(57)【要約】本発明は、たとえば、非均一なイオン注入を緩和するために、イオン注入システム内のイオンビーム電流を調整することに向けられている。多数の装置がイオンビームの強さを調整するために設けられる。たとえば、イオンビーム内のイオンの量または数は、イオン源の下流に配置される１以上の異なる要素によって変えられる。同様に、イオンビーム内のイオン線量は、イオン源により密接に関連した要素を制御することによって操作される。このように、注入方法は、イオンのより均一なコーティングにより、ウエハが注入されるように調整することができる。
2007525811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
前記イオン源の下流にあって前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整することを特徴とするイオン注入システム。
【請求項２】
前記調整コンポーネントは、イオンビーム加速器の１つまたは複数のプレートを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項３】
前記調整コンポーネントは、接地電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項４】
前記調整コンポーネントは、前記イオン源と前記ビームラインアセンブリとの間に配置された一組の導電性プレートを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項５】
前記ビームラインアセンブリは、イオンビーム内のイオンを質量分析するための分析磁石を含み、前記調整コンポーネントは、前記分析磁石の下流に位置する電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項６】
前記調整コンポーネントは、前記ビームラインアセンブリの分析開口を形成する一組の導電性プレートを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項７】
前記調整コンポーネントは、前記ビームラインアセンブリの分析開口を下流に配置される電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項８】
前記調整コンポーネントは、１つまたは複数の加工物上に集まる正の電荷を中和するように作動可能なプラズマ源を含んでいることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項９】
前記調整コンポーネントは、一組の偏向電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１０】
前記調整コンポーネントは、前記イオン源の近くに配置される引出し抑制電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１１】
前記調整コンポーネントは、前記イオン源内にイオンを発生させるのに役立つイオン源磁石を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１２】
前記調整コンポーネントは、イオンビームの一部を選択的に阻止する機械的構造体を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１３】
測定コンポーネントは、前記ビーム電流を調整するのに用いられる注入波形を出す際に利用されることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１４】
前記測定コンポーネントは、少なくとも１つのファラデーカップおよび戻り電流用ターミナルを含むことを特徴とする請求項１２記載のイオン注入システム。
【請求項１５】
前記測定コンポーネントによって測定された読取値に応答して前記調整コンポーネントを選択的に制御するコントローラをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１６】
前記ビーム電流は、約１〜1000Ｈｚの範囲の少なくとも１つ周波数と前記ビーム電流の約10〜20％の範囲の中で調整されることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１７】
前記測定コンポーネントは、イオン注入処理中にビーム電流の読取値を受け取って、前記ビーム電流に対するフィードバックまたはクローズドループ調整を容易にすることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１８】
前記測定コンポーネントは、イオン注入処理中にビーム電流の読取値を受け取って、前記ビーム電流に対するオープンループ調整を容易にすることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１９】
１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
前記イオン源の下流にあって前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
イオン注入中、１つまたは複数の点で前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整し、
前記調整コンポーネントは、イオンビーム加速器の少なくとも１つまたは複数のプレート、接地電極、および前記イオン源と前記ビームラインアセンブリの間に配置された一組の導電性プレートを含み、さらに、前記ビームラインアセンブリ内の分析磁石の下流にあって前記イオンビーム内のイオンを質量分析する電極、前記ビームラインアセンブリの分析開口を形成する一組の導電性プレート、前記ビームラインアセンブリの分析開口の下流に配置した電極、１つまたは複数の加工物上に集まる正の電荷を中和するように作動可能なプラズマ源、一組の偏向電極、前記イオン源の近くに配置される引出し抑制電極、イオンビームの一部を選択的に阻止する機械的構造体、および前記イオン源の近くに配置され、前記イオン源内にイオンを発生させるのに役立つイオン源磁石を含んでいることを特徴とするイオン注入システム。
【請求項２０】
前記測定コンポーネントは、前記ビーム電流を調整するのに用いられる注入波形を出す際に利用されることを特徴とする請求項１９記載のイオン注入システム。
【請求項２１】
前記測定コンポーネントは、少なくとも１つのファラデーカップおよび戻り電流用ターミナルを含むことを特徴とする請求項２０記載のイオン注入システム。
【請求項２２】
加工物内にイオンを注入するために適した加速システムであって、
ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
前記ビーム電流を調整するために前記イオン源に関連した第１調整コンポーネントと、
前記ビーム電流を選択的に調整するために前記イオン源の下流に配置された第２調整コンポーネントとを含むことを特徴とする加速システム。
【請求項２３】
前記第１調整コンポーネントは、前記イオン源内にイオンを発生させるのに役立つイオン源磁石を含むことを特徴とする請求項２２記載の加速システム。
【請求項２４】
イオン注入中、１つまたは複数の点でビーム電流の読取値を受け取る測定コンポーネントと、
この測定コンポーネントに接続されて作動し、前記第１調整コンポーネント及びイオン源磁石の少なくとも１つを選択的に調整するコントローラと、をさらに含むことを特徴とする請求項２２記載の加速システム。
【請求項２５】
前記第２調整コンポーネントは、ビーム径路に沿って配置された１つまたは複数の電気導電性部材を含むことを特徴とする請求項２２記載の加速システム。
【請求項２６】
前記第２調整コンポーネントは、１つまたは複数の加工物上に集まる正の電荷を中和するように作動可能な少なくとも１つのプラズマ源と、前記イオンビームの一部を選択的に阻止する機械的構造体と、をさらに含んでいることを特徴とする請求項２２記載の加速システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にイオン注入システム、特に、より均一なイオン注入を達成するためのシステムにおいて、イオンビーム電流を調整することに関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入システムは、集積回路製造において、ドーパント要素として知られる不純物を、一般的に加工物と称する半導体基板またはウエハに注入するために用いられる。このようなシステムにおいて、イオン源は、所望のドーパント要素をイオン化し、そして、イオン化された不純物は、イオンビームとしてイオン源から引き出される。イオンビームは、それぞれの加工物を横切って指向（たとえば掃引）され、加工物内にイオン化されたドーパントを注入する。このドーパントイオンは、加工物の組成を変えて、所望の電気特性を保持するようになり、基板上にトランジスタ等の特定の半導体素子として用いることができる。
【０００３】
より小さい電子素子に向けて続く開発傾向は、より小さく、より高出力で、よりエネルギー効率の良い多数の半導体素子をパック状態にして、個々のウエハ上に形成することが行われてきた。これは、イオン注入、そして特にウエハ内に注入されたイオンの均一性を含む半導体製造処理において注意深い制御が必要となる。さらに、半導体素子は、生産量を増加させるため、より大きな加工物として製造されている。たとえば、直径が３００ｍｍまたはそれ以上のウエハが用いられ、より多くの素子が１つのウエハ上に作られる。このようなウエハは、高価であり、それゆえ、非均一なイオン注入によりウエハ全体をスクラップにするような浪費を緩和することが望ましい。より大きなウエハにおいて、イオン注入を均一にする挑戦が行われるが、このため、イオンビームは、より大きな角度でかつウエハの周囲にまで到達する距離を走査されなければならない。このように、より大きな角度及び距離にわたりイオンビームを走査することにより、不均一なイオン注入を導くイオンビームの束に変形を生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の基本的ないくつかの構成を理解するために、本発明の単純化した要約を以下に示す。この要約は、本発明の拡張された全体の概要を示すものではない。また、本発明のキー、即ち、重要な部分を識別するためのものでもなく、本発明の範囲を正確に概説するためのものでもない。むしろ、第１の目的は、後で説明する詳細な説明の序文として、単純化した形式で、本発明の１つまたはそれ以上の概念を単に示すことである。
【０００５】
本発明は、イオン注入システムにおいて、たとえば、不均一なイオン注入を緩和するために、イオン注入システム内のイオンビーム電流を調整することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
イオンビームの強さを調整するための多数の装置が開示されている。たとえば、イオン源の下流にある１つ以上の異なる構成要素をバイアスすることによって、イオンビーム内のイオンの量または数が変えられる。同様に、イオンビーム内のイオンのドーズ量は、イオン源と密接に関連した構成要素を制御することによって操作することができる。この方法において、注入処理が調整され、ウエハは、イオンのより均一な集中で被覆される。
【０００７】
本発明の１つ以上の構成によれば、１つ以上の加工物内にイオンを注入するのに用いるのに適したイオン注入システムが開示される。このシステムは、ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多数のイオンを作り出すイオン源を含む。また、このシステムは、イオン源の下流に配置され、そしてイオンビームを受け入れて指向させるビームラインアセンブリを含んでいる。ビームラインアセンブリの下流に配置されるエンドステーションは、イオンビームが指向される方向に１つ以上の加工物を保持する。最後に、このシステムは、イオンビーム電流を調整するために、イオン源に関連してまたは下流に配置される構成要素を含む。
【０００８】
本発明の１つ以上の構成によれば、イオンを加工物内に注入するために適した加速システムが開示されている。このシステムは、ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多数のイオンを作り出すイオン源を含む。また、このシステムは、イオン源の下流に配置され、そして、イオンビームを受け入れて指向させるビームラインアセンブリを含んでいる。ビームラインアセンブリの下流に配置されるエンドステーションは、イオンビームが指向される方向に１つ以上の加工物を保持する。最後に、このシステムは、イオンビーム電流を調整するために、イオン源に関連した第１の調整用要素を含む。
【０００９】
上記および関連する目的を達成するために、以下の記載及び添付の図面により、本発明の詳細な例示的な構成及び本発明を実現するために説明される。これらは、本発明の１つ以上の構成を用いる種々の方法を例示している。
本発明の他の目的、利点、および特徴が、添付する図面にとともに詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明が、以下に図面を参照して説明される。ここで、同等の参照番号は、同等の要素を指すために用いられる。これらの説明図及び以下の記載は、本来的に例示であり、限定されるものではない。それゆえ、ここで説明されるシステム及び方法の変形例及びここで説明されたものとは、別の他の実施形態も本発明の範囲ない及び添付の特許請求の範囲内に入ると思われることを理解してほしい。
【００１１】
本発明は、イオン注入システムにおいて、たとえば、非均一なイオン注入を緩和するためのイオンビーム電流の調整に関する。多数の装置がイオンビームの強さを調整するために設けられている。たとえば、イオンビーム内のイオンの数または量は、イオン源の下流に配置された１つ以上の異なる要素をバイアスすることによって変化する。また、イオンビーム内のイオンの線量は、イオン源に密接に関係する構成要素を制御することにより操作することができる。このように、イオン注入方法では、ウエハ内に注入されたイオンの集中が、ウエハを均一に横切るように調整することができる。
【００１２】
始めに図１を参照すると、本発明の１つ以上の構成を実行するのに適したイオン注入システム１００は、ブロック図の形で示されている。このイオン注入システム１００は、イオンビーム１０４の形で引き出される多量のイオンを作り出すためのイオン源１０２を含む。このイオン源１０２は、一般的に、イオンが生成されるガス源１０６と、このガスからイオンの製造を容易にする電源１０８とを含んでいる。
【００１３】
イオン源１０２の下流にビームラインアセンブリ１１０が設けられ、イオンビーム１０４を受け入れる。このビームラインアセンブリ１１０は、一例では、他の構成の間に質量分析器１１２を含んでいる。ビームラインアセンブリ１１０は、イオンビーム１０４を受け入れる径路に沿って配置されている。質量分析器１１２は、磁石１１４等の磁界発生要素を含み、ビーム径路１０４を横切る磁界を与えるように作動して、質量 (たとえば電荷質量比) に応じて軌道を変えるイオンビーム１０４からイオンを偏向させる。磁界を通過するイオンは、磁力の影響により、所望質量の個々のイオンをビーム径路１０４に沿って指向させ、また、不要な質量のイオンをビーム径路から離れる方向に偏向させる。
【００１４】
イオン注入システム１００は、更に、エンドステーション１１６を含み、ビームラインアセンブリ１１０から質量分析されたイオンビーム１０４を受け入れる。このエンドステーション１１６は、質量分析されたイオンビーム１０４を用いる、注入のためのビーム径路に沿って半導体ウエハ(図示略)等の１つ以上の加工物を支持する。エンドステーション１１６は、１つ以上のターゲット加工物およびイオンビーム１０４を互いに対して、転換または走査するためのターゲット走査システム１１８を含む。ターゲット走査システム１１８は、たとえば、与えられた環境、作動パラメータおよび／または対象物の下で所望とされる、バッチ式またはシリアル式のイオン注入のために設けられている。
【００１５】
さらに、測定コンポーネント１２０が、エンドステーション１１６に連結されて作動する。この測定コンポーネントは、たとえば、ファラデーカップ(図示略)を含み、ビームがウエハを横切って走査されるとき、イオンビームの強さを検出するように作動する。本発明の１つ以上の構成によれば、この検出された電流の強さは、１つ以上のビーム電流の調整コンポーネント１２２,１２４を制御するために、フィードバック（たとえば、プロセッサを介して−図示略）される。本発明の１つ以上の構成によれば、１つ以上のコンポーネント１２２，１２４が、イオン源１０２に密接に関連し、また、イオン源１０２の下流（たとえば、ビームラインアセンブリ１１０またはエンドステーション１１６上に）に配置される。
【００１６】
イオン注入システム１００は、１つ以上の加工物に対してイオンビーム１０４を走査するために、エンドステーション１１６の前に、機構１２６を設けることができる。このような機構は、たとえば、電気的および／または磁気的なものである。たとえば、この機構は、１つ以上の導電性プレートを含み、このプレートを横断する、制御可能な電磁界を有してバイアスを加えることができる。このフィールドラインは、そこを通過するイオンビーム１０４の方向に影響を与え、所望の方法で、イオンビームが加工物を横切って走査するように、選択的に制御する。
【００１７】
次に、図２を参照すると、本発明の１つ以上の構成を実行するのに適した例示的なイオン注入システム２００が、ある程度詳細に図示されている。図２のシステムは、低エネルギーシステムを図示しているが、このシステム２００は、例として与えられており、本発明は、種々の形式のイオン注入システムに有効であり、このような変形例が、本発明の範囲内に入ると考えられることを理解してほしい。システム２００は、イオン源２０２、ビームラインアセンブリ２０４、及びターゲットまたはエンドステーション２０６を含む。伸縮可能なステンレス鋼のベローズアセンブリ２０８は、エンドステーション２０６とビームラインアセンブリ２０４とを連結し、ビームラインアセンブリ２０４に関してエンドステーション２０６を移動することができる。
【００１８】
イオン源２０２は、プラズマ室２１０とイオン引出アセンブリ２１２からなる。イオン化可能なドーパントガスにエネルギーが分与されて、プラズマ室２１０内でイオンを発生させる。本発明は、イオン源２０２によって負のイオンが発生する場合のシステムにも利用可能であるが、一般的に、正のイオンが発生する。正のイオンは、複数の電極２１４からなるイオン引出アセンブリ２１２によって、プラズマ室２１０内のスリットを通って引き出される。従って、イオン引出アセンブリ２１２は、プラズマ室２１０からの正のイオンビーム２１６を引き出すように機能し、引き出されたイオンは、ビームラインアセンブリ２０４内で加速され、更に、ビームラインアセンブリ２０４内の質量分析磁石２１８内で特に加速される。
【００１９】
質量分析磁石２１８は、通路２２２内に湾曲したビーム径路２２０を含み、この通路２２２は、側壁２２４を有する金属（たとえばアルミニウム）ビームガイドによって形成される。この通路の排気は、真空ポンプ２２６によって与えられる。通路２２０に沿って伝搬するイオンビーム２１６は、質量分析磁石２１８によって発生した磁界により影響を受け、不適当な電荷質量比のイオンを拒絶する。制御電子機器２２８は、他の構成の間にある、この双極子磁界の強さおよび方向を調整する。磁界は、磁石コネクタ２３０を介して磁石２１８の界磁巻線を通る電流によって制御される。制御電子機器２２８は、システム２００の全体の制御（たとえば、オペレ−タによって）のための、プロセッサおよび／またはコンピュータシステムを含むことができる点を理解してほしい。
【００２０】
双極子磁界は、イオン源２０２の近くの第１軌道、即ち、入口軌道２３２から通路２２２の出口端近くの第２軌道、即ち、出口軌道２３４に湾曲したビーム径路に沿って、イオンビーム２１６を移動させる。イオンビーム２１６の一部分２３６,２３８は、不適当な電荷質量比を有するイオンから構成され、湾曲した軌道から反れてビームガイドの側壁２２４内へと偏向する。このように、磁石２１８は、所望の電荷質量比を有するイオンビーム内のイオンを許容して、通路２２２全体を通過させる。
【００２１】
ビームラインアセンブリ２０４は、加速器２４０を含ませることも可能である。この加速器２４０は、イオンビームの集中、屈曲、及び汚染除去とともに、イオンを加速および／または減速するために配置されかつバイアスされる複数の電極２４２を含んでいる。イオンビームのサンプル電流を検出するために、ファラデーカップ２４４等の線量測定指示器を設けることもできる。プラズマ源２４６には、正に帯電したイオンビーム２１６によってイオン注入される結果として、ターゲット加工物上に蓄積される正の電荷を中和するためのプラズマシャワー２４８を設けることも可能である。真空ポンプ２５０は、更に、加速器２４０の排気を行うようにすることもできる。
【００２２】
加速器２４０の下流には、エンドステーション２０６があり、このエンドステーションは、処理すべき１つ以上のウエハ２５４または他の加工物が取り付けられる支持体２５２を含んでいる。ウエハ支持体２５２は、図示されかつ記載されたものとは異なる角度に方向付けすることができるが、注入ビームの方向に対してほぼ垂直なターゲット平面内にある。このウエハ支持体は、また、たとえば、イオンビームが通過するウエハまたは回転ディスクを移動できる機械的アームの形式をとることもできる。図２では、ディスク形状のウエハ支持体２５２が示され、この支持体は、エンドステーション２０６においてモータにより回転する。ウエハが円形径路を移動するとき、イオンビームは、支持体上に取り付けられたウエハに衝突する。エンドステーション２０６は、イオンビームの径路とウエハ２５４との交点である点２５８の回りを旋回する。その結果、ターゲット平面は、この点２５８のまわりで調整可能である。
【００２３】
ファラデーカップ２４４は、１つ以上のウエハにイオンを注入するマッピング動作に利用できることが理解してほしい。たとえば、ファラデーカップ２４４は、テストラン中、１つ以上のウエハの代わりに用いることができる。イオンビームおよびファラデーカップ２４４は、ビーム電流が一定に維持される間、互いに対して移動することができる。この方法において、イオン投与量における変化（たとえば、ウエハの周辺で起こる）が検出される。ビーム電流の強さ対スキャン位置の波形またはマップを（たとえば、ファラデーカップによって得られた読取値を制御電子機器２２８に供給することによって）を識別することができる。検出された波形は、実際の注入中にビーム電流を調整するのに利用される。たとえば、ビーム電流は、ビームがウエハの周辺に到達するとき、上方に調整され、および／または、イオンビームがウエハ上のより中央位置で注入されるとき、対応して減少される。
【００２４】
さらに、実際の注入中、ファラデーカップ２４４は、イオンビームがそれぞれの走査を終える時のビーム強さを読み取るために利用することができる。（たとえば、ファラデーカップ２４４は、イオン注入の妨げにはならない。）これらの読取値は、波形と比較して、ビーム電流が波形と釣り合ってどれくらい立ち上る（または立ち下がる）かを判断することができる。このような走査測定の結果は、非均一なイオン注入を緩和するのに連続してまたは間欠的にすることができることを理解してほしい。さらに、引出しアセンブリ２１２に印加されるバイアス電圧は、たとえば、ビーム電流密度を調整するために変えられることがわかる。同様に、プラズマ源２４６は、本発明の１つ以上の構成に従うプラズマシャワー２４８を変化（たとえば、その強さ）させるために調整することができる。
【００２５】
例に示すように、走査機構がビームラインアセンブリ２０４内に設けられており、１つ以上のウエハ２５４に対してイオンビーム２１６を操作することが容易である。１つの装置では、この機構には、たとえば、イオンビーム２１６が通過するように配置された２つ以上の導電性プレート２７２，２７４を含むことができる。この電極２７２,２７４は、上述した方法で、イオンビーム２１６を偏向するために、所定の電位に選択的にバイアスされる。同様に、走査機構は、複数の電磁石(図示略)を含み、上述した方法でイオンビームを選択的に偏向するため、その間に磁力線を生じさせるように励起することができる。
【００２６】
図３は、本発明の１つ以上の構成を実現するイオン注入システム３００内のあるコンポーネントを形成する概略ブロック図が示されている。このシステム３００は、イオンを発生させるためのイオン源を含む。図示する例では、イオン源３０２は、カソード３０４、アノード３０６、ミラー電極３０６、ガス供給源３１０、及び磁石コンポーネント３１２ａ、３１２ｂを含んでいる。電源３１４およびアーク電源３１６が、カソード３０４に連結して作動し、別の電源３１８が、図示する磁石コンポーネント３１２ａ、３１２ｂに連結されている。
【００２７】
作動において、ガス供給源３１０は、イオンが発生するイオン源３０２の領域３２２内に（たとえば、導管３２０を介して）１つ以上の先駆物質のガスを供給する。一例では、カソード３０４は、フィラメント（たとえば、タングステンまたはタングステン合金で作られたロッド）の形に形成され、電源３１４（たとえば、約2000度ケルビン）によって加熱されて電子を励起する。次に、アーク電源３１６は、カソード３０４（たとえば、カソードを約2800度ケルビンに加熱するため）に付加的なエネルギーを供給し、カソード３０４からガスが存在する領域３２２内に電子を飛び出させる。アノード３０６は、電子を領域３２２に引き出させる役目をし、さらに、たとえば、イオン源３０２の側壁(図示略)を有する。更に、電源３１４は、アノード３０６に接続され、カソード３０４とアノード３０６との間のバイアスを設定し、電子を領域３２２に引き出すことを容易にする。
【００２８】
ミラー電極３０８は、領域３２２内に電子を維持することを助ける。特に、ミラー電極３０８に分与された電圧は、カソード３０４から放出された電子を領域３２２に戻るよう反発させる。同様に、イオン源磁石によってイオン源３０２内に導かれた磁界は、領域３２２内に電子を保持し、かつイオン源３０２の側壁(図示略)から離す。図示する例では、イオン源磁石の２つのコンポーネント３１２ａ、３１２ｂが示されている。これらは、たとえば、電磁石の巻線および／またはヨークの断面図として示されている。領域３２２内を動き回る電子は、領域３２２内でガス状分子と衝突してイオンを作り出す。特に、十分な力で、ガス状分子と衝突する電子により、このガス状分子から除去される１つ以上の電子を生じさせて正に荷電したガス状イオンを生じる。イオン源磁石によって励起される磁界は、カソードに平行となり、電子径路の長さを増加させ、領域３２２内のイオンと電子の両方を有するプラズマを維持する役目をする。
【００２９】
本発明は、負に荷電したイオンにおいても利用できることを理解してほしい。さらに、ビーム電流密度またはその強さは、イオン源３０２内で生じたイオンの数に関係する。その結果、本発明の１つ以上の構成によれば、イオン源のいくつかのコンポーネントは、ビーム電流を変えるために選択的に調整することができる。一例として、および限定するものではないが、イオン源磁石３１２によって設定される磁界は、イオン源３０２内で発生したイオンの数を増加または減少させる電源３１８を制御することによって変化させることができ、これに対応してビーム電流が増加または減少する。ビーム電流は、より低いエネルギーで電源３１８によって導かれる電荷に対して、より高く（たとえば、非線形）反応するので、イオン源磁石を介してビーム電流を修正することは、より高いエネルギー（たとえば、磁界が約２００ガウスである）においてより有効である。
【００３０】
本発明は、上述したアーク放出源以外の他のイオン源にも利用することができることを理解してほしい。たとえば、イオン源は、イオンを発生させるＲＦ励磁手段を含むことができる。このようなイオン源は、米国特許第５，６６１，３０８号明細書に開示されている。この開示内容は、参考文献としてここに包含される。さらなる例としてのイオン源は、イオンを生じさせるために電子ビーム噴射による励起手段を含む。これは、時々、イオン源の「ソフトイオン化」と呼ばれる。このようなイオン源の例は、米国特許第６,４５２，３３８号明細書に開示されており、この開示内容は、参考文献としてここに包含される。本発明に利用可能なイオン源の更なる例は、複数のイオンを発生させるために、マイクロ波励起手段を含んでいる。
【００３１】
イオンビーム３２６は、一般的に、イオン源３０２に対して負にバイアスされている電極３３０によってイオン源３０２から引き出される。イオン源からイオンを引き出すために、さらに、電極３３０は、一般的に正にバイアスすることによってイオン源３０２に引き寄せられる電子を抑制する機能を有する。さらに、イオンビーム３２６は、ビームガイド３３６及び関連した分析磁石３３８に入る前に、接地電極およびこれに続くプレート３３４によって形成された開口を通過する。ビームガイド３３６及び分析磁石３３８内で、所望の電荷質量比に従って分離された後、イオンビーム３２６は、不要なイオン種を更に分離するプレート３４２によって形成される分析開口に入る前に、別の組の電極３４０を通過する。イオンビーム３２６は、次に、空間電荷を中和し、かつターゲット加工物上に蓄積される電荷を中和するため、プラズマ内を移動する前に、別の電極３４４を通過する。このイオンビーム３２６は、エンドステーション３４６内に配置された１つ以上の加工物(図示略)上に衝突する。
【００３２】
ビーム電流は、システム３００の多くのコンポーネントによって影響されることを理解してほしい。たとえば、引出し抑制電極３３０、接地電極３３２、プレート３３４、電極３４０、プレート３４２、および電極３４４上のそれぞれのバイアスは、ビーム電流に影響する。従って、上記コンポーネントに印加されるそれぞれの電圧を制御する、１つ以上の引出し抑制電極用の電源３５０、フローティング接地電極用の電源３５２、電源３５４、電源３５６、電源３５８及び電源３６０を選択的に制御することによって、ビーム電流を修正することができる。引出し抑制電極３３０の組み合せは、ここに開示されており、本発明は、それぞれの電極に印加される各電圧を変えるために、個々に独立して変えられるそれぞれの電源を有する、引出し電極及び抑制電極の分離した組を考えることができる。接地電極３３２は、一般的に異なる電圧で調整されるが、平均的には、ほぼゼロ電位である。これは、非ゼロバイアスを有する電位である場合から、接地電極３３２を区別する。
【００３３】
上述の電源は、たとえば、イオン注入中の走査ビーム電流を示す測定システム３６８（たとえば、ファラデーカップを含む。）からの読取値を受けて、コントローラ３６４により制御可能である。同様に、コントローラは、中和プラズマ源３７０に接続されて作動することができる。イオンビーム３２６が晒されるアクティブプラズマの量を選択的に調整することによってビーム電流を修正する。アクティブプラズマの中和は、より高いエネルギーでの有効なビーム輸送に対して一般的に必要とされないが、より低いエネルギー（たとえば、約１０KeV以下）において、プラズマ源３７０に対するビーム電流の調整は、より効果的である。コントローラは、上述したように、イオン注入を実現する波形において役立ち（たとえば、測定システム３６８）、また、このような波形を用いて、ビーム電流に対する選択的な調整を容易にする。
【００３４】
ビーム電流は、１つ以上の特定の周波数で（たとえば、約１〜1000Hｚの範囲）または１つ以上のダイナミックレンジ（ビーム電流の約１０〜２０％の）にわたって調整することができる。この調整は、オープンループ方式でなすことができ、そこでは、ビーム電流の初期測定値が、イオン注入中の代わりにイオン注入の前に実行される。これは、おそらく、システムにおける、いくつかの知られた非均一性に基づいている（たとえば、特定のビーム電流が予測可能な非均一性となる）。このような調整の使用は、ウエハへの均一な投与量を達成する一方で、所定のドーパントプロファイルを達成するのにも用いることができる。この均一性は、一般の場合のサブセットである。
【００３５】
さらに、ビーム電流は、維持するため、またはイオン源出力が変動する所で、比較的一定のビーム電流を得るように調整する。こうして、ビーム電流は、出力が増加する場合にビーム電流をより低く抑え、または出力が減少する場合に、ビーム電流を増加させることができる。このビーム電流は、たとえば、そらすこと、開放すること、またはコースを再指向、または予めインターセプト、またはビーム電流を保存することによって、増加させることができる。
【００３６】
図４において、イオン注入システム４００は、本発明の１つ以上の構成に従ってイオンビーム電流を修正できることを示している。例示するイオン注入システム４００は、イオンビーム４０４を発生するためのイオン源４０２を有するものとして図示されている。引出し電源４０６は、イオン源４０２からイオン質量分析磁石４１２に導く軌道に沿ってイオンを加速するために、一対の引出し抑制電極４０８,４１０（たとえば、約２０ｋＶの電位）をバイアスするために設けられている。この分析磁石４１２は、ほぼ直角にビーム４０４を曲げ、そしてシャッター４１４を通る通路に沿って適当な質量を有するイオンを指向する。シャッター４１４は、イオンビーム４０４から不適当な質量を有するイオンを拒絶する。
【００３７】
イオンビーム４０４は、一対の偏向電極４１６，４１８を通過する。制御回路によって、この電極４１６,４１８に印加される制御電圧は、イオンビーム４０４を制御された量だけ偏向する電界中を通過させる。この２つの電極プレート４１６，４１８間の電位差の大きさは、偏向量を制御する。プラズマ源４２２は、中和するプラズマ内にイオンビーム４０４を晒してターゲット加工物上に蓄積する正の電荷の数を少なくする。
【００３８】
また、ビーム加速器４２４は、イオンが分析磁石４１２から出た後の軌道に、ほぼ平行な通路に沿って、イオンを再指向させることを含んでいる。このビーム加速器４２４は、湾曲した金属製の入口電極４２６と、間隔を置いて平行に配置された複数の金属プレート４２８，４３０，４３２,４３４を含んでいる。この加速器を４２４を通過した後で、イオンビーム４０４内のイオンは、所望の軌道に再指向されると共に、所望の注入エネルギーに加速される。イオンビーム４０４は、ビームラインアセンブリ４３６内に維持された真空中を移動する。
【００３９】
ビーム加速器４２４から下流にイオン注入ステーション４４０が配置され、このステーションは、平行プレート４２８，４３０，４３２,４３４によって加速されたイオンをインターセプトするために所定の位置に半導体ウエハを指示する１つ以上の構造体を含んでいる。イオンビームは、ビームの保全性を低下させる他の粒子に衝突する。そのため、イオン源４０２からイオン注入ステーション４４０へのビームラインアセンブリ４３６全体は、１つ以上のポンプ(図示略)によって排気されている。イオン注入ステーション４４０の領域では、チャンバー４４４が同様に排気され、そして、チャンバー４４４の繰り返される加圧と減圧を無くすために、ウエハは、ロードロックに挿入され、そこから引き出されるようになっている。
【００４０】
機械式アーム４４６がチャンバー４４４の外側に配置され、カセット４５０からウエハをシャトル４４８上に支持されたウエハを把持する。このアーム４４６は、第１に、ウエハオリエンター４５６上のドープされていない各ウエハを位置決める。オリエンター４５６は、イオンがウエハに衝突したとき、ウエハの結晶格子構造の特定の方向に侵入できるように、イオン注入前にウエハを特定の方向に向けるために、未ドープウエハを回転させる。このウエハは、その後、ロードロック４５８内に移動され、第２のアーム４６０が、このウエハをチャンバー４４４内の注入位置に移動させることができる。注入側では、ウエハ支持体４６２が、イオンビーム４０４に対して、ほぼ一定の特定の傾斜角度にウエハ４４２を指向させる。
【００４１】
走査電極４１６,４１８は、制御回路４２０の方向に制御された量のビーム側方走査を生じさせる。この制御回路は、たとえば、走査電極電圧を調整するためのプログラム可能なマイクロコントローラを含み、所望のウエハ走査を達成させる。また、イオンビーム４０４とウエハ４４２の表面との間の付加的な相対動作を容易にするため、駆動機構(図示略)を支持体４６２に取り付けることができることを理解してほしい。イオンビーム４０４がウエハ４４２を横切って走査されるとき、ビーム電流を監視するために、測定コンポーネント４６４を設けるコンポーネントもできる。これは、たとえば、ファラデーカップおよび／またはターミナル戻り電流を含み、イオン注入ステーション４４０でのシリコンウエハ４４２用の所望のドープレベルに基づいて、イオンビームの集中を増加または減少するのに利用される。
【００４２】
ウエハ４４２がイオンビーム４０４を用いてドープされると、このウエハ４４２は、第３のアームによって注入ステーション４４０から取り出される。この第３アーム４６６は、ウエハ４４２をロードロック４６８に配送し、そして、第４の機械アーム４７０が、このドープしたウエハ４４２をカセット４７４に移動するシャトル４７２に移送できる。
【００４３】
加速器４２４の入口電極４２６は、弓状導体から構成されていることがわかる。この電極４２６は、イオン源４０２を支持するハウジング４７６、分析磁石４１２、及び偏向電極４１６,４１８とほぼ同電位に維持され、第２電極４２８は、高電圧電源４７８によって正にバイアスされる。湾曲した電極４２６と第１のほぼ平坦な電極４２８との間の電位差は、レンズ電源４８０によって維持される。
【００４４】
レンズ電源４８４用の約６０ｋＶ、引出し電源４０６用の２０ｋＶ、高電圧電源４８２用の１２０ｋＶの各電圧値によって、正に荷電したイオンを約２００ｋＶの最終のエネルギーに加速する。これらの電圧は、図示のイオン注入システム４００にとって適切なものであり、そこでは、入口電極４２６が約１３インチの曲率半径を有し、偏向電極４１６，４１８の位置での走査最高点から約２４インチ離れている。この配置に対する電極４２６内に形成される入口開口の典型的な幅は、約１２インチとなる。
【００４５】
イオンを発生させるために、イオン源アセンブリ４０２は、たとえば、イオン発生チャンバー内に自由電子を励起するために、アーク放電、ＲＦ、またはマイクロ波励起、或いは電子ビーム噴射を作り出す、カソードを用いることができることを理解してほしい。電子がチャンバー内に放出されるガス分子に衝突して、そして、これによりイオンが発生する。イオンは、たとえば、引出し抑制電極４０８,４１０の部分的な影響により、約０．２〜１００ｋｅＶの範囲の初期エネルギーを有する。
【００４６】
イオン源４０２は、発生するイオンを助けるためにイオン源磁石を含むことができる。この例で示すように、イオン源磁石は、多数のコンポーネント４８２、４８４を含み、これらは、たとえば、電磁石のヨーク４８２及びコイル４８４に相当する。一組の接地電極４８６及び付加的な組の電極４８８は、イオン源４０２に隣接し、分析磁石４１２を通過する前のイオンビーム４０４を集中させかつ形作る役目をする。
【００４７】
同様に、別の組の電極４９０、分析開口を形成する一組のプレート４９２、及び次に続く電極の組４９４は、見せかけのイオンを阻止し、さらにイオンビーム４０４に対する集中を与えることができる。イオンビーム４０４の一部は、ビーム電流を調整するために、物理的に阻止される。たとえば、機械的構造体(図示略)が物理的に挿入され（たとえば、ビームラインアセンブリ４３６内のスリット４９６を介して）、イオンビーム４０４の一部分を選択的に阻止する。上述の機械的構造体を動かして、ビーム電流の一部をインターセプトし、その他を通過させることは、ビーム電流を調整する効果を達成する。
【００４８】
本発明の１つ以上の構成によれば、ビーム電流は、イオン源アセンブリ４０２に密接に関連した1つ以上のコンポーネントと同様に、イオン源アセンブリ４０２の下流に配置された１つ以上のコンポーネントを選択的に制御することによって、所望のイオン注入を達成するために調整することができる。たとえば、偏向電極４１６,４１８、電極４９０、プレート４９２、電極４９４、及びビーム加速器の各プレート４２６，４２８，４３０，４３２，４３４に印加した各電圧は、ビーム電流（たとえば、上述したように、コントローラ、測定コンポーネント、及び注入波形を介して）を調整するために選択的に修正することができる。同様に、引出し抑制電極４０８，４１０、接地電極４８６、電極４８８、イオン源磁石コンポーネント４８２，４８４及び中和プラズマ源４２２は、選択的にビーム電流を変えるために調整することができる。更に、これらの要素は、ビーム電流を所望に変えるために、単独または組み合せで選択的に調整することができる。
【００４９】
次に、図５を参照すると、このグラフ図は、引出し抑制電圧５０４における時間的変化に応じたビーム電流５０２の変化を示す。ビーム電流５０２における変化は、ほぼ１００秒間での引出し抑制電圧５０４の変化に密接に追従していることがわかる。特に、ビーム電流５０２が、約４．０Ｅ−０３〜約６．０Ｅ−０３アンペアの間で変化し、一方、引出し抑制電圧５０４が、約7000〜約10000Ｖの間で変化している。
【００５０】
同様に、図６は、ビーム電流（ｙ軸）と引出し抑制電圧（ｘ軸）との間の関数関係を示している。プロット６０２は、引出し抑制電極電圧における変化に対応するビーム電流における変化は、ビーム電流が約４．０Ｅ−０３〜約６．０Ｅ−０３アンペアに直線的に移動する約6900〜約8500ボルトの間の電圧に対して動的変化がわずかにあることを表わしている。しかし、引出し抑制電圧が約8500〜約10000ボルトになると、ビーム電流は、約６．０Ｅ−０３アンペア付近となり、飽和状態を示す。
【００５１】
ここに記載の構成は、非アーク放電のイオン源と同様に、「ソフトイオン化」のイオン源、ＲＦまたはマイクロ波のイオン源におけるＲＦまたはマイクロ波の出力における一次電子ビーム電流に等しく利用可能であることを理解してほしい。
【００５２】
本発明を、ある構成および実施形態に関して図示しかつ記載してきたが、この明細書と添付された図面とを読んで理解すると、他の同業者にも同等の変更や修正ができるものと認識することができる。特に、上述の構成要素（アセンブリ、装置、回路、システム等）によって実行される種々の機能に関して、そのような構成要素を説明するために使用される用語（「手段」に対する参照を含めて）は、他に表示されていなければ、たとえ開示された構成に構造的に同等でなくても、本発明のここで図示された例示的実施においてその機能を果たすものであれば、説明された構成要素の特定された機能を実行する（即ち、機能的に同等である）いずれかの構成要素に相当するものと意図されている。
【００５３】
更に、本発明の特定の特徴は、幾つかの実施形態の内のただ一つに対して開示されてきたものであるが、このような特徴は、いずれかの或る又は特定の用途にとって望ましくかつ有利な他の実施形態における一つ以上の特徴と組み合わされ得るものである。更に、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」及びそれらの変形が詳細な説明か特許請求の範囲のいずれかで使用されている限り、これらの用語は、用語『構成されている』と同様に包含されるものである。また、用語「典型的」は、たとえば、最も優れた実施者よりも単純な手段をここで利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、本発明の１つ以上の構成に従って、イオンビーム電流を調整するための概略ブロック図である。
【図２】図２は、本発明の１つ以上の構成に従って、例示的なイオン注入システムを説明する断面側面図である。
【図３】図３は、本発明の1つ以上構成を実現するイオン注入システムの特定の構成要素を示す概略ブロック図である。
【図４】図４は、ビーム電流を調整するために、本発明の１つ以上の構成を実行するイオン注入システムの上面図である。
【図５】図５は、引出し抑制電圧の変化とイオンビーム電流の変化との間の関係を図示するグラフ図である。
【図６】図６は、引出し抑制電圧の変化とイオンビーム電流の変化との間の関係を図示する別のグラフ図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
ビーム電流密度を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
前記イオン源の下流にあって発生した電界及び磁界の少なくとも１つを介して、前記ビーム電流密度を調整するための調整コンポーネントと、
前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流密度を調整することを特徴とするイオン注入システム。
【請求項２】
前記調整コンポーネントは、イオンビーム加速器の１つまたは複数のプレートを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項３】
前記調整コンポーネントは、接地電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項４】
前記調整コンポーネントは、前記イオン源と前記ビームラインアセンブリとの間に配置された一組の導電性プレートを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項５】
前記ビームラインアセンブリは、イオンビーム内のイオンを質量分析するための分析磁石を含み、前記調整コンポーネントは、前記分析磁石の下流に位置する電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項６】
前記調整コンポーネントは、前記ビームラインアセンブリの分析開口を形成する一組の導電性プレートを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項７】
前記調整コンポーネントは、前記ビームラインアセンブリの分析開口を下流に配置される電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項８】
前記調整コンポーネントは、前記イオン源の近くに配置される引出し抑制電極を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項９】
前記調整コンポーネントは、前記イオン源内にイオンを発生させるのに役立つイオン源磁石を含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１０】
測定コンポーネントは、前記ビーム電流を調整するのに用いられる注入波形を出す際に利用されることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１１】
前記測定コンポーネントは、少なくとも１つのファラデーカップおよび戻り電流用ターミナルを含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１２】
前記測定コンポーネントによって測定された読取値に応答して前記調整コンポーネントを選択的に制御するコントローラをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１３】
前記ビーム電流は、約１〜1000Ｈｚの範囲の少なくとも１つ周波数と前記ビーム電流の約10〜20％の範囲の中で調整されることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１４】
前記測定コンポーネントは、イオン注入処理中にビーム電流の読取値を受け取って、前記ビーム電流に対するフィードバックまたはクローズドループ調整を容易にすることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１５】
前記測定コンポーネントは、イオン注入処理中にビーム電流の読取値を受け取って、前記ビーム電流に対するオープンループ調整を容易にすることを特徴とする請求項１記載のイオン注入システム。
【請求項１６】
１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
ビーム電流密度を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
前記イオン源の下流にあって発生した電界及び磁界の少なくとも１つを介して、前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
イオン注入中、１つまたは複数の点で前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流密度を調整し、
前記調整コンポーネントは、イオンビーム加速器の少なくとも１つまたは複数のプレート、接地電極、および前記イオン源と前記ビームラインアセンブリの間に配置された一組の導電性プレートを含み、さらに、前記ビームラインアセンブリ内の分析磁石の下流にあって前記イオンビーム内のイオンを質量分析する電極、前記ビームラインアセンブリの分析開口を形成する一組の導電性プレート、前記ビームラインアセンブリの分析開口の下流に配置した電極、前記イオン源の近くに配置される引出し抑制電極、および前記イオン源の近くに配置され、前記イオン源内にイオンを発生させるのに役立つイオン源磁石を含んでいることを特徴とするイオン注入システム。
【請求項１７】
前記測定コンポーネントは、前記ビーム電流を調整するのに用いられる注入波形を出す際に利用されることを特徴とする請求項１６記載のイオン注入システム。
【請求項１８】
前記測定コンポーネントは、少なくとも１つのファラデーカップおよび戻り電流用ターミナルを含むことを特徴とする請求項１７記載のイオン注入システム。
【請求項１９】
加工物内にイオンを注入するために適した加速システムであって、
ビーム電流密度を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
発生した電界及び磁界の少なくとも１つを介して前記ビーム電流密度を調整するために前記イオン源に関連した第１調整コンポーネントと、
発生した電界及び磁界の少なくとも１つを介して前記ビーム電流密度を選択的に調整するために前記イオン源の下流に配置された第２調整コンポーネントとを含むことを特徴とする加速システム。
【請求項２０】
前記第１調整コンポーネントは、前記イオン源内にイオンを発生させるのに役立つイオン源磁石を含むことを特徴とする請求項１９記載の加速システム。
【請求項２１】
イオン注入中、１つまたは複数の点でビーム電流の読取値を受け取る測定コンポーネントと、
この測定コンポーネントに接続されて作動し、前記測定コンポーネントによって受け取られた読取値に応答して前記第１及び第２の調整コンポーネントの少なくとも１つを選択的に調整するコントローラと、をさらに含むことを特徴とする請求項１９記載の加速システム。
【請求項２２】
前記第２調整コンポーネントは、ビーム径路に沿って配置された１つまたは複数の電気導電性部材を含むことを特徴とする請求項１９記載の加速システム。
【国際調査報告】
2007525811.tif 000009
2007525811.tif 000010
2007525811.tif 000011