(57)【要約】【課題】【解決手段】露出された導電材料を不動態化するシステムおよび方法は、処理チャンバ内に基板を配置する工程と、処理チャンバ内に水素種を注入する工程とを備える。処理チャンバ内で、水素種のプラズマが形成される。基板の上面から、表面層の種が還元される。還元された表面層の種は、処理チャンバから取り除かれる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出された導電材料を不動態化する方法であって、
処理チャンバ内に基板を配置する工程と、
前記処理チャンバ内に水素種を注入する工程と、
前記処理チャンバ内で水素種のプラズマを形成する工程と、
前記基板の上面から表面層の種を還元する工程と、
前記還元された表面層の種を前記処理チャンバから取り除く工程と、を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記導電材料は、銅含有材料、銅元素、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｎｉ元素、Ｃｏ、Ｒｕ、ＡｌＯ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｐｔ、および、Ｉｒ、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記不動態化の処理は、その場で実行される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記不動態化の処理は、その場以外の場所で実行される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記不動態化の処理は、エッチング処理の際に、その場で実行される、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記不動態化の処理は、無圧平坦化処理の際に、その場で実行される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記不動態化の処理は、ＣＭＰ動作に続いて、その場以外の場所で実行される、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記処理チャンバは、約３０から約４００℃の間の温度を有する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記処理チャンバは、小容量のプラズマチャンバである、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記処理チャンバは、誘導結合システム、ＥＣＲシステム、および、マイクロ波システム、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記処理チャンバは、約１ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒの間の圧力を有する、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記処理チャンバは、容量結合システムである、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、前記水素種は、Ｈ2、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＣＨ4、および、ＮＨ3、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記水素種を注入する工程は、搬送ガスを注入する工程を備える、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記搬送ガスは、アルゴン、窒素、ヘリウム、ネオン、および、キセノン、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、前前記表面層の種は、酸化物、ハロゲン化物、および、窒化物、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、前記水素種によってプラズマを形成する工程は、前記基板と前記処理チャンバの内壁との少なくとも一方における残留物を揮発させる工程を備え、前記還元された表面層の種を前記処理チャンバから取り除く工程は、前記揮発した残留物を取り除く工程を備える、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、前記基板の前記上面から前記表面層の種を還元する工程は、
前記基板の前記上面を活性化する工程と、
前記上面を粗面化する工程と、を備える、方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法であって、前記露出された導電材料は、所定の期間で不動態化され、前記所定の期間は、前記基板の前記上面から前記表面層の種を所望の量だけ還元するのに十分である、方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法であって、前記所定の期間は、約１５秒よりも長い、方法。
【請求項２１】
露出された銅相互接続を不動態化する方法であって、
処理チャンバ内に基板を配置する工程と、
前記処理チャンバ内に水素種を注入する工程と、
前記処理チャンバ内で水素種のプラズマを形成する工程と、
前記露出された銅相互接続の上面から酸化銅を還元する工程と、
前記還元された酸化銅を前記処理チャンバから取り除く工程と、を備える、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理チャンバの複数の内面の各々は、約２５０℃以上の温度を有し、前記処理チャンバの前記複数の内面の各々は、前記基板に対して露出されている、方法。
【請求項２３】
基板に対して非接触平坦化を実行する方法であって、
エッチング処理チャンバ内に基板を配置する工程と、
前記基板をエッチングする工程と、
前記エッチング処理チャンバ内に水素種を注入する工程と、
前記エッチング処理チャンバ内で水素種のプラズマを形成する工程と、
前記基板の上面から表面層の種を還元する工程と、
前記還元された表面層の種を前記処理チャンバから取り除く工程と、を備える、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、ダマシン半導体製造処理に関し、特に、半導体製造処理において形状および層を平坦化するための方法およびシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、（半導体基板およびウエハの形状の）集積回路デバイスの製造では、プラズマエッチングチャンバを用いる。プラズマエッチングチャンバは、マスクまたはパターンによって規定された通りに、基板上の選択された層をエッチングすることができる。プラズマエッチングチャンバは、処理ガス（すなわち、エッチング剤）を受け入れるよう構成されており、プラズマエッチングチャンバの１または複数の電極に、高周波（ＲＦ）電力が印加される。プラズマエッチングチャンバ内の圧力は、個々の処理に合わせて制御される。所望のＲＦ電力が電極に印加されると、チャンバ内の処理ガスが活性化されて、プラズマが形成される。このように、プラズマは、半導体ウエハの選択された層に対して所望のエッチングを実行するよう構成される。
【０００３】
一部の従来技術のプラズマエッチング処理では、低揮発性の副生成物が生成される。例えば、塩素含有ガス（例えば、Ｃｌ2、ＨＣｌなど）を用いる銅エッチング処理では、副生成物はＣｕＣｌｘである。ＣｕＣｌｘは、常温では不揮発性である。低揮発性の副生成物は、通例、チャンバの壁において凝結する。プラズマエッチングの各サイクル中に、副生成物が、チャンバの壁に蓄積する。最終的に、副生成物は、ある厚さまで蓄積する。次に、副生成物の蓄積は、チャンバの壁から「はがれ」始めるため、かなりの粒子源になる。それらの粒子は、チャンバ内でエッチングされている基板を汚染する場合がある。
【０００４】
銅エッチャント剤は、しばしば、残りの銅の表面を腐食する。この腐食作用は、一様でない孔食を引き起こし、次の処理を実行する前に除去する必要がある望ましくない残留層を残す場合がある。通例、基板は、プラズマエッチングチャンバから取り出されて、洗浄および／またはリンスされる。
【０００５】
図１は、典型的な洗浄後の基板１００を示す図である。基板１００は、露出された銅デバイス１０４の上部に比較的厚い酸化物の層１０２（例えば、酸化銅）を有する。酸化物層１０２は、次の処理（例えば、下層の銅デバイスへの相互接続の形成）を妨げることがあるため、次の処理を試みる前に除去される必要がある。基板１００は、さらに、バリア層１０６を有してもよい。
【０００６】
ＣＭＰ剤は、エッチング剤について上述したのと同様の問題を引き起こす場合がある。通例は、ＣＭＰ動作の後に、基板は洗浄およびリンスされる。ＣＭＰ処理自体および／または洗浄動作および／またはリンス動作は、酸化物層の形成を引き起こす場合がある。
【０００７】
以上の点から、残留層を除去しつつ、酸化物層または任意の他の望ましくない終端層の形成をほぼ排除するシステムおよび方法が必要とされている。
【発明の開示】
【０００８】
概して、本発明は、これらの要求を満たすために、露出された導電材料を不動態化するための改良された方法を提供する。本発明は、処理、装置、システム、コンピュータ読み取り可能な媒体、または、デバイスを含む種々の形態で実施できることを理解されたい。以下では、本発明の実施形態をいくつか説明する。
【０００９】
露出された導電材料を不動態化する方法は、処理チャンバ内に基板を配置する工程と、処理チャンバ内に水素種を注入する工程とを備える。処理チャンバ内で、水素種のプラズマが形成される。基板の上面から、表面層の種が還元される。還元された表面層の種は、処理チャンバから取り除かれる。導電材料は、銅含有材料、銅元素、ＮｉＦｅやＣｏＦｅなどの合金、Ｎｉ元素、Ｃｏ、Ｒｕ、ＡｌＯ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｐｔ、および、Ｉｒ、の内の少なくとも１つを備えてよい。
【００１０】
不動態化処理は、その場で実行されてよい。不動態化処理は、その場以外の場所で実行されてもよい。不動態化処理は、エッチング処理の際に、その場で実行されてよい。不動態化処理は、無圧平坦化処理の際に、その場で実行されてよい。不動態化処理は、ＣＭＰ処理に続いて、その場以外の場所で実行されてもよい。
【００１１】
処理チャンバは、約３０から約４００℃の間の温度を有してよい。処理チャンバは、小容量のプラズマチャンバであってよい。処理チャンバは、容量結合システム、誘導結合システム、ＥＣＲシステム、または、マイクロ波システムであってよい。処理チャンバは、約１ｍＴｏｒｒから約１０００ｍＴｏｒｒの間の圧力を有してよい。
【００１２】
表面層の種は、酸化物、ハロゲン化物（例えば、塩化物、臭化物、フッ化物、またはヨウ化物を含む種）、窒化物、または、それらの組み合わせであってよい。水素種は、Ｈ2、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＣＨ4、および、ＮＨ3、の内の少なくとも１つを備えてよい。水素種を注入する工程は、アルゴン、窒素、ヘリウム、ネオン、およびキセノンなどの搬送ガスを注入する工程を備えてもよい。
【００１３】
水素種によってプラズマを形成する工程は、基板と処理チャンバの内壁との少なくとも一方における残留物を揮発させる工程を備えてよい。還元された表面層の種を処理チャンバから取り除く工程は、揮発した残留物を取り除く工程を備えてもよい。
【００１４】
基板の上面から表面層の種を還元する工程は、基板の上面を活性化する工程と、基板の上面を粗面化する工程とを備えてもよい。露出された導電材料は、所定の期間で不動態化される。所定の期間は、基板の上面から表面層の種を所望の量だけ還元するのに十分である。所定の期間は、約１５秒より長くてよい。
【００１５】
別の実施形態は、露出された銅相互接続を不動態化する方法を提供する。その方法は、処理チャンバ内に基板を配置する工程と、処理チャンバ内に水素種を注入する工程とを備える。その方法は、さらに、処理チャンバ内で水素種のプラズマを形成する工程と、露出された銅相互接続の上面から酸化銅を還元する工程とを備える。還元された酸化銅は、処理チャンバから取り除かれる。処理チャンバのいくつかの内面の各々は、約２５０℃以上の温度を有してよい。処理チャンバの内面の各々は、基板に対して露出されている。
【００１６】
別の実施形態は、基板に対して非接触平坦化を実行する方法を提供する。その方法は、エッチング処理チャンバ内に基板を配置する工程と、基板をエッチングする工程とを備える。その方法は、さらに、エッチング処理チャンバ内に水素種を注入する工程と、エッチング処理チャンバ内で水素種のプラズマを形成する工程とを備える。基板の上面から、表面層の種が還元され、還元された表面層の種は、処理チャンバから取り除かれる。
【００１７】
本発明のその他の態様および利点については、本発明の原理を例示した添付図面との関連で行う以下の詳細な説明から明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下では、エッチングされた表面の表面を平坦化および還元するためのいくつかの例示的な実施形態を説明する。当業者にとって明らかなように、本発明は、本明細書で説明する具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施可能である。
【００１９】
露出された銅は、腐食を受けやすい。これは、相互接続アプリケーションが様々な処理剤（例えば、湿式および乾式の薬剤）にさらされた場合の処理済みの銅に、特に当てはまる。これらの条件の一部は、さらに、腐食剤を用いる場合がある。例えば、銅ドライエッチングは、通例、比較的低温では不揮発性であることから、遅くて非選択的なエッチングである。高温（すなわち、約２００℃より高い温度）では、ハロゲンを含む薬剤（例えば、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素の薬剤）で、揮発性の化合物の形成が起こりうる。腐食は、銅表面の残留ハロゲン化合物と水分との相互作用、または、処理チャンバ内の残留ハロゲンと不動態化されていない銅表面の個所との相互作用によって起きる重大な問題である。後者の場合は、銅のＣＭＰまたは電解研磨に続く無圧バリア除去を含んでもよい。別の例は、腐食性のアルカリ性スラリを利用するＣＭＰを用いたダマシンアプリケーションのための銅処理である。腐食は、通例の湿式の処理を実行しても残る。さらに、通例の湿式の処理は、さらなる処理モジュールとさらなる化学的な条件とを導入することにより、生産コストおよび生産時間を増大させうる。
【００２０】
電気的な要件および次の層の蒸着の要件について、デュアルダマシン処理では、安定した活性表面が重要である。通例、新たに露出された銅の表面は、さらなる処理に必要なものと異なる表面特性を有する。新たに露出された銅表面を改質して、これらの要求を満たすためには、さらなる処理工程および処理モジュールが必要になる。新たに露出された銅表面への改質は、表面の酸化銅層を銅元素に還元することと、真空（例えば、約１００ｍＴｏｒｒよりも低い）条件で銅表面を活性化することとを含む。他の改質は、ＣＭＰ処理剤（例えば、漂白剤、防止剤、促進剤など）の多くの成分を含むＣＭＰ残留物の除去を含んでよく、それにより、ＣＭＰ処理後の任意の湿式洗浄処理を省略することができる。
【００２１】
一実施形態は、新たにエッチングされた表面を不動態化して、腐食を防止するためのシステムおよび方法を提供する。開示されているシステムおよび方法は、エッチングされた基板からエッチャント剤の残留物を除去することができる。開示されているシステムおよび方法は、エッチングチャンバの壁からエッチャント剤の残留物を除去することもできる。さらに、開示されているシステムおよび方法は、銅層が露出された後に形成された酸化物層と、湿式洗浄処理でさらに形成された酸化物層とをほぼ除去することができる。
【００２２】
開示されているシステムおよび方法は、プラズマエッチングチャンバ内で、その場で実行可能である。この実施形態では、プラズマエッチングチャンバ内で実行される他の処理に対して、その場での不動態化動作を組み合わせたり、一部の例では組み込んだりすることができる。このように、プラズマエッチングチャンバ内での総処理時間は、ほとんど変わらない。例えば、一実施形態では、不動態化動作は、約３０秒を必要とし、約６０秒を必要とするチャック取り外し動作と同時に行うと、プラズマチャンバ内での処理時間は増大しない。
【００２３】
別の実施形態は、ＣＭＰ後の洗浄およびリンス動作に続く処理など、その場以外の場所での処理を含む。例えば、基板は、ＣＭＰ動作の後に、洗浄およびリンス動作を受ける。次に、基板は、不動態化処理を実行して、洗浄およびリンス動作中に形成された酸化物層を還元できるプラズマチャンバ内に配置されてよい。この実施形態は、次の動作が、プラズマチャンバ内で実行できるプラズマエッチングまたは蒸着動作である場合に、特に有用である。
【００２４】
本発明のさらなる利点は、新たに露出された層が活性化されることである。活性化された層は、導電材料に次の接続を行うことができるように、導電材料の基質を露出させる。図２Ａは、本発明の一実施形態に従って、銅基質２００を示す図である。銅分子２０２の基質は、酸化物層２０４によって覆われている。酸化物層２０４は、数百から数千オングストロームの厚さを有してよい。図２Ｂは、本発明の一実施形態に従って、不動態化された銅基質２００’を示す図である。不動態化動作後には、酸化物層２０４は、銅分子２０２の基質が完全に露出されるように、ほぼ還元される。銅分子２０２の基質は、やや粗い表面を有する。粗い表面は、露出された銅分子２０２の基質の上に形成されてよい次の層への付着性を増大できる。
【００２５】
不動態化動作は、新しく露出された銅表面を水素に露出させることで、１つの動作で、表面の酸化物の還元、表面の不動態化、および、腐食の防止を行う工程を備える。水素ガス、または、プラズマ条件下で水素を発生する他のガス（例えば、ＨＣｌ、ＣＨ４、ＮＨ３など）を用いて、所望の結果を得ることができる。このプラズマ処理は、誘導または容量結合プラズマリアクタやマイクロ波リアクタを含む様々な種類のプラズマリアクタで用いられてよい。さらなる添加ガスは、例えば、アルゴンに限定されず、酸素や窒素を含んでもよい。
【００２６】
図３Ａは、本発明の一実施形態に従って、ＣＭＰ処理の方法の動作３００を示すフローチャートである。動作３０５では、バルク除去、平坦化、または、その他のＣＭＰ動作が、基板に対して実行される。例えば、ＣＭＰ動作は、ダマシンまたはデュアルダマシン相互接続構造などのための導電材料の余剰部分を除去するために利用可能である。ＣＭＰ動作は、導電性の相互接続を露出させる。ＣＭＰ動作は、線形ベルトＣＭＰ、回転または平面テーブルＣＭＰ、もしくは、低圧ＣＭＰ動作など、任意の種類のＣＭＰ動作であってよい。
【００２７】
動作３１０において、基板は、脱イオン水によるリンスまたは同様の洗浄動作など、「湿式」動作で洗浄される。湿式洗浄動作は、基板から、残留ＣＭＰスラリおよびＣＭＰ副生成物を除去する。湿式洗浄動作は、しばしば、ＣＭＰ処理ツールに組み込まれたり、別個の処理ツールまたはモジュールに組み込まれたりしてよい。
【００２８】
動作３１５において、洗浄された基板は、処理チャンバ内に配置される。処理チャンバは、プラズマ動作に適した任意の処理チャンバであってよい。一実施形態では、処理チャンバは、すべての内面を、処理チャンバの内面に付着しうる任意の残留物を揮発させるのに必要な温度（例えば、約２００ないし約４００℃）以上に一様に加熱させることが可能な処理チャンバを含む。内面とは、基板が露出される先の処理チャンバの内部表面を含む。一実施形態では、処理チャンバは、２００３年１２月２２日に出願された共同所有で同時係属中の米国特許出願１０／７４４，３５５、「Ｓｍａｌｌ  Ｖｏｌｕｍｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｈａｍｂｅｒ  ｗｉｔｈ  Ｈｏｔ  Ｉｎｎｅｒ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ」に記載されたような、小容量の処理チャンバである。小容量の処理チャンバは、約０．５ｃｍから約５ｃｍの距離で隔てられた上部電極および下部電極を有する。
【００２９】
動作３４０において、露出された導電性の相互接続構造の表面は、不動態化される。表面の不動態化については、図４において詳細に説明する。図３Ａに示すように、表面の不動態化動作３４０は、ＣＭＰ動作３０５に対して、その場以外の場所で実行される動作である。
【００３０】
図３Ｂは、本発明の一実施形態に従って、エッチング処理の方法の動作３２０を示すフローチャートである。動作３２５では、プラズマ動作に適した処理チャンバ内に、基板が配置される。基板は、他の動作のための処理チャンバ内に配置されてもよい。例えば、他の動作とは、プラズマエッチング処理や蒸着処理（例えば、化学蒸着）などの動作を含んでよい。
【００３１】
動作３３０において、処理チャンバ内の基板に対して、処理（例えば、プラズマエッチング処理）が実行される。その処理は、処理チャンバ内で実行可能な任意の処理であってよい。一実施形態では、その処理は、２００３年３月１４日に出願された米国特許出願Ｎｏ．１０／３９０，１１７、「Ｓｙｓｔｅｍ，  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｇｌｏｂａｌ  Ｄｕａｌ−Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ」や、２００３年３月１４日に出願された米国特許出願Ｎｏ．１０／３９０，５２０、「Ｓｙｓｔｅｍ，  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｌｏｃａｌ  Ｄｕａｌ−Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ」に記載されたような無圧プラズマエッチング処理である。プラズマエッチング処理は、導電性の相互接続構造またはデバイス構造を露出させる。
【００３２】
動作３４０において、露出された導電性の相互接続構造の表面は、不動態化される。表面の不動態化については、図４において詳細に説明する。図３Ｂに示すように、表面の不動態化動作３４０は、同じ処理チャンバ内で、別の事前または事後の動作として実行可能なその場での動作である。
【００３３】
図４は、本発明の一実施形態に従って、不動態化処理の方法の動作３４０を示すフローチャートである。動作４０５において、プラズマチャンバ内に、水素を含む種が注入される。プラズマチャンバは、約７５℃から約３００℃の範囲に加熱される。プラズマチャンバの圧力は、約１ｍＴｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒの範囲内である。一実施形態では、水素は、約２０ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル毎分）から約２００ｓｃｃｍの間の流速で注入される。水素は、約２０から約２０００ｓｃｃｍの流速の不活性搬送ガス（例えば、アルゴン）で搬送されてよい。
【００３４】
動作４１０において、水素種によってプラズマが形成される。プラズマの高エネルギと、比較的高い温度（例えば、約７５から約３００℃以上）とによって、基板上の残留物質（例えば、ＣＭＰ残留物やエッチャント残留物）が、揮発性になる。基板に対する所望の温度の範囲は、約２００から約４００℃である。同様に、処理チャンバの内面におけるエッチャント残留物も揮発性になる。処理チャンバに対する所望の温度の範囲は、約２００から約４００℃である。揮発した残留物質は、後の動作４２０で取り除かれる。プラズマは、任意の種類のプラズマチャンバ（例えば、誘導型、容量型など）で形成されてよい。例えば、代表的な誘導プラズマチャンバでは、上部に印加される電力は、約５００から約３０００ワットの電力である。下部電極には、約０から約１００ワットの電力が印加されてよい。同様に、容量プラズマチャンバでは、約５００から約５０００Ｗの範囲のシステム電力が、下部および／または上部電極に印加されてよい。ＲＦ電源は、単一または二重周波数の影響を受けてよい。
【００３５】
動作４１５においては、酸化物層が還元される。例えば、水素プラズマは、酸化物表面層における酸素原子が、導電材料（例えば、銅）から分離して、水素と結合し、水分子を形成することを引き起こす。残りの水素原子すべて、導電材料から分離した酸素原子すべて、および、形成された水分子は、後の動作４２０で取り除かれてよい。酸化物層の還元および残留物質の揮発は、約１５秒から約２分で完了する。最大時間は示されていないが、酸化物層と残留物質の揮発との大部分は、約２分未満で完了できる。動作４２０において、酸化物、水素、水蒸気、および、揮発した残留物質は、処理チャンバから取り除かれ、その方法の動作は終了する。
【００３６】
例えば、一実施形態では、容量結合プラズマエッチングチャンバ内に、基板がロードされる。プラズマエッチングチャンバは、約２０ｍＴｏｒｒの圧力で、約２５０℃の温度に加熱される。プラズマエッチングチャンバの上部電極には、約１０００ワットが印加され、下部電極には電力が印加されない。約１００ｓｃｃｍのＨ2および約１００ｓｃｃｍのアルゴンがプラズマエッチングチャンバに注入され、水素種のプラズマが生成される。基板は、約６０秒間、水素プラズマにさらされ、基板の上面における酸化物が還元される。
【００３７】
上述の実施形態は、銅デバイスおよび相互接続構造に関連して説明されているが、実施形態は、銅だけに限定されない。磁性材料（ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＡｌＯなど）および電極材料（Ｔａ、ＴａＮ、Ｐｔ、Ｉｒなど）のエッチングも、同様のプロセスで実行可能である。
【００３８】
上述の任意の図面の動作によって表される命令は、図示された順序で実行される必要はなく、それらの動作によって表される処理すべてが、必ずしも本発明の実施に必要なわけではない。さらに、上述の図面のいずれかに記載されたプロセスは、ＲＡＭ、ＲＯＭ、または、ハードディスクドライブのいずれか、もしくは、それらを組み合わせたものに格納されたソフトウェアとして実施されてもよい。
【００３９】
理解を深めるために、上述の発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更と変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】典型的な洗浄後の基板を示す図。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に従って、銅基質を示す図。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に従って、不動態化された銅基質を示す図。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に従って、ＣＭＰ処理の方法の動作を示すフローチャート。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に従って、エッチング処理の方法の動作を示すフローチャート。
【図４】本発明の一実施形態に従って、不動態化処理の方法の動作を示すフローチャート。
【図１】
2007520080.tif 000003
【図２Ａ】
2007520080.tif 000004
【図２Ｂ】
2007520080.tif 000005
【図３Ａ】
2007520080.tif 000006
【図３Ｂ】
2007520080.tif 000007
【図４】
2007520080.tif 000008
【国際調査報告】
2007520080.tif 000009
2007520080.tif 000010
2007520080.tif 000011
2007520080.tif 000012
2007520080.tif 000013