(57)【要約】単一基板水素・マイクロ波吸収体（２０）が金属集積マイクロ波アセンブリ（１０、１０' ）内のスプリアスマイクロ波信号を減衰させ、集積マイクロ波アセンブリ（１０、１０' ）内に実装される、水素に反応しやすい部品の水素による汚染を低減する。単一基板水素・マイクロ波吸収体（２０）は、チタン基板（３０）を含み、その中にチャネル（３２）が互いから所定の距離だけ離隔して配置される。マイクロ波吸収材料（３４）の層がチャネル（３２）間にあるチタン基板（３０）の部分（３５）の上に形成され、水素吸着材料（３６）の層がチタン基板（３０）のチャネル（３２）内に形成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）内の不要なマイクロ波信号を減衰させ、前記ＩＭＡ内に実装される、水素に反応しやすい部品の水素による汚染を少なくするための単一基板水素・マイクロ波吸収体であって、
チタン基板と、
前記チタン基板内に形成され、互いに所定の距離だけ離隔して配置される複数のチャネルと、
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に形成されるマイクロ波吸収材料の層と、
前記チタン基板の前記チャネル内に形成される水素吸着材料の層とを備える、単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項２】
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に形成される前記マイクロ波吸収材料の層は、スプリアス内部無線周波数（ＲＦ）信号を散逸させるための磁性材料の層を含む、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項３】
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に形成される前記マイクロ波吸収材料の層は、スプリアス外部無線周波数（ＲＦ）信号を散逸させるための磁性材料の層を含む、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項４】
スプリアス外部無線周波数（ＲＦ）信号を散逸させるための前記磁性材料の層は約０．００２５４〜０．００５０８ｃｍ（約０．００１〜０．００２インチ）の範囲内の厚みを有する、請求項３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項５】
前記チタン基板の前記チャネル内に形成される前記水素吸着材料は、触媒作用によって、前記ＩＭＡから放出される水素分子を分裂させて水素原子にするための材料を含む、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項６】
前記チタン基板は、前記水素原子と反応して、前記ＩＭＡ内に実装される、前記水素と反応しやすい部品に対して不活性であるチタン水素化物を形成する、請求項５に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項７】
前記チャネルはそれぞれ、
約０．００７６２〜０．０１２７ｃｍ（約０．００３〜０．００５インチ）の深さの一対の向かい合ったチャネル壁と、
前記一対の向かい合った側壁間にある、約０．０１５２４〜０．０２５４ｃｍ（約０．００６〜０．０１０インチ）の幅のチャネル底部とを備える、請求項５に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項８】
前記チタン基板は約０．０２５４ｃｍ（約０．０１０インチ）の厚みである、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項９】
前記チタン基板は約１ｃｍの長さと、約０．４ｃｍの幅とを有し、前記チタン基板と前記マイクロ波吸収材料の層との組み合わせは約０．０２５ｃｍの高さを有する、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項１０】
前記単一基板水素・マイクロ波吸収体は約０．０１ｃｍ３の関連する体積を有する、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項１１】
前記チタン基板、前記マイクロ波吸収材料の層、及び前記水素吸着材料の層の全重量は約０．０４５ｇである、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項１２】
前記チタン基板は、水素吸収のために利用可能な約５．７×１０２０個のチタン原子を含む、請求項１に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体。
【請求項１３】
金属集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）内の不要なマイクロ波信号を減衰させ、該ＩＭＡ内に実装される、水素に反応しやすい部品の水素による汚染を少なくするための単一基板水素・マイクロ波吸収体を製造する方法であって、
単一のチタン基板内にチャネルを形成する工程と、
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分３５の上にマイクロ波吸収材料の層を形成する工程と、
前記チャネル内に水素吸着材料の層を堆積する工程とを備える、単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項１４】
前記単一基板水素・マイクロ波吸収体内に前記チャネルを形成する工程は、等方性化学エッチングによって前記チャネルを形成する工程からなる、請求項１３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項１５】
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に前記マイクロ波吸収材料の層を形成する工程は、前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に前記マイクロ波吸収材料をスクリーン印刷する工程からなる、請求項１３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項１６】
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に前記マイクロ波吸収材料の層を形成する前に、前記チャネルに結合防止材料を被着する工程であって、それによって、前記マイクロ波吸収材料の層が前記チャネル内に結合するのを防ぐ、結合防止材料の被着工程をさらに備える、請求項１３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項１７】
前記チタン基板上に前記マイクロ波吸収材料の層を形成する工程は、
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上にスクリーン印刷された前記マイクロ波吸収材料を乾燥する工程と、
スクリーン印刷された前記マイクロ波吸収材料を焼成する工程であって、それによって、前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に前記マイクロ波吸収材料の層を結合する、焼成工程とをさらに備える、請求項１５に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体を製造する方法。
【請求項１８】
前記チャネル内に前記水素吸着材料の層を堆積する前に、前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に結合防止材料を被着する工程であって、それによって、前記水素吸着材料の層が前記チャネル間にある前記チタン基板の部分に結合するのを防ぐ、結合防止材料の被着工程をさらに備える、請求項１３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項１９】
チャネル底部及びチャネル壁上に前記水素吸着材料の層を被着するために前記チャネルを準備する工程をさらに備える、請求項１３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項２０】
前記チャネル内に前記水素吸着材料の層を堆積する工程は、
前記チャネルの底部及び壁上に、且つ前記チタン基板の前記チャネル間にある該チタン基板の部分の上に前記水素吸着材料の層を堆積する工程と、
次に、前記チャネル間にある前記チタン基板の部分から前記水素吸着材料の層を除去する工程と、
前記チタン基板の前記チャネル底部及び前記チャネル壁上に前記水素吸着材料の層を結合する工程と、
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分から前記水素吸着材料の層を除去する工程とを備える、請求項１３に記載の単一基板水素・マイクロ波吸収体の製造方法。
【請求項２１】
集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）であって、
分離するための壁を含む空洞を画定する金属ハウジング、及び該空洞を封止するための蓋と、
前記金属ハウジング内の前記空洞の中を伝搬する無線周波数（ＲＦ）信号を増幅するためのモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）であって、
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）及び薄膜抵抗のうちの１つ又は複数を含む、水素に反応しやすい部品を含む、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）と、
スプリアス無線周波数を抑圧し、且つ前記ＩＭＡ内の余分な水素を吸収するために、前記ＩＭＡ金属ハウジング内に配置される少なくとも１つの単一基板水素・マイクロ波吸収体とを備える、集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）。
【請求項２２】
前記ＩＭＡ金属ハウジング内に配置される少なくとも１つの単一基板水素・マイクロ波吸収体は、
チタン基板と、
前記チタン基板内に形成され、互いから所定の距離だけ離隔して配置されるチャネルと、
前記チャネル間にある前記チタン基板の部分の上に形成されるマイクロ波吸収材料の層と、
前記チタン基板の前記チャネル内に形成される水素吸着材料とをさらに備える、請求項２１に記載の集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）。
【請求項２３】
スプリアス無線周波数を抑圧し、且つ前記ＩＭＡ内の余分な水素を吸収するために、前記ＩＭＡ金属ハウジング内に配置される１つ又は複数の付加的な単一基板水素・マイクロ波吸収体をさらに備える、請求項２１に記載の集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［発明の分野］
本発明は包括的には集積マイクロ波アセンブリに関し、より詳細には、集積マイクロ波アセンブリのための単一基板水素・マイクロ波吸収体に関する。
【背景技術】
【０００２】
［背景］
集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）のようなマイクロ波パッケージ及びモジュールは通常、鉄系合金又はアルミニウム複合材料と、製造工程の結果として水素を含有するめっき層とを含む。一般的に、水素は放出され、問題を引き起こすことはないであろう。しかしながら、気密封止されたパッケージでは、水素は数パーセント程度にまで達する可能性がある。水素は、広い分圧範囲にわたって、いくつかのタイプのＧａＡｓデバイスの劣化又は汚染（poisoning ）を引き起こし、そのような汚染の結果として、高温で数百時間ないし数千時間にわたって水素に曝露された後に、デバイスの電気的性能が突然且つ劇的に変化するようになる。
【０００３】
上記のＩＭＡにおいて用いられる高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及び金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）デバイスの水素汚染は、信頼性に関して大きな問題になる。たとえば、Ｎｉ及びＡｕめっきコバール（商標）又はＡ４０、さらにはいくつかのＲＦ吸収体材料のようなＩＭＡの製造及び／又は組立において用いられる数多くの材料が、水素を放出することが知られている。この問題に対処するための多数の従来のオプションは、水素源をなくすか、又は最小限に抑えること、デバイス技術を変更すること、パッケージ内水素ゲッタを用いること、及び回路設計を通してデバイスの電気的な変化を補償することを含む。
【０００４】
水素源をなくすか、又は最小限に抑えることは、パッケージ部品を真空ベーキングすることにより、又は低水素溶性の材料を選択することにより、或る程度まで達成することができる。しかしながら、全ての水素含有材料を完全になくすことは難しい。別の手法は、デバイス技術を変更して、水素に反応しにくいＴｉＷのようなゲート金属を用いることである。これは比較的新しい技術には適した手法であるかもしれないが、長期にわたって利用され、実用化されてきた比較的成熟した工業分野において工程を変更することは、一般的には不都合である。
【０００５】
より望ましい方法は、パッケージ内水素ゲッタを用いて、水素分圧を安全なレベルまで低下させることである。半導体パッケージにおいて水素ゲッタを用いることは一般的であり、いくつかの市販の水素ゲッタをマイクロ波パッケージにおいても用いることができる。
【０００６】
金属ＩＭＡシャーシからの反射に起因するＲＦ不安定性、及びＩＭＡ内のマイクロ波の後方散乱が、今日のマイクロエレクトロニクス技術、特に高周波数／高利得のＭＭＩＣデバイスにおけるもう１つの大きな問題である。損失物質又は高損失タンジェントとしても知られているマイクロ波吸収体が、それらが支持するマイクロ波デバイスのＩＭＡの空洞内のマイクロ波反射に起因する高周波数（ＲＦ）不安定性を除去するのを助ける。ＩＭＡシャーシ内のそのような反射の結果として、波間でマイクロ波の相互作用が生じ、結果として不要なマイクロ波信号が生成される。吸収体は、不要な信号を吸収し、所望の信号をＩＭＡの中に通すので、バンドパスフィルタと概ね同じように機能する。市販のマイクロ
波吸収体は、エコソーブ（Eccosorb）（商標）のようなブランドを含む。
【０００７】
マイクロ波吸収体は、それらが配置される表面上にマイクロ波電流が流れることに起因するＩＭＡの金属構造の反射特性を大幅に低減することにより吸収を達成し、マイクロ波モジュールの空洞共振を減衰させる。この結果として、マイクロ波デバイスの放射パターンの分離、減衰及び／又は変更が生じ、望ましくないＲＦ不安定性が除去される。
【０００８】
水素ゲッタ及びマイクロ波吸収体は市販されているが、それらは個別の部品であり、ＩＭＡ内に大きな実装空間を必要とする。市販の水素ゲッタ／吸収体において用いられる材料の例には、パラジウム酸化物及びチタンプラチナ又はチタンパラジウム金属が含まれる。今日のマイクロ波技術の動向は、筐体内に配置されるマイクロ波デバイスの数は増え続けているが、筐体の寸法が絶えず小さくなっていることであり、限られた空間内で数多くの部品を保護する必要がある。ＩＭＡ設計の空間が限られていることに起因して、マイクロ波吸収体及び水素ゲッタを現在の形態のままにして、シャーシ内に必要とされる保護を追加することは、多くの場合に実用的でないか、又は不可能である。
【０００９】
さらに、マイクロ波回路を保護するために２つの個別の製品を購入することに余分なコストがかかり、同様に、製造業者及びエンドユーザの両者に対するコストも上昇する。
さらに、空間的な制約に起因して、個別の部品は、より相応しい大きさの部品に比べて、水素及びマイクロ波による劣化を制限する能力が小さいであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
［発明の概要］
したがって、本発明は、集積マイクロ波アセンブリにおいて用いるための小型で、低コストのパッケージにおいて部品の保護を向上させる単一基板水素及びマイクロ吸収体、並びにそれを製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
単一基板水素・マイクロ波吸収体は、チタン基板と、チタン基板内にエッチングされるチャネルと、チタン基板のチャネル間にあるチタン基板の部分の上に形成されるマイクロ波吸収材料の層と、チャネル内に形成される水素吸着材料の層とを含む。
【００１２】
チタン基板内のチャネルは基板の表面積を増加し、それゆえ、単一基板水素・マイクロ波吸収体の水素吸着能力を高める。マイクロ波吸収材料には、強磁性材料を用いることができ、マイクロ波ＲＦ信号がＩＭＡの表面上を伝搬する際に、それらの信号を遮断し、ＩＭＡ内又はＩＭＡ外の不要なマイクロ波ＲＦ信号を減衰させる。
【００１３】
水素吸着材料は、エッチングされたチャネル内に形成される。水素吸着材料の例には、パラジウム又はプラチナが含まれる。水素吸着材料は、触媒作用によって、水素分子を水素原子に分裂させる。その後、これらの原子はチタン基板と化合し、ＩＭＡ内の水素に反応しやすい部品にとって無害なＴｉＨｘが形成される。
【００１４】
上記の単一基板水素・マイクロ波吸収体を製造する方法は、チタン基板内にチャネルを形成すること、及びチャネル間にあるチタン基板の部分の上にマイクロ波吸収材料を形成すること、及びチャネル内に水素吸収材料を堆積することを含む。具体的には、一実施形態によれば、チタン基板内に形成されるチャネルは、最初に基板にフォトレジストパターンを被着し、その後、フォトレジストパターンを乾燥、露光及び現像することによって形成される。次に、チタン基板内にチャネルがエッチングされる。フォトレジストパターンは除去され、チタン基板は洗浄される。その後、強磁性材料のようなマイクロ波吸収材料
が、チャネル間にあるチタン基板の部分にスクリーン印刷される。チタン基板は適当な温度まで乾燥及び焼成され、強磁性材料がチタン基板に結合される。
【００１５】
水素吸着材料をチタン基板に結合するために、強磁性材料は、フォトレジストパターンで覆われて、水素吸着材料の被着から保護される。次に、チャネルが酸化物エッチング工程で洗浄され、あらゆる異物が除去される。パラジウムのような水素吸着材料がチャネル内にスパッタリングされる。その後、パラジウムが強磁性材料から剥離されて、製造工程が完了する。
【００１６】
添付の図面では、複数の個別の図を通して、類似の参照番号が同一又は機能的に類似の素子を指しており、また添付の図面は、以下に記載される詳細な説明とともに、本明細書に組み入れられるか、又は本明細書の一部を構成し、種々の実施形態をさらに詳しく例示し、且つ本発明による種々の原理及び利点を全て説明するための役割を果たす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［好ましい実施形態の詳細な説明］
ここで図面を参照すると、図１は１つの例示的な集積マイクロ波アセンブリ（ＩＭＡ）１０を示す。なお図面では、類似の参照番号が類似の部品を指しており、１つの参照番号を用いて、多数の類似の部品のうちの１つの例示的な部品を特定することができる。ＩＭＡ１０は、Ａ４０のような軽量の金属から形成されることが好ましい金属ハウジング１２と、空洞床１５、側壁１６及びＩＭＡ筐体蓋１７（図２）によって画定される空洞チャネル１４と、金属ハウジング１２上に形成されるアルミナ基板１９上に全て配置される、たとえば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、薄膜抵抗などを備えるマイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）１８のような、空洞チャネル内に実装される種々の能動部品とを含む。上記のＭＭＩＣ部品の大部分又は全ては通常、大量の水素、通常ＩＭＡ１０の全水素保持能力の約０．０１〜２％の範囲内にある水素に曝露されるときに、水素汚染を受けやすい。金属ハウジング１２は、本発明によるタイプの単一基板水素・マイクロ波吸収体２０も含む。
【００１８】
図２を参照すると、図１のＩＭＡ１０に類似であるが、ここでの説明のために簡単にされた別の例示的なＩＭＡ１０' の断面図が示される。ＩＭＡ１０' はＩＭＡ筐体蓋１７とともに示されており、筐体蓋１７は金属ハウジング１２、空洞床１５及び空洞側壁１６とともに、空洞チャネル１４を画定する。
【００１９】
図２は、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０が、応用形態特有の大きさに切断することができ、ＩＭＡ１０' の金属シャーシから放出される水素を吸収し、且つ入力マイクロ波ＲＦ信号のＩＭＡ１０' による増幅によって生成される不要なスプリアスマイクロ波ＲＦ信号を減衰させるためにＩＭＡ１０' 全体にわたって配置することができる小片から形成されることも示す。単一基板水素・マイクロ波吸収体２０はＩＭＡ１０' の具体的な動作要件に応じて大きさを決められ、配置することができるので、ＩＭＡ１０' 内で用いられる単一基板水素・マイクロ波吸収体の実際の数は、応用形態毎に異なるであろう。
【００２０】
図３Ａ及び図３Ｂは、図１及び図２に示される単一基板水素・マイクロ波吸収体２０の１つの例示的な実施形態を示す。単一基板水素・マイクロ波吸収体２０はチタン基板３０と、チタン基板３０内にあるチャネル３２と、チャネル３２間にあるチタン基板３０の部分３５の上にあるマイクロ波吸収材料３４の層と、チャネル３２内にある水素吸着材料３６の層とを含む。
【００２１】
チタン基板３０上にあるマイクロ波吸収材料３４の層は、ＭＭＩＣ１８（図１）から放射されるＲＦ信号間の反射及び波間の相互作用に起因して不安定性を引き起こす、金属Ｉ
ＭＡ１０' 内及びＩＭＡ１０' 外のスプリアスマイクロ波ＲＦ信号を減衰させる。より具体的には、マイクロ波ＲＦ信号がＭＭＩＣ１８によって増幅され、空洞チャネル１４の中を伝搬するとき、それらの信号は金属ハウジング１２、空洞チャネル１４、空洞床１５、側壁１６及びＩＭＡ筐体蓋１７内にスプリアスマイクロ波ＲＦ信号を生成する。マイクロ波吸収材料３４の層は、非常に損失が大きく、本質的に磁性でなければならないので、強磁性材料であることが好ましい。
【００２２】
不要なＲＦ信号を実効的に減衰させるために、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０は、スプリアスマイクロ波ＲＦ信号を直に受けることができなければならない。言い換えると、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０は、スプリアスマイクロ波ＲＦ信号を遮断し、吸収するために、その信号が進行している表面上に配置される必要があり、レーザ溶接によって取り付けられる。マイクロ波吸収材料３４は、金属ハウジング１２、空洞チャネル１４、空洞床１５、側壁１６及びＩＭＡ筐体蓋１７内で生成されるＲＦ電流を引き込み、結果として、スプリアスマイクロ波ＲＦ信号を減衰させる磁界を生成する。
【００２３】
チャネル３２内の水素吸着材料３６の層は、空洞側壁１６に、且つ空洞床１５に結合されることが好ましい。チャネル３２内の水素吸着材料３６は、触媒作用によって、金属ハウジング１２、空洞チャネル１４、空洞床１５、側壁１６及びＩＭＡ筐体蓋１７から放出される水素分子を分裂させて、水素原子にする。その後、水素原子はチタン基板３０内に自由に拡散し、チタン基板３０内のチタンと化合して、ＩＭＡ１０' 内の水素に反応しやすい部品に対して不活性である水素化物を形成する。具体的には、水素原子はチタン原子と化合して、たとえばＴｉＨｘのような不活性水素化物を作り出す。
【００２４】
本発明の１つの具体的な実施形態による単一基板水素・マイクロ波吸収体２０は、以下のように大きさを決められる。チタン基板３０は約１ｃｍの長さ、約０．４ｃｍの幅及び約０．０２５ｃｍの高さを有する。ただし、その高さはチタン基板３０及びマイクロ波吸収材料３４の層の全厚と定義される。単一基板水素・マイクロ波吸収体２０の関連する所要空間は約０．１ｃｍ３であり、チタン基板３０、マイクロ波吸収材料３４の層、及び水素吸着材料３６の層の全重量は約０．０４５ｇである。上記の関連する所要空間に基づくと、チタン基板３０は、触媒作用によって分裂した水素原子と化合することにより水素を吸収するために利用可能な約５．７×１０２０個のチタン原子を含む。これらの利用可能なチタン原子によって、バーンイン及び通常の動作中に従来のＩＭＡ内に放出される水素分子の数の約１０００倍の水素分子を吸収できるようになる。
【００２５】
図４Ａ〜図４Ｇを参照すると、ここで、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０を製造する方法が示されるであろう。
図４Ａを参照すると、チャネル３２が形成される前に、チタン基板３０が洗浄され、処理するために準備される。チタン基板３０にフォトレジストパターン４２が被着され、その後、乾燥、露光及び現像されて、チャネル３２間にあるチタン基板３０の部分３５がエッチング工程から保護される。その後、チャネル３２がチタン基板３０内にエッチングされて、フォトレジストパターン４２が除去され、チタン基板３０が洗浄される。チタン基板３０内のチャネル３２は、約０．００７６２ｃｍ（約０．００３インチ）の深さ及び約０．０１２７〜０．０１５２４ｃｍ（約０．００５〜０．００６インチ）の幅のチャネルを作り出すことができる、等方性酸化物エッチング工程のような従来の化学エッチング工程によってエッチングされることが好ましい。チャネル３２を形成し、水素吸着材料３６を堆積するためにチタン基板３０上で利用可能な表面積を増加して、それにより、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０の水素吸収能力を高める。
【００２６】
図４Ｂを参照すると、マイクロ波吸収材料３４の層が、好ましくはスクリーン印刷工程によって、チャネル３２間にある基板の部分３５の上に形成される。チャネル３２間にあ
るチタン基板３０の部分３５の上にマイクロ波吸収材料３４の層を形成する前に、結合防止材料４４の層がチャネル３２の底面及び側面に被着され、マイクロ波吸収材料３４の層がチャネル３２内に結合するのを防ぐ。その後、スクリーン印刷によって、マイクロ波吸収材料３４の層がチタン基板３０に被着される。
【００２７】
図４Ｃを参照すると、その後、チャネル３２間にあるチタン基板３０の部分３５の上にあるマイクロ波吸収材料３４のスクリーン印刷された層が乾燥される。チャネル３２から結合防止材料４４が除去される。その後、マイクロ波吸収材料３４のスクリーン印刷された層が焼成され、その層がチャネル３２間にあるチタン基板３０の部分３５に結合する。
【００２８】
図４Ｄを参照すると、その後、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０のチャネル３２内に水素吸着材料３６の層を形成するための準備が行われる。水素吸着材料の層を形成するために用いることができる例示的な材料には、パラジウム又はプラチナが含まれる。マイクロ波吸収材料３４の層がフォトレジストパターン４８で覆われ、水素吸着材料３６の層の被着中に保護される。図４Ｅに示されるように、その後、チャネル３２が酸化物エッチング工程によって洗浄され、水素吸着材料３６の層を被着するための準備をする。
【００２９】
図４Ｆを参照すると、水素吸着材料３６の層がチタン基板３０のチャネル３２内に形成される。水素吸着材料３６の層は、たとえば、チタン基板３０上にパラジウム又はプラチナをスパッタリングして、約０．１μｍ厚の水素吸着材料層を形成することによって形成することができる。
【００３０】
図４Ｇに示されるように、その後、チャネル３２間にあるチタン基板３０の部分３５の上にあるマイクロ波吸収材料３４の層から、水素吸着材料３６の層及びフォトレジストパターン４８が除去され、製造工程が完了する。
【００３１】
これまでの説明から、ここで、単一基板水素・マイクロ波吸収体２０が、単一のフォームファクタにおいて個別の水素ゲッタ及びマイクロ波吸収体の機能を併せ持つことが理解されよう。単一のフォームファクタにおいて両方の機能を併せ持つことにより、ＩＭＡ内に占める所要空間が小さくなり、より効率的で、自由度のある配置を選択できるようになり、水素による汚染及びマイクロ波吸収が低減される。単一基板水素・マイクロ波吸収体は、任意の応用形態に適合するように、その仕様に応じて製造することができる。チタン基板内にチャネルを作ることにより、水素吸着能力が高められ、ＩＭＡ内の高利得、高周波数の増幅器部品の保護が向上する。さらに、２つの部品の代わりに１つの部品が用いられるので、ＩＭＡコストが削減される。
【００３２】
本発明の実施例及び実施形態は、限定するものではなく、例示するものと見なされるべきであり、本発明は、本明細書において与えられる細部に限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲、及びそれに相当する部分の中で変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による単一基板水素・マイクロ波吸収体が実装されるタイプの例示的な集積マイクロ波アセンブリの等角図。
【図２】本発明による単一基板水素・マイクロ波吸収体が実装される別の例示的な集積マイクロ波アセンブリの断面図。
【図３Ａ】図２に示される単一基板水素・マイクロ波吸収体の１つの例示的な実施形態の側面図。
【図３Ｂ】図３Ａに示される単一基板水素・マイクロ波吸収体の平面図。
【図４Ａ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図４Ｂ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図４Ｃ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図４Ｄ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図４Ｅ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図４Ｆ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図４Ｇ】進行中の製造段階における本発明の単一基板水素・マイクロ波吸収体の側面図。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【国際調査報告】
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