(57)【要約】透明のペリクル部材又は板が、間に気密空間を定義付けるようレチクルを横断して略平行に取り付けられる。ペリクルは、ペリクルの対向する端部で与えられた可撓性の接続部材によってフレーム上に取り付けられる。可撓性の接続部材は、「ベローズ」型配置の形状で有り得、レチクルに大して垂直である方向において最善の可撓性を与えるが他の全ての方向においては大きな抵抗性を与えるようにする。結果として、空間と周囲の大気との間の気体圧差における変化は、ペリクル自身の重さを使用してペリクルを支持する。言い換えれば、ペリクルは、気体圧差上に「浮いて」おり、圧差は、受動的に保持される。即ち電子接続、空気接続又は他の外付け接続は要求されない。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ製作において使用されるレチクルを汚染から保護する装置であって、
接続手段によって前記レチクルにわたって間に気密空間を有して配列されたペリクル部材を有し、
前記接続手段は、前記空間と大気との間の気体圧差における変化に応じて、前記レチクルに対して略垂直である方向において、前記ペリクル部材の全体の動作を可能とするよう構成される、ことを特徴とする、
装置。
【請求項２】
前記接続手段は、可撓性の接続部材を有する、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記接続部材は、前記レチクルに対して略垂直である方向において前記ペリクル部材の動作を可能にするよう、気体圧差における前記変化に応じて伸縮するよう配置される、
請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記接続手段は、前記レチクルに対して略垂直である方向において動き得るよう、ペリクル部材を支持フレームに対して摺動可能に接続する可撓性の密封手段を有する、
請求項１記載の装置。
【請求項５】
長手方向のガイドを有する支持フレームを更に有し、前記ペリクル部材の端部が気密に受けられるよう配置される、支持フレームを更に有する、
請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記ペリクル部材は、シリコンガラスで形成される、
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項７】
前記レチクルは、レチクル基板上に与えられ、前記基板は、前記ペリクル部材が接続される支持フレームを有して備えられる、
請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項８】
半導体チップ製作において使用されるレチクルを汚染から保護する方法であって、
ペリクル部材を与える段階と、接続手段によって前記レチクルにわたって気密な空間を間に有して配列される段階と、を有し、
前記接続手段は、前記空間と大気との間の気体圧差における変化に応じて前記レチクルに対して略垂直な方向においてペリクル部材全体の動作を可能とするよう構成される、ことを特徴とする、
方法。
【請求項９】
半導体チップを製作する方法であって、
レチクル、及び、請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の前記レチクルを汚染から保護する装置を与える段階と、前記レチクル上にパターン化されたマスクを与える段階と、前記レチクルを前記ペリクル部材及び前記マスクを介して照射する段階と、を有する、
方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法に従って制作された半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ生産において使用されるレチクルを汚染から保護する方法及び装置に係り、より特には、ペリクル及びレチクルに対してかかるペリクルを取り付ける方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
パターン化されたリソグラフィックマスクは、半導体チップ製作において活用され、かかるリソグラフィックマスクは、マスク上の異物がシリコンウエハ上で作られる電子回路においてプリント不具合を生み出すため、粒子汚染から保護される必要がある。
【０００３】
従来の半導体チップのリソグラフィック製造に対しては、マスクは、粒子から保護されるよう「ペリクル」（従来通りでは１マイクロメートルのポリアミド）において封入される。マスクは、１つの面上でパターン化された吸収フィルムを有する剛性の基板を有する。ペリクルは、薄い膜であり、マスク基板に対して取り付けられたフレームにわたって引き延ばされ、粒子がマスクのパターン化された範囲にぶつかることを防ぐ。ペリクルは、「焦点外の（ｏｕｔ  ｏｆ  ｆｏｃｕｓ）」像平面においてマスクからオフセットされ、（保護を必要とする）マスク面とペリクルとの間に隙間を作り出す。このオフセットは、ペリクルによって妨害された粒子が画像の不具合を作り出さないことを確実とする。
【０００４】
先のチップ製造技術において使用された光子波長（３６５ｎｍ，２４８ｎｍ）に対しては、ペリクルは、非常に透明であり、リソグラフィック放射が高い効率性を有してマスクへ送られることを可能とする。ペリクルは、マスクの寿命を通してハードウェアを取り付けるマスクに対して固定されたままとなり、マスクが不具合を起こす粒子汚染を受けずに取り扱われて点検されることを可能とする。
【０００５】
次世代のリソグラフィック技術は、１５７ｎｍの光学投影リソグラフィを有し、リソグラフィック結像を行うよう電離放射線（夫々、光子、イオン、及び電子）を活用する。故に、これらの次世代リソグラフィック技術において使用されるマスクは、リソグラフィック露出中に電離放射線を有して照射される。従来のペリクルは、電離放射を吸収しすぎるため、次世代リソグラフィにおいて使用され得ない。膜は、また、電離ビームにおいて低下し得、最終的には機能しなくなり、マスクが汚染され得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、改善された配置を与えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、半導体チップ製作において使用されるレチクルを汚染から保護する装置が与えられる。該装置は、接続手段によって前出のレチクルにわたって間に気密空間を有して配列されるぺリクル部材を有する。該装置は、前出の接続手段が、前出の空間と大気との間の気体圧の差における変化に応じて前出のレチクルに対して略垂直である方向においてペリクル部材全体の動作を可能にするよう構成される、ことを特徴とする。
【０００８】
また本発明によれば、半導体チップ製作に対して使用されるレチクルを汚染から保護する方法が与えられる。該方法は、ペリクル部材を与える段階、及び、前出のレチクルにわたって接続手段によって間に気密空間を有してそれを配列する段階を有する。該方法は、前出の接続手段が、前出の空間と大気との間の気体圧の差における変化に応じて前出のレチクルに対して略垂直である方向において前出の外側部の動作を可能にするよう構成される、ことを特徴とする。
【０００９】
更に本発明によれば、半導体チップを製作する方法が与えられる。該方法は、レチクル、及び既に定義付けられた通り前出のレチクルを汚染から保護する装置を与える段階、前出のレチクル上にパターン化されたマスクを与える段階、及び、ペリクル部材及びマスクのを介して前出のレチクルを照射する段階を有する。
【００１０】
更に本発明によれば、既に定義付けられた方法に従って製作された半導体チップが与えられる。
【００１１】
ペリクルとレチクルとの間の空間は、必ずしもではないが望ましくは空気である気体で充填された閉じられた容積である、ことが十分理解される。
【００１２】
接続手段は、可撓性の接続部材を有し得、該部材は望ましくは、レチクルに対して略垂直な方向においてペリクル部材の外側部の動作が可能であるよう、上述された圧力差に応じて収縮するよう配置される。
【００１３】
他の実施例では、接続部材は、支持フレームに対してペリクル部材の外側部を摺動可能に接続する可撓性の密閉手段を有し得、レチクルに対して略垂直な方向において動き得る。
【００１４】
更に他の実施例では、支持フレームは、長手方向のガイドを有し得、該ガイドにおいてペリクル部材の端部の端部が気密に受けられるよう配置される。やはり、ペリクル部材は、気密ガイドを上下に摺動することによってレチクルに対して上下に動くことを可能とされる。
【００１５】
ペリクル膜は、望ましくはシリコンガラスで形成される。レチクルは、望ましくはレチクル基板上に与えられ、基板は望ましくは、ペリクル部材が接続される支持フレームを備えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明のこれらの及び他の面は、ここに説明される実施例を参照して明らかに且つ解説される。
【００１７】
本発明の一実施例は、単なる一例として添付の図面を参照して説明される。
【００１８】
図１を参照すると、従来通りの配置は、薄いペリクル１又は板１及びフレーム３を有する。ペリクル１は、フレーム３に対して接着され、レチクル基板５は、その一側上でレチクル（即ち、フォトリソグラフィック面）を有してフレーム３に対して接着され、レチクル基板５とペリクル１との間に隙間があるようにする。レチクル基板５とペリクル１との間の空間９と、周囲の外気との間の圧を均一にするよう、フィルタを有するボアホール１１は、フレーム３において備えられる。
【００１９】
図１に図示される通り、かかるペリクルは、１マイクロメートルのポリアミド等の非常に光透過性のある材料で作られた透明のペリクル膜を有する。マスク６は、（レチクルの上方の）レチクル基板５の一側上に備えられ、続いてレチクルは、シリコンウェハ上に要求された回路構造を作るよう（マスク６を介して）光に対して露出される。
【００２０】
リソグラフィの解像度は、近年徐々により高くなってきており、かかる解像が実現され、より短い波長の光は、徐々に光源として使用されるようになってきている。特には、例えば、フッ素エキシマレーザ（１５７ｎｍ）の使用は、ますます所望されてきている。しかしながら、従来通りのペリクル材料は１５７ｎｍで放射を吸収する。故に、（シリコンガラス等の）無機化合物を有するガラス板又は同様のもののペリクルとしての使用は、検討されている。
【００２１】
これらの無機化合物がペリクルとして使用される際、ペリクルは、該膜に所望の強度を与えるよう特定の厚さを理想的には有するべきである。しかしながら、実際には板は、放射のゆがみを防ぐようこの特定の厚さより著しく薄くなければならず、かかる板は、重力のために湾曲され得、それによってペリクル面での露光に対する光路の逸脱を招き得、故に露光に悪影響を及ぼし得る。
【００２２】
米国特許第２００１／０００４５０８号明細書は、ペリクルがフォトマスクの下方でフレームに対して接着された薄いガラス板を有し、膜が重力のために下方向に歪む傾向がある配置を説明する。しかしながら、ペリクルとレチクルとの間の空間における空気を減圧することによって、ペリクル膜は持ち上げられ、それ故に重力（及びそれ自身の重さ）による変形は軽減又は排除され得る。
【００２３】
ここに、改善された配置が考案されている。図２を参照すると、本発明の第一の実施例に従った装置は、レチクルが備えられる１つの面（即ちフォトリソグラフィック面）上にレチクル基板５を有する。レチクル基板５は、フレーム３上に取り付けられ、パターン化されたマスク６は、レチクル面上に備えられる。
【００２４】
透明なペリクル膜又は板１は、間の気密空間９を定義付けるよう略平行にレチクルを横断して取り付けられる。ペリクル１は、ペリクル１の対向する端部で与えられる可撓性の接続部材２０によってフレーム３上に取り付けられる。該可撓性の接続部材２０は、レチクルに対して垂直である方向において最適な可撓性を与えるが全ての他の方向において大きな抵抗性を与えるよう、「ベローズ」型の配置の形状で有り得る。結果として、空間９と大気との間の気体圧の差における変化、（シリコンガラス等を有し得る）ペリクル１を支持し、ガラスのペリクル自体のその部分の重さを使用する。言い換えると、ペリクル１は、気体圧差上に「浮いて」おり、圧の差は、受動的に保持され、即ち、電子接続、空気接続、又は他の外付け接続はない。
【００２５】
図３を参照すると、本発明の第２の実施例に従った配置は、図２を参照して説明されたのと同様の特徴を多く有し、同様の参照符号は、対応する特徴を示すよう使用される。しかしながら、この場合、接続部材３０は、フレーム３に対して接続され且つ、レチクルに対して垂直である方向において関連して摺動するよう構成された可撓性の密閉手段を有する。図２を参照して説明された通り、ペリクル１の全体は、レチクルに関連して上下に動き得る。他の実施例では、Ｕ字型の可撓性の接続部材３０は、フレーム３に対しｔ得固定され、ペリクルが上下に動く際に部材３０は、Ｕ字型の一方の「足」から他方へ「ロール」する。
【００２６】
図４を参照すると、本発明の第２の実施例に従った配置は、また、図２及び図３を参照して説明されたのと同様の特徴を多く有し、同様の参照符号は再度、対応する特徴を示すよう使用される。しかしながら、この場合は、長手方向のガイド（図示せず）は、フレームの側部上に与えられ、該ガイド内では、ペリクル１は、レチクルに対して垂直である方向において摺動することができ、やはり、大気圧に関連するレチクル配置の内部の気体圧さにおける変化は、自身の重さを使用してペリクル１を支持する。
【００２７】
ペリクル膜が形状において矩形である場合、ペリクルと支持フレームとの間に可撓性の接続を得ることは困難であり得る。かかる場合においては、半径は、ペリクル膜の角部で使用され得る。
【００２８】
上述された実施例は、本発明を制限するのではなく例証するものであること、及び、当業者は添付の請求項によって定義付けられた本発明の範囲から逸脱することなく多くの他の実施例を設計することができることが、留意されるべきである。請求項中、括弧内のいかなる参照符号も、請求項を制限するものとして解釈されるべきではない。「有する」及び同様の語は、請求項又は明細書全体において挙げられた要素又は段階以外の要素及び段階の存在を除外しない。要素の単数形の記載は、係る要素が複数存在する場合を除外するものではなく、逆も同様である。複数の手段を列挙する装置請求項において、これら複数の手段は、１つ及び同一のハードウェアによって実現され得る。特定の措置が互いに対して異なる従属請求項において列挙されるという単なる事実は、これらの措置の組合わせが有利に使用され得ないことを示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】レチクル上に取り付けられた従来のペリクルの概略的断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に従った配置の概略的断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に従った配置の概略的断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例に従った配置の概略的断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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