(57)【要約】  本発明は、有機半導体、特に誘電層を有する有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）を備えた集積回路に関する。この集積回路は、ａ）少なくとも１つの架橋可能なベースポリマーを１００部と、ｂ）求電子性の架橋剤としての少なくとも１つのジベンジルアルコール化合物またはトリベンジルアルコール化合物を１０〜２０部と、ｃ）少なくとも１つの光酸発生剤を０．２〜１０部と、ｄ）ａ）〜ｃ）が溶解されている少なくとも１つの溶媒とからなるポリマー組成物により製造可能である。本発明は、さらに、集積回路の製造方法、特にＯＦＥＴ用の、誘電層を有する集積回路を低温で作ることができる方法にも関する。
2007504641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体、特に誘電層を有する有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）を備えた集積回路であって、
前記誘電層が、
ａ）少なくとも１つの架橋可能なベースポリマーを１００部と、
ｂ）求電子性の架橋剤として、少なくとも１つのジベンジルアルコール化合物またはトリベンジルアルコール化合物を１０〜２０部と、
ｃ）少なくとも１つの光酸発生剤を０．２〜１０部と、
ｄ）前記ａ）〜ｃ）が溶解されている少なくとも１つの溶媒と、からなるポリマー組成物により製造可能である、集積回路。
【請求項２】
前記少なくとも１つのベースポリマーが、フェノール含有ポリマーまたはコポリマーであり、特に、ポリ−４−ビニルフェノール、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−メタクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、または、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−メタクリル酸−メチルエステルであることを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記求電子性の架橋剤である少なくとも１つのジベンジルアルコール化合物またはトリベンジルアルコール化合物が、４‐ヒドロキシメチル−ベンジルアルコールであることを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路。
【請求項４】
少なくとも１つの架橋剤は、以下の構造のうちの１つを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の集積回路。
【化１】
2007504641.tif 000005
（なお、Ｒ１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−Ｓ２−、−（ＣＨ２）ｘ−であり、ｘ＝１〜１０であり、さらにＲ１は、
【化２】
2007504641.tif 000006
なお、Ｒ２は１〜１０個の炭素原子を有するアルキル、または、アリールである）
【請求項５】
前記少なくとも１つの光酸発生剤が、紫外線が照射される際に、ベンジルアルコールのヒドロキシ基に陽子を渡すための光酸を生成する化合物であることを特徴とする１〜４のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項６】
前記少なくとも１つの光酸発生剤が、スルホニウム塩またはヨードニウム塩、特にトリフェニルスルホニウム−ヘキサフレートであることを特徴とする請求項５に記載の集積回路。
【請求項７】
前記少なくとも１つの溶媒がアルコールであり、特に、ｎ−ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸塩（ＰＧＭＥＡ）、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン、キシレン、または混合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項８】
前記ベースポリマーと、架橋剤と、光酸発生剤との割合は、５〜２０質量％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項９】
有機半導体、特に誘電層を有する有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）を備えた集積回路を製造する方法において、
ａ）請求項１に記載のポリマー組成物を、特に、予めパターン形成されたゲート電極（２）を有する基板（１）上に塗布し、次に、
ｂ）ゲート誘電層（３）の架橋領域を形成するために、光誘起架橋反応を行うことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記光誘起架橋反応は、紫外線を照射することによって開始されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
露光後に熱処理工程、特に露光後焼成工程を行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記熱処理工程時の温度が最大１４０℃、特に１００℃であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記露光後焼成工程の後、ＯＦＥＴを形成するために少なくとも１つの他のパターン形成を行うことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリマー組成物の塗布は、スピンコーティング、印刷または噴射により行うことを特徴とする請求項９〜１３の少なくとも１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記架橋反応は、不活性ガス雰囲気、特にＮ２雰囲気下で行うことを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリマー組成物の塗布後に、特に１００℃で乾燥工程を行うことを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ゲート誘電層（３）に、ソースドレイン層（４ａ，４ｂ）を塗布することを特徴とする請求項９〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ソースドレイン層（４ａ，４ｂ）に、ＯＦＥＴを形成するために、特にペンタセンからなる能動層（５）を塗布することを特徴とする請求項９〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記能動層（５）上に、パッシベーション層（６）が設けられることを特徴とする請求項９〜１８の少なくとも１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、特許請求項１の前提部に記載の集積回路と、請求項９に記載の、有機半導体を有する集積回路の製造方法とに関する。
【０００２】
有機半導体、特に有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）を用いた集積回路を有するシステムは、低価格帯の電子部品の大量生産応用分野において将来的に有望な技術とされている。半導体層が有機材料から作られる場合、電界効果トランジスタは特に有機電界効果トランジスタである。
【０００３】
ＯＦＥＴにより複雑な回路を構成することができるので、該回路を様々な用途に用いることができる。例えば、この技術に基づくＲＦ−ＩＤ（radio frequency identification：高周波識別装置）システムは、障害の影響を受けやすくかつスキャナーと直接視覚的に接触した場合にのみ適用可能であるバーコードに代わる技術として有効である。
【０００４】
特に、この場合、役割毎（roll-to-roll）の方法工程で大量に製造可能であるフレキシブル基板上の回路が関心事となる。
【０００５】
多くの低価格の基板（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））では、熱による歪みが生じるので、このようなフレキシブル基板の製造では、温度の上限は１３０℃〜１５０℃となっている。例えば、基板を事前に熱処理するなどの所定の条件の元では、この温度の上限を２００℃まで上げることができるが、それによって基板の歪みを小さくできても、完全に避けることはできないという限界がある。
【０００６】
電子部品における重要な処理工程は、ＯＦＥＴの誘電層、特にゲート誘電層の堆積である。ＯＦＥＴの誘電体の品質に対しては、熱特性、化学特性、機械特性および電気特性に関する要求が非常に高い。
【０００７】
シリコン酸化物（ＳｉＯ２）は、半導体技術において広く使われているため、ＯＦＥＴのゲート誘電体として現在最もよく使われている材料である。したがって、不純物をドープしたシリコンウェハーをゲート電極として用い、その上に熱成長させたＳｉＯ２をゲート誘電体として形成させたトランジスタ構造が記載されている。このＳｉＯ２は約８００℃〜１０００℃にて形成される。様々な基板にＳｉＯ２を堆積するための他の処理方法（例えば、ＣＶＤ）では、やはり４００℃を越える温度で処理を行う。ペンステート大学のあるグループは、高品質のＳｉＯ２を８０℃の処理温度で堆積できるイオンビームスパッタリング処理法を開発した。これに関しては、C.D.Sheraw、J.A.Nichols、D.J.Gundlach、J.R.Huang、C.C.Kuo、H.Klauk、T.N.Jackson、M.G.Kane、J.Campi、F.P.CuomoおよびB.K.Greening著の、Tech. Dig. -lot. Electron Devices Meet., 619 (2000年)の論文、ならびに、C.D.Sheraw、L.Zhou、J.R.Huang、D.J.Gundlach、T.N.Jackson、M.G.Kane、I.G.Hili、M.S.Hammond、J.Campi、B.K.Greening、J.Francl、および、J.West著の、Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2000年)の論文に記載されている。
【０００８】
しかし、この方法では、大量生産しようとした場合、処理コストが高くなると共に、スループットが小さいという問題がある。
また、無機窒化物（例えばＳｉＮｘ、ＴａＮｘなど）を用いることも知られている。無機酸化物の製造と同様に、無機窒化物の堆積にも、高い温度または高い製造コストが必要となる。このことに関しては、例えば、B.K.Crone、A.Dodabalapur、R.Sarpenshkar、R.W.Filas、Y.Y.Lin、Z.Bao、J.H.O'Neill、W.LiおよびH.E.Katz著のJ.Appl.Phys. 89,5125 (2001年)の論文に記載されている。
【０００９】
ハイブリッド溶液（スピンオングラス）を用いることも知られている。溶液から作られ、熱変換により「ガラスに似た」層に変換され得る有機シロキサンについては記載がある。ＳｉＯ２への変換は、高温（約４００℃）で行なわれるか、または部分的にしか行なわれず、これにより、トランジスタの品質が低下してしまう（これに関しては、Z.Bao、V.Kuck、J.A.RogersおよびM.A.Paczkowski著の論文Adv.Funct.Mater.、12,526 (2002年)を参照）。
【００１０】
さらに、有機ポリマー（例えば、ポリ−４−ビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−２−ヒドロキシメタクリル酸塩またはポリイミド（ＰＩ））が、すでに用いられている。これらのポリマーの特徴は、比較的容易に処理可能であることである。したがって、これらは、例えばスピンコーティングまたは印刷用の溶液に使用可能である。このような材料の優れた誘電特性については、すでに示されている（H.Klauk、M.Halik、U.Zschieschang、G.Schmid、W.RadlikおよびW.Weber著の論文J Appl.Phys.（印刷中、２００２年１１月、９２巻１０号で公開予定）参照）。
【００１１】
ＩＣ（interconnect layer）中での応用もすでに示されている。この場合、誘電層のパターン形成、および、誘電層の上に設けられるソースドレイン層のパターン形成に必要な誘電層の化学的および機械的な安定性が、ポリマーの架橋によって得られる（M.Halik、H.Klauk、U.Zschieschang、T.Kriem、G.SchmidおよびW.Radlik著の論文、Appl.Phys.Lett.、81,289 (2002年)参照）。
【００１２】
しかし、この架橋は、２００℃の温度において行なわれるので、面積の広いフレキシブル基板を製造する場合には問題となる。
【００１３】
本発明の目的は、低温でＯＥＦＴの誘電層を製造できる、有機半導体を備えた集積回路およびその製造方法を提供することである。
【００１４】
本発明のこの目的は、請求項１の特徴を有する方法により達成される。
【００１５】
本発明によれば、
ａ）少なくとも１つの架橋可能なベースポリマーを１００部と、
ｂ）求電子性の架橋剤としての少なくとも１つのジベンジルアルコール化合物またはトリベンジルアルコール化合物を１０〜２０部と、
ｃ）少なくとも１つの光酸発生剤（photo acid generator）を０．２〜１０部と、
ｄ）少なくとも１つの溶媒と、からなるポリマー組成物からなる有機半導体を備えた集積回路が製造可能である。
【００１６】
本発明の集積回路は、特に優れた誘電特性を有する有機層を備えたＯＦＥＴである。特定のポリマー組成物を用いることにより、この集積回路は、低温（１５０℃以下）で容易に製造可能である。原理的には、このポリマー組成物は、別の電子素子と組み合わせて用いられ得る。
【００１７】
ここで、少なくとも１つのベースポリマーが、フェノール含有ポリマーまたはコポリマーであり、特に、ポリ−４−ビニルフェノール、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−メタクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、または、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−メタクリル酸−メチルエステルである場合、より有利である。
【００１８】
求電子性の架橋剤としての少なくとも１つのジベンジルアルコール化合物またはトリベンジルアルコール化合物が、４−ヒドロキシメチル−ベンジルアルコールであることが有利である。
【００１９】
少なくとも１つの架橋剤は、以下の構造のうちの１つを有する場合、有利である。
【００２０】
【化１】
2007504641.tif 000003
【００２１】
なお、Ｒ１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−Ｓ２−、−（ＣＨ２）ｘ−であり、ｘ＝１〜１０であり、さらにＲ１は、以下に示す構造である。
【００２２】
【化２】
2007504641.tif 000004
【００２３】
なお、Ｒ２は１〜１０個の炭素原子を有するアルキル、または、アリールである。
【００２４】
光酸発生剤として、紫外線が照射される際に、ベンジルアルコールのヒドロキシ基（特に、スルホニウム塩またはヨードニウム塩）に陽子を渡すための光酸を生成する少なくとも１つの化合物を用いることが有効である。
【００２５】
有効な溶媒は、アルコールであり、特に、ｎ−ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸塩（ＰＧＭＥＡ）、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン、キシレン、または混合物である。
【００２６】
ベースポリマーと、架橋剤と、光酸発生剤との割合は、５〜２０質量％である場合、より良く処理できるので有利である。
【００２７】
本発明の目的は、請求項１の特徴を有する集積回路、特に誘電層を備えたＯＦＥＴを製造する方法により、達成される。本発明によれば、
ａ）請求項１に記載のポリマー組成物を、特に、予めパターン形成されたゲート電極を有する基板上に塗布し、続いて、
ｂ）ゲート誘電層を形成するために、光誘起架橋反応（photoinduced crosslinking reaction）を行う。
【００２８】
ＯＦＥＴを形成するために、続いて、少なくとも１つの他のパターン形成を行う場合、より有利である。
【００２９】
光誘起架橋反応を、紫外線を照射することによって開始することが有利である。特に、露光後に熱処理工程（特に露光後焼成工程）を行う場合、有利である。ここで、熱処理工程時の温度が最大１４０℃、特に１００℃である場合、有利である。露光後焼成工程（ＰＥＢ）の後、ＯＦＥＴを形成するために少なくとも１つの他のパターン形成を行う場合、有利である。
【００３０】
ポリマー組成物の塗布は、スピンコーティング、印刷または噴射により行う場合、より有利である。
【００３１】
架橋反応は、不活性ガス雰囲気、特にＮ２雰囲気下で行う場合、有利である。
【００３２】
ポリマー組成物の塗布後、およびポリマー薄膜の形成後に、特に１００℃で乾燥工程を行う場合、有利である。
【００３３】
ＯＦＥＴを形成するために、ゲート誘電層に、ソースドレイン層を塗布する場合、有利である。
【００３４】
最後に、ソースドレイン層に、ＯＦＥＴを形成するために、特に半導体であるペンタセンからなる能動層を塗布する場合、有利である。この能動層にパッシベーション層が設けられる場合、有利である。
【００３５】
本発明について、以下に、添付の図面を参照して複数の実施形態についてより詳細に説明する。
【００３６】
図１は、有機電界効果トランジスタを示す概略図である。
【００３７】
図２は、ＰＶＰと、架橋剤である４−ヒドロキシメチルベンジルアルコールとを含むポリマーゲート誘電層の光誘起架橋反応を示す例である。
【００３８】
図３ａは、求電子的に架橋されたゲート誘電層を有するＯＦＥＴの出力特性を示す図である。
【００３９】
図３ｂは、求電子的に架橋されたゲート誘電層を有するＯＦＥＴの伝導特性を示す図である。
【００４０】
図４は、オシロスコープ画像の軌跡を示す図である。
【００４１】
ＯＦＥＴは、全てパターン形成された複数の層（膜）からなる電子素子であり、各層の結合により集積回路が形成される。ここで、図１に、下部接触構造におけるこのようなトランジスタの基本的な構成を示す。
【００４２】
基板１上に、ゲート電極２が形成される。ゲート電極２は、ゲート誘電層３によって覆われている。後述するように、本発明の方法に係る実施形態では、ゲート電極部２が上に形成された基板１を出発材料とし、その上にゲート誘電層３を設ける。ゲート誘電層３上にはドレイン層４ａと、ソース層４ｂとが形成される。このドレイン層４ａと、ソース層４ｂとは、両方とも、能動半導体層５に接続されている。能動層５の上にはパッシベーション層６が形成される。
【００４３】
ソース層４ｂは、配線層７に接続されている。
【００４４】
ここに記載する本発明の実施形態にとって決定的であるのは、ゲート誘電層３の堆積および処理である。
【００４５】
本発明の回路およびその製造方法により、ゲート誘電層を有するＯＦＥＴを提供するという目的を、特に、優れた機械的、化学的および電気的特性を有し、かつ、同時に処理温度を低くした有機ＩＣによって達成している。
【００４６】
この場合、ＯＦＥＴは、基本的に４つの成分を有する混合物（ポリマー組成物）から製造できる誘電層を有する。この４つの成分とは、ベースポリマーと、架橋剤と、光酸発生剤と、溶媒とである。ここで本発明の回路の一実施形態では、ポリマー組成物は以下の成分を有する。すなわち、
ａ）架橋可能なベースポリマーとして、ＰＶＰと、
ｂ）求電子性の架橋剤として、４−ヒドロキシメチル−ベンジルアルコールと、
ｃ）光酸生成剤（ＰＡＧ）として、トリフェニルスルホニウム−ヘキサフレート（triphenylsulfonium hexaflat）と、
ｄ）溶媒として、例えばアルコールまたはＰＧＭＥＡと、を有する。
【００４７】
このポリマー組成物を、これに応じて準備されている基板１（ゲート構造２は、すでに基板１の上に規定されている）に塗布される。ポリマー組成物は、例えば、印刷、スピンコーティングまたは噴射により塗布される。これに引き続く乾燥工程では、適度な温度（約１００℃）で、ポリマー組成物を基板に固定する。
【００４８】
続いて、紫外線を用いた露光工程を行う。ここで、紫外線の波長および照射時間は、用いられる光酸発生剤に応じて決まる。次の熱処理工程（最大１４０℃、露光後焼成工程（ＰＥＢ））において架橋反応を開始する光酸が、光酸発生剤から発生する。
【００４９】
図２は、例えば架橋剤として４‐ヒドロキシメチルベンジルアルコールを用いた、ＰＶＰのポリマーゲート誘電体の光誘起された求電子性架橋反応を示している。光酸発生剤として、トリフェニルスルホニウム−ヘキサフレートを使用する。
【００５０】
光化学的に誘起された架橋反応の結果、架橋された材料と架橋されていない材料とでは、可溶性が異なる。したがって、ゲート誘電層３をパターン形成するために、マスクを用いて露光領域と非露光領域との範囲を規定する。
【００５１】
この方法を用いることにより、公知の方法（Halik他の論文（２００２年）参照）に比べて、架橋に必要な温度を６０℃以上下げることができる。用いられる温度は、基板にとって問題とならない。
【００５２】
ここで、ゲート誘電層３の基本的な特性は、ベースポリマーにより決まる。ベースポリマーとしては、原則的にはすべてのフェノール含有ポリマーおよびコポリマーが適しており、例えば、ポリ−４−ビニルフェノール、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−メタクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、または、ポリ−４−ビニルフェノール−コ−メタクリル酸−メチルエステルが適している。
【００５３】
ポリマー組成物中の架橋剤およびその濃度を選択することにより、ポリマー層の機械的特性と、化学物質に対する抵抗性とを確実に制御することができる。
【００５４】
光酸発生剤を選択することにより、架橋反応の開始のための波長および照射線量を制御できる。ここで、露光後焼成工程（ＰＥＢ）の温度によって、架橋工程の時間が決まる。なぜなら、架橋工程の時間は、光を発生させる（photo generated acid）酸の拡散に応じてほぼ決定されるからである。
【００５５】
溶媒を選択することにより、組成物の薄膜形成特性を決めることができる。
【００５６】
以下に、２つのポリマー組成物の例を示す。この２つの組成物は架橋剤の割合のみが互いに異なっている。
【００５７】
組成物１は、プロピレングリコールモノメチルエーテル酢酸塩（ＰＧＭＥＡ）の１０％溶液である。この中に、１００部のベースポリマーと、１０部の架橋剤と、２．５部の光酸発生剤とが存在する。
【００５８】
ベースポリマーとしての２ｇのＰＶＰ（ＭＷは約２００００）と、架橋剤としての２００ｍｇの４−ヒドロキシメチル−ベンジルアルコールとの混合物を、振盪機上で、溶媒としての２０．５ｇのＰＧＭＥＡに溶かす（約３時間）。
【００５９】
続いて、光酸発生剤として、５０ｍｇのトリフェニルスルホニウム−ヘキサフレートを加え、溶液全体をさらに１時間振る。使用する前に、ポリマー溶液を０．２μｍのフィルターにかける。
【００６０】
組成物２は、ＰＧＭＥＡの１０％溶液である。この中に、１００部のベースポリマーと、２０部の架橋剤と、２．５部の光酸発生剤とが存在する。したがって、架橋剤の割合は、組成物１の２倍である。
【００６１】
ベースポリマーとしての２ｇのＰＶＰ（ＭＷは約２００００）と、架橋剤としての４００ｍｇの４−ヒドロキシメチル−ベンジルアルコールとの混合物を、振盪機上で、溶媒としての２０．５ｇＰＧＭＥＡに溶かす（約３時間）。続いて、光酸発生剤として、５０ｍｇのトリフェニルスルホニウム−ヘキサフラットを加え、溶液全体をさらに１時間振盪する。使用する前に、ポリマー溶液を０．２μｍのフィルターにかける。
【００６２】
薄膜調製
２ｍｌの組成物１を、スピンコーターを用いて、準備済みの基板（Ｔｉゲート構造部を有するＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート））に、４０００回転／分で２２秒間塗布する。続いて、１００℃で２分間、ホットプレート上で乾燥を行う。次に、この層を露光する（波長３６５ｎｍ、時間３０秒、照射強度７ｍＷ／ｃｍ２）。
【００６３】
次に、露光後焼成工程を、１４０℃の炉において、４００ｍｂａｒのＮ２雰囲気下で、２０分間行う。
【００６４】
組成物２の薄膜調製も同様に行う。
【００６５】
ゲート誘電層のパターン形成
パターン形成を、上記例に示したように行うが、架橋されたポリマー層（ゲート誘電層３）を明視野のクロムマスク（クロムオンガラス、ＣＯＧ）によって露光するという点が異なっている。露光後焼成工程の後、架橋されていない誘電体（つまり、露光されなかった誘電層３の部分）を、アセトンによって溶かして除去する。露光された部分には、パターン形成された誘電層３が残る。
【００６６】
続いて、ソースドレイン層４ａ・４ｂを通常の方法で堆積し、パターン形成する（３０ｎｍのＡｕを熱蒸着し、フォトリソグラフィによりパターン形成し、Ｉ２／ＫＩ溶液を用いてウェット化学エッチングを行う）。
【００６７】
組成物１の場合、ゲート誘電層２の層の厚さは、２００ｎｍである。層の粗さは、５０μｍにつき０．７ｎｍである。
【００６８】
組成物２の場合、ゲート誘電層の層の厚さは、２１０ｎｍである。層の粗さは、５０μｍにつき０．７ｎｍである。
【００６９】
能動素子５（ここでは、ペンタセン）を熱蒸着させることにより、トランジスタおよび回路は完成する。パッシベーション層６以外の図１で示したＯＦＥＴの構造は、このようにして形成される。
【００７０】
本明細書では、ＯＦＥＴを用いた集積回路に用いるためにゲート誘電層３を低温で製造するための、ポリマー組成物およびその使用に関する実施形態について説明した。このゲート誘電層３の特徴は、製造時の処理温度が低いことに加え、優れた熱特性、化学特性、機械特性および電気特性を有していることである。
【００７１】
図３ａは、求電子的に架橋されたゲート誘電体を有するペンタセンＯＦＥＴの出力特性を示す。図３ｂは、同じ構造について、ＯＦＥＴの伝導特性を示す図である（μ＝０．８ｃｍ２／Ｖｓ、ｏｎ／ｏｆｆ比＝１０５）。図４は、オシロスコープの軌跡を再現した図である。段毎に８０μ秒の信号遅延で動作する５段のリング発振器の特性曲線を示す。
【００７２】
これらの図に関して、ＯＦＥＴを、実施形態において集積回路として用いた。しかし、基本的に、本発明の集積回路は、誘電層が用いられる他の構造を有していてもよい。  本発明は、上述の好適な実施形態に限定されるものではない。むしろ、本発明の装置および本発明の方法を基本的に異なる実施形態に用いる多くの変形例が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】有機電界効果トランジスタを示す概略図である。
【図２】ＰＶＰと、架橋剤としての４−ヒドロキシメチルベンジルアルコールとを含むポリマーゲート誘電層の架橋反応の例である。
【図３ａ】求電子的に架橋されたゲート誘電層を有するＯＦＥＴの出力特性を示す図である。
【図３ｂ】求電子的に架橋されたゲート誘電層を有するＯＦＥＴの伝導特性を示す図である。
【図４】オシロスコープ画像の軌跡を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１        基板
２        ゲート電極
３        ゲート誘電層
４ａ        ドレイン層
４ｂ        ソース層
５        能動層
６        パッシベーション層
７        配線層
【図１】
2007504641.tif 000007
【図２】
2007504641.tif 000008
【図３ａ】
2007504641.tif 000009
【図３ｂ】
2007504641.tif 000010
【図４】
2007504641.tif 000011
【国際調査報告】
2007504641.tif 000012
2007504641.tif 000013
2007504641.tif 000014
2007504641.tif 000015