(57)【要約】【課題】表示素子の性能を落とすことなく、タッチセンサ用の配線の断線を防止する表示装置を提供する。【解決手段】  第１絶縁層と、第１絶縁層上の第１導電層と、第１絶縁層および第１導電層上の第２絶縁層と、第２絶縁層上で第１導電層と一部が重なる第１センサ電極と、第２絶縁層上で第１センサ電極から離間して配置された画素電極と、画素電極上の発光層と、発光層上の共通電極と、第２絶縁層および第１センサ電極上に配置され、画素電極の周縁部を覆い、画素電極の内側の領域を露出させる第３絶縁層と、を含み、第１センサ電極は、第２絶縁層を貫通する開口部で第１導電層と接続されている、表示装置が、提供される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の第１導電層と、
前記第１絶縁層および前記第１導電層上の第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上で前記第１導電層と一部が重なる第１センサ電極と、
前記第２絶縁層上で前記第１センサ電極から離間して配置された画素電極と、
前記画素電極上の発光層と、
前記発光層上の共通電極と、
前記第２絶縁層および前記第１センサ電極上に配置され、前記画素電極の周縁部を覆い、前記画素電極の内側の領域を露出させる第３絶縁層と、を含み、
前記第１センサ電極は、前記第２絶縁層を貫通する開口部で前記第１導電層と接続されている、表示装置。
【請求項２】
前記第１センサ電極は、前記画素電極の周囲を囲む網目状のパターンを有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１センサ電極と同一表面に、前記第１センサ電極と離間して配置される第２センサ電極を有する、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
一方向に離間して配置された複数の前記第１センサ電極を有し、
前記複数の前記第１センサ電極は、隣接するもの同士が前記第１導電層で接続されている、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１センサ電極は第１方向に延伸し、前記第２センサ電極は前記第１方向と交差する第２方向に延伸し、
前記第１センサ電極は、前記第１導電層と前記第２絶縁層を介して交差する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁層は平坦面を有し、
前記第３絶縁層は、前記第１導電層および前記第１センサ電極の上面で平坦面を有する、
請求項１乃至５のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２絶縁層は平坦面を有する、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１導電層と同一表面に、前記第１導電層と離間して配置される容量電極を含み、
前記容量電極は、前記画素電極と重畳する、
請求項１乃至７のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項９】
遮蔽電極をさらに含み、
前記遮蔽電極は、断面視において、前記第１センサ電極と、前記共通電極との間にある、
請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１センサ電極と前記遮蔽電極は、前記第１センサ電極を含む検出素子が駆動する時に同電位を有する、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１絶縁層は、有機樹脂を含む、
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１導電層は、酸素を含む導電材料である、
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
第１絶縁層上に第１導電層を形成し、
前記第１絶縁層および前記第１導電層上に第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層に開口部を形成し、
前記第２絶縁層上に第１導電層と前記開口部において接触するように第１センサ電極を形成し、
前記第２絶縁層上に前記第１センサ電極と離間するように画素電極を形成し、
前記第２絶縁層および前記第１センサ電極上に、かつ前記画素電極の周縁部を覆い、前記画素電極の内側の領域が露出するように第３絶縁層を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁層は平坦面を有し、
前記第３絶縁層は、前記第１導電層および前記第１センサ電極の上面で平坦面を有する、
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁層は、平坦面を有する、
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１導電層の形成と同時に、前記第１絶縁層上に容量電極を形成する、
請求項１３乃至１５のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１絶縁層または前記第２絶縁層は、有機樹脂を含む、
請求項１３乃至１６のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１導電層は、酸素を含む導電材料である、
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１絶縁層または前記第２絶縁層を形成した後、
熱処理を行う、
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記画素電極上に、発光層および共通電極を形成する、
請求項１３乃至の１９いずれか一に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気器具および電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示素子を用いた表示装置または有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を表示素子として用いた表示装置が開発、商品化されている。また、表示素子上にタッチセンサを搭載させた表示装置である、タッチパネルが近年急速に普及している。タッチパネルは、スマートフォンなどの携帯情報端末において必要不可欠なものとなっており、情報化社会のさらなる進歩に向けて世界的に開発が進んでいる。
【０００３】
上記タッチパネルは、タッチセンサを表示装置とは別基板で作製し、貼り合わせる方式と、表示装置内部に組み込んでしまう方式（オンセル方式という場合がある）などがある。特許文献１には、タッチパネルの構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−０５０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方で、オンセル方式を用いた場合、表示素子上に新たに電極または配線（センサ電極またはセンサ配線という場合がある）および絶縁層を設ける必要がある。ただし、表示素子が熱により損傷する恐れがあるため、センサ電極またはセンサ配線および絶縁層形成時の温度範囲が制限される場合がある。
【０００６】
また、オンセル方式の場合、表示素子上に形成された絶縁層などにより生じる凹凸が大きく、センサ電極またはセンサ配線が断線する場合がある。
【０００７】
このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、表示素子の性能を落とすことなく、タッチセンサ用の配線の断線を防止する表示装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、タッチセンサの検出速度を向上させる表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、第１絶縁層と、第１絶縁層上の第１導電層と、第１絶縁層および第１導電層上の第２絶縁層と、第２絶縁層上で第１導電層と一部が重なる第１センサ電極と、第２絶縁層上で第１センサ電極から離間して配置された画素電極と、画素電極上の発光層と、発光層上の共通電極と、第２絶縁層および第１センサ電極上に配置され、画素電極の周縁部を覆い、画素電極の内側の領域を露出させる第３絶縁層と、を含み、第１センサ電極は、第２絶縁層を貫通する開口部で第１導電層と接続されている、表示装置が、提供される。
【０００９】
本発明の他の一実施形態によれば第１絶縁層上に第１導電層を形成し、第１絶縁層および第１導電層上に第２絶縁層を形成し、第２絶縁層に開口部を形成し、第２絶縁層上に第１導電層と開口部において接触するように第１センサ電極を形成し、第２絶縁層上に第１センサ電極と離間するように画素電極を形成し、第２絶縁層および第１センサ電極上に、かつ画素電極の周縁部を覆い、画素電極の内側の領域が露出するように第３絶縁層を形成する、表示装置の製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素における画素回路の回路図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るタッチセンサを示す上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す断面図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す断面図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後に−１、−２などを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１２】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１３】
また、本明細書において、「導電層」、「電極」、「配線」という言葉とは、同様の意味を有し、状況に応じて入れ替えることが可能である。
【００１４】
＜第１実施形態＞
（１−１．表示装置の構成）
図１は、本実施形態に係る表示装置１０の上面図である。図１において、表示装置１０は、基板１００、表示部１０３、周縁部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６、フレキシブルプリント基板１０８、および端子部１０９を有する。駆動回路１０５は、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、ソースドライバとしての機能および後述するタッチセンサを制御する機能を有する。表示部１０３には、表示素子を含む画素１０１が格子状に離間して配列される。フレキシブルプリント基板１０８は、端子部１０９と電気的に接続される。端子部１０９は、信号線１４７ｂと接続されるとともに駆動回路１０５と接続される。
【００１５】
図２に、画素１０１における画素回路ＰＸの回路図を示す。なお、以下で説明する画素回路の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。
【００１６】
画素回路ＰＸは、画素１０１を駆動させる回路であり、駆動トランジスタ１３２、選択トランジスタ１３４、発光素子１３６および保持容量１３８を含む。駆動トランジスタ１３２は、後述するトランジスタ１１０に相当する。発光素子１３６は、後述する表示素子３００に相当する。保持容量１３８は、後述する容量素子１２０に相当する。
【００１７】
駆動トランジスタ１３２は、発光素子１３６に接続され、発光素子１３６の発光輝度を制御するトランジスタである。駆動トランジスタ１３２は、ゲート−ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。駆動トランジスタ１３２は、ゲートが選択トランジスタ１３４のドレインに接続され、ソースが駆動電源線１２８に接続され、ドレインが発光素子１３６の陽極に接続されている。
【００１８】
選択トランジスタ１３４は、オンオフ動作により、（映像）信号線１４７ｂと駆動トランジスタ１３２のゲートとの導通状態を制御するトランジスタである。選択トランジスタ１３４は、ゲートが走査線１４５ｃに接続され、ソースが（映像）信号線１０９に接続され、ドレインが駆動トランジスタ１３２のゲートに接続されている。
【００１９】
発光素子１３６は、陽極（後述する画素電極１５５）が駆動トランジスタ１３２のドレインに接続され、陰極（後述する共通電極１６０）が基準電源線１２６に接続されている。
【００２０】
保持容量１３８は、駆動トランジスタ１３２のゲート−ソース間に接続される。保持容量１３８は、駆動トランジスタ１３２のゲート−ソース間電圧を保持する。
【００２１】
ここで、基準電源線１２６は、複数の画素回路ＰＸに共通して設けられている。基準電源線には、端子部１０９に配置された一部の端子電極から定電位が与えられる。
【００２２】
定電圧を生成する電源回路は、複数の画素回路ＰＸに共通して設けられた基準電源線１２６に接続され、発光素子１３６の陰極に定電位を与える。
【００２３】
表示装置１０において、フレキシブルプリント基板１０８を介して映像信号が駆動回路１０６に入力される。次に、駆動回路１０５および駆動回路１０６が走査線１４５ｃおよび信号線１４７ｂを介して画素１０１を駆動させる（つまり、駆動トランジスタ１３２、選択トランジスタ１３４を駆動させ、発光素子１３６に電流が流れる）。結果的に、表示部１０３において静止画および動画が表示される。
【００２４】
（１−２．タッチセンサの構成）
次に、検出素子の一例として、タッチセンサの構成について説明する。図３は、表示装置１０に設けられたタッチセンサ２０の上面図である。タッチセンサ２０は、表示部１０３と重なって設けられる。タッチセンサ２０は、上面視において第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２を含む。なお、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２をまとめて導電層１５３という。以下において、分けて説明する必要がない場合は、導電層１５３として説明する。
【００２５】
図３に示すように、第１センサ電極１５３−１は、表示部１０３の長辺方向（第１方向Ｄ１という場合がある）に延伸して配置される配線として機能する（これを第１センサ配線１１５３−１という場合がある）。第１センサ配線１１５３−１は、表示部１０３の短辺方向（第２方向Ｄ２という場合がある）に並んで配置される。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは交差する。第１センサ電極１５３−１は、タッチセンサ２０における送信電極として機能する。同様に、第２センサ電極１５３−２は、第２方向Ｄ２に延伸して配置される配線として機能する（これを第２センサ配線１１５３−２という場合がある）。第２センサ配線１１５３−２は、第１方向Ｄ１に並んで配置される。第２センサ電極１５３−２は、タッチセンサ２０における受信電極として機能する。なお、第１センサ電極１５３−１が受信電極であり、第２センサ電極１５３−２が送信電極でもよい。第１センサ配線１１５３−１および第２センサ配線１１５３−２は、端子部１０９のうち端子電極１０９−１と接続される。端子電極１０９−２は、上述した動画および静止画の表示用として用いられる。平面視において、端子電極１０９−２は、端子電極１０９−１に挟まれる形で配置される。
【００２６】
タッチセンサ２０の領域２０Ａを拡大した上面図を図４に示す。また、図５に、領域２０ＡのＡ１−Ａ２間の断面図を示す。図５において、タッチセンサ２０は、絶縁層１５０上に配置され、導電層１５１ａ、絶縁層１５４、および導電層１５３を含む。導電層１５３（第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２）は、画素１０１を囲むように配置される。（つまり、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２は、網目状パターンを有するという場合がある）。画素１０１には、後述する表示素子１３０が配置されている。また、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２はそれぞれ飛び出し部１５３Ｃを有する。また、タッチセンサ２０には、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２に隣接してダミー電極１５４が配置される。飛び出し部１５３Ｃおよびダミー電極１５４が配置されることにより、タッチセンサ２０が形成される際に、基板１００において電極パターン密度が一定となるので、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２の形状を安定させることができる。
【００２７】
絶縁層１５０は、平坦面を有する。したがって、絶縁層１５０は、平坦化膜としての機能を有する。絶縁層１５０は、有機樹脂（例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂）等の有機絶縁材料を含む。特に図示していないが、例えば有機絶縁材料と無機絶縁材料との積層として形成されても良い。
【００２８】
導電層１５１ａは、絶縁層１５０上に設けられる。共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料で形成される。導電層１５１ａは、上述の金属材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。上述の金属材料を用いた場合、導電層１５１ａの抵抗率を下げることができる。
【００２９】
なお、導電層１５１ａは、上述の金属材料に限定されない。導電層１５１ａは、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）などの酸素を含む導電材料であってもよい。これらの材料が用いられた場合、絶縁層１５０との密着性を向上させることができる。
【００３０】
絶縁層１５４は、絶縁層１５０および導電層１５１ａ上に設けられる。絶縁層１５４には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。
【００３１】
導電層１５３は、絶縁層１５４上に設けられる。導電層１５３は、導電層１５１ａと同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。例えば、導電層１５３には、チタン、アルミニウム、チタンの積層材料が用いられる。
【００３２】
図３乃至図５に示すように第２センサ電極１５３−２は、第１センサ電極１５３−１と離間して配置される。第１センサ電極１５３−１と第２センサ電極１５３−２とは、同一表面（この場合絶縁層１５４の表面）に配置される。
【００３３】
第１センサ電極１５３−１（第１センサ配線１１５３−１）はＤ１方向に延伸するために、離間して複数設けられる。第２センサ電極１５３−２（第２センサ配線１１５３−２）はＤ２方向に延伸するために、離間して複数設けられる。第１センサ電極１５３−１は、導電層１５１ａと一部において重なるように配置される。具体的には、第１センサ電極１５３−１は、第１センサ配線１１５３−１と、第２センサ配線１１５３−２とが交差する部分、つまり絶縁層１５４を貫通する開口部１５４Ａにおいて、導電層１５１ａと接続される。これにより、複数の第１センサ電極１５３−１の隣接するもの同士が導電層１５１ａで接続されることとなる。第２センサ電極１５３−２は、導電層１５１ａを用いることなく、導電層１５３のみで設けられる。上記において、第１センサ電極１５３−１（第１センサ配線１１５３−１）が第１方向Ｄ１に延伸する際に導電層１５１ａおよび絶縁層１５４を介して交差するということができる。したがって、第１センサ電極１５３−１と第２センサ電極１５３−２とが短絡することを防止することができる。
【００３４】
また、絶縁層１５４上に第１センサ電極１５３−１から離間して表示素子１３０の一部である画素電極１５５が配置される。なお、図５において、画素電極１５５下に導電層１５３が配置されている。これにより画素電極の抵抗を下げることができるが、抵抗値に応じて必ずしも設けなくてもよい。
【００３５】
また、バンク層１５７は導電層１５１ａおよび導電層１５３上に配置される。バンク層１５７は、導電層１５１ａおよび導電層１５３の上面において平坦面を有する。これにより、導電層１５１ａおよび導電層１５３により生じる凹凸がバンク層１５７により平坦化される。
【００３６】
また、バンク層１５７は、画素電極１５５の周縁部を覆いつつ、画素電極１５５の内側の領域を露出させる。これにより、複数の開口部１５７Ａが格子状に設けられる。開口部１５７Ａには表示素子１３０が配置される。詳細は後述するが、表示素子１３０において、画素電極１５５、発光層（有機ＥＬ層１５９）および共通電極１６０が順に積層されている。つまり、表示素子１３０は、有機ＥＬ素子であるということができる。
【００３７】
また、図５に示すように、本実施形態において、表示素子１３０は、導電層１５３および容量電極１５１ｂ上に配置される。このとき、導電層１５３および容量電極１５１ｂは平坦に配置されるため、表示素子１３０は凹凸による影響を受けにくい。したがって、表示素子１３０に用いられる各層（具体的には、後述する画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９、および共通電極１６０）が断線してしまうことが防止される。また、絶縁層１５４上に導電層１５３ａが配置されてもよい。導電層１５３ａは、画素電極１５５の抵抗値を下げることができる。このとき、第１センサ電極１５３−１、第２センサ電極１５３−２、および導電層１５３ａは、同一層（つまり絶縁層１５４）上に配置されることとなる。つまり、第１センサ電極１５３−１、第２センサ電極１５３−２、および導電層１５３ａは同層電極であるということができる。
【００３８】
（１−３．タッチセンサの駆動）
ここで、タッチセンサの駆動について図３および図４を用いて説明する。第１センサ配線１１５３−１および第２センサ配線１１５３−２は、端子部１０９を介して駆動回路１０６と接続する。駆動回路１０６から第１センサ配線１１５３−１を介して第１センサ電極１５３−１に供給された電圧により、第１センサ電極１５３−１と第２センサ電極１５３−２との間に電界が発生する。このとき、人の指が表示装置１０に触れると、第１センサ電極１５３−１と第２センサ電極１５３−２との間の電界変化が生じる。これにより、配線間の容量変化が生じる。次に、第２センサ電極１５３−２から第２センサ配線１１５３−２を介して、駆動回路１０６に所定の情報が入力される。以上により、位置情報が検知される。
【００３９】
本実施形態に係る構成においては、第１センサ電極１５３−１と、第２センサ電極１５３−２とが同一の層（具体的には絶縁層１５４）上に設けられているため、小さな容量変化を検知することができる。したがって、タッチセンサの検知精度が向上する。また、上述した第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２において、飛び出し部１５３Ｃおよびダミー電極１５４が配置されることにより、センサ電極間の電界を強めることができ、さらにタッチセンサの検知精度が向上する。
【００４０】
（１−４．表示装置の各層の構成）
図６は、図１乃至図５に示された表示装置１０の表示部１０３（画素１０１）の断面図および周縁部１０４から端子部１０９にかけての断面図である。図６に示すように、表示装置１０は、前述したタッチセンサ２０、絶縁層１５０、表示素子１３０、バンク層１５７に加えて、基板１００、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１、絶縁層１４１、絶縁層１４９、封止層１６１、およびオーバーコート層１７０などを有する。
【００４１】
図６において、トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、およびソース・ドレイン電極１４７ａを有する。トランジスタ１１０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。
【００４２】
また、容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域および容量電極１４５ｂが用いられる。また、容量素子１２１は、絶縁層１５４を誘電体として、容量電極１５１ｂおよび画素電極１５５が用いられる。容量電極１５１ｂは画素電極１５５と重畳する。導電層１５１ａおよび容量電極１５１ｂはともに絶縁層１５０上に離間して配置される。つまり、導電層１５１ａおよび容量電極１５１ｂは同一表面に設けられるということができる。
【００４３】
また、表示素子１３０には、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および共通電極１６０が用いられる。つまり、表示素子１３０は、有機ＥＬ素子であるということができる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を共通電極１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。
【００４４】
基板１００は、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。有機樹脂基板を適用した場合、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。また、基板１００は、表示素子からの出射光を外に取り出すために、透明性が求められる場合がある。表示素子からの出射光を取り出さない側にある基板は、透明である必要は無いため、前述の材料に加えて、その他の無機材料や金属材料が用いられてもよい。基板１００の厚さは、特に制限されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以上４００μｍ以下であることが望ましい。また、基板１００が可撓性を有する場合、折り曲げ部１０２を設けてもよい。
【００４５】
絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層１４２への拡散を抑制することができる。
【００４６】
半導体層１４２は、絶縁層１４１上に設けられる。半導体層１４２には、シリコン、酸化物半導体または有機物半導体などが用いられる。
【００４７】
ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１、および半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。
【００４８】
ゲート電極１４５ａは、ゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａは、走査線（図示せず）に接続される。なお、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａと容量電極１４５ｂとは、共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料で形成される。ゲート電極１４５ａと容量電極１４５ｂとは、前述の導電材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【００４９】
絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられ、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂ上に設けられる。なお、絶縁層１４９は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。
【００５０】
ソース・ドレイン電極１４７ａは、絶縁層１４９上に設けられる。ソース・ドレイン電極１４７ａは、信号線１４７ｂに接続される。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａの材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａと同じ材料が用いられても良いし、異なる材料が用いられても良い。ソース・ドレイン電極１４７ａに加え、他の配線も同じ導電材料を用いて形成されるため、低抵抗であること、半導体層１４２との接合性の良いこと、等が求められる。
【００５１】
画素電極１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有する。さらに画素電極１５５は、光を反射させる性質を有することが好ましい。前者の機能として好ましいのは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物導電材料であり、後者の機能として好ましいのはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電材料が挙げられる。これらの機能を両立するため、前述の材料の積層、具体的にはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電層上に、ＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電層を積層するといった構造が採用される。
【００５２】
有機ＥＬ層１５９は、画素電極１５５上に設けられる。有機ＥＬ層１５９は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。
【００５３】
共通電極１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有する。共通電極１６０は、複数の画素電極１５５に跨って、画素電極１５５を連続的に覆うように設けられている。共通電極１６０には有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有し、かつ導電性を有する材料が設けられる。
【００５４】
共通電極１６０には、透光性が求められるのと同時に、画素電極１５５の反射面との間でマイクロキャビティを形成するための反射性が求められる。このため、共通電極１６０は、半透過膜として形成される。具体的には、共通電極１６０として、銀、マグネシウム、又はそれらの合金でなる層が、光が透過する程度の膜厚で形成される。
【００５５】
バンク層１５７には、画素電極１５５の周縁部を覆うと共に、画素電極１５５の端部で滑らかな段差を形成するために、有機樹脂材料が用いられる。また、バンク層１５７には、表示画像のコントラスト比を高めるために、黒色顔料を含む有機樹脂材料が用いられてもよい。
【００５６】
無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、および無機絶縁層１６６は、順に積層され、封止層１６１としての機能を有する。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。有機絶縁層１６４は、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。封止層１６１は、製造時や経年劣化に伴い発生する不純物、特に水分が、発光素子に侵入するのを防止する。本実施例における構成の他、封止性能が十分であれば、封止層１６１は一層でもよく、３層以上の積層構造であってもよい。
【００５７】
オーバーコート層１７０は、バンク層１５７および封止層１６１上に設けられる。オーバーコート層には、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。なお、オーバーコート層１７０は、端子電極１０９−１上から除去される。これにより、フレキシブルプリントプリント基板１０８と端子電極１０９−１とが接続される。
【００５８】
端子部１０９（端子電極１０９−１）は、ソース・ドレイン電極１４７ａと同時に形成される。端子電極１０９−１は、延伸した導電層１５３に接続される。
【００５９】
なお、表示装置１０が折り曲げ部１０２を有する場合、絶縁層１４１、ゲート絶縁層１４３、絶縁層１４９、絶縁層１５４および封止層１６１は、折り曲げ部１０２には設けられなくてもよい。これにより、表示装置１０を折り曲げ部１０２において曲げやすくなる。
【００６０】
図６において、封止層１６１やバンク層１５７により生じる大きな凹凸の下にタッチセンサが設けられることとなる。したがって、タッチセンサの電極および配線（例えば導電層１５３）が断線することが防止される。
【００６１】
（１−５．表示装置の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図７乃至図１４を用いて説明する。
【００６２】
（１−５−１．トランジスタの形成）
まず、図７に示すように、基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２およびゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。
【００６３】
基板１００には、ガラス基板、または有機樹脂基板が用いられる。例えば、基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。
【００６４】
絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。
【００６５】
半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料が用いられる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、めっき法またはＣＶＤ法などにより形成される。
【００６６】
ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１と同様の方法により形成することができる。
【００６７】
ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂには、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものが用いられてもよい。例えば、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂとして、スパッタリング法により形成したモリブデンおよびタングステンの積層膜が用いられる。
【００６８】
次に、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ上に絶縁層１４９を形成する。絶縁層１４９の形成には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法が用いられる。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜が用いられる。
【００６９】
次に、絶縁層１４９上にソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂの形成には、ゲート電極１４５ａと同様の材料、方法を用いることができる。ソース・ドレイン電極１４７ａは、絶縁層１４９に開口部を形成してから形成され、半導体層１４２のソース・ドレイン領域に接続される。
【００７０】
次に、図８に示すように、絶縁層１４９、ソース・ドレイン電極１４７ａ上に絶縁層１５０を形成する。絶縁層１５０の形成には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの有機樹脂（有機絶縁材料）が用いられる。絶縁層１５０は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、絶縁層１５０として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。このとき、絶縁層１５０は、上面が平坦となる程度まで形成される。絶縁層１５０は、特に限定されないが１μｍ以上１０μｍ以下の厚みで形成することが望ましい。絶縁層１５０は、所定の形状に加工され、端子部１０９において、開口部を有する。
【００７１】
（１−５−２．タッチセンサの形成）
次に、図９に示すように、絶縁層１５０上にタッチセンサ２０を形成する。まず、平坦面を有する絶縁層１５０上に導電層１５１ａを形成する。導電層１５１ａは、ゲート電極１４５ａと同様の方法を用いて形成することができる。導電層１５１ａには、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの酸素を含む導電材料が用いられる。酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの酸素を含む導電材料は、有機樹脂を用いた絶縁層１５０との密着性が良いため望ましい。
【００７２】
なお、導電層１５１ａに、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料が用いられる場合、絶縁層１５０を形成後、熱処理を行うことが望ましい。熱処理温度は特に限定されないが、１５０℃以上３００℃以下であることが望ましい。これにより、絶縁層１５０内に含まれた水分が除去され、表示装置１０の製造工程の後半および表示装置１０の製造後においても絶縁層１５０と導電層１５１ａとの密着性が保持される。上記熱処理は、絶縁層１５４形成後にも行ってもよい。
【００７３】
また、導電層１５１ａと形成と同時に、容量電極１５１ｂが形成される。つまり、同一の層にタッチセンサ２０を形成する電極と、容量素子を形成する電極とが、同時に形成される。
【００７４】
次に、図１０に示すように絶縁層１５０および導電層１５１ａ上に絶縁層１５４を形成する。絶縁層１５４は、絶縁層１４９およびゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法を用いて形成される。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜が用いられる。絶縁層１５４形成後、開口部１５４Ａを形成する。なお、表示装置１０が折り曲げ部１０２を有する場合、絶縁層１４１、ゲート絶縁層１４３、絶縁層１４９および絶縁層１５４は、折り曲げ部１０２から除去されてもよい。また、絶縁層１５４は、端子電極１０９−１を露出させるために端子電極１０９−１から除去される。
【００７５】
次に、図１１に示すように、絶縁層１５４上に導電層１５３を形成する。導電層１５３は、ゲート電極１４５ａと同様の方法を用いて形成することができる。導電層１５３に、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料が用いられる。例えば、導電層１５３には、スパッタリング法により形成されたチタン、アルミニウム、チタンの積層膜が用いられる。導電層１５３は、表示部１０３から端子電極１０９−１まで延伸される。導電層１５３は、導電層１５１ａと開口部１５４Ａにおいて接触する。これにより、第１センサ電極１５３−１が形成される。同時に第２センサ電極１５３−２も形成される。
【００７６】
（１−５−３．表示素子の形成）
次に、図１２に示すように、容量素子１２１（上述した容量電極１５１ｂ、絶縁層１５４および画素電極１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および共通電極１６０で形成される）、バンク層１５７を形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。
【００７７】
まず、絶縁層１５４および導電層１５３上に、第１センサ電極１５３−１と離間するように、画素電極１５５を形成する。例えば、画素電極１５５には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れる酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。画素電極１５５は、ゲート電極１４５ａと同様の方法により形成される。例えば、画素電極１５５として、スパッタリング法により形成したＩＴＯ、銀、ＩＴＯの積層膜が用いられる。なお、図１２において、画素電極１５５下に導電層１５３ａが形成されることにより抵抗を下げることができるが、画素電極１５５の抵抗値に応じて必ずしも導電層１５３は形成されなくてもよい。
【００７８】
次に、絶縁層１５４上および画素電極１５５の周縁部を覆うように、バンク層１５７を形成する。バンク層１５７は、絶縁層１５４上および画素電極１５５の上面において平坦面を有するように形成される。バンク層１５７は、画素電極１５５の上面を露出するように開口部が形成される。バンク層１５７の開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となるのが好ましい。例えば、バンク層１５７として、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜が用いられる。
【００７９】
次に、画素電極１５５、バンク層１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１５９は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。
【００８０】
また、有機ＥＬ層１５９は、少なくとも画素電極１５５と重畳するように形成される。有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。
【００８１】
次に画素電極１５５および有機ＥＬ層１５９に跨るように、共通電極１６０を形成する。共通電極１６０には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜、または銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金を用いることができる。また、共通電極１６０は、真空蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。例えば、共通電極１６０として、蒸着法により成膜した銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金膜が用いられる。これにより、バンク層１５７の開口部に表示素子が形成される。
【００８２】
（１−５−４．封止層の形成）
次に、図１３に示すように、封止層１６１となる無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４および無機絶縁層１６６を順に形成する。封止層１６１は、表示部１０３全面を覆うように形成される。
【００８３】
無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコンなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコーティング法、スプレー法、または印刷法を用いて形成される。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることができる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は、数十ｎｍ以上数μｍ以下としてもよい。
【００８４】
有機絶縁層１６４には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて形成される。有機絶縁層１６４の膜厚は、限定されないが、例えば数μｍ以上数十μｍ以下としてもよい。
【００８５】
（１−５−５．オーバーコート層の形成）
次に、表示部１０３および周縁部１０４を覆うように、オーバーコート層１７０を形成する。オーバーコート層１７０には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。オーバーコート層１７０は、絶縁層１５０と同様の方法により形成される。なお、オーバーコート層１７０は、フレキシブルプリント基板１０８との接続のために端子部１０９から一部除去される。
【００８６】
上記製造方法を用いることにより、表示装置１０を製造することができる。上記製造方法を用いた場合、導電層１５１ａと容量電極１５１ｂとが同一の層に形成されるので、新たな工程を設ける必要がない。したがって、タッチセンサを含む表示装置を製造する上で工程数を削減することができる。
【００８７】
ここで、従来のオンセル型のタッチセンサの製造方法と本実施形態のタッチセンサの製造方法とを比較する。従来のオンセル型のタッチセンサの場合、タッチセンサの製造方法が制限される場合がある。例えば、有機ＥＬ表示素子を形成した後の熱処理温度の上限は、有機ＥＬ層の劣化を防ぐために１００℃程度に制限されてしまう。この場合、タッチセンサに用いられる電極の抵抗を十分に下げることができない、または、絶縁層の絶縁耐性が不十分となる場合がある。このため、タッチセンサの検出感度を十分に高めることができない場合がある。
【００８８】
しかしながら、本実施形態を用いることにより、有機ＥＬ層１５９を含む表示素子１３０を形成する前に、タッチンセンサ２０を形成することができる。これにより、タッチセンサに用いる電極および絶縁層の形成時の温度制限が回避される。したがって、タッチセンサに用いられる電極の抵抗を下げることができる。第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２の抵抗が下がることにより、タッチセンサの検出速度が向上する。また、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２の抵抗が下がることにより、ＳＮ（シグナル−ノイズ）比が向上し、結果としてタッチセンサの検出精度が向上する。また、絶縁層に対して、高温で熱処理を行うことにより絶縁層中の不純物（例えば水分）を低減することができる。したがって、絶縁層の絶縁耐性を向上させることができる。したがって、タッチセンサの信頼性を向上させることができる。よって、本実施形態を用いることにより、表示素子の性能を落とすことなく、タッチセンサの検出精度および検出速度を向上させることができる。
【００８９】
＜第２実施形態＞
第１実施形態で示した表示装置と異なるタッチセンサ含む表示装置について説明する。なお、第１実施形態で示した構造、方法と同様の部分について、その説明を援用する。
【００９０】
図１５は、表示装置１０−１のうちタッチセンサおよび表示素子の一部を示す断面図である。図１５において、タッチセンサ２０−１は、絶縁層１４８上に配置され、導電層１４７ｃ、絶縁層１５０、絶縁層１５２、および導電層１５３を含む。
【００９１】
図１５に示すように、タッチセンサ２０−１は、絶縁層１４８上に配置される。絶縁層１４８は、絶縁層１５０と同様の材料および方法により形成される。絶縁層１４８および絶縁層１５０はともに平坦面を有する。そのため、絶縁層１４８下に配線（例えば図１５に示す導電層１４４）が配置されても、導電層１４７ｃは、平坦な表面に設けられる。これにより、タッチセンサに用いられる電極および配線の断線が効果的に防止される。
【００９２】
図１６は、表示装置１０−１の表示部１０３（画素１０１）および周縁部１０４の断面図である。図１６において、表示装置１０−１は、前述したタッチセンサ２０に加えて、導電層１４４、絶縁層１４８、絶縁層１５０、表示素子１３０、バンク層１５７、基板１００、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１、容量素子１２２、容量素子１２３、絶縁層１４１、絶縁層１４９、封止層１６１、およびオーバーコート層１７０などを有する。
【００９３】
図１６に示すように、表示装置１０−１では、導電層１４７ｃは、ソース・ドレイン電極１４７ａと同一の層に形成される。そのため、表示装置を製造する上での工程数の増加が抑えられる。
【００９４】
また、図１６に示すように、導電層１５３と画素電極１５５との間に絶縁層１５４が配置されることにより、容量素子１２１が形成されるとともに、容量電極１５１ｂと導電層１５３との間に絶縁層１５２が配置され、容量素子１２３が形成される。同様に、絶縁層１４９と絶縁層１４８との間に導電層１４４が設けられる。これにより、容量電極１４５ｂ、導電層１４４および絶縁層１４９を用いて容量素子１２２が配置される。つまり、本実施形態を用いることにより、タッチセンサの電極および配線の断線が防止されるとともに、画素における容量を増やすことができる。
【００９５】
（変形例１）
本発明の第１実施形態では、タッチセンサに用いられる導電層１５３が画素１０１に対してメッシュ状に配置される例を示したが、これに限定されない。導電層１５３は、ライン状に配置されてもよいし、図１７に示すようにダイアモンド状（菱形状）に配置されてもよい。
【００９６】
（変形例２）
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００９７】
（変形例３）
本発明の第１実施形態では、タッチセンサ２０の導電層１５３上にバンク層１５７が設けられているが、これに限定されない。例えば、図１８に示すように、導電層１５３上に新たに平坦化膜１５６を設けてもよい。このとき、平坦化膜１５６は、導電層１５３と画素電極１５５との間に配置されているということができる。平坦化膜１５６は、絶縁層１５０と同様の材料および方法により形成される。これにより、さらにタッチセンサ用の電極の凹凸が緩和される。
【００９８】
（変形例４）
また、図１９に示すように、さらに平坦化膜１５６上に遮蔽電極１８０および平坦化膜１５８を設けてもよい。このとき、遮蔽電極１８０は、導電層１５３と、共通電極１６０との間にある。遮蔽電極１８０が設けられることにより、画素電極１５５または共通電極１６０と導電層１５３との間に寄生容量が生じた場合にも、検出感度が低下することが、防止される。なお、遮蔽電極１８０には、タッチセンサを駆動する時に導電層１５３と同一の電位が印加されることが望ましい。これにより、さらにタッチセンサの検出感度を高めることができる。
【００９９】
（変形例５）
本発明の第１実施形態では、第１センサ電極１５３−１および第２センサ電極１５３−２は、ともに絶縁層１５４上に設けられる例を示したが、これに限定されない。図２０は、タッチセンサ２０−４の上面図である。図２１は、Ａ１−Ａ２間のタッチセンサ２０−３の断面図である。図２０および図２１に示すように、導電層１５１ａが第１センサ電極としての機能を有し、導電層１５３が第２センサ電極としての機能を有してもよい。このとき、第１センサ電極と第２センサ電極とが異なる層に設けられることとなる。これにより、第１センサ電極と、第２センサ電極とが接触することにより短絡することが防止される。
【０１００】
（変形例６）
本発明の第１実施形態では、タッチセンサ２０の交差する部分が信号線１４７に重畳される例を示したが、これに限定されない。図２２は、表示装置１０−６の断面図である。図２２に示すように、タッチセンサ２０の交差する部分が、トランジスタ１１０の一部と重畳して配置されてもよい。このとき、信号線１４７ｂは、表示素子１３０と重畳して配置されてもよい。これにより、各構成要素を高密度に配置することができる。
【０１０１】
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０２】
１０・・・表示装置、２０・・・タッチセンサ、１００・・・基板、１０３・・・表示部、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０６・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１０９・・・端子部、１１０・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１３２・・・駆動トランジスタ、１３４・・・選択トランジスタ、１３６・・・発光素子、１３８・・・保持容量、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・ゲート電極、１４５ｂ・・・容量電極、１４７・・・ソース・ドレイン電極、１４９・・・絶縁層、１５０・・・絶縁層、１５１ａ・・・導電層、１５２・・・絶縁層、１５３・・・導電層、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極、１５６・・・平坦化膜、１５７・・・バンク層、１５８・・・平坦化膜、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・共通電極、１６１・・・封止層、１６２・・・無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６６・・・無機絶縁層、１８０・・・遮蔽電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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