(57)【要約】【課題】  基板を乾燥させる方法およびシステムの提供。【解決手段】  液浸リソグラフィ後の基板上の薄膜を乾燥させる方法およびシステムは、開示される。薄膜から浸漬液を取り除くように薄膜を乾燥させることは、薄膜をベーキングする前に実行される。そして、それによってベーキングプロセスと浸漬液との相互作用に対して起こりうるフードを低下させる。この相互作用は、現像プロセス後の薄膜において形成されるパターンに対して限界寸法の不均一性が生じることを示している。【選択図】
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィを使用して基板上の放射線感光性材料の薄膜にパターンを転写する方法であって、
前記薄膜を液浸リソグラフィシステムの放射線源で露光することと、
前記基板から浸漬液を取り除くように、前記液浸リソグラフィシステムの前記露光した後に前記基板を乾燥させることとを具備する方法。
【請求項２】
前記乾燥させることは、前記基板を回転させることを有している請求項１の方法。
【請求項３】
前記乾燥させることは、第１の回転速度で第１の期間の間、前記基板を回転させることと、
第２の回転速度で第２の期間の間、前記基板を回転させることとを有している請求項１の方法。
【請求項４】
前記第１の回転速度は、前記薄膜上の前記浸漬液を分散するようにし、
前記第２の回転速度は、前記薄膜から前記浸漬液を取り除くようにする請求項３の方法。
【請求項５】
前記乾燥させることは、前記基板上に乾燥流体を注入することを備えている請求項１，２または３の方法。
【請求項６】
前記乾燥させることは、前記基板上にイソプロピルアルコールを注入することを備えている請求項５の方法。
【請求項７】
前記薄膜中の酸の拡散を促進するために、前記乾燥させた後に、前記基板をベーキングすることを、更に具備する請求項１の方法。
【請求項８】
前記露光した後に前記基板を前記乾燥させることは、前記薄膜の前記パターンの限界寸法の不均一性を低減する請求項１の方法。
【請求項９】
前記露光することは、２４８ｎｍフォトレジストと、１９３ｎｍフォトレジストと、１５７ｎｍフォトレジストと、超紫外線（ＥＵＶ）フォトレジストと、反射防止コーティングと、コントラスト増強材料と、フォトレジストを保護するトップコートと、露光中の薄膜干渉を除去するトップコートとのうちの少なくとも１つを含む放射線感光性材料を露光することである請求項１の方法。
【請求項１０】
液浸リソグラフィ後に基板上の露光された薄膜を処理する方法であって、
前記基板上の前記露光された薄膜から、浸漬液を取り除くように前記基板を乾燥させることを具備する方法。
【請求項１１】
前記露光された薄膜をキュアするために、前記乾燥させた後に前記薄膜をベーキングすることを更に具備する請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記露光した後に前記基板を前記乾燥させることは、前記薄膜の前記パターンの限界寸法の不均一性を低減する請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記乾燥させることは、前記基板を回転させることを有している請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記乾燥させることは、第１の回転速度で第１の期間の間、前記基板を回転させることと、
第２の回転速度で第２の期間の間、前記基板を回転させることとを有している請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記第１の回転速度は、前記薄膜上の前記浸漬液を分散するようにし、
前記第２の回転速度は、前記薄膜から前記浸漬液を取り除くようにする請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記乾燥させることは、前記基板上に乾燥流体を注入することを有している請求項１０，１３または１４の方法。
【請求項１７】
前記乾燥させることは、前記基板上にイソプロピルアルコールを注入することを有している請求項１０の方法。
【請求項１８】
前記露光することは、２４８ｎｍフォトレジストと、１９３ｎｍフォトレジストと、１５７ｎｍフォトレジストと、超紫外線（ＥＵＶ）フォトレジストと、反射防止コーティングと、コントラスト増強材料と、フォトレジストを保護するトップコートと、露光中の薄膜干渉を除去するトップコートとのうちの少なくとも１つを含む放射線感光性材料を露光することである請求項１０の方法。
【請求項１９】
前記露光する前に放射線感光性材料の薄膜を前記基板の上に形成することと、
前記乾燥した後に前記基板をベーキングすることと、
現像液に前記基板をさらすことによって、前記薄膜に前記パターンを形成するように前記基板上の前記薄膜を現像することとを更に具備する請求項１の方法。
【請求項２０】
前記形成することは、前記基板を前記薄膜で被覆することと、
前記薄膜をキュアするために、前記基板をベーキングすることとを有している請求項１９の方法。
【請求項２１】
半導体製造において基板上の放射線感光性材料の薄膜をパターニングするシステムであって、
前記薄膜をパターンに露光するように構成された液浸リソグラフィシステムと、
前記液浸リソグラフィシステムに組み合わされ、前記薄膜から浸漬液をほぼ取り除くことによって、露光した後に前記薄膜を乾燥させるように構成された乾燥システムとを具備するシステム。
【請求項２２】
前記液浸リソグラフィシステムに組み合わされ、前記露光する前に前記基板を前記薄膜で被覆するように構成され、前記露光した後に前記薄膜の前記パターンを現像するトラックシステムを更に具備し、
前記乾燥システムは、前記液浸リソグラフィシステムおよび前記トラックシステムの少なくとも１つに組み合わされている請求項２１のシステム。
【請求項２３】
前記液浸リソグラフィシステムは、放射線源と、結像系と、走査システムと、投射レンズシステムと、基板ホルダとのうちの少なくとも１つを備えている請求項２２のシステム。
【請求項２４】
前記乾燥システムは、水およびペルフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）の少なくとも１つをほぼ取り除くように構成されている請求項２２のシステム。
【請求項２５】
前記トラックシステムは、コーティングシステムと、アプリケーション後ベーキング（ＰＡＢ）ユニットと、露光後ベーキング（ＰＥＢ）ユニットと、クーリングユニットと、現像ユニットと、リンスユニットと、クリーニングユニットとのうちの少なくとも１つを備えている請求項２２のシステム。
【請求項２６】
前記乾燥システムは、前記液浸リソグラフィシステムの前記露光した後に前記基板から浸漬液を取り除くように前記基板を乾燥させるようにする請求項２２のシステム。
【請求項２７】
前記乾燥システムは、前記基板を回転させるように構成されている請求項２２のシステム。
【請求項２８】
前記乾燥システムは、第１の回転速度で第１の期間の間、前記基板を回転させるように、第２の回転速度で第２の期間の間、前記基板を回転させるように、構成されている請求項２７のシステム。
【請求項２９】
前記第１の回転速度は、前記薄膜上の浸漬液を分散するようにし、
前記第２の回転速度は、前記薄膜から前記浸漬液を取り除くようにする請求項２８のシステム。
【請求項３０】
前記乾燥システムは、前記基板上に乾燥流体を注入するように構成されている請求項２２，２７または２８のシステム。
【請求項３１】
前記乾燥システムは、イソプロピルアルコールを注入するように構成されている請求項３０のシステム。
【請求項３２】
前記システムは、２４８ｎｍフォトレジストと、１９３ｎｍフォトレジストと、１５７ｎｍフォトレジストと、超紫外線（ＥＵＶ）フォトレジストと、反射防止コーティングと、コントラスト増強材料と、フォトレジストを保護するトップコートと、露光中に薄膜干渉を除去するトップコートとのうちの少なくとも１つをパターニングするように構成されている請求項２２のシステム。
【請求項３３】
半導体集積回路であって、
前記半導体集積回路において形成された複数のトランジスタと、
１０００ｎｍ未満の横方向寸法を有し、６５ｎｍ未満の限界寸法を有する複数の形態を含む前記複数のトランジスタの各々とを含み、
複数の形態の各々の前記限界寸法は、ほぼ全体の半導体集積回路にわたってほぼ均一である半導体集積回路。
【請求項３４】
請求項１〜２０のどれかに記載される方法から生じられる半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を乾燥させる方法およびシステムに関し、より詳しくは、本発明は、液浸リソグラフィ中の露光後、基板を乾燥させる方法およびシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
材料処理手順において、パターンエッチングは、基板の上部表面上の薄膜へ、フォトレジストのような放射線感光性材料（ｒａｄｉａｔｉｏｎ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）のパターン化されたマスクの適用と、エッチングによってマスクパターンを、下層の薄膜へ転写することを備えている。一般に、放射線感光性材料をパターニングすることは、基板の上部表面を放射線感光性材料の薄膜で被覆することと、そして例えば、フォトリトグラフィシステムを使用して、レチクル（および関連した光学部品）を通して放射線感光性材料の薄膜を放射線源で露光させることを含む。それで、現像プロセスは、放射線感光性材料の照射を受けた領域を除去するか（ポジ型フォトレジストの場合）、または非照射領域を除去するか（ネガ型レジストの場合）のどちらかの間、ベース現像液（ｂａｓｅ  ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）または溶媒（ｓｏｌｖｅｎｔ）を使用して実行される。残っている放射線感光性材料は、表面に入ってエッチングされやすいように、パターン内の下層の基板表面を露出する。上記の材料処理手順を実行するフォトリソグラフィーシステムは、この３０年の間、半導体デバイスパターニングの大黒柱となっており、そして６５ナノメートル、そしてより微細な分解能に至るまでの役割を担い続けると予想される。
【０００３】
フォトリソグラフィーシステムの分解能（ｒ０）は、システムを使用してなされ得る、デバイスの最小サイズを決定する。与えられたリソグラフィ定数ｋ１を有する場合、分解能は、下の方程式によって与えられる。
【数１】
2007504646.tif 000003
【０００４】
ここで、λは、使用できる波長であり、ＮＡは、下記の方程式によって与えられた開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）である。
【数２】
2007504646.tif 000004
【０００５】
角度θ０は、システムの半開口角（ａｎｇｕｌａｒ  ｓｅｍｉ−ａｐｅｒｔｕｒｅ）であり、ｎは、システムと、パターニングされる基板との間の空間を満たしている材料の屈折率である。
【０００６】
方程式（１）に従って、分解能向上の従来の方法は、フォトリソグラフィ技術における３つの傾向に至っている：（１）水銀ｇ線（４３６ｎｍ）から１９３ｎｍエキシマーレーザへ、そして更に１５７ｎｍおよびまだ開発中の極端紫外光（ｅｘｔｒｅｍｅ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）波長への短波長化；（２）位相シフトマスク（ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔｉｎｇ  ｍａｓｋｓ）のような分解能向上技術（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ：ＲＥＴｓ）の実現、およびほぼ０．６の値から０．４近傍の値へのリソグラフィ定数ｋ１の減小に至っている変型照明（ｏｆｆ−ａｘｉｓ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）；および（３）光学設計、製造技術、および計測学（ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ）の改良を通した開口数（ＮＡ）の増大、である。これら後者の改良は、ほぼ０．３５の値から０．７５を超える値、ここ数年において予想される０．８５へのＮＡの増加を生んでいる。しかしながら、方程式（２）で分かるように、従来の自由空間光学系（すなわちｎ＝１）に対して、ＮＡを１以下の値に拘束している理論上の限界は、存在する。
【０００７】
液浸リソグラフィは、リソグラフィシステムのような光学系のＮＡを増加する他の可能性を提供する。液浸リソグラフィにおいて、基板は、最後の光学素子と、基板との間の空間が高い屈折率流体（すなわちｎ＞１）で満たされるように、高屈折率流体（液浸媒体（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｍｅｄｉｕｍ）とも称する）に浸される。したがって、液浸は、自由空間の理論上の限界である１（方程式（１）および（２）を参照）を越えてＮＡを増やすことによって、分解能を増加する可能性を提供する。
【０００８】
現在の露光ツールに対する本質的により低コスト、比較的簡単な実現、および合理的なプロセス許容範囲を有する非常に高い分解能に達する高いポテンシャルのために、液浸リソグラフィは、６５ｎｍ、４５ｎｍ、それ以降に至る半導体パターニング技術の非常に有望な候補として現れた。しかしながら、液浸リソグラフィー技術は、微小な泡のような光学的欠点が無く現在および将来のフォトレジストと互換性を持ち、かつ十分に透明である浸漬液（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｆｌｕｉｄ）の選択と、既存の露光システムおよびトラックシステムを有するインテグレーションを容易にする液浸プロセスの選択とを含んでいる多数のチャレンジに依然として直面する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
さらに、フォトリソグラフィプロセスに液体を導入することと関連した課題は、特定されなければならず、かつこのような課題を解決するかまたは低下させる新しいシステムコンポーネントおよび方法は、開発されなければならない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１つの目的は、液浸リソグラフィー技術の上記チャレンジのいくつかにまたは全てに対処することである。
【００１１】
本発明の別の目的は、フォトリソグラフィプロセスに液体を導入することと関連した課題を特定することと、かつこのような課題を解決するかまたは低下させるシステムコンポーネントおよび／またはプロセスステップを提供することとである。
【００１２】
さらに、本発明の別の目的は、液浸リソグラフィによって薄膜に形成されたパターンの均一性を向上させることである。
【００１３】
液浸リソグラフィ後の基板を乾燥させる方法およびシステムは、記載される。
【００１４】
これらの、および他の本発明の目的は、液浸リソグラフィ後の基板上の露出された薄膜を処理する方法およびシステムによって提供される。方法は、基板上の露出された薄膜から浸液（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｌｉｑｕｉｄ）を取り除くように基板を乾燥させることを含む。
【００１５】
別の態様においては、フォトリソグラフィを使用して基板上の放射線感光性材料の薄膜にパターンを転写する方法は、液浸リソグラフィシステムの放射線源（ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｓｏｕｒｃｅ）に薄膜をさらす（露光する）ことと、液浸リソグラフィシステムの露光後の基板を乾燥させることとを含む。
【００１６】
別の態様においては、基板をパターニングする方法は、基板上に放射線感光性材料の薄膜を形成することと、液浸リソグラフィシステムのパターンに薄膜を露光することと、液浸リソグラフィシステムの露光後の基板を乾燥させることと、乾燥後に基板をベーキングすることと、現像液に基板をさらすことによって、薄膜にパターンを形成するように基板上の薄膜を現像することとを含む。
【００１７】
別の態様において、半導体製造のための基板上の放射線感光性材料をパターニングするシステムは、薄膜をパターンに露光するように構成された液浸リソグラフィシステムと、液浸リソグラフィシステムに組み合わされ、露光前に基板を薄膜で被覆し、露光後に薄膜のパターンを現像するように構成されたトラックシステムと、液浸リソグラフィシステムおよびトラックシステムの少なくとも１つに組み合わされた、薄膜から浸漬液をほぼ取り除くように構成された乾燥システムとを含む。
【００１８】
別の態様において、基板上の放射線感光性材料の薄膜上にパターンを照射するシステムは、基板上の薄膜をパターンに露光するように構成される液浸リソグラフィシステムと、この液浸リソグラフィシステムに組み合わされ、露光後の薄膜を乾燥させるように構成された乾燥システムとを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施形態は、添付の図面を参照し、以下で詳細に記載される。本出願に係る実施形態として、電子デバイス製造のための半導体基板のような基板の上の薄膜にパターンを形成するパターニングシステムは、以下に記載される。
【００２０】
化学的に増幅されたフォトレジストのような放射線感光性材料の薄膜をパターニングするために使用される従来のリソグラフィプロセスにおいて、基板は、放射線感光性材料の薄膜で被覆され、そして、それは、アプリケーション後ベーキング（ｐｏｓｔ―ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｂａｋｅ：ＰＡＢ）にてキュアされる（ｃｕｒｅｄ）。そしてキュアされた薄膜は、リソグラフィシステム内でパターンに露光され、続いて、例えば、分解能を制御するように酸の拡散を促進し、パターンの側壁の垂直形状に形成される定在波を除去するように露光後ベーキング（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ：ＰＥＢ）でキュアされる。その後、露光された薄膜は、現像液において現像されて、何らかの欠陥を取り除くようにすすがれる。この従来のリソグラフィプロセスを使用しての現在の集積回路（ＩＣ）製造の予想では、０．１５ミクロンでのパターニング技術は、１平方センチメートルにつきほぼ二千万個のトランジスタを達成すると思われる。トランジスタを用意するためのシリコン基板上の領域の正方形の一画を仮定すると、上記の見積りは、ほぼ２２００ｎｍの横方向寸法を意味する。
【００２１】
６５ｎｍ未満の限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ）のための高度なリソグラフィー技術（例えば液浸技術）の出現で、従来のフォトリソグラフィに対する上記結果のスケーリングは、１０００ｎｍ未満のトランジスタに対する横方向寸法を達成することを可能にする。液浸リソグラフィプロセスの評価においては、しかしながら、本発明の発明者は、上記従来のＰＥＢステップを使用して液浸リソグラフィを実行することは、パターニングされた薄膜の不均一性特性を導くことであると判断した。特に、本発明の発明者は、液浸リソグラフィシステムを使用するときに、基板上の露光された薄膜がその表面上のなんらかの浸漬液を保持し、そして、それは、一般に、平面上の流体の不安定な動きのために表面に不均一に分布されるということを発見した。一旦、基板が露光システムを出てＰＥＢシステムに移動すると、不均一に分布する浸漬液とベーキングプロセスとの間のその後の相互作用は、薄膜に形成されたパターンの不均一性分布を導く。
【００２２】
より詳しくは、本発明の発明者は、不均一に分布された浸漬液がベーキングプロセスの間、不均一な温度分布に影響を及ぼし、結局、薄膜に形成されたパターンに対する限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：ＣＤ）の不均一性分布に至り得るということを発見した。例えば、過剰な浸漬液が保持される領域での、薄膜の他の領域に対しての膜温度の減少は、ＰＥＢプロセスの間、予想される。これは、酸の拡散の促進が他の領域とは異なる膜の局所化された領域に繋がり、そして、それによって分解能制御を減弱させ、薄膜の局所化された領域での垂直形状での定在波を許すことに至る。これは、さらに基板上に形成された実際のデバイスの不均一性特性に至る。
【００２３】
本発明の１つの実施形態によれば、図１は、液浸リソグラフィシステムの露光後の基板を乾燥させることによって、上記何らかのまたは全ての特定された課題を低下させるかまたは除去する、液浸リソグラフィを使用して基板をパターニングするパターニングシステムを示す。図１に示すように、パターニングシステム１は、トラックシステム１０と、トラックシステム１０に組み合わされた液浸リソグラフィシステム２０と、トラックシステム１０および液浸リソグラフィシステム２０の少なくとも１つに組み合わされた乾燥システム３０とを含む。加えて、コントローラ４０は、トラックシステム１０と、液浸リソグラフィシステム２０と、乾燥システム３０とに接続されることができ、例えば、プロセスレシピに従って各々の特定されたシステムを制御するように構成されることができる。
【００２４】
別の形態として、図２に示すように、パターニングシステム１００は、トラックシステム１１０と、トラックシステム１１０に組み合わされた液浸リソグラフィシステム１２０と、トラックシステム１１０および液浸リソグラフィシステム１２０の少なくとも１つに組み合わされた乾燥システム１３０とを備えており、そこにおいて、乾燥システム１３０は、トラックシステム１１０の一部として存在する。加えて、コントローラ１４０は、トラックシステム１１０と、液浸リソグラフィシステム１２０と、乾燥システム１３０とに接続されることができ、例えば、プロセスレシピに従って各々の特定されたシステムを制御するように構成されることができる。
【００２５】
まだあるいは、図３に示すように、パターニングシステム２００は、トラックシステム２１０と、トラックシステム２１０に組み合わされた液浸リソグラフィシステム２２０と、トラックシステム２１０および液浸リソグラフィシステム２２０の少なくとも１つに組み合わされた乾燥システム２３０とを含み、そこにおいて、乾燥システム２３０は、液浸リソグラフィシステム２２０の一部として存在する。加えて、コントローラ２４０は、トラックシステム２１０と、液浸リソグラフィシステム２２０と、乾燥システム２３０とに接続されることができ、例えば、プロセスレシピに従って各々の特定されたシステムを制御するように構成されることができる。
【００２６】
トラックシステム１０（１１０，２１０）は、放射線感光性材料の薄膜にパターンを形成するために利用される複数のユニットを含むことができる。トラックシステム１０（１１０，２１０）は、１００ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、およびそれを越える基板サイズを処理するために構成されることができる。さらに、トラックシステム１０は、２４８ｎｍレジスト、１９３ｎｍレジスト、１５７ｎｍレジスト、ＥＵＶレジスト、（上部（Ｔｏｐ）／底部（ｂｏｔｔｏｍ））反射防止コーティング（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｃｏａｔｉｎｇｓ）（ＴＡＲＣ／ＢＡＲＣ）、およびトップコートを処理するために構成されることができる。トラックシステム１０（１１０，２１０）内の複数のユニットは、膜コーティングユニットと、アプリケーション後ベーキング（ｐｏｓｔ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｂａｋｅ：ＰＡＢ）ユニットと、露光後ベーキング（ｐｏｓｔ−  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ：ＰＥＢ）ユニットと、密着コーティングユニットと、クーリングユニットと、クリーニングユニットと、リンスユニットと、現像ユニットと、ユニットおよび基板カセットへおよびこれらから基板を移送するための移送システムとのうちの少なくとも１つを含むことができる。例えば、トラックシステム１０は、東京エレクトロン株式会社（Ｔｏｋｙｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｌｉｍｉｔｅｄ：ＴＥＬ）から市販されているクリーントラックＡＣＴ８（登録商標）またはＡＣＴ１２（登録商標）レジストコーティングおよび現像システムであり得る。フォトレジスト膜を基板上に形成する他のシステムおよび方法は、スピンオンレジスト技術の当業者にとって周知である。
【００２７】
図１−３を依然参照し、液浸リソグラフィシステム２０（１２０，２２０）は、放射線源と、結像系（ｉｍａｇｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）と、走査システム（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）と、投射レンズシステム（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｅｎｓ  ｓｙｓｔｅｍ）と、基板ホルダとのうちの少なくとも１つを含むことができる。例えば、液浸リソグラフィシステムは、Ｓｗｉｔｋｅｓその他による「屈折率整合媒体を使用する方法と装置（Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ  ａｎ  ｉｎｄｅｘ  ｍａｔｃｈｉｎｇ  ｍｅｄｉｕｍ）」と名付けられた米国特許出願番号ＵＳ２００２／０１６３６２９Ａ１に記載されているシステムと同様の方法で構成されることができる。さらに、例えば、液浸リソグラフィシステムは、Ｓｔｒａａｉｊｅｒその他による（ＡＳＭＬリソグラフィＢ．Ｖ．に承継された）「リソグラフィスキャン露光投射装置（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）」と名付けられた米国特許番号５，９８６，７４２に記載されているシステムと同様の方法で構成されることができ、そこにおいて、リソグラフィシステムは、更に、Ｈｏｆｆｎａｇｌｅの「液浸遠紫外線干渉リソグラフィ（Ｌｉｑｕｉｄ  ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｄｅｅｐ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ＆  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｂ１７（６），３３０３−３３０９（１９９９）、Ｓｗｉｔｋｅｓ及びＲｏｔｈｓｃｈｉｌｄの「１５７ｎｍでの液浸リソグラフィ（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ａｔ  １５７ｎｍ）」，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ＆  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｂ１９（６），２３５３−２３５６（２００１）、およびＯｗｅｎその他の「１／８ｍｍの光リソグラフィ（１／８ｍｍ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ＆  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｂ１０（６），３０３２−３０３６（１９９２）の中で与えられた干渉リソグラフィシステムに対しより詳細に記載されているように、投射レンズシステムと基板との間に存在する空間内に浸漬液を保持するように構成されている。加えて、例えば、液浸リソグラフィシステム２０は、何らかの適切な従来のステッピングリソグラフィシステムまたは走査リソグラフィシステムから導き出すことができる。
【００２８】
前述の説明が半導体製造におけるパターン転写のための結像系に関して与えられ、液浸リソグラフィシステム２０があるいは、Ｈｏｆｆｎａｇｌｅその他（１９９９）、およびＳｗｉｔｋｅｓその他（２００１）にて記載されているように、干渉リソグラフィシステムを有してもよいと理解されなければならない。各々の上記のリファレンスの内容全体は、この結果、本願明細書に引用したものとする。
【００２９】
ここで図４を参照し、乾燥システム３０（１３０，２３０）は、乾燥チャンバ４１０を有する乾燥ユニット４００と、乾燥チャンバ４１０に組み合わされ、基板４３０を支持するように構成された基板ホルダ４２０とを含む。基板ホルダ４２０は、乾燥プロセスの間、基板４３０を回転（ｒｏｔａｔｅ）（または高速回転（ｓｐｉｎ））させるように更に構成される。基板ホルダ４２０に組み合わされた駆動アセンブリ４２２は、基板ホルダ４２０を回転させるように構成される。駆動アセンブリ４２２は、例えば、基板ホルダ回転の回転速度および加速度をセットすることを可能にすることができる。加えて、乾燥ユニット４００は、基板表面上の浸漬液を置換するのを助けるように基板表面上へアルコールのような乾燥流体（例えばイソプロピルアルコール）を注入するための流体注入装置４４０（ｆｌｕｉｄ  ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ  ４４０）を更に含むことができる。さらにまた、乾燥ユニット４００は、乾燥ユニット４１０と、駆動アセンブリ４２２と、流体注入装置４４０とに接続された、プロセスレシピに従って乾燥プロセスに対する１つ以上のプロセスステップを実行するように構成されることができるコントロールシステム４５０を含むことができる。
【００３０】
図１〜３を再度参照し、コントローラ４０（１４０，２４０）は、マイクロプロセッサと、メモリと、トラックシステム１０（１１０，２１０）および液浸リソグラフィシステム２０（１２０，２２０）と通信し、これらのシステムへの入力を起動させ、同様にこれらのシステムから出力をモニタするのに十分な制御電圧を生成することが可能なデジタルＩ／Ｏポート（潜在的に、Ｄ／Ａおよび／またはＡ／Ｄコンバータを含む）とを含む。メモリーに格納されたプログラムは、格納されたプロセスレシピに従ってシステム１０および２０と情報をやりとりするために利用される。コントローラ４０の１つの実施例は、デル社、オースティン、テキサスから入手可能な、ＤＥＬＬ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ  ５３０（登録商標）である。コントローラ４０は、また、図６に関して記載されているコンピュータのような汎用コンピュータとして実施されることがあり得る。
【００３１】
コントローラ４０はトラックシステム１０および液浸リソグラフィシステム２０に対して近くに位置づけられることがあり得て、または、それはインターネットまたはイントラネットを介してトラックシステム１０および液浸リソグラフィシステム２０に対して遠く離れて位置づけられることがあり得る。それで、コントローラ４０は、データをトラックシステム１０および液浸リソグラフィシステム２０と、直接接続、イントラネット、およびインターネットの少なくとも１つを使用して交換することができる。コントローラ４０は、顧客サイト（すなわちデバイスメーカーなど）でイントラネットに接続されることがあり得て、またはベンダーサイト（すなわち装置製造業者）で、イントラネットに接続することがあり得る。さらにまた、他のコンピュータ（すなわちコントローラ、サーバなど）は、直接接続、イントラネット、およびインターネットの少なくとも１つを介して、データを交換するように、コントローラ４０にアクセスすることができる。
【００３２】
ここで図５を参照すると、基板上の薄膜をパターニングする方法は、記載されている。図５の方法は、図１〜４に関して記載されたどのシステムによっても実行されることがあり得る。方法は、放射線感光性材料の薄膜を基板上に形成する５１０で開始しているフローチャート５００を含む。薄膜は、図１〜３で記載されたようなトラックシステムによって使用されたスピンコート技術を用いて形成され得る。コーティングプロセス後、薄膜は、例えば、ＰＡＢユニット内での膜のベーキングよってキュアされることができる。
【００３３】
５２０において、放射線感光性材料の薄膜は、上記システムのどれかのような液浸リソグラフィシステム内でパターンに露光される。
【００３４】
５３０において、放射線露光後、基板上の薄膜は、図４で記載されたような乾燥システム内で乾燥される。乾燥プロセスは、基板ホルダ上に基板を位置決めすることと、基板を回転することとを含む。基板は、第１の回転速度に加速されることができ、そして浸漬液が遠心力によって薄膜の表面から取り除かれるまで、第１の期間の間、回転されることができる。別の形態として、基板は、第１の回転速度に加速されることができ、そして第１の期間の間、回転されることができ、続いて、第２の回転速度に加速または減速されることができ、そして第２の期間の間、回転されることができる。例えば、第１の回転速度は、均等に薄膜の表面全体に浸漬液を広げるために、低速の回転速度を有することができ、そして、第２の回転速度は、浸漬液を振り落とすために、高速の回転速度であり得る。別の形態として、乾燥流体は、基板が回転しているか回転していないかのどちらで、浸漬液を置換するために、薄膜の表面上に注入されることができる。乾燥流体は、ガス状の状態または液体状態であり得る。乾燥流体は、例えば、イソプロピルアルコールのようなアルコールを含むことができる。しかしながら、浸漬液の蒸気圧より高い蒸気圧を有する何らかの乾燥流体は、薄膜の表面から浸漬液を取り除く際の補助に利用されることができる。例えば、浸漬液は、１９３ｎｍプロセスに対しては水を、１５７ｎｍプロセスに対してはペルフルオロポリエーテル（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｅｔｈｅｒ：ＰＦＰＥ）を含むことができる。
【００３５】
５４０において、薄膜は、例えば、パターン分解能を制御するように酸の拡散を促進し、パターン側壁の垂直形状の定在波を除去するために、ＰＥＢユニット内で熱的に処理されることができる。
【００３６】
５５０において、薄膜は、放射線感光性材料の照射を受けた領域（ポジ型フォトレジストの場合）または非照射領域（ネガ型フォトレジストの場合）を取り除くために、ベース現像液または溶媒において現像されることができる。その後、薄膜内の現像されたパターンは、何らかのレジスト欠陥、コンタミネーションなどを取り除くために、すすがれ、またはクリーニングされることができる。
【００３７】
それで、本発明の発明者は、上記のように、液浸リソグラフィの間、基板を乾燥させるシステムおよびプロセスを見出した。発明の方法またはプロセスの実施形態によって得られ得る１つの効果は、液浸リソグラフィが、集積回路全体の部材の均一性を維持しながら、高密度集積回路を提供するように使用されることがあり得るということである。それで、本発明は、半導体集積回路内に形成される複数のトランジスタを提供することがあり得て、複数のトランジスタの各々は、１０００ｎｍ未満の横方向寸法を有し、６５ｎｍ未満の限界寸法を有する複数の形態を含む。本発明の実施形態によって提供されるこのような集積回路において、複数の形態の各々の限界寸法は、ほぼ全体の半導体集積回路にわたって実質的に均一である。
【００３８】
乾燥プロセスは、フォトレジスト技術に対して記載されているが、それは、マイクロ化学製品社（ＭｉｃｒｏＣｈｅｍｉｃａｌｓ  ＧｍｂＨ）（Ｓｃｈｉｌｌｅｒｓｔｒａｓｓｅ  １８、Ｄ−８９０７７Ｕｌｍ、Ｇｅｒｍａｎｙ）によって提供されるＣａｒｉａｎｔ  ＡＺ  Ａｑｕａｔａｒ  ＡＲＣのような何らかの（一番上の）反射防止コーティング（ＴＡＲＣ）、コントラスト増強材料（ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ）、またはフォトレジスト層を保護するかまたはリソグラフィの間の薄膜干渉を除去するために利用される何らかのトップコートに更に適用されることができる。
【００３９】
図６は、本発明の実施形態が実施されることがあり得るコンピューターシステム１２０１を示す。コンピューターシステム１２０１は、全体的にあるいは部分的に、上記コントローラの機能のいずれかまたは全てを実行するコントローラ４０（１４０，２４０、４５０）として使用することがあり得る。コンピューターシステム１２０１は、情報を通信するためのバス（ＢＵＳ）１２０２または他の通信機構と、情報を処理するためのバス１２０２に接続されたプロセッサ１２０３とを含む。コンピューターシステム１２０１も、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）または他のダイナミック記憶機器（例えばダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、および同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ））のような、プロセッサ１２０３によって実行される情報および命令を格納するためにバス１２０２に接続されたメインメモリ１２０４を含む。加えて、メインメモリ１２０４は、プロセッサ１２０３による命令の実行中に、一時的な変数または他の中間情報を格納するために使用されることがあり得る。コンピューターシステム１２０１は、プロセッサ１２０３に対する静的情報および命令を格納するためにバス１２０２に接続された読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）１２０５または他の静的記憶デバイス（例えばプログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、消去可能ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、および、電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ））を更に含む。コンピューターシステムは、また、テキサスインスツルメンツからのチップのＴＭＳ３２０シリーズ、モトローラからのチップのＤＳＰ５６０００、ＤＳＰ５６１００、ＤＳＰ５６３００、ＤＳＰ５６６００およびＤＳＰ９６０００シリーズ、ルーセントテクノロジー社からのＤＳＰ１６００およびＤＳＰ３２００シリーズまたはアナログデバイシズからのＡＤＳＰ２１００およびＡＤＳＰ２１０００シリーズのような１つ以上のデジタル信号処理装置（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ：ＤＳＰ）を含むことがあり得る。デジタルドメインにコンバートされたアナログ信号を処理するように特別に設計された他のプロセッサは、また、使用されることがあり得る。
【００４０】
コンピューターシステム１２０１は、また、磁気ハードディスク１２０７およびリムーバブル（取り外し可能）メディアドライブ１２０８（例えばフロッピー（登録商標）ディスクドライブ、読取り専用コンパクトディスクドライブ、読込み／書込みコンパクトディスクドライブ、コンパクトディスクジュークボックス、テープドライブ、およびリムーバブル光磁気ドライブ）のような情報および命令を格納するための１つ以上の記憶機器を制御するようにバス１２０２に接続されたディスクコントローラ１２０６を含む。記憶機器は、適切なデバイスインタフェース（例えばスモールコンピューターシステムインターフェース（ＳＣＳＩ）、インテグレーティドデバイスエレクトロニックス（ＩＤＥ）、エンハンストＩＤＥ（ＥＩＤＥ）、ダイレクトメモリーアクセス（ＤＭＡ）またはｕｌｔｒａ―ＤＭＡ）を使用してコンピューターシステム１２０１に加えられ得る。
【００４１】
コンピューターシステム１２０１は、また、専用（ｓｐｅｃｉａｌ  ｐｕｒｐｏｓｅ）ロジックデバイス（例えば特定用途向けＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ：ＡＳＩＣ））または設定可能（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ）ロジックデバイス（例えばシンプルプログラマブルロジックデバイス（ＳＰＬＤｓ）、コンプレックスプログラマブルロジックデバイス（ＣＰＬＤｓ）、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡｓ））を含むことがあり得る。
【００４２】
コンピューターシステム１２０１は、また、情報をコンピュータユーザに表示するための陰極線管（ＣＲＴ）のようなディスプレイ１２１０を制御するように、バス１２０２に接続されたディスプレイコントローラ１２０９を含むことがあり得る。コンピューターシステムは、コンピュータ使用者と対話し、プロセッサ１２０３に情報を提供するための、キーボード１２１１およびポインティングデバイス１２１２のような入力装置を含む。ポインティングデバイス１２１２は、例えば、プロセッサ１２０３への指示情報およびコマンド選択を伝達をするための、およびディスプレイ１２１０上のカーソル移動を制御するためのマウス、トラックボール、またはポインティングスティックであり得る。加えて、プリンタは、コンピューターシステム１２０１によって格納および／または生成されたデータの印刷リストを提供し得る。
【００４３】
コンピューターシステム１２０１は、メインメモリ１２０４のようなメモリーに含まれた１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行するプロセッサ１２０３に応答して、本発明の処理ステップの一部または全てを実行する。このような命令は、他のコンピュータが読み込み可能なメディア（例えばハードディスク１２０７またはリムーバブルメディアドライブ１２０８）から、メインメモリ１２０４に読み込まれることがあり得る。マルチプロセッシング装置の１つ以上のプロセッサは、また、メインメモリ１２０４に含まれた命令のシーケンスを実行するように使用されることがあり得る。代わりの実施形態では、配線による回路は、ソフトウェアの命令の代わりに、またはそれとのコンビネーションとして使用されることがあり得る。このように、実施形態は、ハードウェア回路およびソフトウェアの何らかの特定の組合せに限定されるものではない。
【００４４】
上記したように、コンピューターシステム１２０１は、本発明の教示に係るプログラムされた命令を保持するために、およびデータ構造、テーブル、レコード、またはここに記載された他のデータを含むために、少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能なメディアまたはメモリーを含む。コンピュータ読み取り可能なメディアの実施例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、テープ、光磁気ディスク、ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ）、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭまたは他のいかなる磁気メディア、コンパクトディスク（例えばＣＤ―ＲＯＭ）または他のいかなる光メディア、パンチカード、紙テープ、または孔パターンを有する他の物理的なメディア、キャリアウェーヴ（ｃａｒｒｉｅｒ  ｗａｖｅ）（以下に記載する）、またはコンピュータから読むことができる他のいかなるメディアである。
【００４５】
コンピュータ読み取り可能なメディアのどれか１つに、またはその組合せに格納されて、本発明は、コンピューターシステム１２０１を制御するため、デバイスまたは本発明を実施するためのデバイスを駆動するため、およびコンピューターシステム１２０１がヒューマンユーザ（例えば、生産担当者にプリントする）と対話することを可能にするためのソフトウェアを含む。このようなソフトウェアは、デバイスドライバ、オペレーティングシステム、開発ツール、およびアプリケーションソフトを含むが、これに限定されるものではない。このようなコンピュータ読み取り可能なメディアは、本発明を実施する際に実行されたプロセスの全部または一部（プロセスが分散された場合）を実行するための本発明のコンピュータプログラムプロダクトを更に含む。
【００４６】
本発明のコンピューターコードデバイスは、スクリプト、解釈可能なプログラム（ｉｎｔｅｒｐｒｅｔａｂｌｅ  ｐｒｏｇｒａｍｓ）、ダイナミックリンクライブラリ（ＤＬＬ）、Ｊａｖａ（登録商標）クラス、および完全な実行可能プログラムを含む、何らかの解釈可能なまたは実行可能なコードメカニズムであり得るが、これに限られない。さらに、本発明のプロセスの部分は、より十分なパーフォーマンス、信頼性、および／または費用のために分配されることがあり得る。
【００４７】
ここで使用された「コンピュータ読み取り可能なメディア」の用語は、プロセッサ１２０３に実行のための命令を提供するのに関係するどのようなメディアをも指すものである。コンピュータ読み取り可能なメディアは、不揮発性メディア、揮発性メディア、および伝送メディア（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｍｅｄｉａ）を含んでいる多くの形態をとることができるが、それに限定されるものではない。不揮発性メディアは、例えば、ハードディスク１２０７またはリムーバブルメディアドライブ１２０８のような光学、磁気ディスク、および光磁気ディスクを含む。揮発性メディアは、メインメモリ１２０４のようなダイナミックメモリを含む。伝送メディアは、バス１２０２を占める配線を含んでいる、同軸ケーブル、銅線、およびファイバーオプティックスを含む。伝送メディアも、また、電波および赤外線通信を通じて生成されるような音響または光波という形をとり得る。
【００４８】
コンピュータ読み取り可能なメディアのさまざまな形は、実行に対してプロセッサ１２０３への１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行することに含まれることがあり得る。例えば、命令は、まず最初にリモートコンピュータの磁気ディスク上に移されることがあり得る。リモートコンピュータは、本発明の全てまたは一部を実施するための命令を、ダイナミックメモリへ、モデムを使用し電話線路を通して、遠隔でロードすることができ、命令を送ることができる。コンピューターシステム１２０１へのモデムローカルは、電話線路上のデータを受けることができ、赤外線信号へデータをコンバートするために、赤外線送信機を使用することができる。バス１２０２に接続された赤赤外線検出器は、赤外線信号で運ばれるデータを受けることができ、データをバス１２０２に置くことができる。バス１２０２は、データをメインメモリ１２０４へ送り、そして、そこから、プロセッサ１２０３は命令を取り出して、そして実行する。メインメモリ１２０４によって受けられた命令は、プロセッサ１２０３によって実行の前または後に、記憶機器１２０７または１２０８に、オプションとして格納されることがあり得る。
【００４９】
コンピューターシステム１２０１も、バス１２０２に接続された通信インタフェース１２１３を含む。通信インタフェース１２１３は、例えば、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１２１５に接続されたネットワークリンク１２１４に、またはインターネットのような他の通信ネットワーク１２１６に接続された双方向データ通信を提供する。例えば、通信インタフェース１２１３は、何らかのパケットスイッチされたＬＡＮに添付するネットワークインターフェイスカードであり得る。別の例として、通信インタフェース１２１３は、通信回線の対応するタイプへのデータ通信接続を提供する非対称ディジタル加入者回線（ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  ｌｉｎｅ：ＡＤＳＬ）カード、総合サービスデジタルネットワーク（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｓｅｒｖｉｃｅｓ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｎｅｔｗｏｒｋ：ＩＳＤＮ）カードまたはモデムであり得る。無線リンクは、また、実施されることがあり得る。このようないかなる実行においても、通信インタフェース１２１３は、様々な形の情報を示すデジタルデータストリームを伝送する、電気的、電磁気的、または光学的信号を送受信する。
【００５０】
ネットワークリンク１２１４は、一般的に他のデータ装置に１つ以上のネットワークを介してデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２１４は、ローカルネットワーク１２１５（例えばＬＡＮ）を介して、または通信ネットワーク１２１６を介して通信サービスを提供するサービスプロバイダによって操作される器材を介して他のコンピュータへの接続を提供することがあり得る。ローカルネットワーク１２１４および通信ネットワーク１２１６は、例えば、デジタルデータストリームを移動させる、電気的、電磁気的、または光学的信号、および関連したフィジカルレイヤ（例えばＣＡＴ５ケーブル、同軸ケーブル、光ファイバなど）を使用する。デジタルデータをコンピューターシステム１２０１へ／から移送する、さまざまなネットワークを介した信号、並びにネットワークリンク１２１４上のおよび通信インタフェース１２１３を介した信号は、おそらくベースバンド信号または搬送波ベース信号において実施される。ベースバンド信号は、デジタルデータビットの流れ（ｓｔｒｅａｍ）を記述している（ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｖｅ）調節されていない（ｕｎｍｏｄｕｌａｔｅｄ）電気パルスとして、デジタルデータを伝達し、そこにおいて、用語「ビット」は、平均シンボルに広く解釈されることであり、各々のシンボルは、少なくとも１つ以上の情報ビットを伝達する。デジタルデータは、また、例えば伝導メディアにわたって伝播させられる振幅、位相および／または周波数シフト鍵のついた信号によって、搬送波を調整するために使用されることがあり得るかまたは伝搬メディアを介して電磁波として伝送されることがあり得る。それで、デジタルデータは、「有線の」通信路を介して調節されていないベースバンドデータとして送られることがあり得て、および／または搬送波を調整することによって、ベースバンドとは異なる所定の周波数帯内で送られることがあり得る。コンピューターシステム１２０１は、ネットワーク１２１５および１２１６、ネットワークリンク１２１４、および通信インタフェース１２１３を介して、プログラムコードを含んだデータを伝送および受信することができる。さらに、ネットワークリンク１２１４は、パーソナル携帯情報機器（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ：ＰＤＡ）、ラップトップコンピュータ、または移動電話（ｃｅｌｌｕｌａｒ  ｔｅｌｅｐｈｏｎｅ）のようなモバイルデバイス１２１７への、ＬＡＮ１２１５を介した接続を提供することがあり得る。
【００５１】
本発明の特定の例示的実施形態だけが上で詳細に記載されたが、当業者は、本発明の新しい教示および効果から逸脱しない範囲において、具体的な例示的実施形態に基づき多くの変更態様が可能であることを容易に理解する。したがって、全てのこのような変更態様は、本発明の範囲内に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係るパターニングシステムの概略図を示す図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係るパターニングシステムの概略図を示す図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係るパターニングシステムの概略図を示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る乾燥システムを示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る基板をパターニングする方法を示す図である。
【図６】本発明の実施形態が実施され得るコンピューターシステムを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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