(57)【要約】【課題】めっき処理の前に基板のエッジ部を適切に処理する。【解決手段】基板のエッジ部を処理する基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、基板のエッジ部に処理液を付着させるように構成されたエッジ処理部と、処理液が基板の被めっき部に接触せず且つ基板のエッジ部が処理液に露出するように、基板のエッジ部に沿って基板の第１面をシールするヘッド部と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のエッジ部を処理する基板処理装置であって、
前記基板のエッジ部に処理液を付着させるように構成されたエッジ処理部と、
前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記基板のエッジ部に沿って前記基板の第１面をシールするヘッド部と、を有する、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載された基板処理装置において、
前記エッジ処理部は、前記処理液を貯留するように構成された処理液槽を有し、前記基板のエッジ部を前記処理液槽に貯留された前記処理液に浸漬するように構成される、基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された基板処理装置において、
前記基板の前記エッジ部に気体を吹き付けて前記エッジ部を乾燥させるように構成された乾燥装置を有する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載された基板処理装置において、
前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記第１面とは反対側の第２面を前記基板のエッジ部に沿ってシールするように構成されたシール部を有する、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載された基板処理装置において、
前記基板を支持する基板支持機構を有し、
前記シール部は、前記基板支持機構を取り囲むように配置される、基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載された基板処理装置において、
前記基板の下面に対して上方に向かって気体を吹き付けるように構成される気体吹付機構を有する、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載された基板処理装置において、
前記ヘッド部によりシールされた状態の前記基板の前記被めっき部に紫外線を照射して、前記被めっき部に親水化処理するように構成された紫外線照射装置を有する、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から７の何れか一項に記載された基板処理装置において、
前記ヘッド部によりシールされた状態の前記基板の前記被めっき部にプラズマを照射して、前記被めっき部を親水化処理するように構成されたプラズマ処理装置を有する、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から８の何れか一項に記載された基板処理装置において、
前記処理液は、
前記基板の前記エッジ部に存在する酸化膜を除去するための酸性処理液、
前記基板の前記エッジ部に存在する有機物を除去するためのアルカリ性処理液、及び
前記基板の前記エッジ部に無電解めっき処理を行うためのめっき液、の何れかである、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか一項に記載された基板処理装置と、
前記基板のエッジ部と接触する接点を有する基板ホルダに保持された前記基板とアノードとをめっき液に浸漬させた状態で前記基板と前記アノード間に電圧を印加してめっきを
行うためのめっき槽と、を有するめっき装置。
【請求項１１】
基板のエッジ部を処理する基板処理方法であって、
処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記基板のエッジ部に沿って前記基板の第１面をシールする第１シール工程と、
前記基板のエッジ部に処理液を付着させるエッジ部処理工程と、を有する、基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載された基板処理方法において、
前記エッジ部処理工程は、前記基板のエッジ部を処理液槽に貯留された前記処理液に浸漬する工程を含む、基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載された基板処理方法において、
前記エッジ部処理工程により処理された前記基板の前記エッジ部に気体を吹き付けて前記エッジ部を乾燥させる工程を有する、基板処理方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３の何れか一項に記載された基板処理方法において、
前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記第１面とは反対側の第２面を前記基板のエッジ部に沿ってシールする第２シール工程を有する、基板処理方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載された基板処理方法において、
前記基板を基板支持機構で支持する工程を有し、
第２シール工程は、前記処理液が前記基板支持機構に接触しないように、前記第２面をシールする工程を含む、基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載された基板処理方法において、
前記基板の下面に対して上方に向かって気体を吹き付ける工程を有する、基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１１から１６の何れか一項に記載された基板処理方法において、
前記第１シール工程においてシールされた状態の前記基板の前記被めっき部に紫外線を照射して、前記被めっき部を親水化処理する工程を有する、基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１１から１７の何れか一項に記載された基板処理方法において、
前記第１シール工程においてシールされた状態の前記基板の前記被めっき部にプラズマを照射して、前記被めっき部を親水化処理する工程を有する、基板処理方法。
【請求項１９】
請求項１１から１８の何れか一項に記載された基板処理方法において、
前記処理液は、
前記基板の前記エッジ部に存在する酸化膜を除去するための酸性処理液、
前記基板の前記エッジ部に存在する有機物を除去するためのアルカリ性処理液、及び
前記基板の前記エッジ部に無電解めっき処理を行うためのめっき液、の何れかである、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、めっき装置、及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
電解めっき法で基板にめっきをするには、予め、シード層が形成された半導体ウェハ等の基板にレジストパターンを形成しておく。続いて、レジストパターンが形成された基板に紫外線（以下、ＵＶ又はＵｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔという）の照射等を行い、基板表面上のレジスト残渣を除去し（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）を行う。
【０００４】
アッシング処理及びディスカム処理が行われた基板は、めっき装置に搬送され、基板ホルダに保持される。基板ホルダは、基板に給電するための電気接点を有する。基板ホルダの電気接点は、基板ホルダに基板が保持されたときにレジストが塗布されていない基板のエッジ部上のシード層に接触するように構成される。このような基板ホルダは、例えば特許文献１に開示されている。基板ホルダに保持された基板はめっき液に浸漬され、アノードと基板との間に電圧が印加されることにより、基板表面にめっき膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３６３７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のめっき方法においては、アッシング処理及びディスカム処理が行われた後、直ちにめっき処理が行われるわけではない。即ち、アッシング処理及びディスカム処理が行われてから所定の時間が経過した後に、基板が基板ホルダに保持される。このとき、アッシング処理及びディスカム処理からの時間経過によって、基板のエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがある。基板の電気接点が接触することになる基板のエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、有機物が付着したりすると、基板ホルダの電気接点の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化するという問題がある。
【０００７】
また、基板表面にシード層を形成してからめっき装置に基板を搬送するまでの間に、基板への何らかの衝撃等により、基板のエッジ部上のシード層が部分的に剥離し又は薄くなることもあり得る。基板のエッジ部上のシード層が不均一になると、同様に基板ホルダの電気接点の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化し得る。
【０００８】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、めっき処理の前に基板のエッジ部を適切に処理することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態によれば、基板のエッジ部を処理する基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、前記基板のエッジ部に処理液を付着させるように構成されたエッジ処理部と、前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記基板のエッジ部に沿って前記基板の第１面をシールするヘッド部と、を有する。
【００１０】
本発明の一形態によれば、上記基板処理装置を備えためっき装置が提供される。
【００１１】
本発明の一形態によれば、基板のエッジ部を処理する基板処理方法が提供される。この基板処理方法は、前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記基板のエッジ部に沿って前記基板の第１面をシールする第１シール工程と、前記基板のエッジ部に処理液を付着させるエッジ部処理工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。
【図２】図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダの斜視図である。
【図３】図２に示した基板ホルダの電気接点を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る基板処理装置の部分側断面図である。
【図５】基板処理装置におけるエッジ部の処理プロセスを示すフロー図である。
【図６】他の実施形態に係る基板処理装置の部分側断面図である。
【図７】他の実施形態に係る基板処理装置の部分側断面図である。
【図８】他の実施形態に係る基板処理装置の部分側断面図である。
【図９】他の実施形態に係る基板処理装置の部分側断面図である。
【図１０Ａ】基板とシール部材との接触位置を示す拡大部分断面図である。
【図１０Ｂ】基板とシール部材との接触位置を示す拡大部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図１は、本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、基板ホルダ６０に基板をロードし、又は基板ホルダ６０から基板をアンロードするロード／アンロード部１７０Ａと、基板を処理する処理部１７０Ｂとに大きく分けられる。
【００１４】
ロード／アンロード部１７０Ａには、３台のフープ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）１０２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ３０と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ２０と、基板のエッジ部を処理する基板処理装置４０が設けられる。フープ１０２は、半導体ウェハ等の複数の基板を多段に収納する。スピンリンスドライヤ２０の近くには、基板ホルダ６０を載置して基板の着脱を行うフィキシングユニット１２０が設けられている。これらのユニット１０２，４０，２０，４０，１２０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置されている。
【００１５】
フィキシングユニット１２０は、２個の基板ホルダ６０を載置可能に構成される。フィキシングユニット１２０においては、一方の基板ホルダ６０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われた後、他方の基板ホルダ６０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。
【００１６】
めっき装置の処理部１７０Ｂは、ストッカ１２４と、プリウェット槽１２６と、プリソーク槽１２８と、第１洗浄槽１３０ａと、ブロー槽１３２と、第２洗浄槽１３０ｂと、めっき槽１０と、を有する。ストッカ１２４では、基板ホルダ６０の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽１２６では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽１２８では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面にある酸化膜がエッチング除去される。第１洗浄槽１３０ａでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽１３２では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第２洗浄槽１３０ｂでは、めっき後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液で洗浄される。ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、ブロー槽１３２、第２洗浄槽１３０ｂ、及びめっき槽１０は、この順に配置されている。
【００１７】
めっき槽１０は、例えば、オーバーフロー槽を備えた複数のめっきセル１３４を有する。各めっきセル１３４は、基板ホルダ６０に保持された基板を内部に収納し、めっき液中に基板を浸漬させる。めっきセル１３４において基板とアノードとの間に電圧を印加することにより、基板表面に銅めっき等のめっきが行われる。
【００１８】
めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ６０を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置１４０を有する。この基板ホルダ搬送装置１４０は、第１トランスポータ１４２と、第２トランスポータ１４４を有している。第１トランスポータ１４２は、フィキシングユニット１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、及びブロー槽１３２との間で基板を搬送するように構成される。第２トランスポータ１４４は、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０との間で基板を搬送するように構成される。他の実施形態では、めっき装置は、第１トランスポータ１４２及び第２トランスポータ１４４のいずれか一方のみを備えるようにし、いずれかのトランスポータが、フィキシングユニット１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっき槽１０の間で基板を搬送するようにしてもよい。
【００１９】
なお、図１に示すめっき装置では、基板処理装置４０が独立して配置されているが、これに限らず、基板処理装置４０は、例えばスピンリンスドライヤ２０の上方に、二段重ねになるように配置してもよい。これにより、めっき装置のフットプリントを縮小することができる。
【００２０】
図２は図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダ６０の斜視図である。基板ホルダ６０は、図２に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材６５と、この第１保持部材６５にヒンジ６３を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材６６とを有している。基板ホルダ６０の第１保持部材６５の略中央部には、基板を保持するための保持面６８が設けられている。また、第１保持部材６５の保持面６８の外側には、保持面６８の円周に沿って、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ６７が等間隔に設けられている。
【００２１】
基板ホルダ６０の第１保持部材６５の端部には、基板ホルダ６０を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド６９が連結されている。図１に示したストッカ１２４内において、ストッカ１２４の周壁上面にハンド６９を引っ掛けることで、基板ホルダ６０が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ６０のハンド６９を第１トランスポータ１４２又は第２トランスポータ１４４で把持して基板ホルダ６０が搬送される。なお、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、洗浄槽１３０ａ，１３０ｂ、ブロー槽１３２及びめっき槽１０内においても、基板ホルダ６０は、ハンド６９を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。
【００２２】
また、ハンド６９には、外部の電力供給部に接続するための図示しない外部接点が設けられている。この外部接点は、複数の配線を介して保持面６８の外周に設けられた複数の導電体７３（図３参照）と電気的に接続されている。
【００２３】
第２保持部材６６は、ヒンジ６３に固定された基部６１と、基部６１に固定されたリング状のシールホルダ６２とを備えている。第２保持部材６６のシールホルダ６２には、シールホルダ６２を第１保持部材６５に押し付けて固定するための押えリング６４が回転自在に装着されている。押えリング６４は、その外周部において外方に突出する複数の突条部６４ａを有している。突条部６４ａの上面とクランパ６７の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。
【００２４】
基板を保持するときは、まず、第２保持部材６６を開いた状態で、第１保持部材６５の保持面６８に基板を載置し、第２保持部材６６を閉じる。続いて、押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突条部６４ａをクランパ６７の内方突出部の内部（下側）に滑り込ませる。これにより、押えリング６４とクランパ６７にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第１保持部材６５と第２保持部材６６とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。基板の保持を解除するときは、第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされた状態において、押えリング６４を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング６４の突条部６４ａが逆Ｌ字状のクランパ６７から外されて、基板の保持が解除される。
【００２５】
図３は、図２に示した基板ホルダ６０の電気接点を示す断面図である。図３に示すように、第１保持部材６５の保持面６８には基板Ｗが載置されている。保持面６８と第１保持部材６５との間には、図２に示したハンド６９に設けられた外部接点から延びる複数の配線に接続された複数の（図示では１つの）導電体７３が配置されている。導電体７３は、第１保持部材６５の保持面６８上に基板Ｗを載置した際、この導電体７３の端部が基板Ｗの側方で第１保持部材６５の表面にばね特性を有した状態で露出するように基板Ｗの円周外側に複数配置されている。
【００２６】
シールホルダ６２の、第１保持部材６５と対向する面（図中下面）には、基板ホルダ６０で基板Ｗを保持したときに基板Ｗの表面外周部及び第１保持部材６５に圧接されるシール部材７０が取付けられている。シール部材７０は、基板Ｗの表面をシールするリップ部７０ａと、第１保持部材６５の表面をシールするリップ部７０ｂとを有する。
【００２７】
シール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた内部には、支持体７１が取付けられる。支持体７１には導電体７３から給電可能に構成された電気接点７２が、例えばねじ等で固定され、基板Ｗの円周に沿って複数配置されている。電気接点７２は、保持面６８の内側へ向かって延びる電気接点端部７２ａと、導電体７３から給電可能に構成された脚部７２ｂとを有している。
【００２８】
図２に示した第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされると、図３に示すように、シール部材７０の内周面側の短いリップ部７０ａが基板Ｗの表面に、外周面側の長いリップ部７０ｂが第１保持部材６５の表面にそれぞれ押圧される。これにより、リップ部７０ａ及びリップ部７０ｂ間が確実にシールされるとともに、基板Ｗが保持される。
【００２９】
シール部材７０でシールされた領域、即ちシール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた領域において、導電体７３が電気接点７２の脚部７２ｂに電気的に接続され、且つ電気接点端部７２ａが基板Ｗのエッジ部上のシード層に接触する。これにより、基板Ｗをシール部材７０でシールしつつ基板ホルダ６０で保持した状態で、電気接点７２
を介して基板Ｗに給電することができる。
【００３０】
上述したように、シード層が形成された基板Ｗには、予めレジストパターンが形成される。基板Ｗは、図１に示しためっき装置に搬送される前に、ＵＶの照射等が行われて、基板表面上のレジスト残渣が除去され（アッシング処理）且つレジスト表面の親水化処理（ディスカム処理）が行われる。アッシング処理及びディスカム処理が行われた基板Ｗは、その後めっき装置に搬送され、基板ホルダ６０に保持される。ここで、基板Ｗのレジストが塗布されていないエッジ部上のシード層には、アッシング処理及びディスカム処理からの時間経過によって、酸化膜が形成されたり、レジストから揮発した有機物が付着したりすることがある。また、基板表面にシード層を形成してからめっき装置に基板を搬送するまでの間に、基板への何らかの衝撃等により、基板のエッジ部上のシード層が部分的に剥離し又は薄くなることもあり得る。図３に示すように電気接点７２は基板Ｗのエッジ部上に接触するので、基板Ｗのエッジ部上のシード層に酸化膜が形成されたり、有機物が付着したり、シード層が部分的に剥離し又は薄くなると、基板ホルダ６０の電気接点７２の接触抵抗にバラつきが生じ、めっき膜厚の均一性が悪化するという問題がある。
【００３１】
そこで、本実施形態では、図１に示した基板処理装置４０をめっき装置に設け、基板Ｗのエッジ部上のシード層を適切に処理する。具体的には、基板処理装置４０は、基板Ｗのエッジ部上のシード層に形成される酸化膜の除去、エッジ部上のシード層に付着した有機物の脱離、及びエッジ部上のシード層の無電解めっきの少なくとも一つを行う。なお、本明細書において、基板Ｗのエッジ部とは、電気接点７２が接触し得る領域、又は基板ホルダ６０により基板Ｗが保持される際、シール部材７０が接触する部分よりも基板Ｗの周縁部側となる領域をいう。例えば、本実施形態においては、図３に示したシール部材７０のリップ部７０ａが当接する部分よりも外周側の領域をいい、基板Ｗの外周縁部から基板中心に向かって約５ｍｍの範囲内、より好ましくは、約２ｍｍの範囲内をいう。  
【００３２】
図４は、本実施形態に係る基板処理装置４０の部分側断面図である。図４において、基板処理装置４０は中心線ＣＬに関して左右対称であるので、図中右半分は図示省略されている。図示のように、基板処理装置４０は、ボトム部４１と、ヘッド部４２と、内槽４４と、外槽４５と、基板ステージ４３（基板支持機構の一例に相当する）と、を有する。ボトム部４１は、有底の筒状であり、底壁部４１ｃと、底壁部４１ｃから上方に延びる側壁部４１ａと、を有する。本実施形態では、円形の基板Ｗを処理するものとして説明しているので、側壁部４１ａは基板Ｗの形状に対応して平面視で円形に形成される。なお、図１に示しためっき装置で角形の基板Ｗを処理する場合には、ボトム部４１の側壁部４１ａは、基板Ｗの形状に合わせて平面視で角形に形成され得る。ボトム部４１は、さらに、側壁部４１ａの端部にシール部材４１ｂを有する。言い換えれば、略リング状のシール部材４１ｂが、側壁部４１ａの端部に沿って配置される。基板ステージ４３は、基板Ｗの被めっき面を上方に向けた状態で基板Ｗを下方から支持するように構成され、支持した基板Ｗを基板ステージ４３に固定するための図示しない真空チャックを有する。基板ステージ４３は、ボトム部４１の側壁部４１ａ及びシール部材４１ｂに取り囲まれるように底壁部４１ｃ上に設置される。また、基板ステージ４３は、上下方向に昇降可能に構成され得る。
【００３３】
ヘッド部４２は、略板状の天板部４２ｃと、天板部４２ｃから下方に延びる側壁部４２ａと、を有する。本実施形態では、ヘッド部４２の側壁部４２ａは、基板Ｗの形状に対応して平面視で円形に形成される。なお、図１に示しためっき装置で角形の基板Ｗを処理する場合には、ヘッド部４２の側壁部４２ａは、基板Ｗの形状に合わせて平面視で角形に形成され得る。ヘッド部４２は、さらに、側壁部４２ａの端部にシール部材４２ｂを有する。言い換えれば、略リング状のシール部材４２ｂが、側壁部４２ａの端部に沿って配置される。図示のように、ヘッド部４２とボトム部４１は、基板ステージ４３に配置された基板Ｗを上下方向から挟み込んで基板Ｗを保持する。このとき、ヘッド部４２のシール部材
４２ｂが基板Ｗのエッジ部に沿って基板Ｗの被めっき面（第１面の一例に相当する）をシールする。これにより、ヘッド部４２と基板Ｗの被めっき面との間で実質的に密閉された空間が形成される。また、ボトム部４１のシール部材４１ｂが基板Ｗのエッジ部に沿って基板Ｗの被めっき面とは反対側の面（裏面：第２面の一例に相当する）をシールする。これにより、ボトム部４１と基板Ｗの裏面との間で実質的に密閉された空間が形成される。図示のように、ヘッド部４２のシール部材４２ｂ及びボトム部４１のシール部材４１ｂは、基板Ｗのエッジから所定距離中心側に位置し、基板Ｗのエッジ部がヘッド部４２及びボトム部４１と基板Ｗにより形成される実質的な密閉空間の外に配置される。
【００３４】
基板処理装置４０は、さらに、ボトム部４１の外周に沿って配置される内槽４４（エッジ処理部及び処理液槽の一例に相当する）を有する。内槽４４は、所定の処理液を内部に貯留するように構成される。図示のように、ヘッド部４２及びボトム部４１は、内槽４４に貯留された処理液が基板Ｗの被めっき部に接触せず且つ基板Ｗのエッジ部が内槽４４に貯留された処理液に露出するように基板Ｗを保持する。したがって、内槽４４は、基板Ｗのエッジ部のみに処理液を付着させる、より具体的には、基板Ｗのエッジ部を内槽４４に貯留した処理液に浸漬するように構成される。なお、ここで基板Ｗの被めっき部とは、被めっき面において実際にめっきがなされる部分であり、例えば、レジストパターンが形成された基板Ｗ上の部分をいう。
【００３５】
基板処理装置４０は、内槽４４の外周に沿って配置される外槽４５を有する。外槽４５は、所定の処理液を内部に貯留するように構成され、貯留した処理液を排出する排出口４８を有する。基板処理装置４０は、処理液を外槽４５と内槽４４との間で循環させるように構成される循環装置５１を有する。循環装置５１は、外槽４５の排出口４８から排出された処理液を、内槽４４の供給口４９を介して内槽４４へ供給する。外槽４５は、内槽４４から溢れた処理液を受けるように構成される。循環装置５１は、処理液を輸送するためのポンプ５１ａと、処理液の温度を調節する恒温ユニット５１ｂと、処理液内の異物を除去するフィルタ５１ｃと、を有する。循環装置５１が処理液を循環させることにより、処理液中の異物を取り除いて、清浄な状態を維持することができる。なお、処理液がめっき液である場合を除いて、恒温ユニット５１ｂは省略することができる。内槽４４は、使用後の処理液を排出するための排出口５０を有する。
【００３６】
基板処理装置４０はブローノズル４７を有する。ブローノズル４７は、基板Ｗのエッジ部の周方向に沿って複数設けられる。これにより、基板Ｗのエッジ部が処理液で処理された後、ブローノズル４７から基板Ｗのエッジ部に気体を吹き付けて、エッジ部を乾燥させることができる。複数のブローノズル４７は、基板Ｗのエッジ部を均一に乾燥させるために、基板Ｗの周方向に沿って等間隔に設けられることが好ましい。なお、本実施形態のように処理対象の基板Ｗが円形である場合は、ヘッド部４２及びボトム部４１を、中心線ＣＬ周りで回転させるようにしてもよい。この場合、単一のブローノズル４７を使用して、エッジ部を均一に乾燥させることができる。
【００３７】
本実施形態に係る基板処理装置４０は、処理液として、基板Ｗのエッジ部に存在する酸化膜を除去する酸性処理液、基板Ｗのエッジ部に存在する有機物を除去するためのアルカリ性処理液、及び基板Ｗのエッジ部に無電解めっき処理を行うためのめっき液、の何れかを採用することができる。
【００３８】
処理液が酸性処理液である場合は、基板Ｗのエッジ部を処理液に浸漬することで、基板Ｗのエッジ部に形成された酸化膜が溶解し、除去される。酸性処理液としては、例えば希硫酸、クエン酸等の、基板Ｗ上のシード層にダメージを与え難い酸が採用され得る。処理液がアルカリ性処理液である場合は、基板Ｗのエッジ部を処理液に浸漬することで、基板Ｗのエッジ部に付着した有機物が除去される。アルカリ性処理液としては、例えば、水酸
化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ性溶液が採用され得る。処理液がめっき液である場合は、無電解めっきに使用される従来公知のめっき液を採用することができる。なお、基板Ｗのエッジ部上のシード層が部分的に剥離し又は薄くなった場合には、例えば、エッジ部のシード層を予め硫酸過水などでエッチングして除去した後、無電解めっきでシード層をめっきし直すことができる。或いは、エッジ部上のシード層が部分的に剥離した場合(ほぼ導通しない領域がある場合)には、無電解めっきによりシード層の剥離部分を修復することができる。
【００３９】
次に、図４に示した基板処理装置４０で基板Ｗのエッジ部を処理するプロセスについて説明する。図５は、基板処理装置４０におけるエッジ部の処理プロセスを示すフロー図である。図５に示すように、まず、ヘッド部４２を基板処理装置４０から取り外した状態で、基板ステージ４３をボトム部４１のシール部材４１ｂよりも高い位置まで上昇させる。この基板ステージ４３上に基板Ｗが配置され、基板ステージ４３により真空チャックされる（ステップＳ５０１）。これにより、基板Ｗが基板ステージ４３上に固定される。続いて、基板ステージ４３が降下し、基板Ｗの裏面がボトム部４１のシール部材４１ｂと接触する（ステップＳ５０２）。これにより、ボトム部４１と基板Ｗの裏面との間で実質的に密閉された空間が形成される。  
【００４０】
ヘッド部４２が降下して、基板Ｗの上面（被めっき面）がヘッド部４２のシール部材４２ｂと接触する（ステップＳ５０３）。これにより、ヘッド部４２と基板Ｗの被めっき面との間で実質的に密閉された空間が形成される。このとき、図４に示したように、基板Ｗの被めっき部はヘッド部４２によって覆われる一方、基板Ｗのエッジ部は内槽４４に露出されている。続いて、処理液が内槽４４に供給される（ステップＳ５０４）。基板Ｗのエッジ部の処理目的に応じて、酸性処理液、アルカリ性処理液、又は無電解めっき液の何れかが処理液として使用される。処理液は、内槽４４からオーバーフローして外槽４５へ流れ込む。処理液が内槽４４と外槽４５との間で循環されながら、基板Ｗのエッジ部が処理液に浸漬される。
【００４１】
基板Ｗのエッジ部が処理液に所定時間浸漬され、処理が完了した後、内槽４４から処理液が排出される（ステップＳ５０５）。続いて、空になった内槽４４に純水が供給され（ステップＳ５０６）、基板Ｗのエッジ部に付着した処理液が純水により洗浄される。純水は、内槽４４からオーバーフローして外槽４５へ流れ込み、循環装置５１により内槽４４と外槽４５の間を循環される。なお、この洗浄に使用される純水は、処理液とは異なる経路を通じて内槽４４に供給することが好ましい。また、内槽４４から外槽４５にオーバーフローした純水は、内槽４４と外槽４５との間を循環させることなく、外槽４５から図示しない排水ラインを通じて排出することが好ましい。これにより、常に正常な純水を内槽４４に供給することができ、洗浄効果を向上させることができる。基板Ｗのエッジ部の洗浄が完了した後、内槽４４から純水が排出される（ステップＳ５０７）。続いて、基板Ｗのエッジ部がブローノズル４７により乾燥される（ステップＳ５０８）。
【００４２】
基板Ｗのエッジ部が乾燥したら、ヘッド部４２を上昇させ、ヘッド部４２のシール部材４２ｂを基板Ｗの被めっき面から離間させる（ステップＳ５０９）。続いて、基板ステージ４３を上昇させて、基板Ｗをボトム部４１のシール部材４１ｂから剥がす（ステップＳ５１０）。基板ステージ４３の真空チャックを解除して、図示しない搬送アームで基板Ｗを基板処理装置４０から取り出す（ステップＳ５１１）。
【００４３】
以上で説明したように、本実施形態の基板処理装置４０によれば、ヘッド部４２により基板Ｗの被めっき面がシールされ、基板Ｗの被めっき部に処理液が付着することを防止しつつ、基板Ｗのエッジ部のみに処理液を付着させることができる。このため、基板Ｗの被めっき部に対して処理液の影響を与えることなく、エッジ部に適切な処理を行うことができる。また、本実施形態では、基板Ｗのエッジ部が処理液に浸漬されるので、基板Ｗのエ
ッジ部に均一に処理液を付着させることができ、処理ムラを低減することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、基板処理装置４０がブローノズル４７を有するので、基板Ｗのエッジ部を十分に乾燥させることができる。これにより、図２に示した基板ホルダ６０の電気接点と接触する基板Ｗの部分がドライになり、基板処理装置４０で処理された基板Ｗを基板ホルダ６０に保持させたときの電気接点間の短絡を防止することができる。また、本実施形態では、基板処理装置４０が基板ステージ４３を有する。これにより、基板Ｗがヘッド部４２とボトム部４１により保持されたとき、基板Ｗの中央部を下方から支持することができ、基板Ｗが撓むことを防止することができる。
【００４５】
なお、図４に示した基板処理装置４０及び後述する他の実施形態では、基板Ｗのエッジ部を処理液に浸漬するようにしているがこれに限らず、処理液を吹き付ける吐出ノズルを基板Ｗの周方向に複数設け、基板Ｗのエッジ部に処理液を直接吹き付けてもよい。また、図５に示した基板処理装置４０及び後述する他の実施形態では、ヘッド部４２が天板部４２ｃを有しており、基板Ｗの被めっき部を覆うように構成されているがこれに限られない。例えば、ヘッド部４２が天板部４２ｃを備えず、全体として略筒状に構成されていてもよい。この場合、基板Ｗの被めっき部は密閉されないが、ヘッド部４２のシール部材４２ｂ及び側壁部４２ａにより、処理液が被めっき部に接触することは防止され得る。
【００４６】
次に、本実施形態に係るめっき装置に使用される他の実施形態に係る基板処理装置４０について説明する。図６は、他の実施形態に係る基板処理装置４０の部分側断面図である。図６に示す基板処理装置４０は、図４に示した基板処理装置４０と比べて、エアフロート機構を有する点が異なる。具体的には、図６に示す基板処理装置４０は、基板ステージ４３に代えて、基板Ｗの下方から上方に向けて空気等の気体を吹き付けるように構成されるエアフロート機構５２（気体吹付機構の一例に相当する）を有する。この実施形態に係る基板処理装置４０は、例えば両面が被めっき面である基板Ｗのエッジ部を処理することができる。エアフロート機構５２が基板Ｗの裏面（下面）に気体を吹き付けることにより、ヘッド部４２とボトム部４１によって保持された基板Ｗを非接触状態で支持することができる。また、基板Ｗがフレキシブルな基板Ｗである場合には、エアフロート機構５２が基板Ｗの裏面に気体を吹き付けることで、基板Ｗが撓むことを防止することができる。ひいては、基板Ｗが撓むことにより、基板Ｗがシール部材４１ｂ及びシール部材４２ｂに対して位置ずれすることを防止できる。
【００４７】
また、図４に示した基板処理装置４０と同様に、図６に示す基板処理装置４０のボトム部４１がシール部材４１ｂを有する。これにより、基板Ｗの被めっき面と反対側の面（裏面）がシールされ、裏面に処理液が付着することを防止しつつ、基板Ｗのエッジ部のみに処理液を付着させることができる。したがって、図６に示す実施形態のように、基板Ｗが両面めっき用の基板Ｗであっても、基板Ｗの両面における被めっき部に処理液が付着することを防止することができる。
【００４８】
図７は、他の実施形態に係る基板処理装置４０の部分側断面図である。図７に示す基板処理装置４０は、図４に示した基板処理装置４０と比べて、紫外線照射装置を有する点が異なる。具体的には、図７に示す基板処理装置４０は、ヘッド部４２によりシールされた状態の基板Ｗの被めっき部に紫外線を照射するように構成される紫外線照射装置５３を有する。紫外線照射装置５３は、紫外線を照射可能な低圧水銀ランプ等の紫外線ランプを有し、基板Ｗの被めっき面全体に紫外線を照射するように構成される。紫外線照射装置５３が低圧水銀ランプである場合、照射される紫外線の主波長は２５４ｎｍ及び１８５ｎｍである。また、紫外線ランプは、直管型、Ｕ型、Ｍ型、及び矩形型等、基板Ｗの被めっき面全体を照射することができる任意の形状を有し得る。図７に示すように、紫外線照射装置５３は、基板Ｗの被めっき面に可能な限り均一に紫外線を照射するために、ヘッド部４２
の天板部４２ｃの下面に、複数の紫外線ランプを配置してもよい。
【００４９】
基板Ｗの被めっき部には、一般的にレジスト膜が形成されている。このレジスト膜に親水化処理（ディスカム処理）が行われてからめっき装置に基板Ｗが搬送されるまでに所定の時間が経過している。このため、時間の経過に伴いレジスト表面に有機物が付着し、レジスト表面が親水性から徐々に疎水性に変化し得る。そこで、基板処理装置４０は、紫外線照射装置５３により基板Ｗの被めっき部に紫外線を照射する。これにより被めっき面が洗浄・改質処理される。このとき、大気中に存在する少量のオゾンから、紫外線の作用により活性酸素が生じる。この活性酸素は、基板Ｗ表面の有機物を揮発性の物質に分解変化させる。また、この活性酸素及び紫外線の作用によりレジスト表面の化学結合が切断され、活性酸素がレジスト表面の分子に結合する。これにより、レジスト表面に親水性の高い官能基が付与される。即ち、紫外線を基板Ｗ表面に照射することにより、基板Ｗ表面の疎水性の物質が除去、洗浄され、表面が親水性に改質される。
【００５０】
大気雰囲気における基板Ｗ表面への紫外線の照射時間は、基板Ｗにアッシング処理又はディスカム処理がされてからの経過時間に応じて、レジストが灰化しないように適切に決定され得る。なお、この実施形態では、紫外線の照射を大気中で行っているが、例えば、オゾン雰囲気中又は酸素雰囲気中で行うこともできる。ここで、オゾン雰囲気とは、積極的にオゾンを導入した雰囲気をいい、酸素雰囲気とは、積極的に酸素を導入した雰囲気をいう。ただし、オゾン雰囲気中及び酸素雰囲気では、紫外線の作用で発生する活性酸素の量が多くなるので、レジスト自体が分解（灰化）される虞がある。このため、オゾン雰囲気及び酸素雰囲気における基板Ｗ表面への紫外線の照射時間は、大気雰囲気での紫外線照射時間に比べて短くされることが望ましい。また、レジスト自体が灰化することを防止するためには、ヘッド部４２と基板Ｗによって画定される空間を大気雰囲気又は後述する窒素で満たした雰囲気にした状態で、紫外線を基板Ｗに照射することが望ましい。
【００５１】
図８は、他の実施形態に係る基板処理装置４０の部分側断面図である。図８に示す基板処理装置４０は、図４に示した基板処理装置４０と比べて、プラズマ照射装置を有する点が異なる。具体的には、図８に示す基板処理装置４０は、ヘッド部４２によりシールされた状態の基板Ｗの被めっき部にプラズマを照射するように構成されるプラズマ照射装置５４を有する。本実施形態では、プラズマ照射装置５４は、ヘッド部４２の天板部４２ｃの下面側に複数設けられ、基板Ｗの被めっき面に可能な限り均一のプラズマを照射するように構成される。これに限らず、プラズマ照射装置５４が、基板Ｗの被めっき面を走査するように構成されてもよい。
【００５２】
上述したように、基板Ｗの被めっき部には、一般的にレジスト膜が形成されており、親水化処理（ディスカム処理）からの時間の経過に伴い、レジスト表面が親水性から徐々に疎水性に変化し得る。そこで、基板処理装置４０は、プラズマ照射装置５４により基板Ｗの被めっき部にＯ２プラズマを照射して、被めっき面の濡れ性を向上させる親水化処理を行う。
【００５３】
図７及び図８に示す基板処理装置４０によれば、基板Ｗのエッジ部を処理しながら、基板Ｗの被めっき部の親水化処理を行うことができる。この場合、基板Ｗの被めっき部を図１に示したプリウェット槽１２６で親水処理する必要が無くなり得る。その結果、プリウェット槽１２６をめっき装置から除外することができるので、めっき装置のフットプリントを縮小し、めっき処理全体のスループットを向上させることができる。なお、図７及び図８においては、それぞれ、紫外線照射装置５３及びプラズマ照射装置５４がヘッド部４２に設けられるものとしたが、これに限らず、任意の場所に配置することができる。例えば、天板部４２ｃを備えない略筒状のヘッド部４２を用意し、紫外線照射装置５３又はプラズマ照射装置５４を基板Ｗの被めっき部の上方に位置させることができる。
【００５４】
図９は、他の実施形態に係る基板処理装置４０の部分側断面図である。図９に示す基板処理装置４０は、図５に示した基板処理装置と比べて、ボトム部４１を備えない点が異なる。また、図９に示す基板処理装置は、基板Ｗのエッジ部を下方から支持する複数（例えば３つ）のアーム５５ａを備えた基板支持機構５５を有する。基板支持機構５５は、ボトム部４１と異なり、基板Ｗの裏面をシールする機能を備えない。したがって、図９に示すように、基板Ｗの裏面側には内槽４４内の処理液が接触することになる。一方で、図４に示した基板処理装置４０と同様に、ヘッド部４２のシール部材４２ｂにより、基板Ｗのエッジ部に沿って基板Ｗの被めっき面がシールされる。これにより、ヘッド部４２と基板Ｗの被めっき面との間で実質的に密閉された空間が形成される。
【００５５】
基板Ｗが片面のみめっきされる場合、めっきされない面に処理液が接触しても実質的な問題は生じない。したがって、図９に示す基板処理装置４０のように、基板Ｗの裏面側に処理液が接触することを許容することで、ボトム部４１を省略することができ、基板処理装置４０の構成を簡素化することができる。なお、図９に示す基板処理装置４０においては、基板支持機構５５を採用しているが、これに代えて図５，７，８に示した基板ステージ４３を採用してもよい。これとは逆に、図５，７，８に示した基板処理装置４０に、基板ステージ４３に代えて基板支持機構５５を採用することもできる。また、図９に示す基板処理装置４０に、図５に示した循環装置５１及び外槽４５を設けてもよい。
【００５６】
次に、ヘッド部４２のシール部材４２ｂ又はボトム部４１のシール部材４２ｂが接触する基板Ｗ上の位置について詳細に説明する。図１０Ａ及び図１０Ｂは、基板Ｗとシール部材４２ｂとの接触位置を示す拡大部分断面図である。図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、基板Ｗは、その表面にシード層Ｓ１と、レジスト層Ｒ１とを有する。基板Ｗには、シード層Ｓ１の一部が露出されるようにレジスト層Ｒ１が形成され、シード層Ｓ１の露出部分に、図３に示した電気接点端部７２ａが接触することになる。
【００５７】
図４から図９に示した基板処理装置４０において、ヘッド部４２のシール部材４２ｂは、図１０Ａに示すようにレジスト層Ｒ１に、又は図１０Ｂに示すようにシード層Ｓ１に接触するように構成される。図１０Ａに示すように、シール部材４２ｂがレジスト層Ｒ１に接触する場合は、シード層Ｓ１の露出部分全てに処理液を接触させることができる一方で、レジスト層Ｒ１の一部にも処理液が接触し得る。図１０Ｂに示すように、シール部材４２ｂがシード層Ｓ１に接触する場合は、シード層Ｓ１の露出面積が図１０Ａの場合に比べて小さくなるが、レジスト層Ｒ１に処理液が接触することが防止される。
【００５８】
処理液がアルカリ性処理液である場合、処理液がレジスト層Ｒ１に接触するとレジスト層Ｒ１が溶解するおそれがある。したがって、この場合は、図１０Ｂに示すようにシール部材４２ｂをシード層Ｓ１に接触させて、レジスト層Ｒ１に処理液が接触しないようにすることが好ましい。なお、図１０Ａに示すようにシール部材４２ｂをレジスト層Ｒ１に接触させてもよく、この場合は、レジスト層Ｒ１が溶解しないように、基板Ｗのエッジ部に処理液を接触させる時間の管理を適切に行うことが好ましい。
【００５９】
処理液が酸性処理液又は無電解めっき液である場合、処理液がレジスト層Ｒ１に接触してもレジスト層Ｒ１に実質的な悪影響は無い。したがって、この場合は、図１０Ａに示すようにシール部材４２ｂをレジスト層Ｒ１に接触させて、シード層Ｓ１の露出面積を比較的大きくすることが好ましい。
【００６０】
なお、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいては、基板Ｗが片面のみにシード層Ｓ１及びレジスト層Ｒ１を有しており、ボトム部４１のシール部材４１ｂは図示省略されている。この場合、ボトム部４１のシール部材４２ｂが基板Ｗに接触する位置は任意である。一方で、基
板Ｗの両面が被めっき面である場合は、ボトム部４１のシール部材４２ｂの位置は、ヘッド部４２のシール部材４１ｂの位置と同様に決定され得る。即ち、処理液がアルカリ性処理液である場合、シール部材４２ｂはシード層Ｓ１と接触することが好ましく、処理液が酸性処理液又は無電解めっき液である場合、シール部材４２ｂはレジスト層と接触することが好ましい。
【００６１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
【００６２】
以下に本明細書が開示する形態のいくつかを記載しておく。
第１形態によれば、基板のエッジ部を処理する基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、前記基板のエッジ部に処理液を付着させるように構成されたエッジ処理部と、前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記基板のエッジ部に沿って前記基板の第１面をシールするヘッド部と、を有する。
【００６３】
第１形態によれば、ヘッド部により基板の第１面がシールされ、基板の被めっき部に処理液が付着することを防止しつつ、基板のエッジ部のみに処理液を付着させることができる。このため、基板の被めっき部に対して処理液の影響を与えることなく、エッジ部に適切な処理を行うことができる。
【００６４】
第２形態によれば、第１形態の基板処理装置において、前記エッジ処理部は、前記処理液を貯留するように構成された処理液槽を有し、前記基板のエッジ部を前記処理液槽に貯留された前記処理液に浸漬するように構成される。
【００６５】
第２形態によれば、基板のエッジ部が処理液に浸漬されるので、基板のエッジ部に均一に処理液を付着させることができ、処理ムラを低減することができる。
【００６６】
第３形態によれば、第１又は第２形態の基板処理装置において、前記基板の前記エッジ部に気体を吹き付けて前記エッジ部を乾燥させるように構成された乾燥装置を有する。
【００６７】
第３形態によれば、基板のエッジ部を十分に乾燥させることができる。これにより、基板ホルダの電気接点と接触する基板の部分がドライになり、基板処理装置で処理された基板を基板ホルダに保持させたときの短絡を防止することができる。
【００６８】
第４形態によれば、第１から第３形態の何れかの基板処理装置において、前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記第１面とは反対側の第２面を前記基板のエッジ部に沿ってシールするように構成されたシール部を有する。
【００６９】
第４形態によれば、基板の第２面がシール部によりシールされる。これにより、基板の被めっき面と反対側の面（裏面）がシールされ、裏面に処理液が付着することを防止しつつ、基板のエッジ部のみに処理液を付着させることができる。したがって、基板が両面めっき用の基板であっても、基板の両面における被めっき部に処理液が付着することを防止することができる。
【００７０】
第５形態によれば、第４形態の基板処理装置において、前記基板を支持する基板支持機構を有し、前記シール部は、前記基板支持機構を取り囲むように配置される。
【００７１】
第５形態によれば、基板がヘッド部とシール部により保持されたとき、基板を支持することができる。
【００７２】
第６形態によれば、第４形態の基板処理装置において、前記基板の下面に対して上方に向かって気体を吹き付けるように構成される気体吹付機構を有する。
【００７３】
第６形態によれば、ヘッド部とシール部によって保持された基板を非接触状態で支持することができる。また、基板がフレキシブルな基板である場合には、基板の下面に気体を吹き付けることで、基板が撓むことを防止することができる。ひいては、基板が撓むことにより、基板がヘッド部及びシール部に対して位置ずれすることを防止できる。
【００７４】
第７形態によれば、第１から第６形態の何れかの基板処理装置において、前記ヘッド部によりシールされた状態の前記基板の前記被めっき部に紫外線を照射して、前記被めっき部に親水化処理するように構成された紫外線照射装置を有する。
【００７５】
第７形態によれば、基板のエッジ部を処理しながら、基板の被めっき部の親水化処理を行うことができる。この場合、基板の被めっき部をプリウェット槽で親水処理する必要が無くなり得る。その結果、プリウェット槽をめっき装置から除外することができるので、めっき装置のフットプリントを縮小し、めっき処理全体のスループットを向上させることができる
【００７６】
第８形態によれば、第１から第７形態の何れかの基板処理装置において、前記ヘッド部によりシールされた状態の前記基板の前記被めっき部にプラズマを照射して、前記被めっき部を親水化処理するように構成されたプラズマ処理装置を有する。
【００７７】
第８形態によれば、基板のエッジ部を処理しながら、基板の被めっき部の親水化処理を行うことができる。この場合、基板の被めっき部をプリウェット槽で親水処理する必要が無くなり得る。その結果、プリウェット槽をめっき装置から除外することができるので、めっき装置のフットプリントを縮小し、めっき処理全体のスループットを向上させることができる。
【００７８】
第９形態によれば、第１から第８形態の何れかの基板処理装置において、前記処理液は、前記基板の前記エッジ部に存在する酸化膜を除去するための酸性処理液、前記基板の前記エッジ部に存在する有機物を除去するためのアルカリ性処理液、及び前記基板の前記エッジ部に無電解めっき処理を行うためのめっき液、の何れかである。
【００７９】
第９形態によれば、基板のエッジ部に存在する酸化膜若しくは酸化膜の除去、又は基板のエッジ部への無電解めっき処理を行うことができる。
【００８０】
第１０形態によれば、めっき装置が提供される。このめっき装置は、第１から第９形態の何れかの基板処理装置と、前記基板のエッジ部と接触する接点を有する基板ホルダに保持された前記基板とアノードとをめっき液に浸漬させた状態で前記基板と前記アノード間に電圧を印加してめっきを行うためのめっき槽と、を有する。
【００８１】
第１０形態によれば、基板処理装置によりエッジ部が適切に処理された基板に対して、めっき処理を行うことができる。このとき、エッジ部は処理液により処理されるので、基板ホルダで基板を保持した際、エッジ部と接点が良好に接触し、基板に形成されるめっき
膜厚の均一性の悪化を防止することができる。
【００８２】
第１１形態によれば、基板のエッジ部を処理する基板処理方法が提供される。この基板処理方法は、処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記基板のエッジ部に沿って前記基板の第１面をシールする第１シール工程と、前記基板のエッジ部に処理液を付着させるエッジ部処理工程と、を有する。
【００８３】
第１１形態によれば、基板の第１面がシールされ、基板の被めっき部に処理液が付着することを防止しつつ、基板のエッジ部のみに処理液を付着させることができる。このため、基板の被めっき部に対して処理液の影響を与えることなく、エッジ部に適切な処理を行うことができる。
【００８４】
第１２形態によれば、第１１形態の基板処理方法において、前記エッジ部処理工程は、前記基板のエッジ部を処理液槽に貯留された前記処理液に浸漬する工程を含む。
【００８５】
第１２形態によれば、基板のエッジ部が処理液に浸漬されるので、基板のエッジ部に均一に処理液を付着させることができ、処理ムラを低減することができる。
【００８６】
第１３形態によれば、第１１又は第１２形態に記載された基板処理方法において、前記エッジ部処理工程により処理された前記基板の前記エッジ部に気体を吹き付けて前記エッジ部を乾燥させる工程を有する。
【００８７】
第１３形態によれば、基板のエッジ部を十分に乾燥させることができる。これにより、基板ホルダの電気接点と接触する基板の部分がドライになり、処理された基板を基板ホルダに保持させたときの短絡を防止することができる。
【００８８】
第１４形態によれば、第１１から第１３形態の何れかの基板処理方法において、前記処理液が前記基板の被めっき部に接触せず且つ前記基板のエッジ部が前記処理液に露出するように、前記第１面とは反対側の第２面を前記基板のエッジ部に沿ってシールする第２シール工程を有する。
【００８９】
第１４形態によれば、基板の第２面がシールされる。これにより、基板の被めっき面と反対側の面（裏面）がシールされ、裏面に処理液が付着することを防止しつつ、基板のエッジ部のみに処理液を付着させることができる。したがって、基板が両面めっき用の基板であっても、基板の両面における被めっき部に処理液が付着することを防止することができる。
【００９０】
第１５形態によれば、第１４形態の基板処理方法において、前記基板を基板支持機構で支持する工程を有し、第２シール工程は、前記処理液が前記基板支持機構に接触しないように、前記第２面をシールする工程を含む。
【００９１】
第１５形態によれば、基板を支持することができ、基板が撓むことを防止することができる。
【００９２】
第１６形態によれば、第１４形態の基板処理方法において、前記基板の下面に対して上方に向かって気体を吹き付ける工程を有する。
【００９３】
第１６形態によれば、基板を非接触状態で支持することができる。また、基板がフレキシブルな基板である場合には、基板の下面に気体を吹き付けることで、基板が撓むことを
防止することができる。
【００９４】
第１７形態によれば、第１１から第１６形態の何れかの基板処理方法において、前記第１シール工程においてシールされた状態の前記基板の前記被めっき部に紫外線を照射して、前記被めっき部を親水化処理する工程を有する。
【００９５】
第１７形態によれば、基板のエッジ部を処理しながら、基板の被めっき部の親水化処理を行うことができる。この場合、基板の被めっき部をプリウェット槽で親水処理する必要が無くなり得る。その結果、プリウェット槽をめっき装置から除外することができるので、めっき装置のフットプリントを縮小し、めっき処理全体のスループットを向上させることができる
【００９６】
第１８形態によれば、第１１から第１７形態の何れかの基板処理方法において、前記第１シール工程においてシールされた状態の前記基板の前記被めっき部にプラズマを照射して、前記被めっき部を親水化処理する工程を有する。
【００９７】
第１８形態によれば、基板のエッジ部を処理しながら、基板の被めっき部の親水化処理を行うことができる。この場合、基板の被めっき部をプリウェット槽で親水処理する必要が無くなり得る。その結果、プリウェット槽をめっき装置から除外することができるので、めっき装置のフットプリントを縮小し、めっき処理全体のスループットを向上させることができる。
【００９８】
第１９形態によれば、第１１から第１８形態の何れかの基板処理方法において、前記処理液は、前記基板の前記エッジ部に存在する酸化膜を除去するための酸性処理液、前記基板の前記エッジ部に存在する有機物を除去するためのアルカリ性処理液、及び前記基板の前記エッジ部に無電解めっき処理を行うためのめっき液、の何れかである。
【００９９】
第１９形態によれば、基板のエッジ部に存在する酸化膜若しくは酸化膜の除去、又は基板のエッジ部への無電解めっき処理を行うことができる。
【符号の説明】
【０１００】
１０…めっき槽
４０…基板処理装置
４１…ボトム部
４１ｂ…シール部材
４２…ヘッド部
４３…基板ステージ
４４…内槽
４７…ブローノズル
５２…エアフロート機構
５３…紫外線照射装置
５４…プラズマ照射装置
５５…基板支持機構
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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