(57)【要約】  リソグラフィ装置は、高真空チャンバ内に少なくとも１つのオブジェクト支持構造１を含む。オブジェクト支持構造は、キャリア・デバイス３を含み、オブジェクト支持構造において、キャリア・デバイス内にいくつかの区画１７、１８、１９を形成する、いくつかの分割壁２３、２４、２５、２７が設けられる。区画１７、１８、１９、２０、２１のうちの少なくとも１つは、高真空チャンバから遮蔽され、別個のガス排気構造３４を備える。
2007518261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを供給するように構築された照射システムと、
パターニング・デバイスを支持するように構築された少なくとも１つの第１オブジェクト支持構造とを備え、前記パターニング・デバイスは、パターン化したビームを形成するために、前記ビームの断面にパターンを与えるのに役立ち、
基板を支持するように構築された少なくとも１つの第２オブジェクト支持構造と、
前記パターン化したビームを前記基板の標的部分上に投射する投射システムと、
高真空を供給するために、第１ガス排気構造を備える少なくとも１つの主真空チャンバとを備え、前記主真空チャンバは、前記第１及び第２支持構造のうちの少なくとも一方を閉囲し、少なくとも１つの位置決めデバイスを有し前記第１及び第２支持構造のうちの少なくとも一方に連結する位置決め構造を閉囲し、
前記主真空チャンバ内の前記第１及び第２支持構造のうちの前記少なくとも一方は、前記少なくとも１つの位置決めデバイスに接続され、前記主真空チャンバ内にあるキャリア・デバイスを含み、
前記キャリア・デバイスは、少なくとも１つの区画を含み、前記少なくとも１つの区画は、前記主真空チャンバの前記高真空から遮蔽され、前記少なくとも１つの区画において動作時に、前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを可能にする、さらなるガス排気構造を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記キャリア・デバイスは、前記少なくとも１つの区画を備えるフレームを含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記フレームは、前記主真空チャンバから遮蔽された区画が取り付けられるバックボーン・フレームである請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記フレームは、前記主真空チャンバから遮蔽された複数の区画を囲む請求項２又は３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記キャリア・デバイスは箱であり、前記箱の内部空間は壁を分割することによって区画に分割される請求項１から４までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記キャリア・デバイスは、前記主真空チャンバに開放状態で接続する少なくとも１つの区画を含む請求項１から５までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記キャリア・デバイスは、内部空間及び前記キャリア・デバイスの前記内部空間を中央区画と周辺区画に分割する分割壁を有し、前記中央区画は、前記主真空チャンバに開放状態で接続し、前記周辺区画の複数は、前記主真空チャンバから遮蔽され、前記周辺区画の前記複数のそれぞれは、前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを有する請求項１から６までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記キャリア・デバイスは、複数の遮蔽区画を有し、前記遮蔽区画の少なくとも２つは、前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを有する少なくとも１つの単一圧力空間を構成するように、互いに開放状態で接続する請求項１から７までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記キャリア・デバイスは、上部平面と底部平面を有する平坦箱として形作られ、前記分割壁は、前記平坦箱の前記上部及び底部平面において、それぞれ、上側及び下側縁部を有する請求項１から８までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記キャリア・デバイスは、４つの側壁によって形成された全体が矩形の形状を有し、前記分割壁は、３つの角を有する三角形区画を構成する３つの壁を含み、前記３つの角のそれぞれは、前記４つの側壁の異なる側壁上にある請求項１から９までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記三角形区画の前記角の少なくとも１つは、前記三角形区画の前記３つの壁のうちの２つの間に延びる短い分割壁によって切り離された角セクションを形成する請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記支持されたオブジェクトを位置決めする前記少なくとも１つの位置決めデバイスの１つは、前記主真空チャンバに開放状態で接続する前記区画内に取り付けられる請求項６に記載の又は請求項６によるときには請求項７から１１までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記支持されたオブジェクトを位置決めする前記少なくとも１つの位置決めデバイスの１つは、開放区画なしで、キャリア・デバイスの上部に取り付けられる請求項６によらないときには請求項１から５まで又は７から１２までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる前記少なくとも１つの圧力レベルは、少なくとも１つの真空レベルを含む請求項１から１３までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる前記少なくとも１つの圧力レベルは大気圧レベルを含み、前記さらなるガス排気構造は、大気圧を供給するようになっている請求項１から１４までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
デバイスを製造する方法であって、
放射ビームを供給すること、
第１オブジェクト支持構造がパターニング・デバイスを支持する間に、断面パターンを前記ビームに与え、放射のパターン化したビームを形成すること、
前記パターン化したビームを、第２オブジェクト支持構造によって支持される基板の標的部分上に投射すること、
少なくとも１つの主真空チャンバ内に高真空を設けることを含み、前記主真空チャンバは、前記第１及び第２オブジェクト支持構造のうちの少なくとも一方を閉囲し、少なくとも１つの位置決めデバイスを有し前記第１及び第２オブジェクト支持構造のうちの少なくとも一方に連結する位置決め構造を閉囲し、
前記主真空チャンバ内で前記キャリア・デバイスを位置決めするために、前記第１及び第２オブジェクト支持構造のうちの一方の中に含まれるキャリア・デバイスを位置決めすること、
前記主真空チャンバの前記高真空から遮蔽された前記キャリア・デバイス内の少なくとも１つの区画内に、前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを設けることを含むデバイスを製造する方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの圧力レベルは少なくとも１つの真空レベルを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの圧力レベルは大気圧レベルを含む請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを供給する手段と、
パターン化したビームを形成するために、前記放射ビームに断面パターンを与えるパターン形成手段と、
前記パターン形成手段を支持する第１支持手段と、
基板と、
前記基板を支持する第２支持手段と、
前記パターン化したビームを前記基板の標的部分上に投射する手段と、
前記第１及び第２支持手段を搬送する手段と、
前記搬送手段並びに前記第１及び第２支持手段を位置決めする手段と、
前記位置決め手段及び前記搬送手段に高真空を供給する手段と、
前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる少なくとも１つの真空レベルを前記搬送手段内に設ける手段とを備えるリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記搬送手段内に大気圧を供給する手段をさらに含む請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを供給するように構築された照射システムと、
前記放射ビームを受け取るために、オブジェクトを支持するように構築された支持構造と、
前記支持構造を位置決めするように構築された位置決めデバイスと、
前記位置決めデバイスを支持するように構築されたキャリア・デバイスと、
高真空を供給するための第１ガス排気構造を備える主真空チャンバとを備え、前記主真空チャンバは、前記支持構造、前記位置決めデバイス、及び前記キャリア・デバイスを閉囲し、
前記キャリア・デバイスは、少なくとも１つの区画を含み、前記少なくとも１つの区画は、前記主真空チャンバの前記高真空から遮蔽され、前記少なくとも１つの区画において動作時に、前記主真空チャンバ内の前記高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを可能にする、さらなるガス排気構造を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記キャリア・デバイスの少なくとも１つの区画内に大気圧を供給する手段をさらに含む請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
デバイスを製造する方法であって、
支持構造によってオブジェクトを支持すること、
放射ビームを前記オブジェクト上に供給すること、
位置決めデバイスによって前記支持構造を位置決めすること、
キャリア・デバイスによって前記位置決めデバイスを支持すること、
前記支持構造、前記位置決めデバイス、及び前記キャリア・デバイスを閉囲する主真空チャンバを設けること、
前記主真空チャンバを高真空に排気すること、
前記キャリア・デバイスに、前記主真空チャンバの前記高真空から遮蔽された少なくとも１つの区画を備えること、及び、
前記少なくとも１つの区画において、前記主真空チャンバの前記高真空と異なる圧力レベルを生成することを含むデバイスを製造する方法。
【請求項２４】
前記圧力レベルは、少なくとも１つの区画を排気することによって生成される真空レベルである請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記圧力レベルは、大気圧の空間への接続部を区画に備えることによって生成される大気圧である請求項２３又は２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の標的部分上に所望のパターンを適用する機械装置である。リソグラフィ装置を、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。こうした状況で、マスク等のパターニング・デバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射に敏感な材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の（例えば、ダイの一部、１つのダイ、又はいくつかのダイを含む）標的部分上にイメージングすることができる。一般に、単一基板は、連続的に露光される隣接する標的部分のネットワークを収容するであろう。知られているリソグラフィ装置は、標的部分上に全体のパターンを一度に露光することによって、それぞれの標的部分が照射される、いわゆる、ステッパ、並びに、投射ビームを通してパターンを、所与の方向（「走査」方向）に走査し、一方、基板を、この方向に平行又は逆平行に同期して走査することによって、それぞれの標的部分が照射される、いわゆる、スキャナを含む。
【０００３】
極紫外（ＥＵＶ）範囲の放射の投射ビーム又は粒子ビームを使用するリソグラフィ装置では特に、例えば、リソグラフィ装置内のガス分子の存在の結果としての放射ビームの吸収及び／又は散乱、並びに、光学デバイスの表面上への汚染物質の堆積のような望ましくない現象をなくすために、高真空で動作することが必要である。そのため、当技術分野で現在知られているようなリソグラフィ装置では、基板及び／又はパターニング・デバイスは、動作時に、高真空が維持される真空チャンバ内に位置する。結果として、リソグラフィ装置の実用的な実施例では、基板用の支持構造及び／又はパターニング・デバイス用の支持構造、又は、複数ステージ装置の場合のいくつかのこうした支持構造、並びに、支持構造に関連する位置決め構造が、真空チャンバ内に位置することになる。
【０００４】
完璧さのために、本明細書では、「高真空」という表現は、非常に低い圧力を指示することが留意される。同様に、「低真空」という表現は、比較的高いが、それでも大気中より低い圧力を指示する。
【０００５】
高真空の使用は、真空内に置かれる部品（ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）に多少厳しい条件を課す。こうした部品は、真空において、汚染物質のガス放出がまったくないか、又は、汚染物質のガス放出が最小であるに過ぎないことを特徴とすることになる材料から作られるべきである。これに関連して、「ガス放出」という表現は、こうした材料からのガス放出と、材料の表面上で吸着されたガスからのガス放出の両方を含む。
【０００６】
リソグラフィ装置における、パターニング・デバイス及び基板用の支持構造は、例えば、センサ、センサ電子部品、位置決め構造、電気配線、及び冷却目的のための導管等のような種々の付属要素を採用する、多少複雑な設計である。高真空で使用されるときの、こうしたすべての要素について、先に示したガス放出問題を最小にするために、特別な材料が使用される場合がある。高真空環境用に特に設計された、こうした要素を使用することについての必要性によって、こうした要素の作業ストックを製造し、且つ／又は、購入し、並びに、維持することに関連して高コストがもたらされるだけでなく、こうした要素についての設計自由度が制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、高真空チャンバ内での材料のガス放出による問題を実質的に減らしたリソグラフィ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供されており、リソグラフィ装置は、放射ビームを供給するように構築された照明システムと、パターニング・デバイスを支持するように構築された少なくとも１つの第１オブジェクト支持構造とを備え、パターニング・デバイスは、パターン化したビームを形成するために、ビームの断面にパターンを与えるのに役立ち、基板を支持するように構築された少なくとも１つの第２オブジェクト支持構造と、パターン化したビームを基板の標的部分上に投射する投射システムと、高真空を供給するために、第１ガス排気構造を備える少なくとも１つの主真空チャンバとを備え、主真空チャンバは、第１及び第２支持構造のうちの少なくとも一方を閉囲し、少なくとも１つの位置決めデバイスを有し第１及び第２支持構造のうちの少なくとも一方に連結する位置決め構造を閉囲し、主真空チャンバ内の第１及び第２支持構造のうちの少なくとも一方は、少なくとも１つの位置決めデバイスに接続され、主真空チャンバ内にあるキャリア・デバイスを含み、キャリア・デバイスは、少なくとも１つの区画を含み、少なくとも１つの区画は、主真空チャンバの高真空から遮蔽され、少なくとも１つの区画において動作時に、主真空チャンバ内の高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを可能にする、さらなるガス排気構造を備える。前記圧力レベルは、１つ又は複数の真空レベル及び／又は大気圧を含んでもよい。
【０００９】
本発明のさらなる態様によれば、デバイスを製造する方法が提供されており、方法は、放射ビームを供給すること、第１オブジェクト支持構造がパターニング・デバイスを支持する間に、断面パターンをビームに与え、放射のパターン化したビームを形成すること、パターン化したビームを、第２オブジェクト支持構造によって支持される基板の標的部分上に投射すること、少なくとも１つの主真空チャンバ内に高真空を設けることを含み、主真空チャンバは、第１及び第２オブジェクト支持構造のうちの少なくとも一方を閉囲し、少なくとも１つの位置決めデバイスを有し第１及び第２オブジェクト支持構造のうちの少なくとも一方に連結する位置決め構造を閉囲し、主真空チャンバ内でキャリア・デバイスを位置決めするために、第１及び第２オブジェクト支持構造のうちの一方の中に含まれるキャリア・デバイスを位置決めすること、主真空チャンバの高真空から遮蔽されたキャリア・デバイス内の少なくとも１つの区画内に、主真空チャンバ内の高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを設けることを含む。前記圧力レベルは、１つ又は複数の真空レベル及び／又は大気圧を含んでもよい。
【００１０】
真空チャンバ内の高真空から遮蔽され、それ自体のガス排気構造を有する少なくとも１つの区画を有するキャリア・デバイスによって、区画内で、より低い真空レベル（より高い圧力に相当する）又はさらに大気圧を使用することが可能になる。こうした区画内に取り付けられる補助デバイスに関するガス放出問題は、こうした２真空キャリア・デバイスにおいて、かなり低減されるであろう。これによって、高価で、且つ、入手が難しい非標準要素の使用を、少なくともかなりの程度まで避けることが可能になるであろう。
【００１１】
本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、放射ビームを供給する手段と、パターン化したビームを形成するために、放射ビームに断面パターンを与えるパターン形成手段と、パターン形成手段を支持する第１支持手段と、基板と、基板を支持する第２支持手段と、パターン化したビームを基板の標的部分上に投射する手段と、第１及び第２支持手段を搬送する手段と、搬送手段並びに第１及び第２支持手段を位置決めする手段と、位置決め手段及び搬送手段に高真空を供給する手段と、主真空チャンバ内の高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを搬送手段内に設ける手段とを備える。前記圧力レベルは、１つ又は複数の真空レベル及び／又は大気圧を含んでもよい。
【００１２】
本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、放射ビームを供給するように構築された照射システムと、放射ビームを受け取るために、オブジェクトを支持するように構築された支持構造と、支持構造を位置決めするように構築された位置決めデバイスと、位置決めデバイスを支持するように構築されたキャリア・デバイスと、高真空を供給するための第１ガス排気構造を備える主真空チャンバとを備え、主真空チャンバは、支持構造、位置決めデバイス、及びキャリア・デバイスを閉囲し、キャリア・デバイスは、少なくとも１つの区画を含み、少なくとも１つの区画は、主真空チャンバの高真空から遮蔽され、少なくとも１つの区画において動作時に、主真空チャンバ内の高真空と異なる少なくとも１つの圧力レベルを可能にする、さらなるガス排気構造を備える。前記圧力レベルは、１つ又は複数の真空レベル及び／又は大気圧を含んでもよい。
【００１３】
本発明のさらなる態様によれば、デバイスを製造する方法が提供され、方法は、支持構造によってオブジェクトを支持すること、放射ビームをオブジェクト上に供給すること、位置決めデバイスによって支持構造を位置決めすること、キャリア・デバイスによって位置決めデバイスを支持すること、支持構造、位置決めデバイス、及びキャリア・デバイスを閉囲する主真空チャンバを設けること、主真空チャンバを高真空に排気すること、キャリア・デバイスに、主真空チャンバの高真空から遮蔽された少なくとも１つの区画を備えること、及び、少なくとも１つの区画において、主真空チャンバの高真空と異なる圧力レベルを生成することを含む。前記圧力レベルは、１つ又は複数の真空レベル及び／又は大気圧を含んでもよい。
【００１４】
本明細書において、ＩＣの製造においてリソグラフィ装置の使用が特に参照される場合があるが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積化した光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造等の、他の用途を有してもよいことが理解されるべきである。こうした代替の用途の文脈で、本明細書における、「ウェハ」又は「ダイ」という用語のいずれの使用も、それぞれ、「基板」又は「標的部分」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよいことを、当業者は理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後で、例えば、トラック・ツール（通常、レジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、又は、計量ツール、又は、検査ツールで処理されることができる。適用可能なところでは、本明細書における開示を、こうした、また、他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを作成するために、２回以上処理することができるため、本明細書で使用される基板という用語は、処理された複数の層を既に含む基板のことを言う場合もある。
【００１５】
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）、及び、極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びに、イオンビーム又は電子ビーム等の粒子ビームを含む、すべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００１６】
本明細書で使用される「パターニング・デバイス」又は「パターニング構造」という用語は、基板の標的部分にパターンを作成するため等、投射ビームに、その断面においてパターンを与えるのに使用することができるデバイス又は構造のことを言っているものと、幅広く解釈されるべきである。投射ビームに与えられるパターンは、基板の標的部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることが留意されるべきである。一般に、投射ビームに与えられるパターンは、集積回路等の、標的部分で作成されるデバイスの特定の機能層に相当するであろう。
【００１７】
パターニング・デバイスは、透過タイプか、又は、反射タイプであってよい。パターニング・デバイスの実施例は、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能なＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィではよく知られており、２値、交番位相シフト、及び減衰位相シフト等のマスク・タイプ、並びに、種々のハイブリッド・マスク・タイプを含む。プログラム可能なミラー・アレイの実施例は、小さなミラーのマトリクス配置を採用し、ミラーのそれぞれは、個々に傾斜して、到来する放射ビームを異なる方向へ反射することができる。こうして、反射されたビームがパターン化される。パターニング・デバイスのそれぞれの実施例では、支持構造は、例えば、固定されるか、又は、移動可能であり、また、パターニング・デバイスが、例えば、投射システムに対して所望の位置にあることを確保することができる、フレーム又はテーブルであってよい。本明細書における、「レチクル」又は「マスク」という用語の任意の使用は、「パターニング・デバイス」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。
【００１８】
本明細書で使用される「投射システム」という用語は、例えば、使用される露光放射、或いは、液浸流体の使用、又は、真空の使用などの、他の因子に適切である、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含む、種々のタイプの投射システムを包含するものと、幅広く解釈されるべきである。本明細書における、「レンズ」という用語の任意の使用は、「投射システム」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。
【００１９】
照射システムもまた、放射の投射ビームを、誘導し、成形し、又は、制御する、屈折、反射、及び屈折反射の光学部品を含む、種々のタイプの光学部品を包含することができ、こうした部品はまた、以下で、ひとまとめにして、即ち、単数形で、「レンズ」と呼ばれてもよい。
【００２０】
リソグラフィ装置は、２つ（２ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプであってよい。こうした「複数ステージ」機械装置では、付加的なテーブルが平行に使用されるか、又は、準備工程が、１つ又は複数のテーブル上で実行され、一方、１つ又は複数の他のテーブルが露光のために使用されてもよい。
【００２１】
ここで、添付概略図面を参照して、単に実施例として本発明の実施例が述べられるであろう。図面において、対応する参照数字は、対応する部品を指示する。
【実施例】
【００２２】
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、放射の投射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を供給する照射システム（照明器）ＩＬと、パターニング・デバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、パターニング・デバイスをアイテムＰＬに対して正確に位置決めする連結された位置決め構造ＰＭに接続される第１オブジェクト支持構造（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストをコーティングしたウェハ）Ｗを保持する基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴとして機能し、基板をアイテムＰＬに対して正確に位置決めするさらなる位置決め構造ＰＷに接続される第２オブジェクト支持構造と、パターニング・デバイスＭＡによって投射ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上にイメージングする投射システム（例えば、反射投射レンズ）ＰＬとを備える。
【００２３】
本明細書で示すように、装置は反射タイプである（例えば、反射マスク又は先に参照したタイプのプログラム可能なミラー・アレイを採用する）。別法として、装置は、透過タイプ（例えば、透過マスクを採用する）であってよい。
【００２４】
照明器ＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームを受け取る。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば、放射源がプラズマ放出源である場合に、別個の実体であってよい。こうした場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば、適当な収集ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタを備える放射収集器を使用して、放射源ＳＯから照明器ＩＬへ一般に送られる。他の場合では、例えば、放射源が水銀ランプであるときに、放射源は、装置と一体の部品（ｐａｒｔ）であってよい。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬは、放射システムと呼ばれてもよい。
【００２５】
照明器ＩＬは、ビームの角度輝度分布を調整する調整器を備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における、少なくとも外部及び／又は内部の放射方向の輝度分布の程度（一般に、それぞれ、σ−外部及びσ−内部と呼ぶ）を調整することができる。照明器は、その断面において所望の均一性及び輝度分布を有する、投射ビームＰＢと呼ばれる調節された放射ビームを供給する。
【００２６】
投射ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡの形態で示すパターニング・デバイス上に入射する。マスクＭＡによって反射されて、投射ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは、基板Ｗの標的部分Ｃ上にビームを収束させる。位置決め構造ＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス）を使用して、基板テーブルＷＴは、例えば、ビームＰＢの経路内の異なる標的部分Ｃを位置決めするために、正確に移動されることができる。同様に、位置決め構造ＰＭ及び位置センサＩＦ１を使用して、例えば、マスク・ライブラリから機械的に取出した後か、又は、スキャン中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め構造ＰＭ及びＰＷの一部を形成する、ストロークの長いモジュール（粗い位置決め）とストロークの短いモジュール（精密な位置決め）を使用して実現されるであろう。しかし、本発明はまた、リソグラフィ装置、及び、より多くのストローク・アクチュエータ又は単一ストローク・アクチュエータ或いは他のタイプの位置決め手段を含むこうした装置を製造するための方法に関する。例えば、ステッパの場合（スキャナと対照的に）、マスク・テーブルＭＴは、ストロークの短いアクチュエータに単に接続されるか、又は、固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２、及び、基板アライメントＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。
【００２７】
図示した装置を、以下の好ましいモードで使用することができる。
【００２８】
ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、投射ビームに与えられる全体のパターンが、標的部分Ｃ上に一度で投射される間、実質的に固定したままにされる（即ち、単一静的露光）。基板テーブルＷＴは、その後、異なる標的部分Ｃを露光できるようにＸ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光でイメージングされる標的部分Ｃのサイズを制限する。
【００２９】
スキャン・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、投射ビームに与えられるパターンが、標的部分Ｃ上に投射される間、同期して走査される（即ち、単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投射システムＰＬの縮小率及びイメージ反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光の標的部分の（走査しない方向の）幅を制限し、走査運動の長さは、標的部分の（走査方向の）高さを決める。
【００３０】
別のモードでは、投射ビームに与えられるパターンが、標的部分Ｃ上に投射される間、プログラム可能なパターニング・デバイスを保持するマスク・テーブルＭＴは、実質的に固定したままにされ、基板テーブルＷＴは、移動する、即ち、走査される。このモードでは、プログラム可能なパターニング・デバイスは、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動後か、又は、スキャン中における連続した放射パルスの間に更新されてもよい。この動作モードを、先に参照したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどの、プログラム可能なパターニング・デバイスを利用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
上述した使用モードに関する組合せ、及び／又は、変形、或いは、まったく異なる使用モードを採用してもよい。
【００３２】
オブジェクト支持構造は、ガス排気導管ＥＣを介して第１ガス排気構造ＥＶＭに接続される主真空チャンバＶＣ内に位置する。代替法として、パターニング・デバイス支持構造と基板支持構造について、それぞれ、別個の主真空チャンバを有することが可能であるであろう。
【００３３】
第１ガス排気構造ＥＶＭは、主真空チャンバ（複数可）内に高真空を生成するように設計される。高真空は、実用的な実施例では、例えば、約１０−５ｍｂａｒであってよい。
【００３４】
先に説明したように、こうした高真空は、真空チャンバ内に取り付けられる部品に厳しい条件を課す。
【００３５】
図２は、図１に示す装置の主真空チャンバ（複数可）ＶＣ内で使用するための、オブジェクト支持構造１の実施例を側面図で示す。この実施例では、オブジェクト支持構造１は、基板又はマスクを保持し、例えば、干渉計システム又は他の測定システムによる測定を容易にする。オブジェクト支持構造１は、２つの部品、オブジェクト・テーブル支持体２とオブジェクト・テーブル４を含んでもよいが、単一部品であることもできる。オブジェクト・テーブル支持体２は、ミラー・ブロック又はチャックであってよく、オブジェクト・テーブル４は、ウェハ・テーブル又はマスク・テーブルであってよい。
【００３６】
この実施例ではさらに、オブジェクト支持構造１は、矢印ＳＳで示すように、１自由度又は複数自由度で、位置決め構造ＰＭに関して短い距離にわたって移動可能である。
【００３７】
この実施例では、オブジェクト支持構造１と共に、位置決め構造ＰＭ、ＰＷは、矢印ＬＳで示すように、１自由度又は複数自由度で、一層長い距離にわたって主真空チャンバ内で移動可能である。この実施例では、位置決め構造ＰＭ、ＰＷは、ストロークの長い位置決め構造６と、破線ブロック５で示すストロークの短い位置決め構造を含む。キャリア３は、ストロークの短い位置決め構造５を支持し、ストロークの長い位置決め構造６とストロークの短い位置決め構造５を共に接続する。キャリア３は、位置決め構造５を搬送する。適したストロークの長い位置決め構造６は、当技術分野で知られているように、例えば、いわゆるＨドライブ又はＳｃａｒａ等である。
【００３８】
この実施例では、ストロークの短い位置決め構造５は、投射ビームに対して、テーブル上でオブジェクト・テーブル４とオブジェクトの位置をさらに調整するために設けられる。基本的な位置決めは、キャリア３に接続されたストロークの長い位置決め構造６によって提供される。ストロークの短い位置決め構造５は、支持されたオブジェクトの１次元又は複数次元での寸法位置決めを提供するいくつかの位置決めモータを含んでもよい。
【００３９】
図３は、１つ又は複数のストロークの短い位置決め構造５を備える、本発明の一態様によるキャリア３の実施例の実施例を概略的に示す。キャリア３は、異なる形状を有してもよいが、図示の実施例では、全体が矩形の内部空間を閉囲する側壁１１、１２、１３、１４及び底部１５を有する全体が箱に似たハウジングを備える。側壁上には、電気ケーブル用のコネクタ・デバイス、ガス及び／又は液体用の導管等が取り付けられてもよい（図示せず）。
【００４０】
さらに、ハウジング内の箱に似た空間は、適した分割壁によって、いくつかの区画に分割される。示す実施例では、キャリアの内部空間は、３つの長い分割壁２３、２４、２５及び壁２７のような短い分割壁によって、１７、１８、１９で示すいくつかの大きな区画及び２１で示すいくつかの小さな区画に分割される。長い分割壁は、側壁１２のうちの１つの中央セクションから隣接する側壁１１、１３に分岐する２つの壁２４、２５を含む。分岐する分割壁２４、２５は、第４の側壁１４からある距離のところのポイント３０、３１において、それぞれの側壁１１、１３に接する。ポイント３０、３１の間には、第３の長い分割壁２３が延び、したがって、キャリア内における全体が三角形の中央区画、並びに、全体が三角形の周辺区画１７と１８及び全体が矩形の周辺区画１９が画定される。さらに、この実施例では、中央三角形区画の少なくとも下側角は、短い分割壁２７によって「切り離され」ており、したがって、４つの面を持つ中央区画２０と小さな三角形区画２１が設けられる。もちろん、特定の状況における実用的な要件に応じて、さらに多い分割壁又は少ない分割壁が使用されてもよい。
【００４１】
少なくともいくつかの分割壁補剛用リブとして２重化するようにを設計することによって、機械的強度を得るか、又は、機械的強度を増加することができる。そのため、側壁と共に分割壁２３、２４、２５で大きな三角形を構成することは、キャリアの異なる部品の真空レベル差に抗することができる機械的に強い構造を実現する。さらなる機械的強度は、より小さな三角形区画２１を形成する短い斜めの分割壁２７によって得られる。
【００４２】
箱に似たキャリア・デバイス、又は、一般に、いくつかの区画を有するキャリア・デバイスの使用は、支持構造のモジュール式設計を容易にする。
【００４３】
図３に示すように、ストロークの短い位置決め構造５は、中央区画２０内又はその上に取り付けられる。ストロークの短い位置決め構造５は、図３に示すように、オブジェクト支持構造１をＸ、Ｙ、及びＺの方向に調整するためのいくつかの位置決めモータを備える単一モータ・モジュールとして設計されてもよい。
【００４４】
オブジェクト、したがって、オブジェクト・テーブル４及びストロークの短い位置決め構造５は、高真空空間内にあるため、ストロークの短い位置決め構造５が、少なくとも部分的にキャリア３の中央区画２０内に取り付けられる場合には特に、中央区画２０は、高真空チャンバＶＣに開放状態で接続することができる。そのため、中央区画２０は、部分的に、又は、さらに実質的に完全に開放した上部壁、及び、おそらく、部分的に、又は、実質的に完全に開放した底部壁１５を有することができる。しかし、機械的強度及び剛性の問題を考慮して、底部壁１５は、実質的に閉鎖した壁として設計されてもよい。そのため、高真空空間内に延びる限り、ストロークの短い位置決め構造５、並びに、それに接続される任意の導管及びケーブルは、ガス放出現象を受けることになる。このことはまた、中央区画２０における位置決めが必要であるほどに、ストロークの短い位置決め構造５に非常に接近して位置する任意のさらなる補助部品についても当てはまるであろう。
【００４５】
しかし、オブジェクト・テーブル４及びその位置決めに関連する、任意のさらなるケーブル、導管、電子デバイス、及びさらなる補助部品は、使用時に、より高いがやはり大気中より低い圧力が行き渡ることができる他の区画の一部又はすべての中に取り付けられてもよい。もちろん、そのため、こうした他の区画は、主真空空間からシールされるべきであり、図３に示すように、ケーブル及び導管が、そこを通って延びる任意のシールされたゲートを除いて、完全に閉鎖した側壁並びに完全に閉鎖した上部及び底部壁を有するべきであり、図３では、閉囲された区画１８が、側壁１２と１３、分割壁２５、底部１５及び上部４０によって閉囲される。図３は、上部４０を示し、区画１８の内部を示すために一部が切り取られている。
【００４６】
周辺区画は、共通ガス排気構造に接続される単一低真空空間を形成するために、相互接続されてもよく、又は、所望の場合、別個のガス排気構造を有する、いくつかの閉鎖した区画又は閉鎖した区画のグループを備えてもよい。図示の実施例では、ガス排気コネクタは、図３に３４で概略的に示される。ガス排気コネクタ３４に接続されるさらなるガス排気構造３５によって供給される真空圧は、約１０−３ｍｂａｒ又はさらに高い圧力、例えば、１０−１ｍｂａｒであってよい。ガス排気コネクタは、側壁１２を貫通して延びるため、さらなるガス排気構造３５は、閉囲した区画１８を主真空チャンバＶＣの圧力と異なる圧力に排気することができる。例えば、閉囲した区画１８を、低真空に排気することができる。もちろん、図示の実施例は、閉囲され、さらなるガス排気構造３５によって排気される１つの区画１８を示すだけであるが、所望に応じて、任意の数の区画が閉囲され、１つ又は複数のさらなるガス排気構造３５によって排気されることができる。
【００４７】
さらなるガス排気構造３５は、主真空を供給するガス排気構造ＥＶＭから完全に分離してもよいが、代替法として、第１又は主ガス排気構造ＥＶＭ及びさらなるガス排気構造３５は、共通部品を共有してもよい。例えば、さらなるガス排気構造３５は、第１ガス排気構造ＥＶＭと同じ真空ポンプを使用してもよい。
【００４８】
周辺区画内での一部の汚染物質の存在は、周辺区画が、例えば、１０−５ｍｂａｒの圧力に相当する高真空レベルを有する高真空チャンバＶＣから遮蔽されるため、リソグラフィ・プロセスにとって重大ではない。
【００４９】
さらに、さらなるガス排気構造３５についての必要条件は、真空レベルが異なるため、第１ガス排気構造ＥＶＭについての必要条件と比較して、かなり厳しさが低い場合がある。
【００５０】
キャリアの一部の部品内での比較的高い圧力の存在のさらなる作用は、高真空空間と比較する場合、こうした区画において、冷却作用が多少増大することである。
【００５１】
先行する明細書を読んだ後に、種々の変更が当業者に明らかになることが認められる。
【００５２】
特に、全体が矩形であるとして示す図３で示すキャリア３の形状並びにキャリア３内の区画の数及び形状を変更することができる。例えば、先に開示され、図面で示されるキャリア・デバイス３は、平坦な箱に似た形状で且つ単一層の区画であるため、非常にコンパクトな設計を有する。すべての区画は、キャリア・デバイス３の上部平面に上側長手方向縁部を、キャリア・デバイス３の底部平面に下側長手方向縁部を有する分割壁を有する。しかし、都合がよければ、キャリア・デバイスの異なるレベルに下位区画を得るために、１つ又は複数の区画内に、上部及び底部平面に全体が平行であるか、又は、上部及び底部平面に少なくとも垂直でない分割壁を使用することが可能であるであろう。
【００５３】
さらに、キャリア３は、フレームに取り付けたいくつかの区画によって囲まれたフレーム形状を有してもよい。こうしたフレームは、区画を搬送するある種のバックボーンとして設計されてもよい。図３に示す構成では、こうしたフレームは、壁２３、２４、２５の全体が三角形構造によって形成されてもよく、周囲の区画は、周辺区画１７、１８、１９であることになる。もちろん、この実施例では、フレームは、少なくとも１つの内部区画を有する三角形形状である。
【００５４】
壁２３、２４、２５のようなフレーム要素及び／又は壁１１、１２、１３，１４及び／又は種々の区画の上側及び下側壁は、真っ直ぐ又は平坦である必要ではない。例えば、区画の凹状又は凸状の上側及び下側壁のような湾曲壁、或いは、例えば外側又は内側に裏返った円の弧（ｔｕｒｎｅｄ  ａｒｃ  ｏｆ  ａ  ｃｉｒｃｌｅ）の形状を有する側壁等は、所望に応じて、使用されるであろう。フレーム要素は、種々の区画の壁の一部であってもよく、又は、そうでなくてもよい。
【００５５】
先に示したように、区画の１つ又は複数は、主真空チャンバＶＣに開放状態で接続されてもよい。しかし、本発明の実施例によるキャリア３は、こうした開放区画を有する必要はない。図４を見てわかるように、区画１９、１７、２１、２０、及び１８のすべては、上部４４によって、主真空チャンバＶＣから閉鎖されてもよい。
【００５６】
さらに、図２及び図３の実施例では、キャリア・デバイス３は、ストロークの短い位置決め構造５を搬送する。しかし、本発明の一態様はまた、こうしたストロークの短い位置決め構造を支持しないキャリア・デバイスを考慮する。一般に、本発明の態様は、オブジェクト・テーブル用の位置決め構造のタイプ及び場所に関わりなく使用されてもよい。
【００５７】
同様に、二重（ｄｕａｌ）真空機構の代わりに、複数（ｍｕｌｔｉｐｌｅ）真空機構が使用されてもよく、対応する区画において複数の異なる真空レベルが使用される。１つ又は複数の区画を大気圧に保つことがさらに可能であろう。こうした区画について、ガス排気構造は必要ではない。こうした区画を装置の環境に接続する簡単なガス導管で十分であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】図１に示すタイプの装置において使用するための、オブジェクト支持構造の実施例の側面略図である。
【図３】本発明の実施例のキャリア・デバイスの実施例の略図である。
【図４】本発明の実施例のキャリア・デバイスの別の実施例の略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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