(57)【要約】  データ保持モードのために回路をパワー・ダウンする方法は、電源電圧ノードを能動状態の電源電圧レベルから非能動状態の電源レベルに変更する工程と、Ｐチャネル・デバイスのソースを電源電圧ノードに接続する工程と、Ｐチャネル・デバイスのバック・ゲートに保持用電源電圧レベルを供給する工程と、Ｐチャネル・デバイスのドレイン電圧を保持用電源電圧レベルとは異なる基準電圧レベルに変更する工程と、Ｐチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更する工程とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ保持モードのために回路をパワー・ダウンする方法であって、
電源電圧ノードを能動状態の電源電圧レベルから非能動状態の電源レベルに変更するステップと、
Ｐチャネル・デバイスのソースを電源電圧ノードに接続するステップと、
前記Ｐチャネル・デバイスのバック・ゲートに保持用電源電圧レベルを供給するステップと、
前記Ｐチャネル・デバイスのドレイン電圧を、保持用電源電圧レベルとは異なる基準電圧レベルに変更するステップと、
前記Ｐチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更するステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、基準電圧レベルは、保持用電源電圧レベルよりも低い前記方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、基準電圧レベルは、保持用電源電圧レベルの半分よりも低い前記方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、前記Ｐチャネル・デバイスは、ワードライン回路である前記方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載の方法であって、更に、
第２のＰチャネル・デバイスを第１のＰチャネル・デバイスに直列に接続するステップと、
前記第１のＮチャネル・デバイスを前記第２のＰチャネル・デバイスに直列に接続するステップと、
第２のＮチャネル・デバイスを第１のＮチャネル・デバイスに直列に接続するステップと、
を含む前記方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、更に、
前記第２のＮチャネル・デバイスのソースに保持用電源電圧レベルを供給するステップと、
Ｎチャネル・デバイスのドレインを基準電圧レベルに変更するステップと、
Ｎチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更するステップと、
を含む前記方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法であって、前記保持用電源電圧レベルは、前記能動状態の電源電圧レベルと同じである前記方法。
【請求項８】
請求項１又は請求項７のいずれかの請求項に記載の方法であって、前記能動状態の電源電圧レベルが１．３Ｖ、前記非能動状態の電源電圧レベルが０Ｖ、前記基準電圧レベルが０．６Ｖ、前記保持用電源電圧レベルが１．３Ｖである前記方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、電子回路に関するものであり、更に詳細には、リーク電流低減方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（発明の背景）
回路システムをパワー・ダウンする従来のやり方では、システムがスリープ／データ保持モードに入るとき、主電源電圧ＶＤＤが１．３Ｖ（能動モード）から０Ｖ近くまで変化し、保持用電源電圧ＶＲＥＴが変わらず、例えば、１．３Ｖのままに留まり、保持信号ＲＥＴが０ＶからＶＲＥＴ（１．３Ｖ）レベルに変化し、さらに、システムのいくつかの内部ノードが基準電圧ＶＢＥレベル（例えば、０．６Ｖ）に上がる。
【０００３】
システムがスリープ／データ保持モードに入るとき、保持すべきデータを有する回路に対して、Ｐチャネル（ＰＣＨ）デバイスをターン・オフする一般的な方法は、次のようである。
【０００４】
Ｖｄｒａｉｎ＝ＶＢＢ（例えば、０Ｖ−−＞０．６Ｖ）
Ｖｇａｔｅ＝ＲＥＴ（例えば、０−−＞１．３Ｖ）
Ｖｓｏｕｒｃｅ＝ＶＤＤ（例えば、１．３Ｖ−−＞０Ｖ）
Ｖｂｕｌｋ＝ＶＲＥＴ（例えば、１．３Ｖ）
【０００５】
この様子は、図１に示したワードライン回路に示されている。この回路は、ヘッダとしてＰチャネル・デバイス２０を有する。この回路は、そのほかにＰチャネル・デバイス２２、Ｎチャネル・デバイス２４およびＮチャネル・デバイス２６を含む。この回路がスリープ／データ保持モードに入るとき、ソース電圧Ｖｓｏｕｒｃｅは、能動レベルの電源電圧ＶＤＤ（例えば、１．３Ｖ）から０Ｖに変化し、ドレイン電圧Ｖｄｒａｉｎは、基準電圧ＶＢＢ（例えば、０．６Ｖ）になり、ゲート電圧Ｖｇａｔｅは、０Ｖから保持用電源電圧ＶＲＥＴ（例えば、１．３Ｖ）に変化する保持信号ＲＥＴになり、さらに、バック・ゲート電圧Ｖｂｕｌｋは、保持用電源電圧ＶＲＥＴに変化する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術のこのやり方の問題点は、ゲート（１．３Ｖ）とソース（０Ｖ）／ドレイン（０．６Ｖ）との間に大きな電位差が存在し、その結果として、ゲートの、大きなトンネリング・リークが発生することであり、深いバック・ゲート・バイアスによってサブ・スレッショルドのリークが抑制されるため、このリークがＰチャネル・デバイスの室温における主要なリークとなることである。これがスタンバイ状態における大きな電力消費につながる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（発明の概要）
データ保持モードのために回路をパワー・ダウンするための方法は、電源電圧ノードを能動状態の電源電圧レベルから非活動状態の電源レベルに変更するステップと、Ｐチャネル・デバイスのソースを電源電圧ノードに接続するステップと、保持用レベルの電源電圧をＰチャネル・デバイスのバック・ゲートに供給するステップと、Ｐチャネル・デバイスのドレイン電圧を保持用電源電圧レベルとは異なる基準電圧レベルに変更するステップと、Ｐチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更するステップとを含む。
【実施例】
【０００８】
（詳細な説明）
この問題に対する好適な実施の形態の解決策は、システムがスリープ／データ保持モードに入るときに、Ｐチャネル・デバイス２０のゲートを、保持信号ＲＥＴ（例えば、１．３Ｖ）ではなくて下記のように基準電圧ＶＢＢ（例えば、０．６Ｖ）に持ち上げることである。
【０００９】
Ｖｄｒａｉｎ＝ＶＢＢ（０Ｖ−−＞０．６Ｖ）
Ｖｇａｔｅ＝ＶＢＢ（０−−＞０．６Ｖ）
Ｖｓｏｕｒｃｅ＝ＶＤＤ（１．３Ｖ−−＞０Ｖ）
Ｖｂｕｌｋ＝ＶＲＥＴ（１．３Ｖ）
【００１０】
ゲート（０．６Ｖ）とソース（０Ｖ）／ドレイン（０．６Ｖ）との間の電位差が大幅に削減されるため、ゲートのトンネリング・リークおよびスタンバイでの電力消費も大きく削減される。実際、基準電圧ノードＶＢＢからのリークは、電力消費になんら寄与することがなくなる。電力消費は、保持用ＳＲＡＭアレイなど、システムの他の部品からのリークによってもたらされる。
【００１１】
同様な方法は、Ｎチャネル・デバイスのターン・オフにも適用できる。すなわち、システムがスリープ／データ保持モードに入るとき、ソースは、０Ｖから１．３Ｖ（保持用電圧）に持ち上げられ、ドレインは、０Ｖから０．６Ｖ（基準電圧ＶＢＢ）に持ち上げられ、そしてバルクは、０Ｖに留められる。この場合、ゲートを０Ｖに留める代わりに基準電圧ＶＢＢに持ち上げることもできる。
【００１２】
好適な実施の形態の回路の１つの特徴は、それが大きなゲート・リークを減ずるため、回路のパワー・ダウン・モードにおけるリーク収支の要求に合致することである。別の特徴は、電力消費が保持用ＳＲＡＭアレイなどシステムの他の部品からのリークによってもたらされることから、基準電圧源ＶＢＢからのリークは、電力消費になんら寄与しないということである。
【００１３】
開示された本発明は、回路をデータ保持モードにパワー・ダウンするための方法を提供する。好適な方法において、そのステップには、電源電圧ノードを能動状態の電源電圧レベルから非能動状態の電圧レベルに変更するステップと、Ｐチャネル・デバイスのソースを電源電圧ノードに接続するステップと、Ｐチャネル・デバイスのバック・ゲートに保持用電源電圧レベルを供給するステップと、Ｐチャネル・デバイスのドレイン電圧を保持用の電源電圧レベルとは異なる基準電圧レベルに変更するステップと、Ｐチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更するステップとが含まれる。好適な実施の形態では、基準電圧レベルは、保持用電源電圧レベルよりも低く、さらに、保持用電源電圧レベルの半分よりも低い。Ｐチャネル・デバイスは、ワードライン回路でよい。
【００１４】
本方法は、更に、第２のＰチャネル・デバイスを第１のＰチャネル・デバイスに直列に接続するステップと、第１のＮチャネル・デバイスを第２のＰチャネル・デバイスに直列に接続するステップと、第２のＮチャネル・デバイスを第１のＮチャネル・デバイスに直列に接続するステップとを含む。本方法は、更に、第２のＮチャネル・デバイスのソースに保持用電源電圧レベルを供給するステップと、Ｎチャネル・デバイスのドレインを基準電圧レベルに変更するステップと、Ｎチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更するステップとを含む。
【００１５】
１つの実施の形態では、保持用電源電圧レベルは、能動状態の電源電圧レベルと同じである。１つの実施の形態では、能動状態の電源電圧レベルが１．３Ｖ、非能動状態の電圧レベルが０Ｖ、基準電圧レベルが０．６Ｖで、保持用電源電圧レベルが１．３Ｖである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ヘッダとしてＰチャネル・デバイスを備えるワードライン回路の図。
【図１】
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【国際調査報告】
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