(57)【要約】デバイスは、第１の基板（２１）と、第２の基板（２４）と、コンプライアント素子（２７、４２）とを備える。前記コンプライアント素子は、前記第１の基板と前記第２基板との間の第１のコンプライアント材料からなり、第２の材料の層（３３、４７）によって少なくとも部分的にコーティングされた側面を有する。前記コンプライアント素子は、前記第１の基板と、共にプレスされる前記第２の基板とに一致した変形を示す。いくつかの実施形態において、前記第２の材料は、導電性がある。これにより、前記コンプライアント素子は、前記基板間において信頼できる電気的接続を提供することとなる。別の実施形態において、前記第２の材料は、前記コンプライアント素子の気密封止性を高める。これにより、前記コンプライアント素子は、基板間においてより良好な気密封止シールを提供する。
2007512707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板（２１）と第２の基板（２４）とを提供し、
コンプライアントな第１の材料のコンプライアント素子（２７、４２）であって、端部面と、前記端部面に隣接した側面とを備える、該コンプライアント素子を、前記第１の基板上において形成し、
第２の材料の層（３３、４７）によって、前記側面の少なくとも一部分をコーティングし、
前記コンプライアント素子の前記端部面に対して、前記第２の基板をプレスし、
前記基板を共に接合する
ことを含み、
前記プレスすることは、前記コンプライアント素子を変形させることを含むことからなる、デバイス（１５）を製造するための方法。
【請求項２】
前記第１の材料は、ポリマーを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の材料は、ポリイミドを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コーティングすることは、前記第２の材料として、前記コンプライアント素子に前記第１の材料単独よりも高い導電性を提供する材料を選択することを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コーティングすることは、前記第２の材料として、前記第１の材料単独よりも高い気密封止性を有する前記コンプライアント素子を提供する材料を選択することを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板のうちの１つの上に、非コンプライアントなスペーサ（６８）を形成することを更に備え、
前記プレスすることは、前記第１及び第２の基板のうち１つが前記スペーサに接触するまで、該第１及び第２の基板をより近接するように共にプレスすることを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１の基板（２１）と、
第２の基板（４４）と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間における第１のコンプライアント材料のコンプライアント素子（２７、４２）
とを備え、
前記コンプライアント素子は、第２の材料の層（３３、４７）によって少なくとも部分的にコーティングされた側面を含み、前記コンプライアント材料は、前記第１の基板と、共にプレスされる第２の側面とに一致した変形を示すことからなる、デバイス（１５）。
【請求項８】
前記第１の材料は、ポリイミドを含む、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第２の材料の前記層は、前記コンプライアント素子に、前記第１の材料単独よりも高い導電性を提供する、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第２の材料の前記層は、前記コンプライアント素子に、前記第１の材料単独よりも高い気密封止性を提供する、請求項１７に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
［関連技術］
マイクロ製造デバイスの製造において、２つの接合された基板間の気密封止（ハーメチック：hermetic）チャンバ内において電気的な構成要素を配置することが一般的である。いくつかの用途において、２つのそのような接合された基板の間の電気的な接続性が望まれている。例えば、電気的な構成要素を、両基板上に形成することができ、その２つの基板間の電気的な接続は、該電気的な構成要素間の伝達を提供する。他の例において、２つの基板間の電気的接続によって、該基板のうちの一方の上に配置された構成要素が、他方の基板上に配置された構成要素から電力を引き込むことが可能となる。
【特許文献１】米国特許第６，０９０，６８７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
接合された基板の全体構成及びサイズに依存して、基板間において均一な接合を達成することが難しい場合がある。不均一な接合が、高い露出度（high profile）のマイクロ製造デバイス（すなわち、大きな厚みを持ったデバイス）において特に普及している。このような不均一な接合は、様々な製造問題を生じさせる可能性があり、都合の悪いことには製造の歩留まりに影響を及ぼす。例えば、気密封止シールの全周囲にわたって、２つの基板がきつく接合されていない場合には、該気密封止シールが甘くなる可能性がある。更には、不均一な接合に起因して、２つの基板間の分離距離が、変動する可能性がある。結果として、基板間における十分な電気的接続を提供するために、接合された基板間の導電性の接触が十分に共にプレスされない（圧力がかけられない）可能性がある。
【０００３】
共通に指定された米国特許第６，０９０，６８７号は、接合された基板間において気密封止シールを形成するための改善された技法を説明している。前記第６，０９０，６８７号の特許によって説明されるように、コンプライアント（compliant）材料のガスケットが用いられて、２つの接合された基板間において気密封止シールが形成される。ガスケットのコンプライアンス性により、接合中に２つの基板が共にプレスされる時に、ガスケットが変形されることが可能である。そのような変形は、接合中にガスケットの全周辺が両基板の輪郭に厳密に合致（適合）することを保証し、これにより、より良好な封止（シール）が得られる結果となる。しかしながら、良好なコンプライアント特性と気密封止特性とを有する材料は非常に少なく、そのような特性を有する少ない該材料は、頻繁に高価であるか、又は多くの一般のマイクロ製造プロセスと互換性がない。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一般に、本発明の実施形態は、コンプライアント接触によってつなぎ合わされた接合基板を有するデバイスに関する。
【０００５】
本発明の例示的な一実施形態によるデバイスを製造するための方法は、
第１の基板及び第２の基板を提供し、
前記第１の基板上のコンプライアントな第１の材料のコンプライアント素子を形成し、
第２の材料の層によって前記側面の少なくとも一部分をコーティングし、
前記第２の基板を前記コンプライアント素子の前記端部面に対してプレスし、及び、  
前記基板を共に接合させる
ことを含み、
前記コンプライアント素子は、端部面と、該端部面に隣接した側面とを備え、
前記プレスすることは、前記コンプライアント素子を変形させることを含むことからなる、方法である。
【０００６】
本発明の例示的な一実施形態によるデバイスは、第１の基板、第２の基板、及びコンプライアント素子を備える。前記コンプライアント素子は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の第１のコンプライアント材料から構成され、第２の材料の層によって少なくとも部分的にコーティングされた側面を有する。前記コンプライアント素子は、前記第１の基板と、共にプレスされる第２の側面とに一致する変形を示す。
【０００７】
いくつかの実施形態において、前記第２の材料は、導電性がある。これにより、前記コンプライアント素子は、前記基板間において信頼性できる電気的接続を提供する。他の実施形態において、前記第２の材料は、前記コンプライアント素子の気密封止性を高める。これにより、前記コンプライアント素子は、前記基板間において、より良好な気密封止シールを提供する。
【実施例】
【０００８】
本発明を、添付図面に関連してより良く理解することができる。図面の要素は、互いの関係が必ずしも一定の縮尺に従っておらず、代りに強調がなされて、本発明の原理を明瞭に図示している。更には、同様の参照番号は、いくつかの図にまたがって対応する部分を示す。
【０００９】
本発明の実施形態は、一般に、接合された基板間において気密封止シールか又は電気的接続を提供するための改善された技法に関する。一般的には、２つの接合基板間において気密封止シールか又は導電性接続を形成するためのコンプライアント素子（例えば、ガスケットか又は柱（post））が、基板のうちの一方の上において形成される。この素子は、ポリイミドのようなコンプライアントな材料で形成される。少なくとも一部分のコンプライアント素子が、該コンプライアント素子の導電性か又は気密封止性を高めるために選択された材料によってコーティングされる。
【００１０】
接合の前か、又は接合中に、コンプライアント素子は、別の基板に対してプレスされる。該素子のコンプライアンス性によって、該素子が、変形することができ、基板の表面に合致（適合）することができる。結果として、該素子は、接合基板間においてより良好な電気的接続か又は気密封止シールを形成する。
【００１１】
図１は、本発明の例示的な一実施形態に従って製造されたデバイス１５を図示する。図１によって示されるように、デバイス１５は、２つの基板２１及び２４を有する。一実施形態において、各々の基板２１及び２４は、シリコンによって構成される。しかしながら、該基板２１及び２４を、他の実施形態において他の材料によって構成することもできる。図１によって示されるデバイス１５は、基板２１と基板２４との間に延在し且つ基板２１と基板２４とを相互接続する２つの導電性の柱（post）２７を有する。各柱２７の向かい合った端部は、それぞれ基板２１及び２４に対してプレスされる。他の数の導電性柱２７を、他の実施形態において使用することもできる。
【００１２】
各導電性柱２７は、ポリイミドか又は他のタイプのコンプライアントポリマーのようなコンプライアント材料によって構成される。ポリマーは、典型的には、応力緩和層（stress relief layer）の材料としてか、又は結合材料として、従来のマイクロ製造デバイスにおいて使用されている。しかしながら、ポリマーは、一般的には、不良導体（poor conductor）であり、マイクロ製造デバイスの基板間において電気的接続を提供するためには、これまで使用されてきていない。
【００１３】
各柱２７は、導電性材料の薄い層３３によってコーティングされる。より詳細に後述されるように、導電性柱２７は、基板２１と２４とが共に接合される前に、基板２１上において形成される。導電性柱２７に接触するための導電性パッド３６が、基板２４上に形成される。該パッド３６は、接触する各柱２７ごとに比較的広い導電性領域を提供することによって、基板２１と２４との間の電気的接続を完全なものにする。ポスト２７を、基板２１及び／又は２４の上に存在する回路に対して、電気的に接続することができる。
【００１４】
ガスケット４２は、デバイス１５の周辺をとりまくように延在する。ガスケット４２の向かい合わせの端部は、基板２１と２４に対してそれぞれプレスされ、ガスケット４２は、デバイス１５内におけるチャンバ４４のための気密封止シールを提供する。ガスケット４２は、ポリイミドか又は他のタイプのコンプライアントポリマーのようなコンプライアント材料から構成される。上述のように、ポリマーは、典型的には、応力緩和層の材料としてか、又は結合材料として、従来のマイクロ製造デバイスにおいて使用されている。しかしながら、ポリマーは、一般的には、気密封止特性が劣っており、気密封止シールを形成するためには、これまで用いられてきていない。
【００１５】
ガスケット４２は、該ガスケット４２の気密封止性を高める金か、銅か、ガラスか、又は窒化シリコンのような材料の薄い層４７によってコーティングされる。基板２１及び２４の主要面に平行な平面内において、ガスケット４２は、チャンバ４４内に配置されることになる構成要素を収容するのに適合可能な任意の形状（例えば、円形、正方形、長方形など）とすることができる。パッド４９は、基板２４上において形成されることが可能であり、ガスケット４２の周辺全体に沿って、該ガスケット４２に接触されることが可能である。
【００１６】
図１のデバイス１５を形成するために、柱２７とガスケット４２とは、図２のブロック５２、並びに図３及び４によって示されるように、基板２１の主要面上においてコンプライアント材料によって最初に形成される。フォトリソグラフィ、エッチング、及びサーモキュアリング（thermocuring）のような様々なマイクロ製造技法を用いて、柱２７とガスケット４２とを形成することができる。例示的な一実施形態において、柱２７とガスケット４２とは、基板２１上においてポリイミド材料の層を蒸着することによって形成される。柱２７とガスケット４２とが、従って、フォトリソグラフィ、エッチング、及びサーモキュアリングを用いて形成される。図４において、柱２７が、基板２１の主要面に平行な平面内において一般には円形の断面形状を有するものとして示されている。しかしながら、ガスケット４２及び柱２７は、他の実施形態において、他の断面形状を有することもできる。更には、図４によって示されるように、回路３９は、基板２１の表面上に形成されることが可能であり、１つか又は複数の柱２７に電気的に結合されること可能である。
【００１７】
図５、及び図２のブロック５４によって示されるように、柱２７の各々は、薄い導電層３３によってコーティングされ、ガスケット４２は、該ガスケット４２の気密封止性を高める薄い層４７によってコーティングされる。スパッタリングか、エバポレーション（蒸着：evaporation）か、化学蒸着（ＣＶＤ）か、又は電気メッキ法のような様々なマイクロ製造技法を使用して、層３３及び４７を形成することができる。例示的な一実施形態において、柱２７を層３３でコーティングするために、エバポレーションか又はスパッタリングが用いられて、柱２７及びガスケット４２を含めて基板２１の表面上において薄いシード（seed）層を蒸着する。次いで、電気メッキ法が用いられて、前記シード層上において導電性材料の層を蒸着する。次いで、フォトリソグラフィとエッチングとが使用されて、柱２７を除く基板２１の全ての部分から、前記シード層と導電性層とを取り除く。結果として、導電性材料の層３３が、柱２７上に残る。
【００１８】
更に、例えば、金の層４７によってガスケット４２をコーティングするために、エバポレーションか又はスパッタリングが使用されて、柱２７及びガスケット４２を含めて基板の表面上において薄いシード層を蒸着する。次いで、電気メッキ法が用いられて、シード層上に金を蒸着する。次いで、フォトリソグラフィとエッチングとが使用されて、ガスケット４２を除く基板２１の全ての部分から、シード層と金とを取り除く。結果として、金の層４７が、ガスケット４２上に残る。
【００１９】
他の実施形態において、他の技法を使用して、柱２７とガスケット４２とを形成することができ、金を除く材料を使用して層４７を形成することもできる。層３３と４７とが同じ材料から構成される場合には、これらの層３３及び４７を、上述の技法に従って、同時に形成することができる。これに関して、電気メッキ法を用いて基板２１上において層３３及び４７の材料を蒸着した後に、フォトリソグラフィとエッチングとが使用されて、柱２７とガスケット４２とを除く基板２１の全ての部分から、そのような材料を取り除く。
【００２０】
図５によって示された例示的な実施形態において、各々の柱２７は、層３３の材料によって完全にコーティングされ、ガスケット４２が、層４７の材料によって完全にコーティングされる。言い換えると、図４によって示された柱２７の全ての露出した領域が、層３３の材料によって覆われ、図４によって示されたガスケット４２の全ての露出した領域が、層４７の材料によって覆われる。しかしながら、他の実施形態において、層３３及び４７によってそれぞれ柱２７及びガスケット４２の一部分だけをコーティングすることも可能である。実際には、ガスケット４２の、外側を向いている側面だけが、層４７の材料によってコーティングされる、例示的な一実施形態が後述されることになる。
【００２１】
基板２１の表面上において回路３９が実際に配置される場合には、そのような回路３９は、柱２７とガスケット４２とが形成される前に、基板２１上において蒸着された誘電層か又は他のタイプの絶縁層によって覆われることが可能である。そのような層は、柱２７とガスケット４２とを形成するために用いられるプロセスから回路３９を保護する。柱２７とガスケット４２とを形成する時に、そのような回路を更に保護するために、回路に対して容認可能な温度範囲を超えるプロセスは、避けられるべきである。
【００２２】
図６は、基板２４の上面図を示す。基板２４は、その表面上に形成されたパッド３６及び４９を有する。図４と図６とを比較することによってわかるように、基板２４の主要面に平行な平面内におけるパッド３６及び４９の形状は、それぞれ、基板２１の主要面と平行な平面内における柱２７とガスケット４２の断面形状と同じにすることができる。しかしながら、パッド３６及び４９が、柱２７及びガスケット４２の断面形状とは異なる形状を有することも可能である。更に、図６よって示されるように、回路５１は、基板２４の表面上に形成されることが可能であり、１つか又は複数のパッド３６に電気的に結合されることが可能である。そのような一実施形態において、回路５１は、より詳細に後述されるように、基板２１と２４とが共に接合されると、１つか又は複数の柱２７を介して基板２１の回路３９（図４）に電気的に結合される。
【００２３】
図２のブロック５６によって示されるように、基板２１及び２４は、共にプレスされて、結合柱２７、ガスケット４２、及び／又は他の構成要素によって、基板２１から基板２４へと接合される。具体的には、基板２１及び２４は、位置合わせされて、共にプレスさされる。これにより、柱２７がパッド３６に接触し、ガスケット４２が基板２４のパッド４９に接触することになる。柱２７のコンプライアンス性が、別様には柱２７内において存在する応力（ストレス）を緩和し、従って、柱２７が破損することか、又は別様には基板２１と２４とが共にプレスされる時の失敗を、防止する。基板２１及び２４を共にプレスすることはまた、ガスケット４２を、基板２４のパッド４９に対してプレスする。ガスケット４２のコンプライアンス性によって、ガスケット４２が、基板２１と２４とが共にプレスされる時に、変形することができる。ガスケット４２の変形は、別様にはガスケット４２内において存在する応力（ストレス）を緩和し、従って、ガスケット４２が破損することか、又は別様には基板２１と２４とが共にプレスされる時の失敗を、防止する。基板２１及び２４は、それらが共にプレスされる間に接合される。共晶金属結合（eutectic-metal bonding）か、熱圧（thermal compression）か、又は接着（gluing）のような様々な既知か又は将来的に発展した接合技法を用いて、基板２１と２４とを接合することができる。
【００２４】
例示的な一実施形態において、共晶金属結合（eutectic-metal bond）が、ガスケット２１とパッド４９との間において形成される。詳細には、層４７は、金（Ａｕ）によって構成される。更に、錫（Ｓｎ）層が、パッド４９上に蒸着される。従って、基板２１と２４とが、共にプレスされ、前記錫を溶かす温度にまで熱が加えられる。これにより、前記錫が、金の層４７と共に拡散させられる。結果として、金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）結合が、パッド４９とガスケット４２との間に形成される。別の実施形態において、他のタイプの材料を使用して、基板２１の構成要素と基板２４の構成要素との間の共晶金属結合（eutectic-metal bond）を形成することができ、他のタイプの結合技法を用いて、基板２１と２４とを接合することもできる。更に、基板２１と２４とを、柱２７か又は図１内に具体的には示されていない他の構成要素のような、該基板２１及び２４の他の構成要素と結合することによって接合することもできる。
【００２５】
これらの構成要素の（ｙ方向において測定された）高さにおいて、或いは、基板２１か又は２４の表面トポロジにおいて、例えわずかな変動があったとしても、柱２７及びガスケット４２のコンプライアンス性によって、柱２７及びガスケット４２の各々が、基板２４と厳密且つ均一に接触させられることが可能である。例えば、マイクロ製造プロセスにおける不完全性により、柱２７のうちの１つか又はガスケット４２の一部が、別の柱２７か又はガスケット４２の別の部分に先行して、基板２４と接触させられる場合には、基板２４と、全ての柱２７及びガスケット４２の周辺全体との接触を確立するために、基板２１と２４とが共に更にプレスされる時に、基板２４と接触する柱２７か又はガスケット部分が変形することとなる。
【００２６】
デバイス１５が、導電性柱２７とガスケット４２との両方を含むことが必ずしも必要ではないことに留意されたい。ガスケット４２は、基板２１と２４との間に導電性接続が存在すること無く、上述のように基板２１と２４との間に気密封止シールを提供することができる。更には、基板２１と２４との間にガスケット４２が存在すること無く、上述のように基板２１と２４との間に１つか又は複数の電気的接続を提供することができる。
【００２７】
追加的には、柱２７とガスケット４２とをそれぞれコーティングする層３３と４７は、柱２７及びガスケット４２の材料と寸法とに依存して、様々な厚みを有することができる。ガスケット４２及び柱２７は、これらの構成要素が、基板２４に対してプレスされる間に、破損すること無く、或いは別様には機械的に失敗すること無く、変形することを可能にするために、十分にコンプライアントでなければならない。これらの構成要素のコンプライアンス性は、一般的には、層３３と４７とがそれぞれコーティングされるコンプライアント材料によって提供される。しかしながら、層３３及び４７のそれぞれを形成するために使用されることが可能な多くのタイプの材料は、実質的には、非コンプライアントである。従って、層３３及び４７が非常に厚い場合には、柱２７及びガスケット４２のコンプライアンス性は、基板２４に対してプレスされている間、柱２７及びガスケット４２が適切に変形できないほどまでに低減される可能性がある。層３３及び４７が著しく柱２７及びガスケット４２のコンプライアンス性を低減する場合には、基板２１と２４とが共にプレスされた時に、柱２７及びガスケット４２の破損か、又は他の機械的な失敗が起きる可能性がある。更に、デバイス１５の一領域内における柱２７か又はガスケット部分は、別の柱２７か又は残りのガスケット４２が基板２４に接触することを可能にするほどには十分に変形しない可能性がある。
【００２８】
従って、上記に述べた問題を回避するために、各導電性層３３は、その対応する柱２７よりも非常に薄く作られる。基板２１と２４との間に低抵抗の電気的接続を提供することに一致して、層３３はできるだけ薄く作られる。更に、前記問題はまた、層４７をガスケット４２よりも非常に薄く作ることによっても回避される。チャンバ４４のために指定された気密封止性を提供することに一致して、層４７はできるだけ薄く作られる。５０マイクロメートル（μｍ）のオーダーの厚みを有する大部分のポリマー柱２７及びガスケット４２の場合には、約３〜５μｍの厚さの導電性の及び気密封止性の層３３及び４７が、典型的には前述のことを達成する。しかしながら、柱２７及びガスケット４２の材料及び寸法、並びに、層３３及び４７の材料に依存して、層３３及び４７の適合可能な厚みは、上述の範囲外となる可能性がある。
【００２９】
いくつかの実施形態において、層４７は、導電性材料（例えば、層３３と同じ材料）から構成される。これにより、ガスケット４２が、追加的に、気密封止シールを提供することとなり、更にまた、基板２１と２４との間の電気的接続を提供することとなる。層４７が、導電性材料から構成される時には、ガスケット４２はまた、チャンバ４４内の構成要素とチャンバ４４の外側の構成要素との間の電気的な絶縁を提供するための電気的なシールドとして使用されることが可能である。
【００３０】
上述の実施形態において、柱２７とガスケット４２とは、両方とも基板２１上において形成される。しかしながら、所望であれば、柱２７とガスケット４２とが異なる基板上において形成されることも可能である。２つの基板２１と２４とが共にプレスされて接合される前に、例えば、柱２７を、上述のように基板２１上において形成することができ、ガスケット４２を、基板２４上において形成することができる。
【００３１】
追加として、基板２１と２４とが共にプレスされる時に、非コンプライアントなスペーサを使用して、基板２１と２４との間の分離距離を正確に制御することができ、コンプライアント構成要素２７及び４２の編成（formation）を制御することができる。そのようなスペーサを、基板２１か又は２４のいずれかに配置することができる。例えば、図７及び図８は、４つの非コンプライアントなスペーサ６８が、基板２１上において形成されている一実施形態を示す。他の実施形態は、他の数のスペーサ６８を有することができる。更に、各々のスペーサ６８は、ガスケット４２の周辺の外側に、従って図７及び図８によって示された例におけるチャンバ４４の外側に配置されるが、１つか又は複数のスペーサ６８が、ガスケットの周辺の内側に、従って他の実施形態においてチャンバ４４内に、配置されることも可能である。
【００３２】
図７及び図８の各スペーサ６８は、（ｙ方向において測定された）同じ高さを有する。その高さは、基板２４が、スペーサ６８に接触する前に、最小トレランス条件下において、全ての柱２７及びガスケット４２に接触することを可能にするほどに十分に短い。従って、基板２１と２４とが、より近接して共にプレスされる時には、柱２７及びガスケット４２は、上述のように、基板２４に接触し、次いで変形する。スペーサ６８はまた、柱２７及びガスケット４２が、上述のように、基板２１と２４との間に低抵抗の接続と、チャンバ４４のための指定された気密封止性とを提供することに一致して、十分に変形することを可能にするほどに十分に短い。基板２４が、図９によって示されるように、スペーサ６８に接触すると、スペーサ６８は、基板２１と２４とが、より接近するように共に移動することを防止する。従って、図９によって示された位置において、基板２１と２４とを接合することにより、基板２１と２４の分離距離は、スペーサ６８の高さに正確に一致する。
【００３３】
図１０は、本発明の一実施形態に従って製造されたデバイス内において電気的な接続と気密封止シールとを形成するために使用されることが可能な別の例示的な方法を示す。図１０によって示された方法において、ガスケット４２は、基板２１と２４とが接合された後に、異なる材料の層８４によってコーティングされる。結果として、チャンバ４４内の構成要素（例えば、回路３９及び５１）は、露出されず、従って、ガスケット４２のコーティング中に保護される。
【００３４】
図１１、及び図１０のブロック７２によって示されるように、柱２７及びガスケット４２は、基板２１の主要面上において、コンプライアント材料によって形成される。次いで、図１２、及び図１０のブロック７４によって示されるように、各々の柱２７が、導電性材料の層３３によってコーティングされる。図１３、及び図１０のブロック７６によって示されるように、次いで、基板２１は、別の基板２４に対してプレスされ、接合される。具体的には、基板２１と２４とが、位置合わせされて、共にプレスされる。これにより、柱２７がパッド３６に接触し、ガスケット４２がパッド４９に接触することとなる。柱２７及びガスケット４２のコンプライアンス性によって、柱２７及びガスケット４２が、基板２１と２４とが共にプレスされる時に変形することが可能となる。従って、上記に記載した理由のため、柱２７及びガスケット４２のコンプライアンス性は、接合プロセス中に、ガスケット４２の周辺全体と各々の柱２７とが厳密に且つ均一に基板２４の構成要素（例えば、パッド３６及び４９）に接触することを保証することを助ける。結果として、柱２７は、基板２１と２４との間において、より良好な電気的接続を形成し、ガスケット４２は、基板２１と２４との間において、より良好な気密封止シールを形成する。
【００３５】
バッチ製造において、数千ものデバイスを、各デバイスごとに、基板２１のような単一ウェハと基板２４のような単一ウェハとを用いて、同時にマイクロ製造することができる。そのような一実施形態において、基板２１が、ダイスされる（サイの目状に切り出される）か又は基板２１の厚みを通して延在するスルーホール（バイア）（図示せず）が形成されるまで、どのデバイスのガスケット４２も、コーティングのためにアクセスできる見込みがない。従って、図１０のブロック７６において、基板２１と２４とが接合されると、基板２１は、図１３において示された点線に沿ってダイス（dice）されて、図１０のブロック８２によって示されるようにガスケット４２に対するアクセスが提供される。そのようなアクセスによって、ガスケット４２が、電気メッキ法か又は化学蒸着（ＣＶＤ）のような従来のマイクロ製造技法を用いて、層８４によってコーティングされることが可能となる。従って、図１０のブロック８２において基板２１をダイスした後、ガスケット４２の外側を向いている側面が、図１４、及び図１０のブロック８８に示されるように、ガスケット４２の気密封止性を高める材料（例えば金）の層８４によってコーティングされる。図１４によって示されたデバイス９２において、各々のコーティングされた柱２７は、基板２１と２４との間の電気的接続を提供し、コーティングされたガスケット４２は、チャンバ４４のための気密封止シールを提供する。
【００３６】
上記を更に図示するために、図１０のブロック７６において基板２１と２４とが接合された後の基板２１の上面図である図１５を参照する。図１５によって示された実施形態において、９つのガスケット４２が、基板２１と２４との間に配置されており、それらが実際は隠れて見えないため、点線によって表されている。図１５のガスケット４２は、コーティングのため容易にはアクセスできない。
【００３７】
図１０のブロック８２において、基板２１は、図１６によって示されるようにダイスされる。これに関して、ガスケット４２間の基板２１の一部は取り除かれる。従って、図１０のブロック８８において電気メッキ法か又はＣＶＤを実行している間、材料が、基板２１の残りの部分の間を通ることができ、各ガスケット４２の外側を向いている側面をコーティングすることができる。次いで、基板２４をダイスして、図１４において示された９つの分離されたデバイス９２を形成することができる。代替の一実施形態において、類似の手法において、基板２１の代りに基板２４をダイスすることによって、ガスケット４２に対してアクセスを提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に従って製造されたデバイスの断面図である。
【図２】デバイスを製造するための１つの例示的な方法を示すフローチャートである。
【図３】コンプライアントな柱と、基板の表面上に形成されたコンプライアントなガスケットとを有する基板の断面図である。
【図４】図３において図示された基板の底面図である。
【図５】柱において電気的な導電層が形成され、基板のガスケットにおいて気密封止層が形成された後の図３において示された基板の断面図である。
【図６】図５によって示された基板に接合されることになる基板の上面図である。
【図７】基板の表面上にスペーサが形成された後の図５によって示された基板の断面図である。
【図８】図７において示された基板の底面図である。
【図９】別の基板と接合された図７の基板の断面図である。
【図１０】デバイスを製造するための別の例示的な方法を示すフローチャートである。
【図１１】コンプライアントな柱と、基板の表面上に形成されたコンプライアントなガスケットとを有する基板の断面図である。
【図１２】基板の柱において導電層が形成された後の図１１において示された基板の断面図である。
【図１３】図６において示された基板と接合された、図１２において示された基板の断面図である。
【図１４】基板間に存在するガスケットの外側を向いてる側面上において、気密封止性を高める層がコーティングされた直後の、図１３において示された基板の断面図である。
【図１５】図１４において示された複数デバイスに類似した複数デバイスのバッチ製造中に使用された接合された基板の上面図である。
【図１６】最上部の基板がダイスされた直後の、図１５の基板の上面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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