(57)【要約】（例えば４００Å以下の）非常に薄い窒化物研磨停止層（５２）を使用することにより、ＳＴＩディボットの形成をなくす、または実質的に減少させる。非常に薄い窒化物研磨停止層（５２）は、ドーパント領域（８０）を形成するための後のマスキング、注入、およびクリーニングステップの間に、そのまま除去されずに残され、ゲート酸化膜（１０１）およびゲート電極（１００）を形成する前に除去される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（５０）上に、４００Å以下の厚さで、窒化物研磨停止層（５２）を形成し、
前記窒化物研磨停止層中に開口部を形成すると共に、前記基板中にトレンチを形成し、
前記窒化物研磨停止層上に表土を形成する絶縁材料でトレンチを充てんし、
平坦な上面を形成すべく、前記窒化物研磨停止層上で停止するように研磨し、これにより、シャロートレンチ分離領域（７０）を形成する、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
５０Åから１５０Åの厚さで、前記窒化物研磨停止層（５２）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記窒化物研磨停止層（５２）の２０Åのみを除去するとともに、前記平坦な上面を形成するように研磨する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記半導体基板（５０）の上面上にパッド酸化物層（５１）を形成し、
前記パッド酸化物層（５１）上に前記窒化物研磨停止層（５２）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記シャロートレンチ分離領域（７０）に隣接する前記半導体基板中に不純物領域（８０）を形成するように、前記窒化物研磨停止層（５２）を貫通してイオンを注入する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記窒化物研磨停止層（５２）を除去し、
前記窒化物研磨停止層（５２）を除去した後、前記半導体基板上にゲート酸化層（１０１）を形成し、
前記ゲート酸化層（１０１）上にゲート電極（１００）を形成する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記窒化物研磨停止層（５２）を除去する前に、前記絶縁材料の上面が前記半導体基板の上面と実質的に同一平面となるように、前記トレンチを充てんする前記絶縁材料の上面（７０Ａ）の一部を除去するエッチングを行う、請求項６記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路半導体デバイスの製造に関する。本発明は特に、ディボット（くぼみ）のない、または実質的に形成されるディボットが少ない、高品質のシャロートレンチ分離（ＳＴＩ）を有する高集積回路半導体デバイスの形成に適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
集積回路半導体デバイスの素子の小型化が産業界を発達させるにつれて、活性領域の幅およびピッチはより小さくなっており、これによって、従来のＬＯＣＯＳ（シリコンの局所的な酸化）分離技術の使用することは問題となってしまう。
ＳＴＩは、その性質により、ＬＯＣＯＳの特性であるバーズビーク（bird’s beak）をほとんど生成しないため、コンバージョン差（conversion differences）を少なくすることができる。このため、ＬＯＣＯＳより有用な隔離技術と考えられる。
【０００３】
従来のＳＴＩ製造技術は、半導体基板の上面上にパッド酸化物を形成し、一般的には１０００Åよりも厚い窒化物（例えば窒化ケイ素）研磨停止層をその上を形成し、半導体基板中にトレンチを形成するように異方性エッチングし、窒化物研磨停止層中に開口部を形成し、トレンチ中に熱酸化ライナーを形成し、その後シリコン酸化物のような絶縁材料でトレンチを充てんし、表土（overburden；オーバーバーデン）を形成する。
その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を実行する等して、プレーナ化を実行する。
後の処理の間、窒化物層は、パッド酸化物と共に除去され、その後、活性領域が形成される。この活性領域の形成は一般的に、マスキング、イオン注入およびクリーニングステップを含んでいる。
このようなクリーニングステップの間、フィールド酸化膜の上側の角部は、酸化物フィル（oxide fill）中にボイドまたは”ディボット（divot）”を残し、等方性に除去される。
【０００４】
従来のＳＴＩ製造技術の一例を、図１ないし図４に示す。これらの図においては、同じ構造は、同じ参照符号によって示される。
図１に示すように、半導体基板１０の上面上にパッド酸化物１１が形成され、一般的に１０００Åを超える厚さでパッド酸化物１１上に窒化ケイ素研磨停止層が形成される。
その後、図示しないフォトマスクを使用して、窒化物研磨停止層１２、パッド酸化物１１を貫通する開口部が形成され、トレンチ１２が半導体基板１０中に形成される。
【０００５】
それから、図示しない熱酸化ライナーがトレンチ中に形成され、絶縁材料がたい積され、例えばＣＭＰによってプレーナ化が実行される。この結果、図２に示される中間構造が形成される。参照符号２０は、酸化物フィル（oxide fill）を示している。
その後、窒化物研磨停止層１２およびパッド酸化物層１１を除去する。また、活性領域を形成する前に、クリーニングステップを実行する。
このようなクリーニングステップは、図３に示すようなディボット３０を形成してしまう。
【０００６】
ＳＴＩディボットは、様々な観点で問題となる。例えば、ＳＴＩディボットは、特に浅いソース／ドレイン接合部において、高い電界における端部のリークの原因となる。
図４に示すように、浅いソース／ドレイン領域４０上に形成されるシリサイド領域４１は、参照符号４２によって示すように、形成された結合深さより下に急峻に下方に成長してしまい、後の段階において高いリーク電流およびショートにつながってしまう。
ＳＴＩフィールド端部におけるドーパント、特にホウ素の偏析は、接合深さを浅くする。
したがって、接合部をシリサイド化した後、シリサイド４２は基板にまで達し、ソース／ドレイン接合部からウェルまたは基板までショートすることとなり、したがって大量のリーク電流が発生することとなる。
【０００７】
さらに、ディボットが形成された結果、ＳＴＩ端部が露出することとなる場合、低いしきい値電圧を有する寄生トランジスタが、低い不純物濃度の領域にわたり形成され、トランジスタの特性曲線中にキンク（kink）を引き起こしてしまう。
このキンクの存在は、設計された電気的特性を異なる特性にしてしまう。これによって、一定の特性を有するトランジスタの製造ができなくなる。
【０００８】
したがって、ディボットのない、または実質的にディボットを減少させる、信頼性の高いＳＴＩを有する高集積回路半導体デバイスの形成を可能にする方法、が必要とされている。
【発明の開示】
【０００９】
本発明は、ディボットのない、または実質的にディボットを減少させる、信頼性の高いＳＴＩ領域を含んだ半導体デバイスを製造する方法を提供することができ、有利である。
【００１０】
本発明のさらなる利点およびその他の構造は、後述の発明の詳細な説明において説明する。その一部は以下の説明を理解した当業者には明白なものであり、または本発明を実行することによって学ぶことができる。本発明の利点は、添付の特許請求の範囲に特に記載されているように、実現し、得ることができる。
【００１１】
本発明によれば、上述およびその他の利点の一部は、半導体デバイスを製造する方法によって達成される。この方法は、半導体基板上に、４００Å以下の厚さで、窒化物研磨停止層を形成し、窒化物研磨停止層中に開口部を形成すると共に、基板中にトレンチを形成し、窒化物研磨停止層上に表土を形成する絶縁材料でトレンチを充てんし、平坦な上面を形成すべく、窒化物研磨停止層上で停止するように研磨し、これにより、シャロートレンチ分離領域を形成する過程を含んでいる。
【００１２】
本発明の実施形態の一例は、半導体デバイス基板の上面上にパッド酸化物を形成し、パッド酸化物上に、窒化物研磨停止層（例えば窒化ケイ素研磨停止層）を５０Åから１５０Å（例えば１００Å）の厚さで形成し、化学蒸着法によってたい積されたシリコン酸化物のような絶縁材料で開口部を充てんし、その後、窒化物研磨停止層の上面の２０Åのみを除去することによって、窒化物研磨停止層上で停止するプレーナ化を行うように、科学的機械的研磨（ＣＭＰ）を実行する。
本発明の実施形態の一例はさらに、シャロートレンチ分離領域に隣接する半導体基板中に不純物領域を形成すべく、窒化物研磨停止層を貫通してイオンを注入し、絶縁材料の上面が半導体基板の上面と実質的に同一平面となるように、トレンチを充てんする絶縁材料の上面の一部を除去するエッチングを行い、窒化物研磨停止層を除去する。
その後、従来の技術を使用して、基板上にゲート酸化層が形成され、このゲート酸化層の上にゲート電極層が形成される。
【００１３】
本発明のさらなる利点および態様は、以下の説明から当業者に容易に明白になるであろう。以下の記載では、本発明の好適な実施形態のみを本発明を実行するのに最適な実施形態の単なる一例として示し、説明する。理解されるように、本発明は、その他の異なる実施形態とすることができ、またその各細部は、本発明の範囲内で、複数の観点において様々な修正を加えることができる。
したがって、図面および詳細な説明は、実質的に単なる例であり、これに制限されない。
図１ないし図４において、同じ構造は同じ参照符号によって示される。また、図５ないし図１１において、同じ構造は同じ参照符号によって示される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、ＳＴＩ領域の角部にディボットを形成してしまう従来のＳＴＩ方法の実施に伴う問題を解決する。このような従来の方法は一般的に、例えば１０００Åよりも厚いような比較的厚い厚さの窒化物研磨停止層を形成することを含んでいる。
後続するステップにおいて、活性領域を形成するのにイオン注入が必要となり、厚い窒化膜はこのイオン注入を阻害してしまうので、このような厚い窒化物研磨停止層は一般的に、ＳＴＩ酸化物研磨の直後に除去される。
活性領域の形成には多くのマスキングステップ、注入ステップおよびクリーニングステップが使用され、ＳＴＩ領域の角部にディボットを形成してしまうことになる。
この問題に対する従来の手法は、例えば、後に実行される酸化物研磨クリーニングを最適化したり、ＳＴＩ酸化物を充てんする前の窒化物プルバックを最適化して、これらのディボットを最小化するようにしていた。
しかしながら、このようなアプローチでは、ＳＴＩディボットの問題を十分に解決されていない。
【００１５】
本発明によれば、例えば窒化ケイ素の非常に薄い窒化物研磨停止層が、１０Åから４００Åのように４００Å以下の厚さでたい積される。
窒化ケイ素の研磨エッチング停止層に適当な厚さは、例えば１００Åのような５０Åから１５０Åである。
【００１６】
薄い窒化物研磨停止層はＳＴＩ酸化物研磨の直後に除去されず、有利である。
より正確には、薄い窒化物エッチング停止層は、活性領域を形成するためのマスキング、イオン注入およびクリーニングステップを含んだ後の処理の間、除去されずに残される。
薄い窒化物エッチング停止層を使用すれば、充てんしたトレンチの角部を十分に保護できる。これによって、ディボットを形成することにつながるＳＴＩの角部における酸化物の等方性エッチングされないようになる。
さらに、窒化物研磨停止層が薄いので、イオン注入は阻害されない。
実際、比較的窒化物層で覆われていない素のままの（bare）シリコンの表面がすぐに一律でない自然酸化膜を形成するのに対し、窒化物の表面はより安定しているので、薄い窒化物研磨停止層の使用は、注入において、より一律な表面を提供することができる。
したがって、本発明の実施形態によれば、窒化物研磨停止層は、ゲート酸化膜が形成されるまでそのまま除去されずに残され、これによって、活性シリコン領域を保護し、さらにより平坦な表面を形成し、そして実質的にディボットを避けるまたは減らす。
【００１７】
本発明の実施形態による方法は、図５ないし図１１に概略的に示される。これらの図において、同じ構造には同じ参照符号が付されている。
図５に示すように、例えば１５０Åのように、５０Åから２００Åの厚さのパッド酸化物を、半導体基板５０の上面上に形成する。
本発明の実施形態にしたがって、パッド酸化物５１上に非常に薄い窒化ケイ素エッチング停止層５２を形成する。
窒化ケイ素エッチング停止層５２は一般的に、例えば１００Åのように、５０Åから１５０Åの厚さで形成される。
その後、例えば従来のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、トレンチ５３を基板５０中に形成する。
【００１８】
この段階において、図示していないが、トレンチを覆うように薄い熱酸化物を形成してもよい。
その後、図６に示すように、シリコン酸化物のような絶縁材料６０をたい積して、トレンチを充てんし、また、例えばＣＶＤによって窒化ケイ素研磨停止層５２上に表土を形成する。
その後、例えばＣＭＰによるプレーナ化を実行して、図７に示される中間構造を形成する。この図において、参照符号７０はＳＴＩ酸化物フィルを示す。
一般的にＣＭＰは、窒化ケイ素研磨停止層５２上で停止する際に窒化ケイ素研磨停止層５２の上面から２０Åだけが除去されるように、実行される。
【００１９】
従来の方法においては、窒化ケイ素研磨停止層はＣＭＰの後に除去され、その後、活性領域を形成するためのステップである従来のマスキング、イオン注入、およびクリーニングステップが実行される。これにより、ディボットが形成されることとになる。
しかしながら、本発明の実施形態によれば、従来の方法で実行される後のマスキング、イオン注入、およびクリーニングステップの間、比較的薄い窒化ケイ素研磨停止層５２が除去されず残され、図８に示すように、不純物領域８０を形成されることになる。この不純物領域８０は最終的に、トランジスタのソース／ドレイン領域に使用することができる。
窒化ケイ素研磨停止層５２は比較的薄いので、注入の間にイオンがブロッキングされることは事実上ほとんどない。
さらに、窒化ケイ素層は、不純物領域の形成において、より均一性を高くすることができる安定した表面を形成する。
【００２０】
その後、上面７０Ａが半導体基板５０の上面と実質的に同一平面となり、図９に示す中間構造ができるように、例えばフッ化水素酸を使用して、ＳＴＩ酸化物フィル７０の上面を除去する。
その後、例えばフッ化水素酸を使用して、窒化ケイ素研磨停止層５２を除去する。また、それからパッド酸化物層５１を除去し、図１０に記載する構造となる。
その後の処理を実行して、半導体基板５０上のゲート電極１００（半導体基板５０とゲート電極１００との間にゲート酸化膜１０１が存在する）と、その上の絶縁側壁スペーサ１０２と、を含む、図１１に示すようなトランジスタ構造を形成する。
図１１における参照符号１０３は層間絶縁膜を示し、素子５０は、基板５０上の活性領域８０まで絶縁層を貫通する電気コンタクトを示す。
【００２１】
本発明は、ディボットのない、または実質的に形成されるディボットが少ない、信頼性の高いＳＴＩ領域を有する半導体デバイスを形成することができる方法を提供する。
本発明の実施形態は、戦略的に、窒化ケイ素研磨停止層の厚さを４００Å以下に減少し、活性領域を形成する際、従来のクリーニングステップの間にトレンチの角部が等方性エッチングされないように保護すべく、ＣＭＰの直後に窒化ケイ素研磨停止層を除去せずに残し、イオン注入中に薄い窒化ケイ素研磨停止層を除去せずに残す。これにより、均一性の高い注入領域を形成する。
【００２２】
本発明は、ディボットのない、または実質的に形成されるディボットが少ないＳＴＩ領域を含んだ、信頼性の高い集積半導体デバイスの製造において、産業上の利用可能性を有する。
本発明は、特に、サブミクロンの寸法で半導体デバイスを製造する際に適用することができる。
【００２３】
上述の詳細な説明においては、特に例示的な実施形態を参照して本発明を説明した。しかしながら、添付の特許請求の範囲に記載されているように、本発明のより広い趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な変形および変更を加えることができることは明らかである。したがって、詳細な説明および図面は単なる例示であると扱われるべきであって、限定的なものとして扱われるべきではない。本発明は他の様々な組み合わせおよび環境において使用可能であり、ここに明示した発明の概念の範囲内で変更または変形が可能であることが理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】ＳＴＩ領域を形成するための従来の方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図２】ＳＴＩ領域を形成するための従来の方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図３】ＳＴＩ領域を形成するための従来の方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図４】ＳＴＩ領域を形成するための従来の方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図５】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図６】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図７】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図８】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図９】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図１０】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図１１】本発明の実施形態による方法の、連続的する段階を概略的に示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（５０）上に、４００Å以下の厚さで、窒化物研磨停止層（５２）を形成し、
前記窒化物研磨停止層中に開口部を形成すると共に、前記基板中にトレンチを形成し、
前記窒化物研磨停止層上に表土を形成する絶縁材料でトレンチを充てんし、
平坦な上面を形成すべく、前記窒化物研磨停止層上で停止するように研磨し、これにより、シャロートレンチ分離領域（７０）を形成し、
前記シャロートレンチ分離領域（７０）に隣接する前記半導体基板中に不純物領域（８０）を形成するように、前記窒化物研磨停止層（５２）を貫通してイオンを注入する、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
５０Åから１５０Åの厚さで、前記窒化物研磨停止層（５２）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記窒化物研磨停止層（５２）の２０Åのみを除去するとともに、前記平坦な上面を形成するように研磨する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記半導体基板（５０）の上面上にパッド酸化物層（５１）を形成し、
前記パッド酸化物層（５１）上に前記窒化物研磨停止層（５２）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記窒化物研磨停止層（５２）を除去し、
前記窒化物研磨停止層（５２）を除去した後、前記半導体基板上にゲート酸化層（１０１）を形成し、
前記ゲート酸化層（１０１）上にゲート電極（１００）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記窒化物研磨停止層（５２）を除去する前に、前記絶縁材料の上面が前記半導体基板の上面と実質的に同一平面となるように、前記トレンチを充てんする前記絶縁材料の上面（７０Ａ）の一部を除去するエッチングを行う、請求項５記載の方法。
【国際調査報告】
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