(57)【要約】  例えばガラスまたは石英製の透明な機械的支持体（１０）と、単結晶半導体材料の膜または薄層（１４）と、当該薄層または半導体膜と当該支持体との間に位置する反射防止中間層（１２）とを有する複合基板。当該反射防止中間層の組成は、屈折率が変化するように、当該支持体（１０）と当該半導体膜（１４）との間において変化する。【選択図】図１
2007505771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明支持体（１０）、半導体材料薄膜（１４）、および当該透明支持体と当該半導体膜との間に埋設された少なくとも一つの反射防止薄層（１２）を有し、当該反射防止薄層の組成が、屈折率が変化するように、当該支持体（１０）と当該半導体膜（１４）との間において変化していることを特徴とする複合基板。
【請求項２】
前記膜（１４）を構成する半導体材料が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＩｎＮから選ばれる請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記反射防止薄層が、酸化物、窒化物、炭化物、または酸化物と窒化物の混合物を含む請求項１または２に記載の基板。
【請求項４】
前記反射防止薄層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素ＳｉＯxＮy、ＳｉＣxＮy、窒化ガリウムまたは窒化アルミニウムを含有する請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記反射防止薄層が、副層の積層体により形成され、各副層は、（ｎi+1×ｎi-1）1/2に近い屈折率ｎi（ここで、ｎi+1、ｎi-1は、問題とする副層のそれぞれの側にある材料の屈折率である）を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記反射防止薄膜が、支持体（１０）と接触するＳｉＯ2と、その次に、半導体層に近接してＳｉ3Ｎ4が形成されるまで連続的に窒素比率が増加する酸窒化ケイ素ＳｉＯxＮyとにより構成されている請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記反射防止薄膜が、支持体（１０）と接触するＳｉ3Ｎ4と、その次に、半導体層に近接してＳｉＣが形成されるまで窒素比率が連続的に減少し、炭素比率が連続的に増加するＳｉＣxＮyとにより構成されている請求項１に記載の基板。
【請求項８】
前記反射防止薄膜が、支持体（１０）と接触するＳｉＯ2と、その次に、半導体層に近接してＳｉＣが形成されるまで窒素比率が連続的に減少し、炭素比率が連続的に増加するＳｉＯxＮyとにより構成されている請求項１に記載の基板。
【請求項９】
前記反射防止薄層（１２）が、電気絶縁体である請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１０】
前記透明支持体（１０）が、ガラスまたは石英から形成され、前記半導体材料（１４）が、ガリウム砒素ＧａＡｓから形成されている請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１１】
前記透明支持体（１０）が、ガラスまたは石英から形成され、前記半導体材料（１４）が、シリコンＳｉから形成されている請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の複合基板、ならびに半導体材料層内および／または半導体材料層上に少なくとも部分的に形成された発光または光検出手段を有する発光または受光デバイス。
【請求項１３】
複合基板の製造方法であって、
当該基板は、透明支持体（１０）、半導体材料の薄層（１４）、および当該透明支持体と当該半導体膜との間に埋設された少なくとも一つの反射防止薄層（１２）を有し、
当該方法は、
当該透明支持体上または当該半導体材料基板上に少なくとも一つの反射防止薄層を作製する工程、
薄層が当該２つの間に位置するように当該透明支持体と当該半導体材料基板とを組み立てる工程、
半導体材料の基板を薄化する工程、
を含み、
当該反射防止薄層は、当該支持体（１０）と当該半導体膜（１４）との間において屈折率が変化するように変化する組成を有することを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記透明支持体と前記半導体材料基板が、モレキュラーボンディングによって組み立てられる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体基板を薄化する工程が、脆弱な層または領域（３２）を形成することにより行われる請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記脆弱な層または領域が、多孔質シリコン層を形成することにより作製される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記脆弱な層または領域が、半導体基板へのイオン注入により作製される請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
注入されるイオンが、水素イオン、または水素イオンとヘリウムイオンの混合物である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
薄化工程が、研磨またはエッチングにより達成される請求項１３または１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学および光電子工学分野に関する。
【０００２】
本発明はまた、マイクロエレクトロニクス分野および半導体分野にも応用可能である。
【０００３】
特に、本発明は、発光部品（発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）等）、または受光および／もしくは光検出部品（太陽電池、フォトダイオード等）に適用可能である。
【０００４】
本発明はまた、光を通すデバイスまたは部品、例えば、デバイスまたは部品によって、強度または偏光が意図的に変わるようなデバイスまたは部品に適用可能である。当該デバイスの例は、アクティブフィルター、有機ＬＥＤ用アクティブマトリクス、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用アクティブマトリクスである。
【背景技術】
【０００５】
上述の部品の大部分は、活性層は、半導体材料（Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等）で構成され、光を放出、受信または調整するよう設計されているのであるが、部品の光収率を最大化するために、ガラス、サファイアまたは石英などの透明基板上に作製されている。
【０００６】
一例として、ＯＬＥＤ（有機ＬＥＤ）に基づくフラットスクリーンの製造に用いられるアクティブマトリクスは、シリコン薄膜がその上に形成されているガラス基板から製造されており、当該薄膜は、通常は多結晶であり、まれに単結晶である。そして、ＬＥＤにより放射された光は、ガラス製の、または場合によっては石英製の機械的支持体を通過する。
【０００７】
別の例では、光が再び基板を通って抽出されるように、緑色または青色光を発するＬＥＤは、概して、サファイア基板上でエピタキシャル成長したＧａＮ薄層から製造される。
【０００８】
このような部品の設計者は、光損失を最小化するよう鋭意検討しており、そのようなものとして、特殊形状（表面テクスチャー化、ピラミッド型のＬＥＤ等）および／または部品を覆う反射防止被膜を生み出している。
【０００９】
ガラス、石英、程度は低いがサファイアなどの透明基板は、活性層を構成する半導体材料（ｎ≒３）よりも実質的に低い（ｎ＜１．８）屈折率を有する（５００ナノメーター（ｎｍ）の波長についての表１参照）。率ｎのこの差異は、透明な基板と半導体層との間の界面での反射による光損失の原因となる。屈折率ｎ1およびｎ2を有する２つの媒体の間の界面では、（垂直入射時の）反射係数は、次式により表される。
Ｒ＝（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2
【００１０】
従って、異なる屈折率を有する２つの材料の間の界面での反射損失は、屈折率の差の２乗に比例する。
【００１１】
【表１】
2007505771.tif 000003
【００１２】
一例として、シリコン／石英およびＧａＡｓ／ガラス界面では、反射による光損失がそれぞれ約１６％および１９％となる。
【００１３】
単に基板と半導体活性層との間の界面によるこれらの光損失に、基板／空気界面（構造体の底面、例：空気／ガラス：４％）および空気と半導体活性層との間の界面（構造体の上面、例：空気／Ｓｉ：３０％）で起こる損失が加わるはずである。
【００１４】
構造体の各面と空気との２つの界面には、部品製造プロセスの最後に反射防止処理を施すことができる。その一方、内部にある透明基板／半導体界面は、部品が製造されてしまう前にしか、すなわち、透明支持体に半導体薄層を付ける前、複合基板の作製時にしか改良ができない。
【００１５】
シリコン薄層を載せた、ガラスまたは石英などの透明基板を採用する用途での開発は、最初は、化学蒸着により得られる水素化アモルファスシリコンに基づき、次に、再結晶アモルファスシリコンより得られる多結晶シリコンに基づいている。
【００１６】
近年、単結晶シリコンに基づいた次世代の部品が開発されており、当該部品は、電子とホールのより良い移動性の利益を享受している。これら出現した商品に求められる要求を満たすために、透明支持体上に直接付けられた単結晶シリコン薄膜を有するＳＯＧ（シリコンオングラス）またはＳＯＱ（シリコンオンクオーツ）型構造などの新しい基板が出現している。場合により、これら２つの間にＳｉＯ2の中間層が介挿されてもよく、この場合には、ガラス／ＳｉＯ2／Ｓｉ構造が形成される。残念ながら、当該構造は、反射損失を低減していない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従って、現在直面している反射損失を低減可能な新規な構造体および対応する製造方法を見出すことが課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、例えばガラスまたは石英製の透明な機械的支持体、単結晶半導体材料の膜または薄層、および当該薄層または半導体膜と当該支持体との間に位置する中間層を有し、当該中間層が、当該支持体と当該半導体膜との間の光学経路上で、複合基板内における反射光損失を回避または制限するように選択された光学特性（厚さ、屈折率および吸収）を有する複合基板を提供する。
【００１９】
別の定義によれば、本発明はまた、透明支持体、薄層または半導体材料の薄膜、および当該透明支持体と当該薄膜または半導体薄膜との間に埋設された反射防止薄膜を有する複合基板を提供する。
【００２０】
半導体膜を構成する半導体材料は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＩｎＮから選択される。
【００２１】
反射防止薄膜は、酸化物、窒化物、もしくは炭化物、またはこれら３種の材料の混合物により構成されていてもよい。一例として、反射防止薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ガリウムまたは窒化アルミニウムを含有する。混合物については、反射防止層は例えば、酸窒化ケイ素ＳｉＯxＮyまたはＳｉＣxＮyを含有してもよい。当該混合物は、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）により薄膜の形態で堆積していてもよく、場合により水素化されていてもよい。
【００２２】
本発明によれば、反射防止薄層の組成は、表面と半導体膜との間において屈折率が変化するように、（段階的にまたは連続的に）変化している。
【００２３】
第一の実施態様では、複合基板中に埋設された反射防止薄層は、上記材料に基づく副層の積層体である。このとき、反射防止層の組成は、副層ごとに段階的に変化する。
【００２４】
好ましくは、各副層は、（ｎi+1×ｎi-1）1/2に近い屈折率ｎiを有する（ここで、ｎi+1、ｎi-1は、問題とする副層のそれぞれの側にある材料の屈折率である）。
【００２５】
第二の実施態様では、反射防止薄層は、基板と半導体膜との間において屈折率が変化するように、連続的に変化する組成の１またはそれ以上の副層により構成される。
【００２６】
一例として、反射防止薄膜は、基板と接触するＳｉＯ2と、その次に、半導体層に近接してＳｉ3Ｎ4が形成されるまで連続的に窒素比率が増加する酸窒化物ＳｉＯxＮyとにより構成されてもよい。
【００２７】
先述の薄層はまた、半導体層に近づくにつれ、（ｙが４／３から０まで減少して）窒素濃度が減少するにつれ徐々に増加する（ｘが０から１まで増加する）炭素濃度を有するＳｉＣxＮy膜と組み合わされていてもよい。当該組み合わせは、Ｓｉ3Ｎ4を介してＳｉＯ2とＳｉＣとの間で徐々に変化するため、約１．５から約２．６まで屈折率が連続的に変化する、埋設反射防止層の形成を可能にする。
【００２８】
反射防止薄層は電気絶縁体であってもよい。
【００２９】
本発明はまた、上述の複合基板と、半導体材料層内および／または半導体材料層上に少なくとも部分的に形成された発光または光検出手段とを有する発光または受光デバイスを提供する。特に、発光ダイオードに基づく発光デバイス、光検出器などの光センサーもしくは光検出デバイス、太陽電池、または画像投影のためのアクティブマトリクスの製造が可能である。
【００３０】
本発明はまた、複合基板の製造方法を提供するものであり、当該基板は、透明支持体と、半導体材料の薄膜と、当該透明支持体と当該半導体膜との間に埋設された少なくとも一つの反射防止薄層とを有し、当該方法は以下の工程を含む：
・透明支持体上または半導体材料基板上に少なくとも一つの反射防止薄層を製造する工程。当該反射防止薄層は、支持体と半導体膜との間において屈折率が変化するように変化する組成を有する。
・透明支持体と半導体材料基板とを薄層が当該２つの間に位置するように組み立てる工程。
・半導体材料基板を薄化する工程。
【００３１】
透明支持体と半導体材料基板は、例えば、モレキュラーボンディングにより一つに組み立てられる。
【００３２】
半導体基板を薄化する工程は、脆弱な層または領域を形成することにより、行ってもよい。
【００３３】
脆弱な層または領域は、例えば、多孔質シリコン層を形成することにより、または、水素イオン、水素イオンとヘリウムイオンの混合物などのイオンを注入することにより、半導体基板中に形成させてもよい。
【００３４】
薄化工程は、研磨またはエッチングにより行ってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１は、本発明の構造体の一例を示す。
【００３６】
まず、当該構造体は、好ましくはガラス、石英（溶融シリカ）またはサファイアで構成された透明支持体１０を有する。放射に対し透明であり、当該基板から製造される部品に使用可能な他のいかなる材料も、支持体となり得る。一例として、赤外線センサーが製造される場合、シリコン支持体が有利に使用できる。
【００３７】
半導体材料、好ましくは単結晶材料で形成された薄膜１４は、１またはそれ以上の反射防止薄層１２により、支持体と分離している。
【００３８】
膜１４を構成する半導体材料は、好ましくは、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＩｎＮから選択される。
【００３９】
中間反射防止層または中間反射防止層積層体１２は、好ましくは、埋設反射防止層上に載る半導体薄膜から部品を製造する方法に適合する材料により構成される。最も好ましくは、低温で不安定である材料、あるいは膜１４を拡散しうる金属を含有するおよび／または部品の機能を損なうもしくは不安定にする材料は、避ける。
【００４０】
中間反射防止層１２は、半導体膜１４と透明支持体１０との間で電気伝導路が形成されるのを回避するために、少なくとも一つの絶縁材料層より構成され、当該反射防止層は、ＳＯＩ型構造（セミコンダクターオンインシュレーター）と同じ利点の利益を得ることができ、特に、部品の低電力消費およびより良好な高周波（ＲＦ）性能の利益を得ることができる。
【００４１】
当該中間層１２は、好ましくは、酸化物、窒化物、または酸化物と窒化物の混合物により構成される。特に、当該中間層１２は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、もしくは窒化ガリウム、または酸窒化ケイ素ＳｉＯxＮy、ＳｉＣxＮyなどの混合体を含有してもよい。
【００４２】
当該中間層１２はまた、同じ材料または異なる材料から形成される複数の層を積層して得られるものであってもよく、当該層の光学特性（厚さ、吸収係数および屈折率）は、透明支持体１０と半導体膜１４との間の内部反射による光損失量を低減するような組み合わせにする。当該層１２はまた、基板１０と膜１４との間で徐々に屈折率が変化するように連続的に組成が変化する層により構成されてもよい。特に、当該層１２は、透明ガラスまたは石英支持体と接触するＳｉＯ2と、その次に、当該中間層の半導体膜に近接する最後の数ナノメーターのところにＳｉ3Ｎ4が形成されるまで徐々に窒素比率が増加する酸窒化物ＳｉＯxＮyとにより構成されてもよい。一方で、反射防止薄層は、支持体１０と接触するＳｉＯ2と、その次に、半導体層に近接してＳｉＣが形成されるまで、窒素比率が減少し、炭素比率が増加するＳｉＯxＮyとにより構成されてもよい。
【００４３】
別のバリエーションとして、当該層１２は、透明支持体と接触するＳｉ3Ｎ4と、その次に、半導体層に近接してＳｉＣが形成されるまで、窒素比率が減少し、炭素比率が増加するＳｉＯxＮyとにより構成されてもよい。
【００４４】
中間反射防止層１２の厚さ、または中間積層体を構成する各副層の厚さは、およそ、０．０５マイクロメーター（μｍ）から１μｍの範囲内である。厚みは、好ましくは、複合基板上に製造される部品により放出、捕捉または透過される平均波長の約４分の１に等しい（または４分の１波長の奇数である）。一例として、問題とする部品が、石英上に転写されたシリコンに基づく太陽電池であった場合、中間層１２の厚さは、０．５５μｍを中心にした太陽放射に対し最適化されるように、およそ０．１３μｍに設定する。
【００４５】
当該層または副層を構成する材料の屈折率は、好ましくは、ｎi≒（ｎi+1×ｎi-1）1/2に対応する値に近いものとする（ここで、ｎi+1、ｎi-1は、問題とする層のそれぞれの側にある材料の屈折率である）。
【００４６】
一例として、ガラス支持体（ｎ≒１．５）とＧａＡｓ膜（ｎ≒３．７）との間に挿入された中間層は、好ましくは、（１．５×３．７）1/2＝２．３に近い率を有する透明な材料により構成される。よって、窒化ケイ素が好適であり、ＧａＮ膜も好適となりうる。
【００４７】
別の例では、石英支持体とシリコン膜（ｎ≒３．４）との間に挿入される２層の積層体については、２つの連続する層の屈折率は、好ましくは、約１．９５（＝（１．５×２．６）1/2）および２．６（＝（１．９５×３．４）1/2）となるよう選択される。酸窒化ケイ素膜および水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）または水素化アモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）膜が好適である。
【００４８】
このように、埋設層を構成する材料の厚さおよび／または吸収係数および／または屈折率などの埋設層の光学特性は、複合基板内の反射損失を制限するように、選択または最適化することが好ましい。
【００４９】
図２に示されるように、一層またはそれ以上の層の積層体で構成される中間層１２は、透明支持体１０と半導体膜１４との間の「光学インピーダンス」と適合して、以下のようになる。
・層１４または層１４上に積層した他の層から放出された光２０は、複合基板を通過し、制限された反射損失を被る；従って、例えば、層１４からもしくは層１４内で製造された１もしくはそれ以上の発光ダイオードなどの手段または発光デバイスにより、放出された光の摘出が改善される；
・層１４または層１４上に積層した他の層に到達する光２２は、より良い効率で複合基板を透過する；従って、層１４内で製造された、１もしくはそれ以上の光検出器など、または１もしくはそれ以上の太陽電池などの、素子または光捕捉もしくは光検出手段の機能が改善される；
・光２４は、ほとんど損失がなく、一方の側から他方の側へ複合基板を透過する；従って、画像投影のためのアクティブマトリクスなどの、層１４内に製造される部品または手段が改善される。
【００５０】
本発明のデバイスを作成するための技術には、好ましくは、１つは透明でもう１つは半導体である２つの基板または支持体を１つに組み立てる工程、および半導体材料基板を薄化する工程を採用する。中間反射防止層を、透明支持体上および／または半導体材料表面上に組み立てる工程の前に形成してもよい。
【００５１】
図３Ａに示された特定の実施態様では、原子またはイオン注入が、半導体基板３０に行われており（例えば図３Ａ参照）、基板３０の表面３１と実質的に平行に伸びる薄層３２が形成されている。実際に、脆弱な層もしくは領域または分割領域が、形成されており、当該層または領域は、薄層を構成することを意図した基板の体積の領域３５、および基板３０の大部分を構成する領域３３の範囲を定めている。当該注入は、通常、水素注入であるが、他の種を使用して行ってもよく、Ｈ／Ｈｅ共注入により行ってもよい。
【００５２】
次に、その上に１つの反射防止層（図３Ｂ）またはいくつかの反射防止層（図３Ｃ）３６、３８が形成されている基板３０は、その上にまた反射防止層４２が場合により形成されていても良い透明基板４０（図３Ｄ）と組み立てられる。当該組み立て工程を図３Ｅに示す。そして当該組み立て工程は、例えば「ウェーハボンディング」タイプの技術を用い、例えばモレキュラーボンディングまたは他のボンディングによって行うことができる。これらの技術に関する情報としては、Q.Y.TongおよびU.Goseleの著作“Semiconductor Wafer Bonding”(Science and Technology),Wiley Interscience Publicationsを参照すべきである。
【００５３】
基板３０の一部が、その後、脆弱平面３２に沿って分割することのできる処理によって取り外される。この技術の一例は、B.Asparらの論文、“The generic nature of the Smart-Cut（登録商標） process for thin film transfer” in the Journal of Electronic Materials, vol. 30, N° 7 (2001), p.834-840に記載されている。
【００５４】
当該技術はまた、仏国特許出願公開２６８１４７２号明細書にも記載されている。薄膜は、その後、モレキュラーボンディングにより得られた接合界面を介して透明支持体と接合し、一方で、イオン注入による開裂が起こり、続いて熱処理される。
【００５５】
脆弱平面は、イオン注入以外の方法によって形成されてもよい。従って、T.Yoneharaらの論文, “Epitaxial layer transfer by bond and etch back of porous Si”, in Applied Physics Letters, vol 64, n° 16 (1994), p.2108-2110,または欧州特許出願公開０９２５８８８号明細書に記載されているような、多孔質シリコン層を形成することも可能である。
【００５６】
別の特定の実施態様では、１またはそれ以上の反射防止層５２が、半導体基板５０（図４Ａ）上および場合により透明基板５６（図４Ｂ）上に作製される。次いで当該２つの基板は、上記技術を用いて、一つに組み立てられる（図４Ｃ）。
【００５７】
次いで、基板５０は、研磨またはエッチング技術（図４Ｄ）を用いて薄化される。
【実施例】
【００５８】
以下、３つの特定の実施態様を示す。
【００５９】
実施例１
本実施例は、（５００ｎｍ近辺を中心とする波長の光を検出可能な部品の製造を目的として）シリコン薄膜、透明石英支持体、および２つの副層により構成された埋設反射防止層を有する複合基板に関する。
【００６０】
１．最初に（図３Ａ）、シリコン支持体３０に水素イオン注入を行う。
２．次に、所望の厚み（例えば１２５ｎｍ）を有し、アモルファス炭化ケイ素（ｎ≒２．６）により構成された第一層３６を、陰極スパッタリングまたは化学気相分解法（ＣＶＤ）により、注入されたＳｉの表面上に付ける（図３Ｂ）。
３．ＳｉＯxＮy（ｎ≒１．９５）により構成された第二層３８を、ＣＶＤによって付ける（図３Ｃ）。当該堆積物を研磨することにより、所望の厚み、例えば１２５ｎｍ、およびモレキュラーボンディングによる接合を実施するのに十分な平滑度の表面を得ることができる。
４．次に、酸化ケイ素の堆積物４２を、石英支持体４０上に作製する（図３Ｄ）。当該堆積物を研磨することによって、モレキュラーボンディングによる接合のための表面を平滑にすることができる。
５．当該表面を洗浄する。次いで、当該２つの堆積物３６、３８が載ったＳｉ基板を、モレキュラーボンディングによって、酸化物の堆積物４２が載った透明石英支持体４０と接合する（図３Ｅ）。
６．熱処理により、基板３０を分割する（当該処理は“スマートカット（Smart-Cut）（登録商標）”としても知られている）（図３Ｆ）。これは、シリコン基板３０を、注入領域３２で開裂させ、半導体材料層３５を形成するものである。
７．場合により、複合基板の表面を、例えば化学的機械研磨により、または平滑化水素焼鈍（smoothing hydrogen anneal）により、仕上げ処理してもよい。
【００６１】
半導体薄膜を転写するのに用いられる技術は、この場合、基板分割法またはスマートカット（登録商標）技術（注入＋接合＋熱分割または可能であれば機械的分割）である。
【００６２】
実施例２
本実施例は、（６４０ｎｍを発光するＬＥＤの製造のための）、ＧａＡｓ薄膜、透明ガラス支持体、および単一の反射防止層を有する複合基板の製造に関する。
【００６３】
１．最初に、（場合により平滑化されていてもよい）アモルファスまたは多結晶窒化ガリウム（ｎ≒２．３）の１６０ｎｍの堆積５２を、予め洗浄された単結晶ＧａＡｓ基板５０上に作製する（図４Ａ）。
２．次に、場合により平坦化されていてもよいＳｉＯ2の堆積５４を、予め洗浄されたガラス支持体５６上に作製する（図４Ｂ）。
３．洗浄後、透明支持体５６を、モレキュラーボンディングによって、ＧａＡｓ基板５０（ＧａＮ面）と接合する（図４Ｃ）。
４．ＧａＡｓ基板を機械的および／または化学的に薄化することにより、制御された厚みのＧａＡｓ薄膜５１を作製する（図４Ｄ）。
５．最後に、複合基板の表面を仕上げ処理する。
【００６４】
半導体薄膜を転写する技術は、「ボンドおよびエッチバック」法であり、すなわち、接合後、裏面から薄化する。
【００６５】
実施例３
本実施例は、（太陽電池の製造のための）、Ｓｉ薄膜、ガラス支持体、および単一の反射防止層を有する複合基板の製造に関する。同じ図４Ａ〜４Ｄと関連させて説明する。
【００６６】
１．最初に、透明導電性酸化物の薄膜５２を、Ｓｉ基板上５０に付ける（図４Ａ）。
２．当該層の平滑化により、所望の厚みとし（例：１２５ｎｍ）、表面をモレキュラーボンディングによる接合に適合させる。
３．ＳｉＯ2の層５４を、接合のためにガラス支持体５６に付け、場合により平滑化する。
４．モレキュラーボンディングにより、ＳｉＯ2表面５４上に透明導電性酸化物面５２を接合する（図４Ｃ）。当該接合は、好ましくは、導電性酸化物からシリコンへの金属元素の拡散を制限するために、低温で行う。
５．最後に、シリコン基板の機械的および／または化学的薄化を行う（図４Ｄ）。
６．場合により、複合基板の表面を仕上げ処理する工程を行う。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の構造体を示す図である。
【図２】本発明の構造体を示す図である。
【図３】図３Ａ〜３Ｆは、本発明の製造方法の工程を示す図である。
【図４】図４Ａ〜４Ｄは、本発明の別の製造方法の工程を示す図である。
【図１】
2007505771.tif 000004
【図２】
2007505771.tif 000005
【図３Ａ】
2007505771.tif 000006
【図３Ｂ】
2007505771.tif 000007
【図３Ｃ】
2007505771.tif 000008
【図３Ｄ】
2007505771.tif 000009
【図３Ｅ】
2007505771.tif 000010
【図３Ｆ】
2007505771.tif 000011
【図４Ａ】
2007505771.tif 000012
【図４Ｂ】
2007505771.tif 000013
【図４Ｃ】
2007505771.tif 000014
【図４Ｄ】
2007505771.tif 000015
【国際調査報告】
2007505771.tif 000016
2007505771.tif 000017
2007505771.tif 000018