(57)【要約】【課題】焼成炉を繰り返し通過する枠の変形によりチャックが枠を解放する位置精度が低下してしまう場合がある。【解決手段】開示の方法は、チャックが、枠を保持する工程と、チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた枠を撮像する撮像装置により取得される画像に基づいて枠における被測定部の画像上の位置を決定する工程と、チャックが棚板上で枠を解放する時の枠の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を決定された画像上の位置に基づいて決定する工程を含む。被測定部は、枠の内壁面である。撮像装置と枠の撮像位置の間に照明部が配置される。照明部から放射される照明光により生じる枠の陰影が、撮像装置により撮像されない程度に枠の内壁面よりも外側に形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも棚板と枠から構成される収容棚を構築又は解体する方法であって、
チャックが、前記枠を保持する工程と、
前記チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた前記枠を撮像する撮像装置により取得される画像に基づいて前記枠における被測定部の画像上の位置を決定する工程と、
前記チャックが前記棚板上で前記枠を解放する時の前記枠の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を前記決定された画像上の位置に基づいて決定する工程を含み、
前記被測定部は、前記枠の内壁面であり、
前記撮像装置と前記枠の撮像位置の間に照明部が配置され、
前記照明部から放射される照明光により生じる前記枠の陰影が、前記撮像装置により撮像されない程度に前記枠の内壁面よりも外側に形成される、方法。
【請求項２】
前記照明部から放射されて前記枠の被測定部の内側近傍を通過する光線とある軸線のなす角は、前記枠の被測定部から撮像装置の光学系に向かう光路と前記軸線のなす角よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記軸線は、前記枠の内壁面に平行である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記照明部は、１以上の光源と、前記１以上の光源が固定された固定台を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記画像には前記固定台が写される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記チャックには、前記照明部から放射され、前記枠内を伝播した光を反射するための反射板が取り付けられる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記照明部は、前記反射板側に位置する前記枠の内側の縁部の内側近傍を通過する光線を放射する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記反射板の反射面は、反射領域と、前記枠の陰影が投射された陰影領域に区分され、前記反射領域と前記陰影領域の境界は、前記枠の内壁面よりも外側に位置する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記枠の内壁面が、前記撮像装置寄りの第１辺部と前記撮像装置からより離れて位置する第２辺部を有し、前記被測定部は、前記第２辺部である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた前記枠を撮像する撮像装置により取得される画像に基づいて前記枠における被測定部の画像上の位置を決定する工程は、エッジ検出処理に基づいて行われる、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記補正値に応じた前記チャックの変位は、前記チャックが前記枠を解放する時の鉛直方向に直交する水平方向における前記枠の変位に帰結する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記補正値に応じた前記チャックの変位は、前記チャックが前記枠を解放する時の鉛直方向回りの前記枠の回転に帰結する、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記チャックが、前記棚板上で前記枠を解放する工程と、
前記チャックが、前記枠上に配置されるべき棚板を保持して、前記枠上に前記棚板を移動し、前記枠上で前記棚板を解放する工程を更に含む、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記枠が、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を含む、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記枠が多角形状である、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一つの突起が前記棚板に設けられ、前記棚板上において前記枠の位置が規制される、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記棚板上にセラミックス構造体が配置され、前記セラミックス構造体が、少なくとも炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記棚板上にセラミックス構造体が配置され、前記セラミックス構造体が、複数の開口セルを規定する格子状の隔壁を有する、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法により構築された収容棚が焼成炉を通過する工程と、
前記焼成炉を通過した前記収容棚からセラミックス焼成体を取り出す工程を含む、セラミックス焼成体の製造方法。
【請求項２０】
少なくとも棚板と枠から構成される収容棚に含まれる前記枠を搬送する搬送システムであって、
枠を保持するチャックと、
前記チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた前記枠を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置により取得される画像に基づいて前記枠における被測定部の画像上の位置を決定し、この決定された画像上の位置に基づいて前記棚板上に前記枠が解放される時の前記枠の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を決定する補正値決定部を備え、
前記被測定部は、前記枠の内壁面であり、
前記撮像装置と前記枠の撮像位置の間に照明部が配置され、
前記照明部から放射される照明光により生じる前記枠の陰影が、前記撮像装置により撮像されない程度に前記枠の内壁面よりも外側に形成される、搬送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、収容棚を構築又は解体する方法、セラミックス焼成体の製造方法、及び搬送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１の図２は、焼成に用いられる蓋板と枠部材の組み合わせを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４７６８０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
焼成炉を繰り返し通過する枠の変形によりチャックが枠を解放する位置精度が低下してしまう場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る方法は、少なくとも棚板と枠から構成される収容棚を構築又は解体する方法であって、
チャックが、前記枠を保持する工程と、
前記チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた前記枠を撮像する撮像装置により取得される画像に基づいて前記枠における被測定部の画像上の位置を決定する工程と、
前記チャックが前記棚板上で前記枠を解放する時の前記枠の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を前記決定された画像上の位置に基づいて決定する工程を含み、
前記被測定部は、前記枠の内壁面であり、
前記撮像装置と前記枠の撮像位置の間に照明部が配置され、
前記照明部から放射される照明光により生じる前記枠の陰影が、前記撮像装置により撮像されない程度に前記枠の内壁面よりも外側に形成される。
【０００６】
幾つかの場合、前記照明部から放射されて前記枠の被測定部の内側近傍を通過する光線とある軸線のなす角は、前記枠の被測定部から撮像装置の光学系に向かう光路と前記軸線のなす角よりも大きい。前記軸線は、前記枠の内壁面に平行であり得る。
【０００７】
幾つかの場合、前記照明部は、１以上の光源と、前記１以上の光源が固定された固定台を含む。
【０００８】
幾つかの場合、前記画像には前記固定台が写される。
【０００９】
幾つかの場合、前記チャックには、前記照明部から放射され、前記枠内を伝播した光を反射するための反射板が取り付けられる。
【００１０】
幾つかの場合、前記照明部は、前記反射板側に位置する前記枠の内側の縁部の内側近傍を通過する光線を放射する。
【００１１】
幾つかの場合、前記反射板の反射面は、反射領域と、前記枠の陰影が投射された陰影領域に区分され、前記反射領域と前記陰影領域の境界は、前記枠の内壁面よりも外側に位置する。
【００１２】
幾つかの場合、前記枠の内壁面が、前記撮像装置寄りの第１辺部と前記撮像装置からより離れて位置する第２辺部を有し、前記被測定部は、前記第２辺部である。
【００１３】
幾つかの場合、前記チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた前記枠を撮像する撮像装置により取得される画像に基づいて前記枠における被測定部の画像上の位置を決定する工程は、エッジ検出処理に基づいて行われる。
【００１４】
幾つかの場合、前記補正値に応じた前記チャックの変位は、前記チャックが前記枠を解放する時の鉛直方向に直交する水平方向における前記枠の変位に帰結する。
【００１５】
幾つかの場合、前記補正値に応じた前記チャックの変位は、前記チャックが前記枠を解放する時の鉛直方向回りの前記枠の回転に帰結する。
【００１６】
幾つかの場合、前記チャックが、前記棚板上で前記枠を解放する工程と、
前記チャックが、前記枠上に配置されるべき棚板を保持して、前記枠上に前記棚板を移動し、前記枠上で前記棚板を解放する工程を更に含む。
【００１７】
幾つかの場合、前記枠が、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を含む。
【００１８】
幾つかの場合、前記枠が多角形状である。
【００１９】
幾つかの場合、少なくとも一つの突起が前記棚板に設けられ、前記棚板上において前記枠の位置が規制される。
【００２０】
幾つかの場合、前記棚板上にセラミックス構造体が配置され、前記セラミックス構造体が、少なくとも炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。
【００２１】
幾つかの場合、前記棚板上にセラミックス構造体が配置され、前記セラミックス構造体が、複数の開口セルを規定する格子状の隔壁を有する。
【００２２】
本開示の一態様に係るセラミックス焼成体の製造方法は、上記いずれかの段落に記載の方法により構築された収容棚が焼成炉を通過する工程と、
前記焼成炉を通過した前記収容棚からセラミックス焼成体を取り出す工程を含む。
【００２３】
本開示の一態様に係る搬送システムは、少なくとも棚板と枠から構成される収容棚に含まれる前記枠を搬送する搬送システムであって、
枠を保持するチャックと、
前記チャックにより保持され、撮像位置に位置付けられた前記枠を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置により取得される画像に基づいて前記枠における被測定部の画像上の位置を決定し、この決定された画像上の位置に基づいて前記棚板上に前記枠が解放される時の前記枠の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を決定する補正値決定部を備え、
前記被測定部は、前記枠の内壁面であり、
前記撮像装置と前記枠の撮像位置の間に照明部が配置され、
前記照明部から放射される照明光により生じる前記枠の陰影が、前記撮像装置により撮像されない程度に前記枠の内壁面よりも外側に形成される。
【発明の効果】
【００２４】
本開示の一態様によれば、チャックが枠を解放する時の枠の解放位置の精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本開示の一態様に係る搬送システムの概略図である。
【図２】本開示の一態様に係る搬送システムのチャックが枠を搬送することを示す概略図である。
【図３】本開示の一態様に係る搬送システムにおける照明部と撮像装置のより具体的な構成を示す模式図である。照明部から放射される照明光により生じる枠の陰影が、撮像装置により撮像されない程度に枠の内壁面よりも外側に形成される。
【図４】本開示の一態様に係る搬送システムにおいて反射板の反射面に形成される反射領域と陰影領域の境界が枠の内壁面よりも外側に位置することを示す模式図である。
【図５】撮像装置により撮像された画像に基づいて枠における被測定部の画像上の絶対位置が決定されることを示す模式図である。
【図６】棚板上に変形した枠が不適切に配置された状態を示す模式図である。
【図７】棚板上に変形した枠が適切に配置された状態を示す模式図である。
【図８】本開示の一態様に係る搬送システムの動作を示す概略的なフローチャートである。
【図９】本開示の一態様に係るセラミックス焼成体の製造ライン及び製造工程を示す模式図である。第１場所Ｌ１と第２場所Ｌ２の間で脱脂炉を通過する収容棚が移動する。第２場所Ｌ２と第１場所Ｌ１の間で脱脂炉を通過した収容棚から取り出された枠が移動する。第４場所Ｌ４と第３場所Ｌ３の間で焼成炉を通過した収容棚から取り出された枠が移動する。第３場所Ｌ３と第４場所Ｌ４の間で焼成炉を通過する収容棚が移動する。収容棚や枠の移動のためローラコンベヤやベルトコンベヤが用いられ得る。
【図１０】新たに構築された収容棚の一例を示す概略的な斜視図である。
【図１１】本開示の一態様に係る収容棚において棚板の上面に枠の位置を規制する突起が設けられることを示す概略的な断面模式図である。
【図１２】棚板上に配置されるセラミックス構造体の概略的な斜視図である。
【図１３】図１２において二点鎖線で示される平面ＰＬ７におけるセラミックス構造体の概略的な断面模式図である。
【図１４】本開示の一態様に係る複数のセラミックス焼成体を含むフィルターの概略的な斜視図である。
【図１５】参考例に係る搬送システムの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図１乃至図１５を参照しつつ、本発明の非限定の実施形態について説明する。当業者は、過剰説明を要せず、各実施形態及び／又は各実施形態に含まれる各特徴を組み合わせることができる。また、当業者は、この組み合わせによる相乗効果も理解可能である。実施形態間の重複説明は、原則的に省略する。参照図面は、発明の記述を主たる目的とするものであり、作図の便宜のために簡略化されている場合がある。「幾つかの場合」という表現により明示される個別の特徴は、図面に開示された搬送システム及び／又はこれを用いた方法にのみ有効であるものではなく、他の様々な搬送システム及び／又はこれを用いた方法にも通用する普遍的な特徴として理解される。
【００２７】
図１は、搬送システム１１０の概略図である。搬送システム１１０は、枠２（図２又は図１０参照）を保持するチャック５と、少なくともチャック５の変位を指示する指令を生成する制御部６と、制御部６の指令に基づいて作動するロボットアーム７、チャック５により保持され、撮像位置に位置付けられた枠２を撮像する撮像装置８１と、撮像装置８１により取得される画像に基づいて枠２における被測定部の画像上の位置を決定し、この決定された画像上の位置に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を決定する補正値決定部９を含む。
【００２８】
枠２は、収容棚３に含まれる時、鉛直方向に平行なある軸線に関する又はこれを中心とする周方向に延びる外周壁２６を有する（図１０参照）。外周壁２６は、周方向において連続し、或いは非連続である。外周壁２６が周方向で連続する場合、枠２は、閉じた枠である。外周壁２６が周方向で連続しない場合、枠２は、開いた枠である。幾つかの場合、枠２が多角形であり、及び／又は、外周壁２６が多角形状の開口を規定する。鉛直方向に直交する面において枠２の断面形状が四角形状であり得る。外周壁２６には、複数の角部２７が設けられ得る。枠２が四角形状である時、外周壁２６には４つの角部２７が設けられる。
【００２９】
チャック５は、把持、吸引、又は磁着といった様々な態様で枠２を保持し得る。チャック５が枠２を保持する時、チャック５が枠２に物理的に接触し得るが、必ずしもこの限りではない。チャック５は、幾つかの場合、間隔調整可能である接触部５３の１以上のペア（対）を含む。ペアの接触部５３の間隔を小さくすることにより接触部５３の間で枠２が挟まれる。ペアの接触部５３の間隔を大きくすることにより接触部５３から枠２が解放される。接触部５３は、枠２の外壁面２ｂに接触し得るが、これに限られない。接触部５３が枠２の内壁面２ａに接触する場合、ペアの接触部５３の間隔を大きくすることにより接触部５３により枠２が保持される。ペアの接触部５３の間隔を小さくすることにより接触部５３から枠２が解放される。チャック５は、ある軸線ＡＸ５を中心として回転可能に設けられ得、この利益は、後述のとおりである。
【００３０】
チャック５は、ロボットアーム７のアーム先端部に取り付けられる本体部５１を有する。本体部５１に対する接触部５３の相対的な変位は、シリンダーの伸縮、ボールネジのナット部の変位、リニアガイド上のスライダーの変位といった様々な態様で達成される。図２を含む幾つかの場合、本体部５１に対してシリンダー５４で接続されたアーム５２に対して接触部５３が取り付けられる。シリンダー５４の伸縮に応じて、接触部５３が本体部５１に対して相対的に変位する。
【００３１】
接触部５３は、幾つかの場合、チャック５により枠２が把持される時に枠２に対して与えられ得る衝撃を低減するように構成され得る。接触部５３は、クッション材、ゴムシートといった衝撃吸収材を含み得る。クッション材又はゴムシートが枠２の内壁面２ａ及び／又は外壁面２ｂに接触し得る。
【００３２】
搬送システム１１０にオプションとして含まれ得るロボットアーム７は、少なくとも一つのベース７１、２以上のリンク７２、及び隣接するリンク７２を接続する１以上の関節７３を含む。ベース７１に対してリンク７２が枢動可能である。あるリンク７２に対して別のリンク７２が枢動可能である。ベース７１が回転可能に設けられ得る。ロボットアーム７は、ピック場所とピック場所とは異なるリリース場所の間でチャック５を移動させることができる。ピック場所は、チャック５が棚板１又は枠２を保持する場所であり、リリース場所は、チャック５が棚板１又は枠２を解放する場所である。ロボットアーム７は、複数のモーターを内蔵し、各モーターを制御するためのドライバー回路を含み得る。
【００３３】
図２を参照すれば、チャック５は、ピック場所に置かれた又は供給された枠２の積層体の最上層の枠２を保持する。ロボットアーム７の作動に応じてチャック５及びチャック５により保持された枠２が鉛直方向に直交する水平方向に沿って動かされる。リリース場所において、チャック５が枠２を解放し、枠２が棚板１上に配置される。チャック５は、幾つかの場合、棚板１と枠２を交互に積み重ねるように作動する。これにより、図２又は図１０に示すような収容棚３が構築される。収容棚３を構築するに際して、作業者（つまり、ヒト）又は他の装置が、枠２上に棚板１を配置する形態も想定される。作業者又は他の装置が、収容棚３に含まれる少なくとも一つの枠２を棚板１を配置する形態も想定される。なお、収容棚３が土台８００を有する場合、最下層の棚板１又枠２が、土台８００上に配置される。枠２が棚板１上に配置される時、棚板１上に１以上のセラミックス構造体が配置され得るが、必ずしもこの限りではない。
【００３４】
搬送システム１１０は、チャック５の変位を指示する指令を生成する制御部６を含む。制御部６は、幾つかの場合、ロボットアーム７の制御部である。ロボットアーム７の制御に基づいてチャック５が変位し、チャック５の位置が決定される。追加的に、制御部６は、チャック５の制御部も兼務し、チャック５が枠２を保持する状態とチャック５が枠を解放する状態の間でチャック５の状態を切り替える。なお、チャック５の変位のためにロボットアーム７以外の手段が採用される場合も想定される。つまり、チャック５が別の機構に取り付けられることも想定される。
【００３５】
制御部６は、ロボットアーム７に含まれる各モーターに対して直接的又は間接的に指令を出力し、これにより、チャック５の連続した変位が生じる。制御部６は、追加的に、適切なタイミングで、直接的又は間接的に、チャック５のシリンダーに指令を出力し、チャック５の状態を切り替える。ロボットアーム７に対する指令の出力タイミングは、搬送システム１１０の内部又は外部タイミング信号に基づいて決定され得る。ロボットアーム７がチャック５を変位させる軌道は、予め適切に設定される。
【００３６】
上述したように、搬送システム１１０は、チャック５により保持され、撮像位置に位置付けられた枠２を撮像する撮像装置８１と、撮像装置８１により取得される画像に基づいて枠２における被測定部の画像上の位置を決定し、この決定された画像上の位置に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を決定する補正値決定部９を含む。補正値決定部９は、撮像装置８１により取得される画像に基づいて枠２における被測定部の画像上の位置を決定する。被測定部の画像上の位置は、画像上における被測定部の絶対位置又は相対位置に相当する。画像上における被測定部の絶対位置は、画像上における被測定部の位置を示す座標により表される。画像上における被測定部の絶対位置は、近似された座標により表されることもある。画像上における被測定部の相対位置は、画像上における被測定部の位置と画像上に設定された基準位置の間隔（或いは、距離）により表される。画像上における被測定部の相対位置は、近似された間隔（或いは、距離）により表されることもある。
【００３７】
補正値決定部９は、この決定された画像上の位置に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を決定する。撮像装置８１により取得される画像に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を加えることができる。決定された補正値に応じてチャック５の現在位置、目的位置、又は移動軌跡が変更され、結果として、枠２の解放位置の精度が高められる。
【００３８】
補正値決定部９は、位置決定部９１と演算部９２を有する（図３参照）。位置決定部９１は、撮像装置８１により取得される画像に基づいて枠２における被測定部の画像上の位置を決定する。絶対位置が用いられる時、位置決定部９１は、２以上の被測定部について、各被測定部の画像上の座標を決定する。相対位置が用いられる時、位置決定部９１は、画像上における被測定部と基準位置の間の２以上の間隔を決定する。演算部９２は、この決定した位置に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を演算する。位置決定部９１と演算部９２は、同一又は異なるコンピューター又はプログラム部分であり得る。補正値決定部９は、制御部６と同一又は異なるコンピューター又はプログラム部分であり得る。換言すれば、補正値決定部９の一部又は全体が制御部６に組み込まれ得る。
【００３９】
撮像装置８１は、チャック５により保持された枠２を撮像する。撮像装置８１により取得される画像に基づいて間隔が決定される。撮像装置８１は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ又はＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサといったイメージセンサ８８と、少なくとも一つの光学系８９を有し得る。光学系８９は、ズーム光学系、対物レンズ、又は他の光学素子を含む。撮像装置８１は、不図示の１以上の半導体チップを有し得る。半導体チップは、イメージセンサ８８から読み出されるアナログ又はデジタル信号を処理する信号処理回路や、フィルター回路、及び通信インターフェイス回路を含み得る。撮像装置８１は、チャック５により保持され、撮像位置に位置付けられた枠２を撮像し得る。撮像装置８１は、外部から提供されるタイミング信号に応じて移動中の枠２を撮像し、又は、ある一定の期間、一定の時間間隔で連続的に撮像する。これにより、枠２が撮像されないことが回避される。撮像装置８１に含まれるイメージセンサ８８は、例えば、４ｋ以上の解像度を有する。
【００４０】
補正値決定部９は、当業者が理解するようにソフトウェア又はハードウェア又はこれらの協調により構成される。補正値決定部９が行う工程は、幾つかの場合、コンピューターにより実行される。コンピューターは、１以上のＣＰＵ（central processing unit）と１以上のメモリーを含む。メモリーは、ハードドライブ、半導体メモリー、磁気記録媒体、光学記録媒体等を含む。メモリーから読み出したプログラムがＣＰＵで実行され、これにより、補正値決定部９のソフトウェア処理が実行される。コンピューターは、インターネットを介して撮像装置８１及び制御部６と通信可能であるクラウドコンピューターである形態が想定される。
【００４１】
撮像装置８１と補正値決定部９は、有線又は無線又はネットワークを介して接続される。撮像装置８１の出力、つまり、撮像装置８１で撮像された画像データが、補正値決定部９のアプリケーションにより処理される。アプリケーションによる画像データの処理によって、画像上における枠２の被測定部の位置が決定される。続いて、この決定した位置に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値が決定される。アプリケーションによる画像データの処理は、画像上における被測定部の位置の決定のためのエッジ検出処理を含み得る。補正値の決定は、計算式又はアルゴリズムに基づいて決定され得る。
【００４２】
画像上における被測定部の絶対位置は、例えば、イメージセンサ８８のピクセル基準の座標に基づいて決定することができるが、必ずしもこの限りではない。ピクセル基準の座標は、ピクセルの位置を示す座標に基づいて構築されたより高分解能の座標であり得る。画像上における被測定部の相対位置は、画像上に設定された基準位置と被測定部の位置の間のピクセル基準の間隔（或いは、距離）に基づいて決定することができるが、必ずしもこの限りではない。基準位置は、例えば、枠の内側の位置である。
【００４３】
相対位置が用いられる幾つかの場合、チャック５により保持された枠２におけるＮ個（Ｎは、２以上の自然数を示す）の被測定部とＭ個（Ｍは、２以上の自然数を示し、Ｎ以下である）の基準位置の間のＮ個の間隔が決定される。以下の場合が想定される。
（ｉ）チャック５により保持された枠２における第１被測定部と第１基準位置の間の第１間隔に加えて、チャック５により保持された枠２における第２被測定部と第２基準位置の間の第２間隔が決定される。
（ｉｉ）チャック５により保持された枠２における第１被測定部と第１基準位置の間の第１間隔に加えて、チャック５により保持された枠２における第３被測定部と第１基準位置の間の第３間隔が決定される。
（ｉ）の場合、決定される間隔間において用いられる基準位置が異なる。（ｉｉ）の場合、決定される間隔間において用いられる基準位置が同一である。枠２の形状に応じて（ｉ）及び（ｉｉ）の様々な組み合わせが想定される。
【００４４】
図３は、搬送システム１１０における照明部８５と撮像装置８１のより具体的構成を示す模式図である。照明部８５から放射される照明光により生じる枠の陰影が、撮像装置８１により撮像されない程度に枠２の内壁面２ａよりも外側に形成される。図４は、搬送システム１１０において反射板８６の反射面８６１に形成される反射領域Ｒ１と陰影領域Ｒ２の境界Ｂ１が枠２の内壁面２ａよりも外側に位置することを示す模式図である。
【００４５】
撮像装置８１と枠２の撮像位置の間に照明部８５が配置される。照明部８５は、枠２の内壁面２ａにより周囲される空間を照明するように配置される。照明部８５は、１以上の光源８５１と、１以上の光源８５１が固定された固定台８５２を含む。光源８５１は、例えば、白熱灯、蛍光灯、又はＬＥＤ光源である。ＬＥＤ光源は、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップの放射光を投光するための少なくとも一つのレンズを含む。幾つかの場合、２以上の光源８５１が固定台８５２上に固定され、十分に広い照明範囲が確保される。枠２の内壁面２ａは、撮像装置８１寄りの第１辺部２ｅと撮像装置８１からより離れて位置する第２辺部２ｆを有する。被測定部は、端的には、枠２の内壁面２ａの第２辺部２ｆである。
【００４６】
枠２の内壁面２ａに対して平行に延びる共通の軸線ＡＸ１を設定する（図３及び図４参照）。追加的又は代替的に、軸線ＡＸ１は、照明部８５に含まれる光学系の光軸に平行であり、及び／又は、撮像装置８１に含まれる光学系の光軸に平行である。照明部８５から放射されて撮像位置にある枠２の第２辺部２ｆの内側近傍を通過する光線Ｌ１と軸線ＡＸ１のなす角θ１は、撮像位置にある枠２の第２辺部２ｆから撮像装置８１の光学系に向かう光路Ｌ２と軸線ＡＸ１のなす角θ２よりも大きい（図４参照）。光線Ｌ１と軸線ＡＸ１のなす角θ１は、幾つかの場合、光線Ｌ１と照明部８５の光学系の光軸のなす角θ３に等しい（図３参照）。同様、光路Ｌ２と軸線ＡＸ１のなす角θ２は、光路Ｌ２と撮像装置８１の光学系の光軸のなす角θ４に等しい。このような幾つかの場合、照明部８５から放射される照明光により生じる枠２の陰影が、撮像装置８１により撮像されない程度に枠２の内壁面２ａよりも外側に形成される。枠２の陰影が撮像装置８１により取得される画像に写り込むことが回避され、撮像装置８１により取得される画像に基づいて定まる被測定部の位置精度が高められる。なお、枠２の全周に亘る範囲で枠２の陰影が撮像装置８１により撮像されない程度に枠２の内壁面２ａよりも外側に形成されることは必須ではない。枠２の周方向のある区間において、枠２の陰影が撮像装置８１により撮像されることは許容される。このような場合においても許容範囲内の精度で被測定部の画像上の位置を決定することができる。例えば、枠２の周方向のある区間において枠２の陰影が撮像装置８１により撮像され、被測定部の画像上の位置に誤差が生じるとしても、枠２の周方向における別の区間において枠２の陰影が撮像装置８１により撮像されず、被測定部の画像上の位置が精度良く決定できるならば、全体としての誤差は低減される。
【００４７】
なす角θ３＞なす角θ４を満足しない場合においても、撮像装置８１と枠２の撮像位置の間で照明部８５を適切に位置付け及び配向させることにより、照明部８５から放射される照明光により生じる枠２の陰影が、撮像装置８１により撮像されない程度に枠２の内壁面２ａよりも外側に形成される。
【００４８】
チャック５には、オプションとして、照明部８５から放射され、枠２内を伝播した光を反射するための反射板８６が取り付けられる。これにより、撮像装置８１は、被測定部である枠２の内壁面２ａをより明瞭に撮像することができる。反射板８６は、少なくとも一つの反射面８６１を有する。反射板８６がチャック５に取り付けられる態様は様々である。反射面８６１は、拡散反射面又は鏡面であり得る。チャック５に反射板８６を取り付けることにより、反射板８６とチャック５の衝突又は干渉が回避される。照明部８５は、反射板８６側に位置する枠２の内側の縁部２ｇ（図４参照）の内側近傍を通過する光線を放射する。なお、反射板８６は、チャック５の動作と干渉しないように設けられる。
【００４９】
図４に示すように、反射板８６の反射面８６１は、反射領域Ｒ１と、枠２の陰影が投射された陰影領域Ｒ２に区分される。反射領域Ｒ１と陰影領域Ｒ２の境界Ｂ１は、枠２の内壁面２ａよりも外側に位置する。反射領域Ｒ１と陰影領域Ｒ２の境界Ｂ１が枠２の外壁面２ｂよりも外側に位置する形態も想定される。
【００５０】
図５は、撮像装置８１により撮像された画像に基づいて枠２における被測定部の画像上の絶対位置が決定されることを示す模式図である。図５に示すように、チャック５は、接触部５３の２ペアを有し、つまり、第１ペアの接触部５３ａと、第２ペアの接触部５３ｂを有する。第１ペアの接触部５３ａの間隔の減少により接触部５３ａの間で枠２が挟まれる。第２ペアの接触部５３ｂの間隔の減少により接触部５３ｂの間で枠２が挟まれる。第１ペアの接触部５３ａの間隔の減少と２ペアの接触部５３ｂの間隔の減少が同時に開始するとする。枠２に変形が生じている時、接触部５３ａ、５３ｂの間で枠２との接触タイミングに差が生じ得る。チャック５により枠２が把持される際、枠２の変形に応じてチャック５に関して枠２が変位又は回転してしまい得る。これは、枠２の解放位置の精度の低下を招来し得る。正方形の枠２に対して各接触部５３が同時に接触する場合と比べて、解放位置の精度の低下は顕著になり得る。
【００５１】
図６は、棚板１上に変形した枠２が不適切に配置された状態を示す模式図である。少なくとも一つの突起１５が棚板１に設けられ、棚板１上において枠２の位置が規制される場合がある（図１１も併せて参照）。図６に示す場合、棚板１上に配置される枠２が棚板１の突起上に配置され、従って、棚板１と枠２の間に隙間が生じ、また、上層に配置される棚板１が傾斜してしまう。棚板１と枠２の間の隙間は、鉛直方向で隣接する棚板１と、その間に配置される枠２により画定される収容空間３１（図１１参照）の雰囲気を焼成炉の内部雰囲気に連通させ、セラミックス構造体７００（図１０参照）の焼成不良（変色等）に帰結し得る。図８は、補正値決定部９により決定された補正値によりチャック５の現在位置、目標位置、又は移動軌跡が変更され、棚板１上に変形した枠２が適切に配置された状態を示す。なお、棚板１上に突起１５を設けることは必須ではなく、また、突起１５の具体的な形状や配置態様も任意である。
【００５２】
図５を参照してより詳細に説明する。図５は、１フレームの画像を示す。この画像には、被測定部の枠２の内壁面２ａが写され、第１辺部２ｅと第２辺部２ｆが写される。被測定部は、非限定の一例として、Ｐ１〜Ｐ４により示される第２辺部２ｆの交差点である。アプリケーションによる画像データの処理、端的にはエッジ検出処理によって、枠２の第２辺部２ｆのエッジ線が決定される。第２辺部２ｆの交差点Ｐ１は、ｙ軸沿いに延びる一方の第２辺部２ｆのｘ座標とｘ軸沿いに延びる他方の第２辺部２ｆのｙ座標から求めることができる。第２辺部２ｆの他の交差点Ｐ２〜Ｐ４についても同様である。
【００５３】
基準位置Ｑ１〜Ｑ４と枠２の被測定部Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ４の間隔を決定することもできる。被測定部は、枠２の内壁面であり、端的には、第２辺部２ｆである。アプリケーションによる画像データの処理、端的にはエッジ検出処理によって、枠２の第２辺部２ｆのエッジ線が決定される。被測定部Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ４は、基準位置Ｑ１〜Ｑ４の座標と、画像処理に基づいて決定されたエッジ線に基づいて決定される。被測定部Ｘ１は、エッジ線上にあり、また、基準位置Ｑ１のｙ座標と同じｙ座標を有する。被測定部Ｙ１は、エッジ線上にあり、また、基準位置Ｑ１のｘ座標と同じｘ座標を有する。第２の基準位置Ｑ２と被測定部Ｘ２，Ｙ２についても同様に理解される。第３の基準位置Ｑ３と被測定部Ｘ３，Ｙ３についても同様に理解される。第４の基準位置Ｑ４と被測定部Ｘ４，Ｙ４についても同様に理解される。
【００５４】
基準位置Ｑ１〜Ｑ４と被測定部Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ４の間隔は、基準位置Ｑ１〜Ｑ４の座標と被測定部Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ１〜Ｙ４の座標に基づいて決定され得るが、必ずしもこの限りではない。適切なアプリケーションを用いることにより、基準位置からエッジ線までの最小間隔を決定することができる。この最小間隔が、上述の間隔に対応又は一致する。間隔は、本明細書に開示されていない別の方法でも決定され得る。
【００５５】
被測定部の画像上の位置は、アプリケーションにより実行されるパターンマッチングに基づいて決定される形態も想定される。例えば、第２辺部２ｆに対応する４つのエッジ線から形成される矩形状の対象パターンに対して矩形状の標準パターンが重ね合わされる。被測定部は、枠２の内壁面２ａの第２辺部２ｆの交差点であるものとする。第２辺部２ｆに対応する４つのエッジ線から形成される矩形状の対象パターンに対して重ね合わされた標準パターンの角部の座標が対象パターンにおける交差点の座標として決定される。このような場合においても、被測定部の画像上の位置は、撮像装置８１により取得される画像に基づいて決定されるものと言える。
【００５６】
図５の点線で示すように光源８５１が固定された固定台８５２が画像に写されるが、被測定部の画像上の位置の決定に影響しない。
【００５７】
演算部９２は、この決定した位置に基づいて、棚板１上に枠２が解放される時の枠２の解放位置に変更を生じさせるための少なくとも一つの補正値を演算する。補正値は、チャック５の変位量に関する任意の値である。例えば、中心座標と回転角度（回転位置）に関する補正値が決定される。例えば、以下のＸｃ、Ｙｃにより中心座標が定まり、以下のθにより回転角度（回転位置）が定まる。決定された中心座標と目標とする中心座標の比較（端的には、減算）に基づいて補正値が定まる。同様、決定された回転角度（回転位置）と、目標とする回転角度（回転位置）の比較（端的には、減算）に基づいて補正値が定まる。このように、補正値は、測定値と目標値の差分値であり得る。
Ｘｃ＝（Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４）／４
Ｙｃ＝（Ｙ１＋Ｙ２＋Ｙ３＋Ｙ４）／４
θ＝｛（（Ｙ２−Ｙ１）／（Ｘ２−Ｘ１））＋（（Ｙ４−Ｙ３）／（Ｘ４−Ｘ３））−（（Ｘ３−Ｘ１）／（Ｙ３−Ｙ１））−（（Ｘ４−Ｘ２）／（Ｙ４−Ｙ２））｝／４
【００５８】
いずれか又は全ての補正値が制御部６に伝送され、チャック５の変位に帰結する。補正値に応じたチャック５の変位は、チャック５が枠２を解放する時の鉛直方向に直交する水平方向における枠２の変位に帰結し、及び／又は、チャック５が枠２を解放する時の鉛直方向回りの枠２の回転に帰結する。補正値に基づいてチャック５の位置を変更することは、チャック５の現在位置、目標位置、移動軌跡、又はこれらの組み合わせを変更することにより達成される。従って、補正値に応じてチャック５の位置が調整される時、枠２は、チャック５の現在の配向に依存した任意の方向に補正値に応じた距離だけ移動する。このようなチャック５の位置の調整は、結果として、チャック５が枠２を解放する時の枠２の位置に変更を生じさせる。
【００５９】
Ｘ方向におけるチャック５の位置調整、Ｙ方向におけるチャック５の位置調整、及び回転方向におけるチャック５の位置調整のいずれか又はこれらの組み合わせが実行される。Ｘ方向におけるチャック５の位置調整、Ｙ方向におけるチャック５の位置調整、及び回転方向におけるチャック５の位置調整のいずれかが、他のものよりも支配的であるならば、重み付けが行われ得る。この場合、補正値の計算式にゲイン係数を導入することも想定される。
【００６０】
演算部９２で算出された補正値は、制御部６に無線又は有線又はネットワークを介して伝送される。制御部６は、受け取った補正値に応じて、チャック５の現在位置、目標位置、又は移動軌跡を制御する。具体的には、制御部６は、補正値に応じてロボットアーム７を制御し、これにより、チャック５の現在位置、目標位置、移動軌跡に変更が生じる。結果として、補正値に応じて、チャック５が枠２を解放する時の鉛直方向に直交する水平方向における枠２の変位が生じ、及び／又は、補正値に応じて、チャック５が枠２を解放する時の鉛直方向回りの枠２の回転が生じる。
【００６１】
図８は、搬送システム１１０の動作を示す概略的なフローチャートである。ステップＳ１で、被測定部の画像上の位置が決定される。ステップＳ２で、被測定部の画像上の位置に基づいて補正値が決定される。複数の補正値は、個別に計算され、又は、一度に計算される。複数の入力値に応じて複数の出力値を出力するアルゴリズムが用いられ得る。ニューラルネットワークといったアルゴリズムも採用可能である。ステップＳ３で、補正値に基づいてチャック５の現在位置、目標位置、移動軌跡、又はこれらの組み合わせが変更される。
【００６２】
本開示の搬送システム１１０は、セラミックス焼成体の製造ラインに導入され得る。図９において、第１場所Ｌ１と第２場所Ｌ２の間で脱脂炉を通過する収容棚が移動する。第２場所Ｌ２と第１場所Ｌ１の間で脱脂炉を通過した収容棚から取り出された枠が移動する。第４場所Ｌ４と第３場所Ｌ３の間で焼成炉を通過した収容棚から取り出された枠が移動する。第３場所Ｌ３と第４場所Ｌ４の間で焼成炉を通過する収容棚が移動する。搬送システム１１０は、第２場所Ｌ２に提供される収容棚３から取得した棚板１と第３場所Ｌ３に提供される枠２を用いて焼成炉４００を通過する新たな収容棚３を構築する。新たな収容棚３の構築のため、チャック５は、棚板上で枠を解放する工程と、その枠上で別の棚板を解放する工程を含むことができる。棚板上での枠の解放と枠上での棚板の解放が交互に実行される。図１０は、新たに構築された収容棚３の一例を示す。棚板１上には脱脂炉により脱脂されたセラミックス構造体が配置されている。追加的又は代替的に、搬送システム１１０は、第４場所Ｌ４に提供される収容棚３を解体するために用いられ、収容棚３から枠２を取り出し、枠２を積層させる。なお、セラミックス焼成体の製造方法は、構築された収容棚が焼成炉を通過する工程と、焼成炉を通過した収容棚からセラミックス構造体を取り出す工程を含む。
【００６３】
棚板１及び枠２は、耐火性材料から成り得る。必ずしもこの限りではないが、棚板１及び／又は枠２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を含み、又は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）の焼結体である。棚板１及び／又は枠２に含まれる炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、反応焼結Ｓｉ−ＳｉＣ、再結晶ＳｉＣ（Ｒｅ−ＳｉＣ）、窒化物結合ＳｉＣ（Ｎ−ＳｉＣ）のいずれか一つ又はこれらの任意の組み合わせを含み得る。特には、幾つかの場合、枠２は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を含み、又は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）から成る。枠２が炭化ケイ素の代替としてアルミナ又はムライトから成る場合、枠２が焼成炉４００を通過する回数の増加に応じた枠２の重量の減少が緩慢になり、枠２の寿命が長寿命化し得る。しかしながら、反面、枠２が焼成炉４００を通過する回数の増加に応じた枠２の変形が大きくなり得る。棚板１と枠２により収容空間３１が閉じられる場合、焼成炉の雰囲気温度と収容空間３１内の温度に差が生じ、枠２の変形を促進する。
【００６４】
図１２は、棚板１上に配置されるセラミックス構造体の概略的な斜視図である。セラミックス構造体７００は、脱脂炉９００により脱脂され、続いて、焼成炉４００により焼成され得る。焼成炉４００において脱脂と焼成が連続的に行われ、脱脂炉９００が省略されることも想定される。脱脂炉９００においてセラミックス構造体７００が加熱され、セラミックス構造体７００に含まれる有機バインダーが除去される。焼成炉４００において脱脂されたセラミックス構造体７００が焼成され、セラミックス材料、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の粒子が焼結する。必ずしもこの限りではないが、脱脂炉９００におけるセラミックス構造体７００の加熱が酸化雰囲気で行われ、例えば、大気雰囲気で行われる。焼成炉４００におけるセラミックス構造体７００の焼成は、非酸化雰囲気で行われ、例えば、アルゴンといった不活性化ガス雰囲気で行われる。セラミックス構造体７００の脱脂工程中の脱脂炉９００の炉内温度は、５００℃以下であり得る。セラミックス構造体７００の焼成工程中の焼成炉４００の炉内温度は、１０００℃以上であり得る。脱脂炉９００を第１焼成炉と呼び、焼成炉４００を第２焼成炉と呼ぶこともできる。繰り返すが、脱脂炉９００が省略されることも想定される。
【００６５】
セラミックス構造体７００は、原料の成形と乾燥を経て製造されたものであり得る。原料は、幾つかの場合、少なくとも坏土を含み、又は、少なくともセラミックス材料、有機バインダー、及び水を含む。セラミックス材料は、焼成によりコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）になる原料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、及びジルコニア（ＺｒＯ2）から成る群から選択される少なくとも一つの材料を含み得る。焼成によりコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）になる原料は、シリカが４０〜６０質量％、アルミナが１５〜４５質量％、マグネシアが５〜３０質量％の範囲に入る化学組成となるように配合されたセラミックス原料であり得る。有機バインダーは、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシルメチルセルロース、ポリビニルアルコール、及び寒天から成る群から選択される少なくとも一つの材料を含み得る。押出成形機を用いてセラミックス構造体７００が押し出され、これに続いて乾燥機により乾燥される。これにより人手又は機械により把持できる硬さを有するセラミックス構造体７００が製造される。
【００６６】
必ずしもこの限りではないが、セラミックス構造体７００は、複数の開口セル７１０を規定する格子状の隔壁７２０を有する。セラミックス構造体７００の格子構造により規定される開口セル７１０の開口形状は、多角形或いは円形或いは楕円形であり得る。多角形は、三角形、四角形、五角形、六角形、又はこれ以外のものであり得る。セラミックス構造体７００は、第１端部７０６と第２端部７０７を有し、各端部７０６，７０７の間を延びる。開口セル７１０は、セラミックス構造体７００の延在方向に沿って延在する。
【００６７】
必ずしもこの限りではないが、開口セル７１０の２次元配置において幾つかの開口セル７１０が封止材７３０により封止される。図１３に示すように、セラミックス構造体７００の第１端部７０６における封止材７３０による開口セル７１０の封止パターンと、セラミックス構造体７００の第２端部７０７における封止材７３０による開口セル７１０の封止パターンとが相補的であり得る。フィルター７９０における排ガスの透過性と排ガスの浄化性の両立が促進され得る。なお、第１端部７０６が、排ガスの流れ方向においてエンジン寄りに配置される端部であり、第２端部７０７が排ガスの流れ方向においてエンジンからより離れて配置される端部であり得る。
【００６８】
セラミックス構造体７００は、幾つかの場合、少なくとも炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。セラミックス構造体７００は、幾つかの場合、脱脂されていないものであり、炭化ケイ素に加えて有機バインダーを有する。セラミックス構造体７００は、幾つかの場合、脱脂されたものであり、炭化ケイ素に加えて残炭成分を有する。残炭成分は、有機バインダーに由来する炭素分であり得る。
【００６９】
複数のセラミックス構造体７００から図１４に示すフィルター７９０が製造され得る。図１４に示されるフィルター７９０は、ディーゼルエンジンといった内燃機関から排出される排気ガスに含まれる粒子状物質、通称、ＰＭ（Particulate Matter）を捕獲して除去する機能部品である。フィルター７９０は、接着層を介してセラミックス焼成体７８０を２次元配置し、これにより得たブロックを円柱状に加工し、最後に円柱体の外周面に外周層を塗布して焼成することにより製造される。フィルター７９０は、ディーゼルエンジンの排ガスの浄化用に限らず、汚染水の浄化用といった他の様々な用途に用いられることに留意されたい。フィルター７９０に含まれるセラミックス構造体７００に様々な種類の触媒が導入されることも想定される。フィルター７９０の接着層及び／又は外周層は、幾つかの場合、焼成によりコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）になる原料を含み得る。
【００７０】
図１５は、参考例に係る搬送システムの概略図である。図１５に示す場合、照明部８５から放射されて枠２の第２辺部２ｆの内側近傍を通過する光線Ｌ１と軸線ＡＸ１のなす角θ１は、撮像位置にある枠２の第２辺部２ｆから撮像装置８１の光学系に向かう光路Ｌ２と軸線ＡＸ１のなす角θ２よりも小さい。従って、照明部８５から放射される照明光により生じる枠２の陰影が、撮像装置８１により撮像される。陰影の影響のため、エッジ検出処理において、被測定部である枠２の内壁面２ａ、端的には、第２辺部２ｆを明確に特定することが困難になるおそれがある。被測定部の位置精度の低下は、補正値の精度の低下に帰結し、ひいてはチャック５から解放される枠２の解放位置の精度の低下に帰結する。
【００７１】
上述の開示を踏まえ、当業者は、各実施形態に対して様々な変更を加えることができる。
【符号の説明】
【００７２】
１    棚板
２    枠
３    収容棚
５    チャック
６    制御部
７    ロボットアーム
８１  撮像装置
９    補正値決定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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