(57)【要約】【課題】処理対象物の熱劣化が起こらない温度で粘着性を有し、かつ高温環境下であっても溶融粘度が大きくは低下しない仮固定材を用いた処理対象物の処理方法を提供する。【解決手段】支持体と仮固定材と処理対象物とを有する積層体を形成する工程、処理対象物を加工し、および／または積層体を移動する工程、処理対象物を支持体から分離する工程を有し、仮固定材が、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）と共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）と共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有する組成物から形成された層（Ｉ）を有し、前記（Ａ）中の前記（ａ１）の含有割合が２０質量％以上であり、処理対象物が仮固定材上に保持されている、処理対象物の処理方法。【選択図】図１
2019127579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）支持体と仮固定材と処理対象物とを有する積層体を形成する工程と、
（２）前記処理対象物を加工し、および／または前記積層体を移動する工程と、
（３）前記処理対象物を前記支持体から分離する工程と
を有し、
前記仮固定材が、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有する組成物から形成された層（Ｉ）を有しており、前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上であり、
前記積層体において前記処理対象物が、前記仮固定材上に保持されている、
処理対象物の処理方法。
【請求項２】
前記組成物中における前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）の含有量が、前記水添ブロック共重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部である、請求項１に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項３】
前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）中における前記構造単位（ｂ２）の含有量が、前記構造単位（ｂ１）および前記構造単位（ｂ２）の合計の含有量１００質量部に対して３０〜９７質量部である、請求項１または２に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項４】
前記仮固定材が、光吸収層（II）をさらに有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項５】
前記分離前および／または分離中に、前記支持体側から、前記仮固定材に光を照射する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項６】
前記積層体が、前記支持体、前記光吸収層（II）、前記層（Ｉ）および前記処理対象物の順に前記各要素を有する、請求項４に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項７】
前記処理対象物が配線層を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項８】
前記加工が、前記配線層上に半導体ウエハおよび半導体チップから選ばれる少なくとも１種を配置することを含む、請求項７に記載の処理対象物の処理方法。
【請求項９】
重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有し、
前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上である、
組成物。
【請求項１０】
前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）の含有量が、前記水添ブロック共重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）中における前記構造単位（ｂ２）の含有量が、前記構造単位（ｂ１）および前記構造単位（ｂ２）の合計の含有量１００質量部に対して３０〜９７質量部である、請求項９または１０に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の処理対象物の処理方法により処理対象物を加工して、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（１ａ）支持体と仮固定材と配線層とを有する積層体を形成する工程と、
（２ａ）前記配線層上に、半導体ウエハおよび半導体チップから選ばれる少なくとも１種を配置することを含む工程と、
（３ａ）前記配線層を前記支持体から分離する工程と
を有し、
前記仮固定材が、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有する組成物から形成された層（Ｉ）を有しており、前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上であり、
前記積層体において前記配線層が、前記仮固定材上に保持されている、
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の処理対象物をガラス基板等の支持体上に仮固定材を介して接合した状態で、処理対象物に対して加工処理を行う方法等の処理対象物の処理方法、組成物、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の処理対象物をガラス基板等の支持体上に仮固定材を介して接合した状態で、処理対象物に対して、ダイシング、裏面研削およびフォトファブリケーション等の加工処理を行う方法が提案されている。仮固定材には、加工処理中において支持体上に処理対象物を仮固定することができ、加工処理後には支持体と処理対象物とを容易に分離できることが必要とされる。
【０００３】
特許文献１には、仮固定材に光照射してその接着力を低減させた後、または光照射を行いながら、支持体とチップ等の処理対象物とを分離する方法において、仮固定材の接合層に水添共役ジエン重合体を含有する層を用いた例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−０７９２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
支持体と処理対象物とを仮固定材により貼り合わせるため、仮固定材には溶融して粘着する必要がある。ここで、処理対象物の加熱による劣化を考慮すると、前記熱劣化が起こらない温度で溶融して粘着性を有する仮固定材が好ましい。
【０００６】
一方、貫通孔、バンプおよび再配線の形成等のフォトファブリケーションや、メッキをメルトフローさせることによるチップ間の電気的接続等を含むチップの積層等では、仮固定材は高温環境下に曝されるため、高温環境下であっても、支持体および処理対象物がずれて動かないよう、溶融粘度が大きくは低下しない仮固定材が好ましい。
【０００７】
本発明は、前記熱劣化が起らない温度で粘着性を有し、かつ高温環境下であっても溶融粘度が大きくは低下しない仮固定材を用いた処理対象物の処理方法、当該仮固定材を形成するための組成物、および半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する処理対象物の処理方法により前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［１３］に関する。
【０００９】
［１］（１）支持体と仮固定材と処理対象物とを有する積層体を形成する工程と、（２）前記処理対象物を加工し、および／または前記積層体を移動する工程と、（３）前記処理対象物を前記支持体から分離する工程とを有し、前記仮固定材が、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有する組成物から形成された層（Ｉ）を有しており、前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上であり、前記積層体において前記処理対象物が、前記仮固定材上に保持されている、処理対象物の処理方法。
【００１０】
［２］前記組成物中における前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）の含有量が、前記水添ブロック共重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部である、前記［１］に記載の処理対象物の処理方法。
【００１１】
［３］前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）中における前記構造単位（ｂ２）の含有量が、前記構造単位（ｂ１）および前記構造単位（ｂ２）の合計の含有量１００質量部に対して３０〜９７質量部である、前記［１］または［２］に記載の処理対象物の処理方法。
【００１２】
［４］前記仮固定材が、光吸収層（II）をさらに有する、前記［１］〜［３］のいずれかに記載の処理対象物の処理方法。
【００１３】
［５］前記分離前および／または分離中に、前記支持体側から、前記仮固定材に光を照射する、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の処理対象物の処理方法。
【００１４】
［６］前記積層体が、前記支持体、前記光吸収層（II）、前記層（Ｉ）および前記処理対象物の順に前記各要素を有する、前記［４］に記載の処理対象物の処理方法。
【００１５】
［７］前記処理対象物が配線層を有する、前記［１］〜［６］のいずれかに記載の処理対象物の処理方法。
【００１６】
［８］前記加工が、前記配線層上に半導体ウエハおよび半導体チップから選ばれる少なくとも１種を配置することを含む、前記［７］に記載の処理対象物の処理方法。
【００１７】
［９］重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有し、前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上である、組成物。
【００１８】
［１０］前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）の含有量が、前記水添ブロック共重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部である、前記［９］に記載の組成物。
【００１９】
［１１］前記非水添ランダム共重合体（Ｂ）中における前記構造単位（ｂ２）の含有量が、前記構造単位（ｂ１）および前記構造単位（ｂ２）の合計の含有量１００質量部に対して３０〜９７質量部である、前記［９］または［１０］に記載の組成物。
【００２０】
［１２］前記［１］〜［８］のいずれかに記載の処理方法により処理対象物を加工して、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
【００２１】
［１３］（１ａ）支持体と仮固定材と配線層とを有する積層体を形成する工程と、（２ａ）前記配線層上に、半導体ウエハおよび半導体チップから選ばれる少なくとも１種を配置することを含む工程と、（３ａ）前記配線層を前記支持体から分離する工程とを有し、前記仮固定材が、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有する組成物から形成された層（Ｉ）を有しており、前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上であり、前記積層体において前記配線層が、前記仮固定材上に保持されている、半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、前記熱劣化が起こらない温度で粘着性を有し、かつ高温環境下であっても溶融粘度が大きくは低下しない仮固定材を用いた処理対象物の処理方法、当該仮固定材を形成するための組成物、および半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明で形成される積層体に係る一実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の処理対象物の処理方法で形成される積層体および本発明の組成物について説明した後、処理対象物の処理方法および半導体装置の製造方法について説明する。
本明細書で例示する各成分、例えば組成物中の各成分は、特に言及しない限り、それぞれ１種単独で用いることができ、または２種以上を併用して用いることができる。
【００２５】
本発明において仮固定材とは、処理対象物を加工および／または移動するに際して、支持体から処理対象物がずれて動かないように支持体上に処理対象物を仮固定するために用いられる材料のことである。処理対象物とは、後述する工程（２）での加工処理や移動処理を受ける対象物を意味し（例えば後述する工程（１）や（２）での段階）、また、加工や移動処理を受けた後の対象物を意味する場合もある（例えば後述する工程（３）や（４）での段階）。本明細書では、処理対象物を単に「対象物」ともいう。
【００２６】
［積層体］
本発明で形成される積層体は、支持体と仮固定材と処理対象物とを有しており、ここで処理対象物は仮固定材上に保持されている。例えば、加工または移動対象である処理対象物が、仮固定材を介して、支持体上に仮固定されている。前記積層体は、支持体と仮固定材と処理対象物とを積層方向にこの順に有することが好ましい。
【００２７】
前記仮固定材は、層（Ｉ）を有する。層（Ｉ）は、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する水添ブロック共重合体（Ａ）と、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有する非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを含有する組成物から形成される。ここで、前記水添ブロック共重合体（Ａ）中に含まれる構造単位（ａ１）の含有割合は、２０質量％以上である。
【００２８】
本発明では、構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％以上である水添ブロック共重合体（Ａ）と、非水添ランダム共重合体（Ｂ）とを用いている。本発明では、非水添ランダム共重合体（Ｂ）を用いない場合に比べて、層（Ｉ）の例えば２２０℃以下における溶融粘度が比較的低いため、対象物の熱劣化等が起こりにくい温度で対象物を仮固定材上に仮固定できる。また、本発明では、構造単位（ａ１）の含有割合が２０質量％未満である水添ブロック共重合体を用いる場合に比べて、温度上昇に伴う層（Ｉ）における溶融粘度の低下率が小さいため、例えば２２０℃超という高い加工温度下においても対象物を保持できる。
【００２９】
仮固定材は、例えば、図１に示すように、層（Ｉ）に加えて、光吸収層（II）をさらに有することが好ましい。例えば、光吸収層（II）に後述する光を照射すると、光吸収層（II）が光を吸収し、分解または変質する。光照射によるこの分解または変質により、光吸収層（II）の強度または接着力が低下する。そこで積層体に外力を加えることにより、光吸収層（II）内で凝集破壊が起こり、または光吸収層（II）と当該層に接する層との界面で界面破壊が起こる。したがって、光照射処理後の積層体に外力を加えることにより、支持体と対象物とを容易に分離することができる。
【００３０】
半導体ウエハおよび半導体チップ等の処理対象物は、光照射を受けると劣化することがある。仮固定材に光照射してその接着力を低減させた後、または光照射を行いながら、支持体と対象物とを分離する光照射分離法では、使用される光が対象物に到達しないよう、仮固定材の光吸収層（II）は前記光を遮断できることが好ましい。
【００３１】
仮固定材は、層（Ｉ）および層（II）の他に、任意の他の層を有することができる。支持体、光吸収層（II）、層（Ｉ）および対象物の順に前記各要素を有する積層体の場合は、例えば層（Ｉ）と層（II）との間に中間層を設けることができ、また層（Ｉ）と対象物との間または層（II）と支持体との間に他の層を設けることができる。
【００３２】
積層体において、仮固定材が対象物を仮固定するための充分な保持力を有することから、層（Ｉ）が、対象物と接している層であることが好ましく、図１に示すように、支持体（１０）、光吸収層（II）（２２）、層（Ｉ）（２１）および対象物（３０）の順に前記各要素を有する積層体がより好ましい。
【００３３】
仮固定材の厚さは、通常は０．０１〜１０００μｍ、好ましくは０．１〜５００μｍ、より好ましくは０．２〜３００μｍである。また、層（Ｉ）および層（II）の各層の厚さは、それぞれ独立に、通常は０．０１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．２μｍ以上である。このような態様であると、仮固定材が対象物を仮固定するための充分な保持力を有し、加工処理または移動処理中に仮固定面から対象物が脱落することもない。
【００３４】
〔層（Ｉ）〕
層（Ｉ）は、水添ブロック共重合体（Ａ）および非水添ランダム共重合体（Ｂ）を含有する組成物（以下「仮固定用組成物（Ｉ）」ともいう）を用いて形成される。仮固定用組成物（Ｉ）は、通常、溶剤を含有する。
【００３５】
層（Ｉ）の１８０℃における溶融粘度は、好ましくは１２０，０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１００，０００〜４０，０００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは９０，０００〜５０，０００Ｐａ・ｓである。また、層（Ｉ）の、（１８０℃の溶融粘度−２５０℃の溶融粘度）／１８０℃の溶融粘度）×１００で算出される溶融粘度低下率（％）は、好ましくは８５％以下、より好ましくは８０％以下である。溶融粘度低下率は低いほど好ましいが、その下限値は例えば４０％である。なお、層（Ｉ）の溶融粘度の測定条件の詳細は実施例に記載する。
【００３６】
＜水添ブロック共重合体（Ａ）＞
水添ブロック共重合体（Ａ）（以下単に「共重合体（Ａ）」ともいう）は、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）および共役ジエン由来の構造単位（ａ２）を有する。
【００３７】
本明細書において、「ある化合物由来の構造単位」とは、通常、当該化合物に含まれる重合性二重結合部分の反応に基づく構造単位を意味する。
共重合体（Ａ）は、例えば、前記芳香族化合物および共役ジエンを重合して得られるブロック共重合体の水素添加体であり、すなわち前記ブロック共重合体を水素添加（本明細書において「水添」ともいう）して得られる重合体である。ここでの水添は、共役ジエン由来の構造単位に対して行われる。
【００３８】
構造単位（ａ１）は、例えば、式（ａ１−１）で表される構造単位である。構造単位（ａ２）は、例えば、式（ａ２−１）で表される構造単位および式（ａ２−２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種である。
【００３９】
【化１】
2019127579.tif 000003
式（ａ１−１）、（ａ２−１）および（ａ２−２）中、Ｒ1は水素原子またはアルキル基であり、Ｒ2は直接結合またはアルカンジイル基であり、好ましくは直接結合であり、Ａｒは置換基を有することができる芳香族基であり、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基である。アルキル基およびアルカンジイル基の炭素数は、通常は１〜８、好ましくは１〜４である。芳香族基の環を構成する炭素の炭素数は、通常は６〜１８、好ましくは６〜１０であり、例えば、フェニル基、ナフタレニル基、アントラセニル基等の芳香族炭化水素基、ピリジニル基等の芳香族複素環式基が挙げられ、芳香族基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アミノ基が挙げられる。
【００４０】
重合性二重結合を含む芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ，ｍまたはｐ−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレン、ジビニルベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノスチレン、ビニルピリジン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセンが挙げられる。これらの中でも、入手性および重合容易性の観点から、スチレン、α−メチルスチレンが好ましい。
【００４１】
共役ジエンとしては、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、３−ブチル−１，３−オクタジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエンが挙げられる。これらの中でも、１，３−ブタジエン、イソプレンが好ましい。
【００４２】
共重合体（Ａ）において、構造単位（ａ１）の含有割合は、２０質量％以上であり、好ましくは２０〜４０質量％である。前記含有割合は、ＮＭＲにより測定することができる。
【００４３】
構造単位（ａ１）の含有割合は、層（Ｉ）の溶融粘度の低下率に影響する。共重合体（Ａ）は水添ブロック共重合体であり、構造単位に規則性があるため結晶性が高く、共重合体（Ａ）のみを含む層は溶融粘度の低下率が小さくなる。特に構造単位（ａ１）は共重合体（Ａ）の結晶性に大きく寄与することから、構造単位（ａ１）の含有割合は、層（Ｉ）の溶融粘度の低下率に影響する。
前記含有割合が２０質量％を下回ると、温度上昇による溶融粘度の低下率が大きく、高い加工温度において仮固定材が対象物を保持できなくなる。前記含有割合が２０質量％以上であると、高温において溶融粘度を維持でき、高い加工温度において仮固定材が対象物を保持できる。
【００４４】
共重合体（Ａ）は、一実施態様において、重合性二重結合を有するモノマー由来の構造単位が、構造単位（ａ１）および構造単位（ａ２）のみからなる共重合体であることが溶融粘度の低下率の点から好ましい。
【００４５】
共重合体（Ａ）の水素添加率は、９０モル％以上であることが好ましく、９５モル％以上であることがより好ましい。水素添加率が前記範囲にある重合体は、耐熱性に優れる。水素添加率は、赤外線分光（モレロ法）により測定することができる。
【００４６】
共重合体（Ａ）は、ブロック共重合体であり、例えば、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ａ１）からなる重合体ブロック（Ａ１）と、共役ジエン由来の構造単位（ａ２）からなる重合体ブロック（Ａ２）とを有するブロック共重合体であることがより好ましい。
【００４７】
ブロック共重合体は、カップリング剤の残基を介して結合することができる。カップリング剤としては、２官能以上のカップリング剤を用いることができる。例えば、特開２０１４−０９５０２３号公報、特開２０１０−１１６５７０号公報、特開２０１０−００１３７１号公報、および特開２０１０−２５４９８３号公報に記載されたカップリング剤が挙げられる。
【００４８】
共重合体（Ａ）の具体例としては、重合性二重結合含有芳香族化合物系エラストマー、例えば、スチレン−エチレン/ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン/プロピレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン/ブチレンブロック共重合体（ＳＥＢ）、スチレン−エチレン/プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）等の、重合性二重結合を含む芳香族化合物および共役ジエンのブロック共重合体の水素添加物；水添共役ジエン系エラストマー、例えば、スチレン−エチレン/ブチレン−オレフィン結晶ブロック共重合体（ＳＥＢＣ）等の重合性二重結合含有芳香族化合物−オレフィン結晶系ブロック共重合体が挙げられる。
【００４９】
共重合体（Ａ）の、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は１０，０００〜３００，０００、好ましくは２０，０００〜２５０，０００、より好ましくは３０，０００〜２００，０００である。
【００５０】
共重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー（株）製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ  ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ  １本、Ｇ４０００ＨＸＬ  １本）を直列に接続し、測定装置「ＨＬＣ−８２２０−ＧＰＣ」（東ソー（株）製）を用いて、展開溶媒をテトラハイドロフラン、ＧＰＣカラム温度を４０℃の条件で屈折率法により検出されたシグナルを、ポリスチレン換算で測定することにより算出できる。後述する共重合体（Ｂ）のＭｗも、同様の方法で測定できる。
【００５１】
共重合体（Ａ）の製造方法としては公知の方法を採用することができる。例えば、各構造単位に対応するモノマーを、有機溶剤中で有機アルカリ金属化合物を重合開始剤としてリビングアニオン重合し、得られた重合体を水添することにより、共重合体（Ａ）を得ることができる。例えば、特開２０１４−９５０２３号公報、特開２０１０−２５４９８３号公報、特開２０１０−１１６５７０号公報、特開２０１０−１３７１号公報、特開２０１７−０７９２７４号公報に記載された方法が挙げられる。
【００５２】
＜非水添ランダム共重合体（Ｂ）＞
非水添ランダム共重合体（Ｂ）（以下単に「共重合体（Ｂ）」ともいう）は、重合性二重結合を含む芳香族化合物由来の構造単位（ｂ１）および共役ジエン由来の構造単位（ｂ２）を有し、構造単位（ｂ２）は水添されていない。
【００５３】
共重合体（Ｂ）と共重合体（Ａ）は良好に混和する。その結果、仮固定材の層（Ｉ）は、低温度であっても粘着性を有し、対象物を仮固定材上に仮固定させる際の温度を下げることができるので、対象物の熱劣化を低減することができる。
【００５４】
共重合体（Ａ）は水添ブロック共重合体であるため結晶性が高く、共重合体（Ａ）のみを含む層は溶融しにくい。
一方、共重合体（Ａ）および共重合体（Ｂ）を含有する層は、共重合体（Ａ）のみを含む層に比べて、相対的に溶融しやすくなる。その理由は、以下の通りであると推察される。共重合体（Ａ）および共重合体（Ｂ）は、いずれも芳香族化合物由来の構造単位を有しており、また共役ジエン由来の構造単位を有している。したがって、ランダム共重合体（Ｂ）は、その構成モノマー種の組合せがブロック共重合体（Ａ）と同一である又は類似することから、ブロック共重合体（Ａ）と良好に混和し、その結果共重合体（Ａ）のみからなる層に比べて結晶性が崩れる。その結果、層（Ｉ）全体の溶融粘度を低下させることができたと考えられる。
【００５５】
構造単位（ｂ１）は、例えば、式（ｂ１−１）で表される構造単位である。構造単位（ｂ２）は、例えば、式（ｂ２−１）で表される構造単位および式（ｂ２−２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種である。
【００５６】
【化２】
2019127579.tif 000004
式（ｂ１−１）、（ｂ２−１）および（ｂ２−２）中におけるＲ1〜Ｒ3およびＡｒは、それぞれ、式（ａ１−１）、（ａ２−１）および（ａ２−２）中における同一記号と同義である。
【００５７】
共重合体（Ｂ）における重合性二重結合を含む芳香族化合物および共役ジエンとしては、共重合体（Ａ）において前述した具体例および好適例が挙げられる。ただし、共重合体（Ａ）および（Ｂ）において、構造単位（ａ１）および（ｂ１）を導く前記芳香族化合物は同一でも異なってもよく、また構造単位（ａ２）および（ｂ２）を導く前記共役ジエンは同一でも異なってもよい。
【００５８】
共重合体（Ｂ）において、構造単位（ｂ２）の含有量は、構造単位（ｂ１）および構造単位（ｂ２）の合計の含有量１００質量部に対して、通常は３０〜９７質量部、好ましくは４０〜９５質量部である。このような態様であると、得られる層（Ｉ）は低温度であっても粘着性を有し、また温度上昇に伴う溶融粘度の低下率が小さくなることから好ましい。これらの含有割合は、ＮＭＲにより測定することができる。
【００５９】
共重合体（Ｂ）は、一実施態様において、重合性二重結合を有するモノマー由来の構造単位が、構造単位（ｂ１）および構造単位（ｂ２）のみからなる共重合体であることが好ましい。
【００６０】
共重合体（Ｂ）の具体例としては、例えば、スチレン／ブタジエンランダム共重合体、スチレン／イソプレンランダム共重合体が挙げられる。
共重合体（Ｂ）の、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は１，０００〜２０，０００、好ましくは１，５００〜１５，０００、より好ましくは２，０００〜９，０００である。このような態様であると、共重合体（Ｂ）は、共重合体（Ａ）とより良好に混和することができる。
【００６１】
共重合体（Ｂ）は、例えば、重合性二重結合を含む芳香族化合物および共役ジエンを重合して得られる。共重合体（Ｂ）の製造方法としては、公知の方法を採用することができる。
【００６２】
仮固定用組成物（Ｉ）中における共重合体（Ａ）および共重合体（Ｂ）の合計含有量は、仮固定用組成物（Ｉ）に含まれる固形分１００質量％中、通常は８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上である。固形分とは、溶剤以外の全成分をいう。このような態様であると、層（Ｉ）の接着性、分離性および耐熱性の点で好ましい。
【００６３】
仮固定用組成物（Ｉ）中における共重合体（Ｂ）の含有量は、共重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常は０．１〜２０質量部、好ましくは０．５〜１０質量部、より好ましくは０．８〜５質量部である。このような態様であると、共重合体（Ｂ）は、共重合体（Ａ）とより良好に混和することができる。
【００６４】
＜その他の成分＞
仮固定用組成物（Ｉ）は、共重合体（Ａ）および（Ｂ）以外の樹脂をさらに含有することができる。前記樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂が挙げられる。
【００６５】
仮固定用組成物（Ｉ）は、必要に応じて、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、ポリスチレン架橋粒子、界面活性剤および金属酸化物粒子から選ばれる少なくとも１種を含有することができる。
【００６６】
〔光吸収層（II）〕
仮固定材は、光吸収層（II）をさらに有することが好ましい。光吸収層（II）は、通常は光吸収剤を含有する。
【００６７】
光吸収層（II）の分解または変質、および光遮断性の観点から、光吸収層（II）は、光照射処理で使用される光に対する光透過率が低いことが好ましい。光吸収層（II）は、光照射処理で使用される光の波長における光透過率が、好ましくは１０％Ｔ以下、より好ましくは５％Ｔ以下、さらに好ましくは１％Ｔ以下である。
【００６８】
光吸収層（II）は、例えば、光吸収剤を含有する組成物（以下「仮固定用組成物（II）」ともいう）を用いて形成することができる。仮固定用組成物（II）は、通常、溶剤を含有する。
【００６９】
＜光吸収剤＞
光吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系光吸収剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系光吸収剤、ベンゾフェノン系光吸収剤、サリチル酸系光吸収剤、感放射線性ラジカル重合開始剤、および光感応性酸発生剤等の有機系光吸収剤；フェノールノボラック、およびナフトールノボラック等のノボラック樹脂；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック７、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック３１、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック３２、およびＣ．Ｉ．ピグメントブラック３５等の黒色顔料（例えばカーボンブラック）；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：４、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン５８、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４５、およびＣ．Ｉ．ピグメントレッド２５４等の非黒色顔料；Ｃ．Ｉ．バットブルー４、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー４０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン２８、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン５９、Ｃ．Ｉ．アシッドイエロー１１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２、Ｃ．Ｉ．リアクティブイエロー２、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド３７、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド１８０、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー２９、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド２８、およびＣ．Ｉ．ダイレクトレッド８３等の染料が挙げられる。
【００７０】
これらの中でも、支持体からの対象物の分離性が向上することから、ノボラック樹脂、または黒色顔料が好ましい。本発明では、黒色顔料として、カーボンブラック単体の他、ＭＨＩブラック＃２０１、＃２０９、＃２２０、＃２７３（以上、御国色素（株）製）等のカーボンブラック分散体を用いることができる。
【００７１】
仮固定用組成物（II）の固形分１００質量％中、および／または光吸収層（II）１００質量％中、光吸収剤の含有割合は、通常は１質量％以上、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である。ここで「固形分」とは、溶剤以外の全成分をいう。光吸収剤の含有割合が前記範囲にあると、支持体からの対象物の分離性の観点から好ましい。
【００７２】
＜その他の成分＞
仮固定用組成物（II）は、必要に応じて、熱分解性樹脂、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、界面活性剤、架橋剤、架橋促進剤、光酸発生剤、ポリスチレン架橋粒子および金属酸化物粒子から選ばれる少なくとも１種を含有してもよい。
【００７３】
〔仮固定用組成物（Ｉ）および仮固定用組成物（II）の製造〕
仮固定用組成物（Ｉ）および仮固定用組成物（II）は、必要に応じて樹脂組成物の加工に用いる公知の装置、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いて、各成分を混合することにより製造することができる。また、異物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。
【００７４】
仮固定用組成物（Ｉ）および仮固定用組成物（II）は、粘度を塗布に適した範囲に設定するため、溶剤を含有することができる。溶剤としては、例えば、キシレン、リモネン、１，３，５−トリメチルベンゼン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素溶剤；アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール又はエーテル溶剤；炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、メトキシプロピルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル又はラクトン溶剤；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド又はラクタム溶剤が挙げられる。
【００７５】
仮固定用組成物（Ｉ）および仮固定用組成物（II）が溶剤を含有することにより、これらの粘度を調整することが容易となり、したがって対象物または支持体上に仮固定材を形成することが容易となる。例えば、溶剤は、仮固定用組成物（Ｉ）および仮固定用組成物（II）の固形分濃度が、それぞれ独立に通常は５〜７０質量％、より好ましくは５〜５０質量％となる範囲で用いることができる。ここで「固形分濃度」とは、溶剤以外の全成分の合計濃度である。
【００７６】
［処理対象物の処理方法］
本発明の処理対象物の処理方法は、（１）前記積層体を形成する工程と、ここで前記処理対象物は前記仮固定材上に保持されており、（２）前記処理対象物を加工し、および／または前記積層体を移動する工程と、（３）前記処理対象物を前記支持体から分離する工程とを有する。
【００７７】
＜工程（１）＞
工程（１）では、例えば、支持体および／または処理対象物の表面に、前記仮固定材を形成し、前記仮固定材を介して対象物と支持体とを貼り合せることにより、処理対象物を支持体上に仮固定する。また、支持体の表面に、前記仮固定材を形成し、前記仮固定材上に樹脂塗膜、配線層等の対象物を形成することにより、処理対象物を支持体上に仮固定することができる。処理対象物は、必要に応じて表面処理することができる。
【００７８】
上述の仮固定材の形成方法としては、例えば、仮固定材が有する各層を、仮固定用組成物を用いて支持体上および／または対象物上に直接形成する方法、離型処理が施されたフィルム上に仮固定用組成物を用いて一定膜厚で成膜した後、各層を支持体および／または対象物へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、前記直接形成する方法が好ましい。
【００７９】
仮固定材を支持体上や対象物上に形成するに際して、仮固定材の面内への広がりを均一にするため、対象物の表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、例えば、対象物面に予め表面処理剤を塗布する方法が挙げられる。表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤等のカップリング剤が挙げられる。
【００８０】
仮固定用組成物（Ｉ）および仮固定用組成物（II）の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。仮固定用組成物（Ｉ）または仮固定用組成物（II）を塗布して塗膜を形成した後は、必要に応じて加熱して、溶剤を蒸発させることにより、層（Ｉ）または光吸収層（II）を形成する。加熱の条件は、溶剤の沸点に応じて適宜決定され、例えば、加熱温度が通常は１００〜３５０℃であり、加熱時間が通常は１〜６０分である。
【００８１】
対象物と支持体との仮固定材を介した圧着条件は、例えば、好ましくは５〜４００℃、より好ましくは１５０〜４００℃で１〜２０分間、０．０１〜１００ＭＰａの圧力を各層の積層方向に付加することにより行う。例えば対象物がソルダーバンプ等を有しており、対象物と支持体とを高温で貼り合わせることに問題がある場合、前記圧着は２２０℃以下で行うことができる。圧着後、さらに１５０〜３００℃で１０分〜３時間加熱処理することができる。前記圧着は、真空下で行うこともできる。このようにして、対象物が支持体上に仮固定材を介して強固に保持される。
【００８２】
対象物としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜、配線層が挙げられる。半導体ウエハおよび半導体チップには、バンプ、配線、スルーホール、スルーホールビア、絶縁膜および各種の素子から選ばれる少なくとも１種を形成することができる。前記基板には、各種の素子を形成または搭載することができる。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層が挙げられる。
【００８３】
支持体としては、工程（３）で支持体側から光照射をして光吸収層（II）を変質させることが好ましいため、光照射で用いられる光に対して透明な基板が好ましく、例えば、ガラス基板、石英基板および透明樹脂製基板が挙げられる。
【００８４】
＜工程（２）＞
工程（２）は、支持体上に仮固定された対象物を加工し、および／または得られた積層体を移動する工程である。移動工程は、半導体ウエハ等の対象物を、ある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。支持体上に仮固定された対象物の加工処理としては、例えば、対象物のダイシング、対象物の薄化（裏面研削等）、フォトファブリケーション、半導体ウエハ又はチップの積層、各種素子の搭載、樹脂封止が挙げられる。フォトファブリケーションは、例えば、レジストパターンの形成、エッチング加工、スパッタ膜の形成およびメッキ処理から選ばれる１つ以上の処理を含む。前記積層、搭載は、例えば、メッキ処理、はんだリフロー処理により行うことができる。エッチング加工およびスパッタ膜の形成は、例えば２５〜３００℃程度の温度範囲で行われ、メッキ処理、およびはんだリフロー処理は、例えば２２５〜３００℃程度の温度範囲で行われる。対象物の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。
本発明では、例えば２００℃以上の高温加工時においても、層（Ｉ）が高い溶融粘度を維持しているので、支持体上に処理対象物を良好に保持することができる。
【００８５】
＜工程（３）＞
対象物の加工処理または積層体の移動後、工程（３）では、前記対象物を前記支持体から分離する。対象物と支持体との分離方法としては、例えば、支持体面または対象物面に対して平行方向に対象物または支持体に力を付加して両者を分離する方法；対象物または支持体の一方を固定し、他方を支持体面または対象物面に対して平行方向から一定の角度を付けて持ち上げることで両者を分離する方法が挙げられる。
【００８６】
前者の方法では、対象物を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、または前記対象物に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、支持体と対象物とを分離する方法が挙げられる。
【００８７】
後者の方法では、支持体面または対象物面に対して略垂直方向に力を付加して、支持体と対象物とを分離することが好ましい。「支持体面または対象物面に対して略垂直方向に力を付加する」とは、支持体面または対象物面に対して垂直な軸であるｚ軸に対して、通常は０°〜６０°の範囲、好ましくは０°〜４５°の範囲、より好ましくは０°〜３０°の範囲、さらに好ましくは０°〜５°の範囲、特に好ましくは０°、すなわち支持体面または対象物面に対して垂直の方向に力を付加することを意味する。分離方式としては、例えば、対象物または支持体の周縁を持ち上げ、支持体面または対象物面に対して略垂直方向に力を加えながら、前記周縁から中心に向けて順に剥離する方法（フックプル方式）で行うことができる。
【００８８】
前記分離は、通常は５〜１００℃、好ましくは１０〜４５℃、さらに好ましくは１５〜３０℃で行うことができる。また、分離をする際、対象物の破損を防ぐため、対象物における支持体との仮止め面と反対側の面に補強テープ、例えば市販のダイシングテープを貼付することができる。
【００８９】
前記分離前および／または分離中に、前記支持体側から、仮固定材に光を照射することが好ましい。具体的には、前記支持体側から、光吸収層（II）に光を照射して光吸収層（II）を分解または変質させることにより、仮固定材の強度および接着力を低減させた後、前記対象物を前記支持体から分離することが好ましい。光吸収層（II）に対する光照射後であれば、仮固定材の加熱処理を特に必要とすることなく、対象物から支持体を容易に分離することができる。
【００９０】
光照射には紫外線を用いることが好ましく、例えば波長１０〜４００ｎｍの紫外線が採用され、波長３００〜４００ｎｍの紫外線が特に好ましい。照射光の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、レーザーが挙げられる。これらの中でも、レーザーが好ましい。支持体側から、レーザーを走査させながら光吸収層（II）の全面に照射することが好ましく、レーザーを光吸収層（II）に焦点を絞って照射することがより好ましい。
【００９１】
レーザーとしては、例えば、固体レーザー（例：光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー、ＹＡＧレーザー）、液体レーザー（例：色素レーザー）、ガスレーザー（例：エキシマレーザー）が挙げられる。これらの中でも、光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー（波長：３５５ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長：３５５ｎｍ）およびエキシマレーザーが好ましい。
【００９２】
光照射の条件は光源等の種類によって異なるが、光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー、およびＹＡＧレーザーの場合、通常は１ｍＷ〜１００Ｗ、積算光量が通常は１．４×１０-7〜１．４×１０7ｍＪ／ｃｍ2である。
【００９３】
続いて、対象物または支持体に力を付加することで、前記対象物を前記支持体から剥離するなどして両者を分離する。なお、光照射を終えた後に分離を行うことが好ましいが、光照射を行いながら分離を行うこともできる。
【００９４】
＜工程（４）＞
支持体から分離後の対象物上に仮固定材が残存している場合は、工程（４）として仮固定材の剥離処理および仮固定材の溶剤洗浄処理などの手法により、仮固定材を対象物から除去することができる。
【００９５】
＜一実施態様＞
以下では、配線層を少なくとも有する処理対象物について説明する。このプロセスでは、工程（１）で支持体上に仮固定材を形成し、配線層を少なくとも有する処理対象物を、例えば半導体ウエハ又はチップから独立した層として、仮固定材上に先に形成し、続いて工程（２）において前記配線層上に、半導体ウエハおよび半導体チップから選ばれる少なくとも１種を配置する。前記配線層は、半導体ウエハ又はチップと電気的に接続されることによって、半導体ウエハ又はチップの再配線層として機能する。本発明は、このようなFan-Out Wafer Level Package（ＦＯ−ＷＬＰ）技術におけるRedistribution Layer（ＲＤＬ）-First構造にも適用することができる。
【００９６】
配線層は、例えば、絶縁部と、配線部と、半導体ウエハ又はチップの電極に接続し得る接続用導体部とを有する。配線層上に半導体ウエハ又はチップを配置し、配線層の接続用導体部と、半導体ウエハ又はチップの電極とを、はんだ、異方導電性ペースト、異方導電性フィルム等の接合部材により電気的に接続する。半導体ウエハ又はチップと配線層との間に間隙が生じる場合は、アンダーフィル材料を充填することができる。
【００９７】
配線層における内部構造は、特に限定はされない。配線部および接続用導体部の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウム等の金属、およびこれらの２種類以上からなる合金が挙げられる。絶縁部の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の公知の合成樹脂が挙げられる。配線層の厚さは、通常は１〜１，０００μｍである。
【００９８】
続いて、例えば、工程（２）において半導体ウエハ又はチップを樹脂封止し、工程（３）において仮固定材と配線層とを分離することにより、半導体ウエハ又はチップと配線層（すなわち再配線層）とを有する半導体装置を得ることができる。
【００９９】
［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体装置は、本発明の対象物の処理方法により対象物を加工することにより、製造することができる。前記仮固定材は、対象物を加工して得られた半導体装置（例：半導体素子）を支持体から分離し、必要により工程（４）により除去できる。このため、本発明の半導体装置では、積層体形成時の熱劣化、分離時の光照射による劣化が小さく、また仮固定材による、シミおよび焦げ等の汚染が低減されたものとなっている。
【実施例】
【０１００】
以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」を示す。
【０１０１】
１．仮固定用組成物（Ｉ）および比較用組成物の準備
［合成例１］非水添ランダム共重合体（Ｂ１）の合成
フラスコに２１０ｇのシクロヘキサンおよび０．２ｇのテトラヒドロフランを入れ、撹拌しながら６０℃まで加温し６０℃に温度を保持した。次いで、フラスコに１５．７ｍｍｏｌのｓｅｃ−ＢｕＬｉを入れた。次いで、フラスコに８．７５ｇのスチレンおよび２６．２５ｇのイソプレンを含む混合液を１時間かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で１．５時間加熱した。加熱後、フラスコにメタノール（ｓｅｃ−ＢｕＬｉに対して５ｍｏｌ当量）滴下した。滴下終了後、フラスコ内容物を分液漏斗に移し、内容物と同量の超純水を加えて有機層を分液した。同様の分液を３回行った後、有機層から溶剤を留去し、非水添ランダム共重合体（Ｂ１）を得た。非水添ランダム共重合体（Ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）を、東ソー（株）製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ  ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ  １本、Ｇ４０００ＨＸＬ  １本）を直列に接続し、測定装置「ＨＬＣ−８２２０−ＧＰＣ」（東ソー（株）製）を用いて、展開溶媒をテトラハイドロフラン、ＧＰＣカラム温度を４０℃の条件で屈折率法により検出されたシグナルを、ポリスチレン換算で測定したところ、Ｍｗは３，８００であった。
【０１０２】
［実施例１Ａ〜３Ａ、比較例１Ａ〜５Ａ］組成物１〜８の製造
下記表１に示す各種成分を均一に混合し、組成物１〜８を製造した。
【０１０３】
【表１】
2019127579.tif 000005
表１に示す各成分の詳細は以下のとおりである。
【０１０４】
＜水添ブロック共重合体（Ａ）および比較用重合体＞
Ａ１：ＳＥＰＴＯＮ  ８００７Ｌ（製品名、クラレ（株）製、スチレン単位含有水添ブロック共重合体、スチレン単位の含有割合３０質量％）
Ａ２：ＳＥＰＴＯＮ  ＨＧ２５２（製品名、クラレ（株）製、スチレン単位含有水添ブロック共重合体、スチレン単位の含有割合２８質量％）
Ａ３：ＳＥＰＴＯＮ  ８０７６（製品名、クラレ（株）製、スチレン単位含有水添ブロック共重合体、スチレン単位の含有割合３０質量％）
ｃＡ４：ＤＹＮＡＲＯＮ  ８６００（製品名、ＪＳＲ（株）製、スチレン単位含有水添ブロック共重合体、スチレン単位の含有割合１５質量％）
ｃＡ５：ＤＹＮＡＲＯＮ  ８３００（製品名、ＪＳＲ（株）製、スチレン単位含有水添ブロック共重合体、スチレン単位の含有割合９質量％）
ｃＡ６：ＹＰ−５０Ｓ（製品名、新日鐵住金（株）製、フェノキシ樹脂）
＜非水添ランダム共重合体（Ｂ）＞
Ｂ１：前記合成例１で合成した非水添ランダム共重合体（Ｂ１）（Ｍｗ＝３，８００）
Ｂ２：Ｌ−ＳＢＲ−８２０
（製品名、クラレ（株）製、非水添ランダム共重合体、Ｍｗ＝８，５００）
＜酸化防止剤（Ｃ）＞
Ｃ１：Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（製品名、ＢＡＳＦ社製）
＜界面活性剤（Ｄ）＞
Ｄ１：ＦＴＸ−２１８（製品名、株式会社ネオス製）
＜溶剤（Ｅ）＞
Ｅ１：１，３，５−トリメチルベンゼン
Ｅ２：シクロヘキサノン
【０１０５】
２．仮固定用組成物（II）の準備
［製造例１］仮固定用組成物（II−１）の製造
コンデンサー、温度計および攪拌装置を備えた反応装置に、２，６−ジヒドロキシナフタレン１００部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００部、およびパラホルムアルデヒド５０部（ホルムアルデヒド換算）を仕込み、シュウ酸２部を添加し、脱水しながら１２０℃で５時間加熱し、反応溶液を得た。
【０１０６】
反応溶液に水を加え攪拌を行った。沈殿物を回収した後、水にて洗浄し、５０℃にて１７時間乾燥して、２，６−ジヒドロキシナフタレン／ホルムアルデヒド縮合物（Ｍｗ＝１，５５０）を得た。
前記縮合物１００部を、シクロヘキサノン／メトキシプロピルアセテート＝６０／４０（質量％）の混合溶剤５５０部で均一に溶解し、仮固定用組成物（II−１）を製造した。
【０１０７】
３．評価
得られた組成物１〜８について所定の評価を行った。その結果を下記表２に示す。
３−１．組成物１〜８から形成されたフィルムの溶融粘度測定
得られた組成物１〜８をバーコーターにて剥離フィルム上に塗布し、１６０℃で１０分間、次いで２３０℃で２０分間加熱して、剥離フィルムを剥がして、厚さ１ｍｍの溶融粘度測定用フィルムを準備した。
【０１０８】
前記溶融粘度測定用フィルムの溶融粘度をレオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２」、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ製）で測定した。測定条件は以下のとおりである。
角周波数：０．０８Ｈｚ
温度範囲：１８０〜２５０℃
下記表２に１８０℃、２００℃、および２５０℃での溶融粘度、溶融粘度低下率（（１８０℃の溶融粘度−２５０℃の溶融粘度）／１８０℃の溶融粘度）×１００で算出）、粘度比（１８０℃の溶融粘度／２５０℃の溶融粘度）を示す。
【０１０９】
３−２．貼合性
８インチガラスウエハに、仮固定用組成物（II−１）をスピンコートし、ホットプレートを用いて１８０℃で２分間加熱した後、さらに、２５０℃で８分間加熱して、厚さ０．６μｍの光吸収層（II−１）を形成した。
【０１１０】
次いで、前記光吸収層（II−１）上に、組成物１〜８をスピンコートし、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、２００℃で１０分間加熱して、厚さ５０μｍの仮固定層（１）〜（８）を形成し、８インチガラスウエハ上に、光吸収層（II−１）および仮固定層（１）〜（８）からなる仮固定材を有する仮固定材付き基板を準備した。
【０１１１】
次いで、前記仮固定材付き基板と、８インチシリコンウエハとを、前記仮固定材を介して、ダイボンダー装置（装置名「ＥＶＧ５２０」、イーヴィグループ社製）を用い、真空下、２００℃で０．２ＭＰａの圧力を５分間加えて貼り合わせ、積層体を得た。
【０１１２】
前記積層体の前記仮固定層と８インチシリコンウエハとの貼り合わせ状態（貼合性）を、前記積層体の８インチガラスウエハ側から観察し、その貼合性を評価した。評価は以下の基準にて行った。
Ａ：ボイドが観察されなかった。
Ｂ：ボイドが観察された。
【０１１３】
３−３．耐熱性
前記「３−２．貼合性」で得られた積層体を、強制送風循環式クリーンオーブンに入れ、窒素雰囲気下、２５０℃で２時間加熱した。加熱後の積層体の状態を耐熱性として評価した。評価は以下の基準にて行った。
Ａ：前記仮固定層は、強制送風循環式クリーンオーブンに入れる前と変化なし。
Ｂ：前記仮固定層は、溶融し、８インチガラスウエハおよび８インチシリコンウエハからはみ出していた。
【０１１４】
【表２】
2019127579.tif 000006
【符号の説明】
【０１１５】
１・・・積層体
１０・・・支持体
２０・・・仮固定材
２１・・・層（Ｉ）
２２・・・光吸収層（II）
３０・・・処理対象物
【図１】
2019127579.tif 000007