(57)【要約】  集積回路製造工程で被接合回路の重複領域において不整合を特定するためのシステムおよび方法。同方法は：基準マスクを用いて第１の回路を作製するステップであって、第１の回路が重複領域においてオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分を含む、前記ステップと；二次マスクを用いて第２の回路を作製するステップであって、第２の回路が重複領域においてオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分を含み、オフセット依存性抵抗器構造が前記オフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２の部分とを相互接続する複数の接合点を含む、前記ステップと；オフセット依存性抵抗器構造の抵抗を測定するステップと；測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定するステップと；を含む。
2007526497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路製造工程で被接合回路の重複領域にて不整合を特定する方法であって：
基準マスクを用いて第１の回路を作製するステップであって、前記第１の回路が前記重複領域にてオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分を含む、前記ステップと；
二次マスクを用いて第２の回路を作製するステップであって、前記第２の回路が前記重複領域にて前記オフセット依存性抵抗器構造の第２の部分を含み、前記オフセット依存性抵抗器構造が前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する複数の接合点を含む、前記ステップと；
前記オフセット依存性抵抗器構造の抵抗を測定するステップと；
測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定するステップと；
を含む、方法。
【請求項２】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記部分の内の一方が、各々が２つの開放終点を有する一対の開放矩形基礎構造を備え；
前記第１および第２の部分を重ね合わせた時に単一の電気経路を形成するために、前記オフセット依存性抵抗器構造の他方の部分が、前記矩形基礎構造の前記開放終点と相互接続する３つの基礎構造を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記部分の内の一方が一対の試験パッドを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを４つの接合点を介して相互に接続し、各接合点を一定方向に方向付ける、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記一定方向において不整合が生じない場合に各接合点が第１の長さを有し；
前記一定方向において正の不整合が生じた場合に、各接合点が前記第１の長さより大きい第２の長さを有し；
前記一定方向において負の不整合が生じた場合に各接合点が前記第１の長さより小さい第３の長さを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
不整合が生じない場合に、前記単一の電気経路に沿って第１の抵抗値が発生し；
正の不整合が生じた場合に、前記単一の電気経路に沿って前記第１の抵抗値より大きい第２の抵抗値が発生し；
負の不整合が生じた場合に、前記単一の電気経路に沿って前記第１の抵抗値より小さい第３の抵抗値が発生する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定する前記ステップが、測定した抵抗をゼロ不整合の事例に相当する既知の抵抗値に比較するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記部分の内の一方が、各々が２つの開放終点を有する一対の開放Ｅ字形基礎構造を備え；
前記２つの部分を重ね合わせた時に単一の電気経路を形成するために、前記オフセット依存性抵抗器構造の他方の部分が、前記Ｅ字形基礎構造の前記開放終点と相互接続する３つの基礎構造を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記部分の内の一方が一対の試験パッドを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを４つの接合点を介して相互に接続し、各接合点を一定方向に方向付ける、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記一定方向において不整合が生じない場合に、各接合点が第１の長さを有し；
前記一定方向において正の不整合が生じた場合に、各接合点が前記第１の長さより小さい第２の長さを有し；
前記一定方向において負の不整合が生じた場合に、各接合点が前記第１の長さより大きい第３の長さを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
不整合が生じない場合に、前記単一の電気経路に沿って第１の抵抗値が発生し；
正の不整合が生じた場合に、前記単一の電気経路に沿って前記第１の抵抗値より小さい第２の抵抗値が発生し；
負の不整合が生じた場合に、前記単一の電気経路に沿って前記第１の抵抗値より大きい第３の抵抗値が発生する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定する前記ステップが、測定した抵抗をゼロ不整合の事例に対して決定した既知の抵抗値に比較するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
集積回路の被接合部分の重複領域において不整合を特定するためのオフセット依存性抵抗器構造であって：
前記重複領域において基準マスクを用いて作製したオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と；
前記重複領域において二次マスクを用いて前記第１の部分の上に重ね合わされる前記オフセット依存性抵抗器構造の第２の部分と；
単一の電気経路を形成するために、前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する複数の接合点であって、前記単一の電気経路の抵抗は前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する接合点の長さに依存する、前記複数の接合点と；
を含む、オフセット依存性抵抗器構造。
【請求項１５】
前記単一の電気経路の末端に一対の試験パッドをさらに備える、請求項１４に記載のオフセット依存性抵抗器構造。
【請求項１６】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分が、各々が２つの開放終点を有する一対の開放矩形基礎構造を備え； 
前記単一の電気経路を形成するために、前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第２の部分が、前記開放矩形基礎構造の前記開放終点と相互接続する３つの基礎構造を備える、請求項１４に記載のオフセット依存性抵抗器構造。
【請求項１７】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分が、各々が２つの開放終点を有する一対の開放Ｅ字形基礎構造を備え； 
単一の電気経路を形成するために、前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第２の部分が、前記Ｅ字形基礎構造の前記開放終点と相互接続する３つの基礎構造を備える、
請求項１４に記載のオフセット依存性抵抗器構造。
【請求項１８】
前記オフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを４つの接合点を介して相互に接続し、各接合点を一定方向に方向付ける、請求項１４に記載のオフセット依存性抵抗器構造。
【請求項１９】
集積回路の被接合部分の重複領域において不整合を測定するためのシステムであって：
オフセット依存性抵抗器構造を備え、該オフセット依存性抵抗器構造が：
前記重複領域において基準マスクを用いて作製した第１の部分と、
前記重複領域において前記第１の部分の上に重ね合わされるとともに二次マスクを用いて作製した第２の部分と；
単一の電気経路を形成するために、前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する第１の一定方向に方向付けた複数の接合点であって、前記単一の電気経路の抵抗が前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する前記接合点の長さに依存する、前記複数の接合点と、を備え、前記システムが、
前記単一の電気経路の抵抗を測定するためのシステムを備える、システム。
【請求項２０】
抵抗を測定するための前記システムが、前記単一の電気経路の末端における一対の試験パッドと一対のプローブとを備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
第２のオフセット依存性抵抗器構造をさらに備え、前記第２のオフセット依存性抵抗器構造が：
前記重複領域において基準マスクを用いて作製した第１の部分と、
前記重複領域において二次マスクを用いて作製した第２の部分と、
単一の電気経路を形成するために前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する第２の一定方向に方向付けた複数の第２の接合点と、を含み、前記第２の一定方向が前記第１の一定方向に対して垂直である、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２２】
集積回路製造工程でステッチ型回路の重複領域において不整合を特定する方法であって：
基準マスクを用いて第１の回路を作製するステップであって、第１の回路は前記重複領域において第１のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分とを含む、前記ステップと；
二次マスクを用いて第２の回路を作製するステップであって、前記第２の回路は前記重複領域において前記第１のオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分と前記第２のオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分とを含み、前記第１のオフセット依存性抵抗器構造は前記第１のオフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する複数の第１の接合点を含み、前記第２のオフセット依存性抵抗器構造は前記第２のオフセット依存性抵抗器構造の前記第１の部分と前記第２の部分とを相互接続する複数の第２の接合点を含み、前記第１および前記第２の接合点が一定方向に方向付けられる、前記ステップと；
前記第１および前記第２のオフセット依存性抵抗器構造の両方の抵抗を測定するステップと；
測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定するステップと；
を含む、方法。
【請求項２３】
前記一定方向において不整合が生じない場合に、前記第１の接合点および前記第２の接合点の全てが第１の長さに略等しく；
前記一定方向において不整合が生じた場合に、前記第１の接合点が前記第１の長さより小さい長さを有し、前記第２の接合点が前記第１の長さより大きい長さを有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記一定方向において不整合が生じない場合に、前記第１および前記第２のオフセット依存性抵抗器構造が同じ抵抗値を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記一定方向において不整合が生じた場合に、前記第２のオフセット依存性抵抗器構造が前記第１のオフセット依存性抵抗器構造の抵抗値に対して実質的に負となる抵抗値を有する、請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程における被接合マスク同士の不整合の測定に関し、より詳細には、エッチングされる相互接続層に対する被接合マスク同士の単一方向不整合を電気的に測定する、増感度整合オフセット依存性抵抗器の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
殆どの半導体装置はいくつもの材料層を用いて製造される。それぞれの層をパターン化して選択した部分を追加または除去することにより回路特徴を形成するが、それらが最終的には１つの完全な集積回路をなす。フォトリソグラフィとして知られるこのパターン化方法では、光源を選択的に遮断するマスクを用いて回路特徴の寸法を定める。
【０００３】
集積回路が複雑になるにつれ、回路の数およびサイズが増大し、ウェハ全体を占めることも多い。ウェハスケールインテグレーション（ＷＳＩ）では、殆どの場合、標準的マスクのレチクルが小さ過ぎてウェハ全体に焼き付けを行うことができない。このような場合には、製造する単一層につき複数のマスクを使用せざるを得ない。具体的には、第１のマスクによって作製した回路と第２のマスクによって作製した回路とを、重複する領域で「接合させる」。接合する際に不整合が発生すると好ましくない影響が生じるため、不整合の発生を把握することが必要である。
【０００４】
現在の不整合特定方法では、走査型顕微鏡を用いて装置を検査する。この方法では、装置をエッチングして接合した領域を露出させた上で、装置を念入りに検査して不整合を特定しなければならないため、時間および費用がかかる。そこで、接合を実施した回路で不整合を特定する方法を単純化する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、基準マスクおよび二次マスクの各々によって部分的に形成される一組のオフセット依存性抵抗器構造を提供することにより、上記の問題をはじめ、他の問題にも対処するものである。抵抗器の値は、オフセットが発生すると理想値から変動し、オフセットが発生しなければ理想値に等しい。検知は各抵抗器構造につき単一の軸に分離して行い、その構造をコンパクトな設計にして反復させることで、使用も容易となり、不整合に対する感度も増す。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は第１の態様において、集積回路製造工程で被接合回路の重複領域において不整合を特定する方法を提供する。前記方法は：基準マスクを用いて第１の回路を作製するステップであって、第１の回路が重複領域においてオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分を含む、前記ステップと；二次マスクを用いて第２の回路を作製するステップであって、第２の回路が重複領域においてオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分を含み、前記オフセット依存性抵抗器構造が前記オフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２の部分とを相互接続する複数の接合点を含む、前記ステップと；オフセット依存性抵抗器構造の抵抗を測定するステップと；測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定するステップと；を含む。
【０００７】
本発明は第２の態様において、集積回路の接合された部分の重複領域において不整合を特定するためのオフセット依存性抵抗器構造を提供する。前記オフセット依存性抵抗器構造は：重複領域において基準マスクを用いて作製したオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分を備え；重複領域において二次マスクを用いて第１の部分の上に重ね合わせられるオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分を備え；単一の電気経路を形成するために、オフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２の部分とを相互接続する複数の接合点を備える。前記単一の電気経路の抵抗はオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２の部分とを相互接続する接合点の長さに依存する。
【０００８】
本発明は第３の態様において、集積回路の被接合部分の重複領域において不整合を測定するためのシステムを提供する。前記システムは：オフセット依存性抵抗器構造を備え、該オフセット依存性抵抗器構造は：重複領域において基準マスクを用いて作製した第１の部分と、重複領域において第１の部分の上に重ね合わされるとともに二次マスクを用いて作製した第２の部分と、単一の電気経路を形成するために第１の部分と第２の部分とを相互に接続し、第１の一定方向に方向付けられた複数の接合点と、を含み、単一の電気経路の抵抗は、第１の部分と第２の部分とを相互接続する接合点の長さに依存する。前記システムはまた、単一の電気経路の抵抗を測定するためのシステムを備える。
【０００９】
本発明は第４の態様において、集積回路製造工程で被接合回路の重複領域において不整合を特定する方法を提供し、前記方法は：基準マスクを用いて第１の回路を作製するステップであって、第１の回路が重複領域において第１のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分とを含む、前記第1の回路を作製するステップと；二次マスクを用いて第２の回路を作製するステップであって、第２の回路が重複領域において第１のオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分と第２のオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分とを含み、第１のオフセット依存性抵抗器構造が前記第１のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２の部分とを相互接続する複数の第１の接合点を含み、第２のオフセット依存性抵抗器構造が前記第２のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分と第２の部分とを相互接続する複数の第２の接合点を含み、第１および第２の接合点を一定方向に方向付ける、前記第２の回路を作製するステップと；第１および第２の両オフセット依存性抵抗器構造の抵抗を測定するステップと；測定した抵抗に基づいて不整合の量を決定するステップと；を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上記およびその他の本発明の特徴は、添付の図面を参照する以下の本発明の様々な態様の詳細な説明から、より良く理解できよう。
【００１１】
図面を参照すると、図１は集積回路チップの重複領域１０の部分を示す。重複領域１０において、基準マスクを用いて第１の回路特徴集合を作成し、さらに第２のマスク（図示せず）を用いて第２の回路特徴集合を作成することができる。したがって、基準マスクと二次マスクを置いた回路を一体化するには、両方の回路特徴のいくつかを「接合」しなければならない。この典型的な実施形態においては、４つのオフセット依存性抵抗器構造１２ａ，１２ｂ，１４ａ、および１４ｂを用いて回路同士の不整合を判断する。
【００１２】
一次マスクによって作成した第１の部分２４と二次マスクによって作成した第２の部分２６とを含む第１の実施形態（図２から図５を参照して以下で詳述する）を用いて構造１２ａおよび１２ｂを実行する。第２の部分２６が第１の部分２４に向かうように不整合を生じる場合には（すなわち方向矢印が示す正の不整合）、構造１２ａおよび１２ｂで抵抗が増す。
【００１３】
一次マスクによって作成した第１の部分２０と二次マスクによって作成した第２の部分２２とを含む第２の実施形態（図６から図９を参照して以下で詳述する）を用いて、構造１４ａおよび１４ｂを実行する。第２の部分２２が第１の部分２０から遠ざかるように不整合を生じる場合には（すなわち方向矢印が示す負の不整合）、構造１４ａおよび１４ｂで抵抗が増す。
【００１４】
したがって、構造１２ａおよび１４ａは上下方向の不整合を測定し、他方構造１２ｂおよび１４ｂは左右方向の不整合を測定する。図１の典型的な実施形態は４つのオフセット依存性抵抗器構造の使用を示すものであるが、抵抗器構造を１つのみ用いても、あるいは必要な限り多くの構造を用いても、本発明を実施できることが理解されよう。構造１２ａ，１２ｂ，１４ａおよび１４ｂの各々は、抵抗を測定する試験パッド２８，３０（またはその他任意の接続構造）を含む。典型的な実施形態においては、試験システム１１をプローブ１３とともに使用して抵抗を測定し、ゼロ不整合に相当する理想値にそれを比較し、不整合を計算してもよい。代替的な実施形態においては、例えば演算増幅器を用いて、抵抗値および不整合量の少なくとも一方をとらえて報告できるオンボード回路構成に構造１２ａ，１２ｂ，１４ａおよび１４ｂを接続してもよい。
【００１５】
次に図２Ａ，２Ｂ、および図３から図５を参照し、第１のタイプのオフセット依存性抵抗器構造１２（すなわち図１の１２ａおよび１２ｂ）をさらに説明する。図２Ａは基準マスクによって作成した構造１２の第１の部分２４を示し、図２Ｂは二次マスクによって作成した構造１２の第２の部分２６を示す。第１の部分２４は、各々２つの接合点３４を有する一対の開放矩形基礎構造３２を含む。第１の部分はまた、一対の試験パッド２８および３０を含む。第２の部分２６は３つの基礎構造３６，３８および４０を含み、これらは４つの接合点４２を有する。
【００１６】
図３から図５は、第２の部分２６を第１の部分２４の上に重ね合わせたオフセット依存性抵抗器構造１２の３つの事例を示す。図から分かるように、両部分の基礎構造を置くと、試験パッド同士間に１つの電気経路が出来る。この構造は、２つの部分を接続する４つの接合点を含む。基礎構造の設計であるから、上方向または下方向に不整合またはオフセットが生じると、各接合点４２をより多く、或いはより少なく使用する必要があり、結果的に電気経路がより長くなるか、或いはより短くなる。一般に知られるように、電気経路が長くなるに連れ、抵抗は大きくなる。したがって、経路を介して抵抗を測定すれば垂直方向の不整合の相対量を突きとめることができる。
【００１７】
より具体的には、第２の部分２６が第１の部分２４に向かって不整合を起こす（正の不整合）場合には抵抗が相対的に増大し、第２の部分２６が第１の部分２４から遠ざかるように不整合を生じる（負の不整合）場合には、抵抗が相対的に減少する。図３に示す事例は、不整合が発生しない理想的事例を示している。すなわち、第１の部分の基礎構造３４と第２の部分の基礎構造３６，３８および４２との間で露出する接合点４２の長さは「理想的」長さに一致する。
【００１８】
図４は、第２の部分２６が第１の部分２６に対して上および右方向にずれた事例を示すものである。図からわかるように、露出する接合点２４の長さは図３の理想的長さに比べて長い。この場合の電気経路はより長く、それ故図４の構造１２の抵抗は図３の構造１２より大きい。
【００１９】
図５は、第２の部分２６が第１の部分２６に対して下および左方向にずれた事例を示すものである。図から分るように、露出する接合点２４の長さは図３の理想的長さに比べて短い。この場合の電気経路はより短く、それ故図４の構造１２の抵抗は図３の構造１２より小さい。
【００２０】
経路に沿って複数の接合点４２を含むオフセット抵抗器構造を設けることによって感度を増大できる。本実施形態では４つの接合点４２を使用するが、垂直方向に不整合が生じる場合には、接合点４２の各々によって経路の全長が長くなるか、或いは短くなる。したがって、本構造の感度は４倍に増大する。構造１２が、単一の方向（例えば垂直方向）の不整合を測定することは理解されよう。第２の方向（例えば水平方向）で不整合を特定するために第２の構造１２を用いてもよいが、例えば図１に示すように、所望の方向、例えば第１の構造に対して垂直方向に第２の構造を向けるようにしなければならない（構造１２ａおよび１２ｂを参照）。
【００２１】
図６ないし図９は、オフセット依存性抵抗器構造１４（すなわち図１の構造１４ａおよび１４ｂ）の第２の実施形態を示すものである。本実施形態において、図６Ａは基準マスクによって作成した第１の部分２０を示し、部分２０は一対の試験パッドと３つの基礎構造４４，４６および４８とを含む。二次マスクによって作成した第２の部分２２は、一対のＥ字形基礎構造５０を含む。各々のＥ字形基礎構造５０は一対の接合点５２を含む。図７ないし図９は、第２の部分２２を第１の部分２０の上に重ね合わせた３つの事例を示すものである。図７はオフセットゼロの事例を示しており、そこでは各接合点５２の露出部分は理想的な長さである。図８は、第２の部分２２が第１の部分２０に対して上および右方向にずれている事例を示す。この場合、各接合点５２の露出部分は理想的事例に比べて小さく、その結果、相対的により低い抵抗が生じる。図９は、第２の部分２２が第１の部分２０に対して下および左方向にずれている事例を示す。この場合、各接合点５２の露出部分は理想的事例に比べて大きく、その結果、相対的により大きい抵抗が生じる。
【００２２】
オフセット依存性抵抗器構造１４はオフセット依存性抵抗器構造１２と同様、４つの接合点を備えることで感度を増大させている。ただし、図６ないし図９に示す構造１４は、第２の部分２２が第１の部分２０に向かって不整合を生じる（正の不整合）場合に相対的により低い抵抗を生じさせ、第２の部分２２が第１の部分２０から遠ざかるように不整合を生じる（負の不整合）場合に相対的により高い抵抗を生じさせる点で、図２から図５に示すオフセット依存性抵抗器構造１２と異なる。
【００２３】
ただし、図３および図７に示す理想的事例における構造１２および１４が電気的に同等であること、すなわち同じ抵抗値を有することに注意されたい。とりわけ、両方の理想的構造とも、折り返しの数と経路全長は同じである。したがって、正のオフセットが生じる場合、構造１２の抵抗値の増加量は構造１４の抵抗値の減少量と同じである。基礎構造の全体的配置を変更しても同様の結果を生じることができるが、かかる変更が本発明の範囲に含まれることは明白である。
【００２４】
以上、本発明を例示および説明する目的でその好適な実施形態を記載したが、上記の実施形態は、本発明を網羅するものでも、本発明をその形態通りに限定するものでもなく、上記の教示から多くの変更および変形が可能であることは明白である。かかる変更および変形は当業者には明らかであり、それらは添付の特許請求の範囲で定義される本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による集積回路チップの重複領域を示す図。
【図２Ａ】本発明による第１のマスクを用いて作製したオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分を示す図。
【図２Ｂ】本発明による第２のマスクを用いて作製したオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分を示す図。
【図３】オフセットなしで重ね合わせた図２Ａおよび２Ｂの第１および第２の部分を示す図。
【図４】正のオフセットで重ね合わせた図２Ａおよび２Ｂの第１および第２の部分を示す図。
【図５】負のオフセットで重ね合わせた図２Ａおよび２Ｂの第１および第２の部分を示す図。
【図６Ａ】本発明による第１のマスクを用いて作製した第２のオフセット依存性抵抗器構造の第１の部分を示す図。
【図６Ｂ】本発明による第２のマスクを用いて作製した第２のオフセット依存性抵抗器構造の第２の部分を示す図。
【図７】オフセットなしで重ね合わせた図６Ａおよび図６Ｂの第１および第２の部分を示す図。
【図８】正のオフセットで重ね合わせた図６Ａおよび図６Ｂの第１および第２の部分を示す図。
【図９】負のオフセットで重ね合わせた図６Ａおよび図６Ｂの第１および第２の部分を示す図。
【符号の説明】
【００２６】
１０  重複領域
１１  試験システム
１２ａ，１２ｂ  オフセット依存性抵抗器構造
１３  プローブ
１４ａ，１４ｂ  オフセット依存性抵抗器構造
２８，３０  試験パッド
【図１】
2007526497.tif 000003
2007526497.tif 000004
【図３】
2007526497.tif 000005
【図４】
2007526497.tif 000006
【図５】
2007526497.tif 000007
2007526497.tif 000008
【図７】
2007526497.tif 000009
【図８】
2007526497.tif 000010
【図９】
2007526497.tif 000011
【国際調査報告】
2007526497.tif 000012
2007526497.tif 000013