(57)【要約】【課題】レジストマスクが形成されていない領域上には膜を形成することを可能とし、且つ、レジストマスクの表面において膜によって覆われてない領域を広くすることを可能とする方法を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態に係る方法では、チャンバ内に基板が準備される。基板の第１領域上には、パターニングされたレジストマスクが形成されている。基板の第２領域の表面は露出されている。スパッタリングによりチャンバ内で基板上に膜が形成される。ターゲットから斜め下方に放出される粒子を基板に入射させることにより、膜が基板上に形成される。【選択図】図１
2019199630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成する方法であって、
チャンバ内に前記基板を準備する工程であり、該基板は第１領域及び第２領域を有し、パターニングされたレジストマスクが第１領域上に形成されており、第２領域の表面は露出されている、該工程と、
スパッタリングにより前記チャンバ内で前記基板上に膜を形成する工程と、
を含み、
前記レジストマスクのパターンに対して規定される所定方向とターゲットの表面の法線方向との関係を維持しながら、該ターゲットから斜め下方に放出される粒子を前記基板に入射させることにより、前記膜が前記基板上に形成される、方法。
【請求項２】
前記レジストマスクの前記パターンは、ライン・アンド・スペースパターンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定方向は、前記ライン・アンド・スペースパターンにおいて複数のラインと複数のスペースが交互に配列されている方向である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のラインの各々の高さｈ、前記複数のスペースの各々の幅ＣＤＳＰＣ、及び前記法線方向と水平面がなす角度θとの関係は、
ＣＤＳＰＣ≦ｈ／ｔａｎθ
を満たす、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基板上に膜を形成する前記工程の実行後、リフトオフプロセスにより前記レジストマスクを除去する工程を更に含む、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記膜は、金属含有膜である、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記金属含有膜は、チタン、タングステン、アルミ、チタンの酸化物若しくは窒化物、タングステン酸化物若しくは窒化物、又は、アルミニウムの酸化物若しくは窒化物から形成される、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、膜を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リフトオフプロセスが、パターニングされた膜を形成する技術において用いられている。この技術では、基板の一部領域上にレジストマスクが形成される。そして、スパッタリングにより基板上に膜が形成される。しかる後に、レジストマスクがリフトオフされる。膜は、その上にレジストマスクが形成されている領域からは除去される。膜は、その上にレジストマスクが形成されていない領域上には残される。このような技術は、特開２００７−２００９６６号公報に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２００９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
効率的なリフトオフを可能にするためには、レジストマスクの表面のうち剥離液（又は化学種）がそこからレジストマスク内に浸透可能な領域を広くする必要がある。したがって、レジストマスクが形成されていない領域上には膜を形成することを可能とする一方、レジストマスクの表面において膜によって覆われてない領域を広くすることが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの例示的実施形態においては、基板上に膜を形成する方法が提供される。この方法は、チャンバ内に基板を準備する工程と、スパッタリングによりチャンバ内で基板上に膜を形成する工程と、を含む。基板は、第１領域及び第２領域を有する。パターニングされたレジストマスクが第１領域上に形成されている。第２領域の表面は露出されている。レジストマスクのパターンに対して規定される所定方向とターゲットの表面の法線方向との関係を維持しながら、ターゲットから斜め下方に放出される粒子を基板に入射させることにより、膜が基板上に形成される。
【発明の効果】
【０００６】
一つの例示的実施形態によれば、第２領域上には膜を形成することが可能である一方で、レジストマスクの表面において膜によって覆われてない領域を広くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一つの例示的実施形態に係る膜を形成する方法を示す流れ図である。
【図２】一例の基板の一部拡大断面図である。
【図３】一例の第１領域を示す平面図である。
【図４】一例の第１領域の一部拡大断面図である。
【図５】その上にレジストマスクが形成された一例の第１領域の平面図である。
【図６】一例の第１領域及びレジストマスクの一部拡大断面図である。
【図７】図１に示す方法において用いることが可能な一例の成膜装置を概略的に示す図である。
【図８】図７に示す一例の成膜装置の第１のホルダ、第２のホルダ、及び遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び基板と共に示す斜視図である。
【図９】図１に示す一例の成膜装置の遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す平面図である。
【図１０】図１に示す方法の工程ＳＴ２の実行後の状態における一例の基板の一部拡大断面図である。
【図１１】図１に示す方法の工程ＳＴ３の実行後の状態における一例の基板の一部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
【０００９】
一つの例示的実施形態においては、基板上に膜を形成する方法が提供される。この方法は、チャンバ内に基板を準備する工程と、スパッタリングによりチャンバ内で基板上に膜を形成する工程と、を含む。基板は、第１領域及び第２領域を有する。パターニングされたレジストマスクが第１領域上に形成されている。第２領域の表面は露出されている。レジストマスクのパターンに対して規定される所定方向とターゲットの表面の法線方向との関係を維持しながら、ターゲットから斜め下方に放出される粒子を基板に入射させることにより、膜が基板上に形成される。
【００１０】
上記実施形態によれば、ターゲットからの粒子が斜めに基板に入射するので、粒子の入射方向において隠された部分には、膜が形成されない。したがって、第２領域上には膜が形成される一方で、レジストマスク上には部分的に膜が形成される。故に、レジストマスクの表面において膜によって覆われてない領域が広くなる。
【００１１】
一つの例示的実施形態において、レジストマスクのパターンは、ライン・アンド・スペースパターンであってもよい。
【００１２】
一つの例示的実施形態において、所定方向は、ライン・アンド・スペースパターンにおいて複数のラインと複数のスペースが交互に配列されている方向であってもよい。
【００１３】
一つの例示的実施形態において、複数のラインの各々の高さｈ、複数のスペースの各々の幅ＣＤＳＰＣ、及び法線方向と水平面がなす角度θとの関係は、ＣＤＳＰＣ≦ｈ／ｔａｎθを満たし得る。この実施形態によれば、レジストマスクのスペースにおいて露出されている第１領域の表面上に膜が形成されることを抑制することが可能となる。
【００１４】
一つの例示的実施形態において、方法は、基板上に膜を形成する工程の実行後、リフトオフプロセスによりレジストマスクを除去する工程を更に含み得る。
【００１５】
一つの例示的実施形態において、膜は、金属含有膜であってもよい。金属含有膜は、チタン、タングステン、アルミ、チタンの酸化物若しくは窒化物、タングステン酸化物若しくは窒化物、又は、アルミニウムの酸化物若しくは窒化物から形成されてもよい。
【００１６】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１７】
図１は、一つの例示的実施形態に係る膜を形成する方法を示す流れ図である。図１に示す方法ＭＴは、工程ＳＴ１で開始する。工程ＳＴ１では、成膜装置のチャンバ内に基板が準備される。図２は、一例の基板の一部拡大断面図である。図２に示す基板Ｗは、例えば円盤形状を有し得る。基板Ｗは、矩形の平面形状を有していてもよい。
【００１８】
基板Ｗは、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２を含む。基板Ｗにおける第１領域Ｒ１の個数は任意である。また、基板Ｗにおける第２領域Ｒ２の個数も任意である。第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２は、基板Ｗの表面を提供している。方法ＭＴは、第２領域Ｒ２上に膜を形成する一方で、第１領域Ｒ１上に形成された膜のリフトオフプロセスによる除去を容易にする。
【００１９】
第１領域Ｒ１は、限定されるものではないが、例えば重ね合わせマークを有する領域である。図３は、一例の第１領域を示す平面図である。図４は、一例の第１領域の一部拡大断面図である。一例において、第１領域Ｒ１は、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、及び第３層Ｌ３を含んでいる。第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、及び第３層Ｌ３は、第２領域Ｒ２を構成していてもよい。なお、第１領域Ｒ１を構成する層の個数、第２領域Ｒ２を構成する層の個数は限定されるものではない。
【００２０】
第１層Ｌ１は、下地層である。第１層Ｌ１は、例えばシリコン窒化物から形成されている。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１上に設けられている。第２層Ｌ２は、例えば銅から形成されている。第１領域Ｒ１において、第２層Ｌ２はパターニングされている。第２層Ｌ２に形成されたパターンは、重ね合わせマークを構成してもよい。第３層Ｌ３は、第２層Ｌ２を覆うように第２層Ｌ２上に設けられている。第３層Ｌ３は、例えば層間絶縁膜である。第３層Ｌ３は、光学的に透明な材料から形成されている。第３層Ｌ３は、例えばシリコン酸化物から形成されている。
【００２１】
図２に示すように、第１領域Ｒ１上にはレジストマスクＲＭが形成されている。一方、第２領域Ｒ２の表面（上面）は露出されている。即ち、レジストマスクＲＭは、第２領域Ｒ２上には形成されていない。第１領域Ｒ１上のレジストマスクＲＭは、パターニングされている。レジストマスクＲＭは、例えばフォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト膜をパターニングすることにより形成される。図５は、その上にレジストマスクが形成された一例の第１領域の平面図である。図２及び図５に示すように、レジストマスクＲＭのパターンは、ライン・アンド・スペースパターンであってもよい。即ち、一例において、レジストマスクＲＭのパターンは、交互に配列された複数のラインＬＮ及び複数のスペースＳＰを含んでいる。なお、レジストマスクＲＭのパターンは、ライン・アンド・スペースパターン以外の任意のパターンであってもよい。
【００２２】
図６は、一例の第１領域及びレジストマスクの一部拡大断面図である。図６に示すように、複数のラインＬＮの各々は、高さｈを有する。高さｈは、複数のラインＬＮの各々の膜厚である。複数のスペースＳＰの各々は、幅ＣＤＳＰＣを有する。一実施形態において、高さｈ、幅ＣＤＳＰＣは、下記の（１）式を満たし得る。
ＣＤＳＰＣ≦ｈ／ｔａｎθ      …（１）
（１）式において、θは、後述するターゲットの法線方向ＮＤと水平面がなす角度である。
【００２３】
方法ＭＴの工程ＳＴ１では、上述したように、成膜装置のチャンバ内に基板が準備される。図７は、図１に示す方法において用いることが可能な一例の成膜装置を概略的に示す図である。図７においては、成膜装置１０が部分的に破断された状態で示されている。図８は、図７に示す一例の成膜装置の第１のホルダ、第２のホルダ、及び、遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す斜視図である。図９は、図７に示す一例の成膜装置の遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す平面図である。成膜装置１０は、スパッタリングによって成膜を行う装置である。成膜装置１０は、チャンバ１２、支持体１４、移動装置１６、遮蔽部材１８、第１のホルダ２０、及び第２のホルダ２２を備えている。
【００２４】
チャンバ１２は、その中に内部空間１２ｃを提供している。チャンバ１２は、本体部１２ａ及び蓋部１２ｂを有し得る。本体部１２ａは、略円筒形状を有し得る。本体部１２ａの上端は開口されている。蓋部１２ｂは、本体部１２ａの上端の開口を閉じるように、本体部１２ａの上端の上に設けられている。
【００２５】
チャンバ１２の底部には、排気口１２ｅが形成されている。この排気口１２ｅには、排気装置２４が接続されている。排気装置２４は、圧力制御装置及び減圧ポンプを含み得る。圧力制御装置は、例えば自動圧力制御弁である。減圧ポンプは、ターボ分子ポンプ及び／又はドライポンプを含み得る。チャンバ１２の側壁には、開口１２ｐが形成されている。基板Ｗは、内部空間１２ｃとチャンバ１２の外部との間で搬送されるときに、開口１２ｐを通過する。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能になっている。チャンバ１２には、内部空間１２ｃにガスを導入するためのポート１２ｉが設けられている。内部空間１２ｃには、ガス供給部からのガス、例えば、不活性ガスがポート１２ｉを介して導入される。
【００２６】
支持体１４は、内部空間１２ｃの中に設けられている。支持体１４は、その上に搭載される基板Ｗを支持するように構成されている。基板Ｗは、その表面が略水平に維持されるように、支持体１４上に搭載される。
【００２７】
移動装置１６は、基板Ｗの表面を水平に維持しつつ、支持体１４を移動させる。移動装置１６は、支持体１４によって支持された基板Ｗの中心が直線経路ＬＰ上で移動するように、支持体１４を移動させる。直線経路ＬＰは仮想の水平面内にある直線状の経路である。直線経路ＬＰは、水平面内において、一方向、即ち移動方向ＭＤに延びる経路である。移動方向ＭＤは、図７〜図９においては、Ｘ方向に一致している。
【００２８】
移動装置１６は、駆動装置１６ａ及び多関節アーム１６ｂを含み得る。駆動装置１６ａは、多関節アーム１６ｂの一端をＸ方向に移動させるための駆動力を発生する。駆動装置１６ａは、例えばモータである。多関節アーム１６ｂの一端には、支持体１４が取り付けられている。多関節アーム１６ｂの他端は、駆動装置１６ａの駆動軸に軸支されている。
【００２９】
遮蔽部材１８は、内部空間１２ｃの中に設けられている。遮蔽部材１８は、移動装置１６によって基板Ｗが移動される領域の上方に設けられている。遮蔽部材１８は、移動装置１６によって基板Ｗが移動される領域の上方において略水平に延在する板状をなしている。この遮蔽部材１８によって、内部空間１２ｃは、上方空間と下方空間とに区画される。内部空間１２ｃの下方空間は、移動装置１６によって基板Ｗが移動される領域を含む。
【００３０】
遮蔽部材１８には、スリット１８ｓが形成されている。スリット１８ｓは、鉛直方向（即ち、Ｚ方向）において、遮蔽部材１８を貫通している。このスリット１８ｓは、Ｙ方向に延在している。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、移動方向ＭＤ（即ち、Ｘ方向）に直交する方向である。スリット１８ｓは、Ｙ方向において長く延びており、例えば略矩形形状を有している。即ち、スリット１８ｓのＹ方向における幅はスリット１８ｓのＸ方向における幅よりも長い。スリット１８ｓのＹ方向における幅は、基板ＷのＹ方向における幅よりも大きい。一方、スリット１８ｓのＸ方向における幅は、基板ＷのＸ方向における幅よりも小さい。スリット１８ｓは、仮想の垂直面ＶＰに対して対称に延在している。この垂直面ＶＰは、Ｘ方向及びＺ方向に延びる仮想の平面であり、直線経路ＬＰを含む平面である。
【００３１】
第１のホルダ２０は、第１のターゲット２６を保持する。第１のターゲット２６は、例えば略矩形の平面形状を有する。第１のターゲット２６の表面（露出している表面）のサイズは、基板Ｗのサイズよりも小さい。例えば、第１のターゲット２６の表面（露出している表面）のＹ方向における幅は、基板ＷのＹ方向における幅よりも小さい。また、第１のターゲット２６の表面（露出している表面）のＹ方向に直交する方向における幅は、基板ＷのＸ方向における幅よりも小さい。
【００３２】
第１のホルダ２０は、導電性を有する材料から形成されている。第１のホルダ２０は、遮蔽部材１８の上方に設けられている。第１のホルダ２０は、絶縁性の部材を介してチャンバ１２に取り付けられている。第１のホルダ２０は、絶縁性の部材を介して蓋部１２ｂに取り付けられている。
【００３３】
第１のホルダ２０は、第１のターゲット２６の表面の法線方向である第１の法線方向ＮＤ１が下方に傾斜し、且つ、第１のターゲット２６の表面が、移動される基板Ｗにスリット１８ｓを介して対面するように、第１のターゲット２６を保持する。
【００３４】
第２のホルダ２２は、第２のターゲット２８を保持する。第２のターゲット２８は、例えば略矩形の平面形状を有する。第２のターゲット２８の表面（露出している表面）のサイズは、基板Ｗのサイズよりも小さい。例えば、第２のターゲット２８の表面（露出している表面）のＹ方向における幅は、基板ＷのＹ方向における幅よりも小さい。また、第２のターゲット２８の表面（露出している表面）のＹ方向に直交する方向における幅は、基板ＷのＸ方向における幅よりも小さい。
【００３５】
第２のホルダ２２は、導電性を有する材料から形成されている。第２のホルダ２２は、遮蔽部材１８の上方に設けられている。第２のホルダ２２は、絶縁性の部材を介してチャンバ１２に取り付けられている。第２のホルダ２２は、絶縁性の部材を介して蓋部１２ｂに取り付けられている。
【００３６】
第２のホルダ２２は、第２のターゲット２８の表面の法線方向である第２の法線方向ＮＤ２が下方に傾斜し、且つ、第２のターゲット２８の表面が、移動される基板Ｗにスリット１８ｓを介して対面するように、第２のターゲット２８を保持する。
【００３７】
第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を、直線経路ＬＰを含む垂直面ＶＰに対して対称に配置するように、設けられている。第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２は、垂直面ＶＰに対して対称に配置されている。
【００３８】
第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１の法線方向ＮＤ１の水平成分及び第２の法線方向ＮＤ２の水平成分が移動方向ＭＤに対して平行であるように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持する。
【００３９】
第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、距離Ｌｔが、移動方向ＭＤに直交する方向（即ち、Ｙ方向）における基板Ｗの最大幅の１倍以上、２．６６倍以下であるように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持する。距離Ｌｔは、第１のターゲット２６の表面の中心と第２のターゲット２８の表面の中心との間の距離である。
【００４０】
第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２には、一以上の電源３０が電気的に接続されている。一以上の電源３０は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８が金属材料である場合には、直流電源であり得る。一以上の電源３０は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８が誘電体又は絶縁体である場合には、高周波電源であり、対応の整合器を介して第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に接続される。
【００４１】
第１のホルダ２０に電源３０からの電圧が印加されると、当該電圧は第１のターゲット２６にも印加される。第２のホルダ２２に電源３０からの電圧が印加されると、当該電圧は第２のターゲット２８にも印加される。成膜装置１０は、二つの電源３０を備えていてもよい。二つの電源３０のうち一方は、第１のホルダ２０に電気的に接続され、二つの電源３０のうち他方は、第２のホルダ２２に電気的に接続される。或いは、成膜装置１０は、単一の電源３０を備えていてもよい。単一の電源３０は、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２の双方に電気的に接続される。
【００４２】
成膜装置１０は、制御部３２を更に備え得る。制御部３２は、成膜装置１０の各部を制御する。制御部３２は、例えばコンピュータ装置であり、ＣＰＵといったプロセッサ、及び、メモリといった記憶装置を有する。制御部３２の記憶装置には、成膜装置１０の各部の制御のためにプロセッサによって実行されるプログラム及びレシピデータが記憶されている。
【００４３】
制御部３２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に対する一以上の電源３０からの電圧の印加を制御する。制御部３２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８から同時にそれぞれの粒子が放出されるように、一以上の電源３０を制御する。例えば、制御部３２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に同時に電圧が印加されるように、一以上の電源３０を制御する。
【００４４】
成膜装置１０による膜の形成時には、基板Ｗが内部空間１２ｃ内に搬入されて、支持体１４上に搭載される。そして、ガス供給部からのガスが内部空間１２ｃに導入される。また、排気装置２４によって内部空間１２ｃが減圧される。さらに、移動装置１６によって基板Ｗが移動方向ＭＤに沿って移動されている間、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に対して一以上の電源３０から電圧が印加される。これにより、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８それぞれからの粒子が放出される。放出された粒子は、基板Ｗ上に堆積する。その結果、基板Ｗ上に膜が形成される。なお、基板Ｗに対する成膜中に、基板Ｗは、直線経路ＬＰ上で移動方向ＭＤ及びその反対方向の双方に繰り返し移動されてもよい。
【００４５】
別の例において、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１の法線方向ＮＤ１及び第２の法線方向ＮＤ２が垂直面ＶＰに交差するように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持してもよい。換言すると、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１の法線方向ＮＤ１及び第２の法線方向ＮＤ２が下方に傾斜し、且つ、垂直面ＶＰと鋭角をなすように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持してもよい。
【００４６】
再び図１を参照する。以下、図２に示す基板Ｗが処理される場合を例として、方法ＭＴを詳細に説明する。以下の説明では、図１と共に、図１０及び図１１を参照する。図１０は、図１に示す方法の工程ＳＴ２の実行後の状態における一例の基板の一部拡大断面図である。図１１は、図１に示す方法の工程ＳＴ３の実行後の状態における一例の基板の一部拡大断面図である。
【００４７】
工程ＳＴ２では、スパッタリングにより成膜装置のチャンバ内で基板Ｗ上に膜ＴＦが形成される。工程ＳＴ２では、図１０に示すように、所定方向ＰＤと成膜装置のターゲットの表面の法線方向ＮＤとの関係を維持しながら、当該ターゲットから斜め下方に放出される粒子を基板Ｗに入射させることにより、膜ＴＦが形成される。所定方向ＰＤは、レジストマスクＲＭのパターンに対して規定される方向である。図２、図５、及び図１０に示す例では、所定方向ＰＤは、レジストマスクＲＭのパターンにおける複数のラインＬＮと複数のスペースＳＰが交互に配列されている方向である。所定方向ＰＤは、レジストマスクＲＭのパターンに対して一意に規定される方向であれば、限定されるものではない。法線方向ＮＤは、工程ＳＴ２において使用される成膜装置のターゲットの表面の法線方向である。法線方向ＮＤは、図１０に示すように、下方に傾斜している。
【００４８】
成膜装置１０が工程ＳＴ２において用いられる場合には、基板Ｗは、支持体１４上に搭載される。工程ＳＴ２では、ガス供給部からのガスが内部空間１２ｃに導入される。工程ＳＴ２では、排気装置２４によって内部空間１２ｃが減圧される。さらに、工程ＳＴ２では、移動装置１６によって基板Ｗが移動方向ＭＤに沿って移動される。工程ＳＴ２では、所定方向ＰＤが移動方向ＭＤに略一致するように、基板Ｗが移動される。工程ＳＴ２では、基板Ｗに対する成膜中に、基板Ｗは、直線経路ＬＰ上で移動方向ＭＤ及びその反対方向の双方に繰り返し移動されてもよい。工程ＳＴ２では、基板Ｗが移動されている間、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に対して一以上の電源３０から電圧が印加される。その結果、第１のターゲット２６から斜め下方に、即ち主として第１の法線方向ＮＤ１に、粒子が放出される。また、第２のターゲット２８から斜め下方に、即ち主として第２の法線方向ＮＤ２に、粒子が放出される。なお、成膜装置１０が工程ＳＴ２において用いられる場合には、図１０の法線方向ＮＤは、第１の法線方向ＮＤ１及び第２の法線方向ＮＤ２と一致する。
【００４９】
工程ＳＴ２では、膜ＴＦの形成中に、所定方向ＰＤと法線方向ＮＤとの関係が維持される。即ち、工程ＳＴ２では、基板Ｗをその中心周りに回転させずに、膜ＴＦが形成される。工程ＳＴ２では、図１０に示すように、成膜装置のターゲットからの粒子が斜めに基板Ｗに入射するので、粒子の入射方向において隠された部分には、膜ＴＦが形成されない。したがって、第２領域Ｒ２上には膜ＴＦが形成される一方で、レジストマスクＲＭ上には部分的に膜ＴＦが形成される。故に、レジストマスクＲＭの表面において膜ＴＦによって覆われてない領域が広くなる。
【００５０】
膜ＴＦは、限定されるものではないが、金属含有膜であり得る。金属含有膜は、例えば、チタン、タングステン、アルミ、チタンの酸化物若しくは窒化物、タングステン酸化物若しくは窒化物、又は、アルミニウムの酸化物若しくは窒化物から形成される。成膜装置のターゲット、例えば第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８は、膜ＴＦを構成する材料から形成される。
【００５１】
上述したように、高さｈ、幅ＣＤＳＰＣは、及び角度θは、（１）式を満たしていてもよい。この場合には、レジストマスクＲＭの複数のスペースＳＰにおいて露出されている第１領域Ｒ１の表面上に膜ＴＦが形成されることを抑制することが可能となる。
【００５２】
方法ＭＴは、工程ＳＴ３を更に含み得る。工程ＳＴ３は、工程ＳＴ２の実行後に実行される。工程ＳＴ３では、リフトオフプロセスによりレジストマスクＲＭが除去される。リフトオフプロセスでは、有機溶剤を用いてレジストマスクＲＭが除去されてもよい。或いは、プラズマ処理装置を用いた酸素プラズマによるプラズマ処理又は加熱処理装置を用いた加熱処理によって、レジストマスクＲＭが除去されてもよい。工程ＳＴ３においてリフトオフプロセスが実行されると、図１１に示すように、レジストマスクＲＭに加えて、レジストマスクＲＭ上に堆積していた膜ＴＦも除去される。一方、第２領域Ｒ２上の膜ＴＦは、維持される。したがって、第１領域Ｒ１に対して第２領域Ｒ２上に選択的に膜ＴＦを形成することが可能となる。
【００５３】
上述したように、工程ＳＴ２では、レジストマスクＲＭの表面において膜ＴＦによって覆われてない領域が広くなるように、膜ＴＦが形成される。したがって、工程ＳＴ３において、剥離液（又は化学種）が容易にレジストマスクＲＭ内に浸透する。その結果、効率的なリフトオフが実現される。
【００５４】
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
【００５５】
例えば、方法ＭＴの実行において用いられる成膜装置は、単一のターゲット又は三つ以上のターゲットを有していてもよい。方法ＭＴの実行には、上述した入射方向にターゲットからの粒子を入射させることが可能であれば、任意の成膜装置が用いられてもよい。
【００５６】
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【００５７】
１２…チャンバ、２６…第１のターゲット，２８…第２のターゲット、ＭＴ…方法、Ｗ…基板、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、ＲＭ…レジストマスク、ＴＦ…膜、ＮＤ…法線方向、ＰＤ…所定方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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