(57)【要約】  セラミック基体が金属のシールドストラクチャを備えている、セラミックのマイクロ波共振器から構成されている送受切換器が提案される。シールドストラクチャは基体の端面上の端面プレートと、上側のシールドベント部と、少なくとも１つの下側のシールドベント部とを有している。基体の上面においてシールドベント部が相応の溝において延在しておりかつ最終的にセラミック基体の残りの上面と面一に終端している。こうして電気的な特性を同じにして、送受切換器の全構造高さを低減することができる。
2007524291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  それぞれセラミックのマイクロ波共振器から構成されているＲＸフィルタおよびＴＸフィルタを備え、
−  内部に金属化された孔（ＲＢ）を備えているセラミック基体（ＧＫ）を有しており、ここで前記孔は端面（ＳＦ）から基体全体を通って該端面と相対向している、基体の底面にまで達しており、
−  外部金属化部（ＡＭ）を備え、該外部金属化部は前記端面を除いて基体の表面をほぼ閉じるように被覆しており、
−  金属のシールドストラクチャ（ＳＴ）が設けられており、該シールドストラクチャは端面とは間隔をおいて、端面に対して平行に延在している前側の端面プレート（ＳＰ）と、基体の上面に載着されている上側のシールドベント部（ＯＢ）と、基体を下から把持している下側のシールドベント部（ＵＢ）とを有しており、ここで
−  上側および下側のシールドベント部はそれぞれ、該上側および下側のシールドベント部を収容する、基体の表面における上側および下側の溝内に延在しており、
−  端面プレート（ＳＰ）は２つの側方の、外側の端部において延長されておりかつ側方のシールドベント部（ＳＢ）に移行し、該側方のシールドベント部は送受切換器を側方で包囲的にカバーしかつ単数または複数の基体（ＧＫ）の側方の凹部に配置されている
送受切換器。
【請求項２】
モノリシックな基体（ＧＫ）が設けられており、該基体にＲＸおよびＴＸフィルタが実現されており、
上側のシールドベント部（ＯＢ）は孔の長手方向軸線に対して平行に延在している長手方向部分（ＬＡ）を有しており、該長手方向部分は基体の幅に対して相対的に見て狭く実現されている
請求項１記載の送受切換器。
【請求項３】
ＲＸおよびＴＸフィルタは相互に別個の基体（ＧＫ）に実現されており、かつ
上側のシールドベント部（ＯＢ）は孔の長手方向軸線に対して平行に延在している長手方向部分（ＬＡ）を有しており、該長手方向部分は基体の幅に対して相対的に見て狭く実現されており、中央で分離継ぎ目上方に配置されておりかつ２つの基体の上面の一部を被覆している
請求項１記載の送受切換器。
【請求項４】
シールドストラクチャ（ＳＴ）は２つの下側のシールドベント部（ＵＢ）を有しており、該下側のシールドベント部は端面プレート（ＳＰ）と共にπ字形状のストラクチャを形成しかつ基体（ＧＫ）の長さに比べて短縮されている端部を有しており、該端部が単数または複数の基体を下方で把持している
請求項１から３までのいずれか１項記載の送受切換器。
【請求項５】
上側のシールドベント部（ＯＢ）は基体（ＧＫ）の長さの一部にわたってのみ延在している
請求項１から４までのいずれか１項記載の送受切換器。
【請求項６】
ＲＸおよびＴＸフィルタは相互に別個の基体（ＧＫ）において実現されており、該基体は相互に僅かな間隔をおいて配置されている
請求項３から５までのいずれか１項記載の送受切換器。
【請求項７】
シールドストラクチャ（ＳＴ）は単数または複数の基体と機械的なかしめ、接着またははんだ付けによって接続されている
請求項１から６までのいずれか１項記載の送受切換器。
【請求項８】
端面プレート（ＳＰ）および側方のシールドベント部（ＳＢ）から成る少なくとも１つのエレメントは、基体の高さｈＧより僅かな高さｈＧを有している
請求項１から７までのいずれか１項記載の送受切換器。
【請求項９】
端面プレート（ＳＰ）は同じ幅を持った金属のストライプから形成されており、該ストライプの端部は両側において後方に曲げ出されておりかつ側方のシールドベント部を形成する
請求項８記載の送受切換器。
【請求項１０】
端面プレート（ＳＰ）は横ビーム（ＱＡ）から形成されており、かつ上側のシールドベント部（ＯＢ）はＴ字形状の薄板部分の脚部から形成されており、ここで横ビームは部分的に基体（ＧＫ）の上面に載着されておりかつ前側で端面（ＳＦ）の周囲に該端面に対して僅かな間隔をおいて下方に曲げられている
請求項１から９までのいずれか１項記載の送受切換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
送受切換器はデータ伝送システムの所定の周波数バンドの受信および送信信号を分離するための周波数バンド分離回路であり、その際データ伝送は双方向において１つの共通のアンテナを介して行われる。送受切換器はそれぞれの信号路に通例はバンドパスフィルタを、例えば音波によって動作するフィルタまたは複数の電気的および機械的に相互に接続されている、例えばマイクロ波セラミックにおいて実現されている誘電共振器から成っているフィルタを有している。その際送受切換器は、パスが相互に影響し合わずかつ例えば送信信号が受信パスに入力結合しないことを保証する。
【０００２】
公知のマイクロ波セラミックフィルタは、誘電セラミック基体に実現されている少なくとも１つの共振器から成っている。このために基体は内壁が金属化されている中央孔を有している。セラミック基体の外壁も端面を除いて金属化されておりかつ金属化されていな端面に向き合っている短絡面で金属化された孔とコンタクト形成されている。外部金属化部とは直流的に分離されて下面側または側面に電気的な接続面があって、この面は本来の共振器を成す金属化された孔に対する容量結合のために用いられる。
【０００３】
マイクロ波セラミックフィルタは、それが比較的簡単に設計されかつコスト面で有利に製造することができるという利点を有している。さらにマイクロ波セラミックフィルタは僅かな挿入減衰を有している。
【０００４】
ＵＳ５６８６８７３号からモノリシックな送受切換器が公知である。そこでは唯一のセラミック体が設けられており、該セラミック体にそれぞれ複数の結合された共振器から成っている送信分路および受信分路が配置されている。この種のモノリシックな送受切換器の利点はその作製にある：１つのセラミック体が一体にプレスされればいいだけで、このために２つのセラミック体の作製に比べて製造は著しく簡単化である。
【０００５】
特許ＵＳ５９５９５１１Ｂ１から公知のモノリシックな送受切換器は電磁シールドのためおよびＲＸフィルタ（入力側フィルタまたは受信フィルタ）とＴＸフィルタ（送信または出力側フィルタ）との間の遮断減衰の改善のために金属のシールド薄板を有している。その際シールド薄板はその中に共振器孔が形成されている、送受切換器の端面に対して僅かな間隔をおいて配置されておりかつ幅全体が更に送受切換器上面の少なくとも一部の上方に延在している。これにより送受切換器の構造高さは薄板の厚みに応じて、シールド薄板の申し分のない安定性のために必要である少なくとも０．２ｍｍだけ高められる。僅か約２ｍｍという所望される全高さの場合、いずれにせよこれだけで１０％もの付加的な高さを占めることになる。
【０００６】
殊にＱのような、マイクロ波セラミックフィルタの種々の特性は共振器を横断する方向に測定される、フィルタの高さに依存している。フィルタのユーザによって望まれる、構造高さの一層の低減はこれと結び付いている品質損失に関して自然の限界とぶつかる。というのは構造高さを低減すれば結果的にパフォーマンスを著しく損ないかつ殊に両方の分岐における挿入減衰を高めることになるからである。
【０００７】
それ故に本発明の課題は、少なくとも電気的な特性は同じにしておいてシールドを備えた公知の送受切換器に比べてより低い構造高さを有している、シールドを備えた送受切換器を提供することである。
【０００８】
この課題は請求項１記の送受切換器によって解決される。本発明の有利な実施形態はその他の請求項から読み取れる。
【０００９】
少なくとも１つのセラミック基体に実現されているＲＸフィルタおよびＴＸフィルタが提供される。フィルタのそれぞれは内部に金属化された孔を有している。孔はセラミック基体の端面から該端面に相対向している底面にまで達している。それぞれの基体は外部金属化部を有しており、外部金属化部は端面を除いて基体の表面をほぼ閉じるように被覆している。本発明によれば、端面とは間隔をおいて、端面に対して平行に延在している前側の端面プレートと、基体の上面側に載着されている上側のシールドベント部と、基体を下から把持している下側のシールドベント部とを有している金属のシールドストラクチャが設けられている。基体とコンタクトしている、上側および下側のシールドベントの部分は、基体の表面における、これらベント部を収容する上側および下側の溝内に延在している。
【００１０】
このような仕方で埋設されているシールドベント部を備えている送受切換器のセラミック基体は寸法を同じとした場合、従来のシールドストラクチャを備えている公知の送受切換器の基体よりも大きな容積を有している。このことは、外側の寸法を同じとした場合本発明の送受切換器のＱが公知のものに比べて改善されていることを意味する。択一的に、送受切換器はＱを同じに維持した場合には従来のものより僅かな外側の寸法でもって作製することができる。
【００１１】
更に本発明の送受切換器のコンパクトな構造も有利である。有利にはセラミック基体の表面はシールドストラクチャもしくはシールドベント部の相応の部分の、外を向いている表面と面一に閉じている。機体の表面に埋設されているシールドベント部は更に結果的に、シールドストラクチャの、基体に対する一層強固な保持が実現されるということになる。本発明の送受切換器はシールドストラクチャの付加的なハンダ付けまたは接着なしに直ちに使用することができる。シールドストラクチャの、基体での申し分ない機械的な固定により、ハンダ付けまたは接着を用いて更に固定すれば申し分ない固定が保証されることにもなる。凹部により更にシールドストラクチャの、基体での正確に見当の合った勘合が保証される。ここで勘合は、凹部によって予め定められている、シールドベント部、ひいてはシールドストラクチャを係合させることができる所望のポジションに正確に相応している。
【００１２】
本発明の送受切換器は、ＲＸおよびＴＸフィルタが実現されている唯一のモノリシックなセラミック基体から成っていることができる。その際上側のシールドベント部は孔の長手方向軸線に対して平行に延在している長手方向部分を有しており、該長手方向部分は基体の幅に対して相対的に見て狭く実現されている。すなわち、この長手方向部分は表面の部分しか占めておらず、その際長手方向部分の両側において基体は長手方向部分もしくは相応の凹部の領域におけるよりも大きな高さを有している。上側のシールドベント部の幅および殊に狭い長手方向部分の幅は、申し分ないシールド機能が実現されるように選択されている。同時に、基体の上側における上側のシールドベント部の面に相応する、凹部の面部分は著しく低減されており、これにより外側寸法が決められているとした場合に基体の容積は最大値に調整設定される。
【００１３】
しかし、ＲＸおよびＴＸフィルタに対して、有利には送受切換器内に相互に間隔をおいて配置されている相互に別個の基体を設けることも可能である。上側のシールドベント部はこの場合、孔の長手方向軸線に対して平行に延在している長手方向部分を有しており、該長手方向部分は基体の幅に対して相対的に見て狭く実現されており、中央で分離継ぎ目上方に２つの基体の間に配置されておりかつ２つの基体の上面の一部を被覆している。これにより、上側のシールドベント部が２つの基体を包含しかつこれらをシールドストラクチャに対して相対的にかつ相互に相対的に固定することが保証されている。この場合、幅広になっているまたは２つの相互に離間している下側のシールドベント部が設けられている。それぞれが２つの基体の一方を固定する２つの上側のシールドベント部が設けられていることも勿論可能である。しかしシールド機能に関して、上側のシールドベント部を中央にＲＸフィルタとＴＸフィルタとの間の領域に配置することは有利である。
【００１４】
下側のシールドベント部はシールドストラクチャを基体に固定するためもしくは単数または複数の基体の、シールドストラクチャに対する固定のための純機械的な機能を有している。１つの下側のシールドベント部を設けるだけでも、もしくは１つだけのベント部で基体を下方から把持する下側のシールドベント部を設けることで十分である。しかし有利にはシールドストラクチャは２つの下側のシールドベントもしくは２つのベント端部を有しており、これらは相互に間隔をおいて１つのモノリシックな基体を下からまたは２つの基体を下から把持している。２つの下側のシールドベント部を設けた場合、上側のシールドベント部と合わせて単数または複数のセラミック基体に対する３点固定が生じるという利点が得られる。更に、こうして基体の中央の領域で２つの下側のシールドベント部の間に自由に接近できる場所が残るので、そこに通例設けられている、外部の回路環境と接続するための電気的な接続面を成している結合ストラクチャに自由に接近できる状態にとどまる。
【００１５】
下側のシールドベント部は有利にはできるだけ短く実現されているので、単数または複数の基体の下方からの把持によってまだ十分な機械的な保持が保証されている。
【００１６】
有利なシールドストラクチャは、２つの側方の、外側の端部で延長されておりかつ、後方にセラミック基体の方向に曲げられておりかつ単数または複数の基体を側方から把持する側方のシールドベント部に移行する端面プレートを有している。側方のシールドベント部も単数または複数の基体の表面内の側方の凹部において延在しており、その際側方のシールドベント部の高さは単数または複数のセラミック基体の高さより僅かである。
【００１７】
この配置構成は、単数または複数のセラミック基体がシールドストラクチャに対して相対的におよび相互に相対的に一層良好に固定されているという利点を有している。
【００１８】
有利には、２つの下側のシールドベント部は端面プレートと一緒にπ字形状のストラクチャを形成し、一方上側のシールドベント部は端面プレートと一緒にＴ字形状のストラクチャを成している。シールドストラクチャのＴ字形状部分は、シールドストラクチャの長手方向部分を形成しているＴ字の脚部だけが基体の上側に載着されているように実現することができる。しかしバー状の横方向部分の一部が基体の上側に載着されているようにすることも可能である。基体の端部においてバー状の横方向部分は下方に曲げ出されておりかつそこで曲げられた部分によって端面プレートを成している。
【００１９】
上側のシールドベント部が単数または複数の基体の全長にわたっては延在しておらず、それ故に基体の底面にまで達していないようにすれば有利である。
【００２０】
シールドストラクチャは単数または複数の基体と、機械的な係合およびかしめによってのみ、更には付加的に接着またははんだ付けによって接続されていることができる。その際この接続は有利には、後にアースと接続される外部金属化の領域において行われている。この仕方において、外部金属化部のアース結合を介して同時にシールドストラクチャがアースされておりかつその際に一層良好なシールド作用を発揮できることとなる。しかしシールドストラクチャを外部のアース接続端子と接続して、外部金属化部の、外部のアース接続端子との別個の接続を省略することができるようにすることも可能である。
【００２１】
上述したように、一方において単数または複数の基体の端面にまで形成されている孔を外部の影響に対して保護しかつ他方において上側のシールドベント部を介してＲＸフィルタおよびＴＸフィルタ間の阻止作用を改良する働きをする、シールドストラクチャのシールド機能は主要には、端面プレートおよび上側のシールドベント部によって実現される。しかし端面プレートの高さがセラミック基体の高さより僅かであれば有利である。このようにすれば端面における孔は接近可能にとどまるので、シールドストラクチャの取り付け後送受切換器のここのフィルタまたは全体の送受切換器のトリミングもしくは補整が依然可能である。端面から孔の領域の材料を除去することによってトリミングを行うことができる。
【００２２】
端面プレートおよび側方のシールドベント部の有利な形態は一様な幅の狭い金属のストライプから成っており、ストライプの、セラミック基体に向かって後方に曲げられている端部が側方のシールドベント部を成す。
【００２３】
次に本発明を実施例および所属の図に基づいて詳細に説明する。よりよい理解のために、各図は縮尺通りでなはなく、略示されているにすぎず、さらに詳細なディーテルの表示も省略される。
【００２４】
図１は本発明の送受切換器を前方上方から見た斜視図であり、
図２は本発明の送受切換器を側面から見た図であり、
図３は本発明の送受切換器を上から見た図であり、
図４は本発明の送受切換器を前方上方から見た斜視図である。
【００２５】
図１は本発明の送受切換器の有利な実施形態を示している。送受切換器は実質的に、第１のフィルタＦ１および第２のフィルタＦ２から成っている。これらのフィルタはＲＸフィルタおよびＴＸフィルタとして実現されておりかつ唯一のモノリシック基体にまたは２つの相互に別個のセラミック基体に実現されていてよい。鎖線ＴＬはモノリシック基体における仮想の分離面もしくは２つの別個の基体間の実際の分離をシンボリックに示している。
【００２６】
シールドストラクチャＳＴは有利には、相応に打ち抜かれかつ曲げられた金属薄板から一体に実現されている。このシールドストラクチャは単数または複数の基体ＧＫに装着されている。図示のシールドストラクチャＳＴは１つの端面プレートＳＰ、１つの上側のシールドベント部ＯＢ、２つの下側のシールドベント部ＵＢ並びにここでは２つの側面のシールドベント部ＳＢから成っている。図示の有利な実施例において端面プレートＳＴおよび側面のシールドベント部ＳＢは統一の高さｈＳを有している。この高さは基体ＧＫの高さｈＧより僅かである。
【００２７】
２つのフィルタのそれぞれは内側が金属化されている共振器孔ＲＢを有している。これらは基体の全長にわたって延在している。フィルタ当たり少なくとも２つの共振器孔が設けられている。しかし有利にはそれぞれのフィルタは図示のように３つ（図示の通り）またはそれ以上の数の共振器孔を有しており、その際孔の真ん中のものは、極位置またはノッチを実現するいわゆる結合孔である。通過バンドの直接近傍に置かれているときこれらによって、通過バンドの側縁を急峻にすることができるかまたはこれらを用いて択一的に所望の周波数を抽出することができる。
【００２８】
シールドストラクチャは有利には、厚さが安定性判断基準で選択されている非磁性の金属薄板から構成されている。申し分ない安定性は例えば約０．１ｍｍ厚からの薄鋼板を有しており、その場合有利には約０．１５ないし０．２０ｍｍの厚さが選択される。しかし例えば洋銀または銅含有合金のような別の金属または合金から成るシールドストラクチャＳＴを作製することも可能である。シールド作用にとって重要なのは、導電性能が良好なことである。良好な加工性能のためには、シールドストラクチャもしくはシールドストラクチャの材料が良好なハンダビリティを有していると有利である。このようなシールドストラクチャは適当な材料選択または相応の薄い被膜によってもはんだ付け不能な材料に使用することも可能である。
【００２９】
送受切換器の申し分ない機能のために、端面プレートＳＰの、端面ＳＦからのある程度の最小距離が必要であり、それは例えば０．５ｍｍである。
【００３０】
上側のシールドベント部ＯＢ、側方のシールドベント部ＳＢおよび下側のシールドベント部ＵＢはセラミックな基体ＧＫに相応のくぼみないし溝もしくは凹所に配置されているので、シールドベント部の表面は露出している基体の残りの表面と平らに終わっている。
【００３１】
図２は本発明の送受切換器を側方から見ている。図示の実施例において側方のシールドベント部ＳＢは短めに実現されておりかつ基体ＧＫの全長ＬＧに達していない。下側のシールドベント部ＵＢが短くしか実現されておらずかつまっすぐに基体ＧＫの下方に延在しているのもよく分かる。実施例において上側のシールドベント部ＯＢは基体ＧＫの全長ＬＧにわたって延在している。破線によって、上側のシールドベント部および下側のシールドベント部が図平面の後ろに配置されておりかつ、凹所内に延在しかつそれ故に基体ＧＫの上表面もしくは基体の下面より突出していないことが示されている。従って送受切換器の全体の高さは図示の実施例においては基体の高さｈＧに相応している。適当な高さは例えば２ｍｍである。
【００３２】
図から、端面プレートＳＰの、端面ＳＦからの距離もよく分かる。付加的に、送受切換器がどのような配置でベースプレートＢＰに配置されかつマウントされるかが図示されている。その際下面はベースプレートに向いており、ここにおいて、外部金属化またはシールドストラクチャＳＴに対する、相応の接続面への電気的な接続も単数または複数の基体の下面において行われる。
【００３３】
送受切換器の共平面性が実質的に、セラミック基体ＧＫの実現可能な共平面性によって並びにシールドストラクチャＳＴの実現可能な共平面性によって下側のシールドベント部ＵＢの領域において定められることも図から明らかになる。今日のメソッドにより例えばセラミック基体に対して０．０２ｍｍの、平面からの最大偏差が実現され、一方シールドストラクチャにおいて維持可能な許容偏差は０．０１ｍｍの領域にある。この僅かな偏差により送受切換器の全体の高さは一層低減されかつベースプレートＢＰ、例えばプリント配線板またはプリント回路でのハンダ付けが容易になる。
【００３４】
図３には、本発明の送受切換器が平面にて示されている。これは２つの基体から成り、これらは第１のフィルタＦ１および第２のフィルタＦ２を形成している。２つのフィルタ、ＲＸフィルタおよびＴＸフィルタは約０．１〜１．０ｍｍの僅かな相互間隔において、例えば０．５ｍｍの相互間隔において配置されている。この図から、シールドストラクチャＳＴは端面を除いて全面でセラミック基体もしくは２つのセラミック基体を面一に終端しており、これらを突出していないことがよく分かる。従って基体ＧＫに延在している安全ベント部が延在している凹部は、それがシールドストラクチャＳＴに対して使用される金属の材料厚さにちょうど対応している程度の深さである。
【００３５】
図４には別様な構造を持っているシールドストラクチャを備えた別の実施例が示されている。この実施例も唯一のモノリシックな基体ＧＫに適しているかまたは択一的に図示されているように、ＦＸフィルタおよびＴＸフィルタがそれぞれの基体ＧＢから成っている送受切換器にも適している。シールドストラクチャは上側のシールドベント部ＯＢ、端面プレートＳＰおよび２つの下側のシールドベント部ＵＢから成っている。上側のシールドベント部ＯＢは、共振器孔ＲＢの長手方向の拡がりに対して平行に配置されておりかつ２つの基体ＧＫの間もしくは２つのフィルタＦ１およびＦ２の間の分離継ぎ目を覆っている長手方向部分ＬＡから成っている。基体の端面ＳＦの方向において上側のシールドベント部ＯＢは横断方向部分ＱＡに移行する。この部分は長手方向部分ＬＡの幅より大きな幅を有しておりかつこれと共にＴ字形のストラクチャを成している。上側のシールドベント部の横断方向部分は一部分だけが基体ＧＫに載っており、残りは張り出しかつ端部で、それが端面プレートＳＰを成しているところで下に向けて曲げ出されている。端面プレートＳＰはここでも、フォーク形状に下方に向かって２つお下側のシールドベント部ＵＢに成っている。これらは基体ＧＫの下縁部で後方に大きく曲げられておりかつこれらを下から支えている。基体ＧＫに載っているシールドストラクチャＳＴのすべての面は基体内の相応の溝に延在しておりかつ基体の上面と面一につながっている。
【００３６】
シールドストラクチャの端面プレートＳＰにより２つのフィルタＦ１およびＦ２の全体の共振器孔ＲＢに対する申し分ない接近が可能になりかつこうして、フィルタの、シールドストラクチャとの接続後に後からのチューニング、トリミングまたは調整が可能になる。にも拘わらず大きさの低減されたこのシールドストラクチャでも、ＲＸもしくはＴＸバンドにおける最適な遮断減衰（それぞれの相手バンドに対して）並びにＴＸバンドに対するＲＸバンドの申し分ないアイソレーションもしくはＲＸバンドに対するＴＸバンドの所望の目的が充足される。上側のシールドベント部の比較的幅広の横断方向部分ＱＡに基づいて、この実施例により２つの基体の特別申し分ない固定が実現される。それ故にこの形態は２つの独立した個別フィルタＦ１およびＦ２から成るモジュラー構成の送受切換器に特別適している。
【００３７】
本発明をいくつかの実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれらに制限されていない。本発明の更なる構成はシールドストラクチャの正確な幾何学的な実現に関して可能である。フィルタおよびセラミック基体、共振器孔および図示されていないが、基体の下面に存在している容量静の接続面の先覚なその他の形態に関しても別の任意の変形が可能である。しかしすべての形態に共通しているのは送受切換器の総構造高さが僅かであることであり、それがシールドを備えた公知の送受切換器に対する特長となっている。変形形態は実施例においては例示しかされていない全部の材料およびサイズに関しても可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の送受切換器を前方上方から見た斜視図
【図２】本発明の送受切換器を側面から見た図
【図３】本発明の送受切換器を上から見た図
【図４】本発明の送受切換器を前方上方から見た斜視図
【図１】
2007524291.tif 000003
【図２】
2007524291.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
2007524291.tif 000007
2007524291.tif 000008
2007524291.tif 000009
2007524291.tif 000010
2007524291.tif 000011
2007524291.tif 000012