(57)【要約】夫々の画素のドライバ回路は、表示装置の画素の夫々のＬＥＤ表示素子へ画素駆動電流を供給する。画素内の夫々の列駆動回路に設けられた出力トランジスタ配置は、複数の出力トランジスタ（７０，７２，７４）を並列に有し、これらの1つ又はそれ以上は、所望の出力特性を供給するために選択される。従って、夫々の列駆動回路の出力は、所望の出力特性を供給するよう調整され得る。出力トランジスタを選択するために、非選択のトランジスタのヒュージブルリンクは遮断されても良く、あるいは、更なるトランジスタが、非選択のトランジスタが非選択ラインへ接続されている間にゲート制御ラインへ選択されたトランジスタを接続しても良い。
2007518128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流アドレス指定式表示画素の配列と、該配列の画素へ画素駆動電流を供給するドライバ回路とを有し、
該ドライバ回路は、複数の電流駆動回路を有し、
該複数の電流駆動回路の夫々は、出力トランジスタ配置を有し、
該出力トランジスタ配置は、複数の出力トランジスタを並列に有し、
夫々の電流駆動回路内において、前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、所望の出力特性を供給するために選択され得る、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記電流駆動回路は、前記表示画素の配列の基板上に少なくとも部分的に集積されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示画素は、少なくとも１つの薄膜トランジスタを有する画素回路を夫々有するアクティブマトリクス表示画素を有することを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンＴＦＴを有し、
前記出力トランジスタは、前記表示画素と同じ基板上にポリシリコンＴＦＴを有することを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタ及び前記出力トランジスタは、低温ポリシリコンＴＦＴを有することを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記電流駆動回路の出力トランジスタは、前記電流アドレス指定式表示画素の配列と同じ処理で異なる基板上に作られることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、ヒュージブルリンクによって遮断され、それによって非選択の出力トランジスタとの接続を切ることによって選択されることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の表示装置。
【請求項８】
前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、それらを並列に電気的に接続することによって選択されることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の表示装置。
【請求項９】
前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、更なるスイッチによって選択され、
該更なるスイッチは、そのゲートを前記電流駆動回路の共通ゲート制御ライン、又は非選択ラインのいずれか一方へ接続することを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記出力トランジスタの１つは、主要出力トランジスタであり、
他の出力トランジスタは、前記主要出力トランジスタよりも小さいチャネル幅を有する微調整トランジスタであることを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれか一項記載の表示装置。
【請求項１１】
夫々の微調整トランジスタのチャネル幅／長比は、前記主要出力トランジスタのチャネル幅／長比の１／２５より小さいことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
前記出力トランジスタの１つのみが選択され、
前記出力トランジスタの全てのチャネル幅／長比は、１０％よりも少ない割合だけ変化することを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれか一項記載の表示装置。
【請求項１３】
前記電流アドレス指定式表示画素は、電界発光表示画素を有することを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の表示装置。
【請求項１４】
前記電流アドレス指定式表示画素は、有機ＬＥＤを夫々有することを特徴とする請求項１３記載の表示装置。
【請求項１５】
電流アドレス指定式表示画素の配列を有する表示装置の画素へ画素駆動電流を供給し、複数の電流駆動回路を有するドライバ回路を調整する方法であって：
複数の出力トランジスタを並列に有する出力トランジスタ配置を夫々の電流駆動回路に設けるステップ；及び
前記電流駆動回路に所望の出力特性を供給するよう前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上を選択するステップ；
を有する方法。
【請求項１６】
前記選択は、前記出力トランジスタの所定のデフォルト選択のために前記表示装置の出力特性の解析に基づいて実行されることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記出力特性の解析は、画像センサを用いて前記表示装置の光出力を監視し、検知された画像を解析することによって実行されることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記選択は、ヒュージブルリンクを遮断し、それによって非選択の出力トランジスタとの接続を切るステップを有することを特徴とする請求項１６又は１７記載の方法。
【請求項１９】
前記出力トランジスタの１つは、主要出力トランジスタであり、
他の出力トランジスタは、前記主要出力トランジスタよりも小さいチャネル幅を有する微調整トランジスタであり、
当該方法は、前記主要トランジスタと、前記微調整トランジスタの０、１又はそれ以上とを選択するステップを有することを特徴とする請求項１８項記載の方法。
【請求項２０】
前記出力トランジスタの全てのチャネル幅／長比は、１０％よりも少ない割合だけ変化し、
当該方法は、前記出力トランジスタの１つのみを選択するステップを有することを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記選択は、並列に前記選択されたトランジスタを電気的に接続するステップを有することを特徴とする請求項１６又は１７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流アドレス指定式表示装置、具体的には、夫々の画素に結合された薄膜スイッチングトランジスタを有するアクティブマトリクス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光や光放射型の表示素子を用いるマトリクス表示装置が良く知られる。前記表示素子は、例えば小分子若しくはポリマー有機材を用いる有機薄膜電界発光素子、又は従来のIII−Ｖ族半導体化合物を用いる発光ダイオード（ＬＥＤ）を有しても良い。有機電界発光物質における最近の発展は、特に映像表示装置に使用されるべきそれらの能力を実証している。一般的に、これらの物質は、一対の電極間に挟まれた１又はそれ以上の層を有する。一対の電極の1つは透明であり、他は空孔又は電子をポリマー層に入れるのに適した物質から成る。
【０００３】
有機物質は、ＣＶＤ処理を用いて、あるいは、水溶性共役高分子の溶液の場合にはスピンコーティング技術によって作られ得る。また、インクジェット印刷が使用されても良い。有機電界発光物質は、それらが表示機能及びスイッチング機能の両方を提供する能力を有するように、ダイオードのようなＩ−Ｖ特性を示し、従って、パッシブ型表示装置において使用可能である。代替的には、これらの物質は、表示素子と、スイッチングデバイスと、表示素子を流れる電流を制御するアドレス指定及び蓄積素子とを夫々が有する画素を有するアクティブマトリクス表示装置に用いられても良い。
【０００４】
この形式の表示装置は電流駆動型表示素子を有するので、従来のアナログ駆動方式は、表示素子へ制御可能な電流を供給する。画素構造の一部として電流源トランジスタを設けることが知られる。この電流源トランジスタに供給されるゲート電圧は、表示素子を流れる電流を決める。蓄積キャパシタは、アドレス指定相の後にゲート電圧を保持する。
【０００５】
図１は、既知のアクティブマトリクスアドレス指定式電界発光表示装置を示す。表示装置は、規則正しく間隔を空けられた画素の行及び列のマトリクス配列を有するパネルを有する。該画素は、ブロック１によって表わされ、結合される切替え手段と共に電界発光表示素子２を有し、行（選択）及び列（データ）のアドレス導電体４及び６の交差する組の間の共通部分に置かれている。簡単のため、数個の画素しか図には示されていない。実際には、画素の数百の行及び列が存在しうる。画素１は、行走査ドライバ回路８及び列データドライバ回路９を含む周辺の駆動回路によって、行及び列のアドレス導電体の組を介してアドレス指定される。これらのドライバ回路は、導電体の夫々の組の終端に接続されている。
【０００６】
電界発光表示素子２は、ここではダイオード素子（ＬＥＤ）として表わされ、有機電界発光物質の１又はそれ以上のアクティブ層が挟まれた一対の電極を有する有機発光ダイオードを有する。前記配列の表示素子は、結合されるアクティブマトリクス回路と共に絶縁支持材に載せられている。表示素子の陰極又は陽極の少なくとも１つは、透明な導電物質で形成されている。支持材は、例えばガラスのような透明な物質から作られ、基板に最も近い表示素子２の電極は、例えばＩＴＯのような透明な導電物質から成っても良い。従って、電界発光層より発せられる光は、支持材の他の側において観測者に対して可視的であるようにこれらの電極及び支持材を介して伝達される。また、光は、結合される導電物質層の透明性に依存して他の方向に放射されても良い。また、不透明な基板が用いられても良い。一般的に、有機電界発光物質層の厚さは、１０ｎｍから２００ｎｍの間である。素子２に使用可能な適切な有機電界発光物質の代表実施例は、ＥＰ−Ａ−０７１７４４６において知られ、記述されている。ＷＯ９６／３６９５９に記述されるような共役高分子材も使用可能である。
【０００７】
図２は、電圧プログラム式動作を提供する既知の画素及び駆動回路配置を簡単な回路図形式で示す。夫々の画素１は、ＬＥＤ表示素子２と、結合されるドライバ回路とを有する。ドライバ回路は、行導電体４の行アドレスパルスによりオンとされるアドレストランジスタ１６を有する。アドレストランジスタ１６がオンとされると、列導電体６の電圧は、残りの画素へ伝わることができる。具体的には、アドレストランジスタ１６は、列導電体電圧を電流源２０へ供給する。電流源２０は、駆動トランジスタ２２と、蓄積キャパシタ２４とを有する。列電圧は、駆動トランジスタ２２のゲートへ供給され、ゲートは、行アドレスパルスが終了し、スイッチ１６がオフとされた後でさえ、蓄積キャパシタ２４によってこの電圧に保たれる。駆動トランジスタ２２は、電源ライン２６から電流を引き込む。
【０００８】
この回路内の駆動トランジスタ２２は、ＰＭＯＳＴＦＴとして実施されているので、蓄積キャパシタ２４は、ゲート−ソース間電圧を一定に保つ。これにより、トランジスタ２２を流れる一定のソース−ドレイン間電流が得られる。従って、トランジスタ２２は、画素の所望の電流源動作を提供する。
【０００９】
今日まで、ＬＥＤ表示装置用のアクティブマトリクス回路の大部分は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴを使用してきた。このようなデバイスの閾値電圧は、時間において安定であるが、ランダムな方法で画素毎に変化する。このことは、画像において受け入れられない静的ノイズをもたらす。
【００１０】
多数の回路が、この問題を解決するために提案されている。１つの例では、画素がアドレス指定される度に、画素回路は、電流供給ＴＦＴの閾値電圧を測定して、画素間のばらつきを解消する。この技術は、電圧アドレス指定式画素に対して提案されている。
【００１１】
また、電流プログラム式画素は、基板全体に亘るトランジスタのばらつきの影響を低減又は削除することができることが認識されている。例えば、電流プログラム式画素は、所望の画素駆動電流が流されるサンプリングトランジスタのゲート−ソース間電圧をサンプリングするために電流ミラーを使用することができる。サンプリングされたゲート−ソース間電圧は、駆動トランジスタをアドレス指定するために使用される。これは、サンプリングトランジスタ及び駆動トランジスタが基板上で互いに隣接し、より正確に互いに整合され得る場合に、装置の均一性の問題を部分的に軽減する。他の電流サンプリング回路は、たとえ更なるトランジスタ及びアドレスラインが必要とされるとしても、トランジスタの整合は必要とされないように、サンプリング及び駆動のために同じトランジスタを使用する。
【００１２】
図３は、サンプリング及び駆動のために同じトランジスタを使用する電流ミラー型画素回路を図式的に示す。回路は、駆動トランジスタ３０、更に具体的にはｐチャネルＦＥＴを有する。トランジスタ３０の第１の電流伝送（ソース）端子は、供給ライン２６へ接続され、トランジスタ３０の第２の電流伝送（ドレイン）端子は、スイッチ３３を介して表示素子２の陽極へ接続されている。表示素子の陰極は、第２の供給ライン３４へ接続されている。第２の供給ライン３４は、実際において、一定の基準電位に保たれた連続的な電極層によって構成される。幾つかの技術では、陽極及び陰極の機能は反転可能である。
【００１３】
駆動トランジスタ３０のゲートは、蓄積キャパシタ２４を介して供給ライン２６、ひいてはソース電極へ接続されている。蓄積キャパシタ２４は、別に形成されたキャパシタ、又はトランジスタの内在するゲート−ソース間キャパシタンスであっても良い。駆動トランジスタ３０のゲートは、また、スイッチ３９を介してそのドレイン端子へ接続されている。
【００１４】
トランジスタ回路は、電流サンプリング及び電流出力の両機能を実行する同一のトランジスタと、負荷として働く表示素子２とを有する単一のトランジスタ電流ミラーのように動作する。
【００１５】
この電流ミラー回路への入力は、駆動トランジスタ３０とスイッチ３３との間のノード４４へ接続する入力ライン４によって、ノード４４への入力信号の印加を制御する更なるスイッチ４６を介して供給される。
【００１６】
回路の動作は、２つの相で起こる。アドレス指定期間に時間的に対応する第１のサンプリング相では、表示素子からの所要の出力を決定するための入力信号は、回路から引き出され、駆動トランジスタ３０において結果として生ずるゲート−ソース間電圧は、キャパシタンス２４においてサンプリングされて蓄えられる。それに続く出力相では、駆動トランジスタ３０は、入力信号によって決定されるような表示素子からの所要の出力を作るように、蓄えられた電圧のレベルに従って表示素子２を流れる電流を引き込むよう動作する。表示素子からの所要の出力は、例えば、表示素子２がその後の新しいサンプリング相において次にアドレス指定されるまで保持される。両相の間に、供給ライン２６及び３４は、適切なプリセット電位レベルＶ１及びＶ２にあるとする。この状態では、通常、供給ライン２６は、正の電位（Ｖ１）にあり、供給ライン３４は、接地（Ｖ２）にある。
【００１７】
サンプリング相の間、スイッチ３９及び４６は、閉じられており、駆動トランジスタ３０をダイオード接続し、入力６をノード４４へ結合する。スイッチ３３は、開いており、表示素子負荷を分離する。所要の表示素子電流に対応し、本明細書中でＩｉｎと表される入力信号は、例えば図１の列ドライバ回路９のような外部供給源から、入力ライン６、閉じられたスイッチ４６及び入力端子４４を介して駆動トランジスタ３０に流される。駆動トランジスタ３０は、閉じられたスイッチ３９によりダイオード接続されているので、定常状態条件にあるキャパシタンス２４の両端の電圧は、駆動トランジスタ３０のチャネルに電流Ｉｉｎを流すために必要とされるゲート−ソース間電圧でありうる。この電流が安定するに足るほど十分な時間を許容すると、サンプリング相は、入力端子４４を入力ライン６から分離し、入力信号Ｉｉｎに従って決定される駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧がキャパシタンス２４に蓄えられるようにキャパシタンス２４を分離するよう、スイッチ３９及び４６が開かれると終了する。
【００１８】
次に、出力相は、表示素子の陽極を駆動トランジスタ３０のドレインへ接続するように、スイッチ３３が閉じられると始まる。その場合に、駆動トランジスタ３０は、電流源として動作し、Ｉｉｎにほぼ等しい電流が表示素子２に流される。
【００１９】
同一のトランジスタが、サンプリング相の間にＩｉｎをサンプリングし、出力相の間に電流を発生させるために使用されるので、表示素子電流は、トランジスタ３０の閾値電圧又は移動度に依存しない。
【特許文献１】ＥＰ−Ａ−０７１７４４６
【特許文献２】ＷＯ９６／３６９５９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
電流アドレス指定式画素の使用への関心が高まっており、本発明は、このような電流アドレス指定式表示装置に関する。
【００２１】
（現在の非結晶シリコン技術よりはむしろ）ＬＰＴＳ技術の使用の１つの利点は、アクティブマトリクス表示基板と同じ基板上に、同じ技術を用いて行及び／列ドライバ回路を形成する能力である。上述したような画素間のばらつきを解消するのに適した調整された電流アドレス指定式表示装置に関して、列ドライバは、正確な電流を画素の列へ供給するために必要とされる。ＬＰＴＳ  ＴＦＴの移動特性のばらつきは、ＬＰＴＳ  ＴＦＴを用いて列ドライバ回路を実施する場合に、ドライバ回路の種類に依存して特有の問題を提供しうる。
【００２２】
電圧アドレス指定式ＬＰＴＳ  ＴＦＴを用いるドライバ回路において、このような移動特性のばらつきは、閾値を上回る所定のゲート電圧に対するドレイン−ソース間電流の比例変化を引き起こす。これは、補正するのが困難である。
【００２３】
列ドライバ回路の数が画素の数よりもはるかに少なく、夫々の列ドライバ回路が画素の全ての列に影響を有する場合に、集積された列ドライバ回路で使用されるＴＦＴに対するＴＦＴ特性の正確な補正は適切である。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明に従って、電流アドレス指定式表示画素の配列と、該配列の画素へ画素駆動電流を供給するドライバ回路とを有し、該ドライバ回路は、複数の電流駆動回路を有し、該複数の電流駆動回路の夫々は、出力トランジスタ配置を有し、該出力トランジスタ配置は、複数の出力トランジスタを並列に有し、夫々の電流駆動回路内において、前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、所望の出力特性を供給するために選択され得る、ことを特徴とする表示装置が提供される。
【００２５】
この配置では、夫々の駆動回路の出力は、所要の出力特性を供給するよう調整され得る。夫々の電流駆動回路が画素の１つの列に対して用いられるので、必要とされる駆動回路の数は（画素の数に比べて）低く、複数の出力トランジスタ配置を設けるための空間が存在する。
【００２６】
望ましくは、前記電流駆動回路は、前記表示画素の配列の基板上に少なくとも部分的に集積される。具体的には、出力トランジスタは、基板上に集積される。前記表示画素は、少なくとも１つの薄膜トランジスタ、例えばポリシリコンＴＦＴを有する画素回路を夫々有するアクティブマトリクス表示画素を有しても良い。その場合に、前記出力トランジスタは、例えば低温ポリシリコンＴＦＴのようなポリシリコンＴＦＴを有する。
【００２７】
代替的に、駆動回路ＴＦＴは、別の基板上に存在又は形成されても良いが、表示画素と同じＴＦＴ技術（例えばＬＴＰＳ）により作られる。基板転写処理は、このような場合に用いられ得る。
【００２８】
前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、ヒュージブルリンクによって遮断され、それによって非選択の出力トランジスタとの接続を切ることによって選択され得る。このようにして、所望の出力トランジスタが回路内に残存する。
【００２９】
１つの配置では、前記出力トランジスタの１つは、（常に回路内に存在する）主要出力トランジスタであっても良く、他の出力トランジスタは、前記主要出力トランジスタよりも小さいチャネル幅／長比を有する微調整トランジスタである。例えば、夫々の微調整トランジスタのチャネル幅／長比は、前記主要出力トランジスタのチャネル幅／長比の１／２５より小さい。
【００３０】
代わりの配置では、前記出力トランジスタの１つのみが選択され、前記出力トランジスタの全てのチャネル幅／長比は、実質的に同じであって、例えば１０％よりも少ない割合だけ変化する。
【００３１】
他の代わりの配置では、前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、例えば、更なるスイッチを用いて、それらを回路に電気的に接続することによって選択され得る。前記更なるスイッチは、そのゲートを前記電流駆動回路の共通のゲート制御ライン、又は非選択ラインのいずれか一方へ接続する。
【００３２】
望ましくは、前記電流アドレス指定式表示画素は、電界発光表示画素を有する。
【００３３】
本発明は、また、電流アドレス指定式表示画素の配列を有する表示装置の画素へ画素駆動電流を供給し、複数の電流駆動回路を有するドライバ回路を調整する方法であって、複数の出力トランジスタを並列に有する出力トランジスタ配置を夫々の電流駆動回路に設けるステップと、前記電流駆動回路に所望の出力特性を供給するよう前記出力トランジスタの１つ又はそれ以上を選択するステップとを有する方法を提供する。
【００３４】
前記選択は、前記出力トランジスタの所定のデフォルト選択のために前記表示装置の出力特性の解析に基づいて実行されても良い。例えば、前記表示装置の光出力の画像検知が実行されても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明を、一例として添付の図面を参照して説明する。
【００３６】
同じ参照番号が、異なる図において同じ構成要素に対して使用されており、このような構成要素の説明は繰り返さないこととする。
【００３７】
本発明は、画素駆動電流を表示装置の画素へ供給するドライバ回路を提供する。夫々の列駆動回路に設けられた出力トランジスタ配置は、複数の出力トランジスタを並列に有し、これらの出力トランジスタの１つ又はそれ以上が、所望の出力特性を供給するために選択される。従って、夫々の列駆動回路の出力は、所要の出力特性を提供するよう調整される。
【００３８】
本発明を詳細に説明する前に、電流アドレス指定式表示装置の既知の列ドライバ回路の２つの例について説明する。
【００３９】
列ドライバ回路の第１の例は、画素の列をアドレス指定する所要の電流を発生させるよう、電圧制御式電流源回路を使用する。夫々の電流源回路は、原則的に、図２の画素回路の形をしている。図２において、制御電圧は、電流源トランジスタのゲートへ印加されている。図４は、電圧制御式電流源列ドライバ回路の一例を示す。
【００４０】
図４から明らかであるように、駆動トランジスタ４７は、望ましくはマルチプレクサ回路４９を介して、アナログ電圧４８をそのゲートへ印加されている。図４のドライバ回路は、サンプル・アンド・ホールド機能を実行し、キャパシタＣは、この目的のために必要とされうる。サンプル・アンド・ホールド機能は、ドライバ回路においてアナログ信号の多重化を可能にする。
【００４１】
この回路は、画素配列と同じ基板上に設けられることが可能であり、従って、ガラス基板上で電圧から電流への変換を提供する。制御電圧は、基板から離れて、例えばシリコンＩＣ上で発生することができ、その場合には、基板へ供給される。
【００４２】
閾値電圧のばらつき及び移動度のばらつきは、電圧−電流変換回路の出力特性に影響を及ぼしうる。
【００４３】
列ドライバ回路の第２の例では、電流は、列ドライバが電圧−電流変換器よりもむしろ電流サンプル・アンド・ホールド回路として機能するように、別のＩＣ内で発生することができる。
【００４４】
例えば、夫々の列は、列ドライバの一部を形成する電流ミラー駆動回路へ接続され得る。電流ミラー駆動回路は、サンプル・アンド・ホールド回路から電流ミラー駆動回路へ供給される基準電流を複製又は増幅するよう動作する。
【００４５】
図５は、Ｄ／Ａ変換器５２及びサンプル・アンド・ホールド回路５４へ印加されるデータ入力を示す。サンプル・アンド・ホールド回路５４は、所望の画素駆動電流に対応するアナログ電流を供給し、蓄える。アナログ電流の供給及び蓄積は、基板の外で実行されうるので、電圧よりもむしろ電流が、基板へ供給される。サンプル・アンド・ホールド機能は、当然、回路内のキャパシタンスによって実行されても良い。この場合には、回路５４は、必要とされない。
【００４６】
この場合に、夫々の列ドライバ回路は、電流ミラー回路５７を有する。電流ミラー回路の１つが、図５には示されている。
【００４７】
多数の可能な電流源回路設計が存在する。出力回路は、単純に電流ミラーとして動作しても良く、あるいは、出力段は、サンプル・アンド・ホールド回路の電流出力を増幅させることができる。
【００４８】
図５は、増幅を伴わない簡単な出力段を示す。出力ＴＦＴ５８は、電流駆動機能を提供する。列ＴＦＴ６０は、電流ミラー駆動回路に対する列の接続を制御し、電流を列へ印加する。制御ＴＦＴ６１、６２及び列ＴＦＴ６０は、制御器５０によって制御される。
【００４９】
この回路において、サンプル・アンド・ホールド回路からの入力電流５６は、蓄積キャパシタ６４を充電し、キャパシタ６４は、出力ＴＦＴ５８のゲート−ソース間電圧を蓄える。キャパシタ６４の充電は、出力ＴＦＴ５８をオンとする。キャパシタ６４の電圧が、入力電流が出力ＴＦＴ５８によって完全に吸い込まれる程度となると、平衡は到達される。キャパシタ６４は、これ以上充電されず、トランジスタ６１はオンとされ得る。このようにして、入力電流は、出力ＴＦＴ５８によってサンプリングされる。
【００５０】
列ＴＦＴ６０がオンとされると、出力ＴＦＴ５８は、予めサンプリングされた電流を画素の列６６から伝送する／引き込む。従って、回路は、較正相及び電流伝送相を有する。
【００５１】
電流ミラー回路のこの例では、出力は、出力ＴＦＴ５８によって供給される。閾値及び移動度のばらつきは、図４の単一のトランジスタ電圧−電流変換器においてよりも影響が小さいが、異なる列の異なる駆動特性を先と同じく生じさせる第２の順序効果が存在する。
【００５２】
多種多様な形式の電流駆動回路が可能である。しかし、これらが電圧駆動式又は電流サンプリング式であろうとなかろうと、それらは、通常、回路の出力部において主要な電流供給ＴＦＴを有し、本発明は、特に、列アドレス指定回路内のそれらの電流供給出力ＴＦＴへ向けられている。
【００５３】
図６は、図５の出力ＴＦＴ５８又は図４の電流源駆動トランジスタ４７を置換する本発明の出力トランジスタ配置の一例を示す。
【００５４】
明らかなように、出力トランジスタ配置は、複数の出力トランジスタ７０，７２、７４を並列に有する。出力トランジスタの１つ又はそれ以上は、所望の出力特性を供給するために選択され得る。
【００５５】
この同調性は、ＬＴＰＳトランジスタが列電流ドライバ回路において使用されることを可能にするので、表示画素の配列の基板上への集積が可能である。
【００５６】
代替的に、駆動回路ＴＦＴは、別の基板上に存在又は形成されても良いが、表示画素と同じＴＦＴ技術（例えばＬＰＴＳ）により作られる。
【００５７】
補正されるべき移動度のばらつきは、トランジスタチャネル幅／長比を変化させることに類似する効果を有し、並列接続されたトランジスタの使用は、出力トランジスタの有効な幅／長比が、移動度のばらつきを補償するために調整されることを可能にする。
【００５８】
図６において、トランジスタ７０は、主要出力トランジスタであり、常に接続されている。他の２つのトランジスタ７２、７４は、レーザを用いて焼き切られ、それによって非選択の出力トランジスタとの接続を切るヒュージブルリンク７８を有する。その場合に、所望の出力トランジスタは、回路内に並列に残存する。
【００５９】
トランジスタ７０、７２、７４は、出力トランジスタの１つが主要トランジスタであり、他は微調整トランジスタであるように、（例えば）比１００：２：１にあるチャネル幅／長比を有することができる。当然、増大した調整精度が、更なるトランジスタを並列に有することによって達成可能である。
【００６０】
代わりの配置では、出力トランジスタの１つのみが選択され、出力トランジスタの全てのチャネル幅／長比は、実質的に同じであり、例えば、１０％より少ない割合だけ変化する。この場合に、トランジスタの全ては、ヒュージブルリンクに結合されうる。
【００６１】
ヒュージブルリンクを用いる代わりに、更なるトランジスタが、ヒュージブルリンクの代わりに、出力トランジスタに直列なスイッチとして使用されても良い。
【００６２】
図７に示されている代わりの配置において、出力トランジスタは、トランジスタが短絡されたゲート及びソースにより、又は如何なる従来のバイアスラインによってもオフとされうる場合に、例えば、出力トランジスタのゲートを共通のゲート制御ライン８２へ接続する更なるスイッチ８０を用いて、又は、出力トランジスタのゲートを非選択ライン、例えば図６のソースへ接続する更なるスイッチ８４を用いて、出力トランジスタを回路に電気的に接続することによって選択され得る。トランジスタスイッチ８０及び８４は、また、ヒュージブルリンクとして実施されても良い。
【００６３】
夫々の列ドライバ出力段の適切な較正を決定するために、フィードバックシステムが必要とされる。１つの好ましい実施では、これは、出力トランジスタの所定の（デフォルト）選択のために表示装置の出力特性の解析に基づいて達成される。
【００６４】
例えば、表示装置の光出力は、照らされている全ての画素により、画像センサパネル（通常、ＣＣＤアレイ）へ供給されても良い。これは、カラー表示装置の３つの色全てに対して実行され得る。
【００６５】
夫々の列の積分輝度が決定され、これは、列ドライバ出力の差を決定するために使用される。これは、出力トランジスタ配置の同じ構成のために、如何なるヒュージブルリンクも遮断される前に、又は電子的に制御される実施の間に、実行されうる。その場合に、検出された列出力の差は、補正方式を導出するために使用される。補正方式は、夫々の列ドライバ回路に対して所望の出力トランジスタ構成を選択する。
【００６６】
代替的に、試験される駆動トランジスタの電流出力を測定するよう表示装置を精査することが可能であってもよい。
【００６７】
画素の列へ制御可能な電流を供給するための多種多様な列ドライバ回路が存在する。
【００６８】
列電流駆動回路は、電流源又は電流シンクとして機能しても良い。本発明の好ましい使用は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）の中であるが、本発明の他の電流アドレス指定式表示装置においても使用されえる。
【００６９】
様々な他の変形は、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】既知のＥＬ表示装置を示す。
【図２】入力駆動電圧を用いてＥＬ表示画素を電流アドレス指定する既知の画素回路の回路図である。
【図３】入力駆動電流を用いてＥＬ表示画素を電流アドレス指定する既知の画素回路の回路図である。
【図４】本発明によって変形され得るＥＬ表示装置用の既知の列ドライバ回路の一例を示す。
【図５】本発明によって変形され得るＥＬ表示装置用の既知の列ドライバ回路の他の例を示す。
【図６】本発明の一実施例を説明する図である。
【図７】本発明の他の実施例を説明する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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