(57)【要約】超小型加工物から材料を除去するための方法および装置が開示されている。一実施形態では、超小型加工物を研磨媒体の研磨面に接触させ、第１および第２の電極の少なくとも一方を加工物から離間させ、第１および第２の電極と電気的な連絡状態にする。研磨液を、研磨面と加工物との間に配置し、加工物と研磨面の少なくとも一方を、他方に対して移動させる。材料が超小型加工物から除去され、研磨液の少なくとも一部を研磨面の少なくとも一つの凹部に流し、これにより超小型加工物と超小型加工物に面する凹部の面との間には研磨液に空隙が配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型加工物から材料を除去するための方法であって、
超小型加工物を研磨媒体の研磨面に接触させる工程と、
超小型加工物を、少なくとも一方が超小型加工物から離間した第１および第２の電極と、電気的な連絡状態にする工程と、
研磨面と超小型加工物との間に研磨液を配置する工程と、
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させる工程と、
電極と超小型加工物に電流を流して、超小型加工物が研磨面に接触している間、超小型加工物から材料を除去する工程と、
研磨液の少なくとも一部を、研磨面の少なくとも一つの凹部に通して、超小型加工物と超小型加工物に面する凹部の面との間には、研磨液内に空隙を配置する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させる工程は、超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
超小型加工物から材料を除去する工程は、
（ａ）電気化学的機械的研磨によって少なくとも材料の第１の部分を除去する工程と、
（ｂ）直接的な電解研磨によって材料を除去しないか、または、直接的な電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記凹部の面は、少なくとも一つの電極の面を含み、
研磨液の少なくとも一部を凹部に通す工程は、凹部に研磨液を通す工程を含み、少なくとも一つの電極の面と少なくとも一つの電極の面に面する超小型加工物の面との間には、研磨液内に空隙が位置することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１０ｒｐｍから約５００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約５０ｒｐｍから約２００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１００ｒｐｍ以上の速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
研磨液を配置する工程は、１分間当たり１リットル未満の流量で研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約０．５ｍｍから約１０ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、研磨面に接触している超小型加工物の面と一般的に平行に約０．３７５インチの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
研磨液を配置する工程は、ＴＭＡＨを有する研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、交差状の多数の凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
超小型加工物を研磨面に接触させる工程は、超小型加工物の下方に面する面を、上方に面する研磨面と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
超小型加工物から材料を除去するための方法であって、
超小型加工物を研磨媒体の研磨面に接触させる工程と、
超小型加工物を、超小型加工物から離間した第１および第２の電極と、電気的な連絡状態にする工程と、
研磨面と超小型加工物との間に研磨液を配置する工程と、
第１の電極から超小型加工物を通して第２の電極へ電流を流して、超小型加工物が研磨面に接触している間、超小型加工物から材料を除去する工程と、
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して回転させる工程と、
研磨液の少なくとも一部を、研磨面の凹部に通して、超小型加工物と凹部内に位置する第１および第２の電極の面との間には、研磨液内に空隙を配置する工程と、を含み、
前記空隙は、第１および第２の電極の面と第１および第２の電極の面に面する超小型加工物の面との間で、研磨液の容積内に不連続性を付与することを特徴とする方法。
【請求項１８】
超小型加工物から材料を除去する工程は、
（ａ）電気化学的機械的研磨によって材料の少なくとも第１の部分を除去する工程と、
（ｂ）直接的な電解研磨によって材料を除去しないか、または、直接的な電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
研磨液を配置する工程は、１分間当たり１リットル未満の流量で研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に通す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
研磨液を配置する工程は、ＴＭＡＨを有する研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
研磨液の少なくとも一部を凹部に通す工程は、交差状の多数の凹部に、研磨液の少なくとも一部を通す工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
超小型加工物を研磨面に接触させる工程は、超小型加工物の下方に面する面を、上方に面する研磨面と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
超小型加工物から材料を除去するための方法であって、
超小型加工物の面を研磨パッドの研磨面に接触させて配置する工程と、
研磨液を超小型加工物の面に接触させて配置する工程と、
第１および第２の電極の少なくとも一方が超小型加工物から離間しており、研磨液および超小型加工物の面を通って、第１および第２の電極の間に電流を通す工程と、
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させる工程と、
超小型加工物と少なくとも一つの電極との間に配置されるが超小型加工物と研磨面との間に直接的に配置されない、研磨液の量を制御することによって、電解研磨および電気化学的機械的研磨により超小型加工物から除去される材料の相対量を制御する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２６】
超小型加工物から除去される材料の相対量を制御する工程は、研磨液の少なくとも一部を、研磨面の凹部に差し向けて、超小型加工物と凹部内に位置する第１および第２の電極の面との間で、研磨液内に空隙を配置する工程を含み、
前記空隙は、第１および第２の電極の面と第１および第２の電極の面に面する超小型加工物の面との間で、研磨液の容積内に不連続性を付与することを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
超小型加工物から除去される材料の相対量を制御する工程は、
（ａ）電気化学的機械的研磨によって材料の少なくとも第１の部分を除去する工程と、
（ｂ）直接的な電解研磨によって材料を除去しないか、または、直接的な電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１０ｒｐｍから約１００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
研磨液を配置する工程は、１分間当たり１リットル未満の流量で研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に通す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を通す工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
超小型加工物の面を研磨面に接触させて配置する工程は、超小型加工物の下方に面する面を、上方に面する研磨面と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
超小型加工物から材料を除去するための装置であって、
超小型加工物を研磨位置で解放可能に担持するように構成された支持部材と、
超小型加工物が支持部材に担持されたとき少なくとも一方が超小型加工物から離間し、超小型加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物に電流を導くように配置された第１および第２の電極と、
少なくとも一つの電極と支持部材との間に配置された研磨媒体と、を含み、
研磨媒体と支持部材の少なくとも一方が他方に対して移動可能であり、
研磨媒体が、研磨面を有し、
研磨面が、研磨液を受け入れるために配置された少なくとも一つの凹部を有し、
少なくとも一つの凹部が、支持部材に面し且つ研磨面から離間した凹部面を有し、研磨位置と凹部面との間で凹部内の研磨液に空隙を形成させることを特徴とする装置。
【請求項３３】
さらに、超小型加工物を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
さらに、研磨液を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３５】
少なくとも一つの凹部が、交差状の多数の凹部を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３６】
少なくとも一つの凹部は、第２の凹部に対して横切るように配向された第１の凹部を有する交差状の多数の凹部を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３７】
超小型加工物が支持部材に担持されたとき、第１および第２の電極が超小型加工物から離間されることを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３８】
少なくとも一つの凹部は、研磨面と一般的に垂直に約０．５ｍｍから約１０ｍｍの寸法を有することを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３９】
少なくとも一つの凹部は、研磨面と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有することを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４０】
凹部面は、少なくとも一つの電極の面を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４１】
研磨面は、上方に面していることを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４２】
第１および第２の電極に接続された電源をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４３】
超小型加工物から材料を除去するための装置であって、
超小型加工物を担持するための支持手段と、
超小型加工物から材料を除去するための材料除去手段と、を含み、
材料除去手段は、研磨面と、支持手段が超小型加工物を担持したとき、少なくとも一方が超小型加工物から離間した第１および第２の電極と、を含み、
材料除去手段は、超小型加工物と少なくとも一つの電極との間に配置されるが超小型加工物と研磨面との間に直接的に配置されない、研磨液の量を制御することによって、電解研磨および電気化学的機械的研磨により超小型加工物から除去される材料の相対量を制御するための制御手段をさらに含む、ことを特徴とする装置。
【請求項４４】
材料除去手段は、研磨面を有する研磨パッドを含み、
制御手段は、研磨面に少なくとも一つの凹部を形成する面を含むことを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４５】
材料除去手段は、研磨面を有する研磨パッドを含み、
制御手段は、研磨面に少なくとも一つの凹部を形成する面を含み、
さらに、少なくとも一つの凹部が、少なくとも一つの電極の面に露出していることを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４６】
材料除去手段は、研磨面を有する研磨パッドを含み、
制御手段は、研磨面に交差状の多数の凹部を形成する面を含み、
さらに、凹部の少なくともいくつかが、少なくとも一つの電極の面に露出していることを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４７】
超小型加工物から材料を除去するための装置であって、
超小型加工物を研磨位置で解放可能に担持し且つ回転させるように構成された支持部材と、
超小型加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物から離間し、超小型加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物に電流を導くように支持部材に近接して配置された第１および第２の電極と、
電極と支持部材との間に配置された研磨パッド材料と、を含み、
研磨パッド材料は、多数の第１の凹部と第１の凹部に交差する多数の第２の凹部とを有する研磨面を備え、
第１および第２の凹部は、支持部材に面する第１および第２の電極の面を露出させるように研磨パッド材料に広がり、
第１および第２の凹部は、研磨位置と第１および第２の電極の面との間で空隙を形成する研磨液を受け入れるように配置されたことを特徴とする装置。
【請求項４８】
第１および第２の凹部は、一般に互いに横断することを特徴とする請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
凹部は、少なくとも２ｍｍから約４ｍｍの深さを有することを特徴とする請求項４７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に超小型加工物の処理に関し、特に超小型加工物の電気化学的機械的研磨および／または平坦化（ＥＣＭＰ）のための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、典型的には半導体ウェーハから始まる。半導体ウェーハの製造は、マスキング，エッチング，付着，平坦化等を含む多くの異なった工程に基づく。典型的には、平坦化工程は、化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）処理に基づく。ＣＭＰ処理の間、ウェーハキャリヤは半導体ウェーハを保持および回転させ、ウェーハはＣＭＰパッドに接触する。特に、平坦化処理の間、ＣＭＰシステムは、ウェーハキャリヤに圧力を付与して、ウェーハをＣＭＰパッドの研磨面に押しつける。ウェーハキャリヤおよび／またはＣＰＭパッドの研磨面を、互いに対して回転させて、ウェーハの表面を平坦化する。
【０００３】
ウェーハを平坦化するための別の方法は、電気化学的機械的平坦化（ＥＣＭＰ）を含み、ＥＣＭＰでは、ＣＰＭ処理を受ける間、ウェーハに電位が印加される。従来のＥＣＭＰシステムでは、電解平坦化液を用いて、ウェーハに電位が印加される。ウェーハに印加される電位により、電解研磨を介して、ウェーハの金属層から金属イオンを追いたたせ、電気化学的機械的研磨により追加的な材料が除去される。したがって、全除去速度は、次式で特徴付けられる。
（１）除去速度＝電解研磨（ＥＰ）速度＋電気化学的機械的研磨（ＥＣＭＰ）速度
ここで、ＥＰ速度は専ら電解研磨により材料が除去される速度であり、ＥＣＭＰ速度は、ウェーハの表面へのパッドの物理的な適用および追加的な電気的相互作用の双方と組み合わせて、化学溶液によって材料が除去される速度である。しかしながら、ウェーハへの電解研磨およびＥＣＭＰの双方の無制御な適用は、受け入れ可能に均一である全体的な材料除去速度を創出しないことがある。
【発明の開示】
【０００４】
本発明は、電気化学的機械的研磨によって超小型加工物から材料を除去するための方法および装置に関する。本発明の一態様による方法は、超小型加工物を研磨媒体の研磨面と接触させる工程と、少なくとも一方を超小型加工物から離間させて、超小型加工物を第１および第２の電極と電気的な連絡状態にする工程と、研磨面と超小型加工物との間に研磨液を配置する工程と、を含む。超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を、他方に対して移動させる。電流を、超小型加工物が研磨面に接触している間、電極と超小型加工物に流して、超小型加工物から材料を除去する。研磨液の少なくとも一部は、研磨面の少なくとも一つの凹部に通され、超小型加工物と超小型加工物に面する凹部の面との間には研磨液内に空隙が配置される。
【０００５】
本発明のさらなる別の態様では、超小型加工物は研磨パッドに対して回転することができる。超小型加工物から材料を除去する工程は、電気化学的機械的研磨によって材料の少なくとも第１の部分を除去する工程と、電解研磨によって材料を除去しないか、または、電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことができる。超小型加工物は、約５０ｒｐｍから約５００ｒｐｍの速度で回転させることができ、研磨液は、１分間に１リットル未満の流量で配置することができる。
【０００６】
本発明の他の態様による装置は、研磨位置で超小型加工物を解放可能に担持するように構成された支持部材を含む。第１および第２の電極は、加工物が支持部材に担持されたとき、電極の少なくとも一方が加工物から離間されて、加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物に電流を導くように配置される。研磨媒体は、研磨媒体と支持部材の少なくとも一方が他方に対して移動可能な状態で、少なくとも一つの電極と支持部材との間に配置される。研磨媒体は、研磨液を受け入れるために配置された少なくとも一つの凹部を有する研磨面を備える。少なくとも一つの凹部は、支持部材に面し且つ研磨面から離間した凹部面を有し、凹部内の研磨液に研磨位置と凹部面との間に空隙を形成させる。
【０００７】
本発明のさらなる別の態様では、凹部は、研磨面と一般的に垂直に約０．５ｍｍから約１０ｍｍの寸法を有することができ、さらに別の実施形態では、約２ｍｍから約４ｍｍである。またさらに別の実施形態では、凹部面は、少なくとも一つの電極の面を含み、研磨面は、支持部材に向かって上方に面する。
【０００８】
ここで使用されるように、「超小型加工物」または「加工物」なる用語は、超小型電子装置が上および／または中に一体に形成される基板を指す。典型的な超小型装置は、超小型電子回路または超小型電子部品，薄膜記憶ヘッド，データ記憶要素，微小流体素子および他の製品を含む。マイクロマシンおよび超小型機械装置は、集積回路の製造に使用される同じ技術の多くを用いて製造されるから、この定義に含まれる。基板は、半導体片（例えば、ドープされたシリコンウェーハまたはガリウムヒ素ウェーハ）、絶縁体片（例えば、種々のセラミック基板）または導電体片であってもよい。ある場合、加工物は、一般的に円形状であり、他の場合、加工物は直線形状を含む他の形状である。電気化学的機械的研磨（ＥＣＭＰ）によって超小型加工物から材料を除去するためのシステムおよび方法のいくつかの実施形態が、以下に記載される。しかしながら、関連技術分野の当業者は、本発明が追加的な実施形態を有することができ、また、本発明が図１〜図４を参照して以下に記載された実施形態の細部のいくつかなしで実施可能であることを理解するであろう。
【０００９】
本明細書で「一実施形態」または「実施形態」の参照は、記載された実施形態が特別な態様，構造または特徴を含むが、すべての実施形態が必ずしもこの特別な態様，構造または特徴を含まなくてもよいことを示す。さらに、そのような文言は、必ずしも同じ実施形態を指していない。さらに、特別な態様，構造または特徴が、ある別の実施形態に関連して記載される一方で、そのような態様，構造または特徴は、明記されても明記されなくても、他の実施形態にも含まれ得る。
【００１０】
本発明の実施形態は、機械可読媒体によって提供される機械実行可能命令内で具現化される態様，方法または処理を含み得る。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピュータ，ネットワーク装置，ＰＤＡ，製造装置，その他一またはそれ以上のプロセッサのセットを備えた装置）によってアクセス可能な形態で情報を提供（すなわち、記憶および／または送出）する任意の機構を含む。一実施形態では、機械可読媒体は、電気的，光学的，音響的または他の形態の伝播信号（例えば、搬送波，赤外線信号，デジタル信号等）だけではなく、揮発性媒体および／または不揮発性媒体（例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光学記憶媒体；フラッシュメモリ装置等）を含む。
【００１１】
機械実行可能命令は、この命令でプログラムすることによって、一般的なまたは特別な目的のプロセッサに、本発明の実施形態による方法または処理を行わせることに用いられる。あるいは、本方法は、この工程を実行するための配線論理を含む特定のハードウェア構成部品によって、またはプログラムされたデータ処理構成部品と特定のハードウェア構成部品との任意の組み合わせによって、実行することができる。本発明の実施形態は、さらにここで記載されるソフトウェア，データ処理ハードウェア，データ処理システム実行方法，および種々の処理工程を含む。
【００１２】
多くの図面が、本発明の実施形態による電気化学的機械的研磨のためのシステムおよび装置のブロックダイヤグラムを示している。多くの図面が、電気化学的機械的平坦化のための工程を示すフロー図を示している。フロー図の工程は、ブロックダイヤグラムで示されたシステムを参照して記載される。しかしながら、フロー図で特定される工程は、ブロックダイヤグラムを参照して議論されるシステムおよび装置ではない他のシステムおよび装置によって実行することができ、またシステムおよび装置がフロー図を参照して記載される工程とは異なる工程を実行することができることが理解されるべきである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の実施形態によるＥＣＭＰによって材料を除去するためのシステム１００の概略図である。システム１００は、研磨平面１１９で研磨または平坦化される面１１７を有する超小型加工物１１６を保持するように構成されたキャリヤまたは他の支持部材１１８を含むことができる。支持部材１１８は、軸線１２２を中心に回転することができる。一実施形態では、超小型加工物を保持する支持部材１１８の研磨中の回転速度は、１分あたり約１０回転（ｒｐｍ）から約５００ｒｐｍの範囲にわたる。さらに、別の実施形態では、支持部材１１８は、約５０ｒｐｍから約２００ｒｐｍで、あるいは約１００ｒｐｍで回転する。
【００１４】
プラテン１０４を、支持部材１１８に近接して配置することができる。プラテン１０４は、各々加工物１１６に向かって面する電極面１４０を有する、複数の電極１１２を支持することができる。電極１１２は、電源１０６に接続することができる。本実施形態の一態様では、電源１０６は、変動する電流を電極１１２に供給するように構成された交流電源を含む。電流は、正弦曲線変化，鋸歯状の変化，重ね合わせた周波数，他の繰り返しまたは非繰り返しパターンを有することができる。電流を供給するためのさらなる実施形態は、２０００年８月３０日に提出された係属中の米国出願第０９／６５１，７７９号に開示されており、その全体をここに援用する。これらの実施形態のいずれでも、電極１１２のいくつかを電源１０６の１つの極（第１の電位）に接続し、他の電極１１２を電源１０６のもう１つの極（他の電位）に接続して、より詳細に以下に記載されるように、１つの電極１１２から加工物１１６を通してもう１つの電極１１２に通る電流路を形成することができる。
【００１５】
図１に示す特別な実施形態では、電源１０６の両極に接続された電極１１２は、超小型加工物１１６から間隔が隔てられている。別の実施形態では、極の一方に接続された一つまたはそれ以上の電極１１２は、超小型加工物１１６と直接接触していることがある。例えば、一つまたはそれ以上の電極１１２を、加工物１１６の面１１７で導電材料と直接接触して配置することができる。別の構成では、一つまたはそれ以上の電極１１２は、加工物１１６の裏面１１９に接触して、加工物１１６の内部回路が反対側の面１１７に導電リンクを作ることができる。
【００１６】
プラテン１０４は、また研磨パッド１１４を含む研磨媒体を支持することができる。研磨パッド１１４は、複数の研磨パッド部分１１４ａを含むことができ、その各々は研磨パッド材料で形成される。適当な研磨パッド材料は、アリゾナ州フェニックスの会社ローデルから入手できる。図１に示す実施形態では、研磨パッド部分１１４ａは、隣合う電極１１２の間に配置され、そして互いに間隔をあけられている。別の実施形態では、研磨パッド部分１１４ａが互いに接続される。これらのいずれの実施形態でも、各研磨パッド部分１１４ａは、加工物１１６に接触するように配置された研磨面１３０を含むことができる。これらの実施形態のさらなる態様では、研磨面１３０は、電極面１４０と異なる平面に配置される。例えば、プラテン１０４が支持部材１１８の下に配置されるとき、研磨面１３０は、電極面１４０より上にある。プラテン１０４と支持部材１１８の位置が逆にされるならば、研磨面１３０は、電極面１４０の下に位置する。いずれの実施形態でも、研磨パッド面１３０と電極面１４０の異なる位置は、隣合う研磨パッド部分１１４ａの間にチャンネルまたは凹部１５０を形成する。
【００１７】
図１に示す構成の一態様では、研磨パッド１１４と加工物１１６との間の相対的な移動に適応するために、研磨パッド１１４は加工物１１６の横方向の長さよりも長い横方向の長さを有することができる。別の実施形態では、研磨パッド１１４は、加工物１１６よりも小さく、材料除去処理中、加工物１１６上を行き来することができる。研磨パッドと隣接する電極のさらなる構成は、２００２年８月２９日に提出された係属中の米国出願第１０／２３０，９７０号に開示されており、その全体をここに援用する。
【００１８】
プラテン１０４は、支持部材１１８を回転させることに加えて、或いは、支持部材１１８を回転させる代わりに、プラテン１０４を軸線１０２を中心に回転させるように構成されたモータ／駆動装置アセンブリ（図示せず）に接続することができる。したがって、プラテン１０４および／または支持部材１１８の回転は、（ａ）加工物１１６と、（ｂ）電極１１２および研磨パッド面１３０と、の間の相対的な移動を備える。
【００１９】
システム１００は、研磨面１３０と材料が除去されるべき超小型加工物１１６の面１１７との間に研磨液１６０が介在するようになるように、研磨液１６０を分配するように構成された導管１２０を含むことができる。一実施形態では、導管１２０は、研磨液１６０を、図３を参照して以下により詳細に記載されるように、研磨パッド１１４の下から研磨パッド部分１１４ａの開口を通して、研磨面１２０に供給する。
【００２０】
一実施形態では、研磨液１６０は、テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む。研磨液１６０は、また研磨粒子の懸濁液を含み得る（または、研磨粒子は研磨パッド１１４に固定的に配置されてもよい）。他の実施形態では、研磨液１６０は、他の成分を含んでもよい。これらの実施形態のいずれにおいても、研磨液１６０の成分は、（ａ）電極１１２と加工物１１６との間に電解伝導路を作り，（ｂ）加工物１１６から材料を化学的に除去し、および／または、（ｃ）加工物１１６から材料を物理的に研磨および／または洗い流すことができる。
【００２１】
図２は、本発明の実施形態にしたがって超小型加工物１１６から材料を除去するので、図１を参照して上述したシステム１００の一部の部分概略図である。図２に示すように、隣合う研磨パッド部分１１４ａの間の各チャンネル１５０は、チャンネルベース１５１と、ベース１５１から加工物１１６に向けて延びるチャンネル側壁１５２と、を含むことができる。本実施形態の一態様では、側壁１５２は、研磨パッド部分１１４ａの側方に面する面によって形成することができ、ベース１５１は、加工物１１６に面する電極面１４０によって形成することができる。他の実施形態では、各チャンネル１５０の面は、他の構造物によって形成されてもよい。例えば、チャンネルベース１５１は、電極１１２の上に配置された薄い誘電体層によって形成されてもよい。別の実施形態では、チャンネルベース１５１は、隣合う研磨パッド部分１１４ａの間で電極面１４０の上に延びる研磨パッド材料の薄い層によって形成されてもよい。これらの実施形態のいずれにおいても、各チャンネル１５０は、隣合う研磨パッド部分１１４ａの間に幅Ｗ、研磨パッド面１３０とチャンネルベース１５１との間に深さＤを有することができる。
【００２２】
研磨液１６０が加工物１１６付近に配置されるとき、それは加工物面１１７と研磨パッド面１３０との間に位置する層１６１を形成する。層１６１は、また、チャンネル１５０内へ延びて、加工物面１１７と電極１１２との間に電気的な連絡を作る。本実施形態の一態様では、研磨液１６０の層１６１は、チャンネル１５０を完全には満たさない。その代わりに、空隙１５３が加工物面１１７とチャンネルベース１５１との間に形成される。本実施形態の一態様では、空隙１５３は、チャンネルベース１５１に直接面する加工物面１１７を露出することができる。本実施形態の別の態様では、研磨液１６０は、図２に斜線で示すように、加工物面１１７に付着することができる。これらの実施形態のいずれにおいても、空隙１５３は、直接的な電解研磨によって加工物１１６から除去される材料を少なくとも減じる（そして少なくとも或る実施形態では、防止する）ことができる。
【００２３】
それでも材料は、ＥＣＭＰによって、研磨パッド面１３０と加工物面１１７との間の界面に近接した加工物１１６から除去される。この界面では、材料は、（ａ）電極１１２から液体層１６１を介して加工物１１６に通された電流との電気的相互作用、（ｂ）研磨液１６０の化学物質との化学的相互作用、および（ｃ）研磨パッド面１３０との機械的相互作用、によって加工物面１１７から除去される。
【００２４】
システム１００の特徴およびその作動が、上述の空隙１５３の形成を促進することができる。例えば、空隙１５３が形成されるチャンネル１５０の深さＤは、空隙１５３の形成を促進するような深さをとり得る。特別な実施形態では、深さＤは、約０．５ｍｍから約１０ｍｍの範囲にわたる。さらに別の実施形態では、深さＤは、約２ｍｍから約４ｍｍの値を有することができる。チャンネル１５０は、また約０．３７５インチの幅Ｗを有することができる。またさらなる実施形態では、例えば、研磨液１６０の特性（例えば、その粘性）、および／または加工物１１６と研磨パッド１１４との間の相対移動の速度によって、深さＤと幅Ｗは他の値を有することができる。例えば、上述のように、加工物１１６は、約１０ｒｐｍから約５００ｒｐｍの速度で回転することができ、または、より特別には約５０ｒｐｍから約２００ｒｐｍ、さらにより特別には約１００ｒｐｍの速度で回転することができる。超小型加工物１１６を回転することは、研磨液１６０を遠心力でチャンネル１５０を通してすばやく移動させる傾向があり、これにより空隙１５３の形成が促進される。
【００２５】
研磨液１６０を研磨パッド１１４と超小型加工物１１６との間に配置する速度は、また研磨液１６０内に空隙１５３の形成を制御するのに使用することができる。例えば、研磨液１６０が分配される速度は、チャンネル１５０を完全に満たす可能性、すなわち空隙１５３を排除する可能性を減じるために、ある閾値以下に維持することができる。特別な実施形態では、研磨液１６０は、例えば、加工物１１６が約２００ｍｍから約３００ｍｍの直径を有するとき、１分当たり１リットル未満の流量で分配される。他の実施形態では、研磨液１６０は、空隙１５３を形成するのを許容するのに十分低い他の速度で分配される。
【００２６】
図３は、説明のため支持部材１１８および加工物１１６が省略された、上述の実施形態のシステム１００の平面図である。研磨パッド１１４は、第１のチャンネル３５０ａ（上述のチャンネル１５０に概ね同様）と、隣合う第１のチャンネル３５０ａの間を横切って延びる第２または交差チャンネル３５０ｂと、を含む。第２のチャンネル３５０ｂは、研磨パッド１１４に、より均一に研磨液１６０（図２）を分配することができる。第２のチャンネル３５０ｂは、また図２を参照して上述した空隙１５３の形成を促進するために、加工物１１６と研磨パッド１１４との間で研磨液１６０を通過させる、より多くの道を用意することができる。本実施形態の一態様では、第２のチャンネル３５０ｂの少なくともいくつかは、研磨パッド１１４および電極１１２に研磨液１６０を分配する通路を提供するために、導管１２０（図１）と流体連道しているのがよい。第２のチャンネル３５０ｂは、チャンネル１５０（図２）の深さＤと同じ，それより深い，または浅い深さ（図３の平面を横切る方向）を有することができる。
【００２７】
図３に示す実施形態の一態様では、第１のチャンネル３５０ａおよび第２のチャンネル３５０ｂは、それぞれ直交軸Ｙ，Ｘと平行に配向されている。他の実施形態では、チャンネル３５０ａ，３５０ｂは、他の配向を有していても良い。例えば、第１のチャンネル３５０ａが共通の中心から放射状に延び、第２のチャンネル３５０ｂが中心に対して同心円状に配置されていてもよい。
【００２８】
図４は、本発明の実施形態により超小型加工物から材料を除去するための工程４７０を説明するフロー図である。工程部分４７１では、超小型加工物を、研磨媒体、例えば研磨パッドの研磨面と接触させる。次に、超小型加工物を、電極の少なくとも一つを超小型加工物から離間させて、第１の電極および第２の電極と電気的な連絡状態にする（工程部分４７２）。工程４７０は、さらに研磨面と超小型加工物との間に研磨液を配置すること（工程部分４７３）と、超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させること（工程部分４７４）と、を含む。工程部分４７５では、電流を電極と超小型加工物に流して、超小型加工物が研磨面に接触している間、超小型加工物から材料を除去する。工程部分４７６では、研磨液の少なくとも一部を、研磨面の少なくとも一つの凹部に流し、そのため、超小型加工物と超小型加工物に面する凹部の面との間には研磨液内に空隙が配置される。
【００２９】
図１〜図４を参照して上述した構成の一つの特徴は、加工物１１６から材料を除去する全体的な速度（上記式１で定義）に対する直接的な電解研磨の寄与を、電気化学的機械的研磨によって除去される材料の量と比較して減じることができることである。この構成の利点は、その結果、加工物面１１７の仕上がりが、他よりも平滑であることである。特に、直接的な電解研磨は、加工物１１６から金属イオンの不均一な除去をもたらすことがある。直接的な電解研磨によって除去される材料の相対量を減じることにより、この影響を減少または排除することができる。したがって、材料除去処理後の加工物１１６の品質を、既存の処理と比べたとき、改善することができる。例えば、加工物面１１７の平面性を向上させることができる。この特徴の利点は、加工物面１１７上またはその内部に、極めて小さな構造をより確実かつ正確に形成することができることであり、このことは加工物１１６から形成される電子部品の品質および信頼性を改善する。
【００３０】
上記から、本発明の特定の実施形態が、ここでは説明のために記載されてきたが、種々の変更を本発明の精神と範囲から逸脱することなしに行うことができることが理解されよう。例えば、図２に示したような隣接した電極が、電源１０６の同極に接続されていてもよい。電極は、例えば、処理される加工物１１６の特徴に応じて、図２および図３に示した形状および配向と異なる形状および配向を有していてもよい。したがって、本発明は、特許請求の範囲を除いて限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態による電気化学的機械的研磨技術を用いて超小型加工物から材料を除去するためのシステムの概略側面図である。
【図２】本発明の実施形態による図１のシステムの超小型加工物を研磨中の概略側面図である。
【図３】本発明の実施形態により構成された研磨パッドおよび電極の概略平面図である。
【図４】本発明の実施形態による電気化学的機械的研磨によって加工物から材料を除去するフロー図である。
【符号の説明】
【００３２】
１００  システム
１０６  電源
１１２  電極
１１４  研磨パッド
１１６  超小型加工物
１１７  加工物面
１１８  支持部材
１３０  研磨面
１４０  電極面
１５０  チャンネル
１５３  空隙
１６０  研磨液
３５０ａ，３５０ｂ  チャンネル
【図１】
2007522952.tif 000003
【図２】
2007522952.tif 000004
【図３】
2007522952.tif 000005
【図４】
2007522952.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型加工物から材料を除去するための方法であって、
超小型加工物を研磨媒体の研磨面に接触させる工程と、
超小型加工物を、超小型加工物から離間した第１および第２の電極と、電気的な連絡状態にする工程と、
研磨面と超小型加工物との間に研磨液を配置する工程と、
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させる工程と、
電極と超小型加工物に電流を流して、超小型加工物が研磨面に接触している間、超小型加工物から材料を除去する工程と、
研磨液の少なくとも一部を、研磨面の少なくとも一つの凹部に通して、研磨液内に空隙を形成して、空隙を、少なくとも部分的に凹部、および超小型加工物と超小型加工物に面する凹部の面との間、に配置する工程と、
研磨液内の空隙の形成を制御して、望ましい電解研磨速度を達成する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させる工程は、超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
超小型加工物から材料を除去する工程は、
（ａ）電気化学的機械的研磨によって少なくとも材料の第１の部分を除去する工程と、
（ｂ）直接的な電解研磨によって材料を除去しないか、または、直接的な電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記凹部の面は、少なくとも一つの電極の面を含み、
研磨液の少なくとも一部を凹部に通す工程は、凹部に研磨液を通す工程を含み、少なくとも一つの電極の面と少なくとも一つの電極の面に面する超小型加工物の面との間には、研磨液内に空隙が位置することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、研磨面を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１０ｒｐｍから約５００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約５０ｒｐｍから約２００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１００ｒｐｍ以上の速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
研磨液を配置する工程は、１分間当たり１リットル未満の流量で研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約０．５ｍｍから約１０ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、研磨面に接触している超小型加工物の面と一般的に平行に約０．３７５インチの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
研磨液を配置する工程は、ＴＭＡＨを有する研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に流す工程は、交差状の多数の凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
超小型加工物を研磨面に接触させる工程は、超小型加工物の下方に面する面を、上方に面する研磨面と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
超小型加工物から材料を除去するための方法であって、
超小型加工物を研磨媒体の研磨面に接触させる工程と、
超小型加工物を、超小型加工物から離間した第１および第２の電極と、電気的な連絡状態にする工程と、
研磨面と超小型加工物との間に研磨液を配置する工程と、
第１の電極から超小型加工物を通して第２の電極へ電流を流して、超小型加工物が研磨面に接触している間、超小型加工物から材料を除去する工程と、
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して回転させる工程と、
研磨液の少なくとも一部を、研磨面の凹部に通して、研磨液内に空隙を形成して、空隙を、少なくとも部分的に凹部、および超小型加工物と凹部内に位置する第１および第２の電極の面との間、に配置する工程と、
研磨液内の空隙の形成を制御して、望ましい電解研磨速度を達成する工程と、を含み、
前記空隙は、第１および第２の電極の面と第１および第２の電極の面に面する超小型加工物の面との間で、研磨液の容積内に不連続性を付与することを特徴とする方法。
【請求項１８】
超小型加工物から材料を除去する工程は、
（ａ）電気化学的機械的研磨によって材料の少なくとも第１の部分を除去する工程と、
（ｂ）直接的な電解研磨によって材料を除去しないか、または、直接的な電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
研磨液を配置する工程は、１分間当たり１リットル未満の流量で研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に通す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を流す工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
研磨液を配置する工程は、ＴＭＡＨを有する研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
研磨液の少なくとも一部を凹部に通す工程は、交差状の多数の凹部に、研磨液の少なくとも一部を通す工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
超小型加工物を研磨面に接触させる工程は、超小型加工物の下方に面する面を、上方に面する研磨面と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
超小型加工物から材料を除去するための方法であって、
超小型加工物の面を研磨パッドの研磨面に接触させて配置する工程と、
研磨液を超小型加工物の面に接触させて配置する工程と、
第１および第２の電極の少なくとも一方が超小型加工物から離間しており、研磨液および超小型加工物の面を通って、第１および第２の電極の間に電流を通す工程と、
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を他方に対して移動させる工程と、
超小型加工物と少なくとも一つの電極との間に配置されるが超小型加工物と研磨面との間に直接的に配置されない、研磨液の量を制御することによって、電解研磨および電気化学的機械的研磨により超小型加工物から除去される材料の相対量を制御する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２６】
超小型加工物から除去される材料の相対量を制御する工程は、研磨液の少なくとも一部を、研磨面の凹部に差し向けて、超小型加工物と凹部内に位置する第１および第２の電極の面との間で、研磨液内に空隙を配置する工程を含み、
前記空隙は、第１および第２の電極の面と第１および第２の電極の面に面する超小型加工物の面との間で、研磨液の容積内に不連続性を付与することを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
超小型加工物から除去される材料の相対量を制御する工程は、
（ａ）電気化学的機械的研磨によって材料の少なくとも第１の部分を除去する工程と、
（ｂ）直接的な電解研磨によって材料を除去しないか、または、直接的な電解研磨によって第１の部分よりも少ない第２の部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
超小型加工物と研磨面の少なくとも一方を移動させる工程は、約１０ｒｐｍから約１００ｒｐｍの速度で超小型加工物を回転させる工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
研磨液を配置する工程は、１分間当たり１リットル未満の流量で研磨液を配置する工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
研磨液の少なくとも一部を少なくとも一つの凹部に通す工程は、超小型加工物と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有する凹部に、研磨液の少なくとも一部を通す工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
超小型加工物の面を研磨面に接触させて配置する工程は、超小型加工物の下方に面する面を、上方に面する研磨面と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
超小型加工物から材料を除去するための装置であって、
超小型加工物を研磨位置で解放可能に担持するように構成された支持部材と、
超小型加工物が支持部材に担持されたとき少なくとも一方が超小型加工物から離間し、超小型加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物に電流を導くように配置された第１および第２の電極と、
少なくとも一つの電極と支持部材との間に配置された研磨媒体と、を含み、
研磨媒体と支持部材の少なくとも一方が他方に対して移動可能であり、
研磨媒体が、研磨面を有し、
研磨面が、研磨液を受け入れるために配置された少なくとも一つの凹部を有し、
少なくとも一つの凹部が、支持部材に面し且つ研磨面から離間した凹部面を有し、研磨位置と凹部面との間で凹部内の研磨液に空隙を形成させることを特徴とする装置。
【請求項３３】
さらに、超小型加工物を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
さらに、研磨液を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３５】
少なくとも一つの凹部が、交差状の多数の凹部を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３６】
少なくとも一つの凹部は、第２の凹部に対して横切るように配向された第１の凹部を有する交差状の多数の凹部を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３７】
超小型加工物が支持部材に担持されたとき、第１および第２の電極が超小型加工物から離間されることを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３８】
少なくとも一つの凹部は、研磨面と一般的に垂直に約０．５ｍｍから約１０ｍｍの寸法を有することを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項３９】
少なくとも一つの凹部は、研磨面と一般的に垂直に約２ｍｍから約４ｍｍの寸法を有することを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４０】
凹部面は、少なくとも一つの電極の面を含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４１】
研磨面は、上方に面していることを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４２】
第１および第２の電極に接続された電源をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４３】
超小型加工物から材料を除去するための装置であって、
超小型加工物を担持するための支持手段と、
超小型加工物から材料を除去するための材料除去手段と、を含み、
材料除去手段は、研磨面と、支持手段が超小型加工物を担持したとき、少なくとも一方が超小型加工物から離間した第１および第２の電極と、を含み、
材料除去手段は、超小型加工物と少なくとも一つの電極との間に配置されるが超小型加工物と研磨面との間に直接的に配置されない、研磨液の量を制御することによって、電解研磨および電気化学的機械的研磨により超小型加工物から除去される材料の相対量を制御するための制御手段をさらに含む、ことを特徴とする装置。
【請求項４４】
材料除去手段は、研磨面を有する研磨パッドを含み、
制御手段は、研磨面に少なくとも一つの凹部を形成する面を含むことを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４５】
材料除去手段は、研磨面を有する研磨パッドを含み、
制御手段は、研磨面に少なくとも一つの凹部を形成する面を含み、
さらに、少なくとも一つの凹部が、少なくとも一つの電極の面に露出していることを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４６】
材料除去手段は、研磨面を有する研磨パッドを含み、
制御手段は、研磨面に交差状の多数の凹部を形成する面を含み、
さらに、凹部の少なくともいくつかが、少なくとも一つの電極の面に露出していることを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４７】
超小型加工物から材料を除去するための装置であって、
超小型加工物を研磨位置で解放可能に担持し且つ回転させるように構成された支持部材と、
超小型加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物から離間し、超小型加工物が支持部材に担持されたとき超小型加工物に電流を導くように支持部材に近接して配置された第１および第２の電極と、
電極と支持部材との間に配置された研磨パッド材料と、を含み、
研磨パッド材料は、多数の第１の凹部と第１の凹部に交差する多数の第２の凹部とを有する研磨面を備え、
第１および第２の凹部は、支持部材に面する第１および第２の電極の面を露出させるように研磨パッド材料に広がり、
第１および第２の凹部は、研磨位置と第１および第２の電極の面との間で空隙を形成する研磨液を受け入れるように配置されたことを特徴とする装置。
【請求項４８】
第１および第２の凹部は、一般に互いに横断することを特徴とする請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
凹部は、少なくとも２ｍｍから約４ｍｍの深さを有することを特徴とする請求項４７に記載の装置。
【国際調査報告】
2007522952.tif 000007
2007522952.tif 000008