(57)【要約】  リソグラフィ装置が開示される。この装置は、放射線ビームを供給する照明システムと、パターン付与構造体を支持する支持構造体とを含む。このパターン付与構造体は、放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成される。この装置はまた、基板を支持する基板支持部と、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムとを含む。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。
2007522646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線ビームを供給する照明システムと、
前記放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成されたパターン付与構造体を支持する支持構造体と、
基板を支持する基板支持部と、
前記パターン付与されたビームを前記基板の標的部分に投影する投影システムと、
前記リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムであって、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成されるデブリ軽減システムとを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記デブリ軽減システムが、複数のデブリ捕集表面を含む、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場を印加し、それによって、使用中に、前記荷電粒子が、前記複数のデブリ捕集表面の少なくとも１つに向って実質的に移動するように構成される、請求項２に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場を印加し、それによって、使用中に、前記荷電デブリ粒子の少なくともいくつかが螺旋状に動くように構成される、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記デブリ軽減システムが、前記磁場を印加するための少なくとも１つのソレノイドを含む、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場をオン及びオフに交互に切り替えるように構成される、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場に勾配を与えるように構成される、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記デブリ軽減システムが、更に、所定の周波数を用いて前記磁場を動的に印加するように構成される、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記デブリ軽減システムが、実質的に同軸に並べられた少なくとも２つのソレノイドを含み、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第１のソレノイドが、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第２のソレノイドの直径とは異なる直径を有する、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記デブリ軽減システムが、更に、使用中に、デブリ粒子群内で電流を誘起し、それによって、その群の少なくとも荷電デブリ粒子が、前記磁場の成分に垂直且つ前記誘起電流の成分に垂直な方向を有する力の影響下で偏向するように構成される、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１１】
磁場を印加し、それによって、少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される、リソグラフィ装置内でデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システム。
【請求項１２】
前記デブリ軽減システムが、更に、複数のデブリ捕集表面を含む、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１３】
前記デブリ軽減システムが、更に、磁場を印加し、それによって、使用中に、前記荷電粒子が前記複数のデブリ捕集表面の少なくとも１つに向って実質的に移動するように構成される、請求項１２に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１４】
前記デブリ軽減システムが、磁場を印加するための少なくとも１つのソレノイドを含む、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１５】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場をオン及びオフに交互に切り替えるように構成される、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１６】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場に勾配を与えるように構成される、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１７】
前記デブリ軽減システムが、更に、所定の周波数を用いて前記磁場を動的に印加するように構成される、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１８】
前記デブリ軽減システムが、実質的に同軸に並べられた少なくとも２つのソレノイドを含み、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第１のソレノイドが、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第２のソレノイドの直径とは異なる直径を有する、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項１９】
前記デブリ軽減システムが、更に、使用中に、前記デブリ粒子群内で電流を誘起し、それによって、その群の少なくとも荷電デブリ粒子が、前記磁場の成分に垂直且つ前記誘起電流の成分に垂直な方向を有する力の影響下で偏向するように構成される、請求項１１に記載されたデブリ軽減システム。
【請求項２０】
ＥＵＶ放射線発生の際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムを含み、前記デブリ軽減システムが、磁場を印加し、それによって、少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される、ＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２１】
前記デブリ軽減システムが、更に、複数のデブリ捕集表面を含む、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２２】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場を印加し、それによって、使用中に、前記荷電粒子が、前記複数のデブリ捕集表面の少なくとも１つに向って実質的に移動するように構成される、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２３】
前記デブリ軽減システムが、前記磁場を印加するための少なくとも１つのソレノイドを含む、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２４】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場をオン及びオフに交互に切り替えるように構成される、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２５】
前記デブリ軽減システムが、更に、前記磁場に勾配を与えるように構成される、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２６】
前記デブリ軽減システムが、更に、所定の周波数を用いて前記磁場を動的に印加するように構成される、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２７】
前記デブリ軽減システムが、実質的に同軸に並べられた少なくとも２つのソレノイドを含み、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第１のソレノイドが、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第２のソレノイドの直径とは異なる直径を有する、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２８】
前記デブリ軽減システムが、更に、使用中に、前記デブリ粒子群内で電流を誘起し、それによって、その群の少なくとも荷電デブリ粒子が、前記磁場の成分に垂直且つ前記誘起電流の成分に垂直な方向を有する力の影響下で偏向するように構成される、請求項２０に記載されたＥＵＶ放射線発生源。
【請求項２９】
リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に発生するデブリを軽減させる方法において、
磁場を印加し、それによって、少なくとも荷電デブリ粒子を軽減させる、デブリを軽減させる方法。
【請求項３０】
前記デブリ軽減システムが、更に、複数のデブリ捕集表面を含む、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３１】
前記磁場を印加し、それによって、使用中に、前記荷電粒子を、前記複数のデブリ捕集表面の少なくとも１つに向って実質的に移動させるように構成される、請求項３０に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３２】
前記デブリ軽減システムが、前記磁場を印加するための少なくとも１つのソレノイドを含む、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３３】
前記磁場をオン及びオフに交互に切り替える、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３４】
前記磁場に勾配を与える、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３５】
前記磁場を、所定の周波数を用いて動的に印加する、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３６】
前記デブリ軽減システムが、実質的に同軸に並べられた少なくとも２つのソレノイドを含み、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第１のソレノイドが、前記少なくとも２つのソレノイドのうちの第２のソレノイドの直径とは異なる直径を有する、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３７】
所望の粒子群内で外部から電流を誘起し、それによって、少なくとも荷電デブリ粒子を、前記磁場の成分に垂直且つ前記外部誘起電流の成分に垂直な方向を有する力の影響下で偏向させる、請求項２９に記載されたデブリを軽減させる方法。
【請求項３８】
荷電粒子デブリがＥＵＶ放射線発生の副生成物として発生される、ＥＵＶ放射線を発生させるＥＵＶ放射線発生器と、
放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成され、前記ＥＵＶ放射線ビームが当たるパターン付与構造体を支持する支持構造体と、
基板を支持する基板支持部と、
前記パターン付与されたビームを前記基板の標的部分に投影する投影システムと、
前記荷電デブリ粒子と相互作用する磁場発生器とを含む、リソグラフィ装置。
【請求項３９】
前記デブリ軽減システムが、更に、複数のデブリ捕集表面を含み、前記磁場発生器が、前記荷電デブリ粒子を前記複数のデブリ捕集表面に向って移動させる磁場を発生させる、請求項３８に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項４０】
前記磁場発生器が、少なくとも１つのソレノイドを含む、請求項３８に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項４１】
荷電粒子デブリが副生成物として発生されるＥＵＶ放射線ビームを発生させる段階と、
前記ＥＵＶ放射線ビームにパターンを付与する段階と、
前記パターン付与されたＥＵＶ放射線を基板へ投影する段階と、
前記荷電デブリ粒子と相互作用する磁場を発生させる段階とを含む、リソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デブリ（ｄｅｂｒｉｓ）軽減システムを有するリソグラフィ装置、デブリ軽減システムを有するＥＵＶ放射線発生源、及びデブリを軽減させる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の標的部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクなどのパターン付与装置を用いて、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを作製することができ、このパターンを、感放射線性材料（レジスト）製の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上の標的部分（例えば、１つ又は数個のダイ部分を含む）に結像させることができる。一般に、単一の基板には、連続して露光される標的部分が網目状に隣接して含まれることになる。周知のリソグラフィ装置には、標的部分にパターン全体を一括して露光することによって各標的部分に放射線照射を行う、いわゆるステッパと、投影ビームによってパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査し、それと同期してこの方向に平行又は逆平行に基板を走査することによって各標的部分に放射線照射を行う、いわゆるスキャナとが含まれる。
【０００３】
リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際、例えば、感放射線性材料が基板から除去される際に、リソグラフィ装置内でデブリ粒子が形成されることがある。しかし、この感放射線性材料の除去だけが、デブリ粒子の発生を生じる唯一のプロセスであるわけではない。ＥＵＶ放射線の発生に関しては、通常、対象物（ｏｂｊｅｃｔ）（又はガス）を、高電流狭窄、又は、例えば少なくとも１０１１Ｗ／ｃｍ２の高エネルギー密度のレーザ源を用いて加熱してプラズマを形成する。ＥＵＶ放射線が発生すると共に、望ましくない粒子が放出される。また、リソグラフィ装置内で、放射線投影ビームを供給するために使用されるＥＵＶ放射線の発生の際に、デブリ粒子が副生成物として発生することがある。
【０００４】
用語「デブリ粒子」は、このようにして副生成物として形成される粒子を包含するものであり、こうした粒子は軽減させる必要がある。デブリ粒子には、電子、イオン化粒子、又は中性粒子が含まれることがある。デブリ粒子は、電子サイズからマイクロ・サイズの粒子まで、様々な範囲のサイズを有し得る。こうした粒子は、プラズマの一部分となり得、プラズマ環境下では、高速で移動する粒子、又は低速で移動する粒子が含まれることがある。
【０００５】
こうしたデブリ粒子は、例えば光学素子上に凝集することがあるので、リソグラフィ装置の性能に対して悪影響をもたらすおそれがある。これらの光学素子上にデブリ粒子が存在すると、放射線ビームの反射又は透過が妨害されるおそれがある。比較的高い運動エネルギーを有するデブリ粒子は、例えば、光学素子（因みにこの光学素子は非常に高価であり、且つ装置の非常に重要な部分である）をエッチングすることによって装置に深刻な損傷を引き起こすことさえもあり得る。また、光学素子上に存在する、又は光学素子の表面をエッチングする粒子によって、放射線が不正確な方向に送られるおそれがあり、その結果、放射線で露光される基板上に形成されるフィーチャがうまく規定されなくなることになり、したがって、デブリ粒子を軽減させる必要がある。
【０００６】
用語「軽減させる」は、少なくとも、リソグラフィ装置の性能に対する悪影響の低減、リソグラフィ装置への損傷の低減、又はそのどちらをも実現するデブリ粒子のどんな操作も包含するものである。
【０００７】
本発明は、特に、放射線投影ビームを供給する照明システムと、投影ビームの断面にパターンを与える働きをするパターン付与装置を支持する支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムとを含むリソグラフィ装置に関するものである。
【０００８】
かかるリソグラフィ装置が、国際公開ＷＯ９９／４２９０４号に記載されている。この従来技術から周知のデブリ軽減システムは、フィルタ、具体的にはフォイル捕集部（ｆｏｉｌ  ｔｒａｐ）と呼ばれるフィルタを含み、このフィルタは、デブリ粒子を捕集する複数のフォイル又はプレートを含むことができる。これらのプレート又はフォイルは、放射線がこのフィルタを通過するように、可能な限り放射線経路に平行に向けられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このフォイル捕集部は有用ではあるが、例えば、デブリ軽減システムの効率、デブリ軽減システムを応用する際の柔軟性を向上させ、および／又は、リソグラフィ装置の設計に、より自由度を持たせることを可能とするために、追加又は代替のデブリ軽減システムを有するリソグラフィ装置が求められている。軽減の際にイオン化される中性粒子からも荷電粒子が形成され得ることを理解されたい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
したがって、本発明の一観点は、従来技術による周知のデブリ軽減システムに比較して、改良された又は代替のデブリ軽減システムを有するリソグラフィ装置を提供することである。
【００１１】
本発明の一観点によれば、放射線投影ビームを供給する照明システムと、投影ビームの断面にパターンを与える働きをするパターン付与構造体を支持する支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムとを含むリソグラフィ装置であって、そのデブリ軽減システムが、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成されることを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
本発明の具体例では、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、放射線ビームを提供する照明システムと、パターン付与構造体を支持する支持構造体とを含む。このパターン付与構造体は、放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成される。この装置はまた、基板を支持する基板支持部と、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムとを含む。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。
【００１３】
本発明の別の具体例では、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、ＥＵＶ放射線を発生するＥＵＶ放射線発生器を含む。ＥＵＶ放射線を発生する際の副生成物として、荷電粒子デブリが発生する。この装置はまた、ＥＵＶ放射線ビームが突き当たるパターン付与構造体を支持する支持構造体も含む。このパターン付与構造体は、放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成される。この装置は、更に、基板を支持する基板支持部と、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、荷電デブリ粒子と相互作用する磁場発生器とを含む。
【００１４】
荷電デブリ粒子の移動は、磁場の存在によって引き起こされる。荷電デブリ粒子は、例えば中性デブリ粒子と衝突することによって相互作用するので、荷電デブリ粒子を軽減させることによって中性デブリ粒子を軽減させることも可能となる。磁場の印加は、例えば、軽減させる必要のあるデブリ粒子が発生するチャンバの壁に永久磁石を配置することによって、又は、電流がその中を流れて磁場をもたらすことのできるコイルを適用することによって、デブリ軽減システム内で容易に構成することができる。この磁場の印加には、リソグラフィ装置内の放射線経路又は光学経路内に、フィルタなどの物体を取り付けずに、又はデブリ粒子を軽減させるための他の有形手段を使用せずに、デブリ粒子の少なくともいくつかを軽減させることが可能になるという利点がある。
【００１５】
一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、いくつかのデブリ捕集表面を更に含む。この具体例では、「軽減させる」とは、デブリ粒子を方向付けるだけでなく、デブリ粒子を捕集することも指す。自由に移動するデブリ粒子の数が減少するにつれて、デブリ粒子によって生じる悪影響及び／又は損傷も低減することになる。
【００１６】
一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、磁場を印加し、それによって、使用中に、荷電粒子がいくつかのデブリ捕集表面の少なくとも１つに向って実質的に移動するように構成される。この具体例では、磁場といくつかのデブリ捕集表面とは互いに向き合っており、したがって、磁場によって軽減された荷電粒子は、いくつかのデブリ捕集表面の少なくとも１つによって捕集されることになる。したがって、「軽減」とは、（少なくとも）荷電デブリ粒子の数の減少にまで及ぶものである。上記のとおり、荷電デブリ粒子の軽減は、荷電デブリ粒子を方向付けるという意味において、中性デブリ粒子の方向を変更することにもなり得る。
【００１７】
一具体例では、デブリ軽減システムは、磁場を印加する少なくとも１つのソレノイドを含む。これには、そのように望むならば、磁場の強さ及び方向を変えることができるという利点がある。また、磁場が印加される期間の長さは、ソレノイド又はコイルを使用すると制御可能である。
【００１８】
本発明によるリソグラフィ装置の一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、磁場を印加し、それによって、使用時に荷電デブリ粒子の少なくともいくつかが螺旋状に動くように構成される。荷電粒子が螺旋状に動くと、これらの荷電デブリ粒子の線速度は、螺旋状に動く前の荷電デブリ粒子の線速度よりも低下する。デブリ粒子が閾値速度を超える速度で表面に衝突すると、こうした荷電デブリ粒子によって表面が損傷するおそれがある。こうした状況下では、荷電デブリ粒子を螺旋状に動かすことによって、荷電デブリ粒子の線速度を、閾値速度を下回る線速度まで低減させることが有利である。
【００１９】
実際には、以下のメカニズムが生じることになる。プラズマ中の電子は、通常、プラズマ中のイオンに比べて重量が遙かに小さいため、より高い速度を有し、したがって、イオンが表面に衝突するよりもかなり前に、電子がその全く同じ表面に衝突することになる。しかし、電子は表面に凝集するので、イオン化粒子は、その負に帯電した表面に向って加速され、その結果、表面が電子によって帯電されていなかった場合よりも更に高い速度で、イオン化粒子が表面に衝突することになる。したがって、表面に凝集する電子の数を減少させるために、電子に螺旋運動させることによって電子の線速度を低減させることが非常に有利であり、また、この結果、その表面に接近する正イオンの加速も低減されることになる。本発明によるデブリ軽減システムのこの具体例は、その表面が、粒子による衝撃によって損傷されるとその有効性が失われるミラーなど、高価な光学素子の一部分である場合に、特に有用である。
【００２０】
本発明によるリソグラフィ装置の一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、磁場をオン及びオフに交互に切り替えるように構成される。この切替えには、デブリ粒子に対する磁場効果による低減効果にもかかわらず、磁場を印加する間に、正及び負に荷電したデブリ粒子及び／又は中性デブリ粒子がなおも表面（好ましくはこの表面にはデブリ粒子が凝集せずにあるべきである）に凝集しようとする状況において利点がある。磁場をオフにした後は、プラズマ中に存在する電子は、表面上に凝集することになり、その結果プラズマの正イオンを引き寄せて表面へと加速させることになる。正イオンの衝撃によって、磁場が印加されていた期間中、なおも表面に凝集しようとしていたデブリ粒子がエッチング除去されることになる。
【００２１】
本発明によるリソグラフィ装置の一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、磁場に勾配を与えるように構成される。プラズマは反磁性なので、プラズマは、磁場が低減する方向に移動することになる。したがって、プラズマ中に存在するデブリ粒子を、磁場の勾配を利用して軽減させることができる。磁場の勾配は、例えば、デブリ粒子を含むプラズマがミラーから離れて移動するように与えることができる。
【００２２】
一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、所定の周波数を用いて磁場を動的に印加するように構成される。この磁場のパルス化によって、各パルスごとに非常に高い勾配の磁場が発生する。プラズマは、反磁性なので、磁場の勾配の低下に沿って移動する。このパルス化された磁場は、プラズマ粒子がその中に含まれるある容積を取り囲む「表皮（ｓｋｉｎ）」を形成する。荷電粒子、及びイオン化された中性粒子は、プラズマ内に抑制され、閉じ込められる。
【００２３】
一具体例では、デブリ軽減システムは、同軸に並べられた少なくとも２つのソレノイドを含み、その少なくとも２つのソレノイドのうちの第１のソレノイドは、その少なくとも２つのソレノイドのうちの第２のソレノイドの直径とは異なる直径を有する。このため、プラズマをある容積内に実質的に含む「磁気壜（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｂｏｔｔｌｅ）」が生じ、それによって、粒子による損傷の影響が低減される。これについては、本明細書においてより詳細に説明することとする。
【００２４】
一具体例では、デブリ軽減システムは、更に、使用中に、デブリ粒子群内で電流を誘起し、それによって、その群の少なくとも荷電デブリ粒子が、磁場成分に垂直且つその誘起電流成分に垂直な方向を有する力の影響下で偏向するように構成される。こうすることにより、少なくとも荷電デブリ粒子の方向を変更する有効な方策がもたらされる。
【００２５】
本発明の更なる観点では、上記のリソグラフィ装置において使用されるように構成されたデブリ軽減システムが提供される。
【００２６】
一具体施例では、リソグラフィ装置内でデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムが提供される。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。
【００２７】
本発明の更なる観点によれば、ＥＵＶ放射線発生時に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムを有するＥＵＶ放射線発生源が提供され、このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。荷電粒子はまた、軽減の際にイオン化される中性粒子からも形成され得ることを理解されたい。
【００２８】
一具体例では、ＥＵＶ放射線発生源が提供される。このＥＵＶ放射線発生源は、ＥＵＶ放射線発生の際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムを含む。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。
【００２９】
本発明の更なる観点によれば、リソグラフィ装置の少なくとも一部分において発生するデブリ粒子を軽減させる方法が提供され、この方法は、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子を軽減させる段階を含む。荷電粒子はまた、軽減の際にイオン化される中性粒子からも形成され得ることを理解されたい。
【００３０】
一具体例では、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に発生するデブリを軽減させる方法が提供される。この方法は、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子を軽減させる段階を含む。
【００３１】
更なる具体例では、リソグラフィ方法が提供される。この方法は、荷電粒子デブリが副生成物として発生されるＥＵＶ放射線ビームを発生させる段階と、ＥＵＶ放射線ビームにパターンを付与する段階と、パターン付与されたＥＵＶ放射線ビームを基板へ投影する段階と、荷電デブリ粒子と相互作用する磁場を発生させる段階とを含む。
【００３２】
本明細書では、ＩＣの製造にリソグラフィ装置を使用する特定の例を参照して説明するが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学系の製造、磁区メモリ用の誘導パターン及び検出パターンの製造、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造、薄膜磁気ヘッドの製造など、他の応用分野にも適用できることを理解されたい。かかる代替の応用分野の例では、本明細書にて使用する用語「ウェハ」又は「ダイ」はいずれも、より一般的な用語「基板」又は「標的部分」とそれぞれ同義とみなすことができることが当業者には理解されよう。本明細書にて引用する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像する装置）、又は測定装置若しくは検査装置内で加工することができる。適応可能な場合には、本明細書における開示は、かかる基板加工装置、又は他の基板加工装置にも応用することができる。更に、基板は、例えば多層ＩＣを作製するために２回以上加工することもでき、したがって、用語「基板」は、本明細書では、複数の加工層を既に含んだ基板を指すこともある。
【００３３】
本明細書で使用する用語「放射線」及び「ビーム」は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外線（ＵＶ）、及び（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外線（ＥＵＶ）、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めたあらゆるタイプの電磁放射線を含む。
【００３４】
本明細書で使用する用語「パターン付与装置」又は「パターン付与構造体」は、基板の標的部分にパターンが形成されるように、投影ビームの断面にパターンを与えるために使用できる装置又は構造体を指すものとして広く解釈すべきである。投影ビームに与えられるパターンは、基板の標的部分における所望のパターンと正確に一致するとは限らないことに留意されたい。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路など、標的部分において作製されるデバイスの特定の機能層に相当することになる。
【００３５】
パターン付与装置は、透過型でも反射型でもよい。パターン付与装置の例には、マスク、プログラム可能ミラー配列、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいて周知であり、バイナリ型、レベンソン型位相シフト型、ハーフミラー型位相シフト型など、並びに様々なハイブリッド型のマスクが含まれる。プログラム可能ミラー配列の一例は、小型ミラーのマトリックス（行列）構成を使用するものであり、それぞれのミラーは、入射する放射線ビームを様々な方向に反射させるように個別に傾斜させることができる。このように、反射ビームはパターン付与される。パターン付与装置の各例では、支持構造体は、例えばフレーム又はテーブルとすることができ、必要に応じて固定式又は可動式とすることができ、また、この支持構造体によって、パターン付与装置を例えば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することが可能となる。用語「レチクル」又は「マスク」の使用はいずれも、本明細書では、より一般的な用語「パターン付与装置」と同義とみなすことができる。
【００３６】
用語「投影システム」は、本明細書では、放射線露光の使用に適した、又は浸液の使用若しくは真空の使用など他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。用語「レンズ」の使用はいずれも、本明細書では、より一般的な用語「投影システム」と同義とみなすことができる。
【００３７】
また、照明システムには、放射線投影ビームを方向付け、成形、又は制御するための、屈折式、反射式、及び反射屈折式光学部品を含めた様々なタイプの光学部品も含まれ、かかる部品もまた、集合的に、又は単独で「レンズ」と称することがある。
【００３８】
このリソグラフィ装置は、２つ（２段）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることができる。かかる「多数ステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用する、すなわち、１つ又は複数のテーブル上で予備工程を実行し、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することができる。
【００３９】
また、このリソグラフィ装置は、投影システムの最後尾の素子と基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水に基板を浸漬させることができるタイプのものでもよい。また、リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影システムの第１の素子との間にも浸液を加えることができる。液浸技術は、投影システムの開口数を増大させる技術として当技術分野において周知である。
【実施例】
【００４０】
添付の概略図面を参照して、本発明の実施例を単なる例によって以下に説明する。各図面において、対応する符号は対応する部品を示す。
【００４１】
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射線投影ビームＰＢ（例えばＵＶ放射線又はＥＵＶ放射線）を供給する照明システム（照明装置）ＩＬと、パターン付与装置（例えばマスク）ＭＡを支持し、且つこのパターン付与装置を部品ＰＬに対して正確に配置する第１の位置決め装置ＰＭに接続された第１の支持構造体（例えばマスク・テーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持し、且つこの基板を部品ＰＬに対して正確に配置する第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴと、パターン付与装置ＭＡによって放射線ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）標的部分Ｃに結像させる投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬとを含む。用語「基板テーブル」は、本明細書では、基板支持部とも考えられ、又はそのように称することもできる。用語「基板支持部」又は「基板テーブル」は、基板を支持、保持、又は担持する構造体を広く指すものとして理解されたい。
【００４２】
本明細書で示すように、この装置は、反射型（例えば上記のタイプの反射型マスク又はプログラム可能ミラー配列を使用）のものである。或いは、この装置は、透過型（例えば透過型マスクを使用）のものでもよい。
【００４３】
照明装置ＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。例えば線源がプラズマ放電源である場合、線源とリソグラフィ装置とは別体とすることができる。そのような場合、線源はリソグラフィ装置の一部を成すとはみなされず、放射線ビームは、通常、例えば適当な集光ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタを含む放射線コレクタを用いて、線源ＳＯから照明装置ＩＬに送られる。他の場合、例えば線源が水銀ランプである場合は、線源は装置の一体部分とすることができる。線源ＳＯ及び照明装置ＩＬは、放射線システムと称することができる。
【００４４】
照明装置ＩＬには、ビームの角強度分布を調整する調整装置を含めることができる。一般に、照明装置の瞳面における強度分布の少なくとも外部径方向範囲及び／又は内部径方向範囲（通常、それぞれ外側σ（σ−ｏｕｔｅｒ）及び内側σ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）は調整することができる。この照明装置は、その断面が所望の均一性及び強度分布を有する、投影ビームＰＢと呼ばれる条件付けされた放射線ビームを供給する。
【００４５】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡによって反射された後、この投影ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、それによってこのビームは基板Ｗの標的部分Ｃに集光することになる。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉装置）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる標的部分ＣがビームＰＢの経路内に位置するように正確に動かすことができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭ及び位置センサＩＦ１を用いて、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後、又は走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に配置することができる。一般に、対象テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、長ストローク・モジュール（粗動位置決め）及び短ストローク・モジュール（微動位置決め）を用いて実施されることになり、これらのモジュールは、位置決め装置ＰＭ及びＰＷの一部を成す。但し、ステッパの場合では、（スキャナとは違って）マスク・テーブルＭＴは、短ストローク作動装置にのみ接続又は固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２及び基板位置調整用マークＰ１、Ｐ２を用いて位置合せすることができる。
【００４６】
図示の装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体が一括して標的部分Ｃに投影される間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止したまま保持される（すなわち１回の静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴを、異なる標的部分Ｃを露光できるようにＸ及び／又はＹ方向にシフトする。ステップ・モードでは、１回の静止露光において結像される標的部分Ｃのサイズは、露光領域の最大サイズに限られる。
２．走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンが標的部分Ｃに投影される間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）特性及び像反転特性によって決まる。走査モードでは、１回の動的露光での標的部分の（非走査方向における）幅は露光領域の最大サイズに限られ、標的部分の（走査方向における）高さは走査運動の長さによって決まる。
３．もう１つのモードでは、投影ビームに与えられたパターンが標的部分Ｃに投影される間、マスク・テーブルＭＴはプログラム可能パターン付与装置を保持した状態で基本的に静止したまま保持され、基板テーブルＷＴが移動又は走査される。このモードでは、一般にパルス化放射線源が使用され、プログラム可能パターン付与装置が、基板テーブルＷＴが移動する度に、又は、走査中に連続する放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記のタイプのプログラム可能ミラー配列などのプログラム可能パターン付与装置を使用し、マスクを使用しないリソグラフィにも容易に応用することができる。
【００４７】
上記の使用モードの組合せ及び／若しくは変形例、又は全く異なる使用モードを用いることもできる。基本的に、装置内の、デブリ粒子を軽減させる必要がある箇所のどこにでも、デブリ軽減システムを使用することができる。
【００４８】
図２は、本発明によるデブリ軽減システムの第１の実施例を概略的に示す。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成されている。磁場をＢで示す。中に点を有する円は、磁場が図２を見る人の方向に向いていることを示す。プラズマ内を自由に移動する、又はプラズマ内に存在する、負に荷電した粒子Ｐ−、これは、電子又は負に荷電したイオンであることもあるが、こうした粒子は、磁場に入る前に移動してきた方向から反射することになる。こうした負の粒子は、次に、破線を辿るのではなく、実線を辿るように偏向される。この図では、デブリ軽減システムは、更に、いくつかのデブリ捕集表面Ｓを含み、これらの表面は、国際公開ＷＯ９９／４２９０４号に開示されているようなフォイル捕集部の一部とすることができる。
【００４９】
このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって、使用中に、荷電粒子がいくつかのデブリ捕集表面Ｓの少なくとも１つに向って実質的に移動するように構成される。放射線は、磁場によって偏向されないので、破線を辿ることができ、デブリ捕集表面に沿って通過することになることに留意されたい。図２に示すデブリ捕集表面の組として考えられるフォイル捕集部と、磁場印加との組合せによって、フィルタを通過する放射線を低減させることなく、フィルタのフィルタリング効果が向上する。約０．０１〜１Ｔ程度の磁場を用いるとイオンの妥当な偏向が実現されるであろうことは、容易に計算することができる。図２に示すフォイル捕集部のより詳細な説明を得るには、参照により本明細書に援用した国際公開ＷＯ９９／４２９０４号を参照されたい。本発明による効率の良いデブリ軽減システムを得るには、デブリ捕集表面Ｓの間隔、捕集表面Ｓの寸法、及び磁場Ｂの強度をどのように関連させるべきか、当業者なら容易に計算することができる。
【００５０】
図３は、図２と類似している。しかし、いくつかのデブリ捕集表面の代わりに、１つの表面、又は、例えば、ポンプがデブリ軽減システムの一部として示されている。図３に示すポンプＰは、例えば、イオン・ゲッタ・ポンプでよい。上記で概説したように磁場を印加できるようにデブリ軽減システムを構成することは、当業者には問題ないものである。かかる磁場は、例えば、磁石を適当な位置に配置すること、又は、コイルと、そのコイル内で磁場を発生させるための電源とを使用することによって発生させることができる。
【００５１】
一般に、プラズマ中の荷電粒子は、プラズマから脱し付近の表面に付着できる。この表面は、例えば、粒子捕集表面とすることができ、その場合、デブリ粒子は軽減される。かかる表面は、例えば、粒子が表面内に堆積する傾向が強まるのを軽減させる、又は少なくとも減速させることを含む。他の場合では、この表面は、例えば、ミラー又はレンズなどの高価な光学素子又は光学部品の一部分であり得る。その場合、プラズマからの粒子と、そうした光学素子との相互作用は極めて望ましくない。電子は正に荷電したイオンよりも遙かに軽いので、かかる表面は、電子によって先ず負に帯電することになる。このため、正に荷電したイオンが、表面に向けて加速されることになる（図４ａ）。これらの遙かに重い正荷電イオンの衝撃は、表面を傷つけるおそれがある。本発明によるデブリ軽減システムの一実施例は、更に、磁場を印加し、それによって、使用時に荷電デブリ粒子の少なくともいくつかが螺旋状に動くように構成される。こうすると、それらの粒子の拡散係数が低減することになる。これらの粒子は他の粒子と相互作用するので、これらの粒子の平均自由行程は短くなる。このため、リソグラフィ装置内又は放射線源内の圧力差によって流れが合流することになり得る。こうした圧力差は、ポンプによって生じさせることができる。図４ｂに示すように、これは、光学部品Ｏの表面に接近する電子を抑制することにもなり得る。リソグラフィ装置又はＥＵＶ放射線を発生させるのに使用する線源において、本発明によるデブリ軽減システムのこの実施例を適用する場合、磁場は、約０．０１〜１Ｔ程度でよい。
【００５２】
磁場を印加し、それによって、使用時に荷電デブリ粒子の少なくともいくつかを螺旋状に動かすことによってデブリ粒子が軽減される場合でも、ある時間経過後、例えばｔ＝ｔ２（但し、ｔ２はｔ１よりも後）（図４ｂ及び４ｃ参照）では、粒子の衝撃によって表面が損傷されない、又はほんの僅かしか損傷を受けないとはいえ、いくつかの粒子がなおも表面に凝集し得る。この状態を図４ｃに示す。
【００５３】
このデブリ軽減システムは、更に、磁場をオン及びオフに交互に切り替えるように構成することができる。磁場切替えの効果を、ｔ２よりも後のｔ＝ｔ３の状態で図４ｄに示す。正に荷電したイオンよりも高速で移動する電子が表面に到達し、その表面を負に帯電させることになる。プラズマと表面との電位差によって、正荷電イオンが表面に向けて加速されることになる。その結果、最終的には図４ｅに概略的に示す状態、すなわちｔ＝ｔ４（但しｔ４はｔ３よりも後）の状態になる。正荷電イオンは、ここで、表面に付着している粒子に衝突する。このように、例えば光学素子の表面に付着しているデブリ粒子はエッチング除去される。全てのデブリ粒子が表面から除去された後は、表面に接近する正荷電イオンによって表面自体がエッチングされないように、また、デブリ層が再度急速に構築されるのを防止するように、磁場をオンにすべきである。磁場をオン及びオフに交互に切り替えることによって、表面は、その時間の一部ではデブリ粒子によって覆われることになる可能性があり、こうしたデブリ粒子は、その時間の別の一部ではその表面から除去されることになる。磁場をオン及びオフに交互に切り替える間に生じる状態を、図４ｂ、図４ｃ、図４ｄ、図４ｅに概略的に示し、その後この状態は再度図４ｂ、図４ｃ、図４ｄ、図４ｅと続く。
【００５４】
磁場をオン及びオフに交互に切り替えるように構成されるデブリ軽減システムは、磁場を容易に印加し、且つその磁場をオフにする少なくともソレノイドを含むことが理解されよう。通常の実験を用いると、磁場を交互にする頻度（周波数）及びその振幅をどのくらいにすると最適化された軽減プロセスが実現されるかを求めることは当業者には可能であろう。磁場のオン及びオフの切替えはまた、光学部品の表面Ｏから他の汚染物質を一掃するために応用できることに留意されたい。
【００５５】
本発明によるデブリ軽減システムの一実施例は、更に、磁場に勾配を与えるように構成される。この状況を図５に概略的に示す。デブリ粒子を含むプラズマの反磁性特性のため、プラズマは、磁場が低下する方向へと移動することになる。これもまた、デブリ粒子を軽減させる１つの形態と考えられる。例えば光学素子付近で勾配を有する磁場を形成するには、パルス化磁石及び永久磁石のどちらも使用することができる。
【００５６】
図６は、本発明によるデブリ軽減システムが、ＥＵＶ放射線用線源内で実施された実施例を概略的に示す。図６は、主軸Ｘを備えた実質的に円筒形構成の断面図である。ＥＵＶ放射線用線源は、アノードＡとカソードＣとを含み、使用時には、それらの間でＥＵＶ放射線が従来技術において周知の方式で発生する。ＥＵＶ放射線を収集できるように、コレクタＣｏｌが配置される。デブリ粒子を含むプラズマ、又はプラズマからのデブリ粒子が、コレクタＣｏｌに入ることを防止するように磁場を発生させるために、少なくとも２つのソレノイドが配置される。図６に示す実施例では、デブリ軽減システムは、２つのソレノイドとして磁気コイルＭＣ１、ＭＣ２を含み、これらのコイルは実質的に同軸に並べられる。少なくとも２つのソレノイドのうちの第１のソレノイド（ＭＣ１）は、２つのソレノイドのうちの第２のソレノイド（ＭＣ２）の直径とは異なる直径を有する。このケースでは、第１のソレノイドＭＣ１の直径は、第２のソレノイドＭＣ２の直径よりも大きい。デブリ軽減システムは、矢印Ｂで示すように磁場を発生させるために、電流が磁気コイルを流れることができるように構成されることが明白であろう。使用時には、ソレノイドＭＣ１付近の磁場の強度は、ソレノイドＭＣ２付近の磁場よりも弱くなる。磁場は、ソレノイドＭＣ２内の軸線の所で最も強くなる。ＥＵＶ発生の際に生じるデブリ粒子を含むプラズマは、反磁性なので、デブリ粒子を含むプラズマは、コレクタＣｏｌに向って拡散するのではなく、電極に向って移動する傾向がある。デブリ粒子を有するプラズマを所定の容積内に含めるこの様式は、「磁気瓶」と呼ばれる。デブリ粒子は、実際には第２のソレノイドＭＣ２付近で磁気瓶から漏れ出ることに留意されたい。図６に示す実施例では、ソレノイドＭＣ２によって、デブリ粒子が第２のソレノイドＭＣ２を通って電極から漏れ出ることが可能となっている。デブリ粒子のこの漏出経路には、先に述べたフォイル捕集部などのデブリ粒子捕集部Ｔを図示のように配置して、デブリ粒子を捕集することができる。所定の周波数で磁場を動的に印加することが可能である。この、いわゆる「表皮効果」について、以下で説明することとする。
【００５７】
図７は、デブリ粒子を含むプラズマＰの周辺にいわゆる磁気「表皮」ＳＫを形成する実施例を概略的に示す。この実施例では、デブリ軽減システムは、所定の周波数で磁場を動的に印加するように構成される。これは、好都合には、関連するコイル又はソレノイドを通る電流をパルス化することによって実施される。各パルスによって、磁場に勾配が生じる。したがって、磁場に勾配を生じるこの方策は、比較的容易であり、関連するコイル又はソレノイド内で磁場を印加するのに使用する電流と同程度の電流を用いることが可能である。プラズマは、反磁性なので、勾配が低下する方向へと移動し、したがって、デブリ粒子を含むかかるプラズマは、例えば、「磁気瓶」内に閉じ込められることに加えて、更に、「磁気表皮」ＳＫによって境界が画された容積内に抑制されることになる。磁場Ｂは、約０．１〜約１Ｔ程度でよい。「磁気表皮」ＳＫは、主要なプラズマサイズの約１／１０の厚さでよい。その場合、磁場周波数は、プラズマ内で高速粒子を捕集するために通常約０．１ＭＨｚよりも高くなければならない。この高速粒子は、荷電粒子ｃｈ、及び磁場及び／又はその勾配によって軽減される間にイオン化される中性粒子ｎを含む。関連するパラメータを微調整して所望の軽減効果を得る最適条件を実現することは、当業者には容易に可能であろう。電子を含めた荷電粒子は、磁気瓶の「表皮」からプラズマ内部へと移動すること、したがって、中性ガス粒子を含む容積も通過することから、これらの荷電粒子は、プラズマ内部の中性粒子をイオン化させ得る。これらの新たにイオン化された粒子（元中性粒子）もまた、このプラズマ閉込め領域、すなわち磁気瓶内に捕集される。
【００５８】
この実施例は、図６に示す実施例と容易に組み合わせることができることに留意されたい。
【００５９】
図８ａ〜図８ｃに、デブリ軽減システムが、更に、使用時に、デブリ粒子群内で電流を誘起し、それによって、その群の少なくとも荷電デブリ粒子が、その誘起電流成分に垂直な方向を有する力の影響下で偏向するように構成される実施例を示す。この実施例を以下で更に説明する。例えば、ＥＵＶの発生によって、ホット・スポットＨＳ（図８ａ参照）が形成されている可能性がある。このホット・スポットＨＳから、プラズマＥＰが、場合によっては約１０５ｍ／ｓまでの速度を有するガスとして真空内で膨張する。この実施例では、磁場Ｂが図８ｂに示すように印加される。この実施例は、電源ＰＳ及び電極ｅｌを用いて、膨張するプラズマＥＰ内で外部電流Ｉを誘起するように構成される。膨張するプラズマ及び磁場Ｂ内で誘起された電流のため、プラズマ内の荷電粒子、すなわちデブリ粒子群が、力Ｆによってホット・スポットＨＳの方、すなわち膨張するプラズマＥＰの方向とは反対に戻され、それによってデブリ粒子の反射流Ｒｆが生じることになる。
【００６０】
上記の電流は、電圧差、この例では、膨張するプラズマＥＰの両端間に印加された電圧差によって誘起された電流であることを理解されたい。この目的で、外部回路を使用することができる。この外部回路は、電極ｅｌ、電線、及び電源ＰＳを含むことができる。しかし、外部回路はまた、膨張プラズマＥＰを含む容積を取り囲む金属壁を含んでもよい。粒子を力Ｆの方向に移動させる力Ｆは、電磁流体力学バリアＭＨＤと称することができる。かかるＭＨＤバリアは、プラズマ流を停止又は偏向させることが必要となる他の状況でも使用することができる。プラズマ流に含まれたデブリ粒子を、捕集部、又は他のデブリ捕集表面の方に送ることが可能である。図８ａ〜図８ｃに示した実施例を応用し、図８ｃに概略的に示すＭＨＤバリアを用いて、光学部品をプラズマ流から保護することが可能である。この実施例において印加する磁場は、約０．０１〜１Ｔの範囲でよい。記載の効果を得るために必要な誘起電流は、当業者には通常の実験によって容易に見つかるであろう。
【００６１】
以上、本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は、上記で説明したものとは異なる方法でも実施できることを理解されたい。この説明は、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図。
【図２】本発明によるデブリ軽減システムの第１の実施例の概略図。
【図３】本発明によるデブリ軽減システムの第２の実施例の概略図。
【図４ａ】本発明の実施例によるリソグラフィ装置内のミラー表面に接近したデブリ粒子を含むプラズマの概略図。
【図４ｂ】本発明によるデブリ軽減システムの第３の実施例の概略図。
【図４ｃ】本発明によるデブリ軽減システムの第４の実施例の概略図。
【図４ｄ】図４ｃに示すデブリ軽減システムの、図４ｃに示す時間よりも後の時間での概略図。
【図４ｅ】図４ｃ及び図４ｄに示すデブリ軽減システムの、図４ｄに示すよりも後の時間での概略図。
【図５】本発明によるデブリ軽減システムの第５の実施例の概略図。
【図６】本発明によるデブリ軽減システムの第６の実施例の概略図。
【図８ａ】本発明によるデブリ軽減システムの第７の実施例の概略図。
【図８ｂ】本発明によるデブリ軽減システムの第７の実施例の概略図。
【図８ｃ】本発明によるデブリ軽減システムの第７の実施例の概略図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
2007522646.tif 000009
【図４ｅ】
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【図５】
2007522646.tif 000011
【図６】
2007522646.tif 000012
【図７】
2007522646.tif 000013
【図８ａ】
2007522646.tif 000014
【図８ｂ】
2007522646.tif 000015
【図８ｃ】
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【国際調査報告】
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