(57)【要約】  本発明は、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造に使用するための基板製品に関する。この製品は、ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板を含む。ディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。この製品は、ディスプレイ基板に取外し可能に取り付けられる少なくとも１つの支持基板も含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造に使用するための基板製品において、
ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板であって、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有するディスプレイ基板、および
前記ディスプレイ基板に取外し可能に取り付けられた少なくとも１つの支持基板、
を有してなる基板製品。
【請求項２】
前記基板製品がガラス・オン・ガラス積層板であり、前記少なくとも１つの支持基板が、前記ディスプレイ基板にその後損傷を与えずに化学的溶解に適した犠牲的非ディスプレイ用ガラス組成物からなることを特徴とする請求項１記載の基板製品。
【請求項３】
前記基板製品がガラス・オン・ガラス積層板であり、前記少なくとも１つの支持基板が、前記ディスプレイ基板にその後損傷を与えずに研削／研磨によって除去可能な比較的軟質の非ディスプレイ用ガラス組成物からなることを特徴とする請求項１記載の基板製品。
【請求項４】
前記少なくとも１つの支持基板が、前記ディスプレイ基板の第１の側に配置された第１の支持基板および該ディスプレイ基板の第２の側に配置された第２の支持基板を含むことを特徴とする請求項１記載の基板製品。
【請求項５】
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造に使用するための基板製品を製造する方法において、
ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板であって、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有するディスプレイ基板を形成し、
前記ディスプレイ基板に少なくとも１つの支持基板を取り付ける、
各工程を有してなる方法。
【請求項６】
前記形成工程が、第１のガラス組成物を溶融して、第１の溶融ガラス材料を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記取付け工程が、
少なくとも１つの第２のガラス組成物を溶融して、少なくとも１つの第２の溶融ガラス材料を形成し、
前記第１の溶融ガラス材料および前記少なくとも１つの第２の溶融ガラス材料の両方が液体状態にある間に、該第１の溶融ガラス材料を該少なくとも１つの第２の溶融ガラス材料と組み合わせ、それによって、ディスプレイ基板層および少なくとも１つの支持基板層を形成し、
前記ディスプレイ基板層および前記少なくとも１つの支持基板層の両方がそれらの間の欠陥のない界面を提供するのに十分に流動状態にある温度で、該ディスプレイ基板層および該少なくとも１つの支持基板層を融着し、
融着した前記ディスプレイ基板層および前記少なくとも１つ支持基板層を冷却し、それによって、ガラス・オンガラス積層製品を形成する、
各工程を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記取付け工程が、
前記ディスプレイ基板に接着剤を塗布し、
前記少なくとも１つの支持基板を前記ディスプレイ基板にそれらの間に配置された前記接着剤によって接合し、
前記接着剤を硬化させる、
各工程を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項９】
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルを製造する方法において、
ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板であって、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有するディスプレイ基板を複数形成し、
前記各ディスプレイ基板に支持基板を取り付け、
前記複数のディスプレイ基板の第１のディスプレイ基板および該複数のディスプレイ基板の第２のディスプレイ基板を備えたアクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造し、
前記第１のディスプレイ基板および第２のディスプレイ基板に取り付けられた前記支持基板を除去する、
各工程を有してなる方法。
【請求項１０】
前記製造工程がさらに、前記第１のディスプレイ基板上に複数の薄膜トランジスタを配置し、
前記第１のディスプレイ基板上に配置された各薄膜トランジスタについて赤のサブピクセル、緑のサブピクセル、および青のサブピクセルを含むカラーフィルタを第２のディスプレイ基板上に配置し、
前記第１のディスプレイ基板および第２のディスプレイ基板を封止する、
各工程を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルにおいて、
０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する第１のディスプレイ基板、
０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する第２のディスプレイ基板、および
前記第１のディスプレイ基板および第２のディスプレイ基板の間に配置された液晶材料、
を有してなる液晶ディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本出願は、２００３年７月３日に出願された米国特許出願第１０／６１３９７２号の優先権を主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、広くガラス基板に関し、より詳しくは、ＡＭＬＣＤディスプレイ製造プロセスに使用するためのガラス基板製品に関する。
【背景技術】
【０００３】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、外部光源を使用する非放射型ディスプレイである。ＬＣＤは、外部光源から放射された入射する偏光された光ビームを変調するように構成された装置である。ＬＣＤ内のＬＣ材料は、入射する偏光光を光学的に回転させることによって光を変調する。回転度は、ＬＣ材料内の個々のＬＣ分子の機械的配向性に対応する。ＬＣ材料の機械的配向性は、外部電場の印加によって容易に制御される。この現象は、典型的なツイストネマチック（ＴＮ）液晶セルを考えることによって容易に理解される。
【０００４】
典型的なＴＮ液晶セルは、二枚の基板およびそれらの間に配置された液晶材料の層を含んでいる。互いに９０°に方向付けられた偏光フイルムが、基板の外面に配置されている。入射する偏光光が偏光フイルムを通過するときに、第１の方向（例えば、水平、または垂直）で線形に偏光される。電場が印加されていないと、ＬＣ分子は９０°の螺旋を形成する。入射した線形に偏光された光が液晶セルを横切ると、液晶材料によって９０°回転され、第２の方向（例えば、垂直、または水平）に偏光される。光の偏光は、第２のフイルムの偏光に一致するように螺旋によって回転されたので、第２の偏光フイルムは光を透過させる。電場が液晶層に亘って印加されると、ＬＣ分子の配列が乱され、入射した偏光光は回転されない。したがって、この光は第２の偏光フイルムによって遮断される。上述した液晶セルは光弁として機能する。この光弁は電場の印加によって制御される。印加された電場の性質に応じて、ＬＣセルは可変光減衰器として動作されることが当業者には理解されよう。
【０００５】
アクティブマトリクス型ＬＣＤ（ＡＭＬＣＤ）は一般に、マトリクス中に数百万もの上述したＬＣセルを含有する。ＡＭＬＣＤの構造に戻ると、基板の一方はカラーフィルタ・プレートを含み、反対の基板はアクティブ・プレートとして知られている。アクティブ・プレートは、各セルまたはサブピクセルの電場の印加を制御するために用いられるアクティブ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。薄膜トランジスタは、スパッタリング、ＣＶＤ、フォトリソグラフィー、およびエッチングなどの典型的な半導体タイプのプロセスを用いて製造される。カラーフィルタ・プレートは、対向するアクティブ・プレートのサブピクセル電極領域と精密に対応してその上に配置された一連の赤、青、および緑の有機染料を含む。それゆえ、カラーフィルタ・プレート上の各サブピクセルは、個々に制御可能でなければならないので、アクティブ・プレート上に配置されたトランジスタ制御電極に整合されている。各サブピクセルにアドレスし制御する方式の１つは、各サブピクセルに薄膜トランジスタを配置することによるものである。
【０００６】
上述した基板のガラスの性質は非常に重要である。ＡＭＬＣＤ装置の製造に用いるガラス基板の物理的寸法は厳重に制御しなければならない。特許文献１および２に記載されているフュージョン・プロセスは、ラップ仕上げ、研削、および研磨などの、基板の形成後の費用のかかる仕上げ作業を必要とせずに、基板用ガラスを供給できる数少ないプロセスの内の１つである。さらに、アクティブ・プレートは、上述した半導体タイプのプロセスを用いて製造されるので、基板は、熱的および化学的に安定でなければならない。熱圧密または収縮としても知られている熱安定性は、製造プロセスの関数であるガラスシートの熱履歴および特定のガラス組成の固有の粘性（その歪み点により示される）の両方に依存する。化学安定性は、ＴＦＴ製造プロセスに用いられる様々なエッチング溶液に対する耐性を意味する。
【０００７】
現在、より大きなディスプレイ・サイズが要望されている。この要望、および規模の経済に由来する利益のために、ＡＭＬＣＤ製造業者は、より大きなサイズの基板の加工に駆りたてられている。しかしながら、これには、いくつかの課題がある。第１に、より大きなディスプレイの増加した質量が問題である。消費者が大きなディスプレイを求める一方で、より軽くより薄いディスプレイの要望もある。残念ながら、ガラスの厚さが減少すると、ガラス基板の弾性の垂れ下がりが問題になる。この垂れ下がりはさらに、大きなディスプレイを製造するための基板のサイズが増加すると悪化する。現在、ＴＦＴ製造技術では、ガラスの垂れ下がりのために０．５ｍｍより薄いフュージョン・ガラスに適応することは難しい。より薄くより大きな基板は、加工ステーション間でガラスを輸送するために用いられるカセット内においてガラスを装填し、取り出し、間隔を空ける加工ロボットの能力に悪影響を及ぼす。薄いガラスは、ある条件下で、損傷をより受けやすく、加工中の破損が増加し得る。
【０００８】
検討されている手法の１つにおいて、ＴＦＴ加工中に、厚いディスプレイガラス基板が用いられる。アクティブ層がガラス基板上に配置された後に、ガラス基板の反対の面が研削および／または研磨によって薄くされる。この手法の欠点の１つは、追加の研削および／または研磨工程を必要とすることである。追加の工程の費用は、極めて高いと考えられる。
【特許文献１】米国特許第３３３８６９６号明細書
【特許文献２】米国特許第３６８２６０９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、ディスプレイ基板の追加の研磨および／または研削工程を行う必要なく、薄膜トランジスタを直接形成できる、極薄フュージョン・ガラス基板を提供することが非常に望ましい。現行のガラス基板の厚さは、約０．６〜０．７ｍｍである。基板の厚さを０．３ｍｍまで減少させることによって、質量を５０％減少させられる。しかしながら、極薄ガラスは、許容できないほど高い程度の垂れ下がりを有し、破損し易い。必要とされているのは、上述した問題なく、最新式のＴＦＴ製造プロセスで用いられる極薄ガラス基板製品である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述した必要性に対処するものである。本発明は、従来のＴＦＴ製造プロセスに使用できる極薄フュージョン・ガラス基板を提供する。本発明のガラス基板製品は、研磨または研削工程を実施する必要なく、薄膜トランジスタを直接形成できる平滑性を有する。本発明は、０．４ｍｍから０．１ｍｍの厚さを有する極薄ガラス基板を提供する。本発明のある態様は、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造に使用するための基板製品である。この製品は、ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板を含む。このディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。この製品は、ディスプレイ基板に取外し可能に取り付けられる少なくとも１つの支持基板も含む。
【００１１】
本発明は、別の態様において、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造に使用するための基板製品を製造する方法を含む。この方法は、ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板を形成する工程を有してなる。このディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。少なくとも１つの支持基板がディスプレイ基板に取り付けられている。
【００１２】
別の態様において、本発明は、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルを製造する方法を含む。この方法は、ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板を複数形成する工程を有してなる。各ディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。支持基板が各ディスプレイ基板に取り付けられている。アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルは、第１のディスプレイ基板および第２のディスプレイ基板を用いて製造される。その後、各ディスプレイ基板に取り付けられていた支持基板が取り外される。
【００１３】
別の態様において、本発明は、第１のディスプレイ基板を含むアクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルを含む。第１のディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。パネルは、第２のディスプレイ基板も含む。第２のディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。第１のディスプレイ基板および第２のディスプレイ基板の間に液晶材料が配置される。
【００１４】
本発明の追加の特徴および利点は、以下の詳細な説明に述べられており、その一部は、その説明から当業者には直ちに明らかであるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付の図面を含む、ここに記載した本発明を実施することによって認識されるであろう。
【００１５】
上述した一般的な説明および以下の詳細な説明は、本発明の単なる例示であり、特許請求の範囲に記載された本発明の性質および特徴を理解する上での概要または構成を提供することが意図されているのが理解されよう。添付の図面は、本発明をさらに理解するために含まれており、本明細書に包含され、その一部を構成する。図面は、本発明の様々な実施の形態を図示しており、説明と一緒になって、本発明の原理および動作を説明するように働くものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の現行の実施の形態を詳細に説明する。その実施例が添付の図面に示されている。できる限り、同じまたは同様の部品を参照するために、全図面に亘り同じ参照番号が用いられる。本発明の基板製品の実施の形態が図１に示され、参照番号１０により全体に亘り示されている。
【００１７】
本発明によれば、本発明は、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルの製造に使用するための基板製品に関する。この製品は、ディスプレイパネルとして使用するのに適したディスプレイ基板を含む。このディスプレイ基板は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する。この製品は、ディスプレイ基板に取外し可能に取り付けられる少なくとも１つの支持基板も含む。したがって、本発明は、最新式のＴＦＴ製造プロセスに使用できる極薄フュージョン・ガラス基板を提供する。このディスプレイ基板は、研磨や研削工程を実施する必要なく、薄膜トランジスタを直接形成できる平滑性を有する。
【００１８】
ここに具体化され、図１に示されたように、本発明の第１の実施の形態による本発明の基板製品１０が開示されている。基板製品１０は、０．６〜０．７ｍｍの範囲の全体の厚さを有するガラス・オン・ガラス(glass-on-glass)積層板である。当業者には、この範囲は従来のＴＦＴ加工技法に適合していることが理解されよう。製品１０は、ディスプレイ基板２０および支持基板３０からなる。ディスプレイ基板２０は、０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲の厚さを有する。支持基板３０の厚さは、ディスプレイ基板の厚さおよび製品１０の全体の厚さに依存する。
【００１９】
ディスプレイ基板２０は、０．４ｍｍ以下の厚さ、アルカリを実質的に含まない組成、および研磨および／または研削の前処理工程を必要とせずにその上に薄膜トランジスタを直接形成できる表面平滑性を有する限り、ＬＣＤディスプレイパネルに使用するのに適したどのようなタイプの基板であってもよい。ディスプレイ基板２０を構成するガラスの組成のより詳しい説明については、ここにその全てを引用する、米国特許第５３７４５９５号および同第６０６０１６８号の各明細書を参照のこと。
【００２０】
ＴＦＴ加工が完了した後、ディスプレイ基板２０から支持基板３０を分離するのに使用される手段に応じて、本発明の支持基板３０に改変および変更を行って差し支えないことが当業者に明らかである。例えば、支持基板３０は、ディスプレイ基板に後で損傷を与えない化学的溶解に適した犠牲的な非ディスプレイ用ガラス組成物（失われるガラス）から構成されてよい。別の実施の形態において、支持基板３０は、ディスプレイ基板に後で損傷を与えずに、研削／研磨によって取り外せる比較的軟質の非ディスプレイ用ガラス組成物からなっていてもよい。当業者には、多くの品種の比較的安価なガラスを支持基板３０の製造に使用してよいことが理解されよう。
【００２１】
実質的に欠陥がなく、研磨表面と平滑性が等しい表面を有する積層基板製品１０は、以下の各工程にしたがって製造できる。最初に、異なる組成の、アルカリ金属を含まない二種類のバッチを溶融する。ディスプレイガラスのバッチは、６００℃より高い歪み点を示し、酸溶液中で比較的不溶性でなければならない。支持基板ガラスのバッチは、酸化物基準の陽イオンパーセントで表して、以下の表の組成からなる。
【表１】
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【００２２】
支持基板ガラスの現在の候補の１つは、酸化物基準の陽イオンパーセントで表して、４１％のＳｉＯ2、１８％のＡｌ2Ｏ3、３２％のＢ2Ｏ3および９％のＣａＯからなる。
【００２３】
積層体を製造する方法のより詳しい説明については、ここにその全てを引用する、米国特許第４１０２６６４号および同第５３４２４２６号の各明細書を参照のこと。
【００２４】
支持基板ガラスは、同じ酸溶液中に少なくとも１０００倍溶解し易く、ディスプレイ基板ガラスの線熱膨張係数の約５×１０-7／℃以内の、凝固点から室温までの線熱膨張係数を有する。支持基板ガラスは、６００℃より高く、ディスプレイ基板ガラスの歪み点に比較的近い歪み点を有する。支持基板ガラスは、０℃〜３００℃の温度範囲に亘る、２０〜６０×１０-7／℃の線熱膨張係数により特徴付けられる。
【００２５】
溶融バッチは、溶融状態にある間に同時に一緒にされて、積層板を形成し、ここで、ディスプレイ基板ガラスは支持基板ガラス内に実質的に完全に取り囲まれている。各層は、間に欠陥のない界面を提供するように、溶融物が流体形態にある温度で一緒に溶融される。積層板は冷却されて、流体形態で存在した各ガラスを固化させる。
【００２６】
先に論じたように、ＴＦＴ加工が完了した後、酸溶液を用いて、支持基板ガラスを溶解させる。支持基板ガラスがそこから除去されているディスプレイ基板ガラスの得られた表面は、実質的に欠陥がなく提供され、研磨されたガラス表面と平滑性が等しい。酸浴中における可溶性ガラス（失われるガラス）の溶解は、積層板がその目的地に到達した後に行われる。それゆえ、積層板から切断された板は、容易に積み重ねられ、ＬＣＤ表示装置の製造業者に輸送できる。
【００２７】
二種類のガラスの液相線温度値は、選択された形成プロセス中に失透が生じるのを防ぐために、積層が行われる温度より低いことが好ましい。
【００２８】
最後に、従来の実施によれば、最も好ましくは冷却工程中に、どのような有害な歪みも避けるために、積層板を焼鈍してもよいが、冷却された積層板は、再加熱して、その後、焼鈍してもよい。先に説明したように、本発明のガラスの歪み点は、ａ−Ｓｉ装置の形成に焼鈍が必要とされないほど十分に高い。
【００２９】
ここに具体化され、図２に示されているように、本発明の基板製品１０の別の実施の形態が開示されている。再度、基板製品１０は、０．６〜０．７ｍｍの全体の厚さを有し、これは、現行のＴＦＴ加工技法に適合している。ディスプレイ基板２０は、０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲の厚さを有する。支持基板３０の厚さは、ディスプレイ基板の厚さおよび製品１０の全体の厚さに依存する。この実施の形態において、支持基板３０は、接着剤４０を用いてディスプレイ基板２０に取り付けられている。接着剤４０は、４５０℃に近いであろうポリ−Ｓｉ加工の高温に耐えるように配合された高温融剤である。さらに、支持基板３０および接着剤４０は、ＴＦＴ加工中に遭遇する化学的、機械的、および光学的環境ストレスに耐えるようなタイプのものである。可能性のある接着剤のより詳しい説明については、ここにその全てを引用する米国特許第５２８１５６０号明細書を参照のこと。
【００３０】
ディスプレイ基板２０および支持基板３０の組成が、第１の実施の形態の議論において開示された。ディスプレイ基板２０および支持基板３０の両方は、フュージョン・ドロー・プロセスを用いて製造してもよい。フュージョン・ドロー技法を用いてガラス基板を製造するためのシステムおよび方法のより詳しい説明については、ここにその全てを引用する特許文献１および２を参照のこと。より高いギアレシオのドライブおよび複合延伸ロールを使用することによって、フュージョン・ドロー技法は、約１００マイクロメートル（０．１ｍｍ）の厚さを有するガラス基板をうまく製造することができる。支持基板としてフュージョン・ガラスを使用することの利点の１つは、その優れた平面度である。表面の平面度は、ＴＦＴ加工中に行われるフォトリソグラフィー工程中の焦点誤差を最小にするので重要である。さらに、支持基板３０の線熱膨張係数（ＣＴＥ）をディスプレイ基板のものに一致させられる。基板が異なるＣＴＥを有すると、製品が反ってしまうかもしれない。フュージョン・ドロー・プロセスを使用することの別の利点は、高い弾性率を有する支持基板を製造する能力である。
【００３１】
上述した第２の実施の形態には、第１の実施の形態と同じ利点がある。基板製品１０は、最新式のＴＦＴ加工に適合する、全体の厚さ、質量および垂れ下がりの特性を有する。犠牲的支持基板３０を使用することにより、より軽くより薄いディスプレイパネルの製造が可能になる。
【００３２】
図３を参照すると、本発明の別の代わりの実施の形態が開示されている。この実施の形態において、支持基板３０は、基板の表面に垂直に、ガラスにドリルで穴３２が開けられたフュージョン・ガラス板である。穴のサイズと数は、加工ステーションから製品１０を分離するのに用いられる剥離機構に依存する。ある実施の形態において、剥離機構は、テフロン（登録商標）などの軟質の非研磨材料から製造された持ち上げピンを使用する。別の実施の形態において、剥離機構は、気体または液体を施用して基板を持ち上げる。支持基板３０の物理的構成は、波形または「卵の容器(egg crate)のような」設計を含む。支持基板３０は再生ガラスからなっていてもよい。加工後、基板３０は、カレットに砕き、上述した技法の内の１つを用いて再形成してもよい。基板３０は、カレットに砕かずに再利用してもよい。
【００３３】
別の実施の形態において、支持基板３０は、ディスプレイ基板２０を取り囲む縁を含む。この実施の形態において、加工中に製品１０を適所に保持するために穴３２を介してディスプレイ基板を真空に引いてもよい。この実施の形態において、接着剤４０は必要ないであろう。しかしながら、接着剤を塗布しない場合、ディスプレイ基板２０が載置される支持基板３０の表面にダイアモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）コーティングが施される。ＤＬＣは、熱の分配に役立ち、引っ掻き抵抗性であり、加工後にディスプレイ基板２０を容易に剥離できる。この実施の形態において、ディスプレイ基板２０を剥離するために、気体または液体を施用してもよい。
【００３４】
ここに開示され、図４に示されるように、本発明のさらに別の実施の形態が開示されている。基板製品１０は、両側が失われるガラス基板３００および３０２で被覆されたディスプレイ基板２０を含む。この実施の形態は、ディスプレイ基板２０に追加の保護を与える。ＴＦＴ加工および処理の前に、支持基板の一方が除去される。ＴＦＴ加工後、第２の基板が除去され、プラスチック偏光フイルムがディスプレイ基板２０の背面に施される。上述したように、失われるガラスの性質は、ＴＦＴ加工条件に適合していなければならないであろう。
【００３５】
図５を参照すると、基板製品１０のさらにまた別の実施の形態が開示されている。この実施の形態は、基板製品１０がディスプレイ基板２０および支持基板３０を含む積層板であるという点で、図１に示した実施の形態に似ている。しかしながら、製品１０は、その上に前処理層３１０が配置された状態で、ＬＣＤ製造業者に輸送してもよい。層３１０は、ディスプレイ基板２０上に配置されたシリカ層３１２を含む。シリコン層３１４がシリカ層３１２の上に配置されている。両方の層は、化学的気相堆積（ＣＶＤ）技法を用いて形成してもよい。この実施の形態の利点は、以下の議論後に明らかとなる。
【００３６】
図６を参照すると、アクティブ基板上のＴＦＴの断面図が示されている。本発明のアクティブ基板１００は、支持基板３０上に配置されたディスプレイ基板２０を含む。図５に用いた参照番号を用いると、絶縁シリカ層３１２がディスプレイ基板２０上に配置されている。半導体（Ｓｉ）フイルムから形成されたアクティブシリコン層３１４が絶縁シリカ層３１２上に配置されている。ゲート絶縁層がアクティブシリコン層３１４上に配置されている。ゲート４００が、アクティブ領域の中心にあるゲート絶縁体３２０上に配置されている。ソース３１６およびドレーン３１８がアクティブ領域に形成されている。動作中、電力がトランジスタに供給されると、電流がソース３１６からドレーン３１８に流れる。ピクセルの作動は、ドレーン３１８に連結された回路によって制御される。図６に示されたＴＦＴトランジスタ１００の構成は説明目的のためであり、本発明は、このタイプのトランジスタに限られるものと解釈すべきではない。したがって、図６は、０．１〜０．４ｍｍの厚さを有するより軽くより薄いディスプレイ基板上にＴＦＴの製造を可能にする犠牲的支持基板３０の使用を示している。当業者には、基板製品１０が、従来のＴＦＴ加工に適合する全体の厚さ、質量、および垂下り特性を有することが理解されよう。それゆえ、本発明は、ＴＦＴ製造プロセスに重大な変更を特に行わずに用いられる。一旦ＴＦＴ加工が完了したら、犠牲的支持基板を、上述した技法の内の１つを用いて除去してよい。
【００３７】
図７Ａおよび７Ｂは、本発明によるアクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルを製造する方法を示す詳細図である。図７Ａに示されているように、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルは、両方とも本発明の原理にしたがって製造された基板製品１０および基板製品１２を用いて製造される。複数の薄膜トランジスタを基板製品１０のディスプレイ基板２００上に配置して、アクティブ基板を製造する。製品１２上のディスプレイ基板２０２上にカラーフィルタを配置して、カラーフィルタ基板を製造する。その後、液晶材料５０をアクティブ基板２００とカラーフィルタ基板２０２の間に配置し、適切な材料で密封する。図７Ｂに示すように、ディスプレイ基板（２００，２０２）の各々に取り付けられた支持基板３０を除去する。本発明の利点を明らかにするために、ディスプレイ基板２００および２０２の各々が０．３ｍｍの厚さを有する場合、これにより得られたディスプレイパネル７００は、従来のディスプレイ基板の厚さが約０．６〜０．７ｍｍであるので、従来のＡＭＬＣＤパネルよりも５０％軽くなることに留意されたい。ディスプレイ基板２００および２０２の各々が０．１ｍｍの厚さを有する場合、これにより得られたディスプレイパネル７００は、従来のＡＭＬＣＤパネルよりも約８０％軽くなる。
【００３８】
本発明の精神および範囲から逸脱せずに、本発明に様々な改変および変更を行えることが当業者には明らかである。それゆえ、本発明は、本発明の改変および変更を、それらが添付の特許請求の範囲および同等物に含まれるという条件で包含することが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による本発明の基板製品の概略図
【図２】本発明の第２の実施の形態による本発明の基板製品の概略図
【図３】本発明の第３の実施の形態による本発明の基板製品の概略図
【図４】本発明の第４の実施の形態による本発明の基板製品の概略図
【図５】図１に示した基板製品の代わりの実施の形態の概略図
【図６】図１に示したディスプレイ基板上のＴＦＴトランジスタの配置を示す詳細図
【図７Ａ】本発明によるＴＦＴ加工を示す詳細図
【図７Ｂ】本発明によるＴＦＴ加工を示す詳細図
【符号の説明】
【００４０】
１０    基板製品
２０，２００，２０２    ディスプレイ基板
３０    支持基板
４０    接着剤
１００    アクティブ基板
３１２    絶縁シリカ層
３１４    アクティブシリコン層
３１６    ソース
３１８    ドレーン
７００    ディスプレイパネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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