(57)【要約】装置は、第１のウエーハおよび第２のウエーハ、ならびに、第１と第２のウエーハの間の導電性リムを有する。導電性リムは、第１および第２のウエーハを、電気的および機械的に接続する。付け加えて、導電性リムおよび第２のウエーハが、第１のウエーハの表面上の領域を少なくとも部分的にシールする。一部の実施形態において、導電性リムおよび第２のウエーハは、第１のウエーハの表面上の領域をハーメチックシールする。特に、導電性リムはシリサイドであり得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のウエーハと、
第２のウエーハと、
該第１のウエーハと該第２のウエーハとの間の導電性リムであって、該導電性リムが、該第１のウエーハおよび該第２のウエーハを電気的および機械的に接続し、該導電性リムおよび該第２のウエーハが、該第１のウエーハの表面上の領域を、少なくとも部分的にシールする、導電性リムと
を備える、装置。
【請求項２】
前記導電性リムおよび前記第２のウエーハが、前記第１のウエーハの表面上の領域をハーメチックシールする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記導電性リムがシリサイドを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のウエーハ上の領域がＭＥＭＳ構造を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記導電性リムが前記ＭＥＭＳ構造から電気的に分離されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第２のウエーハがキャップを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のウエーハが、前記導電性リムを介して、バイアス電圧を前記第２のウエーハに与えることができる回路を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記回路はそれがさらされ得る最大温度を有し、前記導電性リムは、該回路がさらされ得る該最大温度よりも低い温度にて、相互拡散または溶解する材料から生成される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のウエーハおよび前記第２のウエーハのうちの少なくとも一つが、シリコンベースの材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のウエーハおよび前記第２のウエーハのうちの少なくとも一つが、多結晶シリコン、単結晶シリコン、またはシリコンゲルマニウムからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
第１のウエーハと、
第２のウエーハと、
該第１のウエーハと該第２のウエーハとの間の導電性シール手段であって、該導電性シール手段が、該第１のウエーハおよび該第２のウエーハを電気的および機械的に接続し、該第２のウエーハおよび該導電シール手段が、該第１のウエーハの表面上の領域を、少なくとも部分的にシールする、導電性シール手段と
を備える、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１２】
前記導電性シール手段が、前記第１のウエーハと前記第２のウエーハとの間のシリサイドボンドを含む、請求項１１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１３】
前記導電性シール手段を介して、バイアス電圧を前記第２のウエーハに与える手段をさらに備え、該与える手段が前記第１のウエーハ上にある、請求項１１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
ＭＥＭＳデバイスを形成する方法であって、該方法は、
中間装置を形成するために、第１のウエーハおよび第２のウエーハの間にリム材料を配置することであって、該リム材料が該第１のウエーハ上の領域を規定する閉ループを形成する、ことと、
圧力を該中間装置に加えることと、
該中間装置を熱することと、
熱すること、および圧力を加えることの後に、該リム材料が、該第１のウエーハ上の領域をシールするために、ならびに、該第１のウエーハおよび該第２のウエーハを電気的に接続するために、該第１のウエーハおよび該第２のウエーハと協働することと
を包含する、方法。
【請求項１５】
前記第２のウエーハが前記第１のウエーハと実質的に平行である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記リム材料が、該リム材料を含む合成材料を形成するために、前記第１のウエーハおよび前記第２のウエーハを統合することによって、該第１のウエーハおよび該第２のウエーハと協働する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記リム材料が、シリサイド材料を形成するために、前記第１のウエーハおよび前記第２のウエーハに拡散する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のウエーハ上の領域内にＭＥＭＳ構造を形成することをさらに包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記リム材料を介して、バイアス電圧を前記第２のウエーハに与えることができる回路を、前記第１のウエーハ上に形成することをさらに包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の方法によって形成されるＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に電子機器に関し、より詳細にはキャップされた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロメカニカル・システム（すなわち「ＭＥＭＳ」）は、高度に小型化されたデバイスであり、様々な機能を実行するように構成され得る。例えば、ＭＥＭＳデバイスは、動体の加速を計測する加速度計としてインプリメントされ得る。例えば、ＭＥＭＳ加速度計の一つのタイプは、加速に応じて、ベースをなす基板に関連して動く支持された質量（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ  ｍａｓｓ）を有する。従って、加速は、そのベースをなす基板に関連した、支持された質量の動きの関数として計算され得る。
【０００３】
それらの比較的小さなサイズのために、ＭＥＭＳデバイスの機械的構造（例えば、上記された加速度計における支持された質量）は、通常、壊れ易く、敏感である。従って、多くの見かけ上、無害（ｉｎｎｏｃｕｏｕｓ）なもの、例えば、埃、湿度、および静電気などは、ＭＥＭＳ性能に不利なインパクトを与える。技術は、外部環境から、敏感なＭＥＭＳの機械的構造を分離させることによって、この問題に応答する。例えば、一つの分離方法は、機械的構成要素を介してキャップをボンドする。
【０００４】
ＭＥＭＳ構造を分離することは、一般的に満足されていはいるが、この解決は他の問題を生じる。特に、キャップは、比較的大きな静電チャージを蓄積し得、デバイスの性能に不利な影響を与え得、および/または、ＭＥＭＳデバイスにダメージを与え得る。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一局面に従い、装置は、第１のウエーハおよび第２のウエーハ、ならびに、第１と第２のウエーハの間の導電性リムを有する。導電性リムは、第１および第２のウエーハを、電気的および機械的に接続する。付け加えて、導電性リムおよび第２のウエーハが、第１のウエーハの表面上の領域を少なくとも部分的にシールする。
【０００６】
一部の実施形態において、導電性リムおよび第２のウエーハは、第１のウエーハの表面上の領域をハーメチックシールする。特に、導電性リムはシリサイドであり得る。
【０００７】
第１のウエーハ上のシールされた領域は、ＭＥＭＳ構造などの、多数のものを含み得る。その場合、導電性リムは、例示的には、ＭＥＭＳ構造から電気的に分離されている。さらに、第２のウエーハは、キャップを含み得、キャップは、環境からＭＥＭＳ構造を部分的に保護し得る。
【０００８】
一部の実施形態において、第１のウエーハは、導電性リムを介して、バイアス電圧を第２のウエーハに与えることができる回路を含む。回路は、それがさらされ得る最大温度を有し得る。そのような場合、導電性リムは、例示的には、回路がさらされ得る最大温度よりも低い温度にて、相互拡散および／または溶解する材料から生成される。
【０００９】
第１のウエーハおよび第２のウエーハのうちの少なくとも一つは、シリコンベース材料から生成され得る。例えば、第１のウエーハおよび第２のウエーハのうちの少なくとも一つは、多結晶シリコン、単結晶シリコン、またはシリコンゲルマニウムからなり得る。
【００１０】
本発明の別の局面に従い、ＭＥＭＳデバイスを形成する方法は、中間（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ）装置を形成するために、第１のウエーハと第２のウエーハとの間にリム材料を配置する。そのリム材料は、第１のウエーハ上の領域を規定する閉ループを形成するために配置される。本方法は、次いで、中間装置を熱し、圧力を加える。熱し、圧力を加えた後、リム材料は、第１のウエーハ上の領域をシールし、第１のウエーハおよび第２のウエーハを電気的に接続するために、第１のウエーハおよび第２のウエーハと協働する。
【００１１】
例示的な実施形態において、第２のウエーハは、第１のウエーハと実質的に平行である。リム材料は、リム材料を含む合成材料を形成するために第１のウエーハおよび第２のウエーハを統合することによって、第１のウエーハおよび第２のウエーハと協働し得る。例えば、リム材料は、シリサイド材料を形成するために、第１のウエーハおよび第２のウエーハに拡散し得る。
【００１２】
方法は、第１のウエーハ上の領域内にＭＥＭＳ構造を形成し得る。回路はまた、第１のウエーハ上に形成され得る。特に、回路は、バイアス電圧を、リム材料を介して第２のウエーハに与えることができ得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の前述および利点は、添付された図面を参照し、以下のさらなる記載から、より完全に理解される。
【００１４】
例示的実施形態において、ＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳダイにキャップを固定する導電性リムを有する。導電性リムは、ＭＥＭＳダイにＭＥＭＳ構造を密閉し、キャップを接地または固定バイアス電位に電気的に接続することの両方をする。特に、導電性リムは、キャップとＭＥＭＳダイを全体的に結合するシリサイドの少なくとも一部分から形成され得る。様々な実施形態の詳細は、以下に説明される。
【００１５】
図１、本発明の例示的実施形態に従って構成され得るジェネリックＭＥＭＳデバイス１０を、概略的に示す。示されるＭＥＭＳデバイス１０は、回路ダイ１４に結合されている、キャップされたＭＥＭＳダイ１２を含む。したがって、示されるＭＥＭＳダイ１２は、回路ダイ１４上の回路によって制御および／またはモニタされる構造を有する。回路ダイ１４は、コンピュータのような外部のデバイスと電気通信するために、ボンドパッド１６または他のインターコネクトを有する。環境からＭＥＭＳデバイス１０を更に保護するため、従来の処理は、ＭＥＭＳデバイス１０全体をパッケージ内にて実装し得る。
【００１６】
ＭＥＭＳデバイス１０は、慣性センサのような、任意の従来的に周知のＭＥＭＳデバイス１０になり得る。例えば、ＭＥＭＳデバイス１０は、ジャイロスコープまたは加速度計になり得る。例示的ＭＥＭＳジャイロスコープは、Ｎｏｒｗｏｏｄ，ＭａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓのＡｎａｌｏｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ．に譲渡されている、６，５０５，５１１において、より詳細に説明される。例示的ＭＥＭＳ加速度計は、更にまた、Ｎｏｒｗｏｏｄ，ＭａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓのＡｎａｌｏｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃに譲渡されている、米国特許番号第５，９３９，６３３号において、より詳細に説明される。米国特許番号第５，９３９，６３３号および第６，５０５，５１１号の開示は、その全体が、本明細書中に援用される。
【００１７】
図２は、図１に示されるデバイスのＸ−Ｘ線に沿った断面図を、概略的に示す。特に、ＭＥＭＳデバイス１０は、その上部に実装されているシリコンベースのキャップ１８を有する上記のＭＥＭＳダイ１２（例、シリコンのようなシリコンベースの材料から成る）およびその下部に実装されている上記の回路ダイ１４を含む。キャップ１８は、例示的に、多結晶シリコンから形成され、その内側から延びるキャップリム２２によって定義されるキャビティ２０を有するようにエッチングされる。キャビティ２０は、ＭＥＭＳ機能を実施するためにプライマリ構造２４を含む、ＭＥＭＳダイ１２の中心部分の上に重なる。例えば、ＭＥＭＳダイ１２が加速度計である場合、構造２４は、基板２６の上に支持される、移動可能の質量を含み得る。
【００１８】
例示的実施形態に従って、ＭＥＭＳデバイス１０は、ＭＥＭＳダイ１２にＭＥＭＳ構造２４を囲む、導電性リムを形成するように考慮される。特に、導電性リム２８は、ＭＥＭＳ構造２４を環境から保護する、ハーメチックシールを形成する。例えば、ハーメチックシールは、構造２４を、埃、湿気、および汚れから保護し得る。代替的な実施形態において、導電性リム２８は、ＭＥＭＳ構造２４に非ハーメチックシールを提供する。当業者に知られるように、非ハーメチックシールは、ＭＥＭＳ構造２４を、埃および汚れから保護し得るが、湿気不浸透性（ｉｍｐｅｒｖｉｏｕｓ）ではない。
【００１９】
ＭＥＭＳ構造２４を密閉することに加えて、導電性リム２８は、ＭＥＭＳダイ１２を介して、キャップ１８を回路ダイ１４に電気的に接続もする。ＭＥＭＳダイ１２は、したがって、ビア３２およびＭＥＭＳダイ１２を介して、導電性リム２８から回路ダイ１４に延びるコンタクト３４（例、ボールグリッドアレイのボール）を含む。回路ダイ１４上の回路３０は、キャップ１８の電位を接地または任意の所望された電圧レベルに設定する。
【００２０】
それらの端部に、ＭＥＭＳダイ１２は、キャップ１８から延びるキャップリム２２に全体的に結合する、多結晶シリコン材料（材料２６から延び、本明細書中に「ＭＥＭＳリム３６」として言及される）のリムを有する。例示的実施形態において、キャップリム２２およびＭＥＭＳリム３６は、比較的高いシリサイド濃度（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）を有する、おおまかに定義された交差領域３８にて接触する（図３に関連して下記される）。シリサイドの濃度は、その交差領域３８の中心において最も高くなり得、そのおおまかに定義される端部において、本質的にゼロに減少し得る。更に、導電性リム２８（交差領域３８から形成されたＭＥＭＳリム３６およびキャップリム２２）は、好ましくは、キャップ１８に適用される電位が入念に制御されるように保証するため、ＭＥＭＳ構造２４から電気的に分離される。
【００２１】
例示的実施形態において、ＭＥＭＳリム３６は、センサ要素としてもアクトする。代替的に、特に、ＭＥＭＳリム３６は、接地面要素、回路要素、またはダミー機械的要素としてアクトし得る。
【００２２】
図３は、図２に示されるＭＥＭＳデバイス１０を形成する例示的処理を概略的に示す。この処理の様々なステップが、説明されるものとは異なる順序において実行され得ることに留意されるべきである。更に、他のものが省略され得る一方、追加のステップが実行され得ることが、当業者に理解されるべきである。
【００２３】
処理は、ＭＥＭＳダイ１２が従来の処理に従って形成される、ステップ３００において開始する。他の処理に加えて、従来の表面マイクロマシニング処理は、ＭＥＭＳダイ１２を形成するために使用され得る。代替的に、絶縁体上のシリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）（「ＳＯＩ」）処理が使用され得る。上記されるように、ダイは、多結晶シリコンのようなシリコンベースの材料から形成され得る。代替的な実施形態においては、しかしながら、他の種類の材料が使用され得る。例えば、単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムは、ＭＥＭＳダイ１２の全部分または選択された部分に対して使用され得る。いずれの場合にも、ＭＥＭＳリム３６の導電率は、満足なレベルになるように制御されるべきである。必要な場合、一部のドーピングは、適切な導電特性を保証するために、要求され得る。
【００２４】
キャップ１８は、次いで、ステップ３０２において形成される。ＭＥＭＳダイ１２と同様な方法において、キャップ１８は、従来の処理（例、表面マイクロマシニング処理）に従って、多結晶シリコンウエーハ（または他の材料）から形成され得る。キャビティ２０およびキャップリム２２のサイズは、例示的に、ＭＥＭＳダイ１２と十分な隙間を保証するために選択される。より詳細に、キャビティ２０は、ＭＥＭＳダイ１２上の構造２４の動きを妨げないほどに、十分に大きくあるべきである。
【００２５】
処理は、次いで、従来の処理が回路ダイ１４を形成する、ステップ３０４に続く。所望される機能を実行するように設計される、任意の従来の回路が使用され得る。例えば、上記の援用される特許に示される回路が、使用され得る。より詳細に、ＭＥＭＳデバイス１０が加速度計である場合、米国特許番号第５，９３９，６３３号に示される回路は、ＭＥＭＳダイ１２における静電気変化を感知するために使用され得る。例示的実施形態において、ＭＥＭＳダイ１２、キャップ１８、および回路ダイ１４の各々が、同一要素のアレイの１つとして、単一ウエーハ上に形成されることに留意されるべきである。
【００２６】
従来の処理は、次いで、キャップ１８の底側を金属化し得る（ステップ３０６）。例えば、プラチナ４０の層は、キャップ１８の底側にスパッタ堆積され得る。ＭＥＭＳリム３６がキャップリム２２に直接接触するように、金属化されたキャップ１８は、次いで、ＭＥＭＳダイ１２上に配置され得る。
【００２７】
処理上のこの時点において、ＭＥＭＳダイ１２およびキャップ１８は、一緒に固定されていない。したがって、それらを融着させるために、この中間装置は、交差領域３８にシリサイドボンドを形成するために十分である、比較的高温および高圧にされされる（ステップ３０８において）。当業者は、適切な温度および圧力を選択できるべきである。実施例だけの方法によっては、中間装置を、およそ２８０〜４５０度Ｃの間の温度および４０分から５０分の間およそ２気圧（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ）の圧力にさらすことが、満足な結果を提供する。
【００２８】
処理上のこのステップは、したがって、交差領域３８にプラチナシリサイドを生成する。当業者に知られるように、多結晶シリコンへのプラチナの相互拡散のため、２つのリムの外部および２つのリムの間のプラチナは、実質的に一体化したおよび導電性の接続器を形成するように協働し合う。プラチナの濃度は、したがって、中心からの距離関数としてゼロに減少する一方、交差領域３８の中心において最も高い（例、プラチナ５０％および多結晶シリコン５０％）。
【００２９】
プラチナ以外の材料が、シリコンボンドを生成するために使用され得る。例えば、タングステンまたはチタンが、使用され得る。留意されるそのような材料の使用は、しかしながら、一般的に、プラチナを必要とするものよりも、それぞれのシリサイドボンドを形成するために、より高温を必要とする。したがって、中間装置上に回路３０を有する実施形態を用いるタングステンまたはチタンの使用（例、下記される図４〜図６を参照）は、そのような高温が回路３０に悪い影響を与え得るため、推奨され得ない。すなわち、シリサイドボンドを形成するために選択される材料は、回路３０またはＭＥＭＳデバイス１０の他の温度感受性部分に悪影響を与え得る温度より低い温度において、相互拡散する（および／または溶ける）であろう。
【００３０】
他の種類のボンドが、使用され得る。例えば、シリサイドボンドを形成するよりも、はんだ付け可能ボンドが使用され得る。この種類のボンドの使用は、しかしながら、追加の処理ステップを要求する。より詳細に、少なくともキャップリム２２（上記される）を金属化することに加えて、ＭＥＭＳリム３６も金属化される。上記の実施例に続いて、キャップリム２２と同様の方法において、ＭＥＭＳリム３６も、プラチナまたは他のはんだ付け可能材料を用いてスパッタ堆積され得る。はんだは、次いで、比較的低温において適用および硬化され得る。
【００３１】
上記されるように、導電性リム２８は、例示的に、キャップ１８と回路３０との間にハーメチックシールおよび導電性パスの両方を提供するために、ＭＥＭＳ構造２４を完全に取り囲む。一部の実施形態において、導電性リム２８は、構造２４の周りに円形のリングを形成する。他の実施形態においては、導電性リム２８は、ＭＥＭＳ構造２４の周りに他の何かの形（例、楕円、長方形、または異形）を形成する。
【００３２】
シリサイドボンドが形成された後、処理は、ＭＥＭＳダイ１２（または場合においてはウエーハになり得る）の下部がビア３２を露出するシニング（ｔｈｉｎｎｉｎｇ）処理（例、バックグラインディングまたはエッチバック処理）を必要とする、ステップ３１０に続く。導電性コンタクト３４は、次いで、ビア３２の下部に実装され得（ステップ３１２）、次いで、回路ダイ１４の上表面に対応するコンタクトに実装され得る（ステップ３１４）。ウエーハは、次いでダイスされ得、次いで、処理を完成する。上記されるように、完全に形成された後、結果として生じるＭＥＭＳデバイス１０は、フリップチップが回路ボードに実装される（片側にコンタクトが形成された後）、パッケージの中に実装され得、または任意の従来の方法において使用される。
【００３３】
従って、図２に示されるように、および上で検討されたように、キャップ１８は、導電性リム２８、対応するビア３２、および、ＭＥＭＳ基板２６の底上のボールコンタクト３４を介して、回路ダイ１４に電気的に接続される。回路ダイ１４上の回路３０は、キャップ１８の電位を、接地または任意の所望される電圧レベルにセットし得る。あるいは、ＭＥＭＳダイ１２を介した導電性リム２８への導電経路は、外部ピンにて終了し得、外部に接地され得るか、または、０．２ボルトなどの、任意の所望される電位にセットされ得る。
【００３４】
図４は、ＭＥＭＳデバイス１０の代替的な実施形態を示す。別個の回路ダイ１４を有するよりも、ＭＥＭＳダイ１２は、構造２４および回路３０の両方を含み得る。図２に示されるＭＥＭＳダイ１２と同様な方法において、本実施形態のＭＥＭＳダイ１２は、表面のマイクロマシニングまたはＳＯＩ処理などを使用することによって、従来の方法において生成され得る。
【００３５】
図５は、「スマートキャップ」が使用される別の実施形態を示す。特に、キャップ１８は、ＭＥＭＳダイ１２において、回路３０を用いた処理を共有または補償する回路３０を有し得る。バイアス電位の代わりに、またはそれに付け加えて、キャップ１８とＭＥＭＳダイ１２の間の導電性経路はまた、データメッセージを送信することができる。図６は、二つのＭＥＭＳダイ１２が共に取り付けられているさらなる別の実施形態を示す。図１〜６に示された様々な実施形態の構成要素が、他の実施形態を形成するように組み合わされ得ることに注意すべきである。例えば、集積回路３０を用いたＭＥＭＳダイ１２の代わりに、図６における回路３０は、図２におけるのと同じように、一つ以上の別個の回路ダイ１４に配置され得る。
【００３６】
一般的に言えば、本発明の様々な実施形態は、ウエーハの少なくとも一つの上にある内部領域（例えば、敏感な構造２４を有する）をシールする方法において、二つのウエーハを共に結合する導電性リム２８を有する。他の導電性経路に付け加えて（またはその代わりに）、その導電性リム２８はまた、ウエーハの少なくとも一つを、一部の他のウエーハと電気的に通信するために使用され得る。従って、キャップ１８とＭＥＭＳ構造２４との間の意図しない電位差は、避けられるべきである。
【００３７】
上で検討されたものとは異なる材料もまた、使用され得る。さらに、一部の実施形態は、ＭＥＭＳデバイスとは異なるデバイスに適合可能である。例えば、集積回路および他のタイプのデバイスは、本発明の局面をインプリメントし得る。従って、ＭＥＭＳデバイスの検討は例示的なものであり、従って、本発明の全ての実施形態を限定することを意図されていない。
【００３８】
上記の検討は本発明の様々な例示的な実施形態を開示しているが、本発明の真なる範囲から逸脱することなく、当業者は本発明の利点の一部を達成する様々な修正をすることができることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の例示的な実施形態に従って、キャップされ得る電子機器の斜視図を概略的に示す。
【図２】図１に示されるデバイスのＸ−Ｘ線に沿った断面図を概略的に示し、そのデバイスは、本発明の一実施形態に従って構成される。
【図３】本発明の様々な実施形態に従って、図２に示される電子機器を形成するプロセスを示す。
【図４】ＭＥＭＳデバイス上にてインプリメントされる本発明の代替的な実施形態の断面図を概略的に示し、ＭＥＭＳデバイスは、同一のダイ上の回路および構造を有する。
【図５】ＭＥＭＳデバイス上にてインプリメントされる本発明の別の代替的な実施形態の断面図を概略的に示し、ＭＥＭＳデバイスは、同一のダイ上の回路および構造、ならびに、キャップ上の回路を有する。
【図６】キャップが別のＭＥＭＳデバイスを効率的に形成する、ＭＥＭＳデバイス上にてインプリメントされる本発明のさらに別の代替的な実施形態の断面図を概略的に示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2007513796.tif 000009
2007513796.tif 000010
2007513796.tif 000011
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