(57)【要約】  本発明の実施形態はＵＶに耐える液晶セルに関連する。本発明の一実施形態は、セル内に入れられる液晶材料の体積を増やすことである。たとえば、トレンチを用いて、さらに多くの液晶材料を保持する貯留場所（２４、２８）を設けることができる。本発明の別の実施形態は、配向膜として有機材料を用いる代わりに、セル内に無機配向膜（３３）を用いる。本発明のさらに別の実施形態は、ポンプ（９１）を用いて、セルの中で液晶材料を循環させる。本発明のセルは、フォトリソグラフィイメージングシステム（５０）においてＳＬＭ（５３）として用いることができる。
2007514204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子であって、
透過性の上板と、
前記上板とともに空洞を画定する、能動領域を含む基板と、
前記空洞内にある液晶材料と、
放射に露出することに起因する前記液晶材料の分解から生じる汚染物の蓄積を低減するための手段と、
を備える、光学素子。
【請求項２】
前記低減するための手段は、
前記基板及び前記上板のうちの少なくとも一方の中に画定され、前記空洞と流通可能である貯留場所と、
前記貯留場所内にあるさらに別の液晶材料と、を備える、請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記低減するための手段は、
前記上板及び前記基板のうちの少なくとも一方の中に画定される無機配向パターンを備え、
該無機配向パターンは前記液晶材料と接触している、請求項１に記載の光学素子。
【請求項４】
前記低減するための手段は、
前記空洞の中に前記液晶材料を汲み上げて、前記能動領域の中を横断させるように動作することができるポンプを備える、請求項１に記載の光学素子。
【請求項５】
前記低減するための手段は、
前記基板及び前記上板のうちの少なくとも一方の中に画定され、前記空洞と流通可能である貯留場所と、
前記貯留場所内にあるさらに別の液晶材料と、をさらに備える、請求項３に記載の光学素子。
【請求項６】
前記低減するための手段は、前記貯留場所と流通可能であるマイクロ流体チャネルをさらに備える、請求項２に記載の光学素子。
【請求項７】
イオン化した汚染物を引き寄せるように動作することができる、前記貯留場所内に配置された電極をさらに備える、請求項２に記載の光学素子。
【請求項８】
前記電極は第１の電極であり、前記液晶光変調器はさらに第２の電極を備え、前記第１の電極及び前記第２の電極は電位差を得るように接続することができる、請求項７に記載の光学素子液晶セル。
【請求項９】
前記電極は前記上板に対して平行な電界を生成するように動作することができる、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１０】
前記光学素子は紫外線を照射される、請求項２に記載の光学素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は包括的には液晶セルに関し、具体的には、放射に起因する劣化に耐える液晶セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
［関連出願の相互参照］
本特許出願は、同日に出願され、同じ譲受人に譲渡される、「REAL TIME IMAGE RESIZING FOR DYNAMIC DIGITAL PHOTOLITHOGRAPHY」というタイトルの米国特許出願［代理人整理番号第１００３０５１８−１］、「SPATIAL LIGHT MODULATOR AND METHOD FOR PERFORMING DYNAMIC PHOTOLITHOGRAPHY」というタイトルの米国特許出願［代理人整理番号第１００３０５７１−１］、及び「DEFECT MITIGATION IN SPATIAL LIGHT MODULATOR USED FOR DYNAMIC PHOTOLITHOGRAPHY」というタイトルの米国特許出願［代理人整理番号第１００３１３７５−１］に関連し、それらの特許出願の開示は、参照によって本明細書に援用される。
【０００３】
［発明の背景］
フォトリソグラフィは、マイクロエレクトロニクス回路及び基板の製造時に一般的に用いられる。一般的なフォトリソグラフィシステムはマスクを用いて、紫外（ＵＶ）光のパターンを生成する。その後、パターニングされたＵＶ光は、ＵＶ感光性フォトレジストでコーティングされている基板又はボードに突き当たる。ＵＶ光に露出（露光）されたフォトレジストは、化学的な変化を受けて、化学薬品で除去できるようになるか（ただし、露出されていないフォトレジストは影響を及ぼされない）、又は露出されていないフォトレジストを除去する化学薬品から保護される。いずれにしても、フォトリソグラフィによって、マスク上のパターンが基板上に再現されるようになる。その後、パターニングされた基板が処理されて、マイクロエレクトロニクス回路が形成される。
【０００４】
図１は、一般的なフォトリソグラフィシステム１０を示す。システム１０はＵＶ光源１１を含む。光源１１からのＵＶ光は、照射システム１２の光学素子によって、マスク１３に照射される。ＵＶ光は、マスク１３のパターンで、投影システム１４の光学素子によって基板１５に案内される。いくつかのシステムでは、マスク全体が同時に照射される。他のシステムでは、一度にマスクの一部だけが照射される。これらのシステムでは、照射システム１２、投影システム１４並びに基板１５及び／又はマスク１３を支持するプラットフォーム１６のうちの１つ又は複数を動かして、マスク１３の種々のエリアに照射することができる。
【０００５】
この構成にはいくつかの問題点がある。１つの問題は、最も簡単なマイクロエレクトロニクス回路を形成する場合でも数多くのマスクが必要とされることである。複雑な回路、たとえばプロセッサは、さらに多くのマスクを必要とする場合がある。こうして、異なる層が形成されることになる度に、異なるマスクを用いる必要がある。したがって、複数のマスクがリソグラフィ装置に対して着脱されなければならない。各マスクは注意深く取り扱われ、保管され、検査されなければならない。汚染物又は損傷があれば、製品に欠陥が生じるであろう。別の問題は、一旦、マスクが作製されたなら、それらのマスクを変更できないことである。したがって、設計変更があれば、それが簡単であっても、さらには縮尺の変更にすぎない場合でも、新たな１組のマスクを作製する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これらの問題を解決するための従来の試みは、マスクの代わりに、空間光変調器（ＳＬＭ）を用いることであった。ＳＬＭによって形成される像は動的であり、それゆえ、１つのＳＬＭを全てのマスクの代わりに用いることができる。ＳＬＭは設計変更を反映するように容易に変更することができる。これはさらに、マスクを取り扱い、保管し、検査することに関連する問題を解消する。１つのタイプのＳＬＭは液晶ＳＬＭである。しかしながら、紫外光によって液晶材料が分解し、ＳＬＭが動作しなくなるので、現在の技術による液晶ＳＬＭはフォトリソグラフィシステムにおいて用いることはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［発明の概要］
本発明の複数の実施の形態が、電磁放射又は電離放射、たとえば、１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長を有し、一般的にＵＶ放射と呼ばれる光に耐える液晶セルに関連する。しかしながら、本発明の実施の形態は、液晶（ＬＣ）材料を劣化させる他の波長又は電離放射とともに用いることもできる。本発明の液晶セルは、フォトリソグラフィイメージングシステムのフォトマスクの代わりに用いられる空間光変調器（ＳＬＭ）として用いることができる。ＬＣセルの一例は、リキッドクリスタル・オン・シリコン（ＬＣＯＳ）セルである。これらのタイプのセルは、投影システムのためのマイクロディスプレイのような他の光学技術において以前から用いられてきた。しかしながら、ＵＶ波長範囲内の光に利用するための従来の試みは失敗している。これらのセル内にある材料は通常有機物であり、それゆえ、紫外光に露出すると分解する。従来のセルの劣化は、イオン種の形成の増加、又は液晶セルの表面上への残留物の堆積として現われる可能性がある。これらの作用はいずれも、最終的にセルの電気的又は光学的な障害に繋がる。光源の強度によっては、わずか数分で障害が生じる可能性もある。対照的に、本発明のセルは数千時間の寿命を有し、それゆえＬＣＯＳセルデバイスをＵＶ照射とともに用いることができるようにする。
【０００８】
本発明の一実施の形態は、液晶セル内に入れられる液晶材料の体積を増やすことである。この実施の形態の一例は、セルの周囲に、及び／又はセルの１つ又は複数の能動素子の周囲にトレンチ（trenches）を設けることである。トレンチは、さらに多くの液晶材料を保持する貯留場所を構成する。ＵＶ露出によって生成される汚染物が液晶材料の中を拡散する可能性があるので、この実施の形態は効果がある。この実施の形態のさらに進んだ実施の形態は、トレンチ内に電極を配置して、電極間にＤＣ電圧を印加することである。電極は汚染物のイオン種を引き寄せることになり、これらの汚染物が能動領域から離れ、トレンチ内に移動するであろう。
【０００９】
本発明の別の実施の形態は、セル内の配向膜として有機材料を用いる代わりに、配向膜として無機層（たとえば二酸化シリコン）を用いる。無機層は、その層に入射する光、たとえばＵＶ光の波長に対して透過性及び／又は非吸収性でなければならない。有機層は、ＵＶ光に露出されるときに、急速に分解する。配向膜を用いない場合、セルは良好に機能しない。さらに、分解された層からの分解副生成物又は汚染物が、セルの動作を劣化させる。一方、無機配向膜はＵＶスペクトルの光に対して概ね透過性であり、液晶材料を要求どおりに配向させることができる。
【００１０】
本発明のさらに別の実施の形態は、ポンプを用いて、セルの中で液晶材料を循環させる。液晶材料が能動領域を横切って動くようにするために、ポンプ又は他のデバイスが用いられる。こうして、劣化した材料がセルから除去され、新たな材料、又は劣化が小さい材料で置き換えられる。この実施の形態のさらに進んだ実施の形態は、セルの中にマイクロチャネルを設けて、液晶材料の流れを特定の方向及び／又は経路に誘導又は促進することである。
【００１１】
種々の実施の形態を他の実施の形態と組み合わせて用いることができることに留意されたい。たとえば、或るセルは、無機配向膜の実施の形態と、トレンチの実施の形態又はフローセルの実施の形態のいずれかと、を用いることができる。別のセルは、トレンチの実施の形態と、フローセルの実施の形態とを用いることができる。このセルでは、トレンチは貯留場所としての役割を果たすとともに、液晶材料がゆっくり流れるようにするための流路としての役割を果たすことができる。さらに別のセルは、本発明の３つ全ての実施の形態を用いることができる。本発明の実施の形態によれば、液晶セルが、放射、たとえば電磁放射又は電離放射に起因する劣化に耐えられるようになることに留意されたい。放射の波長は紫外光又は別の波長であってもよい。本発明の実施の形態は、フォトリソグラフィにおいて用いられるＳＬＭを含む、液晶セルが用いられる場所であればどこでも用いることができることに留意されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［発明の詳細な説明］
図２は、本発明の一実施形態による、液晶（ＬＣ）セル２０の一例を示す。そのセルは、上板２２と、能動領域２３を含む基板２１とを有する。上板は電極（図示せず）を有する。能動領域２３はピクセル電極を有し、ピクセル電極を上板電極とともに用いて、液晶材料を切り替えるための電界を生成する。セルが動作するために必要とされる他の層、たとえば配向膜、偏光子層、反射防止層、誘電体層等は、簡潔にするために図示されないことに留意されたい。封止材２５が上板２２と基板２１との間に液晶材料２８を保持する。光源（図示せず）からの光２７、たとえばＵＶ光が能動領域２３に突き当たる。液晶セルの一例が米国特許第６，３２９，９７４号に開示されており、その開示は参照によって本明細書に援用される。
【００１３】
そのセルは２つの配向膜（図２には示されない）も有し、一方は上板に隣接し、他方は能動領域に隣接する。配向膜は、電界が印加されないときに、液晶材料を配向させる。液晶材料は、上板電極及びピクセル電極によって生成される電界が印加されると、その配向を変更するであろう。こうして、種々のピクセル電極を起動し、それにより起動されたピクセル電極に隣接する液晶材料の配向に影響を及ぼし、それによってさらに、セルの光学特性に影響を及ぼすことができる。
【００１４】
この実施形態では、さらに多くの液晶流体が、セル内の１つ又は複数の貯留場所に入れられる。貯留場所（複数も可）は、放射に露出することに起因して液晶材料が分解することから生じる汚染物が能動領域上に蓄積するのを低減する。たとえば、図２に示されるように、１つ又は複数のトレンチ２４が、セルの周囲の基板２１内に、貯留場所として形成される。さらに、図６に示されるように、トレンチ６１、６３、６４を、セルの１つ又は複数の能動素子６２、たとえばピクセル電極の周囲に形成することができる。トレンチ６１は或る方向に向けることができ、又はトレンチ６３、６４は能動素子を完全に包囲することができる。こうして、トレンチ（複数も可）は能動領域を完全に包囲することができ、又は能動領域の一部のみを包囲することができる。これにより、液晶材料の分解する量に対して液晶材料の全体積が増加する。液晶材料が分解され、汚染物が形成されるときに、その汚染物は液晶材料の中を拡散する。体積が大きくなると、汚染物の濃度が小さくなる。
【００１５】
トレンチは、基板を切削又はエッチングすることによって形成することができる。基板は、シリコン基板の場合にはＫＯＨのような異方性エッチャントを用いることにより微細加工することもできる。トレンチは、ＵＶ光を照射される領域の外側に配置できることに留意されたい。それにより、トレンチ（複数も可）内に位置する液晶材料が、ＵＶ光によって必要以上に劣化するのを防ぐ。
【００１６】
通常、上板２２と基板２１との間の距離は数マイクロメートルである。一例として、ＬＣセルの面積によるが、深さが２００マイクロメートルであり、幅が１ミリメートルのトレンチであれば、セル内に入れられる液晶材料の体積を約１０〜５０倍だけ増やすであろう。こうして、ＵＶ光が１時間当たり１マイクロリットルの液晶を劣化させ、貯留場所を用いることによって、セルが１０００マイクロリットルの液晶を蓄える場合には、そのセルは交換及び／又は補給を必要とするまでに１０００時間動作し続けることができる。
【００１７】
この実施形態は、オプションで、液晶材料から分解した汚染物をフィルタ処理することにより改善することができる。１つの方法は、電極を用いて、その電極間にＤＣ電位を印加することである。セル内、たとえば１つ又は複数のトレンチの底に１つ又は複数の電極２６ａ、２６ｂが配置される。液晶材料の分解によって、材料がイオン種に分解する場合がある。すなわち、汚染物によっては、正のイオン電荷を有するものがあり、負のイオン電荷を有するものもある。これらの汚染物は、チャネルの底にある帯電した電極（複数も可）に引き寄せられることになり、照射された領域２７から離れるように移動するであろう。図２に示される例では、電極２６ａと電極２６ｂとの間に電位を印加することができる。別の構成では、２つの電極２６ｃ、２６ｄをトレンチ内に配置することができ、その電極間に電位が印加される。電極２６（２６は２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄを示すことに留意されたい）は、液晶材料に晒しておくことができ、又はシリコン基板２１内に埋め込むことができる。電極２６によって生成される電界は、上板電極及びピクセル電極によって生成される電界と直交することができる。これは、電極２６からの電界がＬＣセルの動作に及ぼす影響を低減し、イオン化した汚染物がその個々の電極２６に迅速に動いて、ＬＣデバイス内で循環するのを避けるための最終的な原動力(a net motive force)を与える。
【００１８】
液晶材料から汚染物をフィルタ処理するための別の方法は、セル内に、液晶材料から汚染物を分離するフィルタ２９を配置することである。内側に送り込まれる流れ、たとえば動電効果（electro-kinetic effect）を用いて、液晶材料をセルの周囲に動かすことができる。汚染物を、その流れから分離することができる。電極及び／又はフィルタを用いることは、能動領域内の汚染物を低減することによって、セルの寿命を延ばすのを助けるであろう。
【００１９】
図３Ａは、本発明の別の実施形態による、液晶セルの別の例３０の側面図を示す。図３Ｂは、図３Ａのセル３０の内部斜視図を示す。本発明のこの実施形態では、有機材料（液晶材料以外）の代わりに無機材料が用いられる。たとえば、従来技術の液晶セルは、配向膜として有機材料（すなわちポリイミド）の薄いコーティングを用いる。配向膜は液晶材料の配向を決定する。これらの材料はＵＶ光のある部分を吸収し、結果として、徐々に分解して、セルの動作を劣化させる汚染物を形成する。
【００２０】
本発明のこの実施形態は、配向膜として、無機材料、たとえば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の層を用いる。二酸化シリコンはスペクトルの紫外光部分において概ね透過性であり、それゆえ、ＵＶ光に露出することに起因して、急速に劣化したり、又はそれ以外の変化を生じたりすることがないものである。層の表面形態によって、液晶材料が要求どおりに配向されるであろう。二酸化シリコン層は、上板３２上に蒸着ＳｉＯ２を（配向膜３３を形成する）、及び／又は基板３１の能動領域上に蒸着ＳｉＯ２を（配向膜３４を形成する）を斜めに堆積することによって形成することができる。上板及び／又は基板は通常、蒸着ＳｉＯ２の堆積中に５°（水平方向の表面から５°又は垂直軸から８５°）の角度に傾けられ、適当な向き３６を与える。その実施形態は、２〜１０°の向きの場合に機能を果たすであろう。その層は８〜１２ナノメートル（ｎｍ）の厚みを有することができ、通常１０ｎｍ厚である。二酸化シリコンは上板の屈折率と同様の屈折率を有し、これがＵＶ光の反射損を低減することにも留意されたい。こうして、二酸化シリコン層は、放射に露出することに起因する液晶材料の分解から生じる汚染物の蓄積を低減する。
【００２１】
無機材料が光の動作波長又は対象とする光の光において透過性であり、且つ／又は低吸収性である限り、他の無機材料を配向膜のために用いることができることに留意されたい。さらに、別個の層の代わりに、配向パターン又は領域をＬＣセルの別の構成要素の一部にすることができ、たとえば、上板の一部、及び／又は基板（たとえば電極）の一部にすることができる。配向パターンは、液晶材料と接触しており、液晶材料を要求どおりに配向させることになる表面形態を有するであろう。その構成要素の配向パターンも、光の動作波長又は対象とする光の光において透過性であり、且つ／又は低吸収性でなければならない。
【００２２】
図４Ａは、本発明のさらに別の実施形態による、液晶セルのさらに別の例４０の側面図を示す。図４Ｂは、図４Ａの例の異なる構成９３の平面図を示す。この実施形態では、液晶材料は、ポンプによってセルの中に送り込まれる。その流れによって、放射に露出することに起因する液晶材料の分解から生じる、能動領域内の汚染物の蓄積が低減又は防止される。汚染物はＵＶ光を吸収し、結果として熱くなるのに対して、汚染物を含まない液晶材料は最低限のＵＶ光しか吸収しないので、これは重要である。熱の蓄積はセルに損傷を与えるか、又はセルを破壊する可能性がある。したがって、この実施形態の場合、ＵＶ光で劣化した液晶材料が、新たな液晶材料に入れ替えられ、それによりセルの寿命が長くなる。液晶材料は、一回通過させた後に材料を廃棄し、容器内の材料を混合し、その後、その材料を循環させてセルに戻すことによって、及び／又はその材料がセルに戻される前にその材料をフィルタ処理するか、若しくは他の方法で浄化することによって、新たな材料と入れ替えることができる。
【００２３】
図４Ａは、液晶材料の流れを有するセルの一例４０を示す。セル４０は、入口４４と、出口４６と、ポンプ４３と、液晶源９１と、液晶行先９２とを有する。ポンプ４３は、液晶源９１又は行先９２に、或いはセル４０内に配置することができる。ポンプ４３には、ロータリポンプ、シリンジポンプ、又は動電ポンプを用いることができる。ポンプは連続して、又は種々の（又は所定の）時間間隔で間欠的に動作することができる。いずれの場合でも、液晶材料４７は、能動領域を通って、入口４４から出口４６に流れる。セルは、上板４２、基板４１及び封止材４５によって画定される。
【００２４】
液晶源９１には、セルに向かう液晶材料を保持する容器又はタンクを用いることができる。必要に応じて、新たな液晶材料が液晶源に追加されるであろう。液晶行先９２には、セルからの使用済みの液晶材料を保持する容器又はタンクを用いることができる。使用済みの液晶材料は、必要に応じて、行先から廃棄することができる。別法では、液晶源９１及び行先９２は再利用システムの一部にすることができ、再利用システムは使用済みの液晶材料をセルの中に戻す。たとえば、液晶源９１及び行先９２は、単一のタンクのポートにすることができ、そのタンクにおいて使用済みの液晶材料が混合され、液晶材料内の汚染物が拡散される。所定の時間が経過した後に、タンク内の材料は取り替えられるであろう。別法では、セルに戻す前に、タンク内の材料を浄化及び／又はフィルタ処理して、液晶材料から汚染物を除去することができる。
【００２５】
図４Ａの構成は、低アスペクト比の能動領域、たとえば正方形又は円形の場合に適している。しかしながら、高アスペクト比の能動領域、たとえば長方形、長円形等の場合、液晶材料を、短い方の軸の方向において能動領域を横断させることが好都合である。これは、液晶材料が能動領域の中を、より遅い速度で動くことができ、それでも汚染物の蓄積を防ぐことができることを意味する。材料が長い方の軸に沿って動かされる場合には、流速を速くしなければならないか（結果として、セルの動作が劣化する場合がある）、又は、汚染物が蓄積する可能性があるかのいずれかである。
【００２６】
図４Ｂの構成は、平面図であり、高アスペクト比の能動領域の場合に用いることができる。図４Ｂのセル９３はマイクロ流体チャネル４８、９４を含み、それらは長い方の軸の方向に液晶材料を分散させる。これにより、液晶材料は、短い方の軸の方向において能動領域を横断して流動できるようになる。チャネル４８、９４によって、入口４４において流入した液晶材料が、能動領域にわたって均等に分配され、且つ出口４６に供給するために能動領域から均等に収集される。液晶材料は能動領域の短い方の軸を横断しているので、流速を遅くすることができる。遅い流速は、圧力の影響を低減し、流れの異常がＬＣセルの標準的な動作に影響を及ぼすのを防ぐ。速い流速は液晶材料の配向に影響を及ぼし、結果としてＬＣセルの動作を劣化させる可能性がある。液晶材料が短い方の軸の方向に流動することによって、所与の流量の場合に流速を遅くできるようになる。チャネル４８、９４はシリコン基板４１内に組み込むことができるか、又はセル内に固着することができる。またチャネルは、貯留場所が基板内に配置される場合には特に、上板内に形成することができる。
【００２７】
さらに、セルは内側シールリング４９を有することができ、それはスペーサとしての役割を果たすこともできる。このリングは、通常１〜１０マイクロメートルの厚みを有し、セルの上板と下板との間に正確な間隔を与える。また、シールリングは、液晶材料が、能動領域を完全に横断することなく、入口４４からチャネル９４に直に流れ込むのを防ぐ。シールリングを設けることにより、流体がチャネル４８を通って能動領域に入り、セルにわたって均等に分散する。リング４９は通常、金属のような不透明な材料から形成され、通常エポキシである外側封止材４５を、散乱したＵＶ光から保護する。エポキシ製の外側封止材が直に露出されない場合であっても、散乱したＵＶ光に長期にわたって露出することにより、封止材が劣化し、液晶セルの機械的に完全な状態が損なわれる可能性がある。複数の実施形態がＵＶ光に関して説明されてきたが、それらの実施形態は他の波長の光又は電離放射の場合にも用いることができることに留意されたい。
【００２８】
種々の実施形態を他の実施形態と組み合わせて用いることができることに留意されたい。たとえば、或るセルは、図３Ａ及び図３Ｂの実施形態の無機配向膜３３、図２の実施形態のトレンチ（複数も可）を用いることができる。別の例として、或るセルは、図３Ａ及び図３Ｂの実施形態の無機配向膜３３、図４Ａのポンプ４３及び／又は図４Ｂのマイクロ流体チャネル４８、９４を用いることもできる。さらに別のセルは、図２の実施形態のトレンチ（複数も可）２４、及び図４Ａのポンプ４３、及び／又は図４Ｂのマイクロ流体チャネル４９、９４を用いることができる。このセルでは、トレンチは貯留場所の役割を果たすとともに、液晶材料がゆっくり流れるための流路を与えるためのフローチャネル（flow channels:流路）の役割も果たすことができる。さらに別のセルは、本発明の３つ全ての実施形態を用いることができる。
【００２９】
図５は、空間光変調器（ＳＬＭ）５３を含む一般的なフォトリソグラフィシステム５０を示す。ＳＬＭは、図２、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂの実施形態のうちの任意の実施形態の１つ又は複数の特徴を有する液晶セルを備える。システム５０は、ＵＶ光源５１を含む。光源５１からのＵＶ光は、照射システム５２の光学素子によってＳＬＭ５３に与えられる。ＳＬＭ５３のパターンを有するＵＶ光は、投影システム５４の光学素子によって基板５５に誘導される。大多数のシステムでは、ＳＬＭ全体が同時に照射される。これらのシステムでは、投影システム５４、及び基板５５を支持するプラットフォーム５６のうちの一方又は両方を動かして、基板５５の種々の領域に照射する。ＳＬＭ上のパターンは、基板の異なる領域毎に変更することもでき、変更しなくてもよい。ＳＬＭ５３は反射型ＳＬＭであるが、本発明の実施形態は透過型ＳＬＭの場合にも同様に機能を果たすことに留意されたい。
【００３０】
ＳＬＭを用いる場合、パターンは必要に応じて、たとえば、設計変更の場合に、又は製造される製品の異なる層を処理する度に変更できることに留意されたい。したがって、本発明のＳＬＭを用いて、リアルタイムのイメージスケーリングが可能になる。ＳＬＭのパターンを部品毎に変更して、それにより各部品上に記号化された固有の識別子、たとえばシリアル番号を表示することができることにも留意されたい。
【００３１】
本発明の実施形態は、集積回路デバイス、個別回路デバイス、プリント回路基板、フラットパネルディスプレイ、及びＩＣパッケージの製造において用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】マスクを用いる一般的な従来技術のフォトリソグラフィシステムを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による、液晶セルの一例を示す図である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態による、液晶セルの別の例を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の別の実施形態による、液晶セルの別の例を示す図である。
【図４Ａ】本発明のさらに別の実施形態による、液晶セルのさらに別の例を示す図である。
【図４Ｂ】本発明のさらに別の実施形態による、液晶セルのさらに別の例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態による、フォトリソグラフィシステムにおいてＳＬＭとして用いられる液晶セルの一例を示す図である。
【図６】本発明のさらに別の実施形態による、液晶セルのさらに別の例を示す図である。
【図１】
2007514204.tif 000003
【図２】
2007514204.tif 000004
【図３Ａ】
2007514204.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
2007514204.tif 000009
【図６】
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【国際調査報告】
2007514204.tif 000011
2007514204.tif 000012