(57)【要約】【課題】多層フレキシブルプリント配線基板の原反の接着剤から溶剤ガスの発生ない低温での樹脂残渣の高速プラズマエッチングを可能にする原反処理装置を提供する。【解決手段】多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置は、反応ガス供給管８１が接続されたチャンバ３０と、チャンバ３０内に設けられ、巻き取り状態の原反１を巻き戻して次の冷却用回転ドラム２１に送り出す送り出し部１０と、送り出された原反１の一方の面に接触する接触面２４を有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する冷却用回転ドラム２１と、冷却用回転ドラム２１の周囲に設けられ、反応ガスをラジカル化するプラズマ発生電極４０と、チャンバ３０の外側に設けられ、チャンバ３０の内側に向けてマイクロ波を送り込み、チャンバ３０内の反応ガスをラジカル化するマイクロ波発生装置５０と、巻き取り部９０とで構成されている。【選択図】図１
2019110182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガス供給管が接続されたチャンバと、
該チャンバ内に設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反を巻き戻して次の冷却用回転ドラムに送り出す送り出し部と、
送り出された原反の一方の面に接触する接触面を有し、内部に冷媒通流孔を有する冷却用回転ドラムと、
前記冷却用回転ドラムの周囲にて原反に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化するプラズマ発生電極と、
前記チャンバの外側に設けられ、該チャンバに設けられたマイクロ波通過窓を透過して該チャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、チャンバ内の反応ガスをラジカル化するマイクロ波発生装置と、
冷却用回転ドラムから送り出された処理済原反を巻き取る巻き取り部とで構成されていることを特徴とする多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置。
【請求項２】
エッチングガス供給用の反応ガス供給管が設けられた樹脂残渣エッチング用のチャンバと、
前記樹脂残渣エッチング用のチャンバに続けて設けられ、アッシングガス供給管が設けられたポリマーアッシング用のチャンバと、
エッチングガス用のチャンバ内の設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反を巻き戻して次の冷却用回転ドラムに送り出す送り出し部と、
送り出された原反の一方の面に接触する接触面を有し、内部に冷媒通流孔を有する冷却用回転ドラムと、
前記冷却用回転ドラムの周囲にて原反に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化するプラズマ発生電極と、
前記チャンバの外側に設けられ、該チャンバに設けられたマイクロ波通過窓を透過して該チャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、チャンバ内の反応ガスをラジカル化するマイクロ波発生装置と、
前記ポリマーアッシング用のチャンバに設けられ、処理済みの原反を巻き取るための巻き取り部と、
前記ポリマーアッシング用のチャンバ内に配置され、前記冷却用回転ドラムから巻き取り部に至る原反の移動経路に沿って配置されたポリマーアッシング用電極とで構成されていることを特徴とする多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置。
【請求項３】
第１の反応ガス供給管が設けられた第１のチャンバ、及び前記第１のチャンバに続けて設けられ、第２の反応ガス供給管が設けられた第２のチャンバと、
前記第１のチャンバ内に設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反を巻き戻して次の第１の冷却用回転ドラムに送り出す送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された該原反の一方の面に接触する第１の接触面を有し、内部に冷媒通流孔を有する第１の冷却用回転ドラムと、
前記第１の冷却用回転ドラムの周囲にて前記原反に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第１のプラズマ発生電極と、
第１のチャンバの外側に配設され、該第１のチャンバに設けられた第１のマイクロ波通過窓を透過して該第１のチャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、該第１のチャンバ内の反応ガスをラジカル化する第１のマイクロ波発生装置と、
前記第２のチャンバ内に設けられ、前記第１の冷却用回転ドラムに対して逆方向に回転し、前記第１の冷却用回転ドラムから送り出された原反の移動経路において、反転された前記原反の他方の面に接触する第２の接触面を有し、内部に冷媒通流孔を有する第２の冷却用回転ドラムと、
前記第２の冷却用回転ドラムの周囲にて前記原反に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第２のプラズマ発生電極と、
前記第２のチャンバの外側に配設され、該第２のチャンバに設けられた第２のマイクロ波通過窓を透過して該第２のチャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、該第２のチャンバ内の反応ガスをラジカル化する第２のマイクロ波発生装置と、
第２のチャンバ内に配置され、第２の冷却用回転ドラムから送り出された処理済み原反を巻き取る巻き取り部とで構成されていることを特徴とする多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置。
【請求項４】
エッチングガス供給用の第１の反応ガス供給管が設けられた第１のチャンバと、
前記第１のチャンバに続けて設けられ、エッチングガス供給用の第２の反応ガス供給管が設けられた第２のチャンバと、
前記第２のチャンバに続けて設けられ、アッシングガス供給管が設けられたポリマーアッシング用のチャンバと、
前記第１のチャンバに設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反を巻き戻して次の第１の冷却用回転ドラムに送り出す送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された該原反の一方の面に接触する第１の接触面を有し、内部に冷媒通流孔を有する第１の冷却用回転ドラムと、
前記第１の冷却用回転ドラムの周囲にて原反に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第１のプラズマ発生電極と、
前記第１のチャンバの外側に配設され、該第１のチャンバに設けられたマイクロ波通過窓を透過して該第１のチャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、第１のチャンバ内の反応ガスをラジカル化する第１のマイクロ波発生装置と、
前記第２のチャンバ内に設けられ、前記第１の冷却用回転ドラムに対して逆方向に回転し、前記第１の冷却用回転ドラムから送り出された原反の移動経路において反転された前記原反の他方の面にする第２の接触面を有し、内部に冷媒通流孔を有する第２の冷却用回転ドラムと、
前記第２の冷却用回転ドラムの周囲にて原反に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第２のプラズマ発生電極と、
前記第２のチャンバの外側に配設され、該第２のチャンバに設けられたマイクロ波通過窓を透過して該第２のチャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、第２のチャンバ内の反応ガスをラジカル化する第２のマイクロ波発生装置と、
前記ポリマーアッシング用のチャンバ内に設けられ、第２の冷却用回転ドラムから送り出された原反の移動経路に沿って配置されたポリマーアッシング用電極と、
前記ポリマーアッシング用電極が設けられた移動経路を通過してポリマーアッシングされた処理原反を巻き取る巻き取り部とで構成されていることを特徴とする多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のポリマーアッシング用のチャンバ内に設けられポリマーアッシング用電極に代えて、前記チャンバに設けられたマイクロ波通過窓に臨む外側の位置に第３のマイクロ波発生装置を設け、前記マイクロ波通過窓を透過して該第３のチャンバの内側に向けてマイクロ波を送り込み、第３のチャンバ内の反応ガスをラジカル化することを特徴とする多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置。
【請求項６】
エッチング用のチャンバとポリマーアッシング用のチャンバとの連通接続部に原反が通過するスリット孔付きのを設け、且つポリマーアッシング用のチャンバの内圧をエッチング用のチャンバの内圧より高く設定したことを特徴とする請求項２又は請求項４又は請求項５に記載の多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の単層シートを重ね合わせて接着して形成した多層フレキシブルプリント配線基板の製造工程において、前記多層フレキシブルプリント配線基板の原反（以下、単に原反という。）の表面層に設けられた微細ブラインドビアホールの底に残った樹脂残渣を、原反を構成する単層シート間の接着剤にダメージ（溶剤ガス発生）を与えない温度（例えば、８０℃）以下で高速プラズマエッチングを行えるようにした原反処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、情報・通信等の電子技術には目覚ましいものがあり、特に携帯電話に代表される民生用モバイル機器の急速な普及には目を見張るものがある。これに伴い、電子機器の小型化・高機能化への要求はますます強まりつつあり、大規模集積回路等の能動素子や記憶素子などの高機能化と小型化が精力的に進められている。そして、これら高性能の素子の進歩と同時にこれらを搭載するプリント配線基板の配線の微細化と小型化が進められている。
【０００３】
プリントによる配線のアイデアは２０世紀初頭に既に現れたが、当時は周囲状況が整わず進展は見られなかった。その後、トランジスタの実用化と共に片面のプリント配線基板が実用され、次いで両面のプリント配線基板へと進展した。そして集積回路（ＩＣ）の実用が始まると配線量が飛躍的に増大し、続いて電子機器の小型化への流れが加速して配線密度も高くなった。この流れに対応して鍍金スルーホール多層プリント配線基板が開発された。これは単層の片面または両面のプリント配線基板を複数枚、接着剤にて積層し、それをスルーホールとその内面の鍍金によって層間導通を図ることにより形成される。
【０００４】
この鍍金スルーホール多層プリント配線基板は、全層を貫通する孔（スルーホール）を設けるため、接続が不要な層にもスルーホールが存在して無駄なスペースを生じる。
そこで、上記無駄スペースを排除する方法として、ビルドアップ法による多層プリント配線基板（鍍金スルーホール法による４層程度の多層プリント配線基板をコアとし、その上下に新たな層を順次積層して必要な部分のみに層間導通用のブラインドビアホールを設ける方式）、更には一層の高密度配線と薄型化を可能とする全層積層方式(コアレスタイプ)が提案された。
即ち、小型化、配線の高密度化、配線距離の短縮による高速伝送化を目指して開発されたものが最近の多層プリント配線基板である。
【０００５】
また、このような小型化、高性能化、高機能化に対応した多層プリント配線基板には、リジッドなプリント配線基板、フレキシブル配線基板、更にはこれらを一体に製造し、狭い筐体内への高機能回路の折り畳み収納を可能とするフレックスリジッド配線基板など様々なタイプのものが開発されている。
このようなプリント配線基板への実装密度がさらに高度化し、ブラインドビアホールの内径もさらに微細化し、最近では、レーザードリルにて３０〜１５０μｍのホール加工がなされている。レーザードリルによるブラインドビアホール加工では、裏面側の銅箔或いは銅配線を残すため、レーザードリルでブラインドビアホールをあけるが、レーザーの波長やエネルギーにより、樹脂フィルム層の薄い膜が樹脂残渣としてホール穴底に残留する。
【０００６】
この薄い樹脂残渣がホール穴底に存在すると、この後の鍍金工程で、プリント配線基板の表面の銅配線からブラインドビアホールの内周面にかけて設けられた鍍金膜が、この樹脂残渣に隔てられて裏面の銅箔や銅配線に電気的に接続できなくなる。そこで、このブラインドビアホールの内径が大きい場合には、薬液処理によりホール穴底に残っていた樹脂残渣を除去していた（特許文献１）。
【０００７】
しかしながら、レーザードリルのような加工方法で形成されたブラインドビアホールの内径は、例えば３０〜１５０μｍと非常に小さく薬液がホール穴底に届かない。そこで、気体であるプラズマラジカルで処理する方法、即ち、プラズマエッチング工法が採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平６−２６０２６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
プラズマエッチングは一種の化学エッチングである。エッチングに寄与する化学物質（フッ素ラジカルや酸素ラジカル）は、気体であるため上記のような内径の非常に小さいブラインドビアホールでもそのホール穴底まで到達し、樹脂残渣の除去は可能となる。理論的にはアスペクト比も関係するが、穴径が１μｍのブラインドビアホールでも、エッチングに寄与するラジカルはそのホール穴底に到達することができる。なお、前記ラジカルをホール穴底に到達させるためには、プラズマ発生圧力、ラジカルの平均自由工程が大きく左右する。
【００１０】
本発明のプラズマエッチングで使用する反応ガスは酸素とＣＦ4の混合ガスである。プラズマグロー放電領域にこの混合ガスを投入すると、酸素とＣＦ4が酸素ラジカルとフッ素ラジカルに転換する。そして、この活性ラジカルが有機物（ＣＨＯ）である樹脂残渣と反応し、水（Ｈ2Ｏ）と炭酸ガス（ＣＯ2）に分解する。分解された水（Ｈ2Ｏ）と炭酸ガス（ＣＯ2）は気体であるから、そのままブラインドビアホールから出て行く。なお、これらラジカルは有機物に反応するが銅には反応しない。
【００１１】
上記プラズマエッチングでは反応ガスを化学的に反応するラジカルにするために高周波励起を使用するので、電気的な熱エネルギーがプラズマグロー放電領域に発生し、この熱が処理対象物である原反の温度上昇（１００℃〜１８０℃程度）に繋がる。
【００１２】
背景技術で述べたような多層フレキシブルプリント配線基板は、最近では大量生産のためにロールツーロール方式による自動化がなされている。この方式では前述の鍍金処理の終了した単層シートの上に鍍金前の単層シートが接着剤で接着された積層体である原反が用いられる。上記多層フレキシブルプリント配線基板は、この原反に対するエッチング、その他後加工が終了したものを所定の長さ或いは形状に切断したものである。
【００１３】
そして、上記のようなプラズマエッチングではこの接着剤３が加熱されて、図１０に示すように、内部に含む僅かな溶剤が気化して９ａで示すように部分的に膨張し、原反１内で部分剥離９ｂや表面の盛り上がり３ａを生じさせる。この部分剥離は原反にとって致命的な欠陥となり、原反全体の廃棄処分に繋がる。そこで従来は原反の温度が接着剤ガス放出温度以上とならないように、プラズマ発生電極への印加電流を抑え、長時間かけてエッチングを行っていた。
【００１４】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みて開発されたものであり、本発明の主たる課題は、プラズマエッチング工法を採用しながら、多層フレキシブルプリント配線基板の原反内の接着剤からのガス発生による部分剥離を発生させない低温での樹脂残渣のプラズマエッチングを可能にすることで、エッチングの高速化を可能にした多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載した発明（多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置の第１実施形態Ａ１：図１、図２）は、原反１の片面の樹脂残渣エッチングを行う装置である。
反応ガス供給管８１が接続されたチャンバ３０と、
該チャンバ３０内に設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反１を巻き戻して次の冷却用回転ドラム２１に送り出す送り出し部１０と、
送り出された原反１の一方の面に接触する接触面２４を有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する冷却用回転ドラム２１と、
前記冷却用回転ドラム２１の周囲にて原反１に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化するプラズマ発生電極４０と、
前記チャンバ３０の外側に設けられ、該チャンバ３０に設けられたマイクロ波通過窓３２を透過して該チャンバ３０の内側に向けてマイクロ波を送り込み、チャンバ３０内の反応ガスをラジカル化するマイクロ波発生装置５０と、
冷却用回転ドラム２１から送り出された処理済原反１を巻き取る巻き取り部９０とで構成されていることを特徴とする。
【００１６】
本装置では、樹脂残渣７のエッチング時には、反応ガス供給管８１から反応ガスであるエッチングガスがチャンバ３０内に供給されてチャンバ３０内がエッチング雰囲気Ｅとなり、冷却用回転ドラム２１が実線矢印で示すように順回転し、その間に原反１が冷却されつつホール穴底６の樹脂残渣７が高速エッチングされる。
エッチング終了後、巻き取られた原反１を直ちに取り出してもよい。この場合は、冷却用回転ドラム２１は順回転だけで足る。原反１の表面にはエッチングによるエッチング生成物が残留する場合があるので、別の装置でエッチング生成物を除去（アッシング）することになる。
【００１７】
これに対して図１、図２の装置でエッチング生成物のアッシングを行うことも可能である。即ち、原反１の表面に残留したエッチング生成物のアッシングを行う場合には、チャンバ３０内のエッチングガスを排気し、反応ガス供給管８１から反応ガスであるアッシングガスをチャンバ３０内に供給してアッシング雰囲気Ｆとする。そして、冷却用回転ドラム２１を逆回転させ、プラズマ発生電極４０を作動させて原反１の表面に残留したエッチング生成物のアッシングを行うことになる。（勿論、逆回転している冷却用回転ドラム２１で原反１を冷却しつつ、プラズマ発生電極４０とマイクロ波発生装置５０とを作動させ、アッシングを行うことも可能である。これにより、片面エッチングと同片面アッシングが行える。）
【００１８】
請求項２に記載した発明（原反処理装置の第２実施形態Ａ２：図３）は、エッチング用のチャンバ３０で原反１の片面樹脂残渣エッチングを行った後、これに続いて設けられたポリマーアッシング用のチャンバ３５にて原反１の表面の残留エッチング生成物を連続的にアッシングする装置である。これにより原反１の片面樹脂残渣エッチングとアッシングがワンパスで行える。
エッチングガス供給用の反応ガス供給管８１が設けられた樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０と、
前記樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０に続けて設けられ、アッシングガス供給管８３が設けられたポリマーアッシング用のチャンバ３５と、
エッチングガス用のチャンバ３０内に設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反１を巻き戻して次の冷却用回転ドラム２１に送り出す送り出し部１０と、
送り出された原反１の一方の面に接触する接触面２４を有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する冷却用回転ドラム２１と、
前記冷却用回転ドラム２１の周囲にて原反１に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化するプラズマ発生電極４０と、
前記チャンバ３０の外側に設けられ、該チャンバ３０に設けられたマイクロ波通過窓３２を透過して該チャンバ３０の内側に向けてマイクロ波を送り込み、チャンバ３０内の反応ガスをラジカル化するマイクロ波発生装置５０と、
前記ポリマーアッシング用のチャンバ３５に設けられ、処理済みの原反１を巻き取るための巻き取り部９０と、
前記ポリマーアッシング用のチャンバ３５内に配置され、前記冷却用回転ドラム２１から巻き取り部９０に至る原反１の移動経路Ｔに沿って配置されたポリマーアッシング用電極４７とで構成されていることを特徴とする。
【００１９】
これによりエッチング用のチャンバ３０内で樹脂残渣７がエッチング除去された原反１は、ポリマーアッシング用のチャンバ３５内にて連続的にその表面に残留したエッチング生成物をアッシング除去することができる。
【００２０】
請求項３に記載した発明（原反処理装置の第３実施形態Ａ３（図４）は、ワンパスで両面樹脂残渣エッチング（或いは、両面樹脂残渣エッチング後、両面アッシング）を行う装置である。
第１の反応ガス供給管８１ｆが設けられた第１のチャンバ３０ｆ、及び前記第１のチャンバ３０ｆに続けて設けられ、第２の反応ガス供給管８１ｒが設けられた第２のチャンバ３０ｒと、
前記第１のチャンバ３０ｆ内に設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反１を巻き戻して次の第１の冷却用回転ドラム２１ｆに送り出す送り出し部１０と、
前記送り出し部１０から送り出された該原反１の一方の面に接触する第１の接触面２４ｆを有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する第１の冷却用回転ドラム２１ｆと、
前記第１の冷却用回転ドラム２１ｆの周囲にて前記原反１に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第１のプラズマ発生電極４０ｆと、
第１のチャンバ３０ｆの外側に配設され、該第１のチャンバ３０ｆに設けられた第１のマイクロ波通過窓３２ｆを透過して該第１のチャンバ３０ｆの内側に向けてマイクロ波を送り込み、該第１のチャンバ３０ｆ内の反応ガスをラジカル化する第１のマイクロ波発生装置５０ｆと、
前記第２のチャンバ３０ｒ内に設けられ、前記第１の冷却用回転ドラム２１ｆに対して逆方向に回転し、前記第１の冷却用回転ドラム２１ｆから送り出された原反１の移動経路Ｔにおいて、反転された前記原反１の他方の面に接触する第２の接触面２４ｒを有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する第２の冷却用回転ドラム２１ｒと、
前記第２の冷却用回転ドラム２１ｒの周囲にて前記原反１に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第２のプラズマ発生電極４０ｒと、
前記第２のチャンバ３０ｒの外側に配設され、該第２のチャンバ３０ｒに設けられた第２のマイクロ波通過窓３２ｒを透過して該第２のチャンバ３０ｒの内側に向けてマイクロ波を送り込み、該第２のチャンバ３０ｒ内の反応ガスをラジカル化する第２のマイクロ波発生装置５０ｒと、
第２のチャンバ３０ｒ内に配置され、第２の冷却用回転ドラム２１ｒから送り出された処理済み原反１を巻き取る巻き取り部９０とで構成されていることを特徴とする。
【００２１】
本装置Ａ３では、樹脂残渣７のエッチング時には、第１・第２の反応ガス供給管８１ｆ・８１ｒから反応ガスであるエッチングガスが第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒ内に供給されて第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒ内がエッチング雰囲気Ｅとなり、第１の冷却用回転ドラム２１ａが順回転し、第２の冷却用回転ドラム２１ｒが逆回転し、その間に原反１が冷却されつつその両面においてホール穴底６の樹脂残渣７がエッチングされる。
請求項１と同様、エッチング終了後、巻き取られた原反１を直ちに取り出してもよい。この場合は、送り出し部１０から巻き取り部９０への一方向送りだけであるから、第１の冷却用回転ドラム２１ｆは順回転、第２の冷却用回転ドラム２１ｒは逆回転だけで足る。原反１の表面にはエッチングによるエッチン生成物が残留する場合があるので、別の装置でエッチング生成物を除去（アッシング）することになる。
【００２２】
これに対して図４の装置Ａ３で上記のようなエッチングだけでなく、エッチング生成物のアッシングを行うことも可能である。即ち、原反１の表面に残留したエッチング生成物のアッシングを行う場合には、第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒ内のエッチングガスを排気し、然る後、第１・第２の反応ガス供給管８１ｆ・８１ｒから反応ガスであるアッシングガスを第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒ内にそれぞれ供給してアッシング雰囲気Ｆとする。そして、第１の冷却用回転ドラム２１ｆを逆回転させ、第２の冷却用回転ドラム２１ｒを順回転させ、第１・第２の冷却用回転ドラム２１ｆ・２１ｒで原反１を冷却しつつ、第１・第２のプラズマ発生電極４０ｆ・４０ｒを作動させ、或いはマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒを作動させて原反１の表面に残留したエッチング生成物のアッシングを行うことになる。（勿論、第１・第２の冷却用回転ドラム２１ｆ・２１ｒで原反１を冷却しつつ、プラズマ発生電極４０ｆ・４０ｒとマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒとを作動させ、アッシングを行うことも可能である。これにより、両面樹脂残渣エッチングと両面アッシングが行える。）
【００２３】
請求項４に記載した発明（原反処理装置の第４実施形態Ａ４：図５）は、両面樹脂残渣エッチングと両面アッシングとをワンパスで行う装置である。
エッチングガス供給用の第１の反応ガス供給管８１ａが設けられた第１のチャンバ３０ａと、
前記第１のチャンバ３０ａに続けて設けられ、エッチングガス供給用の第２の反応ガス供給管８１ｋが設けられた第２のチャンバ３０ｋと、
前記第２のチャンバ３０ｋに続けて設けられ、アッシングガス供給管８３が設けられたポリマーアッシング用のチャンバ３５と、
前記第１のチャンバ３０ａに設けられ、巻き取り状態の多層フレキシブルプリント配線基板製造用の原反１を巻き戻して次の第１の冷却用回転ドラム２１ａに送り出す送り出し部１０と、
前記送り出し部１０から送り出された該原反１の一方の面に接触する第１の接触面２４ａを有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する第１の冷却用回転ドラム２１ａと、
前記第１の冷却用回転ドラム２１ａの周囲にて原反１に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第１のプラズマ発生電極４０ａと、
前記第１のチャンバ３０ａの外側に配設され、該第１のチャンバ３０ａに設けられたマイクロ波通過窓３２ａを透過して該第１のチャンバ３０ａの内側に向けてマイクロ波を送り込み、第１のチャンバ３０ａ内の反応ガスをラジカル化する第１のマイクロ波発生装置５０ａと、
前記第２のチャンバ３０ｋ内に設けられ、前記第１の冷却用回転ドラム２１ａに対して逆方向に回転し、前記第１の冷却用回転ドラム２１ａから送り出された原反１の移動経路Ｔにおいて反転された前記原反１の他方の面に接触する第２の接触面２４ｋを有し、内部に冷媒通流孔２２ｃを有する第２の冷却用回転ドラム２１ｋと、
前記第２の冷却用回転ドラム２１ｋの周囲にて原反１に近接して設けられ、反応ガスをラジカル化する第２のプラズマ発生電極４０ｋと、
前記第２のチャンバ３０ｋの外側に配設され、該第２のチャンバ３０ｋに設けられたマイクロ波通過窓３２ｋを透過して該第２のチャンバ３０ｋの内側に向けてマイクロ波を送り込み、第２のチャンバ３０ｋ内の反応ガスをラジカル化する第２のマイクロ波発生装置５０ｋと、
前記ポリマーアッシング用のチャンバ３５内に設けられ、第２の冷却用回転ドラム２１ｋから送り出された原反１の移動経路Ｔに沿って配置されたポリマーアッシング用電極４７と、
前記ポリマーアッシング用電極４７が設けられた移動経路Ｔを通過してポリマーアッシングされた処理原反１を巻き取る巻き取り部９０とで構成されていることを特徴とする。
【００２４】
請求項５に記載した発明は、前記第４実施形態Ａ４の他の装置で、４’で示す。請求項５に記載した発明は、
請求項４に記載のポリマーアッシング用のチャンバ３５内に設けられポリマーアッシング用電極４７に代えて、前記チャンバ３５に設けられたマイクロ波通過窓３２sに臨む外側の位置に第３のマイクロ波発生装置５０ｓを設け、前記マイクロ波通過窓３２sを透過して該第３のチャンバ３５の内側に向けてマイクロ波を送り込み、第３のチャンバ３５内の反応ガスをラジカル化することを特徴とする。
【００２５】
請求項６に記載した発明は、請求項２、又は請求項４、又は請求項５に記載の装置Ａ２・Ａ４・Ａ４’を更に限定したものである。
エッチング用のチャンバとポリマーアッシング用のチャンバとの連通接続部に原反１が通過するスリット孔付きの隔壁３８（３８ｒ・３８ｓ）を設け、且つポリマーアッシング用のチャンバの内圧をエッチング用のチャンバの内圧より高く設定したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、原反が冷却用回転ドラムに接触し、冷却用回転ドラムと共に回転するので、エッチング時に原反に生じる熱は直ちに冷却用回転ドラムに伝わり、原反の温度を単層シート接着用の接着剤に残留した残留溶剤のガス化温度以下に保持することができる。その結果、エッチングガスの励起高周波電流量を大きくすることができエッチング速度を高めることができた。
換言すれば、冷却用回転ドラムを設けることにより、エッチングガスをラジカル化する機構として、プラズマ発生電極とマイクロ波発生装置を併設することができ、エッチング速度をいずれか一方の場合に比べ加速することができた。これはマイクロ波発生装置によって励起されたラジカルがプラズマ発生電極側に引き寄せられ、原反周囲のラジカル濃度（電子密度）が高くなった結果と推測される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の原反処理装置の第１実施形態の概略断面図である。
【図２】図１の中央断面図である。
【図３】本発明の原反処理装置の第２実施形態の概略断面図である。
【図４】本発明の原反処理装置の第３実施形態の概略断面図である。
【図５】本発明の原反処理装置の第４実施形態の概略断面図である。
【図６】図５の他の実施形態の概略断面図である。
【図７】本発明の冷却用回転ドラムの配線図である。
【図８】原反のエッチング状態を示す部分拡大断面図である。
【図９】ビアホールに鍍金を施した状態の断面図である。
【図１０】従来例で示す原反に膨れが生じた状態を示す断面図である。
【００２８】
以下、図に従って、本発明装置について説明する。図１、図２の多層フレキシブルプリント配線基板の原反処理装置は本発明の基本形Ａ１で、図３以下はその変形例Ａ２〜Ａ４（Ａ’）である。先ず、図１、図２に付いて説明し、続いて図３以下の変形例を、上記基本形と異なる部分を中心に順次説明する。また、本装置の同じ内容の構成部分はアラビア数字で統一的に記載するが、区別する必要がある場合は、アラビア数字にアルファベット小文字を添え字する。
【００２９】
まず、本発明装置Ａ１によって処理される多層フレキシブルプリント配線基板の原反１の一例について説明する。この原反１は、既に述べたようにポリイミドフィルムのような樹脂フィルム２の片面または両面に配線３（或いは、銅箔）が形成された単層シート４を、上記背景技術で説明したビルドアップ法その他によって接着剤９を介して積層した帯材である。原反１は、リール１００に巻着されてハンドリングされる。リール１００に巻かれた長尺帯状の処理済み原反１を巻き戻し、樹脂残渣７なしのブラインドビアホール５が所望の位置に設けられた原反１を所定の寸法で切断することで所望の多層プリント配線基板が得られる。
【００３０】
本発明が適用される原反１の積層枚数は原則として２層以上であるが、柔軟性を考慮して、通常、４層から６層程度である。そして、原反１の表面層１ａ又は裏面層１ｂのいずれか一方、或いは両方にブラインドビアホール５（通常、サーフィス・ビアホール（ＳＶＨ）と呼ばれる。）が形成されている。３層以上の原反１の内部の層の単層シート４のブランドビアホール５には、上記の鍍金処理が施されている。ホール鍍金部分を３ａで示す（図９）。なお、図９は、樹脂フィルム２の片面に銅配線３が施された例である。
【００３１】
上記のような原反１の接着剤９には硬化後も僅かに溶剤が残留しており、通常、原反１の温度が８０℃を超えるとこの僅かな残留溶剤が気化して膨張し、原反１の変形（内部剥離）を招くリスクがあるので、できるだけ低温で樹脂残渣のエッチング除去処理することが求められている。原反１の変形状態を図１０に示す。
なお、本発明装置Ａ１〜Ａ４は、接着剤９を使用していない単層シート４の１枚で構成された原反１の樹脂残渣７のエッチングにも適用可能であることは言うまでもない。
【００３２】
実施形態１（図１、２：Ａ１）
図１の処理装置Ａ１は、原反１の片面だけの処理を行う装置である。その構成は、チャンバ３０、前記チャンバ３０内に順回転及び逆回転可能に設けられた冷却用回転ドラム２１、前記冷却用回転ドラム２１の前後にそれぞれ配置された送り出し部１０及び巻き取り部９０、必要に応じて設けられる送り出し側のガイドローラ１２と巻き取り側のガイドローラ９２、冷却用回転ドラム２１の周囲に配置された複数のプラズマ発生電極４０、冷却用回転ドラム２１を取り囲むようにしてチャンバ壁３１に設けられた複数のセラミック製のマイクロ波通過窓３２、チャンバ３０の外に設けられ、前記マイクロ波通過窓３２に臨むように設置されたマイクロ波発生装置５０とで概略構成されている。送り出し部１０及び巻き取り部９０にはリール１００の取り付け用である取付軸１１・９１が設置されている。
【００３３】
なお、後述するようにこの装置Ａ１では、樹脂残渣７のエッチングだけを行う場合と、エッチング後に原反１の表面に残留したエッチング生成物のアッシングまでを行う場合がある。
前者の場合、送り出し部１０及び巻き取り部９０の働き（送り出しと、巻き取り）は変わらないが、後者のようにエッチングとアッシングを原反１の送り方向を逆転することで対応する場合、送り出し部１０及び巻き取り部９０の働きは逆になるので、逆の場合の送り出し部及び巻き取り部の符号である１０と９０をかっこで示す（図１）。
【００３４】
チャンバ３０は中空の気密性容器で、チャンバ３０内の気体（エッチングガスやアッシングガス）を排出する排気管８０がチャンバ壁３１に設けられており、図示しない真空ポンプに繋がっている。チャンバ３０内の圧力は、エッチング（又は、エッチングの後で行われるアッシング）の時に要求される真空度まで減圧される。そして、チャンバ３０のチャンバ壁３１には反応ガスであるエッチングガス（この場合は酸素とＣＦ4である。）、又はアッシングガス（この場合は酸素である。）をチャンバ３０に送り込む反応ガス供給管８１が設けられている。
【００３５】
チャンバ３０内に設けられている送り出し部１０と巻き取り部９０に対応してチャンバ壁３１には、気密性を保つことができる開閉扉（図示せず）が設置されており、原反１が巻かれた送り出し用のリール１００や、巻き取り用の空リール１００を出し入れできるようになっている。この点は後述する装置Ａ２〜Ａ４（Ａ４’）でも同様である。
【００３６】
そして、チャンバ３０の中央には冷却用回転ドラム２１が上記のように回転可能に取り付けられており、駆動モータ（或いは、軸動ポンプ）のような駆動体２５にて順方向及び逆方向に回転する。
チャンバ３０のチャンバ壁３１には１乃至複数（本実施形態は３つ）のセラミック板が嵌め込まれ、チャンバ壁３１に対して真空シール構造となっているマイクロ波通過窓３２が設けられている。
このマイクロ波通過窓３２の外側にマイクロ波発生装置５０の導波ケース５４が取り付けられている。該導波ケース５４の外側にて、その側面にプラズマ発生源となるマグネトロン５１が設置されている。そして、マグネトロン５１からマイクロ波出力用のアンテナ５２が導波ケース５４の内部においてマイクロ波通過窓３２に平行に伸びるように設置されている。
【００３７】
冷却用回転ドラム２１は、エッチング時に接触している原反１と共に回転して原反１から熱を奪い、原反１の温度が原反１を構成する単層シート４の接着剤９からガスが発生しない温度（本実施形態では８０℃以下）に保つためのものである。
【００３８】
冷却用回転ドラム２１は、円形筒体のドラム本体２１ｈと、ドラム本体２１ｈの中央に挿通された主軸２２と、主軸２２から伸び、ドラム本体２１ｈに接続したリブ２３とで構成されている。主軸２２には周知構造のメカニカルシール２２ｇ・２２ｈと前記駆動体２５が設置されている。
【００３９】
主軸２２はチャンバ壁３１に設けられた軸受け３１ａに挿通されて片持ち支持され、駆動体２５などによりドラム本体２１ｈと共に順回転又は／及び逆回転するようになっている。
主軸２２は二重管で構成され、外管２２ｂ内に内管２２ａが挿通され、内管２２ａは主軸２２の先端の給水室２２ｄに繋がっている。外管２２ｂと内管２２ａの間にはリング状の仕切り壁２２ｅが設けられており、排水路２２ｆと給水室２２ｄとを分離している。
【００４０】
内管２２ａは、外管２２ｂを越えた外側において軸受け３１ａにメカニカルシール２２ｇにて水密状態を保持しながら回転支持されている。外管２２ｂはメカニカルシール２２ｈにて水密状態を保持しながら回転支持されている。該メカニカルシール２２ｈは、前記内管２２ａ支持用のメカニカルシール２２ｇよりチャンバ壁３１側に寄った位置で軸受け３１ａの内面に取り付けられている。内・外管２２ａ・２２ｂは何れも必要に応じて図示しないベアリングにより回転支持される。
【００４１】
ドラム本体２１ｈは、原反１の幅をカバーする大きさの中空円形筒体で、その内部全体に蛇行した冷媒通流孔２２ｃが形成されている。冷媒通流孔２２ｃの入口は一方のリブ２３に設けられた連通孔２３ａを介して主軸２２の給水室２２ｄに繋がっており、出口は他方のリブ２３の連通孔２３ｂを介して主軸２２の排水路２２ｆに繋がっている。軸受け３１ａには排水口３１ｂが設けられ、排水路２２ｆに繋がっている。冷媒としては、ここでは水が使用される。
【００４２】
ドラム本体２１ｈの周長は、原反１の接触開始端Ｓ１から離脱端Ｓ２の間で前述の樹脂残渣７が完全に分解除去できる長さとなっている。そしてその直径は大きく、積層された原反１を無理なく曲げることができる大きさになっている。ドラム本体２１ｈの外周面は原反１の接触面２４となっている。なお、冷却用回転ドラム２１には、クーラーを含む温度調節設備（図示せず）が併設され、ドラム本体２１ｈへ供給する冷却水の水温調節と供給量を制御している。
【００４３】
冷却用回転ドラム２１の前記接触開始端Ｓ１から離脱端Ｓ２の間で、複数のプラズマ発生電極４０が数ｃｍ（ここでは、１〜２ｃｍ）だけドラム本体２１ｈの表面（接触面２４）から離間させ、等間隔に配置されている。接触開始端Ｓ１と離脱端Ｓ２は、ガイドローラ１２・９２を介して接触開始端Ｓ１からドラム本体２１ｈに引き込まれる原反１と、離脱端Ｓ２から離脱する処理済みの原反１とが干渉しない範囲とされる。
プラズマ発生電極４０は棒状部材（又は平板部材）で、その中心軸（即ち、長手方向）は冷却用回転ドラム２１の主軸２２に平行に配置されている。
【００４４】
図７はプラズマ発生電極４０に高周波電流（ここでは４０ｋＨｚ）を印加するための配線図で、プラズマ発生電極４０用の電源７０のアノードとカソードがプラズマ発生電極４０に交互に接続されている。そして、冷却用回転ドラム２１および電源７０はグランドＧに接地されている。
【００４５】
送り出し部１０と巻き取り部９０は、冷却用回転ドラム２１の両側に配置され、本実施形態ではチャンバ３０内に形成されている。この送り出し部１０と巻き取り部９０には、それぞれ取付軸１１、取付軸９１が装備されている。
前記取付軸１１、取付軸９１及び冷却用回転ドラム２１の駆動方法の一例を以下に示す。前記取付軸１１、取付軸９１及び冷却用回転ドラム２１は、例えばモータのような駆動体（図示せず）により原反１の送り速度が同期して弛みなしで搬送されるように駆動される。即ち、冷却用回転ドラム２１の送り速度に対して取付軸１１は、原反１の送り出しと共に回転数が漸増し、取付軸９１は原反１の巻き取りと共に漸減する。
前記取付軸１１、及び取付軸９１には、原反１が巻かれた送り出しリール１００や、空の巻き取りリール１００が装着される。そして、これらは稼働時には上記のように冷却用回転ドラム２１の周速に合わせ、原反１に緩みが発生しない速度で回転するようになっている。
【００４６】
そして、送り出し部１０と冷却用回転ドラム２１との間に送り出し側の前記ガイドローラ１２、冷却用回転ドラム２１と巻き取り部９０との間に巻き取り側の前記ガイドローラ９２が設置されている。この両ガイドローラ１２・９２のガイド機能の他に緩み解消（ダンサーローラ）機能を付与してもよい。図示していないが後述するエッジセンサを、両ガイドローラ１２・９２の近傍で、送り出し部１０の出口や、冷却用回転ドラム２１の入口に設置してもよい。
【００４７】
なお、上記では前記取付軸１１、取付軸９１及び冷却用回転ドラム２１を同期駆動するとしたが、巻き取り側の取付軸９１だけに駆動体を取り付け、原反１の張力を利用して送り出し側の取付軸１１、及び主軸２２にパウダークラッチのようなスリップ機能を付与してもよい。
【００４８】
次に、本装置Ａ１の作用について説明する。チャンバ３０の開閉扉を開いて送り出し部１０の取付軸１１に原反１が巻かれたリール１００を装着し、巻き取り部９０ではその取付軸９１に空のリール１００を装着する。そして、原反１が巻かれたリール１００から原反１を引き出し、送り出し側ガイドローラ１２を介して原反１の引き出し方向を変え、冷却用回転ドラム２１の接触開始点Ｓ１からその外周に原反１を巻き付ける。冷却用回転ドラム２１には原反１の一方の面（ここでは裏面）が接するようにする。従って、原反１の露出面側（ここでは表面）にブラインドビアホール５が現れることになる。そして、原反１はプラズマ発生電極４０と冷却用回転ドラム２１の接触面２４との間の隙間に通されて原反１の冷却用回転ドラム２１への巻き付けが終了する。
【００４９】
巻き付けが終了すると、離脱端Ｓ２から原反１を引き出し、巻き取り側のガイドローラ９２を介して原反１の方向転換を図り、空の巻き取り側リール１００に原反１の先端を巻き付ける。このように原反１の装着が終了すると開閉扉を閉じる。
【００５０】
開閉扉が閉じられた状態でチャンバ３０内は気密状態となり、真空ポンプを作動させて所定の真空度まで排気する。これと並行して冷却用回転ドラム２１に温度制御された水を通水して冷却用回転ドラム２１の原反１との接触面２４の温度を下げておく。チャンバ３０内が所定の真空度に達した処で反応ガス供給管８１からエッチングガス（酸素とＣＦ4の混合ガス）がチャンバ３０に注入され、チャンバ３０内が所定量のエッチングガスで満たされるようにする。即ち、チャンバ３０の内部はエッチング雰囲気Ｅということになる。エッチングガス充填状態でチャンバ３０内はグロー放電が可能な状態となっている。
【００５１】
然る後、マグネトロン５１に高周波電流を印加して出力アンテナ５２からマイクロ波をチャンバ３０内に向けて放射する。一部のマイクロ波は導波ケース５４の内面で反射され、マイクロ波通過窓３２に向かう。放射及び反射されたマイクロ波は、マイクロ波透過窓３２を透過してチャンバ３０内に入る。このマイクロ波によるプラズマは主にマイクロ波透過窓３２の真空側の表面でグロー放電にて励起される。このようにチャンバ３０内にエッチングガスが供給された状態で、グロー放電がなされるとこのグロー放電によるプラズマ（図示せず）が起き、エッチングガスがラジカル（酸素ラジカルとフッ素ラジカル）に転換される。
【００５２】
図１では、上記マイクロ波発生装置５０は、ドラム本体２１ｈの接触開始端Ｓ１から離脱端Ｓ２をカバーできるようにプラズマ発生装置４０に対面する（換言すれば、平行な）チャンバ壁３１の天井部分、両側に設置されている。従って、これらマイクロ波発生装置５０を作動させるとチャンバ３０の天井部分、両側からラジカル（酸素ラジカルとフッ素ラジカル）が生成され、ドラム本体２１ｈの外周（特に、接触開始端Ｓ１〜離脱端Ｓ２の範囲）をカバーする。
勿論、マイクロ波発生装置５０は上記例に限られず、例えば天井部分だけに設けてもよい。この点は後述する装置Ａ２〜Ａ４（Ａ４’）においても言える。
【００５３】
また、冷却用回転ドラム２１の周囲で、数ｃｍ離れた位置にプラズマ発生電極４０が設置されているが、このプラズマ発生電極４０に、例えば４０ＫＨｚの高周波電流を印加させると隣接する正電極と負電極との間でグロー放電によるプラズマＲが起き、エッチングガスは上記同様にラジカル化される。このプラズマ発生電極４０の近辺に生成されたこのラジカルは、上記のマイクロウエーブ（即ち、グロー放電）励起プラズマにより励起されたラジカルと混合状態で原反１の表面に開口したブラインドビアホール５のホール穴底６に到達してホール穴底６の樹脂残渣７をＨ2ＯとＣＯ2に分解する。Ｈ2ＯとＣＯ2は気体なので、チャンバ３０の排気と共に装置外に排出される。
【００５４】
なお、プラズマ発生電極４０とマイクロ波発生装置５０とを併用すると、推測であるが、マグネトロン５１で励起されたラジカルは、プラズマ発生電極４０側に引き寄せられ、ドラム本体２１ｈの周囲のラジカル濃度が均一且つ高くなりやすい。その結果、樹脂残渣７の分解速度は、プラズマ発生電極４０とマイクロ波発生装置５０を併用した場合、いずれか単体の場合の分解速度の３〜５倍に加速される。この場合、上記のような接触開始端Ｓ１〜離脱端Ｓ２の範囲をカバーするようなマイクロ波発生装置５０の配置が好ましい。
【００５５】
上記エッチング工程では、樹脂残渣７のエッチング除去だけでなく、原反１の樹脂部分の露出面も同様にエッチングされるので、このエッチング工程の最終段階のエッチング生成物（フッ化物ポリマー）が原反１の表面に残留することがある。従って、通常、エッチング工程の次の段階ではこのエッチング生成物のアッシング（灰化）が行われる。
【００５６】
原反１は冷却回転ドラム２１の回転と共に上記のようにしてブラインドビアホール５のホール穴底６の樹脂残渣７が急速に除去されるのであるが、樹脂残渣７の除去はグロー放電によるため、背景技術で記載したように原反１は昇温せざるを得ない。プラズマ発生電極４０とマイクロ波発生装置５０を併用した場合は温度上昇が高い。原反１の昇温は、原反１を構成する単層シート４間の接着剤９から溶剤ガスを発生させ、原反１に層間剥離を発生させる。本発明では、原反１は、エッチング領域（接触開始端Ｓ１〜離脱端Ｓ２）では全域にわたって温度調節された冷却用回転ドラム２１に接触しているため、その間中、原反１の熱が奪われ、接着剤９から溶剤ガスを発生させるような、例えば８０℃以上となるようなことにはならない。その結果、上記のように従来では不可能だったプラズマ発生電極４０とマイクロ波発生装置５０との併用が可能となった。これにより接着剤９を使用した積層原反１を連続的且つ急速に樹脂残渣除去エッチングすることができるようになった。
【００５７】
なお、エッチング領域では、直径の大なる冷却用回転ドラム２１を使用しているので、温度が加わった状態で原反１を曲げたとしても各層の樹脂フィルム２がこれに対応して伸縮し、冷却用回転ドラム２１に接触している裏面層１ｂと、反対側の表面層１ａとの間のズレは生じない。
【００５８】
上記のようにエッチング処理された原反１は、そのまま取り出して別の装置でアッシングしてもよいが、本装置では以下のようにして連続的にアッシングを行うことができる。以下、このエッチング生成物のアッシングに付いて説明する。エッチング終了後、チャンバ３０内のエッチングガスを排出する。続いて、反応ガス供給管８１から反応ガスとして酸素だけをチャンバ３０内に注入する。これによりチャンバ３０内はエッチング雰囲気Ｅからアッシング雰囲気Ｆに置換される。（或いは、酸素を注入してエッチングガスと置換してもよい。）
【００５９】
アッシングはエッチングに比べてラジカル濃度が小さくて良いので、冷却なしでプラズマ発生電極４０だけによるアッシングガスの励起で足りる。ただし、プラズマ発生電極４０の印加電流は原反１の温度が設定温度以上に上昇しないように制御されることになる。（勿論、この場合でも冷却を併用してもよい。）
【００６０】
この状態で、送り出し部１０、冷却用回転ドラム２１、及び巻き取り部９０を逆回転させ、送り出し部１０と巻き取り部９０の働きを逆転させる。即ち、巻き取り部９０（この時点では、送り出し部（１０）となっている。）の取付軸９１を逆回転させてエッチング処理済みの原反１を巻き取ったリール１００から送り出し、同期して逆回転している冷却用回転ドラム２１を経て、送り出し部１０（この時点では巻き取り部（９０）になっている。）の空リール１００にアッシング済みの原反１を巻き取らせる。この間、冷却なしで原反１の温度制御しつつプラズマ発生電極４０だけが作動して原反１の表面のエッチング生成物をアッシングする。
【００６１】
上記ではアッシング工程で、印加電流の制御を行いつつプラズマ発生電極４０だけを作動させたが、原反１の冷却を条件にプラズマ発生電極４０とマイクロ波発生装置５０を併用してもよい。この場合アッシング工程では、冷却用回転ドラム２１を逆回転させ、原反１を冷却しつつ逆走させ、酸素ラジカルでエッチング生成物を急速に分解することになる。
【００６２】
実施態様２（図３、図４：Ａ２）
実施態様２（Ａ２）は、実施態様１（Ａ１）において、１つのチャンバ３０内で冷却用回転ドラム２１の回転方向を変えることで樹脂残渣エッチングとアッシングを行っていたものを、機能別に２つのチャンバに分けた例である。第１のチャンバはエッチング用で、実施態様１（Ａ１）のチャンバ３０と構造的に同じなので、同じ符号を用い、エッチング用のチャンバ３０とした。
第２のチャンバはポリマーアッシング用で、実施態様１（Ａ１）のチャンバ３０と構造的に異なるので、ポリマーアッシング用のチャンバ３５とした。エッチング用のチャンバ３０に続けてポリマーアッシング用のチャンバ３５を設けることになる。エッチング用のチャンバ３０とポリマーアッシング用のチャンバ３５は連結部３７で連結され、該連結部３７には原反１が通過するスリット孔３９が設けられた隔壁３８が設けられている。
【００６３】
ここでエッチング用のチャンバ３０には、上記のように冷却用回転ドラム２１の周囲に設けられたプラズマ発生電極４０を均等にカバーするため、エッチング用のチャンバ３０のチャンバ壁３１の上面、両側面に図１と同様にマイクロ波発生装置５０が設置されている。
【００６４】
実施態様２（Ａ２）のエッチング用チャンバ−３０の構造、即ち、チャンバ壁３１に反応ガス供給管８１やマイクロ波通過窓３２が設けられている点、内部に送り出し部１０、及び冷却用回転ドラム２１、前記冷却用回転ドラム２１の周囲にプラズマ発生電極４０が設けられている点、マイクロ波発生装置５０がマイクロ波通過窓３２に臨むように設けられている点、排気管８０が設けられている点は、いずれも、実施態様１（Ａ１）と同じであるので、その説明を実施態様２（Ａ２）の説明に援用する。同様に、送り出し部１０、及び冷却用回転ドラム２１、プラズマ発生電極４０、マイクロ波発生装置５０、及び巻き取り部９０の構造及び配置も実施態様１（Ａ１）と同じであるので、その説明を実施態様２（Ａ２）の説明に援用する。なお、巻き取り部９０はポリマーアッシング用のチャンバ３５に移行している。
【００６５】
図３では、既述のように樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０とポリマーアッシング用のチャンバ３５は連通接続部３７で接続されている。両者は原反１が通過するスリット孔３９が設けられている隔壁３８で分離されている。このような構造となっているのは、樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０のエッチングガスが酸素とＣＦ4であり、ポリマーアッシング用のチャンバ３５の反応ガスは酸素だけであり、両反応ガスが異なるからである。なお、ポリマーアッシング用のチャンバ３５の内部気圧は樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０の内部気圧より高く、スリット孔３９を通してポリマーアッシング用のチャンバ３５から樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０に常時酸素が流れ込むようになっている。
【００６６】
ポリマーアッシング用のチャンバ３５には、複数の棒状或いは平板状のポリマーアッシング用電極４７と、巻き取り部９０とが収納されている。巻き取り部９０の構造は実施態様１（Ａ１）と同じであるので、その記載を援用する。
ポリマーアッシング用のチャンバ３５内における原反１の移動経路Ｔは、ポリマーアッシング時間を長く取るため、複数のガイドローラ６５にて原反１を蛇行させるようになっている。そして、ポリマーアッシング用電極４７は、後述するダンサーローラ６０と巻き取り部９０との間において、蛇行する原反１の移動経路Ｔに近接し、且つ該ポリマーアッシング用電極４７の長手方向は、前記移動経路Ｔに直交するように多段多列（図では８段５列）にて配置されており、図示しない電源のアノードとカソードに交互に接続されている。
【００６７】
ポリマーアッシング用のチャンバ３５内において、ポリマーアッシング用電極４７の上流側にはダンサーローラ６０が設置されている。ダンサーローラ６０は図示していないガイドレールによって昇降し原反１の弛みを解消している。また、ポリマーアッシング用電極４７の出口に設けられたガイドローラ６６と巻き取り部９０の入口部分に設けられたガイドローラ６７との間に搬送されている原反１のエッジを監視するエッジセンサ８６が設置されている。エッジセンサ８６は、図示していない制御部に原反１のエッジの位置を検出した検出信号を出力し、原反１のエッジが所定の範囲からずれた場合に、これを前記範囲内に戻すようにリール１００と共に取付軸９１を軸方向に移動させるようになっている。なお、図１の実施態様１にはエッジセンサを記載していないが、勿論、巻き取り部９０の入口部分に設けるようにしてもよい。
【００６８】
上記のように水平方向に伸びる方向（紙面から紙背への方向）に配設され、それぞれ正・負極になるポリマーアッシング用電極４７は、ポリマーアッシング用のチャンバ３５内で縦方向で交互に並んでおり、図示されていない高周波電源に接続され、アッシング時には高周波電流が印加され、ポリマーアッシング用のチャンバ３５内の酸素がラジカル化される。なお、ポリマーアッシング用のチャンバ３５には酸素を供給するアッシングガス供給管８３と、排気管８０ｘとが配設されている。ポリマーアッシング電極４７は、図の実施形態では棒状電極（或いは図示していないが平板電極）が用いられる。
【００６９】
図３（実施態様２）では、樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０にて実施態様１と同様、原反１の冷却が行われつつブラインドビアホール５のホール穴底６の樹脂残渣７が分解される。そして樹脂残渣エッチング終了の時点で前述のように原反１の表面にエッチング生成物が残留する。この状態で原反１が樹脂残渣エッチング用のチャンバ３０から送り出され、スリット孔３９を通過してポリマーアッシング用のチャンバ３５に入る。ポリマーアッシング用のチャンバ３５は酸素が注入されたアッシング雰囲気Ｆである。そして、ポリマーアッシング用のチャンバ３５に引き込まれた原反１は、ダンサーローラ６０により弛みが吸収された状態でポリマーアッシング用電極４７の設置部分に送られる。
【００７０】
原反１は、多列に配置されたポリマーアッシング用電極４７間を蛇行しながら進むが、この間、ポリマーアッシング用電極４７に高周波電流が印加され、グロー放電による酸素ラジカルにて原反１の表面に生成したエッチング生成物が酸化分解される。分解されたエッチング生成物は気体となって排気管８０ｘから排出される。
なお、図３では、チャンバがエッチング用のチャンバ３０とポリマーアッシング用のチャンバ３５に分かれ、連通接続部３７で繋がっている場合を示したが、勿論、これに限られず、図示しないが、大型のチャンバを原反通過用のスリット孔が形成された隔壁で２分割したものでも良い。
【００７１】
実施態様３（図４）
実施態様３の装置Ａ３は、原反１の表面及び裏面に開口したブラインドビアホール５を一度のパスで樹脂残渣エッチング処理（更には、エッチング処理後のアッシング処理）が可能な装置である。第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒは、図３の説明で述べたように、ドラム本体２１ｆｈ・２１ｒｈのエッチング領域（接触開始端Ｓ１〜離脱端Ｓ２の範囲）をカバーするのが好ましいので、これら第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒの設置スペースを確保するために１つのチャンバを分割した図を示している。しかし、前後の第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒの雰囲気は同じであるので、第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒの設置スペースを確保が必要なければ１つのチャンバで足る。以下、チャンバが分割された例で説明する。
【００７２】
この装置Ａ３では、分割された前後の第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒと、前側に位置する第１のチャンバ３０ｆの上流に送り出し部１０を収納した送り出し側チャンバ３０ｈ、第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒの間に設けられ、巻き取り部９０とダンサーロール６０が収納された巻き取り側チャンバ３０ｉとが設けられている。送り出し側チャンバ３０ｈと第１のチャンバ３０ｆとは連通接続部３７ｑで連通され、第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒの間に設けられた巻き取り側チャンバ３０ｉは、これらと連通接続部３７ｒ・３７ｓで接続されている。そして、第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒ内には同一構造の冷却用回転ドラムがそれぞれ並べて設けられており、前段のものを第１の冷却用回転ドラム２１ｆ、後段のものを第２の冷却用回転ドラム２１ｒとする。そのドラム本体はそれぞれ２１ｆｈ・２１ｒｈで示す。第１・第２の冷却用回転ドラム２１ｆ・２１ｒは図１の冷却用回転ドラム２１と同じ構造で、周囲に第１・第２のプラズマ発生電極４０ｆ・４０ｒがそれぞれ設置されている。そして、上記第１の冷却用回転ドラム２１ｆと第２の冷却用回転ドラム２１ｒの回転方向は互いに逆方向に回るように設定されている。なお、第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒの排気管を８０ｆ・８０ｒで示す。
【００７３】
第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒの上面、及び両側面には、上記のように第１の冷却用回転ドラム２１ｆ、第２の冷却用回転ドラム２１ｒの周囲をカバーするために図１と同様に第１・第２のマイクロ波通過窓３２ｆ・３２ｒに臨むように複数の第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒが設置されている。第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒの構造及び作用効果は図１の説明で記載した通りである。
【００７４】
この場合、樹脂残渣エッチング工程では、第１のチャンバ３０ｆと第２のチャンバ３０ｒはいずれもエッチング雰囲気Ｅとして使用されるため、連通接続部３７ｑ・３７ｒ・３７ｓには隔壁が設けられていない。
本装置Ａ３では、原反１の移動経路Ｔがかなり長くなるので、送り出し部１０の出口部分と巻き取り部９０の入口部分にエッジセンサ８５が設置されている。なお、送り出し側チャンバ３０ｈ内には取付軸１１が設けられており、巻き取り側チャンバ３０ｉ内に取付軸９１と、ダンサーローラ６０とが設置されている。
なお、図示していないが、第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒの配置が許せば、一つのチャンバ３０内にこれらを納めることができるし、巻き取り側チャンバ−３０ｈを第１のチャンバ３０ｆ又は／及び第２のチャンバ３０ｒに合体させてもよい。
【００７５】
実施態様３の装置Ａ３では、原反１は送り出し側のリール１００から送りだされ、図１と同様、ガイドローラ１２ｆを介して方向転換がはかられ、順回転している第１の冷却用回転ドラム２１ｆの第１の接触面２４ｆに接しつつ回転する。そしてその離脱端Ｓ２を越え、ガイドローラ９２ｆによって方向が変えられ巻き取り側チャンバ３０ｉに入る。巻き取り側チャンバ３０ｉでは、ダンサーローラ６０を経て、第２冷却用回転ドラム２１ｒの下を通過し、ガイドローラ１２ｒで方向転換して表裏が逆となり、逆回転している第２の冷却用回転ドラム２１ｒの第２の接触面３２ｒに接触しつつガイドローラ９２ｒによりその逆回転と共に逆方向に戻る。戻った巻き取り側チャンバ３０ｉではガイドローラ６７により方向転換がなされ、巻き取り側のリール１００に至る。
【００７６】
これにより第１の冷却用回転ドラム２１ｆでは、原反１の表面が露出面となり、第２の冷却用回転ドラム２１ｒでは裏面が露出面となる。そして既に述べたように第１・第２のチャンバ３０ｆ・３０ｒ内で第１・第２のマグネトロン５１ｆ・５１ｒや第１・第２のプラズマ発生電極４０ｆ・４０ｒに高周波電流を印加し、エッチングガスをラジカル化する。これによりそれぞれの位置で、原反１の表面と裏面のブラインドビアホール５のホール穴底６の樹脂残渣７の分解除去がなされる。
【００７７】
第２冷却用回転ドラム２１ｒを経て両面エッチング処理された原反１は、巻き取り部９０の巻き取り用の空リール１００に巻き取られる。
【００７８】
エッチング後、図１の装置Ａ１で既に述べたように原反１の表面にエッチング生成物が残留する場合、図１の装置Ａ１で既に述べた反転方法でポリマーアッシングが出来る。即ち、第１のチャンバ３０ｆ、第２のチャンバ３０ｒ内のエッチングガスを排出し、第１・第２の反応ガス供給管８１ｆ・８１ｒから反応ガスとして酸素だけ第１のチャンバ３０ｆ、第２のチャンバ３０ｒ内に注入する。これにより第１のチャンバ３０ｆ、第２のチャンバ３０ｒ内はアッシング雰囲気Ｆに置換される。
【００７９】
既に述べたようにポリマーアッシングはエッチングに比べてラジカル濃度が小さくて良いので、第１・第２のプラズマ発生電極４０ｆ・４０ｒだけによるアッシングガスの励起で足りるが、原反１を冷却しつつ第１・第２のプラズマ発生電極４０ｆ・４０ｒと第１・第２のマイクロ波発生装置５０ｆ・５０ｒを併用してもよい。
アッシング工程では、第２の冷却回転ドラム２１ｒを順回転させ、第１の冷却用回転ドラム２１ｆを逆回転させて原反１を逆走させ、酸素ラジカルでエッチング生成物を分解する。なお、本装置ではエッチングだけを行い、図１と同様、アッシング工程を別の装置で行うことも可能である。
【００８０】
図５は本発明の実施態様４である。この場合は、原反１の両面残渣樹脂エッチングとポリマーアッシングとが１パスで行う事が出来る。実施態様４の装置Ａ４の構成は、実施態様３の装置構成に実施態様２で示したポリマーアッシング用のチャンバ３５を追加し、これに更に連通接続部３７ｒ・３７ｓにスリット孔３９付きの隔壁３８ｒ・３８ｓが設置された構成である。実施態様４において、実施態様２、実施態様３と同じ構造の部分はこれらの説明を実施態様４に援用する。また、その作用効果で同じ効果を奏する部分については実施態様１〜３の記載を援用する。以下、簡単に説明する。
【００８１】
この場合、ポリマーアッシング用のチャンバ３５には反応ガスとして酸素だけが供給され、第１のチャンバ３０ａ、第２のチャンバ３０ｋには既述のエッチングガスが供給される。従って、この場合はポリマーアッシング用のチャンバ３５を、その両側の第１のチャンバ３０ａ、及び第２のチャンバ３０ｋに合体させることができない。従って、上記のようにポリマーアッシング用のチャンバ３５とその両側の第１のチャンバ３０ａ、及び第２のチャンバ３０ｋを繋ぐ連通接続部３７ｒ・３７ｓにはスリット孔３９付きの隔壁３８ｒ・３８ｓが設けられる。そして、既に述べたようにポリマーアッシング用のチャンバ３５の内圧は第１・第２のチャンバ３０ａ・３０ｋの内圧より高く、常時、スリット孔３９を通りポリマーアッシング用のチャンバ３５から酸素が第１・第２のチャンバ３０ａ・３０ｋに流れ込んでいる。排気は排気管８０ｂで行う。
【００８２】
実施態様４の装置Ａ４の動作は、実施態様３で示したように、原反１の両面は、順・逆方向に回転する第１・第２の冷却用回転ドラム２１ａ・２１ｋにおいて、上記温度を越えないように冷却されつつ送られ、第１・第２のマイクロ波発生装置５０ａ・５０ｋ、及び第１・第２のプラズマ発生装置４０ａ・４０ｋを作動させてエッチングした後、実施態様２示したようにポリマーアッシング用のチャンバ３５で、ポリマーアッシング用の電極４７を作動させて原反１の両面に付着したエッチング生成物をアッシングし、巻き取ることになる。なお、原反１は移動経路Ｔにおいて、ガイドローラ１２ａ、９２ａ、１２ｋ、９２ｋ、６５、６７にてガイドされる。これによりワンパスで両面エッチングと両面アッシングが完了する。第１・第２のマイクロ波発生装置５０ａ・５０ｋには記述のようなマグネトロン５１ａ・５１ｋ，アンテナ５２ａ・５２ｋが備えられている。
【００８３】
図６は、本発明の実施態様４の変形例で（Ａ４’）で示す。この場合は、実施態様４のポリマーアッシング電極４７に代えてプラズマ発生装置５０ｓをポリマーアッシング用のチャンバ３５に設置し、該チャンバ３５に設けたマイクロ波通過窓３２ｓを通じてマイクロ波を上記同様、該チャンバ３５内に投入する。ポリマーアッシング電極４７をプラズマ発生装置５０ｓに代えることで、原反１のアッシング時の昇温温度を８０℃以下に抑制することができ、装置全体の加工速度を保つことが出来る。実施態様４の変形例Ａ４’では、ポリマーアッシング電極４７をプラズマ発生装置５０ｓに代えたこと、原反１の移動経路Ｔを前半と後半に分けたこと以外は、構造実施態様４と同じである。
【００８４】
なお、ポリマーアッシング用のチャンバ３５において、第１冷却用回転ドラム２１ａからポリマーアッシング用のチャンバ３５に入った前半の移動経路Ｔ１では、第１冷却用回転ドラム２１ａでエッチングされた面がアッシングされ、第２の冷却用回転ドラム２１ｋからポリマーアッシング用のチャンバ３５に戻った後半の移動経路Ｔ２では、第２の冷却用回転ドラム２１ｋでエッチングされた面がアッシングされる。この結果、図５の実施態様４と同様両面アッシングが完了する。これにより、ワンパスで両面エッチングと両面アッシングが終了する。
【符号の説明】
【００８５】
Ａ１〜Ａ４（Ａ４’）：原反処理装置、Ｅ：エッチング雰囲気、Ｆ：アッシング雰囲気、Ｇ：グランド、Ｒ：プラズマ、Ｓ１：接触開始端、Ｓ２：離脱端、Ｔ：移動経路、Ｔ１：移動経路の前半、Ｔ２：移動経路の後半、１：原反、１ａ：表面層、１ｂ：裏面層、２：樹脂フィルム、３：配線、３ａ：ホール鍍金、４：単層シート、５：ブラインドビアホール、６：ホール穴底、７：樹脂残渣、９：接着剤、１０：送り出し部、１１：取付軸、１２：ガイドローラ、２１：冷却用回転ドラム、２１ａ・２１ｆ：第１の冷却用回転ドラム、２１ｈ・２１ｆｈ・２１ｒｈ：ドラム本体、２１ｋ・２１ｒ：第２の冷却用回転ドラム、２２：主軸、２２ａ：内管、２２ｂ：外管、２２ｃ：冷媒通流孔、２２ｄ：給水室、２２ｅ：仕切り壁、２２ｆ：排水路、２２ｇ・２２ｈ：メカニカルシール、２３：リブ、２３ａ・２３ｂ：連通孔、２４：接触面、２４ａ・２４ｆ：第１の接触面、２４ｋ・２４ｒ：第２の接触面、２５：駆動体、３０：チャンバ、３０ａ・３０ｆ：第１のチャンバ、３０ｒ・３０ｋ：第２のチャンバ、３０ｈ：送り出し側チャンバ、３０ｉ：巻き取り側チャンバ、３１：チャンバ壁、３１ａ：軸受け、３１ｂ：排水口、３２：マイクロ波通過窓、３２ａ・３２ｆ：第１のマイクロ波通過窓、３２ｋ・３２ｒ：第２のマイクロ波通過窓、３５：ポリマーアッシング用のチャンバ、３７・３７ｑ・３７ｒ・３７ｓ：連通接続部、３８・３８ｒ・３８ｓ：隔壁、３９：スリット孔、４０：プラズマ発生電極、４０ａ・４０ｆ：第１のプラズマ発生電極、４０ｒ・４０ｋ：第２のプラズマ発生電極、４７：ポリマーアッシング電極、５０：マイクロ波発生装置、５０ａ・５０ｆ：第１のマイクロ波発生装置、５０ｒ・５０ｋ：第２のマイクロ波発生装置、５１・５１ａ・５１ｋ：マグネトロン、５１ｒ：第２のマグネトロン、５２・５２ａ・５２ｋ：（出力）アンテナ、５４：導波ケース、６０：ダンサーローラ、６５〜６７：ガイドローラ、７０：（冷却回転ドラム用）電源、８０・８０ｂ・８０ｆ・８０ｒ：排気管、８０ａ：第１排気管、８０ｋ：第２排気管、８０ｘ：排気管、８１：反応ガス供給管、８１ａ・８１ｆ：第１の反応ガス供給管、８１ｒ・８１ｋ：第２の反応ガス供給管、８３：アッシングガス供給管、８５・８６：エッジセンサ、９０：巻き取り部、９１：取付軸、９２・９２ｋ・９３ｒ：ガイドローラ、１００：リール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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