(57)【要約】【課題】スパッタ粒子を斜めに入射して斜め成膜を行う際に、均一性を確保しつつ効率良く成膜する。【解決手段】処理チャンバと、スパッタ粒子放出部と、複数の基板を載置する基板載置ユニットと、スパッタ粒子放出部から放出されたスパッタ粒子を通過させ、載置された基板にスパッタ粒子を斜めに入射させる通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板とを備え、基板載置ユニットは、複数の載置台と、複数の載置台を回転可能に支持するベース部材と、複数の載置台が公転するようにベース部材を回転させる第１の駆動機構と、第１の駆動機構によりベース部材が回転して、複数の載置台を公転させる際に、複数の載置台が同じ平面方向に保たれるように複数の載置台をベース部材に対して相対的に回転させる機構とを有する。【選択図】図１
2019199639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して成膜処理が行われる処理空間を規定する処理チャンバと、
前記処理空間でスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出部と、
前記処理空間に設けられ、複数の基板を載置する基板載置ユニットと、
前記スパッタ粒子放出部と前記基板載置ユニットとの間に設けられ、前記スパッタ粒子放出部から放出された前記スパッタ粒子を通過させ、前記基板載置ユニットに載置された基板に前記スパッタ粒子を斜めに入射させる通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板と
を備え、
前記基板載置ユニットは、
前記複数の基板がそれぞれ載置される複数の載置台と、
平面形状が円形状をなし、前記複数の載置台を回転可能に支持するベース部材と、
前記複数の載置台が公転するように前記ベース部材を回転させる第１の駆動機構と、
前記第１の駆動機構により前記ベース部材が回転して、前記複数の載置台を公転させる際に、前記複数の載置台が同じ平面方向に保たれるように前記複数の載置台を前記ベース部材に対して相対的に回転させる機構と
を有する、成膜装置。
【請求項２】
前記複数の載置台を前記ベース部材に対して相対的に回転させる機構は、前記第１の駆動機構の第１回転軸と同軸的に設けられた第２回転軸と、前記第２回転軸を回転させる第２の駆動機構と、前記複数の載置台が同期して、同じ回転角度で回転するように、前記第２の回転軸の回転を前記複数の載置台に伝達する動力伝達機構とを有し、
前記複数の載置台を公転させる際に、前記第２の駆動機構を停止することにより、前記複数の載置台が同じ平面方向に保たれるように前記複数の載置台が前記ベース部材に対して相対的に回転される、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記複数の載置台は前記ベース部材に等間隔で設けられ、
前記載置台の数をｎとした場合に、前記通過孔をｎ個有し、前記ｎ個の通過孔は放射状に、かつ、隣接する前記通過孔の角度が（３６０／ｎ）°になるように等間隔で形成され、
前記スパッタ粒子放出部は、前記通過孔のそれぞれに対応して設けられた複数のターゲットホルダと、前記複数のターゲットホルダにそれぞれ保持された複数のターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出手段とを有し、
前記複数のターゲットからそれぞれ放出されたスパッタ粒子は、それぞれ対応する前記通過孔を通過して、それぞれ同じ角度で前記載置台上の基板に入射される、請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第１の駆動機構により前記ベース部材を回転させて、前記複数の載置台上の基板が、それぞれ前記通過孔の下方を通過するように制御した後、前記第２の駆動機構により、前記複数の載置台が（３６０／ｎ）°回転されるように制御し、次いで、前記第１の駆動機構により前記ベース部材を回転させて、前記複数の基板が、それぞれ次の通過孔を通過するように制御する制御部をさらに備える、請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
基板に対して成膜処理が行われる処理空間を規定する処理チャンバと、前記処理空間でスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出部と、前記処理空間に設けられ、複数の基板を載置する基板載置ユニットと、前記スパッタ粒子放出部と前記基板載置ユニットとの間に設けられ、前記スパッタ粒子放出部から放出された前記スパッタ粒子を通過させ、前記基板載置ユニットに載置された基板に前記スパッタ粒子を斜めに入射させる通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板とを有する成膜装置により基板上に所定の膜を成膜する成膜方法であって、
前記基板載置ユニットは、複数の基板がそれぞれ載置される複数の載置台と、平面形状が円形状をなし、前記複数の載置台を回転可能に支持し、前記複数の載置台が公転するように回転するベース部材とを有し、
前記ベース部材を回転させて、前記載置台上の基板が前記通過孔の下方を通過するように前記複数の載置台を公転させる第１工程と、
前記複数の載置台を公転させる際に、前記複数の載置台が同じ平面方向に保たれるように前記複数の載置台を前記ベース部材に対して相対的に回転させる第２工程と
を有する、成膜方法。
【請求項６】
前記複数の載置台は前記ベース部材に等間隔で設けられ、
前記載置台の数をｎとした場合に、前記通過孔をｎ個有し、前記ｎ個の通過孔は放射状に、かつ、隣接する前記通過孔の角度が（３６０／ｎ）°になるように等間隔で形成され、
前記スパッタ粒子放出部は、前記通過孔のそれぞれに対応して設けられた複数のターゲットホルダと、前記複数のターゲットホルダにそれぞれ保持された複数のターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出手段とを有し、
前記複数のターゲットからそれぞれ放出されたスパッタ粒子は、それぞれ対応する前記通過孔を通過して、それぞれ同じ角度で前記載置台上の基板に入射される、請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記第１工程および第２工程により、前記ベース部材を回転させて、前記複数の載置台上の基板が、それぞれ前記通過孔の下方を通過するようにした後、前記複数の載置台を（３６０／ｎ）°回転させる第３工程をさらに有し、
その後、前記ベース部材を回転させて、前記複数の載置台上の基板が、それぞれ次の通過孔の下方を通過するように前記第１工程および第２工程を実施する、請求項６に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、基板上に膜を形成する成膜処理が行われる。成膜処理に用いられる成膜装置としては、スパッタ装置が知られている。
【０００３】
特許文献１には、基板上のパターンに対して、スパッタ粒子入射方向を揃えた指向性の高い成膜を実現するための技術として、スパッタ粒子を基板に対して斜めに入射させる技術（以下、斜め成膜という）が提案されている。
【０００４】
特許文献１に記載された成膜装置は、真空容器と、真空容器内に設けられた基板保持台と、ターゲットを保持するターゲットホルダと、ターゲットホルダと基板保持台との間に設けられた、開口（通過孔）を有する遮蔽アッセンブリとを有する。そして、移動機構により基板保持台を直線的に移動させながら、ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、遮蔽アッセンブリの開口を通過させて、スパッタ粒子を基板上に所定の角度で入射させて斜め成膜を実現する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−６７８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、スパッタ粒子を斜めに入射して斜め成膜を行う際に、均一性を確保しつつ効率良く成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る成膜装置は、基板に対して成膜処理が行われる処理空間を規定する処理チャンバと、前記処理空間でスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出部と、前記処理空間に設けられ、複数の基板を載置する基板載置ユニットと、前記スパッタ粒子放出部と前記基板載置ユニットとの間に設けられ、前記スパッタ粒子放出部から放出された前記スパッタ粒子を通過させ、前記基板載置ユニットに載置された基板に前記スパッタ粒子を斜めに入射させる通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板とを備え、前記基板載置ユニットは、前記複数の基板がそれぞれ載置される複数の載置台と、平面形状が円形状をなし、前記複数の載置台を回転可能に支持するベース部材と、前記複数の載置台が公転するように前記ベース部材を回転させる第１の駆動機構と、前記第１の駆動機構により前記ベース部材が回転して、前記複数の載置台を公転させる際に、前記複数の載置台が同じ平面方向に保たれるように前記複数の載置台を前記ベース部材に対して相対的に回転させる機構とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、スパッタ粒子を斜めに入射して斜め成膜を行う際に、均一性を確保しつつ効率良く成膜することができる成膜装置および成膜方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。
【図２】図１のII−II線による水平断面図である。
【図３】一実施形態に係る成膜装置により斜め成膜する場合の基板の状態を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して実施形態について具体的に説明する。
【００１１】
図１は一実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図、図２は図１のII−II線による水平断面図である。
【００１２】
成膜装置１は、基板Ｗ上にスパッタリングによって膜を形成するものであり、処理チャンバ１０と、基板載置ユニット２０と、スパッタ粒子放出部３０と、スパッタ粒子遮蔽板４０と、排気装置５０と、制御部６０とを有している。
【００１３】
処理チャンバ１０は、上部が開口されたチャンバ本体１０ａと、チャンバ本体１０ａの上部開口を塞ぐように設けられた蓋体１０ｂとを有する。処理チャンバ１０の内部は、成膜処理が行われる処理空間Ｓとなっている。
【００１４】
処理チャンバ１０の底部には排気口１１が形成され、上記排気装置５０はこの排気口１１に接続されている。排気装置５０は、圧力制御弁、および真空ポンプを含んでおり、排気装置５０により、処理空間Ｓが所定の真空度まで真空排気されるようになっている。
【００１５】
処理チャンバ１０の頂部には、処理空間Ｓ内にガスを導入するためのガス導入ポート１２が挿入されている。ガス導入ポート１２から、ガス供給部（図示せず）からのガス、例えば不活性ガスが、処理空間Ｓ内に導入される。
【００１６】
処理チャンバ１０の側壁には、基板Ｗを搬入出するための搬入出口１３が形成されている。搬入出口１３はゲートバルブ７０により開閉される。処理チャンバ１０は、搬送チャンバ８０に隣接して設けられており、ゲートバルブ７０が開かれることにより、処理チャンバ１０と搬送チャンバ８０が連通するようになっている。搬送チャンバ８０内は真空雰囲気に保持され、その中に基板Ｗを処理チャンバ１０に対して搬入出するための搬送装置（図示せず）が設けられている。
【００１７】
基板載置ユニット２０は、ベース部材２１と、ベース部材２１内に配置された、基板Ｗを載置するための複数（本例では４つ）の載置台２２とを有している。
【００１８】
ベース部材２１は、平面形状が円形状で、全体が円筒状をなしており、上部プレート２１ａと、側壁部２１ｂと、下部プレート２１ｃと、下部プレート２１ｃの中心部から下方に垂直に延びる中空回転軸２１ｄとを有している。中空回転軸２１ｄは、処理チャンバ１０の下方に延び、第１の駆動機構２８に接続されており、第１の駆動機構２８によりベース部材２１が回転されるようになっている。
【００１９】
複数の載置台２２は、等間隔で円周状に配置され、ベース部材２１の上部プレート２１ａに形成された凹部に回転可能に設けられている。各載置台２２は、それぞれベース部材２１の下部プレート２１ｃから上方に延びる載置台回転軸２３に支持されている。複数の載置台回転軸２３は、下部プレート２１ｃに対して回転自在に接続されており、各載置台回転軸２３にはそれぞれ従動プーリ２７が固定されている。複数（４つ）の従動プーリ２７は全て同じ直径を有している。
【００２０】
中空回転軸２１ｄの内部には、垂直に延びる回転軸２４が設けられており、回転軸２４の上部は、上部プレート２１ａに回転自在に接続されている。回転軸２４は、処理チャンバ１０の下方に延び、第２の駆動機構２９により回転されるようになっている。回転軸２４の上部には駆動プーリ２５が固定されている。駆動プーリ２５と複数の従動プーリ２７にはそれぞれ駆動ベルト２６が巻き掛けられており、駆動プーリ２５、従動プーリ２７、駆動ベルト２６により動力伝達機構が構成される。
【００２１】
第２の駆動機構２９を停止したまま第１の駆動機構２８によりベース部材２１を回転させる際には、複数の載置台２２は、同じ平面方向を保ったまま、ベース部材２１と相対移動が生じた状態で、回転軸２４の回りを公転する。これにより、複数の載置台に載置された複数の基板Ｗを同じ向きとしたまま、基板Ｗに通過孔４１の下方を通過させることができる。これは、回転軸２４が回転していないため、載置台２２に駆動ベルト２６を介した回転が生じないことによる。すなわち、第２の駆動機構２９と動力伝達機構が、第１の駆動機構２８によりベース部材２１を回転させる際に、載置台２２を同じ平面方向を保ったままにする機構を構成する。
【００２２】
また、第２の駆動機構２９により回転軸２４が回転された際に、駆動プーリ２５および駆動ベルト２６を介して複数の従動プーリ２７に動力が伝達され、複数の載置台回転軸２３を介して複数の載置台２２が回転される。このとき、従動プーリ２７が全て同じ直径を有しているので、複数の載置台２２は、同期して同じ回転角度で回転される。また、載置台回転軸２３はベース部材２１の下部プレート２１ｃに対し回転自在であり、回転軸２４は上部プレート２１ａに対し回転自在であるから、載置台２２は、ベース部材２１とは独立して回転可能である。
【００２３】
なお、動力伝達機構としては上述のような駆動ベルトの代わりに歯車機構を用いてもよい。このときは、回転軸２４に一つの第１歯車を固定し、複数の載置台回転軸２３にそれぞれ同じ歯数の第２歯車を固定し、第１歯車と第２歯車を噛合させればよい。
【００２４】
図２に示すように、ベース部材２１の回転領域の搬入出口１３の直近部分には基板受け渡し部１５が設けられている。基板受け渡し部１５は、複数の昇降ピンを有する基板昇降ユニット（図示せず）を有しており、ベース部材２１を間欠的に回転させながら、基板受け渡し部１５にて昇降ピンを昇降させることにより、搬送装置（図示せず）と複数の載置台２２との間で基板Ｗの授受が行われるようになっている。
【００２５】
スパッタ粒子遮蔽板４０は、処理チャンバ１０内に設けられている。スパッタ粒子遮蔽板４０は、略板状の部材として構成されており、処理空間Ｓの高さ方向の中間位置に水平に配置されている。スパッタ粒子遮蔽板４０の縁部は、チャンバ本体１０ａの側壁に固定されている。スパッタ粒子遮蔽板４０は、処理空間Ｓを第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２に区画している。第１空間Ｓ１はスパッタ粒子遮蔽板４０の上方の空間であり、第２空間Ｓ２はスパッタ粒子遮蔽板４０の下方の空間である。
【００２６】
スパッタ粒子遮蔽板４０には、スパッタ粒子を通過させる複数の通過孔４１が形成されている。通過孔４１は、スパッタ粒子遮蔽板４０の板厚方向（図１のＺ方向）に貫通している。通過孔４１の個数はステージ個数と同数であり、本例では４つである。複数の通過孔４１は、同形状で、細長い形状をなし、ほぼ回転軸２４に対応する位置を中心として放射状に形成されている。放射状に形成された複数の通過孔４１は等間隔であり、通過孔４１の個数をｎとすると、隣接する通過孔４１どうしの角度が（３６０／ｎ）°となっている。本例の場合は、通過孔４１の個数が４であるため、隣接する通過孔４１の角度は９０°である。通過孔４１は、その長手方向が基板Ｗの通過方向に対してほぼ垂直になるように形成されている。通過孔４１の長さは基板Ｗの直径よりも長く、スパッタ粒子が通過孔４１全体を通過可能となっている。
【００２７】
スパッタ粒子放出部３０は、処理チャンバ１０の上部の蓋体１０ｂに設けられている。スパッタ粒子放出部３０は、複数のターゲットホルダ３１を有している。ターゲットホルダ３１は、スパッタ粒子遮蔽板４０の上方に配置されており、導電性を有する材料で形成され、絶縁性の部材を介して、処理チャンバ１０の蓋体１０ｂに取り付けられている。ターゲットホルダ３１は、第１空間Ｓ１内でターゲット３２を保持するように構成されている。ターゲット３２は、成膜しようとする膜の構成元素を含む材料からなり、導電性材料であっても誘電体材料であってもよい。
【００２８】
ターゲットホルダ３１には、電源３３が電気的に接続されている。電源３３は、ターゲット３２が導電性材料である場合には、直流電源であってよく、ターゲット３２が誘電性材料である場合には、高周波電源であってよい。電源３３が高周波電源である場合には、整合器を介してターゲットホルダ３１に接続される。ターゲットホルダ１２に電圧が印加されることにより、ターゲット３２の周囲でガスが解離する。そして、解離したガス中のイオンがターゲット３２に衝突し、ターゲット３２からその構成材料の粒子であるスパッタ粒子が放出される。
【００２９】
複数のターゲットホルダ３１は、複数の通過孔４１と同数であり、複数のターゲットホルダ３１のそれぞれは、複数の通過孔４１のそれぞれに対応した位置に設けられている。すなわち、一つのターゲットホルダ３１と一つの通過孔４１が対をなし、各ターゲットホルダ３１は、対応する通過孔４１に対して斜め上方にターゲット３２が位置するように、当該ターゲット３２を保持する。本例では、放射状に４つ設けられた通過孔４１の上方に、各通過孔４１の斜め上方に４つのターゲットホルダ３１のそれぞれが対応する通過孔４１と対をなすように配置されている。
【００３０】
そして、複数のターゲットホルダ３１は、複数のターゲット３２から放出され対応する通過孔４１を通過したスパッタ粒子が、基板Ｗにそれぞれ同じ角度で入射されるような位置に、ターゲット３２を保持する。このとき、ターゲット３２として、通過孔４１より長く、細長い形状のものを用い、ターゲット３２は通過孔４１とは平行に配置される。また、ターゲット３２は、その表面の角度が基板Ｗの表面に対して０〜９０°の傾きを有するように設置されることが好ましい。ターゲットを斜めに設置することにより、効率のよいスパッタ成膜を行うことができる。スパッタ粒子の基板Ｗへの入射角度は２０〜５０°の範囲が好ましい。
【００３１】
ターゲットホルダ３１と対応する通過孔４１との間には、通過孔４１を通過するスパッタ粒子の基板Ｗへの入射角制御性を高めるための、スパッタ粒子のガイドとして機能するコリメータ３４が設けられている。ただし、ターゲット３２と通過孔４１の位置関係によっては、コリメータ３４は必須ではない。
【００３２】
なお、上述したように、スパッタ粒子放出部３０は、放射状に配置された通過孔４１に対応してターゲット３２が図２に示す配置になるようにする必要があるため、特殊な三次元構造を有している。このため、スパッタ粒子放出部３０の実際の断面形状は複雑であり、図１では理解を容易にするため、便宜上、模式的な断面を示している。
【００３３】
制御部６０は、コンピュータからなり、成膜装置１の各構成部、例えば、電源３３、排気装置２０、第１駆動機構２８、第２の駆動機構２９等を制御する、ＣＰＵからなる主制御部と、キーボードやマウス等の入力装置、出力装置、表示装置、記憶装置とを有している。制御部６０の主制御部は、記憶装置に処理レシピが記憶された記憶媒体をセットすることにより、記憶媒体から呼び出された処理レシピに基づいて成膜装置１に所定の動作を実行させる。
【００３４】
次に、以上のように構成される成膜装置の成膜動作について説明する。
最初に、処理チャンバ１０内の処理空間Ｓを排気した後、ガス導入ポート１２から処理空間Ｓに例えば不活性ガスを導入して所定圧力に調圧する。
【００３５】
次いで、ゲートバルブ７０を開き、搬送チャンバ８０内の搬送装置によってチャンバ１０内に基板Ｗを搬入し、基板受け渡し部１５で複数の基板載置台２２に基板Ｗを載置する。このときの載置台２２への基板Ｗの受け渡しは、ベース部材２１を間欠的に回転させながら、基板受け渡し部１５で複数の昇降ピンを有する基板昇降ユニット（図示せず）を用いて行う。全ての載置台２２への基板Ｗの載置が終了したら、搬送機構を退出させ、ゲートバルブ７０を閉じる。
【００３６】
次いで、第２の駆動機構２９を停止させた状態で、第１の駆動機構２８によりベース部材２１を回転させながら、電源３３からターゲットホルダ３１に給電してターゲット３２からスパッタ粒子を放出させる。ターゲット３２は細長い形状を有しており、ターゲット粒子は、細長い形状のままコリメータ３４により斜めにガイドされ、ターゲット３２と平行に設けられた通過孔４１を通過し、基板Ｗの移動路に照射される。そして、ベース部材２１の回転により、複数の載置台２２上の基板Ｗが、対応する通過孔４１の下方を通過し、その際に基板Ｗにスパッタ粒子が照射される。
【００３７】
このとき、第２の駆動機構２９は停止されているので、載置台２２は、ベース部材２１に追従して回転することなく、ベース部材２１との間で相対的に回転して、同じ平面方向を保ったまま公転する。このため、図３に示すように、基板Ｗは、図３のＩ、II、IIIと移動し、通過孔４１の下方の細長いスパッタ粒子の照射領域Ｐを、ほぼ同じ平面方向を保ったまま（つまり例えば図３の基板Ｗの頂点Ｔの位置を変化させずに）通過する。これにより、基板Ｗの全体に亘って、ほぼ同じ平面方向でスパッタ粒子を照射することができる。
【００３８】
斜め成膜は、スパッタ粒子が斜めに入射する指向性を持った成膜であるため、均一な成膜を行うためには基板の平面的な向きが重要である。そのため特許文献１では、移動機構により基板保持台を直線的に移動させながら、斜めに照射されて通過孔を通過したスパッタ粒子を基板上に所定の角度で入射させて斜め成膜を実現する。特許文献１の技術は、ほぼ枚様式に限定されるため、さらなるスループットの向上が要求されていた。
【００３９】
これに対して、本実施形態では、上述のように、複数の基板Ｗを、自転可能な複数の載置台２２に載置し、これら載置台２２を同じ平面方向を保ったまま、ベース部材２１と相対移動が生じた状態で、回転軸２４の回りを公転するようにした。これにより、複数の基板Ｗの平面方向を一定にした状態で、複数の基板Ｗに一括してスパッタ粒子を斜めに照射することができ、均一性を確保しつつ効率良く斜め成膜を行うことができる。
【００４０】
また、複数の通過孔４１を放射状に等間隔で設け、同数の載置台２２をベース部材２１に等間隔で設けて、複数の基板Ｗを、それぞれ対応する通過孔４１の下を同時に通過させて成膜するので、一層効率良く成膜を行うことができる。
【００４１】
また、基板Ｗに対して、一つの通過孔４１を通過したスパッタ粒子による成膜を行った後、さらに成膜を継続する場合は、第１の駆動機構２８を停止し、第２の駆動機構２９により複数の載置台２２を回転させる。このとき、第２の駆動機構２９を動作させることにより、ベルト駆動（または歯車機構）による動力伝達機構を介して、複数の載置台２２を同期させて同じ回転角度で回転させる。すなわち、通過孔４１は放射状に等間隔で設けられており、通過孔４１の個数をｎとすると、隣接する通過孔４１どうしの角度が（３６０／ｎ）°である。したがって、次の通過孔４１を通過したスパッタ粒子を照射する際には、第２の駆動機構２９により、載置台２２を３６０°／ｎ回転させる。本例の場合は、通過孔４１の個数が４であるため、載置台２２を（３６０／４）°、すなわち９０°回転させる。そして、その後、同様に、第２の駆動機構２９を停止して、第１の駆動機構２８によりベース部材２１を回転させ、複数の載置台２２を、同じ向きを保ったまま回転軸２４に対して公転させる。これにより、基板Ｗに照射されるスパッタ粒子の平面方向を、従前の通過孔４１を用いた場合と同じ方向に揃えることができる。このため、これを繰り返すことにより、複数の基板Ｗに対して斜め成膜を継続することができ、均一性および効率がよい斜め成膜を任意の厚さで行うことができる。
【００４２】
このとき時間に余裕があれば、第１の駆動機構２８によるベース部材２１の回転を停止せずに第２の駆動機構２９による載置台２２の回転を行ってもよい。また、第１の駆動機構２８によりベース部材２１の回転を行っている際に、微調整等を目的として第２の駆動機構２９により載置台２２を回転させてもよい。
【００４３】
＜他の適用＞
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００４４】
例えば、上記実施形態のスパッタ粒子を放出させる手法は例示であり、他の方法でスパッタ粒子を放出させてもよい
【００４５】
また、基板を載置する載置台の数は、上記実施形態のように４つに限らず、２つ以上であればよい。
【００４６】
さらに、上記実施形態では、ターゲットおよび通過孔を基板（載置台）と同数である４つとした例について示したが、ターゲットおよび通過孔の数は限定されず、１つ以上であればよい。
【符号の説明】
【００４７】
１；成膜装置
１０；処理チャンバ
１０ａ；チャンバ本体
１０ｂ；蓋体
２０；ベース部材
２２；載置台
２８；第１の駆動機構
２９；第２の駆動機構
３０；スパッタ粒子放出部
３１；ターゲットホルダ
３２；ターゲット
３３；電源
４０；スパッタ粒子遮蔽板
４１；通過孔
５０；排気機構
６０；制御部
Ｓ；処理空間
Ｗ；基板
【図１】
2019199639.tif 000003
【図２】
2019199639.tif 000004
【図３】
2019199639.tif 000005