(57)【要約】  メモリモジュールとコントローラとの間のデータ信号を解釈する際に、メモリモジュール電源とメモリコントローラ電源との間の電圧差が補償される。メモリモジュールまたはコントローラの電源電圧から生成される参照電圧によって補償が実現され、それにより、もしメモリモジュールまたはコントローラによって送信されるデータ信号の電圧振幅が電源電圧の変化のために変動しても、参照信号電圧振幅もそれに対応して変動するようになる。よって、データ信号を受信するコントローラまたはメモリモジュールは、その参照信号を用いて受信データの電圧振幅を適正に解釈することができる。
2007520771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電源から第一の電圧を受信するための第一の電源ノードと、
前記第一の電源ノードに前記第一の電圧が加えられたときに第一の参照電圧を発生させる第一の参照電圧発生器と、
前記第一の電源ノードから電力を受信するよう結合されている第一のデータ送信器モジュールと、
前記第一のデータ送信器モジュールからデータを受信するよう結合されており、前記第一のデータ送信器モジュールから受信したデータの適正な解釈を保証するために前記第一の参照電圧発生器に結合されているデータ受信器モジュール、
とを有することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第一のデータ送信器モジュールが第一のデータ記憶ユニットを含み、前記データ受信器モジュールが前記第一のデータ記憶ユニットを制御するためのコントローラを含むことを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記データ受信器モジュールが第一のデータ記憶ユニットを含み、前記第一のデータ送信器モジュールが前記第一のデータ記憶ユニットを制御するためのコントローラを含むことを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第一の参照電圧の電圧振幅が前記第一の電圧の電圧振幅に時間的に比例することを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記第一のデータ送信器からのデータの電圧振幅が、前記第一の電圧の電圧振幅に時間的に追随することを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記第一の電源が第一の電力源であることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記第一の参照電圧発生器が、受動回路、電圧分配器、複数の抵抗器のうちの一つであることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記第一の参照電圧の振幅が前記第一の電圧の振幅の約半分のオーダーであることを特徴とする、請求項２記載の装置。
【請求項９】
前記データ受信器モジュールが、前記第一のデータ送信器モジュールから受信したデータの電圧振幅を前記第一の参照電圧の電圧振幅と比較するために、差動入力バッファおよび電圧比較器回路のうちの一つを含むことを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
前記データ受信器モジュールが、前記第一のデータ送信器モジュールからある期間にわたって受信したデータの電圧振幅が該期間にわたっての前記第一の参照電圧の電圧振幅より大きいか小さいかを解釈するために、比較器モジュールを含むことを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
第一の電源から第一の電圧を受信するための第一の電源ノードと、
前記第一の電源ノードに前記第一の電圧が加えられたときに第一の参照電圧を発生させる第一の参照電圧発生器と、
前記第一の電源ノードから電力を受信するよう結合されている第一のメモリモジュールと、
コントローラ電源からコントローラ電圧を受信するためのコントローラ電源ノードと、
前記コントローラ電源ノードから電力を受信するよう結合されており、前記第一の電源と前記コントローラ電源との間の電圧差の補正をするために前記第一の参照電圧発生器に結合されているメモリコントローラモジュール、
とを有することを特徴とする装置。
【請求項１２】
第二の電源から第二の電圧を受信するための第二の電源ノードと、
前記第二の電源ノードに前記第二の電圧が加えられたときに第二の参照電圧を発生させる第二の参照電圧発生器であって、前記第二の電源と前記コントローラ電源との間の電圧差を補正するために前記メモリコントローラモジュールが結合されている第二の参照電圧発生器と、
前記第二の電源ノードから電力を受信するよう結合されている第二のメモリモジュール、
とをさらに有することを特徴とする、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記第一のメモリモジュールが前記コントローラ電源と前記第一の電源との間の電圧差を補正するためにコントローラ参照電圧発生器に結合されており、
前記第二のメモリモジュールが前記コントローラ電源と前記第二の電源との間の電圧差を補正するために前記コントローラ参照電圧発生器に結合されており、
さらに：
前記コントローラ電圧が前記コントローラ電源ノードに加えられたときにコントローラ参照電圧を発生させるための前記コントローラ参照電圧発生器を有することを特徴とする、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記第一の電源に依存する第一のデータを前記メモリコントローラモジュールに送信するための第一のデータ送信器と、
前記第二の電源に依存する第二のデータを前記メモリコントローラモジュールに送信するための第二のデータ送信器と、
前記コントローラ電源に依存する第一の制御信号を前記第一のメモリモジュールに送信するための第一の制御信号送信器と、
前記コントローラ電源に依存する第二の制御信号を前記第二のメモリモジュールに送信するための第二の制御信号送信器、
とをさらに有することを特徴とする、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記第一のデータが前記コントローラ参照電圧に依存し、前記第二のデータが前記コントローラ参照電圧に依存し、前記第一の制御信号が前記第一の参照電圧に依存し、前記第二の制御信号が前記第二の参照電圧に依存する、ことを特徴とする、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記第一の電源が第一の電力源であり、前記コントローラ電源がコントローラ電力源であり、前記第二の電源が第二の電力源であることを特徴とする、請求項１２記載の装置。
【請求項１７】
前記第二の電圧および前記コントローラ電圧が１．５ボルトから２．９ボルトの間の範囲の独立した電圧であることを特徴とする、請求項１１記載の装置。
【請求項１８】
前記第一の電源、前記第二の電源および前記コントローラ電源がみな共通の電力供給源から電力を受けることを特徴とする、請求項１１記載の装置。
【請求項１９】
前記共通の電力供給源が回路基盤パワープレーンであることを特徴とする、請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
前記パワープレーンを前記第一の電源ノードに結合する、前記パワープレーンを前記第一の電源ノードに電気的に接続したり切断したりする第一のスイッチおよび第一の回路基板配線と、
前記パワープレーンを前記第二の電源ノードに結合する、前記パワープレーンを前記第二の電源ノードに電気的に接続したり切断したりする第二のスイッチおよび第二の回路基板配線、
とをさらに有することを特徴とする、請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
前記第一のメモリモジュールおよび前記第二のメモリモジュールがダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を含んでおり、前記メモリコントローラモジュールが前記第一および第二のメモリモジュールを制御するためのメモリコントローラを含んでいることを特徴とする、請求項１３記載の装置。
【請求項２２】
前記第一のメモリモジュールおよび前記第二のメモリモジュールがそれぞれ少なくとも一つのデュアルインラインメモリモジュールを含んでいることを特徴とする、請求項１３記載の装置。
【請求項２３】
第一の電源電圧を用いて第一のメモリモジュールに電力供給し、
前記第一の電源電圧から第一の参照電圧を発生させ、
コントローラ電源電圧を用いてメモリコントローラモジュールに電力供給し、
前記第一の電源電圧と前記コントローラ電源電圧との間の電圧差を補正する、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
第二の電源電圧を用いて第二のメモリモジュールに電力供給し、
前記第二の電源電圧から第二の参照電圧を発生させ、
前記第二の電源電圧と前記コントローラ電源電圧との間の電圧差を補正する、
ことをさらに含むことを特徴とする、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記コントローラ電源電圧からコントローラ参照電圧を発生させ、
前記コントローラ電源電圧と前記第一の電源電圧との間の電圧差を補正する、
ことをさらに含むことを特徴とする、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
前記第一の電源電圧に依存する第一のデータを前記メモリコントローラモジュールに送信し、
前記コントローラ電源電圧に依存する第一の制御信号を前記第一のメモリモジュールに送信する、
ことをさらに含むことを特徴とする、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記第一の電源電圧に依存する第一のデータを前記メモリコントローラモジュールに送信し、
前記コントローラ電源電圧に依存する第二のデータを前記第一のメモリモジュールに送信する、
ことをさらに含むことを特徴とする、請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
前記第一の制御信号に基づいて前記第一のメモリモジュールを制御する、
ことをさらに含むことを特徴とする、請求項２６記載の方法。
【請求項２９】
前記第一の電源電圧と前記コントローラ電源電圧との間の電圧差を補正することが、前記第一のデータを前記第一の参照電圧と比較することを含み、
前記コントローラ電源電圧と前記第一の電源電圧との間の電圧差を補正することが、前記第一の制御信号を前記コントローラ参照電圧と比較することを含む、
ことを特徴とする、請求項２６記載の方法。
【請求項３０】
請求項２９記載の方法であって、前記第一のデータを前記第一の参照電圧と比較することが：
前記第一のデータのある期間を、該期間にわたって前記第一のデータの電圧振幅が平均して前記第一の参照電圧の電圧振幅よりも大きければ、アクティブな信号であると解釈し、
前記第一のデータのある期間を、該期間にわたって前記第一のデータの電圧振幅が平均して前記第一の参照電圧の電圧振幅よりも小さければ、非アクティブな信号であると解釈し、
前記第一の制御信号のある期間を、該期間にわたって前記第一の制御信号の電圧振幅が平均して前記コントローラ参照電圧の電圧振幅よりも大きければ、アクティブな信号であると解釈し、
前記第一の制御信号のある期間を、該期間にわたって前記第一の制御信号の電圧振幅が平均して前記コントローラ参照電圧の電圧振幅よりも小さければ、非アクティブな信号であると解釈する、
ことを含むことを特徴とする、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
第一の電源ノードに第一の電圧を加えるための第一の電力源と、
前記第一の電源ノードに前記第一の電圧が加えられたときに第一の参照電圧を発生させる第一の参照電圧発生器と、
前記第一の電源ノードから電力を受信するよう結合されている第一のメモリモジュールと、
コントローラ電源ノードにコントローラ電圧を加えるためのコントローラ電力源と、
前記コントローラ電源ノードから電力を受信するよう結合されており、前記第一の電力源と前記コントローラ電力源との間の電圧差を補正するための前記第一の参照電圧に結合されているメモリコントローラモジュール、
とを有することを特徴とするシステム。
【請求項３２】
前記第一のメモリモジュールが前記コントローラ電力源と前記第一の電力源との間の電圧差を補正するためにコントローラ参照電圧発生器に結合されており、
さらに：
前記コントローラ電圧が前記コントローラ電源ノードに加えられたときにコントローラ参照電圧を発生させるための前記コントローラ参照電圧発生器を有することを特徴とする、請求項３１記載のシステム。
【請求項３３】
前記第一の参照電圧の電圧振幅が前記第一の電圧の電圧振幅に時間的に比例することを特徴とする、請求項３１記載のシステム。
【請求項３４】
前記第一の電力源と前記コントローラ電力源との間の電圧差を補正することが、
前記第一の参照電圧を前記第一のメモリモジュールから受信したデータと比較することを含む、
ことを特徴とする、請求項３１記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電子信号参照電圧に関する。
【背景技術】
【０００２】
アナログおよびデジタルデータ信号を含むシステムのような電子システムには、しばしばデータ信号を解釈するのに使われる参照信号が関わってくる。たとえば、デジタルデータ信号の受信器は、一定の電圧振幅をもつ参照信号を使って該デジタルデータ信号を解釈することがある。さらに、データ信号の受信器は、局所電源から生成される参照電圧を使って、電源を異にするデータ送信器から受信したデータ信号を解釈することがある。
【０００３】
以下の詳細な説明、請求項および付属の図面から、さまざまな特徴、側面および利点がより完全に明らかとなることであろう。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明のさまざまな実施形態は、受信器によって送信器から受信されるデータの適正な解釈を保証するための参照電圧をデータ受信器に提供するデータ送信器に関係している。たとえば、データ送信器に電力を提供し、電源から電圧を受ける電源ノードは、参照電圧を発生させる参照電圧発生器に結合されうる。よって、データ送信器によって送信されたデータの受信器は、受信データの適正な解釈を保証するための参照電圧をも受け取る。さらに、諸実施形態によれば、データ送信器はデータ保存ユニットを有することがあり、データ受信器はデータ保存ユニットを制御するためのコントローラを有することもある。
【０００５】
具体的には、たとえば図１は、本発明のある実施形態に基づく、それぞれが電源、参照信号発生器、信号送信器を有する、第一および第二のメモリモジュールならびにメモリコントローラモジュールのブロック図である。図１には、第一の電源１１４から第一の電圧結合１１６を介して第一の電圧１１２を受信するための第一の電源ノード１１０が示されている。第一の参照電圧発生器１２０は、第一の電源ノード１１０に第一の電圧１１２が加えられたときに第一の参照電圧１２５を発生させる。第一のメモリモジュール１３０は第一の電圧結合１１６を介して電力１３２の第一の電源からの電力を受け取るよう結合されている。
【０００６】
コントローラ電源１４４からコントローラ電圧結合１４６を介してコントローラ電圧１４２を受信するためのコントローラ電源ノード１４０もある。メモリコントローラモジュール１５０はコントローラ電源ノード１４０から電力を受けるよう結合されており、第一の電源１１４とコントローラ電源１４４との間の電圧差（ノード１１０が受ける電力１３２とノード１４０が受ける電力１５２との電圧差など）を補正するために、第一の参照電圧結合１２２を介して第一の参照電圧発生器１２０に結合されている。
【０００７】
図１にはまた、第二の電源１６４から第二の電圧結合１６６を介して第二の電圧１６２を受信するための第二の電源ノード１６０が示されている。第二の参照電圧発生器１７０は、第二の電源ノード１６０に第二の電圧１６２が加えられたときに第二の参照電圧１７５を発生させる。第二のメモリモジュール１８０は第二の電源ノード１６０から電力を受け取るよう結合されている。さらに、メモリコントローラモジュール１５０はまた、第二の電源１６４とコントローラ電源１４４との間の電圧差（ノード１６０が受ける電力１８２とノード１４０が受ける電力１５２との電圧差など）を補正するために、第二の参照電圧結合１７２を介して第二の参照電圧発生器１７０にも結合されている。ノード１１０、１４０、１６０は、実施例ではモジュール１３０、１５０、１８０に付いているように示されているが、これらのノードの位置はモジュールの外部でも、モジュールの内部でも、その他電源から電圧および／または電力を受けるのに適切な形でもよい。また、ノード１１０、１４０、１６０において結合１１６、１４６、１６６が電圧１１２、１４２、１６２を提供するとともに電力１３２、１５２、１８２を提供するように示されているが、実施においては、これらの結合のそれぞれは１本または複数本の線、回路基板プリント配線（回路カードまたは回路基板上の導電性の信号線など）、パワープレーン、接点、接続、相互接続、ビア、めっきされた貫通孔、バス、導線および／または関連する電圧および／もしくは電力を提供するためのその他の電力結合を含んでいてもよい。
【０００８】
同様に、図１は、コントローラ電圧１４２がコントローラ電源ノード１４０に加えられたときにコントローラ参照電圧１５５を発生するためのコントローラ参照電圧発生器１５４を示している。よって、第一のメモリモジュール１３０は、コントローラ電源１４４と第一の電源１１４との間の電圧差（ノード１４０での電力１５２とノード１１０での電力１３２との電圧差など）を補正するためにコントローラ−第一モジュール参照電圧結合１３４を介してコントローラ参照電圧発生器１５４に結合されている。同様に、第二のメモリモジュール１８０は、コントローラ電源１４４と第二の電源１６４との間の電圧差（ノード１４０での電力１５２とノード１６０での電力１８２との電圧差など）を補正するためにコントローラ−第二モジュール参照電圧結合１８４を介してコントローラ参照電圧発生器１５４に結合されている。実施においては、結合１２２、１７２、１３８、１８８、１５７、１５９、１３４および／または１８４は電子信号線、回路基板プリント配線、接点、接続、相互接続、ビア、めっきされた貫通孔、バス、導線および／または上述した関連する信号および／もしくは電圧を提供するためのその他の信号結合を含んでいてもよい。
【０００９】
さらに、諸実施形態によれば、電源１１４、１４４および／または１６４は、電力源を含んでいたり、あるいは電力原そのものであったりしてもよく、該電力原はスイッチを介してモジュール１３０、１５０および／または１８０に接続されていてもいいし、いなくてもいい。たとえば、図２は、本発明のある実施形態に基づく、それぞれが独立した電力源を含んでいる、第一および第二の電源ならびにコントローラ電源のブロック図である。図２に示される第一の電源１１４は２．５ボルト電力源を含んでおり、これが第一のスイッチ２１６を介して第一の電圧１１２を供給する。第一のスイッチ２１６は、電圧１１２および／または電力１３２にて提供される電力および／または電力源電圧を接続したり切断したりするための適切な電子スイッチ要素を含んでいてもよい。同様に、第二の電源１６４は第二の電力源２６４を含んでおり、これが第二のスイッチ２６６を介して第二の電圧１６２を供給する。さらに、コントローラ電源１４４はコントローラ電力源２４４を含んでおり、これがコントローラ電力源−コントローラ電圧結合２４６を介してコントローラ電圧１４２を供給する。結合２４６は、上述したスイッチ２１６と同様のスイッチを含んでいてもいいし、いなくてもいい。
【００１０】
スイッチ２１６とスイッチ２６６のために十分であるスイッチの例としては、トランジスタ、機械的スイッチ、コンピュータ制御スイッチ、集積回路スイッチ、ダイオード、シリコンデバイスおよびその他の電力および／もしくは電圧１１２を接続したり切断したりできる（スイッチのところで開回路をなしたり閉回路をなしたりすることなどによって）電子デバイスおよび／もしくは回路がある。さらに、諸実施形態によれば、スイッチ２１６およびスイッチ２６６はメモリ・ホットスワップ（モジュール１３０および／またはモジュール１８０に関するホットスワップなど）をサポートするのに十分な機能を提供していてもよい。
【００１１】
他方では、諸実施形態によれば、前記電源のうち二つ以上が共通の電力供給源から電力を受けてもよい。たとえば、図３は、本発明のある実施形態に基づく、それぞれが共通の電力源から電力を受ける、第一および第二の電源ならびにコントローラ電源のブロック図である。図３は、共通の電力供給源３１０（２．５ボルト電力源など）が第一の電源１１４には共通電力源−第一電源結合３２２を介して、第二の電源１６４には共通電力源−第二電源結合３２４を介して、そしてコントローラ電源１４４には共通電力源−コントローラ電源結合３２６を介して結合されている様子を示している。諸実施形態によれば、結合３２２、３２４、３２６は互いに電気的に独立でもいいし、共通結合３２０で示してあるような共通電子経路（電力バスのような）を含んでいてもよい。図３に示してあるように、結合３２２は電源３１０をスイッチ２１６に、結合３２４は電源３１０をスイッチ２６６に、結合３２６は電源３１０を結合２４６に結合する。
【００１２】
電力源２１４、２４４、２６４および電源３１０は図２、図３では２．５ボルト電力源として示されているが、諸実施形態によれば、これらの電力源または電源は、−１２ボルトから＋１２ボルトの間の範囲の電圧１１２、１６２、１４２をもつ独立または従属電力を供給するのに十分でさえあればその他さまざまな電力源または電源であってもよい。多くの場合、電圧１１２、１６２、１４２は、これらの電圧に関連する回路のために（たとえば、スイッチ２１６およびスイッチ２６６のオン抵抗のために）１．５ボルトから２．９ボルトの間の範囲でそれぞれ独立に変化しうる。
【００１３】
さらに、実施においては、図１、２、３に示した電子要素、回路ならびに／または電力源および／または電源の一部または全部は一つの回路基板の一部でありうる。たとえば、図１および図３の構成要素の一部または全部は、回路基板パワープレーン、電子配線、電力バス配線、信号配線、トランジスタスイッチ、抵抗、コンデンサ、インダクタによって提供されうる。
【００１４】
より具体的には、電源電圧（たとえば電圧１１２、１４２、１６２のような）の振幅が時間的に変動しがちなことには次のことを含むいくつかの理由がある：（１）独立した電力源（たとえば図２に示した電力源２１４、２６４、２４４のような）の使用のため、（２）電力源または電源から電力を提供することに関連する回路における抵抗および／または電力損失（たとえば、スイッチ２１６および２６６、回路基板パワープレーン、電子配線、電力バス配線、信号配線、トランジスタスイッチ、抵抗、コンデンサ、インダクタおよび／または図２、３に示した電子結合に起因するような）のため、ならびに／または、（３）電力を消費するモジュールによる電力要求（たとえば、モジュール１３０、１５０、１８０による電力消費）の結果として生じる電源電圧降下すなわち出力低下。たとえば、電力源２１４、２６４、２４４は公称では２．５ボルトであっても、電力源２１４、２６４、２４４によって提供される電圧、これらの電力源が電圧１１２、１６４、１４２を提供するよう結合する電子回路、そしてモジュール１３０、１５０、１８０による電力消費の違いのため、電圧１１２、１６２、１４２のそれぞれで実際に供給される電圧は、時間とともに電圧公差の範囲（電力源電圧公差のような）内で独立に振幅が変動する。同様に、電源３１０は公称では２．５ボルトで、最終的に電圧１１２、１６４、１４２を提供するのではあっても、電源３１０と電圧１１２、１６４、１４２とを結合する電子回路のため、これらのそれぞれの電圧はやはり、時間とともに互いに独立に振幅が変動する。
【００１５】
電源電圧のそのような変動は、データ伝送やその受信データの解釈に有害な効果をもちうる。たとえば、図４は、本発明のある実施形態に基づく所望のデータ信号の信号図である。図４は、時間区間４４０から４４７にわたって電圧レベルＬｏｗ（４３０）と電圧レベルＨｉｇｈ（４２０）の間の電圧振幅をもつ所望のデータ信号４１０を示している。たとえば、信号４１０は所望のデータ４５０（例では０１１０１００１）を与える二進デジタル信号でありうる。より具体的には、信号４１０の電圧振幅が平均して1/2Ｖボルト（４２４）未満の時間区間は論理レベル「０」と解釈され、信号４１０の電圧振幅が平均して1/2Ｖボルト（４２４）より大きい時間区間は論理レベル「１」と解釈される（たとえば、論理レベル０がＬｏｗレベル電圧のデータ信号の意図された解釈であり、論理レベル１がＨｉｇｈレベル電圧の信号の意図された解釈である）。ここでは、信号４１０は第一のデータ送信器１３６がモジュール１５０にデータ４５０を伝えるために結合１３８を介して与えようとした信号でありうる。
【００１６】
しかし、電子回路、回路、モジュール１３０や送信器１３６その他の電力１３２および電圧１１２に関連した要素（図２、３との関連で前述したような電圧１１２を提供するためなどの）の線路損のため、電源電圧（ノード１１０での電圧など）は時間とともに変動しうる。たとえば、図５は、本発明のある実施形態に基づく電源電圧の信号図である。図５は、公称電源電圧振幅Ｖボルト（４２２）であるが時間とともに振幅が変動している電源電圧５１０を示している。具体的には、信号５１０は振幅がＶボルトから区間４４２の間に平均して2/3Ｖボルト未満の振幅にまで低下している。区間４４５では信号５１０は平均して4/3Ｖボルトより大きい振幅にまで増加している。
【００１７】
電源電圧振幅のゆらぎはデータ送信器モジュールによって送信されるデータ信号データの電圧振幅に影響しうる。たとえば、送信器１３６によって送信される実際のデータ信号は所望のデータ信号４１０とは違った電圧振幅になりうる。具体的には、１１０での電圧の振幅が時間的に変動する場合、信号４１０の振幅も時間的に変動しうる（たとえば、時間とともに信号の電圧振幅１１２に依存したり、比例したり、および／または追随したりする）。さらに具体的には、図６は、本発明のある実施形態に基づく送信されるデータ信号および一定の電圧振幅参照信号の信号図である。図６は、電源電圧振幅５１０をもつ電力を受けるデバイス（データ送信器モジュールなど）によって生成および／または送信される、所望のデータ信号４１０に対応する電圧振幅をもつ送信データ信号６１０を示している。ここでは、区間４４２および４４５の間、信号６１０の電圧振幅は信号５１０の電圧振幅を追随しうる。具体的には、信号４１０は区間４４２の間電圧４２０にあるのに、信号６１０は、区間４４２の間、時間とともに信号５１０の降圧または低下に対応・追随して、区間４４２の間1/3Ｖボルト低下した振幅になる。同様に、信号４１０の振幅は区間４４５の間、その同じ期間の間の信号５１０の振幅に影響された結果、時間区間４４５の間信号６１０になる。特に、信号４１０は区間４４２の間平均して電圧振幅はＨｉｇｈレベル４２０であり、区間４４５の間は平均して電圧振幅Ｌｏｗレベル４３０であるのに、信号６１０は区間４４２の間電圧振幅が1/2Ｖボルト４２４より小さく、区間４４５の間は平均して1/2Ｖボルト４２４より大きくなっている。このように、信号６１０を区間４４２および区間４４５の間に電圧振幅1/2Ｖボルトの固定すなわち一定の電圧参照信号と比較した場合、あるいは約1/2Ｖボルトの振幅をもついかなる参照電圧とでも比較した場合、信号６１０は誤って解釈される可能性があるのである。
【００１８】
たとえば、図６は、区間４４２の間平均して1/2Ｖボルトより小さな電圧振幅をもつ信号６１０を示している。ここで、信号６１０と参照信号６８０とを比較すると、信号６１０は区間４４２の間、Ｌｏｗレベル電圧４３０として解釈される結果になる。すなわち、1/2Ｖボルトを基準として解釈したデータ６５０ではビット位置６５２では論理レベル０として示される結果となるのである。同様に信号６１０と参照信号６８０とを比較すると、信号６１０は区間４４５の間、Ｈｉｇｈレベル電圧４２０として解釈される結果になる。すなわち、1/2Ｖボルトを基準として解釈したデータ６５０ではビット位置６５５では論理レベル１として示される結果となるのである。さらに、参照信号６８０も固定すなわち一定電圧ではなく、時間とともにゆらいでいることもありうることが考えられる。たとえば、信号６８０を与えるのに関わっている電源電圧および／または回路は時間とともにゆらぐ参照信号電圧振幅を生ずることもありうる（たとえば、信号６８０を与えるのに使われた電源電圧が公称電圧４２２から信号５１０が示すのとは逆極性でゆらいでいる電圧振幅であったかのような。この場合は信号６８０の電圧振幅は信号６１０の電圧振幅によって示された変動とは逆の極性をもって変動する結果となる）。
【００１９】
諸実施形態によれば、データ信号電圧振幅と参照信号電圧振幅との比較（たとえば信号６１０と信号６８０との比較など）はさまざまな電子要素および回路によって提供されうるが、それには電圧比較回路、差動入力バッファ、トランジスタ、シリコンデバイス、集積回路、抵抗、コンデンサ、インダクタが含まれる。
【００２０】
たとえば、送信器１３６が信号４１０をモジュール１５０に送信し、モジュール１５０が電圧１４２を半分に分割することで生成される参照信号を用いてデータを解釈し、電圧１４２が信号５１０について示したのとは逆極性でＶボルト４２２から変動する電圧振幅を有する場合、データ４１０はやはり誤って解釈される可能性がある。具体的には、区間４４２の間には参照信号の電圧振幅が平均して信号４１０の電圧振幅より大きくなるほど増加することがありうるし、区間４４５の間には参照信号の電圧振幅が平均して区間４４５の間の信号４１０の電圧振幅より小さくなるほど減少することがありうる。よって、所望のデータ信号４１０が送られたとしても、ビット位置６５２および６５５における前記と同じ誤った解釈が起こりうる。ここで、信号５１０は電圧１１２に、信号６１０は送信器１３６によって送信されたデータに、参照信号６８０は電圧１４２の半分に対応するものでありうる。
【００２１】
図４〜６で上述した電力源２１４および電圧１１２についての説明と同様に、Ｖボルト４２２は−１２ボルトと＋１２ボルトの間であってもよく、その場合、1/2Ｖボルト、1/3Ｖボルト、電圧４２０、電圧４３０といった図示した対応する電圧はＶボルトに比例する。多くの場合、Ｖボルトは１．５ボルトと２．９ボルトの間の範囲である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の諸実施形態によれば、データ送信器からデータを受信するデータ受信器は、受信されるデータの適正な解釈を保証するために該データ送信器からある第一の参照電圧をも受信することができる。たとえば、図７は、本発明のある実施形態に基づく、変動電圧振幅をもつ電源電圧に時間的に比例する変動電圧振幅をもつ参照信号の信号図である。図７は、時間とともに電源電圧５１０の電圧振幅に比例した電圧振幅をもつ変動のある参照信号７１０を示している。たとえば、信号７１０の電圧振幅は信号５１０の電圧振幅の約半分のオーダーでありうる。
【００２３】
図７は時間とともに電源電圧に比例する電圧振幅をもつ参照信号を示しているが、実施においては、参照信号電圧が電源電圧を追随する関係または関連は比例以外でありうる。たとえば、電源電圧から参照信号が導かれる過程は、受動素子または回路、複数の抵抗、複数のコンデンサ、複数のインダクタまたは他の何らかの電圧低下機構といった電子回路および要素を介したものでありうる。よって、電源電圧の変化の効果が遅れたり、それ以外の変形を受けたりして参照電圧振幅が増減され、その結果、参照電圧振幅の増減は時間とともに電源電圧振幅からの同様な効果と時間的により正確に対応することになる。さらに、実施においては、参照電源電圧振幅は電源電圧振幅に比例しないこともある。たとえば、反比例する、変調された周波数を含む、整流電圧となる、微分信号となる、積分信号となる、などである。
【００２４】
諸実施形態によれば、信号７１０のような変動参照信号は、データ送信器モジュールの電源電圧とデータ受信器モジュールの電源電圧との間の電圧差を補正するのに使われうる。それは、データ受信器の電源電圧から生成される参照信号の代わりに信号７１０を参照電圧として使うことによる。たとえば、図８は、本発明のある実施形態に基づく、実際のデータ信号を変動する電源電圧に比例する変動電圧振幅をもつ参照信号と対比させた信号図である。図８は、変動参照信号７１０と対比させて送信されたデータ信号６１０を示している。ここで、信号６１０および信号７１０のいずれもが、図５〜７に関連して上述したように電源電圧５１０電圧振幅の変動によって影響を受けている。区間４４２では、信号５１０の電圧振幅の1/3Ｖボルトの減少のため、信号６１０も信号７１０も、振幅６１２、振幅７１２で示されるように電圧振幅が減少する。よって、信号７１０を電圧参照として使えば、信号６１０を介して受信されたデータの適正な解釈が保証される。さらに、区間４４５では、信号６１０の電圧振幅は、振幅７１５に対する振幅６１５に示されるように、平均して信号７１０の電圧振幅よりも小さくなっている。結果として、区間４４２、４４５の間に電源電圧５１０が1/3Ｖボルトもゆらぐにもかかわらず、データ信号６１０は適正に解釈される。すなわち、送信されたデータ信号のビット位置８５２では論理レベル「１」、ビット位置８５５では論理レベル「０」と解釈されるのである。この変動参照信号での解釈８５０は所望のデータ４５０に対応している（たとえば、所望のデータ４５０は０１１０１００１であり、解釈されたデータ８５０もやはり０１１０１００１である）。
【００２５】
図４〜図８においては、1/3Ｖボルトの電源変動について述べたが、諸実施形態によれば、電源電圧変動は1/3Ｖボルトより小さく、公称電圧Ｖボルトの上下５％などでもよい。さらに、図４〜図８においては、電圧レベルＬｏｗ（４３０）は約1/6Ｖボルト、電圧レベルＨｉｇｈ（４２０）は約5/6Ｖボルトとして示したが、諸実施形態によれば、電圧レベルＬｏｗ（４３０）（たとえば、データ信号または制御信号のための電圧レベルＬｏｗの公称電圧など）および電圧レベルＨｉｇｈ（４２０）（たとえば、データ信号または制御信号のための電圧レベルＨｉｇｈの公称電圧など）は、入力信号を解釈するための参照電圧（たとえば、図４〜図８で1/2Ｖボルトとして示した電圧４２４など）に対してある範囲でより離れた、あるいはより近い電圧であってもよい。さらに、図４〜図８では電圧４２４は1/2Ｖボルトとして示したが、電圧６８０および／または電圧７１０の公称値は電圧Ｖボルト４２２のいかなる割合であってもよい。
【００２６】
たとえば、図４〜図８では参照信号６８０および７１０はデータ信号６１０を解釈するための単一の参照電圧信号として示されているが、諸実施形態によれば、入力データまたは制御信号（信号６１０など）は、参照信号に関連付けられた高電圧閾値および低電圧閾値（たとえば、参照信号６８０または７１０に関連付けられているもの）に従って解釈されてもよい。その場合、入力データまたは制御信号（たとえば、信号６１０）は、ある高電圧閾値より高い入力信号部分はすべて電圧Ｈｉｇｈレベルと同定し、ある低電圧閾値より低い入力データまたは制御信号部分はすべて電圧Ｌｏｗレベルと同定し、高電圧閾値と低電圧閾値との間にある入力データまたは制御信号部分はすべて中間と同定する。ある実施形態では、信号部分が中間と同定されることが許されているものの（入力信号のＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルへの遷移中など）、中間と解釈される入力信号の期間が長く続くと受信器はＨｉｇｈレベルまたはＬｏｗレベルのどちらかとして解釈されうるビットを同定することになりうる。さらに、そのような解釈の曖昧さはデータまたは制御信号の解釈エラーやメモリエラーにつながりうる。
【００２７】
具体的には、たとえば、高電圧閾値は参照信号（たとえば、参照信号６８０または７１０）の電圧振幅プラス１２５ミリボルト（ｍＶ）などと選択される。低電圧閾値は参照信号（たとえば、参照信号６８０または７１０）の電圧振幅マイナス１２５ｍＶなどと選択される。よって、図１〜３および図９〜１１に関連して記載されるようなシステムにおいての諸実施形態によれば、参照電圧プラス１７５ｍＶのＨｉｇｈレベル公称電圧をもち、および／または参照電圧マイナス１８５ｍＶのＬｏｗレベル公称電圧をもつデータまたは制御信号は、実際のデータまたは制御信号（たとえば、信号６１０など）が５０ｍＶより大きくＨｉｇｈレベル公称電圧から低下または降下するようなことがあれば、あるいは５０ｍＶより大きくＬｏｗレベル公称電圧より上がるようなことがあれば、不定と解釈されうる。したがって、時間的に電源電圧５１０の電圧振幅に比例する電圧振幅をもつ変動参照信号７１０に関連して上述したように、本発明の諸実施形態によれば、データまたは制御信号受信器がデータまたは制御信号送信器から参照信号を受信することによって、受信したデータまたは制御信号の適正な解釈を保証することが可能である。
【００２８】
たとえば図４〜８に関連したある実施形態によれば、信号５１０が電圧１１２に対応し、信号６１０が送信器１３６によって結合１３８を介して送信されたデータに対応しているとする場合、モジュール１５０はまた、参照電圧発生器１２０から結合１２２を介して参照信号７１０をも受信しうる。より具体的には、モジュール１５０は、データ送信器１３６から受信したある期間にわたるデータの電圧振幅（たとえば、結合１３８を通じて与えられる信号６１０の振幅など）が同じ期間にわたる変動参照信号の電圧振幅（たとえば、結合１２２を通じて与えられる７１０の電圧振幅など）より大きいか、あるいは小さいかを解釈するための電圧比較器を含んでいてもよい。ここで、モジュール１５０は、データ信号（送信器１３６からの信号６１０など）の電圧振幅を参照信号（結合１２２を介して送信される信号７１０など）の電圧振幅と比較するための、さらに上述したような、差動入力バッファ、電圧比較回路、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタといったさまざまな電器要素および回路を含みうる。
【００２９】
さらに、モジュール１５０は結合１７２を介して第二の参照信号発生器１７０からの変動参照信号を受信することによって結合１８８を介して第二のデータ送信器１８６から送られたデータの適正な解釈を保証することができる。よって、電圧１６２および／または電圧１４２が変動して、電圧振幅が信号５１０について上述した以上の電圧振幅値になった場合、モジュール１８０からのデータはそれでもモジュール１５０によって適正に解釈されうる。換言すれば、コントローラ電源ノード１４０から電力１５２を受信するよう結合されたモジュール１５０は、第一の参照電圧発生器１２０にも結合されることによって、電力１３２と電力１５２との間の電圧差を補償することができ、同様に、第二の参照電圧発生器１７０に結合されることによって第二の電力１８２と電力１５２との間の電圧差を補償することができるのである。よって、ノード１１０および／またはノード１６０における電圧がノード１４０における電圧からどのように変動しようとも、モジュール１５０は参照電圧発生器１２０および１７０から、送信器１３６や送信器１８６によって送信されるデータを解釈する（図８に関連して上述したようにモジュールの参照信号をそのモジュールのデータ信号と比較することなどによって）ための変動参照信号を受信し、それにより、（たとえば図６に関連して上述したような場合には解釈誤りの可能性があるのに対して）モジュール１３０およびモジュール１８０からのデータの適正な解釈を保証する。
【００３０】
記載されているように参照電圧発生器１２０および１７０によって与えられる変動参照信号と同様に、コントローラ参照電圧発生器１５４も、ノード１４０に電圧１４２が加えられるとコントローラ参照電圧１５５を発生することができる。これによりモジュール１３０および１８０は、結合１３４および１８４を介して電圧１５５を受信することができ、それにより電力１５２と電力１３２および１８２との間の電圧差を補償することができる。よって、たとえば電圧１４２が信号５１０と同じように変動する場合でも、モジュール１５０によってモジュール１３０、１８０に送信されるデータは適正に解釈されうる。具体的には、第一の制御／データ信号送信器１５６は第一の制御信号またはデータ信号を第一の制御／データ信号結合１５７を介して第一のメモリモジュール１３０に送信しうる。そして第二の制御／データ信号送信器１５８は第二の制御信号またはデータ信号を第二の制御／データ信号結合１５９を介して第二のメモリモジュール１８０に送信しうる。さらに、第一のデータ送信器１３６は第一のデータを第一のデータ結合１３８を介してメモリコントローラモジュール１５０に送信しうる。そして第二のデータ送信器１８６は第二のデータを第二のデータ結合１８８を介してモジュール１５０に送信しうる。諸実施形態によれば、第一のデータは第一の電源１１４に依存しうる。送信器１３６によって送信されるデータの振幅が電力１３２での電圧に追随または比例するような場合で、上述した信号５１０の信号６１０への影響と同様である。同じように、送信器１８６によって送信される第二のデータは第二の電源１６４に依存しうる。送信器１５６によって送信される第一の制御信号またはデータ信号はコントローラ電源１４４に依存しうる。そして送信器１５８によって送信される第二の制御信号またはデータ信号はコントローラ電源１４４に依存しうる。上述したような、送信器１３６によって送信される第一のデータが電源１１４に依存しうるのと同様である。この結果、送信器１３６、１５６、１５８および／または１８６のいずれかが信号４１０と同様の信号を送信しようとしても、ノード１１０、１４０および／または１６０において信号５１０と同様な電源電圧を受信する場合には、実際に送信されるデータは信号６１０と同様になりえ、これは信号６８０のような決まった一定の参照値と比較すると誤って解釈される可能性がある。それが図８に示すように信号７１０と同様の変動参照信号と比較することによって解決されるのである。
【００３１】
さらに、実施においては、モジュール１３０によって送信されるデータはモジュール１５０から受信されるデータまたは制御に依存するので、モジュール１５０から受信したデータまたは制御がモジュール１３０によって誤って解釈されると、送信器１３６によってモジュール１５０に返送されるデータの内容は誤ったものとなりうる（誤った解釈のため）。同様に、送信器１５６および送信器１５８によって送信されるデータまたは制御はモジュール１３０およびモジュール１８０から受信するデータの解釈に依存しうる。また、送信器１８６によって送信されるデータの内容はモジュール１５０から受信されるデータの解釈に依存しうる。よって、参照電圧１２５、１５５、１７５がデータ信号受信者に与えられる場合には、それに反応して該データ信号受信者によって送信されるデータの内容は、それらの参照電圧に依存することになり、誤りがより少なくなる。別の言い方をすれば、データの解釈を誤る諸モジュールによってシステムに導入されるデータ誤りは、システムを通じて他のモジュールに伝搬する可能性があり、伝搬する傾向をもつのである。
【００３２】
さらに、諸実施形態によれば、モジュール１３０および１８０のようなメモリモジュールはさまざまな種類のメモリを含みうる。ＲＡＭ、ダブルデータレートＲＡＭ（ＤＤＲＲＡＭ）、同期ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、ダブルデータレート同期ダイナミックＲＡＭ（ＤＤＲＳＤＲＡＭ）、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、フラッシュメモリ、またその他の種類の適切な同期および非同期メモリなどである。たとえば、図９は、本発明のある実施形態に基づく、分圧器参照信号発生器および回路基板パワープレーンを有する、第一および第二のダブルデータレート（ＤＤＲ）ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）およびメモリコントローラ（ＭＣＨ）の概略図である。図９は、ＤＤＲデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）ブロック１（９３０）に結合されて電力を供給し、ＶｃｃＤＤＲ１パワープレーン（９１０）に結合しているＶｃｃＤＤＲ１ノード（９３２）を示している。さらに、ノード９３２は参照電圧発生器９２０に結合されている。該参照電圧発生器９２０はＲ1（９４０）がＶｒｅｆ１ノード（９２２）およびＲ2（９４１）に結合されたものを有する２抵抗電圧分割器として示されている。Ｒ2（９４１）のほうは第一の接地９４２に結合されている。参照電圧発生器９２０は、ノード９３２の電圧を分割して、該電圧のＲ2／（Ｒ1＋Ｒ2）倍に等しくするためのものである。結果として、Ｒ1の抵抗値がＲ2の抵抗値に等しければ、Ｖｒｅｆ１はノード９３２で与えられる電圧の半分に等しい電圧を供給することになる。図９では参照電圧発生器９２０は２抵抗電圧分割器として示されているが、実装においては、Ｖｒｅｆ１（９２２）における電圧を提供するためには、抵抗、コンデンサ、インダクタを含むさまざまな受動回路のようなその他さまざまな受動回路および電子要素が使用されうる。さらに、実施においては、Ｖｒｅｆ１（９２２）の電圧はノード９３２における電圧の半分より大きかったり小さかったりしてもよい（たとえば、信号７１０との関連で上述したように）。
【００３３】
同様に、図９は、ＤＤＲ  ＤＩＭＭブロック２（９８０）に結合されて電力を供給し、ＶｃｃＤＤＲ２パワープレーン（９６０）に結合しているＶｃｃＤＤＲ２ノード（９８２）を示している。ＶｒｅｆＭ２ノード（９８４）はブロック２（９８０）のＶｒｅｆに結合されている。さらに、ノード９８２は参照電圧発生器９７０に結合されている。該参照電圧発生器９７０はＲ3（９４３）がＶｒｅｆ２ノード（９７２）およびＲ4（９４４）に結合されたものを有する２抵抗電圧分割器として示されている。Ｒ4のほうは第二の接地９４５に結合されている。発生器９７０は、ノード９８２の電圧を分割して、該電圧のＲ4／（Ｒ3＋Ｒ4）倍に等しくするためのものである。結果として、Ｒ3の抵抗値がＲ4の抵抗値に等しければ、Ｖｒｅｆ２はノード９８２で与えられる電圧の半分に等しい電圧を供給することになる。図９では参照電圧発生器９７０は２抵抗電圧分割器として示されているが、実装においては、Ｖｒｅｆ２（９７２）における電圧を提供するためには、抵抗、コンデンサ、インダクタを含むさまざまな受動回路のようなその他さまざまな受動回路および電子要素が使用されうる。さらに、実施においては、Ｖｒｅｆ２（９７２）における電圧はノード９３２における電圧の半分より大きかったり小さかったりしてもよい（たとえば、信号７１０との関連で上述したように）。
【００３４】
さらに、図９が示すＶｃｃＭＣＨノード９５２はメモリコントローラ（ＭＣＨ）ブロック９５０に結合されており、ＶｃｃＭＣＨパワープレーン９４０に結合されている。たとえば、ＭＣＨブロック９５０は第一および第二のメモリモジュールを制御する（たとえば、モジュール１３０および１８０または９３０および９８０を送信器１５６および１５８からの結合１５７および１５９を介した制御信号などを通じて制御する）ためのメモリコントローラモジュールでありうる。Ｖｒｅｆ１Ｍノード９８２はブロック９５０のＶｒｅｆ１に結合され、Ｖｒｅｆ２Ｍノード９９２はブロック９５０のＶｒｅｆ２に結合される。さらに、ノード９５２は参照電圧発生器９５４に結合される。該参照電圧発生器９５４は、Ｒ5（９４６）がＶｒｅｆＭノード（９５５）およびＲ6（９４７）に結合されたものを有する２抵抗電圧分割器として示されている。Ｒ6（９４７）のほうはＭＣＨ接地９４８に結合されている。参照電圧発生器９５４は、ノード９５２の電圧を分割して、該電圧のＲ6／（Ｒ5＋Ｒ6）倍に等しくするためのものである。結果として、Ｒ5の抵抗値がＲ6の抵抗値に等しければ、ＶｒｅｆＭはノード９５２において与えられる電圧の半分に等しい電圧を供給することになる。図９では参照電圧発生器９５４は２抵抗電圧分割器として示されているが、実装においては、ＶｒｅｆＭ（９５５）における電圧を提供するためには、抵抗、コンデンサ、インダクタを含むさまざまな受動回路のようなその他さまざまな受動回路および電子要素が使用されうる。さらに、実施においては、ＶｒｅｆＭ（９５５）における電圧はノード９５５における電圧の半分より大きかったり小さかったりしてもよい（たとえば、信号７１０との関連で上述したように）。
【００３５】
諸実施形態によれば、パワープレーン９１０、９６０および／または９４８は別個の回路基板レベル上の電子的に別個の面であってもよいし、同じ回路基板レベル上で場所的に分割された別個の面であってもよいし、同じ回路基板レベル上の同じ面であってもよい。同様に、実施においては、接地９４２、９４５および／または９４８は、同一の接地面に結合された、あるいはさまざまな接地面（たとえば上記でパワープレーン９１０、９６０、９４０について記載したのと同様の構成の面のような）に結合された、同じ電子的接地であってもよいし、別個の接地であってもよい。
【００３６】
パワープレーン９１０、９６０、９４０のいずれかが別個の面である場合には、それらを互いに結合するのは、スイッチ、抵抗、バス、プリント配線、コンデンサ、ビア、めっきされた貫通孔、インダクタおよび結合１２２に関して上述したようなその他の種類の結合といった電子回路および要素を通じてでありうる。
【００３７】
さらに、図９は、図１〜３に関連して示し、あるいは説明した構造のいずれの回路基板実施形態であってもよい。よって、電力供給源３１０は回路基板パワープレーンであってよく（たとえば、パワープレーン９１０、９６０、９４０を含むパワープレーンのような）、結合３２０、３２２、３２４、３２６は電子回路、スイッチ、回路基板プリント配線（パワープレーン９１０をノード９３２に、パワープレーン９６０をノード９８２に、パワープレーン９４０をノード９５２に結合するプリント配線）および結合１２２に関連して上述したようなその他の種類の結合を通じてであってよい。また、実施においては、Ｖｒｅｆ１（９２２）をＶｒｅｆ１Ｍ（９８２）に結合するのは、電子回路、スイッチ、ビア、めっきされた貫通孔、回路基板プリント配線および結合１２２に関連して上述したようなその他の種類の結合であってよい。同様に、Ｖｒｅｆ２（９７２）をＶｒｅｆ２Ｍ（９９２）に結合し、ＶｒｅｆＭ１（９３４）をＶｒｅｆＭ（９５５）に結合するのは、電子回路、スイッチ、回路基板プリント配線および結合１２２に関連して上述したようなその他の種類の結合を通じてであってよい。
【００３８】
さらに、諸実施形態によれば、モジュール１３０、１８０、９３０および／または９８０のようなメモリモジュールは一つまたは複数のＤＩＭＭであってよい。たとえば、図１０は、本発明のある実施形態に基づく、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）を制御するためのＭＣＨに電力供給する二つのＭＣＨ回路基板パワープレーンにスイッチで結合されている２組のＤＩＭＭをサポートする、第一および第二のＤＤＲ回路基板パワープレーンの概略図である。図１０は、ＶｃｃＭＣＨ１パワープレーン１０３２が第一のスイッチ１０３８および第一のスイッチ結合１０４０（たとえば、回路基板プリント配線など）を通じて第一の電源ノード９３２に結合されているものを示している。同様に、ＶｃｃＭＣＨ２パワープレーン１０３０は、第二のスイッチ１０３９および第二のスイッチ結合１０４１（たとえば、回路基板プリント配線など）を通じて第二の電源ノード９８２に結合されている。スイッチ１０３８および１０３９は、パワープレーン１０３２および１０３０とノード９３２および９８２との間を電気的に接続したり切断したりするためのスイッチである。スイッチ１０３８および１０３９として十分なスイッチは、スイッチ２１６および２６６について上述したものを含む。パワープレーン１０３２および１０３０は図１０では別個の面として示しているが、実施においては、パワープレーン１０３０および１０３２は同一の面であってよい（たとえば前記の面９４０のような）。Ｖｃｃ電源１０２０はパワープレーン１０３０および１０３２に電力を提供する。たとえば、電源１０２０は、前記の電源１４４、電力源２４４または電力供給源３１０に従った電源でありうる。ＭＣＨ９５０はパワープレーン１０３０および／または１０３２にノード９５２を介して結合される。諸実施形態によれば、結合１０４０、１０４１は、電子的な回路、要素、電力バス、相互接続、回路基板プリント配線、導線、信号線、その他結合１２２との関連で上述したようなさまざまな適切な電子的結合によって提供されうる。ノード９３２における電圧はＶｃｃＤＤＲ１パワープレーン９１０に電力を供給し、ノード９８２における電圧はＶｃｃＤＤＲ２パワープレーン９６０に電力を供給する。
【００３９】
パワープレーン９１０は今度はＲ1（９４０）にＲ2（９４１）を介して結合されており、Ｖｒｅｆ１（９２２）を与える。Ｖｒｅｆ１（９２２）はＶｒｅｆ１結合１０４２を介してＶｒｅｆ１Ｍノード９８２に結合される。パワープレーン９６０はＲ3（９４３）にＲ4（９４４）を介して結合されており、Ｖｒｅｆ２（９７２）を与える。Ｖｒｅｆ２（９７２）はＶｒｅｆ２結合１０４５を介してＶｒｅｆ２Ｍノード９９２に結合されている。同様に、パワープレーン１０３０は今度はＲ6（９４７）にＲ5（９４６）を介して結合されており、ＶｒｅｆＭ（９５５）を与える。ＶｒｅｆＭ（９５５）はＶｒｅｆＭ結合１０４８を介してＤＩＭＭ１からＤＩＭＭ８のそれぞれに結合されている。実施においては、結合１０４２、１０４５、１０４８は結合１０４０に関連して上述したような適切な電子的結合でありうる。
【００４０】
図１０に示したように、ＤＩＭＭ１からＤＩＭＭ８は電力を得るためにそれぞれＶｃｃＤＤＲ１またはＶｃｃＤＤＲ２に結合されており、それぞれがＶｒｅｆＭを受け取り、それぞれ通信線を介してＭＣＨに結合されている。たとえば、ＤＩＭＭ１（１００１）は、ＶｃｃＤＤＲ１にＤＩＭＭ１電力ノード１０５１を介して結合されており、ＭＣＨ（９５０）にＤＩＭＭ１  ＭＣＨ通信結合１０６１を介して結合されており、ＶｒｅｆＭ１ノード（９３４）ではＶｒｅｆＭ（９５５）にＶｒｅｆＭ１結合１０７１およびＶｒｅｆＭ結合１０４８を介して結合されている。ＤＩＭＭ２（１００２）は、ＶｃｃＤＤＲ２（９６０）にＤＩＭＭ２電力ノード１０５２を介して結合されており、ＭＣＨ（９５０）にＤＩＭＭ２  ＭＣＨ通信結合１０６２を介して結合されており、ＶｒｅｆＭ２ノード９８４ではＶｒｅｆＭ（９５５）にＶｒｅｆＭ２ノード結合１０７２およびＶｒｅｆＭ結合１０４８を介して結合されている。
【００４１】
たとえば、実施においては、通信結合１０６１はＤＩＭＭ１（１００１）からＭＣＨ（９５０）に、あるいはＭＣＨ（９５０）からＤＩＭＭ１（１００１）にデータを通信しうる。同様に、実施においては、通信結合１０６２はＤＩＭＭ２（１００２）からＭＣＨ（９５０）に、あるいはＭＣＨ（９５０）からＤＩＭＭ２（１００２）にデータを通信しうる。
【００４２】
ＤＩＭＭ３（１００３）、ＤＩＭＭ５（１００５）、ＤＩＭＭ７（１００７）のそれぞれは、ＶｃｃＤＤＲ１（９１０）、ＭＣＨ（９５０）、ＶｒｅｆＭ（９５５）に、上記でＤＩＭＭ１（１００１）に関して述べたノードおよび結合と同様のノード１０８３、１０８５、１０８７、結合１０６３、１０６５、１０６７、結合１０７３、１０７５、１０７７を介して、結合されている。そして、ＤＩＭＭ４（１００４）、ＤＩＭＭ６（１００６）、ＤＩＭＭ８（１００８）は同じように、それぞれＶｃｃＤＤＲ２（９６０）、ＭＣＨ（９５０）、ＶｒｅｆＭ（９５５）に、上記でＤＩＭＭ２（１００２）に関して述べたノードおよび結合とそれぞれ同様に結合されている。さらに、諸実施形態によれば、結合１０７１ないし１０７８、１０６１ないし１０６８は、結合１０４０に関して上述したようなさまざまな適当な電子的結合を含みうる。
【００４３】
ここで、図１０は、２チャネルメモリサブシステムについての実施形態を記載している。そこでは、第一のメモリチャネルはＤＩＭＭ１、３、５、７を含み、それらはスイッチ「Ｓ１」１０３８でＶｃｃＭＣＨ（たとえば、ＶｃｃＭＣＨ１および／またはＶｃｃＭＣＨ２）と接続および切断されるＶｃｃＤＤＲ１パワープレーン９１０から電力供給される。同様に、第二のメモリチャネルはＤＩＭＭ２、４、６、８を含み、それらはスイッチ「Ｓ２」１０３９を介してＶｃｃＭＣＨ（たとえば、ＶｃｃＭＣＨ１およびＶｃｃＭＣＨ２）と接続および切断されるＶｃｃＤＤＲ２パワープレーン９６０によって電力供給される。同様に、二つのメモリチャネルのそれぞれは、ＭＣＨから参照電圧９５５を受信し、ＭＣＨに参照電圧（たとえば、電圧９２２および電圧９７２）を提供する。さらに、各ＤＩＭＭはＭＣＨに、結合１０４０に関して上述したような一つまたは複数の結合を含みうる通信結合を介して結合されており、それによりＭＣＨ９５２からの制御信号をＤＩＭＭに提供し、ＤＩＭＭからのデータをＭＣＨに提供するようになっている。ここで、各ＤＩＭＭで受信されるＭＣＨ９５０からの制御信号は、ここに記載されているように、ＶｒｅｆＭ９５５に従って解釈されうる。そして、各ＤＩＭＭによってＭＣＨ９５０に提供されるデータは、ここで記載されているように、そのＤＩＭＭに適切なＶｒｅｆ１（９２２）またはＶｒｅｆ２（９７２）に従って（たとえば、そのＤＩＭＭに電力供給するのがＶｃｃＤＤＲ１かＶｃｃＤＤＲ２かに応じて）解釈されうる。
【実施例】
【００４４】
諸実施形態によれば、参照電圧（たとえば、図１に示したような電圧１２５、１７５、１５５）は、データ送信器電源電圧がデータ受信器の電源電圧と比較して時間とともに独立して変動するようなさまざまなデータ送信回路において使用されうる。そのような回路としては、コンピュータメモリシステム、コンピュータメモリサブシステム、キャッシュメモリ、ＤＤＲＳＤＲＡＭ、その他モジュール１３０との関連で上述したメモリが含まれる。たとえば、図１１は、本発明のある実施形態に基づく、データ送信器およびデータ受信器に電力供給するための一つの電源を有する参照電圧システムのブロック図である。図１１は、第一のノード１１３５および第二のノード１１１２に結合された電源１１３０を示している。第一のノード１１３５は、Ｒ1（９４０）およびＲ2（９４１）を通じてＶｒｅｆ１（１１４２）を生成するのに使われる第一の電圧を供給または提供する。ノード１１３５はまた、第一のデータ送信器１１４０に電力供給するために電源１１３０から電力を受信する。実施においては、送信器１１４０は、モジュール１３０のようなメモリモジュールまたはモジュール１５０のようなＭＣＨでありうる。
【００４５】
同様に、ノード１１１２は、Ｒ3（９４３）およびＲ4（９４４）を通じて電圧Ｖｒｅｆ２（１１４８）を生成するのに使われる電圧を供給または提供する。ノード１１１２はまた、データ受信器１１１０に電力供給するために電源１１３０から電力を提供する。諸実施形態によれば、データ受信器１１１０は、モジュール１５０またはモジュール１３０のようなモジュールでありうる。送信器１１４０はまた、通信結合１１７０を介して受信器１１１０に結合される。結合１１７０は前記の結合１０６１のような通信結合でありうる。
【００４６】
電源１１３０が提供する電圧Ｖｃｃ１（１１４５）は、ΔＶ１（１１５５）のために電源電圧Ｖｓ（１１５０）とは異なる電圧でありうる。ΔＶ１（１１５５）は電源電圧１１５０と電圧１１４５との間の電子回路に付随する電圧低下または降下の結果でありうる。たとえば、ΔＶ１（１１１５）は、送信器１１４０および／または受信器１１１０の電子要素がノード１１３５およびノード１１１２において電源１１３０から電力を消費する結果生じる損失でありうるほか、信号５１０との関連で上述したような回路に起因する損失、結合１１６に関連して上述したような電力結合または送信器１１４０および受信器１１１０に関連付けられる結合１２２に関連して述べたような信号結合でもありうる。同様に、電源１１３０がノード１１１２に提供する電圧Ｖｃｃ２（１１３２）は、ΔＶ２（１１５２）のために電源電圧Ｖｓ（１１５０）とは異なる電圧でありうる。ΔＶ２（１１５２）は、ΔＶ１（１１５５）に関連して上述したのと同様の状況に付随して、あるいはその結果生じる電圧降下または低下の結果でありうる。ただし、実施においては、ΔＶ１（１１５５）はΔＶ２（１１５２）に等しくない。
【００４７】
さらに、諸実施形態によれば、電源１１３０は、Ｖｃｃ１（１１４５）とＶｃｃ２（１１３２）の電圧が異なる原因となるような電流、抵抗、インダクタンス、キャパシタンス、温度、電力損、電圧損その他の電子回路および電気現象に起因する電圧の低下または降下といった電圧のΔを受ける他の電子要素のための回路基板パワープレーンであってもよい。特に、たとえば、電源１１３０は、当該パワープレーンを横断しての電流／抵抗損に起因する電圧のΔ（１１５５および／または１１５２）を経験する回路基板パワープレーンでありうる。
【００４８】
ここで、実施においては、受信器１１１０は、送信器１１４０から結合１１７０を介して受信されたデータの適正な解釈を保証することができ、および／または電圧１１４５と電圧１１３２との間の電圧差を補償することができる。受信器１１１０はＶｒｅｆ１（１１４２）を受信するよう結合されているからである。最後に、そのような適正な解釈は、電圧１１４２を結合１１７０上で受信した電圧と比較することによって確実にすることができる。そのような比較は、たとえば、結合１１７０を通じて受信された伝達が電圧１１４２より大きいか（たとえば論理レベル「１」となる）電圧１１４２より小さいか（たとえば論理レベル「０」になる）を判別する差動入力バッファを使うことによって行うことができる。
【００４９】
本発明は、特定の実施形態を参照しつつ説明されている。しかし、請求項において述べられている本発明のより広い精神および範囲から外れることなくさまざまな修正および変更をなしえることは明白であろう。明細書および図面は、したがって、説明するものと見なされるものであって、限定的な意味を持つものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のある実施形態に基づく、それぞれが電源、参照信号発生器、信号送信器を有する、第一および第二のメモリモジュールならびにメモリコントローラモジュールのブロック図である。
【図２】本発明のある実施形態に基づく、それぞれが独立した電力源を含んでいる、第一および第二の電源ならびにコントローラ電源のブロック図である。
【図３】本発明のある実施形態に基づく、それぞれが共通の電力源から電力を受ける、第一および第二の電源ならびにコントローラ電源のブロック図である。
【図４】本発明のある実施形態に基づく所望のデータ信号の信号図である。
【図５】本発明のある実施形態に基づく電源電圧の信号図である。
【図６】本発明のある実施形態に基づく、送信されるデータ信号および一定の電圧振幅参照信号の信号図である。
【図７】本発明のある実施形態に基づく、変動電圧振幅をもつ電源電圧に時間的に比例する変動電圧振幅をもつ参照信号の信号図である。
【図８】本発明のある実施形態に基づく、送信されるデータ信号および送信器の電源電圧に比例する変動電圧振幅参照信号の信号図である。
【図９】本発明のある実施形態に基づく、分圧器参照信号発生器および回路基板パワープレーンを有する、第一および第二のダブルデータレート（ＤＤＲ）ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）およびメモリコントローラ（ＭＣＨ）の概略図である。
【図１０】本発明のある実施形態に基づく、２組のデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）を制御するためのＭＣＨに電力供給する二つのＭＣＨ回路基板パワープレーンにスイッチで結合されているＤＩＭＭをサポートする、第一および第二のＤＤＲ回路基板パワープレーンの概略図である。
【図１１】本発明のある実施形態に基づく、データ送信器およびデータ受信器に電力供給するための一つの電源を有する参照電圧システムのブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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