(57)【要約】  プラズマ処理チャンバを効果的にモニターするための、無線周波（ＲＦ）電源（例：約２ＭＨｚ、約２７ＭＨｚあるいは約６０ＭＨｚ）に対応する電気パラメータを提供できるＶＩ−プローブと、電気パラメータのそれぞれにハーモニクスを提供できる市販のプローブ製品にカップリングされる、及び／または含まれるプロセッサと、電気パラメータの１つ並びにプラズマ処理ステップのためのエンドポイント検出用関連ハーモニクスの１つを選択できるプロセッサにカップリングされたコントローラと、を含んだプラズマ処理制御システム。電気パラメータは、電圧、位相及び電流を含むことができ、プラズマ処理適用形態は誘電エッチングであってもよい。本発明の実施例によるシステムは特に製造環境での誘電エッチングに適している。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理制御システムであって、
無線周波（ＲＦ）発生装置が作動すると複数の電気パラメータに関するデータを提供するように設計されており、プラズマ処理チャンバの電極と前記無線周波（ＲＦ）発生装置にカップリングされたプローブと；
前記プローブにカップリングされ、前記複数の電気パラメータのそれぞれのために複数のハーモニクスを提供するように設計されたプロセッサと；
前記プロセッサにカップリングされ、プラズマ処理ステップのエンドポイント検出のために前記複数の電気パラメータの１つ並びに複数のハーモニクスの１つを選択するように設計されたコントローラと、
を含んでいるシステム。
【請求項２】
ＲＦ発生装置は略２ＭＨｚの周波数を提供することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
ＲＦ発生装置は略２７ＭＨｚの周波数を提供することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
ＲＦ発生装置は略６０ＭＨｚの周波数を提供することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
複数の電気パラメータは電圧を含んでいることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
複数の電気パラメータは位相を含んでいることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項７】
複数の電気パラメータは電流を含んでいることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項８】
複数のハーモニクスは第１及び第２ハーモニクスを含んでいることを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項９】
複数のハーモニクスは第１及び第２ハーモニクスを含んでいることを特徴とする請求項６記載のシステム。
【請求項１０】
複数のハーモニクスは第１及び第２ハーモニクスを含んでいることを特徴とする請求項７記載のシステム。
【請求項１１】
複数のハーモニクスのうちの所定のハーモニクスは第１ハーモニクス以外であることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
プラズマ処理ステップは誘電エッチングステップを含んでいることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１３】
プラズマ処理チャンバ内でのプラズマ処理ステップのためのエンドポイント検出方法であって、
与えられた電気パラメータ及び該与えられた電気パラメータの与えられたハーモニクスを識別する第１データを受領するステップと；
ＲＦ発生装置が作動すると複数の電気パラメータに関する第２データを提供するように設計されており、プラズマ処理チャンバの電極と無線周波（ＲＦ）発生装置にカップリングされたプローブと、
前記第２データから、前記複数の電気パラメータの特定電気パラメータのための特定ハーモニクスに関する第３データを提供するように設計され、前記特定電気パラメータは前記与えられた電気パラメータと同タイプであり、前記特定ハーモニクスは前記与えられたハーモニクスと同一オーダーであることを特徴とする、前記プローブにカップリングされたプロセッサと、
を含んだプラズマ処理制御システムを提供するステップと；
前記第３データを検出に利用するステップと、
を含んだ方法。
【請求項１４】
第１データは、与えられた電気パラメータの与えられたハーモニクス中の予想エンドポイント特徴を識別するパラメータをさらに含んでいることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
与えられたハーモニクスは与えられた電気パラメータの第１オーダーハーモニクス以外であることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
ＲＦ発生装置は略２ＭＨｚの周波数を提供することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
ＲＦ発生装置は略２７ＭＨｚの周波数を提供することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
ＲＦ発生装置は略６０ＭＨｚの周波数を提供することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
複数の電気パラメータは電圧を含んでいることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
複数の電気パラメータは位相を含んでいることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
複数の電気パラメータは電流を含んでいることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
プラズマ処理ステップは誘電エッチングステップを含んでいることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体加工結果を改善するための方法とシステムとに関する。特に、誘電エッチングのエンドポイント検出法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理システムは実用化されて久しい。この数年来、誘電結合プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）源、容量源、等々を利用したプラズマ処理システムが実用化され、半導体基板やガラスパネルを加工するために様々に利用されてきた。
【０００３】
典型的には、加工時に複数の蒸着（被膜）ステップ及び/又はエッチングステップが関与する。蒸着処理時に、加工材料が基板表面（ガラスパネルまたはウェハーの表面）に被膜（蒸着）される。例えば、多様な形態のシリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、並びに金属等を含んだ蒸着層及び/又は成長層が基板の表面に形成される。それとは逆に、エッチングは基板表面の所定領域から材料を選択的に除去するためにも実施できる。例えば、バイア、コンタクト及び/又はトレンチ等のエッチ加工部が基板の層内に形成される。エッチング法によっては、プラズマ照射面を同時的にエッチングして被膜させる化学作用及び/又はパラメータが利用される。
【０００４】
プラズマは、例えば、誘導結合、ＥＣＲ、マイクロ波及び容量結合プラズマ法を含んだ様々なプラズマ発生法で発生及び/又は維持できる。例示的容量結合型のプラズマ処理システム１５０が図１に図示されている。プラズマ処理システム１５０の多くのコンポーネントは従来のものであり、例えば、カルフォルニア州フレモントのラムリサーチコーポレーションが製造販売するプラズマエッチャのエクセランシリーズ（例えば、２３００エクセランフレックス）である。
【０００５】
図１で示すプラズマ処理システム１５０はチャンバ１００を含む。チャンバ１００は、エッチ副産物を処理して排出するために、真空ポンプ（例：“ポンプ”）を利用した排出通路を提供する容器を提供する。チャンバ１００はこの例示的プラズマ処理システムではアースされている。図１で示す例において、同様にアースされている上方電極１０４は、エッチャント原料ガス（例：“供給原料ガス”）供給機構として機能する。エッチャント原料ガスは入口からチャンバ内に導入され、プラズマ領域１０２内で上方電極１０４と静電チャック（ＥＳＣ）１０８との間に供給される。静電チャック１０８は下方電極１０６の上方に提供されている。処理対象のウェハー１０９はＥＳＣ１０８上に搭載される。
【０００６】
下方電極１０６は無線周波（ＲＦ）搬送システムによってエネルギー付与される。ＲＦ搬送システムはＲＦ整合回路網１１０とＲＦ電源１１８を含んでいる。Ｖ−Ｉプローブ１１２がＲＦ整合回路網１１０の出力部にカップリングでき、フィードバック制御目的で、ＲＦ電源１１８により供給されるパラメータを測定する。図１の例では、ＲＦ電源１１８は約２ＭＨｚ周波数と約２７ＭＨｚ周波数の両方を下方電極１０６に供給する。ＲＦ電源がＲＦ電力を下方電極１０６及びＥＳＣ１０８に供給すると、プラズマが点火され、プラズマ領域１０２で維持されて、ウェハー１０９をエッチング処理する。
【０００７】
プローブセンサー（Ｖ−Ｉプローブ１１２）はＲＦ電源の下流で、可能な限りＥＳＣに接近して配置される。しかし、どれほどＥＳＣに接近してプローブを設置できるかには維持の問題が絡む。１例として、Ｖ−Ｉプローブ１１２はＥＳＣから約８インチから約９インチ離れている。Ｖ−Ｉプローブ１１２とデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）１１４は集積型製品の一部でもあり得る。そのような市販のプローブ製品はマサチューセッツ州アンドオーバーのＭＫＳインスツールメント社のＭＫＳ・ＥＮＩ製品であるＶＩ−ＰＲＯＢＥ−４１００周波数スキャンプローブである。別のそのような市販製品はスマートＰＩＭであり、アイルランドのダブリンのストラータムプロセスウェア社（旧名“サイエンティフィックシステムズ社”）から入手できる。それぞれのそのような市販製品は多様なＲＦ電源周波数の電圧、電流及び位相のパラメータ情報を検出できる。さらに、それぞれはファーストフーリエ変換（ＦＦＴ）あるいはＤＰＳの他の適した方法でこれらパラメータのハーモニクスを提供することができる。従って、プラズマ処理システム１５０の信号１２２はＶ−Ｉプローブ１１２で測定される各パラメータの全ての関連ハーモニクスを含むことができる。エッチプロセスモジュールコントローラ１１６はこの情報を利用してプラズマ処理ステップを制御する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
プラズマシステムでのエッチング処理に共通なプロセスコントロールはエンドポイントの検出である。エンドポイントを決定する従来の方法は、（１）レーザ干渉法及び反射法、（２）発光スペクトロスコピー法、（３）直接観察法、（４）質量スペクトロスコピー法、及び（５）時間ベース予測法、等である。従来のプラズマ処理法では、他を引き離して発光スペクトロスコピー法あるいは光学手段が最も広範に使用される方法である。曝露領域が約５０％であるような適用（例：金属）等、多くの処理ステップでは、発光法は成功するであろう。しかし、この方法の有効性はエッチング速度並びに全エッチング面積によって規制される。特に、光学的エンドポイント検出はバイアのごとき高アスペクト比誘電エッチングでは一般的にさほど有効ではない。多くのそのような誘電エッチングでは典型的には非常に小さい曝露面積であり、恐らくは全酸化表面積または誘電膜のうちの１％程度である。これらの適用のための技術が進歩するに連れて光学方法の信頼性はますます低下している。
【０００９】
さらに近年、上述したような市販プローブシステムからのパラメータがエンドポイントを検出する試みに使用されてきた。そのような方法は一般的には特定パラメータ（典型的には基本的な波形）をエンドポイント検出のために使用してきた。しかし、そのような方法は異なるタイプのエッチング及び/又は処理ステップのための最も高感度なエンドポイント検出法ではないであろう。よって、従来の方法は製造環境にさほど適していないであろう。旧来の方法の共通の問題点には、製造ウェハー間環境の取扱い多様性並びに限られた曝露面積のエッチング処理ステップでの低感度が含まれる。
【００１０】
よって、プロセスの異なるエッチングステップに順応及び最良化でき、製造環境に適したフレキシブルなエンドポイント検出法方法が求められている。特に、誘電エッチング処理ステップのごとき適用形態でのさらに信頼性が高いエンドポイント検出法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の１実施例によれば、プラズマ処理制御システムは、プラズマ処理チャンバを効率的にモニターするためのＶ−Ｉプローブを含む。このプローブはＲＦ電源（例：約２ＭＨｚ、約２７ＭＨｚ、または約６０ＭＨｚ）に対応する電気パラメータを提供することができる。プラズマ処理システムはさらにそれぞれの電気パラメータに対するハーモニクスを提供できる市販のプローブ製品にカップリングされた、及び/又は含まれたプロセッサ、並びに少なくとも１つの電気パラメータと、プラズマ処理適用のエンドポイント検出のための関連ハーモニクスの１つを選択できるプロセッサにカップリングされたコントローラを含む。電気パラメータは電圧、位相及び電流を含むことができ、プラズマ処理は誘電エッチングであってもよい。本発明の実施例によるシステムは製造環境での誘電エッチングに特に向いている。
【００１２】
本発明の別実施例によれば、エンドポイント検出方法は、製造エンドポイント検出キャリブレーションを実行するステップと、製造環境エンドポイント検出を実行するステップの一般的な方法を含むことができる。製造エンドポイント検出キャリブレーションの実行ステップは、(i)サンプルウェハーに対するプラズマエッチングの実行ステップ、(ii)エンドポイントを検出するために選択ハーモニクスプロットを経験的に決定するステップ、及び(iii)エンドポイントを示すハーモニクスパラメータを取得するステップを含んでいる。製造環境エンドポイント検出の実行ステップは、(i)製造用ウェハー上にプラズマエッチングを実行するステップ、(ii)選択されたハーモニクスプロットを入手するステップ、(iii)エンドポイントを検出するために選択されたハーモニクスプロットを分析するステップ、(iv)エンドポイントが検出されなければプラズマエッチングを継続するステップ、(v)エンドポイントが検出されたらプラズマエッチングを中止するステップ、及び(vi)エンドポイント後処理を実行するステップを含んでいる。
【００１３】
以下において、本発明のこれら及び他の特徴を添付図面に基づいてさらに詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明を添付図面に図示した実施例を参照に付して詳細に解説する。以下の説明において、本発明の理解を助けるために多数の特定な詳細が記載されている。それら全てを実行せずとも本発明の実施は可能である。周知の技術の解説は省略されている。本発明の特徴と利点は図面と以下の説明で理解されよう。
【００１５】
前述のように、Ｖ−Ｉプローブは電流、電圧及び位相パラメータの測定に利用できる。さらに、それぞれのハーモニクスは信号処理（例：図１のＤＳＰ１１４）を通して決定できる。基本パラメータまたは第１パラメータを含むこれらパラメータは本発明の実施例に従ったエンドポイント検出法で考察できる。さらに、これら方法は、例えば図１のＲＦ電源１１８で提供されるような異なる周波数に対応できる。本発明の実施例に従った方法は、与えられたＲＦ周波数でエンドポイント検出のための特定パラメータ及び関連ハーモニクスの選択を可能にする。例えば、特定の実施例で、約２ＭＨｚのＲＦ信号用の電圧パラメータの第２ハーモニクスがエンドポイントの信頼できる検出に使用できる。特定利用のための最良エンドポイント検出のための周波数、ハーモニクス及びパラメータの選択方法を以下でさらに詳細に説明する。
【００１６】
本発明の実施例によれば、製造エンドポイント検出キャリブレーション法と製造環境エンドポイント検出法が提供される。一般的に、製造エンドポイント検出キャリブレーション法は、エンドポイント検出のために与えられた周波数に対する最良ハーモニクスとパラメータの選択を提供する。さらに、製造環境エンドポイント検出法は、製造環境の様々な処理ステップのためのエンドポイント検出の処理制御を提供する。
【００１７】
製造研究環境では、本発明の実施例による一般的方法は以下の如くである。ウェハーの試験エッチング（例：２個から１００個）を実施できる。利用可能なハーモニクス（基本のものを含む）がそれぞれ検討され、どのパラメータへのどのハーモニクスがエンドポイントで最良の識別子（シグネチャー）を提供するかを検討して決定できる。さらに、製造環境における処理多様性を提供するよう、試験エッチング用に適したウェハーを選択しなければならない。例えば、検出マージンを最適にするように“名目的”処理ウェハーを選択することができる。
【００１８】
図２では、本発明の実施例による製造研究エンドポイント検出キャリブレーション法のフロー図を符号２００で示す。このフロー図を開始ステップ２０２で始めることができる。次に、試験ウェハーまたはサンプルウェハーの基板を所定時間エッチングできる（ステップ２０４）。次に、エッチングのエンドポイント時間を、例えば“経験的”決定手段である独立手段で決定できる（ステップ２０６）。サンプルウェハーのエンドポイントを経験的に決定する１つの方法は、サンプルウェハーのエッチング位置でのスキャン電子顕微鏡（ＳＥＭ）分析である。このようにエンドポイントを前もって決定することで、それぞれのハーモニクスプロットでのエンドポイント検出時間が“ピンポイント”で決定できる。従って、エンドポイントの所定決定法（例：サンプルウェハーのＳＥＭ分析）が存在でき、さらにどれが最適な相関エンドポイント指標を提供するかを経験的に決定するための全利用可能プロットの観察が存在できる。
【００１９】
次に、エンドポイント時間が検出されていない場合には、決定ボックス２０８はプロセスをステップ２０４へ戻すことができる。それ以外の場合は、エンドポイント時間を超えて新しい基板をエッチングし、Ｖ−Ｉプローブ信号を記録する（ステップ２１０）。次に、電圧、電流及び位相を含む与えられたＲＦ周波数のためのハーモニクスプロットを、知られたエンドポイント時間の近くで最も高感度なエンドポイントの識別子を決定するように分析並びに比較することができる（ステップ２１２）。次に、エンドポイントハーモニクスアルゴリズムを定義することができる（ステップ２１４）。もちろん、実施例によっては第１ハーモニクスまたは基本的な波形が、実施例によるエンドポイント検出には最も適しているであろう。１実施例では、約２ＭＨｚの電圧パラメータのための第２ハーモニクスが、誘電エッチングのための最良エンドポイント検出を提供するとされた。さらに、ステップ２１４は、選択ハーモニクスからエンドポイントを選択する数理的方法（すなわち“アルゴリズム”）を選択するステップを含んでもよい。可能なアルゴリズムまたは方法については後に詳説する。１実施例では、選択されたアルゴリズム並びにハーモニクス／パラメータの組み合わせを、例えば図１のエッチプロセスモジュールコントローラ１１６のソフトウエアでプログラム処理することができる。図２に戻って、プロセスは新基板をエッチングで継続する（ステップ２１６）。次に、エンドポイント精度を独立手段で確認する（ステップ２１８）。プロセスはステップ２２０で終了する。
【００２０】
図３は、本発明の実施例による製造環境エンドポイント検出のフロー図３５０である。プロセスは開始３００で始めることができる。先ず、ウェハーを搭載する（ステップ３０２）。次に、ウェハーのエッチングを開始する（ステップ３０４）。次に、Ｖ−Ｉプローブ信号をモニターしながら基板（例：製造ウェハー）をエッチングする。次に、Ｖ−Ｉ信号を測定し（ステップ３０８）、分析する（ステップ３１０）。分析には、従来アルゴリズムを利用したプロットからのエンドポイント検出を含む。さらに、複数の信号（例：電圧及び位相）を組み合わせた多変量技術を含み、傾斜検出における変化、強度比較、あるいは従来の光学検出法で使用されるいかなる標準技術等の方法が使用できる。さらに、検出方法へ時間窓を組み込んで、エンドポイントが予想される時間範囲をハーモニクスプロット上に効果的に強調してもよい。プロットからのエンドポイント検出については、図４に関してさらに詳説する。
【００２１】
図３において、ステップ３１０の後でエンドポイントが検出されていない場合には、決定ボックス３１２はプロセスをエッチングを継続するステップ３１４へ戻すことができる。ステップ３１４からのプロセスはその後ステップ３０８へ進むことができる。エンドポイントが検出されている場合は、指定追加時間のエッチングあるいは別の化学処理または他の処理の実施等のエンドポイント後処理を実行できる（ステップ３１６）。プロセスはステップ３１８で終了する。
【００２２】
本発明の実施例で使用できる処理法並びにウェハースタックの組み合わせは数多い。本発明の実施例による試験法で使用する１例を以下の表に示す。図４から図６は関連ハーモニクス波形を示しており、後に詳説する。
【００２３】
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【００２４】
図４は、本発明の実施例によるエンドポイント検出のための電圧ハーモニクス波形のグラフ４００を示している。これは、エンドポイント検出のための基本的または第２ハーモニクスプロットのいずれかの使用の可能性を示す例示的波形である。前述の如く、一般的な方法は、与えられたＲＦ周波数でのパラメータ（例：電圧、電流または位相）の最良ハーモニクスを決定することである。一般的に、１波形を別のものよりも好適にする特徴には、ウェハー間で反復並びに再生可能なものと共に、エンドポイントに関する最大強度変化が含まれる。この反復性は製造環境にとって重要な特徴の１つである。
【００２５】
図４で、波形４０２は、約２７ＭＨｚのＲＦ周波数のための電圧パラメータの第１ハーモニクス（すなわち基本的）プロットを示す。このグラフから、領域４０６に対応するエンドポイントを決定することができる。この決定をする１つの方法はトラフを探すためのアルゴリズムであり、おそらく小操作（より高い周波数）を平滑にするためのフィルタリングステップが含まれるであろう。前述の如く、エンドポイントが時間における所定ポイントの前あるいは後に生じる可能性は低いため、遅延要因を“ブラケット（囲む）”すなわちエンドポイント周囲の窓の形成に使用できる。他の可能な方法には、信号、導関数、比率あるいはいかなるその他の標準技術での強度差異の利用が含まれる。図１のエッチプロセスモジュールコントローラ１１６は、例えばソフトウエア制御によってプログラムされた、エンドポイント検出のためにトラフのフィルタリングおよび識別を実行できる。図４では、波形４０４は約２ＭＨｚのＲＦ周波数のための電圧パラメータの第２ハーモニクスプロットを示している。同様に、図示の如く波形はエンドポイント検出のための特徴を示している。従って本発明の実施例では、波形４０２または波形４０４のいずれかを効果的に選択並びに使用することでエンドポイントを検出できる。
【００２６】
図５は、本発明の実施例によるエンドポイント検出のための位相ハーモニクス波形のグラフ５００を示している。波形５０２は、約２７ＭＨｚのＲＦ周波数のための位相パラメータの第１ハーモニクス（すなわち基本）プロットを示している。図示の如く、このグラフからエンドポイントを決定できる。波形５０４は約２ＭＨｚのＲＦ周波数のための位相パラメータの第２ハーモニクスプロットを示している。図から理解されるように、その約２ＭＨｚ位相パラメータの第２ハーモニクスでは、その約２７ＭＨｚ位相パラメータの基本プロットよりもエンドポイント決定が困難であろう。従って、別パラメータ及び／またはハーモニクスを選択して約２ＭＨｚＲＦのためのエンドポイントを決定してもよい。
【００２７】
図６は、本発明の実施例によるエンドポイント検出のための電流ハーモニクス波形のグラフ６００を示す。波形６０２は、約２ＭＨｚのＲＦ周波数のための電流パラメータの第２ハーモニクスプロットを示している。図示の如く、このグラフからエンドポイントを決定できる。従って、電圧、位相及び電流パラメータはそれぞれ、本発明の実施例によるエンドポイント検出に適したハーモニクスを有することができる。他の例では、その他のパラメータ及び／またはハーモニクスが最良エンドポイント検出プロットを提供するであろう。
【００２８】
ＲＦ電源を上部電極及び下部電極に提供するシステムでは、ＶＩ−プローブには下部電極だけ、上部電極だけ、あるいは２つの電極それぞれが提供できる。図７は別実施例を示しており、ＶＩ−プローブ７３２及び関連ＤＳＰ７３４には上部電極７０４が提供されている。ＶＩ−プローブ７１２とＤＳＰ７１４には下部電極７０８が提供されている。上部電極７０４には、ＲＦ整合回路網７３０、ＲＦ電源７２８、及び接地チャンバ７００から上部電極７０４を絶縁するための電極絶縁体７３８を含む関連コンポーネントも提供されている。図７の実施例では、エンドポイント信号をＶ−Ｉプローブ７１２、Ｖ−Ｉプローブ７３２あるいは両方のＶ−Ｉプローブから測定することができる。
【００２９】
本発明を数々の好適実施例で説明したが、本発明の範囲内で変更が可能である。例えば、例示的実施例では電圧、位相、及び電流の３つのパラメータを挙げたが、あらゆる適した数のパラメータ及び／またはパラメータの組み合わせを利用できる。さらに、システムによっては別のハーモニクスが好ましい場合があり、別システムや利用法に対しては経験的に決定すればよい。同様に、Ｖ−Ｉプローブシステムが改良されるにつれて、さらに多くの位相システムハーモニクスを利用することができ、従ってこのような利用可能なハーモニクスは本発明の範囲内である。さらに別例として、第５、第６、第７等のハーモニクスプロットが本発明の実施例による最良エンドポイントを提供するかもしれない。約２ＭＨｚ、約２７ＭＨｚ及び約６０ＭＨｚのＲＦ周波数を例として挙げたが、他のＲＦ周波数または適した型の周波数をプラズマ処理システム等に利用してもよい。本発明のシステム並びに方法の実施には他にも多くの変更例がある。添付の請求の範囲には本発明の範囲内の変更例が全て含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１はＶ−Ｉプローブを利用した従来のプラズマ処理システムの概略断面図である。
【図２】図２は本発明の１実施例に従った製造研究所エンドポイント検出キャリブレーション法のフロー図である。
【図３】図３は本発明の１実施例に従った製造環境エンドポイント検出法のフロー図である。
【図４】図４は本発明の１実施例に従ったエンドポイント検出のための電圧ハーモニクス波形図である。
【図５】図５は本発明の１実施例に従ったエンドポイント検出のための位相ハーモニクス波形図である。
【図６】図６は本発明の１実施例に従ったエンドポイント検出のための電流ハーモニクス波形図である。
【図７】図７は本発明の１実施例に従った、複数のＶ−Ｉプローブが関与する形態を図示する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007531999.tif 000008
【図６】
2007531999.tif 000009
【図７】
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【国際調査報告】
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