(57)【要約】【課題】基板とマスクとの相対位置の精度を向上可能とした蒸着装置を提供する。【解決手段】蒸着源５１を収容した蒸着チャンバー５０で非透過性の基板Ｗにおける表面ＷＦを蒸着源５１に向けた状態で基板Ｗを保持すると共に、蒸着源５１と基板Ｗとの間で蒸着マスクＭを保持する保持機構と、基板Ｗに対する蒸着マスクＭの側とは反対側から蒸着チャンバー５０内における基板Ｗと蒸着マスクＭとを撮影する撮影部と、保持機構および撮影部を搭載した上部構造体と、上部構造体を支持する下部構造体と、上部構造体とに挟まれて上部構造体と下部構造体とを接続する接続部５９とを備え、接続部５９が、下部構造体での振動の伝達を上部構造体に対して抑える防振機能を備える。【選択図】図４
2019112655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着源を収容した蒸着チャンバー内で非透過性の基板における表面を前記蒸着源に向けた状態で前記基板を保持すると共に、前記蒸着源と前記基板との間で蒸着マスクを保持する保持機構と、
前記基板に対する前記蒸着マスクの側とは反対側から前記蒸着チャンバー内における前記基板と前記蒸着マスクとを撮影する撮影部と、
前記保持機構および前記撮影部を搭載した上部構造体と、
前記上部構造体を支持する下部構造体と、前記上部構造体とに挟まれて前記上部構造体と前記下部構造体とを接続する接続部とを備え、
前記接続部が、前記下部構造体での振動の伝達を前記上部構造体に対して抑える防振機能を備える
蒸着装置。
【請求項２】
前記下部構造体は、前記蒸着チャンバーが備える真空槽である
請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記保持機構は、前記基板と前記蒸着マスクとを前記基板の周方向に回転させる回転機構と、前記基板と前記蒸着マスクとを別々に昇降させる昇降機構と、を備える
請求項１または２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
複数の前記接続部を備え、
各接続部は、前記基板の周方向に分散されている
請求項１から３のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記撮影部は、前記基板の平坦部で反射された光による第１像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第２像とを撮影し、
前記第１像と前記第２像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部を用いて前記基板の位置を検出する画像処理部をさらに備える
請求項１から４のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記基板は、基板マークを含む前記表面と、前記表面とは反対側の裏面とを含み、
前記蒸着チャンバーの前段で前記基板を収容する前段モジュールと、
前記前段モジュールから搬入される前記基板の表裏を反転させて前記蒸着チャンバーに前記基板を搬入する反転チャンバーと、をさらに備え、
前記前段モジュールは、裏面撮影部と表面撮影部とを備え、
前記裏面撮影部は、前記裏面と対向して、前記基板の平坦部で反射された光による第１像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第２像とを撮影し、
前記表面撮影部は、前記表面と対向して、前記基板マークを撮影し、
前記画像処理部は、前記裏面撮影部が撮影した前記第１像と前記第２像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部を用いて前記基板の位置である裏面位置を特定し、かつ、前記表面撮影部の撮影した前記基板マークの位置から前記基板の位置である表面位置を特定し、前記撮影部による撮影の結果から検出された前記基板の位置を、前記表面位置と前記裏面位置とのずれ量で補正する画像処理部をさらに備える
請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記基板は、処理基板であり、
光透過性の基板である校正基板の表面が複数の校正マークを備え、
前記表面撮影部は、各校正マークに対応するカメラで前記校正基板の表面を撮影し、
前記裏面撮影部は、各校正マークに対応するカメラで前記校正基板の裏面を撮影し、
前記画像処理部は、
前記表面撮影部の各カメラが前記校正マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、前記表面位置を算出し、かつ、
前記裏面撮影部の各カメラが前記校正マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、前記裏面位置を算出する
請求項６に記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の位置を検出する位置検出部を備えた蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
蒸着装置は、基板の成膜面と蒸着源との間に蒸着マスクを配置し、蒸着マスクの開口に追従した形状のパターンを基板の成膜面に形成する。蒸着装置は、基板のアライメントマークである基板マークから基板の位置を算出する。蒸着装置は、算出された基板の位置と、蒸着マスクの位置とが合うように、基板の位置や蒸着マスクの位置を調整する（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
蒸着装置に搬入された基板と、蒸着に用いられる蒸着用マスクとの間では、高い位置の精度が求められる。例えば、有機ＥＬ装置や有機半導体装置に用いられる蒸着パターンを形成する蒸着装置にて、上述した基板とマスクとの相対位置で許容される寸法の誤差は１０ミクロンにも満たない。一方、蒸着に際して真空空間を形成したり、複数の基板を搬送したりする蒸着装置では、真空を形成するためのポンプの振動や、基板を搬送するための電動機の振動などの各種の振動が、基板の処理時に発生する。基板やマスクを保持する機構に伝わるこれらの振動は、基板とマスクとの相対位置にずれを生じさせる要因となる。
本発明は、基板とマスクとの相対位置の精度を向上可能とした蒸着装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための蒸着装置は、蒸着源を収容した蒸着チャンバー内で非透過性の基板における表面を前記蒸着源に向けた状態で前記基板を保持すると共に、前記蒸着源と前記基板との間で蒸着マスクを保持する保持機構と、前記基板に対する前記蒸着マスクの側とは反対側から前記蒸着チャンバー内における前記基板と前記蒸着マスクとを撮影する撮影部と、前記保持機構および前記撮影部を搭載した上部構造体と、前記上部構造体を支持する下部構造体と、前記上部構造体とに挟まれて前記上部構造体と前記下部構造体とを接続する接続部とを備え、前記接続部が、前記下部構造体での振動の伝達を前記上部構造体に対して抑える防振機能を備える。
【０００６】
上記蒸着装置によれば、基板の保持と蒸着マスクの保持とを行う保持機構を支持する上部構造体が、防振機能を有した接続部を介して、下部構造体に接続される。結果として、下部構造体で生じた振動が基板と蒸着マスクとに伝達することを抑えることが可能である。それゆえに、基板と蒸着マスクとの相対位置、および、これらと撮影部との相対位置に、上記振動の伝達によるずれが生じることを抑えることが可能である。
【０００７】
上記蒸着装置において、前記下部構造体は、前記蒸着チャンバーが備える真空槽でもよい。この蒸着装置によれば、蒸着チャンバーで発生するポンプや電動機の振動が上部構造体に伝達することを抑えることが可能である。
【０００８】
上記蒸着装置において、前記保持機構は、前記基板と前記蒸着マスクとを前記基板の周方向に回転させる回転機構と、前記基板と前記蒸着マスクとを別々に昇降させる昇降機構と、を備えてもよい。この蒸着装置によれば、下部構造体での振動と、基板の回転や昇降とを隔絶することが可能であり、また、下部構造体での振動と、蒸着マスクの回転や昇降とを隔絶することが可能でもある。したがって、回転や昇降による基板の位置の精度が、下部構造体での振動によって低下すること、および、回転や昇降による蒸着マスクの位置の精度が、下部構造体での振動によって低下することを抑えることが可能である。
【０００９】
上記蒸着装置は、複数の前記接続部を備え、各接続部は、前記基板の周方向に分散されてもよい。この蒸着装置によれば、基板の周方向に接続部が分散しているため、基板の面方向に生じ得る振動の伝達を複数の接続部によって抑えることが可能である。
【００１０】
上記蒸着装置において、前記撮影部は、前記基板の平坦部で反射された光による第１像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第２像とを撮影し、前記第１像と前記第２像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部を用いて前記基板の位置を検出する画像処理部をさらに備えてもよい。
【００１１】
基板の輪郭を定めるベベル部は、通常、基板の厚さ方向に所定の曲率を有した曲面である。ベベル部を撮影した画像では、例えば、基板の輪郭に向けて明度が徐々に低下し、また、ぼけ量も徐々に高くなる。そのため、ベベル部を撮影した画像から基板の輪郭を検出する技術では、検出された輪郭の位置に大きな誤差を生じてしまう。一方、ベベル部と平坦部との境界は、基板において面方向が大きく変わる境界であり、例えば、平坦部と対向する方向からの撮影では、それを明確に検出できる部分でもある。そして、上記構成であれば、画像処理部が、平坦部で反射された光による第１像と、ベベル部で反射された光による第２像とのコントラストに基づくこれらの境界から、基板の位置を検出するため、振動の抑制と相まって、基板の位置を検出する精度をさらに向上することが可能ともなる。
【００１２】
上記蒸着装置において、基板マークを含む前記表面と、前記表面とは反対側の裏面とを含み、前記蒸着チャンバーの前段で前記基板を収容する前段モジュールと、前記前段モジュールから搬入される前記基板の表裏を反転させて前記蒸着チャンバーに前記基板を搬入する反転チャンバーと、をさらに備え、前記前段モジュールは、裏面撮影部と表面撮影部とを備え、前記裏面撮影部は、前記裏面と対向して、前記基板の平坦部で反射された光による第１像と、前記平坦部につながるベベル部で反射された光による第２像とを撮影し、前記表面撮影部は、前記表面と対向して、前記基板マークを撮影し、前記画像処理部は、前記裏面撮影部が撮影した前記第１像と前記第２像とのコントラストに基づく前記平坦部と前記ベベル部との境界を前記基板の外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一部を用いて前記基板の位置である裏面位置を特定し、前記表面撮影部の撮影した前記基板マークの位置から前記基板の位置である表面位置を特定し、前記撮影部による撮影の結果から検出された前記基板の位置を、前記表面位置と前記裏面位置とのずれ量で補正する画像処理部をさらに備えてもよい。
【００１３】
上記蒸着装置によれば、画像処理部は、基板マークに基づく表面位置と、平坦部とベベル部との境界に基づく裏面位置とのずれ量を算出する。そして、画像処理部は、平坦部とベベル部との境界に基づく蒸着チャンバー内での裏面位置を、このずれ量で補正する。すなわち、画像処理部は、基板マークに基づく表面位置と、平坦部とベベル部との境界に基づく裏面位置とのずれ量を予め把握し、撮影部の撮影によって検出される蒸着チャンバーでの裏面位置を、基板マークに基づく位置に変換して取り扱うことが可能である。そのため、蒸着チャンバーにおける基板の位置の精度を、表面撮影部による基板の位置の精度に向けて高めることが可能である。
【００１４】
上記蒸着装置において、前記基板は、処理基板であり、光透過性の基板である校正基板の表面が複数の校正マークを備え、前記表面撮影部は、各校正マークに対応するカメラで前記校正基板の表面を撮影し、前記裏面撮影部は、各校正マークに対応するカメラで前記校正基板の裏面を撮影し、前記画像処理部は、前記表面撮影部の各カメラが前記校正マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、前記表面位置を算出し、かつ、前記裏面撮影部の各カメラが前記校正マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、前記裏面位置を算出してもよい。
【００１５】
上記蒸着装置によれば、裏面撮影部のカメラと、表面撮影部のカメラとは、これらに共通する校正マークを撮影する。画像処理部は、共通する校正マークを表裏で撮影した結果から、裏面撮影部のカメラ間の相対位置と、表面撮影部のカメラ間の相対位置とを算出する。そして、画像処理部は、表面撮影部が処理基板を撮影した結果と、表面撮影部のカメラ間の相対位置とを用い、表面撮影による処理基板の位置を算出する。また、画像処理部は、裏面撮影部が処理基板を撮影した結果と、裏面撮影部のカメラ間の相対位置とを用い、裏面撮影による処理基板の位置を算出する。これによって、裏面撮影部による処理基板の位置の検出精度を、表面撮影部による処理基板の位置の検出精度にまで、すなわち、基板マークの撮影による検出精度と同じ程度にまで予め高められる。結果として、裏面の撮影結果のみが得られる蒸着チャンバー内であっても、表面撮影による位置の検出精度と同じ程度に、基板の位置の検出精度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】蒸着装置の構成を示す構成図。
【図２】ＥＦＥＭの構成を示す構成図。
【図３】ＥＦＥＭの各カメラの撮影範囲を示す平面図であり、（ａ）はマークカメラの撮影範囲を示し、（ｂ）はロードカメラの撮影範囲を示す。
【図４】蒸着チャンバーの構成を示す構成図。
【図５】蒸着チャンバーの作用を示す作用図。
【図６】基板および蒸着マスクを蒸着カメラの撮影範囲とともに示す平面図。
【図７】ロードカメラおよび蒸着カメラが撮影した画像の一例を示す図。
【図８】蒸着装置が行う各種の処理を説明するためのブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、蒸着装置の一実施形態を説明する。
蒸着装置は、前段モジュールの一例であるＥＦＥＭと蒸着チャンバーとを備える。以下の例では、ＥＦＥＭは、表面位置の特定処理、および、裏面位置の特定処理に用いられる。蒸着チャンバーは、別の裏面位置の特定処理に用いられる。
【００１８】
なお、表面位置の特定処理は、基板の表面に位置する基板マークを撮影し、その撮影の結果から、表面位置の一例である基板の中心（パターン中心）を算出する。裏面位置の特定処理は、基板の裏面における外周部を撮影し、その撮影の結果から、裏面位置の一例である第１基板中心を算出する。
【００１９】
また、別の裏面位置の特定処理は、基板の裏面における外周部を撮影し、その撮影の結果から、基板の中心である第２基板中心を算出する。蒸着装置は、ＥＦＥＭを用いて特定されるパターン中心と第１基板中心とのずれ量を算出する。また、蒸着装置は、第２基板中心にずれ量を反映させ、蒸着マスクの中心であるマスク中心と、パターン中心とを合わせるように、基板を配置する。
【００２０】
図１が示すように、蒸着装置は、搬送チャンバー１０を備え、搬送チャンバー１０には、ゲートバルブを介して搬出入チャンバー２０が接続されている。搬送チャンバー１０は、基板Ｗを搬送する搬送ロボットを備える。搬出入チャンバー２０は、搬送チャンバー１０の外部から搬送チャンバー１０に基板を搬入し、かつ、搬送チャンバー１０から搬送チャンバー１０の外部に基板を搬出する。搬出入チャンバー２０には、ゲートバルブを介してＥＦＥＭ３０（Equipment Front End Module）が接続されている。
【００２１】
ＥＦＥＭ３０は、搬出入チャンバー２０に成膜前の基板を搬送し、かつ、搬出入チャンバー２０から成膜後の基板を搬入する。ＥＦＥＭ３０は、基板Ｗを支持する検出機構を備える。ＥＦＥＭ３０は、ストッカーに収容された処理前の基板を１枚ずつ支持する。ＥＦＥＭ３０が収容する基板は、非透過性の基板である処理基板と、光透過性の基板である校正基板とを含む。
【００２２】
処理基板は、例えば、光反射性の薄膜に覆われたガラス基板や、基板そのものが非透過性を有するシリコン基板である。校正基板は、例えば、石英基板やアルミナ基板である。処理基板、および、校正基板は、それぞれ表面と裏面とを含む。校正基板の有する熱膨張率は、高温下での熱膨張が抑えられる観点において、３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。基板の表面は、例えば３個の基板マークを有する。基板マークは、例えば、表面のなかで高い光反射性を有した薄膜のパターン、あるいは、表面のなかで高い光吸収性を有した薄膜のパターンである。基板マークは、表面と対向する平面視において、例えば、矩形状や十字状などを有する。処理基板の基板マークは、表面の特定位置と、蒸着マスクの開口とを合わせるために用いられる。校正基板の基板マークは、校正マークの一例であり、基板マークを撮影するためのカメラ間の相対位置を算出するために用いられる。
【００２３】
搬送チャンバー１０には、２体の蒸着チャンバー５０、反転チャンバー６０、および、スパッタチャンバー７０が接続されている。各チャンバーは、ゲートバルブを介して搬送チャンバー１０に接続されている。蒸着チャンバー５０は、真空蒸着法によって基板Ｗに所定の薄膜を形成する。反転チャンバー６０は、反転チャンバー６０に搬入された基板Ｗを反転させる。反転チャンバー６０での反転は、鉛直方向における基板Ｗの表面ＷＦと裏面ＷＲとの位置を、基板Ｗが反転チャンバー６０に搬入されたときと、反転チャンバー６０から搬出されるときとの間において、反対にすることである。スパッタチャンバー７０は、スパッタ法によって基板Ｗに所定の薄膜を形成する。
【００２４】
蒸着装置は、制御装置１００を備え、制御装置１００は、画像処理部１１０を含み、蒸着装置が備える各チャンバーの駆動を制御する。制御装置１００は、例えば、搬送ロボットの駆動を制御して、搬送チャンバー１０に接続された１体のチャンバーから他のチャンバーに、搬送チャンバー１０を介して搬送ロボットに基板Ｗを搬送させる。制御装置１００は、例えば、各蒸着チャンバーにおける成膜処理、および、スパッタチャンバー７０における成膜処理に関わる機構の駆動を制御することによって、各蒸着チャンバー５０、および、スパッタチャンバー７０に所定の薄膜を形成させる。
【００２５】
画像処理部１１０は、中央演算処理装置、および、メモリを備えて、校正処理、表面位置の特定処理、裏面位置の特定処理を全てソフトウェアで処理するものに限らない。例えば、画像処理部１１０は、各種処理のうちの少なくとも一部の処理を実行する専用のハードウェア（特定用途向け集積回路：ＡＳＩＣ）を備えてもよい。つまり画像処理部１１０は、ＡＳＩＣなどの１個以上の専用のハードウェア回路、コンピュータプログラム（ソフトウェア）に従って動作する１個以上のプロセッサ（マイクロコンピュータ）、あるいは、それらの組み合わせ、を含む回路として構成される。画像処理部１１０は、基板が備える基板マークの位置を、相対座標系の座標である相対座標として記憶している。
【００２６】
図２、および、図３を参照して、ＥＦＥＭ３０の構成を説明する。以下では、ＥＦＥＭ３０の構成のなかで、検出機構３１の構成を主に説明する。
図２が示すように、検出機構３１は、ステージ３２、複数のマークカメラ３３、および、複数のロードカメラ３４を備える。以下では、３台のマークカメラ３３、および、３台のロードカメラ３４を備える例を説明する。
【００２７】
ステージ３２は、処理対象である基板Ｗを支持する。基板Ｗは、表面ＷＦと裏面ＷＲとを含み、基板Ｗの表面ＷＦには、３個の基板マークＷｍが位置している。ＥＦＥＭ３０では、３個の基板マークＷｍが位置する表面ＷＦを上方に向けて、基板Ｗがステージ３２に配置される。各基板マークＷｍは、基板Ｗの表面ＷＦにおける特定の位置と、蒸着マスクが有する開口の位置とを合わせるために用いられる。
【００２８】
各マークカメラ３３は、例えばＣＣＤカメラであって、表面撮影部の一例である。各マークカメラ３３は、ステージに支持された基板Ｗよりも上方に固定されている。１台のマークカメラ３３の光軸３Ａの位置は、他のマークカメラ３３の光軸３Ａの位置に対して固定されている。各マークカメラ３３は、表面ＷＦの平坦部のなかで、基板マークＷｍを含む範囲を撮影する。各マークカメラ３３の撮影した表面ＷＦの画像は、表面位置の特定処理に用いられる。
【００２９】
各ロードカメラ３４は、例えばＣＣＤカメラであって、裏面撮影部の一例である。各ロードカメラ３４は、ステージ３２よりも下方に固定されている。１台のロードカメラ３４の光軸４Ａの位置は、他のロードカメラ３４の光軸４Ａの位置に対して固定されている。各ロードカメラ３４は、基板Ｗの裏面ＷＲに対向し、基板Ｗの外周部で反射された光による像を撮影する。各ロードカメラ３４は、基板Ｗの外周部のなかで、他のロードカメラ３４が撮影する部分とは異なる部分を撮影する。各ロードカメラ３４の撮影した裏面ＷＲの画像は、裏面位置の特定処理に用いられる。また、各ロードカメラ３４の撮影した裏面ＷＲの画像は、表面位置の特定処理によるパターン中心と、裏面位置の特定処理による第１基板中心とのずれ量の算出に用いられる。
【００３０】
図３（ａ）は、基板Ｗの表面ＷＦと対向する平面視での基板Ｗの平面構造を示し、図３（ｂ）は、基板Ｗの裏面ＷＲと対向する平面視での基板Ｗの平面構造を示す。図３では、説明の便宜上、基板Ｗの形状を円板状として、各マークカメラ３３が撮影する領域と、各ロードカメラ３４が撮影する領域とを、基板Ｗに重ねて示す。
【００３１】
図３が示すように、ステージ３２は、基板Ｗを配置する目標の領域として、仮想的な配置領域ＷＡ（図３（ａ）（ｂ）の二点鎖線）を定める。基板Ｗは、仮想的な配置領域ＷＡと、基板Ｗの輪郭Ｅ（図３（ａ）（ｂ）の実線）とがほぼ一致するように、ステージ３２に配置される。基板Ｗの表面ＷＦは、３個の基板マークＷｍを備える。各基板マークＷｍは、基板Ｗの外周部よりも基板中心寄りに位置している。
【００３２】
各マークカメラ３３は、画像を撮影する領域を撮影範囲３Ｚ（図３（ａ）の二点鎖線）として定める。各撮影範囲３Ｚは、配置領域ＷＡの周方向にほぼ等配されている。各撮影範囲３Ｚの中心には、マークカメラ３３の光軸３Ａが位置する。各撮影範囲３Ｚの位置およびサイズは、基板Ｗの搬送精度に基づき、別々の基板マークＷｍを含むように設定される。
【００３３】
各ロードカメラ３４は、画像を撮影する領域を撮影範囲４Ｚ（図３（ｂ）の二点鎖線）として定める。各撮影範囲４Ｚは、配置領域ＷＡの周方向にほぼ等配されている。各撮影範囲４Ｚの中心には、ロードカメラ３４の光軸４Ａが位置する。各撮影範囲４Ｚの位置およびサイズは、基板Ｗの搬送精度に基づき、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界を含むように設定される。
【００３４】
［蒸着チャンバーの構成］
図４、および、図５を参照して、蒸着チャンバー５０の構成を説明する。なお、図４、および、図５では、説明の便宜上、構成要素間の機械的な結合を破線で示す。
【００３５】
図４が示すように、蒸着チャンバー５０は、昇華させた蒸着材料を放出する蒸着源５１と、撮影部の一例である複数の蒸着カメラ５２と、基板Ｗを支持する基板ホルダー５３と、蒸着マスクＭを支持するマスクベース５４と、駆動源５５と、伝達機構５６とを備える。基板ホルダー５３、および、マスクベース５４は、保持機構の一例である。蒸着チャンバー５０において、蒸着源５１、基板ホルダー５３、および、マスクベース５４を収容する真空槽５０Ｂは、下部構造体の一例である。真空槽５０Ｂの内部は、真空ポンプなどの排気系５７に接続されて所定の圧力まで減圧される。なお、以下では、３台の蒸着カメラ５２を備える例を説明する。
【００３６】
蒸着源５１は、蒸着材料を加熱することによって、蒸着材料による薄膜を基板Ｗの表面ＷＦに形成する。蒸着源５１には、例えば、抵抗加熱式の蒸着源、誘導加熱式の蒸着源、および、電子ビームを備える蒸着源などを用いることができる。蒸着材料は、蒸着源５１によって加熱されることによって蒸発する材料であり、基板Ｗの表面ＷＦに形成される薄膜の材料である。蒸着材料は、例えば有機物であるが、無機物であってもよい。
【００３７】
３台の蒸着カメラ５２は、真空槽５０Ｂに搭載される支持フレーム５８に固定されている。支持フレーム５８は、蒸着カメラ５２や駆動源５５などを支持する上部構造体の一例である。支持フレーム５８は、上下方向に貫通し、真空槽５０Ｂの内部を撮影させるための撮影孔５Ｈを備える。各撮影孔５Ｈは、蒸着カメラ５２に１個ずつの孔である。１台の蒸着カメラ５２の光軸５Ａの位置は、他の蒸着カメラ５２の光軸５Ａの位置に対して固定されている。各蒸着カメラ５２は、基板Ｗの裏面ＷＲに対向し、基板Ｗの外周部で反射された光による像を撮影する。各蒸着カメラ５２は、基板Ｗの外周部のなかで別々の部位を撮影する。各蒸着カメラ５２の撮影した画像は、別の裏面位置の特定処理に用いられる。
【００３８】
基板ホルダー５３は、３台の蒸着カメラ５２と蒸着源５１との間に位置する。基板ホルダー５３は、基板Ｗの配置される領域である仮想的な配置領域ＷＡを定める。基板ホルダー５３は、反転チャンバー６０から蒸着チャンバー５０に搬入される基板Ｗを支持する。基板ホルダー５３は、蒸着チャンバーから反転チャンバー６０に基板Ｗを搬出可能とする。基板ホルダー５３は、基板Ｗの表面ＷＦを蒸着源５１側（図４の下側）に向けて表面ＷＦの外周部を支持し、基板Ｗの裏面ＷＲと３台の蒸着カメラ５２とを対向させる。
【００３９】
この際、表面ＷＦに位置する基板マークＷｍは、例えば、基板ホルダー５３などの障害物が存在するため、表面ＷＦと対向する側からは撮影され難い。また、表面ＷＦに位置する基板マークＷｍは、例えば、基板Ｗが十分な透明性を有しない、あるいは、不透明であるため、裏面ＷＲと対向する側からも撮影され難い。すなわち、基板ホルダー５３が基板Ｗを支持する状態では、基板マークＷｍの位置を検出することが困難となっている。
【００４０】
マスクベース５４は、３台の蒸着カメラ５２と蒸着源５１との間に位置する。マスクベース５４は、蒸着マスクＭの配置される領域である仮想的な配置領域ＭＡを定める。マスクベース５４は、蒸着マスクＭの外周部を支持し、基板Ｗの表面ＷＦと蒸着マスクＭとを対向させる。蒸着マスクＭは、基板Ｗの表面ＷＦに所定のパターンを形成するための開口を有する。マスクベース５４は、基板Ｗに対する蒸着源５１側に蒸着マスクＭを配置する。蒸着マスクＭは、基板Ｗでの周方向の全体で、基板Ｗからはみ出す大きさを有する。蒸着マスクＭは、基板Ｗからはみ出した部分に、３個のマスクマークを有する。なお、蒸着マスクＭが有するマスクマークは、蒸着カメラ５２による撮影によって、蒸着マスクＭの中心位置を検出することに用いられる。マスクベース５４は、支持フレーム５８に固定されたホルダーフック５０Ｃに載置されている。
【００４１】
駆動源５５は、伝達機構５６に伝達する動力を出力する。伝達機構５６は、駆動源５５の動力を受けて、基板ホルダー５３を水平方向に移動させる。また、伝達機構５６は、駆動源５５の動力を受けて、マスクベース５４と基板ホルダー５３とを基板Ｗの周方向に回転させる。伝達機構５６は、基板ホルダー５３の独立した回転と、マスクベース５４の独立した回転と、基板ホルダー５３とマスクベース５４と固定プレートＨＰとを一体とした回転とを切り換える。また、伝達機構５６は、駆動源５５の動力を受けて、マスクベース５４と基板ホルダー５３とを昇降させる。伝達機構５６は、基板ホルダー５３の独立した昇降と、マスクベース５４の独立した昇降と、基板ホルダー５３とマスクベース５４とを一体とした昇降とを切り換える。
【００４２】
例えば、図４が示すように、基板ホルダー５３の独立した水平方向での移動や、基板ホルダー５３の独立した回転は、第２基板中心とマスク中心との整合に用いられる。マスクベース５４の独立した回転は、蒸着マスクＭを所定の位置に配置するために用いられる。また、例えば、基板ホルダー５３の独立した昇降は、基板Ｗの搬入および搬出や、蒸着用の所定位置への基板Ｗの配置に用いられる。マスクベース５４の独立した昇降は、蒸着マスクＭの搬入および搬出や、蒸着用の所定位置への蒸着マスクＭの配置に用いられる。
【００４３】
例えば、図５が示すように、基板ホルダー５３とマスクベース５４と固定プレートＨＰとを一体とした回転は、基板Ｗの表面に蒸着材料５１Ｍを蒸着させるときに用いられる。また、例えば、基板ホルダー５３とマスクベース５４とを一体とした昇降は、基板Ｗと蒸着マスクＭと固定プレートＨＰとを一体として回転させる際の移動に用いられる。なお、固定プレートＨＰは、基板Ｗの温度を所望の温度に調整するための温調機能や、蒸着マスクＭを基板Ｗに対して磁気的に位置決めする位置決め機能を備える。
【００４４】
上述したように、支持フレーム５８は、基板Ｗの位置と蒸着マスクＭの位置とを整合させるための蒸着カメラ５２、基板ホルダー５３、マスクベース５４、駆動源５５、ホルダーフック５０Ｃ、および、伝達機構５６を搭載する。すなわち、支持フレーム５８は、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置の位置決めに用いられる各構成を搭載する。位置決めに用いられる各構成を搭載した支持フレーム５８は、各構成との機械的な結合体として固有振動数を有し、加振振動数が固有振動数となる状態では、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置にずれを生じさせてしまう。そこで、上記支持フレーム５８は、接続部５９を介して、真空槽５０Ｂに機械的に接続されている。すなわち、蒸着装置は、蒸着カメラ５２や駆動源５５や伝達機構５６など、これら基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置を位置決めする各構成と、真空槽５０Ｂとの間に、支持フレーム５８と接続部５９とを介在させている。
【００４５】
接続部５９は、真空槽５０Ｂでの振動の伝達を支持フレーム５８に対して抑える防振機能を備える。接続部５９は、例えば、防振ゴムであり、特に、支持フレーム５８を含む上記結合体の固有振動数の振動の伝達を抑える。蒸着装置は、例えば、４つの接続部５９を備え、各接続部５９は、基板Ｗの周方向に等間隔を空けて配置されている。
【００４６】
図６は、蒸着チャンバー５０における基板Ｗの裏面ＷＲと対向する平面視での基板Ｗの平面構造を示す。図６では、説明の便宜上、基板Ｗの形状を円板状として、各蒸着カメラ５２が撮影する領域を基板Ｗに重ねて示す。
【００４７】
図６が示すように、基板Ｗは、配置領域ＷＡに配置され、蒸着マスクＭは、配置領域ＭＡに配置される。マスクマークＭｍの位置は、基板Ｗの輪郭Ｅよりも外側に位置するように設定されている。マスクマークＭｍは、基板Ｗの裏面ＷＲと対向する平面視において矩形状を有するが、矩形状とは異なる形状、例えば十字状などを有してもよい。
【００４８】
各蒸着カメラ５２が撮影する領域は、撮影範囲５Ｚであり、配置領域ＷＡの周方向にほぼ等配されている。各撮影範囲５Ｚの中心には、各蒸着カメラ５２の光軸５Ａが位置する。平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界が撮影範囲５Ｚに含まれ、かつ、各撮影範囲５Ｚに別々のマスクマークＭｍが含まれるように、基板Ｗの搬送精度に基づき、３箇所の撮影範囲５Ｚの位置およびサイズは設定される。
【００４９】
図７は、上記ロードカメラ３４や蒸着カメラ５２が撮影した画像の一例である。
図７が示すように、画像は、基板Ｗの像ＩＭＷと、基板Ｗの背景像ＩＭＢとを含む。基板Ｗの像ＩＭＷのなかで、相対的に明度の高い部分が、平坦部Ｗｐ１の像ＩＭ１、すなわち、第１像である。これに対して、基板Ｗの像のなかで、相対的に明度の低い部分が、ベベル部Ｗｐ２の像ＩＭ２、すなわち、第２像である。基板Ｗの背景像における明度は、第１像の明度よりも低く、かつ、第２像の明度よりも高い。
【００５０】
ここで、基板Ｗの輪郭Ｅとは、基板Ｗにおいて最も外側に位置する点を結んだ外形線であり、ベベル部Ｗｐ２の外形線でもある。このベベル部Ｗｐ２は、通常、所定の曲率を有した曲面で構成される。ベベル部Ｗｐ２の曲面は、基板Ｗの輪郭Ｅに向けて、基板Ｗの像ＩＭＷの明度を徐々に低くし、ベベル部Ｗｐ２の像ＩＭ２である第２像と、基板Ｗの背景像ＩＭＢとの境界を、不明りょうとする。そして、像ＩＭ２と背景像ＩＭＢとの境界から基板Ｗの輪郭Ｅを検出する際には、その位置の精度に大きな誤差を生じさせてしまう。特に、基板Ｗの位置に数μｍの精度が求められる検出では、上述した境界での不明りょうさが非常に大きな誤差となる。
【００５１】
これに対して、ベベル部Ｗｐ２と平坦部Ｗｐ１との境界は、基板Ｗにおいて面方向が変わる境界であり、例えば、平坦部Ｗｐ１と対向する方向からの撮影では、それが明確に検出される境界でもある。それゆえに、像ＩＭ１と像ＩＭ２との境界が、基板Ｗの外形の一部として特定される構成であれば、その外形を用いた基板Ｗの位置の検出において、検出の精度を向上することが可能となる。
【００５２】
制御装置１００が備える画像処理部１１０は、ロードカメラ３４や蒸着カメラ５２の撮影した画像を用いたコントラストに基づくエッジ検出を行い、像ＩＭ１と像ＩＭ２との境界を抽出する。そして、画像処理部１１０は、抽出された像ＩＭ１と像ＩＭ２との境界、すなわち、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界を、基板Ｗの外形の一部として特定する。なお、ロードカメラ３４の光軸４Ａの位置や、ロードカメラ３４の撮影範囲４Ｚの位置は、ロードカメラ３４に固有の座標系（例えば、ＸＹθ座標系）で定められる。また、蒸着カメラ５２の光軸５Ａの位置や、蒸着カメラ５２の撮影範囲５Ｚの位置は、蒸着カメラ５２に固有の座標系（例えば、ＸＹθ座標系）で定められる。画像処理部１１０は、像ＩＭ１と像ＩＭ２との境界をこの座標系で算出し、それによって、基板Ｗの外形の一部を特定する。
【００５３】
［作用］
図８を参照して、制御装置１００が行う校正処理、表面位置の特定処理、裏面位置の特定処理、および、位置合わせ処理を説明する。
［校正処理：ＥＥＦＭ３０］
画像処理部１１０は、校正処理において、各マークカメラ３３が校正基板の表面を撮影した画像（表面画像）に対して画像解析を行う。すなわち、画像処理部１１０は、基板マークＷｍを検出するためのエッジ検出などを表面画像に施し、マークカメラ３３のカメラ座標系において、光軸３Ａに対する基板マークＷｍの相対位置を算出する。なお、画像処理部１１０は、カメラ座標系における光軸３Ａの位置を、例えば、表面画像の中心とする。
【００５４】
画像処理部１１０は、校正処理において、各ロードカメラ３４が校正基板の裏面を撮影した透過画像（裏面画像）に対して画像解析を行う。すなわち、画像処理部１１０は、基板マークＷｍを検出するためのエッジ検出などを裏面画像に施し、ロードカメラ３４のカメラ座標系において、光軸４Ａに対する基板マークＷｍの相対位置を算出する。なお、画像処理部１１０は、カメラ座標系における光軸４Ａの位置を、例えば、裏面画像の中心とする。
【００５５】
次いで、画像処理部１１０は、マークカメラ３３のカメラ座標系での基板マークＷｍの位置、および、その基板マークＷｍの相対座標を用い、基板マークＷｍの相対位置が定められる相対座標系において、マークカメラ３３の光軸位置を算出する。また、画像処理部１１０は、ロードカメラ３４のカメラ座標系での基板マークＷｍの位置、および、その基板マークＷｍの相対座標を用い、基板マークＷｍの相対位置が定められる相対座標系において、ロードカメラ３４の光軸位置を算出する。すなわち、画像処理部１１０は、３台のマークカメラ３３の光軸３Ａ間における相対位置、および、３台のロードカメラ３４の光軸４Ａ間における相対位置を算出する。画像処理部１１０は、カメラ間の相対位置の一例として、各マークカメラ３３の光軸位置、および、各ロードカメラ３４の光軸位置を記憶する。画像処理部１１０は、校正処理を行う都度、各マークカメラ３３の光軸位置、および、各ロードカメラ３４の光軸位置を更新する。
【００５６】
このように、マークカメラ３３間の相対位置と、ロードカメラ３４間の相対位置とが、共通する校正基板の基板マークＷｍの撮影によって算出される。一方、これらマークカメラ３３間の相対位置と、ロードカメラ３４間の相対位置とは、以下の形態でも得られる。すなわち、各マークカメラ３３が、第１の校正基板の基板マークＷｍを撮影し、各ロードカメラ３４が、第２の校正基板の基板マークＷｍを撮影し、これらの撮影結果から、各別の相対位置を算出することも可能ではある。ただし、各別の校正基板を撮影する形態では、校正基板間での基板マークＷｍの位置の誤差や、校正基板間での搬送誤差などが、表裏の撮影結果に各別に含まれてしまう。この点、共通する基板マークＷｍを表裏で一度に撮影する形態であれば、マークカメラ３３間の相対位置と、ロードカメラ３４間の相対位置とに、上述した誤差が含まれることが抑えられる。
【００５７】
［校正処理：蒸着チャンバー５０］
画像処理部１１０は、校正処理において、校正基板の裏面画像に対する画像解析を行う。すなわち、画像処理部１１０は、エッジ検出などを各裏面画像に施し、蒸着カメラ５２のカメラ座標系において、光軸５Ａに対する基板マークＷｍの相対位置を算出する。なお、画像処理部１１０は、カメラ座標系における光軸５Ａの位置を、例えば、裏面画像の中心とする。次いで、画像処理部１１０は、蒸着カメラ５２のカメラ座標系での基板マークＷｍの位置、および、その基板マークＷｍの相対座標を用い、基板マークＷｍの相対位置が定められる相対座標系において、蒸着カメラ５２の光軸位置を算出する。すなわち、画像処理部１１０は、３つの蒸着カメラ５２の光軸５Ａ間における相対位置を算出する。画像処理部１１０は、カメラ間の相対位置の一例として、各蒸着カメラ５２の光軸位置を記憶する。画像処理部１１０は、校正処理を行う都度、各蒸着カメラ５２の光軸位置を更新する。
【００５８】
［表面位置の特定処理］
画像処理部１１０は、表面位置の特定処理において、各マークカメラ３３が処理基板の表面を撮影した画像（表面画像）を用い、パターン中心の位置を算出する。すなわち、画像処理部１１０は、エッジ検出などを各表面画像に施し、マークカメラ３３のカメラ座標系において、基板マークＷｍの位置を算出する。次いで、画像処理部１１０は、各マークカメラ３３の光軸位置と、カメラ座標系での基板マークＷｍの位置とから、基板マークＷｍ間の相対位置を算出する。そして、画像処理部１１０は、パターン中心を中心とする仮想円が、各基板マークＷｍの相対位置を通るように、基板マークＷｍの相対位置が定められる相対座標系において、パターン中心の位置を算出する。
【００５９】
［裏面位置の特定処理：ＥＦＥＭ３０］
制御装置１００は、ＥＦＥＭ３０での裏面位置の特定処理において、ステージに載置された処理基板の裏面ＷＲに光を照射する。そして、制御装置１００は、平坦部Ｗｐ１で反射した光による像ＩＭ１と、ベベル部Ｗｐ２で反射した光による像ＩＭ２とを含む画像をロードカメラ３４に撮影させる。次いで、制御装置１００は、ロードカメラ３４が撮影した画像をＥＦＥＭ３０から取得する。
【００６０】
画像処理部１１０は、ロードカメラ３４が撮影した画像を用い、画像のコントラストに基づいて、ＥＦＥＭ３０における、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界を抽出する。そして、画像処理部１１０は、第１基板中心を中心とする仮想円が各境界を通るように、第１基板中心の位置を算出する。
【００６１】
なお、ＥＦＥＭ３０における各マークカメラ３３による基板マークＷｍの撮影と、各ロードカメラ３４による平坦部Ｗｐ１およびベベル部Ｗｐ２の撮影とは、同時に行ってもよいし、各別のタイミングで行ってもよい。２箇所での撮影を各別のタイミングで行うときには、各マークカメラ３３による撮影を各ロードカメラ３４による撮影よりも先に行ってもよいし、各ロードカメラ３４による撮影を各マークカメラ３３による撮影よりも先に行ってもよい。２箇所での撮影を各別のタイミングで行うときには、２箇所での撮影の間に基板Ｗを回転させてもよい。また、各マークカメラ３３による基板マークＷｍの撮影は、同時に行ってもよいし、各別のタイミングで行ってもよいし、各ロードカメラ３４による平坦部Ｗｐ１およびベベル部Ｗｐ２の撮影も、同時に行ってもよいし、各別のタイミングで行ってもよい。
【００６２】
［裏面位置の特定処理：蒸着チャンバー５０］
制御装置１００は、蒸着チャンバー５０での裏面位置の特定処理において、基板ホルダー５３に載置された処理基板の裏面ＷＲに光を照射する。そして、制御装置１００は、平坦部Ｗｐ１で反射した光による像ＩＭ１と、ベベル部Ｗｐ２で反射した光による像ＩＭ２とを含む画像を蒸着カメラ５２に撮影させる。次いで、制御装置１００は、蒸着カメラ５２が撮影した画像を蒸着チャンバー５０から取得する。
【００６３】
画像処理部１１０は、蒸着カメラ５２が撮影した画像を用い、画像のコントラストに基づいて、蒸着チャンバー５０における、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界を抽出する。そして、画像処理部１１０は、第２基板中心を中心とする仮想円が各境界を通るように、第２基板中心の位置を算出する。
【００６４】
なお、上述した表面位置の特定処理や裏面位置の特定処置では、１台のカメラで撮影を行うごとに、処理基板を回転させることも可能である。特に、基板マークＷｍの位置は、処理基板ごとに異なり、また、共通する特定の位置に各処理基板を固定する方式では、基板マークＷｍを撮影できない処理基板が存在することがある。この場合には、１個の基板マークＷｍを撮影するごとに、カメラに対して処理基板を回転させることが可能である。処理基板を回転させて複数の基板マークＷｍを撮影する方式では、基板マークＷｍ間における相対位置を処理基板の回転角度によって把握できる。なお、処理基板の回転角度は、回転角度を検出する検出部によって検出することが可能であり、検出部には、例えばエンコーダーを用いることができる。
【００６５】
［位置合わせ処理］
図８が示すように、制御装置１００は、例えば、１枚目の処理基板について、ＥＦＥＭ３０での撮影によるパターン中心と第１基板中心とを用い、パターン中心と第１基板中心とのずれ量（Δｘ，Δｙ，Δθ）を算出する。
【００６６】
次いで、制御装置１００は、１枚目の基板Ｗが蒸着チャンバー５０に搬入されたとき、蒸着カメラ５２が撮影した画像を用い、マスク中心を中心とする仮想円が各マスクマークを通るように、マスク中心の位置を算出する。そして、制御装置１００は、第２基板中心にずれ量を反映させて、第２基板中心をマスク中心に合わせるための補正量を算出する。制御装置１００は、補正量に相当する駆動量で伝達機構５６を駆動させるべく、駆動源５５を駆動するための駆動信号ＳＩＧを出力する。
【００６７】
このように、上述した蒸着装置によれば、マークカメラ３３のカメラ座標系、ロードカメラ３４のカメラ座標系、および、蒸着カメラ５２のカメラ座標系という３つの各別のカメラ座標系を、単一の校正基板によって校正することが可能である。これにより、各カメラ座標系において相互に座標の変換を行うことが可能である。言い換えれば、各カメラ座標系において相互に座標の変換を行う際に、座標の変換に伴う位置のずれを抑えることが可能である。
【００６８】
上述した校正処理を制御装置１００が行うことによって、マークカメラ３３の光軸位置と、ロードカメラ３４の光軸位置とが、共通する基板マークＷｍの撮影によって算出される。これによって、ロードカメラ３４による処理基板の位置の検出精度を、マークカメラ３３による処理基板の位置の検出精度にまで、すなわち、基板マークＷｍを直接撮影した結果による検出精度と同じ程度にまで予め高められる。そして、マークカメラ３３の光軸位置と、ロードカメラ３４の光軸位置とのずれ量（Δｘ，Δｙ，Δθ）が、表面撮影と裏面撮影との間の差異として、蒸着カメラ５２の撮影による第２基板中心に反映される。これによって、蒸着チャンバー５０における処理基板の位置が、蒸着チャンバー５０において基板マークＷｍを直接撮影したときと同じ程度の位置精度で算出される。結果として、第２基板中心とマスク中心との整合を、パターン中心とマスク中心との整合として取り扱うことが可能となる。
【００６９】
ここで、蒸着装置は、第２基板中心とマスク中心とを整合させた状態で、マスクベース５４と基板ホルダー５３とを基板Ｗの周方向に回転させて、蒸着源５１から蒸着材料を昇華させる。この際、真空槽５０Ｂに真空を形成するための排気系５７の振動や、基板Ｗを搬送するための電動機の振動、さらには、真空槽５０Ｂの設置される環境から真空槽５０Ｂに伝達した振動などの各種の振動が、真空槽５０Ｂに発生する。他方、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置を位置決めする各構成を搭載した支持フレーム５８と、この真空槽５０Ｂとの間には、防振機能を備えた複数の接続部５９が介在する。そのため、支持フレーム５８を含む結合体の固有振動数の振動が真空槽５０Ｂから支持フレーム５８に伝達することが、これら複数の接続部５９の介在によって抑えられる。それゆえに、パターン中心とマスク中心とが間接的に整合させられた上述の状態が保たれ、また、その状態を形成するための蒸着カメラ５２と基板Ｗや蒸着マスクＭとの相対位置も保たれ、この状態において、基板Ｗに対する蒸着が続けられる。
【００７０】
以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果が得られる。
（１）真空槽５０Ｂで生じた振動が基板Ｗと蒸着マスクＭとに伝達することを抑えることが可能である。それゆえに、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置、および、これらと蒸着カメラ５２との相対位置に、上記振動の伝達によるずれが生じることを抑えることが可能である。
【００７１】
（２）特に、真空槽５０Ｂでは、真空を形成するためのポンプによる振動、真空槽５０Ｂに対して基板Ｗを搬送するための電動機による振動、真空槽５０Ｂが設置された環境から真空槽５０Ｂに伝達した振動など、各種の振動が発生する。したがって、真空槽５０Ｂと支持フレーム５８との間に接続部５９が介在する構成であれば、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置、および、これらと蒸着カメラ５２との相対位置でずれが生じることを、より効果的に抑えることが可能ともなる。
【００７２】
（３）各接続部５９が基板Ｗの周方向に分散しているため、基板Ｗの面方向（水平方向）に生じ得る振動の伝達を、基板Ｗの表面に対する法線方向（上下方向）よりも、効果的に抑えることが可能である。上記面方向での振動は、上記法線方向での振動よりも、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置のずれに直接的に関与する。したがって、上記面方向に生じ得る振動の伝達を効果的に抑える上記構成であれば、基板Ｗと蒸着マスクＭとの相対位置のずれを、より効果的を抑えることが可能ともなる。
【００７３】
（４）平坦部Ｗｐ１で反射された光による像ＩＭ１と、ベベル部Ｗｐ２で反射された光による像ＩＭ２とのコントラストに基づくこれらの境界から、基板Ｗの位置を検出するため、基板Ｗの位置を検出する精度を向上することが可能となる。
【００７４】
（５）特に、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界を用いて基板Ｗの位置を検出するため、基板マークＷｍを有していない基板Ｗも、検出の対象とすることが可能である。また、基板Ｗが十分な透明性を有しない、あるいは、不透明であり、かつ、基板マークＷｍを有していない面からの撮影によって基板Ｗの位置の検出が求められる場合であっても、高い精度の下で基板Ｗの位置を検出することが可能ともなる。
【００７５】
（６）基板Ｗの表面ＷＦからの撮影によってパターン位置を検出することが可能であり、基板Ｗの裏面ＷＲからの撮影によって基板中心を検出することが可能である。そのため、スパッタ成膜などのようにパターン位置に基づいて行われる処理と、蒸着成膜のように基板中心に基づいて行われる処理との間において、処理位置の整合を図ることが可能ともなる。
【００７６】
（７）裏面撮影による処理基板の位置の検出精度を、表面撮影による処理基板の位置の検出精度、すなわち、基板マークＷｍの撮影による検出精度と同じ程度にまで高められる。結果として、裏面撮影の結果のみが得られる蒸着処理の環境であっても、表面撮影の結果による位置の精度と同じ程度に、基板Ｗの位置の検出精度を高められ、その精度での基板Ｗの状態を保つことが可能ともなる。
【００７７】
なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
・画像処理部１１０は、抽出された平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界の位置のみから基板Ｗの位置を検出する。これを変更して、画像処理部１１０は、抽出された平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界の位置と、基板Ｗの位置を検出するための他の情報とを用い、基板Ｗの位置を検出することも可能である。基板Ｗの位置を検出するための他の情報は、基板Ｗが備えるノッチなどの特徴点の位置や、基板Ｗの回転角度などである。
【００７８】
・画像処理部１１０が基板Ｗの位置の特定に用いる境界は、基板Ｗの外周部のなかの１箇所であってもよいし、１箇所以上であってもよい。
例えば、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界の形状は、微視的には、ベベル部Ｗｐ２の加工ごと、すなわち、基板Ｗごとに異なり、各基板Ｗにおいて固有の形状である場合がある。外周部のなかの１箇所の境界から基板Ｗの位置を検出する構成では、まず、平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界の形状を、基板Ｗの全体にわたり、全周形状として予め収集する。そして、抽出された平坦部Ｗｐ１とベベル部Ｗｐ２との境界の形状が、全周形状のなかのどの部位であるかを検出することによって、基板Ｗの位置を検出する。
【００７９】
なお、第１基板中心を算出するときと、第２基板中心を算出するときとでは、外周部のなかで略同一のベベル部Ｗｐ２を含む部分を撮影することが好ましい。これにより、基板Ｗの位置を検出する精度をより高めることができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗが備えるノッチなどの特徴点の位置と、基板Ｗの回転角度とに基づき、ロードカメラ３４の撮影範囲４Ｚと、蒸着カメラ５２の撮影範囲５Ｚとに、外周部における略同一のベベル部Ｗｐ２を含む部分を位置させることができる。
【００８０】
・画像処理部１１０が検出する基板Ｗの位置は、基板Ｗの中心、基板Ｗの輪郭Ｅ、および、基板Ｗの中心や輪郭Ｅから算出される中心以外の特徴点、これらの少なくとも１種とすることが可能である。
【００８１】
・蒸着装置が備えるロードカメラ３４の数量は、１台または２台であってもよいし、４台以上であってもよい。ロードカメラ３４の数量が、１台または２台である場合には、上述したように、ロードカメラ３４の撮影結果と他の情報とを用いて、基板Ｗの位置を検出する。
【００８２】
・蒸着装置が備える蒸着カメラ５２の数量は、１台または２台であってもよいし、４台以上であってもよい。蒸着カメラ５２の数量が、１台または２台である場合には、上述したように、蒸着カメラ５２の撮影結果と他の情報とを用いて、基板Ｗの位置を検出する。
【００８３】
・蒸着装置が備える接続部５９の数量は、１体または２体以上であってもよい。接続部５９が１体である場合、接続部５９は、基板の周方向の全体にわたり支持フレーム５８と接触する環状を有することが可能である。
【００８４】
・支持フレーム５８を支持する下部構造体は、蒸着チャンバー５０以外の他のチャンバーとすることも可能であり、真空槽５０Ｂが設置された環境に設置される他の構造体とすることも可能である。
【００８５】
・処理基板の裏面が基板マークを備え、当該裏面に位置する基板マークを蒸着カメラ５２が撮影することによって、蒸着装置が第２基板中心を算出することも可能である。
【符号の説明】
【００８６】
Ｍ…蒸着マスク、Ｗ…基板、ＷＦ…表面、Ｗｍ…基板マーク、ＷＲ…裏面、Ｗｐ１…平坦部、Ｗｐ２…ベベル部、３０…ＥＦＥＭ、３３…マークカメラ、３４…ロードカメラ、５０…蒸着チャンバー、５０Ｂ…真空槽、５１…蒸着源、５２…蒸着カメラ、５３…基板ホルダー、５４…マスクベース、５５…駆動源、５６…伝達機構、５９…接続部、６０…反転チャンバー、７０…スパッタチャンバー、１００…制御装置、１１０…画像処理部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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