(57)【要約】  本発明は新規タイプの金属錯体を記載する。この化合物は、広い意味でのエレクトロニクス工業に分類することができる一連の異なるタイプの用途における機能性材料として使用できる。  本発明化合物は式（１）及び（４）で記載される。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（２）の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎを含む式（１）の化合物。
【化１】
2007507448.tif 000045
【化２】
2007507448.tif 000046
式中、記号及び表示は次の通りである。
Ｍは、それぞれの場合において、遷移金属イオンである；
Ｙは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＢＲ１、ＣＲ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、Ｃ＝ＣＲ２、ＳｉＲ１２、ＮＲ１、ＰＲ１、ＡｓＲ１、ＳｂＲ１、ＢｉＲ１、Ｐ（Ｏ）Ｒ１、Ｐ（Ｓ）Ｒ１、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳｅＯ、ＴｅＯ、ＳＯ２，ＴｅＯ２又は単一結合である；
Ｄは、それぞれの場合において同一又は異なり、及び但し配位子当り１個のＤは炭素原子であり他は非結合電子対を有するヘテロ原子であることを条件として、炭素原子又は金属と配位結合する非結合電子対を有するヘテロ原子である；
Ｅは、それぞれの場合において同一又は異なり、及び少なくとも１個のＥがＣであることを条件として、Ｃ又はＮである；
Ｃｙ１は、それぞれの場合において同一又は異なり、及び原子Ｄを介して金属Ｍに結合し、及び部分環Ｃｙ２への単一結合及びＹ基への単一結合をも有する飽和、不飽和又は芳香族のホモ-又はヘテロ環である；
Ｃｙ２は、それぞれの場合において同一又は異なり、及び金属Ｍに原子Ｄを介して結合し、及び環Ｃｙ１への単一結合及び部分環Ｃｙ３との共通端をも有する飽和、不飽和又は芳香族の部分-ホモ-又は-ヘテロ環である；
Ｃｙ３は、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＹ基への単一結合及び部分環Ｃｙ２との共通端を有する飽和、不飽和又は芳香族の部分-ホモ-又は-ヘテロ環である；
Ｒ１は、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＨ又は１〜２０炭素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素基である；
ｎは、１、２又は３である；
式（１）における配位子Ｌ’及びＬ”はモノアニオン性、ビデンテートキレート配位子であり、及びｍ及びｏはそれぞれの場合において同一又は異なり、及び０、１又は２である。
【請求項２】
式（２ａ）の部分構造を包含する請求項１に記載の化合物。
【化３】
2007507448.tif 000047
式中、Ｙ、Ｒ１、Ｌ’、Ｌ”及びｎは請求項１において定義した通りであり、他の記号は次の通りである。
Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ又はＡｕである；
Ｄは、それぞれの場合において同一又は異なり、及び１個のＤが炭素原子であり他のＤが窒素原子又は燐原子であることを条件として、炭素原子、窒素原子又は燐原子である；
Ｘは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＣＲ、Ｎ又はＰである；又は１以上のＸ−ＸユニットはＮＲ、Ｓ又はＯである；又は縮合部分環Ｃｙ２及びＣｙ３における１個のＸ−Ｘユニットは、記号Ｅの１個がＮである場合にＣＲ、Ｎ又はＰである；
Ｅは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＣ又はＮであるが、少なくとも１個の記号ＥがＣであることを条件とし及び更に１個の記号ＥがＮである場合に正確に１個のＸ−ＸユニットがＣＲ、Ｎ又はＰであることを条件とする；
Ｒは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＮＯ２、ＣＮ、直鎖、分枝又は環状の１〜２０炭素原子を有するアルキル又はアルコキシ基で、その１以上の非隣接ＣＨ２基はＲ１Ｃ＝ＣＲ１−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｇｅ（Ｒ１）２、Ｓｎ（Ｒ１）２、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝ＮＲ１）−、−Ｐ＝Ｏ（Ｒ１）−又は−ＣＯＮＲ１−で置換されることができ、及び１以上の水素原子がＦ、又は１〜１４の炭素原子を有するアリール、ヘテロアリール、アルーロキシ又はヘテロアリーロキシ基で置換されることができ、及び１以上の非芳香族Ｒ基（同一環及び異なる環における置換基Ｒの複数が更にモノ-又はポリ環状、脂肪族又は芳香族環状システムを形成することができる）で置換されることができる。
【請求項３】
それぞれの場合において同一又は異なる式(２ｂ)の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎを少なくとも１個含み、及び場合によってそれぞれの場合において同一又は異なる式(３)の部分構造Ｍ（Ｌ’）ｍを含む請求項２に記載の式（１ａ）の化合物。
【化４】
2007507448.tif 000048
【化５】
2007507448.tif 000049
【化６】
2007507448.tif 000050
式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ１、Ｌ”、ｎ、ｍ及びｏはそれぞれ請求項１及び２において定義した通りであり、他の記号及び表示はそれぞれ次の通りである。
Ｄは、それぞれの場合に同一又は異なり、及びＮ又はＰである；
Ａは、それぞれの場合に同一又は異なり、及び−ＣＲ＝ＣＲ−、−Ｎ＝ＣＲ−、−Ｐ＝ＣＲ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｐ＝Ｎ−、ＮＲ、ＰＲ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅである。
【請求項４】
記号Ｍ＝Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ又はＰｔであることを特徴とする請求項１〜３の１以上に記載の化合物。
【請求項５】
記号ｎ＝２又は３であることを特徴とする請求項１〜４の１以上に記載の化合物。
【請求項６】
記号Ｄ＝Ｎであることを特徴とする請求項３〜５の１以上に記載の化合物。
【請求項７】
記号Ｘ＝ＣＲであることを特徴とする請求項１〜６の１以上に記載の化合物。
【請求項８】
記号Ｙ＝ＣＲ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＣＲ２、ＮＲ１、ＰＲ１、Ｐ（Ｏ）Ｒ１、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２又は単一結合であることを特徴とする請求項１〜７の１以上に記載の化合物。
【請求項９】
Ｒがそれぞれの場合において同一又は異なり、及びＨ、Ｆ、直鎖、分枝又は環状の１〜４炭素原子を有するアルキル又はアルコキシ基であって、１以上の水素原子がＦ又は、１〜６の炭素原子を有し、及び１以上の非芳香族Ｒ基によって置換されていることができる、アリール又はヘテロアリール基によって置換されていることができ、両者とも同一環又は異なる環における置換基Ｒの複数が共に更に脂肪族又は芳香族の、モノ-又はポリ-環状リングシステムを形成できることを特徴とする請求項１〜８の１以上に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｙがスピロ炭素原子であることを特徴とする請求項１〜９の１以上に記載の化合物。
【請求項１１】
式（４）の化合物。
【化７】
2007507448.tif 000051
式中、記号Ｅ、Ｃｙ１、Ｃｙ２及びＣｙ３はそれぞれ請求項１において定義した通りであり、他の記号は次の通りである。
Ｙ’は、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＢＲ１、ＣＲ２、Ｃ＝ＮＲ１、Ｃ＝ＣＲ２、ＳｉＲ１２、ＰＲ１、ＡｓＲ１、ＳｂＲ１、ＢｉＲ１、Ｐ（Ｏ）Ｒ１、Ｐ（Ｓ）Ｒ１、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｓｅ、ＳＯ、ＳｅＯ、ＴｅＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ２、ＴｅＯ２である；
Ｄ’は、それぞれの場合において同一又は異なり、及び、１の記号Ｄ’はＣ−Ｈであり及び他の記号Ｄ’はＮ又はＰであることを条件として、Ｃ−Ｈ、Ｎ又はＰである。
【請求項１２】
請求項１１に記載した式（４ａ）の化合物。
【化８】
2007507448.tif 000052
式中、記号はそれぞれ請求項１、２及び１１において定義した通りである。
【請求項１３】
請求項１２に記載した式（４ｂ）の化合物。
【化９】
2007507448.tif 000053
式中、ＤはＮ又はＰであり、及び他の記号は請求項１〜３及び１１においてそれぞれ定義した通りである。
【請求項１４】
請求項１１〜１３の１以上に記載した式（４）、（４ａ）又は（４ｂ）の化合物を式（５）の金属アルコキシド、式（６）の金属ケトケトネート又は式（７）、（８）及び（９）のモノ-又はポリ環状金属ハライドと反応させることによって請求項１〜１０の１以上に記載の化合物を製造する方法。
【化１０】
2007507448.tif 000054
式中、記号Ｍ及びＲ１はそれぞれ請求項１〜３において定義した通りであり、ｐ＝１又は２、及びＨａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂ又はＩである。
【請求項１５】
アルコキシド及び／又はハライド及び／又はヒドロキシル及びケトケトネート基を有するイリジウム化合物で請求項１〜１０の１以上に記載された、請求項１１〜１３の１以上に記載された式（４）、（４ａ）又は（４ｂ）の化合物を製造する方法。
【請求項１６】
純度（１ＨＮＭＲ及び／又はＨＰＬＣによって測定)が９９％以上であることを特徴とする請求項１〜１３の１以上に記載の化合物。
【請求項１７】
請求項１〜１０の１以上に記載の化合物の１以上を含む共役した、部分共役した又は共役しない重合体又はデンドリマー。
【請求項１８】
請求項２において定義したＲの少なくとも１が重合体又はデンドリマーへの結合であることを特徴とする請求項１７に記載の重合体又はデンドリマー。
【請求項１９】
重合体が、ポリフルオレン、ポリスピロビフルオレン、ポリパラフェニレン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン、ポリケトン又はここに指摘したユニットの複数を有する共重合体の群から選ばれることを特徴とする請求項１７及び／又は１８に記載の重合体。
【請求項２０】
請求項１〜１０及び／又は１６〜１９の１以上に記載の化合物の電子部品における使用。
【請求項２１】
請求項１〜１０及び／又は１６〜１９の１以上に記載の少なくとも１の化合物を包含する電子部品。
【請求項２２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電場効果トランジスター（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスター（Ｏ−ＴＦＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）又は有機レーザーダイオード（Ｏ−laser)であることを特徴とする請求項２１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセント要素のような有機電子デバイスにおける新規材料及び材料混合物の使用及びそれに基づくディスプレイにおけるその使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
広い意味での電子工業に分類できる一連の異なる用途において、機能材料として有機半導体の利用は近年現実になってきたか近い将来に期待されている。例えば、感光性有機材料（例えば、フタロシアニン)及び有機電荷移送材料（一般にトリアリールアミンをベースとするホールトランスポーター）は既にコピー機に数年にわたって用途を見出している。特定の半導体有機化合物は、そのうち若干のものは可視スペクトル領域において発光することもでき、例えばエレクトロルミネッセントデバイスにおいて市場に導入され始めている。個々の部品、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）は、極めて広い範囲の用途を有している。即ち、
１．  モノクローム又は多色ディスプレイ要素用の白色又は着色バックライト（例えば、ポケット計算機、携帯電話及び他の携帯用途用）、
２．  大表面領域ディスプレイ(例えば交通標識、広告板等）、
３．  全ての色及び形態のイルミネーション要素、
４．  携帯用途用のモノクローム又は全色受動マトリクスディスプレイ（例えば携帯電話、ＰＤＡｓ、カムコーダ等）
５．  広範囲の用途用の全色、大表面領域、高解像活性マトリクスディスプレイ（例えば、携帯電話，ＰＤＡｓ、ラップトップ、テレビジョン等）
これらの用途の開発は既に極めて進んでいるものがある。例えば、単一ＯＬＥＤｓを含む装置は、既に市場に導入されており、有機ディスプレイを備えたパイオニアからのカーラジオ、コダックからのデジタルカメラに見られるが、まだ技術的改良の大きな必要性がある。
【０００３】
最近現れたこの方向の開発は蛍光の代わりに燐光を示す有機金属錯体の利用である（M.A.Balado,S.Lamansky,P.E.Burrows,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Appl.Phys.Lett.１９９９，75,4-6）量子力学的理由のため、4倍まで量子効率、エネルギー効率及び力効率が有機金属化合物を用いて可能である。この新しい開発自体が確立するかどうかは、まずＯＬＥＤｓにおいてこれらの利点（トリプレット発光＝燐光、単一発光＝蛍光に対比して）をも利用することができる対応するデバイス組成物を見出すことができるかどうかに強く依存している。実用的利用の必須の条件は特に高作業性寿命、熱ストレスに対する高安定性及び携帯用途を可能にするための低使用及び作業電圧である。
【０００４】
有機エレクトロルミセッセントデバイスの一般構造は、例えば、ＵＳ4,539,507及びＵＳ5,151,629に記載されている。
【０００５】
典型的には、有機エレクトロルミネッセントデバイスは複数の層からなり、互いに真空法又は各種印刷法で適用される。これらの層は特に、
１．  キャリヤー板＝基板（典型的にガラス又はプラスチックフィルム)。
【０００６】
２．  透明アノード(典型的にインジウム錫オキサイド、ＩＴＯ)。
【０００７】
３．  ホールインジェクション層(Hole Injection Layer＝HIL)：例えば、銅フタロシアニン(CuPc)又はポリアニリン(PANI)又はポリチオフェン誘導体(例えばPEDOT)に基づく。
【０００８】
４．  １以上のホールトランスポート層(Hole Transport Layer＝HTL)：典型的にトリアリールアミン誘導体に基づく、例えば第1層として4,4',4"-トリス(N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ）トリフェニルアミン(NaphDATA)及び第２ホールトランスポート層としてN,N'-ジ（ナフト-1-イル）-N,N'-ジフェニルベンジジン(NPB)。
【０００９】
５．  １以上のエミッション層(Emission Layer＝EML)：この層は層４〜８と部分的に一致することができるが、典型的には燐光染料、例えばトリス(2-フェニルピリジル）イリジウム(Ir(PPy)3)又はトリス(2-ベンゾセニルピリジル）イリジウム(Ir(BTP)3）でドープした4,4'-ビス（カルバゾール-9-イル）ビフェニル(CBP)のようなマトリクス材料からなる；しかし、エミッション層は重合体、重合体の混合物、重合体及び低分子量化合物の混合物又は異なる低分子量化合物の混合物からなることもできる。
【００１０】
６．  ホールブロッキング層(Hole Blocking Layer＝HBL)：この層は層７及び８と部分的に一致することができる。これは典型的にはＢＣＰ(2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン＝バソクプロイン）又はビス(2-メチル-8-キノリノラート）（4-フェニルフェノラート）アルミニウム(III)(BAlq)からなる。
【００１１】
７．  エレクトロントランスポート層(Electron Transport Layer＝ETL)：通常アルミニウムトリス-8-ヒドロキシキノリネート(AlQ3)。
【００１２】
８.  エレクトロンインジェクション層(Electron Injection Layer＝EIL):高誘電率の材料、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦからなる薄い層。
【００１３】
９．  カソード：ここでは一般に低作業機能を有する金属、金属コンビネーション又は金属合金が用いられる。例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ又はＭｇ／Ａｇ。
【００１４】
然しながら、トリプレットエミッションを示すＯＬＥＤｓに緊急の改良を必要とする重要な問題がある。これは特にトリプレットエミッター自体にも当てはまる。
【００１５】
文献には、金属錯体に基づくエミッターが最近に記載されており（例えば、ＵＳ２００３／００６８５２６、ＷＯ２００３／０００６６１、ＥＰ１２１１２５７）、式Ａ及び式Ｂの部分構造としてイリジウム配位1-フェニルイソキノリン配位子を含む。示された部分構造は、フェニル及びイソキノリン環の間のブリッジの不在（式Ａ）及び存在(式Ｂ）によって異なる。ブリッジはヘテロ原子で場合によって置換されることができる２〜２０アルキルブリッジ炭素原子を含む。
【化１１】
2007507448.tif 000002
【００１６】
実際には、このタイプの化合物は弱点を有し、これらの化合物の工業的利用はありそうもないようにみえる。
【００１７】
１．  これらは有機溶媒に低い溶解性しか有しないことが多く、再結晶又はクロマトグラフィによる効果的な精製を抑制したり妨げる。ディスプレイ製造に必要とされるかなり大量の精製に特にあてはまる。
【００１８】
２．  溶液中では特に、これらは極めて酸化感受性である。若干の場合には、これらの化合物は不活性気体下で精製し、貯蔵し、移送し及び加工しなければならない。
【００１９】
３．  更に重大な欠点は上述の化合物の低い熱安定性である。例えば、ホモレプチック(homoleptic)錯体fac-トリス(1-フェニルイソキノリン-C2,N)イリジウム(III)は、関連文献で一般にIr(piq)3として知られている、分解することなく昇華することができない。典型的に高真空条件下(Ｐ＜１０-7ｍｂａｒ)においても、この化合物のかなりの分解が観察され、fac-トリス(1-フェニルイソキノリン-C2,N)イリジウム(III)のほぼ３０重量％の量となるイリジウム含有アッシュだけではなく検出可能な他の低分子量化合物に加えて1-フェニルイソキノリンの放出を伴う。この熱分解はデバイス特性の再現性を低下させ寿命は特に悪影響を受ける。
【００２０】
いま驚くべきことには、１原子ブリッジを介したフェニル環とイソキノリン環との結合を有する化合物がＯＬＥＤｓにおけるトリプレットエミッターとしての優れた特性を有することを見出したのである。
【００２１】
１．  本発明化合物は有機溶媒における良好な溶解性を特徴とし、再結晶又はクロマトグラフィのような一般の方法による精製を極めて容易にする。また化合物を溶液からコーティング又は印刷技術による処理を可能にする。この特性は、ユニット及び用いられたシャドウマスクの洗浄が極めて容易になるので蒸発による普通の処理においても有利である。
【００２２】
２．  本発明化合物は改良された酸化安定性を特徴とし、精製及び一般にこの化合物の取扱いにおける積極的効果を有する。それに加えて、対応する本発明デバイスにおいて使用する場合に作業寿命が極めて増加する。
【００２３】
３．  本発明化合物は高熱安定性をも特徴とするので、一般に高真空下で分解することなく蒸発できる。この特性はＯＬＥＤｓの再現可能な製造のための基本的な前提条件であり、特に作業寿命に積極的効果を有する。更に、これらのレアメタルの化合物の資源保護的利用が可能である。
【００２４】
４．  本発明化合物は信頼できる高純度で極めて再現可能に製造でき、バッチ変動がない。従って、本発明のエレクトロルミネッセントデバイスの製造の工業的方法は実質的にいっそう有効である。
【００２５】
本発明は、式（１）
【化１２】
2007507448.tif 000003
【００２６】
の化合物であって、式（２）
【化１３】
2007507448.tif 000004
【００２７】
の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎを含むものを提供する。
【００２８】
式中、用いる記号と表示は次の通りである。
【００２９】
Ｍは、それぞれの場合において、遷移金属イオンである；
Ｙは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＢＲ１、ＣＲ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、Ｃ＝ＣＲ２、ＳｉＲ１２、ＮＲ１、ＰＲ１、ＡｓＲ１、ＳｂＲ１、ＢｉＲ１、Ｐ（Ｏ）Ｒ１、Ｐ（Ｓ）Ｒ１、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳｅＯ、ＴｅＯ、ＳＯ２，ＴｅＯ２又は単一結合である；
Ｄは、それぞれの場合において同一又は異なり、及び但し配位子当り１個のＤは炭素原子であり他は非結合電子対を有するヘテロ原子であることを条件として、炭素原子又は金属と配位結合する非結合電子対を有するヘテロ原子である；
Ｅは、それぞれの場合において同一又は異なり、及び少なくとも１個の記号ＥがＣであることを条件として、Ｃ又はＮである；
Ｃｙ１は、それぞれの場合において同一又は異なり、及び原子Ｄを介して金属Ｍに結合し、及び部分環Ｃｙ２への単一結合及びＹ基への単一結合をも有する飽和、不飽和又は芳香族のホモ-又はヘテロ環である；
Ｃｙ２は、それぞれの場合において同一又は異なり、及び金属Ｍに原子Ｄを介して結合し、及び環Ｃｙ１への単一結合及び部分環Ｃｙ３との共通端をも有する飽和、不飽和又は芳香族の部分-ホモ-又は-ヘテロ環である；
Ｃｙ３は、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＹ基への単一結合及び部分環Ｃｙ２との共通端を有する飽和、不飽和又は芳香族の部分-ホモ-又は-ヘテロ環である；
Ｒ１は、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＨ又は１〜２０炭素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素基である；
ｎは、１、２又は３である；
式（１）における配位子Ｌ’及びＬ”はモノアニオン性、ビデンテートキレート配位子であり、及びｍ及びｏはそれぞれの場合において同一又は異なり、及び０、１又は２である。
【００３０】
好ましいのは式（２ａ）の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎを含む式（１）の化合物である。
【化１４】
2007507448.tif 000005
【００３１】
式中、Ｙ、Ｒ１、Ｌ’、Ｌ”及びｎは上に定義した通りであり、他の記号は次の通りである。
【００３２】
Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ又はＡｕである；
Ｄは、それぞれの場合において同一又は異なり、及び１個のＤが炭素原子であり他のＤが窒素原子又は燐原子であることを条件として、炭素原子、窒素原子又は燐原子である；
Ｘは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＣＲ、Ｎ又はＰである；又は１以上のＸ−Ｘユニット(即ち２個の隣接Ｘ)はＮＲ、Ｓ又はＯである；又は縮合部分環Ｃｙ２及びＣｙ３における１個のＸ−Ｘユニット(即ち２個の隣接Ｘ）は、記号Ｅの１個がＮである場合にＣＲ、Ｎ又はＰである；
Ｅは、それぞれの場合において、Ｃ又はＮであるが、少なくとも１個の記号ＥがＣであることを条件とし及び更に１個の記号ＥがＮである場合に正確に１個のＸ−Ｘユニット（即ち２個の隣接Ｘ）がＣＲ、Ｎ又はＰであることを条件とする；
Ｒは、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＮＯ２、ＣＮ、直鎖、分枝又は環状の１〜２０炭素原子を有するアルキル又はアルコキシ基で、その１以上の非隣接ＣＨ２基はＲ１Ｃ＝ＣＲ１−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｇｅ（Ｒ１）２、Ｓｎ（Ｒ１）２、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝ＮＲ１）−、−Ｐ＝Ｏ（Ｒ１）−又は−ＣＯＮＲ１−で置換されることができ、及び１以上の水素原子がＦ、又は１〜１４の炭素原子を有するアリール、ヘテロアリール、アルーロキシ又はヘテロアリーロキシ基で置換されることができ、及び１以上の非芳香族Ｒ基（同一環及び異なる環における置換基Ｒの複数が更にモノ-又はポリ環状、脂肪族又は芳香族の環状システムを形成することができる）で置換されることができる。
【００３３】
本発明の好ましい態様は、式（１ａ）の化合物であって、それぞれの場合において同一又は異なる式(２ｂ)の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎを少なくとも１個含み、及びそれぞれの場合において同一又は異なる式(３)の部分構造Ｍ（Ｌ’）ｍを場合によって含む化合物である。
【化１５】
2007507448.tif 000006
【化１６】
2007507448.tif 000007
【化１７】
2007507448.tif 000008
【００３４】
式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ１、Ｌ”、ｎ、ｍ及びｏはそれぞれ上に定義した通りであり、他の記号及び表示はそれぞれ次の通りである。
【００３５】
Ｄは、それぞれの場合に同一又は異なり、及びＮ又はＰである；
Ａは、それぞれの場合に同一又は異なり、及び−ＣＲ＝ＣＲ−、−Ｎ＝ＣＲ−、−Ｐ＝ＣＲ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｐ＝Ｎ−、ＮＲ、ＰＲ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅである。
【００３６】
本発明のモノアニオン性、ビデンテート(bidentate)配位子Ｌ”は、1,3-ジケトンから誘導された1,3-ジケトネート、例えばアセチルケトン、ベンゾイルアセトン、1,5-ジフェニルアセチルアセトン、ビス(1,1,1-トリフルオロアセチル)メタン、3-ケトエステルから誘導された1,3-ケトネート、例えばエチルアセトアセテート、アミノカルボン酸から誘導されたカルボキシレート、例えばピリジン-2-カルボン酸、キノリン-2-カルボン酸、グリシン、N,N-ジメチルグリシン、アラニン、N,N-ジメチルアラニン、サリチルイミンから誘導されたサリチルイミネート、例えばメチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン、窒素含有ヘテロ環のボレート、例えばテトラキス(1-イミダゾリル）ボレート及びテトラキス(1-ピラゾリル）ボレートである。
【００３７】
本発明の化合物は、好ましくは記号Ｍ＝Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ又はＰｔである、より好ましくはＭ＝Ｉｒ又はＰｔである式（１）又は式（１a)のものである。
【００３８】
同様に、好ましいのは記号ｎ＝２又は３の式（１）又は式（１ａ）の本発明化合物である。特に好ましいのは記号ｍ＝ｏ＝０の化合物である。特にパラジウム及び白金錯体についてｎ＝２及びｍ＝ｏ＝０及びロジウム及びイリジウム錯体についてｎ＝３及びｍ＝ｏ＝０である。
【００３９】
好ましいのは、記号Ｄ＝Ｎである式（１）又は式（１ａ）の本発明化合物である。
【００４０】
好ましいのは、記号Ｘ＝ＣＲである式（１）又は式（１ａ）の本発明化合物である。
【００４１】
好ましいのは、記号Ｙ＝ＣＲ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｒ２、ＮＲ１、ＰＲ１、Ｐ（Ｏ）Ｒ１、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２又は単一結合である式（１）又は（１ａ）の本発明化合物である。記号Ｙは、より好ましくはＣＲ２である。
【００４２】
好ましいのは、式（１）又は（１ａ）の本発明化合物である。ここで、記号Ｒがそれぞれの場合において同一又は異なり、及びＨ、Ｆ、直鎖、分枝又は環状の１〜４炭素原子を有するアルキル又はアルコキシ基であり、１以上の水素原子はＦ又は、１〜６の炭素原子を有するアリール又はヘテロアリール基によって置換されていることができ、及び１以上の非芳香族Ｒ基によって置換されていることができ、両者とも同一の環又は異なる環における複数の置換基Ｒは、共に更に脂肪族又は芳香族、モノ-又はポリ-環状のリングシステムを形成することができる。
【００４３】
上述の記述から既に明らかであるが、Ｙ＝ＣＲ２の場合に２個の置換基Ｒ更に脂肪族又は芳香族、モノ-又はポリ環状リングシステムを形成し得ることをもう一度ここで明確に指摘すべきである。この場合、ブリッジ炭素原子は２個のリングシステムを直角に互いに結合するスピロ炭素原子となる。
【００４４】
上述の説明に従い、Ｙがスピロ炭素原子であることを特徴とする、それぞれの場合において同一又は異なる、式（２）の少なくとも１の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎを含む式（１）の化合物が好ましい。
【００４５】
式（１）の上述した本発明化合物の構造から明らかなように、式（２）の部分構造Ｍ（Ｌ）ｎは平面構造を有し、ブリッジ基Ｙは環１の２個の融合部分環Ｃｙ２／Ｃｙ３への(又はアリールのイソキノリン環への）硬い結合によってこの平面性を必然的に発生する。本発明化合物のこの特性は現在まで該文献に記載された式Ａ及びＢのシステムの非平面性と対照的である。式Ａの化合物のようなフェニル環における位置６及びイソキノリン環における位置８の水素原子又は式Ｂの化合物のような２〜２０アルキルブリッジ炭素原子を含むブリッジは結合したアリール部分環システムの平板化を妨げる。上述した物質群の本発明化合物からの基本的構造の相違はルミネッセンスの量子効率についてのはるかに離れた効果である。融合しかつ縮合したヘテロ芳香族システムの分光学における一般的に観察された傾向（N.Turro, University Science Books, 55D Gate Five Road, Sausalito, CA94965, ISBN 0-935702-71-7）によれば、堅い平板状システムも式Ａ及びＢのより柔軟な非平板状システムに比較して大きいルミネッセンス量子収量を有する。大きいルミネッセンス量子収量は、予想されるように、ＯＬＥＤに式（１）の本発明化合物の極めて改良された効率をもたらす。
【００４６】
本発明は、更に式（４）の化合物を提供する。
【化１８】
2007507448.tif 000009
【００４７】
式中、記号Ｅ、Ｃｙ１、Ｃｙ２及びＣｙ３はそれぞれ上に定義した通りであり、他の記号は次の通りである。
【００４８】
Ｙ’は、それぞれの場合において同一又は異なり、及びＢＲ１、ＣＲ２、Ｃ＝ＮＲ１、Ｃ＝ＣＲ２、ＳｉＲ１２、ＰＲ１、ＡｓＲ１、ＳｂＲ１、ＢｉＲ１、Ｐ（Ｏ）Ｒ１、Ｐ（Ｓ）Ｒ１、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓ）Ｒ１、Ｂｉ（Ｓｅ）Ｒ１、Ｓｅ、ＳＯ、ＳｅＯ、ＴｅＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ２、ＴｅＯ２である；
Ｄ’は、それぞれの場合において同一又は異なり、及び１の記号Ｄ’はＣ−Ｈであり及び他の記号Ｄ’はＮ又はＰであることを条件として、Ｃ−Ｈ、Ｎ又はＰである。
【００４９】
好ましいのは式（４ａ）の化合物である。
【化１９】
2007507448.tif 000010
【００５０】
式中、記号はそれぞれ上記の式（２ａ）及び式(４)について定義した通りである。
【００５１】
本発明の好ましい態様は、式（４ｂ）の化合物である。
【化２０】
2007507448.tif 000011
【００５２】
式中、ＤはＮ又はＰであり、他の記号はそれぞれ式（２ｂ）及び（４ａ）について定義した通りである。
【００５３】
式（４）又は（４ａ）又は（４ｂ）の化合物の好ましい態様は、式（２）又は（２ａ）又は（２ｂ）の部分構造について上述した注釈と同様である。
【００５４】
これらの化合物は、式（１）の上述の化合物に対し配位子を構成し、これらの化合物の合成のための有用な中間体である。
【００５５】
式（４）又は（４ａ）又は（４ｂ）の本発明化合物は通常の有機化学方法によって製造でき、次に例によって説明する。
【００５６】
１）  7,7-ジフルオロジベンゾ［デ、ｈ］キノリン（例1をも参照）
【化２１】
2007507448.tif 000012
【００５７】
アゾベンゾスロン及び類似の7H-ジベンゾ［デ、ｈ］キノリン-7-オンの４弗化硫黄による直接弗素化は、適当な場合にはルイス酸の存在下で、円滑にかつ良好な収量で7,7-ジフルオロ類似体を生じる。
【００５８】
２）  7,7-ジメチルジベンゾ［デ、ｈ］キノリン（例２をも参照）
【化２２】
2007507448.tif 000013
【００５９】
上記のルートによって、対称的7,7-ジ置換7H-ジベンゾ［デ、ｈ］キノリンが良好な収量で得られる。同様に、工程4のアセトンを他のケトンで置換することによって容易に更なる誘導体が得られる。例えば、ケトンペンタン-3-オンの使用で例構造３に示すような配位子システム、ベンゾフェノンの使用で例構造７に示すような配位子システムが導かれる。環状ケトン、例えばシクロペンタノン又はフルオレノンの使用で例構造６及び８に示す配位子システム、即ちスピロ炭素原子を有する配位子システムが導かれる。或いは、ケトンの代りに、オルガノリチウム試薬又はグリニヤール試薬との次工程で反応させるメチルクロロフォルメートを用いることも可能である。2-ブロモベンゾイルクロリドの代りに、他の官能性化2-ブロモベンゾイルクロリドを用いる場合、フェニル環が官能性化された7,7-ジアルキル-7H-ジベンゾ［デ、ｈ］キノリンを得ることができる。例えば、2-ブロモニコチニルクロリド、2-ブロモイソニコチニルクロリド、2-ブロモ-4-フロロベンゾイルクロリド、2-ブロモ-3,4-ジメチルベンゾイルクロリド、2-ブロモ-3-メチル-4-フロロベンゾイルクロリド、2-ブロモ-3-シアノ-4-フロロベンゾイルクロリドの使用は例構造１３、１４、１６、１７、１８及び１９に示す配位子システムを導く。
【００６０】
３）  7-アルキル-／7-アリール-7-アルコキシジベンゾ［デ、ｈ］キノリン  
7-アルキル-／7-アリール-7-フロロジベンゾ［デ、ｈ］キノリン
【化２３】
2007507448.tif 000014
【００６１】
アルキル又はアリール及びアルコキシ又は弗素で７位置が非対称的に置換された式（４ａ）又は（４ｂ)の化合物は、上に示したように、グリニヤール又はオルガノリチウム試薬又は他のオルガノ金属試薬の助けによるアゾベンズアンスロンのカルボニル官能の連続的Ｃ−アルキル化又はＣ−アリール化及び引続く水酸基のアルキル化又は弗素化（例えば、ＤＡＳＴ＝ジエチルアミノ硫黄トリフロリドで）によって得られる。この反応順序は例構造９、１０及び１２に示すものを含む配位子システムを導く。
【００６２】
４）  7,7-Ｙ’ジベンゾ［デ、ｈ］キノリン
【化２４】
2007507448.tif 000015
【００６３】
上記の合成順序２）において2-フェニルエチルアミンの代りに2-(3-ブロモフェニル）エチルアミンを用いる場合、まったく同様に1-(2-ブロモフェニル)-8-ブロモイソキノリンが得られ、ダブルリチオ化及び引続く求電子Ｙ”Ｃｌ２及びＹ”Ｃｌとの反応後に例構造２５、２６、３０及び３２に示すような配位子システムを導く。
【００６４】
適当な場合には、これらは、例構造３０及び３２場合において示すように、更に空気又は過酸化水素による酸化によって官能化し例構造３１及び３３に示すような配位子システムを形成する。
【００６５】
本発明金属錯体は原則として各種方法で製造できるが、次に示す方法は特に適当であることが判った。
【００６６】
従って、本発明は式（４）、（４ａ）又は（４ｂ）の化合物を式（５）の金属アルコキシドと、式(６)の金属ケトケタネート又は式（７）、（８）又は（９）のモノ-又はポリ環状金属ハライドと反応させることによる金属錯体の製造方法をも提供する。
【化２５】
2007507448.tif 000016
【００６７】
式中、記号Ｍ及びＲ１はそれぞれ上に定義した通りであり、ｐ＝１又は２及びＨａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである。
【００６８】
適当な場合には、アルコキシド及び／又はハライド及び／又は水酸基及びケトケトネートの両者を有するイリジウム化合物を用いることが好ましく可能でもある。これらの化合物は荷電することもできる。反応体として特に適当である対応イリジウム化合物はＤＥ１０３１４１０２．２に記載されている。
【００６９】
錯体の合成はＷＯ０２／０６０９１０及びＤＥ１０３１４１０２．２に記載されたように実施するのが好ましい。
【００７０】
本発明金属錯体は、従来技術の金属錯体よりもそれ以外は同一の反応条件で極めて迅速に形成される。従って、反応時間は、上記従来技術から逸脱して、好ましくは１〜６０時間の範囲、より好ましくは２０〜５０時間の範囲である。
【００７１】
本方法は、高純度、好ましくは９９％以上（１ＨＮＭＲ及び／又はＨＰＬＣで測定）で式（１）の本発明化合物を与えることができる。
【００７２】
ここに説明した合成方法で式（１）について次に示す例構造１〜９５を含む化合物を製造することができる。
【化２６】
2007507448.tif 000017
【化２７】
2007507448.tif 000018
【化２８】
2007507448.tif 000019
【化２９】
2007507448.tif 000020
【化３０】
2007507448.tif 000021
【化３１】
2007507448.tif 000022
【化３２】
2007507448.tif 000023
【化３３】
2007507448.tif 000024
【００７３】
上述した本発明化合物、例えば例２４、４３、４４、７４及び７５による化合物は、対応する共役した、部分共役した又は非共役重合体又はデンドリマー(dendrimers)の形成用の共単量体及びユニットとして用いることもできることが見出された。主鎖又は側鎖への適当な重合は、好ましくは臭素官能性を介して行われる。例えば、重合して特に可溶性ポリフルオレン（例えばＥＰ８４２２０８又はＷＯ００／２２０２６による）、ポリスピロビフルオレン（例えばＥＰ７０７０２０又はＥＰ８９４１０７による）、ポリパラフェニレン（例えばＷＯ９２／１８５５２による）、ポリカルバゾール（例えばＤＥ１０３０４８１９．７又はＤＥ１０３２８６２７．６による）又はポリチオフェン（例えばＥＰ１０２８１３６による）又はこれらのうち異なるユニットの複数を含む重合体に重合することができる。
【００７４】
本発明は更に、上述の定義したＲが重合体又はデンドリマーへの結合を構成する式（１）の１以上の化合物を含む共役した、部分共役した又は非共役重合体又はデンドリマーをも提供する。
【００７５】
上述の重合体、共重合体又はデンドリマーは有機溶媒における良好な溶解性で注目に値する。
【００７６】
更に、式（１）の本発明化合物は、勿論更に通常の反応タイプによって更に官能化することもでき、式（１）の拡張された化合物に変換することができる。ここに指摘する例はＳＵＺＵＫＩによるアリル硼酸又はＨＡＲＴＷＩＧ−ＢＵＣＨＷＡＬＤによるアミンでの官能化である。
【００７７】
式（１）の本発明化合物、重合体、デンドリマー又は拡張された化合物は電子部品、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣｓ）、有機電場効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴｓ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴｓ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣｓ）又は有機レーザーダイオード（O-lasers）における活性要素としての用途を有する。
【００７８】
本発明は、式（１）の本発明化合物、本発明重合体及びデンドリマー及び式（１）の対応する拡張化合物の電子部品における活性成分としての使用をも提供する。
【００７９】
本発明は、更に式（１）の本発明化合物、本発明重合体及びデンドリマー及び対応する拡張化合物の１以上を包含する電子部品、特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣｓ）、有機電場効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴｓ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴｓ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣｓ）又は有機レーザーダイオード（O-lasers）における活性要素としての用途を有する。
【実施例】
【００８０】
本発明を次に例によって説明するが、限定する意図を有するものではない。当業者は更に本発明化合物を製造できるか、発明力を要することなく本発明の方法を適用できる。
【００８１】
例  
次に示す合成は、特に断らない限り、乾燥溶媒中で保護気体雰囲気中で実施した。反応体はALDRICHから［2-ブロモベンゾイルクロリド、3-フルオロ-4-メチルベンゼンボロン酸、二酸化マンガン、マグネシウム］及びFLUKA［四弗化硫黄］から購入した。1-アザベンズアンスロン（7H-ジベンゾ[デ,h]キノリン-7-オン）はドイツ帝国特許第６１４１９６号に従って製造した。
【００８２】
例1：  fac-トリス[7,7-ジフロロ-7H-ジベンゾ[デ,h]キノリン-7-C2,N]イリジウム(III)（Ｉｒ１）  
Ａ：  7,7-ジフロロ-ジベンゾ[デ,h]キノリンの合成  
【化３４】
2007507448.tif 000025
【００８３】
２３．１ｇ（１００ｍモル）の1-アザベンズアンスロンを初めに不活性化ボンベ管に入れた。次いで、２２．７ｇ（２１０ｍモル)の四弗化硫黄を凝縮させた。この反応混合物を１８０℃に１０時間加熱した。ボンベ管を冷却した後、過剰の四弗化硫黄を排出し、吹出し残留物をジオキサン／エタノール（４：１）から２回再結晶した。  
約９９．０％の純度での収量は１８．３ｇ（７２．３ｍモル)、理論の７２．３％であった。  
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．８６（ｍ，１Ｈ），８．７３（ｍ，１Ｈ），８．６２（ｍ，１Ｈ），８．４０（ｍ，１Ｈ），８．０９(ｍ、１Ｈ)、７．８８(ｍ，１Ｈ)，７．７６（ｍ，１Ｈ），７．７０（ｍ，１Ｈ），７．６０（ｍ，１Ｈ）。
【００８４】
Ｂ：  fac-トリス[7,7-ジフロロジベンゾ[デ,h]キノリン-C2,N]イリジウム(III)(Ir1)  
【化３５】
2007507448.tif 000026
【００８５】
２００mlのエチレングリコールに懸濁した、１５．２０ｇ（６０ｍモル)の7,7-ジフロロ-7H-ジベンゾ[デ,h]キノリン及び４．９０g（１０ｍモル)のイリジウム(III)アセチルアセトネートの混合物を１６５℃で１４０時間撹拌した。室温に冷却後、１６０mlのエタノール及び４０mlの１ＮＨＣｌの混合物を滴下して加えた。２０分間撹拌後、深赤色微細結晶沈殿を吸引濾過し、エタノール／１ＮＨＣｌ（４：１）の混合物５０mlで４回、エタノール／水（４：１）の混合物５０mlで４回及びエタノールで４回洗浄した後、減圧下で乾燥した。高真空昇華（ｐ=１０-5ｍバール、Ｔ＝３８５℃)、約９９．８％での収量は７．８０ｇ（８．２ｍモル)、理論の８２．２％であった。  
ＭＳ（ＦＡＢ，ｍ／ｚ）：Ｍ＋＝９４９．７．
例２：  fac-トリス[7,7-ジメチルジベンゾ[デ,h]キノリン-C2,N]イリジウム(III)(Ir2)の合成  
Ａ：  N-フェニルエチル-2-ブロモベンズアミド
【化３６】
2007507448.tif 000027
【００８６】
６２．７ml（５００ｍモル)のフェニルエチルアミン、７０．４ml（５０６ｍモル)のトリエチルアミン及び１５０mlのジクロロメタンの混合物を、５０mlのジクロロメタン中１０９．２ｇの2-ブロモベンゾイルクロリドの溶液と０℃で滴下して、温度が３０℃を超えないような速度でよく撹拌しながら混合した。次いで混合物を室温で更に１時間撹拌した。得られた無色固体を吸引濾過し、２００mlのジクロロメタンで３回洗浄し、減圧下で乾燥した。約９９．０％の純度で収量は１３８．２ｇ（４５３ｍモル)、理論の９０．７％であった。  
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝７．５５（ｍ，１Ｈ），７．４４（ｍ，１Ｈ），７．３４−７．２８（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．２１（ｍ，３Ｈ），６．１８（ｂｒ，ｔ，ＮＨ，１Ｈ），３．７３（ｄｔ，ＮＣＨ２ＣＨ２，２Ｈ），２．９５（ｔ，ＮＣＨ２ＣＨ２，２Ｈ）。
【００８７】
Ｂ：  1-(2-ブロモフェニル）-3,4-ジヒドロイソキノリン  
【化３７】
2007507448.tif 000028
【００８８】
５０．０ｇ（１６４ｍモル)のN-フェニルエチル-2-ブロモベンズアミド及び２７．９ｇの五酸化燐の２００mlのキシレン中の懸濁液を１００℃に加熱し４５．６ｇ（４９２ｍモル)のオキシ塩化燐を滴下して混合した。次いで、反応混合物を還流下で２時間加熱した。８０℃に冷却後、４０００ｇの氷中に撹拌し、ＮａＯＨ(固体)でｐＨ＝１２に調節した。有機相を除き、水性相３００mlのトルエンで３回抽出し、合わせた有機相を５００mlの水で洗浄し、次いで硫酸マグネシウム上で乾燥した。乾燥物を濾別し溶媒を除いた後、約９９．０％の純度で収量は４６．９ｇ（１６４ｍモル)、理論の９９．９％であった。
【００８９】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝７．６１（ｍ，１Ｈ），７．４１（ｍ，２Ｈ），７．３８−７．３４（ｍ，１Ｈ），７．３０−７．２４（ｍ，２Ｈ），７．１９−７．１６（ｍ，１Ｈ），６．８９（ｍ，１Ｈ），４．１０（ｂｒ．ｍ，１Ｈ），３．７３(ｂｒ．ｍ，１Ｈ）、２．８８（ｂｒ．ｍ，２Ｈ）。
【００９０】
Ｃ：  1-(2-ブロモフェニル）イソキノリン  
【化３８】
2007507448.tif 000029
【００９１】
２８．６ｇ（１００ｍモル)の1-(2-ブロモフェニル)-3,4-ジヒドロイソキノリン、８６．９ｇ（１ｍモル)の二酸化マンガン及び２００mlの1,2-ジクロロベンゼンの混合物を１８０℃で５時間撹拌した。冷却後、混合物を５００mlのトルエンで希釈し、シリカゲルを通して濾過した。溶媒を除いた後、生成物が黄色油として得られた。約９９．０％の純度で収量は２６．０ｇ（９１ｍモル)、理論の９１．４％であった。
【００９２】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．６３（ｍ，１Ｈ），７．８６（ｍ，１Ｈ），７．７３−７．６１（ｍ，４Ｈ），７．５１−７．４２（ｍ，３Ｈ），７．３７−７．３３（ｍ，１Ｈ）。
【００９３】
Ｄ：  1-(2-(2-ヒドロキシ−イソ−プロピル）フェニル）イソキノリン  
【化３９】
2007507448.tif 000030
【００９４】
２００ｇのＴＨＦ中で２２．７ｇ（８０ｍモル）の1-(2-ブロモフェニル）イソキノリン及び２．１ｇ（８５ｍモル)のマグネシウムから調製したグリニヤール化合物を、８．８ml（１２０ｍモル)のアセトン及び１００mlのＴＨＦの混合物に０℃で滴下して混合した。室温に温めた後、反応混合物を還流下で３時間加熱した。冷却後、８００mlの酢酸エチル及び５００mlの水を加えた。有機相を除き、水性相を２００mlの酢酸エチルで２回以上抽出した。合わせた有機相を飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥した。溶媒を除いた後、黄色油として生成物が得られた。約９９．０％の純度で収量は１９．２ｇ（７３ｍモル)、理論の９１．２％であった。
【００９５】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．６６（ｍ，１Ｈ)、７．７４(ｍ，１Ｈ)，７．７０−７，５９（ｍ，４Ｈ），７．５０−７．４３（ｍ，３Ｈ），７．３４−７．３０（ｍ，１Ｈ），４．８７(ｂｒ．ｓ，１Ｈ，ＯＨ），２．１５（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３）。
【００９６】
Ｅ：  7,7-ジメチルジベンゾ[デ,h]キノリン  
【化４０】
2007507448.tif 000031
【００９７】
１３．２ｇ（５０ｍモル)の1-(2-(2-ヒドロキシ−イソ−プロピル）フェニル）イソキノリンの２５０mlの酢酸中溶液を５０mlの濃硫酸と混合し、還流下で１６時間加熱した。冷却後、反応混合物を１０００ｇの氷に注ぎ、５Ｎ水酸化ナトリウム溶液でｐＨ＝１０に調整し、３００mlのジクロロメタンで３回抽出した。合わせた有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥した。溶媒の除去及びトルエン／エタノール（５：１）から再結晶した後、黄色固体として生成物が得られた。約９９．０％の純度で収量は８．４ｇ（３４ｍモル)、理論の６８．４％であった。  
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．４１（ｍ，１Ｈ)、７．９４(ｍ，１Ｈ)，７．７７−７．６９（ｍ，３Ｈ），７．６１（ｍ，１Ｈ），７．４５−７．４０（ｍ，３Ｈ），７．２７−７．２１（ｍ，１Ｈ），２．６５（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３）。
【００９８】
Ｆ：  fac-トリス[7,7-ジメチルベンゾ[デ,h]キノリン−Ｃ２，Ｎ］イリジウム(III)（Ｉｒ２）  
【化４１】
2007507448.tif 000032
【００９９】
２００mlのエチレングリコールに懸濁した１４．７２ｇ（６０ｍモル)の7,7-ジメチル-7H-ジベンゾ[デ,h]キノリン及び４．９０ｇ（１０ｍモル)のイリジウム(III)アセチルアセトネートの混合物を１６５℃で１４０時間撹拌した。室温に冷却後、１６０mlのエタノール及び４０mlの１ＮＨＣｌの混合物を滴下して加えた。２０分間撹拌後、深赤色微細結晶沈殿を吸引濾別し、エタノール／１ＮＨＣｌ（４：１）の混合物５０mlで４回、エタノール／水の混合物５０mlで４回及びエタノールで４回洗浄し、次いで減圧下で乾燥した。高真空昇華（ｐ＝１０-5ｍバール、Ｔ＝３８５℃)の後、約９９．８％の純度で収量は７．９７ｇ（８．６ｍモル)、理論の８６．１％であった。
【０１００】
ＭＳ（ＦＡＢ，ｍ／ｚ）：Ｍ＋＝９２５．９。
【０１０１】
１ＨＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：［ｐｐｍ］＝７．７２（ｄ，Ｊ＝７．９６Ｈｚ，１Ｈ），７．６９（ｔ，Ｊ＝８．０３Ｈｚ、１Ｈ），７．６０（ｄ，Ｊ＝８．０３Ｈｚ，１Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．２２（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．０３（ｄ，Ｊ＝７．７０Ｈｚ，１Ｈ），６．８８（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），６．７２（ｄ，Ｊ＝７．３７Ｈｚ，１Ｈ），１．６９（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３），１．７１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３）。
【０１０２】
例３：  fac-トリス[7,7-ジメチルベンゾ-13-フロロ[デ,h]キノリン-Ｃ2,Ｎ]イリジウム(III)（Ｉｒ２）の合成  
Ａ：  N-フェニルエチル-3-フロロベンズアミド
【化４２】
2007507448.tif 000033
【０１０３】
１７４．９ml（１．３９モル)のフェニレンエチルアミンを６００mlのジクロロメタンに溶解し、１９６．０ml(１．４１モル、１．０１eq.）のトリエチルアミンと混合した。次いで２２１．０ｇ（１．３９ｍモル)の3-フルオロベンゾイルクロリドを、温度が４０℃を超えないように0℃で溶液に滴下して加えた。混合物をＲＴで１８時間撹拌し、固体沈殿を１０００mlのジクロロメタンに溶解した。混合物を２００mlの希ＮａＯＨ、１ＮＨＣｌ及び飽和ＮａＨＣＯ３溶液で４回洗浄した。有機相を除き、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下で濃縮した。固体を吸引濾別し、僅かのジクロロメタンで２回洗浄した。２８９．５２ｇの白色固体が＞９９％の純度（ＨＰＬＣによる）で得られた。理論の８５．４％に相当する。
【０１０４】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝７．４２（ｄｄ，Ｊ＝７．０３Ｈｚ，１．６７Ｈｚ，１Ｈ），７．３−７．３９（ｍ，３Ｈ），７．２４（ｍｃ，３Ｈ）７．１７（ｄｔ，Ｊ＝９．０３Ｈｚ，１．６８Ｈｚ，１Ｈ），６．１（ｓｂｒ，１Ｈ，ＮＨ），３．７０（ｔ，Ｊ＝７．０２Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２），２．９０（ｔ，Ｊ＝７．０３Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２）。
【０１０５】
Ｂ：  1      -  -(3-フロロフェニル)-3,4-ジヒドロイソキノリン  
【化４３】
2007507448.tif 000034
【０１０６】
２８９．０ｇ(１．１９モル)のN-フェニルエチル-3-フロロベンズアミドを１０００mlのキシレンに溶解し、９０℃で２０２．７ｇ(１．４３モル、１．２eq.）の五酸化燐に少しずつ混合した。次いで３２６．８ml（３．５７モル、３．０eq.)のオキシ塩化燐を滴下して加えた。混合物を還流下で４時間加熱した。反応溶液を熱い間に氷上に注ぎ、氷冷却しながら固体ＮａＯＨで注意深くｐＨ＝１２に調節した。沈殿を５００mlのトルエンで３回抽出し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下で濃縮して高粘稠油になり、後に結晶化した。２６７．４１ｇが約９９％の純度で得られ、理論の９９．８％に相当する。
【０１０７】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝７．３７(ｍｃ，３Ｈ），７．３３（ｄｄ，Ｊ＝９．３，２．０Ｈｚ，１Ｈ）），７．２６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ)、７．２４（ｄ，Ｊ＝３．６８Ｈｚ，２Ｈ），７．１２（ｍｃ，１Ｈ），３．８４（ｔ，Ｊ＝７．３
６Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２），２．７９（ｔ，Ｊ＝７．３６Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ２）。
【０１０８】
Ｃ：  1-(3-フロロフェニル）イソキノリン  
【化４４】
2007507448.tif 000035
【０１０９】
２６６．４１ｇ（１．１８３モル）の1-(3-フロロフェニル)-3,4-ジヒドロイソキノリンを１５００mlのO-ジクロロベンゼンに溶解し、９０１．２ｇ(１０．３７モル、８．７eq.)のマンガンと混合した。混合物を１６０-１７０℃で１６時間撹拌した。次いで反応混合物をセライト(Celite)を通して濾過し、ジクロロメタン／エタノール（２５：１）で濯いだ。次いで溶媒を減圧下で留去した。２６４．７４ｇの結晶固体が９９％の純度で得られた。理論の９９％に相当する。
【０１１０】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．５９（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），８．０５（ｄ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝８．３７１Ｈ），７．６５（ｔ，Ｊ＝８．０３Ｈｚ，１Ｈ），７．１２（ｄ，J=５，６２Ｈｚ，１Ｈ），７．４６（ｍｃ，２Ｈ），７．４２（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），７．１７（ｍｃ，１Ｈ）。
【０１１１】
Ｄ：  1-[3-フロロ-2-(カルボキシメチル）フェニル]イソキノリン  
【化４５】
2007507448.tif 000036
【０１１２】
５０．０ｇ（０．２２４モル)の1-(3-フロロフェニル）イソキノリンを１０００mlのＴＨＦに溶解し、−７８℃で１３４．４ml（０．３３６モル、１．５０eq.）のn-ブチルリチウム（２．５Ｍヘキサン中）に滴下混合した。添加終了後、混合物を−７８℃で更に３時間撹拌し、次いで赤茶リチウムオルガニルを２０００mlのＴＨＦ中１９０．８ml（２．４７モル、１１．０eq.）のメチルクロロフォルメートの溶液にチューブを介して移した。混合物を−７８℃で−２０℃まで更に１８時間撹拌した。反応溶液をエターナル氷冷却でＥｔＯＨで急冷し、容積を１／３に濃縮した。次いで反応溶液を３００mlのジクロロメタンと混合し、１００mlのＮＨ４Ｃｌ溶液及びＮａＨＣＯ３溶液及び水でそれぞれ３回洗浄し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下で濃縮した。生成高粘稠油をヘプタンから結晶化した。４４．６８ｇの結晶固体が９８％の純度で得られた。理論の７０．４％に相当する。
【０１１３】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．５６（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．３７Ｈｚ，１Ｈ），７．６９（ｔ，Ｊ＝８．０３Ｈｚ，１Ｈ），７．６６（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．５５（ｍｃ，２Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．２７（ｔ，Ｊ＝９．３７Ｈｚ，１Ｈ），３．４６（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ）。
【０１１４】
Ｅ：  1-[2-(1-メチル-1-ヒドロキシエチル)-3-フロロフェニル]イソキノリン  
【化４６】
2007507448.tif 000037
【０１１５】
４５．２７ｇ（０．１６１モル)の1-[3-フロロ-2-(カルボキシメチル)フェニル]イソキノリンを９５０mlのＴＨＦに溶解し、−７８℃で１８５．１２ml（０．３７０モル、２．３eq.）のメチルリチウム（２Ｍジエチルエーテル中）と滴下混合した。添加後、混合物を−７８℃から−２０度で１８時間撹拌した。次いで氷冷しながらＭｅＯＨで反応混合物を急冷し、５００mlのジクロロメタンと混合した。混合物を次いで１００mlのＮａＨＣＯ３溶液及び水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下で濃縮した。生成する固体を６００mlのヘプタンから結晶化した。２９．７２ｇの白色固体を得た。理論の６５．８％に相当し９７．５％の純度であった。
【０１１６】
１ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：［ｐｐｍ］＝８．４２（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝８．２５Ｈｚ，１Ｈ），７．６５（ｔ，Ｊ＝７．７９Ｈｚ），７．６２（ｄ(重複)，Ｊ＝６．２４Ｈｚ，１Ｈ）７．６０（ｄ(重複)，Ｊ＝９．６２Ｈｚ，１Ｈ），７．４８（ｔ，Ｊ＝７．３３Ｈｚ，１Ｈ)、７．２７（ｍｃ，１Ｈ），７．１７（ｄｄ，Ｊ＝１２．３８Ｈｚ，７．７９Ｈｚ，６．９６（ｄ，Ｊ＝７．７９Ｈｚ），１．９０（Ｓｂｒ，１Ｈ，ＯＨ），１．６７（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３），１．４８（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３）。
【０１１７】
Ｆ：  7,7-ジメチル-8-フロロジベンゾ[デ,h]キノリン  
【化４７】
2007507448.tif 000038
【０１１８】
２６．１ｇ（９２．８２ｍモル)の1-[2-(1-メチル-1-ヒドロキシエチル)-3-フロロフェニル]イソキノリンを１５０℃で２６０mlのO-ジクロロベンゼン及び１０４．２mlのＨ２ＳＯ４の混合物に添加し６０分間撹拌した。次いで反応溶液を１０００mlの氷上に注ぎ、氷冷して固体ＮａＯＨでｐＨ＝１２に注意深く調節した。次いで混合物を５００mlのジクロロメタンで抽出し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下で濃縮した。粗生成物を１００mlのトルエンに溶解し、５０℃で空気を４時間導入した。次いで、ジクロロメタンでカラムクロマトグラフィによる精製を行い、１８．４５ｇの固体を９９．６％の純度で得た。理論の７５．５％に相当する。
【０１１９】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．７４（ｄ，Ｊ＝８．０３Ｈｚ，１Ｈ），８．５６（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．６６−７．７７（ｍ，３Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．４（ｍｃ，１Ｈ），７．１６（ｄｄ，Ｊ＝１２．７１Ｈｚ，８．０３Ｈｚ)，１．８６（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３）。
【０１２０】
Ｇ：  fac-トリス[7,7-ジメチル-8-フロロジベンゾ[デ,h]キノリン-Ｃ２，Ｎ］イリジウム(III)（Ｉｒ３）
【化４８】
2007507448.tif 000039
【０１２１】
１５．１３ｇ（５７．４８ｍモル、５．９３eq.）の7,7-ジメチル-13-フロロジベンゾ[デ,h]キノリン及び４．６９ｇ（９．６８ｍモル)のＮａ［Ｉｒ（ａｃａｃ）２Ｃｌ２］を１８０mlの脱ガスエチレングリコール(Spectranal)に溶解し、アルゴン雰囲気下で４８時間１９８℃において撹拌した。次いで反応溶液を５０℃に冷却し、３５０mlのＥｔＯＨ／１ＮＨＣｌの５０℃の脱ガス混合物に加え、空気を排除して６０分間撹拌した。固体を空気を排除して吸引濾過しＥｔＯＨ／１ＮＨＣｌ（３５０ml）、ＥｔＯＨ／水（１：１、３５０ml）及びＥｔＯＨ（３５０ml）のそれぞれの場合に脱ガス混合物で洗浄し減圧下で乾燥した。８．９５ｇの赤色個体を得て、トルエン／エタノール（１６：１）から再結晶した。５．２９ｇの赤色粉末を９９．５％の純度で得た。理論の５６．４％に相当する。
【０１２２】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝７．９６（ｄ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．８８（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．４３（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），６．７６（ｄｄ，Ｊ＝１４．０５Ｈｚ，８．０３Ｈｚ，１Ｈ），６．５７（ｄｄ，Ｊ＝８．０４Ｈｚ，５．３６Ｈｚ，１Ｈ），１．８０（ｓ，３Ｈ），１．７７（ｓ，３Ｈ）。
【０１２３】
例４：  fac-トリス[7,7-ジメチル-8-フロロ-4-メチルベンゾ[デ,h]キノリン−Ｃ２，Ｎ］イリジウム(III)（Ｉｒ４）の合成  
【化４９】
2007507448.tif 000040
【０１２４】
化合物Ｉｒ４の合成は３Ａ〜３Ｇの方法と同様にして行い、同等の収量及び純度で得た。
【０１２５】
１ＨＮＭＲ（ピリジン−ｄ５）：［ｐｐｍ］＝７．６８（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝６．６９Ｈｚ，１Ｈ）７．５０（ｄ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．３９（ｄｄ，Ｊ＝８．３７Ｈｚ，１Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），６．９７（ｄｄ，Ｊ＝１３．７２Ｈｚ，８．３６Ｈｚ，１Ｈ），２．３８（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３），１．９５（ｓ，３Ｈ、ＣＨ３）１．９０（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３）。
【０１２６】
例５：  fac-トリス[7,7-ジメチル-8-フロロ-4-メチルベンゾ[デ,h]キノリン−Ｃ２，Ｎ］イリジウム(III)（Ｉｒ５）  
Ａ：  1-(3-フロロ-4-メチルフェニル）イソキノリン  
【化５０】
2007507448.tif 000041
【０１２７】
５０mlの脱ガスしたジオキサンを当初仕込み、１０．０ｇ（６１．１４ｍモル）の1-クロロイソキノリン、１８．８ｇ（１２２．０ｍモル、２．０eq.）の3-フロロ-4-メチルベンゼンボロン酸及び２４．０ｇ（７３．６６ｍモル、１．２eq.）のＣｓ２ＣＯ３と混合した。反応混合物を１０分間脱ガス化し、１．２５ml（５．４９ｍモル、９モル％)のt-Ｂｕ３Ｐ及び０．４１２ｇ（１．８３ｍモル、３モル％)のＰｄ（ＯＡｃ）２と混合した。混合物を１０５℃で１８時間撹拌した後、４００mlのジクロロメタンと混合し、２００mlのＮａＨＣＯ３溶液及び水で３回洗浄した。次いで混合物をセライトを介して濾過し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下で濃縮した。粘稠油をシリカゲル上で酢酸エチル／ヘプタン（１：５）でカラムした。１０．４７ｇが得られ、理論の７２．２％で９９．５％の純度であった。
【０１２８】
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：［ｐｐｍ］＝８．６０（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），８，１２（ｄ，Ｊ＝８．７０Ｈｚ，１Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．３７Ｈｚ，１Ｈ），７．７０（ｔ，Ｊ＝８．０３Ｈｚ，１Ｈ）７．６５（ｄ，Ｊ＝５．６９Ｈｚ，１Ｈ），７．５５（ｔ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．３９−７．３５（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｔ，Ｊ=８．０３Ｈｚ,１Ｈ)，２．４０（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３）。
【０１２９】
Ｂ：  fac-トリス[7,7-ジメチル-8-フロロ-4-メチルジベンゾ[デ,h]キノリン−Ｃ２，Ｎ］イリジウム(III)（Ｉｒ５）  
【化５１】
2007507448.tif 000042
【０１３０】
Ｉｒ５の更なる合成を３Ｄ〜３Ｇの方法と同様に行った。同様の収量及び純度で生成物が得られた。
【０１３１】
１ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：［ｐｐｍ］＝７．７３（ｄ，Ｊ＝４．８６Ｈｚ,２Ｈ），７．６２（ｔ，Ｊ＝４．６９Ｈｚ，１Ｈ）、７．４０（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝６．３６Ｈｚ，１Ｈ），６．５２（ｄ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ，１Ｈ），２．１１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３），１．８１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３）。
【０１３２】
例６：  Ｉｒ（ｐｉｑ）３と熱安定性の比較
Ｉｒ（ｐｉｑ）３をＵＳ２００３／００６８５２６に従って合成した。
【０１３３】
そこに記載された粗生成物の２ｇを高真空（ｐ＝１０-7ｍバール、Ｔ＝３８５℃）で昇華し、ＨＰＬＣによる９９．７％の純度でＩｒ（ｐｉｑ）３に相当する昇華物１．３８ｇに加えて６０７ｍｇのインジウム含有灰を得た。これは、例１及び２からわかるように、本発明化合物と同一温度での昇華において、３分の１の生成物が分解したが、本発明化合物は実質的な損失なく昇華できることを示している。
【０１３４】
例７：  本発明化合物Ｉｒ１を包含する有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造及び特徴付け  
本発明エレクトロルミネッセンスデバイスは、例えば特許出願ＤＥ１０３３０７６１．３に記載されているように製造できる。
【０１３５】
ここでは２種の異なるＯＬＥＤｓの結果を比較する。基本的構造、使用した材料、ドーピングの程度及びその層厚みは比較を良好にするため同一であった。エミッション層のドーパントのみを変えた。
【０１３６】
第１例は先行技術による比較標準を記載する。これではエミッター層はホスト材料ＣＢＰ及びゲスト材料、Ｉｒ(piq)3からなる。加えて、エミッター層を備えたＯＬＥＤはホスト材料ＳＢＰ及びゲスト材料fac-トリス[7,7-ジフロロジベンゾ「デ,h]キノリンＣ２，Ｎ］イリジウム(III)（Ｉｒ１、例１に従って合成）が記載される。上述の一般法と同様に、次の構造を備えたＯＬＥＤが得られた。
【０１３７】
ＰＥＤＯＴ    ６０ｎｍ（水からスピン−コート； H.C.Starckから購入したＰＥＤＯＴ、Goslar:ポリ-[3,4-エチレンジオキシ-2,5-チオフェン］）、(HIL)  
ＮａｐｈＤＡＴＡ    ２０ｎｍ（蒸着で適用; SynTechから購入したＮａｐｈＤＡＴＡ;4,4',4"-トリス(N-1-ナフチル)-N-フェニルアミノトリフェニルアミン），(HTL)  
Ｓ−ＴＡＤ    ２０ｎｍ(蒸着で適用； WO99/12888に従って合成したＳ−ＴＡＤ；2,2',7,7'-テトラキス(ジフェニルアミノ）スピロビフルオレン）,(HTL)  
エミッター層:  （ＥＭＩＬ）  
ＣＰＢ    ２０ｎｍ（蒸着で適用； ALDRICHから購入及び更に精製し、最後に２回以上昇華したＣＰＤ；4,4'-ビス-(N-カルバゾイル）ビフェニル）  
Ｉｒ１    （２０％ドーピング、蒸着で適用;例１に従って合成した)  
又は:  
Ｉｒ（ｐｉｑ）３  （２０％ドーピング、例６に従って合成）  
ＢＣＰ    １０ｎｍ（蒸着で適用; ABCRから購入したＢＣＰ、得たものを使用;2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン）、（ＨＢＬ）  
ＡｌＱ３    １０ｎｍ（蒸着で適用：SynTecから購入したＡｌＱ３；トリス（キノリネート）アルミニウム(III)、（ＥＴＬ）  
Ｂａ−Ａｌ    ３ｎｍのＢａ、その上に１５０ｎｍのＡｌ。
【０１３８】
これらの最適化していないＯＬＥＤｓは標準方法で特徴付けられた。このために、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流(current)-電圧(voltage)-輝度(brightness)特性（ＩＵＬ特性)から計算した輝度の関数として、効率（ｃｄ／Ａで測定)、及び寿命(lifetime)を測定した。
【０１３９】
エレクトロルミネッセンススペクトル：  
ＯＬＥＤｓは、Ir(piq)3の比較例及びドーパントとしてIr1のＯＬＥＤｓは両者とも比較的カラーオーディネートの赤色エミッションを示す。
【０１４０】
輝度の関数としての効率  
ドーパントIr(piq)3で製造したＯＬＥＤｓは、上記条件下で、典型的に約６．５ｃｄ／Ａの最大効率を示し、１００ｃｄ／ｍ２の参照ルミナンス(luminance)に６．２Ｖが必要であった。対照的に、本発明のドーパントＩｒ１で製造したＯＬＥＤｓは８．７ｃｄ／Ａの最大効率を示し、１００ｃｄ／ｍ２の参照ルミナンスに必要な電圧は５．４Ｖにも下がった。
【０１４１】
寿命比較：  
２つの寿命曲線(図１）をより良い比較のために同一数値で示した。図は時間と共にｃｄ／ｍ２で測定した輝度のコースを示す。測定は、定常電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２で８０℃において行った。これは促進測定に対応する。寿命は、当初ルミナンスの５０％に達した後の時間を示す。示された輝度において、約６５０ｃｄ／ｍ２の当初輝度において約１３０時間の寿命がドーパントＩｒ（ｐｉｑ）３について得られた。ドーパントＩｒ１については、約９００ｃｄ／ｍ２の当初輝度及び約８０℃で５００時間より大きい寿命が同一の電流密度で得られた。これはドーパントとしてＩｒ（ｐｉｑ）３のＯＬＥＤｓと比較してほぼ４０のファクターだけの寿命の上昇に対応する。
【０１４２】
例８〜１１:  本発明ドーパントの別のデバイス例
別の本発明ドーパントＩｒ２〜Ｉｒ５をＯＬＥＤｓで試験し、先行技術(例８)によるＩｒ（ｐｉｑ）３と比較した。例７に詳述した方法と同様にＯＬＥＤｓは次の構造で得た。
【０１４３】
ＰＥＤＯＴ    ６０ｎｍ（水からスピン−コート； H.C.Starckから購入したＰＥＤＯＴ、Goslar:ポリ-[3,4-エチレンジオキシ-2,5-チオフェン］）、(ＨＩＬ)  
ＮａｐｈＤＡＴＡ    ２０ｎｍ（蒸着で適用; SynTechから購入したＮａｐｈＤＡＴＡ；4,4',4"-トリス(N-1-ナフチル)-N-フェニルアミノトリフェニルアミン）、(HTL)  
Ｓ−ＴＡＤ    ２０ｎｍ(蒸着で適用； WO99/12888に従って合成したＳ−ＴＡＤ；2,2',7,7'-テトラキス(ジフェニルアミノ）スピロビフルオレン）,(HTL)  
エミッター層:  （ＥＭＩＬ）  
Ｍ１    ビス(9,9'-スピロビフルオレン-2-イル）ケトン（蒸着で適用、ＤＥ１０３１７５５６．３に従って合成）  
Ｉｒ２〜Ｉｒ５    （蒸着で適用;例２〜５に従って合成した)  
又は:  
Ｉｒ（ｐｉｑ）３  (蒸着で適用、例６に従って合成）  
ＨＢＭ１    2,7-ビス(4-ビフェニル-1-イル)-2',7'-ジ-tert-ブチル-スピロ-9,9'-ビフルオレン（蒸着で適用;ＤＥ１０３５７３１７．８に従って合成）、（ＨＢＬ）；全ての例では使用しない  
ＡｌＱ３    （蒸着で適用：SynTecから購入したＡｌＱ３；トリス（キノリナート）アルミニウム(III)、（ＥＴＬ）；全ての例では使用しない  
Ｂａ−Ａｌ    ３ｎｍのＢａ、その上に１５０ｎｍのＡｌ。
【０１４４】
層の厚みは、エミッション層、ホールブロッキング層及びエレクトロントランスポート層の全ての層の厚みが全部で６０ｎｍになるように選定した。これらのＯＬＥＤｓで得られた結果は表１にまとめてある。マトリクス材料Ｍ１、ホールブロッキング材料ＨＢＭ１及び比較ドーパントＩｒ（ｐｉｑ）３は明確性のために次に示す。
【化５２】
2007507448.tif 000043
【表１】
2007507448.tif 000044
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明ドーパントＩｒ１及び比較ドーパントＩｒ（ｐｉｑ）３で製造したデバイスの寿命比較を示す図。
【図１】
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【国際調査報告】
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