(57)【要約】【課  題】短工程で、収率よく、かつ光学純度よく、光学活性β−アミノ酸誘導体等のアミノ酸誘導体の製造方法の提供。【解決手段】一般式（１）2007505896.tif 000031（式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基等、Ｒ２はスペーサー、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基等を示す。）で表されるケト酸とアンモニア又はアミン或いはそれらの塩とを不斉触媒の存在下、酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下又は不存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）2007505896.tif 000032 （式中、Ｑはアンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示す。）で表されるアミノ酸誘導体の製造方法。【選択図】なし
2007505896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2007505896.tif 000024
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ２はスペーサーを示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３又はＲ１とＲ３とが結合して環を形成していてもよい。］で表されるケト酸誘導体とアンモニア又はアミン或いはそれらの塩とを不斉触媒及び水素の存在下、酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下又は不存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
【化２】
2007505896.tif 000025
（式中、Ｑはアンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示し、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ前記と同一意味を有する。）で表されるアミノ酸誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項２】
一般式（２）で表されるアミノ酸誘導体が、一般式（２−１）
【化３】
2007505896.tif 000026
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ２はスペーサーを示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示す。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３又はＲ１とＲ３とが結合して環を形成していてもよい。Ｑはアンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、＊は不斉炭素を示す。］で表される光学活性アミノ酸誘導体である請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
アンモニア又はアミン或いはそれらの塩が、一般式（３）
【化４】
2007505896.tif 000027
（式中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、また、Ｒ４とＲ５とが結合して環を形成していてもよく、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ａは０又は１を示す。）で表されるアミン類又はその塩である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
アミノ酸誘導体又はその塩が、一般式（２ａ）
【化５】
2007505896.tif 000028
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ２はスペーサーを示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示す。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ３、又はＲ４とＲ５とが結合して環を形成していてもよい。］で表されるアミノ酸誘導体又はその塩である請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
一般式（１−１）
【化６】
2007505896.tif 000029
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ１１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、又はヒドロキシ基を示す。また、Ｒ１とＲ１１、Ｒ１１とＲ３又はＲ３とＲ１とが結合して環を形成していてもよい。］で表されるβ−ケト酸誘導体とアンモニア又はアミン或いはそれらの塩とを不斉触媒及び水素の存在下、酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下又は不存在下で反応させることを特徴とする一般式（２−２）
【化７】
2007505896.tif 000030
（式中、Ｒ１、Ｒ１１及びＲ３は前記と同一意味を有し、Ｑはアンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示し、＊は不斉炭素を示す。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項６】
不斉触媒が遷移金属錯体である請求項１又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
遷移金属錯体が第ＶＩＩＩ族の金属の錯体である請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
遷移金属錯体が不斉配位子を有するものである請求項６に記載の製造方法。
【請求項９】
不斉配位子が不斉ホスフィン配位子である請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
不斉触媒が、一般式（７）
ＭｍＬｎＸｐＹｑ              （７）
又は一般式（８）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ      （８）
（上記式中、Ｍは第８〜第１０族の遷移金属を示し、Ｌは不斉配位子を示し、Ｘはハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンを示し、Ｙは配位子を示し、Ｚはアニオン又はカチオンを示し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ及びｓはそれぞれ０〜５の整数を示す。）
で表される不斉遷移金属錯体である請求項１又は５に記載の製造方法。
【請求項１１】
不斉触媒が、不斉配位子と遷移金属化合物との混合物であることを特徴とする請求項１又は５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬、農薬等の中間体として有用なアミノ酸誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学活性β−アミノ酸誘導体を合成する方法としては、（１）所望のアミノ酸類のラセミ体を合成し、これを光学活性な分割剤や酵素などを用いて光学分割する方法、（２）β−アシルアミノ−α、β−不飽和エステルの触媒的不斉水素化反応による方法、或いは（３）β−ケトエステルと光学活性アミンを用い、エナミンを経由して合成する方法等が知られている。
【０００３】
このうち、β−ケトエステルと光学活性アミンを用いる方法として、特許文献１には、β−ケトエステルと光学活性なフェネチルアミン類とを反応させてエナミンとした後、該エナミンをパラジウム触媒と水素の存在下に反応させる、光学活性β−アミノ酸誘導体の合成方法が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載の方法では、β−ケトエステルに対して化学量論量以上の高価な光学活性フェネチルアミンが必要であり、また、保護基である光学活性フェネチル基を脱保護する必要があるため、コストがかかり、作業性がよくない、という問題点を有していた。
【０００４】
また、非特許文献１には、β−ケトエステルと光学活性なフェネチルアミンとを反応させてエナミンとした後、該エナミンを水素化ホウ素ナトリウムと酸の存在下に還元する、光学活性β−アミノ酸誘導体の合成方法が記載されている。しかしながら、非特許文献１に記載の方法では、特許文献１に記載の方法と同様、ケトンに対して化学量論量以上の高価な光学活性アミンが必要であり、また、中間体としてエナミンを経由しているため、コストがかかり、作業性がよくない、という問題点を有していた。
更に、非特許文献２には、α−ケト酸とベンジルアミンとを触媒及び水素の存在下に反応させる光学活性α−アミノ酸誘導体の合成方法が記載されている。非特許文献３には、α−ケト酸と蟻酸アンモニウムとを触媒の存在下に反応させるα−アミノ酸誘導体の合成方法が記載されている。また、非特許文献４には、α−ケト酸であるフェニルピルビン酸とベンジルアミンとを触媒及び水素の存在下に反応させる、アミノ酸誘導体であるＮ−ベンジル−α−フェニルアラニンの合成方法が記載されている。しかしながら、これら非特許文献２〜４には、光学活性β−アミノ酸誘導体の合成方法については何も記載されていない。
【特許文献１】国際公開第００／５６７１６
【非特許文献１】テトラヘドロン：アシンメトリー（Tetrahedron: Asymmetry）、１９９７年、第８巻、１４４５〜１４５１頁
【非特許文献２】ジャーナル  オルガニック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、２００３年、第６８巻、４０６７〜４０７０頁
【非特許文献３】ジャーナル  オルガニック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、２００２年、第６７巻、８６８５〜８６８７頁
【非特許文献４】ケミカル  コミュニケーションズ（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．）、２０００年、１８６７〜１８６８頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、β−アミノ酸誘導体などのアミノ酸誘導体、特に光学活性β−アミノ酸誘導体を、入手容易な原料化合物から短工程で、収率よく、かつ光学純度よく製造する方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、原料化合物として、β−ケト酸誘導体等のケト酸誘導体とアンモニア又はアミン或いはそれらの塩を用いて、不斉触媒及び水素の存在下に反応させることにより、短工程で、収率よく、かつ光学純度よく、所望の光学活性β−アミノ酸誘導体等のアミノ酸誘導体を製造できることを見出した。本発明は、これらの知見に基づき達成された。
【０００７】
即ち、本発明は、
（１）一般式（１）
【化１】
2007505896.tif 000003
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ２はスペーサーを示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３又はＲ１とＲ３とが結合して環を形成していてもよい。］で表されるケト酸誘導体とアンモニア又はアミン或いはそれらの塩とを不斉触媒及び水素の存在下、酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下又は不存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
【化２】
2007505896.tif 000004
（式中、Ｑは、アンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示し、Ｒ１〜Ｒ３は前記と同一意味を有する。）
で表されるアミノ酸誘導体又はその塩の製造方法、
（２）一般式（２）で表されるアミノ酸誘導体が、一般式（２−１）
【化３】
2007505896.tif 000005
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ２はスペーサーを示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示す。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３又はＲ１とＲ３とが結合して環を形成していてもよい。Ｑはアンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、＊は不斉炭素を示す。］で表される光学活性アミノ酸誘導体である前記（１）に記載の製造方法。
（３）アンモニア又はアミン或いはそれらの塩が、一般式（３）
【化４】
2007505896.tif 000006
（式中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、また、Ｒ４とＲ５とが結合して環を形成していてもよく、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、及びａは０又は１を示す。）で表されるアミン類又はその塩である前記（１）に記載の製造方法、
（４）アミノ酸誘導体又はその塩が、一般式（２ａ）
【化５】
2007505896.tif 000007
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ２はスペーサーを示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示す。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ３、又はＲ４とＲ５とが結合して環を形成していてもよい。］で表されるアミノ酸誘導体又はその塩である前記（１）に記載の製造方法、
（５）一般式（１−１）
【化６】
2007505896.tif 000008
［式中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は、置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）、−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ１１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、又はヒドロキシ基を示す。Ｒ１とＲ１１、Ｒ１１とＲ３又はＲ３とＲ１とが結合して環を形成していてもよい。］で表されるβ−ケト酸誘導体とアンモニア又はアミン或いはそれらの塩とを不斉触媒及び水素の存在下、酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下又は不存在下で反応させることを特徴とする一般式（２−２）
【化７】
2007505896.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ１１及びＲ３はそれぞれ前記と同一意味を有し、Ｑはアンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示し、Ｘ’は酸及び／又は含フッ素アルコールを示し、ｂは０又は１を示し、＊は不斉炭素を示す。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法、
（６）不斉触媒が遷移金属錯体である前記（１）又は（５）に記載の製造方法、
（７）遷移金属錯体が第８〜１０族の金属の錯体である前記（６）に記載の製造方法、
（８）遷移金属錯体が不斉配位子を有するものである前記（６）に記載の製造方法、
（９）不斉配位子が不斉ホスフィン配位子である前記（８）に記載の製造方法、
（１０）不斉触媒が、一般式（７）
ＭｍＬｎＸｐＹｑ              （７）
又は一般式（８）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ      （８）
（上記式中、Ｍは第８〜１０族の遷移金属を示し、Ｌは不斉配位子を示し、Ｘはハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンを示し、Ｙは配位子を示し、Ｚはアニオン又はカチオンを示し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ及びｓは０〜５の整数を示す。）で表される不斉遷移金属錯体である前記（１）又は（５）に記載の製造方法、
（１１）不斉触媒が、不斉配位子と遷移金属化合物との混合物であることを特徴とする前記（１）又は（５）に記載の製造方法、
に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の製造方法は、β−アミノ酸誘導体等のアミノ酸誘導体が、入手容易な原料（ケト酸類、及びアンモニア又はアミン類或いはそれらの塩）から短工程で効果的に製造でき、しかも所望の光学活性β−アミノ酸誘導体が収率よくかつ高光学純度で製造できる、という優れた効果を奏するものである。また、本発明の製造方法は、無置換アミノ基を有する光学活性アミノ酸誘導体が脱保護工程を必要とすることなく直接製造できるばかりでなく、所望のハロゲン化炭化水素基等の基を有するアリール基やアルキル基のような置換基をもつアミン類を用いても、所望の光学活性アミノ酸誘導体が製造できる、という点でも顕著な効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明で用いられる一方の原料化合物は、一般式（１）
【化８】
2007505896.tif 000010
(式中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ前記と同一意味を有する。)で表されるケト酸誘導体である。
【００１０】
上記一般式中の各基について下記に説明する。
Ｒ１で示される置換基を有していてもよい炭化水素基としては、無置換炭化水素基及び置換炭化水素基が挙げられる。その炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
【００１１】
アルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００１２】
アルケニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数２〜１５、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられ、その具体例としては、エテニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。
【００１３】
アルキニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数２〜１５、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルキニル基が挙げられ、その具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。
【００１４】
アリール基としては、例えば炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、その具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等が挙げられる。
【００１５】
アラルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも１個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、例えば炭素数７〜１５のアラルキル基が好ましく、具体的にはベンジル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、３−ナフチルプロピル基等が挙げられる。
【００１６】
置換炭化水素基（置換基を有する炭化水素基）としては、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子が後述する置換基で置換された炭化水素基が挙げられる。
【００１７】
置換基を有していてもよい複素環基としては、無置換複素環基及び置換複素環基が挙げられる。そのような複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられる。
【００１８】
脂肪族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１４で構成され、また、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の脂肪族複素環基が挙げられる。脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、２−オキソ−ピロリジニル基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
【００１９】
芳香族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１５で構成され、また、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の芳香族複素環基が挙げられる。芳香族複素環基の具体例としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。
【００２０】
置換複素環基（置換基を有する複素環基）としては、上記複素環基の少なくとも１個の水素原子が後述する置換基で置換された複素環基が挙げられる。
【００２１】
Ｒ３で示される置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、アルコキシ基及び置換アルコキシ基が挙げられる。アルコキシ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。そのようなアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、５−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アルコキシ基としては、前記アルコキシ基の少なくとも１個の水素原子が後述する置換基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。
【００２２】
置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、アリールオキシ基及び置換アリールオキシ基が挙げられる。そのようなアリールオキシ基としては、例えば炭素数６〜１４のアリールオキシ基が挙げられる。そのようなアリールオキシ基の具体例としては、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。置換アリールオキシ基としては、前記アリールオキシ基の少なくとも１個の水素原子が後述する置換基で置換されたアリールオキシ基が挙げられる。
【００２３】
置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基としては、アラルキルオキシ基及び置換アラルキルオキシ基が挙げられる。そのようなアラルキルオキシ基としては、例えば炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基が挙げられる。そのようなアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオキシ基、２−フェニルエトキシ基、１−フェニルプロポキシ基、２−フェニルプロポキシ基、３−フェニルプロポキシ基、１−フェニルブトキシ基、２−フェニルブトキシ基、３−フェニルブトキシ基、４−フェニルブトキシ基、１−フェニルペンチルオキシ基、２−フェニルペンチルオキシ基、３−フェニルペンチルオキシ基、４−フェニルペンチルオキシ基、５−フェニルペンチルオキシ基、１−フェニルヘキシルオキシ基、２−フェニルヘキシルオキシ基、３−フェニルヘキシルオキシ基、４−フェニルヘキシルオキシ基、５−フェニルヘキシルオキシ基、６−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アラルキルオキシ基としては、前記アラルキルオキシ基の少なくとも１個の水素原子が後述する置換基で置換されたアラルキルオキシ基が挙げられる。
【００２４】
−ＮＲａＲｂにおける、Ｒａ及びＲｂで示される置換基を有していてもよい炭化水素基は、上記で説明した置換基を有していてもよい炭化水素基と同じである。Ｒａ及びＲｂの少なくとも一方が、置換基を有していてもよい炭化水素基である場合の−ＮＲａＲｂの具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ベンジルアミノ基等が挙げられる。
【００２５】
置換基を有していてもよいアシル基としては、アシル基及び置換アシル基が挙げられ、該アシル基は、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数１〜１８のアシル基が挙げられる。そのようなアシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００２６】
Ｒａ及びＲｂの少なくとも一方が、置換基を有していてもよいアシル基である場合の−ＮＲａＲｂの具体例としては、Ｎ−アセチルアミノ基、Ｎ−ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。
【００２７】
−ＳＯ２Ａ１におけるＡ１で示される置換基を有していてもよい炭化水素基も上記で説明した置換基を有していてもよい炭化水素基と同じである。置換アミノ基は下記に説明されるが、好ましい置換アミノ基は、アミノ基の２個の水素原子が上記置換基を有していてもよい炭化水素基で置換されたアミノ基が挙げられる。
【００２８】
−ＳＯ２Ａ１の具体例としては、−ＳＯ２ＣＨ３、−ＳＯ２Ｃ６Ｈ５、−ＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３、−ＳＯ２ＣＦ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。Ｒａ及びＲｂの少なくとも一方が、−ＳＯ２Ａ１である場合の−ＮＲａＲｂの具体例としては、−ＮＨＳＯ２ＣＨ３、−ＮＨＳＯ２Ｃ６Ｈ５、−ＮＨＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３、−ＮＨＳＯ２ＣＦ３、−ＮＨＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。
【００２９】
−ＣＯＯＲＣにおけるＲＣで示される置換基を有していてもよい炭化水素基も上記で説明した置換基を有していてもよい炭化水素基と同じであり、上記−ＣＯＯＲＣの具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、９−フルオレニルメトキシカルボニル基等が挙げられる。Ｒａ及びＲｂの少なくとも一方が、−ＣＯＯＲｃである場合の−ＮＲａＲｂ、即ち、−ＮＨＣＯＯＲＣの具体例としては、メチルカルバメート基、エチルカルバメート基等が挙げられる。
【００３０】
Ｒ３で示される置換基を有していてもよい複素環基としては、環を構成する原子の中に窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等の異種原子を少なくとも１個含む環基が挙げられ、また、前記複素環は単環でも多環でも或いは縮合環でもよく、例えば後述する置換基を有していてもよく、好ましくは、下記式で表される環基等が挙げられる。
【化９】
2007505896.tif 000011
【００３１】
上記式中、Ｒは同一又は異なって、水素原子又は後述する置換基を示し、上記複素環基はＲ以外に後述する置換基を有していてもよい。
【００３２】
置換炭化水素基、置換複素環基、置換アシル基、置換アルコキシ基、置換アリールオキシ基、置換アラルキルオキシ基等の、置換基で置換された種々の基における「置換基」としては、炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基、置換複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アシル基、置換アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素基、アルキレンジオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、置換シリル基等が挙げられる。
【００３３】
炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基及び置換複素環基は上記Ｒ１で説明した各基と同じである。アルコキシ基、置換アルコキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アシル基及び置換アシル基は上記Ｒ３で説明した各基と同じである。
【００３４】
アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３５】
アリールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、その具体例としてフェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３６】
アラルキルオキシカルボニル基としては、例えば炭素数８〜１５のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、アラルキルオキシカルボニル基の具体例としては、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３７】
アシルオキシ基としては、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数２〜１８のアシルオキシ基が挙げられる。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００３８】
アルキルチオ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、炭素数１〜６のアルキルチオ基が挙げられる。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
アリールチオ基としては、例えば炭素数６〜１４のアリールチオ基が挙げられ、その具体例としてはフェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられる。
アラルキルチオ基としては、例えば炭素数７〜１５のアラルキルチオ基が挙げられ、アラルキルチオ基の具体例としては、ベンジルチオ基、２−フェネチルチオ基等が挙げられる。
【００３９】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００４０】
ハロゲン化炭化水素基は、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子がハロゲン化（例えばフッ素化、塩素化、臭素化、ヨウ素化等）された基が挙げられる。ハロゲン化炭化水素としては、例えば、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基等が挙げられ、その具体例としてクロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、３−ブロモプロピル基、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロプロピル基、フルオロブチル基、フルオロペンチル基、フルオロヘキシル基、フルオロヘプチル基、フルオロオクチル基、フルオロノニル基、フルオロデシル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロエチル基、フルオロシクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、ペルフルオロ−ｎ−プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ−ｎ−ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、ペルフルオロ−ｎ−ヘキシル基、ペルフルオロイソヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、２−ペルフルオロオクチルエチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００４１】
置換基がアルキレンジオキシ基である場合は、例えば上記アリール基やアラルキル基中の芳香環の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基で置換される。アルキレンジオキシ基の具体例としては、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基等が挙げられる。
【００４２】
置換アミノ基としては、アミノ基の１個又は２個の水素原子が保護基等の置換基で置換されたアミノ基が挙げられる。保護基としては、アミノ保護基として用いられるものであれば何れも使用可能であり、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ  ＧＲＯＵＰＳ  ＩＮ  ＯＲＧＡＮＩＣ  ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ  ＴＨＩＲＤ  ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ  ＆  ＳＯＮＳ，  ＩＮＣ．  （１９９９年））」にアミノ保護基として記載されているものが挙げられる。アミノ保護基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４３】
上記アミノ保護基のアルキル基、アリール基及びアラルキル基は上記Ｒ１における炭化水素基で説明した各基と同じであり、また、アシル基は、上記Ｒ３で説明したアシル基と同じである。アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びアラルキルオキシカルボニル基は、上記置換基で説明した各基と同じである。アルキル基で置換されたアミノ基、即ちアルキル基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のモノ又はジアルキルアミノ基が挙げられる。アリール基で置換されたアミノ基、即ちアリール基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ−ナフチルアミノ基、Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等のモノ又はジアリールアミノ基が挙げられる。アラルキル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキル基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等のモノ又はジアラルキルアミノ基が挙げられる。アシル基で置換されたアミノ基、即ちアシルアミノ基の具体例としては、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアルコキシカルボニルアミノ基の具体例としては、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ペンチルオキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００４４】
アリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアリールオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、アミノ基の１個の水素原子が前記したアリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基が挙げられ、その具体例としては、フェノキシカルボニルアミノ基、ナフチルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００４５】
アラルキルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキルオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、ベンジルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００４６】
置換シリル基としては、例えば、シリル基の３個の水素原子が上記Ｒ１で説明したアルキル基、アリール基、アラルキル基等の炭化水素基等の置換基で置換されたトリ置換シリル基が挙げられる。トリ置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００４７】
Ｒ２で示されるスペーサーとしては、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、置換基を有していてもよい二価の芳香族基、置換基を有していてもよい二価のオキシアルキレン基等が挙げられる。
置換基を有していてもよいアルキレン基は、アルキレン基及び置換アルキレン基が挙げられる。アルキレン基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい例えば炭素数１〜１０のアルキレン基が挙げられる。アルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、ブチレン基、２−メチルプロピレン基、ペンチレン基、２，２−ジメチルプロピレン基、２−エチルプロピレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。
【００４８】
置換基を有していてもよいアルケニレン基は、アルケニレン基及び置換アルケニレン基が挙げられる。置換基を有していてもよいアルケニレン基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい例えば炭素数２〜１０のアルケニレン基が挙げられる。アルケニレン基の具体例としては、ビニレン基、プロペニレン基、１−ブテニレン基、２−ブテニレン基等が挙げられる。
【００４９】
置換基を有していてもよい二価の芳香族基は、二価の芳香族基及び置換二価の芳香族基が挙げられる。二価の芳香族基としては、例えば炭素数６〜１２の芳香族基が挙げられ、その具体例としてはフェニレン基、ビフェニルジイル基、−ＣＨ２Ｃ６Ｈ５−、−ＣＨ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ２−等が挙げられる。
【００５０】
置換基を有していてもよいオキシアルキレン基は、オキシアルキレン基及び置換オキシアルキレン基が挙げられる。オキシアルキレン基としては、上記アルキレン基の鎖中の任意の位置に酸素原子を有するアルキレン基が挙げられる。例えば、−（（ＣＨ２）ｎ１−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ２）ｎ３−等が挙げられ、ここで、ｎ１〜ｎ３はそれぞれ独立して自然数を示し、好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３の自然数を示す。また、カッコ内のアルキレン基は、直鎖状でも分岐状でもよい。
【００５１】
置換アルキレン基、置換アルケニレン基、置換二価の芳香族基及び置換オキシアルキレン基としては、アルキレン基、アルケニレン基、二価の芳香族基及びオキシアルキレン基中の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換された各基が挙げられる。
【００５２】
これらスペーサーとしては、アンモニア又はアミン或いはそれらの塩と反応するカルボニル基側の炭素原子に水素原子を少なくとも１個有する基が好ましく、アンモニア又はアミン或いはそれらの塩と反応するカルボニル基側の炭素原子に水素原子を少なくとも１個有する置換基を有していてもよいアルキレン基がより好ましい。
【００５３】
Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３又はＲ１とＲ３とが結合して環を形成する場合には、形成する環は単環状でも多環状でも或いは縮合環状でもよく、例えば４〜８員環等が挙げられ、環を構成する炭素鎖中に、−Ｏ−、−ＮＨ−等を有していてもよい。環を形成する場合の環の具体例としては、例えば５〜７員環のシクロペンタノン類、シクロヘキサノン類、ラクトン類等、例えば５〜７員環のラクタム類等が挙げられる。
【００５４】
本発明で用いられる一般式（１）で示されるケト酸の中でも、好ましい化合物は、一般式（１−１）
【化１０】
2007505896.tif 000012
（式中、Ｒ１、Ｒ３は及びＲ１１はそれぞれ前記と同一意味を有する。）
で表されるβ−ケト酸誘導体である。Ｒ１１は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリルオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、又はヒドロキシ基であるが、これら「置換基を有していてもよい炭化水素基」、「置換基を有していてもよいアルコキシ基」、「置換基を有していてもよいアリルオキシ基」及び「置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基」は、上記Ｒ３で説明した各基と同様である。
【００５５】
本発明で用いられる一般式（１）で表されるケト酸誘導体の具体例としては、例えば以下に示す化合物等が挙げられる。
【化１１】
2007505896.tif 000013
【００５６】
一般式（２）において、Ｑは、アンモニア又はアミンからその１個の水素原子を除いて形成される１価の基を示す。
本発明で用いられるアンモニア又はアミンとしては、例えば一般式（３）
【化１２】
2007505896.tif 000014
（式中、Ｒ４、Ｒ５、ａ及びＸ’はそれぞれ前記と同一意味を有する。）
で表される。
【００５７】
一般式（３）で表わされるアミン類又はその塩は、Ｒ４及びＲ５の両者が水素原子であるアンモニア、いずれか一方のみが水素原子である１級アミン、両者が水素原子以外の基である２級アミンのいずれであってもよい。２級アミンの場合、Ｒ４及びＲ５が同一であってもよいし、異なっていてもよく、また、アンモニア、１級アミン及び２級アミンは、塩を形成してもよい。
置換基を有していてもよい炭化水素基及び置換基を有していてもよい複素環基は、上記Ｒ１で説明した各基と同じである。また、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基及び置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基は、上記Ｒ３で説明した各基と同じである。
Ｒ４とＲ５とが結合して環を形成して環状アミンを形成する場合には、形成する環は単環状でも多環状でも或いは縮合環状でもよく、例えば４〜８員環等が挙げられ、これらの環は、環を構成する炭素鎖中に、−Ｏ−、−ＮＨ−等を有していてもよい。環を形成する場合の環の具体例としては、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環等が挙げられる。
【００５８】
本発明で用いられるアミンとしては、上記したように、上記一般式（３）で表される１級アミン類及び２級アミン類が挙げられる。そのアミンの具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン等のアルキルアミン類、ベンジルアミンなどのアラルキルアミン類、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン等の環状アミン類、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン、Ｏ−メチルヒドロキシルアミン等のヒドロキシルアミン類、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルアミン、１Ｈ，１Ｈ−トリデカフルオロヘプチルアミン、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチルアミン、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタデカフルオロノニルアミン等のハロゲン化アルキル基置換アミン類、アニリン、３，４−ジフルオロアニリン、３，５−ジクロロアニリン、２，３，４−トリクロロアニリン、２，４，５−トリクロロアニリン、３，４，５−トリクロロアニリン、２，４−ジブロモアニリン、２，５−ジブロモアニリン、３，４，５−トリブロモアニリン、４−ヨードアニリン、３−ヨードアニリン、２−ヨードアニリン、２−メトキシアニリン、３−メトキシアニリン、４−メトキシアニリン（アニシジンということもある。）等のアニリン類、及び一般式（３ａ）
【化１３】
2007505896.tif 000015
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示し、ａ及びＸ’はそれぞれ前記と同一意味を有する。また、Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つはハロゲン化炭化水素基である。）
で表されるアミン等が挙げられる。
【００５９】
置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基及びアルキレンジオキシ基は、上記と同じである。置換基を有していてもよいアミノ基は、アミノ基及び置換アミノ基が挙げられる。置換アミノ基も上記と同じである。
【００６０】
Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して形成する縮合環の具体例としては、インデン、ナフタレン、ベンゾフラン、インダゾール、キノリン、イソキノリン等が挙げられる。
【００６１】
一般式（３ａ）で表されるアミン類の具体例としては、４−トリフルオロメチルアニリン、３−トリフルオロメチルアニリン、２−トリフルオロメチルアニリン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）アニリン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）アニリン、３，４，５−トリス（トリフルオロメチル）アニリン、４−ペンタフルオロエチルアニリン、３−ペンタフルオロエチルアニリン、２−ペンタフルオロエチルアニリン、２，４−ジペルフルオロプロピルアニリン、２，３−ジペルフルオロプロピルアニリン、３，５−ジペルフルオロプロピルアニリン、２，３，４−トリペルフルオロブチルアニリン、２，４，５−トリペルフルオロペンチルアニリン、４−ペルフルオロヘキシルアニリン、４−トリクロロメチルアニリン、３−トリクロロメチルアニリン、２−トリクロロメチルアニリン、３，４−ジペンタクロロエチルアニリン、４−トリブロモメチルアニリン、３−トリブロモメチルアニリン、２−トリブロモメチルアニリン等が挙げられる。
【００６２】
２級アミンの具体例としては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルアニリン等が挙げられる。
【００６３】
上記アンモニア、１級アミン類及び２級アミン類は、遊離であってもその塩であってもよい。このような塩（即ち、上記一般式（３）及び（３ａ）において、ａ＝１である化合物）としては、酸又は含フッ素アルコールとの塩が挙げられる。塩を形成する酸としては、無機酸、有機酸、ルイス酸等が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、テトラフルオロホウ酸、過塩素酸、過ヨウ素酸等挙げられる。有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、吉草酸、ヘキサン酸、クエン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、サリチル酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、フタル酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸等のカルボン酸類、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン酸類等が挙げられる。ルイス酸としては、例えば、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム類、塩化ジエチルアルミニウム、臭化ジエチルアルミニウム、塩化ジイソプロピルアルミニウム等のハロゲン化ジアルキルアルミニウム類、トリエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム等のトリアルコキシアルミニウム、四塩化チタン等のハロゲン化チタン類、テトライソプロポキシチタニウム等のテトラアルコキシチタニウム類、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル錯体等のハロゲン化ホウ素類、塩化亜鉛、臭化亜鉛等のハロゲン化亜鉛類等が挙げられる。
【００６４】
また、塩を形成する含フッ素アルコールとしては、含フッ素脂肪族アルコールが挙げられる。含フッ素脂肪族アルコールの具体例としては、例えば炭素数２〜１０の飽和又は不飽和の含フッ素脂肪族アルコールが挙げられる。含フッ素脂肪族アルコールの具体例としては、例えば、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２−ジフルオロエタノール、３，３，３−トリフルオロプロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、２−メチル−３，３，３−トリフルオロエタノール、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブタノール、４，４，５，５，５−ペンタフルオロペンタノール、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキサノール、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキサノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール等が挙げられる。これら含フッ素脂肪族アルコールは、中でも２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２−ジフルオロエタノール、３，３，３−トリフルオロプロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール等が好ましい。
ここで、本発明において、アンモニア又はアミンの含フッ素アルコール塩とは、実際に塩になっていなくても、実質的に塩となっているような状態のもの(例えば、含フッ素アルコール和物)が挙げられる。
【００６５】
本発明により得られる一般式（２）で示されるアミノ酸誘導体又はその塩は、一般式（２−１）
【化１４】
2007505896.tif 000016
（式中、Ｒ１〜Ｒ３、Ｑ、Ｘ’、ｂ及び＊はそれぞれ前記と同一意味を有する。）で表される光学活性アミノ酸誘導体又はその塩が好ましく得られる。
ここで一般式（１）で表されるケト酸誘導体として、上記一般式（１−１）で表されるβ−ケト酸誘導体を用いれば、一般式（２−２）
【化１５】
2007505896.tif 000017
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ１１、Ｑ、Ｘ’、ｂ及び＊はそれぞれ前記と同一意味を有する。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体が好適に得られる。なお、Ｒ１１が水素原子であるときは、Ｒ１１が結合している炭素原子は不斉炭素とはならない。
【００６６】
ケト酸誘導体（１）を用いる本発明の製造方法において、アンモニア又はアミンとして、上記一般式（３）で表されるアミン又はその塩を用いれば、得られるアミノ酸誘導体は、一般式（２ａ）
【化１６】
2007505896.tif 000018
（式中、Ｒ１〜Ｒ５、Ｘ’及びｂはそれぞれ前記と同一意味を有する。）で表されるアミノ酸誘導体又はその塩が得られ、好ましくは一般式（２ａ−１）
【化１７】
2007505896.tif 000019
（式中、Ｒ１〜Ｒ５、Ｘ’、ｂ及び＊はそれぞれ前記と同一意味を有する。）
で表される光学活性アミノ酸誘導体又はその塩が得られる。
【００６７】
さらに、アミンとして一般式（３ａ）で表されるアミンを用いれば、得られるアミノ酸誘導体は一般式（２ｂ）
【化１８】
2007505896.tif 000020
（式中、Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ６〜Ｒ１０、Ｘ’及びｂはそれぞれ前記と同一意味を有する。）で表されるアミノ酸誘導体が得られ、好ましくは一般式（２ｂ−１）
【化１９】
2007505896.tif 000021
（式中、Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ６〜Ｒ１０、Ｘ’、ｂ及び＊はそれぞれ前記と同一意味を有する。）
で表される光学活性アミノ酸誘導体が得られる。
【００６８】
本発明の製造方法により得られるアミノ酸誘導体（２）の具体例としては、３−アミノ−ペンタン酸メチル、３−アミノブタン酸メチル、３−アミノペンタン酸、３−アミノ−３−チオフェン−２−イル−プロピオン酸メチル、３−アミノ−３−チオフェン−３−イル−プロピオン酸メチル、３−アミノ−３−フラン−２−イル−プロピオン酸メチル、３−アミノ−３−フラン−３−イル−プロピオン酸、３−アミノ−３−フェニルプロピオン酸エチル、３−（ベンジルアミノ）ブタン酸メチル、３−（４−トリフルオロメチルフェニルアミノ）−ペンタン酸メチル、３−アミノ−５−メチル−ヘキサン酸エチル、２−アミノ−シクロペンタンカルボン酸メチル、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−（２−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−[３−（４−トリフルオロメチル−２−メトキシ−フェニルアミノ）ブチリル]−オキサゾリジノン、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）−ペンテン酸メチルカーバメイト、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ペンテノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−（３−フェニルアミノブチリル）−オキサゾリジン−２−オン等のβ−アミノ酸誘導体が挙げられ、とりわけこれら化合物の光学活性化合物が挙げられる。ただし、本発明はこれら化合物に限定されるものではない。
【００６９】
本発明の製造方法は、不斉触媒及び水素ガスの存在下に行うことにより、一般式（２）で表されるアミノ酸誘導体の中でも光学活性アミノ酸誘導体を効率よくかつエナンチオマー収率よく得ることができる。
【００７０】
不斉触媒は、遷移金属錯体が好ましく用いられる。また、前記遷移金属錯体は、中でも元素周期表の第８族〜第１０族の金属の錯体が好ましい。
【００７１】
遷移金属錯体としては、例えば一般式（７）又は（８）で表される化合物が挙げられる。
ＭｍＬｎＸｐＹｑ                （７）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ        （８）
（上記式中、Ｍは元素周期表の第８族〜第１０族の遷移金属を示し、Ｌは不斉配位子を示し、Ｘはハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンを示し、Ｙは配位子を示し、Ｚはアニオン又はカチオンを示し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ及びｓはそれぞれ０〜５の整数を示す。）
【００７２】
一般式（７）及び（８）において、Ｍで示される元素周期表の第８族〜第１０族の遷移金属としては、同一又は異なって、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
【００７３】
Ｌで示される不斉配位子は、同一又は異なって、単座配位子、二座配位子等が挙げられる。好ましい不斉配位子は、光学活性ホスフィン配位子等が挙げられ、より好ましくは光学活性二座ホスフィン配位子等が挙げられる。
【００７４】
そのような不斉配位子の具体例としては、シクロヘキシルアニシルメチルホスフィン（ＣＡＭＰ）、１，２−ビス（アニシルフェニルホスフィノ）エタン（ＤＩＰＡＭＰ）、１，２−ビス（アルキルメチルホスフィノ）エタン（ＢｉｓＰ＊）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ）、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ＰＲＯＰＨＯＳ）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５−ノルボルネン（ＮＯＲＰＨＯＳ）、２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＤＩＯＰ）、１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン（ＣＹＣＰＨＯＳ）、１−置換−３，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン（ＤＥＧＰＨＯＳ）、２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（ＳＫＥＷＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＤｕＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）エタン（ＢＰＥ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−Ｐｈ）、１−（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−２−（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＭ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ビス（３，５−ジ（ｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＴＢＭ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ジ−ナフタレン−１−イル−ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−（１−Ｎａｐ））、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（ＢＰＰＦＡ）、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアルコール（ＢＰＰＦＯＨ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ジシクロペンタン（ＢＩＣＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−（５，５’，６，６’，７，７’，８，８’，−オクタヒドロビナフチル）  （Ｈ８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＴＯＬ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル（ＢＩＣＨＥＰ）、（（５，６），（５’６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビスジフェニルホスフィン）（ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン）  （ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビス（３，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィン）（ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）等が挙げられる。
【００７５】
Ｙで示される配位子としては、同一又は異なって、芳香族化合物、オレフィン化合物等の中性配位子、アミン類等が挙げられる。芳香族化合物の例としては、ベンゼン、ｐ−シメン（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）、１，３，５−トリメチルベンゼン（メシチレン）、ヘキサメチルベンゼン等が挙げられる。オレフィン化合物の例としては、エチレン、１，５−シクロオクタジエン、シクロペンタジエン、ノルボルナジエン等が挙げられる。その他の中性配位子としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、ベンゾニトリル、アセトン、クロロホルム等が挙げられる。
【００７６】
アミン類の具体例としては、１，２−ジフェニルエチレンジアミン（ＤＰＥＮ）、１，２−シクロヘキシルエチレンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、エチレンジアミン、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−２−イソプロピルエチレンジアミン（ＤＡＩＰＥＮ）等のジアミン類；トリエチルアミン等の脂肪族アミン類；及びピリジン等の芳香族アミン類等が挙げられる。
【００７７】
Ｘで示されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００７８】
一般式（８）において、Ｚはアニオン又はカチオンを示す。Ｚアニオンとしては、ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＢＰｈ４、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ３、スルホネート等が挙げられ、ここで、Ｔｆは、トリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を示す。
【００７９】
カチオンとしては、例えば、下記一般式で表される：
［（Ｒ）２ＮＨ２］＋
（式中、１対のＲは、同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）
【００８０】
上記一般式において、Ｒで示される置換基を有していてもよい炭化水素基は、前記した置換基を有していてもよい炭化水素基と同じである。Ｒで示される置換基を有していてもよい炭化水素基としては、炭素数１〜５のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいベンジル基が好ましい。
【００８１】
上記一般式のカチオンの具体例としては、例えば、［Ｍｅ２ＮＨ２］＋、［Ｅｔ２ＮＨ２］＋、［Ｐｒ２ＮＨ２］＋等が挙げられる。
以下に、上記遷移金属錯体の好ましい態様を詳細に説明する。
【００８２】
［１］一般式（７）
ＭｍＬｎＸｐＹｑ          （７）
１）ＭがＩｒ又はＲｈのとき、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
【００８３】
２）ＭがＲｕのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｙはトリアルキルアミノ基を示し、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝２、ｎ＝ｐ＝４、ｑ＝１であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝２、ｐ＝４、ｑ＝１である。
（ｉｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩを示し、Ｙはピリジル基あるいは環置換ピリジル基を示し、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝２、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝２である。
（ｉｉｉ）Ｘはカルボキシラート基であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０である。
（ｉｖ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
【００８４】
３）ＭがＰｄのとき、（ｉ）ＸはＣｌ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０である。
（ｉｉ）Ｘはアリル基であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
【００８５】
４）ＭがＮｉのとき、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０である。
【００８６】
［２］一般式（８）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ          （８）
１）ＭがＩｒ又はＲｈのとき、Ｘは１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンであり、ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝１、ｑ＝０又はｍ＝ｓ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０である。
【００８７】
２）ＭがＲｕのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｙは芳香族化合物、オレフィン化合物等の中性配位子を示し、ＺはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ３、又はスルホネートであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝ｓ＝ｑ＝１、ｎ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝ｑ＝１である。
（ｉｉ）ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２である。
３）ＭがＰｄ及びＮｉのとき、（ｉ）ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２である。
【００８８】
これらの遷移金属錯体は、公知の方法を用いて製造することができる。
尚、以下に、遷移金属錯体の式中で使用されている記号は、Ｌは不斉配位子を、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｔｆはトリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基をそれぞれ示す。また、そのような遷移金属錯体の具体例としては煩雑さを避けるために不斉配位子として二座配位子を用いたものを挙げる。
【００８９】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体は、「第４版  実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、３３９−３４４頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、ロジウム錯体は、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロホウ酸塩と不斉配位子とを反応させることにより得ることができる。
【００９０】
ロジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＰＦ６、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＯＴｆ及び［Ｒｈ（Ｌ）２］ＢＦ４。
【００９１】
ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体は、文献（Ｔ．Ｉｋａｒｉｙａ，Ｙ．Ｉｓｈｉｉ，Ｈ．Ｋａｗａｎｏ，  Ｔ．Ａｒａｉ，Ｍ．Ｓａｂｕｒｉ，Ｓ．Ｙｏｓｈｉｋａｗａ及びＳ．Ａｋｕｔａｇａｗａ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８５，９２２）及び他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、ルテニウム錯体は、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎと不斉配位子とをトリエチルアミンの存在下、トルエン溶媒中で加熱還流することにより製造することができる。
【００９２】
また、文献（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｋ．Ｋｕｓａｎｏ，Ｔ．Ｏｈｔａ，Ｒ．Ｎｏｙｏｒｉ，Ｈ．Ｔａｋａｙａ，  Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８９，  １２０８）に記載の方法によっても得ることができる。具体的には、ルテニウム錯体は、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ２］２と不斉配位子とを塩化メチレン及びエタノール中で加熱撹拌することにより得ることができる。ルテニウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｌ）、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）２｝（m−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、｛ＲｕＣｌ（Ｌ）２｝（m−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、｛ＲｕＢｒ（Ｌ）２｝（m−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、｛ＲｕＢｒ（Ｌ）２｝（m−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）、ＲｕＩ２（Ｌ）、ＲｕＣｌ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｎｅ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｉｎｅ）、ＲｕＩ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｎｅ）、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝２（m−Ｉ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝２（m−Ｉ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）及びＲｕＩ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）。
【００９３】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、文献（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｔ．Ａｋｕｔａｇａｗａ，Ｘ．Ｚｈａｎｇ，Ｔ．Ｔａｋｅｔｏｍｉ，Ｈ．Ｋｕｍｏｂａｙａｓｈｉ，Ｓ．Ａｋｕｔａｇａｗａ，  Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，４２８，２１３）及び他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、イリジウム錯体は、不斉配位子と［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中で撹拌反応させることにより得ることができる。
【００９４】
イリジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ。
【００９５】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、文献（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉ及びＴ．Ｈａｙａｓｈｉ，  Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，９８８７）及び他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、パラジウム錯体は不斉配位子とπ−アリルパラジウムクロリドとを反応させることにより得ることができる。
【００９６】
パラジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）、［（Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ４、［（Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ４、［（Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ６、［（Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ４及び［（Ｐｄ（Ｌ）］ＯＴｆ。
【００９７】
ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、３７６頁、１９９１年（丸善）及び他の文献等に記載の方法により得ることができる。また、文献（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉ及びＴ．Ｈａｙａｓｈｉ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，１１３，９８８７）に記載の方法に従って、不斉配位子と塩化ニッケルとを、２−プロパノールとメタノールとの混合溶媒に溶解した溶液を加熱撹拌することにより得ることができる。
【００９８】
ニッケル錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ２（Ｌ）、ＮｉＢｒ２（Ｌ）及びＮｉＩ２（Ｌ）。
【００９９】
さらに、これらの遷移金属錯体は、不斉配位子と遷移金属化合物とを反応させることにより得ることができる。
【０１００】
遷移金属化合物は、以下に示す一般式
［ＭＸｍＬｎ］ｐ
（式中、Ｍ、Ｘ、Ｌ、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ上記と同一意味を有する。）で表される。
【０１０１】
上記一般式として、Ｒｕ、Ｒｈ及びＩｒを具体的に例示する。上記一般式の具体例としては、例えば、［ＲｕＣｌ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、ＲｕＣｌ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＩ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｎｂｄ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｎｂｄ）］２、［ＲｕＩ２（ｎｂｄ）］２、ＲｕＣｌ３水和物、ＲｕＢｒ３水和物、ＲｕＩ３水和物、［ＲｈＣｌ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＢｒ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＩ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＣｌ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＢｒ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＩ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］２、［ＲｈＢｒ（ｎｂｄ）］２、［ＲｈＩ（ｎｂｄ）］２、ＲｈＣｌ３水和物、ＲｈＢｒ３、ＲｈＩ３水和物、［ＩｒＣｌ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＢｒ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＩ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＣｌ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＢｒ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＩ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＣｌ（ｎｂｄ）］２、［ＩｒＢｒ（ｎｂｄ）］２、［ＩｒＩ（ｎｂｄ）］２、ＩｒＣｌ３水和物、ＩｒＢｒ３水和物、ＩｒＩ３水和物。
【０１０２】
上記遷移金属錯体は、市販品を用いても、自製したものを用いてもよい。触媒としてこの錯体を使用する場合は、その純度を高めた後に用いても、あるいは精製することなく使用することができる［インシチュ（ｉｎ  ｓｉｔｕ）］。
【０１０３】
本発明で用いられる遷移金属錯体は、中でも不斉配位子を有する遷移金属錯体が好ましく用いられ、該不斉配位子として、不斉ホスフィン配位子を有する遷移金属錯体が更に好ましく用いられる。
【０１０４】
本発明の製造方法において、上記不斉触媒の使用量は、用いる上記一般式（１）で表されるケト酸誘導体、使用する反応容器や反応の形式あるいは製造コストなどによって異なるが、該ケト酸誘導体に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【０１０５】
本発明の製造方法において、上記一般式（１）で表されるケト酸誘導体、アンモニア又はアミン或いはそれらの塩、及び水素ガスとの反応は、酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下又は不存在下で行えばよい。ここで、遊離のアンモニア又はアミンを用いる場合には、必要に応じて酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下で反応を行うことができる。また、アンモニア又はアミンの塩を用いる場合には、必ずしも酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下で反応を行う必要はなく、必要に応じて酸及び／又は含フッ素アルコールの存在下で行えばよい。
【０１０６】
本発明の方法で好適に使用される酸としては、無機酸、有機酸、ルイス酸等が挙げられる。
【０１０７】
無機酸としては、例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、テトラフルオロホウ酸、過塩素酸、過ヨウ素酸等挙げられる。有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、吉草酸、ヘキサン酸、クエン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、サリチル酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、フタル酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸等のカルボン酸、及びメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン酸等が挙げられる。ルイス酸としては、例えば、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム類；塩化ジエチルアルミニウム、臭化ジエチルアルミニウム、塩化ジイソプロピルアルミニウム等のハロゲン化ジアルキルアルミニウ類；トリエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウム等のトリアルコキシアルミニウム類；四塩化チタン等のハロゲン化チタン；テトライソプロポキシチタニウム等のテトラアルコキシチタニウム類；三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル錯体等のハロゲン化ホウ素類；塩化亜鉛、臭化亜鉛等のハロゲン化亜鉛類等が挙げられる。これら酸は、それぞれ単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
【０１０８】
酸の使用量は、ケト酸誘導体に対して通常０．１〜１０当量、好ましくは０．５〜３当量の範囲から適宜選択される。
【０１０９】
含フッ素脂肪族アルコールとしては、例えば炭素数２〜１０の飽和又は不飽和の含フッ素脂肪族アルコールが挙げられる。含フッ素脂肪族アルコールの具体例としては、例えば、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２−ジフルオロエタノール、３，３，３−トリフルオロプロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、２−メチル−３，３，３−トリフルオロエタノール、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブタノール、４，４，５，５，５−ペンタフルオロペンタノール、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキサノール、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキサノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール等が挙げられる。これら含フッ素アルコールは、それぞれ単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。これら含フッ素アルコールは、中でも２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２−ジフルオロエタノール、３，３，３−トリフルオロプロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール等が好ましい。
【０１１０】
含フッ素アルコールの使用量は、ケト酸誘導体に対して通常０．１〜５０当量、好ましくは０．５〜１０当量の範囲から適宜選択される。
酸及び含フッ素アルコールを併用する場合の使用量は、ケト酸誘導体に対し通常０．１〜２０当量、好ましくは０．５〜１０当量の範囲から適宜選択される。
また、酸及び含フッ素アルコールの混合比は、酸と含フッ素アルコールとを通常１０：１〜１：１０、好ましくは５：１〜１：５の範囲で適宜選択すればよい。
【０１１１】
本発明の製造方法は、必要に応じて溶媒中で行うことができる。該溶媒は、一般式（１）で表されるケト酸誘導体、アンモニア又はアミン或いはそれらの塩、必要に応じて用いる酸や含フッ素アルコールの種類等により使用すればよく、前記のアミン、酸や含フッ素アルコールが溶媒としても使用可能な場合には、他の溶媒の使用は必ずしも必要ではない。
【０１１２】
溶媒は、上記一般式（１）で表されるケト酸誘導体や不斉水素化触媒を溶解するものが好ましい。
溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトニトリル；Ｎ−メチルピロリドン；ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これら溶媒は、それぞれ単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。これら溶媒は、中でもメタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ベンジルアルコール等が好ましい。
【０１１３】
溶媒の使用量は、用いる反応基質であるケト酸誘導体の溶解度や経済性により判断され、例えば、溶媒としてアルコール類を用いた場合には、溶媒は１％以下の低濃度から無溶媒あるいは無溶媒に近い状態で行うことができ、ケト酸誘導体の濃度が通常１〜２００質量％、好ましくは１０〜１００質量％の範囲から適宜選択される。
【０１１４】
本発明の製造方法における水素の圧力は、水素雰囲気下や０．１ＭＰａでも十分であるが、経済性等を考慮すると通常０．０１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．１〜１０ＭＰａの範囲から適宜選択される。また、経済性を考慮して１ＭＰａ以下の圧力でも高い活性を維持することが可能である。
【０１１５】
本発明の製造方法においては、原料として用いるケト酸誘導体、アンモニア又はアミン或いはそれらの塩、及び水素ガスを同時に反応系に仕込んでも、ケト酸誘導体及びアンモニア又はアミン或いはそれらの塩を仕込んだ後、水素ガスを供給してもよい。
【０１１６】
本発明の製造方法は、脱水剤の存在下で行ってもよい。脱水剤としては、シリカゲル、アルミナ、シリカアルミナ等の固体酸化物；例えば濃硫酸、五酸化リン、無水塩化亜鉛等の無機脱水剤類；例えば無水酢酸等の酸無水物；カルボニルジイミダゾール；ｐ−トルエンスルホニルクロライド；例えばモレキュラーシーブズ３Ａ、４Ａ等のゼオライト類；無水塩化カルシウム、無水硫酸カルシウム、無水塩化マグネシウム、無水硫酸マグネシウム、無水炭酸カリウム、無水硫化カリウム、無水亜硫化カリウム、無水硫酸ナトリウム、無水亜硫酸ナトリウム、無水硫酸銅等の（無水）無機塩類；例えばＨ３ＰＷ１２Ｏ４０、Ｈ３ＰＷ１１ＭｏＯ４０、Ｈ３ＰＷ１０Ｍｏ２Ｏ４０、Ｈ３ＰＷ９Ｍｏ３Ｏ４０、Ｈ３ＰＷ８Ｍｏ４Ｏ４０、Ｈ３ＰＶＷ１１Ｏ４０、Ｈ３ＰＶ２Ｗ１０Ｏ４０、Ｈ３ＰＶ３Ｗ９Ｏ４０、Ｈ３ＰＶ４Ｗ８Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＷ１２Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＷ１１ＭｏＯ４０、Ｈ４ＳｉＷ１０Ｍｏ２Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＷ９Ｍｏ３Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＷ８Ｍｏ４Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＶＷ１１Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＶ２Ｗ１０Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＶ３Ｗ９Ｏ４０、Ｈ４ＳｉＶ４Ｗ８Ｏ４０等のヘテロポリ酸（これらヘテロポリ酸は、１分子以上の水分子が付加していても、担体に担持されていてもよい。）；例えばスチレン系スルホン酸型陽イオン交換樹脂、フェノールスルホン酸型陽イオン交換樹脂、フッ素化アルキルスルホン酸型陽イオン交換樹脂等の陽イオン交換樹脂等が挙げられる。
【０１１７】
陽イオン交換樹脂の具体例としては、アンバーリスト１５（登録商標）、アンバーリスト１６（登録商標）、アンバーリスト３６（登録商標）、アンバーライトＸＥ−２８４（登録商標）（以上、これらアンバーリストは、Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製）、ナフィオン（登録商標）（Ｅ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔ社製）等が挙げられる。また、陽イオン交換樹脂は、担体に担持されていてもよく、担体としては、シリカ等が挙げられる。
【０１１８】
脱水剤の使用量は、一般式（１）で表されるケト酸誘導体に対して通常０．１〜５．０当量、好ましくは０．５〜２．０当量の範囲から適宜選択される。
反応温度は、経済性等を考慮して、通常１５〜１２０℃、好ましくは２０〜１００℃の範囲から適宜選択される。また、反応温度は、−３０〜０℃の低温でも、あるいは１００〜２５０℃の高温でも反応を実施することができる。
【０１１９】
反応時間は、用いる不斉水素化触媒の種類や使用量、一般式（１）で表されるケト酸やアミン又はその塩の種類や濃度、反応温度、水素の圧力等の反応条件等により異なるが、１分から数日間、好ましくは１０分〜４８時間、より好ましくは１０分〜２４時間の範囲から適宜選択される。
本発明の製造方法は、反応形式がバッチ式においても連続式においても実施することができる。
【０１２０】
このようにして得られた上記一般式（２）で表されるアミノ酸誘導体が遊離のアミノ酸誘導体である場合には、必要に応じて該アミノ酸誘導体の塩、即ち、該アミノ酸誘導体と酸及び／又は含フッ素アルコールとの塩とすることができる。そのような酸及び／又は含フッ素アルコールは上記と同じである。また、得られた上記一般式（２）で表されるアミノ酸誘導体がアミノ酸誘導体の塩である場合には、必要に応じて塩を形成する酸及び／又は含フッ素アルコールを交換して、該アミノ酸誘導体の塩とは異なる塩にすることができる。
【実施例】
【０１２１】
以下に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
以下の実施例において、物性等の測定に用いた装置は次の通りである。
核磁気共鳴スペクトル：
（１）ＤＲＸ５００（ＢＲＵＫＥＲ  ＪＡＰＡＮ  ＣＯ．ＬＴＤ．）  １Ｈ−ＮＭＲ（５００．１３ＭＨｚ）、１３Ｃ−ＮＭＲ（１２５．７６ＭＨｚ）。
（２）Ｇｅｍｉｎｉ  ２０００  （Ｖａｒｉａｎ）  １Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ）。
ガスクロマトグラフィー（ＧＬＣ）：Ｈｅｗｌｅｔｔ  Ｐａｃｋａｒｄ  ５８９０−ＩＩ
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：  島津製作所  ＬＣ１０ＡＴ  ＆  ＳＰＤ１０Ａ
質量分析（ＭＡＳＳ）：日立  Ｍ−８０Ｂ
【０１２２】
エナンチオマー過剰率の測定
無置換アミノ基を有するアミン類のエナンチオマー過剰率は、例えば以下のようにして測定した。
即ち、得られたアミン類を、例えば、トリエチルアミン等の塩基性物質の存在下、無水酢酸や４−ニトロベンゾイルクロリド等でアシル化し、一般式（９）
【化２０】
2007505896.tif 000022
（式中、ＲＸはアシル基等の保護基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及び＊はそれぞれ前記と同一意味を有する。）で表されるアセチル体とする。その上記アシル化した化合物のエナンチオマー過剰率を、ＣＰ−Ｃｈｉｒａｓｉｌ  ＤＥＸ−ＣＢ（ＣＨＲＯＭＰＡＣＫ社製）等のキラルキャピラリーカラムを用いてガスクロマトグラフィー（ＧＬＣ）で、又はＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラム（ダイセル化学工業株式会社製）等のキラルカラムを用いて高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で測定した。
【０１２３】
実施例１  （３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチル・ｐ−トルエンスルホン酸塩の合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）１６４．３ｍｇ（０．１７２２ｍｍｏｌ）、アセト酢酸メチル１０．００ｇ（８６．１２ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム６．６４ｇ（８６．１２ｍｍｏｌ）及びメタノール５０ｍＬをステンレス製オートクレーブに入れ、８０℃、水素圧３ＭＰａ下で１５時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去して（３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチル・酢酸塩を粗製物として１６．２９ｇ得た。得られた粗製物を７Ｎアンモニア−メタノール溶液で処理してキャピラリーカラムＴＣ−５ＨＴ（ＧＬサイエンス社製）を用いてＧＬＣで分析した結果、３−アミノブタン酸メチルの収率は８６．４％で、副生物の収率としては３−ヒドロキシブタン酸メチルが０．７％、３−アミノクロトン酸メチルが１．４％、３−（２−メトキシカルボニル−１−メチル−エチルアミノ）−２−ブテン酸メチルが６．２％であった。粗製物中の（３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチルのエナンチオマー過剰率は、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ブタン酸メチルとした後、ＨＰＬＣでＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いて測定した結果、８１．９%ｅｅであった。
得られた粗製物１６．２９ｇを酢酸メチル２５ｍＬに溶解し、室温でｐ−トルエンスルホン酸・１水和物１６．３８ｇ（８６．１２ｍｍｏｌ）の酢酸メチル１００ｍＬ溶液を３０分かけて滴下し、室温で１時間撹拌した。反応混合物を−１０℃まで冷却し、析出した固体を濾取して目的の（３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチル・ｐ−トルエンスルホン酸塩（１８．２５ｇ，白色結晶）を得た。収率７３．２％。
エナンチオマー過剰率は粗製物と同様に（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ブタン酸メチルとして測定した結果、９１．７％ｅｅであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ；１．２０（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ），２．２８（ｓ、３Ｈ），２．５６（ｄｄ，Ｊ＝７．４，１６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．６８（ｄｄ，Ｊ＝６．３，１６．８Ｈｚ，１Ｈ），３．４０−３．６０（ｍ，１Ｈ），３．６３（ｓ，３Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．８３（ｂｒｓ，３Ｈ）
【０１２４】
実施例２〜１９
実施例１において使用した触媒、メタノール使用量、反応温度、反応時間、触媒に含まれる金属のモル比及び添加物のモル比を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法で原料としてアセト酢酸メチルを用いて反応を実施した。３−アミノブタン酸メチルの収率は、実施例１と同様の方法で得られた粗製物を７Ｎアンモニア−メタノール溶液で処理してキャピラリーカラムＴＣ−５ＨＴを用いてＧＬＣで分析した。エナンチオマー過剰率も実施例１と同様に、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ブタン酸メチルとした後、ＨＰＬＣでＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いて測定した。反応結果を表１に示す。
【表１】
2007505896.tif 000023
ａ  Ａ：Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｔｏｌ−ｂｉｎａｐ），
Ｂ：Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ），
Ｃ：Ｒｕ２Ｃｌ４（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）２ＮＥｔ３，
Ｄ：［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）］Ｃｌ，
Ｅ：Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ），
Ｆ：［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｒ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）］Ｃｌ
ｂ  ７Ｎ  アンモニア／メタノールで処理した後、ＧＬＣ分析により測定した。
ｃ  ３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ブタン酸メチルに変換した後、ＨＰＬＣ分析により測定した。
【０１２５】
実施例２０  （３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチル・ｐ−トルエンスルホン酸塩の合成
窒素雰囲気下、［ＲｕＣｌ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２（０．５２７ｇ，０．８６１ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ（１．２７６ｇ，１．７７ｍｍｏｌ）及び酢酸アンモニウム（０．６６４ｇ，８．６１ｍｍｏｌ）の混合物を１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）中、１２０℃で５時間撹拌したのち、室温まで冷却した。得られた混合液を１Ｌのステンレス製のオートクレーブ中に入れたアセト酢酸メチル（１００．００ｇ，８６１ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（６６．３８ｇ，８６１ｍｍｏｌ）及びメタノール（５００ｍＬ）の混合物に添加した。その反応混合物を水素圧３ＭＰａ下、８５℃で８時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去して（３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチルの酢酸塩を粗製物(１６１．２０ｇ)として得た。その粗製物を７Ｎアンモニア／メタノールで処理し、キャピラリーカラムＴＣ−５ＨＴを用いてＧＬＣで分析すると、３−アミノブタン酸メチルの収率は８７．２％、副生した３−ヒドロキシブタン酸メチルの収率は０．３％、副生した３−アミノクロトン酸メチルの収率は０．４％、副生した３−（２−メトキシカルボニル−１−メチル−１−エチルアミノ）−２−ブテン酸メチルの収率は６．６％であった。粗製物中の（３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチルのエナンチオマー過剰率は、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ブタン酸メチルとした後、ＨＰＬＣでＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いて測定した結果、９４．４％ｅｅであった。
得られた粗製物（１６１．２０ｇ）を、酢酸メチル（２５０ｍＬ）に溶解し、この溶液にｐ−トルエンスルホン酸１水和物(１３７．０５ｇ，０．７２１ｍｏｌ)の酢酸メチル溶液（５００ｍＬ）を、５０℃で３０分かけて添加した。混合液を室温で１時間撹拌し、−１０℃に冷却して固形物を沈殿させた。この固形物を濾取して（３Ｒ）−３−アミノブタン酸メチル・ｐ−トルエンスルホン酸塩（１８５．１２ｇ，白色結晶）を７４．２％の収率で得た。得られた生成物のエナンチオマー過剰率は、粗製物のときと同様に（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ブタン酸メチルへ変換した結果、９７．９％であった。
融点：１１２−１１３℃
［α］Ｄ２０  −１０．１（ｃ＝１．１９、ＭｅＯＨ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）：δ；１．３２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），２．３６（ｓ，３Ｈ），２．６８（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ），３．５８−３．７０（ｍ，１Ｈ），３．７１（ｓ，３Ｈ），７．２３（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，２Ｈ）
【０１２６】
実施例２１  （３Ｒ）−３−アミノペンタン酸メチルの合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（１．２１ｇ，１．２８ｍｍｏｌ）、３−オキソペンタン酸メチル（５０．０ｇ，３８４ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（２９．６ｇ，３８４ｍｍｏｌ）及びメタノール（５００ｍＬ）を１Ｌ−ステンレス製オートクレーブに入れ、水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１６時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去した。残渣にトルエン（５００ｍＬ）を加え、ナトリウムメトキシドの２８％メタノール溶液（６６．７ｇ，３４６ｍｍｏｌ）を室温で加えた。添加後、混合物を室温で１時間撹拌し、沈殿物を濾去した。濾液を濃縮し、残渣を蒸留して（３Ｒ）−３−アミノペンタン酸メチル（３２．０ｇ，無色オイル）を６３．５％の収率で得た。この生成物のエナンチオマー過剰率は、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）ペンタン酸メチルとした後、ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いてＨＰＬＣで測定した結果、９８．４％ｅｅであった。
沸点：４０℃／１３３Ｐａ
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；０．９４（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ），１．３５−１．４９（ｍ，２Ｈ），１．５０（ｂｒｓ，２Ｈ），２．２６（ｄｄ，Ｊ＝９．０，１５．６Ｈｚ，１Ｈ），２．４８（ｄｄ，Ｊ＝４．０，１５．６Ｈｚ，１Ｈ），３．０８−３．１４（ｍ，１Ｈ），３．６９（ｓ，３Ｈ）
【０１２７】
実施例２２
（３Ｓ）−３−アミノ−３−フェニルプロピオン酸メチルの合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（１３．４ｍｇ，０．０１４０ｍｍｏｌ）、ベンゾイル酢酸メチル（５００ｍｇ，２．８０６ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（２１６ｍｇ，２．８０６ｍｍｏｌ）及びメタノール（２．５ｍＬ）を１００ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、８０℃で１時間撹拌した。反応混合液を室温に冷却し、さらに水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１５時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／５０／５〜０／９５／５）で精製して（３Ｓ）−３−アミノ−３−フェニルプロピオン酸メチル（２０１ｍｇ）を無色の油として４０．０％の収率で得た。生成物のエナンチオマー過剰率は、（３Ｓ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−３−フェニルプロピオン酸メチルとした後、ＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ  ＯＡ−４１００Ｒカラム（住化分析センター社製）を用いてＨＰＬＣで分析した結果、９６．７％ｅｅであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；１．７３（ｓ，２Ｈ），２．６７（ｄ，Ｊ＝  ６．８Ｈｚ，２Ｈ），３．６８（ｓ，３Ｈ），４．４２（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，  １Ｈ），７．２０−７．４５（ｍ，５Ｈ）
【０１２８】
実施例２３  （３Ｓ）−３−アミノ−３−フェニルプロピオン酸エチルの合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（１２．４ｍｇ，０．０１３０ｍｍｏｌ）、ベンゾイル酢酸エチル（５００ｍｇ，２．６０１ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（２０１ｍｇ，２．６０１ｍｍｏｌ）及びエタノール（２．５ｍＬ）をステンレス製オートクレーブに入れ、８０℃で３時間、撹拌した。反応混合液を室温に冷却し、さらに水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１５時間撹拌した。反応混合液を室温に冷却し、さらに３ＭＰａの水素圧で８０℃、３時間、撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／５０／５〜０／９５／５）で精製して（３Ｓ）−３−アミノ−３−フェニルプロピオン酸エチル（１４９ｍｇ）を無色オイルとして２９．６％の収率で得た。得られた（３Ｓ）−３−アミノ−３−フェニルプロピオン酸エチルをトリエチルアミンの存在下、無水酢酸でアセチル化して（３Ｓ）−３−アセトアミド−３−フェニルプロピオン酸エチルに変換し、その生成物のエナンチオマー過剰率は、キャピラリーカラムＣＰ−Ｃｉｒａｓｉｌ  ＤＥＸ−ＣＢを用いてＧＬＣで測定した結果、９３．６％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；１．２３（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ），２．０４（ｂｒｓ，２Ｈ），２．６６（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），４．４２（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），７．２３−７．２８（ｍ，１Ｈ），７．３１−７．３９（ｍ，４Ｈ）  １３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：d；１４．１，４４．２，５２．６，６０．５，１２６．２，１２７．４，１２８．６，１４４．６，１７２．０
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：１９４（［Ｍ］＋）
【０１２９】
実施例２４  （３Ｒ）−３−（４−トリフルオロメチルフェニルアミノ）ペンタン酸メチルの合成
窒素雰囲気下、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓ）］Ｃｌ（１７．６ｍｇ，０．０１９２ｍｍｏｌ）、３−オキソペンタン酸メチル（５００ｍｇ，３．８４２ｍｍｏｌ）、４−トリフルオロメチルアニリン（６１９ｍｇ，３．８４２ｍｍｏｌ）及び２−プロパノール（２．５ｍＬ）を２．５ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１５時間撹拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で精製して（３Ｒ）−３−（４−トリフルオロメチルフェニルアミノ）ペンタン酸メチル（１０９ｍｇ）を無色オイルとして１０．３％の収率で得た。生成物のエナンチオマー過剰率は、ＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ  ＯＡ−２５００カラム（住化分析センター社製）を用いてＨＰＬＣで分析した結果、９２．７％ｅｅであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；０．９７（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ），１．５８−１．６８（ｍ，２Ｈ），２．５５（ｄ，Ｊ＝６．１Ｈｚ，２Ｈ），３．６６（ｓ，３Ｈ），３．７７−３．８１（ｍ，１Ｈ），４．１３（ｂｒｓ，１Ｈ），６．６２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，２Ｈ）
【０１３０】
実施例２５  （＋）−３−アミノ−３−チオフェン−２−イル−プロピオン酸メチルの合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｓ）−ｓｅｇｐｈｏｓ）（４５．０ｍｇ，０．５４３ｍｍｏｌ）、２−（２−テノイル）酢酸メチル（１．００ｇ，５．４２８ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（０．４１８ｇ，５．４２８ｍｍｏｌ）及びメタノール（５ｍＬ）を２．５ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、８０℃で３時間撹拌した。その反応混合物を室温まで冷却し、さらに水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１５時間撹拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／５０／５）で精製し、（＋）−３−アミノ−３−チオフェン−２−イル−プロピオン酸メチル（２７０ｍｇ）を無色オイルとして収率２６．８％で得た。
エナンチオマー過剰収率は、得られた（＋）−３−アミノ−３−チオフェン−２−イル−プロピオン酸メチルを３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−３−チオフェン−２−イル−プロピオン酸メチルとした後、ＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ  ＯＡ−４１００カラム（住化分析センター社製）を用いてＨＰＬＣで測定した結果、９５．７%ｅｅであった。
［α］Ｄ２３  １０．６（ｃ＝１．０４，ＣＨＣｌ３）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；１．８５（ｓ，２Ｈ），２．７２（ｄｄ，Ｊ＝１６．０，９．１Ｈｚ，１Ｈ），２．８１（ｄｄ，Ｊ＝１６．０，４．４Ｈｚ，１Ｈ），３．７０（ｓ，３Ｈ），４．７０（ｄｄ，Ｊ＝９．１，４．４Ｈｚ，１Ｈ），６．９４−６．９６（ｍ，２Ｈ），７．１９−７．２１（ｍ，１Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；４４．３，４８．４，５１．６，１２２．８，１２３．９，１２６．５，１４９．１，１７１．８
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：１８５（［Ｍ］＋）
【０１３１】
実施例２６  （−）−３−アミノ−５−メチルヘキサン酸メチル・酢酸塩の合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（０．２０１  ｇ，０．２１１ｍｍｏｌ）、５−メチル−３−オキソヘキサン酸メチル（１０．００ｇ，６３．２ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（５．０２ｇ，６３．２ｍｍｏｌ）及びメタノール（５０ｍＬ）を１００ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、水素圧３ＭＰａ下、８０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去して（−）−３−アミノ−５−メチルヘキサン酸メチルの酢酸塩を粗製物（１２．７０ｇ）として得た。この粗製物を７Ｎアンモニア／メタノールで処理し、キャピラリーカラムＴＣ−５ＨＴを使用するＧＬＣで分析すると３−アミノ−５−メチルヘキサン酸メチルの収率は７４．４％であった。粗製物での（−）−３−アミノ−５−メチルヘキサン酸メチルのエナンチオマー過剰率は、３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−５−メチルヘキサン酸メチルとした後、ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いてＨＰＬＣで測定した結果、９７．７％ｅｅであった。
得られた粗製物（１２．７０ｇ）を酢酸メチルから再結晶して、（−）−３−アミノ−５−メチルヘキサン酸メチル・酢酸塩（５．０４ｇ，白色結晶）を３６．７％の収率で得た。このようにして得られた生成物のエナンチオマー過剰率は、粗製物のときと同様にして、３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−５−メチルヘキサン酸メチルとした後、９９．８％ｅｅと測定された。
融点：６７−７０℃
［α］Ｄ２０  −１８．０（ｃ＝１．０３，ＭｅＯＨ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）：δ；０．９４（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ），０．９６（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ），１．４６−１．５６（ｍ，２Ｈ），１．６２−１．７９（ｍ，１Ｈ），１．８９（ｓ，３Ｈ），２．６０（ｄｄ，Ｊ＝７．４，１７．０Ｈｚ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝５．１，１７．０Ｈｚ，１Ｈ），３．４９−３．６３（ｍ，１Ｈ），３．７２（ｓ，３Ｈ）
【０１３２】
実施例２７  （３Ｒ）−３−アミノ−５−メチルヘキサン酸エチルの合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（５．５ｍｇ，０．０５８ｍｍｏｌ）、５−メチル−３−オキソ−ヘキサン酸エチル（５００ｍｇ，２．９０３ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（２２４ｍｇ，２．９０３ｍｍｏｌ）及びエタノール（２．５ｍＬ）を２．５ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、さらに水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１５時間撹拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／５０／５）にて精製し、（−）−３−アミノ−５−メチル−ヘキサン酸エチル（１７５ｍｇ）を無色オイルとして収率３５．０％で得た。得られた（−）−３−アミノ−５−メチル−ヘキサン酸エチルを３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−５−メチル−ヘキサン酸エチルとし、生成物のエナンチオマー過剰率をＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いてＨＰＬＣで測定した結果、９７．３%ｅｅであった。
［α］Ｄ２３  −１４．０（ｃ＝１．０２，ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；０．８９（ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，３Ｈ），０．９０（ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，３Ｈ），１．２５（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ），１．１０−１．３８（ｍ，２Ｈ），１．５８（ｂｒｓ，２Ｈ），１．５５−１．８０（ｍ，１Ｈ），２．２１（ｄｄ，Ｊ＝８．８，１５．７Ｈｚ，１Ｈ），２．４２（ｄｄ，Ｊ＝４．０，１５．７Ｈｚ，１Ｈ），３．１５−３．３１（ｍ，１Ｈ），４．１４（ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）
【０１３３】
実施例２８  （−）−３−アミノ−４−メチルペンタン酸メチル・酢酸塩の合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（０．２２１ｇ，０．２３１ｍｍｏｌ）、３−オキソ−４−メチルペンタン酸メチル（１０．００ｇ，６９．４ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（５．５２ｇ，６９．４ｍｍｏｌ）及びメタノール（５０ｍＬ）を１００ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、次いでその混合溶液を水素圧３ＭＰａ下、８０℃で６７時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去して（−）−３−アミノ−４−メチルペンタン酸メチル・酢酸塩を粗製物（１１．４２ｇ）として得た。この粗製物を７Ｎアンモニア／メタノールで処理し、ＧＬＣでキャピラリーカラムＴＣ−５ＨＴを用いて分析して（−）−３−アミノ−４−メチルペンタン酸メチルは、収率８５．７％であった。粗製物中の（−）−３−アミノ−４−メチルペンタン酸メチルのエナンチオマー過剰率は、３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン酸メチルとした後、ＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ  ＯＡ−４１００Ｒカラムを用いてＨＰＬＣで測定した結果、９７．８%ｅｅであった。
得られた粗製物（１１．４２ｇ）を、酢酸メチルから再結晶して（−）−３−アミノ−４−メチルペンタン酸メチルの酢酸塩（２．５５ｇ，白色結晶）を１７．１％の収率で得た。得られた前記生成物のエナンチオマー過剰率は、粗製物の場合と同様にして３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン酸メチルとして測定した結果、９９．８％ｅｅであった。
融点：６５−６７℃
［α］Ｄ２０  −２８．５（ｃ＝１．０１，ＭｅＯＨ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）：δ；０．９９（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．０１（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．９０（ｓ，３Ｈ），１．８６−２．０２（ｍ，１Ｈ），２．５６（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１７．２Ｈｚ，１Ｈ），２．７５（ｄｄ，Ｊ＝４．２，１７．２Ｈｚ，１Ｈ），３．３０−３．４０（ｍ，１Ｈ），３．７３（ｓ，３Ｈ）
【０１３４】
実施例２９  （３Ｒ）−３−アミノ−４−フェニルブタン酸メチル・ｐ−トルエンスルホン酸塩の合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（０．２４８ｇ，０．２６０ｍｍｏｌ）、３−オキソ−４−フェニルブタン酸メチル（１０．００ｇ，５２．０ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（４．０１ｇ，５２．０ｍｍｏｌ）及びメタノール（５０ｍＬ）を２００ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、８０℃で２時間撹拌した。その反応混合液を室温まで冷却し、さらに水素圧３ＭＰａ下、８０℃で１４時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去して（３Ｒ）−３−アミノ−４−フェニルブタン酸メチルを粗製物（１３．０１ｇ）として得た。粗製物での（３Ｒ）−３−アミノ−４−フェニルブタン酸メチルのエナンチオマー過剰率は、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−４−フェニルブタン酸メチルとした後、ＨＰＬＣでＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ  ＯＡ−４１００Ｒのカラムを用いて測定した結果、９４．７%ｅｅであった。
得られた粗製物（１３．０１ｇ）をメタノール（１５ｍＬ）に溶解し、この溶液にｐ−トルエンスルホン酸１水和物（９．９０ｇ，５２．０ｍｍｏｌ）のメタノール溶液（２５ｍＬ）を５０℃で３０分かけて滴下した。その混合液を室温で１時間撹拌し、０℃に冷却して固形物を沈殿させた。固形物を濾取して（３Ｒ）−３−アミノ−４−フェニルブタン酸メチル・ｐ−トルエンスルホン酸塩（８．３４ｇ，白色結晶）を４１．８％の収率で得た。得られた前記生成物のエナンチオマー過剰率は、粗製物のときと同様にして、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−４−フェニルブタン酸メチルとして測定した結果、９９．８％ｅｅであった。
融点：１７２−１７３℃
［α］Ｄ２０  −６．９（ｃ＝１．２４，ＭｅＯＨ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）：δ；２．３６（ｓ，３Ｈ），２．５８（ｄｄ  Ｊ＝  ７．２，１７．３Ｈｚ，１Ｈ），２．６９（ｄｄ，Ｊ＝５．２，１７．３Ｈｚ，  １Ｈ），２．８９（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），３．０３（ｄｄ，  Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），３．６８（ｓ，３Ｈ），３．７４−３．８８（ｍ，１Ｈ），７．２０−７．４０（ｍ，７Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
【０１３５】
さらに、得られた母液を濃縮し、次いで、残渣をメタノール−酢酸メチルから再結晶して（３Ｒ）−３−アミノ−４−フェニルブタン酸メチルのｐ−トルエンスルホン酸塩（６．１０ｇ，白色結晶）を３０．６％の収率で得た。その生成物のエナンチオマー過剰率は、粗製物のときと同様に、（３Ｒ）−３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−４−フェニルブタン酸メチルとした後、９４．７％ｅｅと決定された。
生成物の比旋光度を文献値（［α］Ｄ２７  ＋７．０  （ｃ＝１．０５，ＭｅＯＨ），（Ｓ）−エナンチオマー，ＥＰ０１３６８８３）と比較して、その絶対配置を３Ｒと確定した。
【０１３６】
実施例３０  （−）−３−（ベンジルアミノ）ブタン酸メチルの合成
窒素雰囲気下、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（２０．５ｍｇ，０．０２１５ｍｍｏｌ）、アセト酢酸メチル（５００ｍｇ，４．３０５ｍｍｏｌ）、ベンジルアミン（４６１ｍｇ，４．３０５ｍｍｏｌ）及びメタノール（２．５ｍＬ）を２．５ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、８０℃で３時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、酢酸（２５９ｍｇ，４．３０５ｍｍｏｌ）を加えた。その混合物を水素圧３ＭＰａ下、８０℃でさらに１５時間撹拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝７５／２５／５）で精製し、目的の（−）−３−（ベンジルアミノ）ブタン酸メチル（１４１ｍｇ）を無色オイルとして収率１５．８％で得た。得られた（−）−３−（ベンジルアミノ）ブタン酸メチルのエナンチオマー過剰率は、ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いてＨＰＬＣで測定した結果、４４．５%ｅｅであった。
［α］Ｄ２３  −４．０（ｃ＝０．９７，ＣＨＣｌ３）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；１．１６（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ），１．７２（ｂｒｓ，１Ｈ），２．３８（ｄｄ，Ｊ＝６．１，１５．３Ｈｚ，１Ｈ），２．５１（ｄｄ，Ｊ＝６．８，１５．３Ｈｚ，１Ｈ），３．０８−３．２１（ｍ，１Ｈ），３．６７（ｓ，３Ｈ），３．７５（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，１Ｈ），３．８４（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，１Ｈ），７．１９−７．４５（ｍ，５Ｈ）
【０１３７】
実施例３１  （−）−３−（ベンジルアミノ）ブタン酸メチルの合成
Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｒ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（２０．５ｍｇ，０．０２１５ｍｍｏｌ）、アセト酢酸メチル（５００ｍｇ，４．３０５ｍｍｏｌ）、ベンジルアミン（４６１ｍｇ，４．３０５ｍｍｏｌ）、メタノール（２．５ｍＬ）及び酢酸（２５９ｍｇ，４．３０５ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｒｕ（ＯＣＯＣＨ３）２（（Ｒ）−ｔｏｌ−ｂｉｎａｐ）（３８．７ｍｇ，０．０４３１ｍｍｏｌ）、アセト酢酸メチル（１．００ｇ，８．６１２ｍｍｏｌ）、ベンジルアミン（０．９２３ｇ，８．６１２ｍｍｏｌ）、メタノール（５ｍＬ）及び酢酸（０．５１７ｇ，８．６１２ｍｍｏｌ）を用いて実施例１９に記載の方法と同様の操作及び後処理を行い、（−）−３−（ベンジルアミノ）ブタン酸メチル（１７６ｍｇ）を無色オイルとして９．９％の収率で得た。その生成物のエナンチオマー過剰率は、実施例２９と同様にして、２４．０％ｅｅと決定された。
［α］Ｄ２３  −２．１（ｃ＝１．０５，ＣＨＣｌ３）
【０１３８】
実施例３２  （２Ｓ，３Ｓ）−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニルブタン酸ｔｅｒｔ−ブチル・酢酸塩の合成
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（０．１３８ｇ，０．１４７ｍｍｏｌ）、２−ベンジルオキシ−３−オキソ−４−フェニルブタン酸ｔｅｒｔ−ブチル（５．００ｇ，１４．７ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（１．１３ｇ，１４．７ｍｍｏｌ）、メタノール（２５ｍＬ）及びテトラハイドロフラン（２５ｍＬ）を２００ｍＬ−ステンレス製オートクレーブに入れ、その混合物を水素圧３ＭＰａ下、９０℃で１３時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去して３−アミノ−２−ベンジルオキシ−４−フェニルブタン酸ｔｅｒｔ−ブチルの酢酸塩を粗製物（６．１０ｇ）として得た。ａｎｔｉ及びｓｙｎジアステレオマーの割合（８６：１４）は、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＡＤ−ＲＨカラム（ダイセル化学工業株式会社製）を用いてＨＰＬＣで測定した。粗製物のエナンチオマー過剰率は、３−（４−ニトロベンゾイルアミノ）−２−ベンジルオキシ−４−フェニルブタン酸ｔｅｒｔ−ブチルとした後、ＣＨＩＲＡＣＥＬ  ＯＤ−Ｈカラムを用いてＨＰＬＣで測定した結果、９８．６％ｅｅ（ａｎｔｉジアステレオマー）及び９５．１％ｅｅ（ｓｙｎジアステレオマー）であった。
得られた粗製物（６．１０ｇ）及びＰｄ−Ｃ（０．９０ｇ）を、酢酸（９０ｍＬ）に溶解した。そして混合液を水素圧２ＭＰａ下、６０℃で１８時間撹拌した。触媒を濾去して、得られた濾液を濃縮した。残渣を酢酸エチルから再結晶して、（２Ｓ，３Ｓ）−３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニルブタン酸ｔｅｒｔ−ブチル・酢酸塩（１．３６ｇ，白色結晶）を単一ジアステレオマーとして２９．８％の収率で得た。
融点：１０８−１１０℃
［α］Ｄ２０  −０．５（ｃ＝１．０５，ＭｅＯＨ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ；１．５１（ｓ，９Ｈ），２．０１（ｓ，３Ｈ），２．６２−２．８３（ｍ，２Ｈ），３．４６−３．５８（ｍ，１Ｈ），４．３３（ｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ），７．１８−７．３７（ｍ，５Ｈ）
【０１３９】
上記のようにして得られた生成物のフリーのβ−アミノエステル、即ち３−アミノ−２−ヒドロキシ−４−フェニルブタン酸ｔｅｒｔ−ブチルに対する１Ｈ  ＮＭＲスペクトルデータと文献値（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  １９９４，ｖｏｌ．５０，Ｎｏ．１３，ｐ．３９７５−３９８６）とを比較して、ａｎｔｉ相対的立体化学を確定し、一方、比旋光度からその絶対配置を（２Ｓ，３Ｓ）と確定した。
【産業上の利用可能性】
【０１４０】
本発明の製造方法は、医薬、農薬等の中間体として有用な、アミノ酸誘導体、特に光学活性アミノ酸誘導体を効果的かつ工業的に合成することができる。
【国際調査報告】
2007505896.tif 000033
2007505896.tif 000034
2007505896.tif 000035