(57)【要約】【課題】磁界の検出精度を高めることができる磁気検出装置を提供する。【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０と、基板１０に形成された凹部１４と、凹部１４に設けられた第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂと、凹部１４内に配置された第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２と、を有する。凹部１４は、底面１４ａと、底面１４ａから起立した側面１４ｂとを含む。第１ヨーク部３０Ａは、第３側面１４ｅに設けられた第１側面ヨーク部３１を有し、第１側面ヨーク部３１により受けた磁束を第１磁気検出素子２１に向けて誘導する。第２ヨーク部３０Ｂは、第４側面１４ｆに設けられた第２側面ヨーク部３３を有し、第２側面ヨーク部３３により受けた磁束を第２磁気検出素子２２に向けて誘導する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された凹部と、
前記凹部に設けられたヨーク部と、
前記凹部内に配置された磁気検出素子と、
を有し、
前記凹部は、底面と、前記底面から起立した側面とを含み、
前記ヨーク部は、前記側面に設けられた側面ヨーク部を有し、前記側面ヨーク部により受けた磁束を前記磁気検出素子に向けて誘導する
磁気検出装置。
【請求項２】
前記ヨーク部は、前記底面に設けられた底面ヨーク部をさらに有し、
前記底面ヨーク部は、前記側面ヨーク部から磁気検出素子に向けて延び、
前記側面ヨーク部は、前記磁気検出素子の磁気検出方向と直交する一方向の磁束を前記底面ヨーク部に向けて誘導する
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項３】
前記磁気検出素子を含み、チップとして形成された半導体装置を有し、
前記基板の厚さ方向において、前記半導体装置における前記磁気検出素子が形成される面が前記底面ヨーク部側に配置されている
請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項４】
前記底面ヨーク部は、前記底面ヨーク部が誘導する磁束が前記底面ヨーク部から外部に流れるときに前記磁束が前記磁気検出素子の磁気検出面と直交するように構成されている
請求項２又は３に記載の磁気検出装置。
【請求項５】
前記底面ヨーク部の先端縁は、前記基板の厚さ方向から見て、前記磁気検出素子の磁気検出面と重なるように設けられている
請求項４に記載の磁気検出装置。
【請求項６】
前記底面ヨーク部の先端縁は、前記基板の厚さ方向から見て、前記磁気検出素子の磁気検出面の中央位置と重なるように設けられている
請求項５に記載の磁気検出装置。
【請求項７】
前記基板の側方から見て、前記底面ヨーク部と前記磁気検出素子とは、互いに離間している
請求項２〜６のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項８】
前記基板の厚さ方向から見て、前記底面ヨーク部の幅は、前記磁気検出素子の幅以下である
請求項２〜７のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項９】
前記側面ヨーク部において、前記基板の厚さ方向に直交する一方向に投影された面積は、前記基板の厚さ方向から見た前記底面ヨーク部の面積よりも大きい
請求項２〜８のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項１０】
前記磁気検出素子として、少なくとも第１磁気検出素子及び第２磁気検出素子を有し、
前記ヨーク部は、少なくとも第１ヨーク部及び第２ヨーク部を有し、
前記第１ヨーク部は、前記側面ヨーク部として、前記第１磁気検出素子に向けて磁束を誘導する第１側面ヨーク部を有し、
前記第２ヨーク部は、前記側面ヨーク部として、前記第２磁気検出素子に向けて磁束を誘導する第２側面ヨーク部を有する
請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項１１】
前記第１ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第１側面ヨーク部から前記第１磁気検出素子に向けて延びる第１底面ヨーク部を有し、
前記第２ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第２側面ヨーク部から前記第２磁気検出素子に向けて延びる第２底面ヨーク部を有する
請求項１０に記載の磁気検出装置。
【請求項１２】
前記第１磁気検出素子及び前記第２磁気検出素子を含み、チップとして形成された半導体装置を有し、
前記基板の厚さ方向において、前記半導体装置における前記第１磁気検出素子及び前記第２磁気検出素子が形成される面が前記底面側に配置されている
請求項１１に記載の磁気検出装置。
【請求項１３】
前記基板の厚さ方向に直交する第１方向において、前記第１磁気検出素子と前記第２磁気検出素子とは離間して対向するように配置され、
前記第１方向において、前記第１底面ヨーク部の先端縁と前記第２底面ヨーク部の先端縁とは離間して対向するように形成されている
請求項１１又は１２に記載の磁気検出装置。
【請求項１４】
前記凹部は、平面視において四角形に形成され、
前記側面は、前記四角形の各辺を形成する第１側面、第２側面、第３側面、及び第４側面を含み、
前記基板の厚さ方向と直交する方向において、前記第１側面と前記第２側面とが対向し、前記第３側面と前記第４側面とが対向し、
前記磁気検出素子は、前記第１磁気検出素子、前記第２磁気検出素子、第３磁気検出素子、及び第４磁気検出素子を含み、
前記ヨーク部は、前記第１ヨーク部、前記第２ヨーク部、第３ヨーク部、及び第４ヨーク部を含み、
前記第３ヨーク部は、前記側面ヨーク部として、前記第３磁気検出素子に向けて磁束を誘導する第３側面ヨーク部を有し、
前記第４ヨーク部は、前記側面ヨーク部として、前記第４磁気検出素子に向けて磁束を誘導する第４側面ヨーク部を有し、
前記第１側面ヨーク部は、前記第３側面に設けられ、
前記第２側面ヨーク部は、前記第４側面に設けられ、
前記第３側面ヨーク部は、前記第１側面に設けられ、
前記第４側面ヨーク部は、前記第２側面に設けられている
請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項１５】
前記第３ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第３側面ヨーク部から前記第３磁気検出素子に向けて延びる第３底面ヨーク部を有し、
前記第４ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第４側面ヨーク部から前記第４磁気検出素子に向けて延びる第４底面ヨーク部を有し、
前記基板の厚さ方向に直交する方向において、前記第３底面ヨーク部の先端縁と前記第４底面ヨーク部の先端縁とは離間して対向するように形成されている
請求項１４に記載の磁気検出装置。
【請求項１６】
前記第１ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第１側面ヨーク部から前記第１磁気検出素子に向けて延びる第１底面ヨーク部を有し、
前記第２ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第２側面ヨーク部から前記第２磁気検出素子に向けて延びる第２底面ヨーク部を有し、
前記基板の厚さ方向から見て、前記第３底面ヨーク部及び前記第４底面ヨーク部が延びる方向と、前記第１底面ヨーク部及び前記第２底面ヨーク部が延びる方向とは直交している
請求項１５に記載の磁気検出装置。
【請求項１７】
前記基板に設けられ、前記第１磁気検出素子、前記第２磁気検出素子、前記第３磁気検出素子、及び前記第４磁気検出素子と電気的に接続される導電層を有し、
前記第３側面ヨーク部及び前記第４側面ヨーク部は、前記導電層上に設けられた絶縁層上に設けられている
請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項１８】
基板と、
前記基板に形成された凹部と、
前記凹部に設けられたヨーク部と、
前記凹部内に配置された磁気検出素子と、
を有し、
前記凹部は、底面と、前記底面から起立した側面とを含み、
前記ヨーク部は、前記底面に設けられた底面ヨーク部を有し、前記底面ヨーク部により受けた磁束を前記磁気検出素子に誘導し、
前記磁気検出素子は、前記基板の厚さ方向から見て、前記磁気検出素子の少なくとも一部が前記底面ヨーク部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記底面ヨーク部と離間して配置されている
磁気検出装置。
【請求項１９】
前記底面ヨーク部は、前記底面ヨーク部が誘導する磁束が前記底面ヨーク部から外部に流れるときに前記磁束が前記磁気検出素子の磁気検出面と直交するように構成されている
請求項１８に記載の磁気検出装置。
【請求項２０】
前記底面ヨーク部は、その先端縁が前記磁気検出素子の磁気検出面と前記基板の厚さ方向において重なっている
請求項１９に記載の磁気検出装置。
【請求項２１】
前記底面ヨーク部の先端縁は、前記磁気検出素子の磁気検出面の中央位置と前記基板の厚さ方向において重なっている
請求項２０に記載の磁気検出装置。
【請求項２２】
前記基板の厚さ方向から見て、前記底面ヨーク部の幅は、前記磁気検出素子の幅以下である
請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項２３】
前記磁気検出素子は、少なくとも第１磁気検出素子及び第２磁気検出素子を有し、
前記ヨーク部は、少なくとも第１ヨーク部及び第２ヨーク部を有し、
前記第１ヨーク部は、前記底面ヨーク部として、第１底面ヨーク部を有し、
前記第２ヨーク部は、前記底面ヨーク部として、第２底面ヨーク部を有し、
前記第１磁気検出素子は、前記基板の厚さ方向から見て、少なくとも一部が前記第１底面ヨーク部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第１底面ヨーク部と離間して配置され、
前記第２磁気検出素子は、前記基板の厚さ方向から見て、少なくとも一部が前記第２底面ヨーク部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第２底面ヨーク部と離間して配置されている
請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項２４】
前記第１底面ヨーク部は、前記第１底面ヨーク部が誘導する磁束が前記第１底面ヨーク部から外部に流れるときに前記磁束が前記第１磁気検出素子の磁気検出面に直交するように構成され、
前記第２底面ヨーク部は、前記第２底面ヨーク部が誘導する磁束が前記第２底面ヨーク部から外部に流れるときに前記磁束が前記第２磁気検出素子の磁気検出面に直交するように構成されている
請求項２３に記載の磁気検出装置。
【請求項２５】
前記基板の厚さ方向に直交する第１方向において、前記第１磁気検出素子と前記第２磁気検出素子とは離間して対向するように配置され、
前記第１方向において、前記第１底面ヨーク部の先端縁と前記第２底面ヨーク部の先端縁とは離間して対向するように形成されている
請求項２３又は２４に記載の磁気検出装置。
【請求項２６】
前記磁気検出素子は、前記第１磁気検出素子、前記第２磁気検出素子、第３磁気検出素子、及び第４磁気検出素子を含み、
前記ヨーク部は、前記第１ヨーク部、前記第２ヨーク部、第３ヨーク部、及び第４ヨーク部を含む
請求項２３〜２５のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項２７】
前記第３ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第３磁気検出素子に向けて延びる第３底面ヨーク部を有し、
前記第４ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第４磁気検出素子に向けて延びる第４底面ヨーク部を有し、
前記基板の厚さ方向に直交する方向において、前記第３底面ヨーク部の先端縁と前記第４底面ヨーク部の先端縁とは離間して対向するように形成されている
請求項２６に記載の磁気検出装置。
【請求項２８】
前記基板の厚さ方向から見て、前記第３底面ヨーク部及び前記第４底面ヨーク部が延びる方向と、前記第１底面ヨーク部及び前記第２底面ヨーク部が延びる方向とは直交している
請求項２７に記載の磁気検出装置。
【請求項２９】
基板と、
前記基板に形成された凹部と、
前記凹部に設けられた第１ヨーク部及び第２ヨーク部と、
前記凹部内に配置され、前記基板の厚さ方向から見て、前記第１ヨーク部の端部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第１ヨーク部から離間して配置された第１磁気検出素子と、
前記凹部内に配置され、前記基板の厚さ方向から見て、前記第２ヨーク部の端部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第２ヨーク部から離間して配置された第２磁気検出素子と、
を有し、
前記第１ヨーク部の端部と前記第２ヨーク部の端部とは、前記基板の厚さ方向に直交する方向において間隔をあけて対向している
磁気検出装置。
【請求項３０】
前記第１ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられた第１底面ヨーク部を有し、
前記第２ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられた第２底面ヨーク部を有し、
前記第１底面ヨーク部は、前記第１底面ヨーク部が誘導する磁束が前記第１底面ヨーク部から外部に流れるときに前記磁束が前記第１磁気検出素子の磁気検出面に直交するように構成され、
前記第２底面ヨーク部は、前記第２底面ヨーク部が誘導する磁束が前記第２底面ヨーク部から外部に流れるときに前記磁束が前記第２磁気検出素子の磁気検出面に直交するように構成されている
請求項２９に記載の磁気検出装置。
【請求項３１】
前記第１底面ヨーク部は、その先端縁が前記第１磁気検出素子の磁気検出面と前記基板の厚さ方向において重なっており、
前記第２底面ヨーク部は、その先端縁が前記第２磁気検出素子の磁気検出面と前記基板の厚さ方向において重なっている
請求項３０に記載の磁気検出装置。
【請求項３２】
前記第１底面ヨーク部の先端縁は、前記第１磁気検出素子の磁気検出面の中央位置と前記基板の厚さ方向において重なっており、
前記第２底面ヨーク部の先端縁は、前記第２磁気検出素子の磁気検出面の中央位置と前記基板の厚さ方向において重なっている
請求項３１に記載の磁気検出装置。
【請求項３３】
前記基板の厚さ方向から見て、前記第１底面ヨーク部の幅は、前記第１磁気検出素子の幅以下であり、
前記基板の厚さ方向から見て、前記第２底面ヨーク部の幅は、前記第２磁気検出素子の幅以下である
請求項３１又は３２に記載の磁気検出装置。
【請求項３４】
前記凹部に設けられた第３ヨーク部及び第４ヨーク部と、
前記凹部内に配置され、前記基板の厚さ方向から見て、前記第３ヨーク部の端部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第３ヨーク部から離間して配置された第３磁気検出素子と、
前記凹部内に配置され、前記基板の厚さ方向から見て、前記第４ヨーク部の端部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第４ヨーク部から離間して配置された第４磁気検出素子と、
をさらに有する
請求項２９〜３３のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項３５】
前記第３ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第３磁気検出素子に向けて延びる第３底面ヨーク部を有し、
前記第４ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられ、前記第４磁気検出素子に向けて延びる第４底面ヨーク部を有し、
前記基板の厚さ方向に直交する方向において、前記第３底面ヨーク部の先端縁と前記第４底面ヨーク部の先端縁とは離間して対向するように形成されている
請求項３４に記載の磁気検出装置。
【請求項３６】
前記第１ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられた第１底面ヨーク部を有し、
前記第２ヨーク部は、前記凹部の底面に設けられた第２底面ヨーク部を有し、
前記基板の厚さ方向から見て、前記第３底面ヨーク部及び前記第４底面ヨーク部が延びる方向と、前記第１底面ヨーク部及び前記第２底面ヨーク部が延びる方向とは直交している
請求項３５に記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁気検出装置として、例えば特許文献１には、リードフレームにホール素子が実装されて封止樹脂でホール素子を封止することによりパッケージ化された磁気測定装置の構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０７７７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の磁気検出装置では、磁気検出装置周囲の磁界が弱い場合、ホール素子の磁気検出面を通過する磁束密度が低いため、検出精度が低下してしまう。
本発明の目的は、磁界の検出精度を高めることができる磁気検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決する磁気検出装置は、基板と、前記基板に形成された凹部と、前記凹部に設けられたヨーク部と、前記凹部内に配置された磁気検出素子と、を有し、前記凹部は、底面と、前記底面から起立した側面とを含み、前記ヨーク部は、前記側面に設けられた側面ヨーク部を有し、前記側面ヨーク部により受けた磁束を前記磁気検出素子に向けて誘導する。
【０００６】
この構成によれば、ヨーク部により受けた磁束を集めて磁気検出素子に誘導するため、磁気検出素子を通過する磁束密度が高くなる。したがって、磁界の検出精度を高めることができる。加えて、側面ヨーク部により基板の厚さ方向と直交する一方向に向けて流れる磁束を磁気検出素子に誘導させることができるため、本磁束検出装置は、基板の厚さ方向における磁界の検出に加え、基板の厚さ方向と直交する一方向における磁界を検出することができる。
【０００７】
上記課題を解決する磁気検出装置は、基板と、前記基板に形成された凹部と、前記凹部に設けられたヨーク部と、前記凹部内に配置された磁気検出素子と、を有し、前記凹部は、底面と、前記底面から起立した側面とを含み、前記ヨーク部は、前記底面に設けられた底面ヨーク部を有し、前記底面ヨーク部により受けた磁束を前記磁気検出素子に誘導し、前記磁気検出素子は、前記基板の厚さ方向から見て、前記磁気検出素子の少なくとも一部が前記底面ヨーク部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記底面ヨーク部と離間して配置されている。
【０００８】
この構成によれば、ヨーク部により受けた磁束を集めて磁気検出素子に誘導するため、磁気検出素子を通過する磁束密度が高くなる。したがって、磁界の検出精度を高めることができる。加えて、磁気検出素子と底面ヨーク部とが離間しているため、すなわち磁気検出素子が基板から離間しているため、基板に応力が加えられた場合にその応力の影響が磁気検出素子に与えられ難くなる。したがって、磁気検出装置の信頼性を高めることができる。
【０００９】
上記課題を解決する磁気検出装置は、基板と、前記基板に形成された凹部と、前記凹部に設けられた第１ヨーク部及び第２ヨーク部と、前記凹部内に配置され、前記基板の厚さ方向から見て、前記第１ヨーク部の端部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第１ヨーク部から離間して配置された第１磁気検出素子と、前記凹部内に配置され、前記基板の厚さ方向から見て、前記第２ヨーク部の端部と重なる位置であって、前記基板の側方から見て、前記第２ヨーク部から離間して配置された第２磁気検出素子と、を有し、前記第１ヨーク部の端部と前記第２ヨーク部の端部とは、前記基板の厚さ方向に直交する方向において間隔をあけて対向している。
【００１０】
この構成によれば、第１ヨーク部により受けた磁束を集めて第１磁気検出素子に誘導するため、第１磁気検出素子を通過する磁束密度が高くなる。また、第２ヨーク部により受けた磁束を集めて第２磁気検出素子に誘導するため、第２磁気検出素子を通過する磁束密度が高くなる。したがって、磁界の検出精度を高めることができる。
【発明の効果】
【００１１】
上記磁気検出装置によれば、磁界の検出精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の磁気検出装置の要部平面図。
【図２】図１の２−２線の断面図。
【図３】図１の３−３線の断面図。
【図４】図３の一部分の拡大図。
【図５】磁気検出装置の半導体装置の回路構成を示すブロック図。
【図６】半導体装置の回路構成のレイアウトを示す半導体装置の模式的な平面図。
【図７Ａ】作用を説明するための図であって、横方向の磁束が磁気検出装置に流れる場合の磁気検出装置の要部平面図。
【図７Ｂ】作用を説明するための図であって、横方向の磁束が磁気検出装置に流れる場合の磁気検出装置の断面図。
【図８Ａ】図１の磁気検出装置の製造工程の一部を示す図。
【図８Ｂ】図８Ａの次の工程を示す図。
【図８Ｃ】図８Ｂの次の工程を示す図。
【図８Ｄ】図８Ｃの次の工程を示す図。
【図８Ｅ】図８Ｄの工程における基板の斜視図。
【図８Ｆ】図８Ｄの次の工程を示す図。
【図８Ｇ】図８Ｆの次の工程を示す図。
【図８Ｈ】図８Ｇの次の工程を示す図。
【図８Ｉ】図８Ｈの次の工程を示す図。
【図８Ｊ】図８Ｉの次の工程を示す図。
【図８Ｋ】図８Ｊの次の工程を示す図。
【図８Ｌ】図８Ｋの次の工程を示す図。
【図８Ｍ】図８Ｌの次の工程を示す図。
【図８Ｎ】図８Ｍの次の工程を示す図。
【図８Ｏ】図８Ｎの次の工程を示す図。
【図８Ｐ】図８Ｏの次の工程を示す図。
【図８Ｑ】図８Ｐの次の工程を示す図。
【図８Ｒ】図８Ｑの次の工程を示す図。
【図９】第２実施形態の磁気検出装置の要部平面図。
【図１０】図９の１０−１０線の断面図。
【図１１Ａ】作用を説明するための図であって、横方向の磁束が磁気検出装置に流れる場合の磁気検出装置の要部平面図。
【図１１Ｂ】作用を説明するための図であって、縦方向の磁束が磁気検出装置に流れる場合の磁気検出装置の要部平面図。
【図１２Ａ】図９の磁気検出装置の製造工程の一部を示す図。
【図１２Ｂ】図１２Ａの次の工程を示す図。
【図１３】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【図１４】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【図１５】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【図１６】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【図１７】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【図１８】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【図１９】変形例の磁気検出装置の断面図。
【図２０】変形例の磁気検出装置の要部平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、磁気検出装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
【００１４】
本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
【００１５】
同様に、「部材Ｃが部材Ａと部材Ｂとの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが直接的に接続される場合、並びに、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
【００１６】
（第１実施形態）
図１〜図８を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１について説明する。図１は、磁気検出装置１の要部平面図である。図１の磁気検出装置１において、図中の左右方向を横方向Ｘと規定し、図中の上下方向を縦方向Ｙと規定し、横方向Ｘ及び縦方向Ｙと直交する紙面奥行き方向を厚さ方向Ｚと規定する。
【００１７】
図１〜図３に示すように、磁気検出装置１は、基板１０、半導体装置２０、及び封止樹脂４０（図２参照）を有する。本実施形態では、磁気検出装置１は、電子機器の回路基板（図示略）に表面実装される形式の磁気センサである。本実施形態の磁気検出装置１は、横方向Ｘの寸法が２ｍｍ、縦方向Ｙの寸法が２．５ｍｍ、及び厚さ方向Ｚの寸法が０．４ｍｍの平板矩形状に形成されている。なお、磁気検出装置１の平面視の形状は、横方向Ｘの寸法と縦方向Ｙの寸法とが互いに等しい正方形であってもよい。図１では、説明の便宜上、半導体装置２０を二点鎖線によって示し、封止樹脂４０を省略して示している。
【００１８】
基板１０は、磁気検出装置１の基礎となる部材である。基板１０は、単結晶材料である半導体材料からなる。本実施形態では、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）の単結晶材料からなる。図１に示すとおり、基板１０は、磁気検出装置１の平面視（以下、単に平面視）において矩形状に形成されている。基板１０には、半導体装置２０が搭載されている。
【００１９】
基板１０は、主面１１、裏面１２（図２参照）、及び外側面１３を有する。また基板１０には、主面１１から裏面１２に向けて凹む凹部１４が設けられている。
主面１１は、図２及び図３において基板１０の上面である。主面１１は、磁気検出装置１が電子機器の回路基板に実装される場合に利用される実装面である。裏面１２は、図２および図３における基板１０の下面である。裏面１２は、磁気検出装置１が電子機器の回路基板に実装されたときに上方を向くようになる。主面１１及び裏面１２は、厚さ方向Ｚと直交する方向に延びている。本実施形態では、主面１１は、結晶面において（１００）面である。なお、この実装面が下面になる場合もある。この場合、基板１０の主面１１が下面となり、裏面１２が上面となる。
【００２０】
図１〜図３に示すように、外側面１３は、厚さ方向Ｚにおいて主面１１と裏面１２との間に挟まれた面であって、磁気検出装置１の外枠を構成する４つの面である。外側面１３は、横方向Ｘに沿って延びる２つの第１外側面１３Ａ及び第２外側面１３Ｂと、縦方向Ｙに沿って延びる２つの第３外側面１３Ｃ及び第４外側面１３Ｄとを含む。第１外側面１３Ａは、基板１０の縦方向Ｙの一方側の側面を構成し、第２外側面１３Ｂは、基板１０の縦方向Ｙの他方側の側面を構成している。第１外側面１３Ａ及び第２外側面１３Ｂは互いに平行である。第３外側面１３Ｃは、基板１０の横方向Ｘの一方側の側面を構成し、第４外側面１３Ｄは、基板１０の横方向Ｘの他方側の側面を構成している。第３外側面１３Ｃ及び第４外側面１３Ｄは互いに平行である。第３外側面１３Ｃは、第１外側面１３Ａ及び第２外側面１３Ｂの横方向Ｘの一方側の端部において第１外側面１３Ａ及び第２外側面１３Ｂを繋いでいる。第４外側面１３Ｄは、第１外側面１３Ａ及び第２外側面１３Ｂの横方向Ｘの他方側の端部において第１外側面１３Ａ及び第２外側面１３Ｂを繋いでいる。
【００２１】
また、主面１１は、凹部１４を囲む枠状に形成されている。図１に示すとおり、主面１１は、横方向Ｘに延びる第１主面１１Ａ及び第２主面１１Ｂと、縦方向Ｙに延びる第３主面１１Ｃ及び第４主面１１Ｄとを含む。第１主面１１Ａは、第１外側面１３Ａ側に設けられ、第２主面１１Ｂは第２外側面１３Ｂ側に設けられている。第３主面１１Ｃは、第３外側面１３Ｃ側に設けられ、第４主面１１Ｄは、第４外側面１３Ｄ側に設けられている。図１に示すとおり、第１主面１１Ａ及び第２主面１１Ｂの幅寸法（縦方向Ｙの寸法）は、互いに等しく、第３主面１１Ｃ及び第４主面１１Ｄの幅寸法（横方向Ｘの寸法）は、互いに等しい。また本実施形態では、第１主面１１Ａ（第２主面１１Ｂ）の幅寸法は、第３主面１１Ｃ（第４主面１１Ｄ）の幅寸法よりも大きい。
【００２２】
図１〜図３に示すように、凹部１４は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０を貫通していない。すなわち凹部１４は、底面１４ａと、底面１４ａから起立する側面１４ｂとを含む。底面１４ａは、平面視において矩形状に形成されている。本実施形態では、底面１４ａの平面視の形状は、正方形である。底面１４ａは、厚さ方向Ｚに直交する方向に延びる平坦面である。側面１４ｂは、底面１４ａ及び主面１１に繋がる面である。側面１４ｂは、主面１１及び底面１４ａに対して傾斜している。本実施形態では、側面１４ｂの主面１１及び底面１４ａに対する傾斜角θ（図２参照）は、５４．７４°である。側面１４ｂの幅寸法（側面１４ｂの長手方向の寸法）は、底面１４ａから主面１１に向かうにつれて大きくなる。
【００２３】
側面１４ｂは、平面視における底面１４ａの各辺に繋がる４つの側面である第１側面１４ｃ、第２側面１４ｄ、第３側面１４ｅ、及び第４側面１４ｆを含む。第１側面１４ｃは、底面１４ａと第１主面１１Ａとを繋ぎ、第２側面１４ｄは、底面１４ａと第２主面１１Ｂとを繋ぎ、第３側面１４ｅは、底面１４ａと第３主面１１Ｃとを繋ぎ、第４側面１４ｆは、底面１４ａと第４主面１１Ｄとを繋いでいる。
【００２４】
基板１０の主面１１と、凹部１４の底面１４ａ及び側面１４ｂとには、絶縁層１５（図２参照）が設けられている。絶縁層１５は、電気絶縁性を有する被膜であり、主面１１と、凹部１４の底面１４ａ及び側面１４ｂとの全体を覆うように形成されている。本実施形態では、絶縁層１５は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる。また本実施形態では、絶縁層１５の厚さは、１．２μｍ以上かつ２．２μｍ以下である。
【００２５】
絶縁層１５上には、４つの導電層である第１導電層１６Ａ、第２導電層１６Ｂ、第３導電層１６Ｃ、及び第４導電層１６Ｄが設けられている。これら導電層１６Ａ〜１６Ｄは、半導体装置２０と、電子機器の回路基板（図示略）との導電経路の一部を構成している。本実施形態では、各導電層１６Ａ〜１６Ｄの厚さは、５μｍである。第１導電層１６Ａ及び第２導電層１６Ｂは、第１主面１１Ａ、第１側面１４ｃ、及び底面１４ａにわたり形成されている。第３導電層１６Ｃ及び第４導電層１６Ｄは、第２主面１１Ｂ、第２側面１４ｄ、及び底面１４ａにわたり形成されている。第１導電層１６Ａと第２導電層１６Ｂとは、縦方向Ｙに沿った仮想線Ｃ１を中心とした線対称形状となる。第３導電層１６Ｃ及び第４導電層１６Ｄとは、仮想線Ｃ１を中心とした線対称形状となる。第１導電層１６Ａと第３導電層１６Ｃとは、横方向Ｘに沿った仮想線Ｃ２を中心とした線対称形状となる。第２導電層１６Ｂと第４導電層１６Ｄとは、仮想線Ｃ２を中心とした線対称形状となる。
【００２６】
各導電層１６Ａ〜１６Ｄは、絶縁層１５に接して形成され、互いに積層されたバリア層１９Ａ、シード層１９Ｂ、及びメッキ層１９Ｃを有する。図４に示すように、絶縁層１５に接しているバリア層１９Ａが基板１０から最も近い位置に形成されている。シード層１９Ｂは、バリア層１９Ａとメッキ層１９Ｃとの間に介在している。本実施形態では、バリア層１９Ａは、チタン（Ｔｉ）からなる。本実施形態のバリア層１９Ａの厚さは、シード層１９Ｂの厚さ及びメッキ層１９Ｃの厚さよりも薄い。なお、バリア層１９Ａの厚さは、シード層１９Ｂの厚さと等しくてもよい。またシード層１９Ｂ及びメッキ層１９Ｃはそれぞれ、銅（Ｃｕ）からなる。メッキ層１９Ｃの厚さは、シード層１９Ｂの厚さよりも十分に厚い。
【００２７】
図１に示すように、第１導電層１６Ａにおいて第１主面１１Ａに設けられた部分１６ｓには、第１端子１７Ａが設けられている。第２導電層１６Ｂにおいて第１主面１１Ａに設けられた部分１６ｔには、第２端子１７Ｂが設けられている。第３導電層１６Ｃにおいて第２主面１１Ｂに設けられた部分１６ｕには、第３端子１７Ｃが設けられている。第４導電層１６Ｄにおいて第２主面１１Ｂに設けられた部分１６ｖには、第４端子１７Ｄが設けられている。これら端子１７Ａ〜１７Ｄは、本実施形態では、円柱状に形成されている。なお、各端子１７Ａ〜１７Ｄの形状は任意に変更可能であり、例えば角柱状に形成されてもよい。また各端子１７Ａ〜１７Ｄは、銅（Ｃｕ）からなる。第１端子１７Ａ〜第４端子１７Ｄのそれぞれには、磁気検出装置１の外部電極となる電極パッド４１（図３参照）が電気的に接続されている。
【００２８】
第１導電層１６Ａにおいて底面１４ａに設けられた部分１６ｗには、第１接合層１８Ａが設けられている。第２導電層１６Ｂにおいて底面１４ａに設けられた部分１６ｘには、第２接合層１８Ｂが設けられている。第３導電層１６Ｃにおいて底面１４ａに設けられた部分１６ｙには、第３接合層１８Ｃが設けられている。第４導電層１６Ｄにおいて底面１４ａに設けられた部分１６ｚには、第４接合層１８Ｄが設けられている。これら接合層１８Ａ〜１８Ｄは、本実施形態では、四角柱状に形成されている。なお、各接合層１８Ａ〜１８Ｄの形状は任意に変更可能であり、例えば円柱状に形成されてもよい。また本実施形態では、各接合層１８Ａ〜１８Ｄは、チタン銅合金（Ｔｉ／Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）が互いに積層されて構成されている。チタン銅合金は、各接合層１８Ａ〜１８Ｄのうち最も基板１０側に設けられている。銅（Ｃｕ）は、チタン銅合金とニッケルとの間に介在している。銅は、チタン銅合金に積層される第１層と、第１層上に積層される第２層とを含む。第２層の銅の面積は、第１層の銅の面積よりも小さい。各接合層１８Ａ〜１８Ｄ上には、例えば半田（ＳｎＡｇ）が塗布されている。本実施形態では、チタン銅合金のうちチタン（Ｔｉ）の厚さが０．１８μｍであり、チタン銅合金のうち銅（Ｃｕ）の厚さが０．８μｍである。また、第１層の銅の厚さが５μｍであり、第２層の銅の厚さが４μｍである。また、ニッケルの厚さが３μｍである。また、半田の厚さは１０μｍである。
【００２９】
基板１０は、ヨーク部３０を有する。ヨーク部３０は、凹部１４に設けられている。ヨーク部３０は、第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂを有する。第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂはそれぞれ、軟磁性材料からなる。第１ヨーク部３０Ａは、第３側面１４ｅ及び底面１４ａにわたり形成されている。第２ヨーク部３０Ｂは、第４側面１４ｆ及び底面１４ａにわたり形成されている。第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂは、仮想線Ｃ１を中心とした線対称形状である。本実施形態では、第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂの厚さはそれぞれ、５μｍである。
【００３０】
第１ヨーク部３０Ａは、第１側面ヨーク部３１及び第１底面ヨーク部３２を有する。
第１側面ヨーク部３１は、基板１０の凹部１４の第３側面１４ｅに設けられている。本実施形態では、第１側面ヨーク部３１は、第３側面１４ｅの概ね全体にわたり形成されている。すなわち第１側面ヨーク部３１は、その縦方向Ｙの寸法が底面１４ａから第３主面１１Ｃに向かうにつれて大きくなる。第１側面ヨーク部３１は、厚さ方向Ｚに直交する一方向である横方向Ｘに投影される面積が、平面視における第１底面ヨーク部３２の面積よりも大きくなるように形成されている。
【００３１】
第１底面ヨーク部３２は、凹部１４の底面１４ａに設けられている。第１底面ヨーク部３２は、第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの中央に接続されている。本実施形態では、第１底面ヨーク部３２は、横方向Ｘに沿って延びている。第１底面ヨーク部３２の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）は、第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの寸法の最小値よりも小さい。
【００３２】
第２ヨーク部３０Ｂは、第２側面ヨーク部３３及び第２底面ヨーク部３４を有する。
第２側面ヨーク部３３は、基板１０の凹部１４の第４側面１４ｆに設けられている。本実施形態では、第２側面ヨーク部３３は、第４側面１４ｆの概ね全体にわたり形成されている。すなわち第２側面ヨーク部３３は、その縦方向Ｙの寸法が底面１４ａから第４主面１１Ｄに向かうにつれて大きくなる。平面視における第２側面ヨーク部３３の面積は、平面視における第１側面ヨーク部３１の面積と等しい。第２側面ヨーク部３３は、厚さ方向Ｚに直交する一方向である横方向Ｘに投影される面積が、平面視における第２底面ヨーク部３４の面積よりも大きくなるように形成されている。
【００３３】
第２底面ヨーク部３４は、凹部１４の底面１４ａに設けられている。第２底面ヨーク部３４は、第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの中央に接続されている。本実施形態では、第２底面ヨーク部３４は、横方向Ｘに沿って延びている。第２底面ヨーク部３４の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）は、第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの寸法の最小値よりも小さい。また第２底面ヨーク部３４の幅寸法は、第１底面ヨーク部３２の幅寸法と等しい。第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａと、第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａとは、横方向Ｘにおいて互いに離間している。
【００３４】
本実施形態では、第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂは、第１〜第４導電層１６Ａ〜１６Ｄとは異なる位置に設けられている。詳述すると、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１は凹部１４の第３側面１４ｅに設けられ、第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３は凹部１４の第４側面１４ｆに設けられ、第１〜第４導電層１６Ａ〜１６Ｄは、凹部１４の第１側面１４ｃ及び第２側面１４ｄに設けられている。第１ヨーク部３０Ａの第１底面ヨーク部３２は、縦方向Ｙにおいて第１導電層１６Ａと第３導電層１６Ｃとの間に設けられ、第２ヨーク部３０Ｂの第２底面ヨーク部３４は、縦方向Ｙにおいて第２導電層１６Ｂと第４導電層１６Ｄとの間に設けられている。
【００３５】
図１〜図３に示すとおり、凹部１４には、半導体装置２０が搭載されている。半導体装置２０は、凹部１４内に配置されている。本実施形態では、凹部１４は、半導体装置２０を収容している。半導体装置２０は、平板状のチップとして形成されている。半導体装置２０の平面視の面積は、基板１０の凹部１４の底面１４ａの面積よりも僅かに小さい。本実施形態では、平面視において、半導体装置２０における凹部１４の第１側面１４ｃ側の端部と第１側面１４ｃとの間の距離と、半導体装置２０における凹部１４の第２側面１４ｄ側の端部と第２側面１４ｄとの間の距離とが互いに等しい。また半導体装置２０における凹部１４の第３側面１４ｅ側の端部と第３側面１４ｅとの間の距離と、半導体装置２０における凹部１４の第４側面１４ｆ側の端部と第４側面１４ｆとの間の距離とが互いに等しい。また本実施形態では、平面視において、半導体装置２０における凹部１４の第１側面１４ｃ側の端部と第１側面１４ｃとの間の距離は、半導体装置２０における凹部１４の第３側面１４ｅ側の端部と第３側面１４ｅとの間の距離よりも小さい。なお、平面視において、半導体装置２０における凹部１４の第１側面１４ｃ側の端部と第１側面１４ｃとの間の距離と、半導体装置２０における凹部１４の第３側面１４ｅ側の端部と第３側面１４ｅとの間の距離とが互いに等しくてもよい。
【００３６】
半導体装置２０は、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２を有する。図２に示すように、半導体装置２０において第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２が形成された面２０ｘは、凹部１４の底面１４ａ側、すなわち第１底面ヨーク部３２及び第２底面ヨーク部３４側に向いている。すなわち、半導体装置２０は、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２が形成された面２０ｘを凹部１４の底面１４ａに向けて実装されている。第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２の一例は、磁電変換素子である。磁電変換素子の一例は、ホール素子である。本実施形態では、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２はそれぞれ、シリコン（Ｓｉ）ホール素子が用いられている。図１に示すとおり、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２はそれぞれ、平面視において矩形状に形成されている。本実施形態では、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２の平面視の形状はそれぞれ、正方形である。第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２が形成される領域の平面視における縦寸法及び横寸法はそれぞれ、例えば１００μｍである。第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２はそれぞれ、半導体装置２０の縦方向Ｙの中央に形成されている。第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２は、横方向Ｘにおいて互いに離間して形成されている。第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２はそれぞれ、横方向Ｘにおいて半導体装置２０の中央位置付近に形成されている。図１に示すとおり、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２は、仮想線Ｃ１を中心に対称に配置されている。
【００３７】
ここで、図１及び図２を用いて、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２と第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂとの関係について説明する。
第１ヨーク部３０Ａは、磁気検出装置１の外部の磁束を第１磁気検出素子２１に向けて誘導する。第１底面ヨーク部３２は、第１側面ヨーク部３１から第１磁気検出素子２１に向けて延びている。本実施形態では、第１底面ヨーク部３２の幅寸法は、第１磁気検出素子２１の縦方向Ｙの寸法よりも小さい。第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａは、厚さ方向Ｚにおいて第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａと重なるように設けられている。本実施形態では、第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａは、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａの横方向Ｘの中央位置と厚さ方向Ｚにおいて重なるように設けられている。
【００３８】
第２ヨーク部３０Ｂは、磁気検出装置１の外部の磁束を第２磁気検出素子２２に向けて誘導する。第２底面ヨーク部３４は、第２側面ヨーク部３３から第２磁気検出素子２２に向けて延びている。本実施形態では、第２底面ヨーク部３４の幅寸法は、第２磁気検出素子２２の縦方向Ｙの寸法よりも小さい。第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａは、厚さ方向Ｚにおいて第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａと重なるように設けられている。本実施形態では、第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａは、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａの横方向Ｘの中央位置と厚さ方向Ｚにおいて重なるように設けられている。このように、第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａと第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａとの間の距離は、第１磁気検出素子２１と第２磁気検出素子２２との間の距離よりも大きい。
【００３９】
半導体装置２０は、複数（本実施形態では４つ）の電極バンプ２０ａ（図４参照）を有する。本実施形態では、４つの電極バンプ２０ａは、半導体装置２０のチップの四隅に設けられている。本実施形態では、電極バンプ２０ａは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン銅合金（Ｔｉ／Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）が互いに積層されて形成されている。半導体装置２０に接して形成されたアルミニウムが最も半導体装置２０の面２０ｘに近い位置に形成されている。チタン銅合金は、アルミニウムとニッケルとの間に介在している。電極バンプ２０ａ上には、例えば半田（ＳｎＡｇ）が塗布されている。電極バンプ２０ａと各接合層１８Ａ〜１８Ｄとは、例えば電極バンプ２０ａ上の半田と各接合層１８Ａ〜１８Ｄ上の半田とが互いに接合されることにより接合されている。本実施形態では、チタン銅合金のうちチタン（Ｔｉ）の厚さが０．１８μｍであり、銅（Ｃｕ）の厚さが０．８μｍである。また、アルミニウムの厚さが０．５μｍである。また、ニッケルの厚さが３μｍである。また、半田の厚さが１５μｍである。
【００４０】
本実施形態では、電子機器の回路基板に電気的に接続される４つの電極バンプ２０ａは、各導電層１６Ａ〜１６Ｄ、各端子１７Ａ〜１７Ｄ、及び各接合層１８Ａ〜１８Ｄを介して磁気検出装置１の４つの電極パッド４１（図３参照）に電気的に接続されている。詳述すると、第１の電極バンプ２０ａは、第１接合層１８Ａ、第１導電層１６Ａ、及び第１端子１７Ａを介して第１の電極パッド４１に接続され、第２の電極バンプ２０ａは、第２接合層１８Ｂ、第２導電層１６Ｂ、及び第２端子１７Ｂを介して第２の電極パッド４１に接続されている。また第３の電極バンプ２０ａは、第３接合層１８Ｃ、第３導電層１６Ｃ、及び第３端子１７Ｃを介して第３の電極パッド４１に接続され、第４の電極バンプ２０ａは、第４接合層１８Ｄ、第４導電層１６Ｄ、及び第４端子１７Ｄを介して第４の電極パッド４１に接続されている。なお、半導体装置２０と電子機器の回路基板とが電気的に接続される導電経路の数は任意に変更可能であり、１〜３つの導電経路、又は５つ以上の導電経路が形成されてもよい。
【００４１】
図２に示すように、封止樹脂４０は、基板１０の凹部１４及び主面１１上に設けられている。詳述すると、封止樹脂４０は、半導体装置２０が外部に露出しないように凹部１４を埋めている。また封止樹脂４０は、第１〜第４端子１７Ａ〜１７Ｄそれぞれの上端面のみが露出するように主面１１上を覆っている。封止樹脂４０は、例えば熱硬化性樹脂からなる。熱硬化性樹脂の一例は、エポキシ樹脂である。
【００４２】
封止樹脂４０の上面には、４つの電極パッド４１が設けられている。各電極パッド４１は、平面視において各端子１７Ａ〜１７Ｄの面積よりも大きく、各端子１７Ａ〜１７Ｄの全体を覆うように形成されている。各電極パッド４１の平面視の形状は、略矩形状に形成されている。各電極パッド４１は、互いに積層されたニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び金（Ａｕ）からなる。
【００４３】
図５に示すように、半導体装置２０は、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２の検出結果を出力するための制御回路をさらに有する。制御回路は、第１磁気検出素子２１に対応する第１スイッチ切替回路２３Ａ、第１差動増幅回路２４Ａ、第１サンプルホールド回路２５Ａ、及び第１比較回路２６Ａと、第２磁気検出素子２２に対応する第２スイッチ切替回路２３Ｂ、第２差動増幅回路２４Ｂ、第２サンプルホールド回路２５Ｂ、及び第２比較回路２６Ｂと、アナログ／デジタル変換回路２７と、演算回路２８とを含む。第１スイッチ切替回路２３Ａ、第１差動増幅回路２４Ａ、第１サンプルホールド回路２５Ａ、及び第１比較回路２６Ａと、第２スイッチ切替回路２３Ｂ、第２差動増幅回路２４Ｂ、第２サンプルホールド回路２５Ｂ、及び第２比較回路２６Ｂとは同じ構成である。
【００４４】
第１磁気検出素子２１は、第１電極２１ｂ、第２電極２１ｃ、第３電極２１ｄ、及び第４電極２１ｅを有する。第１磁気検出素子２１は、磁界強度及び磁界方向に応じた出力電圧を生成し、その生成した出力電圧を第１スイッチ切替回路２３Ａに出力する。
【００４５】
第１スイッチ切替回路２３Ａは、第１磁気検出素子２１に第１方向のバイアス電圧を印加して出力電圧を取得する第１バイアス状態と、第１磁気検出素子２１に第２方向のバイアス電圧を印加して出力電圧を取得する第２バイアス状態とを交互に切り替える。ここで、第１バイアス状態は、第１磁気検出素子２１の第１電極２１ｂと第３電極２１ｄとの間に電源電圧が印加される状態である。第２バイアス状態は、第１磁気検出素子２１の第２電極２１ｃと第４電極２１ｅとの間に電源電圧が印加される状態である。
【００４６】
第１差動増幅回路２４Ａは、第１スイッチ切替回路２３Ａからの出力電圧を増幅して増幅電圧を生成し、その生成した増幅電圧を第１サンプルホールド回路２５Ａに出力する。
第１サンプルホールド回路２５Ａは、第１スイッチ切替回路２３Ａの切替動作に対して増幅電圧を所定期間にわたり保持する。
【００４７】
第１比較回路２６Ａは、第１サンプルホールド回路２５Ａに電気的に接続された第１入力端及び第２入力端を有する。第１比較回路２６Ａは、第１サンプルホールド回路２５Ａから第１入力端に入力される第１比較電圧と、第１サンプルホールド回路２５Ａから第２入力端に入力される第２比較電圧との比較に基づいて第１出力電圧をアナログ／デジタル変換回路２７に出力する。
【００４８】
第２磁気検出素子２２は、第１電極２２ｂ、第２電極２２ｃ、第３電極２２ｄ、及び第４電極２２ｅを有する。第２磁気検出素子２２は、磁界強度及び磁界方向に応じた出力電圧を生成し、その生成した出力電圧を第２スイッチ切替回路２３Ｂに出力する。
【００４９】
第２スイッチ切替回路２３Ｂは、第２磁気検出素子２２に第１方向のバイアス電圧を印加して出力電圧を取得する第１バイアス状態と、第２磁気検出素子２２に第２方向のバイアス電圧を印加して出力電圧を取得する第２バイアス状態とを交互に切り替える。ここで、第１バイアス状態は、第２磁気検出素子２２の第１電極２２ｂと第３電極２２ｄとの間に電源電圧が印加される状態である。第２バイアス状態は、第２磁気検出素子２２の第２電極２２ｃと第４電極２２ｅとの間に電源電圧が印加される状態である。
【００５０】
第２差動増幅回路２４Ｂは、第２スイッチ切替回路２３Ｂからの出力電圧を増幅して増幅電圧を生成し、その生成した増幅電圧を第２サンプルホールド回路２５Ｂに出力する。
第２サンプルホールド回路２５Ｂは、第２スイッチ切替回路２３Ｂの切替動作に対して増幅電圧を所定期間にわたり保持する。
【００５１】
第２比較回路２６Ｂは、第２サンプルホールド回路２５Ｂに電気的に接続された第１入力端及び第２入力端を有する。第２比較回路２６Ｂは、第２サンプルホールド回路２５Ｂから第１入力端に入力される第１比較電圧と、第２サンプルホールド回路２５Ｂから第２入力端に入力される第２比較電圧との比較に基づいて第２出力電圧をアナログ／デジタル変換回路２７に出力する。
【００５２】
アナログ／デジタル変換回路２７は、アナログ信号である第１出力電圧を第１デジタル信号に変換し、アナログ信号である第２出力電圧を第２デジタル信号に変換し、これらデジタル信号を演算回路２８に出力する。
【００５３】
演算回路２８は、第１デジタル信号及び第２デジタル信号に基づいて磁気検出装置１が検出する磁界強度及び磁界方向を演算する。演算回路２８は、演算結果を例えば電子機器の回路基板に出力する。
【００５４】
図６は、半導体装置２０における各回路のレイアウトの一例を示している。
図６に示すとおり、各スイッチ切替回路２３Ａ，２３Ｂ、各差動増幅回路２４Ａ，２４Ｂ、各サンプルホールド回路２５Ａ，２５Ｂ、及び各比較回路２６Ａ，２６Ｂは、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２に対して縦方向Ｙの一方側（第１接合層１８Ａ及び第２接合層１８Ｂ側）に配置されている。またアナログ／デジタル変換回路２７及び演算回路２８は、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２に対して縦方向Ｙの他方側（第３接合層１８Ｃ及び第４接合層１８Ｄ側）に配置されている。
【００５５】
また第１スイッチ切替回路２３Ａ、第１差動増幅回路２４Ａ、第１サンプルホールド回路２５Ａ、及び第１比較回路２６Ａは、縦方向Ｙに沿って配置されている。また第２スイッチ切替回路２３Ｂ、第２差動増幅回路２４Ｂ、第２サンプルホールド回路２５Ｂ、及び第２比較回路２６Ｂは、縦方向Ｙに沿って配置されている。第１スイッチ切替回路２３Ａと第２スイッチ切替回路２３Ｂとは、横方向Ｘにおいて隣り合うように配置されている。第１差動増幅回路２４Ａと第２差動増幅回路２４Ｂとは、横方向Ｘにおいて隣り合うように配置されている。第１サンプルホールド回路２５Ａと第２サンプルホールド回路２５Ｂとは、横方向Ｘにおいて隣り合うように配置されている。第１比較回路２６Ａと第２比較回路２６Ｂとは、横方向Ｘにおいて隣り合うように配置されている。
【００５６】
なお、半導体装置２０における各回路のレイアウトは任意に変更可能である。例えば、各スイッチ切替回路２３Ａ，２３Ｂ、各差動増幅回路２４Ａ，２４Ｂ、各サンプルホールド回路２５Ａ，２５Ｂ、各比較回路２６Ａ，２６Ｂ、アナログ／デジタル変換回路２７、及び演算回路２８の少なくとも１つが、横方向Ｘにおいて半導体装置２０における第１磁気検出素子２１に対して第２磁気検出素子２２とは反対側の領域に配置されてもよい。また各スイッチ切替回路２３Ａ，２３Ｂ、各差動増幅回路２４Ａ，２４Ｂ、各サンプルホールド回路２５Ａ，２５Ｂ、各比較回路２６Ａ，２６Ｂ、アナログ／デジタル変換回路２７、及び演算回路２８の少なくとも１つが、横方向Ｘにおいて半導体装置２０における第２磁気検出素子２２に対して第１磁気検出素子２１とは反対側の領域に配置されてもよい。
【００５７】
〔作用〕
図７Ａ及び図７Ｂを用いて、本実施形態の作用について説明する。
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、磁気検出装置１に対して横方向Ｘ（Ｘ軸方向）の磁界を検出する場合を説明する。まず図７Ａ及び図７Ｂに示す実線矢印の方向の磁界を検出する場合、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１が磁束を受ける。この場合、図７Ｂに示すとおり、第１側面ヨーク部３１は、厚さ方向Ｚに投影した面積で磁束を受ける。第１側面ヨーク部３１で受けた磁束は、第１底面ヨーク部３２に流れる。この場合、第１底面ヨーク部３２の断面積（縦方向Ｙ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面積）が第１側面ヨーク部３１の断面積（第３側面１４ｅの面方向に垂直な方向及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積）よりも小さいため、第１底面ヨーク部３２の磁束密度が第１側面ヨーク部３１の磁束密度よりも高くなる。そして第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａまで流れた磁束は、図７Ｂに示すとおり、厚さ方向Ｚ及び第２底面ヨーク部３４に向けて円弧状の移動軌跡となるように流れる。ここで、第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａと第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａとが厚さ方向Ｚから見て重なっているため、第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａから外部に流れる磁束は、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに垂直な方向（第１磁気検出素子２１の磁気検出方向）に沿って流れる。そして第１磁気検出素子２１を通過した磁束は、第２磁気検出素子２２に流れる。このとき、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａと第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａとが厚さ方向Ｚから見て重なっているため、第２磁気検出素子２２に流れる磁束は、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに垂直な方向（第２磁気検出素子２２の磁気検出方向）に沿って流れる。このように、図７Ａ及び図７Ｂに示す実線矢印の方向の磁界において、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａを磁束が通過する第１方向と第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａを磁束が通過する第２方向とが逆向きとなる。第１方向は、磁束が半導体装置２０の面２０ｘから半導体装置２０の内部に向かう方向であり、第２方向は、磁束が半導体装置２０の内部から面２０ｘに向かう方向である。
【００５８】
なお、図７Ａ及び図７Ｂに示す破線矢印に示す方向の磁界を検出する場合、第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３が磁束を受ける。第２側面ヨーク部３３が受けた磁束は、第２底面ヨーク部３４、第２磁気検出素子２２、及び第１磁気検出素子２１の順に通過する。この場合、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａを磁束が通過する第１方向と第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａを磁束が通過する第２方向とが逆方向となる。第２方向は、磁束が半導体装置２０の面２０ｘから半導体装置２０の内部に向かう方向であり、第１方向は、磁束が半導体装置２０の内部から面２０ｘに向かう方向である。
【００５９】
ここで、磁気検出装置１に対して横方向Ｘ（Ｘ軸方向）の磁界が発生した場合、演算回路２８（図５参照）に入力される第１磁気検出素子２１の磁気検出信号の符号と、第２磁気検出素子２２の磁気検出信号の符号とが正負逆となる。このため、演算回路２８は、例えば第１磁気検出素子２１の磁気検出信号から第２磁気検出素子２２の磁気検出信号を減算した結果の値により、磁気検出装置１が検出した磁界強度が得られ、その結果の値から磁界方向（第１側面ヨーク部３０Ａから受ける磁界、又は第２側面ヨーク部３０Ｂから受ける磁界）が得られる。このようにして、磁気検出装置１は、第１磁気検出素子２１の磁気検出方向及び第２磁気検出素子２２の磁気検出方向のそれぞれ直交する横方向Ｘの磁界を検出することができる。また、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２はそれぞれ、磁気検出面２１ａ，２２ａに垂直な方向の磁束を受ける。このため、演算回路２８は、第１磁気検出素子２１の磁気検出信号及び第２磁気検出素子２２の磁気検出信号の和を演算することによって、横方向Ｘ（Ｘ軸方向）の磁束をキャンセルして厚さ方向Ｚ（Ｚ軸方向）の磁界強度が得られる。
【００６０】
なお、磁気検出装置１に対して厚さ方向Ｚ（Ｚ軸方向）の磁界が発生した場合、磁束は、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに垂直な方向及び第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに垂直な方向に流れる。このため、演算回路２８に入力される第１磁気検出素子２１の磁気検出信号の符号と、第２磁気検出素子２２の磁気検出信号の符号とが正負同じとなる。したがって、演算回路２８は、第１磁気検出素子２１の磁気検出信号と、第２磁気検出素子２２の磁気検出信号との和を演算することによって、磁気検出装置１が検出した厚さ方向Ｚ（Ｚ軸方向）の磁界強度として出力する。このように、本実施形態の磁気検出装置１は、Ｘ軸方向とＺ軸方向との２軸の磁気検出を行うことができる。
【００６１】
〔磁気検出装置の製造方法〕
図８Ａ〜図８Ｒを参照して、磁気検出装置１の製造方法について説明する。
図８Ａに示すように、基板５０を用意する。基板５０は、磁気検出装置１の基板１０の集合体である。基板５０は、単結晶材料である半導体材料からなる。本実施形態の基板５０は、シリコン（Ｓｉ）の単結晶材料である。また、本実施形態においては、基板５０の厚さは、例えば２００μｍ以上かつ４００μｍ以下である。基板５０は、主面５１、裏面５２、及びマスク層５３を有する。主面５１は、図８Ａに示す基板５０の上面である。裏面５２は、図８Ａに示す基板５０の下面である。主面５１及び裏面５２は、基板５０の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。本実施形態では、主面５１は、結晶面において（１００）面である。マスク層５３は、主面５１に形成され、例えば窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる層である。マスク層５３は、例えばプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によって形成される。
【００６２】
次に、図８Ｂに示すように、マスク層５３に対してフォトリソグラフィによってマスクを形成した後、ドライエッチングの一例である反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）によって、マスク層５３を部分的に除去する。この場合、例えばマスク層５３が窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる層であれば、四フッ素炭素（ＣＦ４）をエッチングガスとする。これにより、マスク層５３には、横方向Ｘ及び縦方向Ｙのそれぞれに離間した複数の開口部５３ａが形成される。複数の開口部５３ａはそれぞれ、主面５１を露出している。複数の開口部５３ａはそれぞれ、平面視において矩形状に形成されている。なお、図８Ｂでは、所定の１つの開口部５３ａの断面を示している。
【００６３】
次に、図８Ｃに示すように、主面５１から窪むように、基板５０に凹部５４を形成する。凹部５４は、磁気検出装置１の凹部１４に相当する。凹部５４は、例えば異方性エッチングによって形成される。本実施形態では、異方性エッチングは、アルカリ溶液を用いたウェットエッチングである。アルカリ溶液としては、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液を用いることができる。これにより、マスク層５３に形成された複数の開口部５３ａのそれぞれにおいて、底面５４ａと、底面５４ａから起立して主面５１に繋がる側面５４ｂとを有する凹部５４が形成される。本実施形態では、底面５４ａは、平面視において矩形状である。また側面５４ｂは、底面５４ａの四辺に沿って形成された４つの面である。また本実施形態では、主面５１を（１００）面としているため、４つの側面５４ｂがいずれも（１１１）面からなる。したがって、４つの側面５４ｂは、いずれも底面５４ａに対して傾斜し、その傾斜角はいずれも５４．７４°となる。
【００６４】
次に、図８Ｄに示すように、主面５１に形成されたマスク層５３を全て除去する。例えばマスク層５３が窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる層の場合、四フッ素炭素（ＣＦ４）をエッチングガスとした反応性イオンエッチング、又は加熱リン酸溶液を用いたウェットエッチングによって、主面５１に形成されたマスク層５３を全て除去する。図８Ｅは、マスク層５３を全て除去したときの基板５０の斜視図である。図８Ｅに示すとおり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙのそれぞれに離間した複数の凹部５４が、主面５１が窪むように基板５０に形成されている。なお、図８Ｅでは、磁気検出装置１の基板１０に相当する範囲を二点鎖線にて示している。
【００６５】
次に、図８Ｆに示すように、凹部５４を含む基板５０に絶縁層５５を形成する。絶縁層５５が磁気検出装置１の絶縁層１５に相当する。本実施形態では、絶縁層５５は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、その厚さは１．２μｍ以上かつ２．２μｍ以下である。絶縁層５５は、主面５１と、凹部５４を構成する底面５４ａ及び側面５４ｂとを、熱酸化法によって酸化させることにより形成される。
【００６６】
次に、凹部５４を含む基板５０に導電層５６を形成する。導電層５６を形成する工程では、バリア層５７及びシード層５８を形成する工程と、メッキ層５９を形成する工程とを含む。
【００６７】
まず、図８Ｇに示すように、基板５０にバリア層５７及びシード層５８をそれぞれ形成する。バリア層５７及びシード層５８の形成範囲は、絶縁層１５の形成範囲と同一である。先に、絶縁層５５に接するバリア層５７を形成した後、バリア層５７に接するシード層５８を形成する。バリア層５７及びシード層５８はそれぞれ、例えばスパッタリングによって形成される。本実施形態では、バリア層５７はチタン（Ｔｉ）からなり、シード層５８は銅（Ｃｕ）からなる。バリア層５７の厚さは、シード層５８の厚さよりも薄い。
【００６８】
そしてシード層５８に対してフォトリソグラフィによってマスクを形成する。図８Ｈに示すように、基板５０に第１レジスト層６０を形成した後、第１レジスト層６０に対して露光・現像を行うことによって、シード層５８に対してマスクが形成される。第１レジスト層６０の形成範囲は、絶縁層５５の形成範囲と同一である。第１レジスト層６０は、レジストを例えばスプレーを用いて塗布することにより形成される。本実施形態では、レジストはポジ型レジストであるため、露光された第１レジスト層６０の部分が、現像に用いられる現像液によって除去される。
【００６９】
次に、図８Ｉに示すように、基板５０にメッキ層５９を形成した後、基板５０に形成された第１レジスト層６０を全て除去する。メッキ層５９は、第１レジスト層６０が現像により除去された部分、すなわちシード層５８が露出した部分に形成される。メッキ層５９は、電解メッキによって形成される。本実施形態では、メッキ層５９は銅（Ｃｕ）からなる。これにより、基板５０に導電層５６が形成される。導電層５６が磁気検出装置１の第１〜第４導電層１６Ａ〜１６Ｄに相当する。
【００７０】
次に、半導体装置６２を搭載するための複数の接合層６３を導電層５６に形成する。複数の接合層６３が磁気検出装置１の第１〜第４接合層１８Ａ〜１８Ｄに相当する。図８Ｊに示すように、導電層５６に対してフォトリソグラフィによってマスクを形成する。基板５０に第２レジスト層６４を形成した後、第２レジスト層６４に対し露光・現像を行うことによって、導電層５６に対してマスクが形成される。第２レジスト層６４の形成範囲、材質及び形成方法は、いずれも第１レジスト層６０と同一である。このとき、第２レジスト層６４には、複数の貫通孔６４ａが形成される。貫通孔６４ａの形状はそれぞれ、直方体状である。
【００７１】
次に、図８Ｋに示すように、導電層５６に複数の接合層６３を形成した後、基板５０に形成された第２レジスト層６４を全て除去する。複数の接合層６３はそれぞれ、導電性を有する。本実施形態では、基板５０に形成されたシード層５８を活用した電解メッキによって、貫通孔６４ａから露出したメッキ層５９にニッケル（Ｎｉ）層を析出させた後、錫（Ｓｎ）を含む合金層を析出させることによって、貫通孔６４ａ内を埋めるように複数の接合層６３が形成される。この合金の一例では、Ｓｎ−Ａｇ系合金等の鉛フリーはんだである。
【００７２】
次に、主面５１に形成された導電層５６に導通する複数の端子６５を形成する。複数の端子６５が、磁気検出装置１の第１〜第４端子１７Ａ〜１７Ｄに相当する。図８Ｌに示すように、導電層５６に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する。基板５０に第３レジスト層６６を形成した後、第３レジスト層６６に対して露光・現像を行うことによって、導電層５６に対してマスクが形成される。第３レジスト層６６の形成範囲、材質、及び形成方法は、いずれも第１レジスト層６０と同一である。このとき、第３レジスト層６６には、複数の貫通孔６６ａが形成される。複数の貫通孔６６ａの形状はそれぞれ、円柱状である。
【００７３】
次に、図８Ｍに示すように、複数の端子６５を形成した後、基板５０に形成された第３レジスト層６６を全て除去する。本実施形態では、基板５０に形成されたシード層５８を活用した電解メッキによって、貫通孔６６ａから露出したメッキ層５９（導電層５６）に、例えば銅（Ｃｕ）を析出させることによって、貫通孔６６ａ内を埋めるように端子６５が複数形成される。
【００７４】
次に、図８Ｎに示すように、メッキ層５９に覆われていない不要なバリア層５７及びシード層５８を全て除去する。バリア層５７及びシード層５８は、例えばウェットエッチングにより除去される。バリア層５７及びシード層５８が除去された部分から絶縁層５５が露出する。このとき、メッキ層５９、接合層６３、及び複数の端子６５についても、バリア層５７及びシード層５８の層厚に相当する厚さの分だけウェットエッチングによって除去される。
【００７５】
次に、図８Ｏに示すように、基板５０にヨーク部６１を形成する。本実施形態では、ヨーク部６１は、軟磁性材料からなり、その厚さは５μｍである。本実施形態では、ヨーク部６１は、例えばスパッタリングによって形成される。ヨーク部６１は、凹部５４の側面５４ｂ及び底面５４ａにわたり形成される。ヨーク部６１は、本実施形態の磁気検出装置１のヨーク部３０（第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂ）に相当する。なお、図８Ｏは、図２の断面に相当する。
【００７６】
次に、図８Ｐに示すように、凹部５４に収容されるように半導体装置６２を底面５４ａに搭載する。半導体装置６２は、磁気検出装置１の半導体装置２０に相当する。半導体装置６２の搭載は、ＦＣＢ（Flip Chip Bonding）によって行う。半導体装置６２にフラックスを塗布した後、例えばフリップチップボンダを用いて半導体装置６２を複数の接合層６３に仮付けする。このとき、複数の接合層６３は、底面５４ａに形成された導電層５６と、半導体装置６２の下面に形成された複数の電極バンプ（図示略）との間に介在した状態となる。そして、リフローにより複数の接合層６３のそれぞれを溶融させた後、冷却により複数の接合層６３のそれぞれを固化させる。これにより、半導体装置６２が凹部５４（底面５４ａ）に搭載される。
【００７７】
次に、図８Ｑに示すように、基板５０に半導体装置６２を覆う封止樹脂６７を形成する。封止樹脂６７は、磁気検出装置１の封止樹脂４０に相当する。封止樹脂６７は、基板５０に形成された凹部５４を充填し、かつ導電層５６、半導体装置６２、及び複数の端子６５を完全に覆うように形成する。封止樹脂６７は、例えば電気絶縁性を有する黒色のエポキシ樹脂からなる。その後、図８Ｑに示すように、複数の端子６５の上端面が露出するまで、封止樹脂６７の上部を研削する。そして複数の端子６５上にそれぞれ電極パッド６８（図８Ｒ参照）が形成される。
【００７８】
次に、図８Ｒに示すように、基板５０を横方向Ｘ及び縦方向Ｙに配置された切断線ＣＬに沿って切断（ダイシング）することによって、半導体装置６２ごとの個片に分割する。基板５０は、例えばプラズマダイシングにより切断される。半導体装置６２ごとの個片が磁気検出装置１となる。以上の工程を経ることによって、磁気検出装置１が製造される。
【００７９】
〔効果〕
本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１−１）第１ヨーク部３０Ａにより受けた磁束を集めて第１磁気検出素子２１に誘導するため、第１磁気検出素子２１を通過する磁束密度が高くなる。また第２ヨーク部３０Ｂにより受けた磁束を集めて第２磁気検出素子２２に誘導するため、第２磁気検出素子２２を通過する磁束密度が高くなる。したがって、磁気検出装置１の磁界の検出精度を高めることができる。すなわち、磁気検出装置１は、より微弱な磁界を検出することができる。加えて、第１ヨーク部３０Ａは第１側面ヨーク部３１を有し、第２ヨーク部３０Ｂは第２側面ヨーク部３３を有するため、厚さ方向Ｚと直交する一方向（本実施形態では横方向Ｘ（Ｘ軸方向））の磁束を集めて第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２に誘導させることができる。したがって、磁気検出装置１は、Ｘ軸方向における磁界を検出することができる。
【００８０】
（１−２）第１ヨーク部３０Ａは第１底面ヨーク部３２を有し、基板１０の側方から見て、第１磁気検出素子２１は、厚さ方向Ｚにおいて第１底面ヨーク部３２から離間している。第２ヨーク部３０Ｂは第２底面ヨーク部３４を有し、基板１０の側方から見て、第２磁気検出素子２２は、厚さ方向Ｚにおいて第２底面ヨーク部３４から離間している。このような構成によれば、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２はそれぞれ、基板１０から離間して配置されているので、基板１０に応力が加えられた場合にその応力の影響が第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２のそれぞれに与えられ難くなる。したがって、磁気検出装置１の信頼性を高めることができる。加えて、第１底面ヨーク部３２又は第２底面ヨーク部３４から外部に流れる磁束が、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに垂直な方向において磁気検出面２１ａを通過させることができ、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに垂直な方向において磁気検出面２２ａを通過させることができる。したがって、磁気検出装置１の磁界の検出精度を高めることができる。
【００８１】
（１−３）厚さ方向Ｚにおいて、半導体装置２０における第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２が形成される面２０ｘが第１底面ヨーク部３２及び第２底面ヨーク部３４側に配置されている。この構成によれば、第１磁気検出素子２１と第１底面ヨーク部３２との間の距離と、第２磁気検出素子２２と第２底面ヨーク部３４との間の距離とをそれぞれ小さくすることができる。したがって、第１底面ヨーク部３２から第１磁気検出素子２１に磁束が流れ易くなり、第２底面ヨーク部３４から第２磁気検出素子２２に磁束が流れ易くなる。加えて、第１底面ヨーク部３２又は第２底面ヨーク部３４から外部に流れる磁束が、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに垂直な方向において磁気検出面２１ａを通過させることができ、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに垂直な方向において磁気検出面２２ａを通過させることができる。したがって、磁気検出装置１の磁界の検出精度を高めることができる。
【００８２】
（１−４）第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａは、厚さ方向Ｚから見て、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａと重なるように設けられている。第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａは、厚さ方向Ｚから見て、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａと重なるように設けられている。このような構成によれば、第１底面ヨーク部３２の先端部から外部に流れる磁束が第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに流れ易くなり、第２底面ヨーク部３４の先端部から外部に流れる磁束が第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに流れ易くなる。したがって、磁気検出装置１の磁界の検出精度を高めることができる。
【００８３】
特に本実施形態では、第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａが第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａの横方向Ｘの中央位置と重なるように設けられ、第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａが第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａの横方向Ｘの中央位置と重なるように設けられている。これにより、第１底面ヨーク部３２の先端部から外部に流れる磁束が第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに一層流れ易くなり、第２底面ヨーク部３４の先端部から外部に流れる磁束が第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに一層流れ易くなるので、磁気検出装置１の磁界の検出精度をより高めることができる。
【００８４】
（１−５）第１ヨーク部３０Ａの第１底面ヨーク部３２の厚さ方向Ｚから見た面積は、第１側面ヨーク部３１の横方向Ｘに投影された面積よりも小さく、第２ヨーク部３０Ｂの第２底面ヨーク部３４の厚さ方向Ｚから見た面積は、第２側面ヨーク部３３の横方向Ｘに投影された面積よりも小さい。このような構成によれば、第１側面ヨーク部３１に流れる磁束が第１底面ヨーク部３２に流れる場合に第１底面ヨーク部３２の磁束密度が高められ、第２側面ヨーク部３３に流れる磁束が第２底面ヨーク部３４に流れる場合に第２底面ヨーク部３４の磁束密度が高められる。したがって、第１底面ヨーク部３２から第１磁気検出素子２１に流れる磁束密度が高められ、第２底面ヨーク部３４から第２磁気検出素子２２に流れる磁束密度が高められるため、磁気検出装置１の磁界の検出精度を高めることができる。これにより、磁気検出装置１は、より微弱な磁界を検出することができる。
【００８５】
（１−６）厚さ方向Ｚから見て、第１底面ヨーク部３２の幅は第１磁気検出素子２１の幅以下であり、第２底面ヨーク部３４の幅は第２磁気検出素子２２の幅以下である。この構成によれば、縦方向Ｙにおいて第１底面ヨーク部３２の先端部から外部に流れる磁束が第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａを効率よく通過し、第２底面ヨーク部３４の先端部から外部に流れる磁束が第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａを効率よく通過する。したがって、磁気検出装置１の磁界の検出精度を高めることができる。
【００８６】
（１−７）第１側面ヨーク部３１は、凹部１４の第３側面１４ｅの概ね全体を覆うように形成され、第２側面ヨーク部３３は、凹部１４の第４側面１４ｆの概ね全体を覆うように形成されている。この構成によれば、第１側面ヨーク部３１及び第２側面ヨーク部３３のそれぞれが横方向Ｘに流れる磁束を効率よく集めることができるため、磁気検出装置１は、Ｘ軸方向の磁界の検出精度を高めることができる。
【００８７】
（１−８）第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂが同一形状であることにより、横方向Ｘにおいて第１ヨーク部３０Ａから第２ヨーク部３０Ｂに流れる磁束の場合の磁気検出装置１の磁界の検出精度と、第２ヨーク部３０Ｂから第１ヨーク部３０Ａに流れる磁束の場合の磁気検出装置１の磁界の検出精度とのばらつきを抑制することができる。
【００８８】
（第２実施形態）
図９〜図１１Ｃを参照して、第２実施形態の磁気検出装置１について説明する。本実施形態の磁気検出装置１は、第１実施形態の磁気検出装置１と比較して、磁気検出素子の数及びヨーク部３０の構成が異なる。このため、以降の説明において、第１実施形態の磁気検出装置１と共通の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００８９】
図９に示すように、磁気検出装置１は、第１磁気検出素子２１、第２磁気検出素子２２、第３磁気検出素子７１、及び第４磁気検出素子７２を有する。
本実施形態の第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２は、第１実施形態の第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２と同様に、基板１０の凹部１４の底面１４ａの中央部において横方向Ｘに互いに離間して配置されている。
【００９０】
第３磁気検出素子７１及び第４磁気検出素子７２は、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２と同一の構成及びサイズであり、例えばホール素子が用いられている。第３磁気検出素子７１及び第４磁気検出素子７２は、基板１０の凹部１４の底面１４ａの中央部において縦方向Ｙに互いに離間して配置されている。すなわち第３磁気検出素子７１の横方向Ｘの位置と、第４磁気検出素子７２の横方向Ｘの位置とは互いに等しい。
【００９１】
図９に示すとおり、第１磁気検出素子２１と第２磁気検出素子２２との横方向Ｘの間の距離ＤＨ１と、第３磁気検出素子７１と第４磁気検出素子７２との縦方向Ｙの間の距離ＤＨ２とは、互いに等しい。また、第１磁気検出素子２１、第２磁気検出素子２２、第３磁気検出素子７１、及び第４磁気検出素子７２の厚さ方向Ｚの位置は互いに等しい。
【００９２】
ヨーク部３０は、第１ヨーク部３０Ａ、第２ヨーク部３０Ｂ、第３ヨーク部３０Ｃ、及び第４ヨーク部３０Ｄを有する。本実施形態の第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂは、第１実施形態の第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂと概ね同一の構成である。
【００９３】
本実施形態の第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの長さよりも短い。一方、本実施形態の第１側面ヨーク部３１の横方向Ｘの長さは、第１実施形態の第１側面ヨーク部３１の横方向Ｘの長さと等しい。図９に示すとおり、本実施形態の第１側面ヨーク部３１は、基板１０の凹部１４の第１側面１４ｃの縦方向Ｙの両端部を除き、第１側面１４ｃを概ね全体にわたり覆っている。
【００９４】
本実施形態の第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの長さよりも短い。一方、本実施形態の第２側面ヨーク部３３の横方向Ｘの長さは、第１実施形態の第２側面ヨーク部３３の横方向Ｘの長さと等しい。図９に示すとおり、本実施形態の第２側面ヨーク部３３は、基板１０の凹部１４の第２側面１４ｄの縦方向Ｙの両端部を除き、第２側面１４ｄを概ね全体にわたり覆っている。
【００９５】
図９に示すとおり、第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄは、本実施形態の第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂと同一の形状である。第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄは、仮想線Ｃ２を中心とした線対称形状である。第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄは、第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂと同様に、軟磁性材料からなる。第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄの厚さはそれぞれ、５μｍである。すなわち、各ヨーク部３０Ａ〜３０Ｄの厚さは互いに等しい。
【００９６】
第３ヨーク部３０Ｃは、第３側面ヨーク部３５及び第３底面ヨーク部３６を有する。
第３側面ヨーク部３５は、基板１０の凹部１４の第１側面１４ｃに設けられている。本実施形態では、第３側面ヨーク部３５は、第１側面１４ｃの概ね全体にわたり形成されている。詳述すると、第３側面ヨーク部３５は、平面視において、第１側面１４ｃの縦方向Ｙの全体にわたり設けられている。第３側面ヨーク部３５は、第１側面１４ｃの横方向Ｘの両端部を除き、第１側面１４ｃの横方向Ｘの全体にわたり設けられている。このため、第３側面ヨーク部３５は、その縦方向Ｙの寸法が底面１４ａから第１主面１１Ａに向かうにつれて大きくなる。第３側面ヨーク部３５は、厚さ方向Ｚに直交する一方向である横方向Ｘに投影される面積が、平面視における第３底面ヨーク部３６の面積よりも大きくなるように形成されている。
【００９７】
図９に示すとおり、第３側面ヨーク部３５の横方向Ｘの一方側の端部は、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの端部と隙間をあけて設けられて、第３側面ヨーク部３５の横方向Ｘの他方側の端部は、第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの端部と隙間をあけて設けられている。
【００９８】
第３底面ヨーク部３６は、凹部１４の底面１４ａに設けられている。第３底面ヨーク部３６は、第３側面ヨーク部３５の横方向Ｘの中央に接続されている。第３底面ヨーク部３６は、第３側面ヨーク部３５から第３磁気検出素子７１に向けて延びている。本実施形態では、第３底面ヨーク部３６は、縦方向Ｙに沿って延びている。第３底面ヨーク部３６の幅寸法（横方向Ｘの寸法）は、第３側面ヨーク部３５の横方向Ｘの寸法の最小値よりも小さい。本実施形態では、第３底面ヨーク部３６の幅寸法は、第３磁気検出素子７１の横方向Ｘの寸法よりも小さい。
【００９９】
第４ヨーク部３０Ｄは、第４側面ヨーク部３７及び第４底面ヨーク部３８を有する。
第４側面ヨーク部３７は、基板１０の凹部１４の第２側面１４ｄに設けられている。本実施形態では、第４側面ヨーク部３７は、第２側面１４ｄの概ね全体にわたり形成されている。詳述すると、第４側面ヨーク部３７は、平面視において、第２側面１４ｄの縦方向Ｙの全体にわたり設けられている。第４側面ヨーク部３７は、第２側面１４ｄの横方向Ｘの両端部を除き、第２側面１４ｄの横方向Ｘの全体にわたり設けられている。このため、第４側面ヨーク部３７は、その縦方向Ｙの寸法が底面１４ａから第２主面１１Ｂに向かうにつれて大きくなる。第４側面ヨーク部３７は、厚さ方向Ｚに直交する一方向である横方向Ｘに投影される面積が、平面視における第４底面ヨーク部３８の面積よりも大きくなるように形成されている。
【０１００】
図９に示すとおり、第４側面ヨーク部３７の横方向Ｘの一方側の端部は、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの端部と隙間をあけて設けられて、第４側面ヨーク部３７の横方向Ｘの他方側の端部は、第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの端部と隙間をあけて設けられている。
【０１０１】
第４底面ヨーク部３８は、凹部１４の底面１４ａに設けられている。第４底面ヨーク部３８は、第４側面ヨーク部３７の横方向Ｘの中央に接続されている。第４底面ヨーク部３８は、第４側面ヨーク部３７から第４磁気検出素子７２に向けて延びている。本実施形態では、第４底面ヨーク部３８は、縦方向Ｙに沿って延びている。第４底面ヨーク部３８の幅寸法（横方向Ｘの寸法）は、第４側面ヨーク部３７の横方向Ｘの寸法の最小値よりも小さい。本実施形態では、第４底面ヨーク部３８の幅寸法は、第４磁気検出素子７２の横方向Ｘの寸法よりも小さい。図９から分かるとおり、第１底面ヨーク部３２及び第２底面ヨーク部３４が延びる方向と、第３底面ヨーク部３６及び第４底面ヨーク部３８が延びる方向とは直交している。
【０１０２】
第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａと、第４底面ヨーク部３８の先端縁３８ａとは、縦方向Ｙにおいて互いに離間している。第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａと第４底面ヨーク部３８の先端縁３８ａとの間の距離は、第３磁気検出素子７１と第４磁気検出素子７２との間の距離よりも大きい。第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａは、厚さ方向Ｚにおいて第３磁気検出素子７１の磁気検出面（図示略）と重なるように設けられている。第４底面ヨーク部３８の先端縁３８ａは、厚さ方向Ｚにおいて第４磁気検出素子７２の磁気検出面（図示略）と重なるように設けられている。本実施形態では、第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａは、第３磁気検出素子７１の磁気検出面の縦方向Ｙの中央位置と厚さ方向Ｚにおいて重なるように設けられている。第４底面ヨーク部３８の先端縁３８ａは、第４磁気検出素子７２の磁気検出面の縦方向Ｙの中央位置と厚さ方向Ｚにおいて重なるように設けられている。本実施形態では、第１底面ヨーク部３２の先端縁３２ａと第２底面ヨーク部３４の先端縁３４ａとの横方向Ｘの間の距離と、第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａと第４底面ヨーク部３８の先端縁３８ａとの縦方向Ｙの間の距離とは互いに等しい。
【０１０３】
図９から分かるとおり、第３ヨーク部３０Ｃの第３側面ヨーク部３５は、第１導電層１６Ａ及び第２導電層１６Ｂと積層されるように構成されている。詳述すると、第３側面ヨーク部３５は、第１導電層１６Ａ及び第２導電層１６Ｂ上に設けられた絶縁層７３（図１０参照）上に設けられている。第３底面ヨーク部３６は、横方向Ｘにおいて第１導電層１６Ａと第２導電層１６Ｂとの間に配置されている。本実施形態では、絶縁層７３は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる。絶縁層７３の厚さは例えば１．２μｍ以上かつ２．２μｍ以下である。
【０１０４】
第４ヨーク部３０Ｄの第４側面ヨーク部３７は、第３導電層１６Ｃ及び第４導電層１６Ｄと積層されるように構成されている。詳述すると、第４側面ヨーク部３７は、第３導電層１６Ｃ及び第４導電層１６Ｄ上に設けられた絶縁層７３上に設けられている（図１０参照）。第４底面ヨーク部３８は、横方向Ｘにおいて第３導電層１６Ｃと第４導電層１６Ｄとの間に配置されている。
【０１０５】
〔作用〕
図１１Ａ及び図１１Ｂを用いて、本実施形態の作用について説明する。
図１１Ａの実線矢印及び破線矢印に示すように、磁気検出装置１に対して横方向Ｘ（Ｘ軸方向）の磁界を検出した場合の第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂを介した半導体装置２０による磁界の検出方法は、第１実施形態の半導体装置２０の磁界の検出方法と同様である。
【０１０６】
次に、図１１Ｂに示す実線矢印の方向（縦方向Ｙに沿った方向）の磁界を検出する場合、まず第３ヨーク部３０Ｃの第３側面ヨーク部３５が磁束を受ける。この場合、図７Ｂに示す第１実施形態の第１側面ヨーク部３１と同様に、第３側面ヨーク部３５は、厚さ方向Ｚに投影した面積で磁束を受ける。第３側面ヨーク部３５で受けた磁束は、第３底面ヨーク部３６に流れる。この場合、第３底面ヨーク部３６の断面積（横方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面積）が第３側面ヨーク部３５の断面積（第１側面１４ｃの面方向に垂直な方向及び横方向Ｘに沿う平面で切った断面積）よりも小さいため、第３底面ヨーク部３６の磁束密度が第３側面ヨーク部３５の磁束密度よりも高くなる。そして第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａまで流れた磁束は、厚さ方向Ｚ及び第２底面ヨーク部３４に向けて円弧状の移動軌跡となるように流れる。ここで、第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａと第３磁気検出素子７１の磁気検出面とが厚さ方向Ｚから見て重なっているため、第３底面ヨーク部３６の先端縁３６ａから外部に流れる磁束は、第３磁気検出素子７１の磁気検出面に垂直な方向（第３磁気検出素子７１の磁気検出方向）に沿って流れる。そして第３磁気検出素子７１を通過した磁束は、第４磁気検出素子７２に流れる。このとき、第４磁気検出素子７２の磁気検出面と第４底面ヨーク部３８の先端縁３８ａとが厚さ方向Ｚから見て重なっているため、第４磁気検出素子７２に流れる磁束は、第４磁気検出素子７２の磁気検出面に垂直な方向（第４磁気検出素子７２の磁気検出方向）に沿って流れる。このように、図１１Ｂに示す実線矢印の方向の磁界において、第３磁気検出素子７１の磁気検出面を磁束が通過する第３方向と第４磁気検出素子７２の磁気検出面を磁束が通過する第４方向とが逆向きとなる。ここで、図１１Ｂに示す実線矢印の方向の磁界においては、第３方向は、磁束が半導体装置２０の面２０ｘから半導体装置２０の内部に向かう方向であり、第４方向は、磁束が半導体装置２０の内部から面２０ｘに向かう方向である。
【０１０７】
なお、図１１Ｂに示す破線矢印の方向の磁界を検出する場合、第４ヨーク部３０Ｄの第４側面ヨーク部３７が磁束を受ける。第４側面ヨーク部３７が受けた磁束は、第４底面ヨーク部３８、第４磁気検出素子７２、及び第３磁気検出素子７１の順に通過する。この場合、第４磁気検出素子７２の磁気検出面を磁束が通過する第４方向と第３磁気検出素子７１の磁気検出面を磁束が通過する第３方向とが逆方向となる。第４方向は、磁束が半導体装置２０の面２０ｘから半導体装置２０の内部に向かう方向であり、第３方向は、磁束が半導体装置２０の内部から面２０ｘに向かう方向である。
【０１０８】
ここで、演算回路２８（図５参照）に入力される第３磁気検出素子７１の磁気検出信号の符号と、第４磁気検出素子７２の磁気検出信号の符号とが正負逆となる。このため、演算回路２８は、例えば第３磁気検出素子７１の磁気検出信号から第４磁気検出素子７２の磁気検出信号を減算した結果の値により、磁気検出装置１が検出した磁界強度が得られ、その結果の値から磁界方向（第３側面ヨーク部３０Ｃから受ける磁界、又は第４側面ヨーク部３０Ｄから受ける磁界）が得られる。このようにして、磁気検出装置１は、第３磁気検出素子７１の磁気検出方向及び第４磁気検出素子７２の磁気検出方向のそれぞれ直交する縦方向Ｙ（Ｙ軸方向）の磁界を検出することができる。また、第３磁気検出素子７１及び第４磁気検出素子７２はそれぞれ、磁気検出面に垂直な方向の磁束を受ける。このため、演算回路２８は、第３磁気検出素子７１の磁気検出信号及び第４磁気検出素子７２の磁気検出信号の和を演算することによって、縦方向Ｙ（Ｙ軸方向）の磁束をキャンセルして厚さ方向Ｚ（Ｚ軸方向）の磁界強度が得られる。
【０１０９】
また本実施形態では、磁気検出装置１に対して厚さ方向Ｚ（Ｚ軸方向）の磁界が発生した場合、磁束は、第１磁気検出素子２１の磁気検出面２１ａに垂直な方向、第２磁気検出素子２２の磁気検出面２２ａに垂直な方向、第３磁気検出素子７１の磁気検出面に垂直な方向、及び第４磁気検出素子７２の磁気検出面に垂直な方向のそれぞれに沿った方向に流れる。このため、演算回路２８に入力される第１磁気検出素子２１の磁気検出信号の符号と、第２磁気検出素子２２の磁気検出信号の符号と、第３磁気検出素子７１の磁気検出信号の符号と、第４磁気検出素子７２の磁気検出信号の符号とが正負同じとなる。したがって、演算回路２８は、第１磁気検出素子２１の磁気検出信号と、第２磁気検出素子２２の磁気検出信号と、第３磁気検出素子７１の磁気検出信号と、第４磁気検出素子７２の磁気検出信号との和を演算することによって、磁気検出装置１が検出した厚さ方向Ｚ（Ｚ軸方向）の磁界強度として出力する。このように、本実施形態の磁気検出装置１は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向との３軸の磁気検出を行うことができる。
【０１１０】
〔磁気検出装置１の製造方法〕
図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して、磁気検出装置１の製造方法について説明する。なお、本実施形態の磁気検出装置１の製造方法は、第１実施形態の磁気検出装置１の製造方法と比較して、各ヨーク部３０Ａ〜３０Ｄを形成する工程が異なり、この工程の前に絶縁層７３を形成する工程が追加された点が異なる。このため、以降の説明では、上記工程を詳細に説明するとともに、第１実施形態の磁気検出装置１の同じ工程においてはその説明を省略する。
【０１１１】
図１２Ａに示すように、基板５０に導電層５６の形成後、絶縁層８０を形成する。絶縁層８０が磁気検出装置１の絶縁層７３に相当する。本実施形態では、絶縁層８０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、その厚さは例えば１．２μｍ以上かつ２．２μｍ以下である。絶縁層８０は、主面５１と、凹部５４を構成する底面５４ａ及び側面５４ｂとを、熱酸化法によって酸化させることにより形成される。そして、例えばエッチングによって絶縁層７３のうちの導電層５６を覆う部分以外の部分を除去する。
【０１１２】
次に、ヨーク部８１を形成する。ヨーク部８１は、例えばスパッタリングによって形成される。ヨーク部８１は、凹部５４の側面５４ｂ及び底面５４ａにわたり形成される。ヨーク部８１は、磁気検出装置１の第１ヨーク部３０Ａ、第２ヨーク部３０Ｂ、第３ヨーク部３０Ｃ、及び第４ヨーク部３０Ｄに相当する。なお、ヨーク部８１のうち第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂに対応する部分の形成は、第１実施形態の磁気検出装置１の製造方法におけるヨーク部６１の形成（図８Ｏ参照）と同様である。図１２Ｂに示すように、ヨーク部８１のうち第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄに対応する部分は、導電層５６上に形成された絶縁層８０上に形成される。これにより、ヨーク部８１と導電層５６とが電気的に絶縁される。
【０１１３】
その後、第１実施形態の磁気検出装置１の製造方法と同様に、複数の接合層６３を形成する工程に移行し、それ以降は第１実施形態の磁気検出装置１と同様の工程を経て、本実施形態の磁気検出装置１が製造される。
【０１１４】
〔効果〕
本実施形態によれば、第１実施形態の効果と同様の効果が得られる。すなわち、磁気検出装置１は、第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄを有することにより、第１実施形態の第１ヨーク部３０Ａ及び第２ヨーク部３０Ｂによる効果に準じた効果が得られる。
【０１１５】
また本実施形態によれば、さらに以下の効果が得られる。
（２−１）第１磁気検出素子２１と第２磁気検出素子２２との間の距離ＤＨ１と、第３磁気検出素子７１と第４磁気検出素子７２との間の距離ＤＨ２とが互いに等しいため、横方向Ｘに流れる磁束を第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２によって検出する場合に、第３磁気検出素子７１及び第４磁気検出素子７２に磁束が流れ難くなる。また縦方向Ｙに流れる磁束を第３磁気検出素子７１及び第４磁気検出素子７２によって検出する場合に、第１磁気検出素子２１及び第２磁気検出素子２２に磁束が流れ難くなる。したがって、磁気検出装置１の磁界の検出精度の低下を抑制することができる。
【０１１６】
（２−２）第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの両端部が第３側面ヨーク部３５の横方向Ｘの一方側の端部及び第４側面ヨーク部３７の横方向Ｘの一方側の端部と離間し、第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの両端部が第３側面ヨーク部３５の横方向Ｘの他方側の端部及び第４側面ヨーク部３７の横方向Ｘの他方側の端部と離間している。このような構成によれば、第１側面ヨーク部３１から第３側面ヨーク部３５及び第４側面ヨーク部３７に磁束が流れることを抑制することができ、第２側面ヨーク部３３から第３側面ヨーク部３５及び第４側面ヨーク部３７に磁束が流れることを抑制することができる。また第３側面ヨーク部３５から第１側面ヨーク部３１及び第２側面ヨーク部３３に磁束が流れることを抑制でき、第４側面ヨーク部３７から第１側面ヨーク部３１及び第２側面ヨーク部３３に磁束が流れることを抑制することができる。したがって、各側面ヨーク部３１，３３，３５，３７は、対応する各底面ヨーク部３２，３４，３６，３８に磁束が流れるようになるため、磁気検出装置１の磁界の検出精度の低下を抑制することができる。
【０１１７】
（変形例）
上記各実施形態に関する説明は、本発明の磁気検出装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本発明の磁気検出装置は、例えば以下に示される上記各実施形態の変形例、及び相互に矛盾しない少なくとも２つの変形例が組み合わせられた形態を取り得る。
【０１１８】
〔ヨーク部３０の形状〕
・上記第１実施形態において、ヨーク部３０の形状は任意に変更可能である。例えば、以下の（Ａ）〜（Ｆ）に示すヨーク部であってもよい。なお、（Ａ）〜（Ｆ）に示すヨーク部は、上記第２実施形態の第３ヨーク部３０Ｃ及び第４ヨーク部３０Ｄについても同様に適用することができる。また、（Ａ）〜（Ｆ）に示すヨーク部の構成は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せてもよい。
【０１１９】
（Ａ）第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１及び第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３のそれぞれの縦方向Ｙの長さは任意に変更可能である。一例では、図１３に示すように、変形例の第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの長さが第１実施形態の第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの長さよりも短い。また変形例の第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの長さが第１実施形態の第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの長さよりも短い。
【０１２０】
（Ｂ）第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１及び第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３のそれぞれの横方向Ｘの長さは任意に変更可能である。一例では、図１４に示すように、変形例の第１側面ヨーク部３１の横方向Ｘの長さが第１実施形態の第１側面ヨーク部３１の横方向Ｘの長さよりも短い。また変形例の第２側面ヨーク部３３の横方向Ｘの長さが第１実施形態の第２側面ヨーク部３３の横方向Ｘの長さよりも短い。すなわち変形例の第１側面ヨーク部３１の横方向Ｘの長さが第３側面１４ｅの横方向Ｘの長さよりも短い。また変形例の第２側面ヨーク部３３の横方向Ｘの長さが第４側面１４ｆの横方向Ｘの長さよりも短い。
【０１２１】
（Ｃ）図１５に示すように、第１ヨーク部３０Ａの第１底面ヨーク部３２は、テーパ部３２ｂを有してもよい。テーパ部３２ｂは、第１側面ヨーク部３１に接続されている。テーパ部３２ｂは、第１側面ヨーク部３１から横方向Ｘに離れるにつれて縦方向Ｙの幅が小さくなる。また第２ヨーク部３０Ｂの第２底面ヨーク部３４は、テーパ部３４ｂを有してもよい。テーパ部３４ｂは、第２側面ヨーク部３３に接続されている。テーパ部３４ｂは、第２側面ヨーク部３３から横方向Ｘに離れるにつれて縦方向Ｙの幅が小さくなる。
【０１２２】
（Ｄ）図１６に示すように、第１ヨーク部３０Ａの第１底面ヨーク部３２は、その先端縁３２ａに向かうにつれて第１底面ヨーク部３２の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）が小さくなるテーパ形状に形成されてもよい。また第２ヨーク部３０Ｂの第２底面ヨーク部３４は、その先端縁３４ａに向かうにつれて第２底面ヨーク部３４の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）が小さくなるテーパ形状に形成されてもよい。
【０１２３】
（Ｅ）第１ヨーク部３０Ａの第１底面ヨーク部３２の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）及び第２ヨーク部３０Ｂの第２底面ヨーク部３４の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、第１ヨーク部３０Ａの第１底面ヨーク部３２の幅寸法が第１磁気検出素子２１の縦方向Ｙの寸法よりも大きい。第２ヨーク部３０Ｂの第２底面ヨーク部３４の幅寸法が第２磁気検出素子２２の縦方向Ｙの寸法よりも大きい。なお、第１底面ヨーク部３２の幅寸法が第１磁気検出素子２１の縦方向Ｙの寸法と等しくてもよい。第２底面ヨーク部３４の幅寸法が第２磁気検出素子２２の縦方向Ｙの寸法と等しくてもよい。
【０１２４】
（Ｆ）第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの長さと第１底面ヨーク部３２の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）との関係は任意に変更可能である。第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの長さと第２底面ヨーク部３４の幅寸法（縦方向Ｙの寸法）との関係は任意に変更可能である。一例では、図１８に示すように、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１の縦方向Ｙの長さと第１底面ヨーク部３２の幅寸法とが互いに等しい。第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３の縦方向Ｙの長さと第２底面ヨーク部３４の幅寸法とが互いに等しい。
【０１２５】
・上記第１実施形態において、第１ヨーク部３０Ａから第１側面ヨーク部３１を省略し、第２ヨーク部３０Ｂから第２側面ヨーク部３３を省略してもよい。この場合、厚さ方向Ｚにおいて、第１磁気検出素子２１が第１底面ヨーク部３２から隙間をあけて配置され、第２磁気検出素子２２が第２底面ヨーク部３４から隙間をあけて配置されている。
【０１２６】
・上記第２実施形態において、第１ヨーク部３０Ａから第１側面ヨーク部３１を省略し、第２ヨーク部３０Ｂから第２側面ヨーク部３３を省略し、第３ヨーク部３０Ｃから第３側面ヨーク部３５を省略し、第４ヨーク部３０Ｄから第４側面ヨーク部３７を省略してもよい。この場合、厚さ方向Ｚにおいて、第１磁気検出素子２１が第１底面ヨーク部３２から隙間をあけて配置され、第２磁気検出素子２２が第２底面ヨーク部３４から隙間をあけて配置され、第３磁気検出素子７１が第３底面ヨーク部３６から隙間をあけて配置され、第４磁気検出素子７２が第４底面ヨーク部３８から隙間をあけて配置されている。
【０１２７】
〔基板１０の形状〕
・上記各実施形態において、基板１０の凹部１４の形状は任意に変更可能である。一例では、図１９に示すように、４つの側面１４ｂが厚さ方向Ｚに沿うように延びてもよい。この場合、第１実施形態では、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１及び第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３がそれぞれ厚さ方向Ｚに沿うように延びている。また第２実施形態では、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１、第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３、第３ヨーク部３０Ｃの第３側面ヨーク部３５、及び第４ヨーク部３０Ｄの第４側面ヨーク部３７がそれぞれ厚さ方向Ｚに沿うように延びている。
【０１２８】
・上記第１実施形態において、基板１０の凹部１４の形状は任意に変更可能である。一例では、図２０に示すように、基板１０の凹部１４は、矩形状の底面１４ａの縦方向Ｙの２辺から延びる２つの側面１４ｂである第１側面１４ｃ及び第２側面１４ｄを有する構成、すなわち底面１４ａの横方向Ｘの２辺に対応する２つの側面１４ｂである第３側面１４ｅ及び第４側面１４ｆを省略した構成であってもよい。図２０に示すように、第１側面１４ｃには、第１ヨーク部３０Ａの第１側面ヨーク部３１が設けられ、第２側面１４ｄには、第２ヨーク部３０Ｂの第２側面ヨーク部３３が設けられている。第１側面ヨーク部３１は、第１導電層１６Ａ及び第２導電層１６Ｂ上に設けられた絶縁層７３（図１０参照）上に設けられている。第２側面ヨーク部３３は、第３導電層１６Ｃ及び第４導電層１６Ｄ上に設けられた絶縁層７３上に設けられている。
【０１２９】
・上記各実施形態において、基板１０の凹部１４の深さ（厚さ方向Ｚの寸法）は任意に変更可能である。例えば、厚さ方向Ｚにおいて半導体装置２０の一部が凹部１４から上方に突出するように構成されてもよい。この場合、第１〜第４端子１７Ａ〜１７Ｄは、封止樹脂４０が半導体装置２０を封止可能となるような高さに設定される。
【０１３０】
〔磁気検出装置１全体の構成〕
・上記各実施形態において、封止樹脂４０上に設けられた電極パッド４１は、平坦状に限られず、例えば略球状に形成されてもよい。
【０１３１】
・上記各実施形態において、第１〜第４端子１７Ａ〜１７Ｄを省略してもよい。この場合、封止樹脂４０は、例えば基板１０の主面１１と面一となるように設けられてもよい。このような構成において、例えば半導体装置２０の上面が基板１０の主面１１よりも十分に下方に位置していることが好ましい。一例では、半導体装置２０の上面と主面１１（封止樹脂４０の上面）との間の距離が約６０μｍ以上となるように、凹部１４を形成する。
【０１３２】
・上記第１実施形態において、半導体装置２０は、第１磁気検出素子２１に対応した第１アナログ／デジタル変換回路と、第２磁気検出素子２２に対応した第２アナログ／デジタル変換回路とを有してもよい。各アナログ／デジタル変換回路は、演算回路２８に電気的に接続されている。
【０１３３】
・上記第２実施形態において、半導体装置２０は、上記第１アナログ／デジタル変換回路と、上記第２アナログ／デジタル変換回路と、第３磁気検出素子７１に対応した第３アナログ／デジタル変換回路と、第４磁気検出素子７２に対応した第４アナログ／デジタル変換回路とを有してもよい。各アナログ／デジタル変換回路は、演算回路２８に電気的に接続されている。
【０１３４】
・上記各実施形態において、磁気検出素子の個数は任意に変更可能である。例えば第１実施形態の磁気検出装置１は、３個以上の磁気検出素子を有してもよい。また第２実施形態の磁気検出装置１は、５個以上の磁気検出素子を有してもよい。
【０１３５】
・上記第１実施形態において、半導体装置２０は第１磁気検出素子２１を有し、第２磁気検出素子２２を有していない構成であってもよい。この場合、基板１０は、ヨーク部３０として第１ヨーク部３０Ａを有し、第２ヨーク部３０Ｂを有していない構成であることが好ましい。この場合、厚さ方向Ｚにおいて第１磁気検出素子２１は、第１底面ヨーク部３２に対して隙間をあけて配置されている。
【０１３６】
・上記第１実施形態において、第１磁気検出素子２１が第１底面ヨーク部３２と接触し、第２磁気検出素子２２が第２底面ヨーク部３４と接触する構成であってもよい。
・上記第２実施形態において、第１磁気検出素子２１が第１底面ヨーク部３２と接触し、第２磁気検出素子２２が第２底面ヨーク部３４と接触し、第３磁気検出素子７１が第３底面ヨーク部３６と接触し、第４磁気検出素子７２が第４底面ヨーク部３８と接触する構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１３７】
１…磁気検出装置
１０…基板
１４…凹部
１４ａ…底面
１４ｂ…側面
１４ｃ…第１側面
１４ｄ…第２側面
１４ｅ…第３側面
１４ｆ…第４側面
１６Ａ…第１導電層（導電層）
１６Ｂ…第２導電層（導電層）
１６Ｃ…第３導電層（導電層）
１６Ｄ…第４導電層（導電層）
２０…半導体装置
２０ｘ…面
２１…第１磁気検出素子
２１ａ…磁気検出面
２２…第２磁気検出素子
２２ａ…磁気検出面
３０…ヨーク部
３０Ａ…第１ヨーク部
３０Ｂ…第２ヨーク部
３０Ｃ…第３ヨーク部
３０Ｄ…第４ヨーク部
３１…第１側面ヨーク部
３２…第１底面ヨーク部
３２ａ…先端縁
３３…第２側面ヨーク部
３４…第２底面ヨーク部
３４ａ…先端縁
３５…第３側面ヨーク部
３６…第３底面ヨーク部
３６ａ…先端縁
３７…第４側面ヨーク部
３８…第４底面ヨーク部
３８ａ…先端縁
７１…第３磁気検出素子
７２…第４磁気検出素子
７３…絶縁層
Ｘ…横方向（基板の厚さ方向に垂直な方向、第１方向）
Ｙ…縦方向（基板の厚さ方向に垂直な方向）
Ｚ…厚さ方向（基板の厚さ方向）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図８Ｈ】
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【図８Ｉ】
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【図８Ｊ】
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【図８Ｋ】
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【図８Ｌ】
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【図８Ｍ】
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【図８Ｎ】
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【図８Ｏ】
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【図８Ｐ】
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【図８Ｑ】
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【図８Ｒ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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