(57)【要約】【課題】加熱時の温度の面内におけるばらつきを抑制することが可能なアニール方法を提供する。【解決手段】アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査してアニールを行う際に、パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査する。パルスレーザビームの入射によって加熱された箇所の温度の測定結果に基づいてオーバラップ率を変化させる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査してアニールを行うアニール方法であって、
前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査し、
前記パルスレーザビームの入射によって加熱された箇所の温度の測定結果に基づいてオーバラップ率を変化させるアニール方法。
【請求項２】
前記アニール対象物の温度の測定結果が目標値に近づくようにオーバラップ率を変化させる請求項１に記載のアニール方法。
【請求項３】
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームでアニール対象物の表面を走査する走査機構と、
前記パルスレーザビームの入射によって加熱された前記アニール対象物の温度を測定する温度センサと、
前記レーザ光源と前記走査機構とを制御して、前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記温度センサによる温度の測定結果に基づいてオーバラップ率を変化させるアニール装置。
【請求項４】
前記制御装置は、前記温度センサによって測定された温度の測定結果が目標値に近づくようにオーバラップ率を変化させる請求項３に記載のアニール装置。
【請求項５】
アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査してアニールを行うアニール方法であって、
前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査し、
前記アニール対象物の表面内の位置によってオーバラップ率を変化させるアニール方法。
【請求項６】
前記アニール対象物の表面の走査において、主走査と副走査とを繰り返してアニールを行い、
主走査ごとに、主走査の始点から遠ざかるに従ってオーバラップ率を低下させる請求項５に記載のアニール方法。
【請求項７】
副走査方向に関して前記アニール対象物の両端を含むある領域を主走査するときのオーバラップ率の平均値を、その領域より内側を主走査するときのオーバラップ率の平均値より小さくする請求項５または６に記載のアニール方法。
【請求項８】
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームでアニール対象物の表面を走査する走査機構と、
前記レーザ光源と前記走査機構とを制御して、前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記アニール対象物の表面内の位置によってオーバラップ率を変化させる機能を持つアニール装置。
【請求項９】
前記制御装置は、
前記アニール対象物の表面の走査において、主走査と副走査とを繰り返してアニールを行い、
主走査ごとに、主走査の始点から遠ざかるにしたがってオーバラップ率を低下させる請求項８に記載のアニール装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、副走査方向に関して前記アニール対象物の両端を含むある領域を主走査するときのオーバラップ率の平均値を、その領域より内側を主走査するときのオーバラップ率の平均値より小さくする請求項８または９に記載のアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アニール方法及びアニール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの表層部に注入されたドーパントを活性化する際に、パルスレーザビームを、ショット間で照射領域をオーバラップさせながら照射する活性化アニール方法が公知である（特許文献１）。この方法によると、パルスレーザビームの照射面とは反対側の裏面の温度の上昇を抑止しつつ、表層部を加熱してドーパントの活性化を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２８３６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ドーパントの活性化率は、パルスレーザビームの照射によって上昇した半導体ウエハの表層部の温度に依存する。半導体ウエハの面内で均一な活性化を行うために、半導体ウエハの面内で、加熱時の温度を均一にすることが好ましい。ところが、種々のアニール環境のばらつきにより加熱時の温度に面内のばらつきが生じてしまう。
【０００５】
本発明の目的は、加熱時の温度の面内におけるばらつきを抑制することが可能なアニール方法及びアニール装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によると、
アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査してアニールを行うアニール方法であって、
前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査し、
前記パルスレーザビームの入射によって加熱された箇所の温度の測定結果に基づいてオーバラップ率を変化させるアニール方法が提供される。
【０００７】
本発明の他の観点によると、
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームでアニール対象物の表面を走査する走査機構と、
前記パルスレーザビームの入射によって加熱された前記アニール対象物の温度を測定する温度センサと、
前記レーザ光源と前記走査機構とを制御して、前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記温度センサによる温度の測定結果に基づいてオーバラップ率を変化させるアニール装置が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の観点によると、
アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査してアニールを行うアニール方法であって、
前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査し、
前記アニール対象物の表面内の位置によってオーバラップ率を変化させるアニール方法が提供される。
【０００９】
本発明のさらに他の観点によると、
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記パルスレーザビームでアニール対象物の表面を走査する走査機構と、
前記レーザ光源と前記走査機構とを制御して、前記パルスレーザビームのショット間で照射領域をオーバラップさせながら、前記アニール対象物の表面を前記パルスレーザビームで走査する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記アニール対象物の表面内の位置によってオーバラップ率を変化させる機能を持つアニール装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
面内におけるアニール温度のばらつきを小さくすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施例によるレーザアニール装置の概略図である。
【図２】図２Ａは、アニール対象物の表面をパルスレーザビームで走査する走査経路を示す平面図であり、図２Ｂは、主走査するときのパルスレーザビームの照射領域のショット間の位置関係を示す図であり、図２Ｃは、副走査の前後のパルスレーザビームの照射領域のショット間の位置関係を示す図である。
【図３】図３は、アニール対象物を実際にアニールした時のアニール温度の分布を示す図である。
【図４】図４Ａは、ｘ軸方向に関するアニール温度の分布を模式的に示す図であり、図４Ｂは、ｙ軸方向に関するアニール温度の分布を模式的に示す図である。
【図５】図５は、アニール対象物に入射させるパルスレーザビームのパルスエネルギ密度と、温度センサの出力電圧との関係を、オーバラップ率ごとに示すグラフである。
【図６】図６Ａは、実施例によるアニール装置を用いてアニールを行うときの手順を示すフローチャートであり、図６Ｂは、アニール温度の測定結果と、ｘ軸方向のオーバラップ率ＯＶＲｘの変化量ΔＯＶＲｘとの関係の一例を示すグラフである。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、図１〜図６Ｂに示した実施例による方法でアニールした時のオーバラップ率ＯＶＲｘ の変化の一例を示すグラフである。
【図８】図８は、図１〜図６Ｂに示した実施例による方法でアニールした時の主走査ごとのオーバラップ率ＯＶＲｘの平均値の変化の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１〜図６Ｂを参照して、実施例によるアニール装置及びアニール方法について説明する。
図１は、実施例によるレーザアニール装置の概略図である。チャンバ１０内に走査機構１２によって保持テーブル１３が支持されている。走査機構１２は、制御装置４０からの指令を受けて、保持テーブル１３を水平面内で移動させることができる。走査機構１２はエンコーダを含み、保持テーブル１３の現在位置を表す位置情報がエンコーダから制御装置４０に読み込まれる。
【００１３】
保持テーブル１３の上に、チャックプレート１４を介してアニール対象物３０が保持される。保持テーブル１３は、真空チャック機構を含み、チャックプレート１４は、保持テーブル１３の真空チャック機構の作用をアニール対象物３０まで及ぼすための複数の貫通孔を有する。アニール対象物３０は、例えば、ドーパントが注入されたシリコンウエハ等の半導体ウエハである。実施例によるレーザアニール装置は、例えばドーパントの活性化アニールを行う。
【００１４】
保持テーブル１３は、例えばアルミニウム等の金属で形成される。チャックプレート１４には、保持テーブル１３の材料よりも硬い材料、例えばセラミック等が用いられる。チャックプレート１４は、例えば高い面精度を得る目的で、保持テーブル１３とアニール対象物３０との間に配置されて使用される。
【００１５】
レーザ光源２０が、制御装置４０からの指令を受けて、アニール用のパルスレーザビームを出力する。レーザ光源２０として、例えば発振波長約８００ｎｍのレーザダイオードが用いられる。レーザ光源２０から出力されたパルスレーザビームが伝送光学系２１、ダイクロイックミラー２２、及びレンズ２３を経由し、チャンバ１０の天板に設けられたレーザ透過窓１１を透過して、アニール対象物３０に入射する。ダイクロイックミラー２２は、アニール用のレーザビームを透過させる。伝送光学系２１は、例えばビームホモジナイザ、レンズ、ミラー等を含む。ビームホモジナイザとレンズ２３とにより、アニール対象物３０の表面における照射領域が整形され、ビームプロファイルが均一化される。
【００１６】
アニール対象物３０から放射された熱放射光が、レーザ透過窓１１を透過し、レンズ２３を経由し、ダイクロイックミラー２２で反射され、さらにレンズ２４を経由して温度センサ２５に入射する。ダイクロイックミラー２２は、波長１μｍ以上の波長域の熱放射光を反射する。温度センサ２５は、特定の波長域の熱放射光の強度を測定する。熱放射光の強度は、アニール対象物３０の温度に依存する。温度センサ２５による熱放射光の測定結果が電圧値として制御装置４０に入力される。
【００１７】
レンズ２３及びレンズ２４は、アニール対象物３０の表面を、温度センサ２５の受光面に結像させる。これにより、温度センサ２５の受光面に対して共役な関係を持つアニール対象物３０の表面の領域から放射される熱放射光の強度が測定される。測定対象となる表面領域は、例えばレーザビームの照射領域の内部に含まれるように設定される。
【００１８】
制御装置４０は、走査機構１２を制御して、保持テーブル１３に保持されているアニール対象物３０を水平面内の二次元方向に移動させる。さらに、保持テーブル１３の現在位置情報に基づいて、レーザ光源２０を制御してレーザ光源２０からパルスレーザビームを出力させる。さらに、制御装置４０は、レーザ光源２０から出力されるパルスレーザビームの各ショットに同期して、温度センサ２５の検出結果を取得する。取得された検出結果は、アニール対象物３０の面内の位置と関連付けて、記憶装置４１に記憶される。
【００１９】
一例として、パルスレーザビームの１ショットごとに、熱放射光の強度の時間変化が得られる。記憶装置４１に記憶される検出結果は、例えば、パルスレーザビームの１ショットごとの熱放射光の強度のピーク値、または積分値である。熱放射光の強度のピーク値または積分値から求まる温度を「アニール温度」ということとする。制御装置４０は、アニール対象物３０の表面内における熱放射光の強度分布（アニール温度の分布）の情報を、画像、グラフ、または数値として出力装置４２に出力する。
【００２０】
図２Ａは、アニール対象物３０の表面をパルスレーザビームで走査する走査経路を示す平面図である。アニール対象物３０の表面（レーザ照射面）をｘｙ面とし、表面の法線方向をｚ軸の正方向とするｘｙｚ直交座標系を定義する。ｘ軸方向を主走査方向とし、ｙ軸方向を副走査方向として、主走査と副走査とを繰り返すことにより、アニール対象物３０の表面のほぼ全域がパルスレーザビームで走査される。
【００２１】
図２Ｂは、主走査中におけるパルスレーザビームの照射領域３１の、ショット間の位置関係を示す図である。照射領域３１は、ｙ軸方向に長いほぼ長方形の平面形状を有する。図２Ｂにおいて、直前のショットの照射領域３１ａを破線で示し、その直後のショットの照射領域３１を実線で示している。照射領域３１のｘ軸方向の寸法（幅）をＷｘで表す。連続する２ショットの照射領域３１ａと３１との重なり部分のｘ軸方向の寸法をＷｏｖで表す。主走査時の照射領域のオーバラップ率ＯＶＲｘを、
ＯＶＲｘ＝Ｗｏｖ／Ｗｘ
と定義する。
【００２２】
図２Ｃは、副走査の前後のパルスレーザビームの照射領域３１のショット間の位置関係を示す図である。副走査を行う直前の照射領域３１ｂを破線で示し、副走査を行った後の照射領域３１を実線で示す。照射領域３１のｙ軸方向の寸法（長さ）をＬｙで表す。１回の副走査の前後における照射領域３１ｂと３１との重なり部分のｙ軸方向の寸法をＬｏｖで表す。副走査時の照射領域のオーバラップ率ＯＶＲｙを、
ＯＶＲｙ＝Ｌｏｖ／Ｌｙ
と定義する。
【００２３】
実施例について説明する前に、一定のオーバラップ率でアニールを行った評価実験の結果について説明する。
【００２４】
図３は、アニール対象物３０を実際にアニールした時に測定されたアニール温度の分布を示す図である。図３では、アニール温度が高い領域ほど、グレーの濃さを淡くして表している。放射状及び同心円状にアニール温度の低い領域が現れているのは、保持テーブル１３（図１）に設けられた吸着用の溝の平面形状が反映されているためである。さらに、リフトピンが配置された４箇所に対応して、アニール温度の低い領域が現れている。吸着用の溝やリフトピン等の下地の特殊な条件を除いて考えると、ｘ軸方向（主走査方向）に平行な縦縞が現れている。さらに、ｙ軸方向（副走査方向）の両端の近傍において、内側の領域よりもアニール温度が高くなる傾向を示していることがわかる。
【００２５】
図４Ａは、ｘ軸方向に関するアニール温度の分布を模式的に示す図である。１回の主走査で走査されるｘ軸に平行な直線状の領域に着目すると、走査の始点側の一部の領域３２において、終点側の残りの領域３３よりもアニール温度が相対的に高くなっている。図４Ａでは、アニール温度が相対的に高かった領域に相対的に密度の低いハッチングを付し、アニール温度が相対的に低かった領域に相対的に密度の高いハッチングを付している。なお、図４Ａでは、アニール温度が高かった領域３２とアニール温度が低かった領域３３との境界を明確に示しているが、実際には、両者の境界は明確ではなく、アニール温度はｘ軸方向に徐々に変化している。
【００２６】
主走査の始点側の領域３２においてアニール温度が高くなるのは、副走査を行う直前の主走査時の加熱の影響（蓄熱効果）が残っているためである。このように、１回の主走査で走査される領域に着目すると、ｘ軸方向に関して温度むらが発生することが確認された。
【００２７】
図４Ｂは、ｙ軸方向に関するアニール温度の分布を模式的に示す図である。図４Ｂは、１回の主走査で走査されるｘ軸に平行な直線状の領域のアニール温度の、ｘ軸方向に関する平均値の分布を表している。ｙ軸方向（副走査方向）に関して両端の近傍の領域３４のアニール温度の平均値が、それよりも内側の領域のアニール温度の平均値より高い傾向を示す。図４Ｂでは、アニール温度の平均値が相対的に高かった領域に相対的に密度の低いハッチングを付し、アニール温度の平均値が相対的に低かった領域に相対的に密度の高いハッチングを付している。なお、図４Ｂでは、アニール温度の平均値が高かった領域３４とアニール温度の平均値が低かった領域３５との境界を明確に示しているが、実際には、両者の境界は明確ではなく、アニール温度の平均値はｙ軸方向に徐々に変化している。
【００２８】
ｙ軸方向に関して両端近傍の領域３４においてアニール温度の平均値が相対的に高くなるのは、領域３４においては面内方向への熱の伝搬による温度低下が少ないためである。このように、ｙ軸方向に関しても、アニール温度の平均値にむらが発生していることが確認された。
【００２９】
以下に説明する実施例では、主走査時のオーバラップ率を変化させることにより、この温度むらを低減させる。
【００３０】
図５は、アニール対象物３０に入射させるパルスレーザビームの１パルス当たりのエネルギ密度（パルスエネルギ密度）と、温度センサ２５（図１）の出力電圧との関係を、オーバラップ率ごとに示すグラフである。横軸はパルスエネルギ密度を単位「Ｊ／ｃｍ２」で表し、縦軸は温度センサ２５の出力電圧を単位「ｍＶ」で表す。温度センサ２５の出力電圧は、アニール対象物３０のアニール温度に依存する。
【００３１】
図５のグラフ中の星形記号、丸記号、四角記号、及び三角記号が、それぞれｘ軸方向のオーバラップ率ＯＶＲｘを０％、５０％、６７％、及び８０％としたときの出力電圧の測定値を示す。パルスエネルギ密度を高くすると、アニール温度が上昇していることがわかる。また、パルスエネルギ密度が一定の条件の下では、オーバラップ率ＯＶＲｘを高くするに従ってアニール温度が高くなることがわかる。
【００３２】
図５に示した結果から、ｘ軸方向のオーバラップ率ＯＶＲｘを調整することにより、アニール温度を制御できることがわかる。実施例においては、パルスレーザビームの１ショットの照射によるアニール温度の測定結果に基づいて、今回のショットと次のショットとの照射領域のオーバラップ率ＯＶＲｘを変化させることにより、アニール温度を調整する。
【００３３】
図６Ａは、実施例によるアニール装置を用いてアニールを行うときの手順を示すフローチャートである。フローチャートに示す各手順は、制御装置４０（図１）が、走査機構１２、レーザ光源２０を制御することにより実行される。
【００３４】
まず、アニール対象物３０を保持テーブル１３（図１）に保持させて、保持テーブル１３の移動を開始する（ステップＳ１）。例えば、１回の主走査の期間中は、ほぼ等速で保持テーブル１３（図２Ａ）をｘ軸方向に移動させる。
【００３５】
アニール対象物３０が照射開始位置まで移動したか否かを判定し（ステップＳ２）、照射開始位置まで移動した時点でパルスレーザビームを１ショット照射する（ステップＳ３）。アニール対象物３０の全域をアニールしたら、処理を終了する（ステップＳ４）。
【００３６】
制御装置４０が温度センサ２５からの出力電圧を読み取り、アニール温度に関する情報を取得する（ステップＳ５）。制御装置４０は、オーバラップ率ＯＶＲｘを操作量として、アニール温度の測定結果が目標値Ｔｔに近づくようにフィードバック制御を行う。例えば、制御装置４０は、アニール温度の測定結果に基づいて、アニール温度が目標値Ｔｔに近づくように、直前のショットの照射領域と次のショットの照射領域とのｘ軸方向のオーバラップ率ＯＶＲｘを決定する（ステップＳ６）。
【００３７】
図６Ｂは、アニール温度の測定結果と、ｘ軸方向のオーバラップ率ＯＶＲｘの変化量ΔＯＶＲｘとの関係の一例を示すグラフである。横軸はアニール温度の測定結果を表し、縦軸はオーバラップ率ＯＶＲｘの変化量ΔＯＶＲｘを表す。アニール温度の測定結果が目標値Ｔｔに一致している場合には、オーバラップ率ＯＶＲｘの変化量ΔＯＶＲｘは０であり、現時点のオーバラップ率ＯＶＲｘを維持する。
【００３８】
アニール温度の測定結果が目標値より高い場合には、オーバラップ率ＯＶＲｘの変化量ΔＯＶＲｘを負にし、アニール温度の測定結果が目標値より低い場合には、オーバラップ率ＯＶＲｘの変化量ΔＯＶＲｘを正にする。すなわち、アニール温度の測定結果が目標値より高い場合には、オーバラップ率ＯＶＲｘを現在のオーバラップ率ＯＶＲｘより低くし、アニール温度の測定結果が目標値より低い場合には、オーバラップ率ＯＶＲｘを現在のオーバラップ率ＯＶＲｘより高くする。いずれの場合も、目標値Ｔｔからアニール温度の測定結果までの偏差が大きいほど変化量ΔＯＶＲｘの絶対値を大きくする。
【００３９】
オーバラップ率ＯＶＲｘを決定したら、アニール対象物３０が、決定されたオーバラップ率ＯＶＲｘで次のショットが照射される位置に来るまで、パルスレーザビームの出力を待機する（ステップＳ７）。アニール対象物３０が所定の位置まで移動したら、パルスレーザビームを１ショット照射する（ステップＳ３）。以降、処理が終了するまでステップＳ４からステップＳ３までを繰り返し実行する。
【００４０】
次に、上記実施例によるアニール装置を用いたアニール方法を採用することにより得られる優れた効果について説明する。
【００４１】
実施例では、アニール温度の測定結果に基づいて、アニール温度が目標値Ｔｔに近づくようにオーバラップ率ＯＶＲｘを調整するため、アニール温度の面内の均一性を高めることができる。これにより、ドーパントの活性化率の面内均一性を高めることができる。
【００４２】
また、実施例では、レーザ光源２０（図１）から出力するパルスレーザビームのパワー及びパルス幅は変化させず、オーバラップ率ＯＶＲｘを変化させることにより、アニール温度を調整するため、パワーやパルス幅を変化させることが困難なレーザ発振器を用いる場合にも、アニール温度を調整することが可能である。
【００４３】
次に、図７Ａ〜図８を参照して、他の実施例によるアニール装置及びアニール方法について説明する。本実施例では、アニール対象物３０の表面内の位置によってオーバラップ率ＯＶＲｘを変化させる。例えば、一定のオーバラップ率ＯＶＲｘでアニールを行った場合に、アニール温度が高くなる傾向を示す領域においては、オーバラップ率ＯＶＲｘを低めに設定する。
【００４４】
次に、アニール対象物３０の表面内の位置に応じてオーバラップ率ＯＶＲｘをどのように変化させればよいかについて説明する。
【００４５】
図７Ａ及び図７Ｂは、図１〜図６Ｂに示した実施例による方法でアニールした時のオーバラップ率ＯＶＲｘの変化の一例を示すグラフである。オーバラップ率ＯＶＲｘを一定にすると、図４Ａに示したように、主走査の始点の近傍においてアニール温度が相対的に高くなる。上記実施例を適用すると、ｘ軸の正の向きに主走査する場合（図７Ａ）、及びｘ軸の負の向きに主走査する場合（図７Ｂ）のいずれにおいても、アニール温度を目標値Ｔｔに近づけるために、パルスレーザビームの照射位置が主走査の始点から遠ざかるに従ってオーバラップ率ＯＶＲｘを高くする制御が行われる。
【００４６】
従って、１回の主走査において、アニール温度を均一化させるには、パルスレーザビームの照射位置が主走査の始点から遠ざかるに従ってオーバラップ率ＯＶＲｘを高くすればよい。
【００４７】
図８は、図１〜図６Ｂに示した実施例による方法でアニールした時の主走査ごとのオーバラップ率ＯＶＲｘの平均値の変化の一例を示すグラフである。オーバラップ率ＯＶＲｘを一定にすると、図４Ｂに示したように、ｙ軸方向の両端の近傍においてアニール温度が相対的に高くなる。図１〜図６Ｂに示した実施例を適用すると、アニール温度を目標値Ｔｔに近づけるために、ｙ軸方向の両端の近傍においてオーバラップ率ＯＶＲｘを相対的に低くする制御が行われる。
【００４８】
従って、ｙ軸方向に関してアニール温度を均一化するためには、ｙ軸方向の両端の近傍においてオーバラップ率ＯＶＲｘの平均値を、それよりも内側におけるオーバラップ率ＯＶＲｘの平均値より低くすればよい。
【００４９】
アニール対象物３０の表面内の位置と、オーバラップ率ＯＶＲｘとの好ましい関係は、オーバラップ率ＯＶＲｘを変化させて複数の評価実験を行うことにより決定することができる。アニール対象物３０の表面内の位置と、オーバラップ率ＯＶＲｘとの好ましい関係は、記憶装置４１に予め記憶させておく。制御装置４０は、この好ましい関係に基づいて、オーバラップ率ＯＶＲｘを変化させる。
【００５０】
本実施例においても、アニール温度を面内に関して均一化させることが可能になる。また、レーザ光源２０から出力されるパルスレーザビームのパルスの繰り返し周波数を一定にしてアニールする場合、図７Ａ及び図７Ｂに示した主走査ごとの始点近傍のオーバラップ率ＯＶＲｘが相対的に低い領域において、アニール対象物３０の移動速度を速くすることができる。このため、主走査の始点近傍の領域を内奥部及び終点側のオーバラップ率ＯＶＲｘに等しくしてアニールする場合に比べて、アニール時間が短くなるという効果が得られる。
【００５１】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５２】
１０  チャンバ
１１  レーザ透過窓
１２  走査機構
１３  保持テーブル
１４  チャックプレート
２０  レーザ光源
２１  伝送光学系
２２  ダイクロイックミラー
２３、２４  レンズ
２５  温度センサ
３０  アニール対象物
３１  照射領域
３１ａ  直前のショットの照射領域
３１ｂ  副走査前の主走査時の照射領域
３２  主走査の始点側の領域
３３  主走査の始点側の領域以外の領域
３４  副走査方向の両端近傍の領域
３５  副走査方向の両端近傍の領域より内側の領域
４０  制御装置
４１  記憶装置
４２  出力装置
【図１】
2019110153.tif 000003
【図２】
2019110153.tif 000004
【図３】
2019110153.tif 000005
【図４】
2019110153.tif 000006
【図５】
2019110153.tif 000007
【図６】
2019110153.tif 000008
【図７】
2019110153.tif 000009
【図８】
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