(57)【要約】【課題】センシングポイントの位置を調整することができる磁気センサ装置を提供する。【解決手段】磁気センサ装置１は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、直列に接続された複数の磁気センサ素子と、複数の磁気センサ素子の少なくとも１つに並列に接続され、切断の有無によって該当する磁気センサ素子の使用、不使用を選択可能なトリミングパターンと、を備えて概略構成されている。この磁気センサ装置１は、センシングポイントの位置を調整することができる。【選択図】図１
2019120541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された複数の磁気センサ素子と、
前記複数の磁気センサ素子の少なくとも１つに並列に接続され、切断の有無によって該当する磁気センサ素子の使用、不使用を選択可能なトリミングパターンと、
を備えた磁気センサ装置。
【請求項２】
前記トリミングパターンは、一列に並んで配置される、
請求項１に記載の磁気センサ装置。
【請求項３】
選択された複数の前記磁気センサ素子によってハーフブリッジ回路が形成され、
前記ハーフブリッジ回路は、前記トリミングパターンの切断によってセンシングポイントが調整される、
請求項１又は２に記載の磁気センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、磁気抵抗素子を有するセンシングチップと、該センシングチップの磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石と、を備え、磁石が扁平筒状の形状を有し、その中空部にセンシングチップが収容された磁気センサが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この磁気センサは、センシングチップの近傍にて検出対象とする磁性体が運動するときに磁石から付与されるバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して検出対象の運動態様を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４７４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし従来の磁気センサは、複数の磁気抵抗素子で作られるハーフブリッジ回路やフルブリッジ回路のセンシングポイントの位置を調整する場合、センシングポイントが磁気抵抗素子の配置に起因するため、センシングチップを新規に設計する必要がある。
【０００６】
従って本発明の目的は、センシングポイントの位置を調整することができる磁気センサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、直列に接続された複数の磁気センサ素子と、複数の磁気センサ素子の少なくとも１つに並列に接続され、切断の有無によって該当する磁気センサ素子の使用、不使用を選択可能なトリミングパターンと、を備えた磁気センサ装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、センシングポイントの位置を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、磁気センサ装置のブロック図の一例である。
【図２】図２（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置のバイアス磁石の一例を示す概略図であり、図２（ｂ）は、磁気センサ装置の第１の磁気センサ及び第２の磁気センサの配置の一例を示す概略図である。
【図３】図３（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の磁性体が接近する前の磁場の一例を示す概略図であり、図３（ｂ）は、磁性体が接近した後の磁場の一例を示す概略図である。
【図４】図４（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の磁気センサ素子の選択とセンシングポイントの移動の一例について説明するための概略図であり、図４（ｂ）は、トリミングパターンの切断によって形成される回路の一例について説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施の形態の要約）
実施の形態に係る磁気センサ装置は、直列に接続された複数の磁気センサ素子と、複数の磁気センサ素子の少なくとも１つに並列に接続され、切断の有無によって該当する磁気センサ素子の使用、不使用を選択可能なトリミングパターンと、を備えて概略構成されている。
【００１１】
磁気センサ装置は、トリミングパターンを切断することで、使用する磁気センサを選択することができるので、この構成を採用しない場合と比べて、センシングポイントの位置を調整することができる。
【００１２】
[実施の形態]
（磁気センサ装置１の概要）
図１（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、磁気センサ装置のブロック図の一例である。図２（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置のバイアス磁石の一例を示す概略図であり、図２（ｂ）は、磁気センサ装置の第１の磁気センサ及び第２の磁気センサの配置の一例を示す概略図である。図３（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の磁性体が接近する前の磁場の一例を示す概略図であり、図３（ｂ）は、磁性体が接近した後の磁場の一例を示す概略図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。なお図１（ｂ）では、主な情報などを矢印で示している。
【００１３】
磁気センサ装置１は、例えば、検出対象の接近と離脱を検出するセンサである。この磁気センサ装置１は、一例として、接近をオン、離脱をオフとする非接触スイッチ装置やシートベルト装置のバックルの装着の検出装置などの電子機器に用いられるがこれに限定されない。
【００１４】
磁気センサ装置１は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、直列に接続された複数の磁気センサ素子と、複数の磁気センサ素子の少なくとも１つに並列に接続され、切断の有無によって該当する磁気センサ素子の使用、不使用を選択可能なトリミングパターンと、を備えて概略構成されている。
【００１５】
磁気センサ装置１は、選択された複数の磁気センサ素子によってハーフブリッジ回路が形成され、ハーフブリッジ回路は、トリミングパターンの切断によってセンシングポイントが調整される。
【００１６】
本実施の形態の磁気センサ装置１は、一例として、複数の磁気センサ素子として磁気センサ素子Ｒ１〜磁気センサ素子Ｒ１６を備えている。磁気センサ素子Ｒ１〜磁気センサ素子Ｒ８は、ハーフブリッジ回路である第１の磁気センサ４を構成している。また磁気センサ素子Ｒ９〜磁気センサ素子Ｒ１６は、ハーフブリッジ回路である第２の磁気センサ５を構成している。なお磁気センサ素子の数は、これに限定されない。同様に、第１の磁気センサ４及び第２の磁気センサ５を構成する磁気センサ素子の数や組み合わせは、これに限定されない。
【００１７】
また本実施の形態では、一例として、磁気センサ素子Ｒ１〜磁気センサ素子Ｒ１６に並列にトリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ１６が形成されている。トリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ４、及びトリミングパターンＴ９〜トリミングパターンＴ１２は、例えば、図１（ａ）に点線で囲まれたトリミング領域２１に一列に並んで形成されている。そしてトリミングパターンＴ５〜トリミングパターンＴ８、及びトリミングパターンＴ１３〜トリミングパターンＴ１６は、例えば、図１（ａ）に点線で囲まれたトリミング領域２２に一列に並んで形成されている。なおトリミングパターンの数は、これに限定されない。
【００１８】
磁気センサ装置１は、例えば、図２（ａ）に示すように、バイアス磁石７の貫通孔７２に配置されている。
【００１９】
（第１の磁気センサ４及び第２の磁気センサ５の構成）
第１の磁気センサ４及び第２の磁気センサ５の第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６は、例えば、図１（ａ）に示すように、基板２の表面２０に形成され、センサチップとしてチップ化されている。この第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６は、一例として、磁場７５が作用して抵抗値（磁気抵抗値）が変化する感磁部がＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏなどの強磁性体金属を主成分とした膜を用いて形成される。磁場７５が作用していない場合の第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６の抵抗値は、等しいものとする。
【００２０】
第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第４の磁気センサ素子Ｒ４は、例えば、感磁部が図１（ａ）の紙面の左右方向から時計回りに４５°傾いて等間隔で並んでいる。また第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第２の磁気センサ素子Ｒ４は、例えば、図１（ｂ）に示すように、直列に接続されている。
【００２１】
第５の磁気センサ素子Ｒ５〜第８の磁気センサ素子Ｒ８は、例えば、感磁部が図１（ａ）の紙面の左右方向から反時計回りに４５°傾いて等間隔で並んでいる。また第５の磁気センサ素子Ｒ５〜第８の磁気センサ素子Ｒ８は、例えば、図１（ｂ）に示すように、直列に接続されている。
【００２２】
第９の磁気センサ素子Ｒ９〜第１２の磁気センサ素子Ｒ１２は、例えば、感磁部が図１（ａ）の紙面の左右方向から時計回りに４５°傾いて等間隔で並んでいる。また第９の磁気センサ素子Ｒ９〜第１２の磁気センサ素子Ｒ１２は、例えば、図１（ｂ）に示すように、直列に接続されている。
【００２３】
第１３の磁気センサ素子Ｒ１３〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６は、例えば、感磁部が図１（ａ）の紙面の左右方向から反時計回りに４５°傾いて等間隔で並んでいる。また第１３の磁気センサ素子Ｒ１３〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６は、例えば、図１（ｂ）に示すように、直列に接続されている。
【００２４】
第１の磁気センサ４は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第８の磁気センサ素子Ｒ８を有すると共に、トリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ８を有している。
【００２５】
また第２の磁気センサ５は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第９の磁気センサ素子Ｒ９〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６を有すると共に、トリミングパターンＴ９〜トリミングパターンＴ１６を有している。
【００２６】
第１の磁気センサ４の第１の磁気センサ素子Ｒ１及びトリミングパターンＴ１は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、パッド３１と配線３を介して電気的に接続されている。この第１の磁気センサ４には、パッド３１を介して基準電圧ＶＣＣが印可される。
【００２７】
また第１の磁気センサ４の第８の磁気センサ素子Ｒ８及びトリミングパターンＴ８は、例えば、パッド３２と配線３を介して電気的に接続されている。第１の磁気センサ４は、パッド３２を介して接地回路（ＧＮＤ）と電気的に接続される。
【００２８】
さらに第１の磁気センサ４の第４の磁気センサ素子Ｒ４、トリミングパターンＴ４、第５の磁気センサ素子Ｒ５及びトリミングパターンＴ５は、配線３を介してパッド３３と電気的に接続されている。このパッド３３からは、第１の磁気センサ４の中点電位Ｖ１が出力される。
【００２９】
第２の磁気センサ５の第９の磁気センサ素子Ｒ９及びトリミングパターンＴ９は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、パッド３４と配線３を介して電気的に接続されている。この第２の磁気センサ５には、パッド３１を介して基準電圧ＶＣＣが印可される。
【００３０】
また第２の磁気センサ５の第１６の磁気センサ素子Ｒ１６及びトリミングパターンＴ１６は、例えば、パッド３５と配線３を介して電気的に接続されている。第２の磁気センサ５は、パッド３５を介して接地回路（ＧＮＤ）と電気的に接続される。
【００３１】
さらに第２の磁気センサ５の第１２の磁気センサ素子Ｒ１２、トリミングパターンＴ１２、第１３の磁気センサ素子Ｒ１３及びトリミングパターンＴ１３は、配線３を介してパッド３６と電気的に接続されている。このパッド３６からは、第２の磁気センサ５の中点電位Ｖ２が出力される。
【００３２】
第１の磁気センサ４及び第２の磁気センサ５は、例えば、図１（ｂ）に示すように、中点電位Ｖ１及び中点電位Ｖ２を制御部６に出力する。制御部６は、入力した中点電位Ｖ１及び中点電位Ｖ２を作動増幅し、しきい値６０と比較することで検出対象の接近を判定する。
【００３３】
なお磁気センサ装置１は、例えば、図１（ａ）の紙面の上下方向に磁場が印可された、つまり第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６の感磁部と４５°をなす磁場７５が印可された場合、磁気センサ素子の抵抗値が同じ値となるのでその差分がゼロとなる。
【００３４】
第１の磁気センサ４と第２の磁気センサ５とは、例えば、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、細長い基板２の両端に離れて配置されている。
【００３５】
なお図２（ｂ）に示すセンサ中心２３とは、第１の磁気センサ４と第２の磁気センサ５間の中心である。またセンシングポイントＰ４は、第１の磁気センサ４の選択された第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第４の磁気センサ素子Ｒ４の感磁部の中心と、選択された第５の磁気センサ素子Ｒ５〜第８の磁気センサ素子Ｒ８の感磁部の中心と、の中点である。
【００３６】
さらにセンシングポイントＰ５は、第２の磁気センサ５の選択された第９の磁気センサ素子Ｒ９〜第１２の磁気センサ素子Ｒ１２の感磁部の中心と、選択された第１３の磁気センサ素子Ｒ１３〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６の感磁部の中心と、の中点である。
【００３７】
トリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ１６は、例えば、レーザの照射によって切断される。上述のように、トリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ１６は、トリミング領域２１及びトリミング領域２２に隣接して並んでいるので、レーザの照射によって切断し易くなっている。
【００３８】
またトリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ１６と磁気センサ素子の感磁部が同材料であっても良い。トリミングパターンＴ１〜トリミングパターンＴ１６は、感磁部と同じ材料で形成されることにより、磁気センサ素子を形成する工程で形成することが可能となる。
【００３９】
なお変形例として、磁気センサ素子は、磁気抵抗素子に限定されず、ホール素子やＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）センサなどであっても良い。
【００４０】
（制御部６の構成）
制御部６は、例えば、記憶されたプログラムに従って、取得したデータに演算、加工などを行うＣＰＵ（Central Processing Unit）、半導体メモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）などから構成されるマイクロコンピュータである。このＲＯＭには、例えば、制御部６が動作するためのプログラムと、しきい値６０と、が格納されている。ＲＡＭは、例えば、一時的に演算結果などを格納する記憶領域として用いられる。
【００４１】
しきい値６０は、例えば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、磁性体８の接近を検出するために用いられるしきい値である。制御部６は、例えば、中点電位Ｖ１及び中点電位Ｖ２を差動増幅した電圧がしきい値６０以上となった場合、磁性体８を検出したと判定する。そして制御部６は、磁性体８を検出したことを示す検出情報Ｓを生成して接続された電子機器に出力する。
【００４２】
（バイアス磁石７の構成）
バイアス磁石７は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又は、フェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン（ＡＢＳ）などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチックマグネットである。
【００４３】
バイアス磁石７は、一例として、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、円柱形を有しているがこれに限定されず、Ｕ字形状などであっても良い。またバイアス磁石７は、第１の面７０側がＮ極、第２の面７１側がＳ極となるように着磁されているがＮ極とＳ極が逆であっても良い。バイアス磁石７は、Ｎ極から湧き出し、Ｓ極に吸い込まれる磁場７５を形成する。
【００４４】
バイアス磁石７は、第１の面７０から第２の面７１に貫通する貫通孔７２を有する。この貫通孔７２は、一例として、八角形形状を有し、対向する一対の辺が他の辺より長い形状を有しているがこの形状に限定されない。このバイアス磁石７は、例えば、図３（ａ）に示すように、貫通孔７２の長手方向をＸ軸、短手方向をＹ軸、ＸＹ軸に直交する方向をＺ軸とすると、磁気センサ装置１がＺ軸に沿って貫通孔７２内に配置される。
【００４５】
（磁性体８の構成）
磁性体８は、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏなどの強磁性体金属を主成分として構成されている。この磁性体８は、例えば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、磁気センサ装置１に接近する方向である矢印Ａ方向、及び離脱する方向である矢印Ｂ方向に移動可能に構成されている。
【００４６】
この磁性体８は、例えば、検出対象に取り付けられる。そして磁気センサ装置１は、この磁性体８を介して検出対象の接近と離脱を検出するように構成されている。
【００４７】
（磁気センサ素子の選択について）
図４（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の磁気センサ素子の選択とセンシングポイントの移動の一例について説明するための概略図であり、図４（ｂ）は、トリミングパターンの切断によって形成される回路の一例について説明するための概略図である。
【００４８】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、バイアス磁石７の貫通孔７２内に磁気センサ装置１を配置した場合、磁性体８の接近と離脱による磁場ベクトル７６の変化を効果的に検出するためには、磁気センサ装置１のセンシングポイントＰ４及びセンシングポイントＰ５が磁場ベクトル７６の変化が大きく、また磁束密度が高い場所に位置するように磁気センサ装置１を配置する必要がある。
【００４９】
ここでＹ軸方向及びＺ軸方向の位置は、磁気センサ装置１の実装位置やチップ厚の変更によって調整することが可能である。しかしＸ軸方向の位置は、センシングポイントにおける磁場ベクトル７６の方向がＺ軸に対して対称であることが好ましく、またセンシングポイントがセンサ中心２３からの距離で決まることから新規に設計しなければならない可能性がある。
【００５０】
磁気センサ装置１は、例えば、図４（ｂ）に示すように、トリミングパターンを切断することによって当該トリミングパターンと並列に接続された磁気センサ素子を選択して使用することができるように構成されている。
【００５１】
具体的には、例えば、図４（ｂ）に示すように、トリミングパターンＴ１、トリミングパターンＴ２、トリミングパターンＴ７及びトリミングパターンＴ８を切断した場合、第１の磁気センサ４は、第１の磁気センサ素子Ｒ１、第２の磁気センサ素子Ｒ２、第７の磁気センサ素子Ｒ７及び第８の磁気センサ素子Ｒ８を備えたハーフブリッジ回路を形成する。
【００５２】
また対称となるように、例えば、図４（ｂ）に示すように、トリミングパターンＴ９、トリミングパターンＴ１０、トリミングパターンＴ１５及びトリミングパターンＴ１６を切断した場合、第２の磁気センサ５は、第９の磁気センサ素子Ｒ９、第１０の磁気センサ素子Ｒ１０、第１５の磁気センサ素子Ｒ１５及び第１６の磁気センサ素子Ｒ１６を備えたハーフブリッジ回路を形成する。
【００５３】
磁気センサ装置１は、トリミングパターンを切断しない場合、電流が当該トリミングパターンと並列に接続される磁気センサ素子に流れず、当該トリミングパターンを流れる。これは、当該磁気センサ素子の抵抗値が当該トリミングパターンの抵抗値よりも大きいからである。従って磁気センサ素子を選択するためには、選択する磁気センサ素子と並列に接続されるトリミングパターンを切断すれば良い。
【００５４】
この磁気センサ素子の選択により、センシングポイントの調整、及び磁気センサ装置１の出力特性の調整を行うことができる。この磁気センサ装置１の出力特性は、例えば、使用する磁気センサ素子の数や相対的な位置により調整される。以下では、センシングポイントの一例として、センシングポイントＰ４１〜センシングポイントＰ４７、センシングポイントＰ５１〜センシングポイントＰ５７について説明する。
【００５５】
第１の磁気センサ素子Ｒ１及び第８の磁気センサ素子Ｒ８が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１及びトリミングパターンＴ８が切断された場合、センシングポイントＰ４は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ４１となる。
【００５６】
また対称となるように、第９の磁気センサ素子Ｒ９と第１６の磁気センサ素子Ｒ１６が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ９及びトリミングパターンＴ１６が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ５１となる。
【００５７】
第１の磁気センサ素子Ｒ１、第２の磁気センサ素子Ｒ２、第７の磁気センサ素子Ｒ７及び第８の磁気センサ素子Ｒ８が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１、トリミングパターンＴ２、トリミングパターンＴ７及びトリミングパターンＴ８が切断された場合、センシングポイントＰ４は、例えば、図４（ａ）に示すように、４つの磁気センサ素子の中心であるセンシングポイントＰ４２となる。
【００５８】
また対称となるように、第９の磁気センサ素子Ｒ９、第１０の磁気センサ素子Ｒ１０、第１５の磁気センサ素子Ｒ１５及び第１６の磁気センサ素子Ｒ１６が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ９、トリミングパターンＴ１０、トリミングパターンＴ１５及びトリミングパターンＴ１６が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、４つの磁気センサ素子の中心であるセンシングポイントＰ５２となる。
【００５９】
第２の磁気センサ素子Ｒ２及び第７の磁気センサ素子Ｒ７が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ２及びトリミングパターンＴ７が切断された場合、センシングポイントは、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ４３となる。
【００６０】
なおセンシングポイントＰ４３は、第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第３の磁気センサ素子Ｒ３、第６の磁気センサ素子Ｒ６〜第８の磁気センサ素子Ｒ８を選択する、又は第１の磁気センサ素子Ｒ１、第３の磁気センサ素子Ｒ３、第６の磁気センサ素子Ｒ６及び第８の磁気センサ素子Ｒ８を選択することによっても調整可能である。
【００６１】
また対称となるように、第１０の磁気センサ素子Ｒ１０と第１５の磁気センサ素子Ｒ１５が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１０及びトリミングパターンＴ１５が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ５３となる。
【００６２】
なおセンシングポイントＰ５３は、第９の磁気センサ素子Ｒ９〜第１１の磁気センサ素子Ｒ１１、第１４の磁気センサ素子Ｒ１４〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６を選択する、又は第９の磁気センサ素子Ｒ９、第１１の磁気センサ素子Ｒ１１、第１４の磁気センサ素子Ｒ１４及び第１６の磁気センサ素子Ｒ１６を選択することによっても調整可能である。
【００６３】
第２の磁気センサ素子Ｒ２、第３の磁気センサ素子Ｒ３、第６の磁気センサ素子Ｒ６及び第７の磁気センサ素子Ｒ７が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ２、トリミングパターンＴ３、トリミングパターンＴ６及びトリミングパターンＴ７が切断された場合、センシングポイントＰ４は、例えば、図４（ａ）に示すように、４つの磁気センサ素子の中心であるセンシングポイントＰ４４となる。
【００６４】
なおセンシングポイントＰ４４は、第１の磁気センサ素子Ｒ１〜第８の磁気センサ素子Ｒ８が選択された場合、又は第１の磁気センサ素子Ｒ１、第４の磁気センサ素子Ｒ４、第５の磁気センサ素子Ｒ５及び第８の磁気センサ素子Ｒ８が選択された場合によっても調整可能である。
【００６５】
また対称となるように、第１０の磁気センサ素子Ｒ１０、第１１の磁気センサ素子Ｒ１１、第１４の磁気センサ素子Ｒ１４及び第１５の磁気センサ素子Ｒ１５が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１０、トリミングパターンＴ１１、トリミングパターンＴ１４及びトリミングパターンＴ１５が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、４つの磁気センサ素子の中心であるセンシングポイントＰ５４となる。
【００６６】
なおセンシングポイントＰ５４は、第９の磁気センサ素子Ｒ９〜第１６の磁気センサ素子Ｒ１６が選択された場合、又は第９の磁気センサ素子Ｒ９、第１２の磁気センサ素子Ｒ１２、第１３の磁気センサ素子Ｒ１３及び第１６の磁気センサ素子Ｒ１６が選択された場合によっても調整可能である。
【００６７】
第３の磁気センサ素子Ｒ３及び第６の磁気センサ素子Ｒ６が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ３及びトリミングパターンＴ６が切断された場合、センシングポイントＰ４は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ４５となる。
【００６８】
なおセンシングポイントＰ４５は、第２の磁気センサ素子Ｒ２〜第４の磁気センサ素子Ｒ４、第５の磁気センサ素子Ｒ５〜第７の磁気センサ素子Ｒ７が選択された場合、又は第２の磁気センサ素子Ｒ２、第４の磁気センサ素子Ｒ４、第５の磁気センサ素子Ｒ５及び第７の磁気センサ素子Ｒ７が選択された場合によっても調整可能である。
【００６９】
また対称となるように、第１１の磁気センサ素子Ｒ１１と第１４の磁気センサ素子Ｒ１４が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１１及びトリミングパターンＴ１４が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ５５となる。
【００７０】
なおセンシングポイントＰ５５は、第１０の磁気センサ素子Ｒ１０〜第１５の磁気センサ素子Ｒ１５が選択された場合、又は第１０の磁気センサ素子Ｒ１０、第１２の磁気センサ素子Ｒ１２、第１３の磁気センサ素子Ｒ１３及び第１５の磁気センサ素子Ｒ１５が選択された場合によっても調整可能である。
【００７１】
第３の磁気センサ素子Ｒ３〜第６の磁気センサ素子Ｒ６が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ３〜トリミングパターンＴ６が切断された場合、センシングポイントＰ４は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ４６となる。
【００７２】
また対称となるように、第１１の磁気センサ素子Ｒ１１〜第１４の磁気センサ素子Ｒ１４が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１１〜トリミングパターンＴ１４が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ５６となる。
【００７３】
第４の磁気センサ素子Ｒ４及び第５の磁気センサ素子Ｒ５が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ４及びトリミングパターンＴ５が切断された場合、センシングポイントＰ４は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ４７となる。
【００７４】
また対称となるように、第１２の磁気センサ素子Ｒ１２と第１３の磁気センサ素子Ｒ１３が選択された場合、つまりトリミングパターンＴ１２及びトリミングパターンＴ１３が切断された場合、センシングポイントＰ５は、例えば、図４（ａ）に示すように、両者の中心であるセンシングポイントＰ５７となる。
【００７５】
このようにセンシングポイントは、最も外側に位置するセンシングポイントＰ４１及びセンシングポイントＰ５１から最も内側に位置するセンシングポイントＰ４７及びセンシングポイントＰ５７まで調整が可能となる。
【００７６】
なお上述の磁気センサ素子の組み合わせは、一例であって、第１の磁気センサ素子Ｒ１、第３の磁気センサ素子Ｒ３、第４の磁気センサ素子Ｒ４などのような組み合わせであっても良い。またセンシングポイントは、磁気センサ素子の数、組み合わせ、面積の違いによってさらに細かく調整することも可能である。
【００７７】
（実施の形態の効果）
本実施の形態に係る磁気センサ装置１は、センシングポイントの位置を調整することができる。具体的には、磁気センサ装置１は、トリミングパターンの切断によって磁気センサ素子を選択し、選択された磁気センサ素子の組み合わせによってセンシングポイントの位置を調整することができる。従って磁気センサ装置１は、新規に磁気センサ素子のパターンなどを設計する必要がなく、開発期間を短縮することができる。
【００７８】
磁気センサ装置１は、バイアス磁石７の形状や貫通孔７２の形状、第１の磁気センサ４及び第２の磁気センサ５に作用する磁場７５などに応じてセンシングポイントの位置を調整することができる。そして磁気センサ装置１は、適切な位置にセンシングポイントを合わせ易いので、センシングポイントが適切な位置にない場合と比べて、磁性体８の検出精度が向上する。
【００７９】
磁気センサ装置１は、センシングポイントを調整することで、磁気センサ素子に作用する磁束密度を変えて出力特性を変えることができる。
【００８０】
磁気センサ装置１は、使用する磁気センサ素子を選択することによってインピーダンスの調整を行うことができる。
【００８１】
磁気センサ装置１は、トリミング領域２１及びトリミング領域２２にトリミングパターンが並んで配置されているので、並んでいない場合と比べて、レーザによるトリミング回数を削減することができ、コストが抑制される。
【００８２】
磁気センサ装置１は、２層配線とすることにより、配線３が短縮されると共に、基準電圧ＶＣＣ及びＧＮＤ用のパッド３１とパッド３４、パッド３２とパッド３５を共通化して占有面積を小さくすることができる。
【００８３】
磁気センサ装置１は、磁気センサ素子とトリミングパターンとを同じ材料で形成することにより、同じ工程で形成することが可能となるので、別材料で形成する場合と比べて、工程が短縮され製造コストが抑制される。また磁気センサ装置１は、磁気センサ素子とトリミングパターンとを同じ材料で形成するので、トリミングパターンの膜厚が磁気センサ素子の膜厚と同様に薄くなり、切断し易くなる。
【００８４】
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８５】
１…磁気センサ装置、２…基板、３…配線、４…第１の磁気センサ、５…第２の磁気センサ、６…制御部、７…バイアス磁石、８…磁性体、２０…表面、２１…トリミング領域、２２…トリミング領域、２３…センサ中心、３１〜３６…パッド、６０…しきい値、７０…第１の面、７１…第２の面、７２…貫通孔、７５…磁場、７６…磁場ベクトル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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