(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性向上を図ることができ、膜厚、膜特性の均一性に優れた高品質な堆積膜を形成可能な堆積膜形成装置の提供。【解決手段】減圧可能でその内部に円筒状基体１０２Ａが設置される反応容器１０１、および反応容器の内部に設けられた複数の原料ガス放出孔１４２を有する堆積膜形成装置であって、原料ガス放出孔と円筒状基体との間に設けられた、側壁に複数の孔を有する円筒状の金属製の第１の電極１０６と、円筒状基体を含む第２の電極１０４と第１の電極との間に設けられた、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の交播電圧を印加する手段１１８と、第１の口が第１の電極の外周面に連結され、第２の口が排気口に連結された配管１３０とを有し、配管は、複数の孔を通過して第１の電極の内部から配管の内部に流れ込んだガスを排気する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能でその内部に円筒状基体が設置される反応容器、および、前記反応容器の内部に設けられた複数の原料ガス放出孔を有する、堆積膜形成装置であって、
前記原料ガス放出孔と前記円筒状基体との間に設けられた、側面に複数の孔を有する円筒状の金属製の第１の電極と、
前記円筒状基体を含む第２の電極と前記第１の電極との間に設けられた、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の交播電圧を印加する手段と、
第１の口が前記第１の電極の外周面に連結され、第２の口が排気口に連結された配管とを有し、
前記配管は、前記複数の孔を通過して前記第１の電極の内部から前記配管の内部に流れ込んだガスを排気することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記外周面の開口率が、２０％以上５０％以下であり、前記複数の孔の単体の断面積をＳ１、前記原料ガス放出孔の内で最大の断面積をＳ２としたとき、前記Ｓ１と前記Ｓ２とが以下の式（１）を満たす請求項１に記載の堆積膜形成装置：
Ｓ１≧Ｓ２×１０  ・・・  式（１）。
【請求項３】
前記断面積Ｓ１が７ｍｍ２以上である請求項２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記第１の電極が、冷却手段を有していない請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記第１の電極が有する複数の孔の中の、前記配管の前記第１の口によって囲まれた複数の孔は、前記第１の電極の内周面側の孔の端部に面取り加工が施されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基体上に堆積膜、特にアモルファス状あるいは多結晶状などの非単結晶状の堆積膜を形成するための堆積膜形成装置に関する。本発明は、特にプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、アモルファス材料などの非単結晶材料で構成された堆積膜が各種提案されている。例えば、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）の膜が、電子写真感光体用の堆積膜として用いられている。
ａ−Ｓｉ堆積膜が形成される電子写真感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」ともいう）の作製には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が用いられる。中でも、原料ガスを高周波電力（主に１３．５６ＭＨｚ）で励起させてグロー放電を発生させ、円筒状基体上に堆積膜を形成する製造方法が実用化されている。
【０００３】
近年、電子写真装置の高画質化が強く要求されるようになってきており、これに対応して、電子写真感光体の堆積膜の均一性（堆積膜の膜厚および膜質の均一性）の改善や、堆積膜の特性の向上が強く要求されている。
堆積膜の均一化に関しては、例えば、原料ガスの導入方法に関して、反応容器を構成する円筒状電極の内部に原料ガスの経路となる複数の管状空洞部、および管状空洞部に連通するガス穴を形成した堆積膜形成装置が開示されている。（特許文献１参照）
また、高周波電力にかえて、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加して堆積膜を形成する技術が開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３２３３７５号公報
【特許文献２】特許第４９５９０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような技術により、堆積膜の膜厚、膜特性の均一性が向上したａ−Ｓｉ感光体を得ることが可能になった。
しかしながら、電子写真感光体を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、より高品質な電子写真感光体が求められている。
例えば、特許文献２に挙げたような比較的低周波数の電圧を用いた場合、堆積膜の膜厚、膜特性の均一性に改善の余地が残されていることがわかった。
【０００６】
プラズマＣＶＤでは、電極間にプラズマを生成することにより生じる活性種を基体上に堆積させることで所望の堆積膜を形成する。その際、プラズマに曝されている電極表面にも堆積膜が堆積してしまう。特許文献２に開示されている片側極性放電を用いてプラズマＣＶＤにより堆積膜を形成すると、電極には主に正および負のいずれか一方の極性の荷電粒子のみが到達するため、電極上に堆積した堆積膜の影響により電極表面に電荷が蓄積してしまう。この蓄積された電荷が原因となり電極の一部でスパークが発生し、このスパークの発生部を起点とした強いプラズマ発光が生じる場合があった。
【０００７】
この強いプラズマ発光によりスパーク発生部周辺のプラズマ強度が高くなるため放電空間のプラズマの分布が不均一となり、基体上に形成される堆積膜の均一性が低下する場合があった。
この強いプラズマ発光は、プラズマＣＶＤに使用する原料ガスを反応容器内に供給する原料ガス放出孔の近傍で発生する場合が頻繁に観察されている。
【０００８】
また、前述の電子写真感光体の様に比較的膜厚が厚い堆積膜の形成を行った場合や、プラズマＣＶＤに使用する原料ガスの流量を増加した場合に、上記の強いプラズマ発光が発生しやすい。強いプラズマ発光が発生した場合、膜厚ムラが生じ、膜厚の均一性が高い堆積膜を形成することが困難な場合があった。
このような電子写真感光体を用いた場合、膜厚ムラに起因する画像濃度ムラが発生する場合があった。
【０００９】
このような電子写真感光体の形成時に電極上の堆積膜に電荷が蓄積されることで生じる強いプラズマ発光に起因する弊害は、特許文献２に開示されている低電圧部分を０Ｖとし、荷電粒子の入射を断続的に停止することによっても、十分には改善されていない。
また、堆積膜形成中に、形成されている堆積膜の表面（以下、「堆積膜形成表面」とも記載する。）にダストが付着することにより、そのダストが起点となって堆積膜に異常成長が生じることがある。電子写真感光体の堆積膜に異常成長が生じると、電子写真装置から出力される画像には、画像欠陥（黒ポチ（黒色以外のトナーを用いた場合も、便宜上「黒ポチ」と表記する。）または白ポチ）が発生することがある。
【００１０】
さらに、電子写真感光体においては、上記の様に品質を向上させることと同時に、堆積膜の製造コストを低減することが求められている。
製造コストを低減するための有効な手段の一つとして、原料ガスの利用効率を向上させることが挙げられる。ここでいう原料ガスの利用効率とは、原料ガスが基板上の堆積膜に使用される割合のことである。所定の膜厚を形成する場合、利用効率が高ければ比較的短時間で堆積膜を形成することが可能となり、原料ガスの使用量を低減することが可能となる。しかし利用効率が低ければ、短時間で堆積膜を形成することが困難となり、原料ガスの使用量が増加してしまう。
【００１１】
特に電子写真感光体の様に比較的膜厚が厚い堆積膜の形成を行う場合には、製造コストに占める原料ガス代は比較的高くなるため、原料ガスの使用量を低減させることが求められている。本発明の目的は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、堆積膜の膜厚、膜特性の均一性に優れた高品質な堆積膜を、安価に形成可能な堆積膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した目的を達成するために、本発明によれば、
減圧可能でその内部に円筒状基体が設置される反応容器、および、前記反応容器の内部に設けられた複数の原料ガス放出孔を有する、堆積膜形成装置であって、
前記原料ガス放出孔と前記円筒状基体との間に設けられた、側壁に複数の孔を有する円筒状の金属製の第１の電極と、
前記円筒状基体を含む第２の電極と前記第１の電極との間に設けられた、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の交播電圧を印加する手段と、
第１の口が前記第１の電極の外周面に連結され、第２の口が排気口に連結された配管とを有し、
前記配管は、前記複数の孔を通過して前記第１の電極の内部から前記配管の内部に流れ込んだガスを排気する堆積膜形成装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、膜厚、膜特性の均一性に優れた堆積膜の形成が可能であり、かつ堆積膜を形成するときの原料ガスの利用効率が高い堆積膜形成装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置の例を示す模式図である。
【図２】本発明に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置における第１の電極と配管の例を示す模式図である。
【図３】本発明に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置で使用される電圧波形の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の比較例に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置の例を示す模式図である。
【図５】本発明に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置の例を示す模式図である。
【図６】本発明の比較例に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置の例を示す模式図である。
【図７】本発明に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置における第１の電極と配管の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を用いて説明する。
図１は、ａ−Ｓｉ感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示す模式図で、図１（ａ）は縦断面図、図１（ｂ）は横断面図である。
【００１６】
減圧可能で、接地された反応容器１０１の内部には、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ及び補助基体１０３Ａ、１０３Ｂを含む第２の電極１０４が設置されている。反応容器１０１の上壁１０８及び下壁１０９は接地されている。
反応容器１０１と第２の電極１０４との間には、側面に複数の孔を有する円筒状の金属製の第１の電極１０６が設けられている。第１の電極１０６は反応容器１０１の下壁１０９の内面及び反応容器１０１の上壁１０８の内面を介して接地されている。
【００１７】
図２は第１の電極１０６の一例と第１の電極１０６の排気面１０６Ａに配管１３０が取り付けられた一例を示す模式図である。第１の電極１０６の側面には複数の孔２０１が設けられている。（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図である。
配管は、一方の口（第１の口）が第１の電極の外周面に連結される。
【００１８】
また、図１に示すように、第１の電極１０６の排気面１０６Ａに取り付けられた配管１３０の他方の口（第２の口）は、反応容器１０１の内部の側壁に設けられた排気口１０７を取り囲む様に反応容器１０１に接続されている。第１の電極１０６の内部から複数の孔２０１を通過して配管１３０の第１の口側に流れ込んだガスは、配管１３０の中を通過し、配管１３０の第２の口側から排気口１０７を経て排気される。
【００１９】
この様に、反応容器１０１の内部は、第１の電極１０６と、配管１３０によって、以下の様に空間が分けられる。
空間Ａ−配管１３０の内部空間
空間Ｂ−第１の電極１０６の内周面と上壁１０８と下壁１０９とで囲まれた空間
空間Ｃ−反応容器１０１の内周面と上壁１０８と下壁１０９とで囲まれた空間で、上記空間Ａと空間Ｂ以外の空間。
【００２０】
第２の電極１０４は回転軸１１１を介して電源１１８に接続されている。回転軸１１１は絶縁部材１０５により接地された反応容器１０１と絶縁されている。
回転モータ１１０、モータ歯車部１２０、回転軸歯車部１２１は円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ及び補助基体１０３Ａ、１０３Ｂに対する回転支持機構を構成している。
反応容器１０１側壁にはガスブロック１４０が設置されている。ガスブロック１４０は反応容器１０１を介して接地されている。
【００２１】
ガスブロック１４０は、第１の電極１０６を取り囲むように複数個（本形態では７個。排気口１０７と対向する位置から等間隔に）備えられている。ガスブロック１４０の内部には原料ガスの経路となる管状空洞部１４１を有し、管状空洞部１４１に連通する原料ガス放出孔１４２が、ガスブロック１４０の第１の電極１０６に対向する面で軸方向に複数形成されている。さらに、ガスブロック１４０は供給配管１４４を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内在するミキシング装置１４５と原料ガス導入バルブ１４６とからなるガス供給系に接続されている。これらにより、反応容器１０１の内部に原料ガスが供給可能となっている。
【００２２】
反応容器１０１の内部の側壁には、反応容器１０１内を排気するための排気口１０７が設けられている。反応容器１０１の排気系は、排気口１０７に連通された排気配管１１５、排気メインバルブ１１６、真空ポンプ１１７から構成されている。真空ポンプ１１７は例えばロータリーポンプやメカニカルブースターポンプである。真空計１１２を使って排気系をフィードバック制御させることにより反応容器１０１の内部を所定圧力に維持する。
【００２３】
以下、図１の装置を用いた電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ及び補助基体１０３Ａ、１０３Ｂは図示しない基体ホルダーに回転可能に設置される。次にガス供給系内の排気を兼ねて原料ガス導入バルブ１４６を開き、排気メインバルブ１１６を開いて反応容器１０１及びガスブロック１４０内の排気を開始し、真空計１１２によって反応容器１０１の内部の圧力が０．６７Ｐａ以下になることを確認する。
【００２４】
次に、ミキシング装置１４５から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンガスをガスブロック１４０を介して反応容器１０１の内部に導入する。
ガスブロック１４０から導入されたアルゴンガスは、前記の空間Ｃを通過し、次に空間Ｂを通過し、次に空間Ａを通過して、反応容器１０１の外に排気される。
反応容器１０１に設けられた真空計１１２を使ってフィードバック制御させることにより反応容器１０１の内部を所定圧力に維持する。
【００２５】
その後、不図示の基体加熱ヒータを作動させて円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを加熱し、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂが所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。同時並行的に、成膜用の所定の原料ガス、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）などの材料ガス、またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ３）などのドーピングガスをミキシング装置１４５によって混合した後に反応容器１０１内に徐々に導入する。
【００２６】
ガスブロック１４０から導入された原料ガスも前述のアルゴンガスと同様に、前記の空間Ｃを通過し、次に空間Ｂを通過し、次に空間Ａを通過して、反応容器１０１の外に排気される。
次に、ミキシング装置１４５内の不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器１０１の内部が所定の圧力に維持されるよう真空計１１２を見ながら排気メインバルブ１１６の開口率あるいは真空ポンプ１１７の排気速度を調整する。
【００２７】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの上に下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の順に積層膜を堆積させる。電源１１８により、第２の電極１０４及び第１の電極１０６の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の交播電圧を第２の電極１０４と第１の電極１０６との間に印加する。
それにより、第２の電極１０４と第１の電極１０６との間の空間にプラズマを生起させる。このプラズマのエネルギーによって反応容器１０１の内部に導入された各原料ガスが分解され、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの上に所定の膜が形成される。
【００２８】
図３は、電源１１８より印加される電圧波形の一例を示した図である。
第１の電極１０６の電位をアース電位で一定とし、第１の電極１０６の電位に対する第２の電極１０４の電位の変化を示す。
図３中、Ａの範囲は放電開始電圧の絶対値以上の絶対値を持つ電圧となる期間であり、図３中Ｂの範囲が放電維持電圧の絶対値未満の絶対値を持つ電圧となる期間である。図３中Ｔは、電圧の周期を表しており、周波数によって決まる。
又、（ｔ／Ｔ）×１００をＤｕｔｙ比（％）と定義する。
【００２９】
本発明の堆積膜形成装置においては、交播電圧を第２の電極１０４と第１の電極１０６との間に印加する。その結果、プラズマは、第２の電極１０４と第１電極１０６と、上壁１０８と下壁１０９で形成される空間Ｂに閉じ込められる。また、前述のように原料ガスは、前記の空間Ｃを通過し、次に空間Ｂを通過し、次に空間Ａを通過して、反応容器１０１の外に排気される。そのため、ガスブロック１４０の表面に到達するのは、空間Ｂから空間Ｃに拡散してくる僅かな活性種だけとなるため、ガスブロック１４０の表面に堆積する堆積物は大幅に減少した。
【００３０】
その結果、ガスブロック１４０表面の原料ガス放出孔１４２近傍で発生していた、前述の強いプラズマ発光が大幅に低減した。
この原因に関しては、以下の様に推測している。
強いプラズマ発光が発生する原因は、以下のように考えられる。
前記の様に片側極性放電を用いてプラズマＣＶＤにより堆積膜を形成すると、電極には主に正および負のいずれか一方の極性の荷電粒子のみが到達するため、電極上に堆積した堆積膜の影響により電極表面に電荷が蓄積してしまう。例えば、第２の電極１０４に負電圧を印加する場合は、対向する第１の電極１０６には電子が蓄積してくる。このとき、対向する第１の電極１０６の電極表面の堆積物により電荷の蓄積状況は変化してくる。
【００３１】
対向する第1の電極１０６の表面の堆積物が、第２の電極１０４を構成している円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの表面に堆積するようなａ−Ｓｉ膜からなる堆積物の場合、抵抗率が比較的小さいため、電荷の蓄積が抑制される。一方、ガスブロック１４０の表面のように、例えばポリシリコンと呼ばれるポリマー状の粉末形態の堆積物の場合、抵抗率が比較的大きいため、電荷の蓄積が促進される。さらに、堆積物の膜厚が厚くなると抵抗が高くなり、さらに電荷が蓄積されやすくなる。そうして、蓄積された電荷が原因となり電極の一部でスパークが発生し、このスパークの発生部を起点とした強いプラズマ発光が生じていると考えられる。
【００３２】
この強いプラズマ発光は、プラズマＣＶＤに使用する原料ガスを反応容器内に供給する原料ガス放出孔の近傍で発生する場合が頻繁に観察されている。さらに、プラズマＣＶＤに使用する原料ガスの流量を増加した場合には、より頻繁に観察される場合が有る。このため、強いプラズマ発光の発生には、原料ガスの吐出圧力が何らか関係していると考えられる。
【００３３】
また、堆積物は堆積する表面の温度により、構造が変化する。ガスブロック１４０は内部に常温の原料ガスが流れ、さらに、背面側は常温の大気と接しているため、熱伝導によりガスブロック１４０の反応容器１０１の内面側の表面が冷やされ、比較的表面温度が低くなっている。そのため、堆積物はポリマー状に成りやすく、抵抗率が比較的高くなる。
本発明によれば、ガスブロック１４０の表面に堆積する堆積物が大幅に減少するため、電荷の蓄積が抑制され、原料ガス放出孔１４２近傍で発生する、強いプラズマ発光を大幅に抑制することが可能となった。
【００３４】
一方、第１の電極１０６の内側の表面には、堆積物が比較的厚く堆積される。しかし、第１の電極１０６は図２に一例を示すように、第１の電極１０６の側面に複数の孔２０１が設けられている。そのため、空間Ｃと空間Ｂの圧力差はほとんど無い状態なので、複数の孔２０１から、空間Ｂに供給される原料ガスの吐出圧力は大幅に低減されている。さらに、第１の電極１０６は、減圧された空間の中に設置されているため、表面は熱輻射（熱放出）のみで温度低下が生じるが、熱輻射による温度の低下は極めて小さい。さらに、ガスブロック１４０と円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂとの間に設置されているため、表面が加熱され温度制御されている円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂからの輻射熱の影響を受けやすくなり、比較的表面温度が高くなっている。そのため、第１の電極１０６の表面には、膜状の堆積物が堆積するので、比較的抵抗率が低くなり電荷の蓄積も抑制される。以上の作用により、第１の電極１０６上で、強いプラズマ発光が発生することは無いと考えられる。さらに、本発明によれば、原料ガスの利用効率を向上させることが可能となる。
【００３５】
図４に比較のための装置を示す。図４に示す装置は、図１の本発明の装置と比較すると、排気面１０６Ａに、配管１３０が設置されていないという点で相違する。
図４に示す装置の場合、ガスブロック１４０から導入された原料ガスは、まず空間Ｃに放出される。しかし、空間Ｃ放出された原料ガスの一部は、プラズマが形成されている空間Ｂを通過せずに、反応容器１０１の外に排気されてしまう。この様な原料ガスは、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ上に堆積する堆積膜の形成には寄与しにくいため、原料ガスの利用効率を低下させる一因となっている。
【００３６】
一方、図１に示す本発明の装置は、第１の電極の排気面１０６Ａと連結した、反応容器１０１の内部を排気するための配管１３０を有する。配管１３０によって、ガスブロック１４０から導入された原料ガスは、空間Ｃを通過し、次に空間Ｂを通過し、次に空間Ａを通過して、反応容器１０１の外に排気される。よって、プラズマが形成されている空間Ｂを通過せずに、反応容器１０１の外に排気されてしまう原料ガスを低減することが可能となる。その結果、原料ガスの利用効率が向上する。
【００３７】
本発明において、第１の電極１０６を設置する位置は、原料ガス放出孔１４２と第２の電極１０４との間であれば特に制限は無い。堆積膜を形成する時の形成条件（例えば、反応容器１０１内の内圧）により、第１の電極１０６と第２の電極１０４との距離を適宜決定すればよい。
本発明において、円筒状の第１の電極１０６の材質は、金属製であれば特に制限は無いが、加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼で作製されることが好ましい。
【００３８】
円筒状の第１の電極１０６の厚さは、堆積膜の応力や、熱により円筒状形状が変形しなければ特に制限は無い。強度や、加工の容易性の観点から厚さは、０．３ｍｍ〜５．０ｍｍが好ましい。
円筒状の第１の電極１０６の側面に設けられる、複数の孔２０１の断面積Ｓ１は、異なる断面積が混在していても良いが、加工の容易性から同一断面積の方が好ましい。
【００３９】
複数の孔２０１の単体の断面積Ｓ１の大きさは特に制限が無い。しかし、原料ガス放出孔１４２と比較して、吐出圧力の低減の面から、原料ガス放出孔１４２の中で最大の断面積をＳ２としたとき、Ｓ１とＳ２とが以下の式（１）を満たすことが好ましい。
Ｓ１≧Ｓ２×１０  ・・・  式（１）
また、断面積Ｓ１が７ｍｍ２以上の方が、さらに吐出圧力の低減の面から好ましい。
【００４０】
第１の電極１０６の側面において、複数の孔２０１が占める面積の割合（以下「開口率」とも記載する。）が小さ過ぎると、前述の空間Ｃと空間Ｂとの間の差圧が大きくなるため、複数の孔２０１からの原料ガスの吐出圧力が増加してしまう。一方、開口率が大き過ぎると、空間Ｂのプラズマの閉じ込め効果が弱まるため、ガスブロック１４０の上に堆積する堆積物が増加してしまう。よって、円筒状の第１の電極１０６側面における開口率は、２０（％）以上５０（％）以下が好ましい。
【００４１】
また、第１の電極１０６の表面に堆積する膜状の堆積物は、堆積膜の形成条件によっては周面で均一な状態ではない場合がある。具体的には、原料ガスが排気口に向かう排気面１０６Ａに堆積する堆積物と、排気面１０６Ａ以外の領域に堆積する堆積物とで異なる場合がある。より具体的には、プラズマが形成されている空間Ｂ側の排気面１０６Ａに堆積する堆積物が、それ以外の領域に比べてよりポリマー状の堆積物になる場合がある。このような現象は、堆積膜の形成条件としては、反応容器内の圧力が高い条件でより顕在化し、このポリマー状の堆積物は場合によってはプラズマ空間中に浮遊し稀に堆積膜形成表面に付着し、ダスト源になる場合がある。これは、プラズマが形成されている空間Ｂから空間Ａへ向かう原料ガスが第１の電極の複数の孔端部の周辺部で澱みを生じ、その結果、気相反応が促進されポリマー状の堆積物が生成されてしまうためと考えている。
【００４２】
原料ガスの澱みを低減してポリマー状の堆積物の生成を抑制するためには、排気面１０６Ａに設けられた第１の電極の孔周辺部の原料ガスの流れを改善することが好ましい。具体的には、図７（ｃ）又は（ｄ）の横断面の一部拡大図に示すように、第１の電極１０６に設けられた複数の孔の内周面側（空間Ｂ側）の端部が面取り加工されていることが好ましい。
図７（ａ）は第１の電極１０６と配管１３０の概観を示す斜視図であり、同図（ｂ）〜（ｄ）は第１の電極１０６の横断面の一部拡大図であり、同図（ｅ）〜（ｆ）は面取り加工方法を具体的に説明するための図である。
図７（ｂ）は端部２０１Ａが面取り加工されていない孔２０１の例を示し、図７（ｃ）及び（ｄ）は端部２０１Ａが面取り加工されている孔２０１の例を示す。
孔の端部に施される面取り加工方法は特に制限は無く、図７（ｃ）に示すようなＣ面取り加工でも良く、図７（ｄ）に示すようなＲ面取り加工でも良い。
【００４３】
円筒状の第１の電極１０６の側面に設けられる、複数の孔２０１の配置の方法は特に制限は無く、ランダムに配置しても良いし、例えば、６０°千鳥型、角千鳥型や並列型の様に規則性を持たせて配置しても良い。
円筒状の第１の電極１０６の側面に設けられる、複数の孔２０１の形成の方法も特に制限は無く、ドリルにより穴開け加工でも良いし、パンチングプレスの金型で穴を開けたパンチングメタル加工でも良い。
【００４４】
本発明において、配管１３０の第１の電極１０６の周面における取り付け位置（排気面１０６Ａ）は、図５を用いて説明する。
図５は、図１（ｂ）に示す横断面図の一部を拡大した堆積膜形成装置の横断面図である。
排気口１０７の中央を「Ｐ」とし、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを含む第２の電極１０４の中心を「Ｏ」とし、原料ガス放出孔１４２の中で、最も排気口１０７に近い原料ガス放出孔１４２の中心を「Ｅ」とする。図５に示す例では、反応容器１０１を周方向に８等分した各位置に、７つのガスブロック１４０と１つの排気口１０７とが等間隔で配置されているので、「Ｅ」は２箇所存在している。
【００４５】
また、Ｐ−Ｏと第２の電極１０６との交点を「Ｑ」とし、Ｅ−Ｏと第２の電極１０６との交点を「Ｆ」としたとき、図５中に矢印５０１で示した領域（ＦからＦまでの領域であって、Ｑを含む領域）の中に配管１３０設ける。このようにすることで、原料ガス放出孔１４２から噴き出される原料ガスの進行方向の直線上に、配管１３０が存在しなくなり、反応容器１０１内の原料ガスの分布が乱されなくなるため好ましい。またＯ−Ｑ−Ｐを通る直線に対して対称となる位置に各ガスブロック１４０を設ける方が周方向の原料ガスの分布の対称性の面で好ましい。
【００４６】
原料ガスは、第２の電極１０６によって囲まれた空間Ｂを通過して、その後に配管１３０によって囲まれた空間Ａを通過して排気される方が、原料ガスの利用効率の向上の面で好ましい。よって、配管１３０には原料ガスが通過する穴等が無い方が、空間Ｃから空間Ａに直接排気される原料ガスが少なくなりより好ましい。
配管１３０の排気口１０７側の取り付け位置に関しては、原料ガスが空間Ｃから空間Ｂを通過し空間Ａから排気されるような原料ガスの流れが形成されれば特に制限は無く、排気口１０７の一部と配管１３０が接続されていればよい。
【００４７】
しかし、配管１３０は、排気口１０７を囲うように設ける方が、直接空間Ａから排気される原料ガスが少なくなり原料ガスの利用効率の向上の面でより好ましい。さらに、排気口１０７を囲う場合は、反応容器１０１と配管１３０との接続部に原料ガスが通過する隙間等が無い方がより好ましい。例えば、配管１３０の幅と排気口１０７の幅とがほぼ等しく、かつ配管１３０の高さと排気口１０７の高さとがほぼ等しいことが好ましい。
【００４８】
配管１３０の材質に関しては、特に制限は無く金属でも非金属でも良いが、金属製の円筒状の第１の電極１０６の材質と同一であると、熱膨張係数が同一となり、第１の電極１０６と配管１３０との接続が維持されやすくなるため好ましい。
本発明においては、前述の様に、第１の電極１０６に堆積する堆積物は粉末状より膜状の方が、強いプラズマ発光を抑制する面で好ましい。よって、前述の様に第１の電極１０６の表面温度を高く保持するためには、第１の電極１０６が冷却手段を有していない方が好ましい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００５０】
＜実施例１＞
円筒状基体として、外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体を使用した。
円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの表面に、表１に示す条件及び図３に示す電圧波形を用いて前述した方法により原料ガス利用効率算出用の堆積膜（光導電層）を形成した。
【００５１】
次に円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの表面に、表２に示す条件及び図３に示す電圧波形を用いて前述した方法により表２に示す各層を形成して、軸方向帯電ムラ評価様の電子写真感光体を製造した。
本実施例においては、第１の電極１０６として、孔２０１の内径φ３．０ｍｍ、孔の間隔（ピッチ）５．０ｍｍ、開口率２８．３（％）で、孔２０１を並列型に配置した厚さ２．０ｍｍの材質ＳＵＳ３０４のパンチングメタルを用いた。「孔の間隔（ピッチ）」とは、隣接する第１の孔の中心と第２の孔の中心との距離を意味する。
そして、前記のパンチングメタルを、図２に示すように、内径φ１５０ｍｍの円筒形状とした。
【００５２】
配管１３０は、材質ＳＵＳ３０４、厚さ２．０ｍｍを用いて、図１に示すように、排気口１０７の全体を取り囲む直方体形状（角筒形状）とした。
また、図５に示すように、反応容器１０１を周方向に８等分した各位置に、７つのガスブロック１４０と１つの排気口１０７とを等間隔で配置した。また、配管１３０の幅は排気口１０７の幅と同じとし、かつ配管１３０の高さは排気口１０７の高さと同じとした。そして、配管１３０の第１の電極１０６側の端部の全周を、第１の電極１０６の外周面に溶接することで取り付けた。
【００５３】
このとき、配管１３０を構成する上壁１３０−１（図２（ａ））の第１の電極１０６側の端部は、図２（ｂ）に示すように第１の電極１０６の外周面の形状に一致するように、加工を行って溶接を行った。このようにすることによって、第１の電極１０６の外周面と配管１３０の上壁１３０−１との接続部に隙間が極力無い様に取り付けた。図２（ｃ）に示すように、配管１３０の下壁１３０−２についても第１の電極１０６側の端部は上壁１３０−１と同様の形状に加工した。
同様に、配管１３０の排気口１０７側も同様に、接続部で極力隙間の無い様に取り付けた。
また、ガスブロック１４０は、図１に示すように、排気口１０７の対向位置から等間隔で７箇所配置した。そして、穴径φ０．８ｍｍの原料ガス放出孔１４２を等間隔に配置した。
本実施例においては、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体とを、各１０本ずつ製造した。
【００５４】
【表１】
2019199635.tif 000003
【００５５】
【表２】
2019199635.tif 000004
【００５６】
＜比較例１＞
比較例１では、図４に示す装置を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体とを、各１０本ずつ製造した。
図４に示す装置は、図１に示す装置と比較して、配管１３０が設置されていない以外は、図１に示す装置と同一である。
【００５７】
＜比較例２＞
比較例２では、図６に示す装置を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体とを、各１０本ずつ製造した。
図６に示す装置は、図１に示す装置と比較して、第１の電極１０６及び配管１３０が設置されていない以外は、図１に示す装置と同一である。
【００５８】
〈実施例１及び比較例１、２の評価〉
実施例１及び比較例１、２で作製した原料ガス利用効率算出用堆積膜を用いて、原料ガスの利用効率について下記項目を評価した。
【００５９】
（原料ガス利用効率）
作製した堆積膜の膜厚を以下の測定点で測定した。
軸方向については電子写真感光体の中央部位置を０ｃｍ位置とし、０ｃｍ位置、±１０ｃｍ位置、±１８ｃｍ位置の合計５点とした。
また、各軸方向位置において周方向に１８０°間隔で２点とし、計１０点を測定位置とした。得られた各測定点の膜厚の平均値を堆積膜形成時間で割って堆積膜形成速度を算出した。
膜厚の測定は、ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ｍｍｓ（ＨＥＬＭＵＴ  ＦＩＳＣＨＥＲ  社製）にプローブＥＴＡ３．３Ｈを装着して、渦電流法で行った。
【００６０】
実施例１及び比較例１、２は同一の条件で堆積膜を形成しているので、得られた堆積膜形成速度が大きい方が、原料ガスの利用効率が高く、堆積膜形成速度が小さい方が、原料ガスの利用効率が低いことになる。
得られた、堆積膜形成速度を以下の基準でランク付けを行った。Ｄ以上で本発明の効果が得られていると判断した。
【００６１】
Ａ・・・比較例２と比較して１．２５倍以上
Ｂ・・・比較例２と比較して１．２０倍以上１．２５倍未満
Ｃ・・・比較例２と比較して１．１５倍以上１．２０倍未満
Ｄ・・・比較例２と比較して１．０５倍以上１．１５倍未満
Ｅ・・・比較例２と比較して１．０５倍未満
【００６２】
（軸方向帯電ムラ）
実施例１及び比較例１〜２で製造した電子写真感光体の軸方向帯電ムラを以下のように評価した。
製造した電子写真感光体をマイナス帯電、反転現像方式に改造したキヤノン（株）製の複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機に設置した。また、この複写機の黒色用現像器を外し、表面電位計（Ｔｒｅｋ社製の表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ３４４））およびプローブ（商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５−Ｐ））を設置して、電子写真感光体の軸方向の表面の電位の測定を行った。まず、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）光量を４μＪ／ｃｍ２とし、主帯電器の電流値を１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。このとき、前述の表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。暗部表面電位は周方向の１度間隔で合計３６０点の平均値とした。
【００６３】
電子写真感光体の中央部位置を０位置とし、軸方向の両側夫々２ｃｍ間隔で８点（±２ｃｍ，±４ｃｍ，±６ｃｍ，±８ｃｍ，±１０ｃｍ，±１２ｃｍ，±１４ｃｍ，±１６ｃｍ）の合計１７点について測定した。そして、得られた各位置の暗部表面電位の最大値と最小値との電位差を帯電ムラとした。
作製した１０本の電子写真感光体のそれぞれに関して、帯電ムラを求め、それらの平均値を、軸方向帯電ムラとした。
得られた、軸方向帯電ムラを以下の基準でランク付けを行った。Ｄ以上で本発明の効果が得られていると判断した。
【００６４】
Ａ・・・比較例２と比較して０．７５倍未満
Ｂ・・・比較例２と比較して０．７５倍以上０．８０倍未満
Ｃ・・・比較例２と比較して０．８０倍以上０．８５倍未満
Ｄ・・・比較例２と比較して０．８５倍以上０．９５倍未満
Ｅ・・・比較例２と比較して０．９５倍以上
【００６５】
（総合）
（原料ガス利用効率）の評価結果と、（軸方向帯電ムラ）の評価結果とから以下の基準でランク付けを行った。Ｄ以上で本発明の効果が得られていると判断した。
Ａ・・・全てＡ
Ｂ・・・Ｃ、Ｄ、Ｅは含まないが、一つでもＢが有る。
Ｃ・・・Ｄ、Ｅは含まないが、一つでもＣが有る。
Ｄ・・・Ｅは含まないが、一つでもＤが有る。
Ｅ・・・一つでもＥが有る。
以上説明した項目の評価結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
2019199635.tif 000005
【００６７】
表３に示した結果から、本発明の堆積膜形成装置を用いることで、原料ガスの利用効率を向上させることが可能であることが分かった。また、比較例２では、ガス放出孔１４２の一部で強いプラズマ発光が発生するロットがあったが、本発明の堆積膜形成装置では、強いプラズマ発光が発生するロットは無く、その結果、軸方向の帯電ムラを低減させることが可能であることが分かった。
【００６８】
＜実施例２−１〜２−７＞
実施例２−１〜２−７では図１に示す装置を用いて実施例１と同様の方法で、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体とを、各１０本ずつ製造し、同様の評価を行った。
ただし、本実施例では、第１の電極１０６上の孔２０１の径を変化させることによって、孔２０１の単体の断面積Ｓ１、および第１の電極１０６の開口率、を変化させた。
また、原料ガス放出孔１４２の内で最大の断面積Ｓ２は変化させなかったが、断面積Ｓ１を変化させることによって、断面積の比率（Ｓ１／Ｓ２）を変化させた。
本実施例では、原料ガス放出孔１４２は全て同一の形状とし、断面積Ｓ２は０．５０２ｍｍ２とした。
評価結果を表４に示す。
【００６９】
【表４】
2019199635.tif 000006
【００７０】
表４に示した結果から、
第１の電極１０６の開口率を２０％以上５０％以下とし、さらに
第１の電極１０６上の複数の孔２０１の単体の断面積Ｓ１を、原料ガス放出孔の内で最大の断面積Ｓ２に対して、１０倍以上とすることによって、
原料ガス利用効率を大幅に改良し、かつ軸方向帯電ムラも改善しうることが判った（実施例２−３〜２−６）。
さらに、孔２０１の単体の断面積Ｓ１が７ｍｍ２以上であると、より効果的であることが判った（実施例２−４〜２−６）。
【００７１】
＜実施例３−１〜３−７＞
実施例３−１〜３−７では図１に示す装置を用いて実施例２と同様の方法で、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体を、各１０本ずつ製造し、同様の評価を行った。
本実施例でも、第１の電極１０６上の孔２０１の径を変化させることによって、孔２０１の単体の断面積Ｓ１、および第１の電極１０６の開口率、を変化させた。
また、原料ガス放出孔１４２の内で最大の断面積Ｓ２は変化させなかったが、断面積Ｓ１を変化させることによって、断面積の比率（Ｓ１／Ｓ２）を変化させた。
また、原料ガス放出孔１４２は全て同一の形状とした。
ただし、本実施例では、原料ガス放出孔１４２の径を０．５ｍｍとし、断面積Ｓ２は０．１９６ｍｍ２とした。
評価結果を表５に示す。
【００７２】
【表５】
2019199635.tif 000007
【００７３】
表５に示した結果から、
第１の電極１０６の開口率を２０％以上５０％以下とし、さらに
第１の電極１０６上の複数の孔２０１の単体の断面積Ｓ１を、原料ガス放出孔の内で最大の断面積Ｓ２に対して、１０倍以上とすることによって、
良好な結果が得られることが判った（実施例３−３〜３−６）。
さらに、孔２０１の単体の断面積Ｓ１が７ｍｍ２以上であると、より効果的であることが判った（実施例３−４〜３−６）。
【００７４】
＜実施例５＞
実施例５では、表２に示す条件の代わりに表６に示す条件を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体を、各１０本ずつ製造し、実施例１と同様の評価を行った。さらに、同様にして、後述する画像欠陥評価用の電子写真感光体を１０本製造した。
【００７５】
ただし、本実施例では、図７（ｃ）の横断面の一部拡大図に示すように、第１の電極の内部を排気するための配管１３０に囲まれた排気面１０６Ａの複数の孔２０１の端部２０１ＡにＣ面取り加工を施した。Ｃ面取り加工は、配管１３０が接続される外周面とは反対側（第１の電極の内周面側。プラズマが形成される空間Ｂ側）の孔２０１の端部２０１Ａに施した。具体的には、Ｃ面取り加工は、第１の電極１０６を構成する厚さが２．０ｍｍのパンチングメタルに対して、Ｃ０．７面取り加工とした。Ｃ０．７面取り加工とは、図７（ｅ）に示すように、削り取られる部分の断面の形状が、等辺の長さが０．７ｍｍである直角二等辺三角形となる加工を意味する。
【００７６】
(実施例５の評価)
実施例５は、実施例１で行った評価に加えて、以下の方法でも評価した。
（画像欠陥）
画像欠陥については、以下のように評価した。
製造した電子写真感光体をマイナス帯電、反転現像方式に改造したキヤノン（株）製の複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機に設置した。また、この複写機の黒色用現像器を外し、表面電位計（Ｔｒｅｋ社製の表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ３４４）およびプローブ（商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５−Ｐ））を設置して、電子写真感光体の表面電位の測定を行った。
【００７７】
まず、静電潜像形成用のレーザー光を露光せずに、ベタ白画像を出力し、電子写真感光体の表面の暗部電位を測定し、一次帯電器の一次電流とグリッド電圧を調整して、電子写真感光体の表面の暗部電位が−４５０Ｖになるように調整した。
画像欠陥を厳しく評価するために、ポチが出やすくなる条件で画像を出力した。具体的には、シアン色の現像条件のＤＣバイアス条件を調整して、かぶり（現像操作によって本来非画像部となるべき部分にトナーが付着する現象）が生じている画像を出力した。画像出力の際の現像は、シアントナーを用いた現像器のみでの現像とした。
【００７８】
以下の手順により、かぶり濃度の測定を行い、かぶり濃度が０．４〜０．８％の範囲になる現像条件で出力したものを評価用画像とした。評価用画像の反射率を測定し、さらに未使用の紙の反射率を測定した。下記式によって得られる値をかぶり濃度とした。
かぶり濃度＝（未使用の紙の反射率の値）−（評価用画像の反射率の値）
反射率は、（有）東京電色製の白色光度計（商品名：ＴＣ−６ＤＳ）にアンバーのフィルターを装着して測定した。
画像出力は、温度２３℃／相対湿度６０％の常温常湿環境下で行った。以下も同様である。
【００７９】
出力紙としてキヤノンマーケティングジャパン（株）の紙、Ａ３用紙（商品名：ＣＳ−８１４（８１．４ｇ／ｍ２））を用い、連続して１０枚のベタ白画像（静電潜像形成用レーザー非露光）を出力して、最後の２枚を用いて評価を行った。
画像の電子写真感光体の１周分（＝紙の搬送方向の先端から約２６４ｍｍ）×画像領域幅２９２ｍｍの域内に存在する直径０．０５ｍｍの円以上の大きさ（直径０．０５ｍｍの円を重ねたときに円からはみ出る部分があるもの）のシアン色のポチの個数を数えた。
【００８０】
２本の電子写真感光体のそれぞれについて、２枚の画像を出力し、４枚の出力画像のそれぞれについてポチの個数を数えた。そして、それらポチの総合計数を４で割った値の小数点以下を切り上げて整数とした値を評価用の値とした。
さらに、評価用の値に基いて以下の基準でランク付けを行った。
Ａ・・・２個以下
Ｂ・・・３個以上８個以下
Ｃ・・・９個以上１６個以下
Ｄ・・・１７個以上２９個以下
Ｅ・・・３０個以上
【００８１】
（総合）
（原料ガス利用効率）、（軸方向帯電ムラ）及び(画像欠陥)の評価結果から以下の基準でランク付けを行った。Ｄ以上で本発明の効果が得られていると判断した。
Ａ・・・全てＡ
Ｂ・・・Ｃ、Ｄ、Ｅは含まないが、一つでもＢが有る。
Ｃ・・・Ｄ、Ｅは含まないが、一つでもＣが有る。
Ｄ・・・Ｅは含まないが、一つでもＤが有る。
Ｅ・・・一つでもＥが有る。
以上説明した項目の評価結果を表７に示す。
【００８２】
【表６】
2019199635.tif 000008
【００８３】
＜実施例６＞
実施例６では、図１に示す装置を用いて実施例５と同様の方法で、原料ガス利用効率算出用の堆積膜が形成された円筒状基体と、軸方向帯電ムラ評価用の電子写真感光体と、画像欠陥評価用の電子写真感光体を、各１０本ずつ製造した。そして、実施例５と同様の評価を行った。
【００８４】
ただし、本実施例では、図７（ｄ）の横断面の一部拡大図に示すように、第１の電極の内部を排気するための配管１３０に囲まれた排気面１０６Ａの複数の孔２０１の端部２０１ＡにＲ面取り加工を施した。Ｒ面取り加工は、配管１３０が接続される外周面とは反対側（第１の電極の内周面側。プラズマが形成される空間Ｂ側）の孔２０１の端部２０１Ａに施した。具体的には、Ｒ面取り加工は、第１の電極１０６を構成する厚さが２．０ｍｍのパンチングメタルに対して、Ｒ０．９面取り加工とした。Ｒ０．９面取り加工とは、図７（ｆ）に示すように、加工後に残った部分の断面の形状が、半径０．９ｍｍの円弧となる加工を意味する。
評価結果を表７に示す。
【００８５】
【表７】
2019199635.tif 000009
【００８６】
表７に示した結果から、
第１の電極の内部を排気するための配管の第１の電極側の口（第１の口）に囲まれた排気面１０６Ａの複数の孔の端部（第１の電極の内周面側の端部）に実施例５のようにＣ面取り加工、又は実施例６のようにＲ面取り加工を施すことによって、
ガス利用効率および軸方向帯電ムラが良好で、さらには画像欠陥も改善する結果となることが判った。
【符号の説明】
【００８７】
１０１‥‥反応容器
１０２Ａ  １０２Ｂ‥‥円筒状基体
１０４‥‥第２の電極
１０６‥‥第１の電極
１０７‥‥排気口
１３０‥‥配管
１４０‥‥ガスブロック
１４２‥‥原料ガス放出孔
２０１‥‥孔
２０１Ａ・・孔端部の面取り加工部
【図１】
2019199635.tif 000010
【図２】
2019199635.tif 000011
【図３】
2019199635.tif 000012
【図４】
2019199635.tif 000013
【図５】
2019199635.tif 000014
【図６】
2019199635.tif 000015
【図７】
2019199635.tif 000016