(57)【要約】【課題】Ｓｉドロップレット発生の十分な抑制を図ることが可能なＳｉＣ粉末を提供する。【解決手段】α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ粉末であって、α−ＳｉＣの含有率が７０質量％以上、β−ＳｉＣの含有率が３０質量％以下であり、かつ、α−ＳｉＣのうち、ポリタイプが６Ｈのものが７０質量％以上、ポリタイプが１５Ｒのものが３０質量％以下存在し、ポリタイプが４Ｈのものが存在しない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ粉末であって、
α−ＳｉＣの含有率が７０質量％以上、β−ＳｉＣの含有率が３０質量％以下であり、かつ、前記α−ＳｉＣのうち、ポリタイプが６Ｈのものが７０質量％以上、ポリタイプが１５Ｒのものが３０質量％以下存在し、ポリタイプが４Ｈのものが存在しないことを特徴するＳｉＣ粉末。
【請求項２】
アチソン法でＳｉＣの塊状物を得る工程と、
前記塊状物を複数の部位に分けて粉砕して複数種のＳｉＣ粉末を得る工程と、
前記複数種のＳｉＣ粉末における、ポリタイプが１５Ｒのα−ＳｉＣ、ポリタイプが６Ｈのα−ＳｉＣ、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣ及びβ−ＳｉＣの各含有率を測定する工程と、
前記複数種のＳｉＣ粉末のうちポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣの含有率が０質量％である複数種のＳｉＣ粉末を混合して、請求項１に記載のＳｉＣ粉末を得る工程とを備えることを特徴とするＳｉＣ粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ（炭化珪素）粉末、特に昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に原料粉末として用いられるＳｉＣ粉末、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣ単結晶は、優れた電気特性を有しており、省エネルギー志向が高まる近年においてＳｉ（シリコン）に代わるパワー半導体用基板の材料として注目されている。
【０００３】
ＳｉＣ単結晶の製造方法として、原料であるＳｉＣ粉末を２０００℃以上の高温条件下において昇華させ、ＳｉＣを単結晶成長させる昇華再結晶法（改良レーリー法）がよく知られており、工業的に広く使用されている。
【０００４】
昇華再結晶法においては、ＳｉＣの原料粉末から発生する昇華ガス量が多いほど、ＳｉＣ単結晶の成長が促進され、生産効率が向上する。しかしながら、昇華ガスが短時間で急激に発生すると、Ｓｉドロップレットと呼ばれるＳｉ粒を起点する転移欠陥が発生し、ＳｉＣ単結晶の品質が低下する。
【０００５】
そこで、特許文献１には、種結晶をアニール処理して加工変質層を取り除くことによって、特許文献２，３には、昇華装置の形状を適宜なものとすることによって、Ｓｉドロップレットの発生を抑制することが開示されている。
【０００６】
なお、特許文献４，５には、昇華再結晶法に用いるＳｉＣの原料粉末において、α−ＳｉＣの割合が３０質量％以下であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５１３５５４５号公報
【特許文献２】特開２０１７−６５９３４号公報
【特許文献３】特開２０１６−１７００１号公報
【特許文献４】特開２００３−２７９４号公報
【特許文献５】特開２００３−７３１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願の発明者は、原料粉末の反応性が昇華ガスの発生に影響すること、さらに、原料粉末におけるβ−ＳｉＣの割合が高いほど反応が急激に進行することを見出した。
【０００９】
しかしながら、原料粉末におけるα−ＳｉＣの割合を高め、β−ＳｉＣの割合を低めても、Ｓｉドロップレットの発生を十分に抑制することができないという課題があった。
【００１０】
本発明は、Ｓｉドロップレット発生の十分な抑制を図ることが可能なＳｉＣ粉末及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のＳｉＣ粉末は、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ粉末であって、α−ＳｉＣの含有率が７０質量％以上、β−ＳｉＣの含有率が３０質量％以下であり、かつ、前記α−ＳｉＣのうち、ポリタイプが６Ｈのものが７０質量％以上、ポリタイプが１５Ｒのものが３０質量％以下存在し、ポリタイプが４Ｈのものが存在しないことを特徴する。
【００１２】
本発明のＳｉＣ粉末を昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶を製造する際の原料粉末として用いれば、後述する実施例から分かるように、Ｓｉドロップレット発生の抑制を図ることが可能となる。α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ粉末は、例えば一次粒子の凝集体からなり、アチソン法によって製造すればよい。
【００１３】
本発明のＳｉＣ粉末の製造方法は、アチソン法でＳｉＣの塊状物を得る工程と、前記塊状物を複数の部位に分けて粉砕して複数種のＳｉＣ粉末を得る工程と、前記複数種のＳｉＣ粉末における、ポリタイプが１５Ｒのα−ＳｉＣ、ポリタイプが６Ｈのα−ＳｉＣ、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣ及びβ−ＳｉＣの各含有率を測定する工程と、前記複数種のＳｉＣ粉末のうちポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣの含有率が０質量％である複数種のＳｉＣ粉末を混合して、請求項１に記載のＳｉＣ粉末を得る工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明のＳｉＣ粉末の製造方法によれば、前記本発明のＳｉＣ粉末を容易に得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末について説明する。このＳｉＣ粉末は、昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、原料粉末として用いられる。
【００１７】
ここで、昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶を製造する方法について説明する。
【００１８】
まず、原料であるＳｉＣ粉末を例えば黒鉛製の坩堝内に配置し、この坩堝を加熱装置内に配設する。ただし、ＳｉＣ粉末が中に配置される容器は、黒鉛製の坩堝に限定されず、昇華再結晶法で単結晶ＳｉＣを製造する際に使用されるものであればよい。
【００１９】
そして、坩堝内の雰囲気をアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気とした減圧下で、坩堝内の原料が２０００〜２５００℃となるように加熱する。ただし、坩堝の蓋の下面のＳｉＣ単結晶が成長する部分は、これより１００℃程度温度低くなるようにしておく。
【００２０】
この加熱を数時間から数十時間持続させる。これにより、原料であるＳｉＣ粉末が昇華して昇華ガスとなり、蓋の下面に到達して単結晶化し、この単結晶が成長することによりＳｉＣ単結晶の塊状物を得ることができる。
【００２１】
本発明において、原料であるＳｉＣ粉末は、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣが混合された粉末からなる。このようなＳｉＣ粉末は、例えばアチソン法によって製造すればよい。このようなα−ＳｉＣとβ−ＳｉＣが混合された粉末において、ＳｉＣ粉末に含有されているβ−ＳｉＣは、昇華再結晶法におけるＳｉＣの単結晶化工程において２０００℃以上に加熱されると、粉末状態を保持したままα−ＳｉＣに相転移してガス化するため、反応性が良好であると考えられる。
【００２２】
そして、ＳｉＣ粉末は、α−ＳｉＣの含有率が７０質量％以上、β−ＳｉＣの含有率が３０質量％以下である。これは、β−ＳｉＣの含有量が３０質量％を超えると、昇華再結晶法におけるＳｉＣの単結晶化工程において、上述したように粉末状態のままα−ＳｉＣに相転移するので、昇華ガスが急激に発生するため、後述する比較例から分かるように、Ｓｉドロップレットの発生を十分に抑制することができないからである。
【００２３】
なお、ＳｉＣ粉末は、α−ＳｉＣ（ポリタイプは６Ｈ、１５Ｒ、４Ｈ）の含有率が８０質量％以上、β−ＳｉＣ（ポリタイプは３Ｃ）の含有率が２０質量％以下であることがより好ましい。これは、後述する実施例から分かるように、Ｓｉドロップレットの発生をさらに抑制することが可能となるからである。
【００２４】
また、ＳｉＣ粉末は、α−ＳｉＣのうち、ポリ（多形）タイプが６Ｈのものが７０質量％以上、ポリタイプが１５Ｒのものが３０質量％以下存在し、ポリタイプが４Ｈのものが存在しない。これは、ポリタイプが６Ｈ及び１５Ｒのα−ＳｉＣと比較して熱力学的に安定性が低いポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣが存在すると、低温で速やかにガス化するので、昇華ガスの発生が増加し、Ｓｉドロップレット発生の十分な抑制を図ることができないからである。
【００２５】
そして、α−ＳｉＣのうち、ポリタイプが６Ｈのものが７０質量％未満、ポリタイプが１５Ｒのものが３０質量％を超えて存在し、ポリタイプが１５Ｒのα−ＳｉＣと比較してＳｉＣ単結晶の成長条件の温度域、例えば２１００℃から２３００℃の温度域において、熱的安定性が非常に高いポリタイプが６Ｈのα−ＳｉＣの割合が増加すると、昇華ガスの発生が増加し、Ｓｉドロップレット発生の十分な抑制を図ることができないからである。
【００２６】
なお、ＳｉＣ粉末は、ポリタイプが６Ｈのものが８０質量％以上、ポリタイプが１５Ｒのものが２０質量％以下であることがより好ましい。これは、後述する実施例から分かるように、Ｓｉドロップレット発生のさらなる抑制を図ることが可能となるからである。
【００２７】
また、上述したように、α−ＳｉＣの含有率が多く、β−ＳｉＣの含有率が低いほど、Ｓｉドロップレットの発生を抑制する効果は高くなる。そのため、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣが少量存在していたとしても、α−ＳｉＣの含有率が十分に多く、β−ＳｉＣの含有率が十分に低ければ、Ｓｉドロップレットの発生を抑制する効果は奏されると推測されるが確かではない。
【００２８】
なお、ＳｉＣ粉末の純度、粒度及びブレーン比表面積などは、昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に原料粉末として使用される従来のＳｉＣ粉末と同様であればよい。
【００２９】
以下、本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末の製造方法について図１を参照して説明する。
【００３０】
まず、アチソン法でＳｉＣの塊状物を得る塊状物形成工程Ｓ１を行う。なお、アチソン法における焼成温度などの各種条件を変更することによって、含有されるポリタイプの割合が異なる複数のＳｉＣの塊状物を得てもよい。
【００３１】
次に、塊状物形成工程Ｓ１で得た塊状物を複数の部位に分けて粉砕して複数種のＳｉＣ粉末を得る粉砕工程Ｓ２を行う。なお、複数種のＳｉＣ粉末に、市販のＳｉＣ粉末が含まれていてもよい。塊状物形成工程Ｓ１及び分配工程Ｓ２については、後で詳述する。
【００３２】
次に、粉砕工程Ｓ２で得た複数種のＳｉＣ粉末における、ポリタイプが１５Ｒのα−ＳｉＣ、ポリタイプが６Ｈのα−ＳｉＣ、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣ及びβ−ＳｉＣの各含有率を測定する測定工程Ｓ３を行う。
【００３３】
なお、各ポリタイプの含有量は、ＳｉＣ粉末を粉末Ｘ線回折法で各回折線の強度を測定し、連立方程式や回帰分析を用いて、定量することができる。例えば、「粉末Ｘ線回折図形によるＳｉＣ多形含有量の簡単な計算法」（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ ｊａｐａｎ、１０１[１１]、１３１３−１３１４、（１９９３）に準じて求めることができる。
【００３４】
次に、粉砕工程Ｓ２で得た複数種のＳｉＣ粉末のうちポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣの含有率が０質量％である複数種のＳｉＣ粉末を混合して、上記本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末を得る混合工程Ｓ４を行う。すなわち、上記本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末が得られるように、複数種のＳｉＣ粉末を、測定工程Ｓ３で測定した含有率を考慮して適宜な割合で混合する。なお、測定工程Ｓ３で測定した含有率が本発明のＳｉＣ粉末における全ての含有率の範囲を満たしている場合には、混合工程Ｓ４を省略して、単一種のＳｉＣ粉末を上記本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末としてもよい。
【００３５】
次に、塊状物形成工程Ｓ１について説明する。
【００３６】
塊状物形成工程Ｓ１は、Ｓｉ（珪素）を含む無機珪酸質原料及び炭素を含む炭素質原料を混合して得たＳｉＣ製造用原料を、アチソン炉で焼成し、ＳｉＣからなる塊状物を得るものである。
【００３７】
無機珪酸質原料としては、珪石などの結晶質シリカ、シリカフューム、シリカゲル等の非結晶シリカが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。無機珪酸質原料の平均粒径は、焼成時の環境、原料の状態（結晶質、非結晶質）、炭素質材料との反応性などによって、適宜選ばれる。
【００３８】
炭素質材料としては、例えば、天然黒鉛、人工黒鉛等の結晶性カーボン、カーボンブラック、コークス、活性炭等の非晶質カーボンが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。炭素質原料の平均粒径は、焼成時の環境、原料の状態（結晶質、非結晶質）、及び炭素質材料との反応性などによって、適宜選ばれる。
【００３９】
無機珪酸質原料と炭素質原料とを混合して、ＳｉＣ粉末用の原料を調整する。この際の混合方法は任意であり、湿式混合、乾式混合の何れであってもよい。混合の際の無機珪酸質材料と炭素質原料の混合モル比（Ｃ／Ｓｉ）は、焼成時の環境、ＳｉＣ粉末用原料の粒径、反応性などを考慮して、最適なものを選択する。ここでいう「最適」とは、焼成によって得られるＳｉＣの収量を向上させ、且つ、無機珪酸質材料及び炭素質材料の未反応の残存量を小さくさせることを意味する。
【００４０】
得られた混合粉末（ＳｉＣ製造用の原料）をアチソン炉で２５００℃以上で焼成して、塊状のＳｉＣを得る。アチソン炉は、一般的なものを用いればよい。
【００４１】
なお、本明細書中、「アチソン炉」とは、上方が開口して箱型の間接抵抗加熱炉をいう。ここで、間接抵抗加熱とは、被加熱物に電流を直接流すのではなく、電流を流して発熱させた発熱体によってＳｉＣを得るものである。また、このようなアチソン炉の具体的構成の一例は、特開２０１３−１１２５４４号公報に記載されている。
【００４２】
このような炉を用いることにより、式（１）に示した反応が生じ、ＳｉＣからなる塊状物が得られる。
ＳｉＯ２＋３Ｃ→ＳｉＣ＋２ＣＯ  ・・・（１）
【００４３】
アチソン炉の発熱体の種類は、電気を通すことができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、黒鉛粉、カーボンロッド等が挙げられる。
【００４４】
発熱体を構成する物質の形態は、特に限定されず、例えば、粉状、塊状等が挙げられる。発熱体は、アチソン炉の通電方向の両端に設けられた電極芯を結ぶように全体として棒状の形状になるように設けられる。ここでの棒状の形状とは例えば、円柱状、角柱状等が挙げられる。
【００４５】
通電後、炉内にＳｉＣからなる塊状物が生成する。そして、炉内が常温になるまで、アルゴンガス等の不活性ガスを導入して空冷を行う。
【００４６】
次に、粉砕工程Ｓ２について説明する。
【００４７】
塊状物形成工程Ｓ１で得られたＳｉＣ単結晶の塊状物は、部位によって、ＳｉＣの結晶構造の割合が異なる。例えば、一般的には、電極に近い内側ほどα−ＳｉＣの割合が高くてβ−ＳｉＣの割合が低く、逆に電極から遠い外ほどβ−ＳｉＣの割合が高くてα−ＳｉＣの割合が低い。また、α−ＳｉＣのなかでも、電極に近い内側から外側に行くほどポリタイプが４Ｈ、１５Ｒ、６Ｈの順に割合が高くなる。
【００４８】
さらに上記のような割合は、焼成温度によっても変化し、例えば、焼成温度が高いほどα−ＳｉＣの割合が高くてβ−ＳｉＣの割合が低く、逆に焼成温度が低いほどβ−ＳｉＣの割合が高くてα−ＳｉＣの割合が低い。また、焼成温度がある程度低いとポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣは全く生成されない。なお、本発明の実施形態に係るＳｉＣ粉末はポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣを含まないので、塊状物形成工程Ｓ１においては、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣは全く生成されないように焼成温度をある程度低くすることが好ましい。
【００４９】
そこで、粉砕工程Ｓ２においては、塊状物形成工程Ｓ１において得られたＳｉＣからなる塊状物を、適宜な複数の部位に分けたうえで粉砕する。これにより、ポリタイプが１５Ｒのα−ＳｉＣ、ポリタイプが６Ｈのα−ＳｉＣ、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣ及びβ−ＳｉＣの各含有率が異なる複数種のＳｉＣ粉末を得ることができる。
【００５０】
なお、粉砕工程Ｓ２における粉砕方法は、特に限定されないが、例えば、粉砕機としてジョークラッシャー、ボールミル、ディスクグラインダー等を用いた粉砕方法が挙げられる。
【００５１】
そして、粉砕工程Ｓ２においては、所望の粒径に応じたふるいなどを用いて、粉砕物を分級することが好ましい。分級は、ふるいを用いた方法が最も簡便であり、好ましい。ただし、分級は、ふるいを用いた方法に限定されず、乾式、湿式の何れでもよい。また、乾式の分級として、気流を用いた例えば遠心式の分級方法を用いることもできる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。ただし、本発明は実施例に限定されない。
【００５３】
（実施例１〜６）
まず、塊状物形成工程Ｓ１のおける無機珪酸質原料としてシリカ（非晶質シリカ）を、炭素質原料としてカーボンブラック（アモルファスカーボン）を用意した。そして、これらの原料を２軸ミキサーを用いて、炭素と珪素のモル比（Ｃ／ＳｉＯ２）が３．０となるように混合して、ＳｉＣ粉末製造用の原料を得た。
【００５４】
そして、この原料を、中心温度を２５００℃以上としたアチソン炉で１６時間焼成した。これにより、ＳｉＣの塊状物を得た。
【００５５】
次に、粉砕工程Ｓ２において、得られた塊状物を電極からの遠近に応じて６個の部位に分配したうえで、ジョークラッシャーで粉砕し、ふるい分けで３ｍｍ以下のＳｉＣ粉末とした。これらＳｉＣ粉末を、ボールミルを用いて粉砕して、６種のＳｉＣ粉末を得た。
【００５６】
次に、測定工程Ｓ３において、各ＳｉＣ粉末を粉末Ｘ線回折法で測定し、ポリタイプの含有量を、「粉末Ｘ線回折図形によるＳｉＣ多形含有量の簡単な計算法」（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ ｊａｐａｎ、１０１[１１]、１３１３−１３１４、（１９９３）に準じて求めた。なお、本実施例では、ポリタイプの含有量を、回帰分析を用いて求めた。
【００５７】
次に、混合工程Ｓ４において、粉砕工程Ｓ３においてポリタイプの含有量を考慮して、複数種のＳｉＣ粉末を適宜な割合で混合して、又は単一種のＳｉＣ粉末のみを原料材料とした。測定工程Ｓ３における測定結果と混合割合とから求めた各実施例におけるポリタイプの含有量は、表１に示す通りであった。
【００５８】
次に、各実施例において、それぞれのＳｉＣ粉末１０００ｇを、黒鉛製の坩堝内に収容した。ここで、坩堝の上蓋には、種結晶として、研磨によりＳｉ面が表れている単結晶板を設置した。
【００５９】
坩堝内をアルゴン雰囲気且つ１Ｔｏｒｒの圧力下とした状態で、坩堝のＳｉＣ粉末の周囲部分の温度が２２００℃となるように、坩堝の蓋の温度が２３００℃となるように加熱した。そして、種結晶上に成長したＳｉＣ単結晶の厚みが１０ｍｍになるまで加熱を継続した。その後、坩堝内を空冷した。
【００６０】
得られたＳｉＣ単結晶の表面を研磨し、１．０ｃｍ２当たりのＳｉドロップレット数を光学顕微鏡により目視で観察した。後述する比較例２のＳｉドロップレット数に対する割合は表１に示す通りであった。
【００６１】
表１から分かるように、実施例１〜６においては、α−ＳｉＣの含有率が７０質量％以上、β−ＳｉＣの含有率が３０質量％以下であり、かつ、α−ＳｉＣのうち、ポリタイプが６Ｈのものが７０質量％以上、ポリタイプが１５Ｒのものが３０質量％以下存在し、ポリタイプが４Ｈのものが存在せず、比較例２と比較してＳｉドロップレット数が５０％以下に抑制されることが分かった。
【００６２】
さらに、α−ＳｉＣの含有率が高いほど、β−ＳｉＣの含有率が低いほど、Ｓｉドロップレット数が減少し、特に、３０質量％以下であり、α−ＳｉＣの含有率が８０質量％以上、β−ＳｉＣの含有率が２０質量％以下であれば、比較例２と比較してＳｉドロップレット数が３０％以下と良好に抑制されることが分かった。
【００６３】
また、実施例６は、実施例５と比較すると、α−ＳｉＣの含有率が低く、β−ＳｉＣの含有率が高いが、Ｓｉドロップレット数がより抑制されていた。これは、Ｓｉドロップレット数の抑制効果は、α−ＳｉＣ及びβ−ＳｉＣの含有率にのみ依存するのではなく、α−ＳｉＣのポリタイプ６Ｈ、１５Ｒの割合にも依存することを意味する。すなわち、ポリタイプが６ＨのαーＳｉＣの含有率が高いほど、ポリタイプが１５ＲのαーＳｉＣの含有率が低いほど、Ｓｉドロップレット数が抑制されることが分かった。
【００６４】
（比較例１，２）
塊状物形成工程Ｓ１におけるアチソン炉内の中心温度を２０００℃以上としてことを除いては、実施例１〜６と同様にして、複数種のＳｉＣ粉末を得た。混合工程Ｓ４後に得られた各比較例におけるポリタイプの含有量は、表１に示す通りであった。
【００６５】
そして、実施例１〜６と同様にして、坩堝内にＳｉＣ単結晶を成長させた。得られたＳｉＣ単結晶の表面を研磨し、光学顕微鏡により目視でＳｉドロップレット数を数えた。後述する比較例２のＳｉドロップレット数に対する相対値は表１に示す通りであった。
【００６６】
表１から分かるように、比較例１，２においては、α−ＳｉＣの含有率が７０質量％以下、β−ＳｉＣの含有率が３０質量％以上であって、かつ、ポリタイプが４Ｈのα−ＳｉＣが存在しており、Ｓｉドロップレット数が多かった。
【００６７】
実施例１〜６及び比較例１，２の結果を表１にまとめた。
【００６８】
【表１】
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【図１】
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