(57)【要約】  レンズまたは導波路回折格子を横切る間隙（１８）および該光集積回路の該間隙（１８）のそれぞれの側に制御可能に配置されるアクチュエーター（１２）を有する光集積回路が開示される。結果として、該光集積回路の温度感受性、例えば、アレイ導波路回折格子が緩和される。間隙（１８）およびアクチュエーター（１２）を用いた光集積回路を製造するための方法もまた開示される。
2007536567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の熱膨張係数を有する基材であって、ヒンジによって分離された第１の領域および第２の領域を含む、基材；
該基材を覆うアレイ導波路チップであって、レンズ、該レンズに光学的に結合された導波路回折格子、および該レンズおよび該導波路回折格子の１つを横切る溝を含む、アレイ導波路チップ；および
第２の熱膨張係数を有するアクチュエーターであって、該基材の該第１の領域および該第２の領域を接続する、アクチュエーター；
を含む、光集積回路であって、
該第２の熱膨張係数が、該第１の熱膨張係数とは異なる、
光集積回路。
【請求項２】
前記第２の熱膨張係数が、前記第１の熱膨張係数よりも小さい、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項３】
前記第２の熱膨張係数が、前記第１の熱膨張係数よりも大きい、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項４】
前記アクチュエーターが、圧電素子、電歪アクチュエーター、ソレノイド、および電動モーターの１つである、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項５】
前記溝が、前記導波路回折格子を横切る、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項６】
前記溝が、波長板を含む、請求項５に記載の光集積回路。
【請求項７】
前記溝が、前記レンズを横切る、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項８】
前記溝が、約１ミクロン以上および約５０ミクロン以下の幅を有する、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項９】
前記溝が、前記アレイ導波路チップを完全に横切り、それによって該アレイ導波路チップの第１の断片および該アレイ導波路チップの第２の断片を形成し、該アレイ導波路チップの第１の断片が前記基材の第１の領域によって支持され、そして該アレイ導波路チップの第２の断片が前記第２の領域によって支持される、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項１０】
前記アレイ導波路チップが、第１のレンズに光学的に結合された少なくとも１つの入力導波路、第２のレンズに光学的に結合された少なくとも１つの出力導波路、該第１のレンズおよび該第２のレンズに光学的に結合された導波路回折格子を含み、そして前記溝が、該第１のレンズ、該第２のレンズ、および該導波路回折格子の１つを横切る、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項１１】
前記アレイ導波路チップが、さらにミラーを含み、そして前記溝が、該ミラーと前記レンズおよび前記導波路回折格子の１つとの間の空間を横切る、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項１２】
基板、レンズ、該レンズに光学的に結合された導波路回折格子、および該レンズおよび該導波路回折格子の１つを横切る溝を含むアレイ導波路チップであって、該基板が第１の熱膨張係数を有し、ヒンジによって分離された第１の領域および第２の領域を含む、該アレイ導波路チップ；および
第２の熱膨張係数を有するアクチュエーターであって、該アレイ導波路チップの該第１の領域および該第２の領域に接続する、アクチュエーター；
を含む、光集積回路であって、
該第２の熱膨張係数が、該第１の熱膨張係数とは異なる、
光集積回路。
【請求項１３】
前記第２の熱膨張係数と前記第１の熱膨張係数との間の差が、少なくとも１００％である、請求項１２に記載の光集積回路。
【請求項１４】
前記溝が、約３ミクロン以上および約３０ミクロン以下の幅を有する、請求項１２に記載の光集積回路。
【請求項１５】
前記アレイ導波路チップが、第１のレンズに光学的に結合された少なくとも１つの入力導波路、第２のレンズに光学的に結合された少なくとも１つの出力導波路、該第１のレンズおよび該第２のレンズに光学的に結合された導波路回折格子を含み、そして前記溝が、該第１のレンズ、該第２のレンズ、および該導波路回折格子の１つを横切る、請求項１２に記載の光集積回路。
【請求項１６】
前記アレイ導波路チップが、第３の熱膨張係数を有する基材を覆うように配置され、該基材が、ヒンジによって分離された第１の領域および第２の領域を含む、請求項１２に記載の光集積回路。
【請求項１７】
光集積回路の製造方法であって、
第１の熱膨張係数を有する基材を提供する工程であって、該基材が、ヒンジによって分離された第１の領域および第２の領域を含むように成形される工程；
該基材にアレイ導波路チップをはり付ける工程であって、該アレイ導波路チップが、レンズおよび該レンズに光学的に結合された導波路回折格子を含む、工程；
該アレイ導波路チップに溝を形成する工程であって、該溝が、該レンズおよび該導波路回折格子の１つを横切る、工程；および
第２の熱膨張係数を有するアクチュエーターを該基材にはり付ける工程であって、該アクチュエーターが、該基材の該第１の領域および該第２の領域を接続し、該第２の熱膨張係数が、該第１の熱膨張係数とは異なる、工程；
を包含する、方法。
【請求項１８】
光集積回路の製造方法であって、
アレイ導波路チップを提供する工程であって、該アレイ導波路チップが、基板、レンズ、および該レンズに光学的に結合される導波路回折格子を含み、該基板が、第１の熱膨張係数を有する、工程；
溝によって分けられ、そしてヒンジによって接続された第１の領域および第２の領域を含むように該アレイ導波路チップを成形する工程；および
第２の熱膨張係数を有するアクチュエーターを該アレイ導波路チップにはり付ける工程であって、該アクチュエーターが、該アレイ導波路チップの該第１の領域および該第２の領域に接続し、該第２の熱膨張係数が、該第１の熱膨張係数とは異なり、該溝が、該レンズおよび該導波路回折格子の１つを横切る、工程；
を包含する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光集積回路の分野、およびより詳細には、温度非依存の中心波長を有するアレイ導波路を提供する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光集積回路（ＯＩＣ）は、１×Ｎ光スプリッタ、光スイッチ、波長分割マルチプレクサー（ＷＤＭ）、デマルチプレクサー、光加算／降下マルチプレクサー（ＯＡＤＭ）などの多くの形態になる。このようなＯＩＣは、データを搬送するための光デバイス間で光シグナルを伝送する光ネットワークの構築に用いられる。例えば、導電性の電線経由の電気シグナルの伝送を用いる遠隔通信ネットワークおよびデータ通信ネットワーク内の伝統的なシグナル交換は、光学（例えば、光）シグナルが伝送される光ファイバーおよび回路に置き換えられている。このような光学シグナルは、光ネットワークによるこのような情報の伝送のために、調節技法によってデータまたは他の情報を搬送し得る。ＯＩＣは、光学的および電気的媒体間の中間変換をすることなく、光学シグナルの分岐、結合、スイッチ、分離、マルチプレクシング、およびデマルチプレクシングを可能にする。
【０００３】
このような光回路は、平坦な基板上に光導波路を有するプレーナ光波回路（ＰＬＣ）を含み、これは、多くの入力光ファイバーの１つから多くの出力光ファイバーまたは光回路の任意の１つへ光学シグナルを経路制御するために用いられ得る。ＰＬＣは、代表的には半導体産業に関連する製造技法の採用によるファイバー構成部品とともに利用可能であるよりも、より高密度、より大きな生産量、およびより多様な機能を達成することを可能にする。例えば、ＰＬＣは、リソグラフ加工を用いるシリコンウエハ基板上に形成された導波路として知られる光学通路を含み、この導波路は、伝送可能な媒体から製造され、これらは、光学通路に沿って光を導くために、チップ基板または遠隔のクラッド層よりもより高い屈折率を有する。高度なフォトリソグラフィーおよび他の加工を用いることにより、ＰＬＣは、単一の光チップ中に多数の構成部品および機能性を集積するように作られている。
【０００４】
ＰＬＣおよび特にＯＩＣの１つの重要な応用は、一般的には、重波長分割マルチプレクシング（ＤＷＤＭ）を含む波長分割マルチプレクシング（ＷＤＭ）に関連する。ＤＷＤＭは、それぞれ別々の情報を搬送する異なる波長の光学シグナルが光ネットワーク中の単一の光チャネルまたはファイバーを経由して伝送されることを可能にする。現在のマルチプレクス光学システムは、各光ファイバーにおいて１６０もの多くの波長を用いる。
【０００５】
このようなネットワークにおいて高度なマルチプレクシングおよびデマルチプレクシング（例えば、ＤＷＤＭ）ならびに他の機能を提供するために、アレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）がＰＬＣの形態で開発されている。ＡＷＧの存在により、８０チャネルまでのマルチプレクシングまたはデマルチプレクシング、あるいは５０ＧＨｚもの接近した間隔の波長を提供し得る。図１に示すように、従来のデマルチプレクシングＡＷＧ２は、単一の入力部３および多数の出力部４を含む。多波長光は、（図示しないが、例えば、ネットワークにおける光ファイバーから）入力部３で受け入れられ、そして入力光学通路または導波路６を経由して入力レンズ５に提供される。
【０００６】
入力レンズ５は、ときどき導波路回折格子といわれる、導波路７のアレイ中に多波長光を広げる。導波路７のそれぞれは、入力レンズ５から出力レンズ８まで異なる光学通路長を有し、その結果、波長に依存して出力レンズ８への入力で異なる位相傾斜になる。この位相傾斜は、次に、出力レンズ８における建設的干渉による光の再結合の仕方に影響を与える。したがって、出力レンズ８は、個々の出力導波路９を経由して出力部４で異なる波長を提供し、それによってＡＷＧ２は、入力部６から入る光シグナルを、出力部４で２以上のデマルチプレクスしたシグナルにデマルチプレクスするために用いられ得る。あるいは、ＡＷＧ２は、出力部４からの光シグナルを入力部３で２以上の波長構成成分を有するマルチプレクスしたシグナルにマルチプレクスするために使用され得る。
【０００７】
図１の従来のＡＷＧ２のようなＯＩＣでの問題は、温度感受性である。導波路材料は、通常、温度依存的屈折率を有するので、マルチ／デマルチプレクサーのチャネル波長は、温度の変動につれてシフトする。このシフトは、代表的には、シリカベースのデバイスでは約０．０１ｎｍ／Ｅ℃およびＩｎＰベースのデバイスでは約０．１ｎｍ／Ｅ℃である。この波長シフトは、ＡＷＧ２を用いる通信システムでのシグナルおよび／またはクロストークの損失を生じ得る。通信システムは、ますますより小さいチャネルスペーシングを有するように設計されているので、小さな温度依存的波長シフトでさえも、システムの性能に著しい影響を有し得る。現在、ＡＷＧは、許容可能に実行するために、デバイス稼動温度が有効な安定性を有さなければならない。この安定性は、代表的には、抵抗性ヒーター、温度センサー、実際のエレクトロニクス、およびある場合には熱電式冷却器の付加により達成される。たとえＡＷＧが受動フィルターであっても、現在、効率的に稼動するためには重要なエレクトロニクスおよび２〜３ワットの出力を必要とする。
【発明の開示】
【０００８】
以下に、本発明のいくつかの局面の基本的な理解を提供するために、本発明の簡単な要旨を示す。この要旨は、本発明の広い概説ではない。本発明の主要または重要な要素を特定することも、本発明の範囲を記載することも意図しない。むしろ、この要旨の唯一の目的は、以下に示すより詳細な説明の前書きとしての簡単な形態で本発明のいくつかの概念を示すことである。
【０００９】
本発明は、従来の光集積回路および他のデバイスに関連する欠点を緩和および／または克服するアサーマル光集積回路および光集積回路をアサーマル化するための方法を提供する。本発明はさらに、ＯＩＣを製造する方法ならびに溝およびアクチュエーターを利用して温度感受性を緩和する方法を包含する。本発明の別の局面では、明らかな低消費電力はまた、温度応答性の機械的なアクチュエーターを用いることに起因する。本発明はまた、従来のＯＩＣおよび他のデバイスに関連する欠点を緩和および／または克服する機械的なビーム操縦のためのＯＩＣ装置および方法を提供する。本発明はさらに、ＯＩＣの製造方法およびＯＩＣにおいて機械的なビーム操縦のためのアクチュエーターを利用して温度感受性を緩和する方法を包含する。
【００１０】
本発明の１つの局面によれば、ヒンジによって分離された第１の領域および第２の領域を含む基材、および該基材を覆うＡＷＧチップを含む光集積回路が提供され、光集積回路では、溝がレンズの１つおよび導波路回折格子のうちの１つ以上を横切り、そしてアクチュエーターが基材の第１の領域および第２の領域を接続している。基材およびアクチュエーターは、異なる熱膨張係数を有する。アクチュエーターは、温度変化で膨張および／または収縮して、第１の領域およびそれを覆うＡＷＧチップの少なくとも一部を、第２の領域を覆うＡＷＧチップの一部に対して移動させる。したがって、導波路の温度依存的屈折率に関連する波長のシフトが緩和され得る。
【００１１】
本発明の他の局面によれば、レンズおよび導波路回折格子の１つ以上を横切る溝を有するＡＷＧチップを含む光集積回路が提供される。ＡＷＧチップは、ヒンジによって接続され、そして溝によって分離された第１の領域および第２の領域を含む。アクチュエーターは、ＡＷＧチップの第１の領域および第２の領域を接続する。ＡＷＧチップ基板およびアクチュエーターは、異なる熱膨張係数を有する。アクチュエーターは、温度変化で膨張および／または収縮して、ＡＷＧチップの第１の領域を、第２の領域に対して移動させる。したがって、導波路の温度依存的屈折率に関連する波長のシフトが緩和され得る。
【００１２】
本発明の他の局面は、導波路の温度依存的屈折率に関連する波長のシフトを緩和し得るＯＩＣを製造するための方法論を提供する。ＯＩＣの製造は、ＡＷＧチップに溝を形成する工程を包含し、そのためアクチュエーターは、温度変化に応答してチップの異なる部分間の相対的移動を誘導し得る。
【００１３】
本発明の他の局面によれば、第２の熱膨張係数を有する第２のアクチュエーターの本体部に結合された第１の熱膨張係数を有する第１のアクチュエーターの本体部を有するアクチュエーターが提供される。本発明の他の局面は、ＯＩＣに使用されるアクチュエーターが提供される。ＯＩＣは、導波路を有する第１の領域、導波路を有する第２の領域、および第１の領域および第２の領域を結合する接続領域を含む。接続領域は第１のレンズを含み、それは第１の領域の導波路を第２の領域の導波路に光学的に結合する。アクチュエーターは、例えば、機械的ビーム操縦を容易にするために、第１の領域に隣接して配置される。
【００１４】
本発明のさらなる他の局面は、ＯＩＣを製造するための方法論を提供する。この方法は、基材を提供する工程、第１の領域に少なくとも１つの導波路を形成する工程、第２の領域に少なくとも１つの導波路を形成する工程、および第１の領域の少なくとも１つの導波路を第２の領域の少なくとも１つの導波路に結合する第１のレンズを含む接続領域を形成する工程を包含する。第１の領域および第２の領域は、次いで、一般的に接続領域を介して供給される機械的連続性が維持されるように、互いにスクロールダイスされる。その後、アクチュエーターが、第１の領域と第２の領域との間に配置される。
【００１５】
上記および関連の結果の完成のために、本発明のある例示の局面が、以下の説明および添付の図面とともに本明細書に記載される。しかし、これらの局面は、本発明の原理が用いられ得る種々の方法のうちの２〜３のみを示し、そして本発明がこのようなすべての局面およびその等価物を含むことを意図する。本発明の他の有利点および新規な特徴は、図面とともに考慮する場合、本発明の以下の詳細な説明から明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の種々の局面は、ここで図面を参照して記載され、全体を通して同様の参照数字が同様のエレメントをいうために使用される。本発明は、機械的なビーム操縦を用いることによる光集積回路の温度感受性の緩和を提供する。
【００１７】
本発明は、互いに相対的に移動し得る２以上の異なる領域または断片を有するＯＩＣまたはＡＷＧを用いてビーム偏向を使用することによる、アサーマルＯＩＣおよび低消費電力のＯＩＣを提供する。この相対的移動は、２つの断片の動きに比例するＯＩＣの、中心波長（ＣＷ）または所定のチャネルのためのピーク送電の波長をシフトさせる。ＯＩＣは、２つの断片の動きによって生じるＣＷ変化の程度が、（ＯＩＣの膨張／収縮および導波路屈折率の温度依存性によって生じるような）ＯＩＣに固有のＣＷ変化と同等の大きさおよび反対のサインになるように設計され、次いで、デバイスは、およそ正味０のＣＷの温度依存性を有し、実質的に温度非依存である中心波長を有する。したがって、アサーマルと称される。
【００１８】
ＯＩＣの温度が上昇または低下するにつれて、１以上の領域の導波路の屈折率は変化し得る。この温度に基づく屈折率変化を補正するために、アクチュエーターが温度変化の結果として膨張／収縮して、溝の中のＡＷＧチップの端を移動（例えば、回転）させる。温度変化によって引き起こされる移動（回転）は、温度依存的屈折率のため、導波路における温度変化で誘導される波長シフトに対応するか、またはこれを補正する。このように、導波路の温度依存的な屈折率の変化に関連する波長シフトは緩和され得る。したがって、ＯＩＣを用いる通信システムにおけるシグナルおよび／またはクロストークの損失が低減され得る。
【００１９】
概して、ＡＷＧチップは、基材を覆うように配置される。基材はヒンジを有しており、基材の第１の領域および第２の領域を分離しかつ接続する。ヒンジは、第１の領域および第２の領域を接続し、さらに基材の第１の領域および第２の領域を、互いに相対的に移動させる。代表的には、ヒンジは、基材の比較的狭いストリップである（または後述するＡＷＧ基板）。アクチュエーターは、基材の第１の領域および第２の領域に接続され、そしてアクチュエーターの膨張／収縮が、ヒンジのまわりの第１の領域および第２の領域の移動を誘導し得る。アクチュエーターおよび基材は、異なる熱膨張係数を有する。溝または間隙は、少なくともほぼヒンジを覆う位置においてＡＷＧチップに形成される。溝の片側におけるＡＷＧチップの一部分または断片は、基材の第１の領域によって覆われ支持される。一方、溝の他側におけるＡＷＧチップの他の部分または断片は、基材の第２の領域によって覆われ支持される。したがって、アクチュエーターの膨張／収縮によって誘導されるヒンジのまわりの第１の領域および第２の領域の移動は、ＡＷＧチップの２つの部分または断片を互いに相対的に移動させる。
【００２０】
あるいは、アクチュエーターは、ＡＷＧチップの２つの部分または断片を接続し、そしてアクチュエーターの膨張／収縮は、ＡＷＧチップの２つの部分または断片の移動を互いに相対的に誘導し得る。アクチュエーターおよびＡＷＧチップ基板は、異なる熱膨張係数を有する。基材は、ＡＷＧチップの部分または断片間のこのような移動（上述のような）を可能にするように構成される。
【００２１】
さらにあるいは、上述のメカニズムは、ＡＷＧチップの約半分を含む構造に適用され得るが、ミラーが装備される。このような構造において、溝は、導波路回折格子またはレンズをミラーに近接して配置することによって形成されるが、（移動可能にするために）ミラーに直接取り付けられていない。アクチュエーターおよびＡＷＧチップ／ミラー基板は、異なる熱膨張係数を有する。
【００２２】
導波路回折格子を含むＡＷＧチップは、長さについて議論されるが、ＯＩＣはマッハ−ツェンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）干渉計を含み得る。この場合、溝は、マッハ−ツェンダーデバイスのアームまたは導波路を横切る。
【００２３】
ＡＷＧチップの溝の幅、あるいはＡＷＧチップとミラーとの間の幅（以下、溝ともいう）は、十分にあり、ＣＷをシフトする移動を可能にする。１つの実施態様では、溝の幅は、約１ミクロン以上および約５０ミクロン以下である。他の実施態様では、溝の幅は、約３ミクロン以上および約３０ミクロン以下である。さらなる他の実施態様では、溝の幅は、約５ミクロン以上および約２５ミクロン以下である。よりさらなる他の実施態様では、溝の幅は、約７ミクロン以上および約２０ミクロン以下である。ＡＷＧチップは、１より多くの溝を含み得る。溝または間隙は、レンズ、導波路回折格子を横切るか、またはミラーに隣接するので、直線、曲線であり得、対称形状または非対称形状を有し得る。溝が非対称の実施態様では、溝の幅は、レンズまたは導波路回折格子を横切るので、変化し得るが、依然として上述の幅のパラメータ内のままであり得る。５０ミクロンを超える幅では、挿入損失の問題が重要になり始める。
【００２４】
アクチュエーターと基材との間の熱膨張係数における差、アクチュエーターとＡＷＧチップ基板との間の熱膨張係数における差、またはアクチュエーターとＡＷＧチップ／ミラー基板との間の熱膨張係数における差は、十分にあり、アクチュエーターの膨張／収縮によって、ＡＷＧチップの２つの部分または断片の相対的な移動を誘導する。１つの実施態様では、熱膨張係数の差（例えば、アクチュエーターと基材との間）は、少なくとも約２５％である。他の実施態様では、熱膨張係数の差は、少なくとも約１００％である（言い換えれば、アクチュエーターは、基材の値の少なくとも２倍であり得る）。さらなる他の実施態様では、熱膨張係数の差は、少なくとも約２００％である（言い換えれば、アクチュエーターは、基材の値の少なくとも３倍であり得る）。１つの実施態様では、アサーマルＯＩＣはＡＷＧチップを含み、このＡＷＧチップは、導波路回折格子の下に、例えば導波路回折格子の中央部の下に配置されたヒンジを有する基材またはライザーを覆うように装着される。例えば、図２〜４を参照すると、このようなＯＩＣの例、およびＯＩＣの製造方法が示される。
【００２５】
具体的に、図２を参照すると、基材１０（時々、ライザーという）が示される。基板１０は、第１の領域１１および第２の領域１３を分離しかつ接続するヒンジ１４を含むように構成される。基材は、第１の熱膨張係数を有する材料で作られる。基材は、金属、金属合金、または硬質プラスチック材料でなり得る。金属の例としては、アルミニウム、真鍮、青銅、クロム、銅、金、鉄、マグネシウム、ニッケル、パラジウム、白金、銀、ステンレススチール、錫、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ；登録商標）、コバール（Ｋｏｖａｒ；登録商標）、インバー（Ｉｎｖａｒ）、モネル（Ｍｏｎｅｌ；登録商標）、インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ；登録商標）などの１以上が挙げられる。
【００２６】
第２の熱膨張係数（基材１０の第１の熱膨張係数と異なる）を有するアクチュエーター１２が設けられ、基材１０の第１の領域１１および第２の領域１３を接続する。基材は、ヒンジ１４のため曲がり得る。すなわち、第１の領域１１および第２の領域１３は、ヒンジ１４の周りを矢印と一致するように回転し得る。
【００２７】
アクチュエーター１２は、アルミニウム、真鍮、青銅、クロム、銅、金、鉄、マグネシウム、ニッケル、パラジウム、白金、銀、ステンレススチール、錫、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ；登録商標）、コバール（Ｋｏｖａｒ；登録商標）、インバー（Ｉｎｖａｒ）、モネル（Ｍｏｎｅｌ；登録商標）、インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ；登録商標）のような金属、アルミナまたはケイ酸アルミニウムのようなセラミック材料、シリコーンゴムまたはエラストマーのようなポリマー材料、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、液晶ポリマー、ポリマー複合体材料（カーボンファイバー、グラファイト、またはファイバーガラスを組み合わせたポリマー）などの１以上で作成され得る。ポリマー複合体の例は、ファイバーガラスで強化されたナイロンのデュポンのザイテル（Ｚｙｔｅｌ；登録商標）である。あるいは、アクチュエーター１２は、全体として（基材１０の熱膨張係数と異なる）特定の熱膨張係数を有するように設計された多くの異なる材料を含む機械的なアセンブリであり得る。
【００２８】
あるいは、機械的アクチュエーター１２は、圧電素子、電歪アクチュエーター、ソレノイド、電気モーター（例えば、サーボモーター）、リニアモーター、またはステッパモーター、または熱抵抗性熱膨張メンバーであり得る。アクチュエーター１２が、圧電素子、ソレノイド、電気モーター、または熱抵抗性熱膨張メンバーの１つである場合、１以上の温度センサーが、アクチュエーターに接続されるフィードバックループに接続された導波路回折格子内部に配置され得る（コントローラーおよび／またはプロセッサーも、フィードバックループに含まれ得る）。センサーによって検知される温度変化は、シグナルを導き、このシグナルは、コントローラー／プロセッサーに送られ、アクチュエーターの機械的な作動を順番に導く。他の実施態様では、アクチュエーターまたはブロックは、２００１年１０月２４日に出願された同時係属中の米国出願番号０９／９９９，６９２（現在は「光集積回路用の機械的なビーム操縦」という表題の米国特許第６，６０３，８９２号）に関連の概念とともに記載されており、これは、参考文献として本明細書に援用される。
【００２９】
図３を参照すると、ＡＷＧチップ１６は、基材１０に任意の適切な手段で貼り付けられる。例えば、ＵＶ硬化性接着剤のような接着剤が、ＡＷＧチップ１６と基材１０との間に配置される。基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ１６が示される。ＡＷＧチップ１６の基板は、シリカ、ケイ素、ＩｎＰ、ＧａＡｓなどの１以上からなり得る。入力導波路、導波路回折格子、および出力導波路は、独立して、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または他の無機結晶、ドープシリカ、無ドープシリカ、ガラス、熱光学ポリマー、電気光学ポリマー、およびリン化インジウム（ＩｎＰ）のような半導体の１以上で作成され得る。クラッド層は、種々の導波路で囲まれ得る。なお、アクチュエーター１２は、ＡＷＧチップ１６が基材１０に貼り付けられる前または後に、基材１０に付着され得る。示されていないが、ＡＷＧチップ１６および／または基材１０は、溝１８の長さを最小限にするために、すなわち、溝が導波路回折格子（または後述するレンズ）を横切らない位置で、溝の幅を大きく広げるために、切断され得る。
【００３０】
この実施態様では、ＡＷＧチップ１６は、基材を覆うように配置され、そのため導波路回折格子は、基材１０のヒンジ１４のすぐ上にある。間隙または溝１８は、ＡＷＧチップ１６に形成され、導波路回折格子を横切る。溝１８は、ＡＷＧチップ１６を通って、垂直にずっと伸び、そしてＡＷＧチップ１６を２つの別の断片に分割しまたは分割しない。ＡＷＧチップは、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式でダイスされる。溝１８の片側におけるＡＷＧチップ１６の一部分は、基材１０の第１の領域１１によって支持される。一方、溝１８の他側におけるＡＷＧチップ１６の他の部分は、基材１０の第２の領域１３によって支持される。
【００３１】
図４を参照すると、図３の矢印に沿った図３の構造物の側面が示される。間隙１８は、垂直方向にＡＷＧチップ１６を貫通する。間隙１８は、回折格子の中央またはほぼ中央に、または回折格子の導波路に直角にまたはほぼ直角に配置される。溝１８内のＡＷＧチップ１６の内部端は、基材１０の表面に垂直に示されるが、溝１８は、必要に応じて、光が溝１８と交差するときの光の背後反射を緩和するために、基材表面の垂直線に対して小さい角度であるように形成される。例えば、溝１８は、基材表面の垂直線に対して約５°以上および約１５°以下の角度で形成され得る。
【００３２】
間隙または溝１８内に、波長板（示されていない）、例えば、ハーフ波長板が必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝１８は、導波路回折格子の導波路の屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。この効果は、屈折率整合物質の屈折率にのみ弱く依存し、そのため、物質の屈折率の厳格な制御は必要ではない。さらにあるいは、（溝１８内の）ＡＷＧチップ１６の内面端は、反射防止膜でコーティングされ得、そして空気に露出したままであり得る。
【００３３】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター１２は、熱膨張係数の差のため、基材１０とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝１８のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間の角度の変化を引き起こし、そして導波路格回折子内の異なる導波路について異なる位相遅延を引き起こし、したがって、デバイスのＣＷシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００３４】
他の実施態様では、アサーマルＯＩＣは、レンズの１つの下に配置されたヒンジを有する基材またはライザーを覆うように取り付けられたＡＷＧチップを含む。例えば、図５〜８を参照すると、このようなＯＩＣの例、およびＯＩＣの製造方法が示される。
【００３５】
具体的に、図５を参照すると、基材２０が示される。基材２０は、第１の領域２１および第２の領域２３を分離しかつ接続するヒンジ２４を含むように構成される。基材は、第１の熱膨張係数を有する材料からなる。第２の熱膨張係数（基材２０の第１の熱膨張係数と異なる）を有するアクチュエーター２２が設けられ、基材２０の第１の領域２１および第２の領域２３を接続する。基材は、ヒンジ２４のため曲がり得る。すなわち、第１の領域２１および第２の領域２３は、ヒンジ２４の周りを矢印と一致するように回転し得る。
【００３６】
図６を参照すると、ＡＷＧチップ２６は、基材２０に任意の適切な手段で貼り付けられる。例えば、接着剤がＡＷＧチップ２６と基材２０との間に配置され得る。基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ２６が示される。基材２０、基板、アクチュエーター２２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料からなり得る。なお、アクチュエーター２２は、ＡＷＧチップ２６が基材２０に貼り付けられる前または後に、基材２０に付着され得る。
【００３７】
この実施態様では、ＡＷＧチップ２６は、基材を覆うように配置され、そのためレンズの１つは、基材２０のヒンジ２４のすぐ上にある。間隙または溝２８は、ＡＷＧチップ２６に形成され、レンズを横切る。溝２８は、レンズの中央、レンズの入力／出力導波路側の近く、またはレンズの導波路回折格子側の近くに形成され得る。溝２８は、ＡＷＧチップ２６を通って、垂直にずっと伸び、そしてＡＷＧチップ２６を２つの別の断片に分割しまたは分割しない。溝は、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式で形成される。溝２８の片側におけるＡＷＧチップ２６の一部分は、基材２０の第１の領域２１によって支持される。一方、溝２８の他側におけるＡＷＧチップ２６（導波路回折格子を含む）の他の部分は、基材２０の第２の領域２３によって支持される。
【００３８】
間隙または溝２８は、必要に応じて、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。効果は、屈折率整合物質の屈折率にのみ弱く依存し、そのため、物質の屈折率の厳格な制御は必要ではない。あるいは、（溝２８内の）ＡＷＧチップ２６の内面端は、必要に応じて、反射防止膜でコーティングされ得、そして空気に露出したままであり得る。
【００３９】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター２２は、熱膨張係数の差のため、基材２０とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝２８のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間、特に溝２８によって横切られたレンズの２つの領域間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、そのため、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００４０】
具体的に、図７を参照すると、基材３０が示される。基材３０は、第１の領域３１および第２の領域３３を分離しかつ接続するヒンジ３４を含むように構成される。基材は、第１の熱膨張係数を有する材料で作成される。第２の熱膨張係数（基材３０の第１の熱膨張係数と異なる）を有するアクチュエーター３２が示され、基材３０の第１の領域３１および第２の領域３３を接続する。基材は、ヒンジ３４のため曲がり得る。すなわち、第１の領域３１および第２の領域３３は、ヒンジ３４の周りを矢印と一致するように回転し得る。この実施態様では、基材３０の形状は、以下に記載のＡＷＧチップ３６の形状に合わせて作製される。
【００４１】
図８を参照すると、ＡＷＧチップ３６は、基材３０に任意の適切な手段で貼り付けられる。例えば、接着剤がＡＷＧチップ３６と基材３０との間に配置され得る。ＡＷＧチップ３６は、その上のアレイ導波路回折格子に合わせて作製される。基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ３６が示される。基材３０、基板、アクチュエーター３２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。なお、アクチュエーター３２は、ＡＷＧチップ３６が基材３０に貼り付けられる前または後に、基材３０に付着され得る。
【００４２】
この実施態様では、ＡＷＧチップ３６は、基材を覆うように配置され、そのためレンズの１つは、基材３０のヒンジ３４のすぐ上にある。間隙または溝３８は、ＡＷＧチップ３６に形成され、レンズを横切る。溝３８は、ＡＷＧチップ３６を通って、垂直にずっと伸び、そしてＡＷＧチップ３６を２つの別の断片に分割しまたは分割しない。溝は、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式で形成される。溝３８の片側におけるＡＷＧチップ３６の一部分は、基材３０の第１の領域３１によって支持される。一方、溝３８の他側における（導波路回折格子を含む）ＡＷＧチップ３６の他の部分は、基材３０の第２の領域３３によって支持される。ＡＷＧチップ３６の形状は、入力／出力導波路、レンズ、導波路回折格子の任意の１つに近くない基板が除かれるように、および／またはアクチュエーターの取付けのための適切な空間を与えるように作製され得る。ノッチ、ボスなどが形成され、アクチュエーターの取付けが容易になり得る。例えば、図８のＡＷＧチップ３６は、合うように作製された形状を有するが、図６のＡＷＧチップ２６は、そうではない。
【００４３】
間隙または溝３８は、必要に応じて、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。効果は、屈折率整合物質の屈折率にのみ弱く依存し、そのため、物質の屈折率の厳格な制御は必要ではない。あるいは、（溝３８内の）ＡＷＧチップ３６の内面端は、必要に応じて、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００４４】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター３２は、熱膨張係数の差のため、基材３０とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝３８のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間、特に溝３８によって横切られたレンズの２つの領域間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、そのため、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００４５】
さらなる他の実施態様では、アサーマルＯＩＣは、導波路回折格子およびミラーの下に配置されたヒンジを有する基材またはライザーを覆うように取り付けられたＡＷＧチップを含む。例えば、図９および１０を参照すると、このようなＯＩＣの例、およびＯＩＣの製造方法が示される。
【００４６】
具体的に、図９を参照すると、基材４０が示される。基材４０は、第１の領域４１および第２の領域４３を分離しかつ接続するヒンジ４４を含むように構成される。第２の熱膨張係数（基材４０の第１の熱膨張係数と異なる）を有するアクチュエーター４２が設けられ、基材４０の第１の領域４１および第２の領域４３を接続する。基材は、ヒンジ４４のため曲がり得る。すなわち、第１の領域４１および第２の領域４３は、ヒンジ４４の周りを矢印と一致するように回転し得る。
【００４７】
図１０を参照すると、ＡＷＧチップ４６およびミラー４７は、基材４０に任意の適切な手段で貼り付けられる。例えば、接着剤がＡＷＧチップ４６またはミラー４７と基材４０との間に配置され得る。基板、入力導波路５２、レンズ５０、多数の導波路を含むレンズとミラー４７との間の導波路回折格子、および出力導波路５４を有するＡＷＧチップ４６が示される。基材４０、基板、アクチュエーター４２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。ＡＷＧチップ４６およびミラー４７が溝または間隙４８がその間に存在するように配置される。ミラー４７は、導波路回折格子から導波路回折格子光を反射し返す機能を果たす。なお、アクチュエーター４２は、ＡＷＧチップ４６が基材４０に貼り付けられる前または後に、基材４０に付着され得る。
【００４８】
この実施態様では、ＡＷＧチップ４６およびミラー４７は、基材４０を覆うように配置され、そのため導波路回折格子およびミラー４７は、基材４０のヒンジ４４のすぐ上にある。間隙または溝４８は、導波路回折格子を横切る。溝４８は、ＡＷＧチップ４６とミラー４７とを完全に分離する。ＡＷＧチップ４６は溝４８の片側にあり、基材４０の第１の領域４１によって支持される。一方、ミラー４７は溝４８の他側にあり、基材４０の第２の領域４３によって支持される。
【００４９】
間隙または溝４８内に、波長板（示されていない）、例えば、クォーター波長板が必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝４８は、導波路回折格子の導波路の屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。この効果は、屈折率整合物質の屈折率にのみ弱く依存し、そのため、物質の屈折率の厳密な制御は必要ではない。さらにあるいは、（溝４８内の）ＡＷＧチップ４６の内面端は、研磨され得るかまたは反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００５０】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター４２は、熱膨張係数の差のため、基材４０とは異なる速度で長さを変化する。これは、ＡＷＧとミラー４７との間の角度の変化を引き起こし、そして導波路回折格子の異なる導波路について異なる位相遅延を引き起こし、したがって、デバイスのＣＷシフトを引き起こす。特に、ミラーが取り付けられる角度は、ＡＷＧのＣＷを選択するために用いられ、そして温度の関数として、アクチュエーターによって提供されるミラーの回転の程度は、ＡＷＧの温度応答を取り消すために用いられる。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００５１】
よりさらなる他の実施態様では、アサーマルＯＩＣは、レンズおよびミラーの下に配置されたヒンジを有する基材またはライザーを覆うように取り付けられたＡＷＧチップを含む。例えば、図１１および１２を参照すると、このようなＯＩＣの例、およびＯＩＣの製造方法が示される。
【００５２】
具体的に、図１１を参照すると、基材６０が示される。基材６０は、第１の領域６１および第２の領域６３を分離しかつ接続するヒンジ６４を含むように構成される。第２の熱膨張係数（基材６０の第１の熱膨張係数と異なる）を有するアクチュエーター６２が示され、基材６０の第１の領域６１および第２の領域６３を接続する。基材は、ヒンジ６４のため曲がり得る。すなわち、第１の領域６１および第２の領域６３は、ヒンジ６４の周りを矢印と一致するように回転し得る。
【００５３】
図１２を参照すると、ＡＷＧチップ６６およびミラー６７は、基材６０に任意の適切な手段で貼り付けられる。例えば、接着剤がＡＷＧチップ６６またはミラー６７と基材６０との間に配置され得る。基板、入力導波路７２、第１のレンズ７０、折り曲げられた第２のレンズ７６、多数の導波路を含む第１のレンズ７０と折り曲げられたレンズ７６との間の導波路回折格子、および出力導波路７４を有するＡＷＧチップ６６が示される。基材６０、基板、アクチュエーター６２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。ＡＷＧチップ６６およびミラー６７が配置され、溝または間隙６８がその間に存在する。ミラー６７は、折り曲げられたレンズ７６から折り曲げられたレンズ７６へ光を反射し返し導波路回折格子に入るように機能を果たす。なお、アクチュエーター６２は、ＡＷＧチップ６６が基材６０に貼り付けられる前または後に、基材６０に付着され得る。
【００５４】
この実施態様では、ＡＷＧチップ６６およびミラー６７は、基材６０を覆うように配置され、そのため折り曲げられたレンズ７６およびミラー６７は、基材６０のヒンジ６４のすぐ上にある。間隙または溝６８は、レンズ７６を横切る。溝６８は、ＡＷＧチップ６６とミラー６７とを完全に分ける。ＡＷＧチップ６６は溝６８の片側にあり、基材６０の第１の領域６１によって支持される。一方、ミラー６７は溝６８の他側にあり、基材６０の第２の領域６３によって支持される。
【００５５】
間隙または溝６８は、必要に応じて研磨され得、そして必要に応じて、導波路回折格子の導波路の屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。効果は、屈折率整合物質の屈折率にのみ弱く依存し、そのため、物質の屈折率の厳密な制御は必要ではない。あるいは、（溝６８内の）ＡＷＧチップ６６の内面端は、必要に応じて、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００５６】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター６２は、熱膨張係数の差のため、基材６０とは異なる速度で長さを変化する。これは、レンズ７６とミラー６７との間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、そのため、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。特に、ミラーが取り付けられる角度は、ＡＷＧのＣＷを選択するために用いられ、そして温度の関数として、アクチュエーターによって提供されるミラーの回転の程度は、ＡＷＧの温度応答を取り消すために用いられる。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。
【００５７】
溝または間隙は、基材上にＡＷＧチップを取り付ける前または後に、ＡＷＧチップに形成され得る。図１３を参照すると、図２の基材上に取り付けるために適切なＡＷＧチップ８６が示される。基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ８６が示される。間隙または溝８８は、導波路回折格子を横切るようにＡＷＧチップ８６中に形成されるが、チップ全体ではない。ＡＷＧチップ８６は、基材を覆うように配置され、そのため導波路回折格子は、基材１０のヒンジ１４のすぐ上にある（図２を参照のこと）。まだ形成されていない場合、間隙または溝８８は、導波路回折格子を横切るように、ＡＷＧチップ８６に形成されるが、チップ全体ではない。溝８８は、ＡＷＧチップ８６を通って、垂直にずっと伸びるが、ＡＷＧチップ８６を２つの別の断片に分割しない。溝８８は、湿式エッチングまたはＲＩＥを含む任意の適切な様式で形成される。溝８８の片側におけるＡＷＧチップ８６の一部分８７は、基材１０の第１の領域１１によって支持される。一方、溝８８の他側におけるＡＷＧチップ８６の他の部分８９は、基材１０の第２の領域１３によって支持される。
【００５８】
次いで、ＡＷＧチップ８６および（チップの下の）基材は、同時に、例えば、ウォータージェット、ワイヤーソー、レーザーなどの任意の適切な様式で切断され、ＡＷＧチップ８６が基材に実質的に重ねられること以外は、図３と同様の構造を設ける。切断により、ＡＷＧチップ８６の機能的な特徴部分の周り、特に溝８８の近くの構造の形状に合うように作製し、そのため、溝８８は、ＡＷＧチップ８６を２つの別の断片に分け、そして溝８８の上および下のＡＷＧチップ８６の部分は、もはや単一の断片のチップに保たれない。次いで、アクチュエーターが付加されて、基材の２つの領域またはチップの２つの断片を接続する。
【００５９】
間隙または溝８８内に、波長板（示されていない）、例えば、ハーフ波長板が必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝８８は、導波路回折格子の導波路の屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。
【００６０】
図１４を参照すると、図７の基材上に取り付けるために適切なＡＷＧチップ９６が示される。基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ９６が示される。
【００６１】
この実施態様では、ＡＷＧチップ９６は、基材を覆うように配置され、そのためレンズの１つは、基材２０のヒンジ２４のすぐ上にある（図５を参照のこと）。間隙または溝９８は、基材にチップを貼り付ける前または後に、レンズを横切るようにＡＷＧチップ９６に形成される。溝９８は、ＡＷＧチップ９６を通って、垂直にずっと伸びるが、ＡＷＧチップ９６を２つの別の断片に分割しない。溝９８は、任意の適切な様式で形成される。溝９８の片側におけるＡＷＧチップ９６の一部分９７は、基材２０の第１の領域２１によって支持される。一方、溝９８の他側における（導波路回折格子を含む）ＡＷＧチップ９６の他の部分９９は、基材２０の第２の領域２３によって支持される。
【００６２】
次いで、ＡＷＧチップ９６および（チップの下の）基材は、同時に、例えば、ウォータージェット、ワイヤーソー、レーザーなどの任意の適切な様式で切断され、ＡＷＧチップ９６が基材に実質的に重ねられること以外は、図８と同様の構造を設ける。切断により、ＡＷＧチップ９６の機能的な特徴部分の周り、特に溝９８の近くの構造の形状に合うように作製し、そのため、溝８８は、ＡＷＧチップ９６を２つの別の断片に分け、そして溝８８の上および下のＡＷＧチップ９６の部分は、もはや単一の断片のチップに保たれない。次いで、アクチュエーターが付加されて、基材の２つの領域またはチップの２つの断片を接続する。
【００６３】
間隙または溝９８は、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。あるいは、（溝９８内の）ＡＷＧチップ９６の内面端は、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００６４】
図２〜８は、ＡＷＧチップを完全に２つの断片に分離する溝を有するＡＷＧチップを示すが、溝は、あるいはＡＷＧチップを２つの領域に分離し得る。他の一般的な実施態様では、ＡＷＧチップは、ヒンジ、ＡＷＧチップに２つの領域を形成する間隙または溝、およびヒンジによって分離されかつ接続されたＡＷＧチップの２つの領域を接続するアクチュエーターが提供され得、そして必要に応じて、従来の基材または図２、５、７、９、および１１の１つ以上に記載される基材に貼り付けられ得る。基材が用いられる場合、基材は、ヒンジの周りのアクチュエーターによって誘導されるＡＷＧチップの移動を可能にしなければならない。ＯＩＣチップは、２つの異なる断片ではないので、基材は必要ではない。
【００６５】
図１５を参照すると、基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ１１０が示される。アクチュエーター１１２は、溝１１６によって分けられたチップの２つの領域を接続する。ＡＷＧチップ１１０は、ヒンジ１１４を含む。基板、アクチュエーター１１２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。
【００６６】
間隙または溝１１６は、１つ以上のレンズを横切るようにＡＷＧチップ１１０に形成される。溝１１６は、ＡＷＧチップ１１０を通って、垂直にずっと伸びる。溝１１６は、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式で形成される。この実施態様では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のような化学的エッチングが好ましい。示されていないが、溝１１６は、レンズの代わりに導波路回折格子を横切り得、そしてヒンジ１１４が導波路回折格子の周りに見えるように配置される。
【００６７】
間隙または溝１１６内に、波長板（示されていない）、例えば、ハーフ波長板が、特に溝が導波路回折格子を横切る場合に、必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝１１６は、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。さらにあるいは、（溝１１６内の）ＡＷＧチップ１１０の内面端は、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００６８】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター１１２は、熱膨張係数の差のため、ＡＷＧチップ１１０の基板とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝１１６のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間、特に溝１１６によって横切られたレンズの２つの領域間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、そのため、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００６９】
図１６を参照すると、基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ１２０の他の実施態様が示される。アクチュエーター１２２は、溝１２６によって分けられたチップの２つの領域を接続する。ＡＷＧチップ１２０は、ヒンジ１２４を含む。基板、アクチュエーター１２２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。
【００７０】
間隙または溝１２６は、１つ以上のレンズを横切るようにＡＷＧチップ１２０に形成される。溝１２６は、ＡＷＧチップ１２０を通って、垂直にずっと伸びる。溝１２６は、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式で形成される。この実施態様では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のような化学的エッチングが好ましい。示されていないが、溝１２６は、レンズの代わりに導波路回折格子を横切り得、そしてヒンジ１２４が導波路回折格子の周りに見えるように配置される。
【００７１】
間隙または溝１２６内に、波長板（示されていない）、例えば、ハーフ波長板が、特に溝が導波路回折格子を横切る場合に、必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝１２６は、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。さらにあるいは、（溝１２６内の）ＡＷＧチップ１２０の内面端は、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００７２】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター１２２は、熱膨張係数の差のため、ＡＷＧチップ１２０の基板とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝１２６のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間、特に溝１２６によって横切られたレンズの２つの領域間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、そのため、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００７３】
図１７を参照すると、基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ１３０のさらに他の実施態様が示される。アクチュエーター１３２は、溝１３６によって分けられたチップの２つの領域を接続する。ＡＷＧチップ１３０は、２つのヒンジ１３４を含む。基板、アクチュエーター１３２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。
【００７４】
間隙または溝１３６は、１つ以上のレンズを横切るようにＡＷＧチップ１３０に形成される。溝１３６は、ＡＷＧチップ１３０を通って、垂直にずっと伸びる。溝１３６は、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式で形成される。この実施態様では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のような化学的エッチングが好ましい。示されていないが、溝１３６は、レンズの代わりに導波路回折格子を横切り得、そしてヒンジ１３４が導波路回折格子の上下に見えるように配置される。
【００７５】
間隙または溝１３６内に、波長板（示されていない）、例えば、ハーフ波長板が、特に溝が導波路回折格子を横切る場合に、必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝１３６は、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。さらにあるいは、（溝１３６内の）ＡＷＧチップ１３０の内面端は、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００７６】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター１３２は、熱膨張係数の差のため、ＡＷＧチップ１３０の基板とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝１３６のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間、特に溝１３６によって横切られたレンズの２つの領域間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、そのため、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調整され得る。
【００７７】
図１８を参照すると、基板、入力導波路、第１のレンズ、第２のレンズ、多数の導波路を含む２つのレンズ間の導波路回折格子、および出力導波路を有するＡＷＧチップ１４０のさらに他の実施態様が示される。アクチュエーター１４２は、溝１４６によって分けられたチップの２つの領域を接続する。ＡＷＧチップ１４０は、２つのヒンジ１４４を含む。基板、アクチュエーター１４２、および導波路は、図２および３に関連して記載されたこれらの特徴のための任意の材料で作成され得る。
【００７８】
間隙または溝１４６は、１つ以上のレンズを横切るようにＡＷＧチップ１４０に形成される。溝１４６は、ＡＷＧチップ１３０を通って、垂直にずっと伸びる。溝１４６は、ダイシングソー、ウォータージェットカッター、化学的エッチング、レーザーウエハカッター、ワイヤーソー、ＥＤＭなどを用いることを含む任意の適切な様式で形成される。この実施態様では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のような化学的エッチングが好ましい。示されていないが、溝１４６は、レンズの代わりに導波路回折格子を横切り得、そしてヒンジ１４４が導波路回折格子の上下に見えるように配置される。
【００７９】
間隙または溝１４６内に、波長板（示されていない）、例えば、ハーフ波長板が、特に溝が導波路回折格子を横切る場合に、必要に応じて形成され得る。さらにまたはあるいは、間隙または溝１３６は、レンズの屈折率と実質的に整合する屈折率を有する接着剤、ゲル、ポリマー、または液体で満たされ得る。さらにあるいは、（溝１４６内の）ＡＷＧチップ１４０の内面端は、反射防止膜でコーティングされ得、空気に露出したままであり得る。
【００８０】
構造物の温度が変化するにつれて、アクチュエーター１４２は、熱膨張係数の差のため、ＡＷＧチップ１４０の基板とは異なる速度で長さを変化する。これは、（溝１４６のいずれかの側における）ＡＷＧの２つの領域間、特に溝１４６によって横切られたレンズの２つの領域間の角度の変化、およびレンズおよび入力（または出力）導波路部分の偏向を引き起こし、それによって、光の焦点に相対的に導波路を移動する。したがって、波長が導波路回折格子に集中するようにシフトし、デバイスのＣＷのシフトを引き起こす。アクチュエーターおよび基材材料のサイズおよび形状は、アクチュエーターの熱膨張／収縮によって引き起こされるＣＷシフトが、温度変化のためＡＷＧのＣＷシフトと正確につり合うように選択される。その結果、ＡＷＧのＣＷは、温度非依存である。アクチュエーターに置かれた予備バイアスの量はまた、ＡＷＧのための正確なＣＷに合わせるために調節され得る。
【００８１】
図１５〜１８のいくつかの実施態様では、ポリマーがレンズまたは導波路回折格子（またはミラーとＡＷＧチップとの間）を横切る溝を占める場合、ポリマーが、ＡＷＧチップ１１０基板の熱膨張係数と異なる所望の熱膨張係数を有すれば、ポリマーは、アクチュエーターとして機能し得る。
【００８２】
図１９を参照すると、グラフは、温度安定化されていない従来のＡＷＧおよび本発明に従って作製されたアサーマルＡＷＧについての温度に対するＣＷ変化／応答の差異を示す。グラフが示すように、温度が高くなるにつれて、従来のＡＷＧのＣＷは、だんだん高く変化する。これとは逆に、温度が高くなるにつれて、本発明に従って作製されたアサーマルＡＷＧのＣＷは、実質的に一定のままである。
【００８３】
図２０および２１を参照すると、典型的な光集積回路（ＯＩＣ）２００が示される。ＯＩＣ２００は、１つ以上の光学層２０４を含み、例えば、基板２０８に付着される。光学層２０４および基板２０８を、まとめてチップ２１０という。光学層２０４は、基板２０８と同一空間に広がり得る（例えば、実質的に同一の空間的な境界線を有する）。光学層２０４は、制御された様式で光を透過し得る。光学層２０４は、シリカの層を含み得、そして基板２０８は、シリコンウエハ部分を含み得る。
【００８４】
ＯＩＣ２００は、さらにチップキャリア２１２を含み得る。チップキャリア２１２は、特定の領域でチップ２１０と同一空間に広がり得、および／または他の領域では同一空間に広がり得ない。例えば、チップ拡張領域２１４では、チップ２１０が、チップキャリア２１２を超えて物理的に拡張する。キャリア拡張領域２１８では、チップキャリア２１２が、チップ２１０を超えて物理的に拡張する。チップ拡張領域２１４は、例えば、チップ２１０への光ファイバーの取付けを容易にするために用いられ得る。
【００８５】
光学層２０４は、第１の領域２１６、第２の領域２２０、および接続領域２２４を含む。例えば、スクロールダイシング（例えば、ウォータージェット、レーザーウエハカッター、および／またはワイヤーソーを用いる）を用いて第１の領域２１６および第２の領域２２０を機械的に隔離し得、接続領域２２４を介してモノリシック連結が残り、そして第１の領域２１６と第２の領域２２０との間に一般的に間隙２２８を形成する。１つの例では、チップキャリア２１２は、間隙２２８の範囲において光学層２０４と同一空間に広がる。他の例では、チップキャリア２１２は、間隙２２８の範囲において光学層２０４と同一空間に広がらない。さらに第３の例では、チップキャリア２１２は、間隙２２８のいくつかの部分において光学層２０４と同一空間に広がり、そして間隙２２８の他の部分において光学層２０４と同一空間に広がらない。
【００８６】
第１の領域２１６は、第１の領域の導波路２３２を含み得る（例えば、光導波路および／またはスラブ導波路）。第２の領域２２０は、第２の領域の導波路２３６を含み得る（例えば、光導波路および／またはスラブ導波路）。接続領域２２４は、第１のレンズ２４０を含み得る。第１のレンズ２４０は、第１の領域の導波路２３２から第２の領域の導波路２３６まで光を広げ得る。あるいは、第１のレンズ２４０は、第２の領域の導波路２３６から第１の領域の導波路２３２まで光を集中させ得る。必要に応じて、ＯＩＣ２００は、第２のレンズ２４４を含み得る。
【００８７】
簡単に図２１を参照すると、図２０のＯＩＣの２５０−２５０線に沿って得られる断面図が示される。次の図２２を見ると、本発明の局面による典型的なアクチュエーター４００が示される。アクチュエーター４００は、第１のアクチュエーターの本体部４１０および第２のアクチュエーターの本体部４２０を含む。アクチュエーター４００は、温度変化で膨張および／または収縮する。１つの実施態様では、アクチュエーター４００の膨張および／または収縮を有することが望ましく、そのため「操作温度範囲」として具体的に挙げられる温度範囲にわたる温度について実質的に直線的である（アクチュエーター４００の長さの変化は、温度変化と実質的に直線の関係を有する）。他の実施態様では、アクチュエーター４００は、ＯＩＣの操作温度範囲にわたって力をかける。
【００８８】
本発明の局面によれば、アクチュエーター４００は、ＯＩＣの構成部品として用いられ得、従来の光集積回路および他のデバイスに関連する欠点を緩和および／または克服して、機械的ビーム操縦を容易にする。例えば、アクチュエーター４００は、ＯＩＣに用いられ得、ＯＩＣの温度感受性を緩和する。アクチュエーター４００は、第１端４１２および第２端４１６を有する。導波路回折格子を含むＡＷＧチップは、長さが議論されるが、ＯＩＣは、マッハ−ツェンダー干渉計を含み得る。
【００８９】
第１のアクチュエーターの本体部４１０および／または第２のアクチュエーターの本体部４０８は、例えば、アルミニウム、真鍮、青銅、クロム、銅、金、鉄、マグネシウム、ニッケル、パラジウム、白金、銀、ステンレススチール、錫、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ；登録商標）、コバール（Ｋｏｖａｒ；登録商標）、インバー（Ｉｎｖａｒ）、モネル（Ｍｏｎｅｌ；登録商標）、インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ；登録商標）などの金属、アルミナまたはケイ酸アルミニウムのようなセラミック材料、シリコーンゴムまたはエラストマーのようなポリマー材料、ザイテル（Ｚｙｔｅｌ；登録商標）またはファイバーガラスで強化されたナイロンなどのポリアミド複合体、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエステル、シリコーンゴムのような架橋ポリマー、ＰＥＥＫ、ポリマー複合体材料（例えば、カーボンファイバー、グラファイト、および／またはガラスファイバー）、液晶ポリマーなどの１以上から作成され得る。
【００９０】
第１のアクチュエーターの本体部４１０は、第１の熱膨張係数を有する。同様に、第２のアクチュエーターの本体部４０８は、第２の熱膨張係数を有する。１つの例では、第１の熱膨張係数は、実質的に第２の熱膨張係数と類似している。他の例では、第１の熱膨張係数は、第２の熱膨張係数よりも大きい。さらに第３の例では、第１の熱膨張係数は、第２の熱膨張係数よりも小さい。
【００９１】
ＯＩＣ２００の部分として用いられると、アクチュエーター４００によってかけられる力は、間隙２２８を広くする傾向の方向であり得、この場合、アクチュエーター４００は、圧縮状態にあり、本明細書では、「圧縮状態のアクチュエーター」という。あるいは、かかる力が間隙２２８を狭くする傾向の方向であり得、この場合、アクチュエーター４００は、引張状態にあり、本明細書では、「引張状態の」アクチュエーターという。圧縮状態にあるアクチュエーター４００については、アクチュエーターは、その長さが十分長く、その操作の最低温度で接触を失わない場合（例えば、第１の領域２１６または第２の接触領域のいずれかで）、その操作の最低温度での力（例えば、２１０と２２０との間）を維持する。デバイスの具体的な最低保管温度で、（例えば、両領域との）接触も維持すべきである。アクチュエーター４００の長さが狭い公差を有し得、そして間隙２２８の幅が製造偏差を受け得るので、アクチュエーター４００は、調節可能な長さＬＡを有することが有利であり得、そのため、特定のＡＷＧの要求を満たすように調節され得る（例えば、間隙２２８がＡＷＧに切り込まれた後に）。
【００９２】
さらに、アクチュエーターの長さＬＡは調節され得、所望の中心波長（ＣＷ）を有するＡＷＧの特定のチャネルの通過帯域を提供する。この調節は、所望のＣＷ（例えば設計された）と製造されたＣＷとの間のわずかな相違を導き得る材料の光学特性において、製造の偏差について補正するために用いられ得る。調節可能な長さを有する第３の利点は、取付け工程が簡単になり得ることである。最終的な所望の長さを有しながらアクチュエーター４００を取付ける工程は、困難であり得る。なぜなら、その長さで、アクチュエーターは、（例えば、領域間で）力を及ぼすからである。したがって、所望の最終的な長さよりも短いアクチュエーター４００を一時的に作製して、間隙２２８に挿入し、その後所望の最終長さに伸ばすことが好ましくあり得、そのため力（例えば領域間の）は、アクチュエーター４００が伸ばされるときのみ影響を与える。さらに、特定のＯＩＣの形状（例えば、切り込み）について、アクチュエーター４００のＣＴＥ値を予め計算することは困難であり得、温度変化が材料の屈折率に基づいて有する効果を消去するビーム操縦の程度を提供することが必要とされる。この理由のために、アクチュエーター４００がＣＴＥ値を有することは、有用であり得、ＣＴＥ値は、必要とされる最大と最小の概算値との間で調節され得る。
【００９３】
第１のアクチュエーターの本体部４１０は、第２のアクチュエーターの本体部４２０に結合される。例えば、第１のアクチュエーターの本体部４１０は、溶接、圧着、接着、融着、および／または他の適切な結合の様式によって、第２のアクチュエーターの本体部４２０に結合され得る。第１のアクチュエーターの本体部４１０および第２のアクチュエーターの本体部４２０は、図２２に円筒形として描かれているが、第１のアクチュエーターの本体部４１０および／または第２のアクチュエーターの本体部４２０に適切な任意の形状が、本発明で用いられることが理解されるべきである。
【００９４】
図２３を簡単に参照すると、１つの実施態様では、第２のアクチュエーターの本体部４２０は、３つの構成部分４３０、４３４、４３８を含む。３つの構成部分４３０、４３４、４３８は、類似または異なる熱膨張係数を有する適切な材料を含み得る。１つの例では、１つの構成部分４３０およびもう１つの構成部分４３８は、第１の熱膨張係数を有する第１の材料を含み、そして第２の構成部分４３４は、第２の熱膨張係数を有する第２の材料を含む。構成部分４３０、４３４、４３８は、適切な位置で結合（例えば、スポット溶接）され得、そのため、第２のアクチュエーターの本体部４２０および／またはアクチュエーター４００の適切な全体の熱膨張係数をもたらす。
【００９５】
次に図２４を参照すると、本発明の局面によるアクチュエーター４００を用いる図２０のＯＩＣが示される。例えば、アクチュエーター４００は、一般的に間隙２２８内に含まれ得る。アクチュエーター４００は、温度変化で膨張および／または収縮し、第１の領域２１６および／または接続領域２２４の少なくとも一部分を第２の領域２２０に対して移動させる。アクチュエーター４００は、決まった場所に保持され得る（例えば、運動学的におよび／または接着剤で）。
【００９６】
キャリア拡張領域は、アクチュエーター４００の取付けを容易にするために設計され得る。１つの例では、チップキャリア２１２は、第１の領域２１０の一部およびチップキャリア２１２の一部を含む第１の接触領域２５４とともに構成され得る。この例では、第１の接触領域２５４の周りで、第１の領域２１０の一部およびチップキャリア２１２の一部は、アクチュエーター４００と物理的に接触され得る。他の例では、チップキャリア２１２は、チップ拡張であり得る第２の接触領域２５８とともに構成され得る。第１の端部４１２は、第１の接触領域２５４と接触し得、そして第２の端部４１６は、第２の接触領域２５８と接触し得る。
【００９７】
１つの実施態様では、アクチュエーター４００は、デバイスの通常の操作範囲内での温度変化に応答して（例えば、約−２０℃〜約＋９５℃の範囲で）、第１の領域２１６を第２の領域２２０に対して約０．５ミクロン以上および約１００ミクロン以下移動させる。他の実施態様では、アクチュエーター４００は、第１の領域２１６を、第２の領域２２０に対して約５ミクロン以上および約５０ミクロン以下移動させる。第３の実施態様では、アクチュエーター４００は、第１の領域２１６を、第２の領域２２０に対して約１０ミクロン以上および約２５ミクロン以下移動させる。他の実施態様では、アクチュエーター４００は、温度変化１℃につき約０．０１ミクロン以上および約１０ミクロン以下で長さを変化する。他の実施態様では、アクチュエーター４００は、温度変化１℃につき約０．１ミクロン以上および約５ミクロン以下で長さを変化する。他の実施態様では、アクチュエーター４００は、温度変化１℃につき約０．２ミクロン以上および約２ミクロン以下で長さを変化する。
【００９８】
１つの例では、接続領域２２４は、十分に変形して、第２の領域２２０に対する第１の領域２１６の回転を調節する。第１の領域２１６および／または第２の領域２２０もまた、ある程度まで変形し得ることが理解されるべきである；しかし、この例では、相対回転が、接続領域２２４における変形によって主として調節されることが好ましい（例えば、接続領域２２４が、第１の領域２１６または第２の領域２２０より大きな程度まで変形することが好ましい）。接続領域２２４の変形を容易にするために、接続領域２２４は、それを通じて光の伝搬を妨げることなくできるだけ狭く、そして第１の領域２１６および第２の領域については、接続領域２２４より実質的に広く設計および／または製造され得る。
【００９９】
図２０を簡単に参照すると、１つの例では、接続領域２２４の断面は、側寸法ＬＣを有し、これは、一般的に、接続領域２２４の公称幅Ｗより小さい。したがって、例えば、さらに以下に記載されるようなアクチュエーターからの、外部力による曲げが許容される。１つの実施態様では、接続領域２２４の断面の側寸法ＬＣは、約１０ミクロン以上および約１００００ミクロン以下である。他の実施態様では、接続領域２２４の断面の側寸法ＬＣは、約１００ミクロン以上および約５０００ミクロン以下である。さらに第３の実施態様では、接続領域２２４の断面の側寸法ＬＣは、約５００ミクロン以上および約２０００ミクロン以下である。
【０１００】
さらに、第１の領域２１６、接続領域２２４、および第２の領域２２０は、任意の適切な形状を有し得ることが理解されるべきである。例えば、多波長光は、入力口（示されていない）で受け入れられ得（例えば、ネットワークにおける光ファイバーから）、第１の領域の導波路２３２を介して輸送され得、そして第１のレンズ２４０に提供され得る。第１のレンズ２４０は、第２の領域の導波路２２６（例えば、アレイ導波路回折格子アーム）中へ、多波長光を処理し（例えば、広げ）得る。次いで、第２の領域の導波路２３６は、出力口（示されていない）に多波長光を提供し得る。
【０１０１】
ＯＩＣ２００の温度が高くなるにつれて、第１の領域の導波路２３２の屈折率および／または第２の領域の導波路２３６の屈折率は、変化し得る。この温度に基づく屈折率の変化を補正するために、アクチュエーター２００は、温度変化の結果として膨張し、第１の領域２１６および／または接続領域２２４の少なくとも一部分を第２の領域２２０に対して移動（例えば、回転）させる。同様に、ＯＩＣ２００の温度が低くなるにつれて、アクチュエーター４００は、収縮し、第１の領域２１６および／または接続領域２２４の少なくとも一部分を第２の領域２２０に対して移動（例えば、回転）させる。温度変化によって生じる移動（回転）は、温度依存的屈折率のため、第１の領域および／または第２の領域の導波路２３２、２３６において温度変化で誘導される波長シフトに対応するか、またはこれを補正すると考えられる。このように、導波路の温度依存的屈折率変化に関連する波長シフトは緩和され得る。したがって、ＯＩＣ２００を用いる通信システムにおけるシグナルおよび／またはクロストークの損失が低減され得る。
【０１０２】
次に図２５を見ると、本発明の局面によるアクチュエーター６００の実施態様が示される。アクチュエーター６００は、第１のアクチュエーターの本体部６１０および第２のアクチュエーターの本体部６２０を含む。第１のアクチュエーターの本体部６１０は、第１のアクチュエーターの本体部６１０の少なくとも一部を貫通する穿孔６３０を含む。第１のアクチュエーターの本体部６１０は、第１の熱膨張係数を有する。第２のアクチュエーターの本体部６２０は、第２の熱膨張係数を有する。この実施態様では、第２のアクチュエーターの本体部６２０が、第１のアクチュエーターの本体部６１０の穿孔６３０の少なくとも一部分に挿入され、第１のアクチュエーターの本体部６１０と第２のアクチュエーターの本体部６２０との結合を容易にする。一旦、第２のアクチュエーターの本体部６２０の所望の量が穿孔６３０中に挿入されると、第１のアクチュエーターの本体部６１０および第２のアクチュエーターの本体部６２０は、任意の適切な手段、例えば、溶接、圧着、接着、および／または融着により、共に結合され得る。
【０１０３】
さらに、アクチュエーター６００の作動特性（例えば、全体の引張および／または圧縮）は、少なくとも一部は穿孔６３０中に挿入される第２のアクチュエーターの本体部６２０の量に基づき得る。例えば、第１の熱膨張係数が第２の熱膨張係数と異なれば、アクチュエーター６００の全体の熱特性は、少なくとも一部は、穿孔６３０に挿入される第２のアクチュエーターの本体部６２０の量に基づく。
【０１０４】
１つの例では、第１のアクチュエーターの本体部６１０は、アルミニウムチューブを含み、そして第２のアクチュエーターの本体部６２０は、スチールロッドを含む。第１のアクチュエーターの本体部６１０（スチールロッド）は、第２のアクチュエーターの本体部６２０（アルミニウムチューブ）が内側に挿入され、そして第２のアクチュエーターの本体部６２０（アルミニウムチューブ）長さは、アクチュエーター６００の端を所望の長さになるまで引っ張ることによって調節される。次いで、第２のアクチュエーターの本体部６２０（アルミニウムチューブ）は、第２のアクチュエーターの本体部６２０に第１の本体部６１０が結合しやすくするために、所望の位置でしわが寄せられる。
【０１０５】
図２６を簡単に参照すると、図２５に描かれたアクチュエーター６００の他の実施態様が示される。この実施態様では、第１の本体部６１０の穿孔６３０の少なくとも一部分が、ねじ込み挿入を受け入れるために設けられる。同様に、第２のアクチュエーターの本体部６２０の少なくとも一部分は、ねじ山が設けられる。第２のアクチュエーターの本体部６２０は、第１の本体部６１０の穿孔６３０にねじ込み挿入され得、第１のアクチュエーターの本体部６１０と第２のアクチュエーターの本体部６２０との結合が容易になる。第１のアクチュエーターの本体部６１０および第２のアクチュエーターの本体部６２０は、図２５に円筒形に描かれているが、第１のアクチュエーターの本体部６１０および／または第２のアクチュエーターの本体部６２０に適切な任意の形状が本発明において用いられ得ることが理解されるべきである。
【０１０６】
次に図２７を見ると、本発明の局面によるアクチュエーター８００の実施態様が示される。アクチュエーター８００は、第１のアクチュエーターの本体部８１０および第２のアクチュエーターの本体部８２０を含む。図２７は、圧縮状態のアクチュエーターの実施態様を示し、アクチュエーター８００の長さは調節され得る。第１のアクチュエーターの本体部８１０は、第１のアクチュエーターの本体部８１０の少なくとも一部を貫通する穿孔８３０を含む。第１のアクチュエーターの本体部８１０は、第１の熱膨張係数を有する。
【０１０７】
第２のアクチュエーターの本体部８２０は、ねじ部８４０を含む。第２のアクチュエーターの本体部８２０は、第２の熱膨張係数を有する。この実施態様では、第２のアクチュエーターの本体部８２０のねじ部８４０は、第１のアクチュエーターの本体部８１０の穿孔８３０の少なくとも一部に挿入され得、第１のアクチュエーターの本体部８１０と第２のアクチュエーターの本体部８２０との結合が容易になる。１つの例では、一旦、第２のアクチュエーターの本体部８２０の所望の量が穿孔８３０中に挿入されると、第１のアクチュエーターの本体部８１０および第２のアクチュエーターの本体部８２０は結合され得る。アクチュエーター８００の作動特性（例えば、全体の伸張および／または圧縮）は、少なくとも一部は、穿孔８３０中に挿入される第２のアクチュエーターの本体部８２０のねじ部８４０の量に基づき得る。例えば、第１の熱膨張係数が第２の熱膨張係数と異なれば、アクチュエーター８００の全体の熱特性は、少なくとも一部は、穿孔８３０中に挿入される第２のアクチュエーターの本体部８２０のねじ部８４０の量に基づく。
【０１０８】
図２８を簡単に参照すると、図２７に描かれるアクチュエーター８００の他の実施態様が示される。この実施態様では、第１のアクチュエーターの本体部８１０は、第１の接触断片８５０を受け入れるように適合される。同様に、第２のアクチュエーターの本体部８２０は、第２の接触断片８６０を受け入れるように適合され得る。
【０１０９】
第１の接触断片８５０および／または第２の接触断片８６０は、例えば、硬い金属（例えば、ステンレススチール）球、あるいはまた、硬い金属の円筒を含み得る。第１の接触断片８５０および／または第２の接触断片８６０が、任意の適切な材料および／または形状を含み得ることが理解されるべきである。第１の接触断片８５０および／または第２の接触断片８６０は、アクチュエーター８００の残存部から分離可能であり得る（例えば、第１のアクチュエーターの本体部８１０および／または第２のアクチュエーターの本体部８２０に決して結合されない）。
【０１１０】
図２９を簡単に見ると、第１の接触領域１００４および第２の接触領域１００８を有するＯＩＣ１０００の断面図が示される。ＯＩＣ１０００は、さらに、アクチュエーター８００、第１の接触断片８５０、および第２の接触断片８６０を用いる。
【０１１１】
次に図３０を参照すると、本発明の局面によるアクチュエーター１１００が示される。アクチュエーター１１００は、独立して調節可能な長さＬＡおよび熱膨張係数（ＣＴＥ）の両方を有する圧縮状態のアクチュエーターの１つの実施態様である。アクチュエーター１１００は、第１の末端１１０４および第２の末端１１０８を有する。この実施態様では、アクチュエーター１１００は、第１のアクチュエーターの本体部１１１０および第２のアクチュエーターの本体部１１２０を含む。第１のアクチュエーターの本体部１１１０は、第１のアクチュエーターの本体部１１１０の少なくとも一部を貫通する穿孔１１３０を含む。第１のアクチュエーターの本体部１１１０は、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ１）を有する。
【０１１２】
第２のアクチュエーターの本体部１１２０は、ねじ部１１４０を含む。第２のアクチュエーターの本体部１１２０は、第２の熱膨張係数（ＣＴＥ２）を有する。アクチュエーター１１００は、さらに、第３の熱膨張係数（ＣＴＥ３）を有するリング１１７０を含む。リング１１７０は、任意の適切な材料、例えば、銅を含み得る。リング１１７０は、第２のアクチュエーターの本体部１１２０のねじ部１１４０にねじ込み式に結合され得る。次いで、第２のアクチュエーターの本体部１１２０のねじ部１１４０およびリング１１７０は、第１のアクチュエーターの本体部１１１０にねじ込み式に結合され得る。
【０１１３】
第１のアクチュエーターの本体部１１１０および第２のアクチュエーターの本体部１１２０は、異なる熱膨張係数の材料を含み得る。例えば、第１のアクチュエーターの本体部１１１０は、スチールから構成され得、そして第２のアクチュエーターの本体部１１２０は、アルミニウムから構成され得る。アクチュエーター１１００の効果的な熱膨張係数（ＣＴＥＡ）は、ＣＴＥ１およびＣＴＥ２に関連し、以下の式によって近似され得る：
【０１１４】
【数１】
2007536567.tif 000003
【０１１５】
Ｌ１は、リング１１７０のねじ山から第１の末端１１０４までの距離であり、Ｌ２は、リング１１７０のねじ山から第２の末端１１０８までの距離であり、そしてＬＡは、アクチュエーターの長さ（ＬＡ＝Ｌ１＋Ｌ２）である。代表的には、リング１１７０の係数（ＣＴＥ３）は、ＣＴＥ１およびＣＴＥ２が与えるよりもＣＴＥＡに影響を与えない。
【０１１６】
例えば、製造中、リング１１７０は、第１のアクチュエーターの本体部１１１０中にねじ山が切られ、そして第２のアクチュエーターの本体部のねじ部１１４０は、リング１１７０中にねじ山が切られる。ＣＴＥＡは、第１のアクチュエーターの本体部１１１０に対しておよびねじ部１１４０に対してリング１１７０を回転させることによって調節され得る（例えば、アクチュエーターの長さＬＡに影響することなく）。一方、ねじ部１１４０は、第１のアクチュエーターの本体部１１１０に対して回転しない。したがって、リング１１７０を回転させることにより、アクチュエーター１１１０の第１の末端１１０４のより近くまたはアクチュエーター１１００の第２の末端１１０８のより近くのいずれかにリング１１７０のねじ山を移動させる。リング１１７０のねじ山が第１の末端１１０４に近づくにつれて、ＣＴＥＡは、ＣＴＥ２の値により近くなる（例えば、第２のアクチュエーターの本体部１１２０のＣＴＥ）。逆に、リング１１７０のねじ山が第２の末端１１０８に近づくにつれて、ＣＴＥＡは、ＣＴＥ１の値により近くなる。
【０１１７】
アクチュエーターの長さＬＡは、ＣＴＥＡを調節するための上記の回転に等価ではない任意の様式で、リング１１７０に対してねじ部１１４０および第１のアクチュエーターの本体部１１１０を回転させることによって変化され得る。例えば、ＬＡは、相対的に回転することなく、リング１１７０のねじ部１１４０を回転させながら、リング１１７０および第１のアクチュエーターの本体部１１１０を共に保持することによって調節され得る。リング１１７０に対してねじ部１１４０および第１のアクチュエーターの本体部１１１０を適切な割合で回転させることによって、ＬＡは、アクチュエーターのＣＴＥＡに重大な影響を与えずに調節され得る。上記のＣＴＥＡに関する近似値に基づいて、ねじ部１４０の回転角度ａ１および第１のアクチュエーターの本体部の回転角度ａ２が以下の式によって関係付けられると、ＬＡは、ＣＴＥＡに重大な影響を与えずに変化され得る。
【０１１８】
【数２】
2007536567.tif 000004
【０１１９】
１つの実施態様では、第１のアクチュエーターの本体部１１１０は、第１の接触断片１１５０を受け入れるように適合され得る。さらに、第２のアクチュエーターの本体部１１２０は、同様に、第２の接触断片１１６０を受け入れるように適合され得る。第１の接触断片１１５０および／または第２の接触断片１１６０は、アクチュエーター１１００の残存部から分離可能であり得る（例えば、第１のアクチュエーターの本体部１１１０および／または第２のアクチュエーターの本体部１１２０には決して結合されない）。
【０１２０】
図３１を見ると、本発明の局面によるアクチュエーター１２００が示される。アクチュエーター１２００は、独立して調節され得る長さＬＡと熱膨張係数（ＣＴＥ）との両方を有する圧縮状態のアクチュエーターの１つの実施態様である。アクチュエーター１２００は、第１の末端１２０４および第２の末端１２０８を有する。この実施態様では、アクチュエーター１２００は、第１のアクチュエーターの本体部１２１０、第２のアクチュエーターの本体部１２２０、および第３のアクチュエーターの本体部１２２４を含む。第１のアクチュエーターの本体部１２１０は、第１のアクチュエーターの本体部１２１０の少なくとも一部を貫通する穿孔１２３０を含む。第１のアクチュエーターの本体部１２１０は、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ１）を有する。
【０１２１】
第２のアクチュエーターの本体部１２２０は、ねじ部１２４０を含む。第２のアクチュエーターの本体部１２２０は、第２の熱膨張係数（ＣＴＥ２）を有する。さらに、アクチュエーター１２００は、第３の熱膨張係数（ＣＴＥ３）を有するナット１２７０を含む。ナット１２７０は、任意の適切な材料、例えば、銅を含み得る。
【０１２２】
第３のアクチュエーターの本体部１２２４は、ねじ部１２７８を含む。第３のアクチュエーターの本体部１２２４は、第４の熱膨張係数ＣＴＥ４を有する。１つの例では、第１のアクチュエーターの本体部１２１０、第３のアクチュエーターの本体部１２２４、およびナット１２７０は、第１の材料（例えば、マグネシウム）から作成され、そして第２のアクチュエーターの本体部１２２０は、第２の材料（例えば、インバー（スチールの商業用グレード））から作成され、第２の材料は、第１の材料とは異なるＣＴＥを有する。他の例では、第１の末端１２０４および／または第２の末端１２０８は、スロット１２７２、１２７４を、例えば、ＯＩＣをまたぐように含む。チップをまたぐことによって、スロットは、意図される位置（例えば、第１の接触位置と第２の接触位置との間）にアクチュエーター１２００を維持することを容易にし得る。さらに、接触断片（示されていない）は、スロット１２７２、１２７４それぞれにはめ込まれ得る。
【０１２３】
スロット１２７２、１２７４がＯＩＣをまたぐようにアクチュエーター１２００を取り付けると、第２のアクチュエーターの本体部１２２０または第１のアクチュエーターの本体部１２１０のいずれも、ＯＩＣに対して自由に回転しない。その結果、第２のアクチュエーターの本体部１２２０は、アクチュエーターが取り付けられた後、第１のアクチュエーターの本体部１２１０に対して回転し得ない。第３のアクチュエーターの本体部１２２４は、異なるねじ山を有する。例えば、第３のアクチュエーターの本体部１２３０は、第１の末端１２７６に１インチあたり（t.p.i.）７２個の右巻きのねじ山が切られ得、そして第２の末端１２７８に８０t.p.i.の右巻きのねじ山が切られ得る。第２のアクチュエーターの本体部１２２０は、１つの末端１２８０にねじ山が切られ得る（例えば、８０t.p.i.の右巻きのねじ山）。
【０１２４】
アクチュエーター１２００の長さは、互いに対して回転しないように第１のアクチュエーターの本体部１２１０、ナット１２７０、および第２のアクチュエーターの本体部１２２０を保持し、そして第１のアクチュエーターの本体部１２１０に対して第３のアクチュエーターの本体部１２３０を回転させることによって調節され得る。第１の末端１２７６のねじ山は、第２の末端１２７８のねじ山よりも粗いので、第３のアクチュエーターの本体部１２３０は、それが第２のアクチュエーターの本体部１２２０に対して移動するよりも速く第１のアクチュエーターの本体部１２１０に対して移動する。第３の本体部１２３０の回転によって提供される長さ調節は、細かい調節である（例えば、調節の割合は、ナットのフル回転あたり約０．００１４インチであり得る）。長さがこの様式で調節されると、アクチュエーターのＣＴＥＡは影響を受けない。
【０１２５】
アクチュエーター１２００のＣＴＥＡは、第１のアクチュエーターの本体部１２１０、第３のアクチュエーターの本体部１２３０、および第２のアクチュエーターの本体部１２２０を互いに対して回転しないように保持し、そして第３のアクチュエーターの本体部１２３０に対してナット１２７０を回転させることによって調節され得る。ＣＴＥＡは、ＣＴＥ１、ＣＴＥ２、ＣＴＥ３、およびＣＴＥ４に関連する；しかし、第１のアクチュエーターの本体部１２１０、第３のアクチュエーターの本体部１２２４、およびナット１２７０が同一または類似の材料から作成される場合には、ＣＴＥＡは、以下の式によって近似され得る：
【０１２６】
【数３】
2007536567.tif 000005
【０１２７】
Ｌ１は、第２のアクチュエーターの本体部１２２０のねじ山のグリップ点から第１の末端１２０４までの距離であり、Ｌ２は、第２のアクチュエーターの本体部１２２０のねじ山のグリップ点から第２の末端１２０８までの距離であり、そしてＬはアクチュエーターの長さである（例えば、Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２）。「グリップ点」とは、第１の末端１２０４に最も近いねじ山の端から約３つのねじ山の距離をいう。図３２は、アクチュエーター１２００の上面概略図を示す。
【０１２８】
図３３に示すように、アクチュエーター１５００は、第１のアクチュエーターの本体部１２１０、第３のアクチュエーターの本体部１２２４、ナット１２７０、エンドシャフト１２８４、およびエンドリング１２８２を有し得る。１つの例では、第１のアクチュエーターの本体部１２１０、第３のアクチュエーターの本体部１２２４、およびナット１２７０は、第１の材料（例えば、マグネシウムまたはアルミニウム）から作成され、そしてエンドシャフト１２８４は、第１の材料とは異なるＣＴＥを有する第２の材料（例えば、インバーまたはスチール）で作成される。
【０１２９】
ナット１２７０、第３のアクチュエーターの本体部１２２４、および第１のアクチュエーターの本体部１２１０は、アクチュエーター１２００と同様に構成され得る。エンドシャフト１２８４は、ねじ山が切られず、そしてエンドリング１２８２によって適所に保持され、そしてナット１２７０内にねじ山が切られる。第３のアクチュエーターの本体部１２２４を回転させることにより、アクチュエーター１２００について記載したようにアクチュエーターの長さＬを調節する。さらに、エンドリング１２８２を回転させることにより、アクチュエーター１５００の長さを調節する。
【０１３０】
エンドリング１２８２およびエンドシャフト１２８４は、エンドシャフト１２８４を回転させることなく、エンドリング１２８２が回転し得るように構成され得る。したがって、この長さ調節は、エンドシャフト１２８４のスロットがＯＩＣをまたぐときに行われ得る。例えば、この回転によって提供される長さ調節の割合は、エンドリング１２８２のフル回転あたり約０．０１２５インチであり得る。これは、ナット１２７０によって提供されるよりも粗い長さ調節であり、そしてナット１２７０の回転によって提供され得るよりも大きな長さ調節を調整するために適切である。
【０１３１】
図３４は、アクチュエーター１５００の上面概略図を示す。例えば、少なくとも１つの第１の凹んだ止まり穴１２８６は、エンドリング１２８２上に形成され得る。凹んだ穴１２８６でエンドリング１２８２を保持するように設計されたツールは、エンドシャフト１２８４に対してエンドリング１２８２を回転させるために用いられ得る。
【０１３２】
次に図３５および３６を参照すると、本発明の局面によるアクチュエーター１８００が示される。アクチュエーター１８００は、引張状態のアクチュエーターの１つの実施態様である。１つの例では、アクチュエーター１８００は、第１の接触位置１８１０と第２の接触位置１８２０（両方とも間隙２２８の外側である）とでＯＩＣ２００と接触する。アクチュエーター１８００の長さは、第１の接触位置１８１０と第２の接触位置１８２０との間の距離である。代表的には、アクチュエーター１８００は、ＯＩＣの操作温度範囲全体にわたって引張状態のままである（例えば、操作温度範囲全体にわたって、第２の領域２２０に向かって第１の領域２１６を引っ張る傾向にある力をかける）。圧縮状態のアクチュエーターでは、アクチュエーター１８００の長さは、温度が高くなるにつれて長くなり、そして増加した長さは、温度変化に起因するＯＩＣ２００に用いられる材料の屈折率の変化の影響を取り消すように構成され得る。アクチュエーター１８００は、実質的に剛性を必要としないので、アクチュエーター１８００は、圧縮状態のアクチュエーターに対してより小さな嵩を有し得る。例えば、アクチュエーター１８００は、フレキシブル金属バンドまたはワイヤーのループを含み得る。図３７は、鍵穴状にカットされた形状の切欠き２０００を有するＯＩＣ２００と共にアクチュエーター１８００を描く。
【０１３３】
図３８および３９を見ると、本発明の局面によるアクチュエーター２１００が示される。アクチュエーター２１００は、引張状態のアクチュエーターの１つの実施態様である。この例では、第１の支柱２１１０は、（例えば、第１の領域２１６中の）穴２１１２を通って伸び、そして第２の支柱２１２０は、（例えば、第２の領域２２０中の）穴２１２４を通して伸びる。アクチュエーター２１００は、第１のワイヤー２１３０および第２のワイヤー２１４０を含む。ワイヤー２１３０、２１４０は、巻き付け付着２１４２、２１４４、２１４６、および２１４８で支柱２１１０、２１２０に取り付けられ、付着を固定する部分として、はんだ付けおよび／または圧着を含む。巻き付け２１４２および２１４４は、正味のトルクが第１の支柱２１１２にかけられていないので、ヘリシティを対向させるように構成され得る。巻き付け２１４６および２１４８は、正味のトルクが第２の支柱２１２０にかけられていないので、ヘリシティを対向させるように構成され得る。
【０１３４】
図４０を参照すると、アクチュエーター２１００は、必要に応じて、クランプ２１５０を含み得る。クランプ２１５０は、アクチュエーター２１００の長さの調節方法を提供するように構成され得る。例えば、クランプ２１５０を圧着することにより、第１のワイヤー２１３０の中央を第２のワイヤー２１４０の中央により近く引き寄せ得、したがって、ワイヤー２１３０、２１４０の張力が増加し、それによって、第１の支柱２１１０と第２の支柱２１２０との間の距離が短くなる（例えば、アクチュエーター２１００を短くする）。アクチュエーター２１００は、剛構造を必要としないので、嵩の小さい部品であると理解され得、アクチュエーターは、圧縮状態を維持する必要がある。嵩が減少されたアクチュエーターが好適であり得る。なぜなら、デバイス（ＯＩＣ）が衝撃または振動を受けると、より大きな嵩の構成部品は、デバイスに損傷を与えるより高いリスクを有する。引張状態のアクチュエーターの他の利点は、誤整列になり、そして第１の領域２１６または第２の領域２２０のいずれかの面外変形を引き起こす力のリスクを減少させることである（例えば、チップの座屈のリスクを減少する）。
【０１３５】
図４１を見ると、本発明の局面によるアクチュエーター２４００が示される。アクチュエーター２４００は、第１のアクチュエーターの本体２４１０および第２のアクチュエーターの本体２４２０を含む。第２のアクチュエーターの本体部２４２０は、第１のねじ部２４３０（例えば、右巻きのねじ山）および第２のねじ部２４４０（例えば、左巻きのねじ山）を含み得る。第１のアクチュエーターの本体部は、ねじ山が切られた内径切断部分２４５０、２４６０を含み、それぞれ第１のねじ部２４３０および第２のねじ部２４４０を受け入れる。
【０１３６】
アクチュエーター２４００の長さは、第１の末端２４７０と第２の末端２４８０との間の距離である。第２のアクチュエーターの本体部２４２０を回転させることにより、ねじ山が切られた内径切断部分２４６０に対してねじ山が切られた内径切断部分２４５０を移動し得、結果として、長さの変化のようにアクチュエーター２４００を変形させる。アクチュエーター２４００は、位置２４７０および２４８０で接触表面を有する圧縮状態のアクチュエーターとして用いられ得る。あるいは、アクチュエーター２４００は、位置２４８６および２４８８で接触表面を有する引張状態のアクチュエーターとして用いられ得る。
【０１３７】
図４２を参照すると、本発明の局面によるウェッジ２５００を用いるＯＩＣ２００が示される。ウェッジ２５００は、ＯＩＣ２００中のスロット２５１０に挿入される。例えば、スロット２５１０は、鍵穴状の切欠き２５２０の一部であり得る。１つの例では、力は、フォースアクチュエーター（示されていない）を介して、ウェッジ２５００にかけられおよび／またはウェッジ２５００から除去される。他の例では、ウェッジ２５００は、熱膨張係数を有する。ウェッジ２５００の熱膨張および／または熱収縮は、スロット２５１０にかけられる膨張力および／または収縮力を生じ得る。
【０１３８】
本発明の他の局面は、光集積回路を製造する方法論を提供し、第１の領域に少なくとも１つの導波路および第２の領域に少なくとも１つの導波路を有する基材が設けられる。第１の領域および第２の領域を接続される接続領域が、さらに設けられる。第１のレンズは、接続領域に設けられ、そして第１の領域は、第２の領域からスクロールダイスされる。あるいは、第１の領域は、基材のパターン化エッチングによって第２の領域（例えば、レンズを超えて−レンズを除いて）から分離され得る。アクチュエーターは、第１の領域と第２の領域との間に設けられる。
【０１３９】
本発明は、ある例示した実施形態について示されそして記載されているが、等価の変更および改変が、本明細書および添付の図面の解釈および理解に基づいて当業者に想到され得ることが理解される。特に、上記の構成部品（アセンブリ、デバイス、システムなど）によって行われる種々の機能について、このような構成部品を記載するために使用される用語（「手段」をいうことを含む）は、他に指示がない限り、記載された構造と構造的には等価ではないが記載された構成部品の特定の機能を行い、（例えば、機能的に等価である）本発明の図示された例示の局面で機能を行う任意の構成部品に対応することを意図する。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】従来のＡＷＧマルチプレクサー／デマルチプレクサーデバイスの上面概略図である。
【図２】本発明の１つの局面による基材またはライザーの上面概略図である。
【図３】本発明の１つの局面によるＯＩＣの上面概略図である。
【図４】図３のＯＩＣの断面図である。
【図５】本発明の１つの局面による他の基材またはライザーの上面概略図である。
【図６】本発明の１つの局面による他のＯＩＣの上面概略図である。
【図７】本発明の１つの局面によるさらに他の基材またはライザーの上面概略図である。
【図８】本発明の１つの局面によるさらに他のＯＩＣの上面概略図である。
【図９】本発明の１つの局面によるよりさらに他の基材またはライザーの上面概略図である。
【図１０】本発明の１つの局面によるよりさらに他のＯＩＣの上面概略図である。
【図１１】本発明の１つの局面による他の基材またはライザーの上面概略図である。
【図１２】本発明の１つの局面による他のＯＩＣの上面概略図である。
【図１３】本発明の１つの局面によるＡＷＧチップの上面概略図である。
【図１４】本発明の１つの局面による他のＡＷＧチップの上面概略図である。
【図１５】本発明の１つの局面によるＯＩＣの上面概略図である。
【図１６】本発明の１つの局面による他のＯＩＣの上面概略図である。
【図１７】本発明の１つの局面によるさらに他のＯＩＣの上面概略図である。
【図１８】本発明の１つの局面によるよりさらに他のＯＩＣの上面概略図である。
【図１９】温度安定性ではない従来のＡＷＧおよび本発明の１つの局面によるＡＷＧにおける温度変化（ｘ軸）に対するＣＷ変化（ｙ軸）をプロットしたグラフである。
【図２０】代表的なＯＩＣの上面概略図である。
【図２１】図２０のＯＩＣの断面図である。
【図２２】本発明の１つの局面による代表的なアクチュエーターの透視図である。
【図２３】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの構成部品の断面図である。
【図２４】本発明の１つの局面による図２２のアクチュエーターを使用している図２０のＯＩＣの上面概略図である。
【図２５】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの透視図である。
【図２６】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの透視図である。
【図２７】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの上面概略図である。
【図２８】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの上面概略図である。
【図２９】本発明の１つの局面による図２８のアクチュエーターを使用しているＯＩＣの断面図である。
【図３０】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの上面概略図である。
【図３１】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの断面図である。
【図３２】図３１のアクチュエーターの上面概略図である。
【図３３】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの断面図である。
【図３４】図３３のアクチュエーターの上面概略図である。
【図３５】本発明の１つの局面によるアクチュエーターを使用しているＯＩＣの上面概略図である。
【図３６】図３５のアクチュエーターを有するＯＩＣの上部断面図である。
【図３７】本発明の１つの局面によるアクチュエーターを使用しているＯＩＣの上面概略図である。
【図３８】本発明の１つの局面によるアクチュエーターを使用しているＯＩＣの上面概略図である。
【図３９】図３８のアクチュエーターを有するＯＩＣの断面図である。
【図４０】本発明の１つの局面によるアクチュエーターを使用しているＯＩＣの断面図である。
【図４１】本発明の１つの局面によるアクチュエーターの概略図である。
【図４２】本発明の１つの局面によるウェッジを使用しているＯＩＣの上面概略図である。
【図１】
2007536567.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007536567.tif 000012
【図８】
2007536567.tif 000013
【図９】
2007536567.tif 000014
【図１０】
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【図１１】
2007536567.tif 000016
【図１２】
2007536567.tif 000017
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2007536567.tif 000021
【図１７】
2007536567.tif 000022
【図１８】
2007536567.tif 000023
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【国際調査報告】
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