(57)【要約】  ＬＴＣＣ構造に実現された平衡不平衡変成器をデュプレクサのマイクロ波セラミック体に、デュプレクサの全体構造高さが増大しないように組み込むことが提案される。このためにセラミック体の高さがＲＸフィルタの領域で、ＬＴＣＣ平衡不平衡変成器の高さに相応するレベルに低減される。ＴＸフィルタの特性は変化せずに、コンパクトな構成素子が得られ、この構成素子はＲＸ経路に対する容積を拡大することなしに対称性の出力信号を送出することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＸフィルタと、ＴＸフィルタと、分離線路および／または遅延線路を有するデュプレクサであって、
・前記２つのフィルタは共通のセラミック体にマイクロ波共振器として、貫通する内部金属化孔部の形態で構成されており、
・該セラミック体は、端面に切欠部および下面に凹部が設けられており、十分に閉じた外側金属化部を有し、
・下面に敷設されたＲＸフィルタの出力端は平衡不平衡変成器と接続されており、該平衡不平衡変成器はＬＴＣＣセラミックに実現されており、ＲＸフィルタの下方に配置されており、
セラミック体はＲＸフィルタの領域で、ＴＸフィルタよりも小さい高さを有する、ことを特徴とするデュプレクサ。
【請求項２】
請求項１記載のデュプレクサであって、
セラミック体はＲＸフィルタの下方に切欠部を有し、前記平衡不平衡変成器は該切欠部に配置されているデュプレクサ。
【請求項３】
請求項２記載のデュプレクサであって、
前記切欠部の高さは近似的に平衡不平衡変成器の高さに相応し、これによりデュプレクサは平衡不平衡変成器と共に均一の構造高さを有するデュプレクサ。
【請求項４】
請求項２または３記載のデュプレクサであって、
切欠部は平衡不平衡変成器と共に、セラミック体の金属化されていない端面の領域に配置されており、
ＲＸフィルタは、前記端面に対向する側で元々の、ＴＸフィルタに相応する構造高さを有するデュプレクサ。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項記載のデュプレクサであって、
ＲＸフィルタとＴＸフィルタとの間には内側金属化孔部が配置されており、該内側金属化孔部は一方の端部で外側金属化部と、他方の端部でアンテナ端子と導電的に接続されているデュプレクサ。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項記載のデュプレクサであって、
各フィルタは２つのマイクロ波共振器を有し、それらの間にそれぞれ少なくとも１つの分離共振器を有するデュプレクサ。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項記載のデュプレクサであって、
平衡不平衡変成器はセラミック体とハンダ付けされており、かつデュプレクサの端子の少なくとも１つの導電接続されているデュプレクサ。
【請求項８】
請求項１から６までのいずれか一項記載のデュプレクサであって、
平衡不平衡変成器はセラミック体と導電接着剤によって接着されており、これにより平衡不平衡変成器はデュプレクサの端子の少なくとも１つの導電接続されているデュプレクサ。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項記載のデュプレクサであって、
平衡不平衡変成器の高さは０．３から０．４ｍｍであり、この高さはＲＸフィルタとＴＸフィルタとの間の高低差に相当するデュプレクサ。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか一項記載のデュプレクサであって、
デュプレクサの端面と下面との間のエッジはステップまたは斜面を有し、デュプレクサに対する端子面は前記ステップまたは斜面の上に伸長しているデュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
デュプレクサは、データ伝送システムの所定の周波数帯域にある受信信号と送信信号を分離するための周波数分割回路であり、ここでデータ伝送は両方向で１つの共通のアンテナを介して行なわれる。デュプレクサは各信号経路に、バンドパスフィルタ、例えば音響波により動作するフィルタ、または電気的および機械的に相互に接続された複数の誘電共振器からなるフィルタを有する。ここでデュプレクサは、経路が交互に影響せず、例えば送信信号（ＴＸ信号）が受信経路（ＲＸ経路）に入力結合されないことを保証する。
【０００２】
公知のマイクロ波セラミックフィルタは少なくとも１つの共振器を有し、この共振器は誘電セラミック基本体に形成されている。このために基本体は少なくとも１つの孔部を有し、その内壁は金属化されている。セラミック基本体の外壁も端面を除去することにより金属化されており、金属化されていない端面に対向する短絡側では金属化された孔部と接触接続している。外側金属化部から電気的に絶縁されて、下面または側面には電気端子面が配置されており、この電気端子面は金属化孔部への直接的または間接的容量性結合のために用いられる。この金属化孔部が本来の共振器である。
【０００３】
マイクロ波セラミックフィルタの利点は、これが比較的簡単に設計でき、安価に製造できることである。さらにマイクロ波セラミックフィルタは小さな挿入減衰度を有する。
【０００４】
ＵＳ５６８６８７３からモノリシックデュプレクサが公知である。そこにはただ１つのセラミック体が設けられており、このセラミック体にはそれぞれ結合された複数の共振器からなる送信経路（ＴＸ経路）と受信経路（ＲＸ経路）が配置されている。このようなモノリシックデュプレクサの利点は、製造の点にある。製造の際にセラミック体だけを１つにプレスすれば良く、このことは２つのセラミック体を作製する場合よりも製造を格段に簡素化する。
【０００５】
公知のマイクロ波セラミックフィルタでは、ＲＸ経路とＴＸ／ＲＸスイッチ経路の個々の信号経路が非平衡に構成されており、従って各入力端および出力端はシングルエンド形に構成されている。しかしチップ製造業者および電話製造業者の側からは、ＲＸ経路を将来のＵＭＴＳシステムのためにすでにデュプレクサから平衡に構成すべきであるという要求がある。このような対称出力のためには２つの端子が必要であり、これらの端から反対の極性の信号、すなわち理想的には１８０°位相のずれた信号を取り出すことができる。このような平衡型出力はとりわけ簡単に、ＲＸ信号に対する現在の増幅器に供給することができる。
【０００６】
しかし平衡型出力信号は、構成素子を拡大し、付加的孔部を設けなければマイクロ波セラミックデュプレクサから送出することができない。通常、このことは外部の平衡不平衡変成器を必要とし、一方、ＳＡＷフィルタおよびＳＡＷデュプレクサのような別のフィルタ技術は平衡不平衡機能をフィルタ構造に組み込んで含むことができる。
【０００７】
マイクロ波セラミックデュプレクサは、ＳＡＷフィルタよりも大きな構造である場合、ＳＡＷフィルタに対して非常に小さな挿入減衰度と、良好な電気的および音響的適合度を有する。減衰度が小さいことは、とりわけＵＭＴＳシステムに対して、音響の動作持続時間の延長の点で特に興味がある。ＭＷＫデュプレクサと別個の平衡不平衡変成器を組み合わせることにより、基板はさらに大きな基本面積を必要とするか、または平衡不平衡変成器なしの現在のＭＷＫデュプレクサに指向され構成部材許容全高を越えることになる。しかしデュプレクサの構造高さを相応に低減することは、性能を甚だしく損ない、とりわけ２つの経路での挿入減衰度が上昇する結果となる。
【０００８】
本発明の課題は、平衡不平衡機能を備えるデュプレクサを提供することであり、このデュプレクサは、平衡不平衡変成器を備えないデュプレクサと同じ基本面積であっても低い構造高さを以て構成できるようにする。
【０００９】
この課題は本発明により、請求項１によるデュプレクサによって解決される。従属請求項には本発明の有利な実施形態が示されている。
【００１０】
本発明は、変更されないＲＸフィルタ（入力フィルタ）と、ＴＸフィルタ（出力フィルタ）と、２つのフィルタ間に接続された線路を有するデュプレクサを提案する。この線路は入力結合線路ないしは遅延線路、またはその２つとすることができる。２つのフィルタは共通のセラミック体にマイクロ波共振器として、貫通する内部金属化孔部の形態で構成されている。接触接続するために、例えば端面に切欠部および下面に凹部を設けることにより、セラミック体は十分に閉じた外側金属化部を有し、この外側金属化部は開放した端面に対向する短絡側で金属化孔部と導電接続する。
【００１１】
ＲＸフィルタの領域にセラミック体は、ＴＸフィルタの領域よりも低い構造高さを有し、そこで平衡不平衡変成器と固定的に接続されている。これにより有利には、ＲＸフィルタと平衡不平衡変成器からなる全体構造高さがＴＸフィルタの構造高さとほぼ同じになる。このようにしてデュプレクサが、平衡不平衡編成機能を有するただ１つの構成素子の形態で得られる。デュプレクサはコンパクトな構造形態を有し、その外寸は平衡不平衡変成器を備えない公知のモノリシックデュプレクサに対して有利には大きくなっていない。デュプレクサのＲＸ出力端は平衡不平衡変成器と接続されており、この平衡不平衡変成器は対称性信号を形成するために２つのＲＸ出力端を有する。
【００１２】
本発明は、平衡不平衡変成器を備えておらず、元の構造高さが仕様限界に対して大きな安全間隔を有するマイクロ波セラミックフィルタの挿入減衰度が小さいという利点を利用する。従ってＲＸフィルタの構造高さを低減することができ、これにより挿入減衰度が悪化しても、通信システムに対して要求される仕様を満たすのにはまだ十分である。ＲＸフィルタの構造高さだけが低減されるので、ＴＸフィルタは変更されず、不変の良好な挿入減衰度を有する。
【００１３】
平衡不平衡変成器はＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）で実現され、従って０．３から０．４ｍｍの非常に小さな構造高さを実現することができる。そのためには例えば５つの誘電セラミック層で十分である。このようなそれ自体公知の平衡不平衡変成器（例えば共平面構造のマルヒャント型平衡不平衡変成器）は、ＲＸフィルタに対して必要な面積よりも小さい基本面積により実現することができる。
【００１４】
これは本発明により、デュプレクサで使用することができ、デュプレクサは１．３から２．５ｍｍの低減されない構造高さを有する。ＲＸフィルタの領域でセラミック体の高さは、平衡不平衡変成器に対して必要な０．３〜０．４ｍｍに０．９〜２．２ｍｍから低減される。
【００１５】
有利には平衡不平衡変成器は、ＲＸフィルタ領域でデュプレクサの下面の切欠部に配置される。ここで切欠部の深さは平衡不平衡変成器の高さに近似的に相応し、これにより角柱形状の構造と均一の構造高さを備えるコンパクトなデュプレクサが得られる。平衡不平衡変成器はセラミック体と固定的に結合されており、従ってデュプレクサは一体的構成要素として取り扱うことができる。
【００１６】
しかし基本面積がさらに小さい平衡不平衡変成器を使用することも可能であり、ＲＸフィルタの下面の切欠部は金属化部の設けられていない端面の近傍に有利には配置される。共振器孔部に外側金属化部が設けられている短絡側に、ＲＸフィルタは元々の構造高さを有する。この構成の利点は、Ｑの損失が小さく、ＲＸ経路の電気特性が近似的に維持されることである。
【００１７】
セラミック体の下面に平衡不平衡変成器を配置することの利点は、この平衡不平衡変成器をＲＸフィルタの同様に下にある端子面と、とりわけＲＸ出力端と簡単に接続できることである。平衡不平衡変成器の出力端も同様に、デュプレクサの下面で使用することができる。ここでは２つの端子面を、平衡不平衡変成器の対称性出力に対して下面で所望の個所に移すことができ、その際にフィルタ構造に介入する必要はない。
【００１８】
平衡不平衡変成器とセラミック体との間の接続はハンダ付けまたは接着により行なうことができる。両方の場合でＲＸフィルタの端子面と平衡不平衡変成器との間の電気接続も同時に行なわれる。このために、ＲＸ出力端に対する端子面との電気的および機械的接続、および平衡不平衡変成器とデュプレクサの構造に応じて、外側金属化部との電気的および機械的接続が必要である。この接続は接着の場合には、導電性接着剤により形成することができる。両方の固定技術によって、セラミック体と平衡不平衡変成器とを十分に強固に結合することができ、これによりデュプレクサ全体を安全に取り扱うことができる。
【００１９】
ＲＸフィルタおよびＴＸ／ＲＸスイッチフィルタのそれぞれ１つは少なくとも２つの共振器孔部を有し、これら共振器孔部は孔部の全長にわたって、変化するおよび／または相互にずらされた横断面および／または横断形状を有する。横断面は例えば短絡側では円形とすることができ、これに対して端面近傍の他方の側では矩形とすることができる。
【００２０】
ここで、結合構造体として構成された金属構造体（これは有利にはセラミック体の下面に配置されている）は、１つまたは複数の共振器孔部へのキャパシタを形成する。このことは、結合構造体として使用される金属面または金属構造体が共振器孔部の近傍に配置されているが、共振器孔部に対して所定の間隔で、これに対して電気的に分離されて構成されていることを意味する。
【００２１】
結合された少なくとも２つの共振器はフィルタの通過帯域を規定する。通過帯域エッジの調整は付加的な結合孔部により達成することができる。この付加的な結合孔部は、これにより付加的な極位置が通過帯域エッジに形成されるように配向される。極位置またはノッチの正確な位置決めは、結合共振器の内部幾何形状を変化することにより達成される。この内部幾何形状は、フィルタを形成する孔部への間隔が比較的小さくなるように、または比較的大きくなるように変化される。ＲＸフィルタに対する結合孔部は、金属化されていない端面では共振器に対して比較的小さな間隔を、しかし短絡側では比較的大きな間隔を有する。この関係はＴＸフィルタでは通常、反対になる。このことは孔部の全長にわたって、結合孔部の横断面を変化し、ずらすことにより達成される。
【００２２】
結合キャパシタを形成する端子面に加えて、この実施例ではただ１つの基本体に構成されたデュプレクサに付加的な構造体を、２つのフィルタ（送信フィルタと受信フィルタ）の分離のために設けることができる。この金属分離構造体も、前記の結合構造体と同じように、端面における金属化凹部として構成することができる。この金属分離構造体は電気的に絶縁することも、または２つのフィルタの一方の金属化孔部（共振器孔部）と接続することもできる。分離構造体は、フィルタの入力インピーダンスを調整し、これにより位相状態が適切に変化され、２つの経路が分離されるようにするため用いられる。このことにより、受信経路と送信経路の信号が両方の通過領域において相互に影響することがなくなる。分離構造体は両方のフィルタに設けることができる。
【００２３】
本発明のフィルタの共振器孔部は通常、基本体の高さ全体にわたり延在するが、本発明の金属構造体に対する凹部は基本体の全体高さの約２から２０％の深さだけを有する。従って移動無線に対して使用されるＧＨｚ領域のデュプレクサは端面に金属化凹部を有し、この凹部は０．１から１ｍｍの深さを有する。端面における凹部の深さは結合キャパシタの空間的大きさを表す。この凹部の深さは本発明のフィルタで、結合キャパシタの大きさを調整するために簡単に利用することができる。凹部の深さを大きくすることにより比較的高いキャパシタンスが調整される。端面を基準にして必要面積が増減しない場合、凹部に配置された本発明の金属化部（金属構造体）は相応に比較的高いキャパシタンスを有するか、ないしは共振器孔部に対して相応に高いキャパシタンスを形成する。
【００２４】
ＲＸフィルタとＴＸフィルタをアンテナの入出力端で良好に分離するために、遅延線路を設けることができる。アンテナはＲＸフィルタの入力端とＴＸフィルタの出力端の両方と容量的に接続されているから、ＲＸフィルタとＴＸフィルタとが通過領域で相互に僅かしか影響し合わず、ＴＸ経路からＲＸフィルタへ阻止領域で入力結合する信号が個別フィルタの場合よりもさらに強く減衰されることが保証される。このような遅延線路は例えばアンテナ端子と外側金属化部との間の電気接続部とすることができ、この接続部は所望の位相回転に相応する適切な電気長を有する。
【００２５】
例えばこのような遅延線路を分離孔部の形態でセラミック体に、ＲＸフィルタとＴＸフィルタのそれぞれもっとも内側で相互に隣接する共振器間に設けることができる。この分離孔部は、一方の側では外側金属化部と、他方の側ではアンテナ入出力端に対する端子面と接続される。分離孔部と外側金属化部との接続は短絡側で行なうことができる。しかし短絡側の領域にある分離孔部に対して容量性端子面を設け、分離孔部の他方の側を、金属化部がほとんどない端面で外側金属化部と導電接続することも可能である。
【００２６】
別の構成では、本発明のデュプレクサが下面への端面のエッジに少なくとも１つの斜面を有するか、または付加的なステップの形態で下面に向かって下降することができる。この場合有利には、容量性端子面はこれがこの斜面またはステップの上に伸長するよう構成される。これにより端子面がセラミック体に良好に支持され、その結果、端子面に取り付けるべきハンダ接続も同様に強固にセラミック体に支持される。
【００２７】
以下では、本発明を実施例および付属の図面に基づき詳細に説明する。図面は、本発明のデュプレクサを種々異なる面から概略的に示すものである。本発明をよりよく理解するために、図面は縮尺通りではない。同一の部分または同様に作用する部分には同一の参照符号を付してある。
図１は、それ自体公知のデュプレクサを前方下方から見た斜視図である。
図２は、本発明のデュプレクサの正面図である。
図３は、本発明のデュプレクサの下面図である。
図４は、端子位置が変更された別のデュプレクサの下面図である。
図５は、小型化された平衡不平衡変成器を備えるデュプレクサの下面図である。
図６は、延長されたアンテナ端子を備えるデュプレクサの下面図である。
図７は、斜面を有するデュプレクサの斜視図である。
図８は、ステップを有するデュプレクサの斜視図である。
【００２８】
図１は、それ自体公知のモノリシックデュプレクサを示し、これはマイクロ波共振器の形態で共通のセラミック体に実現されている。セラミック体は共通の本体を貫通する孔部を有し、この孔部の内側は金属化されている。図示の構成では、３つの孔部ＲＴがＴＸフィルタを形成し、３つの孔部ＲＲがＲＸフィルタを形成する。孔部は、セラミック体の非金属化端面で合流する。セラミック体の下面には金属化された端子面が形成されており、この端子面は金属化孔部により実現された共振器ＲＴ，ＲＲと容量的に結合することができ、その際に端子面は共振器とは導電的に接続されない。デュプレクサに対しては全部で３つの容量性結合される電気端子面が設けられているだけである。これらは、ＴＸ分岐路の入力端ＴＸ−ＩＮに対する端子面、ＲＸ分岐路の出力端ＲＸ−ＯＵＴに対する端子面、そしてアンテナに対する端子面ＡＮＴである。アンテナに対する端子面ＡＮＴは同時に、ＲＸ分岐路の入力端およびＴＸ分岐路の出力端に相応する。絶縁領域ＩＢにより端子面から分離されて、端面に切欠部を備えるセラミック体のすべての表面には外側金属化部ＡＭが取り付けられている。この外側金属化部は短絡側で金属化孔部と導電接続している。ここで下面への端面のエッジには付加的ステップが形成されている。３つすべての端子面の金属化部はこのステップの上に導かれている端子面ＴＸ−ＩＮとＲＸ−ＯＵＴに対する金属化部はさらに、側方の１つのエッジの周囲でそれぞれ側面へ回り込んでいる。このことはまた端子面の付着性を改善し、これによりデュプレクサを択一的にまたは付加的に一方の側からハンダ付けし、電気接続することができる。ＲＸフィルタの通過帯域はＴＸフィルタの通過帯域よりも比較的に高い周波数にあるから、セラミック体はＲＸフィルタの領域で一般的に比較的短く構成されているが、孔部を相応に構成することにより同じ長さにすることもできる。これに対して個別フィルタの幅と高さはデュプレクサにおいて均一である。
【００２９】
図２は、本発明のデュプレクサを端面への正面図に示す。ここでも共通のセラミック体が存在しており、このセラミック体の中にＴＸフィルタの共振器に対する内側金属化孔部ＲＴと、ＲＸフィルタの共振器に対する孔部ＲＲが形成されている。図で左に配置されたＲＸフィルタの領域では、高さｈＲが高さｈＴに対して低減されている。この領域は切欠部であり、ここに平衡不平衡変成器ＢＮが配置されている。この平衡不平衡変成器はＬＴＣＣセラミックに実現されており、構造高さｈＢを有する。この構造高さｈＢは有利には切欠部の深さに相当する。従って：ｈＴ＝ｈＲ＋ｈＢが当てはまる。有利には切欠部の面積は、これが平衡不平衡変成器を完全に収容するように構成されている。
【００３０】
平衡不平衡変成器は最上位の誘電層に電気接点を有する。この電気接点は、セラミック体ないしはＲＸフィルタの容量性端子面ＲＸ−ＯＵＴｓと合同に配置される。平衡不平衡変成器の上側にある別の接触面は、デュプレクサの外側金属化部ＡＭへの接点であり、この外側金属化部は回路環境では通常、アースと接続される。下面に平衡不平衡変成器ＢＮは２つの電気出力端ＲＸ−ＯＵＴｂを有する。これらの出力端はＴＸフィルタの入力端ＴＸ−ＩＮと有利には同じ高さに配置されている。別の構成で図２に示したデュプレクサはさらに分離孔部ＥＢを有する。この分離孔部はすでに上に述べたように、一方の側で外側金属化部ＡＭと、他方の側でアンテナＡＮＴに対する端子と接続されている。
【００３１】
図３は、本発明のデュプレクサを下方から示すものであり、とりわけそこに設けられたデュプレクサの電気端子面の位置を示す。平衡不平衡変成器ＢＮは、ＲＸフィルタの全長ＬＲにわたって伸長しており、切欠部に完全に適合する。図示の実施例では、平衡不平衡変成器の出力端ＲＸ−ＯＵＴｂは同時に本発明の構成素子のＲＸ出力端であり、これは端面へのエッジの近傍、またはこれに直接続いて配置されている。同様に側面へのエッジ周囲の近傍に、またはこれに直接隣接して、ＴＸフィルタの入力端ＴＸ−ＩＮが設けられている。アンテナＡＮＴはこの実施例では、デュプレクサの端面に対向する裏側へのエッジの近傍に、またはこれに直接隣接して配置されている。平衡不平衡変成器ＢＮの他の表面には、（普通に見て）最下位の誘電層の表面がある。この誘電層の表面は部分的に金属化されているが、出力端ＲＸ−ＯＵＴｂからは絶縁されている。これはデュプレクサが通常はハンダ付けされているボードへの電気的ないし機械的に良好な接続を得るためである。平衡不平衡変成器により覆われていない、セラミック体の残りの下面にはデュプレクサの外側金属化部が配置されており、この金属化部は絶縁領域ＩＢを介して容量性端子面ＴＸ−ＩＮおよびＡＮＴから導電分離されている。
【００３２】
図４は、平衡不平衡変成器ＢＮの出力端ＲＸ−ＯＵＴｂの異なる配置を示す。２つの端子面は、下面と左端面との間のエッジに直接隣接するか、またはその近傍に配置されている。アンテナとＴＸ−ＩＮに対する端子面ＡＮＴは図３の実施例に対して変更されていない。
【００３３】
図６は、端子面の位置の変形実施例を示す。ここでは図４に対して、アンテナに対する端子面ＡＮＴだけが変更されており、端面と下面との間のエッジの領域に配置されている。
【００３４】
図５は、比較的小さな基本面積を備える平衡不平衡変成器ＢＮを有する本発明の別の構成を示す。この平衡不平衡変成器は長さＬＢを有し、こればＲＸフィルタの長さＬＲよりも小さい。平衡不平衡変成器は端面に直接隣接して配置されている。これによりセラミック体の高さｈＲは、ＲＸフィルタの短絡側の領域では元の高さと同じであり、かつＴＸフィルタの領域でセラミック体の高さｈＴと同じである：ｈＴ＝ｈＲ。小型化された平衡不平衡変成器を有するデュプレクサ、ないしはフィルタの短絡側ではセラミック体の高さが変化しない（ｈＲ＝ｈＴ）デュプレクサは、図３，４および６の実施例よりもＲＸフィルタに対して改善された電気値を有する。
【００３５】
もちろん端子ＲＸ−ＯＵＴおよびＴＸ−ＩＮも図１から６に示す実施例に対してミラー対称にすることも、またはまったく別に配置することもできる。同じことがアンテナ端子Ａｎｔの位置に対しても当てはまる。
【００３６】
図７は、端面ＳＦと下面との間のエッジ領域で別の構成を有する本発明のデュプレクサを一部切り抜いて示す。そこでは元は直角のエッジが斜面Ｆにより置換されており、そこでセラミック体は斜めに切断されている。有利にはフィルタに対する容量性端子面はセラミック体の下面から斜面Ｆの上まで伸長している。図７はさらに本発明の別の構成を示し、ここでは端子面ＡＦが側面ＳＥＦの部分にも伸長している。相応にして絶縁領域ＩＢも側面まで伸長しており、そこで端子面ＡＦと外側金属化部ＡＭを導電的に分離する。
【００３７】
図８は、本発明のデュプレクサのエッジ構成に対する別の実施例を示す。端面ＳＥＦと下面ＵＳとの間のエッジ領域で、セラミック体はステップＳを有する。有利には（図には外側だけが示されているが）全端子面ＡＦは、下面の上にも２つの端面の上にも延びている。これにより端子面の付着性が改善される。端子面は図示の端子面ＡＦに対してさらに端面ＳＦの部分へ回り込むことにより強化される。
【００３８】
セラミック体の外寸に組み込まれた平衡不平衡変成器を備える本発明のデュプレクサはＲＸ経路に、平衡不平衡変成器を備えないデュプレクサに対して高められた挿入減衰度を有するが、しかしこの挿入減衰度は例えばＦバーまたはＳＡＷフィルタによる同等の解決手段に等しいか、またはこれより小さい。ＴＸ経路の挿入減衰度は相変わらず有利には小さい。本発明は、対称性出力端ＲＸ−ＯＵＴｓを平衡不平衡変成器に、ＲＸフィルタには十分に依存しないで割り当てる手段を提供する。その際に、フィルタおよびひいてはデュプレクサの電気特性に影響を及ぼすことはない。有利にはデュプレクサの平面構造全体も、平衡不平衡変成器を備えない従来のデュプレクサに対して増大していない。この構成素子は一体型であり、小型であり、良好に取り扱うことができる。ＲＸ経路の出力端に平衡不平衡変成器を配置することにより、ＲＸフィルタの非対称出力をアンテナに対して簡単にインピーダンスマッチングすることができる。平衡不平衡変成器の出力端ＲＸ−ＯＵＴｂは５０Ω異なる値にマッチングすることができる。さらにデュプレクサのＲＸ−ＯＵＴと平衡不平衡変成器のＲＸ−ＩＮのマッチングは、２つの個別構成素子に対して有利な領域で任意に、例えば約５０Ωに選択することができる。さらにＲＸ経路の出力端にある平衡不平衡変成器は、３３ｄＢｍ以上の良好なデュプレクサの出力互換性を得る。
【００３９】
さらに平衡不平衡変成器のＬＴＣＣセラミックに別の機能および構成素子を組み込むこともできる。例えば別のＬＣ素子を、付加的極位置またはノッチの形成のために組み込むことができる。これにより所定の周波数をより良好に抑圧することができ、その際にこのことによって挿入減衰度が格段に増大したり、またはデュプレクサの外寸が拡大するようなことはない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、それ自体公知のデュプレクサを前方下方から見た斜視図である。
【図２】図２は、本発明のデュプレクサの正面図である。
【図３】図３は、本発明のデュプレクサの下面図である。
【図４】図４は、端子位置が変更された別のデュプレクサの下面図である。
【図５】図５は、小型化された平衡不平衡変成器を備えるデュプレクサの下面図である。
【図６】図６は、延長されたアンテナ端子を備えるデュプレクサの下面図である。
【図７】図７は、斜面を有するデュプレクサの斜視図である。
【図８】図８は、ステップを有するデュプレクサの斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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