(57)【要約】  本発明は、凹凸不規則面を有する少なくとも１つの層を備えたウエハ内への原子種の注入方法、特に注入を前記不規則面を通して行う方法に関する。本発明は、注入に先だって注入深さの均一性を向上させるために不規則面に被覆層を被覆する被覆工程を行うことを特徴とする。
2007525823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸不規則面を有する少なくとも１つの層を備えたウエハ内に前記不規則面を通して原子種を注入する方法において、原子種の注入により脆弱ゾーンとなる注入原子種の最大濃度ゾーンをウエハ内に形成するに際し、原子種の注入に先立ち、注入深さの均一性を向上させるために前記不規則面を被覆層で被覆する被覆工程を備えたことを特徴とする注入方法。
【請求項２】
前記ウエハが多層ウエハであり、該多層ウエハが少なくとも１つの基板と不規則面を有する層とを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
不規則面を有する層を通して原子種の注入を実行することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
被覆層を不規則面上に形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
注入深さの均一性が向上するように被覆層の材質を選択することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
不規則面を有する層の材料の注入深さ係数と被覆層を構成する材料の注入深さ係数との差が最小となるように被覆層の材質を選択することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
被覆工程中に被覆層が平滑面となるように被覆層を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
被覆工程中に被覆層の表面処理を実行することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
被覆工程中に被覆層の平坦化処理を実行することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
被覆工程中に被覆層の研磨処理を施すことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
水素及び／又はヘリウムを注入することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
注入工程の後にスマートカット（Smartcut：登録商標）法を実行することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
不規則面を有する層を構成する材料が、ダイアモンド、Si3N4、AlN、又は多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にエレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス用途向けの半導体材料製ウエハの処理方法に関する。
【０００２】
より正確には、本発明は不規則面を有する少なくとも１つの層を備えたウエハに前記不規則面を通して原子種を注入する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体材料製のウエハに様々な作用を得る目的で原子種の注入を行うことは公知である。
【０００４】
例えば、原子種の注入によってウエハ内の或る厚さ位置に脆弱ゾーンを形成することが必要とされる場合がある。
【０００５】
例えばスマートカット（Smartcut：登録商標）法では、脆弱ゾーンの形成に係る原子種の注入を採用している。
【０００６】
スマートカット法の一般的な説明は下記非特許文献１に記述されている。
【非特許文献１】ジャン・ピエール・コリン(Jean-Pierre Colinge)著「シリコン・オン・インシュレータ技術：VLSI材料(Silicon-On-Insulator Technology: Material to VLSI)」第２版、クルーワー研究出版(Kluwer Academic Publishers)、第50〜51頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ウエハ内の或る厚さ位置に脆弱ゾーンを形成することを目的とする場合（例えばスマートカット法の場合）、一般的には脆弱ゾーンにとってはほぼ同一面内に拡がるようにして凹凸の無い規則的な面とすることが望ましい。
【０００８】
更に一般的には、多くの用途における注入においても、注入原子種がウエハ表面の平均レベル下の同一注入深さ位置でウエハ内に凹凸無く規則的に分布するように注入を実行する必要がある。
【０００９】
しかしながら、不規則面を通して注入を行うと注入原子種の注入深さが不均一に乱れることが避けられない。
【００１０】
この影響を図１に模式的に示す。
【００１１】
図１は、不規則面１２０を有する材料層１２を通過させ、次いで材料層１２の下に位置する基板１１の表層部を通過させてウエハ１０内へ原子種を注入した場合を示している。
【００１２】
ここで「不規則面」という語は、本明細書全体を通して、数オングストロームのオーダーの値よりも大きなｒｍｓ（二乗平均平方根）粗さ及び平坦度を有する表面を意味する。
【００１３】
対照的に、本明細書全体を通してｒｍｓ（二乗平均平方根）粗さが数オングストロームのオーダーの値よりも小さい場合は表面が凹凸の僅かな規則面であることを意味する。
【００１４】
表面１２０の性状が不規則であるので、注入深さ（破線１３で図示）も不規則であることが判る。
【００１５】
これが欠点を構成している。
【００１６】
本発明の目的は、この欠点を解消することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明においては、この目的を達成するため、凹凸不規則面を有する少なくとも１つの層を備えたウエハ内に前記不規則面を通して原子種を注入することにより脆弱ゾーンとなる注入原子種の最大濃度ゾーンをウエハ内に形成するに際し、原子種の注入に先立って注入深さの均一性を向上させるために前記不規則面を被覆層で被覆する被覆工程を行うことを特徴とする注入方法を提案するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のその他の目的と特徴及び利点を明らかにするため、添付図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明すれば以下の通りである。
【００１９】
図２は、基板層２１うえに凹凸不規則面２２０を有する層２２を備えたウエハ２０の模式的な断面構造を示している。
【００２０】
この図２では、被覆層２５によって不規則面２２０が被覆されている。
【００２１】
不規則面を有する層２２を構成する材料は、例えばCVDダイアモンド、Si3N4、AlN、又は多結晶シリコンなどの多結晶材料であればよい。
【００２２】
これらの材料は表面が粗く、例えばＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプのウエハに対して例えばウエハの熱伝導性を向上させる目的で適用される。
【００２３】
従って、このようなウエハにおける絶縁層は、SiO2（熱伝導性に劣る）ではなく、ダイアモンド又はSi3N4のような熱伝導性の高い一種以上の材料で形成することが望ましい。
【００２４】
これらの高熱伝導性材料の層は、一般にはエピタキシーによって得ることができるが、それによって得られるエピタキシャル層の表面は凹凸不規則面である。
【００２５】
また、この層２２を形成する高熱伝導性材料は、典型的には硬度の高い材料（例えばダイアモンド）か、或いは不均質（例えば多結晶材料）であることから均一に研磨しにくい材料であり、従って研磨は困難であり、或いは一般的に平坦化は困難である。
【００２６】
更に、層２２を形成するこれらの材料は高価な材料であることが多く、このため材料の損失をできるだけ最小限に抑える必要がある。
【００２７】
層２２は基板層２１の平坦な表面に堆積層を形成することによって得ることもできる。
【００２８】
このような堆積層の形成は、例えばＣＶＤ（化学気相成長法）技術を用いて行われる。
【００２９】
この場合、係る堆積層で形成された層２２は一方の表面２２０が依然として凹凸不規則面であり、基板２１との界面となる他方の面２２１だけが平坦面である。
【００３０】
即ち、堆積層からなる層２２を支持する基板層２１の表面自体は確かに平坦面であるからである。
【００３１】
図２に示す本発明の実施形態による方法では、ウエハ２０は多層ウエハであり、複数の層（この場合は層２２と基板層２１）からなっている。
【００３２】
ここで、本発明による方法は、不規則面を有する単一層ウエハの内部だけでなく、不規則面を有すると共に多層ウエハの表面上又は内部に積層された層内に対しても原子種の均一な注入を行うために実施することができる点に留意すべきである。
【００３３】
従って図２に示した本発明の実施形態による方法に戻ると、ウエハ２０は層２２の下に基板と称する層２１を含んでいる。
【００３４】
本発明による係る実施形態では、不規則面を有する層２２を通して基板層２１内の或る厚さ位置に注入原子種の最大濃度に対応するゾーン２３が形成されるように注入を行う。
【００３５】
注入の前に被覆層がウエハ２０に形成されている。
【００３６】
この被覆層２５は、被覆層材料の堆積層によって形成されている。
【００３７】
ここで、被覆層２５の表面２５０は平坦面である。
【００３８】
これは、特に表面２５０に表面処理を施すことによって達成可能である。
【００３９】
この表面処理は、例えば研磨作業を含む平坦化処理で可能である。
【００４０】
図２において、ゾーン２３は図１に示すゾーン１３よりもはるかに凹凸の少ない規則面であることが判る。
【００４１】
注入工程前に層２２の不規則面が平坦な表面を有する層で被覆されているということは、この原子種の注入を実質的に改善された均一性の注入深さで実行できることを意味する。
【００４２】
従って、注入原子種が最大濃度のゾーン２３に対応した脆弱ゾーンを形成するという状況においては、不規則面を有する層２２を通して原子種の注入を行っても、この注入よって凹凸の僅かな規則面に拡がる脆弱ゾーン２３を形成することが可能である。これは、本発明をスマートカット法の実行のために実施する場合に特に有効な利点となる。
【００４３】
上記のように本発明はスマートカット法の一部の工程として実行可能である。この場合、原子種の注入後に続いて以下の３つの主要な工程が実行される。
・表面２５０に支持基板をボンディングする工程
・ゾーン２３で基板２１を分離する工程
・付加的に分離によってゾーン２３に形成された面を表面処理する工程
【００４４】
この場合、ボンディングの前に表面２５０と支持基板との間に薄い絶縁層を介装することが可能であることにも留意されたい。
【００４５】
この絶縁層の介装は、例えばSiO2被膜などの電気絶縁被膜を表面２５０上に形成することによって達成可能である。
【００４６】
この場合、被覆層２５とその上に形成された付加的な絶縁被膜との積層全体を被覆層とみなすことができる。
【００４７】
上述の絶縁被膜は、原子種の注入前に表面２２０上に既に存在している被覆層の上に形成して被覆層２５の一部を構成するようにしてもよい（この点に関しては図３に示した各例を参照）。
【００４８】
一般的に、被覆層２５は異種材料の複数層で構成されていてもよい。この実施形態については後述する。
【００４９】
本発明をスマートカット法に適用する場合、基板層２１は単結晶シリコン製とすることができる。これは、本発明の他の適用例についても当てはまることである。
【００５０】
原子種の注入は、水素及び／又はヘリウムを用いて実施することが可能である。これは、本発明を特にスマートカット法に適用する場合に当てはまることである。
【００５１】
図３に、局所注入深さに与える被覆層の厚さの影響と被覆層の平坦化の効果を示す。
【００５２】
この図は、４つの局所的注入条件について、被覆層２５と不規則面を有する層２２とを通して基板層２１内へ注入した場合の注入深さを表している（これらの層２１、２２、２５は図２に示した各層に対応する）。
【００５３】
これらの結果は、本発明者らが行ったシミュレーションによるものである。
【００５４】
これらのシミュレーション結果において、
・層２１は単結晶シリコンの特性を有している。
・層２２は炭素（ダイアモンドに対応する）の特性を有し、不規則面を有する層に対応している。
・層２５は次の２つの層からなっている。
・炭素層２２の不規則面（この層の不規則性は図３の各シミュレーションにおける種々の炭素層厚みに対応している）上に形成されたシリコン層
・上記シリコン層を被覆しているSiO2層
【００５５】
図３に示した４つのシミュレーション結果は下記の４種の水素注入条件に対応している。
【００５６】
例１は、厚さ2000Å(200nm)の炭素層を2000Å(200nm)のシリコン層と1000Å(100nm)のSiO2層で被覆した例である。この場合、シリコン基板層２１内の注入深さは1170Å(117nm)である。
【００５７】
例２は、厚さ1000Å(100nm)の炭素層を2000Å(200nm)のシリコン層と1000Å(100nm)のSiO2層で被覆した例である。この場合、シリコン基板層２１内の注入深さは2793Å(279.3nm)である。
【００５８】
例３は、厚さ2000Å(200nm)の炭素層を1000Å(100nm)のシリコン層と1000Å(100nm)のSiO2層で被覆した例である。この場合、シリコン基板層２１内の注入深さは2383Å(238.3nm)である。
【００５９】
例４は、厚さ1000Å(100nm)の炭素層を1000Å(100nm)のシリコン層と1000Å(100nm)のSiO2層で被覆した例である。この場合、シリコン基板層２１内の注入深さは3865Å(386.5nm)である。
【００６０】
これら４つの例における注入条件（照射量、照射エネルギー、その他）は、いずれも同一である。
【００６１】
これらの結果は、次のような幾つかの影響を示している。
【００６２】
第１に、先ず不規則面に注目すると、不規則性を有する炭素層２２の表面を通して且つ被覆層を通して注入が行われた場合、注入条件がこの表面上の各点で同一であれば、炭素層２２の不規則性は注入深さに対して単に再現されるだけでなく増幅される。これは次のような比較から明らかである。即ち、
・例１と例２を比較すると、炭素層の厚さの差が1000Å(100nm)で注入深さに1623Å(162.3nm)の差が生じている。
・例３と例４を比較すると、炭素層の厚さの差が1000Å(100nm)で注入深さに1482Å(148.2nm)の差が生じている。
【００６３】
第２に、被覆層２５で炭素層２２の不規則面を平坦化することによって注入深さの差は実質的に極めて低減される。これは次のような比較から明らかである。即ち、
・例２と例３を比較すると、炭素層２２の厚さの差が1000Å(100nm)であるのに注入深さの差は僅か410Å(41nm)である。この例２と例３の比較は、被覆層２５の一部を構成しているシリコン層が、このシリコン層を被覆するSiO2層の形成前に平坦化されている状態に対応している。従って例２と例３の比較は、このような平坦化の利点を示している。
【００６４】
即ち、炭素層２２の厚さの相違によって生じる注入深さの差を最小限に抑えるには、平坦化された被覆が特に有効であることが判る。
【００６５】
本発明の変形実施形態によれば、被覆層２５の厚さをウエハ表面上の各箇所で局所的に適合させることにより注入深さを選択的に適合させ、結果として注入深さの均一性を更に向上させるようにすることが可能であることにも留意されたい。
【００６６】
このような被覆層２５の厚さの局所的な適合は、この被覆層の形成過程中に果たすことができ、或いはその後処理過程（選択的化学エッチング又は平坦化など）で果たすこともできる。
【００６７】
ここまでは、シリコンとSiO2からなる被覆層２５で不規則面を被覆することについて図３を参照して本発明の実施方法を説明してきた。
【００６８】
ところで、既に理解されるように、被覆層２５に用いる材料の材質が注入深さの差に影響を及ぼすこともある。
【００６９】
図４は、原子種として水素を種々の材料層内に注入する場合の注入エネルギー（ｘ軸上にプロットした注入エネルギー(keV)）の関数としての平均注入深さ（ｙ軸上にプロットしたRp(Å)）を示している。
【００７０】
この図４から、同一の注入条件でも注入対象材の材質によって平均注入深さが異なることが判る。
【００７１】
このように、各種注入対象材料をその材質毎に特定の注入深さ係数によって特徴付けることが可能である。
【００７２】
従って、図４から注入深さ係数が小さくなる順に下記の５つの注入対象材料を分類することが可能である（即ち、同一の注入条件では注入深さ係数の高い材料の方が注入深さは深くなる。）
・SiO2
・Si
・ゲルマニウム
・炭素（ダイアモンド）
・酸化アルミニウム
【００７３】
これらの材料における注入深さ係数の差は本発明の方法に効果的に利用することが可能である。
【００７４】
即ち、それぞれが不規則面を有する層２２の材料の注入深さ係数にできるだけ近い注入深さ係数を有する一種類以上の材料からなる被覆層２５によって不規則面を被覆することにより注入深さの均一性を更に向上可能であることが本発明者らによって既に確認されている。
【００７５】
従って、不規則面を有する層２２を上述のような被覆層２５で被覆し、この被覆層の表面を平坦化処理（好ましくは研磨工程を含む）することにより、不規則面の存在による層２２の局所的な厚さの違いで生じる注入深さの差を最小限に抑制する最適条件が得られるのである。
【００７６】
この場合、層２２と被覆２５との重ね合わせからなる積層が基板層の上に形成される。この積層部分は全面に亘って一定の厚さ（平坦化による）と可能な限り均一な注入深さ係数とを有するものとすることが望ましいことは述べるまでもない。
【００７７】
また、被覆層２５内において複数の異種材料層を組み合わせ、これら異種材料の注入深さ係数の平均値が被覆対象の不規則面を有する層２２の注入深さ係数の値と一致するようにすることも可能であることも勿論である。
【００７８】
尚、ここで言う平均値とは、被覆層２５を構成する各層の個々の厚さによって重み付けした値であることは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】不規則面を有する材料層と該層の下に位置する基板表層部を通してウエハ内へ原子種を注入する様子を模式的に示す断面図である。
【００８０】
【図２】本発明の一実施形態に従って注入前に被覆層を形成することにより注入深さの均一性に与える効果を模式的に示す断面図である。
【００８１】
【図３】局所注入深さに与える被覆層の厚さの影響と被覆層の平坦化の効果を示したシミュレーション結果の模式図である。
【００８２】
【図４】種々の材料に水素を注入した場合の注入深さ係数の差異を示す線図である。
【図１】
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【図２】
2007525823.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
2007525823.tif 000007
2007525823.tif 000008
2007525823.tif 000009
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