(57)【要約】本発明は、薄膜、例えば、集積電子回路またはＭＥＭＳに薄膜の製造方法の分野に関する。本発明は、新しいマスクを利用することや誤りのあるマスクを修正することを必要とすることなく、例えば薄膜内にフォトリソグラフィによって形成されたデザイン誤りを修正することを可能にする修正方法に関する。本発明は、同様に、そのような方法の特定の段階を利用することができるようにするリソグラフィ装置を含む。本発明は、誤りのあるデザインを含む食刻された少なくとも１つの第１副層と、基板と前記第１副層との間に位置する少なくとも１つの第２副層と、を含む第１薄膜に形成された前記誤りのあるデザインの修正方法であり、前記方法は、（ａ）前記第１薄膜上に第２薄膜を堆積し、（ｂ）所望の修正に応じて前記第２薄膜を食刻またはフォトリソグラフィし、（ｃ）前記第１副層を通して前記第２副層を食刻することを含む修正方法。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誤りのあるデザインを含む食刻された少なくとも１つの第１副層（１２０、６２０、８２０）と、基板（１００、６００、８００）と前記第１副層との間に位置する少なくとも１つの第２副層と、を含む第１薄膜に形成された前記誤りのあるデザインの修正方法であり、
前記方法は、
（ａ）前記第１薄膜上に第２薄膜（３００、７００、９００）を堆積し、
（ｂ）所望の修正に応じて前記第２薄膜を食刻またはフォトリソグラフィし、
（ｃ）前記第１副層（１２０、６２０、８２０）を通して前記第２副層（１１０、６１０、８１０）を食刻することを含む修正方法。
【請求項２】
前記修正は、１つ又はそれ以上のパターン（Ｍ２）の付加からなる、請求項１に記載の修正方法。
【請求項３】
１つ又はそれ以上のパターン（Ｍ２）は前記デザインから欠落しており、前記リソグラフィ段階は、前記欠落したパターンの前記第２薄膜（３００、９００）内での複製を含む、請求項１または２に記載の修正方法。
【請求項４】
前記（ｂ）段階より後であって前記（ｃ）段階より前に、前記第２薄膜（３００）を通して前記第１副層（１２０）食刻することをさらに含む、請求項１から３の何れか一項に記載の修正方法。
【請求項５】
前記第２薄膜（３００）を通して前記第１副層（１２０）を食刻する段階の後であって前記（ｃ）段階の前に、前記第２薄膜（３００）を除去することをさらに含む、請求項４に記載の修正方法。
【請求項６】
前記修正は、１つ又はそれ以上のパターン（Ｍ’１）を除去することからなる、請求項１に記載の修正方法。
【請求項７】
１つ又はそれ以上のパターン（Ｍ’１）は過剰であり、前記第２薄膜（７００）におけるリソグラフィ段階は、前記過剰のパターンを満たす１つ又はそれ以上の妨害物（Ｃ２）を残す、請求項６に記載の修正方法。
【請求項８】
前記修正は、１つ又はそれ以上の欠落したパターン（Ｍ６）を付加し、続いて１つ又はそれ以上の過剰のパターン（Ｍ’２）を除去することからなる、請求項１に記載の修正方法。
【請求項９】
前記（ｂ）段階の後であって前記（ｃ）段階の前に、
前記第２薄膜（９００）を通して前記第１副層（８２０）を食刻し、
前記第２薄膜（９００）を除去し、
前記第１副層（８２０）上に第３薄膜（９５０）を堆積し、
前記第３薄膜（９５０）における第２のリソフラフィは、前記過剰のパターンを満たす妨害物（Ｃ４）を残す、請求項８に記載の修正方法。
【請求項１０】
前記第３薄膜（９５０）は誘電体層である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第３薄膜（９５０）は樹脂または高分子層である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第３薄膜（９５０）は、正または負の感光性樹脂層である、請求項９から１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記（ｃ）段階の後に、前記第３薄膜（９５０）を除去することを含む、請求項９から１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１副層を通して前記第２副層（８１０）を食刻する（ｃ）段階の後に、前記第１副層（８２０）を除去することを含む、請求項１から１３の何れか一項に記載の修正方法。
【請求項１５】
前記第１副層（１２０、６２０、８２０）は、第１の導体、半導体または絶縁体材料に基づき、前記基板（１００、６００、８００）と前記第１副層との間に位置する前記第２副層（１１０、６１０、８１０）は、前記第１の材料とは異なる第２の導体、半導体または絶縁体材料に基づく、請求項１から１４の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１副層（１２０、６２０、８２０）は犠牲層である、請求項１から１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも部分的に食刻された第１薄膜（１１０）に形成された前記誤りのあるデザインの修正方法であり、
前記方法は、
（ａ）前記第１薄膜（１１０）上に第２薄膜（３００）を堆積し、
（ｂ）所望の修正に応じて前記第２薄膜を食刻またはフォトリソグラフィし、
（ｃ）前記第２薄膜（３００）を通して前記第１薄膜（１１０）を食刻することを含む修正方法。
【請求項１８】
前記リソグラフィ段階は、前記第２薄膜（３００、９００）内で前記欠落したパターンの複製を含む、請求項１７に記載の１つ又はそれ以上のパターン（Ｍ３）が欠落している誤りのあるデザインの修正方法。
【請求項１９】
前記第２薄膜（３００）を通して前記第１薄膜（１１０）を食刻する段階の後に、前記第２薄膜（３００）を除去することをさらに含む、請求項１７または１８に記載されたデザインの修正方法。
【請求項２０】
前記第２薄膜（３００、７００、９００）は誘電体層である、請求項１から１９の何れか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２薄膜（３００、７００、９００）は、樹脂または高分子膜である、請求項１から２０の何れか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記リソグラフィ段階は、直接描画によって行われる、請求項１から２１の何れか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記リソグラフィ段階は、１つ又はそれ以上の光学粒子線によって行われる、請求項１から２２の何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記光線は、イオン線、電子線、陽子線、Ｘ線、レーザー光線および紫外線から選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記光線は、誤りのあるデザインと所望の修正デザインに関連するデータとを含むデータ媒体に関連するデジタル素子によって制御される、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
少なくともリソグラフィ光線を生成するための適切な第１手段と、
薄膜に形成された誤りのあるデザインに関連するデータと、所望の修正デザインに関連するデータとを処理し、そのような処理に続いて修正データを生成する第２手段と、
前記第２手段によって生成された修正データに基づいて前記第１手段を制御する第３手段と、を含む、請求項１から２５の何れか一項に記載の方法の１つ又はそれ以上の前記リソグラフィ段階を実行するために適切なリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜における製造方法の分野、例えば集積電子回路またはＭＥＭＳ（メムス：微小電気機械システム）に係り、特に、薄膜上にパターンを形成する分野に関する。本発明は、極端紫外線リソグラフィ用のマスクのようなリソグラフィ用のマスクを形成することに適用されることができる。本発明は、食刻された薄膜に形成される誤りのあるデザイン（設計）を修正するための方法を提案する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜内の集積回路の製造は、通常、これらの薄膜におけるパターンの形成を含む。
【０００３】
薄膜に１つ又はそれ以上のパターンを形成することは、ほとんどの場合、薄膜内に形成されるパターンを再現するデザイン（設計）を含むフォトリソグラフィ法を使用し、その間、通常、マスクが大規模に使用される。
【０００４】
マスクの設計におけるあらゆる誤り（誤差）、例えば、マスクの１つ又はそれ以上のパターンが過剰であったり、欠落していたりすることは、集積回路の非機能性に直接的な結果をもたらす。
【０００５】
この誤り（誤差）又はこれらの設計誤差は、その設計のデザイナー、あるいは、製造中においてマスクに形成された欠陥に起因して生じる。
【０００６】
マスクの設計の計画（構想）に誤りがある場合には、新しい設計をすることと、続いて新しいマスクを製造することの両方が必要であることが分かる。マスク内の製造欠陥の場合には、新しいマスクを製造することが必要であることが分かる。何れの場合も、これらの誤りは、集積回路を製造するためにかかるコストと時間を大幅に増加させる。
【０００７】
本明細書に引用される文献１、２、３に記載された技術のように、現在、マスク上の設計誤差（誤り）を直接的に修正するための技術がある。
【０００８】
しかしながら、製造中に集積回路の１つ又はそれ以上のバッチに形成された設計誤りによって引き起こされた金銭面と時間面における損失は、修正がマスクに直接的になされた場合であっても、十分に残っている。
【０００９】
実際に、マスク上に修正を実行することからなる技術は、通常、誤りのあるロットの修正を可能にしない。一方、そのマスクが修正されている間、他のバッチや使用されることが要求されるそのマスクは、それらの製造サイクルにおいて遮断される。
【特許文献１】米国特許第４，７５１，１６９号明細書
【特許文献２】欧州特許第０２００３３３号明細書
【非特許文献１】Ｂ．Ｗａｒｄ ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， ｖｏｌ．５３７， １１０−６，１９８５．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、食刻された薄膜に形成される誤りのあるデザインを修正するための方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、例えば、製造欠陥及び／又は設計欠陥を含むマスクを用いたフォトリソグラフィによって、形成された薄膜内の誤りのあるデザインを修正する方法に関する。
【００１２】
この層は、例えば、製造中におけるマイクロ電子デバイス、例えば製造中におけるＭＥＭＳ（メムス：微小電気機械システム）または製造中における集積回路の層であり得る。
【００１３】
本発明は、マイクロ電子デバイスの薄膜に形成されたそのようなデザイン誤りによって引き起こされる時間とコストの損失の減少を可能にする簡易な解決法を提案する。
【００１４】
従来の技術に比べて、本発明は、デザイン誤りを含む製造中における集積回路をさらに再利用する。
【００１５】
第１に、本発明は、誤りのあるデザインを含む、食刻された又は部分的に食刻された第１副層、例えば、犠牲層またはハードマスクと、基板と前記第１副層との間に位置する第２副層と、を含む第１薄膜に形成されたデザインの修正方法に関し、前記方法は、（ａ）前記第１薄膜上または第１薄膜の全体の上に第２薄膜を堆積し、（ｂ）所望の修正に応じて前記第２薄膜を食刻またはフォトリソグラフィし、（ｃ）前記第１副層を通して前記第２副層を食刻または部分的に食刻することを含む。
【００１６】
デザインは、一連のパターン、例えば、１つ又はそれ以上のホール、及び／又は、１つ又はそれ以上のトレンチを意味すると理解される。
【００１７】
第２薄膜において、リソグラフィ、１つの光線または幾つかの光線は、誤りのあるデザインの修正を可能にする１つ又はそれ以上の修正要素を形成するために使用される。
【００１８】
次に、第２副層の食刻は、第１副層を通して行われる。
【００１９】
第１薄膜内の設計誤りは、そのデザインにおける１つ又はそれ以上のパターン欠陥によることができる。
【００２０】
この場合、本発明は、１つ又はそれ以上の欠落しているパターンを付加する。この付加は、第２薄膜内の欠落しているパターンの（ｂ）段階による複製を含む。
【００２１】
ある可能性によれば、（ｂ）段階において、いくつかの修正要素又は全ての修正要素は、同時に完成されることができる。
【００２２】
それから、第２薄膜に付加されたパターンは、食刻によって第１副層に転写される。
【００２３】
第１副層は、（ｂ）段階の後であって（ｃ）段階の前に食刻されることができ、第２薄膜は、この追加的な食刻段階の後に除去されることができる。
【００２４】
そのために、パターンの付加が第１副層で行われると直ぐに、その後者は第２副層内にそのパターンを複製し、それから第１副層は除去される。
【００２５】
第１薄膜内のデザイン誤りは、デザインにおける１つ又はそれ以上の過剰なパターンによるものでもよい。この場合、本発明による方法は、１つ又はそれ以上の余剰のパターンを除去し、（ｂ）段階は、これらの余剰のパターンを満たす修正ブロックを形成するのに役立つ。
【００２６】
ある可能性によれば、（ｂ）段階において、いくつかの修正ブロック（妨害物）又は全ての修正ブロックは、同時に形成されることができる。
【００２７】
薄膜内のデザイン誤りは、デザイン上の１つ又はそれ以上の欠落しているパターンと、デザイン上の１つ又はそれ以上の他の過剰なパターンによるものでもよい。同様に、本発明は、１つ又はそれ以上の欠落しているパターンが付加されることを可能にし、それから、１つ又はそれ以上の過剰のパターンが除去されることを可能にする。
【００２８】
従って、本発明による方法は、（ｂ）段階の後であって（ｃ）段階の前に、第２薄膜の除去、第１副層上への第３薄膜の堆積、過剰なパターンを満たすブロックを残す、第３薄膜内の食刻またはリソグラフィの第２段階、または、再び第２薄膜内において、例えば直接描画を用いた食刻又はリソグラフィ、過剰のパターンを満たすブロックを残すこと、を含む。
【００２９】
ある場合又は他の場合には、（ｃ）段階の後に、第３薄膜または第１副層のどちらかが除去される。
【００３０】
第１薄膜を構成する２つの副層は、２つの異なる材料に基づいて形成されることができ、これらの２つの材料の各々は、導体、半導体または絶縁体であることができる。
【００３１】
本発明は、同様に、少なくとも部分的に食刻された第１薄膜内に形成された誤りのあるデザインの修正の方法に関し、（ａ）前記第１薄膜上への第２薄膜の堆積、（ｂ）所望の修正に応じた前記第２薄膜の直接食刻またはフォトリソグラフィ、（ｃ）前記第２薄膜を通した前記第１薄膜の食刻を含む。
【００３２】
（ｂ）段階は、第２薄膜内の欠落しているパターンを複製することを含むことができ、第２薄膜は（ｃ）段階の後に除去されることができる。
【００３３】
前記第２及び／又は第３薄膜は、例えば誘電体層であることができ、または、任意に、前記第１薄膜に堆積された正または負の感光性樹脂層であることもできる。
【００３４】
食刻する段階は、１つ又はそれ以上の光学線、または、１つ又はそれ以上の粒子線によって達成されることもできる。光線は、Ｘ線、レーザー光線、陽子線、イオン線または電子線でありえる。
【００３５】
変形した実施例によれば、食刻段階と特に（ｂ）段階は、いくつかの同時に存在する光線と粒子線によって実行されることができる。
【００３６】
そのような光線は、実行される修正に応じて用意される修正データを含むデジタル素子またはデジタル処理素子によって制御されることができる。
【００３７】
この用意は、デザインデータまたは誤りのあるデザインファイルと、デザインデータまたは正確なデザインファイルとの間の比較によって行われる。
【００３８】
本発明は、新しいマスクを使用すること、または、欠陥のあるマスクを修正することを必要とすることなく、これらのデザインを修正することができる。
【００３９】
そのため、本発明は、同様に、例えば犠牲層またはハードマスク層である、誤りのあるデザインを含む、食刻された又は部分的に食刻された少なくとも第１副層と、基板と第１副層との間に位置する第２副層と、を含む、第１薄膜に形成されたデザインの修正方法に関し、（ａ）前記第１薄膜上に第２薄膜を堆積し、（ｂ）所望の修正に応じて、前記第２薄膜内において直接食刻または直接描画によるリソグラフィを行い、（ｃ）前記第１副層を通して前記第２副層を食刻または部分的に食刻する段階を含む。
【００４０】
本発明は、同様に、本発明による方法の（ｂ）段階を実行するために適切なリソグラフィ装置に関する。この装置は、リソグラフィ装置、又は、少なくともリソグラフィ光線を生成するのに適した第１手段と、誤りのあるデザインと所望の修正デザインとに関するデータを処理するための第２手段と、前記処理に続いて修正データを生成するために、その修正データに基づいてリソグラフィ手段を制御する第３手段と、を含む。
【００４１】
本発明は、同様に、薄膜内に形成された誤りのあるデザインに関連するデータと、所望の修正デザインに関連するデータとを処理するためにこのコンピューターに入力されることができるプログラムコード命令を含むコンピュータープログラムを利用し、そのような処理に続いて、リソグラフィ装置、または、少なくともリソグラフィ用の光線又は粒子線を生成するために適切な手段によって利用可能な修正データを生成する。
【００４２】
本発明は、同様に、そのようなプログラムのコード指示を含む、コンピューターによって利用されるデジタルデータ媒体と同様に、コンピューターで利用可能な媒体に入力されるそのようなプログラムのコード指示を含むコンピュータープログラムプロダクトを利用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
本発明は、添付された図面を参照することで、単に記載され、限定されない手段によって与えられた典型的な実施形態の記載から、より明らかになるであろう。
【００４４】
図１Ａ、１Ｂは、パターンが形成される材料層を示し、図２、４、６、８は、過剰のパターン又は欠落しているパターンが形成される材料層を示し、図３Ａから３Ｆは、パターンを付加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示し、図５Ａ、５Ｂは、パターンを付加することによって修正を可能にする本発明による方法の他の例を示し、図７Ａから７Ｃは、パターンを除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示し、図９Ａから９Ｄは、パターンを付加し、続いて除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。図１０は、本発明による装置の例を示す。
【００４５】
異なる図に記載の、同一、類似または同等の部材は、ある図から他の図へ移ることを容易にするという観点で同一の参照符号を有する。
【００４６】
図に示された異なる部材は、図をより分かり易くするための均一なスケールに従う必要性は無い。
【００４７】
図１Ａは、平面図における薄膜を示し、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３で表されたパターンは、中空パターン形態に形成されたものであり（その輪郭は、この図において点線で示されている）、例えば、後に半導体、導体または絶縁体材料で満たされる配線用ホールまたはトレンチ（溝）である。この薄膜は、技術層（technological layer）と呼ばれ、“１１０”で表される。それは、基板、例えばシリコン基板上（図１Ａには示されていない）に載置されている。全てのパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３でデザイン（設計、模様）Ｄを形成する。
【００４８】
技術層１１０は、現実には有機物または無機物であり、それは導体、半導体または絶縁体であり、例えば、１ｎｍから１０μｍの間の厚さを有することができる。
【００４９】
この薄膜１１０は、製造中において、マイクロ電子デバイス、例えば集積回路の層であり得る。
【００５０】
図１Ａに記載されている技術層１１０は、６００ｎｍの厚さのＴｅＯＳに基づく層である。
【００５１】
図１Ｂは、基板１００に載置されている、この同様の技術層１１０の下面図を示す。技術層１１０内の中空パターン形態に形成されたパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３は、同様に点線で輪郭によって区切られる。
【００５２】
技術層１１０内にパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３を形成するために、第１方法は、例えば、技術層上に予め堆積された犠牲層と呼ばれる層にフォトリソグラフィによってこれらのパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３を初期形成することからなる。次に、例えば、犠牲層を通して後者を食刻（エッチング）することによって、パターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３を技術層１１０に転写することである。
【００５３】
図２は、基板１００上に載置され、さらに、その目的がマスクを用いたフォトリソグラフィ方法によって前記のパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３を形成することである追加された犠牲層１２０によって覆われた技術層１１０を示す。
【００５４】
犠牲層は、現実には有機物または無機物であり、それは、導体、半導体または絶縁体であり、例えば、１ｎｍから１０μｍの厚さを有することができる。図２に示された犠牲層１２０は、例えば、５０ｎｍの厚さのＴｉＮに基づく層である。
【００５５】
前記フォトリソグラフィ方法に続いて、図２に示される犠牲層１２０は、形成されるデザインＤとは異なり、パターンＭ２が欠落しているデザインＤ’として表される誤りのあるデザインに従って食刻される。誤りのあるデザインＤ’は、フォトリソグラフィ方法中に利用されるマスクとそれ自身に含まれた欠陥に起因するものである。
【００５６】
そのため、犠牲層１２０において、パターンＭ２は、位置２００（図２で点線によって区切られた）が欠落している。
【００５７】
本発明の方法による第１方法の例は、図３Ａから３Ｆに示されている。それは、パターンが欠落している誤りのあるデザインＤ’を修正することに役立つ。
【００５８】
図３Ａに示されたこの方法の第１段階中で、層３００は、例えば樹脂または高分子に基づくものであり、犠牲層１２０の一部または犠牲層１２０の全体に堆積される。この層３００は、放射線感受性でありえ、例えば、電子、イオン、光子に感受性がある。層３００は、例えば樹脂でありえ、アルシェケミカル社（Archechemical campany）によって市販されているＴｉＳ１９３ＵＬ（登録商標）樹脂、ＮＯＶＯＬＡＣ（登録商標）樹脂、ＰＨＳ（登録商標）樹脂のような正色調（ポジティブトーナリティ）を有する樹脂である。変形例によれば、層３００は、同様にいくつかの副層（サブレイヤー）の積層、例えば、電子、イオンまたは光子のような放射線に感光性を示す第２の副層が上部に形成される、非感光性樹脂に基づく第１層によって形成される。
【００５９】
次に、この層３００のリソグラフィ段階は、誤りのあるデザインＤ’に応じて実行される。このリソグラフィ段階は、層３００内の修正要素Ｃ１を形成する。修正要素Ｃ１は、露光された後に層３００内に形成され、この場合、犠牲層１２０内の欠落しているパターンＭ２に等しい形状をとる。
【００６０】
その方法を実行するための１つの可能性によれば、層３００のリソグラフィは、中間マスクの使用の必要性無しに直接描画によるリソグラフィによって実行される。そのため、その方法は、新しいマスクを採用する必要性無しに犠牲層内の欠落しているパターンを付加することができる。
【００６１】
修正要素Ｃ１は、犠牲層１２０内の誤りのあるデザインＤ’と元のデザインＤの両方に応じて、樹脂層３００上に形成され、配置される。実際に、リソグラフィは、例えばリソグラフィまたはフォトリソグラフィ装置（図１０）によって行われ、そのリソグラフィまたはフォトリソグラフィ装置５５０は、形成される修正要素の形状と位置とに関する情報を特定する情報ファイル（インフォメーションファイル）を利用する。そのファイルは、例えば、コンピューターやワークステーションのような情報処理装置５００から来るデータベース又はデータ媒体から供給され、このコンピューター又はワークステーションによって実行された処理に起因することができ、その中で、元のデザインＤと誤りのあるデザインとの間の比較が行われる。
【００６２】
樹脂層３００の特定の領域が修正要素Ｃ１を形成するために露光されることによって、リソグラフィは、少なくとも光線３１０、すなわち光学粒子によって行われる。
【００６３】
光線３１０は、例えば、レーザー光線、Ｘ線、電子線、イオン線、陽子線でありえる。
【００６４】
樹脂層３００の電子線への露光の後、その後者は現像される。光線３１０に曝された樹脂層の部分は、露出され、犠牲層である副層１２０内で欠落しているパターンＭ２に等しい形態を有する修正要素Ｃ１を形成するために消失する（図３Ｂ）。直接食刻は、層３００の部分が上部に形成された領域と、層３００の部分を含まない他の領域を画定する。
【００６５】
それから、犠牲層１２０に対する修正要素Ｃ１の転写が行われる（図３Ｃ）。その転写は、化学エッチングまたは粒子衝突、例えば、樹脂層３００を介する犠牲層１２０のプラズマエッチングまたは湿式化学エッチングによって実行されることができる。犠牲層１２０は、パターンＣ１を含む。このパターンは、犠牲層に追加されるパターンＭ２に相当する。
【００６６】
次に、樹脂層３００は除去される。そして、その犠牲層は、パターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３、すなわちデザインＤを含む。
【００６７】
それから、エッチング、例えば、犠牲層１２０を介した技術層の化学エッチングまたはプラズマエッチングによって、パターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３は、技術層１１０に転写される（図３Ｅ）。
【００６８】
犠牲層１２０は、最終的に除去される（図３Ｆ）。犠牲層１２０の除去は、ドライエッチング、例えば、この層１２０へのガス反応に基づくプラズマによって実施される。犠牲層１２０が実際に有機物であった場合には、それは、湿式エッチング、例えば、Ｈ２Ｏ２及びＨ２ＳＯ４に基づく溶液によって行われる。その除去は、同様に、任意に湿式化学エッチングとそれに続くプラズマエッチングとの結合によって完全になることができる。本発明による方法は、単一パターンの修正または付加に限定されず、例えばフォトリソグラフィ方法に続く、誤りのあるデザインに従ってエッチングされた薄膜に必要なだけ多くのパターンを付加させることを可能にする。
【００６９】
上記の方法は、犠牲層が技術層上に用いられた場合に適用される。
【００７０】
しかし、技術層１１０のような薄膜内で図１Ａと１Ｂに示されたパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３のようなパターンを形成するために、ある方法は、中間犠牲層を利用することなく、これらのパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３をフォトリソグラフィによってこの技術層内に直接形成することからなる。
【００７１】
図４は、前記のパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３が形成されることによって、例えば、マスクの使用を必要とするフォトリソグラフィによって付加された技術層１１０を示す。
【００７２】
誤り、例えば、技術層１１０内に直接的に誤りのあるデザインＤ’の形成を引き起こすフォトリソグラフィ方法中に利用されるマスクの設計または製造における誤りは、形成されるデザインＤとは異なる。
【００７３】
そのために、パターンＭ２は、技術層内で欠落しており、この欠落しているパターンＭ２の位置は、図４において参照符号４００で示され、網掛けされて示されている。
【００７４】
本発明による第２方法の例は、図５Ａ、５Ｂに示されており、技術層内に形成され、パターンが欠落している誤りのあるデザインＤ’を修正する。
【００７５】
従って、本発明によるこの方法の例は、新しいマスクを使用することなく、技術層に欠落しているパターンが付加されることを可能にする。
【００７６】
この方法の第１段階中に、樹脂層３００、例えば正の（ポジティブ型）感光性樹脂は、技術層１１０上に堆積される。
【００７７】
次に、樹脂層３００のリソグラフィが実行される。このリソグラフィは、例えば“直接描画”として知られるタイプのものでありえ、すなわち、中間マスクを使用しないものである。そのリソグラフィは、技術層１１０内の誤りのあるデザインＤ’とこの同じ層の諸望のデザインとに応じて達成される。それは、樹脂層３００内に少なくとも１つの修正要素Ｃ１を形成する。この例で、修正要素は、デザインＤ’上の欠落しているパターンＭ２に等しい。
【００７８】
リソグラフィは、樹脂層３００の特定の部分が修正要素Ｃ１から露出されていることによって、光線、または少なくとも粒子または光学的な光線によって行われる。光線は、例えば、レーザー光線、Ｘ線、電子線、イオン線または陽子線でさえもありえる。
【００７９】
樹脂層３００の露光の後に、その後者は現像される。犠牲層内における、その光線に曝された樹脂層３００の部分は、パターンＭ２に等しい形態を有する修正要素またはパターンＣ１を形成するために除去される。
【００８０】
次に、修正要素Ｃ１は、食刻、例えば、樹脂層３００を介して後者のプラズマエッチングまたは化学エッチングによって技術層１１０に転写される。従って、その技術層１１０は、追加される欠落しているパターンＭ２に相当する中空パターンを含む。
【００８１】
それから、樹脂層３００は除去される。技術層１１０は、完全なデザインＤを形成するパターンＭ１、Ｍ２、Ｍ３を含む（図５Ｂ）。
【００８２】
本発明による方法は、前述の例のように薄膜内の単一パターンの修正に限定されない。実際、特定のパターンが欠落している食刻された薄膜に必要なだけ多くのパターンを付加することを可能にする。
【００８３】
図６は、例えばシリコンで形成され、技術層として知られる薄膜６１０によって覆われる基板６００を示し、パターンＭ４は、例えば、点線で示された輪郭によって示されたトレンチのような中空状に形成される。その技術層６１０は、実際には有機物または無機物でありえ、それは、導体、半導体または絶縁体でありえる。それは、例えば、ＴｉＮに基づく金属層、低誘電率の誘電体層、トランジスタのゲートとして機能するポリシリコン層である。
【００８４】
技術層６１０内のパターンＭ４を形成するために、第１方法は、犠牲層として知られ、技術層６１０上に堆積される層６２０のフォトリソグラフィによってこのパターンＭ４を初期形成することからなることができる。
【００８５】
誤り、例えば、前記のフォトリソグラフィ方法中に利用されるマスクの設計や製造における誤りに続いて、図６に示されている犠牲層６２０は、パターンＭ４を含むが、ホール及び／又はトレンチ形態である幾つかの過剰な誤りのあるパターンＭ’１、Ｍ’２をも含む。
【００８６】
図７Ａから７Ｃに示される本発明による方法の例は、過剰に形成され、技術層に修正パターンを形成するこれらのパターンＭ’１とＭ’２を修正することに役立つ。
【００８７】
第１段階で、樹脂層７００は、犠牲層６２０の全体に堆積される（図７Ａ）。
【００８８】
次に、樹脂層７００のリソグラフィ段階は達成される。本方法の実施形態によれば、このリソグラフィは、直接描画、すなわち、中間マスクを使用しないで実施される。
【００８９】
リソグラフィは、犠牲層６２０内に形成される誤りのあるデザインＤ’に応じて行われる。リソグラフィ段階は、樹脂層７００内に修正要素Ｃ２とＣ３を形成する。この場合、これらの修正要素Ｃ２とＣ３は、犠牲層６２０内のホールまたはトレンチの形態の誤りのあるパターンＭ’１とＭ’２をそれぞれ満たす樹脂ブロックの形態をとる。
【００９０】
樹脂層７００の特定の部分は、修正要素Ｃ２とＣ３を形成するために露光されることによって、リソグラフィは、１つの光線または幾つかの光線、あるいは、任意に、いくつかの同時に存在する粒子または光学ビームによって実行される。
【００９１】
その光線は、例えば、Ｘ線、電子線または紫外線でありえる。
【００９２】
その光線による樹脂層７００の後に、その露光の後者は現像される。その光線３１０に露光された樹脂層３００の部分は、除去される。残っている物は、修正要素Ｃ２とＣ３であり、それは樹脂のブロック（妨害物）の形態をとり、犠牲層である副層６２０の過剰パターンＭ’１とＭ’２をそれぞれ満たす（図７Ｂ）。
【００９３】
図７Ｃに示されるように、例えばエッチング、または、犠牲層６１０を介した技術層６２０のプラズマエッチングまたは化学エッチングによって正確なパターンＭ４のみの転写が達成される。
【００９４】
犠牲層６１０の誤りのあるパターンＭ’１とＭ’２は、樹脂層７００のブロックによって満たされ、パターンＭ４のみが技術層に転写される。それから、犠牲層は除去される。
【００９５】
本発明による方法は、前述の例の場合のように２つのパターンの修正に限定されず、それは実際に必要なだけ多くの余剰パターンを除去する。
【００９６】
図８は、例えばシリコンからなる、技術層として知られる基板８００を示し、パターンＭ５とＭ６は、例えば、図８に示され、点線で輪郭が形成されたホールやトレンチの形態をとる。
【００９７】
技術層は、導体、半導体または絶縁体でありえ、例えば１ｎｍから１０μｍの厚さを有する。技術層８１０は、例えば、低誘電率（英語の専門用語によれば“ｌｏｗ−ｋ”と呼ばれる）の誘電体層である。
【００９８】
この技術層８１０内にパターンＭ５、Ｍ６を形成するために、この方法は、犠牲層として知られ、技術層８１０に堆積された“８２０”で表された他の薄膜のフォトリソグラフィ方法によるこれらのパターンＭ５とＭ６の初期形成からなる。犠牲層８２０は、例えば、窒化物またはシリコン酸化物に基づく。
【００９９】
誤り、例えば、前記のフォトリソグラフィ中に利用されるマスクの設計または製造における誤りに伴って、図８に示されている犠牲層８２０は、正確なパターンＭ５と欠落しているパターンＭ６とを含む誤りのあるデザインに従って食刻される。この誤りのあるデザインは、犠牲層８２０内に誤りのある過剰なパターンＭ’３をさらに含み、それは、例えば、ホールまたはトレンチ形状をとる。
【０１００】
特定のパターンが余剰であり、特定のパターンが欠落している犠牲層８２０のような食刻された薄膜に形成されるそのようなデザインを修正することを可能にする本発明による方法の例は、ここに記述されるだろう。それは、図９Ａから９Ｃに示される。
【０１０１】
この方法の第１段階において、第１樹脂層９００は、犠牲層８２０上に堆積される。樹脂層９００は、例えば、正の感光性樹脂でありえる。
【０１０２】
次に、第１のリソグラフィまたはフォトリソグラフィ段階が達成される。１つの可能性によれば、このリソグラフィは、樹脂層９００の直接描画によるものであり、すなわち、中間マスクを使用することがない。この第１のリソグラフィ段階は、欠落しているパターンＭ６に等しい開口の形態で樹脂層９００内に“Ｃ４”で表される第１修正要素を提供する。
【０１０３】
樹脂層９００の特定の領域が修正要素Ｃ４を形成するために露光されることによって、リソグラフィは粒子線または光線によって達成されることができる。前記の光線は、例えば、Ｘ線、レーザー光線、電子線、イオン線、陽子線または紫外線でありえる。樹脂層９００の光線による露光の後、その後者は現像される。その光線によって露光された樹脂層９００の部分は、修正要素Ｃ４を形成するために除去される。
【０１０４】
次に、犠牲層８２０の食刻は、樹脂層９００を介して行われる。この食刻は、修正要素Ｃ４が犠牲層に転写されることを可能にする。それから、犠牲層８２０は、トレンチまたはホール形態の失われたパターンＭ６を含む（図９Ａ）。
【０１０５】
次に、第１樹脂層９００は除去され、第２樹脂層９５０、例えば負の感光性樹脂層は堆積される。
【０１０６】
次に、第２樹脂層９５０の直接描画による第２のリソグラフィ段階は、中間マスクを使用することなく実行される（図９Ｃ）。直接描画によるこの第２リソグラフィ段階は、犠牲層８２０内にホールまたは過剰なトレンチ形状を有する誤りのあるパターンＭ’３を満たす樹脂ブロックＣ５の形態に樹脂層９５０内の第２修正要素の形成を用意する。修正要素Ｃ５を形成するためのリソグラフィは、修正要素Ｃ４を形成する第１のリソグラフィ段階中に利用される装置のような同様のリソグラフィ装置に起因する粒子線または光学線によって行われる。樹脂層９５０の特定の領域は、この光線によって露光される。
【０１０７】
光線による樹脂層９５０の露光の後、その後者は現像される。樹脂層９５０の光線３１０によって露光された部分は、除去される。従って、パターンＭ’２を満たすブロック形態の樹脂の修正要素Ｃ４は形成される。
【０１０８】
それから、技術層８２０の食刻は、パターンＭ５とＭ６のみが転写されている間、樹脂層９５０を介して行われる。
【０１０９】
以上に記述された実施形態に関係なく、フォトリソグラフィの段階は、本発明に従って実施されるリソグラフィ装置によって、ある装置やリソグラフィ装置５００を制御して、“修正データ”として知られるデータ、または、要求される修正を可能にする“修正”情報ファイルを用いて実行される。これらの修正データまたはこの修正ファイルが、例えば、コンピューターやワークステーションのような情報処理装置５００によって生成される。
【０１１０】
演算装置、例えば、そのようなデータやそのようなファイルを生成することを可能にする超小型演算装置、または、中央演算処理装置５００によって実行される論理演算の例は、以下に説明される。
【０１１１】
実際、行われる修正を複製する標準的な情報ファイルをコンパイルすることに問題がある。
【０１１２】
修正を追加及び削除することを可能にするファイルを得るために、情報処理装置５００は、電子部品と、ソフトウェアコンポーネントと、全てのブール演算を実行に移すことを可能にする他の構成物を含むことができ、同様に、食刻する光線を生成し、実行されるリソグラフィ装置によって直接利用可能な形式（フォーマット）のデータを成形することを可能にする。
【０１１３】
２つの開始ファイルＡとＢがあり、ファイルＡは誤りのあるデザインに対応し、ファイルＢは所望の修正デザインに相当する。これらのファイルは、記憶装置、例えば、装置５００のハードドライブ、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、他のタイプのランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記録素子、光学記録素子、レジスタ、他の揮発性及び／又は不揮発性メモリのような記憶装置に保存されている。
【０１１４】
付加されるパターンに関連して、ブール減算を含むアルゴリズムは、２つのファイルＡとＢとの間で実行され、その結果は、誤りのあるファイルＡに存在しないファイルＢに付加されたこれらのパターンのみが、例えば新しいファイルＣ１内に保管される。
【０１１５】
新しいファイルＣ１は、情報機器５００によって使用できる形態でリソグラフィ装置５５０に伝達される。それから、装置５５０は、１つ又はそれ以上の食刻光線を生成し、従って、直接的かつ選択的に１つ又はそれ以上の欠落しているパターンを基板上に位置する薄膜に付加する。
【０１１６】
除去される過剰なパターンに関しては、今回、ブール減算は、ファイルＡに存在し、最終的に除去されるパターンを単に保持することができる。この処理の後、調整動作は、端部を拡大し、技術処理中に除去されるパターンの全体的な被覆を保証するために実行されることができ、従って、本方法によって引き起こされる不整合の潜在的な問題は避けられる。サイズの調整は、最終的な設計における他のパターンの状況と、利用されるリソグラフィ方法の位置合わせ性能とに依存する。この処理の結果である新しいファイルＣ２は、情報機器５００によって使用できる形態でリソグラフィ装置５５０に伝達される。
【０１１７】
あるパターンが付加され、または、他のパターンが除去されたとき、２つのデータベースまたはデータファイルは、用意され、全面的な修正を提供するための２つの個々の論理演算が形成されることができる。
【０１１８】
その情報装置５５０は、上述のようにコンパイルされた修正データを保存することが可能であり、これらの修正を行うための食刻手段または装置５００を制御することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１Ａ】パターンが形成される材料層を示す。
【図１Ｂ】パターンが形成される材料層を示す。
【図２】過剰のパターン又は欠落しているパターンが形成される材料層を示す。
【図３Ａ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図３Ｂ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図３Ｃ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図３Ｄ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図３Ｅ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図３Ｆ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図４】過剰のパターン又は欠落しているパターンが形成される材料層を示す。
【図５Ａ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の他の例を示す。
【図５Ｂ】パターンを追加することによって修正を可能にする本発明による方法の他の例を示す。
【図６】過剰のパターン又は欠落しているパターンが形成される材料層を示す。
【図７Ａ】パターンを除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図７Ｂ】パターンを除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図７Ｃ】パターンを除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図８】過剰のパターン又は欠落しているパターンが形成される材料層を示す。
【図９Ａ】パターンを追加し、続いて除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図９Ｂ】パターンを追加し、続いて除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図９Ｃ】パターンを追加し、続いて除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図９Ｄ】パターンを追加し、続いて除去することによって修正を可能にする本発明による方法の例を示す。
【図１０】本発明による装置の例を示す。
【符号の説明】
【０１２０】
１００、６００、８００  基板
１１０、６１０、８１０  第２副層
１２０、６２０、８２０  第１副層
３００、７００、９００  第２薄膜
３１０  光線
５００  情報処理装置
５５０  リソグラフィ装置
９５０  第３薄膜
Ｍ１、Ｍ１’、Ｍ２、Ｍ２’、Ｍ３、Ｍ３’、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６  パターン
Ｄ、Ｄ’  デザイン
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５  修正要素
【図１Ａ】
2007514205.tif 000003
【図１Ｂ】
2007514205.tif 000004
【図２】
2007514205.tif 000005
【図３Ａ】
2007514205.tif 000006
【図３Ｂ】
2007514205.tif 000007
【図３Ｃ】
2007514205.tif 000008
【図３Ｄ】
2007514205.tif 000009
【図３Ｅ】
2007514205.tif 000010
【図３Ｆ】
2007514205.tif 000011
【図４】
2007514205.tif 000012
【図５Ａ】
2007514205.tif 000013
【図５Ｂ】
2007514205.tif 000014
【図６】
2007514205.tif 000015
【図７Ａ】
2007514205.tif 000016
【図７Ｂ】
2007514205.tif 000017
【図７Ｃ】
2007514205.tif 000018
【図８】
2007514205.tif 000019
【図９Ａ】
2007514205.tif 000020
【図９Ｂ】
2007514205.tif 000021
【図９Ｃ】
2007514205.tif 000022
【図９Ｄ】
2007514205.tif 000023
【図１０】
2007514205.tif 000024
【国際調査報告】
2007514205.tif 000025
2007514205.tif 000026
2007514205.tif 000027
2007514205.tif 000028
2007514205.tif 000029
2007514205.tif 000030