(57)【要約】  絶縁材料からなる、下面及び上面を有する第１層（１）を備える高インピーダンス基板を提供する。本基板は基板に機械的に接続される複数の導電パターン（３）を備える。本発明は、基板に機械的に接続されるこれらの導電パターン（３）の幾つかが磁気タイル（５）に接続されること、及び、少なくとも一つの電気配線（１３）によって、基板に機械的に接続される導電パターン（３）の２つの異なるポイント（９，１１）が電気的に接続されており、この導電パターン（３）は、基板に機械的に接続される前記導電パターン（３）に接続される前記磁気タイル（５）の上方を通過する接続磁気タイル（５）を有することを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を下面及び上面（６）の形態で有する、絶縁材料からなる第１層又は第１シート（１）を備えた高インピーダンス基板であって、基板に機械的に接続される複数の導電パターン（３）を備え、基板に機械的に接続され複数の導電パターン（３）の内の幾つかが基板の２つの面の一方の上か、又は上方に配置される磁気タイル（５）に接続されること、及び、少なくとも一つの電気配線（１３）によって、基板に機械的に接続される導電パターン（３）の互いに異なる２つのポイント（９，１１）が電気的に接触しており、この導電パターン（３）が一の割り当てられた磁気タイル（５）を有し、前記少なくとも一つの電気配線（１３）が、基板に機械的に接続される前記導電パターン（３）に接続される前記磁気タイルの上方を通過することを特徴とする高インピーダンス基板。
【請求項２】
導電パターン（３）が、基板の上面（６）及び／又は下面の上に堆積された導電トラックにより構成されることを特徴とする、請求項１記載の高インピーダンス基板。
【請求項３】
導電パターン（３）が、基板の上面（６）及び／又は下面の上に堆積された導電トラックにより構成され、且つ電子部品（７）と共に電気回路を形成することを特徴とする、請求項１記載の高インピーダンス基板。
【請求項４】
電子部品（７）が、抵抗値及び容量値を有する素子であることを特徴とする、請求項３記載の高インピーダンス基板。
【請求項５】
電子部品（７）は、容量値を有する一つ以上の能動素子を含み、該容量値が、能動素子に適用される電気変数の値の関数として変化し得ることを特徴とする、請求項４記載の高インピーダンス基板。
【請求項６】
第１層又は第１シート（１）の下面に対向する上面と、下面とを有する第２層又は第２シート（２）を備えること、及び、パターン（３）の各々の少なくとも一部（３２）が前記第２シート又は第２層（２）の上面及び／又は下面に機械的に接続されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項７】
第１層又は第１シート（１）の下面に対向する上面と、下面とを有する第２層又は第２シート（２）を備えること、及び、パターン（３）の全てが前記第２シート又は第２層（２）の上面及び／又は下面に機械的に接続されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項８】
第１層又は第１シート（１）の下面に対向する上面と、下面とを有する第２層又は第２シート（２）を備えること、及び、導電パターン（３）の全て、並びにこれらのパターン（３）と共に電気回路を形成する電子部品の全てが、前記第２シート又は第２層（２）の上面及び／又は下面に機械的に接続されることを特徴とする、請求項３ないし５のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項９】
第１層又は第１シート（１）の下方に、且つ前記第１層又は第１シート（１）の下面に対向して位置するアース面（４）を更に備えることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１０】
第２層又は第２シート（２）の下方に、且つ前記第２層又は第２シート（２）の下面に対向して位置するアース面を更に備えることを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１１】
第１層又は第１シート（１）と第２層又は第２シート（２）との間に、且つ前記第１層又は第１シート（１）の下面に対向して位置するアース面を更に備えることを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１２】
アース面が、第１層又は第１シート（１）の下面をメッキすることにより形成されることを特徴とする、請求項９記載の高インピーダンス基板。
【請求項１３】
アース面が、第２層又は第２シート（２）の下面をメッキすることにより形成されることを特徴とする、請求項１０記載の高インピーダンス基板。
【請求項１４】
第１層又は第１シート（１）の上方に、且つ前記第１層又は第１シート（１）の上面に対向して位置するアース面（４）を更に備えることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１５】
アース面が、第１層又は第１シート（１）の上面を金属化することにより形成されることを特徴とする、請求項１４記載の高インピーダンス基板。
【請求項１６】
磁気タイル（５）が第１層又は第１シート（１）の上面に機械的に接続されることを特徴とする、請求項１ないし１５のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１７】
それぞれが２つの異なるポイント（９０，９ｎ−１，１１１，１１ｎ）を基板に機械的に接続される導電パターン（３）の一方又は他方と電気的に接触させ、且つ前記パターンに接続される前記磁気タイル（５）の上方を通過する、複数の電気配線（１３）を備え、導電パターン（３）とこの配線（１３）とが一緒に磁気タイル（５）周辺のソレノイドを形成することを特徴とする、請求項１ないし１６のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１８】
磁気タイル（５）が接続される複数のパターン（３）の各々が、それぞれが２つの互いに異なるポイント（９０，９ｎ−１，１１１，１１ｎ）を基板に機械的に接続される導電パターン（３）の一方又は他方と電気的に接触させ、且つ前記パターン（３）に接続される前記磁気タイル（５）の上方を通過する、複数の電気配線（１３）を備え、導電パターンの第１部分とこの配線（１３）とが一緒に磁気タイル（５）周辺のソレノイドを形成し、導電パターンの第２部分が容量素子及び／又は抵抗素子とが一緒に、前記容量素子及び／又は抵抗素子をソレノイド上で並列又は直列に接続する回路を形成することを特徴とする、請求項１ないし１６のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項１９】
磁気タイルが、磁性材料粉を含有するゴム又はプラスチック材料からなることを特徴とする、請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項２０】
磁気タイルを形成するゴム又はプラスチック材料の磁性材料粉の容積比が３０％超であることを特徴とする、請求項１９記載の高インピーダンス基板。
【請求項２１】
磁気タイルが、磁性層と絶縁層の積層体が構成する材料からなることを特徴とする、請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項２２】
前記磁気タイルに占める磁気タイル搭載面の被覆率が１０％超であることを特徴とする、請求項１ないし１９のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【請求項２３】
前記磁気タイルに占める磁気タイル搭載面の被覆率が５０％超であることを特徴とする、請求項１ないし１９のいずれか一項に記載の高インピーダンス基板。
【発明の詳細な説明】
【発明の開示】
【０００１】
技術分野
本発明は高インピーダンス基板の分野に関する。このような基板は、特に超高周波数で動作する素子に適用される。本発明は、特に電気通信だけでなく、例えば約５０ＭＨｚ〜約４ＧＨｚの周波数帯域のアンテナ形成に適している。
【０００２】
背景技術
２００２年４月に発行された欧州特許出願第１１９５８４７Ａ２号は、前記出願において引用される先行技術に関連して高インピーダンス基板の異なる公知の実施形態を開示している。
前記出願は、例えば図９及び１０に関連して高インピーダンス表面を構成する人工磁気導体９００について記載しており、この導体は、
周波数選択表面に垂直な周波数に依存する透磁率を有する周波数選択表面、
周波数選択表面に平行な導電アース面８０６、及び
アース面と周波数選択表面との間の誘電体媒体
を含み、アース面に垂直なパーテションの形態の導電金属部品が周波数選択表面をアース面に接続している。
【０００３】
表面は、人工磁性分子８０４としても知られる複数の共振ループから成る網１０２を含むため周波数選択性を示す。
これらの共振ループ又は人工磁性分子８０４は、強く容量結合する形で相互に接続されているので、周波数選択容量表面を形成している。
【０００４】
特に、それぞれが異なる周波数の共振ループを有する複数の層が構成するマルチバンド表面を含む様々な実施形態、及びこのような表面の使用法が、特にアンテナ形成に関して記載されている。
このような高インピーダンス基板がアンテナの分野において非常に有用であることが知られている。このような基板は、この高インピーダンス表面に到達する入射電磁波と相互作用するために設けられる。これらの基板によって、使用する素子のサイズが小さくなり、同時に、結果として得られるアンテナの選択特性及び指向特性が改善される。
【０００５】
発明の概要
本発明の目的は、表面が高インピーダンスを有する周波数帯域の波の中心周波数における真空中の波長に比べて短い厚さを有する高インピーダンス表面を提供することにある。本目的はまた、広帯域を実現する高インピーダンス表面を提供することにある。別の目的は、材料の特性によって表面での動作周波数に制限されない磁性材料を使用する高インピーダンス表面を提供することにある。
一の目的は、調整可能な高インピーダンス表面を提供すること、すなわちこの表面の中心周波数及び帯域が指示に従って変わるような表面を提供することである。
【０００６】
これらの全ての目的のために、本発明は、絶縁材料からなる第１層又は第１シートを備え、且つ下面及び上面を有する基板を提供する。本基板は基板に機械的に接続される複数の導電パターンを備えており、基板に機械的に接続されるこれらの導電パターンの幾つかが磁気タイルに接続されていること、及び少なくとも一つの電気配線によって、基板に機械的に接続される導電パターンの２つの異なるポイントが互いに電気的に接続され、前記導電パターンが接続磁気タイルを有し、前記電気配線が、基板に機械的に接続される前記導電パターンに接続される磁気タイルの上方を通過することを特徴とする。
【０００７】
タイルという用語は、測定空間の座標群の各々が有限区間の形で与えられ、且つ測定空間の直方体が最もシンプルな形であるような、測定空間の全てのポイントを指す。これは小型の材料片である。
【０００８】
一実施形態では、導電パターンは、絶縁材料からなる第１層又は第１シートの上面及び／又は下面に堆積させた導電トラックにより構成される。
別の実施形態では、高インピーダンス基板は、絶縁材料からなる第１層又は第１シートとは別に、第１シート又は第１層の下面に対向する上面と、下面とを有する第２層又は第２シートを備え、導電パターンは、少なくとも部分的に第１層と第２層との間で、この第２層又は第２シートの上面及び／又は下面の上に堆積している。
【０００９】
一実施形態では、導電パターンは、任意選択の形で、能動部品又は受動部品と共に電気回路を形成する。好適には、高インピーダンス基板が第２層又は第２シートを備える場合、これらの能動部品又は受動部品は、前記第２層又は第２シートの上面及び／又は下面の上に表面実装される。
一実施形態では、電子部品は抵抗値及び容量値を有する部品である。
【００１０】
一実施形態では、高インピーダンス基板は更に、上面及び下面を有する第３層又は第３シートから構成されるアース面を備え、これらの面の内の少なくとも一つが導電材料により構成される。
アース面は、第１層又は第１シートの上面の上方に位置させることができ、この場合、磁気タイルはこのアース面の上面に機械的に接続される。
アース面は、第１シート又は第１層の下方に位置してもよく、又は実施形態が第２シート又は第２層を備える場合には、第１シート又は第１層と、第２シート又は第２層との間に位置してもよく、或いは、第２シート又は第２層の下方に位置してもよい。第２シート又は第２層の下方に位置する場合、磁気タイルは第１シート又は第１層の上面に機械的に接続される。
【実施例】
【００１１】
本発明の実施形態及び本発明の他の利点について添付の図を参照しながら記載する。
図の全てにおいて、同じ参照番号は同じ機能を有する同様な構成要素を指すので、一つの図において説明した構成要素に関する記述は、後に記載される図において必ずしも繰り返さない。
【００１２】
図１は本発明の第１の実施形態の透視図である。
絶縁材料１、例えばＫａｐｔｏｎ（登録商標）からなるプレートの上面６の上に複数の導電パターン３が配置されている。磁性材料からなるタイル５はこれらの導電パターン３の各々に接続される。図１，５及び６に示す実施形態では、各タイル５は、例えば直方体、矩形の形状を有する。各導電パターン３は、全体が図１の矩形７で示される能動部品及び／又は受動部品と共に電気回路を形成する。本発明によれば、この回路は、例えば、パターン３の第１ポイント９と、第１ポイントとは異なる第２ポイント１１とを接続するワイヤ又はリボン１３の形態の電気配線により完成している。従って、パターン３の一部及び接続１３のワイヤ又はリボンが組み合わされて磁気タイル５に巻き付く一巻きを形成している。一般的には、磁気タイル５を包むように複数の巻きが設けられる。
【００１３】
複数の巻きが磁気タイル５を取り囲むソレノイドを形成する構成を可能にするパターンの実施例３の斜視図を図２に示す。パターン３は、互いに平行で、且つ例えば直方体タイル５の長辺の方向に直交する複数の導電トラック１０を含む。
トラック１０はそれぞれ２つの端部９及び１１を有する。ｎ個のトラックが設けられており、各トラックが第１端部９０〜９ｎ＿１と第２端部１１１〜１１ｎを有する。ｎ個のワイヤ又はリボン１３１〜１３ｎが設けられており、ランク接続ｐの各ワイヤ又はリボンは第１端部９ｐ＿１を第２端部１１ｐに接続する。ｎ及びｐは合計数であり、ｐはｎ以下である。図２を簡単化するために、参照符号９０，９ｎ＿１は示していない。
【００１４】
導電パターン３の一部及び接続１３により形成される巻き線は、導電パターン３の他の部分に直列又は平行に挿入される。
本発明を取り入れた高インピーダンス基板を、図１及び２に関連して記載した実施形態に従って製造した。５００×５００ｍｍ２の表面積を有し、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）を材料とする、初期状態においてその上面６が銅メッキされたプレート１を使用した。導電パターン３は、プリント回路の分野でそれ自体公知のエッチング技術を使用して銅導体層の上に形成した。トラックの形態のこれらのパターンの幅は約１ｍｍであった。容量及び抵抗は図１の７で示す位置に設けた。例示的実施形態では、容量は２１ピコファラドであり、抵抗は０．１オームであった。同様に、固定値の容量又は抵抗を付け加えるか、又はこのような容量又は抵抗を、例えば電気的に制御される可変容量値及び／又は抵抗値を有する一つ以上の能動部品に置き換えることができる。通常、部品の容量値は、電気変数、すなわち前記能動部品に印加される電圧又は電流の関数である。例えば、ＲＣ回路７の容量を簡単に変えることができるＺｅｔｅｘ社製のバラクターＺＣ８３０Ｂを使用することができる。この場合、図５に関連して本明細書で後述するように、アース面をタイル５と導電パターン３との間に挟むことが好ましく、導電パターンはこの場合、層１の下に配置される第２シート又は第２層２の上に一部又は全体が配線される。
【００１５】
例えば、鉄粉を５０％含有するエラストマーにより構成される磁性層を、例えば絶縁接着剤を用いた接着により導電パターン３の上に配置する。この材料の透磁率μ’は１１であり、ユニットよりも小さい磁気損失μ’’を有する。ここで、磁気損失は透磁率の虚数に対応することに留意されたい。
同様に、磁粉を含有するゴム又はプラスチック材料を材料として使用することができ、以下に非限定的な例を引用する。磁粉の容積比は３０％超であることが好ましい。同様に、磁性層及び絶縁層の積層体を使用することができ、この積層体は少なくとも容積比５％の磁性材料を含む。積層体の導電方向は、接続１３及びこれらの接続の補間部分であるパターン３により形成されるソレノイドの軸に平行であることが好ましい。
【００１６】
磁性材料の層を、この層の平面の２つの方向、例えば直交方向に例えば５ｍｍの深さにエッチングして磁気タイル５を得る。後述する測定のために使用した実施例では、タイル５は５×３×３０ｍｍであった。これらタイルの間の間隔を考慮すると、これらのタイルが占める表面部分は約１０％である。次にｎ個、例えばｎ＝５の導電ワイヤ１３を各タイル５の上方を通過するように配線し、各パターン３と共に、このパターンに接続されるタイル５を取り囲む５巻きの巻き線を有するソレノイドを形成する。一般的に、ソレノイドは１〜５０巻きの巻き線を含む。本実施例におけるソレノイドは、図１の四角形７で模式的に示す、抵抗及び容量によって形成されるＲＣ回路に直列接続される。
このようにして形成されるソレノイドのコアを形成する磁性材料を用いる利点は、「コアが無い」場合と比較して透磁率を有意に大きくすることができることである。
【００１７】
出願人は、上述のようにして作成した磁気タイルであって、５０％の鉄粉を含有するエラストマー材料からなる磁気タイル５から得られる透磁率及び磁気損失の測定を、ＲＣ回路の３種類の抵抗値Ｒ、０．１オーム、２オーム、及び１０オームについて行った。これらの測定の間、容量Ｃは５０ピコファラドの値に維持した。各タイル５を取り囲むソレノイドは５巻きの巻き線により構成した。
動作周波数の関数として得られる透磁率の特性を図３Ａに示す曲線により示す。
【００１８】
透磁率μ’の値を図３Ａに示す。図３Ｂは、磁気損失μ’’の値をギガヘルツ単位で表わす周波数の関数として示す。μ’’のピーク値は抵抗の値が大きくなると小さくなる。最大ピークは５であり、抵抗値が０．１の場合に最も狭い幅が得られる。この抵抗値に対応する曲線はａで示される。それぞれｃ及びｂにより示される他の２つの曲線は、それぞれ抵抗値が２オーム、及び１０オームの場合を示しており、抵抗値が増大するにつれて、高さが減少し、且つ幅が増大する形態のピークを有する。着目する実施例では、磁気損失のピークの幅は、抵抗値０．１オームに対応する１０ＭＨｚから抵抗値１０オームに対応する３５ＭＨｚに遷移する。μ’及びμ’’の大きさは、このようにして得られる高インピーダンス基板に到達する電磁波の見地からインピーダンスを調整する重要な値である。前記電磁波の供給源はプレート１の、磁気タイル５が位置する面６の側に位置する。透磁率が高いことは、広い周波数範囲に亘る高インピーダンスに有利である。
最後に、μ’及びμ’’それぞれの値を用いて、高インピーダンス基板の用途に応じて周波数に関連する損失の大きさを調整することができる。本発明によるデバイスの場合、磁気損失のピークの高さは抵抗値を単に変えることにより非常に容易に制御するか、又は変更することができる。
【００１９】
本発明によれば、磁気タイル５が面６を被覆する割合を増やすことにより透磁率及び磁気損失の大きさを制御することも同様に可能である。例えば、図３に示す値は上述した１０％の被覆率に対応する。被覆率が５０％に達するとμ’’の値が５倍に増える。従って、大きな磁気損失μ’’を得るためには、磁気タイル５が面６を被覆する被覆率を１０％超、例えば５０％又は好適には５０％超とする。これとは異なり、図３に示すμ’の値から得られるインピーダンスと同じインピーダンスを有する高インピーダンス基板を、材料を使用して作製するためには、各々が超高周波数特性を有する３つの材料を利用することが必要であり、これには、長く且つコストの高いプロセスを要し、不安定な結果を伴う。本発明によれば、ＲＣ回路７の抵抗値を正しく調整するだけで十分である。従って、例えば高インピーダンスに好ましい２００ＭＨｚでの高い透磁率μ’の状態から、インピーダンスを下げる低い透磁率の状態への遷移が可能である。回路を制御するための電気振幅の値の関数として抵抗を有する電子回路を使用すると、磁気損失μ’’のピークの高さを制御することが同様に可能である。
【００２０】
本出願人は、同じようにして、上述のようにして形成される磁気タイルであって、５０％の鉄粉を含有するエラストマー材料からなる磁気タイルによって得られる透磁率及び磁気損失の測定を、ＲＣ回路の７つの容量値、３８、３２、２１、９、５、２、及び１ピコファラドについて行った。これらの測定の間、抵抗Ｒは０．１オームの値に維持した。
図４Ａに示す７つの曲線はそれぞれ、容量Ｃの異なる値に関する透磁率μ’の値を示す。
【００２１】
横座標のギガヘルツ単位で表わす周波数の関数としての磁気損失μ’’の値を図４Ｂに示す。磁気損失ピークに対応する周波数は、容量Ｃの値が大きくなると低くなる。このように、損失ピークは、３８ピコファラドの容量値に対応する曲線上の約０．１３ギガヘルツの値において検出される。容量値が１ピコファラドの場合、損失ピークは約０．３７ギガヘルツに対応する値において検出される。他の５つの曲線の損失ピークは、これらの２つの周波数値の間の中間値において検出される。これらのピークは、容量Ｃの値が３２ｐＦから２ｐＦに減少すると大きくなる周波数値に位置する。
これらの曲線は、本発明によれば、幾つかの簡単な電子部品を付け加えるか又は選択することにより、数単位の値に達する磁気損失ピークを示す周波数応答を有する高インピーダンス表面が得られ、この高インピーダンス表面が、割り当てられたソレノイドがそれぞれ取り付けられた少ない数の磁気タイルから得られることを示している。損失ピークの周波数は、単に容量値を制御するだけで調整することができる。電子的に制御することができる容量を用いる場合、電気制御変数を変えることにより、損失ピークμ’’が最も高くなり、従って入射電磁波から見たインピーダンスが最大になる周波数に敏感に反映させ、当該周波数を高速に変化させることができる。このような回路は先行技術に公知であるので本明細書では説明を省く。
【００２２】
次に、別の実施形態について図５を参照しながら説明する。本実施形態では、導電パターン３の少なくとも一部又は全てが第２シート又は第２層２の上に配置される。この第２シート又は第２層２は２つの面、すなわち第１シート又は第１層１の下面８に対向する上面１２、及び下面１４を有する。シート又は層２の上面１２は導電パターン３の一部３２を収容する。導電パターン３の一部３２は、導電パターン３を備える回路を形成する全ての能動部品又は受動部品７を含むことが好ましい。任意選択で、導電パターン３の一部３１が、図５に示すように、第１シート又は第１層１の上面６の上に残る。第１層又は第１シート１の上面６に機械的に接続される、例えば貼り付けられる磁気タイル５に対しても同じことが当てはまる。公知の方法により、導電パターンの一部３１と導電パターンの一部３２との間の電気接続は、層又はシート１の上面と下面とを接合するメッキスルーホール１８によって確保される。特に、磁気タイル５の上方を通過する接続１３とシート又は層２上に位置する導電パターンの一部３２との間の接続は、導電パターンの一部３２が前記接続１３の補完体となってソレノイドを形成する場合、このようなメッキスルーホール１８により確保される。図５に示す実施形態では、シート又は層２の下面は、このシート又は層２がアース面を形成するようにメッキされる。従って、本実施形態では、本発明による基板は、第１層又は第１シート１の下方に、且つ前記第１層又は第１シートの下面に対向して位置するアース面を備える。
【００２３】
パターンの一部３２を循環する電流によって生じる上方に向かう電磁波リークを減らすために設けられる本実施形態の実施例では、アース面を形成する導電平板４をシート又は層１と、シート又は層２との間に挟む。導電平板は、例えば第３層又は第３シート４の形態とすることができる。図５では、層２が見えなくなることがないように、この平板の一部のみを示している。従って、この第３シート又は第３層４は、それぞれが接続通路を形成する複数のメッキスルーホール１８を備える。これらのホールの出口自体公知であるように、接続をアースするのを回避するために電気的に絶縁されている。
図５に示す実施形態の異なる形態であって、やはり上方に向かう電磁波リークの減少を可能にする形態を図６に示す。この変形実施形態では、シート又は層１の上面は、シート又は層１の各ポイントと、シート又は層２の各ポイントとを電気的に接合するメッキスルーホール１８を取り囲む箇所を除いて全体がメッキされている。次に金属タイル５が金属堆積物の上に電気絶縁接着剤を使用して貼り付けられている。メッキスルーホール１８及びこれらのホールの出口を除き、導電パターン３全体が第２シート又は第２層２の上に配線される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１の実施形態の斜視図である。
【図２】磁気タイル上方を通過する接続と共にソレノイドを構成する導電パターンの例示的実施形態を示している。
【図３】Ａ及びＢはそれぞれ、本発明による高インピーダンス基板に関して、ギガヘルツ単位の動作周波数の関数として表された曲線であり、異なる抵抗値について、Ａは透磁率μ’の実数の値を、Ｂは磁気損失μ’’の値を示す。
【図４】Ａ及びＢはそれぞれ、本発明による高インピーダンス基板に関して、ギガヘルツ単位の動作周波数の関数として表された曲線であり、異なる容量値について、Ａは透磁率μ’の値を、Ｂは磁気損失μ’’の値を示す。
【図５】本発明の第２の実施形態の斜視図である。
【図６】本発明の第３の実施形態の斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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