(57)【要約】      （修正有）【課題】電機子の作動を電磁アクチュエータ内に制振させると共に電機子が他の磁性物体と望ましくない接触をすることを防止するように構成されたラッチ防止制振シムの提供。【解決手段】電磁アクチュエータ１０は、電機子１８及び飽和防止制振シム１９を含む。電機子１８は摺動可能に動作可能であり、電機子１８に沿って長手方向に流体連通を提供する中央開口部４０を含む。飽和防止制振シム１９は、電機子１８の作動を電磁アクチュエータ１０内に制振させると共に電機子１８が他の磁性物体と不必要に接触するのを防止するように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電機子を備え、該電機子がプロセス流体の流体連通を該電機子を通る長手方向に提供する中央開口を有する電磁アクチュエータ用のシムであって、
上面と、下面と、外面とを含むフランジと、
前記フランジの上面から離れる方向に延び前記電機子の中央開口と係合するように構成される上部と、
前記外面から少なくとも部分的に前記上部の内側の位置まで径方向内向きに延びる少なくとも１つの制振切欠きと、を備える
電磁アクチュエータ用のシム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの制振切欠きと電機子の中央開口との間に有効流路領域が画定され、該有効流路領域が電機子に与えられる制振量を制御する、請求項１に記載のシム。
【請求項３】
前記下面から軸方向に離れて突出する突起をさらに備える、請求項１に記載のシム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの制振切欠きが前記上部と前記フランジの両方を通って延びる、請求項１に記載のシム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの制振切欠きが丸みを帯びた内壁によって接続された１対の側壁を含む、請求項１に記載のシム。
【請求項６】
前記１対の側壁が互いに角度を付けられて、前記１対の側壁の各側壁が前記丸みを帯びた内壁から前記フランジに対して径方向に離れて延びている、請求項５に記載のシム。
【請求項７】
前記丸みを帯びた内壁は、前記丸みを帯びた内壁に対して前記側壁のそれぞれが接線方向に延びるように配置され大きさが決められている、請求項６に記載のシム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの制振切欠きが複数とされる、請求項１に記載のシム。
【請求項９】
複数の制振切欠けが実質的に等しいサイズである、請求項８に記載のシム。
【請求項１０】
複数の制振切欠けが前記シムの円周に等間隔で配置されている、請求項８に記載のシム。
【請求項１１】
プロセス流体と流体連通する電磁アクチュエータであって、
長手方向に流体連通を提供する中央開口部を含み、摺動可能に収容され、選択的に作動可能な電機子と、
シムと、を備え、
該シムが、
上面と、下面と、外面とを含むフランジと、
前記フランジの上面から離れる方向に延び前記電機子の中央開口と係合するように構成される上部と、
前記外面から少なくとも部分的に前記上部内の位置まで径方向内向きに延びる制振切欠きと、備えている、
電磁アクチュエータ。
【請求項１２】
前記電機子の前記制振切欠けと前記中央開口との間に有効流路領域が画定され、該有効流路領域が前記電機子に与えられる制振量を制御する、請求項１１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１３】
前記制振切欠きが、前記上部の上面から前記シムを貫通し前記フランジの下面を通って延びる、請求項１２に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１４】
前記上部が前記電機子の前記中央開口部に圧入されて、前記上部が前記中央開口部に挿入されると前記シムが前記電機子の前記中央開口部に保持される、請求項１２に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１５】
前記上部の外面が前記中央開口部の内面と接触し、それによって前記シムと前記電機子との間に部分的なシールが提供される、請求項１４に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１６】
前記プロセス流体が前記制振切欠けと前記中央開口部の前記内面との間だけを流れるように、前記部分的なシールが前記シムと前記中央開口部との間に構成され、それによって前記プロセス流体の前記有効流路領域が狭まる、請求項１５に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１７】
前記シムは、前記上部が前記中央開口部と係合すると前記プロセス流体が前記シムを通って軸方向に流れるように構成されている、請求項１１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１８】
前記シムが制御弁体内に摺動可能に収容されている作動要素とさらに係合する、請求項１１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項１９】
前記シムの前記フランジは、前記電機子の作動中に前記電機子及び前記制御弁体間の直接の接触を防止するように構成されている、請求項１８に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項２０】
前記シムは、前記下面から軸方向に離れて突出する突起を含み、前記突起が前記作動要素と係合するように構成される、請求項１８に記載の電磁アクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連アプリケーションの相互参照］
本出願は、２０１７年１２月１８日に出願された「電磁アクチュエータ用の反飽和制振シム」という名称の米国仮特許出願第６２／６０７，１８４号に基づきその優先権を主張しその全体が参照により本明細書に援用される。
【０００２】
［連邦政府による資金提供を受けた研究に関する陳述］
適用されない。
【背景技術】
【０００３】
電磁アクチュエータは、通常、ハウジング内及び可動電機子の周囲に配置されたワイヤコイルを含む。ワイヤコイルに電流を印加して磁界を発生させることができ、次に磁界が可動電機子をハウジングに対して動作させる（即ち移動させる）ことができる。典型的には、磁極片がハウジング内に配置され、ワイヤコイルによって発生された磁界を方向付けて、可動電機子の作動によって提供される出力フォースに影響を及ぼす。磁極片内の電機子の作動により突然の弁の開閉が生じる場合がある。さらに、多くの場合、電機子は別の磁気構造と接触する可能性があり、それが望ましくない磁気ラッチを引き起こす可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、電機子の作動を電磁アクチュエータ内に制振させると共に電機子が他の磁性物体と望ましくない接触をすることを防止するように構成されたラッチ防止制振シムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一態様では、本発明は電磁アクチュエータ用のシムを提供する。電磁アクチュエータは、電機子を通る長手方向にプロセス流体の流体連通を提供する中央開口を有する電機子を含む。シムは、上面と、下面と、外面とを有するフランジと、フランジの上面から延びて電機子の中央開口部と係合するように構成された上部とを含む。シムはさらに、下面から軸方向に突出する突起と、外面から少なくとも部分的に上部内の位置まで径方向内側に延びる少なくとも１つの制振切欠きとを含む。
【０００６】
他の態様では、本発明は、プロセス流体と流体連通する電磁アクチュエータを提供する。電磁アクチュエータは、摺動可能に受け入れられ選択的に作動可能な電機子を含む。電機子は電機子を通る長手方向に流体連通を提供する中央開口を含む。電磁アクチュエータはさらに上面、下面、及び外面を有するフランジを有するシムを含む。シムはさらに、フランジの上面から伸びて電機子の中央開口と係合するように構成された上部と、下面から軸方向に突き出して突出する突起と、外面から内側に向かって径方向内側に少なくとも部分的に上部内の位置まで伸びる制振切欠けとを含む。
【０００７】
本発明の前述及び他の態様ならびに利点は以下の説明から明らかになるであろう。説明では、本明細書の一部を形成し本発明の好ましい実施形態を例として示す添付の図面を参照する。そのような実施形態は必ずしも本発明の全範囲を表すものではなく従って本発明の範囲を解釈するために特許請求の範囲及び本明細書を参照する。
【０００８】
以下の本発明の詳細な説明を考慮すると、本発明はよりよく理解され、上記以外の特徴、態様及び利点が明らかになるであろう。そのような詳細な説明は以下の図面を参照する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の一態様による電磁アクチュエータの概略図である。
【図２】図２は、本開示の一態様によるラッチ防止制振シムの上面、正面、左側等角図である。
【図３】図２のラッチ防止制振シムの右側面図である。
【図４】図２のラッチ防止制振シムの上面視図である。
【図５】図４の５−５線に沿った、図４のラッチ防止制振シムの断面図である。
【図６】本開示の一態様による、別のラッチ防止制振制振シムの上面視図である。
【図７】本開示の一態様による、他のラッチ防止制振防止シムの上面視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は本開示の一態様による電磁アクチュエータ１０を示す。電磁アクチュエータ１０は電機子１８を含み、該電機子はハウジング２５の内側に配置された電機子キャビティ２４内に配置される。電磁アクチュエータ１０は、様々な制御弁と共に使用するように構成された任意の種類の電磁アクチュエータとされ得る。例えば、いくつかの構成では、電磁アクチュエータ１０はハウジング２５内に少なくとも部分的に配置された１つ又は複数の磁極片（図示せず）をさらに含むことができる。さらにいくつかの構成では、電磁アクチュエータ１０は非磁性ボビン（図示せず）に巻き付けられハウジング２５内に配置されたワイヤコイルをさらに含むことができる。図示のハウジング２５は、全てハウジング２５内に少なくとも部分的に配置されている複数の構成要素（例えば、ワイヤコイル、ボビン、１つ又は複数の磁極片など）を含むことができるが、これらの構成要素は例示の目的のために隠されていることを理解されたい。一般に、適用する際、電機子キャビティ２４はハウジング２５内に配置された構成要素によって画定され得る。例えば、１つ以上の磁極片が組み合わさって、電機子１８が摺動可能に受容され得るキャビティを形成し得る。あるいは、電機子１８は電機子キャビティ２４を画定する薄肉の電機子チューブ内に摺動可能に収容されてもよい。
【００１１】
典型的なアクチュエータと同様に、ボビンの周りに巻かれたワイヤコイルは組み立てられたときに電機子１８の周りに延びるようにハウジング２５内に配置することができる。いくつかの構成では、ワイヤコイルは電源（図示せず）及びコントローラ（図示せず）と接続され得る。従って、ワイヤコイルは、磁界を発生して電機子１８に力を加えそれによって電機子１８が電磁アクチュエータ１０の電機子キャビティ２４内で軸方向に選択的に移動するように構成され得る。磁界の大きさ及びワイヤコイルによって生じる力はワイヤコイルに印加される電流の大きさによって決定される。従って、いくつかの構成では、コントローラはワイヤコイルに所望の大きさで電流を選択的に流して電機子１８に所定の力を加えるように構成され得る。あるいは又はさらに、コントローラはワイヤコイルに加える電流の方向を制御するように構成でき、これにより電機子が移動する方向が、発生した磁界に応じて制御される。
【００１２】
電機子１８は磁性材料（例えば、磁性鋼、鉄、ニッケルなど）から製造することができる。電機子１８は電機子１８を通る長手方向に延びる中央開口部４０を含むことができる。中央開口部４０は互いに軸方向に分離された上部４８とシム係合部５０とを含むことができる。上部４８は電機子１８の上面５２から電機子１８の底面５４に向かって延びる。シム係合部５０は上部４８より径方向外側に延びることができ、その結果、中央開口部４０のシム係合部５０は上部４８よりも大きい直径を画定する。シム係合部５０は傾斜面５６及びシム係合面５８を含むことができる。傾斜面５６は上部から非垂直な角度で電機子１８の中心軸４７から離れてシム係合面５８に向かって延びることができる。シム係合面５８は後述するようにシム１９と係合するような大きさにすることができる。
【００１３】
電機子１８はワイヤコイルの磁界によって生じる力に応答して電機子キャビティ２４内を１つ又は複数の位置の間で軸方向に選択的に移動可能である。図示された非限定的な例では、電機子１８とラッチ防止制振シム１９が両方、同軸に（即ち電機子１８の中心軸４７の周りに）配置されている。
【００１４】
いくつかの用途では、電磁アクチュエータ１０はその中にスライド可能に配置された作動要素７０（例えばスプール）を含む制御弁体３７に結合されてもよい。電機子１８は電機子１８と作動要素７０との間に配置されたシム１９を介して作動要素７０を変位させるように構成される。本明細書で説明するように、シム１９を電機子１８に結合して作動要素７０に接触させて電機子１８を動かすと、作動要素７０が動く。一般に、シム１９は、例えば電機子１８と他の磁気構成要素（例えば制御弁体３７）との間の磁気接触を防止し電機子１８及び作動要素７０に与えられる制振量を制御するように構成され得る。
【００１５】
図２〜図５に示すように、シム１９は、非磁性材料（例えば、プラスチック又は非磁性金属）から製造することができ、フランジ６０、上部６２、及び制振切欠き６４を含むことができる。フランジ６０は上面６５、下面６６、及び周囲外面６７の間に形成された環状を画定する。下面６６は、制御弁体３７（図１に示す）の作動要素７０と係合するように構成された突起６８を含むことができる。図示のように、突起６８は、下面６６から軸方向に突出する球状形状を画定する。他のいくつかの構成では、突起６８は、所与の設定で対応する作動要素と係合するための別の適切な形状を画定し得る。
【００１６】
上部６２は、フランジ６０の上面６５から軸方向に離れるように延在し、概して円筒形状を画定する。図２〜図５に示すように、上部６２は上部６２の上面７６の内に凹んでいる凹面７４を含み、その結果、凹面７４はフランジ６０の上面６５とほぼ同一平面上にある。上部６２はフィレット７８及び面取り部８０を含み得る。フィレット７８は上部６２の外面８２とフランジの上面６５との間の接合部において上部６２の円筒形状の周囲に配置することができる。面取り部８０は上部６２の外面８２と上面７６との間の接合部において上部６２の円筒形状の周囲に配置することができる。
【００１７】
図４に示すように、制振切欠き６４は上部６２とフランジ６０の両方の一部を通って延びる。例えば、制振切欠き６４は外面６７から少なくとも部分的に上部６２内の位置まで径方向内側に延びることができる。従って、いくつかの構成では、制振切欠き６４は少なくとも部分的に上部６２の内に径方向に延びる。制振切欠き６４は丸みを帯びた内壁８６によって接続された一対の側壁８４を含むことができる。一対の側壁８４は、互いに角度が付けられて、各側壁８４が丸みを帯びた内壁８６から離れる径方向に延在する。丸みを帯びた内壁８６は円形の一部を画定する円弧を形成することができる。丸みを帯びた内壁８６はさらに各側壁８４が丸みを帯びた内壁８６に対してほぼ接線方向に延びるように配置され且つその大きさに設定することができる。
【００１８】
上部６２は上部６２の凹面７４によって形成されたキャビティ内に径方向に延びる内側突起８８をさらに含み得る。図示の構成では、内側突起８８は概して丸みを帯びた内壁８６の位置と径方向に並ぶ。上部６２の壁厚は、内側突起８８があるので、制振用切欠き６４において又はその近傍において制振用切欠き６４からの距離で実質的に変わらない。一部の構成において、シム１９は成形又は鍛造プロセスを使用して製造され得る。これらの構成では、上部６２によって画定される壁厚がほぼ一定なので、成形又は鍛造プロセス中の材料の流れ及び収縮が補助される。
【００１９】
シム１９は、組み立てられたとき、図１に示すように、上部６２が電機子１８のシム係合部５０に挿入され、フランジ６０が電機子１８の底面５４と係合するように配置することができる。いくつかの構成では、電機子１８の上部６２及びシム係合部５０は電機子１８とシム１９との間に圧入を提供するように寸法決めされてもよい。何れの場合でも、シム１９の上部６２がシム係合部５０に挿入されると、シム１９は電機子１８のシム係合部５０内に保持され得る。シム１９が電機子１８内に保持されることにより、組み立て後、シム１９が電機子１８から抜け落ちるのが防止される。
【００２０】
電磁アクチュエータ１０を制御弁に一体化することができる１つの非限定的な用途を図１を参照して説明する。図示の制御弁体３７及び作動要素７０は一例として提供されても決して限定することを意味するものではない。電機子１８及びシム１９を含む開示された電磁アクチュエータ１０が任意の適切な制御弁と共に使用され得ることが当業者には理解されるであろう。
【００２１】
多くの場合、制御弁体３７は磁性材料で製造することができる。従って、この設定では、電機子１８が制御弁体３７に向かって作動するとき、電機子１８が制御弁体３７と接触すると、電機子１８がそれに磁気的に接触し、電機子１８と制御弁体３７との間の磁束路が磁気的に飽和する。シム１９のフランジ６０は作動中に電機子１８が制御弁体３７と接触するのを防止することができる。このようにして、電機子１８と制御弁体３７との間の直接接触を防止することができ、電機子１８と制御弁体３７との間の磁気「エアギャップ」を維持することができ、これにより電機子１８と制御弁体３７との間の磁気的ラッチングが防止される。
【００２２】
他の電磁アクチュエータ又は他の制御弁の設計では、シム１９は電機子１８とアクチュエータ１０の磁気回路内の他の構成要素との間の磁気接触を防止することができることを理解されたい。
【００２３】
さらに、動作中、制御弁体３７はプロセス流体（例えばオイル）と流体連通することができ、制御弁体３７内の作動要素７０は電機子の軸方向移動に応答して作動することができる。いくつかの構成では、作動要素７０の作動は制御弁体３７の１つ又は複数のポート（図示せず）間の流体連通を選択的に提供及び／又は抑制することができる。
【００２４】
いくつかの構成では、プロセス流体は電機子キャビティ２４内に伝達され得る。これらの構成では、プロセス流体は電機子１８の作動中に制振をもたらすように作用し得る。例えば、電機子１８が電機子キャビティ２４内で軸方向上方（図１で見て）に作動すると、電機子１８の後方で（即ち上面５２に隣接して）捕捉されたプロセス流体は、電機子キャビティ２４内の電機子１８に囲まれて中央開口部４０を通って制御弁体３７に向かって押しやられる。同様に、電機子１８が制御弁体３７に向かって軸方向に作動されると、電機子１８の前方で（即ち底面５４に隣接して）捕捉されたプロセス流体は、中央開口部４０を通って電機子１８の上面５２に向かって押しやられる。
【００２５】
従って、シム１９によって制振制御が提供することができる。具体的には、制振切欠き６４と電機子１８との間の相互作用により、電機子１８に提供される制振量はシム１９によって制御される。シム１９の外面８２は、電機子１８のシム係合面５８と係合することができ、間にシールが形成される。同様に、シム１９のフランジ６０の上面６５は電機子１８の底面５４と係合することができ、その結果、それらの間に２次シールが形成される。しかしながら、動作中、外面８２とシム係合面５８との間に形成された１次シールのみがシム１９と電機子１８との間にシールを形成するために必要とされてよい（即ち、全ての流体の流れを制振切欠け６４に通過させる）。さらに、シム１９が電機子１８に押し込まれる深さはシム１９の制振特性に影響を与えない。
【００２６】
図示のように、シム１９が電機子１８のシム係合部５０内に配置されていると、電機子１８を通って移動するプロセス流体の流れはシム１９の制振切欠き６４及び電機子１８のシム係合面５８間に画定された流路内に軸方向に押し込まれる。即ち、プロセス流体が電機子１８の下から上面５２に向かって流れるとき又はその逆のとき、プロセス流体は制振切欠き６４とシム係合面５８との間を有効流れ領域９２（図４参照）を通って流れる。有効流れ領域９２は制振切欠き６４とシム係合面５８（図４に破線の円弧９４で示す）で規定される外径との間に規定される面積とすることができる。そのようにして、制振効果が部分的に制振切欠き６４の大きさによって制御される。
【００２７】
いくつかの構成では、有効流れ領域９２によって画定される最小領域はシム１９によって提供される電機子１８の制振量を制御することができる。即ち、有効流れ領域９２は、有効切欠き６４とシム係合面５８との間の径方向隙間に形成され、軸方向にシム１９の上面７６まで延びる。有効流れ領域９２によって画定される面積は制振切欠き６４とシム係合面５８との間で軸方向に延びるにつれて変化することができる。一般に、有効流れ領域９２によって画定される最小面積はシム１９のフランジ６０の上面６５の軸方向上方（図１から）にある軸方向位置に生じる。電機子１８に提供される制振量を制御する電機子１８とシム１９との間の相互作用はシム１９のフランジの上面６５の軸方向上方（図１のから）の位置に形成することができる。
【００２８】
いくつかの構成では、電機子１８とシム１９との間の相互作用（即ち有効流れ領域９２）によってもたらされる制振効果が複数の制振通路を含めることによってさらに制御され、それによって複数の軸方向流路が提供され、シム１９によって提供される有効流れ領域が増加する。例えば、図６及び図７を参照すると、シム１９の代わりに使用することができるシム１１９及びシム２１９が示されている。シム１１９、２１９はシム１９と実質的に類似しているので、同様の部品には１００番台及び２００番台で類似の参照番号を付してある。
【００２９】
図６に示すように、シム１１９は一対の対向する制振用切欠き１６４を含むことができる。一対の対向する制振用切欠き１６４は、形状がシム１９の制振用切欠き６４と実質的に同様であるが、制振用切欠き６４より大きくてもよい。即ち、丸みを帯びた内壁１８６が丸みを帯びた内壁８６よりも大きい曲率半径を画定する。しかしながら、一対の側壁１８４は、それぞれが丸みを帯びた内壁１８６から径方向に延びるように互いに対して同様に角度を付けることができる。やはり、丸みを帯びた内壁１８６は、側壁１８４のそれぞれが丸みを帯びた内壁１８６に対して接線方向に延びるように配置することができる。シム１９と同様に、シム１１９が電機子１８のシム係合部５０内に配置されると、プロセス流体の流れは、制振切欠け１６４と電機子１８のシム係合部５０のシム係合面５８との間に画定された流路内で軸方向に流れるように強制される。これらの流路の有効流れ領域１９２は、図６に示され、電機子１８のシム係合面５８がやはり破線の円弧９４によって表わされている。追加の制振切欠き１６４及び大きい方の制振切欠き１６４により、全有効流路領域（即ち、従ってそれぞれの有効流路領域１９２）はシム１９の有効流路領域９２よりもかなり大きい。従って、プロセス流体はシム１９よりも大きい流量でシム１１９を通って流れることができ、シム１１９によってシム１９とは異なるレベル（例えば、比較して減少したレベル）で電機子１８に提供される制振効果が制御される。
【００３０】
図７に示すように、シム２１９は等間隔に配置された３つの制振切欠き２６４を含むことができる。制振切欠き２６４はシム１１９の制振切欠き１６４とサイズ及び形状が実質的に同じであり得る。同様に、各制振切欠き２６４の対の側壁２８４も、それぞれが丸みを帯びた内壁２８６から径方向に延びるように互いに対して角度を付けることができる。同様に、丸みを帯びた内壁２８６は各側壁２８４が丸みを帯びた内壁２８６に対して接線方向に延びるように配置できる。シム１９、１１９と同様に、シム２１９が電機子１８のシム係合部５０内に配置されているとき、プロセス流体の流れは制振用切欠き２６４と電機子１８のシム係合面５８との間に画定された流路を通って軸方向に流れる。これらの流路の有効流路領域２９２が図７に示され、電機子１８のシム係合面５８がやはり破線の円弧９４で表されている。追加の制振用切欠き２６４により、総有効流路面積（即ち各有効流路領域２９２の組み合わせ）はシム１１９の総有効流路面積（即ち有効流路領域１９２のそれぞれの組み合わせ）よりも大きい。このように、プロセス流体はシム１１９よりも大きい流量でシム２１９を通って流れることができ、シム２１９によってシム１９及び１１９とは異なるレベル（例えば、比較して減少したレベル）で電機子１８に与えられる制振効果がさらに制御される。
【００３１】
本明細書に開示された様々なシム１９、１１９、２１９は例示的であることを意図しており決して限定することを意味していないことを理解されたい。例えば、１つ、２つ、及び３つの制振切欠けを有するシムが示されているが、別のシムは３つより多くの制振切欠けを含み得る。さらに、制振切欠け６４、１６４、２６４のそれぞれのサイズは例示的であることを意図している。例えば、上述のように、電磁式アクチュエータ１０内に配置されたシムの制振効果を増大させることを可能にするために、制振用切欠き６４のものよりも小さい制振用切欠きを設けることができる。代替的又は追加的に、制振切欠き１６４、２６４よりも大きい制振切欠きを設けて制振効果をさらに減少させることができる。
【００３２】
さらに、図示の制振シム１１９、２１９が、それぞれ同様のサイズを有する複数の制振切欠き１６４、２６４を備えて示されている。他の実施形態では、異なるサイズの複数の制振切欠けを有する制振シムを所与の動作条件に望まれるように設けることができる。さらに、図示の制振シム１１９、２１９は対応するシム１１９、２１９の円周の周りに均等に離間した複数の制振切欠き１６４、２６４を有するように示されている。他の実施形態では、シムの円周に不均一に離れた複数の制振切欠きを所与の動作条件に対して要望通りに設けることができる。
【００３３】
本明細書内では、明確で簡潔な明細書を書くことができるように実施形態を説明してきたが、本発明から逸脱することなく実施形態を様々に組み合わせたり分離したりすることができる。例えば、本明細書に記載の全ての好ましい特徴は本明細書に記載の本発明の全ての態様に適用可能であることが理解されよう。
【００３４】
従って、本発明を特定の実施形態及び実施例に関連して説明したが、本発明は必ずしもそのように限定されず、他の多数の実施形態、実施例、使用、修正及び実施形態、実施例及び使用からの逸脱は添付の特許請求の範囲によって包含されるのを意図される。本明細書に引用された各特許及び刊行物の全開示はあたかもそのような各特許又は刊行物が本明細書に個別に参照により援用されているかのように参照により援用される。
【００３５】
本発明の様々な特徴及び利点は特許請求の範囲に記載されている。
【図１】
2019110747.tif 000003
【図２】
2019110747.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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