(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素間での電流リークを抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、基材と、前記基材の上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置され、複数の層を含む有機材料層と、前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、前記バンクの上面には、段差部が位置し、前記有機材料層の一部の層は、前記段差部において分断され、または、前記段差部における厚みが前記下部電極に対向する位置における厚みよりも薄い薄肉部を備え、前記有機材料層の前記一部の層とは異なる他の層は、分断されていない。【選択図】図５
2019110007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
前記複数の画素を区画するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置され、複数の層を含む有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、
前記バンクの上面には、段差部が位置し、
前記有機材料層の一部の層は、前記段差部において分断され、または、前記段差部における厚みが前記下部電極に対向する位置における厚みよりも薄い薄肉部を備え、
前記有機材料層の前記一部の層とは異なる他の層は、分断されていない、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記段差部は、前記上面の一部が前記基材の側へ窪む窪みである、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記バンクは、前記下部電極の一部を露出し、前記下部電極の一部と前記上面とに交差する斜面を有し、
前記有機材料層と前記バンクとの間には、前記上面の一部と前記斜面とに対向する導電膜が位置し、
前記段差部は、前記導電膜と前記上面とにより形成される、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記導電膜が金属を含む、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記導電膜が透明金属酸化物を含む、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記導電膜は、前記下部電極の前記一部と接する、請求項３から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記有機材料層の前記一部の層は、前記段差部における前記薄肉部の抵抗が、前記下部電極に対向する位置における抵抗よりも高い、請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記有機材料層の前記一部の層はホール注入層を含む、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記段差部の高さが、前記ホール注入層の前記下部電極に対向する位置における厚みの１／１０以上である、請求項８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記有機材料層の前記他の層はホール輸送層を含み、前記複数の画素に跨っている、請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記段差部の高さが、前記ホール輸送層の厚み未満である、請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。ＯＬＥＤは、発光層等を含む複数の層を有する有機材料層を一対の電極間に配置することにより構成される。有機材料層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられたバンクで囲まれた領域に形成される。ここで、例えば、下記特許文献１や特許文献２に開示されるように、有機材料層を構成する層を複数の画素間で共通に設ける場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−８５７９６号公報
【特許文献２】特開２０１７−９２２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、複数の層を有する有機材料層の形成において、有機材料層を構成する幾つかの層を複数の画素に跨って共通に設けると、電流がリークをしまうという問題がある。リークした電流は画素の発光には寄与しない。また、隣接する画素へ電流がリークすると、意図しない画素の発光（混色）が生じてしまう。その一方で、高精細化された場合や、発光効率を上げるために上記バンクの開口率を高くした場合、有機材料層を画素毎に形成（塗り分け）する際の制御が難しいという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、隣接する画素間での電流リークが抑制された有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの局面によれば、有機ＥＬ表示装置が提供される。本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基材と、前記基材の上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置され、複数の層を含む有機材料層と、前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、前記バンクの上面には、段差部が位置し、前記有機材料層の一部の層は、前記段差部において分断され、または、前記段差部における厚みが前記下部電極に対向する位置における厚みよりも薄い薄肉部を備え、前記有機材料層の前記一部の層とは異なる他の層は分断されていない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】図３に示す表示パネルの画素の配置の一例を示す図である。
【図４Ｂ】図３に示す表示パネルの画素の配置の変形例を示す図である。
【図５】図３に示す表示パネルのバンク付近の一例の拡大断面図である。
【図６】図３に示す表示パネルのバンク付近の変形例の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成されて構成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１１】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１２】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１３】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１４】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１５】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１６】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１７】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１８】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００１９】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、例えば、可撓性を有する基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。可撓性を有する基材７０は、例えば、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。この場合、基材７０は、例えば、樹脂材料を塗布により成膜して形成される。封止層１０６の上には保護膜１１４が積層される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状、あるいはフィルム状の保護膜１１４を貼り合わせる。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護膜１１４との間、または、図示しない対向基材側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２０】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
【００２１】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２２】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２３】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２４】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２５】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２６】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２７】
上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。有機材料層１０２は、代表的には、複数の層を含む。具体的には、有機材料層１０２は、アノード電極側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を含み得る。その他の層としては、例えば、アノード電極と発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソード電極と発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。上部電極１０４は、透過性導電膜で構成される。透過性導電膜は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物で形成される。
【００２８】
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。
【００２９】
例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面に保護膜１１４が積層される。一方、部品実装領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため保護膜１１４を設けない。
【００３０】
上述のとおり、表示パネル４０は、その表示領域４２に水平方向および垂直方向に並んで配置された複数の画素ＰＸを有している。一例では、図４Ａに示すように、画素ＰＸの単位配列Ｐは、赤画素ＰＸ（ｒ）、緑画素ＰＸ（ｇ）および青画素ＰＸ（ｂ）によって構成され、下中央に青画素ＰＸ（ｂ）、左上に赤画素ＰＸ（ｒ）、右上に緑画素ＰＸ（ｇ）がそれぞれ配置されている。単位配列Ｐを構成する複数の画素の並びは特に限定されない。例えば、図４Ｂに示すように、単位配列Ｐを構成する画素ＰＸは水平方向（一行）に並んで配置されてもよい。また、単位配列Ｐが４つの画素ＰＸによって構成される場合には、４つの画素ＰＸは２行２列で配置されてもよい。
【００３１】
図５は、図３に示す表示パネルのバンク付近の一例の拡大断面図であり、図４ＡのI−I断面に相当する図である。なお、図５においては、図３に示す下部電極１００より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示し、上部電極１０４より上に配置される構造を省略している。
【００３２】
バンク１１２は、各画素ＰＸに対応して設けられた下部電極１００を電気的に分離するものであり、下部電極１００の周縁を上面からから側面にかけて覆うように形成されている。バンク１１２は、代表的には、有機絶縁材料（例えば、感光性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。バンク１１２の側面は下部電極１００側に向かうにつれて下部構造層１０８（基材７０）側に傾斜する斜面を有している。バンク１１２の上面の中央部には段差部１１３が形成されている。本実施形態では、段差部１１３は、バンク１１２の上面の窪みである。
【００３３】
有機材料層１０２（発光層１０３を除く場合がある）および上部電極１０４は、各画素ＰＸ間で共通に設けられている。有機材料層１０２は、下部電極１００の上面だけでなく、バンク１１２の上にも設けられ、下部電極１００の上面からバンク１１２の側面にかけて連続して設けられている。有機材料層１０２を構成する各層は、通常、スピンコート法、蒸着法等のコーティング法により順次形成される。段差部１１３を有するバンク１１２上に有機材料層１０２を形成することで、段差部１１３は有機材料層１０２の一部を分断または実質的に分断して、隣接する画素ＰＸ間で生じる電流リークを抑制することができる。したがって、画素ＰＸごとに有機材料層１０２を形成（塗り分け）する形態と比較して生産効率に優れながら、電流リークを抑制するこができる。また、バンク１１２の上面で有機材料層１０２の一部を分断または実質的に分断することで、バンク１１２の開口（発光効率）を確保しながら電流リークを抑制することができる。
【００３４】
バンク１１２の上面に形成された段差部１１３の高さｈ（バンク１１２上面から段差部１１３の底までの深さ）は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍである。例えば、段差部１１３は、その高さが下部電極１００の厚みよりも小さくなるように形成されている。
【００３５】
有機材料層１０２の最下層（下部電極１００側の層）として、ホール注入層１０２ａが設けられている。ホール注入層１０２ａは、例えば、アリルアミン系材料により構成される。ホール注入層１０２ａの厚みは、例えば１ｎｍ〜６０ｎｍである。ここでは、段差部１１３の高さｈは、ホール注入層１０２ａの厚みと略同じ（例えば、１ｎｍ〜６０ｎｍ）とされている。図示例のように、ホール注入層１０２ａは、段差部１１３において分断されていることが好ましいが、実質的に分断された状態であってもよい。実質的に分断された状態は、例えば、段差部１１３において、ホール注入層１０２ａの厚みが、下部電極１００に対向する位置における厚みよりも薄い薄肉部が形成され、この薄肉部において抵抗が高い状態をいう。ホール注入の観点から、下部電極１００に接するホール注入層１０２ａに、抵抗の高い材料を用いることが困難であり、隣接する画素ＰＸ間で電流リークが生じやすい。このようなホール注入層１０２ａを分断または実質的に分断することにより、電流リークを効果的に抑制し得る。ホール注入層１０２ａを分断または実質的に分断する観点から、段差部１１３の高さｈは、下部電極１００に対向する位置におけるホール注入層１０２ａの厚みの１／１０以上であることが好ましく、さらに好ましくは１／２以上である。一方、段差部１１３の高さｈは、ホール注入層１０２ａの厚みの１．５倍以下であることが好ましく、さらに好ましくは１．２倍以下、特に好ましくは１．１倍以下である。
【００３６】
代表的には、ホール注入層１０２ａの上にはホール輸送層（図示せず）が配置される。ホール輸送層は、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等の材料で構成される。ホール輸送層の厚みは、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍである。１つの実施形態においては、段差部１１３の高さｈは、ホール輸送層を分断しない（実質的に分断しない場合も含む）ように決定される。このような形態によれば、ホール輸送層の上層に位置するかカソードが段差部１１３によって分断することを防止することができる。段差部１１３の高さｈは、ホール輸送層の厚み未満であることが好ましい。例えば、段差部１１３により、ホール注入層１０２ａが選択的に分断または実質的に分断され得るからである。
【００３７】
有機材料層１０２の他の一部１０２ｂは、複数の画素ＰＸに跨っている。他の一部１０２ｂを構成する層としては、例えば、ホール輸送層、電子ブロック層、ホールブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。有機材料層１０２の他の一部１０２ｂは、分断されずに複数の画素ＰＸに跨っているので、有機材料層１０２上に配置される上部電極１０４の分断、クラックが抑制できる。
【００３８】
図６は、図３に示す表示パネルのバンク付近の変形例の拡大断面図である。なお、図６においては、図３に示す下部電極１００より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示し、上部電極１０４より上に配置される構造を省略している。
【００３９】
上記実施形態では、段差部１１３はバンク１１２の上面の窪みであったが、本変形例では、段差部１１３は、上面が平坦なバンク１１２の上に導電膜１１２ａを部分的に設け、バンク１１２の上面と導電膜１１２ａとにより形成されている。導電膜１１２ａは、下部電極１００に直に接し、バンク１１２の上面の一部と側面（斜面）に対向するように形成されている。導電膜１１２ａは、下部電極１００からバンク１１２の周縁にかけて覆うように形成され、バンク１１２の上面中央部には形成されていない。
【００４０】
導電膜１１２ａの形成材料としては、例えば、アルミニウムや銀などの金属や、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物が用いられる。導電膜１１２ａの厚みは、上述の段差部１１３の高さに対応し得る。１つの実施形態においては、導電膜１１２ａの形成材料の透明性に応じて、段差部１１３の高さが決定される。具体例としては、導電膜１１２ａを金属膜である場合、段差部１１３の高さは１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４１】
図示例では、段差部１１３において、ホール注入層１０２ａは、下部電極１００に対向する位置における厚みよりも厚みが薄く高抵抗な状態とされているが、上記実施形態のように、ホール注入層１０２ａは分断されていてもよい。
【００４２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４３】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基材、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１０８  下部構造層、１１０  コンタクトホール、１１２  バンク、１１２ａ  導電膜、１１３  段差部、１１４  保護膜、１１６  配線。
【図１】
2019110007.tif 000003
【図２】
2019110007.tif 000004
【図３】
2019110007.tif 000005
【図４Ａ】
2019110007.tif 000006
【図４Ｂ】
2019110007.tif 000007
【図５】
2019110007.tif 000008
【図６】
2019110007.tif 000009