(57)【要約】      （修正有）【課題】光電変換素子のリーク電流による検出精度の低下を抑制し得る技術を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板１は、スイッチング素子がそれぞれ設けられた複数の画素を有する。画素のそれぞれは、画素のスイッチング素子と接続された一対の電極１４ａ，１４ｂと、一対の電極１４ａ，１４ｂの間に設けられた半導体層１５とを有する光電変換素子１２と、光電変換素子１２の表面を覆う無機膜と、無機膜を覆う有機樹脂膜１０６ｂと、を備える。無機膜は、第１の無機膜１０５ａと、第１の無機膜１０５ａと異なる層に設けられた第２の無機膜１０５ｂとを有する。第１の無機膜１０５ａは、少なくとも光電変換素子の側面に接して設けられ、第２の無機膜１０５ｂは、第１の無機膜１０５ａの少なくとも一部と接し、光電変換素子の側面を覆う。【選択図】図４
2019110159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有するアクティブマトリクス基板において、
前記複数の画素のそれぞれは、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された一対の電極と、当該一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する光電変換素子と、
前記光電変換素子の表面を覆う無機膜と、
前記無機膜を覆う有機樹脂膜と、を備え、
前記無機膜は、第１の無機膜と、前記第１の無機膜と異なる層に設けられた第２の無機膜とを有し、
前記第１の無機膜は、少なくとも前記光電変換素子の側面に接して設けられ、
前記第２の無機膜は、前記第１の無機膜の少なくとも一部と接し、前記光電変換素子の側面を覆うように設けられている、アクティブマトリクス基板。
【請求項２】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜のいずれか一方は、前記一対の電極の一方の電極に接して配置されている、請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記第１の無機膜は、前記一対の電極の一方の電極に接して配置され、
前記第２の無機膜は、前記第１の無機膜を介して前記一方の電極と重なるように配置されている、請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
前記有機樹脂膜は、第１の有機樹脂膜と、前記第１の有機樹脂膜と異なる層に設けられた第２の有機樹脂膜とを有し、
前記第１の有機樹脂膜は、平面視で前記光電変換素子の側面と重なるように、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜との間に設けられ、
前記第２の有機樹脂膜は、前記第２の無機膜を覆うように設けられている、請求項１から３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
各画素の前記第１の無機膜と前記第１の有機樹脂膜のそれぞれは、隣接する他の画素の前記第１の無機膜と前記第１の有機樹脂膜と離間している、請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記光電変換素子の側面において互いに重なり、
前記有機樹脂膜は、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜とを覆うように配置されている、請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜のそれぞれは、１５０ｎｍの整数倍の膜厚を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板と、
照射されるＸ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、
を備えるＸ線撮像パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたＸ線撮像パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、画素ごとに、スイッチング素子と接続された光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板を有する光電変換装置が知られている。下記特許文献１には、このような光電変換装置が開示されている。この光電変換装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタを備え、光電変換素子としてフォトダイオードを備える。フォトダイオードは、半導体層としてｐ型半導体層、ｉ型半導体層、及びｎ型半導体層が用いられ、ｐ型半導体層とｎ型半導体層のそれぞれに電極が接続されて構成されている。フォトダイオードは、エポキシ樹脂からなる樹脂膜によって覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１６５８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、撮像パネルを作製後、撮像パネルの表面に傷がつく場合がある。撮像パネル表面の傷から大気中の水分が入り込むと、フォトダイオードの半導体層におけるリーク電流が電極間に流れやすくなる。つまり、例えば、図２７Ａに示す撮像パネルにおいて、撮像パネルの表面についた傷Ｊから水分が入り込むと、フォトダイオード１２の上の樹脂膜２２に水分が浸透する。図２７Ｂは、図２７Ａの破線枠２１０で示す部分を拡大した図である。図２７Ｂに示すように、フォトダイオード１２は、無機膜２１によって覆われているが、フォトダイオード１２における半導体層１２２と電極１２１ａの端部の段差部分は、無機膜２１が不連続となりやすい。樹脂膜２２に水分が浸透し、無機膜２１が不連続となる部分２１０１から水分が入り込むと、無機膜２１が半導体層１２２のリーク電流が流れるリークパスとなり、電極１２１ａと１２１ｂ（図２７Ａ参照）間にリーク電流が流れる。電極１２１ａと１２１ｂ間にリーク電流が流れると、Ｘ線の検出精度が低下する。
【０００５】
本発明は、光電変換素子のリーク電流による検出精度の低下を抑制し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する本発明のアクティブマトリクス基板は、複数の画素を有するアクティブマトリクス基板であって、前記複数の画素のそれぞれは、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された一対の電極と、当該一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子の表面を覆う無機膜と、前記無機膜を覆う有機樹脂膜と、を備え、前記無機膜は、第１の無機膜と、前記第１の無機膜と異なる層に設けられた第２の無機膜とを有し、前記第１の無機膜は、少なくとも前記光電変換素子の側面に接して設けられ、前記第２の無機膜は、前記第１の無機膜の少なくとも一部と接し、前記光電変換素子の側面を覆うように設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、光電変換素子のリーク電流による検出精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態におけるＸ線撮像装置を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す模式図である。
【図３】図３は、図２に示すアクティブマトリクス基板の画素が設けられた画素部の一部を拡大した平面図である。
【図４】図４は、図３の画素部におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図４に示す画素部を作製する工程を説明する図であって、画素部にＴＦＴが形成された状態を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、第１絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、第１絶縁膜の開口を形成する工程の断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、第２絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、コンタクトホールＣＨ１を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、下部電極を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、上部電極を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｈ】図５Ｈは、光電変換層を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｉ】図５Ｉは、第３ａ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図５Ｊ】図５Ｊは、第３ａ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｋ】図５Ｋは、第４ａ絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｌ】図５Ｌは、第４ａ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｍ】図５Ｍは、第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図５Ｎ】図５Ｎは、第３ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｏ】図５Ｏは、第４ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図５Ｐ】図５Ｐは、第４ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｑ】図５Ｑは、バイアス配線としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図５Ｒ】図５Ｒは、バイアス配線を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｓ】図５Ｓは、図５Ｒに示すバイアス配線と光電変換層とに接続された透明導電膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｔ】図５Ｔは、第５絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５Ｕ】図５Ｕは、第６絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図６】図６は、第２実施形態における画素部の一部を拡大した断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図６に示す画素部を作製する工程を説明する図であって、第３ａ絶縁膜をパターニングする工程を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図６に示す第４ａ絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７Ｂに示す第４ａ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、図７Ｄに示す第３ｂ絶縁膜をパターニングする工程を示す断面図である。
【図８】図８は、第３実施形態における画素部の一部を拡大した断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図８に示す第３ａ絶縁膜のパターニングの工程を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、第４ａ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９Ｂに示す第４ａ絶縁膜のパターニングの工程を示す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、図９Ｄに示す第３ｂ絶縁膜をパターニングする工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、第４実施形態における画素部の一部を拡大した断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示す第４ａ絶縁膜のパターニングの工程を示す断面図である。
【図１２】図１２は、第５実施形態における画素部の一部を拡大した断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、図１２に示す第４ａ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示す第４ａ絶縁膜をパターニングする工程を示す断面図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、図１２に示す第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図１３Ｄ】図１３Ｄは、図１３Ｃに示す第３ａ絶縁膜と第３ｂ絶縁膜とをパターニングする工程を示す断面図である。
【図１３Ｅ】図１３Ｅは、第４ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図１３Ｆ】図１３Ｆは、第４ｂ絶縁膜に開口を形成する工程を示す断面図である。
【図１４】図１４は、第６実施形態における画素部の一部を拡大した断面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す第４ａ絶縁膜のパターニングの工程を示す断面図である。
【図１６】図１６は、第７実施形態（７−１）に係る画素部の一部を拡大した断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、図１６に示す第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７Ａに示す第３ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図１８】図１８は、第７実施形態（７−２）に係る画素部の一部を拡大した断面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、図１８に示す第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示す第３ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２０】図２０は、第７実施形態（７−３）に係る画素部の一部を拡大した断面図である。
【図２１】図２１は、図２０とは異なる画素部の構造を示す断面図である。
【図２２】図２２は、無機絶縁膜の膜厚と透過率との関係を示す図である。
【図２３】図２３は、変形例１の（１）に係る画素部の一部を拡大した断面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、図２３に示す画素部を形成する工程を説明する図であって、図２３に示す第４ａ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、図２３に示す第３ｂ絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図２４Ｃ】図２４Ｃは、図２４Ｂに示す第３ｂ絶縁膜と第３ａ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２４Ｄ】図２４Ｄは、図２３に示す第４ｂ絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図２４Ｅ】図２４Ｅは、図２４Ｄに示す第４ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２５】図２５は、変形例１の（２）に係る画素部の一部を拡大した断面図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、図２５に示す画素部を形成する工程を説明する図であって、下部電極としての金属膜と、下部電極の形成に用いるレジストとを形成する工程を示す断面図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、図２６Ａに示す金属膜がエッチングされた状態を示す断面図である。
【図２６Ｃ】図２６Ｃは、図２６Ｂに示すレジストを除去し、下部電極が形成された状態を示す断面図である。
【図２６Ｄ】図２６Ｄは、図２５に示す第４ａ絶縁膜を形成し、第４ａ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２６Ｅ】図２６Ｅは、図２５に示す第３ｂ絶縁膜を形成し、第３ａ絶縁膜と第３ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２６Ｆ】図２６Ｆは、図２６Ｅに示す第３ｂ絶縁膜上に図２５に示す第４絶縁膜を形成し、第４ｂ絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図２７Ａ】図２７Ａは、Ｘ線撮像装置に用いられる従来のアクティブマトリクス基板の構造例を示す断面図である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、図２７Ａに示す破線枠２１０の部分を拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板は、複数の画素を有するアクティブマトリクス基板であって、前記複数の画素のそれぞれは、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された一対の電極と、当該一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子の表面を覆う無機膜と、前記無機膜を覆う有機樹脂膜と、を備え、前記無機膜は、第１の無機膜と、前記第１の無機膜と異なる層に設けられた第２の無機膜とを有し、前記第１の無機膜は、少なくとも前記光電変換素子の側面に接して設けられ、前記第２の無機膜は、前記第１の無機膜の少なくとも一部と接し、前記光電変換素子の側面を覆うように設けられている（第１の構成）。
【００１０】
第１の構成によれば、光電変換素子の側面に接触して第１の無機膜が設けられ、さらに、光電変換素子の側面は、第１の無機膜に接触して設けられた第２の無機膜によって覆われる。そのため、仮に、光電変換素子の側面を覆う第１の無機膜に不連続部分がある場合において、有機樹脂膜に水分が浸透しても、第２の無機膜によって第１の無機膜に水分が入り込みにくくすることができる。その結果、第１の無機膜が光電変換素子のリーク電流のリークパスとなりにくく、光の検出精度が低下しにくい。
【００１１】
第１の構成において、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜のいずれか一方は、前記一対の電極の一方の電極に接して配置されていることとしてもよい（第２の構成）。
【００１２】
第２の構成によれば、光電変換素子の一方の電極を第１の無機膜と第２の無機膜の一方によって保護することができる。
【００１３】
第１の構成において、前記第１の無機膜は、前記一対の電極の一方の電極に接して配置され、前記第２の無機膜は、前記第１の無機膜を介して前記一方の電極と重なるように配置されていることとしてもよい（第３の構成）。
【００１４】
第３の構成によれば、光電変換素子の一方の電極は第１の無機膜と第２の無機膜によって覆われるため、いずれか一方の無機膜だけで覆われる場合と比べ、当該電極をより保護することができる。
【００１５】
第１から第３のいずれかの構成において、前記有機樹脂膜は、第１の有機樹脂膜と、前記第１の有機樹脂膜と異なる層に設けられた第２の有機樹脂膜とを有し、前記第１の有機樹脂膜は、平面視で前記光電変換素子の側面と重なるように、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜との間に設けられ、前記第２の有機樹脂膜は、前記第２の無機膜を覆うように設けられていることとしてもよい（第４の構成）。
【００１６】
第４の構成によれば、光電変換素子の側面は第１の無機膜、第２の有機樹脂膜、及び第２の無機膜によって覆われるため、第２の有機樹脂膜が設けられていない場合と比べ、第２の無機膜への水分の浸透をより抑制することができる。
【００１７】
第４の構成において、各画素の前記第１の無機膜と前記第１の有機樹脂膜のそれぞれは、隣接する他の画素の前記第１の無機膜と前記第１の有機樹脂膜と離間していることとしてもよい（第５の構成）。
【００１８】
第５の構成によれば、隣接する画素間で第１の無機膜と第１の有機樹脂膜が離間して配置されている。仮に、ある画素において、第１の無機膜と第２の有機樹脂膜に水分が入り込んだ場合において、当該画素の光電変換素子の側面を覆う第１の無機膜に不連続部分が生じていると、その不連続部分に水分が入り、第１の無機膜はリークパスとなる。しかしながら、第１の無機膜と第１の有機樹脂膜は画素間で分離されているので、隣接する他の画素にまでリークパスが拡がらない。
【００１９】
第１又は第２の構成において、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記光電変換素子の側面において互いに重なり、前記有機樹脂膜は、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜とを覆うように配置されていることとしてもよい（第６の構成）。
【００２０】
第６の構成によれば、光電変換素子の側面は第１の無機膜と第２の無機膜とによって覆われる。そのため、光電変換素子の側面を覆う第１の無機膜に不連続部分があっても、有機樹脂膜に水分が浸透した場合に当該不連続部分に水分が入り込みにくく、第１の無機膜にリークパスが形成されにくい。
【００２１】
第１から第６のいずれかの構成において、前記第１の無機膜と前記第２の無機膜のそれぞれは、１５０ｎｍの整数倍の膜厚を有することとしてもよい（第７の構成）。
【００２２】
第７の構成によれば、光電変換素子における光電変換効率を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係るＸ線撮像パネルは、第１から第７のいずれかの構成のアクティブマトリクス基板と、照射されるＸ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、を備える（第８の構成）。
【００２３】
第８の構成によれば、光電変換素子の側面に接触して第１の無機膜が設けられ、さらに、光電変換素子の側面は、第１の無機膜に接触して設けられた第２の無機膜によって覆われる。そのため、仮に光電変換素子の側面を覆う第１の無機膜に不連続部分がある場合において、第１の無機膜及び第２の無機膜を覆う有機樹脂膜から水分が浸透しても、第２の無機膜によって第１の無機膜に水分が入り込みにくくすることができる。その結果、第１の無機膜が光電変換素子のリーク電流のリークパスとなりにくく、Ｘ線の検出精度が低下しにくい。
【００２４】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２５】
［第１実施形態］
（構成）
図１は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板を適用したＸ線撮像装置を示す模式図である。Ｘ線撮像装置１００は、アクティブマトリクス基板１と、制御部２とを備える。制御部２は、ゲート制御部２Ａと信号読出部２Ｂとを含む。被写体Ｓに対しＸ線源３からＸ線が照射される。被写体Ｓを透過したＸ線は、アクティブマトリクス基板１の上部に配置されたシンチレータ４において蛍光（以下、シンチレーション光）に変換される。Ｘ線撮像装置１００は、シンチレーション光をアクティブマトリクス基板１及び制御部２において撮像することにより、Ｘ線画像を取得する。
【００２６】
図２は、アクティブマトリクス基板１の概略構成を示す模式図である。図２に示すように、アクティブマトリクス基板１には、複数のソース配線１０と、複数のソース配線１０と交差する複数のゲート配線１１とが形成されている。ゲート配線１１は、ゲート制御部２Ａと接続され、ソース配線１０は、信号読出部２Ｂと接続されている。
【００２７】
アクティブマトリクス基板１は、ソース配線１０とゲート配線１１とが交差する位置に、ソース配線１０及びゲート配線１１に接続されたＴＦＴ１３を有する。また、ソース配線１０とゲート配線１１とで囲まれた領域（以下、画素）には、フォトダイオード１２が設けられている。画素において、フォトダイオード１２により、被写体Ｓを透過したＸ線を変換したシンチレーション光がその光量に応じた電荷に変換される。
【００２８】
アクティブマトリクス基板１における各ゲート配線１１は、ゲート制御部２Ａにおいて順次選択状態に切り替えられ、選択状態のゲート配線１１に接続されたＴＦＴ１３がオン状態となる。ＴＦＴ１３がオン状態になると、フォトダイオード１２において変換された電荷に応じた信号がソース配線１０を介して信号読出部２Ｂに出力される。
【００２９】
図３は、図２に示すアクティブマトリクス基板１の画素が設けられた画素部の一部を拡大した平面図である。
【００３０】
図３に示すように、ゲート配線１１及びソース配線１０に囲まれた画素にフォトダイオード１２とＴＦＴ１３とを有する。
【００３１】
フォトダイオード１２は、下部電極１４ａ、光電変換層１５、及び上部電極１４ｂを含む。ＴＦＴ１３は、ゲート配線１１と一体化されたゲート電極１３ａと、半導体活性層１３ｂと、ソース配線１０と一体化されたソース電極１３ｃと、ドレイン電極１３ｄとを有する。ドレイン電極１３ｄと下部電極１４ａは、コンタクトホールＣＨ１を介して接続されている。
【００３２】
また、ゲート配線１１及びソース配線１０と平面視で重なるようにバイアス配線１６が配置されている。バイアス配線１６は、透明導電膜１７と接続されている。透明導電膜１７は、コンタクトホールＣＨ２を介してフォトダイオード１２にバイアス電圧を供給する。
【００３３】
ここで、図４に、図３の画素部Ｐ１におけるＡ−Ａ線の断面図を示す。図４に示すように、基板１０１上に、ゲート配線１１（図３参照）と一体化されたゲート電極１３ａと、ゲート絶縁膜１０２とが形成されている。基板１０１は、絶縁性を有する基板であり、例えば、ガラス基板等で構成される。
【００３４】
ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１は、例えば、下層にチタン（Ｔｉ）からなる金属膜、上層に銅（Ｃｕ）からなる金属膜が積層されて構成される。なお、ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１は、下層にアルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜、上層にモリブデンナイトライド（ＭｏＮ）からなる金属膜が積層された構造であってもよい。この例において、下層と上層の各金属膜の膜厚は、それぞれ、３００ｎｍと１００ｎｍ程度である。なお、ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００３５】
ゲート絶縁膜１０２は、ゲート電極１３ａを覆う。ゲート絶縁膜１０２は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等を用いてもよい。本実施形態では、ゲート絶縁膜１０２は、上層に酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）からなる絶縁膜と、下層に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなる絶縁膜とが積層されて構成されている。この例において、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）からなる絶縁膜の膜厚は約５０ｎｍ、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなる絶縁膜の膜厚は約４００ｎｍである。ただし、ゲート絶縁膜１０２の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００３６】
ゲート絶縁膜１０２を介してゲート電極１３ａの上に、半導体活性層１３ｂと、半導体活性層１３ｂに接続されたソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄとが設けられている。
【００３７】
半導体活性層１３ｂは、ゲート絶縁膜１０２に接して形成されている。半導体活性層１３ｂは、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、例えば、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体等を用いてもよい。この例において、半導体活性層１３ｂは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体からなる。この例において、半導体活性層１３ｂの膜厚は７０ｎｍ程度である。なお、半導体活性層１３ｂの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００３８】
ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、ゲート絶縁膜１０２の上において半導体活性層１３ｂの一部と接するように配置されている。この例において、ソース電極１３ｃは、ソース配線１０（図３参照）と一体的に形成されている。ドレイン電極１３ｄは、コンタクトホールＣＨ１を介して下部電極１４ａと接続されている。
【００３９】
ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、同一層上に形成される。ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、例えば、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）からなる金属膜と、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜と、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜とが積層された３層構造を有する。この例において、これら３層の膜厚は、上層から順に、１００ｎｍ、５００ｎｍ、５０ｎｍ程度である。ただし、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００４０】
ゲート絶縁膜１０２の上に、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄと重なるように第１絶縁膜１０３が設けられている。第１絶縁膜１０３は、ドレイン電極１３ｄの上に開口を有する。第１絶縁膜１０３は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をこの順に積層した積層構造を有する。
【００４１】
第１絶縁膜１０３の上に、第２絶縁膜１０４が設けられている。第２絶縁膜１０４は、ドレイン電極１３ｄの上に開口を有し、第１絶縁膜１０３の開口と第２絶縁膜１０４の開口によってコンタクトホールＣＨ１が形成されている。
【００４２】
第２絶縁膜１０４は、例えば、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂などの有機系透明樹脂からなり、その膜厚は、約２．５μｍである。なお、第２絶縁膜１０４の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００４３】
第２絶縁膜１０４の上に、下部電極１４ａが設けられている。下部電極１４ａは、コンタクトホールＣＨ１を介してドレイン電極１３ｄと接続されている。下部電極１４ａは、例えば、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）を含む金属膜で構成されている。この例において、下部電極１４ｂの膜厚は、約２００ｎｍであるが、膜厚はこれに限定されない。
【００４４】
下部電極１４ａの上に、光電変換層１５が設けられている。光電変換層１５は、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２と、ｐ型非晶質半導体層１５３が順に積層されて構成されている。この例において、光電変換層１５のＸ軸方向の長さは、下部電極１４ａのＸ軸方向の長さよりも短い。
【００４５】
ｎ型非晶質半導体層１５１は、ｎ型不純物（例えば、リン）がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。
【００４６】
真性非晶質半導体層１５２は、真性のアモルファスシリコンからなる。真性非晶質半導体層１５２は、ｎ型非晶質半導体層１５１に接して形成されている。
【００４７】
ｐ型非晶質半導体層１５３は、ｐ型不純物（例えば、ボロン）がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。ｐ型非晶質半導体層１５３は、真性非晶質半導体層１５２に接して形成されている。
【００４８】
この例において、ｎ型非晶質半導体層１５１の膜厚は約３０ｎｍ、真性非晶質半導体層の膜厚は約１０００ｎｍ、ｐ型非晶質半導体層１５３の膜厚は約５ｎｍであるが、これら膜厚はこれに限定されない。
【００４９】
光電変換層１５の上に、上部電極１４ｂが設けられている。上部電極１４ｂは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で構成され、上部電極１４ｂの膜厚は約７０ｎｍである。なお、上部電極１４ｂの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５０】
フォトダイオード１２の表面に接触するように、無機膜としての第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂが設けられている。第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、フォトダイオード１２の外側において、基板１０１に対して鉛直方向に離間して設けられている。第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０６ａとの間には、有機樹脂膜としての第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられている。また、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの上には、有機樹脂膜としての第４ｂ絶縁膜１０６ｂが設けられている。
【００５１】
より具体的には、第３ａ絶縁膜１０５ａは、上部電極１４ｂ上の両方の端部近傍からフォトダイオード１２の側面部分と接し、第２絶縁膜１０４を覆うように設けられている。つまり、第３ａ絶縁膜１０５ａは、上部電極１４ｂ上で離間し、フォトダイオード１２の側面と第２絶縁膜１０４とを覆うように配置されている。
【００５２】
第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、上部電極１４ｂ上の第３ａ絶縁膜１０５ａと接し、上部電極１４ｂ上の第３ａ絶縁膜１０５ａが設けられていない表面に開口を有するように設けられている。第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、第４ａ絶縁膜１０６ａを介してフォトダイオード１２の側面を覆うようにフォトダイオード１２の外側まで形成されている。
【００５３】
つまり、本実施形態では、フォトダイオード１２の外側に配置された第３ａ絶縁膜１０５ａと第４ａ絶縁膜１０６ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、隣接する画素のフォトダイオード１２まで延設されている。
【００５４】
第４ｂ絶縁膜１０６ｂは、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口の上に、第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口を有するように第３ｂ絶縁膜１０５ｂ上に設けられている。第３ｂ絶縁膜１０５ｂと第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口によってコンタクトホールＣＨ２が形成されている。
【００５５】
この例において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）で構成され、これらの各膜厚は約３００ｎｍ程度であるが、これらの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５６】
第４ａ絶縁膜１０６ａと第４ｂ絶縁膜１０６ｂは、例えばアクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂で構成され、これらの各膜厚はそれぞれ、例えば、１．５μｍと１．０μｍ程度であるが、第４ａ絶縁膜１０６ａと第４ｂ絶縁膜１０６ｂの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５７】
第４ｂ絶縁膜１０６ｂの上に、バイアス配線１６と、バイアス配線１６と接続された透明導電膜１７とが設けられている。透明導電膜１７は、コンタクトホールＣＨ２において上部電極１４ｂと接する。
【００５８】
バイアス配線１６は、制御部２（図１参照）に接続されている。バイアス配線１６は、コンタクトホールＣＨ２を介して、制御部２から入力されるバイアス電圧を上部電極１４ｂに印加する。
【００５９】
バイアス配線１６は、３層構造を有する。具体的には、バイアス配線１６は、上層から順に、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）からなる金属膜と、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜と、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜とを積層した構造を有する。この例において、これら３層の金属膜の膜厚は上層から順に、１００ｎｍ、３００ｎｍ、５０ｎｍ程度である。ただし、バイアス配線１６の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６０】
透明導電膜１７は、例えば、ＩＴＯからなり、透明導電膜１７の膜厚は約７０ｎｍであるが、透明導電膜１７の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６１】
また、第４ｂ絶縁膜１０６ｂ上には、透明導電膜１７を覆うように、無機絶縁膜としての第５絶縁膜１０７が設けられている。第５絶縁膜１０７は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）で構成され、その膜厚は、例えば２００ｎｍ程度であるが、第５絶縁膜１０７の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６２】
第５絶縁膜１０７を覆うように、樹脂膜からなる第６絶縁膜１０８が設けられている。第６絶縁膜１０８は、例えば、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂で構成され、その膜厚は、例えば２．０μｍ程度であるが、第５絶縁膜１０７の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６３】
（アクティブマトリクス基板１の製造方法）
次に、図５Ａ〜図５Ｕを参照しながらアクティブマトリクス基板１の製造方法について説明する。図５Ａ〜図５Ｕは、アクティブマトリクス基板１の各製造工程における断面図（図３のＡ−Ａ断面）を示している。
【００６４】
図５Ａに示すように、基板１０１の上に、既知の方法を用いて、ゲート絶縁膜１０２とＴＦＴ１３とを形成する。
【００６５】
続いて、例えば、プラズマＣＶＤ法を用い、窒化ケイ素（ＳｉＮ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を積層した第１絶縁膜１０３を形成する（図５Ｂ参照）。
【００６６】
その後、基板１０１の全面に３５０℃程度の熱処理を加え、フォトリソグラフィ法、及びフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行い、第１絶縁膜１０３をパターニングする（図５Ｃ参照）。これにより、ドレイン電極１３ｄの上に第１絶縁膜１０３の開口１０３ａが形成される。
【００６７】
次に、例えば、スリットコーティング法により、第１絶縁膜１０３の上に、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第２絶縁膜１０４を形成する（図５Ｄ参照）。その後、フォトリソグラフィ法を用い、第２絶縁膜１０４をパターニングする（図５Ｅ参照）。これにより、開口１０３ａの上に、第２絶縁膜１０４の開口１０４ａが形成され、開口１０３ａ及び１０４ａからなるコンタクトホールＣＨ１が形成される。
【００６８】
続いて、例えば、スパッタリング法により、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）からなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜をパターニングする。これにより、第２絶縁膜１０４の上に、コンタクトホールＣＨ１を介してドレイン電極１３ｄと接続された下部電極１４ａが形成される（図５Ｆ参照）。
【００６９】
次に、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２、ｐ型非晶質半導体層１５３の順に成膜する。その後、例えば、スパッタリング法を用いてＩＴＯからなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜をパターニングする。これにより、ｐ型非晶質半導体層１５３の上に上部電極１４ｂが形成される（図５Ｇ参照）。
【００７０】
次に、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２、及びｐ型非晶質半導体層１５３をパターニングする（図５Ｈ参照）。これにより、光電変換層１５が形成される。
【００７１】
次に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる第３ａ絶縁膜１０５ａを成膜する（図５Ｉ参照）。その後、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ａ絶縁膜１０５ａをパターニングする（図５Ｊ参照）。これにより、上部電極１４ｂ上に第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１が形成される。
【００７２】
なお、開口Ｈ１を形成する際の第３ａ絶縁膜１０５ａのエッチングによって、上部電極１４ｂの上面部分の膜厚が薄くなる膜減りが生じる場合がある。そのため、本実施形態では、第３ａ絶縁膜１０５ａのエッチングの影響を考慮して、上部電極１４ｂを形成する際の膜厚が設定されることが望ましい。
【００７３】
続いて、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第４ａ絶縁膜１０６ａを形成する（図５Ｋ参照）。その後、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図５Ｌ参照）。これにより、第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１の上に、開口Ｈ１よりも開口幅が大きい第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ２が形成される。
【００７４】
続いて、第４ａ絶縁膜１０６ａを覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜する（図５Ｍ参照）。その後、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングする（図５Ｎ参照）これにより、上部電極１４ｂ上において、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３が形成される。
【００７５】
次に、第３ｂ絶縁膜１０５ｂを覆うように、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第４ｂ絶縁膜１０６ｂを形成し（図５Ｏ参照）、フォトリソグラフィ法を用い、第４ｂ絶縁膜１０６ｂをパターニングする（図５Ｐ参照）。これにより、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３の上に、第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口Ｈ４が形成され、開口Ｈ３及びＨ４からなるコンタクトホールＣＨ２が形成される。
【００７６】
続いて、例えば、スパッタリング法により、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）と、アルミニウム（Ａｌ）と、チタン（Ｔｉ）とを順に積層した金属膜１６０を成膜する（図５Ｑ参照）。その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１６０をパターニングする（図５Ｒ参照）。例えば、金属膜１６０のウェットエッチングには、酢酸、硝酸、及びリン酸を含むエッチャントが用いられる。これにより、第４絶縁膜１０６上にバイアス配線１６が形成される。
【００７７】
次に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯからなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜をパターニングする。これにより、バイアス配線１６と接続され、コンタクトホールＣＨ２を介して光電変換層１５と接続された透明導電膜１７が形成される（図５Ｓ参照）。
【００７８】
続いて、透明導電膜１７を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる第５絶縁膜１０７を第４ｂ絶縁膜１０６ｂ上に成膜する（図５Ｔ参照）。
【００７９】
次に、第５絶縁膜１０７を覆うように、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第６絶縁膜１０８を形成する（図５Ｕ参照）。これにより、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１が作製される。
【００８０】
本実施形態のアクティブマトリクス基板１は、フォトダイオード１２の側面が第３ａ絶縁膜１０５ａで覆われ、上部電極１４ｂの上面が第３ｂ絶縁膜１０５ｂによって覆われており、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、上部電極１４ｂ上において接触している。さらに、フォトダイオード１２の外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａは、第４ａ絶縁膜１０６ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂによって覆われている。つまり、フォトダイオード１２の側面は、第３ａ絶縁膜１０５ａ、第４ａ絶縁膜１０６ａ、第３ｂ絶縁膜１０５ｂによって覆われる。
【００８１】
無機絶縁膜である第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ａ絶縁膜１０５ｂは、樹脂膜である第４ａ絶縁膜１０６ａと第４ｂ絶縁膜１０６ｂよりも耐水性が高い。そのため、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａに不連続部分があっても、アクティブマトリクス基板１の表面に生じた傷から第４ｂ絶縁膜１０６ｂに水分が浸透した場合、第３ｂ絶縁膜１０５ｂによって、第３ａ絶縁膜１０５ａの不連続部分に水分が浸透することを防ぐことができる。その結果、第３ａ絶縁膜１０５ａの不連続部分がフォトダイオード１２のリーク電流のリークパスとならず、リーク電流によるＸ線の検出精度の低下を抑制することができる。
【００８２】
なお、上述の図５Ｊの工程では、フォトリソグラフィ法を用いて第３ａ絶縁膜１０５ａをパターニングし、第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１を形成したが、以下のようにしてもよい。つまり、例えば、第３ａ絶縁膜１０５ａ上に第４ａ絶縁膜１０６ａを成膜した後、第４ａ絶縁膜１０６ａをマスクとして第３ａ絶縁膜１０５ａをパターニングし、第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１を形成してもよい。また、上述の図５Ｎの工程では、フォトリソグラフィ法を用いて第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングし、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３を形成したが、以下のようにしてもよい。例えば、図５Ｍの工程で第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜した後、第３ｂ絶縁膜１０５ｂ上に第４ｂ絶縁膜１０６ｂを成膜する。その後、第４ｂ絶縁膜１０６ｂをマスクとしてパターニングを行い、第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口Ｈ３を形成してもよい。
【００８３】
（Ｘ線撮像装置１００の動作）
ここで、図１に示すＸ線撮像装置１００の動作について説明しておく。まず、Ｘ線源３からＸ線が照射される。このとき、制御部２は、バイアス配線１６（図３等参照）に所定の電圧（バイアス電圧）を印加する。Ｘ線源３から照射されたＸ線は、被写体Ｓを透過し、シンチレータ４に入射する。シンチレータ４に入射したＸ線は蛍光（シンチレーション光）に変換され、アクティブマトリクス基板１にシンチレーション光が入射する。アクティブマトリクス基板１における各画素に設けられたフォトダイオード１２にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード１２により、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード１２で変換された電荷に応じた信号は、ＴＦＴ１３（図３等参照）がゲート制御部２Ａからゲート配線１１を介して出力されるゲート電圧（プラスの電圧）に応じてＯＮ状態となっているときに、ソース配線１０を通じて信号読出部２Ｂ（図２等参照）に読み出される。そして、読み出された信号に応じたＸ線画像が、制御部２において生成される。
【００８４】
［第２実施形態］
上述した第１実施形態では、フォトダイオード１２の外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａ、第４ａ絶縁膜１０６ａ、及び第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、隣接する画素のフォトダイオード１２まで延設されている例を説明した。この場合、アクティブマトリクス基板１の表面の傷だけでなく、第３ｂ絶縁膜１０５ｂに不連続な部分や傷等がある場合、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの傷等から第４ａ絶縁膜１０６ａまで水分が浸透する可能性がある。第４ａ絶縁膜１０６ａに水分が浸透すると、１つの画素のフォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａだけでなく、隣接する他の画素のフォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａの不連続部分まで水分が入り込む。つまり、複数画素のフォトダイオード１２の側面においてリークパスが形成され、リーク電流が流れる範囲が拡大する。
【００８５】
本実施形態では、第３ｂ絶縁膜１０５ｂから水分が浸透しても、リークパスの拡大を抑制する構成について説明する。
【００８６】
図６は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の画素部の断面図である。図６において、第１実施形態と同様の構成には第１実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００８７】
図６に示すように、アクティブマトリクス基板１Ａにおいて、第３ａ絶縁膜１０５ａは、第２絶縁膜１０４と接する部分の長さが第１実施形態よりも短い。第４ａ絶縁膜１０６ａは、第３ａ絶縁膜１０５ａの上部にだけ設けられている。
【００８８】
第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、フォトダイオード１２の外側において、第４ａ絶縁膜１０６ａと第３ａ絶縁膜１０５ａとを覆うように第２絶縁膜１０４上に設けられる。第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、上部電極１４ｂ上だけでなく、第２絶縁膜１０４上において第３ａ絶縁膜１０５ａと接する。
【００８９】
つまり、本実施形態では、フォトダイオード１２の外側における第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、隣接する画素まで延設されているが、隣接する画素間の第３ａ絶縁膜１０５ａと第４ａ絶縁膜１０６ａのそれぞれの間は離間している。
【００９０】
このように、本実施形態では、第３ａ絶縁膜１０５ａと第４ａ絶縁膜１０６ａが、隣接する画素まで延設されていない。そのため、ある画素において、第４ａ絶縁膜１０６ａに水分が浸透したとしても、当該画素に隣接する画素の第４ａ絶縁膜１０６ａにまで水分が浸透せず、リークパスの拡大を防止することができる。
【００９１】
なお、この場合、第４ａ絶縁膜１０６ａに水分が浸透した画素のフォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａの不連続部分は水分が入りやすく、当該第３ａ絶縁膜１０５ａがリークパスとなってリーク電流が流れる。しかしながら、第３ｂ絶縁膜１０５ｂに傷等がなければ、第１実施形態と同様、第３ｂ絶縁膜１０５ｂによって第３ａ絶縁膜１０５ａの不連続部分に水分が入り込まず、リークパスが形成されない。
【００９２】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１Ａの作製は以下のようにして行う。つまり、上述した図５Ａ〜５Ｉの各工程を行った後、図５Ｉの状態において、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ａ絶縁膜１０５ａをパターニングする。このとき、第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１が形成されるとともに、隣接する画素間の第３ａ絶縁膜１０５ａが分離するように、第２絶縁膜１０４上に接する第３ａ絶縁膜１０５ａがエッチングされる（図７Ａ参照）。
【００９３】
続いて、図５Ｋの工程と同様の方法により、第３ａ絶縁膜１０５を覆うように第４ａ絶縁膜１０６ａを形成し（図７Ｂ参照）、その後、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図７Ｃ参照）。これにより、第３ａ絶縁膜１０５ａの上のみに第４ａ絶縁膜１０６ａが形成され、開口Ｈ１よりも開口幅が大きい第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ２が形成される。
【００９４】
続いて、図５Ｍの工程と同様の方法により、第４ａ絶縁膜１０６ａを覆うように第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜し（図７Ｄ参照）、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングする（図７Ｅ参照）。これにより、フォトダイオード１２の内側及び外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂが接続され、上部電極１４ｂ上において、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３が形成される。その後、上述した図５Ｏ〜５Ｕと同様の工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１Ａが作製される。
【００９５】
［第３実施形態］
上述した第１実施形態では、フォトダイオード１２の側面部分を第３ａ絶縁膜１０５ａが覆い、コンタクトホールＣＨ２が形成される部分以外の上部電極１４ｂの上面を第３ｂ絶縁膜１０５ｂが覆う構成について説明した。この場合、第３ａ絶縁膜１０５ａのパターニングの際に上部電極１４ｂの上面もエッチングの影響を受け、上部電極１４ｂの上面部分の膜厚が薄くなる膜減りが生じる。本実施形態では、上部電極１４ｂの膜減りが生じることなく、フォトダイオード１２の側面におけるリークパスの形成を抑制する構成について説明する。
【００９６】
図８は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の画素部の断面図を示している。図８において、第１実施形態と同様の構成には第１実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００９７】
図８に示すように、アクティブマトリクス基板１Ｂにおいて、第３ａ絶縁膜１０５ａは、フォトダイオード１２の上面の一部を除いてフォトダイオード１２の表面を覆う。つまり、第３ａ絶縁膜１０５ａは、上部電極１４ｂの上面において離間し、フォトダイオード１２の側面を覆う。第２絶縁膜１０４上の第３ａ絶縁膜１０５ａは、隣接する画素まで延設されている。
【００９８】
第４ａ絶縁膜１０６ａは、フォトダイオード１２の外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａを覆うように設けられ、隣接する画素まで延設されている。
【００９９】
第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、フォトダイオード１２の内側において第３ａ絶縁膜１０５ａと接触し、フォトダイオード１２の外側において第４ａ絶縁膜１０６ａを覆うように形成されている。つまり、第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、第３ａ絶縁膜１０５ａと第４ａ絶縁膜１０６ａとを介してフォトダイオード１２の側面を覆う。
【０１００】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１Ｂの作製は以下のようにして行う。本実施形態では、上述した図５Ａ〜５Ｉと同様の工程を行った後、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ａ絶縁膜１０５ａをパターニングする（図９Ａ参照）。これにより、上部電極１４ｂ上に第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１１が形成される。開口Ｈ１１は、上述した第１実施形態における第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１よりも開口幅が小さく、上部電極１４ｂの上面が第３ａ絶縁膜１０５ａによって覆われる面積も第１実施形態よりも大きい。そのため、第３ａ絶縁膜１０５ａのエッチングによって上部電極１４ｂの上面が膜減りしにくい。
【０１０１】
図９Ａの工程の後、図５Ｋの工程と同様の方法により、第３ａ絶縁膜１０５ａを覆うように第４ａ絶縁膜１０６ａを形成し（図９Ｂ参照）、その後、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図９Ｃ参照）。これにより、フォトダイオード１２の外側において第３ａ絶縁膜１０５ａを覆う第４ａ絶縁膜１０６ａが形成され、開口Ｈ１１よりも開口幅が大きい第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ２が形成される。
【０１０２】
続いて、図５Ｍの工程と同様の方法により、第４ａ絶縁膜１０６ａを覆うように第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜し（図９Ｄ参照）、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングする（図９Ｅ参照）。これにより、第３ａ絶縁膜１０５ａの上において、開口Ｈ１１より外側に第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３が形成される。
【０１０３】
その後、上述した図５Ｏと同様の方法により、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂを覆う第４ｂ絶縁膜１０６ｂを形成し、上述した図５Ｐと同様の方法を用いて、開口Ｈ１１と第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口Ｈ４とからなるコンタクトホールＣＨ２１（図８参照）を形成する。続いて、上述した図５Ｑ〜５Ｕと同様の工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１Ｂが作製される。
【０１０４】
［第４実施形態］
上述した第３実施形態では、フォトダイオード１２の外側において、第４ａ絶縁膜１０６ａが隣接する画素のフォトダイオード１２まで延設されている例を説明した。この場合、上述した第２実施形態で説明したように、第３ｂ絶縁膜１０５ｂに不連続な部分や傷等がある場合、この部分から第４ａ絶縁膜１０６ａまで水分が浸透し、複数画素のフォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａにおいてリークパスが形成される。本実施形態では、第３実施形態の構造において第３ｂ絶縁膜１０５ｂから水分が浸透しても、リークパスの拡大を抑制する構成について説明する。
【０１０５】
図１０は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の画素部の断面図である。図１０において、第３実施形態と同様の構成には第３実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第１実施形態と異なる構成について説明する。
【０１０６】
図１０に示すように、アクティブマトリクス基板１Ｃにおいて、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂがフォトダイオード１２の内側と外側で接触し、フォトダイオード１２の外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂの間に挟まれた領域に第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられる。つまり、第４ａ絶縁膜１０６ａは、フォトダイオード１２の外側において、隣接する画素まで延設されず、隣接する画素間で分離されている。そのため、仮に、第３ｂ絶縁膜１０５ｂに生じた不連続部分や傷等から第４ａ絶縁膜１０６ａに水分が浸透しても、隣接する画素の第４ａ絶縁膜１０６ａへの水分の浸透が抑制され、当該画素の第３ａ絶縁膜１０５ａにまでリークパスが拡大しない。
【０１０７】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１Ｃの作製は以下のようにして行う。つまり、上述した図９Ｂの工程の後、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図１１参照）。これにより、第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１１より外側に開口Ｈ２を有し、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａの部分と重なり、隣接する画素間で離間した第４ａ絶縁膜１０６ａが形成される。その後、上述した図９Ｄ以降と同様の工程を行うことによりアクティブマトリクス基板１Ｃが作製される。
【０１０８】
［第５実施形態］
上述した第３実施形態では、第３ｂ絶縁膜１０５ｂが上部電極１４ｂの上面に設けられない構成例を説明したが、上部電極１４ｂの上面に第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとが重なって設けられていてもよい。以下、この場合の構成について具体的に説明する。
【０１０９】
図１２は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の画素部における断面図である。図１２において、第３実施形態と同様の構成には第３実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第３実施形態と異なる構成について説明する。
【０１１０】
図１２に示すようにアクティブマトリクス基板１Ｄにおいて、第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、上部電極１４ｂの上面に設けられた第３ａ絶縁膜１０５ａと重なり、フォトダイオード１２の外側では、第４ａ絶縁膜１０６ａ上に設けられる。つまり、フォトダイオード１２の外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂは第４ａ絶縁膜１０６ａを介して重なる。
【０１１１】
アクティブマトリクス基板１Ｄの作製は以下のようにして行う。上述した図５Ａ〜５Ｉと同様の工程を行い、その後、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第４ａ絶縁膜１０６ａを形成する（図１３Ａ参照）。続いて、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図１３Ｂ参照）。これにより、フォトダイオード１２の内側において、第３ａ絶縁膜１０５ａ上に第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ２１が形成される。
【０１１２】
次に、図５Ｍの工程と同様の方法により、第４ａ絶縁膜１０６ａを覆うように第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜し（図１３Ｃ参照）、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングする（図１３Ｄ参照）。これにより、上部電極１４ｂ上において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとを貫通する開口Ｈ２２が形成される。
【０１１３】
続いて、上述した図５Ｏと同様の方法により、第３ｂ絶縁膜１０５ｂを覆う第４ｂ絶縁膜１０６ｂを形成し（図１３Ｅ参照）、上述した図５Ｐと同様の方法を用いて、開口Ｈ２２の上に第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口Ｈ４を形成し、開口Ｈ２２と開口Ｈ４とからなるコンタクトホールＣＨ２２を形成する（図１３Ｆ参照）。その後、上述した図５Ｑ〜５Ｕと同様の工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１Ｄが作製される。
【０１１４】
なお、この例では、図１３Ｄにおいて、フォトリソグラフィ法を用いて第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとをパターニングしたが、第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜した後、第４ｂ絶縁膜１０６ｂを成膜し、第４ｂ絶縁膜１０６ｂをマスクとして第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとをパターニングし、開口Ｈ２２を形成してもよい。
【０１１５】
本実施形態では、上部電極１４ｂの上面における第３ａ絶縁膜１０５ａと重なるように第３ｂ絶縁膜１０５ｂが形成される。また、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂの両方を同時にパターニングし、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂを貫通する開口Ｈ２２を形成する。そのため、パターニングによる第３ａ絶縁膜１０５ａの膜減りが上述の第３及び第４実施形態と比べて生じにくく、パターニングによる上部電極１４ｂの上面の膜減りが上述の第１及び第２実施形態と比べて生じにくい。
【０１１６】
また、本実施形態では、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａに不連続部分があっても、アクティブマトリクス基板１Ｄの表面の傷等から第４ｂ絶縁膜１０６ｂに水分が浸透した際、第３ｂ絶縁膜１０６ｂによって第３ａ絶縁膜１０５ａへの水分の浸透が抑制される。その結果、第３ａ絶縁膜１０５ａの不連続部分がリークパスとならず、リーク電流によるＸ線検出精度の低下が生じにくい。
【０１１７】
［第６実施形態］
上述した第５実施形態では、フォトダイオード１２の外側において、第４ａ絶縁膜１０６ａが隣接する画素のフォトダイオード１２まで延設されているが、リークパスの拡大を抑制するべく、隣接する画素のフォトダイオード１２間において第４ａ絶縁膜１０６ａが分離されていてもよい。以下、この場合におけるアクティブマトリクス基板の構成について説明する。
【０１１８】
図１４は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の画素部における断面図である。図１４において、第５実施形態と同様の構成には第５実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第５実施形態と異なる構成について説明する。
【０１１９】
図１４に示すように、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１Ｅは、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂがフォトダイオード１２の外側で接触し、フォトダイオード１２の外側において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとの間に第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられる。つまり、第４ａ絶縁膜１０６ａは、隣接する画素まで延設されず、隣接する画素間で分離されている。
【０１２０】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１Ｅの作製は以下のようにして行う。つまり、上述した図１３Ａの工程の後、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図１５参照）。これにより、第３ａ絶縁膜１０５ａ上のフォトダイオード１２の側面を覆う部分以外の第４ａ絶縁膜１０６ａが除去される。その結果、第４ａ絶縁膜１０６ａは、フォトダイオード１２の側面に設けられた第３ａ絶縁膜１０５ａと重なり、隣接する画素の第４ａ絶縁膜１０６ａと離間する。その後、上述した図１３Ｃ以降の各工程と同様の工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１Ｅが作製される。
【０１２１】
このように構成することにより、仮に、第３ｂ絶縁膜１０５ｂに生じた不連続部分や傷等から第４ａ絶縁膜１０６ａに水分が浸透しても、隣接する画素の第４ａ絶縁膜１０６ａへの水分の浸透が抑制され、当該画素の第３ａ絶縁膜１０５ａにまでリークパスが拡大しない。
【０１２２】
［第７実施形態］
上述した第１及び第３実施形態では、フォトダイオード１２の外側において第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとの間に第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられる例を説明したが、第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられない構造であってもよい。以下、第１実施形態及び第３実施形態において第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられていない構造の変形例をそれぞれ説明する。
【０１２３】
（７−１）第１実施形態の変形例
図１６は、第１実施形態において第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられていない場合の画素部の断面図である。図１６において、第１実施形態と同様の構成には第１実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第１実施形態と異なる構成について説明する。
【０１２４】
図１６に示すように、アクティブマトリクス基板１Ｆにおいて、第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａと重なって配置されている。つまり、フォトダイオード１２の外側において、第３ｂ絶縁膜１０５ｂは第３ａ絶縁膜１０５ａと重なっている。
【０１２５】
アクティブマトリクス基板１Ｆの作製は以下のようにして行う。まず、上述した図５Ａ〜５Ｊと同様の工程を行った後、上述の図５Ｍの工程と同様の方法により、第３ａ絶縁膜１０５ａの上に第３ｂ絶縁膜１０５ｂを形成する（図１７Ａ参照）。その後、上述の図５Ｎの工程と同様の方法により、上部電極１４ｂ上において、第３ａ絶縁膜１０５ａの開口Ｈ１の内側に第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３を形成する（図１７Ｂ参照）。続いて、上述の図５Ｏ〜５Ｕの各工程と同様の工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１Ｆが作製される。
【０１２６】
（７−２）第３実施形態の変形例
図１８は、第３実施形態において第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられていない場合の画素部の断面図であるアクティブマトリクス基板の画素部における断面図である。図１８において、第３実施形態と同様の構成には第３実施形態と同じ符号が付されている。
【０１２７】
図１８に示すように、アクティブマトリクス基板１Ｇにおいて、第３ｂ絶縁膜１０５ｂは、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａと重なって配置されている。つまり、フォトダイオード１２の外側において、第３ｂ絶縁膜１０５ｂは第３ａ絶縁膜１０５ａと重なっている。
【０１２８】
アクティブマトリクス基板１Ｇの作製は以下のようにして行う。上述した図９Ａと同様の工程を行った後、図９Ｄと同様の方法により、第３ａ絶縁膜１０５ａの上に第３ｂ絶縁膜１０５ｂを形成する（図１９Ａ参照）。その後、上述の図５Ｎの工程と同様の方法を用いて、第３ａ絶縁膜１０５ａ上に、開口Ｈ１よりも大きい第３ｂ絶縁膜１０５ｂの開口Ｈ３を形成する（図１９Ｂ参照）。続いて、上述の図５Ｏ〜５Ｕと各工程と同様の工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１Ｇが作製される。
【０１２９】
上記したアクティブマトリクス基板１Ｆ、１Ｇの表面の傷等から第４ｂ絶縁膜１０６ｂに水分が浸透すると、第３ｂ絶縁膜１０５ｂの表面は水分に曝される。しかしながら、第３ａ絶縁膜１０５ａは第３ｂ絶縁膜１０５ｂに覆われているため、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａに不連続部分があっても、第３ａ絶縁膜１０５ａに水分が浸透しにくく、リーク電流が流れにくい。また、上記の構成では、第４ａ絶縁膜１０６ａを形成する工程（図５Ｋ、５Ｌ参照）が不要であるため、第１実施形態及び第３実施形態よりもアクティブマトリクス基板を作製するための工数を削減することができる。
【０１３０】
（７−３）
上述の（７−１）及び（７−２）において、フォトダイオード１２の外側に設けられる第３ａ絶縁膜１０５ａは、隣接する画素のフォトダイオード１２まで延設されているが、図２０又は図２１に示すように、第３ａ絶縁膜１０５ａが隣接する画素まで延設されず、隣接する画素の第３ａ絶縁膜１０５ａと離間していてもよい。
【０１３１】
なお、図２０は、上述した図１６において第３ａ絶縁膜１０５ａが隣接する画素まで延設されていない場合の断面図である。また、図２１は、上述した図１８において第３ａ絶縁膜１０５ａが隣接する画素まで延設されていない場合の断面図である。
【０１３２】
図２０及び図２１に示すアクティブマトリクス基板を作製する際には、上述した図５Ｊの工程において、上部電極１４ｂの上面だけでなく、第２絶縁膜１０４上の第３ａ絶縁膜１０５ａも所定長さとなるようににエッチングすればよい。
【０１３３】
図２０及び図２１に示す構造の場合も、上述した（７−１）及び（７−２）の構造と同様、フォトダイオード１２の側面を覆う第３ａ絶縁膜１０５ａに不連続部分があっても、第３ａ絶縁膜１０５ａは第３ｂ絶縁膜１０５ｂに覆われているため、第３ａ絶縁膜１０５ａに水分が浸透しにくく、リークパスが形成されにくい。また、第４ａ絶縁膜１０６ａを形成する工程（図５Ｋ、５Ｌ参照）が不要であるため、アクティブマトリクス基板を作製するための工数を削減することができる。
【０１３４】
［第８実施形態］
上述した第１実施形態から第７実施形態において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂの膜厚は、１５０ｎｍの整数倍の厚みが好ましい。
【０１３５】
図２２は、ＳｉＮを含む無機絶縁膜の膜厚を変えて、波長が５５０ｎｍの光を照射したときの無機絶縁膜の透過率のグラフを示している。図２２に示すように、膜厚が１５０ｎｍ、３００ｎｍ、４５０ｎｍ、６００ｎｍの場合には透過率がほぼ１００％であるが、これら以外の膜厚では、透過率は、９０％より大きく、且つ１００％未満の範囲で推移している。
【０１３６】
従って、フォトダイオード１２（図３等参照）の上に設けられる無機絶縁膜の膜厚を１５０ｎｍの整数倍の厚みにすると、フォトダイオード１２における光電変換効率を高めることができ、Ｘ線の検出精度を向上させることができる。
【０１３７】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
【０１３８】
（変形例１）
上述した第５実施形態及び第６実施形態において、第４ａ絶縁膜１０６ａは、フォトダイオード１２の側面部だけでなく、上部電極１４ｂを覆う第３ａ絶縁膜１０５ａの上にも設けられていてもよい。以下、このような構成について説明する。
【０１３９】
（１）第５実施形態の変形例
図２３は、第５実施形態の変形例に係る画素部の断面図である。なお、図２３において、第５実施形態と同様の構成には第５実施形態と同じ符号が付されている。以下、第５実施形態と異なる構成について説明する。
【０１４０】
図２３に示すように、本変形例に係るアクティブマトリクス基板１Ｈは、フォトダイオード１２の側面部だけでなく、上部電極１４ｂを覆う第３ａ絶縁膜１０５ａ上にも第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられている。
【０１４１】
本変形例のアクティブマトリクス基板１Ｈは、以下のようにして形成することができる。まず、上述した図５Ａ〜５Ｉ、図１３Ａの工程を行った後、フォトリソグラフィ法を用い、第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図２４Ａ参照）。これにより、上部電極１４ｂを覆っている第３ａ絶縁膜１０５ａの一部の上に、第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ１３が形成される。
【０１４２】
次に、図５Ｍの工程と同様の方法により、第４ａ絶縁膜１０６ａを覆うように第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜する（図２４Ｂ参照）。続いて、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングする（図２４Ｃ参照）。これにより、上部電極１４ｂ上において、第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ１３よりも内側に、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとを貫通する開口Ｈ２３が形成される。
【０１４３】
なお、図２４Ｃの工程において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂのパターニングに用いるフォトマスクは同じものを用い、これら絶縁膜を同時にエッチングしてもよい。このようにすることで、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂのそれぞれにフォトマスクを用意する必要がなく、工数を削減することができる。
【０１４４】
続いて、上述した図５Ｏと同様の方法により、第３ｂ絶縁膜１０５ｂを覆うように第４ｂ絶縁膜１０６ｂを形成し（図２４Ｄ参照）、その後、上述した図５Ｐと同様の方法を用いて、開口Ｈ２３の上に、開口Ｈ２３よりも大きい第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口Ｈ３３を形成し、開口Ｈ２３と開口Ｈ３３とからなるコンタクトホールＣＨ２３を形成する（図２４Ｅ参照）。第４ｂ絶縁膜１０６ｂのパターニングにおいて、第４ａ絶縁膜１０６ａのパターニングに用いたフォトマスクを適用してもよい。このようにすることで、第４ｂ絶縁膜１０６ｂのパターニングの際のフォトマスクを削減することができる。
【０１４５】
その後、上述した図５Ｑ〜５Ｕと同様の工程を行うことにより、図２３に示すアクティブマトリクス基板１Ｈが作製される。
【０１４６】
（２）第６実施形態の変形例
図２５は、第６実施形態の変形例に係る画素部の断面図である。なお、図２５において、第６実施形態と同様の構成には第５実施形態と同じ符号が付されている。以下、第６実施形態と異なる構成について説明する。
【０１４７】
図２５に示すように、本変形例に係るアクティブマトリクス基板１Ｉは、フォトダイオード１２の側面部だけでなく、上部電極１４ｂを覆う第３ａ絶縁膜１０５ａ上にも第４ａ絶縁膜１０６ａが設けられている。
【０１４８】
本変形例のアクティブマトリクス基板１Ｉは、以下のようにして形成することができる。まず、上述した図５Ａ〜５Ｅと同様の工程を行う。続いて、スパッタリング法により、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）からなる金属膜１４０を第２絶縁膜１０４上に成膜し、フォトリソグラフィ法を用い、金属膜１４０の上に、フォトダイオード１２の下部電極を形成するためのレジスト３００を形成する（図２６Ａ参照）。
【０１４９】
そして、金属膜１４０をウェットエッチングする（図２６Ｂ参照）。ここでは、レジスト３００よりもΔｄ（例えば２μｍ）だけ内側に金属膜１４０の端部が配置されるように金属膜１４０はエッチングされる。その後、レジストを除去し、下部電極１４ａが形成される（図２６Ｃ参照）。
【０１５０】
なお、図２６Ａの工程においてレジスト３００の形成に用いるフォトマスクは、後述する第４ａ絶縁膜１０６ａを形成する際にも用いることができる。図２６Ｂの工程でレジスト３００よりも内側に金属膜１４０の端部が配置されるようにエッチングすることで、下部電極１４ｂを第４ａ絶縁膜１０６ａで完全に覆うことができる。
【０１５１】
続いて、図５Ｇ〜５Ｉ、図１３Ａと同様の工程を行った後、フォトリソグラフィ法を用い、第３ａ絶縁膜１０５ａ上の第４ａ絶縁膜１０６ａをパターニングする（図２６Ｄ参照）。これにより、上部電極１４ｂを覆っている第３ａ絶縁膜１０５ａの一部の上に第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ１４が形成される。
【０１５２】
続いて、上述した図５Ｍと同様の工程を行い、第４ａ絶縁膜１０６ａ上に第３ｂ絶縁膜１０５ｂを成膜した後、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂをパターニングする（図２６Ｅ参照）。これにより、上部電極１４ｂ上において、第４ａ絶縁膜１０６ａの開口Ｈ１４よりも内側に、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂとを貫通する開口Ｈ２４が形成される。
【０１５３】
なお、図２６Ｄの工程において第４ａ絶縁膜１０６ａのパターニングに用いるフォトマスクは、下部電極１４ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂをそれぞれ形成する際に用いた各フォトマスクを適用できる。このように構成することで、第４ａ絶縁膜１０６ａ用のフォトマスクを用意する必要がなく、工数を削減することができる。また、図２６Ｅの工程において、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂのパターニングに用いるフォトマスクは同じものを用い、これら絶縁膜を同時にエッチングしてもよい。このようにすることで、第３ａ絶縁膜１０５ａと第３ｂ絶縁膜１０５ｂのそれぞれにフォトマスクを用意する必要がなく、工数を削減することができる。
【０１５４】
続いて、上述した図５Ｏと同様の方法により、第３ｂ絶縁膜１０５ｂを覆うように第４ｂ絶縁膜１０６ｂを形成し、その後、上述した図５Ｐと同様の方法を用いて、開口Ｈ２４の上に、開口Ｈ２４よりも大きい第４ｂ絶縁膜１０６ｂの開口Ｈ３４を形成し、開口Ｈ２４と開口Ｈ３４とからなるコンタクトホールＣＨ２４を形成する（図２６Ｆ参照）。なお、第４ｂ絶縁膜１０６ｂのパターニングに、第４ａ絶縁膜１０６ａのパターニングに用いたフォトマスクを適用してもよい。このようにすることで、第４ｂ絶縁膜１０６ｂのパターニングの際のフォトマスクを削減することができる。
【０１５５】
その後、上述した図５Ｑ〜５Ｕと同様の工程を行うことにより、図２５に示すアクティブマトリクス基板１Ｉが作製される。
【０１５６】
上述した第５及び第６実施形態の変形例では、上部電極１４ｂの上部が第３ａ絶縁膜１０５ａと第４ａ絶縁膜１０６ａに覆われる。そのため、第４ｂ絶縁膜１０６ｂから水分が浸透しても、第４ａ絶縁膜１０６ａと第３ａ絶縁膜１０５ａの２つの絶縁膜によって、フォトダイオード１２の側面部だけでなく、フォトダイオード１２の上部に水分が入り込みにくく、リークパスが形成されにくい。
【符号の説明】
【０１５７】
１，１Ａ〜１Ｉ…アクティブマトリクス基板、２…制御部、２Ａ…ゲート制御部、２Ｂ…信号読出部、３…Ｘ線源、４…シンチレータ、１０…ソース配線、１１…ゲート配線、１２…フォトダイオード、１３…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１３ａ…ゲート電極、１３ｂ…半導体活性層、１３ｃ…ソース電極、１３ｄ…ドレイン電極、１４ａ…下部電極、１４ｂ…上部電極、１５…光電変換層、１６…バイアス配線、１００…Ｘ線撮像装置、１０１…基板、１０２…ゲート絶縁膜、１０３…第１絶縁膜、１０４…第２絶縁膜、１０５ａ…第３ａ絶縁膜、１０５ｂ…第３ｂ絶縁膜、１０６ａ…第４ａ絶縁膜、１０６ｂ…第４ｂ絶縁膜、１０７…第５絶縁膜、１０８…第６絶縁膜、１５１…ｎ型非晶質半導体層、１５２…真性非晶質半導体層、１５３…ｐ型非晶質半導体層
【図１】
2019110159.tif 000003
【図２】
2019110159.tif 000004
【図３】
2019110159.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
2019110159.tif 000007
【図５Ｂ】
2019110159.tif 000008
【図５Ｃ】
2019110159.tif 000009
【図５Ｄ】
2019110159.tif 000010
【図５Ｅ】
2019110159.tif 000011
【図５Ｆ】
2019110159.tif 000012
【図５Ｇ】
2019110159.tif 000013
【図５Ｈ】
2019110159.tif 000014
【図５Ｉ】
2019110159.tif 000015
【図５Ｊ】
2019110159.tif 000016
【図５Ｋ】
2019110159.tif 000017
【図５Ｌ】
2019110159.tif 000018
【図５Ｍ】
2019110159.tif 000019
【図５Ｎ】
2019110159.tif 000020
【図５Ｏ】
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【図５Ｐ】
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【図５Ｑ】
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【図５Ｒ】
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【図５Ｓ】
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【図５Ｔ】
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【図５Ｕ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２４Ｄ】
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【図２４Ｅ】
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【図２５】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２６Ｃ】
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【図２６Ｄ】
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【図２６Ｅ】
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【図２６Ｆ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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