(57)【要約】【課題】  心臓ペースメーカのような能動型の植込み可能な医用器具に用いられる形式のＥＭＩ（電磁波障害）フィルタ端子組立体を提供する。【解決手段】  ＥＭＩフィルタ端子組立体は、ワイヤ（１３６）の取付け中にＥＭＩフィルタ端子組立体に加わる力からコンデンサを保護しながら、ワイヤ（１３６）を熱的接合、超音波接合、はんだ付け等により植込み可能な医用器具の内部回路からコンデンサ構造体に都合良く取り付けるための基板（１４０）又は取付け型ワイヤボンドパッド（１４８）の形態の構造的パッドを有する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波障害フィルタ端子組立体であって、第１の組をなす電極プレート、及び接地用導体に導電結合された第２の組をなす電極プレートを有するコンデンサと、コンデンサに隣接して設けられた状態で第１の組をなす電極プレートに導電結合された構造的パッドと、構造的パッドに導電結合されたリード線とを有し、構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートへのリード線の導電結合に伴って生じる力からコンデンサを少なくとも部分的に保護するよう構成されていることを特徴とする組立体。
【請求項２】
構造的パッドは、コンデンサの平らな表面に隣接して設けられた基板を有することを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項３】
基板は、セラミックを基材とした材料から成ることを特徴とする請求項２記載の組立体。
【請求項４】
基板は、アルミナ、セラミック、ベリリア、窒化アルミニウム、フォステライト（Fosterite）、ポリイミド、シアネートエステル、チタン化バリウム、エポキシ又は繊維強化材料から選択されていることを特徴とする請求項２記載の組立体。
【請求項５】
基板は、ボンディング領域を有する導電性表面トレースを有することを特徴とする請求項２記載の組立体。
【請求項６】
リード線は、ボンディング領域に取り付けられていることを特徴とする請求項５記載の組立体。
【請求項７】
基板とコンデンサとの間に設けられた絶縁材料を有することを特徴とする請求項２記載の組立体。
【請求項８】
構造的パッドは、リード線が導電結合された基板に取り付けられている導電性ワイヤボンドパッドを含むことを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項９】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項８記載の組立体。
【請求項１０】
構造的パッドは、コンデンサに隣接して設けられた基板を有し、ワイヤボンドパッドは、基板に取り付けられていることを特徴とする請求項８記載の組立体。
【請求項１１】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合された第１の部分及びリード線に導電結合された第２の部分を含むことを特徴とする請求項１０記載の組立体。
【請求項１２】
ワイヤボンドパッドの第１及び第２の部分は、互いに対して角度的にずらされていることを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項１３】
コンデンサは、貫通した状態で第１の組をなす電極プレートに導電結合された端子ピンを有する貫通コンデンサであることを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項１４】
接地用導体及び第２の組をなす電極プレートに導電結合された導電性フェルールを有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項１５】
フェルールは、能動型の植込み可能な医用器具のハウジングに導電結合されていることを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項１６】
構造的パッドは、端子ピンを貫入させる孔が設けられた基板を有することを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項１７】
基板は、ボンディング領域を有する導電性表面トレースを有することを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項１８】
基板の孔は、第１の組をなす電極プレートと導電性表面トレースを互いに結合する導電性材料で実質的に裏張りされていることを特徴とする請求項１７記載の組立体。
【請求項１９】
構造的パッドは、コンデンサに隣接して設けられた状態で端子ピンに導電結合された導電性ワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項２０】
ワイヤボンドパッドは、コバール又はアロイ４２で構成されていることを特徴とする請求項１９記載の組立体。
【請求項２１】
ワイヤボンドパッドとコンデンサとの間に設けられた電気絶縁材料を有することを特徴とする請求項１９記載の組立体。
【請求項２２】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を受け入れる受け口を有することを特徴とする請求項１９記載の組立体。
【請求項２３】
端子ピンの端部とワイヤボンドパッドは、互いに導電結合されていることを特徴とする請求項２２記載の組立体。
【請求項２４】
端子ピンは、リード線に導電結合され、基板の孔は、端子ピンとは独立して第１の組をなす電極プレートからリード線までの電路を構成するよう導電性材料で実質的に裏張りされていることを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項２５】
構造的パッドとコンデンサは、フェルール及び端子ピンとの組立てに先立って、フェルール及び端子ピンとは独立した組立部品を形成することを特徴とする請求項２４記載の組立体。
【請求項２６】
基板の凹部内に設けられていて、基板とコンデンサを導電結合する導電性インサートを有することを特徴とする請求項２４記載の組立体。
【請求項２７】
基板は、端子ピンへの基板のレーザ溶接を容易にする孔、穴又はスロットを有することを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項２８】
構造的パッドは、端子ピンの端部を受け入れる受け口を有する導電性ワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項２７記載の組立体。
【請求項２９】
ワイヤボンドパッドとコンデンサは、フェルール及び端子ピンとの組立てに先立って、フェルール及び端子ピンとは独立した組立部品を形成することを特徴とする請求項２４記載の組立体。
【請求項３０】
孔、穴又はスロットは、ワイヤボンドパッド中へ少なくとも部分的に延びていることを特徴とする請求項２８記載の組立体。
【請求項３１】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサに取り付けられていることを特徴とする請求項３０記載の組立体。
【請求項３２】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサから間隔を置いて配置された状態で端子ピン上でのみ支持されていることを特徴とする請求項２８記載の組立体。
【請求項３３】
基板から延びている端子ピンの一部は、曲げられており、ワイヤボンドパッドは、端子ピンの曲げ部分を覆って配置できるよう構成されていることを特徴とする請求項１９記載の組立体。
【請求項３４】
構造的パッドは、基板に設けられた凹部内に配置された導電性インサートリングを有し、インサートリングは、端子ピン及び基板に導電結合されていることを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項３５】
基板は、インサートリングに導電結合されていて、基板の表面上にリード線ボンディング領域を構成する導電性トレースを有することを特徴とする請求項３４記載の組立体。
【請求項３６】
ボンディング領域に導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項３５記載の組立体。
【請求項３７】
端子ピンを少なくとも部分的に貫入させた構造的パッドに取り付けられているワイヤボンドパッドを有し、ワイヤボンドパッドは、端子ピンに導電結合され、リード線が取り付けられた延長部を有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項３８】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンにレーザ溶接されていることを特徴とする請求項３７記載の組立体。
【請求項３９】
構造的パッドは、基板を貫通して第１の組をなす電極プレートに導電結合されたワイヤボンドパッドを更に有することを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項４０】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を覆って設けられていることを特徴とする請求項３９記載の組立体。
【請求項４１】
構造的パッドは、コンデンサの表面に取り付けられると共に端子ピンに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項４２】
端子ピンとワイヤボンドパッドは、互いにレーザ溶接されていることを特徴とする請求項４１記載の組立体。
【請求項４３】
ワイヤボンドパッドは、リード線が取り付けられた延長部を有することを特徴とする請求項４１記載の組立体。
【請求項４４】
構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートに対し導電性であるようにコンデンサの表面に取り付けられたワイヤボンドパッドを有し、ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を覆って設けられていることを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項４５】
コンデンサは、内部が接地されていることを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項４６】
コンデンサは、内部が接地され、コンデンサは、接地端子ピンを含む複数の接地ピンを有し、基板は、各々がボンディング領域の各々をそれぞれ構成する対応した数の導電性トレースを有することを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項４７】
少なくともボンディング領域のうちの１つに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項４６記載の組立体。
【請求項４８】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンを挿通させる孔を有することを特徴とする請求項４７記載の組立体。
【請求項４９】
端子ピンと構造的パッドは、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項４８記載の組立体。
【請求項５０】
リード線が、ワイヤボンディング領域のうちの１つに取り付けられていることを特徴とする請求項４６記載の組立体。
【請求項５１】
基板は、導電性ワイヤボンドパッドを対応関係をなして受け入れるよう形作られた凹部を有することを特徴とする請求項４６記載の組立体。
【請求項５２】
ワイヤボンドパッドは各々、端子ピンの各々をそれぞれ挿通状態で受け入れる孔を有し、各端子ピンとワイヤボンドパッドはそれぞれ、互いに導電結合されていることを特徴とする請求項５１記載の組立体。
【請求項５３】
端子ピンとワイヤボンドパッドは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項５２記載の組立体。
【請求項５４】
構造的パッド及びコンデンサは、互いに整列した漏れ検出ベントを有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項５５】
フェルールは、コンデンサが少なくとも部分的に収納される捕捉フランジを有することを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項５６】
コンデンサと密接に関連したインダクタを有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項５７】
コンデンサは、フェルール内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項５８】
コンデンサと密接に関連したインダクタを有することを特徴とする請求項５７記載の組立体。
【請求項５９】
構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートに垂直に且つこれと導電結合状態でコンデンサに取り付けられたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項６０】
構造的パッドは、コンデンサの凹部内に設けられた導電性インサートリングを有し、インサートリングは、端子ピン及び第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項５９記載の組立体。
【請求項６１】
構造的パッドは、端子ピンから構造的パッドの表面に設けられた導電性ワイヤボンディング領域まで延びる埋め込み状態の導電性回路トレースを有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項６２】
ワイヤボンディング領域に導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項６１記載の組立体。
【請求項６３】
構造的パッドは、円形貫通コンデンサに結合された直線状多層基板を有することを特徴とする請求項６０記載の組立体。
【請求項６４】
構造的パッドに設けられた凹部内に配置されていて、端子ピンとの確実な導電接触を容易にする導電性インサートを有することを特徴とする請求項６１記載の組立体。
【請求項６５】
インサートと端子ピンは、互いに取り付けられていることを特徴とする請求項６４記載の組立体。
【請求項６６】
コンデンサは、チップコンデンサから成り、構造的パッドは、コンデンサの導電性表面に取り付けられたワイヤボンドパッドから成ることを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項６７】
ワイヤボンドパッドは、山形の形態をしていることを特徴とする請求項６６記載の組立体。
【請求項６８】
ワイヤボンドパッドの第１の部分は、コンデンサの上面に取り付けられ、ワイヤボンドパッドの第２の部分は、コンデンサの導電性表面に導電結合されていることを特徴とする請求項６７記載の組立体。
【請求項６９】
構造的パッドは、ワイヤボンドパッドとコンデンサとの間に設けられた基板を有することを特徴とする請求項６７記載の組立体。
【請求項７０】
コンデンサは、少なくとも部分的に貫通して延びる孔及び孔内に設けられていて、電極プレートの第１の組及び第２の組のうち一方に導電結合された導電性ピンを有するチップコンデンサから成ることを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項７１】
構造的パッドは、コンデンサに取り付けられると共にピンに導電結合された基板を有することを特徴とする請求項７０記載の組立体。
【請求項７２】
リード線を取り付けることができる延長部を備えたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項７１記載の組立体。
【請求項７３】
基板は、テーパ付き縁部を有することを特徴とする請求項１６記載の組立体。
【請求項７４】
コンデンサは、接地ピンを含む多数の端子ピンを通す多数の孔が設けられている内部が接地されたコンデンサから成り、基板は、対応関係をなす互いに整列した孔及び各端子ピンに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項７３記載の組立体。
【請求項７５】
端子ピンは、構造的パッドに隣接して設けられていて、リード線に接続されるようになった拡大端部を有することを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項７６】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの先端部のレーザによる溶融を容易にする貫通穴又はスロットを有することを特徴とする請求項３９記載の組立体。
【請求項７７】
端子ピンは、ワイヤボンドパッドを介して第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項７６記載の組立体。
【請求項７８】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサの表面に隣接して位置するよう形作られたヘッド及び端子ピンの端部の周りでヘッドからコンデンサ内へ延びるネックを有することを特徴とする請求項３９記載の組立体。
【請求項７９】
端子ピンは、ワイヤボンドパッドを介して第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項７８記載の組立体。
【請求項８０】
構造的パッドは、紫外線硬化材料から成ることを特徴とする請求項１３記載の組立体。
【請求項８１】
構造的パッドは、硬化性の基板をコンデンサの表面に被着させる工程、基板の一部を硬化させる工程、基板の非硬化部分を除去する工程及び導電性材料をリード線が接続されるようになった基板の残りの硬化部分に付着させる工程を有する方法で形成されていることを特徴とする請求項８０記載の組立体。
【請求項８２】
基板は、非導電性ポリイミドから成ることを特徴とする請求項８１記載の組立体。
【請求項８３】
硬化工程は、ポリイミドの一部を放射線源に暴露する工程から成ることを特徴とする請求項８１記載の組立体。
【請求項８４】
放射線源は、紫外線から成ることを特徴とする請求項８３記載の組立体。
【請求項８５】
切欠き付きのマスクを基板を覆って配置し、放射線を切欠き中へ差し向ける工程を有することを特徴とする請求項８３記載の組立体。
【請求項８６】
被着工程は、基板をコンデンサの頂面にスピン塗布する工程から成ることを特徴とする請求項８１記載の組立体。
【請求項８７】
除去工程は、基板に化学的洗浄を施す工程から成ることを特徴とする請求項８１記載の組立体。
【請求項８８】
付着工程は、基板に導電性材料を電気めっきする工程から成ることを特徴とする請求項８１記載の組立体。
【請求項８９】
付着工程は、導電性材料を基板に蒸着させる工程から成ることを特徴とする請求項８１記載の組立体。
【請求項９０】
構造的パッドは、端子ピンに機械的に取り付けられていることを特徴とする請求項１４記載の組立体。
【請求項９１】
構造的パッドは、端子ピンの端部に螺着されていることを特徴とする請求項９０記載の組立体。
【請求項９２】
リード線は、ワイヤボンドパッドに機械的に取り付けられていることを特徴とする請求項３９記載の組立体。
【請求項９３】
リード線はワイヤボンドパッドに機械的に取り付けるねじを有することを特徴とする請求項９２記載の組立体。
【請求項９４】
能動型の植込み可能な医用器具のための電磁波障害フィルタ端子組立体であって、能動型植込み可能医用器具のハウジングに導電結合された導電性フェルールと、第１の組をなす電極プレート、及びフェルールに導電結合された第２の組をなす電極プレートを有する貫通コンデンサと、コンデンサを貫通して延びると共に第１の組をなす電極プレートに導電結合された導電性端子ピンと、コンデンサに隣接して設けられた構造的パッドと、構造的パッドによって第１の組をなす電極プレートに導電結合されたリード線とを有し、構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートへのリード線の導電結合に伴って生じる力からコンデンサを少なくとも部分的に保護するよう構成されていることを特徴とする組立体。
【請求項９５】
構造的パッドは、コンデンサの平らな表面に隣接して設けられた基板を有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項９６】
基板は、セラミックを基材とした材料から成ることを特徴とする請求項９５記載の組立体。
【請求項９７】
基板は、アルミナ、セラミック、ベリリア、窒化アルミニウム、フォステライト（Fosterite）、ポリイミド、シアネートエステル、チタン化バリウム、エポキシ又は繊維強化材料から選択されていることを特徴とする請求項９５記載の組立体。
【請求項９８】
基板は、ボンディング領域を有する導電性表面トレースを有することを特徴とする請求項９５記載の組立体。
【請求項９９】
リード線は、ボンディング領域に取り付けられていることを特徴とする請求項９８記載の組立体。
【請求項１００】
基板とコンデンサとの間に設けられた絶縁材料を有することを特徴とする請求項９５記載の組立体。
【請求項１０１】
構造的パッドは、リード線が導電結合された基板に取り付けられている導電性ワイヤボンドパッドを含むことを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１０２】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項１０１記載の組立体。
【請求項１０３】
構造的パッドは、コンデンサに隣接して設けられた基板を有し、ワイヤボンドパッドは、基板に取り付けられていることを特徴とする請求項１０１記載の組立体。
【請求項１０４】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合された第１の部分及びリード線に導電結合された第２の部分を含むことを特徴とする請求項１０３記載の組立体。
【請求項１０５】
ワイヤボンドパッドの第１及び第２の部分は、互いに対して角度的にずらされていることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１０６】
構造的パッドは、端子ピンを貫入させる孔が設けられた基板を有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１０７】
構造的パッドは、コンデンサに隣接して設けられた状態で端子ピンに導電結合された導電性ワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１０８】
ワイヤボンドパッドは、コバール又はアロイ４２で構成されていることを特徴とする請求項１０７記載の組立体。
【請求項１０９】
ワイヤボンドパッドとコンデンサとの間に設けられた電気絶縁材料を有することを特徴とする請求項１０７記載の組立体。
【請求項１１０】
ワイパボンドパッドは、端子ピンの端部を受け入れる受け口を有することを特徴とする請求項１０７記載の組立体。
【請求項１１１】
端子ピンの端部とワイヤボンドパッドは、互いに導電結合されていることを特徴とする請求項１１０記載の組立体。
【請求項１１２】
端子ピンは、リード線に導電結合され、基板の孔は、端子ピンとは独立して第１の組をなす電極プレートからリード線までの電路を構成するよう導電性材料で実質的に裏張りされていることを特徴とする請求項１０６記載の組立体。
【請求項１１３】
構造的パッドとコンデンサは、フェルール及び端子ピンとの組立てに先立って、フェルール及び端子ピンとは独立した組立部品を形成することを特徴とする請求項１１２記載の組立体。
【請求項１１４】
基板の凹部内に設けられていて、基板とコンデンサを導電結合する導電性インサートを有することを特徴とする請求項１１２記載の組立体。
【請求項１１５】
基板は、端子ピンへの基板のレーザ溶接を容易にする孔、穴又はスロットを有することを特徴とする請求項１０６記載の組立体。
【請求項１１６】
構造的パッドは、端子ピンの端部を受け入れる受け口を有する導電性ワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項１１５記載の組立体。
【請求項１１７】
ワイヤボンドパッドとコンデンサは、フェルール及び端子ピンとの組立てに先立って、フェルール及び端子ピンとは独立した組立部品を形成することを特徴とする請求項１１６記載の組立体。
【請求項１１８】
孔、穴又はスロットは、ワイヤボンドパッド中へ少なくとも部分的に延びていることを特徴とする請求項１１６記載の組立体。
【請求項１１９】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサに取り付けられていることを特徴とする請求項１１８記載の組立体。
【請求項１２０】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサから間隔を置いて配置された状態で端子ピン上でのみ支持されていることを特徴とする請求項１１６記載の組立体。
【請求項１２１】
基板から延びている端子ピンの一部は、曲げられており、ワイヤボンドパッドは、端子ピンの曲げ部分を覆って配置できるよう構成されていることを特徴とする請求項１０７記載の組立体。
【請求項１２２】
構造的パッドは、基板に設けられた凹部内に配置された導電性インサートリングを有し、インサートリングは、端子ピン及び基板に導電結合されていることを特徴とする請求項１０６記載の組立体。
【請求項１２３】
基板は、インサートリングに導電結合されていて、基板の表面上にリード線ボンディング領域を構成する導電性トレースを有することを特徴とする請求項１２２記載の組立体。
【請求項１２４】
ボンディング領域に導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１２３記載の組立体。
【請求項１２５】
端子ピンを少なくとも部分的に貫入させた構造的パッドに取り付けられているワイパボンドパッドを有し、ワイヤボンドパッドは、端子ピンに導電結合され、リード線が取り付けられた延長部を有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１２６】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンにレーザ溶接されていることを特徴とする請求項１２５記載の組立体。
【請求項１２７】
構造的パッドは、基板を貫通して第１の組をなす電極プレートに導電結合されたワイヤボンドパッドを更に有することを特徴とする請求項１０６記載の組立体。
【請求項１２８】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を覆って設けられていることを特徴とする請求項１２７記載の組立体。
【請求項１２９】
構造的パッドは、コンデンサの表面に取り付けられると共に端子ピンに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１３０】
端子ピンとワイヤボンドパッドは、互いにレーザ溶接されていることを特徴とする請求項１２９記載の組立体。
【請求項１３１】
ワイヤボンドパッドは、リード線が取り付けられた延長部を有することを特徴とする請求項１２９記載の組立体。
【請求項１３２】
構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートに対し導電性であるようにコンデンサの表面に取り付けられたワイヤボンドパッドを有し、ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を覆って設けられていることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１３３】
コンデンサは、内部が接地されていることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１３４】
コンデンサは、内部が接地され、コンデンサは、接地端子ピンを含む複数の接地ピンを有し、基板は、各々がボンディング領域の各々をそれぞれ構成する対応した数の導電性トレースを有することを特徴とする請求項１０６記載の組立体。
【請求項１３５】
少なくともボンディング領域のうちの１つに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１３４記載の組立体。
【請求項１３６】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンを挿通させる孔を有することを特徴とする請求項１３５記載の組立体。
【請求項１３７】
端子ピンと構造的パッドは、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１３６記載の組立体。
【請求項１３８】
リード線が、ワイヤボンディング領域のうちの１つに取り付けられていることを特徴とする請求項１３４記載の組立体。
【請求項１３９】
基板は、導電性ワイヤボンドパッドを対応関係をなして受け入れるよう形作られた凹部を有することを特徴とする請求項１３４記載の組立体。
【請求項１４０】
ワイヤボンドパッドは各々、端子ピンの各々をそれぞれ挿通状態で受け入れる孔を有し、各端子ピンとワイヤボンドパッドはそれぞれ、互いに導電結合されていることを特徴とする請求項１３９記載の組立体。
【請求項１４１】
構造的パッド及びコンデンサは、互いに整列した漏れ検出ベントを有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１４２】
フェルールは、コンデンサが少なくとも部分的に収納される捕捉フランジを有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１４３】
コンデンサと密接に関連したインダクタを有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１４４】
コンデンサは、フェルール内に埋め込まれていることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１４５】
コンデンサと密接に関連したインダクタを有することを特徴とする請求項１４４記載の組立体。
【請求項１４６】
構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートに垂直に且つこれと導電結合状態でコンデンサに取り付けられたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１４７】
構造的パッドは、コンデンサの凹部内に設けられた導電性インサートリングを有し、インサートリングは、端子ピン及び第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項１４６記載の組立体。
【請求項１４８】
構造的パッドは、端子ピンから構造的パッドの表面に設けられた導電性ワイヤボンディング領域まで延びる埋め込み状態の導電性回路トレースを有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１４９】
ワイヤボンディング領域に導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１４８記載の組立体。
【請求項１５０】
端子ピンとワイヤボンドパッドは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項１４０記載の組立体。
【請求項１５１】
構造的パッドは、円形貫通コンデンサに結合された直線状多層基板を有することを特徴とする請求項１４８記載の組立体。
【請求項１５２】
構造的パッドに設けられた凹部内に配置されていて、端子ピンとの確実な導電接触を容易にする導電性インサートを有することを特徴とする請求項１４８記載の組立体。
【請求項１５３】
インサートと端子ピンは、互いに取り付けられていることを特徴とする請求項１５２記載の組立体。
【請求項１５４】
基板は、テーパ付き縁部を有することを特徴とする請求項１０６記載の組立体。
【請求項１５５】
コンデンサは、接地ピンを含む多数の端子ピンを通す多数の孔が設けられている内部が接地されたコンデンサから成り、基板は、対応関係をなす互いに整列した孔及び各端子ピンに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１５４記載の組立体。
【請求項１５６】
端子ピンは、構造的パッドに隣接して設けられていて、リード線に接続されるようになった拡大端部を有することを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１５７】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの先端部のレーザによる溶融を容易にする貫通穴又はスロットを有することを特徴とする請求項１２７記載の組立体。
【請求項１５８】
端子ピンは、ワイヤボンドパッドを介して第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項１５７記載の組立体。
【請求項１５９】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサの表面に隣接して位置するよう形作られたヘッド及び端子ピンの端部の周りでヘッドからコンデンサ内へ延びるネックを有することを特徴とする請求項１２７記載の組立体。
【請求項１６０】
端子ピンは、ワイヤボンドパッドを介して第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項１５９記載の組立体。
【請求項１６１】
構造的パッドは、紫外線硬化材料から成ることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１６２】
構造的パッドは、硬化性の基板をコンデンサの表面に被着させる工程、基板の一部を硬化させる工程、基板の非硬化部分を除去する工程及び導電性材料をリード線が接続されるようになった基板の残りの硬化部分に付着させる工程を有する方法で形成されていることを特徴とする請求項１６１記載の組立体。
【請求項１６３】
基板は、非導電性ポリイミドから成ることを特徴とする請求項１６２記載の組立体。
【請求項１６４】
硬化工程は、ポリイミドの一部を放射線源に暴露する工程から成ることを特徴とする請求項１６２記載の組立体。
【請求項１６５】
放射線源は、紫外線から成ることを特徴とする請求項１６４記載の組立体。
【請求項１６６】
切欠き付きのマスクを基板を覆って配置し、放射線を切欠き中へ差し向ける工程を有することを特徴とする請求項１６４記載の組立体。
【請求項１６７】
被着工程は、基板をコンデンサの頂面にスピン塗布する工程から成ることを特徴とする請求項１６２記載の組立体。
【請求項１６８】
除去工程は、基板に化学的洗浄を施す工程から成ることを特徴とする請求項１６２記載の組立体。
【請求項１６９】
付着工程は、基板に導電性材料を電気めっきする工程から成ることを特徴とする請求項１６２記載の組立体。
【請求項１７０】
付着工程は、導電性材料を基板に蒸着させる工程から成ることを特徴とする請求項１６２記載の組立体。
【請求項１７１】
構造的パッドは、端子ピンに機械的に取り付けられていることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項１７２】
構造的パッドは、端子ピンの端部に螺着されていることを特徴とする請求項１７１記載の組立体。
【請求項１７３】
リード線は、ワイヤボンドパッドに機械的に取り付けられていることを特徴とする請求項１２７記載の組立体。
【請求項１７４】
リード線はワイヤボンドパッドに機械的に取り付けるねじを有することを特徴とする請求項１７３記載の組立体。
【請求項１７５】
能動型の植込み可能な医用器具のための電磁波障害フィルタ端子組立体であって、第１の組をなす電極プレート、及び接地用導体に導電結合された第２の組をなす電極プレートを有するチップコンデンサと、チップコンデンサに隣接して設けられていて、第１の組をなす電極プレートに導電結合された構造的パッドと、構造的パッドに導電結合されたリード線とを有し、構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートへのリード線の導電結合に伴って生じる力からチップコンデンサを少なくとも部分的に保護するよう構成されていることを特徴とする組立体。
【請求項１７６】
構造的パッドは、コンデンサの導電性表面に取り付けられたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１７５記載の組立体。
【請求項１７７】
ワイヤボンドパッドは、山形の形態をしていることを特徴とする請求項１７６記載の組立体。
【請求項１７８】
ワイヤボンドパッドの第１の部分は、コンデンサの上面に取り付けられ、ワイヤボンドパッドの第２の部分は、コンデンサの導電性表面に導電結合されていることを特徴とする請求項１７７記載の組立体。
【請求項１７９】
構造的パッドは、ワイヤボンドパッドとコンデンサとの間に設けられた基板を有することを特徴とする請求項１７７記載の組立体。
【請求項１８０】
コンデンサは、少なくとも部分的に貫通して延びる孔及び孔内に設けられていて、電極プレートの第１の組及び第２の組のうち一方に導電結合された導電性ピンを有することを特徴とする請求項１７５載の組立体。
【請求項１８１】
構造的パッドは、コンデンサに取り付けられると共にピンに導電結合された基板を有することを特徴とする請求項１８０記載の組立体。
【請求項１８２】
リード線を取り付けることができる延長部を備えたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項１８１記載の組立体。
【請求項１８３】
構造的パッドは、コンデンサの平らな表面に隣接して設けられた基板を有することを特徴とする請求項１７５記載の組立体。
【請求項１８４】
基板は、セラミックを基材とした材料から成ることを特徴とする請求項１８３記載の組立体。
【請求項１８５】
基板は、アルミナ、セラミック、ベリリア、窒化アルミニウム、フォステライト（Fosterite）、ポリイミド、シアネートエステル、チタン化バリウム、エポキシ又は繊維強化材料から選択されていることを特徴とする請求項１８３記載の組立体。
【請求項１８６】
基板は、ボンディング領域を有する導電性表面トレースを有することを特徴とする請求項１８３記載の組立体。
【請求項１８７】
リード線は、ボンディング領域に取り付けられていることを特徴とする請求項１８６記載の組立体。
【請求項１８８】
基板とコンデンサとの間に設けられた絶縁材料を有することを特徴とする請求項１８３記載の組立体。
【請求項１８９】
構造的パッドは、リード線が導電結合された基板に取り付けられている導電性ワイヤボンドパッドを含むことを特徴とする請求項１７５記載の組立体。
【請求項１９０】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合されていることを特徴とする請求項１８９記載の組立体。
【請求項１９１】
構造的パッドは、コンデンサに隣接して設けられた基板を有し、ワイヤボンドパッドは、基板に取り付けられていることを特徴とする請求項１８９記載の組立体。
【請求項１９２】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合された第１の部分及びリード線に導電結合された第２の部分を含むことを特徴とする請求項１９１記載の組立体。
【請求項１９３】
ワイヤボンドパッドの第１及び第２の部分は、互いに対して角度的にずらされていることを特徴とする請求項１９２記載の組立体。
【請求項１９４】
能動型の植込み可能な医用器具のための電磁波障害（ＥＭＩ）フィルタ端子組立体にリード線を取り付ける際に加わる力からＥＭＩフィルタ端子組立体を機械的に保護する方法であって、コンデンサを有するＥＭＩフィルタを用意する段階と、硬化可能な基板をコンデンサの表面に被着させる段階と、基板の非硬化部分を除去する段階と、導電性材料をリード線が接続されるようになった基板の残りの硬化部分に取り付ける段階とを有し、基板は、リード線の取付けの際に端子組立体に加わる力からコンデンサを保護することを特徴とする方法。
【請求項１９５】
基板は、非導電性ポリイミドから成ることを特徴とする請求項１９４記載の方法。
【請求項１９６】
硬化工程は、ポリイミドの一部を放射線源に暴露する工程から成ることを特徴とする請求項１９４記載の方法。
【請求項１９７】
放射線源は、紫外線から成ることを特徴とする請求項１９５記載の方法。
【請求項１９８】
切欠き付きのマスクを基板を覆って配置し、放射線を切欠き中へ差し向ける工程を有することを特徴とする請求項１９６記載の方法。
【請求項１９９】
被着工程は、基板をコンデンサの頂面にスピン塗布する工程から成ることを特徴とする請求項１９４記載の方法。
【請求項２００】
除去工程は、基板に化学的洗浄を施す工程から成ることを特徴とする請求項１９４記載の方法。
【請求項２０１】
付着工程は、基板に導電性材料を電気めっきする工程から成ることを特徴とする請求項１９４記載の方法。
【請求項２０２】
付着工程は、導電性材料を基板に蒸着させる工程から成ることを特徴とする請求項１９４記載の方法。
【請求項２０３】
端子ピンと構造的パッドは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項４９記載の組立体。
【請求項２０４】
インサートと端子ピンは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項６５記載の組立体。
【請求項２０５】
端子ピンと構造的パッドは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項１３７記載の組立体。
【請求項２０６】
インサートと端子ピンは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項１５３記載の組立体。
【請求項２０７】
組立体は、能動型植込み可能医用器具、例えば、心臓ペースメーカ、植込み型除細動器、蝸牛インプラント、神経刺激器、薬剤ポンプ、心室補助装置、植込み可能な検出システム、胃ペースメーカ又はプロテーゼ器具に用いられるよう構成されていることを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項２０８】
能動型植込み可能医用器具は、心臓ペースメーカ、植込み型除細動器、蝸牛インプラント、神経刺激器、薬剤ポンプ、心室補助装置、植込み可能な検出システム、胃ペースメーカ又はプロテーゼ器具であることを特徴とする請求項９４記載の組立体。
【請求項２０９】
能動型の植込み可能な医用器具のための電磁波障害フィルタ端子組立体であって、能動型植込み可能医用器具のハウジングに導電結合された導電性フェルールと、第１の組をなす電極プレート、及びフェルールに導電結合された第２の組をなす電極プレートを有する貫通コンデンサと、コンデンサを貫通して延びると共に第１の組をなす電極プレートに導電結合された導電性端子ピンと、コンデンサに隣接して設けられた構造的パッドとを有し、構造的パッドは、ワイヤボンドパッドを含み、端子ピンは、ワイヤボンドパッドを介して第１の組をなす電極プレートに導電結合され、前記組立体は、ワイヤボンドパッドによって第１の組をなす電極プレートに導電結合されたリード線を更に有し、ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートへのリード線の導電結合に伴って生じる力からコンデンサを少なくとも部分的に保護するよう構成されていることを特徴とする組立体。
【請求項２１０】
構造的パッドは、コンデンサの平らな表面に隣接して設けられた基板を有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２１１】
基板は、セラミックを基材とした材料から成ることを特徴とする請求項２１０記載の組立体。
【請求項２１２】
基板は、アルミナ、セラミック、ベリリア、窒化アルミニウム、フォステライト（Fosterite）、ポリイミド、シアネートエステル、チタン化バリウム、エポキシ又は繊維強化材料から選択されていることを特徴とする請求項２１０記載の組立体。
【請求項２１３】
基板とコンデンサとの間に設けられた絶縁材料を有することを特徴とする請求項２１０記載の組立体。
【請求項２１４】
能動型植込み可能医用器具は、心臓ペースメーカ、植込み型除細動器、蝸牛インプラント、神経刺激器、薬剤ポンプ、心室補助装置、植込み可能な検出システム、胃ペースメーカ又はプロテーゼ器具であることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２１５】
ワイヤボンドパッドは、基板に取り付けられていることを特徴とする請求項２１０記載の組立体。
【請求項２１６】
構造的パッドは、コンデンサに隣接して設けられた基板を有し、ワイヤボンドパッドは、基板に取り付けられていることを特徴とする請求項２１５記載の組立体。
【請求項２１７】
ワイヤボンドパッドは、第１の組をなす電極プレートに導電結合された第１の部分及びリード線に導電結合された第２の部分を含むことを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２１８】
ワイヤボンドパッドの第１及び第２の部分は、互いに対して角度的にずらされていることを特徴とする請求項２１７記載の組立体。
【請求項２１９】
構造的パッドは、端子ピンを貫入させる孔が設けられた基板を有することを特徴とする請求項２１０記載の組立体。
【請求項２２０】
ワイヤボンドパッドは、コバール又はアロイ４２で構成されていることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２２１】
ワイヤボンドパッドとコンデンサとの間に設けられた電気絶縁材料を有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２２２】
ワイパボンドパッドは、端子ピンの端部を受け入れる受け口を有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２２３】
端子ピンの端部とワイヤボンドパッドは、互いに導電結合されていることを特徴とする請求項２２２記載の組立体。
【請求項２２４】
端子ピンは、リード線に導電結合され、基板の孔は、端子ピンとは独立して第１の組をなす電極プレートからリード線までの電路を構成するよう導電性材料で実質的に裏張りされていることを特徴とする請求項２１９記載の組立体。
【請求項２２５】
構造的パッドとコンデンサは、フェルール及び端子ピンとの組立てに先立って、フェルール及び端子ピンとは独立した組立部品を形成することを特徴とする請求項２２４記載の組立体。
【請求項２２６】
基板の凹部内に設けられていて、基板とコンデンサを導電結合する導電性インサートを有することを特徴とする請求項２２４記載の組立体。
【請求項２２７】
基板は、端子ピンへの基板のレーザ溶接を容易にする孔、穴又はスロットを有することを特徴とする請求項２１９記載の組立体。
【請求項２２８】
構造的パッドは、端子ピンの端部を受け入れる受け口を有する導電性ワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項２２７記載の組立体。
【請求項２２９】
ワイヤボンドパッドとコンデンサは、フェルール及び端子ピンとの組立てに先立って、フェルール及び端子ピンとは独立した組立部品を形成することを特徴とする請求項２２８記載の組立体。
【請求項２３０】
孔、穴又はスロットは、ワイヤボンドパッド中へ少なくとも部分的に延びていることを特徴とする請求項２２８記載の組立体。
【請求項２３１】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサに取り付けられていることを特徴とする請求項２３０記載の組立体。
【請求項２３２】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサから間隔を置いて配置された状態で端子ピン上でのみ支持されていることを特徴とする請求項２２８記載の組立体。
【請求項２３３】
基板から延びている端子ピンの一部は、曲げられており、ワイヤボンドパッドは、端子ピンの曲げ部分を覆って配置できるよう構成されていることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２３４】
構造的パッドは、基板に設けられた凹部内に配置された導電性インサートリングを有し、インサートリングは、端子ピン及び基板に導電結合されていることを特徴とする請求項２１９記載の組立体。
【請求項２３５】
基板は、インサートリングに導電結合されていて、基板の表面上にリード線ボンディング領域を構成する導電性トレースを有することを特徴とする請求項２３４記載の組立体。
【請求項２３６】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を覆って設けられていることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２３７】
構造的パッドは、コンデンサの表面に取り付けられると共に端子ピンに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２３８】
端子ピンとワイヤボンドパッドは、互いにレーザ溶接されていることを特徴とする請求項２３７記載の組立体。
【請求項２３９】
ワイヤボンドパッドは、リード線が取り付けられた延長部を有することを特徴とする請求項２３７記載の組立体。
【請求項２４０】
構造的パッドは、第１の組をなす電極プレートに対し導電性であるようにコンデンサの表面に取り付けられ、ワイヤボンドパッドは、端子ピンの端部を覆って設けられていることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２４１】
コンデンサは、内部が接地されていることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２４２】
コンデンサは、内部が接地され、コンデンサは、接地端子ピンを含む複数の接地ピンを有し、基板は、各々がボンディング領域の各々をそれぞれ構成する対応した数の導電性トレースを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２４３】
少なくともボンディング領域のうちの１つに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項２４２記載の組立体。
【請求項２４４】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンを挿通させる孔を有することを特徴とする請求項２４３記載の組立体。
【請求項２４５】
端子ピンと構造的パッドは、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項２４４記載の組立体。
【請求項２４６】
端子ピンと構造的パッドは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項２４５記載の組立体。
【請求項２４７】
リード線が、ワイヤボンディング領域のうちの１つに取り付けられていることを特徴とする請求項２４２記載の組立体。
【請求項２４８】
基板は、導電性ワイヤボンドパッドを対応関係をなして受け入れるよう形作られた凹部を有することを特徴とする請求項２４２記載の組立体。
【請求項２４９】
ワイヤボンドパッドは各々、端子ピンの各々をそれぞれ挿通状態で受け入れる孔を有し、各端子ピンとワイヤボンドパッドはそれぞれ、互いに導電結合されていることを特徴とする請求項２４８記載の組立体。
【請求項２５０】
端子ピンとワイヤボンドパッドは、互いに溶接されていることを特徴とする請求項２４９記載の組立体。
【請求項２５１】
構造的パッド及びコンデンサは、互いに整列した漏れ検出ベントを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２５２】
フェルールは、コンデンサが少なくとも部分的に収納される捕捉フランジを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２５３】
コンデンサと密接に関連したインダクタを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２５４】
コンデンサは、フェルール内に埋め込まれていることを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２５５】
コンデンサと密接に関連したインダクタを有することを特徴とする請求項２５４記載の組立体。
【請求項２５６】
構造的パッドは、テーパ付き縁部を有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２５７】
コンデンサは、接地ピンを含む多数の端子ピンを通す多数の孔が設けられている内部が接地されたコンデンサから成り、基板は、対応関係をなす互いに整列した孔及び各端子ピンに導電結合されたワイヤボンドパッドを有することを特徴とする請求項２５６記載の組立体。
【請求項２５８】
ワイヤボンドパッドは、端子ピンの先端部のレーザによる溶融を容易にする貫通穴又はスロットを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【請求項２５９】
ワイヤボンドパッドは、コンデンサの表面に隣接して位置するよう形作られたヘッド及び端子ピンの端部の周りでヘッドからコンデンサ内へ延びるネックを有することを特徴とする請求項２０９記載の組立体。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の背景
本発明は一般に、特に能動型の植込み可能な医用器具、例えば心臓ペースメーカ、植込み型除細動器、蝸牛インプラント、神経刺激器、能動型薬剤ポンプ等に用いられ、望ましくない電磁波障害（ＥＭＩ）信号を関連装置から切り離して遮蔽するよう設計されたＥＭＩフィルタ端子組立部品及び関連の構成方法に関する。特に、本発明は、熱接着又は超音波接合、はんだ付け等によりリード線を楽に取り付けることができるボンディングパッドを有する改良型ＥＭＩフィルタに関する。ボンディングパッドは、コンデンサ構造体の一部であってよく又はビアホール（via holes）及び／又は回路トレースにより基板に組み込まれたものであってよい。
【０００２】
貫通型端子組立体は一般に、電子装置のハウジング又はケースを通る電気信号を結合するものとして周知である。例えば、植込み可能な医用器具では、端子ピン組立体は、絶縁構造体によって支持されていて、医用器具の外部から内部への貫通路のための１以上の導電性端子ピンを有する。医用器具に用いることができる多種多様な絶縁構造体又は関連の取付け法が知られており、絶縁構造体は、医用器具のハウジング内への体液の流入を阻止する気密シールを提供する。例えば心臓ペースメーカでは、貫通型端子ピンは典型的には、ペーシングパルスを心組織に導くと共に（或いは）心調律を検出し又は検知するためにケース内の１以上のリード線に接続されている。しかしながら、リード線は又、アンテナとして働く場合があり、かくして迷走（漂遊）電磁波障害（ＥＭＩ）信号を集めて医用器具の内部に伝送する傾向があるので望ましくない。アメリカ食品医薬品局、マウントシナイメディカルセンター（Mt. Sinai Medical Center）及び他の研究機関により行なわれた研究の示すところによれば、迷走ＥＭＩ、例えば携帯電話により生じるＲＦ信号はペースメーカの適切な動作を重大にも損ねる場合がある。ペースメーカの停止、非同期ペーシング及び拍動ミスが生じ得ることがかなり記録されている。これら状況は全て、ペースメーカに依存している患者にとって危険であり又は生命を脅かす場合がある。例えば米国特許第５，３３３，０９５号明細書及び４，４２４，５５１号明細書に記載されているような従来型装置では、気密端子ピン組立部品は、医用器具の等電位ハウジングへの電磁波障害（ＥＭＩ）信号を切り離すために種々の仕方でセラミック貫通コンデンサフィルタと組み合わされている。なお、これら米国特許明細書の内容を参照により引用する。
【０００３】
一般に、１以上の通路又は貫通穴を有するセラミック貫通コンデンサは、種々の仕方で植込み可能な医用器具の気密端子に接続される。ＥＭＩフィルタ貫通コンデンサが正しく動作するようにするためには、コンデンサ接地電極プレートスタックとフェルールとの間に低インピーダンス且つ低抵抗の電気的接続部を作らなければならず、フェルールは、植込み可能な医用器具の導電性ハウジング全体に機械的且つ電気的に接続される。例えば、心臓ペースメーカでは、気密端子組立体は、一般にチタン製の導電性フェルールから成り、このフェルールは、植込み可能な医用器具のチタン製ハウジング全体にレーザ溶接される。これにより、気密シールが得られるだけでなく気密端子のフェルールが植込み可能な医用器具の電子回路を電磁波障害から保護する電磁遮蔽全体の連続部分になる。セラミック貫通コンデンサは、上記気密端子のフェルールに電気的且つ機械的に結合される。従来、特に米国特許第５，３３３，０９５号明細書及び第４，４２４，５５１号明細書に記載されているように、接続は典型的には、熱硬化性導電性接着剤を用いて行なわれる。かかる物質の１つは、銀フレーク入り導電性ポリイミドである。
【０００４】
液体導電性ポリイミド（又は導電性エポキシ）に用いられる種類の導電性粒子は適切な高周波性能を得る上で極めて重要であることが判明した。銀フレーク入りの導電性ポリイミドは、高周波ではインダクタンスが非常に低く且つ抵抗が非常に低い傾向がある。これは、銀フレークが互いに重なり合い、それによりこれらのフレーク間接触面積が増大するからである。これは、銀球が接線（接触）箇所でのみ互いに触れるという点で銀球を用いた場合と比較して優れていることが分かっている。これら接線箇所は、非常に僅かな電気的接触領域を作るのに役立ち、それにより材料全体のインダクタンス及び抵抗を増大させる。これは、低周波ではそれほど明瞭ではなく、インピーダンスが高周波で増大すると明確になる。例えば、セラミック貫通コンデンサＥＭＩフィルタが４５０メガヘルツ〜３ギガヘルツまでの携帯電話周波数でバイパスフィルタとして正しく機能するようにするためには、接続物質が、これら高い周波数において非常に低いインダクタンス、非常に低い抵抗、したがって非常に低いインピーダンスを呈することが極めて有用である。同じ指摘は全て、気密端子中を非導電関係をなして通るリード線相互間の連結にも当てはまる。セラミックコンデンサの内周部又は貫通穴は、これら貫通リード線に電気的且つ機械的に接続されている。このように、フィルタコンデンサは、高周波電磁波障害を適切に切り離すことができる。
【０００５】
銀フレークを入れるための固形物の量は、導電性熱硬化性接着剤の体積全体の約２０〜４５％を占める傾向がある。例えば、理想的な導電性ポリイミドでは、成分の３８体積％は、銀フレークであり、残部は、液体ポリイミド及び溶剤から成る。
【０００６】
発明の概要
本発明に従って構成されるＥＭＩフィルタ端子組立体は主要構成要素として、少なくとも１本の導電性端子ピン、貫通型フィルタコンデンサの場合、１以上の端子ピンを挿通させる通路を有するフィルタコンデンサ、及び１以上のワイヤボンドパッドを有する。米国特許出願第６０／５０８，４２６号明細書に記載されているような任意使用のフェライトビード又はフェライトビードインダクタも又利用できる。貫通コンデンサは、米国特許第４，４２４，５５１号明細書及び第５，３３３，０９５号明細書に記載されているような１以上の先行技術の方法に従って気密シール組立部品に取り付けられる。貫通コンデンサは、接地電極プレート組及び活性電極プレート組とも呼ばれる第１及び第２の組をなす電極プレートを有する。端子ピンは、活性状態を電極プレート組と導電関係をなしてコンデンサの通路を貫通する。心臓ペースメーカのような典型的な植込み可能電子デバイスでは、気密絶縁体が導電性基板（通常は、チタンフェルール）により支持され、端子ピンが非導電関係をなしてこの導電性基板を貫通している。コンデンサをこの絶縁体に結合し又はこの中に結合し、或いは絶縁体から隔離し、それにより用いられる組立て方法に応じて僅かな空隙を形成するのがよい。コンデンサの外周部は一般に、導電性基板又はフェルールと導電関係をなして取り付けられ、貫通コンデンサが適切に接地されるようにする。変形構造が、米国特許第５，９０５，６２７号明細書（発明の名称：INTERNALLY GROUNDED DEEDTHROUGH FILTER CAPACITOR）に示されている。
【０００７】
好ましい実施形態では、取り付け状態のワイヤボンドパッドを備えた基板又は回路板は、これらが一体形構造として作用するような仕方でセラミックコンデンサに同時結合される。同時結合状態の回路板又は基板は、ワイヤを、熱接着、超音波接合、熱硬化性導電性接着剤、はんだ付け、溶接、蝋付け、機械的取付け法等により植込み可能な医用器具の内部回路から貫通コンデンサ構造体に取り付けるのが好都合であるようにビアホール、回路トレース及びボンディングパッド又はボンディング領域を有している。好ましい実施形態では、新規な回路板又は基板は、本発明に従ってセラミック貫通コンデンサの頂面に同時結合される。同時結合は、高温熱硬化性材料、例えば非導電性ポリイミドの薄い層で行なわれる。この用途にとって理想的な材料は、熱可塑性ポリイミド裏付けテープ接着剤であり、その特性は、図６に記載されている。回路板又は基板をセラミックコンデンサの表面に同時結合するために使用できる多くの別の材料があり、かかる材料としては、種々の非導電性熱硬化性ポリマー、例えば高温熱硬化性エポキシ、シリコーン、ポリイミド、接着剤、シーラント等が挙げられる。別の同時結合法としては、低温ガラス、セラミック等を用いる同時焼成が挙げられる。基板又は回路板を当該技術分野においてありふれた多くの材料で作ることができる。本発明の用途の場合、理想的なセラミック基板材料としては、酸化アルミニウム、フォステライト（Fosterite）、種々の不純物の状態のアルミナ、ベリリア及び窒化アルミニウムの群が挙げられるが、これらには限定されない。これらセラミック基板は、当該技術分野においては周知であり、良好な機械的又はレーザスクライビング特性を有し、セラミックコンデンサの熱膨張率に大幅に釣り合わないということはなく、したがって、セラミックコンデンサを破損させる場合のある過度の機械的応力の生成を阻止する。セラミック基板の場合、セラミック材料のスクライビング特性は、重要であり、本発明の個々の基板をかかる基板の大型生産アレイから切り抜くことができ又は切り出すことができるようになっている。
【０００８】
非セラミックプリント回路板材料は、本発明のセラミック基板の回路板代替物としても用いることができ、大抵の場合、織布により強化された樹脂から作られる。エポキシ（ＦＲ−４）ポリイミド及びシアネートエステルは、今日用いられている一般的な樹脂系である。ガラス繊維は、最も普及している布である。
【０００９】
回路板又は基板は、ワイヤボンド付きのＥＭＩフィルタ気密端子組立体を植込み可能な医用器具のハウジング内へレーザ溶接することにより生じる高温に耐えることができることが重要である。非セラミック回路板の温度範囲は、大抵の場合、材料のガラス転移温度（Ｔｇ）として表される。材料のＴｇは、材料の機械的性質が迅速に劣化し始める下限の温度である。プリント回路板材料は、これらのガラス転移温度に達した後は、硬くてもろい物質から軟らかくてゴム状の物質に変化する。一般的な材料系についての典型的なＴｇ温度定格は次の通りである。
〔表１〕
Ｔｇ
ポリイミド              ２６０℃〜２７０℃
改質ポリイミド          ２４０℃〜２６０℃
シアネートエステル      ２４０℃〜２５０℃
ＢＴ*エポキシ            ２２５℃〜２４０℃
複合エポキシ            ２４０℃〜２６０℃
多官能価エポキシ        １６０℃〜１９０℃
四官能価エポキシ        １４０℃〜１６０℃
改質ＦＲ*−４            １２０℃〜１３０℃
標準ＦＲ*−４            １１５℃〜１２５℃
*：ＢＴ＝チタン化バリウム  ＦＲ＝繊維強化
【００１０】
したがって、上述の一覧表示から、順番にポリイミド、シアネートエステル及びＢＴエポキシが、本発明にとっての代替例としてセラミック基板の次の好ましい選択肢であることが理解できる。本明細書で用いる「基板」又は「アルミナ基板」としては、図示していない多くの他の材料に加えて、上述のセラミック又は非セラミック材料のうちの任意のものを挙げることができる。回路板の基板をセラミックコンデンサに結合する材料は、可撓性が幾分高く且つ応力吸収性があることが望ましい。この可撓性層は、熱膨張率の不釣合いに起因するセラミックコンデンサの亀裂発生を阻止するのを助ける。したがって、ポリイミドは、約２６０℃のそのガラス転移温度になった後に環状形の分子を形成する点において理想的な材料である。エポキシと比較して、この材料は、応力を吸収する傾向があり、極めて弾性が高い。
【００１１】
本発明の新規な特徴は、セラミック貫通コンデンサと回路板又は基板の両方を従来の慣例よりも非常に薄く作ることができるということにある。というのは、これらは一体形積層構造中へ同時結合されるからである。この同時結合／積層構造は、ビーム（梁）に類似している。ビームの高さを高くすることにより、ビームの慣性モーメントが劇的に大きくなる。慣性モーメントが増大したビームは、曲げ力に起因する破損又は亀裂に対する耐性が非常に高い。例えば、複合構造を下向きに撓ませる傾向のある曲げ力がある場合、コンデンサの頂部は、圧縮状態になり、底部は引っ張り状態になる傾向がある。この複合構造の慣性モーメントを大きくすることにより、撓み量は最小限に抑えられる。したがって、本発明の新規な特徴は、ＥＭＩフィルタの体積（高さ）全体をそれほど増大させないで回路板又は基板を追加できるということにある。
【００１２】
回路基板又は基板が比較的薄いことが望ましい。これの意味することは、高い構造的一体性を持つ材料を用いなければならないということである。これは、アルミナ、酸化アルミニウム、フォステライト又はポリイミドを基板材料として用いることが理想的であるというもう１つの理由である。回路トレースワイヤボンドパッドを備えたかかる基板の構造は、当該技術分野において周知である。導電性回路トレースパターン、ボンドパッド又は「ランド」及びビアホールの配設場所及び金属被覆を施すためにフォトレジスト、化学的エッチング、自動化スクリーン印刷、シルクスクリーニング、選択的めっき、スクリーン印刷及び薄膜及び厚膜蒸着法が一般的に用いられる。典型的なスクリーン印刷配合物が、当該技術分野において一般に周知であり、かかる配合物としては次のものが挙げられるが、これには限定されない。
【００１３】
スクリーン印刷インク配合物
インクは、４つの別々の中間物群から成り、これらは、完全に混合され、配合され、均質製品を生じさせる。
機能的フェーズ  導電性インク中の金属粉末（Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ等）、抵抗体                    中の金属及び（又は）金属酸化物（ＲｕＯ2、Ｂｉ2、Ｒｕ2Ｏ7、Ｐ                    ｄ、Ａｇ）及び誘電体温度焼成におけるセラミック／ガラス
（ＢａＴｉＯ3  、ガラス）から成る。
結合剤フェーズ  インクをセラミック基板に保持するため、高温焼成中、セラミック                    と合体する。
ビークル        粉末のキャリヤとして働き、揮発性有機物質（溶剤）と非揮発性有                    機物質（ポリマー）で構成されている。これらは、乾燥及び焼成の                    初期段階中それぞれ、蒸発し、燃え尽きる。
改質剤          処理の前後においてインクの挙動を制御する少量の有標添加剤であ                    る。
１．導体ペースト−単一の金属系（例えば、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等）
２．導体ペースト−二成分金属系（例えば、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ等）、タングス        テン（Ｗ）、タングステン／ニッケル及び均等物
３．導体ペースト−四成分金属系（例えば、４０Ａｕ／４０Ｐｄ／２０Ｐｔ、
６０Ａｇ／２０Ｐｔ／２０Ｐｄ、３５Ａｇ／２５Ｐｄ／２０Ａｕ／２０Ｐｔ等）
４．高焼成系（例えば、ＢａＴｉＯ3又はＺｒＯ添加剤入りの３０Ａｇ／７０Ｐｄ、        １００Ｐｄ等）
５．母材系（例えば、ＢａＴｉＯ3又はＺｒＯ添加剤入りＮｉ等）
基板のビアホールは代表的には、自動化パターン認識穴あけ機により形成される        。回路経路への金属被覆、ボンディングパッド及びビアホールを設ける多くの方        法があり、かかる方法としては、スクリーン印刷選択的めっき、金属被覆真空引        き通し法、スクリーン印刷、クラッド法の次に行なう選択的エッチング、物理的        気相成長法（ＰＶＤ）、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等が挙げられる。これら技        術は、当該技術分野において周知なので、これらについて本明細書においてはあ        らゆる点において説明するわけではない。本発明の好ましい実施形態では、熱接        着又は超音波接合に適した１以上のボンドパッドを形成することが望ましい。か        かる用途では、金又は金属めっきボンドパッドが望ましい。好ましい実施形態で        は、ボンドパッドは、例えば純度９９．９９％の超純粋軟質金でめっきされる。        かかる金は、イエローゴールドとして知られており、極めて軟らかく、ワイヤボ        ンドを形成することが容易である。代表的な用途では、ワイヤボンドパッドは、        基板上に直接施され又はニッケルアンダープレート（アンダーめっき）が施され        、次に軟質金オーバープレート（オーバーめっき）で仕上げられたコバール又は        アロイ４２に取付け金属パッドであるのがよい。化学的又はフォトレジスト法、        電気めっき、無電解めっき等を用いると、間違った場所へのめっき、例えば金の        被着を阻止することができる。ボンドパッドそれ自体は、代表的には、コバール        又はアロイ４２であるが、多くの他の金属、セラミック及び他の材料を含んでも        よい。
【００１４】
コバール又は他の金属ワイヤボンドパッドは好ましくは、コンデンサ又は結合基板の外部又は周囲に取り付けられる。別の実施形態は、コバールワイヤボンドパッドを貫通リード線を包囲した状態で追加し、この場合、有利且つ信頼性の高いレーザ溶接部を作ることができる。本発明の別の技術的思想は、埋め込み状態の回路経路を備えた多層基板を追加することである。高電流用途の場合、１以上の埋め込み回路経路を並列に追加するのがよい。かかる多層パッドの断面では、内部回路は、互いに異なる平面上で互いに異なるのがよい。本発明のもう１つの技術的思想は、セラミックコンデンサそれ自体を用いてワイヤボンディングのための金属被覆ワイヤボンドパッド、例えば金めっきコバールパッドを直接取り付けることである。
【００１５】
リード線取付けがはんだ付け等で行なわれる場合、コバール又はアロイ４２パッドは一般に不要であることが注目されるべきである。しかしながら、超音波又は熱によるワイヤボンディング中、相当高いエネルギが構造体中へ与えられる。したがって、この場合、エネルギを下に位置するセラミック基板又は貫通コンデンサ構造体から消散させるにはコバールパッドが望ましい。サーモソニック又は超音波エネルギを用いてワイヤボンディングを行なう際、セラミックコンデンサに同時結合されたアルミナ基板も又用いることが望ましい。このアルミナ基板は、同時結合される場合、ワイヤボンディング衝撃及び振動力をセラミックコンデンサの表面全体にわたって分散させる。一般に、セラミック材料、特にコンデンサ用誘電体は、圧縮に強いが、引っ張りに非常に弱い。比較的強固な同時結合アルミナ基板は、セラミックコンデンサに用いられる比較的弱いチタン化バリウム、チタン化ストロンチウム又はこれと均等な高Ｋ誘電体がこれらワイヤボンディング力の印加中に破損し又は微小割れを生じるのを阻止するのに役立つ。一般に、セラミック材料の非誘電率Ｋを大きくすると、セラミック材料は、構造的に弱くなる。低Ｋアルミナ又は酸化アルミニウム基板は、チタン化バリウム又は他の高Ｋセラミックよりも非常に強固であり、これらワイヤボンディング力に耐えることができる。このように、張力、剪断力及び衝撃力は、増大せず又はコンデンサ誘電体中で過度に大きくなることはない。当該技術分野においては、ワイヤボンドパッド付きの種々の基板が周知であり、代表的には、ハイブリッド回路電気接続部等と組み合わせて用いられる。
【００１６】
植込み可能な医用器具の場合、一般に、装置の入力又は出力と直列状態にある電気回路接続部はどれも信頼性の高い連結具のものであるべきことが必要である。例えば、心臓ペースメーカでは、心臓に埋め込まれるリード線は、生物電気信号を検出すると共にペーシングパルスを出して伸長率を補正する。一般に、システム中のどこかのこのリード線に開口部又は破断部を生じさせ、次に初期製造中にはんだ、導電性熱硬化性接着剤等で再び取り付けることは許されない。したがって、コバール又はアロイ４２パッドと気密端子リード線との間のレーザ溶接連結部及び（又は）コバールパッドと基板又はコンデンサの周囲又は外周部との間に金、金合金又はＣｕＳｉｌ（銅−銀合金）を設けることは本発明の望ましい特徴である。貫通コンデンサワイヤボンドパッドからの接続は一般に、純金ワイヤをパッドの純金めっきに直接超音波接合又は熱接着することにより達成される。ワイヤボンドパッドへのリード線の取付けも又、はんだ付け、導電性ポリマー、溶接、蝋付け又は小ねじ等を含む種々の機械的取付け法により達成できる。代表的なペースメーカ用途では、この純金ワイヤは、直径が約０．０５インチ（０．１２７ｍｍ）であり、この純金ワイヤは、マイクロプロセッサワイヤボンディング及び他の植込み可能な医用器具電子回路が搭載されるペースメーカハイブリッド回路基板又は回路板上の同様なワイヤボンドパッドで終端する。自動化ワイヤボンディング装置は、容易に入手でき、当該技術分野において周知である。
本発明の他の特徴及び利点は、本発明の原理を例示的に示す添付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むと明らかになろう。
添付の図面は、本発明を記載している。
【００１７】
好ましい実施形態の詳細な説明
次に、本発明の現時点において好ましい実施形態を詳細に参照するが、本発明の例は、説明の目的で添付の図面に示されている。かかる例は、本発明のための説明であって、本発明を限定するものではない。事実、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく本発明に関して種々の改造及び変形を実施できることは当業者には明らかであろう。例えば、一実施形態の一部として示され又は説明される数値は、更に別の実施形態を構成するよう別の実施形態に利用できる。さらに又、特定の所望のユーザの基準を満足させるために材料及び（又は）特性の変更及び選択を実施できる。かくして、本発明は、本発明の範囲及びその均等範囲に属する限りかかる改造例及び変形例を含むものである。以下の説明において、種々の実施形態の機能的に均等な構成要素には、同一の参照符号が割り当てられ、或いは類似的関連性があれば、例えば分かりやすくすると共に説明を容易にするために同じ参照符号を１００だけ増やして示されている。
【００１８】
図１は、先行技術の単極セラミック貫通コンデンサ１１０の切除斜視図である。このコンデンサ１１０は、従来型外部接地用導体（external ground）１１２を有し、この外部接地用導体は、その外周部に沿って設けられた導電性成端部によって形成されている。これは、植込み可能な医用器具の気密端子のフェルールに電気的に接続された導電性成端部である。また、内周部の穴１１４は、中央通路１１４を貫通したリード線に電気的に接続できるよう金属化又は金属被覆（１１６）されている。切除部分には、活性電極プレートの組１１８及び接地電極プレートの組１２０が見える。貫通コンデンサの幾何学的形状は、これが同軸ブロウドバンド伝送線路フィルタとして働くのでＥＭＩフィルタにとって非常に好ましい。これは、貫通コンデンサが従来型の矩形一体形セラミックチップコンデンサに悪影響を及ぼす直列共振の問題を生じさせないで、非常に広い周波数範囲にわたり有効な減衰をもたらすということを意味している。
【００１９】
図２は、図１の貫通コンデンサの略図である。
図３は、米国特許第５，３３３，０９５号明細書（発明の名称：FEEDTHROUGH FILTERED CAPACITOR ASSEMBLY FOR HUMAN IMPLANT）の植込み可能な医用器具のハウジング１２４の気密封止フェルール１２２に取り付けられた図１の貫通コンデンサ１１０を示す断面図である。この装置は、単極（１リード線）ＥＭＩフィルタ気密端子とも呼ばれている。これは又、ワンセクション単一素子（one section single element）ＥＭＩフィルタとも呼ばれている。フィルタの略図が、図４に示されている。多素子ＥＭＩフィルタ（インダクトとコンデンサの組合せ）を単一（単極）リード線に用い又は多数のリード線を単一素子ＥＭＩフィルタ（貫通コンデンサのみ）に用いることが可能である。貫通コンデンサ１１０の外周部金属被覆１１２とフェルール１２２の接続は、熱硬化性導電性接着剤１２６によって達成される。好ましい実施形態では、接続部１２６は代表的には、セラミックコンデンサ１１０の外周部全体に沿って３６０°の連続接続部ではない。電気的接続材料１２６は通常、ヘリウムの漏れ検出を可能にすると共にコンデンサ１１０に対する熱的及び機械的応力を最小限に抑えるために不連続である。
【００２０】
コンデンサ１１０は、接着剤付きポリイミド裏付けワッシャ１２８を用いて気密端子のフェルール１２２に表面実装されると共にこれに結合されており、かかる接着剤は、図６に詳細が記載されている。図３の気密端子は、金蝋付け部１３０，１３２によって形成されている。蝋付け部１３０は、フェルール１２２とアルミナセラミック絶縁体１３４との間に３６０°の機械的且つ気密シールを形成している。金蝋付け部１３２は、リード線又は端子ピン１３６とアルミナセラミック端子１３４との間に３６０°の機械的且つ気密シールを形成している。コンデンサの接地電極プレート１２０は、コンデンサの外部成端部１１２に並列接続されている。コンデンサの接地電極プレート１２０は、コンデンサの金属被覆１１２とフェルール１２２の表面との間に設けられた電気的接続材料１２６によりフェルール１２２に連結されている。典型的な医用インプラントＥＭＩフィルタでは、材料１２６は、はんだ、蝋材又は熱硬化性導電性ポリマー、例えば導電性ポリイミド又は導電性エポキシから成る群から選択されたものである。電気的接続は、接続材料１３８によりコンデンサの内周部金属被覆１１６とリード線１３６との間に作られ、この接続材料１３８は代表的には、接続材料１２６と関連して上述したのと同一の材料である。リード線１３６が、人体インプラント用途の場合、白金及び白金−イリジウム生体適合性合金から成る群を含むはんだ付け可能な材料のものであれば、材料１３８は、はんだ、導電性熱硬化性接着剤等であるのがよい。しかしながら、リード線１３６がニオブ、タンタル又はチタンのものである場合、はんだ及び導電性接着剤は一般に、かかるピン材料には直接利用できない。この場合、ピン１３６は、高抵抗表面酸化物と関連した接触の問題を解決するために予備処理を行なう必要があろう。
【００２１】
図５は、回路板又は基板１４０が同時結合された図３の単極貫通コンデンサ１１０を示している。基板１４０は、特に好ましい実施形態では、薄いアルミナ又は酸化アルミニウムセラミック又はこれと均等な絶縁性円板である。非導電性ポリイミドの薄い層２２８が、アルミナ基板１４０を一体形セラミック貫通コンデンサ１１０に結合している。好ましい実施形態では、導電性熱硬化性ポリマー、はんだ又は蝋付け接合部１４２は、ビアホールの内周部金属被覆１４４をセラミック基板１４０を介してリード線１３６に接続している。これは又、リード線１３６をビアホール金属被覆１４４により、ワイヤボンドパッド（ワイヤボンディングパッド）領域１４８に通じる連続回路トレース１４６に接続しており、この連続回路トレース１４６は、図７に分かりやすく示されている。ワイヤボンドパッド領域１４８は一般に、従来型ワイヤボンディングを行なうのに足るほど厚い純金層から成る。リード線１８６が、サーモソニックワイヤボンディングによってボンドパッド領域１４８に取り付けられた状態で示されている。この場合、リード線１８６をＡＩＭＤ内部回路（図示せず）まで配線するのがよい。
【００２２】
人体インプラント用途では、気密端子の目的は導電性リード線１３６がペースメーカ又は植込み型電気除細動器のチタンハウジング又は缶１２４を非導電関係をなして貫通することができるようにすることにあることは指摘されるべきである。したがって、かかる缶又はハウジングの体液側に用いられる全ての材料は、生体適合性でなければならない。これは、使用できる材料を貴金属、即ちチタン、ステンレス鋼等に制限する。通常、図５に示されたリード線１３６は、白金、白金−イリジウム合金、タンタル、ニオブ等で作られたものである。リード線１３６が白金又は白金−イリジウムである場合、これらは、非常にはんだ付けしやすい材料であり、したがって、アルミナ基板１４０の内周部金属被覆１４４とリード線１３６の外周部との間に良好な濡れ性のはんだ付け接合部又は導電性ポリマー連結部を形成することは容易である。しかしながら、リード線がタンタル又はニオブで作られている場合、これら材料は一般に、はんだ又は導電性ポリマーによって容易に濡れることはない。これは、図５及びその分解図である図８に示すはんだ又は導電性ポリマー接合部１４２の形成を手の込んだものにする場合がある。これは、ニオブ及びタンタルがこれらの表面上に厚手の酸化物層を形成するからである。したがって、ニオブ又はタンタルリード線１３６は、導電性熱硬化性材料とのはんだ接合部又は連結部１４２を得ることができるよう予備処理されなければならない。かかるリード線を予備処理してこれらが基板１４０のビアホール金属被覆１４４に信頼性を持って電気接続することができるようにすることが本発明の特徴である。米国特許第６，１５９，５６０号明細書は、銀をタンタルピンに被着させて表面酸化物に取って代わり、そして電気的接続部を形成するのに適した導電性仕上げ部を被着させる方法を記載している。他のピン金属被覆方法があり、かかる方法としては、材料、例えば金、チタン及び他の導体のスパッタ蒸着又は真空蒸着（米国特許第５，５３１，００３号明細書に記載されている）を行ない、次にかかる材料を金、イリジウム等で表面めっきするのがよい。
【００２３】
図６は、本発明の基板１４０をセラミックコンデンサ１１０の表面に貼り付けるのに理想的な熱可塑性ポリイミド裏付けテープ接着剤２２８の特性を特定する表である。これについての業界表示は、ABLELOC(R)5500である。これは一般にセラミックコンデンサ１１０を気密端子１２２の表面に結合するために用いられるのと同一のポリイミド裏付けテープ接着剤１２８である。この材料は、これをダイカットし、打抜き加工し又はレーザ切断して、アルミナ基板１４０をコンデンサ１１０に同時結合し又はコンデンサを気密端子１２２に結合するのに有利な幾何学的形状にすることができるので有利である。加うるに、ポリイミドは、レーザ溶接によって生じる植込み可能医用器具中への取付け応力に容易に耐える理想的な耐熱性材料である。多くの他の結合材料も使用でき、かかる材料としては、接着剤、エポキシ、ガラス等が挙げられる。
【００２４】
次に図５に戻ってこれを参照すると、アルミナ基板１４０の断面図は、頂部回路トレース金属被覆層１４６を示している。金属被覆１４６は、基板１４４の内周部ビアホールから図５の断面に符号１４８で示すワイヤボンドパッド領域までずっと連続している。
図７は、図５にあらかじめ記載した貫通コンデンサ１１０に同時結合された回路板又は基板１４０を良好に示している。図７では、回路板又は基板１４０は、ワイヤボンド領域１４８及び回路トレース１４６を容易に観察できるよう逆さまにした状態で示されている。回路トレース１４６は、性質上導電性であり且つ金属製である。ワイヤボンドパッド領域１４８は、好ましい実施形態では、植込み可能医用器具の内部回路への金リード線の熱接着又は超音波接合に適した純度の高い金で仕上げられている。好ましい実施形態では、基板１４０は、セラミックのような中実の絶縁性の高い材料、例えばアルミナ、酸化アルミニウム又はフォステライトで作られている。次に、この中実絶縁性基板１４０を、例えば図６に記載し、図５に示した熱可塑性ポリイミド裏付けテープ接着剤２２８を用いて図５に前もって説明したようにチタン化バリウムセラミックコンデンサ１１０に同時結合する。
【００２５】
次に再び図５を参照すると、めっきされ又は金属被覆された貫通ビアホール１４４が、リード線１３６を覆って取り付けられた状態で示されている。材料１４２を用いた貫通ワイヤ１３６と回路板又は基板の内周部金属被覆１４４との間の電気的接続は非常に大事であることに注目することは重要である。電気接続材料１４２、例えばはんだ、導電性ポリイミド、導電性エポキシ等が望ましくは、基板１４０の金属被覆穴１４４の内周部とリード線１３６の外周部との間の斜めの空間に侵入する。これにより、頂部に電気的接続を施すのとは対照的に、電気接続材料１４２が剪断作用状態になる。これは、信頼性の高い電気的接続を作る上で非常に重要である。
【００２６】
例えば米国特許第６，０３１，７１０号明細書、第５，８７０，２７２号明細書及び第８，８６７，３６１号明細書の従来設計における大きな欠点は、リード線とワイヤボンドパッドとの間の直列接続が大量のはんだを直列に接続できるかどうかにかかっているということにある。これは、最適な状態ではない。米国宇宙計画では、設計者が後で結果的に使用中に開回路状態になる場合のある大きな質量でははんだ、導電性エポキシ等に依存すべきではないことは、長年にわたり知られている。リード線接続のためには、一般に、はんだ接合部を形成する前に機械的連結を行なうことがＮＡＳＡの方針である。これは、かかる電気的接続が強い衝撃及び振動力を受ける宇宙船用途においては特に重要である。しかしながら、これと似た状況は、超音波ワイヤボンディングの際にも起こる。超音波ボンディング方法の性質上、相当大きな振動力がワイヤボンドパッドに加わり、これは電気接続材料１４２に伝わる場合がある。したがって、図５で理解されるように、材料１４２を用いた信頼性の高い「剪断作用」電気接続が、回路板又は基板１４０の内周部金属被覆１４４とリード線１３６との間に作られる。
【００２７】
上述したように、図８は、図５の拡大断面図であり、リード線１３６と基板１４０のビアホール金属被覆１４４の電気接続の細部をより明確に示している。先の作業では、このセラミック基板１４０を選択的に金属被覆してその貫通穴又はビアホールが内周部に導電性成端部又はめっき１４４を有するようになっている。ビアホールの内周部金属被覆１４４からボンドパッド領域１４８（図８では見えず）までずっと連続した金属電気接続部１４６が設けられる。重要な点は、電気接続材料１４２がリード線１３６と基板１４０の内周部金属被覆１４４との間で剪断作用状態にあるということである。材料１４２は、はんだ、熱硬化性導電性接着剤、例えば熱硬化性導電性ポリイミド、蝋材等の群から選択されたものである。図８で理解できるように、電気接続材料１４２は、リード線１３６の周りに３６０°の電気接続接合部を形成すると共に基板１４０の金属被覆内周部１４４の周りに３６０°の接合部を形成する。これは、材料１４２が剪断作用状態にある広い濡れ表面領域を有するので信頼性の高い電気接続部を形成する。加うるに、材料の相対的な量は、はんだ又は導電性熱硬化性接着剤が適切に用いられるようなものである。非常に大きな質量では、はんだ蝋又は導電性接着剤が収縮すると、又はこれらの熱膨張率が周囲の材料（例えば、比較的脆弱なチタン化バリウムセラミックコンデンサ１１０）と釣り合っていない場合、大きな引張り応力が生じる場合がある。はんだが図８に示す電気接続部１４２を作るために用いられる場合、はんだが可鍛性であれば、例えば、鉛含有分の高いはんだであれば、それが望ましい。好ましい合金は、ありふれたケスター（Kester）はんだである合金ＳＮ１０である。加うるに、金属被覆回路トレース１４６は、図７で理解されるように、ビアホールの内周部金属被覆１４４からワイヤボンドパッド領域１４８までずっと連続した金属被覆表面を形成する。したがって、ワイヤボンドパッド１４８から回路トレース１４６を通ってビアホールの内周部１４４に至る電気接続は、連続していて、導電性であり、しかも信頼性が高い。
【００２８】
次に図７に戻ってこれを参照すると、ワイヤボンドパッド領域１４８は、従来型サーモソニック又は超音波接合法によるリード線の取付けのための理想的な表面ではない。本明細書で十分に説明するように、コバール、アロイ４２又はこれらに類似した材料で作られた金属製ワイヤボンドパッドを用いることが好ましい。当該技術分野においては、これらコバールパッドをニッケルめっきし、次に超純粋な軟質金でオーバーめっきすることが周知である。純金リード線の熱接着又は超音波接合は、２つの金表面を互いに合わせることにより容易になる。
【００２９】
ワイヤボンド取付け領域１４８は、次にリード線による接続がはんだ付け、溶接、蝋付け等で行なわれる場合には金めっきする必要はない。この場合、ワイヤ取付け領域は、錫、電気錫めっき、はんだ膜等であってよい。
ワイヤボンドパッド１５０を設ける新規な方法が、図９に示されている。この場合、図１０及び図１１にも示されている端ぐり部付きコバール又はアロイ４２円板をはんだ付け、導電性熱硬化性接着剤、抵抗溶接、レーザ溶接材料１５４等で短くされたリード線１３６によりコンデンサ１１０の頂部に結合し、又は貼り付ける（２２８）。
【００３０】
図１０は、ワイヤボンドキャップ（ワイヤボンディングキャップ）１５０の等角図であり、図１１は、図９のワイヤボンドキャップ１５０の断面図である。好ましい実施形態では、図９及び図１０に示すようなワイヤボンドキャップ１５０は、コバール又はアロイ４２で作られる。コバールをニッケルめっきし、次に超音波、熱又はサーモソニックによるワイヤボンディング工程と適合性があるようにするのに適した軟質金でオーバーめっきする。図５及び図８の説明で論じたように、電気接続材料１５４は好ましくは、ワイヤボンドパッド１５０とリード線１３６との間で剪断作用状態下に置かれる。この場合も又、これは、次に行なう超音波ワイヤボンディング取付けと関連した振動及び衝撃力に耐える信頼性の高い電気接続部を形成する上で必要不可欠である。この剪断領域は、図１０及び図１１に示す端ぐり部１５２によって達成される。図１０のワイヤボンドキャップ１５０も又、同時係属米国特許出願第１０／３７７，０１８号明細書、第１０／３７７，２７２号明細書及び第１０／３７７，０８６号明細書に記載されている。同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細書（発明の名称：EMI FEEDTHROUGH TERMINAL ASSEMBLY FOR HUMAN IMPLANT APPLOCATIONS UTILIZING OXIDE RESISTANT BIOSTABLE CONDUCTIVE PADS FOR RELIABLE ELECTRICAL ATTACHMENTS）の図４４，図４５，図４６，図４７Ａ、図４７Ｂ、図４７Ｃ、図４８及び図４９は、図１０及び図１１に示すワイヤボンドキャップ１５０を形成する別の方法を記載している。
【００３１】
図９では、ワイヤボンドキャップ１５０の端繰り部１５２とリード線１３６との間に電気接続部１５４を形成する別の方法が、先行技術の抵抗溶接法により行なわれる。抵抗溶接では、ワイヤボンドキャップ１５０の端繰ぐり部１５２は、リード線１３６と非常に緊密に嵌合する。電気接点が、ワイヤボンドキャップ１５０の外周部に設けられ、抵抗溶接機からの電流パルスをワイヤボンドキャップ１５０の金属及び（又は）めっきの加熱及びリフローがリード線１３６への低抵抗を冶金学的結合部を形成するようにするに十分に印加する。
【００３２】
次に図９に戻ってこれを参照すると、図示のように、電気接続材料１５４も又、金蝋領域１３２への信頼性が高く且つ酸化物の無い電気接続部を形成する。この重要な特徴は、同時係属米国特許出願第１００／３７７，０８６号明細書に記載されている。金蝋材１３２は、例えばリード線１３６がニオブ又はタンタルであり、それにより導電性が高く且つ信頼性の高い気密封止連結部を形成する場合、リード線１３６の表面酸化物を貫通する。電気接続材料１５４は又、貫通コンデンサ１１０の内周部金属被覆１１６及びコバールワイヤボンドキャップ１５０の金めっき端ぐり部１５２への電気的接続部を形成する。これは、リード線１３６が酸化材料を含む任意の生体適合性材料、例えばニオブで作られたものであるのがよいことを意味し、更に、リード線１３６から貫通コンデンサの内周部金属被覆１１６又は金めっきワイヤボンドキャップ１５０への信頼性のある電気接続部を形成するのに予備処理、例えばスパッタ被覆を必要としないことを意味している。換言すると、コンデンサの内部成端部１１６又はワイヤボンドキャップ１５０とリード線１３６の直接的な電気接触は不要である。
【００３３】
図１２及び図１７は、本発明の別の実施形態を示している。上述したように、植込み可能な医用器具の出力及び入力回路では、入力及び出力と直列状態にある全ての電気接続部は、信頼性の高い冶金学的接合部のものであることが非常に望ましい。換言すると、例えばヒトの心臓に連結されるリード線と直列状態にあることに依存する導電性熱硬化性ポリマー、導電性ポリイミド又は信頼性の低い冶金学的接合部、例えばはんだを用いることは一般に許されない。機械的に頑丈で信頼性のある冶金学的接合部が好ましく、一般に、レーザ溶接、蝋付け等の群から選択される。図１２及び図１７に示す好ましい実施形態は、レーザビーム溶接に適合するよう改造されたワイヤボンドパッド２５０でかかる欠点を解決する。このレーザ溶接法を用いた場合のもう１つの利点は、安価な気密封止貫通端子を利用できるということにある。安価であることは、リード線が比較的高価な白金又は白金−イリジウム合金に代えてニオブ又はタンタルのものであってよいことを意味する。ニオブ及びタンタルは、重量のある酸化物をこれらの表面上に形成することで周知であり、一般にはんだ又は熱硬化性導電性接着剤を容易には受け入れない。ニオブ又はタンタルリード線との電気接触を行なう従来方法としては、ニオブを真空若しくはスパッタ蒸着法又は他の金属オーバーコーティングでニオブを予備処理する費用のかかる方法が挙げられる。かかるオーバーコーティング材料は、白金、金等である。
【００３４】
図１２及び図１７は、図示のような新規な組立て方法によりこれら従来の欠点の全てを解決している。図１２は、金属フェルール１２２を備えた図５の単極気密端子組立体に類似している。この組立体には、先行技術のセラミック貫通コンデンサ１１０が同時結合されている。フェルール１２２は植込み可能な医用器具、例えば心臓ペースメーカ又は植込み型電気除細動器（ＩＣＤ）のハウジング１２４中へレーザ溶接される（１５６）よう設計されている。金蝋付け部１３０が、フェルール１２２とアルミナ絶縁体１３４の気密封止連結部を形成している。金蝋材１３２は、リード線１３６と気密アルミナ絶縁体１３４との間に気密連結部を形成する。当業者には明らかなように、アルミナ絶縁１３４に代えて種々のガラス又は他の封止材料を用いることができる。この端子への単極コンデンサ１１０の取り付けは、先行技術文献である米国特許第５、３３３，０９５号明細書等の教示に従っている。図１２では、本発明のアルミナ基板２４０がセラミックコンデンサ１１０の頂部に配置されてこれに同時結合（２２８）されている。端ぐり部付きワイヤボンドキャップ２５０が、図示のように同時結合アルミナ基板２４０の頂部を覆って配置されている。コバールキャップは、１以上の側部貫通穴１５８を有することはその新規な特徴である。これら穴１５８は、レーザ溶接機からのレーザビームを貫通穴１５８中へ差し向けてそのエネルギをリード線１３６に当てることができるよう設計されている。したがって、信頼性の高いレーザ溶接連結部１６０が、端ぐり部付きワイヤボンドキャップ２５０とリード線１３６との間に形成される。
【００３５】
図１２に示す組立体の別の新規な特徴は、貫通コンデンサ１１０の内周部成端部１１６とリード線１３６の電気接続が不要であることである。これは、貫通コンデンサ１１０の底部成端表面１６２とアルミナ基板２４０の対応の頂部成端表面１６４との間に電気接続が存在するからである。これら２つの表面を接合する電気接続材料１６６は、はんだ、導電性熱硬化性接着剤等であるのがよい。ワイヤボンドキャップ２５０は、図示のようにあらかじめアルミナ基板２４０の金属被覆表面１７０に金蝋付け（１６８）されている。上述したように、先ず最初に、金蝋付け予備成形体１６８を用いてワイヤボンドキャップ２５０を、アルミナ基板２４０の表面上に位置する金属被覆１７０に金蝋付けする。次に、レーザビームをワイヤボンドキャップ２５０の穴１５８中へ投射することによりレーザ溶接部１６０を作る。
【００３６】
これは、図１３〜図１６を吟味することにより一層よく理解される。図１３は、貫通コンデンサ１１０の逆さまにした等角図である。代表的な内周部金属被覆１１６が見える。重要な特徴は、円形表面金属被覆バンド１６２が、内周部成端部１１６との連続電気接続部を形成していることである。好ましい実施形態では、コンデンサ１１０を金属被覆を施す前に未加工又は焼成状態のいずれかで転がして貫通穴から表面までの鋭利な移行コーナ部が丸くなるようにする。これにより、頂部円形金属被覆１６２と内周部金属被覆１１６との間に信頼性の高い電気接続部が作られる。図１４は、図１３の１４−１４線矢視拡大断面図であり、この図１４は、丸くなったコーナ部１７２を示している。転がさない状態で作られた鋭利な直角コーナ部により、金属被覆１１６，１６２は、焼成中引き離されて望ましくないことに薄くなり、そして鋭利な縁部のところで不連続になる場合がある。かかる状態が原因となって、抵抗が高くなり又は回路の導通状態が失われる場合がある。
【００３７】
次に図１５を参照すると、アルミナ基板２４０の変形実施形態が示されている。この実施形態では、アルミナ基板２４０は、内周部又はビアホール金属被覆１４４を有し、この金属被覆１４４は、これと類似した円形の金属被覆ストライプ１６４との連続電気接続部を形成する。図１６は、図１５のアルミナ基板２４０の変形実施形態を示しており、この変形実施形態は、円形ボス１７４を有し、この円形ボスに設けられた端ぐり部が、電気接続材料１６６を保持する。このボスは、図１２にも見える。電気接続材料１６６は、熱硬化性導電性接着剤、はんだ、金蝋付け予備成形体等のいずれであってもよい。この金蝋付け予備成形体１６６は、アルミナ基板２４０の金属被覆表面１６４に着座するよう設計されている。ワイヤボンドキャップ２５０は、金蝋付け部１６８により図１２、図１５及び図１６に示すようにアルミナ基板２４０の反対側の側部に設けられた円形金属被覆バンド１７０にあらかじめ組み付けられている。次に図１２に戻ってこれを参照すると、コンデンサの円形金属被覆バンド１６２が材料１６６を介してアルミナ基板２４０の対応の金属被覆バンド１６４に電気的に接続されたサンドイッチ構造が見える。ワイヤボンドキャップ２５０をアルミナ基板２４０の反対側の金属被覆表面１７０に金蝋付けした後、貫通コンデンサ１１６の内周部金属被覆から基板２４０の内周部ビアホール金属被覆１４４を介してその頂部金属被覆１７０、そしてワイヤボンドキャップ２５０までずっと連続した電気接続部が得られる。電気回路の残部は、ワイヤボンドキャップ２５０とリード線１３６との間の符号１６０で示すレーザ溶接連結部によって完成される。
【００３８】
この組立て法は、図１７に更に示されており、かかる組立て法により、重量のある酸化物を形成することで広く知られているニオブ、タンタル又は他のリード線への信頼性のある電気接続を形成できるという利点を含む多くの重要な利点が得られる。もう１つの利点は、ワイヤボンドキャップ２５０を貫通コンデンサ１１０に通じるアルミナ基板２４０にあらかじめ組み付けることができ、この部品を検査し、これを組立部品１７６として在庫できるということにある。この組立部品１７６は、図１７に示されている。気密封止フィルタ端子の最も高価な部分は、コンデンサ１１０を別にすれば気密封止フィードスルー１７８である。これは、リード線１３６をアルミナ絶縁体１３４に組み付け、そしてこれをフェルール１２２に組み付けたものから成り、これは、金蝋付け部１３０，１３２によって気密且つ機械的に連結される。このようにすると、大量の気密端子１７８組立体を製作し、在庫品として保有できる。或る量の予備組立体１７６も又製作でき、これらを在庫品として保有できる。貫通コンデンサ１１０により定められるキャパシタンス値は、人体インプラント用途において２５ピコファラドから約９０００ピコファラドまでばらつきがある。心臓ペースメーカの一用途においてのみ、キャパシタンス値は、約１０００ピコファラドから９０００ピコファラドまでばらつきがあってよい。したがって、種々のキャパシタンス値の予備組立体１７６を在庫し、これらを同時結合１２８及びレーザ溶接により気密端子１７８にいつでも取り付け、次に最終検査し、そして出荷できる在庫品として保有できることは有利である。
【００３９】
予備組立体１７６は、以下の製造作業から成る。
工程１．コバールワイヤボンドパッド２５０を機械加工し、次に、ニッケルめっきし、次に最終仕上げとして純金めっきを施すことによりこれを準備する。
工程２．アルミナ基板２４０を製造し又は購入し、かかるアルミナ基板は、円形金属被覆領域１６４，１７０としてアルミナの頂面及び底面に延びるそのビアホール１４４を通るタングステン、モリブデン、金又はこれと同等な金属被覆を有する。
工程３．ワイヤボンドパッド２５０をアルミナ基板２４０に、アルミナ基板２４０に施された表面金属被覆１７０とワイヤボンドパッド２５０との間にサンドイッチされた金蝋付け予備成形体１６８により取り付ける。
工程４．金蝋付け予備成形体１６８を真空蝋付け炉中でリフローさせ、この真空蝋付け炉は、ワイヤボンドキャップ２５０をアルミナ基板２４０の金属被覆１７０に冶金学的且つ電気的に結合する。
工程５．適当なキャパシタンス値及びサイズのコンデンサ１１０を在庫品から選択する。
工程６．ポリイミド裏付け絶縁ワッシャ２２８を、拡大中心穴がアルミナ基板２４０の反対側にサンドイッチした状態で配置する。
工程７．電気接続予備成形体１６６を装填し、この電気接続予備成形体は、熱硬化性導電性接着剤、はんだ予備成形体等である。
工程８．コンデンサ１１０を上述の予備成形体１６６の頂部上に配置し、組立部品１７６として示されたサンドイッチ構造を形成する。
工程９．非導電性積層材料又はポリイミドを基材とする絶縁ワッシャ２２８を電気接続材料１６６と一緒に高温で同時硬化させ又はリフローさせる。
工程１０．次に、コンデンサ１１０、絶縁ボンディングワッシャ２２８、アルミナ基板２４０及びコバールワイヤボンドパッド２５０から成る組立部品を電気試験し、組立部品１７６として在庫する。
これは、フィルタ気密端子全体の最もコストのかかる部分が気密端子フィードスルー組立体１７８であるという点において顕著な利点をもたらす。図１７に記載されているように予備組立て技術１７６を用いることにより、相当な費用を節約することができる。多量の標準化気密端子組立体１７８を維持できる。特定のキャパシタンス値に関して注文がある場合、関連の予備組立体１７６を選択し、これを迅速に気密端子に取り付けるだけでよい。
工程１１．適当な気密シールとコンデンサの予備組立体１７６，１７８を在庫品から選択し、サンドイッチ状態の非導電性接着剤付きポリイミド裏付けテープ接着剤ワッシャ１２８を挿入する。
工程１２．接着剤付きポリイミドワッシャ１２８を硬化させる。これにより、セラミックコンデンサ予備組立体１７６が気密端子組立体１７８に結合される。
工程１３．ワイヤボンドキャップ２５０をワイヤボンドキャップ２５０に設けられた１以上の穴１５８を通るリード線１３６にレーザ溶接する。これは代表的には、自動化ロボットレーザ溶接機によって行なわれる。図１７に示すワイヤボンドキャップ２５０と図１７Ａ及び図１８に示す改良型ワイヤボンドキャップ２５０′を比較して分かることは、薄い金属壁１５９，１５９′が機械加工中に形成されたということである。この好ましい実施形態により、レーザ溶接ビームを壁１５９，１５９′に当て、それによりこの材料をリード線１３６に溶接する（溶接部は示されていない）。
工程１４．出荷のための最終の電気試験及び包装を行なう。
【００４０】
図１７Ａは、ワイヤボンドパッド２５０から基板２４０の金属被覆１７０への電気取り付け部１６８′を形成する別の方法を示している。図１７に戻ってこれを参照すると、ワイヤボンドキャップ２５０は、金予備成形体１６８をワイヤボンドキャップ２５０と基板２４０の一部である金属被覆１７０との間でリフローさせることにより基板２４０に電気的且つ機械的に取り付けられている。次に図１７Ａを参照すると、ワイヤボンドキャップ２５０は、符号１６８′で示されている導電性ポリイミドはんだ等を用いて基板２４０の金属被覆１７０に電気的且つ機械的に取り付けられている。
【００４１】
図１８には、レーザ溶接穴１５８が見える。上述の工程１３において、レーザビームをこの穴１５８を通って差し向け、レーザビームがリード線１３６に当たり、それによりレーザ溶接接合部１６０を形成する。図１８に示すように、このレーザ溶接部１６０を１以上の側部から得ることができ、それにより機械的に非常に強固であり且つ抵抗率の低い連結部１６０が得られる。別法が、断面図である図１９に示されている。図１９の拡大断面図である図１９Ａに示すように、ワイヤボンドパッド２５０は、開口した先端部のところが拡大したそのレーザ貫通穴１５８′を有している。これは、皿座ぐり、端ぐり等で実施できる。このように、レーザビームエネルギをリード線１３６に当てることが容易であり、それによりワイヤボンドキャップ２５０とリード線１３６とのレーザ溶接連結部１６０の形成が容易になる。これを、ワイヤボンドキャップの周囲に沿って１以上の側部で実施するのがよい。上述したように、図１９に示すレーザ溶接穴１５８′は、レーザビームのための開口部を拡大する端ぐり部を有している。この拡大された開口部は又、ワイヤボンドキャップ２５０とリード線１３６との間にレーザ溶接部１６０を形成するための容易な固定及びロボットプログラミングを容易にする。この特定の実施形態では、リード線１３６は、非濡れ性の材料、例えばニオブ又はタンタルで作られたものであるのがよい。理解できるように、電気接続材料１６８がワイヤボンドキャップ２５０を直接コンデンサの頂部金属被覆１６２に取り付けている。コンデンサの頂部金属被覆１６２は、連続しており、これまたコンデンサ１１０の貫通穴の内周部に沿ってぐるりと成端表面１１６を形成している。図１９に示すコンデンサ１１０は、リード線１３６と貫通コンデンサの内周成端部１１６との間に電気接続をそれ以上必要としない。これは、コンデンサの活性電極１１８からコンデンサの内周部金属被覆１１６に、そしてコンデンサの頂部円形成端部１６２へ、電気接続材料１１８を介してワイヤボンドキャップ２５０へ、そしてレーザ溶接部１６０によりリード線１３６への連続した電気接続が存在しているからである。これは、貫通コンデンサ１１０のＥＭＩ濾波目的に適した信頼性が高く且つ低インピーダンスの電気接続部を形成する。ワイヤボンドキャップ２５０とコンデンサの円形金属被覆ストライプ１６２との間の電気接続材料１６８は、はんだ、熱硬化性導電性接着剤、蝋等のものであるのがよい。図１９に示す組立体は、先の図に記載されているような中間基板１４０又は２４０を必要としない。
【００４２】
図１９Ａは、ワイヤボンドキャップ２５０をセラミックコンデンサ１１０の頂部金属被覆１６２に取り付ける別の方法を示している。図１９に戻ってこれを参照すると、ワイヤボンドキャップ２５０は、金蝋、はんだ、導電性熱硬化性接着剤等から成るサンドイッチ状態の電気接続部により頂部コンデンサ金属被覆１６２に取り付けられている。次に図１９Ａを参照すると、電気接続材料は、図示のように再配置されている。この場合、符号１６８′は、代表的には金蝋ではなく、はんだ、導電性ポリイミド又は導電性エポキシのものである。
【００４３】
図２０は、図１９のワイヤボンドキャップ２５０の変形実施形態を示している。レーザ溶接接合部１６０が、図１９について上述したのと同一の方法で形成される。しかしながら、この場合、コンデンサ１１０の頂部に円形ストライプとしての頂部金属被覆１６２は設けられていない。これは、ワイヤボンドキャップ２５０と図１９のコンデンサの頂部金属被覆１６２との間の電気接続部を形成していた材料１６８又は１６８′と一緒に除去されている。この実施形態では、リード線１３６とコンデンサ内周部金属被覆１１６との間にのみ電気接続材料１６８′が設けられている。材料１６８′がコンデンサ１１０の下から漏れてこのコンデンサを導電性フェルール１２２に短絡させるのを阻止するために絶縁材料、例えばポリイミド裏付き底部接着剤１２８が、コンデンサ１１０と気密シール１３４のアルミナとの間に配置されている。リード線１３６が白金−イリジウム又は純粋白金又ははんだ付けしやすいこれと同様な合金のものであれば、追加の電気接続は不要である。しかしながら、リード線１３６はタンタル、ニオブ又は他の酸化しやすい材料のものである場合、絶縁材料１２８を図示のようにリード線１３６から引き戻して電気接続材料１６８′が下方へ侵入して気密シール１３４の金蝋付け部１３２に接触するようにする。これにより、酸化物の無い電気接続部が形成され、このことは同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号の要旨であり、かかる米国特許出願明細書の内容を参照によりここに引用する。
【００４４】
図２１は、図１２のＥＭＩフィルタ気密端子組立体であり、ワイヤボンドパッド３５０は、図示のように改造されている。この実施形態は、図２１から取った分解図である図２２を吟味することにより一層よく理解される。図２２を参照すると、セラミック貫通コンデンサ１１０を図１５のアルミナ基板１４０に結合することにより組立部品１８０をあらかじめ製造する。上述したように、前記接続材料１６８は、コンデンサ１１０の内周部金属被覆１１６を基板１４０のビアホールの内周部金属被覆１４４に接続する。ボンディングワッシャ２２８の交換後、予備組立体１８０を気密金蝋付け接合部１３０，１３２、アルミナ絶縁体１３４、リード線１３６及びフェルール１２２から成る気密端子組立体１７８上に配置する。次に、セラミックコンデンサ予備組立体１８０をポリイミド裏付き接着剤ワッシャ１２８により上述の気密端子組立体１７８に結合する。ワッシャ１２８の硬化後、リード線１３６を図２１及び図２２に示すように９５°の角度に折り曲げ、それにより、材料１８２として示された熱硬化性導電性接着剤、金蝋材又ははんだを用いてワイヤボンドキャップ３５０を基板１４０の頂部金属被覆１７０に結合することができる。
【００４５】
次に図２１に戻ってこれを参照すると、リード線１３６をワイヤボンドキャップ３５０に接続するレーザ溶接連結部１６０を形成する残りの工程を除けば完成状態の組立体が図示されている。上述したように、ワイヤボンドキャップ３５０は一般に、コバール又はアロイ４２で作られ、これをまず最初にニッケルめっきし、次にワイヤボンディングに適した最終仕上げ部、超純金又は軟質金でオーバーめっきする。
【００４６】
図２３は、図２１及び図２２のワイヤボンドキャップ３５０の切除等角図である。
図２４は、図５のＥＭＩフィルタ気密端子を２つの改良例で改造した状態の断面図である。上述したように、植込み可能な医用器具の入力又は出力と直列状態にある全ての電気接続部は、極めて信頼性の高いものであることが非常に望ましい。したがって、図２４を参照すると、コバール、アロイ４２又はこれらと均等な金属のインサートリング１８４がアルミナ基板３４０の端ぐり部の頂部上又はこの中に配置されていることが観察できる。これは、図２５に示された図２４のこの同一の領域の拡大断面図を参照すると一層よく理解される。図２５によれば、インサート金属片１８４の断面が選択的にニッケルでめっきされ、次に純金でめっきされていることが分かる。リング１８４がアルミナセラミック基板３４０の金属被覆１７０にあらかじめ金蝋付けされていて、中実の機械的及び電気的接続部が形成されている。次に、リード線１３６をレーザ溶接（１６０）によって金属リング１８４に取り付ける。レーザ溶接により、この重要な直列連結部中に信頼性が非常に高く且つ頑丈な電気的及び機械的接合部が形成される。
【００４７】
次に図２４に戻ってこれを参照すると、アルミナ基板３４０の内周部又はビアホールに施された金属被覆１４４は、回路トレース１７０〜１４６としてワイヤボンドパッド領域１４８までずっと連続していることが理解できる。ワイヤボンドパッド４５０は、好ましくはアロイ４２又はコバールの金属ブロックであり、これは又、ニッケルでアンダーコートされ、次にワイヤボンディングに適した超純金又は軟質金でオーバーコートされている。当該技術分野においては、レーザ溶接又はワイヤボンディングは、コバール又はアロイ４２表面に対し非常に容易に達成されることは周知である。図２６は、図２４のアルミナ基板３４０の逆さまにした等角図である。この図では、インサートリング１８４の頂部、リード線１３６の頂部、回路トレース１４６及びコバール又はアロイ４２のワイヤボンディングパッド４５０を容易に観察できる。
【００４８】
図２７は、ワイヤボンドパッド４５０の取付けを良好に示す図２６の断面図である。理解できるように、ワイヤボンドパッド４５０は、蝋付け予備成形体１４８を用いて回路トレース１４６に電気的且つ機械的に取り付けられている。この蝋付け作業は代表的には、高温真空蝋付け炉内でアルミナ基板３４０に対して行なわれる。リング１８４をアルミナ基板金属被覆１７０に取り付けると共にワイヤボンドパッド４５０をアルミナ基板３４０の金属被覆１４６に取り付ける図２４の蝋付け接合部１６８，１４８は代表的には、コンデンサのボンディング前に、真空蝋付け部のリフロー作業中に同時に行なわれる。
【００４９】
再び図２４に戻ってこれを参照すると、貫通コンデンサ１１０の内周部金属被覆１１６をリード線１３６に電気的に接続する電気接続材料は更に、気密端子金蝋材１３２に直接接触していることが分かる。したがって、リード線１３６がはんだ付け可能であると共に激しく酸化される物質のものであるのがよいことが図２４に示すようなワイヤボンド基板付きの新規なＥＭＩフィルタ端子の重要な特徴である。具体的に説明すると、リード線１３６は、図２４に示すように、ニオブ、タンタル、チタン又は他の激しく酸化される物質から成る群から選択されたものであるのがよい。一般に、かかる激しく酸化される物質は、はんだで容易には濡れず又は熱硬化性導電性接着剤を用いた取付けには適していない。しかしながら、同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細書に記載されているように、接触が気密端子１３２の金蝋材に対して行なわれると、リード線への直接的な接触を行なうことは必要ではない。金材料をリード線１３６に蝋付けする製造工程の実施により、かかる表面酸化物又は汚染が焼き尽くされ、リード線１３６への信頼性が非常に高い気密且つ電気接続部が作られる。熱硬化性導電性接着剤又ははんだ材料１３６の直接的な接触により、貫通コンデンサＥＭＩフィルタ１１０の適切な動作のための信頼性が高くインピーダンスの低い電気接続部が作られる。
【００５０】
もう一度図２４に戻ってこれを参照すると、インサートリング１８４からリード線１３６までの上述したものと類似した電気接続部が、レーザ溶接材料１６０によって形成されている。このレーザ溶接も又、ニオブ、タンタル又はチタンピン等に生じた表面酸化物を焼き尽くし、それによりピン１３６から基板３４０の表面金属被覆１７０にあらかじめ金蝋付けされたリング１８４への信頼性の高い電気接続部が形成される。
【００５１】
以上要するに、図２４に記載されているような基板を備える新規な貫通コンデンサは、多くの利点を有し、かかる利点としては、信頼性の高い蝋付け電気接続部が得られること、ワイヤボンディングに適し、しかも文字通り任意の種類の生体適合性リード線１３６に使用するのに適しているという明らかな利点が挙げられる。
【００５２】
図２８は、Ｌ字形ワイヤボンドキャップ５５０を備えた本発明の断面図である。このワイヤボンドキャップ５５０は、代表的にはコバール又はアロイ４２であり、金めっきされている。また、ワイヤボンディングされたリード線１８６の断面も又図２８に示されている。Ｌ字形ワイヤボンドパッド５５０へのリード線１８６の取付けの仕方は、図２９の等角図で良好に分かる。理解できるように、植込み可能医用器具の内部回路に配線されるリード線１８６は、符号１８８で示された領域中でワイヤボンドパッド５５０にワイヤボンディングされている。当該技術分野における典型例として、リード線１８６は、小径で純金又はアルミニウムのワイヤ、例えば直径が０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）のワイヤである。ワイヤボンド接続部１８８は代表的には、当該技術分野において非常によく知られている超音波又はサーモソニック法により形成される。
【００５３】
図３０は、本発明の双極コンデンサの平面図である。この実施形態では、分解状態の円形ワイヤボンドパッド６５０が、リード線１８６（図示せず）の取付けを楽にするために基板４４０の貫通穴の頂部を覆って配置されている。これは、図３１に示された図３０の断面を観察することにより良好に理解される。図３１に示すように、円形ワイヤボンドパッド６５０は、セラミック基板４４０の金属被覆１７０を介して頂面に取り付けられている。円形ワイヤボンドパッド６５０の取付けは、アルミナ基板４４０の頂部金属被覆１７０への金蝋付け（１６８）によって行なわれる。この場合、部材１２２，１３０，１３２，１３６，１３４から成る気密端子から延びるリード線１３６は、図示のように短くされている。アルミナ基板４４０は、非導電性ポリイミド予備成形体２２８を用いてセラミックコンデンサ２１０の頂面に同時結合されている。電気接続材料１３８は代表的には、導電性熱硬化性ポリマー、例えば導電性ポリイミド、はんだ等である。電気接続材料１３８は、基板４４０の内周部又はビアホール金属被覆１４４をリード線１３６に電気的に接続すると共に貫通コンデンサ２１０の内周部金属被覆１１６に電気的に接続している。
【００５４】
図３２は、図２８に先に記載した実施形態の変形実施形態を示している。両方の場合において、Ｌ字形ワイヤボンドパッド５５０が設けられている。図３２に示された構成上の差異は、ワイヤボンドパッド５５０がセラミック貫通コンデンサ１１０の頂部に直接取り付けられていることである。この場合、ワイヤボンドパッド５５０とセラミックコンデンサ１１０の頂面との間の中間にはアルミナ又は他の基板が設けられていない。この場合、ワイヤボンドパッド５５０は、導電性熱硬化性ポリマー１３０、金蝋材又ははんだ１６８を用いてセラミックコンデンサの頂部に電気的且つ機械的に取り付けられている。レーザ溶接接続部１６０が、図示のようにリード線１３６とワイヤボンドパッド５５０との間に形成されている。図３２は、安価な変形例であるが、ワイヤボンドパッド５５０とセラミックコンデンサ１１０との間に配置されたアルミナ又はこれと均等な材料の基板１４０を有するほど機械的に頑丈なものであるとは考えられない。図３２では、リード線１８６（図示せず）の取付け中に加えられる超音波ワイヤボンディング力は、相当大きな機械的応力を比較的脆いセラミックコンデンサ１１０それ自体に与える。これは、微小割れがセラミックコンデンサ１１０に生じないよう高度に制御されるプロセスでなければならない。かかる微小割れは、コンデンサ１１０の直後の又は目に見えない破損（電気的短絡）を生じさせることが判明している。かかる短絡は、ペースメーカを利用している患者に対して生命を脅かす場合がある。
【００５５】
図３３は、図３２に先に記載されたＬ字形ワイヤボンドパッド５５０の等角図である。図３４は、植込み可能な医用器具の内部回路の幾何学的形状又はアーキテクチャと整列するのが角度（∝）であることを除き、図３３に記載したものと類似したワイヤボンドパッド５５０′である。図３４に示すように、有利な角度（∝）を用いることができる。
【００５６】
図３５は、円形又は直線状ワイヤボンドパッド６５０又は６５０′を有する図３２と類似した図である。図３５では、ワイヤボンドパッド６５０からセラミックコンデンサ１１０の頂面金属被覆１６２への直接的な取付けが行なわれている。図３２に記載したように、ワイヤボンドパッド６５０とセラミックコンデンサ１１０との間の中間にはアルミナ又は他の基板１４０は設けられていない。円形ワイヤボンドパッド６５０の取付けは代表的には、熱硬化性導電性接着剤１３８又は蝋材若しくははんだ１６８によって実施できる。一般に、金蝋材は用いられない。というのは、蝋材は脆弱すぎる傾向があり、微小割れをセラミックコンデンサ中に引き起こすからである。
【００５７】
図３６は、図３５の正方形ワイヤボンドパッド６５０′の等角図であり、図３７は、これ又図３５に示す断面組立体に適した円形ワイヤボンドパッド６５０の等角図である。
図３８は、先行技術のインライン型４極貫通コンデンサ３１０を示している。貫通穴の内周部は、符号１１６として示すように金属被覆されている。図示のように２つの接地電極接続部１１２が設けられている。図３９は、図３８のコンデンサの活性電極１１８を示している。図４０は、図３８に示すコンデンサの接地電極１２０を示している。
【００５８】
図４１は、同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細書に記載されているような４極気密貫通端子組立体を示している。４本のリード線１３６は、アルミナセラミック絶縁体１３４により互いに非導通関係にある。気密シール１３２が、代表的には金蝋付け、ガラス封止等により各リード線１３６の外周部及び金属フェルール１２２の内周部１３０の周りに形成されている。図３８の貫通コンデンサ接地金属被覆１１２の都合のよい電気的取付けを行なうために同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細書に記載された２つの金パッド領域１９０が設けられている。同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細に記載されているように、チタンフェルール１２２ではなく金に直接接触させることが重要である。これは、チタン酸化物が高周波では図３８の貫通コンデンサの適正な動作を阻害する場合があるからである。
【００５９】
図４２は、図４１の気密端子組立体に取り付けられた状態で示された図３８のインライン型４極貫通コンデンサを示している。適当な電気接続材料１２６を用いてコンデンサ接地金属被覆１１２と金蝋付け領域１９０が互いに取り付けられ、かかる電気接続材料は、多くの材料のうち任意のものであってよく、かかる材料としては、熱硬化性導電性接着剤、はんだ等が挙げられる。また、リード線１３６を貫通コンデンサ３１０の内周部金属被覆１１６に接続する電気接続材料１３８が設けられている。
【００６０】
図４３は、本発明に従って改造された図４２の貫通型フィルタコンデンサ組立体である。この場合、４極アルミナ基板５４０が、絶縁性接着材料２２８を用いてセラミックコンデンサ３１０の頂部に同時結合されている。アルミナセラミック基板５４０の内周部又はビアホール金属被覆１４４（図示せず）と４本のリード線１３６を接続するために信頼性の高いレーザ溶接接続部１６０が用いられている。理解できるように、ワイヤボンドパッド領域１４８に接続されるアルミナ基板の一部として回路トレース１４６が設けられている。上述したように、かかる回路トレース１４６及び選択的に金属被覆されたビアホールを有するワイヤボンドパッド領域１４８は、当該技術分野においては非常に典型的であり、多くの基板材料に非常に一般的に用いられており、かかる基板材料としては、酸化アルミニウム、アルミナ、ガラス繊維、ポリイミド及び多くの他の材料が挙げられる。
【００６１】
図４４は、図４３の変形実施形態を示しており、Ｌ字形ワイヤボンドパッド５５０が示されている。他の図に先に記載したように、これらワイヤボンドパッドをアルミナセラミック基板５４０の頂部に施された金属被覆１７０（図示せず）に金蝋付けする。次に、レーザ溶接接続部１６０をリード線１３６とＬ字形ワイヤボンドパッド５５０の各々との間に形成する。種々の形状のワイヤボンドパッドが利用できることは当業者には明らかであろう。一般に、図４４に示すＬ字形ワイヤボンドパッド５５０の構造は、図３２に先に記載された構造にとって非常に好ましい。これは、アルミナ基板５４０がワイヤボンドパッド５５０とセラミックコンデンサ３１０との間の中間に配置されているからである。したがって、植込み可能な医用回路からのワイヤ１８６（図示せず）を熱接着、サーモソニック接合又は超音波接合によりＬ字形パッド５５０に取り付けると、生じる相当大きな力をアルミナ基板５４０全体にわたって分布させることができる。アルミナセラミック及び他の一般的な基板材料は、代表的には、セラミック貫通コンデンサそれ自体よりも非常に強固である。セラミック工学において一般的なこととして、比誘電率が高ければ高いほどそれだけ一層材料が弱くなる。例えば、２，５００Ｋチタン化バリウム貫通コンデンサでは、材料は、Ｋが１０以下のアルミナセラミックの強度と比較して比較的弱い。図４３及び図４４に示すようなアルミナ基板５４０は、適当な絶縁体ワッシャ２２８を用いてセラミック貫通コンデンサ３１０の頂部に同時結合され、かかる絶縁体ワッシャ２２８は、好ましい実施形態では、高温で硬化する図８に記載した接着剤塗布ポリイミドである。ポリイミドは、この場合理想的なポリマーである。というのは、ポリイミドは、応力を吸収する傾向のある環状分子を形成するからである。エポキシ又はこれに類似した材料が役に立つが、これは応力をセラミックコンデンサの表面に伝える傾向がある。
【００６２】
図４３及び図４４に示すようなサンドイッチ型の構造は、セラミックコンデンサ３１０に加わる応力を最小限に抑える。チタン化バリウムを含むこれらセラミック材料は、引張又は剪断状態よりも圧縮状態において強固である傾向がある。図４３及び図４４に示すような構造を貼り付けることにより、剪断及び引張タイプの荷重の大部分が、アルミナセラミック基板によって吸収される。結果的に生じる圧縮荷重は、セラミック貫通コンデンサに配分され、かかる圧縮荷重は、セラミック材料が圧縮状態で強固なのでそれほど懸念されるものではない。
【００６３】
図４５は、米国特許第５，９０５，６２７号明細書及び第６，５２９，１０３号明細書に記載されているような接地されたリード線２３６を備える気密端子を示している。なお、これら米国特許明細書の記載内容を参照によりここに引用する。リード線１３６は、２つのアルミナ又はガラス絶縁体１３４により金属フェルール１２２に対し絶縁又は非導電関係をなして保持されている。
【００６４】
図４６は、先行技術の内部が接地された単極貫通コンデンサ４１０を示している。内部接地型貫通コンデンサは、当該技術分野において周知であり、米国特許第５，９０５，６２７号明細書及び第６，５２９，１０３号明細書に記載されている。図４７は、図４６の内部接地型貫通コンデンサの活性電極プレート１１８′を示している。図４８は、図４６の内部接地型貫通コンデンサの接地電極プレート１２０′を示している。
【００６５】
図４９は、図４５に示すような内部接地型気密端子組立体に取り付けられた図４６の内部接地型単極貫通コンデンサ４１０を示している。フェルール１２２は、代表的にはチタン製であり、植込み可能な医用器具１２４、例えば心臓ペースメーカのハウジング内にレーザ溶接されるよう設計されており、心臓ペースメーカは、心臓ペースメーカのハウジングを切断した状態で示されており、気密端子フェルール１２２への機械的及び気密連結部を形成するレーザ溶接部１５６を有している。図４９も又、本発明の新規な実施形態を具体化した図４６の内部接地型単極貫通コンデンサ４１０を示している。アルミナ基板６４０が、非導電性絶縁接着材料２２８を用いてセラミックコンデンサ４１０に同時結合されている。また、２つの変形例としての回路トレース１４６及びワイヤボンドパッド１４８，１４８′が図４９に示されている。ワイヤボンドパッド４５０は、信頼性の高いワイヤボンド連結に適するものとして接地ワイヤボンドパッド１４８′に接続された状態で示されている。リード線１８６は、アルミナセラミック基板６４０の回路トレースワイヤボンドパッド領域１４８に直接ワイヤボンディング（１８８）されている。好ましい実施形態では、アルミナ基板６４０の内周部又はビアホール金属被覆１４４（図示せず）は、レーザ溶接材料１６０によりリード線１３６，２３６に接続されている。はんだ、熱硬化性導電性接着剤等を用いて他の適当な（しかしながら、信頼性は低い）連結部を作ることができる。一般に、レーザ溶接部又は蝋付け部は、信頼性の高い直列電気接続を形成する。
【００６６】
図５０は、本発明の内部接地型デュアルインライン型９極フィルタ貫通コンデンサ５１０の気密端子の分解図である。この分解図では、ワイヤボンドパッド７５０が代表的には金めっきコバール等のものであることが理解できる。アルミナ基板７４０は、金蝋材又は予備形成物１６８によるワイヤボンドパッド７５０への冶金学的連結に適した有利な凹み金属被覆領域１６４（代表的には、金又はニッケル被覆タングステンで作られる）を有している。接着剤塗布ポリイミド非導電性予備成形体２２８は、アルミナ基板７４０をセラミック貫通コンデンサ５１０に結合する。上述したように、内部接地型貫通コンデンサは、当該技術分野においては周知である。米国特許第５，９０５，６２７号明細書に記載されているように、接地ピン２３６を心出しして低インダクタンス経路を貫通コンデンサの活性電極プレート（図示せず）に与えることが好ましい。したがって、接地ピン２３６は、中心に配置され、金属フェルール１２２中へ一体に溶接され、金蝋付けされ又は機械加工される。他のピン１３６は全て、先行技術において先に記載したようにフェルール１２２に対し非導電関係をなしている。
【００６７】
図５１は、図５０の完成状態の組立体の斜視図である。理解できるように、ワイヤボンドパッド７５０への有利なワイヤボンド取付け部を形成するのがよい。また、注目されるべきこととして、これらワイヤボンドパッドに用いることができるＬ字形付形物を含む多くの別の付形物が設けられている。
【００６８】
図５２は、図５１の内部接地型９極貫通コンデンサの断面図である。この断面図から理解できるように、各ワイヤボンドパッド７５０と対応のリード線１３６との間にはレーザ溶接連結部１６０が作られている。
図５３は、回路トレース１４６及びワイヤボンドパッド領域１４８を備えた４極アルミナ基板８４０を示している。４つのビアホールが各々材料１４４で金属被覆されている。当該技術分野においては、ビアホールの金属被覆は、めっき、真空引き通し法、クラッド法、スクリーン印刷、シルクスクリーン、金属蒸着等により実施できる。好ましい実施形態では、かかる金属被覆は、タングステン／ニッケル、モリブデン、金等のものである。図５３では、中央穴１９２は、ヘリウムの漏れ検出目的にのみ設けられているので金属被覆されていない。
【００６９】
図５４は、捕捉フランジ１２２を備えたフェルールに取り付けられている４極貫通コンデンサ６１０の断面図である。このフェルールは、アルミナセラミック絶縁体１３４、リード線１３６及び金蝋付け接続部１３０，１３２から成る４極気密端子組立体の一部である。上述したように、図５４の気密端子のフェルール１２２は、米国特許第６，２７５，３６９号明細書に記載されているような捕捉フランジを有する。図５４に示す４極貫通コンデンサ６１０は、米国特許第６，５６６，９７８号明細書に記載されているような中央に設けられたヘリウム漏れ検出ベント穴１９２を有している。図５４は又、図５３に先に記載したような新規なアルミナセラミック基板８４０を有している。基板８４０は、図示のように貫通コンデンサ６１０の頂部に同時結合（２２８）されている。図５３の基板８４０の中央に位置した状態で示された漏れ検出ベント１９２は、貫通コンデンサ６１０の対応の漏れ検出ベント上に心出しされている。当業者であれば認識されるように、本明細書において説明するセラミック基板はどれも、貫通コンデンサの漏れ検出ベント穴と対応関係をなして整列する漏れ検出ベント穴１９２と一緒に設けることができる。  図５５は、図５３及び図５４のベント穴１９２を備えた４極貫通コンデンサ６１０の等角図である。漏れ検出ベント１９２は、中央に位置した状態で示されている。好ましい実施形態では、リード線１３６とビアホール１４４の内周部の電気接続は、レーザ溶接部１６０又はこれと均等な信頼性の高い連結手段を用いて達成される。
【００７０】
図５６は、米国特許出願第６０／５０８，４２６号明細書の要旨である２要素又はＬ字形断面フィルタを示している。この場合、フェライトインダクタ１９４が、図示のように貫通コンデンサ１１０の頂面に同時結合（３２８）されている。図５６の略図が、図５７に示されている。米国特許出願第６０／５０８，４２６号明細書に記載されているように、直列インダクタンスは、ＥＭＩフィルタ性能を向上させる。図５６も又、同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細書の特徴を記載しており、接続材料１３８，１２６を用いたコンデンサの内周部金属被覆１１６と外周部金属被覆１１２の両方からの電気接続部が金蝋材１３２，１３０に直接行なわれている。これにより、典型的にはチタンフェルール１２２のチタン酸化物に関する問題が回避される。エポキシ１９６の任意的なうわべだけのオーバーコーティングが、図５６のＬ字形断面フィルタに仕上げの外観を与えるために追加されている。
【００７１】
図５８は、本発明に従って改造された図５６のＬ字形断面フィルタを示している。理解できるように、アルミナ基板１４０が、フェライトビード１９４の底面に同時結合（２２８）されている。フェライトビードへの基板１４０の同時結合は代表的には、図６に先に記載したのと同一の接着剤裏付きポリイミド絶縁材料で行なわれる。電気接続部１６８が、リード線１３６と基板１４０のビアホールの内周部金属被覆１４４との間に形成されている。この接続材料１６８は代表的には、はんだ、熱硬化性導電性接着剤、蝋材、レーザ溶接部（１６０）等である。アルミナ基板１４０の頂部金属被覆１７０は、ワイヤボンドパッド領域１４８に差し向けられる連続回路トレース１４６の一部をなしている。上述したように、このワイヤボンドパッド１４８は、アルミナ基板１４０の頂面に直接被着された金であるのがよく又は種々のコバール又はアロイ４２ワイヤボンドパッド４５０（図示せず）であってもよい。
【００７２】
図５９は、同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号に記載された埋め込み単極貫通コンデンサを示している。図示のように、基板１４０は、セラミック貫通コンデンサ１１０の頂面に直接同時結合（２２８）されている。この場合、Ｌ字形ワイヤボンドパッド８５０が図６０に示すようにアルミナセラミック基板１４０の頂面金属被覆１４８に金蝋付け（１６８）されている。頂部金属被覆１４６とビアホール１４４の内周部金属被覆との間には連続電気接続部が設けられている。接続材料１６８は、金蝋材、はんだ、熱硬化性導電性接着剤等であるのがよい。それにより、リード線１３６は、アルミナセラミック基板１４０の内周部金属被覆１４４に電気的に接続される。
図６１は、一体形ワイヤボンドパッド１９８を有する双極貫通コンデンサ７１０を示している。接地電極金属被覆２１２が、接続材料１２６により金属フェルール（図示せず）に電気的に接続されている。
【００７３】
図６２は、図６１の単極コンデンサ７１０の横断面図である。単極貫通コンデンサの接地電極プレート２２０は、図６３に示すように、外部金属被覆２１２まで延びている。
図６４は、図６１の単極コンデンサの活性電極プレートの組２１８を示している。活性電極プレート２１８がコンデンサ７１０の外周部に至る２つの箇所は、図６１に示すようにボンディング領域１９８を構成している。図６１を参照すると、図６１のワイヤボンドパッド領域１９８の切断部に３つの露出された活性電極２１８が見える。さらに、図６１では、並列に働く活性及び接地電極の数は、接地金属被覆２１２に関して各貫通穴２１６から測定されたキャパシタンス値を定めると共にこれを調節する。
【００７４】
図６５は、図６１の双極貫通コンデンサの改造例を示している。図６５の双極コンデンサ７１０′の電極プレート２１８，２２０の平面図は、図６３及び図６４に示す図６１について先に示された平面図と本質的に同一である。したがって、図６５の双極コンデンサ７１０′の活性電極プレート組２１８は、図６４に示されているものと同一である。図６５の双極コンデンサ７１０′の接地電極プレート組２２０は、図６３に示されている。しかしながら、図６５のコンデンサ７１０′は、図６５に分解図で示されている円形金属インサート２００を受け入れるよう改造されている。インサートリング２００は典型的には、コバール、アロイ４２又はこれと均等な金属から機械加工され又は形成される。インサートリング２００は、導電性めっき、例えば金めっき、電気錫めっき、銀めっき等で仕上げられる。リング２００は、金予備成形体２０２を用いることによりセラミックコンデンサ７１０′の金属被覆表面２１６に金蝋付けされるよう設計されている。金蝋付け部２０２の変形例として、はんだ、熱硬化性導電性接着剤等が用いられる。コンデンサそれ自体の中に直接端ぐり部２０４の空間が設けられるようにするため、電極プレート２１８，２２０を端ぐり部２０４の箇所の下に設けるのがよい。これは、図６６に示された図６５の断面図に最もよく示されている。この断面図では、インサートリング２００が材料２０２を用いて双極貫通コンデンサ７１０′の内周部金属被覆２１６に電気的に接続されていることが分かる。理解できるように、電極プレート２１８，２２０は、コンデンサ７１０′の底部の近くに設けられ、それによりリング２００が嵌る端ぐり部２０４のスペースが形成されている。端ぐり部は、不要であることは当業者には明らかであろう。すなわち、リング２００は、図６１に先に示すように貫通コンデンサ７１０の頂部上に位置した状態でその金属被覆バンド２６２に電気的に接続できる。
【００７５】
図６１に示すような任意の円周方向金属被覆バンド２６２は、図６５に示すような端ぐり部２０４を備えていない図６１のコンデンサ７１０の頂面への円形リング２００の直接的な取付けを容易にする。
図６１〜図６６を参照すると、ペースメーカ回路１８６（図示せず）からのリード線をリング２００又はボンドパッド９５０のいずれかに直接取り付けることができる。リング２００又はパッド９５０は、コンデンサ７１０′を取付けの際の力に起因する損傷から保護する。
【００７６】
図６７は、本発明の関連しているが拡張された実施形態を示している。図６７では、多層基板９４０が、積層且つ焼結セラミック基板９４０内の種々の高さ位置に埋め込み状態の回路トレース２４６を備えている。多層回路板及び基板は、当該技術分野において周知であり、種々の目的で用いられる。好ましい実施形態では、基板９４０は、アルミナセラミック又はフォステライト若しくはこれと同様なセラミック材料のものである。しかしながら、多層基板９４０を一般に用いられる回路板材料で構成してもよく、かかる回路板材料としては、プラスチック、ガラス繊維、ポリイミド等が挙げられる。図６７に示す多層基板９４０は、双極セラミック貫通コンデンサ２１０に同時結合された状態で示されている。
【００７７】
図６８は、図示のように６８−６８線に沿って取った多層アルミナセラミック基板９４０の断面図である。図６８は、代表的には金、モリブデン、タングステン又は他の適当な金属導体である２つの埋め込み状態の回路トレース２４６を示している。
図６９は、図６７に示す多層セラミックコンデンサ２１０の接地電極プレート組２２０を示し、図７０は、活性電極プレート組３１８を示している。
【００７８】
次に図６７に戻ってこれを参照すると、回路トレース２４６は、右側ワイヤボンドパッド９５０の部分切除図の下で双極基板９４０の縁部上に露出された状態で示されている。ワイヤボンドパッド９５０は典型的には、金蝋付けによって本明細書で上述したように取り付けられる。図６７では、基板９４０中の２つの埋め込み状態の回路トレース層２４６が設けられている。この特定の実施形態では、両方の回路トレース２４６は、幾何学的に同一であって、互いに並列に万全を期して設けられている。植込み可能な医用器具用途に応じて、図６７に示すように、図６８の並列埋め込み状態の回路トレース２４６のうち１、２又はそれ以上が設けられている。例えば、心臓ペースメーカでは、ペーシング及び生物学的検出電流は、比較的小さい。したがって、これら回路トレースのＤＣ抵抗は、特に問題にならない。したがって、心臓ペースメーカの場合、たった１つ又は２つの並列回路トレース２４６が、図６７に示すように必要である。しかしながら、植込み型電気除細動器では、電気除細動器又はＩＣＤが心臓に高電圧高電流法を施す際に非常に大きな電流が生じる。したがって、埋め込み状態の回路トレース２４６の抵抗の前後の電圧降下又はエネルギ損は、問題となる。したがって、ＩＣＤ用途の場合、最高１０又はそれ以上の回路トレース２４６が必要な場合がある。個々の回路トレース２４６の抵抗も又、その厚さ、幅、抵抗率及び長さで決まる。
【００７９】
次に図６７に戻ってこれを参照すると、好ましい実施形態では、リード線１３６に対する接触は、リード線１３６への埋め込み状態又は表面（図示せず）リング２００及び信頼性の高いレーザ溶接連結部１６０によって得られる。
図７１は、図４５、図４６、図４７、図４８及び図４９に先に記載されたように内部接地型貫通コンデンサ８１０の頂部に結合された非常に類似した多層基板１０４０を示している。図７１と図４５及び図４９の類似性は、図７１において、コンデンサ８１０も又接地リード線２３６により内部が接地されているということにある。図７１に記載された気密端子組立体は、接地ピン２３６が金属フェルール１２２に直接蝋付けされ又は溶接されている点で図４５に先に記載したものと同じである。図７２は、多層アルミナ基板１０４０内に入っている２つの埋め込み状態の回路トレース２４６のうち１つの平面図である。図７３は、図７１の内部接地型双極貫通コンデンサ８１０の接地電極プレート３２０を示している。図７４は、図７１の貫通コンデンサ８１０の活性電極プレート組３１８を示している。
【００８０】
次に図７１に戻ってこれを参照すると、３つのワイヤボンドパッド９５０がアルミナ基板１０４０の側部に取り付けられた状態で示されている。回路トレース３４６に接続された中央ワイヤボンドパッド９５０′は、植込み可能な医用器具の内部回路への取付けのための好都合な接地箇所となる。これは、リード線２３６が気密端子組立体のフェルール１２２に直接蝋付け又は溶接されているからである。多くの場合において、植込み可能な医用器具は、チタンハウジング１２４又は等電位表面への接地用導体を必要とする。図７１に示すように接地されたワイヤボンドパッド９５０′を設けると、これにより、植込み可能な医用器具のチタンハウジングの内部に特別な接地箇所を設ける必要がなくなる。レーザ溶接部１６０が、埋め込み状態の金属リング２００をリード線１３６に接続している。金属リング２００は代表的にはめっきされ、そして基板１０４０のビアホール金属被覆１４４に金蝋付けされる。
【００８１】
図７５は、同時結合（１２８）によって取り付けられた本発明の矩形回路基板１１４０と丸形４極貫通コンデンサ９１０の組立体を示している。植込み可能な器具の製造業者がしばしば気密シールについて円形の幾何学的形状を好むには多くの理由がある。１つは、製造業者が植込み可能な医用器具のハウジング又は缶１２４（図示せず）全体中へレーザ溶接することが容易であるということにある。しかしながら、内部からのリード線を丸形貫通コンデンサに接続する場合、これは、最適な幾何学的形状とは言えない場合が多い。植込み可能な医用器具で用いられるハイブリッド回路板は通常、寸法形状が直線である。したがって、直線に沿って一線をなすワイヤボンドパッド９５０を設けることが望ましい場合が多い。図７５に示す実施形態は、図示のようにワイヤボンドパッド９５０を備えた矩形多層基板１１４０を追加することによりこの問題を解決している。
【００８２】
図７６は、図７５の基板１１４０の一高さ位置にある４つの内部回路トレース２４６のうちの１つを示す上から見た断面図である。上述したように、これら同一の回路トレース層の中には、多層基板１１４０内で全て並列に作用する多くのもの又は１つがある。回路トレース及びワイヤボンドパッド２４６′，９５０′にとって任意的な配設場所は、これら回路トレースを想定可能な方向に延ばすことができることを示すために示されている。これらは通常、大量生産金属クラッド法、シルクスクリーニング又はこれに類似した蒸着法により配置される。
【００８３】
次に図７５に戻ってこれを参照すると、丸形４極貫通コンデンサ９１０も又気密端子のフェルール１２２に取り付けられてこれに結合（１２６）されていることが分かる。本発明によれば、基板１１４０は、非導電性接着剤ポリイミドワッシャ１２８を用いてセラミックコンデンサ９１０の表面に同時結合される。
【００８４】
図７７は、図７５のアルミナ基板１１４０へのワイヤボンドパッド９５０の取付けの方法を示している。理解できるように、この場合、４つの互いに平行な埋め込み状態の回路トレース２４６が設けられている。上述したように、これら回路トレースは、並列に作用し、回路のＤＣ抵抗及びインダクタンス全体を減少させる。ワイヤボンドパッド９５０は代表的には、コバール、アロイ４２又はこれに類似した構成材料をニッケルめっきし、次に金めっきしたものである。金予備成形体２０２が、回路トレース２４６を被覆した金属被覆（金属被覆は図示せず）にコバールパッド９５０を取り付けるために用いられる。この作業は代表的には、金蝋付け炉内で実施される。図７７も又、アルミナ基板１１４０の端ぐり部２０４の内周部表面に施された金属被覆１４６に金蝋付けされた金属リング２００を示している。上述したように、そして図７５に示すように、最も信頼性の高い連結部は、リード線１３６と金属リング２００との間のレーザ溶接部１６０である。
【００８５】
図７８は、リード線１３６をレーザ溶接連結部１６０に取り付けられた状態で示されたこの金属リング２００の断面図である。図７８の断面図も又、内周部ビアホール金属被覆１４４，１４６に電気的に接続された４つの埋め込み状態の回路トレース２４６の端面図である。上述したように、金属リング２００は代表的には、コバール又はアロイ４２のものであり、ビアホール金属被覆１４６に金蝋付け（２０２）されている。図７８に示す断面では、非導電性ボンディングワッシャ１２８が貫通コンデンサ９１０（図示せず）の頂面に取り付けられていることも又理解できる。
【００８６】
図７９は、本発明の矩形６極基板１２４０を示している。図示のように、全部で６つのワイヤボンドパッド９５０，９５０′が基板１２４０の周囲に沿う種々の場所に位置した状態で示されている。上述したように、基板１２４０は、絶縁ワッシャ１２８を用いて６極貫通コンデンサ１０１０の頂面に同時結合されるよう設計されている。リード線１３６は図７９に示すように、例示目的でのみ基板１２４０内で折り取り状態で示されており、当然のことながら、実際には、貫通コンデンサ１０１０が取り付けられ又は結合された植込み可能医用器具の気密貫通端子（図示せず）から上方に突き出ている。これらリード線１３６は、好ましい実施形態では、レーザ溶接による取付け部１６０により図７７及び図７８に先に記載したように埋め込み又は表面（図示せず）リング２００に取り付けられる。図７９に示す多層基板１２４０の新規な特徴は、その埋め込み回路トレース２４６，２４６′が異なる基板内高さ位置で同一である必要はないということである。例えば、図８０は、図７９の基板１２４０の第１の横断面高さ位置で回路トレース２４６′を示している。図８１は、これとは異なる高さ位置で回路トレース２４６′を示している。上述したように、多くのこれら埋め込み回路トレース２４６，２４６′を並列に配置して電子抵抗全体を減少させるのがよい。例えば、植込み型除細動器の出力を取り扱うには５つの回路トレース２４６の層を並列に設け、心臓検出及びペーシング電流（非常に僅かな電流の場合がある）を取り扱うには１つの回路トレース２４６′の層を設ければよい。理解できるように、互いに異なる回路トレース層に互いに異なる幾何学的形状を設けることにより、植込み可能医用器具用のフィルタ気密端子を設計するに当たって大きな寛容度及び融通性が得られる。これは、電圧が極めて高い植込み型電気除細動器においては特に重要である。この点に関し、互いに異なる高さ位置にある回路トレースの数、厚さ及び長さを調節することは、能動型植込み可能医用器具の抵抗及び電流取り扱い能力全体を調節するために利用される。図８０及び図８１に記載された技術を用いると、回路トレース２４６，２４６′が基板１２４０内で大幅に間隔を置くが種々の高さ位置で配置され、これらが発弧又は短絡の恐れを生じないようになることが理解できる。
【００８７】
次に図７９に戻ってこれを参照すると、ワイヤボンドパッド９５０′が図８１に示すように回路トレース２４６に取り付けられ、ワイヤボンドパッド９５０が図８０に示すように回路トレース２４６′に取り付けられていることが理解できる。当業者には明らかなように、種々の高さ位置での考えられる回路トレースの幾何学的形状の数は文字通り無限である。
【００８８】
図８２は、先行技術の一体形セラミックチップコンデンサ（ＭＬＣＣ）１０１０を示している。これは、２端子コンデンサとも呼ばれている（貫通コンデンサは、３端子コンデンサである）。
【００８９】
図８３は、図８２の先行技術のＭＬＣＣ１０１０の１つの電極プレート組４１８を示している。図８４は、図８２のＭＬＣＣ１０１０の反対側の電極プレート組４２０を示している。
【００９０】
ＭＬＣＣ（２端子デバイス）は一般に、相当な量の直列インダクタンスを有するので望ましいＥＭＩフィルタではない。これは、これらが特定の周波数で自己共振し又は直列共振することを意味している。例えば、長さが０．０８０インチ（２．０３２ｍｍ）、幅が０．０５０インチ（１．２７ｍｍ）の業界標準の０８０５チップの場合、自己共振周波数は、典型的には約１５０ＭＨｚである。これは、携帯電話周波数、例えば９００ＭＨｚを超える周波数では、図８２に示すようなチップコンデンサ１０１０は、真の意味でもはやコンデンサではない。すなわち、これは、その共振周波数を超える周波数では、誘導性が次第に増加するようになる。したがって、これは、非常に高い周波数では有効なローパスＥＭＩフィルタ素子を形成しない。それにもかかわらず、図８２に示すような矩形チップコンデンサ１０１０は、種々の低周波数濾波用途で用いられる。
【００９１】
図８５は、図８２の先行技術の一体形チップコンデンサ１０１０への本発明の基板１３４０の同時結合状態を示している。図８５から理解できるように、Ｌ字形ワイヤボンドパッド１０５０は、コンデンサの電極金属被覆表面４１２，４１６への電気的接触を行なうために設けられている。図８６に示す図８５の断面図には、電気接続材料２０６が良好に示されている。電気接続材料２０６は、ワイヤボンドパッド１０５０とコンデンサの端部金属被覆４１２，４１６を電気接続する。図８６の断面図に示すように、好ましくはアルミナ又は酸化アルミニウムである基板１３４０は、接着剤裏付きポリイミドワッシャ１２８を用いてセラミックコンデンサ１０１０に同時結合される。
【００９２】
次に図８５に戻ってこれを参照すると、ワイヤボンド１８８，２８８がワイヤ１８６及びワイヤ２８６と金めっきワイヤボンドパッド１０５０との間にそれぞれ形成されていることが分かる。超音波又はサーモソニックワイヤボンド力がセラミックコンデンサ１０１０を破産させないようにするために、ワイヤボンドパッド１０５０も又、アルミナ基板１３４０の頂面に望ましくは金蝋付けされる。これは、機械的振動力がアルミナ基板１３４０で適切に消散されるようにするのに役立つであろう。これは又、図８６の断面図に示されている。この断面図では、金又はＣｕＳｉｌ蝋付け部３０２がワイヤボンドパッド１０５０をアルミナ基板１３４０の頂面金属被覆２４６に接続していることが理解できる。
図８７は、図８２に類似した先行技術の一体形チップコンデンサ１１１０が図示のように２つの盲穴を穴開けすることにより改造されている変形実施形態を示している。短いピン３３６，３３６′が、これら２つの穴の中に配置され、電気接続材料１３８により内部電極プレート金属被覆５１２，５１６に電気的に接続されている。電気接続材料１３８は、はんだ、熱硬化性導電性接着剤等であるのがよい。電気接続材料１３８は、ピン３３６，３３６′と矩形チップコンデンサ１１１０の内周部金属被覆５１６，５１２を互いに電気接触させる。Ｌ字形（山形）ワイヤボンドパッド１１５０は、金蝋付け（３０２）によりセラミック基板１４４０の頂面金属被覆２４６に取り付けられている。
【００９３】
図８７に示すコンデンサ１１１０は、貫通コンデンサではないことに注目されるべきである。これは、図８２の先行技術のチップコンデンサ１０１０について説明したのと同一の２端子デバイスに関する自己共振の問題を有している。
図８８は、人体インプラント用途の内部接地型４極＋接地ピンＥＭＩフィルタ気密端子の分解図である。内部接地型貫通コンデンサ１２１０は、４本の活性貫通ピン１３６及び１本の接地ピン２３６を有している。接地ピン２３６は、活性電極プレートを通るＥＭＩの適切な切り離しのためにインダクタンスを最小限に抑えることが望ましい中心でフェルール１２２に溶接された状態で示されている。内部接地型貫通フィルタコンデンサは、米国特許第６，５２９，１０３号明細書及び第５，９０５，６２７号明細書に記載されているように当該技術分野においては周知である。
【００９４】
引き続き図８８を参照すると、本発明のアルミナ基板１５４０は、矩形の金属被覆領域２４６を有していて、ワイヤボンドパッド５５０，５５０′を蝋予備成形体２０２を用いてこれら金属被覆領域に都合よく取り付けることができるようになっていることが分かる。ワイヤボンドパッド５５０，５５０′は代表的には、蝋予備成形体２０２を高温真空蝋付け炉内でリフローさせることにより第１工程として基板１５４０に取り付けられる。次の工程は、まず最初に２つの非導電性接着剤塗布ポリイミド予備成形体１２８をリード線１３６に滑らせて嵌め、これらをアルミナ絶縁体１３４の各々に着座させることによりサンドイッチ構造を用いてコンデンサ１２１０を気密シール１２２，１３４に組み付けることである。次に、内部接地型貫通コンデンサ１２１０を気密端子組立体の５本のリード線１３６，２３６上に配置する。次に、接着剤塗布非導電性ポリイミド絶縁ワッシャ２２８を定位置に置き、はんだ又は熱硬化性導電性予備成形体２１２を装填してこれらが絶縁ワッシャ２２８の貫通穴２１４の内側で頂部コンデンサ金属被覆２６２に着座するようにする。基板１５４０と金蝋ワイヤボンドパッド５５０から成る予備組立体２７６を５本のリード線１３６上の定位置に滑らせる。基板１５４０（図示せず）の底部に施された金属被覆２４６は、５つのはんだ又は熱硬化性導電性接着剤予備成形体２１２に圧接するよう設計されている。電気接続が、基板１５４０のこの底部金属被覆からその金属被覆ビアホールの各々まで達成され、頂面金属被覆２４６まで連続した電気接続が得られるようになっている。ワイヤボンドパッド５５０，５５０′が金蝋付け部２０２によって取り付けられているので、これが意味することは、ワイヤボンドパッド５５０，５５０′から貫通コンデンサ１２１０の頂部金属被覆２６２まで、そして内部接地型貫通コンデンサ１２１０の内周部金属被覆３１２まで連続した電気回路が構成されるということである。次に、図８８に分解状態で示されたこのサンドイッチ構造を互いにクランプし、高温で硬化させて非導電性ボンディングワッシャ２２８，１２８が硬化され、はんだ予備成形体又は熱硬化性導電性ポリイミド予備成形体２１２が同様にリフローされ又は硬化されるようになっている。
【００９５】
図８９は、図８８の組立体全体を示している。例示目的で、植込み可能な医用器具、例えば心臓ペースメーカの内部回路から引き回されたリード線１８６は、ワイヤボンドパッド５５０のうちの１つにワイヤボンディング（１８８）された状態で示されている。ロボット制御装置を備えた自動化システムを含むワイヤボンディング装置は典型的には、ボンディングされるべきワイヤが挿通したかなり大きな送りヘッドを有する。ワイヤボンド装置の送りヘッドは、一点までテーパし、断面が幾分円錐形である。したがって、基板１５４０は、領域２１６中へ下方へテーパし、それによりワイヤボンドヘッドがリード線１８６及びワイヤボンドパッド５５０に入ってこれらに正しく係合するのに十分なスペースが得られている。これは、本発明の新規な特徴であり、かかる新規な特徴は、本願に記載された基板のうちの他の多くのものに適用できる。中央ワイヤボンドパッド５５０′は、気密端子のフェルール１２２に接地されている。
【００９６】
次に図８８に戻ってこれを参照すると、リード線２３６及び金蝋付け部又は溶接部１３０を観察することにより、リード線２８６が金属フェルール構造体１２２全体の中心に機械的且つ電気的に接続されていることが分かる。リード線２３６は内部接地型貫通コンデンサ１２１０の内部電極プレートを接地するためにかかるコンデンサ１２１０にとって必要である。
【００９７】
ワイヤボンドパッド５５０′は、全ての植込み可能医用器具に必要であるというわけではない。或る特定の心臓ペースメーカ及び植込み型除細動器では、有利な接地場所は、重要な特徴である。例えば、植込み型電気除細動器では、この装置のチタンハウジングが心臓性ショック電極でもある場合、低抵抗接続を、植込み型除細動器の高電圧出力回路とそのチタンハウジング１２４全体との間に作らなければならない。したがって、ワイヤボンドパッド５５０′は、かかる接続を行なう都合のよい場所を提供する。このショック電極回路の残部は、フェルール１２２を植込み可能医用器具（図示せず）のハウジング又はチタンシールド１２４全体中へレーザ溶接することにより完成される。
【００９８】
図９０は、図８９の４極＋接地ピン組立体の断面図である。図９０を参照すると、コンデンサ１２１０は、２つの非導電性絶縁ワッシャ１２８を用いて気密端子のアルミナ絶縁体１３４に一体に結合されている。ワイヤボンドパッド５５０は、蝋材２０２によりアルミナ基板１５４０の頂部金属被覆１４６に取り付けられている。
【００９９】
綿密な吟味で明らかになることとして、セラミックコンデンサ１２１０の底面アルミナ基板金属被覆１４５と頂部金属被覆１６２との間でサンドイッチされた電気接続材料２１２は、ワイヤボンドパッド５５０とコンデンサの貫通穴内周部金属被覆３１６、そしてその活性電極プレート３１８との間の電気接続を行なっている。これにより、貫通コンデンサ１２１０が有効高周波ＥＭＩフィルタとして働くことができる低インピーダンスＲＦ回路が得られる。レーザ溶接接続部１６０が、電気回路の残部を構成するためにリード線１３６とワイヤボンドパッド５５０又は５５０′との間に作られている。
【０１００】
ワイヤボンドパッド１１５０をＥＭＩフィルタ気密端子組立体の体液側に配置するのがよく、これらワイヤボンドパッドは、アルミナ絶縁体１３４に直接蝋付け（２３０）されている。ヒトの体液は、腐食性が非常に高い。したがって、ワイヤボンドパッド１１５０、蝋付け部２３０及び下に位置するリード線材料１３６は、適当な生体適合性のある材料で作られたものでなければならない。かかる材料としては、白金、ニオブ、金、タンタル、チタン、ステンレス鋼及びイリジウム及びニッケルを含有した合金を含むこれらの種々の合金から成る群が挙げられる。
【０１０１】
体液側ワイヤボンドパッド１１５０のリード線１８６（図示せず）の取付けは好ましくは、直接的なリード線溶接又は蝋付けにより行なわれる。これらリード線は代表的には、ワイヤボンドパッド１１５０と心臓ペースメーカ等のコネクタ又はヘッダブロック（図示せず）を互いに接続する。ワイヤボンドパッド１１５０への取付けが機械的取付け手段、超音波接合又はサーモソニック接合により行なわれる場合、ワイヤボンドパッド１１５０は、金で作られたものであるか又は超純金オーバーめっきを必要とする。
【０１０２】
図９１は、図８９のワイヤボンドパッド５５０のうちの１つの回転して拡大して示す図である。理解できるように、レーザ溶接領域１６０は、リード線１３６の両側周りで比較的長い。これは、信頼性の高い電気接続を行なうだけでなく、製造が容易である。これは、自然な隅肉領域がリード線１３６の外周部と有利にはワイヤボンドパッド５５０の状態に機械加工され又は打抜き加工されたスロット２２２の内部との間に形成されるからである。上述したように、ワイヤボンドパッド５５０は、コバール、アロイ４２又は他の金属材料のものであるのが一般的である。ワイヤボンドパッド５５０を代表的にはまず最初にニッケルめっきし、そして超純粋軟質金でオーバーめっきする。
【０１０３】
図９２は、本発明の別の実施形態を示している。単極貫通コンデンサ１１０が取り付けられた単極気密端子が示されている。図９２に示す新規な特徴は、先の図に記載された非導電性絶縁ワッシャが設けられていないということである。図９２に示すような単極貫通コンデンサ１１０は、製造が非常に簡単である。新規な特徴は、符号２３４で示されたアルミナ絶縁体１３４の突出部分であるペデスタル領域である。アルミナセラミック絶縁体を機械加工し、押し固め状態の粉末で作り、次に焼成し又はレーザ切断する。したがって、ペデスタル領域２３４を形成することは比較的単純で且つ安価な製造作業である。上述したように、レーザ溶接部１３０，１３２は、アルミナ絶縁体１３４とフェルール１２２及びリード線１３６との間に機械的且つ気密シール連結部を形成する。図９２に示すような単極ＥＭＩフィルタコンデンサ組立体を製造することは、比較的簡単である。必要な全てのことは、コンデンサ１１０をリード線１３６上に落下させ、次にワイヤボンドキャップ１２５０をコンデンサ１１０の頂部上に配置することである。次に、取付け部により、圧力を及ぼしてワイヤボンドパッド１２５０を心出しすると共にこれを押し下げ、その間、自動化装置は、図示のようにレーザ溶接部１６０を形成する。この時点で、セラミックコンデンサは、アルミナ絶縁体１３４のペデスタル領域２３４とワイヤボンドパッド１２５０との間に捕捉される。その際、図示のようにコバールパッド１２５０の外周部とコンデンサの外周部成端部１１２の両方の周りに熱硬化性導電性ポリマー２１２６，１２６を手動又はロボットを用いて小出しすることが容易である。接続材料２１２６は、セラミックコンデンサ１１０のワイヤボンドパッド１２５０と頂部金属被覆リング１６２の電気接続を行なう。頂部金属被覆リング１６２は、コンデンサの内周部金属被覆１１６及び貫通コンデンサ１１０の活性電極１１８への連続電気接続部を形成する。
【０１０４】
次に貫通コンデンサ１１０の外周部を参照すると、電気接続材料１２６は、貫通コンデンサ１１０の外周部成端部１１２と気密端子フェルール１２２の金蝋付け領域１３０との電気接続を形成する。コンデンサ１１０の外周部金属被覆１１２は、その接地電極プレート１２０に電気的に接続されている。同時係属米国特許出願第１０／３７７，０８６号明細書は、チタンフェルール１２２に直接ではなく、金表面への電気接触を行なう重要性を記載している。これは、チタンが高周波でのＥＭＩフィルタの適正な性能を阻害する場合のある酸化物を形成することで広く知られているからである。
【０１０５】
図９２に示す、単極コンデンサ１１０を組み立てる別の方法は、まず最初に、貫通コンデンサ１１０の頂部金属被覆１６２への機械的且つ電気的接続部２１２６を形成することによりワイヤボンドキャップ１２５０をセラミックコンデンサ１１０にあらかじめ組み付けることである。このようにすると、コンデンサとコバールパッドの組立体を検査でき、次に在庫品として貯蔵できる。この予備組立体を気密端子に取り付ける時がくると、なされるべき必要なことは、上述しように組立体を定位置に取り付け、リード線へのレーザ溶接部１６０を形成し、電気接続部１２６を作り、そしてコンデンサ外周部成端部１１２を接地させるだけである。
【０１０６】
上述したように、図９２の組立体は、先に記載した実施形態で用いられている非導電性ボンディングワッシャ２２８を備えていない。この結果、ワイヤボンドキャップ１２５０とコンデンサ１１０との間には空間又は空隙２３５が生じる。この空隙は、非常に狭いが、汚染要因物を捕捉するという懸念をもたらす。したがって、図９２の組立体は、低電圧ペースメーカ用途に最適である。
【０１０７】
再び図９２を参照すると、図示のワイヤボンドキャップ１２５０の欠点は、これがリード線１３６へのレーザ溶接接続部１６０が形成される中央貫通穴を有しているということである。これにより、次に行なう植込み可能な医用器具の内部回路のリード線へのワイヤボンディングに利用できるワイヤボンドパッド１２５０の頂面接触領域（表面積）が減少する。
【０１０８】
追加の表面積が必要な場合、好ましいワイヤボンドパッド１３５０が、図９３に記載されている。図９３は、図９２に先に記載した単極コンデンサと関連して使用できる別のワイヤボンドキャップ１３５０を示している。図９３に示すようなワイヤボンドパッド１３５０は、ワイヤボンドキャップをリード線１３６に都合よくレーザ溶接（１６０）するための上述の孔１５８を有している。
【０１０９】
図９４は、図９２の貫通コンデンサ１１０のワイヤボンドパッド１４５０と頂部金属被覆１６２との間に電気接続部２１２６を形成する別の方法を示している。図９２に戻ってこれを参照すると、電気接続部２１２６がワイヤボンドパッド１２５０の外周部とコンデンサ頂部金属被覆１６２との間でその周りに形成されている。図９４では、電気接続材料２１２６がワイヤボンドパッド１４５０のフランジの底部とコンデンサ１６２の頂部金属被覆との間でサンドイッチ型の構造で配置されていることが分かる。この電気接続材料は、熱硬化性導電性接着剤、はんだ等であるのがよい。
【０１１０】
本明細書に説明しているようなワイヤボンドパッドは、コンデンサをアルミナ基板と気密端子の本体との間に介在させないで用いることもできる。ワイヤボンド基板を分離し又は本明細書で説明している非導電性接着剤塗布材料を用いて気密封止端子組立体のフェルール又は絶縁体に直接結合できる。他の実施形態としては、気密端子のアルミナ絶縁体を改造してこれがワイヤボンドパッドを有するようにした例が挙げられる。
【０１１１】
ワイヤボンドパッドを気密端子絶縁体の反対側又は体液側にも配置できる。これは、アルミナ基板と本発明のワイヤボンドパッドを同時結合することにより実施でき、或いは、上述したように、アルミナ絶縁体それ自体を改造して埋め込み状態のワイヤボンドパッド又は埋め込み状態の回路トレースを有するようにしてもよい。
【０１１２】
次に図９５〜図１００を参照すると、基板が非導電性ポリイミドのものであることも又可能である。ポリイミドは、これが環状分子を形成する点において本発明にとって理想的な分子である。これは、長いひも状分子を形成するエポキシとは対照的である。環状分子は、応力吸収性が非常に高い傾向があり、外力が加えられている間、例えば、リード線１８６が組立体に取り付けられているとき、伸縮できる。かくして、ポリイミドは、応力がセラミックコンデンサ１１０の表面に達することができる前にこれを吸収して消散させるよう働くことになる。したがって、非導電性ポリイミド形式の基板は、ワイヤボンディング力と比較的脆弱なセラミックコンデンサとの間の理想的なバッファを形成する。
【０１１３】
次に図９５を参照すると、未硬化ポリイミドの層１６４０を備えた貫通コンデンサ１１０の斜視図が示されている。ポリイミド１６４０は、コンデンサ１１０の形態に実質的に一致するワッシャ又はより好ましくは、液体ポリイミド材料１６４０の頂部被膜から成るのがよい。ポリイミド１６４０を液体として又はスピン塗布によりコンデンサ１１０の表面全体にわたって浸すのがよく、スピン塗布では、材料１６４０の液滴を構造体１１０全体が低ＲＰＭで高速回転している間に配置する。これは、過剰な材料１６４０を振り飛ばし、後に非常に一様な被膜を残す。どの場合においても、ポリイミド被膜１６４０は、例えば熱又は紫外光等で硬化可能である。
【０１１４】
ＵＶ硬化性ポリイミドのかかる製造業者の１つは、ＨＤマイクロシステムズの材料番号ＰＩ−２７３０である。かかる材料を用いる際、非導電性ポリイミド材料１６４０を液体又は粘稠状態で塗布する。図９６に示す次の工程は、マスク２０２４を貫通コンデンサ１１０の頂部に密接して配置することである。次に、ＵＶ光源２２６をこのマスク２０２４の頂部へ下方に差し向け、このＵＶ光源は、マスク２０２４の切欠き部２２８中の領域を露光してポリイミド１６４０の露光領域を硬化させる。硬化作業をいったん完了すると、マスク２０２４を取り外して再度用いる。次に、洗浄／すすぎ洗い工程を例えばアセトン又はポリイミド現像液及びリンス液を有する他の適当なストリッパ（これらは、用いられるポリイミドの種類に対して特異的である。アセトンは、フォトレジスト用である）で実施する。ＰＩ−２７３０シリーズポリイミド用の現像液及びリンス液は、それぞれＤＥ９０４０及びＲＩ９１８０であり、これは、未硬化ポリイミドを全て洗い落し、マスク２０２４の切欠き２２８の形状によって定められた設計者によって望まれる形状又は構造を後に残す。上述した本発明の他の特徴及び実施形態から理解できるように、ポリイミド基板１６４０の多くの形状をこのように定めることができる。
【０１１５】
次に図９７及び図９８を参照すると、金属回路トレース１４６が、硬化済みポリイミド基板１６４０を覆って形成される。導電性回路トレース１４６を設ける方法は多く存在する。フォトレジスト法を従来型回路トレース付着法と一緒に用いることができ、かかる付着法としては、被覆加工、電気めっき、ＰＶＤ、ＣＶＤ等が挙げられる。回路トレース１４６の特に好ましい付着法は、電子ビーム技術を用いた金属蒸発器によってである。２工程で、チタン層を被着させ、次に金層を被着させる。代表的には、５００オングストロームのチタンを被着させ、次に１，０００〜２，０００オングストロームの金を被着させる。ポリイミド基板１６４０への導電性材料の付着性及び濡れ性を向上させるため、まず最初に結合活性剤、例えばシリコーンニトリットオキシド、窒化シリコン又は二酸化シリコンの絶縁層を設けるのがよく、かかる絶縁結合活性剤層は、ポリイミド１６４０に非常によく結合すると共に金属蒸発器等で形成されるべき導電性材料の非常に受容性の高い表面を形成する。
【０１１６】
図９８を参照すると、導電性回路トレース１４６をいったん形成すると、ワイヤボンディングに適したワイヤボンドパッド領域１４８を形成する。これは代表的には、超純金又は軟金の多層を電気めっきすることにより行なわれる。選択的領域めっきは、当該技術分野においては周知であり、バルクバレルめっき又は選択的電気めっき法とを組み合わせてフォトレジスト法により実施できる。選択的めっきが不要な場合、ワイヤボンド材料１４８を回路トレース１４６の頂部全体上にめっきする。ただし、金を用いる場合、これは費用が高くつく。当然のことながら、本発明のコバールボンドパッドも又、リード線の取付けのためにこの領域に被着できる。
【０１１７】
次に図９９及び図１００を参照すると、図９８の組立体が、フェルール１２２の頂部上の端子ピン１３６に嵌っている。導電性取付け部１２６が、導電性材料１２６を用いてコンデンサの外周部金属被覆１１２とフェルール１２２との間に作られている。追加の工程は、例えば熱硬化性導電性材料又ははんだを用いることによりリード線１３６と回路トレース１４６との間に電気接続部２２６を形成することである。これにより、リード線１３６と導電性回路トレース１４６との間に信頼性のある接続部が得られる。超純金ワイヤボンドパッド領域１４８の形成法が、図１００に示されている。上述したように、貫通コンデンサ１１０は代表的には、誘電材料で作られ、かかる誘電材料としては、チタン化バリウム、チタン化ストロンチウムの群が挙げられる。かかる材料の比誘電率Ｋを増大させると、これら材料は、構造的に非常に弱くなることは、当該技術分野において周知である。したがって、ワイヤボンドパッド領域１４８をコンデンサ１１０の頂部上に直接配置することは望ましくない。これは、リード線１８６（図示せず）の取付け中に生じる力が上述したようにセラミックコンデンサ１１０を破損させる場合があるからである。超音波ワイヤ接合中に生じる力は、極めて大きい。上述したように、ポリイミド基板１６４０は、これら力を吸収してコンデンサ１１０をこれら力から保護する。
【０１１８】
図９５〜図１００に示す実施形態をＵＶ硬化性ポリイミドを用いるものとして説明したが、当業者であれば、かかるポリイミドを硬化させる他の手段を本発明に従って利用できることは理解されよう。かかる他の手段としては、他のフォトデフィニション（photodefinition）可能なポリイミド、高温硬化法等により硬化されたポリイミドが挙げられる。本発明の重要な特徴は、ポリイミド１６４０をその全体にわたり又は選択された領域のみについて硬化できるということにある。
【０１１９】
図１０１では、ワイヤボンドキャップ１４５０を取り付ける別の方法が示されている。図１０１は、図９に類似している。新規なワイヤボンドキャップ１４５０を図示のように穴開けしてねじ切り（１４５１）する。これは、リード線１３６のねじ山付き部分１４４９と嵌合するよう設計されている。かかるねじ山は代表的には、ねじ切り盤等を用いて形成できる。ねじ山付きワイヤボンドキャップ１４５０は代表的には、コバール又はアロイ４２で構成され、次にこれをニッケルめっきし、次にワイヤボンディングに適した純金でオーバーめっきする。ワイヤボンドキャップ１４５０の形状は、装置を定位置にねじ込む従来工具に合うよう円形、矩形、六角形又は任意他の形状であってよい。加うるに、ボンディングワッシャ（図示せず）をねじ山付きワイヤボンドキャップ１４５０とセラミックコンデンサ１１０の頂面との間でサンドイッチされた状態で用いることができる。ワイヤボンドキャップ１４５０を定位置にねじ込んだあと、このワッシャを硬化させ、それによりねじ山付きキャップを定位置にしっかりと着座させて衝撃及び振動力に耐えることができるようにする。当然のことながら、抵抗溶接、レーザ溶接、はんだ、熱硬化性導電性接着剤を用いてねじ山付き部分１４５０，１４９９をねじ山に固定する多くの他の方法がある。加うるに、本願の図全体を通じて示されたワイヤボンド実施形態の多くは、図１０１に示すようにねじ込み方式に適用できる。
【０１２０】
図１０２は、Ｌ字形ワイヤボンドキャップ１５５０がねじ山付き穴を有するよう改造されていることを除き図８に類似している。このねじ山付き穴は、ＳＣＲとして示されたねじ又は他の締結装置を受け入れるよう設計されている。ペースメーカ回路からのワイヤ１８６が、ねじＳＣＲとワイヤボンドキャップ１５５０との間で圧縮された状態で示されている。この場合、機械的取付けが行なわれているので、ワイヤボンドキャップ１５５０がアロイ４２又はコバールのものである必要はない。事実、ワイヤボンドキャップ１５５０を種々の金属から作ることができ、かかる金属としては、錫被覆銅のような安価なものが挙げられる。ＳＣＲとして示された締結具は、スロット付きねじ、六角ねじ、アレン止めねじ、リベット又は種々の他の締結具であってよい。
【０１２１】
図１０３は、反対側でワイヤ１８６を圧縮した状態で配置されたねじＳＣＲを示している。かかる構成は、当該技術分野においては周知である。
【０１２２】
本発明の幾つかの実施形態を例示目的で詳細に説明したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく各々の種々の改造例を想到できる。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載にのみ基づいて定められる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】先行技術の単極セラミック貫通コンデンサの切除斜視図である。
【図２】図１の貫通コンデンサの概略電気図である。
【図３】気密封止フェルールに取り付けられた図１の貫通コンデンサの部分断面図である。
【図４】図３に示すフィルタの概略電気図である。
【図５】コンデンサに同時結合された回路板又は基板を示す図３と類似した断面図である。
【図６】熱可塑性ポリイミド裏付けテープ接着剤の特性を特定する表である。
【図７】図５に記載された回路板又は基板の斜視図である。
【図８】図５の領域“８”で囲まれた構造の拡大図である。
【図９】図５と非常に類似した断面図であり、短いリード線でコンデンサの頂部に接合され又は積層されたワイヤボンドパッドの使用法を示す図である。
【図１０】図９のワイヤボンドパッドの拡大斜視図である。
【図１１】図１０の１１−１１線矢視断面図である。
【図１２】本発明の別の実施形態を示す図９と非常に類似した断面図である。
【図１３】図１２に示す貫通コンデンサの逆さまにした斜視図である。
【図１４】図１３の１４−１４線矢視拡大断面図である。
【図１５】図１２のアルミナ基板を示す図である。
【図１６】端ぐり部が電気的接続材料を保持した円形ボスを有する図１５のアルミナ基板の変形実施形態を示す図である。
【図１７】図１２に示す構造の分解断面図であり、気密端子の組立て法を示す図である。
【図１７Ａ】図１７の１７Ａ線により示された領域の拡大部分断面図である。
【図１８】図１７のワイヤボンドパッドの拡大部分断面斜視図である。
【図１９】図１７と非常に類似した部分断面図であり、変形例としてのワイヤボンドパッドの使用法を示す図である。
【図１９Ａ】図１９の領域１９Ａで囲まれた拡大部分断面図であり、構成要素の変形形態を示す図である。
【図２０】図１９と非常に類似した図であり、ワイヤボンドキャップの変形実施形態を示す図である。
【図２１】図１２と非常に類似した部分断面図であり、更に別の変形例としてのワイヤボンドパッドを示す図である。
【図２２】図２１のＥＭＩフィルタ気密端子組立体の分解組立図である。
【図２３】図２１及び図２２のワイヤボンドキャップの切除等角図である。
【図２４】改造を施した図５のＥＭＩフィルタ気密端子の部分断面図である。
【図２５】図２４に符号２５で指示された領域の拡大部分断面図である。
【図２６】図２４のアルミナ基板の逆さまにした斜視図である。
【図２７】図２６の２７−２７線矢視拡大部分断面図である。
【図２８】図５に非常に類似した部分断面図であり、Ｌ字形ワイヤボンドキャップの使用法を示す図である。
【図２９】図２８のＬ字形ワイヤボンドパッドへのリード線の取付けの仕方を示す斜視図である。
【図３０】ワイヤボンドキャップを備えた双極貫通型端子組立体の部分分解部分斜視図である。
【図３１】図３０の３１−３１線矢視拡大部分断面図である。
【図３２】図２８に示すワイヤボンドパッド構造と比較される変形例としてのワイヤボンドパッド構造の断面図である。
【図３３】図３２及び図２８のＬ字形ワイヤボンドパッドの斜視図である。
【図３４】図３３と非常に類似した斜視図であり、変形例としてのワイヤボンドパッドの形態を示す図である。
【図３５】図３２と非常に類似した断面図であり、円形又は直線状ワイヤボンドパッドの使用法を示す図である。
【図３６】図３５の組立体に組み込むことができる直線状ワイヤボンドパッドの斜視図である。
【図３７】図３５に利用できる円形ワイヤボンドパッドの斜視図である。
【図３８】先行技術のインライン型４極貫通コンデンサの斜視図である。
【図３９】図３８に示すコンデンサの活性電極プレートを示す図である。
【図４０】図３８に示すコンデンサの接地電極形態を示す図である。
【図４１】先行技術の４極気密貫通型端子組立体の斜視図である。
【図４２】図４１の端子組立体への図３８のコンデンサの組み付け法を示す斜視図である。
【図４３】図４２に示す図と非常に類似した斜視図であり、本発明の改造例、即ち、セラミックコンデンサの頂部に同時結合された４極アルミナ基板の使用法を示す図である。
【図４４】Ｌ字形ワイヤボンドパッドの使用法を示す図４３と類似した斜視図である。
【図４５】接地リード線を備えた先行技術の気密端子の斜視図である。
【図４６】先行技術の内部接地型単極貫通コンデンサの斜視図である。
【図４７】図４６のコンデンサの断面図であり、この中に設けられた活性電極プレートの形態を示す図である。
【図４８】図４６の貫通コンデンサの断面図であり、この中に設けられた接地電極プレートの形態を示す図である。
【図４９】同時結合されたワイヤボンド基板を備える図４５の気密端子組立体に取り付けられた図４６のコンデンサの斜視図である。
【図５０】本発明を具体化した内部接地型デュアルインライン型９極フィルタ貫通コンデンサ気密端子の分解斜視図である。
【図５１】図５０の組立て状態の９極フィルタ貫通コンデンサ気密端子の斜視図である。
【図５２】図５１の５２−５２線矢視拡大断面図である。
【図５３】本発明の回路トレース、ワイヤボンドパッド領域及び漏れ検出ベント穴を備えた４極アルミナ基板の斜視図である。
【図５４】捕捉フランジ付きのフェルールに取り付けられ、図５３のアルミナ基板を組み込んだ４極貫通コンデンサの断面図である。
【図５５】図５４の４極貫通コンデンサの斜視図である。
【図５６】２要素又はＬ字形断面フィルタの部分斜視図である。
【図５７】図５６に示すフィルタの概略電気図である。
【図５８】本発明に従って改造された図５６のＬ字形断面フィルタを示す図である。
【図５９】本発明に従ってセラミック貫通コンデンサの頂面に直接同時結合された基板を含む埋め込み型単極貫通型フィルタコンデンサを示す断面図である。
【図６０】図５９に示すＬ字形ワイヤボンドパッドの斜視図である。
【図６１】本発明に従って一体形ワイヤボンドパッドを有する単極貫通コンデンサの斜視図である。
【図６２】図６１の６２−６２線矢視拡大断面図である。
【図６３】図６１の６３−６３線矢視断面図であり、コンデンサ内の接地電極プレートの形態を示す図である。
【図６４】図６１の６４−６４線矢視断面図であり、コンデンサ内の活性電極プレートの形態を示す図である。
【図６５】図６１に示す単極貫通コンデンサと類似した改造型単極貫通コンデンサの部分分解斜視図である。
【図６６】図６５の６６−６６線矢視拡大部分断面図である。
【図６７】埋め込まれた回路トレースを有する多層基板が利用されている本発明を具体化した更に別の気密端子を示す図である。
【図６８】多層基板の図６７の６８−６８線矢視断面図である。
【図６９】図６７の６９−６９線矢視断面図であり、コンデンサ内の接地電極プレートの形態を示す図である。
【図７０】図６７の７０−７０線矢視断面図であり、コンデンサ内の活性電極プレートの形態を示す図である。
【図７１】図６７に示す斜視図と類似した斜視図であるが、図４５〜図４９に示すと共にこれらと関連して説明した内部接地型貫通コンデンサを利用した状態を示す図である。
【図７２】図７１の７２−７２線矢視断面図であり、同時結合基板中の回路トレースの形態を示す図である。
【図７３】図７１の７３−７３線矢視断面図であり、コンデンサ内の接地電極プレートの形態を示す図である。
【図７４】図７１の７４−７４線矢視断面図であり、コンデンサ内の活性電極プレートの形態を示す図である。
【図７５】同時結合により矩形回路基板が取り付けられた丸形４極貫通コンデンサ組立体を示す斜視図である。
【図７６】図７５の７６−７６線矢視断面図であり、基板の一高さ位置における４つの内部回路トレースのうちの１つを示す図である。
【図７７】図７５のアルミナ基板の拡大部分分解斜視図であり、アルミナ基板へのワイヤボンドパッドの取付けの方法論を示す図である。
【図７８】図７５の７８−７８線矢視拡大部分断面図である。
【図７９】本発明の矩形６極基板及び関連コンデンサの分解斜視図である。
【図８０】基板の図７９の８０−８０線矢視断面図である。
【図８１】図７９の８１−８１線矢視断面図である。
【図８２】先行技術の一体形チップコンデンサの斜視図である。
【図８３】図８２のコンデンサの８３−８３線矢視横断面図であり、図１の組をなす電極プレートの形態を示す図である。
【図８４】図８２のコンデンサの横断面図であり、第２の組をなす電極プレートの形態を示す図である。
【図８５】図８２の先行技術の一体形チップコンデンサへの本発明の基板の同時結合法を示す斜視図である。
【図８６】図８５の８６−８６線矢視断面図である。
【図８７】図８６に示す断面図と類似した断面図であり、図８２の先行技術の一体形チップコンデンサを改造して２つのめくら穴を備えている変形実施形態を示す図である。
【図８８】本発明を具体化した内部接地型４極貫通コンデンサの分解斜視図である。
【図８９】図８８の組立て状態の貫通型端子組立体の斜視図である。
【図９０】図８９の９０−９０線矢視断面図である。
【図９１】図８９の９１−９１線で見た構造の改造型Ｌ字形ワイヤボンドパッドの斜視図である。
【図９２】本発明を具体化した別の単極気密端子の断面図である。
【図９３】図９２の９３−９３線に沿って見た変形構造の拡大断面図である。
【図９４】図９２の９４−９４線に沿って見た変形構造の拡大断面図である。
【図９５】基板が取り付けられたコンデンサの斜視図である。
【図９６】基板の上に位置し、放射線源に暴露されるマスクの斜視図である。
【図９７】導電性被膜を有する硬化領域及び基板の非硬化部分を除いた状態の図９５のコンデンサの斜視図である。
【図９８】図９７と類似した斜視図であり、基板のワイヤボンディング領域の形成法を示す図である。
【図９９】本発明の硬化可能な基板を利用して製造されたＥＭＩ端子組立体の斜視図である。
【図１００】図９９の１００−１００線矢視断面図である。
【図１０１】図９に示す断面図と類似した本発明の更に別の実施形態の断面図であり、ワイヤボンドキャップが穴あけされ、そして螺設された状態を示す図である。
【図１０２】図８に示す断面図と類似した本発明の更に別の実施形態の断面図であり、ワイヤボンドキャップがねじ穴を有するよう改造された状態を示す図である。
【図１０３】図１０２に示すＬ字形ボンドパッドに類似したＬ字形ボンドパッドの拡大斜視図であり、反対側に配置され、ワイヤを圧縮するねじを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１７Ａ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１９Ａ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９６】
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【図９７】
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【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
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【図１０１】
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【図１０２】
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【図１０３】
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【国際調査報告】
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