(57)【要約】【課題】小型化を図ることが可能な多出力絶縁電源装置を提供する。【解決手段】負荷に直流電圧ＶＳ１，ＶＳ２，ＶＳ３を供給する多出力絶縁電源装置１であって、各１つの１次側巻線および２次側巻線を有する単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３と、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を含み、複数の単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線のそれぞれに共通したスイッチング電圧を供給する１次側回路２と、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のデューティーおよび周波数を制御する制御回路３と、複数の２次側回路４〜６とを備える。制御回路３は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のデューティーを一定値に保ち、かつスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の周波数を一定値の第１スイッチング周波数に保つ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に複数の直流電圧を供給する多出力絶縁電源装置であって、
各１つの１次側巻線および２次側巻線を有し、前記１次側巻線と前記２次側巻線との間が絶縁された複数の単出力トランスと、
少なくとも１つのスイッチング素子を含み、前記複数の単出力トランスの前記１次側巻線のそれぞれに共通したスイッチング電圧を供給する１次側回路と、
前記スイッチング素子のデューティーおよび周波数を制御する制御回路と、
前記複数の単出力トランスの前記２次側巻線のそれぞれに１対１で接続された複数の２次側回路と、を備え、
前記２次側回路は、前記単出力トランスの前記２次側巻線に接続された整流回路と、前記整流回路の後段に接続され、前記直流電圧を生成する電圧レギュレータ回路とを含み、
前記制御回路は、前記デューティーを一定値に保ち、かつ前記周波数を一定値の第１スイッチング周波数に保つ
ことを特徴とする多出力絶縁電源装置。
【請求項２】
前記負荷は、半導体スイッチを第２スイッチング周波数で駆動する駆動回路であり、
前記直流電圧は、前記駆動回路の電源電圧になり、
前記制御回路は、前記第１スイッチング周波数が前記第２スイッチング周波数と同じ周波数にならず、かつ前記第２スイッチング周波数の逓倍周波数にならないように、前記スイッチング素子を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の多出力絶縁電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多出力絶縁電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多出力絶縁電源装置としては、例えば、特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１に記載の多出力絶縁電源装置は、スイッチングレギュレータの後段にフォワード型コンバータを組み込み、入出力間の絶縁性を確保した構成をとっている。この多出力絶縁電源装置によれば、起動の際、コンバータ内のトランスに過電流が流れることを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−８８１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の特許文献１に記載の多出力絶縁電源装置は、トランスの２次側から得られる信号をフィードバックして、スイッチングレギュレータの出力電圧をレギュレートしている。このように信号を１次側にフィードバックする場合、基板にフィードバック用のフォトカプラ等を実装する面積を確保する必要があるため、基板が大型化してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その課題とするところは、小型化を図ることが可能な多出力絶縁電源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る多出力絶縁電源装置は、
負荷に複数の直流電圧を供給する多出力絶縁電源装置であって、
各１つの１次側巻線および２次側巻線を有し、前記１次側巻線と前記２次側巻線との間が絶縁された複数の単出力トランスと、
少なくとも１つのスイッチング素子を含み、前記複数の単出力トランスの前記１次側巻線のそれぞれに共通したスイッチング電圧を供給する１次側回路と、
前記スイッチング素子のデューティーおよび周波数を制御する制御回路と、
前記複数の単出力トランスの前記２次側巻線のそれぞれに１対１で接続された複数の２次側回路と、を備え、
前記２次側回路は、前記単出力トランスの前記２次側巻線に接続された整流回路と、前記整流回路の後段に接続され、前記直流電圧を生成する電圧レギュレータ回路とを含み、
前記制御回路は、前記デューティーを一定値に保ち、かつ前記周波数を一定値の第１スイッチング周波数に保つことを特徴とする。
【０００７】
この構成は、フィードバックを必要としない構成であるため、フォトカプラ等を含む１次−２次間の伝達回路が不要となる。したがって、この構成では、基板にフィードバック用のフォトカプラ等を実装する面積を確保する必要がないため、基板の小型化ひいては装置全体の小型化を図ることができる。
【０００８】
上記多出力絶縁電源装置において、
前記負荷は、半導体スイッチを第２スイッチング周波数で駆動する駆動回路であり、
前記直流電圧は、前記駆動回路の電源電圧になり、
前記制御回路は、前記第１スイッチング周波数が前記第２スイッチング周波数と同じ周波数にならず、かつ前記第２スイッチング周波数の逓倍周波数にならないように、前記スイッチング素子を制御することが好ましい。
【０００９】
この構成によれば、多出力絶縁電源装置におけるスイッチング素子のオン／オフによって生じる微弱の電圧振動が、負荷の半導体スイッチのターンオン／ターンオフ時に重畳するのを防ぐことができる。すなわち、この構成によれば、負荷の半導体スイッチの誤点弧による誤動作を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、小型化を図ることが可能な多出力絶縁電源装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る多出力絶縁電源装置の回路図である。
【図２】第１実施形態に係る多出力絶縁電源装置に接続される負荷の回路図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る多出力絶縁電源装置の回路図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る多出力絶縁電源装置の回路図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る多出力絶縁電源装置の回路図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る多出力絶縁電源装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る多出力絶縁電源装置の実施形態について説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
図１に、本発明の第１実施形態に係るフルブリッジ方式の多出力絶縁電源装置１を示す。多出力絶縁電源装置１は、複数（本実施形態では、３つ）の単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３と、１次側回路２と、制御回路３と、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３と同数の２次側回路４，５，６とを備える。
【００１４】
単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３は、各１つの１次側巻線および２次側巻線を有する。１次側巻線と２次側巻線との間は、絶縁されている。単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３は、１次側回路２の後段に並列に接続されている。単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３において、１次側巻線と２次側巻線は同極性であり、１次側巻線と２次側巻線との巻数比は、例えば１：２に設定されている。
【００１５】
１次側回路２は、第１スイッチング素子Ｑ１と、第２スイッチング素子Ｑ２と、第３スイッチング素子Ｑ３と、第４スイッチング素子Ｑ４とを含む、フルブリッジ回路である。第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４は、例えば、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴを用いることができる。
【００１６】
第１スイッチング素子Ｑ１のソースと第２スイッチング素子Ｑ２のドレインとが接続された接続点は、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線の巻始め側（図１の黒丸側）に接続される。第３スイッチング素子Ｑ３のソースと第４スイッチング素子Ｑ４のドレインとが接続された接続点は、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線の巻終り側に接続される。第１スイッチング素子Ｑ１および第３スイッチング素子Ｑ３のドレインは、ＶＣＣ（例えば、１２Ｖの電源電圧）に接続され、第２スイッチング素子Ｑ２および第４スイッチング素子Ｑ４のソースは、ＧＮＤに接続される。
【００１７】
１次側回路２は、制御回路３の制御下で第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がオン／オフし、電源電圧ＶＣＣに基づいてスイッチング電圧（例えば、±１２Ｖのスイッチング電圧）を生成する。生成されたスイッチング電圧は、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線のそれぞれに供給される。
【００１８】
制御回路３は、例えば、マイコンや専用のＩＣで構成され、第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のデューティーおよび周波数を制御する。具体的には、制御回路３は、デューティーを５０％以下の一定値に保ち、かつ周波数を一定値の第１スイッチング周波数に保つ。デューティーを５０％以下に保つのは、フルブリッジ回路（１次側回路２）の上下アームの貫通によるスイッチング素子の破損を防止するためである。制御回路３は、第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４に対してＰＷＭ制御は行わない。
【００１９】
２次側回路４，５，６は、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の２次側巻線のそれぞれに１対１で接続されている。すなわち、２次側回路４は単出力トランスＴ１の２次側巻線に接続され、２次側回路５は単出力トランスＴ２の２次側巻線に接続され、２次側回路６は単出力トランスＴ３の２次側巻線に接続されている。
【００２０】
２次側回路４は、単出力トランスＴ１の２次側巻線に接続された全波整流回路（本発明の「整流回路」に相当）と、全波整流回路の後段に接続された電圧レギュレータ回路７とを含む。全波整流回路は、ダイオードブリッジ回路ＤＢ１とＬＣ平滑回路Ｌ１，Ｃ１とを含む。電圧レギュレータ回路７は、入力された直流電圧（例えば、２４Ｖ）を降圧し、一定の直流電圧ＶＳ１（例えば、２２Ｖ）を生成する。
【００２１】
２次側回路５は、単出力トランスＴ２の２次側巻線に接続された全波整流回路（本発明の「整流回路」に相当）と、全波整流回路の後段に接続された電圧レギュレータ回路８とを含む。全波整流回路は、ダイオードブリッジ回路ＤＢ２とＬＣ平滑回路Ｌ２，Ｃ２とを含む。電圧レギュレータ回路８は、入力された直流電圧（例えば、２４Ｖ）を降圧し、一定の直流電圧ＶＳ２（例えば、２２Ｖ）を生成する。
【００２２】
２次側回路６は、単出力トランスＴ３の２次側巻線に接続された全波整流回路（本発明の「整流回路」に相当）と、全波整流回路の後段に接続された電圧レギュレータ回路９とを含む。全波整流回路は、ダイオードブリッジ回路ＤＢ３とＬＣ平滑回路Ｌ３，Ｃ３とを含む。電圧レギュレータ回路９は、入力された直流電圧（例えば、２４Ｖ）を降圧し、一定の直流電圧ＶＳ３（例えば、２２Ｖ）を生成する。
【００２３】
上記のとおり、２次側回路４，５，６は、同じ電圧値（例えば、２２Ｖ）の直流電圧ＶＳ１，ＶＳ２，ＶＳ３を生成して出力する。また、２次側回路４，５，６は、いずれもフィードバックを必要としない構成であるため、フォトカプラ等を含む１次−２次間の伝達回路を含まない。
【００２４】
多出力絶縁電源装置１では、第１スイッチング素子Ｑ１および第４スイッチング素子Ｑ４と、第２スイッチング素子Ｑ２および第３スイッチング素子Ｑ３とが、制御回路３の制御下で交互にオンオフする。
【００２５】
第１スイッチング素子Ｑ１および第４スイッチング素子Ｑ４がオンした場合、第２スイッチング素子Ｑ２および第３スイッチング素子Ｑ３はオフする。この場合、１次側電流は、第１スイッチング素子Ｑ１を通過し、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線の巻始め側に流入し、１次側巻線および第４スイッチング素子Ｑ４を通過してＧＮＤに流入する。
【００２６】
この場合、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線の両端に発生する電圧は、内部直流抵抗により、巻始め側の方が高くなる。１次側巻線と２次側巻線は同極性であるため、２次側巻線の両端に発生する電圧も、巻始め側の方が高くなる。２次側電流は、２次側巻線の巻始め側から全波整流回路を通過して電圧レギュレータ回路７，８，９に流入する。電圧レギュレータ回路７，８，９は、同じ電圧値の直流電圧ＶＳ１，ＶＳ２，ＶＳ３を出力する。
【００２７】
一方、第２スイッチング素子Ｑ２および第３スイッチング素子Ｑ３がオンした場合、第１スイッチング素子Ｑ１および第４スイッチング素子Ｑ４はオフする。この場合、１次側電流は、第３スイッチング素子Ｑ３を通過し、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線の巻終り側に流入し、１次側巻線および第２スイッチング素子Ｑ２を通過してＧＮＤに流入する。
【００２８】
この場合、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１次側巻線の両端に発生する電圧は、内部直流抵抗により、巻終り側の方が高くなる。１次側巻線と２次側巻線は同極性であるため、２次側巻線の両端に発生する電圧も、巻終り側の方が高くなる。２次側電流は、２次側巻線の巻終り側から全波整流回路を通過して電圧レギュレータ回路７，８，９に流入する。電圧レギュレータ回路７，８，９は、同じ電圧値の直流電圧ＶＳ１，ＶＳ２，ＶＳ３を出力する。
【００２９】
図２に、本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１に接続される負荷１０の一例を示す。負荷１０は、フルブリッジ接続された第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８（本発明の「半導体スイッチ」に相当）と、第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８を第２スイッチング周波数（例えば、１００ｋＨｚ）で駆動する第１〜第４駆動回路１１〜１４と、コンデンサＣ４とを含む。この場合、多出力絶縁電源装置１は、パワー半導体スイッチのゲート駆動用電源として機能する。
【００３０】
第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８は、ＳｉＣまたはＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体からなるパワートランジスタである。ワイドバンドギャップ半導体からなる第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８は、ゲート閾値電圧が１．６Ｖ程度と非常に低いため、ノイズの影響を受けやすく、微弱の電圧振動で誤点弧を起こす可能性がある。
【００３１】
第１駆動回路１１は、フォトカプラと２つのＭＯＳＦＥＴとを含み、２つのＭＯＳＦＥＴの接続点（出力端）が抵抗を介して第１パワートランジスタＱ５のゲートに接続されている。同様に、第２〜第４駆動回路１２〜１４は、フォトカプラと２つのＭＯＳＦＥＴとを含み、２つのＭＯＳＦＥＴの接続点（出力端）が抵抗を介して第２〜第４パワートランジスタＱ６〜Ｑ８のゲートに接続されている。
【００３２】
第１駆動回路１１の電源電圧として、２次側回路４の出力電圧ＶＳ１が供給される。第２駆動回路１２の電源電圧として、２次側回路５の出力電圧ＶＳ２が供給される。第３駆動回路１３および第４駆動回路１４の電源電圧として、２次側回路６の出力電圧ＶＳ３が供給される。
【００３３】
上記のとおり、第１〜第４駆動回路１１〜１４は、第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８を第２スイッチング周波数（例えば、１００ｋＨｚ）で駆動する。これに対して、多出力絶縁電源装置１の制御回路３は、第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を第１スイッチング周波数（例えば、２７０ｋＨｚ）で駆動する。第１スイッチング周波数は、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３のコア材料に応じてインダクタンス値とコアサイズを最小にする観点から設定される。
【００３４】
制御回路３は、第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の周波数が第２スイッチング周波数と同じ周波数（例えば、１００ｋＨｚ）にならず、かつ第２スイッチング周波数の逓倍周波数（例えば、２００ｋＨｚ、３００ｋＨｚ等）にならないように、第１スイッチング周波数を設定している。
【００３５】
結局、本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１は、フィードバックを必要としない構成であるため、フォトカプラ等を含む１次−２次間の伝達回路が不要となる。したがって、本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１では、基板にフィードバック用のフォトカプラ等を実装する面積を確保する必要がないため、基板の小型化ひいては装置全体の小型化を図ることができる。
【００３６】
本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１は、トランスとして３つの単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３を使用するため、３つの２次側巻線を有する多出力トランスを使用する場合と比較して、トランスおよびその周辺部品の配置の自由度が高くなる。つまり、１次−２次間の絶縁設計が行われていれば、２次−２次間の絶縁設計（２次側回路４，５，６間の絶縁設計）を容易かつ安価に行うことができるので、柔軟な電源設計が可能になる。さらに、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の１つ１つが小型化可能であるため、装置全体の小型化を図ることができる。
【００３７】
本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１では、単一の１次側回路２が３つの単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３に共通したスイッチング電圧を供給するため、１次側回路２の設計が容易になり、実装面積の増加を抑制することができる。
【００３８】
本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１では、すべての２次側回路４，５，６が電圧レギュレータ回路７，８，９を含むため、すべての出力電圧ＶＳ１，ＶＳ２，ＶＳ３を安定かつ、精度よく出力することが可能である。
【００３９】
本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１では、制御回路３が第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のデューティーを５０％以下の一定値に保ち、かつスイッチング周波数を一定値の第１スイッチング周波数に保つため、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３のＥＴ積を一定値にすることができる。その結果、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３を必要最小限のコアサイズで設計することが可能となり、単出力トランスＴ１，Ｔ２，Ｔ３の小型化、低コスト化を図ることができる。なお、ＥＴ積［Ｖ・μｓ］は、電源電圧［Ｖ］と、スイッチング周波数［Ｈｚ］の逆数と、最大デューティー［％］との積で表される。
【００４０】
本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１では、第１スイッチング周波数を第２スイッチング周波数および第２スイッチング周波数の逓倍周波数とは異なる周波数に設定しているため、第１〜第４スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のオン／オフによって生じる微弱の電圧振動が第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８のターンオン／ターンオフ時に重畳するのを防ぐことができる。すなわち、本実施形態に係る多出力絶縁電源装置１では、第１〜第４パワートランジスタＱ５〜Ｑ８の誤点弧による誤動作を防ぐことができる。
【００４１】
［第２実施形態］
図３に、本発明の第２実施形態に係るフォワード方式の多出力絶縁電源装置２０を示す。多出力絶縁電源装置２０は、３つの単出力トランスＴ４，Ｔ５，Ｔ６と、１次側回路と、制御回路（図示略）と、３つの２次側回路とを備える。
【００４２】
単出力トランスＴ４，Ｔ５，Ｔ６は、各１つの１次側巻線および２次側巻線を有する。１次側巻線と２次側巻線は同極性であり、１次側巻線と２次側巻線との間は絶縁されている。
【００４３】
１次側回路は、スイッチング素子Ｑ９のみからなる。スイッチング素子Ｑ９のドレインは、単出力トランスＴ４，Ｔ５，Ｔ６の１次側巻線の巻終り側に接続され、スイッチング素子Ｑ９のソースは、ＧＮＤに接続される。
【００４４】
制御回路は、スイッチング素子Ｑ９のデューティーを一定値に保ち、かつスイッチング素子Ｑ９のスイッチング周波数を一定値に保つ。多出力絶縁電源装置２０に図２に示す負荷１０が接続されている場合、制御回路は、スイッチング素子Ｑ９のスイッチング周波数を第２スイッチング周波数および第２スイッチング周波数の逓倍周波数とは異なる周波数に設定する。
【００４５】
単出力トランスＴ４に接続された２次側回路は、ダイオードＤ１およびコンデンサＣ５からなる整流回路と、電圧レギュレータ回路２１とを含む。単出力トランスＴ５に接続された２次側回路は、ダイオードＤ２およびコンデンサＣ６からなる整流回路と、電圧レギュレータ回路２２とを含む。単出力トランスＴ６に接続された２次側回路は、ダイオードＤ３およびコンデンサＣ７からなる整流回路と、電圧レギュレータ回路２３とを含む。電圧レギュレータ回路２１，２２，２３は、入力された直流電圧を降圧し、一定の直流電圧ＶＳ１，ＶＳ２，ＶＳ３を生成する。
【００４６】
［第３実施形態］
図４に、本発明の第３実施形態に係るフライバック方式の多出力絶縁電源装置３０を示す。多出力絶縁電源装置３０は、３つの単出力トランスＴ７，Ｔ８，Ｔ９と、スイッチング素子Ｑ１０のみからなる１次側回路と、制御回路（図示略）と、３つの２次側回路とを備える。
【００４７】
多出力絶縁電源装置３０は、単出力トランスＴ７，Ｔ８，Ｔ９の１次側巻線と２次側巻線が異極性である点を除いて、第２実施形態に係る多出力絶縁電源装置２０と共通している。
【００４８】
制御回路は、スイッチング素子Ｑ１０のデューティーを一定値に保ち、かつスイッチング素子Ｑ１０のスイッチング周波数を一定値に保つ。多出力絶縁電源装置３０に図２に示す負荷１０が接続されている場合、制御回路は、スイッチング素子Ｑ１０のスイッチング周波数を第２スイッチング周波数および第２スイッチング周波数の逓倍周波数とは異なる周波数に設定する。
【００４９】
［第４実施形態］
図５に、本発明の第４実施形態に係るプッシュプル方式の多出力絶縁電源装置４０を示す。多出力絶縁電源装置４０は、３つの単出力トランスＴ１０，Ｔ１１，Ｔ１２と、１次側回路と、制御回路（図示略）と、３つの２次側回路とを備える。２次側回路は、第１実施形態と同様の構成である。
【００５０】
単出力トランスＴ１０，Ｔ１１，Ｔ１２は、各１つの１次側巻線および２次側巻線を有する。１次側巻線と２次側巻線は同極性であり、１次側巻線と２次側巻線との間は絶縁されている。単出力トランスＴ１０，Ｔ１１，Ｔ１２は、１次側巻線の巻始めと巻終りの間にタップを有する。単出力トランスＴ１０，Ｔ１１，Ｔ１２の各タップに電源電圧ＶＣＣが供給される。
【００５１】
１次側回路は、第１スイッチング素子Ｑ１１および第２スイッチング素子Ｑ１２からなる。第１スイッチング素子Ｑ１１のドレインは、単出力トランスＴ１０，Ｔ１１，Ｔ１２の１次側巻線の巻始め側に接続され、第１スイッチング素子Ｑ１１のソースは、ＧＮＤに接続される。第２スイッチング素子Ｑ１２のドレインは、単出力トランスＴ１０，Ｔ１１，Ｔ１２の１次側巻線の巻終り側に接続され、第２スイッチング素子Ｑ１２のソースは、ＧＮＤに接続される。
【００５２】
制御回路は、第１スイッチング素子Ｑ１１および第２スイッチング素子Ｑ１２のデューティーを一定値に保ち、かつスイッチング周波数を一定値に保つ。多出力絶縁電源装置４０に図２に示す負荷１０が接続されている場合、制御回路は、第１スイッチング素子Ｑ１１および第２スイッチング素子Ｑ１２のスイッチング周波数を第２スイッチング周波数および第２スイッチング周波数の逓倍周波数とは異なる周波数に設定する。
【００５３】
［第５実施形態］
図６に、本発明の第５実施形態に係るハーフブリッジ方式の多出力絶縁電源装置５０を示す。多出力絶縁電源装置５０は、３つの単出力トランスＴ１３，Ｔ１４，Ｔ１５と、１次側回路と、制御回路（図示略）と、３つの２次側回路とを備える。単出力トランスＴ１３，Ｔ１４，Ｔ１５および２次側回路は、第１実施形態と同様の構成である。
【００５４】
１次側回路は、第１スイッチング素子Ｑ１３および第２スイッチング素子Ｑ１４と、第１コンデンサＣ１４および第２コンデンサＣ１５とを含む。第１スイッチング素子Ｑ１３のソースと第２スイッチング素子Ｑ１４のドレインとが接続された接続点は、単出力トランスＴ１３，Ｔ１４，Ｔ１５の１次側巻線の巻始め側に接続される。第１スイッチング素子Ｑ１３のドレインと第１コンデンサＣ１４の一端は、ＶＣＣに接続される。第１コンデンサＣ１４の他端と第２コンデンサＣ１５の一端とが接続された接続点は、単出力トランスＴ１３，Ｔ１４，Ｔ１５の１次側巻線の巻終り側に接続される。第２スイッチング素子Ｑ１４のソースと第２コンデンサＣ１５の他端は、ＧＮＤに接続される。
【００５５】
制御回路は、第１スイッチング素子Ｑ１３および第２スイッチング素子Ｑ１４のデューティーを一定値に保ち、かつスイッチング周波数を一定値に保つ。多出力絶縁電源装置５０に図２に示す負荷１０が接続されている場合、制御回路は、第１スイッチング素子Ｑ１３および第２スイッチング素子Ｑ１４のスイッチング周波数を第２スイッチング周波数および第２スイッチング周波数の逓倍周波数とは異なる周波数に設定する。
【００５６】
以上、本発明に係る多出力絶縁電源装置の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。
【００５７】
本発明の１次側回路は、少なくとも１つのスイッチング素子を含み、複数の単出力トランスの１次側巻線のそれぞれに共通したスイッチング電圧を供給するのであれば、適宜構成を変更できる。
【００５８】
本発明の２次側回路は、単出力トランスの２次側巻線に接続された整流回路と、整流回路の後段に接続され、直流電圧を生成する電圧レギュレータ回路とを含むのであれば、適宜構成を変更できる。整流回路および／または電圧レギュレータ回路も、適宜構成を変更できる。
【００５９】
本発明の制御回路は、１次側回路に含まれるスイッチング素子のデューティーを一定値に保ち、かつ上記スイッチング素子の周波数を一定値（第１スイッチング周波数）に保つのであれば、適宜構成を変更できる。第１スイッチング周波数は、負荷に含まれる半導体スイッチの第２スイッチング周波数および第２スイッチング周波数の逓倍周波数とは異なる周波数に設定することが好ましい。
【００６０】
本発明の多出力絶縁電源装置に接続される負荷は、４つ以上の半導体スイッチ、および当該半導体スイッチを第２スイッチング周波数で駆動する４つ以上の駆動回路を含んでいてもよい。例えば、半導体スイッチの数が６つの場合、本発明の多出力絶縁電源装置は、４つの単出力トランスと、４つの２次側回路とを備えることが好ましい。
【符号の説明】
【００６１】
１，２０，３０，４０，５０    多出力絶縁電源装置
２    １次側回路
３    制御回路
４〜６    ２次側回路
７〜９，２１〜２３，３１〜３３，４１〜４３，５１〜５３    電圧レギュレータ回路
１０    負荷
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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