(57)【要約】カソード・ウェーハ、キャビティ・ウェーハ及びアノード・ウェーハを有する光検出器。カソード・ウェーハは、キャビティ・ウェーハの一方の面に接合され、アノード・ウェーハは、キャビティ・ウェーハの他方の面に接合される。カソード・ウェーハは多数のカソードを有し、アノード・ウェーハは多数のアノードを有し、キャビティ・ウェーハは多数のキャビティを有し、それらは、１対１の関係で位置合わせされて、複数の検出器を含むウェーハ構造を形成し、そのウェーハ構造は、分離可能な検出器チップへとダイシングされる。カソードとアノードとの間に電圧が存在し、キャビティの中にＮｅ又はそれと類似のガスが存在するときに、光検出器が紫外線のような光を受けると、カソードとアノードとの間で電子放電が生じる。
2007514162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードを有する第１のウェーハと、
チャンバを有し、前記第１のウェーハ上に形成される第２のウェーハと、
アノードを有し、前記第２のウェーハ上に形成される第３のウェーハと
を備える検出器。
【請求項２】
請求項１記載の検出器であって、前記チャンバが、該チャンバの外部の環境から封止される、検出器。
【請求項３】
請求項２記載の検出器であって、前記第３のウェーハが、検出可能な光に対して透過性である、検出器。
【請求項４】
請求項３記載の検出器であって、前記チャンバがガスを含む、検出器。
【請求項５】
請求項４記載の検出器であって、前記ガスがＨ２とＮｅとの混合物である、検出器。
【請求項６】
請求項５記載の検出器であって、前記アノードと前記カソードとの距離が、２５マイクロメートルと７５マイクロメートルとの間である、検出器。
【請求項７】
請求項５記載の検出器であって、前記第１のウェーハと前記第２のウェーハとの間に共晶接合を更に備える検出器。
【請求項８】
請求項７記載の検出器であって、前記第２のウェーハと前記第３のウェーハとの間に共晶接合を更に備える検出器。
【請求項９】
請求項８記載の検出器であって、前記第１、第２及び第３のウェーハがシリカを含む、検出器。
【請求項１０】
請求項９記載の検出器であって、
前記第１のウェーハが、前記検出器の外部への接続のために前記カソードに接続された導体を有し、
前記第３のウェーハが、前記検出器の外部への接続のために前記アノードに接続された導体を有する、
検出器。
【請求項１１】
請求項１０記載の検出器であって、前記アノードがグリッドである、検出器。
【請求項１２】
請求項１１記載の検出器であって、
前記アノードが導電性金属を含み、
前記カソードが導電性金属を含む、
検出器。
【請求項１３】
検出器を作る方法であって、
第１のウェーハを設けるステップと、
前記第１のウェーハにカソードを形成するステップと、
第２のウェーハを設けるステップと、
前記第２のウェーハにチャンバを形成するステップと、
第３のウェーハを設けるステップと、
前記第３のウェーハにアノードを形成するステップと、
前記第２のウェーハを前記第１のウェーハと接合するステップと、
前記第３のウェーハを前記第２のウェーハと接合するステップと、
を備え、
前記アノード及び前記カソードが、前記チャンバの対向する端部にそれぞれ配置される、
方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法であって、
前記第１、第２及び第３のウェーハがシリコンを含み、
前記第１のウェーハと前記第２のウェーハとの間及び前記第２のウェーハと前記第３のウェーハとの間の接合が、共晶である、
方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、
前記チャンバが封止された容器であり、
前記チャンバがガスを内に含む、
方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法であって、
前記検出器の外部と前記カソードとの接続のための接続部を設けるステップと、
前記検出器の外部と前記アノードとの接続のための接続部を設けるステップと、
を更に備える方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法であって、前記ガスがＮｅを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法であって、
前記アノードが複数の開口を有し、
前記アノードのウェーハが、光に対して透過性である、
方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、前記検出器がＵＶ光を検出する、方法。
【請求項２０】
電子を放出する手段と、
電子を収集する手段と、
電子を放出する前記手段と電子を収集する前記手段との間に位置しており、ガスを内に含む手段と、
を備え、
電子を放出する前記手段、電子を収集する前記手段、及びガスを内に含む前記手段が、ウェーハ構造内に配置される、
検出装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の検出装置であって、前記ガスに衝突する光が、電子を放出する前記手段と電子を収集する前記手段との間に電流の流れを引き起こす、検出装置。
【請求項２２】
請求項２０記載の検出装置であって、
前記ガスがネオンを含み、
前記光がＵＶである、
検出装置。
【請求項２３】
カソード・ウェーハと、
前記カソード・ウェーハに接合されるキャビティ・ウェーハと、
前記キャビティ・ウェーハに接合されるアノード・ウェーハと、
を備え、
前記キャビティ・ウェーハが、前記カソード・ウェーハ及び前記アノード・ウェーハによりそれぞれ封止される第１及び第２の開口を有するキャビティを有する、
センサ。
【請求項２４】
請求項２３記載のセンサであって、
前記キャビティの第１の開口に近接しており、前記カソード・ウェーハ上に位置するカソードと、
前記キャビティの第２の開口に近接しており、前記アノード・ウェーハ上に位置するアノードと、
を更に備えるセンサ。
【請求項２５】
請求項２４記載のセンサであって、前記キャビティが受光可能な端部を備える、センサ。
【請求項２６】
請求項２５記載のセンサであって、前記キャビティがガスを内に含む、センサ。
【請求項２７】
請求項２６記載のセンサであって、前記カソード及び前記アノードへの電気的接続を更に備えるセンサ。
【請求項２８】
請求項２７記載のセンサであって、
前記ウェーハがシリカを含み、
前記ウェーハが、共晶材料を用いて接合される、
センサ。
【請求項２９】
請求項２８記載のセンサであって、前記ガスがネオンを含む、センサ。
【請求項３０】
請求項２９記載のセンサであって、
前記ガスが水素を更に含み、
前記ガスの中のネオンの部分が５０％より大きい、
センサ。
【請求項３１】
請求項２４記載のセンサであって、前記カソード・ウェーハ、前記アノード・ウェーハ及び前記キャビティ・ウェーハが、複数の個々のセンサを形成する複数のカソード、アノード及びキャビティをそれぞれ備える、センサ。
【請求項３２】
請求項３１記載のセンサであって、結合された前記カソード・ウェーハ、前記アノード・ウェーハ及びキャビティ・ウェーハが、個々のチップへと切断される、センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ、特に、紫外線光（ＵＶ）検出器に関する。より詳細には、本発明は、様々な光源からのＵＶを検出することに関する。
【背景技術】
【０００２】
成功している関連技術のＵＶ検出器は、主に、「真空」管技術を中核にして形成された高度に特化されたプロセスに基づいていた。そのような検出器の物理的構成は、各検出器の管が、光学的に励起された電子が表面から出されるタングステン又は銅のようなカソード電極と、光を通すが、カソード表面での電子の光電子放出により起きたブレイクダウン（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ、破壊）により発生された電子を収集するように荷電されるアノード・グリッドとを有し得るものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
管は、ネオン／水素（Ｎｅ／Ｈ２）ガス混合物で充填されて、通常、約１００トルの残留圧力でのブレイクダウンを促進する。デバイスの生産及び性能を規定および制限するように見える幾つかの要因は、管ガラスの清浄度、ガス混合、プレート間隔、及びガス汚染を含み得る。問題の原因となり得るこれらのものが、本発明により排除又は最小にされ得る。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、ウェーハ・ベースのＵＶ検出デバイスである。それは、効果的に、ウェーハ・スケールのバッチ・プロセスを用いた新しいＭＥＭＳ及びシリコンの統合された現在の製造技術のようなマイクロ製造プロセスに基づいたマイクロマシン式のガイガー−ミューラー管型構造である。シリコン・デバイスは、関連技術のＵＶ検知管と等しい又はそれより良好な性能を持ち、また、それより著しく小さいサイズであり、低コストである「ミニ管」である。本デバイスは、３つのウェーハの組立体を包含し得る。それらは、下部のシリカ・カソード・ウェーハ、或る体積のスペースを有する中間部の溶融シリカ・スペーサ／プラズマ・ウェーハ、及び上部のシリカ・モード・ウェーハを含む。「管」チャンバが、上部ウェーハと下部ウェーハとの間に存在する。当該チャンバは、アノードとカソードとの間に位置する。デバイスは、全て溶融したシリカ・ウェーハのスタックであり得る。ウェーハ・ベースの検出デバイスを製造するために用いられるマスク・レイアウトにおいて様々な構成の置換があり得、それは、ウェーハ・ベースの検出デバイスの性能、歩留まり及び寿命に影響を与え得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
図１は、ＵＶ管の動作に関する相対的な電圧範囲（レンジ）を示す。電圧レンジ１１は、ＵＶ光が存在しない状態でのＵＶ管のプラズマ放電を示す。電圧レンジ１２は、破壊電圧が開始するレンジであり、電圧１５は、ＵＶが存在しない状態でプラズマ放電が停止する電圧である。電圧１６は、ＵＶが存在する状態での開始電圧レベルである。電圧１７と１６との間の電圧レンジ１４において、放電は、ＵＶ光が存在する状態では維持されるが、ＵＶ光が存在しない状態では開始しない。放電維持電圧１７より下のレンジの電圧では、ＵＶ光が存在する状態でも放電はない。領域１８は、ＵＶ管の動作のための望ましい動作電圧レンジである。
【０００６】
図２は、ウェーハ・ベースのＵＶ光検出用小型管又はデバイス２０の断面図である。センサ又は検出器２０の構造的基盤である３つのウェーハは、シリカ・カソード・ウェーハ２１、シリカ・スペーサ・ウェーハ２２、及びシリカ・アノード・ウェーハ２３を含む。他の適切な材料、特に、類似の温度膨張係数を有する材料を、シリカの代わりにウェーハ２１、２２及び２３の１つ又はそれより多くに用いることもできる。カソード金属２４がウェーハ２１上に形成され、アノード金属２５がウェーハ２３上に形成される。スペーサ・ウェーハ２２は、検出器２０のための放電又はプラズマ「管状」スペース、キャビティ又はチャンバ２６を設けるための、ウェーハ２１とウェーハ２３との間の支持体である。図３は、アノード２５のグリッド状（格子状）の外観である。多数の検出器２０が、図４に示されるように数インチ（１インチは約２５．４ｍｍ）の直径のウェーハ組み合わせ体２７上に一緒に製造される。ウェーハ組み合わせ体２７は、個々の検出器２０チップ又は検出器２０チップのグループとなるようダイシングされる。
【０００７】
検出器２０の様々な寸法には、カソード２４のサイズ、アノード２５のサイズ、アノード・メッシュ・サイズ、及び、上部アノード・ウェーハ２３上のアノードと溶融シリカ・ウェーハ２２のチャンバ２６の穴との間のギャップを含み得る。図５Ａは、チャンバ２６の直径２８が５又は９ミリメートルであり得るものを示す（直径２８は、標準の管カソード２４の面積と一致するよう選定され得る）。図５Ｂの光電陰極２４の金属プラットフォームは、４ｍｍ又は５．６ｍｍ或いは８ｍｍの直径を有し得る。１チップ当たりのコストを良くするようにダイのレバレッジ（ｌｅｖｅｒａｇｅ）を増大するように、より小さいカソード及びアノードを選定することもできる。図５Ｃは、アノード２５の開口３１の面積と、カソード２４の開口２９の面積との比が、１：１から０．５：１まで変化し得ることを示す。このパラメータは、スペーサ・シリカ２２の穴サイズ２８とアノード２５のサイズ３１とカソード２４のサイズ２９との間の相互作用を理解する上での助けとなり得る。図５Ｄにおいて、アノード２５は、１０マイクロメートル又は５０マイクロメートルのメッシュ・サイズ幅３１を有し得る。このパラメータは、アノード２５の寿命並びにその伝達挙動に影響を与え得る。図５Ｅは、カソード・シリカからスペーサ・シリカ・シールのギャップ３３を示す。ギャップ３３は、１００又は２００或いは４００マイクロメートルの幅を有し得る。このパラメータを用いて、スパッタ被着に起因して起こり得る電気的漏洩を制御することができる。
【０００８】
検出器２０を作る際にプロセス・シーケンスが用いられ得る。たとえこの説明において保証するステップが唯１つの検出器デバイス２０に関連していても、それらのステップはウェーハ上のデバイス２０の数だけ影響を及ぼすが、その理由は、それらステップが、考慮され得るデバイス２０のウェーハ全体に適用されるからである。ステップの順序は変えることができる。他のステップを追加することもできる。幾つかのステップを抜かしたり、削除したりすることもできる。また、ステップを構成するものを変えることもできる。この記載で言及する材料は単に例示であり、本発明の構造に対して他の材料が適切な場合もあり得る。
【０００９】
第１のステップにおいて、モート（ｍｏａｔ、環状の凹部）３４は、ＬＡＭ又はガラス・エッチャ（ｇｌａｓｓ  ｅｔｃｈｅｒ）を用いてカソード・ウェーハ２１にパターン形成される。モート３４の深さは、スプリット（ｓｐｌｉｔｓ、分割）に関するパラメータである。第１のマスクは、ウェーハ２１のエッチングにおけるパターンのために用いられる。このステップは、図６Ａの断面図及び図６Ｂの上面図に示されている。
【００１０】
第２のステップは、タングステン（Ｗ）のカソード２４材料をウェーハ２５全体の上に最大の厚さで被着するステップを含み、それに続いて、５０００オングストロームのスパッタリングされたシリコンが共晶層３５として形成される。他の材料をカソード２４に用いることもできる。このステップの断面図及び上面図が、図７Ａ及び図７Ｂにそれぞれ示されている。
【００１１】
ステップ３において、第２のマスクを用いて、カソード・ウェーハ２１上の共晶層３５をパターン形成して、Ｗカソード２４の表面と、ウェーハの穴あけのアライメントのための開口アライメント（ｏｐｅｎ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）３６を露出させる。アライメント・マーク（位置合わせマーク）３６は、モート切り欠き部（ｃｕｔ）３４と位置合わせされる。このステップは、図８Ａ及び図８Ｂに示されている。
【００１２】
ステップ４に関しては、２００オングストロームのチタン−タングステン（ＴｉＷ）が、ウェーハ２５の背面上に被着される（図示せず）。視覚的基準のために、第３のマスクを用いて、ストリート形状部（ｓｔｒｅｅｔ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）３７及ウェーハ・ボンダ・マーク（ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｅｒ  ｍａｒａｋｓ）を、カソード・ウェーハ２５の背面上にパターン形成することができる。標準の手法を用いて前面と背面を位置合わせすることもできる。１０００オングストロームのスパッタリングされた窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）を、背面に被着させて、ボンダ・マーク（図示せず）のＴｉＷを不動態化することができる。ストリート３７は、図９Ａ及び図９Ｂに示されている。
【００１３】
ステップ５において、１０００オングストロームのＴｉＷ及び６マイクロメートルの金（Ａｕ）が、ギャップ・ウェーハ２２の上面に被着され得る。ステップ６において、１０００オングストロームのＴｉＷ及び６マイクロメートルのＡｕが、ギャップ・ウェーハ２２の下面に被着され得る。ギャップ又はスペーサ・ウェーハ２２の上側及び下側の表面上の共晶接合（結合）層における６マイクロメートルの金は、ウェーハ２２と、ウェーハ２３及び２１のそれぞれとの間の平坦さの不一致に対処する。これらの被着は、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて層３８及び３９として表されている。更に、金又は類似の材料の薄い層が、各ウェーハ（２１、２２及び２３）の表面に被着され、そこに、他の接合材料が、別のウェーハに対する接合の目的のために適用される。ステップ７において、ギャップ・ウェーハ２２の上面は、フラグ・クリアリング（flag clearing）・マスク（即ち、第４のマスク）を用いてパターニングされる。同様にギャップ・ウェーハ２２の下面もパターニングされる。次いで、Ａｕ及びＴｉＷの層３８及び３９は、図１１Ａにより示されるように、範囲４１及び４０のそれぞれでウェット・エッチングされ得る。図１１Ｂは、エッチングされた層３８の上面を示す。
【００１４】
ステップ８において、５０００オングストロームのＮｉが、アノード・ウェーハ２３の下面に被着され、それに続いて、５０００オングストロームのシリコン（Ｓｉ）又は類似のものが、それぞれ層２５及び４２として示されるように被着される。ニッケル（Ｎｉ）層２５をアノード材料とすることができる。他の材料をＮｉの代わりに用いることもできる。Ｓｉ被着は、共晶層４２のためである。図１２Ａ及び図１２Ｂはこのステップを示す。
【００１５】
ステップ９において、第５のマスクを用いて、アノード・シール（封止）形状をパターン形成する。マスク・パターンは、可能な限り中心合わせする。エッチングを用いて、共晶層４２のマスクされていない部分を除去する。Ｎｉのアノード層２５は、このステップにおいて、エッチング停止手段として機能する。このステップの結果が、図１３Ａの断面図及び図１３Ｂの上面図に示されている。
【００１６】
ステップ１０において、寸法３２を有するアノード・グリッド形状は、ウェーハ２３のＮｉ層２５上で第６のマスクを用いてパターン形成される。第６のマスクのパターンは、第５のマスクの共晶層カット（切り欠き）部と位置合わせされる。ニッケルをエッチングしてパターンを形成することによりアノード・グリッド２５が得られる。図１４Ａ及び図１４Ｂが、その結果として生じたアノード・グリッド２５を示す。
【００１７】
ステップ１１において、カソード・ウェーハ２１は、図１５Ａ及び図１５Ｂ（上面図）に示されるように、穴あけされたコンタクト・ホール４３を有する。このホールは、ウェーハ２１の外側からカソード２４へ接触するためのものであり、直径１ｍｍとすることができる。このホールは、図１５Ａ及び図１５Ｂに示されている。カソード２４に対する外部からの接触接続部は、スルーホール４３を通して配される。
【００１８】
ステップ１２において、スペーサ・ウェーハ２２は、検出器２０の組み立て後にカソード２４とアノード２５との間にスペース（空間）２６を得るために穴あけされた及び／又は機械加工された５ｍｍ又は９ｍｍのチャンバ・ホールを有する。スペーサ・ウェーハ２２に結果として作られた孔（ホール）又はチャンバ或いは空間が、図１６Ａ及び図１６Ｂに示されている。
【００１９】
ステップ１３において、ウェーハ２３の外側からアノード２５へ接触できるように、１ｍｍの穴４４がアノード・ウェーハ２３にあけられる。穴４４は、図１７Ａ及び図１７Ｂ（底面図）に示される。アノード２５に対する外部からの接触接続部は、穴４４を通して配される。
【００２０】
ステップ１４は、ボンダにおいて、カソード・ウェーハ２１の共晶接合シリコン表面３５を、スペーサ・ウェーハ２２の下部のＡｕ層３９のところへ持って行くようにするが、このときに、層３９のＡｕ面が炭化珪素（ＳｉＣ）のチャックに接触しないようにする。最初に、ウェーハ２１は、カソード２４を下に向けてボンダに置かれる。画像が捕捉され、次いで、パターン形成された金（フラグ・ゾーン）を下に向けて、ウェーハ２２がボンダに置かれ得る。カソード・カット部とフラグ部との位置合わせマスクは、カット部をクリアする（ｃｌｅａｒ）。パターン形成された層３９と３５との接触は、ウェーハ２２及び２１の共晶接合をもたらす。これらの接合されたウェーハが、図１８Ａ及び図１８Ｂ（上面図）に示されている。
【００２１】
ステップ１５は、アノード・ウェーハ２３との最終的な共晶接合の前にカソード・ウェーハ２１／スペーサ・ウェーハ２２の接合された対を位置合わせして焼成すること、及び１５パーセントの水素と８５パーセントのネオン・ガスを用いてバックフィル（ｂａｃｋｆｉｌｌ）を行うことを含む。ウェーハ２３を、ウェーハ２１及び２２の接合された対に共晶接合するために、最初に、アノード２５を下に向けてアノード・ウェーハ２３を装填する。次いで、画像を位置合わせして捕捉し、そして、ウェーハ２１を下に向け且つ層３９のＴｉＷ／Ａｕ面を上に向けて、接合されたウェーハ２２／２３対を装填する。ウェーハ２１の背面上のマークは、捕捉された画像と位置合わせされる。フラグ部を引いて、層３８の範囲と層４２の範囲とを接触させるとウェーハ２２と２３との共晶接合を形成し、その結果として、ウェーハ２１、２２及び２３の接合された三重ウェーハを形成する。ステップ１６に関しては、接合されたウェーハは、鋸で切られるか又はダイシングされて、分離したチップ又はデバイス２０が得られる。次いで、デバイスは試験される。
【００２２】
本発明は、少なくとも１つの例示的実施形態に関して説明されたが、多くの変化及び変更が、本明細書を読めば、当業者にとって明らかとなるであろう。従って、添付の特許請求の範囲は、従来技術に照らして、全てのそのような変化及び変更を含むよう可能な限り広く解釈されることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、ＵＶ管の動作に関する相対的電圧レベルを示す。
【図２】図２は、ウェーハ・ベースの光検出デバイスの断面図である。
【図３】図３は、アノード・グリッドを見せている検出デバイスの平面図を示す。
【図４】図４は、ダイシング前の、多数のデバイスを有するウェーハを示す。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ及び図５Ｅは、ＵＶ検出デバイスの、チャンバ直径、カソード直径、アノード開口サイズ、アノード・メッシュ・サイズ、及びカソード・ウェーハとスペーサ・ウェーハとの間の封止ギャップをそれぞれ示す。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、カソード・ウェーハのエッチングされたモートの断面図及び上面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、カソード金属及び共晶層のデポジットを示す。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、カソード金属を露出させるための共晶層の除去を示す。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、カソード・ウェーハの背面上にパターニングされたストリートを示す。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、前面及び背面上に金属の層を有するスペーサ・ウェーハを示す。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、穴あけ用の位置合わせマークを有するスペーサ・ウェーハを示す。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、アノード・ウェーハ上のアノード金属層及び共晶層を示す。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、共晶層のマスクされない部分が除去されて、アノードが露出している状態を示す。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、アノード・ウェーハ上のアノード・グリッドのパターン及びエッチを示す。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、カソードに対する外部接続のためのコンタクト・ホールを示す。
【図１６】図１６Ａ及び図１６Ｂは、スペーサ・ウェーハの穴あけされたチャンバ・ホールを示す。
【図１７】図１７Ａ及び図１７Ｂは、アノードに対する外部接続のためのコンタクト・ホールを示す。
【図１８】図１８Ａ及び図１８Ｂは、カソード・ウェーハとスペーサ・ウェーハの共晶接合を示す。
【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、多数の「ミニ管」検出器の３ウェーハ接合型組立体を形成させる、スペーサ・ウェーハに対するアノード・ウェーハの共晶接合を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
2007514162.tif 000027
【図１４Ａ】
2007514162.tif 000028
【図１４Ｂ】
2007514162.tif 000029
【図１５Ａ】
2007514162.tif 000030
【図１５Ｂ】
2007514162.tif 000031
【図１６Ａ】
2007514162.tif 000032
【図１６Ｂ】
2007514162.tif 000033
【図１７Ａ】
2007514162.tif 000034
【図１７Ｂ】
2007514162.tif 000035
【図１８Ａ】
2007514162.tif 000036
【図１８Ｂ】
2007514162.tif 000037
【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
2007514162.tif 000039
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードを有する第１のウェーハと、
チャンバを有し、前記第１のウェーハ上に形成される第２のウェーハと、
アノードを有し、前記第２のウェーハ上に形成される第３のウェーハと
を備え、
前記チャンバが、該チャンバの外部の環境から封止される、
検出器。
【請求項２】
検出器を作る方法であって、
第１のウェーハを設けるステップと、
前記第１のウェーハにカソードを形成するステップと、
第２のウェーハを設けるステップと、
前記第２のウェーハにチャンバを形成するステップと、
第３のウェーハを設けるステップと、
前記第３のウェーハにアノードを形成するステップと、
前記第２のウェーハを前記第１のウェーハと接合するステップと、
前記第３のウェーハを前記第２のウェーハと接合するステップと、
を備え、
前記アノード及び前記カソードが、前記チャンバの対向する端部にそれぞれ配置され、
前記チャンバが、ガスを含む封止された容器である、
方法。
【請求項３】
電子を放出する手段と、
電子を収集する手段と、
電子を放出する前記手段と電子を収集する前記手段との間に位置しており、ガスを内に含む手段と
を備え、
電子を放出する前記手段、電子を収集する前記手段、及びガスを内に含む前記手段が、ウェーハ構造内に配置される、
検出装置。
【請求項４】
カソード・ウェーハと、
前記カソード・ウェーハに接合されるキャビティ・ウェーハと、
前記キャビティ・ウェーハに接合されるアノード・ウェーハと、
を備え、
前記キャビティ・ウェーハが、前記カソード・ウェーハ及び前記アノード・ウェーハによりそれぞれ封止される第１及び第２の開口を有するキャビティを有し、
前記キャビティが受光可能な端部を有する、
センサ。
【国際調査報告】
2007514162.tif 000040
2007514162.tif 000041
2007514162.tif 000042