、Ｋ＋、Ｌｉ＋、Ｃａ２＋のような「塩基性」カチオンと一緒にほぼあらゆる任意の混合物中のガラスとしてＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３を得ることが実際に可能である。しかしながら、ガラス、特に例えば板ガラスが得られるべきである場合、例えば失透傾向、溶融性および／または成形性ならびに耐薬品性に関して、製造条件によって与えられる純粋に実用的な限界も特に考慮されるべきである。
【００６２】
それゆえ、有利には、板ガラスはＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３を含み、特に有利には、以下が適用される：
Σ（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）  ９２モル％〜９８モル％
【００６３】
電子機器で扱われる用途にとってはさらに、ガラスのアルカリ移動、すなわち表面でアルカリを放出するガラスの特性および／またはガラスマトリックスそのものにおけるアルカリの移動度も重要である。特に、高割合のアルカリおよび／または高移動度のアルカリは誘電損失の増加をもたらす。それゆえ有利には、アルカリの含有量が制限されている板ガラスが使用される。
【００６４】
一実施形態によれば、板ガラスには、以下が適用される：
ΣＲ２Ｏ  １モル％〜５モル％、ここで、Ｒ２Ｏはアルカリ金属酸化物を表す。
【００６５】
アルカリ移動に関しても、例えば板ガラスのごく僅かな変形性またはその変形安定性のような有利な機械的特性に関しても重要なことは、特に、板ガラスに含まれる個々の成分の比の正確な調整であり、
かつ／または
板ガラスの成分のモル量(Stoffmengen)の比に関して、以下が適用される：
Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２  ０．１２〜０．３５、および／または
Σ（ＭｅｘＯｙ）／（Σ（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）  ０．０２〜０．１０、
ここで、Ｍｅは、酸化物において通常は酸化数ｙを有する金属、特にアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属ならびにアルミニウムを表す。
【００６６】
一実施形態によれば、板ガラスに含まれる鉄イオンの質量分率の比に関して、以下が適用される：
０．１≦Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）≦０．３
ここで、有利には、板ガラスに含まれる鉄イオンの全含有量は、２００ｐｐｍ未満、好ましくは１００ｐｐｍ未満、特に好ましくは５０ｐｐｍ未満であり、前記ｐｐｍは質量を基準とする。
【００６７】
さらに別の実施形態によれば、板ガラスに含まれる金属Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖの質量分率（ｐｐｍ）に関して以下が適用される：
Σ（１×Ｆｅ＋３００×Ｃｏ＋７０×Ｎｉ＋５０×Ｃｒ＋２０×Ｃｕ＋５×Ｍｎ＋２×Ｖ）［質量ｐｐｍ］
は、２００ｐｐｍ未満、好ましくは１５０ｐｐｍ未満、より好ましくは１００ｐｐｍ未満、さらにより好ましくは５０ｐｐｍ未満、最も好ましくは２５ｐｐｍ未満であり、ここで、板ガラス中の考慮される金属の全含有量は、その酸化状態に関係なく考慮される。
【００６８】
言い換えれば、一実施形態によれば、板ガラス中の全ての金属酸化物の合計は最小限に抑えられ、主成分の合計と比較して小さい。
【００６９】
ここで、「Ｍｅ」とは、酸化数ｙの酸化物中に通常存在する金属を指す。特に、Ｍｅは、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属、または例えばアルミニウムであってもよい。実際のところ、ガラス組成物が複数の金属イオン「Ｍｅ」を含むことも可能である。ここで、「金属イオン」という用語は酸化数とは無関係であると理解されるので、板ガラスはそれぞれの物質を、例えば金属形態で、しかし特にイオンまたは酸化物の形態でも含み得る。一般に、金属はここで考慮される酸化物ガラス中にイオンとして存在することになる。特に遷移金属の場合には、イオンが異なる酸化状態で発生すること（いわゆる多価イオン）も考慮に入れるべきである。この意味において、「通常の酸化数」という用語は、例えば組成の分析が示されるときに、相応の酸化物を通常特定または指定するものと理解される。例えば、ガラス、例えば板ガラスのクロム含有量は、他の酸化数が十分に可能であるとしても、通常はＣｒ２Ｏ３（すなわちクロムの酸化数３）の百分率として与えられる。本発明の文脈において、特に明記しない限り、酸化状態にかかわらず、常に物質の全含有量が示される。
【００７０】
０．１２〜０．３５の範囲内のＳｉＯ２に対するＢ２Ｏ３のモル比は、このようにして、例えば、系ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３においてと同様に、ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３に加えてさらに別の金属酸化物ＭｅｘＯｙを含む三成分系においても起こり得る脱混合プロセスによって生じる可能性がある構造的不均一性を防止または少なくとも最小限に抑えることができるので特に有利である。
【００７１】
更なる実施形態によれば、板ガラスの変態温度Ｔｇは４５０℃〜５５０℃である。
【００７２】
好ましくは、板ガラスは、粘度ηを有し、ここで、Ｉｇηは、１０００℃〜１３２０℃の温度で４の値を有する。
【００７３】
変態温度Ｔｇおよび／または粘度ηが上記範囲内であるガラスは、特に良好な加工性を示すので、そのような材料定数を有するガラスは、板ガラスに加工するのに特に良好に適している。特に、このようにして、２ｎｍ未満の特に低い表面粗さＲａを有する板ガラスも製造可能である。
【００７４】
本発明の更なる実施形態によれば、板ガラスは、板ガラスの以下の耐薬品性値を有することを特徴とする：
−  耐水性クラス  ＤＩＮ  ＩＳＯ  ７１９準拠  クラスＨＧＢ  １、
−  耐酸性クラス  ＤＩＮ  １２１１６準拠  クラスＳ  １  Ｗ、および
−  耐アルカリ性クラス  ＤＩＮ  ＩＳＯ  ６９５準拠  クラスＡ３以上。
【００７５】
板ガラスのそのような（高い）耐薬品性が有利なのは、このようにして板ガラスを、部分的に攻撃的な媒体が板ガラスの表面と接触し得る多様なプロセスおよび方法、例えばチップ産業や他の分野でも用いることができるからである。特に、板ガラス中のアルカリの含有量が少ないことがここでは有利である。しかしながら、ガラス、例えば板ガラス中のアルカリ含有量だけではなく、ガラスマトリックス中のアルカリの結合も、その耐薬品性にとって重要である。すなわち、一実施形態による板ガラスの耐薬品性の高い値は、一方では低い全アルカリ含有量の相互作用と、他方ではガラスマトリックス中のアルカリの特に強い構造的結合とに起因する。
【００７６】
好ましくは、板ガラスは以下の成分を含む：
ＳｉＯ２  ７２モル％〜８５モル％、好ましくは７６モル％〜８５モル％
Ｂ２Ｏ３  １０モル％〜２５モル％、好ましくは１０モル％〜２２モル％
Ａｌ２Ｏ３  ０．２モル％〜２．５モル％
Ｎａ２Ｏ  ０．５モル％〜５．０モル％
Ｋ２Ｏ  ０モル％〜１．０モル％
Ｌｉ２Ｏ  ０モル％〜１．５モル％、
ここで、有利には、板ガラスに含まれるアルカリ金属酸化物Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏの合計、有利には板ガラスに含まれる全てのアルカリ金属酸化物の合計は５モル％未満である。
【００７７】
電子機器、例えば電子パッケージングにおける板ガラスの使用のためには、さらに板ガラスの平坦度も重要である。平坦度の品質の尺度は、本発明の文脈においてはｔｔｖまたは（全体の）厚さのばらつきとも呼ばれる「全体の厚さムラ」として知られている。板ガラスは、有利には、１００，０００ｍｍ２の面積にわたって１０μｍ未満、有利には１００，０００ｍｍ２の面積にわたって８μｍ未満、特に好ましくは１００，０００ｍｍ２の面積にわたって５μｍ未満の全体の厚さのばらつきを示す。
【００７８】
板ガラスの粗さも、特に、例えば板ガラスがコーティングを適用するためのサブストレートとしての役割を果たす場合、電子産業において特に重要である。特に、層および／または層パッケージの接着性は、サブストレート、すなわちこの場合は板ガラスの表面品質によって決まる。特に１０ＧＨｚを超える、さらには５０ＧＨｚを超える非常に高い周波数の場合、サブストレート、すなわちこの場合は板ガラスと、メタライゼーションとの間の界面における高い粗さは、損失の増大をもたらす。それゆえ、本発明の更なる実施形態によれば、板ガラスは２ｎｍ未満の粗さＲａ値を有する。
【００７９】
板ガラスの表面は、有利には固有の表面として形成されており、特に火炎研磨されて存在する。
【００８０】
ここで、板ガラスの表面は、板ガラスを規定するガラス体の長さおよび幅によって画定される表面として理解される。板ガラスの端面は、本発明の意味における表面ではない。たいていの場合、端面は切削プロセスから生じる。対照的に、固有の表面は、製造プロセスそのもの、すなわちガラスの熱間成形から生じ、特に機械的後加工、特に研磨および／または研削を受けない表面である。有利には、板ガラスの表面は、火炎研磨されて存在する。
【００８１】
チップ産業における用途のためには、サブストレート、すなわちこの場合は板ガラスが、ＵＶを用いた剥離プロセスを可能にする場合、さらに有利である。このために、サブストレート、すなわち、例えば板ガラスは、ＵＶ透過性でなければならない。
【００８２】
一実施形態によれば、板ガラスの厚さが１ｍｍで、板ガラスの透過率は、電磁放射に対して、
２５４ｎｍの波長で２０％以上、好ましくは６０％以上、特に好ましくは８５％以上、最も好ましくは８８％以上であり、かつ／または
好ましくは、３００ｎｍの波長で８２％以上、好ましくは９０％以上、好ましくは９１％以上であり、かつ／または
好ましくは、３５０ｎｍの波長で９０％以上、好ましくは９１％以上であり、かつ／または
好ましくは、５４６ｎｍの波長で９２％以上、好ましくは９２．５％以上であり、かつ／または
好ましくは、１４００ｎｍの波長で９２．５％以上、好ましくは９３％以上であり、かつ／または
好ましくは、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長範囲で９１．５％以上、好ましくは９２％以上であり、かつ／または
好ましくは、７８０ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲で９２．５％以上、好ましくは９３％以上である。
【００８３】
より厚いまたはより薄い板ガラスも、これらのより厚いまたはより薄い板ガラスが１ｍｍの厚さで上記の値を満たす場合、この実施形態の範囲内にある。
【００８４】
これらが保護範囲内にあるかどうかを判断するために、より厚い板ガラスを１ｍｍの厚さに薄くすることができる。
【００８５】
より薄い板ガラスは、積重ねと場合によっては必要な薄化することによって１ｍｍの厚さにすることもできるので、変換する代わりにこれらのより薄い板ガラスがこの保護範囲内にあるかどうかを決定するために透過率の物理的測定を行うこともできる。
【００８６】
一実施形態によれば、板ガラスは、溶融プロセスとそれに続く熱間成形、特にフロート法、ロール法、または引き上げ法、例えばダウンドロー法、有利にはオーバーフローフュージョンダウンドロー法、またはアップドロー法もしくはフーコー法において製造されるか、または製造可能である。
【００８７】
実施例
一実施形態による板ガラスは、質量％で、以下の組成を有する：
ＳｉＯ２  ８０．９質量％
Ｂ２Ｏ３  １５．１質量％
Ａｌ２Ｏ３  １．１質量％
Ｎａ２Ｏ  ２．８質量％。
【００８８】
誘電損失係数ｔａｎδは、１ＧＨｚで０．００２６、２ＧＨｚで０．００２８、５ＧＨｚで０．００３３である。比誘電率εは４．１である。
【００８９】
更なる実施形態による板ガラスは、質量％で、以下の組成を有する：
ＳｉＯ２  ８１．７質量％
Ｂ２Ｏ３  １４．７質量％
Ａｌ２Ｏ３  １．１質量％
Ｎａ２Ｏ  １．２質量％
Ｋ２Ｏ  ０．９質量％
Ｌｉ２Ｏ  ０．４質量％。
【００９０】
誘電損失係数ｔａｎδは、５ＧＨｚで０．００２５である。比誘電率εは４．１である。
【００９１】
さらに別の実施形態による板ガラスは、質量％で、以下の組成を有する：
ＳｉＯ２  ７４．９質量％
Ｂ２Ｏ３  ２１．８質量％
Ａｌ２Ｏ３  １．１質量％
Ｎａ２Ｏ  １．１質量％
Ｋ２Ｏ  ０．８質量％
Ｌｉ２Ｏ  ０．５質量％。
【００９２】
誘電損失係数ｔａｎδは、５ＧＨｚで０．００１７である。比誘電率εは３．９４である。
【外国語明細書】
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