(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の変形を修正するための方法及び装置を提供する。【解決手段】基板支持体５００は、基部５０２から上向きに延びている壁５０６によって形成された内部領域を有する基部と、内部領域内に配置された複数の赤外線ランプ５０７と、複数の赤外線ランプの上に配置されて、基板を支持する支持面５１２を含む支持プレート５０８と、支持プレートの上に配置されて、支持面に対応する中心開口部５１４と、カバープレートの頂面の周囲に排気部５１６とを有し、排気部はカバープレートの上の空間とカバープレートに形成された排気導管とを流体連結させる複数の穿孔５２２を有するカバープレート５１０と、を含む。【選択図】図５
2019110290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部から上向きに延びている壁によって形成された内部領域を有する基部であって、前記壁は前記基部の周囲内に配置されている、基部と、
前記内部領域内に配置された複数の赤外線ランプと、
前記複数の赤外線ランプの上に配置された支持プレートであって、基板を支持する支持面を含む支持プレートと、
前記支持プレートの上に配置されたカバープレートであって、前記支持面に対応する中心開口部と、前記カバープレートの頂面の周囲に排気部を有し、前記排気部は前記カバープレートの上の空間と前記カバープレートに形成された排気導管とを流体連結させる複数の穿孔を含む、カバープレートと
を備える、基板支持体。
【請求項２】
前記支持プレートは、
前記支持プレートの中心に近接して配置された貫通孔と、
前記貫通孔から外向きに延びている複数のチャネルと
を備え、前記貫通孔と前記複数のチャネルは、前記基板の底面全体に真空チャック力を分散させるように構成されている、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記複数の赤外線ランプは、１〜４個の加熱ゾーンを含む、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記基部は、前記基部に形成された冷却剤チャネルを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記支持プレートは、石英で形成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記カバープレートは、アルミニウム又はステンレス鋼で形成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項７】
複数のリフトピンを有するリフトピンアセンブリを更に備え、
前記基部は、前記複数のリフトピンに対応する第１の複数の孔を含み、前記支持プレートは、前記リフトピンアセンブリが持ち上がった位置にあるときに、前記複数のリフトピンが前記第１の複数の孔と第２の複数の孔とを通って延びるように、前記第１の複数の孔に対応し且つ前記第１の複数の孔に合わせてアライメントされている、第２の複数の孔を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項８】
ガス注入口と、上方プレートから下向きに延びている壁によって形成された内部領域とを有する上方プレートであって、前記壁は、前記上方プレートの周囲内に配置されている上方プレートと、
前記内部領域内に配置された複数の赤外線ランプと、
前記内部領域内の前記複数の赤外線ランプを支持するように、前記複数の赤外線ランプの下に配置された保持プレートと、
複数の開孔を有し、前記保持プレートの下に配置されたブロッカプレートであって、前記保持プレートとともにプレナムを形成する凹部を含み、前記複数の開孔は前記凹部に配置されている、ブロッカプレートと、
ガスを前記プレナムへ供給するために前記ガス注入口から延び、前記保持プレートを通るガス導管と、
前記ブロッカプレートの下に配置され、前記凹部に対応する中心開口部を有するカバープレートであって、前記保持プレートと前記ブロッカプレートとを前記上方プレートに連結するために、前記上方プレートの前記壁の頂部に連結されている、カバープレートと
を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項９】
前記ガス注入口に連結されたガス供給ラインであって、前記ガス供給ラインを通過するガスを加熱するように構成されたヒータを含む、ガス供給ライン
を更に備える、請求項８に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１０】
前記複数の赤外線ランプは、１〜４個の加熱ゾーンを含む、請求項８に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１１】
前記上方プレートは、前記上方プレートに形成された冷却剤チャネルを含む、請求項８から１０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１２】
前記ブロッカプレートは石英で形成されている、請求項８から１０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１３】
前記カバープレートは、アルミニウムまたはステンレス鋼で形成されている、請求項８から１０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１４】
処理領域を有するチャンバ本体と、
前記処理領域の下部に配置された基板支持体であって、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持体と、
前記基板支持体の反対側の前記処理領域の上部に配置されたシャワーヘッドアセンブリであって、請求項８から１０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドアセンブリと
を備える、処理チャンバ。
【請求項１５】
第１の複数の赤外線ランプに電気接続された第１の電力供給装置と、
前記第１の電力供給装置を制御するために、前記第１の電力供給装置に連結された第１の温度コントローラと、
第２の複数の赤外線ランプに電気接続された第２の電力供給装置と、
前記第２の電力供給装置を制御するために、前記第２の電力供給装置に連結された第２の温度コントローラと
を更に備える、請求項１４に記載の処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は概して、基板の変形を修正することに関する。
【０００２】
［０００２］基板のパッケージングにおいてダイをカプセル封止するために、エポキシモールド化合物が使用される。これらの化合物は、熱処理後に、不均一な加熱及び冷却に起因する曲がり及び反りを起こし、現在の処理機器における非均一な膨張／収縮率の原因となる。従来の熱処理では、放射、対流又は導電性熱処理を介した指方向性熱伝達が用いられる。指方向性により、膨張及び収縮率が異方的になる。ほぼ熱可塑性の形態で動作中、非均一な冷却、そしてその後の収縮率により、反った基板が生じる。上記反り及び曲がりの影響は頻繁に見られ、これは基板が、ほぼ基板の熱可塑性の形態で処理されていることを示唆し、許容レベルを超える反りが引き起こされる。
【０００３】
［０００３］したがって、発明者らは、基板の変形を修正するための方法および装置の実施形態を提供した。
【発明の概要】
【０００４】
［０００４］基板の変形を修正するための方法及び装置の実施形態が、本書に提供されている。ある実施形態では、基板支持体は、基部から上向きに延びている壁によって形成された内部領域を有する基部であって、壁は基部の周囲内に配置されている、基部と、内部領域内に配置された複数の赤外線ランプと、複数の赤外線ランプの上に配置された支持プレートであって、基板を支持する支持面を含む支持プレートと、支持プレートの上に配置されたカバープレートであって、支持面に対応する中心開口部と、カバープレートの頂面の周囲に排気部とを有し、排気部はカバープレートの上の空間とカバープレートに形成された排気導管とを流体連結させる複数の穿孔を含む、カバープレートとを含む。
【０００５】
［０００５］ある実施形態では、シャワーヘッドアセンブリは、ガス注入口と、上方プレートから下向きに延びている壁によって形成された内部領域とを有する上方プレートであって、壁は上方プレートの周囲内に配置されている、上方プレートと、内部領域内に配置された複数の赤外線ランプと、内部領域内の複数の赤外線ランプを支持するように、複数の赤外線ランプの下に配置された保持プレートと、複数の開孔を有し、保持プレートの下に配置されたブロッカプレートであって、保持プレートとともにプレナムを形成する凹部を含み、複数の開孔は凹部に配置されている、ブロッカプレートと、ガスをプレナムへ供給するためにガス注入口から延び、保持プレートを通るガス導管と、ブロッカプレートの下に配置され、凹部に対応する中心開口部を有するカバープレートであって、保持プレートとブロッカプレートとを上方プレートに連結するために、上方プレートの壁の頂部に連結されている、カバープレートと含む。
【０００６】
［０００６］ある実施形態では、処理チャンバは、処理領域を有するチャンバ本体と、処理領域の下部に配置された基板支持体と、基板支持体の反対側の処理領域の上部に配置されたシャワーヘッドアセンブリとを含む。基板支持体は、基部から上向きに延びている第１の壁によって形成された第１の内部領域を有する基部であって、第１の壁は基部の周囲内に配置されている、基部と、第１の内部領域内に配置された第１の複数の赤外線ランプと、第１の複数の赤外線ランプの上に配置された支持プレートであって、基板を支持する支持面を含む支持プレートと、支持プレートの上に配置された第１のカバープレートであって、支持面に対応する第１の中心開口部と、第１のカバープレートの頂面の周囲に排気部とを有し、排気部は処理領域と第１のカバープレートに形成された排気導管とを流体連結させる複数の穿孔を含む、カバープレートとを含む。シャワーヘッドアセンブリは、ガス注入口と、上方プレートから下向きに延びている第２の壁によって形成された第２の内部領域とを有する上方プレートであって、第２の壁は上方プレートの周囲内に配置されている、上方プレートと、第２の内部領域内に配置された第２の複数の赤外線ランプと、第２の内部領域内の第２の複数の赤外線ランプを支持するように、第２の複数の赤外線ランプの下に配置された保持プレートと、複数の開孔を有し、保持プレートの下に配置されたブロッカプレートであって、保持プレートとともにプレナムを形成する凹部を含み、複数の開孔は凹部に配置されている、ブロッカプレートと、ガスをプレナムへ供給するためにガス注入口から延び、保持プレートを通るガス導管と、ブロッカプレートの下に配置され、凹部に対応する第２の中心開口部を有する第２のカバープレートであって、保持プレートとブロッカプレートとを上方プレートに連結するために、上方プレートの第２の壁の頂部に連結されている、第２のカバープレートとを含む。
【０００７】
［０００７］本開示の他の実施形態及び更なる実施形態について、以下で説明する。
【０００８】
［０００８］上記で簡潔に要約され、以下でより詳細に説明される本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することにより、理解することができる。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容しうることから、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、従って、範囲を限定していると見なされるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の幾つかの実施形態に係る基板処理システムを示すブロック図である。
【図２】本開示の幾つかの実施形態に係る基板の変形を修正するための方法を示すフロー図である。
【図３】本開示の幾つかの実施形態に係る基板処理システムを示すブロック図である。
【図４】本開示の幾つかの実施形態に係る基板の変形を修正するための方法を示すフロー図である。
【図５】本開示の幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す組立分解等角図である。
【図６】本開示の幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す断面図である。
【図７】本開示の幾つかの実施形態に係るシャワーヘッドアセンブリを示す組立分解等角図である。
【図８】本開示の幾つかの実施形態に係るシャワーヘッドアセンブリを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［００１７］理解しやすくするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用されている。図は縮尺どおりには描かれておらず、明確性のために簡略化されていることがある。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことが可能である。
【００１１】
［００１８］基板の変形を修正するための方法及び装置の実施形態が、本書に提供される。本方法及び装置は、前処理の間に基板の加熱及び／又は冷却に起因して曲がった又は反った基板、特にエポキシコーティングを有する基板を有益に平坦化することができる。
【００１２】
［００１９］図１は、本開示の実施形態に係る本開示の幾つかの実施形態に係る本発明の方法を実施するのに好適な基板処理システム１００を示すブロック図である。図１に示すように、基板処理システム１００は、処理領域１０３を囲むチャンバ１０２と、基板１０６を支持するための支持体１０４と、リフトピンアセンブリ１０７と、真空源１１０と、熱伝達供給装置１１３と、放射熱源（ランプアレイ１１２）と、ランプドライバ１１４と、コントローラ１１６と、ＡＣ電源１１８とを備える。処理領域１０３内の温度を制御するために、一または複数の温度センサと、関連のハードウェア（図示せず）が配設され、コントローラに連結されうる。基板１０６は例えば、半導体ウエハである。基板１０６は、基板１０６に配置されたエポキシコーティングを含みうる。
【００１３】
［００２０］リフトピンアセンブリ１０７は、支持体１０４に形成された対応する複数のリフトピンチャネル１０５を通って延びる複数のリフトピン１０９を含む。リフトピンアセンブリ１０７は、支持体１０４の支持面１１７上に基板１０６を持ち上げる、又は支持体１０４の支持面１１７から基板１０６を下げるために、（モータ又はアクチュエータ等の）駆動機構１０８によって持ち上げられ、また下げられうる。チャンバ１０２は更に、開口部１１９を含んでいてよく、これを通ってロボットのアーム（図示せず）が延び、基板１０６を複数のリフトピン１０９上に挿入する／基板１０６を複数のリフトピン１０９から取り外す。リフトピンアセンブリ１０７は、基板がランプアレイ１１２に近接する第１の位置と、基板１０６が支持面１１７上に置かれる第２の位置と間で移動可能である。幾つかの実施形態では、基板１０６は、第１の位置において第１の所定の温度まで加熱され、第２の位置において第２の所定の温度まで冷却される。
【００１４】
［００２１］いくつかの実施形態では、支持体１０４は、基板１０６を支持面１１７上にチャッキングするために、真空源１１０が連結された真空チャックである。幾つかの実施形態では、支持体１０４は代替的に、静電チャックであり得る。支持体１０４は、熱伝達供給装置１１３に流体連結された複数の熱伝達チャネル１１１を含む。幾つかの実施形態では、例えば、熱伝達供給装置１１３は、支持体１０４の支持面１１７の上に置かれた基板１０６を冷却するために、熱伝達チャネル１１１に冷却剤を提供しうる。
【００１５】
［００２２］ＡＣ電源１１８は、ＡＣ電力をランプドライバ１１４へ送り、ランプドライバ１１４の動作はコントローラ１１６によって制御される。ランプドライバ１１４は、電力をランプアレイ１１２に分配する。次に、ランプアレイ１１２は、チャンバ１０２内の基板１０６を熱処理するために熱を発する。
【００１６】
［００２３］ある実施形態では、ランプアレイ１１２は、一または複数のランプを含み、一または複数のランプは各々、ランプドライバ１１４を通してコントローラ１１６によって個別に制御されうる。図１に示すように、３つのランプ（１２０、１２２、１２４）を示したが、これより少ない数、あるいは多い数のランプを使用することが可能である。各ランプ１２０、１２２、１２４は、対応する加熱ゾーンに熱を加えるために、コントローラ１１６によって個別に制御されうる。ランプを個別に制御することができるため、加熱ゾーンの温度も制御可能である。
【００１７】
［００２４］図２は、本開示の幾つかの実施形態に係る基板の変形を修正するための方法２００を示すフロー図である。２０５において、変形した（すなわち、反った、曲がった等）基板１０６をリフトピンアセンブリ１０７によってランプアレイ１１２に近接する第１の位置まで持ち上げる。２１０において、基板１０６を、第１の所定の期間の間、所定の温度まで加熱する。所定の温度は、（エポキシコーティングを有する基板において）基板上に配置されたエポキシのガラス転移温度以上であってよい。例えば、基板１０６は、約３０秒〜６０秒の間に約１８０℃〜約２２０℃の温度まで加熱されうる。２１５において、基板１０６を、支持面１１７上の第２の位置まで下げる。２２０において、変形した基板を平坦化するために、基板１０６を支持面１１７にチャッキングさせる。２２５において、基板１０６を冷却し、基板１０６の平坦化された形状を保持するために、第２の所定の期間の間、熱伝達チャネル１１１を通して冷却剤を流す。基板１０６は、例えば約１３０℃以下等の、少なくとも基板のエポキシコーティングのガラス転移温度未満の温度まで冷却される。幾つかの実施形態では、第２の所定の期間は、約３０秒〜約６０秒である。
【００１８】
［００２５］図３は、本開示の実施形態に係る本開示のいくつかの実施形態に係る本発明の方法を実施するのに好適な基板処理システム３００を示すブロック図である。例えば、基板処理システム３００は、第１の処理領域３０４ａと、基板３０５ａ、ｂを支持するために第１の処理領域３０４ａの下部に配置された第１の基板支持体３０６ａとを有する第１の処理チャンバ３０２ａ（すなわち、加熱チャンバ）を備える加熱システム３０１ａを含む。第１の処理チャンバ３０２ａは、大気チャンバ（すなわち非真空チャンバ）又は真空チャンバであってよい。第１の処理チャンバ３０２ａを大気チャンバとして配設することで、システムの費用が有益に削減される。これは、非真空チャンバの製造及び維持が真空チャンバよりも安価だからである。
【００１９】
［００２６］第１の基板支持体３０６ａは、第１の本体３０７ａを支持するために、第１の支持面３０８ａと第１のシャフト３１０ａとを有する第１の本体３０７ａを含みうる。図１にペデスタルタイプの設計で示したが、基板支持体は、支持面と、第１のシャフト３１０ａ又は支持面を支持するための何らかの任意の好適な部材等の部材とを有するいずれかの好適な基板支持体であってよい。ある実施形態では、第１の基板支持体３０６ａは、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミック材料、又は例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を含みうる。第１の基板支持体３０６ａは、例えば真空チャック、静電チャック、クランプ等のチャッキング機構を含まない。第１の基板支持体３０６ａはまた、第１の支持面３０８ａ上に基板を置きやすくなる／第１の支持面３０８ａから基板を取り外しやすくなるように、複数のリフトピンを有するリフトピン機構（図１に示すリフトピンアセンブリ１０７の駆動機構１０８と同様）も含みうる。
【００２０】
［００２７］第１の基板支持体３０６ａは、第１の支持面３０８ａに配置されたときに基板３０５ａ、ｂに熱を加えるために、第１の支持面３０８ａに近接して第１の基板支持体３０６ａに配置された第１のヒータ３２２ａを含む。第１のヒータ３２２ａは、抵抗加熱器等の、基板支持体において使用されるいずれかの好適なヒータであってよい。第１のヒータ３２２ａは、第１のヒータ３２２ａに電力を送るために第１のヒータ３２２ａから第１のシャフト３１０ａを通って延びる一または複数の導電線３２４ａを含みうる。例えば、図３に示すように、一または複数の導電線３２４ａは、第１のヒータ３２２ａを、第１の処理チャンバ３０２ａの外に配置された第１の電力供給装置３２６ａに連結させうる。例えば、一または複数の導電線３２４ａは、第１の電力供給装置３２６ａから第１のヒータ３２２ａへ電力を送るための第１の線と、第１の電力供給装置３２６ａに電力を戻すための第２の線とを含みうる。第１の電力供給装置３２６ａは、交流（ＡＣ）電源、直流（ＤＣ）電源等を含みうる。あるいは（図示していないが）、一または複数の導電線３２４ａは、第１の電力供給装置３２６ａから第１のヒータ３２２ａへ電力を送る単一の導電線であってよい。
【００２１】
［００２８］第１の基板支持体３０６ａは、第１の支持面３０８ａに配置されたときに、第１の基板支持体３０６ａ、第１の支持面３０８ａの温度、又は基板３０５ａ、ｂの温度等の所望の温度を測定するように第１の基板支持体３０６ａに配置された熱電対３２８ａを含みうる。例えば、熱電対３２８ａは、例えば熱電対プローブ等のいずれかの好適な熱電対設計であってよい。熱電対３２８ａは取り外し可能であってよい。図３に示すように、熱電対３２８ａは、第１の支持面３０８ａに近接するように、第１の基板支持体３０６ａの第１のシャフト３１０ａに沿って延びていてよい。図３に示す熱電対３２８ａは単なる例示に過ぎず、熱電対の先端部は、図３に示すように第１のヒータ３２２ａに近接するように延びていてよい、あるいは第１のヒータ３２２ａの上に、第１の支持面３０８ａ（図示せず）に近接するように延びていてよい。熱電対３２８ａの先端部の場所は、基板３０５ａ、ｂの温度、又は例えば第１の支持面３０８ａ等の何らかの他の構成要素の温度のより正確な測定を提供するように、第１の支持面３０８ａに対して調節されうる。熱電対３２８ａは、第１の温度コントローラ３３０ａに動作可能に連結されうる。例えば、第１の温度コントローラ３３０ａは、熱電対３２８ａによって測定される温度に基づいて第１の電力供給装置３２６ａを制御しうる。あるいは、第１の温度コントローラ３３０ａは、第１の処理チャンバ３０２ａの動作を制御しうる第１のコントローラ３４４ａ等のシステムコントローラの一部でありうる、あるいはそれに連結されうる。
【００２２】
［００２９］ある実施形態では、第１の基板支持体は代替的に、例えば図５及び図６に示す基板支持体等の、真空チャックであってよい。図５及び図６はそれぞれ、本開示の幾つかの実施形態に係る基板支持体５００を示す組立分解等角図及び断面図である。ある実施形態では、基板支持体５００は、基部５０２から上向きに延びている壁５０６（第１の壁）によって形成された内部領域５０４（第１の内部領域）を有する基部５０２を含む。幾つかの実施形態では、基部５０２は、基部５０２に形成された冷却剤チャネル６０２（図６）を含む。ある実施形態では、冷却剤チャネル６０２は、壁５０６の外側に配置されうる。
【００２３】
［００３０］複数の赤外線ランプ５０７は、平坦化される基板を加熱するために、内部領域５０４内に配置される。ある実施形態では、複数の赤外線ランプ５０７は、独立して、又はグループで制御されうる複数の加熱ゾーンを含む。ある実施形態では、複数の加熱ゾーンは、１〜４個の加熱ゾーンを含む。複数の赤外線ランプ５０７は各々、約１７０℃〜約２００℃の温度に到達するように構成される。ある実施形態では、複数の赤外線ランプ５０７は各々、約１１０ボルトの電圧と、約３５０ワットの電力定格を有する。しかしながら、複数の赤外線ランプは、所望の結果（すなわち、反った基板の所望の平坦性制御）を達成するために、他の電圧及び電力定格のランプを含みうる。ある実施形態では、複数の赤外線ランプ５０７は、反った基板を約１８０℃〜約２００℃の温度に維持するように構成される。発明者らは、抵抗加熱要素の代わりに赤外線ランプを使用することによって、基板支持体５００の温度が抵抗加熱要素と比べて更に迅速に有益に変化しうることを発見した。
【００２４】
［００３１］基板支持体５００はさらに、複数の赤外線ランプ５０７の上に配置された支持プレート５０８と、支持プレート５０８の上に配置されたカバープレート５１０とを含む。支持プレート５０８は、支持プレート５０８の上で基板を支持するための支持面５１２を含む。カバープレート５１０は、支持面５１２に対応し、支持面５１２を露出する中心開口部５１４を含む。いくつかの実施形態では、支持プレート５０８は、支持プレート５０８の中心に近接して配置された貫通孔５２６と、貫通孔５２６から外向きに延びている複数のチャネル５２８とを含む。貫通孔５２６と複数のチャネル５２８は、平坦化される基板の底面全体に真空チャック力を分散させるように構成される。いくつかの実施形態では、支持プレート５０８は石英で形成される。
【００２５】
［００３２］カバープレート５１０は更に、カバープレート５１０の上面５２０の周囲５１８に排気部５１６を含む。排気部５１６は、カバープレート（すなわち、第１の処理領域３０４ａ）の上の空間を、複数の穿孔５２２の下のカバープレート５１０内に形成された排気導管５２４に流体連結させる複数の穿孔５２２を含む。いくつかの実施形態では、カバープレート５１０は、例えばアルミニウム、ステンレス鋼などの熱伝達材料で形成される。いくつかの実施形態では、カバープレート５１０は第１の複数の孔５４０を含み、対応する複数の固定要素（ボルト、ねじ、クランプなど、図示せず）は第１の複数の孔５４０を通って延び、壁５０６の上面の対応する第２の複数の固定孔５４２の中に挿入され、カバープレート５１０を基部５０２に連結させうる。
【００２６】
［００３３］いくつかの実施形態では、基板支持体５００はさらに、チャンバ（例えば、第１の処理チャンバ３０２ａ）内で基板支持体５００を支持するための複数の支持ポスト５３０を含む。排気導管５２４は、処理チャンバをポンプダウンして、シャワーヘッドを通って処理領域の中へ供給されたガスを排気するように構成されたポンプ６０４に連結された排気ライン５３２に流体連結される。貫通孔５２６は、真空チャッキング供給装置５３４に流体連結される。冷却剤チャネル６０２は、冷却剤チャネル６０２を通して冷却剤を流し、基部５０２を所望の温度に維持するために、冷却剤供給装置６０６に流体連結される。
【００２７】
［００３４］いくつかの実施形態では、基板支持体５００はさらに、複数のリフトピン６１０を有するリフトピンアセンブリ６０８を含む。基部５０２は、複数のリフトピン６１０に対応する第１の複数の孔５３６を含む。支持プレート５０８は同様に、リフトピンアセンブリ６０８が持ち上げられた位置にあるときに、複数のリフトピン６１０が第１の複数の孔５３６と第２の複数の孔５３８とを通って延びるように、第１の複数の孔５３６に対応し、第１の複数の孔５３６に合わせてアライメントされた第２の複数の孔５３８を含む。リフトピンアセンブリ６０８は、リフトピンアセンブリ６０８を持ち上げて、また下ろすように構成されたモータ又はアクチュエータ等のリフト機構６１２を含む。
【００２８】
［００３５］図３を再び参照する。第１の処理チャンバ３０２ａは更に、一または複数の処理ガスを第１の処理領域３０４ａに供給するために、図３に示すように、第１のガスパネル３２１ａに連結された第１の処理領域３０４ａの上部に配置された第１のシャワーヘッド３１９ａを含む。一または複数の処理ガスは、例えば窒素又はアルゴンなどの一または複数の毒性のない不活性ガスを含みうる。第１のシャワーヘッド３１９ａは、一または複数の処理ガスを第１の処理領域３０４ａに送るためのチャンバ構成要素の単なる一例である。代替的に、あるいは組合せて、一または複数の処理ガスを、第１の処理チャンバ３０２ａの壁の周りに配置された側面注入ポート（図示せず）、又は処理チャンバの他の領域内に配置されたガス注入口を介して第１の処理領域３０４ａに送ることができる。いくつかの実施形態では、第１のシャワーヘッド３１９ａは、シャワーヘッドを通って流れる一または複数の処理ガスを加熱するために、シャワーヘッドの基板に向いた面に近接するように第１のシャワーヘッド３１９ａに配置された第２のヒータ３１６ａを含みうる。第２のヒータ３１６ａは、例えば抵抗ヒータ等のシャワーヘッドで使用されるいずれかの好適なヒータであってよい。第２のヒータ３１６ａは、第１の処理チャンバ３０２ａの外側に配置された第２の電力供給装置３５６ａに連結される。第２の電力供給装置３５６ａは、交流電流（ＡＣ）電源、直流（ＤＣ）電源などを含みうる。第２の電力供給装置３５６ａは、第２の電力供給装置３５６ａに動作可能に連結された熱電対３２８ａによって測定された温度に基づいて第２の電力供給装置３５６ａを制御するために、第２の温度コントローラ３６０ａに連結されうる。いくつかの実施形態では、一または複数の処理ガスは代替的に、第１のシャワーヘッド３１９ａに入る前に加熱されうる。
【００２９】
［００３６］ある実施形態では、第１のシャワーヘッドは代替的に、例えば図７及び図８に示すシャワーヘッドアセンブリ等の複数の赤外線ランプを含みうる。図７及び図８はそれぞれ、本開示の幾つかの実施形態に係るシャワーヘッドアセンブリ７００を示す組立分解等角図及び断面図である。いくつかの実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ７００は、ガス注入口７０４と、上方プレート７０２から下向きに延びている壁７０８（第２の壁）によって形成された内部領域７０６（第２の内部領域）とを有する上方プレート７０２を含む。いくつかの実施形態では、上方プレート７０２は、シャワーヘッドアセンブリ７００が設置されているチャンバ本体へ熱が伝達されるのを防ぐために、上方プレート７０２内に形成された冷却剤チャネル８０８を含む。いくつかの実施形態では、冷却剤チャネル８０８は、壁７０８の外側にありうる。いくつかの実施形態では、冷却剤チャネル８０８は代替的に、壁７０８に近接していてよい。冷却剤チャネル８０８は、冷却剤を冷却剤チャネル８０８を通して流すために、冷却剤供給装置８１０に連結される。
【００３０】
［００３７］複数の赤外線ランプ７１０は、内部領域７０６内に配置される。保持プレート７１２は、複数の赤外線ランプ７１０を内部領域７０６内に支持するように、複数の赤外線ランプ７１０の下に配置される。幾つかの実施形態では、複数の赤外線ランプ７１０は、独立して、あるいはグループで制御されうる複数の加熱ゾーンを含む。幾つかの実施形態では、複数の加熱ゾーンは、１〜４個の加熱ゾーンを含む。複数の赤外線ランプ７１０は各々、約１７０℃〜約２００℃の温度に到達するように構成される。幾つかの実施形態では、複数の赤外線ランプ７１０は各々、約１１０ボルトの電圧と、約７００ワットの電力定格を有する。しかしながら、複数の赤外線ランプ７１０は、所望の結果（すなわち、反った基板の所望の平坦化制御）を達成するために、他の電圧及び電力定格のランプを含みうる。幾つかの実施形態では、複数の赤外線ランプ７１０は、反った基板を約１８０℃〜約２００℃の温度に維持するように構成される。発明者らは、抵抗加熱要素の代わりに赤外線ランプを使用することによって、シャワーヘッドアセンブリ７００の温度が抵抗加熱要素と比較して更に迅速に有益に変化しうることを発見した。
【００３１】
［００３８］シャワーヘッドアセンブリ７００はさらに、保持プレート７１２の下に配置されたブロッカプレート７１４を含む。ブロッカプレートは、保持プレート７１２と共にプレナム８０２を形成する凹部７１６を含む（図８）。複数の開孔７１８は、凹部７１６のブロッカプレート７１４を貫通するように形成される。幾つかの実施形態では、ブロッカプレートは、例えば石英等の透明な材料で形成される。ガス導管７２０は、ガス注入口７０４から保持プレート７１２を通って延び、ガスをプレナム８０２へ供給する。
【００３２】
［００３９］シャワーヘッドアセンブリ７００はさらに、ブロッカプレート７１４の下に配置されたカバープレート７２２を含む。カバープレート７２２は、凹部７１６が露出し、ガスがプレナム８０２から複数の開孔７１８を通ってシャワーヘッドアセンブリの下の処理領域（例えば第１の処理領域３０４ａ）の中へ流れることが可能となるように、凹部７１６に対応する中心開口部７２４を含む。カバープレート７２２は、内部領域７０６内に保持プレートとブロッカプレートとを保つために、上方プレート７０２の壁７０８の底部に連結される。幾つかの実施形態では、カバープレート７２２は、設置中、カバープレート７２２が上方プレート７０２に対して適切にアライメントされるように、壁７０８の底部の中に挿入される複数のアライメントピン７２８を含みうる。幾つかの実施形態では、カバープレート７２２は、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等の熱伝達材料で形成されうる。
【００３３】
［００４０］幾つかの実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ７００はさらに、上方プレート７０２のガス注入口７０４に連結されたガス供給ライン７２６を含む。幾つかの実施形態では、ガス供給ライン７２６は、例えば窒素等の不活性ガスを処理領域（例えば、第１の処理領域３０４ａ）に供給するために、ガス供給装置８０４に連結される。幾つかの実施形態では、ガス供給ライン７２６は、ガス供給ライン７２６を通過するガスを加熱して所定の温度のガスを維持するための、ガス供給ライン７２６内に配置されたヒータ８０６を含む。
【００３４】
［００４１］図３を再び参照する。変形した基板３０５ａ（疑似線で示す）は、第１の処理チャンバ３０２ａの壁の第１の開口部３０９ａを介して第１の処理チャンバ３０２ａに入れられうる。第１の開口部３０９ａは、スリットバルブ１１８、又は開口部を通してチャンバ内部へのアクセスを選択的にもたらすその他の機構により、選択的に密封され得る。第１の基板支持体３０６ａは、第１のリフト機構３３８ａ（モータ又はアクチュエータ等）に連結され得る。第１のリフト機構３３８ａは、第１の開口部３０９ａを介して基板をチャンバに出入りさせる基板の移送に適した下方位置（図示したように）と、処理に適した選択可能な上方位置との間で、第１の基板支持体３０６ａの位置を制御することができる。処理位置は、基板全体の温度均一性を最大化するように選択されうる。第１のリフト機構３３８ａは、基板支持体３０６ａが移動するときに第１の処理領域３０４ａの所定の圧力範囲を維持するために、第１のベローズ３４０ａ又は他のフレキシブル真空ホースを介して第１の処理チャンバ３０２ａに連結されうる。
【００３５】
［００４２］第１の処理チャンバ３０２ａは更に、第１の処理チャンバ３０２ａの第１の処理領域３０４ａから過剰な処理ガスを除去するための第１の排気システム３４２ａを含みうる。例えば、第１の排気システム３４２ａは、第１の処理チャンバ３０２ａ又はいずれかの好適な排気システムから排気ガスを送り出すためのポンピングポートを介してポンピングプレナムに連結された真空ポンプを含みうる。例えば、真空ポンプは、排気を適切な排気取扱い機器に送るために、排気出口に流体連結され得る。真空ポンプの動作と共に排気ガスの流量の制御を助けるために、バルブ（ゲートバルブ、Ｚ運動バルブ等）がポンピングプレナム内に配置され得る。
【００３６】
［００４３］上述した第１の処理チャンバ３０２ａの制御を助けるために、第１のコントローラ３４４ａは、第１の中央処理装置（ＣＰＵ）３４６ａと、第１のメモリ３４８ａと、第１のＣＰＵ３４６ａ用の第１の支援回路３５０ａとを備え、第１の処理チャンバ３０２ａの構成要素の制御を促進する。第１のコントローラ３４４ａは、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために工業環境で使用されうる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサでありうる。第１のＣＰＵ３４６ａの第１のメモリ３４８ａまたはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔デジタルストレージなど、容易に入手可能なメモリの一または複数であってもよい。第１の支援回路３５０ａは、従来の方式でプロセッサを支援するために第１のＣＰＵ３４６ａに連結される。これらの回路は、キャッシュ、電力供給装置、クロック回路、入出力回路、及びサブシステムなどを含む。第１の処理チャンバ３０２ａで実施される方法、あるいはその少なくとも一部は、ソフトウェアルーチンとして第１のメモリ３４８ａに記憶されうる。ソフトウェアルーチンは更に、第１のＣＰＵ３４６ａによって制御されているハードウェアから遠隔に位置する別のＣＰＵ（図示せず）によっても記憶及び／又は実行されうる。
【００３７】
［００４４］基板処理システム３００は更に、第２の処理領域３０４ｂと、平坦化された基板３０５ｂを支持するために第２の処理領域３０４ｂに配置された第２の基板支持体３０６ｂとを有する第２の処理チャンバ３０２ｂ（すなわち、冷却チャンバ）とを備える冷却システム３０１ｂを含む。第２の処理チャンバ３０２ｂはまた、大気チャンバでもある（すなわち、真空チャンバではない）。第１の処理チャンバ３０２ａの対応する構成要素とほぼ同一の第２の処理チャンバ３０２ｂの構成要素の説明は、簡潔にするために省略する。第２の処理チャンバ３０２ｂの構成要素のみを説明する。
【００３８】
［００４５］幾つかの実施形態では、第２の処理チャンバ３０２ｂは、オプションとして、一または複数の処理ガスを第２の処理領域３０４ｂへ提供するために、第２のガスパネル３２１ｂに連結された第２のシャワーヘッド３１９ｂを含みうる。一または複数の処理ガスは、例えば窒素又はアルゴンなどの一または複数の非毒性不活性ガスを含みうる。代替的に、又は組み合わせて、一または複数の処理ガスを、第２の処理チャンバ３０２ｂの壁の周りに配置された側面注入ポート（図示せず）、又は処理チャンバの他の領域に配置されたガス注入口を介して第２の処理領域３０４ｂへ送ることができる。第２のシャワーヘッド３１９ｂは、第１の冷却剤供給装置３５６ｂから冷却剤を流して、第２のシャワーヘッド３１９ｂを通過する一または複数の処理ガスを冷却するために、第１の複数の冷却剤チャネル３１６ｂを含みうる。第１の冷却剤供給装置３５６ｂは、第１の冷却剤供給装置３５６ｂを制御するために、第３の温度コントローラ３６０ｂに連結されうる。
【００３９】
［００４６］第２の基板支持体３０６ｂは、第２の本体３０７ｂを支持する第２の支持面３０８ｂと第２のシャフト３１０ｂとを有する第２の本体３０７ｂを含みうる。第２の基板支持体３０６ｂは、第２の支持面３０８ｂに配置されたときに平坦化された基板３０５ｂを冷却するために、第２の支持面３０８ｂに近接して第２の基板支持体３０６ｂに配置された第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂを含む。第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂは、冷却剤を第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂへ提供するために、第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂから第２のシャフト３１０ｂを通って延びる供給及び戻りライン３２４ｂに連結される。供給及び戻りライン３２４ｂは、第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂを、第２の処理チャンバ３０２ｂの外側に配置された第２の冷却剤供給装置３２６ｂに連結させる。第４の温度コントローラ３３０ｂは、冷却剤を第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂへ選択的に供給するために、第２の冷却剤供給装置３２６ｂを制御しうる。あるいは、第４の温度コントローラ３３０ｂは、第２の処理チャンバ３０２ｂの動作を制御しうる第２のコントローラ３４４ｂ等のシステムコントローラの一部であってよい、あるいはシステムコントローラに連結されうる。幾つかの実施形態では、第２の基板支持体３０６ｂは、例えば真空又は静電チャック等のチャッキング機構（図示せず）を含みうる。
【００４０】
［００４７］平坦化された基板３０５ｂは、第２の処理チャンバ３０２ｂの壁の第２の開口部３０９ｂを介して第２の処理チャンバ３０２ｂに入りうる。第２の開口部３０９ｂは、第２のスリットバルブ３１１ｂ、又は開口部を通してチャンバ内部へのアクセスを選択的にもたらすその他の機構により、選択的に密封され得る。第２の基板支持体３０６ｂはまた、第２の支持面３０８ｂへの基板の配置及び第２の支持面３０８ｂからの基板の除去を助ける複数のリフトピンを有するリフトピン機構（図示せず）も含みうる。第２の基板支持体３０６ｂは、第２のリフト機構３３８ｂ（モータ又はアクチュエータ）に連結され得る。第２のリフト機構３３８ｂは、第２の開口部３０９ｂを通して基板をチャンバに出入りさせる基板の移送に適した下方位置（図示されているように）と、処理に適した選択可能な上方位置との間で、第２の基板支持体３０６ｂの位置を制御することができる。処理位置は、基板全体の温度均一性を最大化するように選択されうる。第２のリフト機構３３８ｂは、第２の基板支持体３０６ｂが移動したときに第２の処理領域３０４ｂ内で所定の圧力範囲を維持するために、第２のベローズ３４０ｂ又は他の軟性真空ホースを介して第２の処理チャンバ３０２ｂに連結されうる。
【００４１】
［００４８］第２の処理チャンバ３０２ｂは更に、第２の処理チャンバ３０２ｂの第２の処理領域３０４ｂから過剰な処理ガスを除去するための第２の排気システム３４２ｂを含みうる。例えば、第２の排気システム３４２ｂは、第１の排気システム３４２ａに関して上述したように、第２の処理チャンバ３０２ｂ、又はいずれかの好適な排気システムから排気ガスを送り出すために、ポンピングポートを介してポンピングプレナムに連結された真空ポンプを含みうる。
【００４２】
［００４９］上述したように、第２の処理チャンバ３０２ｂの制御を助けるために、第２の処理チャンバ３０２ｂの構成要素に第２のコントローラ３４４ｂが連結される。第２のコントローラ３４４ｂは、第２の中央処理装置（ＣＰＵ）３４６ｂと、第２のメモリ３４８ｂと、第２のＣＰＵ３４６ｂのための第２の支援回路３５０ｂとを備え、第２のプロセスチャンバ３０２ｂの構成要素の制御を促進する。第２のコントローラ３４４ｂは、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための、工業環境で使用されうる汎用コンピュータプロセッサのいずれかの形態であってよい。第２のＣＰＵ３４６ｂの第２のメモリ３４８ｂまたはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔デジタルストレージなど、容易に入手可能なメモリの１つまたは複数であってもよい。第２の支援回路３５０ｂは、従来の方式でプロセッサを支援するために第２のＣＰＵ３４６ｂに連結される。これらの回路は、キャッシュ、電力供給装置、クロック回路、入出力回路、及びサブシステムなどを含む。第２の処理チャンバ３０２ｂ、又はそれらの少なくとも一部で実施される方法は、ソフトウェアルーチンとして第２のメモリ３４８ｂに記憶されうる。ソフトウェアルーチンは更に、第２のＣＰＵ３４６ｂによって制御されているハードウェアから遠隔に位置する別のＣＰＵ（図示せず）によって記憶及び／又は実行されうる。例えば、第１のコントローラ３４４ａと第２のコントローラ３４４ｂは、第１の処理チャンバ３０２ａと第２の処理チャンバ３０２ｂの各々を制御するように構成された単一のコントローラとして実装されうる。
【００４３】
［００５０］反った基板３０５ａを平坦化するように第１の処理チャンバ３０２ａを準備するために、第１のシャワーヘッド３１９ａを通して第１の処理領域３０４ａの中に処理ガス（例えば、窒素又はアルゴン等の一または複数の不活性ガス）を流す。続いて、第１のヒータ３２２ａを作動させて第１の基板支持体３０６ａを第１の所定の温度まで加熱し、第２のヒータ３１６ａを作動させて処理ガスを第２の所定の温度まで加熱する。所定の温度は、基板に配置されたエポキシのガラス転移温度以上であってよい（エポキシコーティングを有する基板の場合）。例えば、幾つかの実施形態では、第１の所定の温度及び第２の所定の温度はいずれも、約１５０℃〜約２２０℃である。幾つかの実施形態では、第１の所定の温度及び第２の所定の温度はいずれも、約１６０℃〜約２２０℃である。あるいは、所定の温度は、基板に配置されたエポキシのガラス転移温度、あるいはそれよりわずかに高い温度であってよい（エポキシコーティングを有する基板の場合）。例えば、幾つかの実施形態では、第１の所定の温度及び第２の所定の温度はいずれも、約１５０℃〜約１６０℃である。幾つかの実施形態では、第１の所定の温度及び第２の所定の温度はいずれも、約１６０℃である。
【００４４】
［００５１］第１の処理チャンバ３０２ａが所定の動作温度になった後、反った基板３０５ａ（例えば、エポキシコーティングを有する反った基板）を、第１の基板支持体３０６ａの第１の支持面３０８ａに置く。幾つかの実施形態では、反った基板３０５ａの初期温度は、室温（例えば、約２１℃）である。反った基板３０５ａを、第１の時間の間に、第１の所定の温度まで急速に加熱する。第１の所定の温度が約１５０℃〜約１６０℃、又は約１６０℃である実施形態では、第１の時間は約５秒〜約１０秒である。反った基板３０５ａを変形させて平坦化された基板３０５ｂに平坦化するために、反った基板３０５ａを次に、第２の時間の間、第１の所定の温度に維持する。第１の所定の温度が約１５０℃〜約１６０℃、又は約１６０℃である実施形態では、第２の時間は約１０秒〜約２分である。続いて、第２の温度コントローラ３６０ａは、処理ガスの温度を第３の所定の温度まで下げるために、第２の電力供給装置３５６ａによって第２のヒータ３１６ａに供給される電力を変更する。幾つかの実施形態では、第３の所定の温度は約２５℃〜約１３０℃であってよい。その結果、平坦化された基板３０５ｂの温度は第３の時間の間に、第１の冷却率で第４の所定の温度まで徐々に下がる。幾つかの実施形態では、第４の所定の温度は、基板に配置されたエポキシコーティングのガラス転移温度未満である。幾つかの実施形態では、第４の所定の温度は約１３０℃であり、第３の時間は約３０秒〜約２分である。
【００４５】
［００５２］平坦化された基板３０５ｂが第４の所定の温度に到達した後に、平坦化された基板を第１の冷却率よりも速い第２の冷却率で急速に（すなわち、約５秒〜約１０秒で）冷却するために、第１の処理チャンバ３０２ａから平坦化された基板３０５ｂを取り外して、第２の基板支持体３０６ｂの第２の支持面３０８ｂに置く。第２の処理領域３０４ｂを第５の所定の温度に維持することで、平坦化された基板３０５ｂは、第２の処理チャンバ３０２ｂに置かれたときに急速に冷却される。幾つかの実施形態では、第５の所定の温度は約５℃〜約２１℃である。幾つかの実施形態では、平坦化された基板３０５ｂをより速く冷却するために、第１の冷却剤を第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂを通して流しうる。幾つかの実施形態では、冷却された処理ガスをオプションとして、第２のシャワーヘッド３１９ｂを通して第２の処理領域３０４ｂにも提供することができ、第２の処理領域３０４ｂは、第１の複数の冷却剤チャネル３１６ｂを通って流れる第２の冷却剤によって冷却される。第４の時間の後に、平坦化された基板３０５ｂは第５の所定の温度に到達する。第５の所定の温度が約２１℃である実施形態では、第４の時間は約５秒〜約１０秒である。続いて、平坦化された基板３０５ｂは、基板が反った形状にまた変形して戻らないように、第５の時間の間、第５の所定の温度に保持される。幾つかの実施形態では、第５の時間は約１分である。
【００４６】
［００５３］図４は、本開示の幾つかの実施形態に係る、基板の変形を修正する（すなわち、基板を平坦化する）ための方法４００を示すフロー図である。４０２において、第１の基板支持体に反った基板３０５ａを置く。４０４において、反った基板３０５ａを急速に（すなわち、約５秒〜約１０秒内に）第１の所定の温度まで加熱する。幾つかの実施形態では、第１の所定の温度は約１５０℃〜約２２０℃である。幾つかの実施形態では、第１の所定の温度は約１６０℃〜約２２０℃である。幾つかの実施形態では、第１の所定の温度は約１５０℃〜約１６０℃である。いくつかの実施形態では、第１の所定の温度は約１６０℃である。４０６において、反った基板３０５ａを次に、第１の時間の間、第１の所定の温度に維持する。この間に、基板は変形し、平坦化される。第１の所定の温度が約１５０℃〜約１６０℃、あるいは約１６０℃である実施形態では、第１の時間は約１０秒〜約２分、又は約２分である。
【００４７】
［００５４］４０８において、第１の処理チャンバ３０２ａに入る処理ガスの温度を、第２の所定の温度まで下げる。いくつかの実施形態では、第２の所定の温度は約２５℃〜約１３０℃である。４１０において、平坦化された基板３０５ｂを、処理ガスの温度が下がったことに起因して、第１の冷却率で第１の所定の温度よりも低い第３の所定の温度まで冷却する。いくつかの実施形態では、第３の所定の温度は約１３０℃である。４１２において、平坦化された基板３０５ｂを、第２の処理チャンバ３０２ｂの第２の基板支持体３０６ｂに置く。４１４において、平坦化された基板３０５ｂを、第１の冷却率よりも速い第２の冷却率で、第３の所定の温度よりも低い第４の所定の温度まで冷却する。いくつかの実施形態では、第４の所定の温度は約２１℃である。
【００４８】
［００５５］上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態を考案することが可能である。
【図１】
2019110290.tif 000003
【図２】
2019110290.tif 000004
【図３】
2019110290.tif 000005
【図４】
2019110290.tif 000006
【図５】
2019110290.tif 000007
【図６】
2019110290.tif 000008
【図７】
2019110290.tif 000009
【図８】
2019110290.tif 000010
【外国語明細書】
2019110290000001.pdf
2019110290000002.pdf
2019110290000003.pdf
2019110290000004.pdf