(57)【要約】【課題】ＰＷＢやボード表面積を節約するモジュールにＩＣを積層すること、低容量のメモリ拡張アドレシングシステムと方法をＣＳＰ積層モジュールを用いて提供すること。【解決手段】本発明による好適な実施形態において、標準形態３４は、標準の連結性フレックス回路デザイン３２を用いながら、広範なＣＳＰパッケージに見出される種々のパッケージサイズの多くが役立つように使用できる物理的形態を提供する。好適な実施形態において、標準形態３４は、熱性能を改良するために銅のような熱伝導性材料から作られる。代替実施形態において、標準形態３４は、実装脚１９８を持つヒートスプレッダー１９２を含んでも良い。メモリアドレシングシステムの好適な実施形態において、高速スイッチングシステムは、メモリアクセスにおけるデータ信号に関して負荷効果を減少させるために積層モジュール１０の各々のレベルと関連したデータ線を選択する。【選択図】図２３
2007532004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面周辺および上部と下部との主要表面および第１と第２とのエッジを持つ第一のＣＳＰであって、前記エッジは上部主要表面に関して側面領域を決めることを特徴とし、
第１のＣＳＰに対して反転して積層した配置にある第２のＣＳＰであって、前記ＣＳＰは側面周辺および上部と下部との主要表面を持つことを特徴とし、
第１および第２の集積回路の間に部分的に配置したヒートスプレッダー要素を含むことを特徴とし、
第１のＣＳＰの側面周辺の第１の部分に沿って少なくとも部分的に配置した第１の放熱用形態要素であって、前記第１の放熱用形態要素はヒートスプレッダー要素に熱的に接続されていることを特徴とし、
第１および第２のＣＳＰを接続するフレックス回路であって、第１の集積回路の下部主要面の下にフレックス回路の第１の部分、および第２の集積回路の上にフレックス回路の第２の部分を搭載するために配置されたフレックス回路を含むことを特徴とする、
高密度回路モジュール。
【請求項２】
第２の放熱用形態要素をさらに含む請求項１に記載の高密度回路モジュールであって、前記第２の放熱用形態要素は、上記第２のＣＳＰの側面周辺の第２の部分、および上記ヒートスプレッダー要素に熱的に接続した前記第２の放熱用形態要素の部分に沿って少なくとも部分的に配置されていることを特徴とする、高密度回路モジュール。
【請求項３】
上記ヒートスプレッダー要素は、前記ヒートスプレッダー要素の少なくとも１つのエッジ上に形成された少なくとも１つの熱伝導性マウントを持つことを特徴とする、請求項１に記載の高密度回路モジュール。
【請求項４】
少なくとも１つの熱伝導性マウントは、第１のＣＳＰの下部主要表面の下のレベルまで第１のＣＳＰの側面領域の外側に拡張することを特徴とする、請求項３に記載の高密度回路モジュール。
【請求項５】
少なくとも１つの熱伝導性マウントは、回路ボード上の熱吸収実装表面と熱伝達することを特徴とする、請求項３に記載の高密度回路モジュール。
【請求項６】
第1のＣＳＰ、第2のＣＳＰ、少なくとも１つの放熱用形態要素、およびフレックス回路を含む高密度回路モジュールであって、
前記第１のＣＳＰは側面周辺および第１と第２のエッジを持ち、前記エッジは上部主要表面に関して側面領域を決めるために上部および下部主要表面の境界を示すことを特徴とし、
前記第２のＣＳＰは前記第1のＣＳＰに対して反転した積層配置にあり、前記第２のＣＳＰは側面周辺および上部および下部主要表面を持つことを特徴とし、
前記放熱用形態要素は少なくとも１つの第1および第2のＣＳＰの側面周辺に沿って少なくとも部分的に配置されていて、前記放熱用形態要素の1部は少なくとも１つの第1および第2のＣＳＰに熱的に接続されていることを特徴とし、
前記フレックス回路は、前記第1および第2のＣＳＰと接続し、第1の集積回路の下部主要表面の下にフレックス回路の第1の部分および第2の集積回路上にフレックス回路の第2の部分を設置するように配置されていることを特徴とする、
高密度回路モジュール。
【請求項７】
上記第1および第2のＣＳＰの間にヒートスプレッダー要素をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の高密度回路モジュール。
【請求項８】
上記の少なくとも１つの放熱用形態要素は、その放熱用形態要素内に熱放射形状を形成するために空隙を有することを特徴とする、請求項６に記載の高密度回路モジュール。
【請求項９】
上記放熱用形状はひれ状であることを特徴とする、請求項８に記載の高密度回路モジュール。
【請求項１０】
第1のＣＳＰ、第2のＣＳＰ、ヒートスプレッダー要素、およびフレックス回路を含む高密度回路モジュールであって、
前記第１のＣＳＰは側面周辺および第１と第２のエッジを持ち、前記エッジは上部主要表面に関して側面領域を決めるために上部および下部主要表面の境界を示すことを特徴とし、
前記第２のＣＳＰは前記第1のＣＳＰに対して積層配置にあり、前記第２のＣＳＰは側面周辺および上部および下部主要表面を持つことを特徴とし、
前記ヒートスプレッダー要素は前記第1および第2の集積回路の間に配置され、前記ヒートスプレッダー要素は、少なくとも１つの横のエッジから拡張している少なくとも１つの熱伝導性マウントを持ち、ホストシステムの熱吸収部分に熱的に結合していることを特徴とし、
前記フレックス回路は、前記第1および第2のＣＳＰと接続し、第1の集積回路の下部主要表面の下にフレックス回路の第1の部分を設置するように配置されていることを特徴とする、
高密度回路モジュール。
【請求項１１】
上記フレックス回路は部分的に巻かれている湾曲表面を持つ標準形態をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の高密度回路モジュール。
【請求項１２】
ハーメチック・シール・パッケージに封入されている請求項１に記載の高密度回路モジュールを含むことを特徴とする、パッケージ化された高密度集積回路モジュール。
【請求項１３】
ハーメチック・シール・パッケージに封入されている請求項１０に記載の高密度回路モジュールを含むことを特徴とする、パッケージ化された高密度集積回路モジュール。
【請求項１４】
ハーメチック・シール・パッケージに封入されている請求項６に記載の高密度回路モジュールを含むことを特徴とする、パッケージ化された高密度集積回路モジュール。
【請求項１５】
次の（ａ）〜（ｄ）の工程を含むことを特徴とする高密度回路モジュールの製造方法。
（ａ）フレックス回路上の非近接位置に第1および第2のＣＳＰを設置し、それにより前記第1のＣＳＰの底部主要表面上のＣＳＰコンタクトの第１の組および前記第２のＣＳＰの底部主要表面上のＣＳＰコンタクトの第２の組は複数のフレックスコンタクトのそれぞれのコンタクトに両方とも接続する工程、
（ｂ）少なくとも１つの前記第1および第2のＣＳＰの横の周辺に沿って少なくとも部分的に少なくとも１つの放熱用標準形態要素を取り付ける工程、
（ｃ）前記第1のＣＳＰの最上部主要表面上にヒートスプレッダー標準形態要素を取り付ける工程、
（ｄ）前記第2のＣＳＰは前記ヒートスプレッダー標準形態要素に近接するようにフレックス回路を折り畳む工程。
【請求項１６】
上記第2のＣＳＰの最上部主要表面と上記ヒートスプレッダー標準形態要素との間に接着層を取り付ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
工程（ｂ）は、少なくとも部分的に前記第1および第2のＣＳＰの周りに放熱用標準形態要素を取り付けることを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１８】
工程（ｂ）は、ラミネート接着剤を用いて取り付けることを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１９】
工程（ｃ）は、ラミネート接着剤を用いて取り付けることを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路を集積化すること、特にチップスケール・パッケージにおける高集積回路を積層化すること、および基板上にこのような積層化集積回路を提供することに関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の技術がパッケージ化した高集積回路を積層するために使われる。他の技術が従来のパッケージを積層する一方で、幾つかの方法は特殊なパッケージを必要とする。幾つかのスタックにおいて、パッケージ化した集積回路のリードは積層をつくるために使われる。一方他のシステムにおいて、レール（横木）のような付加的な構造はパッケージ間のすべてのまたは一部の接続を提供する。他の技術において、ある特性を有するフレキシブルな配線がパッケージ化した集積回路を選択的に接続するために使われる。
【０００３】
過去十年間に使われた有力なパッケージ形状は、典型的に矩形形状を持つプラスチック周囲に集積回路（ＩＣ）を封止してきた。封入した集積回路は、プラスチック封入のエッジ周辺から出るリードを通して周辺応用製品へ連結される。このような「リードパッケージ」は、パッケージ化した集積回路を積層する技術によって最も普通に使われる構成要素であった。
【０００４】
リードパッケージはエレクトロニクスにおいては重要な役割を演じる。しかし、電子部品および組立て品を小型化するための努力により、回路ボード面積を保持する技術を発展させてきた。リードパッケージはパッケージの周辺側面から出るリードを持つので、リードパッケージは回路ボード面積の最小量以上を占有する。この結果、チップスケール・パッケージまたはＣＳＰとして知られるリードパッケージの代替品は、最近マーケットシェアを得てきた。
【０００５】
ＣＳＰは一般に、パッケージの主要面に配列した一組のコンタクト（「バンプ」または「ボール」としてしばしば使われる）を通して集積回路への接続を提供するパッケージを示す。パッケージの周辺側面から出るリードの変わりに、コンタクトが、主要面上に置かれ、通常パッケージの平坦な底面から出る。
【０００６】
ＣＳＰの目標は、可能なほどに小さな面積として、好適には封入ＩＣの面積とほぼ同じ程度に占有することである。それゆえ、ＣＳＰのリードまたはコンタクトは通常、パッケージの周辺を越えて拡張しない。パッケージ側面に「リード」がないことは、ＣＳＰの積層に適用できないリードパッケージのために工夫される、最大のスタック（積層）技術を提供する。
【０００７】
チップスケール技術において連接したスタック・パッケージ用に幾つかの周知の技術が存在する。本発明の出願人は、トポロジーを節約する空間においてＦＢＧＡパッケージを集積化するための従来のシステムを進化させた。本発明の出願人は、ＲＡＭＢＵＳ周辺のＤＩＭＭ上のＢＧＡパッケージを積層するためのシステムを持つ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＵＳ特許番号6,205,654Ｂ１において、本発明の出願人が所有するが、パッケージから出る接続点を伸ばすためのリードキャリアを使う積層ボールグリッドアレイパッケージ用システムが記載されている。他の周知の技術は一層のＢＧＡパッケージＩＣに構造を付加する。さらに他のものも、パッケージの角度配置を用いてＤＩＭＭ上にＣＳＰを集積化する。このような技術は代替技術を提供するが、コストと複雑さを付加したトポロジーを必要とする。
【０００９】
フォーサンのＵＳ特許6,262,895B1（「フォーサン(Forthun)特許」）は、チップスケールパッケージＩＣを積層するための技術を開示していると主張する。フォーサン特許は、ＣＳＰの周りに部分的に包んだフレックス回路を表す「パッケージ」を開示する。このフレックス回路は、そのフレックスの上面および下面にパッドアレイを持つと言われている。
【００１０】
フォーサン「パッケージ」のフレックス回路はその上面にパッドアレイを、その下面に中央に配置したパッドアレイを持つ。フレックスの下面に、中央の下面パッドアレイから反対側面に第３および第４のアレイが存在する。フォーサンのパッケージを作製するために、ＣＳＰはフレックス回路の上面に配置したパッドアレイと接触する。フォーサン特許において記載されているように、ＣＳＰの下面のコンタクトは、上面パッドにある「スリット」を通して押され、フレックスを通して出てきて、下面アレイのパッド、それにより、パッケージの底面から突き出る。この結果、ＣＳＰのコンタクトはパッケージ用コンタクトとして役に立つ。フレックスの側面はＣＳＰの周りで部分的に巻かれて、ＣＳＰの上部主面上に第３および第４のパッドアレイを近接して配列して、第３および第４のパッドアレイの組合せや別のこのようなパッケージに接続するための第5のパッドアレイからＣＳＰを作製する。この結果、フォーサンの開示において記載されているように、記載のパッケージを用いて作られたＣＳＰの積層モジュールは、モジュール内の各々のＣＳＰの周りに巻かれたフレックス回路を表すだろう。
【００１１】
メモリ拡張は積層モジュールソリューションが利益を提供する多くの分野の一つである。たとえば、周知のＤＩＭＭボードは、本発明の出願人のような者が積層モジュールを用いてしばしば搭載する。これはソケットを付加することなくボードへ容量を付加する。
【００１２】
ＤＩＭＭのようなメモリ拡張ボードは、たとえば、少なくともボード端に沿って配置されたメモリＩＣの配置（すなわち、ソケット）のための複数の場所を提供する。スタックは、メモリの単位当たり接続配線長さを減らし、その結果、信号線の最先端の空間領域の半分未満である接続配線は伝送線以上の集中素子として機能するという一般的ルールを活用するけれど、それは、ＤＩＭＭボード上のデバイスの実際の個数を増加する。この結果、メモリ単位当たり接続配線長の減少にも拘わらず、ＤＩＭＭボード上に実際に配置されたメモリ回路に貯えられた信号アクセスデータは通常、バス上のデバイスの数がスタックによって増えるに従い、比較的高インピーダンスで提供される。
【００１３】
必要なことは、熱的に効率の良い積層回路用の方法と構造であり、高周波で充分に働くが過度の高さにはならない信頼性のある構造であり、、容易に理解できて管理可能な材料や方法を用いて、リーズナブルな費用で生産することができる構造であり、メモリ拡張ボードとデザインが使われるとき、接続配線長さおよび／または負荷の顕著な減少を可能にするアドレスシステムを用いて、生産をリーズナブルな費用で可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（本発明の要約）
本発明は、ＰＷＢまたは他のボード面積を節約するモジュールへ集積回路（ＩＣ）を積層する。たとえば、ＤＳＢＧＡのようなチップサイズパッケージのような小さなパッケージへの多数のコンタクトを有するより大きなパッケージ化されたベース素子から広がっている、ＣＳＰまたは種々のサイズおよび形状のリードパッケージを用いて有利性を出すために、本発明を使うことができる。
【００１５】
多数のＣＳＰを本発明によって積層することができる。多くの応用にとって、本発明の好適な実施形態に従って発明された２段のＣＳＰスタックまたはモジュールは好適であるが、４段のＣＳＰ積層モジュールは、開示された高性能メモリアクセスシステムとともに使用するために好適である。本発明によって作られる積層モジュールに使われるＩＣは、フレックス回路と接続される。このフレックス回路は、２つの導電層を持つ好適な実施形態を有して２つ以上の導電層を表す。
【００１６】
標準形態は、標準の連結フレックス回路デザインを使うときに、広いＣＳＰパッケージ群において見つけられる多数の種々のパッケージサイズが役に立つように使うことを可能にする物理的形態を提供する。好適なモジュールにおいて、フレックス回路は標準形態の周りに部分的に巻かれる。標準形態は多くの形状を取ることが可能であり、２個以上の構成ＩＣを持つ積層モジュールにおいて、フレックス回路はＩＣをお互いに接続するために使われる。たとえば、４段のＣＳＰを含む積層モジュールにおいて、３つの標準形態が好適な実施形態において使われる（ただし殆ど使われることはないが）。好適な実施形態において、標準形態は熱伝達性材料から作られ、熱性能を改良するために、たとえば銅のような金属は好適である。
【００１７】
本発明によって作られる代替の好適な実施形態において、ベース(基本)素子ＩＣおよび一つ以上のサポート(支援)素子は、２個のＩＣ素子を選択的に接続するためにパターン化される２つの導電層を持つフレックス回路を通して集積化される。より簡単な実施形態は一つの導電層フレックスを使う。支援素子に接続される１部のフレックス回路は基本素子上で、また標準形態の周りで巻かれ、ＩＣによって占有される全体の設置面積を減少させながら、基本素子上に支援素子を配置する。フレックス回路は、ＩＣに接続し、モジュールとプリント配線ボード（ＰＷＤ）のような周辺応用製品との間の熱的電気的接続線を提供する。
【００１８】
別の観点において、本発明は、好適にはここで提供されるＣＳＰ積層モジュールを有する、低容量メモリ拡張アドレスシステムおよび方法を提供する。本発明の好適な実施形態において、４段のスタック（積層）ＣＳＰモジュールは、ＣＳＰまたは他のＩＣ積層モジュールと一緒に使うこともできる本発明のメモリ拡張システムおよび方法に従って、メモリ拡張ボード上に配置される。高速スイッチングシステムは、メモリアクセスにおけるデータ信号に及ぼす負荷効果を減少するために積層モジュールのそれぞれの段階と関連したデータ線を選択する。これは好ましくは、ボード負荷によって表されるインピーダンス特性を変える。好適な実施形態において、高速ＦＥＴスイッチと一緒に高速ＤＱ選択スイッチを実装することも可能である。たとえば、ＦＥＴマルチプレクサーはロジック制御下で、好適な実施形態に従ったメモリ拡張システムにおけるコントロールチップセットに接続するＤＩＭＭ搭載の積層モジュールの特殊な段階と関連した特別なデータ線を選択する。
【００１９】
（図面の要約）
図１は、本発明の好適な４段の実施形態に従って作製された高密度回路モジュールの立面図である。
図２は、本発明の好適な２段の実施形態に従って作製された積層高密度回路モジュールの立面図である。
図３は、図２のマークした領域「Ａ」の拡大図を示す。
図４は、図２のマークした領域「Ｂ」の拡大図を示す。
図５は、好適な実施形態に従って作製された積層モジュールにおける実例の接続領域の拡大図である。
図６は、単一導電層を持つフレックス回路のフレキシブル回路連結セットを示す。
図７は、本発明の好適な実施形態に従ったメモリ拡張ボード上に実装された４段積層モジュールを示す。
図８は、４段のモジュールを用いて実装されたメモリ拡張ボードまたはＤＩＭＭを示す。
図９は、本発明に従って作製されたメモリシステムを示す。
図１０は、本発明の代替の好適な実施形態の特徴を模式化するモジュールの立面図である。
図１１は、代替の好適な実施形態の特徴を模式化するモジュールの立面図である。
図１２は、代替の好適な実施形態の特徴を模式化するモジュールの立面図である。
図１３は、本発明の代替の好適な実施形態の特徴を示す別の図である。
図１４は、本発明の代替の好適な実施形態を示すモジュールの立面図である。
図１５は、図１４のマークした領域「Ｃ」の拡大図を示す。
図１６は、本発明による好適な実施形態におけるモジュールの構成素子およびフレックス間の代替接続方法の拡大図を示す。
図１７は、本発明の好適な実施形態において用いられるフレックスの実例の第１の導電層を示す。
図１８は、本発明の好適な実施形態において用いられるフレックスの実例の第２の導電層を示す。
図１９は、本発明の別の代替の実施形態を示す。
図２０は、図１９において矢印２００でマークされた方向に沿って取られた本発明の実施形態の側面図である。
図２１は、本発明の別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
図２２は、本発明の別の実施形態の、図２１の後の組立て工程を示す。
図２３は、本発明の別の実施形態の、図２２の後の組立て工程を示す。
図２４は、本発明の別の実施形態の、図２３の後の組立て工程を示す。
図２５は、本発明のさらに別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
図２６は、本発明の別の実施形態の、図２５の後の組立て工程を示す。
図２７は、本発明の別の実施形態の、図２６の後の組立て工程を示す。
図２８は、本発明の別の実施形態の、図２７の後の組立て工程を示す。
図２９は、本発明のさらに別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
図３０は、本発明の別の実施形態の、図２９の後の組立て工程を示す。
図３１は、モジュール１０の下に少し透けた別の方向から見た、図３０に示された本発明の代替の実施形態を示す。
図３２は、本発明の別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
図３３は、本発明の別の実施形態の、図３２の後の組立て工程を示す。
図３４は、本発明の別の実施形態の、図３３の後の組立て工程を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（好適な実施形態の説明）
図１は、本発明の好適な実施形態に従って作製されたモジュール１０の立面図である。モジュール１０は４個のＣＳＰからなる。４段目のＣＳＰ１２、３段目のＣＳＰ１４、２段目のＣＳＰ１６、１段目のＣＳＰ１８である。ＣＳＰの各々は上面２０と下面２２、および相対する側面端２４と２６を持ち、通常、プラスチックボディ２７によって囲まれた少なくとも１個の集積回路を含む。このボディはプラスチックである必要はないが、ＣＳＰ技術における大部分の主要パッケージはプラスチックである。当業者は、本発明は異なるサイズのＣＳＰを有するモジュールを作製するために行われ、構成のＣＳＰは同じモジュール１０内部で異なる種類であっても良いということを認識するだろう。たとえば、構成ＣＳＰの一つは、「側面」を示すために相当の高さを持つ側面端２４と２６を持つ通常のＣＳＰであっても良い。一方、同じモジュール１０の他の構成ＣＳＰは、相当の高さを持つ側面よりむしろ端の特徴が多い側面端２４と２６を持つパッケージに作ることもできる。
【００２１】
本発明は、たとえば、チップサイズであるもの、その上、技術的に既知の種々のボールグリッドアレイパッケージと同様にチップサイズに近いもの、のような種々のタイプおよび形状のＣＳＰパッケージを有して使用される。一つの主要面に接続するベアーチップを表すＣＳＰ様パッケージを用いて使うこともできる。この結果、「ＣＳＰ」という用語は、この応用との関連において広く考慮されるべきである。これらはここにおいて既知であるが、チップスケールパッケージ集積回路（ＣＳＰ）および幾つかの好適な実施形態は、ＣＳＰの用語で記載されている。しかし、説明図に使われる特別の形状は、限定するものとして説明されるべきではない。
【００２２】
リードおよびＣＳＰおよびパッケージＩＣの他の形状パッケージの種々の組合せは、本発明によって役に立つように使うこともできる。たとえば、図１および２の立面図は当業者に既知の特別のプロファイルのＣＳＰを用いて表される。しかし、これらの図は実施例だけであると理解されるべきである。
【００２３】
後の図は、本発明が使われる多数の代替ＩＣパッケージ形状および組合せの幾つかの実施例として、本リードパッケージを用いて集積化される他の形状のＣＳＰを使う発明の実施形態を示す。モジュール自体は周辺応用製品にバンプやボールのアレイを提供する一方で、本発明のシステムはまたリードパッケージを用いて使うこともできる。
【００２４】
たとえば、ボール・グリッド・アレイ（「ＢＧＡ」）、マイクロ・ボール・グリッド・アレイ、および微小ピッチ・ボール・グリッド・アレイ（「ＦＢＧＡ」）パッケージのような通常のＣＳＰは、幾つかのパターンおよびチップのいずれにおいてもプラスチックケースの底面２２から伸びる、たとえば、リード、バンプ、半田ボール、またはボールとして使われる接続コンタクトのアレイを持つ。図１において、図示された構成ＣＳＰ１２、１４、１６、および１８の底面２２に沿って、コンタクト２８が示される。コンタクト２８はそれぞれのパッケージ内で集積回路への接続を提供する。本発明の実施形態において、モジュール１０は、それぞれのＣＳＰから図１でコンタクト２８として示されるボールを剥したり、また半田ペーストから生じるコンタクト２８で接続工夫を提供したりすることによって、低プロファイルを提供するために作製しても良い。この半田ペーストは、ＣＳＰデバイス上に提供される通常のボールコンタクトの下または内部に通常存在するＣＳＰのパッドコンタクトに、または、コンタクト２８へ接続されるフレックス回路上のコンタクト場所のどちらかに適用される。
【００２５】
図１において、フレックス回路（「フレックス」、「フレックス回路」または「フレキシブル回路構造」）の反復３０および３２は、種々の構成ＣＳＰに接続して示される。幾つかの実施形態は一つを超えるフレックスを使っても良い。全体のフレックス回路はフレキシブル（柔軟）であっても良いし、当業者が認識するように、ある面積で一致できるようにある領域においてフレキシブルにしたり、またコンタクト面に沿って平坦化のために他の領域においては堅くしたＰＣＢ構造を、本発明の代替のフレックス回路として使うこともできる。たとえば、リジッド・フレックスとして周知の構造を使うこともできる。
【００２６】
標準形態３４は、４段目のＣＳＰ１２の下にある各々のＣＳＰの上面２０に隣接して配置されて示されている。標準形態３４は、好適には熱伝導性の良い接着剤３５を用いてそれぞれのＣＳＰの上面２０に固定される。標準形態３４はまた、代替の実施形態において、上面２０に単純に置いても良いし、または空気間隙、または熱的なスラグまたは非熱的層のような媒体によって上面２０から離しても良い。他の実施形態において、たとえば、それがＣＳＰ１８の上面２０上に開かれるように、標準形態３４は対応するＣＳＰに対して反転していても良い。さらに、標準形態は、熱放出の増大のためにモジュール１０において各々のＣＳＰ上に使っても良い。しかし、標準形態３４は好適な実施形態において使われる銅のような熱的に導電性材料である場合、標準形態３４およびそれぞれのＣＳＰの間に入る層や隙間（接着剤のような熱的に導電性層以外の）は、それほど好適ではない。
【００２７】
好適な実施形態において、示された図１の好適な実施形態に示されているように、フレックス回路が配置される標準サイズの形態を提供する一方で、熱集積を緩和する心棒（mandrel）を作るために、標準形態３４は銅から作製される。標準形態３４は、他の形状や形態を取っても良いし、たとえば、それぞれのＣＳＰボディ上にある角張った「帽子（cap）」を形成しても良い。或いは別の例として、後の図１４に示されているように、標準形態３４の一部の周りで折り曲げられるフレックスに関して適切な軸形態を提供すると同時に、標準形態３４は、その冷却面積を増加させるために折り曲げられても良い。このような寄与は好適だとしても、それは熱的に強化している必要はない。標準形態３４は、種々のサイズのＣＳＰを使って利用可能なただ一組の接続構造を明確にすると同時に、本発明を種々のサイズのＣＳＰを用いて使うことを可能にする。この結果、フレックス回路３０および３２のような一組の接続構造（または、一枚のフレックスがフレックス回路ペアー３０と３２の代わりに使われるモードにおけるただ一つのフレックス回路）は、標準形態３４の方法および／または異なるサイズのパッケージを持つＣＳＰを有する積層モジュールを作るためにここで開示されているシステムを用いて、作製され使用される。これは、同じフレキシブル回路セットデザインを、構成のＣＳＰからその同じ特性Ｙに対して第二の任意寸法Ｘを持つモジュール１０と同様に、特性Ｙに対して第一の任意寸法Ｘを持つ構成ＣＳＰから（ここで、Ｙは、たとえばパッケージ幅）積層モジュール１０の反復を作るために使うことを可能にする。この結果、異なるサイズのＣＳＰは、同じセットの接続構造（すなわち、フレックス回路）を用いて、モジュール１０に積層される。さらに、当業者が認識するように、混在したサイズのＣＳＰを同じモジュール１０に実装することも可能である。その結果図１４に示されているシステム・オン・スタックの実施例の実施形態を実装するのに役に立つ。
【００２８】
好適には、フレックス回路３０および３２の部分は、好適にはテープ接着剤である接着層３５によって標準形態３４に固定されているが、液状接着剤であっても良いし、またはパッケージの個別的な配置部分に置かれていても良い。好適には、接着剤３５は熱伝導性である。
【００２９】
好適な実施形態において、フレックス回路３０および３２は、少なくとも２つの導電層を持つ多層のフレキシブル回路構造である。しかし、他の実施形態は、ただ一つの導電層を持つ一つの回路または２つのフレックス回路のどちらかとして、フレックス回路を用いても良い。
【００３０】
好適には、導電層は合金１１０のような金属である。複数の導電層の使用は、利点を提供し、また、当業者が認識するように、特に高周波において信号品位を減退させる可能性があるバウンス効果またはノイズを減少することを目的としたモジュール１０の分布容量の発生を示す。図１のモジュール１０は、モジュールアレイ４０と集合的に同視される複数のモジュールコンタクト３８を持つ。フレックス回路間の接続は、フレックス相互コンタクト４３を有して実装されるように示されている。このフレックス相互コンタクト４３は、ボールとして示されているが、半田ペーストを適用して適切な接続に連結されるパッドおよび／またはリングと一緒に構成される低プロファイルコンタクトであっても良い。絶縁保護媒体４１によって示されるような適切な充填材は、所望の付加された構造的安定性および共平面性を提供することが可能である。媒体４１は、ＣＳＰ１４および１６についてのみ、また視覚的に見やすくするために片側にのみ示されている。
【００３１】
図２は、本発明の好適な実施形態に従って発明された２段のモジュール１０を示す。図２は、図３の拡大図に示される「Ａ」とマークされた領域および図４の拡大図に示される「Ｂ」とマークされた領域を持つ。
【００３２】
図３は、図２で「Ａ」とマークされた領域の拡大図を示す。図３は好適な実施形態において、標準形態３４の一つの配置、および２段のモジュール１０においてフレックス回路３２との関係を示す。フレックス回路３２の内部層の構成はこの図において示されていない。接着材３５は必要とされないが、好適であり、その適用の場所は、図３において示されるように標準形態３４の終端点の近くで少量を有して、ＣＳＰ間の領域におけるこの実施形態にとって最善であるとして決定される可能性がある、ということを当業者は注目するであろう。標準形態３４とＣＳＰ１８との間の接着層３６の適用が図３において示されている。
【００３３】
図４は、実施例のコンタクト２８およびモジュールコンタクト３８の間の接続を示し、１段目のＣＳＰ１８からモジュールコンタクト３８へ、これによる、モジュールが接続可能なアプリケーションＰＷＢまたはメモリ拡張ボードへの好適な固体金属経路を示す。図４に示されるように、下部フレックスコンタクト４４は、好適には、第２の導電層５８のレベルにおいて金属から第２の外側表面５２まで含まれる。当業者が理解するように、この結果モジュール１０からの熱伝達性が向上する。
【００３４】
フレックス回路３０は、多層から構成されるように、図４に示される。これは単に、本発明を用いて使うことが可能な実施例のフレキシブル回路である。記載のフレキシブル回路上の一つの導電層および他のバリエーションも、当業者が認識するように、本発明において役に立つように使うことができる。フレックス回路３０は第１の外側表面５０および第２の外側表面５２を持つ。フレックス回路３０およびフレックス３２において、２つの導電層より多く存在して良い。図示された好適な実施形態において、第１の導電層または導電面および第２の導電層または導電面は、第１のおよび第２の外側表面５０と５２の内側にある。中間層５６は、第１の導電層５４および第２の導電層５８の間に存在する。一つより多くの中間層が存在しても良いが、ポリイミド一層の中間層が好適である。
【００３５】
図５は、好適な実施形態において下部フレックスコンタクト４４の実施例の周辺領域の拡大図である。ウインドー（窓）６０と６２が、それぞれ第１および第２の外側表面層５０と５２に開けられていて、フレックスにおいて第２の導電層５８のレベルで存在する特定の下部フレックスコンタクト４４へアクセスしている。モジュール１０の２段の実施形態において、上部フレックスコンタクト４２は、第２段目のＣＳＰ１６のコンタクト２８によって接触される。図示された好適な実施形態において、下部フレックスコンタクト４４と上部フレックスコンタクト４２は、フレックスにおける第２の導電層５８のレベルにおいて、導電性材料（好適には、合金１１０のような金属）の特定の領域である。上部フレックスコンタクト４２および下部フレックスコンタクト４４は、第２の導電層５８において区分され、第２の導電層５８の導電面に接続しても良いし、またはその導電面から分離されても良い。第２の導電層５８から下部フレックスコンタクト４４を区分することは、第２の導電層５８中に示されている境界隙間６３によって、図５に表されている。上部または下部フレックスコンタクト４２または４４は、第２の導電層５８から完全に分離されていない場合には、境界隙間６３はフレックスコンタクトの周りで全体に拡張していない。第１段目のＣＳＰ１８のコンタクト２８は、第１の外側表面５０、第１の導電層５４、および中間層５６を通して開けられた窓６０を通ってつながり、適切な下部フレックスコンタクト４４に接触する。窓６２は第２の外側表面５２を通して開けられ、モジュールコンタクト３８が適切な下部フレックスコンタクト４４に接触するようにつながる。
【００３６】
第２段目のＣＳＰ１６と第１段目のＣＳＰ１８のコンタクト２８のそれぞれの一つずつが、その２つのＣＳＰの適当な信号および電圧コンタクトを相互接続するために、フレックス回路３０および３２において、第２の導電層５８のレベルで接続される。好適な実施形態において、グランド（ＶＳＳ）信号を運ぶ第２段目のＣＳＰ１６と第１段目のＣＳＰ１８のそれぞれのコンタクト２８は、後でさらに詳細に記載されるようにそれらのＣＳＰを接続するために、中間層５６を通してつながるビアによって、フレックス回路３０および３２において第１の導電層５４で接続される。これによってＣＳＰ１６および１８が接続される。その結果、フレックス回路３０および３２は第１段目のＣＳＰ１８について定位置にあるとき、ＣＳＰ１６および１８の各々のそれぞれのコンタクト２８は、それぞれ上部フレックスコンタクト４２および下部フレックスコンタクト４４と接触している。上部フレックスコンタクト４２および下部フレックスコンタクト４４の選ばれた一つずつが接続される。この結果、下部フレックスコンタクト４４と接触していることによって、モジュールコンタクト３８はＣＳＰ１６および１８の両方と接触している。
【００３７】
好適な実施形態において、モジュールコンタクト３８は、下部ＣＳＰコンタクト４４に接触するために第２の外側層５２に開けられた窓６２を通してつながる。幾つかの実施形態において、図１６において示されるように、モジュール１０は、モジュール１０の構成ＣＳＰを持つよりももっと多数のコンタクトを持つモジュールコンタクトアレイを示すだろう。このような実施形態において、幾つかのモジュールコンタクト３８は、第１段目のＣＳＰ１８のコンタクト２８の一つに接触しないが第２段目のＣＳＰ１６のコンタクト２８に接続する下部フレックスコンタクト４４に接続することもできる。これは、モジュール１０が構成ＣＳＰによって表されるものよりも広いデータ線を表すのを可能にする。未使用のコンタクトがその目的のためには全く、利用できないか役にたたないときに、モジュールコンタクト３８は、そのモジュール内の異なるＩＣが可能になりうる配置を提供するために、下部フレックスコンタクト４４と接触しても良い。
【００３８】
好適な実施形態において、第１の導電層５４はグランド面として使われ、一方第２の導電層５８は信号導電層および電圧導電層となる機能を提供する。当業者は、第１および第２の導電層の役割は、窓部における付随の変化および相応の相互接続の使用で打ち消される可能性があるということに留意するだろう。
【００３９】
図６は、単一の導電層６４を持つフレックス回路３０および３２のフレキシブル回路の連結セットを示す。好適な標準形態のこの例の横の領域を示すとともにモジュール１０のＣＳＰ１８またはそれぞれのＣＳＰのボディ上に配置された、標準形態３４の湾曲領域６６をもたらすモジュール１０の構成において、フレックス回路３０および３２は、示されているよりさらに拡張していて、標準形態である部分を持つということを、図６に関連して理解するべきである。この単一の導電層のモジュール１０のフレックスの実施形態において、第１および第２の外側層５０および５２および中間層５６が示される。また、導電層６４のレベルで区分される一組の単一層の下部フレックスコンタクト６８が、図６に示される。
【００４０】
標準形態３４は接着層を通して第１段目のＣＳＰ１８のボディ２７に付着して示される。幾つかの実施形態において、それぞれのＣＳＰのボディ２７に直接に接触するように配置されて良い。標準形態３４は、たくさんの異なった形状を取っても良く、これにより、標準形態３４と連結して使うとき、種々の異なる寸法のＣＳＰから積層モジュール１０を作るために使うこともできる、一組の大きさを示して連結フレックス回路を製造することを可能にする。好適な実施形態において、標準形態３４は、配置されるＣＳＰの上部主要面よりも横に広く広がっている。この結果、一つの製造者からのＣＳＰは、２つの異なる製造者からの異なる寸法を持つＣＳＰにも拘わらず、異なる積層モジュール１０に別の製造者からのＣＳＰを集積するために使われる、同じフレックス回路を用いて積層モジュール１０に集積化することもできる。
【００４１】
さらに、熱エネルギーの重要なシンクを提供するために、金属または好適には銅また銅化合物または合金のような熱伝達性材料から成る標準形態３４を使って、熱伝達性を改良することができる。モジュール１０のこのような熱増大は特に、多数のＣＳＰが単一の積層モジュール１０に集積化される所で熱性能の改良のための機会を与える。
【００４２】
図７は、本発明の好適な実施形態に従ったメモリ拡張ボード７０上に実装された４段積層モジュール１０を示す。通常のＤＩＭＭボードのように、図７に示される拡張ボード７０は、示されるようにソケット・コネクター７２にセットされる一つの端（エッジ）に沿って一組のコンタクトを持つ。それらのコンタクトは、モジュール１０をロジック系に連結し、拡張ボード７０が実装されるボード７４に連結される。メモリ拡張システムおよびここで提供される方法の好適な実施形態において、積層モジュールが４つのデバイスからそれぞれ構成される場合、拡張ボード７０は、７２個のデバイス全部の側面あたり９つのこのようなモジュール１０を有して搭載される。
【００４３】
図８は、４段モジュール１０を有して実装されるメモリ拡張ボード７０を示す。当業者が認識するように、拡張ボード７０上の４段積層モジュールの使用は、アクセスするデバイスの数に関して相互接続線長を減少させるが、デバイスの全体数を増加させ、この結果、インピーダンスおよび特に高密度に搭載されたＤＩＭＭボードによって発生する容量負荷を増加させる。
【００４４】
図９は、本発明によって作製されたメモリシステム８０を示す。好適なモードにおいて、システム８０は本発明によって作製された積層モジュール１０を用いて使われる。好適な実施形態は、同数のＤＲＡＭ、すなわちどんな段数のスタックにおいても集積化したリード・パッケージまたはＣＳＰパッケージのどちらかの７２個のデバイスを用いて使うこともできるけれど、４段積層モジュール１０を用いて搭載されたＤＤＲIIレジスターＤＩＭＭ用である。
【００４５】
図９に示されたチップセット８２は通常、システム８０を用いてメモリのアクセスをコントロールするマイクロプロセッサーまたはメモリコントローラーを含む。クロック８４は、図示されたメモリ拡張ボード７０(1)、７０(2)、７０(3)、７０(4)の各々の上にロジック８６をデコードするために提供される。当業者は、システム８０およびその方法は１つ以上のＤＩＭＭまたは他のメモリ拡張ボード７０を用いて使うことも可能であることを理解するだろう。積層回路モジュールが含まれる集積回路に別々にアクセスするためにメモリ拡張ボードから離して使うことも可能である。メモリ拡張ボード７０(1)、７０(2)、７０(3)、７０(4)の各々の上にデコードロジック８６は、図９に示されるようにそれぞれのメモリ拡張ボード７０に提供されるそれぞれのＣＳ信号の符号化を提供する。当業者が理解するように、このシステムに使われる特別の相互接続は、このシステムに使われる回路モジュールにかかる電力消費を最小化しバランスさせるために好適に作られるべきである。
【００４６】
図９に示される実施例に示されるように、ＣＳ０、ＣＳ１，ＣＳ２，およびＣＳ３は、チップセット８２からメモリ拡張ボード７０(1)へ提供され、一方ＣＳ４，ＣＳ５，ＣＳ６，およびＣＳ７はメモリ拡張ボード７０(2)へ提供され、ＣＳ８、ＣＳ９，ＣＳ１０，およびＣＳ１１はメモリ拡張ボード７０(3)へ提供され、ＣＳ１２，ＣＳ１３，ＣＳ１４，およびＣＳ１５はメモリ拡張ボード７０(4)へ提供される。
【００４７】
好適な実施形態において、メモリ拡張ボード７０は側面あたり９個の４段ＣＳＰモジュール１０を用いて搭載される。しかし、図９の描写は、図の透明性を保持するためにメモリ拡張ボード７０あたりただ一つのモジュール１０だけを示す。示されたモジュール１０は、４段モジュール１０を示すために飛び出させていて、モジュール１０の好適な構成において、標準形態３４を用いてＣＳＰ１８，１６、１４、および１２を含む。
【００４８】
この結果、デコードロジック８６は、クロック８４からの適当な信号に関して、好適な実施形態において、幾つかのデータ線と関連した多重送信スイッチ９０を制御する多ビット信号であるレベル選択信号を発生する。スイッチ９０は、好適な実施形態において、高速スイッチおよびＦＥＴマルチプレクサは、本発明の好適なモードの実施において、好適な多重送信スイッチ９０を提供する。多重送信スイッチ９０のファンアウトは、チップセット８２からのＤＱ線から種々のデバイスデータ線へ選択機能を提供するどんなものでも良い。チップセット８２およびスイッチ９０の間のＤＱ線は、９４(1)、９４(2)、９４(3)、および９４(4)の双頭の矢印で示される。積層モジュール１０の描写と同様に、メモリ拡張ボード７０あたりただ一つの多重送信スイッチ９０だけが示されているが、多重送信スイッチ９０は、図示された本発明の好適な実施形態の実施において用いられるということを当業者は理解するだろう。多重送信スイッチ９０の数はファンアウト比に依存する。たとえば、９個の8:32の多重送信スイッチ９０の使用は、（もし利用できれば）好適である。または、4:8や1:4の多重送信スイッチ９０も実施例として利益を示す。スイッチや比のタイプが負荷形態へ影響を与えるとしても、単に実施例があるということ、および種々の多重送信スイッチおよび比は多重送信スイッチ９０に使われるということを理解すべきである。この結果、ＦＥＴ多重通信回路は多重送信スイッチ９０にとって好適であり、1:4の比は使うのに好適な比の一つである。
【００４９】
図９の描写は、ただ説明のためだけであり、これに限定しているということを意図してはいない。たとえば、単一のＤＩＭＭボードまたは拡張ボード７０は、本発明に従ったシステム８０において使うこともできる。システム８０において機能する拡張ボード７０の数は、部分的には必要なアクセス速度および信号適応性の関数である。
【００５０】
実例の多重送信スイッチ９０は、多重入力９２(a)、９２(b)、９２(c)、および９２(d)を持ち、それぞれのメモリ拡張ボード７０上に搭載された実例のモジュール１０の各々のレベルに独立したデータ線を提供する。この結果、1:4のスイッチ９０を用いて、多重送信スイッチ９０の１８個の繰り返しが存在し、１８個の４段モジュール１０の搭載メモリ拡張ボード７０(1)の各々に関して一つが存在する。この結果、図９に示されたシステム８０は２８８個のメモリデバイスの全体を示す。どんなパッケージタイプのＩＣを用いてシステム８０を使うことも可能であるということ、およびＤＤＲまたはＤＤＲＩＩまたはＣＳＰさえにも制限する必要はないということに注目すべきである。
【００５１】
各々のモジュール１０の構成ＣＳＰの各々のレベルのデータ線は、対応する実例の多重送信スイッチ９０の一つの入力９２に連結される。ＤＩＭＭ拡張ボード７０上にデコードロジック８６からＣＳ信号８８へ応答して、多重送信スイッチ９０はＤＱ信号９４の適切な一つをメモリ拡張ボード７０上のモジュール１０の４段のうちの一つへ接続する。当業者は、たとえば、ＣＡＳ待ち時間やバースト長のような一つ以上のクロックサイクルのデータ待ち時間に適応させることを認識するように、幾つかのシステムにおいて、多重送信スイッチ９０を通してデータバスのこのスイッチングは、さらに信号接続を制御する必要があるかも知れない。好適なモードにおいて、まるでモジュール１０の各々の構成デバイスが目標であるかのように、異なるＣＳが選択される各々の時間に末端をスイッチしなければならない代わりに、拡張ボード７０はモジュール１０のすべての構成デバイスを保持しても良い。幾つかの応用において、最後のＤＩＭＭ拡張ボード７０を通るデータ線の終端処理をすることが好適であるかも知れない。他の特徴として、チップ選択線をデコードすることによってもっと多くのＣＳバンクを作る場合のような、システム８０の効率に対する改良を可能にすることもできる。
【００５２】
システム８０において、チップセット８２へ与えられる容量負荷は、“多重送信９０をスイッチする入力容量＊ＤＩＭＭのスロットの数＋１個のＤＲＡＭデバイスの負荷＋多重送信スイッチ９０の出力容量”の結合に近い。大きなシステムにおいて、これは、顕著な量で容量負荷を減らし、この結果、高速および／またはもっと密に搭載したＤＩＭＭで、多くのＤＩＭＭスロットを可能にする。メモリアクセスシステム８０は、高速メモリ性能を改良する機会を提供し、かつ、従来のＤＩＭＭシステムにおける容量負荷のために、他の形では利用できないメモリ拡張形状の使用を可能にする。
【００５３】
図１０は、本発明の代替の好適な実施形態の特徴を示すモジュールの立面図である。図示されたモジュール１０は、ベース要素１２０とサポート要素１４０および１６０とから成る。図示された実施形態において、ベース要素１２０とサポート要素１４０および１６０とは、ＣＳＰデバイスとして示されるが、本発明はＣＳＰの配置に制限されないし、種々のパッケージタイプを集積するために使っても良い。ベース要素１２０とサポート要素１４０および１６０とは各々、図示された実施形態において、上面２０と下面２２および周辺または側面または端２４および２６（側面としての役目であっても良いし、またはＣＳＰが特に薄い場合は、端としての役目であっても良い）を持つ。
【００５４】
図１０は、この背面同士形態で近接して配置した構成要素の上部主面を用いて積層配置しているベース要素１２０とサポート要素１４０および１６０を示す。サポート要素１４０および１６０の上面２０とベース要素１２０の上面２０との間に、描写を明瞭にするために、誇張したスケールで示された接着層３５が示されている。コンタクト２８は、ベース要素１２０とサポート要素１４０および１６０の下部表面２２から出ている。モジュールコンタクト３８は、モジュール１０の底部に沿って描かれ示されていて、ＰＷＢやＰＣＢや他の実装場所へモジュール用の連結部を提供する。
【００５５】
サポート要素１４０および１６０は好適には、テープ接着剤として示されている接着層３５によって、ベース要素１２０の上部表面２０に固定されるが、液状接着剤であっても良いし、パッケージによる個別配置で設置されても良い。好適には、接着層３５は熱伝導性である。フレックスを含む接着層は、モジュール１０の組立てにおいて役立つように使われる。層３５はまた、モジュール１０の要素間の熱流を促進するために、熱伝導性媒体であっても良い。代替的に、ベースおよびサポート要素を一緒に保持するために、メカニカルクランプを使っても良い。もっと典型的におよび好適には、モジュールコンタクトはベース要素に接近していたとしても、モジュール用コンタクトはそれ自体、モジュールのベース要素またはサポート要素のどちらかに接近していても良い。サポート要素はベース要素の端を越えて拡張しても良いし、ベース要素の周辺内に配置されても良い。この図には示されていないが、標準形態３４の使用も好適である。
【００５６】
図１１は、ベース要素１２０およびサポート要素１４０を用いて、リード３１０（すなわち、この実施形態においてはサポート要素１６０として）を持つリードパッケージデバイスの集積化を示す。図１１はさらに、図１０に初期に示されるフレックス回路３０の下部よりもむしろ、フレックス回路３０の相対的に上の位置にサポート要素１４０および１６０を配置して、ベース要素１２０の上側面に付着したフレックス回路３０の配置も示す。フレックス回路３０は好適には、図１１において、レファレンス３５によって示される熱伝導性接着層を用いて、ベース要素１２０の上面に付着される。絶縁保護媒体４１は熱伝導性が良く、ベース要素１２０の下面２２に沿って配置される。図を明瞭にするために、その配置は、ベース要素１２０の数個のコンタクト間にのみ図１１に示されている。
【００５７】
図１２は、本発明の別の代替の実施形態を示す。ベース要素１２０およびサポート要素１４０が示されている。前に示された場所において、単一のパッケージサポート要素１６０は、リードスタック１７０であり、上部ＩＣ１９０および下部ＩＣ２１０から成る。
【００５８】
図１３は、フレックス回路３０と相互接続したＣＳＰベース要素１２０およびＣＳＰサポート要素１４０と１６０を使うモジュールを示す。ヒートシンク３４０は、ベース要素１２０およびサポート要素１４０と１６０の間に配置される。図１３に示すように、ヒートシンク３４０は、モジュール１０が用いられる応用のケーシング(casing)３６の部分と接触している。
【００５９】
図１４は本発明の代替の好適な実施形態である。図１４において、ベース要素１２０の物理的な境界を越えて拡張しているサポート要素１４０と１６０を用いて、ＣＳＰにおいてパッケージ化された図示されたＩＣのすべてと一緒に、ベース要素１２０およびサポート要素１４０と１６０が示されている。標準形態３４は、フレックス回路３０が弧状をなす標準形態を提供する。最初に示したように、この実施形態において、標準形態は種々の形態を取っても良いし、また標準形態３４は、冷却表面積を増加させるために折り曲げられ、一方では、フレックス回路３０のために、適切な軸円周および標準形態を提供する。また、絶縁保護アンダーフィル４１の広範囲で好適な使用も示されている。
【００６０】
図１５は、図１４において「Ｃ」とマークされた領域の詳細を拡大透視図で示していて、サポート要素のコンタクト２８とフレックス回路３０のサポートフレックスコンタクト５７との間の実施例の接続を示す。この図において、サポートフレックスコンタクト５７はフレックス回路３０の第１の導電層５４のレベルにあるように示されている。図１５は、右端のコンタクト２８と接触しているサポートフレックスコンタクト５７および第２の導電層５８の間のビア５９を示す。導電層レベル間のビアの使用は、使われるフレキシビリティな方法がベース要素１２０をサポート要素と接続することを可能にし、たとえば、サポート要素１４０または１６０から選択されたモジュールコンタクト３８へのコンタクトの接続を可能にする。しばしば、サポート要素１４０および／または１６０はベース要素１２０へ直接には接続しない信号を持つが、それは全体のモジュール１０の動作に関連した機能性を持つ。このような場合において、モジュールコンタクト３８は、ベース要素１２０への対応する直接接続なしで、サポート要素１４０または１６０への信号接続を提供する。このような接続方法は図１６において示されている。
【００６１】
図１７は、図１４で図示された実施形態と同様の好適な実施形態に関して第１の導電面５４のレベルで導電性領域に使われるプロットの概念図を示す。当業者が注目するように、図１７に示されるプロットにおいて、レファレンス６５で示された導電性領域はサポート要素１４０用の導電性領域に対応し、一方レファレンス６７で示された導電性領域は図１４に示されるサポート要素１６０に対応する。導電性領域６９はベース要素１２０の接続を提供する。接続領域６５および６７はサポートフレックスコンタクト５７を提供する。ビア５９と結合した配線は、ベース要素１２０へのサポート要素１４０および１６０の相互接続するための接続装置の１部を提供する。この図は、たくさんの実際の経路はこの図を明瞭に見せるために取り除かれて、概念化されている。
【００６２】
図１８は、図１４に示された実施形態と同様の好適な実施形態に関して、第２の導電性表面または平面５８のレベルで導電性領域に使われる経路プロットの概念図を示す。
【００６３】
ベース要素１２０に接続するために使われる図１７および１８の領域において、好適な実施形態の２つの導電層をもっと完全に使うために、ビア５９を使う実施例が示されている。接続領域５５および６１は、サポート要素１４０および１６０をベース要素１２０へ相互接続するための接続装置の１部を提供する配線（図を明瞭に見せるために図においては示されていない）と同様に、ビア５９を示す。
【００６４】
図１８の描写に関して、ベース要素１２０によって使うこともできる下部フレックスコンタクト４４の識別が見つけられる。図５および１６を参照して、ベース要素１２０は、窓６０を通ってつながるコンタクト２８を有し、図１８で示される第２の導電層のレベルで示される下部フレックスコンタクト４４と接触する第１の導電層５４を持つ。これは、発見的な説明図であり、本発明の幾つかの実施形態において見出される特徴を説明する単なる実施例であるということを理解するべきである。
【００６５】
特定の下部フレックスコンタクト５４は、第２の導電層５８のレベルにおいて、配線７１によってビア５９へ接続される。ビア５９は、相対的に上向きの方向においてベース要素１２０のボディへつながる。ビア５９は、フレックス回路３０を通して上方へつながるので、領域６９においてビア５９の識別によって図１７に示される第１の導電層５４のレベルで導電性領域とコンタクトする。特定のビア５９は、それから、図示された実施形態において種々の他のコンタクトへ接続ネットワークを提供する配線７３へ接続される。この結果、２つの導電層の使用は、中間層を通して図示されたビアの使用によって、付加されたフレキシビリティとして与えられる。
【００６６】
異なる導電性領域で配線またはフレックスコンタクトまたは導電性領域と相互接続するために中間層５６を通ってつながるビアは、「オン・パッド（パッド上）」であっても良いし、またはそれらのビアが接続するサポートまたはベースフレックスコンタクトと一致しても良い。このようなビアは、「オフ・パッド」であっても良いし、別の導電層へ信号が運ばれることになるフレックスコンタクトと関連する窓の近くに配置されても良い。これは、接続方法やレイアウト経路に対して付加的なフレキシビリティを提供する。
【００６７】
図１９は本発明の別の代替の実施形態を示す。ベース要素１２０に関して逆の位置にサポート要素１４０を有したベース要素１２０が、図１９に示されている。標準形態３４は、ベース要素１２０の横の範囲の外側の領域において上方へおよび下方へ拡張する放熱用形態部分１９２を用いて、ベース要素１２０とサポート要素１４０（この実施形態に関して、一緒に「図示されたＣＳＰ」が示される）との間に位置して示される。種々の実施形態において、放熱用形態部分１９２は種々の形状および形態を取っても良い。たとえば、放熱用形態部分１９２は、図示されたＣＳＰ、ベース要素１２０およびサポート要素１４０の周囲に部分的に拡張し、または図示されたＣＳＰの一つ以上の横側面上に配置されても良いし、または図示されたＣＳＰの周囲に完全に拡張しても良い。付加的な実例として、放熱用形態部分１９２は、それらの表面積を増加させるために発明されたボイド（空隙）やフィン（羽根、ヒレ）や他の非接触の特徴を有しても良い。
【００６８】
この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４は、標準形態３４の中心部分であり、図示されたＣＳＰ間に配置されていて、破線によって示されているように、指定されたＩＣの１つまたは両方の横の領域を越えて拡張しても良い。ヒートスプレッダー部分１９４および放熱用形態部分１９２は、同様の材料から構成されても良いし、異なる適切な熱伝導性材料から構成されても良い。さらにヒートスプレッダー部分１９４および放熱用形態部分１９２は種々の方法で作られても良い。たとえば、各々の図示されたＩＣ、それから、ベース要素１２０の上に配置されたヒートスプレッダー部分１９４および選択された放熱用部分１９２の周りに配置された放熱用形態部分１９２とフラットな形状で、図示されたＩＣはフレックス回路３０に最初に付着されても良いし、および接着層や、または、たとえば、テープ接着、液状接着、半田付け、溶着、またはクランピングのような、他の適切な付着方法を用いて付着されても良い。その結果、フレックス回路３０は、図１９に示される相対的な位置を作り出すために折り畳むことも可能である。ヒートスプレッダー部分１９４にサポート要素１４０と関連した放熱用形態部分１９２を固定するために、接着剤または他の適切な付着方法を使っても良い。当業者が理解するように、この明細書を理解した後に、放熱用形態部分１９２およびヒートスプレッダー部分１９４は、標準形態３４を達成するために作製される方法でお互いに近接して配置される分離した部分であっても良い。さらに、当業者が理解するように、代替の実施形態において、図示されたＣＳＰ間にヒートスプレッダー部分１９４を存在させないで、図示されたＣＳＰの１つまたは両方の周りに、放熱用形態部分１９２を配置しても良い。
【００６９】
この実施形態において、フレックス回路３０は、コンタクト２８を通してベース要素１２０へ接続され、サポート要素１４０のコンタクト２８へ接続するために標準形態３４の一つの側面に巻きつけられる。この実施形態において、標準形態３４の放熱用形態部分１９２は、標準形態３４の１部に巻きつけたフレックス回路３０の適切な軸形態を提供するために作製された湾曲したエッジ１９６を持つ。さらに、この実施形態において、標準形態３４は、フレックス回路３０の横の領域の外側の放熱用形態部分１９２上に配置される取り付け（実装）脚を有して提供される。絶縁保護アンダーフィルの使用は図を単純にするために示されていないが、幾つかの実施形態は図１４に関して記載された絶縁保護アンダーフィルを使っても良い。
【００７０】
図２０は、矢印でマークされた２００の方向から見た図１９において示された本発明の実施形態の側面図を示す。フレックス回路３０は、標準形態３４の湾曲エッジ１９６に巻きつかれる。モジュールコンタクト３８は、その動作環境へモジュール１０の接続のためのフレックス回路３０上に提供される。好適な実施形態において、フレックス回路３０は、少なくとも２つの導電層を持つ多層フレキシブル回路構造である。しかし、他の実施形態は、１つの回路または２つのフレックス回路のどちらかとして、単一の導電層だけを持つフレックス回路を用いても良い。取り付け脚１９８は、フレックス回路の横の領域の外側に拡張し、その動作環境へモジュール１０の安定性およびメカニカルな接続性を提供する。
【００７１】
図２１〜２４は、アセンブリプロセスにおける本発明の別の実施形態を示す。
【００７２】
図２１は、本発明の別の実施形態の初期のアセンブリ工程を示す。ベース要素１２０およびサポート要素１４０は好適にはＣＳＰである。フレックス回路３０は、ベース要素１２０およびサポート要素１４０を用いて示される。この実施形態においてたとえば、半田付け、後のリフローを有するソルダーペースト、接着剤、ラミネート接着剤、および／またはこれらと他の既知の接続方法との結合のような他の手段によって達成される種々の手段によって、接続が行われる。さらに、他の実施形態において、ベース要素１２０およびサポート要素１４０は、たとえば接着剤またはペーストのような他の方法を用いて、この工程において適所に保持されても良い。
【００７３】
図２２は、本発明の別の実施形態の、図２１に示されたものより後のアセンブリ工程を示す。本発明の実施例の実施形態を組み立てる好適な方法がこれと関連の図によって示されているが、この順番は限定されてはいない。またこの明細書を理解した後で当業者は認識するように、本発明の種々の実施形態は種々の順番で組み立てられる。ベース要素１２０は上面２２４を持つ。放熱用形態部分１９２は、ベース要素１２０およびサポート要素１４０（「図示されたＣＳＰ」）の周りに配置されて示される。この実施形態において、放熱用形態部分１９２は、ここで形成される熱放射フィン２２２を持つ。好適には、放熱用形態部分１９２および図示されたＣＳＰの間に熱伝導がある。種々の実施形態において、放熱用形態部分１９２は、図示されたＣＳＰに近接してまたは接触して配置されても良いし、または接着剤または締まりばめ（interference fit）によって付着されても良いし、またはフレックス回路３０に付着されても良い。他の実施形態において、放熱用形態部分１９２は図示されたＣＳＰの近くにあっても良いが、接触してはいない。距離「Ｄ」は放熱用形態部分１９２の最近接エッジを離す。距離Dは、モジュール１０の組立ての後の工程でフレックスを折り畳むことを容易にするように決定される。ある実施形態において、距離Dは、形態部分１９２や図示されたＣＳＰのどちらかの大きい方で付加的な高さを見出すことによって決定しても良い。この合計の高さは、もし特別の実施形態がヒートスプレッダー部分１９４を含む場合、ヒートスプレッダー部分１９４によって増加する。さらに、距離Dは、湾曲したエッジ１９６（図２４に関して記載される実施例）の周りに巻きつけるために必要な付加的距離のような要因によっても、または、もしあるとしたら、折り畳み組み立てるために必要な「余裕・たるみ（slack）」によっても、またはもしあるとしたら、アセンブリ後の所望の「余裕」によっても増加する。
【００７４】
図２３は、本発明の別の実施形態の、図２２に示されたものより後のアセンブリ工程を示す。この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４はベース要素ＩＣ１２０の上面２２４上に配置されて示される。しかし、他の実施形態において、たとえば、図示されたＣＳＰのどれかの上に標準形態３４のヒートスプレッダー部分１９４を置くときのように、または、別の代替実施例のアセンブリ順番として、図示されたＣＳＰのどちらかまたは両方の上に２つ以上の部品を配置するときのように、標準形態３４を異なる順番でアセンブリしても良い。標準形態３４のヒートスプレッダー部分１９４は、好適には、熱伝導性である接着層を有してそれぞれのＣＳＰの上面２２４に固定されても良い。ヒートスプレッダー部分１９４はまた、代替の実施形態において、熱スラグまたは非熱的層のような空気間隙や媒体によって、上面２２４から分離しても良いし、または上面２２４上に単に載せただけでも良い。ヒートスプレッダー部分１９４の横の領域は、好適には、図示されたＣＳＰの１つまたは両方の横の領域よりも大きいし、また好適には、この実施形態において、各々の横の方向における部分１９２から放熱用形態の最大の横の領域に等しい。しかし、他の実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４の横の領域は、どちらの方向においても、放熱用形態部分１９２の領域よりも大きくても良いし、またはどちらの方向においても図示されたＣＳＰの領域よりも小さくても良い。
【００７５】
図２４は、本発明の別の実施形態で、図２３に示された工程より後の、アセンブリ工程を示す。図２４(a)は、モジュール１０の少し上からの斜視図である。フレックス回路３０が、ベース要素１２０上で積層し逆転した位置において、サポート要素１４０を配置するために折り畳まれた後で見たものである。この実施形態において、フレックス回路３０は、放熱用形態部分１９２の湾曲したエッジ１９６上に、湾曲した配置の部分を有して示されている。モジュール１０は、たとえば、接着材、ラミネート接着材、および半田付けのような幾つかの方法によって、この形状で固定されている。図２４(b)は、モジュール１０の少し下からの斜視図である。取り付け脚１９８が放熱用形態部分１９２から拡張して示されている。モジュールコンタクト３８は、その動作環境にモジュール１０を接続するために、モジュール１０の底面２４２上に存在する。好適には、取り付け脚１９８は、底面２４２から垂直方向に、モジュールコンタクト３８と同じ距離を伸ばすように、サイズ化される。しかし他の実施形態においては、取り付け脚はモジュールコンタクト３８より小さく伸びても良いし、大きく伸びても良い。
【００７６】
図２５〜２８は種々のアセンブリ工程における本発明の別の実施形態を示す。
【００７７】
図２５は、本発明のさらに別の実施形態の初期工程を示す。この工程は、フレックス回路３０に付着したベース要素１２０およびサポート要素１４０を用いていて、図２１に関して記載されているものと類似する。
【００７８】
図２６は、本発明のさらに別の実施形態で、図２５で示されたものより後のアセンブリ工程を示す。本発明の実施例の実施形態をアセンブリする好適な方法は、これや関連の図によって示されるが、この順序は制限されないし、当業者がこの明細書を理解した後で認識するように、本発明の種々の実施形態が種々の順番で組み立てられて良い。ベース要素１２０は上面２２４を持つ。放熱用形態部分１９２が、ベース要素１２０およびサポート要素１４０（「図示されたCSP」）の周りに配置されて示される。離間距離Dおよび放熱用形態部分１９４のフレックス回路３０への接続は、図２２に関してなされた説明に従っても良い。この実施形態において、標準形態３４の放熱用形態部分１９４は、湾曲形態２６２およびタブ形態２６４を持つ金属部品であり、それはさらに図２７に関して記載される。他の実施形態において、標準形態３４の放熱用形態部分１９４は、たとえば、種々の金属、合金およびその複合物のような適当に堅くて熱伝導性の良い材料から作られても良い。
【００７９】
図２７は、本発明の別の実施形態で、図２５で示されたものより後のアセンブリ工程を示す。好適な実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４は銅から作られ、厚さ約１ｍｍの厚さを持つ。図２７の描写は、図２６の描写と同じ方向を持つ。この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４は、ベース要素ＩＣ１２０の上面２２４上に配置されて示される。標準形態３４のヒートスプレッダー部分１９４は、好適には熱伝導性の接着層を持つそれぞれのＣＳＰの上面２２４に固定されていても良い。ヒートスプレッダー部分１９４はまた、代替の実施形態において、上面２２４上に単に置かれていても良いし、または熱スラグや非熱的層のような空気間隙や媒体によって上面２２４から離れていても良い。ヒートスプレッダー部分１９４の横の領域は好適には、図示されたＣＳＰの１つまたは両方の横の領域より大きいし、また好適には、この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４はマウント２７２を持つ３つの横方向の各々において、放熱用形態部分の最大の横の領域よりも大きい。好適にはマウント２７２は熱伝導性を持つ。この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４は、その４側面のうちの３つから拡張するマウント２７２を持つ。第４の側面は、この実施形態において、マウント２７２を何も持たないが、代わりに、好適には、近接の湾曲形態２６２によって示される外側エッジと同一平面上である側面エッジ２７６を提供する。好適には、ヒートスプレッダー１９４は、熱伝導を促進するために作製された方法で湾曲形態２６２と接触する。マウント２７２は好適にはベース要素１２０の上面２２４に関して下の方向に伸び（図２６）、また好適には放熱用形態１９２を超えて拡張する。フレックス回路３０は、図２７に示された工程からアセンブリの後の工程で折り畳まれる部分「Ｆ」を持つ。ヒートスプレッダー１９４の下にある放熱用形態要素１９２のタブ形態２６４は好適には、メカニカルなサポートおよび熱伝導性を提供するために作製された方法で、ヒートスプレッダー１９４の下面と接触している（この図においては見えていない）。
【００８０】
図２８は、本発明の別の実施形態で、図２７で示されたものより後のアセンブリ工程を示す。図２８(a)は、モジュール１０の少し上から見た斜視図であり、フレックス回路３０が、ベース要素１２０上で積層し反転した位置でサポート要素１４０を配置するために部分Ｆで折り畳まれた後で、見たものである。この実施形態において、フレックス回路３０は放熱用形態部分１９２の湾曲形態２６２上に湾曲した配置において部分的に示されている。モジュール１０は、たとえば、接着剤、ラミネート接着剤、溶着、クランピング、および半田付けのような幾つかの方法によってこの形状に固定されて良い。図２８(b)は、モジュール１０のわずかに下のほうから見た斜視図である。マウント２７２は放熱用形態部分１９２から拡張して示されている。モジュールコンタクト３８は、その動作環境にモジュール１０の接続のために、モジュール１０の底面２４２上に存在する。好適には、マウント２７２は、底面２４２へ垂直な方向において下方へ、好適にはベース要素１２０の横の領域の外側へ、モジュールコンタクト３８と同じ距離だけ拡張する。しかし、他の実施形態において、マウント２７２は、パッケージング方法および動作環境に依存するモジュールコンタクト３８より少なくまたは多く拡張しても良い。マウント２７２の底のマウント面２７４は、モジュール１０の動作環境において使われる回路ボードのグランド面に好適に半田付けされる。他の実施形態において、しかし、マウント２７２は、異なる方向において広がる異なる形状を持ち、マウント２７２は、たとえば、回路ボード、回路ボード上で形成されたマウント、シャーシ、壁、またはハーメチックパッケージコンテナー（容器）の他の内部表面などのような、モジュール１０の動作環境において種々の面上に溶着されても良いし、半田付けされても良いし、置かれても良い。当業者が、この明細書を理解した後で認識するように、モジュール１０は、厳しい動作環境下でも高い信頼性を提供するために作製された封止電子パッケージの種々の形態においてパッケージされても良い。
【００８１】
図２９〜３１は、アセンブリの種々の工程において、本発明の別の実施形態を示す。
【００８２】
図２９は、本発明のさらに別の実施形態の初期の工程を示す。この実施形態において、フレックス回路３０はフレックス拡張部２９２および２９４を持つ。サポート要素１４０および１６０は、フレックス拡張部２９２および２９４上に配置され、図示されたアセンブリ工程において、たとえば、半田付け、半田ペースト、接着剤、およびラミネート接着剤のような種々の方法によって付着しても良い。
【００８３】
図３０は、本発明の別の実施形態の、図２９で示された工程より後のアセンブリ工程を示す。本発明の実施例の実施形態をアセンブリする好適な方法がこれや関連の図によって示されているが、その順番は限定されてはいないし、当業者がこの明細書を理解した後に認識するように、本発明の種々の実施形態は種々の順番でアセンブリされても良い。この実施形態において、フレックス拡張部２９２および２９４は、標準形態３４の周りで巻かれて示されている。ベース要素１２０（この図では見えていない）は、標準形態３４に近接した上面２２４と一緒に、標準形態３４の下にある。この実施形態において、標準形態３４は、サポート要素１４０および１６０が配置するサポート面および熱吸収面を提供するために作製された、折り畳まれた部分３０４および３０６を持つ。この図において、サポート要素１４０および１６０は、フレックス拡張部２９２および２９４の折り畳みによって、図２９におけるそれらの描写に関して反転されている。この実施形態において、フレックス回路３０は２つの拡張部分を有して示されているが、これに限定しているものではなく、他の実施形態は１つまたは２つまたは３つ以上のフレックス拡張部を含んでも良く、このフレックス拡張部は、お互いに接続するフレキシブル回路、および／またはベース要素１２０および／またはモジュール１０の動作環境を提供するために工夫される。さらに、この実施形態において標準形態３４は２つの折り畳まれた部分３０４および３０６を持つ一方で、他の実施形態は１つまたは２つまたは３つ以上の折り畳まれた部分を持っても良く、このような部分はサポート要素１４０および１６０のために補助および／または熱吸収を提供するために作製されても良いし、サポート要素１４０および１６０のために付着および／または補助および／または熱吸収用の表面を提供するために作製されても良い。サポート要素１４０および１６０は、ベース要素１２０に対して、水平でも良いし、または垂直でも良いし、または他の角度で配置されても良い。折り畳まれた部分３０４および３０６はこの実施形態において示されているが、標準形態３４は折り畳まれた形状で作られても良いし、または硬い材料で作られても良いし、または熱放射および／または製造の容易さを提供するために工夫された種々の形状の空隙を有して形成された材料から作られても良い。この実施形態において、折り畳まれた部分２０６は、サポート要素１４０および１６０用に提供するために外枠を有して形成される。標準形態３４は、その外側のエッジの周りに部分的に配置した放熱用部分３０２を持つ。
【００８４】
図３１は、図３０に示された本発明の代替実施形態を示し、モジュール１０のわずかに下から見た別の斜視図である。
【００８５】
図３２〜３４は、アセンブリプロセスにおける本発明の別の実施形態を示す。
【００８６】
図３２は、本発明の別の実施形態の初期のアセンブリ工程を示す。フレックス回路３０はベース要素１２０および接続のサポート要素１４０を有して示される。
【００８７】
図３３は、本発明の別の実施形態で、図３２に示されるものよりも後の、アセンブリ工程を示す。本発明の実施例の実施形態を組立てる好適な方法がこれや関連する図によって示されるが、その順番は限定されてはいないし、当業者がこの明細書を理解した後に認識するように、本発明の種々の実施形態は種々の順番でアセンブリされても良い。放熱用形態部分はベース要素およびサポート要素１４０（「図示されたＣＳＰ」）の周りに配置されて示される。この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４は、ベース要素ＩＣ１２０の上面２２４上に、またそれぞれの放熱用形態部分１９２の上に配置されて示される。この実施形態において、ヒートスプレッダー部分１９４は、標準形態３４およびアセンブリされたモジュール１０のためのメカニカルサポートを提供するために、および、熱放射のために増加した表面積を提供するために作製された放熱用ピン３３２と一緒に提供される。この実施形態において、ヒートスプレッダー１９４の内部部分の周りに配置されたこれらの放熱用ピン３３２は、フラットな内部エッジ３３４を有して提供され、フレックス回路３０がその完成した形状でモジュール１０を配置するために（アセンブリの後の工程において）折り畳まれる時、サポート要素１４０と接触してまたはその近くに配置するための平坦な表面を提供する。さらに、放熱用ピン３３２は、ヒートスプレッダー部分１９４の中心表面部分３３６の下に提供される。この実施形態において、放熱用ピン３３２は、均一サイズで均一間隔を持つとして示される。しかし、これには限定されないし、放熱用ピン３３２は、異なるサイズおよび間隔を持っても良いし、異なる方向に拡張しても良い。
【００８８】
図３４は、本発明の別の実施形態で、図３３に示されるものよりも後の、アセンブリ工程を示す。図３４(a)は、モジュール１０の少し上から見た斜視図であり、ベース要素上の積層し反転した位置にサポート要素１４０を配置するために、フレックス回路３０が折り畳まれた後で見たものである。この実施形態において、フレックス回路３０は、放熱用形態部分１９２の湾曲したエッジ１９６上に湾曲した配置の部分を有して図示される。図３４(b)は、モジュール１０の少し下から見た斜視図である。取り付け脚１９８は、放熱用形態部分１９２から拡張して示される。モジュールコンタクト３８は、その動作環境へモジュール１０を接続するために、モジュール１０の底面２４２上に存在する。この実施形態において、放熱用ピン３３２は、モジュール１０の横の領域において、フラットなプロファイルを提供するために作製される平坦なエッジ３４２を持つ。モジュール１０が、パッケージユニットの壁やまたはモジュール１０の動作環境において存在する他の表面に隣接して配置される時、このようなフラットなプロファイルは、熱伝導特性を増大する可能性がある。本発明は詳細に記載されてきたけれども、当業者にとって、本発明は種々の特定の形態において具現化することもできるし、種々の変化、置換や代替は、本発明の思想や範囲から逸脱することなく行うことも可能であるということは、明白である。記載された実施形態は単に説明的になされただけであり、これに制限されない。また本発明の範囲は、それゆえ、請求項によって示される。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】図１は、本発明の好適な４段の実施形態に従って作製された高密度回路モジュールの立面図である。
【図２】図２は、本発明の好適な２段の実施形態に従って作製された積層高密度回路モジュールの立面図である。
【図３】図３は、図２のマークした領域「Ａ」の拡大図を示す。
【図４】図４は、図２のマークした領域「Ｂ」の拡大図を示す。
【図５】図５は、好適な実施形態に従って作製された積層モジュールにおける実例の接続領域の拡大図である。
【図６】図６は、単一導電層を持つフレックス回路のフレキシブル回路連結セットを示す。
【図７】図７は、本発明の好適な実施形態に従ったメモリ拡張ボード上に実装された４段積層モジュールを示す。
【図８】図８は、４段のモジュールを用いて実装されたメモリ拡張ボードまたはＤＩＭＭを示す。
【図９】図９は、本発明に従って作製されたメモリシステムを示す。
【図１０】図１０は、本発明の代替の好適な実施形態の特徴を模式化するモジュールの立面図である。
【図１１】図１１は、代替の好適な実施形態の特徴を模式化するモジュールの立面図である。
【図１２】図１２は、代替の好適な実施形態の特徴を模式化するモジュールの立面図である。
【図１３】図１３は、本発明の代替の好適な実施形態の特徴を示す別の図である。
【図１４】図１４は、本発明の代替の好適な実施形態を示すモジュールの立面図である。
【図１５】図１５は、図１４のマークした領域「Ｃ」の拡大図を示す。
【図１６】図１６は、本発明による好適な実施形態におけるモジュールの構成素子およびフレックス間の代替接続方法の拡大図を示す。
【図１７】図１７は、本発明の好適な実施形態において用いられるフレックスの実例の第１の導電層を示す。
【図１８】図１８は、本発明の好適な実施形態において用いられるフレックスの実例の第２の導電層を示す。
【図１９】図１９は、本発明の別の代替の実施形態を示す。
【図２０】図２０は、図１９において矢印２００でマークされた方向に沿って取られた本発明の実施形態の側面図である。
【図２１】図２１は、本発明の別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
【図２２】図２２は、本発明の別の実施形態の、図２１の後の組立て工程を示す。
【図２３】図２３は、本発明の別の実施形態の、図２２の後の組立て工程を示す。
【図２４】図２４は、本発明の別の実施形態の、図２３の後の組立て工程を示す。
【図２５】図２５は、本発明のさらに別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
【図２６】図２６は、本発明の別の実施形態の、図２５の後の組立て工程を示す。
【図２７】図２７は、本発明の別の実施形態の、図２６の後の組立て工程を示す。
【図２８】図２８は、本発明の別の実施形態の、図２７の後の組立て工程を示す。
【図２９】図２９は、本発明のさらに別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
【図３０】図３０は、本発明の別の実施形態の、図２９の後の組立て工程を示す。
【図３１】図３１は、モジュール１０の下に少し透けた別の方向から見た、図３０に示された本発明の代替の実施形態を示す。
【図３２】図３２は、本発明の別の実施形態の初期の組立て工程を示す。
【図３３】図３３は、本発明の別の実施形態の、図３２の後の組立て工程を示す。
【図３４】図３４は、本発明の別の実施形態の、図３３の後の組立て工程を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
2007532004.tif 000036
【図３３】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
2007532004.tif 000039
【国際調査報告】
2007532004.tif 000040
2007532004.tif 000041