(57)【要約】酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法が開示される。この方法は、第１の期間、一組の構造体を酸化剤を含む第１の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第１の溶液から一組の構造体を取り出して、第２の期間、この一組の構造体を主反応物を含む第２の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第２の溶液から一組の構造体を取り出して、第３の期間、この一組の構造体を酸の第１の混合物を含む第３の溶液で研磨することを含む。
2007506282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムにおいて、酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法であって、第１の期間、前記一組の構造体を酸化剤を含む第１の溶液にさらすステップと、前記第１の溶液から前記一組の構造体を取り出すステップと、第２の期間、前記一組の構造体を主反応物を含む第２の溶液にさらすステップと、前記第２の溶液から前記一組の構造体を取り出すステップと、第３の期間、前記一組の構造体の表面を酸の第１の混合物を含む第３の溶液で研磨するステップと、からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
第４の期間、前記一組の構造体を酸の第２の混合物を含む第４の溶液にさらすステップと、第５の期間、前記一組の構造体をアルカリ性物質の第１の混合物を含む第５の溶液にさらすステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の期間、前記一組の構造体を前記第１の溶液にさらす前記ステップは、前記一組の構造体を研磨パッドで研磨するステップを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の溶液から前記一組の構造体を取り出す前記ステップは、前記一組の構造体を脱イオン水で洗浄するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記一組の構造体をフィルタ処理された不活性ガスで乾燥させるステップを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記フィルタ処理された不活性ガスは、窒素から成ることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の期間、前記一組の構造体を前記第２の溶液にさらす前記ステップは、前記一組の構造体を超音波で清浄するステップを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の期間、前記一組の構造体を前記第２の溶液にさらすステップの後に、前記一組の構造体は、アルコ−ルで洗浄されると共に研磨されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の溶液から前記一組の構造体を取り出す前記ステップは、前記一組の構造体を脱イオン水で洗浄するステップを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化剤、前記第２の溶液、前記第３の溶液および前記第４の溶液は、過酸化水素（H2O2）を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化剤は、前記第２の溶液の約１０%〜約３０%であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸の第１の混合物は、フッ化水素酸（HF)を含んでおり、このフッ化水素酸は、前記第３の溶液の約２%〜約３３%であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸の第１の混合物は、硝酸（HNO3)を含んでおり、この硝酸は、前記第３の溶液の約２%〜約３３%であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸の第２の混合物は、酢酸（CH 3COOH）を含んでおり、この酢酸は、前記第４の溶液の約２%〜約１０%であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記アルカリ性物質の第１の混合物は、アンモニア水（NH4OH）を含んでおり、このアンモニア水は、前記第５の溶液の約８%〜約３３%であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第５の溶液は、過酸化水素（H2O2）を含んでおり、この過酸化水素は、前記第５の溶液の約８%〜約３３%であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の期間は、約３０分であることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の期間は、約５分であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
プラズマ処理システムにおいて、酸化イットリウムを含む一組の構造体
から一組の粒子を除去する方法であって、第１の期間、前記一組の構造体を主反応物を含む第１の溶液にさらすステップと、前記第１の溶液から前記一組の構造体を取り出すステップと、第２の期間、前記一組の構造体を酸化剤を含む第２の溶液にさらすステップと、前記第２の溶液から前記一組の構造体を取り出すステップと、第３の期間、前記一組の構造体の表面を酸の第１の一組を含む第３の溶液で研磨するステップと、から成ることを特徴とする方法。
【請求項２０】
第４の期間、前記一組の構造体を酸の第２の一組を含む第４の溶液にさらすステップと、第５の期間、前記一組の構造体をアルカリ性物質の第１の一組を含む第５の溶液にさらすステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して基板製造技術に関し、特に詳細には、プラズマ処理システムにおいてイットリウムを含む構造体の一組を清浄する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板（例えば、半導体ウェ−ハまたはフラットパネルディスプレイ製造において使用されるガラスパネル）の処理においては、プラズマが多くの場合使用される。基板（化学蒸着メッキ、プラズマで強化された化学蒸着メッキ、物理蒸着（PVD）等）の処理の一部として、例えば、この基板は複数のチップまたは矩形に分割され、それぞれが集積回路になる。そして、この基板は、その上に電気部品を形成するために材料が選択的に除去され（エッチング）、蒸着される（deposition)、一連のステップを経る。
【０００３】
典型的なプラズマ処理においては、基板は、エッチングの前に硬化したエマルジョン（感光乳剤）（すなわち、例えばフォトレジストマスク）の薄膜で覆われる。その後、硬化したエマルジョンは、選択的に除去され、下位層の一部を露出させる。その後、この基板は、チャックと呼ばれる単極または双極の電極から成る基板支持構造体上のプラズマ処理チャンバに配置される。 その後、適当なエッチング原料ガス（例えば、C4F8、C4F6、CHF3、CH2F3、CF4、CH3F、C2F4、N2、０2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BCl3、Cl2等）が、チャンバに流入されて、この基板の露出した箇所をエッチングするためにプラズマを生成するために打たれる。
【０００４】
プラズマ処理システムは、プラズマ処理システムの内面上に付着する汚染物をも発生させてしまう。これらの付着物は、通常、エッチングガスの材料（例えば、炭素、フッ素、水素、窒素、酸素、アルゴン、キセノン、シリコン、ホウ素、塩素等）、この基板の材料（例えば、フォトレジスト、シリコン、酸素、窒素、アルミニウム、チタン等）、またはこのプラズマ処理室（チャンバ）内の構成材料（例えば、アルミニウム、石英等）からプラズマ処理によって生成された有機および無機質の副産物から成る。
【０００５】
チャンバ内の表面への付着物の付着度およびそれにより引き起こされ得る汚染の程度は、プラズマ処理の特定の要素（例えば、化学物質、電力、および温度）およびチャンバ処理キットの内部面状態による。一般に、有機結合物は非常に強固かつ粘着力がある（例えば、炭素−水素結合（C−H）、炭素−炭素結合（C−C）、炭素−炭素二重結合（C=C）、炭素−酸素結合（C−O）、炭素−窒素結合（C−N）等）傾向があり、これは、相互結合された比較的安定した構造体が形成されるためである。 続いて、有機物の含蓄量が多い残留物は、有機物の含蓄量が少ない残留物の場合よりも汚染物の発生が少ない。更に、SEM分析は、有機物が多い付着物から成るコンパクトな構造体および無機物の多い付着物から成る緩い構造体を示す。
【０００６】
付着物を実質的に除去するには多くの時間を必要とするため、プラズマ処理システムチャンバ−は、粒子の汚染レベルが許容できないレベルに達した場合、プラズマ処理システムが消耗品である構造体（エッジリング等）を取り替えるために開かれる場合や、定期的な予防保守（PM）の一部としての場合のみにおいて一般的に実質的に清浄される。更に、多くの実施態様において、これらの実質的な清浄と清浄との間の時間は、基板を配置すること無しにプラズマを発生させることによってその場でプラズマ処理システムを部分的に清浄することによって実質的に延長することができる。例えば、プラズ処理表面から周囲の汚染物を除去するためにフッ素プラズマを用いてもよい。
【０００７】
加えて、多くの構造体は、プラズマ処理システム内で生成された無機質の付着物の量を減らすために、酸化アルミニウムを更に含む。酸化アルミニウムは、一般に、プラズマ処理において使用する腐食性の化学物質に対して実質的に耐性のある物質を形成する。更に、酸化イットリウム（Y2０3）コ−ティングまたは層（イットリアとも呼ばれる）は、プラズマ処理チャンバ内の表面を更に保護するために用いてもよい。
【０００８】
イットリアは、プラズマに対して実質的に耐性があり、アルミニウム汚染を更に顕著に減少させることができる。酸化アルミニウムと同様、イットリアは、電気を絶縁し、比較的低い誘電率を有する。しかしながら、イットリア・コ−ティングは、構造体から付着物を除去する処理において（特に、洗浄の間に腐食性物質が使用される場合）も損害を受けやすい。例えば、無機酸（例えばHNO3、HCl、HF、H2SO4等）は、プラズマ処理構造体から付着物を除去するのには効果的ではあるが、イットリアをも攻撃してしまい、実質的な腐食を引き起こし得ることは公知となっている。この損傷は、イットリア・コ−ティング上のエッチング付着物が周囲の水分と反応して下部の腐食および層間剥離を引き起こす時に、更に悪化し得る。
【０００９】
図１を参照すると、プラズマ処理システムの簡略横断面図が示されている。通常、静電チャック１１６に配置された基板１１４（半導体ウェ−ハまたはガラス枠等）の露出面をエッチングするために、エッチング原料ガスから成る適当な混合ガスが、入口１０８を通してチャンバ１０２に流入し、プラズマ１１０が生成される。ガス分配プレ−ト１２０は、ライナ１１２と共に、基板１１４上にプラズマ１１０を最適に集束させることを助ける。
【００１０】
プラズマ処理システム内の多くの構造体は、プラズマ処理において使用される腐食性化学物質に耐えるために、酸化アルミニウム１１８を更に含む。通常、酸化アルミニウムは、アルミニウム構造体を電圧が通過する硫酸電解液に浸漬することによって生成される。帯電したアニオンは、アニオン内の酸素がアルミニウムと結合して酸化アルミニウム（Al2O3）を生成するところのアノ−ドに移行する。この陽極酸化された層は、一般的に２〜３ミルの厚さであるが、概して多孔性で、最大耐腐食性を得るために密封（シ−ル）されていなければならない。これは、専売特許の化学浴による水熱処理、または孔の開口部への金属塩の沈殿によってこれらの孔を覆うことによって達成することができる。
【００１１】
加えて、プラズマ処理システム内で構造体を更に保護するために、イットリア（Y2O3）コ−ティングが更に用いられてもよい。イットリアは、通常、プラズマスプレ−コ−ティングとしてプラズマ処理システム内で酸化アルミニウム表面に施される。粉末状のイットリアは、非常に高温のプラズマ炎に注入され、急速に加熱されて、高速度に加速される。この高熱の材料は、酸化アルミニウム表面に衝突し、急速に冷却してコ−ティングを形成する。
【００１２】
全ての熱スプレ−・コ−ティングの共通する特徴は、冷えた表面に高速度で衝突して平坦となった小球体が急速に固化することで生じるレンズ状または板状の粒状組織である。これは、物理的なインタロックおよび拡散結合が起こる実質的に強固な被覆（カバ−）を作る。しかしながら、イットリアが熱的にスプレ−されたコ−ティングであるため、それは多孔性でもある。そして、多孔性は熱遮断性を高め、厚みの限界を高めるが、腐食の問題をも生じさせる。すなわち、イットリア・コ−ティング内の微小破壊によって、化学物質が酸化アルミニウム基板に透過してしまう。
【００１３】
図２を参照すると、図１に示すように、基板１１４の理想とされる横断面図を例示している。後述の記載において、層間の空間関係を記載するために本明細書で使用される「上の」および「下の」といった用語は、関係する層間の直接接触を意味し得る（常にではない）。層の上、下、または間において他の付加的な層があってもよい点に留意する必要がある。更に、例示された層の全てが必ずしも必要というわけではなく、それらのいくつかまたは全ては他の異なる層と置換することができる。
【００１４】
基板１１４の最下層において、一般的にケイ素（Si）を有する基部の基板層２１４が示されており、この層の上は、一般的に二酸化ケイ素（SiO2）を有する酸化層であることができる。酸化層２１２の上は、チタン（Ti）/スズ（TiN）を有する障壁層２１０であることができる。障壁層２１０の上は、金属層２０８（０．５〜２．０%の銅（Cu）を含むアルミニウム（Al）合金から一般的には成っており、相互接続およびバイアのために概して用いられることができる。金属層２０８の上は、チタン（Ti）またはスズ（TiN）から成る障壁層２０６であってもよい。障壁層２０６の上は、シオン（SiON）２０４を有するハ−ドマスク層であってもよく、その上は、フォトレジスト層２０２を被せることができる。フォトレジスト層２０２は、紫外線への露出によるエッチングのために、一般的にパタ−ンを形成される。例として、こうしたフォトレジスト技術は、後のエッチングを容易にするマスクを形成するために接触（コンタクト）リソグラフィ−システムまたはステッパリソグラフィ−システムにおいてフォトレジスト材料を露出させることによるフォトレジスト層２０２のパタ−ン形成を含む。エッチングガスの成分に加えて基板１１４の材料と、プラズマ処理チャンバ内のそれ自体の構造材料は、有機質および無機質の付着物の発生源である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前述に鑑み、プラズマ処理システムにおいてイットリウムを含む一組の構造体を清浄するための方法が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、一実施例において、プラズマ処理システムにおいて酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法に関する。この方法は、第１の期間、一組の構造体を酸化剤を含む第１の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第１の溶液から一組の構造体を取り出して、第２の期間、この一組の構造体を主反応物(keytone reagent)を含む第２の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第２の溶液から一組の構造体を取り出して、第３の期間、この一組の構造体を酸の第１の混合物を含む第３の溶液で物理的（mechanically）に研磨することを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のこれらの特徴および他の特徴は、下記の発明の詳細な説明および添付の図面と共に更に詳細に記載されている。
【００１８】
本発明は、添付の図面にて示すように、その２、３の好適な実施例に関して以下に詳述する。以下の説明では、多くの具体的な詳細が本発明の完全な理解を与えるために記載される。しかしながら、本発明がこれらの具体的な詳細のいくつかまたは全てが無くても実施され得ることは当業者にとっては明らかである。本発明を理解するうえで不要な混乱を避けるため、それ以外の例では、周知の処理ステップおよび／または構造体については、詳述されていない。
【００１９】
理論に束縛されることは望まれないが、本発明者は、イットリア熱スプレ−・コ−ティングを伴うプラズマ処理システムは、下部の腐食(undercut corrosion)を受けやすいと考える。基板がプラズマ処理システムで処理されるにつれて、塩素（Cl）はアルミニウム（Al)と反応し、塩化アルミニウム（AlCl3）（無機質の副産物）を生成する。これは、今度はプラズマ処理システムのチャンバ内の表面に付着する付着物において有機物質で懸濁する傾向がある。
【００２０】
プラズマ処理システム内の構造体は、セラミックの覆い（例えば酸化アルミニウム（Al2O3））によって、一般的に保護されている。加えて、構造体は、更なる保護を得るために、イットリア層で更にコ−ティングされている。しかしながら、酸化アルミニウムおよびイットリア層の両方は、多孔性である。例えば、イットリアは、４%の多孔率を有し得る。これによって、いくつかの副産物粒子がこの層を物理的に通過して下層に到達し、腐食を引き起こす。
【００２１】
例えば、プラズマ処理システムの内部が周囲大気にさらされるにつれて、水分（H2O）が侵入し得る。この水分は、有機付着物において懸濁される塩化アルミニウムと反応し、塩酸（HCl）を生成し得る。
【００２２】
２AlCl3 + ３H2O = ２Al（OH）3 + ６HCl
その後、この周囲水分のいくらかは、生成された塩酸粒子と同様に、イットリア層および酸化アルミニウムの両方を通して拡散する可能性があり、下層であるアルミニウム層に到達する。今度は、塩化水素がアルミニウムと反応して水素ガス（H2）を形成し得る。
【００２３】
６HCl +２Al = ２AlCl3 + ３H2
加えて、生成された塩化アルミニウムは、水分と再び反応して更なる塩酸を生成し得、再びこのプロセスを始める。充分な水素ガスが酸化アルミニウム層の下で生成されるにつれて、ガスポケットが形成される。最終的に、水素ガスは、その上の層に実質的に損傷を与えるのに充分な圧力を発生し得る。すなわち、酸化アルミニウムおよびイットリウム層の剥がれ落ちまたは剥離を最終的に引き起こす気泡（ブリスタ−）が形成され得る。
【００２４】
図３Aを参照すると、本発明の一実施例による、プラズマ処理システムのチャンバ内の表面の簡略図が示されている。有機質層３０２は、チャンバ内の表面に付着する一組の付着物を有する。一般に、この付着度は、通常、プラズマ処理の特定の要素（例えば、化学物質、電力および温度）による。それは、非常に強固かつ付着力がある、架橋結合して比較的安定した構造体となる傾向がある。無機分子３１０は、最終的に水分子３１１と反応して水素ガスポケットを形成し得る、塩化アルミニウムのような物質を有する。
【００２５】
イットリア層３０４は、通常、プラズマ処理チャンバ内の表面を保護するためにプラズマスプレ−コ−ティングとしてプラズマ処理システムの内で酸化アルミニウム表面に施される。微小破壊３１２および３１４によって、周囲粒子が下層の酸化アルミニウム層３０６（これも多孔性となり得る）にまで入りこんで、アルミニウム層３０８（例えばAl６０６１−T６）に到達し得る。  図３Bを参照すると、図３Aの簡略図が示されており、そこにおいて水素ポケットが形成されている。前述したように、水分子３１１および塩化アルミニウム３１０は、有機質層３０２の中で懸濁しており、イットリウム層３１２および酸化アルミニウム層３１４を貫通して反応し、塩酸を形成する。これは今度はアルミニウムと反応して水素ガスおよび更なる塩化アルミニウムを生成する。
【００２６】
図３Cを参照すると、図３Bの簡略図が示されており、そこにおいて水素ポケットによって発生した圧力が層３２０の上の層を実質的に損傷するところまで増加したところである。気泡がイットリア・コ−ティング面に発生すると共に、微小なひびもイットリア・コ−ティング面に見られる可能性がある。コ−ティングは、下部の腐食によって剥離するおそれがある。この気泡は、（１）水素泡の蓄積および圧力と、(２)AlCl3といった腐食副産物の蓄積の、２つの要因に帰することができる。
【００２７】
図４を参照すると、本発明の一実施例による、プラズマ処理システムの役務終了後にイットリウムでコ−ティングされた構造体を清浄するためのステップを示している簡略図である。図４は経時的なステップの簡略化された一組を示しているが、他の一連のステップでも、プラズマ処理システムのイットリウムでコ−ティングされた構造体を最適に清浄することができる。
【００２８】
進歩性のある方法において、この構造体は、ステップ４０２で酸化剤（例えばH2O2）を含む溶液にさらされる。本発明の一態様において、この溶液は、酸化剤を約１０%〜約３０%有する。本発明の別の一態様において、この溶液は、酸化剤を約２０%〜約３０%有する。本発明の更に別の態様では、この溶液は、酸化剤を約３０%有する。
【００２９】
ステップ４０４において、この構造体は、溶液にさらされている間、副産物である付着物を遊離させるために物理的に研磨される。その後、ステップ４０６において、この構造体は、取り出され、脱イオン（DI）水で洗浄されて、フィルタ処理された不活性ガス（例えば窒素）によって乾燥される。その後、ステップ４０８において、この構造体は、主反応物（例えばアセトン）によって超音波で清浄されて、周期的に物理的に研磨される。その後、ステップ４１０において、この構造体は、主反応物から取り出されて、脱イオン水で洗浄されて、フィルタ処理された不活性ガスによって再び乾燥される。ステップ４１２において、この構造体は、アルコ−ル（例えば２−プロパノ−ル）によって洗浄されると共に物理的に研磨される。このステップは、必要に応じて繰り返す必要がある。
【００３０】
その後、ステップ４１４において、この構造体は、混合強酸を含む溶液で物理的に短時間研磨される（例えば１分）。本発明の一態様において、この強酸溶液は、フッ化水素酸（HF）、硝酸（HN０3）および水（H2O）から成る。  本発明の別の態様において、この溶液は、HF と HNO3 とH2O (HF：HNO3： H2O)の比率が約１：１：１から１：１：５０の間である（例えば、約３３%：３３%：３３%から約２%：２%：９６%の間）。
【００３１】
本発明の他の態様では、この溶液は、HF：HNO3：H2Oの比率が約１：１：２から１：１：５０の間である（例えば、約２５％：２５%：５０%から約２%：２%：９６%の間）。
【００３２】
本発明の他の態様では、この溶液は、HF：HNO3：H2Oの比率が１：１：４８である（例えば、約２%：２%：９６%）。
【００３３】
その後、ステップ４１６において、この構造体は、脱イオン水で再び洗浄されて、フィルタ処理された不活性ガスによって乾燥される。その後、ステップ４２０で、この構造体は、実質的に長時間（例えば１０分）弱酸性溶液（酢酸）にさらされる。本発明の一態様では、この弱酸性溶液は、酢酸である。本発明の更に別の態様では、この弱酸性溶液は、溶液全体の約２%〜約１０%である。本発明の更に別の態様では、この弱酸性溶液は、溶液全体の約２%〜約６%である。本発明の更に別の態様では、この弱酸性溶液は、溶液全体の約４%〜約５%である。
【００３４】
その後、ステップ４２２において、この構造体は、脱イオン水で再び洗浄されて、フィルタ処理された不活性ガスによって乾燥される。
【００３５】
その後、ステップ４２４において、この構造体は、実質的に長時間（例えば１０分）アルカリ性溶液で物理的に研磨される。
【００３６】
本発明の一態様において、このアルカリ性溶液は、アンモニア（NH4OH）、過酸化水素（H2O2）および水（H2O）から成る。
【００３７】
本発明の別の態様において、この溶液は、NH4OH：H2O2：H2Oの比率が約１：１：１から１：１：１０の間である（例えば、３３％：３３%：３３%から約８%：８%：８３%の間）。
【００３８】
本発明の他の態様では、この溶液は、NH4OH：H2O2：H2Oの比率が約１：１：１から約１：１：５の間である（例えば、約３３%：３３%：３３%から約１４%：１４%：７１%の間)。
【００３９】
本発明の他の態様では、この溶液は、NH4OH：H2O2：H2Oの比率が約１：１：２である（例えば、約２５%：２５%：５０%)。
【００４０】
その後、ステップ４２６において、この構造体は、脱イオン水で洗浄されて、フィルタ処理された不活性ガスによって乾燥される。
【００４１】
本発明がいくつかの好ましい実施例に関して記載されてきたが、その変更、置換および対等物も本発明の範囲内である。例えば、本発明はMetal  Etch  ２３００  プラズマ処理システムのガス分配プレ−トに関して記載されてきたが、他のプラズマ処理システムを使用してもよい。また、本発明の方法を実施する多くの別の方法があることにも留意されたい。
【００４２】
本発明の効果は、プラズマ処理システムにおいて酸化イットリウムを含む一組の構造体からエッチング副産物を除去する方法を含む。付随する効果は、清浄処理において損傷を与える可能性のある酸の使用が実質的に減少することと、イットリウムコ−ティングの腐食を最小限に抑え、プラズマ処理工程の歩留まりを増加させることによって、プラズマシステム内の酸化イットリウムでコ−ティングされた構造体の耐用寿命を延ばすこととを含む。
【００４３】
実施例および最良の形態を開示してきたが、改造および変更を開示された実施例に施すことは、添付の請求の範囲に記載の本発明の主題および精神の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
添付の図面において、本発明は、例として示されており、限定するものとして示されるものではなく、更に、同じ番号は類似する要素を示している。
【図１】図１は、プラズマ処理システムの簡略横断面図を表す。
【図２】図２は、基板の理想とされる横断面図を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の一実施例による、プラズマ処理システムのチャンバ内の表面の簡略図を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の一実施例による、プラズマ処理システムのチャンバ内の表面の簡略図を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の一実施例による、プラズマ処理システムのチャンバ内の表面の簡略図を示す。
【図４】図４は、本発明の一実施例による、プラズマ処理システムにおいてイットリアでコ−ティングされた構造体を洗浄するためのステップを示している簡略図を表す。
【図１】
2007506282.tif 000003
【図２】
2007506282.tif 000004
【図３Ａ】
2007506282.tif 000005
【図３Ｂ】
2007506282.tif 000006
【図３Ｃ】
2007506282.tif 000007
【図４】
2007506282.tif 000008
【国際調査報告】
2007506282.tif 000009