(57)【要約】本発明は、第一のストレージレイヤ及び第二のストレージレイヤ並びにリードアウトレイヤを含む光磁気記録媒体を読むための方法及び装置に関し、リードアウトパルスにつながる拡大されたドメインは、放射電力により加熱及び外部磁場により、第一又は第二のストレージレイヤからリードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることで、リードアウトレイヤで生成される。放射電力は、第一のストレージレイヤから読み取るための第一の値、第二のストレージレイヤから読み取るための第二の値に設定される。第一及び第二のストレージレイヤの間のクロストークを示すパラメータは、読取り動作の間に決定され、放射電力は、決定されたパラメータに基づいて制御される。したがって、第一及び第二のストレージレイヤの間のクロストークは、読み取られていない他のストレージレイヤの補償温度に近いリードアウト温度を保持することで低減することができる。本発明は、前記方法及び装置における使用のために記録媒体に関する。
2007505427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のストレージレイヤ及び第二のストレージレイヤ並びにリードアウトレイヤを含む光磁気記録媒体から読み取るための読取り装置であって、
リードアウトパルスにつながる拡大されたドメインは、放射電力による加熱及び外部磁場により、前記第一又は第二のストレージレイヤから前記リードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることで、前記リードアウトレイヤで生成され、
当該装置は、
（ａ）前記第一のストレージレイヤから読み取るための第一の値、及び前記第二のストレージレイヤから読み取るための第二の値に前記放射電力を設定するための設定手段と、
（ｂ）前記第一のストレージレイヤと前記第二のストレージレイヤの間のクロストークを示すパラメータを決定するための決定手段と、
（ｃ）決定されたパラメータに基づいて前記放射電力を制御するための制御手段と、
を有することを特徴とする読取り装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記第一のストレージレイヤに書き込まれた第一の予め決定されたデータパターンと、前記第一の予め決定されたデータパターンの上にある前記第二のストレージレイヤに書き込まれた第二の予め決定されたデータパターンとの間の検出された相関から前記パラメータを決定するために調整される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記第一のストレージレイヤに書き込まれた第一の予め決定されたデータパターンのリードアウト信号で検出されたエラーから前記パラメータを決定し、前記エラーは、前記第二のストレージレイヤで書き込まれた第二の予め決定されたデータパターンにより生じ、前記第一及び第二の予め決定されたデータパターンは、一方が他方の上に書き込まれる、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記記録媒体に書き込まれ、前記記録媒体を特定する情報に応答して前記決定手段による決定の数を制御するために構成される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項５】
前記特性は、前記記録媒体の非一様性を規定する、
請求項４記載の読取り装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前の使用に関する情報に応答して前記決定手段による前記決定をスキップし、前記記録媒体に記憶された少なくとも１つのリードアウトパラメータに基づいて前記放射電力を制御するために調整される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項７】
前記読取り装置は、読取りの誤り率が予め決定された閾値を超える場合に前記スキップ動作を抑圧するために調節される、
請求項６記載の読取り装置。
【請求項８】
前記記録装置に記憶される少なくとも１つの記録媒体の識別、又は前記記録媒体に記憶された少なくとも１つの記録装置の識別を含む、
請求項６又は７記載の読取り装置。
【請求項９】
前記前の使用に関する情報は、対応する時間及び／又は日付情報と共に記憶される、
請求項８記載の読取り装置。
【請求項１０】
前記決定及び制御手段は、前記記録媒体の異なる半径で前記パラメータ決定及び電力制御を実行するために調節される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項１１】
前記読取り装置は、少なくとも１つのリードアウトパラメータ、又は前記記録媒体の半径の関数として少なくとも１つのリードアウトパラメータを記述するアルゴリズムのための多数の変数を記憶するために調整される、
請求項１乃至１０のいずれか記載の読取り装置。
【請求項１２】
前記読取り装置は、検出されたリードアウトプロセスと期待されるリードアウトプロセスとの間の差に基づいて、前記外部磁場を制御するために調節される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記パラメータを最小にするために前記放射電力を制御するために調節される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項１４】
前記読取り装置は、前記第二のストレージレイヤとは独立に前記第一のストレージレイヤを読み取るために調節される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項１５】
前記放射電力の前記第一の値は、前記第二のストレージレイヤの補償温度により決定され、前記放射電力の前記第二の値は、前記第一のストレージレイヤの補償温度により決定される、
請求項１４記載の読取り装置。
【請求項１６】
前記制御手段は、マークのコピーのために使用されるコピーウィンドウのフィールド制御とは独立に前記電力制御を実行するために調整される、
請求項１記載の読取り装置。
【請求項１７】
第一のストレージレイヤ及び第二のストレージレイヤ並びにリードアウトレイヤを含む光磁気記録媒体から読み取るための読取り方法であって、
リードアウトパルスにつながる拡大されたドメインは、放射電力による加熱及び外部磁場により、前記第一又は第二のストレージレイヤから前記リードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることで、前記リードアウトレイヤで生成され、
当該方法は、
（ａ）前記第一のストレージレイヤから読み取るための第一の値、及び前記第二のストレージレイヤから読み取るための第二の値に前記放射電力を設定するステップと、
（ｂ）前記第一のストレージレイヤと前記第二のストレージレイヤの間のクロストークを示すパラメータを決定するステップと、
（ｃ）決定されたパラメータに基づいて前記放射電力を制御するステップと、
を有することを特徴とする読取り方法。
【請求項１８】
前記パラメータは、前記第一のストレージレイヤに書き込まれた第一の予め決定されたデータパターンと、前記第一の予め決定されたデータパターンの上にある前記第二のストレージレイヤに書き込まれた第二の予め決定されたデータパターンとの間で検出された相関に基づいて最初の較正の間に決定される、
請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
第一のストレージレイヤ及び第二のストレージレイヤ並びにリードアウトレイヤを含む記録媒体であって、
リードアウトパルスにつながる拡大されたドメインは、放射電力による加熱及び外部磁場により、前記第一又は第二のストレージレイヤから前記リードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることで、前記リードアウトレイヤで生成され、
当該記録媒体は、前記第一のストレージレイヤにおける第一の予め決定されたパワーキャリブレーションデータパターンと、及び前記第二のストレージレイヤにおける第二の予め決定されたパワーキャリブレーションデータパターンとを当該記録媒体に書き込み、
前記第一及び第二のデータパターンは、一方が他方の上に配置される、
ことを特徴とする読取り装置。
【請求項２０】
前記リードアウトレイヤは、前記第一及び第二のストレージレイヤの上に配置される、
請求項１９記載の記録媒体。
【請求項２１】
前記リードアウトレイヤは、前記第一及び第二のストレージレイヤの間に配置される、
請求項１９記載の記録媒体。
【請求項２２】
前記第一及び第二のデータパターンは、相互に異なるデータパターンである、
請求項１９記載の記録媒体。
【請求項２３】
前記第一及び第二のデータパターンは、前記記録媒体の幾つかの位置で共に書き込まれる、
請求項１９記載の記録媒体。
【請求項２４】
前記記録媒体は、少なくとも１つのリードアウトパラメータ、又はその半径の関数として少なくとも１つのリードアウトパラメータを記述するアルゴリズムのための多数の変数を記憶するための領域を含む、
請求項１９記載の記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチレイヤ記録媒体に関し、特に、２つの記録又は記憶レイヤ、及び１つのエクスパンション又はリードアウトレイヤを含むデュアルレイヤＭＡＭＭＯＳ（Magnetic  Amplifying  Magneto-Optical  System）ディスクのようなデュアルレイヤ記録媒体、並びに、かかるマルチレイヤ記録媒体を読み取るための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光磁気記憶システムでは、記録されたマークの最小の幅は、回折限界により、すなわち集束レンズとレーザ波長の開口数（ＮＡ）により決定される。幅の低減は、一般に、より短波長のレーザと多数のＮＡフォーカスオプティクスに基づいている。光磁気記録の間、最小のビット長は、ＬＰ−ＭＦＭ（Laser  Pulsed  Magnetic  Field  Modulation）を使用することで、光学的な回折限界以下に低減することができる。ＬＰ−ＭＦＭでは、ビット遷移は、レーザのスイッチング（又は他の適切な放射源）により誘発される磁場と温度の勾配の切り替えにより決定される。
【０００３】
ＭＡＭＭＯＳのようなドメインエクスパンション技術では、回折限界よりも小さなサイズをもつ書き込まれたマークは、レーザ加熱に応じて、及び外部磁場の助けにより、ストレージレイヤからリードアウトレイヤにコピーされる。このリードアウトレイヤの飽和保持力のため、コピーされたマークは、光学的なスポットを満たすために拡張され、（記録媒体の読取りの間に）マークサイズとは独立な飽和された信号レベルで実質的に検出することができる。外部磁場の逆転により、拡張されたドメインが崩壊される。他方で、ストレージレイヤにおけるスペースがコピーされず、エクスパンションが生じない。したがって、このケースでは信号が検出されない。
【０００４】
ストレージレイヤにおけるビット又はドメインを読み出すため、光スポットのサーマルプロファイルが使用される。リードアウトレイヤの温度が予め決定された閾値を超えるとき、磁気のドメインは、ストレージレイヤから磁気的に静的に結合されたリードアウトレイヤにコピーされる。これは、ストレージレイヤの磁化に比例したストレージレイヤからの浮遊の磁場ＨSが温度の関数として増加するためである。磁化ＭSは、効果的な磁化、したがってストレージレイヤの浮遊磁場がゼロに低減される補償温度Ｔ∞を超える温度領域について温度の関数として増加する。この特性は、２つの対向する磁化ＭRE（希土類成分）と反対方向によるＭTM（遷移金属成分）とを生成するＲＥ−ＴＭ（Rare  Earth-Transition  Metal）合金の使用から生じる。
【０００５】
外部磁場の印加により、リードアウトレイヤにおけるコピーされた領域は、オリジナルドメインのサイズとは独立な飽和された検出信号を与えるように拡張される。コピープロセスは非線形である。温度が閾値を超えるとき、磁化のドメインは、ストレージレイヤからリードアウトレイヤに結合される。閾値となる温度を超える温度について、以下の条件が満たされる。
ＨS＋Ｈext≧ＨC              （１）
ここでＨSはリードアウトレイヤでのストレージレイヤの浮遊の磁場であり、Ｈextは外部から印加された場であり、ＨCはリードアウトレイヤの飽和保持力の場である。このコピーが行われる空間的な領域は、「コピーウィンドウ」と呼ばれる。コピーウィンドウのサイズｗは、正確なリードアウトについて非常に重要である。条件（１）が満たされない場合（コピーウィンドウサイズｗ＝０）、コピーは全く行われない。他方で、大き過ぎるコピーウィンドウは、隣接するビット（マーク）とのオーバラップを生じ、更なる「干渉ピーク」をもたらす。コピーウィンドウのサイズは、温度プロファイルの正確な形状（すなわち、正確なレーザパワー及び周囲の温度）、外部から印加された磁場の強度、及び短い（又は長い）レンジの変動を示す場合がある材料パラメータに依存する。
【０００６】
リードアウトプロセスで使用されるレーザパワーは、コピーを可能にするに十分に高くあるべきである。他方で、高いレーザパワーは、温度で誘発された飽和保持力のプロファイルと、ビットパターンの浮遊の磁場のプロファイルとのオーバラップを増加する。飽和保持力ＨCが減少し、浮遊の磁場は増加する温度につれて増加する。このオーバラップが余りに大きいとき、スペースの正しいリードアウトは、隣接するマークにより生成された誤った信号のためにもはや可能ではない。この最大と最小のレーザパワー間の差は、パワーマージンを決定し、減少するビット長につれて強く減少する。
【０００７】
ＭＡＭＭＯＳでは、記録されたデータとの外部磁場の同期は重要である。正確なクロック回復は、たとえばデータに依存する磁場の切り替えを使用することで可能である。さらに、高密度での正しいリードアウトについて許容されるレーザパワーの範囲は、非常に小さい。しかし、このリードアウトレーザパワーに対する感度は、正確なパワーコントロールループ、すなわち記録されたデータからのリードアウト信号を使用したダイナミックコピーウィンドウコントロールを達成するために利用することができる。これは、小さな変調コンポーネント（ウォブリング）をレーザパワーに追加することで行われ、したがってＭＡＭＭＯＳ信号のタイミングシフトを誘発する。たとえば、これらのシフトのロックイン検出により、レーザパワー、外部の磁場又は周囲の温度における変化は、コピーウィンドウのサイズを一定に保つために補正することができる。このように、正確かつロバストなリードアウトが可能であり、従来のシステムよりも非常に高い密度が可能となる。この増加／減少（ウォブリング）は、たとえば小さな振幅をもつ周期的なパターンといった、予め定義された変化パターンに適応される場合がある。このウォブリングにより、コピーウィンドウは、ウォブル周波数とサイズ的に同期して増加又は減少する。コピーウィンドウがサイズ的に増加するとき、次の遷移は期待されるよりも幾分早く現れる。他方で、コピーウィンドウがサイズ的に減少するとき、次の遷移が僅かに遅延される。これは、位相エラーの振幅により示される。この位相エラーの振幅は、リードアウトパラメータにコピーウィンドウサイズが依存する非線形平方根による、リードアウトパラメータの直接的な測定である。コピーウィンドウコントロールループに入力として使用される絶対誤差信号を得るため、制御方法は、たとえば外部の磁場及び／又はレーザパワーのような最適なリードアウトパラメータに対応する適切な規準となるセットポイントを必要とする。
【０００８】
キャパシティにおける主要なステップは、デュアルレイヤディスクを使用することで達成される。従来の光磁気（ＭＯ）システムでは、異なる種類のデュアルレイヤアプローチが知られている。大部分のケースでは、２つのストレージレイヤは、（対物レンズの焦点深さで）接近して配置されている（又は直接接続、すなわち交換結合されている）。異なるレイヤのリードアウトは、Ｋｅｒｒローテーション及び楕円率における差に基づいている。たとえば、第一のレイヤがＫｅｒｒローテーションのみを与えるように干渉レイヤが調整され、第二のレイヤはＫｅｒｒ楕円率のみを与える。ときに、この作用を改善するために異なる波長が使用される。両方のレイヤを読むための別のやり方は、マルチレベルアプローチであり、異なるレイヤにおけるデータに依存して、（たとえばＫｅｒｒローテーション）４つの異なる信号レベルが検出される（＋＋，＋，−，−−）。しかし、中間レベル（＋，−）の信号対雑音比は低い。
【０００９】
幾つかのオプションは、異なるレイヤでの記録について可能である。磁化特性は、第一のレイヤが第二のレイヤよりも高いキュリー温度（ＴC）を有するように調整される場合がある。このように、低いＴCレイヤは、高いＴCレイヤに作用することなしに低いレーザパワーで書き込むことができる。両方のレイヤは、高いレーザパワーで作用される。代替的に又は先の方法との組み合わせで、磁場の感度における差が使用される。ここで、印加された磁場の符号又は振幅は、両方のレイヤの切り替えを決定する。たとえば、第一のレイヤは、磁場の符号に常に追従し、第二のレイヤは、所定の振幅以下にあるときに磁場とは反対であり、振幅が十分に大きいときに磁場に従う。このようにして、両方のレイヤは、１つのパスで書き込まれる。この振る舞いを達成するため、第二のレイヤは、たとえばＰｔＣｏマルチレイヤ又は第一のストレージレイヤといった、別の磁化レイヤに交換結合される。
【００１０】
デュアルレイヤＭＯは確かに可能であるので、デュアルレイヤＭＡＭＭＯＳへの拡張は、些細なこととは離れている。ＭＡＭＭＯＳプロセスでは、ストレージレイヤ及びリードアウトレイヤが必要とされる。これらのレイヤは、３０〜７０ｎｍの厚さであり、これは、このレイヤのセット以下のリードアウトレイヤからの信号の送信を正確な検出のために余りに低くすることである。
【００１１】
文献ＷＯ９９／３９３４１及びＪＰ２００２−２９８４６５は、共通のリードアウトレイヤに第一及び第二のストレージレイヤの浮遊の場の組み合わせにより生成される多値信号を再生するためのデュアルレイヤＭＡＭＭＯＳディスクを開示している。両方のストレージレイヤは、読み取られたストレージレイヤのマークのみがリードアウトレイヤにコピーされることを保証するため、ノンリードストレージレイヤをその補償温度に加熱するために調整されるレーザパワーにより連続して独立に読まれる。異なるストレージレイヤの個別のリードアウトは、対応するリードアウトレーザパワーを選択することで可能である。このレーザパワーは、読み取られていないレイヤの温度がその補償温度に接近するようにし、これによりリードアウトプロセスへの浮遊の磁場の影響を除くようにされるべきである。
【００１２】
先に述べたように、レーザパワーと印加された外部の磁場は、シングルレイヤディスクのリードアウト手順における最も高い記憶密度を可能にするため、コピーウィンドウコントロール手順により慎重にバランスされるべきである。必要とされる厳重な制御にも拘らず（典型的にはレーザパワーで１％前後）、外部の磁場に対するレーザパワーをバランスするための幾つかの余地が存在し、磁場が幾分余りに低い場合、高いレーザパワーが正しいリードアウトを与え、逆も然りである。しかし、デュアルレイヤのケースでは異なり、これは、約±１０℃という耐性のある限界内にあるが、ストレージレイヤが予め決定された絶対温度に到達する必要があるためである。
【００１３】
理想的には、各ディスク及び各ドライブは、完全に整合された特性を有し、ドライブにおける読取りパワーレベルが異なるストレージレイヤの補償温度に対応する。しかし、このことは、幾つかの理由のためによくあることではない。駆動光学系の汚れ（ダスト）、及びたとえばレーザの品質低下とは別に、光学的特性（反射率、吸収率）、熱的特性（伝導率、熱容量）及び磁気的特性（Ｔ∞は％コンポジションの変化で８０Ｋまで変化する）は、ディスクからディスクに変化し、シングルディスクの半径（厚さ及び／又は組成における非一様性）にわたって変化する場合がある。リードアウトパラメータの適切な較正は、ドライブ、ディスク、及びディスク半径間の違いを補正し、より広い製造の耐性を可能にする。最も高い密度でロバストなリードアウトを実現することにおいて、シングルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのリードアウトにおけるように、アクティブコピーウィンドウコントロールは本質的なものである。デュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳについて、レーザパワー及び外部の場は、シングルレイヤＭＡＭＭＯＳにおけるように自由に交換することができない。これは、ストレージレイヤからの「クロストーク」を防止するため、リードアウト温度が読み取られていないストレージレイヤの補償温度の近くに保持される必要があるためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、デュアルレイヤストレージメディアについで適切なリードアウトを達成することによる記録媒体、記録方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的は、請求項１記載の読取り装置を提供することで達成され、請求項１７記載の読取り方法を提供することで達成され、請求項１９記載の記録媒体を提供することで達成される。
【００１６】
したがって、第一のストレージレイヤと第二のストレージレイヤとの間のクロストークは、読み取られていない他のストレージレイヤの補償温度の近くにリードアウト温度を保持することで低減することができる。
【００１７】
パラメータの決定は、第一のストレージレイヤに書き込まれた第一の予め決定されたデータパターンと、第一の予め決定されたデータパターンの上にある第二のストレージレイヤに書き込まれた第二の予め決定されたデータパターンとの間で検出された相関に基づく場合がある。これにより、ドライブ−ドライブ、ディスク−ディスク、及び半径方向の変動の補償についてイニシャルキャリブレーションを提供することができる。第一のレイヤのリードアウトレーザパワーのプリセット値から始めて、レーザパワーは、そのレイヤにおける既知のデータパターンのリードアウトを最適化することで第二のレイヤについて調整される。つぎに、このプロセスは、他のストレージレイヤについて繰り返される。
【００１８】
代替として、パラメータは、第一のストレージレイヤに書き込まれた第一の予め決定されたデータパターンのリードアウト信号において検出されたエラーに基づいている場合があり、エラーは、第二のストレージレイヤに書き込まれた第二の予め決定されたデータパターンにより生じる。決定の数は、記録媒体に書き込まれた情報であって、記録媒体の特性を規定する情報に応答して決定される場合がある。したがって、記録媒体の製造者は、較正の数における低減を実行可能にするために非一様性の指示を媒体に提供する場合がある。
【００１９】
さらに、記録媒体に書き込まれた情報の前の使用に応答して決定がスキップされる場合があり、放射電力は、記録媒体に記憶された少なくとも１つのリードアウトパラメータに基づいている。開始時間は、記録媒体はこのドライブで最近使用された場合で低減される。読取り装置は、リードアウトエラーレートが予め決定された閾値を超える場合に、このスキップ動作を抑圧するために調整される場合がある。
【００２０】
前の使用の情報は、記録装置に記憶された少なくとも１つの記録媒体のアイデンフィケーション（ＩＤ）、又は記録媒体に記憶された少なくとも１つの記録装置のＩＤを含んでいる。特に、前の使用の情報は、対応する時間及び／又は日付情報と共に記憶される場合がある。
【００２１】
決定及び制御手段は、記録媒体の異なる半径でパラメータ決定及び電力制御を実行するために調整される場合がある。
【００２２】
代替として、読取り装置は、記録媒体の半径の関数として、少なくとも１つのリードアウトパラメータ、又は少なくとも１つのリードアウトパラメータを記述するアルゴリズムのための多数の変数を記憶するために調整される場合がある。
【００２３】
外部の磁場は、検出されたリードアウトパルスの数と期待されるリードアウトパルスの間の差に基づいて制御される場合がある。独立なコピーウィンドウコントロールは、これにより可能となる。リードアウトパルスの数における増加又は減少は、データパターンのうちの１つと相関するものではなく、コピーウィンドウサイズとは独立な情報を与え、したがって外部磁場の必要とされる補正を与える。
【００２４】
第一のストレージレイヤは、第二のストレージレイヤとは独立に読み取られることが想定される。放射電力の第一の値は、第二のストレージレイヤの補償温度により決定され、放射電力の第二の値は、第一のストレージレイヤの補償温度により決定される。
【００２５】
他の有利な更なる発展は、従属の請求項に定義されている。  
以下では、本発明は、添付図面を参照して好適な実施の形態に基づいて記載される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、本発明の好適な実施の形態に係るＭＡＭＭＯＳディスクプレーヤの構成を概念的に示す図である。ディスクプレーヤは、コードデータと同期する周期をもつパルスに記録の間に変換される光をもつ、デュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのようなデュアルストレージレイヤ光磁気記録媒体又は記録キャリア１０の照射のためのレーザ光放射セクションを有する光ピックアップユニット３０を有している。ディスクプレーヤは、光磁気ディスク１０への記録及び再生の間に制御される方式で磁場を印加する磁気ヘッド１２をもつ磁場印加セクションを更に有する。光ピックアップユニット３０では、レーザは、記録及びリードアウト動作の間に光ピックアップユニット３０のレーザのパルス振幅及びタイミングを制御するように、記録／リードアウトパルス調節ユニット３２からの記録及びリードアウトパルスを受けるレーザ駆動回路に接続される。記録／リードアウトパルス調節回路３２は、ＰＬＬ（位相ロックループ）回路を有するクロック発生器２６からのクロック信号を受ける。
【００２７】
なお、明確さのため、磁気ヘッド１２及び光ピックアップユニット３０は、図１におけるディスク１の反対側に示されている。しかし、ディスク１０の同じ側に配列されることが好ましい。
【００２８】
磁気ヘッド１２は、ヘッドドライバユニット１４に接続され、記録の間に変調器２４からの位相調節回路１８を介してコード変換されたデータを受ける。変調器２４は、入力記録データＤＩを規定されたコードに変換する。
【００２９】
再生の間、ヘッドドライバ１４は、タイミング回路３４から再生調節回路２０を介してタイミング信号を受け、再生調節回路２０は、磁気ヘッド１２に印加されるパルスのタイミング及び振幅を調節するための同期信号を生成する。タイミング回路３４は、データ読み出し動作からそのタイミング信号を導出する。したがって、データに依存するフィールドスイッチングを達成することができる。記録／再生スイッチ１６は、記録の間及び再生の間にヘッドドライバ１４に供給されるべきそれぞれの信号を切り替え又は選択するために提供される。
【００３０】
さらに、光ピックアップユニット３０は、ディスク１０から反射されたレーザ光を検出し、出力データＤＯを発生するようにリーディング（reading）信号をデコードするために構成されるデコーダ２８に印加される対応するリーディング信号を発生するための検出器を有する。さらに、光ピックアップユニット３０により生成されたリーディング信号は、ディスク１０の埋め込まれたクロックマークから得られたクロック信号が抽出又は回復されるクロック発生器２６に供給され、クロック発生器２６は、同期の目的でクロック信号を記録パルス調節回路３２及び変調器２４に供給する。特に、データチャネルクロックは、クロック発生器２６のＰＬＬ回路で発生される場合がある。なお、クロックジェネレータ２６から得られたクロック信号は、タイミング回路３４により制御されるデータに依存するスイッチング又は同期をサポートする場合があるリファレンス又はフォールバック同期を提供するのと同様に、再生調節回路２０に供給される場合がある。
【００３１】
データ読取りのケースでは、光ピックアップユニット３０のレーザは、データチャネルクロックの周期に対応する固定された周波数で変調され、データ記録領域又は回転するディスク１０のスポットは、等しい距離で局所的に加熱される。更に、クロックジェネレータ２６により出力されるデータチャネルクロックは、標準的なクロック周期をもつデータ信号を発生するために変調器２４を制御する。レコーディングデータは、レコーディングデータの情報に対応するバイナリランレングス情報を得るため、変調器２４により変調され、コード変換される。
【００３２】
図１では、タイミング回路３４は、データに依存するタイミング信号を再生調節回路２０に供給するために提供される。外部磁場のデータに依存するスイッチングは、代替的に、外部磁場のタイミング又は位相を調節するように、タイミング信号をヘッドドライバ１４に供給することで達成される場合がある。タイミング情報は、ディスク１０の（ユーザ）データから取得される。これを達成するため、再生調節回路２０又はヘッドドライバ１４は、通常エクスパンション方向にある外部磁場を提供するために調節される。ＭＡＭＭＯＳピークの立ち上がり信号のエッジが光ピックアップユニット３０の出力に接続される入力ラインでタイミング回路３４により観察されるとき、タイミング信号は、再生調節回路２０に供給され、ヘッドドライバ１４は、リードアウトレイヤにおける拡張されたドメインを崩壊し、その後に磁場を拡大方向にリセットするように、短時間の後に磁場を逆転するように制御される。ピーク検出と磁場のリセットとの間の全体の時間は、最大の許容されるコピーウィンドウとディスク１０上の１チャネルビット長との合計に対応するためにタイミング回路３４により設定される（リニアディスク速度の倍）。
【００３３】
さらに、動的なコピーウィンドウ制御機能は、たとえばウォブル又は変化パターンといった変調をヘッドドライバ１４に適用し、読み出しモードで検出されたデータ信号からの情報を使用してコピーウィンドウのサイズｗを連続して測定することで提供される。ウォブル周波数がクロック発生器２６のクロックリカバリＰＬＬ回路の帯域幅を超える場合、このＰＬＬ回路の位相誤差は、期待される遷移の位置に関して小さな偏差又は位相誤差を検出するために使用することができる。導入されたウォブル又は変化パターンの周波数偏差は、ゼロの平均値を有する。しかし、ここで得られた位相誤差の振幅Δφは、絶対スケールが既知であるが、リファレンス（ゼロ又はオフセット）が存在しないので、レーザ電力制御のための絶対の誤差信号としてなお使用することができない。すなわち、コピーウィンドウのサイズにおける変化のみを測定することができる。この問題を回避するため、コピーウィンドウのサイズｗを制御するための制御情報を得るため、温度の関数としてのウィンドウサイズｗの導関数を測定することができる。コピーウィンドウサイズｗの微分又は変化量は、位相の振幅Δφに直接つながり、検出された位相誤差の振幅Δφは微分に対応し、コピーウィンドウ制御のために使用することができる。予め決定されたセットポイントからの変動は、ヘッドドライバ１４での外部磁場の強度を制御するために制御信号ＰＥとして使用することができる。
【００３４】
コイルとディスクとの距離、周囲の温度等のようなパラメータにおける変化のためにコピーウィンドウのサイズにおける変化は、制御される外部磁場により対向される。
【００３５】
図１に示されるディスクプレーヤでは、光ピックアップユニット３０のレーザパワーを決定又は調節するために適合されるリードアウト制御回路２９０が提供される。好適な実施の形態によれば、レーザ電力は、外部の磁場、レーザ電力又は他の適切なリードアウトパラメータに基づく場合がある、クロック発生器２６でのコピーウィンドウ制御とは独立にリードアウト制御回路２９０により制御される。特に、リードアウト制御回路２９０は、ＭＡＭＭＯＳディスク１０の第一のストレージレイヤと第二のストレージレイヤとの間のクロストークについて、適切かつ信頼できるインジケータであるパラメータを決定する。
【００３６】
図２は、第一の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのレイヤ構造を示している。ここで提案されるソリューションは、他方の上に一方が配置される異なるストレージレイヤ１１０，１１４における情報を再生するために１つのリードアウトレイヤを使用することである。リードアウトレイヤ１０６は、レーザ入射側の方向で２つのストレージレイヤ１１０，１１４の上に配置されている。これらストレージレイヤ１１０，１１４の記録は、従来技術で記載されるいずれかの方法により可能である。主な難しさは、飽和保持力、（リードアウトレイヤでのストレージレイヤからの）浮遊の磁場及び印加される外部磁場、すなわち両方のストレージレイヤ１１０，１１４のバランスに関するＭＡＭＭＯＳリードアウト要件を満たすことである。マークビットのＭＡＭＭＯＳ再生について、ストレージ及びリードアウトレイヤ１０６，１１０及び１１４の磁場特性は、リードアウトのレーザ電力は、マークにより生成される浮遊の磁場と印加された外部磁場との合計がリードアウトレイヤの飽和保持力よりも大きい、すなわちＨS＋Ｈext＞ＨCであるように選択される。ストレージレイヤ１１０，１１４の両者は浮遊の磁場を生じるので、以下のように式を変更することができる。
ＨS1＋ＨS2＋Ｈext＞ＨC                （２）
ここで、ＨS1及びＨS2はストレージレイヤ１１０，１１４のそれぞれの浮遊磁場の強度を示している。
【００３７】
両方のストレージレイヤの個別のリードアウトを可能にするため、一方のレイヤは、他方のレイヤにより影響されることなしに読み出され、図２に示されるレイヤ構造は、デュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクの第一の実施の形態に従って提案される。レーザ入射側から始めて、一般的なレイヤスタックは、任意の第一のカバーすなわち基板１０２、たとえばＳｉＮ，ＳｉＯ2からなる第一の誘電層１０４、好ましくは２０ｎｍである１０〜３０ｎｍの厚さで好ましくはＧｄＦｅＣｏ又はＧｄＦｅからなるリードアウトレイヤ１０６を有する。さらに、好ましくは５ｎｍである１〜１５ｎｍの厚さでたとえばＳｉＮ又はＡ１からなる非磁性のスペーサレイヤ１０８は、リードアウトレイヤ１０６と第一のストレージレイヤ１１０との間に設けられている。第一のストレージレイヤ１１０は、好ましくは８〜３５ｎｍの厚さを有し、おそらく希土類、遷移又は他の金属、Ｓｉのような非金属等を加えた、好ましくはＴｂＦｅＣｏからなる。任意の中間レイヤ１１２は、第一のストレージレイヤ１１０と第二のストレージレイヤ１１４との間に配列されている。中間レイヤ１１２は、好ましくは５ｎｍである１〜１５ｎｍの厚さをもつ非磁性誘電体又はメタルスペーサレイヤであるか、又は０．１〜５ｎｍの厚さをもつＲｕ交換結合レイヤである場合がある。更なる代替として、第一及び第二のストレージレイヤ１１０，１１４との間に直接的な交換結合が設けられるように、中間レイヤ１１２が全く使用されない場合がある。
【００３８】
第二のストレージレイヤ１１４は、１０〜１００ｎｍの厚さを有し、第一のストレージレイヤ１１０との接続において先に記載されたものに加えて、好ましくはＴｂＦｅＣｏからなる場合がある。更に、たとえばＰｔＣｏ又はＰｄＣｏ、アモルファスＲＥ−ＴＭ材料等の多層といった任意の交換バイアスレイヤ１１６が設けられ、続いてＳｉＮ又はＳｉＯ2からなり、任意のヒートシンクを含む第二の誘電体層１１８が続く場合がある。最後に、任意の第二の基板又はカバー１２０が設けられる。第一及び第二のストレージレイヤ１１０及び１１４は、少なくとも以下の磁性を有する。
【００３９】
・共にキュリー温度Ｔc1及びＴc2のそれぞれよりも低い異なる補償温度Ｔco1及びＴco2を持つフェリ磁性  
・内部駆動温度Ｔambient（＜〜７０℃）＜Ｔcol≠Ｔcol2＜ｍｉｎ（Ｔc1，Ｔc2）  
・リードアウト温度Ｔread-out1＝Ｔco2及びＴread-out2＝Ｔcol1、レイヤ内のクロストークを回避するため、差は約１０℃よりも小さい。より大きな差は、可能性のある記憶密度を制限する。
【００４０】
図３は、第二の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクの概念的なレイヤ構造を示している。この第二の実施の形態では、リードアウトレイヤ１０６は、第一及び第二のストレージレイヤ１１０，１１４の間に配置されている。そのケースでは、レーザ入射側に最も近い第一のストレージレイヤ１１０は、好ましくは約１０ｎｍよりも薄く、誘電体層１０４，１１２（光インタフェース）は、上にある第一のストレージレイヤ１１０からの信号を抑圧しつつ、リードアウトレイヤ１０６からのＫｅｒｒ信号を最大にするために調節されることが好ましい。
【００４１】
図４及び図５は、第一及び第二の実施の形態のそれぞれについて、リードアウトレイヤの飽和保持力ＨC及びストレージレイヤの磁化Ｍとの間での温度依存性を示す図である。第一のストレージレイヤ１１０に関連する磁化曲線は実線により示され、第二のストレージレイヤ１１４に関連する磁化曲線は、破線により示されている。Ｍ1,1は、第二のストレージレイヤ１１４の補償温度Ｔco2に等しい、第一のストレージレイヤ１１０のリードアウト温度での第一のストレージレイヤ１１０の磁化を意味する。同様に、Ｍ2,2は、第一のストレージレイヤ１１０の補償温度Ｔco1に等しい、第二のストレージレイヤ１１４のリードアウト温度での第二のストレージレイヤ１１４の磁化を意味している。
【００４２】
提案されるリードアウトスキームによれば、第一のストレージレイヤ１１０の読み出しは、第二のストレージレイヤ１１４をその補償温度Ｔco2に加熱するため、図１のリードアウト制御回路２９０にレーザ電力を調節させることで達成される。この温度で効果的な磁化Ｍが消失するので、第二のストレージレイヤ１１４からの浮遊磁場の寄与ＨS2もまたゼロになる。したがって、第一のストレージレイヤ１１０により生成された浮遊磁場の寄与ＨS1のみがＭＡＭＭＯＳコピー及び拡張リードアウトプロセスをトリガする。同じ原理は、第二のストレージレイヤ１１４のリードアウトについて使用することができ、すなわち、リードアウト制御回路２９０は、第一のストレージレイヤ１１０を、ＨS1を抑圧し、第二のストレージレイヤ１１４における個別又は独立なデータのリードアウトを可能にするその補償温度Ｔco1に加熱するため、レーザ電力を調節又は変化させる。このシンプルなレイヤ選択方法は、光ピックアップユニット３０への光学系への変更を必要とせず、すなわちフォーカスジャンプ、収差補正を必要とせず、エレクトロニクスにおける非常に小さな調整のみが、シングルレイヤシステムと比較して必要とされる。
【００４３】
このリードアウト方法から、リードアウト温度、したがって両方の補償温度は、（最大の）周囲の温度を超えるべきであることが明らかである。両方の補償温度は、最も低いストレージレイヤのキュリー温度よりも低くあるべきである。これは、キュリー温度に近い（又はキュリー温度よりも高い）リードアウト温度は、特に磁場が印加されたときにそれぞれのレイヤにおけるデータを乱すか又は消去する場合があるためである。
【００４４】
図４は、異なる磁場の感度をもつ交換結合されたストレージレイヤの第一の実施の形態に関し、第一のストレージレイヤ１１０は、低い温度Ｔread-out1＝Ｔco2で読み出され、第二のストレージレイヤ１１４は、高い温度Ｔread-out2＝Ｔco1で読み出される。第一及び第二のストレージレイヤ１１０，１１４のキュリー温度Ｔc1及びＴc2は等しい。図５は、異なるキュリー温度による個別の、デカップルストレージレイヤの第二の実施の形態に関し、第一のストレージレイヤ１１０は高い温度Ｔread-out1＝Ｔco2で読み出され、第二のストレージレイヤ１１４は、低い温度Ｔread-out2＝Ｔco1で読み出される。ここで、第一のストレージレイヤ１１０のキュリー温度Ｔc1は、第二のストレージレイヤ１１４のキュリー温度Ｔc2よりも低い。
【００４５】
ＭＡＭＭＯＳリードアウトプロセスを可能にするため、多数の更なる条件がレイヤスタック、リードアウトの磁気特性及びストレージレイヤ１０６，１１０，１１４の組み合わせにより達成される。
【００４６】
・リードアウトの間に使用される外部磁場Ｈextは、ドメインエクスパンションプロセスを駆動するために十分に強い。簡単さのため、Ｈextがストレージレイヤの両者について同じであることが好ましい（しかし必須ではない）。実用的な磁場強度は、８ｋＡ／ｍと１６ｋＡ／ｍとの間であるが、低いか又は高い場合がある。
【００４７】
・リードアウト温度のそれぞれで、レイヤ１０６の飽和保持力（第一のストレージレイヤ１１０のリードアウトのＨc1、第二のストレージレイヤ１１４のリードアウトのＨc2）は、印加される外部磁場よりも大きく、すなわちＨc1＞Ｈext1及びＨc2＞Ｈext2又はｍｉｎ（Ｈc1；Ｈc2）＞Ｈextである。この条件が満たされない場合、リードアウトプロセスは、ストレージレイヤにおけるデータによってのみ決定されず、すなわち、リードアウトレイヤの磁化は、データの代わりに印加された磁場に「従う」。
【００４８】
・リードアウトレイヤ１０６で必要とされるストレージレイヤ１１０，１１４におけるデータにより生成される浮遊磁場の最小強度は、差ＨC−Ｈextにより決定される。したがって、ＨS1＞Ｈc1−Ｈext1及びＨS2＞Ｈc2−Ｈext2である。これらの浮遊磁場は、それらのリードアウト温度でストレージレイヤ１１０，１１４のそれぞれの磁化Ｍ1,1及びＭ2,2（先に説明したように、Ｍ1,2及びＭ2,1は好ましくはゼロに近い）、ストレージレイヤ１１０，１１４のそれぞれの厚さｔ１及びｔ２、並びに、ストレージレイヤ１１０，１１４とリードアウトレイヤ１０６との間のそれぞれの距離Ｄ１及びＤ２に依存する。
【００４９】
図６は、１０ｎｍ（実線）から５０ｎｍ（破線）の範囲に及ぶ異なるストレージレイヤの厚さｔ、及びＭ＝１００ｋＡ／ｍについて、ストレージ及びリードアウトレイヤの間の距離の関数としてストレージレイヤにおけるビットにより生成されるリードアウトレイヤ１０６における浮遊磁場の振幅ＨSを示す図である。図２に示されるように、薄いレイヤは、強い浮遊磁場ＨSを与えるが、この磁場は、より長い距離で急速に減少する。
【００５０】
磁化Ｍの現実的な値を想定すると、これは、図２の第一の実施の形態では、上の第一のストレージレイヤ１１０は、好ましくは下の第二のストレージレイヤ１１４よりも薄いことを意味する。信頼できる、高密度の記録を可能にするため、ストレージレイヤ１１０，１１４は、好ましくは８ｎｍと１０ｎｍとの間の厚さを有する。密度を犠牲にして薄いレイヤが可能である。第一のストレージレイヤ１１０の典型的な値は、１０ｎｍと３５ｎｍとの間であり、第二のストレージレイヤ１１４の値は、１０ｎｍと１００ｎｍとの間にある。
【００５１】
図２及び図３に示される全てのレイヤは、従来の装置を使用してスパッタされる。幾つかの更なるレイヤ（典型的に１〜３）は、シングルレイヤのＭＡＭＭＯＳディスクと比較して必要とされる。通常、厳しい耐性及び関連する球面収差の問題をもつスピンコート又はＰＳＡ（Pressure  Sensitive  Adhesive）スペーサレイヤの必要がない。さらに、先に述べたように、光学システムに変更が必要とされず、僅かな変更のみがエレクトロニクス、すなわち異なるストレージレイヤ１１０，１１４のリードアウトについてレーザ電力を切替えるためにリードアウト制御回路２９０に対して必要とされる。１ｋＡ／ｍのノンゼロの磁化のために許容される残余の浮遊磁場を想定すると、許容される変動が±１０℃のオーダで推定される。〜１％⇒１．５％のリードアウト電力のマージンと比較して、これはかなり寛容である。また、かかる許容される変動は、かかるディスクの製造に問題を配置しない。
【００５２】
以下では、先の第一及び第二の実施の形態のスタックデザインの例は、λ＝４０５及び開口数ＮＡ＝０．８５について与えられる。
［第一の実施の形態（図４）］
【表１】
2007505427.tif 000003
この第一のリードアウトタイプに係るスタックデザインは、以下のリードアウトパラメータを導く。Ｔco1＝１５０℃、Ｔco2＝１３０℃、Ｔc1＝Ｔc2＝２００℃、Ｈc1＝３５ｋＡ／ｍ、Ｍ1,1＝９０ｋＡ／ｍ、Ｈc2＝２５ｋＡ／ｍ、Ｍ2,2＝５０ｋＡ／ｍ、及びＨext＝１６ｋＡ／ｍ。
［第二の実施の形態（図５）］
【表２】
2007505427.tif 000004
この第二のリードアウトタイプに係るスタックデザインは、以下のリードアウトパラメータを導く。Ｔco1＝１５０℃、Ｔco2＝１３０℃、Ｔc1＝２００℃、Ｔc2＝２５０℃、Ｈc1＝２５ｋＡ／ｍ、Ｍ1,1＝７０ｋＡ／ｍ、Ｈc2＝３５ｋＡ／ｍ、Ｍ2,2＝９０ｋＡ／ｍ、及びＨext＝１６ｋＡ／ｍ。  
たとえば切り返される低い温度及び高い温度をもつ他のバリエーションも可能である。
【００５３】
両方のストレージレイヤのリードアウトパワーレベルは、あるやり方で較正される必要があることは、先の記載から明らかである。これを行う良好なやり方は、第一のストレージレイヤ１１０に第一の既知又は予め決定されたデータパターンを記録又は書き込むこと、及び第一のストレージレイヤ１１０における第一のパターンの直接下にある、第二のストレージレイヤ１１４に第二の既知又は予め決定されたデータパターンを記録又は書き込むことである。先の２つのメディアタイプ、すなわち異なるフィールド感度をもつ交換結合されるレイヤ（図４参照）又は異なるキュリー温度をもつ個別のデカップルレイヤ（図５参照）及び関連する記録方法に依存して、これはシングルパス又は２つのパスで行われる場合がある。
【００５４】
図７は、好適な実施の形態に係る最初のパワー設定又はキャリブレーション手順のフローチャートである。第一のストレージレイヤ１１０のリードアウトレーザパワーのプリセット又はデフォルト値から始めて（ステップＳ２０１）、第一の既知のデータパターンが第一のストレージレイヤ１１０から読まれ（ステップＳ２０２）、レーザパワーは、第二のストレージレイヤ１１４におけるデータパターンのクロストーク効果を最小にするため、リードアウト制御回路２９０により調整される（ステップＳ２０３）。特に、リードアウト信号は、第一のストレージレイヤ１１０に設けられる第一の既知のデータパターンと比較される。最適なレーザパワーは、たとえばクロストーク相関方法により特徴づけされるか、又はビット誤り率における最小値により特徴づけされる最良の整合に対応し、記憶される。次いで、このプロセスは、第二のストレージレイヤ１１４及び第二のストレージレイヤの第二の既知のデータパターンについてステップＳ２０４〜Ｓ２０６で繰り返される。
【００５５】
リードアウトレーザパワーを調節しつつ、両方の既知のデータパターンを評価することが有利である場合がある。第一の既知のデータパターンに対する最良の整合は、第一のストレージレイヤ１１０の最適化されたリードアウトパワーを導き、第二の既知のパターンに対する最良の整合は、第二のストレージレイヤ１１４の最適化されたリードアウトパワーを導く。どのパワーが高いかが既知であるので、サーチ方向、すなわち高い電力又は低い電力、及び他のレーザパワーの良好な推測は、データパターンの１つが整合されるとすぐに行なうことができる。このアプローチの利点は、高速なことであって、短い及び／又は少ないキャリブレーションエリアを許容し、キャパシティのオーバヘッドを低減する。
【００５６】
図８は、第一及び第二のストレージレイヤにおける有効なデータパターンのセットの例を示しており、ここで“＋１”と“−１”とが個々のビットの磁化方向を示している。第一のストレージレイヤ１１４の正しい出力は、１つの交互するビットパターンである。しかし、第二のストレージレイヤ１１４の磁化が余りに強い場合、更なるＭＡＭＭＯＳ信号ピークは、全体の浮遊磁場が余りに強くなる事実のため、第二のストレージレイヤ１１４が“＋１”データを有する部分に現れる。他方で、ピークのなかには、全体の浮遊磁場がリードアウトプロセスをトリガするたえの十分ではない事実のため、第二のストレージレイヤ１１４が“−１”データを有する部分で抑圧されるものがある。
【００５７】
図９は、第一のストレージレイヤ１１０のリードアウト動作の場合に図８のデータパターンのトラック方向の関数として、リードアウトレイヤにおける浮遊磁場の分布を示す図である。水平方向の破線は、ＭＡＭＭＯＳリードアウトの最適な浮遊磁場の値を示している。正弦波の破線ｐ１は、第一のストレージレイヤにおける第一のデータパターンにより生じた浮遊磁場に対応し、矩形の破線Ｐ２は、ノンゼロの磁化（Ｍ＞０）で第二のストレージレイヤ１１４の第二のデータパターンにより生じる浮遊磁場に対応する。リードアウト温度でのノンゼロの磁化Ｍによる第二のストレージレイヤ１１４からの影響又はクロストークは、点線の正弦波のラインｐ１＋ｐ２により示される全体の浮遊磁場における変化を生じることは明らかである。この影響が所定の値（たとえば１ｋＡ／ｍ）を超える場合、第一のデータパターンは、もはや正しく再生されない。
【００５８】
ディスクの製造耐性、たとえば、様々なレイヤのスタックの厚さへの磁気特性の整合、ＨS1、ＨS2及びＨextによるＨc対Ｔのチューニングを緩和するため、パワー設定又は較正手順の間に外部磁場の振幅Ｈextを調節することは有利なことである。レーザパワーを変化することは、他のストレージレイヤからの寄与に影響を与えるだけでなく、コピーウィンドウのサイズ及びリードアウト解像度を変化させる。完全に整合されたディスク１０は、同じレーザパワーで最適なコピーウィンドウに到達し、このレーザパワーで、正しいリードアウト温度、すなわち他のストレージレイヤの補償温度に到達する。
【００５９】
この緩和された耐性を達成するため、パワー設定又は較正手順は、コピーウィンドウの（非常に）独立した制御及び他のストレージレイヤの抑圧を可能にする。後者について、手順は、先に記載されたものと非常に類似したままである。それぞれのストレージレイヤについて、第一の既知のデータパターンが正しく再生され、第二のデータパターンの作用が検出されないように、レーザパワーが調整される。図９の例では、第二のデータパターンの作用は、第二のデータパターンと同じ周期、すなわち２×４ビットをもつ信号、及び代替的に余りに多くのピークと余りに少ないピークをもつ信号として目に見ることができる。
【００６０】
たとえば、自己相関技術は、これを検出するために使用される場合がある。独立なコピーウィンドウ制御を達成するため、外部磁場のチューニングは、好ましくは検出されたＭＡＭＭＯＳピークの数に基づくべきである。たとえば、更なるピークは、コピーウィンドウが余りに大きい場合に現れ、一部又は全部のピークは、コピーウィンドウが余りに小さい場合に失われる。しかし、このピーク数における増加又は減少は、明らかに回避されるべきである第二のデータパターンがたとえば第一のデータパターンと同じでない場合に、第二のデータパターンと相関せず、したがってコピーウィンドウサイズに依存しない情報を与え、外部磁場Ｈextの必要とされる補正を与える。余りに多くのピークが検出された場合、Ｈextが低減されるべきであって、余りに少ないピークが検出された場合、Ｈextが増加されるべきである。図１では、この制御は、制御信号ＰＥにより実行することができる。
【００６１】
可能なシステムの実現の例は、以下に記載される。最初のオプションによれば、１以上の異なる半径がディスク１０の挿入に応じて較正することができる。これは、半径方向の非一様性を補償するために必要な場合がある。リードアウトパワーレベル及びおそらくＨextパラメータは、ドライブ及び／又はディスク１０に記憶される。これらのパラメータは、半径方向の位置をもつ振幅のセット、又は、たとえばスタート、ミドル及びエンド値に歪み又はオーダパラメータを加えたものといった、半径方向の関数としてレーザパワー及びおそらくＨextを記述するアルゴリズムの多数の変数である場合がある。
【００６２】
第二のオプションによれば、ディスクの製造業者は、ディスクにアルゴリズムの変数情報を提供し、多数のキャリブレーションにおける更なる低減が実行されるのを可能にする。たとえば、ディスクが非常に一様である場合、１又は２のキャリブレーションは全体のディスクについて十分であり、ノンユニフォームディスクは、多くのキャリブレーションを必要とする。
【００６３】
第三のオプションによれば、このディスクがこのドライブで最近使用されたかがディスクの挿入に応じてチェックされる。使用されている場合、パワー設定又はキャリブレーションは、スタートアップ時間を低減するためにスキップされ、（利用可能な場合）記憶されたパラメータは、リードアウトパワーレベル及びおそらくＨextを決定するために使用される。その後、キャリブレーションは、ハイエラーレートのケースで実行されるのみである。したがって、このオプションは、たとえば、５つのドライブのスペースをリザーブし、好ましくは日時情報及びレーザパワーパラメータ及びおそらくＨextと共に、必要な場合に最も古いものを上書きし、ドライブにディスクのＩＤを記憶するか、ディスクにドライブのＩＤを記憶することを必要とする。これにより、たとえばディスク１０が異なる設定でディスクのパワーパラメータフィールドを更新したドライブで前に使用された場合に、最初のリードアウト問題が防止される場合がある。
【００６４】
なお、本発明は、２つのストレージレイヤからの読み取りのためのドメインエクスパンション・光磁気ディスクストレージシステムのための読取りシステムに適用される場合がある。先に提案されたものに類似するレイヤスタック及びリードアウト方法は、たとえばカード状のメディア、光スポットのアレイ及び／又は（ＧＭＲ又はＴＭＲのような）薄膜磁気センサ、若しくは、たとえばメディア内部又はメディアの近くにされるアドレス指定可能なクロスメタルワイヤのような代替的な局所加熱方法に基づいた非移動性の静止型のリードアウト原理によるシステムで使用される場合もある。
【００６５】
リードアウト制御回路２９０は、ハードウェア回路、又は代替的にソフトウェアにより制御されるアナログ又はデジタル処理回路により実現されるか、ディスクプレーヤを制御するための既存の制御プログラムにおける新たなルーチンとして実現される場合がある。実施の形態は、特許請求の範囲で変化する場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る光磁気ディスクプレーヤの図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクの概念的なレイヤ構造を示す図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクの概念的なレイヤ構造を示す図である。
【図４】第一のリードアウトタイプについて、リードアウトレイヤの飽和保持力とストレージレイヤの磁化との間の温度依存性を示す図である。
【図５】第二のリードアウトタイプについて、リードアウトレイヤの飽和保持力とストレージレイヤの磁化との間の温度依存性を示す図である。
【図６】異なるストレージレイヤの厚さについて、ストレージレイヤとリードアウトレイヤとの間の距離の関数としてリードアウトレイヤでの浮遊の磁場の振幅を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る初期の電力設定手順のフローチャートである。
【図８】第一の浮遊レイヤと第二の浮遊レイヤにおけるデータパターンのセットの例を示す図である。
【図９】図８のデータパターンのトラック方向の関数としてリードアウトレイヤにおける浮遊磁場の分布を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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