(57)【要約】【課題】製造コストの低減及び製造時間の短縮を図ることのできる表面処理方法の提供。【解決手段】当該表面処理方法では、第一のノズル（７０）と、第二のノズル（８０）と、を同一室（１）内に配置したまま、第一のノズル（７０）が酸化スズ粒子をエアロゾル化してステンレス基板（Ｃ１０）に第一の粒子速度Ｖ１で噴射する。第二のノズル（８０）が酸化スズ粒子をエアロゾル化してステンレス基板（Ｃ１０）に、第一の粒子速度Ｖ１よりも高い第二の粒子速度Ｖ２で噴射する。【選択図】図１
2019199627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のノズルと、第二のノズルと、を同一室内に配置したまま、
前記第一のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化してステンレス基板に第一の粒子速度Ｖ１で噴射した後、
前記第二のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化して前記ステンレス基板に、前記第一の粒子速度Ｖ１よりも高い第二の粒子速度Ｖ２で噴射する、
表面処理方法。
【請求項２】
前記第一のノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、70〜260atto Jであり、
前記第二のノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、1100〜2200atto Jである、
ことを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
第一のノズルと、第二のノズルと、を備える表面処理装置であって、
前記第一のノズルと、前記第二のノズルと、を同一室内に配置したまま、
前記第一のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化してステンレス基板に第一の粒子速度Ｖ１で噴射した後、
前記第二のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化して前記ステンレス基板に、前記第一の粒子速度Ｖ１よりも高い第二の粒子速度Ｖ２で噴射する、
表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理方法及び表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、水素イオンを接触させることによって不働態膜を除去し、さらに金メッキを施す表面処理方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１４９６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した表面処理方法では、金（Ａｕ）を使用しているから、製造コストを低減する余地があった。また、メッキ液を洗い流す工程等を必要とするから、製造時間を短縮する余地があった。
【０００５】
本発明は、製造コストの低減及び製造時間の短縮を図るものとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる表面処理方法は、
第一のノズルと、第二のノズルと、を同一室内に配置したまま、
前記第一のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化してステンレス基板に第一の粒子速度Ｖ１で噴射した後、
前記第二のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化して前記ステンレス基板に、前記第一の粒子速度Ｖ１よりも高い第二の粒子速度Ｖ２で噴射する。
【０００７】
このような構成によれば、第一のノズルによる酸化スズ粒子の噴射によってステンレス基板の不働態膜を除去する。その後、第二のノズルによる酸化スズ粒子の噴射によって、ステンレス基板に酸化スズ膜を形成する。不働態膜の除去と、酸化スズ膜の形成とを、同一手法としての酸化スズ粒子の噴射を用いて行う。これによって、不働態膜の除去と、酸化スズ膜の形成とを、同一室内において連続して行うことが容易である。したがって、不働態膜を除去した後、ステンレス基板の表面の酸化を防止しつつ、製造コストの低減及び製造時間の短縮を図ることができる。
【０００８】
また、前記第一のノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、70〜260atto Jであり、前記第二のノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、1100〜2200atto Jであることを特徴としてもよい。
【０００９】
このような構成によれば、第一のノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、70atto J以上であると、不働態膜を十分に除去できる。また、この運動エネルギーが260atto J以下であると、不働態膜の除去効率が良好である。また、第二のノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、1100atto J以上であると、酸化スズ粒子の殆どがステンレス基板の表面において十分に破壊され、良好な成膜効率で酸化スズ膜を成膜できる。また、この運動エネルギーが2200atto J以下であると、酸化スズ粒子同士が凝集することを抑制し、良好な成膜効率を維持する。
【００１０】
本発明にかかる表面処理装置は、
第一のノズルと、第二のノズルと、を備える表面処理装置であって、
前記第一のノズルと、前記第二のノズルと、を同一室内に配置したまま、
前記第一のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化してステンレス基板に第一の粒子速度Ｖ１で噴射した後、
前記第二のノズルが酸化スズ粒子をエアロゾル化して前記ステンレス基板に、前記第一の粒子速度Ｖ１よりも高い第二の粒子速度Ｖ２で噴射する。
【００１１】
このような構成によれば、第一のノズルによる酸化スズ粒子の噴射によってステンレス基板の不働態膜を除去する。その後、第二のノズルによる酸化スズ粒子の噴射によって、ステンレス基板に酸化スズ膜を形成する。不働態膜の除去と、酸化スズ膜の形成とを、同一手法としての酸化スズ粒子の噴射を用いて行う。これによって、不働態膜の除去と、酸化スズ膜の形成とを、同一室内において連続して行うことが容易である。したがって、不働態膜を除去した後、ステンレス基板の表面の酸化を防止しつつ、製造コストの低減及び製造時間の短縮を図ることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、製造コストの低減及び製造時間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１にかかる表面処理方法を示す概略図である。
【図２】実施の形態１にかかる表面処理方法を示すフローチャートである。
【図３】実施の形態１にかかる表面処理装置を示す概略図である。
【図４】実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例を示すフローチャートである。
【図５】運動エネルギーに対するＳＵＳ基材の接触抵抗を示すグラフである。
【図６】粒子速度に対するＳＵＳ基材の接触抵抗を示すグラフである。
【図７】運動エネルギーに対する温水浸漬後の接触抵抗を示すグラフである。
【図８】粒子速度に対する温水浸漬後の接触抵抗を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
【００１５】
（実施の形態１）
図１及び図２を参照して実施の形態１にかかる表面処理方法について説明する。図１は、実施の形態１にかかる表面処理方法を示す概略図である。図２は、実施の形態１にかかる表面処理方法を示すフローチャートである。なお、当然のことながら、図１及びその他の図面に示した右手系ｘｙｚ座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、ｚ軸プラス向きが鉛直上向き、ｘｙ平面が水平面であり、図面間で共通である。
【００１６】
図１に示すように、表面処理方法に先立って、ステンレス基板Ｃ１０を、搬送方向において上流側Ｃ１から下流側Ｃ２（ここでは、Ｙ軸マイナス側）へ向かって搬送する。ステンレス基板Ｃ１０は、ステンレス鋼からなる基板である。上流側Ｃ１から搬送された直後において、ステンレス基板Ｃ１０の表面は、不働態膜Ｃ１１に覆われている。第一のノズル７０と第二のノズル８０とは、ステンレス基板Ｃ１０と対向するように配置され、第二のノズル８０は、第一のノズル７０よりも下流側Ｃ２に配置されている。
【００１７】
まず、酸化スズ粒子をエアロゾル化して、第一のノズル７０から第一の粒子速度Ｖ１でステンレス基板Ｃ１０に噴射する（不働態膜除去ステップＳＴ１）。この吹き付けた酸化スズ粒子が不働態膜Ｃ１１に衝突し、不働態膜Ｃ１１をステンレス基板Ｃ１０の表面から除去する。
【００１８】
さらに、酸化スズ粒子をエアロゾル化して、第二のノズル８０から第二の粒子速度Ｖ２でステンレス基板Ｃ１０に噴射する（酸化スズ膜形成ステップＳＴ２）。この吹き付けた酸化スズ粒子が、不働態膜Ｃ１１が除去されたばかりのステンレス基板Ｃ１０の表面に直接衝突する。これによって、酸化スズ膜Ｃ１２をステンレス基板Ｃ１０の表面に形成する。第二の粒子速度Ｖ２は、第一の粒子速度Ｖ１と比較して高い。
【００１９】
以上、酸化スズ粒子の噴射を用いて、不働態膜Ｃ１１をステンレス基板Ｃ１０の表面から除去した後、さらに、酸化スズ膜Ｃ１２をステンレス基板Ｃ１０の表面に形成する。つまり、不働態膜Ｃ１１の除去と、酸化スズ膜Ｃ１２の形成とを、同一方法である酸化スズ粒子の噴射を用いて行うことによって、同一室内での連続的に容易に行うことができる。したがって、不働態膜Ｃ１１の除去後におけるステンレス基板Ｃ１０の表面酸化を防止しつつ製造コスト及び製造時間の削減を図ることができる。
【００２０】
（表面処理装置）
次に、図３を参照して、実施の形態１にかかる表面処理装置について説明する。図３は、実施の形態１にかかる表面処理装置を示す概略図である。実施の形態１にかかる表面処理装置は、上記した実施の形態１にかかる表面処理方法において利用することができる。
【００２１】
図３に示すように、表面処理装置１００は、低圧室１と、真空ポンプ２と、基板搬送台３と、送出軸４と、巻取軸５と、第一のノズル７０と、第二のノズル８０とを備える。
【００２２】
低圧室１は、所定の密閉性を有し、低圧室１の内側空間１ａは、低圧室１の外側空間から遮断される。低圧室１の側壁に真空ポンプ２が設けられている。低圧室１の内側空間１ａには、基板搬送台３と、送出軸４と、巻取軸５と、第一のノズル７０と、第二のノズル８０とが配置されている。
【００２３】
真空ポンプ２は、低圧室１の内側空間１ａに充填されているガスを、適宜、低圧室１の外側空間へ排出する。このガスは、不活性ガスであるとよく、例えば、窒素ガス等である。真空ポンプ２は、低圧室１の内側空間１ａの圧力を低圧室１の外側空間の圧力よりも低減させる。また、真空ポンプ２は、低圧室１の内側空間１ａの圧力を、所定の範囲内に維持することができる。
【００２４】
送出軸４と、巻取軸５とは、所定の間隔を空けて配置される。送出軸４には、ステンレス基板Ｃ１０の少なくとも一端が巻かれている。巻取軸５には、ステンレス基板Ｃ１０の少なくとも他端が巻かれている。
【００２５】
基板搬送台３は、ワークＷ１を搬送させる搬送面３ａを備え、搬送面３ａは、例えば、一方向（ここでは、Ｙ軸方向）に延びて、移動する。基板搬送台３は、例えば、ベルトコンベアである。基板搬送台３は、送出軸４と巻取軸５と所定の間隔を空けて配置される。基板支持ローラ６１は、基板搬送台３における送出軸４側の端部近傍において回転可能に設けられている。基板支持ローラ６１と基板搬送台３とがステンレス基板Ｃ１０を挟む。基板支持ローラ６２は、基板搬送台３における巻取軸５側の端部近傍において回転可能に設けられている。基板支持ローラ６２と基板搬送台３とがステンレス基板Ｃ１０を挟む。送出軸４と巻取軸５とが、時計回り方向に回転し、ワークＷ１を搬送させる。
【００２６】
第一のノズル７０は、エアロゾル化チャンバー７１に接続され、エアロゾル化チャンバー７１は、ガスボンベ７２に接続されている。図３に示す一例では、エアロゾル化チャンバー７１と、ガスボンベ７２とは、低圧室１の外側に配置されている。
【００２７】
ガスボンベ７２は、所定の種類のガスを貯蔵している。このようなガスとして、多種多様なガス、例えば、窒素ガス、乾燥空気等が挙げられる。このようなガスは、酸素の含有量が低いと、ステンレス基板Ｃ１０の表面が酸化し難くなり、好ましい。したがって、窒素ガスは、乾燥空気と比較して、ステンレス基板Ｃ１０の表面が酸化し難いので、好ましい。
【００２８】
なお、コンプレッサをエアロゾル化チャンバー７１に接続し、大気を供給してもよい。この場合、コンプレッサとエアロゾル化チャンバー７１との間に固形物除去フィルタを設けると、大気中の浮遊固形物がこの固形物除去フィルタによって止められて、酸化スズ膜まで到達できない。そのため、浮遊固形物による酸化スズ膜の汚染を抑制するため、好ましい。
【００２９】
エアロゾル化チャンバー７１は、酸化スズ粒子を備えればよく、このような酸化スズ粒子は、例えば、アンチモンドープ酸化スズ粒子である。このような酸化スズ粒子の粒径は、所定の範囲内の大きさを有するとよく、例えば、１０nmである。また、酸化スズ粒子は、真空乾燥した後、エアロゾル化チャンバー７１内に充填するとよい。
【００３０】
ガスボンベ７２は、ガスをエアロゾル化チャンバー７１に供給し、エアロゾル化チャンバー７１は、供給されたガスによって酸化スズ粒子をエアロゾル化して、第一のノズル７０へ供給する。第一のノズル７０が、エアロゾル化した酸化スズ粒子を第一の粒子速度Ｖ１で噴射する。第一の粒子速度Ｖ１は、適宜、低圧室１の内側空間１ａの圧力や、第一のノズル７０とステンレス基板Ｃ１０との距離を調整する等して変更することができる。第一の粒子速度Ｖ１を変更することによって、第一のノズル７０が噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーも変更することができる。
【００３１】
第二のノズル８０は、第一のノズル７０よりも下流側Ｃ２に配置されている。第二のノズル８０は、エアロゾル化チャンバー８１に接続され、エアロゾル化チャンバー８１は、ガスボンベ８２に接続されている。図３に示す一例では、エアロゾル化チャンバー８１と、ガスボンベ８２とは、低圧室１の外側に配置されている。
【００３２】
ガスボンベ８２は、ガスボンベ７２と同じ構成であるとよい。ガスボンベ８２が貯蔵するガスも、ガスボンベ７２が貯蔵するガスと同じ構成であるとよい。ガスボンベ８２内のガス圧力は、ガスボンベ７２内のガス圧力と比較して高い。また、ガスボンベ７２と同様に、コンプレッサをエアロゾル化チャンバー８１に接続し、大気を供給してもよい。また、この場合、コンプレッサとエアロゾル化チャンバー８１との間に固形物除去フィルタを設けると、上記したコンプレッサとエアロゾル化チャンバー７１との間に固形物除去フィルタと同様の理由により、好ましい。
【００３３】
エアロゾル化チャンバー８１は、エアロゾル化チャンバー７１と同じ構成であるとよい。エアロゾル化チャンバー８１が備える酸化スズ粒子も、エアロゾル化チャンバー８１が備える酸化スズ粒子と同じ構成であるとよい。
【００３４】
ガスボンベ８２は、ガスをエアロゾル化チャンバー８１に供給し、エアロゾル化チャンバー８１は、供給されたガスによって酸化スズ粒子をエアロゾル化して、第二のノズル８０へ供給する。第二のノズル８０が、エアロゾル化した酸化スズ粒子を第二の粒子速度Ｖ２で噴射する。第二の粒子速度Ｖ２は、第一の粒子速度Ｖ１と比較して高い。そのため、ガスボンベ８２内のガス圧力は、ガスボンベ７２内のガス圧力と比較して高いとよい。第二の粒子速度Ｖ２は、適宜、低圧室１の内側空間１ａの圧力や、第二のノズル８０とステンレス基板Ｃ１０との距離を調整する等して変更することができる。第二の粒子速度Ｖ２を変更することによって、第二のノズル８０が噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーも変更することができる。
【００３５】
（実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例）
次に、図３及び図４を参照して実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例について説明する。図４は、実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例を示すフローチャートである。実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例は、表面処理装置１００を用いて実施することができる。
【００３６】
まず、真空ポンプ２が低圧室１の内側空間１ａから外側空間にガスを排出し、低圧室１の内側空間１ａにおけるガス圧力を所定の範囲内に降下させる（圧力降下ステップＳＴ２１）、その後、低圧室１の内側空間１ａにおけるガス圧力を所定の範囲内に維持する。低圧室１の内側空間１ａにおけるガス圧力は、低圧室１の外側空間におけるガス圧力と比較して小さい。
【００３７】
続いて、送出軸４及び巻取軸５が所定の方向に回転し、ステンレス基板Ｃ１０を送出軸４から巻取軸５へ搬送させる（送出ステップＳＴ２２）。なお、送出ステップＳＴ２２〜巻取ステップＳＴ２５では、ステンレス基板Ｃ１０の一部位を実施することを順番に述べたものであり、ステンレス基板Ｃ１０の全体について同時連続的に行うことができる。
【００３８】
続いて、酸化スズ粒子をエアロゾル化して、第一のノズル７０から第一の粒子速度Ｖ１でステンレス基板Ｃ１０に噴射する（不働態膜除去ステップＳＴ２３）。この吹き付けた酸化スズ粒子が不働態膜Ｃ１１に衝突し、不働態膜Ｃ１１をステンレス基板Ｃ１０の表面から除去する。なお、真空ポンプ２が、この衝突した酸化スズ粒子や、この除去された不働態膜Ｃ１１を吸引することによって、低圧室１の内側空間１ａから除去してもよい。
【００３９】
続いて、酸化スズ粒子をエアロゾル化して、第二のノズル８０から第二の粒子速度Ｖ２でステンレス基板Ｃ１０に噴射する（酸化スズ膜形成ステップＳＴ２４）。この吹き付けた酸化スズ粒子がステンレス基板Ｃ１０の表面に直接衝突し、酸化スズ膜Ｃ１２をステンレス基板Ｃ１０の表面に形成する。第二の粒子速度Ｖ２は、第一の粒子速度Ｖ１と比較して高い。
【００４０】
その後、巻取軸５が、酸化スズ膜Ｃ１２の形成されたステンレス基板Ｃ１０を巻き取る（巻取ステップＳＴ２５）。
【００４１】
以上、酸化スズ粒子の噴射を用いて、不働態膜Ｃ１１をステンレス基板Ｃ１０の表面から除去した後、さらに、酸化スズ膜Ｃ１２をステンレス基板Ｃ１０の表面に形成する。つまり、不働態膜Ｃ１１の除去と、酸化スズ膜Ｃ１２の形成とを、同一方法である酸化スズ粒子の噴射を用いて行うことによって、同一の低圧室１内での連続的に容易に行うことができる。したがって、不働態膜Ｃ１１の除去後におけるステンレス基板Ｃ１０の表面酸化を防止しつつ製造コスト及び製造時間の削減を図ることができる。
【実施例】
【００４２】
（実験１）
次に、図５及び図６を参照して、上記した実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例を用いて行った実験について説明する。図５は、運動エネルギーに対するＳＵＳ基材の接触抵抗を示すグラフである。図６は、粒子速度に対するＳＵＳ基材の接触抵抗を示すグラフである。なお、図６に示すグラフは、図５に示すグラフにおいて、横軸を運動エネルギーから粒子速度に置き換えたものである。
【００４３】
ステンレス基板Ｃ１０として、厚さ0.１mm、かつ、ＳＵＳ４４７からなるコイル（ＳＵＳ基材）を用いた。酸化スズ粒子として、粒径10nmのアンチモンドープ酸化スズ粒子（市販品、三菱マテリアル製「Ｔ−１」）を用いた。アンチモンドープ酸化スズ粒子の運動エネルギーは、アンチモンドープ酸化スズ粒子の重量と速度を用いて、算出した。アンチモンドープ酸化スズ粒子の重量は、粒径と、公知のアンチモンドープ酸化スズの密度とを用いて算出した。粒子の速度は、市販の溶射状況解析装置を用いて解析した。この溶射状況解析装置は、カメラとパーソナルコンピュータを用いて溶射状況を解析することができる。
【００４４】
上記した表面処理方法の一具体例の圧力降下ステップＳＴ２１〜不働態膜除去ステップＳＴ２３を実施し、不働態膜Ｃ１１の除去されたステンレス基板Ｃ１０の一例を形成した。不働態膜除去ステップＳＴ２３に相当するステップでは、第一のノズル７０に相当するノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーは、約0〜400atto Jの範囲内において複数の水準を設定した。なお、この運動エネルギーの範囲約0〜400atto Jを粒子速度に換算すると、粒子速度の範囲約0〜150m/secに相当する。
【００４５】
不働態膜Ｃ１１が除去されたことを確認するため、この不働態膜Ｃ１１の除去されたステンレス基板Ｃ１０の一例の接触抵抗を測定した。具体的には、まず、このステンレス基板において不働態膜が除去された表面と、金メッキした銅板との間にカーボンペーパー（市販品、東レ製「TGP-H-120」）を挟み、圧力を圧力値0.98Mpaでかける。さらに、この圧力をかけつつ、このステンレス基板と、この銅板との間に定電流を印加したとき、このステンレス基板の面とカーボンペーパー間の電圧値を計測した。この計測した電圧値に基づいて接触抵抗を求め、この接触抵抗を図５に示した。酸化スズ粒子の運動エネルギーを粒子速度に換算して、この接触抵抗を図６に示した。ここでは、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２以下ならば、不働態膜が十分に除去されたとし、7.5mΩ・cm２を超えれば、不働態膜が十分に除去されなかったと判定した。
【００４６】
図５に示すように、不働態膜除去ステップＳＴ２３に相当するステップで、第一のノズル７０に相当するノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギー70atto J未満、及び260atto Jを超えた場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２を超えており、不働態膜が十分に除去されなかったと判定した。一方、酸化スズ粒子の運動エネルギー70atto J以上、260atto J以下である場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２以下であり、不働態膜が十分に除去されたと判定した。よって、酸化スズ粒子の運動エネルギーが70atto J以上、260atto J以下の範囲内であると、不働態膜を十分に除去することができて、好ましい。
【００４７】
また、図６に示すように、酸化スズ粒子の粒子速度60m/sec未満、及び120m/secを超えた場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２を超えており、不働態膜が十分に除去されなかったと判定した。一方、粒子速度60m/sec以上、及び120m/sec以下である場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２以下であり、不働態膜が十分に除去されたと判定した。よって、酸化スズ粒子の粒子速度が60m/sec以上、及び120m/sec以下の範囲内であると、不働態膜を十分に除去することができて、好ましい。
【００４８】
（実験２）
次に、図７及び図８を参照して、上記した実施の形態１にかかる表面処理方法の一具体例を用いて行った他の実験について説明する。図７は、運動エネルギーに対する温水浸漬後の接触抵抗を示すグラフである。図８は、粒子速度に対する温水浸漬後の接触抵抗を示すグラフである。なお、図８に示すグラフは、図７に示すグラフにおいて、横軸を運動エネルギーから粒子速度に置き換えたものである。
【００４９】
また、上記した表面処理方法の一具体例の圧力降下ステップＳＴ２１〜酸化スズ膜形成ステップＳＴ２４を実施し、酸化スズ膜Ｃ１２の形成されたステンレス基板Ｃ１０の一例を形成した。酸化スズ膜形成ステップＳＴ２４に相当するステップで、第二のノズル８０に相当するノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギー約400〜4000atto Jの範囲内において、複数の水準を設定した。なお、運動エネルギーの範囲約400〜4000atto Jを粒子速度に換算すると、粒子速度の範囲約150〜500m/secに相当する。
【００５０】
酸化スズ膜Ｃ１２の導電性を評価するため、この酸化スズ膜Ｃ１２の形成されたステンレス基板Ｃ１０の一例の接触抵抗を測定した。具体的には、まず、このステンレス基板Ｃ１０の一例にかかる試験片を80℃のイオン交換水に100時間浸漬する温水浸漬試験を行った。この温水浸漬試験を行った後、このステンレス基板Ｃ１０の一例において酸化スズ膜が形成された表面と、金メッキした銅板との間にカーボンペーパーを挟み、圧力を圧力値0.98Mpaでかける。さらに、この圧力をかけつつ、このステンレス基板と、この銅板との間に定電流を印加したとき、このステンレス基板の面とカーボンペーパー間の電圧値を計測した。この計測した電圧値に基づいて接触抵抗を求め、酸化スズ粒子の運動エネルギーに対するこの接触抵抗を図７に示した。酸化スズ粒子の運動エネルギーを粒子速度に換算して、酸化スズ粒子の粒子速度に対するこの接触抵抗を図８に示した。ここでは、接触抵抗が、75mΩ・cm２以下ならば、このステンレス基板Ｃ１０の一例における酸化スズ膜の導電性は良好とし、接触抵抗が、75mΩ・cm２を超えれば、この酸化スズ膜の導電性は不良と判定した。
【００５１】
図７に示すように、酸化スズ膜形成ステップＳＴ２４に相当するステップで、第二のノズル８０に相当するノズルが噴射した酸化スズ粒子の運動エネルギーが1100atto J未満、及び2200atto Jを超えた場合がある。このような場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２を超えており、酸化スズ膜の導電性が不良と判定した。一方、この酸化スズ粒子の運動エネルギー1100atto J以上、2200atto J以下である場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２以下であり、酸化スズ膜の導電性が良好と判定した。よって、この酸化スズ粒子の運動エネルギーが1100atto J以上、2200atto J以下の範囲内であると、酸化スズ膜の導電性が良好であるため、好ましい。
【００５２】
また、図８に示すように、この酸化スズ粒子の粒子速度250m/sec未満、及び350m/secを超えた場合がある。このような場合、接触抵抗が、7.5mΩ・cm２を超えており、酸化スズ膜の導電性が不良と判定した。一方、粒子速度250m/sec以上、及び350m/sec以下である場合、この接触抵抗が、7.5mΩ・cm２以下であり、酸化スズ膜の導電性が良好と判定した。よって、この酸化スズ粒子の粒子速度が250m/sec以上、及び350m/sec以下の範囲内であると、酸化スズ膜の導電性が良好であるため、好ましい。
【００５３】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  表面処理装置
１  低圧室                                １ａ  内側空間
２  真空ポンプ
３  基板搬送台                            ３ａ  搬送面
４  送出軸                                ５  巻取軸
６１、６２  基板支持ローラ
７０  第一のノズル                        ８０  第二のノズル
７１、８１  エアロゾル化チャンバー        ７２、８２  ガスボンベ
Ｃ１  上流側                              Ｃ２  下流側
Ｃ１０  ステンレス基板
Ｃ１１  不働態膜                          Ｃ１２  酸化スズ膜
ＳＴ１、ＳＴ２３  不働態膜除去ステップ      
ＳＴ２、ＳＴ２４  酸化スズ膜形成ステップ
Ｖ１  第一の粒子速度                      Ｖ２  第二の粒子速度
Ｗ１  ワーク
【図１】
2019199627.tif 000003
【図２】
2019199627.tif 000004
【図３】
2019199627.tif 000005
【図４】
2019199627.tif 000006
【図５】
2019199627.tif 000007
【図６】
2019199627.tif 000008
【図７】
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【図８】
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