(57)【要約】プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第１の電気的な測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的な測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的な測定装置および前記第２の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムにおいて半導体基板を処理する方法であって、
第１の電気的測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供すること、
前記第２の端子に補償回路を接続すること、
前記第１の電気的測定装置および前記第２の電気的測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供すること、を有し、
前記フィードバック回路の出力が、前記第１端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられるようにした方法。
【請求項２】
前記第１の電気値は電圧である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電気値は電流である請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２の電気値は電圧である請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第２の電気値は電流である請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第２の補償回路は可変コンデンサである請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第２の補償回路は可変インダクタである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第２の補償回路と前記フィードバック回路とは集積化されている、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記第２の補償回路は接地されている請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の端子はマッチングネットワークに接続されている、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記マッチングネットワークは高周波発生器に接続されている、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記所定の値は、約０．５と約１．５の間にある、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の値は約０．７５と約１．２５にある、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記所定の値は約１である請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記フィードバック回路はマイクロプロセッサに制御されている請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記所定の値は、プロセスレシピの各ステップに対して新しい値に設定することができる、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
プラズマ処理システムにおいて半導体基板を処理する装置であって、前記装置が、
第１の電気的測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供する手段と、
前記第２の端子に補償回路を接続する手段と、
前記第１の電気的測定装置および前記第２の電気的測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供する手段と、
を有し、前記フィードバック回路の出力が、前記第１端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる装置。
【請求項１８】
前記第１の電気値は電圧である請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の電気値は電流である請求項１７記載の装置。
【請求項２０】
前記第２の電気値は電圧である請求項１７記載の装置。
【請求項２１】
前記第２の電気値は電流である請求項１７記載の装置。
【請求項２２】
前記第２の補償回路は可変コンデンサである請求項１７記載の装置。
【請求項２３】
前記第２の補償回路は可変インダクタである、請求項１７記載の装置。
【請求項２４】
前記第２の補償回路と前記フィードバック回路とは集積化されている、請求項１７記載の処理装置。
【請求項２５】
前記第２の補償回路は接地されている請求項１７記載の装置。
【請求項２６】
前記第１の端子はマッチングネットワークに接続されている、請求項１７記載の装置。
【請求項２７】
前記マッチングネットワークは高周波発生器に接続されている、請求項１７記載の装置。
【請求項２８】
前記所定の値は、約０．５と約１．５の間にある、請求項１７記載の装置。
【請求項２９】
前記所定の値は約０．７５と約１．２５にある、請求項１７記載の装置。
【請求項３０】
前記所定の値は約１である請求項１７記載の装置。
【請求項３１】
前記フィードバック回路はマイクロプロセッサに制御されている、請求項１７記載の装置。
【請求項３２】
前記所定の値は、プロセスレシピの各ステップに対して新しい値に設定することができる、請求項１７記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に基板製造技術に関し、特にプラズマ処理システムにおいて基板を最適化する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマは、基板（例えば、フラットパネルディスプレイ製造で使用されるようなガラス製パネルまたは半導体ウェーハ）の処理において、しばしば使用される。例えば、基板処理（化学気相成長、プラズマ強化化学気相成長、物理気相成長等）の一部として、基板は、複数のダイまたは矩形領域に分割され、その各々が１つの集積回路になる。その後、基板は、該基板上に電気的要素を形成するのに材料を選択的に除去（エッチング）、堆積（デポジション）する一連の工程において処理される。
【０００３】
典型的なプラズマプロセスにおいて、基板は乳剤の薄膜（すなわち、フォトレジストマスク）で覆われた後、選択的に除去され、その結果その下にある層を部分に露出する。次に、基板は、チャックと呼ばれる単極または双極の電極を有する基板支持構造体上に、プラズマ処理チャンバに配置される。
【０００４】
適切なプラズマ処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ４、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｈ２、ＮＨ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ２、ＷＦ６等）が処理室に流され、誘導コイル群のような高周波結合構造体に共通に接続された第１の高周波エネルギー源によりイオン化される。さらに、プラズマにバイアスを印加して、該プラズマをプラズマ処理システム内の構造体から離れて、かつ基板の方へ導くために、第２の高周波エネルギー源を基板に接続してもよい。
【０００５】
誘導コイルは、プラズマ処理ガス中で時間的に変化する電圧および電位差を誘発して一次コイルで連続的に電流をオン／オフすることによりプラズマを作り出す変圧器に使用されるような装置である。共通の形態は、チャンバの頂上に平面コイルを配置することであり、ＴＣＰ（登録商標）（例えば変圧器結合プラズマ）とも呼ばれている。他の形態は、ソレノイドコイルがプラズマ処理チャンバの側面に巻きつけられるようにプラズマ処理システムを構成することである。
【０００６】
プラズマは、一般に部分的にイオン化されたガスを含んでいる。プラズマ放電は、高周波駆動であり、わずかにイオン化されているので、プラズマ中の電子は、イオンと熱的に平衡状態にはない。すなわち、より質量の大きいイオンは、バックグラウンドガス（例えばアルゴン等）との衝突により、効率的にエネルギーを交換するが一方、電子は熱エネルギーを吸収する。電子は、本質的にイオンより小さい質量を有するので、電子の熱運動速度はイオンの熱運動速度よりはるかに大きくなる。このことは、プラズマ処理システム内の表面へより速く移動している電子を消失し易く、正にチャージされたイオンシースをプラズマと表面の間に生成する結果になる。次に、シースに入ったイオンは表面に加速される。
【０００７】
低いＲＦ周波数により、プラズマイオンはＲＦの１サイクルよりも短い時間でシースを横切るので、イオンエネルギーの大きな変動が発生する傾向がある。同様に、高いＲＦ周波数により、プラズマイオンがシースを横切るのに数ＲＦサイクルを要するので、より均一なイオンエネルギー群が生成される傾向がある。高い周波数は、同等の電力レベルで低周波数信号により励起されるときよりも低いシース電圧を励起する傾向がある。
【０００８】
マッチングネットワークが、高周波ソースとプラズマ処理チャンバとの間に共通して接続される。一般に、マッチングネットワークは、伝送路終端から見たプラズマの複素インピーダンスを高周波発生器の公称出力インピーダンスに変換する。例えば、高周波発生器が２ｋＷの出力電力（放射電力または順方向電力と呼ばれている）を供給して、マッチングネットワークが適切に調整されていない（例えば、５０％の反射電力を生じる）場合には、１ｋＷの電力が反射されて高周波発生器に戻ることになる。このことは、わずか１ｋＷ電力しかロード（プラズマチャンバ）に供給されないことを意味している。高品質、低インピーダンス、および適切な大きさ（電流およびインピーダンスの範囲に対して）のマッチングネットワークを持つ適切に選定された長さの伝送路の組合せが、発生器からプラズマチャンバまで最適な電力伝送を提供できることになる。
【０００９】
ここで図１を参照して、プラズマ処理システム１００の略図を示している。一般に、適切に混合されたガスが、ガス供給システム１２２から入り口１０８を通りチャンバ１０２に流入される。その後、これらのプラズマ処理ガスは、静電チャック１１６上に載置された半導体ウェーハまたはガラス板のような基板１１４の露出領域を処理（例えば、エッチングあるいはデポジション）するために、イオン化されてプラズマ１１０を形成する。上部のチャンバプレート１２０が、ライナ１１２と共に、プラズマ１１０を基板１１４に最適に集束する手助けを行う。
【００１０】
ガス供給システム１２２は、普通はプラズマ処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、ＣＦ４、ＨＢｒ、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ４、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｈ２、ＮＨ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ２、ＷＦ６等）を含む複数の圧縮ガスボンベ１２４ａから１２４ｆから構成されている。ガスボンベ１２４ａから１２４ｆは、局部排気を備える筐体１２８によりさらに保護されていてもよい。複数の質量流量コントローラ１２６ａから１２６ｆは、一般に半導体産業においてプラズマ処理システムに供給されるガスの質量流量を測定、調整するのに使用される自立型装置（トランスデューサ、制御弁、および制御および信号処理の電子機器から構成される）である。
【００１１】
誘導コイル１３１は誘電体窓１０４によりプラズマから隔離され、一般にプラズマ処理ガス内に時間的に変化する電流を誘起してプラズマ１１０を生成する。この窓は、プラズマ１１０から誘導コイルを保護すると共に、発生した高周波電界がプラズマ処理チャンバに浸透するのを可能にする。高周波発生器１３８にさらに接続していてもよいマッチングネットワーク１３２は、複数のリード１３０ａから１３０ｂで、誘導コイル１３１にさらに接続している。前述のように、マッチングネットワーク１３２は、通常１３．５６ＭＨｚ、５０オームで動作する高周波発生器１３８のインピーダンスを、プラズマ１１０のインピーダンスに整合しようとする。
【００１２】
ここで図２を参照して、ＴＣＰ（登録商標）誘導コイルの略図を示している。誘導コイルは、用途に応じて、一般には円形、矩形、または正方形の形状をした高伝導銅管によって製作することができ、定常的使用に耐える必要がある。図１に示すように、複数のリード１３０ａと１３０ｂは、誘導コイル１３１をマッチングネットワーク１３２に接続している。
【００１３】
しかしながら、処理チャンバの圧力および電力レベルが変動するので、マッチングネットワークおよび負荷は共に不安定になる可能性がある。その結果、マッチングネットワークが応答できないほど高速で変化する急速な変動またはジッタが発生することになる。この結果生じた電力伝達の不安定性が、マッチングネットワークおよび高周波発生器の部品を損傷するだけでなく、基板の生産歩留に実質的影響を与える可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記を考慮して、プラズマ処理システムにおいて、基板を最適化する方法および装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、一実施形態において、プラズマ処理システムの半導体基板を処理する方法に関する。本処理方法は、第１の電気的測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供する。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的測定装置および前記第２の電気的測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。
【００１６】
本発明は、別の実施形態において、プラズマ処理システムの半導体基板を処理する装置に関する。本装置は、第１の電気的測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供する手段を含んでいる。本装置は、第２の端子に補償回路を接続する手段も含んでいる。本装置は、前記第１の電気的測定装置および前記第２の電気的測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供する手段をさらに含み、フィードバック回路の出力が、前記第１端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のこれらおよび他の特徴は、本発明の詳細な説明、および以下の図面に関して以下により詳細に説明される。
本発明を、添付の図面に示されるような、そのいくつかの好ましい実施形態についてここで詳細に説明する。以下の説明において、多くの具体的な詳細が、本発明についての完全な理解を提供するために説明される。しかしながら、本発明がこれらの具体的な詳細のいくつかまたはすべてがなくても実行できることは当業者にとって明白であろう、他の事例において、本発明を不必要に不明瞭にしないように、周知の工程ステップおよび／または構造体については詳細には説明しなかった。
【００１８】
理論により拘束されるつもりはないが、本発明の発明者は、誘導コイルのような高周波結合構造体全体にわたる電圧バランスが、プラズマ処理システムのプラズマを最適化できることを信じている。例えば、プラズマは、誘導コイルにより生成された誘導的に結合された方位角の電界により生成することができる。基本的に、フラットなアンテナである誘導コイルは、多くの場合誘電体窓の上部に配置された矩形断面を持つらせんコイルである。１３．５６ＭＨｚのアンテナに対する印加電圧が、プラズマを貫通して方位角の電界を生成する振動磁界をコイルのまわりに生成する。
【００１９】
理想的なプラズマ処理システムでは、方位角の電界は、軸線上で０であり、かつその周辺で０になるので、およそ半径の半分の環状領域でピークに達している。慎重に設計されたプラズマ処理システムにおいては、コイルからプラズマに容量的に結合された部分的な電力の合計を小さくすることができるので、無線周波数サイクル中に発振のほとんどないプラズマ電位を生成することができる。前述のように、高周波ポテンシャルを独立して加えることによりイオンエネルギーを制御し、基板にバイアスを生成することができる。
【００２０】
しかし、基板が処理され、プラズマが消費されるに伴い、マッチングネットワーク上のプラズマ負荷は変わる可能性があり、またマッチングネットワークは、一般にプラズマ処理システムの製造中に予測されたプラズマ負荷に対して最適化されるので、誘導コイル全体にわたる実際の電圧バランスは、基板の処理中、幅のある処理条件または変更条件に対して最適化されていない可能性がある。その結果生じた電界は放射状に歪む可能性があり、そのため、基板全体のプラズマ密度を実質的に不均一にし、歩留に大きな影響を及ぼす。
【００２１】
この状態は、基板の高密度回路に対する要求が増加し続けるに伴い、一層問題になってくる。例えば、プラズマエッチング工程において、プラズマが適切に最適化されないと、ファセッティングが発生する。ファセットは、トレンチサイドウォールとのような、基板の非線形のプロファイルの特徴である。低プラズマ密度の領域では、基板から十分な量の材料を除去できないので、結果的にトレンチまたはビアのサイズを縮小することになる。同様に、高プラズマ密度の領域では、基板から過剰な材料を除去できるので、結果的に洞穴状のアンダーカットを生成することになる。
【００２２】
ここで図３を参照して、本発明の一実施形態による、マッチングネットワークの単純化された電気回路図が示される。一般に、電圧プローブのような誘導コイルに接続された電気的測定装置により電圧のような電気特性の測定によって、供給された電力またはインピーダンスを推定するのに十分な情報を提供することはできない。したがって、容易に分からない方法で、マッチングネットワークのモデルが、マッチングネットワーク設定から負荷インピーダンスを予測するのに開発された。供給された電力は、コイルの電圧は既知であるので、推定された負荷インピーダンスから評価することができる。このようにして推定された電力の値は、約９％の精度である。
【００２３】
マッチングネットワーク３３２の詳細なモデルは、真空コンデンサのような可視成分だけでなくコンポーネント間のすべての接続のインダクタンスも含んでいてもよい。これらの接続に流れる電流は、どこか他のところ、特にマッチングネットワーク筐体の壁に電流を誘導する。これらの誘導電流は、高周波発生器への複雑な電流リターンパスの一部を形成する。壁における抵抗性の損失は、マッチングネットワークの実効抵抗に寄与する。
【００２４】
しかし、そのようなモデルは全く複雑で、多くの要素を含むので、それらの各々を数量化することは困難である。より単純なアプローチは、ひとかたまりにされたコンポーネントだけの群として、マッチングネットワークをモデル化することである。例えば、インダクタ３３１は、可変コンデンサＣ１とＣ３間の長さ約１５インチの接続に相当する。それは、約１００ｎＨのインダクタンスを持つと仮定される。残りの接続はわずか数インチ長であり、無視される。Ｃ３以外の要素はすべて、プラズマ負荷３１０（例えば誘導コイル、プラズマ、基板等）の一部であると考えられる。ＴＣＰ（登録商標）コイルの終端間を接続する複数のリード３０３ａと３０３ｂは、共に長さ約１２インチで、負荷インピーダンスの一部である。
【００２５】
各真空コンデンサは、約２０ｎＨの固有直列インダクタンスを持っていると思われるが、これらは特に含まれていない。この直列インダクタンスは、コンデンサが１ｋＨｚの周波数で較正されている場合には、検知されず、１３．５６ＭＨＺの動作周波数でわずかに検出される程度である。ネットワークハウジング中の誘導電流は、誘導を引き起こすコンポーネントの実効インダクタンスを減少させる傾向がある。これらは、データに最も良く適合するインダクタンスを経験的に選択することにより考慮することができる。
【００２６】
マッチングネットワークの抵抗は小さいと推定されるので、共役インピーダンス方法が、コンデンサ設定から負荷インピーダンスを計算するのに使用することができる。コンデンサＣ１およびＣ３は、値に対して正確に測定され、容量を容易に決定できる典型的な校正曲線が示される。これらの値は、特にこのネットワークでは２８ｐＦから４８０ｐＦまで広がっていてもよい。コンデンサＣ２とＣ４は、２００ｍｍのＳＴＡＲ構成に対応する１０２ｐＦと８０ｐＦのそれらの標準値に固定される。
【００２７】
Ｖ３およびＶ４は、順番にプラズマチャンバに誘導性の高周波電力を供給する誘導コイルの各終端近傍に配置された、高周波電圧プローブのような電気的測定装置である。電気的測定装置Ｖ３が、マッチングネットワークと誘導コイル間の第１の電圧を測定し、一方電気的測定装置Ｖ４は、負荷と終端コンデンサＣ４間の第２の電圧を測定してもよい。一実施形態において、電気的測定装置は、構造が高周波電圧ピーク検出器に類似している。一般に、電圧プローブは、５ｋＶ（ピーク）の大きさの高周波電圧がアーク発生または他の放電をすることなく測定されることを可能にしている。一般に、プローブの絶対精度は、約２００Ｖから約５ｋＶまで、約３％と推定される。
【００２８】
ここで図４を参照して、本発明の一実施形態による、コイルおよびプラズマ負荷３１０の単純化モデルが示される。一般に、コイルおよびプラズマ負荷３１０は、Ｖ３とＶ４との間に電気的に配置されたプラズマ処理システム要素（例えば誘導コイル、プラズマ、基板等）を含んでいる。同様に、マッチングネットワーク、コイル、およびプラズマ負荷３１０は、プラズマのコア電力損失を表す並列抵抗４０８と、並列のインダクタンス４０４とを含み、プラズマに対する磁束の結合を行うトランス回路としてモデル化することができる。
【００２９】
ここで図５を参照して、本発明の一実施形態による、誘導コイル電圧が実質的に最適化され平衡化された、マッチングネットワークの単純化された電気回路図が示される。容易に分からない方法で、フィードバック回路が、第２の電圧に対する第１の電圧の比率を調整するために、可変コンデンサのような補償回路Ｃ５と共にＶ３とＶ４との間に接続されている。
【００３０】
図３のように、本発明の一実施形態による、マッチングネットワークの単純化モデルが、ひとかたまりにされたコンポーネントだけの群として示される。インダクタ３３１は、Ｃ１とＣ３との間の接続に相当する。Ｃ３以外の要素はすべて、コイルとプラズマ負荷３１０（例えば誘導コイル、プラズマ、基板等）の一部であると考えられる。ＴＣＰ（登録商標）コイルの終端間を接続する複数のリード３０３ａと３０３ｂは、負荷インピーダンスの一部である。Ｖ３およびＶ４は、プラズマチャンバに誘導性の高周波電力を供給する誘導コイルの各終端近傍に配置されている。Ｖ３は、マッチングネットワークと誘導コイル間の第１の電圧を測定し、一方Ｖ４は、負荷と終端コンデンサＣ５間の第２の電圧を測定する。
【００３１】
フィードバック回路５０２は、フォワードパス５０４と、フィードバックパス５０６とを含む信号パスを有する回路であって、コンデンサＣ５に接続している。容易に分からない方法によって、フィードバック回路５０２は、基板が処理され、プラズマが消費されるにつれ、実質的にダイナミックな方法で誘導コイル電圧を最適化する。一実施形態において、Ｃ５はモーター化されている。別の実施形態において、フィードバック回路５０２は、次に第１の電圧および第２の電圧を実質的に安定した状態に保つために、基板処理中にＣ５を調整してもよい。さらに別の実施形態において、フィードバック回路は、チューニングエッチング均一性のようなプラズマ処理の利点を提供するために、第２の電圧に対する第１の電圧の比率を任意の目標値Ｋに調整することができる。本発明の他の実施態様では、比率Ｋの望ましい範囲は、約０．５と約１．５の間にある。本発明の他の実施態様では、比率Ｋのより望ましい範囲は、約０．７５と約１．２５の間にある。本発明の他の実施態様では、比率Ｋの最も望ましい範囲は、ほぼ１に等しい。
【００３２】
ここで図６を参照して、本発明の一実施形態による、電圧振幅が平衡化された図５のマッチングネットワークの一部が示される。理論により拘束されるつもりはないが、本発明の発明者は、第２の電圧の位相が第１の電圧に対して１８０°となることが、最適のバランス構成であると信じている。一般に、プラズマは、２つの高周波電力の電圧位相がほとんど同じである場合に広がるので、密度が低下し、その結果処理スピードも減少する。しかし、プラズマ密度は、電圧位相差が約１８０度ある場合には実質的に高くなる傾向がある。
【００３３】
マッチングネットワーク３３２は、前述のように、伝送路終端から見たプラズマの複素インピーダンスを、ほぼ安定した５０オームと約１３．５６ＭＨｚの周波数に変換する。フィードバック回路５０２は、フィードバックパス５０６を介してＶ３とＶ４の電圧を監視して、コイルおよびプラズマ負荷３１０が最適化されるのを確保するために、Ｖ３の電圧値がＶ４の電圧値にほぼ等しく、しかし位相６０２が位相６０４に対して約１８０°になるように調整する。別の実施形態において、フィードバック回路５０２は、診断のモニタリング装置にさらに接続している。例えば、測定された電圧またはインピーダンス値が前もって定義されたプロセスの範囲外の場合、さらなる調査のために警告メッセージを予防保守システムに送信することができる。
【００３４】
本発明をいくつかの好ましい実施形態に関して説明してきたが、本発明の範囲内にある変更、交換、および等価物がある。例えば、本発明を、ラムリサーチプラズマ処理システム（例えばＥｘｅｌａｎ（登録商標）、Ｅｘｅｌａｎ（登録商標）ＨＰ、Ｅｘｅｌａｎ（登録商標）ＨＰＴ、２３００（登録商標）、Ｖｅｒｓｙｓ（登録商標）Ｓｔａｒ等）、に関して説明したが、他のプラズマ処理システムが使用されてもよい。本発明は、様々な直径（例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ等）の基板で使用することもできる。また、可変インダクタ等のような可変コンデンサの代わりに、他の電気コンポーネントを使用してもよい。さらに、電気的測定装置は、本明細書で説明しているように、電流、インピーダンス等のような電圧以外の電気特性を測定することもできる。本発明の方法を実施する多くの代替的方法があることにも留意されるべきであろう。
【００３５】
本発明の利点は、プラズマ処理システムにおいて、基板を最適化する方法および装置を含んでいる。付加的な利点は、プラズマプロセスの全体にわたってプラズマ密度を最適化し、予防保全のための診断情報を提供することを含んでいる。
【００３６】
典型的な実施形態および最良の形態を説明したが、添付の特許請求の範囲により定義されるような本発明の主題および精神の範囲内に留まりながら、開示された実施形態に対して修正および変形がなされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
本発明は、添付の図面の図において、限定するものとしてではなく実施例として説明しているが、図面中、類似の参照番号は類似の要素を示している。
【図１】プラズマ処理システムの略図を説明している。
【図２】ＴＣＰ（登録商標）の誘導コイルの略図が示されていることを説明している。
【図３】本発明の一実施形態による、マッチングネットワークの略図が示されていることを説明している。
【図４】本発明の一実施形態による、プラズマ負荷３１０の単純化モデルが示されていることを説明している。
【図５】本発明の一実施形態による、誘導コイル電圧が本質的に最適化され平衡化されたマッチングネットワークの単純化された電気回路図が示されていることを説明している。
【図６】本発明の一実施形態による、電圧振幅が平衡化された図５のマッチングネットワークの部分について説明している。
【図１】
2007514300.tif 000003
【図２】
2007514300.tif 000004
【図３】
2007514300.tif 000005
【図４】
2007514300.tif 000006
【図５】
2007514300.tif 000007
【図６】
2007514300.tif 000008
【国際調査報告】
2007514300.tif 000009