(57)【要約】  本発明は、回路基板中に埋め込まれるコンポーネントの周囲においてＥＭＩシールドを構築するための方法に関する。この方法によれば、このグラウンド基準平面を示す絶縁層まで延ばされている凹部が、このコンポーネントの埋込み位置の周囲に形成される。この凹部は、導電性材料を用いて、この材料がこのグラウンド基準平面と電気的に接触し、またこの材料が実質的にこの回路基板の方向においてこのコンポーネントを取り囲むようにして、充てんされ、または表面仕上げされる。
2007514309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交互になっている導体層（１）と絶縁層（２）とを含み、コンポーネント（１２）の少なくとも本質的部分が、回路基板の内側に埋め込まれ、また前記コンポーネントの周囲に、少なくとも前記回路基板の方向から到来する電磁放射線に対してシールドを行う、電磁放射線からシールドする構造（１０）が配置される回路基板中に埋め込むべきコンポーネント（１２）の周囲にＥＭＩシールドを構築するための方法であって、前記コンポーネントが、オプトエレクトロニク・コンポーネントであり、
凹部（６）が、前記コンポーネント（１２）の埋込み位置の周囲に、絶縁層（７）が前記コンポーネント（１２）の埋込み位置と前記凹部との間に残されるようにして、また前記凹部がグラウンド基準平面（３）を示すような絶縁層まで前記回路基板の表面から延ばされるようにして、形成され、
前記凹部（６）が、導電性材料（８、９）を用いて、前記材料がグラウンド基準平面（３）と電気的に接触しており、前記材料が前記回路基板の方向におけるベゼル（１０）として前記コンポーネントを実質的に取り囲むようにして、充てんまたは表面仕上げが行われる
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記凹部（６）が形成されるときに、電導経路（２）としての機能を果たさない前記１つまたは複数の材料しか、前記回路基板から除去されないことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記凹部（６）が作製される全体区域の下にグラウンド基準平面（３）が存在することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記凹部のライニングまたは充てんの後に、前記グラウンド基準平面（３）のレベルまで延びるキャビティ（１１）が、前記コンポーネント（１２）のために作製され、前記コンポーネントが、作製されている前記キャビティ中に埋め込まれることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記コンポーネントが、半導体コンポーネント、または集積化受動コンポーネントなどの受動コンポーネントであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記凹部が表面仕上げされ、または充てんされる前記導電性材料（８、９）が、透明な材料、半透明な材料、および／または柔軟な材料であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記凹部が表面仕上げされ、または充てんされる前記導電性材料（８、９）が、導電性ポリマーまたは導電性接着剤であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記凹部が表面仕上げされ、または充てんされる前記導電性材料（８、９）が、金属であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記コンポーネント（１２）が、前記グラウンド基準平面下に配置される前記導体層（１）に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記コンポーネント（１２）の埋込み位置において、連続的または不連続的な金属層（５）が前記グラウンド基準平面上に残され、前記コンポーネントが、前記金属層に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記接続が、はんだ、導電性ポリマー、または導電性接着剤（１３）の助けにより、行われることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属層（５）が、前記グラウンド基準平面（３）の下に配置される前記導体層（１）に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記グラウンド基準平面（３）の下の前記導体層（１）は、電気的コンタクトが前記金属層（５）と前記導体層（１）との間に作製された後にしか製造されないことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記コンポーネント（１２）が、前記グラウンド基準平面上に配置された導体層（１）に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
少なくともその本質的部分が回路基板の内側に埋め込まれるコンポーネント（１２）と、
前記コンポーネント（１２）の周囲に構築され、少なくとも前記回路基板の方向から到来する電磁放射線に対してシールドする構造（１０）と
を含む回路基板であって、前記コンポーネントは、前記構造（１０）が、前記コンポーネントの埋込み位置の周囲の、前記グラウンド基準平面（３）まで延びる凹部（６）と、前記凹部（６）と前記コンポーネントの埋込み位置に作製される前記キャビティ（１１）との間の絶縁層とを含むオプトエレクトロニク・コンポーネントであり、凹部は、前記回路基板（１２）の方向に前記コンポーネント（１２）を実質的に取り囲み、凹部（６）は、導電性材料（８、９）を用いて、前記材料が前記グラウンド基準平面（３）と電気的に接触するようにして充てんされることを特徴とする回路基板。
【請求項１６】
前記回路基板、および回路基板に組み込まれ電磁放射線に対してシールドするベゼル（１０）が、柔軟であることを特徴とする、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記凹部（６）が、導電性ポリマーまたは導電性接着剤で充てんされることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記コンポーネント（１２）が、前記グラウンド基準平面（３）の下に配置される導体層（１）に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１９】
前記コンポーネント（１２）の埋込み位置に、前記グラウンド基準平面のレベル上に、前記コンポーネントが電気的に接続される連続的または不連続的な金属層（５）が存在することを特徴とする、請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項２０】
前記コンポーネント（１２）が、導電性接着剤または導電性ポリマー（１３）の助けにより、前記金属層（５）に接続されることを特徴とする、請求項１９に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記金属層（５）が、前記グラウンド基準平面（３）の下に配置される前記導体層（１）に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１５乃至２０のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記コンポーネント（１２）が、前記グラウンド基準平面（３）の上に配置される前記導体層（１）に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１５乃至２１のいずれか１項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板中に埋め込むべきコンポーネントの周囲にＥＭＩシールドを構築するための、請求項１の前文による方法に関する。本発明はまた、請求項１５の前文による回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許公報第６３８８２０５Ｂ１号は、一体化された金属シールドを使用した、回路基板内に部分的または全体的に埋め込まれた電気回路のシールドについて開示しており、この金属シールドは、この電気回路が別の電気回路に接続されるポイント以外には開口部なしにすべての側からこの電気回路を取り囲んでいる。
【０００３】
米国特許出願公開第２００３／０１８８８８９Ａ１号は、信号導体がいくつかの導電性開口部によって取り囲まれている電気回路について開示しており、これらの開口部は、導電層を用いてライニングが施されている。このようにして、この構造は、一体化された構造に比べてより耐久性があり柔軟であり、また製造するのにより低価格でより高速である。
【０００４】
国際特許出願公開第０３／０６５７７８号は、回路基板中に埋め込まれた半導体コンポーネントについて開示しており、この回路基板は、この基材の少なくとも一面上において絶縁層によって覆われており、この回路基板中では、このコンポーネント用に作られたこのホールの側壁は、導電性材料を用いてライニングが施されている。
【０００５】
国際特許出願公開第００／１４７７１号、および国際特許出願公開第００／１６４４３号は、回路基板中にＥＭＩシールドされた導体グルーブ（ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｇｒｏｏｖｅ）を作製するための方法を開示しており、この回路基板中では、この導体グルーブは、２層の導電層の間の絶縁体中に埋め込まれ、トレンチによって横方向にシールドされ、これらのトレンチには、導電性にライニングが施され、その結果、これらは、同軸線を形成する。
【０００６】
米国特許公報第６１３１２６９号は、モジュールの構造について開示しており、このモジュール中では、これらのコンポーネントは、下に金属層が存在する誘電体基板上に埋め込まれる。この誘電体基板を介してこの金属層まで至る所に延びるこれらのコンポーネントの間には、金属分離壁が取り付けられる。これらのコンポーネントは、このモジュール構築中にこの誘電体基板に埋め込まれる。
【０００７】
米国特許公報第５９８７７３２号は、多層一体化マイクロ波アセンブリの構造について開示している。光レジスト層が、この基板上に堆積させられ、このレジスト層の一部分が選択的に除去され、第１の導電層が塗布される。この光レジスト層の第２の部分が除去され、分離壁およびキャビティが残される。電気コンポーネントが、これらのキャビティ中に配置され、第１の誘電体層がこれらのキャビティを充てんする。この層上に第２の導電層が塗布され、この第２の導電層の一部分が除去される。導電層から他の導電層へとこの誘電体層を介して電気接続が作製される。この第１の誘電体層については、液体の材料、すなわちポリイミドが使用され、これが２５０°Ｃで硬化（ｃｕｒｅ）される。
【０００８】
日本特許公報第２０００１８３４８８号は、このコンポーネントが凹部（ｒｅｃｅｓｓ）にマウントされ、金属膜がこの凹部の壁に形成される回路基板について開示している。このコンポーネントの周囲には絶縁材料が存在しない。
【０００９】
日本特許出願公開第２００２−１６−１６３２７号は、基材中にドリルで開けられたホール中に埋め込まれたコンポーネントについて開示しており、この基材中では、導電性材料が、このホールの側壁上に成長させられる。
【００１０】
【特許文献１】米国特許公報第６３８８２０５Ｂ１号
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／０１８８８８９Ａ１号
【特許文献３】国際特許出願公開第０３／０６５７７８号
【特許文献４】国際特許出願公開第００／１４７７１号
【特許文献５】国際特許出願公開第００／１６４４３号
【特許文献６】米国特許公報第６１３１２６９号
【特許文献７】米国特許公報第５９８７７３２号
【特許文献８】日本特許公報第２０００１８３４８８号
【特許文献９】日本特許出願公開第２００２−１６−１６３２７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、能動的なコンポーネント、回路、またはモジュールを、この回路基板中に埋め込むことができるようにして、回路基板の内側にＥＭＩシールド構造を作製することを意図したものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、凹部が、この回路基板中においてこのコンポーネントが埋め込まれ、実質的にこのコンポーネントを取り囲む位置の周囲に作られ、また表面仕上げまたは充てんの行われた凹部が、少なくともこの回路基板に横方向から到来する電磁放射線からこのコンポーネントをシールドする、このコンポーネントの周囲のベゼル（ｂｅｚｅｌ）を形成するようにして、この凹部が、導電性材料を用いて表面仕上げされ、または充てんされるというアイデアに基づいたものである。このコンポーネントとこのベゼルを互いに絶縁する絶縁層が、このベゼルと、このコンポーネントの埋込み開口部の間に形成されることが好ましい。
【００１３】
より詳細には、本発明による方法は、請求項１の特徴づける部分に述べられていることによって特徴づけられる。
本発明による構造は、今度は請求項１５の特徴づける部分に述べられていることによって特徴づけられる。
【００１４】
かなりの利点が、本発明の助けにより得られる。この方法により、埋め込まれるコンポーネントの周囲のこの回路基板中にＥＭＩシールドを構築することができるようになる。この構造は、金属シールド・ケーシングと類似しているが、この場合には、このコンポーネントは、導電ベゼルによってシールドされ、この導電ベゼルは、この回路基板の内側に作られる金属、導電性ポリマー、導電性接着剤（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｇｌｕｅ）、または電磁放射線を阻止する他の何らかの材料からなるものとすることができる。この凹部は、このグラウンド基準平面に相当する回路基板の導電層まで延び、その結果、この材料は、このグラウンド基準平面と電気的に接触させられる。
【００１５】
この内部ＥＭＩシールドは、外部干渉信号からもこの回路基板内部に由来する信号からもこれらのコンポーネントを保護するので、この回路基板の内側にＥＭＩをシールドする構造を作製することにより、影響を受けやすい能動的または受動的なコンポーネント、回路、またはモジュールをケーシングなしに埋め込むことができるようになる。
【００１６】
この構造の利点はまた、このシールド構造の形状が、この構造の製造段階中に影響を受ける可能性があることによっても追加される。望ましい場合には、このシールド構造は、すべての側から、開口部なしに、またはこのシールドがある側でオープンになっているが、しかしこのシールドが、このコンポーネントを実質的に取り囲むようにして、この回路基板中に埋め込まれているコンポーネントを取り囲むように構築することができる。この構造はまた、この凹部が、一部の実施形態において、柔軟であり、半透明であり、かつ／または透明である導電性材料を用いて表面仕上げし、あるいは充てんすることもできるという利点も有する。
【００１７】
この構造のさらなる利点は、このコンポーネントが、この回路基板の構築中の、またはその後のどの段階においても、この回路基板に埋め込むことができることであり、これには、このコンポーネントが、高い温度や圧力など、このコンポーネントにとって適切でない状態にさらされないという利点がある。
【００１８】
この回路基板の材料およびシールド構造を互いに補完するように選択し、その結果、一緒になってこれらが、例えば柔軟性、透明性、または他の何らかの所望の特性を有する回路基板を実現するようにすることによって、回路基板には、新しい特性を付与することができ、それによってこれらの可能性のある用途を拡大することができるようになる。
【００１９】
本発明の好ましい実施形態は、この実施形態によれば、このコンポーネントのこのＥＭＩシールドからの分離がより良好に保証されるので、コンポーネントの埋込みホールのベゼルが、金属でライニングが施される解決方法よりも優れた利点をもたらす。これらの実施形態においては、導電性材料をこのコンポーネントの取付けホールに組み入れて、このＥＭＩシールドを製造する必要はない。さらに、このＥＭＩシールドの導電性材料の選択には、より大きな自由度が存在する。
【００２０】
本発明の好ましい実施形態はまた、米国特許公報第６３８８２０５Ｂ１号に開示された解決方法よりも優れた利点も提供する。この特許公報の解決方法においては、このＥＭＩシールドは、この回路基板の諸層の製造に関連して製造する必要があり、その結果、実際にはこの回路基板の導電性材料は、常にこのＥＭＩシールドの材料として選択する必要がある。本発明の好ましい実施形態においては、このＥＭＩシールドは、完成回路基板（ｆｉｎｉｓｈｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）または準完成回路基板（ｓｅｍｉ−ｆｉｎｉｓｈｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）の形で構築される。
【００２１】
国際特許出願公開第１４７７１号および国際特許出願公開第１６４４３号に開示された解決方法においては、これらの導電グルーブは、導電性材料でライニングが施された長いトレンチを使用してこの回路基板の横方向においてシールドされ、これらのトレンチは、この回路基板に剛構造を与え、その耐久性を低下させる。
【００２２】
米国特許出願公開第２００３／０１８８８８９Ａ１号は、連続的な壁の代わりに別々のホール中で作製された導体からＥＭＩシールドを形成することにより、かなりの利点を得ることができることを開示している。したがって、この米国特許出願に開示される構造は、作製するのにより低価格で、より高速である。さらに、これらの別々の導体は、この回路基板の機械的耐久性を低下させるものでもなく、またこれらは連続的な壁と同様にこの基板の柔軟性を低下させるものでもない。本発明の好ましい実施形態においては、導電性ポリマーや導電性接着剤など、柔軟な材料を使用して、金属の代わりのシールド構造を構築し、それによって耐久性を犠牲にすることなくこの回路基板の柔軟性を保持している。導電性ポリマーまたは導電性接着剤を使用することにより、この回路基板は、透明性などの他の有利な特性もまた得ることができる。連続的なグルーブはまた、ポリマーで充てんすることがより簡単である。本発明の好ましい実施形態においては、これらのホールの位置はまた、この米国特許出願公開による解決方法において行われる必要があるようには、別々に設計する必要もない。
【００２３】
本発明には、多数の好ましい実施形態がある。本発明による方法を使用することにより、回路基板中に能動的または受動的なコンポーネント、あるいは一般的にＥＭＩの影響を受けやすい構造を組み込むことが可能である。例えば、ＲＦ回路は、この実施形態の助けにより、埋め込むことができる。
【００２４】
本構造は、特に回路基板にオプトエレクトロニク・コンポーネントを埋め込む際に適している。米国特許第６１３１２６９号におけるように、このコンポーネントが、この回路基板の構築中にこの絶縁層に埋め込まれる、回路基板を構築するための方法では、このコンポーネントは、予備硬化および熱圧縮中に使用される高い温度および圧力に耐えるべきである。本発明においては、このコンポーネントは、多層回路基板に後から埋め込まれ、このコンポーネントは、それによってこの回路基板の構築中に必要とされる状態にさらされることがなくなる。このオプトエレクトロニク・コンポーネントを取り囲む、空気などの光学材料が存在することが好ましい。米国特許公報第５９８７７３２号においては、これらのシールド壁の間で、２５０°Ｃで硬化されるべき液体材料が使用されている。ほとんどの光学コンポーネントは、この温度には耐えられないはずである。
【００２５】
この好ましい実施形態による、実施形態の助けを用いて、導電性材料の助けにより、例えば熱も電気も伝導する金属、接着剤、またはポリマーを使用することによって、この回路基板の外部に、特にこの回路基板の下に、熱を移送することも可能である。
【００２６】
以下では、本発明は、応用の実施例の助けを用いて、添付図面を参照してより詳細に考察される。これらの応用の実施例は、特許請求の範囲によって定義される保護の範囲を制限することを決して制限することを意図してはいない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明に関連して、用語「回路基板」は、多層回路基板を意味しており、この多層回路基板中には、グラウンド基準平面、すなわち０レベル平面を形成する導体層だけでなく、一般的には導電信号層となる少なくとも２層の導体層も存在している。この導体層は、何らかの導電性金属、通常は銅からなる。これらの導体層は１層の絶縁層によって互いに分離されている。
【００２８】
「コンポーネント」は、一般的に半導体コンポーネント、例えばオプトエレクトロニク・コンポーネント、または超小型回路、あるいは集積化受動コンポーネントなどの受動コンポーネントである。半導体コンポーネントは、通常はシリコンベースまたはガリウムベースのコンポーネントであり、これらのコンポーネントには、少量のリン、ホウ素、または他のアロイ原子が追加されて、この半導体の電気的性質が変えられる。
【００２９】
用語「グラウンド基準平面」は、導電層を意味しており、この導電層は、接地され、または他の０電位、例えばこの回路の浮遊０電位に接続される。
【００３０】
用語「このグラウンド基準平面上」は、このコンポーネントが取り付けられる回路基板の側を意味する。用語「このグラウンド基準平面下」は、この基板の反対側を意味する。
【００３１】
これらの導電層の間には、絶縁材料が存在しており、これらの絶縁材料は、プラスチップまたはエポキシ、あるいは何らかの同様な材料である可能性がある。これらの絶縁材料は、電導経路としての機能を果たさない材料である。この絶縁層は、例えば様々な樹脂、エポキシ・ガラス、ポリイミド（例えば、デュポンのカプトン（Ｄｕｐｏｎｔ  ＫＡＰＴＯＮ））、ポリイミド石英（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ−ｑｕａｒｔｚ）、ポリエステル、アクリル、ビスマレイミドトリアジン（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ガラス繊維、シアネートエステル（ｃｙａｎａｔｅ−ｅｓｔｅｒ）ガラス、ＸＰＣ（紙フェノール）、ＦＲ−１（フェノール・バインダを有する紙材料）、ＦＲ−２（フェノール・バインダを有する紙材料、ＵＬ９４−Ｖ０）、ＦＲ−３（エポキシ樹脂を有する紙材料）、ＦＲ−４（ガラス繊維エポキシ積層板）、ＣＥＭ（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｅｐｏｘｙ  ｍａｔｅｒｉａｌ複合エポキシ材料）、ＣＥＭ−１（１層の織ったガラス繊維（７６２８）を有する紙積層板）、ＣＥＭ−３（ガラス・エポキシ）、芳香族ポリアミド（アラミド繊維、例えばデュポン・ケブラー、エポキシ・ケブラー、またはノーベルのトワロン（Ｎｏｂｅｌ’ｓ  Ｔｗａｒｏｎ））、ＰＴＦＥ（テフロン（登録商標））、ベンゾシクロブテン、マイクロファイバ（ｍｉｃｒｏ−ｆｉｂｒｅ）積層板、およびベークライトの群から選択することができる。
【００３２】
特別な基材は、一般にはアルミニウム、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  ｃｅｒａｍｉｃｓ低温同時焼成セラミックス）、ＨＴＣＣ（ｈｉｇｈ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  ｃｅｒａｍｉｃｓ高温同時焼成セラミックス）、ガラス、石英／二酸化シリコン、ＡＩＮ、ＳＩＣ、シリコン、ＢｅＯ、およびＢＮとすることができる。
【００３３】
回路基板中の絶縁材料として使用することができるプラスチックは、ポリエテン、ポリプロペン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ポリアミド、ポリイミド、ポリサルホン、ポリエーテルエーテルケトン（例えば、（株）デンソー（Ｄｅｎｓｏ  Ｃｏｒｐ．）および三菱樹脂（株）（Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ  Ｉｎｃ．）により開発されたＰＡＬＡＰ）、ポリビニルクロライド、スチレンプラスチック、セルロースプラスチック、ポリメタクリ酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリアクリルニトリル、ポリカーボネート、ポリエテンテレフタレート、およびフッ素プラスチック（ｆｌｕｏｒ  ｐｌａｓｔｉｃｓ）を含んでいる。
【００３４】
導電性ポリマーおよび導電性接着剤は、熱硬化性ポリマーと、熱可塑性ポリマーとに分類することができる。導電性を高めるためには、銀、金、ニッケルなどのフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を使用することが可能である。
【００３５】
導電性ポリマーは、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアニリン、ポリ（２、３エチルジオキシチオフェン）を含んでいる。
【００３６】
導電性接着剤は、一般に３つの主要な成分、すなわち導電性フィラーと、ポリマー、例えば、エポキシ、変性されたエポキシまたはシリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）と、例えば帯電防止特性を実現する薬剤／複数の薬剤などから形成される。硬化／乾燥は、使用される薬剤に応じて、ＵＶ光または熱を使用して行われる。ある種の接着剤は、室温でも硬化するはずである。
【００３７】
商用の（１成分または２成分の）導電等方性接着剤には、以下のものが含まれる。
エマーソン・アンド・カミング（Ｅｍｅｒｓｏｎ  ＆  Ｃｕｍｉｎｇ）
Ａｂｌｅｂｏｎｄ９７６−１、柔軟な導電性接着剤、銀フィラー（ｆｉｌｌｅｒ  ｓｉｌｖｅｒ）
Ａｂｌｅｂｏｎｄ８４−１ＬＭＩ  ＮＢ、導電性エポキシ接着剤、銀フィラー
Ｅｃｃｏｂｏｎｄ５７Ｃ、導電性エポキシ接着剤、銀フィラー
Ｅｃｃｏｂｏｎｄ５０２９８  ２成分導電性エポキシ接着剤、ニッケル・フィラー
ＡＭＩＣＯＮ  Ｃ８５０−６エポキシ接着剤、銀フィラー
ＡＭＩＣＯＮ  ＣＥ８５００導電性変性エポキシ接着剤、銀フィラー
ノースロップ・グラマン社（Ｎｏｒｔｈｒｏｐ  Ｇｒｕｍｍａｎ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
ＳＥ−ＣＵＲＥ９５０２導電性接着剤、銀フィラー
ロックタイト（Ｌｏｃｔｉｔｅ）
製品３８８０導電性エポキシ接着剤、銀フィラー（特にＥＭＩコンポーネント取付け用）
製品３８８８エポキシ接着剤、銀フィラー
製品５４２０導電性シリコーン
製品５４２１ＲＴＶシリコーン（ＥＭＩ／ＲＦＩシールドを実現）
ダウコーニング（Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ）
ＤＡ６５２４導電性シリコーン接着剤
ＤＡ６５３３導電性および熱伝導性のシリコーン接着剤
Ｐａｎａｃｏｌ−Ｅｌｏｓｏｌ  Ｇｍｂｈ
Ｅｌｅｃｏｌｉｔ３１２ＬＶ（溶剤なしエポキシ接着剤、銀フィラー）
Ｅｌｅｃｏｌｉｔ３２３（導電性エポキシ接着剤、銀フィラー）
Ｅｌｅｃｏｌｉｔ３４２（導電性アクリル接着剤、銀フィラー）
ＥｌｅｃｏｌｉｔＸ−１６０３７８（導電性エポキシ接着剤、銀フィラー）
【００３８】
商用の（１成分または２成分の）導電性異方性接着剤には、以下が含まれる。
ロックタイト（Ｌｏｃｔｉｔｅ）
製品３４４１（エポキシ接着剤、金表面ポリマー）
製品３４４６（エポキシ接着剤、フュージング・フィラー）
製品３４４０（金フィラー・ポリマー）
製品３４４５（フュージング・ソルダー・フィラー）
テレフス（Ｔｅｌｅｐｈｕｓ）
ＡｃｐＭａｔシリーズ（導電性フィラーおよび他の特有のフィラーを有するエポキシベースの接着樹脂ペースト）
【００３９】
図１は、１枚の回路基板の基本構造の断面図を示している。この回路基板の製造に関連して、交互の導電層１、３と絶縁層２が、この回路基板上に構築される。これらの導電層のうちの１層は、グラウンド基準平面３、すなわち０平面に対応する。回路基板のこの例においては、少なくとも３層の導電層、すなわちグラウンド基準平面と、その上の信号層およびその下の信号層とが存在する。一般的に、このグラウンド基準平面の上下には、２〜４層の信号層が存在する。
【００４０】
図２は、図１の回路基板の、１つのコンポーネントのための埋込みホールにおける断面図を示している。この回路基板中において、導電層１と絶縁層２は、交互になっている。これらの導電層のうちの１層が、グラウンド基準平面３である。この回路基板の内側にこのコンポーネントを埋め込むことをもっと簡単にするためには、導電層がなく、それによって少なくとも一方の側で、すなわちこのコンポーネントの埋込み位置の側で絶縁材料２しか含まない区域が、このコンポーネントの埋込み位置に構築される。図２に示される実施形態においては、開口部４がこの埋込み位置におけるグラウンド基準平面内に残されている。この製造段階においては、層３の材料、例えば銅から形成される連続的または不連続的な金属層５が、この開口部に残される可能性がある。絶縁材料２は、この開口部に残される。
【００４１】
このコンポーネントをこのグラウンド基準平面下の導電層１と電気的に接触させることが望まれる場合には、金属層５の製造に先立って、何らかの適切なフィードスルー法、例えばマイクロ・バイア法を使用して、グラウンド基準平面３の下の絶縁層２を介して、その下に配置される導電層までフィードスルー１４を作製することが最良である。フィードスルー１４は、金属など、何らかの導電性材料からなっている。
【００４２】
図３は、図１および２の回路基板にドリル加工された凹部６の断面図を示している。選択的なレーザ・ドリルまたは、それに対応する方法を使用して、グラウンド基準平面３まで延びる凹部６が、このコンポーネントの埋込み位置の周囲で切削される。このグラウンド基準平面は、このドリル加工が行われる全体区域の下に存在して、このドリル加工の深さを制御することをもっと簡単にすることが好ましいはずである。この切削の区域中には、信号接続１は存在せず、その結果、この深さはグラウンド基準平面３の助けで制御することができ、またその結果、これらの信号リード線がＥＭＩシールドを介してグラウンド基準平面３に接続されないようになることが好ましい。例えば、選択的なレーザ・ドリル加工は、この金属中には食い込まず、この絶縁層だけに食い込むにすぎず、その結果、切削は、グラウンド基準平面３に接触するときに停止することになる。
【００４３】
図４は、図１〜３の回路基板にドリル加工された凹部の充てん部についての断面図を示している。一実施形態においては、ドリル加工の後に、この凹部は、導電性金属を用いてメタライズされる。メタライゼーションは、第１段階として、この選択された金属、例えば銅のシード層８が、この凹部内に化学的に成長させられ、その後に、最終的な金属層９が、電気化学的に成長させられるようにして行われる。この凹部は、部分的に充てんし、すなわち金属で表面仕上げだけを行うこともでき、またこの凹部は、完全に充てんすることもできる。代わりに、この凹部は、導電性ポリマーまたは導電性接着剤で充てんまたは表面仕上げを行うこともできる。導電性のポリマーまたは接着剤を使用するときには、これらの層８および９は、同じまたは異なる導電性のポリマーまたは接着剤からなる可能性もある。導電性のポリマーまたは接着剤を使用するときには、この充てんは、必ずしも複数の層で行われるとは限らず、代わりにこの凹部の充てんまたは表面仕上げを、一度に行うこともできる。導電性材料で表面仕上げまたは充てんが行われた凹部は、電磁放射線に対してシールドを行う構造を形成し、この構造は、この場合にベゼル１０と呼ばれる。
【００４４】
図５は、図１〜４の回路基板中におけるこのコンポーネントの埋込み位置における絶縁層２の除去部の断面図を示している。このＥＭＩベゼルを作製したのちに、ホール１１が、これらのコンポーネントを埋め込むために例えば選択的なレーザ・ドリル加工により、グラウンド基準平面３のレベルまで凹部６（またはベゼル１０）の内側に作製される。絶縁材料２のベゼル７が、埋め込まれるこのコンポーネントとこの凹部との間に残される。連続的または不連続的な金属層は、この回路基板の製造段階において、このグラウンド基準平面の深さまで残すことができる。ドリル加工が、選択的なレーザ・ドリル加工または同様な方法によって実行される場合、このドリル加工は、この金属レベルで停止することになる。これにより、埋め込まれるコンポーネントの埋込みの深さを制御し調整することができるようになる。
【００４５】
当然のことながら、ドリル加工は、この逆の順序で行うことも可能であり、すなわちまず第１にこのコンポーネントの埋込み位置におけるこのホールが、ドリル加工され、この後にしかこの埋込み位置の周囲のこれらの凹部がドリル加工されないようにすることもできる。両方の場合に、絶縁層７は、この凹部とこのコンポーネントの埋込み位置との間に残される。しかし、この凹部が金属で充てんされるべきときに、この金属がこのコンポーネントのために作製されたホール１１に入らないようにするために、これらの凹部を最初に作製し充てんことが一般には好ましいことに留意されたい。この凹部が導電性ポリマーまたは導電性接着剤で充てんされる場合には、この凹部もこのコンポーネントのための開口部も共に、どの順序であろうとも、あるいは同時にドリル加工し充てんすることができる。この導電性のポリマーまたは接着剤は飛び散る可能性があるので、したがってまず第１にこれらの凹部を製造し充てんすることが好ましい可能性がある。
【００４６】
図６は、図１〜５の回路基板中の所定の位置に埋め込まれているコンポーネントの断面図を示している。コンポーネント１２は、十分に大きな導電率を有する接着剤またははんだ、あるいは導電性ポリマーを使用して、そのコンタクト・ベースに例えば等方性にまたは異方性に取り付けられる。図６の実施形態において、このコンポーネントは、導電性接着剤１３の助けを用いて金属層５に取り付けられる。コンポーネント１２からその下に配置された導電性の導体層１への電気接続は、何らかのフィードスルー法を使用して、例えば前述したようなマイクロ・バイア法（マイクロ・バイア１４）を使用して絶縁層２を介して実施される。このグラウンド基準平面下の導体層１はまた、この電気接続が、グラウンド基準平面３下の絶縁層２を介して行われた後にしか構築することができない。代わりに、このグラウンド基準平面下の導電層を完成し、それを介してこの接続を行うこともできる。
【００４７】
熱は、このコンポーネントからこの回路基板の外側へと、特にその下へと、あるいはこの全体のケーシング構造へと、伝導性材料、例えば熱伝導性および導電性の金属、接着剤、またはポリマーの助けにより、伝えることができる。
【００４８】
前述のように、この電気接続は、何らかのフィードスルー法を使用して、このグラウンド基準平面下に位置するこの導体層に対して行うことができる。代わりに、この接続または一部の接続は、例えばボンディング（例えば、金ワイヤまたはアルミニウム・ワイヤを使用したワイヤ・ボンディング）の助けにより、グラウンド基準平面上に位置する導体層に対して行うことができる。
【００４９】
コンポーネント１２の埋込みの後に、このコンポーネントの周囲に残っている空のホール１１は、空のままにしておくこともでき、また代わりに何らかの適切なフィラー材料を用いて充てんすることもできる。
【００５０】
必要に応じて、このコンポーネントは、上からもシールドすることができ、すなわちこのコンポーネントのこの取り付けたポイントと対向する側から、例えば導電ステッカの助を借りてシールドすることができる。
【００５１】
図７は、図１〜６の回路基板の１つのコンポーネントの平面図をそのシールド構造と一緒に示すものである。コンポーネント１２を取り巻く充てんされた凹部は、ベゼル１０を形成し、このベゼルは、少なくともこの回路基板の方向から到来する電磁放射線からこのコンポーネントをシールドする。絶縁層７が、コンポーネント１２とベゼル１０の間に残存しているが、絶縁層２も、この絶縁層７とコンポーネント１２の間に見ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明による、一回路基板の基本構造の断面を示す図である。
【図２】本発明による一回路基板の、コンポーネントのためのフィードスルーの位置における断面を示す図である。
【図３】この回路基板にドリル加工された凹部の断面を示す図である。
【図４】この回路基板にドリル加工された凹部の充てん部の断面を示す図である。
【図５】この回路基板中のこのコンポーネントの埋込み位置における絶縁層の除去部の断面を示す図である。
【図６】この埋込み位置におけるこのコンポーネントの取付け部の断面を示す図である。
【図７】この回路基板の１つのコンポーネントの平面図をそのシールド構造と一緒に示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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