(57)【要約】  プロセスガスをプロセスチャンバに流し且つ流動性ガスをプロセスチャンバに流すことによって基板の上に膜が堆積される。プロセスガスは、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを含んでいる。流動性ガスは、ヘリウム流と分子水素流を含み、分子水素流は、ヘリウムの流量の２０％未満の流量で供給される。プラズマは、１０１１イオン/ｃｍ３を超える密度でプロセスチャンバ内に形成される。プラズマにより基板の上に膜が堆積される。【選択図】  図４
2007538405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に膜を堆積させる方法であって、
プロセスガスをプロセスチャンバに流すステップであって、該プロセスガスがシリコン含有ガスと酸素含有ガスを含む前記ステップと、
流動性ガスを該プロセスチャンバに流すステップであって、該流動性ガスがヘリウム流と分子水素流を含み、該分子水素流が該ヘリウムの流量の２０％未満の流量で供給される前記ステップと、
該プロセスガスと流動性ガスから該プロセスチャンバ内でプラズマを形成するステップであって、該プラズマが１０１１イオン/ｃｍ３を超える密度を有する前記ステップと、
該プラズマにより該基板の上に該膜を堆積させるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
該分子水素流が該ヘリウムの該流量の１０％未満の流量で供給される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該分子水素流が該ヘリウムの該流量の５％未満の流量で供給される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該流動性ガスが、不活性ガスの流れを該ヘリウムの流量の１０％未満の流量で更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該ヘリウムの該流量が１００〜１０００ｓｃｃｍである、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該基板に負バイアスを加えるステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
該プロセスチャンバの内圧が１０ミリトールに維持される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４を含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
該酸素含有ガスがＯ２を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
隣接する隆起特徴部を有する基板の上に膜を堆積させて、該隣接する隆起特徴部間のギャップを充填する方法であって、該ギャップが９０〜１５０ｎｍの幅を有する前記方法であって、
プロセスガスをプロセスチャンバに流すステップであって、該プロセスガスがシリコン含有ガスと酸素含有ガスを含む前記ステップと、
流動性ガスを該プロセスチャンバに流すステップであって、該流動性ガスがヘリウム流と分子水素流を含み、該分子水素流が該ヘリウムの流量の１０％未満の流量で供給される前記ステップと、
該プロセスガスと流動性ガスから該プロセスチャンバ内でプラズマを形成するステップであって、該プラズマが１０１１イオン/ｃｍ３を超える密度を有する前記ステップと、
該プロセスチャンバの内圧を１０ミリトール未満に維持するステップと、
該プラズマにより該ギャップに該膜を堆積させるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１１】
該分子水素流が、該ヘリウムの該流量の１０％未満の流量で供給される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
該ヘリウムの該流量が１００〜１０００ｓｃｃｍである、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
該ヘリウムの該流量が３００〜５００ｓｃｃｍである、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４を含み、該酸素含有ガスがＯ２を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
隣接する隆起特徴部を有する基板の上にドープされていないケイ酸塩ガラス膜を堆積させて、該隣接する隆起特徴部間のギャップを充填する方法であって、
ＳｉＨ４、Ｏ２、Ｈｅ、Ｈ２をプロセスチャンバに流すステップであって、該Ｈｅが１００〜１０００ｓｃｃｍの流量で供給され、該Ｈ２が該Ｈｅの該流量の２０％未満の流量で供給される前記ステップと、
該プロセスチャンバに流されるガスからプラズマを形成させるステップであって、該プラズマが１０１１イオン/ｃｍ３を超える密度を有する前記ステップと、
該プロセスチャンバの内圧を１０ミリトール未満に維持するステップと、
該プラズマにより該ギャップに該ドープされていないケイ酸塩ガラス膜を堆積させるステップと、
を含む、前記方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
[0001]基板上に膜を堆積させるために半導体処理業界で一般に用いられる技術の一種は化学気相堆積（“ＣＶＤ”）技術である。従来の熱ＣＶＤプロセスは、基板表面に反応性ガスを供給し、そこで熱誘導化学反応が起こり、望ましい膜が生成する。プラズマ増強型ＣＶＤ（“ＰＥＣＶＤ”）技術は、基板表面近くの反応ゾーンに高周波（“ＲＦ”）エネルギーを加えることによって反応性ガスの励起及び/又は解離を促進させ、それによってプラズマが生成する。プラズマ中の化学種の高反応性によって、化学反応が起こるのに必要とされるエネルギーが減少するので、従来の熱ＣＶＤプロセスと比較した場合、このようなＣＶＤプロセスに必要とされる温度が低下する。これらの利点は、高密度プラズマ（“ＨＤＰ”）ＣＶＤ技術で更に利用することができ、高密度プラズマが低減圧で形成されて、その結果、プラズマ化学種がより反応する。これらの技術の各々は“ＣＶＤ技術”の傘下に広くは入るものであるが、ある特定の用途に多かれ少なかれ適する特徴的な性質を有する。
【０００２】
[0002]例えば、ＨＤＰ-ＣＶＤはギャップフィルプロセスにしばしば好ましく、堆積した膜が隣接する隆起構造間に画成されるギャップ、例えば、特にシャロートレンチアイソレーション（“ＳＴＩ”）、プレメタル誘電体（“ＰＭＤ”）、又は金属間誘電体（“ＩＭＤ”）の適用で生じることがあるギャップを充填するものである。このようなギャップフィルプロセスでの１つの難題は、材料がボイドを形成せずにギャップの中に堆積することを確実にすることである。この難題は、図１Ａと図１Ｂに示した断面図で概略的に示される。図１Ａは基板１１０の縦断面図を示し、例えば、特徴部１２０の層を有する半導体ウエハを備えることができる。隣接する特徴部１２０は、誘電材料で充填すべきギャップ１１４を画成し、ギャップの側壁１１６は特徴部１２０の表面によって画成されている。堆積が進むにつれて、誘電材料１１８は、特徴部１２０の表面上、また、基板１１０上に蓄積し、特徴部１２０の隅１２４にオーバハング１２２を形成する。誘電材料１１８の堆積が続くにつれて、オーバハング１２２は、典型的には、特徴的なブレッドローフィング方式でギャップ１１４より速く成長する。最終的には、オーバハング１２２は一緒に成長して、図１Ｂに示した誘電体膜１２６を形成し、内部ボイド１２８への堆積が防止される。
【０００３】
[0003]ＨＤＰ-ＣＶＤプロセス中、プラズマの中のイオン化学種が高密度であるために、堆積している間でさえ、膜のスパッタリングがそこでも生じることから、ＨＤＰ-ＣＶＤを用いるギャップフィルが用いられる傾向があった。堆積プロセス中、この同時に起こる材料のスパッタリングと堆積は、堆積中、ギャップを開放したままにする傾向がある。この作用でさえ、ギャップの幅を減少させるとともにアスペクト比を増加させて回路素子の密度を高める最近の傾向を考慮しても限界があることがわかっている。このようなより積極的なギャップフィルの適用において、有効であることがわかった１つの作用は、流動性ガスとしてヘリウムの流れを用いて反応性ガスを基板に送ることである。ヘリウムの使用は、ある一定の大きさ、特に約９０-１５０ｎｍの範囲のギャップを有する適用においてギャップフィルを改善させるのに特に適している。
【０００４】
[0004]しかしながら、本発明者らは、流動性ガスとしてのヘリウムの使用は、粒子汚染レベル、約２μｍ未満の大きさを有する粒子汚染物質のほとんどを著しく増加させることを発見した。このような汚染は、ヘリウムベースの堆積プロセスとギャップフィルプロセスを用いて形成されたデバイスの操作を不利に妨害してしまう。従って、ヘリウムベースのＨＤＰ-ＣＶＤギャップフィルプロセスを用いるときに汚染を除去する方法が当技術分野において求められている。
【発明の簡単な概要】
【０００５】
[0005]本発明者らは、ヘリウムの流動的な流れの使用に基づいたＨＤＰ-ＣＶＤ堆積プロセスにおいて、水素の小さな流れを含むことがマイクロコンタミネーションのレベルを低下させる働きをするということを発見した。本発明者らは、このように水素流を含むことにより逆解離反応への推進力が増大し、それによって、高密度プラズマ中の成長コアの存在が制限されると仮定する。
【０００６】
[0006]ある実施形態においては、プロセスガスをプロセスチャンバに流すとともに流動性ガスをプロセスチャンバに流すことによって、基板の上に膜がこのように堆積する。プロセスガスは、ＳｉＨ４のようなシリコン含有ガスとＯ２のような酸素含有ガスを含む。流動性ガスは、ヘリウム流と分子水素流を含み、分子水素流は、ヘリウムの流量の２０％未満の流量で供給される。プラズマは、１０１１イオン/ｃｍ３を超える密度でプロセスチャンバ内に形成される。プラズマによって膜が基板の上に堆積する。
【０００７】
[0007]ある実施形態においては、分子水素の流れはヘリウム流に比べて更に低い流量で供給されてもよく、一実施形態においてはヘリウムの流量の１０％未満で、他の実施形態においてはヘリウムの流量の５％未満で供給される。ヘリウムの流量は、一実施形態においては、１００〜１０００ｓｃｃｍであってもよい。ある場合には、不活性ガスの追加の流れがヘリウムの流量の１０％未満の流量で供給されてもよく、ＨＤＰ-ＣＶＤ堆積中にスパッタ特性の変更が可能になる。このような特性はまた、基板に負バイアスを印加することによるなど、他の方法でも変更させることができる。プロセスチャンバの内圧は、１０ミリトール未満に維持することができる。
【０００８】
[0008]本発明の本質と利点の理解は、更に明細書の残りの部分と図面によって可能になる。
【本発明の詳細な説明】
【０００９】
[0018]流動性ガスとしてＨｅを用いるＨＤＰ-ＣＶＤ堆積プロセスにおいて、増加したマイクロコンタミナントの発見と直面した時、本発明者らは、特にＡｒのような他の流動性ガスの主な使用に基づく同様のプロセスと比べた場合に汚染物質の原因である潜在的メカニズムを確認するように着手した。彼らの最初の考えは、膜形成のための前駆ガスとしてＳｉＨ４とＯ２の流れを用いて堆積したドープされていないケイ酸塩ガラス（“ＵＳＧ”）の堆積に集中した。上記プロセスにおいて、ＳｉＨ４とＯ２の流れは流動性ガスの流れに随伴することができ、本発明者らは、Ａｒ流とよりもＨｅ流と関連がある著しく高いレベルのマイクロコンタミネーションを見出した。
【００１０】
[0019]本発明者らは、汚染している多くの潜在的メカニズムを考えた。例えば、考えられる１つのメカニズムは、堆積が起こるプロセスチャンバの加熱が成分の熱膨張の原因であるという事実に関連がある。プロセスチャンバからのアルミニウム粒子の剥離は、このような加熱と、酸化シリコンと酸化アルミニウムの熱膨張係数間に不適合があるという事実に起因するものである。チャンバ内の温度が一般的にＡｒ流よりもＨｅ流によりわずかに高いことから、このメカニズムの影響はＡｒ流よりもＨｅ流により大きくなることがある。しかしながら、プロセス間の温度差は大きくなく、本発明者らはその差異がプロセスの化学反応に影響を与えるということを特定できないことから、この影響の寄与は小さいと考えられる。
【００１１】
[0020]汚染が生じやすい本発明者らが推測した他のメカニズムは、シランＳｉＨ４の分解、特に、シラン熱分解、気相核形成及びマイクロコンタミナントの成長、並びに静電トラップ中のマイクロコンタミナントの表面成長に関連があった。シラン分解ＳｉＨ４→Ｓｉ＋ＳｉＨｘ＋Ｈｙは、逆反応に対する推進力がＨｅの存在で阻止されるので、流動するＨｅとともに増強すると考えられる。
【００１２】
[0021]図２Ａ-図２Ｃは、どのようにしてシラン分解メカニズムがかなりのレベルのマイクロコンタミナントの形成を生じるかの概略図である。図２Ａは、プロセスチャンバにガス流を供給するノズルのチップ２０４でのガス膨張の概略図を示している。モデリング結果は、処理中、２００ｍｍウエハに対してチャンバ内に用いられる２.５５″ノズルの場合に、ノズルチップ２０４が約８００℃の温度に達することがあることを確立した。このような高温は、生じるシランの急速熱分解や衝撃波面２２４に沿って生じる化学種が広がる原因となるクラッキング現象を促進する。解離したＳｉとＳｉＨｘ化学種は、チャンバ内の他のシリコンベース又はシランベースの粒子の成長のコアとして働くことができる。
【００１３】
[0022]図２Ｂは、プロセスチャンバ２００内の化学種に対して、特に、チャンバ２００にサイドフローを与えるように配置されたノズル２０４に対して生じることがあるフローパターンを示す図である。チャンバ２００のほぼ矩形の断面は単に例示である。チャンバは、複雑な方法で、生じたフローパターンに影響する内部の形状を複雑にしたものであるが、ここでなされた一般的な考察は、ほとんどのこのようなチャンバに当てはまる。サイドノズル２０４からの解離した化学種の流れは、複数の成分の流れに分かれることができる。１つの流れ２１２は再循環パターンで上流に流れることができ、更に分かれて、再循環渦２１４を生成することができる。他の流れ２０８は、チャンバ２００内のウエハペデスタル２０２に向かって流れ、渦作用によって再循環ゾーン２１６がペデスタルの下に生じることができる。粒子の滞留時間は、このような再循環ゾーン２１２、２１４、２１６において重要であり、シラン分解時間までに生成されるコアが、チャンバ２００内で他の粒子との相互作用によって成長することを可能にする。このような再循環ゾーンの存在に起因する成長は、一般的に、同程度の膜を堆積させる場合に、Ａｒベースのプロセスよりも長い時間行われることから、Ｈｅベースのプロセスにより増大してしまう。
【００１４】
[0023]汚染物質-粒子の成長を促進する再循環ゾーンにおける気相核形成に加えて、分解化学種が帯電するという事実によって、静電トラップにおいてこのような化学種のトラップが生じ、それによって、成長中心を与えることができる。このことは図２Ｃで概略的に示され、ウエハ２２８の上で荷電粒子２３２に作用する力を示している。重力加速ｇを受けるとき、質量ｍの結果として粒子２３２に作用する下方への重力ｍｇは、電界Ｅにおける荷電ｑの結果として対向する電気力ｑＥによってある領域ではほぼ釣り合うことができる。このような静電トラップの存在と位置は、チャンバ内全体の電界Ｅの方向と強さに左右され、図２Ｃは、多くの場合にこのようなトラップがウエハの上に存在し、マイクロコンタミナントの表面成長を生じるということを示している。
【００１５】
[0024]シラン分解に起因するこれらの潜在的な汚染メカニズムを考慮するとき、本発明者らは、逆反応に対する推進力がＨｅ流動性ガス流とともにＨ２の比較的小さな流れを含むことによって回復させることができると仮定した。このような推進力を回復させることによって、逆反応はマイクロコンタミナントの成長を阻止する働きをする。仮説を試験するために多くの実験が行われ、その結果は図３Ａと図３Ｂに示され、座標方向の変化量が圧縮されるように、その両方が半対数プロットである。図３Ａの結果は２００ｍｍウエハを用いて実験を行ったことにより作成し、図３Ｂの結果は３００ｍｍウエハを用いた実験により作成した。
【００１６】
[0025]最初の試験においては、ＳｉＨ４とＯ２の流れを供給するのに加えて、Ｈｅ流を４００ｓｃｃｍの流量でプロセスチャンバに供給し、定期的にＨ２流も２０ｓｃｃｍの流量で供給した。流動性の流れが完全にＨｅであったときの相中と流動性の流れが更に５％のＨ２流を含んだときの相中の粒子レベルを測定した。図３Ａのヒストグラムが示すように、Ｈ２流を追加したプロセスチャンバ内の粒子レベルは、純粋なＨｅ流動性ガス流による粒子レベルよりもほぼ２桁小さかった。
【００１７】
[0026]流動性ガスとともに追加の水素流を含むことの一副作用は、チャンバ内の圧力の増加を生じ、それがマイクロコンタミナント形成の減少に寄与することができるということである。従って、３００ｍｍウエハについての次の試験は、流動性の流れの中に水素を含むことによりマイクロコンタミナントの減少が再現可能であるということを立証するためと、減少が水素の存在に化学的に起因する程度を求める双方のためになされた。試験の基準は、黒のひし形で示され、約１０００ｓｃｃｍのヘリウム流を水素流なしで用いた。５０ｓｃｃｍのＨ２の流れを加えることによる結果は、黒の四角で示され、粒子レベルにおいてかなりの減少を示している。斜線の三角は、Ｈ２流量を１００ｓｃｃｍに更に増加させることから生じる粒子レベルの更に減少を示し、斜線の丸は、２００ｓｃｃｍのＨ２流量から生じる粒子レベルの更に減少を示している。これらの結果の傾向によって、水素流を含むことにより粒子レベルの減少が生じるという図３Ａの２００ｍｍウエハ結果の結論が確認される。
【００１８】
[0027]１００ｓｃｃｍのＨ２流をもつチャンバ圧力は、６.２ミリトールであった。Ｈ２流から生じる圧力増加による寄与を評価するために、６.３ミリトール、即ち、１００ｓｃｃｍＨ２流による圧力よりもわずかに高い圧力に切り替えられたチャンバ圧力をもつ純粋なＨｅ流動性の流れの粒子レベルも測定した。これらの結果は、白の三角で示され、基準の純粋なＨｅの結果と１００ｓｃｃｍＨ２の結果の中間にある。このことにより、流動性ガス流中にＨ２を含むことによって生じる粒子の減少がその結果生じる圧力増加と化学作用の双方からの寄与があるということが確認される。このような化学作用による減少は、その作用を示すデータポイントを囲んだ楕円３０４と３０８により図３Ｂで強調される。粒子レベルの全体的な減少に加えて、図３Ｂの結果は、Ｈ２の存在が時間内での微粒子化の開始を遅らせるということを更に示している。
【００１９】
[0028]このようにＨｅ流動性ベースのＨＤＰ-ＣＶＤプロセスにより基板の上に膜を堆積させるために用いることができる方法の概要は、図４の流れ図で示される。ブロック４０４で、膜の堆積の調製におけるＨＤＰチャンバ内にウエハが配置される。ブロック４０８で、シリコン源と酸素源の流れを含むプロセスガス流がプロセスチャンバに供給される。ある実施形態においては、シリコン源はＳｉＨ４のようなシランを含み、酸素源は分子酸素Ｏ２を含むが、他の実施形態においては、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを用いることができる。ブロック４１２で流動性ガス流がプロセスチャンバに供給され、その流動性ガスはＨ２の流量がＨｅの流量の２０％未満であるＨｅ流とＨ２流を含んでいる。ある実施形態においては、Ｈ２とＨｅとの相対流量は、１０％未満であっても５％未満であってもよい。ある場合には、流動性の流れはＨｅ流とＨ２流からなってもよいが、他の場合には、個々の用途に対して堆積プロセスのスパッタ特性を調整するために、Ｎｅ又はＡｒのような他の不活性ガスの小さな流れを追加させることができる。スパッタ特性を調整する他の技術は、プラズマ中の荷電イオン化学種をひきつけるために、ウエハに対して負バイアスをかけることを含むことができる。ブロック４１６で、プロセスチャンバ内に高密度プラズマが形成されて、その結果、ブロック４２０で、酸化シリコン膜が基板の上に堆積させることができる。本明細書に用いられる“高密度”プラズマは、１０１１イオン/ｃｍ３を超える密度を有する。
【００２０】
[0029]図４に示すブロックの順序は限定するものでなく、ある実施形態においては変更されてもよい。例えば、流動性流れは、前駆ガス流と同時に、又はそれより早く供給されてもよい。ブロック４１６の高密度プラズマの形成は、ブロックの順序によって示されるよりも早くプロセスにおいて生じることもあり、例えば、プラズマ形成後に供給される前駆ガスをもつ流動性ガスだけから形成される。更に、本発明の原則が追加又は代替の操作がプロセスの一部として行われる様々な用途に用いることができるので、図４に示すブロックは網羅的なものではない。
【例示的な基板処理システム】
【００２１】
[0030]上記の方法はさまざまなＨＤＰ-ＣＶＤシステムで実施され、その一部を図５Ａ-図５Ｃに関連して詳述される。図５Ａは、一実施形態においては、このようなＨＤＰ-ＣＶＤシステム５１０の構造を概略的に示す図である。システム５１０には、チャンバ５１３と、真空システム５７０と、ソースプラズマシステム５８０Ａと、バイアスプラズマシステム５８０Ｂと、ガス分配システム５３３と、遠隔プラズマ洗浄システム５５０とが含まれる。
【００２２】
[0031]チャンバ５１３の上部には、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムのようなセラミック誘電材料でできているドーム５１４が含まれる。ドーム５１４は、プラズマ処理領域５１６の上方境界を画成する。プラズマ処理領域５１６は、基板５１７と基板支持部材５１８の上面によって底面で境界となっている。
【００２３】
[0032]ヒータプレート５２３と冷却プレート５２４はドーム５１４の上にあり、熱的に結合している。ヒータプレート５２３と冷却プレート５２４は、約１００℃〜２００℃の範囲で約±１０℃以内までドーム温度の制御を可能にする。これにより、さまざまなプロセスに対してドーム温度を最適化することが可能になる。例えば、堆積プロセスよりも洗浄プロセス又はエッチングプロセスに対してより高い温度でドームを維持することが好ましい。ドーム温度の正確な制御によって、チャンバ内の剥離又は粒子数が減少し、堆積層と基板の間の接着性が改善する。
【００２４】
[0033]チャンバ５１３の下部は、チャンバを真空システムに結合する本体部材５２２を含んでいる。基板支持部材５１８のベース部５２１は、本体部材５２２の上に取り付けられ、本体部材５２２と連続的な内面を形成する。基板は、チャンバ５１３の側面における挿入/撤去開口部（図示せず）を通って、ロボットブレード（図示せず）によってチャンバ５１３内外に搬送される。リフトピン（図示せず）をモーター（図示せず）の制御下に上げ、その後、下げて、上方装填位置５５７にあるロボットブレードから下方処理位置５５６に基板を移動させ、基板は、基板支持部材５１８の基板受容部５１９上に載置される。基板受容部５１９は、基板処理中、基板支持部材５１８に基板を固定する静電チャック５２０を含む。好適実施形態においては、基板支持部材５１８は、酸化アルミニウム又はアルミニウムセラミック材料で作られている。
【００２５】
[0034]真空システム５７０は、二枚刃スロットルバルブ５２６を収容するとともにゲートバルブ５２７とターボ分子ポンプ５２８に取り付けられているスロットル本体５２５を含んでいる。スロットル本体２５がガス流に対する妨害を最小にし且つ左右対称のポンピングを可能にすることに留意すべきである。ゲートバルブ５２７はスロットル本体５２５からポンプ５２８を分離することができ、スロットルバルブ５２６が完全に開いている場合、排気流容量を制限することによってチャンバ圧力を制御することもできる。スロットルバルブ、ゲートバルブ、ターボ分子ポンプを配置よって、約１ミリトール〜約２トールのチャンバ圧力の正確で安定した制御が可能になる。
【００２６】
[0035]ソースプラズマシステム５８０Ａは、ドーム５１４上に取り付けられたトップコイル５２９とサイドコイル５３０を含んでいる。左右対称のグランドシールド（図示せず）は、コイル間の電気的結合を減少させる。トップコイル５２９はトップソースＲＦ（ＳＲＦ）発生器５３１Ａによって出力されるが、サイドコイル５３０はサイドＳＲＦ発生器５３１Ｂによって出力され、各コイルに対して独立した電力レベルと動作周波数を可能にする。このデュアルコイルシステムは、チャンバ５１３内のラジカルイオン密度の制御を可能にし、それによって、プラズマの均一性が改善される。サイドコイル５３０とトップコイル５２９は、典型的には、誘導的に駆動され、補足的電極を必要としない。個々の実施形態においては、トップソースＲＦ発生器５３１Ａは適度な２ＭＨｚで２,５００ワットまでのＲＦ電力を供給し、サイドソースＲＦ発生器５３１Ｂは適度な２ＭＨｚで５,０００ワットまでのＲＦ電力を供給する。トップとサイドのＲＦ発生器の動作周波数は適度な動作周波数（例えば、それぞれ、１.７-１.９ＭＨｚ、１.９-２.１ＭＨｚ）から相殺され、プラズマ生成効率を改善させることができる。
【００２７】
[0036]バイアスプラズマシステム５８０Ｂは、バイアスＲＦ（“ＢＲＦ”）発生器５３１Ｃとバイアス整合ネットワーク５３２Ｃとを含む。バイアスプラズマシステム５８０Ｂは、基板部５１７を本体部材５２２に容量結合し、補足的電極として働く。バイアスプラズマシステム５８０Ｂは、ソースプラズマシステム５８０Ａによって生成されたプラズマ化学種（例えば、イオン）の基板表面への搬送を増強する働きをする。個々の実施形態においては、バイアスＲＦ発生器は１３.５６ＭＨｚにおいて５,０００ワットまでのＲＦ電力を供給する。
【００２８】
[0037]ＲＦ発生器５３１Ａと５３１Ｂは、デジタル制御された合成装置を含み、約１.８〜約２.１ＭＨｚの周波数範囲で作動する。当業者が理解するように、各発生器は、発生器に戻るチャンバとコイルからの反射電力を測定し且つ動作周波数を調整して最も低い反射電力を得るＲＦ制御回路（図示せず）を含む。ＲＦ発生器は、典型的には、５０オームの特性インピーダンスをもつ負荷に作動するように設計される。ＲＦ電力は、発生器とは異なる特性インピーダンスをもつ負荷から反射させることができる。これによって、負荷に移される電力を減少させることができる。更に、発生器に戻る負荷から反射される電力は、過負荷し発生器を損傷させてしまう。プラズマのインピーダンスは、他の要因のうち、プラズマイオン密度によって、５オーム未満から９００オームを超える範囲にあってもよく、反射電力が周波数の関数であってもよいことから、反射電力に従って発生器周波数を調整するとＲＦ発生器からプラズマに移される電力が増大し、発生器が保護される。反射電力を減少させるとともに効率を改善させる他の方法は、整合ネットワークによる。
【００２９】
[0038]整合ネットワーク５３２Ａと５３２Ｂは、発生器５３１Ａと５３１Ｂの出力インピーダンスを、それぞれのコイル５２９と５３０と整合させる。ＲＦ制御回路は、整合ネットワーク内のキャパシタの値を変化させることによって、双方の整合ネットワークを調整して、負荷変化として発生器を負荷に整合させることができる。発生器に戻る負荷から反射される電力がある限度を超える場合、ＲＦ制御回路は整合ネットワークを調整することができる。一定の整合を与え、ＲＦ制御回路が整合ネットワークを調整することを有効的に無効にする１つの方法は、反射電力の期待値を超えた反射電力限度を設定することである。このことにより、最新の条件で整合ネットワークを一定に保つことによってある条件下でプラズマに安定化することを援助することができる。
【００３０】
[0039]他の基準もまたプラズマを安定化することを援助することができる。例えば、ＲＦ制御回路は負荷（プラズマ）に分配される電力を求めるために用いることができ、層の堆積中、分配電力をほぼ一定に保つために発生器出力を増加又は減少させることができる。
【００３１】
[0040]ガス分配システム５３３は、いくつかのソース、５３４Ａ-５３４Ｅからガス分配ライン５３８（その一部だけを図示する）を介して基板を処理するためのチャンバにガスを供給する。当業者が理解するように、ソース、５３４Ａ-５３４Ｅに対して用いられる実際のソースと分配ライン５３８のチャンバ５１３への実際の接続は、チャンバ５１３内で実行される堆積プロセスと洗浄プロセスによって異なる。ガスは、ガスリング５３７及び/又はトップノズル５４５を通って、チャンバ５１３に導入される。図５Ｂは、ガスリング５３７の詳細を更に示しているチャンバ５１３の簡易部分断面図である。
【００３２】
[0041]一実施形態においては、第１と第２のガス源５３４Ａと５３４Ｂ、第１と第２のガス流コントローラ５３５Ａ’と５３５Ｂ’は、ガス供給ライン５３８（その一部だけ図示する）を介してガスリング５３７中のリングプレナム５３６にガスを供給する。ガスリング５３７は、基板の上に一様な流れを供給する複数のソースガスノズル５３９（例示のためにその一部だけを図示する）を有する。ノズルの長さとノズルの角度は、個々のチャンバ内での具体的なプロセスに対して、均一性プロファイルとガス利用効率の調整を可能にするために変更することができる。好適実施形態においては、ガスリング５３７は、酸化アルミニウムセラミックでできている１２のソースガスノズルを有する。
【００３３】
[0042]ガスリング５３７は、また、複数の酸化剤ガスノズル５４０（その一部だけを図示する）を有し、好適実施形態においては、ソースガスノズル５３９と共平面であり、ソースガスノズル５３９より短く、一実施形態においては、ガスを本体プレナム５４１から受容する。ある実施形態においては、チャンバ５１３にガスを注入する前にソースガスと酸化剤ガスを混合しないことが好ましい。他の実施形態において、ソースガスと酸化剤ガスは、本体プレナム５４１とガスリングプレナム５３６の間にアパーチャ（図示せず）を設けることによって、チャンバ５１３にガスを注入する前に混合することができる。一実施形態においては、第３、第４、第５のガス源、５３４Ｃ、５３４Ｄ、５３４Ｄ’、と第３、第４のガス流コントローラ、５３５Ｃと５３５Ｄ’は、ガス分配ライン５３８を介して本体プレナムにガスを供給する。５４３Ｂのような追加バルブ（他のバルブは図示せず）は、フローコントローラからチャンバへのガスを止めることができる。本発明のある実施形態を実施する際に、ソース５３４ＡはシランＳｉＨ４ソースを含み、ソース５３４Ｂは酸素分子Ｏ２ソースを含み、ソース５３４ＣはシランＳｉＨ４ソースを含み、ソース５３４ＤはヘリウムＨｅソースを含み、ソース５３４Ｄ’は分子水素Ｈ２ソースを含む。
【００３４】
[0043]可燃性、毒性又は腐食性ガスが用いられる実施形態においては、堆積後、ガス分配ラインの中に残っているガスを除去することが望ましい。このことは、例えば、チャンバ５１３を分配ライン５３８Ａから分離し、供給ライン５３８Ａを真空フォアライン５４４に排出するために、バルブ５４３Ｂのような３方向バルブを用いて達成することができる。図５Ａに図示するように、５４３Ａ、５４３Ｃのような他の同様のバルブも、他のガス分配ライン上に組込むことができる。このような３方向バルブは、排出されないガス分配ラインの容積を最小限にするために（３方向バルブとチャンバの間の）、実施しやすいようにチャンバ５１３の近くに配置することができる。更に、２方向（オン-オフ）バルブ（図示せず）は、マスフローコントローラ（“ＭＦＣ”）とチャンバの間又はガス源とＭＦＣの間に配置することができる。
【００３５】
[0044]図５Ａを再び参照すると、チャンバ５１３は、また、トップノズル５４５とトップベント５４６を有する。トップノズル５４５とトップベント５４６は、トップとサイドの流れを独立して制御することを可能にし、膜均一性が改善され且つ膜の堆積とドーピングパラメータの微調整が可能になる。トップベント５４６はトップノズル５４５の周りの環状開口である。一実施形態においては、第１ガス源５３４Ａは、ソースガスノズル５３９とトップノズル５４５を供給する。ソースノズルＭＦＣ５３５Ａ’はソースガスノズル５３９に分配されるガスの量を制御し、トップノズルＭＦＣ５３５Ａはトップガスノズル５４５に分配されるガスの量を制御する。同様に、２つのＭＦＣ５３５Ｂと５３５Ｂ’は、ソース５３４Ｂのような単一酸素源から、トップベント５４６と酸化剤ガスノズル５４０双方への酸素流を制御するために用いることができる。トップノズル５４５とトップベント５４６に供給されるガスは、チャンバ５１３にガスが流れる前に別々に保つことができ、又はチャンバ５１３に流れる前にトッププレナム５４８内でガスを混合することができる。チャンバのいろいろな部分に供給するために同じガスの別々のソースを用いることができる。
【００３６】
[0045]遠隔マイクロ波生成プラズマ洗浄システム５５０は、チャンバ構成部品から堆積残留物を定期的に洗浄するために設けられる。洗浄システムは、洗浄ガス源５３４Ｅ（例えば、分子フッ素、三フッ化窒素、他のフルオロカーボン又は同等物）からプラズマを生成する遠隔マイクロ波発生器５５１をリアクタキャビティ５５３内に含む。このプラズマから生じる反応性化学種は、アプリケータチューブ５５５を介して洗浄ガス供給口５５４を通ってチャンバ５１３に送られる。洗浄プラズマを含むように用いられる材料（例えば、キャビティ５５３とアプリケータチューブ５５５）は、プラズマによる攻撃に耐性がなければならない。リアクタキャビティ５５３と供給口５５４の間の距離は、望ましいプラズマ化学種の濃度がリアクタキャビティ５５３からの距離で低下してしまうので、実際的のように短く保たれるべきである。遠隔キャビティ内で洗浄プラズマを生成すると、効率の良いマイクロ波発生器の使用が可能になり、チャンバの構成部品はインサイチュで形成されるプラズマ内に存在することができるグロー放電の温度、放射線、又は衝撃の影響を受けない。その結果、静電チャック５２０のような比較的感受性のある構成部品を、インサイチュプラズマ洗浄プロセスで必要とされるものであるようにダミーウエハで覆うか或いは保護する必要がない。
【００３７】
[0046]上記のサブシステムとルーチンの一部又は全てを組込むことができるシステムの一例は、本発明を実施するために形成された、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社で製造された、ＵＬＴＩＭＡＴＭシステムである。このようなシステムの詳細は、更に、“対称の調節可能な誘導結合ＨＤＰ-ＣＶＤリアクタ”と題する１９９６年７月１５日出願の共同譲渡された米国特許第６,１７０,４２８号に開示され、Ｆｒｅｄ Ｃ.Ｒｅｄｅｋｅｒ、Ｆａｒｈａｄ Ｍｏｇｈａｄａｍ、Ｈｉｒｏｇｉ Ｈａｎａｗａ、ＴｅｔｓｕｙａＩｓｈｉｋａｗａ、Ｄａｎ Ｍａｙｄａｎ、Ｓｈｉｊｉａｎ Ｌｉ、ＢｒｉａｎＬｕｅ、Ｒｏｂｅｒｔ Ｓｔｅｇｅｒ、Ｙａｘｉｎ Ｗａｎｇ、ＭａｎｕｓＷｏｎｇ、Ａｓｈｏｋ Ｓｉｎｈａが共同本発明者として記載され、この開示内容は本明細書に援用されている。記載されているシステムは、例示のためだけのものである。当業者にとって、本発明を実施するのに適切な慣用の基板処理システムとコンピュータ制御システムを選ぶことは、日常的技術の内容である。
【００３８】
[0047]当業者は、異なる処理チャンバや異なる処理条件に対して処理パラメータが変わり、種々の前駆物質が本発明の精神から逸脱することなく使用し得ることを理解するであろう。他の変更も当業者には明らかである。これらの同等物や代替物は本発明の範囲内に包含されるものである。従って、本発明の範囲は、記載された実施形態に限定すべきでなく、代わりに、次の特許請求の範囲によって定義されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】図１Ａは、ギャップフィルプロセス中のボイドの形成を示す概略断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、ギャップフィルプロセス中のボイドの形成を示す概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、前駆ガスの熱分解が衝撃波面によって開始することができるプロセスチャンバ内のノズルチップでガス膨張が形成する概略図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、高滞留時間が微粒子化を促進することができる再循環ゾーンを示すＨＤＰ-ＣＶＤプロセスチャンバ内の流れの概略図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、汚染物質の成長の原因となることがあるプラズマ粒子についての力の概略図である。
【図３Ａ】図３Ａは、ＨＤＰ-ＣＶＤ堆積プロセスにおいて、Ｈ２流とＨｅ流動性ガスとを含むことの効果を評価するために、２００ｍｍウエハを用いた試験の実験結果を示すグラフである。
【図３Ｂ】図３Ｂは、ＨＤＰ-ＣＶＤ堆積プロセスにおいて、Ｈ２流とＨｅ流動性ガスとを含むことの効果を評価するために、３００ｍｍウエハを用いた試験の実験結果を示すグラフである。
【図４】図４は、ＨＤＰ-ＣＶＤ堆積プロセスにおいて、Ｈ２流とＨｅ流動性ガスとを含む本発明の実施形態をまとめた流れ図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明によるＨＤＰ-ＣＶＤシステムの一実施形態の簡易図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの例示的なＨＤＰ-ＣＶＤ処理チャンバとともに用いることができるガスリングの簡易断面である。
【符号の説明】
【００４０】
１１０…基板、１１４…ギャップ、１１６…側壁、１１８…誘電材料、１２０…特徴部、１２２…オーバハング、１２４…隅、１２６…誘電体膜、２００…プロセスチャンバ、２０２…ウエハペデスタル、２０４…ノズル、２０８…流れ、２１２…流れ、２１４…再循環渦、２１６…再循環ゾーン、２２４…衝撃波面、２２８…ウエハ、２３２…荷電粒子、５１０…ＨＤＰ-ＣＶＤシステム、５１３…チャンバ、５１４…ドーム、５１６…プラズマ処理領域、５１７…基板、５１８…基板支持部材、５１９…基板受容部、５２０…静電チャック、５２２…本体部材、５２３…ヒータプレート、５２４…冷却プレート、５２５…スロットルバルブ、５２６…スロットルバルブ、５２７…ゲートバルブ、５２８…ポンプ、５２９…トップコイル、５３０…サイドコイル、５３１Ａ…トップソースＲＦ発生器、５３１Ｂ…サイドソースＲＦ発生器、５３１Ｃ…バイアスＲＦ発生器、５３２…整合ネットワーク、５３３…ガス分配システム、５３４…ガス源、５３５…ガス流コントローラ、５３６…リングプレナム、５３７…ガスリング、５３８…ガス分配ライン、５３９…ソースガスノズル、５４０…酸化剤ガスノズル、５４１…本体プレナム、５４３…バルブ、５４５…トップノズル、５４６…トップベント、５４８…トッププレナム、５５０…遠隔プラズマ洗浄システム、５５１…遠隔マイクロ波発生器、５５３…リアクタキャビティ、５５４…洗浄ガス供給口、５５５…アプリケータチューブ、５５７…上方装填位置、５７０…真空システム、５８０Ａ…ソースプラズマシステム、５８０Ｂ…バイアスプラズマシステム。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【国際調査報告】
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