(57)【要約】【課題】  感光体軸方向に感度の分布を持たせつつ、暗減衰とゴーストが一定である電子写真感光体を提供すること。【解決手段】  円筒状支持体、２種類の電荷発生物質を含有する電荷発生層、及び電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、該電荷発生層において、該２種類の電荷発生物質のうち、半減露光量の小さい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ１［ｋｇ／ｍ３］、半減露光量の大きい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ２［ｋｇ／ｍ３］としたときに、該円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けてｍ１／ｍ２が増大し、該ｍ１及び該ｍ２、並びに、該電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、特定の関係を満たすことを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層は、２種類の電荷発生物質を含有し、
該電荷発生層において、該２種類の電荷発生物質のうち、半減露光量の小さい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ１［ｋｇ／ｍ３］、半減露光量の大きい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ２［ｋｇ／ｍ３］としたときに、該円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けてｍ１／ｍ２が増大し、
該ｍ１及び該ｍ２が、該画像形成領域において式（Ｅ１）を満たし、
【数１】
2019120731.tif 000039
（Ｅ１）
（式（Ｅ１）中、ｍＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｍ１＋ｍ２の平均値を示す。）
該電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、該画像形成領域において式（Ｅ２）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
【数２】
2019120731.tif 000040
（Ｅ２）
（式（Ｅ２）中、ｄＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｄの平均値を示す。）
【請求項２】
前記２種類の電荷発生物質が、以下の条件を満たす請求項１に記載の電子写真感光体。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量が前記ｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚が前記ｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体のうち、各半減露光量の大きい方をＰ１［μＪ／ｃｍ２］、小さい方をＰ２［μＪ／ｃｍ２］としたときに、前記画像形成領域において式（Ｅ３）を満たす。
【数３】
2019120731.tif 000041
（Ｅ３）
【請求項３】
前記２種類の電荷発生物質が、以下の条件を満たす請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体を帯電させたときの各暗減衰量Ｖｄｄ１［Ｖ］及びＶｄｄ２［Ｖ］が、前記画像形成領域において式（Ｅ４）を満たす。
【数４】
2019120731.tif 000042
（Ｅ４）
【請求項４】
前記２種類の電荷発生物質が、以下の条件を満たす請求項１〜３の何れか１項に記載の電子写真感光体。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体を帯電させたときの各ゴースト電位差Ｖｇ１［Ｖ］及びＶｇ２［Ｖ］が、前記画像形成領域において式（Ｅ５）を満たす。
【数５】
2019120731.tif 000043
（Ｅ５）
【請求項５】
前記２種類の電荷発生物質が、以下の条件を満たす請求項１〜４の何れか１項に記載の電子写真感光体。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体のマクベス濃度の値Ｄ１及びＤ２が、前記画像形成領域において、式（Ｅ６）を満たす。
【数６】
2019120731.tif 000044
（Ｅ６）
【請求項６】
前記２種類の電荷発生物質が、何れもフタロシアニン化合物である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記２種類の電荷発生物質が、同一の分子式である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記２種類の電荷発生物質が、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であり、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を含有しない電荷発生物質と、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であり、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．１質量％以上１．７質量％以下含有する電荷発生物質である請求項６又は７に記載の電子写真感光体。
【数７】
2019120731.tif 000045
（Ａ１）
（上記式（Ａ１）中、Ｒ０は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）
【請求項９】
円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層は、Ｎ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質を含有し、
該電荷発生層において、該Ｎ種類の電荷発生物質の半減露光量をＰ１、Ｐ２、．．．、ＰＮ［μＪ／ｃｍ２］、単位体積当たりの含有量をｍ１、ｍ２、．．．、ｍＮ［ｋｇ／ｍ３］、その合計をｍＡＬＬ＝ｍ１＋ｍ２＋・・・＋ｍＮとしたときに、式（Ｅ７）
【数８】
2019120731.tif 000046
（Ｅ７）
で定義されるＰｍｅａｎが該円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けて減少し、
該ｍＡＬＬが、該画像形成領域において式（Ｅ８）を満たし、
【数９】
2019120731.tif 000047
（Ｅ８）
（式（Ｅ８）中、ｍＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｍＡＬＬの平均値を示す。）
該電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、該画像形成領域において式（Ｅ９）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
【数１０】
2019120731.tif 000048
（Ｅ９）
（式（Ｅ９）中、ｄＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｄの平均値を示す。）
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法であって、
前記電荷発生層を、前記２種類の電荷発生物質をそれぞれ含む２種類の塗布液を、それぞれ２種類の液滴に対応する吐出ヘッドからインクジェット方式で液滴を吐出し、前記円筒状支持体上で該液滴を混合して形成する工程を有し、
該工程において、前記円筒状支持体の軸方向に対して、前記電荷発生層の膜厚、及び、前記２種類の電荷発生物質の含有量の合計が何れも均一になるように制御しながら、該２種類の塗布液の吐出量の比率を変化させることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体の製造方法、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真装置に用いられる露光手段は半導体レーザが主流である。通常光源から出たレーザビームは、レーザ走査書込み装置により円筒状感光体の軸方向に走査される。この際用いられるポリゴンミラーをはじめとした光学系や、様々な電気的補正手段などにより、感光体に書き込まれる静電潜像が感光体軸方向に対して同一となるよう制御されている。
【０００３】
上記ポリゴンミラーの低コスト化や、電気的補正技術の向上などによる光学系の小型化が進み、電子写真方式によるパーソナル用途のレーザビームプリンタも使用されるようになったが、昨今さらなる低コスト化と小型化が求められている。
【０００４】
上記レーザ走査書込み装置には、上記光学系の工夫や電気的補正を行わない場合、感光体軸方向に対する光量分布が存在する。レーザビームをポリゴンミラー等で走査する関係上、感光体軸方向の中央部から端部に向かって光量が増大する領域を持つ。このような光量分布を光学系や電気的補正などのシステム側で均一化しようとすると、コストアップ及び大型化を招く。
【０００５】
そこで従来、感光体軸方向に上記光量分布を打ち消すように感度分布を設けることで、感光体軸方向の露光電位分布を均一にすることが行われている。
【０００６】
感光体に感度分布を持たせる方法として、単層感光体における感光層や積層型感光体における電荷輸送層の静電容量に分布を持たせることが考えられる。静電容量が大きいほど、指定の電位まで露光電位を落とすために必要な消却電荷量が少なくなるため、光量に対して露光電位が落ちやすくなり、感度が向上する。静電容量に分布を持たせる方法としては、感光層あるいは電荷輸送層の膜厚を変化させることが知られている。
【０００７】
しかし、感光体軸方向に静電容量分布がある場合、かぶり現象やゴースト現象などの、感光体の静電容量が変わることで変化する現象にも分布が発生してしまう。その結果、電子写真システム全体でこれらの現象を感光体軸方向全体にわたって抑制することが難しくなるという問題があった。
【０００８】
そこで、感光体に感度分布を持たせる方法としては、積層型感光体における電荷発生層の光電変換効率に分布を持たせることが有効である。
【０００９】
特許文献１には、浸漬塗布時の調速によって電荷発生層の膜厚に偏差を設け、それにより電荷発生物質の付着量に偏差を設けることでマクベス濃度の値を変化させる技術が記載されている。マクベス濃度に感光体軸方向の分布を持たせることで、電荷発生層の光吸収量を変化させ、光電変換効率に分布を持たせている。
【００１０】
特許文献２には、インクジェット塗布時に２種の液滴吐出ヘッドを用い、それぞれの液滴吐出ヘッドから吐出される電荷発生層用塗布液のＰ／Ｂ比を変えるとともに、それぞれの液滴吐出ヘッドの走査条件を制御することで、感光体軸方向に電荷発生層の膜厚を一定に保ったまま、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量を中央部から両端部に向けて増大させる技術が記載されている。電荷発生層の膜厚を一定に保ったまま電荷発生物質の単位体積当たりの含有量に分布を持たせることで、ゴーストの発生を抑えつつ、電荷発生層の光吸収量を変化させ、光電変換効率に分布を持たせている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−３０５８３８号公報
【特許文献２】特開２００８−０７６６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明者らの検討によると、特許文献１、２に記載の電子写真感光体では暗減衰及びゴーストの感光体軸方向に対するムラの抑制が不十分であることが課題であった。
【００１３】
したがって、本発明の目的は感光体軸方向に感度の分布を持たせつつ、暗減衰とゴーストが一定である電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかる電子写真感光体は、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層は、２種類の電荷発生物質を含有し、
該電荷発生層において、該２種類の電荷発生物質のうち、半減露光量の小さい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ１［ｋｇ／ｍ３］、半減露光量の大きい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ２［ｋｇ／ｍ３］としたときに、該円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けてｍ１／ｍ２が増大し、
該ｍ１及び該ｍ２が、該画像形成領域において式（Ｅ１）を満たし、
【００１５】
【数１】
2019120731.tif 000002
（Ｅ１）
（式（Ｅ１）中、ｍＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｍ１＋ｍ２の平均値を示す。）
【００１６】
該電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、該画像形成領域において式（Ｅ２）を満たすことを特徴とする。
【００１７】
【数２】
2019120731.tif 000003
（Ｅ２）
（式（Ｅ２）中、ｄＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｄの平均値を示す。）
【００１８】
また、本発明にかかる電子写真感光体は、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層は、Ｎ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質を含有し、
該電荷発生層において、該Ｎ種類の電荷発生物質の半減露光量をＰ１、Ｐ２、．．．、ＰＮ［μＪ／ｃｍ２］、単位体積当たりの含有量をｍ１、ｍ２、．．．、ｍＮ［ｋｇ／ｍ３］、その合計をｍＡＬＬ＝ｍ１＋ｍ２＋・・・＋ｍＮとしたときに、式（Ｅ７）
【００１９】
【数３】
2019120731.tif 000004
（Ｅ７）
で定義されるＰｍｅａｎが該円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けて減少し、
該ｍＡＬＬが、該画像形成領域において式（Ｅ８）を満たし、
【００２０】
【数４】
2019120731.tif 000005
（Ｅ８）
（式（Ｅ８）中、ｍＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｍＡＬＬの平均値を示す。）
該電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、該画像形成領域において式（Ｅ９）を満たすことを特徴とする。
【００２１】
【数５】
2019120731.tif 000006
（Ｅ９）
（式（Ｅ９）中、ｄＡＶＥは、該円筒状支持体の軸方向に対するｄの平均値を示す。）
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、感光体軸方向に感度の分布を持たせつつ、暗減衰とゴーストが一定である電子写真感光体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置の露光手段についての概略構成の一例を示す図である。
【図３】本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置のレーザ走査装置部の断面図の一例である。
【図４】式（Ｅ１９）が示す範囲を可視化したグラフである。
【図５】ゴースト評価用画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
【００２５】
本発明者らが検討したところ、従来技術では感光体軸方向に対して電荷発生物質の付着量が一定で無く、また、電荷発生層中に含まれる樹脂の量も一定で無かったため、電荷発生物質から発生する熱キャリア及び光キャリアの発生量やトラップ量に差が生じ、暗減衰やゴーストにムラが発生してしまっていたことが分かった。
【００２６】
特許文献１では、電荷発生物質の付着量が感光体軸方向に分布を持つため、電荷発生物質から発生する熱キャリアに起因する暗減衰も分布を持ってしまう。また、電荷発生層の膜厚が感光体軸方向に対して分布を持つため、電荷発生物質から発生した正負の光キャリアが感光体表層側及び基体側に移動する際に、荷発生層を通過する距離が変化することでキャリアトラップ量に差が生じ、結果として感光体の光メモリ性能、特にゴーストがムラを持ってしまう。
【００２７】
特許文献２では、電荷発生物質の付着量が感光体軸方向に分布を持つため、特許文献１と同様に暗減衰も分布を持ってしまう。加えて、電荷発生層の膜厚は一定であっても、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量が分布を持つため、樹脂中に分散された電荷発生物質から発生した正負のキャリアが感光体表層側及び基体側に移動する際に、樹脂を通過する距離が変化することで移動度及びキャリアトラップ深さに差が生じ、結果として感光体の光メモリ性能、特にゴーストがムラを持ってしまう。
【００２８】
上記の従来技術で発生していた技術課題を解決するために、電荷発生層中の樹脂に対する電荷発生物質の比率であるＰ／Ｂ比の違いや電荷発生層の膜厚の違いが、熱キャリアの発生量や光メモリの大きさに与える影響を検討した。また、量子効率の異なる２種類以上の電荷発生物質を混合して、その混合比が光電変換効率に与える影響についても合わせて検討した。
【００２９】
上記の検討の結果、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
前記電荷発生層は電荷発生物質を２種類含有し、
前記電荷発生層において、前記２種類の電荷発生物質のうち半減露光量の小さい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ１［ｋｇ／ｍ３］、半減露光量の大きい方の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をｍ２［ｋｇ／ｍ３］としたときに、前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けてｍ１／ｍ２が増大し、
前記ｍ１及びｍ２が、前記画像形成領域において式（Ｅ１）を満たし、
【００３０】
【数６】
2019120731.tif 000007
（Ｅ１）
（上記式（Ｅ１）中、ｍＡＶＥは、前記円筒状支持体の軸方向に対するｍ１＋ｍ２の平均値を示す。）
【００３１】
前記電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、前記画像形成領域において式（Ｅ２）を満たす
【００３２】
【数７】
2019120731.tif 000008
（Ｅ２）
（上記式（Ｅ２）中、ｄＡＶＥは、前記円筒状支持体の軸方向に対するｄの平均値を示す。）
感光体とすることで、従来技術で発生していた暗減衰及びゴーストのムラを解決できることが分かった。
【００３３】
上述に記載の構成のようにすると、画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けて半減露光量の小さい電荷発生物質の割合が増大するため、画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けて増大する光電変換効率分布が得られる。なお、前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けてｍ１／ｍ２が増大するとは、画像形成領域中央部から２つの画像形成領域端部までのｍ１／ｍ２の値の変化をそれぞれ直線近似したときに、得られる２つの傾きが共に中央部から端部に向けて増大することを意味する。
【００３４】
上述に記載の構成で暗減衰およゴーストのムラを解決できるメカニズムを、本発明者らは以下のように考えている。
【００３５】
第一に、電荷発生層に起因する暗減衰は、電荷発生物質から発生する熱キャリアが原因である。熱キャリアの発生量が多いと、暗減衰は増大する。一方、熱キャリアは電荷発生物質から熱励起により確率的に発生するから、熱キャリア量は電荷発生物質量に比例する。
【００３６】
したがって、本発明のように電荷発生物質の単位体積当たりの含有量と電荷発生層膜厚をある範囲内で一定にすることで、電荷発生物質の全付着量も一定となり、暗減衰のムラを抑制することが出来る。
【００３７】
第二に、電荷発生層に起因するゴーストは、電荷発生物質から発生する光キャリアが電荷発生層中の樹脂や樹脂と電荷発生物質の界面でトラップされることが原因である。キャリアトラップが深いか、キャリアトラップの量が多いと、ゴーストは増大する。一方、キャリアトラップの深さは、分散された電荷発生物質の間の距離、あるいは電荷発生物質と電荷輸送層中の電荷輸送物質との間の距離が長いほど深くなる。また、キャリアトラップの量は、電荷発生層中の樹脂の膜厚方向の絶対量が大きいほど増大する。
【００３８】
したがって、本発明のように電荷発生物質の単位体積当たりの含有量をある範囲内で一定にすることで、電荷発生物質の間の距離、あるいは電荷発生物質と電荷輸送層中の電荷輸送物質との間の距離が一定に保たれるので、キャリアトラップの深さも一定となり、ゴーストのムラを抑制することが出来る。
【００３９】
また、本発明のように電荷発生層の膜厚をある範囲内で一定にすることで、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量が一定であることと合わせて、電荷発生層中の樹脂の膜厚方向の絶対量が一定に保たれるので、キャリアトラップ量も一定となり、ゴーストのムラを抑制することが出来る。
【００４０】
加えて、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量と電荷発生層の膜厚を共にある範囲内で一定にすることで、暗減衰及びゴーストのムラの抑制効果が相乗的に発現することを本発明者らは見出した。その理由を本発明者らは以下のように推測している。
【００４１】
熱キャリアや光キャリアの電荷発生層中での移動は、電荷発生層中に分散された電荷発生物質の間のホッピングによって行われている。したがって、キャリアの移動度は電荷発生物質の間の平均間距離に対してパーコレーション的な振る舞いを示す。一方、キャリアの伝導は印加されている電界強度に影響されるが、電荷発生層に印加されている局所的な電界強度は、電荷発生層の膜厚に依存する。パーコレーション伝導は電荷発生物質の間の平均距離、すなわち電荷発生物質の単位体積当たりの含有量に対して閾値的な依存性を示すが、そのような急激な変化を示す伝導特性であるので、電荷発生層に印加される電界強度の変化がキャリア伝導に及ぼす効果も拡大される。
【００４２】
以上の理由により、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量と電荷発生層の膜厚を共にある範囲内で一定にすることで初めて、パーコレーション的な振る舞いをする熱キャリアや光キャリアの伝導の感光体軸方向のムラを相乗的に抑制し、暗減衰及びゴーストの均一性が向上する。
【００４３】
また、上述に記載の構成に関わるメカニズムは、用いる電荷発生物質の種類をＮ種類（Ｎ≧３）にした場合でも同様である。
【００４４】
電荷発生物質の種類をＮ種類（Ｎ≧３）にした場合、本発明の電子写真感光体は、電荷発生層において、Ｎ種類の電荷発生物質の半減露光量をＰ１、Ｐ２、．．．、ＰＮ［μＪ／ｃｍ２］、単位体積当たりの含有量をｍ１、ｍ２、．．．、ｍＮ［ｋｇ／ｍ３］、その合計をｍＡＬＬ＝ｍ１＋ｍ２＋・・・＋ｍＮとしたときに、式（Ｅ７）
【００４５】
【数８】
2019120731.tif 000009
（Ｅ７）
で定義されるＰｍｅａｎが円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央部から画像形成領域両端部に向けて減少し、
ｍＡＬＬが、画像形成領域において式（Ｅ８）を満たし、
【００４６】
【数９】
2019120731.tif 000010
（Ｅ８）
（式（Ｅ８）中、ｍＡＶＥは、前記円筒状支持体の軸方向に対するｍＡＬＬの平均値を示す。）
【００４７】
電荷発生層の膜厚ｄ［ｎｍ］が、画像形成領域において式（Ｅ９）を満たす
【００４８】
【数１０】
2019120731.tif 000011
（Ｅ９）
（式（Ｅ９）中、ｄＡＶＥは、前記円筒状支持体の軸方向に対するｄの平均値を示す。）
ことを特徴とする。
【００４９】
［電子写真感光体］
本発明の電子写真感光体は、支持体と、電荷発生層と電荷輸送層とを有する。本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、電荷発生層以外の層については浸漬塗布が好ましく、２種類の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量比及び電荷発生層の膜厚を同時に制御する精密性の観点から、電荷発生層についてはインクジェット塗布が好ましい。
【００５０】
電荷発生層をインクジェット塗布する際には、２種類以上の液滴吐出ヘッドを用いることが好ましい。各液滴吐出ヘッドで、異なる電荷発生物質を含む塗布液を吐出するか、あるいは２種類以上の電荷発生物質を異なる含有比で含む塗布液を吐出することによって、半減露光量の異なる２種類以上の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量を精密に制御できる。また、各液滴吐出ヘッドの走査条件を制御することで、電荷発生層中の全電荷発生物質の単位体積当たりの含有量及び電荷発生層の膜厚を感光体軸方向に対して一定にすることも容易である。
【００５１】
また、インクジェット塗布のヘッドとしてラインヘッドを用いてもよい。その場合には、ラインヘッド中の各ヘッドで、異なる電荷発生物質を含む塗布液を吐出するか、あるいは２種類以上の電荷発生物質を異なる含有比で含む塗布液を吐出することによって上述の制御が可能となる。
【００５２】
精密性の観点からはインクジェット塗布に劣るものの、電荷発生層を形成するための浸漬塗布を複数回行う方法を用いてもよい。その場合、例えば１回目の浸漬塗布と２回目の浸漬塗布とで異なる電荷発生物質を含む塗布液を用い、浸漬塗布における引上げ速度を調速することで、１回目は電荷発生層の膜厚が感光体軸方向に対して凸形状となるように、２回目はそれと反対に凹形状となるようにする。１回目の凸形状と２回目の凹形状がちょうど打ち消しあうように調速すれば、電荷発生層の全膜厚を感光体軸方向に一定に保ちつつ、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量も一定にし、かつ２種類以上の電荷発生物質の単位体積当たりの含有比に分布を持たせることが出来る。３回以上の浸漬塗布を組み合わせる場合も同様である。
【００５３】
以下、各層について説明する。
【００５４】
＜支持体＞
本発明において、電子写真感光体は、支持体を有する。本発明において、支持体は導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。また、本発明において、支持体の形状は円筒状である。また、支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
【００５５】
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
【００５６】
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
【００５７】
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。
【００５８】
＜導電層＞
本発明において、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。
導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
【００５９】
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
【００６０】
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
【００６１】
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなど元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
【００６２】
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズなどの金属酸化物が挙げられる。
【００６３】
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６４】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
【００６５】
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などを更に含有してもよい。
【００６６】
導電層の平均膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００６７】
導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
【００６８】
＜下引き層＞
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
【００６９】
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
【００７０】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
【００７１】
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素−炭素二重結合基などが挙げられる。
【００７２】
また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などを更に含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
【００７３】
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
【００７４】
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
【００７５】
また、下引き層は、添加剤を更に含有してもよい。
【００７６】
下引き層の平均膜厚は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００７７】
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【００７８】
＜電荷発生層＞
電荷発生層は、２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質を含有する必要がある。また、樹脂を含有することが好ましい。
【００７９】
２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。
【００８０】
また、本発明において電荷発生物質の種類が異なるとは、電荷発生物質の分子式が異なる場合はもちろん、分子式が同一であってもその結晶型が異なる場合や、結晶型が同一であっても結晶に含有される不純物の種類や量が異なる場合も含む。
【００８１】
電荷発生層が含有する２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質としては、それぞれの電荷発生物質をそれぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように電荷発生層中に含有させたとき、それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体の各半減露光量の最大値Ｐｍａｘ［μＪ／ｃｍ２］と、最小値をＰｍｉｎ［μＪ／ｃｍ２］が、前記画像形成領域において式（Ｅ１０）を満たす
【００８２】
【数１１】
2019120731.tif 000012
（Ｅ１０）
ことが好ましい。こうすることで、感光体軸方向の画像形成領域において、少なくとも１．２倍の光電変換効率の差を設けることが出来るため、電子写真装置のレーザ走査系における光学系小型化によって発生する現実的な光量分布の偏差に柔軟に対応可能である。
【００８３】
ただし、ここで言う半減露光量Ｐは、温度２５℃、湿度５０％の条件下、感光体の初期表面電位を−７００［Ｖ］（正帯電感光体の場合には＋７００［Ｖ］）に帯電したとき、波長７８０［ｎｍ］の単色光を露光して表面電位を−３５０［Ｖ］（正帯感光体の場合には＋３５０［Ｖ］）にするために必要な照射エネルギー（単位は［μＪ／ｃｍ２］）として定義される。
【００８４】
尚、電荷発生層が含有する電荷発生物質が２種類の場合は、以下の条件を満たす。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量が前記ｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚が前記ｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体のうち、各半減露光量の大きい方をＰ１［μＪ／ｃｍ２］、小さい方をＰ２［μＪ／ｃｍ２］としたときに、前記画像形成領域において式（Ｅ３）を満たす。
【００８５】
【数１２】
2019120731.tif 000013
（Ｅ３）
【００８６】
また、上記２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質としては、それぞれの電荷発生物質をそれぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように電荷発生層中に含有させたとき、それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体を帯電させたときの各暗減衰量Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ２、．．．、ＶｄｄＮ［Ｖ］が、前記画像形成領域において、全てのｉ（ｉ＝１、２、．．．、Ｎ）について式（Ｅ１１）を満たす
【００８７】
【数１３】
2019120731.tif 000014
（Ｅ１１）
（上記式（Ｅ１１）中、Ｖｄｄｍｅａｎは、Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ２、．．．、ＶｄｄＮの数平均Ｖｄｄｍｅａｎ＝（Ｖｄｄ１＋Ｖｄｄ２＋．．．＋ＶｄｄＮ）／Ｎを示す。）
ことが好ましい。こうすると各電荷発生物質単独の暗減衰性能が近いため、同一の電荷発生層膜厚かつ同一の単位体積当たりの総含有量の下、２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質の含有比に分布を持たせたときに、暗減衰のムラがさらに低減される。
【００８８】
ただし、ここで言う暗減衰量Ｖｄｄは、温度２５℃、湿度５０％の条件下、感光体の初期表面電位を帯電から０．１秒後に−５００［Ｖ］（正帯電感光体の場合には＋５００［Ｖ］）となるように帯電器を設定したとき、帯電から１．０秒後の表面電位の絶対値の減少分（単位は［Ｖ］）として定義される。
【００８９】
尚、電荷発生層が含有する電荷発生物質が２種類の場合は、以下の条件を満たす。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体を帯電させたときの各暗減衰量Ｖｄｄ１［Ｖ］及びＶｄｄ２［Ｖ］が、前記画像形成領域において式（Ｅ４）を満たす。
【００９０】
【数１４】
2019120731.tif 000015
（Ｅ４）
【００９１】
また、上記２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質としては、それぞれの電荷発生物質をそれぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように電荷発生層中に含有させたとき、それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体を帯電させたときの各ゴースト電位差Ｖｇ１、Ｖｇ２、．．．、ＶｇＮ［Ｖ］が、前記画像形成領域において、全てのｉ（ｉ＝１、２、．．．、Ｎ）について式（Ｅ１２）を満たす
【００９２】
【数１５】
2019120731.tif 000016
（Ｅ１２）
（上記式（Ｅ１２）中、Ｖｇｍｅａｎは、Ｖｇ１、Ｖｇ２、．．．、ＶｇＮの数平均Ｖｇｍｅａｎ＝（Ｖｇ１＋Ｖｇ２＋．．．＋ＶｇＮ）／Ｎを示す。）ことが好ましい。こうすると各電荷発生物質単独のゴースト性能が近いため、同一の電荷発生層膜厚かつ同一の単位体積当たりの総含有量の下、２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質の含有比に分布を持たせたときに、ゴーストのムラがさらに低減される。
【００９３】
ただし、ここで言うゴースト電位差Ｖｇは以下のようにして定義される。まず、温度２５℃、湿度５０％の条件下、感光体の初期表面電位を帯電から０．１秒後に−５００［Ｖ］（正帯電感光体の場合には＋５００［Ｖ］）となるように帯電器を設定する。次に、波長７８０［ｎｍ］の単色光を照射して、該感光体の表面電位が初期表面電位の−５００［Ｖ］（正帯電感光体の場合には＋５００［Ｖ］）から−２５０［Ｖ］（正帯電感光体の場合には＋２５０［Ｖ］）となるよう露光量を設定する。こうして設定された帯電と露光を、それぞれ５回ずつ感光体に対して行い、その直後の６回目においては露光を行わず帯電だけを行う。その６回目の帯電から０．１秒後及び１．０秒後の表面電位の差の絶対値をＶｄｄＬ［Ｖ］とする。他方、前記ＶｄｄＬを測定する際に露光を一切行わないこと以外は同様にして得られる、６回目の帯電から０．１秒後及び１．０秒後の表面電位の差の絶対値をＶｄｄＤ［Ｖ］とする。このとき、Ｖｇ＝ＶｄｄＬ−ＶｄｄＤとしてゴースト電位差Ｖｇが得られる。
【００９４】
尚、電荷発生層が含有する電荷発生物質が２種類の場合は、以下の条件を満たす。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体を帯電させたときの各ゴースト電位差Ｖｇ１［Ｖ］及びＶｇ２［Ｖ］が、前記画像形成領域において式（Ｅ５）を満たす。
【００９５】
【数１６】
2019120731.tif 000017
（Ｅ５）
【００９６】
また、上記２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質としては、それぞれの電荷発生物質をそれぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように電荷発生層中に含有させたとき、それぞれのマクベス濃度の値Ｄ１、Ｄ２、．．．、ＤＮが、前記画像形成領域において、全てのｉ（ｉ＝１、２、．．．、Ｎ）について式（Ｅ１３）を満たす
【００９７】
【数１７】
2019120731.tif 000018
（Ｅ１３）
（上記式（Ｅ１３）中、Ｄｍｅａｎは、Ｄ１、Ｄ２、．．．、ＤＮの数平均Ｄｍｅａｎ＝（Ｄ１＋Ｄ２＋・・・＋ＤＮ）／Ｎを示す。）ことが好ましい。こうすると各電荷発生物質単独のマクベス濃度が近いため、同一の電荷発生層膜厚かつ同一の単位体積当たりの総含有量の下、２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質の含有比に分布を持たせたときに、マクベス濃度のムラが低減され、感光体の軸方向に対する光吸収量のムラが少なくなることによって、光電変換効率の偏差が低下する。また、感光体のマクベス濃度が均一になるため、感光体製造時の光学的手段による欠陥検査の効率及び精度を向上させ、生産性を高めることが出来る。
【００９８】
ただし、ここで言うマクベス濃度は、マクベス反射濃度計を感光体表面に押し当てて測定される値である。
【００９９】
尚、電荷発生層が含有する電荷発生物質が２種類の場合は、以下の条件を満たす。
（条件）
２種類の電荷発生物質を、それぞれ単独に、単位体積当たりの含有量がｍＡＶＥ［ｋｇ／ｍ３］、前記電荷発生層の膜厚がｄＡＶＥ［ｎｍ］となるように前記電荷発生層中に含有させたとき、
それぞれの電荷発生物質を含有する電子写真感光体のマクベス濃度の値Ｄ１及びＤ２が、前記画像形成領域において、式（Ｅ６）を満たす。
【０１００】
【数１８】
2019120731.tif 000019
（Ｅ６）
【０１０１】
また、上記２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質が何れもフタロシアニン化合物であることが好ましい。こうすることで、異なる電荷発生物質同士が均一に混合しやすくなり、本発明の効果を得られやすい。加えて、フタロシアニン化合物同士を異なる比率で混合した場合、それぞれのフタロシアニン化合物の暗減衰特性及びゴースト特性を混合比にしたがって平均化したときの値に比べて、実際得られる暗減衰及びゴーストの値は混合比に対する依存性が小さくなる傾向いにあるため、この点でも本発明にとって好ましい。
【０１０２】
また、上記２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質が同一の分子式であることが好ましい。こうすることで、それぞれの電荷発生物質同士が均一に混合しやすくなるとともに、それぞれの電荷発生物質の暗減衰特性及びゴースト特性が近いため、本発明の効果が得られやすい。
【０１０３】
さらに、上記２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質のうちの２種類が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であり、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を含有しない電荷発生物質と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°及び２８．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であり、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．１質量％以上１．７質量％以下含有する電荷発生物質であることが好ましい。こうすることで、それぞれの電荷発生物質同士がより均一に混合しやすくなるとともに、それぞれのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を混合したときの暗減衰特性及びゴースト特性が、混合比に対しての依存性をほぼ持たなくなるため、本発明にとって好ましい。加えて、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°及び２８．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であり、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．１質量％以上１．７質量％以下含有する電荷発生物質を含有する感光体の半減露光量は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であり、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を含有しない電荷発生物質を含有する感光体の半減露光量に対して１．３倍以上大きくなるため、この点でも本発明にとって好ましい。
【０１０４】
【数１９】
2019120731.tif 000020
（Ａ１）
（上記式（Ａ１）中、Ｒ０は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）
【０１０５】
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４５質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。含有量が４５質量％未満になると、いわゆるパーコレーション閾値未満となって、電荷発生物質間のホッピング確率が極端に悪くなり、感光体軸方向全体の平均値としてのゴーストが極端に悪化する。また、感光体軸方向に対してパーコレーション閾値をまたぐことによるゴーストの急激な変化が発生しやすくなってムラに結びついてしまうので、この点でも本発明にとって好ましくない。また、含有量が５０質量％以上だと、感光体軸方向全体の平均値としての光電変換効率が高まるので好ましい。一方、電荷発生物質の含有量が８０質量％より大きいと、電荷発生物質の分散性が悪化して電荷発生物質の間の距離のばらつきが大きくなり、本発明にとって好ましくない。また、含有量が８５質量％より大きいと、さらに電荷発生物質の分散性が悪化して凝集塊を作りやすくなり、かぶりや青ポチなどの画像欠陥につながる。
【０１０６】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
【０１０７】
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を更に含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。
【０１０８】
電荷発生層の平均膜厚は、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０９】
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【０１１０】
上記のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物を結晶粒子内に含有しているかどうかについて、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を１Ｈ‐ＮＭＲ測定のデータを解析することにより決定した。また、１Ｈ‐ＮＭＲ測定の結果をデータ解析することにより、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物の結晶粒子中への含有量を決定した。例えば、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物を溶解できる溶剤によるミリング処理、又はミリング後の洗浄工程を行った場合、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を１Ｈ‐ＮＭＲ測定する。上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物が検出された場合は、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物が結晶内に含有されていると判断することができる。
【０１１１】
本発明における電荷発生物質の単位体積当たりの含有量は、１Ｈ‐ＮＭＲ測定のデータを解析することにより決定した。例えば、電荷発生物質としてヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を用い、結着樹脂としてポリビニルブチラールを用いた場合、１Ｈ‐ＮＭＲ測定のデータにおけるヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料由来のピークとポリビニルブチラール由来のピークを比較することで、電荷発生物質と決着樹脂の重量比を決定することができる。これと、電荷発生層の膜厚を組み合わせることで、電荷発生物質の単位体積当たりの含有量を決定することが出来る。また、本発明における電荷発生層の膜厚は電荷発生層の断面ＳＥＭ画像から求めた。
【０１１２】
本発明における式（Ｅ１）
【０１１３】
【数２０】
2019120731.tif 000021
（Ｅ１）
及び式（Ｅ２）
【０１１４】
【数２１】
2019120731.tif 000022
（Ｅ２）
乃至、式（Ｅ８）
【０１１５】
【数２２】
2019120731.tif 000023
（Ｅ８）
及び式（Ｅ９）
【０１１６】
【数２３】
2019120731.tif 000024
（Ｅ９）
が成り立っているかどうかの判定は、以下のようにして行った。まず、本発明の円筒状電子写真感光体の画像形成領域について、周方向を８等分、軸方向を２５等分に分割し、合計２００点の測定点を得る。この２００点について上述の方法で電荷発生物質の単位体積当たりの含有量、及び、電荷発生層の膜厚を測定する。次に、周方向の８点について該含有量及び該膜厚を平均し、軸方向について２５点の電荷発生物質の単位体積当たりの含有量、及び、電荷発生層の膜厚のデータを得る。このデータを用いて、上記式（Ｅ１）及び（Ｅ２）、乃至、上記式（Ｅ８）及び（Ｅ９）を計算することが出来る。なお、上記式（Ｅ１）及び上記式（Ｅ２）と、上記式（Ｅ８）及び上記式（Ｅ９）とは、本発明の電荷発生層が含有する電荷発生物質の種類が２種類なのか３種類以上なのかによる表現の違いを除いては、同じことを意味している。
【０１１７】
本発明の電子写真感光体に含有されるフタロシアニン顔料の粉末Ｘ線回折測定、及び１Ｈ‐ＮＭＲ測定は、次の条件で行ったものである。
【０１１８】
（粉末Ｘ線回折測定）
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
Ｘ線波長：Ｋα１
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度２θ：５．０°
ストップ角度２θ：３５．０°
ゴニオメータ：ロータ水平ゴニオメータ（ＴＴＲ−２）
アタッチメント：キャピラリ回転試料台
フィルター：なし
検出器：シンチレーションカウンター
インシデントモノクロ：使用する
スリット：可変スリット（平行ビーム法）
カウンターモノクロメータ：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
（１Ｈ−ＮＭＲ測定）
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
積算回数：２，０００
【０１１９】
＜電荷輸送層＞
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【０１２０】
電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
【０１２１】
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
【０１２２】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
【０１２３】
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０〜２０：１０が好ましく、５：１０〜１２：１０がより好ましい。
【０１２４】
また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【０１２５】
電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【０１２６】
電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤又は芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
【０１２７】
＜保護層＞
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
【０１２８】
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
【０１２９】
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
【０１３０】
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
【０１３１】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【０１３２】
また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。
【０１３３】
保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【０１３４】
保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【０１３５】
保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【０１３６】
［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
本発明のプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。
【０１３７】
また、本発明の電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする。
【０１３８】
図１に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【０１３９】
１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。尚、図においては、ローラ型帯電部材によるローラ帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段を別途設けず、上記付着物を現像手段などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明のプロセスカートリッジを電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。
【０１４０】
本発明の電子写真感光体は、レーザビームプリンタ、ＬＥＤプリンタ、複写機、ファクシミリ、及び、これらの複合機などに用いることができる。
【０１４１】
図２に、本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置の露光手段についての概略構成２０７の一例を示す。
【０１４２】
レーザ走査手段であるレーザ走査装置２０４内のレーザ駆動部２０３は、画像信号生成部２０１から出力された画像信号、及び制御部２０２から出力される制御信号に基づき、レーザ走査光を発する。不図示の帯電手段により帯電された感光体２０５をレーザ光で走査し、感光体２０５の表面に静電潜像を形成する。
【０１４３】
図３は、本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置のレーザ走査装置部２０４の断面図である。
【０１４４】
レーザ光源２０８から出射したレーザ光（光束）は、光学系を透過した後ポリゴンミラー（偏向器）２０９の偏向面（反射面）２０９ａにて反射され、結像レンズ２１０を透過して感光体表面２１１に入射する。結像レンズ２１０は結像光学素子である。レーザ走査装置部２０４においては、単一の結像光学素子（結像レンズ２１０）のみで結像光学系が構成されている。結像レンズ２１０を透過したレーザ光が入射する感光体表面（被走査面）２１１上で結像し、所定のスポット状の像（スポット）を形成する。ポリゴンミラー２０９を不図示の駆動部により一定の角速度で回転させることにより、被走査面２１１上でスポットが感光体軸方向に移動し、被走査面２１１上に静電潜像を形成する。
【０１４５】
結像レンズ２１０は、所謂ｆθ特性を有していない。つまり、ポリゴンミラー２０９が等角速度で回転している時に、結像レンズ２１０を透過するレーザ光のスポットを被走査面２１１上で等速に移動させるような走査特性を有していない。このように、ｆθ特性を有していない結像レンズ２１０を用いることにより、結像レンズ２１０をポリゴンミラー２０９に近接して（距離Ｄ１が小さい位置に）配置することが可能となる。また、ｆθ特性を有していない結像レンズ２１０はｆθ特性を有する結像レンズよりも、幅ＬＷ及び厚みＬＴに関して小さくできる。このようなことから、レーザ走査装置２０４の小型化が可能となる。また、ｆθ特性を有するレンズの場合、レンズの入射面、出射面の形状に急峻な変化がある場合があり、そのような形状の制約がある場合、良好な結像性能を得られない可能性がある。これに対して、結像レンズ２１０はｆθ特性を有していないため、レンズの入射面、出射面の形状に急峻な変化が少なく、良好な結像性能を得ることができる。
【０１４６】
このような、小型化や結像性能向上のためにｆθ特性を持たせない結像レンズ２１０の走査特性は、以下の式（Ｅ１４）で表される。
【０１４７】
【数２４】
2019120731.tif 000025
（Ｅ１４）
式（Ｅ１４）では、ポリゴンミラー２０９による走査角度θを、レーザ光の被走査面２１１上での感光体軸方向の集光位置（像高）をＹ［ｍｍ］、軸上像高いのける結像係数をＫ［ｍｍ］、結像レンズ２１０の走査特性を決定する係数（走査特性係数）をＢとしている。なお、本発明において軸上像高は、光軸上の像高（Ｙ＝０＝Ｙｍｉｎ）を指し、走査角度θ＝０に対応する。また、軸外像高は、中心光軸（走査角度θ＝０の時）よりも外側の像高（Ｙ≠０）を指し、走査角度θ≠０に対応している。さらに、最軸外像高とは、走査角度θが最大となる時の像高（Ｙ＝＋Ｙｍａｘ、−Ｙｍａｘ）を指す。なお、被走査面２１１上の潜像を形成可能な所定の領域（走査領域）の感光体軸方向の幅である走査幅ＷはＷ＝｜＋Ｙｍａｘ｜＋｜−Ｙｍａｘ｜で表される。所定の領域の中央が軸上像高で端部が最軸外像高となる。また、走査領域は本発明の感光体の画像形成領域よりも大きい。
【０１４８】
ここで、結像係数Ｋは、結像レンズ２１０に平行光が入射する場合の走査特性（ｆθ特性）Ｙ＝ｆθにおけるｆに相当する係数である。すなわち、結像係数Ｋは、結像レンズ２１０に平行光以外の光束が入射する場合に、ｆθ特性と同様に集光位置Ｙと走査角度θとを比例関係にするための係数である。
【０１４９】
走査特性係数について補足すると、Ｂ＝０の時の式（Ｅ１４）は、Ｙ＝Ｋθとなるため、従来の光走査装置に用いられる結像レンズの走査特性Ｙ＝ｆθに相当する。また、Ｂ＝１の時の式（Ｅ１４）は、Ｙ＝Ｋ・ｔａｎθとなるため、撮像装置（カメラ）などに用いられるレンズの射影特性Ｙ＝ｆ・ｔａｎθに相当する。すなわち、式（Ｅ１４）において、走査特性係数Ｂを０≦Ｂ≦１の範囲で設定することで、射影特性Ｙ＝ｆ・ｔａｎθとｆθ特性Ｙ＝ｆθとの間の走査特性を得ることができる。
【０１５０】
ここで、式（Ｅ１４）を走査角度θで微分すると、以下の式（Ｅ１５）に示すように走査角度θに対する被走査面２１１上でのレーザ光の走査速度が得られる。
【０１５１】
【数２５】
2019120731.tif 000026
（Ｅ１５）
【０１５２】
さらに、式（Ｅ１５）を軸上像高における速度ｄＹ／ｄθ＝Ｋで除し、さらに両辺の逆数をとると、以下の式（Ｅ１６）に示すようになる。
【０１５３】
【数２６】
2019120731.tif 000027
（Ｅ１６）
【０１５４】
式（Ｅ１６）は、軸上像高の走査速度の逆数に対する各軸外像高の走査速度の逆数の割合を表現したものである。レーザ光の全エネルギーは走査角度θに依らず一定であるから、感光体表面２１１上におけるレーザ光の走査速度の逆数は、走査角度θの場所に照射される単位面積当たりのレーザ光量［μＪ／ｃｍ２］に比例する。したがって式（Ｅ１６）は、走査角度θ＝０における感光体表面２１１へ照射される単位体積当たりのレーザ光量に対する、走査角度θ≠０における感光体表面２１１へ照射される単位体積当たりのレーザ光量の割合を意味している。レーザ走査装置２０４は、Ｂ＝０の場合以外においては、軸上像高と軸外像高とで感光体表面２１１へ照射される単位体積当たりのレーザ光量が異なっていることになる。
【０１５５】
上記したようなレーザ光量の分布が感光体軸方向に対して存在する場合、感光体軸方向に光電変換効率の分布を持つ本発明が好適に利用できる。すなわち、レーザ光量の分布をちょうど打ち消すように光電変換効率の分布を本発明の構成によって実現すれば、感光体軸方向の静電潜像の分布は均一となる。そのとき求められる光電変換効率の分布形状は、上式（Ｅ１６）の逆数をとった以下の式（Ｅ１７）で表される。
【０１５６】
【数２７】
2019120731.tif 000028
式（Ｅ１７）
【０１５７】
感光体の画像形成領域の両端部に対応する走査角度をθ＝＋θｍａｘ、−θｍａｘとすると、θ＝θｍａｘにおける式（Ｅ１７）の値は、上述のレーザ走査装置と本発明の感光体を組み合わせたときに該感光体に求められる、画像形成領域の中央部に対する画像形成領域の両端部の光電変換効率の割合を意味する。この割合は、上述の式（Ｅ１０）で示したＰｍａｘ／Ｐｍｉｎが実現可能な上限となるため、逆に２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質によって決まるＰｍａｘ／Ｐｍｉｎの値を定めれば、画像形成領域において感光体軸方向に均一な静電潜像を形成するために許容されるレーザ走査装置の幾何学的特徴θｍａｘ及び光学系の特徴Ｂが定まる。具体的には、以下の式（Ｅ１８）の条件が満たされているとき、２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質の単位体積当たりの含有比を調整することで、本発明の感光体の画像形成領域において感光体軸方向に均一な静電潜像が形成可能である。逆に言えば、式（Ｅ１８）が満たされていない場合には、種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質の単位体積当たりの含有比をどのように調整しても、本発明の感光体の画像形成領域において感光体軸方向に均一な静電潜像が形成することはできない。
【０１５８】
【数２８】
2019120731.tif 000029
式（Ｅ１８）
【０１５９】
式（Ｅ１８）をθｍａｘについて解くと以下の式（Ｅ１９）となる。
【０１６０】
【数２９】
2019120731.tif 000030
式（Ｅ１９）
【０１６１】
式（Ｅ１９）が示す範囲を可視化したグラフを図４に示す。図４から分かるとおり、例えばＰｍａｘ／Ｐｍｉｎ＝１．１の本発明の感光ドラムと走査特性係数Ｂ＝０．５の結像レンズ２１０とを組み合わせた場合、θｍａｘ＝４５°となるようレーザ走査装置２０４を設計すると、感光体の画像形成領域において静電潜像に一部ムラが発生することになる。他方、例えばＰｍａｘ／Ｐｍｉｎ＝１．２の本発明の感光ドラムと走査特性係数Ｂ＝０．５の結像レンズ２１０とを組み合わせた場合には、θｍａｘ＝４５°となるようレーザ走査装置部２０４を設計しても、感光体の画像形成領域において静電潜像を均一にすることが出来る。θｍａｘが小さいほど、図３に示す偏向面２０９ａからと感光体表面２１１までの光路長Ｄ２を短くなるため、レーザ走査装置２０４の小型化が可能となる。
【実施例】
【０１６２】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を更に詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。尚、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。
【０１６３】
［合成例１］
窒素フローの雰囲気下、オルトフタロニトリル５．４６部及びα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率７１％で得た。
【０１６４】
［合成例２］
前記合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で３０分間分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返した。最後にフリーズドライ（凍結乾燥）を行い、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を収率９７％で得た。
【０１６５】
［合成例３］
前記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ−０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン製）を用いて以下のように乾燥させた。
【０１６６】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。
【０１６７】
先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程を更に１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。更に第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程を更に１回繰り返した（計２回）。更に第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程を更に７回繰り返した（計８回）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。
【０１６８】
［合成例４］
前記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１０部と、濃度３５質量％で温度２３℃の塩酸２００部を混合して、マグネティックスターラで９０分撹拌した。塩酸を混合した量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン１ｍｏｌに対して、塩化水素１１８ｍｏｌであった。撹拌後、氷水で冷却された１０００部のイオン交換水に滴下して、マグネティックスターラで３０分撹拌した。これを減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。その後、温度２３℃のイオン交換水で分散洗浄を４回行った。このようにしてクロロガリウムフタロシアニン顔料９部を得た。
【０１６９】
［合成例５］
α−クロロナフタレン１００ｇ中、ｏ−フタロジニトリル５．０ｇ、四塩化チタン２．０ｇを２００℃にて３時間加熱攪拌した後、５０℃まで冷却して析出した結晶を濾別してジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次にこれを１００℃に加熱したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬで攪拌洗浄し、次いで６０℃のメタノール１００ｍＬで２回洗浄を繰り返し濾別した。更にこの得られたペーストを脱イオン水１００ｍＬ中８０℃で１時間攪拌し、濾別して青色のチタニルフタロシアニン顔料を４．３ｇ得た。
【０１７０】
次にこの顔料を濃硫酸３０ｍＬに溶解させ２０℃の脱イオン水３００ｍＬ中に攪拌下で滴下して再析出し、濾過して十分に水洗した後、非晶質のチタニルフタロシアニン顔料を得た。この非晶質のチタニルフタロシアニン顔料４．０ｇをメタノール１００ｍＬ中で室温（２２℃）下、８時間懸濁攪拌処理し、濾別して減圧乾燥し、低結晶性のチタニルフタロシアニン顔料を得た。
【０１７１】
［ミリング例１］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４８部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有する。
【０１７２】
［ミリング例２］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１部、Ｎ−メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で７０時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に４００回転する条件で行った。こうして処理した液にＮ−メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して１．５質量％であった。
【０１７３】
［ミリング例３］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で６時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した（一段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用いた。こうしてミリング処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液を室温（２３℃）下で３００時間、ボールミルでミリング処理した（二段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。こうして処理した液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４８部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有する。
【０１７４】
［ミリング例４］
合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部
を室温（２３℃）下で１時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した（一段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用いた。こうしてミリング処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した（二段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。こうして処理した液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン顔料を０．４７部得た。
【０１７５】
［ミリング例５］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で４時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用いた。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４４部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有する。
【０１７６】
［ミリング例６］
合成例５で得られたチタニルフタロシアニン顔料０．５部、テトラヒドロフラン１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で４８時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に５００回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をメタノールと水で十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、チタニルフタロシアニン顔料を０．４５部得た。
【０１７７】
［実施例１］
＜支持体＞
直径２４ｍｍ、長さ２５７ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体（円筒状支持体）とした。
【０１７８】
＜導電層＞
次に、酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ  ＪＲ、テイカ製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト  Ｊ−３２５、ＤＩＣ製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理して、導電層用塗布液を調製した。このようにして調整した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１４５℃で１時間加熱し硬化させることにより、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【０１７９】
＜下引き層＞
次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン６（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス製）２５部をメタノール／ｎ−ブタノール＝２／１混合溶液４８０部に溶解（６５℃での加熱溶解）させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ−０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業製）で濾過して、下引き層用塗布液を調製した。このようにして調製した下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。
【０１８０】
＜電荷発生層＞
（電荷発生層用塗布液１の作製）
次に、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液からガラスビーズを除去し、酢酸エチル５８０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液１を得た。
【０１８１】
（電荷発生層用塗布液２の作製）
次に、電荷発生層用塗布液１の作製において用いた、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更したこと以外は電荷発生層用塗布液１の作製と同様にして、電荷発生層用塗布液２を得た。
【０１８２】
以上で得られた電荷発生層用塗布液１と電荷発生層用塗布液２とを、上述の下引き層上に、インクジェット方式により塗布した。
【０１８３】
電荷発生層用塗布液１及び２を吐出する液滴吐出ヘッドには、３２個×２列のノズルを有するピエゾ間欠型のＴｒｉｄｅｎｔ社製のＰｉｘｅｌＪｅｔ６４を用い、液滴吐出ヘッドの６４個のノズルのうち、１列の２０個について使用した。
【０１８４】
電荷発生層用塗布液１及び２を吐出する液滴吐出ヘッドの傾斜角は共に８０°とし、各液滴吐出ヘッドと円筒状支持体との距離が１０ｍｍとなるよう液滴吐出ヘッドを設置した。
【０１８５】
円筒状支持体の軸が水平となるよう設置し、円筒状支持体を２００ｒｐｍでで回転させながら、軸方向への液滴吐出ヘッドの走査速度を何れも５４０ｍｍ／ｍｉｎとして、液滴吐出ヘッドを並べて塗布した。
【０１８６】
電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドでは、円筒状支持体の端部側では周波数が低く、中心部では周波数が高くなるよう制御して、ノズルからの液滴体積を変えた。電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドからの平均液滴体積は５０ｐＬとし、画像形成領域端部の液滴吐出量が６ｐＬとなるようにした。
【０１８７】
他方、電荷発生層用塗布液２を吐出する液滴吐出ヘッドでは、上述の電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドにおける円筒状支持体の画像形成領域端部の周波数と中心部の周波数がちょうど逆になるよう制御して、ノズルからの液滴体積の変化が電荷発生層用塗布液１とちょうど逆になるようにした。電荷発生層用塗布液２を吐出する液滴吐出ヘッドからの平均液滴体積は、５０ｐＬとし、画像形成領域中心部の液滴吐出量が６ｐＬとなるようにした。
【０１８８】
以上の操作後、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【０１８９】
＜電荷輸送層＞
次に、電荷輸送物質として、下記式で示されるトリアリールアミン化合物７０部、
【０１９０】
【化１】
2019120731.tif 000031
【０１９１】
下記式で示されるトリアリールアミン化合物１０部、
【０１９２】
【化２】
2019120731.tif 000032
【０１９３】
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−２００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をモノクロロベンゼン６３０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。このようにして調製した電荷輸送層用塗布液を上述の電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１２０℃で１時間加熱乾燥することにより、膜厚が１９μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１９４】
導電層、下引き層、電荷発生層及び電荷輸送層の塗膜の加熱処理は、各温度に設定されたオーブンを用いて行った。各層の加熱処理は、以下の実施例でも同様に行った。以上のようにして、円筒状（ドラム状）の実施例１の電子写真感光体を製造した。
【０１９５】
こうして製造された電子写真感光体の、画像形成領域における電荷発生物質の単位体積当たりの含有量、及び、電荷発生層の膜厚を測定し、式（Ｅ１）及び式（Ｅ２）乃至式（Ｅ８）及び式（Ｅ９）が満たされているかどうかを確認した。その結果を表１に示す。以下の実施例についても同様である。
【０１９６】
また、ここで用いた電荷発生層用塗布液１及び電荷発生用塗布液２をそれぞれ単独で用い、単独の液滴吐出ヘッドによって電荷発生層膜厚を膜厚が０．１６μｍとなるように形成したこと以外は同様にして２種類の電子写真感光体を製造し、それぞれの半減露光量Ｐ、暗減衰量Ｖｄｄ、ゴースト電位差Ｖｇ、マクベス濃度Ｄを以下に述べる方法で測定した。
【０１９７】
＜半減露光量＞
半減露光量Ｐは、製造した電子写真感光体の電子写真特性を、湾曲ＮＥＳＡガラスを用いた直接電圧印加方式の電子写真感光体測定装置を用いて測定した。具体的には、温度２５℃、湿度５０％の条件下、まず暗所にて、電子写真感光体の表面電位が−７００［Ｖ］になるように電子写真感光体の表面を帯電した。次に暗所のまま、帯電の０．３秒後に電子写真感光体の表面の露光後の電位が−３５０［Ｖ］になるように波長７８０［ｎｍ］の単色光で露光し、その際の露光量（単位は［μＪ／ｃｍ２］）を半減露光量Ｐとした。測定の結果、電荷発生層用塗布液１及び電荷発生層用塗布液２をそれぞれ単独で用いて製造した電子写真感光体の半減露光量Ｐは、それぞれ０．０７７［μＪ／ｃｍ２］及び０．０５７［μＪ／ｃｍ２］であった。
【０１９８】
＜暗減衰量＞
暗減衰量Ｖｄｄは、製造した電子写真感光体の電子写真特性を、湾曲ＮＥＳＡガラスを用いた直接電圧印加方式の電子写真感光体測定装置を用いて測定した。具体的には、温度２５℃、湿度５０％の条件下、まず暗所にて、電子写真感光体の表面電位が帯電から０．１秒後に−５００［Ｖ］となるように電子写真感光体の表面を帯電した。次に暗所のまま、帯電の１．０秒後の表面電位の絶対値の減少分（単位は［Ｖ］）を測定し、暗減衰量Ｖｄｄとした。測定の結果、電荷発生層用塗布液１及び電荷発生層用塗布液２をそれぞれ単独で用いて製造した電子写真感光体の暗減衰量Ｖｄｄは、それぞれ１１．２［Ｖ］及び７．３［Ｖ］であった。
【０１９９】
＜ゴースト電位差＞
ゴースト電位差Ｖｇは、製造した電子写真感光体の電子写真特性を、湾曲ＮＥＳＡガラスを用いた直接電圧印加方式の電子写真感光体測定装置を用いて測定した。具体的には、温度２５℃、湿度５０％の条件下、まず暗所にて、電子写真感光体の表面電位が帯電から０．１秒後に−５００［Ｖ］となるように電子写真感光体の表面を帯電し、続いて波長７８０［ｎｍ］の単色光を照射して該感光体の表面電位が−２５０［Ｖ］となるよう露光量を設定した。こうして設定された条件で、帯電とそれに続く露光を該感光体に対して５回行い、その直後の６回目においては露光を行わずに帯電だけを行う。その６回目の帯電から０．１秒後及び１．０秒後の表面電位の差の絶対値をＶｄｄＬ［Ｖ］とする。他方、前記ＶｄｄＬを測定する際に露光を一切行わないこと以外は同様にして得られる、６回目の帯電から０．１秒及び１．０秒後の表面電位の差の絶対値をＶｄｄＤ［Ｖ］とする。このとき、Ｖｇ＝ＶｄｄＬ−ＶｄｄＤ（単位は［Ｖ］）を、ゴースト電位差Ｖｇとした。測定の結果、電荷発生層用塗布液１及び電荷発生層用塗布液２をそれぞれ単独で用いて製造した電子写真感光体のゴースト電位差Ｖｇは、それぞれ５．５［Ｖ］及び３．３［Ｖ］であった。
【０２００】
＜マクベス濃度＞
マクベス濃度Ｄは、製造した電子写真感光体の表面に分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ製）を押し当てて測定した。測定の結果、電荷発生層用塗布液１及び電荷発生層用塗布液２をそれぞれ単独で用いて製造した電子写真感光体のマクベス濃度Ｄは、それぞれ１．２２及び１．４４であった。
【０２０１】
以上で得られた減露光量Ｐ、暗減衰量Ｖｄｄ、ゴースト電位差Ｖｇ、マクベス濃度Ｄの値と、式（Ｅ３）、式（Ｅ４）、式（Ｅ５）、式（Ｒ６）が満たされているかどうかの計算結果を、表１に示す。これ以降の実施例についても同様である。
【０２０２】
［実施例２］
実施例１の電荷発生層用塗布液２の作製において用いた、ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に７ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の電子写真感光体を製造した。
【０２０３】
［実施例３］
実施例１の電荷発生層用塗布液２の作製において用いた、ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に０ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の電子写真感光体を製造した。
【０２０４】
［実施例４］
実施例１の電荷発生層用塗布液１の作製において用いた、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、実施例１の電荷発生層用塗布液２として実施例１の電荷発生層用塗布液１を用い、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に１７ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の電子写真感光体を製造した。
【０２０５】
［実施例５］
実施例４の電荷発生層用塗布液２として、実施例３で用いた電荷発生層用塗布液２を用い、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に１２ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例４と同様にして、実施例５の電子写真感光体を製造した。
【０２０６】
［実施例６］
実施例４の電荷発生層用塗布液２として、実施例１で用いた電荷発生層用塗布液２を用い、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に２９ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例４と同様にして、実施例６の電子写真感光体を製造した。
【０２０７】
［実施例７］
実施例４の電荷発生層用塗布液２の作製において用いた、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例６で得られたチタニルフタロシアニン顔料に変更し、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に０ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例４と同様にして、実施例７の電子写真感光体を製造した。
【０２０８】
［実施例８］
実施例７の電荷発生層用塗布液１の作製を以下のように変更し、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に３ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例７と同様にして、実施例８の電子写真感光体を製造した。
【０２０９】
ミリング例６で得られたチタニルフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．０３ｍｍのジルコニアビーズ５００部を冷却水温度１０℃下で６０分間、ウルトラアペックスミル（ＵＡＭ−０１５、寿工業製、ミル容積約０．１５Ｌ）を用いて分散処理した。この際、ロータ周速８ｍ／ｓｅｃ、液流量１０ｋｇ／ｈｏｕｒの条件で行った。こうして分散処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．５０８Ｓ、孔径２０μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してジルコニアビーズを取り除いた。この液を室温（２３℃）下で１５０分間、超音波分散機（ＵＴ−２０５、シャープ製）で分散処理した。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、該超音波分散機の出力は１００％とした。また、この分散処理においてジルコニアビーズ等のメディアは用いなかった。こうして、電荷発生層用塗布液１を得た。
【０２１０】
［実施例９］
実施例４の電荷発生層用塗布液１の作製において用いた、ミリング例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、下記式で示されるビスアゾ顔料に変更し、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に３４ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例４と同様にして、実施例９の電子写真感光体を製造した。
【０２１１】
【化３】
2019120731.tif 000033
【０２１２】
［実施例１０］
実施例９の電荷発生層用塗布液２の作製を以下のように変更し、電荷発生層用塗布液１の画像形成領域端部の液滴吐出量と電荷発生層用塗布液２の画像形成領域中心部の液滴吐出量を共に１３ｐＬとなるようにしたこと以外は実施例９と同様にして、実施例１０の電子写真感光体を製造した。
【０２１３】
下記式で示されるアゾ顔料２０部、シクロヘキサノン５７１部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ２４７６部を冷却水温度１８℃下で２０時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に１８００回転する条件で行った。この分散液に、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部をシクロヘキサノン１９０部に均一に溶解した液を添加し、直径０．９ｍｍのガラスビーズ２２０４部をさらに加えて、冷却水温度１８℃下で３時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に１８００回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この分散液からガラスビーズを除去し、酢酸エチル９部を加えることによって、電荷発生層用塗布液２を得た。
【０２１４】
【化４】
2019120731.tif 000034
【０２１５】
［実施例１１］
実施例１の電荷発生層を以下のように変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１１の電子写真感光体を製造した。
【０２１６】
＜電荷発生層＞
（電荷発生層用塗布液１の作製）
ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液からガラスビーズを除去し、酢酸エチル５８０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液１を得た。
【０２１７】
（電荷発生層用塗布液２の作製）
次に、電荷発生層用塗布液１の作製において用いた、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更したこと以外は電荷発生層用塗布液１の作製と同様にして、電荷発生層用塗布液２を得た。
【０２１８】
以上で得られた電荷発生層用塗布液１と電荷発生層用塗布液２とを、上述の下引き層上に、インクジェット方式により塗布した。
【０２１９】
（電荷発生層用塗布液３の作製）
次に、電荷発生層用塗布液１の作製において用いた、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更したこと以外は電荷発生層用塗布液１の作製と同様にして、電荷発生層用塗布液３を得た。
【０２２０】
以上で得られた電荷発生層用塗布液１と電荷発生層用塗布液２及び電荷発生層用塗布液３を、上述の下引き層上に、インクジェット方式により塗布した。
【０２２１】
電荷発生層用塗布液１、２及び３を吐出する液滴吐出ヘッドには、３２個×２列のノズルを有するピエゾ間欠型のＴｒｉｄｅｎｔ社製のＰｉｘｅｌＪｅｔ６４を用い、液滴吐出ヘッドの６４個のノズルのうち、１列の２０個について使用した。
【０２２２】
電荷発生層用塗布液１、２及び３を吐出する液滴吐出ヘッドの傾斜角は共に８０°とし、各液滴吐出ヘッドと円筒状支持体との距離が１０ｍｍとなるよう液滴吐出ヘッドを設置した。
【０２２３】
円筒状支持体の軸が水平となるよう設置し、円筒状支持体を２００ｒｐｍでで回転させながら、軸方向への液滴吐出ヘッドの走査速度を何れも５４０ｍｍ／ｍｉｎとして、液滴吐出ヘッドを並べて塗布した。
【０２２４】
電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドでは、円筒状支持体の端部側と中心部とで周波数を一定に制御して、ノズルからの液滴体積一定とした。電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドからの平均液滴体積は、２０ｐＬとした。
【０２２５】
電荷発生層用塗布液２を吐出する液滴吐出ヘッドでは、円筒状支持体の端部側では周波数が低く、中心部では周波数が高くなるよう制御して、ノズルからの液滴体積を変えた。電荷発生層用塗布液２を吐出する液滴吐出ヘッドからの平均液滴体積は、４０ｐＬとし、画像形成領域端部の液滴吐出量が１１ｐＬとなるようにした。
【０２２６】
電荷発生層用塗布液３を吐出する液滴吐出ヘッドでは、上述の電荷発生層用塗布液２を吐出する液滴吐出ヘッドにおける円筒状支持体の画像形成領域端部の周波数と中心部の周波数がちょうど逆になるよう制御して、ノズルからの液滴体積の変化が電荷発生層用塗布液２とちょうど逆になるようにした。電荷発生層用塗布液３を吐出する液滴吐出ヘッドからの平均液滴体積は、４０ｐＬとし、画像形成領域中心部の液滴吐出量が１１ｐＬとなるようにした。
【０２２７】
以上の操作後、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【０２２８】
［実施例１２］
実施例１の電荷発生層を以下のように変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１２の電子写真感光体を製造した。
【０２２９】
（電荷発生層用塗布液１の作製）
次に、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液からガラスビーズを除去し、シクロヘキサノン４４４部及び酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液１を得た。
【０２３０】
以上で得られた電荷発生層用塗布液１を、上述の下引き層上に、浸漬塗布方式により塗布した。
【０２３１】
電荷発生層用塗布液１を浸漬塗布する際には、円筒状支持体の引上げ速度を初め遅く、次いで速く、最後にまた遅くなるよう制御して、浸漬塗布によって付着する電荷発生層用塗布液１の量を変えた。その際、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の単位体積当たりの含有量の円筒状支持体軸方向に対する分布が、実施例１と同じになるようにした。
【０２３２】
以上の操作後、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、平均膜厚が０．０８μｍの電荷発生層を形成した。
【０２３３】
（電荷発生層用塗布液２の作製）
次に、電荷発生層用塗布液１の作製において用いた、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更したこと以外は電荷発生層用塗布液１の作製と同様にして、電荷発生層用塗布液２を得た。
【０２３４】
以上で得られた電荷発生層用塗布液２を、上述の電荷発生層上に、浸漬塗布方式により塗布した。
【０２３５】
電荷発生層用塗布液２を浸漬塗布する際には、円筒状支持体の引上げ速度を初め速く、次いで遅く、最後にまた速くなるよう制御して、浸漬塗布によって付着する電荷発生層用塗布液２の量を変えた。その際、ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の単位体積当たりの含有量の円筒状支持体軸方向に対する分布が、実施例１と同じになるようにした。
【０２３６】
以上の操作後、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、全膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【０２３７】
［比較例１］
実施例１の電荷発生層を以下のように変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の電子写真感光体を製造した。
【０２３８】
＜電荷発生層＞
（電荷発生層用塗布液１の作製）
ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液からガラスビーズを除去し、酢酸エチル５８０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液１を得た。
【０２３９】
以上で得られた電荷発生層用塗布液１を、上述の下引き層上に、インクジェット方式により塗布した。
【０２４０】
電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドには、３２個×２列のノズルを有するピエゾ間欠型のＴｒｉｄｅｎｔ社製のＰｉｘｅｌＪｅｔ６４を用い、液滴吐出ヘッドの６４個のノズルのうち、１列の２０個について使用した。
【０２４１】
電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドの傾斜角は共に８０°とし、各液滴吐出ヘッドと円筒状支持体との距離が１０ｍｍとなるよう液滴吐出ヘッドを設置した。
【０２４２】
円筒状支持体の軸が水平となるよう設置し、円筒状支持体を２００ｒｐｍでで回転させながら、軸方向への液滴吐出ヘッドの走査速度を何れも５４０ｍｍ／ｍｉｎとして、液滴吐出ヘッドを並べて塗布した。
【０２４３】
電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドでは、円筒状支持体の端部側と中心部とで周波数を一定に制御して、ノズルからの液滴体積一定とした。電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドからの平均液滴体積は、１００ｐＬとした。
【０２４４】
以上の操作後、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【０２４５】
［比較例２］
比較例１の電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドの周波数を、円筒状支持体の端部側では周波数が高く、中心部では周波数が低くなるよう制御して、ノズルからの液滴体積を変えたこと以外は比較例１と同様にして、比較例２の電子写真感光体を製造した。
【０２４６】
［比較例３］
実施例１の電荷発生層用塗布液１及び２を吐出する液滴吐出ヘッドの周波数を、筒状支持体の端部側と中心部とで周波数を一定に制御して、ノズルからの液滴体積一定としたこと以外は実施例１と同様にして、比較例３の電子写真感光体を製造した。
【０２４７】
［比較例４］
実施例１の電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドの周波数を、円筒状支持体の端部側では周波数が高く、中心部では周波数が低くなるよう制御し、また、実施例１の電荷発生層用塗布液２を吐出する液滴吐出ヘッドの周波数を、上述の電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドにおける円筒状支持体の画像形成領域端部の周波数と中心部の周波数がちょうど逆になるよう制御したこと以外は実施例１と同様にして、比較例４の電子写真感光体を製造した。
【０２４８】
［比較例５］
実施例１の電荷発生層用塗布液２を以下のように変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例５の電子写真感光体を製造した。
【０２４９】
（電荷発生層用塗布液２の作製）
ミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料４０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン３１７部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ８０３部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液からガラスビーズを除去し、酢酸エチル９６７部を加えることによって、電荷発生層用塗布液２を得た。
【０２５０】
［比較例６］
比較例５の電荷発生層用塗布液１を吐出する液滴吐出ヘッドの周波数を、円筒状支持体の端部側と中心部とで周波数を一定に制御して、ノズルからの液滴体積一定としたこと以外は比較例５と同様にして、比較例６の電子写真感光体を製造した。
【０２５１】
［評価］
上記で作製した電子写真感光体について、常温常湿環境下（温度２３℃、相対湿度５０％）で以下の評価を行った。
【０２５２】
＜評価装置＞
評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｃｏｌｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｊｅｔ  ＣＰ３５２５ｄｎ）を３台用意し、以下のように改造して用いた。
【０２５３】
光学系の改造については、式（Ｅ１９）
【０２５４】
【数３０】
2019120731.tif 000035
式（Ｅ１９）
【０２５５】
における走査特性係数Ｂ及びレーザ走査装置の幾何学的特徴θｍａｘが、該３台のレーザビームプリンタそれぞれに対して（Ｂ＝０．５，θｍａｘ＝３５°）、（Ｂ＝０．５，θｍａｘ＝４５°）、（Ｂ＝０．５，θｍａｘ＝５５°）となるようにした。
【０２５６】
また、前露光を点灯せず、帯電条件とレーザ露光量は可変で作動するようにした。また、上記製造した電子写真感光体をシアン色用のプロセスカートリッジに装着して、シアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付けた。他の色（マゼンタ、イエロー、ブラック）用のプロセスカートリッジをレーザビームプリンタ本体に装着しなくても作動するようにした。
【０２５７】
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみをレーザビームプリンタ本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。
【０２５８】
＜ベタ画像濃度ムラの評価＞
実施例１〜１２及び比較例１〜６で製造した電子写真感光体を、上記の該３台のレーザビームプリンタに装着し、比較例１の電子写真感光体の画像形成領域中央部における初期暗部電位が−７００Ｖ、明部電位が−１５０Ｖとなるように帯電器及び露光量を設定した。電位設定の際の電子写真感光体の表面電位の測定には、プロセスカートリッジの現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン製）を装着したものを用い、電子写真感光体の画像形成領域中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン製）を使用して測定した。
【０２５９】
上記条件に設定してベタ画像を出力し、そのベタ画像の目視評価を行って以下の基準でランク付けした。
【０２６０】
○：ベタ画像に濃度ムラが認められない。
△：ベタ画像の両端の濃度がやや薄い。
×：ベタ画像の両端の濃度が薄い。
―：ベタ画像の中央の濃度が薄い。
【０２６１】
上記ランクの中で、「―：ベタ画像の中央の濃度が薄い」については、評価装置の改造光学系に対して実施例の電子写真感光体の画像形成領域中央部に対する両端部の感度の比が大きすぎることを意味している。したがって、２種類又はＮ種類（Ｎ≧３）の電荷発生物質の単位体積当たりの含有比を調整さえすれば、「○：ベタ画像に濃度ムラが認められない」とすることが出来る。つまり、「―：ベタ画像の中央の濃度が薄い」という評価は、式（Ｅ１８）の条件は満たされている。
【０２６２】
【数３１】
2019120731.tif 000036
式（Ｅ１８）
【０２６３】
＜暗減衰ムラ＞
実施例１〜１２及び比較例１〜６で製造した電子写真感光体を、湾曲ＮＥＳＡガラスを用いた直接電圧印加方式の電子写真感光体測定装置を用いて測定した。具体的には、まず暗所にて、電子写真感光体の表面電位が帯電から０．１秒後に−５００［Ｖ］となるように電子写真感光体の表面を帯電した。次に暗所のまま、帯電の１．０秒後の表面電位の絶対値の減少分（単位は［Ｖ］）を測定し、暗減衰量Ｖｄｄとした。
【０２６４】
以上の測定を、電子写真感光体の画像形成領域を周方向に８等分、軸方向に２５等分して、合計２００点の測定点について行い、周方向の８点について暗減衰量Ｖｄｄ［Ｖ］の値を平均した。こうして得られた軸方向について２５点の暗減衰量Ｖｄｄのデータの最大値と最小値の差分を、暗減衰ムラ［Ｖ］とした。
【０２６５】
＜ゴースト濃度差ムラ＞
実施例１〜１２及び比較例１〜６で製造した電子写真感光体を、それぞれ表２に示したレーザビームプリンタ改造機に装着し、ゴースト評価用画像を出力した。
【０２６６】
ゴースト評価用画像は、図５に示すように、画像の先頭部のベタ白領域３０２中にベタ３０１で四角の画像を出した後、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像３０４を出力することによって形成した。先ず、１枚目にベタ白画像を出力し、その後、ゴースト評価用画像を連続して５枚出力し、次に、ベタ画像を１枚出力した後、再度ゴースト評価用画像を５枚出力する、という順番で画像出力を行い、合計１０枚のゴースト評価用画像で評価した。
【０２６７】
ゴーストの評価は、１ドット桂馬パターン画像濃度とゴースト部３０３（ゴーストが生じうる部分）の画像濃度との濃度差を、分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ製）で測定することで行った。１枚のゴースト評価用画像で１０点測定し、それら１０点の平均をとって１枚の結果とした。そして、１０枚のゴースト評価用画像すべてを同様に測定した後、それらの平均値を求め、表中の「濃度差」とした。この濃度差は、値が小さいほど、ゴースト現象が抑制されていることを意味する。
【０２６８】
以上の測定を、電子写真感光体の画像形成領域を軸方向に２５等分して、その２５点それぞれに対応する位置にゴースト評価用画像が出力されるように２５回繰り返した。こうして得られた軸方向について２５点のゴースト濃度差の最大値と最小値の差分を、ゴースト濃度差ムラとした。
【０２６９】
＜マクベス濃度ムラ＞
実施例１〜１２及び比較例１〜６で製造した電子写真感光体の表面に、分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ製）を押し当てて、マクベス濃度を測定した。
【０２７０】
測定は、電子写真感光体の画像形成領域を周方向に８等分、軸方向に２５等分して、合計２００点の測定点について行い、周方向の８点について暗マクベス濃度Ｄの値を平均した。こうして得られた軸方向について２５点のマクベス濃度のデータの最大値と最小値の差分を、マクベス濃度ムラとした。
【０２７１】
【表１】
2019120731.tif 000037
【０２７２】
【表２】
2019120731.tif 000038
【符号の説明】
【０２７３】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  案内手段
２０１  画像信号生成部
２０２  制御部
２０３  レーザ駆動部
２０４  レーザ走査装置
２０５  感光体
２０６  定着手段
２０７  露光手段についての概略構成
２０８  レーザ光源
２０９  ポリゴンミラー（偏向器）
２０９ａ  偏向面（反射面）
２１０  結像レンズ
２１１  感光体表面（被走査面）
３０１  ベタ
３０２  ベタ白
３０３  ベタ３０１に起因するゴーストが出現し得る部分
３０４  ハーフトーン画像（１ドット桂馬パターン）
【図１】
2019120731.tif 000049
【図２】
2019120731.tif 000050
【図３】
2019120731.tif 000051
【図４】
2019120731.tif 000052
【図５】
2019120731.tif 000053