(57)【要約】  【課題】  単一液晶表示素子中で、低駆動電圧性が高い領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域の両方の領域を有する液晶表示素子を提供すること。  【解決手段】  弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する配向基板を備えた液晶表示素子。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも電極、並びに弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する両アンカリング層を備えた、電極付き配向基板であって；
前記電極は前記基板と平行な電界を生成可能であり；
前記基板と平行な電界を生成する電極領域上の、前記両アンカリング層の面積に占める、前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が、４０〜１００％である画素を備えた電極付き配向基板。
【請求項２】
前記電極領域上の、前記両アンカリング層の面積に占める、前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が０〜２０％である画素を更に備えた、請求項１に記載の電極付き配向基板。
【請求項３】
前記基板と平行な電界を生成する電極領域上の、両アンカリング層の面積に占める、弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が、４０〜１００％である画素において、前記電極領域以外の、非電極領域上の前記両アンカリング層の面積に占める、前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が０〜２０％である、請求項１に記載の電極付き配向基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電極付き配向基板、及び液晶層を挟んでこれと対向する第２の配向基板を備えた液晶表示素子であって；
前記第２の配向基板が強アンカリング膜を備えた液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子、及び液晶表示素子に用いられる電極付き配向基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、薄型、軽量、低消費電力などの特性を有していることから、携帯電話、コンピュータ及びテレビの表示素子等の幅広い領域に用途が拡大している。液晶表示素子の表示原理として、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）等様々な表示モードが提案されているが、そのほとんどは、配向基板によって液晶分子の配向方向を予め規制する必要がある。
【０００３】
液晶分子の配向方向を規制する方法として、基板上にポリイミド又はポリイミド前駆体を含む溶液を用いて形成される配向膜を形成した後に、レーヨンや綿などの布を巻いたローラーを、回転数並びにローラー及び基板の距離を一定に保った状態で回転させ、配向膜の表面を一方向に擦る手法（ラビング法）や、直線偏光紫外線を照射してポリイミドの分子配向に異方性を発生させる手法（光配向法）等が採用されている。これらの配向処理により、液晶分子は配向膜付き基板表面に強く束縛され、一定方向に配向するようになる。以下、この液晶分子が配向膜付き基板表面に束縛され、配向する方向を、「配向容易軸」と表記する。
【０００４】
近年、液晶表示素子の低駆動電圧性を高めるための改善策として、基板の一方に強アンカリング膜を有し、他方に弱アンカリング膜を有する液晶表示素子（例えば、特許文献１参照）が提案されている。尚、本明細書では、上述の配向膜のような液晶分子の配向方向を規制する膜を「強アンカリング膜」と表記し、規制する能力を「強アンカリング能」と表記する。同様に、基板表面の配向規制力（アンカリング）が弱く、膜近傍でも電界等によって液晶分子の向きを変化させることができる膜を「弱アンカリング膜」と表記し、膜近傍でも電界等によって液晶分子の向きを変化させることができる能力を「弱アンカリング能」と表記する。即ち、「強アンカリング膜」とは「強アンカリング能を有する膜」である。「弱アンカリング膜」とは「弱アンカリング能を有する膜」である。又、強アンカリング能を有する膜を形成可能な材料「強アンカリング膜形成用材料」と表記し、弱アンカリング能を有する膜を形成可能な材料を「弱アンカリング膜形成用材料」と表記する。
【０００５】
又、弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する層のことを「両アンカリング層」と表記する。尚、通常、液晶表示素子用「配向膜」とは上述の強アンカリング膜を表すが、本明細書では両アンカリング層も「配向膜」の一つの形態であるとする。
【０００６】
特許文献１の実施例では、一方に基板表面にポリマーブラシを形成した弱アンカリング膜、及び他方にラビング処理を施したポリイミド膜である強アンカリング膜を備えた液晶表示素子が記載されている。弱アンカリング膜は、液晶分子の配向規制力が弱いため、一方に弱アンカリング膜、他方に強アンカリング膜を備えた液晶表示素子は、両方に強アンカリング膜を備えた液晶表示素子と比較して、低駆動電圧性が高いというメリットがあるが、同時に電圧ＯＦＦ時の表示応答性が低いというデメリットがある。
【０００７】
情報端末に用いられる液晶表示素子では、動画を再生する等の電圧ＯＦＦ時の表示応答性を重視する領域、及び時刻を表示する等の電圧ＯＦＦ時の表示応答性はさほど重要ではないが、使用時間が長く省電力性を重視する領域が存在する。
【０００８】
電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高いことに対しては両方に強アンカリング膜を備えた液晶表示素子が有効であり、省電力性に優れることに対しては一方に強アンカリング膜、他方に弱アンカリング膜を備えた液晶表示素子が有効である。
【０００９】
通常、単一の液晶表示素子中において、電圧ＯＦＦ時の表示応答性及び省電力性をそれぞれ重視する２種類の領域が存在する場合には、電圧ＯＦＦ時の表示応答性を優先し、両方に強アンカリング膜を備えた液晶表示素子が用いられている。そのため、弱アンカリング膜を備えていることによる液晶表示素子の低駆動電圧性向上のメリットは知られていたが、電圧ＯＦＦ時の表示応答性低下が障壁となり、その特性を重視する領域の存在する液晶表示素子には弱アンカリング膜を使用できない状況であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１７−０１００３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、単一の液晶表示素子中において、低駆動電圧性が高い領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域の両方の領域が存在する液晶表示素子、及びその液晶表示素子に用いられる電極付き配向基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、基板上に電極並びに弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する両アンカリング層を備えた電極付き配向基板であって、電極が前記基板と平行な電界を生成可能であり、且つ基板と平行な電界を生成する電極領域上における両アンカリング層の面積に占める弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が、４０〜１００％である画素を備えた電極付き配向基板を備えた液晶表示素子により、上記目的を達することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
本発明は以下の構成を含む。
［１］  基板上に、少なくとも電極、並びに弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する両アンカリング層を備えた、電極付き配向基板であって；
前記電極は前記基板と平行な電界を生成可能であり；
前記基板と平行な電界を生成する電極領域上の、前記両アンカリング層の面積に占める、前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が、４０〜１００％である画素を備えた電極付き配向基板。
【００１４】
［２］  前記電極領域上の、前記両アンカリング層の面積に占める、前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が０〜２０％である画素を更に備えた、［１］項に記載の電極付き配向基板。
【００１５】
［３］  前記基板と平行な電界を生成する電極領域上の、両アンカリング層の面積に占める、弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が、４０〜１００％である画素において、前記電極領域以外の、非電極領域上の前記両アンカリング層の面積に占める、前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合が０〜２０％である、［１］項に記載の電極付き配向基板。
【００１６】
［４］  ［１］〜［３］のいずれか１項に記載の電極付き配向基板、及び液晶層を挟んでこれと対向する第２の配向基板を備えた液晶表示素子であって；
前記第２の配向基板が強アンカリング膜を備えた液晶表示素子。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の好ましい態様に係る電極付き配向基板は、弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する。そのために低駆動電圧性に優れる領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性に優れる領域の両方の領域を有する液晶表示素子を作製することができる。特に、ＩＰＳ表示モードの液晶表示素子の２枚の強アンカリング膜の内、一方を両アンカリング層に置き換えた液晶表示素子として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】画素、電極領域、及び非電極領域の例を示す平面図である。
【図２】本発明の電極付き配向基板の領域パターン例を示す平面図である。
【図３】本発明の電極付き配向基板の領域パターン例において、電極形状に合わせた前記領域パターンの形状の具体例を示す平面図である。
【図４】本発明の液晶表示素子１０の第１実施形態、並びに表示のためのバックライトユニット１１、偏光板１２Ａ、及び偏光板１２Ｂの概略構成を示す断面図である。尚、両アンカリング層１３が、弱アンカリング能を有する領域１３Ａである場合及び強アンカリング能を有する領域１３Ｂである場合の、いずれの場合も図４のように表される。
【図５】前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が弱アンカリング能を有する領域１３Ａである場合における、液晶分子の配向方向の分布を示す断面図である。
【図６】前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が強アンカリング能を有する領域１３Ｂである場合における、液晶分子の配向方向の分布を示す断面図である。
【図７】前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界を印加しない状態における、電極線の配線方向及び弱アンカリング膜近傍の液晶分子の配向方向の関係を示す平面図である。尚、両アンカリング層１３が、弱アンカリング能を有する領域１３Ａである場合及び強アンカリング能を有する領域１３Ｂである場合の、いずれの場合も図７のように表される。
【図８】前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が弱アンカリング能を有する領域１３Ａである場合における、電極線の配線方向及び液晶分子の配向の関係を示す平面図である。
【図９】前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が強アンカリング能を有する領域１３Ｂである場合における、電極線の配線方向及び液晶分子の配向の関係を示す平面図である。
【図１０】実施例のＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極の配置及び二区画パターンの両アンカリング層の配置の関係を示す平面図である。１つの電極付き配向基板上に画素１８が２つ形成されている。櫛歯電極は基板に平行な面内に、方向Ｘに沿って一定間隔で並んでいる。
【図１１】実施例のＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極の配置及び第１のストライプパターンの両アンカリング層の配置の関係を示す平面図である。１つの電極付き配向基板上に画素１８が２つ形成されている。櫛歯電極は基板に平行な面内に、方向Ｘに沿って一定間隔で並んでいる。
【図１２】実施例のＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極の配置及び第２のストライプパターンの両アンカリング層の配置の関係を示す平面図である。１つの電極付き配向基板上に画素１８が２つ形成されている。櫛歯電極は基板に平行な面内に、方向Ｘに沿って一定間隔で並んでいる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜１．本発明の電極付き配向基板＞
本発明の電極付き配向基板は、基板上に少なくとも電極並びに弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域の両方の領域を有する両アンカリング層を備えることを特徴とする配向基板である。
【００２０】
＜１−１．電極付き配向基板の構成＞
前記電極付き配向基板における基板、電極、及び両アンカリング層の構成は、基板上に前記電極、前記両アンカリング層の順に積層された構成である。
【００２１】
前記電極は、画素に分割されている。尚、本明細書では、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の表示用の場合、各色それぞれを「１画素」、Ｒ、Ｇ、Ｂ合わせて「３画素」のように表記することとする。更に、液晶表示素子で表示される画素に対応する、電極付き配向基板の領域も「画素」と表記することとする。
【００２２】
前記電極は、１画素当り複数本の櫛歯電極で構成されていることが好ましい。この櫛歯電極上及び櫛歯電極間で構成される基板に平行な電界を生成可能な領域を「電極領域」と表記し、電極領域以外の領域を「非電極領域」と表記することとする。即ち、本発明の電極付き配向基板における画素は、電極領域及び非電極領域の両方を有する。
【００２３】
前記画素、前記電極領域、及び前記非電極領域の例を図１に示す。なお、図１中の画素電極は一部省略している。
【００２４】
本発明の電極付き配向基板に用いられる電極の例は、実施例で用いられたＣｒ等の金属電極；並びにＩＴＯ（Indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＡＺＯ（aluminum doped zinc oxide）、ＧＺＯ（gallium doped zinc oxide）、及びＡＴＯ（antimony tin oxide）等の透明電極である。金属電極は透明電極より安価に電極を形成可能である。透明電極を用いることで、金属電極を用いる場合より液晶表示素子の光透過率を向上させることができる。
【００２５】
＜１−２．両アンカリング層の面積に占める弱アンカリング能を有する領域の面積の割合＞
本発明の電極付き配向基板は、電極領域上における前記両アンカリング層の面積に占める前記弱アンカリング能を有する領域の面積の割合（以下「弱アンカリング面積割合」と表記）が４０〜１００％である画素を備える。
【００２６】
電極領域上において、弱アンカリング面積割合の大きい領域は、対応する液晶表示素子の領域の低駆動電圧性が高く、弱アンカリング面積割合の小さい領域は電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い。
【００２７】
そのため、電極領域上の弱アンカリング面積割合の大きい画素及び電極領域上の弱アンカリング面積割合の小さい画素の両方の画素を有する電極付き配向基板を用いることで、単一の液晶表示素子中において、低駆動電圧性が高い領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域の両方の領域が存在する液晶表示素子を作製可能である。
【００２８】
低駆動電圧性が高い領域を有する液晶表示素子を作製するためには、電極領域上の弱アンカリング面積割合が４０〜１００％である画素を備えることが好ましく、電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域を作製するためには、電極領域上の弱アンカリング面積割合が０〜２０％である画素を備えることが好ましい。低駆動電圧性が高い領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域の両方の領域を有する液晶表示素子の好ましい例は、電極領域上の弱アンカリング面積割合が８０〜１００％である画素、及び電極領域上の弱アンカリング面積割合が０〜２０％である画素の両方の画素を備える液晶表示素子である。
【００２９】
更に、電極領域上の弱アンカリング面積割合の大きい画素の周辺部において、非電極領域の弱アンカリング面積割合を小さくすることで、低駆動電圧性及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性のバランスの良好な領域を有する液晶表示素子を作製可能である。
【００３０】
好ましくは、電極領域上の弱アンカリング面積割合が６０〜１００％であり、非電極領域上の弱アンカリング面積割合が０〜２０％である。
【００３１】
＜１−３．電極付き配向基板の領域パターン＞
本発明の電極付き配向基板の両アンカリング層の領域のパターン（以下、「領域パターン」と表記）は、弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域が、１次元又は２次元に規則的に構成されていることが望ましい。領域パターンの規則性があることで、領域パターン作製時の生産性、再現性に優れたものとなる。
【００３２】
前記領域パターンの形状の例は、二区画形状（２ａ）、ストライプ形状（２ｂ）、格子形状（２ｃ）、水玉形状（２ｄ）である。これらの例を図２に示す。図２の領域（２α）及び（２β）がそれぞれ弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域、又は強アンカリング能を有する領域及び弱アンカリング能を有する領域である。
【００３３】
電極形状に合わせた前記領域パターンの形状の具体例として、電極領域上の弱アンカリング面積割合が１００％である画素、及び電極領域上の弱アンカリング面積割合が０％である画素の両方の画素を有する二区画形状の例（３ａ）、並びに電極領域上の弱アンカリング面積割合が８０％であり、且つ非電極領域の弱アンカリング面積割合が０％である画素を有するストライプ形状の例（３ｂ）及び（３ｃ）を図３に示す。図３の領域（３α）及び（３β）は、それぞれ弱アンカリング能を有する領域及び強アンカリング能を有する領域である。
【００３４】
＜２．電極付き配向基板の作製方法＞
本発明の電極付き配向基板の作製では、少なくとも電極を備えた基板（以下「電極付き基板」と表記する）上に、両アンカリング層を形成する。
【００３５】
電極付き配向基板の作製方法の例は、
電極付き基板上に弱アンカリング能を有するベタ膜を形成した後に、紫外線のパターン照射等を用いて部分的にベタ膜のリコート性を変化させ、リコート性の良好な領域に強アンカリング能を有するパターン体を形成することで、電極付き配向基板を作製する方法（以下、「作製方法Ａ」と表記）；
電極付き基板上にグラビアオフセット印刷及びフレキソ印刷等の印刷方法を用いて弱アンカリング能を有するパターン体を形成した後に、弱アンカリング能を有しない領域に強アンカリング能を有するパターン体を形成することで電極付き配向基板を作製する方法（以下、「作製方法Ｂ」と表記）；
電極付き基板上に弱アンカリング能を有するベタ膜を形成した後に、フォトレジストを使用し、エッチング工程を経ることで弱アンカリング能を有するパターン体を形成し、弱アンカリング能を有しない領域に強アンカリング能を有するパターン体を形成することで電極付き配向基板を作製する方法；
電極付き基板上に感光性材料を使用し、フォトリソグラフィ法において弱アンカリング能を有するパターン体を形成した後に、弱アンカリング能を有しない領域に強アンカリング能を有するパターン体を形成することで電極付き配向基板を作製する方法（以下、「作製方法Ｃ」と表記）；
並びに、電極付き基板上に強アンカリング能を有するベタ膜を形成した後に、インクジェット法において弱アンカリング能を有するパターン体を形成することで、電極付き配向基板を作製する方法である。
【００３６】
いずれの方法においても、強アンカリング能を有するパターン体又は強アンカリング能を有するベタ膜に対して、配向処理工程を行うことで、強アンカリング能を有する領域近傍の液晶分子が一定方向に配向するようになる。
【００３７】
本明細書中の「リコート性」とは、膜上への塗液の塗布に対する膜の特性であり、膜が塗液をはじくことで、塗膜が形成できない膜の状態を「リコート性が不良である」と表し、膜上の塗液の塗れ広がり性が高く、塗膜が形成できる膜の状態を「リコート性が良好である」と表す。上述の作製方法Ａでは、リコート性の不良なベタ膜上に紫外線を照射することにより、リコート性を向上させている。
【００３８】
これらの電極付き配向基板の作製方法の例の内、領域パターン作製時の生産性を考慮すると、現像工程を用いない作製方法Ａ及び作製方法Ｂが好ましく、領域パターンの精細性を考慮すると、パターン露光工程を用いる作製方法Ａ及び作製方法Ｃが好ましい。尚、後述の実施例では、作製方法Ａ、作製方法Ｂ、及び作製方法Ｃの３つの作製方法を用いている。
【００３９】
＜２−１．弱アンカリング能を発現させる方法＞
弱アンカリング能を発現させる方法の例は、フッ素含有材料等の低表面自由エネルギー材料を用いることにより形成膜表面の液晶材料に対する相互作用を低減させる方法（例えば、特開平６−２０２０８６、以下「低表面自由エネルギー材料使用方法」と表記）、並びにポリマーブラシを形成し、ポリマーブラシ及び液晶材料の共存部のＴｇ（ガラス転移温度）よりも高く、且つ共存部の形状を自由に変動させ得る温度に加熱することにより共存部の液晶材料に対する相互作用を低減させる方法（例えば、特開２０１４−２１５４２１、以下「ポリマーブラシ形成方法」と表記）である。尚、後述の実施例では低表面自由エネルギー材料使用方法を用いている。
【００４０】
低表面自由エネルギー材料使用方法の具体例は、多官能カルボキシル化合物、多官能エポキシ化合物、及び重合性界面活性剤を含有する弱アンカリング膜形成用材料を調製し、該材料を基板上に塗布し、焼成することで、弱アンカリング能を有する膜を形成する方法、並びに多官能カルボキシル化合物、多官能エポキシ化合物、重合性界面活性剤、多官能アクリレート化合物、及び光重合開始剤を含有する弱アンカリング膜形成用材料を調製し、該材料を基板上に塗布し、露光し、焼成することで、弱アンカリング能を有する膜を形成する方法である。尚、多官能アクリレート化合物及び光重合開始剤を含む弱アンカリング膜形成用材料を使用する場合には、該材料を基板上に塗布し、パターン露光し、現像し、焼成することで弱アンカリング能を有するパターン体を形成可能である。
【００４１】
ポリマーブラシ形成方法の具体例は、基板をラジカル重合性モノマー含有液に浸漬し、基板表面にリビングラジカル重合させることによりポリマーブラシを形成することで、弱アンカリング能を有する膜を形成する方法である。
【００４２】
これらの弱アンカリング能を発現させる方法の例の内、上述の作製方法Ａ、作製方法Ｂ、又は作製方法Ｃで電極付き配向基板を作製する場合に、強アンカリング能を有するパターン体を形成しやすい低表面自由エネルギー材料使用方法が好ましい。
【００４３】
＜２−２．強アンカリング能を発現させる方法＞
強アンカリング能は、液晶表示素子用配向膜の既知の形成方法で発現可能である。液晶表示素子用配向膜の形成方法の例は、上述のラビング法及び光配向法である。これらの２つの方法の内、配向処理工程時に本発明の配向基板の弱アンカリング能を有する領域の弱アンカリング能の低下を抑えることのできる光配向法が好ましい。
【００４４】
光配向法の例は、光異性化型の材料を使用する方法（例えば、特開２００５−２７５３６４）、光二量化型の材料を使用する方法（例えば、特開平１０−２５１６４６）、及び光分解型の材料を使用する方法（例えば、特開平９−２９７３１３）である。弱アンカリング能を有する領域の弱アンカリング能を保つためには、これらの光配向法の内、露光波長３００ｎｍ以上で感度の高い光異性化型の材料を使用する方法及び光二量化型の材料を使用する方法が好ましく、露光波長３５０ｎｍ以上で感度の高い光異性化型の材料を使用する方法が特に好ましい。尚、後述の実施例では光異性化型の材料を使用する方法を用いている。
【００４５】
＜３．本発明の電極付き配向基板を用いた液晶表示素子＞
液晶化合物には誘電率異方性が正であるポジ型、及び誘電率異方性が負であるネガ型が存在する。ポジ型の液晶化合物は、誘電的性質が液晶分子の長軸方向に大きく、長軸方向に直交する方向に小さい。ネガ型の液晶化合物は、誘電的性質が液晶分子の長軸方向に小さく、長軸方向に直交する方向に大きい。以下の液晶表示素子の説明では、ポジ型の液晶化合物を用いた事例について説明する。
【００４６】
液晶表示素子には液晶分子の配向方向を制御するための配向膜として、上述の強アンカリング膜、上述の弱アンカリング膜、及び上述の両アンカリング層が存在する。本発明の液晶表示素子は、互いに対向する２つの配向膜の一方が強アンカリング膜であり、他方が両アンカリング層である。
【００４７】
本発明の電極付き配向基板は、上記の両アンカリング層を有する基板として使用することができる。
【００４８】
＜３−１．第１実施形態＞
図４は、本発明の液晶表示素子１０の第１実施形態、並びに表示のためのバックライトユニット１１、偏光板１２Ａ、及び偏光板１２Ｂの概略構成を示す断面図である。図５は、前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が弱アンカリング能を有する領域１３Ａである場合における、液晶分子の配向方向の分布を示す図である。図６は、前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が強アンカリング能を有する領域１３Ｂである場合における、液晶分子の配向方向の分布を示す図である。図７は、前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界を印加しない状態における電極線の配線方向、及び両アンカリング層近傍の液晶分子の配向方向の関係を示す図である。図８は、前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が弱アンカリング能を有する領域１３Ａである場合における、電極線の配線方向及び液晶分子の配向の関係を示す図である。図９は、前記第１実施形態において、誘電率異方性が正の液晶化合物Ｌｐを用い、電界Ｅを印加した状態における、且つ両アンカリング層１３が強アンカリング能を有する領域１３Ｂである場合における、電極線の配線方向及び液晶分子の配向の関係を示す図である。
【００４９】
図４に示すように、本発明の液晶表示素子は、両アンカリング層１３が形成された第１基板（ＬＣＰ−１）、前記両アンカリング層との間に間隔を空けて対向配置される強アンカリング膜１４が形成された第２基板（ＬＣＰ−２）、前記両アンカリング層及び前記強アンカリング膜の間に配置され、液晶分子が駆動されることによって前記光を透過又は遮断する液晶層（ＬＣＰ−３）、並びに前記液晶分子に前記第１基板（ＬＣＰ−１）及び第２基板（ＬＣＰ−２）に沿った方向の電界を印加する駆動電極層（ＬＣＰ−４）を備えている。
【００５０】
第１基板（ＬＣＰ−１）及び第２基板（ＬＣＰ−２）は、それぞれガラス等の基板からなり、所定の間隔を空けて互いに平行に配置されている。
【００５１】
偏光板１２Ａ及び１２Ｂは、クロスニコルに配置されている。例えば、偏光板１２Ａの偏光方向は方向Ｙであり、偏光板１２Ｂの偏光方向は方向Ｘである。
【００５２】
駆動電極層（ＬＣＰ−４）は、前記第１基板（ＬＣＰ−１）及び第２基板（ＬＣＰ−２）のいずれか一方に設けられる。図４に示すように、第１実施形態において駆動電極層（ＬＣＰ−４）は、前記第１基板（ＬＣＰ−１）に設けられている。駆動電極層（ＬＣＰ−４）は、前記第１基板（ＬＣＰ−１）の表面に沿って、複数本の電極線１５Ａが並設されることで形成されている。図４において、各電極線１５Ａは、その配線方向が第１基板（ＬＣＰ−１）表面に平行な面内で方向Ｙに沿って延びるよう直線状に形成されている。駆動電極層（ＬＣＰ−４）は、このような電極線１５Ａが、第１基板（ＬＣＰ−１）の表面に平行な面内で方向Ｘに沿って一定間隔で並んでいる。
【実施例】
【００５３】
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、何ら限定されるものではない。
【００５４】
＜実施例１：二区画パターン電極付き配向基板を備えた液晶表示素子＞
［弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ１）の調製］
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口及び窒素ガス導入口を備えた１，０００ｍＬの４つ口フラスコに、重合溶剤として脱水精製したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下ＰＧＭＥＡと表記）を６０４．８０ｇ、テトラカルボン酸二無水物である１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物を３４．４７ｇ、スチレン−無水マレイン酸共重合体であるＳＭＡ１０００（商品名、川原油化株式会社）を１６４．１１ｇ、１価アルコールであるベンジルアルコールを５０．１７ｇ、多価ヒドロキシ化合物である１，４−ブタンジオールを１０．４５ｇ仕込み、乾燥窒素気流下１３０℃で３時間攪拌した。その後、反応後の溶液を２５℃まで冷却し、ジアミンである３，３’−ジアミノジフェニルスルホンを１０．８０ｇ、ＰＧＭＥＡを２５．２０ｇ投入し、２０〜３０℃で２時間攪拌した後、１１５℃で１時間攪拌、３０℃以下に冷却することにより淡黄色透明な固形分濃度が３０重量％のポリエステルアミド酸溶液（ＰＥＡ−１）を得た。ＧＰＣで測定した固形分の重量平均分子量は１０，０００であった。
【００５５】
本明細書中の重量平均分子量は、ＧＰＣ法（カラム温度：３５℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ）により求めたポリスチレン換算での値である。標準のポリスチレンには分子量が６４５〜１３２，９００のポリスチレン（例えば、アジレント・テクノロジー株式会社のポリスチレンキャリブレーションキットＰＬ２０１０−０１０２）、カラムにはＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｄ（商品名、アジレント・テクノロジー株式会社）を用い、移動相としてテトラヒドロフランを使用して測定することができる。尚、本明細書中の市販品の重量平均分子量はカタログ掲載値である。
【００５６】
弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ１）を以下の重量で仕込んで調製した。多官能カルボキシル化合物として、固形分濃度が３０重量％のポリエステルアミド酸溶液（ＰＥＡ−１）１．００ｇ、多官能エポキシ化合物として、テクモアＶＧ３１０１Ｌ（商品名、株式会社プリンテック、以下「ＶＧ３１０１Ｌ」と略記）０．３０ｇ、重合性界面活性剤として、メガファックＲＳ−７２−Ｋ（商品名、ＤＩＣ株式会社、以下「ＲＳ−７２−Ｋ」と略記）０．２０ｇ、及び溶剤として、ＰＧＭＥＡ２４．９０ｇ。
【００５７】
［強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）の調製］
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口及び窒素ガス導入口を備えた２００ｍＬの４つ口フラスコに、４，４’−ジアミノアゾベンゼン１．４１８４ｇ、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ブタン０．５７３６ｇ、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ピペラジン０．１２８１ｇ、及び脱水Ｎ−メチルピロリドン（以下「ＮＭＰ」と略記）４４．０ｇを仕込み、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。次いで、１，８−ビス（３，４−ジカルボン酸）オクタン二無水物３．８７９９ｇ及び脱水ＮＭＰ２０．０ｇを仕込み、室温で２４時間攪拌を続け、反応溶液を得た。この反応溶液にエチレングリコールモノブチルエーテル２０．０ｇを加えて、固形分濃度が６重量％のポリアミド酸溶液を得た。このポリアミド酸溶液を（ＰＡ１）とする。（ＰＡ１）に含まれるポリアミド酸の重量平均分子量は１０，０００であった。
【００５８】
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口及び窒素ガス導入口を備えた２００ｍＬの４つ口フラスコに、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ピペラジン１．９１２３ｇ、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル０．８５６１ｇ、１，４−フェニレンジアミン０．３０８２ｇ、及び脱水ＮＭＰ４４．０ｇを入れ、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物１．８３５４ｇ、ピロメリット酸二無水物１．０８８０ｇ、さらに脱水ＮＭＰ２０．０ｇを入れ、室温で２４時間攪拌を続けた。この反応溶液にエチレングリコールモノブチルエーテル３０．０ｇを加えて、ポリマー固形分濃度が６重量％のポリアミド酸溶液を得た。このポリアミド酸溶液を（ＰＡ２）とする。（ＰＡ２）に含まれるポリアミド酸の重量平均分子量は５０，０００であった。
【００５９】
ポリアミド酸溶液（ＰＡ１）、ポリアミド酸溶液（ＰＡ２）、及びＮＭＰを下記の重量で仕込み、混合溶解することでポリマー固形分濃度４重量％の強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）を調製した。
固形分濃度が６重量％のポリアミド酸溶液（ＰＡ１）          ９．００ｇ
固形分濃度が６重量％のポリアミド酸溶液（ＰＡ２）        ２１．００ｇ
ＮＭＰ                                                  １５．００ｇ
【００６０】
［液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａの作製］
上述の作製方法Ａを用いて、液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａを以下のように作製した。
【００６１】
前記の弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ１）をＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極付き基板上に２，０００ｒｐｍで１０秒間スピンコートし、１００℃のホットプレート上で２分間プリベークし、次に、２３０℃のオーブン中で３０分間ポストベークすることで、膜厚略４０ｎｍである弱アンカリング能を有する膜付き基板を得た。
【００６２】
得られた膜付き基板に、波長１８５ｎｍの光及び波長２５４ｎｍの光を含む紫外線を照射する低圧水銀灯ＥＵＶ２００ＷＳ−６０（商品名、セン特殊光源株式会社）を備えた露光装置ＰＨＯＴＯ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＰＲＯＣＥＳＳＯＲ  ＰＬ２００３Ｎ−１２（商品名、セン特殊光源株式会社）及び二区画パターンのフォトマスクを使用してパターン露光し、露光部及び未露光部でリコート性が異なるパターン露光膜付き基板を得た。露光量は紫外線積算光量計ＵＩＴ−１５０（商品名、ウシオ電機株式会社）、受光器ＵＶＤ−Ｓ２５４（商品名、ウシオ電機株式会社）で測定し、波長２５４ｎｍの光換算で１０Ｊ／ｃｍ２とした。
【００６３】
得られた露光部及び未露光部でリコート性が異なるパターン露光膜付き基板上に、前記の強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）を３，０００ｒｐｍで１０秒間スピンコートし、７０℃のホットプレート上で８０秒間プリベークすることで、パターン露光膜付き基板の露光領域上に強アンカリング膜形成用材料の塗膜を形成した。
【００６４】
次に超高圧水銀灯を備えたマルチライトＭＬ−５０１Ｃ／Ｂ（商品名、ウシオ電機株式会社）及び偏光板を用い、塗膜付き基板に対して鉛直方向から、直線偏光紫外線を照射した。露光量は紫外線積算光量計ＵＩＴ−１５０（商品名、ウシオ電機株式会社）、受光器ＵＶＤ−Ｓ３６５（商品名、ウシオ電機株式会社）で測定し、波長３６５ｎｍの光換算で２Ｊ／ｃｍ２とした。直線偏光紫外線の偏光方向は、Ｃｒ櫛歯電極の配線方向に垂直とした。この方向にすることで、作製される液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａの両アンカリング層の内、強アンカリング能を有する領域の配向容易軸は、Ｃｒ櫛歯電極の配線方向に平行となる。
【００６５】
更に２３０℃のオーブン中で２０分間ポストベークすることで、二区画パターンの両アンカリング層を有する電極付き配向基板（以下、「液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａ」という）を得た。ＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極の配置及び二区画パターンの両アンカリング層の配置の関係、並びに２箇所の光透過率測定箇所（Ｔ１）及び（Ｔ２）を、図１０に示す。図１０に記載のパターンは、図３における（３ａ）に対応している。
【００６６】
図１０に記載のパターンの内、光透過率測定箇所（Ｔ１）のある画素における弱アンカリング面積割合は、電極領域及び非電極領域のいずれも０％であり、光透過率測定箇所（Ｔ２）のある画素における弱アンカリング面積割合は、電極領域及び非電極領域のいずれも１００％である。
【００６７】
［液晶表示素子作製用配向基板２の作製］
強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）をガラス基板上に２，０００ｒｐｍで１０秒間スピンコートし、７０℃のホットプレート上で８０秒間プリベークすることで、塗膜付き基板を得た。次いで、超高圧水銀灯を備えたマルチライトＭＬ−５０１Ｃ／Ｂ（商品名、ウシオ電機株式会社）及び偏光板を用い、塗膜付き基板に対して鉛直方向から、直線偏光紫外線を照射した。露光量は紫外線積算光量計ＵＩＴ−１５０（商品名、ウシオ電機株式会社）、受光器ＵＶＤ−Ｓ３６５（商品名、ウシオ電機株式会社）で測定し、波長３６５ｎｍの光換算で２Ｊ／ｃｍ２とした。更に２３０℃のオーブン中で２０分間ポストベークし、膜厚略１００ｎｍの強アンカリング膜付き基板を得た。以下、得られたこの強アンカリング膜付き基板を、「液晶表示素子作製用配向基板２」という。
【００６８】
［ポジ型液晶組成物（ＬＣ−１）の調製］
下記一般式（２−１）〜（２−９）の化合物を記載の重量比で混合溶解することで、ポジ型液晶組成物（ＬＣ−１）を調製した。
【化１】
2019120930.tif 000002
【００６９】
［液晶表示素子１ａ１の作製］
液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａ及び液晶表示素子作製用配向基板２の２枚の基板を、それぞれ両アンカリング層側及び強アンカリング膜側を向き合わせ、液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａのＣｒ櫛歯電極の配線方向及び液晶表示素子作製用配向基板２の強アンカリング膜の配向容易軸が平行になるように配置した。このように配置することで、液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａの両アンカリング層の内、強アンカリング能を有する領域の配向容易軸及び液晶表示素子作製用配向基板２の強アンカリング膜の配向容易軸が平行となる。更に両アンカリング層及び強アンカリング膜の間にポジ型液晶組成物（ＬＣ−１）を注入させるための空隙を形成して貼り合わせ、セル厚４μｍの空セルを作製した。作製した空セルにポジ型液晶組成物（ＬＣ−１）を真空注入し、１２０℃で５分間のアニール処理をすることで、液晶表示素子１ａ１を作製した。尚、この液晶表示素子を図４に対応させると、電極線１５Ａの配線方向及び強アンカリング膜１４の配向容易軸が方向Ｙである。
【００７０】
［低駆動電圧性の評価］
作製した液晶表示素子１ａ１の光透過率測定箇所（Ｔ１）及び（Ｔ２）における、最大光透過率となる電圧（以下、「Ｖｍａｘ」と表記）を測定した。測定にはハロゲンランプを備えた大塚電子株式会社製ＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。測定時、液晶表示素子１ａ１はクロスニコルに配置した２枚の偏光板の間に挟持されており、偏光子の偏光方向に対する液晶表示素子１ａ１の櫛歯電極の配線方向のなす角度は、電圧無印加時の光透過率が最小となる角度であった。印加電圧は矩形波（６０Ｈｚ）である。Ｖｍａｘが８．０Ｖ未満の場合を、低駆動電圧特性「高」、８．０Ｖ以上の場合を「低」と評価した。測定結果及び評価結果を表１に示す。
【００７１】
［電圧ＯＦＦ時の表示応答性の評価］
作製した液晶表示素子１ａ１の光透過率測定箇所（Ｔ１）及び（Ｔ２）における、立下り時間τｆ（ｆａｌｌ  ｔｉｍｅ）を測定した。測定には光源にハロゲンランプを備えた大塚電子株式会社製ＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。測定時、液晶表示素子１ａ１はクロスニコルに配置した２枚の偏光板の間に挟持されており、偏光子の偏光方向及び液晶表示素子１ａ１のＣｒ櫛歯電極の配線方法のなす角度は、電圧無印加時の光透過率が最小となる角度であった。印加電圧は矩形波（６０Ｈｚ、上述のＶｍａｘ）である。ここでτｆは、最大透過率電圧時の光透過率を１００％、無印加時の透過率を０％とした際の、光透過率９０％から１０％に変化するまでの時間である。立下り時間τｆが２３．５ｍｓ未満の場合を、電圧ＯＦＦ時の表示応答性「高」、２３．５ｍｓ以上の場合を「低」と評価した。測定結果及び評価結果を表１に示す。
【００７２】
＜実施例２：第１のストライプパターン電極付き配向基板を備えた液晶表示素子＞
二区画パターンのフォトマスクを図１１に示すようなパターンを形成可能な第１のストライプパターンのフォトマスクに変更した以外は、実施例１と同様にして液晶表示素子１ａ２を作製した。図１１に記載のパターンは、図３における（３ｂ）に対応している。
【００７３】
図１１に記載のパターンの電極領域における弱アンカリング面積割合は（７．０ｍｍ／９．８ｍｍ）＝７１％であり、非電極領域における弱アンカリング面積割合は０％である。
【００７４】
得られた液晶表示素子１ａ２の測定箇所（Ｔ３）において、Ｖｍａｘの測定、立下り時間τｆの測定、低駆動電圧性の評価、及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性の評価を行った。評価には液晶表示素子１ａ１と同様の評価方法を用いた。それぞれの測定結果及び評価結果を表１に示す。
【００７５】
＜実施例３：第２のストライプパターン電極付き配向基板を備えた液晶表示素子＞
二区画パターンのフォトマスクを図１２に示すようなパターンを形成可能な第２のストライプパターンのフォトマスクに変更した以外は、実施例１と同様にして液晶表示素子１ａ３を作製した。図１２に記載のパターンは、図３における（３ｃ）に対応している。
【００７６】
図１２に記載のパターンの電極領域における弱アンカリング面積割合は［（９．８ｍｍ−５．０ｍｍ）／９．８ｍｍ］＝４９％であり、非電極領域における弱アンカリング面積割合は［（２×３．５ｍｍ＋５．０ｍｍ−９．８ｍｍ）／（２３．８ｍｍ−９．８ｍｍ）］＝１６％である。
【００７７】
得られた液晶表示素子１ａ３の測定箇所（Ｔ４）において、Ｖｍａｘの測定、立下り時間τｆの測定、低駆動電圧性の評価、及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性の評価を行った。評価には液晶表示素子１ａ１と同様の評価方法を用いた。それぞれの測定結果及び評価結果を表１に示す。
【００７８】
＜実施例４：作製方法Ｂを用いて作製した液晶表示素子＞
［弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ２）の調製］
弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ２）を以下の重量で仕込んで調製した。多官能カルボキシル化合物として、固形分濃度が３０重量％のポリエステルアミド酸溶液（ＰＥＡ−１）１．００ｇ、多官能エポキシ化合物として、ＶＧ３１０１Ｌ０．３０ｇ、重合性界面活性剤として、ＲＳ−７２−Ｋ０．２０ｇ、並びに溶剤として、ＰＧＭＥＡ１２．０３ｇ、及びジエチレングリコールモノブチルエーテル１２．８７ｇ。
【００７９】
［液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｂの作製］
前記の弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ２）をＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極付き基板上にグラビアオフセット法で図１０に示すような二区画パターンを形成するようにパターン印刷し、１００℃のホットプレート上で２分間プリベークすることで、パターン塗膜付き電極付き基板を得た。次に、２３０℃のオーブン中で３０分間ポストベークし、膜厚略４０ｎｍである弱アンカリング能を有するパターン体付き電極付き基板を得た。
【００８０】
得られた弱アンカリング能を有するパターン体付き電極付き基板上に、前記の強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）を３，０００ｒｐｍで１０秒間スピンコートし、７０℃のホットプレート上で８０秒間プリベークすることで、弱アンカリング能を有するパターン体付き電極付き基板における、パターン体未形成領域上に強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）の塗膜を形成した。
【００８１】
次に超高圧水銀灯を備えたマルチライトＭＬ−５０１Ｃ／Ｂ（商品名、ウシオ電機株式会社）を用い、塗膜付き基板に対して鉛直方向から、直線偏光紫外線を照射した。露光量は紫外線積算光量計ＵＩＴ−１５０（商品名、ウシオ電機株式会社）、受光器ＵＶＤ−Ｓ３６５（商品名、ウシオ電機株式会社）で測定し２Ｊ／ｃｍ２とした。直線偏光紫外線の偏光方向は、Ｃｒ櫛歯電極の配線方向に垂直とした。この方向にすることで、作製される液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｂの両アンカリング層の内、強アンカリング能を有する領域の配向容易軸は、Ｃｒ櫛歯電極の配線方向に平行となる。
【００８２】
更に２３０℃のオーブン中で２０分間ポストベークすることで、液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｂを得た。
【００８３】
［液晶表示素子１ｂ１の作製］
液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａを液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｂに変更した以外は、液晶表示素子１ａ１と同様の作製方法を用いて液晶表示素子１ｂ１を作製した。
【００８４】
得られた液晶表示素子１ｂ１の測定箇所（Ｔ１）及び（Ｔ２）において、Ｖｍａｘの測定、立下り時間τｆの測定、低駆動電圧性の評価、及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性の評価を行った。測定及び評価には液晶表示素子１ａ１と同様の測定方法及び評価方法を用いた。それぞれの測定結果及び評価結果を表１に示す。
【００８５】
＜実施例５：作製方法Ｃを用いて作製した液晶表示素子＞
［弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ３）の調製］
弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ３）を以下の重量で仕込んで調製した。多官能カルボキシル化合物として、固形分濃度が３０重量％のポリエステルアミド酸溶液（ＰＥＡ−１）１．００ｇ、多官能エポキシ化合物として、ＶＧ３１０１Ｌ０．３０ｇ、重合性界面活性剤として、ＲＳ−７２−Ｋ０．３０ｇ、多官能アクリレート化合物として、アロニックス  Ｍ−４０２（商品名、東亞合成株式会社）０．３０ｇ、光重合開始剤として、アデカアークルズ  ＮＣＩ−９３０（商品名、株式会社ＡＤＥＫＡ）０．０９ｇ、並びに溶剤として、ＰＧＭＥＡ２４．３６ｇ。
【００８６】
［液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｃの作製］
前記の弱アンカリング膜形成用材料（Ｗ３）をＩＰＳセル用Ｃｒ櫛歯電極付き基板上に１，０００ｒｐｍで１０秒間スピンコートし、１００℃のホットプレート上で２分間プリベークすることで、塗膜付き電極付き基板を得た。次に、空気中にて、超高圧水銀灯を備えたプロキシミティー露光機ＴＭＥ−１５０ＰＲＣ（商品名、株式会社トプコン）を使用して、図１０に示すような二区画パターンを形成するようなフォトマスクを介してパターン露光した。露光量は積算光量計ＵＩＴ−１０２（商品名、ウシオ電機株式会社）、受光器ＵＶＤ−３６５ＰＤ（商品名、ウシオ電機株式会社）で測定し、波長３６５ｎｍの光換算で１００ｍＪ／ｃｍ２とした。続いて２５℃の２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で１０秒間現像し、超純水で６０秒間流水リンスし、更に２３０℃のオーブン中で３０分間ポストベークすることで、露光部の膜厚略１００ｎｍ、未露光部の膜厚略５０ｎｍである弱アンカリング能を有するパターン体付き電極付き基板（以下、「液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｃ」）を得た。
【００８７】
得られた弱アンカリング能を有するパターン体付き電極付き基板上に、前記の強アンカリング形成用材料（Ｓ１）を３，０００ｒｐｍで１０秒間スピンコートし、７０℃のホットプレート上で８０秒間プリベークすることで、弱アンカリング能を有するパターン体付き基板における、未露光部上に強アンカリング膜形成用材料（Ｓ１）の塗膜を形成した。
【００８８】
次に超高圧水銀灯を備えたマルチライトＭＬ−５０１Ｃ／Ｂ（商品名、ウシオ電機株式会社）及び偏光板を用い、塗膜付き基板に対して鉛直方向から、直線偏光紫外線を照射した。露光量は紫外線積算光量計ＵＩＴ−１５０（商品名、ウシオ電機株式会社）、受光器ＵＶＤ−Ｓ３６５（商品名、ウシオ電機株式会社）で測定し、波長３６５ｎｍの光換算で２Ｊ／ｃｍ２とした。
【００８９】
更に２３０℃のオーブン中で２０分間ポストベークすることで、液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｃを得た。
【００９０】
［液晶表示素子１ｃ１の作製］
液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ａを液晶表示素子作製用電極付き配向基板１ｃに変更した以外は同様の作製方法を用いて液晶表示素子１ｃ１を作製した。
【００９１】
得られた液晶表示素子１ｃ１の測定箇所（Ｔ１）及び（Ｔ２）において、Ｖｍａｘの測定、立下り時間τｆの測定、低駆動電圧性の評価、及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性の評価を行った。測定及び評価には液晶表示素子１ａ１と同様の測定方法及び評価方法を用いた。それぞれの測定結果及び評価結果を表１に示す。
【００９２】
【表１】
2019120930.tif 000003
【００９３】
実施例１、４及び５から明らかなように、本発明の電極付き配向基板を備えた液晶表示素子は、単一液晶表示素子中で、低駆動電圧性が高い領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域の両方の領域が存在することが分かる。
【００９４】
実施例２の光透過率測定箇所（Ｔ３）の結果、実施例３の光透過率測定箇所（Ｔ４）の結果、及び実施例１の光透過率測定箇所（Ｔ２）の結果から明らかなように、本発明の電極付き配向基板を備えた液晶表示素子において、電極領域上の弱アンカリング面積割合が大きく且つ非電極領域上の弱アンカリング面積割合が小さい場合は、電極領域上の弱アンカリング面積割合が大きく且つ非電極領域上の弱アンカリング面積割合も大きい場合と比較して、Ｖｍａｘはさほど増加せず、電圧ＯＦＦ時の表示応答性が改善することが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明の電極付き配向基板を備えた液晶表示素子は、低駆動電圧性が高い領域及び電圧ＯＦＦ時の表示応答性が高い領域の両方が存在する単一液晶表示素子を作製可能である。更に、それらの領域のパターンを制御することにより、弱アンカリング能を有する領域の電圧ＯＦＦ時の表示応答性を調整可能である。
【符号の説明】
【００９６】
１０  液晶表示素子
１１  バックライトユニット
１２Ａ、１２Ｂ  偏光板
ＬＣＰ−１  第１基板
ＬＣＰ−２  第２基板
ＬＣＰ−３  液晶層
ＬＣＰ−４  駆動電極層
１３  両アンカリング層
１３Ａ  両アンカリング層の弱アンカリング能を有する領域
１３Ｂ  両アンカリング層の強アンカリング能を有する領域
１４  強アンカリング膜
１５Ａ  電極線
１６  画素電極
１７  共通電極
１８  画素
１９  電極領域
２０  非電極領域
Ｌｐ  液晶化合物
Ｘ、Ｙ  第１基板及び第２基板に平行な平面上に仮想する座標軸
【図１】
2019120930.tif 000004
【図２】
2019120930.tif 000005
【図３】
2019120930.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019120930.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2019120930.tif 000013
【図１１】
2019120930.tif 000014
【図１２】
2019120930.tif 000015