(57)【要約】【課題】実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑え、半導体チップを確実に積層実装することができる実装装置及び実装方法を提供する。【解決手段】バンプ面側に予め接着剤が設けられた半導体チップを仮圧着させる仮圧着部と、前記仮圧着部で仮圧着された半導体チップをはんだ接続させる本圧着部と、を備える実装装置であって、前記本圧着部における本圧着処理時間内に、前記本圧着部で本圧着された半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理部をさらに備えるように構成する。【選択図】図１
2019110187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ面側に予め接着剤が設けられた半導体チップを仮圧着させる仮圧着部と、
前記仮圧着部で仮圧着された半導体チップをはんだ接続させる本圧着部と、
を備える実装装置であって、
前記本圧着部における本圧着処理時間内に、前記本圧着部で本圧着された半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理部をさらに備えることを特徴とする実装装置。
【請求項２】
前記半導体チップを実装する基板は、一方向に延びる帯形状を有しており、前記仮圧着部、前記本圧着部、及び、前記ポストキュア処理部がこの順で前記基板の延びる方向に配列されて設けられており、前記基板の搬送に伴って、これらが順次処理されることを特徴とする請求項１に記載の実装装置。
【請求項３】
実装された半導体チップ上に別の半導体チップを実装するための仮圧着部及び本圧着部が、先に実装された半導体チップを実装するための仮圧着部及び本圧着部とは別に設けられており、ポストキュア処理部は、先に実装された半導体チップを実装するための本圧着部と、その次に実装される半導体チップを実装するための仮圧着部との間に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の実装装置。
【請求項４】
前記本圧着部には、半導体チップを基板側に押圧する本圧着ヘッド部が基板に対して接離動作可能に設けられており、前記ポストキュア処理部は、この本圧着ヘッド部と同調して基板に対して接離動作可能なポストキュアヘッド部を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の実装装置。
【請求項５】
前記ポストキュアヘッド部には、前記接着剤をはんだ融点以下に加熱するヒータが設けられていることを特徴とする請求項４に記載の実装装置。
【請求項６】
バンプ面側に予め接着剤が設けられた半導体チップを仮圧着させる仮圧着工程と、
前記仮圧着部で仮圧着された半導体チップをはんだ接続させる本圧着工程と、
を有する実装方法であって、
前記本圧着工程における本圧着処理時間内に、前記本圧着工程で本圧着された半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理工程をさらに備えることを特徴とする実装方法。
【請求項７】
前記仮圧着工程と前記本圧着工程とを複数回繰り返して基板上に複数層の半導体チップを実装する実装方法であって、
前記ポストキュア処理工程は、先に実装される半導体チップを実装するための本圧着工程の後、実装された半導体チップ上に実装される半導体チップを実装するための仮圧着工程の前に行われることを特徴とする請求項６に記載の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを実装する実装装置及び実装方法に関し、特に、仮本分離プロセスにより半導体チップを熱圧着して実装する実装装置及び実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器を構成する半導体集積デバイスは、配線パターンが形成された基板上に複数の半導体チップを実装することにより構成されている。半導体チップの実装では、２次元的な集積化から、半導体集積デバイス端末の高容量化、高速化、高密度化に対応するため、３次元的に集積化される３次元実装技術が開発されている。すなわち、複数の半導体チップを高さ方向に積層させることにより積層半導体が形成される。
【０００３】
この積層半導体は、例えば仮本分割プロセスにより半導体チップを熱圧着させることにより形成される。まず、図１０に示す実装装置１００の仮圧着部１０１により、配線パターンが形成された基板Ｗ上に半導体チップ（ボトムチップ１０４ともいう）を仮圧着させる。この仮圧着部１０１は、図１１に示すように、各ボトムチップ１０４を吸着保持する仮圧着ヘッド部１０２と、基板Ｗを載置する仮圧着ステージ１０３とを有しており、仮圧着ヘッド部１０２によりボトムチップ１０４を基板Ｗの所定位置に移動させ仮圧着させる。具体的には、ボトムチップ１０４は、端子１２０を有するバンプ面１０５に予めＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等の接着剤１０６（熱硬化性樹脂）が塗布、又は、貼り付けされており、仮圧着ヘッド部１０２によりパンプ面１０５が基板Ｗと対向するように吸着保持しつつ、基板Ｗ上の所定位置にボトムチップ１０４を移動させる。そして、ボトムチップ１０４を基板Ｗ上に載置し、ボトムチップ１０４を基板Ｗ側に加圧しつつ所定時間（仮圧着時間）保持することにより、基板Ｗ上にボトムチップ１０４を仮圧着させる。すなわち、仮圧着ヘッド部１０２にはヒータ１０７が設けられており、基板Ｗ上にボトムチップ１０４を仮圧着時間保持することによりバンプ面１０５の接着剤１０６が加熱され所定の粘度になることにより、ボトムチップ１０４が基板Ｗ上に仮固定（仮圧着）される。
【０００４】
次に、仮圧着されたボトムチップ１０４を基板Ｗ上に本圧着する。実装装置１００の本圧着部１１０は、図１０、図１２に示すように、基板Ｗを載置する本圧着ステージ１１１と、ボトムチップ１０４を加熱加圧させる本圧着ヘッド部１１２とを有しており、基板Ｗ上に仮圧着された複数のボトムチップ１０４が本圧着ヘッド部１１２により同時に加熱、加圧されることによりボトムチップ１０４が本圧着されるようになっている。すなわち、本圧着ヘッド部１１２にはヒータ１１３が設けられており、図１２（ａ）から図１２（ｂ）に示すように、本圧着ヘッド部１１２を下降させて複数のボトムチップ１０４を基板Ｗ側に加圧しつつ加熱されることにより、バンプ面１０５がはんだ融点以上に加熱され、バンプのはんだ部分１１４が溶融し、ボトムチップ１０４が基板Ｗ上に実装される。
【０００５】
次に、基板Ｗ上に実装されたボトムチップ１０４上に別の半導体チップ（積層チップ１１５ともいう）が実装される。すなわち、ボトムチップ１０４と同様に、上述の仮圧着部１０１において、仮圧着ヘッド部１０２によりバンプ面１１６が基板Ｗと対向するように吸着保持された積層チップ１１５が、所定のボトムチップ１０４上に載置された後、基板Ｗ側に加圧され所定時間保持されることによりバンプ面１０５の接着剤１０６が加熱され所定の粘度になることにより、積層チップ１１５がボトムチップ１０４上に仮圧着される（図１３（ａ））。そして、上述の本圧着部１１０において、図１３（ｂ）に示すように、複数の積層チップ１１５が本圧着ヘッド部１１２により同時に加熱、加圧されることにより、積層チップ１１５のバンプ面１０５がはんだ融点以上に加熱され積層チップ１１５がボトムチップ１０４上に本圧着される。なお、積層チップ１１５は、半導体チップ１枚で構成されていても、複数枚で構成されていてもよい。このように仮本分離プロセスを経て複数の半導体チップが高さ方向に積層されることにより、基板Ｗ上に積層半導体が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−９８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述の実装装置１００による実装方法では、積層半導体が精度よく形成することが困難であるという問題があった。すなわち、半導体チップ（例えばボトムチップ１０４）が本圧着部１１０では、バンプ面１０５がはんだ溶融温度まで加熱されるため、バンプ面１０５の接着剤１０６の硬化温度よりも高い温度に加熱される。ところが、接着剤１０６の中には、接着剤１０６が硬化するまで硬化温度で所定時間保持を要するものが存在しており、はんだ１１４の溶融により電気的接続が完了しただけでは接着剤１０６が完全には硬化していない場合がある。このような状態で積層半導体を形成する際、半導体チップ（ボトムチップ１０４）上に別の半導体チップ（積層チップ１１５）を本圧着すると、本圧着ヘッド部１１２による加圧力で接着剤１０６が変形し、端子１２０自体が損傷する虞がある。特に、基板Ｗ上に圧着されるボトムチップ１０４としてコントロールチップ、積層チップ１１５としてメモリチップを圧着する場合、ボトムチップ１０４のバンプ密度が積層チップ１１５のバンプ密度より小さいため、ボトムチップ１０４のバンプそれぞれが受ける本圧着ヘッド部１１２の加圧力が大きくなり、積層チップ１１５の本圧着部１１０において端子１２０が損傷する傾向が顕著であった。
【０００８】
一方、ボトムチップ１０４の本圧着部１１０で接着剤１０６が硬化するまで硬化温度で保持させることも考えられる。ところが、本圧着部１１０ではんだ１１４の溶融によるバンプの電気的接続が完了しているにもかかわらず、さらに接着剤１０６が硬化まで加熱保持すると、本圧着部１１０における本圧着時間が長くなり、実装全体のタクトタイムが長くなってしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑え、半導体チップを確実に積層実装することができる実装装置及び実装方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明の実装装置は、バンプ面側に予め接着剤が設けられた半導体チップを仮圧着させる仮圧着部と、前記仮圧着部で仮圧着された半導体チップをはんだ接続させる本圧着部と、を備える実装装置であって、前記本圧着部における本圧着処理時間内に、前記本圧着部で本圧着された半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理部をさらに備えることを特徴としている。
【００１１】
上記実装装置によれば、半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理部を備えているため、本圧着部で本圧着された半導体チップの接着剤を確実に硬化させることができる。そして、ポストキュア処理部は、本圧着処理時間内に接着剤を硬化させるため、接着剤の硬化処理を圧着処理に必要な処理時間内に行うことができる。したがって、本圧着部で本圧着処理の後、その本圧着部で接着剤を硬化させる場合に比べて、接着剤の硬化に要する時間が新たに発生することがない。よって、実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑えて、半導体チップを確実に積層実装することができる。
【００１２】
また、前記半導体チップを実装する基板は、一方向に延びる帯形状を有しており、前記仮圧着部、前記本圧着部、及び、前記ポストキュア処理部がこの順で前記基板の延びる方向に配列されて設けられており、前記基板の搬送に伴って、これらが順次処理される構成にしてもよい。
【００１３】
この構成によれば、１枚の基板に対して、仮圧着処理、本圧着処理、ポストキュア処理を同時に行うことができる。
【００１４】
また、実装された半導体チップ上に別の半導体チップを実装するための仮圧着部及び本圧着部が、先に実装された半導体チップを実装するための仮圧着部及び本圧着部とは別に設けられており、ポストキュア処理部は、先に実装された半導体チップを実装するための本圧着部と、その次に実装される半導体チップを実装するための仮圧着部との間に配置されている構成としてもよい。
【００１５】
この構成によれば、仮圧着部、本圧着部、ポストキュア処理部を各半導体チップ毎に独立して設けられているため、半導体チップ毎にはんだ溶融温度、接着剤の硬化温度が異なる場合であっても、仮圧着部、本圧着部、ポストキュア処理部の設定温度を変えることなくそれぞれ処理することができる。
【００１６】
また、前記本圧着部には、半導体チップを基板側に押圧する本圧着ヘッド部が基板に対して接離動作可能に設けられており、前記ポストキュア処理部は、この本圧着ヘッド部と同調して基板に対して接離動作可能なポストキュアヘッド部を備えている構成にしてもよい。
【００１７】
この構成によれば、ポストキュアヘッド部が本圧着ヘッド部と同調して接離動作するため、ポストキュア処理が本圧着処理時間を超えて行われるのを抑えることができる。
【００１８】
また、前記ポストキュアヘッド部には、前記接着剤をはんだ融点以下に加熱するヒータが設けられている構成にしてもよい。
【００１９】
この構成によれば、ポストキュアヘッド部に保持された半導体チップに近いところに熱源を設けることができるため、保持された半導体チップを接着剤の硬化温度に維持しやすくなる。
【００２０】
また、上記課題を解決するために本発明の実装方法は、バンプ面側に予め接着剤が設けられた半導体チップを仮圧着させる仮圧着工程と、前記仮圧着部で仮圧着された半導体チップをはんだ接続させる本圧着工程と、を有する実装方法であって、前記本圧着工程における本圧着処理時間内に、前記本圧着工程で本圧着された半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理工程をさらに備えることを特徴としている。
【００２１】
この構成によれば、半導体チップの接着剤を硬化させるポストキュア処理工程が設けられており、このポストキュア処理工程が本圧着処理時間内に接着剤を硬化させるため、本圧着工程で接着剤の硬化処理を行う場合に比べて接着剤の硬化に要する時間が新たに発生することがない。よって、実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑えて、半導体チップを確実に積層実装することができる。
【００２２】
具体的な様態としては、前記仮圧着工程と前記本圧着工程とを複数回繰り返して基板上に複数層の半導体チップを実装する実装方法であって、前記ポストキュア処理工程は、先に実装される半導体チップを実装するための本圧着工程の後、実装された半導体チップ上に実装される半導体チップを実装するための仮圧着工程の前に行われるように構成する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑え、半導体チップを確実に積層実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実装装置を概略的に示す図である。
【図２】上記実装装置の仮圧着部の要部を示す図である。
【図３】上記実装装置の本圧着部の要部を示す図であり、（ａ）は本圧着ヘッド部が上昇し本圧着処理前の状態を示す図であり、（ｂ）は本圧着ヘッド部が下降し本圧着処理された状態を示す図である。
【図４】上記実装装置のポストキュア処理部の要部を示す図であり、（ａ）はポストキュアヘッド部が上昇しポストキュア処理前の状態を示す図であり、（ｂ）はポストキュアヘッド部が下降しポストキュア処理された状態を示す図である。
【図５】ボトムチップ上に積層チップを仮圧着する状態を示す図である。
【図６】仮圧着された積層チップを本圧着処理する状態を示す図であり、（ａ）は本圧着処理前を示す図であり、（ｂ）は本圧着処理された状態を示す図である。
【図７】本圧着された積層チップをポストキュア処理する状態を示す図であり、（ａ）はポストキュア処理前を示す図であり、（ｂ）ポストキュア処理された状態を示す図である。
【図８】帯形状の基板に対して本圧着ヘッド部とポストキュアヘッド部とが同調して処理する状態を示す図であり、（ａ）は、上段部の半導体チップが処理される状態を示す図であり、（ｂ）は、中段部の半導体チップが処理される状態を示す図であり、（ｃ）は、下段部の半導体チップが処理される状態を示す図であり、（ｄ）は、実装領域Ａ、実装領域Ｂの半導体チップが処理された後の状態を示す図である。
【図９】帯形状の基板が吸着テーブルに保持された状態で仮圧着処理、本圧着処理、ポストキュア処理が順次行われる形態を示す図である。
【図１０】従来の実装装置を示す図である。
【図１１】従来の仮圧着部を示す図である。
【図１２】従来の本圧着部を示す図であり、（ａ）は本圧着処理される前の状態を示す図、（ｂ）は本圧着処理された状態を示す図である。
【図１３】基板上の積層半導体を示す図であり、（ａ）はボトムチップ上に積層チップが仮圧着された状態を示す図であり、（ｂ）は積層チップに本圧着処理された状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の実装装置に係る実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２６】
図１は、実装装置の一実施形態を示す図、図２は、仮圧着部の要部を示す図、図３は、本圧着部の要部を示す図、図４は、ポストキュア処理部の要部を示す図である。この実装装置は、図１〜４に示すように、仮本分離プロセスを行うものであり、仮圧着部１と、本圧着部２と、ポストキュア処理部３とがそれぞれ一方向に並んだ状態で設けられている。
【００２７】
実装装置は、配線パターンが形成された基板Ｗ上に複数の半導体チップ４を積層させることにより、基板Ｗ上に積層半導体５を形成することができる。具体的には、実装装置は、半導体チップ４（例えば、ボトムチップ４１）を仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３でそれぞれ処理することにより、ボトムチップ４１を基板Ｗ上に圧着し、このボトムチップ４１上に半導体チップ４（例えば、積層チップ４２）を仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３でそれぞれ処理することにより、ボトムチップ４１上に積層チップ４２を圧着し、ボトムチップ４１上に１つ以上の積層チップ４２を圧着することにより、基板Ｗ上に積層半導体５を形成するものである。ここで、ボトムチップ４１は、基板Ｗ上に圧着される半導体チップ４のことであり、積層チップ４２は、先に圧着された半導体チップ４上に圧着される半導体チップ４のことである。それぞれ区別なく指す場合は、単に半導体チップ４と呼ぶことにする。
【００２８】
なお、本実施形態の半導体チップ４は、端子８（図２参照）を有するバンプ面を覆うように、予めＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等の熱効果樹脂からなる接着剤７（図２参照）が塗布、又は、貼り付けされているものとするが、これに限定されず、接着剤７が基板Ｗ側に塗布又は貼り付けられているものであってもよい。
【００２９】
仮圧着部１は、半導体チップ４の本圧着前に基板Ｗの所定位置に半導体チップ４を仮固定するためのものである。仮圧着部１は、仮圧着用基台１１と、仮圧着用ステージ１２と、仮圧着ヘッド部１３とを有しており、仮圧着用ステージ１２に載置された基板Ｗと、仮圧着ヘッド部１３とが相対的に移動することにより、半導体チップ４を所定位置まで移動させ、その位置で半導体チップ４を仮圧着できるように構成されている。
【００３０】
仮圧着用ステージ１２は、基板Ｗを保持しつつ、基板Ｗを所定位置に位置させるものである。仮圧着用ステージ１２は、図１、図２に示すように、基板Ｗを保持する吸着テーブル１２ａと、吸着テーブル１２ａをＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に移動させる駆動ユニット１２ｂとを有しており、仮圧着用基台１１上に駆動ユニット１２ｂを介して吸着テーブル１２ａが支持されている。吸着テーブル１２ａは、その表面に吸引孔が形成されており、吸着テーブル１２ａに基板Ｗが載置された状態で吸引孔に吸引力を発生させると、基板Ｗが吸着テーブル１２ａの表面に吸着されて保持されるようになっている。そして、吸着テーブル１２ａが基板Ｗを保持した状態で駆動ユニット１２ｂを駆動させることにより、基板Ｗを仮圧着ヘッド部１３に対してＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に移動させることができ、基板Ｗの特定位置が仮圧着ヘッド部１３の直下位置に位置させることができるようになっている。
【００３１】
仮圧着ヘッド部１３は、半導体チップ４を基板Ｗ上に仮圧着させるためのものである。仮圧着ヘッド部１３は、仮圧着ヘッド本体部１３ａと、仮圧着用アタッチメント１３ｂとを有しており、仮圧着用アタッチメント１３ｂで半導体チップ４を保持し、半導体チップ４を加熱しつつ基板Ｗ側に加圧できるように構成されている。
【００３２】
仮圧着ヘッド本体部１３ａは、仮圧着用アタッチメント１３ｂをＺ軸方向に変位可能に支持するものである。仮圧着ヘッド本体部１３ａは、図示しないサーボモータとボールねじとを有しており、サーボモータを駆動制御することにより仮圧着用アタッチメント１３ｂをＺ軸方向に変位できるように構成されている。すなわち、仮圧着用アタッチメント１３ｂに半導体チップ４を保持させた状態でサーボモータを駆動制御することにより、半導体チップ４を基板Ｗ上に載置し、さらに仮圧着に必要な加圧力で基板Ｗ側に加圧できるようになっている。
【００３３】
また、仮圧着ヘッド本体部１３ａには、仮圧着用ヒータ１４が設けられており、仮圧着用アタッチメント１３ｂに保持された半導体チップ４を加熱できるように構成されている。具体的には、仮圧着ヘッド本体部１３ａには、仮圧着用アタッチメント１３ｂの直上部分にカートリッジヒータが内蔵されており、仮圧着用アタッチメント１３ｂに保持された半導体チップ４が仮圧着温度となるように構成されている。すなわち、仮圧着用ヒータ１４を作動させることにより、カートリッジヒータで発生した熱が伝熱され、仮圧着用アタッチメント１３ｂを介して半導体チップ４の接着剤７が加熱される。ここで、仮圧着温度は、基板Ｗ上の半導体チップ４が位置決めできる程度に、接着剤７が粘性を有する温度であり、接着剤７が硬化する温度よりも低い温度に調節されている。そして、接着剤７が粘性を有する状態から冷却されることにより、半導体チップ４を基板Ｗ上の所定位置に仮固定することができる。
【００３４】
また、仮圧着用アタッチメント１３ｂは、半導体チップ４を吸着保持するものである。仮圧着用アタッチメント１３ｂは、仮圧着ヘッド本体部１３ａの先端部分に設けられており、吸着テーブル１２ａ上の基板Ｗと対向するように設けられている。仮圧着用アタッチメント１３ｂは、半導体チップ４を１つずつ吸着保持することができる。具体的には、仮圧着用アタッチメント１３ｂの表面には吸引孔が設けられており、吸引孔に吸引力を発生させることにより半導体チップ４を仮圧着用アタッチメント１３ｂの表面に吸着保持できるようになっている。なお、仮圧着用アタッチメント１３ｂで吸着保持された半導体チップ４は、吸着保持された状態で仮圧着用ヒータ１４からの伝熱により仮圧着温度まで加熱される。そして、仮圧着用アタッチメント１３ｂに保持された半導体チップ４が基板Ｗ上の特定位置で仮圧着されると、吸引孔を開放することにより仮圧着後の半導体チップ４のみを基板Ｗ上に残すことができる。
【００３５】
本圧着部２は、半導体チップ４のバンプ面４３におけるはんだ６を溶融し半導体チップ４の電気的接続を行うためのものである。本圧着部２は、図１、図３に示すように、本圧着用基台２１と、本圧着用ステージ２２と、本圧着ヘッド部２３とを有しており、本圧着用ステージ２２に載置された基板Ｗと、本圧着ヘッド部２３とが相対的に移動することにより、本圧着の対象となる複数の半導体チップ４を同時に本圧着できるように構成されている。
【００３６】
本圧着用ステージ２２は、基板Ｗを保持しつつ、基板Ｗを所定位置に位置させるものである。本圧着用ステージ２２は、仮圧着用ステージ１２同様の構成を有しており、基板Ｗを保持する吸着テーブル２２ａと、吸着テーブル２２ａをＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に移動させる駆動ユニット２２ｂとを有している。そして、吸着テーブル２２ａが吸引孔に吸引力を発生させることにより基板Ｗを保持した状態で駆動ユニット２２ｂを駆動させると、本圧着ヘッド部２３に対してＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に基板Ｗを移動させることができ、基板Ｗの特定位置が本圧着ヘッド部２３の直下位置に位置させることができるようになっている。
【００３７】
本圧着ヘッド部２３は、半導体チップ４を基板Ｗ上に本圧着させるためのものである。本圧着ヘッド部２３は、本圧着ヘッド本体部２３ａと、本圧着用アタッチメント２３ｂとを有しており、複数の半導体チップ４を同時に加熱しつつ基板Ｗ側に加圧できるように構成されている。
【００３８】
本圧着ヘッド本体部２３ａは、本圧着用アタッチメント２３ｂをＺ軸方向に変位可能に支持するものである。本圧着ヘッド本体部２３ａは、図示しないサーボモータとボールねじとを有しており、サーボモータを駆動制御することにより本圧着用アタッチメント２３ｂをＺ軸方向に変位できるように構成されている。すなわち、サーボモータを駆動制御することにより本圧着用アタッチメント２３ｂを基板Ｗに対して接離動作できるようになっている。したがって、基板Ｗ上に仮圧着された半導体チップ４に本圧着用アタッチメント２３ｂが当接した状態でサーボモータを駆動制御することにより、本圧着に必要な加圧力で基板Ｗ側に加圧することができる。また、本圧着ヘッド本体部２３ａには、複数の本圧着用アタッチメント２３ｂが設けられており、半導体チップ４に当接させる当接面２５がすべて共通の高さ位置になるように設定されている。したがって、基板Ｗ上に仮圧着された複数の半導体チップ４それぞれに本圧着用アタッチメント２３ｂが当接した状態でサーボモータを駆動制御することにより、複数の半導体チップ４に対して共通の加圧力が与えることができ、複数の半導体チップ４を同時に本圧着できるようになっている。
【００３９】
また、本圧着ヘッド本体部２３ａには、本圧着用ヒータ２４が設けられており、本圧着用アタッチメント２３ｂに当接した半導体チップ４を加熱できるように構成されている。具体的には、本圧着ヘッド本体部２３ａには、本圧着用アタッチメント２３ｂの直上部分にカートリッジヒータが内蔵されており、本圧着用アタッチメント２３ｂに保持された半導体チップ４が本圧着用温度となるように構成されている。すなわち、本圧着用ヒータ２４を作動させることにより、カートリッジヒータで発生した熱が伝熱され、本圧着用アタッチメント２３ｂを介して半導体チップ４のはんだ６が加熱される。ここで、本圧着温度は、半導体チップ４のバンプ面４３に設けられるはんだ６が溶融する温度である。そして、はんだ６が溶融した後、半導体チップ４から本圧着用アタッチメント２３ｂが離れて冷却されることにより、半導体チップ４の端子８が基板Ｗ、又は他の半導体チップ４と電気的に接続される。なお、本実施形態では、本圧着ヘッド本体部２３ａに本圧着用ヒータ２４を備えているが、本圧着用ステージ２２にヒータを備えてあってもよく、本圧着ヘッド本体部２３ａと本圧着用ステージ２２の両方にヒータを備えるものであってもよい。
【００４０】
また、本圧着用アタッチメント２３ｂは、半導体チップ４を加圧するものである。本圧着用アタッチメント２３ｂは、本圧着ヘッド本体部２３ａの先端部分に設けられており、吸着テーブル２２ａ上の基板Ｗと対向するように設けられている。本圧着用アタッチメント２３ｂは、本圧着ヘッド本体部２３ａに複数個設けられており、同時に複数の半導体チップ４を本圧着できるようになっている。本実施形態では、本圧着用アタッチメント２３ｂは、半導体チップ４と当接する当接面２５が平坦に形成されており、各本圧着用アタッチメント２３ｂの当接面２５の高さ位置は共通に形成されている。そして、本圧着用アタッチメント２３ｂと本圧着ヘッド本体部２３ａとの間には弾性部材２６（例えば、ゴム部材）が設けられており、同時に本圧着する半導体チップ４のＺ軸方向の僅かなばらつきを吸収できるようになっている。これにより、本圧着ヘッド部２３が下降することにより、複数の半導体チップ４に本圧着用アタッチメント２３ｂが当接し、半導体チップ４にほぼ均一な加圧力を与えることができる。また、本圧着用アタッチメント２３ｂで加圧される半導体チップ４には、本圧着用ヒータ２４からの伝熱により本圧着温度まで加熱される。したがって、基板Ｗ上に仮圧着された複数の半導体チップ４は、本圧着用アタッチメント２３ｂで加圧されつつ加熱されることにより、半導体チップ４に設けられたバンプのはんだ６が溶融する。そして、本圧着ヘッド部２３の上昇により本圧着用アタッチメント２３ｂが半導体チップ４から離れることによりはんだ６が冷却され、半導体チップ４が下層に存在する基板Ｗ又は他の半導体チップ４と電気的に接続される。
【００４１】
また、ポストキュア処理部３は、本圧着後の半導体チップ４の接着剤７を硬化させるためのものである。ポストキュア処理部３は、本圧着部２に隣接して設けられており、ほぼ本圧着部２と同様の構成を有している。すなわち、ポストキュア処理部３は、図１、図４に示すように、ポストキュア用基台３１と、ポストキュア用ステージ３２と、ポストキュアヘッド部３３とを有しており、ポストキュア用ステージ３２に載置された基板Ｗと、複数のポストキュアヘッド部３３とが相対的に移動することにより、ポストキュア処理の対象となる複数の半導体チップ４を同時に処理できるように構成されている。
【００４２】
ポストキュア用ステージ３２は、基板Ｗを保持しつつ、基板Ｗを所定位置に位置させるものである。ポストキュア用ステージ３２は、本圧着用ステージ２２同様の構成を有しており、基板Ｗを保持する吸着テーブル３２ａと、吸着テーブル３２ａをＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に移動させる駆動ユニット３２ｂとを有している。そして、吸着テーブル３２ａが吸引孔に吸引力を発生させることにより基板Ｗを保持した状態で駆動ユニット３２ｂを駆動させると、ポストキュアヘッド部３３に対してＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に基板Ｗを移動させることができ、基板Ｗの特定位置がポストキュアヘッド部３３の直下位置に位置させることができるようになっている。
【００４３】
ポストキュアヘッド部３３は、基板Ｗ上に本圧着された半導体チップ４を加熱させるためのものである。ポストキュアヘッド部３３は、ポストキュアヘッド本体部３３ａと、ポストキュア用アタッチメント３３ｂとを有しており、複数の半導体チップ４を同時に加熱できるように構成されている。
【００４４】
ポストキュアヘッド本体部３３ａは、ポストキュア用アタッチメント３３ｂをＺ軸方向に変位可能に支持するものである。ポストキュアヘッド本体部３３ａは、図示しないサーボモータとボールねじとを有しており、サーボモータを駆動制御することによりポストキュア用アタッチメント３３ｂをＺ軸方向に変位できるように構成されている。したがって、サーボモータを駆動制御することにより、ポストキュア用アタッチメント３３ｂが、本圧着された半導体チップ４に当接する状態と、半導体チップ４から離れた状態とに変位することができる。また、ポストキュアヘッド本体部３３ａには、複数のポストキュア用アタッチメント３３ｂが設けられており、半導体チップ４に当接させる当接面３５がすべて共通の高さ位置になるように設定されている。したがって、サーボモータを駆動制御することにより、ポストキュアヘッド部３３を下降させると、ポストキュア用アタッチメント３３ｂそれぞれが、複数の半導体チップ４それぞれに当接できるようになっている。本実施形態では、ポストキュア用アタッチメント３３ｂの数は、本圧着用アタッチメント２３ｂの数と同じ数になるように構成されている。すなわち、本圧着ヘッド部２３の動作回数とポストキュアヘッド部３３の動作回数を共通にすれば、本圧着処理される半導体チップ数とポストキュア処理される半導体チップ数とを同じにすることができるため、ポストキュア処理を本圧着処理時間内に完了させることができる。
【００４５】
また、ポストキュアヘッド本体部３３ａには、ポストキュア用ヒータ３４が設けられており、ポストキュア用アタッチメント３３ｂに当接した半導体チップ４を加熱できるように構成されている。具体的には、ポストキュアヘッド本体部３３ａには、ポストキュア用アタッチメント３３ｂの直上部分にカートリッジヒータが内蔵されており、ポストキュア用アタッチメント３３ｂに保持された半導体チップ４がポストキュア温度となるように構成されている。すなわち、ポストキュア用ヒータ３４を作動させることにより、カートリッジヒータで発生した熱が伝熱され、ポストキュア用アタッチメント３３ｂを介して半導体チップ４の接着剤７が加熱される。ここで、ポストキュア温度は、本圧着された半導体チップ４の接着剤７を硬化させる温度であり、接着剤７として用いられる熱硬化性樹脂の硬化温度以上、はんだ溶融温度以下に設定されている。このポストキュア温度を所定時間保持することにより本圧着処理後の半導体チップ４の接着剤７を確実に硬化させることができる。なお、本実施形態では、ポストキュアヘッド本体部３３ａにヒータを備えているが、ポストキュア用ステージ３２にヒータを備えてあってもよく、ポストキュアヘッド本体部３３ａとポストキュア用ステージ３２の両方にヒータを備えるものであってもよい。
【００４６】
また、ポストキュア用アタッチメント３３ｂは、半導体チップ４に当接し加熱するものである。ポストキュア用アタッチメント３３ｂは、ポストキュアヘッド本体部３３ａの先端部分に設けられており、吸着テーブル３２ａ上の基板Ｗと対向するように設けられている。ポストキュア用アタッチメント３３ｂは、ポストキュアヘッド本体部３３ａに複数個設けられており、同時に複数の半導体チップ４をポストキュア処理できるようになっている。本実施形態では、ポストキュア用アタッチメント３３ｂは、半導体チップ４と当接する当接面３５が平坦に形成されており、各ポストキュア用アタッチメント３３ｂの当接面３５の高さ位置は共通に形成されている。また、ポストキュア用アタッチメント３３ｂとポストキュアヘッド本体部３３ａとの間には弾性部材３６が設けられており、同時に本圧着する半導体チップ４のＺ方向のばらつきを吸収できるようになっている。これにより、本圧着ヘッド部２３が下降することにより、複数の半導体チップ４に本圧着用アタッチメント２３ｂが当接し、それぞれの半導体チップ４に確実に当接できるようになっている。
【００４７】
また、ポストキュア用アタッチメント３３ｂに当接される半導体チップ４には、ポストキュア用ヒータ３４からの伝熱によりポストキュア温度まで加熱される。したがって、基板Ｗ上に本圧着された複数の半導体チップ４は、ポストキュア用アタッチメント３３ｂに当接しつつ加熱されることにより、半導体チップ４に設けられた接着剤７が熱硬化する。そして、ポストキュアヘッド部３３の上昇によりポストキュア用アタッチメント３３ｂが半導体チップ４から離れることにより冷却され、半導体チップ４が下層に存在する基板Ｗ又は他の半導体チップ４上に確実に固定される。
【００４８】
また、実装装置は、ロボットハンド等の搬送装置（不図示）を備えており、この搬送装置により、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３それぞれに基板Ｗを受け渡しできるようになっている。すなわち、搬送装置は、基板Ｗを仮圧着部１に搬入し、仮圧着処理が完了すると仮圧着処理後の基板Ｗを受け取って本圧着部２に搬送する。そして、本圧着処理が完了すると本圧着処理後の基板Ｗを受け取ってポストキュア処理部３に搬送し、ポストキュア処理が完了すると再度、仮圧着部１に搬送するというように、基板Ｗ上に所定の積層半導体５が形成されるまで繰り返し搬送動作が行われる。
【００４９】
また、実装装置は、制御装置を備えており、この制御装置により、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３、搬送装置が統括的に制御される。すなわち、これらの駆動ユニット１２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、各ヒータ１４、２４，３４が制御されることにより、位置決め、温度調節等が統括的に行われる。
【００５０】
次に、本実施形態の実装装置における実装動作について説明する。
【００５１】
まず、仮圧着工程が行われる。すなわち、基板Ｗ上に半導体チップ４（この場合、ボトムチップ４１）が仮圧着される。具体的には、ロボットハンド等の搬送装置により回路パターンが形成された基板Ｗが仮圧着部１に搬送され、基板Ｗが仮圧着用ステージ１２に載置される。すなわち、吸着テーブル１２ａ上に基板Ｗが載置されると、基板Ｗが所定位置になるように位置決めされた後、吸引孔に吸引力を発生させて吸着テーブル１２ａ上に基板Ｗが固定される。
【００５２】
そして、対象となる１枚のボトムチップ４１が仮圧着ヘッド部１３の仮圧着用アタッチメント１３ｂに保持されつつ、吸着テーブル１２ａが移動されることにより、基板Ｗ上の特定位置（ボトムチップ仮圧着位置）が仮圧着用アタッチメント１３ｂ直下に位置するように位置決めされる（図２参照）。このとき、仮圧着用アタッチメント１３ｂに保持されると仮圧着用ヒータ１４によりボトムチップ４１に伝熱され、位置決めが完了すると、仮圧着用アタッチメント１３ｂが下降し基板Ｗ上にボトムチップ４１が載置される。そして、加熱が開始され、所定の仮圧着時間、基板Ｗ側に加圧される状態が保持される。すなわち、ボトムチップ４１の接着剤７が仮圧着温度になるまで加熱される。そして、仮圧着時間が経過すると仮圧着用アタッチメント１３ｂが上昇することにより、加熱により粘度上昇した接着剤７が冷却され基板Ｗ上にボトムチップ４１が仮圧着される。そして、基板Ｗ上にすべてのボトムチップ４１が仮圧着されると、搬送装置により基板Ｗが仮圧着部１から排出され、本圧着部２に搬送される。なお、本実施形態では、すべてのボトムチップ４１が仮圧着される仮圧着処理の合計時間は、次工程の本圧着処理の合計時間を超えないように設定されている。
【００５３】
次に、本圧着工程が行われる。すなわち、基板Ｗ上のボトムチップ４１に対して本圧着処理が行われる。具体的には、ボトムチップ４１が仮圧着された基板Ｗが本圧着部２の吸着テーブル２２ａ上に載置されると吸着保持されることにより基板Ｗが吸着テーブル２２ａ上に固定される（図３参照）。
【００５４】
そして、本圧着ヘッド部２３の本圧着用アタッチメント２３ｂが下降することにより、本圧着用アタッチメント２３ｂが複数のボトムチップ４１に当接し、さらに下降することによりボトムチップ４１を加圧しつつ、本圧着用ヒータ２４により加熱される（図３（ｂ））。すなわち、本圧着用アタッチメント２３ｂと同数のボトムチップ４１が同時に加熱加圧され、所定の本圧着時間、加熱されることによりバンプのはんだ６が溶融する。その後、本圧着用アタッチメント２３ｂが上昇することにより溶融したはんだ６が冷却されて固化されることにより、ボトムチップ４１の端子８と基板Ｗの回路パターンとが電気的に接続される。このように本圧着用アタッチメント２３ｂの数と同数の基板Ｗ上のボトムチップ４１が次々に本圧着される。そして、基板Ｗ上のすべてのボトムチップ４１が本圧着されると、搬送装置により基板Ｗが本圧着部２から排出され、ポストキュア処理部３に搬送される。
【００５５】
次に、ポストキュア処理工程が行われる。すなわち、基板Ｗ上のボトムチップ４１に対してポストキュア処理が行われる。具体的には、ボトムチップ４１が本圧着された基板Ｗがポストキュア処理部３の吸着テーブル３２ａ上に載置されると吸着保持されることにより基板Ｗが吸着テーブル３２ａ上に固定される（図４参照）。そして、ポストキュアヘッド部３３のポストキュア用アタッチメント３３ｂが下降することにより、ポストキュア用アタッチメント３３ｂが複数のボトムチップ４１に当接し、本圧着用ヒータ２４により加熱される（図４（ｂ））。すなわち、ポストキュア用アタッチメント３３ｂと同数のボトムチップ４１が同時に加熱され、所定のポストキュア処理時間、加熱されることによりボトムチップ４１の接着剤７の硬化温度まで加熱され、その状態で保持される。その後、ポストキュア用アタッチメント３３ｂが上昇することによりボトムチップ４１が基板Ｗ上に固定される。このようにして、ポストキュア用アタッチメント３３ｂの数と同数の基板Ｗ上のボトムチップ４１が次々にポストキュア処理される。そして、基板Ｗ上のすべてのボトムチップ４１がポストキュア処理されると、搬送装置により基板Ｗがポストキュア処理部３から排出される。なお、本実施形態では、すべてのボトムチップ４１がポストキュア処理される合計時間は、本圧着処理の合計時間を超えないように設定されている。すなわち、ポストキュア用アタッチメント３３ｂの数を本圧着用アタッチメント２３ｂの数と同じか、ポストキュア用アタッチメント３３ｂの数を多くすることで本圧着処理の合計時間を超えないように設定することができる。これにより本圧着処理を行っている時間内に、ポストキュア処理を完了することができるため、例えば、本圧着部２で本圧着処理と、接着剤７の硬化まで行う場合に比べて、本圧着部２における処理時間を延ばす必要がなく、接着剤７の硬化に要する時間が新たに発生することがない。よって、実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑えて接着剤７を確実に硬化させることができる。
【００５６】
次に、基板Ｗ上にボトムチップ４１上に積層チップ４２を実装するため、ボトムチップ４１が圧着された基板Ｗが仮圧着部１に搬送される。そして、仮圧着部１でボトムチップ４１上に積層チップ４２が仮圧着され、続いて本圧着される（図５、図６参照）。具体的には、上述したボトムチップ４１の仮圧着処理、本圧着処理と同様に行われる。ここで、ボトムチップ４１と積層チップ４２とでは端子８数が異なっており、通常、ボトムチップ４１の方が端子８数が少ない。そのため、従来のように、ボトムチップ４１上に積層チップ４２を本圧着させると、ボトムチップ４１の接着剤７の硬化が十分ではないため、ボトムチップ４１の各端子８が本圧着部２における加圧に耐えられず、ボトムチップ４１のはんだ６による接続部が損傷する現象が見られた。ところが、本実施形態では、ボトムチップ４１に対してポストキュア処理部３で接着剤７が十分に硬化されるため、ボトムチップ４１上に積層チップ４２を本圧着してもボトムチップ４１の接着剤７が本圧着部２の加圧力に耐えることができ、ボトムチップ４１のはんだ６による接続部の損傷を回避することができる。そして、仮圧着及び本圧着された積層チップ４２に対して、上述したポストキュア処理（図７参照）が行われることによりボトムチップ４１上に積層チップ４２が実装される。
【００５７】
このように、積層チップ４２についても、上述したボトムチップ４１と同様に、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３を経ることにより、精度よく積層チップ４２がボトムチップ４１上に実装される。そして、これを繰り返すことにより、複数層の積層チップ４２がボトムチップ４１上に実装され、基板Ｗ上に積層半導体５が形成される。
【００５８】
以上より、本実施形態における実装装置及び実装方法によれば、半導体チップ４の接着剤７を硬化させるポストキュア処理部３を備えているため、本圧着部２で本圧着された半導体チップ４の接着剤７を確実に硬化させることができる。そして、ポストキュア処理部３は、本圧着処理時間内に接着剤７を硬化させるため、接着剤７の硬化処理を圧着処理に必要な処理時間内に行うことができる。したがって、本圧着部２で本圧着処理と、接着剤７の硬化まで行う場合に比べて、本圧着部２における処理時間を延ばす必要がなく、接着剤７の硬化に要する時間が新たに発生することがない。よって、実装全体のタクトタイムが長くなるのを抑えて、半導体チップ４を確実に積層実装することができる。
【００５９】
また、上記実施形態では、基板Ｗが枚葉タイプであり、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３にそれぞれロボットハンド等の搬送装置によって基板Ｗが受け渡されることにより搬送される場合について説明したが、基板Ｗが一方向に延びる帯形状であって、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３に基板Ｗの受け渡されることなく順次搬送され、それぞれ処理される構成であってもよい。すなわち、帯形状の基板Ｗは、図８に示すように、実装処理される複数の実装領域が基板Ｗの延びる方向に間欠的に配列されている。本実施形態では、紙面右側から順に、実装領域Ａ、実装領域Ｂ、実装領域Ｃがこの順に設定されている。
【００６０】
実装装置は、図９に示すように、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３が一方向に配列されて設けられており、帯形状の基板Ｗが載置できる共通の吸着ステージ９２が基台９１上に設けられている。そして、仮圧着ヘッド部１３、本圧着ヘッド部２３、ポストキュアヘッド部３３が、実装領域Ａ〜Ｃに対して所定実装位置に移動するように構成されている。そして、吸着ステージ９２は、基板Ｗを吸着した状態で仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３の配列方向に移動できるように構成されている。すなわち、基板Ｗ上の実装領域Ａ〜Ｃに対してそれぞれの処理が完了すると、吸着テーブル９２が移動することにより基板Ｗを移動させ、各実装領域Ａ〜Ｃに対して次の処理が行える位置に基板Ｗ全体を移動させるようになっている。
【００６１】
具体的には、図９（ａ）に示すように、基板Ｗにおける実装領域Ａに対して仮圧着部１で仮圧着処理が完了すると、吸着ステージ９２を移動させて実装領域Ａを本圧着処理部に移動させる（図９（ｂ））。このとき、実装領域Ｂが仮圧着部１に搬送され、実装領域Ａの本圧着処理中に実装領域Ｂの仮圧着処理が行われる。実装領域Ａに対して本圧着処理が完了すると、実装領域Ａがポストキュア処理部３に搬送されてポストキュア処理が行われる（図９（ｃ））。このとき、実装領域Ｂが本圧着部２に搬送され、実装領域Ｃが仮圧着部１に搬送されて、実装領域Ａのポストキュア処理中に実装領域Ｂの本圧着処理、実装領域Ｃの仮圧着処理が行われる。このようにして、仮圧着処理、本圧着処理、ポストキュア処理の一連の実装処理が順次行われるようになっている。そして、積層半導体５を形成する場合には、ボトムチップ４１のポストキュア処理が完了した後、ボトムチップ４１が実装された実装領域Ａが仮圧着部１に位置するまで戻りながら移動し、実装領域Ａに対して再度、一連の実装処理が行われることによりボトムチップ４１上に積層チップ４２が実装される。これを繰り返すことにより、基板Ｗ上の実装領域Ａ〜Ｃに対して積層半導体５が形成される。このような構成であれば、仮圧着処理、本圧着処理、ポストキュア処理が行われる際に基板Ｗを受け渡すための基板Ｗ受け渡し時間を抑えることができ、全体の実装処理のタクトタイムを抑えることができる。
【００６２】
また、上記実施形態では、ポストキュアヘッド部３３と本圧着ヘッド部２３とが独立して接離動作する例について説明したが、ポストキュアヘッド部３３と本圧着ヘッド部２３とが同調して接離動作させてポストキュア処理が本圧着処理時間内に完了するように構成してもよい。ここで、図８は、帯状の基板Ｗ上の実装領域に対して本圧着処理とポストキュア処理が行われる状態を示示しており、破線は本圧着ヘッド部２３を示し、２点鎖線はポストキュアヘッド部３３を示している。そして、処理が行われた後の半導体チップ４は有色で示している。
【００６３】
まず、本圧着処理が完了した実装領域Ａがポストキュア処理され、仮圧着処理が完了した実装領域Ｂが本圧着処理される。すなわち、図８（ａ）に示すように、実装領域Ａの上段部にポストキュアヘッド部３３が位置決めされ、実装領域Ｂの上段部に本圧着ヘッド部２３が位置決めされる。そして、ポストキュアヘッド部３３と本圧着ヘッド部２３とが同時に下降して、それぞれ処理が行われることにより、実装領域Ａの上段部に対してポストキュア処理が完了し、実装領域Ｂの上段部に対して本圧着処理が完了する（図８（ｂ））。次に、図８（ｂ）に示すように、ポストキュアヘッド部３３、本圧着ヘッド部２３が、実装領域Ａの中段部、実装領域Ｂの中段部にそれぞれ移動して処理を行うことにより、実装領域Ａの中段部、実装領域Ｂの中段部の各処理が完了する（図８（ｃ））。同様に、実装領域Ａ、実装領域Ｂの下段部についても、同様にして処理が行われることにより、最終的に、実装領域Ａのポストキュア処理が完了し、同時に実装領域Ｂの本圧着処理が完了する（図８（ｄ））。これにより、装置構成的にポストキュア処理を本圧着処理時間内に完了させることができる。
【００６４】
また、上記実施形態では、仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３がそれぞれ１台ずつ配置される例について説明したが、ポストキュア処理部３の後、一連の仮圧着部１、本圧着部２、ポストキュア処理部３が１回以上繰り返して配置される構成でもよい。この構成であれば、ポストキュア処理部３で処理した後、仮圧着部１に搬送する必要がなく、基板Ｗを一方向に搬送することにより積層半導体５を形成することができる。
【００６５】
また、上記実施形態では、基板Ｗが吸着テーブル１２ａ、２２ａ、３２ａによりＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に移動する例について説明したが、基板Ｗを把持する把持ユニットがＸ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に移動し、基板Ｗを載置するステージが固定されている構成であってもよい。すなわち、仮圧着ヘッド部１３、本圧着ヘッド部２３、ポストキュアヘッド部３３が、それぞれに対応するステージのＺ軸上に配置されており、ステージに対してＺ軸方向に移動し、半導体チップ４を基板Ｗ側に加圧できるように構成する。そして、仮圧着処理、本圧着処理、ポストキュア処理を行う場合には、把持ユニットが、基板Ｗ上の処理対象となる半導体チップ４がステージ上に移動させて位置決めし、対象となる半導体チップ４がステージ上に載置された状態で仮圧着ヘッド部１３、本圧着ヘッド部２３、ポストキュアヘッド部３３が下降し、各処理を行うように構成してもよい。この構成において、ステージは、基板Ｗ全体を裏面から支持するものであってもよいし、処理対象となる半導体チップ４が載置された基板Ｗの載置領域のみを裏面から支持するものであってもよい。処理対象となる半導体チップ４の載置領域のみを裏面から支持する構成にすることにより、各処理で与えられる熱が、対象領域に隣接する位置に位置する半導体チップ４に伝熱するのを防止することができるため、対象領域に隣接する位置の半導体チップ４が処理前にもかかわらず接着剤７が硬化してしまう問題を回避することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１  仮圧着部
２  本圧着部
３  ポストキュア処理部
４  半導体チップ
５  積層半導体
６  はんだ
７  接着剤
１３  仮圧着ヘッド部
２３  本圧着ヘッド部
３３  ポストキュアヘッド部
４３  バンプ面
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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