(57)【要約】【課題】  高温高湿雰囲気で使用しても電極の腐食を抑制することができる温度センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  絶縁性基材と、絶縁性基材上に設けられサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部３と、サーミスタ部に接続されサーミスタ部上と絶縁性基材上との少なくとも一方に形成された一対の電極４と、一対の電極を覆って形成された有機絶縁膜５とを備え、電極が、サーミスタ部上と絶縁性基材上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層４ａと、接合層上に形成された貴金属層４ｂとを備え、貴金属層上の少なくとも一部に酸化Ｃｒ部６が露出しており、酸化Ｃｒ部が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤７ａで形成された防錆皮膜７で覆われている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に設けられサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部と、
前記サーミスタ部に接続され前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に形成された一対の電極と、
一対の前記電極を覆って形成された有機絶縁膜とを備え、
前記電極が、前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層と、
前記接合層上に形成された貴金属層とを備え、
前記貴金属層上の少なくとも一部に酸化Ｃｒ部が露出しており、
前記酸化Ｃｒ部が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で覆われていることを特徴とする温度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
前記サーミスタ部が、薄膜状に形成された薄膜サーミスタ部であり、
一対の前記電極が、少なくとも前記薄膜サーミスタ部上に互いに対向して形成された一対の対向電極であることを特徴とする温度センサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の温度センサにおいて、
前記腐食抑制剤が、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であることを特徴とする温度センサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
前記有機絶縁膜が、前記腐食抑制剤を含有していることを特徴とする温度センサ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の温度センサを製造する方法であって、
絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部を設ける工程と、
前記サーミスタ部に接続され前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に一対の電極を形成する電極形成工程と、
一対の前記電極を覆って有機絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを有し、
前記電極形成工程で、前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層を形成する工程と、
前記接合層上に貴金属層を形成する工程と、
熱処理により前記接合層中のＣｒが前記貴金属層上の少なくとも一部に露出して酸化Ｃｒ部が形成される熱処理工程とを有し、
前記絶縁膜形成工程前又は前記絶縁膜形成工程中に、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で前記酸化Ｃｒ部を覆う防錆皮膜形成工程を有していることを特徴とする温度センサの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の温度センサの製造方法において、
前記腐食抑制剤が、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であることを特徴とする温度センサの製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の温度センサの製造方法において、
前記防錆皮膜形成工程が、少なくとも前記貴金属層上の前記酸化Ｃｒ部に前記腐食抑制剤を含有した有機溶剤を付着させた後、乾燥させることを特徴とする温度センサの製造方法。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の温度センサの製造方法において、
前記絶縁膜形成工程及び前記防錆皮膜形成工程が、腐食抑制剤を含有させた前記有機絶縁膜用のペーストを前記貴金属層上に塗布して前記有機絶縁膜を形成することを特徴とする温度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜サーミスタを用いた温度センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁性フィルム上に薄膜状のサーミスタ部を形成したフィルム型の温度センサが開発されている。例えば、特許文献１には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極と、一対の櫛形電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、櫛形電極と薄膜サーミスタ部とを覆って絶縁性フィルム上に形成された保護膜とを備えている温度センサが開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３８７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記従来の温度センサでは、保護膜としてポリイミド等の有機絶縁膜で櫛形電極と薄膜サーミスタ部とを覆っているが、有機絶縁膜が吸湿性があるため、水分を完全に遮断することができず、電極表面に水分子が接触して、高温高湿雰囲気で通電すると陽極側電極に腐食が発生する場合があった。すなわち、陰極側電極に対して陽極側電極に正電位が印加されるため、互いの電極が接触した有機絶縁膜を介して電子が移動して腐食電流が生じ、その部分の電極材料が腐食してしまう不都合があった。このような電極の腐食が生じると、素子が高抵抗化してしまう場合があった。特に、図４に示すように、従来の電極は、薄膜状のサーミスタ部３上に形成されるＣｒの接合層４ａと、接合層４ａ上に形成されるＡｕ等の貴金属層４ｂとの積層で構成されているが、製造工程中のアニール等の熱処理によって接合層４ａ中のＣｒが貴金属層４ｂの粒界を通って拡散し、貴金属層４ｂ表面に部分的に露出して酸化Ｃｒ部６を形成してしまう。この酸化Ｃｒ部６に水分子が接触することで、上記の陽極側電極の腐食が生じてしまう不都合があった。
【０００５】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高温高湿雰囲気で使用しても電極の腐食を抑制することができる温度センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部と、前記サーミスタ部に接続され前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に形成された一対の電極と、一対の前記電極を覆って形成された有機絶縁膜とを備え、前記電極が、前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層と、前記接合層上に形成された貴金属層とを備え、前記貴金属層上の少なくとも一部に酸化Ｃｒ部が露出しており、前記酸化Ｃｒ部が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で覆われていることを特徴とする。
【０００７】
この温度センサでは、貴金属層上の酸化Ｃｒ部が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で覆われているので、有機絶縁膜中の水分子が防錆皮膜によって酸化Ｃｒ部に接触できず、電極の腐食を防ぐことができる。なお、酸化Ｃｒ部が露出していない貴金属層の部分は、Ａｕ等の貴金属であるため、ほとんど腐食しない。また、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤は、腐食対象となる金属（Ｃｒ）のイオンと不溶性の塩を生成して防食性の良好な膜を形成するものである。
【０００８】
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記サーミスタ部が、薄膜状に形成された薄膜サーミスタ部であり、一対の前記電極が、少なくとも前記薄膜サーミスタ部上に互いに対向して形成された一対の対向電極であることを特徴とする。
【０００９】
第３の発明に係る温度センサは、第１又は第２の発明において、前記腐食抑制剤が、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、腐食抑制剤が、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であるので、Ｃｒに対して高い防食効果を有した防錆皮膜が得られる。
【００１０】
第４の発明に係る温度センサは、第１から第３の発明のいずれかにおいて、前記有機絶縁膜が、前記腐食抑制剤を含有していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、有機絶縁膜が、腐食抑制剤を含有しているので、有機絶縁膜自体に含まれる腐食抑制剤により、有機絶縁膜の形成時に同時に防錆皮膜を形成することができると共に、有機絶縁膜の接触面全体で電極の腐食を抑制することができる。
【００１１】
第５の発明に係る温度センサの製造方法は、第１から第４の発明のいずれかの温度センサを製造する方法であって、絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部を設ける工程と、前記サーミスタ部に接続され前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に一対の電極を形成する電極形成工程と、一対の前記電極を覆って有機絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを有し、前記電極形成工程で、前記サーミスタ部上と前記絶縁性基材上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層を形成する工程と、前記接合層上に貴金属層を形成する工程と、熱処理により前記接合層中のＣｒが前記貴金属層上の少なくとも一部に露出して酸化Ｃｒ部が形成される熱処理工程とを有し、前記絶縁膜形成工程前又は前記絶縁膜形成工程中に、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で前記酸化Ｃｒ部を覆う防錆皮膜形成工程を有していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサの製造方法では、絶縁膜形成工程前又は絶縁膜形成工程中に、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で酸化Ｃｒ部を覆う防錆皮膜形成工程を有しているので、有機絶縁膜中の水分子が防錆皮膜によって酸化Ｃｒ部に接触できず、電極の腐食を防ぐことができる。
【００１２】
第６の発明に係る温度センサの製造方法は、第５の発明において、前記腐食抑制剤が、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であることを特徴とする。
すなわち、この温度センサの製造方法では、腐食抑制剤が、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であるので、Ｃｒに対して高い防食効果を有した防錆皮膜が得られる。
【００１３】
第７の発明に係る温度センサの製造方法は、第５又は第６の発明において、前記防錆皮膜形成工程が、少なくとも前記貴金属層上の前記酸化Ｃｒ部に前記腐食抑制剤を含有した有機溶剤を付着させた後、乾燥させることを特徴とする。
すなわち、この温度センサの製造方法では、防錆皮膜形成工程が、少なくとも貴金属層上の酸化Ｃｒ部に腐食抑制剤を含有した有機溶剤を付着させた後、乾燥させるので、容易に酸化Ｃｒ部上に防錆皮膜を形成することができる。
【００１４】
第８の発明に係る温度センサの製造方法は、第５又は第６の発明において、前記絶縁膜形成工程及び前記防錆皮膜形成工程が、腐食抑制剤を含有させた前記有機絶縁膜用のペーストを前記貴金属層上に塗布して前記有機絶縁膜を形成することを特徴とする。
すなわち、この温度センサの製造方法では、絶縁膜形成工程及び防錆皮膜形成工程が、腐食抑制剤を含有させた有機絶縁膜用のペーストを貴金属層上に塗布して有機絶縁膜を形成するので、有機絶縁膜を形成すると同時に酸化Ｃｒ部上に防錆皮膜を形成することができ、防錆皮膜形成工程を別途設ける必要が無く、工程数の削減が可能である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサ及びその製造方法によれば、貴金属層上の酸化Ｃｒ部が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤で形成された防錆皮膜で覆われるので、有機絶縁膜中の水分子が防錆皮膜によって酸化Ｃｒ部に接触できず、電極の腐食を防ぐことができる。
したがって、本実施形態の温度センサ及びその製造方法では、陽極側電極の腐食発生に伴う高抵抗化を抑制し、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る温度センサ及びその製造方法の第１実施形態において、温度センサを示す要部の断面概念図である。
【図２】第１実施形態において、温度センサを示す斜視図である。
【図３】本発明に係る温度センサ及びその製造方法の第２実施形態において、温度センサを示す要部の断面概念図である。
【図４】本発明に係る温度センサ及びその製造方法の従来例において、温度センサを示す要部の断面概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る温度センサ及びその製造方法における第１実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１８】
本実施形態の温度センサ１は、図１及び図２に示すように、絶縁性基材２と、絶縁性基材２上に設けられサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部３と、サーミスタ部３に接続されサーミスタ部３上と絶縁性基材２上との少なくとも一方に形成された一対の電極４と、一対の電極４を覆って形成された有機絶縁膜５とを備えている。
【００１９】
上記電極４が、サーミスタ部３上と絶縁性基材２上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層４ａと、接合層４ａ上に形成された貴金属層４ｂとを備えている。本実施形態では、例えば接合層４ａは膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層であり、貴金属層４ｂは膜厚５０〜１０００ｎｍのＡｕ等の貴金属で形成された電極層である。
【００２０】
上記貴金属層４ｂ上の少なくとも一部には、Ｃｒ２Ｏ３等の酸化Ｃｒ部６が露出しており、酸化Ｃｒ部６が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤７ａで形成された防錆皮膜７で覆われている。
なお、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤７ａは、腐食対象となる金属（Ｃｒ）のイオンと不溶性の塩を生成して防食性の良好な膜を形成するものである。
【００２１】
上記腐食抑制剤７ａは、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸（以下、ＰＢＴとも称す）である。すなわち、腐食抑制剤７ａのＰＢＴは、貴金属層４ｂ上の酸化Ｃｒ部６表面に化学吸着で分子膜の防錆皮膜７を形成している。なお、このＰＢＴは、Ｃｒに対して高い防食効果を有していることが知られている。
【００２２】
上記一対の電極４は、少なくとも薄膜サーミスタ部のサーミスタ部３上に互いに対向して形成された一対の対向電極である。一対の電極４は、複数の櫛部４ｃを有した櫛形電極である。
上記有機絶縁膜５は、保護膜として機能し、例えば、スクリーン印刷等によりポリイミド樹脂で矩形状にパターン形成されている。
上記絶縁性基材２は、例えば長方形とされた絶縁性フィルムであり、絶縁性フィルムとしては、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性基材２の絶縁性フィルムは、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート，ＬＣＰ：液晶ポリマー等でも作製できる。
【００２３】
上記サーミスタ部３は、薄膜状に形成された薄膜サーミスタ部である。
このサーミスタ部３は、フレキシブル性を有したサーミスタ膜であって、例えばスパッタリングで成膜されたＭ−Ａｌ−Ｎ膜（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示す）である。
すなわち、サーミスタ部３は、一般式：ＭｘＡｌｙＮｚ（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示す。０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９８、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
【００２４】
なお、本実施形態では、特にＴｉ−Ａｌ−Ｎのサーミスタ材料で矩形状に形成されたサーミスタ部３を採用している。すなわち、サーミスタ部３は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
【００２５】
本実施形態の温度センサ１の製造方法は、絶縁性基材２上にサーミスタ材料で形成されたサーミスタ部３を設ける工程と、サーミスタ部３に接続されサーミスタ部３上と絶縁性基材２上との少なくとも一方に一対の電極４を形成する電極形成工程と、一対の電極４を覆って有機絶縁膜５を形成する絶縁膜形成工程とを有している。
上記電極形成工程では、サーミスタ部３上と絶縁性基材２上との少なくとも一方に形成され少なくともＣｒを含有した接合層４ａを形成する工程と、接合層４ａ上に貴金属層４ｂを形成する工程と、熱処理により接合層４ａ中のＣｒが貴金属層４ｂ上の少なくとも一部に露出して酸化Ｃｒ部６が形成される熱処理工程とを有している。
【００２６】
また、本実施形態の温度センサ１の製造方法は、上記絶縁膜形成工程前に、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤７ａで形成された防錆皮膜７で酸化Ｃｒ部６を覆う防錆皮膜形成工程を有している。
上記防錆皮膜形成工程では、少なくとも貴金属層４ｂ上の酸化Ｃｒ部６に腐食抑制剤７ａを含有した有機溶剤を付着させた後、乾燥させている。
【００２７】
上記サーミスタ部３を設ける工程では、Ｍ−Ａ合金スパッタリングターゲット（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１種を示すと共に、ＡはＡｌ又は（Ａｌ及びＳｉ）を示す。）を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行ってサーミスタ部３を成膜する。
例えば、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎのサーミスタ材料を採用する場合、その時のスパッタ条件は、例えば、組成比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｔｉ）比＝０．８５のＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、到達真空度：４×１０−５Ｐａ、スパッタガス圧：０．２Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）：２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分圧：３０％とする。
【００２８】
上記電極形成工程では、サーミスタ部３上にスパッタ法にて、例えばＣｒの接合層４ａを２０ｎｍ形成し、さらにＡｕの貴金属層４ｂを２００ｎｍ形成する。さらに、その上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントによりウェットエッチングを行い、レジスト剥離にて所望の櫛部４ｃを有した電極４を形成する。
この電極形成工程後、熱処理工程として、例えば２３０℃，２４時間の薄膜サーミスタ部用のアニールが行われる。この際、接合層４ａ中のＣｒの一部が、貴金属層４ｂの表面まで拡散して露出し、酸化してＣｒ２Ｏ３等の酸化Ｃｒ部６が形成される。
【００２９】
上記防錆皮膜形成工程では、まずＰＢＴの腐食抑制剤７ａを溶解したエタノール等の有機溶剤に、上述した電極４まで形成した温度センサを浸す。その後、この温度センサを引き上げてから自然乾燥させることで、酸化Ｃｒ部６が腐食抑制剤７ａの防錆皮膜７で覆われた状態となる。
次に、ポリイミドの有機絶縁膜５をサーミスタ部３及び電極４を覆うように、例えばスクリーン印刷で矩形状に形成することで、温度センサ１が作製される。
【００３０】
このように本実施形態の温度センサ１及びその製造方法では、貴金属層４ｂ上の酸化Ｃｒ部６が、沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤７ａで形成された防錆皮膜７で覆われるので、有機絶縁膜５中の水分子が防錆皮膜７によって酸化Ｃｒ部６に接触できず、電極４の腐食を防ぐことができる。
特に、腐食抑制剤７ａが、３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸であるので、Ｃｒに対して高い防食効果を有した防錆皮膜７が得られる。
【００３１】
また、防錆皮膜形成工程が、少なくとも貴金属層４ｂ上の酸化Ｃｒ部６に腐食抑制剤７ａを含有した有機溶剤を付着させた後、乾燥させるので、容易に酸化Ｃｒ部６上に防錆皮膜７を形成することができる。
【００３２】
次に、本発明に係る温度センサ及びその製造方法の第２実施形態について、図３を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００３３】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、絶縁膜形成工程前に防錆皮膜形成工程を有し、防錆皮膜７と有機絶縁膜５とが別々に形成されて積層されているのに対し、第２実施形態の温度センサ２１では、絶縁膜形成工程中に防錆皮膜形成工程を有し、図３に示すように、有機絶縁膜２５自体が、腐食抑制剤７ａを含有している点である。
すなわち、第２実施形態の温度センサ２１を作製するには、腐食抑制剤７ａを含有させた有機絶縁膜用のペーストを貴金属層４ｂ上に塗布して有機絶縁膜２５を形成すると共に防錆皮膜７も形成する。
【００３４】
例えば、ポリイミドのペーストにＰＢＴを溶解させておき、スクリーン印刷で有機絶縁膜２５をサーミスタ部３及び電極４上に形成する。このとき、有機絶縁膜２５中の腐食抑制剤７ａの一部が、酸化Ｃｒ部６を覆って防錆皮膜７を形成する。
このように第２実施形態の温度センサ２１及びその製造方法では、有機絶縁膜２５が、腐食抑制剤７ａを含有しているので、有機絶縁膜２５自体に含まれる腐食抑制剤７ａにより、有機絶縁膜２５の形成時に同時に防錆皮膜７を形成することができると共に、有機絶縁膜２５の接触面全体で電極４の腐食を抑制することができる。
【００３５】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述したように、腐食抑制剤として３−（２−（ベンゾチアゾリル）チオ）プロピオン酸（ＰＢＴ）を採用することが好ましいが、他のベンゾトリアゾール，メルカプトベンゾチアゾール，トリルトリアゾール等の沈殿皮膜型で金属イオン型の腐食抑制剤を採用しても構わない。
【符号の説明】
【００３６】
１，２１…温度センサ、２…絶縁性基材、３…サーミスタ部、４…電極、４ａ…接合層、４ｂ…貴金属層、５，２５…有機絶縁膜、６…酸化Ｃｒ部、７…防錆皮膜、７ａ…腐食抑制剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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