(57)【要約】  本発明は、（ｉ）貴金属層を含む基材を（ａ）研磨成分、（ｂ）酸化剤及び（ｃ）液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法を提供する。研磨成分は、研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択され、酸化剤は、臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。化学機械研磨系は９以下のｐＨを有し、酸化剤は実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。本発明はまた、貴金属層及び第２層を含む基材を、阻止化合物をさらに含む上記の研磨系によって研磨する方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）貴金属層を含む基材を
（ａ）研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分、
（ｂ）臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された酸化剤、及び
（ｃ）液体キャリヤーを含み、９以下のｐＨを有し、当該酸化剤が実質的な量の元素ハロゲンを生成しない化学機械研磨系と接触させる工程、並びに
（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法。
【請求項２】
前記有機ハロオキシ化合物が、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−ブロモアセトアミド、Ｎ−ブロモベンゾフェノンイミン、ヨウ素トリアセテート（iodine triacetate）、ヨウ素トリス（トリフルオロアセテート）（iodine tris（trifluoroacetate））、ヨードベンゼンジアセテート、ペンタフルオロヨードベンゼンビス（トリフルオロアセテート）、ヨードソベンゼン、ヨードキシベンゼン、ヨードキシ安息香酸、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学機械研磨系が７以下のｐＨを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記化学機械研磨系が４以下のｐＨを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記化学機械研磨系が１〜４のｐＨを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記金属層が、白金、イリジウム、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、金、それらの窒化物、それらの酸化物、及びそれらの合金からなる群より選択された貴金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記金属層がルテニウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の酸化剤を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化剤が臭素酸塩又はヨウ素酸塩である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤー中に懸濁している研磨剤を含み、当該研磨剤が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された金属酸化物の研磨剤である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物の研磨剤がシリカである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が研磨パッドに固定される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属層がイリジウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の酸化剤を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化剤が過ヨウ素酸塩である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤー中に懸濁している研磨剤を含み、当該研磨剤が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された金属酸化物の研磨剤である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属酸化物の研磨剤がα−アルミナである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が研磨パッドに固定される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の酸化剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記酸化剤が臭素酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記酸化剤がヨウ素酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記酸化剤が過ヨウ素酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が液体キャリヤー中に懸濁している、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記液体キャリヤーが水を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記研磨剤が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された金属酸化物の研磨剤である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記金属酸化物の研磨剤がシリカである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記液体キャリヤーが水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が研磨パッドに固定される、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記化学機械研磨系が錯化剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記化学機械研磨系がｐＨ緩衝剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記化学機械研磨系が界面活性剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
（ｉ）貴金属層及び第２層を含む基材を
（ａ）研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分、
（ｂ）臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された酸化剤、
（ｃ）当該第２層の除去速度を抑える阻止化合物（stopping compound）、及び
（ｄ）液体キャリヤーを含み、９以下のｐＨを有し、当該酸化剤が実質的な量の元素ハロゲンを生成しない化学機械研磨系と接触させる工程、並びに
（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法。
【請求項３３】
前記阻止化合物が、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合物からなる群より選択された正に帯電された窒素含有化合物である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記阻止化合物が、ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、Ｎ4−アミノ（Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−アミノプロピル］エチレンジアミン）、４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、３，３−ジメチル−４，４−ジアミノジシクロヘキシルメタン、２−フェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルジプロピレントリアミン、３−［２−メトキシエトキシ］プロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記阻止化合物が、イソホロンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、シクロヘキシル−１，３−プロパンジアミン、チオミカミン（thiomicamine）、（アミノプロピル）−１，３−プロパンジアミン、テトラエチレンペンタミン、テトラメチルブタンジアミン、プロピルアミン、ジアミノプロパノール、アミノブタノール、（２−アミノエトキシ）エタノール、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記阻止化合物がアミン含有ポリマーである、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
前記アミン含有ポリマーが、アミノ官能基の窒素原子を隔てる５個以上の連続した原子を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記アミン含有ポリマーが、１つ又は複数のアミン官能基を含む少なくとも１つのポリマーブロックと、アミン官能基を含まない少なくとも１つのポリマーブロックとのアミン含有ブロックコポリマーである、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
前記阻止化合物が少なくとも２つの酸基を含有し、第１の解離性酸基のｐＫａが化学機械研磨系のｐＨよりも実質的に大きくない、請求項３２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貴金属を含む基材を研磨する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材表面を平坦化又は研磨するための組成物及び方法が当技術分野で周知である。研磨用組成物（研磨用スラリーとしても知られる）は、典型的には水溶液中に研磨材を含有し、スラリー組成物で飽和した研磨パッドと表面を接触させることによって表面に適用される。典型的な研磨材としては、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、及び酸化スズがある。米国特許第５，５２７，４２３号明細書は、例えば、水性媒体中に高純度の微細金属酸化物粒子を含む研磨用スラリーと表面を接触させることによって、金属層を化学機械研磨する方法を記載している。あるいはまた、研磨材は研磨パッドに組み込むことができる。米国特許第５，４８９，２３３号明細書は、ある表面組織又はパターンを有する研磨パッドの使用を開示しており、米国特許第５，９５８，７９４号明細書は、固定砥粒研磨パッドを開示している。
【０００３】
従来の研磨系及び研磨方法は、典型的には半導体ウェハの平坦化に関して完全に満足のいくものではない。とりわけ、研磨用組成物及び研磨パッドは、決して望ましいとは言えない研磨速度を有する場合があり、半導体表面の化学機械研磨において使用すると、表面の品質が悪くなる場合がある。半導体ウェハの性能はその表面の平坦性と直接関係しているので、高い研磨効率、均一性及び除去速度を与えかつ最小の表面欠陥で以って高品質の研磨をもたらす研磨用組成物及び研磨方法を使用することが極めて重要である。
【０００４】
半導体ウェハのための効果的な研磨系を作り出すことにおける困難は半導体ウェハの複雑さから生じる。半導体ウェハは、その上に複数のトランジスタが形成された基材から典型的に構成されている。集積回路は、基材の領域及び基材上の層をパターニングすることによって基材に化学的かつ物理的に接続されている。操作可能な半導体ウェハを製造しかつウェハの産出量、性能及び信頼性を最大にするためには、下地の構造又は形状に不利に影響することなくウェハ表面を選択的に研磨することが望ましい。実際、半導体製作における種々の問題は、プロセス工程が十分平坦化されたウェハ表面に関して実施されない場合に生じることがある。
【０００５】
種々の金属及び金属合金は、チタン、窒化チタン、アルミニウム−銅、アルミニウム−ケイ素、銅、タングステン、白金、白金−タングステン、白金−スズ、ルテニウム、及びそれらの組み合わせを含むデバイス間の電気接続を形成するのに使用されている。貴金属は、機械的に硬質でかつ化学的に抵抗性があり、そのため化学機械研磨によって効率的に除去することが難しいという点で特に困難である。
【０００６】
以下の特許は、貴金属のための研磨用組成物を開示している。米国特許第５，６９１，２１９号明細書は、貴金属の導電層を含む半導体メモリ素子及び貴金属を研磨するためのハロ化合物を含む研磨用組成物を開示している。米国特許第６，２７４，０６３号明細書は、化学エッチング剤（例えば、窒化アルミニウム）、研磨粒子及び酸化剤を含むニッケル基材のための研磨用組成物を開示している。米国特許第６，２９０，７３６号明細書は、塩基性水溶液中に研磨剤とハロゲンを含む貴金属のための化学的に活性な研磨用組成物を開示している。特開昭６３−０９６５９９号公報は、金属ルテニウムを溶解する方法を開示している。特開平１１−１２１４１１号公報は、白金族金属の微細な酸化物粒子を含む白金族金属（例えば、Ｒｕ、Ｐｔ）のための研磨用組成物を開示している。特開平１−２７０５１２号公報は、過酸化水素、シアン化アルカリ、並びにリン酸イオン及び／又はホウ酸イオンを含む貴金属のための溶解溶液を開示している。国際公開第００／７７１０７号パンフレットは、研磨剤、液体キャリヤー、酸化剤、並びにＥＤＴＡ、窒素含有巨大環（例えば、テトラアザシクロテトラデカン）、クラウンエーテル、ハライド、シアン化物、クエン酸、ホスフィン及びホスホン酸塩を含むことができる研磨用添加剤を含む貴金属（例えば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）のための研磨用組成物を開示している。国際公開第０１／４４３９６号パンフレットは、硫黄含有化合物、研磨粒子、及びその称するところによれば研磨粒子の分散性を改善しかつ金属除去の速度及び選択性を向上させる水溶性有機添加剤を含む貴金属のための研磨用組成物を開示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、研磨及び平坦化の際の下地の構造及び形状に対する表面欠陥及び損傷などの欠陥性を最小限に抑えながら、基材の研磨及び平坦化の際に望ましい平坦化効率、均一性及び除去速度を示す研磨系及び研磨方法に対するニーズがある。化学的に安定でかつ機械的に硬質な貴金属含有基材の研磨に関して改善された研磨系が特に必要とされている。
【０００８】
本発明は、このような化学機械研磨系及びその方法を提供するものである。本発明のこれら及び他の利点は、本明細書で与えられる本発明の説明から明らかになろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、（ｉ）貴金属層を含む基材を（ａ）研磨成分、（ｂ）酸化剤及び（ｃ）液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法を提供する。本発明はまた、（ｉ）貴金属層及び第２層を含む基材を（ａ）研磨成分、（ｂ）酸化剤、（ｃ）液体キャリヤー及び（ｄ）当該第２層の除去速度を抑える阻止化合物（stopping compound）を含む化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、類似の基材の研磨方法を提供する。研磨成分は、研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択され、酸化剤は、臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。化学機械研磨系は９以下のｐＨを有し、酸化剤は実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、（ｉ）貴金属層を含む基材を（ａ）研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分、（ｂ）臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された酸化剤、及び（ｃ）液体キャリヤーを含み、９以下のｐＨを有し、当該酸化剤が実質的な量の元素ハロゲンを生成しない化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法を提供する。
【００１１】
上記のように、研磨系は、研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分を含む。本明細書で記載される研磨系は、研磨剤と研磨パッドを含むことが望ましい。研磨剤は、任意の好適な形態（例えば、研磨粒子）であることができる。研磨剤は、研磨パッド上に固定することができるか及び／又は粒子の形態で液体キャリヤー中に懸濁させることができる。研磨パッドは、任意の好適な研磨パッドであることができる。研磨剤（液体キャリヤー中に懸濁している場合）及び酸化剤並びに液体キャリヤー中に懸濁している他の任意の成分は、化学機械研磨（例えば、ＣＭＰ）系の研磨用組成物を形成する。
【００１２】
研磨剤は、任意の好適な研磨剤であることができる。例えば、研磨剤は、天然又は合成のものであることができ、幾つかの硬質ポリマー（例えば、ポリカーボネート）、ダイヤモンド（例えば、多結晶ダイヤモンド）、ガーネット、ガラス、カーボランダム、金属酸化物、炭化物、窒化物などを含むことができる。研磨剤は、金属酸化物を含むことが望ましい。好適な金属酸化物としては、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、それらの共形成製品、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された金属酸化物が挙げられる。好ましくは、金属酸化物は、アルミナ、シリカ、セリア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。より好ましくは、金属酸化物はアルミナ（例えば、α−アルミナ）である。研磨剤は、２０ｎｍ〜５００ｎｍの平均粒子サイズ（例えば、平均粒子径）を典型的に有する。好ましくは、研磨粒子は、７０ｎｍ〜３００ｎｍ（例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ）の平均粒子サイズを有する。
【００１３】
研磨剤が研磨系に存在しかつ液体キャリヤー中に懸濁している（即ち、研磨剤が研磨用組成物の成分である）場合には、任意の好適な量の研磨剤を研磨用組成物中に存在させることができる。典型的には０．１ｗｔ％以上（例えば、０．５ｗｔ％以上又は１ｗｔ％以上）の研磨剤が研磨用組成物中にする。研磨用組成物中の研磨剤の量は、典型的には３０ｗｔ％以下、より典型的には２０ｗｔ％以下（例えば、１０ｗｔ％以下）である。
【００１４】
研磨剤が研磨用組成物中に懸濁している場合には、研磨用組成物は、コロイド状で安定していることが好ましい。コロイドという用語は、液体キャリヤー中の研磨粒子の懸濁をいう。コロイド安定性という用語は、時間を通しての懸濁の維持をいう。本発明の範囲内において、研磨剤が１００ｍｌのメスシリンダーに配置され、２時間撹拌しないで放置したときに、メスシリンダーの下部５０ｍｌ中の粒子濃度（［Ｂ］ｇ／ｍｌ）とメスシリンダーの上部５０ｍｌ中の粒子濃度（［Ｔ］ｇ／ｍｌ）の差を、研磨剤組成物中の初期粒子濃度（［Ｃ］ｇ／ｍｌ）で割ったものが０．５以下（即ち、｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）であれば、研磨剤はコロイド状で安定であるとみなされる。［Ｂ］−［Ｔ］／［Ｃ］の値は、望ましくは０．３以下、好ましくは０．１以下である。
【００１５】
液体キャリヤーは、研磨又は平坦化されるべき好適な基材表面に対する研磨剤（研磨用組成物中に存在する場合）、酸化剤及び他の任意の添加剤の適用を促進させるのに使用される。液体キャリヤーは、任意の好適な液体キャリヤーであることができる。典型的には、液体キャリヤーは、水、水と好適な水溶性溶剤の混合物、又はエマルジョンである。液体キャリヤーは、好ましくは水、より好ましくは脱イオン水を含むか、それから本質的になるか又はそれからなる。
【００１６】
酸化剤は、臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。本明細書で用いられる場合には、「有機ハロオキシ化合物」は、少なくとも１つの有機官能基、少なくとも１つのハロゲン原子、及び少なくとも１つの酸素原子を含有する酸化剤をいうのに用いられる。有機ハロオキシ化合物の１つ又は複数の有機官能基、１つ又は複数のハロゲン原子、及び１つ又は複数の酸素原子は、任意の好適な仕方において配置することができるが、３つの一般式、即ち、Ｒa−Ｘ−Ｏb、Ｒa−Ｏb−Ｘ、又はＯb−Ｒa−Ｘの１つであって、式中、Ｒが有機官能基を表し、Ｘがハロゲン原子を表し、ａ及びｂが１以上の整数である一般式に従っている。好適な有機ハロオキシ化合物としては、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−ブロモアセトアミド、Ｎ−ブロモベンゾフェノンイミン、ヨウ素トリアセテート（iodine triacetate）、ヨウ素トリス（トリフルオロアセテート）（iodine tris（trifluoroacetate））、ヨードベンゼンジアセテート、ペンタフルオロヨードベンゼンビス（トリフルオロアセテート）、ヨードソベンゼン、ヨードキシベンゼン、ヨードキシ安息香酸（例えば、ｍ−ヨードキシ安息香酸）、それらの塩、及びそれらの組み合わせが挙げられるがそれらに限定されない。好ましくは、酸化剤は、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、及び過ヨウ素酸塩からなる群より選択される。より好ましくは、酸化剤は、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、又は過ヨウ素酸塩である。酸化剤はまた、化学機械研磨系中に実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。本明細書で用いられる場合には、酸化剤は、平衡時の元素ハロゲンのモル濃度が酸化剤の初期モル濃度の１０％以下（例えば、５％以下、３％以下、２％以下又は１％以下）である場合に実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。
【００１７】
化学機械研磨系は、任意の好適な量の酸化剤を含むことができる。典型的には、化学機械研磨系は、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％以上（例えば、０．２ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以上又は１ｗｔ％以上）の酸化剤を含む。化学機械研磨系は、典型的には液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて１５ｗｔ％以下（例えば、１２ｗｔ％以下、１０ｗｔ％以下、８ｗｔ％以下又は５ｗｔ％以下）の酸化剤を含む。
【００１８】
基材の金属層は、任意の好適な貴金属を含むことができる。好適な貴金属としては、白金、イリジウム、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、金、それらの窒化物、それらの酸化物、及びそれらの合金が挙げられるがそれらに限定されない。好適な合金としては、「サーメット」材料、例えば、ルテニウム安定化ジルコニア及びルテニウム−イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ、（ＺｒＯ2）1-x（Ｓｃ2Ｏ3）x）が挙げられるがそれらに限定されない。好ましくは、金属層はルテニウム又はイリジウムを含む。
【００１９】
化学機械研磨系は９以下のｐＨを有する。好ましくは、化学機械研磨系は７以下（例えば、６以下、５以下又は４以下）のｐＨを有する。典型的には、化学機械研磨系は１以上（例えば、２以上）のｐＨを有する。
【００２０】
化学機械研磨系のｐＨは、任意の好適な手段によって達成及び／又は維持することができる。より具体的には、研磨用組成物は、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝剤又はそれらの組み合わせをさらに含むことができる。ｐＨ調整剤は、任意の好適なｐＨ調整化合物であることができる。例えば、ｐＨ調整剤は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム又はそれらの組み合わせであることができる。ｐＨ緩衝剤は、任意の好適な緩衝剤、例えば、リン酸塩、酢酸塩、臭素酸塩、アンモニウム塩などであることができる。化学機械研磨系は、研磨系のｐＨを本明細書に記載される範囲内に達成及び／又は維持するのに十分な量であるという条件で、任意の好適な量のｐＨ調整剤及び／又はｐＨ緩衝剤を含むことができる。
【００２１】
化学機械研磨系は、任意選択でキレート化剤又は錯化剤をさらに含む。錯化剤は、除去される基材層の除去速度を高める任意の好適な化学添加剤である。好適なキレート化剤又は錯化剤としては、例えば、カルボニル化合物（例えば、アセチルアセトネートなど）、簡単なカルボン酸塩（例えば、酢酸塩、アリールカルボン酸塩など）、１つ又は複数のヒドロキシル基を含有するカルボン酸塩（例えば、グリコール酸塩、乳酸塩、グルコン酸塩、没食子酸、及びそれらの塩など）、ジ−、トリ−及びポリ−カルボン酸塩（例えば、シュウ酸塩、フタル酸塩、クエン酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、リンゴ酸塩、エデト酸塩（例えば、二カリウムＥＤＴＡ）、それらの混合物など）、１つ又は複数のスルホン基及び／又はホスホン基を含有するカルボン酸塩などを挙げることができる。好適なキレート化剤又は錯化剤としては、さらに、例えば、ジ−、トリ−又はポリアルコール（例えば、エチレングリコール、ピロカテコール、ピロガロール、タンニン酸など）及びアミン含有化合物（例えば、アンモニア、アミノ酸、アミノアルコール、ジ−、トリ−及びポリアミンなど）を挙げることができる。錯化剤は、好ましくはカルボン酸塩、より好ましくはシュウ酸塩である。キレート化剤又は錯化剤の選択は、除去される基材層のタイプに依存している。
【００２２】
上記化合物の多くは、塩（例えば、金属塩、アンモニウム塩など）、酸の形態で存在することができるか、又は部分塩として存在することができると考えられる。例えば、クエン酸塩は、クエン酸並びにそのモノ塩、ジ塩及びトリ塩を含み；フタル酸塩は、フタル酸並びにそのモノ塩（例えば、フタル酸水素カリウム）及びジ塩を含み；過塩素酸塩は、対応する酸（即ち、過塩素酸）並びにその塩を含む。さらには、幾つかの化合物又は試薬は、２つ以上の機能を発揮することができる。例えば、幾つかの化合物は、キレート化剤と酸化剤の両方として機能することができる（例えば、特定の硝酸第二鉄など）。
【００２３】
化学機械研磨系は、任意選択で腐食抑制剤（即ち、膜形成剤）をさらに含む。腐食抑制剤は、任意の好適な腐食抑制剤であることができる。典型的には、腐食抑制剤は、ヘテロ原子含有官能基を含む有機化合物である。例えば、膜形成剤は、活性な官能基として少なくとも１つの５又は６員の複素環を有する複素環式有機化合物であって、当該複素環が少なくとも１つの窒素原子を含有する化合物であり、例えば、アゾール化合物である。膜形成剤は、好ましくはトリアゾール、より好ましくは１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、又はベンゾトリアゾールである。研磨系で用いられる腐食抑制剤の量は、典型的には液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．０００１ｗｔ％〜３ｗｔ％（好ましくは０．００１ｗｔ％〜２ｗｔ％）である。
【００２４】
化学機械研磨系は、任意選択で界面活性剤をさらに含む。好適な界面活性剤としては、例えば、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、それらの混合物などを挙げることができる。好ましくは、研磨系は非イオン性界面活性剤を含む。好適な非イオン性界面活性剤の１つの例は、エチレンジアミンポリオキシエチレン界面活性剤である。界面活性剤の量は、典型的には液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．０００１ｗｔ％〜１ｗｔ％（好ましくは０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％又は０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％）である。
【００２５】
化学機械研磨系は、任意選択で消泡剤をさらに含む。消泡剤は、任意の好適な消泡剤であることができる。好適な消泡剤としては、ケイ素系及びアセチレンジオール系の消泡剤が挙げられるがそれらに限定されない。研磨用組成物中に存在する消泡剤の量は、典型的には４０〜１４０ｐｐｍである。
【００２６】
化学機械研磨系は、任意選択で殺生物剤をさらに含む。殺生物剤は、任意の好適な殺生物剤、例えば、イソチアゾリノン殺生物剤であることができる。研磨用組成物で用いられる殺生物剤の量は、典型的には１〜５０ｐｐｍ、好ましくは１０〜２０ｐｐｍである。
【００２７】
本発明はまた、貴金属層及び第２層を含む基材を研磨する方法を提供する。第２層は、貴金属層とは異なる。とりわけ、本方法は、（ｉ）貴金属層及び第２層を含む基材を（ａ）研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分、（ｂ）臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された酸化剤、（ｃ）当該第２層の除去速度を抑える阻止化合物（stopping compound）、及び（ｄ）液体キャリヤーを含み、９以下のｐＨを有し、当該酸化剤が実質的な量の元素ハロゲンを生成しない化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む。本方法の態様及び本研磨系の成分は、基材上に存在する第２層の除去速度を抑えるのに阻止化合物を使用すること以外、その他の点では本明細書において記載されているとおりである。
【００２８】
阻止化合物は、第２層の除去速度を抑える任意の好適な化合物であることができる。好適な阻止化合物としては、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合物からなる群より選択された正に帯電された窒素含有化合物が挙げられるがそれらに限定されない。本明細書で用いられる「正に帯電された」という用語は、系の液体部分における阻止化合物の一部（例えば、５％以上、１０％以上、１５％以上又は２０％以上）が、本発明の研磨系の操作ｐＨにおいてカチオン性の形態であることを意味する。好ましくは、阻止化合物は、系の液体部分の操作ｐＨよりも高い１以上の単位であるｐＫａ値を有する。好ましい阻止化合物としては、ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、Ｎ4−アミノ（Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−アミノプロピル］エチレンジアミン）、４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、３，３−ジメチル−４，４−ジアミノジシクロヘキシルメタン、２−フェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルジプロピレントリアミン、３−［２−メトキシエトキシ］プロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、及びそれらの混合物が挙げられる。加えて、好ましい阻止化合物としては、イソホロンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、シクロヘキシル−１，３−プロパンジアミン、チオミカミン（thiomicamine）、（アミノプロピル）−１，３−プロパンジアミン、テトラエチレンペンタミン、テトラメチルブタンジアミン、プロピルアミン、ジアミノプロパノール、アミノブタノール、（２−アミノエトキシ）エタノール、及びそれらの混合物が挙げられる。
【００２９】
本発明の使用に好適な阻止化合物としては、さらにポリマーが挙げられる。好適なポリマーとしては、アミン含有ポリマーが挙げられるがそれに限定されない。好適なアミン含有ポリマーは、アミノ官能基の窒素原子を隔てる５個以上の連続した原子を有することが好ましい。例えば、アミン含有ポリマーは、アミノ官能基の窒素原子を隔てる７個以上（例えば、１０個以上）の連続した原子を有することができる。したがって、ポリビニルアミン及びポリエチレンイミン（それぞれアミノ官能基の窒素原子を隔てる３個の連続した原子を有する）のようなアミン含有ポリマーは、このようなアミン含有ポリマーとしては適していない。アミン含有ポリマーは、アミノ官能基を含有する反復単位を含む縮合ポリマーであることができる（例えば、ポリアミノアミド）。このような縮合ポリマーは、ポリアミンモノマーと二酸モノマーの反応によって調製することができる。好ましくは、縮合コポリマーは、ジエチレントリアミン／アジピン酸の縮合コポリマーである。アミン含有ポリマーはまた、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリドであることができるか、又は１つ若しくは複数のアミン官能基を含有する反復単位と、アミド、酢酸ビニル、ビニルアルコール、酸化エチレン、及び酸化プロピレンからなる群より選択される反復単位とを含むコポリマーであることができる。例えば、アミン含有ポリマーは、ビニルアミンとビニルアルコールのコポリマーであることができる。
【００３０】
好適なアミン含有ポリマーとしては、さらに１つ又は複数のアミン官能基を含む少なくとも１つのポリマーブロックと、アミン官能基を含まない少なくとも１つのポリマーブロックとのブロックコポリマーが挙げられる。アミン含有ブロックコポリマーは、ＡＢジブロック、ＡＢＡトリブロック、又はＡＢＣトリブロックコポリマーであることができる。アミン含有ブロックコポリマーはまた、グラフトコポリマーであることができる。典型的には、１つ又は複数のアミン官能基を含むポリマーブロックは、アミン含有ブロックコポリマーの１０ｗｔ％以上である。好ましくは、１つ又は複数のアミン官能基を含むポリマーブロックは、アミン含有ブロックコポリマーの２０ｗｔ％以上（例えば、４０ｗｔ％以上）である。アミン含有ブロックは、任意のアミン含有ポリマーブロックであることができ、アミノ官能基の窒素原子を隔てる３つ以上（例えば、５個以上）の連続した原子を有することができる。
【００３１】
好適な阻止化合物としては、第１の解離性酸のｐＫａが化学機械研磨系のｐＨよりも実質的に大きくない少なくとも２つの酸基を含有する化合物がさらに挙げられる。本明細書で用いられるときには、第１の解離性酸のｐＫａは、ｐＫａが研磨系のｐＨよりも０．５単位大きいに過ぎない場合には化学機械研磨系のｐＨよりも実質的に大きくない。好ましい阻止化合物としては、ヒドロキシル基がα位にある２つ以上のカルボキシレート基を有する化合物、例えば、直鎖のモノ−及びジ−カルボン酸及びそれらの塩（例えば、リンゴ酸、リンゴ酸塩、酒石酸、酒石酸塩、グルコン酸、及びグルコン酸塩）、二級又は三級ヒドロキシル基がカルボキシル基に対してα位にあるトリ−及びポリカルボン酸及びそれらの塩（例えば、クエン酸及びクエン酸塩）、並びにベンゼン環を含有する化合物（例えば、オルトジ−及びポリヒドロキシ安息香酸及びそれらの塩、フタル酸及びその塩、ピロカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸塩、タンニン酸、及びタンニン酸塩）が挙げられる。
【００３２】
以下の例によって本発明をさらに説明するが、当然ながら、これらの例は、何ら本発明の範囲を限定するものとして解されるべきではない。
【実施例】
【００３３】
［例１］
本例は、研磨系に関連した範囲においてルテニウムの研磨に関する酸化剤の効果を示すものである。
【００３４】
ルテニウムの溶解及び腐食速度は、異なる研磨用組成物（研磨用組成物１Ａ〜１Ｄ）の存在下でルテニウムの回転ディスク電極（ＲＤＥ）を用いて電気化学的に評価した。ルテニウム電極を５００ｒｐｍで回転させ、研磨パッドと９０ｋＰａ（１３ｐｓｉ）の下向き力で以って接触させた。金属の溶解速度は、電極表面が削られているとき（溶解速度）と削られた後（腐食速度）に評価した。ルテニウムの活性は電流密度として測定し、次いでファラデーの法則によって溶解速度又は腐食速度（Å／分）に再計算した。
【００３５】
各研磨用組成物（研磨用組成物１Ａを除く）は、約１Ｎの濃度の酸化剤を含有し、ｐＨが約１であった。ルテニウムに関する溶解速度と腐食速度を各化学機械研磨系について測定した。その結果を表１にまとめる。
【００３６】
【表１】
2007526626.tif 000002
【００３７】
これらの結果は、比較的高い貴金属の溶解速度が本発明の方法によって得られることを示している。
【００３８】
［例２］
本例は、研磨系に関連した範囲においてイリジウムの研磨に関する酸化剤の効果を示すものである。
【００３９】
イリジウムの溶解及び腐食速度は、異なる研磨用組成物（研磨用組成物２Ａ〜２Ｅ）の存在下でイリジウムの回転ディスク電極（ＲＤＥ）を用いて電気化学的に評価した。イリジウム電極を５００ｒｐｍで回転させ、研磨パッドと９０ｋＰａ（１３ｐｓｉ）の下向き力で以って接触させた。金属の溶解速度は、電極表面が削られているとき（溶解速度）と削られた後（腐食速度）に評価した。イリジウムの活性は電流密度として測定し、次いでファラデーの法則によって溶解速度又は腐食速度（Å／分）に再計算した。
【００４０】
各研磨用組成物（研磨用組成物２Ａを除く）は、約１Ｎの濃度の酸化剤を含有し、ｐＨが約１であった。イリジウムに関する溶解速度と腐食速度を各化学機械研磨系について測定した。その結果を表２にまとめる。
【００４１】
【表２】
2007526626.tif 000003
【００４２】
これらの結果は、比較的高い貴金属の溶解速度が本発明の方法によって得られることを示している。
【００４３】
［例３］
本例は、イリジウム含有基材の研磨に関して研磨系における酸化剤の効果を比較するものである。
【００４４】
イリジウム、酸化ケイ素、及び窒化ケイ素を含む同様の基材を異なる研磨用組成物（研磨用組成物３Ａ〜３Ｆ）で研磨した。各研磨用組成物は４ｗｔ％のシリカを含有し、ｐＨが約４であった。加えて、各研磨用組成物（研磨用組成物３Ａを除く）は酸化剤を含有していた。各研磨用組成物３Ｂ〜３Ｆの酸化剤の名称及び濃度を表３に記載する。
【００４５】
イリジウムの除去速度（ＲＲ）及び面内均一性（ＷＩＷＮＵ）を各化学機械研磨系について測定し、その結果を表３にまとめる。
【００４６】
【表３】
2007526626.tif 000004
【００４７】
これらの結果は、本発明の方法が、貴金属含有基材を比較的高速で研磨するのに使用できることを示している。とりわけ、基材が本発明の方法に従って研磨される場合には、貴金属の除去速度は、酸化剤を用いない場合の除去速度よりも約２０〜１００倍高い。本発明の方法は、酸化剤として過酸化水素を用いた研磨方法と比べて同様の向上を示している。本発明の方法では、酸化剤を使用しない同様の方法と比べて面内均一性が実質的に減少した。さらには、研磨用組成物３Ｄ及び３Ｅを用いた本発明の方法は、酸化剤として過酸化水素を用いた研磨方法と比べて面内均一性の顕著な減少を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）貴金属層及び第２層を含む基材を
（ａ）研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分、
（ｂ）臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された酸化剤、
（ｃ）当該第２層の除去速度を抑える阻止化合物（stopping compound）であって、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合物からなる群より選択された正に帯電された窒素含有化合物である阻止化合物、及び
（ｄ）液体キャリヤーを含み、９以下のｐＨを有し、当該酸化剤が実質的な量の元素ハロゲンを生成しない化学機械研磨系と接触させる工程、並びに
（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法。
【請求項２】
前記有機ハロオキシ化合物が、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−ブロモアセトアミド、Ｎ−ブロモベンゾフェノンイミン、ヨウ素トリアセテート（iodine triacetate）、ヨウ素トリス（トリフルオロアセテート）（iodine tris（trifluoroacetate））、ヨードベンゼンジアセテート、ペンタフルオロヨードベンゼンビス（トリフルオロアセテート）、ヨードソベンゼン、ヨードキシベンゼン、ヨードキシ安息香酸、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学機械研磨系が７以下のｐＨを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記化学機械研磨系が４以下のｐＨを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記化学機械研磨系が１〜４のｐＨを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記金属層が、白金、イリジウム、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、金、それらの窒化物、それらの酸化物、及びそれらの合金からなる群より選択された貴金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記金属層がルテニウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の酸化剤を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化剤が臭素酸塩又はヨウ素酸塩である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤー中に懸濁している研磨剤を含み、当該研磨剤が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された金属酸化物の研磨剤である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物の研磨剤がシリカである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が研磨パッドに固定される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属層がイリジウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の酸化剤を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記化学機械研磨系が、液体キャリヤーとその中に溶解又は懸濁している任意の成分の質量に基づいて０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の酸化剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸化剤が臭素酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記酸化剤がヨウ素酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が液体キャリヤー中に懸濁している、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記液体キャリヤーが水を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記研磨剤が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された金属酸化物の研磨剤である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記金属酸化物の研磨剤がシリカである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記液体キャリヤーが水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記化学機械研磨系が研磨剤を含み、当該研磨剤が研磨パッドに固定される、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記化学機械研磨系が、錯化剤、ｐＨ緩衝剤、界面活性剤、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される成分をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記阻止化合物が、ポリエーテルアミン、Ｎ−４−アミノ（Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−アミノプロピル］エチレンジアミン）、４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、３，３−ジメチル−４，４−ジアミノジシクロヘキシルメタン、２−フェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルジプロピレントリアミン、３−（２−メトキシエトキシ）プロピルアミン、イソホロンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、シクロヘキシル−１，３−プロパンジアミン、チオミカミン（thiomicamine）、（アミノプロピル）−１，３−プロパンジアミン、テトラエチレンペンタミン、テトラメチルブタンジアミン、プロピルアミン、ジアミノプロパノール、アミノブタノール、（２−アミノエトキシ）エタノール、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記阻止化合物がアミン含有ポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記アミン含有ポリマーが、アミノ官能基の窒素原子を隔てる５個以上の連続した原子を有する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記阻止化合物が、アミノ官能基を含有する反復単位を含む縮合ポリマー、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、並びに１つ又は複数のアミン官能基を含有する反復単位と、アミド、酢酸ビニル、ビニルアルコール、酸化エチレン及び酸化プロピレンからなる群より選択される反復単位とを含むコポリマーからなる群より選択されるアミン含有ポリマーである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記アミン含有ポリマーが、１つ又は複数のアミン官能基を含む少なくとも１つのポリマーブロックと、アミン官能基を含まない少なくとも１つのポリマーブロックとのアミン含有ブロックコポリマーである、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
（ｉ）貴金属層及び第２層を含む基材を
（ａ）研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択された研磨成分、
（ｂ）過塩素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択された酸化剤、
（ｃ）アミノ官能基の窒素原子を隔てる５個以上の連続した原子を有するアミン含有ポリマー、及び
（ｄ）液体キャリヤーを含み、９以下のｐＨを有し、当該酸化剤が実質的な量の元素ハロゲンを生成しない化学機械研磨系と接触させる工程、並びに
（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法。
【請求項３１】
前記アミン含有ポリマーが、アミノ官能基を含有する反復単位を含む縮合ポリマー、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、並びに１つ又は複数のアミン官能基を含有する反復単位と、アミド、酢酸ビニル、ビニルアルコール、酸化エチレン及び酸化プロピレンからなる群より選択される反復単位とを含むコポリマーからなる群より選択される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記アミン含有ポリマーが、１つ又は複数のアミン官能基を含む少なくとも１つのポリマーブロックと、アミン官能基を含まない少なくとも１つのポリマーブロックとのブロックコポリマーである、請求項３０に記載の方法。
【国際調査報告】
2007526626.tif 000005
2007526626.tif 000006
2007526626.tif 000007