(57)【要約】【課題】デバイス基材と封止部材との加熱貼合時における封止部材のシワを抑制可能な有機デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一形態に係る有機デバイスの製造方法は、基板１２の主面１２ａ上に、第１の電極１４と有機機能層１８と第２の電極２０とが設けられたデバイス基材３０と、有機機能層を封止する封止部材２２とを有する有機デバイス１０の製造方法であり、ロールツーロール方式で長尺の封止部材及びデバイス基材を搬送しながら、封止部材をデバイス基材に連続的に貼合する工程を備え、封止部材は、封止基材と封止基材の第１及び第２主面２４ａ，２４ｂのそれぞれに設けられる粘着層及び樹脂フィルムと、を有し、貼合工程では、基板の主面と粘着層とを対向させた状態で、封止部材とデバイス基材とを加圧及び加熱しながら封止部材をデバイス基材に貼合し、貼合工程での加熱温度が樹脂フィルムの材料のガラス転移温度以下である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面上に第１の電極と、有機機能層と、第２の電極とが設けられたデバイス基材と、前記有機機能層を封止する封止部材とを有する有機デバイスの製造方法であって、
ロールツーロール方式で長尺の前記封止部材及び長尺の前記デバイス基材を搬送しながら、連続的に前記封止部材と前記デバイス基材とを貼合する工程を備え、
前記封止部材は、封止基材と、前記封止基材の第１主面に設けられる粘着層と、前記封止基材の第２主面に設けられる樹脂フィルムと、を有し、
前記封止部材と前記デバイス基材とを貼合する工程では、前記基板の前記主面と前記粘着層とを対向させた状態で、前記封止部材と前記デバイス基材とを加圧及び加熱しながら前記封止部材を前記デバイス基材に貼合し、
前記加熱時の温度が前記樹脂フィルムの材料のガラス転移温度以下である、
有機デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記封止基材は、金属箔である、
請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記樹脂フィルムの厚さが前記封止基材より厚い、
請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機デバイスは、基板と、基板上に設けられる第１の電極、有機機能層及び第２の電極を有する。有機機能層は、有機物を含むため水分などにより劣化しやすい。この劣化を防止するために、有機デバイスは、有機機能層を封止する封止部材を更に有する。例えば特許文献１には、金属箔と、接着層と、樹脂フィルムとを有する封止部材が開示されている。特許文献１に記載の封止部材では、金属箔の一方の主面上に接着層が設けられ、他方の主面上に樹脂フィルムが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１０６８５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機デバイスにおいて、封止部材以外の部分、すなわち、基板上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極が設けられた部材をデバイス基材と称した場合、特許文献１に記載の技術では、接着層を介して封止部材をデバイス基材に加熱貼合することによって有機デバイスが製造されている。しかしながら、接着層を介して封止部材をデバイス基材に加熱貼合すると、封止部材にシワが生じるおそれがある。このようなシワが生じた封止部材をデバイス基材に貼合すると、封止部材とデバイス基材の間に気泡が混入し、有機デバイスの品質が低下する。
【０００５】
したがって、本発明は、デバイス基材と封止部材との加熱貼合時における封止部材のシワを抑制可能な有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、基板の主面上に第１の電極と、有機機能層と、第２の電極とが設けられたデバイス基材と、上記有機機能層を封止する封止部材とを有する有機デバイスの製造方法であり、ロールツーロール方式で長尺の上記封止部材及び長尺の上記デバイス基材を搬送しながら、連続的に上記封止部材と上記デバイス基材とを貼合する工程を備え、上記封止部材は、封止基材と、上記封止基材の第１主面に設けられる粘着層と、上記封止基材の第２主面に設けられる樹脂フィルムと、を有し、上記封止部材と上記デバイス基材とを貼合する工程では、上記基板の上記主面と上記粘着層とを対向させた状態で、上記封止部材と上記デバイス基材とを加圧及び加熱しながら上記封止部材を上記デバイス基材に貼合し、上記加熱時の温度（加熱温度）が上記樹脂フィルムの材料のガラス転移温度以下である。
【０００７】
封止部材は、粘着層、封止基材及び樹脂フィルムの積層体である。封止基材に粘着層とは別に樹脂フィルムを積層しているため、ロールツーロール方式により封止部材を搬送する際に、封止部材にシワが生じにくい。封止部材が粘着層を介してデバイス基材に貼合されることから、上記封止部材と上記デバイス基材とを貼合する工程における加熱温度は、上記樹脂フィルムのガラス転移温度以下でよい。このような加熱温度であれば、貼合工程で樹脂フィルムが加熱されても、樹脂フィルムの幅方向の収縮が抑制されるので、樹脂フィルムの収縮に伴う封止部材のシワの発生を抑制できる。
【０００８】
上記封止基材は、金属箔であり得る。この場合、金属箔は、粘着層と樹脂フィルムで挟まれている。したがって、金属箔の酸化が抑制され得る。
【０００９】
上記樹脂フィルムの厚さが上記封止基材より厚くてもよい。樹脂フィルムは、厚い方が収縮しにくい傾向にある。したがって、樹脂フィルムの厚さが上記封止基材より厚い形態は、樹脂フィルムの厚さが封止基材の厚さ以下である場合より、封止部材のシワの抑制に有利である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、デバイス基材と封止部材との加熱貼合時における封止部材のシワを抑制可能な有機デバイスの製造方法を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一実施形態に係る有機デバイスの製造方法で製造される有機デバイスの一例である有機ＥＬデバイスの構成を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬデバイスの製造方法の一例のフローチャートである。
【図３】図３は、デバイス基材の平面図である。
【図４】図４は、図３のＩＶ―ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図５は、デバイス基材と封止部材との貼合工程を模式的に示す図面である。
【図６】図６は、有機ＥＬデバイス（有機デバイス）の製造方法における貼合工程を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。断らない限り、有機デバイスの一例である有機ＥＬデバイスについて説明する。
【００１３】
図１に模式的に示したように、一実施形態に係る有機ＥＬデバイス（有機デバイス）の製造方法で製造される有機ＥＬデバイス１０は、基板１２の主面１２ａ上に、陽極（第１の電極）１４と、有機機能層１８と、陰極（第２の電極）２０とが設けられたデバイス基材３０と、封止部材２２と、を備える。有機ＥＬデバイス１０は、例えば照明に使用される有機ＥＬ照明パネルである。
【００１４】
有機ＥＬデバイス１０は、陰極２０に電気的に接続された引出電極１６を備えてもよい。有機ＥＬデバイス１０は、基板１２側から光を出射する形態、又は、基板１２と反対側から光を出射する形態を取り得る。以下では、有機ＥＬデバイス１０として、引出電極１６を備えており、基板１２側（図１において陽極１４側）から光を出射する形態について説明する。
【００１５】
［基板］
基板１２は、有機ＥＬデバイス１０が出射する光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光を含む）に対して透光性を有する。基板１２はフィルム状を呈してもよく、基板１２の厚さの例は、３０μｍ以上７００μｍ以下である。
【００１６】
基板１２は、可撓性を有し、基板１２の例はプラスチックフィルム又は高分子フィルムである。基板１２の材料としては、例えばポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂が挙げられる。
【００１７】
基板１２には、有機ＥＬデバイス１０を駆動するための駆動回路（例えば、薄膜トランジスタなどを含む回路）が形成されていてもよい。このような駆動回路は、通常、透明材料から構成される。
【００１８】
基板１２は、水分バリア層を更に有してもよい。水分バリア層は、基板１２の表面上に設けられる。水分バリア層は、水分をバリアする機能に加えて、ガス（例えば酸素）をバリアする機能を有してもよい。水分バリア層は、例えばケイ素、酸素及び炭素からなる膜、ケイ素、酸素、炭素及び窒素からなる膜、又は、金属酸化物からなる膜で有り得る。具体的には、水分バリア層の材料の例は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム等である。水分バリア層の厚さの例は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
【００１９】
［陽極］
陽極１４は、基板１２の主面１２ａ上に設けられている。陽極１４には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。陽極１４は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。陽極１４の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。陽極１４の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２０】
陽極１４の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズが好ましい。陽極１４は、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。陽極１４の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、陽極１４は、透明導電膜として形成され得る。
【００２１】
［引出電極］
引出電極１６は、陽極１４と離間し且つ絶縁した状態で基板１２上に設けられている。引出電極１６は、陰極２０に接続されており、陰極２０を外部接続するために使用され得る。引出電極１６の材料及び厚さは、陽極１４と同様とし得る。
【００２２】
［有機機能層］
有機機能層１８は、陽極１４及び陰極２０に印加された電力（例えば電圧）に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイス１０の発光に寄与する機能部である。
【００２３】
本実施形態では、有機機能層１８は陽極１４の一部を覆うように設けられており、有機機能層１８の一部は、図１に示したように、陽極１４と引出電極１６との間の基板１２上にも配置されている。これにより、陽極１４と他の電極（例えば、陰極２０及び引出電極１６）との短絡が防止されている。
【００２４】
有機機能層１８は、光を発する機能層である発光層を有する。発光層の厚さは、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２５】
発光層は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又は、その有機物とその有機物を補助するドーパント材料とから形成される。ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。発光層に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。
【００２６】
主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物としては、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等が挙げられる。
【００２７】
色素系材料としては、例えばシクロペンダミン若しくはその誘導体、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリフェニルアミン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ピラゾロキノリン若しくはその誘導体、ジスチリルベンゼン若しくはその誘導体、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、ピロール若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、オリゴチオフェン若しくはその誘導体、オキサジアゾールダイマー若しくはその誘導体、ピラゾリンダイマー若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体等が挙げられる。
【００２８】
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体が挙げられる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。
【００２９】
高分子系材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、上記色素材料及び金属錯体材料の少なくとも一方を高分子化した材料等が挙げられる。
【００３０】
主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物を補助するドーパント材料としては、例えばペリレン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、スクアリウム若しくはその誘導体、ポルフィリン若しくはその誘導体、スチリル色素、テトラセン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、デカシクレン若しくはその誘導体、フェノキサゾン若しくはその誘導体等が挙げられる。
【００３１】
有機機能層１８は、発光層と、他の機能層を含む積層体でもよい。陽極１４と発光層との間に設けられる機能層としては、例えば正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。陰極２０と発光層との間に設けられる機能層としては、例えば電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の厚さは、有機ＥＬデバイス１０のデバイス性能などに応じて適宜設定され得る。
【００３２】
正孔注入層は、陽極１４から発光層への正孔注入効率を改善する機能を有する機能層である。正孔注入層の材料には、公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料としては、例えば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び、酸化アルミニウム等の酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及び、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体が挙げられる。
【００３３】
正孔輸送層は、陽極１４、正孔注入層又は陽極１４により近い正孔輸送層から発光層への正孔注入効率を改善する機能を有する機能層である。正孔輸送層の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送層の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等が挙げられる。正孔輸送層の材料としては、例えば特開２０１２−１４４７２２号公報に開示されている正孔輸層材料も挙げられる。
【００３４】
電子輸送層は、陰極２０、電子注入層又は陰極２０により近い電子輸送層から発光層への電子注入効率を改善する機能を有する機能層である。電子輸送層を構成する電子輸送材料には、公知の材料が用いられ得る。電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられる。
【００３５】
電子注入層は、陰極２０から発光層への電子注入効率を改善する機能を有する機能層である。電子注入層は、陰極２０の一部であってもよい。電子注入層の材料には、公知の電子注入材料が用いられ得る。電子注入層の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等が挙げられる。
【００３６】
上述した各種の機能層を含む有機機能層１８の層構成の例を以下に示す。
（ａ）（陽極）／発光層／（陰極）
（ｂ）（陽極）／正孔注入層／発光層／（陰極）
（ｃ）（陽極）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極）
（ｄ）（陽極）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
（ｅ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極）
（ｆ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極）
（ｇ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
（ｈ）（陽極）／発光層／電子注入層／（陰極）
（ｉ）（陽極）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。
【００３７】
有機機能層１８は単層の発光層を有していても２層以上の発光層を有していてもよい。電荷発生層を設けずに、複数の発光層を直接的に積層させて有機機能層１８を構成してもよい。なお、電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。
【００３８】
［陰極］
陰極２０は、有機機能層１８上に設けられている。本実施形態のように、有機ＥＬデバイス１０が引出電極１６を有する形態では、陰極２０は、引出電極１６に接続されるように、有機機能層１８上に設けられる。この場合、陰極２０の一部は、基板１２上に配置されてもよい。陰極２０の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極２０の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３９】
有機機能層１８からの光（具体的には、発光層からの光）が陰極２０で反射して陽極１４側に進むように、陰極２０の材料は、有機機能層１８が有する発光層からの光（特に可視光）に対して反射率の高い材料が好ましい。陰極２０の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表の１３族金属等が挙げられる。陰極２０として、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いてもよい。
【００４０】
［封止部材］
封止部材２２は、少なくとも有機機能層１８を封止するための部材である。封止部材２２は、陰極２０上に設けられている。本実形態において、封止部材２２は、陰極２０を覆うように設けられており、陽極１４の一部及び引出電極１６の一部が、封止部材２２から露出するように設けられている。このように陽極１４及び引出電極１６のうち封止部材２２の外部に位置する部分は、外部接続領域として機能する。封止部材２２は、封止基材２４と、粘着層２６と、樹脂フィルム２８を有する。
【００４１】
封止基材２４は、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。封止基材２４の例としては、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属を積層させたフィルム等が挙げられる。上記バリア機能層としては、例えば、前述の水分バリア層等が挙げられる。封止基材２４の厚さの例は、１０μｍ〜３００μｍである。金属箔としては、バリア性の観点から、銅箔、アルミニウム箔、ステンレス箔が好ましい。封止基材２４が金属箔である場合、金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ〜５０μｍが好ましい。
【００４２】
粘着層２６は、封止基材２４の第１主面２４ａに設けられており、基板１２の主面１２ａ上に、陽極１４、有機機能層１８及び陰極２０が形成されたデバイス基材３０に、封止基材２４を貼合するとともに、水分バリアのために用いられる。粘着層２６は、陽極１４、有機機能層１８及び陰極２０からなる積層構造を埋設可能な厚さを有していればよい。粘着層２６の厚さの例は、５μｍ〜１００μｍである。
【００４３】
粘着層２６は粘着剤からなる層であり、粘着剤は感圧型接着剤を意味する。粘着層２６の材料の例は、熱可塑性樹脂であり、粘着層用の熱可塑性樹脂としては、例えばオレフィン系エラストマーやスチレン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー等が挙げられる。断らない限り、本明細書において、「接着剤」の概念には、粘着剤の概念を含まない。すなわち、「接着剤」とは、感圧型接着剤以外の接着剤を意味する。
【００４４】
樹脂フィルム２８は、封止基材２４の第２主面（第１主面２４ａと反対側の面）２４ｂに設けられている。樹脂フィルム２８の厚さの例は、１０μｍ〜１００μｍであり、封止基材２４より厚くし得る。樹脂フィルム２８の材料としては、例えばＰＥＴ、ポリイミド（ＰＩ）などが挙げられる。
【００４５】
次に、図１に示した構成を有する有機ＥＬデバイス１０の製造方法の一例として、可撓性を有する長尺の基板１２を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する方法について説明する。図２に示したように、有機ＥＬデバイス１０の製造方法は、デバイス基材を形成する工程（以下、「デバイス基材形成工程」と称す）Ｓ１０と、デバイス基材と封止部材とを貼合する工程（以下、「貼合工程」と称す）Ｓ１１とを有する。
【００４６】
［デバイス基材形成工程］
図３及び図４に模式的に示したように、デバイス基材形成工程Ｓ１０では、長尺の基板１２上の長手方向に設定される複数のデバイス形成領域３２のそれぞれに、陽極１４、引出電極１６、有機機能層１８及び陰極２０が設けられたデバイス基材３０を形成する。デバイス形成領域３２は、有機ＥＬデバイス１０の製品サイズに対応する領域である。
【００４７】
図２に示したように、デバイス基材形成工程Ｓ１０は、陽極（第１の電極）を形成する工程Ｓ１０Ａ、有機機能層を形成する工程Ｓ１０Ｂ及び陰極（第２の電極）を形成する工程Ｓ１０Ｃを有する。工程Ｓ１０Ａ，工程Ｓ１０Ｂ及び工程Ｓ１０Ｃを、陽極形成工程Ｓ１０Ａ、有機機能層形成工程Ｓ１０Ｂ及び陰極形成工程Ｓ１０Ｃと称す。
【００４８】
＜陽極形成工程＞
陽極形成工程Ｓ１０Ａでは、複数のデバイス形成領域３２にそれぞれ陽極１４を形成する。この際、各デバイス形成領域３２に、陽極１４とともに、引出電極１６も形成する。
【００４９】
陽極１４及び引出電極１６は、有機ＥＬデバイス１０の製造において公知の方法で形成され得る。陽極１４及び引出電極１６の形成方法としては、例えば真空成膜法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、陽極１４及び引出電極１６を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズルプリント法等が挙げられる。
【００５０】
陽極１４及び引出電極１６は、例えば基板１２の主面１２ａ上に導電膜を作製した後に、その導電膜を、陽極１４及び引出電極１６それぞれのパターンにパターニングすることによって形成され得る。陽極１４及び引出電極１６は、陽極１４及び引出電極１６それぞれのパターンに対応した導電膜を直接作製することによって形成されてもよい。
【００５１】
＜有機機能層形成工程＞
有機機能層形成工程Ｓ１０Ｂでは、陽極１４上に有機機能層１８を形成する。有機機能層１８が有する発光層を形成する場合を例にして説明する。発光層の形成方法としては、例えば真空成膜法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、発光層を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、陽極１４（又は引出電極１６）を塗布法で形成する場合の説明で例示した塗布法が挙げられる。
【００５２】
有機機能層１８が発光層以外の機能層を含む場合、有機機能層１８の層構成に応じて陽極１４側から順に機能層を形成すればよい。各機能層の形成方法は、発光層の場合と同様とし得る。
【００５３】
＜陰極形成工程＞
陰極形成工程Ｓ１０Ｃでは、有機機能層１８上に陰極２０を形成する。陰極２０は、陽極１４の形成方法と同様の方法で形成され得る。本実施形態では、陰極形成工程Ｓ１０Ｃを経て得られた長尺のデバイス基材３０をロール状に巻き取って第１ロール３４（図６参照）とし、次の貼合工程Ｓ１１を実施する。
【００５４】
デバイス基材形成工程Ｓ１０において、陽極形成工程Ｓ１０Ａ、有機機能層形成工程Ｓ１０Ｂ及び陰極形成工程Ｓ１０Ｃのうち少なくとも一つの工程をロールツーロール方式で実施してもよい。例えば、有機機能層形成工程Ｓ１０Ｂをロールツーロール方式で実施してもよいし、有機機能層形成工程Ｓ１０Ｂ及び陰極形成工程Ｓ１０Ｃを連続的にロールツーロール方式で実施してもよい。
【００５５】
［貼合工程］
図５に模式的に示したように、貼合工程Ｓ１１では、デバイス基材形成工程Ｓ１０で形成されたデバイス基材３０と封止部材２２とを貼合することによって、有機ＥＬデバイス１０を形成する。貼合工程Ｓ１１では、デバイス基材３０と、封止部材２２との貼合にロールツーロール方式を採用している。すなわち、図６に示したように、長尺の封止部材２２を準備し、長尺の封止部材２２及び長尺のデバイス基材３０をロールツーロール方式で連続的に搬送しながら、一対の加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂとで加圧及び加熱することによって、それらを連続的に貼合する。図６を利用して、貼合工程Ｓ１１について詳説する。断らない限り、デバイス基材３０及び封止部材２２の長手方向に直交する方向を幅方向と称す。
【００５６】
まず、デバイス基材３０が巻かれてなる第１ロール３４を第１繰出し部３６にセットし、第１ロール３４からデバイス基材３０を繰り出す。繰り出されたデバイス基材３０を、一対の加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂに向けてガイドロール４０でガイドしながら搬送する。デバイス基材３０は、その長手方向に搬送される。
【００５７】
同様に、長尺の封止部材２２が巻かれてなる第２ロール４２を第２繰出し部４４にセットし、第２ロール４２から封止部材２２を繰り出する。繰り出された封止部材２２を、一対の加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂに向けてガイドロール４６でガイドしながら搬送する。封止部材２２もその長手方向に搬送される。
【００５８】
加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂは、それらの間に搬入されたデバイス基材３０及び封止部材２２を加熱できるように構成されている。加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂは、それらの間にデバイス基材３０と封止部材２２が搬入された際に、それらを所定の圧力で押圧できるように、離間して配置されている。
【００５９】
デバイス基材３０及び封止部材２２の搬送経路は、それらが加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂの間に搬入される際に、図５に示したように、基板１２の主面１２ａ側、具体的には、基板１２のうち陽極１４、有機機能層１８、陰極２０などが形成されている側と、封止部材２２の粘着層２６とが対向するように設定されていればよい。
【００６０】
加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂの間に搬入されたデバイス基材３０及び封止部材２２は、加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂとで加圧されるとともに加熱されながら貼合される。加熱時の温度（加熱温度）は、樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度以下であり、常温（例えば２３℃）以上、樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度未満であることが好ましく、５０℃〜８０℃がより好ましい。加熱温度は、デバイス基材３０および封止部材２２が、それぞれ加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂに接触してから貼合工程終了時まで、所定の温度を維持していることが好ましい。加熱時においては、封止部材２２の温度が上記の加熱温度の範囲に達していることが好ましいが、加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂの設定温度が、上記の加熱温度の範囲であってもよい。
【００６１】
加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂとにより、封止部材２２がデバイス基材３０に貼合されることで、各デバイス形成領域３２に有機ＥＬデバイス１０が形成される。したがって、封止部材２２とデバイス基材３０との貼合体である封止部材付きデバイス基材は、複数の有機ＥＬデバイス１０の連結体４８に対応する。一対の加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂとから送り出された連結体４８は、巻取り部５０で巻き取ればよい。
【００６２】
有機ＥＬデバイス１０の製造方法では、貼合工程Ｓ１１の後に、連結体４８を、デバイス形成領域３２ごとに切断する切断工程を実施してもよい。この切断工程により、製品サイズの有機ＥＬデバイス１０が得られる。
【００６３】
切断工程では、貼合工程Ｓ１１後の長尺の連結体４８を、その長手方向に搬送しながら、デバイス形成領域３２毎に基板１２を切断する。貼合工程Ｓ１１において、連結体４８をロール状に巻き取っている形態では、連結体４８のロールから、連結体４８を繰り出して、切断工程を実施すればよい。一形態では、貼合工程Ｓ１１で得られる連結体４８を、巻取り部５０で巻き取らずに、ガイドロールで搬送しながら連続的に切断工程を実施してもよい。
【００６４】
上記有機ＥＬデバイス１０が有する封止部材２２は、粘着層２６、封止基材２４及び樹脂フィルム２８の積層体であり、封止基材２４は、粘着層２６と樹脂フィルム２８で挟まれている。封止基材２４に粘着層２６とは別に樹脂フィルム２８を積層していることから、ロールツーロール方式によって封止部材２２をデバイス基材３０に連続的に貼合するために、封止部材２２をその長手方向に搬送しても、搬送過程で封止部材２２にシワが生じにくい。封止基材２４が金属箔である形態では、樹脂フィルム２８により金属箔表面の酸化が抑制され得る。
【００６５】
封止部材２２は粘着層２６を介してデバイス基材３０に貼合されることから、封止部材２２とデバイス基材３０とを重ねて加圧することで、それらを貼合可能である。封止部材２２及びデバイス基材３０に圧力を加える際に、加熱することで、デバイス基材３０上の凹凸に対する粘着層２６の追従性が向上するとともに、粘着層２６のデバイス基材３０への密着性も向上する。
【００６６】
封止部材２２とデバイス基材３０との貼合時の加熱は、主に、上述した粘着層２６の凹凸追従性の向上、密着性の向上などのためである。粘着剤の概念を含まない接着剤からなる接着層は、密着性を向上させるために、樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度よりも高い温度で加熱することが多い。しかし、本実施形態の封止部材２２は、粘着層２６を採用していることで、樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度以下でも、粘着層２６の凹凸追従性を向上させ、密着性を向上させることができる。このように、加熱温度を樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度以下に設定できることから、封止基材２４が有する樹脂フィルム２８の幅方向の収縮が抑制され、封止部材２２のシワが生じにくい。よって、封止部材２２とデバイス基材３０との貼合時に、封止部材２２のシワに起因した、封止部材２２とデバイス基材３０との間への気泡の混入が生じにくく、気泡による有機ＥＬデバイス１０の劣化を抑制できる。
【００６７】
貼合工程Ｓ１１では、ロールツーロール方式を採用し、長尺の封止部材２２と長尺のデバイス基材３０をそれぞれの長手方向に搬送しながら、連続的に貼合している。この場合、封止部材２２及びデバイス基材３０のそれぞれの搬送方向の反りを、封止部材２２及びデバイス基材３０に加える張力の調整により抑制可能である。
【００６８】
樹脂フィルム２８は厚い方が、加熱された際に幅方向の熱収縮が抑制される傾向にある。したがって、樹脂フィルム２８が封止基材２４より厚い形態では、樹脂フィルム２８が封止基材２４の厚さ以下の場合に比べ、貼合時の加熱による幅方向のシワの発生を更に抑制できる。その結果、封止部材２２とデバイス基材３０との間に気泡が更に混入しにくい。
【００６９】
有機ＥＬデバイス１０の製造方法の作用効果を実験で検証した。実験について説明する。  実験では、幅の長さが３００ｍｍのデバイス基材３０と、幅の長さが３００ｍｍの封止部材２２とを準備した。
【００７０】
準備したデバイス基材３０の構成は、図３及び図４に示したとおりであった。有機機能層１８の構成としては、上記（ｆ）の構成、すなわち、陽極１４側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層されている構成であった。
【００７１】
封止部材２２は、封止基材２４を粘着層２６と樹脂フィルム２８で挟んだ積層体であった。封止基材２４には、厚さが３０μｍのアルミニウム箔を使用した。粘着層２６の材料には、オレフィン系エラストマーを用い、粘着層２６の厚さは、３０μｍであった。樹脂フィルム２８には、厚さが５０μｍのＰＥＴフィルム（ガラス転移温度：約７０℃）を用いた。
【００７２】
準備した封止部材２２とデバイス基材３０とをそれぞれ長手方向に搬送し、一対の加熱ロール３８Ａと加熱ロール３８Ｂとで貼合した。封止部材２２とデバイス基材３０の搬送速度は、５ｍ／分であった。搬送時には、封止部材２２及びデバイス基材３０の幅方向の長さである３００ｍｍあたり３０Ｎの張力を印加した。貼合時の圧力は０．１ＭＰａであり、加熱温度は、５０℃であった。貼合後に、封止部材２２のシワを目視で確認した結果、シワは発生していなかった。
【００７３】
封止部材２２が有する樹脂フィルム２８の材料であるＰＥＴのガラス転移温度は、７０℃であることから、貼合時の加熱温度は、樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度以下である。そのため、粘着層２６を採用し且つ貼合時の加熱温度を樹脂フィルム２８の材料のガラス転移温度以下の温度に設定することで、封止部材２２のシワを抑制できていることが検証された。
【００７４】
以上、本発明の種々の実施形態及び実施例について説明した。しかしながら、本発明は上述した種々の実施形態及び実施例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【００７５】
本発明は、基板側（図１では陽極側）から光を発する形態に限定されず、基板と反対側（図1では陰極側）から光を発生する有機ＥＬデバイスにも適用可能である。本発明は、有機ＥＬデバイス以外の有機デバイス、例えば、有機太陽電池、有機フォトディテクタ、有機トランジスタなどにも適用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１０…有機ＥＬデバイス（有機デバイス）、１２…基板、１２ａ…主面、１４…陽極（第１の電極）、１８…有機機能層、２０…陰極（第２の電極）、２２…封止部材、２２…封止部材、２４…封止基材、２４ａ…第１主面、２４ｂ…第２主面、２６…粘着層、２８…樹脂フィルム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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