(57)【要約】      （修正有）【課題】可撓性を有する基材上に形成された抵抗体を有するひずみゲージにおいて、反りを低減する。【解決手段】ひずみゲージは、可撓性を有する基材１０と、基材１０上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体３０と、抵抗体３０上に形成された絶縁層５０と、を有し、絶縁層５０の膨張係数は、基材１０の膨張係数と同一である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基材と、
前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、
前記抵抗体上に形成された絶縁層と、を有し、
前記絶縁層の膨張係数は、前記基材の膨張係数と同一であるひずみゲージ。
【請求項２】
前記抵抗体の側面は、前記基材及び前記絶縁層から露出している請求項１に記載のひずみゲージ。
【請求項３】
前記基材及び前記絶縁層の各々は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリオレフィン樹脂からなる群から選択される絶縁樹脂フィルムから形成されている請求項１又は２に記載のひずみゲージ。
【請求項４】
前記抵抗体は、アルファクロムを主成分とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のひずみゲージ。
【請求項５】
前記抵抗体は、アルファクロムを８０重量％以上含む請求項４に記載のひずみゲージ。
【請求項６】
前記抵抗体は、窒化クロムを含む請求項４又は５に記載のひずみゲージ。
【請求項７】
前記基材の一方の面に、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層を有し、
前記抵抗体は、前記機能層の一方の面に形成されている請求項１乃至６の何れか一項に記載のひずみゲージ。
【請求項８】
前記機能層は、前記抵抗体の結晶成長を促進する機能を有する請求項７に記載のひずみゲージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ひずみゲージに関する。
【背景技術】
【０００２】
測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料が用いられている。又、抵抗体は、例えば、絶縁樹脂からなる基材上に形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−７４９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、機械的強度の高いセラミックス等からなる基材を用いる場合とは異なり、可撓性を有する基材を用いる場合には、ひずみゲージに生じる反りが問題となる。ひずみゲージに反りが生じると、抵抗体にクラックが生じてゲージ特性が悪化したり、ひずみゲージとして機能しなくなったりするおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、可撓性を有する基材上に形成された抵抗体を有するひずみゲージにおいて、反りを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本ひずみゲージは、可撓性を有する基材と、前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、前記抵抗体上に形成された絶縁層と、を有し、前記絶縁層の膨張係数は、前記基材の膨張係数と同一である。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、可撓性を有する基材上に形成された抵抗体を有するひずみゲージにおいて、反りを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図２は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図１のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。図３は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図１のＢ−Ｂ線に沿う断面を示している。図１〜図３を参照するに、ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０と、端子部４１と、絶縁層５０とを有している。
【００１１】
なお、本実施の形態では、便宜上、ひずみゲージ１において、基材１０の抵抗体３０が設けられている側を上側又は一方の側、抵抗体３０が設けられていない側を下側又は他方の側とする。又、各部位の抵抗体３０が設けられている側の面を一方の面又は上面、抵抗体３０が設けられていない側の面を他方の面又は下面とする。但し、ひずみゲージ１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。
【００１２】
基材１０は、抵抗体３０等を形成するためのベース層となる部材であり、可撓性を有する。基材１０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、５μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。特に、基材１０の厚さが５μｍ〜２００μｍであると、接着層等を介して基材１０の下面に接合される起歪体表面からの歪の伝達性、環境に対する寸法安定性の点で好ましく、１０μｍ以上であると絶縁性の点で更に好ましい。
【００１３】
基材１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成することができる。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、可撓性を有する部材を指す。
【００１４】
ここで、『絶縁樹脂フィルムから形成する』とは、基材１０が絶縁樹脂フィルム中にフィラーや不純物等を含有することを妨げるものではない。基材１０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成しても構わない。
【００１５】
抵抗体３０は、基材１０上に所定のパターンで形成された薄膜であり、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体３０は、基材１０の上面１０ａに直接形成されてもよいし、基材１０の上面１０ａに他の層を介して形成されてもよい。なお、図１では、便宜上、抵抗体３０を梨地模様で示している。
【００１６】
抵抗体３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、又はＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成することができる。すなわち、抵抗体３０は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成することができる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ（ニッケル銅）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。
【００１７】
ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、Ｃｒ２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでもよい。
【００１８】
抵抗体３０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．０５μｍ〜２μｍ程度とすることができる。特に、抵抗体３０の厚さが０．１μｍ以上であると抵抗体３０を構成する結晶の結晶性（例えば、α−Ｃｒの結晶性）が向上する点で好ましく、１μｍ以下であると抵抗体３０を構成する膜の内部応力に起因する膜のクラックや基材１０からの反りを低減できる点で更に好ましい。
【００１９】
例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα−Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上することができる。又、抵抗体３０がα−Ｃｒを主成分とすることで、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを−１０００ｐｐｍ／℃〜＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。ここで、主成分とは、対象物質が抵抗体を構成する全物質の５０質量％以上を占めることを意味するが、ゲージ特性を向上する観点から、抵抗体３０はα−Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましい。なお、α−Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。
【００２０】
端子部４１は、抵抗体３０の両端部から延在しており、平面視において、抵抗体３０よりも拡幅して略矩形状に形成されている。端子部４１は、ひずみにより生じる抵抗体３０の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極であり、例えば、外部接続用のリード線等が接合される。抵抗体３０は、例えば、端子部４１の一方からジグザグに折り返しながら延在して他方の端子部４１に接続されている。端子部４１の上面を、端子部４１よりもはんだ付け性が良好な金属で被覆してもよい。なお、抵抗体３０と端子部４１とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。
【００２１】
絶縁層５０は、基材１０上に、抵抗体３０及び端子部４１の上面（基材１０とは反対側の面）を被覆し側面を露出するように形成されている。絶縁層５０は開口部５０ｘを有し、開口部５０ｘ内には端子部４１の上面の一部が露出している。但し、開口部５０ｘ内に端子部４１の上面の全部が露出するようにしてもよい。絶縁層５０の平面形状は、基材１０の平面形状と略同一である。
【００２２】
絶縁層５０の膨張係数が基材１０の膨張係数と同一となるように、絶縁層５０の材料や厚さが選定されている。絶縁層５０の材料は、例えば、基材１０の材料として例示した材料の中なら適宜選択することができる。但し、絶縁層５０は、基材１０と必ずしも同一材料から形成する必要はなく、例えば、基材１０がポリイミド樹脂、絶縁層５０がエポキシ樹脂等であってもよい。絶縁層５０にフィラーを含有させ、絶縁層５０に含有されるフィラーの材料の選定及び含有量の調整を行うことにより、絶縁層５０の膨張係数を調整してもよい。
【００２３】
本願において、絶縁層５０の膨張係数が基材１０の膨張係数と同一とは、絶縁層５０の膨張係数が基材１０の膨張係数と完全に同一である場合のみでなく、絶縁層５０の膨張係数が基材１０の膨張係数と実質的に同一である場合も含む。
【００２４】
ここで、絶縁層５０の膨張係数が基材１０の膨張係数と実質的に同一である場合とは、絶縁層５０の膨張係数が基材１０の膨張係数に対して±１００ｐｐｍ／Ｋ以内の範囲にある場合を指す。この範囲は発明者らが実験的に求めたものであり、この範囲内であれば、抵抗体３０の内部応力を低減して、ひずみゲージ１の反りをひずみゲージ１が機能する限界の値以下とすることができる。
【００２５】
図４は、第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図であり、図４（ａ）〜図４（ｃ）は図３に対応する断面を示し、図４（ｄ）は図２に対応する断面を示している。
【００２６】
ひずみゲージ１を製造するためには、まず、図４（ａ）に示す工程では、基材１０を準備し、基材１０の上面１０ａに金属層３００を形成する。金属層３００は、最終的にパターニングされて抵抗体３０及び端子部４１となる層である。従って、金属層３００の材料や厚さは、前述の抵抗体３０及び端子部４１の材料や厚さと同様である。
【００２７】
金属層３００は、例えば、金属層３００を形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜することができる。金属層３００は、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法や蒸着法、アークイオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等を用いて成膜してもよい。
【００２８】
ゲージ特性を安定化する観点から、金属層３００を成膜する前に、下地層として、基材１０の上面１０ａに、例えば、コンベンショナルスパッタ法により膜厚が１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の機能層を真空成膜することが好ましい。
【００２９】
本願において、機能層とは、少なくとも上層である金属層３００（抵抗体３０）の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１０に含まれる酸素や水分による金属層３００の酸化を防止する機能や、基材１０と金属層３００との密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。
【００３０】
基材１０を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むため、特に金属層３００がＣｒを含む場合、Ｃｒは自己酸化膜を形成するため、機能層が金属層３００の酸化を防止する機能を備えることは有効である。
【００３１】
機能層の材料は、少なくとも上層である金属層３００（抵抗体３０）の結晶成長を促進する機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）からなる群から選択される１種又は複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、又は、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。
【００３２】
上記の合金としては、例えば、ＦｅＣｒ、ＴｉＡｌ、ＦｅＮｉ、ＮｉＣｒ、ＣｒＣｕ等が挙げられる。又、上記の化合物としては、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２等が挙げられる。
【００３３】
機能層は、例えば、機能層を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入したコンベンショナルスパッタ法により真空成膜することができる。コンベンショナルスパッタ法を用いることにより、基材１０の上面１０ａをＡｒでエッチングしながら機能層が成膜されるため、機能層の成膜量を最小限にして密着性改善効果を得ることができる。
【００３４】
但し、これは、機能層の成膜方法の一例であり、他の方法により機能層を成膜してもよい。例えば、機能層の成膜の前にＡｒ等を用いたプラズマ処理等により基材１０の上面１０ａを活性化することで密着性改善効果を獲得し、その後マグネトロンスパッタ法により機能層を真空成膜する方法を用いてもよい。
【００３５】
機能層の材料と金属層３００の材料との組み合わせは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、機能層としてＴｉを用い、金属層３００としてα−Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とするＣｒ混相膜を成膜することが可能である。
【００３６】
この場合、例えば、Ｃｒ混相膜を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスを導入したマグネトロンスパッタ法により、金属層３００を成膜することができる。或いは、純Ｃｒをターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスと共に適量の窒素ガスを導入し、反応性スパッタ法により、金属層３００を成膜してもよい。
【００３７】
これらの方法では、Ｔｉからなる機能層がきっかけでＣｒ混相膜の成長面が規定され、安定な結晶構造であるα−Ｃｒを主成分とするＣｒ混相膜を成膜できる。又、機能層を構成するＴｉがＣｒ混相膜中に拡散することにより、ゲージ特性が向上する。例えば、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを−１０００ｐｐｍ／℃〜＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。なお、機能層がＴｉから形成されている場合、Ｃｒ混相膜にＴｉやＴｉＮ（窒化チタン）が含まれる場合がある。
【００３８】
なお、金属層３００がＣｒ混相膜である場合、Ｔｉからなる機能層は、金属層３００の結晶成長を促進する機能、基材１０に含まれる酸素や水分による金属層３００の酸化を防止する機能、及び基材１０と金属層３００との密着性を向上する機能の全てを備えている。機能層として、Ｔｉに代えてＴａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを用いた場合も同様である。
【００３９】
このように、金属層３００の下層に機能層を設けることにより、金属層３００の結晶成長を促進することが可能となり、安定な結晶相からなる金属層３００を作製できる。その結果、ひずみゲージ１において、ゲージ特性の安定性を向上することができる。又、機能層を構成する材料が金属層３００に拡散することにより、ひずみゲージ１において、ゲージ特性を向上することができる。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、基材１０上に、金属層３００を被覆する絶縁層５０を形成する。絶縁層５０の材料や厚さは、前述の通りである。絶縁層５０は、例えば、基材１０上、金属層３００を被覆するように半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて作製することができる。絶縁層５０は、基材１０上に、金属層３００を被覆するように液状又はペースト状の熱硬化性の絶縁樹脂を塗布し、加熱して硬化させて作製してもよい。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、金属層３００をパターニングして、図１の平面形状の機能層、抵抗体３０、及び端子部４１を形成する。例えば、絶縁層５０を透過し金属層３００に吸収されやすい波長のレーザ光を、絶縁層５０を介して金属層３００に照射するレーザ加工法により、金属層３００の不要な部分を除去できる。
【００４２】
レーザ加工法により金属層３００をパターニングすることで、金属層３００をエッチング液によりエッチングする工程が不要となるため、抵抗体３０や基材１０がエッチング液により腐食されることを防止できる。
【００４３】
次に、図４（ｄ）に示す工程では、絶縁層５０に開口部５０ｘを形成し、開口部５０ｘ内に端子部４１の上面の一部を露出させる。但し、開口部５０ｘ内に端子部４１の上面の全部を露出させてもよい。開口部５０ｘは、例えば、絶縁層５０に吸収されやすい波長のレーザ光を用いたレーザ加工法により形成できる。絶縁層５０として感光性の樹脂を用い、フォトリソグラフィ−法により開口部５０ｘを形成してもよい。
【００４４】
或いは、図４（ｂ）に示す工程で、予め開口部５０ｘを形成した絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて、開口部５０ｘを有する絶縁層５０を形成してもよい。この場合には、図４（ｄ）に示す工程は不要となる。以上の工程により、ひずみゲージ１が完成する。
【００４５】
このように、抵抗体３０を基材１０と絶縁層５０とで挟持する構造とし、絶縁層５０の膨張係数を基材１０の膨張係数と同一とすることで、ひずみゲージ１の反りを低減することが可能となる。その結果、ひずみゲージ１の反りに起因する抵抗体３０のクラックの発生を防止できる。又、ひずみゲージ１の反りが低減され、良好なゲージ特性を維持した状態で、ひずみゲージ１を安定的に機能させることができる。
【００４６】
又、抵抗体３０上に絶縁層５０が形成されているため、ハンドリングが容易となる。
【００４７】
又、絶縁層５０を形成してから金属層３００をレーザ加工法でパターニングして抵抗体３０を形成することにより、レーザ加工時に生じる熱が基材１０及び絶縁層５０に放熱されるため、加工後の抵抗体３０に突起部等が形成されることを防止できる。
【００４８】
又、金属層３００をレーザ加工法でパターニングして抵抗体３０を形成することにより、金属層３００をエッチング液によりエッチングする工程が不要となるため、抵抗体３０や基材１０がエッチング液により腐食されることを防止できる。その結果、抵抗体３０が腐食により断線することを防止できる。
【００４９】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５０】
例えば、図４（ｃ）に示す工程で説明した以外の方法により金属層３００をパターニングして抵抗体３０を形成した場合でも、抵抗体３０を基材１０と絶縁層５０とで挟持する構造とし、絶縁層５０の膨張係数を基材１０の膨張係数と同一とすることで、ひずみゲージ１の反りを低減することが可能となる。
【符号の説明】
【００５１】
１  ひずみゲージ、１０  基材、１０ａ  上面、３０  抵抗体、４１  端子部、５０  絶縁層、５０ｘ  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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