(57)【要約】本発明は、データを２以上のフラッシュチップに書き込むフラッシュメモリのデータ書込み方法を提供し、この方法は、優先順位が２つのフラッシュチップの物理的ブロックを奇数の論理ブロックアドレスと、偶数の論理ブロックアドレスにそれぞれ対応させ、データ書込み命令から書込み動作に対応する論理ブロックアドレスを解析し論理ブロックアドレスのパリティを判断し、その結果にしたがって対応するフラッシュチップを選択し、フラッシュチップをプログラムまたは消去する命令を誘導後他のフラッシュチップがプログラムされるか消去される必要があるかを決定し、他のフラッシュチップがプログラムされるか消去される必要のあるとき、プログラムまたは消去命令を他のフラッシュチップへ誘導するステップを含んでいる。本発明の方法の使用は２つのフラッシュチップを同時にプログラムし消去することができてデータ書込み速度を増加する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリが少なくとも２つのフラッシュチップを具備しているフラッシュメモリのデータ書込み方法において、
ａ．２つのフラッシュチップ中の物理的ブロックを奇数の論理ブロックアドレスと、偶数の論理ブロックアドレスとにそれぞれ区分し、
ｂ．データ書込み命令を受信し、そのデータ書込み命令から書込み動作に対応する開始論理アドレスを解析し、
ｃ．開始論理アドレスにしたがって、書き込まれる必要のある論理ブロックアドレスを獲得し、書込まれる必要のある論理ブロックアドレスのパリティを決定し、書込まれる必要のある論理ブロックアドレスのパリティにしたがって２つのフラッシュチップの間で対応するフラッシュチップを選択し、
ｄ．プログラミングまたは消去命令が、対応するフラッシュチップ中の論理ブロックアドレスに対応する物理的ブロックに誘導された後に、他のフラッシュチップがプログラムされるか消去される必要があるか否かを検出するステップを含んでいるフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【請求項２】
他のフラッシュチップがプログラムされるか消去される必要がある場合には、プログラミングまたは消去命令を他のフラッシュチップへ誘導するステップｅをさらに含んでいる請求項１記載のフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【請求項３】
他のフラッシュチップがプログラムされるか消去される必要がない場合には、ステップｄにおける対応する物理的ブロックに対して行われる動作が終了されるか否かを判断するステップｆをさらに含んでいる請求項１記載のフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【請求項４】
対応する物理的ブロックについて行われる動作が終了されたならば、データ書込み命令が終了したか否かを判断し、対応する物理的ブロックに対して行われる動作が終了されたならば、ステップｄに戻るステップをさらに含んでいる請求項３記載のフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【請求項５】
データ書込み命令が終了した場合には、ステップｂに戻り、データ書込み命令が終了していないならば、ステップｃに戻る請求項３記載のフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【請求項６】
ステップｂはさらに、データ書込み動作命令から書込まれる必要のあるセクタの数を得るステップを含んでいる請求項４記載のフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【請求項７】
さらに、データ書込み動作命令が終了したか否かを、書き込まれたセクタの数を書き込まれる必要のあるセクタの数から減算することにより判断するステップを含んでいる請求項６記載のフラッシュメモリのデータ書込み方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリのデータ書込み方法に関し、特に２以上のフラッシュチップへデータを書込む方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、フラッシュチップは移動体記憶装置で広く使用されている。しかしながら、このような移動体記憶装置の動作速度は、固有の特性およびフラッシュチップの既存のデータ動作方法に存在する欠点により、低速度である。（単にフラッシュチップと呼ばれる）各フラッシュチップの記憶スペースは通常、それぞれ多数のページからなる多数のブロック（即ち物理的ブロック）に分割される。フラッシュチップの読取−書込み特性によれば、データの書込み動作は１つのページ単位で行われ、一方で、消去動作は１つのブロック単位でのみ行われる。したがって、新しいデータがフラッシュチップに書込まれるとき、又は既存のデータがユーザの動作に従って変更されるとき、ターゲットブロックの古いデータ（データ書込み命令により指向される“オリジナルブロック”として知られる）は最初に、別のブロック（“新しいブロック”として知られる）に伝送されなければならない。新しいデータはその後新しいブロックに書込まれ、古いブロックのデータは消去される。最後に、新しいブロックの論理アドレスは古いブロックの論理アドレスを置換する。全体的なプロセス期間中で、書込み及び消去動作は最も時間を消費する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
フラッシュチップの書込み動作の現在のプロセスは、１）書込みのプログラミング、２）書込みのプログラミングの終了の待機、３）書込みのプログラミングの完了後の消去動作の実行、４）次の書込みのプログラミングの再実行である。この方法は１つのフラッシュチップに対して必要である（ここで示す“１つの”チップは１つのチップ選択信号に対応しており、２つのチップ選択信号が存在するならば、“２つの”フラッシュチップとして考えられる）。１つのフラッシュチップにただ１つのチップ選択信号しか存在しないので、２つの異なる動作（即ちプログラミング）は同時に実行されることができない。しかしながら、多数のフラッシュチップを含んでいる記憶装置に関しては、フラッシュチップの書込み動作速度は、データの書込み動作が前述の書込み動作プロセスにしたがって行われるならば、厳しく限定される。現在、移動体記憶装置の容量の増加によって、多数のフラッシュチップを使用することは必然的な傾向である。それ故、フラッシュチップの書込み速度の増加はフラッシュメモリ技術では重大になっている。
【０００４】
本発明の目的は、フラッシュメモリのデータ書込み方法を提供することである。この方法は、低い動作速度と低効率のような、現在のフラッシュチップデータ動作技術の欠点を取除く。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のフラッシュメモリのデータ書込み方法は以下の技術方式により実行される。
【０００６】
本発明の方法は２つのフラッシュチップの物理的ブロックが奇数の論理ブロックアドレスおよび偶数の論理ブロックアドレスにしたがってそれぞれ区分され、論理ブロックアドレスはその後、書込み方法から抽出され、論理ブロックアドレスのパリティが発見され、対応するフラッシュチップはしたがって２つのフラッシュチップから選択され、選択されたフラッシュチップの論理ブロックアドレスに対応する物理的ブロックが動作され、他のフラッシュチップがプログラムされるか消去されるかがその後検出され、最後に、必要ならば、プログラミングまたは消去命令が他のフラッシュチップに供給されるステップを含んでいる。
【０００７】
本発明の方法は他のフラッシュチップをプログラミングまたは消去しながら、１つのフラッシュチップをプログラムまたは消去することを可能にし、それによって書込み動作時間を大幅に節約してデータの書込み速度を増加する。
【０００８】
以下の実施形態の特別な詳細な説明及び図面によって、当業者が本発明の主要なアイディアを理解するであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
フラッシュメモリのデータ書込み方法は、２以上のフラッシュチップへデータを書込む速度を増加するために行われる。２つのフラッシュチップとは、２つのチップ選択信号に対応するフラッシュチップのことであり、物理的に１つのフラッシュチップであるが、２つのチップ選択信号を含んでいるフラッシュチップを含んでいる。
【００１０】
この実施形態を、２つのフラッシュチップを含んでいる記憶装置中へデータを書込む例によって説明する。記憶装置は制御装置と２つのフラッシュチップを具備している。
【００１１】
図１は、２つのフラッシュチップの物理的ブロックに対応する論理ブロックアドレスの分配を示しており、これは本発明のフラッシュメモリのデータ書込み方法で使用される。２つのフラッシュチップの物理的ブロックはそれぞれ奇数の論理ブロックアドレスと偶数の論理ブロックアドレスへそれぞれマップされた。奇数の論理ブロックアドレスだけを含んでいるフラッシュチップは第１のフラッシュチップと呼ばれ、一方で、偶数の論理ブロックアドレスだけを含んでいるフラッシュチップは第２のフラッシュチップと呼ばれる。第１のフラッシュチップの奇数の論理ブロックアドレスと、第２のフラッシュチップの偶数の論理ブロックアドレスは連続的な論理ブロックアドレスに組合わされることができる。
【００１２】
図２は、本発明の主プロセスを示している。データの書込み動作命令が、主フレームから制御装置により受信された後、以下のプロセスが行われる。
【００１３】
主プロセスを開始する。即ちステップ300；
主プロセスはその後、ステップ302に進み、そこでは制御装置は書込み動作命令にしたがって必要とされる開始論理アドレスと、セクタ数を獲得する。
【００１４】
次に、主プロセスはステップ304に進み、そこではステップ302の開始論理アドレスは、書込みのために必要とされる論理ブロックアドレスを得るために解析される；
その後、主プロセスはステップ306へ進み、ここではステップ304中の論理ブロックアドレスのパリティが判断される；
論理ブロックアドレスが奇数ならば、主プロセスはステップ308へ進み、そこでデータは第１のフラッシュチップ中の論理ブロックアドレスに対応する物理的ブロックに書き込まれ、その後、プロセスはステップ308からステップ310へ進み、そこで第１の書込みプロセスが呼出される。
【００１５】
論理ブロックアドレスが偶数であるならば、主プロセスはステップ312へ進み、そこでデータは第２のフラッシュチップ中の論理ブロックアドレスに対応する物理的ブロックに書き込まれ、その後、プロセスはステップ312からステップ314へ進み、そこで第２の書込みプロセスが呼出される。
【００１６】
図３は、本発明のフラッシュメモリデータの書込み方法の第１のプロセスを示している。本発明の動作プロセスは、主プロセスのステップ310から第１の書込みプロセスのステップ102へ進行する。
【００１７】
ステップ102で、プログラミングおよび消去命令の誘導を含んでいる動作は、制御装置によりステップ308で物理的ブロックに対して行われた。プログラミングまたは消去命令は物理的ブロックがプログラムされるか消去されるまで物理的ブロックへ誘導される。第２のフラッシュチップがプログラムされるか消去されるかは後に評価される。
【００１８】
第２のフラッシュチップがプログラムされるか消去される必要があるならば、第１の書込みプロセスはステップ102からステップ106へ進み、そこで制御装置は対応する命令を第２のフラッシュチップのターゲットとする物理的ブロックへ誘導する。
【００１９】
第２のフラッシュチップが消去される必要がないならば、第１のプロセスはステップ102からステップ104へ進み、そこで制御装置は第１のフラッシュチップの物理的ブロックの動作が終了されたか否かを決定する。
【００２０】
第１のフラッシュチップの物理的ブロックの動作が終了されていないならば、第１のプロセスはステップ104からステップ102へ戻る。
【００２１】
第１のフラッシュチップの物理的ブロックの動作が終了されたならば、第１のプロセスはステップ104からステップ108へ進む。
【００２２】
ステップ108では、制御装置は既に書込まれたセクタ数を、（ステップ302で得られた）書込まれる必要のあるセクた数から減算し、その結果を使用して、データの書込み動作命令が終了したか否かを決定する。結果が０であったならば、データの書込み動作命令は終了されたものと考えられ、結果が０ではないならば、データの書込み動作命令は終了されていないと考えられる。
【００２３】
データの書込み動作命令が終了したならば、第１のプロセスはステップ112へ進み、ここで第１の書込みプロセスは第２の書込みプロセスへ進む。
【００２４】
図４は、本発明のフラッシュチップのデータの書込み速度を増加する方法の第２のプロセスを示している。本発明の動作プロセスは第１の書込みプロセスのステップ310から第２の書込みプロセスのステップ202へ進む。
【００２５】
ステップ202では、制御装置によって、ステップ312の物理的プロックに対する動作が行われる。対応する命令は、必要とされるまで物理的ブロックに誘導される。第１のフラッシュチップがプログラムされるかまたは消去されることを必要とするかがその後に決定される。
【００２６】
第１のフラッシュチップが消去されることが必要とされるならば、第１の書込みプロセスはステップ202からステップ206へ進み、ここで必要とされる命令は制御装置によって、第１のフラッシュチップのターゲットとする物理的ブロックに誘導される。
【００２７】
第１のフラッシュチップが消去される必要がないならば、第２の書込みプロセスはステップ202からステップ204へ進み、そこで制御装置は、第２のフラッシュチップの物理的ブロックの動作が終了されたか否かを決定する。
【００２８】
第２のフラッシュチップの物理的ブロックの動作が終了していないならば、第２の書込みプロセスはステップ204からステップ202へ戻される。
【００２９】
第２のフラッシュチップの物理的ブロックの動作が終了したならば、第２の書込みプロセスはステップ204からステップ208へ進む。
【００３０】
ステップ208で、制御装置は、書込まれたセクタ数を、（ステップ302で得られた）書込まれる必要のあるセクた数から減算し、その結果にしたがって、データの書込み動作命令が終了したか否かを決定する。結果が０であったならば、データの書込み動作命令は終了されたと決定され、結果が０ではないならば、データの書込み動作命令は終了されていないと決定される。
【００３１】
データの書込み動作命令が終了したならば、第２の書込みプロセスはステップ210へ進み、このステップはプロセス全体の最後である。
【００３２】
データの書込み動作命令が終了していないならば、第２の書込みプロセスはステップ212へ進み、そこで前記第１の書込みプロセスが呼出される。
【００３３】
多数のフラッシュチップがフラッシュメモリ装置に含まれるとき、各２つのフラッシュチップの物理的ブロックはそれぞれ奇数の論理ブロックアドレスと偶数の論理ブロックアドレスに対応し、データの書込み動作は２つのフラッシュチップ単位で行われる。２つのフラッシュチップで行われたデータの書込み動作方法は、前述の実施形態の方法と同一である。
【００３４】
以上の説明は本発明の単なる好ましい実施形態についてである。種々の改良及び変形は本発明の原理から逸脱せずに行われことができることに注意すべきである。全てのこれらの改良及び変形は本発明の保護範囲としても考えられるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明のフラッシュメモリのデータの書込み方法の実施形態における２つのフラッシュチップの物理的ブロックに対応する論理ブロックアドレスの分配を示す概略図。
【図２】本発明のフラッシュメモリのデータの書込み方法の主要プロセスを示す概略図。
【図３】本発明のフラッシュメモリのデータの書込み方法の第１のプロセスを示す概略図。
【図４】本発明のフラッシュメモリのデータの書込み方法の第２のプロセスを示す概略図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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