(57)【要約】【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバ内において、少なくとも１つの層を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、前記層が少なくとも１つの成分からなり、液体の又は液体に溶けた第１の原料を、特に温度調節されたキャリアガス中に不連続に吐出する使用の下、少なくとも第１の金属成分が蒸発し、少なくとも第２の成分が化学反応原料として供給される方法において、
前記原料が、前記プロセスチャンバ内に交互に供給されることを特徴とする金属酸化物等の堆積方法。
【請求項２】
前記第２の原料が、化学反応ガス又は化学反応溶液であることを特徴とする請求項１に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項３】
前記化学反応溶液が、蒸発させられることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項４】
少なくとも２つの前記原料（３）が、蒸発室（４）内に交互に吐出されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項５】
前記原料（５）が、それぞれ個々の蒸発室（４）に割り当てられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項６】
前記プロセスチャンバ（２）及び必要に応じて前記蒸発室（４）が、各吐出の後に不活性ガス（７）を用いてパージ又は排気されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項７】
前記キャリアガス（７）が、前記原料の吐出に応じて前記原料と共に前記蒸発室（４）内に供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項８】
各前記吐出で前記蒸発室（４）内に供給されるガスの量が、ガス圧、パルス長、パルスポーズ、又は流量によって決定されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項９】
少なくとも不活性のキャリアガス（１６）が、前記プロセスチャンバ（２）内に直接供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１０】
ガス状の前記化学反応原料が、ガス（１８）として直接前記プロセスチャンバ内に供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１１】
前記化学反応原料が、酸化物又は窒化物であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１２】
前記化学反応原料が、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、又はＮＨ３であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１３】
前記プロセスチャンバが自動で加熱され、前記プロセスチャンバ内の圧力が、１００、５０、２０、又は１０ｍｂａｒ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１４】
液体の前記原料、液体に溶けた前記固体又は前記液体が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｒ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｂａ、Ｗ、又はＧｄを含む金属のうちの１つ以上を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１５】
前記層が、高い構造を有する基板、特に３次元の構造を有する基板に適合するように堆積されることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１６】
前記堆積された層が、絶縁性、保護機能、又は電気伝導性を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１７】
前記膜が、金属酸化物、金属窒化物、又は金属からなることを特徴とする請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１８】
ガス供給操作によって、ナノレーヤ、超構造、核膜、酸化物の混晶膜、又は組成勾配膜が形成されるように、吐出ノズルが開閉されることを特徴とする請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項１９】
複数の平面状及び／又は高い構造を有する前記基板が、少なくとも基板ホルダ、特に回転駆動する基板ホルダ上に隣り合って配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項２０】
複数の平板状又は高い構造を有する前記基板が、垂直に向けられて続き及び／又は水平に向けられて隣り合い、及び／又は垂直と水平との間の角度で、前記プロセスチャンバ内に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法。
【請求項２１】
プロセスチャンバ（２）を有し、請求項１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の金属酸化物等の堆積方法を実施する装置であって、流れの方向に関して上流に配置された１つ以上の蒸発室（４）が配置されたガス導入機構（１５）を備え、前記蒸発室（４）が、それぞれ液体（３）を不連続に供給ための、少なくとも１つのインジェクションユニット（５）を有することを特徴とする金属酸化物等の堆積装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロセスチャンバ内において、少なくとも１つの層を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、層が少なくとも１つの成分からなり、液体の又は液体に溶けた第１の原料を、特に温度調節されたキャリアガス中に不連続に吐出する使用の下、少なくとも第１の金属成分が蒸発し、少なくとも第２の成分が化学反応原料として供給される方法において、原料が、プロセスチャンバ内に交互に供給されることを特徴とする金属酸化物等の堆積方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハフニウム酸化物、アルミニウム酸化物、又はプラセオジム酸化物等の金属酸化物の層の堆積に、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、有機金属気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）、及び原子層堆積法（ＡＬＤ）等の従来技術が用いられる。
【０００３】
ＭＯＣＶＤ及びＡＬＤ法は、構造を有する基板上への成膜において、優れたエッジカバレッジを保証する一方、ＭＢＥは、薄膜の成膜において、適切なエッジカバレッジを達成できない。液体又は固体の前駆体の蒸発に基礎を置く従来のＭＯＣＶＤは、通常、キャリアガスを用いて原料を気相中に供給するように、加熱された前駆体のコンテナ（バブラー）を用いる。酸化物材料用の通常の前駆体（又は、対応する希釈溶液）は、通常、きわめて揮発性あると共に、温度的な不安定及びこの温度環境下での変質若しくは分解等の化学的性質を有し、これが堆積の再現性を損なう。特に、気相中への充分な供給が困難であり、もってこのような構成により高い成長速度を達成することが極めて困難である。ここで、ＭＯＣＶＤ用に、前駆体の混合物を加熱された面に直接接触させて急激に蒸発させる、溶液−前駆体−供給−システムが開発された。これは、過熱された面上への堆積と粒形成によって、時間的に変動する蒸発維持等の、欠点を有する。液体の前駆体を加熱された空間へ周期的に吐出し、連続的かつコンタクトフリーな蒸発を有することによって、これらの欠点が解消されうるが、マルチソース用に関しては同様ではない（米国特許ＵＳ５９４５１６２号）。従来のＭＯＣＶＤ法は、例えば、ナノレーヤの成膜における膜厚制御に関して、劣悪な原子層制御の精度であった。しばしば、その結果、従来のＭＯＣＶＤでは、ＡＬＤ法とは異なり、高い構造を有する基板上への成膜において、不十分なエッジカバレッジになることが知られている。
【０００４】
ＡＬＤ法は、いずれにしても、極少数の使用可能な前駆体に頼っており、これらはしばしば塩素化合物を基礎とする。酸化剤として気相のＨ２Ｏをプロセスチャンバ内に代わりに導入することによって、なおも、廃ガス保持の観点でまさに酷い安全技術上の取り扱いさせる生成物としてのＨＣｌがこれによって生成される。
【０００５】
特に、ＡＬＤ法は十分なガス供給が得られないと言う問題を少なくとも有する固体ソース（バブラー）に頼り、その結果、制限的な昇華プロセスに基づくバブラー構成によって、常に十分でない原料が発生される。複数の基板及び大きな反応チャンバ空間を有するシステムに関して、この問題が特に出現する。この現象は、製造目的上不十分な成長速度及び場合によっては不均質なエピ膜の堆積を強いていた。
【０００６】
ＡＬＤは、原理的に、互いに異なる、継続的にモノレーヤを堆積するためのそれ自身限定的な化学反応に基づく。これは、複雑な給排気の操作によって、達成される。個々の化学原料の供給の間に、ポンプとパージの工程が行われる。これは、低スループットにつながり、特に、単一ウェハーＡＬＤシステムにおいて、欠点である。
【０００７】
多元酸化物の堆積でさえ、ＡＬＤ法によっては全く不可能ではないが厳しく、そして、標準的なＭＯＣＶＤ法におけるような予め気相に混合された原料を用いることができない。特に、このため、ＡＬＤ法では、原理上の条件から、異なる種類の材料の多元金属酸化物を混ぜて組成勾配のような変化を成長プロセス中にその場で実現できる膜は、全くない。ＡＬＤは、さらにまた、膜厚に応じて異なる非線形成長を有し、これによって、膜厚が０の極限のときの工程の制御性が特に困難である。
【０００８】
例えばＣＭＯＳ、ＤＲＡＭ等の電子部品の改良への応用を確実にするために、誘電体としてのＳｉＯ２に換わる高ｋ材料等が探索されている。このような候補として、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、又はプラセオジム酸化物があるが、しかしながら特に多元酸化物が、きわめて高い関心を有し、そして、これらは、誘電定数及び漏れ電流等に関して際立った特性を有する。新たな知見は、層状化若しくはこれらの金属酸化物の混合によって改良された物性、又はシリコンを添加することによって熱的安定性が改良されることを、まさに示した。
【０００９】
一般に、高純度のＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びＰｒ２Ｏ３等の高純度の材料でも誘電定数、漏れ電流又は温度安定性に関しては、同時に要求を満たすことはできないように考えられる。ここで、このような若しくは類似の金属酸化物の混合、又はドーピングは、解決するように考えられる。標準的なＡＬＤ法又はＭＢＥ法は、非常に成長速度の小さい現状の技術によっているため、上記の多元材料の積層に関する、スループットの解決にはならない。このため、工業的な規模で、経済的かつ効率的な堆積であって、ハフニウム酸化物又はアルミニウム酸化物に基礎をおく高純度の多元金属酸化物の高いスループットと、優れた再現性で得られる層と、高い均一性と、高い構造を有する基板上での優れたエッジカバレッジとを有するものを、保証する方法が求められている。
【００１０】
そのために、古典的なＭＯＣＶＤ法及びＡＬＤ法の長所を原理的に結びつけ、各欠点が回避される方法の発明がなされるべきである。原子層レベルでの膜厚制御性、自由な調節、十分な気体の供給による高い成長速度、及び高い構造を有する形状の上での通常の成膜の可能性は、同時に、不足な気体の供給、成膜工程又はパージ工程のための複雑な弁操作、同時に少ない原料の選択による多元材料系の堆積の際の限定された可能性の回避の下に、達成されるべきである。
【００１１】
特許文献１に記載の装置及び方法では、前駆体の流量を調節に、パルス幅又はパルス間のポーズが調節される。特許文献２又は特許文献３には、冒頭で記載の方法で膜を堆積するために、異なる原料を使用することが記載されている。
【特許文献１】独国公開第１０３４２８９０号公報
【特許文献２】独国公開第１０１１４９５６号公報
【特許文献３】独国公開第１００５７４９１Ａ１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、類似の方法を、上記の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題は、特許請求の範囲に記載の本発明によって解決され、それぞれの発明が請求項に独立の解決を記載する。
請求項１は、殆ど、実質的に、プロセスチャンバ内に原料が交換可能に吐出されることを企図する。本発明は、そのため、これにより、不連続な吐出の使用のもとに、液体の又は液体に溶解した固体の原料が過熱された空間内に供給される、方法に関する。これは、適切に通気調節されたノズルを用いて霧にすることによって行われうる。キャリアガスの加熱された空間内に液体の供給によって、キャリアガスから蒸発エネルギーを奪う。そのため、流量は、パルス毎に、キャリアガスが蒸発室に満たされるように調節されている。そして、好ましくは、少なくとも、蒸発した金属原料及び少なくとも反応ガスが交互に使用される。
【００１４】
両方の気体パルスの間に、プロセスチャンバ又は蒸発室が、キャリアガスを用いてパージされる。しかし、また、プロセスチャンバ又は蒸発室が両方のパルスの間にパージされるのでもよい。両方の原料が共通の蒸発室内で蒸発するとき、これらもまた、パルス間でパージ又は排気されるのが好ましいことは、明らかである。さらに、個々の原料の蒸発が離れた蒸発室内で実行されるのでもよい。ここで、蒸発室がパルス間でパージ又は排気されることは必須ではないが、しかしながら、その場合でも、プロセスチャンバがパルス間でパージ又は排気されるべきである。また、ここで、原料の切換えの間に順次ポーズが入れられるのでもよい。ポーズ中、不活性のキャリアガスが供給されるのでもよい。
【００１５】
ここでもまた、ポーズ中に、装置、特にプロセスチャンバが排気されるのでもよい。プロセスチャンバのパージ又はプロセスチャンバの排気は、加熱された基板ホルダのところで行われる。基板ホルダ上に、この方法の遂行により成膜がなされる１つ以上の基板がのる。それゆえ、流量は、パルス状に一層、一層が基板上に堆積されるように調節されるのでもよい。個々の膜成長の間のポーズで、その時々のモノレーヤが堆積されるとき、表面上に積み重なって配列するための分子の寿命を有する。液体の又は溶解した原料の１つ以上の加熱された空間への直接の吐出によって、気相の十分な供給が行われ、同時に、成膜工程又はパージ工程の実現のための複雑な弁操作が放棄されうる。請求された方法又はそれに伴う装置を用いることによって、金属又は金属酸化物のソース材料の非接触の蒸発が可能であるだけではない。
【００１６】
プロセスチャンバ内への高い気相供給もまた達成される。これによって、効率的で、再現性が得られ及び粒成長無しの、金属酸化物、金属窒化物又は金属の堆積が、高いスループットで保証される。また、充分な気相供給によって、同時に複数の基板上への堆積も可能である。これらの基板は、互いに縦に並べられ、又は横に並べられるのでもよい。基板は、そして、水平に向けられ、又は垂直に向けられるのでもよい。局所的な供給不足、そしてこれに伴う不均質な膜成長が回避される。ある吐出パルスの後に膜の成分が基板表面上に形成されている間に、他の成分の原料が供給されうる。例えば、更なる金属酸化物が混合されうる。また、これは、液体の吐出のついても実行される。さらに、吐出レート、又はデューティー比は、広く自由に選択可能である。また、流量に影響することによって、吐出ノズルにつながるパイプ内の圧力又はシーケンス毎の流量を変化させることができる。
【００１７】
本発明の方法を用いることにより、単一の又は混合若しくは添加された、金属酸化物又は金属窒化物の堆積が可能であり、好ましい。吐出圧、吐出周波数、又はデューティー比を変化させることによって、異なる性質の膜が、相互に続く膜の堆積の間に長いポーズを必ずしも置かなくとも、直接相互に成膜されうる。また、本発明による方法を用いて、組成勾配構造も形成されうる。これは、層の堆積中に流量とパラメータを連続的に変化させることによって実現される。これによって、垂直に連続的に変化する積層構造は形成される。また、この方法を用いることによって、２つの積層された膜の間に連続的な推移が実現される。
【００１８】
これは、平らな面と高い構造、特にトレンチ等の３次元の構造を有する面の両方の上で起こるのでもよい。吐出ノズルへのパイプ内の原料の流量は、流量計を介して計測される。金属成分として、特に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｒ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｂａ、Ｇｄ、Ｓｒの金属の中から供給される。この方法によって、複数組成の膜が形成されうるだけではない。単一組成の膜も形成できる。例えば、Ｐｔ又はＲｏからなる金属電極が形成可能である。この金属成分は、有機金属原料として供給される。化学反応原料は、この場合、酸素又は水でもよい。これらを用いて、有機金属化合物のアルキル基が取り去られる。請求された方法が実施される装置は、上記の特許文献１に記載のものと一致する。
【００１９】
本発明の実施例は、次の添付された図面に基づいて理解が容易になる。
図１は、液体の又は溶解した金属原料をマルチチャンネルインジェクションユニット６に不連続に射出する、装置の基本的なエレメントを、概略的かつ模式的に示す。実施例では、マルチチャンネルインジェクションユニットは、複数のチャンネル５を介して動作する。しかしながら、その時々、個々のチャンネル５で蒸発室に接続されるのでもよい。実施例は、個々にインジェクションユニット５を有する合計４つの蒸発室４を示す。この装置は、特に、単一又は複数成分の酸化物（ハフニウム酸化物、アルミニウム酸化物、ストロンチウム酸化物、プラセオジム酸化物等）が膜をなし混合された酸化物材料、及び、金属、金属酸化物、及び導電性の半導体化合物等の、単一又は複数成分の導電材料の堆積に使用される。そして、上記又は以下に詳細に記載する方法は、パッシベーション膜、誘電体膜、及び導電性の電極材料を、高いアスペクト比の基板上に、個々の供給源をその場流量制御を介して、原子層レベルの厚さ制御で、プロセスサイクルを乱すことなく形成することを可能にする。
【００２０】
図１は、反応チャンバ１４を備えたリアクタを示す。反応チャンバ１４には、真空ポンプ等の図示しない周辺機器が、反応チャンバ１４、及び反応チャンバに通気可能に接続された機器を排気するように、取り付けられている。反応チャンバ内にはヒータ１３が設けられている。ヒータ１３の上には符号１が付された基板が取り付けられる。基板１は図示しない基板ホルダ上に取り付けられる。これは回転可能になっている。基板上には、原料が供給されるプロセスチャンバ２が設けられている。加えて、プロセスチャンバ２上に配置され、シャワーヘッド状のガス導入機構１５が使用可能である。ガス導入機構１５は、プロセスチャンバ２を上方で仕切る。基板又は図示しない基板ホルダは、プロセスチャンバ２を下方で仕切る。上方からプロセスチャンバ２内に流れ込む反応ガス、又はガスに溶けた溶液とキャリアガスは、周辺機器を介してプロセスチャンバ２に供給される。これらは、反応チャンバ１４から排気される。
【００２１】
パイプ１２は、ガス導入機構に接続される。パイプ１２を通って、蒸発した原料３は、キャリアガス７と共にガス導入機構１５内に導入可能になっている。
【００２２】
パイプ１２は、凝縮を防止するために温度調節可能になっている。パイプ１２は、上記の蒸発室４の上部に突き出している。各蒸発室４は、少なくとも１つの吐出ノズル５を有する。吐出ノズルを介して、溶液は、蒸発室４内に存在し温度調節されたガス内に吐出される。このように発生したエアゾール又はこのように発生した霧は、蒸発室４内の不活性ガスから熱エネルギーを奪い、気体に変化する。
【００２３】
不活性ガスは、流量コントローラ８によって蒸発室４内に導かれる。不活性ガス７としては、窒素、水素、又は希ガスを使用することができる。
【００２４】
各吐出ノズル５は、個々の液体、液体に溶けた原料、又は液体の化学反応溶液が流れていく、個々のパイプを有する。これらの溶液の流量は、流量計９を用いて測定される。流量計９は、溶液３が入っている溶液供給源に割り当てられている。溶液タンクの前には、圧力コントローラ１０が設けられる。圧力コントローラ１０は、不活性ガス１１に作用する。吐出ノズル５を介して、液体成分が蒸発室内にパルス状に吐出される。パルス幅は、数ミリ秒から数秒まで調節可能になっている。同じシーケンスにおいて、パルスのポーズも同様に調節可能であってもよい。これによって、０．１〜１００Ｈｚの間のパルス周波数が可能である。
【００２５】
本装置は、高い構造を有する基板の成膜に使用される。プロセスチャンバ内に、数枚の基板が配置されるのでもよい。基板は、そして、図１に図示されたものとは異なる形状であってもよい。特に、数枚の基板が互いに平行にパケット状に配置されるのでもよい。基板は、水平面内に又は垂直面内に広げられるのでもよい。
【００２６】
図２に、前駆体３ａ、金属成分と反応原料３ｂ、及び化学反応ガス若しくは化学反応溶液が各蒸発室４に供給される、典型的なパルスシーケンスが示される。図２に、これに加えさらに、不活性ガスを供給する、キャリアガス３ｃの時間的な流量シーケンスが図示される。
【００２７】
金属原料３ａが蒸発室４にもたらされる最初のパルスの前に、不活性のキャリアガス３ｃが蒸発室４に供給されることが見て取れる。金属原料３ａが蒸発室４に供給されるパルスの終了後に、最初にポーズが続く。キャリアガス流３ｃは大量に流され、ポーズ中、特にパルス中に蒸発室４内のガス交換が充分になされる。
【００２８】
パルスポーズの後に化学反応溶液３ｂの吐出が続く。しかしながら、化学反応溶液３ｂに代えて化学反応ガスが導入されるのでもよい。本実施の形態では、この中で、化学反応物質が蒸発室内に吐出されるパルス長は、金属物質のパルス幅よりも短い。パルスの終了後にキャリアガス３ｃのみが蒸発室４に流れ込むパルスポーズが再び続く。ここでもまた、パルス中又はパルスポーズ中に、充分なガス交換が蒸発室４内で続いて行われる。前駆体３ａ又は反応物質３ｂは、同一の１つの蒸発室４内に吐出されるのでもよい。しかしながら、両方の物質３ａ、３ｂが相互に別々に蒸発室４に持ち込まれるのでもよい。
【００２９】
本発明の改良として、秒オーダーの幅のパルスが多数のサブ秒のパルスによって周波数変調されるのでもよい。ここでまた、このパルス中にキャリアガスが蒸発室４内に充分に満たされるようになっているのでもよい。このガス交換はまた、１秒以下の時間変動で続いて行われる。
【００３０】
図３に図示する実施例において、パルス幅とパルス形状とは、それぞれ、前駆体３ａ又は反応物質３ｂが蒸発室内に導かれるものであって、図２に示すものに対応する。図２の実施例におけるものとは異なり、前駆体のパルス３ａの導入後に、キャリアガスがオフされる。これに引続くパルスポーズ中に、蒸発室は排気される。排気はプロセスチャンバを介して行われるのでもよい。反応物質３ｂのパルスの始まりで、再びキャリアガス３ｃの供給が行われる。好ましくは、蒸発室４が反応物質３ｂの吐出の前にむしろキャリアガスで満たされ、これでもって、蒸発のために必要な熱が奪われるのでもよい。液体の反応物質３ｂに換えて気体の反応物質３ｂが用いられ、これが、排気された蒸発室４内に吐出されるのでもよい。ここでもまた、反応物質３ｂの供給の終了後に、蒸発室４がプロセスチャンバを介して排気されるようになっているのでもよい。さらに異なる方法においては、パイプ１６を介して、反応ガスが直接ガス導入機構１５に導入される。また、ガス導入機構１５内に、不活性ガス１８が直接導入されるのでもよい。化学反応ガス１６の導入は、また優先的にパルス状に行われる。
【００３１】
化学反応原料は、酸素又は、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、若しくはオゾン等の酸化物であってもよい。しかしながら、反応原料として、窒化物が用いられるのでもよい。これは、優先的にＮ２Ｏ又はＮＨ３として蒸発室に供給される。
【００３２】
金属種の液体原料は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｒ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｂａ、Ｗ、又はＧｄ等の金属を含むのでもよい。
【００３３】
全ての公開された特徴は、（それ自体が）本発明の要部をなす。本出願の公開において、これでもってまた、添付及び／又は同封の優先権基礎書面（先の出願の複写書面）が充分に関係付けられ、この書面の目的及び特徴も先の出願の特許請求の範囲内に取り込まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明による装置の構成を示す模式図である。
【図２】プロセス時間に対するガス流シーケンスの概要を示す図であり、（３ａ）は前駆体、（３ｂ）は反応ガス、そして（３ｃ）はキャリアガスである。
【図３】図２に対応する第２の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  基板
２  プロセスチャンバ
３  原料
４  蒸発室
５  吐出ノズル（チャンネル）
６  マルチチャンネルインジェクションユニット
７  キャリアガス
８  流量コントローラ
９  流量計
１０  圧力コントローラ
１１  不活性ガス
１２  パイプ
１３  ヒータ
１４  反応チャンバ
１５  ガス導入機構
１６  パイプ（ガス）
１８  ガス
【図１】
2007531256.tif 000003
【図２】
2007531256.tif 000004
【図３】
2007531256.tif 000005
【国際調査報告】
2007531256.tif 000006
2007531256.tif 000007
2007531256.tif 000008
2007531256.tif 000009