(57)【要約】  フォトリソグラフィにおいて、様々な露光器具によるフレアの効果が評価され得る。実施例において、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスで、線縮小に関するフレアの効果を決定するための方法（６００）がもたらされている。本方法（６００）は、基板上の第一のダイの位置において、第一の露光で、第一のマスク（６１０）の一角に対応するフレアパターン（１１０）を含む第一のマスク（６１０）をプリントするステップと、第二の露光において、第二のマスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む第二のマスク（６２０）をプリントするステップとを有する。基板上の第二のダイ位置において、第一のマスク及び第二のマスクの特徴に基づいて複合マスクパターン（６３０）がプリントされる。プリントパターン（６４０）は現像され、プリントパターンから測定値が得られる。フレアの効果は、測定値の関数として決定される。
2007501508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスにおいて、線縮小に関するフレアの効果を決定するための方法であって、前記基板上の第一のダイ位置において、第一の露光で、前記基板上の焦点ボックスパターン、補正ボックス開口部、及び暗視野マスクの一角に対応するフレアパターンを含む前記暗視野マスクをプリントするステップと、第二の露光で、明視野マスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む前記明視野マスクをプリントするステップと、前記基板上の第二のダイ位置において、前記明視野マスク及び前記暗視野マスクの特徴に基づいて複合マスクパターンをプリントするステップと、前記プリントされたパターンを現像し、前記パターンから測定値を得るステップと、前記測定値の関数として、前記フレアの効果を決定するステップとを有する方法。  
【請求項２】
前記測定値を得るステップが、前記暗視野マスクでプリントされる特徴及び前記明視野マスクでプリントされる特徴のフレアボックスパターンの寸法を測定するステップと、前記第一の露光の間にプリントされる前記補正ボックス特徴及び前記第二の露光の間にプリントされる特徴の寸法を測定するステップと、前記第一のダイ位置への移行の間にプリントされる前記焦点ボックスパターンの寸法を測定すると共に前記第二のダイ位置でプリントされる前記焦点ボックスパターンの寸法を測定するステップとを更に有する請求項１に記載の方法。  
【請求項３】
前記測定値を得るステップが、前記プリントされた特徴の左辺部及び右辺部から測定するステップと、前記プリントされた特徴の上辺部及び下辺部から測定するステップとを含む請求項２に記載の方法。  
【請求項４】
前記フレアの効果は、Ｘ方向に対して所与のプリントされた特徴の左辺部と右辺部との間の差の関数になり、前記フレアの効果は、Ｙ方向に対して所与のプリントされた特徴の上辺部と下辺部との間の差の関数になる請求項２に記載の方法。    
【請求項５】
前記フレアの効果は、次の等式、lsnFlare=rnlf-df - rn1st-2nd mask - rnMultiple-Single Exposureによって規定され、前記rnlf-df、rn1st-2nd mask、及びrnMultiple-Single Exposureは、前記光視野／暗視野構造体に対する所与の方向nにおける測定アライメント不良、前記二つの露光の間にアライメントを測定する標準ボックスインボックス、及び２回対１回露光される前記焦点ボックス構造体の間の測定差である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記nは前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスにおいて、線縮小に関するフレアの効果を決定するための方法であって、前記基板上の第一のダイ位置において、第一の露光で、第一のマスクの一角に対応するフレアパターンを含む前記第一のマスクをプリントするステップと、第二の露光で、第二のマスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む前記第二のマスクをプリントするステップと、前記基板上の第二のダイ位置において、前記第一のマスク及び前記第二のマスクの特徴に基づいて複合マスクパターンをプリントするステップと、前記プリントされたパターンを現像し、前記パターンから測定値を得るステップと、前記測定値の関数として、前記フレアの効果を決定するステップとを有する方法。    
【請求項８】
前記測定値を得るステップは、前記第一のマスクの一角に対応するフレアパターンを測定するステップと、前記第二のマスクの対角に対応するフレアパターンを測定するステップとを更に有する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記測定値を得るステップは、前記第一のマスクの特徴及び前記第二のマスクの特徴によって規定される位置において前記複合マスクパターンを測定するステップを更に有する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ステッパ装置内のシステムであって、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスにおいて、線縮小に関するフレアの効果を決定するために、前記基板上の第一のダイ位置において、第一の露光で、第一のマスクの一角に対応するフレアパターンを含む前記第一のマスクをプリントし、第二の露光で、第二のマスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む前記第二のマスクをプリントするための手段と、前記基板上の第二のダイ位置において、前記第一のマスク及び前記第二のマスクの特徴に基づいて複合マスクパターンをプリントするための手段と、前記プリントされたパターンを現像し、前記パターンから測定値を得るための手段と、前記測定値の関数として、前記フレアの効果を決定するための手段とを有するシステム。
【請求項１１】
ステッパ装置内で決定するためのシステムであって、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスにおいて、線縮小に関するフレアの効果を決定するために、前記基板上の第一のダイ位置に移行し、第一の露光で、前記基板上の焦点ボックスパターン、補正ボックス開口部、及び左下フレアパターンを含む暗視野マスクをプリントし、第二の露光で、焦点ボックス、補正ボックス、及びフレアパターンをプリントする光視野マスクと暗視野マスクとの結合部、焦点ボックス遮蔽部、補正ボックス遮蔽部、並びに右上フレアパターンを含む明視野マスクをプリントするための手段と、前記基板上の第二のダイ位置に移行し、前記暗視野マスク及び前記光視野マスクからの特徴から構成される複合マスクパターンをプリントするための手段と、前記プリントされたパターンを現像するための手段と、前記フレアの効果を決定するための手段とを有するシステムにおいて、前記フレアの効果は、前記暗視野マスクでプリントされる特徴及び前記光視野マスクでプリントされる特徴のフレアボックスパターンの寸法を測定するための手段と、前記第一の露光の間にプリントされる前記補正ボックス特徴及び前記第二の露光の間にプリントされる特徴の寸法を測定するための手段と、前記第一のダイ位置への移行の間にプリントされる前記焦点ボックスパターンの寸法を測定すると共に前記第二のダイ位置への移行の間にプリントされる前記焦点ボックスパターンの寸法を測定するための手段とを有する前記基板上の前記プリントされたパターンから得られる測定値の関数になるシステム。
【請求項１２】
ウエハステッパにおける使用のためのマスクセットであって、前記マスクセットは、暗視野において配置される所定の寸法の特徴を有し、前記特徴が、フレアパターンの第一の部分、ボックスインボックス補正パターンの第一の部分、及び焦点ボックスパターンの第一の部分を有する第一のマスクと、光視野において配置される所定の寸法の特徴を有し、前記特徴が、前記フレアパターンの第二の部分、前記ボックスインボックス補正パターンの第二の部分、前記ボックスインボックス補正パターンの第一の部分と位置合わせ可能な前記ボックスインボックス補正パターンの第二の部分、前記焦点ボックスパターンの第二の部分、及び前記焦点ボックスパターンの第一の部分と位置合わせ可能な前記焦点ボックスパターンの第二の部分を有する第二のマスクとを有するマスクセット。
【請求項１３】
所定の寸法の特徴を有する第三のマスクを更に有し、前記特徴が、前記第一のマスクの特徴と前記第二のマスクの特徴との結合体によって規定される請求項１２に記載のマスクセット。      
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体プロセスに関する。更に具体的には、本発明は、プリント（印刷）された特徴（フィーチャ（feature））のフレア（flare）歪度を測定することに関する。  
【背景技術】
【０００２】
電子産業は、より小型の領域における実現されたより高度な機能デバイスに対する半導体技術の進歩に依拠し続けている。多くの用途に対して、より高度な機能デバイスを実現することは、多くの電子デバイスを単一のシリコンウエハに集積することを必要とする。シリコンウエハの所与の面積当たりの電子デバイスの数が増加するにつれて、製造プロセスはより困難になる。
【０００３】
多くの分野において様々な用途を有する非常に様々な半導体デバイスが製造されてきた。このようなシリコンを基礎とした半導体デバイスは、多くの場合、p形チャネルMOS（PMOS）、ｎ形チャネルMOS（NMOS）、及び相補型MOS（CMOS）トランジスタのような金属酸化膜半導体(ＭＯＳ)トランジスタ、バイポーラトランジスタ、並びにBiCMOSトランジスタを含む。
【０００４】
これらの半導体デバイスの各々は通常、複数の能動（アクティブ）デバイス（active device）が上に形成される半導体基板を含む。所与の能動デバイスの特定の構造体は、デバイスの種類の間で変化し得る。例えば、MOSトランジスタにおいて、能動デバイスは通常、ソース及びドレイン領域、並びにソースとドレインとの間で電流を変調するゲート電極を含む。
【０００５】
当該デバイスの製造における一つの重要なステップは、フォトリソグラフィ及びエッチングプロセスを使用して、デバイス又はその部分を形成することにある。フォトリソグラフィにおいて、ウエハは、フォトレジスト（photo-resist）と称される感光材で塗布（コート）される。次に、ウエハは露光させられ（光に露出させられ）、ウエハに達する光はマスクプレートを通過させられる。当該マスクプレートは、所望の特徴が基板上にプリントされることを規定する。露光後、レジスト塗布ウエハ基板は現像される。マスク上に規定される所望の特徴は、フォトレジスト塗布基板上に保持される。レジストの未露光領域は現像液（ディベロッパ（developer））で洗浄される。規定される所望の特徴を有するウエハは、エッチングにかけられる。製造プロセスに依存して、エッチングは、ウエハ物質を除去するために化学薬液が使用されるウェットエッチ、又はウエハ物質が高周波（無線周波数）誘導プラズマにさらされるドライエッチの何れかとなり得る。
【０００６】
多くの場合、所望の特徴は、最終的にプリントされると共にエッチされた領域が、時間の経過とともに正確に再生されなければならない特定の領域を有する。これらはクリティカルディメンション（critical dimension(CD)）と称される。デバイス形状がサブミクロン領域に近付くにつれ、ウエハ製造は、通常のプロセスばらつき（変動）に渡ってばらつきのない（安定した）クリティカルディメンションを維持することに依存する。フォトマスク上で設計されると共に繰り返されるような能動デバイス寸法（ディメンション）と、実際ウエハ基板上にもたらされるものとは繰り返し可能であると共に制御可能でなければならない。多くの状況において、プロセスは、マスキングCDに等しくなる最終CDを維持しようとする。しかしながら、（プロセスが“調整される（tweak）”場合、所与の製造プロセスで実現されてもよい）技術における変化又はプロセスにおける欠陥は、多くの場合、マスキングCDから逸脱する最終CDの表現（レンダリング）を必要とする。
【０００７】
Ausschnitt氏他による米国特許第5,757,507号公報は概して、リソグラフィを必要とする製造プロセス、より具体的には、リソグラフィにおけるバイアス及びオーバレイ（塗布）誤差（エラー）並びに0.5ミクロンよりも小さなオーダの寸法を備えるパターン特徴をモニタする場合、特により有用になるマイクロエレクトロニクス製造において使用されるエッチプロセスのモニタリングに関する。
【０００８】
Leroux氏他による米国特許第5,962,173号公報は概して、集積回路を実現する分野、より具体的には、ゲート線（ライン）のような極端に狭い線要素を有するこのような回路の製造における精度を維持することに関する。
【０００９】
Leroux氏他による米国特許第5,902,703号公報は概して、集積回路を実現する分野、より具体的には、ゲート線のような比較的狭い線要素を有するこのような回路の製造における精度を維持することに関する。
【００１０】
Ziger氏他による米国特許第5,976,741号公報は概して、集積回路を製造する分野において照射露光量（illmination exposure dosage）及び他の処理パラメータを決定する方法に関する。より具体的には、本発明は、ステップアンドリピート（step and repeat）システムで半導体ウエハを処理する方法に関する。
【００１１】
Ziger氏他による米国特許第6,301,008 B1号公報は、半導体デバイス及びその製造方法、より具体的には、製造における精度が維持される一方で、ゲート線のような比較的狭い線幅の要素を現像するための装置及びプロセスに関する。
【００１２】
Bowes氏の米国特許出願第2002/0182516 A1号公報は通常、半導体製造プロセスの計測に関する。より具体的には、本発明は、半導体ウエハの処理の間に半導体ウエハに対するマスクオーバレイの登録測定（registration measurement）とデバイス特徴のクリティカルディメンション（ＣＤ）測定とを同時に行うための針状くしレチクルパターン（needle comb reticle pattern）に関する。この参照及び先行して引用された記載は全体として参照によってここに組み込まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
レンズ収差（lens aberration）は、フォトレジストにマスクパターンを再生する特性を制限する。重要な種類のレンズ収差は、迷光（stray light）が、プリントされた特徴をゆがめ得る（歪ませ得る）フレアである。フレアは、同じステッパ族（ファミリ）のレンズからさえ、ステッパからステッパに広く変化し得る。半導体の製造において、様々な露光器具によるフレアの効果を評価し得ることは重要である。通常、フレアは、ことによると露光不足の状態である領域を露光することによってレジストプロファイルを劣化させる。ユーザは、製品歩留りが向上させられると共に費用が低減させられ得るようにフレアの効果を最小化するための処理をし得るようにフレアの効果を定量化する必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
実施例において、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスで、線縮小（短縮）（line shortening）に関するフレアの効果を決定するための方法がもたらされている。本方法は、基板上の第一のダイ位置において、第一の露光で、暗視野（ダークフィールド）マスク（dark-field mask）をプリントするステップを有する。暗視野マスクは、基板上の焦点（フォーカス）ボックスパターン（focus box pattern）、補正ボックス（箱）開口部（correction box opening）、及び暗視野マスクの一角（コーナ）に対応するフレアパターンを含む。第二の露光において、本方法は、明視野マスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む明視野マスク（clear-field mask）をプリントする。基板上の第二のダイ位置において、光視野マスク（light field mask）及び暗視野マスクの特徴に基づいて複合マスクパターン（composite mask pattern）がプリントされる。プリントパターンは現像され、プリントパターンから測定値（実寸（measurement））が得られる。フレアの効果が、測定値の関数として決定される。当該実施例の特徴は、暗視野マスクでプリントされる特徴及び明視野マスクでプリントされる特徴のフレアボックスパターンの寸法を測定することと、第一の露光の間にプリントされる補正ボックス特徴及び第二の露光の間にプリントされる補正ボックス特徴の寸法を測定することと、第二のダイ位置でプリントされる焦点ボックスパターンの寸法を測定することとを更に有する。
【００１５】
他の実施例において、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスで、線縮小に関するフレアの効果を決定するための方法がもたらされている。本方法は、基板上の第一のダイ位置において、第一の露光で、第一のマスクの一角に対応するフレアパターンを含む第一のマスクをプリントするステップを有し、第二の露光において、第二のマスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む第二のマスクがプリントされる。基板上の第二のダイ位置において、第一のマスク及び第二のマスクの特徴に基づいて複合マスクパターンがプリントされる。プリントパターンは現像され、プリントパターンから測定値が得られる。測定値の関数として、フレアの効果が決定される。当該実施例の特徴は、暗視野マスクでプリントされる特徴及び明視野マスクでプリントされる特徴のフレアボックスパターンの寸法を測定することと、第一の露光の間にプリントされる補正ボックス特徴及び第二の露光の間にプリントされる補正ボックス特徴の寸法を測定することと、第二のダイ位置でプリントされる焦点ボックスパターンの寸法を測定することとを更に有する。
【００１６】
更に他の実施例において、フォトレジスト塗布基板上のフォトリソグラフィプロセスで、線縮小に関するフレアの効果を決定するためのステッパ装置内のシステムがもたらされている。本システムは、基板上の第一のダイ位置において、第一の露光で、第一のマスクの一角に対応するフレアパターンを含む第一のマスクをプリントするための手段を有し、第二の露光において、第二のマスクの対角に対応する他のフレアパターンを含む第二のマスクをプリントするための手段を有する。基板上の第二のダイ位置において、第一のマスク及び第二のマスクの特徴に基づいて複合マスクパターンをプリントするための手段がもたらされている。プリントパターンを現像し、プリントパターンから測定値を得るための手段がもたらされている。測定値の関数として、フレアの効果を決定するための手段がもたらされている。
【００１７】
更に他の実施例において、ウエハステッパにおける使用のためのマスクセットがもたらされている。マスクセットは、暗視野において配置（レイアウト）される所定の寸法の特徴を有する第一のマスクと、明視野において配置される所定の寸法の特徴を有する第二のマスクとを有する。第一のマスクに含まれると、特徴は、フレアパターンの第一の部分、ボックスインボックス補正パターン（box-in-a-box correction pattern）の第一の部分、及び焦点ボックスパターンの第一の部分から構成される。第二のマスクに含まれると、特徴は、フレアパターンの第二の部分、ボックスインボックス補正パターンの第二の部分、ボックスインボックス補正パターンの第一の部分と位置合わせ可能なボックスインボックス補正パターンの第二の部分、焦点ボックスパターンの第二の部分、及び焦点ボックスパターンの第一の部分と位置合わせ可能な焦点ボックスパターンの第二の部分から構成される。当該実施例の更なる特徴は、マスクセットが、所定の寸法の特徴を有する第三のマスクを更に有し、前記特徴は第一のマスクの特徴と第二のマスクの特徴との組み合わせ（結合体（部））によって規定されることにある。
【００１８】
本発明の上記概要は、本発明の各々の開示された実施例又は全ての態様を表すことを意図するものではない。他の態様及び実施例が以下に記載の図面及び詳細な説明にもたらされる。
【００１９】
本発明は、添付図面に関して後続する本発明の様々な実施例の詳細な記載を考慮して、より完全に理解され得る。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、マスクパターンをフォトレジスト塗布基板上に再生する際、フレアの効果を定量化するのに有用であることが分かった。
【００２１】
図１を参照すると、本発明による実施例において、修正されたボックスインボックス構造体１００が、二つのマスク、すなわち、フレアに感度が高いスパース（明視野）マスク（sparse mask）及びフレアにあまり感度が高くないデンス（暗視野）マスク（dense mask）を使用して構成されている。フレアの効果を向上させるため、ボックスインボックスの側面が格子構造体から構成される。左（レフト）部及び下（底）（ボトム）部要素１１０は、暗視野マスクを使用して露光される。上部（トップ）及び右（ライト）部要素１２０は明視野マスクから露光される。
【００２２】
実施例において、ユーザは、要素１１０及び１２０を実現するように二つのマスクを露光するために無視可能なオーバレイ誤差（エラー）が存在するようにマスキングはなされ得ることを仮定してもよい。明らかなアライメント（位置合わせ）不良（ミスアライメント（misalignment））はフレア線長縮小の効果の相対的な測定にある。明視野マスクで露光される要素１２０が、暗視野マスクで露光される要素１１０よりもいくらか短くなることが予期される。光（学）長（optical length）測定を実行するとき、dfxは、暗視野マスクで露光されるボックス構造体の部分の視野（フィールド）光長量であり、lfxは、光視野マスクで露光されるボックスの部分の対応する視野光長量である。同様に、ｙ軸方向の対応する視野光長量はdfy及びlfy.である。
【００２３】
図１の構造体を使用してフレアを計算する場合、二つの誤差が存在する。第一に、要素１１０及び１２０を実現するために二つの異なるマスクが交換されるとき、いくらかのアライメント不良は常に存在する。これは、二つのマスクからのボックスインボックスパターン及び補正ボックスを構成することによって補正され得る。図２Ａ乃至２Ｂを参照すると、暗視野マスク２００が、格子構造体２１０及びアライメント（位置合わせ）ボックス２３０から構成されている。明視野マスク２０５は、格子構造体２２０及び他のアライメントボックス２４０から構成されている。フォトレジスト塗布基板上にこれらのマスクが使用されるとき、ユーザは、図２Ａの暗視野パターンをプリントしてもよい。図２Ｂの明視野パターンは、二つのアライメントボックス２３０及び２４０で図２Ａのプリントに位置合わせされる。図２Ｃの結果としてもたらされるパターン２１５は、格子構造体２１０及び２２０のフレアパターンとボックスインボックスアライメントパターン２５０（ボックス２３０及び２４０）とを生成する。問題となる量は、各々の側面の幅である。左部及び右部又は上部及び下部の差は、何れかのフレアの差及び二つのマスクの間のアライメント不良の合計になる。標準（スタンダード）ボックスインボックスでマスクオーバレイの効果は減らされ得る。
【００２４】
もたらされ得る第二の可能な誤差は、散乱光がマスクの外された領域を露光する長距離フレア効果（long range flare effect）による。図３を参照すると、装置３００において、光３１０が、規定された設計特徴３３０を有するマスク３２０を通じて投射されている。レンズ３４０における収差は光３１０ｂを散乱（分散）させる。当該散乱により、プリントされた特徴は、設計された特徴よりも大きくなり得る。極端な例において、散乱光は、マスクされた領域の下の領域を均一に露光し得る。なされている仮定の一つは、クロムの下の領域は露光されないことにある。長距離フレアの効果は、光視野マスクでより悪化する。図５を参照すると、例えばプロシージャは、図５Ａを露光して、それから図５Ｂを露光することにある。マスクのない領域になる左部及び下部領域（５１５構造体の厚さ“Ｌ”）は完全に未露光のままであることが仮定される。
【００２５】
本発明の実施例による補正方式は、当該誤差を定量化するために使用され得る。図４が参照される。１）一つ又はそれより多くのステッパ領域（フィールド）が、暗視野マスクを使用して焦点ボックスパターン４００で露光される。焦点ボックスパターン４００は、ｘ及びｙ方向において実線領域（solid region）４１０及び４２０と線及び空き領域（スペース）４３０及び４４０とから構成される。２）同じパターンが、先の明視野露光でマスクの外された領域において露光される。３）フレアによる先の露光に対する補正は、単一の露光領域における焦点ボックス構造体と二重に露光された領域における焦点ボックス構造体との間の線縮小における差にある。
【００２６】
本発明の他の実施例によれば、図４の焦点ボックスパターンは、図２Ａ乃至２Ｃのフレア測定構造体に組み込まれ得る。図５Ａ乃至５Ｃを参照すると、暗視野マスク５００が、フレアパターン５１０、アライメントボックス５２０、及び焦点ボックスパターン５３０の部分から構成されている。対応する明視野マスク５０５は、（アライメントボックス５２０に位置合わせする）他のアライメントボックス５２５から構成されており、焦点ボックスパターン５３０によって規定される領域は領域５３５によって排除される。プリントされた複合構造体（図５Ｃ）は、暗視野マスク５００と明視野マスク５０５との結合体である。パターン５１０及び５１５はフレアパターン（“Ａ”）を形成する。補正ボックス（“Ｂ”）５３５、及び焦点ボックス（“Ｃ”）パターン５３０は、暗視野マスク５００と光視野マスク５０５との結合体である。
【００２７】
図６を参照すると、実施例において、ウエハ・ステッパ装置で、レジスト塗布基板上にユーザは図５Ａの暗視野マスクパターン６１０をプリントし得る。露光された図５Ａパターン上に被せられて、ユーザは、図５Ｂの明視野マスクパターン６２０をプリントしてもよい。レジスト塗布基板は、図５Ａ及び図５Ｂマスクに対して二重露光にかけられている。図５Ａ及び図５Ｂマスクパターンが二重露光部としてプリントされると、ユーザは基板上の他の位置に進み（移行（ステップ）し）、図５Ｃの複合マスクパターン６３０をプリントする。プリントされたパターンは６４０で現像される。ユーザは、プリントパターン６５０から測定値を得る。測定値を得た後、ユーザは、線縮小に関するフレア６６０の効果を決定し得る。
【００２８】
図７を参照すると、他の実施例において、基板上で、ユーザは単一の露光で、図５Ｃに示されるように、図５Ａのマスクパターンと図５Ｂのマスクパターンとの結合体をプリントし得る。ユーザは、フレアパターン（５１０、５１５）、補正ボックス（５３５）、及び焦点ボックス（５３０）を含む結合パターン７１０をプリントする。プリントされたパターンは７２０で現像される。線縮小に関する長距離フレアの効果７３０が決定される。
【００２９】
プロセスに起因する線縮小の測定に関する更なる情報のために、Yuji Yamaguchi 氏及び Pierre Leroux氏の“プロセスに起因する線縮小効果の測定のためのオーバレイボックス構造体（Overlay Box Structure for Measuring Process-Induced Line Shortening Effect）”という名称の米国特許仮出願第60/468,892号公報が参照される。当該出願はオランダ国のコーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスＮＶ社に譲渡され、当該出願は参照によって全体としてここに含まれる。
【００３０】
線及びスペースの測定に関する更なる情報のために、Yuji Yamaguchi 氏の“線及びスペースの長さを測定するためのリソグラフィック構造体及びその方法（A Method and Lithographic Structure for Measuring Lengths of Lines and Spaces）”という名称の米国特許仮出願第60/468,893号公報において見つけられ得る。当該出願はオランダ国のコーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスＮＶ社に譲渡され、当該出願は参照によって全体としてここに含まれる。
【００３１】
ウエハ基板にプリントされる図５Ｃの複合構造体に関する測定を行うとき、水平の特徴の線縮小に関するフレアの効果のための通常の計算は、図５Ｃにおいて示されるように、アライメント測定パターンによって報告される測定された登録“Ｒ”によって示される。例えば、構造体Ａ、Ｂ、及びＣにおいて、アライメント不良の通常数式は、
Rx=(right leg-left leg)/2           (1)
Ry=(top leg-bottom leg)/2           (2)
によって表わされる。
【００３２】
本発明のよる実施例において、アライメント不良が構造体の左辺部（cb1x）と右辺部（cb2x）との間の幅における差になるｘ方向、及びアライメント不良が下（底）辺部（cb1y）と上辺部（cb2y）との間の差になるｙ方向で、ユーザは、図５Ａと図５Ｂとのオーバレイの間の“B”構造体５３５におけるアライメント不良の程度を決定し得る。
【００３３】
同様に、ユーザは、光視野特徴５１５と暗視野特徴５１０との間の“Ａ”構造体におけるアライメント不良の程度を決定し得る。光／暗視野特徴の間のｘ方向における明らかな位置合わせ不良は構造体の左辺部（dfx）と右辺部（lfx）との間の幅における差になり、光／暗視野特徴の間のｙ方向における明らかなアライメント不良は構造体の上辺部（lfy）と下辺部（dfy）との間の幅における差になる。
【００３４】
ユーザは、ｘ方向における線縮小が左辺部（fb1x）と右辺部（fb2x）との間の幅における差になるか、又はｙ方向における線縮小が上辺部（fb2y）と下辺部（fb1y）との間の幅における差になる単一対二重露光領域における“Ｃ”構造体５３０の間の線縮小を比較し得る。これらの構造体から決定される計算の中間結果はフレアを計算するために使用され、
lsxFlare=rxlf-df - rx1st-2nd mask - rxMultiple-Single Exposure           (3)
lsyFlare=rylf-df - ry1st-2nd mask - ryMultiple-Single Exposure              (4)  
となる。ここで、rxlf-df
、rx1st-2nd mask、及びrxMultiple-Single Exposureは、光視野／暗視野構造体（Ａ）に対するｘ方向における測定アライメント不良、二つの露光部の間のアライメントを測定する標準ボックスインボックス（Ｂ）、及び２回対１回露光される焦点ボックス構造体（Ｃ）の間の測定差である。
【００３５】
特定の実施例のプロセスにおいて、本発明による技術が適用され得る。アライメント器具は、左辺部及び右辺部又は上辺部及び下辺部の光（学）幅測定値における差になるrx及びryを報告する。図５Ａと図５Ｂとをオーバラップさせることによって、図５Ｃの画像は表示される。また、５Ｃに示されているパターンは他のステッパ領域上に露光されることが仮定され得る。表１は、得られる例となる値の概略を示す。
【表１】
2007501508.tif 000003
【００３６】
本発明はいくつかの特定の実施例に関して記載されているが、当業者は、請求項において示される特許請求の範囲からはずれることなく多くの変形例がもたらされ得ることを理解するであろう。    
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施例によるフレアを計算するために使用される複合格子ボックスを示す。
【図２Ａ】図１の複合格子ボックスのプリンティングにおいて使用される暗視野マスクである。
【図２Ｂ】図１の複合格子ボックスをプリントするために図２Ａの暗視野マスクに関して使用される光視野マスクを示す。
【図２Ｃ】本発明の実施例による図２Ａと図２Ｂとのマスクの結合体を示す。
【図３】ステッパレンズ及びマスク特徴を通じて通過する光の散乱を示す。
【図４】暗視野焦点ボックスパターンを示す。
【図５Ａ】図４の焦点ボックスパターンを含む暗視野マスクを示す。
【図５Ｂ】図５Ａに示されるマスクに関連して使用される光視野マスクを示す。
【図５Ｃ】図５Ａと図５Ｂとに示されるマスクの結合体を示す。
【図６】本発明による例のプロセスのフローチャートである。
【図７】本発明による他の例のプロセスのフローチャートである。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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