(57)【要約】  ポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドから製造されたディスク基板が開示されている。この基板は、寸法安定性と良好な成形特徴を有するデータ記憶媒体に使用することができる。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（アリーレンエーテル）樹脂及びポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドを含む基板層を含んでなるデータ記憶媒体であって、前記基板層がランド及びグルーブを含む表面を含んでおり、前記ランド及びグルーブが約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有する、前記データ記憶媒体。
【請求項２】
基板層が約０．２〜約２．５ミリメートルの厚さを有しており、ランドが約１０〜約２００ナノメートルの幅及び約１０〜約１００ナノメートルの高さを有しており、グルーブが約１０〜約２００ナノメートルの幅及び約１０〜約１００ナノメートルの高さを有する、請求項１記載のデータ記憶媒体。
【請求項３】
基板層が約９０パーセント以上のランド及びグルーブ複製率を有する、請求項１記載のデータ記憶媒体。
【請求項４】
ブレンドが目に見える微粒子不純物を実質的に含まない、請求項１記載のデータ記憶媒体。
【請求項５】
さらに基板上に配置されたデータ層を含んでおり、データ層のデータが、約７００ナノメートル未満の波長及び約０．６以上の開口数レンズを有するレーザーを用いて読み出すことができる、請求項１記載のデータ記憶媒体。
【請求項６】
さらにデータ層上で基板層と反対側に配置された光学層を含んでおり、光学層がポリカーボネート又はシリコーンハードコートからなる、請求項５記載のデータ記憶媒体。
【請求項７】
データ記憶媒体が、８０℃で９６時間後５５ミリメートルの半径で０．５度以下のラジアルチルト変化値を示す、請求項６記載のデータ記憶媒体。
【請求項８】
重量比約４０：６０〜約６０：４０のポリ（アリーレンエーテル）樹脂及びポリスチレン樹脂のブレンドを含んでなる基板層と、
基板層上に配置されたデータ層と、
データ層上で基板と反対側に配置された光学層と
を含んでなるデータ記憶媒体であって、前記光学層は１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート又はビスフェノール−Ａポリカーボネートを含んでなり、
当該データ記憶媒体は８０℃で９６時間後５５ミリメートルの半径で０．３５度以下のラジアルチルト変化値を示す、前記データ記憶媒体。
【請求項９】
データ層のデータが、約４１０ｎｍ未満の波長及び約０．８より大きいレンズ開口数を有するレーザーを用いて読み出すことができ、データ記憶媒体が約２２ギガバイトより大きい記録容量及び毎秒約３５メガバイトより大きい転送速度を有する、請求項８記載のデータ記憶媒体。
【請求項１０】
ポリ（アリーレンエーテル）樹脂及びポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドを含んでなる基板層と、
基板層を覆って配置されたデータ層と、
データ層を覆って基板層と反対側に配置された光学層と
を含んでなるデータ記憶媒体であって、
基板層がランド及びグルーブを含む表面を含んでおり、
ランド及びグルーブが約０．２７５〜約０．３５マイクロメートルのピッチを含んでおり、
データ層が相変化型カルコゲナイド合金を含んでなり、データ層のデータが、約４１０ｎｍ未満の波長及び約０．８より大きいレンズ開口数を有するレーザーを用いて読み出すことができ、
光学層が約０．０５０〜約０．１２５ｍｍの厚さであり、
データ記憶媒体が約２５ギガバイトより大きい記録容量及び毎秒約３５メガバイトより大きい転送速度を有する、前記データ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク基板及びこの基板から作成されたデータ記憶媒体構造に関し、この媒体は様々な環境条件に曝露した際に良好な寸法安定性を有する。
【背景技術】
【０００２】
光媒体、磁気媒体、読み出し専用媒体、追記型媒体、書き換え可能媒体、及び光磁気（ＭＯ）媒体のような現行の高性能記憶技術は高い記憶容量の各種手段を提供している。通例ディスク表面積１平方インチ当たりの十億ビット数（すなわち、ギガビット／平方インチ（Ｇビット／ｉｎ２））として表される面積密度は、線密度（トラック１インチ当たりの情報のビット数）に１インチ当たりのトラック数で表されるトラック密度を乗じたものである。改良された面積密度はメガバイト当たりの価格低減の鍵となる要因の一つであり、データ記憶媒体の面積密度のさらなる増大が産業界で求められ続けている。
【０００３】
ディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）並びにディジタルビデオレコーダー（ＤＶＲ）のような短期及び長期データアーカイブ用のより高密度のデータディスクのような最新の技術に適応するためにデータ記憶密度の増大が求められている。面積密度の増大の結果、光学記憶媒体を始めとするデータ記憶媒体の要件がますます厳しくなっている。複数の層（任意追加の層に加えて光学層、データ層、及び基板層）を有する光データ記憶媒体、次第に短くなる読み出し及び書き込み波長、並びに「第１表面(first surface)」技術に向けたより薄い光学層が、光データ記憶デバイスの分野で熱心な努力の対象となっている。かかる記憶媒体の場合、光学層の光学品質が重要である。一方、基板の光学品質は関係ないが、基板の物理的及び機械的性質はますます重要になる。第１表面用途を始めとして高い面積密度用途の場合、記憶媒体の表面品質は、読み出しデバイスの精度、データを記憶する能力、及び基板の複製特性に影響を及ぼす可能性がある。さらに、使用中の記憶媒体の物理的特性はデータを記憶し検索する能力にも影響を及ぼす可能性がある。すなわち、媒体の軸方向変位があまりに大きすぎるとデータの正確な検索を妨げるか及び／又は読み出し／書き込みデバイスを損傷する可能性がある。
【０００４】
最近の高解像度ＴＶの進歩は、業界でＢＬＵ−ＲＡＹ  ＤＩＳＣという商標の下でディジタルビデオ記録（ＤＶＲ）として知られている独特な高密度の記録媒体を必要とする。ＤＶＲディスクアセンブリは一般に、基板上に金属化され透明な接着剤を介して光学層で被覆されたデータ記憶層を含んでいる。基板は通例ポリマー性物質であり、これは光学層と同じ物質であってもよいしそうでなくてもよい。このアセンブリはディスクの平坦性に関する業界標準規格を満足しなければならず、それからの偏りはラジアルチルトといわれる。アセンブリがその使用中及びその寿命に渡って曝される環境に対してラジアルチルトの最小の変化が要求される。
【０００５】
データ記憶媒体の物理的及び機械的性質を最適化するための材料と方法が絶えず追求されている。光データ記憶媒体に使用される材料の設計要件としては、例えば、ディスクの平坦性（例えば、チルト）、低い水歪み、低い複屈折、高い透明性、耐熱性、延性、高い純度、及び基板材料中の最小の微粒子不純物濃度がある。審美的に美しい製品にとって、また読み出しの精度、データ記憶、及び複製を維持するのに充分な表面品質を得るために、低い微粒子濃度が望ましい。現在用いられている材料は１以上の設計要件を欠如していることが分かっており、光データ記憶媒体でより高いデータ記憶密度を達成するためには新しい材料が必要とされている。このため、設計要件、殊に良好な寸法安定性及び最小のチルトを満足するデータ記憶媒体に対する長い間切望されているが未だに満たされていないニーズが存在する。
【０００６】
ディスクの平坦性に加えて、ディスクアセンブリはまた、凹凸（フィーチャ）の複製に対する最小の規格も満たさなければならない。通例、ディスク基板は、マイクロメートル又はナノメートル範囲の特定の寸法を有するあるパターンの凹凸を含む金型インサート又は「スタンパー」を含有する金型マスターを用いて成形される。成形されたとき、ディスク基板は、スタンパーパターンの「ネガ」としてランド及びグルーブのパターンを呈する。こうして複製されたパターンは、スタンパー上のパターンと実質的に同一の寸法の凹凸をもたなければならない。高い面積密度能を保有する記憶媒体では、スタンパーの凹凸の寸法の９０パーセント以上の複製率が要求されることが多い。
【特許文献１】米国特許第３３０６８７４号明細書
【特許文献２】米国特許第３３０６８７５号明細書
【特許文献３】米国特許第３３６５４２２号明細書
【特許文献４】米国特許第３３８３４３５号明細書
【特許文献５】米国特許第３４５１４６２号明細書
【特許文献６】米国特許第３６３５８９５号明細書
【特許文献７】米国特許第３６３９６５６号明細書
【特許文献８】米国特許第３６４２６９９号明細書
【特許文献９】米国特許第３６６１８４８号明細書
【特許文献１０】米国特許第３７３３２９９号明細書
【特許文献１１】米国特許第３８３８１０２号明細書
【特許文献１２】カナダ特許第１０６３７６１号明細書
【特許文献１３】欧州特許出願公開第１１０２１２２号明細書
【特許文献１４】欧州特許出願公開第０２２５８０１号明細書
【特許文献１５】欧州特許出願公開第０２７１０００号明細書
【特許文献１６】欧州特許出願公開第０２９５８９１号明細書
【特許文献１７】特開平８−０５５３４１号公報
【特許文献１８】特開平９−０３５３３０号公報
【特許文献１９】米国特許第３９６２１８１号明細書
【特許文献２０】米国特許第３９７３８９０号明細書
【特許文献２１】米国特許第４００１１８４号明細書
【特許文献２２】米国特許第４０５４５５３号明細書
【特許文献２３】米国特許第４０８３８２８号明細書
【特許文献２４】米国特許第４０９２２９４号明細書
【特許文献２５】米国特許第４２１７４３８号明細書
【特許文献２６】米国特許第４３７３０６５号明細書
【特許文献２７】米国特許第４４２１４７０号明細書
【特許文献２８】米国特許第４４４１１７９号明細書
【特許文献２９】米国特許第４６８０２１１号明細書
【特許文献３０】欧州特許出願公開第０３０３２０９号明細書
【特許文献３１】欧州特許出願公開第０６４２１２４号明細書
【特許文献３２】欧州特許出願公開第０６９１３６１号明細書
【特許文献３３】欧州特許出願公開第０７２４２５９号明細書
【特許文献３４】欧州特許出願公開第０７７０６３７号明細書
【特許文献３５】特開平９−０５４９８２号公報
【特許文献３６】特開平１１−２６８０９８号公報
【特許文献３７】米国特許第４７６０１１８号明細書
【特許文献３８】米国特許第４８０８２６２号明細書
【特許文献３９】米国特許第４８４５１４２号明細書
【特許文献４０】米国特許第４９８７１９４号明細書
【特許文献４１】米国特許第４９９２２２２号明細書
【特許文献４２】米国特許第４９９４２１７号明細書
【特許文献４３】米国特許第５０５３２８８号明細書
【特許文献４４】米国特許第５１０２５９１号明細書
【特許文献４５】米国特許第５２０４４１０号明細書
【特許文献４６】米国特許第５２５０４８６号明細書
【特許文献４７】米国特許第５２８３０２１号明細書
【特許文献４８】欧州特許出願公開第１０３１９７２号明細書
【特許文献４９】欧州特許出願公開第１０４７０５５号明細書
【特許文献５０】欧州特許出願公開第１１３０５８７号明細書
【特許文献５１】欧州特許出願公開第０１６７４１９号明細書
【特許文献５２】欧州特許出願公開第１１６７４２０号明細書
【特許文献５３】特開２０００−０９９９７３号公報
【特許文献５４】特開２０００−１４９２９６号公報
【特許文献５５】米国特許第５４８０９５９号明細書
【特許文献５６】米国特許第５５８６１１０号明細書
【特許文献５７】米国特許第５６０７７００号明細書
【特許文献５８】米国特許第５８３３８４８号明細書
【特許文献５９】米国特許第６０４２７５４号明細書
【特許文献６０】米国特許第６１０９９１０号明細書
【特許文献６１】米国特許第６３０６９７８号明細書
【特許文献６２】米国特許第６３６５７１０号明細書
【特許文献６３】米国特許第６３７２１７５号明細書
【特許文献６４】米国特許第６４０７２００号明細書
【特許文献６５】米国特許第６４２００３２号明細書
【特許文献６６】欧州特許出願公開第１１６７４２１号明細書
【特許文献６７】特開平２−１０７６５１号公報
【特許文献６８】特開平９−２３７４３７号公報
【特許文献６９】特開平１−９２２０９号公報
【特許文献７０】特開平２−２０８３４２号公報
【特許文献７１】特開２０００−１５５９７０号公報
【特許文献７２】特開２００１−０６０３３８号公報
【特許文献７３】米国特許第６４３７０８４号明細書
【特許文献７４】米国特許第６４４４７７９号明細書
【特許文献７５】米国特許第６４６９１２８号明細書
【特許文献７６】米国特許第６４９２４８６号明細書
【特許文献７７】米国特許出願公開第２００２／００６２０５４号明細書
【特許文献７８】米国特許出願公開第２００２／００９４４５５号明細書
【特許文献７９】米国特許出願公開第２００２／０１９７４３８号明細書
【特許文献８０】米国特許出願公開第２００２／０１９７４４１号明細書
【特許文献８１】米国特許出願公開第２００３／００４４５６４号明細書
【特許文献８２】米国特許出願公開第２００３／００６７０８９号明細書
【特許文献８３】米国特許第６３９７７７６号明細書
【特許文献８４】特開昭６３−１２４２４４号公報
【特許文献８５】特開昭６３−１３７２２号公報
【特許文献８６】特開昭６３−２５６４２７号公報
【特許文献８７】特開昭６３−３０１２４７号公報
【特許文献８８】特開昭６３−３０９５４７号公報
【特許文献８９】特開２００１−０６７７２６号公報
【特許文献９０】特開昭５８−１４７３３２号公報
【特許文献９１】特開昭６３−８６７３８号公報
【特許文献９２】特開昭６３−９１２３１号公報
【特許文献９３】特開昭６３−９１２３２号公報
【特許文献９４】特開昭６４−４２６０１号公報
【特許文献９５】国際公開第９８／２０５５５号パンフレット
【特許文献９６】特開平６−０９３０１４号公報
【特許文献９７】特開昭６２−２９０７３４号公報
【特許文献９８】国際公開第９９／５９１４３号パンフレット
【特許文献９９】国際公開第０１／１１６１８号パンフレット
【特許文献１００】国際公開第０２／４３９４３号パンフレット
【非特許文献１】ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ａｔｏｎｉｆａ．ｃｏｍ／ｇｒｏｕｐｅ／ｇｂ／ａｃｔｕｃｏｍｍ／ｐｒｉｎｔ．ｃｆｍ？ＩｄＣｏｍｍ＝５０５２
【非特許文献２】ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｄｆｒｅａｋｓ．ｃｏｍ／ｐｒｉｎｔ／ａｒｔｉｃｌｅ／８３／１０
【非特許文献３】ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｏｎｙ．ｎｅｔ／ＳｏｎｙＩｎｆｏｒ／Ｎｅｗｓ／Ｐｒｅｓｓ／２００２０２／０２−０２１９Ｅ）
【非特許文献４】Ｃｈａｎｇｅ，ｅｔ．ａｌ，「Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  Ｃｈａｒａｃｅｒｉｓｔｉｃｓ  ｏｆ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ  ｏｎ  Ｔｈｉｎ  Ｃｏｖｅｒ  Ｌａｙｅｒ  ｏｆ  ＨＤ−ＤＶＤ」、ＭＢ．２  １００：００〜１１：ｓｔ，ａｍ．２００２，ｐｐ．１５−１７
【非特許文献５】Ｄｅｒｃｅ，ｅｔ  ａｌ．”Ｃｏｖｅｒ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  Ｈｉｇｈ−Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ−Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｉｄｅｏ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ”  Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３９．（２０００）ｐｐ．７７５−７７８
【非特許文献６】Ｙａｍａｍｏｔｏ，ｅｔ  ａｌ．”０．８−Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ−Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｔｗｏ−Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ  Ｌｅｎｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｉｓｋ”  Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐｐ．４５６−４５９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現在利用できる材料と方法では、高い面積密度容量を有するデータ記憶媒体に必要とされる規格に一貫して確実に合致するのは困難である。従って、当技術分野では、ディスク基板の寸法安定性及びグルーブ寸法複製率を最大化するデータ記憶媒体構造に対するニーズが残されている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一つの実施形態において、データ記憶媒体は、ポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を有しており、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本明細書には、非対称のデータ記憶媒体アセンブリについて記載されている。一つの実施形態において、本データ記憶媒体は、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層、この基板層の上に配置されたデータ層、及びデータ層の上で基板と反対側に配置された光学層を含む複数の層からなり、この光学層はポリカーボネートからなる。場合により、このデータ記憶媒体はさらに、基板と反対側に光学層を覆って配置された高モジュラス層を含んでいる。
【００１０】
データ記憶媒体の性能は、基板の成形プロセス中のグルーブ付きパターンの複製度、及び記憶媒体の平坦性によって影響を受ける。非対称であるデータ記憶媒体形式（例えば、ＤＶＲ又はＢＬＵ−ＲＡＹ  ＤＩＳＣ）の場合、光学層は支持するディスク基板より薄いことが多く、いろいろな材料から製造することができる。この非対称構造は特に、温度や湿度の変化のような周囲の環境の変化によって引き起こされるディスクのチルト又は湾曲を受け易い。この湾曲は、光ドライブの劣悪な性能につながる球面収差を引き起こす。データディスクアセンブリ全体の改良された寸法安定性を提供する特定の材料組成物が本明細書に開示される。この技術は、環境の湿度や温度の変化によって引き起こされるデータディスク媒体アセンブリの湾曲の変動を最小限に抑える。
【００１１】
アセンブリが様々な環境条件に曝露されたときにデータディスク媒体のチルトの変化を最小限に抑えることは、ディスク性能の保持にとって重要である。様々な環境条件に曝露されたときに異なる収縮率又は膨張率を示す材料の層からなるアセンブリのチルトに影響を及ぼす点で、時間、温度、及び湿度が全て関与する。データディスクアセンブリの寸法安定性を決定するための予測試験は、ディスクアセンブリを８０℃で所定の時間熱老化した後ラジアルチルトを測定することによって行うことができる。もう一つ別の予測試験ではデータディスクアセンブリを周囲温度に曝露するが、湿度レベルのサイクルにかけ、そのサイクルプロセスの間にディスクのチルトを測定する。
【００１２】
環境条件の変化の下でデータディスクアセンブリのチルト傾向は、光学層及び基板層の組成並びにこれらの層とアセンブリを製造するのに使用した加工処理条件に依存することが確認されている。本明細書で、本発明者らは、熱及び／又は湿度によって引き起こされるラジアルチルトを最小限に抑えながら、同時に基板の複製度を最大化するための特定の組成と加工処理条件を開示する。
【００１３】
本発明で使用する場合、用語「チルト（傾斜）」とは、データ記憶媒体が水平軸上で曲がる半径方向の度合いの数をいい、通例記憶媒体の外側の半径で垂直方向の偏りとして測定される。通例、半径５５ミリメートルで測定される最大の許容されるチルト範囲は約０．５０度、好ましくは約０．３５度である。通例、ラジアルチルトは、ある角度でディスクに入射するレーザービームの偏向を測定することによって決定される。幾何学的要件から、レーザービームの偏向はラジアルチルト角度の二倍に等しい。これは半径方向の偏りとして表示され、度で測定したチルト角度の二倍である。
【００１４】
既に述べた通り、光媒体形式の開発者は現在、追加の情報層を加えたり、レーザー波長を短くしたり、及び／又は開口数を増大したりすることによって得られる増大した面積密度を有する再記録可能な（追記型）光媒体形式に近づいている。光学記憶媒体で高面積密度に到達するために、読み出し／書き込みデバイスのレーザービームスポットの直径（すなわち、媒体に突き当たるレーザー光ビームの直径）はできる限り小さいのが好ましい。レーザービームスポットの直径は大まかにいって、レーザー光の波長を開口数で割った値である。開口数はそのレンズ系の集光能の目安である。現状のＢＬＵ−ＲＡＹ  ＤＩＳＣ技術では４０５ナノメートルの波長を有する青紫色レーザーともいわれる青色レーザーを使用している。比較として、ＣＤを読み出すのに使用するレーザーの波長は７８０ナノメートルである。
【００１５】
増大した面積密度を得るために光データ記憶ディスクのグルーブ及びランドのパターンの大きさが小さくなるにつれて、そのパターンを含む基板の表面品質がますます重要になって来る。現状の光データ記憶ディスクはランド及びグルーブ形式でデータを記憶しており、その際データはグルーブか、或いは、グルーブとランドの両方に記憶される。高面積ディスクの基板はランドとグルーブのパターンを含むように成形される。正確なデータの記憶と検索のために、ランドとグルーブのパターンは高い精度でディスク基板上に複製されるのが望ましい。従って、基板を製造するのに使用する材料は良好な表面平滑性と同様に良好な複製率を提供するべきである。成形された基板の表面におけるゲルや黒斑のような微粒子不純物は、ランドとグルーブのパターンの表面品質を妨害することがある。殊に、より高い面積密度に適応するためにランドとグルーブのパターンの大きさがより小さいトラックピッチ、グルーブの深さ、及び幅に低減する場合である。例えば、現状のＢＬＵ−ＲＡＹ  ＤＩＳＣ規格は約３２０ナノメートルピッチであり、対応するグルーブの深さと幅はそのピッチよりずっと小さい。
【００１６】
例えば、図１を参照して、データ検索では、データ記憶層１０を、かかる層に入射する光ビーム２０（白色光、レーザー光、その他）と接触させる。データ記憶層１０と基板４０との間に配置された反射層３０が光を反射し、データ記憶層１０、接着剤層５０、光学層６０を通って読み出し／書き込みデバイス１００に戻し、そこでデータが検索される。グルーブ７０とランド８０の形式を図１に示す。この図は正確な縮尺ではない。
【００１７】
本発明において、典型的なデータ記憶媒体は複数のポリマー性及び／又は金属性構成成分から構成されており、これらは一般にデータ記憶媒体の個々の用途の特定の性質及び要件に応じて様々な厚さの水平層として重ねて組み合わせられている。データ記憶媒体の主要な構成成分は基板層である。この基板層は通例ポリマー性材料、好ましくはポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなるポリマー性材料から製造される。このポリマー性材料は、ほぼ室温（約２５℃）〜約１５０℃以下のスパッタリング温度のような後の加工処理パラメーター（例えば、後の層の設置）及び後の貯蔵条件（例えば、約７０℃以下の暑い車の中）に耐えられなければならない。
【００１８】
本明細書で使用する場合、用語「熱可塑性ポリマー」とは、当技術分野では熱可塑性樹脂ともいわれるが、繰返し加熱すると軟化し冷却すると硬化する巨大分子構造を有する材料と定義される。具体的な種類の熱可塑性ポリマーとしては、例えば、スチレン、アクリル、ポリエチレン、ビニル、ナイロン、及びフルオロカーボンがある。本明細書で使用する場合、用語「熱硬化性ポリマー」とは、当技術分野では熱硬化性樹脂ともいわれるが、最初に加熱したときに固化又は硬化するが、その当初の特性を破壊することなしには再溶融又は再成形するすることができない材料と定義される。具体的な種類の熱硬化性ポリマーとしては、例えば、エポキシド、メラミン、フェノール樹脂、及び尿素がある。
【００１９】
基板は好ましくはポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる。用語ポリ（アリーレンエーテル）には、ポリ（フェニレンエーテル）（ＰＰＥ）及びポリ（アリーレンエーテル）コポリマー、グラフトコポリマー、ポリ（アリーレンエーテル）エーテルアイオノマー、アルケニル芳香族化合物、ビニル芳香族化合物、及びポリ（アリーレンエーテル）のブロックコポリマー、など、並びに以上のものを１種以上含む組合せ、などがある。ポリ（アリーレンエーテル）は、次式（Ｉ）の構造単位を複数含むそれ自体公知のポリマーである。
【００２０】
【化１】
2007504582.tif 000002
式中、各構造単位に対して、各Ｑ１は独立してハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル（例えば、７個以下の炭素原子を含有するアルキル）、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、又は２個以上の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子とを隔てているハロ炭化水素オキシ、などであり、各Ｑ２は独立して水素、ハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、炭化水素オキシ、又は２個以上の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子とを隔てているハロ炭化水素オキシ、などである。用語「ハロアルキル」は１個以上のハロゲン原子で置換されたアルキル基、例えば部分的に及び完全にハロゲン化されたアルキル基を含むものと了解されたい。好ましくは、各Ｑ１がアルキル又はフェニル、殊にＣ１〜Ｃ４アルキルであり、各Ｑ２が水素又はＣ１〜Ｃ４アルキルである。
【００２１】
ホモポリマーとコポリマーの両方のポリ（アリーレンエーテル）が包含される。好ましいホモポリマーは２，６−ジメチルフェニレンエーテル単位を含有するものである。適切なコポリマーには、例えば、かかる単位を２，３，６−トリメチル−１，４−フェニレンエーテル単位と組み合わせて含有するランダムコポリマー、又は２，６−ジメチルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールの共重合により誘導されたコポリマーがある。また、ビニルモノマー若しくはポリスチレンのようなポリマーをグラフト化することにより製造された部分を含有するポリ（アリーレンエーテル）、並びに低分子量ポリカーボネート、キノン類、複素環式化合物、及びホルマール類のようなカップリング剤を２つのポリ（アリーレンエーテル）鎖のヒドロキシ基と公知の方法で反応させてより高分子量のポリマーを生成せしめてなるカップル化ポリ（アリーレンエーテル）も包含される。ポリ（アリーレンエーテル）にはさらに以上のものを１種以上含む組合せもある。好ましいポリ（アリーレンエーテル）は、Ｓｉｎｇｈらの米国特許第６４０７２００号及びＢｉｒｓａｋらの同第６４３７０８４号に記載されているもののようなポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）及びポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル−コ−２，３，６−トリメチルフェニレンエーテル）である。
【００２２】
ポリ（アリーレンエーテル）は一般に、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで決定して、数平均分子量が約３０００〜４００００原子質量単位（ａｍｕ）で、重量平均分子量が約２００００〜８００００ａｍｕである。ポリ（アリーレンエーテル）はクロロホルム中２５℃で測定して約０．１０〜約０．６０デシリットル／グラム（ｄｌ／ｇ）の範囲の固有粘度（ＩＶ）を有し得る。この範囲内でＩＶは約０．４８以下が好ましく、約０．４０以下がより好ましい。また、この範囲内でＩＶは約０．２９以上が好ましく、約０．３３ｄｌ／ｇ以上がより好ましい。また、高い固有粘度のポリ（アリーレンエーテル）と低い固有粘度のポリ（アリーレンエーテル）を組み合わせて利用することも可能である。２つの固有粘度を使用する場合、正確な比の決定は、使用するポリ（アリーレンエーテル）の正確な固有粘度及び目的とする最終的な物理的性質に多少依存する。
【００２３】
ポリ（アリーレンエーテル）は通例、１種以上のモノヒドロキシ芳香族化合物、例えば２，６−キシレノール又は２，３，６−トリメチルフェノールの酸化カップリングによって製造される。かかるカップリングに一般に使用される触媒系は、通例、銅、マンガン、又はコバルトの化合物のような１種以上の重金属化合物を、通常は様々な他の物質と組み合わせて含有している。
【００２４】
一つの実施形態において、ポリ（アリーレンエーテル）は末端封鎖ポリ（アリーレンエーテル）からなる。この末端封鎖は、ポリ（アリーレンエーテル）鎖上の末端ヒドロキシ基の酸化を防止するために使用できる。末端ヒドロキシ基は、例えばアシル化反応を介して不活性化用の末端封鎖剤で末端封鎖することによって不活性化することができる。選択される末端封鎖剤は、反応性の低いポリ（アリーレンエーテル）を生成することにより、ポリマー鎖の架橋及び高温における加工処理中のゲル又は黒斑の生成を低減又は防止するものが望ましい。適切な末端封鎖剤としては、例えば、サリチル酸、アントラニル酸、若しくはこれらの置換された誘導体、などのエステルがあり、サリチル酸のエステル、殊にサリチル酸カーボネート及び線状のポリサリチレートが好ましい。本明細書で使用する場合、用語「サリチル酸のエステル」は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、又は両方がエステル化されている化合物を包含する。適切なサリチレートとしては、例えば、サリチル酸フェニルのようなアリールサリチレート、アセチルサリチル酸、サリチル酸カーボネート、並びにポリサリチレート、例えば線状ポリサリチレート及びジサリチリドやトリサリチリドのような環状化合物がある。好ましい末端封鎖剤はサリチル酸カーボネート及びポリサリチレート、殊に線状ポリサリチレートである。末端封鎖する場合、ポリ（アリーレンエーテル）は８０パーセント以下、より好ましくは約９０パーセント以下の任意の望ましい程度に末端封鎖することができ、より一層好ましくは１００パーセント以下のヒドロキシ基を末端封鎖する。ポリ（アリーレンエーテル）はポリマーの製造中の反応器内で末端封鎖してもよいし、又はポリ（アリーレンエーテル）は押出機を使用して末端封鎖してもよい。適切な末端封鎖ポリ（アリーレンエーテル）とその製造は、Ｗｈｉｔｅらの米国特許第４７６０１１８号及びＢｒａａｔらの同第６３０６９７８号に記載されている。
【００２５】
また、ポリサリチレートで末端封鎖されたポリ（アリーレンエーテル）は、ポリ（アリーレンエーテル）鎖中に存在するアミノアルキル末端停止基の量を低減すると考えられる。これらのアミノアルキル基は、ポリ（アリーレンエーテル）を製造する工程中のアミンを使用する酸化カップリング反応の結果である。ポリ（アリーレンエーテル）の末端ヒドロキシ基に対してオルトのこれらのアミノアルキル基は高温で分解を受け易い。この分解により第一又は第二アミンが再生されると共にキノンメチド末端基が生成し、その結果２，６−ジアルキル−１−ヒドロキシフェニル末端基が生成し得ると考えられる。アミノアルキル基を含有するポリ（アリーレンエーテル）をポリサリチレートで末端封鎖すると、かかるアミノ基が除去されてポリマー鎖の封鎖された末端ヒドロキシ基と２−ヒドロキシ−Ｎ，Ｎ−アルキルベンズアミン（サリチルアミド）が生成すると考えられる。このアミノ基の除去と末端封鎖により、高温に対してより安定なポリ（アリーレンエーテル）が得られ、その結果ポリ（アリーレンエーテル）の加工処理中のゲル又は黒斑のような分解産物が少なくなる。
【００２６】
上記に基づいて、考えられるポリ（アリーレンエーテル）樹脂には、構造単位の変化又は付随する化学的特徴に関わりなく、現在公知のポリ（アリーレンエーテル）樹脂の多くが包含され得ることが当業者には明かであろう。
【００２７】
本発明の基板はさらにポリ（アルケニル芳香族）樹脂を含み得る。本明細書で使用する用語「ポリ（アルケニル芳香族）樹脂」には、バルク、懸濁、及び乳化重合を始めとする当技術分野で公知の方法で製造されたポリマーが包含され、これは次式（II）のアルケニル芳香族モノマーから誘導された構造単位を２５重量％以上含有する。
【００２８】
【化２】
2007504582.tif 000003
式中、Ｒ１は水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、又はハロゲンであり、Ｚ１はビニル、ハロゲン、又はＣ１〜Ｃ８アルキルであり、ｐは０〜約５の範囲である。好ましいアルケニル芳香族モノマーとしては、スチレン、クロロスチレン、及びビニルトルエンがある。ポリ（アルケニル芳香族）樹脂としては、アルケニル芳香族モノマーのホモポリマー、スチレンのようなアルケニル芳香族モノマーと、アクリロニトリル、ブタジエン、α−メチルスチレン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼン及び無水マレイン酸のような１種以上の異なるモノマーとのランダムコポリマー、並びに、ゴム改質剤と（上記のような）アルケニル芳香族モノマーのホモポリマーとのブレンド及び／又はグラフトからなるゴム改質ポリ（アルケニル芳香族）樹脂があり、ここで、ゴム改質剤はブタジエン又はイソプレンのような１種以上のＣ４〜Ｃ１０非芳香族ジエンモノマーの重合生成物でよく、ゴム改質ポリ（アルケニル芳香族）樹脂は約９８〜約７０重量％の範囲のアルケニル芳香族モノマーのホモポリマーと約２〜約３０重量％の範囲のゴム改質剤、好ましくは約８８〜約９４重量％の範囲のアルケニル芳香族モノマーのホモポリマーと約６〜約１２重量％の範囲のゴム改質剤とからなり、これらのゴム改質ポリスチレンには、一般にＨＩＰＳといわれる高耐衝撃性ポリスチレンがある。
【００２９】
また、ポリ（アルケニル芳香族）樹脂には、非エラストマー性ブロックコポリマー、例えば、スチレンとポリオレフィンのジブロック、トリブロック、及び多ブロックコポリマーも包含される。線状ブロック、ラジアルブロック、又はテーパーブロックコポリマー構造を有するスチレンとブタジエンの非エラストマー性ブロックコポリマー組成物であって、ブタジエン構成成分が約３５重量％以下で存在するものも使用することができる。適切な非エラストマー性ブロックコポリマーは、例えば、Ａｔｏｆｉｎａから商標ＦＩＮＡＣＬＥＡＲとして、またＣｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙから商標Ｋ−ＲＥＳＩＮＳとして市販されている。
【００３０】
また、ポリ（アルケニル芳香族）樹脂として、スチレン−ポリオレフィン−メタクリル酸メチルのブロックコポリマーも挙げることができる。このタイプの好ましいブロックコポリマーとして、ポリスチレン、１，４−ポリブタジエン、及びシンジオタクチックポリメタクリル酸メチルのブロックを含んでなるＡｔｏｆｉｎａから入手可能なポリ（スチレン−ｂ−１，４−ブタジエン−ｂ−メタクリル酸メチル）（ＳＢＭ）がある。Ａｔｏｆｉｎａから入手可能なＳＢＭブロックコポリマーとしては、ＡＦ−Ｘ２２３、ＡＦ−Ｘ３３３、ＡＦ−Ｘ０１２、ＡＦ−Ｘ３４２、ＡＦ−Ｘ００４がある。
【００３１】
ポリ（アルケニル芳香族）樹脂の立体規則性はアタクチックでもシンジオタクチックでもよい。極めて好ましいポリ（アルケニル芳香族）樹脂としてはアタクチック及びシンジオタクチックホモポリスチレンがある。適切なアタクチックホモポリスチレンは、例えば、ＣｈｅｖｒｏｎからＥＢ３３００として、及びＢＡＳＦからＰ１８００として市販されている。アタクチックホモポリスチレンは本明細書中で「結晶ポリスチレン」樹脂ということがある。有用なシンジオタクチックポリスチレン樹脂（ＳＰＳ）はＴｈｅ  Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ＣｏｍｐａｎｙからＱＵＥＳＴＲＡという商標で入手可能である。
【００３２】
ポリ（アルケニル芳香族）は好ましくは、約２００００〜１０００００ａｍｕの数平均分子量と約１００００〜３０００００ａｍｕの重量平均分子量を有する。
【００３３】
基板は好ましくは、ポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドから製造される。このブレンドは、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂の総重量を基準にして約１〜約９９重量％の範囲でポリ（アリーレンエーテル）を含有していることができる。この範囲内で、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂との比は、とりわけ目的とする物理的性質、例えば耐熱性に応じて調節することができる。通例、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂との比は、ブレンドされた物質が約１２０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有するように調節される。また、所望の物理的性質を達成するために、２種以上のポリ（アリーレンエーテル）樹脂及び／又は２種以上のポリ（アルケニル芳香族）樹脂ｓを使用することもできる。一般に、ブレンド中のポリ（アリーレンエーテル）の量は、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）の総重量を基準にして約８０重量％以下であることができ、約７０重量％以下が好ましく、約６０重量％以下がより好ましく、約５０重量％以下がより一層好ましい。また好ましくは、この範囲内で、ポリ（アリーレンエーテル）の量は約２０重量％以下であり、約３０重量％以上が好ましく、約４０重量％以上がより好ましい。ブレンド中のポリ（アルケニル芳香族）の量は、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）の総重量を基準にして約８０重量％以下であることができ、約７０重量％以下が好ましく、約６０重量％以下がより好ましく、約５０重量％以下がより一層好ましい。また、好ましくは、この範囲内で、ポリ（アルケニル芳香族）の量は約２０重量％以上であり、約３０重量％以上が好ましく、約４０重量％以上がより好ましい。
【００３４】
ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドは、好ましくは、Ｔｇが約１２０℃以上、好ましくは約１３０℃以上、より好ましくは約１４０℃以上、より一層好ましくは約１５０℃以上である。
【００３５】
一つの実施形態において、基板は、微粒子状不純物を実質的に含まないポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドからなる。高面積密度記憶媒体の表面品質要件のために、現状のデータ記憶媒体は、無機であろうと有機であろうと限られた量の微粒子状不純物を材料から製造するのが望ましい。ゲルや炭化したポリマー性材料（黒斑）のような目に見える微粒子状不純物は、消費者が下等品質の製品と認知することになる審美的欠陥であって望ましくない。約５０マイクロメートルより大きい大きさを有する粒子は、成形品中で応力集中点として機能することにより、これらの物品の衝撃強さを低減し得る。約１マイクロメートルの大きさの微粒子状不純物は曇りを増大する原因となる可能性があり、これはかかる不純物を含有する材料から成形された物品の光の透過率すなわち透明性に影響を及ぼし得る。最も重要なことに、微粒子状不純物は記憶媒体の表面品質に影響を及ぼすことにより読み出し精度、データ記憶、及び複製に影響を及ぼす可能性がある。
【００３６】
微粒子状不純物の量が低下したポリ（アリーレンエーテル）／ポリ（アルケニル芳香族）ブレンドを製造する好ましい方法は、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ａ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ」と題する米国特許出願第１０／６４８６４０号（代理人整理番号１３５９４６−１）、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ａ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ」と題する米国特許出願第１０／６４８６４７号（代理人整理番号１３１９８２−１）、及び「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｐｕｒｉｆｙｉｎｇ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ」と題する米国特許出願第１０／６４８６０４号（代理人整理番号１２６７５０−１）に開示されている（これらの出願は全て本出願人に譲渡されており係属中である）。これら同時係属中の出願に記載されている方法により、微粒子状不純物を実質的に含まないポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）からなるブレンドが得られる。記載されている方法では、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）からなるメルトを溶融ろ過し、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルケニル芳香族）、若しくはこれらの組合せを含む溶液をろ過するか、又は溶融ろ過と溶液ろ過を組み合わせて行って、微粒子状不純物を実質的に含まないポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドが得られる。
【００３７】
本明細書で使用する場合、用語「目に見える微粒子状不純物を実質的に含まない」は、５０ミリリットルのクロロホルム（ＣＨＣｌ３）に溶解した１０グラムのポリマー性材料の試料が、ライトボックスを用いて見たときに５個未満の目に見える斑点を示すことを意味している。肉眼で目に見える粒子は、通例、直径が４０マイクロメートルより大きいものである。
【００３８】
本明細書で使用する場合、用語「約１５マイクロメートルより大きい微粒子状不純物を実質的に含まない」とは、４００ミリリットルのＣＨＣｌ３に溶解した４０グラムのポリマー性材料の試料で、約１５マイクロメートルの大きさを有する微粒子の１グラム当たりの数が、レーザー光散乱技術で測定して、１ミリリットル／分の流速でアナライザーを通って流れることができる２０ミリリットル量の溶解したポリマー性材料の５個の試料の平均を基準にして５０個未満（±５パーセント）であることを意味する。適切なアナライザーの一例はＰａｃｉｆｉｃ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＡＢＳ２アナライザーである。
【００３９】
ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルケニル芳香族）、又はこれらの組合せの溶液からの微粒子状不純物の除去は現在公知のいかなるろ過系又はデバイスを用いても行うことができる。好ましくは、溶液を、同一又は異なるろ材タイプ、フィルターポアサイズ、及びフィルターの幾何学形状を有するろ過系に一回より多く通してろ過して、特定の用途に適した清浄なポリマー性材料を得る。同一又は異なるろ過系を複数のろ過段階からなる方法に使用してもよい。
【００４０】
一つの実施形態においては、ポリ（アリーレンエーテル）と溶媒の溶液を、ポリ（アルケニル芳香族）の不在下でろ過する。もう一つ別の実施形態において、ろ過される溶液はポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルケニル芳香族）、及び溶媒からなる。この溶液を調製するためのポリ（アリーレンエーテル）又はポリ（アルケニル芳香族）の形態はいかなる形態でもよいが、好ましくは粉末、フレーク、又はペレットである。さらに、溶液を調製するのに使用するポリ（アリーレンエーテル）及び／又はポリ（アルケニル芳香族）源は反応器又は反応容器からの直接の生成物供給流であってもよい。
【００４１】
ろ過する溶液を形成するには、ポリ（アリーレンエーテル）及び／又はポリ（アルケニル芳香族）を適当な溶媒と、場合によっては加熱しながら混合する。調製された溶液は、使用する特定のろ過系に基づいて効率的なろ過ができるように任意の重量割合のポリ（アリーレンエーテル）及び／又はポリ（アルケニル芳香族）固形分であり得る。適切な溶液の固形分重量割合はポリマー性材料と溶媒の合計を基準にして約１〜約９９重量％の固形分であり得る。この範囲内で、約９０％以下の固形分重量割合を使用することができ、約８０以下が好ましく、約７０重量％以下がより好ましい。また、この範囲内で、約３０以上の固形分重量割合を使用することができ、約４０以上が好ましく、約５０以上がより好ましい。
【００４２】
ろ過する溶液はろ過段階の前及び／又はその間に加熱してもよい。ろ過段階の前及び／又はその間の溶液の適切な温度は約５０〜約２５０℃であり得る。この範囲内で、約２１０℃以下の温度を使用することができ、約１９０℃以下が好ましく、約１８０℃以下がより好ましい。また、この範囲内で、約１００℃以上の温度を使用することができ、約１３０℃以上が好ましく、約１６０℃以上がより好ましい。
【００４３】
ろ過段階の前及び／又はその間の溶液の適切な温度はオルト−ジクロロベンゼン溶媒を使用する場合約１００〜約１７０℃でよく、溶液は大気圧でろ過される。この範囲内で、約１７０℃以下の温度を使用することができ、約１６０℃以下が好ましく、約１５０℃以下がより好ましい。また、この範囲内で、約１００℃以上の温度を使用することができ、約１２０℃以上が好ましく、約１３０℃以上がより好ましい。
【００４４】
一つの実施形態においては、ろ過する溶液を過熱する。過熱するという用語は、大気圧における溶媒の沸点より高い温度に溶液を加熱することを含む。この実施形態において、過熱された溶液の温度は大気圧における溶媒の沸点より約２〜約２００℃高くてよい。複数の溶媒が存在する場合、溶液は溶媒構成成分の１種以上に関して過熱する。過熱は溶液を加圧下で加熱することによって達成することができる。もう一つ別の実施形態において、過熱は、溶液を真空にして、周囲の圧力をその溶液中の溶媒の蒸気圧より低くすることによって達成し得る。この場合、溶液が大気圧における溶媒の沸点より低い温度にあってもその溶液が過熱されているということができる。溶液を過熱することの利点は、溶媒を都合よく迅速に除去し、その結果ポリマー性材料が単離されることである。
【００４５】
溶液のろ過及び／又はポリマー性材料の単離は、これらの操作の高温におけるポリマー性材料の酸化的分解過程を防止するために窒素のような不活性雰囲気下で行うのが好ましい。
【００４６】
適切なろ過系としては、例えば、燒結金属（シンタードメタル）、布（クロス）、ポリマー性繊維、天然繊維、紙、金属メッシュ（メタルメッシュ）、パルプ、セラミック、又は以上の材料の組合せ、などのような各種の材料から作成されたフィルターがある。特に有用なフィルターは、高いくねり(tortuosity)を示す燒結金属フィルター、例えばＰＡＬＬ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のフィルターである。
【００４７】
フィルターの幾何学的形状は円錐、プリーツ、キャンドル、スタック、フラット、ラップアラウンド(wraparound)、又は以上の組合せ、などでよい。
【００４８】
フィルターのポアサイズは０．０１〜１００マイクロメートル、又はそれ以上の範囲の任意の大きさでよい。この範囲内で、約５０マイクロメートル以下のポアサイズを使用することができ、約２０マイクロメートル以下が好ましく、約１５マイクロメートル以下がより好ましい。また、この範囲内で、約０．１マイクロメートル以上のポアサイズが好ましく、約３マイクロメートル以上がより好ましく、約５マイクロメートル以上が殊に好ましい。
【００４９】
適切なろ過プロセスとしては、重力ろ過、加圧ろ過、真空ろ過、回分ろ過、連続ろ過、又は以上のろ過法の組合せ、などを挙げることができる。
【００５０】
任意の数のろ過系を本方法に使用することができる。単一のろ過系を使用してもよいし、又は２以上を直列若しくは並列で使用してもよい。
【００５１】
得られるポリマー性材料は、目に見える微粒子状不純物を実質的に含まないか、及び／又は約１５マイクロメートルより大きい微粒子状不純物を実質的に含まないのが好ましい。
【００５２】
もう一つ別の実施形態においては、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）からなるブレンドのメルトを溶融ろ過して、微粒子状不純物を実質的に含まない材料を得ることができる。押出機内のメルトの滞留時間は、ポリマー性材料、殊にポリ（アリーレンエーテル）構成成分の分解を最小限に抑えるように制御しなければならない。ポリ（アリーレンエーテル）は高温に維持すると酸化されゲルを形成することが知られている。また、これらの樹脂は高温で加工処理すると炭化した「黒斑」するか又は色が劣化する（暗くなる）ことがある。従って、押出機のスクリュー設計を選択することにより、またスクリュー速度と供給速度を制御することにより、メルトの滞留時間を最小限に抑えるのが好ましい。約５分以下の滞留時間を使用するとよく、約２分以下が好ましく、約１分以下がより好ましい。
【００５３】
また、溶融ろ過系を通過するメルトの滞留時間を最小限に抑えることも好ましい。溶融ろ過系は、フィルターの表面積及び溶融ろ過ハウジングの容積の選択に基づいて、短い滞留時間が得られるように設計することができる。より大きいフィルター表面積とより小さいハウジング容積でより短い滞留時間を得ることができる。
【００５４】
押出機の溶融ろ過系は、押出機の末端バレルのところに、より好ましくは押出機のダイヘッドのところに位置するのが好ましい。押出機は単一の溶融ろ過系又は複数の溶融ろ過系を含んでいることができる。
【００５５】
ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルケニル芳香族）及び／又は追加の樹脂及び添加剤の均一なメルトを提供することができるあらゆるタイプの押出機を使用できる。有用なタイプの押出機としては、例えば、二軸式逆回転型押出機、二軸式同方向回転型押出機、単軸式押出機、単軸式往復押出機、混練機（ニーダー）、コンパウンダー−押出機、リング押出機、以上の組合せ、などがある。好ましくは単一の押出機を使用することができるが、複数の押出機を使用してもよい。リング押出機は通例、静止ロッド又はコアの回りに３〜１２の小さいスクリュー又はグルーブ付きロールのリングを含んでいる。これらのスクリューは同時に回転し２つの面上で噛み合い、良好な分散・分配混合並びに押出機内の樹脂の滞留時間を制御する能力を提供する。この噛み合い設計はまた、スクリューの剪断、混合、及び混練要素に２つのクリーニングワイプ(clean wipe)を付与する。適切なリング押出機はドイツの３＋  Ｅｘｔｒｕｄｅｒ  ＧｍｂＨから入手可能なものである。
【００５６】
ポリ（アリーレンエーテル）のブレンドを製造するとき、溶媒、モノマー、その他の低分子量物質はベント系を介して押出機から除去する。ポリ（アリーレンエーテル）又はポリ（アリーレンエーテル）樹脂ブレンドからの揮発性物質の除去を改良するのに特に有用な方法としては、Ｂａｎｅｖｉｃｉｕｓらの米国特許第５２０４４１０号、Ｈａｓｓｏｎらの米国特許第５１０２５９１号、Ｂａｎｅｖｉｃｉｕｓの米国特許第４９９４２１７号、及びＢａｎｅｖｉｃｉｕｓらの米国特許第４９９２２２２号に記載されているスチームストリッピングがある。スチームストリッピングは通例、水を蒸気を注入するための口と、揮散した揮発分及び水を除去するのに充分な真空ベント能を有する押出機で行われる。水又は蒸気は好ましいストリッピング剤であり、使用する割合はポリマー組成物の約１５重量％以下であり、押出機のバレルの長さに沿って位置する２以上の注入口の間で均等に又は不均等に分割される。好ましい割合は約０．２５〜約１５重量％である。というのは、この範囲内の量が一般に、真空系に負荷をかけることなく揮発分を除去するのに極めて有効であるからである。最も好ましいのは０．５〜約５重量％である。
【００５７】
また、押出機のバレルに沿って追加の構成成分をメルトに供給するのに適切な１以上の側方供給口（サイドフィーダー）を含む押出機も考えられる。追加の構成成分としては追加の樹脂、官能化剤及び／又は添加剤がある。
【００５８】
押出機は、メルトを構成する構成成分の密なブレンドを生成するのに適切であるが、メルトの分解を最小限に抑えるのに充分低い温度で作動させるのが好ましい。使用することができる押出機の温度範囲は約２６０〜約３８０℃である。この範囲内で、約３４０℃以下の温度を使用することができ、約３２０℃以下がより好ましい。また、この範囲内で、約２８０℃以上の温度を使用することができ、約２９０℃以上が好ましい。
【００５９】
二軸式押出機を使用する場合、押出機の操作は約０．５〜約８．０キログラム／時間／立方センチメートル（ｋｇ／ｈｒ／ｃｍ３）の特定のスループット速度によって規定することができる。この特定のスループット速度はメルトのスループット速度を押出機バレルの直径３で割った値として定義される。この範囲内で、約７．５ｋｇ／ｈｒ／ｃｍ３以下の特定のスループット速度を使用することができ、約７ｋｇ／ｈｒ／ｃｍ３以下が好ましい。また、この範囲内で、約３ｋｇ／ｈｒ／ｃｍ３以上のスループット速度を使用することができ、約５ｋｇ／ｈｒ／ｃｍ３以上が好ましい。
【００６０】
一つの実施形態においては、メルトポンプ又はギアポンプを押出機と組み合わせて、溶融ろ過系を通るメルトの流れの充分な速度と圧力を提供する。メルトポンプはまた、押出機系を通るメルトの一様な流れを制御し維持して均一なポリマー性材料を得る能力も提供する。
【００６１】
一つの実施形態において、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルキレン芳香族）、及び任意追加の構成成分を溶融ブレンド段階の前にコンパウンディングしてもよい。構成成分をコンパウンディングすることができるあらゆる公知の装置、例えば、構成成分に剪断力をかけることができるミキサー、コニカルスクリューミキサー、Ｖ−ブレンダー、二軸式コンパウンダー、Ｈｅｎｓｃｈｅｌミキサー、などを使用することができる。好ましいコンパウンダーとしては、逆回転型押出機又は逆回転型コニカル押出機がある。
【００６２】
ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルケニル芳香族）、又はこれら２種の組合せからなるメルトから微粒子状不純物を除去することができるいかなる適切な溶融ろ過系又はデバイスでも使用できる。好ましくは、メルトを単一の溶融ろ過系に通してろ過するが、複数の溶融ろ過系も考えられる。
【００６３】
適切な溶融ろ過系としては、例えば、燒結金属、金属メッシュ若しくはスクリーン、繊維金属フェルト、セラミック、又は以上の材料の組合せ、などのような各種の材料から作成されたフィルターがある。特に有用なフィルターは、ＰＡＬＬ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のフィルターを始めとして高いくねりを示す燒結金属フィルターである。
【００６４】
例えば、円錐、プリーツ、キャンドル、スタック、フラット、ラップアラウンド、スクリーン、以上の組合せ、などを始めとするあらゆる幾何学的形状のメルトフィルターを使用することができる。
【００６５】
溶融ろ過系としては、連続スクリーン変化フィルター(continuous screen changing filter)又は回分フィルターを挙げることができる。例えば、連続スクリーン変化フィルターは、押出機内のメルトの流れの経路前にゆっくり通過するスクリーンフィルターのリボンを含み得る。フィルターがメルト内の微粒子状不純物を収集し、次いでこれらの不純物はフィルターリボンが新たなセクションのリボンにより連続的に更新されるにつれてそのフィルターリボンと共に押出機から運び出される。
【００６６】
メルトフィルターのポアサイズは約０．５〜約２００マイクロメートルの範囲のいかなる大きさでもよい。この範囲内で、約１００マイクロメートル以下のポアサイズを使用することができ、約５０マイクロメートル以下が好ましく、約２０マイクロメートル以下がより好ましい。また、この範囲内で、約１マイクロメートル以上のポアサイズを使用することができ、約７マイクロメートル以上が好ましく、約１５マイクロメートル以上がより好ましい。
【００６７】
溶融ろ過系の温度は約２６０〜約３８０℃が好ましい。この範囲内で、約３４０℃以下の温度を使用することができ、約３２０℃以下がより好ましい。また、この範囲内で、約２８０℃以上の温度を使用することができ、約２９０℃以上が好ましい。
【００６８】
得られる溶融ろ過されたポリマー性材料は目に見える微粒子を実質的に含まないのが好ましい。一つの実施形態において、溶融ろ過されたポリマー性材料は約１０マイクロメートルより大きい微粒子状不純物を実質的に含まない。これは、４００ミリリットルのＣＨＣｌ３に溶解したポリマー性材料の４０グラムの試料の１グラム当たり、約１０マイクロメートルの大きさを有する微粒子の数が、Ｐａｃｉｆｉｃ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＡＢＳ２アナライザーで測定して、１ミリリットル／分の流速でこのアナライザーを通って流れることができる２０ミリリットル量の溶解したポリマー性材料の５つの試料の平均として、２００未満（±５パーセント）であることを意味している。
【００６９】
成形されたとき、ポリマー性材料は冷却の際に収縮することが多いが、ゲルその他の微粒子状不純物は収縮しないか又はポリマー性材料と異なる速度で収縮する。これらの不純物が成形された基板の表面に位置すると表面欠陥の原因となり、データディスク基板のグルーブとランドのパターンを乱すことがある。基板材料中の微粒子状不純物の量とタイプはその基板の表面品質に、従ってその媒体の読み出し／書き込み精度に大きく影響し得るので、不純物が最小の基板材料を使用するのが望ましい。一つの実施形態において、基板は、目に見える微粒子状不純物を実質的に含まないポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドから製造される。
【００７０】
別の実施形態において、基板は、ディスク基板の最も狭い厚さの約５０パーセント以上の大きさを有する微粒子状不純物を実質的に含まないポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドから製造される。
【００７１】
本明細書で定義される場合最も狭い厚さは、パターン化された面（グルーブとランドの表面）を含む表面からパターン化された面と反対側の表面までで測定される。この範囲内で、ブレンドは、ディスク基板の最も狭い厚さの約２５パーセント以上の大きさを有する微粒子状不純物を実質的に含まず、好ましくはディスク基板の最も狭い厚さの約５パーセント以上の大きさを有する微粒子状不純物を実質的に含まなず、より好ましくはディスク基板の最も狭い厚さの約１パーセント以上の大きさを有する微粒子状不純物を実質的に含まなず、さらにより好ましくはディスク基板の最も狭い厚さの約０．１パーセント以上の大きさを有する微粒子状不純物を実質的に含まない。例えば、１ミリメートルすなわち１０００マイクロメートルの最小横断面高さを有するディスク基板は、約５００マイクロメートル以上の大きさを有する微粒子を実質的に含まなず、好ましくは約２５０マイクロメートル以上の大きさを有する微粒子を実質的に含まなず、より好ましくは約５０マイクロメートル以上の大きさを有する微粒子を実質的に含まなず、より一層好ましくは約１０マイクロメートル以上の大きさを有する微粒子を実質的に含まなず、さらにより好ましくは約１マイクロメートル以上の大きさを有する微粒子を実質的に含まないブレンドから製造することができる。
【００７２】
データディスクアセンブリは一般に基板に加えて光学層を含んでいる。通例、この光学層は熱可塑性ポリカーボネートからなる。本明細書で使用する場合、用語「ポリカーボネート」には、次式（III）の構造単位を有する組成物が含まれる。
【００７３】
【化３】
2007504582.tif 000004
式中、Ｒ２基の合計数の約６０パーセント以上は芳香族有機基であり、残りは脂肪族、脂環式、又は芳香族基である。好ましくは、Ｒ２は芳香族有機基、より好ましくは次式（IV）の基である。
【００７４】
【化４】
2007504582.tif 000005
式中、各Ａ１とＡ２は単環式二価アリール基であり、Ｙ１はＡ１とＡ２を隔てている０、１、又は２個の原子を有する橋架け基である。代表的な実施形態においては、１個の原子がＡ１とＡ２を隔てている。このタイプの基の具体的な非限定例は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ２）−、−Ｃ（Ｏ）−、メチレン、シクロヘキシル−メチレン、２−［２．２．１］−ビシクロヘプチリデン、エチリデン、イソプロピリデン、ネオペンチリデン、シクロヘキシリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデン、アダマンチリデン、などである。もう一つ別の実施形態においては、０個の原子がＡ１とＡ２を隔てており、具体的な例はビフェノールである。橋架け基Ｙ１は炭化水素基若しくは飽和炭化水素基、例えば、メチレン、シクロヘキシリデン若しくはイソプロピリデン、又は−Ｏ−若しくは−Ｓ−のようなヘテロ原子であることができる。
【００７５】
ポリカーボネートは、１個の原子のみがＡ１とＡ２を隔てているジヒドロキシ化合物の反応によって製造することができる。本明細書で使用する場合、用語「ジヒドロキシ化合物」には、例えば、次の一般式（Ｖ）を有するビスフェノール化合物が包含される。
【００７６】
【化５】
2007504582.tif 000006
式中、ＲａとＲｂは各々独立して水素、ハロゲン原子、又は一価炭化水素基を表し、ｐとｑは各々独立して０〜約４の範囲の整数であり、Ｘａは次式（VI）の基の一つを表す。
【００７７】
【化６】
2007504582.tif 000007
式中、ＲｃとＲｄは各々独立して水素原子又は一価線状若しくは環状炭化水素基を表し、Ｒｅは二価炭化水素基である。
【００７８】
適切なジヒドロキシ化合物の幾つかの具体的な非限定例としては、名称又は式（一般的又は個々の）がＢｒｕｎｅｌｌｅらの米国特許第４２１７４３８号に開示されているもののような二価フェノール及びジヒドロキシ置換された芳香族炭化水素がある。式（IV）で表され得るタイプのビスフェノール化合物の特定の例の非排他的なリストには、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以後、「ビスフェノール−Ａ」又は「ＢＰＡ」という）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｎ−ブタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、ビス（ヒドロキシアリール）アルカン、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、４，４’−ビフェノール、及びビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン、例えば１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、など、並びに以上の化合物を１種以上含む組合せが包含される。
【００７９】
ホモポリマーではなくカーボネートコポリマーを使用したい場合には、２種以上の異なる二価フェノールの重合で得られるポリカーボネート、或いは二価フェノールと、グリコール又はヒドロキシ−若しくは酸−末端停止ポリエステル又は二塩基酸又はヒドロキシ酸又は脂肪族二酸とのコポリマーを使用することも可能である。一般に、有用な脂肪族二酸は約２〜約４０の範囲の炭素原子を有している。好ましい脂肪族二酸はドデカン二酸である。
【００８０】
ポリアリーレート及びポリエステル−カーボネート樹脂又はこれらのブレンドも使用することができる。枝分かれポリカーボネート並びに線状ポリカーボネートと枝分かれポリカーボネートのブレンドも有用である。枝分かれポリカーボネートは重合中に枝分かれ剤を添加することによって製造することができる。
【００８１】
これらの枝分かれ剤は周知であり、ヒドロキシル、カルボキシル、カルボン酸無水物、ハロホルミルでよい官能基を３個以上含有する多官能性有機化合物、及び以上の枝分かれ剤を１種以上含む混合物からなり得る。特定の例としては、トリメリト酸、トリメリト酸無水物、トリメリト酸三塩化物、トリス−ｐ−ヒドロキシフェニルエタン、イサチン−ビス−フェノール、トリス−フェノールＴＣ（１，３，５−トリス（（ｐ−ヒドロキシフェニル）イソプロピル）ベンゼン）、トリス−フェノールＰＡ（４（４（１，１−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）−エチル）α，α−ジメチルベンジル）フェノール）、４−クロロホルミルフタル酸無水物、トリメシン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、など、及び以上の枝分かれ剤を１種以上含む組合せがある。枝分かれ剤は基板の総重量を基準にして約０．０５〜約２．０重量％の範囲のレベルで添加することができる。枝分かれ剤の例及び枝分かれポリカーボネートの製造方法はＳｃｏｔｔの米国特許第３６３５８９５号及び同第４００１１８４号に記載されている。あらゆるタイプのポリカーボネート末端基が本発明に包含される。
【００８２】
有用なポリカーボネートは、Ａ１とＡ２が各々ｐ−フェニレンであり、Ｙ１がイソプロピリデンであるビスフェノール−Ａ系である。好ましくは、ポリカーボネートの重量平均分子量は約５０００〜約１０００００原子質量単位の範囲、より好ましくは約１００００〜約６５０００原子質量単位の範囲、最も好ましくは約１５０００〜約３５０００原子質量単位の範囲である。
【００８３】
一つの実施形態において、光学層は１種以上の構造単位（VII）を含むポリカーボネートからなる。
【００８４】
【化７】
2007504582.tif 000008
ここで、（VII）の３つの光学活性部位はＲ異性体、Ｓ異性体、又はこれらの組合せであることができ、Ｒ３とＲ４は独立してＣ１〜Ｃ６アルキル及び水素からなる群から選択され、ｍは約１〜約４の範囲の整数であり、ｑは約１〜約４の範囲の整数である。構造（VII）の代表的な単位としては、４，４’−［１−メチル−４−（１−メチルエチル）−１，３−シクロヘキサンジイル］ビスフェノール又はＢＰＴ−２としても公知の１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン（ＢＨＰＭ）から誘導された残基がある。構造（VII）の単位を含むポリマーはまた、他のポリカーボネート又はポリ（アルケニル芳香族）樹脂、例えばポリスチレンとブレンドしてもよい。
【００８５】
（VII）の構造単位を含むホモポリマーとコポリマーの両方が本発明に包含される。特に有用なコポリマーは構造単位と（Ｖ）のビスフェノールから誘導された単位とを含む。ＢＨＰＭのホモポリマーとコポリマーが光学層に使用するのに殊に好ましい。ＢＨＰＭとＢＰＡを任意の比で含むＢＨＰＭとＢＰＡのコポリマーを使用できる。例えば、ＢＨＰＭ／ＢＰＡのコポリマーは約９０モルパーセント（ｍｏｌ％）以上のＢＨＰＭ、場合により約７０ｍｏｌ％以上のＢＨＰＭ、さらに場合により約５０ｍｏｌ％以上のＢＨＰＭ、さらに場合により約１０ｍｏｌ％以上のＢＨＰＭを含むことができる。ＢＰＡ及び４−［１−［３−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキシル］−１−メチルエチル］フェノール（ＢＰＴ−１）と組み合わせてＢＨＰＭから誘導された他の有用なコポリマーがＭａｈｏｏｄの米国特許第６４９２４８６号に記載されている。
【００８６】
通例、（VII）の構造単位を含むポリカーボネートの重量平均分子量は約２００００〜約１０００００の範囲である。
【００８７】
一つの実施形態において、光学層は商標ＰＵＲＥ−ＡＣＥの下でＴｅｉｊｉｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能な溶媒流延（ソルベントキャスト）ポリカーボネートフィルムからなる。溶媒流延ポリカーボネートフィルムは異物がなく５０、７０、１００、１２０、又は１６０マイクロメートルの均一な厚さを有している。例えば、１００マイクロメートルの光学的等方性フィルムは、破壊強度が縦方向（ＭＤ）で８６．２メガパスカル（Ｍｐａ）、横断方向（ＴＤ）で８３．３Ｍｐであり、破断時伸びが１７３パーセント（ＭＤ）と１６５パーセント（ＴＤ）であり、ヤング率が１７８０Ｍｐａ（ＭＤ）と１７９０Ｍｐａ（ＴＤ）である。このフィルムは、１．５８より大きい屈折率を示し、９０パーセントより多くの光を透過し、０．３パーセント以下の曇りを有し、１６０℃のガラス転移温度を有する。
【００８８】
一つの実施形態において、光学層は異なるポリカーボネートのブレンドからなる。単一のジヒドロキシ化合物モノマーから誘導されたホモポリカーボネート及び１種より多くのジヒドロキシ化合物モノマー及びこれらの組合せから誘導されたコポリカーボネートからなるブレンドが包含される。
【００８９】
一つの実施形態において、光学層は構造単位（VIII）又は（IX）を含むポリカーボネート又はコポリカーボネートからなる。
【００９０】
【化８】
2007504582.tif 000009
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は独立してＣ１〜Ｃ６アルキル及び水素から選択され、Ｒ７とＲ８は独立してＣ１〜Ｃ６アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６アルキル置換フェニル、又は水素であり、ｍは０〜約１２の整数であり、ｑは０〜約１２の整数であり、ｍ＋ｑは約４〜約１２の整数であり、ｎは約１〜約２の整数であり、ｐは約１〜約２の整数である。
【００９１】
構造（VIII）の代表的な単位としては、例えば、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン（ＤＭＢＰＣ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＤＭＢＰＩ）の残基、及び以上の単位を１種以上含む混合物がある。
【００９２】
構造（IX）の代表的な単位としては、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル）プロパン（ＤＭＢＰＡ）及び４，４’−（１−フェニルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）（ＤＭｂｉｓＡＰ）の残基がある。
【００９３】
さらに別の実施形態において、光学層は構造単位（Ｘ）を含むポリカーボネート又はコポリカーボネートからなることができる。
【００９４】
【化９】
2007504582.tif 000010
ここで、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１３及びＲ１４は独立してＣ１〜Ｃ６アルキルであり、Ｒ１１とＲ１２は独立してＨ又はＣ１〜Ｃ５アルキルであり、各Ｒ１５は独立してＨ及びＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、各ｎは独立して０、１及び２から選択される。
【００９５】
構造（Ｘ）の代表的な単位としては、例えば、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチルスピロビインダン（ＳＢＩ）、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，５，３’，３’，５’−ヘキサメチルスピロビインダン、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，５，７，３’，３’，５’，７’−オクタメチルスピロビインダン、５，５’−ジエチル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチルスピロビインダン、及び以上の単位を１種以上含む混合物がある。
【００９６】
ポリカーボネート組成物はまた、ポリカーボネートの光学的性質が損なわれない限り、このタイプの樹脂組成物中に通常配合される各種添加剤を含んでいてもよい。かかる添加剤としては、例えば、熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、可塑剤、帯電防止剤、離型剤、追加の樹脂、など、及び以上の添加剤を１種以上含む組合せがある。
【００９７】
光学層に適切なもう一つ別の材料として、シリコーンハードコートのようなシリコーン材料がある。一つの実施形態において、シリコーンハードコートはプラズマ重合したオルガノシリコーンからなる。プラズマ重合したオルガノシリコーンは、ヒドロキシ炭化ケイ素又はケイ素オキシ炭素コーティングといわれることもあり、次式（XI）又は（XII）を有するケイ素前駆体のプラズマ蒸着の生成物である。
【００９８】
【化１０】
2007504582.tif 000011
式中、各Ｒは独立して水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル、Ｃ３〜Ｃ６アルケニルアルキル、Ｃ６〜Ｃ１８アリール、などであり、ｎは０〜約１００であり、ｍは１〜約１００であり、Ｘは−Ｏ−又は−ＮＨ−である。
【００９９】
好ましいオルガノシリコーン化合物としては、以下のもの及びこれらの混合物が挙げられる。
【０１００】
【化１１】
2007504582.tif 000012
【０１０１】
【化１２】
2007504582.tif 000013
【０１０２】
【化１３】
2007504582.tif 000014
オルガノシリコーンのプラズマ重合は小量の酸素の存在下で行うことができ、この酸素はコーティング中に取り込まれ得る。プラズマ重合したシリコーンハードコート光学層は、無線周波数（ＲＦ）、マイクロ波（ＭＷ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）、中空カソード、熱プラズマ、膨張(expanding)熱プラズマ（ＥＴＰ）、及びプラズマアーク又はジェットのプラズマ源を用いるプラズマ支援又は強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ、ＰＡＣＶＤ）を始めとする各種のプラズマ蒸着技術で形成することができる。好ましい実施形態において、シリコーンハードコート光学層はＩａｃｏｖａｎｇｅｌｏの米国特許第６４２００３２号及びＹａｎｇらの同第６３９７７７６号に記載されているＥＴＰによって蒸着する。適切なシリコーンハードコートは商標ＡＳ４０００、ＰＨＣ５８７、ＵＶＨＣ３０００、及びＵＶＨＣ８５５８の下でＧＥ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅｓから入手可能である。
【０１０３】
光学層は好ましくは、２０ナノメートル（ｎｍ）以下の面内遅延のような光学的性質を有している。本明細書で使用する場合「面内遅延(in-plane retardation)」とは、光学層内の複屈折の目安である。また、光学層は好ましくは、低い厚さの不均一性及び低い表面粗さを有する。１００マイクロメートルの光学層の場合、２センチメートル（ｃｍ）より長い長さスケールでの厚さの均一性は２マイクロメートル未満の程度であり、１ミリメートル（ｍｍ）の長さスケールでの表面粗さは４０ｎｍ以下の程度である。これらの規格を有する光学層を製造するのに利用される一般的な方法は、例えば、溶液流延（キャスティング）、押出流延、押出カレンダー加工、スピンコーティング、及び射出成形である。好ましくは、溶液流延を使用する。
【０１０４】
データ記憶媒体を製造するには、まず最初に、短軸式若しくは二軸式押出機、混練機、ブレンダー、などのような、各種前駆体を適切に混合することができる慣用の反応容器を用いて基板材料を形成することができる。押出機は、基板材料前駆体の分解を起こすことなくそれらの前駆体を溶融させるのに充分に高い温度に維持するべきである。同様に、押出機内の滞留時間、温度、及び剪断速度は分解を最小限に抑えるように制御するべきである。約２分（ｍｉｎ）以下又はそれ以上の平均滞留時間を使用することができ、約１．５ｍｉｎ以下が好ましく、約１ｍｉｎ以下が殊に好ましい。所望の形態（通例、ペレット、シート、ウェブ、など）に押し出す前に、場合により混合物を、例えば溶融ろ過、スクリーンパックの使用、又はこれらの組合せ、などによってろ過して、望ましくない汚染物質又は分解産物を除去することができる。本明細書に記載したポリマー性材料を製造するのに有用な方法は、本出願人が所有しており本出願と同時係属中の「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ａ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ」と題する米国特許出願第１０／６４８６０４号（代理人整理番号１２６７５０−１）、及び本出願人が所有しており本出願と同時係属中の「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ａ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ」と題する米国特許出願第１０／６４８６４７号（代理人整理番号１３１９８２−１）に開示されている。
【０１０５】
データ記憶媒体はさらに、検索可能なデータを記憶することができる何らかの材料で作成されたデータ層を含んでいる。データ記憶媒体上に記憶されるデータ又は情報はデータ層の表面上に直接刻印することができ、又は基板層の表面上に蒸着されている光、熱、又は磁気によって規定することができる媒体中に記憶することができる。データ層に適切な材料としては、例えば、酸化物（例えば、酸化ケイ素）、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素、有機染料（例えば、シアニン又はフタロシアニンタイプの染料）、無機相変化化合物（例えば、ＧｅＴｅＳｂ、ＴｅＳｅＳｎ、又はＩｎＡｇＳｂ）、及び以上の１種以上を含むあらゆる合金又は組合せがある。代表的な相変化化合物としては、Ｅｎｅｒｇｙ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ、Ｉｎｃ．（ＥＣＤ）から入手可能な相変化型カルコゲナイド合金がある。典型的なデータ層の厚さは約１０００オングストローム以下であることができる。一つの実施形態において、データ層の厚さは約３００オングストローム以下である。
【０１０６】
データ記憶層は、スパッタリングプロセス、電気メッキ、又はコーティング技術（スピンコーティング、スプレーコーティング、蒸着、スクリーン印刷、塗装、浸漬、スパッタリング、真空蒸着、電着、メニスカスコーティング、など）によってディスク基板に設けることができる。
【０１０７】
データ記憶媒体は、場合により、好ましくはデータ検索を可能にするのに充分な量のエネルギーを反射するのに充分な厚さの反射金属層を含んでいてもよい。通例、反射層は約７００オングストローム以下の厚さを有する。一つの実施形態において、反射層の厚さは、約３００〜約６００オングストロームの範囲である。適切な反射層としては、例えば、アルミニウム、銀、金、チタン、並びに以上の１種以上を含む合金及び混合物がある。データ記憶層、誘電体層、及び反射層に加えて、アセンブリは、保護層、潤滑層、接着剤層、その他のような他の層を含んでいてもよい。適切な潤滑剤層としては、例えば、フルオロ油及びグリースのようなフルオロ化合物がある。
【０１０８】
データディスク媒体は、場合により、データ層の片面又は両面に配置することができ熱制御器として使用されることが多い誘電体層を含んでいてもよい。この誘電体層は通例約１０００オングストローム以下又はそれ以上及び約２００オングストロームもの薄い厚さを有することができるが、他の厚さを使用してもよい。可能な誘電体層としては、窒化物（例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他）、酸化物（例えば、酸化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素）、並びに以上の１種以上を含む合金及び組合せ、とりわけ環境内で適合性で、好ましくは周囲の層と反応性でない材料がある。
【０１０９】
場合により、光学層とデータ記憶層との間、及び／又は他の層間に、例えば基板によって支持されている他の層に光学層を接着することができる接着剤層が配置され。また、この接着剤層は、ディスクの制振を高めるためにも使用することができ、接着剤の厚さと種類によりこの層が付与する制振の量が決定される。接着剤層は、約５０マイクロメートル程度以下の厚さを有することができ、約１〜約３０マイクロメートルの範囲の厚さが好ましいが、ゴム系又はエラストマー性熱硬化性物質、可撓性熱可塑性物質、などからなることができる。光又は光磁気媒体に使用する場合、接着剤は好ましくは、用途に必要とされる適切な光学的性質を提供するものである。典型的な接着剤は、天然ゴム、シリコーンゴム、又はアクリルエステルポリマー、などのようなゴム系又はゴム様材料である。ゴム又はアクリルポリマーなどに基づくもののような非硬質ポリマー性接着剤は、可撓性、耐クリープ性、レジリエンス及び弾性のようなエラストマーの幾つかの性質のを有しており、データ記憶ディスクのプレイバック（再生）の品質を高めるのに有用な制振を提供する。非硬質ポリマー性接着剤の化学は多様であり、エラストマー及びゴムとして、可撓性熱可塑性物質として、及び熱可塑性エラストマーとして本明細書に記載したタイプの材料のポリマーを包含する。かかる接着剤の適切な例としては、ポリイソプレン、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、フルオロビニルメチルシロキサン、塩素化イソブテン−イソプレン、クロロプレン、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、アクリル酸ブチル、発泡ポリスチレン、発泡ポリエチレン、発泡ポリプロピレン、発泡ポリウレタン、軟質ポリ塩化ビニル、ジメチルシリコーンポリマー、メチルビニルシリコーン、ポリ酢酸ビニル、など、及び以上の接着剤を１種以上含む組成物がある。また、この層は以上の接着剤を１種以上含む任意の組合せからなっていてもよい。通例、データ記憶ディスク用途に使用するには感圧接着剤が好ましい。接着剤層は蒸着、スピン流延、溶液沈着、射出成形、押出成形、などのような方法によりデータ記憶ディスクに付け加えることができる。
【０１１０】
場合により、高モジュラス層もデータ記憶媒体中に存在することができ、通例光学層の基板と反対側の表面上に配置される。本明細書で使用する場合、用語「高モジュラス」とは、通例約１ギガパスカル（Ｇｐａ）より大きい引張弾性率をいう。一つの実施形態において、適切な高モジュラス層は通例、熱的に硬化し、紫外（ＵＶ）放射線で硬化し、又は当業者に広く公知のいずれかの方法で硬化することができる熱硬化性ポリマーからなる。もう一つ別の実施形態において、高モジュラス層は熱可塑性ポリマーからなる。さらに別の実施形態において、高モジュラス層は熱硬化性ポリマーと熱可塑性ポリマーの組合せからなる。通例、高モジュラス層はスピンコーティングプロセスによって記憶媒体に付けられるが、例えば、スプレー蒸着、スパッタリング、及びプラズマ蒸着のような当業者に公知のあらゆる方法を使用することができる。通例、高モジュラス層は約０．５〜約３０マイクロメートルの範囲の厚さを有する。
【０１１１】
高モジュラス層に使用するのに有用な熱硬化性ポリマーとしては、例えば、シリコーン、官能化ポリアリーレンエーテル、エポキシ、シアネートエステル、不飽和ポリエステル、多官能性アリル型材料、ジアリルフタレート、アクリル、アルキド、フェノール−ホルムアルデヒド、ノボラック、レゾール、ビスマレイミド、メラミン−ホルムアルデヒド、尿素−ホルムアルデヒド、ベンゾシクロブタン、ヒドロキシメチルフラン、イソシアネート、及びこれらの組合せから誘導されたポリマーがある。有用なシリコーンとしては、ＧＥ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅから入手可能なシリコーンハードコートがある。一つの実施形態において、熱硬化性ポリマーはさらに、例えば、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエステル、コポリカーボネートエステル、などのような１種以上の熱可塑性ポリマーを含んでいる。通例、高モジュラス層はコポリカーボネートエステルである。熱可塑性ポリマーは通例、熱硬化性材料の硬化前に熱硬化性モノマー混合物と混合する。
【０１１２】
媒体は、この媒体をスピンドルに取り付け(affix)、媒体がスピンドルの回りで回転している間にデータを読み出すことができるようないかなる形状でもよい。最も一般的には、媒体は、中心にスピンドル取り付け用の穴を有し、通例円形の外径を有するディスク形状である。円形ではなく、例えば、四角形、星形、八角形、六角形、などを始めとする他の形状も使用できる。現在、記憶媒体の寸法は、業界により、現在入手可能なデータ記憶媒体読み出し／書き込みデバイスで使用できるように指定されている。データ記憶媒体は通例、内径が約１５〜約４０ｍｍで、外径が約６５〜約１３０ｍｍである。考えられる他の直径としては、約１〜約１００ｍｍ、より好ましくは約５〜約６０ｍｍの内径がある。他の外径としては、約５〜約３００ｍｍ、より好ましくは約５０〜約２００ｍｍがある。典型的な基板の厚さは約０．２〜約２．５ｍｍである。この範囲内で、基板の厚さは約０．５ｍｍ以上でよく、好ましくは約０．８ｍｍ以上である。また、この範囲内で、基板の厚さは約１．２ｍｍ以下でよく、好ましくは約１．０ｍｍ以下である。必要に応じて、より堅い構造を得るために、他の直径と厚さを使用してもよい。
【０１１３】
本明細書に記載した記憶媒体は、慣用の光学、光磁気、及び磁気系で、並びにより高い品質の記憶媒体、より高い面積密度、又はこれらの組合せを必要とする先進系で使用することができる。使用中、記憶媒体は、読み出し／書き込みデバイスに対して、エネルギー（例えば、磁気、光、電気、又はこれらの組合せ）がデータ記憶媒体上に入射するエネルギー場の形態でデータ層と接触するように配置される。エネルギー場は記憶媒体上に配置されたデータ層と接触する。エネルギー場が記憶媒体中で物理的又は化学的変化を引き起こしてデータ層上のその点にエネルギーの発生(incidence)を記録する。例えば、入射する磁場はデータ層内の磁区の配向を変化させるであろうし、また入射する光ビームはその光がデータ層上の接触点を加熱する場合相変態を生じさせ得るであろう。
【０１１４】
好ましい実施形態において、データ記憶ディスクは、ランドとグルーブを含む基板と、約７００ナノメートル未満、好ましくは約４２０ナノメートル未満の波長を有するレーザーを用いて読み出すことができる適当なデータ層とから製造される。例えば、ＤＶＲデバイスに使用される青色レーザーは現在約４０５ナノメートルの波長を有するレーザーを使用している。また、データ記憶ディスクは、ランドとグルーブを含む基板と、約０．６以上、好ましくは約０．８以上の開口数レンズを用いて読み出すことができる適当なデータ層とから製造される。
【０１１５】
短くなるレーザー波長及び／又は増大する開口数を用いて高面積密度の記憶媒体を達成するために、ランドとグルーブの特徴寸法はますます小さくなって来ている。現状の技術は、ディスクの中心から外へ向かうトラックの形態で螺旋を形成するランドとグルーブのパターンを使用する。一つの実施形態において、基板は、約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチからなるランドとグルーブを有し得る。本明細書で定義される場合、ピッチはグルーブの中心から隣接するグルーブの中心までで測定される。この範囲内で、ピッチは約０．２マイクロメートル以上、好ましくは約０．２５マイクロメートル以上でよい。また、この範囲内で、ピッチは約０．４マイクロメートル以下、好ましくは約０．３５マイクロメートル以下でよい。
【０１１６】
ランドとグルーブの寸法は、データを検索する方法に応じて最高の面積密度が得られるように選択され得る。一つの実施形態において、ランドの幅は約１０〜約２００ナノメートルであり得る。この範囲内で、ランドの幅は約２５ナノメートル以上、好ましくは約４５ナノメートル以上でよい。また、この範囲内で、ランドの幅は約１００ナノメートル以下、好ましくは約８０ナノメートル以下でよい。ランドの高さは約１０〜約１００ナノメートル、より好ましくは約４５ナノメートル以上、約８０ナノメートル以下の範囲でよい。
【０１１７】
一つの実施形態において、グルーブの幅は約１０〜約２００ナノメートルでよい。この範囲内で、グルーブの幅は約２５ナノメートル以上、好ましくは約４５ナノメートル以上でよい。また、この範囲内で、グルーブの幅は約１００ナノメートル以下、好ましくは約８０ナノメートル以下でよい。グルーブの高さは約１０〜約１００ナノメートル、より好ましくは約４５ナノメートル以上、約８０ナノメートル以下の範囲でよい。
【０１１８】
通例、データ記憶媒体は、ディスクの１面当たり約２２ギガバイトより大きく、好ましくは約２５ギガバイトより大きく、より好ましくは約２７ギガバイトより大きい記憶容量を有する。従って、両面ディスクは約４４ギガバイトより大きく、好ましくは約５０ギガバイトより大きく、より好ましくは約５４ギガバイトより大きい記憶容量を有し得る。
【０１１９】
データ記憶媒体の転送速度は通例毎秒約２５メガバイトより大きく、好ましくは毎秒約３０メガバイトより大きく、より一層好ましくは毎秒約３５メガバイトより大きい。
【０１２０】
記憶媒体を製造するには、例えば、射出成形、発泡プロセス、スパッタリング、プラズマ蒸着、真空蒸着、電着、スピンコーティング、溶媒流延、スプレーコーティング、メニスカスコーティング、データ打ち抜き加工、エンボス加工、表面研磨加工、フィクスチャリング(fixturing)、積層、回転成形、ツーショット成形、共射出、フィルムのオーバーモールディング、ミクロセル(microcellular)成形、及びこれらの組合せを始めとする数多くの方法を使用することができる。一つの実施形態において使用する技術では、所望の特徴、例えばランドとグルーブを有する基板をその場で製造することが可能である。一つのかかるプロセスは射出成形−圧縮技術からなる。すなわち、金型に本明細書で定義したポリ（アリーレンエーテル）／ポリ（アルケニル芳香族）ブレンドのような溶融ポリマーを充填する。この金型はプリフォーム又はインサートを含有していてもよい。ポリマー系を冷却し、少なくとも部分的に溶融状態にあるうちに圧縮して、螺旋状の同心その他の配向で配列された所望の表面特徴、例えばピットとグルーブを、基板の所望の部分、すなわち片面又は両面の所望の領域に刻印する。次に、基板を室温に冷却する。基板が製造されたら、電気メッキ、コーティング技術（例えば、スピンコーティング、スプレーコーティング、蒸着、スクリーン印刷、塗装、浸漬、など）、積層、スパッタリング、など、並びに以上の加工処理技術を１種以上含む組合せのような追加の加工処理を用いて、所望の層を基板上に配置することができる。
【０１２１】
一つの実施形態においては、基板層を製造する際に、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドを射出成形して、射出成形パラメーターの制御によって残留成形応力が低減したディスク基板を形成する。基板の低減した残留成形応力により、増大した寸法安定性を有しており、そのためアセンブリを高温に曝露したときに最小のチルトを示すディスクアセンブリが得られる。ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドを射出成形するとき、約３３０〜約３７０℃のメルト温度を使用することができる。この範囲内で、約３４０℃以上のメルト温度が好ましく、約３５０℃以上がより好ましい。また、この範囲内で、約３６０℃以下のメルト温度が好ましく、約３５５℃以下がより好ましい。
【０１２２】
また、先の実施形態内で、約９０〜約１３０℃の金型温度を使用することができる。この範囲内で、約１００℃以上の金型温度を使用することができ、約１１０℃以上が好ましく、約１１５℃以上がより好ましい。また、この範囲内で、約１２５℃以下の金型温度が好ましく、約１２０℃以下がより好ましい。約１２トン以上の形締トン数を使用することができ、約２０トン以上が好ましく、約３５トン以上がより好ましい。
【０１２３】
射出成形で基板を製造する際、約１〜約３５秒の冷却時間を使用することができる。この範囲内で、約５秒以上の冷却時間が好ましく、約７秒以上がより好ましく、約１２秒以上がより一層好ましい。また、この範囲内で、約２５秒以下の冷却時間を使用することができ、約２０秒以下が好ましく、約１５秒以下がより好ましい。
【０１２４】
さらに、射出成形で基板を製造する際、約１〜約４０ｋｇｆ／ｃｍ２の保持圧力を使用することができる。この範囲内で、約５ｋｇｆ／ｃｍ２以上の保持圧力が好ましく、約１０ｋｇｆ／ｃｍ２以上がより好ましく、約１５ｋｇｆ／ｃｍ２以上がより一層好ましい。また、この範囲内で、約３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の保持圧力を使用することができ、約３０ｋｇｆ／ｃｍ２以下が好ましく、約２５ｋｇｆ／ｃｍ２以下がより好ましい。
【０１２５】
基板は、金型の特徴の特徴複製率が約９０パーセント以上であるのが望ましく、約９２パーセント以上が好ましく、約９４パーセント以上がより好ましく、約９５パーセント以上がさらに好ましく、約９８パーセント以上がさらに一層好ましい。
【０１２６】
また、本明細書に記載した基板から製造されたデータディスクアセンブリは、８０℃で９６時間後５５ミリメートルの半径で測定して約０．５度以下のラジアルチルト変化値を示すのが望ましい。この範囲内で、８０〜Ｃで９６時間後のラジアルチルト変化値は約０．３５度以下が好ましく、約０．２５度以下がより好ましく、約０．１５度以下がより一層好ましい。
【０１２７】
一つの実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチ、好ましくは約０．２〜約０．４マイクロメートルのピッチ、より好ましくは約０．２５〜約０．３５マイクロメートルのピッチを有している。
【０１２８】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、これらのランドは幅が約１０〜約２００ナノメートル、好ましくは約２５〜約１００ナノメートル、より好ましくは約４５〜約８０ナノメートルである。
【０１２９】
さらにもう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、これらのランドは約１０〜約１００ナノメートル、好ましくは約４５〜約８０ナノメートルの高さを有している。
【０１３０】
さらに別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、これらのグルーブは幅が約１０〜約２００ナノメートル、好ましくは約２５〜約１００ナノメートルであり、より好ましくは幅が約４５〜約８０ナノメートルである。
【０１３１】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、これらのグルーブは約１０〜約１００ナノメートル、好ましくは約４５〜約８０ナノメートルの高さを有している。
【０１３２】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、前記基板層は約０．２〜約２．５ミリメートル、好ましくは約０．５〜約１．３ミリメートル、より好ましくは約０．８〜約１．０ミリメートルの厚さを有している。
【０１３３】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、前記基板層は約９０パーセント以上、好ましくは約９５パーセント以上、より好ましくは約９８パーセント以上のランドとグルーブの複製率を有している。
【０１３４】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、前記ブレンドはポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）を約８０：２０〜約２０：８０の重量比で、好ましくは約６０：４０〜約４０：６０の重量比で、より好ましくは約４８：５２〜５２：４８の重量比で含んでいる。
【０１３５】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、前記ブレンドは基板層の最も狭い厚さの約５０パーセント以上、より好ましくは基板層の最も狭い厚さの約２５パーセント以上、より一層好ましくは基板層の最も狭い厚さの約５パーセント以上の大きさを有する微粒子状不純物を実質的に含まない。
【０１３６】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層を含んでおり、この基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、前記ポリ（アリーレンエーテル）は下記構造の構造単位を複数含んでおり、及び／又は、前記ポリ（アリーレンエーテル）はクロロホルム中２５℃で測定して約０．１０〜約０．６０デシリットル／グラムの固有粘度を有しており、及び／又は、前記ポリ（アリーレンエーテル）はポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）又はポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル−コ−２，３，６−トリメチルフェニレンエーテル）である。
【０１３７】
【化１４】
2007504582.tif 000015
ここで、各構造単位に対して、各Ｑ１は独立してハロゲン、第一若しくは第二Ｃ１〜Ｃ７アルキル、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、又は２個以上の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子とを隔てているハロ炭化水素オキシであり、各Ｑ２は独立して水素、ハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、炭化水素オキシ、又は２個以上の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子とを隔てているハロ炭化水素オキシである。
【０１３８】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層、この基板上に配置されたデータ層、及びこのデータ層上で基板層と反対側に配置された光学層を含んでなり、前記基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．０５〜約０．７マイクロメートルのピッチを有しており、前記光学層はポリカーボネート又はシリコーンハードコートからなり、当該データ記憶媒体は８０℃で９６時間後５５ミリメートルの半径で０．５度以下、好ましくは０．３５度以下のラジアルチルト変化値を示す。
【０１３９】
一つの実施形態において、データ記憶媒体は重量比約１０：９０〜約９０：１０のポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリスチレン樹脂のブレンドからなる基板層、この基板層上に配置されたデータ層、及びこのデータ層上で基板と反対側に配置された光学層を含んでなり、前記光学層は１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート又はビスフェノール−Ａポリカーボネートからなり、当該データ記憶媒体は８０℃で９６時間後５５ミリメートルの半径で０．３５度以下のラジアルチルト変化値を示す。
【０１４０】
一つの実施形態において、データ記憶媒体は重量比約４０：６０〜約６０：４０のポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリスチレン樹脂のブレンドからなる基板層、この基板層上に配置されたデータ層、及びこのデータ層上で基板と反対側に配置された光学層を含んでなり、前記光学層は１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート又はビスフェノール−Ａポリカーボネートからなり、当該データ記憶媒体は８０℃で９６時間後５５ミリメートルの半径で０．３５度以下のラジアルチルト変化値を示す。
【０１４１】
もう一つ別の実施形態において、データ記憶媒体は重量比約４０：６０〜約６０：４０のポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層、この基板層上に配置されたデータ層、及びこのデータ層上で基板と反対側に配置された光学層を含んでなり、前記基板層はランドとグルーブを含む表面を含んでおり、これらのランドとグルーブは約０．２〜約０．４マイクロメートルのピッチを有しており、前記光学層は１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート又はビスフェノール−Ａポリカーボネートからなる。
【０１４２】
さらに別の実施形態において、データ記憶媒体はポリ（アリーレンエーテル）樹脂とポリ（アルケニル芳香族）樹脂のブレンドからなる基板層、及びこの基板層上に配置されたデータ層を含んでなり、前記基板層はある寸法のランドとグルーブを含む表面を含んでおり、前記データ層は約４２０ナノメートル未満の波長及び約０．６以上の開口数を有するレーザーを用いて読み出すことができる。
【０１４３】
本明細書中で言及した文献、特許及び特許出願は全て、援用によりその全体が本明細書の開示の一部をなす。以下の実施例は本発明を実施する際の追加の指針を当業者に示すために挙げるものである。これらの実施例は本発明の単なる代表例である。従って、以下の実施例はいかなる意味でも特許請求の範囲に記載の本発明を限定するものではない。
【実施例】
【０１４４】
データディスクアセンブリ試料の調製
以下の実施例のディスク基板は、Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｈｅａｖｙ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、Ｌｔｄ．のＳＤ３０  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  ＭａｃｈｉｎｅとＳｉｅｋｏｈ  Ｇｉｋｅｎ  Ｔｙｐｅ  Ｊ  ＣＤ金型を用いてポリマー性材料を射出成形することによって調製した。この金型は特定の幾何学的形状のグルーブの特徴を有する「スタンパー」を含んでいる。典型的なポリマーメルト「ショット」サイズは材料約２０グラムであった。成形されたディスク基板の一つの表面は金型表面に由来する「ネガ」パターンのグルーブを有していた。成形された基板のパターン化された表面を「スパッタリング」プロセスによってアルミニウムで０．０５〜０．１０マイクロメートルの標準厚さに金属化した。Ｒｅｃｏｒｄ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａ製のｎｉｔｔｏテープアプリケーターを用いて、基板の金属化された部分に感圧接着剤層（厚さ約２５マイクロメートル）を付けた後光学層（厚さ約７５マイクロメートル）を付けた。このスタックをＣａｒｖｅｒラミネータープレス内で６０℃、８０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ、５．６ｋｇｆ／ｃｍ２）で５分間プレスして層同士を完全に結合することによってデータディスクアセンブリを完成させた。
【０１４５】
比較例１並びに実施例１及び２：データディスクアセンブリのラジアルチルトに対する室温段階湿度変化効果
データディスクアセンブリに対して湿度衝撃試験を実施して高湿度環境下での寸法安定性を検討した。ディスクアセンブリのラジアルチルトは、アセンブリ層のいずれか又は全てにおける水の吸収又は脱着によって影響され得る。ポリマー性層が湿気を吸収して変化した環境と平衡に達する際、ディスクは含まれている材料及び系の非対称性に起因して反りを示し得る。比較例１及び実施例１〜２では、ディスクアセンブリのラジアルチルトを、時間０において、２５℃、５０％相対湿度の環境〜２５℃〜９０％相対湿度の環境で測定した。ラジアルチルトは、ディスク半径の関数として（５５ミリメートルの半径で測定）半径方向の偏り又はラジアルチルトの二倍を測定するＤｒ．Ｓｃｈｅｎｋ  ＰｒｏｍｅｔｅｕｓモデルＭＴ−１３６Ｅアナライザーを用い、赤色レーザーを使用しディスクがＣＤ−Ｒフォーマットモデルを有するとして測定した。
【０１４６】
比較例１
ビスフェノール−Ａポリカーボネート樹脂（ＯＱ１０５０、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓから入手可能な光学品質ポリカーボネート）から作成した１．１ミリメートル（ｍｍ）の厚さの基板上に、薄いアルミニウム反射データ層をスパッタリングした後、ビスフェノール−Ａポリカーボネート（ＢＰＡ−ＰＣ）から作成した７５マイクロメートルの厚さの光学層を光学品質の感圧接着剤により接合することによってデータディスクアセンブリを調製した。このディスクアセンブリを湿度衝撃試験にかけ、ディスクのチルトを時間の関数として測定した。この湿度衝撃試験の結果を図２に示す。
【０１４７】
実施例１
５０重量％（ｗｔ％）の０．３３固有粘度（ＩＶ、クロロホルム中２５℃で測定）のポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）（ＰＰＥ）と、５０ｗｔ％の２７００００ａｍｕの重量平均分子量（Ｍｗ）を有する結晶ポリスチレン（ｘＰＳ）（Ｌ３４５０グレード、Ｃｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能）とのブレンドから調製された基板、及び１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート（ＢＨＰＭ−ＰＣ）から調製された光学フィルム層からデータディスクアセンブリを作成した。使用したＰＰＥ／ｘＰＳブレンドは、後記実施例９〜１２の手順に従って溶融ろ過した。このアセンブリ中の層の厚さは比較例１と同じであった。このディスクアセンブリを湿度衝撃試験にかけた。結果を図３に示す。
【０１４８】
実施例２
この実施例では、基板は実施例１と同じ材料から調製したが、光学フィルム層はビスフェノール−Ａポリカーボネート（ＢＰＡ−ＰＣ）から調製した。ここでも、層は比較例１と同じ厚さであった。図４に、実施例２の湿度衝撃試験の結果を示す。
【０１４９】
実施例１と２で例証されたように、ポリ（フェニレンエーテル）／ポリスチレンブレンド基板とポリカーボネートフィルムから調製されたディスクアセンブリは、ポリカーボネート基板とポリカーボネートフィルムから調製されたアセンブリ（比較例１）と比較して、高い湿度条件下で極めて小さいラジアルチルトを示す。この最小のチルトはデータ読み出し／書き込み能力の完全性の維持にとって望ましい。
【０１５０】
実施例３：データディスクアセンブリの老化及び配合と分子量の効果
ＰＰＥとｘＰＳの各種ブレンドから調製された基板を有するデータディスクアセンブリを作成して基板の寸法安定性に対する分子量とブレンド組成の効果を例証した。４つの異なる配合のＰＰＥ／ｘＰＳブレンドを調製し、上記成形条件を用いてディスク基板に射出成形した。配合は表１に挙げてある。これらの配合では２つのＰＰＥと２つのｘＰＳで変化させた。すなわち、０．３３ＩＶ及び０．４６ＩＶのポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）と、Ｃｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能な２７００００ａｍｕの重量平均分子量を有するＬ３４５０グレードのポリスチレン（高ＭＷ  ｘＰＳ）及びＮｏｖａｃｏｒから入手可能な２１４０００ａｍｕの重量平均分子量Ｍｗを有するＬ３０５０グレードのポリスチレン（低ＭＷ  ｘＰＳ）であった。実施例３のデータディスクアセンブリは全てＢＨＰＭ−ＰＣ光学フィルム層を含有していた。
【０１５１】
【表１】
2007504582.tif 000016
さらに、表２に、ＡＳＴＭ  Ｄ３８３５に従って３００℃の温度で測定した４種の配合に対する粘度データを示す。剪断速度は秒の逆数（速度１／ｓ）で、粘度はパスカル−秒（Ｐａ−ｓ）の単位である。
【０１５２】
【表２】
2007504582.tif 000017
これらのアセンブリを８０℃で２００時間５０％相対湿度の熱老化に付した。熱老化前後のチルトを測定することによりチルトの差を決定した。この老化研究の結果を図５に示す。図５に示されている通り、ポリ（フェニレンエーテル）とポリスチレンの比並びにブレンド中の各構成成分の分子量及び固有粘度を変化させると、得られる基板の寸法安定性に対して顕著な影響があった。構成成分の比及びそれらの物理的性質を慎重に選択することによって、驚くべきことに、大幅に低減した残留成形応力を有する基板を成形することができるということが判明した。残留成形応力の低下の結果、その基板から調製されたデータディスクアセンブリは経時的に及び／又は高温で優れた寸法安定性を示すことになる。図に示されているように、最良の結果は０．３３ＩＶのＰＰＥと高いＭＷのｘＰＳの１：１ブレンドから調製された基板で得られた。
【０１５３】
実施例４：基板の老化及び基板収縮に対する成形条件の効果
既に述べた通り、８０℃におけるラジアルチルトの変化は主として射出成形された基板中の応力の緩和により引き起こされると考えられる。基板は８０℃のような高温で緩和され容積が変化するが、アセンブリの他の層、例えば金属、接着剤、及び光学層は変化しないか又は異なる速度で変化する。収縮及び応力緩和は、ある所与の組成のＰＰＥ−ＰＳの場合ディスクを成形する際の条件を変化させることによって著しい影響を受け得ることが判明している。図６に、８０℃の環境に曝露した後に金属化されてない射出成形ディスク基板に対して行った収縮の測定によってこの現象を示す。この実施例では単一の配合を使用した。すなわち、５０ｗｔ％の０．３３ｉｖポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）及び５０ｗｔ％のＣｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能な重量平均分子量２７００００の結晶ポリスチレンであった。ディスク基板を調製するのに使用した成形条件はメルト温度（メルト）、金型温度（金型）、及び形締トン数（形締トン）であった。ＢＰＡ−ＰＣから作成した比較例の基板も挙げてある。図６に示されているように、成形条件を変えると、高温条件下である範囲の寸法安定性を有する基板が得られた。
【０１５４】
所与の組成のＰＰＥ−ＰＳに対して、残留成形応力の応力緩和、従って８０℃の老化におけるラジアルチルトの変化は、これらの射出成形条件を試験し最適化することによって大幅に低減することができる。ＰＰＥ−ＰＳブレンドを成形する際の最適化された条件は、本出願人が所有する本出願と同時係属中の「Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ａｒｔｉｃｌｅｓ」と題する米国特許出願第１０／６４８５４０号（代理人整理番号１３４７１７−１）に記載されている。基板の成形条件の、それから製造されたデータディスクアセンブリの寸法安定性に関するさらなる探索は以下の実施例に見ることができる。
【０１５５】
実施例５：基板の老化及びディスクアセンブリのラジアルチルト変化に対する成形条件の効果
熱老化曝露の後のディスクアセンブリの反りに対する成形条件の効果をこの実施例で例証する。これらのアセンブリのディスク基板は全て、５０ｗｔ％の０．３３ｉｖポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）と５０ｗｔ％のＣｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能な重量平均分子量２７００００の結晶ポリスチレンとのブレンドから調製した。ディスクを表３にまとめて示す様々な成形条件下で成形した。１７の製造試験を行ってディスク基板を製造した。メルト温度と金型温度はセ氏（℃）で、形締トン数はトンで、保持圧力はキログラム重／平方センチメートル（ｋｇｆ／ｃｍ２）で、冷却時間は秒で示す。
【０１５６】
【表３】
2007504582.tif 000018
これらの成形された基板の表面を、スパッタリングプロセスにより約０．０５〜０．１０マイクロメートルの標準厚さにアルミニウムで金属化することによってデータディスクアセンブリを作成した。Ｒｅｃｏｒｄ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａ製のｎｉｔｔｏテープアプリケーターを用いて、ディスクの金属化された部分に感圧接着剤層（厚さ約２５マイクロメートル）を設けた後１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート（ＢＨＰＭ−ＰＣ）の光学フィルム層（厚さ７５マイクロメートル）を設けた。このスタックを６０℃、８０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ、５．６ｋｇｆ／ｃｍ２）で５分間Ｃａｒｖｅｒラミネータープレスに入れて層を全て完全に結合することによってディスクアセンブリを完成させた。
【０１５７】
次に、これらのアセンブリを周囲条件と平衡化させ、各ディスクアセンブリの初期ラジアルチルトを測定した。その後、ディスクを８０℃に９６時間曝露した後、再度周囲温度に平衡化し、再びラジアルチルトを測定した。８０℃の環境によって生じたチルトの変化を表３に示す。
【０１５８】
表３はまた、試験１〜１７から調製されたアセンブリと同じ接着剤を用いてＢＰＡ−ＰＣ光学層に結合したＯＱ１０５０のビスフェノール−Ａポリカーボネート（ＢＰＡ−ＰＣ）ディスクである比較例２（ＣＥ２）も含んでいる。予想外のことに、ラジアルチルト変化値により立証されるように、ある種の成形パラメーター、例えば金型温度、メルト温度、及び形締トン数はＰＰＥ−ＰＳに基づくアセンブリの寸法安定性に対して顕著な効果を有していることが決定された。予想外のことに、メルト温度、金型温度、及び形締トン数の成形パラメーターが、冷却時間及び保持圧力と比較して基板の寸法安定性に対してより大きい影響を有することが判明した。これらの成形パラメーターを最適化することにより、優れた安定性を有するＰＰＥ−ｘＰＳブレンドから調製された基板を作成することができる。
【０１５９】
実施例６〜７：成形条件の関数として測定した射出成形ディスク基板のグルーブ複製率
実施例６
５０ｗｔ％の０．３３ｉｖポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）と５０ｗｔ％の重量平均分子量２７００００の結晶ポリスチレンとからなるブレンドを基板材料として使用した。基板の表面上の金型「スタンパー」特徴を測定してパーセント複製率を得た。このパーセント複製率は、原子間力顕微鏡を用いてディスクの特徴のグルーブ深さを測定し、その数を対応する金型スタンパーパターンの特徴の測定値で割り、１００を掛けることによって決定された。パーセント複製率のデータを平均値として表４に示す。
【０１６０】
【表４】
2007504582.tif 000019
表４の結果により示されるように、パーセント複製率は基板を調製するのに使用した成形パラメーターに応じて５０パーセントも変化し得る。優れたグルーブ複製率（＞９０％）は高めの金型温度及び高めのメルト温度で観察された。寸法安定性と同様に、基板を成形するのに使用した条件はスタンパーのグルーブの特徴の複製に対して驚くほど大きな効果を有していた。成形条件を慎重に選択することにより、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドから優れた特徴の複製と寸法安定性の両方を示す基板を調製することができるということが決定された。
【０１６１】
実施例７
表５に、４０ｗｔ％の０．３３ＩＶポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）と、６０ｗｔ％のＣｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能な重量平均分子量２７００００ａｍｕのＬ３４５０グレード結晶ポリスチレンとの樹脂ブレンドから調製されたディスクに対するグルーブ複製率の結果をまとめて示す。金型の可動側（ＭＳ）の温度をセ氏で測定した。金型温度オフセットは固定側と可動側の温度差である。射出速度は毎秒ミリメートル（ｍｍ／ｓ）の単位である。ここでも、優れた複製率（＞９０％）は高めの金型温度及び高めのメルト温度で観察された。
【０１６２】
【表５】
2007504582.tif 000020
実施例８〜１２及び比較例２〜４：微粒子状不純物の量が低減したポリフェニレンエーテルとポリスチレンのブレンドの調製
１つの実施例（実施例８）と１つの比較例（比較例２）は、ポリフェニレンエーテル−ポリスチレン樹脂ブレンドの溶液のろ過が得られる単離された材料の微粒子状不純物の量に及ぼす効果を立証するために調製した。
【０１６３】
実施例８
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ、０．３３ＩＶのＰＰＥ粉末、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓから入手可能）とポリスチレン（ｘＰＳ、Ｌ３０５０）の重量で４０／６０のブレンドを以下の手順に従って調製した。予熱した（約１２５℃）窒素雰囲気下撹拌量の試薬級オルト−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）に、７２．６キログラム（ｋｇ）のＰＰＥ粉末と１０８．９ｋｇのｘＰＳを加えて２０重量％の固形分を含有する溶液を形成した。この溶液を約１７０℃に加熱し、５マイクロメートルサイズのフィルターバッグに通して重力ろ過下。
【０１６４】
最初のろ過段階の完了後、蒸留により一部のＯＤＣＢを除去して２０重量％固形分の溶液を予備的に濃縮し、約４０重量％の固形分を含有するポリマー−溶媒混合物を得た。このポリマー−溶媒混合物を供給タンクに入れ、窒素下で約１６０℃の温度、約８０ｐｓｉｇ（５．６ｋｇ／ｃｍ２）の圧力に維持した。ギアポンプを用いて、ポリマー−溶媒混合物を毎時約７２ポンドの溶液の速度（３２．７ｋｇ／ｈｒ）で、約３１０℃（５９０°Ｆ）に維持された管状熱交換機に転送した。窒素を使用して、ギアポンプのポンプヘッドに供給するのに充分な圧力（約８０ｐｓｉｇ、５．６ｋｇ／ｃｍ２）を得た。
【０１６５】
熱交換機から出てきた２７０〜２８０℃の温度を有するポリマー−溶媒混合物を、並列に組み合わせた２つの燒結金属フィルター（ＰＡＬＬ、１３マイクロメートルサイズのプリーツフィルター、表面積約１．５ｆｔ２／フィルター（０．１４ｍ２））に通して供給溶液内の微粒子状不純物を除去した。フィルターハウジングの温度は約２８０℃に維持した。
【０１６６】
このろ過したポリマー−溶媒混合物を次に、約４０のＬ／Ｄ比を有する１０バレル２５ｍｍ直径の二軸式同方向回転型噛み合い押出機のバレル２の下流端に配された圧力制御フラッシュバルブを介して供給した。この圧力制御フラッシュバルブにおける溶液の温度は約２８０〜２８５℃であった。この押出機はスクリュー速度約５７５ｒｐｍ、約２０パーセントの駆動トルクで作動させた。測定された押出機バレル温度は３２１、２９９、３１８、２９１、２９０、２９０、２８９、及び２９０℃（ダイ）であった。
【０１６７】
この押出機はバレル１の上流に閉鎖チャンバーを備えており、この閉鎖チャンバーは溶媒除去プロセスの前及びその間に窒素ガスを制御しつつ導入するのに適した窒素ラインを有していた。押出機はさらに、バレル２に、押出機のバレルに直交して位置する側方供給口を備えていた。この側方供給口は加熱されておらず、約１０のＬ／Ｄを有しており、前方搬送要素のみからなる２つのスクリューを有していた。この側方供給口は、押出機バレルから最も離れている端に、単一の大気ベント（ベント１）を備えていた。この側方供給口のスクリューの搬送要素は押出機に向かって側方供給口ベントから離れるように搬送する構成となっていた。
【０１６８】
この押出機はさらに、２つの追加の大気ベントをバレル１（ベント２）とバレル４（ベント３）に、また３つの真空ベント（大気圧以下で作動するベント）をバレル５（ベント４）、バレル７（ベント５）及びバレル９（ベント６）に備えていた。２つは押出機上に、１つは側方供給口上にある３つの大気ベントは、各々、溶媒蒸気除去ライン、凝縮器及び液体溶媒受容器を含む溶媒除去及び回収マニホルドに連結されていた。真空ベントも同様に溶媒回収に適していた。ベント３、４、５及び６はタイプ「Ｃ」インサートを備えていた。ベント１と２はベントインサートを備えていなかった。
【０１６９】
押出機のスクリュー要素は搬送要素と混練要素の両方からなっていた。押出機と側方供給口の両方の搬送要素は全て前進ネジ搬送要素であった。使用した混練要素は、機能に応じて中立、前進ネジ及び後退ネジ混練要素であった。押出機のバレル２と３では、前進及び中立ネジ混練要素からなる混練ブロックを使用した。押出機スクリューは後退ネジ混練要素から作成された混練ブロックからなるメルトシールを備えていた。これらメルトシールはバレル５と８に位置していた。真空ベントは、メルトシールの下流のバレル５、バレル７及びバレル９に位置しており、約２８インチの水銀柱（Ｈｇ）の真空レベル（７１１．２ｍｍＨｇ、完全な真空、または０の絶対圧力を示す真空ゲージは約３０インチの水銀柱または７６２ｍｍＨｇを示すであろう）で作動させた。
【０１７０】
管状熱交換機を凝縮器として用いて、このプロセスで除去されたＯＤＣＢ溶媒を回収した。大気ベントからの溶媒蒸気を受容する熱交換機を少し真空（約１インチＨｇ、２５．４ｍｍＨｇ）にして溶媒蒸気を排気した。押出機のダイフェイスから出てきた揮発分が除去されたＰＰＥ−ｘＰＳ樹脂（メルト温度約３１０℃）をストランドにしペレット化した。
【０１７１】
試験に先立ち、スクリュー、ベント口アダプター、ベントインサート、ダイヘッド／プレートを４５４℃の砂浴に入れることによって、押出機を充分に清浄にし、再組み立ての前に押出機バレルにブラシをかけた。１２時間の試験中少なくとも１５分毎に目視検査することにより真空ベントを試験の間中清浄に保った。１２時間の実験全体を通して１つだけフィルターハウジングを使用した。フィルターを横切る差圧は試験を通じて一定にした。表６に、実施例８の加工処理データを示す。
【０１７２】
【表６】
2007504582.tif 000021
比較例２（ＣＥ−２）は実施例８と同様に調製したが、多少変更し、最も重要なのは、
ＰＰＥ−ｘＰＳ溶液をフィルターバッグに通した重力ろ過により一度だけろ過したことである。さらに、溶液は単離のために使用した押出機に入れる前に過熱しなかった。１０重量％固形分の溶液を形成するのに充分なＯＤＣＢ中で１２．１ｋｇの０．３３ＩＶのＰＰＥ粉末と１８．１ｋｇのＬ３０５０グレードｘＰＳを混合することによってＰＰＥ−ｘＰＳの溶液を調製した。得られた溶液を約１７０℃に加熱し、５マイクロメートルサイズのフィルターバッグに通して重力ろ過した。ろ液を蒸留によるＯＤＣＢの除去によって約４０重量％固形分の溶液に濃縮した。
【０１７３】
この溶液は、溶媒からポリマー性材料を単離する前に、管状ヒーターで過熱しなかったし、２つの燒結金属フィルターの組合せを通してろ過しなかった。ポリマー性材料の単離は、１０個のバレル（Ｌ／Ｄ＝４０）、２−穴ダイプレート及び６つのベントを有する直径２５ｍｍの二軸式同方向回転型噛み合い押出機で行った。これらベントのうち２つは供給口の上流に位置しており大気圧で作動し、その他の４つのベントは供給口の下流に位置しており、比較的高いレベルの真空（約２８インチ水銀（７１１．２ｍｍＨｇ））で作動した。大気ベント１と２は、押出機バレル１と、押出機のバレル２に連結された側方供給口上に位置していた。供給溶液をバレル２の下流端に位置する注入口で直接押出機に加えた。ベントとして作動する側方供給口をバレル２で押出機に連結した。最後に、押出機は試験の前に清浄にすることはなかったが、供給材料として使用したのと同じ溶液で幾らかの時間パージした。比較例２の加工処理条件は表６に見ることができる。
【０１７４】
実施例８と比較例２の単離されたＰＰＥ−ｘＰＳの、ろ過された材料中に存在する微粒子状不純物の量を試験した。目に見える微粒子の微粒子カウント数は以下の手順に従って決定した。ポリシールキャップを有する６個の２オンス試料びんをろ過した空気の流れに曝して存在する粒子を除去した。次に、びんを小量のクロロホルム（ＣＨＣｌ３）で濯いだ。５０ミリリットル（ｍＬ）のＣＨＣｌ３を各試料びん及びキャップに加えた。ライトボックスを用いて、目に見える斑点または繊維の数を各ＣＨＣｌ３ブランクに対して記録した。１０．００グラム量の各試料を清浄なアルミニウムパン上で秤量し、ＣＨＣｌ３を含有するびんに加えた。各単離されたポリマー性材料の２つの試料を２つのブランクと共に調製した。これらの試料を溶解させた後、ライトボックス内で目に見える斑点の存否について視察した。ブランク、実施例８、及び比較例２に対する目に見える粒子の分析の結果表７に示す。
【０１７５】
ろ過された材料中に存在するサイズ５〜１００マイクロメートルの範囲の微粒子状不純物を、レーザー光散乱技術を用いるＰａｃｉｆｉｃ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＡＢＳ２アナライザーを用いて検出した。実施例８の１６．０グラムの試料を、きれいなポリエチレンびん中に収容されている４００ｍＬのＣＨＣｌ３中に溶解させた。この手順を、比較例２の材料を用いて繰り返した。２０ｍＬの量の各試料溶液を、１ｍＬ／分（＋／−５％）の流速でＡＢＳ２アナライザー検出器に流した。このプロセス中、試料内に存在する約５〜約１００マイクロメートルのサイズの範囲の微粒子量を検出器で測定した。各びんから
５つの試料を採り、平均し、最終粒子サイズ数を得た。実施例８及び比較例例２のＡＢＳ２アナライザー微粒子分析の結果を示す。
【０１７６】
【表７】
2007504582.tif 000022
以上の実験の結果は、実施例８で使用した方法で、比較例２と比較したとき、非常に低減した量の微粒子状不純物を有するＰＰＥ−ｘＰＳ材料が得られることを示している。実施例８の溶液を１３マイクロメートルの燒結金属フィルターに通す追加のろ過にかけると、１５マイクロメートル以下のサイズを有する微粒子状不純物の量が大幅に低減した材料が得られた。
【０１７７】
実施例８はさらに、ポリフェニレンエーテルとポリスチレンを含む比較的低い重量％の固形分の溶液の単離／揮発分除去を例証している。ポリマー−溶媒混合物の過熱により、比較例２の二倍の流速で溶媒の効率的な除去が可能となり、単離されたポリフェニレンエーテル−ポリスチレン複合材が得られる。
【０１７８】
４つの試験例（試験実施例９〜１２）を行って、ポリフェニレンエーテルとポリスチレンを含むメルトを溶融ろ過して微粒子状不純物のレベルの低減したポリマー性材料を形成する方法を検証した。
【０１７９】
試験実施例９
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ、粉末、０．３３ＩＶ、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓから入手可能）とポリスチレン（ｘＰＳ、Ｎｏｖａｃｏｒ  ２２７２、Ｍｗ２１４０００、Ｍｎ７１６００、Ｍｗ／Ｍｎ２．９９、Ｎｏｖａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能）の４０／６０重量％ブレンドを真空ベント付き４０ミリメートル（ｍｍ）コンパウンダーでコンパウンディングした。ベントを通して約２０インチ水銀（５０８ミリメートルＨｇ）の真空にした。このコンパウンディングした材料を、３つのバレル（ゾーン）を備えた単軸式押出機に供給した。この押出機には、押出機ダイヘッドに位置する燒結金属フィルター（ＰＡＬＬ、３マイクロメートルのポア、キャンドル形状）を備えていた。
【０１８０】
押し出されたメルトストランドを清浄なろ過水浴に通した。この水は、１０マイクロメートルのフィルターに通してろ過して汚れと不純物を除去してあった。押し出されたポリマー性材料の冷却したストランドを乾燥させペレット化した。試験の間中、約半時間毎に
押し出されたメルトのバッチを収集した。押出機の加工処理条件を表８に示す。
【０１８１】
試験実施例１０として、３０ｍｍのコンパウンダーを使用した以外は試験実施例９の手順を繰り返した。試験実施例１０の押出機加工処理条件も表８に示す。
【０１８２】
試験実施例１１及び１２として試験実施例９の手順を繰り返した。試験実施例１１と１２のＰＰＥ−ｘＰＳ配合は、０．３３ＩＶのＰＰＥとＥＢ３３００グレードのｘＰＳ（Ｍｗ２７６０００、Ｍｎ５１５００、Ｍｗ／Ｍｎ５．３６、Ｃｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能）の５０／５０重量％ブレンドであった。試験実施例１１では４０ｍｍコンパウンダーを使用し、試験実施例１２では３０ｍｍコンパウンダーを使用した。試験実施例１１と１２の加工処理条件を表８に示す。全ての実施例で、駆動(drive)、速度、圧力、及びメルト温度は試験全体の平均である。
【０１８３】
【表８】
2007504582.tif 000023
実施例９〜１２の試験で得た試料の目に見える微粒子を以下の手順に従って試験した。各試験のポリマー性材料の試料を、各試験実施例（９〜１２）について約半時間毎に採取した。各試料の目に見える微粒子を二回試験した。ポリシールキャップを有する２オンスの試料びんをろ過した空気の流れに曝して存在する微粒子を除去した。次に、びんを小量のＨＰＬＣグレードのクロロホルム（ＣＨＣｌ３）で濯いだ。５０ミリリットル（ｍｌ）のＨＰＬＣグレードＣＨＣｌ３を各試料びんに加えた。ライトボックスを用いて、目に見える斑点または繊維の数を各ＣＨＣｌ３ブランクに対して記録した。１０．００グラム量の試料をきれいなアルミニウムパン上で秤量し、ＣＨＣｌ３を含有するびんの１つに加えた。各資料に対してこの手順を繰り返した。試料を溶解させた後、ライトボックス内で目に見える斑点の存在を視察した。合計で四回の試験（実施例９〜１２）の各試験で斑点の平均数を計算した。試験実施例９〜１２に対する目に見える粒子分析の結果を表９に示す。
【０１８４】
試験実施例１０の２つの試料（Ｅｘ．１０、Ｓ１及びＥｘ．１０、Ｓ２）、試験実施例１１の１つの試料（Ｅｘ．１１、Ｓ１）、並びに試験実施例１２の２つの試料（Ｅｘ．１２、Ｓ１及びＥｘ．１２、Ｓ２）の微粒子含有量を下記手順に従って試験した。５〜１００マイクロメートルの範囲のサイズを有する微粒子の量を、レーザー光散乱技術を使用するＰａｃｉｆｉｃ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＡＢＳ２アナライザーを用いて決定した。４０．０グラム量の各試料を清浄なポリエチレンびんに収容された４００ｍｌのＨＰＬＣグレードＣＨＣ１３に溶解した。２０ｍｌ量の各試料溶液を流速１ｍｌ／分（＋／−５％）でＡＢＳ２アナライザー検出器を通して流した。このプロセスの間に、試料中に存在する様々なサイズの微粒子の量を検出器で測定した。各試料を５回試験し、平均して最終的な数とした。２つの比較例を調製し試験した。比較例３（ＣＥ３）は０．３３ＩＶのＰＰＥ／ＥＢ３３００グレードｘＰＳの５０／５０重量％のろ過してないブレンドであった。比較例４（ＣＥ４）は光学品質のポリカーボネート（ＯＱ−ＰＣ、ＬＥＸＡＮ（登録商標）１０５０、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓから入手可能）であった。ＡＢＳ２アナライザー粒子分析の結果（粒子／グラム）をブランクデータ（ＣＨＣｌ３単独）と共に表９に示す。
【０１８５】
【表９】
2007504582.tif 000024
以上の実験の結果は、ろ過してない試料（ＣＥ３）とそれに対応するろ過した試料（Ｅｘ．１１、Ｓ１、Ｅｘ．１２、Ｓ１、及びＥｘ．１２、Ｓ２）とで微粒子状不純物が大幅に低減することを示している。さらに、本発明方法の実施例の微粒子状不純物レベルは１５マイクロメートル以上の微粒子に関して、ＯＱ−ＰＣに匹敵するかまたはそれ以上である。
【図面の簡単な説明】
【０１８６】
【図１】図１は、高面積光データ記憶媒体の横断面の図である。
【図２】図２は、湿度衝撃試験に曝露されたデータディスクアセンブリに対する時間の関数としてのラジアルチルトのグラフ表示であり、このアセンブリはビスフェノール−Ａポリカーボネート基板とビスフェノール−Ａポリカーボネート光学層から作成されたものである。
【図３】図３は、湿度衝撃試験に曝露されたデータディスクアセンブリに対する時間の関数としてのラジアルチルトのグラフ表示であり、このアセンブリはポリ（フェニレンエーテル）／結晶ポリスチレンブレンド基板と１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン（ＢＨＰＭ）ポリカーボネート光学層から作成されたものである。
【図４】図４は、湿度衝撃試験に曝露されたデータディスクアセンブリに対する時間の関数としてのラジアルチルトのグラフ表示であり、このアセンブリはポリ（フェニレンエーテル）／結晶ポリスチレンブレンド基板とビスフェノール−Ａポリカーボネート光学層から作成されたものである。
【図５】図５は、様々な分子量及び構成成分組成のポリ（フェニレンエーテル）／結晶ポリスチレンブレンド基板とＢＨＰＭポリカーボネート光学層から作成されたデータディスクアセンブリのラジアルチルトの変化のグラフ表示である。
【図６】図６は、８０℃の環境に曝露されたときのポリ（フェニレンエーテル）／結晶ポリスチレンブレンド基板の収縮率の時間の関数としてのグラフ表示である。
【図１】
2007504582.tif 000025
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2007504582.tif 000033