(57)【要約】【課題】出力光の色ムラが抑制された、ナノワイヤを用いた面発光デバイス構造を提供する。【解決手段】面発光デバイス構造であって：該面発光デバイス構造が、発光面と、該発光面に平行な層内に配置された複数のナノワイヤと、該複数のナノワイヤを励起可能なポンピング光源とを備えること；該複数のナノワイヤが、該発光面に平行な整列軸に沿って配向していること；該複数のナノワイヤは、それぞれが、アルミニウムおよびガリウムのうち少なくともアルミニウムを含む酸化物を含有するナノワイヤであること；該ポンピング光源で該複数のナノワイヤを励起したとき出力光が該発光面から放出されること；および、該出力光が、それぞれ該整列軸の方向に偏光したＲＧＢの各成分を含むこと：を特徴とする面発光デバイス構造。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光デバイス構造であって：
該面発光デバイス構造が、発光面と、該発光面に平行な層内に配置された複数のナノワイヤと、該複数のナノワイヤを励起可能なポンピング光源とを備えること；
該複数のナノワイヤが、該発光面に平行な整列軸に沿って配向していること；
該複数のナノワイヤは、それぞれが、アルミニウムおよびガリウムのうち少なくともアルミニウムを含む酸化物を含有するナノワイヤであること；
該ポンピング光源で該複数のナノワイヤを励起したとき出力光が該発光面から放出されること；および、
該出力光が、それぞれ該整列軸の方向に偏光したＲＧＢの各成分を含むこと：
を特徴とする面発光デバイス構造。
【請求項２】
前記ＲＧＢの各成分の偏光度が０．２以上である、請求項１に記載の面発光デバイス構造。
【請求項３】
前記ポンピング光がＵＶ光である、請求項１または２に記載の面発光デバイス構造。
【請求項４】
前記酸化物がＡｌａＧａ１−ａＡｓ（０．６≦ａ≦１）結晶の酸化により得られる酸化物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光デバイス構造。
【請求項５】
前記ナノワイヤがコア−シェル構造を有し、該コア−シェル構造のシェルが前記酸化物を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の面発光デバイス構造。
【請求項６】
前記コア−シェル構造のコアが、ＧａＡｓ、ＡｌｂＧａ１−ｂＡｓ（０＜ｂ≦１）またはこれらの全部または一部が酸化されてなる酸化生成物を含む、請求項５に記載の面発光デバイス構造。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の面発光デバイス構造と、該面発光デバイスの前記発光面から放出される出力光に晒される画素配列部と、を備える、カラーディスプレイまたはプロジェクタデバイスとして構成された画像表示デバイス。
【請求項８】
前記画素配列部が液晶セルを含み、前記面発光デバイス構造の前記発光面から放出される出力光が偏光子を介して該液晶セルに入射するように構成された、請求項７に記載の画像表示デバイス。
【請求項９】
前記面発光デバイス構造がバックライトユニットとして動作するように構成された、請求項７または８に記載の画像表示デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面発光デバイス構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノワイヤ等の異方性ナノ粒子は、偏光を放出することが知られており、特許文献１には、ポンピング光に応答して、青、緑または赤のいずれかの波長の偏光を放出するナノワイヤを用いた、発光デバイスが開示されている。青発光ナノワイヤ、緑発光ナノワイヤ、赤発光ナノワイヤを含むナノワイヤの組から、白色光が放出されることも記載されている。
【０００３】
また、１μｍの直径を有する単一のＧａＡｓ／（Ａｌ，Ｇａ）Ｏｘコア−シェル型ナノワイヤが、全可視波長域をカバーするブロードなスペクトルを有するフォトルミネセント光を放出することが報告されている（非特許文献１）。
更に、該ナノワイヤが放出する波長４５０ｎｍのカソードルミネセント光は、強く偏光していたとの報告がなされている（非特許文献２）。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１４−５０２４０３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】F. Ishikawa, P. Corfdir, U. Jahn, O. Brandt, Advanced Optical Materials 4, 2017 (2016)
【非特許文献２】Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Edited by Fumitaro Ishikawa and Irina Buyanova, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd. ISBN 978-981-4745-76-5、第８章、２７２〜２７３頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
青発光ナノワイヤ、緑発光ナノワイヤおよび赤発光ナノワイヤを混合すると、白色発光するナノワイヤ混合物が得られると考えられ、該混合物を用いて発光デバイス構造を形成することが可能と考えられる。
しかし、ナノワイヤのような微粒子を均一にかつ再現性よく混合することは容易ではない。混合が均一でないと、発光デバイス構造を構成したときに出力光に色ムラが発生することになる。
本発明は、出力光の色ムラが抑制された、ナノワイヤを用いた面発光デバイス構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる状況の下、本発明者等は鋭意検討したところ、面発光デバイス構造で用いるナノワイヤとして、各々がポンピング光に応答して発するルミネセント光がＲＧＢの各成分を含んでいるナノワイヤを用い、複数のナノワイヤを発光面に平行な層内に配置することで、発光面内におけるＲＧＢの各出力光の色ムラが抑制されることに想到した。
【０００８】
本発明の実施形態には以下が含まれる。
（１）面発光デバイス構造であって：
該面発光デバイス構造が、発光面と、該発光面に平行な層内に配置された複数のナノワイ
ヤと、該複数のナノワイヤを励起可能なポンピング光源とを備えること；
該複数のナノワイヤが、該発光面に平行な整列軸に沿って配向していること；
該複数のナノワイヤは、それぞれが、アルミニウムおよびガリウムのうち少なくともアルミニウムを含む酸化物を含有するナノワイヤであること；
該ポンピング光源で該複数のナノワイヤを励起したとき出力光が該発光面から放出されること；および、
該出力光が、それぞれ該整列軸の方向に偏光したＲＧＢの各成分を含むこと：
を特徴とする面発光デバイス構造。
（２）前記ＲＧＢの各成分の偏光度が０．２以上である、（１）に記載の面発光デバイス構造。
（３）前記ポンピング光がＵＶ光である、（１）または（２）に記載の面発光デバイス構造。
（４）前記酸化物がＡｌａＧａ１−ａＡｓ（０．６≦ａ≦１）結晶の酸化により得られる酸化物である、（１）〜（３）のいずれかに記載の面発光デバイス構造。
（５）前記ナノワイヤがコア−シェル構造を有し、該コア−シェル構造のシェルが前記酸化物を含有する、（１）〜（４）のいずれかに記載の面発光デバイス構造。
（６）前記コア−シェル構造のコアが、ＧａＡｓ、ＡｌｂＧａ１−ｂＡｓ（０＜ｂ≦１）またはこれらの全部または一部が酸化されてなる酸化生成物を含む、（５）に記載の面発光デバイス構造。
（７）（１）〜（６）のいずれかに記載の面発光デバイス構造と、該面発光デバイスの前記発光面から放出される出力光に晒される画素配列部と、を備える、カラーディスプレイまたはプロジェクタデバイスとして構成された画像表示デバイス。
（８）前記画素配列部が液晶セルを含み、前記面発光デバイス構造の前記発光面から放出される出力光が偏光子を介して該液晶セルに入射するように構成された、（７）に記載の画像表示デバイス。
（９）前記面発光デバイス構造がバックライトユニットとして動作するように構成された、（７）または（８）に記載の画像表示デバイス。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施形態によれば、出力光の色ムラが抑制された、ナノワイヤを用いた面発光デバイス構造が提供される。また、当該面発光デバイス構造を含む画像表示デバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】面発光デバイス構造の模式図を示す。
【図２】面発光デバイス構造の模式図を示す。
【図３】活性フィルム１０１の上面図を示す。
【図４】楔型導光板と一体のユニットとなった活性フィルムを示す。
【図５】一実施形態に係るディスプレイデバイスの模式図を示す。
【図６】実施例で製造したナノワイヤのＳＥＭ画像を示す。なお（ａ）は試料真上からのＳＥＭ画像、（ｂ）は試料斜め上からのＳＥＭ画像である（図面代用写真）。
【図７】実施例で製造したナノワイヤの、偏光ＰＬ測定の結果を示す。
【図８】実施例で製造したナノワイヤの、偏光ＰＬ測定の結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態に係る面発光デバイス構造は、発光面と、該発光面に平行な層内に配置された複数のナノワイヤと、該複数のナノワイヤを励起可能なポンピング光源と、を備える。
（ナノワイヤ）
ナノワイヤは、ナノメートルオーダーの直径、すなわち、約１μｍまたはそれより小さ
な直径と、少なくとも４、好ましくは６以上、より好ましくは８以上のアスペクト比（直径／長さ比）を有し、その横断面の形状は円形またはそれに類している。
ナノワイヤの直径は好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。ナノワイヤの長さは好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上であり、上限は特にないが、１０μｍ以下、７μｍ以下、５μｍ以下、４μｍ以下等であり得る。
【００１２】
ひとつひとつのナノワイヤがポンピング光に応答して放出するルミネセント光は、ＲＧＢの各成分を含む。すなわち、Ｒ（赤）に対応する６００〜６５０ｎｍの範囲内の少なくともいずれかの波長の光と、Ｇ（緑）に対応する５１０〜５５０ｎｍの範囲内の少なくともいずれかの波長の光と、Ｂ（青）に対応する４４０〜４６０ｎｍの範囲内の少なくともいずれかの波長の光とを含む。
【００１３】
ナノワイヤは、ＡｌＯｘまたは（Ａｌ，Ｇａ）Ｏｘを含有する。すなわち、アルミニウムとガリウムのうち少なくともアルミニウムを含む酸化物を含有する。好ましくは、ＡｌａＧａ１−ａＡｓ結晶を酸化することにより得られる酸化物を含有する。酸化の方法は、例えば、高温水蒸気を用いたウェット酸化である。
該ＡｌａＧａ１−ａＡｓ結晶におけるアルミニウムのモル比ａは、酸化の速さ、すなわち酸化物の製造効率の観点から、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上である。
該ＡｌａＧａ１−ａＡｓ結晶におけるアルミニウムのモル比ａは１であってもよいが、酸化処理前の空気中での安定性を確保するために０．９９９以下、０．９９以下等としてもよい。
【００１４】
好ましくは、ナノワイヤがコア−シェル構造を有し、少なくともシェルにＡｌＯｘまたは（Ａｌ，Ｇａ）Ｏｘを含有する。コアはＧａＡｓ、ＡｌｂＧａ１−ｂＡｓ（０＜ｂ≦１）またはこれらの一部または全部が酸化されてなる酸化生成物を含有し得る。
【００１５】
コアにＧａＡｓ、シェルに（Ａｌ，Ｇａ）Ｏｘを含有するコア−シェル構造のナノワイヤは、例えば、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）によってＳｉ（１１１）基板上にＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓコア−シェルナノワイヤを成長させた後、該ナノワイヤを水蒸気およびＮ２ガスを含む雰囲気中、３７０℃で２時間熱処理することにより製造することができる。熱処理温度を４３５℃とすると、ＧａＡｓコアも酸化されてＧａＯｘとなる。詳細については、非特許文献１および非特許文献２を参照することができる。
【００１６】
（ポンピング光源）
ポンピング光源が放出するポンピング光によってナノワイヤは励起され、ＲＧＢの各成分を含むルミネセント光を放出する。
ポンピング光は、好ましくは波長３８０ｎｍ以下の成分を含むＵＶ光である。
ポンピング光源に限定はなく、各種のレーザー、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザーダイオード）、高圧水銀ランプ等であり得る。
好ましいポンピング光源のひとつは、発光スペクトルのピーク波長を３７０ｎｍ以下に有する紫外ＬＥＤである。該ピーク波長は３６０ｎｍ以上であってもよい。
【００１７】
（活性層）
通常、複数のナノワイヤは少なくともひとつの層内に配置される。例えば、基板の上に堆積された形態で、あるいは、マトリックス中に埋め込まれた形態で配置される。ナノワイヤが配置された層を活性層（発光層）と呼び、活性層は発光面に平行な層であり得る。
基板やマトリックスは、好ましくは、ポンピング光およびナノワイヤの放出光に対して光学的に透明または部分的に透明である。
【００１８】
基板またはマトリクスの材料は、エポキシ、アクリル、ポリウレタン、シリコーン等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂、ガラス等の物質から選択可能である。
ナノワイヤは発光面に平行な整列軸に沿って整列した状態で活性層に含有される。整列は部分的であってもよいし、完全であってもよい。
【００１９】
シリコンウエハ上に形成されたナノワイヤを、該シリコンウエハ表面を基板表面にこすり付けることにより、ナノワイヤ層を基板表面に付着させることができる。ナノワイヤは長軸方向がこすり方向と一致するように整列する。
静電引力、ファンデルワールス力等を利用してナノワイヤを基板表面に堆積させてもよい。
ポリマーからなる基板の表面にナノワイヤを付着または堆積させた後、基板を引き延ばすことにより、該ナノワイヤを自らの長軸に沿って整列させることができる。
一例では、ナノワイヤを付着または堆積させた後、基板表面をラビング処理（例えば、特開２００６−２６７９１９を参照できる）することにより、該ナノワイヤを整列させることが可能と考えられる。
【００２０】
ポリマーあるいはゾル−ゲルプロセスによって作製されるガラスからなるマトリクスにナノワイヤを埋め込む例においては、ナノワイヤを分散させた後にマトリクスを引き延ばすことにより、ナノワイヤが自らの長軸に沿って整列させられる。
【００２１】
好適例では、活性層を含むフィルム（活性フィルムという）が形成される。活性フィルムの厚さは通常１０〜２５０μｍである。
活性フィルムは、片面または両面に多様な光抽出特徴部（プリズム、ピラミッド、マイクロレンズ等）を含み得る。好ましくは、光抽出特徴部は、フィルムから放出される光の偏光を保持するように構成される。具体的には、マイクロレンズ（またはマイクロレンズアレイ）、金属反射表面等のように構成される。
活性フィルムは、光抽出および偏光保持を補助することもできる多様な屈折率構造／界面を有し得る（例えば、勾配屈折率レンズ状構造）。
偏光保持拡散フィルムを一つ以上の側から活性フィルムに取り付けることができる。偏光保持拡散フィルムは、偏光特性を増強し得る規則的または規則的ではない形状の光分散粒子の多様な組み合わせを含み得る。
【００２２】
活性フィルムに含まれる活性層内に配置されたナノワイヤがポンピング光によって励起されると、活性フィルムの主表面（厚さ方向と直交する広い表面）からは、ＲＧＢの各成分を含む光が放出される。ＲＧＢの各成分は偏光しており、その方向はナノワイヤの整列方向である。
Ｒ成分、Ｇ成分およびＢ成分の偏光度は、それぞれ独立に、好ましくは０．２以上、より好ましくは０．２５以上、より好ましくは０．３以上、より好ましくは０．３５以上、より好ましくは０．４以上である。
各成分の偏光比は、発光面から当該発光面に垂直な方向に放出される光を、偏光板を通して光ファイバーに導入し、その後分光器を通してＣＣＤディテクターにより検出する方法で求めることができる。
整列方向に偏光したp-polarization光の強度をＩｐ、それと垂直な軸方向に偏光したs-polarization光の強度をIｓとしたとき、偏光度は（Ｉｐ−Ｉｓ）/（Ｉｐ＋Ｉｓ）と定義される。
例えば、発光面から出る光に含まれる６００〜６５０ｎｍの範囲内のいずれかの波長において、上記定義する偏光度が０．４以上のとき、Ｒ成分の偏光度が０．４以上であるといってよい。好ましいのは、６００〜６５０ｎｍの範囲内の全ての波長で偏光度が０．４以上であることである。
Ｇ成分、Ｂ成分についても同じことがいえる。
【００２３】
（面発光デバイス構造）
図１および図２を参照すると、整列したナノワイヤ１０２を含有しポンピング光１０３に晒される活性フィルム１０１を用いた、実施形態の面発光デバイス構造（バックライトユニット）１００が例示されている。これらの例では、所謂サイドポンピングが用いられていて、活性フィルムはその少なくとも一つの縁から照射およびポンピングされる。
活性フィルムはポンピング光を吸収して、そこに含まれる活性層内に存在するナノワイヤによってそのポンピング光を、ＲＧＢの各成分を含む偏光に変換する。変換された光は発光面、すなわち、光抽出素子１０６の表面から、出力光として面発光デバイス構造外に放出される。
【００２４】
図１の構成例では、反射表面１０７を活性フィルムの一方の側において、その側に向かう光を発光面側に向けて反射させている。光抽出素子１０６は、波長選択偏向器（例えば、格子、多層薄膜コーティング、多層ポリマーフィルム）、または、一つ以上の屈折界面を形成する屈折素子、例えば、回折レンズアレイであり得る。
光抽出素子１０６は、活性フィルム１０１と一体としてもよいし、外部に取り付けてもよい。間隔を空けて配置することで、光抽出素子１０６と活性フィルム１０１との間にギャップを設けてもよい。ギャップは、屈折率整合を与える物質で充填され得る。
整列したナノワイヤを埋め込んだマトリクスが活性フィルム１０１を構成することも有り得る。即ち、活性フィルム１０１そのものが活性層である構成である。
【００２５】
図２の構成例では、活性フィルム１０１の両面側に発光面が存在する。光抽出素子１０６は活性フィルム１０１の両面に設けられている。このような構成は、ディスプレイパネルの両面に画像を提供するように構成されたディスプレイシステムに用いられ得る。
【００２６】
図３は、図１および図２の偏光発光デバイス構造に用いるのに適した活性フィルム１０１の上面図を示す。
図３において、活性フィルム１０１は、マトリックス内に埋め込まれて整列されたナノワイヤ１０２を含む層を有し、ナノワイヤは、サイドポンピング方向Ｄに沿って徐々に増加する密度で分布している。マトリックスは導波路を構成し得る。活性フィルム１０１から放出される偏光は、励起光の方向Ｄに垂直、すなわち図面の平面に垂直な出力光の伝播軸に向けられる。
図３では、ナノワイヤは方向Ｄに垂直に整列されているが、他の整列軸の向きも可能である。例えば、ナノワイヤは、図面の平面内において、方向Ｄに対して４５度または１３５度をなす軸に沿って整列され得る。
【００２７】
図４は、バックライトユニットに好適に用い得る、楔型導光板と一体のユニットとなった活性フィルムである。活性フィルム１０１は、楔型のマトリクス内に埋め込まれ整列軸Ａに沿って配向した複数のナノワイヤを含んでいる。フィルム１０１はサイドポンピング１０３に晒される。ポンピング方向Ｄは、フィルム１０１から出力される光の伝播方向ｄに実質的に垂直で、また、この例では、整列軸Ａにも垂直である。
【００２８】
（画像表示デバイス）
図５は、ポンピング光源１０４及び活性フィルム１０１を利用したディスプレイデバイス２００の例である。デバイス２００は、画素配列部２０１とバックライト部２０２に分けられる。
【００２９】
画素配列部２０１は、第一の偏光子２０３、光学カラーフィルタ２０４、液晶セル２０５、第二の偏光子２０６を含む。
使用の際には、ポンピング光源１０４からの短波長ポンピング光が活性フィルム１０１を照射して、その活性フィルム１０１がＲＧＢの各成分を含む偏光を放出する（例えば波長λ１、λ２、λ３を含む）。
この偏光は、バックライト部２０２の発光面である２０７の表面からバックライト部の外部に放出される。
活性フィルム１０１から放出された偏光は、第二の偏光子２０６、液晶セル２０５、カラーフィルタ２０４、第一の偏光子２０３を順に通過する。
活性フィルム１０１からの光は既に偏光されているので（部分的に又は完全に）、第二の偏光子２０６を通り抜けるときの損失が比較的小さい。
【００３０】
任意で、ディスプレイデバイス２００には、拡散器２１０、輝度増強フィルム２０９、二重輝度増強フィルム（ＤＢＥＦ，ｄｕａｌ  ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｆｉｌｍ）２０８等の一つ以上の光学素子が設けられ得る。
拡散器２１０は、光分布を空間的に一様にして、また、活性フィルム１０１に直接光学的に取り付けられている場合には、そこからの光抽出を補助する。
輝度増強フィルム２０８および２０９を用いて、光を再利用することによって、輝度を改善することができる。
ディスプレイデバイス２００は反射器２１１も含み得る。反射器２１１は、ポンピング光源１０４の活性フィルム１０１とは反対側に配置される。反射器は、ポンピング光の一部を再循環させることができる。
【実施例】
【００３１】
（１）ナノワイヤの製造
まず、分子線エピタキシャル成長装置を用い、Ｇａを触媒に用いたＶＬＳ(Vapor-Liquid-Solid)法により、ＧａＡｓナノワイヤコアをＳｉ（１１１）基板上に形成した。ナノワイヤコアが形成された後、成長中断を行いＧａ触媒を結晶化することで、成長モードをＶＬＳモードからＶＳ(Vapor-Solid)モードに切り替え、ワイヤの幅方向への成長を促進させた。この後にＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ外殻を形成して、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓコア−シェルナノワイヤを形成した。
ＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓ分子線エピタキシャル成長時に用いるＧａおよびＡｌの分子線フラックスは、いずれも０．１〜２０×１０１４ ｃｍ−２／ｓの範囲内とした。また、基板に照射するＡｓ分圧は１×１０−４〜１×１０−７Ｔｏｒｒの範囲内とした。
形成したワイヤを分子線エピタキシー装置より取り出し、水蒸気酸化によりＡｌＧａＡｓ層を酸化させＡｌＧａＯｘに変質させることでＧａＡｓ／ＡｌＧａＯｘコア−シェルナノワイヤを形成した。ナノワイヤの長さは約３−５μｍ, 直径は約３００ｎｍであった。
【００３２】
（２）フォトルミネセンス測定
Ｓｉ（１１１）基板上に形成されたままの状態のＧａＡｓ／ＡｌＧａＯｘコア−シェルナノワイヤ群を試料として、室温で偏光ＰＬ測定を行った。
試料のＳＥＭ画像を図６に示す。図中（ａ）は試料を真上から見たところ、すなわちＳｉ（１１１）基板の主面の法線方向から見たところであり、（ｂ）は斜め上から見た状態である。
【００３３】
励起光源には３６５ｎｍ紫外ＬＥＤ（出力２ｍＷ）を用いた。倍率２０倍、ＮＡ０．４の顕微鏡対物レンズを用いて集光した励起光を、横方向（Ｓｉ基板の主面に平行な方向）からナノワイヤ群に照射し、ルミネセント光を同じレンズで集光した。集めた光を偏光板を通して光ファイバーに導入し、分光器を通してＣＣＤディテクターにより検出した。
検出したp-polarization光とs-polarization光のスペクトルを図７に示す。p-polarization光はナノワイヤの長さ方向に偏光した成分であり、s-polarization光はそれと垂直な軸方向に偏光した成分である。
更に、（ｐ−ｓ）／（ｐ＋ｓ）で定義されるフォトルミネセンスの偏光度を波長に対しプロットしたグラフを図８に示す。ここで、ｐはp-polarization光の強度であり、ｓはs-polarization光の強度である。４００−７００ｎｍの可視域において、０．４−０．５の偏光度が観測された。
【符号の説明】
【００３４】
１００  面発光デバイス構造
１０１  活性フィルム
１０２  ナノワイヤ
１０３  ポンピング光
１０４  ポンピング光源
１０５  出力光
１０６  光抽出素子
１０７  反射表面
２００  ディスプレイデバイス
２０１  画素配列部
２０２  バックライト部
２０３  第一の偏光子
２０４  カラーフィルタ
２０５  液晶セル
２０６  第二の偏光子
２０７  発光面
２０８  二重輝度増強フィルム
２０９  輝度増強フィルム
２１０  拡散器
２１１  反射器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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