(57)【要約】２つのウェーハ間の接着シールの周辺部内の周辺部に、追加の空間を有する一体型真空パッケージ。追加の空間は、頂部ウェーハの内部表面から材料をエッチングで除去してできたものである。このウェーハは、２つのウェーハ間の空間内からガス及び空気を排出した後にその空間内で真空を維持するために密封される通気孔を有する。頂部ウェーハの内部表面は、反射防止パターンを有する。また、頂部ウェーハの外側表面上に反射防止パターンを備える。２つのウェーハ間のシールは、環状であり、スペーサ材料を有する。また、シールは、ウェーハの２つの対面した表面間の平坦さの変動を補償するために、半田のような可鍛性材料を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体型パッケージであって、
第１の面を有する第１のウェーハと、
前記第１のウェーハの前記第１の面に、第１の周辺部で接着される第１の面を有する第２のウェーハと、
前記第１のウェーハの前記第１の面において前記第１の周辺部内に位置する第２の周辺部内に形成される凹部と
を備える一体型パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の一体型パッケージであって、第１のバンプ・パターンを、前記第１のウェーハの前記第１の面において前記第２の周辺部内に更に備える一体型パッケージ。
【請求項３】
請求項２記載の一体型パッケージであって、第２のバンプ・パターンを、前記第１のウェーハの第２の面上に備える一体型パッケージ。
【請求項４】
請求項３記載の一体型パッケージであって、シールを、前記第１のウェーハと第２のウェーハとの間で前記第１の周辺部に備える一体型パッケージ。
【請求項５】
請求項４記載の一体型パッケージであって、前記シールが、
スペーサ材料と、
可鍛性材料の層と
を備える、一体型パッケージ。
【請求項６】
請求項５記載の一体型パッケージであって、前記シールが接着可能な材料の層を更に備える、一体型パッケージ。
【請求項７】
請求項６記載の一体型パッケージであって、構造的支持体を、前記第１のウェーハの前記凹部に更に備える、一体型パッケージ。
【請求項８】
請求項７記載の一体型パッケージであって、少なくとも１つの排出用開口を、前記第１のウェーハに更に備える、一体型パッケージ。
【請求項９】
請求項８記載の一体型パッケージであって、前記第１及び第２のウェーハがシリコンを含む、一体型パッケージ。
【請求項１０】
一体型パッケージを作る方法であって、
第１のウェーハを設けるステップと、
凹部を、前記第１のウェーハの第１の面において第１の周辺部に作るステップと、
前記第１の周辺部の外側の第２の周辺部に形成されたシールを用いて、第２のウェーハを前記第１のウェーハに接着するステップと
を備える方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、前記第２のウェーハと前記第１のウェーハとを接着する前に、第１のバンプ・パターンを、前記第１のウェーハの前記第１の面に形成するステップを更に備える方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法であって、前記第２のウェーハと前記第１のウェーハとを接着する前に、前記第１のウェーハを貫通する少なくとも１つの開口を形成するステップを更に備える方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法であって、前記第１のウェーハと前記第２のウェーハとを接着した後で、前記第１のウェーハ及び前記第２のウェーハを焼成するステップを更に備える方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法であって、前記第１のウェーハ及び前記第２のウェーハを焼成するステップを実質的に真空の中で行う方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、前記第１のウェーハを貫通する前記少なくとも１つの開口を、実質的に真空の中で密封するステップを更に備える方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法であって、第２のバンプ・パターンを、前記第１のウェーハの第２の面に形成するステップを更に備える方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法であって、前記第１のバンプ・パターン及び前記第２のバンプ・パターンが反射防止特性を有する方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法であって、前記シールが、
スペーサ材料と、
可鍛性層と
を備える、方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、
前記シールが、金のような材料の層を更に備え、
前記可鍛性層が、半田のような材料を備える、
方法
【請求項２０】
一体型パッケージングのための装置であって、
第１のウェーハの第１の面において第１の周辺部の周りに凹部を有する、前記第１のウェーハを設ける手段と、
前記第１のウェーハに接着される第２のウェーハを設ける手段と
を備える装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の装置であって、前記凹部が、前記第１のウェーハ及び前記第２のウェーハの外部の環境から気密密閉される、装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の装置であって、前記第１のウェーハの第１の面が、前記第１の周辺部内に第１のバンプ・パターンを有する、装置。
【請求項２３】
請求項２２記載の装置であって、前記第１のウェーハ及び前記第２のウェーハが、前記第１の周辺部の外側の第２の周辺部に沿って接着シールを備える、装置。
【請求項２４】
請求項２３記載の装置であって、前記接着シールが、
スペーサ材料と、
可鍛性層と
を備える、装置。
【請求項２５】
請求項２４記載の装置であって、
前記第１のウェーハの第２の面が、第２のバンプ・パターンを有し、
前記第１のバンプ・パターン及び前記第２のバンプ・パターンが、反射防止性である、
装置。
【請求項２６】
一体型パッケージにおいて、
第１のウェーハであって、
該第１のウェーハの第１の面上の第１の周辺部に沿って存在するシールと、
前記第１のウェーハの第１の面における、前記第１の周辺部内の第２の周辺部に沿って存在するトレンチと
を備える第１のウェーハと、
前記シールに沿って前記第１のウェーハに接着される第１の面を有する第２のウェーハと
を備える一体型パッケージ。
【請求項２７】
請求項２６記載の一体型パッケージであって、前記第１のウェーハが、前記第１の面上に反射防止パターンを備える、一体型パッケージ。
【請求項２８】
請求項２７記載の一体型パッケージであって、前記第１のウェーハが、少なくとも１つの通気孔及び通気孔シールを更に備える、一体型パッケージ。
【請求項２９】
請求項２８記載の一体型パッケージであって、前記シールがスペーサ材料を備える、一体型パッケージ。
【請求項３０】
請求項２９記載の一体型パッケージであって、前記第１のウェーハが、第２の面上に反射防止パターンを更に備える、一体型パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密封型真空パッケージに関し、特に、密封されたチャンバを有するシールされたウェーハ対に関する。より詳細には、本発明は、ウェーハ・トップキャップを有するパッケージに関する。
【０００２】
本出願は、Ｂ．Ｃｏｌｅ、Ｒ．Ａ．Ｈｉｇａｓｈｉその他により２００２年５月２３日に出願され、発明の名称が「多重基板パッケージ組立体（Ｍｕｌｔｉ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）」である米国特許出願Ｎｏ．１０／１５４，５７７の一部継続出願である。
【背景技術】
【０００３】
幾つかの特許文献は、シールされたウェーハ対（つい）チャンバ一体型真空パッケージに関連している。１つの特許文献は、Ｒ．Ｈｉｇａｓｈｉらに１９９９年４月２０日に発行され、発明の名称が「赤外線デバイス用の集積シリコン・マイクロパッケージ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｍｉｃｒｏｐａｃｋａｇｅ  ｆｏｒ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）」である米国特許Ｎｏ．５，８９５，２３３であり、この文献を本明細書に援用する。この特許の譲受人は、本発明の譲受人と同じである。別の特許文献は、Ｒ．Ａ．Ｗｏｏｄらに２０００年３月１４日に発行され、発明の名称が「密封型チャンバを有するウェーハ対を作る方法（Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｍａｋｉｎｇ  ａ  Ｗａｆｅｒ−Ｐａｉｒ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｓｅａｌｅｄ  Ｃｈａｍｂｅｒｓ）」である米国特許Ｎｏ．６，０３６，８７２であり、この文献を本明細書に援用する。この特許文献の譲受人は、本発明の譲受人と同じである。更に別の特許文献は、Ｂ．Ｃｏｌｅに２００３年９月３０日に発行され、発明の名称が、「改善された反射防止エレメントをもつパッケージングされた赤外線検出器（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ  Ｐａｃｋａｇｅｄ  ｗｉｔｈ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）」である米国特許Ｎｏ．６，６２７，８９２ Ｂ２であり、この文献を本明細書に援用する。この特許文献の譲受人は、本発明の譲受人と同じである。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
［概要］
本発明は、ピクセル及び電子素子を有する基板ウェーハと、一体型の密封されたパッケージを形成するように基板上に位置し且つ基板に対してシール（密封）されるトップキャップ（頂部キャップ）・ウェーハとを備える。頂部キャップは、ピクセルに近接したその内部表面に形成された反射防止パターンを有する。頂部キャップは、ピクセルの周辺部の周りに内部容積を有する。また、頂部キャップは、密封可能な排出用の孔、通気穴、又は開口を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
本発明は、ＣＭＯＳ電子素子と、ウェーハに対してシールされる頂部キャップとを有するウェーハであって、一体型真空パッケージを形成する。１群のピクセルがウェーハに配される。関連技術の一体型真空パッケージは、パッケージを真空にするための排出孔（ｐｕｍｐｏｕｔ  ｈｏｌｅｓ）を、ＣＭＯＳウェーハに備え得る。排出孔をそのような位置に設けると、高価なＣＭＯＳウェーハに対して厳しい歩留まり損失をもたらし得る。更に、それら他のパッケージの頂部キャップの形状は、ピクセル応答を増強するために頂部キャップの内部に反射防止表面を作ることを可能にしない。これは、頂部キャップが、ピクセルからかなり距離が離れている内部表面を有する形状を有し、凹部は、時間の経過と共にウェーハ・パッケージからガス抜けして構成成分が希釈化するのを許容するからである。内部表面の平面はまた、頂部キャップ・シールの平面からかなり距離が離れている。この構成では、反射防止表面をピクセルの上方の頂部キャップの内部側に設けることが不可能ではないようにする場合には、内部表面の形状は実際的なものではなくなる。そのように非実際的ではないようにするため、本発明は、凹部を、ピクセルの上方から１群のピクセルの周りの周辺空間へと変更する。そうすると、頂部キャップの内部表面は、ピクセルの近くになる。この設計し直した頂部の凹部は、底部ピクセル・ウェーハではなく頂部キャップ・ウェーハの排出孔又は通気孔と共に用いられる。これらの変更は、ピクセルの性能、及びピクセルやＣＭＯＳウェーハの歩留まりを改善する。
【０００６】
図１Ａは、頂部キャップ・ウェーハ１１の断面図を示す。ウェーハ１１は、フロートゾーン（ｆｌｏａｔ−ｚｏｎｅ）・ウェーハであり、即ち、低い酸素含有量を有し、そして低いドーピングがなされているものである。ウェーハ１１の底部即ち内部表面２９は、反射防止面１２を有する。面１２は、プラズマ・エッチャを用いてエッチングされたバンプ（ｂｕｍｐｓ）１３である。バンプ・パターンを印刷するためにはステッパが必要とされる。バンプ１３は、ウェーハ１１を通ることになる光の波長より小さい。バンプ、ポスト又はペデスタル（ｐｅｄｅｓｔａｌｓ、脚）１３の高さ即ち深さは、約λ／４であり得る。バンプ、ポスト又はペデスタル１３の断面寸法即ち幅３３は、λ／１０からλ／５である。バンプ１３の屈折率、及びバンプ間の空間（例えば、空気又は真空）の位置は、平均化される。この平均屈折率は、面１２の最大反射防止（ＡＲ）特性を達成するのに適切である。ＡＲ面１２の平面図が、図１Ｂに示されている。
【０００７】
パッケージ・カバー即ちウェーハ１１の内部キャビティ面２９はまた、全体的に範囲１２により示される反射防止エレメントを有し、そのエレメントは、少なくとも、検出器ピクセル２１アレイの上の範囲の上に延び、そして好ましくは、内部キャビティ面２９のより多くの範囲の上に延びる。エレメント１２は、面２９におけるグラウンド（底部）３４レベルから延びた直立したポスト１３のフィールドである。例示として、ポスト１３は、直円柱として示され、エレメントのフィールド１２の中で行及び列の直交マトリクス状に配される。ポスト１３の寸法及び間隔（周期性）は、窓材料の屈折率、及び検出されることが望まれる入射放射の波長帯域に依存する。４分の１波長反射防止層１２に近いものとするために、ポスト１３の高さ即ち深さ３２は、約ｈ＝λ／（４ｎ）とすることができ、ここでλは、対象とする波長帯域の近似の中心であり、ｎは、エレメントのフィールド１２の実効屈折率である。ポストの高さ３２は、典型的には、０．２マイクロメートルから４マイクロメートルの範囲にあり、これは３マイクロメートルから６０マイクロメートルの帯域中心に対応する。面２９での反射を避けるため、ｎ＝（ｎｗ）１／２とすることが望ましく、ここで、ｎｗは、固体窓又はウェーハ１１材料の屈折率である。ポスト１３が、２つの直交方向で対称性を有するパターンで配されるので、ｎは等方性とみなすことができる。従って、エレメントのフィールド１２の反射防止特性は、入射放射の全ての偏光に対して同じである。このパターンはまた、他の形状を有することもできる。例えば、六角形ポスト１３は、エレメントのフィールド１２内でポストを詰め込む密度を高くすることを可能にする。
【０００８】
この例において、ポスト１３の頂部は、キャビティの内部面２９と同一面上あるようにされ、それらの底部であるグラウンド・レベル３４は、その表面からウェーハ１１の内部にはいった場所に位置する。代替例として、ポストは、内部面２９の下へ延びる孔として製作することができ、ポスト１３と実質的に同じ断面積を有するようにする。用語「ポスト」は、ここでは、直立したポスト及び掘られた孔の両方を示すものとして用いられる。ポスト（又は孔）の形状は、円形、正方形、長方形であり得、また、他の任意の都合の良い断面を有するものでもよい。垂直ではない側壁を有するポスト（又は孔）を製作することも可能である。即ち、ポストは、ポストの高さに沿って断面が変化する形状のものとすることができ、例えば、錐台を含む実質的にピラミッド形状又は円錐形のものや、これらの形状の変形であり、断面がポストの高さ方向に沿って減少する形状のものなどがある。そのようなポストは、より広い範囲の波長にわたる増強された反射防止性能を提供する。
【０００９】
エレメントのフィールド１２の所望される実効屈折率ｎは、ｎｗに依存し、且つ、フィールド全体Ａｆに対するポストＡｐの充填係数（フィルファクタ）即ち相対面積Ａ＝Ａｐ／Ａｆに依存する。実効屈折率に関する近似的な関係は、次の通りである。
【００１０】
ｎ＝｛［(1-A+Anw2)(A+(1-A)nw2)+nw2］／［2(A+(1-A)nw2)］}1/2
【００１１】
直径ｄの円柱及び中心対中心間隔ｓに関して、Ａ＝（π／４）（ｄ／ｓ）２である。他の形状の相対面積を計算することもできる。シリコンに関して、フィルファクタは、約２０パーセントから約６０パーセントの範囲にあり、この例では約４０パーセントである。ポストの間隔即ち周期性は、回折及び散乱を避けるために、所望の帯域のいずれの波長よりも小さくあるべきである。長方形アレイに関しては、これはまた、隣接する行及び列の間の間隔にも言えることである。最も低い間隔は、光学的に考慮される事項よりも、むしろ、プロセスの限界により決定される。約６〜１２マイクロメートルの波長帯で動作するシリコン・カバー１１及び検出器ピクセル２１に関しては、一辺１．５マイクロメートルの正方形ポストは、２．３マイクロメートルの間隔で配置される。
【００１２】
外部の反射防止バンプ・パターン１４は、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、ウェーハ１１の反対側３１上にエッチングされる。エレメント１４のバンプ、ポスト又はペデスタル１３は、エレメント１２のものと同じ寸法を有し得る。エレメント１２及び１４無しでは、ウェーハ１１の透過率（ｔｒａｎｓｍｉｔｉｖｉｔｙ）は約５０パーセントである。エレメント１２及び１４の一方がある場合、ウェーハ１１の透過率は約７０パーセントである。エレメント１２及び１４の両方が有る場合、ウェーハ１１の透過率は９０パーセント以上である。
【００１３】
図３Ａ及図３Ｂにおいては、スペーサ層１５と可鍛性層１７とが存在し、それらの層は、図６に示されるように、検出器ウェーハ１９上の金の薄い層のシール・リング１８と一致するようパターン形成される。リング１８は、金に似た可鍛性及び接着品質を有する別の材料であってもよい。層１７は、相互にシールされる２つのウェーハ間の平坦さの差異を補償するためのものである。約５マイクロメートルのニッケルをスペーサ層１５として用いて、シール・リング１８の周囲内にあるウェーハ１１の反射防止表面１２と下になる面２９の残りの部分とが、検出器ウェーハ１９のピクセル２１と接触しないようにする。他の材料をスペーサ層１５に用いることもできる。金属１５とウェーハ１１との間に接着材料１６が存在してもよい。半田を可鍛性層１７に用いることができる。それは、ウェーハ１１と１９とのシールが一致することを可能にするように、５〜６マイクロメートルの厚さであり得る。なぜなら、両方のウェーハが相互に対して同じ平坦さを持たないことが有り得るからである。シールの層１７に、半田の代わりに他の材料を用いてもよい。
【００１４】
ウェーハ１１内及びウェーハ１１と１９との間に空間を設けるため、図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、ウェーハ１１から部分２２が取られるようエッチングされ得る。ウェーハ１１は、寸法２３において約５００マイクロメートルの厚さである。部分２２は、寸法２４において約４００マイクロメートルの深さであり、部分又は空間２２の頂部において約１００マイクロメートルのウェーハ１１が残っている。空間２２を確立するには、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）手法を用いての１時間又はそれより多くの時間のエッチングを要し得る。
【００１５】
空間２２は、ウェーハ１１全体を取り囲む必要はない。図４Ｂは、ウェーハ１１の底部面２９の平面図を示し、そこにおいて空間２２が示されている。部分即ち空間２２は、ウェーハ１１のコーナ（角の部分）で、構造的支持部２５により遮られている。それらの部分２５では、部分即ち空間２２は、エッチングされておらず、ウェーハ１１の厚さは約５００マイクロメートルのままである。従って、ウェーハ１１には、空間２２が設けられるが、なおも部分２５により構造的剛性が維持される。深い凹部、空間、トレンチ、又は部分２２は、ＤＲＩＥにより、頂部キャップ・ウェーハ１１の底部２９側から中へエッチングされて、真空容積を増大させ、それにより、形成された密封構造１７内で寿命までの間に起きるガス抜けに対しての本デバイスの許容範囲をひろげる。機械的支持部２５は、面１２の範囲の中の中間領域がはっきりそれと分かる程度に偏向しないように、存在する。
【００１６】
小さい通気孔２６は、図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、排出口と見なされ、ウェーハ１１の頂部即ち外側面３１からエッチングすることができる。これらのポート、開口、又は孔２６は、ウェーハ１１及び１９が互いに接着された後で、構造体２７の最終のガス抜き及び密封を行うために設けられる。
【００１７】
頂部キャップ・ウェーハ１１は、十分な接着を達成するために必要な時間、一般的には１時間未満、約３００℃の熱を用いて検出器ウェーハ１９に接着される。次いで、接着されたウェーハ対２７は、この対即ち構造体２７からガスを抜き去るために焼成される。焼成中の温度は約２５０℃であり、密封された真空環境チャンバの中で１０−６トルで約８時間適用される。孔２６は、焼成中は開いている。次いで、構造体２７は、放置して、約１２時間かけて室温まで冷却する。その間に、チャンバの中の構造体２７の環境の真空又は圧力は、例えば、１０−７トルのような約１０−６トル又はそれより下に維持される。次いで、冷却後にこの圧力下で、小さい真空開口、ポート、孔２６は、被着される層２８を用いてシール又はふさがれる。この層２８の材料は、インジウム、又はインジウム及び鉛の５０パーセント比の混合物であり得る。接着され且つシールされた一体型の上側（ｔｏｐｓｉｄｅ）真空パッケージ２７が、図７Ａ及び図７Ｂのそれぞれに断面図及び上面図として示されている。
【００１８】
本発明を少なくとも１つの例示的実施形態に関して説明したが、本明細書を読めば当業者には多くの変形形態及び変更形態が明らかになるであろう。従って、添付の特許請求の範囲は、そのような全ての変形形態及び変更形態を含むように、従来技術に鑑みて広く解釈されることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、内部バンプ・フィルタを有する頂部キャップの断面図及び底面図を示す。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、外部バンプ・フィルタを有する頂部キャップの断面図及び上面図を示す。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、外周シールを有する頂部キャップの断面図及び底面図を示す。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、内部凹部を有する頂部キャップの断面図及び底面図を示す。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、通気孔を有する頂部キャップの断面図及び底面図を示す。
【図６】図６は、ウェーハを密封する前の頂部キャップ・ウェーハ及び底部ウェーハの断面図を示す。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、組み立てられ、密封された一体型真空パッケージの断面図及び上面図を示す。
【図１Ａ】
2007522648.tif 000003
【図１Ｂ】
2007522648.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
2007522648.tif 000011
【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
2007522648.tif 000014
【図７Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体型パッケージ（２７）であって、
第１の面（２９）を有する第１のウェーハ（１１）と、
前記第１のウェーハの前記第１の面に、第１の周辺部で接着される第１の面を有する第２のウェーハ（１９）と、
前記第１のウェーハの前記第１の面において、前記第１の周辺部内に位置した第２の周辺部に形成される凹部（２２）と、
前記第１のウェーハ（１１）の前記第１の面（２９）における、前記第２の周辺部内に存在する第１のバンプ・パターン（１２）と
を備える一体型パッケージ。
【請求項２】
一体型パッケージを作る方法であって、
第１のウェーハ（１１）を設けるステップと、
前記第１のウェーハの第１の面（２９）において第１の周辺部に凹部（２２）を作るステップと、
前記第１の周辺部の外側の第２の周辺部に形成されたシール（１６，１７，１８）を用いて、第２のウェーハ（１９）と前記第１のウェーハとを接着するステップと
を備える方法。
【請求項３】
一体型パッケージングのための装置であって、
第１のウェーハ（１１）の第１の面（２９）において第１の周辺部の周りに凹部（２２）を有する、前記第１のウェーハを設ける手段と、
前記第１のウェーハに接着される第２のウェーハ（１９）を設ける手段と、
を備え、
前記凹部（２２）が、前記第１のウェーハ及び前記第２のウェーハの外部の環境から気密密閉され、
前記第１のウェーハの前記第１の面（２９）が、前記第１の周辺部内に第１のバンプ・パターン（１２）を有する、
装置。
【請求項４】
一体型パッケージにおいて、
第１のウェーハ（１１）であって、
前記第１のウェーハの第１の面（２９）の第１の周辺部に沿って存在するシール（１５，１６，１７，１８）と、
前記第１のウェーハの前記第１の面（２９）における、前記第１の周辺部内の第２の周辺部に沿って存在するトレンチ（２２）と
を備える前記第１のウェーハと、
前記シールに沿って前記第１のウェーハと接着される第１の面を有する第２のウェーハ（１９）と、
を備え、
前記第１のウェーハが、前記第１の面に反射防止パターン（１２）を更に備え、
前記第１のウェーハが、少なくとも１つの通気孔（２６）及び通気孔シール（２８）を更に備える、
一体型パッケージ。
【国際調査報告】
2007522648.tif 000016
2007522648.tif 000017
2007522648.tif 000018