(57)【要約】【課題】ＴＦＴ層の特性を安定化させることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、前記可撓性基板の前記第１面上に設けられたＴＦＴ層と、発光層を含み、前記ＴＦＴ層を間にして、前記可撓性基板の前記第１面上に設けられた表示素子層と、前記可撓性基板の前記第２面に接して設けられた導電性部材と、前記導電性部材を間にして前記可撓性基板の前記第２面に対向する保護部材とを備えた表示装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第１面上に設けられたＴＦＴ層と、
発光層を含み、前記ＴＦＴ層を間にして、前記可撓性基板の前記第１面上に設けられた表示素子層と、
前記可撓性基板の前記第２面に接して設けられた導電性部材と、
前記導電性部材を間にして前記可撓性基板の前記第２面に対向する保護部材と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記導電性部材は炭素である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記可撓性基板は樹脂材料を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
更に、前記可撓性基板と前記保護部材との間に設けられ、前記導電性部材を含む接着層を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記接着層では、前記可撓性基板との対向面の抵抗値が、１０5Ω/ｓｑ以下である
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光層は有機発光材料を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板の前記第２面に支持基板を貼り合わせ、
前記可撓性基板の前記第１面上にＴＦＴ層を形成し、
前記ＴＦＴ層上に、発光層を含む表示素子層を形成し、
前記可撓性基板の前記第２面から支持基板を剥離するとともに、前記可撓性基板の前記第２面に接する導電性部材を形成し、
前記導電性部材を間にして、前記可撓性基板の前記第２面に保護部材を貼り合わせる
表示装置の製造方法。
【請求項８】
レーザ光を照射することにより、前記支持基板を前記可撓性基板の前記第２面から剥離する
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記レーザ光の照射エネルギーは、前記支持基板の剥離に必要なエネルギーの１．１５倍以上である
請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ光の照射により、前記可撓性基板の一部を炭化させて前記導電性部材を形成する
請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記発光層は印刷法を用いて形成する
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、可撓性基板を用いた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチック基板（樹脂基板）等の可撓性基板を用いた表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この表示装置では、可撓性基板上に例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層と、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子等の表示素子層とが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−４９４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このような表示装置では、ＴＦＴ層の特性を安定化させることが望まれている。ＴＦＴ層の特性を安定化させることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本技術の一実施の形態に係る表示装置は、対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、可撓性基板の第１面上に設けられたＴＦＴ層と、発光層を含み、ＴＦＴ層を間にして、可撓性基板の第１面上に設けられた表示素子層と、可撓性基板の第２面に接して設けられた導電性部材と、導電性部材を間にして可撓性基板の第２面に対向する保護部材とを備えたものである。
【０００６】
本技術の一実施の形態に係る表示装置では、可撓性基板の第２面に接して導電性部材が設けられているので、例えば、可撓性基板の第２面に保護部材を貼り合わせる際に静電気の発生が抑えられる。
【０００７】
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法は、対向する第１面および第２面を有する可撓性基板の第２面に支持基板を貼り合わせ、可撓性基板の第１面上にＴＦＴ層を形成し、ＴＦＴ層上に、発光層を含む表示素子層を形成し、可撓性基板の第２面から支持基板を剥離するとともに、可撓性基板の第２面に接する導電性部材を形成し、導電性部材を間にして、可撓性基板の第２面に保護部材を貼り合わせるものである。
【０００８】
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法では、可撓性基板の第２面に接する導電性部材を形成するので、可撓性基板の第２面に保護部材を貼り合わせる際に静電気の発生が抑えられる。
【発明の効果】
【０００９】
本技術の一実施の形態に係る表示装置によれば、可撓性基板の第２面に接して導電性部材を設けるようにし、また、本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば可撓性基板の第２面に接する導電性部材を形成するようにしたので、静電気に起因したＴＦＴ層の特性の変化を抑えることができる。よって、ＴＦＴ層の特性を安定化させることが可能となる。
【００１０】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術の一実施の形態に係る表示装置の概略構成例を表す模式断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の製造方法の一工程を表す模式断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す模式断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す模式断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す模式断面図である。
【図６】比較例に係る表示装置の製造方法の一工程を表す模式断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す模式断面図である。
【図８】図６および図７に示した各工程における薄膜トランジスタの閾値電圧を表す図である。
【図９】図１に示した表示装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図１０】図９に示した表示装置を備えた電子機器の概略構成例を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の概略構成例を、模式的に断面図で表したものである。表示装置１は、例えば、可撓性基板１１上に有機電界発光（ＥＬ：Electro-Luminescence）素子を有するフレキシブルディスプレイである。可撓性基板１１は、互いに対向する表面（第１面Ｓ１）および裏面（第２面Ｓ２）を有している。表示装置１は、可撓性基板１１の第１面Ｓ１上に、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）層１２、表示素子層１３および保護層１４をこの順に備えている。表示装置１は、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に、接着層２１を介して保護部材２２を有している。
【００１４】
可撓性基板１１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＡ（ポリアミド），ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）などの樹脂材料により構成されている。すなわち、この可撓性基板１１は、例えば樹脂基板（プラスチック基板）からなる。ただし、可撓性基板１１の構成材料としては、このような樹脂材料には限られず、他の材料を用いて可撓性基板１１を構成するようにしてもよい。可撓性基板１１の厚みは、例えば５μｍ〜１００μｍである。
【００１５】
可撓性基板１１の第１面Ｓ１に設けられたＴＦＴ層１２は、薄膜トランジスタ等を含む層である。この薄膜トランジスタは、例えば、トップゲート型、ボトムゲート型あるいはデュアルゲート型の薄膜トランジスタであり、可撓性基板１１上の選択的な領域に半導体層を有している。この半導体層は、チャネル領域（活性層）を含んでおり、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む、酸化物半導体により構成されている。具体的には、この酸化物半導体としては、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。なお、この半導体層が、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）または非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）等から構成されていてもよい。
【００１６】
表示素子層１３は、ＴＦＴ層１２を間にして可撓性基板１１の第１面Ｓ１上に設けられている。この表示素子層１３は、複数の画素を含むと共に、上記した薄膜トランジスタが複数配置されたバックプレーンにより表示駆動される、表示素子（発光素子）を含んでいる。この表示素子としては、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子などが挙げられる。このうちの有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層１２側から順に、例えば、アノード電極、有機電界発光層およびカソード電極を有している。アノード電極は、例えば上記した薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極に接続されている。カソード電極には、例えば配線などを通じて、各画素に共通のカソード電位が供給されるようになっている。有機ＥＬ素子は、アノード電極と有機電界発光層との間に、アノード電極側から正孔注入層および正孔輸送層をこの順に有していてもよい。有機ＥＬ素子は、カソード電極と有機電界発光層との間に、カソード電極側から電子注入層および電子輸送層をこの順に有していてもよい。
【００１７】
表示素子層１３を覆う保護層１４は、表示素子層１３を外部から保護するための層である。この保護層１４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ）などの無機材料により構成されている。保護層１４は、有機材料により構成されていてもよい。保護層１４は、有機材料膜と無機材料膜との積層構造を有していてもよい。
【００１８】
可撓性基板１１（第２面Ｓ２）と保護部材２２との間に設けられた接着層２１は、可撓性基板１１と保護部材２２とを接着するためのものである。本実施の形態では、この接着層２１が、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接する導電性部材２１Ｃを含んでいる。詳細は後述するが、これにより、保護部材２２を可撓性基板１１の第２面Ｓ２に貼り合わせる際に、静電気の発生が抑えられる。
【００１９】
導電性部材２１Ｃは、例えば、可撓性基板１１の一部が炭化することにより生成した炭素（Ｃ）、いわゆるススである。導電性部材２１Ｃは、可撓性基板１１の第２面Ｓ２全面に均一に設けられていることが好ましい。導電性部材２１Ｃの厚みは、接着層２１の厚みよりも小さくなっており、例えば、２０μｍ以下である。導電性部材２１Ｃの厚みは、例えば、スス粒子（凝集体）の大きさにより規定される。
【００２０】
接着層２１は、この導電性部材２１Ｃとともに接着剤２１Ａを含んでいる。この接着剤２１Ａは、導電性部材２１Ｃと保護部材２２との間を埋めるように設けられている。接着剤２１Ａは、例えばアクリル等の樹脂材料により構成されている。接着層２１の厚みは、例えば３μｍ〜５０μｍである。導電性部材２１Ｃを含む接着層２１では、可撓性基板１１との対向面（接着面）の抵抗率が、１０5Ω/ｓｑ以下であることが好ましい。接着層２１の可撓性基板１１との対向面の抵抗率は、例えば、１Ω/ｓｑ〜１０3Ω/ｓｑである。
【００２１】
保護部材２２は、接着層２１を間にして可撓性基板１１の第２面Ｓ２に対向している。保護部材２２は、接着層２１により可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接着されている。この保護部材２２は、可撓性基板１１を保護および補強するためのものであり、例えばステンレス鋼等の金属薄膜またはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂材料により構成されている。保護部材２２の厚みは、例えば５μｍ〜１００μｍである。
【００２２】
［製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図２〜図５）。
【００２３】
まず、図２に示したように、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に支持基板９を貼り合わせる。支持基板９は、可撓性基板１１の第１面Ｓ１上にＴＦＴ層１２および表示素子層１３を形成する際に、可撓性基板１１の反り等を抑えるためのものである。支持基板９は、後の工程（後述の図４参照）で可撓性基板１１から剥離される。支持基板９は、例えばガラスにより構成されている。このガラスとしては、例えば、石英ガラス，ソーダガラスおよび無アルカリガラス等が挙げられる。
【００２４】
可撓性基板１１と支持基板９との貼り合わせの手法としては、例えば、支持基板９上にワニス等を塗布して焼き固める手法や、接着剤等を用いて貼り合わせる手法などが挙げられる。この接着剤の構成材料としては、例えば、シロキサン等が挙げられる。
【００２５】
次いで、このような支持基板９が貼り合わされた後、可撓性基板１１の第１面Ｓ１上に、ＴＦＴ層１２、表示素子層１３および保護層１４をこの順に形成する。
【００２６】
具体的には、まず、可撓性基板１１上に、前述した材料（例えば酸化物半導体）よりなる半導体層を、例えばスパッタ法等を用いて成膜した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、この半導体層を所定の形状にパターニングする。そして、各種の絶縁膜や電極を形成することにより、ＴＦＴ層１２が形成される。
【００２７】
続いて、このＴＦＴ層１２上に、表示素子層１３を形成する。例えば表示素子層１３が有機ＥＬ素子を含む場合には、ＴＦＴ層１２上に、例えばアノード電極、正孔注入層、正孔輸送層、有機電界発光層、電子輸送層、電子注入層およびカソード電極を含む表示素子層１３を形成する。有機電界発光層は印刷法を用いて形成することが好ましい。印刷法を用いて有機電界発光層を形成する際には、２００度以上の温度で焼成を行う。このため、後のレーザ光Ｌの照射の際（図３）に、レーザ光Ｌの照射エネルギーを大きくしても、蒸着法を用いて形成した有機電界発光層に比べて膜剥がれしにくくなる。
【００２８】
そののち、表示素子層１３上に、前述した材料よりなる保護層１４を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法を用いて形成する。
【００２９】
保護層１４を形成した後、例えば、図３に示したように、支持基板９側からレーザ光Ｌを照射する。続いて、図４に示したように、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させる（矢印Ｐ１）。なお、このようなレーザ光Ｌの照射によって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるのは、例えば以下のようなメカニズムが考えられる。レーザ光Ｌが照射されると、例えば、可撓性基板１１を構成する原子間または分子間の結合力が消失もしくは減少し、または、前述した接着剤を構成する物質における原子間または分子間の結合力が消失または減少する。これに起因した層内剥離や界面剥離が生じ、支持基板９が剥離されると考えられる。
【００３０】
本実施の形態では、レーザ光Ｌの照射により、可撓性基板１１の第２面Ｓ２側の一部が炭化するので、支持基板９を剥離すると、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接する導電性部材２１Ｃが形成されている。より具体的には、可撓性基板１１を構成する樹脂材料の一部がレーザ光Ｌの照射により昇華する。この樹脂材料の昇華により導電性の炭素（導電性部材２１Ｃ）が発生する。レーザ光Ｌの照射エネルギーは、支持基板９の剥離に必要なエネルギーの１．１５倍以上であることが好ましい。支持基板９の剥離に必要なエネルギーよりも、より大きなエネルギーを有するレーザ光Ｌを照射することにより、導電性部材２１Ｃとして機能する炭素が発生しやすくなる。例えば、波長３０８ｎｍのエキシマレーザであるレーザ光Ｌを照射するとき、支持基板９の剥離に必要なエネルギー密度は、２００ｍＪ/ｃｍ2程度であるので、エネルギー密度が２３０ｍＪ/ｃｍ2〜２６０ｍＪ/ｃｍ2程度のレーザ光Ｌを照射することが好ましい。
【００３１】
可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接する導電性部材２１Ｃを形成した後、図５に示したように接着剤２１Ａを間にして保護部材２２を貼り合わせる（矢印Ｐ２）。本実施の形態では、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接して導電性部材２１Ｃが形成されているので、保護部材２２を貼り合わせる際に静電気の発生が抑えられる。
【００３２】
以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００３３】
［作用・効果］
（基本動作）
この表示装置１では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層１３における各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。このとき、ＴＦＴ層１２では、例えば画素ごとに薄膜トランジスタが電圧駆動される。具体的には、この薄膜トランジスタに対して閾値電圧以上の電圧が供給されると、前述した半導体層が活性化され（チャネルが形成され）、その結果、薄膜トランジスタにおける一対のソース・ドレイン電極間に、電流が流れる。このような薄膜トランジスタに対する電圧駆動を利用して、表示装置１における映像表示が行われる。
【００３４】
本実施の形態の表示装置１では、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接して導電性部材２１Ｃが設けられているので、保護部材２２を貼り合わせる際（図５）に静電気の発生が抑えられる。以下、この作用・効果について、比較例を用いて説明する。
【００３５】
（比較例）
図６，図７は、比較例に係る表示装置の製造方法を順に表したものである。この比較例に係る製造方法では、図６に示したように、可撓性基板１１から支持基板９を剥離する際に、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に導電性部材（図４の導電性部材２１Ｃ）が形成されない。例えば、レーザ光（例えば、図３のレーザ光Ｌ）の照射エネルギーが小さいと、可撓性基板１１を構成する樹脂材料から導電性の炭素がほとんど生成されない。
【００３６】
導電性部材が設けられていない可撓性基板１１に、接着剤２１Ａを介して保護部材２２を貼り合わせると、図７に示したように、可撓性基板１１と保護部材２２との間に静電気が発生する。この静電気がＴＦＴ層１２の薄膜トランジスタの特性に影響を及ぼし、ＴＦＴ層１２の特性が不安定になるおそれがある。例えば、この静電気に起因して薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ特性がシフトし、複数の薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ特性がばらつくおそれがある。
【００３７】
図８は、薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ特性の変化を表したものである。図８では、保護部材２２を貼り合わせる前（図６）の閾値電圧Ｖｔｈ特性を実線で表し、保護部材２２を貼り合わせた後（図７）の閾値電圧Ｖｔｈ特性を破線で表している。このように、保護部材２２を貼り合わせることにより、静電気が発生し、−１．２Ｖ程度閾値電圧Ｖｔｈがシフトする。
【００３８】
（実施の形態）
これに対し、表示装置１では、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接して導電性部材２１Ｃが設けられているので、保護部材２２を貼り合わせる際（図５）に静電気の発生が抑えられる。よって、例えば閾値電圧Ｖｔｈ特性等のＴＦＴ層１２の特性の変化が抑えられる。
【００３９】
また、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に、導電性フィルムまたは静電気抑制フィルム等を貼り合わせる方法も考え得るが、この方法では、この材料費に起因してコストが高くなる。
【００４０】
しかし、上記で説明したように、レーザ光Ｌの照射により、支持基板９を可撓性基板１１から剥離するともに導電性部材２１Ｃを形成することにより、材料費の増加が抑えられる。よって、コストの増加をおさえつつ、ＴＦＴ層１２の特性の変化が抑えられる。
【００４１】
以上のように本実施の形態では、可撓性基板１１の第２面Ｓ２に接して導電性部材２１Ｃを設けるようにしたので、静電気に起因したＴＦＴ層１２の特性の変化を抑えることができる。よって、ＴＦＴ層１２の特性を安定化させることが可能となる。
【００４２】
また、導電性部材２１Ｃは、可撓性基板１１から支持基板９を剥離するためのレーザ光Ｌの照射により形成される（図３，図４）ので、コストの増加をおさえつつ、ＴＦＴ層１２の特性を安定化させることができる。
【００４３】
更に、表示素子層１３の有機電界発光層等を印刷法で形成することにより、レーザ光Ｌの照射エネルギーを大きくしても、有機電界発光層等が膜剥がれしにくくなる。
【００４４】
＜適用例＞
上記実施の形態に係る表示装置１の、電子機器への適用例（適用例）について説明する。
【００４５】
まず、表示装置１のブロック構成例を説明する。
【００４６】
［表示装置１のブロック構成例］
図９は、表示装置１の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、前述した有機ＥＬディスプレイの他にも、例えば液晶ディスプレイなどにも適用される。表示装置１は、例えばタイミング制御部２５と、信号処理部２６と、駆動部２７と、表示画素部２８とを備えている。
【００４７】
タイミング制御部２５は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部２６等の駆動制御を行うものである。
【００４８】
信号処理部２６は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部２７に出力するものである。
【００４９】
駆動部２７は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路などを含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部２８の各画素を駆動するものである。
【００５０】
表示画素部２８は、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子等の表示素子（前述した表示素子層１３）と、表示素子を画素ごとに駆動するための画素回路とを含んで構成されている。これらのうち、例えば、駆動部２７または表示画素部２８の一部を構成する各種回路に、前述したＴＦＴ層１２が用いられている。
【００５１】
［電子機器の構成例］
上記実施の形態において説明した表示装置１は、様々なタイプの電子機器に適用することが可能である。
【００５２】
図１０は、図９に示した表示装置１を備えた電子機器（電子機器３）への適用例を、ブロック図で表したものである。このような電子機器３としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【００５３】
電子機器３は、例えば上記した表示装置１と、インターフェース部３０とを備えている。インターフェース部３０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部３０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【００５４】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００５５】
例えば、上記実施の形態に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。更に、表示装置では、上記した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上記した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。
【００５６】
また、上記実施の形態では、可撓性基板１１の一部を炭化することにより導電性部材２１Ｃを形成する場合について説明したが（図３，図４）、導電性部材２１Ｃは他の方法により形成するようにしてもよい。例えば、接着剤２１Ａに導電性部材２１Ｃが混ぜ合わされていてもよい。
【００５７】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００５８】
また、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第１面上に設けられたＴＦＴ層と、
発光層を含み、前記ＴＦＴ層を間にして、前記可撓性基板の前記第１面上に設けられた表示素子層と、
前記可撓性基板の前記第２面に接して設けられた導電性部材と、
前記導電性部材を間にして前記可撓性基板の前記第２面に対向する保護部材と
を備えた表示装置。
（２）
前記導電性部材は炭素である
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記可撓性基板は樹脂材料を含む
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
更に、前記可撓性基板と前記保護部材との間に設けられ、前記導電性部材を含む接着層を有する
前記（１）ないし（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記接着層では、前記可撓性基板との対向面の抵抗値が、１０5Ω/ｓｑ以下である
前記（４）に記載の表示装置。
（６）
前記発光層は有機発光材料を含む
前記（１）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板の前記第２面に支持基板を貼り合わせ、
前記可撓性基板の前記第１面上にＴＦＴ層を形成し、
前記ＴＦＴ層上に、発光層を含む表示素子層を形成し、
前記可撓性基板の前記第２面から支持基板を剥離するとともに、前記可撓性基板の前記第２面に接する導電性部材を形成し、
前記導電性部材を間にして、前記可撓性基板の前記第２面に保護部材を貼り合わせる
表示装置の製造方法。
（８）
レーザ光を照射することにより、前記支持基板を前記可撓性基板の前記第２面から剥離する
前記（７）に記載の表示装置の製造方法。
（９）
前記レーザ光の照射エネルギーは、前記支持基板の剥離に必要なエネルギーの１．１５倍以上である
前記（８）に記載の表示装置の製造方法。
（１０）
前記レーザ光の照射により、前記可撓性基板の一部を炭化させて前記導電性部材を形成する
前記（８）または（９）に記載の表示装置の製造方法。
（１１）
前記発光層は印刷法を用いて形成する
前記（７）ないし（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５９】
１…表示装置、１１…可撓性基板、１２…ＴＦＴ層、１３…表示素子層、１４…保護層、２１…接着層、２１Ｃ…導電性部材、２１Ａ…接着剤、２２…保護部材、２５…タイミング制御部、２６…信号処理部、２７…駆動部、２８…表示画素部、３…電子機器、３０…インターフェース部、９…支持基板、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面、Ｌ…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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