(57)【要約】  画像処理装置を有する高解像度ディジタルカメラにおける欠陥画素の影響を識別して補償する方法及び装置。この装置は、暗電流基準画像かホワイト基準画像かのいずれかに対応したデータ及び画素アレイによって捕捉された少なくとも１つの実際の画像に対応したデータを格納する格納システムと、格納システムに結合されていて、格納データに基づいて実際の画像に関するデータを補償する少なくとも１つのプロセッサとを有する。上記方法は、ダーク基準画像とホワイト基準画像の両方を捕捉して格納すると共に実際の画像を捕捉して格納するステップと、暗電流によって影響を受け又は欠陥画素である画素を識別するステップと、暗電流によって影響を受けた実際の画像の画素又は欠陥のある画素に対応したデータを格納システムから読み取るステップと、影響を受けた画素を補償するステップとを有する
2007525070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置であって、
少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ及び少なくとも１つの暗電流基準画像及び画素アレイにより捕捉された少なくとも１つのホワイト基準画像のうちの少なくとも一方に対応した第２のデータを格納する格納システムと、
前記格納システムに結合されていて、前記第２のデータを用いて前記第１のデータを補償するプロセッサと、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記格納システムは、前記第１のデータと関連した利得条件及び露出時間並びに前記第２のデータに関する利得条件及び露出時間を格納し、前記プロセッサは、前記第１のデータと関連した利得及び露出時間に最もぴったりと合う関連の利得及び露出時間を有する前記第２のデータを用いて前記補償を実行することを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記第１のデータに対して暗電流及び欠陥画素に係る補償を実行することを特徴とする、請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画素アレイは、複数の利得及び露出条件下において複数個の暗電流基準画像を捕捉し、前記複数個の捕捉された暗電流基準画像に対応した前記それぞれの第２のデータは、各暗電流基準画像に関する関連の利得及び露出条件情報と一緒に前記格納システムに格納されることを特徴とする、請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画素アレイは、複数の利得及び露出条件下で複数個のホワイト基準画像を捕捉し、前記複数個のホワイト基準画像に対応した前記それぞれの第２のデータは、関連の利得及び露出情報と一緒に前記格納システムに格納されることを特徴とする、請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画素アレイは、複数の光条件下で前記複数個のホワイト基準画像を更に捕捉し、前記複数個のホワイト基準画像に対応した前記それぞれの第２のデータも又、関連の光条件と一緒に格納されることを特徴とする、請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記複数の光条件は、光無しの条件、第１の光条件及び前記第１の光条件よりもルクス値が高い第２の光条件を含むことを特徴とする、請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画素補正方法であって、
画素アレイを用いて、少なくとも１つの暗電流基準画像及び少なくとも１つのホワイト基準画像のうちの一方に対応した第１のデータを捕捉するステップと、
前記少なくとも１つの暗電流基準画像及び前記少なくとも１つのホワイト基準画像のうちの前記一方に対応した基準データを格納システムに格納するステップと、
画素アレイを用いて少なくとも１つの実際の画像を捕捉するステップと、
前記少なくとも１つの実際の画像に対応した第２のデータを前記格納システムに格納するステップと、
前記基準データを用いて前記第２のデータを補償するステップと、を有することを特徴とする、方法。
【請求項９】
前記補償ステップは、ディジタルカメラが不使用状態にある間に実行されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記補償ステップは、
前記少なくとも１つの暗電流基準データを用いて暗電流により影響を受けた画素を識別するステップと、
前記基準データを用いて画素ロケーションのところの前記第２のデータを補償するステップと、
前記補償された第２のデータを前記格納システムに格納するステップとを更に含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記基準データを用いて画素を欠陥画素として識別するステップと、
前記基準データを用いて画素ロケーションのところの前記第２のデータを補償するステップと、
前記補償された第２のデータを前記格納システムに格納するステップとを更に有することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
複数の利得条件及び露出時間において複数個の暗電流基準画像を捕捉してそれぞれの暗電流基準データを作成し、前記複数の利得及び露出条件の各組合せに関し、補償を必要とする暗電流画素のロケーションを識別するステップと、
前記捕捉した複数個の暗電流基準画像から前記それぞれの暗電流基準データを作成し、利得条件と露出時間の各組合せに関し、補償を必要とするホット画素のロケーションを識別するステップとを更に有することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
複数の利得条件及び露出時間において複数個のホワイト基準画像を捕捉してそれぞれの欠陥画素基準データを作成し、利得条件及び露出時間の各組合せについて、補償を必要とする欠陥画素のロケーションを識別するステップを更に有することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
複数の光条件下において、前記複数個のホワイト基準画像を捕捉してそれぞれの欠陥画素基準データを作成し、前記複数の光条件の各々について、補償を必要とする欠陥画素のロケーションを識別するステップを更に有することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の光条件は、光無しの条件、第１の光条件及び前記第１の光条件よりもルクス値が高い第２の光条件を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ダークデッド画素基準データを作成し、利得条件と露出時間の各組合せについて、補償を必要とするダークデッド画素のロケーションを識別するステップを更に有することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ホワイトデッド画素基準データを作成し、利得条件と露出時間の各組合せについて、補償を必要とするホワイトデッド画像のロケーションを識別するステップを更に有することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
飽和デッド画素基準データを作成し、利得条件と露出時間の各組合せについて、補償を必要とする飽和デッド画素のロケーションを識別するステップを更に有することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
不良画素基準データを作成し、利得条件と露出時間の各組合せについて、補償を必要とする不良画素のロケーションを識別するステップを更に有することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のデータの前記利得と露出の組合せに最もぴったりと合う前記利得と露出の組合せに基づいて前記複数の利得と露出の組合せのうちの１つを選択することにより前記暗電流基準データ及び前記ホット画素基準データのうちの一方を選択するステップを更に有することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
利用可能な隣りの画素からの信号値を用いて暗電流により影響を受けた前記画素を平滑化するステップを更に有し、暗電流により影響を受けた前記画素は、前記選択された暗電流及びホット画素基準データを用いて識別され、暗電流により影響を受けたものとして識別された各画素の前記信号値は、前記第２のデータから検索されることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記平滑化は、前記隣りの画素の前記信号値を平均することにより達成されることを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
暗電流により影響を受けた画素の信号値をスケールダウンするステップを更に有し、暗電流により影響を受けた前記画素は、前記選択された暗電流及びホット画素基準データを用いて識別され、暗電流により影響を受けたものとして識別された各画素の前記信号値は、前記第２のデータから検索されることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記スケールダウンは、前記信号値に、前記選択された利得と露出の組合せにおける暗電流及びホット画素についての平均信号値を乗算し、その積を補償されるべき前記画素の前記信号値で除算することにより達成されることを特徴とする、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ダークデッド画素基準データを用いて前記ダークデッド画素のロケーションを突き止めて、ダークデッド画素として識別された画素の信号レベルを前記光無しの条件下における通常の画素についての平均信号レベルまでスケールダウンすることによりダークデッド画素を補償するステップを更に有することを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項２６】
前記ホワイトデッド画素基準データを用いて前記ホワイトデッド画素のロケーションを突き止めて、ホワイトデッド画素と識別された画素の信号レベルを前記第１の光条件下における通常の画素についての平均値までスケールアップすること及びスケールダウンすることのうちの一方を行うことによりホワイトデッド画素を補償するステップを更に有することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項２７】
前記飽和デッド画素基準データを用いて前記飽和デッド画素のロケーションを突き止めて、飽和デッド画素として識別された画素の信号レベルを前記第２の光条件下における通常の画素についての平均信号レベルまでスケールアップすることにより飽和デッド画素を補償するステップを更に有することを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２８】
前記利得と露出時間の組合せのうちの１つの選択に基づいて前記不良画素基準データのうちの１つを選択し、不良画素と識別された画素の信号レベルをスケール変更して前記選択された露出時間に線型的に一致させることにより不良画素を補償するステップを更に有することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
前記不良画素に関する多くの欠陥のある色に基づく公式を用いて不良画素を色補償するステップを更に有することを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
ディジタルカメラシステムであって、
イメージセンサと、
実際の画像に対応した第１のデータを補償する暗電流及び欠陥画素補償回路と、
前記暗電流及び欠陥画素補償回路に結合されていて、前記第１のデータを前記イメージセンサから前記暗電流及び欠陥画素補償回路に送る画像プロセッサと、を有することを特徴とする、ディジタルカメラシステム。
【請求項３１】
前記暗電流及び欠陥画素補償回路は、
少なくとも１つのプロセッサと、
バスと、
前記バスを介して前記少なくとも１つのプロセッサに結合されていて、前記少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ並びに前記少なくとも１つの暗電流基準画像及び前記イメージセンサにより捕捉された前記少なくとも１つのホワイト基準画像のうちの一方に対応した前記第２のデータを格納する格納システムと、を更に有することを特徴とする、請求項３０に記載のディジタルカメラシステム。
【請求項３２】
前記格納システムは、
前記画素を介して前記少なくとも１つのプロセッサに結合されたメモリ素子と、
前記バスを介して前記少なくとも１つのプロセッサに結合された少なくとも１つの不揮発性メモリ素子とを更に有することを特徴とする、請求項３１に記載のディジタルカメラシステム。
【請求項３３】
コンピュータシステムであって、
第１のプロセッサと、
バスを介して前記プロセッサに結合されたメモリ素子と、
少なくとも１つの入力／出力装置とを有し、前記少なくとも１つの入力／出力装置は、前記周辺バスを介して前記プロセッサに結合され、前記入力／出力装置は、撮像デバイスであり、
前記撮像デバイスは、
少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ並びに少なくとも１つの暗電流基準画像及び画素アレイにより捕捉された少なくとも１つのホワイト基準画像のうちの少なくとも一方に対応した第２のデータを格納する格納システムと、
前記格納システムに結合されていて、前記実際の画像に対応した前記データを補償する少なくとも１つの第２のプロセッサとを更に有するコンピュータシステム。
【請求項３４】
画像処理装置であって、
少なくとも１つの実際のデータに対応した第１のデータ並びに少なくとも１つの暗電流基準画像及び画素アレイにより捕捉された少なくとも１つのホワイト基準画像に対応した第２のデータを格納する格納システムと、
前記格納システムに結合されていて、前記第２のデータを用いて前記第１のデータを補償するプロセッサと、を有する画像処理装置。
【請求項３５】
画像処理装置であって、
少なくとも１つの実際のデータに対応した第１のデータ並びに少なくとも１つの暗電流基準画像及び画素アレイにより捕捉された少なくとも１つのホワイト基準画像に対応した第２のデータを格納する格納システムと、
前記格納システムに結合されていて、前記第２のデータを用いて前記第１のデータを補償するプロセッサとを有し、前記格納システムは、前記第１のデータと関連した利得条件及び露出時間を格納し、前記格納システムは、前記第２のデータと関連した利得条件及び露出時間を更に格納し、前記格納システムは、前記第２のデータに関する光条件情報を更に格納する画像処理装置。
【請求項３６】
ディジタルカメラシステムであって、
イメージセンサと、
実際の画像に対応した第１のデータを補償する暗電流及び欠陥画素補償回路と、
前記暗電流及び欠陥画素補償回路に結合されていて、前記第１のデータを前記イメージセンサから前記暗電流及び欠陥画素補償回路に送る画像プロセッサとを有する、ディジタルカメラシステム。
【請求項３７】
前記暗電流及び欠陥画素補償回路は、
少なくとも１つのプロセッサと、
バスと、
前記バスを介して前記少なくとも１つのプロセッサに結合されていて、前記少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ並びに前記少なくとも１つの暗電流基準画像及び前記イメージセンサにより捕捉された前記少なくとも１つのホワイト基準画像に対応した前記第２のデータを格納する格納システムとを更に有することを特徴とする、請求項３６に記載のディジタルカメラシステム。
【請求項３８】
コンピュータシステムであって、
第１のプロセッサと、
バスを介して前記プロセッサに結合されたメモリ素子と、
少なくとも１つの入力／出力装置とを有し、前記少なくとも１つの入力／出力装置は、前記周辺バスを介して前記プロセッサに結合され、前記入力／出力装置は、撮像デバイスであり、
前記撮像デバイスは、
少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ並びに少なくとも１つの暗電流基準画像及び画素アレイにより捕捉された少なくとも１つのホワイト基準画像のうちの少なくとも一方に対応した第２のデータを格納する格納システムと、
前記格納システムに結合されていて、前記実際の画像に対応した前記データを補償する少なくとも１つの第２のプロセッサとを更に有する、コンピュータシステム。
【請求項３９】
暗電流及び欠陥画素補償回路であって、
少なくとも１つのプロセッサと、
バスと、
前記バスを介して前記少なくとも１つのプロセッサに結合されていて、前記少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ並びに前記少なくとも１つの暗電流基準画像及び前記イメージセンサにより捕捉された前記少なくとも１つのホワイト基準画像に対応した前記第２のデータを格納する格納システムとを有する、暗電流及び欠陥画素補償回路。
【請求項４０】
集積回路であって、
実際の画像に対応した第１のデータを補償する暗電流及び欠陥画素補償回路と、
前記暗電流及び欠陥画素補償回路に結合されていて、前記第１のデータを前記イメージセンサから前記暗電流及び欠陥画素補償回路に送る画像プロセッサとを有する、集積回路。
【請求項４１】
前記暗電流及び欠陥画素補償回路は、
少なくとも１つのプロセッサと、
バスと、
前記バスを介して前記少なくとも１つのプロセッサに結合されていて、前記少なくとも１つの実際の画像に対応した第１のデータ並びに前記少なくとも１つの暗電流基準画像及び前記イメージセンサにより捕捉された前記少なくとも１つのホワイト基準画像に対応した前記第２のデータを格納する格納システムとを更に有することを特徴とする、請求項４０に記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔発明の分野〕
本発明は、撮像デバイスにおける暗電流及び欠陥画素の影響についての識別及び補償に関する。
【０００２】
〔発明の背景〕
暗電流は、光信号が無い場合であっても撮像デバイスの画素により生じる望ましくない信号を意味している。暗電流の１つの源は、熱的に励起される電子及び正孔である。ＣＭＯＳ型アクティブ画素撮像デバイス中の熱的に生じた暗電流は、多くの撮像又は画像化用途において問題を提起する。温度の上昇につれて、暗電流も同様に増加する。熱エネルギは、画素中に望ましくない自由電子を生じさせる。この望ましくない自由電子は、入射光子により生じる電子によって得られる望ましい信号を変える。加うるに、ディジタルスチールカメラの中には、高い画像感度が得られるよう長い積分（露出）時間を必要とするものがある。しかしながら、積分時間が長ければ長いほどそれだけ一層、熱的に生じる暗電流への感度が高くなる。
【０００３】
画素アレイ中の望ましくない自由電子の大部分は、基板を覆う二酸化珪素層と、画素デバイスが実装されるチップのエピタキシャル又は他のシリコン基板層との間のインタフェースのところで生じる。欠陥のない理想的なプロセスであっても、暗電流は又、画素の感光素子として用いられるフォトダイオードの空乏領域の発生／再結合中心に起因して存在する。光感度に制約を課す熱力学的下限が暗電流について存在する。画素技術をシングルチップディジタルカメラ用の高密度メガ画素アレイが得られるようスケールダウンすると、サブミクロン級ＣＭＯＳ技術プロセスにより誘発される欠陥が劇的に増大する。要因のうちでとりわけ、応力、欠陥の広がり及び金属不純物が全て、望ましくない暗電流の一因となる。
【０００４】
例えば、４つのトランジスタを利用する（４Ｔ）画素で典型的に採用されている転送トランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロワトランジスタは、高い画素密度を達成するためにはスケールダウンされなければならない。かかるスケール変更が可能なのは、これに対応してドーパントレベル（例えば、ｐ−ウェル、Ｖｔ−調整及びハローインプラントが増大すると共にトランジスタについてゲートの酸化物厚さが減少する場合だけである。これにより、とりわけ、接合漏れ、ゲート誘導ドレイン漏れ（ＧＩＤＬ）、ドレイン誘導バリヤ下降（ＤＩＢＬ）のレベルが高くなる。上述の要因の全ては、望ましくない暗電流レベルの一因となる。加うるに、フィールド絶縁領域ピッチも又スケールダウンされなければならず、それにより、フォトダイオードのフィールドエッジの近くの応力レベル及び電子漏れが増大する。
【０００５】
所与の画素に関する暗電流は実際には、２つの成分、即ち、一定部分と可変部分を有している。可変部分は、ショットノイズに起因し、ポアソンの統計学に従い、二乗平均（ｒｍｓ）暗電流ノイズは、暗電流の平方根に等しい。
【０００６】
暗電流を補償する一方法は、平均画素暗電流を識別し、平均値を各画素信号から減算することであった。しかしながら、この方法では、正確且つ現実的な画像を得ることができず、しかも暗電流ノイズが無視され、この暗電流ノイズは、画像領域の外部から生じる。この技術は、再現性が無く、大抵のＣＭＯＳ型イメージセンサに関してはうまくゆかない。
【０００７】
欠陥画素は、撮像機に関するもう１つの問題である。欠陥画素は、ホット画素、不良画素及びデッド画素を含む。ホット画素は、平均暗電流よりも高い暗電流を有し、これは、製造プロセスから生じ、したがって各ホット画素により引き起こされる暗電流は、一定のままであって補正できる。ホット画素情報は、暗電流情報と共に記録され、暗電流補償は又、ホット画素を補償することになる。不良画素は、製造時に不良である画素のことであり、又は、動作中に不良になる兆しを有するものである。不良画素の検出は、互いに異なる積分時間で一様に照明された背景の画像を捕捉することにより達成される。特に、積分時間が長くなると、挙動のよい（即ち、良好な）画素が、積分時間の増大の関数として線型的に増大する信号を生じさせることが予想される。非線型的に挙動する（例えば、偽値で線型的に増大する積分時間に応動する）画素は、不良画素として識別される。デッド画素は、光入力に正確に応動しない画素である。これら画素は、故障したメカニズムに応じて画像上に色の着いた明るいドット又は暗いドットとして見える場合がある。デッド画素には３つの形態、即ち、ダークデッド画素、ホワイトデッド画素及び飽和デッド画素が存在する。デッド画素は、画素アレイの作製後、ハードウェアかソフトウェアかのどちらかで検出できる。ダークしきい値が光無し条件下において通常の画素の平均値を上回る場合にダークデッド画素が検出される。
【０００８】
ホワイトしきい値が例えば約２８ルクス光条件下において通常の画素の平均値よりも大きい又は小さい場合にホワイトデッド画素が検出される。飽和しきい値が、例えば約１００ルクス光条件下において通常の画素の平均値よりも小さい場合に飽和デッド画素が検出される。
【０００９】
欠陥画素、例えばホット画素、デッド画素及び不良画素は、製造プロセス中に作られ、画素アレイを有する撮像デバイスの使用中に生じる場合がある。画素アレイに関する歩留まり上の検討事項及び交換費用に鑑みて、撮像デバイスの画素アレイの破棄又はカメラ又は画素アレイの交換に代わる手段を提供することが必要である。
【００１０】
〔発明の概要〕
本発明は、撮像デバイスにおける暗電流及び欠陥画素の影響を軽減する方法及び装置を提供する。本発明は、画素センサアレイと関連した外部の利用可能なメモリを用いて、撮像デバイスを出荷のために工場から離れる前に、種々の利得条件及び種々の露出時間（積分時間）においてダーク基準画像及びホワイト基準画像を捕捉して格納することにより、暗電流及び欠陥画素の影響を軽減する。ユーザは又、製造時点において捕捉された基準画像に加えて又はこれに換えて、種々の利得条件及び露出時間において追加の暗電流基準画像及びホワイト基準画像を捕捉することができる。捕捉した暗電流及びホワイト基準画像を用いて実際の画像が画素アレイにより収集されたときに、暗電流及び欠陥画素の補正を行う。
【００１１】
本発明の上記特徴及び他の特徴は、添付の図面と関連して行われる本発明の好ましい実施形態についての以下の詳細な説明から明らかに理解されよう。
【００１２】
〔好ましい実施形態の詳細な説明〕
ホワイト基準画像及び暗電流基準画像（以下、「ダーク基準画像」という場合がある）は、全てではないにせよ考えられる大抵の利得と露出の組合せで捕捉され、かかるホワイト基準画像及び暗電流基準画像は、ディジタルカメラの使用中に遭遇する場合がある。次に、ホワイト及びダーク基準画像を用いて画素を識別するデータ構造（例えば、表、一覧表、アレイ、マトリックス等）の状態で格納（格納）されるデータを生じさせ、かかるデータは、補正及びディジタルカメラの使用中に採用される可能性のある利得と露出の全組合せに必要な種類の補正を必要とする。データ構造は、不揮発性メモリに格納されている。実際の捕捉された画像を得るためのディジタルカメラの使用中、関連の利得と露出の組合せを用いて実際の捕捉された画像の利得と露出の組合せに最もぴったりと合う識別／ロケーションデータにアクセスしてこれを検索する。補正及び必要なタイプの補正を必要とする画素を識別し、そしてこれを用いて実際の画像の画素を補正する。必要な種類又はタイプの補正としては、例えば、欠陥画素が例えばダークデッド画素であるか、ホワイトデッド画素であるかどうか、飽和デッド画素であるかどうか又は不良画素であるかどうかについての情報が挙げられる。
【００１３】
種々の利得条件及び露出時間において、暗電流及びホワイト基準画像を捕捉する。低利得条件における高暗電流は、ホワイトポイント欠陥の前触れとなる。高利得条件下における暗電流は、画素に相対的な大きさの漏れを与える。この情報を用いて品質不良の画素の座標一覧表を作成する。具体的には、前者（低利得条件下における高暗電流）は、容易には補正できないプロセス欠陥の結果である。後者（漏れ）は、プロセスによってばらつきのある問題である。後者は、プロセスのばらつき、例えば、マスクの位置合わせ不良、マイクロレンズの位置合わせ不良等により小さなサイズの画素において重要性のより高い問題であり、大きな問題となっている。本発明は、プロセスのばらつきを補償する補正を行い、高密度で小さなサイズの画素の設計のためのアレイの状態で一層一様な品質の画素を作製できるようにする。
【００１４】
補正の各タイプは、それ自体の組をなすデータを有している。すなわち、暗電流により影響を受けた画素（ホット画素を含む）及び欠陥画素についてそれぞれの画素ロケーションデータが存在する。このデータはそれぞれ、暗電流により影響を受け又はホット画素及び欠陥画素である画素を識別してこれらのロケーションを突き止める。なお、欠陥画素としては、ダークデッド画素、ホワイトデッド画素、飽和デッド画素及び不良画素が挙げられる。或る時点で、ユーザは、実際の画像を捕捉する。次に、補正及び必要な補正のタイプに関するデータを必要とする画素のロケーションを用いて、実際の画像の画素の信号値を補正するのがよい。例えば、暗電流画素ロケーションデータ（所与の利得と露出の組合せに関する）を用いて、暗電流画素ロケーションデータで識別された暗電流画素について平均信号値を計算する。この値をメモリに格納する。ダークデッド画素ロケーションデータを用いて、光無し条件下における通常の画素の平均値よりも高いダークしきい値を有する１組の画素を識別する。このように識別した画素を、以下に説明するように平滑化又はスケール変更を用いて補正する。単一の統合された画素ロケーションデータ構造を作成して使用することができることは注目されるべきである。しかしながら、画素は、２以上のタイプの欠陥により影響を受ける場合があり、したがって、多数の補正を必要とする場合があり、したがって単一の統合された画素ロケーションデータ構造は、多次元であり又は欠陥のタイプ又は変形例として必要な補正のタイプの指標を有することが必要な場合がある。多数の画素ロケーションデータ構造は、以下の説明において用いられるが、単一の画素ロケーションデータ構造も又、採用できる。単一の画素ロケーションデータ構造は、多次元のものである必要があるか、或いは欠陥のタイプ又は必要な補正のタイプの指標を有することが必要な場合がある。
【００１５】
１つ又は複数の画素ロケーションデータ構造を構築するには幾つかの方法がある。例示の一実施形態では、暗電流及びホワイト基準画像を互いに上下に積層し、論理操作、例えばＡＮＤ（論理積）及び（又は）ＥＸＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ（排他的論理和）を行って画素のロケーションを画素ロケーションデータ構造中にゲートする。論理操作により、高い漏れを有する１組の画素が得られる。これら画素に関する正確な行及び列のロケーションは、既存の行及び列デコーダを用いて見出すことができる。例示の変形実施形態では、暗電流基準画像とホワイト基準画像を別々に使用することができる。低利得条件下で捕捉された画像をフィルタに通し、このフィルタは、或る特定の漏れレベルに合わせて調整されている。調整パラメータは、ハードウェア又はソフトウェアで具体化できるフィルタに通される変数である。基準として互いに異なる漏れレベルを用いて、特定のビンの範囲にある漏れレベルを有する画素を表す画素（ヒストグラム）のビンを作成することができる。この情報は、利用可能なバッファに格納され、互いに異なる画素の漏れの相対的大きさに対して早見表をもたらすので、かかる情報を、種々の利得条件、露出時間及び光条件下で撮られた画像を処理する際に更に使用することができる。
【００１６】
図１−ａは、ディジタルカメラシステム１００の一部の例示の実施形態を示しており、このディジタルカメラシステムは、画像プロセッサ１４０を採用し、又、本発明の暗電流及び欠陥画素補償回路１４５を有している。図１−ａの内容を、１つの集積回路中にまとめて組み込むことができ又は個別部品で具体化できる。行デコーダ１０５及び列デコーダ１１０が画素アレイ１１５に結合されていて、画素アレイ１１５中の画素を選択するために用いられる。各画素は、画素リセット信号Ｖrst及び画素画像信号Ｖsigを出力する。アレイコントローラ１２０が、行デコーダ１０５及び列デコーダ１１０に結合されていて、画素アレイ１１５の選択された行ライン及び列ラインのＶrst信号及びＶsig信号を発生させるためにはどの行及び列を動作状態にするかを決定する。サンプル／ホールド回路１２５が、列デコーダ１１０選択回路を介して列ラインから画素信号を順次受け取る。サンプル／ホールド回路１２５は、Ｖrst画素信号及びＶsig画素信号を減算器１３０に出力し、この減算器は、これらを減算する。アナログ−ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器１３５が、減算器１３０から信号を受け取り、減算されたＶrst画素信号及びＶsig画素信号を表すディジタル信号を画像プロセッサ１４０に出力する。画像プロセッサ１４０も又、暗電流及び欠陥画素補償回路１４５に結合されると共に出力シリアライザ（並直列変換回路）１５０に結合されている。
【００１７】
図１−ｂは、暗電流及び欠陥画素補償回路１４５の例示の具体化例のブロック線図である。ＣＰＵ１４７又は他形式のプロセッサが、画像補償を実行する。ＣＰＵ１４７は、ＣＰＵ１４７と他のメモリ部品との間における通信又は情報のやり取りを制御するようローカルバス１５５に結合されている。不揮発性フラッシュメモリバッファ１６５が、種々の利得条件で且つ種々の露出時間で撮られた複数個の暗電流及びホワイト基準画素アレイ画像を格納する。これら画像は、製造時点及び（又は）ユーザ入力により後で収集され、ＣＰＵ１４７により画像プロセッサ１４０から受け取られる。不揮発性フラッシュメモリバッファ１７０を用いると、複数個の実際の画像をこれに格納するのがよい。バッファ１６０を用いて任意他の収集データをこれに格納するのがよい。暗電流及び欠陥画素補償回路１４５は、図１−ａでは、別個の部品として示されているが、これをＣＰＵ１４７が画像プロセッサ１４０である状態で具体化できる。
【００１８】
暗電流及び欠陥画素補償回路１４５をディジタルソリッドステートカメラ（ＤＳＣ）に埋め込むのがよく、このディジタルソリッドステートカメラは、コンピュータシステムへの入力であるのがよい。変形例として、暗電流及び欠陥画素補償回路１４５を別個のコンピュータシステムの一部としてＧＳＣの外部に設けてもよい。注目されるように、暗電流及び欠陥画素補償手段は又、画像プロセッサ１４０内に格納され、この中で走るソフトウェアでも具体化できる。
【００１９】
互いに異なる露出及び利得条件におけるホワイト及び暗電流基準画像を出荷前に収集できると共に（或いは）ユーザ収集できる。
【００２０】
図２は、製造時点及び試験時点で暗電流及びホワイト基準画像を捕捉する例示の方法２００の流れ図である。ステップ２０５では、暗電流基準画像を種々の利得及び露出条件／組合せの下で収集する。これら画像を各画像についての利得及び露出情報と一緒に不揮発性フラッシュメモリ、例えばメモリ１６５に格納する。
【００２１】
ステップ２１０では、暗電流基準画像を処理する。これに伴って画素識別／ロケーションデータを発生させる。暗電流基準画像から生じたデータを用いて暗電流により影響を受けた画素及びホット画素を識別すると共にそのロケーション（存在場所）を突き止める。全てのデータ（例えば、データ構造、例えば表の状態で格納されたデータ）を、メモリ、例えばメモリバッファ１６０に記憶させる。ロケーションデータは、イメージセンサ（撮像素子）の画像のマッピングである。具体的に説明すると、画素の暗電流画素ロケーションデータ構造（特定の利得と露出の組合せに関する）は、画素が暗電流により影響を受けたか、又は受けなかったか、或いはホット画素であることを指示する“０”又は“１”を持つビットを有する。暗電流及びホット画素ロケーションデータ構造は、各利得と露出の組合せについて各暗電流基準画像について提供される。
【００２２】
これと同様に、種々の利得条件及び露出時間下におけるホワイト基準画像をステップ２１５で捕捉して記憶する。全てのデータ（例えば、データ構造、例えば表の状態で格納されるデータ）をメモリ、例えばメモリバッファ１６０に記憶させる。ホワイト基準画像を光無し条件、例えば第１の光レベル条件、例えば２８ルクスの光条件、及び例えば第２の光レベル条件、例えば１００ルクスの光条件を含む種々の光条件下で捕捉する。ホワイト基準画像から生じたデータを用いて欠陥画素を識別してそのロケーションを突き止める。欠陥画素は、ダークデッド画素、ホワイトデッド画素、飽和デッド画素及び不良画素を含む。
【００２３】
ステップ２２０では、ホワイト基準画像を処理する。これに伴って、以下のように欠陥画素の種々のデータ構造を発生させる。ダークデッド画素ロケーションデータ構造を、光無し条件下における通常の画素の平均値よりも高いダークしきい値を持つ画素のロケーションをマッピングすることにより種々の利得条件及び露出時間について発生させる。ホワイトデッド画素ロケーションデータ構造を、例えば第１の光レベル、例えば、２８ルクス光条件下で通常の画素の平均値よりも高い又は低いホワイトしきい値を持つ画素のロケーションをマップすることにより種々の利得条件及び露出時間について発生させる。飽和デッド画素ロケーションデータ構造を、例えば第２の光レベル、例えば１００ルクス光条件下で通常の画素の平均値よりも低い飽和しきい値を持つ画素のロケーションをマップして種々の利得条件及び露出時間について発生させる。不良画素のホワイト基準画像を種々の積分時間で一様に照らされた背景の下で捕捉する。不良画素ロケーション表を、積分時間を増加させても線型的には応答しない画素のロケーションをマップして発生させる。
【００２４】
マッピングは、多くの方法で達成できる。１つの例示のマッピング方式は、各画素に対応するエントリを有するアレイ又はマトリックスであるのがよく、この場合、各エントリは、その画素に対応した画素が例えばダークデッド画素であるかどうかの指標を有する。各タイプの欠陥画素又は少なくとも３つの次元の単一のマトリックスについてアレイ又はマトリックスを提供することができ、この場合、第３の次元は、欠陥画素のタイプに対応している。各利得条件について各タイプの欠陥画素に対する複数のアレイ又はマトリックスを、その画素に欠陥があるかどうかの指標並びにその画素に欠陥がある利得条件と露出時間の組合せ及び光条件を備えた状態で提供することができる。変形例では、特にごく僅かの画素にしか欠陥がない場合に格納をセーブするため、一覧表タイプのデータ構造を用いてもよく、この場合、各エントリは、欠陥画素のロケーション及び欠陥の性質を指示する記録である。
【００２５】
図３−ａは、暗電流及び欠陥画素補償のための例示の方法３００の流れ図である。図３−ｂは、図３−ａの続きである。まず最初に図３−ａを参照すると、ステップ３０５では、ユーザがカメラの動作中、暗電流及び欠陥画素補償についてのデータを生じさせるのが望ましいと考えているかどうか、即ち、ユーザが暗電流及び欠陥画素補償について現在の周囲条件下で追加の暗電流及びホワイト基準画像を撮る選択肢を有しているかどうかについて判定するためにユーザに問合せをする。これら追加の暗電流及びホワイト基準画像は、精度が一層高く、かかる画像は、カメラ撮像機の製造時点及び試験時点で工場で撮られた暗電流及びホワイト基準画像よりも現在に近い周囲条件を含んでおり、これら画像も又不揮発性フラッシュメモリに格納する。この問合せに対する応答に基づいて、フラグをセットし（ステップ３１０）又は消去する（ステップ３２５）。フラグをセットした場合、工場で既に撮られた出荷前の画像に加えて暗電流及びホワイト基準画像をステップ３１５で撮って格納し、ステップ３２０で処理する。画像カウンタをステップ３３０で初期化する。画像カウンタは、工場で生じた格納データ構造又は現在の周囲条件下で生じた格納データ構造を用いて捕捉して補償した実際の画像の数を求めるために用いられる。ステップ３３５では、ユーザは、カメラを動作させて実際の画像／望ましい信号を捕捉して格納し、画像カウンタをステップ３４０で歩進させる。捕捉されて格納された実際の画像と共に、追加の情報、例えば利得及び露出／積分時間を捕捉して格納する。
【００２６】
暗電流により影響を受けた画素（ホット画素を含む）及び欠陥画素を、製造プロセス中にあらかじめ設定されたデータ構造に格納されているデータに基づいて又はステップ３２０で生じたデータ構造に格納された新たに生じたデータに基づいて識別してそのロケーションを突き止める。
【００２７】
図３−ｂは、図３−ａの続きである。ディジタルカメラシステムの内部の問合せをステップ３９５で行って実際の画像の画像捕捉が行われたかどうかを判定する。ユーザがディジタルカメラシステムをオフにした場合又は内部タイマが実際の画像を捕捉していない時間しきい値を超えた場合、画像捕捉は、完了したものと見なされる。画像捕捉が完了していない場合、手順３００がステップ３３５で続く。まず最初に、欠陥画素について、次に暗電流及びホット画素について補償を実行するのがよく、或いはその逆の順序で補償を行ってもよい。順序は、重要ではない。補償は又、カメラが使用されていない任意の時点で行うこともできる。画像捕捉が完了した場合、ステップ３７５で、ディジタルカメラシステムは、実際の画像にアクセスし、ホワイト基準画像を用いて欠陥画素を識別してそのロケーションを突き止める。例えば、欠陥画素データ構造のうちの１以上において欠陥であると識別された実際の画像の画素信号値を、利用可能な隣りの画素の信号値に基づく平滑化関数を用い、又は実際の画像の欠陥画素の信号値をスケール変更して補償後の信号値で置き換える。倍率の一例は、現在のホワイトデッド画素信号値で除算した平均ホワイトデッド画素信号値である。欠陥画素についての補償の順序は、重要ではない。
【００２８】
特定の例として、ダークデッド画素について考察する。ダークデッド画素ロケーションデータ構造を用いて、ダークデッド画素のロケーションを突き止める。ダークデッド画素として識別された画素だけをこのステップで補償する。ダークデッド画素のロケーションを実際の画像へのインデックスとして用い、この画素に関する信号値を検索する。となりの画素の信号値を再検討する。隣りの画素の信号値が利用可能であれば、新たな（補償済み）信号値を、隣りの画素信号値を用いて、例えば、隣りの画素の画素信号値を平均することによりこの画素について計算する。このプロセスは、平滑化である。隣りの画素信号値は、もし隣りの画素が補償を必要とするものとしてマーク付けされていれば、利用できない。隣りの画素信号値が利用可能でなければ、スケール変更を利用する。倍率は、補償されるべき画素を持つ実際の画像に最もぴったりと合う利得と露出の組合せについての平均ダークデッド画素信号値を、補償しようとする画素のダークデッド画素信号値で除算することにより計算する。「最もぴったりと合う」という表現は、２つ以上の利得と露出の組合せの間にある場合、組合せのうちの１つは、他の組合せよりも実際の画像の組合せに近いことを意味している。この判定は、利得又は露出、或いはこれら両方に基づくものであるのがよい。新たな画素信号値を、補償しようとするダークデッド画素に倍率を乗算することにより識別されたダークデッド画素について計算する。ホワイトデッド画素、飽和デッド画素及び不良画素についての補償は、同様に達成される。
【００２９】
ステップ３８０では、暗電流により影響を受けたものとして且つホット画素として実際の画像の利得及び露出条件に最もぴったりと合った利得及び露出条件下で暗電流基準画像から識別された画素について補償を行う。まず最初に、平均暗電流信号値を暗電流画素ロケーションデータ構造内で識別された画素を暗電流により影響を受けた画素信号から減算し、次に補償、例えば平滑化（隣りの利用可能な画素を用いる）を行う。漏れレベルについての平均値を、画素アレイ全体について計算することができる。これを全ての画像から減算するのがよい。というのは、これは、常に存在する「ベースライン信号」であるからである。欠陥の無い画素の理想的な場合、漏れレベルはゼロである。次に、関心のある画素を、高暗電流画素としてフラグした場合、この画素からの信号値を重率因子スケールダウン（縮小）する。例えば、補償後の暗電流信号値を、画素暗電流信号値で除算した平均暗電流信号値の古い／元の暗電流信号値倍に等しいように設定する。新たに欠陥を生じた画素を識別する場合、これらのアドレスをカメラについての符号化初期条件、例えば、露出、アパーチュア、利得等と一緒に暗電流画素ロケーションデータ構造中に記録する。次に、補償後の画素信号値を不揮発性メモリに書き戻して、実際の画像中のその画素について元の信号値を置き換える。このプロセスを、暗電流により影響を受けた実際の画像中の各画素及び各ホット画素について繰り返す。
【００３０】
捕捉した実際の画像に関する画像カウンタをステップ３８５で歩退させ、画像カウンタがゼロに等しいかどうかを試験することにより画像補償が全ての実際の画像について完了したかどうかを判定する試験をステップ３９０で行う。画像補償が完了していれば、プロセス３００を終了させる。画像補償が全ての実際の画像について完了していなければ、プロセスシーケンスは、ユーザにより撮られた次の実際の画像に関するステップ３７５の画像補償に戻る。
【００３１】
暗電流及びホット画素補償は、図３−ｂのステップ３８０の拡大図のフローチャートである図３−ｃに示すように達成され、そして、暗電流により影響を受けた各画素及び補償を必要とする各ホット画素について行われる。利得及び露出値を含む追加の情報を各実際の画像について捕捉して格納する。暗電流画素ロケーションデータ構造を、ステップ３８０−ａで実際の画像の利得と露出の組合せに最もぴったりと合う利得と露出の組合せを持つ暗電流画素ロケーションデータ構造について探索する。最も適当な暗電流画素ロケーションデータ構造のロケーションをいったん突き止めて検索すると、選択された暗電流画素ロケーションデータ構造を用いて、どの画素が補償されなければならないかを決定する。各補償されなければならない各画素のロケーションを実際の画像中でそれぞれ突き止める。暗電流及びホット画素補償がステップ３８０−ｂで平滑化により行われるべきであるかどうかの決定を画素１つについてカメラによって行う。暗電流及びホット画素補償が平滑化によっては行われない場合、暗電流及びホット画素補償は、スケール変更により行われるとみてよい。平滑化にするかスケール変更にするかについての選択基準は、ダークデッド画素補償に関して上述したようにカメラにより実施される。
【００３２】
任意的に、平滑化又はスケール変更のいずれかによる暗電流及びホット画素補償に先立って、或る特定の信号オフセット値を計算してこれを実際の画像から減算するのがよい。例えば、所与の行又は列特性、例えばドレイン誘導バリヤ下降（ＴＩＢＬ）及び（又は）ゲート誘導ドレイン漏れ（ＧＩＤＬ）等の場合、データを暗電流基準画像から入手できる。所与の特性についての信号オフセット値は、実際の画像の所与の特性に関する値と暗電流基準画像の所与の特性についてのデータの差を取ることにより計算される。次に、所与の特性についての信号オフセット値を、実際の画像の所与の特性についての値から減算する。この操作は、画像の各行又は列について行われ、この操作は、データが暗電流基準画像中にある特性の数に基づいて多数回行うのがよい。例えば、所与の特性を、基準画像について図３−ｅの場合のように表すことができる。実際の画像では、この同一の特性を図３−ｆの場合のように表してもよい。所与の特性についての信号オフセット値を図３−ｅの値を図３−ｆの値から減算することにより計算する。次に、この差を実際の画像から減算し、その後更に処理を行うのがよい。上述の任意的なステップは、ステップ３８０−ａの実施後であってステップ３８０−ｂの実施前に起こる。
【００３３】
まず最初に、平均画素暗電流信号値をステップ３８０−ｃで暗電流により影響を受けた画素の信号値から減算し、次に利用可能な隣りの画素を用いる平滑化を行ってステップ３８０−ｄで暗電流により影響を受けた画素についての新たな信号値を計算することにより、暗電流及びホット画素補償を行う。変形例として、ステップ３８０−ｅにおいて、暗電流及びホット画素補償を、暗電流により影響を受けた画素の信号値を例えば上述したように重率因子だけスケールダウンすることによって行ってもよい。補償後の暗電流信号値を、ステップ３８０−ｆで格納システムの不揮発性メモリに書き戻す。最後に、選択された実際の画像について暗電流及びホット画素補償が完了しているかどうか（全ての暗電流及びホット画素が補償されたかどうか）を判定する試験をステップ３８０−ｇで行う。暗電流及びホット画素補償が完了していなければ、処理は、ステップ３８０−ｂで続く。
【００３４】
補償は、多くの数学的関数、例えば、高次多項関数、グラディエント演算子、ラプラス演算子及びスプライン関数を含む多くの技術を用いて行なわれる。漏れレベル及び他の特性は、補償のためにどの関数及び（又は）演算子が用いられるかどうかを決定する。高次多項式の例は、ａｘｎ＋ｂｘｎ−１＋ｃｘｎ−２＋．．．であり、この場合、ａ，ｂ，ｃは定数であり、ｘは、行又は列のロケーションに関連付けられたインデックス基準である。グラディエント演算は以下の通りである。
【数１】
2007525070.tif 000003
【００３５】
上式において、グラディエントベクトルは、場所（ｘ，ｙ）のところの関数の最大変化率の方向に向いている。ラプラス演算子は、次の通りである。
【数２】
2007525070.tif 000004
【００３６】
スプライン関数は例えば、三次式又はニ次元多項式であり、これらは、区分相互間に不連続点を持つ区分多項式である。
【００３７】
欠陥画素補償は、任意の順序で実施できる。本明細書において説明し、図３−ｂのステップ３７５の拡大図のフローチャートである図３−ｄに示す順序は、任意的なものであり、本発明を限定するものとして解釈されてはならない。実際の画像データをステップ３７５−ａで検索する。補償対象の実際の画像に最もぴったりと合う利得と露出の組合せを持つダークデッド画素ロケーションデータ構造をステップ３７５−ｂで選択してこれにアクセスし、これを用いてどの画素が補償されなければならないダークデッド画素であるかどうかを判定する。補償されなければならない各ダークデッド画素のロケーションを実際の画像中でそれぞれ突き止める。ステップ３７５−ｃにおいて、各ダークデッド画素の信号値を光無し条件下における通常の画素の平均信号値まで重率因子だけスケールダウンすることによりダークデッド画素補償を行う。重率因子は、光無し条件下における通常の画素の平均信号値を補償されるべきダークデッド画素の信号値で除算することにより計算する。
【００３８】
補償対象の実際の画像に最もぴったりと合う利得と露出の組合せを持つホワイトデッド画素ロケーションデータ構造をステップ３７５−ｂで選択してこれにアクセスし、これを用いてどの画素が補償されなければならないホワイトデッド画素であるかを判定する。補償されなければならない各ホワイトデッド画素のロケーションを実際の画像中においてそれぞれ突き止める。ステップ３７５−ｄにおいて、各ホワイトデッド画素の信号値を例えばほぼ２８ルクス光条件下において通常の画素の平均信号値まで重率因子によりスケールアップ（拡大）又はスケールダウンすることによりホワイトデッド画素補償を行う。重率因子は、例えば２８ルクス光条件下における通常の画素の平均信号値を補償されるべきホワイトデッド画素の信号値で除算することにより計算される。
【００３９】
補償対象の実際の画像に最もぴったりと合う利得と露出の組合せを持つ飽和デッド画素ロケーションデータ構造をステップ３７５−ｂで選択してこれにアクセスし、これを用いてどの画素が補償されなければならない飽和デッド画素であるかを判定する。補償されなければならない各飽和デッド画素のロケーションを実際の画像中においてそれぞれ突き止める。ステップ３７５−ｄにおいて、各飽和デッド画素の信号値を例えばほぼ２８ルクス光条件下において通常の画素の平均信号値まで重率因子によりスケールアップ（拡大）又はスケールダウンすることにより飽和デッド画素補償を行う。重率因子は、例えば２８ルクス光条件下における通常の画素の平均信号値を補償されるべき飽和デッド画素の信号値で除算することにより計算される。
【００４０】
ステップ３７５−ｆにおいて、不良画素ロケーションデータ構造を実際の画像の露出及び利得に対して最もぴったりと合うかどうかに基づいて複数の不良画素ロケーションデータ構造の中から選択する。ステップ３７５ｇにおいて、どの画素が選択された不良画素ロケーションをデータ構造に基づいて不良であるかについての判定を行う。不良画素補償は、ステップ３７５ｈにおいて、積分時間と線型的に対応するよう信号値をスケール変更することにより、不良である各画素の信号値を実際の画像中でそれぞれ調節することにより、行われる。最後に、不良画素の１つ以上の色に欠陥のある場合がある。例えば、関心のある画素が「赤色」画素である場合、隣りの画素からより赤色に重み付けする、例えば、隣りの赤色画素から５０％及び隣りの青色又は緑色画素からそれぞれ２５％重み付けする公式を用いる。２つの色が不良である場合、２つの欠陥のある色を重み付けする公式を用いるのがよい。例えば、関心のある画素が、「青色」と「緑色」の両方で欠陥がある場合、青色に４０％、緑色に４０％、赤色に２０％の重み付けをする公式を用いる。
【００４１】
上述の例示の画像信号処理方法は、ソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア、アプリケーション専用集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）又は上述の任意の組合せ又はこれらの均等例で具体化できる。
【００４２】
上述した本発明のＣＭＯＳ型撮像デバイス又は撮像機を有する代表的なプロセッサ利用システム９００の全体が図４に示されている。プロセッサ利用システムは、ＣＭＯＳ撮像デバイスを含む場合があるディジタル回路を有するシステムの例示であり、その詳細については、図１〜図３−ｄを参照して説明されている。
【００４３】
プロセッサシステム、例えばコンピュータシステムは一般に、バス９５２により入力／出力（Ｉ／Ｏ）デバイス９４６と情報のやり取りをする中央処理装置（ＣＰＵ）９４４を有する。ＣＭＯＳ撮像機９１０も又、バス９５２でこのシステムと通信する。コンピュータシステム９００は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）９４８を更に有し、コンピュータシステムの場合、これ又バス９５２でＣＰＵ９４４と通信する周辺装置、例えばフロッピィディスクドライブ９５４及びコンパクトディスク（ＣＤ）ＲＯＭドライブ９５６を有するのがよい。画像プロセッサ１４０又はＣＰＵ／プロセッサ１４７上で実行可能なソフトウェアをフロッピィディスクドライブ９５４又はＣＤ−ＲＯＭドライブ９５６に格納するのがよい。
【００４４】
再び注目されるべきこととして、本発明を特にＣＭＯＳ撮像デバイスと関連して説明したが、本発明の利用可能性は広く、本発明を任意の撮像又は画像化装置で利用できる。上述の説明及び図面は、本発明の好ましい実施形態に関する。本発明は、図示の実施形態に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された本発明の精神及び範囲に属する本発明の改造例はどのようなものであっても、本発明の一部と考えられるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１−ａ】本発明の暗電流及び欠陥画素補償回路を有する例示のディジタルカメラシステムのブロック図である。
【図１−ｂ】ディジタルカメラに搭載された本発明の暗電流及び欠陥画素補償回路の例示の実施形態のブロック図である。
【図２】製造時点及び試験時点における本発明の暗電流及びホワイト基準画像捕捉のための例示の方法の流れ図である。
【図３−ａ】ユーザによる動作の際、ディジタルカメラの使用に先立つ本発明の暗電流及び欠陥画素補償のための例示の方法の流れ図である。
【図３−ｂ】図３−ａの続きの図である。
【図３−ｃ】図３−ｂのステップ３８０の拡大図の流れ図である。
【図３−ｄ】図３−ｂのステップ３７５の拡大図の流れ図である。
【図３−ｅ】基準画像の特性に関する信号の一例を示す図である。
【図３−ｆ】実際の画像における図３−ｅの特性に関する信号の一例を示す図である。
【図４】本発明の暗電流及び欠陥画素補償回路を有するコンピュータシステムのブロック図である。
【図１−ａ】
2007525070.tif 000005
【図１−ｂ】
2007525070.tif 000006
【図２】
2007525070.tif 000007
【図３−ａ】
2007525070.tif 000008
【図３−ｂ】
2007525070.tif 000009
【図３−ｃ】
2007525070.tif 000010
【図３−ｄ】
2007525070.tif 000011
【図３−ｅ】
2007525070.tif 000012
【図３−ｆ】
2007525070.tif 000013
【図４】
2007525070.tif 000014
【国際調査報告】
2007525070.tif 000015
2007525070.tif 000016
2007525070.tif 000017