(57)【要約】  本明細書の開示はＲＦ出力半導体デバイスに関する。本明細書に開示の一実施形態において、ＲＦ出力プラスチック半導体デバイス（１０）は、半導体（ＲＦ）デバイス（１２）、ＲＦデバイスに電気的に接続されている低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体（１４）、並びにＲＦデバイス及びインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されているプラスチックパッケージ本体（２２）を備える。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、インピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層（２８，３６）と、金属化層上のパッシベーション層（４４）からなる。パッシベーション層により、金属化層に対するプラスチックパッケージ本体の金型成形コンパウンドの結合強度が増大する。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出される。好適には、本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージは、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスの約２倍以上の終端インピーダンスを示す。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数（ＲＦ）デバイスと、
ＲＦデバイスに電気的に接続されたインピーダンスマッチング構造体と、
ＲＦデバイス及びインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されたプラスチックパッケージ本体とからなる無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項２】
ＲＦデバイスは信号変換デバイスである請求項１に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項３】
信号変換デバイスはＲＦ信号増幅デバイスである請求項２に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項４】
インピーダンスマッチング構造体は低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体を含む請求項２に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項５】
インピーダンスマッチング構造体は低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体を含む請求項１に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項６】
インピーダンスマッチング構造体は約１００ワットの尖頭包絡線出力にて約１．５オーム以上のドレイン・フィクスチャ・インピーダンスを可能とする請求項５に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項７】
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体はＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層と、金属化層の上方に形成されたパッシベーション層とを含む請求項５に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項８】
ＲＦデバイスは信号変換デバイスである請求項７に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項９】
信号変換デバイスはＲＦ信号増幅デバイスである請求項８に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１０】
金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出されていることと、
同金属化層のうちの一部は対応するデバイスの接続部に対しＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を相互接続させるために用いられることとを含む請求項７に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１１】
インピーダンスマッチング構造体が装着されているリードフレーム部品を含む請求項１に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１２】
インピーダンスマッチング構造体は低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体を含む請求項１１に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１３】
ＲＦデバイスは信号変換デバイスであることと、
インピーダンスマッチング構造体は低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体、高誘電率セラミックス・インピーダンスマッチング構造体、及び有機構造体のうちの１つ以上を含むこととを含む請求項１に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１４】
無線周波数（ＲＦ）デバイスと、
ＲＦデバイスに電気的に接続された低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体と、
ＲＦデバイス及びＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されたプラスチックパッケージ本体とからなり、
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体はＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層と、金属化層の上のパッシベーション層とを含む無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１５】
ＲＦデバイスは信号変換デバイスである請求項１４に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１６】
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出されている請求項１４に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１７】
ＲＦデバイスはＲＦ信号増幅デバイスであることと、
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は約１００ワットの尖頭包絡線出力にて約１．５オーム以上のドレイン・フィクスチャ・インピーダンスを可能とすることと、
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出されていることとを含む請求項１４に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１８】
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体が装着されているリードフレーム部品を含む請求項１７に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項１９】
ＲＦデバイス及びＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されたプラスチックパッケージ本体を含む請求項１４に記載の無線周波数出力半導体デバイス。
【請求項２０】
低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体のパネルを設置するパネル設置工程と、
ウエハ・ソー装置を用いてＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを切断し、複数の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を形成する構造体形成工程とからなる方法。
【請求項２１】
ウエハ・ソー装置から複数の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のうちの１つをパッケージ基板へ移動させる構造体移動工程と、
構造体移動工程はパッケージング装置により実行されることとを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ結合させる構造体結合工程と、
無線周波数（ＲＦ）デバイスをパッケージ基板へ結合させるＲＦデバイス結合工程と、
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に導電性相互接続部を形成する導電性相互接続部形成工程とを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
導電性相互接続部形成工程の後、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体及びＲＦデバイスの上方にプラスチックパッケージ本体を形成するプラスチックパッケージ本体形成工程を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
構造体移動工程は、
加工支持基板から別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を摘出する構造体摘出工程と、
パッケージ基板上に別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を配置する構造体配置工程とを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層と、金属化層の上方に形成されたパッシベーション層とを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
金属化層にて電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出されることを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
別個の低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体を加工支持基板上に設置する構造体設置工程と、
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を加工支持基板からパッケージ基板へ移動させる構造体移動工程と、
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ結合させる構造体結合工程と、
無線周波数（ＲＦ）デバイスをパッケージ基板へ結合させるＲＦデバイス結合工程と、
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に導電性相互接続部を形成する導電性相互接続部形成工程と、
導電性相互接続部形成工程の後、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体及びＲＦデバイスの上方にプラスチックパッケージ本体を形成するプラスチックパッケージ本体形成工程とからなる方法。
【請求項２８】
構造体設置工程は、
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを加工支持基板上に設置するパネル設置工程と、
自動ウエハ・ソー装置を用いてＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを切断し、複数の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を形成する構造体形成工程とを含む請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
構造体移動工程は、
摘出装置により加工支持基板から複数の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のうちの１つを摘出する構造体摘出工程と、
パッケージング装置によりパッケージ基板上に複数の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のうちの１つを配置する構造体配置工程とを含む請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層と、金属化層の上方に形成されたパッシベーション層とを含む請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
金属化層にて電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出されることを含む請求項３０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書の開示はプラスチックパッケージ回路に関し、より詳細には、高インピーダンス無線周波数（ＲＦ）出力プラスチックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＲＦ出力プラスチックパッケージには、１つ以上の制限が存在する。そのような制限の例には、以下に限定されないが、比較的低い終端インピーダンス、狭帯域周波数特性、ワイヤ・ループ機構に限定されるインピーダンスマッチング、及び関連するループ高さ制御が含まれる。これに加えて、マッチング構造体にワイヤを用いることにより過度のワイヤ温度を生じる可能性が存在する。過度のワイヤ温度は、ＲＦ出力プラスチックパッケージの特性及び信頼性に不利な影響を与え得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージに関連する制限を克服するＲＦ出力プラスチックパッケージは有用である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本明細書の開示は、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスに比べ、より高い終端インピーダンスを示すＲＦ出力プラスチックパッケージに関する。ＲＦ信号増幅デバイスと、ＲＦ信号増幅デバイスに接続された高インピーダンスマッチング構造体（例えば、セラミックス・インピーダンスマッチング構造体）とを含むプラスチックパッケージは、本明細書の開示による高インピーダンスＲＦ出力プラスチックパッケージの一実施形態である。信号の増幅（例えば、変換）及びインピーダンスマッチングは、信号調整の促進の例である。
【０００５】
本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージは、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージに関連する制限を克服する点において有用且つ有利である。詳細には、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージに対し、本明細書に開示のＲＦ出力プラスチックパッケージは、プラスチックパッケージングされた形体において内部的なインピーダンスマッチングを提供し、比較的高いインピーダンスを提供し、広い周波数スペクトルに渡って比較的均一な特性を提供し、周知のプラスチックパッケージング手法を用いるパッケージング時に所望の信頼性を提供し、比較的低い単位原価を示し、マッチング構造体が比較的低温にて動作することを可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
ここで詳細な図面を参照する。本明細書に開示の一実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージ１０を図１〜３に示す。ＲＦ出力プラスチックパッケージ１０は、横方向拡散金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）信号増幅器１２、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体１４、ゲート・リード１６、ドレイン・リード１８、パッケージ基板２０、及びプラスチックパッケージ本体２２を備える。なお、この特定の実施形態では、パッケージ基板２０はリードフレームのうちの少なくとも一部（例えば、リードフレームの部品受入領域）を含む。また、パッケージ基板２０の裏面に連結するようにヒートシンク２１を示すが、ヒートシンク２１は随意である。
【０００７】
ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２及びＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４は共に、ＲＦ出力プラスチックパッケージ１０による信号調整の促進に寄与する。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４は、インピーダンスマッチング機能を提供するように構成された構造（即ち、インピーダンスマッチング構造体）の一実施形態である。好適には、本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージは、インピーダンスマッチング構造体を備えていない従来のＲＦ出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスの約２倍以上の終端インピーダンスを示す。例えば、本明細書に開示の１つのＲＦ出力プラスチックパッケージは、約１００ワットの尖頭包絡線出力にて約１．５オーム以上のドレイン・フィクスチャ・インピーダンスを生じるインピーダンスを示す、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を含む。このＲＦ出力プラスチックパッケージにより、そのようなマッチング構造体を備えていない従来のＲＦ出力パッケージを超える有意な改良が提供される。ＲＦ出力デバイスの特定の実施形態では、約５ワット以上、約１０ワット以上、約２０ワット以上、約５０ワット以上、又は約１００ワット以上の出力が提供される。特定の実施形態は、約４００ＭＨｚ以上、約８００ＭＨｚ以上、約１ＧＨｚ以上、約２ＧＨｚ以上、約３ＧＨｚ以上、又はそれ以上の周波数にて動作する。本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージにより示されるインピーダンスにおいては、そのようなＲＦ出力プラスチックパッケージは、広い周波数スペクトルに渡って比較的均一な電気特性を示す、高出力、高帯域幅のＲＦ出力増幅機能を提供する。さらに、本明細書に開示のセラミックス・インピーダンスマッチング構造体は、従来のインピーダンスマッチング構造体（例えば、ワイヤ・ループ機構）に対して比較的低い動作温度に寄与する。
【０００８】
ＲＦ信号変換機能を可能とする様々な種類のＲＦデバイスの使用が想定される。そのような種類のＲＦ出力デバイスの例には、例えば、ＲＦ信号変換機能を可能とするように構成されたシリコン、ゲルマニウム、及びガリウム砒素のＲＦデバイスが含まれる。そのようなデバイスはＭＯＳ（金属酸化物半導体）デバイス又はバイポーラ・デバイスであってよく、通常、シリコン又はガリウム砒素を用いて製造される。ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２は、ＲＦ信号変換機能を可能とするＲＦデバイスの一特定例である。そのようなＲＦ信号変換機能を提供するように適合されたデバイスは、ＲＦ信号変換デバイスの一例である。
【０００９】
本明細書にはＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の使用を示したが、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とは異なる他の種類のインピーダンスマッチング構造体を本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージに用いることは、本明細書において想定される。そのような他の種類のインピーダンスマッチング構造体には、以下に限定されないが、高誘電率セラミックス・インピーダンスマッチング構造体（例えば、チタネート）、有機インピーダンスマッチング構造体、及びＭＯＳＣＡＰ（金属酸化物半導体キャパシタ）インピーダンスマッチング構造体が含まれる。また、本明細書に開示のＲＦ出力プラスチックパッケージにおいては、単一のインピーダンスマッチング構造体の使用も、多層のインピーダンスマッチング構造体の使用も想定される。
【００１０】
ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２及びＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４は、パッケージ基板２０の第１の表面に結合（即ち、装着）される。ヒートシンク２１は、パッケージ基板２０の第２の表面に結合される。任意数の周知のダイ・ボンディング手法を用いてインピーダンスマッチング構造体１４がパッケージ基板２０に結合され得ることが、本明細書において想定される。そのような周知のダイ・ボンディング手法の例には、以下に限定されないが、エポキシ・ボンディング手法及びソルダ・ボンディング手法が含まれる。
【００１１】
本明細書においては、パッケージ基板２０の種々の実施形態が想定される。一実施形態では、パッケージ基板２０、ゲート・リード１６、及びドレイン・リード１８は、共通の導電性リードフレームから切り出される部品である。パッケージ基板２０の別の実施形態では、パッケージ基板２０、ゲート・リード１６、及びドレイン・リード１８は別個の導電性部品であり、ゲート・リード１６及びドレイン・リード１８のうちの１つ以上は、電気的に絶縁されてパッケージ基板２０上に装着されるように組み立てられる。
【００１２】
ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２は、第１の複数の導電性相互接続部２４を介してＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４に電気的に接続されている。第１の複数の導電性相互接続部２４は、ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２のドレイン帯部２６と、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４における１つ以上のデバイス接続部２８との間に接続されている。ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２は、第２の複数の導電性相互接続部３０を介してゲート・リード１６に電気的に接続されている。第２の複数の導電性相互接続部３０は、ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２のゲート帯部３２と、ゲート・リード１６との間に接続されている。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４は、第３の複数の導電性相互接続部３４を介してドレイン・リード１８に電気的に接続されている。第３の複数の導電性相互接続部３４は、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４の１つ以上のドレイン・リード接続部３６と、ドレイン・リード１８との間に接続されている。一実施形態では、複数の導電性相互接続部２４，３０，３４は、導電性ワイヤ・ボンドの形態で提供される。
【００１３】
ＬＤＭＯＳ信号増幅器１２、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４、パッケージ基板２０、及び種々の複数の導電性相互接続部（２４，３０，３４）は、プラスチックパッケージ本体２２内に包埋される。それぞれ複数の導電性相互接続部（３０，３４）が取り付けられているゲート・リード１６及びドレイン・リード１８のうちの一部は、プラスチックパッケージ本体２２内に包埋される。ゲート・リード接続部３８及びドレイン・リード接続部４０はプラスチックパッケージ本体２２を通じて延びており、それらへの接続が可能である。
【００１４】
図２，３に示すように、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４のデバイス接続部２８及びリード接続部３６は、インピーダンスマッチング構造体１４の頂部の主要本体部分４２の上方に位置する金属化層（詳細には示さず）のうちの一部により区画形成される。一実施形態では、パッシベーション層４４（図３のみ）は、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４の主要本体部分４２の上方に位置するように形成される。好適には、パッシベーション層は、金属化層のうちの相互接続部（例えば、ワイヤ・ボンド）が必要な領域を除き、金属化層を含む頂部表面全体を覆う。例えば、窒化物パッシベーション層等、周知の種類のパッシベーション層が想定される。
【００１５】
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４の主要本体部分４２の上方に位置する金属化層の上にパッシベーション層を用いることは、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４に対するプラスチックパッケージ本体２２（即ち、プラスチックパッケージ本体２２の金型成形コンパウンド）の接着を改良するために本明細書に開示される新規なアプローチである。貴金属（例えば、金、白金等）等の材料の上方に形成された時、プラスチックパッケージの金型成形コンパウンドが限定された結合強度しか示さないことは周知である。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４の主要本体部分４２の上方に位置する金属化層のうちの大部分の上方にパッシベーション層を形成すること（例えば、金属化層のうちの相互接続部（例えば、ワイヤ・ボンド）が必要な領域の上方を除いて）により、プラスチックパッケージ本体に直接的に接触するように露出した金属化層の領域は減少する。したがって、プラスチックパッケージ本体２２とＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４との間の結合強度が増大する。
【００１６】
プラスチックパッケージ本体２２とＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４との間の結合強度を改良することにより、主要なインピーダンスマッチング構造体１４からプラスチックパッケージ本体２２が剥離する可能性は減少する。このようにして、パッシベーション層により、本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージの耐湿性（ＭＳＬ）特性評価が改良される。さらに、パッシベーション層がＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４の主要本体部分４２の上方に位置するように形成される時、パッシベーション層はＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体１４のうちの下方に位置する部分に対する保護層としても作用する。
【００１７】
図４には、本明細書に開示の一実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージを製造するための方法１００を示す。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを設置するために、工程１０５が実行される。パネルは、焼成されたままで相互に接合された一連の（即ち、複数の）ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を備える。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを設置することの例には、パネルを製造し、製造装置からパネルを取得することが含まれる。
【００１８】
ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを設置することにおける１つ以上の実施形態において、設置されたパネルのＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の頂部の主要本体部分の上方に位置する金属化層の上方に位置するように形成されたパッシベーション層を含んでおり、金属化層のうちの相互接続部（例えば、ワイヤ・ボンド）が必要な領域のみがパッシベーション層を通じて露出されている。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルが設置された後、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを分割し、複数の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を作製するために、工程１１０が実行される。半導体ダイを区分するために用いられる自動ウエハ・ソー装置等を用いて、フィルムフレーム上に装着されたＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを切断することは、パネルの分割の一例である。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルが分割された後、ＲＦデバイスをパッケージ基板（例えば、導電性リードフレーム）へ結合させるために工程１１５が実行される。その後、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ移動させるために、工程１２０が実行される。フィルムフレーム（即ち、加工支持基板）から別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を摘出すること、及び、自動パッケージング装置を用いてパッケージ基板上に別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を配置することは、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ移動させるための工程１２０の一例である。
【００１９】
別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ移動させた後、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ結合させるために、工程１２５が実行される。続いて、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に導電性相互接続部（例えば、ワイヤ・ボンド）を形成するために、工程１３０が実行される。その後、導電性相互接続部の形成の後に、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体及びＲＦデバイスの上方にプラスチックパッケージ本体を形成するために、工程１３５が実行される。移動金型成型加工は、金型成形コンパウンドを金型成形しプラスチックパッケージ本体を形成するための周知の手法の一例である。
【００２０】
好適には、図４に示したように、ＲＦデバイスをパッケージ基板へ結合させるための工程１１５は、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ結合させるための工程１２５の実行より前に実行される。しかしながら、方法１００の他の実施形態（図示せず）においては、ＲＦデバイスを結合させる工程１１５は、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体をパッケージ基板へ結合させるための工程１２５が実行された後に実行されることが、本明細書において想定される。
【００２１】
方法１００の特定の一実施形態では、ＲＦ出力プラスチックパッケージの回路は、有利には、半導体加工装置を用いて組み立てられる。さらに、ＲＦ出力プラスチックパッケージのＲＦデバイス及びＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、有利には、リードフレーム上に装着されており、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体がＦＲ−４プリント回路基板等の基板上に装着されてはいない。この特定の実施形態では、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルはフィルムフレーム又は適切な接着テープ上に装着されており、パネルの分割は、半導体ダイを区分するために用いられる市販のウエハ・ソー装置等を用いて切断することにより実行される。フィルムフレーム又はテープは、フィルムフレーム又はテープを通じて切断されるのではなく、フィルムフレーム又はテープに至るまで切断されるために充分に厚いように選択される。これにより、後に続く加工工程においてフィルムフレーム又は接着テープをキャリア基板として用いることが可能となる。所望の結果を達成するため、投入速度、ブレードの種類、及びフレームの厚さ等、切断パラメータは必要に応じて（例えば、パネルの硬さ及び厚さに応じて等）調節される。パネルが切断された後、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、フィルムフレーム又は接着テープから、半導体ダイ・ボンド装置上に存在する導電性リードフレームへ直接的に移動され、結合される。別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、自動摘出・配置半導体加工装置／手法を用いて移動される。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体及びＲＦデバイスがリードフレーム上に装着された後、半導体ワイヤ・ボンド装置を用いて、ＲＦデバイス、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体、及びリードフレームの各々の間に１つ以上の電気的相互接続部（例えば、ワイヤ・ボンド）が形成される。
【００２２】
市販のウエハ・ソー装置を用いてＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを分割すること、及び、得られた別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を自動摘出・配置半導体加工装置／手法を用いてフィルムフレーム又は接着テープから導電性基板へ直接的に移動させることは、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体の分割及び取り扱いのための新規且つ有利なアプローチである。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを分割するための従来のアプローチには、パネルをスクライブし、破断させること、パネルを焼成する前に分割すること、ガラス上に装着した後、焼成したパネルを切ること、及び、続いて、それぞれのガラス切片から、各々の別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を取り除くことが含まれる。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルを分割するためのそれらのアプローチの各々には、本明細書に開示のウエハ・ソー装置を用いたパネルの切断と比較して、１つ以上の制限が存在する。そのような制限の例には、特別なＬＴＣＣ加工装置が必要とされること、比較的低い歩留まりを示すこと、ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体のパネルの分割のためのアプローチが高価であることが含まれる。従来では、別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体はインターポーザ基板（例えば、ＦＲ−４プリント回路基板等）上に装着され、テープ及びリールの形体にて出荷される。テープ及びリールを用いてリードフレーム上に装着された別個のＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体を取り扱うことは、本明細書の開示に鑑みて、高価且つ非実用的である。
【００２３】
好適には、導電性相互接続部の分割、移動、結合、及び形成工程、並びにプラスチックパッケージの形成工程は、市販の装置を用いて実行される。この市販の装置は変更されてもよく、変更されなくてもよい。そのような市販の装置の例には、ウエハ切断装置、ダイ・ボンド装置、ソルダ・リフロー炉、エポキシ硬化炉、及びワイヤ・ボンド装置が含まれる。
【００２４】
上述の詳細な説明においては、本明細書の一部分をなす添付の図面に対し参照を行った。図面には本発明が実施され得る詳細な実施形態の例を示した。本発明の実施が当業者に可能であるように、それらの実施形態、及びそれらの実施形態の一定の変形形態を充分詳細に記載した。本発明の精神又は範囲から逸脱することなく、他の適切な実施形態が利用され得ること、並びに論理的、機構的、化学的、及び電気的な変更がなされ得ることは理解されるであろう。加えて、本発明の精神又は範囲から逸脱することなく、図に示した機能ブロックが幾つもの方式に組み合わされ得ること、又は分割され得ることも認められるであろう。したがって、上述の詳細な説明は、本明細書に述べた特定の形態への限定を意図するものではなく、反対に、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲の内に合理的に含まれ得る、そのような代替形態、変更形態、及び均等物を包含することを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本明細書に開示の一実施形態による高インピーダンスＲＦ出力プラスチックパッケージの図。
【図２】図１に示した高インピーダンスＲＦ出力プラスチックパッケージの回路構成の一実施形態の図。
【図３】図１に示した高インピーダンスＲＦ出力プラスチックパッケージの断面図。
【図４】本明細書に開示の一実施形態による高インピーダンスＲＦ出力プラスチックパッケージの製造方法の図。
【図１】
2007501592.tif 000003
【図２】
2007501592.tif 000004
【図３】
2007501592.tif 000005
【図４】
2007501592.tif 000006
【国際調査報告】
2007501592.tif 000007