(57)【要約】  本発明は、半導体処理チャンバのためのプロセスキットを提供する。処理チャンバは、内部処理領域を画成するチャンバ本体を含む真空処理チャンバである。処理領域は処理のための基板を受容し、また、プロセスキットの装置部分を支持する。プロセスキットは、処理チャンバの処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナ（４１０）と、ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナ（４２０）とを含んでいる。ポンピングライナとＣチャネルライナは、処理領域からの処理ガス又は洗浄ガスのパラシティックポンピングを阻止するように設計された新規なインターロッキング特徴部（４１４、４２４）を有する。本発明は、更に、記載されたキットのような改善されたプロセスキットを有する半導体処理チャンバを提供する。一配置においては、チャンバはタンデム処理チャンバである。【選択図】  図６Ｂ
2007524236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理チャンバのためのプロセスキットであって、該真空処理チャンバが内部処理領域を画成するチャンバ本体を備え、該プロセスキットが、
該処理チャンバの該処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナであって、該ポンピングライナが上面と下面を有する周縁本体を備え、ここで、該本体が該本体に沿って配置された複数のポンピングホールを有する、前記ポンピングライナと、
該ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナであって、該Ｃチャネルライナが、
上面と下面を有する周縁本体部分と、
該Ｃチャネルライナの該本体部分の該上面に接近して配置された周縁上部アームと、
該Ｃチャネルライナの該本体部分の選ばれた放射状部分の周りに配置された下部アームであって、該下部アームが該Ｃチャネルライナの該本体部分の該底面に沿って配置された、前記下部アームと、
該Ｃチャネルライナの該本体部分、該上部アーム、該下部アーム、該ポンピングライナの外径の間に画成された該Ｃチャネルライナのチャネル部分であって、該Ｃチャネルライナがポンピングポートライナ開口部を有する、前記チャネル部分と、
を含む前記Ｃチャネルライナと、
を含み、
ここで、上部インターロッキング特徴部が該ポンピングライナの該上面と該Ｃチャネルライナの該上部アームとの間に形成され、
下部インターロッキング特徴部が該ポンピングライナの該下面と該Ｃチャネルライナの該下部アームとの間に形成され、
該上部と下部のインターロッキング特徴部が該処理領域内のパラシティックポンピングを阻止する、前記プロセスキット。
【請求項２】
該ポンピングライナが該Ｃチャネルライナ上に置かれるように構成されている、請求項１記載のプロセスキット。
【請求項３】
該上部インターロッキング特徴部が、
該ポンピングライナ本体の該上面に沿って周縁に配置されたショルダーと、
該上部アームに沿って周縁に配置された上部リップであって、該Ｃチャネルライナの該上部リップが該ポンピングライナ本体の該ショルダーとインターロックされるように構成された前記上部リップと、
を含む、請求項１記載のプロセスキット。
【請求項４】
該下部インターロッキング特徴部が、
該ポンピングライナ本体の該下面の放射状部分に沿って配置された下部リップと、
該下部アームの放射状部分に沿った下部ショルダーであって、該Ｃチャネルライナの該下部ショルダーが該ポンピングライナの該下部リップとインターロックするように構成された前記下部ショルダーと、
を含む、請求項１記載のプロセスキット。
【請求項５】
真空処理チャンバのためのプロセスキットであって、該真空処理チャンバが内部処理領域を画成するチャンバ本体を備え、該プロセスキットが、
該処理チャンバの該処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナであって、該ポンピングライナが、
周縁本体であって、該周縁本体が該周縁本体に沿って配置された複数のポンピングホールを有する前記周縁本体と、
該ポンピングライナ本体の上面に沿って周縁に配置されたショルダーと、
該ポンピングライナ本体の下面の放射状部分に沿って配置された下部リップと、
を含む前記ポンピングライナと、
該処理チャンバの該処理領域内に該ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナであって、該Ｃチャネルライナが、
周縁本体と、
上部アームと、
下部アームと、
該上部アーム、該下部アーム、該Ｃチャネルライナの該本体、該ポンピングライナの該本体によって画成されたチャネル部分と、
該上部アームに沿って周縁に配置された上部リップであって、該Ｃチャネルライナの該上部リップが該ポンピングライナ本体の該ショルダーとインターロックするように構成された前記上部リップと、
該下部アームの放射状部分に沿った下部ショルダーであって、該Ｃチャネルライナの該下部ショルダーが、該ポンピングライナの該下部リップとインターロックするとともにポンピングポートライナ開口部も設けるように構成された前記下部ショルダーと、
を含む前記Ｃチャネルライナと、
を含む前記プロセスキット。
【請求項６】
該処理領域において該ポンピングライナと該Ｃチャネルライナの下にあるように構成された中間ライナを更に備えている、請求項５記載のプロセスキット。
【請求項７】
該処理領域において該中間ライナの下にあるように構成された下部ライナを更に備えている、請求項６記載のプロセスキット。
【請求項８】
該真空処理チャンバが、該Ｃチャネルライナの該ポンピングポートライナ開口部と流体で連通しているポンピングライナを更に備えている、請求項５記載のプロセスキット。
【請求項９】
基板を処理するための真空処理チャンバであって、該真空処理チャンバが内部処理領域を画成するチャンバ本体と、該処理チャンバ内に配置されたプロセスキットを備え、該プロセスキットが、
該処理チャンバの該処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナであって、該ポンピングライナが、
周縁本体であって、該周縁本体が該周縁本体に沿って配置された複数のポンピングホールを有する前記周縁本体と、
該ポンピングライナ本体の上面に沿って周縁に配置されたショルダーと、
該ポンピングライナ本体の下面の放射状部分に沿って配置された下部リップと、
を含む前記ポンピングライナと、
該処理チャンバの該処理領域内に該ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナであって、該Ｃチャネルライナが、
周縁本体と、
上部アームと、
下部アームと、
該上部アーム、該下部アーム、該Ｃチャネルライナの該本体、該ポンピングライナの該本体で画成されたチャネル部分と、
該上部アームに沿って周縁に配置された上部リップであって、該Ｃチャネルライナの該上部リップが該ポンピングライナ本体の該ショルダーとインターロックするように構成された前記上部リップと、
該下部アームの放射状部分に沿った下部ショルダーであって、該Ｃチャネルライナの該下部ショルダーが、該ポンピングライナの該下部リップとインターロックするとともにポンピングポートライナ開口部も設けるように構成された前記下部ショルダーと、
を含む前記Ｃチャネルライナと、
を含む前記プロセスキットを含む前記真空処理チャンバ。
【請求項１０】
該Ｃチャネルライナの該ポンピングポートライナ開口部と流体で連通しているポンピングポートライナを更に備えている、請求項９記載の真空処理チャンバ。
【請求項１１】
該Ｃチャネルライナと該ポンピングポートライナとの界面と、
該ポンピングライナと該ポンピングポートライナとの界面と、
の間にシールを設けるシール部材を更に備えている、請求項１０記載の真空処理チャンバ。
【請求項１２】
該シール部材が、研磨アルミニウム、ポリマーコーティング、テフロン、セラミックス、及び石英からなる群より選ばれた材料から製造された少なくとも外面を有する、請求項１１記載の真空処理チャンバ。
【請求項１３】
基板を処理するためのタンデム真空処理チャンバであって、該タンデム真空処理チャンバが、
該チャンバ本体内に設けられた一組の内部処理領域を有するチャンバ本体であって、該内部処理領域が相互に流体で連通している前記チャンバ本体と、
該内部処理領域内のそれぞれに配置されたプロセスキットであって、各プロセスキットが、
それぞれの該処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナであって、該ポンピングライナが、
周縁本体であって、該周縁本体が該周縁本体に沿って配置された複数のポンピングホールを有する前記周縁本体と、
該ポンピングライナ本体の上面に沿って周縁に配置されたショルダーと、
該ポンピングライナ本体の下面の放射状部分に沿って配置された下部リップと、
を含むポンピングライナと、
該処理領域内の該ポンピングライナ本体の外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナであって、該Ｃチャネルライナが、
周縁本体と、
上部アームと、
下部アームと、
該上部アーム、該下部アーム、該Ｃチャネルライナの該本体、該ポンピングライナの該本体によって画成されたチャネル部分と、
該上部アームに沿って周縁に配置された上部リップであって、該Ｃチャネルライナの該上部リップが該ポンピングライナの該ショルダーとインターロックするように構成された前記上部リップと、
該下部アームの放射状部分に沿った下部ショルダーであって、該Ｃチャネルライナの該下部ショルダーが該ポンピングライナの該下部リップとインターロックするとともにポンピングポートライナ開口部を設けるように構成された前記下部ショルダーを含む前記Ｃチャネルライナと、
一対の上部ポンピングポートライナであって、各上部ポンピングポートライナがそれぞれのポンピングポートライナ開口部と流体で連通している前記上部ポンピングポートライナと、
を備えたプロセスキットを備えた前記タンデム真空処理チャンバ。
【請求項１４】
該内部処理領域が均圧ポートライナを通って相互に流体で連通して維持されている、請求項１３記載のタンデム真空処理チャンバ。
【請求項１５】
該均圧ポートライナの少なくとも外面が、研磨アルミニウム、ポリマーコーティング、テフロン、セラミックス、及び石英からなる群より選ばれた平滑な材料から製造されている、請求項１４記載のタンデム真空処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
【０００２】
[0001]本発明は、一般的には、半導体基板処理システムに関する。より詳細には、本発明は、半導体基板処理システムのための堆積チャンバに関する。
【０００３】
関連技術の説明
[0002]集積回路（ＩＣ）は半導体基板の表面上に不連続の半導体デバイスを形成することにより製造される。このような基板の一例は、シリコン（Ｓｉ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）ウエハである。半導体デバイスは、しばしば、何千という超小型デバイス（例えば、トランジスタ、キャパシタ等）が単一基板上に形成される非常に大規模に製造される。
【０００４】
[0003]基板上のデバイスを相互接続させるために、マルチレベルネットワークの相互接続構造が形成される。材料が基板上に層で堆積され、一連の制御されたステップで選択的に除去される。このようにして、種々の導電層が電子信号の伝達を促進するために相互に相互接続される。
【０００５】
[0004]半導体業界において膜を堆積する一つの方法は化学気相堆積、又は“ＣＶＤ”として知られている。ＣＶＤは、固有の及び不純物を添加したアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等を含む種々の種類の膜を堆積するために用いることができる。半導体ＣＶＤ処理は、一般的には、所望の膜を形成するために解離及び反応させる前駆ガスを加熱することによって真空チャンバ内で行われる。低温且つ比較的高い堆積速度で膜を堆積させるために、堆積中にチャンバ内で前駆ガスからプラズマが形成され得る。このようなプロセスは、プラズマ増強型化学気相堆積、又は“ＰＥＣＶＤ”として知られている。
【０００６】
[0005]所望の臨界寸法をもつ高アスペクト比特徴部の確実な形成は、正確なパターン形成と続いて基板のエッチングが必要である。基板上により正確なパターンを形成するためにしばしば用いられる技術はフォトリソグラフィである。この技術は、一般的には、レンズ、又は“レチクル”を通して基板上に光エネルギーを送ることを必要とする。従来のフォトリソグラフィ技術において、フォトレジスト材はまずエッチングすべき基板上に適用される。光レジストに関連して、レジスト材は放射線又は紫外光又はレーザソースのような“光エネルギー”に感受性がある。レジスト材は、用いられる特定の波長に、又は曝している異なる供給源に応答するように合わせるポリマーを決めることが好ましい。
【０００７】
[0006]基板上にレジストが堆積された後、光源は、例えば、レジストで覆われた基板上に送られる紫外（ＵＶ）光又は低Ｘ線光を放出するように作動する。選択された光源はフォトレジスト材の組成を化学的に変化させる。しかしながら、フォトレジスト層は選択的に曝されるだけである。この点で、フォトマスク又は“レチクル”は光源と処理されている基板との間に配置される。フォトマスクは基板に特徴部の所望の構造を含むようにパターン形成される。パターン形成フォトマスクは光エネルギーが基板表面上の正確なパターンを通過することを可能にする。曝された基礎にある基板材料は基板表面にパターン形成された特徴部を形成するためにエッチングすることができ、保持レジスト材が曝されていない基礎にある基板材料の保護コーティングとして残っている。この方法で、コンタクト、バイア、又は相互接続部を正確に形成することができる。
【０００８】
[0007]フォトレジスト膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、及び二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）のような種々の物質を含むことができる。最近、炭素をベースにした有効な膜がカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社によって開発された。その膜はＡｄｖａｎｃｅｄＰａｔｔｅｒｎｉｎｇ ＦｉｌｍＴＭ又は“ＡＰＦ”として知られている。ＡＰＦＴＭは、一般的には、ＳｉＯＮとアモルファス炭素又は“α-炭素”の膜を含んでいる。
【０００９】
[0008]炭素層は、一般的には、炭素源を含むガス混合物のプラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）により堆積される。ガス混合物は液体前駆物質又はガス前駆物質である炭素源から形成することができる。好ましくは、炭素源は気体の炭化水素である。例えば、炭素源はプロピレン（Ｃ３Ｈ６）であってもよい。Ｃ３Ｈ６の注入はプロセスチャンバ内のＲＦプラズマの生成が随伴する。ガス混合物は、更に、ヘリウム（Ｈｅ）又はアルゴン（Ａｒ）のようなキャリアガスを含むことができる。炭素質の層は、用途によっては、約１００オングストローム〜約２０,０００オングストロームの厚さに堆積することができる。
【００１０】
[0009]ＡＰＦＴＭのような炭素をベースにした（又は“有機”）膜を堆積するプロセスは、特に２,０００オングストローム/分を超える速度のような速い堆積速度で炭素残留物を生成する。この点において、炭素は基板だけでなく、内部チャンバ本体、基板支持体、キットパーツ、例えば、ライナやシャワーヘッド等にも堆積する。続いての堆積の間にチャンバ本体や他の部分の壁上の膜は割れたり、剥がれることがあり、汚染粒子が基板上に落ちる原因となる。これは基板上のレジスタ、トランジスタ、他のＩＣデバイスが損傷する原因となる。
【００１１】
[0010]ウエハ特徴部の汚染を減少させるために、ＰＥＣＶＤチャンバが堆積の間の微粒子を除去するために定期的に洗浄されなければならない。洗浄は、一般的には、空のチャンバに基板処理動作間のエッチングガスを通過させることによって行われる。エッチングプラズマは、三弗化窒素のようなフッ素含有ガスでもよい。炭素に基づく堆積に関連して、チャンバ壁上と種々のキットパーツ、例えば、ヒータ、シャワーヘッド、ライナ等に堆積された炭素膜と反応する酸素化学種を用いることができる。このことは、“ドライ洗浄”操作として知られている。
【００１２】
[0011]堆積チャンバのドライ洗浄は、一般的には、有機堆積チャンバのチャンバ壁の洗浄に効果がある。しかしながら、反応状態の酸素は寿命が短く、すぐに不活性な状態に再結合する。このことは、酸素プラズマが注入されるガスの主な流路、即ち、環状圧力リング、ヒータ領域等から離れたチャンバの領域に達するのに有効でないことを意味する。それ故、操作員は基板処理プロセスを定期的に停止するとともに、スクラビングのために堆積チャンバを分解することが必要である。これは“ウェット洗浄”プロセスとして知られている。
【００１３】
[0012]ＰＥＣＶＤ堆積チャンバがシラン又はＴＥＯＳに基づく場合、ウェット洗浄の介入プロセスはほとんど必要とされない。しかしながら、既知の炭素に基づくＰＥＣＶＤ堆積チャンバにおいて、ウェット洗浄の介入は数百回毎の基板処理サイクルの後に必要とされる。処理チャンバ内及びチャンバ壁上にある種々の固定物上における炭素残留物の問題が“パラスティックポンピング”現象により悪化することは、本明細書の発明者らによって認められた。このことは、処理ガスが処理チャンバから離れた領域に流れていることを意味し、定期的な分解とチャンバパーツのスクラビングを必要とする。この基板処理の中断は、半導体製造プロセスの処理能力や有益性に対する障害を示す。
【００１４】
[0013]それ故、ウェット洗浄介入の頻度を減少させるように構成される堆積チャンバが望ましい。更に、エッチングプラズマが効果的に洗浄することが難しい領域での炭素の侵入や炭素質残留物の蓄積を阻止する改善されたプロセスキットデザインが求められている。
【発明の概要】
【００１５】
[0014]本発明は半導体処理チャンバのプロセスキットを提供する。処理チャンバは、内部処理領域を画成するチャンバ本体を含む真空処理チャンバである。プロセスキットは、処理チャンバの処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナとポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナとを含んでいる。ポンピングライナとＣチャネルライナは、処理領域から処理又は洗浄ガスのパラサイティックポンピングを阻止するように設計されたインターロッキング特徴部を有する。
【００１６】
[0015]一実施形態においては、ポンピングライナは周縁本体、ポンピングライナ本体に沿って配置された複数のポンピングホール、ポンピングライナ本体の上部表面に沿って周縁に配置されたショルダー、ポンピングライナ本体の下部表面の放射状部分に沿って配置された下部リップを備えている。一実施形態においては、Ｃチャネルライナは周縁本体、上部アーム、下部アーム、プロセスガスを受容するためのチャネル部分、上部アームに沿って周縁に配置された上部リップ、下部アームの放射状部分に沿って存在する下部ショルダーを備えている。Ｃチャネルライナの上部リップは、ポンピングライナのショルダーとインターロックするように構成され、Ｃチャネルライナの下部ショルダーは、ポンピングライナの下部リップとインターロックするように構成されている。
【００１７】
[0016]本発明は、更に上記キットのような、インタロッキングプロセスキットを有する半導体処理チャンバを提供する。一配置においては、チャンバはタンデム処理チャンバである。チャンバはＣチャネルライナのチャネル部分と流体で連通している上部ポンピングポートライナを含むこともできる。
【００１８】
[0017]本発明の上記特徴が詳細に理解され得るように、本発明の実施形態のより具体的な説明は添付の図面によって参照することができる。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示し、それ故、本発明の範囲を制限するものとみなされないことは留意すべきである。
【発明の実施形態の説明】
【００１９】
[0026]図１は、例示的な半導体処理システム１００を示す平面図である。処理システム１００は、以下に記載される本発明のプロセスキットを受容する処理チャンバ１０６を含んでいる。説明的なチャンバ１０６は処理能力を更に高めるために対になっている。
【００２０】
[0027]システム１００は、一般的には、複数の異なる領域を含んでいる。第一領域はフロントエンドステージング領域１０２である。フロントエンドステージング領域１０２は、処理が行われるまでウエハカセット１０９を支持する。また、ウエハカセット１０９は基板又はウエハ１１３を支持する。ロボットのようなフロントエンドウエハハンドラ１１８は、ウエハカセットターンテーブルに隣接したステージングプラットフォーム上に取り付けられている。次に、システム１００はロードロックチャンバ１２０を含んでいる。ウエハ１１３はロードロックチャンバ１２０内に装填され、そこから取り出される。好ましくは、ロードロックチャンバ１２０内に配置されたロードロックカセットに基板１１３を装填するための準備として、フロントエンドェハハンドラ１１８には各ウエハカセット１０９における基板１１３を指示するウエハマッピングシステムが含まれている。次に、搬送チャンバ１３０が設けられている。搬送チャンバ１３０は、ロードロックチャンバ１２０から受容する基板１１３を処理するウエハハンドラ１３８を収容する。ウエハハンドラ１３８は搬送チャンバ１３０の底面に取り付けられる。ウエハハンドラ１３８は密封可能な通路１３６を通ってウエハを分配する。スリットバルブアクチュエータ１３４は通路１３６のシーリング機構を作動させる。通路１３６は、プロセスチャンバ１４０内のウエハ通路２３６と対になって（図２に示されている）ウエハヒータペデスタル（図２に２２８で示されている）の上に配置する処理領域内に基板１１３が入ることを可能にする。
【００２１】
[0028]バックエンド１０８は、システム１００の動作のために必要とされる種々の支持ユーティリティ（図示せず）を収容するために設けられている。このようなユーティリティの例としては、ガスパネル、電力分配パネル、発電機が挙げられる。システムは、種々のプロセスと支持チャンバハードウェア、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、エッチングを収容するように適合できる。下記の実施形態は、３００ｍｍＡＰＦ堆積チャンバに使うシステムに関する。しかしながら、他のプロセスとチャンバ構造を本発明が企図していることは理解すべきである。
【００２２】
[0029]図２は、比較のための堆積チャンバ２００を示す断面概略図である。堆積チャンバは、炭素ドープ酸化シリコン副層のような、炭素をベースにしたガス状物質を堆積させるためのＣＶＤチャンバである。この図は、アプライドマテリアルズ社によって現在製造されているＰｒｏｄｕｃｅｒＳ(登録商標)ＡＰＦチャンバの特徴に基づいている。Ｐｒｏｄｕｃｅｒ(登録商標)ＣＶＤチャンバ（２００ｍｍ又は３００ｍｍ）は、炭素ドープ酸化シリコンと他の物質を堆積させるために用いることができる、二つの分離された処理領域を有する。二つの分離された領域を有するチャンバは米国特許第５８５５,６８１号に記載され、この開示内容は本明細書に援用されている。
【００２３】
[0030]チャンバ２００は、内部チャンバ領域を画成する本体２０２を有する。別個の処理領域２１８と２２０が設けられている。各チャンバ２１８、２２０は、チャンバ２００内の基板（図示せず）を支持するためのペデスタル２２８を有する。ペデスタル２２８は、典型的には加熱素子（図示せず）を含んでいる。好ましくは、ペデスタル２２８は駆動システム２０３に接続されるチャンバ本体２０２の底面を通って伸びるステム２２６によって各処理領域２１８、２２０に移動可能に配置される。内部移動可能リフトピン（図示せず）は、基板の下面と契合するようにペデスタル２２８に設けられることが好ましい。好ましくは、支持リング（図示せず）もペデスタル２２８上に設けられる。支持リングは、カバーリングと捕捉リングを含む多成分基板支持アセンブリの一部であってもよい。リフトピンは、処理前の基板を受容するために、又は次のステーションに搬送するために堆積後の基板を持ち上げるためリングに作用する。
【００２４】
[0031]処理領域２１８、２２０の各々は、また、好ましくは、処理領域２１８、２２０にガスを分配するためチャンバリッド２０４を通して配置されるガス分配アセンブリ２０８を含んでいる。各処理領域のガス分配アセンブリ２０８は、通常、シャワーヘッドアセンブリ２４２内にガスを分配するガス注入通路２４０を含んでいる。シャワーヘッド２４２はブロッカープレート２４４がフェースプレート２４６の中間に配置された環状ベースプレート２４８から構成されている。シャワーヘッドアセンブリ２４２は、ガス状混合物が処理中に注入される複数のノズル（図示せず）を含んでいる。シャワーヘッドアセンブリ２４２は、例えば、プロピレンやアルゴンのガスを基板の上に下向きに送り、それによってアモルファス炭素膜を堆積させる。ＲＦ（高周波）フィードスルーは、シャワーヘッド２４２のフェースプレート２４６とヒータペデスタル２２８の間にプラズマを容易に生成させるようにシャワーヘッドアセンブリ２４２にバイアス電位を供給する。プラズマ増強型化学気相堆積プロセスの間、ペデスタル２２８はチャンバ壁２０２内のＲＦバイアスを生成するためのカソードとしての役立つことができる。カソードは、堆積チャンバ２００に静電場を生成するために電極電源に電気的に結合されている。典型的には、ＲＦ電圧はカソードに印加され、チャンバ本体２０２は電気的に接地されている。ペデスタル２２８に印加される電力は、基板の上面に負電圧を形で基板バイアスを生じる。この負電圧は、チャンバ２００に形成されたプラズマから基板の上面にイオンを引き付けるために用いられる。より垂直に向いた異方性堆積と、洗浄の間、基板のより垂直に向いた異方性エッチングを与えるために、容量電場は基板に向かって誘導形成されたプラズマ化学種を加速させるバイアスを生じる。
【００２５】
[0032]シャワーヘッドアセンブリを通して分配された気体の炭化水素は安定であると考えられ、チャンバ２００全体に流すことができる。図３は、概略的な形式で図２のチャンバ本体２０２を示す部分的断面図である。矢印はチャンバ２００内の主要なガス流路と寄生ガス流路を示している。主要なガス流路は矢印Ｐｒで示され、寄生ガス流路は矢印Ｐａで示されている。主要なガス流路Ｐｒは好ましい流路であるが、寄生ガス流路Ｐａは望ましくない。寄生ガス流路Ｐａはチャンバ２００内で種々のキットパーツと接触するとともに密封されていない領域に漏れることがある。上で述べたように、チャンバ２００内の種々のパーツと密封されていない領域から炭素残留物に到達し十分洗浄するために堆積チャンバ２００の定期的なウェット洗浄が求められている。
【００２６】
[0033]図３のチャンバは非常に概略的である。図及びこの開示から当業者は、パラシティックポンピングが処理チャンバのプロセスキットを作る種々のライナと他のハードウェア間のギャップに生じてしまうことが理解される。パラシティックポンピングを受けやすいこのような領域は、（１）上部ライナとフェースプレート間のギャップ；（２）Ｃチャネルライナと上部ライナ間のギャップ；（３）スリットバルブチャネル；（４）Ｃチャネルライナとスリットバルブトンネルの中間ライナ間のギャップ；（５）中間ライナと底面ライナ間のギャップ；（６）周囲の充填材と中間ライナ間のギャップ等を含んでいる。
【００２７】
[0034]図４は堆積チャンバ４００の一部を示す斜視図である。堆積チャンバ４００は、一実施形態において本発明のプロセスキット４０を含んでいる。チャンバ本体４０２は、基板処理領域４０４を画成し且つプロセスキット４０の種々のライナを支持するために設けられている。ウエハスリット４０６はチャンバ本体４０２に見られ、スリットを通るウエハを画成している。この方法において、基板はチャンバ４０４の内外に選択的に移動することができる。基板は中空チャンバ内に示されていない。スリット４０６は、ゲート装置（図示せず）によって選択的に開閉される。ゲート装置はチャンバ本体４０２によって支持されている。ゲートは、基板処理の間、チャンバ環境を隔離する。
【００２８】
[0035]チャンバ本体４０２は、好ましくは、酸化アルミニウム又は他のセラミック化合物から製造される。セラミック材は熱導電性が低いために好ましい。チャンバ本体４０２は円筒形又は他の形状であってもよい。例示的な図４の本体４０２は多角形外部側面と円形の内径を有する。しかしながら、本発明は処理チャンバのいずれの特定の構造又はサイズに限定されない。
【００２９】
[0036]述べたように、本体４０２は一連のライナと他の交換可能な処理パーツを支持するように構成される。これらの処理パーツは、一般的には、使い捨てであり、具体的なチャンバ適用又は構造に特異的な“プロセスキット”４０の一部である。プロセスキットは上面ポンピングライナ、中間ライナ、下部ライナ、ガス分配プレート、ガス拡散プレート、ヒータ、シャワーヘッド、又は他のパーツを含むことができる。あるライナは完全に形成することができる。しかしながら、いくつかの適用においてライナ間の熱膨張を可能にするために一緒に積み重ねられる別個のライナを与えることが好ましい。図７は、一実施形態においてプロセスキット４０を示す斜視図である。プロセスキット４０のライナと他の装置は、堆積チャンバ４００上に分解して示されている。図７のチャンバ４００は以下でより詳細に述べられる。
【００３０】
[0037]図５は、図４の説明的堆積チャンバ４００を示す破断斜視図である。チャンバ本体４０２の形状がより明らかに見られ、本体４０２の側面４０８と底面４０９部分を含んでいる。開口部４０５は、本体４０２の側面部４０８に形成されている。開口部４０５は堆積、エッチング又は洗浄プロセスの間、プロセスガスを受容するためのチャネルとして働く。
【００３１】
[0038]基板は処理領域４０４内に示されていない。しかしながら、図２のペデスタル２２８のようなペデスタル上の処理領域４０４内に基板が支持されることが理解される。ペデスタルは、本体４０２の底面部４０９の開口部４０６を通って伸びるシャフトによって支持されている。更に、ガス処理システム（図５に図示せず）がチャンバ４００に設けられていることが理解される。説明的チャンバ４００においてガスコンジットを受容するために開口部４７８が設けられている。コンジットはガスボックス（図７の４７２に見られる）にガスを分配する。そこから、ガスは処理領域４０４に分配される。
【００３２】
[0039]堆積チャンバのプロセスキット４０のあるパーツは、図４と図５に見える。これらは、上面ポンピングライナ４１０、支持周辺チャネルライナ４２０、中間ライナ４４０、底面ライナ４５０を含んでいる。述べたように、これらのライナ４１０、４２０、４４０、４５０は、以下で図７とともにより詳細に図示され記載される。以下で図６Ａとともにより詳細に図示され記載されるように、シール部材４２７はポンピングポートライナ４４２を備えた周辺チャネルライナ４２０の界面とポンピングポートライナ４４２を備えたポンピングライナ４１０の界面に示されている。
【００３３】
[0040]図６は、図５のチャンバ本体４０２を示す他の斜視図である。図５からの符号が、いくつか場合に繰り返されている。図６は、破断図から曝された二つの領域を強調するために示されている。これら二つの断面積は面積６Ａと面積６Ｂである。図６Ａと図６Ｂに示されるチャンバ４００の特徴部は、図６Ａと図６Ｂのそれぞれの拡大断面図により明明らかに見られる。これらの特徴部も以下で詳細に記載される。
【００３４】
[0041]図７は、チャンバ本体部分４００を示す破断図である。この場合、チャンバ本体４００はタンデム処理チャンバを表している。一実施例は、アプライドマテリアルズ社によって製造されたＰｒｏｄｕｃｅｒＳチャンバである。プロセスキット４０の種々のパーツが、本体４０２の右側の処理領域４０４から上がって見られる。
【００３５】
[0042]図７の図に見られる装置の最初の部品は上部カバー４７０である。上部カバー４７０は処理領域内の中心に位置し、チャンバリッド（図示せず）から突き出ている。上部カバー４７０は、あるガス分配装置を支持するプレートとして働く。この装置は、ガス供給コンジット（見られない）を通ってガスを受容するガスボックス４７２を含んでいる。（コンジットは、図５で見られるようにチャンバ本体４０２の底面４０９の開口部４７８を通って挿入される）。ガスボックス４７２はガス注入口４７６にガスを送る。ガス注入口４７６は、上部カバー４７０の中心まで上に伸びるアームを画成する。このようにして、処理ガスと洗浄ガスは、基板上の処理領域４０４の中心に導入することができる。
【００３６】
[0043]ＲＦ電力はガスボックス４７２に供給される。このことは処理ガスからプラズマを生成する働きをする。一定の電圧勾配４７４がガスボックス４７２とガス注入口４７６間に配置される。ガスがガスボックス４７２から処理領域４０４内の接地ペデスタルに向かって移動するにつれて、一定の電圧勾配４７４、又は“ＣＶＧ”が電力レベルを制御する。
【００３７】
[0044]上部カバー４７０のすぐ下にはブロッカープレート４８０がある。ブロッカープレート４８０は上部カバー４７０の下に同心に配置されたプレートを画成している。ブロッカー４８０は複数のボルト穴４８２を含んでいる。ボルト穴４８２は、通し開口部として働き、ブロッカープレート４８０を上部カバー４７０に固定するためにねじ又は他のコネクタを配置することができる。間隔は、ブロッカープレート４８０と上部カバー４７０の間で選ばれる。ガスは処理中にこの間隔に分配され、その後、複数の穿孔４８４によってブロッカープレート４８０を通って分配される。このようにして、処理ガスをチャンバ４００の処理領域４０４に均等に分配することができる。ブロッカープレート４８０も、ガスが拡散されるにつれて高圧を低下させる。
【００３８】
[0045]ブロッカープレート４８０の下にシャワーヘッド４９０がある。シャワーヘッド４９０は上部カバー４７０の下に同心に配置されている。シャワーヘッド４９０は、基板（見られない）上に下向きにガスを送る複数のノズル（図示せず）を含んでいる。フェースプレート４９６と絶縁リング４９８はシャワーヘッド４９０に固定されている。絶縁リング４９８はチャンバ本体４０２からシャワーヘッド４９０を電気的に絶縁させる。絶縁リング４９８は、好ましくは、テフロン又はセラミックのような平滑で比較的耐熱性のある材料から製造される。
【００３９】
[0046]上部ライナ、又は“ポンピングライナ”４１０がシャワーヘッド４９０の下に配置されている。図７の実施形態においては、ポンピングライナ４１０は周囲に配置された複数のポンピングホール４１２を有する周縁本体を画成する。図７の配置において、ポンピングポール４１２は等距離に隔置されている。ウエハ処理プロセス中、真空が上部ライナの裏側から引っぱられ、ポンピングホール４１２を通って（チャネル領域４２２にガスが流れる図６Ａと図６Ｂでより明らかに見られる）。ポンピングホール４１２は図３の概略図に示されるように、処理ガスに主要な流路を与える。
【００４０】
[0047]図６Ａと図６Ｂの拡大断面図に戻ると、上部ライナ４１０の特徴部がより容易に見ることができる。図６Ａは、図６からの断面積６Ａを示す拡大図である。同様に、図６Ｂは図６からの断面積６Ｂを示す拡大図である。ポンピングライナ４１０は、これらの拡大図のそれぞれに見える。
【００４１】
[0048]ポンピングライナ４１０は周縁本体４１０を画成し、複数のポンピングポート４１２を保持する働きをする。図７の配置において、ポンピングライナ４１０は、上面席上の上部リップ４１４と下面積に沿った下部ショルダー４１６を含んでいる。一態様においては、上部リップ４１４は上部ライナ４１０の半径から外向きに伸び、下部ショルダー４１６は内向きに放射状に伸びている。このため、上部リップは図６Ａと図６Ｂの双方に見える。しかしながら、下部ショルダー４１６は上部ライナ４１０を円周方向に包含していないが、上部ポンピングポートライナ４４２の領域に開放されている。
【００４２】
[0049]図５に戻ると、チャンバ４００は、次に、周縁チャネルライナ４２０を含んでいる。周縁チャネルライナ４２０は、図６Ｂの拡大断面図により明らかに見られる構造を有する。
【００４３】
[0050]図６Ｂを再び見ると、周縁チャネルライナ４２０は上部アーム４２１、下部アーム４２３、中間チャネル領域４２２を有する。上部アーム４２１はその中に形成された上部ショルダー４２４を有する。上部ショルダー４２４はポンピングライナ４１０の上部リップ４１４を受容するように構成されている。同時に、下部アーム４２３は上部ライナ４１０の下部ショルダー４１６を受容するように構成されている。上部ライナ４１０と周縁チャネルライナ４２０間のインターロッキング配置は、望まないパラシティックポンピングをかなり低下させる遠回りの界面を与える。このようにして、ガスがチャンバ４００の処理領域４０４からポンピングライナ４１０のポンピングホール４１２を通って排気されるにつれて、ガスは周縁チャネルライナ４２０を通って優先的に排気され、上部ライナ４１０と周縁チャネルライナ４２０間の界面で失われない。
【００４４】
[0051]ポンピングライナ４１０の上部リップ４１４と周縁チャネルライナ４２０の上部ショルダー４２４間のインターロッキング関係は説明だけのものであることは留意すべきである。同様に、ポンピングライナ４１０の下部ショルダー４１６と周縁チャネルライナ４２０の下部リップ４２６間のインターロッキング関係も説明だけのものである。この点で、処理ガス、洗浄ガス又はエッチングガスのパラシティックポンピングを阻止するためにポンピングライナ４１０と周縁チャネルライナ４２０間の任意のインターロッキング配置を含むことは本発明の範囲内である。例えば、限定されないように、ポンピングライナ４１０の上部リップ４１４と下部ショルダー４１６の双方が上部ライナ４１０の半径から外向きに伸びるように構成されることができる。このような配置において、周縁チャネル４２０の下部リップ４２６はポンピングライナ４１０の下部ショルダーとインターロックするように再構成される。
【００４５】
[0052]図６Ａ、図６Ｂ、図７のプロセスキット４０の配置において、上部ショルダー４２４は、上部アーム４２１に沿って周縁に配置される。このため、上部ショルダー４２４は図６Ａと図６Ｂの双方に見える。しかしながら、下部リップ４２６は周縁チャネルライナ４２０を周縁に包含せずに、上部ポンピングポートライナ４４２の領域で開放されている。従って、放射状部分はポンピングポートライナ開口部４２９を形成するために開放されている。
【００４６】
[0053]図６に示された破断斜視図から示されるように、面積６Ａと６Ｂはチャンバ４００の対向端を示している。面積６Ａからの破断端は、“ポンピングポートライナ”４４２、４４４と呼ばれるガス排気口を含んでいる。上部ポンピングポートライナ４４２は、周縁チャネル４２２ライナ４２０の下に設けられている。下部ポンピングポートライナ４４４は上部ポートライナ４４２と流体で連通して設けられている。その後、ガスは下部ポンピングポートライナ４４４の外側から、排気システムによって処理チャンバ４００から離れて排気することができる。
【００４７】
[0054]ポンピングポートライナ４４２、４４４の領域でパラシティックポンピングを更に制限するために、シール部材４２７が周縁チャネルライナ４２０と上部ポンピングポートライナ４４２間の界面と、上部ライナ４１０と上部ポンピングポートライナ４４２間の界面に設けられる。シール部材は、図７と図６Ｂ双方において４２７に見える。好ましくは、シール部材４２７は上部ポンピングポートライナ４４２を包含する円形リングを画成する。シール部材４２７は、好ましくはテフロン材料から製造され、そうでなければ非常に研磨された表面を含んでいる。シール４２７は、更に、周囲のチャネルライナ４２０がポンピングポートライナ４４２、４４４とインターロックするとともにガス漏れを制限することを可能にする。
【００４８】
[0055]図７に戻ると、中間ライナ４４０は、次に、周縁チャネルライナ４２０の下に配置される。中間ライナ４４０はスリット４３２のレベルで処理領域４０４にある。中間ライナ４４０がＣ型ライナであり円形でないことは、図７から見ることができる。中間ライナ４４０内の開放領域は、プロセスチャンバ４００に導入されるにつれて、ウエハを受容するように構成される。中間ライナ４４０は図６Ａと図６Ｂの双方で部分的に見ることができ、Ｃチャネルライナ４２０と上部ライナ４１０の下にある。
【００４９】
[0056]また、底面ライナ４５０は図７で見える。図７の配置において、底面ライナ４５０は中間ライナ４４０の下のチャンバ４００に配置されている。底面ライナ４５０は中間ライナ４４０とチャンバ４００の底面４０９との間にある。
【００５０】
[0057]選ばれたライナが相互に欠くことができないプロセスキットを用いることが本発明の範囲内にあるという点で留意すべきである。例えば、中間ライナ４４０は下部ライナ４５０と一体に形成され得る。同様に、上部ライナ４１０は周縁チャネルライナ４２０に欠くことができないものであり得る。しかしながら、例えば、種々のライナ、例えば、ライナ４１０、４２０、４４０、４５０は別個であることが好ましい。このことは、加熱プロセス中の熱膨張によって誘発される亀裂のリスクをかなり低減させる。別個であるがインターロッキングするポンピングライナ４１０と周縁チャネルライナ４２０を使うと、プロセスチャンバのプロセスキットの改善された新規な配置が得られる。
【００５１】
[0058]図７に見られる追加のプロセスキット部品は、充填部材４３０と均圧ポートライナ４３６を含んでいる。充填部材４３０は、これらのライナ４４０、４５０の外径と取り囲んでいるチャンバ本体４０２との間の空間を充填するために、中間ライナ４４０と底部ライナ４５０の周りに配置される。充填部材４３０が存在すると、残留物がライナ４４０、４５０の後ろに形成することを保つことによって、ライナ４４０、４５０の後ろに炭素残留物が集まるチャネル形成を助ける。
【００５２】
[0059]中間ライナ４４０のような充填部材４３０は完全な円周でないことは留意される。この点で、開放部分は、二つのプロセス領域４０４間が流体で連通するために充填部材４３０で保持される。均圧ポートライナ４３６は、サイズのオリフィスを画成することによって二つのプロセス領域４０４間の流体の連通を制御する。均圧ポートライナ４３６の存在は、二つの処理領域４０４間の圧力が同じままであることを保証する。
【００５３】
[0060]この点で充填部材４３０、均圧ポートライナ４３６、上部４４２と下部４４４のポンピングポートライナは、好ましくは非常に平滑化された材料で被覆されることも留意される。一実施例は、光沢アルミニウムコーティングである。非常に平滑な表面を備えた他の材料、例えば、１５Ｒａ未満（あらさ平均）は、表面上に蓄積する堆積物を低減させるのを援助する。このような平滑な材料は、研磨アルミニウム、ポリマーコーティング、テフロン、セラミックス、石英であってもよい。
【００５４】
[0061]チャンバパーツ上の堆積低減を更に促進させるため、スリットバルブライナ４３４がスリット４３２に沿って設けられる。スリットライナ４３４は、同様に好ましくは、上述されたもののような非常に平滑化された材料から製造される。
【００５５】
[0062]堆積又はエッチングプロセスの間、処理領域４０４は加熱されることが好ましい。このために、ヒータ（図示せず）はウエハを支持するためのペデスタルを備えている。ヒータペデスタルは図７のチャンバ配置４００において４６２で見られる。ヒータは、プラズマ洗浄プロセスの間、１１０℃を超える温度に作動させることが特に好ましい。或いは、オゾンはプラズマを解離させるのに必要ではないので、洗浄ガスとしてオゾンを用いることが可能である。
【００５６】
[0063]図７を再び参照すると、ペデスタルアセンブリ４６０が示されている。ペデスタルアセンブリ４６０は処理の間基板を支持する働きをする。ペデスタルアセンブリ４６０はヒータプレート４６２だけでなく、シャフト４６８、ピンリフト４６４、これらの周りに配置されたリフトフープ４６６を含んでいる。ピンリフト４６４とリフトフープ４６６は、ヒータプレート４６２上のウエハを選択的に上げることを助ける。ピンホール４６７は、リフトピン（図示せず）を受容するヒータプレート４６２内に配置される。
【００５７】
[0064]図７のＡＦＰＴＭチャンバ４００は説明的であり、本発明の改善がＰＥＣＶＤを行うことができるあらゆる堆積チャンバに実行可能であることは理解される。従って、本発明の他の実施形態を示すことができる。例えば、ポンピングライナ４１０の内径は、周縁チャネルライナ４２０の内径より小さくてもよい。上部ポンピングライナ４１０の、この面積の縮小はポンピングポート４０５の内径を縮小させる働きをし、それによって処理領域４０４からポンピングポート４０５を通って移動するガスの速度を増加させる。チャンバ表面に炭素含有残留物の蓄積の機会を減少させるので、ガス速度の増加が望ましい。また、ライナは非常に平滑な表面を有する物質から製造されることが望ましい。このことは、表面上に蓄積するアモルファス炭素堆積を減少させる働きをする。このような材料の例としては、また、研磨アルミニウム、ポリマーコーティング、テフロン、セラミックス、石英が挙げられる。
【００５８】
[0065]炭素含有堆積物は、より暖かい表面より、より冷たい表面で蓄積することも留意される。この現象のため、炭素含有堆積物は、堆積チャンバに関連したポンピングシステム上で優先的に蓄積する傾向がある。ポンピングシステムは、好ましくは、優先的な蓄積を減少させるために８０℃を超える温度に加熱される。或いは、又は更に、冷却トラップは、未反応の炭素含有前駆物質と炭素含有副生成物を集めるためにポンピングシステムに統合できる。冷却トラップは、規則的な整備間隔で洗浄又は交換することができる。
【００５９】
[0066]上記は本発明の実施形態に関するが、更に多くの本発明の実施形態がその基本的な範囲から逸脱することなく構成させることができる。例えば、真空処理チャンバのためのプロセスキットの一実施形態が提供され、処理チャンバの処理領域内に配置されるように構成された周縁ポンピングライナと、ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成された周縁チャネルライナを備えている。ポンピングライナは、上部表面と下部表面、本体に沿って配置された複数のポンピングホールを有する周縁本体を含むことができる。周縁チャネルは、上部表面と下部表面を有する周縁本体部分；周縁チャネルライナの本体部分の上面に接近して配置された周縁上部アーム；周縁チャネルライナの本体部分の選ばれた放射部分の周りに配置された下部アーム、下部アームは周縁チャネルライナの本体部分の底面端に沿っている、本体部分と上部アームと下部アームとポンピングライナの外径との間に画成された周縁チャネルライナにおけるチャネル部分を備えることができる。上部インターロッキング特徴部は、ポンピングライナの上部表面と周縁チャネルライナの上部アームとの間に備えられている。同様に、下部インターロッキング特徴部は、ポンピングライナの下部表面と周縁チャネルライナの下部表面との間に設けられる。上部と下部のインターロッキング特徴部は、ウエハの処理の間、処理領域内のパラシティックポンピングを阻止する働きをする。
【００６０】
[0067]一実施形態においては、プロセスキットは、Ｃチャネルライナのポンピングポートライナ開口部と流体で連通しているポンピングポートライナを含むプロセスチャンバ内に配置される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、例示的な半導体処理システムを示す平面図である。処理システムは、本発明のプロセスキットを受容する堆積チャンバの一部を含んでいる。
【図２】図２は、比較のための説明的堆積チャンバを示す断面図である。図２のチャンバはツイン又は“タンデム”チャンバである。しかしながら、本明細書に記載されるプロセスキットは単一チャンバの設計で用いることができることが理解される。
【図３】図３は、典型的なチャンバ本体を示す部分断面図である。チャンバ本体は、ガス流路を示すために概略的な方法で示されている。矢印はチャンバ内の主要なガス流路と寄生ガス流路を示している。
【図４】図４は、堆積チャンバの一部を示す斜視図である。チャンバ本体は、基板処理領域を画成し、また、種々のライナを支持するために示されている。ウエハスリットバルブはチャンバ本体に見られ、ウエハ通過スリットを備えている。
【図５】図５は、図４の説明的堆積チャンバを示す破断斜視図である。図５には、取り囲んだＣチャネルライナが支持した、上部ライナ、又は“ポンピングライナ”が見える。
【図６】図６は、図５のチャンバ本体を示し、破断図から曝された二つの領域が強調されている。これらの二つの断面積は領域６Ａと領域６Ｂとして示されている。
【図６Ａ】図６Ａは、図６からの断面積６Ａの拡大図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、同様に図６からの断面積６Ｂの拡大図である。上部ライナと支持しているＣチャネルライナはそれぞれの図に見られる。
【図７】図７は、図４のチャンバ本体部分を示す組立分解図である。この図において、プロセスキットからの種々のライナが、一実施形態においては、より明らかに確認することができる。
【符号の説明】
【００６２】
４０…プロセスキット、１００…半導体処理システム、１０６…処理チャンバ、１０２…フロントエンドステージング領域、１０８…バックエンド、１０９…ウエハカセット、１１３…ウエハ、１１８…フロントエンドウエハハンドラ、１２０…ロードロックチャンバ、１３０…搬送チャンバ、１３４…スリットバルブアクチュエータ、１３６…シール可能な通路、１３８…ウエハハンドラ、１４０…プロセスチャンバ、２００…堆積チャンバ、２０２…本体、２０３…駆動システム、２０８…ガス分配アセンブリ、２１８…処理領域、２２０…処理領域、２２６…ステム、２２８…ペデスタル、２４２…シャワーヘッドアセンブリ、４００…堆積チャンバ、４０２…チャンバ本体、４０４…基板処理領域、４０６…ウエハスリット、４０８…側面、４０９…底面、４１０…上部ポンピングライナ、４１２…ポンピングポート、４１４…上部リップ、４１６…下部ショルダー、４２０…周縁チャネルライナ、４２１…上部アーム、４２３…下部アーム、４２４…上部ショルダー、４２６…下部リップ、４２７…シール部材、４２９…ポンピングポートライナ、４３０…充填部材、４３２…スリット、４３４…スリットバルブライナ、４６０…ペデスタルアセンブリ、４３６…均圧ポートライナ、４４０…中間ライナ、４４２…ポンピングポートライナ、４４４…下部ポンピングポートライナ、４５０…底面ライナ、４６２…ヒータプレート、４６４…ピンリフト、４６７…ピンホール、４６８…シャフト、４７０…上部カバー、４７２…ガスボックス、４７６…ガス注入口、４７８…開口部、４８０…ブロッカープレート、４８２…ボルトホール、４８４…穿孔、４８６…リフトフープ、４９０…シャワーヘッド、４９６…フェースプレート、４９８…絶縁リング。
【図１】
2007524236.tif 000003
【図２】
2007524236.tif 000004
【図３】
2007524236.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図６Ａ】
2007524236.tif 000009
【図６Ｂ】
2007524236.tif 000010
【図７】
2007524236.tif 000011
【国際調査報告】
2007524236.tif 000012
2007524236.tif 000013
2007524236.tif 000014