(57)【要約】  本発明はドナー基板（１０）から採取する層（１’、２）を備える構造（３０）の形成方法に関するものであり、該ドナー基板は採取前にゲルマニウムを含む半導体材料でできた第一層（１）を具備し、該方法は以下のステップ、すなわち（ａ）ゲルマニウムを含む前記第一層（１）の厚さ内で脆化ゾーン（４）を形成するステップ、（ｂ）受容基板（２０）へドナー基板（１０）を接着するステップ、（ｃ）エネルギーを供給するステップであって、それにより脆化ゾーン（４）でドナー基板（１０）を脆化するステップを含み、ドナー基板に少なくとも二つの異なる核種を共注入してステップ（ａ）を実施し、３００℃〜４００℃の間に含まれる温度で３０分〜４時間熱処理を行ってステップ（ｃ）を実施することを特徴とする。
2007526644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板（１０）から採取する層（１’、２）を備える構造（３０）の形成方法であって、該ドナー基板は採取前にゲルマニウムを含む半導体材料でできた第一層（１）を具備し、該方法が以下のステップ、すなわち、
（ａ）ゲルマニウムを含む前記第一層（１）の厚さ内で脆化ゾーン（４）を形成するステップと、
（ｂ）受容基板（２０）にドナー基板（１０）を接着するステップと、
（ｃ）エネルギーを供給するステップであって、それにより脆化ゾーン（４）でドナー基板（１０）を脆化するステップとを含み、
ドナー基板に少なくとも二つの異なる核種を共注入してステップ（ａ）を実施し、３００℃と４００℃の間に含まれる温度で３０分〜４時間熱処理を行ってステップ（ｃ）を実施することを特徴とする、方法。
【請求項２】
ステップ（ｃ）の熱処理が、３２５℃と３７５℃の間に含まれる温度で約二時間実施されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｃ）の熱供給により、脆化ゾーン（４）でドナー基板（１０）を分離し、第一層（１）の一部を含む層（１’、２）を採取できることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｃ）の後に、脆化ゾーン（４）でドナー基板（１０）を分離するのに適合する補足的エネルギー供給を行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記補足的エネルギー供給が、熱および／または機械的な形での供給であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｂ）の前に、接着を強化するプラズマ活性化によって実施されるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ａ）の共注入が、ヘリウムと水素の共注入であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
ヘリウムと水素の用量が、ヘリウムの用量が総用量の３０〜７０％、好ましくは総用量の４０〜６０％になるように選択されることを特徴とする、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
脆化ゾーンでのドナー基板の分離後の低い頻度／高い頻度の粗さが、プロフィロメーター５００ミクロン／ＡＦＭ２×２μｍ2で測定するような約１５Å  ＲＭＳ／３０Å  ＲＭＳ未満であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
採取層の処理ステップ（ｄ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
処理のステップ（ｄ）が、採取層のエッチング操作を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
エッチング操作が、採取層の犠牲酸化中に実施されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ドナー基板（１０）が採取前に前記第一層（１）のものと異なる材料でできた第二層（２）を具備し、エッチング操作が前記第二層に対する第一層の分離後の残部の選択エッチングであることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択エッチングの前に、第一層の残部の材料の除去および接着界面の強化を行うのに適した第一層の残部の少なくとも一部の犠牲酸化を実施することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｄ）の後に、前記第二層（２）を厚くするのに適合する結晶成長を行うことをさらに含むことを特徴とする、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
第一層（１）が０＜ｘ≦１のＳｉ1-xＧｅxでできており、ドナー基板が弾性的に応力がかかったＳｉでできた第二層（２）を具備することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１７】
ドナー基板（１０）が、バルクＳｉ支持基板、ＳｉＧｅ緩衝構造、Ｓｉ1-xＧｅx（ｘ≠０）を含む第一層（１）および歪みＳｉでできた第二層（２）を具備することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１８】
第一層（１）が０＜ｘ≦１のＳｉ1-xＧｅxでできており、ドナー基板（１０）がさらに、弾性的に応力がかかったＳｉでできた第二層（２）および該第二層（２）の上にＳｉ1-xＧｅxでできた第三層（３）を具備することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１９】
ステップ（ｄ）が、第二層（２）に対して第一層（１）の残部の選択エッチングを行うことを含むことを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ドナー基板（１０）が、バルクＳｉ支持基板、ＳｉＧｅ緩衝構造並びに、同一ドナー基板（１０）から複数回の採取ができるように、Ｓｉ1-xＧｅx（ｘ≠０）でできた第一層（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ）および歪みＳｉでできた第二層（２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ）を交互に含む多層構造を具備することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２１】
ステップ（ａ）の前に、約４５０℃と約６５０℃の間に含まれる溶着温度で歪み層を形成することをさらに含むことを特徴とする、請求項１６〜２０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２２】
ステップ（ｂ）の前に、ドナー基板（１０）および／または受容基板（２０）の上に接着層を形成するステップであって、該接着層が、例えば、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4またはＳｉxＯyＮzのような電気絶縁材を含む、ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２３】
ｓＳＩ、ＳＧＯＩ、ＳｉＧｅＯＩまたはＧｅＯＩ型の絶縁体の上に半導体がある構造の形成への請求項２２に記載の構造形成法の応用。
【請求項２４】
請求項１に記載の方法の全ステップ（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の実施後、また採取層（１’と２）とドナー基板の残部（１０’）との接触解除後に得る絶縁体の上に半導体がある構造（３０）であって、該構造にはプレート全体でプロフィロメーター５００ミクロンとＡＦＭ２×２μｍ2で測定するような３０  Å  ＲＭＳ未満の低い頻度および高い頻度の粗さがある、構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はドナー基板から採取する層を備える構造の形成方法に関するものであって、ドナー基板は採取前にゲルマニウムを含む半導体材料でできた第一層を具備し、該方法は連続する以下のステップ、すなわち：
（ａ）ゲルマニウムを含む前記第一層の厚さ内で脆化ゾーンを形成するステップと、
（ｂ）受容基板へドナー基板を接着するステップと、
（ｃ）脆化ゾーンでドナー基板を脆化するためにエネルギーを供給するステップであって、このエネルギー供給によって、脆化ゾーンでドナー基板から採取層を分離し、第一層の残部を含む層を採取することができるステップと、
（ｄ）採取層を処理するステップとを含むものである。
【背景技術】
【０００２】
このタイプの層採取はＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）とも呼ばれ、当業者に知られている。特に、例えば、「Ｋｌｕｗｅｒ  Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ」刊行のＪｅａｎ−Ｐｉｅｒｒｅ  Ｃｏｌｉｎｇｅの著作「Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｔｏｏｌｓ  ＶＬＳＩ，第二版」の５０と５１ページの抜粋のような既に刊行された多くの文書に詳細を見ることができる。
【０００３】
ステップ（ａ）は、注入核種の適合した用量と注入エネルギーでの、単一の核種の注入（例えば、水素）または少なくとも二つの異なる核種の共注入（例えば、水素とヘリウム）によって行うことができる。
【０００４】
受容基板へのドナー基板の接着ステップ（ｂ）は、ＳｉＯ2のような誘電材料でできた接着層を介して、注入を行ったドナー基板面で典型的には行われる。
【０００５】
当業者が典型的に使用する接着技術には、分子粘着による初期接着が含まれる。文書“Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗａｆｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”（Ｑ−Ｙ．  ＴｏｎｇおよびＵ．  Ｇｏｓｅｌｅ，  ａ  Ｗｉｌｅｙ  Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ  ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ，  Ｊｏｈｎｓｏｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，  Ｉｎｃ．）を参照してさらに情報を入手することができる。
【０００６】
ステップ（ｃ）の実施時、脆化ゾーンでドナー基板を脆化するためにエネルギーを熱の形態で供給する。この熱エネルギーの供給によって、脆化ゾーンでドナー基板から採取層を分離することができる。
【０００７】
しかし、実際に採取層を分離し、次に該層の取り外しと受容基板への転送を可能にするため、熱および／または機械的な形での補足的なエネルギー供給が必要になることがある。
【０００８】
こうして、ＳＯＩ（採取層がケイ素製の場合）、ＳｉＧｅＯＩ（採取層がケイ素ゲルマニウム製の場合）、ＧｅＯＩ（採取層がゲルマニウム製の場合）、ＳＧＯＩ（採取層が歪みケイ素の層をその上に配置するＳｉＧｅ層を含む場合）、またはｓＳＯＩ（採取層が歪みケイ素製の場合）構造のような、絶縁体の上に半導体がある構造ＳｅＯＩを形成することができる。
【０００９】
採取層の取り外し後、特に、前に実施した注入ステップと取り外しステップが原因で、この採取層に大きな粗さと表面の結晶品質の低下があることが頻繁に観察される。
【００１０】
図１には、半導体部（すなわち、採取層１）にこの結晶品質の低下がある、絶縁体の上に半導体がある構造３０（電気的に絶縁する層５を介して採取層１で覆われる受容基板２０から成る）の概略が示されている。
【００１１】
このように、採取層１は欠陥ゾーン１Ａを含み、この欠陥ゾーン１Ａが既存の結晶欠陥と表面粗さを含んでいることを観察することができる。
【００１２】
欠陥ゾーン１Ａの典型的な厚さは水素原子注入で約１５０ｎｍである。
【００１３】
また、注入ステップで採取層１に結晶品質の低下が引き起こされた可能性がある。
【００１４】
この時、この欠陥ゾーン１Ａを除去し、採取層１の正常ゾーン１Ｂの少なくとも一部を回収するために、採取層１の処理ステップ（ｄ）が必要である。
【００１５】
例えば、表面粗さを平滑化する機械研磨若しくは化学機械平坦化（「ＣＭＰ」）、および／または欠陥ゾーン１Ａの犠牲酸化ステップを行うことができる。
【００１６】
犠牲酸化の意味は、従来、欠陥ゾーンの酸化および、化学エッチング（例えば、フッ化水素酸ＨＦを使用する）によるここで形成される酸化層の除去操作を含むステップである。
【００１７】
例示として、四つのステップのかかる方法が米国特許公開第２００４−００５３４７７号明細書に開示されており、該方法において、ＳｉＧｅでできた緩衝層を含むドナー基板から歪みＳｉ層を採取する。ステップ（ａ）では緩衝層への注入を実行し、ステップ（ｄ）には、ＳｉＧｅでできた表面の研磨、次に歪みＳｉに対するＳｉＧｅの選択エッチングによる緩衝層の採取部分の撤去が含まれる。選択エッチングによって、特に、さほど損傷するリスクなしで（均一に研磨する場合）、表面が良品質の望ましい層を最終的に得ることができる。
【００１８】
しかし、このステップ（ｄ）で実行する化学エッチングが、ある場合には、接着（ステップ（ｂ）で行う接着）界面の少なくとも部分的な剥離問題を引き起こすことがある。事実、ステップ（ｄ）の化学エッチングで特に、接着層の周辺部が剥離する、すなわち形成する構造の薄片による露出でこの層が腐食される可能性がある。例えば、歪みＳｉの下に埋め込まれたＳｉＯ2を含むｓＳＯＩ（「ｓｔｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ」）構造に対するＨＦ処理の場合または、埋め込むＳｉＧｅ層およびＳｉＯ2層を、歪みＳｉ層の下でエッチングすることができるＳＧＯＩ（「Ｓｔｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ」）構造に対するＨ2Ｏ2：ＨＦ：ＨＡｃ（ＨＡｃは酢酸の略語）処理の場合を挙げることができる。
【００１９】
この問題を回避するために検討することができる代案は、作用をより良く管理できるようにエッチング溶液をより大幅に希釈することである。しかし、この溶液は剥離問題を全面的に解決せず、方法をかなり減速させるので満足がいくものではない。
【００２０】
さらに、この化学エッチングには、典型的に機械研磨手段で実施するエッチング面の事前準備が必要である。実際、このエッチングの準備は、残りの層に横の欠陥若しくはホールを生じやすく、且つ最終生成物の自由面を粗くしやすい過剰に不均一なエッチングを後で招く可能性のある大きな粗さ部分を平滑化するためにも必要である。
【００２１】
さらに、採取層の全厚内の（および欠陥ゾーンの厚さ内だけでなく）欠陥の存在も不均一なエッチングを引き起こす可能性がある。
【００２２】
しかし、研磨と化学エッチングの連続動作が、後取り外し仕上げステップ（ｄ）（および採取方法全体）を経済的観点から長く、複雑でコスト高なものにする。
【００２３】
勿論、選択エッチングのステップ実施時に遭遇する問題が、特に表面粗さと欠陥の存在に起因するエッチングの不均一性に関して、犠牲酸化ステップ中のエッチング操作実施時に遭遇する問題と相対的に類似することと理解される。
【特許文献１】米国特許公開第２００４−００５３４７７号明細書
【非特許文献１】Ｊｅａｎ−Ｐｉｅｒｒｅ  Ｃｏｌｉｎｇｅ著  「Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｔｏｏｌｓ  ＶＬＳＩ，第二版」の５０と５１ページ  Ｋｌｕｗｅｒ  Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ刊行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明の第一の目的は、採取層のステップ（ｄ）の際の処理の継続期間、経済コストおよび手段の数を低減すること、特に機械研磨手段をもはや使用しないことである。
【００２５】
本発明の第二の目的は、特にＳｉＧｅ層のようなＧｅを含む半導体材料でできた層を採取して、絶縁体／半導体ＳｅＯＩ構造のような構造を実現することである。
【００２６】
第三の目的は、最良の採取層からこのような構造を実現することである。
【００２７】
本発明の第四の目的は、採取層の処理時に犠牲となる材料の量を低減することである。
【００２８】
本発明の第五の目的は、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）型採取方法全体に容易に組み込める採取層の簡単な処理法を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明は第一の態様によれば、ドナー基板から採取する層を具備する構造の形成方法を提案してこれらの問題を改善するのを試みるが、ドナー基板は採取前にゲルマニウムを含む半導体材料でできた第一層を具備し、該方法は以下のステップ、すなわち、：
（ａ）ゲルマニウムを含む前記第一層の厚さ内へ脆化ゾーンを形成するステップと、
（ｂ）受容基板へドナー基板を接着するステップと、
（ｃ）脆化ゾーンでドナー基板を脆化するためにエネルギーを供給するステップとを含み、ドナー基板に対して少なくとも二つの異なる核種の共注入を行ってステップ（ａ）を実施し、３００℃と４００℃の間に含まれる温度で３０分〜４時間熱処理を行ってステップ（ｃ）を実施することを特徴とする。
【００３０】
本発明の第一の態様による方法の可能な他の特徴は以下の通りである：
―ステップ（ｃ）の熱処理は、３２５℃と３７５℃の間に含まれる温度で約二時間実施される。
―ステップ（ｃ）の熱供給によって、脆化ゾーンでドナー基板を分離し、第一層の一部を含む層を採取することができる。
―前記本発明の第一の態様による方法はさらに、ステップ（ｃ）の後に、脆化ゾーンでドナー基板を分離するのに適合する補足的なエネルギー供給を行うステップを含む。
―補足的なエネルギー供給は、熱および／または機械的な形としての供給である。
―該方法はさらに、ステップ（ｂ）の前に、接着を強化するようなプラズマ活性化によって実施されるステップを含む。
―ステップ（ａ）の共注入はヘリウムと水素の共注入である。
―ヘリウムと水素の用量は、ヘリウムの用量が総用量の３０〜７０％、好ましくは総用量の４０〜６０％になるように選択される。
―脆化ゾーンでのドナー基板の分離後の低い頻度／高い頻度（ＢＦ／ＨＦ）の粗さは、プロフィロメーター５００ミクロン／ＡＦＭ  ２×２μｍ2で測定するような約１５  Å  ＲＭＳ／３０  Å  ＲＭＳ未満とする。
―該方法はさらに、採取層の処理のステップ（ｄ）を含む。
―処理のステップ（ｄ）は採取層のエッチング操作を含む。
―エッチング操作は、採取層の犠牲酸化中に実施される。
―ドナー基板が採取前に、前記第一層のものと異なる材料でできた第二層を具備する場合、エッチング操作は、前記第二層に対する第一層の分離後の残部の選択エッチングである。
―前記選択エッチングの前に、第一層の残部材料の除去と接着界面の強化を行うのに適した第一層の残部の少なくとも一部の犠牲酸化を実施する。
―該方法はさらに、ステップ（ｄ）の後で、前記第二層を厚くするのに適合する結晶成長を行うことを含む。
―第一層は０＜ｘ≦１のＳｉ1-xＧｅxでできており、ドナー基板は弾性的に応力がかかったＳｉでできた第二層（２）を具備する。
―ドナー基板は、バルクＳｉ支持基板、ＳｉＧｅ緩衝構造、Ｓｉ1-xＧｅx（ｘ≠０）を含む第一層（１）および歪みＳｉでできた第二層（２）を具備する。
―第一層は０＜ｘ≦１のＳｉ1-xＧｅxでできており、ドナー基板（１０）はさらに、弾性的に応力がかかったＳｉでできた第二層と、第二層の上のＳｉ1-xＧｅxでできた第三層とを具備する。
―ステップ（ｄ）は、第二層（２）に対して第一層（１）の残部の選択エッチングを行うことを含む。
―ドナー基板（１０）は、バルクＳｉ支持基板、ＳｉＧｅ緩衝構造並びに、同一ドナー基板（１０）から複数回の採取ができるように、Ｓｉ1-xＧｅx（ｘ≠０）でできた第一層（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ）および歪みＳｉでできた第二層（２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ）を交互に含む多層構造を具備する。
―該方法はさらに、ステップ（ａ）の前に、約４５０℃と約６５０℃の間に含まれる溶着温度で歪み層を形成することを含む。
―該方法はさらに、ステップ（ｂ）の前に、ドナー基板および／または受容基板の上に接着層を形成するステップであって、接着層が例えばＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4またはＳｉxＯyＮzのような電気絶縁材を含む、ステップを含む。
【００３１】
第二の態様によれば、本発明は前記構造形成方法の、ｓＳＩ、ＳＧＯＩ、ＳｉＧｅＯＩまたはＧｅＯＩ型の絶縁体の上に半導体がある構造の形成への応用を提案する。
【００３２】
第三の態様によれば、本発明は、本発明の第一の態様による方法のすべてのステップ（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を実施し、さらに採取層とドナー基板の残部との接触を解除した後に得られる絶縁体の上に半導体がある構造を提案するが、この構造には、プレート全体で５００ミクロンとＡＦＭ２×２μｍ2のプロフィロメーターで測定するような３０  Å  ＲＭＳ未満の低い頻度および高い頻度の粗さがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明のその他の特徴、目的および利点は、以下の図面を参照して、限定するものではない例として示した本発明の好ましい実施形態に関する次の詳細な説明を読むことでさらに明瞭となる：
−図１は、現行技術によるＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）法の実施後に得られる絶縁体の上に半導体がある構造の概略断面図を表す。
−図２は、本発明による方法の実施後に得られる絶縁体の上に半導体がある構造の本出願人によるＴＥＭで得られる断面図を表す。
−図３ａから３ｅは、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層を含む構造を形成するための本発明による方法のさまざまなステップの概略を表す。
−図４ａおよび４ｂは、本発明による第一の変更形態の概略を表す。
−図５ａおよび５ｂは、本発明による第二の変更形態の概略を表す。
−図６は、６００℃での後分離熱処理を実施した構造内の空隙型欠陥の存在を示す。
【実施例】
【００３４】
ＳｉＧｅでできた層のような、Ｇｅを含んだ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層に基づく本発明による方法の実施および本発明による応用の例を下記に示す。
【００３５】
図３ａ〜図３ｅでは、本発明によりドナー基板１０からＳｉ1-xＧｅx（ｘ  ∈  （０，１］）でできた第一層１および、弾性的に応力がかかったＳｉでできた第二層２を採取し、これらを受容基板２０に転送する第一の方法が示されている。
【００３６】
図３ａでは、Ｓｉ1-xＧｅxでできた第一層１および採取する歪みＳｉでできた第二層２を具備するドナー基板１０が示されている。
【００３７】
従来のように、Ｓｉ1-xＧｅxを含むドナー基板１０は、いくつかの層で構成されるＳｉＧｅ緩衝構造（図示せず）が例えば結晶成長によってその上に形成されたバルクＳｉ基板５を具備する。特に、この後者の緩衝構造には、バルクＳｉ基板での０％からＳｉ1-xＧｅxでできた第一層１（これも結晶成長で形成するのが好ましい）との界面での約１００ｘ％まで、Ｇｅ成分の厚さの段階的変化がある。
【００３８】
歪みＳｉでできた第二層２はＳｉ1-xＧｅxでできた第一層１の上に形成される。第一の事例では、第二層２の成長は第一層１の形成と連続して直接その位置で行われる。第二の事例では、第二層２の成長は、例えばＣＭＰ研磨による下位適合層２の軽度の表面処理のステップの後で行われる。
【００３９】
Ｓｉでできた第二層２は、有利にはＣＶＤおよびＭＢＥ（それぞれ「Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ」と「Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ」の略語）のような既知の技術を用いるエピタキシーによって形成される。
【００４０】
この時、第二層２に含まれるケイ素は第一層１によって公称格子のパラメータを増加させて、成長基板のものとほぼ同じにし、内部引っ張り弾性応力を示すようにされる。かなり薄い第二層２を形成する必要がある：均衡臨界厚を超える厚過ぎる層厚は、実際ケイ素の公称格子パラメータに対するフィルム厚さ内の応力を緩和し、且つ／または欠陥を発生する可能性がある。この問題に関する詳細については、Ｆｒｉｅｄｒｉｃｈ  Ｓｃｈａｆｆｌｅｒ著「Ｈｉｇｈ−ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｓｉ  ａｎｄ  Ｇｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」（“Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”１２（１９９７）１５１５−１５４９）と題する文書を参照することができる。
【００４１】
しかし、十分低い温度での歪み材料の溶着という特定の事例では、より厚みの大きい（均衡臨界厚は、実際溶着温度と結びついている：溶着が低温で行われるほど、この厚みは大きくなる）歪み第二層２を形成するのが可能になる。
【００４２】
図３ｂでは、引き続いて脆化ゾーン４が第二層２の下のドナー基板１０内に形成される。特に、注入を実施しＳｉ1-xＧｅxでできた第一層１の厚さ内で脆化ゾーンを形成することができる（図３ｂに示すとおり）。
【００４３】
この脆化ゾーン４は、その用量、性質およびエネルギーがインプラントの深さと脆化レベルを決定するように選択された核種を注入することで形成される。
【００４４】
特に、核種注入を決定するパラメータは、取り外し後に脆化ゾーン４レベルに出現する粗さを最小限にするように調整される。事実、後取り外しの粗さのサイズは、一つには次に見るような使用する注入を決めるパラメータが原因となる。
【００４５】
本発明によれば、核種の注入は、例えば、水素、およびヘリウムまたはアルゴン若しくは他の希ガス若しくは他の適合するガスの共注入のような、核種の共注入（すなわち、主として、少なくとも二つの異なる核種の注入）である。
【００４６】
共注入の場合では、脆化ゾーン４が一般に単一注入の場合より微細であることに本出願人は実際に注目した。
【００４７】
共注入の使用によって特に、水素またはヘリウムの単一注入で得られる粗さ未満の後取り外し粗さを得ることができる。
【００４８】
ここに至って、単一の種を注入する時に使用すべき用量未満の、共注入する種の総用量を使用して薄層の採取が可能であるという共注入の利点の一つがある。共注入の総用量は典型的には単一の種の注入の用量の１／３である。
【００４９】
注入エネルギーは、インプラント深さが第一層１の深さに近くなるように選択される。
【００５０】
このように、約１×１０16／ｃｍ2で５０と９０ｋｅＶの間に含まれるエネルギーのヘリウムおよび１×１０16／ｃｍ2で２０と６０ｋｅＶの間に含まれるエネルギーの水素の共注入で、約３００〜６００ナノメートルのインプラント深さを得ることができる。
【００５１】
一般に、ヘリウムと水素の用量は、ヘリウムの用量が総用量の３０〜７０％、好ましくは総用量の４０〜６０％になるように選択される。
【００５２】
図３ｃでは、受容基板２０と共注入を行ったドナー基板１０の側部との接着ステップが実施される。
【００５３】
受容基板２０はバルクＳｉまたは他の材料で構成することができる。
【００５４】
注入ステップの前に、接着面の一方および／または他方のそれぞれに、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉxＯyＮzを含む層のような接着層を形成することができる。この層をドナー基板上に形成する場合、この接着層の形成に使用する技術は溶着で、第二層２における応力のあらゆる低下または続く第一層１へのあらゆる拡散を回避するためである。
【００５５】
受容基板２０とドナー基板１０の接触の前に、溶液ＳＣ１とＳＣ２、オゾン溶液などのような既知の表面洗浄および表面処理技術を用いて、場合により接着する面の処理を行うことができる。
【００５６】
接着自体は、接着する二つの表面の各々にある親水性を考え、最初に分子粘着で実施することができる。
【００５７】
接着実施直前に、一つまたは二つの接着面のプラズマ活性化も行うことができる。
【００５８】
プラズマ活性化によって、特に、例えば酸化面、一つまたは複数の処理面に懸垂結合を作ることができるので、実施する接着の力が強化され、接着界面６での欠陥数およびそれらの接着品質への影響が低減される。
【００５９】
接着界面６のこの強化には、この界面を後のエッチング（採取層の表面仕上げ時、例えば選択エッチングまたは犠牲酸化のステップ中に行う）の化学腐食に対してかなり高い耐性のあるものにし、典型的に約０．８Ｊ／ｍ2未満の接着エネルギーで出現する先に議論したような周辺部の剥離問題を回避するという利点もある。
【００６０】
特に、接着と採取後、最終的に接着エネルギーが約０．８Ｊ／ｍ2以上になるように、プラズマ活性化を実施する。
【００６１】
プラズマは、例えば、Ａｒ若しくはＮ2のような不活性ガスから、またはＯ2のような酸化ガスから得ることができる。
【００６２】
プラズマ活性化は典型的には約１００℃未満の常温で行われる。この技術の使用には、従って、ＳｉＧｅでできた第一層１の、Ｇｅの、歪みＳｉでできた第二層２への際立った拡散問題（一般に、Ｇｅ拡散は、典型的には約８００℃以上のかなりの高温で隣接する層の厚さ内で大きくなり始める）を招来しないという利点がある。
【００６３】
プラズマ処理時間は極めて短く、典型的には１分未満である。
【００６４】
使用する装置は、例えば、ＲＩＥ、ＩＣＰ−ＲＩＥまたはその他のタイプの標準プラズマエッチング装置である。
【００６５】
接着ステップ（ｂ）の後で、脆化ゾーンでドナー基板を脆化するためにステップ（ｃ）の間に熱の形態のエネルギー供給を実施する。
【００６６】
この熱エネルギー供給（以後「脆化熱処理」とも呼ばれる）の熱収支（典型的には温度と時間）によって特に、必ずしもそうではないが、脆化ゾーンでドナー基板から採取層が分離できることが注目される。
【００６７】
脆化熱処理は典型的には８００℃未満、または少なくとも近接層へのＧｅ拡散が有害になると考えられる限界温度未満で実施される。
【００６８】
図３ｄでは、ドナー基板１０の第一層の残り１”を含む第一部分１０’および第一層の他方の部分１’と第二層２とを含む第二部分３０への分離を表した。
【００６９】
上記したように、この分離は脆化熱処理のエネルギー供給によって行うことができる。
【００７０】
しかし、脆化熱処理のエネルギー供給が分離に十分でない場合、この分離は脆化ゾーン４での脆弱な結合を破壊し、且つドナー基板を分離するのに十分な補足的エネルギー供給（例えば、熱および／または機械的エネルギーの形で）によって行うことができる。特に、熱の形で行う場合のこの補足的供給は、脆化ゾーン４でここに閉鎖され脆弱な結合を破断するガス種に熱影響を及ぼすに十分なものであることができる。
【００７１】
一般に、温度が低めか高めかのそれぞれに応じて、長めか短めの時間で約３００℃と約６００℃の間に含まれる温度で分離が得られる。
【００７２】
任意選択として、またはプラズマ処理の代替として、接着界面６を強化するために、分離直後に熱処理を実施することができる。
【００７３】
この接着強化熱処理をプラズマ活性化の補足として実施する場合、この二つの処理の組み合わせの効果で、要求目的、特に、接着界面６を後のエッチングの化学腐食に対して耐性のあるものにし、先に議論したような周辺部での剥離問題を回避するのに十分な接着エネルギーが達成されるように行うことができる。このように、接着界面６の二つの強化処理を組み合わせ、約０．８Ｊ／ｍ2以上の接着エネルギーを得ることができる。
【００７４】
いずれにせよ、接着界面６の強化の熱処理は、Ｇｅが第二層２の厚さ内にかなり拡散する温度未満で選択される温度Ｔ2で実施される。
【００７５】
接着界面６の強化の熱処理は、約８００℃以下で選択される温度Ｔ2で実施できる。
【００７６】
温度Ｔ2は、例えば、３５０℃と８００℃の間に位置し、３０分から約４時間保持できる。
【００７７】
接着の強化のこの熱処理は特に、限定的ではないが、第一層（典型的にはＳｉＧｅ層）の残り１’の表面酸化を６００〜８００℃で行い、次に生成した酸化物の除去を行う、犠牲酸化ステップ中に実施できる。このような場合、犠牲酸化には接着界面の強化と欠陥ゾーンの少なくとも一部の除去の二つの目的がある。
【００７８】
この接着強化熱処理は、わずかに酸素が存在する不活性雰囲気または十分に酸素が存在する不活性雰囲気（ＡｒまたはＮ2雰囲気のような）で実施される。
【００７９】
このように、特に共注入ステップに続いてこのような接着界面６の強化ステップを実施すると、採取層が以下を示すことに本出願人は注目した：
−注入時（図３ｂ参照）および分離時（図３ｄ参照）の損傷部分の結晶品質の改善；
−特に高い頻度の粗さ（ＨＦ粗さ）については、円滑面；
−約０．８Ｊ／ｍ2超の接着エネルギー（プラズマ活性化なし）。
【００８０】
欠陥ゾーン１Ａの厚さの減少が、核種の共注入で脆化ゾーンを形成する時に一層著しく観察される。同じように、取り外し後の表面粗さも、単一種の注入よりも共注入の実施時に大きく低下する。
【００８１】
既に上述したが、これは主として共注入する種の総用量が、単一種の注入時の注入用量より明らかに下回ることによる。
【００８２】
このように、共注入には、単一種の注入に比べて、欠陥ゾーンの厚さを低減し、これによって特に、取り外し後に実施する仕上げ処理を軽減または単純化することができるという利点がある。同様に、共注入には粗さを低減し、仕上げ処理を容易にすることもできるという利点もある。
【００８３】
但し、このような接着の強化の熱処理は完全に十分ではない可能性がある。本出願人は特に、接着界面の強化のために６００℃で行った熱処理で、表面近くに低い密度の「空隙」と他のタイプの欠陥があるのを確認した。
【００８４】
主として、サイズ（おおよそ直径で）が約３−４ｎｍであり、且つ材料中に低密度で存在する三次元ゾーンから成る二次欠陥が問題である。これらの欠陥の原因は不明であるが、接着界面の強化の熱処理（典型的には５００℃または６００℃で）と関係すると思われる。さらに、この接着の強化の処理が、温度が完全には一定でない（ここで、炉内で縦に位置する、例えば、直径３００ｍｍのプレート表面で温度勾配を観察することができる）炉内で行われるので、表面での欠陥分布が均一でなく、エッチング操作をする上で問題が生じることがありうる。
【００８５】
図６には、６００℃で後分離のかかる熱処理にかけられ、空隙が観察される中間構造（最終的にはｓＳＩ構造形成向け）のＴＥＭで得た二つの図（それぞれ上の図では縮尺が１０ｎｍ、下の図では２ｎｍ）を示した。
【００８６】
ところで、取り外し後に実施できる仕上げステップの時にエッチングおよび／または酸化の速度を局所的に変える危険性がある限り、これらの結晶欠陥は望ましくない。そこでこれらのステップは一層複雑になるか、または材料除去（研磨／平坦化）を行うための機械的処理の実施を必要とするが、既に検討したように、オーバーコストになり、また採取層の均一性の特徴を阻害するので、これは望ましくない。
【００８７】
これらの空隙と他の欠陥の出現を防止するために、本出願人は、３００℃と４００℃の間に含まれる温度、例えば約３５０℃（＋／−２５℃）で、約３０分と約４時間の間に含まれる期間、例えば約二時間低温焼きなましを行って、脆化熱処理ステップを実施するよう提案する。
【００８８】
勿論、熱収支（温度／時間の対）によって、前記脆化処理によりドナー基板から採取層が分離されたりされなかったりすることが理解される。
【００８９】
脆化処理でドナー基板から採取層が分離されない場合、熱および／または機械的な形での補足エネルギー供給を行うことができる。一般に、ここでは、機械的な工具の使用または、短い若しくは局所的な加熱の実施により、局所的な（時間および／または空間において）エネルギー供給を行って、脆化ゾーンでの取り外し、次に自動的に拡散する取り外しを開始する。一層詳細な内容については、未公開の特許出願ＰＣＴ／ＦＲ０４／０２７７９およびＰＣＴ／ＦＲ０４／０２７８１を参照することができる。
【００９０】
特に、このような場合での機械的な形での補足的供給は、かなり弱く、取り外しを開始するには十分の補足的供給となりうる。
【００９１】
かかる脆化処理を行うことによって、共注入の場合欠陥の存在を抑制することができることを、本出願人は事実上確認した。
【００９２】
本出願人が実施した２０％のＧｅのＳＧＯＩ構造に対する粗さ測定結果を以下に示すが、これらの結果は３５０℃にほぼ等しい温度での約二時間の脆化熱処理の場合に関するものである。これらの実験では、後分離、接着界面の強化または回復の熱処理は全く実施しなかった。
【００９３】
本出願人はこうして低い頻度（走査５００μｍでＶｅｅｃｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｉｎｃ．社のプロフィロメーターＤｅｋｔａｋ（登録商標）により実施）および高い頻度（原子力マイクロスコープＡＦＭのチップで表面２×２μｍ2を走査して実施）の両方の粗さ測定を行った。
【００９４】
これらの測定結果は平均値ＲＭＳ（「Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ」）で表す。
【００９５】
下記の表には、比較例として、単一注入または共注入および６００℃での接着強化の後分離熱処理に続く３０分間５００℃での分離直後のＧｅ２０％のＳｉＧｅＯＩ同一構造で測定した粗さも報告した。
【００９６】
【表１】
2007526644.tif 000003
【００９７】
この表から、共注入の場合では、３５０℃での脆化熱処理によって、６００℃の後分離処理で観察されるものと同じ高低頻度粗さの度合いに到達することができることが分かる。
【００９８】
しかし、３５０℃での脆化熱処理の場合には、「空隙」型の欠陥が観察されず、表面の良好な欠陥均一性が得られ、これが基板全体に及んでいる（すなわち、典型的には２００または３００ｍｍの、基板の直径の全体）。
【００９９】
これらの良好な結果は特に、低温（典型的には約３５０℃）処理が炉のエンクロージャー内で小さな幅の温度勾配（例えば、５００℃または６００℃の一層高い温度での処理で観察されるものと比較して）しか生じないことによって得られると思われる。
【０１００】
また、ここで識別する取り外しパラメータ（共注入、低温脆化処理）によって、特に、欠陥ゾーンの厚さを低減し、欠陥の存在を抑制し、表面粗さを最小限に留めることができる。このような条件で、場合による後取り外し仕上げステップが容易になり、特に、研磨／平坦化操作を使用することが回避されるか、または少なくとも抑制される。
【０１０１】
図２では、脆化ゾーンを実現した単層Ｓｉ0.8Ｇｅ0.2の転送および３５０℃での脆化熱処理に続き本出願人が得た２０％ＧｅのＳｉＧｅＯＩ構造３０（ＴＥＭで写真撮影）は、Ｓｉ0.8Ｇｅ0.2でできた採取層１（すなわち、図３ａ〜図３ｅを参照に先に議論した前記一体化した第一層１と第二層２の同等品）を示し、ＳｉＯ2の層５を覆っており、図１の絶縁体の上に半導体がある構造のものに比べて、極めて僅かの結晶欠陥と極僅かの粗さがある。
【０１０２】
特に、図１での採取層１の欠陥ゾーン１Ａの厚さと、図２での回復した採取層１の該ゾーンの厚さとの間の不均衡が注目される。
【０１０３】
同じように、図１と図２の採取層１の同じ厚さで、正常なゾーン１Ｂが現行技術による絶縁体／半導体より本発明によって得るＳｉＧｅＯＩでより割合が大きい。
【０１０４】
図３ａ−図３ｅで示す方法の説明に返ると、図３ｅでは、採取層１’および２と接触するドナー基板の残部１０’の除去後、受容基板２０、第二層２および第一層の残部１’を具備する構造３０が得られる。この構造３０には改善された結晶品質と粗さの低下があり、中間研磨操作の実施を必要としない。特に、残部１’には、とりわけ表面近くに空隙または他の欠陥がない。
【０１０５】
電気絶縁接着層を第二層２と受容基板２０との間に先行して形成した場合、ＳｉＧｅ／ｓＳＯＩまたはＧｅ／ｓＳＯＩ構造が得られる。
【０１０６】
表面に残っている若干の粗さと若干の結晶欠陥を除去するため、例えば、他に比べて層の選択エッチングまたは犠牲酸化中に行うエッチングの枠内で、化学エッチングの実施のような仕上げステップが実施される。
【０１０７】
表面粗さを低減する（従って、エッチングフロントのさまざまな箇所の間の不均一性を低減する）ために化学エッチングに先行して講ずる機械研磨手段は必ずしも予定される必要はない。実際、共注入を実施すると、単一注入の場合より採取表面がはるかに一層円滑になることが保証される。
【０１０８】
場合により、Ｓｉ1-xＧｅxの層１’を除去し、最終構造ｓＳＯＩを得る（図３ｅ参照）。次に、場合によりこの構造ｓＳＯＩの歪みケイ素の厚さをエピタキシーで厚くすることができる。
【０１０９】
選択的にＳｉ1-xＧｅxの層１’を除去するには、例えば、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2：ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＳＣ１（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）またはＨＮＡ（ＨＦ／ＨＮＯ3／Ｈ2Ｏ）を使用して選択エッチングを実施することができる。
【０１１０】
ＳｉＧｅとｓＳｉの約４０：１の選択度は、ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＨＦで得ることができる。
【０１１１】
ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＨＦのために選択できる濃度の例は、１／１（高濃度）と２０／１の間に含まれるＨ2Ｏ2／ＨＦ比のものである。
【０１１２】
エッチング時間はエッチング速度と直接的な相関関係がある。エッチング時間は、典型的にはＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＨＦでエッチングする８００Åでは約５分である。
【０１１３】
このように、共注入と低温での脆化熱処理の実施が採取層１’および２における表面粗さと厚さの不均一を大幅に低減するので、現行技術のものとほぼ同じ選択エッチングを実施することができるだけでなく、事前に機械的研磨手段を行う必要性があるような現行技術の選択エッチングが示す不都合をなくすこともできる。
【０１１４】
接着界面６に一つまたは複数の接着層を埋め込む場合、場合により次に熱処理を行い、特に共有結合を作り接着をさらに強化することができる。
【０１１５】
構造３０にはＳｉＧｅまたはＧｅがもはやなく、従ってＧｅの拡散問題（第一層の残り１’は完全に撤去された）がもはやないので、この接着の強化の熱処理は８００℃超の温度で実施することができる。
【０１１６】
場合により、歪みＳｉの第二層を厚くするために、後で結晶成長ステップ（例えば、ＭＢＥまたはＣＶＤエピタキシー）を実施する。
【０１１７】
図４ａおよび図４ｂを参照する本発明の第二の変更形態によれば、ドナー基板１０は採取前、Ｓｉ1-xＧｅxでできた第一層１、および歪みＳｉでできた第二層２、並びに第二層２の上にあるＳｉ1-xＧｅxでできた第三層を具備する。第二層２の下、例えば第一層１内に本発明により脆化ゾーンが形成される。最終的にＳｉ1-xＧｅxでできた第一層１と歪みＳｉでできた第二層２でＳＧＯＩ構造３０（図６ｂに示すようなＳｔｒａｉｎｅｄ−Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ構造）が実現されるように、先に検討したものに従い取り外し後Ｓｉ1-xＧｅxの選択エッチングを実施することができる。
【０１１８】
任意選択として、場合により結晶成長により歪みＳｉでできた第二層１を厚くすることができる。
【０１１９】
任意選択および代替として、例えばＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＮＨ4ＯＨ（水酸化アンモニウム）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミン／ピロカテコール／ピラジン）を主成分とする例えば化学種によって、歪みＳｉの第二の選択化学エッチングを実施することができる。この場合、歪みＳｉでできた第二層２はここでは、最初の化学腐食からＳｉ1-xＧｅxでできた第三層３を保護するストップ層の役割しか果たさない。この時、ＳｉＧｅＯＩ構造（図示せず）が得られる。場合により、歪みＳｉ層をＳｉＧｅＯＩ上で成長させることができるが、この新しい歪み層は、前にエッチングした第二層２より良質の結晶構造を有することができる。
【０１２０】
図５ａおよび図５ｂを参照する本発明の第三の変更形態によれば、ドナー基板１０は採取前、Ｓｉ1-xＧｅx（ｘ≠０）でできた第一の層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅおよび歪みＳｉでできた第二層２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅを交互に含む多層構造を具備する。このように、本発明により同一ドナー基板１０から複数回の採取が可能であり、各採取の後にドナー基板１０の残部のリサイクルがあり、新しい採取が準備される。こうして、例えば、同じドナー基板１０からｓＳＯＩ第一構造３０ＡとｓＳＯＩ第二構造３０Ｂが形成される。このタイプの採取は米国特許公開第２００４−００５３４７７号明細書に教示されている。
【０１２１】
本発明の特定の事例によると、ドナー基板１０の各歪み層（図３ａ〜図３ｅの符号「２」、図４ａおよび図４ｂの「１」および図５ａおよび図５ｂの「２Ａ」、「２Ｂ」、「２Ｃ」、「２Ｄ」または「２Ｅ」）は厚い、すなわち弾性応力の除去なしで厚みが相対的に大きい。これは低温エピタキシーによる形成で可能になった。例えば、約４５０℃と６５０℃の間に含まれる温度でＳｉ0.8Ｇｅ0.2の成長媒体に溶着する歪みＳｉ層を、何らかの方法で応力除去せずに典型的に約３０ｎｍと６０ｎｍの間に含まれる厚さにすることができる。
【０１２２】
このような厚い歪み層を形成する場合、応力除去を回避するために、後工程の処理、特に層の溶着とＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で行うこの層の取り外しとの間の処理で（溶着温度付近に位置する）一定の限界温度を超えないようにしなくてはならない。
【０１２３】
このように、厚い歪み層の場合、典型的には約１００℃未満の常温で行う接着前のプラズマ活性化を実施するのが有利である（上記で議論したとおり）。他方、ＳｉＯ2のような誘電材料でできた少なくとも一つの接着層を、接着する一つまたは二つの面に形成するのが有利であり、この誘電材料でできた層は後に（すなわち、取り外し後）弾性応力を保存する役目を果たす。
【０１２４】
当業者は、勿論、他の材料に関する物性や量を知る限り、上述の本発明を容易にＳｉ1-xＧｅxまたは歪みＳｉ以外の材料に移し変えることができる。
【０１２５】
例えば、図３ａ〜図３ｅで先に説明したステップを取り上げると、当業者は、第一層１がＧｅでできており、第二層２がＡｓＧａでできているドナー基板１０を選択する場合、第一層１のＧｅに注入する（上述したように）場合、次に電気的に絶縁された界面を介してＧｅの残り１’とＡｓＧａの第二層２を受容基板２０に転送する場合、および既知の選択エッチング技術でＧｅの残り１’を選択的に除去する場合、絶縁体上にＡｓＧａの最終構造３０を実現することができる。
【０１２６】
同様に、ＳｉＣまたはＳｉ（１１１）でできた第一層１およびＧａＮでできた第二層２を具備するドナー基板１０から、例えば絶縁体上にＧａＮ構造を実現することができる。ＡＩＧａＮおよび／またはＡＩＮでできた一つまたは複数のストップ層を場合によりＧａＮ層に予定することができる。ＧａＮでできた第二層２の採取後、ストップ層上部のＧａＮを除去する選択エッチングを実施することができる。
【０１２７】
このように、例えば、ＣＨ2、Ｈ2、場合によりＡｒから成るプラズマガスによるドライエッチングでＧａＮをＡＩＮより迅速にエッチングすることができる。
【０１２８】
場合により、次にストップ層を除去し、ほとんど表面粗さがなく厚さの均一性が良好なＧａＮ層を最終的に得ることができる。
【０１２９】
また、同じように、本発明による方法をＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ合金の他の採取層に適合させることもできる。
【０１３０】
これらの材料を少量の炭素（約５％）またはドーパントを含む材料に拡張することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】現行技術によるＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）法の実施後に得られる絶縁体の上に半導体がある構造の概略断面図を表す。
【図２】本発明による方法の実施後に得られる絶縁体の上に半導体がある構造の本出願人によるＴＥＭで得られる断面図を表す。
【図３ａ】Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層を含む構造を形成するための本発明による方法のステップの概略を表す。
【図３ｂ】Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層を含む構造を形成するための本発明による方法のステップの概略を表す。
【図３ｃ】Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層を含む構造を形成するための本発明による方法のステップの概略を表す。
【図３ｄ】Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層を含む構造を形成するための本発明による方法のステップの概略を表す。
【図３ｅ】Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）で採取する層を含む構造を形成するための本発明による方法のステップの概略を表す。
【図４ａ】本発明による第一の変更形態の概略を表す。
【図４ｂ】本発明による第一の変更形態の概略を表す。
【図５ａ】本発明による第二の変更形態の概略を表す。
【図５ｂ】本発明による第二の変更形態の概略を表す。
【図６】６００℃での後分離熱処理を実施した構造内の空隙型欠陥の存在を示す。
【符号の説明】
【０１３２】
１  第一層
２  第二層
３  第三層
４  脆化ゾーン
５  ＳｉＯ2の層
６  接着界面
１０  ドナー基板
２０  受容基板
【図１】
2007526644.tif 000004
【図２】
2007526644.tif 000005
【図３ａ】
2007526644.tif 000006
【図３ｂ】
2007526644.tif 000007
【図３ｃ】
2007526644.tif 000008
【図３ｄ】
2007526644.tif 000009
【図３ｅ】
2007526644.tif 000010
【図４ａ】
2007526644.tif 000011
【図４ｂ】
2007526644.tif 000012
【図５ａ】
2007526644.tif 000013
【図５ｂ】
2007526644.tif 000014
【図６】
2007526644.tif 000015
【国際調査報告】
2007526644.tif 000016
2007526644.tif 000017
2007526644.tif 000018
2007526644.tif 000019
2007526644.tif 000020
2007526644.tif 000021