(57)【要約】  本発明に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーは、チェンバーボディー、プラズマソースコイル及び縁部ブッシングを含む。チェンバーボディーでは、側壁、下部の外壁及び上部のドームによって、プラズマが形成される反応空間が提供される。プラズマソースコイルは、反応空間内にプラズマを形成するためのもので、ドーム上に配置されている。プラズマソースコイルは、複数の単位コイルからなり、各単位コイルは、所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、中央部ブッシングの周りに所定の数だけ巻回されて螺旋状に配置されている。そして、縁部ブッシングは、チェンバーボディーのドームとプラズマソースコイルとの間に配置され、特に、反応空間内に配置されるウェハの縁部と重なるよう環状に形成されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁、下部の外壁及び上部のドームによってプラズマが形成される反応空間を限定するチェンバーボディー；
前記ドーム上に配置され、前記反応空間内にプラズマを形成するため、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示し、２以上の整数である）で計算される巻回数ｎを有する単位コイルが、中央部で所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、前記中央部ブッシングの外周に沿って螺旋状に配置されるプラズマソースコイル；及び
前記チェンバーボディーのドームと前記プラズマソースコイルとの間に配置されるとともに、前記反応空間内に配置されるウェハの縁部と重なる環状の縁部ブッシングを含むプラズマチェンバー。
【請求項２】
前記縁部ブッシングは、セラミックまたはポリマーからなる請求項１に記載のプラズマチェンバー。
【請求項３】
側壁、下部の外壁及び上部のドームによってプラズマが形成される反応空間を限定するチェンバーボディー；及び
前記ドーム上に配置され、前記反応空間内にプラズマを形成するため、複数の単位コイルが複数の巻回数を有して中央部で所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、前記中央部ブッシングの外周に沿って螺旋状に配置され、ウェハの縁部における前記ドームからの離間距離が前記ウェハの中心部における前記ドームからの離間距離よりも大きいプラズマソースコイルを含むプラズマチェンバー。
【請求項４】
前記各単位コイルは、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示し、２以上の整数である）で計算される巻回数ｎを有して配置される請求項３に記載のプラズマチェンバー。
【請求項５】
側壁、下部の外壁及び上部のドームによってプラズマが形成される反応空間を限定するチェンバーボディー；及び
前記ドーム上に配置され、前記反応空間内にプラズマを形成するため、複数の単位コイルが複数の巻回数を有して中央部で所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、前記中央部ブッシングの外周に沿って螺旋状に配置され、ウェハの中心部からウェハの縁部に向かうほど、前記ドームからの離間距離が徐々に大きくなるよう階段状に配置されるプラズマソースコイルを含むプラズマチェンバー。
【請求項６】
前記各単位コイルは、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示す、２以上の整数である）で計算される巻回数ｎを有して配置される請求項５に記載のプラズマチェンバー。
【請求項７】
ウェハの縁部におけるプラズマ密度をウェハの中心部におけるプラズマ密度よりも低くする第１プラズマソースコイルと、ウェハの縁部におけるプラズマ密度をウェハの中心部におけるプラズマ密度よりも高くする第２プラズマソースコイルとを準備するステップ；
エッチングガスのフッ素／カーボンの比が高いか否かを判断するステップ；
前記フッ素／カーボンの比が高い場合、前記第１プラズマソースコイルを用いてエッチング工程を行うステップ；及び
前記フッ素／カーボンの比が低い場合、前記第２プラズマソースコイルを用いてエッチング工程を行うステップを含むウェハエッチング方法。
【請求項８】
前記第１プラズマソースコイルは、ウェハの中心部をウェハの縁部よりもチェンバーボディーに向けて凹ませた形状を有する請求項７に記載のウェハエッチング方法。
【請求項９】
前記第２プラズマソースコイルは、ウェハの中心部をウェハの縁部よりもチェンバーボディーと反対側に向けてた凸状に膨らませた形状を有する請求項７に記載のウェハエッチング方法。
【請求項１０】
前記フッ素／カーボンの比が高いか否かを判断するステップは、前記フッ素／カーボンの比が２を越える場合に高いと判断し、前記フッ素／カーボンの比が２以下である場合に低いと判断する請求項７に記載のウェハエッチング方法。
【請求項１１】
前記フッ素／カーボン比が２を越えるエッチングガスは、前記フッ素／カーボン比が２以下のエッチングガスに比べて、副産物としてのポリマーを相対的に少なく発生するガスである請求項１０に記載のウェハエッチング方法。
【請求項１２】
前記フッ素／カーボン比が２を越えるエッチングガスは、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス及びＣＨＦ３ガスのうち少なくとも何れか一つを含むエッチングガスであり、前記フッ素／カーボン比が２以下のエッチングガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ５Ｆ８ガス、ＣＨ３Ｆガス、ＣＨ２Ｆ２ガス及びＣ４Ｆ６ガスのうち少なくとも何れか一つを含むエッチングガスである請求項１１に記載のウェハエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造装置及びその製造方法に係り、詳しくは、プラズマを用いて半導体ウェハをエッチングするためのプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバー及びこれを用いたウェハエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、超高集積（ＵＬＳＩ）回路素子の製造技術は、目覚ましく発展してきた。このような超高集積回路素子の発展は、極限の技術が要求される製造技術をサポート可能な半導体製造装置が開発されたことに起因する。半導体製造装置の一つであるプラズマチェンバーは、エッチング工程のみならず、蒸着工程でも用いられ、その適用範囲は徐々に広まりつつある。
【０００３】
プラズマチェンバーは、反応空間内にプラズマを人為的に形成し、このプラズマを用いてエッチング及び蒸着などのプロセス処理を行うための半導体製造装置である。このプラズマチェンバーは、プラズマを発生するプラズマソースによって、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）ソース、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＥＰ）ソース、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）ソース、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）ソースなどの多様な形態に分類される。最近は、誘導結合型プラズマソースの特性と、容量結合型プラズマソースの特性とを共に示す適応型プラズマソース（ＡＰＳ）も提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のプラズマソースを備えるプラズマチェンバーを用いて半導体ウェハのエッチングを行うとき、半導体ウェハの中心部と縁部とでは異なるエッチング偏差が発生する。ここで、エッチング偏差とは、エッチング前の所望のエッチングプロファイルと、エッチング後の実際のエッチングプロファイルとの差を示し、少しだけエッチングが行われる場合においても、エッチングが過剰に行われる場合においても発生する。上記のように半導体ウェハの中心部と縁部とでエッチング偏差が異なるため、半導体ウェハのエッチング工程で均一性が低下するという問題があった。半導体ウェハの中心部と縁部とでエッチング偏差が異なる理由の一つとして、エッチングにより生成される副産物などのポリマーの発生が挙げられる。通常、副産物として発生するポリマーのポンピング速度は、半導体ウェハの中心部と縁部とでは異なる。具体的に、半導体ウェハの中心部で発生するポリマーは、ポンピングされるまでの移動距離が長い反面、半導体ウェハの縁部で発生するポリマーは、ポンピングされるまでの移動距離が相対的に短い。したがって、半導体ウェハの縁部では、半導体ウェハの中心部に比べてエッチングが多く行われようになり、結果として、所望のエッチングプロファイルよりも過度にエッチングされたエッチングプロファイルを示す。上記の問題は、ポリマーを相対的に多く発生するエッチングガスを用いるのか、または、ポリマーを相対的に少なく発生するエッチングガスを用いるのかによって多様な形態で発生する。
【０００５】
本発明の目的は、半導体ウェハの中心部と縁部とでエッチング偏差を均一にすることのできるプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバー及びそのプラズマチェンバーを用いたウェハエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の技術的課題を達成するために、本発明の一実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーは、側壁、下部の外壁及び上部のドームによってプラズマが形成される反応空間を限定するチェンバーボディー；前記ドーム上に配置され、前記反応空間内にプラズマを形成するため、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示し、２以上の整数である）で計算される巻回数ｎを有する単位コイルが、中央部で所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、前記中央部ブッシングの外周に沿って螺旋状に配置されるプラズマソースコイル；及び前記チェンバーボディーのドームと前記プラズマソースコイルとの間に配置されるとともに、前記反応空間内に配置されるウェハの縁部と重なる環状の縁部ブッシングを含む。
【０００７】
前記縁部ブッシングは、セラミックまたはポリマー性物質からなることが好ましい。
【０００８】
本発明の他の実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーは、側壁、下部の外壁及び上部のドームによってプラズマが形成される反応空間を限定するチェンバーボディー；及び前記ドーム上に配置され、前記反応空間内にプラズマを形成するため、複数の単位コイルが複数の巻回数を有して中央部で所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、前記中央部ブッシングの外周に沿って螺旋状に配置され、ウェハの縁部における前記ドームからの隔離距離が、前記ウェハの中心部における前記ドームからの離間距離よりも大きいプラズマソースコイルを含む。
【０００９】
前記各単位コイルは、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示し、２以上の整数であるる）で計算される巻回数ｎを有して配置されることが好ましい。
【００１０】
本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーは、側壁、下部の外壁及び上部のドームによってプラズマが形成される反応空間を限定するチェンバーボディー；及び前記ドーム上に配置され、前記反応空間内にプラズマを形成するため、複数の単位コイルが複数の巻回数を有して中央部で所定の半径を有する中央部ブッシングから延長されるとともに、前記中央部ブッシングの外周に沿って螺旋状に配置され、ウェハの中心部からウェハの縁部に向かうほど、前記ドームからの離間距離が徐々に大きくなるよう階段状に配置されるプラズマソースコイルを含む。
【００１１】
各単位コイルは、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示し、２以上の整数である）で計算される巻回数ｎを有して配置されることが好ましい。
【００１２】
本発明の一実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーは、ウェハの縁部におけるプラズマ密度をウェハの中心部におけるプラズマ密度よりも低くする第１プラズマソースコイルと、ウェハの縁部におけるプラズマ密度をウェハの中心部におけるプラズマ密度よりも高くする第２プラズマソースコイルとを準備するステップ；エッチングガスのフッ素／カーボンの比が高いか否かを判断するステップ；フッ素／カーボンの比が高い場合、第１プラズマソースコイルを用いてエッチング工程を行うステップ；及びフッ素／カーボンの比が低い場合、第２プラズマソースコイルを用いてエッチング工程を行うステップを含む。
【００１３】
前記第１プラズマソースコイルは、ウェハの中心部をウェハの縁部よりもチェンバーボディーに向けて凹ませた形状を有することが好ましい。
【００１４】
前記第２プラズマソースコイルは、ウェハの中心部をウェハの縁部よりもチェンバーボディーと反対側に向けて凸状に膨らませた形状を有することが好ましい。
【００１５】
フッ素／カーボンの比が高いか否かを判断するステップは、フッ素／カーボンの比が２を越える場合に高いと判断し、フッ素／カーボンの比が２以下である場合に低いと判断することが好ましい。
【００１６】
フッ素／カーボン比が２を越えるエッチングガスは、フッ素／カーボン比が２以下のエッチングガスに比べて、副産物としてのポリマーを相対的に少なく発生するガスであることが好ましい。
【００１７】
フッ素／カーボン比が２を越えるエッチングガスは、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス及びＣＨＦ３ガスのうち少なくとも何れか一つを含むエッチングガスであり、フッ素／カーボン比が２以下のエッチングガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ５Ｆ８ガス、ＣＨ３Ｆガス、ＣＨ２Ｆ２ガス及びＣ４Ｆ６ガスのうち少なくとも何れか一つを含むエッチングガスであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーによれば、ウェハの中心部よりもウェハの縁部においてプラズマ密度を増大させることで、ウェハの中心部よりもウェハの縁部においてエッチング偏差が高くなる現象を抑制できる。また、本発明に係るウェハエッチング方法によれば、使用するエッチングガスにより生成されるポリマーの量によって、凹状または凸状のプラズマソースコイルを用いることで、ウェハの縁部におけるエッチング偏差を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーの断面図であり、図２は、図１の中央部ブッシング及びプラズマソースコイルを示す概略平面図であり、図３は、図１の縁部ブッシングを示す概略平面図である。
【００２０】
図１に示すように、プラズマチェンバー１００は、チェンバーボディー１１０及びプラズマソースコイル１２０を含む。さらに、プラズマチェンバー１００は、ＲＦ電源１３１，１３２を含む。
【００２１】
チェンバーボディー１１０は、側壁、下部の外壁及び上部のドームにより所定の大きさに形成された内部空間１１１を有する。この内部空間１１１の底面には、処理されるウェハ１４０が載置される。このため、内部空間１１１には、ウェハ１４０を載置するためのサセプター（図示せず）が配置され、このサセプターは、チェンバーボディー１１０外部の第１ＲＦ電源１３１の一方の端子に接続され、第１ＲＦ電源１３１の他方の端子は接地されている。
【００２２】
プラズマソースコイル１２０は、中央部ブッシング１２１、単位コイル１２２及び縁部ブッシング１２３を含む。中央部ブッシング１２１及び単位コイル１２２は、チェンバーボディー１１０のドームの上面から所定の距離だけ離れて支持台１２５によって支持されるが、この支持台１２５は多様な形態を取り得る。例えば、支持台１２５として、各単位コイル１２２とドームとの間に配置される誘電体膜がある。また、支持台１２５は、ドームから所定の距離だけ離れて支持されており、この場合、支持台１２５とドームの上面との間には空間が存在している。中央部ブッシング１２１は、チェンバーボディー１１０の中心部に位置し、中央部ブッシング１２１の上面中央には、垂直方向に延びる支持棒１２４が配置されている。この支持棒１２４は、第２ＲＦ電源１３２の一方の端子に接続され、第２ＲＦ電源１３２の他方の端子は接地されている。支持棒１２４の材質は、中央部ブッシング１２１の材質と同一であることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２３】
各単位コイル１２２は、図２に示すように、複数の単位コイル１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄからなり、中央部ブッシング１２１の周面から分岐され、中央部ブッシング１２１の外周に沿って螺旋状に配置されている。本明細書では、４個の単位コイル１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄに限定して説明したが、例示に過ぎず、必ずしも４個に限定する必要はない。すなわち、各単位コイルは、ｎ＝ａ×（ｂ／ｍ）（ここで、ａ及びｂは正の整数、ｍは単位コイルの個数を示し、２以上の整数である）で計算される巻回数ｎを有して配置されている。中央部ブッシング１２１の材質は、複数個の単位コイル１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄの材質と同一であることが好ましいが、必ず同一である必要はない。各単位コイル１２２、中央部ブッシング１２１及び支持棒１２４は、全て導電性材質であって、同一の材質または異なる材質からなる。
【００２４】
図３に示すように、縁部ブッシング１２３は、円筒状を有する。この縁部ブッシング１２３は、セラミックまたはポリマーからなる。図１に点線で示すように、縁部ブッシング１２３は、ウェハ１４０の縁部と重なるように配置されている。この縁部ブッシング１２３によって、ウェハ１４０の縁部におけるプラズマ密度が減少し、その結果、ウェハ１４０の縁部におけるエッチング偏差と、ウェハ１４０の中心部におけるエッチング偏差とをほぼ同一にすることができる。
【００２５】
図４は、本発明の他の実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーの断面図である。図４において、図１と同一の部材番号は、同一の要素を示す。以下、上記の実施形態と重複する部分についてはその説明を省略する。
【００２６】
図４に示すように、プラズマチェンバー２００に備えられるプラズマソースコイル２２０の構造は、図１に基づいて説明したプラズマチェンバー１００のプラズマソースコイル１２０の構造と異なる。すなわち、プラズマソースコイル２２０を構成する複数の単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄが中央部ブッシング２２１の周面から分岐され、中央部ブッシング２２１の周りに螺旋状に巻回されている点で同一であるが、チェンバーボディー１１０のドームと各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄとの間の距離が同一でない点で異なる。具体的に、ウェハ１４０の中心部と重なる部分では、チェンバーボディー１１０のドームと各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄとの間隔が相対的に小さい第１間隔ｄ１であり、ウェハ１４０の縁部と重なる部分では、チェンバーボディー１１０のドームと各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄとの間隔が相対的に大きい第２間隔ｄ２である。このため、各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄを支持する支持台２２５は、チェンバーボディー１１０のドームから第１間隔ｄ１だけ離間した中央部と、チェンバーボディー１１０のドームから第２間隔ｄ２だけ離間した縁部と、中央部から縁部に向かうに従いチェンバーボディー１１０のドームからの離間距離が第１間隔ｄ１から第２間隔ｄ２へと徐々に大きくなる中間部とから構成される。このようなプラズマソースコイル２２０において、チェンバーボディー１１０のドームからの各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄの離間距離は、ウェハ１４０の中心部に比べてウェハ１４０の縁部において大きい。そのため、プラズマ密度は、ウェハ１４０の中心部に比べてウェハ１４０の縁部で相対的に小さくなる。その結果、ウェハ１４０の縁部におけるエッチング偏差と、ウェハ１４０の中心部におけるエッチング偏差とをほぼ同一にすることができる。
【００２７】
図５は、本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーの断面図である。図５において、図１と同一の部材番号は、同一の要素を示す。以下、上記の実施形態と重複する部分についてはその説明を省略する。
【００２８】
図５に示すように、プラズマチェンバー３００に備えられるプラズマソースコイル３２０の構造は階段状をなす。より具体的には、各単位コイル３２２ａ，３２２ｂ，３２２ｃ，３２２ｄのチェンバーボディー１１０のドームからの隔離距離はそれぞれ異なる。特に、各単位コイル３２２ａ，３２２ｂ，３２２ｃ，３２２ｄは、ウェハ１４０の中心部から縁部に向かうほど、チェンバーボディー１１０のドームから遠ざかるように配置されている。ウェハ１４０の中心部、即ち中央部ブッシング３２１に最も近接して配置される単位コイルは、チェンバーボディー１１０のドームから第１間隔ｄ３だけ離間している。中央ブッシング３２１に２番目に近接して配置される単位コイルは、チェンバーボディー１１０のドームから第２間隔ｄ４だけ離間している。ここで、第２間隔ｄ４は、第１間隔ｄ３より大きい。中央ブッシング３２１に３番目に近接して配置される単位コイルは、チェンバーボディー１１０のドームから第３間隔ｄ５だけ離間している。ここで、第３間隔ｄ５は、第２間隔ｄ４より大きい。そして、最も外側に位置する単位コイルは、チェンバーボディー１１０のドームから第４間隔ｄ６だけ離間している。ここで、第４間隔ｄ６は、第３間隔ｄ５より大きい。このように、各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄは、ウェハ１４０の中心部から縁部に向かって階段状に配置されている。このように、各単位コイル２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄは、ウェハ１４０の縁部に向かうほどチェンバーボディー１１０のドームから徐々に遠ざかるため、ウェハ１４０の縁部におけるプラズマ密度が徐々に減少し、それにより、ウェハ１４０の縁部におけるエッチング偏差も減少する。その結果、ウェハ１４０の縁部におけるエッチング偏差と、ウェハ１４０の中心部におけるエッチング偏差とが均一になる。
【００２９】
図６は、本発明に係るプラズマチェンバーを用いたウェハエッチング方法を示すフローチャートである。また、図７及び図８は、図６の第１プラズマソースコイル及び第２プラズマソースコイルをそれぞれ概略的に示す図である。
【００３０】
図６乃至図８に示すように、まず、ウェハの縁部におけるプラズマ密度がウェハの中心部におけるプラズマ密度よりも低くなる第１プラズマソースコイルと、それとは反対に、ウェハの縁部におけるプラズマ密度がウェハの中心部におけるプラズマ密度よりも高くなる第２プラズマソースコイルとを準備する（ステップ６１０）。第１プラズマソースコイルは、図７に示すように、ウェハの中心に近い部分をウェハの縁部よりも凹ませた形状を有し、支持台７２５によって支持されている。ブッシング７２１から分岐されてブッシング７２１の外周に沿って螺旋状に配置される複数の単位コイル７２２は、ウェハの中心部で、プラズマソースコイルの下部に配置されるチェンバーボディー（図示せず）に近接して配置され、ウェハの縁部で、チェンバーボディーから離間して配置される。図８に示すように、第２プラズマソースコイルは、ウェハの中心に近い部分をウェハの縁部よりも膨らませた形状を有し、支持台８２５によって支持されている。ブッシング８２１から分岐されてブッシング８２１の外周に沿って螺旋状に配置される複数の単位コイル８２２は、ウェハの中心部でチェンバーボディーから離間して配置され、ウェハの縁部でチェンバーボディーに近接して配置される。
【００３１】
次に、使用するエッチングガスのフッ素／カーボン（Ｆ／Ｃ）比が高いか低いかを判断する（ステップ６２０）。ここで、フッ素／カーボン比の高いエッチングガスは、副産物としてのポリマーを少なく発生するエッチングガスを意味する。この種のエッチングガスとして、例えば、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、ＣＨＦ３ガスなどのエッチングガスがあり、通常、フッ素／カーボン比が２よりも大きい。それとは反対に、フッ素／カーボン比の低いエッチングガスは、副産物としてのポリマーを多く発生するエッチングガスを意味する。この種のエッチングガスとして、例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ５Ｆ８ガス、ＣＨ３Ｆガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ６ガスなどのエッチングガスがあり、通常、フッ素／カーボン比が２以下である。
【００３２】
次に、エッチングガスのフッ素／カーボン比が高い場合、第１プラズマソースコイルをプラズマチェンバーに装着する（ステップ６３０）。この場合、ポリマーの発生量は相対的に少なく、ウェハの縁部でエッチングが過度に行われることで、エッチング偏差が大きくなる。これを防止するには、ウェハの縁部におけるプラズマ密度を減少すべきであり、よって、ウェハの縁部においてプラズマ密度が低くなる第１プラズマソースコイルをプラズマチェンバーに装着する。その後、第１プラズマソースコイルが装着されたプラズマチェンバーを用いてエッチング工程を行う（ステップ６５０）。
【００３３】
一方、エッチングガスのフッ素／カーボン比が低い場合、第２プラズマソースコイルをプラズマチェンバーに装着する（ステップ６４０）。エッチングガスのフッ素／カーボン比が低い場合は、ポリマーの発生量は相対的に多く、ウェハの縁部でエッチングが過度に行われることで、エッチング偏差が発生する。これを防止するには、ウェハの縁部においてプラズマ密度を増加させ、ウェハの縁部で多量のポリマーを発生すべきである。よって、ウェハの縁部においてプラズマ密度が高くなる第２プラズマソースコイルをプラズマチェンバーに装着する。その後、第２プラズマソースコイルが装着されたプラズマチェンバーを用いてエッチング工程を行う（ステップ６５０）。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、プラズマを用いたプラズマチェンバーを使用する半導体、及びこれと類似した分野の装置及び工程に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーの断面図。
【図２】中央部ブッシング及びプラズマソースコイルの概略平面図。
【図３】縁部ブッシングの概略平面図。
【図４】本発明の他の実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーの断面図。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマソースコイルを有するプラズマチェンバーの断面図。
【図６】本発明に係るプラズマチェンバーを用いたウェハエッチング方法を示すフローチャート。
【図７】第１プラズマソースコイルの概略図。
【図８】第２プラズマソースコイルの概略図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007531264.tif 000009
【図８】
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【国際調査報告】
2007531264.tif 000011
2007531264.tif 000012