(57)【要約】【課題】種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】一実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、第１面と、第１面第２面とを含む第１層と、第３面と、第４面とを含む第２層とを有する種結晶を準備する工程と、第４面の上に炭化珪素の単結晶からなる第３層を昇華法によりエピタキシャル成長させる工程とを備える。種結晶は、平面視において、第１端と、第２端とを有する。第１層を構成する炭化珪素の単結晶における（０００−１）面は、第２端側から第１端側に向かうにしたがって第１面から離れるように傾斜している。種結晶は、第１端側に位置する第１部分と、第２端側に位置する第２部分とにより構成される。第１部分に位置する第２層中における結晶欠陥の密度は、第２部分に位置する第２層中における結晶欠陥の密度よりも高い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面の反対面である第２面とを含み、かつ炭化珪素の単結晶からなる第１層と、前記第１面に接する第３面と、前記第３面の反対面である第４面とを含み、かつ炭化珪素の単結晶からなる第２層とを有する種結晶を準備する工程と、
前記第４面の上に炭化珪素の単結晶からなる第３層を昇華法によりエピタキシャル成長させる工程とを備え、
前記種結晶は、平面視において、第１端と、前記第１端の反対側にある第２端とを有し、
前記第１層を構成する炭化珪素の単結晶における（０００−１）面は、前記第２端側から前記第１端側に向かうにしたがって前記第１面から離れるように傾斜しており、
前記種結晶は、平面視において、前記第１端側に位置する第１部分と、前記第２端側に位置する第２部分とにより構成され、
前記第１部分に位置する前記第２層中における結晶欠陥の密度は、前記第２部分に位置する前記第２層中における結晶欠陥の密度よりも高い、炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記第１部分に位置する前記第１面における不純物濃度は、前記第２部分に位置する前記第１面における不純物濃度よりも低い、請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記第２層中における不純物濃度は、前記第２部分に位置する前記第１面における不純物濃度よりも低い、請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記種結晶を準備する工程は、前記第１部分に位置する前記第２面に対してイオン注入を行う工程と、前記イオン注入の後に前記第１層を加熱する工程とを有する、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記種結晶を準備する工程は、前記加熱の後に前記第１面の上に化学気相成長法により前記第２層をエピタキシャル成長させる工程をさらに有する、請求項４に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素単結晶の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、特開２０１１−１６８４５３号公報（特許文献１）に記載の炭化珪素基板の製造方法が知られている。特許文献１に記載の炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素からなる欠陥含有基板を準備する工程と、第１外力印加工程と、第１熱処理工程とを有している。
【０００３】
欠陥含有基板は、主表面にらせん転位を含む表層部を有している。第１外力印加工程においては、主表面に対してイオン注入が行われる。このイオン注入により、表層部の結晶性が低下する。第１熱処理工程においては、熱処理が行われることにより、表層部の結晶性が回復し、表層部中におけるらせん転位の密度が、第１外力印加工程及び第１熱処理工程を行う前よりも低下する。その結果、特許文献１に記載の炭化珪素基板の製造方法によると、主表面上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性が改善される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６８４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
炭化珪素の結晶成長のための種結晶として、炭化珪素の（０００−１）面を当該種結晶の主表面に対して傾斜させたもの（以下「オフ基板」という）が用いられることがある。オフ基板を種結晶として用いる場合、オフ基板の主表面において、主表面に存在するステップ及びテラスが結晶成長のテンプレートとなる。その結果、オフ基板の結晶配列が主表面上に形成される炭化珪素の単結晶にも反映されやすくなる（主表面上に形成される炭化珪素の単結晶に異種ポリタイプが混在しにくくなる）。
【０００６】
オフ基板は、第１端と、第１端の反対側の端である第２端を有している。上記の（０００−１）面は、第２端側から第１端側に向かうにしたがって主表面からの距離が離れるように傾斜している。最も第１端側に位置する領域においては、主表面に存在するステップを結晶成長のテンプレートとすることができない。
【０００７】
主表面に存在するステップを結晶成長のテンプレートとすることができない箇所であっても、貫通らせん転位等の結晶欠陥が存在する場合、当該結晶欠陥の存在に起因して異種ポリタイプの炭化珪素の発生が抑制される。しかしながら、オフ基板に対して特許文献１に記載の方法においては、主表面の全域にわたって表層部の結晶性が改善するため、主表面に存在するステップを結晶成長のテンプレートとすることができない箇所において異種ポリタイプの炭化珪素の発生が抑制されない。
【０００８】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本発明は、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、第１面と、第１面の反対面である第２面とを含み、かつ炭化珪素の単結晶からなる第１層と、第１面に接する第３面と、第３面の反対面である第４面とを含み、かつ炭化珪素の単結晶からなる第２層とを有する種結晶を準備する工程と、第４面の上に炭化珪素の単結晶からなる第３層を昇華法によりエピタキシャル成長させる工程とを備える。種結晶は、平面視において、第１端と、第１端の反対側にある第２端とを有する。第１層を構成する炭化珪素の単結晶における（０００−１）面は、第２端側から第１端側に向かうにしたがって、第１面から離れるように傾斜している。種結晶は、平面視において、第１端側に位置する第１部分と、第２端側に位置する第２部分とにより構成される。第１部分に位置する第２層中における結晶欠陥の密度は、第２部分に位置する第２層中における結晶欠陥の密度よりも高い。
【発明の効果】
【００１０】
上記によれば、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法を示す工程図である。
【図２】種結晶１の上面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図４】第１層１１の第１面１１ａ付近における拡大模式図である。
【図５】イオン注入工程Ｓ１２における種結晶１の断面図である。
【図６】第２層形成工程Ｓ１４における種結晶１の断面図である。
【図７】エピタキシャル成長工程Ｓ２における種結晶１の断面図である。
【図８】昇華法による第３層２の形成方法を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［本発明の実施形態の説明］
まず、本発明の実施態様を列記する。
【００１３】
（１）一実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、第１面と、第１面の反対面である第２面とを含み、かつ、炭化珪素の単結晶からなる第１層と、第１面に接する第３面と、第３面の反対面である第４面とを含み、かつ、炭化珪素の単結晶からなる第２層とを有する種結晶を準備する工程と、第４面の上に炭化珪素の単結晶からなる第３層を昇華法によりエピタキシャル成長させる工程とを備える。種結晶は、平面視において、第１端と、第１端の反対側にある第２端とを有する。第１層を構成する炭化珪素の単結晶における（０００−１）面は、第２端側から第１端側に向かうにしたがって第１面から離れるように傾斜している。種結晶は、平面視において、第１端側に位置する第１部分と、第２端側に位置する第２部分とにより構成される。第１部分に位置する第２層中における結晶欠陥の密度は、第２部分に位置する第２層中における結晶欠陥の密度よりも高い。
【００１４】
上記（１）の炭化珪素単結晶の製造方法によると、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【００１５】
（２）上記（１）の炭化珪素単結晶の製造方法において、第１部分に位置する第１面における不純物濃度は、第２部分に位置する第１面における不純物濃度よりも低くてもよい。
【００１６】
上記（２）の炭化珪素単結晶の製造方法によると、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【００１７】
（３）上記（１）の炭化珪素単結晶の製造方法において、第２層中における不純物濃度は、第２部分に位置する第１面における不純物濃度より低くてもよい。
【００１８】
上記（３）の炭化珪素単結晶の製造方法によると、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【００１９】
（４）上記（１）〜上記（３）の炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶を準備する工程は、第２部分に位置する第１面に対してイオン注入を行う工程とイオン注入の後に第１層を加熱する工程とを有していてもよい。
【００２０】
上記（４）の炭化珪素単結晶の製造方法によると、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【００２１】
（５）上記（４）の炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶を準備する工程は、加熱の後に第１面の上に化学気相成長法により第２層をエピタキシャル成長させる工程をさらに有していてもよい。
【００２２】
上記（５）の炭化珪素単結晶の製造方法によると、種結晶の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【００２３】
［本発明の実施形態の詳細］
次に、本発明の実施形態の詳細を、図面を参照して説明する。なお、以下の図面においては、同一又は相当する部分に同一の符号を付し、重複する説明は繰り返さない。
【００２４】
本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に「−」（バー）を付すことによって表現される。しかしながら、本明細書においては、数字の前に負の符号を付すことによって、結晶学上の負の指数を表現するものとする。
【００２５】
（実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法）
以下に、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法を説明する。
【００２６】
図１は、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法を示す工程図である。図１に示すように、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、種結晶準備工程Ｓ１と、エピタキシャル成長工程Ｓ２とを有している。
【００２７】
種結晶準備工程Ｓ１においては、種結晶１が準備される。図２は、種結晶１の上面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。図２及び図３に示すように、種結晶１は、円板形状を有している。種結晶１は、第１層１１と、第２層１２とを有している。第１層１１及び第２層１２は、ＳｉＣ（炭化珪素）の単結晶である。第１層１１及び第２層１２を構成する炭化珪素の単結晶のポリタイプは、例えば４Ｈである。
【００２８】
第１層１１は、第１面１１ａと、第２面１１ｂとを有している。第２面１１ｂは、第１面１１ａの反対面である。第１面１１ａ及び第２面１１ｂは、第１層１１の主面を構成している。第２層１２は、第３面１２ａと、第４面１２ｂとを有している。第３面１２ａは、第１面１１ａに接している。第４面１２ｂは、第３面１２ａの反対面である。第３面１２ａ及び第４面１２ｂは、第２層１２の主面を構成している。
【００２９】
第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶の（０００−１）面は、第１面１１ａに対して傾斜している。なお、図３及び図４中において、第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶の（０００−１）面は、点線により示されている。第１面１１ａは、例えば、第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶の＜１１−２０＞方向に沿っている。第１面１１ａと第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶の（０００−１）面とがなす角度θは、例えば、４°である。
【００３０】
図４は、第１層１１の第１面１１ａ付近における拡大模式図である。図４に示すように、第１面１１ａは、複数のステップ１１ａａと、複数のテラス１１ａｂとを含んでいる。隣り合うテラス１１ａｂは、その間に位置するステップ１１ａａに連なっている。但し、最も第１端１ａ側に位置するテラス１１ａｂは、第１端１ａ側において、ステップ１１ａａに連なっていない。テラス１１ａｂは、第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶の（０００−１）面で構成されている。
【００３１】
テラス１１ａｂは、幅Ｗ１を有している。幅Ｗ１は、第１端１ａから第２端１ｂに向かう方向におけるテラス１１ａｂの幅である。
【００３２】
種結晶１は、平面視において、第１端１ａと、第２端１ｂとを有している。ここで、「平面視」とは、種結晶１を第４面１２ｂに直交する方向から見た場合をいう。第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶の（０００−１）面は、第２端１ｂ側から第１端１ａ側に向かうにしたがって、第１面１１ａとの距離が離れるように傾斜している。
【００３３】
種結晶１は、第１部分１ｃと第２部分１ｄとを有している。第１部分１ｃは、平面視において、第１端１ａ側に位置している。第２部分１ｄは、平面視において、第２端１ｂ側に位置している。
【００３４】
第１部分１ｃと第２部分１ｄとの境界は、第１端１ａから第２端１ｂに向かう方向に直交していることが好ましい。第１部分１ｃは、幅Ｗ２を有している。幅Ｗ２は、第１端１ａから第２端１ｂに向かう方向における第１部分１ｃの幅である。幅Ｗ２は、Ｗ１×ｓｉｎθ以上である。すなわち、少なくとも最も第１端１ａ側に位置しているテラス１１ａｂは、第１部分１ｃに含まれている。
【００３５】
種結晶準備工程Ｓ１は、準備工程Ｓ１１と、イオン注入工程Ｓ１２と、熱処理工程Ｓ１３と、第２層形成工程Ｓ１４とを有している。準備工程Ｓ１１においては、第１層１１を構成する炭化珪素の単結晶が準備される。
【００３６】
図５は、イオン注入工程Ｓ１２における種結晶１の断面図である。図５に示すように、イオン注入工程Ｓ１２においては、第１層１１に対してイオン注入が行われる。このイオン注入は、第１面１１ａに対して行われる。より具体的には、このイオン注入は、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａに対して行われ、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａに対しては行われない。
【００３７】
イオン注入工程Ｓ１２において注入されるイオンは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐ（リン）である。但し、イオン注入工程Ｓ１２において注入されるイオンは、これに限られるものではない。
【００３８】
イオン注入工程Ｓ１２が行われる温度は、例えば、５００℃である。イオン注入工程Ｓ１２は、例えば、１×１０２０ｃｍ−３の注入量、深さ０．５μｍのボックスプロファイルで行われる。但し、イオン注入工程Ｓ１２におけるイオン注入条件は、これに限られるものではない。
【００３９】
イオン注入工程Ｓ１２においては、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａは、マスクＭにより被覆される。これにより、イオン注入は、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａに対して行われるが、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａに対しては行われない。マスクＭは、例えば、ＳｉＯ２（二酸化珪素）、金属膜により形成される。
【００４０】
イオン注入工程Ｓ１２が行われた結果、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａにおける不純物濃度は、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける不純物濃度よりも低くなる。なお、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａにおける不純物濃度及び第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける不純物濃度は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）により測定される。
【００４１】
熱処理工程Ｓ１３においては、第１層１１が加熱される。上記のとおり、イオン注入工程Ｓ１２において、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａに対するイオン注入が行われているため、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける炭化珪素の結晶構造が乱れている。上記の加熱が行われることにより、この結晶構造の乱れが回復する。この際に、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度が減少する。ここで、「結晶欠陥の密度」とは、炭化珪素の単結晶に含まれる貫通らせん転位及びその他の結晶欠陥の単位体積当たりの数である。なお、炭化珪素の単結晶中における結晶欠陥の密度が大きくなるほど、炭化珪素の単結晶に含まれる貫通らせん転位の密度も大きくなる。
【００４２】
他方で、イオン注入工程Ｓ１２において、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａに対してはイオン注入が行われていない。そのため、上記の加熱が行われたとしても、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度は、あまり変化しない。したがって、熱処理工程Ｓ１３が行われた後においては、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度は、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度よりも、高くなっている。上記のとおり、結晶欠陥の密度が低くなるほど、結晶欠陥の一種である貫通らせん転位の密度も低くなる。したがって、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａにおける貫通らせん転位の密度は、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける貫通らせん転位の密度よりも高くなっている。ここで、「貫通らせん転位の密度」の密度とは、炭化珪素の単結晶に含まれる貫通らせん転位の単位体積当たりの数である。
【００４３】
図６は、第２層形成工程Ｓ１４における種結晶１の断面図である。図６に示すように、第２層形成工程Ｓ１４においては、第２層１２の形成が行われる。第２層１２は、第１面１１ａの上に形成される。第２層１２の形成は、化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical  Vapor  Deposition）により行われる。なお、このＣＶＤに際しては、第２層１２に不純物がドーピングされなくてもよい。
【００４４】
第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）は、第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）が低くなるにしたがって低くなる。そのため、第１部分１ｃに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）は、第２部分１ｄに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）よりも高くなる。
【００４５】
なお、第１部分１ｃに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）及び第２部分１ｄに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）は、例えばフォトルミネッセンス法により測定される。第１部分１ｃに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）及び第２部分１ｄに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）は、第２層１２の表面を水酸化カリウム（ＫＯＨ）等でエッチングするとともに、エッチングされた第２層１２の表面に露出した貫通らせん転位等の結晶欠陥の数を計測することにより測定されてもよい。
【００４６】
第２層１２がＣＶＤにより形成される際に不純物がドーピングされない場合、第２層１２中における不純物濃度は、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける不純物濃度よりも低くなる。
【００４７】
図７は、エピタキシャル成長工程Ｓ２における種結晶１の断面図である。図７に示すように、エピタキシャル成長工程Ｓ２においては、第３層２の形成が行われる。第３層２は、第４面１２ｂの上に形成される。第３層２の形成は、昇華法により形成される。第３層２は、炭化珪素の単結晶により構成されている。
【００４８】
図８は、昇華法による第３層２の形成方法を示す模式図である。図８に示すように、坩堝３の内部には、原料３１が配置される。原料３１は、例えば、炭化珪素の粉末である。種結晶１は、坩堝３の内部に配置される。種結晶１は、第４面１２ｂが原料３１と対向するように配置される。エピタキシャル成長工程Ｓ２においては、坩堝３の加熱が行われる。この加熱は、坩堝３内の温度分布が、原料３１側から種結晶１側に向かうにしたがって低くなるように行われる。
【００４９】
原料３１は、上記の加熱で昇華されることにより、シリコン（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）を含むガスとなる。このガスは、種結晶１付近に輸送される。種結晶１付近の温度は、原料３１付近の温度よりも低いため、このガスに含まれるシリコン及び炭素が、第４面１２ｂ上において過飽和となり、炭化珪素として凝結する。これにより、第４面１２ｂ上において、第３層２が形成される。
【００５０】
第３層２の形成後においては、種結晶１の除去が行われる。以上により、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法が完了する。
【００５１】
（実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法の効果）
以下に、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法の効果を説明する。
【００５２】
上記のとおり、第１面１１ａは、ステップ１１ａａと、テラス１１ａｂとにより構成されているため、第２層１２を構成する炭化珪素の結晶は、ステップ１１ａａからテラス１１ａｂに沿って横方向に成長する（ステップフロー成長）。そのため、第２層１２を構成する炭化珪素の結晶は、ステップ１１ａａの結晶配列及びテラス１１ａｂの結晶配列の双方をテンプレートとして成長するため、異種ポリタイプが発生しにくい。
【００５３】
最も第１端１ａ側に位置するテラス１１ａｂは、第１端１ａ側においてステップ１１ａａに連なっていないため、最も第１端１ａ側に位置するテラス１１ａｂの上に成長する炭化珪素の結晶は、ステップ１１ａａをテンプレートとすることはできない。その代わり、第１面１１ａに存在する貫通らせん転位等の結晶欠陥が結晶成長の起点となり、異種ポリタイプの発生が抑制される。
【００５４】
しかしながら、第１面１１ａに存在する貫通らせん転位等の結晶欠陥の数が全面的に減少すると、最も第１端１ａ側に位置するテラス１１ａｂ上において、貫通らせん転位等の結晶欠陥が結晶成長の起点になりにくくなるため、異種ポリタイプの炭化珪素の結晶が発生しやすくなる。
【００５５】
この点、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法に用いられる種結晶１においては、第１部分１ｃに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）が、第２部分１ｄに位置する第２層１２中における結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）よりも低くなっている。すなわち、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａに対してのみイオン注入及びそれに伴う結晶性の回復が生じているため、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）が、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａにおける結晶欠陥の密度（貫通らせん転位の密度）よりも低くなっている。
【００５６】
そのため、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法に用いられる種結晶１においては、第１部分１ｃに位置する第１面１１ａ上において炭化珪素の単結晶が貫通らせん転位を起点として結晶成長しやすく、異種ポリタイプの発生が抑制される。他方、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａ上においては、結晶欠陥の密度が相対的に低くなっているため、第２部分１ｄに位置する第１面１１ａ上にエピタキシャル成長される第２層１２及び第３層２の結晶欠陥の密度を低減することができる。
【００５７】
以上から、実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法によると、種結晶１の上に形成される炭化珪素の単結晶の結晶性を改善しつつ、異種ポリタイプの発生をさらに抑制することができる。
【００５８】
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５９】
１  種結晶
１ａ  第１端
１ｂ  第２端
１ｃ  第１部分
１ｄ  第２部分
１１  第１層
１１ａ  第１面
１１ａａ  ステップ
１１ａｂ  テラス
１１ｂ  第２面
１２  第２層
１２ａ  第３面
１２ｂ  第４面
２  第３層
３  坩堝
３１  原料
Ｍ  マスク
Ｓ１  種結晶準備工程
Ｓ１１  準備工程
Ｓ１２  イオン注入工程
Ｓ１３  熱処理工程
Ｓ１４  第２層形成工程
Ｓ２  エピタキシャル成長工程
Ｗ１，Ｗ２  幅
【図１】
2019112278.tif 000003
【図２】
2019112278.tif 000004
【図３】
2019112278.tif 000005
【図４】
2019112278.tif 000006
【図５】
2019112278.tif 000007
【図６】
2019112278.tif 000008
【図７】
2019112278.tif 000009
【図８】
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