(57)【要約】  本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、およびｃ）酸を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、触媒系、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法、反応媒質および該触媒系の使用方法を提供する。
2007522934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、および
ｃ）酸
を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、触媒系。
【請求項２】
前記配位子と前記金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内である、請求項１に記載の触媒系。
【請求項３】
前記配位子と前記金属との比は、１０：１から５００：１の範囲内である、請求項１に記載の触媒系。
【請求項４】
前記配位子と前記金属との比は、２０：１から４０：１の範囲内である、請求項１に記載の触媒系。
【請求項５】
前記酸と前記配位子との比は、５：１から９５：１の範囲内である、請求項１乃至４のいずれかに記載の触媒系。
【請求項６】
前記酸と前記配位子との比は、２０：１から４０：１の範囲内である、請求項１乃至５のいずれかに記載の触媒系。
【請求項７】
前記酸と前記金属とのモル比は、１０：１から７５０００：１の範囲内である、請求項１乃至６のいずれかに記載の触媒系。
【請求項８】
前記酸と前記金属とのモル比は、１００：１から２５０００：１の範囲内である、請求項１乃至７のいずれかに記載の触媒系。
【請求項９】
前記酸と前記金属とのモル比は、２００：１から４００：１の範囲内である、請求項１乃至８のいずれかに記載の触媒系。
【請求項１０】
前記配位子は、二座ホスフィン配位子である、請求項１乃至９のいずれかに記載の触媒系。
【請求項１１】
前記配位子は、一般式（Ｉ）を有する、請求項１乃至１０のいずれかに記載の触媒系：
【化１】
2007522934.tif 000027
［式中、
Ａｒは、任意に置換されていてもよいアリール部分を含み、これに利用可能な隣接する炭素原子の所でリン原子が結合している架橋基であり；
ＡおよびＢはそれぞれ独立に、低級アルキレンを表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは、アリール部分（Ａｒ）の置換基であり、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ２0
、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27または−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）ＣＲ16（Ｒ17）（
Ｒ18）（ここで、Ｊは低級アルキレンを表す）を表すか；Ｋ、Ｚ、ＤおよびＥから選択される２個の隣接する基はそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、さらなるフェニル環を形成し、該フェニル環は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基により任意に置換されていてもよく；
Ｒ13からＲ18はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ1からＲ12はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）は、それぞれ独立に、リン、ヒ素またはアンチモ
ンを表し、後者２種の場合には、ホスフィンまたはリンに関する前記の言及は、それに応じて修正されるが、好ましくはＱ1およびＱ2の両方はリンを表し、さらに好ましくはＱ1
、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）はすべて、リンを表す］。
【請求項１２】
Ｑ1および／またはＱ2に結合している少なくとも１個の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基、すなわち、ＣＲ1Ｒ2Ｒ3、ＣＲ4Ｒ5Ｒ6、ＣＲ7Ｒ8Ｒ9、ＣＲ10Ｒ11Ｒ12、ＣＲ13Ｒ14Ｒ15または
ＣＲ16Ｒ17Ｒ18は代わりに、基（Ａｄ）で表すこともでき、この際：
Ａｄはそれぞれ独立に、その３級炭素原子のうちのいずれか１つを介してリン原子に結合している任意に置換されていてもよいアダマンチルまたはコングレシル基を表し、該任意の置換は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基によるか；Ｑ1および
／またはＱ2の一方または両方、あるいはＱ3（存在する場合）に結合している両方の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基は、適切なＱ1またはＱ2（またはＱ3）と一緒になって、任意に置換さ
れていてもよい２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、式：
【化２】
2007522934.tif 000028
の環系を形成し、
上式中、
Ｒ49およびＲ54はそれぞれ独立に、水素、低級アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙは、酸素、イオウまたはＮ−Ｒ55を表し、Ｒ55は存在する場合、水素、低級アルキルまたはアリールを表す、請求項１１に記載の触媒系。
【請求項１３】
前記配位子は、
（Ａｄ）S（ＣＲ7Ｒ8Ｒ9）TＱ2−Ａ−（Ｋ，Ｄ）Ａｒ（Ｅ，Ｚ）−Ｂ−Ｑ1（Ａｄ）u（ＣＲ1Ｒ2Ｒ3）v
と表され、上式中、Ａｒ、Ａ、Ｂ、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺ、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3ならびにＲ1からＲ27は請求項１１と同様に定義されるが、ただし、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは、−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）の代わりに−Ｊ−Ｑ3（Ａｄ）w（
ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）xを表してもよく、Ａｄは、請求項１２と同様に定義され、
Ｓ＋Ｕ＝０、１または２であるが、ただし、Ｓ＋Ｕ≧１であり；
Ｔ＋Ｖ＝０、１または２であるが、ただし、Ｔ＋Ｖ≦３であり；
Ｗ＋Ｘ＝０、１または２である、請求項１１または１２に記載の触媒系。
【請求項１４】
前記配位子は、一般式（ＩＩＩ）を有する、請求項１乃至１０のいずれかに記載の触媒系：
【化３】
2007522934.tif 000029
［式中、
Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在する場合）は、それぞれ独立に、低級
アルキレンを表し；
Ｋ1は、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、
−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3また
は−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6からなる群から選択され；
Ｄ1は、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、
−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3また
は−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8からなる群から選択され；
Ｅ1は、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、
−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3また
は−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10からなる群から選択され；
あるいは、Ｄ1およびＥ1の両方は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒になって、任意に置換されていてもよいフェニル環を形成し；
Ｘ1は、ＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシクロ
［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ1お
よびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、式ＩＩＩａの環系：
【化４】
2007522934.tif 000030
を形成し；
Ｘ3は、ＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ4は、ＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ3およびＸ4はそれら
が結合しているＱ1と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシ
クロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、Ｘ3および
Ｘ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系：
【化５】
2007522934.tif 000031
を形成し、
Ｘ5は、ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ6は、ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ5およびＸ6はそれらが結合しているＱ3と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリ
シクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、Ｘ5およ
びＸ6はそれらが結合しているＱ3と一緒になって、式ＩＩＩｃの環系：
【化６】
2007522934.tif 000032
を形成し、
Ｘ7は、ＣＲ31（Ｒ32）（Ｒ33）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ8は、ＣＲ34（Ｒ35）（Ｒ36）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ7およびＸ8はそれらが結合しているＱ4と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリ
シクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、Ｘ7およ
びＸ8はそれらが結合しているＱ4と一緒になって、式ＩＩＩｄの環系：
【化７】
2007522934.tif 000033
を形成し、
Ｘ9は、ＣＲ37（Ｒ38）（Ｒ39）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ10は、
ＣＲ40（Ｒ41）（Ｒ42）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ9およびＸ10は
それらが結合しているＱ5と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−
トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、Ｘ9
およびＸ10はそれらが結合しているＱ5と一緒になって、式ＩＩＩｅの環系：
【化８】
2007522934.tif 000034
を形成し、
Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5は（存在する場合）、それぞれ独立に、リン
、ヒ素またはアンチモンを表し；
Ｍは、ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族金属またはそれらの金属カチオンを表し；
Ｌ1は、任意に置換されていてもよいシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリー
ル基を表し；
Ｌ2は、水素、低級アルキル、アルキルアリール、ハロ、ＣＯ、Ｐ（Ｒ43）（Ｒ44）Ｒ45またはＮ（Ｒ46）（Ｒ47）Ｒ48からそれぞれ独立に選択される１個または複数の配位子
を表し；
Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキ
ル、アリール、ハロまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ30およびＲ43からＲ48は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ49、Ｒ54およびＲ55は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4およびＹ5は存在する場合、それぞれ独立に、酸素、イオウまたは
Ｎ−Ｒ55を表し；
ｎ＝０または１であり；
ｍ＝０から５であるが；
ただし、ｎ＝１である場合、ｍは０に等しく、ｎが０に等しい場合、ｍは０に等しくない］。
【請求項１５】
Ｋ1が−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、Ｅ1が−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表す場合、Ｄ1は、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表す、請求項１４に記載の触媒系。
【請求項１６】
アダマンチルは、非置換アダマンチルまたは１個もしくは複数の非置換Ｃ1−Ｃ8アルキル置換基、置換されているアダマンチル、またはそれらの組合せを表す、請求項１２乃至１５のいずれかに記載の触媒系。
【請求項１７】
２−ホスファ−アダマンチルは、非置換２−ホスファ−アダマンチルまたは１個もしくは複数の非置換Ｃ1−Ｃ8アルキル置換基、置換されている２−ホスファアダマンチル、またはそれらの組合せを表す、請求項１２乃至１６のいずれかに記載の触媒系。
【請求項１８】
２−ホスファ−アダマンチルは、該２−ホスファ−アダマンチル骨格中に１個または複数の酸素原子を含む請求項１２乃至１７のいずれかに記載の触媒系。
【請求項１９】
コングレシルは、非置換コングレシルを表す、請求項１２乃至１８のいずれかに記載の
触媒系。
【請求項２０】
前記金属またはその化合物は、パラジウムである、請求項１乃至１９のいずれかに記載の触媒系。
【請求項２１】
前記パラジウムは、金属の形態である、請求項２０に記載の触媒系。
【請求項２２】
前記触媒系は、液体反応媒質中に、液体担体に溶解されているポリマー分散剤を含み、該ポリマー分散剤は、触媒系のＶＩ族またはＶＩＩＩＢ族金属または金属化合物の粒子のコロイド懸濁液を液体担体内で安定化させることが可能である、請求項１乃至２１のいずれかに記載の触媒系。
【請求項２３】
エチレン系不飽和化合物と、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを、請求項１乃至２２のいずれかに記載の触媒系の存在下で接触させる工程を含む、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法。
【請求項２４】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を１種または複数の非プロトン性溶剤中で行う、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
適切なエチレン系不飽和化合物には、Ｃ30までの、すなわち、２から３０個の炭素原子を含み、直鎖または分枝鎖、環式または非環式または部分環式であってよく、二重結合が炭素鎖の任意の適切な位置を占めてよく、それらのすべての立体異性体も包含するエテン、プロペン、ヘキセン、酢酸ビニルなどのビニル化合物、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセンなどが含まれる、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
１種または複数の反応成分と、
少なくとも１種のＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族の金属または金属化合物、二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、および酸を含むか、それらを組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する触媒系と、
を含む反応媒質。
【請求項２７】
１種または複数の反応成分と、請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の触媒系とを含む反応媒質。
【請求項２８】
媒質中に存在する遊離酸の量は、５００ｐｐｍを上回る、請求項２６または２７に記載の反応媒質。
【請求項２９】
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を含むか、これらを組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する系の、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する際の触媒としての使用方法。
【請求項３０】
実施例および図面を参照して本明細書中に実質的に記載されている触媒系。
【請求項３１】
実施例および図面を参照して本明細書中に実質的に記載されている方法。
【請求項３２】
実施例および図面を参照して本明細書中に実質的に記載されている反応媒質。
【請求項３３】
実施例および図面を参照して本明細書中に実質的に記載されている使用方法。
【請求項３４】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を含み、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、触媒系。
【請求項３５】
エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法であって、
触媒系の存在下で、エチレン系不飽和化合物と一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを接触させる工程を含み、該触媒系は、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を含み、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、方法。
【請求項３６】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な錯体であって、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、錯体。
【請求項３７】
請求項３６に記載の錯体の存在下で、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物を用いて、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規の触媒系、新規のカルボニル化反応媒質、および新規の触媒系を使用してエチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルコールまたは水と、ＶＩＩＩ族金属、例えば、パラジウムと、ホスフィン配位子、例えばアルキルホスフィン、シクロアルキルホスフィン、アリールホスフィン、ピリジルホスフィンまたは二座ホスフィンとを含む触媒系の存在下で、一酸化炭素を使用して、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化することは、数多くの欧州特許および特許出願、例えば、特許文献１−１３に記載されている。特に、特許文献１１，１２，１３は、二座ホスフィン配位子が比較的迅速な反応速度の達成を可能にする触媒系をもたらすことを開示している。
【０００３】
特許文献１４は、アリール部分に位置する利用可能な隣接炭素原子を介してリン原子に結合している、任意に置換されていてもよいアリール部分の形態の架橋基を開示している。このような配位子は、比較的安定で、以前に開示されたものよりもかなり速い反応速度をもたらし、エチレンのカルボニル化に関して不純物をほとんどもたらさないか、全くもたらさない。上述の配位子中のリン原子はそれぞれさらに、２個の３級炭素原子に結合している。
【０００４】
しかしながら、特許文献１４に記載されているものなどの従来の金属触媒反応は、パラジウム化合物が還元されてパラジウム金属になるので、連続運転期間の経過に伴い触媒が失活化する傾向を有するという欠点を受けやすく、このことは、方法の採算性に寄与する。特許文献１５は、反応媒質中でポリマー分散剤などの安定化化合物を使用して、触媒系から失われた金属の回収を改善することを介して、この問題に取り組んでいる。
【０００５】
カルボニル化方法の間に適切な安定性を示し、比較的速い反応速度の達成を可能にする触媒系が開発されているが、未だ、改善された触媒系が必要とされている。相応して、本発明の目的は、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化するために改善された触媒を提供することである。
【０００６】
非特許文献１は、例えばより多い配位子を加えることにより、配位子濃度を相対的に上昇させると、生産性に有害作用が生じることを示唆している。同様の結果が、非特許文献２および非特許文献３に報告されている。
【０００７】
さらに、特許文献１６には、ペンテンニトリルをカルボニル化する方法が記載されているが、比較的高い酸：パラジウム比には欠点が伴うことが教示されている。著者らは、酸の高濃度条件は腐食性で、酸およびオレフィン系化合物での４級化が原因でより高い配位子分解が起こるために、この欠点が生じると述べている。
【０００８】
特許文献１７は、ホスフィンベースの二座配位子を使用して、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法を開示している。しかしながら、この開示は、比較的低い酸レベルを使用して、低い酸：配位子値を生じさせることを対象としている。さらに、配位子：金属比も低い。特許文献１８も同様に、低い酸：配位子、および配位子：金属比を開示している。
【０００９】
特許文献１９は、パラジウム化合物および二座リン配位子を含む触媒系を開示している
。しかしながら、１：１未満の酸：配位子比が教示されている。
【００１０】
最後に、特許文献１６は、ペンテンニトリルをカルボニル化することによる５−シアノ吉相酸の調製法を開示している。この開示は、高い酸濃度を使用することの欠点を指摘しており、比較的低い酸レベルを使用することを教示している。
【特許文献１】欧州特許出願公開第００５５８７５号明細書
【特許文献２】欧州特許出願公開第０４４８９４７２号明細書
【特許文献３】欧州特許出願公開第０１０６３７９号明細書
【特許文献４】欧州特許出願公開第０２３５８６４号明細書
【特許文献５】欧州特許出願公開第０２７４７９５号明細書
【特許文献６】欧州特許出願公開第０４９９３２９号明細書
【特許文献７】欧州特許出願公開第０３８６８３３号明細書
【特許文献８】欧州特許出願公開第０４４１４４７号明細書
【特許文献９】欧州特許出願公開第０４８９４７２号明細書
【特許文献１０】欧州特許出願公開第０２８２１４２号明細書
【特許文献１１】欧州特許出願公開第０２２７１６０号明細書
【特許文献１２】欧州特許出願公開第０４９５５４７号明細書
【特許文献１３】欧州特許出願公開第０４９５５４８号明細書
【特許文献１４】国際公開第９６／１９４３４号パンフレット
【特許文献１５】国際公開第０１／１０５５１号パンフレット
【特許文献１６】国際公開第０１／７２６９７号パンフレット
【特許文献１７】国際公開第０１／６８５８３号パンフレット
【特許文献１８】国際公開第０３／０４０１５９号パンフレット
【特許文献１９】国際公開第９８／４５０４０号パンフレット
【非特許文献１】Ｊ．Ｍｏｌ．Ｃａｔ．Ａ２０４−２０５（２００３年）２９５−３０３頁
【非特許文献２】Ｊ．Ｍｏｌ．Ｃａｔ．Ａ．Ｃｈｅｍ．１１０（１９９６年）１３−２３頁
【非特許文献３】Ｊ．Ｍｏｌ．Ｃａｔ．Ａ．Ｃｈｅｍ．１５１（２０００年）４７−５９頁（発明の開示）  したがって、本発明の目的は、配位子、および酸のレベルが比較的高いが、上に挙げた先行技術の欠点を、少なくともある程度は処理および緩和した触媒系を確立することであり、このことは、本発明の１つの目的である。
【００１１】
本発明により、添付請求項に記載の触媒系、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法、反応媒質および使用方法が提供される。
【００１２】
本発明の好ましい形態は、従属請求項および以下の記載から明白であろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
第１の態様では、本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系を提供し、この触媒系は、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を組み合わせることにより得られ、その際、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。
【００１４】
通常、成分ｂ）は、二座ホスフィン、アルシンまたはスチビンである。
【００１５】
適切には、触媒系の成分ａ）からｃ）をすべて、カルボニル化を行う予定の反応容器にその場で加えることができる。あるいは、成分ａ）からｃ）を任意の順序で連続して加え、触媒系を生じさせるか、何らかの特定の順序で、容器に直接に、または容器の外側で、次いで容器に加えることができる。例えば、初めに、酸成分ｃ）を二座配位子成分ｂ）に加えて、プロトン化配位子を生じさせ、次いで、このプロトン化配位子を、金属またはその化合物（成分ａ））に加えて、触媒系を生じさせることができる。あるいは、配位子成分ｂ）と金属またはその化合物（成分ａ））とを混合して、キレート化金属化合物を生じさせ、次いで、酸（成分ｃ））を加えることもできる。あるいは、任意の２種の成分を一緒に反応させて、中間成分を生じさせ、次いでこれを反応容器に加え、第３の成分を加えるか、または第３の成分と初めて反応させてから反応容器に加えるかすることができる。
【００１６】
このように、本発明の対象は、二座配位子、および酸の相対モル濃度が、以前に認識されていたよりも過剰なレベルで存在しており、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する際にその触媒系を使用すると、意外で予期せぬ利点と、先行技術系の欠点の緩和または少なくとも多少の低減とをもたらす触媒系である。特に、本発明の触媒系を使用すると少なくとも、より系が安定し、反応速度が上昇し、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化反応におけるターンオーバー数が改善される。
【００１７】
上述のように、配位子は、配位子と金属との比（すなわち、成分ｂ）と成分ａ）との比）が少なくとも２：１モル比であるような量で、触媒系またはその前駆体中に存在する。好ましくは、配位子と金属との比は、２：１モル比を上回り、さらに好ましくは、２：１から１０００：１の範囲内、一層好ましくは２．５：１から１０００：１の範囲内、特に好ましくは３：１から１０００：１の範囲内、さらに特に好ましくは５：１から７５０：１の範囲内、さらに好ましくは７：１から１０００：１の範囲内、特に８：１から９００：１の範囲内、さらにより好ましくは１０：１から５００：１の範囲内、一層特に好ましくは２０：１から４００：１の範囲内、一層好ましくは５０：１から２５０：１の範囲内、最も好ましくは５０：１を超える範囲で、例えば、５１：１以上、さらに特には５１：１から２５０：１または１０００：１である。あるいは、上述の比は、１５：１から４５：１、好ましくは２０：１から４０：１、さらに好ましくは２５：１から３５：１の範囲内であってよい。
【００１８】
上述のように、酸は、酸と配位子との（すなわち成分ｃ）と成分ｂ）との）比が少なくとも２：１のモル比であるような量で触媒系またはその前駆体中に存在する。好ましくは、酸と配位子との比は、２：１モルを上回り、さらに好ましくは２：１から１００：１の範囲内、一層好ましくは４：１から１００：１の範囲内、特にさらに好ましくは５：１から９５：１の範囲内、なおさらに好ましくは５：１から９５：１の範囲内、まださらに好ましくは５：１から７５：１の範囲内、さらに好ましくは１０：１から５０：１の範囲内、さらに一層好ましくは２０：１から４０：１の範囲内、特にさらに好ましくは２０：１を超え４０：１までの範囲内（例えば、２５：１から４０：１または２５：１から３０：１未満）、さらに好ましくは、３０：１を超え、適切には、上述の上限の範囲内（例えば、３０：１から４０：１または５０：１など）、またはさらに好ましくは３５：１を超え、なおさらに好ましくは３７：１を超え、適切には上述の上限の範囲内である。このパラグラフに記載の各範囲を、上述に記載の各配位子：金属比、すなわち、成分ｂ）と成分ａ）との比に関して使用することができる。
【００１９】
「酸」とは、酸またはその塩を意味し、酸との言及は、相応に解釈されるべきである。上述の配位子と金属との比、および酸と配位子との比の範囲内で処理する利点は、金属のターンオーバー数（ＴＯＮ）が上昇することにより示されるように、触媒系の安定性が改善される点で明白である。触媒系の安定性が改善されることにより、カルボニル化反応ス
キームにおける金属の利用が最小限に維持される。
【００２０】
理論に結びつけることを望むものではないが、上述の特定の比の範囲内で処理することにより、意外にも、触媒系の配位子成分が偶然の空気酸化（反応系への何らかの空気進入がある場合）に対して保護され、触媒系全体の安定性が改善されて、触媒系の金属成分の利用が最少に抑えられることが判明したと考えられる。さらに、反応の進行反応速度が驚くほど改善される。
【００２１】
実際には、酸のレベルは、使用される特定の二座配位子で、酸のレベルがホスフィン、アルシンまたはスチビンが十分にプロトン化されるようなレベルであるべきである。したがって、改善効果を示すためには、配位子のレベルは、配位子：金属モル比で示して、最少レベルを上回るべきであり、酸のレベルは、酸：配位子モル比で示して、プロトン化を促進するために存在する配位子のレベルに関して最少レベルを上回るべきである。
【００２２】
好ましくは、酸は、酸と金属との（すなわち成分ｃ）と成分ａ）との）モル比が少なくとも４：１、さらに好ましくは４：１から１０００００：１、一層好ましくは１０：１から７５０００：１、よりさらに好ましくは２０：１から５００００：１、なおさらに好ましくは２５：１から５００００：１、なおさらに好ましくは３０：１から５００００：１、さらに一層好ましくは４０：１から４００００：１、なおさらに好ましくは１００：１から２５０００：１、さらに好ましくは１２０：１から２５０００：１、さらに好ましくは１４０：１から２５０００：１、なおさらに好ましくは２００：１から２５０００：１、さらに好ましくは５５０：１から２００００：１または２０００：１を超え２００００：１までであるような量で、触媒系またはその前駆体中に存在する。あるいは、上述の比は、１２５：１から４８５：１、さらに好ましくは１５０：１から４５０：１、一層好ましくは１７５：１から４２５：１、なお一層好ましくは２００：１から４００：１、さらに好ましくは２２５：１から３７５：１の範囲内であってよい。このパラグラフに記載のこれらの範囲はそれぞれ、上述で開示した配位子と金属との比、すなわち、成分ｂ）と成分ａ）との比の範囲および／または上述で開示した酸と配位子との比、すなわち成分ｃ）と成分ｂ）との比の範囲のそれぞれに関して使用することができる。
【００２３】
疑義を回避するために、比および比範囲はすべて、下記でさらに詳細に記載される配位子実施形態のすべてに適用される。
【００２４】
本発明の１実施形態では、二座ホスフィン配位子は、一般式（Ｉ）を有する：
【００２５】
【化１】
2007522934.tif 000003
【００２６】
［式中、
Ａｒは、任意に置換されていてもよいアリール部分を含み、これに利用可能な隣接する炭素原子の所でリン原子が結合している架橋基であり；
ＡおよびＢはそれぞれ独立に、低級アルキレンを表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは、アリール部分（Ａｒ）の置換基であり、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27または−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）（ここで、Ｊは低級アルキレンを表す）を表すか；Ｋ、Ｚ、ＤおよびＥから選択され
る２個の隣接する基はそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、さらなるフェニル環を形成し、これは、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基により任意に置換されていてもよく；
Ｒ13からＲ18はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し、好ましくは、それぞれ独立に低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ1からＲ12はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し、
好ましくはそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）は、それぞれ独立に、リン、ヒ素またはアンチモ
ンを表し、後者２種の場合には、ホスフィンまたはリンに関する上述の言及は、それに応じて修正されるが、好ましくはＱ1およびＱ2の両方はリンを表し、さらに好ましくはＱ1
、Ｑ2およびＱ3はすべて（存在する場合）、リンを表す］。
【００２７】
適切には、本発明の二座ホスフィンは好ましくは、ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族金属もしくはその化合物、さらに好ましくは好ましいパラジウムに二座配位しうるべきである。
【００２８】
好ましくは、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺが−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表す場合、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺはそれぞれ、ＡまたはＢが結合しているア
リール炭素と隣接するアリール炭素の所に位置するか、そのように隣接していなければ、それ自体Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表す残りのＫ、
Ｄ、ＥまたはＺ基に隣接している。
【００２９】
この実施形態の範囲内の二座配位子の非限定的で具体的な例には、次のものが含まれる：１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼン、１，２−ビス−（ジ−ｔ−ペンチルホスフィノメチル）ベンゼン、１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ナフタレン。しかしながら、当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく、他の二座配位子を考えることもできることは理解されるであろう。
【００３０】
本明細書で使用する場合、「Ａｒ」または「アリール」との用語には、フェニルおよびナフチルなどの５員から１０員、好ましくは６員から１０員の炭素環芳香族基が含まれ、これらの基は任意に、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺに加えて、アリール、低級アルキル（これらのアルキル基自体も本明細書で定義されるように任意に置換されていてよいか、ターミネートされていてよい）、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27またはＣ（Ｓ）ＮＲ25Ｒ26（ここで、Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、アリールまたは低級アルキル（このアルキル基自体も任意に置換されていてもよいし、本明細書で定義されるようにターミネートされていてもよい）を表す）から選択される１個または複数の置換基によって任意に置換されていてもよい。さらに、アリール部分は、縮合多環式基、例えば、ナフタレン、ビフェニレンまたはインデンであってもよい。
【００３１】
「ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族の金属」との用語には、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＰｄなどの金属が含まれる。好ましくは、金属は、Ｎｉ、ＰｔおよびＰｄから選択される。さらに好ましくは、金属はＰｄである。疑義を回避するために、ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族金属と言えば、最新の周期表名称では６、８、９および１０族を含むと解されるべきである。
【００３２】
本明細書中で使用される場合、「Ｈｅｔ」との用語には４員から１２員、好ましくは４員から１０員の環系が含まれ、これらの環は、窒素、酸素、イオウおよびこれらの混合物から選択される１個または複数のヘテロ原子を含有し、さらにこれらの環は、１個または複数の二重結合を含んでもよいか、適切に、非芳香族か、部分的に芳香族か、完全に芳香族であってよい。環系は、単環式、二環式であるか、縮合していてよい。本明細書で同定されている各「Ｈｅｔ」基は任意に、ハロ、シアノ、ニトロ、オキソ、低級アルキル（このアルキル基自体も任意に置換されていてよいか、本明細書で定義されるようにターミネートされていてよい）、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27またはＣ（Ｓ）ＮＲ25Ｒ26（ここで、Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、アリールまたは低級アルキル（このアルキル基自体も任意に置換されていてよいか、本明細書で定義されるようにターミネートされていてよい）を表す）から選択される１個または複数の置換基によって任意に置換されていてもよい。したがって「Ｈｅｔ」との用語には、任意に置換されていてもよいアゼチジニル、ピロリジニル、イミダゾリル、インドリル、フラニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、オキサジアゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、オキサトリアゾリル、チアトリアゾリル、ピリダジニル、モルホリニル、ピリミジニル、ピラジニル、キノリニル、イソキノリニル、ピペリジニル、ピラゾリルおよびピペラジニルなどの基が含まれる。Ｈｅｔでの置換は、Ｈｅｔ環の炭素原子の所、または適切な場合には、１個または複数のヘテロ原子の所であってよい。
【００３３】
「Ｈｅｔ」基は、Ｎ酸化物の形態であってもよい。
【００３４】
本明細書中で使用する場合、「低級アルキル」との用語は、Ｃ1からＣ10アルキルを意
味し、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびヘプチル基が含まれる。他に記載のない限り、アルキル基は、十分な数の炭素原子が存在する場合には、直鎖または分枝鎖であってよく、飽和または不飽和であってよく、環式、非環式または部分環式／非環式であってよく、かつ／またはハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27、Ｃ（Ｓ）ＮＲ25Ｒ26、アリールまたはＨｅｔ（ここで、Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、アリールまたは低級アルキル）から選択される１個または複数の置換基によって置換またはターミネートされていてもよく、かつ／または１個または複数の酸素またはイオウ原子により、またはシラノまたはジアルキルシリコンにより中断されていてもよい。
【００３５】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｋ、
Ｄ、ＥおよびＺが表してよく、それによってアリールおよびＨｅｔが任意に置換されていてもよい低級アルキル基またはアルキル基は、十分な数の炭素原子が存在する場合には、直鎖または分枝鎖であってよく、飽和または不飽和であってよく、環式、非環式または部分環式／非環式であってよく、かつ／または１個または複数の酸素またはイオウ原子により、またはシラノまたはジアルキルシリコンにより中断されていてもよく、および／またはハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27、Ｃ（Ｓ）ＮＲ25Ｒ26、アリー
ルまたはＨｅｔ（ここで、Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、アリールまたは低級アルキルを表す）から選択される１個または複数の置換基によって置換されていてもよい。
【００３６】
同様に、本明細書で使用する場合、式Ｉの化合物中に存在するＡ、ＢおよびＪ（存在する場合）が表す「低級アルキレン」との用語には、基の少なくとも２点で他の部分で結合していて、他の点では「低級アルキル」と同様に定義されるＣ1からＣ10基が含まれる。
【００３７】
上述の基がそれにより置換されているか、ターミネートされるハロ基には、フルオロ、クロロ、ブロモおよびヨードが含まれる。
【００３８】
本明細書中の式の化合物がアルケニル基を含む場合、シス（Ｅ）およびトランス（Ｚ）異性が生じることがある。本発明は、本明細書で定義されている式の化合物の個々の立体異性体および適切な場合には、その個々の互変異性形態を、それらの混合物と共にすべて含む。ジアステレオ異性体もしくはシスおよびトランス異性体の分離は、慣用の技術により、例えば、いずれか１式の化合物もしくはそれらの適切な塩または誘導体の立体異性体混合物の分別晶出、クロマトグラフィーまたはＨ．Ｐ．Ｌ．Ｃ．により達成することができる。いずれか１式の化合物の個々の鏡像異性体を、対応する光学的に純粋な中間体から調製することもできるし、適切なキラル支持体を使用する対応するラセミ体のＨ．Ｐ．Ｌ．Ｃ．または対応するラセミ体と適切な光学活性な酸または塩基とを適切に反応させることにより生じるジアステレオ異性体塩の分別晶出などによる分離により調製することもできる。
【００３９】
立体異性体はすべて、本発明の方法の範囲内に包含される。
【００４０】
当業者であれば、式Ｉの化合物は、ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはその化合物と配位する配位子として機能して、本発明の触媒系をもたらしうることを理解するであろう。通常、ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族金属またはその化合物は、式Ｉの化合物の１個または複数のリン、ヒ素および／またはアンチモン原子に配位する。
【００４１】
好ましくは、Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、低級アルキルまたはアリールを表す。さ
らに好ましくは、Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、Ｃ1からＣ6アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキ
ルフェニル（ここでフェニル基は本明細書に定義されているように任意に置換されていてもよい）またはフェニル（ここでフェニル基は本明細書に定義されているように任意に置換されていてもよい）を表す。さらに好ましくは、Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、本明
細書に定義されているように任意に置換されていてもよいＣ1からＣ6アルキルを表す。さらに好ましくは、Ｒ1からＲ18はそれぞれ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロ
ピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびシクロヘキシルなどの非置換のＣ1からＣ6アルキルを表す。
【００４２】
あるいは、またはそれに加えて、Ｒ1からＲ3、Ｒ4からＲ6、Ｒ7からＲ9、Ｒ10からＲ12、Ｒ13からＲ15またはＲ16からＲ18基は一緒になって、それぞれ独立に、１−ノルボルニルまたは１−ノルボルナジエニルを形成してもよい。複合基の他の例には、Ｒ1−Ｒ18の
間で生じる環式構造が含まれる。あるいは、１個または複数の基は、配位子が結合している固相を表してもよい。
【００４３】
本発明の特に好ましい実施形態では、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ13およびＲ16はそれぞ
れ、本明細書で定義されるのと同様の低級アルキル、アリールまたはＨｅｔ基を表し、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ14およびＲ17はそれぞれ、本明細書で定義されるのと同様の低級
アルキル、アリールまたはＨｅｔ基を表し、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ12、Ｒ15およびＲ18はそ
れぞれ、本明細書で定義されるのと同様の低級アルキル、アリールまたはＨｅｔ基を表す
。さらに好ましくは、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ13およびＲ16はそれぞれ、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルまたはシクロヘキシルなどのＣ1−Ｃ6アルキル、特に非置換Ｃ1−Ｃ6アルキルを表し；Ｒ2、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ14およびＲ17はそれぞれ独立に、上述と同様に定義さ
れるＣ1−Ｃ6アルキルを表し；Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ12、Ｒ15およびＲ18はそれぞれ独立に
、上述と同様に定義されるＣ1−Ｃ6アルキルを表す。例えば、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ13およびＲ16はそれぞれ、メチルを表し；Ｒ2、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ14およびＲ17はそれぞれ、エチルを表し；Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ12、Ｒ15およびＲ18はそれぞれ、ｎ−ブチルまた
はｎ−ペンチルを表す。
【００４４】
本発明の特に好ましい実施形態では、Ｒ1からＲ18基はそれぞれ、本明細書で定義され
るのと同様の低級アルキル、アリールまたはＨｅｔ基を表す。好ましくは、Ｒ1からＲ18
はそれぞれ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびシクロヘキシルなどのＣ1−Ｃ6アルキル基、特に非置換Ｃ1−Ｃ6アルキルを表す。最も好ましくは、Ｒ1からＲ18はそれぞれ、メチル
を表す。
【００４５】
式Ｉの化合物では好ましくは、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）は、同じである。
最も好ましくは、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）はそれぞれ、リンを表す。
【００４６】
好ましくは、式Ｉの化合物中、Ａ、ＢおよびＪ（存在する場合）はそれぞれ独立に、Ｃ1からＣ6アルキレンを表し、これらは本明細書で定義されているように、例えば低級アルキル基で置換されていてもよい。好ましくは、Ａ、ＢおよびＪ（存在する場合）が表す低級アルキレン基は、非置換である。Ａ、ＢおよびＪが独立に表す特に好ましい低級アルキレンは、−ＣＨ2−または−Ｃ2Ｈ4−である。最も好ましくは、Ａ、ＢおよびＪ（存在す
る場合）はそれぞれ、本明細書で定義されるのと同様の低級アルキレン、特に−ＣＨ2−
を表す。
【００４７】
好ましくは、式Ｉの化合物中、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺが−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表さない場合、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺは、水素、低級アル
キル、フェニルまたは低級アルキルフェニルを表す。さらに好ましくは、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺは、水素、フェニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニルまたはＣ1−Ｃ6アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルおよびヘキシルを表す。最も好ましくは、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺは、水素を表す。
【００４８】
好ましくは、式Ｉの化合物中、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺがそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、フェニル環を形成しない場合、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺはそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、フェニルまたは低級アルキルフェニルを表す。さらに好ましくはＫ、Ｄ、ＥおよびＺはそれぞれ独立に、水素、フェニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニルまたはＣ1−Ｃ6アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルおよびヘキシルを表す。さらに好ましくは、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは同じ置換基を表す。最も好ましくは、これらは水素を表す。
【００４９】
好ましくは、式Ｉの化合物中、Ｋ、Ｄ、ＥまたはＺが−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表さず、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺがそれらが結合しているア
リール環の炭素原子と一緒になって、フェニル環を形成しない場合、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺはそれぞれ、本明細書で定義されるのと同様の水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔから選択される同じ基を表し；特に、水素またはＣ1−Ｃ6アルキル（さらに好ましくは非置換のＣ1−Ｃ6アルキル）、特に水素を表す。
【００５０】
好ましくは、式Ｉの化合物中、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺのうちの２個がそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、フェニル環を形成する場合、このフェニル環は、アリール、低級アルキル（このアルキル基はそれ自体、本明細書で定義されるように置換またはターミネートされていてもよい）、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27またはＣ（Ｓ）ＮＲ25Ｒ26（ここで、Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素または低級アルキル（このアルキル基はそれ自体、本明細書で定義されるように置換またはターミネートされていてもよい）から選択される１個または複数の置換基によって任意に置換されていてもよい。さらに好ましくは、このフェニル環は、置換基によって置換されていない。すなわち、水素原子のみを有する。
【００５１】
式Ｉの好ましい化合物には、式中、
ＡおよびＢはそれぞれ独立に非置換のＣ1からＣ6アルキレンを表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺはそれぞれ独立に、水素、Ｃ1−Ｃ6アルキル、フェニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニルまたは−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）
を表し、ここで、Ｊは、非置換のＣ1からＣ6アルキレンを表すか；Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥのうちの２個がそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、フェニル環を形成し、そのフェニル環は低級アルキル、フェニルまたは低級アルキルフェニルから選択される１個または複数の置換基により任意に置換されていてもよい；
ものが含まれる。
【００５２】
Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、Ｃ1からＣ6アルキル、フェニルまたはＣ1からＣ6アル
キルフェニルを表す。
【００５３】
さらに好ましい式Ｉの化合物には、式中：
ＡおよびＢは両方とも、−ＣＨ2−またはＣ2Ｈ4、特にＣＨ2を表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺはそれぞれ独立に、水素、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニルまたはＣ1−
Ｃ6アルキルまたは−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表し、ここで、Ｊは、Ａと同じであるか；Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺのうちの２個がそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、非置換のフェニル環を形成し；
Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、Ｃ1からＣ6アルキルを表す
ものが含まれる。
【００５４】
さらに好ましい式Ｉの化合物には、式中：
Ｒ1からＲ18は同じであり、それぞれＣ1からＣ6アルキル、特にメチルを表す
ものが含まれる。
【００５５】
さらに好ましい式Ｉの化合物には、式中：
Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ独立に、水素またはＣ1−Ｃ6アルキルからなる群から選択され、特に、Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ、同じ基を表し、特に、Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ、水素を表すか；または
Ｋは、−ＣＨ2−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表し、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ独立に、水素またはＣ1からＣ6アルキルからなる群から選択され、特に、ＤおよびＥは両方とも同じ基を表し、特に、Ｄ、ＺおよびＥは水素を表す
ものが含まれる。
【００５６】
特に好ましい式Ｉの化合物には、式中：
Ｒ1からＲ12はそれぞれ同じで、メチルを表し；
ＡおよびＢは同じで、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥは同じで、水素を表す
ものが含まれる。
【００５７】
さらに他の実施形態では、Ｑ1および／またはＱ2に結合している少なくとも１個の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基、すなわちＣＲ1Ｒ2Ｒ3、ＣＲ4Ｒ5Ｒ6、ＣＲ7Ｒ8Ｒ9またはＣＲ10Ｒ11
Ｒ12は代わりに、基（Ａｄ）で表すこともでき、この際：
Ａｄはそれぞれ独立に、その３級炭素原子のうちのいずれか１つを介してリン原子に結合している任意に置換されていてもよいアダマンチルまたはコングレシル基を表し、任意の置換は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基によるか；Ｑ1および／
またはＱ2の一方または両方、あるいはＱ3（存在する場合）に結合している両方の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基は、適切なＱ1またはＱ2（またはＱ3）と一緒になって、任意に置換され
ていてもよい２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、式：
【００５８】
【化２】
2007522934.tif 000004
【００５９】
の環系を形成し、
上式中、
Ｒ49およびＲ54はそれぞれ独立に、水素、低級アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙは、酸素、イオウまたはＮ−Ｒ55を表し、Ｒ55は存在する場合、水素、低級アルキルまたはアリールを表す。
【００６０】
この実施形態では、式Ｉは、
（Ａｄ）S（ＣＲ7Ｒ8Ｒ9）TＱ2−Ａ−（Ｋ，Ｄ）Ａｒ（Ｅ，Ｚ）−Ｂ−Ｑ1（Ａｄ）u（ＣＲ1Ｒ2Ｒ3）v
と表すことができ、上式中、Ａｒ、Ａ、Ｂ、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺ、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3な
らびにＲ1からＲ27は上述と同様に定義されるが、ただし、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは、−Ｊ
−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）の代わりに−Ｊ−Ｑ3（Ａｄ）w（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）xを表してもよく、Ａｄは、上述と同様に定義され、
Ｓ＋Ｕ＝０、１または２であるが、ただし、Ｓ＋Ｕ≧１であり；
Ｔ＋Ｖ＝０、１または２であるが、ただし、Ｔ＋Ｖ≦３であり；
Ｗ＋Ｘ＝０、１または２である。
【００６１】
少なくとも１個の（Ａｄ）基が存在する本発明の実施形態にすべて等しく当てはまる上
述で挙げたＲ1からＲ18、Ｑ1からＱ3、Ａ、Ｂ、Ｊ（存在する場合）、Ｋ、Ｄ、Ｅまたは
Ｚ、Ｒ19からＲ27での好ましい実施形態に加えて、以下も当てはまる。
【００６２】
式Ｉのさらに好ましい化合物には、式中：
ＡおよびＢは両方とも、−ＣＨ2−または−Ｃ2Ｈ4−、特に−ＣＨ2−を表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺはそれぞれ独立に、水素、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニルまたはＣ1−
Ｃ6アルキルまたは−Ｊ−Ｑ3（Ａｄ）w（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15））xを表し、ここで、Ｊは、Ａと同様であるか；Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺのうちの２個がそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、非置換のフェニル環を形成し；
Ｒ1からＲ3、Ｒ7からＲ9およびＲ13からＲ15（存在する場合）はそれぞれ独立に、Ｃ1
からＣ6アルキルを表し、Ｑ1およびＱ2に結合している（Ａｄ）基の全数は、≧３である
、すなわち、Ｓ＋Ｕ≧３であり、ＷおよびＸ＝０、１または２である
ものが含まれる。
【００６３】
式Ｉのさらに好ましい化合物には、式中：
Ｒ1からＲ3、Ｒ7からＲ9およびＲ13からＲ15（存在する場合）は同じで、それぞれＣ1
からＣ6アルキル、特にメチルを表し、Ｑ1およびＱ2に結合している（Ａｄ）基の全数は
、≧３である、すなわち、Ｓ＋Ｕ≧３である
ものが含まれる。
【００６４】
式Ｉのさらに好ましい化合物には、式中：
Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ独立に、水素またはＣ1からＣ6アルキルからなる群から選択され、特に、Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ、同じ基を表し、特に、Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥは水素を表すか；または
Ｋは、−ＣＨ2−Ｑ3（Ａｄ）w（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）xを表し、Ｄ、ＺおよびＥはそれぞれ独立に、水素またはＣ1からＣ6アルキルからなる群から選択され、特に、ＤおよびＥは両方、同じ基を表し、特に、Ｄ、ＺおよびＥは水素を表し、ここで、ＷおよびＸ＝０、１または２である
ものが含まれる。
【００６５】
式Ｉの特に好ましい化合物には、式中：
Ｒ1からＲ3およびＲ7からＲ9はそれぞれ同じで、メチルを表し、Ｑ1およびＱ2に結合している（Ａｄ）基の全数は、２である、すなわち、Ｓ＋Ｕ＝２であり；
ＡおよびＢは同じで、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥは同じで、水素を表す
ものが含まれる。
【００６６】
式Ｉの特に好ましい化合物には、Ａｄが同じ位置でそれぞれＱ1またはＱ2に結合しているものが含まれる。好ましくは、Ｓ≧１およびＵ≧１であり、さらに好ましくはＳ＝２およびＵ≧１またはその逆であり、さらに好ましくはＳ＋Ｕ＝２であるが、この際、Ｓは、Ｑ2に結合している（Ａｄ）基の数であり、Ｕは、Ｑ1に結合している（Ａｄ）基の数である。
【００６７】
この実施形態の範囲内の二座配位子の具体的ではあるが非限定的な例には、次のものが含まれる：１，２ビス（ジアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン、１，２ビス（ジ−３，５−ジメチルアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン、１，２ビス（ジ−５−ｔ−ブチルアダマンタイルホスフィノメチル）ベンゼン、１，２ビス（１−アダマンチルｔ−ブチル−ホスフィノメチル）ベンゼン、１，２ビス（ジ−１−ジアマンタンホスフィノメチル）ベンゼン、１−［（ジアダマンチルホスフィノメチル）−２−（ジ−ｔブチルホスフィノメチル）］ベンゼン、１−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）−２−（ジコング
レシルホスフィノメチル）ベンゼン、１−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）−２−（ホスファ−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン、１−（ジアダマンチルホスフィノメチル）−２−（ホスファアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン、１−（ｔ−ブチルアダマンチル）−２−（ジ−アダマンチル）−（ホスフィノメチル）ベンゼンおよび１−［（Ｐ−（２，２，６，６，−テトラ−メチルホスフィナン−４−オン）ホスフィノメチル）］−２−（ホスファ−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン。しかしながら、当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく、他の二座配位子も考えられることを理解されるであろう。
【００６８】
さらに他の実施形態では、二座ホスフィン配位子は、一般式（ＩＩＩ）を有する：
【００６９】
【化３】
2007522934.tif 000005
【００７０】
［式中、
Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在する場合）は、それぞれ独立に、低級
アルキレンを表し；
Ｋ1は、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、
−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3また
は−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6からなる群から選択され；
Ｄ1は、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、
−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3また
は−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8からなる群から選択され；
Ｅ1は、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、
−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3また
は−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10からなる群から選択され；
あるいは、Ｄ1およびＥ1の両方は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒になって、任意に置換されていてもよいフェニル環を形成し；
Ｘ1は、ＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシクロ
［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ1お
よびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、式ＩＩＩａの環系：
【００７１】
【化４】
2007522934.tif 000006
【００７２】
を形成し；
Ｘ3は、ＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ4は、ＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ3およびＸ4はそれら
が結合しているＱ1と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシ
クロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系：
【００７３】
【化５】
2007522934.tif 000007
【００７４】
を形成し、
Ｘ5は、ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ6は、ＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ5およびＸ6はそれらが結合しているＱ3と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリ
シクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ5およびＸ6はそれらが結合しているＱ3と一緒になって、式ＩＩＩｃの環系：
【００７５】
【化６】
2007522934.tif 000008
【００７６】
を形成し、
Ｘ7は、ＣＲ31（Ｒ32）（Ｒ33）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ8は、ＣＲ34（Ｒ35）（Ｒ36）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ7およびＸ8はそれらが結合しているＱ4と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリ
シクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ7およびＸ8はそれらが結合しているＱ4と一緒になって、式ＩＩＩｄの環系：
【００７７】
【化７】
2007522934.tif 000009
【００７８】
を形成し、
Ｘ9は、ＣＲ37（Ｒ38）（Ｒ39）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ10は、
ＣＲ40（Ｒ41）（Ｒ42）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ9およびＸ10は
それらが結合しているＱ5と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−
トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ9およびＸ10はそれらが結合しているＱ5と一緒になって、式ＩＩＩｅの環系：
【００７９】
【化８】
2007522934.tif 000010
【００８０】
を形成し、
このさらなる実施形態では、
Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5（存在する場合）は、それぞれ独立に、リン
、ヒ素またはアンチモンを表し；
Ｍは、ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族金属またはそれらの金属カチオンを表し；
Ｌ1は、任意に置換されていてもよいシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリー
ル基を表し；
Ｌ2は、水素、低級アルキル、アルキルアリール、ハロ、ＣＯ、Ｐ（Ｒ43）（Ｒ44）Ｒ45またはＮ（Ｒ46）（Ｒ47）Ｒ48からそれぞれ独立に選択される１個または複数の配位子
を表し；
Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキ
ル、アリール、ハロまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ30およびＲ43からＲ48は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ49、Ｒ54およびＲ55は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4およびＹ5は存在する場合、それぞれ独立に、酸素、イオウまたは
Ｎ−Ｒ55を表し；
ｎ＝０または１であり；
ｍ＝０から５であるが；
ただし、ｎ＝１である場合、ｍは０に等しく、ｎが０に等しい場合、ｍは０に等しくない］。
【００８１】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、Ｋ1が−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、Ｅ1が−Ａ5−
Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表す場合、Ｄ1は、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表す。
【００８２】
好ましくは、この実施形態では、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42は存在する場合、そ
れぞれ独立に、水素、任意に置換されていてもよいＣ1からＣ6アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニル（ここで、このフェニル基は本明細書中の定義と同様に任意に置換されていてもよい）、トリフルオロメチルまたはフェニル（ここで、このフェニル基は本明細書中の定義と同様に任意に置換されていてもよい）を表す。さらに好ましくは、Ｒ1からＲ18お
よびＲ31からＲ42は存在する場合、それぞれ独立に、水素、本明細書に定義されているように置換されていてもよいＣ1からＣ6アルキル、トリフルオロメチルまたは任意に置換されていてもよいフェニルを表す。さらに好ましくは、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42は
存在する場合、それぞれ独立に、水素、非置換のＣ1からＣ6アルキルもしくは非置換のＣ1からＣ6アルキルまたはＯＲ19（ここでＲ19は水素または非置換のＣ1からＣ6アルキルを表す）から選択される１個または複数の置換基で任意に置換されていてもよいフェニルを表す。さらに好ましくは、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42は存在する場合、それぞれ独
立に、水素もしくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびシクロヘキシル、特にメチルなどの非置換のＣ1からＣ6アルキルを表す。さらに好ましくは、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42
は存在する場合、それぞれ独立に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびシクロヘキシル、特にメチルなどの非置換Ｃ1からＣ6アルキルを表す。
【００８３】
あるいは、またはそれに加えて、Ｒ1からＲ3、Ｒ4からＲ6、Ｒ7からＲ9、Ｒ10からＲ12、Ｒ13からＲ15、Ｒ16からＲ18、Ｒ31からＲ33、Ｒ34からＲ36、Ｒ37からＲ39またはＲ40からＲ42のいずれか１つまたは複数は（存在する場合）、これらが結合している炭素原子と一緒になってそれぞれ、１−ノルボルニルまたは１−ノルボルナジエニルなどの環式アルキル構造を形成してもよい。
【００８４】
あるいは、またはそれに加えて、Ｒ1およびＲ2、Ｒ4およびＲ5、Ｒ7およびＲ8、Ｒ10およびＲ11、Ｒ13およびＲ14、Ｒ16およびＲ17、Ｒ31およびＲ32、Ｒ34およびＲ35、Ｒ37およびＲ38もしくはＲ40およびＲ41基は（存在する場合）、これらが結合している炭素原子と一緒になって独立に、環式アルキル構造、好ましくは、シクロヘキシルおよびシクロペンチルなどのＣ5からＣ7環式アルキル構造を形成してもよく、Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ12、Ｒ15、Ｒ18、Ｒ33、Ｒ36、Ｒ39およびＲ42は（存在する場合）それぞれ独立に、水素、上述
で定義された低級アルキル、トリフルオロメチルまたはアリール、特に非置換のＣ1から
Ｃ6アルキルおよび水素、特に非置換のＣ1からＣ6アルキルを表す。
【００８５】
特に好ましい実施形態では、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42はそれぞれ存在する場合
、水素を表さない。適切には、このような配置手段Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5は、そ
れぞれ水素原子を担持していないＸ1からＸ10の炭素原子に結合している。
【００８６】
好ましくは、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ13、Ｒ16、Ｒ31、Ｒ34、Ｒ37およびＲ40は（存
在する場合）それぞれ、本明細書の定義と同様の置換基を表し；Ｒ2、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ11、
Ｒ14、Ｒ17、Ｒ32、Ｒ35、Ｒ38およびＲ41は（存在する場合）それぞれ、本明細書の定義と同様の置換基を表し；Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ12、Ｒ15、Ｒ18、Ｒ33、Ｒ36、Ｒ39およびＲ42は（存在する場合）それぞれ、本明細書の定義と同様の置換基を表す。さらに好ましく
は、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ13、Ｒ16、Ｒ31、Ｒ34、Ｒ37およびＲ40は（存在する場合
）それぞれ、Ｃ1−Ｃ6アルキル、特に非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルまたはシクロヘキシルまたはトリフルオロメチルを表し；Ｒ2、Ｒ5、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ14、Ｒ17、Ｒ32、Ｒ35、Ｒ38およびＲ41は（存在する場合）それぞれ独立に、上述
と同様に定義されるＣ1−Ｃ6アルキルまたはトリフルオロメチルを表し；Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9
、Ｒ12、Ｒ15、Ｒ18、Ｒ33、Ｒ36、Ｒ39およびＲ42は（存在する場合）それぞれ、上述と同様に定義されるＣ1−Ｃ6アルキルまたはトリフルオロメチルを表す。例えば、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ13およびＲ16は（存在する場合）それぞれ、メチルを表し；Ｒ2、Ｒ5、
Ｒ8、Ｒ11、Ｒ14およびＲ17はそれぞれ、エチル（存在する場合）を表し；Ｒ3、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ12、Ｒ15およびＲ18は（存在する場合）それぞれ、ｎ−ブチルまたはｎ−ペンチルを表す。
【００８７】
特に好ましい実施形態では、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42基はそれぞれ（存在する
場合）、本明細書に定義される置換基を表す。好ましくは、Ｒ1からＲ18およびＲ31から
Ｒ42基は、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、特に非置換のＣ1−Ｃ6アルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびシクロヘキシルまたはトリフルオロメチルを表す。最も好ましくは、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42基はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチル
を表す。
【００８８】
本明細書で使用する場合、アダマンチルとの用語は、１位または２位でＱ1、Ｑ2、Ｑ3
、Ｑ4およびＱ5に結合していてもよいそれぞれアダマンチル基を意味する。トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシルは、適切にはＱ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5が１個
または２個のトリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基の１位または２位に結合し得るアダマンチル基のための分類名である。好ましくは、Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3
、Ｑ4およびＱ5は存在する場合、１個または複数のアダマンチル基の３級炭素に結合している。適切には、アダマンチル基が非置換のアダマンチルを表す場合、Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5は存在する場合、好ましくは、１個または複数のトリシクロ［３
．３．１．１．｛３，７｝］デシル基の１位に結合している。すなわち、アダマンチル基の炭素原子は、水素原子を担持しない。
【００８９】
アダマンチル基は任意選択で、水素原子の他に、低級アルキル、−ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、ハロ、ニトロ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、シアノ、アリール、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＣＦ3、−Ｐ（Ｒ56）Ｒ57、−ＰＯ（Ｒ58）（Ｒ59）、−ＰＯ3Ｈ2、−ＰＯ（ＯＲ60）（ＯＲ61）または−
ＳＯ3Ｒ62から選択される１個または複数の置換基を含み、ここで、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、低級アルキル、シアノおよびアリールは本明細書に定義され、Ｒ56からＲ62はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表す。
【００９０】
適切には、アダマンチル基が上述と同様に定義される１個または複数の置換基で置換されている場合、特に好ましい置換基には、非置換のＣ1−Ｃ8アルキル、−ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、フェニル、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、フルオロ、−ＳＯ3Ｈ、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、
−Ｐ（Ｒ56）Ｒ57、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26および−ＰＯ（Ｒ58）（Ｒ59）、−ＣＦ3
が含まれ、ここで、Ｒ19は、水素、非置換のＣ1−Ｃ8アルキルまたはフェニルを表し、Ｒ20、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26はそれぞれ独立に、水素または非置換のＣ1−Ｃ8アルキルを表し、Ｒ56からＲ53、Ｒ56はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ8アルキルまたはフェニルを表す。
【００９１】
適切には、アダマンチル基は、水素原子の他に、上述で定義された１０個までの置換基、好ましくは上述で定義された５個までの置換基、さらに好ましくは上述に定義した３個までの置換基を含んでもよい。適切には、アダマンチル基が水素原子の他に、本明細書に定義されている１個または複数の置換基を含む場合、好ましくは各置換基は同一である。好ましい置換基は、非置換のＣ1−Ｃ8アルキルおよびトリフルオロメチル、特に非置換のＣ1−Ｃ8アルキル、例えばメチルである。特に好ましいアダマンチル基は、水素原子のみを含む。すなわち、アダマンチル基は、置換されていない。
【００９２】
好ましくは、１個よりも多いアダマンチル基が式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、各アダマンチル基は同一である。
【００９３】
２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基とは、Ｘ1および
Ｘ2とそれらが結合しているＱ2との組合せにより生じる２−ホスファアダマンチル基、Ｘ3およびＸ4とそれらが結合しているＱ1との組合せにより生じる２−ホスファアダマンチ
ル基、Ｘ5およびＸ6とそれらが結合しているＱ3との組合せにより生じる２−ホスファア
ダマンチル基、Ｘ7およびＸ8とそれらが結合しているＱ4との組合せにより生じる２−ホ
スファアダマンチル基ならびにＸ9およびＸ10とそれらが結合しているＱ5との組合せにより生じる２−ホスファアダマンチル基を意味し、ここで、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5
は、その完全な部分をもたらすアダマンチル基の２位に位置し、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれリンを表す。
【００９４】
２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基（本明細書中では、２−ホスファ−アダマンチル基とも称される）は任意選択で、水素原子の他に、１個または複数の置換基を含んでもよい。適切な置換基には、アダマンチル基に関して本明細書で定義した置換基が含まれる。特に好ましい置換基には、低級アルキル、特に非置換のＣ1−Ｃ8アルキル、特にメチル、トリフルオロメチル、−ＯＲ19（ここでＲ19は本明細書で定義される）、特に非置換のＣ1−Ｃ8アルキルまたはアリールおよび４−ドデシルフェニルが含まれる。２−ホスファ−アダマンチル基が１個よりも多い置換基を含む場合には、好ましくは、各置換基は同一である。
【００９５】
好ましくは、２−ホスファアダマンチル基は、１、３、５または７位の１カ所または複数カ所で、本明細書で定義されている置換基で置換されている。最も好ましくは、２−ホスファ−アダマンチル基は、１、３および５位のそれぞれで置換されている。適切には、このような配置手段である２−ホスファ−アダマンチル基のリン原子は、水素原子を有さないアダマンチルスケルトン中の炭素原子に結合している。さらに好ましくは、２−ホスファ−アダマンチル基は、１、３，５および７位のそれぞれで置換されている。２−ホスファ−アダマンチル基が１個よりも多い置換基を含む場合、好ましくは、各置換基は同一である。特に好ましい置換基は、非置換のＣ1−Ｃ8アルキルおよびトリフルオロメチル、特にメチルなどの非置換のＣ1−Ｃ8アルキルである。
【００９６】
好ましくは、２−ホスファ−アダマンチル基は、２−ホスファ−アダマンチル骨格中に、２−リン原子以外の付加的なヘテロ原子を含む。適切な付加的なヘテロ原子には、酸素およびイオウ原子、特に酸素原子が含まれる。さらに好ましくは、２−ホスファ−アダマンチル基は、６、９および１０位に１個または複数の付加的なヘテロ原子を含む。さらに好ましくは、２−ホスファ−アダマンチル基は、６、９および１０位のそれぞれに付加的なヘテロ原子を含む。さらに好ましくは、２−ホスファ−アダマンチル基が２個またはそれ以上のヘテロ原子を２−ホスファ−アダマンチル骨格中に含む場合、付加的なヘテロ原子はそれぞれ同一である。本明細書に定義されている１個または複数の置換基で任意に置換されていてもよい特に好ましい２−ホスファ−アダマンチル基は、２−ホスファ−アダマンチル骨格の６、９および１０位のそれぞれに酸素原子を含む。
【００９７】
本明細書で定義される特に好ましい２−ホスファ−アダマンチル基には、２−ホスファ−１，３，５，７−テトラメチル−６，９，１０−トリオキソアダマンチル基、２−ホスファ−１，３，５−トリメチル−６，９，１０−トリオキソアダマンチル基、２−ホスファ−１，３，５，７−テトラ（トリフルオロメチル）−６，９，１０−トリオキソアダマンチル基および２−ホスファ−１，３，５−トリ（トリフルオロメチル）−６，９，１０−トリオキソアダマンチル基が含まれる。さらに好ましくは、２−ホスファ−アダマンチルは、２−ホスファ−１，３，５，７−テトラメチル−６，９，１０−トリオキソアダマンチル基または２−ホスファ−１，３，５−トリメチル−６，９，１０−トリオキソアダマンチル基から選択される。
【００９８】
好ましくは、１個よりも多い２−ホスファアダマンチル基が式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、各２−ホスファ−アダマンチル基は同一である。
【００９９】
用語「２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基」の本明細書の定義は、その基が式Ｉ中に存在する場合にも等しく当てはまるが、その場合には、式ＩＩＩ中のＸｎ、すなわち、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3．．．Ｘ10は、式Ｉ中ではＣＲｘＲｙＲｚ、
すなわち、ＣＲ1Ｒ2Ｒ3、．．．ＣＲ16Ｒ17Ｒ18と示される。
【０１００】
本明細書で使用する場合、コングレシルとの用語は、それぞれＱ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5に結合していてもよいコングレシル基（ジアマンチル基としても知られている）を
意味する。好ましくは、Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5は存在する場合、コン
グレシル基の３級炭素原子のいずれかに結合している。適切には、コングレシル基が非置換である場合、Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5は存在する場合、好ましくは、
１個または複数のコングレシル基の１位に結合している。
【０１０１】
コングレシル基は任意選択で、水素原子の他に、１個または複数の置換基を含んでもよい。適切な置換基には、アダマンチル基に関して本明細書中で定義された置換基が含まれる。特に好ましい置換基には、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル基、特に、メチルおよびトリフルオロメチルが含まれる。さらに好ましくは、コングレシル基は、非置換であり、水素原子のみを含む。
【０１０２】
好ましくは、１個よりも多いコングレシル基が、式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、各コングレシル基は同一である。
【０１０３】
好ましくは、式ＩＩＩａ、ＩＩＩｂ、ＩＩＩｃ、ＩＩＩｄまたはＩＩＩｅの１個または複数の環系が式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、Ｒ50からＲ53はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し、これらの基は、本明細書中で定義されているように置換および／またはターミネートされていてもよい。このような式ＩＩＩａからＩＩＩｅの環系の配置手段Ｑ2、Ｑ1、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれ、水素原子を担持してい
る炭素原子には結合していない。さらに好ましくは、Ｒ50からＲ53はそれぞれ独立に、任意に置換されていてもよいＣ1−Ｃ6アルキル、好ましくは非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＯＲ19（ここでＲ19は非置換のＣ1−Ｃ6アルキルを表す）で任意に置換されていてもよいフェニルもしくはトリフルオロメチルを表す。さらに好ましくは、Ｒ50からＲ53はそれぞれ独立に、本明細書に定義される同じ基、特に非置換Ｃ1
−Ｃ6アルキル、特にメチルを表す。
【０１０４】
好ましくは、式ＩＩＩａからＩＩＩｅの１個または複数の環系が式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、Ｒ49およびＲ54はそれぞれ独立に、任意に置換されていてもよいＣ1−Ｃ6アルキル、好ましくは非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＯＲ19（ここでＲ19は非置換のＣ1−Ｃ6アルキルを表す）で任意に置換されていてもよいフェニル、トリフルオロメチルまたは水素を表す。さらに好ましくは、Ｒ49およびＲ54は、本明細書に定義される同じ基、特に水素を表す。
【０１０５】
好ましくは、式ＩＩＩａからＩＩＩｅのうちの１個または複数の環系が式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、Ｙ1からＹ5は同一である。さらに好ましくは、Ｙ1からＹ5はそれぞれ、酸素を表す。好ましくは、式ＩＩＩａからＩＩＩｅの１個よりも多い環系が式ＩＩＩの化合物中に存在する場合、このような環系はそれぞれ、同一である。
【０１０６】
本発明の好ましい実施形態には、式中、
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はアダマンチルを表し、Ｘ3はＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はアダマンチルを表し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はコングレシルを表し、Ｘ3はＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はコングレシルを表し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系または２−ホスファ−アダ
マンチル基を形成し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はアダマンチルを表し、Ｘ3およびＸ4はそれら
が結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系または２−ホスファ−アダマンチ
ル基を形成し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はコングレシルを表し、Ｘ3およびＸ4はそれら
が結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系または２−ホスファ−アダマンチ
ル基を形成し；
Ｘ1からＸ4はそれぞれ独立に、アダマンチルを表し；
Ｘ1からＸ4はそれぞれ独立に、コングレシルを表し；
Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立に、アダマンチルを表し、Ｘ3およびＸ4はそれぞれ独立に、コングレシルを表し；
Ｘ1およびＸ3はそれぞれ独立に、アダマンチルを表し、Ｘ2およびＸ4はそれぞれ独立に、コングレシルを表し；
Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立に、アダマンチルを表し、Ｘ3は、ＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し；
Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立に、コングレシルを表し、Ｘ3は、ＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し；
Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立に、アダマンチルを表し、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系または２−ホスファ−アダマンチル基を形
成し；
Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立に、コングレシルを表し、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系または２−ホスファ−アダマンチル基を形
成し；
Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、式ＩＩＩａの環系を形成し
、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系を形成し
；
Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、２−ホスファ−アダマンチ
ル基を形成し、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、２−ホスファ
−アダマンチル基を形成する
ものが含まれる。
【０１０７】
本発明の特に好ましい実施形態には、式中、
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はアダマンチルを表し、Ｘ3はＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はアダマンチルを表し；
Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はコングレシルを表し、Ｘ3はＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はコングレシルを表し；
Ｘ1からＸ4はそれぞれ独立に、アダマンチルを表し；
Ｘ1からＸ4はそれぞれ独立に、コングレシルを表し；
Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、式ＩＩＩａの環系を形成し
、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系を形成し
；
Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、２−ホスファ−アダマンチ
ル基を形成し、Ｘ3およびＸ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、２−ホスファ
−アダマンチル基を形成する
ものが含まれる。
【０１０８】
式ＩＩＩの化合物中好ましくは、Ｘ1はＸ3と同一であり、Ｘ2はＸ4と同一である。さらに好ましくは、Ｘ1はＸ3と、さらに存在する場合にはＸ5、Ｘ7およびＸ9と同一であり、
Ｘ2は、Ｘ4と、さらに存在する場合にはＸ6、Ｘ8およびＸ10と同一である。最も好ましくは、Ｘ1からＸ4は、同一である。最も好ましくは、Ｘ1からＸ4は、存在する場合にはＸ6
からＸ10と同一である。
【０１０９】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、Ｘ1およびＸ2は同一の置換基を表し、Ｘ3およびＸ4は同一の置換基を表し、Ｘ5およびＸ6は（存在する場合）、同一の置換基を表し、Ｘ7お
よびＸ8は（存在する場合）、同一の置換基を表し、Ｘ9およびＸ10は（存在する場合）、同一の置換基を表す。
【０１１０】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、Ｋ1は、−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6、水素、低級アルキ
ル、−ＣＦ3、フェニルまたは低級アルキルフェニルを表す。さらに好ましくは、Ｋ1は−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6、水素、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、非置換のフェニル、トリフルオロメチルまたはＣ1−Ｃ6アルキルフェニルを表す。
【０１１１】
特に好ましい実施形態では、式ＩＩＩの化合物中のＫ1は、水素を表す。
【０１１２】
Ｋ1が水素を表さない別の実施形態では、Ｋ1は、−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表す。好ましくは、Ｘ5は、Ｘ3またはＸ1と同一であり、Ｘ6は、Ｘ2またはＸ4と同一である。さらに好ましくは、Ｘ5は、Ｘ3およびＸ1の両方と同一であり、Ｘ6は、Ｘ2およびＸ4の両方と同一である。さらに好ましくは、−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6は、−Ａ1−Ｑ2（Ｘ1）Ｘ2または−Ａ2−Ｑ1（Ｘ3）Ｘ4と同一である。
【０１１３】
最も好ましくは、−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6は、−Ａ1−Ｑ2（Ｘ1）Ｘ2および−Ａ2−Ｑ1（Ｘ3）Ｘ4の両方と同一である。
【０１１４】
さらに好ましくは、Ｋ1は、式ＩＩＩの化合物中、水素である。
【０１１５】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、Ｄ1は、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8、水素、低級アルキ
ル、ＣＦ3、フェニルまたは低級アルキルフェニルを表し、Ｅ1は、−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10、水素、低級アルキル、ＣＦ3、フェニルまたは低級アルキルフェニルを表すか、Ｄ1お
よびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素と一緒になって、任意に
置換されていてもよいフェニル環を形成する。さらに好ましくは、Ｄ1は、−Ａ4−Ｑ4（
Ｘ7）Ｘ8、水素、フェニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニル、非置換Ｃ1−Ｃ6アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルおよびヘキシルまたはＣＦ3を表し；
Ｅ1は、−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10、水素、フェニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニル、非置換Ｃ1−Ｃ6アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルおよびヘキシルまたはＣＦ3を表すか；Ｄ1およびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の
炭素原子と一緒になって、フェニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルフェニル、非置換Ｃ1−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択される１個または複数の基で任意に置換されていてもよいフェニ
ル環を形成する。
【０１１６】
適切には、Ｄ1およびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒になって、任意に置換されていてもよいフェニル環を形成し、金属Ｍまたはそのカチオンは、インデニル環系に結合している。
【０１１７】
特に好ましい実施形態では、式ＩＩＩの化合物中のＤ1は、水素を表す。
【０１１８】
Ｄ1が水素を表さない別の実施形態では、Ｄ1は、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表す。好ましくは、Ｘ8は、Ｘ4またはＸ2と同一であり、Ｘ7は、Ｘ1またはＸ3と同一である。さらに好ましくは、Ｘ8は、Ｘ4およびＸ2の両方と同一であり、Ｘ7は、Ｘ1およびＸ3の両方と同一である。さらに一層好ましくは、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8は、−Ａ1−Ｑ2（Ｘ1）Ｘ2または−Ａ2−Ｑ1（Ｘ3）Ｘ4と同一である。最も好ましくは、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8は、存在する場合には−Ａ2−Ｑ1（Ｘ3）Ｘ4および−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6の両方と同一である。
【０１１９】
特に好ましい実施形態では、式ＩＩＩの化合物中のＥ1は、水素を表す。
【０１２０】
Ｅ1が水素を表さない別の実施形態では、Ｅ1は、−Ａ4−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表す。好ま
しくは、Ｘ10は、Ｘ4またはＸ2と同一であり、Ｘ9は、Ｘ1またはＸ3と同一である。さら
に好ましくは、Ｘ10は、Ｘ4およびＸ2の両方と同一であり、Ｘ9は、Ｘ1およびＸ3の両方
と同一である。さらに一層好ましくは、−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10は、−Ａ1−Ｑ2（Ｘ1）Ｘ2または−Ａ2−Ｑ1（Ｘ3）Ｘ4と同一である。さらに好ましくは、−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10は、存在する場合には−Ａ1−Ｑ2（Ｘ1）Ｘ2および−Ａ2−Ｑ1（Ｘ3）Ｘ4と、存在する場合には、−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6および−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8との両方である。
【０１２１】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、式中のＤ1およびＥ1が、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に任意に置換されていてもよいフェニル環を形成しない場合、Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は同一の置換基を表す。
【０１２２】
他の好ましい実施形態では、Ｄ1およびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素と一緒に、非置換のフェニル環を形成する。
【０１２３】
式ＩＩＩの化合物の特に好ましい実施形態には、式中：
Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は、本明細書の定義と同一の置換基を表し、特に、Ｋ1、Ｄ1および
Ｅ1は、水素を表し；
Ｋ1は、水素を表し、Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環
の炭素と一緒になって、非置換のフェニル環を形成し；
Ｋ1は、本明細書で定義されている−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、Ｄ1およびＥ1は両方
とも、Ｈを表し；
Ｋ1は、本明細書で定義されている−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、Ｄ1およびＥ1はそれ
らが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
Ｋ1は、−Ａ3−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、Ｄ1は、−Ａ4−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表し、Ｅ1は、
−Ａ5−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表す
ものが含まれる。
【０１２４】
式ＩＩＩの特に好ましい化合物には、Ｄ1およびＥ1が両方とも、水素を表すか、Ｄ1お
よびＥ1がそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換の
フェニル環を形成するもの、特に、Ｄ1およびＥ1が両方とも、水素を表す化合物が含まれる。
【０１２５】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在す
る場合）は、それぞれ独立に、本明細書で定義されているように、例えば低級アルキル基で任意に置換されていてもよいＣ1からＣ6アルキレンを表す。適切には、Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在する場合）は、キラル炭素原子を含みうる。好ましくは
、Ａ1からＡ5が表しうる低級アルキレン基は、非置換である。独立にＡ1からＡ5が表しうる特に好ましい低級アルキレンは、−ＣＨ2−または−Ｃ2Ｈ4−である。さらに好ましく
は、Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在する場合）はそれぞれ、本明細書で
定義される同じ低級アルキレン、特に−ＣＨ2−を表す。
【０１２６】
式ＩＩＩの化合物では、好ましくは、Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5（存在
する場合）は、同じである。さらに好ましくは、Ｑ1およびＱ2ならびにＱ3、Ｑ4およびＱ5（存在する場合）は、リンを表す。
【０１２７】
当業者であれば、式ＩＩＩの化合物は、本発明の触媒系を形成する際に、ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族金属またはその化合物と配位する配位子として機能しうることを理解されるであろう。通常、ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族金属またはその化合物は、式ＩＩＩの化合物の１個または複数のリン、ヒ素および／またはアンチモン原子に配位する。式ＩＩＩの化合物は一般には、「メタロセン」とも称されうることは理解されるであろう。
【０１２８】
適切には、ｎ＝１であり、Ｌ1が任意に置換されていてもよいシクロペンタジエニルま
たはインデニル基を表す場合、式ＩＩＩの化合物は、２個のシクロペンタジエニル環、２個のインデニル環もしくは１個のインデニルおよび１個のシクロペンタジエニル環を含んでもよい（これらの環系はそれぞれ、本明細書に記載されているように任意に置換されていてもよい）。このような化合物は、金属Ｍまたはその金属カチオンが、２個の環系にサンドウィッチされているので、「サンドウィッチ化合物」とも称される。個々のシクロペンタジエニルおよび／またはインデニル環系は、相互に実質的に共平面であってよいか、相互に傾斜していてもよい（一般には、ベントメタロセン（ｂｅｎｔ  ｍｅｔａｌｌｏｃｅｎｅ）と称される）。
【０１２９】
あるいは、ｎ＝１であり、Ｌ1がアリールを表す場合、本発明の化合物は、１個のシク
ロペンタジエニルまたは１個のインデニル環（これらの環系はそれぞれ、本明細書に記載されているように任意に置換されていてもよい）および本明細書に定義されているように
任意に置換されていてもよい１個のアリール環を含んでもよい。適切には、ｎ＝１であり、Ｌ1がアリールを表す場合、本明細書に定義されているような式ＩＩＩの化合物の金属
Ｍは通常、金属カチオンの形態である。
【０１３０】
本発明の特に好ましい実施形態では、式ＩＩＩの化合物中、ｎ＝１であり、Ｌ1は本明
細書と同様に定義され、ｍ＝０である。
【０１３１】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、ｎ＝１であり、Ｌ1は、シクロペンタジエニル、イ
ンデニルまたはアリール環を表し、ここで、これらの環はそれぞれ、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、−ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、−ＣＦ3またはフェロセニル（これは、Ｌ1が表しうるシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリール環がフェロセニル基のシクロペンタジエニル環に直接結合していることを意味する）から選択される１個または複数の置換基で任意に置換されていてもよく、ここで、Ｒ19からＲ30は本明細書で定義されるのと同様である。さらに好ましくは、Ｌ1が表しうるシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリール環が置
換されている場合、これらは好ましくは、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、ハロ、シアノ、−ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24から選択される１個または複数の置換基で置換されており、ここで、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24はそれぞれ独立に、水素またはＣ1−Ｃ6アルキルを表す。さらに好ましくは、Ｌ1が表しうるシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリール環が置換されて
いる場合、これらは好ましくは、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルから選択される１個または複数の置換基で置換されている。
【０１３２】
好ましくは、ｎ＝１である場合、Ｌ1は、本明細書に定義されているように任意に置換
されていてもよいシクロペンタジエニル、インデニル、フェニルまたはナフチルを表す。好ましくは、シクロペンタジエニル、インデニル、フェニルまたはナフチル基は非置換である。さらに好ましくは、Ｌ1は、シクロペンタジエニル、インデニルまたはフェニルを
表し、これらの環はそれぞれ、非置換である。最も好ましくは、Ｌ1は、非置換のシクロ
ペンタジエニルを表す。
【０１３３】
あるいは、ｎ＝０である場合、本発明の化合物は、シクロペンタジエニルまたはインデニル環のみを含む（これらの環系はそれぞれ、本明細書の記載と同様に任意に置換されていてもよい）。このような化合物は、「ハーフサンドウィッチ化合物」とも称される。好ましくは、ｎ＝０である場合、ｍは１から５を表して、式ＩＩＩの化合物の金属Ｍは、１８の電子数を有する。言い換えると、式ＩＩＩの化合物の金属Ｍが鉄である場合、配位子Ｌ2により与えられる電子の総数は、通常、５個である。
【０１３４】
本発明の特に好ましい他の実施形態では、式ＩＩＩの化合物中、ｎ＝０であり、Ｌ2は
本明細書と同様に定義され、ｍ＝３または４、特に３である。
【０１３５】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、ｎが０に等しく、ｍが０に等しくない場合、Ｌ2は
、１個または複数の配位子を表し、これらはそれぞれ独立に、低級アルキル、ハロ、−ＣＯ、−Ｐ（Ｒ43）（Ｒ44）Ｒ45または−Ｎ（Ｒ46）（Ｒ47）Ｒ48から選択される。
【０１３６】
さらに好ましくは、Ｌ2は、非置換のＣ1からＣ4アルキル、ハロ、特にクロロ、−ＣＯ
、−Ｐ（Ｒ43）（Ｒ44）Ｒ45または−Ｎ（Ｒ46）（Ｒ47）Ｒ48からそれぞれ独立に選択される１個または複数の配位子を表し、ここで、Ｒ43からＲ48は独立に、水素、非置換のＣ1からＣ6アルキルまたはアリール、例えばフェニルから選択される。
【０１３７】
適切には、式ＩＩＩの化合物中の金属Ｍまたはその金属カチオンは通常、シクロペンタジエニル環、存在する場合にはインデニル環のシクロペンタジエニル部分、存在する場合にはアリール環および／または存在する場合には配位子Ｌ2に結合している。通常、シク
ロペンタジエニル環またはインデニル環のシクロペンタジエニル部分は、金属とペンタハプト結合形態を示すが；シクロペンタジエニル環またはインデニル環のシクロペンタジエニル部分と金属との他の結合形態、例えば、トリハプト配位も、本発明の範囲内に包含される。
【０１３８】
さらに好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、ｎ＝１、ｍ＝０であり、Ｌ1は、本明細書に
定義され、特に非置換のシクロペンタジエニルである。
【０１３９】
好ましくは、Ｍは、ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族金属を表す。言い換えると、金属Ｍの全電子数は、１８である。
【０１４０】
好ましくは、式ＩＩＩの化合物中、Ｍは、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＣｏまたはＲｕもしくはこれらの金属カチオンを表す。さらに好ましくは、Ｍは、Ｃｒ、Ｆｅ、ＣｏまたはＲｕもしくはこれらの金属カチオンを表す。最も好ましくは、Ｍは、ＶＩＩＩＢ族金属またはこれらの金属カチオンから選択される。特に好ましいＶＩＩＩＢ族金属は、Ｆｅである。本明細書に定義されているような金属Ｍは、カチオンの形態であってもよく、好ましくはこれは、本明細書で定義されているＬ1および／またはＬ2との配位により、残留電荷を実質的に有さない。
【０１４１】
式ＩＩＩの特に好ましい化合物には、式中：
（１）Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣ
Ｒ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、ここで、Ｒ1からＲ12
はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ1からＲ12は同一であり、特に、Ｒ1からＲ12はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は同じで、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し
；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２）Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣ
Ｒ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、Ｋ1は−ＣＨ2−Ｑ3（
Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5はＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）を表し、Ｘ6はＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表し、ここで、Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまた
はトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ1からＲ18は同一であり、特に、Ｒ1からＲ18はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は同じで、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（３）Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣ
Ｒ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、Ｋ1は−ＣＨ2−Ｑ3（
Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5はＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）を表し、Ｘ6はＣＲ16（Ｒ17）（
Ｒ18）を表し、ここで、Ｒ1からＲ18はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまた
はトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ1からＲ18はそれぞれ同一であり、特に、Ｒ1からＲ18はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（４）Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣ
Ｒ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、ここで、Ｒ1からＲ12
はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ1からＲ12はそれぞれ同一であり、特に、Ｒ1からＲ12はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じで、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
Ｋ1は水素またはＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
Ｄ1およびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（５）Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣ
Ｒ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、Ｅ1は−ＣＨ2−Ｑ5（
Ｘ9）Ｘ10を表し、ここで、Ｘ9はＣＲ37（Ｒ38）（Ｒ39）を表し、Ｘ10はＣＲ40（Ｒ41）（Ｒ42）を表し；Ｒ1からＲ12およびＲ37からＲ42はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6
アルキルまたはトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ1からＲ12およびＲ37からＲ42はそ
れぞれ同一であり、特に、Ｒ1からＲ12およびＲ37からＲ42はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ5はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＫ1は同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（６）Ｘ1はＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）を表し、Ｘ2はＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ3はＣ
Ｒ7（Ｒ8）（Ｒ9）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、Ｋ1は−ＣＨ2−Ｑ3（
Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5はＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）を表し、Ｘ6はＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表し；Ｄ1は−ＣＨ2−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表し、ここで、Ｘ7は、ＣＲ31（Ｒ32）（Ｒ33）を表し、Ｘ8は、ＣＲ34（Ｒ35）（Ｒ36）を表し；Ｅ1は、−ＣＨ2−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表し、ここで、Ｘ9は、ＣＲ37（Ｒ38）（Ｒ39）を表し、Ｘ10は、ＣＲ40（Ｒ41）（Ｒ42）を表し；Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アル
キルまたはトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42はそれぞ
れ同一であり、特に、Ｒ1からＲ18およびＲ31からＲ42はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6ア
ルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれ、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（７）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1からＸ4は同じアダマンチル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を
表し；
Ｑ1およびＱ2は両方ともリンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（８）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1からＸ4は同じアダマンチル基を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は独立にアダマンチル
を表し、特に、Ｘ1からＸ6は同じアダマンチル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（９）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1からＸ4は同じアダマンチル基を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は独立にアダマンチル
を表し、特に、Ｘ1からＸ6は同じアダマンチル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１０）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1からＸ4は同じアダマンチル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
Ｋ1は、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１１）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、アダマンチルを表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は独立に、アダマンチ
ルを表し；
Ｄ1は、−ＣＨ2−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表し、ここで、Ｘ7およびＸ8は独立に、アダマンチ
ルを表し；
Ｅ1は、−ＣＨ2−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表し、ここで、Ｘ9およびＸ10は独立に、アダマン
チルを表し、ここで、Ｘ1からＸ10は同じアダマンチル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれ、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１２）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、２−ホスファ−アダマ
ンチルを表し；
Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを
表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は同じで、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し
；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１３）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、２−ホスファ−アダマ
ンチルを表し；
Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを
表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は、それらが結合して
いるＱ3と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は同じで、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１４）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、２−ホスファ−アダマ
ンチルを表し；
Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを
表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は、それらが結合して
いるＱ3と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１５）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、２−ホスファ−アダマ
ンチルを表し；
Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを
表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
Ｋ1は、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１６）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、２−ホスファ−アダマ
ンチルを表し；
Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、２−ホスファ−アダマンチルを
表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は、それらが結合して
いるＱ3と一緒に、２−ホスファアダマンチルを表し；
Ｄ1は、−ＣＨ2−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表し、ここで、Ｘ7およびＸ8は、それらが結合して
いるＱ4と一緒に、２−ホスファアダマンチルを表し；
Ｅ1は、−ＣＨ2−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表し、ここで、Ｘ9およびＸ10は、それらが結合し
ているＱ5と一緒に、２−ホスファアダマンチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれ、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１７）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、式ＩＩＩａの環系を形
成し、Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、式ＩＩＩｂの環系を形成し
、ここで、Ｙ1およびＹ2は両方とも、酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1
−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ1、Ｄ1、Ｅ1は同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し
；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニル（ｐ
ｕｃと称される）を表し、ｍ＝０であるもの
（１８）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、式ＩＩＩａの環系を形
成し、Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、式ＩＩＩｂの環系を形成し
、ここで、Ｙ1およびＹ2は両方とも、酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1
−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は、それらが結合して
いるＱ3と一緒に、式ＩＩＩｃの環系を形成し、ここで、Ｙ3は酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、水素、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54
は水素を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は同じで、水素またはＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（１９）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、式ＩＩＩａの環系を形
成し、Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、式ＩＩＩｂの環系を形成し
、ここで、Ｙ1およびＹ2は両方とも、酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1
−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は、それらが結合して
いるＱ3と一緒に、式ＩＩＩｃの環系を形成し、ここで、Ｙ3は酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素
を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２０）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、式ＩＩＩａの環系を形
成し、Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、式ＩＩＩｂの環系を形成し
、ここで、Ｙ1およびＹ2は両方とも、酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1
−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
Ｋ1は、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
Ｄ1およびＥ1はそれらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２１）Ｘ1およびＸ2は、それらが結合しているＱ2と一緒に、式ＩＩＩａの環系を形
成し、Ｘ3およびＸ4は、それらが結合しているＱ1と一緒に、式ＩＩＩｂの環系を形成し
、ここで、Ｙ1およびＹ2は両方とも、酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1
−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は、それらが結合して
いるＱ3と一緒に、式ＩＩＩｃの環系を形成し、ここで、Ｙ3は酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素
を表し；
Ｄ1は、−ＣＨ2−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表し、ここで、Ｘ7およびＸ8は、それらが結合して
いるＱ4と一緒に、式ＩＩＩｃの環系を形成し、ここで、Ｙ3は酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水素
を表し；
Ｅ1は、−ＣＨ2−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表し、ここで、Ｘ9およびＸ10は、それらが結合し
ているＱ5と一緒に、式ＩＩＩｅの環系を形成し、ここで、Ｙ5は酸素を表し、Ｒ50からＲ53は独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはＣＦ3から選択され、Ｒ49およびＲ54は水
素を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれ、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２２）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、コングレシルを表し、特にＸ1からＸ4は同じコングレシル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は、同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素
を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２３）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、コングレシルを表し、特にＸ1からＸ4は同じコングレシル基を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は独立に、コングレシ
ルを表し、特にＸ1からＸ6は、同じコングレシル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3それぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は、同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２４）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、コングレシルを表し、特にＸ1からＸ4は同じコングレシル基を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は独立に、コングレシ
ルを表し、特にＸ1からＸ6は、同じコングレシル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3それぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２５）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、コングレシルを表し、特にＸ1からＸ4は同じコングレシル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
Ｋ1は、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２６）Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は独立に、コングレシルを表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5およびＸ6は独立に、コングレシ
ル表し；
Ｄ1は、−ＣＨ2−Ｑ4（Ｘ7）Ｘ8を表し、ここで、Ｘ7およびＸ8は独立に、コングレシ
ルを表し；
Ｅ1は、−ＣＨ2−Ｑ5（Ｘ9）Ｘ10を表し、ここで、Ｘ9およびＸ10は独立に、コングレ
シルを表し、ここで、Ｘ1からＸ10は同じコングレシル基を表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4およびＱ5はそれぞれ、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２７）Ｘ1およびＸ3は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1およびＸ3は同じアダマンチル基を表し；
Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、ここで、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立に、Ｃ1−Ｃ6アルキルまたはトリ
フルオロメチルを表し、特に、Ｒ4からＲ6およびＲ10からＲ12はそれぞれ同じで、特に、Ｒ4からＲ6およびＲ10からＲ12はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｋ1、Ｄ1およびＥ1は、同じであり、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素
を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２８）Ｘ1およびＸ3は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1およびＸ3は同じアダマンチル基を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5はアダマンチルを表し、特に、Ｘ1、Ｘ3およびＸ5は同じアダマンチル基を表し；
Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、Ｘ6はＣＲ16（Ｒ1 7）（Ｒ18）を表し、ここで、Ｒ4からＲ6、Ｒ10からＲ12およびＲ16からＲ18は
それぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ4からＲ6、Ｒ10からＲ12およびＲ16からＲ18はそれぞれ同じで、特に、Ｒ4からＲ6、Ｒ10からＲ12およびＲ16からＲ18はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は同じであって、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（２９）Ｘ1およびＸ3は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1およびＸ3は同じアダマンチル基を表し；
Ｋ1は、−ＣＨ2−Ｑ3（Ｘ5）Ｘ6を表し、ここで、Ｘ5はアダマンチルを表し、特に、Ｘ1、Ｘ3およびＸ5は同じアダマンチル基を表し；
Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、Ｘ6はＣＲ16（Ｒ17）（Ｒ18）を表し、ここで、Ｒ4からＲ6、Ｒ10からＲ12およびＲ16からＲ18はそれぞれ独立に、非置換のＣ1−Ｃ6アルキルまたはトリフルオロメチルを表し、特に、Ｒ4
からＲ6、Ｒ10からＲ12およびＲ16からＲ18はそれぞれ同じで、特に、Ｒ4からＲ6、Ｒ10
からＲ12およびＲ16からＲ18はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ、リンを表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
（３０）Ｘ1およびＸ3は独立に、アダマンチルを表し、特に、Ｘ1およびＸ3は同じアダマンチル基を表し；
Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）を表し、Ｘ4はＣＲ10（Ｒ11）（Ｒ12）を表し、ここで、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立に、Ｃ1−Ｃ6アルキルまたはトリ
フルオロメチルを表し、特に、Ｒ4からＲ6、Ｒ10からＲ12はそれぞれ同じで、特に、Ｒ4
からＲ6およびＲ10からＲ12はそれぞれ、非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特にメチルを表し
；
Ａ1およびＡ2は同じであり、−ＣＨ2−を表し；
Ｑ1およびＱ2は両方とも、リンを表し；
Ｋ1は、水素または非置換のＣ1−Ｃ6アルキル、特に水素を表し；
Ｄ1およびＥ1は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒に、非置換のフェニル環を形成し；
ＭはＦｅを表し；
ｎ＝１であり、Ｌ1はシクロペンタジエニル、特に非置換のシクロペンタジエニルを表
し、ｍ＝０であるもの
が含まれる。
【０１４２】
この実施形態での二座配位子の非限定的で具体的な例には、次のものが含まれる：１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン、１−ヒドロキシメチル−２−ジメチルアミノメチルフェロセン、１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン、１−ヒドロキシメチル−２，３−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン、１，２，３−トリス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジ−イソ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジシクロペンチルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジエチルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス（ジ−イソプロピルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジメチルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−（ジ−（１，３，５，７−テトラメチル−６，９，１０−トリオキサ−２−ホスファ−アダマンチルメチル））フェロセン、１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン−ビスメチルヨウ化物、１，２−ビス（ジヒドロキシメチルホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス（ジホスフィノメチル）フェロセン、１，２−ビス−α，α−（Ｐ−（２，２，６，６，−テトラメチルホスフィナン−４−オン））ジメチルフェロセン、および１，２−ビス−（ジ−１，３，５，７−テトラメチル−６，９，１０−トリオキサ−２−ホスファ−アダマンチルメチル））ベンゼン。しかしながら、当業者であれば、本発明の範囲から逸脱せずに、他の二座配位子も考えられることを理解されるであろう。
【０１４３】
さらなる態様では、本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系を提供するが、この触媒系は：
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を含み、その際、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。
【０１４４】
疑義を回避するため、上述の形態および実施形態はすべて、この態様に等しく当てはめることができることを述べる。
【０１４５】
さらなる態様では、本発明は、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法を提供するが、これは、本発明の第１の態様で定義されているような本発明で定義されている触媒系の存在下で、エチレン系不飽和化合物と一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを接触させることを含む。好ましくは、この方法は、上述の工程を含む液相連続法である。しかしながら、この方法を好ましくは連続的に運転するが、バッチ運転も可能である。
【０１４６】
さらなる態様では、本発明は、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法を提供し、これは、触媒系の存在下で、エチレン系不飽和化合物と一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを接触させることを含み、この触媒系は、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を含み、その際、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。
【０１４７】
適切には、ヒドロキシル基含有化合物には、水またはヒドロキシル官能基を有する有機分子が含まれる。好ましくは、ヒドロキシル官能基を有する有機分子は、分枝鎖でも直鎖でもよく、アルカノール、特にアリールアルカノールを含むＣ1−Ｃ30アルカノールを包
含し、これらは、本明細書で定義されているような低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ28から選択される１個または複数の置換基で任意に置換されていてもよい。特に好ましいアルカノールは、メタノール、エタノール、プロパノール、イソ−プロパノール、イソ−ブタノール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ブタノール、フェノールおよびクロロカプリルアルコールなどのＣ1−Ｃ8アルカノールである。モノアルカノールが特に好ましいが、好ましくはジオールなどのジオクタオール、トリオール、テトラオールから選択されるポリアルカノールおよび糖を使用することもできる。通常、このようなポリアルカノールは、１，２−エタンジオール、１，３−プロパンジオール、グリセロール、１，２，４−ブタントリオール、２−（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、１，２，６−トリヒドロキシヘキサン、ペンタエリトリトール、１，１，１−トリ（ヒドロキシメチル）エタン、ナノース（ｎａｎｎｏｓｅ）、ソルベース、ガラクトースおよび他の糖から選択される。好ましい糖には、スクロース、フルクトースおよびグルコースが含まれる。特に好ましいアルカノールは、メタノールおよびエタノールである。最も好ましいアルカノールは、メタノールである。
【０１４８】
アルコールの量は、厳密ではない。通常、量は、カルボニル化されるべきエチレン系不飽和化合物の量に対して過剰に使用される。したがって、アルコールは、反応溶剤としても役立つが、望ましくは、別の溶剤を使用することもできる。
【０１４９】
反応の最終生成物は少なくとも部分的に、使用されたヒドロキシル基含有化合物の源により決定されることは理解されるであろう。ヒドロキシル基含有化合物として水が使用された場合には、最終生成物は、対応するカルボン酸であり、アルカノールが使用されると、対応するエステルが生じる。
【０１５０】
本発明の方法を、権利を請求されている範囲を上回るか、下回るモル比をもたらす成分を有する触媒系を用いて開始することもできるが、このような比は、反応経過の間に権利を請求されている上述の範囲内の値へと進む。
【０１５１】
触媒系内の成分を有効なレベルに維持するために、数種または全種の成分のさらなる量を加えて、触媒系に存在するこのような成分のレベルを本発明経過の間に変えることもできることは、勿論理解されるであろう。数種の触媒系の成分は、反応経過の間に系から除去されうるので、実際の触媒系内でのレベルを維持するために、レベルを補充する必要があることもある。
【０１５２】
上述のように、当業者であれば、本明細書に記載のホスフィンは、ＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族金属または化合物と、さらに存在する酸と配位して、錯体を形成する配位子として機能しうることは理解されるであろう。この錯体が、本発明において有効な触媒の役を
果たし、したがって、本明細書に定義されている触媒系の役を果たす。
【０１５３】
したがって、さらなる態様では、本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な錯体を提供し、この錯体は、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を組み合わせることにより得られ、その際、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。
【０１５４】
さらに他の態様では、本発明は、上述で定義された上述の錯体の存在下で、エチレン系不飽和化合物を、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物を用いてカルボニル化する方法を提供する。
【０１５５】
本発明による方法では、一酸化炭素を、純粋な形態で使用することもできるし、窒素、二酸化炭素またはアルゴンなどの希ガスなどの不活性ガスで希釈することもできる。通常は５％容量未満の少量の水素が存在してもよい。
【０１５６】
エチレン系不飽和化合物とヒドロキシル基含有化合物との比（容量／容量）は、広い範囲で変動してよく、適切には、１：０．１から１：１０、好ましくは２：１から１：２であり、さらに、ヒドロキシル基含有化合物が反応溶剤でもある場合には、ヒドロキシル基含有化合物の大規模な過剰まで、例えば、ヒドロキシル基含有化合物の５０：１過剰までである。
【０１５７】
エチレン系不飽和化合物と一酸化炭素とのモル比は好ましくは、１：１から１００：１、さらに好ましくは１：１を上回り、さらに好ましくは少なくとも３：１、特に、３：１から５０：１、さらに好ましくは、３：１から１５：１の範囲である。
【０１５８】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化方法で使用される本発明の触媒の量は、厳密ではない。好ましくは、ＶＩＢまたはＶＩＩＩＢ族金属の量がエチレン系不飽和化合物１モル当たり１０−7から１０−1、さらに好ましくはエチレン系不飽和化合物１モル当たり１０−6から１０−2、さらに好ましくは１０−5から１０−2モルの範囲内であると、良好な結果を得ることができる。好ましくは、不飽和化合物に対する式Ｉまたは式ＩＩＩの二座化合物の量は、エチレン系不飽和化合物１モル当たり１０−7から１０−1、さらに好ましくは１０−6から１０−2、さらに好ましくは１０−5から１０−2の範囲内である。
【０１５９】
適切には、本発明に必須ではないが、本明細書で定義されているエチレン系不飽和化合物のカルボニル化を、１種または複数の非プロトン溶剤中で行うことができる。適切な溶剤には、例えばメチルブチルケトンなどのケトン；例えばアニソール（メチルフェニルエーテル）、２，５，８−トリオオキサノナン（ジグリム）、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、ジイソプロピルエーテルおよびジエチレングリコールのジメチルエーテルなどのエーテル；例えば、酢酸メチル、アジピン酸ジメチル、安息香酸メチル、フタル酸ジメチルおよびブチロラクトンなどのエステル；例えば、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンおよびジメチルホルムアミドなどのアミド；例えばジメチルスルホキシド、ジ−イソプロピルスルフォン、スルホラン（テトラヒドロチオフェン−２，２−ジオキシド）、２−メチルスルホラン、ジエチルスルホン、テトラヒドロチオフェン１，１−ジオキシドおよび２−メチル−４−エチルスルホランなどのスルホキシドおよびスルホン；そのような化合物のハロ変異体を含む芳香族化合
物、例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン；そのような化合物のハロ変異体を含むアルカン、例えば、ヘキサン、ヘプタン、２，２，３−トリメチルペンタン、塩化メチレンおよび四塩化炭素；ニトリル、例えばベンゾニトリルおよびアセトニトリルが含まれる。
【０１６０】
２９８．１５Ｋおよび１×１０5Ｎｍ−2で５０未満、さらに好ましくは３から８の範囲の値である誘電率を有する非プロトン性溶剤が非常に適している。本明細書中、所定の溶剤に関する誘電率を、誘電体としての物質を備えたコンデンサーの容量と誘電体の代わりに真空を備えた同じコンデンサーの容量との比を表す通常の意味で使用する。一般的な有機液体の誘電率の値は通常、Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、第７６版、デビッド  アール  ライドら（Ｄａｖｉｄ  Ｒ．Ｌｉｄｅ  ｅｔ  ａｌ）編、ＣＲＣプレス（ＣＲＣ  ｐｒｅｓｓ）発行（１９９５年）などの参照文献で見ることができ、通常は、約２０℃または２５℃の温度で、すなわち約２９３．１５Ｋまたは２９８．１５Ｋおよび大気圧、すなわち約１×１０5Ｎｍ−2で算出されているか、算出された換算係数を使用して、その温度および圧力に容易に変換することができる。特定の化合物に関して文献データを利用することができない場合には、確立されている物理化学的方法を使用して、誘電率を容易に測定することができる。
【０１６１】
例えば、アニソールの誘電率は、４．３（２９４．２Ｋで）であり、ジエチルエーテルでは、４．３（２９３．２Ｋで）であり、スルホランでは、４３．４（３０３．２Ｋで）であり、ペンタン酸メチルでは、５．０（２９３．２Ｋで）であり、ジフェニルエーテルでは、３．７（２８３．２Ｋで）であり、アジピン酸ジメチルでは、６．８（２９３．２Ｋで）であり、テトラヒドロフランでは、７．５（２９５．２Ｋで）であり、ノナン酸メチルでは、３．９（２９３．２Ｋで）である。好ましい溶剤は、アニソールである。
【０１６２】
ヒドロキシル基含有化合物がアルカノールである場合、反応により、非プロトン性溶剤が生じるが、それというのも、エチレン系不飽和化合物、一酸化炭素およびアルカノールのエステルカルボニル化生成物は、非プロトン性溶剤であるためである。
【０１６３】
方法を、非プロトン性溶剤過剰で、すなわち、非プロトン性溶剤とヒドロキシル基含有化合物との少なくとも１：１の比（ｖ／ｖ）で実施することができる。好ましくは、この比は、１：１から１０：１、さらに好ましくは１：１から５：１の範囲である。さらに好ましくは、比（ｖ／ｖ）は、１．５：１から３：１の範囲である。
【０１６４】
上述にもかかわらず、反応を、外部から加えられた非プロトン性溶剤、すなわち反応自体により生じたのではない非プロトン溶剤の不在下に実施することが好ましい。
【０１６５】
本発明の触媒化合物は、「不均一系」触媒としても、「均一系」触媒としても作用しうる。
【０１６６】
「均一系」触媒との用語は、支持されてなく、好ましくは本明細書に記載の適切な溶剤中で、カルボニル化反応の反応成分（例えばエチレン系不飽和化合物、ヒドロキシル含有化合物および一酸化炭素）とその場で単に混合されるか、生じる触媒、すなわち本発明の化合物を意味している。
【０１６７】
「不均一系」触媒との用語は、支持体に支持されている触媒、すなわち本発明の化合物を意味する。
【０１６８】
したがって、さらなる態様では、本発明は、本明細書で定義されているエチレン系不飽
和化合物のカルボニル化方法を提供するが、この際、この方法を、支持体、好ましくは不溶性支持体を含む触媒を用いて実施する。
【０１６９】
好ましくは、支持体は、ポリオレフィン、ポリスチレンなどのポリマーまたはジビニルベンゼンコポリマーなどのポリスチレンコポリマーもしくは当業者に知られている他の適切なポリマーまたはコポリマー；官能化シリカ、シリコーンまたはシリコーンゴムなどのシリコーン誘導体；または例えば無機酸化物および無機塩化物などの他の多孔性粒子材料を包含する。
【０１７０】
好ましくは、支持体は、１０から７００ｍ2／ｇの範囲の表面積、０．１から４．０ｃ
ｃ／ｇの範囲の全空孔容量および１０から５００μｍの範囲の平均粒径を有する多孔性シリカである。さらに好ましくは、表面積は、５０から５００ｍ2／ｇの範囲内であり、空
孔容量は、０．５から２．５ｃｃ／ｇの範囲内であり、平均粒径は、２０から２００μｍの範囲内である。さらに望ましくは、表面積は、１００から４００ｍ2／ｇの範囲内であ
り、空孔容量は、０．８から３．０ｃｃ／ｇの範囲内であり、平均粒径は、３０から１００μｍの範囲内である。通常の多孔性支持体料の平均空孔サイズは、１０から１０００Åの範囲である。好ましくは、平均空孔直径５０から５００Å、さらに望ましくは７５から３５０Åを有する支持体を使用する。１００℃から８００℃の温度で、約３から２４時間、シリカを脱水することが、特に望ましい。
【０１７１】
適切には、支持体は、柔軟か、硬い支持体であってよく、不溶性支持体は、当業者によく知られている技術により本発明の方法の化合物でコーティングおよび／または含浸されている。
【０１７２】
あるいは、本発明の方法の化合物を、任意選択で共有結合を介して不溶性支持体の表面に固定するが、この配置は、化合物と不溶性支持体との間にスペースを設けるための二官能性スペーサー分子を含んでもよい。
【０１７３】
式ＩまたはＩＩＩの化合物に存在する官能基、例えば、アリール部分の置換基Ｋ、Ｄ、ＺおよびＥ（またはＫ1、Ｄ1およびＥ1）と支持体に存在するか、それに予め挿入されて
いる相補的反応基との反応を促進することにより、本発明の化合物を不溶性支持体の表面に固定することができる。支持体の反応基と本発明の化合物の相補的置換基との組合せにより、本発明の化合物および支持体がエーテル、エステル、アミド、アミン、尿素、ケト基などの結合を介して結合している不均一系触媒が生じる。
【０１７４】
本発明の方法の化合物と支持体とを結合させるための反応条件の選択は、エチレン系不飽和化合物および支持体の群に左右される。例えば、カルボジイミド、１，１’−カルボニルジイミダゾールなどの反応試薬ならびに混合無水物の使用、還元的アミノ化などの方法を使用することができる。
【０１７５】
他の態様では、本発明は、支持体に触媒が結合している本発明の態様の方法の使用を提供する。
【０１７６】
簡便には、本明細書に定義されているＶＩＢまたはＶＩＩＩＢ族金属またはそれらの化合物を、上述のヒドロキシル基含有化合物または非プロトン性溶剤のいずれかなどの適切な溶剤に溶かし（特に好ましい溶剤は、特定のカルボニル化反応のエステルまたは酸生成物、例えば、エチレンカルボニル化ではプロピオン酸メチルであろう）、続いて、本明細書に定義されている式ＩまたはＩＩＩの化合物および酸と混合することにより、本発明の方法を実施することができる。
【０１７７】
一酸化炭素を、反応中で不活性な他のガスの存在下で使用することもできる。このようなガスの例には、水素、窒素、二酸化炭素およびアルゴンなどの希ガスが含まれる。
【０１７８】
式ＩまたはＩＩＩの化合物と組み合わせることができる適切なＶＩＢまたはＶＩＩＩＢ族金属またはその化合物には、コバルト、ニッケル、パラジウム、ロジウム、白金、クロム、モリブデンおよびタングステンが含まれ、好ましくは、コバルト、ニッケル、パラジウム、ロジウムおよび白金が含まれる。好ましくは、成分ａ）は、ＶＩＩＩＢ族金属またはそれらの化合物である。好ましくは、金属は、パラジウムなどのＶＩＩＩＢ族金属である。好ましくは、ＶＩＩＩＢ族金属は、パラジウムまたはその化合物である。したがって、成分ａ）は好ましくは、パラジウムまたはその化合物である。このようなＶＩＢまたはＶＩＩＩＢ族金属の適切な化合物には、このような金属と、硝酸；硫酸；酢酸およびプロピオン酸などの低級アルカン（Ｃ12まで）酸；メタンスルホン酸、クロロスルホン酸、フルオロスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、例えばｐ−トルエンスルホン酸、ｔ−ブチルスルホン酸および２−ヒドロキシプロパンスルホン酸などのスルホン酸；スルホン化イオン交換樹脂；過塩素酸などの過ハロゲン酸；トリクロロ酢酸およびトリフルオロ酢酸などのハロゲン化カルボン酸；オルトリン酸；ベンゼンホスホン酸などのホスホン酸；ならびにルイス酸とブレンステッド酸との相互作用に由来する酸との塩またはこれらに由来する弱配位アニオンを有する化合物が含まれる。適切なアニオンを提供しうる他の源には、ハロゲン化されていてもよいホウ酸テトラフェニル誘導体、例えば、ホウ酸ペルフルオロテトラフェニルが含まれる。加えて、０価パラジウム錯体、特に、不安定な配位子、例えばトリフェニルホスフィンもしくはジベンジリデンアセトンまたはスチレンなどのアルケンを伴うもの、例えば、トリ（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを使用することもできる。しかしながら、上述のものなどのアニオンの他の源が存在する場合にも、上述の触媒系には、酸が存在する。
【０１７９】
したがって、酸は、１８℃で水溶液中で測定して、４未満、さらに好ましくは３未満、最も好ましくは２未満のｐＫａを有する酸から選択される。適切な酸には、上述で挙げた酸が含まれる。好ましくは、酸は、カルボン酸ではなく、さらに好ましくは、酸は、スルホン酸であるか、過塩素酸、リン酸、メチルホスホン酸、硫酸およびスルホン酸からなるリストから選択されるものなどの数種の他の非カルボン酸であり、さらに好ましくは、水溶液中１８℃で測定して、２未満のｐＫａを有するスルホン酸または他の非カルボン酸（上述のリストから選択される）、一層好ましくは、水溶液中１８℃で測定して２未満のｐＫａを有するスルホン酸であり、さらに一層好ましくは、酸は、次のスルホン酸：メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｔ−ブタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−２−スルホン酸および２，４，６−トリメチルベンゼンスルホン酸からなるリストから選択され、最も好ましくは、酸は、メタンスルホン酸である。
【０１８０】
上述のように、本発明の触媒系は、均一系または不均一系で使用することができる。好ましくは、触媒系を均一系で使用する。
【０１８１】
本発明の触媒系を好ましくは、１種または複数の反応成分または適切な溶剤の使用により生じうる液相中で構成する。
【０１８２】
反応で使用されるエチレン系不飽和化合物の量とヒドロキシル提供化合物の量とのモル比は、厳密ではなく、幅広い範囲で、例えば０．００１：１から１００：１モル／モルまで変動してよい。
【０１８３】
本発明の配位子を使用するカルボニル化反応の生成物を、任意の適切な手段により、他
の成分から分離することができる。しかしながら、著しく少ない副産物しか生じないので、生成物の当初分離の後にさらに精製する必要性が低いことが、本方法の利点であり、このことは、通常は著しく高い選択性によって証明され得る。他の利点は、触媒系を含む他の成分を、新規の触媒を最少量補充すれば、さらなる反応に再利用および／または再使用することができることである。
【０１８４】
好ましくは、カルボニル化を−１０から１５０℃、さらに好ましくは０℃から１４０℃、さらに一層好ましくは１５℃から１４０℃、最も好ましくは２０℃から１２０℃の温度で実施する。特に好ましい温度は、８０℃から１２０℃の間で選択される温度である。有利には、カルボニル化を、中温で実施することができ、室温（２０℃）で反応を実施することができることは、特に有利である。
【０１８５】
好ましくは、低温カルボニル化を運転する場合、カルボニル化を、−３０℃から４９℃、さらに好ましくは−１０℃から４５℃、さらにより好ましくは０℃から４５℃、さらに一層好ましくは１０℃から４５℃、最も好ましくは１５℃から４５℃で実施する。１５から３５℃の範囲が、特に好ましい。
【０１８６】
好ましくは、カルボニル化を０．８０×１０5Ｎ．ｍ−2−９０×１０5Ｎ．ｍ−2、さらに好ましくは１×１０5Ｎ．ｍ−2−６５×１０5Ｎ．ｍ−2、最も好ましくは１−３０×１０5Ｎ．ｍ−2のＣＯ分圧で実施する。５から２０×１０5Ｎ．ｍ−2のＣＯ分圧が特に好ましい。
【０１８７】
好ましくは、低圧カルボニル化も考えられる。好ましくは、低圧カルボニル化を運転する場合には、カルボニル化を０．１から５×１０5Ｎ．ｍ−2、さらに好ましくは０．２から２×１０5Ｎ．ｍ−2、最も好ましくは０．５から１．５×１０5Ｎ．ｍ−2のＣＯ分圧で実施する。
【０１８８】
エチレン系不飽和化合物は、上述の「アリール」基に関して上述で定義された基で任意に置換されていてもよいし、非置換であってもよい。特に適切な置換基には、アルキルおよびアリール基、さらに、ハリド、イオウ、リン、酸素および窒素などのヘテロ原子を含む基が含まれる。置換基の例には、クロリド、ブロミド、ヨージドおよびヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、アミノ、アミド、ニトロ、シアノ、チオールまたはチオアルコキシ基が含まれる。適切なエチレン系不飽和化合物には、直鎖または分枝鎖、環式または非環式または部分環式であってよく、二重結合が炭素鎖のどの適切な位置を占めてもよく、その立体異性体のすべてを含むＣ30までの、すなわち炭素原子２から３０個を有するエテン、プロペン、ヘキセン、酢酸ビニルなどのビニル化合物、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセンなどが含まれる。
【０１８９】
さらに、不飽和化合物は、１個または複数の不飽和結合を有してもよく、したがって例えば、エチレン系不飽和化合物の範囲は、ジエンにまで及ぶ。不飽和結合は、中間でも末端でもよいが、本発明の触媒系は、内部オレフィンの変換において特に有利である。
【０１９０】
エテン、プロペン、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン、ペンテン、ヘキセン、オクテン、例えばオクテ−２−エン、オクテ−３−エン、オクテ−４−エン、デセンおよびドデセン、トリイソブチレン、トリプロピレン、内部Ｃ14オレフィンおよび内部Ｃ15−Ｃ18オレフィン、１，５−シクロオクタジエン、シクロドデセン、ペンテン酸メチルおよびペンテンニトリル、例えばペンテ−２−エンニトリルなどの、１分子当たり２から２２個の炭素原子を有するオレフィンが、特に好ましい。
【０１９１】
エチレン系不飽和化合物は好ましくは、１分子当たり１から３個の炭素−炭素二重結合
を有するアルケンである。適切なジエンの非限定的な例には、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、１，５−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエン、２，４−ヘプタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、特に１，３−ブタジエンが含まれる。
【０１９２】
不飽和化合物の他の好ましいカテゴリーは、カルボン酸の不飽和エステルおよび不飽和カルボン酸のエステルからなる。例えば、出発原料は、酢酸またはプロパン酸などのカルボン酸のビニルエステルであってよいし、アクリル酸またはメタクリル酸のメチルまたはエチルエステルなどの不飽和酸のアルキルエステルであってよい。
【０１９３】
不飽和化合物の他の好ましいカテゴリーは、通常はカルボニル化を拒否するシクロアルカジエンからなる。例えば、ポリマー反応においてモノマーとして後で使用することができるジエステル、ジアミドまたは二酸を得るためには、出発原料は、ジシクロペンタジエンまたはノルボルナジエンであってよい。
【０１９４】
触媒系と共に、安定化化合物を使用することも、触媒系から失われていく金属の回収を改善する際に有利でありうる。触媒系を液体反応媒質中で使用する場合には、このような安定化化合物は、ＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属の回収を促進しうる。
【０１９５】
したがって好ましくは、触媒系は、液体反応媒質中に、液体担体に溶解したポリマー分散剤を含み、この際、上述のポリマー分散剤は、触媒系のＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属または金属化合物の粒子のコロイド懸濁液を液体担体内で安定化しうる。
【０１９６】
液体反応媒質は、反応のための溶剤であってもよいし、１種または複数の反応成分または反応生成物自体を含んでもよい。液体の形態の反応成分および反応生成物は、溶剤または液体希釈剤と混合しうるか、それに溶解しうる。
【０１９７】
ポリマー分散剤は、液体反応媒質中に可溶性であるが、反応動態または熱伝達に障害となるほど、反応媒質の粘度を著しく上昇させるべきではない。温度および圧力の反応条件下での液体媒質への分散剤の可溶性は、金属粒子上への分散剤分子の吸着を著しく阻止する程、高くあるべきではない。
【０１９８】
触媒分解の結果として生じる金属粒子が、液体反応媒質中に懸濁した状態で保持され、再生のために、および任意にさらなる量の触媒を製造する際の再利用のために、液体と一緒に反応器から排出されるように、ポリマー分散剤は、上述のＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属または金属化合物の粒子のコロイド懸濁液を液体反応媒質内で安定化させることが可能である。金属粒子は通常、例えば５−１００ｎｍ平均粒径の範囲のコロイド寸法を有するが、場合によっては、より大きな粒子も生じうる。ポリマー分散剤の一部は、金属粒子の表面に吸着する一方で、残りの分散剤分子は、少なくとも部分的に、液体反応媒質に溶媒和化したままであり、このことにより、分散しているＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属粒子が安定化されて、反応器の壁面か反応器のデッドスペースに沈着しないように、さらに、粒子の衝突により成長しうるか、場合によって凝固しうる金属粒子の凝集物を生じないようになる。適切な分散剤が存在する場合にも、粒子の多少の凝集は生じうるが、分散剤タイプおよび濃度を最適化すれば、このような凝集は、比較的低いレベルであるはずであり、凝集物はゆっくりとしか生じないので、攪拌により、これらを破壊し、粒子を再分散させることができる。
【０１９９】
ポリマー分散剤は、ホモポリマーもしくはグラフトコポリマーおよびスターポリマーなどのポリマーを含むコポリマーを含んでもよい。
【０２００】
好ましくは、ポリマー分散剤は、上述のＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属または金属化合物のコロイド懸濁液を実質的に安定化させるために十分な酸性または塩基性官能性を有する。
【０２０１】
実質的に安定化させるとは、溶液相からのＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属の沈殿が実質的に回避されることを意味する。
【０２０２】
このための特に好ましい分散剤には、カルボン酸、スルホン酸、アミンおよびアミドを含む酸性または塩基性ポリマー、例えば、ポリアクリレートまたは複素環、特に窒素複素環、ポリビニルピロリドンなどの置換ポリビニルポリマーもしくは上述のコポリマーが含まれる。
【０２０３】
ポリマー分散剤の例は、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンイミン、ポリグリシン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ（３−ヒドロキシ酪酸）、ポリ−Ｌ−ロイシン、ポリ−Ｌ−メチオニン、ポリ−Ｌ−プロリン、ポリ−Ｌ−セリン、ポリ−Ｌ−チロシン、ポリ（ビニルベンゼンスルホン酸）およびポリ（ビニルスルホン酸）から選択することができる。
【０２０４】
好ましくは、ポリマー分散剤は、ポリマー骨格に懸垂しているか、ポリマー内に位置する酸性または塩基性部分を含む。好ましくは、酸性部分は、６．０未満、さらに好ましくは５．０未満、最も好ましくは４．５未満の解離定数（ｐＫａ）を有する。好ましくは、塩基性部分は、６．０未満、さらに好ましくは５．０未満、最も好ましくは４．５未満のｐＫｂである塩基解離定数を有し、ここで、ｐＫｂは、希釈水溶液中、２５℃で測定される。
【０２０５】
適切なポリマー分散剤は、反応条件下に反応媒質中に可溶性であることに加えて、少なくとも１個の酸性または塩基性部分をポリマー骨格内に、または懸垂基として含む。ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）およびポリアクリル酸（ＰＡＡ）などのポリアクリレートなどの酸およびアミド部分を含むポリマーが特に適していることが判明した。本発明での使用に適しているポリマーの分子量は、反応媒質の性質およびそれへのポリマーの可溶性に左右される。通常、平均分子量は１０００００未満であることが判明した。好ましくは、平均分子量は、１０００−２０００００、さらに好ましくは５０００−１０００００、最も好ましくは１００００−４００００の範囲内であり、例えば、ＰＶＰを使用する場合には、Ｍｗは好ましくは、１００００−８００００、さらに好ましくは２００００−６００００の範囲であり、ＰＡＡの場合には、１０００−１００００の範囲である。
【０２０６】
反応媒質内での分散剤の有効濃度は、使用される各反応／触媒系に関して決定されるべきである。
【０２０７】
分散したＶＩまたはＶＩＩＩＢ族金属を、例えば濾過により反応器から除去される液体流から回収して、次いで、処分するか、触媒または他の用途として再使用するために処理することができる。連続法では、液体流を外部熱交換機を介して循環させることができるが、このような場合には、これらの循環装置中に、パラジウム粒子のためのフィルターを設置することが便利である。
【０２０８】
好ましくは、ポリマー：金属質量比はｇ／ｇで、１：１から１０００：１、さらに好ましくは１：１から４００：１、最も好ましくは１：１から２００：１である。好ましくは、ポリマー：金属質量比はｇ／ｇで、１０００まで、最も好ましくは４００まで、さらに好ましくは２００までである。
【０２０９】
他の態様では、１種または複数の反応成分と、上述で定義したような少なくとも１種のＶＩＢ族またはＶＩＩＩＢ族の金属または金属化合物、二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、および酸を組み合わせることにより得られるか、それらを含む触媒系とを含む反応媒質を提供し、その際、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。
【０２１０】
好ましくは、上述の反応媒質は、液相反応媒質、さらに好ましくは、液相連続系反応系である。好ましくは、上述の反応媒質中で、ホスフィン配位子と直接組み合わされない酸である、媒質中に存在する遊離の酸の量は、５００ｐｐｍを超え、さらに好ましくは１０００ｐｐｍを超え、最も好ましくは２０００ｐｐｍを超える。
【０２１１】
他の態様では、本発明は、本明細書に定義されているように成分ａ）、ｂ）およびｃ）を好ましくは比で組み合わせることを含む、本発明の触媒系を調製する方法を提供する。さらに他の態様では、本発明は、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する際の、好ましくは、エチレン系不飽和化合物を液相カルボニル化する際の、さらに好ましくは、エチレン系不飽和化合物を液相連続系カルボニル化する際の触媒としての、
ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、
ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、好ましくは二座ホスフィン配位子、および
ｃ）酸
を含むか、これらを組み合わせることにより得られる系の使用を提供し、この際、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。
【０２１２】
疑義を回避するために、上述の形態はそれぞれすべて、そのような形態が、特定の態様と矛盾したり、相互に除外し合わない限り、本明細書に記載の本発明の様々な態様のいずれか、またはすべてに等しく適用することができる。
【０２１３】
本明細書に記載の文献はすべて、本明細書に援用される。
【０２１４】
次の実施例で、本発明をさらに詳述する。これらの実施例は、上述で示されている広範な開示に該当する特定の材料の詳述と見なされるべきであり、広い開示を制限するものと見なされるべきではない。
【実施例１】
【０２１５】
１，２−ビス（ジアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの調製
【０２１６】
【化９】
2007522934.tif 000011
【０２１７】
方法１
この配位子の調製を次のように実施した。
【０２１８】
１．１  （１−Ａｄ）2Ｐ（Ｏ）Ｃｌの調製
三塩化リン（８３ｃｍ3、０．９８モル）をカニューレを介して、塩化アルミニウム（
２５．０ｇ、０．１９モル）およびアダマンタン（２７．２ｇ、０．２０モル）の組合せに迅速に加えると、黄褐色の懸濁液が生じる。反応物を環流まで加熱した。１０分後に、黄−オレンジ色の懸濁液が生じた。反応物を全部で６時間環流させた。大気圧での蒸留により（ＢＰ７５℃）、過剰のＰＣｌ3を除去した。周囲温度まで冷却すると、オレンジ色
の固体が生じた。クロロホルム（２５０ｃｍ3）を加えると、オレンジ色の懸濁液が生じ
、これを、０℃まで冷却させた。水（１５０ｃｍ3）を徐々に加えた：初めは、懸濁液粘
度が上昇したが、水をすべて加えると、粘度は低くなった。この点から、反応は、Ａｒの雰囲気下ではもはや維持されなかった。懸濁液をブフナー濾過して、黄−オレンジ色の固体不純物を除去した。濾液は、２種の相系を含んだ。分離漏斗を使用して、下方の相を分離し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、ブフナー濾過した。回転蒸発を介して、揮発性物質を除
去し、最終的に真空中で乾燥させると、オフホワイト色の粉末が生じた。収率３５．０ｇ、９９％。31Ｐ  ＮＭＲ：δ＝８５ｐｐｍ、純度９９％。ＦＷ＝３５２．８５。
【０２１９】
１．２  （１−Ａｄ）2ＰＨの調製
ＬｉＡｌＨ4（２．５４ｇ、６７．０ｍｍｏｌ）を９０分かけて、（１−Ａｄ）2Ｐ（Ｏ）Ｃｌ（１０．００ｇ、２８．３ｍｍｏｌ）の冷却ＴＨＦ（１２０ｃｍ3）溶液（−１０
℃）に加えた。反応物を放置して、周囲温度まで加温し、次いで、２０時間攪拌した。グレー色の懸濁液を−１０℃まで冷却した。ＨＣｌ（水溶液、脱ガス水５０ｃｍ3中の濃Ｈ
Ｃｌ５ｃｍ3）を、シリンジを介してゆっくりと加えると（反応の発熱により、初めは非
常にゆっくりと）、下方の相に多少の固体物質を伴う２相系が得られた。さらなるＨＣｌ（濃ＨＣｌ−５ｃｍ3）を加えて、層の分離を改善した。上方の相を、平先カニューレを
介して除去し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、カニューレを介して濾過した。揮発性物質を真
空除去すると、生成物が白色の粉末として得られ、グローブボックス中で単離した。収量６．００ｇ、７０％。31Ｐ  ＮＭＲ：δ＝１７ｐｐｍ、純度１００％。ＦＷ＝３０２．４４。
【０２２０】
１．３  （１−Ａｄ）2ＰＣｌの調製
Ａｄ2ＰＨ（１０．５ｇ、３４．７ｍｍｏｌ）およびＤＢＵ（６．１２ｃｍ3、４０．９ｍｍｏｌ）からなるトルエン（２５０ｃｍ3）溶液を−１０℃に冷却した。ホスゲン溶液
（３０．０ｃｍ3、５６．７ｍｍｏｌ）をカニューレを介して、徐々に加え、メスシリン
ダーを介して移した。このことにより、かなり粘稠性の淡黄色の懸濁液が得られた。さらなるトルエン（１００ｃｍ3）をカニューレを介して加えて、粘度を低下させ、攪拌を容
易にした。反応物をカニューレを介して濾過すると、黄色の濾液が得られた。残留物を、さらなるトルエン（２×１００ｃｍ3）で洗浄し、洗浄液を元の濾液と合わせた。揮発性
物質を真空除去すると、淡黄色の固体が得られ、これを、ペンタン（２×３０ｃｍ3、洗
浄液はほぼ無色）で洗浄した。生成物を真空乾燥させ、グローブボックス中でレモンイエロー色の粉末として単離した。収量７．８４ｇ、６７％、31Ｐ  ＮＭＲ：δ＝１３９ｐｐｍ、純度９９＋％、ＦＷ＝３３６．８８。
【０２２１】
１．４  １，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの調製
１．４．１  ジ−ソジオ−オルト−キシレン（ＤＩＳＯＤ）の調製
ＢｕｎＬｉ（ヘキサン中２．５Ｍ、１１．２８ｃｍ3、２８．２ｍｍｏｌ）を、シリン
ジを介して、ＮａＯＢｕｔ（粉砕物、２．７１ｇ、２８．２ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン（１．１５ｃｍ3、９．４ｍｍｏｌ）およびＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジ
アミン（ＴＭＥＤＡ）（４．２６ｃｍ3、２８．２ｍｍｏｌ）からなる攪拌されているヘ
プタン（１００ｃｍ3）懸濁液に１５分かけて加えた。反応物を６０℃で２時間加熱し、
次いで、放置して、冷却／沈殿させると、明るいオレンジ色の固体（ＤＩＳＯＤ）および淡黄色の溶液が得られた。溶液をカニューレ濾過により除去し、固体をさらなるヘプタン（５０ｃｍ3）で洗浄し、真空乾燥させた。想定収率９０％、８．４７ｍｍｏｌ。
【０２２２】
１．４．２  ジ−ソジオ−オルト−キシレンと２当量（１−Ａｄ）2ＰＣｌとの反応
ＤＩＳＯＤ（８．４７ｍｍｏｌ）のＥｔ2Ｏ（１００ｃｍ3）懸濁液を−７８℃で調製した。Ａｄ2ＰＣｌ（５．７０ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）のＥｔ2Ｏ（１２０ｃｍ3）懸濁液を
−７８℃で迅速に攪拌し、大口径のカニューレを介してＤＩＳＯＤ懸濁液に加えた。反応物を放置して、周囲温度まで加温し、１８時間攪拌すると、淡黄色の混濁溶液が得られた。水（脱ガス、１００ｃｍ3）を、カニューレを介して加えると、この物質の低い可溶性
により存在する大量の白色の固体（生成物）を伴う２相系が得られた。上相（Ｅｔ2Ｏ）
をカニューレを介して除去した。ジクロロメタン（２００ｃｍ3）を使用して、水性相中
の固体を抽出すると、２種の澄明な相が生じた。下相（ＣＨ2Ｃｌ2）を、カニューレを介して除去し、元のＥｔ2Ｏ相と合わせた。揮発性物質を真空除去すると、やや粘稠性な固
体が得られた。摩擦しながら、固体をペンタン（２００ｃｍ3）で洗浄し、洗浄液を、カ
ニューレ濾過を介して除去した。白色の固体を真空乾燥させ、グローブボックス中で脆い白色の粉末として単離した。収量３．５ｇ、５９％。ＦＷ＝７０７．０１。
【０２２３】
31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲデータ：−δ２４ｐｐｍ。
【０２２４】
1Ｈ  ＮＭＲデータ：−（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，２９８Ｋ）δ７．５９−７．５０（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．０９−６．９９（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．０１（ｄ，４Ｈ，2ＪＰＨ＝３．２Ｈｚ，ＣＨ2）、２．０７−１．５７（ｍ，６０Ｈ，Ｃ10Ｈ15）ｐｐｍ。
【０２２５】
13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲデータ：−（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，２９８Ｋ）δ１３９．４（ｄｄ，ＪＰＣ＝１０．７Ｈｚ，ＪＰＣ＝２．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｃ）、１３１．０（ｄ，ＪＰＣ＝１６．８Ｈｚ，Ａｒ−Ｃ）、１２５．０（ｓ，Ａｒ−Ｃ）、４１．１（ｄ，2ＪＰＣ
＝１０．７Ｈｚ，Ａｄ−Ｃ2）、３７．２（ｓ，Ａｄ−Ｃ4）、３６．９（ｄ，1ＪＰＣ＝
２２．９Ｈｚ，Ａｄ−Ｃ1）、２８．８（ｄ，3ＪＰＣ＝７．６Ｈｚ，Ａｄ−Ｃ3）、２２
．０（ｄｄ，1ＪＰＣ＝２２．９Ｈｚ，4ＪＰＣ＝３．１Ｈｚ，ＣＨ2）。
【実施例２】
【０２２６】
１，２ビス（ジアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの調製（方法２）
２．１  塩化ジ−１−アダマンチルホスフィンを、実施例１．１の方法に従い調製した。
【０２２７】
２．２  ジ−１−アダマンチルホスフィンを、実施例１．２の方法に従い調製した。
【０２２８】
２．３  （ジ−１−アダマンチルホスフィン）トリヒドロホウ素
ボラン（ＴＨＦ）付加生成物（１０ｃｍ3、１０ｍｍｏｌ）を、ジ−１−アダマンチル
ホスフィン（１．３６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）の攪拌ＴＨＦ（３０ｃｍ3）溶液に加えた。
さらに５時間攪拌すると、やや混濁した溶液が得られた。次いで、揮発性物質を真空除去すると、生成物が純白の固体として得られた。収量：１．３９ｇ、９８％、純度９９％。ＦＷ：３１５．２５。31Ｐ  ＮＭＲ：δ４１ｐｐｍ（ｄ、ＪＰＢ６４Ｈｚ）。
【０２２９】
２．４  ｓｅｃＢｕｌｉでの脱プロトン化およびααジクロロｏ−キシレンとの反応を介しての１，２ビス（ジ−１−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの合成
ジ−１−アダマンチルホスフィントリヒドロホウ素（５ｇ、１５．８ｍｍｏｌ）の攪拌されている冷却（−７８℃）ＴＨＦ溶液（６０ｃｍ3）に、ｓｅｃＢｕｌｉ（１２．３ｃ
ｍ3、１６．６ｍｍｏｌ）を徐々に加えたが（シリンジを介して）、添加がすべて終わる
と、溶液は、顕著な黄色の呈色を示した。溶液を−７８℃で３０分間攪拌し、次いで放置して、室温まで加温し、さらに１２０分間攪拌した。次いで、溶液を−７８℃まで冷却し、ααジクロロｏ−キシレンのＴＨＦ溶液（２０ｃｍ3）を、カニューレを介して加えた
。次いで、溶液を放置して室温まで加温し、１５時間攪拌した。次いで、揮発性物質を真空除去した。ＬｉＣｌおよび過剰の有機物質は、脱保護手順の間に除去されるので、さらなる後処理は必要ない。収率：１００％、純度８５％。
【０２３０】
31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２９８Ｋ）δ（ｄ，ｂｒ）４１ｐｐｍ。
【０２３１】
11Ｂ｛1Ｈ｝ＮＭＲ  δ−４３ｐｐｍ（ｄ，ＪＢＰ  ４４Ｈｚ）
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２９８Ｋ）δ７．８−７．５０ｐｐｍ（ｍ，ｂｒ  Ａｒ−Ｈ）、δ７．４９−７．００ｐｐｍ（ｍ，ｂｒ  Ａｒ−Ｈ）、δ３．３ｐｐｍ（ｄ，ＣＨ2
）、δ２．２−１．２ｐｐｍ（ｍ，Ｃ10Ｈ15）
２．５  ＨＢＦ4Ｏ（ＭＥ）2を用いての１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの脱保護を介しての１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの合成
テトラフルオロホウ酸ジメチルエーテル錯体（５当量、１２．５ｍｍｏｌ、１．５ｃｍ3）を、１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼン（ジクロ
ロメタン７０ｃｍ3）の攪拌されている冷却（０℃）溶液にシリンジを介して徐々に加え
た。溶液を０℃で１時間攪拌し、次いで放置して、周囲温度に加温し、さらに１２時間攪拌した。次いで、反応混合物を冷却（０℃）飽和溶液（脱ガス）ＮａＨＣＯ3溶液（５×
過剰のＮａＨＣＯ3）に加え、５０分間激しく攪拌した。次いで、有機相をジエチルエー
テル２×３０ｃｍ3部で抽出し、ＤＣＭ抽出物に加えた。次いで、有機層を脱ガス水２×
３０ｃｍ3部で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させた。次いで、揮発性物質を真空除去した。
【０２３２】
31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ；δ２６．４ｐｐｍ（ｓ）。
【０２３３】
Ｈ1  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２９８Ｋ）δ７．５４ｐｐｍ（ｑ，Ａｒ−Ｈ，ＪＨＨ  ３．４Ｈｚ）、７．０ｐｐｍ（ｑ，Ａｒ−Ｈ，ＪＨＨ  ３．４Ｈｚ）、３．０ｐｐｍ（ｄ，ｂｒ  ＣＨ2）１．６−２．１ｐｐｍ（ｍ，ｂｒ  Ｃ10Ｈ15）。
【実施例３】
【０２３４】
１，２ビス（ジ−３，５−ジメチルアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン（方法２）の調製
【０２３５】
【化１０】
2007522934.tif 000012
【０２３６】
３．１  塩化ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィン酸を実施例２．１の方法に従い調製したが、ただし、アダマンタンの代わりに１，３−ジメチルアダマンタン２１．７ｇ（０．１３２モル）およびＡｌＣｌ3（１８．５ｇ、０．１４モル）を使用
した。収量２３．５ｇ、ＦＷ：４０９．０８。31Ｐ  ＮＭＲ：δ：８７ｐｐｍ（ｓ）。
【０２３７】
３．２  ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィンを上述の実施例２．２に従い調製したが、ただし、塩化ジ−１−アダマンチルホスホン酸の代わりに、塩化ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィン酸２５．０ｇを使用した。収量１５．７ｇ、ＦＷ：３５８．５８、31Ｐ  ＮＭＲ：δ：１５．７ｐｐｍ（ｓ）。
【０２３８】
３．３  ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィン｝トリヒドロホウ素を上述の実施例２．３に従い調製したが、ただし、ジ−１−アダマンチルホスフィンの代わりに、ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィン１０．０ｇを使用した。収量９．５ｇ、31Ｐ  ＮＭＲ：δ：４０．５ｐｐｍ（ｂｒ）。
【０２３９】
３．４  ｓｅｃＢｕｌｉでの脱プロトン化およびααジクロロｏ−キシレンとの反応を介しての１，２−ビス（ジ−３，５−ジメチルアダマンチル（ボラン）メチル）ベンゼンの合成を上述の実施例２．４に従い調製したが、ただし、ジ−１−アダマンチルホスフィ
ントリヒドロホウ素の代わりに、等モル量のジ−３，５−ジメチルアダマンチルホスフィントリヒドロホウ素を使用した。
【０２４０】
３．５  ＨＢＦ4Ｏ（ＭＥ）2を用いての１，２−ビス（ジ−３，５−ジメチルアダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの脱保護を介しての１，２−ビス（ジ−３，５−ジメチルアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの合成を、上述の１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼン（実施例２．５）に従い調製したが、ただし、１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの代わりに、等モル量の１，２−ビス（ジ−３，５−ジメチルアダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンを使用した。
【実施例４】
【０２４１】
１，２−ビス（ジ−５−ｔ−ブチルアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの調製（方法２）
【０２４２】
【化１１】
2007522934.tif 000013
【０２４３】
４．１  塩化ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン酸を上述の塩化ジ−１−アダマンチルホスフィン酸に従い調製したが、ただし、アダマンタンの代わりにｔ−ブチルアダマンタン２５．３７ｇ（０．１３２モル）およびＡｌＣｌ3（１８．５ｇｇ、
０．１４モル）を使用した。収量２２．６ｇ、ＦＷ：４６４．９８。31Ｐ  ＮＭＲ：δ：８７ｐｐｍ（ｓ）。
【０２４４】
４．２．１  ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィンを、上述のジ−１−アダマンチルホスフィンに従い調製したが、ただし、塩化ジ−１−アダマンチルホスフィン酸の代わりに、塩化ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン酸１３．５ｇを使用した。収量９．４ｇ、ＦＷ：４１４．４８。31Ｐ  ＮＭＲ：δ：１８．６２ｐｐｍ
（ｓ）。
【０２４５】
４．２．２  ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン）トリヒドロホウ素を上述のジ−１−アダマンチルホスフィンに従い調製したが、ただし、ジ−１−アダマンチルホスフィンの代わりに、ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン１０．０ｇを使用した。収量９．５ｇ、31Ｐ  ＮＭＲ：δ：４１．６ｐｐｍ（ｂｒ）。
【０２４６】
４．２．３  ｓｅｃＢｕｌｉでの脱プロトン化およびααジクロロｏ−キシレンとの反応を介しての１，２−ビス（ジ−５−ｔ−ブチルアダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの合成を上述の１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスホル）ボラン（メチル）ベンゼンに従い調製したが、ただし、ジ−１−アダマンチルホスフィントリヒドロホウ素の代わりに、等モル量のジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィントリヒドロホウ素を使用した。
【０２４７】
４．３  ＨＢＦ4Ｏ（ＭＥ）2を用いての１，２−ビス（ジ−４−ｔ−ブチルアダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの脱保護を介しての１，２−ビス（ジ−５−ｔ−ブチルアダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンの合成を、上述の１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンに従い調製したが、ただし、１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの代わりに、等モル量の１，２−ビス（ジ−５−ｔ−ブチルアダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンを使用した。
【実施例５】
【０２４８】
１，２−ビス（１−アダマンチルｔ−ブチル−ホスフィノメチル）ベンゼンの調製（方法２）
５．１  二塩化１−アダマンチルホスホン酸
この化合物を、オラーら（Ｏｌａｈ  ｅｔ  ａｌ）（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９０、５５巻、１２２４−１２２７頁）の方法に従い合成した。
【０２４９】
５．２  １−アダマンチルホスフィン
ＬｉＡｌＨ4（３．５ｇ、７４ｍｍｏｌ）を、二塩化１−アダマンチルホスホン酸（１
５ｇ、５９ｍｍｏｌ）の冷ＴＨＦ（２５０ｃｍ3）溶液（０℃）に２時間かけて加えた。
次いで、反応物を放置して周囲温度まで加温し、２０時間攪拌した。次いで、灰色の懸濁液を冷却し（０℃）、ＨＣｌ（７５ｃｍ3、１Ｍ）を、シリンジを介して徐々に加えると
、下相に多少の固体が存在する２相系が生じた。次いで、濃ＨＣｌ（８ｃｍ3、１１Ｍ）
を加えて、２層の分離を改善した。（上の）ＴＨＦ相を、カニューレを介して除去し、硫酸マグネシウム上で乾燥させた。カニューレで濾過した後に、揮発性物質を真空除去すると、生成物が得られた。
【０２５０】
５．３  （１−アダマンチル−ｔ−ブチルホスフィン）トリヒドロホウ素
ｎＢｕＬｉ（２０ｃｍ3、３２ｍｍｏｌ、１．６Ｍ溶液）を１時間かけて、１−アダマ
ンチルホスフィン（５．０ｇ、３０ｍｍｏｌ）の冷ＴＨＦ（１００ｃｍ3）溶液に加えた
。溶液を放置して、室温まで加温し、さらに２時間攪拌した。溶液を０℃まで再び冷却し、塩化ｔ−ブチル（２．７８ｇ、３０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を室温でさらに１６時間継続した。ボラン（ＴＨＦ）付加生成物（３０ｃｍ3、３０ｍｍｏｌ）を加えることにより
、物質をボラン付加生成物として単離し、続いて、溶剤を除去した。物質を、異性体混合物である白色の固体として単離した。
【０２５１】
５．４  ｓｅｃＢｕｌｉでの脱プロトン化およびααジクロロｏ−キシレンとの反応を介しての１，２−ビス（１−アダマンチル−ｔ−ブチルホスホル（ボラン）メチル）ベン
ゼンの合成
この合成を上述の１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンに従い調製したが、ただし、ジ−１−アダマンチルホスフィントリヒドロホウ素の代わりに、等モル量の１−アダマンチル−ｔ−ブチル（ホスフィン）トリヒドロホウ素を使用した。
【０２５２】
５．５  ＨＢＦ4Ｏ（ＭＥ）2を用いての１，２−ビス（１−アダマンチル−ｔ−ブチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの脱保護を介しての１，２−ビス（１−アダマンチル−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼンの合成
上述の１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスホリノメチル）ベンゼンに従い、ただし、１，２−ビス）（ジ−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの代わりに、等モル量の１，２−ビス（１−アダマンチル−ｔ−ブチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンを使用した。
【実施例６】
【０２５３】
１，２−ビス（ジ−１−ジアマンタンホスフィノメチル）ベンゼンの調製。ジアマンタン＝コングレッサン
【０２５４】
【化１２】
2007522934.tif 000014
【０２５５】
６．１  ジアマンタン
タマラら（Ｔａｍａｒａ  ｅｔ  ａｌ．）著、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ、ＣＶ６、３７８の方法に従い、これを合成した。
【０２５６】
６．２  塩化ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン酸
塩化ジ−１−アダマンチルホスフィン酸に従い調製したが、ただし、ジアマンタン２０．０ｇ（０．１０６モル）およびＡｌＣｌ3（１６．０ｇ、０．１２モル）を使用した。
収量２５．５ｇ、ＦＷ：４５６．５。31Ｐ  ＮＭＲ：δ：８７ｐｐｍ（ｓ）。
【０２５７】
６．３  ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン
ジ−１−アダマンチルホスフィンに従い調製したが、塩化ジ−１−（ジアマンタン）ホ
スフィン酸２５．０ｇを使用した。収量１４．０ｇ、ＦＷ：４０６。31Ｐ  ＮＭＲ：δ：１６．５ｐｐｍ（ｓ）。
【０２５８】
６．４  ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン｝トリヒドロホウ素
ジ−１−アダマンチルホスフィントリヒドロホウ素に従い調製したが、ただし、ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン１５．０ｇを使用した。収量１４．５ｇ、31Ｐ  ＮＭＲ：δ：４２．１ｐｐｍ（ｂｒ）。
【０２５９】
６．５  ｓｅｃＢｕｌｉでの脱プロトン化およびααジクロロｏ−キシレンとの反応を介しての１，２−ビス（ジアマンタンホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの合成
１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンに従い調製したが、ただし、ジ−１−アダマンチルホスフィントリヒドロホウ素の代わりに、等モル量のジアマンタンホスフィントリヒドロホウ素を使用した。
【０２６０】
６．６  ＨＢＦ4Ｏ（ＭＥ）2を用いての１，２−ビス（ジアマンタン（ボラン）メチル）ベンゼンの脱保護を介しての１，２−ビス（ジアマンタンホスフィノメチル）ベンゼンの合成
１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスホリノメチル）ベンゼンに従い調製したが、ただし、１，２−ビス（ジ−アダマンチルホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンの代わりに、等モル量の１，２−ビスジアマンチン（ｄｉａｍａｎｔｉｎｅ）ホスホル（ボラン）メチル）ベンゼンを使用した。
【実施例７】
【０２６１】
１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼンの調製
【０２６２】
【化１３】
2007522934.tif 000015
【０２６３】
この配位子の調製を、実施例１８に従い国際公開第９９／４７５２８号パンフレットに開示されている方法で実施した。
【実施例８】
【０２６４】
比較例
１，３−ビス（ジアダマンチルホスフィノ）プロパンの調製
１，３−ビス−（ジ−１−アダマンチルホスフィノ）プロパンの調製（２）
８．１  （１−Ａｄ）2ＰＬｉの調製
ＢｕｎＬｉ（ヘキサン中２．５Ｍ、４２．０２ｃｍ3、１０５．１ｍｍｏｌ）を、シリ
ンジを介してＡｄ2ＰＨ（１０．５９ｇ、３５．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５０ｃｍ3）攪拌溶液に滴加した。このことにより、穏やかな発熱反応下に、溶液が黄色へと暗色化し、大量の黄色の固体が沈殿した。反応物を周囲温度で３時間攪拌した。揮発性物質を真空除去すると、非常に淡いオレンジ色の固体が得られた。この固体をペンタン（２×５０ｃｍ3）で洗浄して、過剰のＢｕｎＬｉを除去すると、白色の粉末が単離され（洗浄液はオレ
ンジ色）、これを、真空乾燥させた。先行するＮＭＲ実験をもとに、この工程での収率は、定量的と推測された。
【０２６５】
８．２  １，３−ジブロモプロパンと２当量の（１−Ａｄ）2ＰＬｉとの反応
１，３−ジブロモプロパン（脱ガス、１．７８ｃｍ3、１７．５ｍｍｏｌ）を、Ａｄ2ＰＬｉ（３５．０ｍｍｏｌ、上述と同様に調製）の攪拌ＴＨＦ（１５０ｃｍ3）懸濁液にシ
リンジを介して滴加した。初めに黄色の溶液が生じ、次いで、大量の白色の固体が急に生じた（生成物）。揮発性物質を真空除去し、カニューレを介してジクロロメタン（３００ｃｍ3）を加えると、混濁溶液が生じた。水（脱ガス、１００ｃｍ3）を加えると、混濁が消えて、２相系が生じた。カニューレ濾過を介して、下相を除去した。揮発性物質を真空除去すると、白色の粉末が得られ、これを、ペンタン（１００ｃｍ3）で洗浄し、乾燥さ
せ、グローブボックス中で単離した。収量６．４５ｇ、５７％。31Ｐ  ＮＭＲ：δ＝２４ｐｐｍ、純度９５＋％。ＦＷ＝６４４．９４。
【実施例９】
【０２６６】
１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセンの調製
窒素下、２５℃の温度で、ｎ−ブチルリチウム（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）、ヘキサン中２．５モル、２４ｍｌ、５４ｍｍｏｌ）を（ジメチルアミノメチル）フェロセン（アルドリッチ、１３．１３ｇ、１０．６９ｍｌ、４８．９７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（８０ｍｌ）溶液に加え、この反応混合物を４時間攪拌した。次いで、ドライアイス／アセトン浴中で、生じた赤色の溶液を約−７０℃に冷却し、Ｅｓｃｈｅｎｍｏｓｅｒｓ塩（ＩＣＨ2ＮＭｅ2）（アルドリッチ、１０ｇ、５４ｍｍｏｌ）を加える。反応物を放置して、室温まで加温し、一晩攪拌する。
【０２６７】
生じた溶液を、過剰の水酸化ナトリウム水溶液でクエンチし、生じた生成物をジエチルエーテル（３×８０ｍｌ）で抽出し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥させ、セライトで濾過し、揮発性物質を真空除去すると、粗製の表題化合物が淡オレンジ色の結晶固体として得られる。−１７℃に冷却しながら、粗製生成物を石油エーテルから再結晶させ、再結晶した生成物を冷ガソリンで洗浄すると、表題の化合物が淡オレンジ色の固体（１３．２ｇ、７４％）として得られた。昇華により、化合物をさらに精製すると、表題の化合物（融点７４℃）８．５ｇ（５２％）を得ることができる。
【０２６８】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ４．２３（ｂｒｄ，２Ｈ）；４．１１−４．１０（ｔ，１Ｈ）；４．０４（ｓ，５Ｈ）；３．４３、３．３８、３．２３、３．１８（ＡＢ  四重線，２Ｈ）；２．２２（ｓ，６Ｈ）。
【０２６９】
13Ｃ  ＮＭＲ（６３ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ８３．８１；７０．４０；６９．２５；
６６．８４；５７．３５；４５．２３。
【０２７０】
元素分析：実測値：Ｃ  ６３．７％；Ｈ  ８．９％；Ｎ  ９．５％
計算値：Ｃ  ６４．０％；Ｈ  ８．１％；Ｎ  ９．４％
【実施例１０】
【０２７１】
１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
ジ−ｔ−ブチルホスフィン（アルドリッチ、０．６１６ｍｌ、３．３３ｍｍｏｌ）を、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（実施例９、０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）の無水酢酸（１００ｍｌ）溶液に窒素下に加え、生じた混合物を８０℃で７２時間攪拌する。無水酢酸を約７０℃で真空除去すると、粗製の表題生成物がオレンジ／黄色の固体として得られる。この粗製生成物を−１７℃に冷却しながらエタノールから再結晶させ、濾過し、濾液を冷エタノールで洗浄すると、表題の化合物が淡黄色の固体として得られた（０．３６５ｇ、４４％、８４℃）。
【０２７２】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ４．４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ）；３．９５（５Ｈ，ｓ）；３．７５（１Ｈ，ｔ，２Ｈｚ）；２．８（２Ｈ，ｄｄ，１２Ｈｚ，２Ｈｚ）；２．６（２Ｈ，ｄｄ，１２Ｈｚ，２Ｈｚ）；１．１（３６Ｈ，ｍ）。
【０２７３】
13Ｃ  ＮＭＲ（６３ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ８６．７３（ｄ，５．４６Ｈｚ）；７０
．０８（ｄ，４．４１Ｈｚ）；６９．４６６５（ｓ）；６３．７５（ｓ）；３１．８０（ｄ，２Ｈｚ）；３１．４５（ｄ，１．９８Ｈｚ）；２９．８９（ｄ，１．８８Ｈｚ）。
【０２７４】
31Ｐ  ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ１５．００ｐｐｍ。
【０２７５】
元素分析：実測値：Ｃ：６６．７９％；Ｈ：９．５７％
計算値：Ｃ：６６．９３％；Ｈ：９．６３％
【実施例１１】
【０２７６】
１−ヒドロキシメチル−２−ジメチルアミノメチルフェロセンの調製
ｎ−ブチルリチウム（アルドリッチ、ジエチルエーテル中１．６モル、５．１４ｍｌ、８．２４ｍｍｏｌ）をアルゴン下に、１−ジメチルアミノメチルフェロセン（アルドリッチ、１．０ｇ、４．１２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に加える。反応物を３時間攪拌すると、これは、赤っぽい色を示す。次いで、溶液をドライアイス／アセトン浴中で冷却し、か焼パラホルムアルデヒド（０．２４７ｇ、２倍過剰）を加え、生じた混合物を室温で一晩攪拌する。次いで、反応物を水でクエンチし、ジエチルエーテルで抽出し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、セライトで濾過する。溶剤を真空除去すると、粗製の
表題化合物が得られる。粗製生成物を、中性アルミナカラムに施与し、これを、ガソリン／ジエチルエーテル（比９：１）で溶離して、出発原料、１−ジメチルアミノメチルフェロセンを除去する。次いで、カラムを実質的に純粋な酢酸エチルで溶離して、表題の化合物を溶離する。酢酸エチルを真空除去すると、表題の化合物がオレンジ色のオイル／結晶塊として得られる。
【０２７７】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）δ２．１３１（ｓ，６Ｈ）、δ２．７３５（ｄ，１Ｈ，１２．５１２Ｈｚ）、δ３．８５３（ｄ，１Ｈ，１２．５１２Ｈｚ）、δ３．９８４（ｄｄ，１Ｈ，２．１５６Ｈｚ）、δ４．０３５（ｓ，５Ｈ）、δ４．０６０（ｄｄ，１Ｈ，２．１３６Ｈｚ）δ４．０７１（ｄ，１Ｈ，１２．２０７．Ｈｚ）、δ４．１５４（ｍ，１Ｈ）、δ４．７３（ｄ，１Ｈ，１２．２０７Ｈｚ）。
【０２７８】
13Ｃ  ＮＭＲ（６１ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）δ７．６８８、δ８４．５１９、δ７０．６
１５、δ６８．８７１、δ６８．４４７、δ６５．３６９、δ６０．０７７、δ５８．３１８、δ４４．４１４
ＣＯＳＹ  ２Ｄ  1Ｈ  ＮＭＲ
４．０７１ｐｐｍでの部分的に不明瞭な二重項および４．７３ｐｐｍでの二重項へのそのカップリングが確認された。
【０２７９】
赤外線スペクトル（ＣＨＣｌ3）（約０．０６ｇ／０．８ｍＬ）。
【０２８０】
２９５３．８ｃｍ−1、２８６０．６ｃｍ−1、２８２６．０ｃｍ−1、２７８３．４ｃ
ｍ−1、１１０４．９ｃｍ−1。
【実施例１２】
【０２８１】
１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
ジ−ｔ−ブチルホスフィン（アルドリッチ、０．５４ｍｌ、２．９３ｍｍｏｌ）を無水酢酸（１５ｍｌ）および無水酢酸（０．７５３ｍｍｏｌ）中の１−ヒドロキシメチル−２−ジメチルアミノメチルフェロセン（実施例１１、０．２ｇ、０．７５３ｍｍｏｌ）の溶液にアルゴン下に加え、生じた混合物を８０℃で７２時間攪拌する。無水酢酸を約７０℃で真空除去すると、粗製の表題生成物がオレンジ／黄色の固体として得られる。粗製生成物を−１７℃に冷却しながらエタノールから再結晶させ、濾過し、濾液を冷エタノールで洗浄すると、表題の化合物がオレンジ色の固体として得られる（０．２３ｇ）。
【０２８２】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）δ４．３５１（ｄ，２Ｈ，２Ｈｚ）、δ４．０２２（ｓ，５Ｈ）、δ３．８２７（ｔ，１Ｈ，２Ｈｚ）、δ２．８５８（ｄｄｄ，２Ｈ，ＪＨＨ  １５．８６９Ｈｚ，ＪＨＰ1  ３．３２０Ｈｚ，ＪＨＰ2  １．８３１Ｈｚ）、δ２．６７９（ｄｄ，２Ｈ，ＪＨＨ  １５．８６９Ｈｚ，ＪＨＰ  ２．４４１Ｈｚ）、δ１．１６６（ｄ，１８Ｈ，１２．８１７Ｈｚ）、δ１．１２３（ｄ，１８Ｈ，１２．５１２Ｈｚ）
ＦＴＩＲ（クロロホルム，ＮａＣｌプレート）
１１０４．１ｃｍ−1、２８６３ｃｍ−1、２８９６．０ｃｍ−1、２９４０．０ｃｍ−1、２９５１．８ｃｍ−1
31Ｐ  ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ１５．００ｐｐｍ。
【０２８３】
元素分析：実測値：Ｃ：６６．５％；Ｈ：９．６％
計算値：Ｃ：６６．９％；Ｈ：９．６％
【実施例１３】
【０２８４】
１−ヒドロキシメチル−２，３−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセンの調製
アルゴン下に、１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン（実施例９、０．７０ｇ、２．３２ｍｍｏｌ）の攪拌ジエチルエーテル（１５ｃｍ3）溶液に、１．２当量
のｎ−ブチルリチウム（アルドリッチ、１．７５ｍＬ、ジエチルエーテル中１．６Ｍ）を加え、この混合物を３時間攪拌すると、赤色の溶液が得られる。反応混合物をドライアイス／アセトン浴中で冷却し、か焼パラホルムアルデヒドを２：１の過剰で加え、生じた混合物を室温で一晩攪拌する。混合物を水でクエンチし、ジエチルエーテルで抽出する。エーテル抽出物をＭｇＳＯ4上で乾燥させ、セライトで濾過し、溶剤を真空除去すると、表
題の化合物がオレンジ色のオイルとして得られ（０．７ｇ、２．１２ｍｍｏｌ、９１％）、これは、冷却すると部分的に結晶化する。
【０２８５】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）δ２．１３３（ｓ，６Ｈ）、δ２．１７１（ｓ，６Ｈ）、δ２．９１０（ｄ，１Ｈ，１２．８１７Ｈｚ）、δ２．９９８（ｄ，１Ｈ，１２．５１２Ｈｚ）、δ３．４２５（ｄ，１Ｈ，１２．８１７Ｈｚ）、δ３．８１２（ｄ，１Ｈ，１２．５１２Ｈｚ）、δ３．９６２（ｓ，５Ｈ）、δ３．９９（ｄ，１Ｈ，１２．２０７Ｈｚ）（δ３．９６２にある大きなｃｐ環ピークのため一部不明瞭）、δ４．０６８（ｄ，１Ｈ，δ２．１３６Ｈｚ）、δ４．１２５）ｄ，１Ｈ，δ２．１３６Ｈｚ）、
δ４．７４７（ｄ，１Ｈ，１２．２０７Ｈｚ）
13Ｃ  ＮＭＲ（６０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）δ４４．５２９、δ４５．２４４、δ５５．
７９８、δ５７．９０６、δ６０．２７１、δ６７．９４４、δ６８．２７７、δ６９．６１２、δ８４．８５０、δ８８．３２２
赤外線スペクトル（ＣＤＣｌ3／薄膜ＮａＣｌプレート）
３３８０．６ｃｍ−1（ｂｒ）、２９５５．７ｃｍ−1（ｍ）、２８６２．６ｃｍ−1、
２８２５．９ｃｍ−1（ｍ）、２７７４．３ｃｍ−1（ｍ）、１３５３．５ｃｍ−1（ｍ）
、１１０４．９ｃｍ−1（ｍ）、１０３８．９ｃｍ−1（ｍ）、１００６．８ｃｍ−1（ｓ
）
元素分析：実測値：Ｃ：６２．３％；Ｈ：７．８％；Ｎ：８．８％
計算値：Ｃ：６１．８％；Ｈ：７．９％；Ｎ：８．５％
【実施例１４】
【０２８６】
１，２，３−トリス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
ジ−ｔ−ブチルホスフィン（アルドリッチ、２．６０ｍＬ、１３．９８ｍｍｏｌ）および無水酢酸（０．２４ｍＬ、２．３３ｍｍｏｌ）をアルゴン下に、１−ヒドロキシメチル−２，３−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン（実施例１３、０．７０ｇ、２．１２ｍｍｏｌの酢酸（無水酢酸から新たに蒸留、２５ｃｍ3）溶液に加える。次いで、溶
液を８０℃で７日間攪拌するが、その間に溶液は暗いオレンジ色になる。次いで、溶剤を真空除去し、−１７℃に冷却しながら、環流エタノールから一晩再結晶させると、表題の化合物が黄／オレンジ色の粉末として得られる（０．４３ｇ、０．７ｍｍｏｌ、３１％）。
【０２８７】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ１．１２（ｄｄ−三重線類似，３６Ｈ，１２．１Ｈｚ）、δ１．２６（ｄ，１８Ｈ，１０．７Ｈｚ）、δ２．６８（ｄ，２Ｈ，１７．７Ｈｚ）、δ２．９５（ｓ，２Ｈ）、δ３．０７、（ｍ，２Ｈ）、δ４．０１（ｓ，５Ｈ）δ４．３３（ｓ，２Ｈ）
赤外線スペクトル（ＣＨＣｌ3／薄膜ＮａＣｌプレート）
１３６５．５ｃｍ−1、１４７０．３ｃｍ−1、２３５７．１ｃｍ−1、２８６２．８ｃ
ｍ−1、２８９６．７ｃｍ−1、２９３９．１ｃｍ−1。
【実施例１５】
【０２８８】
１，２−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノメチル）フェロセンの調製
表題の化合物を実施例１０の手順に従い、ジシクロヘキシルホスフィン（ストレム（Ｓｔｒｅｍ）４８  Ｈｉｇｈ  Ｓｔｒｅｅｔ  Ｏｒｗｅｌｌ、Ｒｏｙｓｔｏｎ、英国所在、ＳＧ８  ５ＱＷ、６５９ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１００ｍｌ）を使用して調製した。収量０．４２１ｇ。
【実施例１６】
【０２８９】
１，２−ビス−（ジ−イソ−ブチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
表題の化合物を、実施例１０の手順に従い、ジ−イソ−ブチルホスフィン（ストレム、４８６ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１００ｍｌ）を使用して調製した。収量０．３７２ｇ。
【実施例１７】
【０２９０】
１，２−ビス−（ジシクロペンチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
表題の化合物を、実施例１０の手順に従い、ジシクロペンチルホスフィン（ストレム、５６６ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（
０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１００ｍｌ）を使用して調製した。収量０．４３２ｇ。
【実施例１８】
【０２９１】
１，２−ビス−（ジエチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
表題の化合物を、実施例１０の手順に従い、ジエチルホスフィン（ストレム、２９９ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１００ｍｌ）を使用して調製した。収量０．２５４ｇ。
【実施例１９】
【０２９２】
１，２−ビス−（ジ−イソプロピルホスフィノメチル）フェロセンの調製
表題の化合物を、実施例１０の手順に従い、ジ−イソ−プロピルホスフィン（デジタルスペシャリティケミカルズ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）、３９２ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１００ｍｌ）を使用して調製した。収量０．２６２ｇ。
【実施例２０】
【０２９３】
１，２−ビス−（ジメチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
表題の化合物を、実施例１０の手順に従い、ジメチルホスフィン（デジタルスペシャリティケミカルズ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）、２０６ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（０．５ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１００ｍｌ）を使用して調製した。収量０．２８５ｇ。
【実施例２１】
【０２９４】
１，２−ビス−（ジアダマンチルホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
ジ−アダマンチルホスフィン（ジェイ  アール  ゲールリッチ（Ｊ．Ｒ．Ｇｏｅｒｌｉｃｈ）、アール  シュムッツラー（Ｒ．Ｓｃｈｍｕｔｚｌｅｒ）著；Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｕｌｐｈｕｒ  ａｎｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ；１９９５、１０２、２１１−２１５頁に従い調製、２０．０ｇ、０．０６６モル）を窒素下に、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（実施例９、１０ｇ、０．０３３モル）の無水酢酸（１００ｍｌ）溶液に加え、生じた混合物を８０℃で７２時間攪拌する。オレンジ黄色の沈殿物が生じ、これを濾過し、約７０℃で真空乾燥させると、表題の化合物がオレンジ色／黄色の固体として得られる。表題の化合物は、一連の有機溶剤に不溶性であるので、過剰のメタンスルホン酸を粗製生成物のメタノールスラリーに加えて、ビス−メタンスルホン酸塩に変換することにより精製する。このことにより、生成物塩が完全に溶解し、次いでこれを、真空中でメタノールを除去することにより単離し、続いて、エーテルで洗浄し、乾燥させると、表題の化合物が淡黄色の固体として得られた（１４．０ｇ、５４％）。
【０２９５】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤ3ＣＮ）：δ４．５７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ）；４．３５（５Ｈ，ｓ）；４．２７（１Ｈ，ｔ，２Ｈｚ）；３．３４（４Ｈ，ｂｒ）；２．６（６Ｈ，ｂｒ，）；２．３５−２．１８（１８Ｈ  ｂｒ）；２．１６−２．０（１８Ｈ，ｂｒ）；１．９２−１．７２（２４Ｈ，ｂｒ）。
【０２９６】
31Ｐ  ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ；ＣＤ3ＣＮ）：δ２６．５８ｐｐｍ。
【０２９７】
元素分析：実測値：Ｃ：６４．１５％；Ｈ：７．８８％  計算値：Ｃ：６４．２９％；
Ｈ：７．９４％
【実施例２２】
【０２９８】
１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
この配位子の調製を次のように実施した：
２２．１  （１−Ａｄ）2Ｐ（Ｏ）Ｃｌの調製
塩化ジ−１−アダマンチルホスフィンを、実施例１．１の方法に従い調製した。
【０２９９】
２２．２  （１−Ａｄ）2ＰＨの調製
ジ−１−アダマンチルホスフィンを、実施例１．２の方法に従い調製した。
【０３００】
２２．３  １，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
表題の化合物を、実施例２１に例示されている手順に従い調製した。
【実施例２３】
【０３０１】
１，２−ビス（ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
２３．１  塩化ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィン酸
実施例３．１の方法に従い調製した。
【０３０２】
２３．２  ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィン
実施例３．２の方法に従い調製した。
【０３０３】
２３．３  １，２−ビス（ジ−１−（３，５−ジメチルアダマンチル）ホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネート
表題の化合物を、実施例２１に例示されている手順に従い調製したが、ただし、ジ−アダマンチルホスフィンの代わりに、ジ−１−２（３，５−ジメチル−アダマンチル）ホスフィン（２３．６９ｇ、０．０６６モル）を使用した。収量１５ｇ。
【実施例２４】
【０３０４】
１，２−ビス（ジ−１−（５−ｔ−ブチル−アダマンチル）ホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
２４．１  塩化ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン酸
上述の実施例４．１に従い調製した。
【０３０５】
２４．２  ジ−１−（５−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン
上述の実施例４．２に従い調製した。
【０３０６】
２４．３  １，２−ビス（ジ−１−（４−ｔ−ブチル−アダマンチル）ホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネート
表題の化合物を、実施例２１に例示されている手順に従い調製したが、ただし、ジ−アダマンチルホスフィンの代わりに、ジ−１−（４−ｔ−ブチルアダマンチル）ホスフィン（２７．３９ｇ、０．０６６モル）を使用した。収量１４．５２ｇ。
【実施例２５】
【０３０７】
１，２−ビス−（１−アダマンチルｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
２５．１  二塩化１−アダマンチルホスホン酸
この化合物を、オラーら（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９０、５５、１２２４−１２２７頁）の方法に従い合成した。
【０３０８】
２５．２  １−アダマンチルホスフィン
ＬｉＡｌＨ4（３．５ｇ、７４ｍｍｏｌ）を２時間かけて、二塩化１−アダマンチルホ
スホン酸（１５ｇ、５９ｍｍｏｌ）の冷ＴＨＦ（２５０ｃｍ3）溶液（０℃）に加えた。
次いで、反応物を放置して、周囲温度まで加温し、２０時間攪拌した。次いで、灰色の懸濁液を冷却し（０℃）、ＨＣｌ（７５ｃｍ3、１Ｍ）を、シリンジを介して徐々に加える
と、下相に多少の固体が存在する２相系が得られた。次いで、濃ＨＣｌ（８ｃｍ3、１１
Ｍ）を加えて、２層の分離を改善した。（上の）ＴＨＦ相を、カニューレを介して除去し、硫酸マグネシウム上で乾燥させた。カニューレを介して濾過した後に、揮発性物質を真空除去すると、生成物が得られた。
【０３０９】
２５．３  １−アダマンチルｔ−ブチルホスフィン
ｎＢｕＬｉ（２０ｃｍ3、３２ｍｍｏｌ、１．６Ｍ溶液）を１時間かけて、１−アダマ
ンチルホスフィン（５．０ｇ、３０ｍｍｏｌ）の冷ＴＨＦ（１００ｃｍ3）溶液に加えた
。この溶液を放置して、室温まで加温し、さらに２時間攪拌した。溶液を０℃に再冷却し、塩化ｔ−ブチル（２．７８ｇ、３０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を、室温でさらに１６時間継続した。反応混合物を水でクエンチし、水相をジクロロメタン（２×５０ｍｌ）で抽出した。有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、真空蒸発させると、表題の化合物が得られた。
【０３１０】
２５．４  １，２−ビス−（−１−アダマンチルｔ−ブチル−ホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネート
表題の化合物を、実施例２１に例示されている手順に従い調製したが、ただし、ジ−アダマンチルホスフィンの代わりに、１−アダマンチルｔ−ブチルホスフィン（１４．７８ｇ、０．０６６モル）を使用した。収率９．８０ｇ。
【実施例２６】
【０３１１】
１，２−ビス−（ジ−１−ジアマンチルホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネートの調製
２６．１  ジアマンタン
これを、タマラら（Ｔａｍａｒａ  ｅｔ  ａｌ．）著、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ、ＣＶ６、３７８頁の方法に従い合成した。
【０３１２】
２６．２  塩化ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン酸
実施例１．１の塩化ジ−１−アダマンチルホスフィン酸に従い、ただし、ジアマンタン２０．０ｇ（０．１０６モル）およびＡｌＣｌ3（１６．０ｇ、０．１２モル）を使用し
て調製した。収量２５．５ｇ、ＦＷ：４５６．５、31Ｐ  ＮＭＲ：δ：８７ｐｐｍ（ｓ）。
【０３１３】
２６．３  ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン
実施例１．２のジ−１−アダマンチルホスフィンに従い、ただし、塩化ジ−１−（ジアマンタン）ホスフィン酸２５．０ｇを使用して調製した。収量１４．０ｇ、ＦＷ：４０６、31Ｐ  ＮＭＲ：δ：１６．５ｐｐｍ（ｓ）。
【０３１４】
２６．４  １，２−ビス−（ジ−１−ジアマンチルホスフィノメチル）フェロセン−ビス−メタンスルホネート
表題の化合物を、実施例２１に例示されている手順に従い調製したが、ただし、ジ−アダマンチルホスフィンの代わりに、ジ−１−ジアマンタンホスフィン（２６．７９ｇ、０
．０６６モル）を使用した。収量１２．５ｇ。
【実施例２７】
【０３１５】
１，２−ビス−（ジ−（１，３，５，７−テトラメチル−６，９，１０−トリオキサ−２−ホスファ−アダマンチルメチル））フェロセンの調製
１，３，５，７−テトラメチル−２，４，８−トリオキサ−６−ホスファ−アダマンタン（サイテック（Ｃｙｔｅｃ）から入手、１４．０ｇ、０．０６６モル）を窒素下に、１，２−ビス（ジメチルアミノメチル）フェロセン（実施例９、１０ｇ、０．０３３モル）の無水酢酸（１００ｍｌ）溶液に加え、生じた混合物を８０℃で７２時間攪拌する。無水酢酸を約７０℃で真空除去すると、粗製の表題生成物がオレンジ／黄色の固体として得られた。これを、温メタノールで洗浄すると、生成物がオレンジ色の固体としての異性体混合物として得られる（１２．０ｇ、５８％）。
【０３１６】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ４．２５−３．９５（８Ｈ，ｂｒ，ｍ）；３．４６（４Ｈ，ｂｒ）；１．５７−２．０（８Ｈ，ｂｒ，ｍ）；１．４３−１．２３（２４Ｈ，ｂｒ  ｍ）。
【０３１７】
31Ｐ  ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ−２７．４１（ｂｒ）、−２９．０１
（ｓ）、−３３．９（ｂｒ）ｐｐｍ。
【０３１８】
元素分析：実測値：Ｃ：５７．８０％；Ｈ：７．３５％  計算値：Ｃ：５７．８７％；Ｈ：７．４０％
【実施例２８】
【０３１９】
ヨウ化１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン−ビスメチルの調製
ヨウ化メチル（２３．２８ｇ、０．１６４モル）を、１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン（実施例９、２０ｇ、０．０８２モル）の脱ガスメタノール（１００ｍｌ）溶液に加え、混合物を室温で窒素雰囲気下に２４時間攪拌した。生じた沈殿物を濾過により除去し、エーテルで洗浄し、乾燥させると、表題の化合物が得られた（４３．０ｇ）。
【０３２０】
元素分析：実測値：Ｃ：３６．８％；Ｈ：５．１％；Ｎ、４．８％
計算値：Ｃ：３７．０％；Ｈ：５．２％；Ｎ、４．８％
13Ｃ  ＮＭＲ（Ｄ2Ｏ）：δ５３．２７、δ５３．２１、δ５３．１５、δ６４．６８
、δ７１．７７、δ７３．２４、δ７４．１３、δ７４．９５
【実施例２９】
【０３２１】
１，２−ビス（ジヒドロキシメチルホスフィノメチル）フェロセンの調製
水酸化カリウム（８．５２ｇ、０．１５２モル）を、塩化テトラキス（ヒドロキシメチル）ホスホニウム（アルドリッチ、８０％ｗ／ｗの水溶液３８．５４ｇ、０．１６２モル）の脱ガスメタノール（４０ｍｌ）溶液に加え、窒素雰囲気下に室温で１時間攪拌する。生じた混合物を、窒素下に室温で攪拌しながら、ヨウ化１，２−ビス−（ジメチルアミノメチル）フェロセン−ビス−メチル（実施例２８、１９．９８ｇ、５２．２ｍｍｏｌ）の脱ガスメタノール（４０ｍｌ）溶液に滴加する。生じた混合物を窒素下に２０時間環流させ、溶剤を真空除去すると、赤色の沈殿物が生じる。水（３０ｍｌ）、ジエチルエーテル（８５ｍｌ）およびトリエチルアミン（３５ｍｌ）を沈殿物に加え、溶液を室温で１時間攪拌する。水性層を除去し、ジエチルエーテルで再抽出する（２×３０ｍｌ）。合わせたエーテル抽出物を水（３×２０ｍｌ）で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過する。エーテルを真空除去すると、粗製の表題化合物（１４．３３ｇ、収率９４％）が微結晶性のオレンジ色の固体として得られる。石油エーテルを加え、冷却しながら、この粗製生
成物を、温ジクロロメタン／メタノール溶液から再結晶させると、表題の化合物が黄−オレンジ色の結晶として得られる（１０．６９ｇ、収率７０％）。
【０３２２】
元素分析：実測値：Ｃ：４８．４４％；Ｈ：４．１２％；Ｎ、０．０％
計算値：Ｃ：４８．２４％；Ｈ：４．０２％；Ｎ、０．０％
1Ｈ  ＮＭＲ：δ１．７５（ｓ，ｂｒ）、δ２．７０（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ2ＨＨ  １４．２Ｈｚ，Ｊ2ＨＰ  ６．６Ｈｚ）、δ２．８５（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ2ＨＨ  １４．２Ｈｚ，Ｊ2
ＨＰ  ７．９Ｈｚ）、δ３．７１（ｔ，１Ｈ，ＪＨＨ  ２．４４Ｈｚ）、δ３．５８（ｓ，５Ｈ）、δ３．９８（ｄ，２Ｈ，ＪＨＨ  ２．４０Ｈｚ）、４．０６（ｍ，８Ｈ）。
【０３２３】
1Ｈ｛31Ｐ｝ＮＭＲ：δ１．７５（ｓ，ｂｒ）、δ２．７０（ｄ，１４．３Ｈｚ）、δ
２．８５（ｄ，１４．３Ｈｚ）、δ４．０４（ｍ，１Ｈ）、δ４．０６（ｓ，８Ｈ）、δ４．０８（ｓ，５Ｈ）、δ４．１（ｍ，２Ｈ）
13Ｃ  ＮＭＲ：δ２３．７（ｄ，Ｊ1ＰＣ  １５．６Ｈｚ）、δ６３．０（ｄ，Ｊ1ＰＣ
１５．６Ｈｚ）、δ６６．０（ｓ）、δ６７．２（ｄ，Ｊ3ＰＣ  ９．２Ｈｚ）、δ６
９．６（ｓ）、δ８２．６（ｄ，Ｊ2ＰＣ  １４．７Ｈｚ）
31Ｐ  ＮＭＲ：δ−１４．７
赤外線スペクトル（ＣＨＣｌ3／薄膜ＮａＣｌプレート）
３３３７．８ｃｍ−1（ｓｔ、ｂｒ）、他のピーク１１０４ｃｍ−1、２９２９．０ｃｍ−1、３６０３．７ｃｍ−1、３６８３．７ｃｍ−1。
【実施例３０】
【０３２４】
１，２−ビス（ジホスフィノメチル）フェロセンの調製
１，２−ビス（ジヒドロキシメチルホスフィノメチル）フェロセン（実施例２９、５．４５ｇ、１３．７０ｍｍｏｌ）およびメタ重亜硫酸ナトリウム（５．２１ｇ、２７．４ｍｍｏｌ）を、蒸留水（６０ｍｌ）および石油エーテル（６０ｍｌ）からなる２相溶剤系に加える。混合物を空気中で３時間環流させる。生じた混合物を冷却し、攪拌し、水性層を除去する。有機層を蒸留水で洗浄し、有機溶剤を真空除去すると、表題の化合物がオレンジ色の結晶固体として得られる（２．６６ｇ、収率７０％）。
【０３２５】
元素分析：実測値：Ｃ：５１．６５％；Ｈ：５．７５％
計算値：Ｃ：５１．８０％、Ｈ：５．７６％
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ２．７−２．８（ｍ，４Ｈ）、δ３．１７（ｍ，２Ｈ）、δ３．１８（ｍ，２Ｈ）、δ４．０４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．５４Ｈｚ）、δ４．０９（ｄ，５Ｈ，ＪＨＰ  ０．４Ｈｚ）、δ４．１３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５４Ｈｚ）
31Ｐ  ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ１３０．０（ｔ，ＪＨＰ  １９３．０
Ｈｚ）
13Ｃ  ＮＭＲ（６０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：δ１２．９、δ６５．６、δ６７．３、δ
６９．４、δ８６．９
13Ｃ  ＤＥＰＴ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ１２．９（ＣＨ2）、δ６５．６（ＣＨ）、δ６７．３（ＣＨ）、δ６９．４０（５×ＣＨ）
ＦＴＩＲ（クロロホルム，ＮａＣｌプレート）：２２９８．５ｃｍ−1（強い）
質量スペクトル：実測値  ｍ／ｚ：２７８．００８８；計算値  ｍ／ｚ  ２７８．００７７
【実施例３１】
【０３２６】
１，２−ビス−α，α−（Ｐ−（２，２，６，６−テトラメチルホスフィナン−４−オン））ジメチルフェロセンの調製
【０３２７】
【化１４】
2007522934.tif 000016
【０３２８】
２，６−ジメチル−２，５−ヘプタジエン−４−オン（１４．６ｇ、０．１０６モル）を１，２−ビス−（ジホスフィノメチル）フェロセン（実施例３０、１４．７ｇ、０．０５３モル）に加え、この混合物を窒素下に１２０℃で２０時間加熱する。反応混合物を冷却し、濾過により粗製表題化合物を除去し、ペンテン（２０ｍｌ）で洗浄し、真空乾燥させると、表題の化合物が黄−オレンジ色の固体として得られる（２４．９ｇ、収率８５％）。表題の化合物を31Ｐ  ＮＭＲおよび質量スペクトルにより同定した。
【０３２９】
1Ｈ  ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：ｄ  ４．３２（１Ｈ，ｂｒ）；４．０８（５Ｈ，ｂｒ）；４．０２（１Ｈ，ｂｒ）；３．９４（１Ｈ  ｂｒ）；２．８４（４Ｈ，ｂｒ）；１．８−２．５（８Ｈ，ｂｒ）；１．０５−１．４（２４Ｈ，ｂｒ，）。
【０３３０】
31Ｐ  ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3）：ｓ  ４．１５ｐｐｍ。
【０３３１】
元素分析：実測値：Ｃ：６４．２６％；Ｈ：７．８８％
計算値：Ｃ：６５．０３％；Ｈ：７．９４％
【実施例３２】
【０３３２】
１，２−ビス−（ジ−１，３，５，７−テトラメチル−６，９，１０−トリオキサ−２−ホスファ−アダマンチルメチル））ベンゼンの調製
この配位子の調製を、国際公開第０３／０７０３７０号パンフレットに開示されている方法で、その実施例４に従い実施した。
【実施例３３】
【０３３３】
本発明の化合物により触媒される、エチレン、一酸化炭素およびメタノールからのプロパン酸メチルの調製
条件１
配位子：パラジウム比＝５．２：１、酸：パラジウム比＝１６０：１および酸：配位子比＝３０：１。
【０３３４】
条件２
配位子：パラジウム比＝５．２：１、酸：パラジウム比＝４８０：１および酸：配位子比＝９０：１。
【０３３５】
２リットル容量の機械攪拌されるオートクレーブ（ハステロイ）を真空にし、次いで、トリ（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１．４４×１０−5モル）、実施例１０
の１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン（７．６１×１０−5
モル）およびメタンスルホン酸（条件１では２．３０×１０−3モル、条件２では６．９
０×１０−3モル）のプロパン酸メチル／メタノール（プロパン酸メチル７０重量％）溶
液を充填した。オートクレーブを１００℃に加熱し、この温度になったら、エチレン（８×１０5Ｎｍ−2）を溶剤の蒸気圧の頂点で加え、直ちに、溶剤蒸気圧を上回る１０×１０5Ｎｍ−2に設定されている圧力調節バルブを介して、一酸化炭素およびエチレン（２×１０5Ｎｍ−2）の等モル混合物を系に加えた。適切には、反応器中でのエチレンと一酸化炭素とのモル比は、約９：１である。反応器の温度を１００℃に維持し、反応の進行に伴い、圧力調節Ｔｅｓｃｏｍバルブを介して、付加的な一酸化炭素およびエチレンを加えた（等モルベースで）。触媒沈殿は観察されなかった。
【０３３６】
１時間当たりパラジウム１モル当たりのプロパン酸メチル（ＭｅＰ）のモルで測定される反応初速度およびパラジウム１モル当たりのプロパン酸メチルのモルで測定されるターンオーバー数を触媒で決定した。単位時間当たり消費されるガスの量（速度）および反応の間に消費されるガスの総量を分析することにより、これを達成することができるが、この際、理想気体動態およびプロパン酸メチルへの１００％選択率を仮定する。
【０３３７】
表１は、最大初速度および１時間後のターンオーバー数（ＴＯＮ）の両方に関して、バッチ工程でホスフィン配位子濃度（および金属濃度）に対して相対酸濃度を高めることの効果を示しており、ここで、反応初速度は、１時間当たりパラジウム１モル当たりのプロパン酸メチル（ＭｅＰ）のモルで測定されており、ＴＯＮは、パラジウム１モル当たりのプロパン酸メチルのモルとして測定されている。ＴＯＮおよび最大初速度の両方に関して、条件１から条件２へと、すなわち、一定の配位子：パラジウム値で、酸：パラジウムおよび酸：配位子比の両方を上昇させると、値は著しく上昇した。
【０３３８】
【表１】
2007522934.tif 000017
【実施例３４】
【０３３９】
2007522934.tif 000018
【０３４０】
Ｐｄ（ＯＡｃ）2（２２ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）および個々のホスフィン配位子（０．
５ｍｍｏｌ）を不活性雰囲気グローブボックス中で５００ｍＬ三頸丸底フラスコに計り分けた。取り出して、脱ガスＭｅＯＨ３００ｍｌを加え、混合物を１時間攪拌した。この溶液に、メタンスルホン酸（６４０μｌ、１０ｍｍｏｌ）を加えた。触媒溶液の重量を計った。オートクレーブに、この溶液を充填し、攪拌しながら１００Ｃに加熱した（蒸気圧３．０ｂａｒｇ）。ＣＯ／エチレン（１：１）ガス混合物をオートクレーブに導入すること
により、反応を開始させた。オートクレーブの全圧を、ＴＥＳＣＯＭ（９．８ｂａｒ）により制御した。このことにより、エチレンとＣＯとの９：１比が生じた。温度および圧力を３時間保持し、その期間の間、これらの値を記録した。
【０３４１】
ガスを単離し、ユニットを室温まで冷却した。放圧されたユニットを空にし、溶液の最終重量を計った。
【０３４２】
配位子１＝１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼン、
配位子２＝１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）フェロセン、
配位子３＝１，２−ビス（ジアダマンチルホスフィノメチル）フェロセン、
配位子４＝１，２−ビス（ジホスファアダマンチルホスフィノメチル）フェロセン、
配位子５＝国際公開第０３／０４０１５９号パンフレット（その実施例１）と同様に調製された１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）２−メチレンプロパン（比較）。
【０３４３】
結果を、下記の表に示す。
【０３４４】
【表２】
2007522934.tif 000019
【０３４５】
【表３】
2007522934.tif 000020
【０３４６】
【表４】
2007522934.tif 000021
【０３４７】
【表５】
2007522934.tif 000022
【０３４８】
【表６】
2007522934.tif 000023
【０３４９】
配位子１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）２−メチレンプロパン（配位子５）では、過剰な酸を伴っても、伴わなくても、付加的な配位子は、触媒性能の低下をもたらす。低い配位子、および酸の最適な条件、例えば、運転番号３および４は、研究された条件下で最高の触媒生産性をもたらす。低い酸比で過剰の配位子を加える場合と同様に、運転番号１においてのような高い酸比で過剰の配位子を加えると、性能が著しく低下する。
【０３５０】
次の２つの表は、配位子１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼンに関するデータを含む。データを８０Ｃで集めたので、速度およびターンオーバー数は、すでに示したデータよりも低い。しかしながら、データは、一定の酸：配位子ｂレベルで、配位子：Ｐｄ比の上昇は、初速度およびＴＯＮ値のかなりの上昇をもたらすことを示している。このデータは、予備形成触媒［（Ｌ−Ｌ）Ｐｄ（ｄｂａ）（詳細に関しては下記参照）］を使用し、過剰の配位子をプロトン化塩として加える。実験の詳細を、下記に示す。
【０３５１】
【表７】
2007522934.tif 000024
【０３５２】
【表８】
2007522934.tif 000025
【０３５３】
パラジウムのモル数は、Ｌ2Ｐｄ（ｄｂａ）のモル数に等しい。
【０３５４】
これらの実施例に記載されている作業を、２Ｌ容量のオートクレーブ中で実施した。各試験で、Ｌ2Ｐｄ（ｄｂａ）触媒１０ｍｇおよびプロトン化ホスフィン３２ｍｇ（４当量
）または７２ｍｇ（９当量）を調製フラスコに、窒素パージされたグローブボックス内で加えた。次いで、メタノールおよびプロパン酸メチル５０：５０重量％を含む共沸生成物１７５ｍｌならびにプロパン酸メチル１２５ｍＬを脱ガスし、フラスコに加えると、反応溶液が生じたが、これは、プロパン酸メチル７０重量％に近かった。必要量のメタンスルホン酸を加えた後に、溶液を真空オートクレーブに移し、真空下に８０℃に加熱した。この期間の間も、その後もずっと、オートクレーブを−１０００ｒ．ｐ．ｍで攪拌した。この温度に達したら、エチレンを加えることにより系の全圧を９バールまで（−１バールの蒸気圧基線から）高め、次いで、全圧が−１１バールであり、ヘッドスペースＣ2Ｈ4／ＣＯ比が９：１になるように、１：１Ｃ2Ｈ4／ＣＯの２バールを補充した。この後、系内の圧力を一定に保持するために必要な速度で、１：１ガスのみを系に供給した。反応速度および触媒ＴＯＮを、供給レザバーからのガス除去速度から算出するが、この際、理想気体動態およびプロパン酸メチルへの１００％選択率を仮定した。
【０３５５】
１，２−ビス（ジ−１−アダマンチルホスフィノメチル）ベンゼンパラジウム（ｄｂａ）の調製
ＴＨＦ（１００ｃｍ3）を、配位子（２．０５ｇ、２．９０ｍｍｏｌ）およびパラジウ
ムｄｂａ（１．６１ｇ、２．９０ｍｍｏｌ［Ｐｄ］）の組合せに加えると、深い赤−オレンジ色の混濁溶液が得られた。反応物を３時間攪拌した。反応物をカニューレを介して濾過すると、深い赤−オレンジ色の濾液および少量の［Ｐｄ］残留物が得られた。揮発性物質を真空除去すると、深赤色の粉末固体が得られた。ペンタン（５０ｃｍ3）をカニュー
レを介して加え、スパチュラを用いて摩擦すると、オレンジ色の粉末が分離した。琥珀色のペンタン洗浄液をカニューレ濾過を介して除去し、固体を−１０℃のＥｔ2Ｏ（３×５
０ｃｍ3）で洗浄した。生じたオレンジ色の粉末を真空乾燥させ、グローブボックス中で
単離した。収量２．６８ｇ、８８％、31Ｐ  ＮＭＲ：δ＝４６、４２ｐｐｍ（比１：１）、実質的にリン純粋。ＦＷ＝１０４７．７３。
【０３５６】
１，３−ビス−（ジ−１−アダマンチルホスフィノ）プロパンパラジウム（ｄｂａ）の調製
上述と同様であるが、ただし、配位子（１．９６ｇ、３．０４ｍｍｏｌ）およびパラジウムｄｂａ（１．６９ｇ、３．０４ｍｍｏｌ［Ｐｄ］）をＴＨＦ（７０ｃｍ3）中で使用
した。３時間後に、深い赤−オレンジ色の溶液が、かなり混濁して生じた；付加的なＴＨＦ５０ｃｍ3を加えて、生成物をさらに溶かした。反応物を上述のように後処理したが、
ただし、Ｅｔ2Ｏ洗浄を、周囲温度で行った。固体をグローブボックス中でオレンジ色の
粉末として単離した。収量２．０８ｇ、６９％。31Ｐ  ＮＭＲ：δ＝４２、３８ｐｐｍ（比１：１、ノイズ多い）。ＦＷ＝９８５．６６。
【０３５７】
Ｌ2Ｐｄ（ｄｂａ）錯体の調製に関する詳細については、ジー  アール  イーサム（Ｇ
．Ｒ．Ｅａｓｔｈａｍ）によりＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｄｕｒｈａｍに提出された学位論文「Ｓｔｕｄｉｅｓ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  Ｃａｔａｌｙｓｅｄ  Ｍｅｔｈｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｅｔｈｅｎｅ」（１９９８）も参照されたい。
【実施例３５】
【０３５８】
本発明の化合物により触媒される、エチレン、一酸化炭素およびメタノールからのプロパン酸メチルの調製
例示の連続法は、触媒系の存在下で、一酸化炭素、エチレンおよびメタノールの精製流を液相で反応させて、所望の生成物であるプロパン酸メチルを生じさせることに関するものであった。
【０３５９】
反応を、１００℃および圧力１２ｂａｒで反応容器中で実施した。
【０３６０】
触媒系は、パラジウム塩、ホスフィン配位子、および酸である３種の成分からなる。組み合わせて一緒にし、反応混合物中に溶かすと、３種の触媒成分は、反応触媒すなわち触媒系、均一系触媒を構成し、これは、溶解している反応成分を、液相中で生成物であるプロパン酸メチルに変換した。
【０３６１】
連続運転の間、触媒は、一定の速度ではあるが徐々に分解するので、新たな触媒を加えることにより交換するか、生成物プロパン酸メチルの生成速度は、遅くなった。
【０３６２】
反応容器は、攪拌機、さらに、反応器の上部ヘッドスペース部分に集まった未反応ガスを再循環させる手段を備えていた。エチレンおよび一酸化炭素の混合物からなる、反応容器ヘッドスペースからの未反応ガスを連続的に、供給パイプを介して底部から反応器に戻して、ガスが、反応混合物を連続的に通過するようにした。
【０３６３】
反応容器に供給したら、攪拌機によりガスを分散させて、微細な気泡にした。こうして、エチレンおよび一酸化炭素を反応混合物に溶かした。
【０３６４】
新規のエチレンおよび一酸化炭素ガスを、再循環ガスに加えて、反応で使用された２種のガスの量を補充する。新規のメタノールも、反応溶液に連続的に加えて、反応で使用されたメタノールを補充した。
【０３６５】
反応容器は、パラジウム塩、ホスフィン配位子、およびスルホン酸である均一系触媒の３種の成分と共に大部分の液体反応混合物を保持した。
【０３６６】
生成物のプロパン酸メチルを回収するために、反応混合物の流れを、反応器の外側へ、蒸留カラムに連続的に流した。
【０３６７】
一段「フラッシュ」タイプの蒸留カラムである蒸留カラムは、反応混合物のプロパン酸メチルおよびメタノール成分のフラクションを不揮発性溶解触媒成分から分離する手段を備えていた。これは、フラッシュカラムを通過する際に、反応混合物フラクションを蒸発させることにより達成された。フラッシュカラムの通過後も液体として留まり、まだ有用な触媒成分を含む反応混合物の部分を、反応容器に戻して、触媒成分を、進行中の反応に
加えることができるようにした。
【０３６８】
プロパン酸メチル生成物をメタノールを含まないようにする必要がある場合には、第２の蒸留カラムが必要があった。この場合、プロパン酸メチルおよびメタノールの混合物であるフラッシュカラムからの蒸気流を、第２の蒸留カラムに入れると、そこで、純粋なプロパン酸メチルがより重い生成物として生じるので、これを、カラムの底部から取り出した。メタノールおよびプロパン酸メチルの低沸点混合物は、軽い生成物として生じたので、ＭｅＰ生成カラムの頂部から連続的に除去した。この工程で可能な限り有効にメタノールを使用するために、メタノールおよびプロパン酸メチルからなる低沸点混合物を、反応容器に連続的に戻した。
【０３６９】
連続的な反応ユニットを始動させた後、プロパン酸メチルの所望の生成速度が達成されたら、触媒成分の供給速度を徐々に低下させる工程に取りかかった。
【０３７０】
プロパン酸メチルの生成速度を維持するために、損失速度を補充する速度で、分解により失われたパラジウム触媒成分を新規のパラジウムに連続的に取り替える。
【０３７１】
このことにより、反応容器のヘッドスペース内の一酸化炭素およびエチレンの一定濃度により示されるように、触媒成分の持続的な濃度がプロパン酸メチルの所定の発生速度に関して一定で、フローシート反応速度を維持することができる状況が生じた。これは、平衡点と称されたが、それというのも、これらの条件下では、パラジウム分解速度は、新規パラジウムの添加速度に正確に釣り合うためであった。
【０３７２】
平衡点条件下での新規パラジウム触媒成分の添加速度から、パラジウムターンオーバー数（ＴＯＮ）を算出した。これは、１時間当たり分解工程により消費されるパラジウムの各モルに対して、１時間当たり生じるプロパン酸メチルのモル数と定義される。
【０３７３】
対照条件の予め決定されたセットで、一定の速度に達したら、変数すべての瞬時値を記録し、代表データとして使用すると、その時点で使用されていた条件下での方法の性能が分る。
【０３７４】
パラジウムターンオーバー数に対する、反応混合物中に存在するホスフィン配位子、および酸レベルの効果に関するデータを集めるために、反応混合物中の配位子、および酸のバックグラウンドレベルを除き、すべての変数を一定に保持した。専用タンクおよびポンプ系を介して、これらの化合物を反応容器に少量加えることにより、これらのレベルを変化させた。次いで、添加の後に、触媒溶液供給速度を慎重に調節して、平衡点を再び生じさせた。
【０３７５】
実験の意図は、平衡点データの新たなセットをそれぞれ集めた後に、系を、前の条件セットに戻して、次の実験条件セットに移す前に性能のドリフトをチェックすることであった。
【０３７６】
こうして、結果の比較セットを作成したが、これは、ホスフィン配位子のバックグラウンドレベルおよび酸レベルの変化により生じた触媒安定への変化を明白に示していた。
【０３７７】
反応器への供給物中でのパラジウムの量は、ターンオーバー数の結果の算出にとって重要である。触媒供給タンクへと移す前に、触媒の各バッチをパラジウム含分に関して分析することにより、系に供給される新規触媒の速度に対する保障が得られた。触媒供給系の一部であるビュレットでのレベル低下のタイミングから、実際の触媒供給速度を決定することにより、さらなる保障が得られた。
【０３７８】
表９は、酸：配位子比および配位子：金属比を高めた場合のパラジウムターンオーバー数（ＴＯＮ）に対する効果を示している。
【０３７９】
この実施例では、使用された酸は、メタンスルホン酸であり、二座ホスフィン配位子は、１，２−ビス−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼンであり、パラジウム化合物は、トリ（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムであった。
【０３８０】
【表９】
2007522934.tif 000026
【０３８１】
添付の図面の図１−３で、他の傾向を見ることができる。
図１は、酸対配位子モル比に対するＴＯＮを示す。酸対配位子比が約１０超に上昇すると、この特別な触媒系では、ＴＯＮが大きく上昇することが明らかである。
【０３８２】
図２は、反応器中に遊離で存在するメタンスルホン酸の量に対するＴＯＮを示す。酸のレベルが上昇すると、この特別な触媒系では、ＴＯＮが大きく上昇することが明らかである。
【０３８３】
図３は、メタンスルホン酸の量に対する溶液中のＰｄ量を示す。酸のレベルが上昇すると、この特別な触媒系では、溶液中のＰｄの量が低下する一方で、反応速度は一定なままであることが明らかである。したがって、これらの高い酸レベルで処理すると、パラジウムレベルが低下しても、反応速度を維持することができる。触媒系のパラジウム成分の相対コストを考慮すると、利点は明白である。
【０３８４】
いくつかの好ましい実施形態を示し、記載したが、本発明の範囲から逸脱することなく、添付の請求項に定義されているように、様々な変化および変更を行うことができることは、当業者であれば、理解されるであろう。
【０３８５】
本出願に関連して本明細書と同時かそれに先行して提出され、本明細書と共に公共で閲覧可能なすべての論文および文献に、注意が向けられており、このようなすべての論文および文献の内容は、参照により本明細書に援用される。
【０３８６】
本出願に開示されているすべての形態（添付の請求項、要約書および図面をすべて含む）および／または開示されている方法または方式の工程はすべて、このような形態および／または工程の少なくとも複数が相互に排除し合う組合せを除き、あらゆる組合せで組み合わせることができる。
【０３８７】
本出願に開示されている各形態（添付の請求項、要約書および図面をすべて含む）は、他に特に記載されていない限り、同様、同等または類似の目的に役立つ別の形態に代えることができる。したがって、他に記載のない限り、開示されている各形態は、同等または類似の形態の一般的なシリーズの単なる１例である。
【０３８８】
本発明は、上述の実施形態の詳細には制限されない。本発明は、本明細書中（添付の請求項、要約書および図面をすべて含む）に開示されている形態の新規の１形態または新規の組合せに、もしくは開示されている方法または方式の工程の新規の１工程または新規の組合せに及ぶ。
【図面の簡単な説明】
【０３８９】
【図１】酸対配位子モル比に対するＴＯＮを示すグラフ。
【図２】反応器中に遊離で存在するメタンスルホン酸の量に対するＴＯＮを示すグラフ。
【図３】メタンスルホン酸の量に対する溶液中のＰｄ量を示すグラフ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2007522934.tif 000039
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