(57)【要約】  式（II）：【化１】2007536316.tif 000021で表されるリガンド出発化合物を、式（III）：【化２】2007536316.tif 000022で表される遷移金属化合物と反応させる工程を含む、式（Ｉ）：【化３】2007536316.tif 000023で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法であり、且つ  上記式（Ｉ）、(II)及び（III）において、Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｒ2、Ｒ2'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｒ3が、炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｒ4が、水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環を形成する２価の有機基を表し、この飽和又は不飽和の環は５〜１２原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含んでいても良く、Ａが、２価の原子又は２価の基から構成される架橋基を表し、Ｍ1が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、基Ｘが、同一でも異なっていても良く、それぞれシクロペンタジエニルアニオンにより置換可能な有機基又は無機基を表し、ｘが、３〜６の自然数を表し、Ｍ2が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハライドの一部を表し、ｐが、電荷が＋２価の金属イオンの場合は１を表し、或いは電荷が＋１価の金属イオン又は金属イオンの一部の場合は２を表し、ＬＢが、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、そしてｙが、０〜６の自然数を表す、ことを特徴とする方法、第１の方法で製造された式（Ｉ）で表されるアンサ−メタロセン錯体から出発して式(IV)で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する別の方法、メタロセンを製造するために式（III）の遷移金属化合物の使用する方法、及び式（III）の特定の遷移金属化合物、に関する。【選択図】    なし
2007536316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（II）：
【化１】
2007536316.tif 000015
で表されるリガンド出発化合物を、式（III）：
【化２】
2007536316.tif 000016
で表される遷移金属化合物と反応させる工程を含む、式（Ｉ）：
【化３】
2007536316.tif 000017
で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法であり、且つ
上記式（Ｉ）、(II)及び（III）において、
Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ2、Ｒ2'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ3が、炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ4が、水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環を形成する２価の有機基を表し、この飽和又は不飽和の環は５〜１２原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのヘテロ原子を含んでいても良く、
Ａが、２価の原子又は２価の基から構成される架橋基を表し、
Ｍ1が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、
基Ｘが、同一でも異なっていても良く、それぞれシクロペンタジエニルアニオンにより置換可能な有機基又は無機基を表し、
ｘが、３〜６の自然数を表し、
Ｍ2が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハライドの一部を表し、
ｐが、電荷が＋２価の金属イオンの場合は１を表し、或いは電荷が＋１価の金属イオン又は金属イオンの一部の場合は２を表し
ＬＢが、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、そして
ｙが、０〜６の自然数を表す、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法で製造された式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体を、次の反応工程において、適当な脱離剤と反応させることにより、式（IV）：
【化４】
2007536316.tif 000018
［但し、上記基及び指数が、式（Ｉ）と同義である。］
で表されるアンサ−メタロセン錯体を形成することを特徴とする式（IV）で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれＣ1〜Ｃ10−アルキルを表し、
Ｒ2、Ｒ2'が、それぞれ水素を表し、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ無置換の１，３−ブタジエン−１，４−ジイル基、又は１〜４個の基Ｒ6で置換された１，３−ブタジエン−１，４−ジイル基を表し、
Ａが、エチレン、置換エチレン又は置換シリレンを表し、そして
基Ｒ3、Ｒ4、Ｒ6、Ｍ1、Ｘ、Ｍ2及びＬＢ、及び指数ｘ、ｐ及びｙが請求項１と同義である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ3が、３〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、又は７〜２０個の炭素原子を有するアリールアルキル基を表し、
Ｒ4が水素を表し、
Ｍ1が、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆを表し、
Ｘが、ハロゲンを表し、
ｘが、４を表し、
ＬＢが、環式又は非環式のエーテル又はジエーテルを表し、そして
ｙが、１又は２を表す、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
Ｍ2が、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＭｇを表す請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
式(III)：
【化５】
2007536316.tif 000019
［但し、上記基及び指数が、式（Ｉ）と同義である。］
で表される遷移金属化合物を、アンサ−メタロセン錯体の製造に使用する方法。
【請求項７】
式(III)：
【化６】
2007536316.tif 000020
［但し、Ｒ4が水素を表し、そして他の基及び指数が、式（Ｉ）と同義である。］
で表される遷移金属化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、式（Ｉ）で表されるアンサ−メタロセン錯体のラセモ選択的製造方法、第１の方法で製造された式（Ｉ）で表されるアンサ−メタロセン錯体から出発して式(IV)で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する別の方法、メタロセンを製造するために式（III）の遷移金属化合物の使用する方法、及び式（III）の特定の遷移金属化合物、に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機遷移金属化合物、特にメタロセンを、テイラード（注文に応じた）ポリオレフィンを製造する目的でオレフィンの重合及び共重合用の触媒成分として使用する方法についての研究及び開発が、大学及び工業界において過去１５年に亘り活発に進められている。
【０００３】
現在、メタロセン触媒組成物により製造されるエチレンを主成分とするポリオレフィンと、特にメタロセン触媒組成物により製造されるプロピレンを主成分とするポリオレフィンとの両方が、躍動的に成長する市場分野を形成している。
【０００４】
アイソタクチック・ポリプロピレンの製造は、一般にラセミ体のアンサ−メタロセンを用いて行われている。ラセミ体のアンサ−メタロセンの合成においては、これらは、不要なメソ−メタロセンと共に得られるので、メソ化合物を分離する必要がある。望ましいラセミ体のメタロセンの割合が不要なメソ体の割合より高い、種々のジアステレオ選択的合成法が開発されている。
【０００５】
特許文献１（ＵＳ５５９７９３５）には、非荷電の架橋されたビシクロペンタジエニルリガンド系を遷移金属アミドと反応させ、２分子のアミンを脱離させてラセミのアンサ−ビシクロペンタジエニルアミド錯体を形成する、アンサ−メタロセンのラセモ選択的製造方法が記載されている。使用される架橋ビシクロペンタジエニルリガンド系は、インデニル基には別の置換基を持っていない。遷移金属アミドは、合成において孤立系で使用されている。
【０００６】
特許文献２（ＵＳ６３１６５６２）には、非荷電のリガンド系を遷移金属アミドクロリドと反応させ、アミンを脱離させるメタロセンアミドハライドの製造方法が記載されている。さらに、アンサメタロセンの場合、ラセミ（ｒａｃ）／メソ（ｍｅｓｏ）の分離は反応管完了後行うことができると述べられている。
【０００７】
ラセミ体のアンサ−メタロセンの公知の製造方法は、方法の経済性及び用途の広さの両方において不足している。
【０００８】
【特許文献１】ＵＳ５５９７９３５
【特許文献２】ＵＳ６３１６５６２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、アンサ−メタロセンの、簡単で、経済的で、そして広い利用可能性をもつ製造方法を見いだすことであり、このような製造方法は公知の方法の不利を回避することができ、ラセミのメタロセンの製造コストを総合的に低下させることができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
従って、本発明者等は、
式（II）：
【００１１】
【化１】
2007536316.tif 000003
で表されるリガンド出発化合物を、式（III）：
【００１２】
【化２】
2007536316.tif 000004
で表される遷移金属化合物と反応させる工程を含む、式（Ｉ）：
【００１３】
【化３】
2007536316.tif 000005
で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法であり、且つ
上記式（Ｉ）、(II)及び（III）において、
Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ2、Ｒ2'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ3が、炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ4が、水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環を形成する２価の有機基を表し、この飽和又は不飽和の環は５〜１２原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのヘテロ原子を含んでいても良く、
Ａが、２価の原子又は２価の基から構成される架橋基を表し、
Ｍ1が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、
基Ｘが、同一でも異なっていても良く、それぞれシクロペンタジエニルアニオンにより置換可能な有機基又は無機基を表し、
ｘが、３〜６の自然数を表し、
Ｍ2が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハライドの一部を表し、
ｐが、電荷が＋２価の金属イオンの場合は１を表し、或いは電荷が＋１価の金属イオン又は金属イオンの一部の場合は２を表し
ＬＢが、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、そして
ｙが、０〜６の自然数を表す、
ことを特徴とする方法；
を見いだした。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
Ｒ1、Ｒ1'は、同一でも異なっていても良いが、同一が好ましく、そしてそれぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、この有機基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ40−アルキル、Ｃ1〜Ｃ10−フルオロアルキル、Ｃ2〜Ｃ40−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ40−アリール、Ｃ6〜Ｃ10−フルオロアリール、アリールアルキル、アリールアルケニル又はアルキルアリール（これらの３個の基のそれぞれは、アルキル部分の炭素原子数が１〜１０個、好ましくは１〜４個であり、アリール部分の炭素原子数が６〜２２個、好ましくは６〜１０個である）、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＳｅ、特にＯ、Ｎ及びＳから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む、炭素原子数２〜４０の飽和のヘテロ環基又はＣ2〜Ｃ40−ヘテロ芳香族基であり、そしてヘテロ芳香族基は別の基Ｒ5で置換されていてもよい。この基Ｒ5は、炭素原子数１〜２０個の有機基、例えばＣ1〜Ｃ10−アルキル、好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ6〜Ｃ15−、好ましくはＣ6〜Ｃ10−アリール、アルキルアリール、アリールアルキル、フルオロアルキル又はフルオロアリール（これらの４個の基のそれぞれは、アルキル部分の炭素原子数が１〜１０個、好ましくは１〜４個であり、アリール部分の炭素原子数が６〜１８個、好ましくは６〜１０個である）を表し、複数のＲ5は、同一でも異なっていても良い。
【００１５】
Ｒ1及びＲ1'は、同一でも異なっていても良いが、同一が好ましく、そしてそれぞれＣ1〜Ｃ10−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−へプチル又はｎ−オクチルであることが好ましく、さらにメチル、エチル又はイソプロピルが好ましく、特にメチルが好ましい。
【００１６】
Ｒ2及びＲ2'は、同一でも異なっていても良いが、同一が好ましく、そしてそれぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、この有機基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ40−アルキル、Ｃ1〜Ｃ10−フルオロアルキル、Ｃ2〜Ｃ40−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ40−アリール、Ｃ6〜Ｃ10−フルオロアリール、アリールアルキル、アリールアルケニル又はアルキルアリール（これらの３個の基のそれぞれは、アルキル部分の炭素原子数が１〜１０個、好ましくは１〜４個であり、アリール部分の炭素原子数が６〜２２個、好ましくは６〜１０個である）、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＳｅ、特にＯ、Ｎ及びＳから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む、炭素原子数２〜４０の飽和のヘテロ環基又はＣ2〜Ｃ40−ヘテロ芳香族基であり、そして−ヘテロ芳香族基は前記で規定された別の基Ｒ5で置換されていても良く、複数のＲ5は同一でも異なっていても良い。Ｒ2、Ｒ2'は、それぞれ水素であることが好ましい。
【００１７】
Ｒ3は、１〜４０個の炭素原子を有する有機基であり、この有機基は、炭素原子又はケイ素原子、好ましくは炭素原子（たった１個の水素原子を有することが好ましい）、を介して窒素原子に結合し、そしてハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の別の有機基で置換されていてもよく、そしてさらにＳｉ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＳ（好ましくはＮ、Ｏ及びＳ）から選択されるヘテロ原子を含んでいても良い。この有機基Ｒ3は、例えば、Ｃ1〜Ｃ40−アルキル、Ｃ1〜Ｃ10−フルオロアルキル、Ｃ2〜Ｃ40−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ40−アリール、Ｃ6〜Ｃ10−フルオロアリール、アリールアルキル、アリールアルケニル又はアルキルアリール（これらの３個の基のそれぞれは、アルキル部分の炭素原子数が１〜１０個、好ましくは１〜４個であり、アリール部分の炭素原子数が６〜２２個、好ましくは６〜１０個である）、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＳｅ、特にＯ、Ｎ及びＳから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む、炭素原子数２〜４０の飽和のヘテロ環基又はＣ2〜Ｃ40−ヘテロ芳香族基であり、そして飽和のヘテロ環基又はヘテロ芳香族基は前記で規定された別の基Ｒ5で置換されていても良く、そして複数のＲ5は同一でも異なっていてもよく、炭素原子数３〜２４個のシリル基、例えばＣ3〜Ｃ24−トリアルキルシリル、Ｃ8〜Ｃ24−アリールジアルキルシリル又はＣ13〜Ｃ24−アルキルジアリールシリルであっても良い。
【００１８】
有機基Ｒ3は３〜２０個の炭素原子を有するアルキル基であることが好ましく、特に炭素原子数７〜２０個、好ましくは炭素原子数８〜２０個のアルキルアリール基、特にα位で分岐したアルキル又はアリールアルキル基が好ましく、例えばイソプロピル、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、１，１，３，３−テトラメチル−ブチル、１，３−ジメチルアダマンチル又はトリフェニルメチルを挙げることができる。
【００１９】
Ｒ4は、１〜４０個の炭素原子を有する有機基であり、この有機基は、炭素原子又はケイ素原子、好ましくは炭素原子を介して窒素原子に結合し、そしてハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の別の有機基で置換されていてもよく、そしてさらにＳｉ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＳ（好ましくはＮ、Ｏ及びＳ）から選択されるヘテロ原子を含んでいても良い。この有機基Ｒ4は、例えば、Ｃ1〜Ｃ40−アルキル、Ｃ1〜Ｃ10−フルオロアルキル、Ｃ2〜Ｃ40−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ40−アリール、Ｃ6〜Ｃ10−フルオロアリール、アリールアルキル、アリールアルケニル又はアルキルアリール（これらの３個の基のそれぞれは、アルキル部分の炭素原子数が１〜１０個、好ましくは１〜４個であり、アリール部分の炭素原子数が６〜２２個、好ましくは６〜１０個である）、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＳｅ、特にＯ、Ｎ及びＳから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む、炭素原子数２〜４０の飽和のヘテロ環基又はＣ2〜Ｃ40−ヘテロ芳香族基であり、そして飽和のヘテロ環基又はヘテロ芳香族基は前記で規定された別の基Ｒ5で置換されていても良く、そして複数のＲ5は同一でも異なっていてもよく、炭素原子数３〜２４個のシリル基、例えばＣ3〜Ｃ24−トリアルキルシリル、Ｃ8〜Ｃ24−アリールジアルキルシリル又はＣ13〜Ｃ24−アルキルジアリールシリルであっても良い。
【００２０】
Ｔ及びＴ’は、同一でも異なっていても良く、好ましくは同一であることであり、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環を形成する２価の有機基を表し、この飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環は５〜１２原子、特に５〜７原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ（好ましくはＳｉ、Ｎ、Ｏ又はＳ、特にＳ又はＮ）のヘテロ原子を含んでいても良い。
【００２１】
２価の有機基Ｔ及びＴ’の好ましい例として、
【００２２】
【化４】
2007536316.tif 000006
さらに好ましくは、
【００２３】
【化５】
2007536316.tif 000007
特に好ましくは、
【００２４】
【化６】
2007536316.tif 000008
を挙げることができ、上記式中において、
Ｒ6は、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個、好ましくは１〜２０個の炭素原子を有する有機基、例えば、環式、分岐又は非分岐のＣ1〜Ｃ20−、好ましくはＣ1〜Ｃ8−アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20−、好ましくはＣ2〜Ｃ8−アルケニル基、Ｃ6〜Ｃ22−、好ましくはＣ6〜Ｃ10−アリール基、アルキル部分の炭素原子数が１〜１０個、好ましくは１〜４個であり、アリール部分の炭素原子数が６〜２２個、好ましくは６〜１０個であるアルキルアリール又はアリールアルキル基、そして以上の置換基は、ハロゲン化されていても良く、或いはＲ6は、２〜４０個、特に４〜２０個の炭素原子を有し、好ましくはＯ、Ｎ、ＳびＰ、特にＯ、Ｎ及びＳから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む置換又は無置換の、飽和又は不飽和のヘテロ環（特に芳香族ヘテロ環）であるか、或いは隣接する２個のＲ6が、これらに結合する原子と共に、１〜４０個の炭素原子を含み且つＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ、特にＮ及びＳから選択されるヘテロ原子を含んでも良い単環又は多環の、置換又は無置換の環基を形成している。
【００２５】
Ｒ7は、水素、又はＲ6で定義された基である。
【００２６】
ｓは、０〜４、特に０〜３の自然数を表す。
【００２７】
ｔは、０〜２、特に１又は２の自然数を表す。
【００２８】
ｕは、０〜６、特に１の自然数を表す。
【００２９】
Ａは２価の原子又は２価の基から構成される架橋基である。Ａの例としては、
【００３０】
【化７】
2007536316.tif 000009
【００３１】
特に、
【００３２】
【化８】
2007536316.tif 000010
を挙げることができ、上記式中において、
Ｍ3は、ケイ素、ゲルマニウム又はスズ、好ましくはケイ素又はゲルマニウム、特にケイ素を表し、そして
Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、同一又は異なっていても良く、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、トリメチルシリル基、Ｃ1〜Ｃ10−、好ましくはＣ1〜Ｃ3−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10−フルオロアルキル基、Ｃ6〜Ｃ10−フルオロアリール基、Ｃ6〜Ｃ10−アリール基、Ｃ1〜Ｃ10−、好ましくはＣ1〜Ｃ3−アルコキシ基、Ｃ7〜Ｃ15−アルキルアリールオキシ基、Ｃ2〜Ｃ10−、好ましくはＣ2〜Ｃ4−アルケニル基、Ｃ7〜Ｃ40−アリールアルキル基、Ｃ8〜Ｃ40−アリールアルケニル基又はＣ7〜Ｃ40−アルキルアリール基を表し、或いは２個の隣接基が、これらに結合する原子と共に、４〜１５個の炭素原子を有する飽和又は不飽和の環を形成している。
【００３３】
Ａの好ましい態様は、次の架橋基：ジメチルシランジイル、メチルフェニルシランジイル、ジフェニルシランジイル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル、ジメチルゲルマンジイル、エチリデン、１−メチルエチリデン、１，１−ジメチルエチリデン、１，２−ジメチルエチリデン、１，１，２，２−テトラメチルエチリデン、ジメチルメチリデン、フェニルメチルメチリデン又はジフェニルメチルメチリデン、特にジメチルシランジイル、ジフェニルシランジイル及びエチリデンを挙げることができる。
【００３４】
特に好ましいＡとしては、置換シリレン基、又は置換又は無置換のエチレン基で、好ましくは置換シリレン基、例えばジメチルシランジイル、メチルフェニルシランジイル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル又はジフェニルシランジイル、特にジメチルシランジイルを挙げることができる。
【００３５】
Ｍ1が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、例えば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン又はタングステンを挙げることができ、チタン、ジルコニウム又はハフニウムが好ましく、さらにジルコニウム又はハフニウム、特にジルコニウムが好ましい。
【００３６】
基Ｘは、同一でも異なっていても良く、それぞれシクロペンタジエニルアニオンにより置換可能な有機基又は無機基を表す。Ｘの例としては、ハロゲン、例えば塩素、臭素、ヨウ素、特に塩素、有機スルホナート基、例えばトリフルオロメタンスルホナート（トリフラート(triflate)）又はメシラートを挙げることができる。Ｘは、ハロゲンが好ましく、特に塩素が好ましい。
【００３７】
ｘは、３〜６の自然数を表し、通常Ｍ1の酸化数に対応する。元素周期表第４族の元素の場合、ｘは４であることが好ましい。
【００３８】
Ｍ2は、アルカリ金属、例えばＬｉ、Ｎａ又はＫ、アルカリ土類金属、例えばＭｇ又はＣａ、特にＭｇ又はマグネシウムモノハライドの一部、例えばＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ又はＭｇＩを表す。Ｍ2は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＭｇが好ましく、さらにＬｉ、Ｋ又はＭｇ、特にＬｉが好ましい。
【００３９】
ｐは、電荷が＋２の金属イオンの場合は１を表し、或いは電荷が＋１の金属イオン又は金属イオンの一部の場合は２を表す。
【００４０】
ＬＢは、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、好ましくは直鎖状、環式又は分岐状の、酸素−、イオウ−、窒素−又はリン−含有、特に酸素−又は窒素−含有炭化水素、例えばエーテル、ポリエーテル、チオエーテル、アミン、ポリアミン又はホスフィンである。ＬＢは、環式又は非環式のエーテル又はジエーテルが好ましく、例えばジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、アニソール、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）又はジオキサンを挙げることができる。特に、ＴＨＦ又はＤＭＥが好ましい。
【００４１】
ｙは、０〜６の自然数を表す。元素周期表第４族の元素の場合、ｙは１又は２が好ましい。特に、ＴＨＦ等の単座リガンドの場合、ｙは２であり、ＤＭＥ等の二座リガンドの場合、ｙは１である。
【００４２】
さらに、本発明における置換基は、特に言及しない限り、以下のように定義される：
本発明で使用される用語「炭素原子数１〜４０個の有機基」とは、例えば、Ｃ1〜Ｃ40−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10−フルオロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ12−アルコキシ基、Ｃ3〜Ｃ20−飽和ヘテロ環基、Ｃ6〜Ｃ40−アリール基、Ｃ2〜Ｃ40−ヘテロ芳香族基、Ｃ6〜Ｃ10−フルオロアリール基、Ｃ6〜Ｃ10−アリールオキシ基、炭素原子数３〜２４個のシリル基、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20−アルキニル基、Ｃ7〜Ｃ40−アリールアルキル基又はＣ8〜Ｃ40−アリールアルケニル基を言う。有機基は、各場合、有機化合物に由来する基である。従って、有機化合物のメタノールにおいては、一般に、１個の炭素原子を有する３個の異なる基、即ちメチル（ＣＨ3−）、メトキシ（ＣＨ3−Ｏ−）及びヒドロキシメチル（ＨＯＣ（Ｈ2）−）が生ずることになる。
【００４３】
本発明で使用される用語「アルキル」は、直鎖又は１つ若しくは複数分岐した、環式であっても良い飽和炭化水素を包含する。好ましくはＣ1〜Ｃ18−アルキル基であり、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−へプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、イソプロピル、イソブチル、イソペンチル、イソヘキシル、ｓｅｃ−ブチル又はｔｅｒｔ−ブチルを挙げることができる。
【００４４】
本発明で使用される用語「アルケニル基」は、直鎖又は１つ若しくは複数分岐した、１個以上のＣ−Ｃ２重結合（累積していても、交互であっても良い）を有する炭化水素を包含する。
【００４５】
本発明で使用される用語「飽和ヘテロ環基」とは、例えば、１個以上の炭素原子、ＣＨ基及び／又はＣＨ2基が好ましくはＯ、Ｓ、Ｎ及びＰから選択される少なくとも１個のヘテロ原子で置換されている、単環又は多環の、置換又は無置換の炭化水素基を言う。置換又は無置換の飽和ヘテロ環基の好ましい例としては、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、ピペリジル、ピペラジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオフェニル等、及びこれらの、メチル−、エチル−、プロピル−、イソプロピル−及びｔｅｒｔ−ブチル−置換誘導体を挙げることができる。
【００４６】
本発明で使用される用語「アリール」とは、例えば、直鎖又は分岐の、Ｃ1〜Ｃ18−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ18−アルコキシ基、Ｃ2〜Ｃ10−アルケニル基又はハロゲン（特にフッ素）で、適宜、単置換又は多置換された芳香族炭化水素置換基、或いは適宜縮合したポリ芳香族炭化水素置換基を言う。置換又は無置換のアリール基の好ましい例としては、特に、フェニル、ペンタフルオロフェニル、４−メチルフェニル、４−エチルフェニル、４−ｎ−プロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、４−メトキシフェニル、１−ナフチル、９−ナフチル、９−アントリル、９−フェナントリル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル及び４−トリフルオロメチルフェニルを挙げることができる。
【００４７】
本発明で使用される用語「ヘテロ芳香族基」とは、例えば、１個以上の炭素原子が窒素、リン、酸素又はイオウ或いはこれらの組合せで置換されている芳香族炭化水素基を言う。これらは、アリール基のように、直鎖又は分岐の、Ｃ1〜Ｃ18−アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10−アルケニル基又はハロゲン（特にフッ素）で、適宜、単置換又は多置換され得る。好ましい例としては、フリル、チエニル、ピロリル、ピリジル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリミジニル、ピラジニル等、及びこれらの、メチル−、エチル−、プロピル−、イソプロピル−及びｔｅｒｔ−ブチル−置換誘導体を挙げることができる。
【００４８】
本発明で使用される用語「アリールアルキル」とは、例えば、アリール基がアルキル鎖を介してその分子の残り部分と結合するアリール含有置換基を言う。好ましい例としては、ベンジル、置換ベンジル、フェネチル、置換フェネチル等を挙げることができる。
【００４９】
フルオロアルキル基及びフルオロアリール基は、少なくとも１個の水素原子、好ましくは２個以上の水素原子、最大でも全ての水素原子がフッ素原子で置換されている有機基を言う。本発明で好ましいフッ素含有有機基の例としては、トリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、４−ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル等を挙げることができる。
【００５０】
上述の方法で作製された式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体を、次の反応工程において、適当な脱離剤と反応させることにより、式（IV）：
【００５１】
【化９】
2007536316.tif 000011
【００５２】
［但し、上記基及び指数が、式（Ｉ）と同義である。］
で表されるメタロセン錯体に形成する工程を含む、式（IV）のアンサ−メタロセン錯体のラセモ選択的に製造する方法が好ましい。Ｘはハロゲン、特にＣｌが好ましい。
【００５３】
脱離剤は一般に公知である。好ましい脱離剤の例としては、ハロゲン化水素、例えばＨＣｌ、及び脂肪族又は芳香族カルボン酸ハライド、例えば塩化アセチル、臭化アセチル、塩化フェニルアセチル、塩化ｔｅｒｔ−ブチルアセチル、及びアミン−ハロゲン化水素付加体、例えばトリメチルアンモニウムクロリド、ジエチルアンモニウムクロリド、トリエチルアンモニウムクロリド、又はジメチルベンジルアンモニウムクロリド、さらに有機スルホン酸ハライド、例えばメタンスルホニルクロリド（メシルクロリド）又はｐ−トルエンスルホニルクロリド（トシルクロリド）、及び無機の酸ハライド、例えばＳＯＣｌ2、ＳＯ2Ｃｌ2又はＰＯＣｌ3を挙げることができる。
【００５４】
特に好ましい脱離剤は、有機スルホン酸ハライド、特にメシルクロリド、又は、カルボン酸ハライド、特に塩化アセチル又は塩化ベンゾイルである。
【００５５】
脱離反応は、０℃〜１１０℃の温度範囲で通常行うことができる。反応を終了するまで、少なくとも化学量論量の脱離剤を使用するのが一般的である。過剰の脱離剤は、後処理において目的の生成物から問題なく分離することができるのであれば、一般に問題を起こすものではない。
【００５６】
特に、下記で規定される式（Ｉ）のアンサ−メタロセン錯体又は式（IV）のアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法が好ましい：
上記の式（Ｉ）及び(IV)において、
Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれＣ1〜Ｃ10−アルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル又はオクチル、特にメチルを表し、
Ｒ2、Ｒ2'が水素を表し、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ無置換の１，３−ブタジエン−１，４−ジイル基、又は１〜４個の基Ｒ6で置換された１，３−ブタジエン−１，４−ジイル基を表し、
Ａが、エチレン、置換エチレン基又は置換シリレン、特に置換シリレン基、例えばジメチルシランジイル、メチルフェニルシランジイル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル又はジフェニルシランジイル、特にジメチルシランジイルを表し、そして
基Ｒ3、Ｒ4、Ｒ6、Ｍ1、Ｘ、Ｍ2及びＬＢ、及び指数ｘ、ｐ及びｙは、式（Ｉ）におけると同義である。
【００５７】
上述のように、下記で規定される（Ｉ）又は式(IV)で表されるアンサ−メタロセン錯体のラセモ選択的製造方法が極めて好ましい：
上記式（Ｉ）又は式(IV)において、
Ｒ3が、炭素原子数３〜２０個のアルキル基、又は炭素原子数７〜２０個、好ましくは８〜２０個のアリールアルキル基、特にα位で分岐したアルキル又はアリールアルキル基を表し、例えばイソプロピル、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、１，１，３，３−テトラメチル−ブチル、１，３−ジメチルアダマンチル又はトリフェニルメチル、特にｔ−ブチルであり、
Ｒ4が水素を表し、
Ｍ1が、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆ、好ましくはＺｒ又はＨｆ、特にＺｒを表し、
Ｘが、ハロゲン、特に塩素を表し、
ｘが４を表し、
ＬＢが、環式又は非環式エーテル又はジエーテル、特にＴＨＦ又はＤＭＥを表し、そして
ｙが、１又は２を表す。
【００５８】
本発明の方法において、式(II)で表される塩様リガンド出発物質を単離状態で使用するか、或いは式（III）の遷移金属化合物と反応する直前にその場で作製することができる。
【００５９】
式(II)の塩様リガンド出発物質を合成するために、対応する非電荷の架橋されたビスシクロペンタジエニル化合物は、通常、強塩基により２価脱プロトン化される。強塩基としては、例えば、有機金属化合物又は金属水素化物、好ましくはアルカリ金属又はアルカリ土類金属含有化合物、を挙げることができる。好ましい塩基としては、有機リチウム化合物又は有機マグネシウム化合物、例えばメチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｎ−ブチル−ｎ−オクチルマグネシウム又はジブチルマグネシウムを挙げることができる。
【００６０】
脱プロトン化するべき非電荷の架橋されたビスシクロペンタジエニル化合物は、単離状態で使用することもでき、或いは又は単離せずに、２個のシクロペンタジエニル・アニオンを適当な架橋剤(bridging agent)、例えばジオルガノジクロロシラン（例、ジメチルジクロロシラン）との架橋反応から直接使用することもできる。非電荷のビスシクロペンタジエニル化合物を製造する別の方法は、段階的構築である。例えば、シクロペンタジエニル・アニオンを、まず適当な架橋剤、例えばジオルガノジクロロシラン（例、ジメチルジクロロシラン）と反応させ、モノクロロモノシクロペンタジエニルジオルガノシラン化合物を形成し、そして次いでこの中の塩素を別のシクロペンタジエニル基（最初のシクロペンタジエニル基と異なっても良い）で置換し、所望の非電荷の架橋ビスシクロペンタジエニル化合物を得る。
【００６１】
シクロペンタジエニル・アニオンの合成は、原則として、非電荷架橋されたビスシクロペンタジエニル化合物の脱プロトン化と同様の条件下で行うことができる。
【００６２】
式(II)のリガンド出発物質を形成するための非電荷架橋されたビスシクロペンタジエニル化合物の２価脱プロトン化は、通常、−７８〜１１０℃、好ましくは０〜８０℃、特に好ましくは２０〜７０℃で行われる。
【００６３】
強塩基によりシクロペンタジエニル誘導体の脱プロトン化を行うことができる好適な不活性溶剤としては、脂肪族又は芳香族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、クメン、デカリン、テトラリン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、又はエーテル類、例えばジエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（ＭＴＢＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、アニソール、トリグライム(triglyme)、ジオキサン及びこれらの物質の混合物を挙げることができる。式（Ｉ）のメタロセン錯体を製造するための本発明の次の工程も直接行うことができる溶剤又は溶剤混合物が好ましい。
【００６４】
式(III)の遷移金属化合物の合成は、一般に文献において公知である。その製造方法は、例えば、遷移金属化合物Ｍ1Ｘx又は（ＬＢ）yＭ1Ｘxを、Ｍ2'（ＮＲ3Ｒ4）と、不活性溶剤中で反応させる方法である。但し、Ｍ2'はＭ2と同義であり、他の基は式（Ｉ）におけると同義である。
【００６５】
本発明の方法において、式（II）のリガンド出発化合物と式(III)の遷移金属化合物との反応は、不活性溶剤又は不活性溶剤混合物中で、−７８〜１５０℃、特に０〜１１０℃の範囲で行うことができる。不活性溶剤又は不活性溶剤混合物は、式(II)のリガンド出発化合物の合成を行った時に使用したものと同じものが好ましい。反応時間は通常少なくとも１０分、一般に１〜８時間である。
【００６６】
従って、本発明は、式(III)：
【００６７】
【化１０】
2007536316.tif 000012
で表される遷移金属化合物を、本発明の方法の１法により、アンサ−メタロセン錯体の製造、特に式（Ｉ）のアンサ−メタロセン錯体のラセモ選択的製造、或いは式（IV）のアンサ−メタロセン錯体の製造に使用する方法も提供する。式（III）の基及び指数は上述の通りである。
【００６８】
さらに、本発明は、式(III)：
【００６９】
【化１１】
2007536316.tif 000013
で表される遷移金属化合物（Ｒ4は水素を表し、他の基及び指数は上述の通りである）を提供する。
【００７０】
本発明の方法においては、式（Ｉ）の所望のラセミ化合物のみならず対応するメソ化合物も形成することが可能である。ここで、用語ラセミ（ｒａｃ）及びメソ（ｍｅｓｏ）は、２個のシクロペンタジエニル基のお互いの相対的な空間配置を言う。例えば、架橋基上の２個のシクロペンタジエニルが同一でない場合、ビシクロペンタジエニルリガンド系に関して、Ｃs対称を有するメソ（ｍｅｓｏ）体又はＣ2対称を有するラセミ（ｒａｃ）体は存在せず、Ｃ1対称を有するジアステレオマー化合物のみが存在する。これらの種々のジアステレオマー・メタロセン化合物は、プロピレンの重合の触媒成分として使用した場合、２個のシクロペンタジエニル基のお互いに相対的な空間配置にのみ基づき、Ｃs対称ラセミ異性体（アイソタクチックポリプロピレン）のように或いはＣ2対称メソ異性体（アタクチックポリプロピレン）のような挙動を示し、従って疑似ラセミ(pseudo-rac)体又は疑似メソ(pseudo-meso)体と考えられる。
【００７１】
【化１２】
2007536316.tif 000014
【００７２】
下記において、ラセミ及び疑似ラセミ体、又はメソ及び疑似メソ(pseudo-meso)体を、単にラセミ体及びメソ体とのみ区別する。
【００７３】
さらに、本発明の方法における、ラセミ選択性＝（ラセミの割合−メソの割合）／（ラセミの割合＋メソの割合）は０より大きく、０．５より大きいことが好ましい。
【００７４】
式（Ｉ）のラセミ体アンサメタロセンを製造する本発明の方法において別の反応生成物として形成される、式Ｍ2Ｘ又はＭ2Ｘ2の塩、例えば、塩化リチウム又は塩化マグネシウムは、公知の方法でメタロセンから分離することができる。例えば、塩化リチウム等の塩は、適当な溶剤により析出させることができる。しかしながら、この場合、その溶剤に、メタロセンは溶解しており、このため固体の塩化リチウムはろ過工程により溶解したメタロセンから分離できる。メタロセンは、この種の適当な溶剤で抽出することにより塩から分離することもできる。ろ過工程では、珪藻土等のろ過助剤を使用することもできる。例えば、有機溶剤、特に、トルエン、エチルベンゼン、キシレン及び塩化メチレン等の有機非プロトン性酸素非含有溶剤が、このようなろ過又は抽出工程に好適である。塩の少なくとも一部が溶解している溶剤成分を、上述の塩の除去の前に大部分除去する。例えば、塩化リチウムは、テトラヒドロフランにかなり溶解する。このため、代わりの方法としては、式Ｍ2Ｘ又はＭ2Ｘ2の塩を、それらは容易に溶解するが、メタロセン錯体は低溶解度である溶剤又は溶剤混合物により除去することができる。
【００７５】
本発明の方法で製造される式（Ｉ）又は(IV)のアンサメタロセン錯体は、適当な助触媒、及び、適宜好適な担持材料と共に、オレフィン重合用触媒組成物の成分として、使用される。
【００７６】
本発明を、以下の実施例で説明するがこれらに限定されるものではない：
【実施例】
【００７７】
［一般手順］
有機金属化合物の合成及び操作を、アルゴン雰囲気中、空気及び水分の非存在下に行った（グローブ・ボックス及びシュレンク技術）。使用される全ての溶剤をアルゴンで浄化し、使用前に分子篩い上で乾燥した。有機化合物及び有機金属化合物のＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ  Ｕｎｉｔｙ  ３００  ＮＭＲ分光器を用いて室温で記録した。化学シフトはＳｉＭｅ4と比較して記録した。
【００７８】
１．ｒａｃ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド（１）の合成
【００７９】
１ａ．ＺｒＣｌ4（ＴＨＦ）2の合成
保護ガス雰囲気下、７．６ｇのジルコニウムテトラクロリドを７２ｇの乾燥トルエンに懸濁させた。氷浴で４℃に冷却した懸濁液を撹拌しながら、６ｇのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）をゆっくり添加した。次に、無色の懸濁液を室温でさらに１時間撹拌した。
【００８０】
１ｂ．Ｌｉ（Ｎ（Ｈ）ｔ−Ｂｕ）の合成
１０．６ｇのｎ−ブチルリチウム溶液（２０質量％トルエン溶液）を、２．４ｇのｔ−ブチルアミンを氷浴で冷却した６６ｇトルエン及び６ｇＴＨＦに溶解した液に、撹拌しながら、０℃で１５分間に亘って滴下した。次いで、黄色の反応混合物を室温でさらに１時間撹拌した。
【００８１】
１ｃ．（ＴＨＦ）2Ｃｌ3Ｚｒ（１−Ｎ（Ｈ）ｔ−Ｂｕ）の合成
実施例１ｂで製造されたリチウムｔ−ブチルアミド溶液を、実施例１ａで製造されたジルコニウムテトラクロリド−ＴＨＦ錯体の懸濁液に室温で１５分に亘って滴下した。次に、反応混合物を室温でさらに３時間撹拌した。
【００８２】
１ｄ．Ｌｉ2［ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）］の合成
２０．５ｇのｎ−ブチルリチウム溶液（２０質量％トルエン溶液）を、１０ｇのジメチルビス（２−メチルインデニル）シラン（３１．６４ミリモル）を６４ｇトルエン及び６ｇＴＨＦを溶解した液に、０〜４℃にて、２０分間に亘って添加した。黄・ベージュ色の懸濁液が生成し、これを室温でさらに１．５時間撹拌した。
【００８３】
１．ｒａｃ／ｍｅｓｏ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ＺｒＣｌ（ＮＨｔ−Ｂｕ）（１ｅ）からｒａｃ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド（１）の合成
実施例１ｃで製造された（ＴＨＦ）2Ｃｌ3Ｚｒ（ＮＨｔ−Ｂｕ）の懸濁液を、実施例１ｄで製造されたＬｉ2［ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）］の懸濁液に、室温で添加し、直ぐに黄色の懸濁液が生成した。この懸濁液を、室温でさらに１時間撹拌し（ｒａｃ／ｍｅｓｏ比＞７：１）、次いで、Ｇ４フリットでろ過した。ろ過ケーキを、各回１０ｇのトルエンで２回洗浄した。ろ液を集め、３．６２ｇのメタンスルホニルクロリド（ＣｌＳＯ2Ｍｅ）と室温で混合し、１時間撹拌して懸濁液を得た。固体をろ別し、ろ過ケーキを１０ｇのトルエンで洗浄し、減圧乾燥した。黄−オレンジ色の粉末として６．３ｇのｒａｃ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド（１）を得た（収率４１．８％）。
【００８４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：７．６８（ｄｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ及び１．０Ｈｚ，２Ｈ，芳香族），７．４８−７．４６（ｍ，２Ｈ，芳香族），７．３７−７．３３（ｍ，２Ｈ，芳香族），７．０３−６．９９（ｍ，２Ｈ，芳香族），６．７７（ｓ，２Ｈ，Ｃｐ），２．２１（ｓ，６Ｈ，２×ＣＨ3−Ｃｐ），１．３０（ｓ，６Ｈ，ＣＨ3Ｓｉ）。
【００８５】
２．ｒａｃ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）ジルコニウムジクロリド（２）の合成
【００８６】
２ａ．ＺｒＣｌ4（ＴＨＦ）2の合成
実施例１ａと同様の手順を用い、７．６ｇのジルコニウムテトラクロリドと６ｇのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）をトルエン中で反応させた。
【００８７】
２ｂ．Ｌｉ（Ｎ（Ｈ）ｔ−Ｂｕ）の合成
実施例１ｂと同様の手順を用い、２．４ｇのｔ−ブチルアミンを、１０．６ｇのｎ−ブチルリチウム溶液（２０質量％トルエン溶液）と反応させ、Ｌｉ（Ｎ（Ｈ）ｔ−Ｂｕ）を得た。
【００８８】
２ｃ．（ＴＨＦ）2Ｃｌ3Ｚｒ（１−Ｎ（Ｈ）ｔ−Ｂｕ）の合成
実施例１ｃと同様の手順を用い、実施例２ａ及び２ｂで製造された溶液から、（ＴＨＦ）2Ｃｌ3Ｚｒ（１−Ｎ（Ｈ）ｔ−Ｂｕ）溶液を製造した。
【００８９】
２ｄ．Ｌｉ2［ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）］の合成
２０．５ｇのｎ−ブチルリチウム溶液（２０質量％トルエン溶液）を、１３．１６ｇのジメチルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）シラン（３１．６４ミリモル）を６４ｇトルエン及び６ｇＴＨＦを溶解した液に、０〜４℃にて、２０分間に亘って撹拌しながら添加した。黄・ベージュ色の懸濁液が生成し、これを室温でさらに１．５時間撹拌した。
【００９０】
２．ｒａｃ／ｍｅｓｏ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）ＺｒＣｌ（ＮＨｔ−Ｂｕ）（２ｅ）からｒａｃ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）ジルコニウムジクロリド（２）の合成
実施例１と同様の手順を用い、実施例２ｃで製造された（ＴＨＦ）2Ｃｌ3Ｚｒ（ＮＨｔ−Ｂｕ）の懸濁液を、実施例２ｄで製造されたＬｉ2［ジメチルシランジイルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）］の懸濁液に、室温で添加し、直ぐにオレンジ色の懸濁液が生成した。この懸濁液を、室温でさらに１時間撹拌し（ｒａｃ／ｍｅｓｏ比＞７：１）、次いで、Ｇ４フリットでろ過した。ろ過ケーキを、各回１０ｇのトルエンで２回洗浄した。ろ液を集め、３．６２ｇのメタンスルホニルクロリド（ＣｌＳＯ2Ｍｅ）と室温で混合し、１時間撹拌して黄色の懸濁液を得た。固体をろ別し、ろ過ケーキを１０ｇのトルエンで洗浄し、減圧乾燥した。これにより、黄色の粉末として８．４ｇのｒａｃ−ジメチルシランジイルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）ジルコニウムジクロリド（２）を得た（収率４６％）。
【００９１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：７．９５（ｄｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ及び１．６Ｈｚ，２Ｈ，芳香族），７．７９（ｄｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ及び１．５Ｈｚ，２Ｈ，芳香族），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝９．９Ｈｚ及び０．６Ｈｚ，２Ｈ，芳香族），７．５９−７．４９（ｍ，４Ｈ，芳香族），７．３７（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，２Ｈ，芳香族），７．２６（ｓ，２Ｈ，Ｃｐ），２．３６（ｓ，６Ｈ，２×ＣＨ3−Ｃｐ），１．３６（ｓ，６Ｈ，ＣＨ3Ｓｉ）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（II）：
【化１】
2007536316.tif 000024
で表されるリガンド出発化合物を、式（III）：
【化２】
2007536316.tif 000025
で表される遷移金属化合物と反応させる工程を含む、式（Ｉ）：
【化３】
2007536316.tif 000026
で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法であり、且つ
上記式（Ｉ）、(II)及び（III）において、
Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ2、Ｒ2'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ3が、炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ4が、水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の、置換又は無置換の環を形成する２価の有機基を表し、この飽和又は不飽和の環は５〜１２原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環に縮合した環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのヘテロ原子を含んでいても良く、
Ａが、２価の原子又は２価の基から構成される架橋基を表し、
Ｍ1が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、
基Ｘが、同一でも異なっていても良く、それぞれハロゲン又は有機スルホナート基を表し、
ｘが、３〜６の自然数を表し、
Ｍ2が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハライドの一部を表し、
ｐが、電荷が＋２価の金属イオンの場合は１を表し、或いは電荷が＋１価の金属イオン又は金属イオンの一部の場合は２を表し
ＬＢが、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、そして
ｙが、０〜６の自然数を表す、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法で製造された式（Ｉ）で表されるメタロセン錯体を、次の反応工程において、適当な脱離剤と反応させることにより、式（IV）：
【化４】
2007536316.tif 000027
［但し、上記基及び指数が、式（Ｉ）と同義である。］
で表されるアンサ−メタロセン錯体を形成することを特徴とする式（IV）で表されるアンサ−メタロセン錯体をラセモ選択的に製造する方法。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれＣ1〜Ｃ10−アルキルを表し、
Ｒ2、Ｒ2'が、それぞれ水素を表し、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ無置換の１，３−ブタジエン−１，４−ジイル基、又は１〜４個の基Ｒ6で置換された１，３−ブタジエン−１，４−ジイル基を表し、
Ａが、エチレン、置換エチレン又は置換シリレンを表し、そして
基Ｒ3、Ｒ4、Ｒ6、Ｍ1、Ｘ、Ｍ2及びＬＢ、及び指数ｘ、ｐ及びｙが請求項１と同義である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ3が、３〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、又は７〜２０個の炭素原子を有するアリールアルキル基を表し、
Ｒ4が水素を表し、
Ｍ1が、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆを表し、
Ｘが、ハロゲンを表し、
ｘが、４を表し、
ＬＢが、環式又は非環式のエーテル又はジエーテルを表し、そして
ｙが、１又は２を表す、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
Ｍ2が、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＭｇを表す請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
式(III)：
【化５】
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［但し、Ｒ3が、３〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、又は７〜２０個の炭素原子を有するアリールアルキル基を表し、
Ｒ4が水素を表し、
Ｍ1が、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆを表し、
Ｘが、ハロゲンを表し、
ｘが、４を表し、
ＬＢが、環式又は非環式のエーテル又はジエーテルを表し、そして
ｙが、１又は２を表す。］
で表される遷移金属化合物。
【請求項７】
請求項６に記載の式(III)：
【化６】
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［但し、上記基及び指数が、式（Ｉ）と同義である。］
で表される遷移金属化合物を、アンサ−メタロセン錯体の製造に使用する方法。
【国際調査報告】
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