(57)【要約】  ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子×１０-9の元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択される、濃度が約１０〜１０，０００原子×１０-9の元素と；を含む化合物又は合金で作られた放射線検出器は、完全な電気補償、高抵抗性、加えられた電気的バイアスの下での完全な空乏化及び優れた電荷輸送特性を示す。【選択図】図１【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子×１０-9の元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択される、濃度が約１０〜１０，０００原子×１０-9の希土類元素と；を含む化合物で作られた放射線検出器。
【請求項２】
（ａ）Ｃｄ、Ｚｎ、及びＴｅの混合物を用意し；
（ｂ）前記混合物を加熱して液状とし；
（ｃ）前記混合物が凝固する際に、浅い準位のドナー（電子）を前記混合物のエネルギーバンドギャップの上部に追加する第一のドーパントを液状の混合物に添加し；
（ｄ）前記混合物が凝固する際に、深い準位のドナー、及び／又はアクセプターを前記混合物の前記バンドギャップの中間に追加する第二のドーパントを液状の混合物に添加し；
（ｅ）化合物を形成すべく、前記第一及び第二のドーパントを含む前記混合物を凝固させることを含む放射線検出器化合物の形成方法。
【請求項３】
前記第一のドーパントが周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの元素である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一のドーパントが、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから構成される群から選択された元素である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記化合物中の第一のドーパントの濃度が１０〜１０，０００原子×１０-9である請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記第二のドーパントがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから構成される群から選択された元素である請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記化合物中の第二のドーパントの濃度が約１０〜１０，０００原子×１０-9である請求項２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に関する。より具体的には、本発明は、１ｋｅＶ−５ＭｅＶの光子エネルギー範囲の放射線を検出するための完全にアクティブな量を備える半絶縁性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させるための全く新しいアプローチである。
【背景技術】
【０００２】
全ての放射線検出器アプリケーション用の材料の選択は、根本的な物理特性によって支配される。まず、前記材料は、高い電気抵抗率を示す必要がある。次に、前記材料は、外部放射線によって生成された電荷キャリアの優れた輸送性を示す必要がある。最後に、前記材料は、加えられた電界が結晶の体積全体に及ぶこと、即ち、完全な空乏化（デプレッション：depletion）を可能にしなければならない。これらの特性は、いずれも、高純度で、内因性（真性）の又は無ドープのテルル化カドミウム、テルル化亜鉛、又はテルル化カドミウム亜鉛、即ち任意の既知の方法によって成長したＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）においては示されない。０≦ｘ≦１の濃度又はモル分率範囲は、テルル化カドミウムＣｄＴｅ（ｘ＝１）及びＺｎＴｅ（ｘ＝０）を含む任意のＺｎ比率のカドミウム亜鉛テラライド（ＣｄＺｎＴｅ）を包含する。
【０００３】
高純度の内因性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、内因性の又は自然欠陥が高い密度で形成されるため、特に、テルル（Ｔｅ）が豊富な成長条件におけるカドミウム（Ｃｄ）空孔、又はＣｄが豊富な成長条件におけるＣｄ欠陥のために、一般に低い電気抵抗を有する。さらに、バンドギャップの中間において深い準位を有する原因不明の内因性の欠陥が高い濃度で形成される。この内因性の欠陥は、欠陥が高い濃度で存在する場合に、機器の完全な空乏化を可能としないという電子特性を有する。
【０００４】
高抵抗ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、一般に、垂直又は水平ブリッジマンプロセスにおいて例えばＩｎ、Ａｌ及びＧａ等の列ＩＩＩの元素をドープする、又は、移動ヒーター法において例えばＣｌなどの列ＶＩＩの元素をドープすることによって得られる。しかし、これらのプロセスでは、一般にドーパントの著しい集中が生じ、それがキャリア輸送の減少や検出器の極性化などの副次的効果を引き起こしている。この後の現象は、導入されたドーパント又は他の欠陥によって引き起こされるキャリア捕獲による内部電界の崩壊のために、有効容積、即ち能力の減少に帰する。また、前述のドーピングのスキームでは、不完全な電気補償が原因で実現された抵抗率を技術的にコントロールすることは難しい。結果として、１×１０6−１×１０9Ｏｈｍ−ｃｍ（オームセンチメートル）の範囲での電気抵抗のばらつきが一般に観察される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バンドギャップの中間にエネルギー準位を導入するドーパントによる電気補償は、半絶縁素材を得るために、列ＩＩＩ−Ｖの化合物においてよく用いられる。しかし、これらのドーピングのスキームは、いずれも、これらの材料の中で形成される内因性の欠陥を不動態化するという問題を解決しなかった。その例としては、これに限定されるわけではないが、リン化インジウム（ＩｎＰ）中にドープされる鉄（Ｆｅ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）中にドープされるクロム（Ｃｒ）が含まれる。内因性の欠陥は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）中の自然欠陥ＥＬ２とされた。高濃度のバンドギャップの中央の深い準位を有する単一のドーピング元素を添加することで、外部放射線によって生成された電荷キャリアの強力な捕獲がもたらされ、機器の不完全な空乏化を起こす内因性の深い準位が不動態化されない。結果として、そのように作り出された半絶縁性の列ＩＩＩ−Ｖの化合物、例えばＧａＡｓから組み立てられた放射線検出器は、低抵抗率や制限された活性の空乏領域に阻害され、内因性の欠陥をパッシベーション（不動態化）するのを可能としない。
【０００６】
不明な不純物の結合と自然欠陥の形成は、内因性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）を高抵抗性にする。しかし、そのような材料は、一般に、強力なキャリア捕獲を示し、放射線検出器の性能を妥協させることとなる。不純物、自然欠陥、及びそれらの結合が制御されない方法で組み入れられると、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）インゴットの特性は成長によって異なり、個々のインゴットの中部で強い空間的ばらつきを示す。
【０００７】
従って、優れたキャリア輸送特性を有し、加えられた電界に応じて完全に空乏化する化合物で作られた放射線検出器又は合金が必要である。また、そのような化合物又は合金を形成する方法も必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子×１０-9（１０億分の１）の元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択される、濃度が約１０〜１０，０００原子×１０-9（１０億分の１）の元素と；を含む化合物又は合金で作られた放射線検出器である。
【０００９】
また、本発明は、（ａ）Ｃｄ、Ｚｎ、及びＴｅの混合物を用意し；（ｂ）該Ｃｄ、Ｚｎ、及びＴｅの混合物を加熱して液状とし；（ｃ）前記混合物が凝固する際に、浅い準位のドナー、即ち電子を前記混合物のエネルギーバンドギャップの上部に追加する第一のドーパントを液状の混合物に添加し；（ｄ）前記混合物が凝固する際に、深い準位のドナー、及び／又はアクセプターを前記混合物の前記バンドギャップの中間に追加する第二のドーパントを液状の混合物に添加し；（ｅ）前記化合物又は合金を形成すべく、前記第一及び第二のドーパントを含む前記混合物を凝固させることを含む放射線検出器化合物の形成方法である。
【００１０】
前記第一のドーパントは、周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの一つから選択される少なくとも一つの元素である。より具体的には、前記第一のドーパントは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから構成される群から選択される少なくとも一つの元素であり得る。前記化合物又は合金中の第一のドーパントの濃度は、１０〜１０，０００原子×１０-9であり得る。
【００１１】
前記第二のドーパントは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから構成される群から選択され、約１０〜１０，０００原子×１０-9の前記化合物又は合金中の濃度を有する元素であり得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に従って、高抵抗性（半絶縁性）と加えられたバイアスの下で完全に空乏化する優れたキャリア輸送特性とを有する有用な外因性の又はドープされたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）を確実に作り出すための成長方法に適した量をコントロールされた方法で、元素の特定の組み合わせがＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）に導入される。該方法（“コドーピング”と呼ばれる）においては、２つの異なる元素又はドーパントが結晶成長プロセスの間にＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶に混合される。
【００１３】
より具体的には、周期表の列ＩＩＩからの元素、即ち、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、又は、周期表の列ＶＩＩからの元素、即ち、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）又はヨウ素（Ｉ）から形成された、１０原子×１０-9１０億分の１（ｐｐｂ）〜１０，０００原子ｐｐｂの濃度範囲（１０−１０，０００原子ｐｐｂ）第一のドーパントが、ランタン（Ｌａ）セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、又はルテチウム（Ｌｕ）などの希土類元素から形成された、約１０原子ｐｐｂ〜１０，０００原子ｐｐｂの濃度範囲（１０−１０，０００原子ｐｐｂ）の第二のドーパントとともにＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）に導入される。結果として得られるＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶は、Ｘ−Ｙによってコドープされると称され、ここで、Ｘは元素Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩのいずれかに相当し、Ｙは元素Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのいずれかに相当し、即ち、Ａｌ−Ｅｒ、Ｉｎ−Ｇｄ、Ｃｌ−Ｙｂ等々によってコドーピングされる。
【００１４】
コドーピング技術は、電気補償の原理に効果を発揮する。内因性の又は無ドープのＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）は、制御されない量の残留不純物や、カドミウム空孔、転位、及び結晶成長の間に材料に混合された内因性の深い準位欠陥などの自然欠陥によって、ドーピングによる抵抗率が変化する。これらの結晶の欠陥のいくつかは、周囲の温度でイオン化され、例えば電子又はホール等の自由電荷キャリアを十分に供給し、結果としてＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）が伝導性又は低抵抗性となる。これらの無ドープ結晶における自由電荷キャリアの濃度は、一般に、欠陥及びその原因の濃度と比例している。また、これらの欠陥は、外部Ｘ線又はガンマ線によって生成された電荷キャリアを捕獲し、よってその輸送及び放射線検出機器における材料の使用を制限する。
【００１５】
内因性のＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）では、カドミウム空孔、即ち空の格子サイトの濃度は、高濃度のホールをＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）のバランスバンドに供給する支配的な自然欠陥であると考えられ、化合物又は合金は１０7オームセンチメートル範囲の抵抗率を有するＰ型となる。この抵抗率は、最大抵抗率である１０10オームセンチメートルよりも少なくとも３桁低く、この化合物又は合金の中で達成可能である。
自由ホール及び電子を生成する欠陥及び不純物は、それぞれアクセプター及びドナーと称される。
【００１６】
反対符号の電荷キャリアを生成する選択された元素を意図的に導入することによって、電気補償の現象を実現することができる。結果として、自由電荷キャリアの濃度は、アクセプター及びドナーの欠陥の濃度の差と比例させることができる。ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）において、列ＩＩＩの不純物（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌ）又は列ＶＩＩの不純物（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩ）は、カドミウム空孔などのアクセプターの作用を補償するドナーの役割をすることができる。正味のキャリア濃度は、列ＩＩＩの不純物又は列ＶＩＩの不純物の濃度とカドミウム空孔の濃度との差に等しい。この方法においては、正味のキャリア濃度は、一般に２〜６桁減少する。しかし、完全な補償、即ち１０10オームセンチメートルより大きい高い抵抗率を実現するために、アクセプター及びドナーの欠陥の正確な濃度を正確に且つ確実にコントロールすることは難しい。一般に、１０6−１０9オームセンチメートルの範囲の抵抗率は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）に列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの不純物をドープすることによって実現される。しかし、このプロセスは、十分な放射線検出器性能を示さず、それは深い準位の内因性の欠陥の存在と関係がある。高性能、例えば、１ｍｍより厚い検出器をこれらの結晶から製造することができないため、放射線検出器の商業的成功は制限される。本発明に従って慎重に選択されたドーピング元素の導入により、これらのドーピング元素は、内因性の深い準位のドナー又はアクセプターと錯体を形成し、内因性の欠陥の有害な効果が減少するか若しくは取り除かれる。
【００１７】
本発明に従って、完全な電気補償、高抵抗性（半絶縁性）、完全な空乏化及び優れた電荷輸送を有する材料を得るために、列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの不純物から形成された第一のドーパントに加えて、第二のドーパントがＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）の成長プロセスの間に導入される。第二のドーパント、即ちＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、又はＬｕの導入によって、列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの元素から形成された第一のドーパントとの組み合わせにおいて、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）材料の電気抵抗のコントロールだけでなく検出器の空乏特性がコントロールされ、完全に補償される材料が得られる。この方法によって、１０10オームセンチメートルを超える電気抵抗を有する半絶縁性ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）が、確実に且つ再生産可能に得られる。この方法において、第二のドーパントは、アクセプター即ちカドミウム空孔と、ドナー即ち列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの不純物との濃度の違いによって与えられた残留する正味の電荷キャリアを電気的に補償する。結果として、理論的な最大値又はその近傍の抵抗率を有する完全に補償されたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）が確実に得られる。
【００１８】
また、アクセプター、即ちカドミウム空孔を電気的に補償することに加えて、一般的に知られＡセンターと称される不純物の空孔ペアを形成するために、列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの不純物はカドミウム空孔と結合する。このプロセスにおいて、カドミウム空孔欠陥のエネルギー準位は、Ａセンターのより低いエネルギー準位に遷移する。新しい欠陥、即ちＡセンターのより低いエネルギーは、電荷キャリア又はホールの欠陥での滞在時間を減少させるか、又は、外部のＸ線及びガンマ線放射によって生成されたキャリアの輸送特性を高める。その結果、放射線検出器の性能は、コドープされたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶によって非常に改善される。
【００１９】
２つのドーパントの同時使用、即ちコドーピングにより、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）の中の完全な補償と優れた電荷輸送を実現すべく、個々のドーパント又はドーパント元素を低い濃度で使用することが可能となる。これは、膨大な濃度の補償ドーピング元素を使用することでＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）のキャリア輸送特性における一般的に使われる単一ドーピングのスキームの逆効果を取り除く。単一ドーパントのスキームにおけるドーパントの高い濃度は、内因性の深い準位の効果を覆ってしまい、内因性の深い準位のドナー又はアクセプターを不動態化せず、従って、単一のドーパントをドープされたＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）から結成された放射線検出器の不完全な空乏化や、装置の操作の間に空間電荷が増加することや、一般的に極性化として知られる放射線検出器内での内部電界の崩壊を引き起こす。
【００２０】
上述のコドープされた半絶縁性ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶は、制限されることなく、高圧ブリッジマン法によって溶解され、気相輸送法、勾配凍結法、及び電気力学勾配法によって成長させることができる。
【００２１】
図１を参照して、上述したコドーピングのスキームを含むＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶が一旦インゴットに形成されると、そこから結晶のスライス又はウェハー２が取り出される。次に、ウェハー２は、画素化された配列を形成することができ、各画素又はピクセル４は、Ｘ線やガンマ線などの入射放射線又はアルファ若しくはベータ粒子などの入射粒子線を配列の他の全てのピクセル４から独立な電気信号に変換することが可能となる。或いは、ウェハー２は、入射放射線又は入射粒子線に応じて電気信号を出力するものであって複数の個々のピクセル４を含まない結晶であり得る。図１には、ウェハー２のリマインダーから分離された単一のピクセル４を含むウェハー２の一例が示される。しかし、平面結晶はいかなる好ましく且つ製造可能なサイズ及び形状にも形成することができるので、これが発明を制限することとは解釈されない。
【００２２】
本発明は、好適な実施形態を参照して説明されている。自明な修正及び変更は、先行する詳細な説明を読み且つ理解することにより、他のものに対しても生じるであろう。そのような修正及び変更の全てが添付された特許請求の範囲又はその均等の範囲内にある限りにおいて、本発明がそれらを含んでいると解釈されることは意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】画素化された配列を形成する複数の画素又はピクセルを含む結晶ウェハーの斜視図
【その他】
【００２４】
請求の範囲、明細書及び要約書中の記号
2007525812.tif 000002
は、請求の範囲の翻訳文、明細書の翻訳文及び要約書の翻訳文において、「≦」に置き換えている。
2007525812.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月11日(2006.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子ｐｐｂの元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択された、濃度が約１０〜１０，０００原子ｐｐｂの希土類元素と；を含む化合物で作られた放射線検出器。
【請求項２】
（ａ）Ｃｄ、Ｚｎ、及びＴｅの混合物を用意し；
（ｂ）前記混合物を加熱して液状とし；
（ｃ）前記混合物が凝固する際に、浅い準位のドナー（電子）を前記混合物のエネルギーバンドギャップの上部に追加する第一のドーパントを液状の混合物に添加し；
（ｄ）前記混合物が凝固する際に、深い準位のドナー、及び／又はアクセプターを前記混合物の前記バンドギャップの中間に追加する第二のドーパントを液状の混合物に添加し；
（ｅ）化合物を形成すべく、前記第一及び第二のドーパントを含む前記混合物を凝固させることを含む放射線検出器化合物の形成方法。
【請求項３】
前記第一のドーパントが周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの元素である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一のドーパントが、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩで構成される群から選択された元素である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記化合物中の第一のドーパントの濃度が１０〜１０，０００原子ｐｐｂである請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記第二のドーパントがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕで構成される群から選択された元素である請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記化合物中の第二のドーパントの濃度が約１０〜１０，０００原子ｐｐｂである請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、ＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子ｐｐｂの元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択された、濃度が約１０〜１０，０００原子ｐｐｂの元素と；を含む化合物又は合金で作られた放射線検出器である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記第一のドーパントは、周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩの一つから選択される少なくとも一つの元素である。より具体的には、前記第一のドーパントは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩで構成される群から選択された少なくとも一つの元素であり得る。前記化合物又は合金中の第一のドーパントの濃度は、１０〜１０，０００原子ｐｐｂであり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記第二のドーパントは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕで構成される群から選択された、約１０〜１０，０００原子ｐｐｂの前記化合物又は合金中の濃度を有する元素であり得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
より具体的には、周期表の列ＩＩＩからの元素、即ち、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、又は、周期表の列ＶＩＩからの元素、即ち、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）又はヨウ素（Ｉ）から形成された、１０原子ｐｐｂ（×１０-9、又は、１０億分の１）〜１０，０００原子ｐｐｂの濃度範囲（１０〜１０，０００原子ｐｐｂ）第一のドーパントが、ランタン（Ｌａ）セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、又はルテチウム（Ｌｕ）などの希土類元素から形成された、約１０原子ｐｐｂ〜１０，０００原子ｐｐｂの濃度範囲（１０〜１０，０００原子ｐｐｂ）の第二のドーパントとともにＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）に導入される。結果として得られるＣｄxＺｎ1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）結晶は、Ｘ−Ｙによってコドープされると称され、ここで、Ｘは元素Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩのいずれかに相当し、Ｙは元素Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのいずれかに相当し、即ち、Ａｌ−Ｅｒ、Ｉｎ−Ｇｄ、Ｃｌ−Ｙｂ等々によってコドーピングされる。
【国際調査報告】
2007525812.tif 000004
2007525812.tif 000005