(57)【要約】  光感知素子パッケージが提供される。パッケージは基板、基板に結合された一つ以上の光感知半導体台、及び基板の光収容表面上に形成されたパターニングされた層を含む。基板は、所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成される。半導体台は基板背面の表面に衝突する光を収容するために基板の前面表面に対向する一つ以上の光感知領域を定義する。パターニングされた層は、背面の表面に衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために基板のその背面の表面上に形成され、基板を通じる光学的疎通のために光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口を有するように形成される。【選択図】      図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）所定の波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、その対向側面に前面及び背面の表面を有する基板；
（ｂ）前記基板に結合されて、前記背面の表面に衝突する光を収容して前記基板を通じて通過させるために前記基板の前記前面の表面に対向する一つ以上の光感知領域を定義する一つ以上の光感知半導体台；及び
（ｃ）前記背面の表面に衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために前記基板の前記背面の表面上に形成され、前記基板を通じる光学的疎通のために前記光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口を定義するパターニングされた層を含むことを特徴とする光感知素子パッケージ。
【請求項２】
前記ウィンドウ開口は長方形で、前記光感知領域内で周辺範囲に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項３】
前記パターニングされた層は前記所定の波長範囲内の光に対して吸水性の物質から形成されることを特徴とする請求項１に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項４】
前記パターニングされた層は、液体インカプシュラント物質、エポキシ物質及びポリマー物質から成るグループから選択された何れか一つの物質から形成されることを特徴とする請求項３に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項５】
前記パターニングされた層は、前記所定の波長範囲内の光に対して実質的に不透明な着色剤を含む物質から形成されることを特徴とする請求項４に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項６】
前記パターニングされた層は、実質的に約４〜１００マイクロメーターの範囲内の厚さを有する物質から形成されることを特徴とする請求項４に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項７】
前記基板の前記背面の表面上に形成された前記パターニングされた層は、ステンシル印刷された層、スクリーン印刷された層、ニードルディスペンシングされた層、スピンコーティング及びパターニングされた層、及びスピンコーティング及び光現像された（photo−developed）層から成るグループから選択された何れか一つの類型であることを特徴とする請求項４に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項８】
前記所定の波長範囲は可視波長範囲を含むことを特徴とする請求項７に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項９】
前記光感知半導体台は、前記基板の前記前面の表面から間隙によって離隔されることを特徴とする請求項３に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１０】
前記間隙の周囲から延長されて該間隙を捕獲して前記光感知領域と前記基板前面の表面の一部の間に密封された空洞を定義するように、前記光感知半導体台と前記基板の間に配置された密封構造をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１１】
（ａ）所定の波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、それらの対向側面に前面及び背面の表面を有する基板であり、前記前面の表面は内部領域及び該内部領域の周囲から延長される外部領域を有し、前記外部領域には前記基板の接続ライン及びパッシベ−ション層が形成された基板；
（ｂ）前記基板前面の表面の前記外部領域に結合され、前記背面の表面に衝突する光を収容してそれを通じて通過させるために前記基板前面の表面の前記内部領域に対向する一つ以上の光感知領域を定義する一つ以上の光感知半導体台；及び
（ｃ）前記背面の表面に衝突する光の少なくとも一部を吸収するために前記基板の前記背面の表面上に形成されるパターニングされた層であり、前記基板を通じる光学的疎通のために前記光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口の周囲に形成され、前記光感知領域の少なくとも一部が光干渉を最小化するために実質的にフレーミングされるパターニングされた層を含むことを特徴とする光感知素子パッケージ。
【請求項１２】
前記ウィンドウ開口は長方形で、前記光感知領域内で周辺範囲に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１３】
前記パターニングされた層は、液体インカプシュラント物質 、エポキシ物質及びポリマー物質から成るグループから選択された何れか一つの物質から形成されることを特徴とする請求項１２に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１４】
前記パターニングされた層は実質的に約４〜１００マイクロメーターの範囲内の厚さを有する物質から形成されることを特徴とする請求項１３に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１５】
前記基板の前記背面の表面上に形成された前記パターニングされた層は、ステンシル印刷された層、スクリーン印刷された層、ニードルディスペンシングされた層、スピンコーティング及びパターニングされた層、及びスピンコーティング及び光現像された（photo−developed）層から成るグループから選択された何れか一つの類型であることを特徴とする請求項１４に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１６】
前記パターニングされた層は、実質的に不透明な着色剤を含む物質から形成されることを特徴とする請求項１５に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１７】
前記基板は可視波長範囲内の光に対して実質的に透明なガラス物質から形成されることを特徴とする請求項１６に記載の光感知素子パッケージ。
【請求項１８】
（ａ）可視波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、その各対向側面に前面及び背面の表面を有する基板であり、前記前面の表面は内部領域及び該内部領域の周囲から延長される外部領域を有し、前記外部領域に前記基板の接続ライン及びパッシベ−ション層が形成された、基板；
（ｂ）前記基板前面の表面の前記外部領域にプルリブチップ接続によって結合され、前記背面の表面に衝突する光を収容してそれを通じて通過させるために前記基板前面の表面の前記内部領域に対向する一つ以上の光感知領域を定義する一つ以上の光感知半導体台であり、前記光感知領域は前記内部領域から間隙によって離隔される光感知半導体台；
（ｃ）前記間隙の周囲から延長されて前記間隙を捕獲して前記光感知領域と前記基板前面の表面の前記内部領域の少なくとも一部の間に密封された空洞を定義するように、前記光感知半導体台と前記基板の間に配置された密封構造；及び
（ｄ）前記背面の表面に衝突する光の少なくとも一部を吸収するために前記基板の前記背面の表面上に形成され、前記前面の表面の前記内部領域の少なくとも一部を光学的にフレーミングするウィンドウ開口を定義するパターニングされた層であり、前記ウィンドウ開口は前記基板を通じる光学的疎通のために前記光感知領域の少なくとも一部と整列された、パターニングされた層を含むことを特徴とする統合光感知装置。
【請求項１９】
前記基板の前記背面の表面上に形成された前記パターニングされた層はスピンコーティング及び光現像された類型のもので、前記パターニングされた層は実質的に不透明な着色剤を含むスピン可能な感光性ポリマー物質から形成されることを特徴とする請求項１８に記載の統合光感知装置。
【請求項２０】
前記パターニングされた層は実質的に約４〜２０マイクロメーターの範囲内の厚さを有する物質から形成されることを特徴とする請求項１９に記載の統合光感知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広くは半導体集積回路の電子パッケージングに関するものである。具体的に、本発明は、性能を最適化するためにその基板の表面上に形成されたパターニングされた層を有する光感知（photo−sensing）半導体素子の電子パッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
光センサーを含むアプリケーションのための新規の電子パッケージング技術が共同繋留中である米国特許出願第１０／６９２、８１６号（特許文献１）、米国特許出願第６０／５０７、１００号、米国特許出願第１０／８２９、２７３号（特許文献２）、及び米国特許出願第６０／５３６、５３６号に開示されていて、その開示内容は、ここに参照として含まれる。図１〜２Ｂはそのような技術によって実現された特定の例示的な電子パッケージの概略断面図であり、それに対するもっと詳しい説明は、共同繋留出願に含まれている。
【０００３】
図１に図示されたパッケージは、通常、一般的なアプリケーションに適合する一方、図２Ａ及び２Ｂに図示されたのは、小さい大きさが相変らず主要関心事として残っている携帯電話カメラモジュールアプリケーションに特に適合する。
【０００４】
図示された類型のパッケージにおいて、光センサー素子は、図示された構成で上部表面の中央に定義された特定の光感知領域を定義する。関心のある特定の波長領域内の光に対して十分な透過率を有する基板に光センサー素子が提供される。基板は、例えば、光センサー素子が可視光線波長内の光を感知するためのものである場合、ガラス物質から形成されることができる。基板の前面の表面（図示された構成では基板の下部表面）上に接続ライン及び一つ以上のパッシベーション層が形成され、光センサー素子と基板の間では通常、フリップチップ接続が採用される。また、光センサー素子の側壁部とそれの周囲から延長する光感知領域を保護するために密封構造が提供される。最終のパッケージには、通常、はんだ付け及びデカップリングキャパシタンスのような他の構造も適切な公知手段を利用して提供されるが、それらの詳細な説明は本発明の明確な理解のために必須的ではないために省略する。
【０００５】
図１及び２Ａ、２Ｂに図示された電子パッケージの構成において、光感知台の光感知領域は基板の前面の表面を対向し、基板の前面の表面は図面で基板の下部面を形成する。それによって光感知台の光感知領域に対応する基板の前面の表面は、基板のその部分を通じて光感知領域から入射する光を遮断するか、又は邪魔しないように如何なる接続金属トレース又はパッシベーション層がないように維持される。
【０００６】
しかし、光は、他の所望しない経路を通じて光感知領域に入射することができる。パターニングされた金属層のような構造が基板の前面の表面上の、光感知領域の外側部で形成される。それにもかかわらず、基板の透過率及びパターニングされた金属層又はその他の構造の反射率が与えられると、これら外側部から基板に通過する光は、反射経路によって光感知領域自体に入射する。パッシベーション層のような非金属構造を有するそれら外側部でも、それらの光透過性は光がそれらを通じて光感知台又は近くの表面に到逹し得るようにして、悪影響を誘発することができる。
【０００７】
そのような意図しなかった周辺の経路を通じた光の入射は、いくつかの留意するに値する方式で適切な動作を混乱させることができる。例えば、パターニングされた金属層の端は、衝突光（impinging light）を不均一な方式で反射する傾向がある。したがって、不均一で非常に複雑な光透過及び反射がそれによって招来される。結果的に、光感知領域に感知されている光に所望しない邪魔が流入される。したがって、多様な類型の光感知パッケージに対してそのような邪魔が最小化されるか、又は完全に除去され得る適切な保護手段の必要性が存在する。
【特許文献１】米国特許第６，８６４，１６１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／００７３０１７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、与えられたパッケージ内の光センサー素子の光感知領域に所望しない光が反射することを防止することである。
【０００９】
このような目的及び他の目的が本発明によって形成された光感知素子パッケージによって達成される。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
パッケージは、基板、それに結合された一つ以上の光感知半導体台、及び基板の表面上に形成されたパターニングされた層を含む。基板は、所定の波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、その各対向側面に前面及び背面の表面を有するように形成される。光感知半導体台は、前記背面の表面に衝突する光を収容して前記基板を通じて通過させるために前記基板の前記前面の表面に対向する一つ以上の光感知領域を定義する。パターニングされた層は、前記背面の表面に衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために前記基板背面の表面上に形成される。パターニングされた層は、前記基板を通じる光学的な疎通のために前記光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口を定義するように形成される。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記ウィンドウ開口は、長方形で前記光感知領域内で周辺の範囲に配置される。
【００１２】
また、本発明の好ましい実施形態によれば、光感知半導体台は、複数の接着パッドを有するように形成される。この実施形態において、基板は、光感知素子が検出するように適応された所定の波長範囲内の光に対して十分な透過性を有する物質から形成される。基板は、その上に、複数の接続金属ラインを形成するための一つ以上のパターニングされた金属層及び接続金属ラインを保護するための一つ以上のパターニングされたパッシベーション層を形成する。そして、パッシベーション層は、基板側に接着パッドを定義するための複数の開口を含み、意図したアプリケーションのために必要な場合に、接着パッドは、光感知台への接続を形成するための少なくても1つのセットのパッド、外部システムにおける接続を形成するための少なくても一セットのパッド及び他の素子への接続を形成するための追加的なセットのパッドを含むことが好ましい。
【００１３】
また、本発明の好ましい実施形態によれば、電子パッケージは、光センサー素子と基板の間のフリップチップ接続を含む。
【００１４】
本発明の好ましい実施形態による電子パッケージ構造は、光センサーと光センサーの光感知領域の周囲の基板の間の間隙を満たす密封構造をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１５】
前述したように、パターニングされた層が、背面の表面で衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために基板の背面の表面に形成され、基板を通じる光学的な疎通のために光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口が定義されるように形成されるので、本発明のパッケージは、所望しない光が与えられたパッケージの光センサー素子の光感知領域に反射されることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図３Ａ〜４を参照すれば、それぞれ本発明の例示的な実施形態によってその上に形成されたパターニングされた層１３０を有する例示的なパッケージ１０、２０が概略的に図示されている。明瞭性と単純性のために、図示されたパッケージで類似の構成要素は、類似の参照符号により表示される。
【００１７】
図示されたそれぞれのパッケージ１０、２０を形成する時、通常、光感知半導体ウエハーに複数のダイス（dice）が提供され、それぞれの台（die）は、複数の接着パッドと共にそのウエハーの前面の表面に形成された集積回路を有する。ウエハーは、下側の集積回路を保護するためにその前面の表面上にパターニングされたパッシベーション層を形成する。従って、パターニングされたパッシベーション層には、接着パッドに開口が提供される。最終光感知ダイスのそれぞれは、その前面、すなわち光収容表面に少なくとも一つの光感知領域を定義する。
【００１８】
ウエハーバンピング（bumping）は、ＩＢＭに譲渡された米国特許第３、２９２、２４０号「小型機能素子の製造方法（Method of Fabricating Microminiature Functional Components）」に反映されたようにその最初の紹介以来に広く使われて来た公知された技術である。通常のウエハーバンピング工程は、ウエハー上に接着パッドに接続されるフリップチップバンプパッドを作るための一つ以上のパターニングされた金属層を形成する段階を含む。フリップチップバンプパッドのために使われる冶金は、普通、アンダーバンプ冶金（ＵＢＭ；Under Bump Metallurgy）と呼ばれ、通常的に接着パッドへの良好な固定、バンプ物質に対する良好な拡散障壁のような多様な機能を提供するために多層構造を使う。
【００１９】
多くのバンプ物質が本技術分野に知られている。これは、金、ニッケル、銅、及び主にスズ基盤合金であるはんだ合金を含む。
【００２０】
ＵＢＭを蒸着するために多様な技術が本技術分野に知られている。これは、スパッタリング、電気メッキ、無電解メッキなどを含む。また、バンプを形成するために多様な技術が本技術分野に知られている。電気メッキ技術は、金又は銅バンプを形成するのによく使われる一方、無電解蒸着技術は、ニッケル又は銅バンプを形成するのによく使われる。はんだ合金バンプの場合に、通常、電気メッキ技術又は印刷技術のうち一つが利用される。
【００２１】
本発明によれば、光感知半導体ウエハーは、必須ではないが、好ましくは、実際に使われる具体的なフリップチップバンピング及び実装技術によって接着パッド上に形成されたＵＢＭパッドを含む。又は、本発明の光感知半導体ウエハーが必要な場合、ＵＢＭパッド上に形成されたフリップチップバンプをさらに含むことができる。
【００２２】
基板は、普通、別途に製造される。該基板は、好ましくは、初期に半導体ウエハーがその上に製造された複数のダイスを有するように形成される方式とほとんど同一方式でバッチ（batch）工程で複数の単位基板を形成する大きい領域を有するウエハー又はパネル形態に配置される。一般に、基板物質は、好ましくは、意図したアプリケーションで要求される十分な程度の透明度、機械的な強度及び化学的な安全性を有する。
【００２３】
図示された光感知アプリケーションにおいて、基板物質は、その背面に衝突する光をその前面又は前面の近くに配置された光感知素子に伝達するように、特定の波長又は特定の波長範囲に対して実質的に透明である。適当な基板物質は、好ましくは、ガラス、水晶、サファイア、シリコンなどを含むが、これに制限されることなく、特定の基板物質の実際的な選択は、意図したアプリケーションにおける関心波長範囲に従う。例示的なアプリケーションは、例えば、Ｘレイ、紫外線、可視光線又は赤外線スペクトラム内の波長で動作する光感知素子を採用することができる。
【００２４】
基板物質は、必要な製造段階の間に加えられる温度及び処理極端に耐えるように十分な化学的な耐性及び機械的な安全性を有さなければならないだけではなく、結果的な素子に期待されるサービス寿命を支援するように期待される環境の要因に対する十分な耐性も有さなければならない。可視光線波長範囲で動作する光感知素子用の好ましい基板物質は、光学アプリケーションに採用されると技術分野に知られた如何なる適当なガラス物質である。そのようなガラス物質は、適当な程度の化学的な安全性及び温度安全性を有し、多いソースから合理的な費用で容易に入手可能な傾向がある。
【００２５】
意図したアプリケーションの要求事項によって、基板は、それを通じた光伝達を向上させるためにその一つ以上の表面上に一つ以上の薄いフィルム層からコーティングされることができる。そのようなコーティングは、関心スペクトラムの全体に対して光の反射損失を最小化する役目をする、光学技術分野の当業者によく知られたいわゆる無反射コーティング（ＡＲＣ；anti−reflection coating）類型のものであることができる。類似に、基板は、特定範囲波長でそれを通じた光の伝達を向上させるか、又は減少させるためにその一つ以上の表面上に一つ以上の薄いフィルム層からコーティングされることができる。そのようなコーティングも光学技術分野で知られた「光学フィルタリング」類型のものである。一例は、チップオンボード（chip−on−board）携帯電話カメラモジュール用として赤外線（ＩＲ）阻止フィルター（cut filter）ガラスが使われるのとほとんど同一方式で使われる赤外線阻止フィルターコーティングである。
【００２６】
電気的接続ラインを作るため、一つ以上のパターニングされた金属層１１０が基板１００の前面の表面１０５上に形成される。そして、それによって定義された接続ラインを保護するためにパターニングされた金属層１１０上に一つ以上のパターニングされたパッシベーション層１２０が形成される。該パターニングされたパッシベーション層１２０は基板側に接着パッドを作るための開口を有するように形成される。これら接着パッドは、基板１００の接続ラインと光センサー２００、外部システム、そして存在するその他の各素子の間に電気的な相互接続が行われるようにする。
【００２７】
本発明によれば、接着パッド自体がフリップチップバンプを作るのに充分に適合しない場合、基板は必須的ではないが、好ましくは、接着パッド上に形成されるＵＢＭパッドをさらに含むことができる。それらが充分に適合するか否かは、主に具体的な接着パッド物質及び使われるフリップチップ技術に従う。また、本発明によれば、必須的ではないが、基板は、ＵＢＭパッド上に形成されるフリップチップバンプをさらに含むことができる。
【００２８】
図３Ａ及び図４のそれぞれの実施形態に示したように、一つ以上の光センサー台が、好ましくは、公知された適当なフリップチップ組み立て工程を利用して単位基板１００上に実装される。フリップチップの組み立て工程は、使われるバンプ物質によって適当に、多様な変化を有することができる。一番一般的に使われるフリップチップ実装工程のうち一つによれば、フリップチップ接合ははんだ付けバンプを利用して形成される。この工程によりはんだ付けバンプされた台が対応するはんだ付けバンプパッドを有する基板上に配置され、その後にフラックスを適用してはんだ物質の固有融点まで加熱される。
【００２９】
公知された他の工程は、如何なる適当な接着パッドに金バンプを接合するための熱音波（thermo−sonic）又は熱圧搾（thermo−compression）接着を含む。熱圧搾接着工程は、均一導電性接着剤（ＩＣＡ；Isotropic Conductive Adhesive）、非均一導電性接着剤（ＡＣＡ；Anisotropic Conductive Adhesive）、又は不均一導電性フィルム（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）で、例えば、金、ニッケル又は銅バンプを如何なる適当なバンプ又はパッドに接合するのに使うことができる。
【００３０】
本発明による電子パッケージ１０、２０は如何なる具体的なフリップチップバンプ物質又はフリップチップ組み立て工程に制限されない。そのような物質及び工程の具体的な選択は、意図したアプリケーションの具体的な要求事項に従うであろう。
【００３１】
本発明の好ましい実施形態による電子パッケージ１０、２０は、光感知半導体台２００と基板１００の間の間隙を満たす密封構造１４０を含んで、光感知半導体台２００の光感知領域１５０に閉鎖された共同（cavity）を定義する。
【００３２】
本発明によれば、前記パッケージ１０、２０は、基板の背面、すなわち光衝突表面上に形成されたパターニングされた層１３０をさらに含む。該パターニングされた層１３０は光感知領域１５０の少なくとも部分１５０’と整列されたウィンドウ開口１３２を形成し、これによってパターニングされた層１３０は、図３Ｂに一番よく示したように、効果的に部分１５０’をフレーミング（framing）して、例えば、散乱光（stray light）の入射による光学的干渉を最小化する。
【００３３】
前記背面ペトンニングドエン層１３０の一番重要な要求事項は、関心波長の光を吸収する能力である。例えば、可視光線範囲において、関心波長の光に対して充分に不透明な黒色又はその他の着色剤を有するポリマー又はエポキシ物質がパターニングされた層１３０として採用されることができる。
【００３４】
該パターニングされた背面層１３０は公知された如何なる適当な方法を利用して形成することができる。液体インカプシュラント（liquid encapsulant）又はポリマー物質を利用したステンシル（stencil）又はスクリーン印刷が層１３０を塗布して適切にパターニングする一番簡単な方法の一つである。他の適当な方法は、基板の表面上に液体インカプシュラントをニードルディスペンシング（needle dispensing）することを含む。このように塗布される 液体インカプシュラント物質の適当な粘度は、約３、０００−８０、０００センチポアズ（ｃｐ）の範囲である。次いで、前記層１３０の厚さは、部分的に物質の粘度及び採用された塗布方法に依存するが、好ましくは、約４−１００マイクロメーターの範囲である。何れかの塗布物質及び方法が採用されても、パターニングされた層の形成の間に前記光感知領域１５０上に配置された基板のその部分（開口１３２内の内側領域）を汚染させることを防止するための適切な措置が取られることが重要である。
【００３５】
パターニングされた背面層１３０を形成するまた他の方法は、スピンコーティング及びパターニングである。多様なスピン可能なポリマー物質が常用化されている。それらは、感光可能（photo−definable）類型又は非感光可能（non−photo−definable）類型のうち一つで利用可能である；しかし、本分野で感光可能類型がもっと広く利用される。そのような物質は、誘電体中問層又はバッファーコーティング技術で塗布される場合が多い。通常の物質粘度は、約１、０００−４、０００センチポアズ範囲である。
【００３６】
それらは、可視光線波長範囲で少なくとも部分的には透明な傾向があるから、可視光線範囲で十分な非透過性を得るためには、十分な不透明度を有する黒色又はその他の着色剤をポリマー物質に追加することが必要なことがある。スピンコーティング及びパターニング方式によって物質の粘度により通常的に約４−２０マイクロメーター範囲の厚さを実現することができる。スクリーン又はステンシル印刷やニードルディスペンシングに比べてこのスピンコーティング及びパターニング方法の優秀な点は、前記光感知領域１５０上の基板の汚染可能性が低くて膜均一性が優秀であるという点である。
【００３７】
本発明の好ましい実施形態によれば、スピンコーティング及びパターニングのための現像技術を利用して感光可能ポリマー物質の基板１００上に約４−２０マイクロメーター内の範囲の厚さにパターニングされた背面層１３０が形成される。好ましくは、パターニングされた層１３０のための物質は、関心波長内の光に対して十分な吸収性を示す。
【００３８】
本発明がその具体的な形態及び実施形態と関連して説明されたが、本発明の思想及び範囲を脱することなくても前述した以外の多様な変形が行われ得ることを認識するであろう。例えば、具体的に図示されるか、又は説明された構成要素は、均等な構成要素に代替られることができて、どんな特性は、他の特性と独立的に使われることができて、どんな場合には、製造又は組み立て段階の具体的な組合が逆転されるか、又は挿入されることができるが、これらは添付された請求範囲で定義された本発明の思想又は範囲を脱しない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によって形成された特有のパッケージは、ＣＣＤ又はＣＭＯＳのような多様な類型の公知された技術で製造されたすべての種類の光センサー又は光検出器に適用することができる。本発明は、カムコーダー、デジタルスチルカメラ、ＰＣカメラ、携帯電話カメラ、ＰＤＡ及びハンドヘルドカメラ、保安カメラ、おもちゃ、自動車の装備、バイオメトリックスなどのように領域イメージセンサーが使われるどこにも適用することができる。また、本発明は、ファクス機械、スキャナー、バーコードリーダー及びスキャナー、デジタルコピー機などに使われるような線形アレイイメージセンサーに適用することができる。同一に、行動探知機、光レベルセンサー、位置又は追跡システムなどに使われる単一ダイオード又は４−クワドラントダイオードのような非イメージング（non−imaging）光センサーのパッケージングにも適用することができる。また、本発明は、特定の所定領域でのみ密封を必要とする他の一般的な電子パッケージにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】共同繋留出願第１０／６９２、８１６号（特許文献１）に開示された発明の一例示的な実施形態によって形成された例示的な光感知電子パッケージの概略断面図である。
【図２Ａ】共同繋留出願第１０／８９２、２７３号（特許文献２）に開示された発明の一例示的な実施形態によって形成された例示的な光感知電子パッケージの概略断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに図示された光感知電子パッケージ実施形態の底面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態によってパターニングされた背面層を有するように形成された、図１に図示された光感知電子パッケージ実施形態の概略断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに図示された電子パッケージ実施形態の概略上面図である。
【図４】本発明の一実施形態によってパターニングされた背面層を有するように形成された、図２Ａ、２Ｂに図示された光感知電子パッケージ実施形態の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０，２０…電子パッケージ、１００…基板、１０５…表面、１１０…金属層、１２０…パッシベーション層、１３０…背面ペトンニングドエン層、１３２…ウィンドウ開口、１４０…密封構造、１５０…光感知領域、２００…光センサー、２００…光感知半導体台。
【図１】
2007536728.tif 000003
【図２Ａ】
2007536728.tif 000004
【図２Ｂ】
2007536728.tif 000005
【図３Ａ】
2007536728.tif 000006
【図３Ｂ】
2007536728.tif 000007
【図４】
2007536728.tif 000008
【国際調査報告】
2007536728.tif 000009
2007536728.tif 000010