(57)【要約】  本発明は、検査体積において主磁場を発生させる主磁石システムと、概ね、主磁石システムと検査体積との間に形成され、ガラス温度を有する接合素材（１１）に埋め込まれたサブ勾配コイル（４、５、６）を備える勾配コイル・システム（１）と、勾配コイル・システムの温度を制御する制御手段（１３）と、制御手段によって供給される制御信号に基づいて勾配コイル・システムの温度に影響を及ぼす、温度に影響を及ぼす手段とを備える磁気共鳴撮像（MRI）システムに関する。制御手段は、ガラス温度を超える値に勾配コイル・システムの接合素材の温度をMRIシステムの動作中に制御するのに適している。本発明は、磁気共鳴撮像（MRI）システムを用いる方法に更に関する。
2007512073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴撮像（MRI）装置であって、検査空間において主磁場を発生させる主磁石システムと、概ね、該主磁石システムと前記検査空間との間に配置され、サブ勾配コイルと、該サブ勾配コイルをまとめるガラス温度を備える接合素材とを備える勾配コイル・システムと、該勾配コイル・システムの温度を制御する制御手段と、該制御手段から発信される制御信号に基づいて前記勾配コイル・システムの温度に影響を及ぼす、温度に影響を及ぼす手段とを備え、前記制御手段は、前記MRI装置の動作中に、前記勾配コイル・システムの前記接合素材の温度を、前記ガラス温度を超える値に制御するよう形成されることを特徴とするMRI装置。
【請求項２】
請求項１記載のMRI装置であって、前記ガラス温度の値が少なくとも３０°Cであることを特徴とするMRI装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のMRI装置であって、前記温度に影響を及ぼす手段は、前記勾配コイル・システムの加熱手段を備えることを特徴とするMRI装置。
【請求項４】
請求項１、２、又は３記載のMRI装置であって、前記温度に影響を及ぼす手段、及び前記制御手段は、前記勾配コイル・システムの各々の、別々の部分の温度に異なる度合いで影響を及ぼすことができるように形成されることを特徴とするMRI装置。
【請求項５】
請求項１、２、３、又は４記載のMRI装置であって、前記温度に影響を及ぼす手段は、流体回路内の流体と前記勾配コイル・システムの前記結合素材との間でエネルギを交換するよう前記勾配コイル・システムを通って延びる流体回路を備えることを特徴とするMRI装置。
【請求項６】
請求項５記載のMRI装置であって、前記流体回路が２つの別個の回路部分を備えることを特徴とするMRI装置。
【請求項７】
請求項６記載のMRI装置であって、前記別個の回路部分は、制御可能な混合弁を介して前記勾配コイル・システムのアップストリームにある回路接合部で接触し、前記混合弁の位置は、前記制御手段からの制御信号によって変わってくることを特徴とするMRI装置。
【請求項８】
請求項６記載のMRI装置であって、前記別個の回路部分が前記勾配コイル・システムの別々の部分を通って延びることを特徴とするMRI装置。
【請求項９】
請求項８記載のMRI装置であって、前記２つの回路部分の一方が主として、サブ勾配コイルのうちの１つ又はいくつかの温度に影響を及ぼすよう備えられる一方、前記２つの回路部分の他方は主として、結合剤の温度に影響を及ぼすよう備えられることを特徴とするMRI装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のうちの何れか１つに記載のMRI装置であって、前記温度に影響を及ぼす手段、及び前記制御手段は、お互いに無関係に前記別個の回路部分の能力を制御するよう形成されることを特徴とするMRI装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちの何れか１つに記載のMRI装置であって、前記制御手段は、前記MRI装置によってまだ作成されていない画像について前記勾配コイル・システムによって必要なエネルギ消費に関するデータに基づいて、前記画像の生成前又は生成中に、前記温度に影響を及ぼす手段の動作を制御するよう形成されることを特徴とするMRI装置。
【請求項１２】
請求項３乃至１１のうちの何れか１つ記載のMRI装置であって、前記加熱手段が、前記接合素材内に電気抵抗線を備えることを特徴とするMRI装置。
【請求項１３】
検査空間において主磁場を発生させる主磁石システムと、基本的に、前記主磁石システムと前記検査空間との間に配置され、サブ勾配コイルと、該サブ勾配コイルをまとめるガラス温度を備える接合素材とを備える勾配コイル・システムと、該勾配コイル・システムの温度を制御する制御手段と、該制御手段から発信される制御信号に基づいて前記勾配コイル・システムの温度に影響を及ぼす、温度に影響を及ぼす手段とを備える磁気共鳴撮像（MRI）装置を作動させる方法であって、該MRI装置の動作中に、前記制御手段は、前記勾配コイル・システムの前記接合素材の温度を、前記ガラス温度を超える値に制御することを特徴とする、MRI装置を作動させる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主磁場を検査空間において発生させる主磁石システムと、基本的に主磁石システムと検査空間との間に配置され、サブ勾配コイル・システムと、サブ勾配コイル・システムをまとめるガラス温度を有する接合素材とを備える勾配コイル・システムと、勾配コイル・システムの温度を制御する制御手段と、制御手段から発信される制御信号に基づいて勾配コイル・システムの温度に影響を及ぼす、温度に影響を及ぼす手段とを備える磁気共鳴撮像（MRI）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
そうしたMRI装置は、米国特許出願第2002/0148604号明細書によって公知である。MRI装置の勾配コイル・システムは一般的に、種々のサブ勾配コイルを通って流れる交流電流によって動作中に加熱する傾向にある。こうした加熱は、種々の理由で望ましくないと考えられる。例えば、多くの場合はエポキシ樹脂である接合素材の接合作用は、使用される接合素材のガラス温度よりもいずれの場合も高い特定温度を超える温度では急速に劣化するので、勾配コイル・システムの崩壊をもたらす層間剥離の非常に不都合なリスクが存在している。ガラス遷移温度としても表すガラス温度は、（合成樹脂）接合素材の技術分野における当業者が分かっている語である。この温度を超えると、接合素材は言わば軟化し、接合素材のEモジュラスのかなりの減少につながる。特定のタイプの合成樹脂素材のガラス温度は、そうした素材の供給業者が分かっている、かつ/又は、実験的に判定できるテーブルに記載されている。勾配コイル・システムの温度における極端な上昇は、勾配コイル・システムの望ましくない層間剥離を排除するのみならず、検査空間内にいる患者が温度を快適なものとして、又は少なくとも耐えられるものとして感じるように快適さの観点から望ましいので排除すべきである。
【０００３】
前述の理由で、温度があまり上昇しないようにする手段を講じるために、勾配コイル・システムを冷却することが一般的に知られている。勾配コイル・システムを冷却する最も一般的なやり方は、冷却液を流す冷却管によるものであり、この冷却管は、勾配コイル・システムを通って延びる。勾配コイル・システムの冷却の許容可能な度合いは、周囲空気の相対湿度及び温度によって変わってくる、勾配コイル・システムの特定の温度未満で生じ得る凝縮のリスクによって限定される。実際には、このことは、周囲温度、又は、周囲温度の数度下まで冷却されることを意味する。
【０００４】
前述の米国特許出願第2002/01486014号明細書によるMRI装置は、勾配コイル・システムを部分的に通って延びる冷却管を備える。勾配コイル・システムにおいて発生する電力が比較的高い「高電力」撮像/走査の場合に冷却能力を必ず増大させるために、MRI装置には、中に真空ができる、勾配コイル・システムの容器が備えられる。上記真空が理由で、容器内の露点温度はかなり低減されるので、冷却管内の冷却媒体の温度も、真空の容器なしで低下させることができたであろう値よりも低い値に低下させることができるが、それは、真空容器なしでは、望ましくない凝縮が、勾配コイル・システム上で生じ得るからである。上記米国特許出願明細書は、そこに記載されているMRI装置によって、周囲の露点温度とは無関係に、冷却の必要性に応じて冷却媒体の温度を調節することが可能になるということを全般的に記載している。
【０００５】
一般的なMRI装置の、全く別の重要な局面は、動作中に雑音を発生させる度合いによって形成される。こうした雑音の発生は、通常、0kHzと1.5kHzとの間、すなわち可聴領域内に及ぶ周波数を有する交流電流が、勾配コイル・システムのサブ勾配コイルを通して流すということによってかなりの度合いまで引き起こされる。こうした交流電流によって、ローレンツ力の変動が生じ、それは、勾配コイル・システムの振動及び雑音発生に、特に共鳴の場合、つながる。検査空間内の患者は、そうした雑音を非常に不快に感じ得るものであり、このことが、雑音の発生をできる限り抑えることが重要である理由となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、MRI装置の動作中にかなりの雑音除去を容易に達成することができる、本明細書の最初の段落に表したタイプのMRI装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために、本発明のMRI装置は、MRI装置の動作中に、勾配コイル・システムの接合素材の温度を、ガラス温度を上回る値に制御するよう形成されることをまず特徴とする。本発明は、MRI装置の勾配コイル・システムに通常用いるものなどの結合素材が、動作中に、許容可能でない雑音発生をもたらし得る、サブ勾配コイルの振動に対するかなりの減衰作用を、ガラス温度を上回る温度で得るものであるという認識に一方で基づいており、露点温度よりも相対的にわずかに高い温度まで勾配コイル・システムを冷却することが、より高い温度までの勾配コイル・システムの冷却よりも、より好ましくないことがあり得るという認識に他方で基づいている。当然、勾配コイル・システム、特に、その接合素材の温度が、そのレベルを超えると、勾配コイル・システムの層間剥離のリスクが許容可能でないほど高くなるような程度まで接合素材の接合特性が劣化するそのレベルまで上昇しないように留意しなければならない。ガラス温度と同様に、接合素材のこうした最大限に許容可能な温度の限界値は、使用される接合素材のタイプによって変わってくる。
【０００８】
好ましくは、ガラス温度の値は、少なくとも３０°Cである。そうしたガラス温度は、市場で入手可能な接合素材のものに合わせたものであり、特定のタイプの接合素材は、例えば、40°Cのガラス温度、４５°Cのガラス温度、５０°Cのガラス温度、又はそれより高いガラス温度を有する。
【０００９】
好ましくは、温度に影響を及ぼす手段は、勾配コイル・システムの加熱手段を備える。走査動作の始めでも勾配コイル・システムの温度として、上昇した値が既に取り入れられるように、勾配コイル・システムの接合素材の温度として、上昇した値が常に（すなわち、対象のMRI装置が、長期にわたる期間、使用されていない場合にも）、取り入れられるようにすることが可能であり、その結果、前述のような、接合素材の、効果的な減衰特性が常に生じる一方、加熱手段を使用しない勾配コイル・システムの温度は、例として、例えば２０°Cの周囲温度に等しくなる。そうした加熱手段は、例えば、サブ勾配コイルを通して直流電流を流す手段も備えるものであり、その結果、抵抗加熱によって、サブ勾配コイルの温度と、よって、接合素材の温度は、上昇を既に表す。
【００１０】
更なる好ましい実施例によれば、温度に影響を及ぼす手段、及び制御手段は、勾配コイル・システムの各々の、別々の部分の温度に異なる度合いで影響を及ぼすことができるように形成される。この好ましい実施例は、勾配コイル・システムにおける温度勾配が現れることを排除することが常に望ましい訳でないという認識に基づいている。このことは、検査空間内の患者の快適さが必ず、許容可能なレベルにあるようにするために、勾配コイル・システムの、検査空間を向いている側の温度が、多くの場合、音響的減衰特性を強めるよう結合剤が存在している、勾配コイル・システムのコアの温度よりも低いレベルで維持される場合によって例証することができる。
【００１１】
好ましくは、温度に影響を及ぼす手段は、流体回路内の流体と勾配コイル・システムの結合素材との間でエネルギを交換するよう勾配コイル・システムを通って延びる流体回路を備える。そうした流体回路を、勾配コイル・システムを冷却するのみならず、勾配コイル・システムを加熱する、特に、その接合素材を加熱するのにも用いることが可能であるということを特筆する。
【００１２】
勾配コイル・システムの温度に影響を及ぼすことに関する柔軟性は、流体回路が、以下の好ましい実施例を参照して更に詳細に説明するように、２つの別個の回路部分を備える場合に増大する。
【００１３】
好ましくは、別個の回路部分は制御可能な混合弁を介して勾配コイル・システムのアップストリームにある回路接合部で接触し、混合弁の位置は、制御手段からの制御信号によって変わってくる。回路接合部における流体の温度は、よって、当該要件に非常にすばやく適合させることができ、その影響は、制御可能な測定弁が勾配コイル・システムのより近くに配置されるにつれ、大きくなる。特定の低下させた温度が第１の回路部分内で支配的であり、特定のより高い温度が他方の回路部分内で支配的である場合から始めれば、回路接合部における流体の温度を、よって、低下させた温度と、より高い温度との間でほぼ瞬時に調節することができる。
【００１４】
温度に影響を及ぼす手段、及び制御手段が、勾配コイル・システムの各々の別々の部分の温度に異なる度合いで影響を及ぼすことができるように形成された前述の好ましい実施例に特に鑑みれば、勾配コイル・システムの各々の別々の部分において、異なる、温度に影響を及ぼす作用を有するために、別個の回路部分が勾配コイル・システムの別々の部分を通って延びていることが好ましい。
【００１５】
特に、２つの回路部分の一方が主として、サブ勾配コイルのうちの１つ又はいくつかの温度に影響を及ぼすよう備えられる一方、２つの回路部分の他方が主として、結合剤の温度に影響を及ぼすよう備えられる場合に非常に効果的であり得る。なお、サブ勾配コイルは通常、勾配コイル・システムの外側の近くに配置される一方、サブ勾配コイル間にも存在する結合剤は特に、勾配コイル・システムのコア内に存在する。
【００１６】
勾配コイル・システム内で支配的な温度に関する自由度を最大にすることに鑑みれば、好ましくは、温度に影響を及ぼす手段、及び制御手段は、お互いに無関係に、別個の回路部分の能力を制御するよう形成される。なお、温度に影響を及ぼす手段の能力は、流体回路内の流体の温度によってのみならず、流体の流体回路を通る流速によっても変わってくる。
【００１７】
非常に効果的な好ましい実施例によれば、制御手段は、MRI装置によってまだ作成されていない画像について勾配コイル・システムによって必要なエネルギ消費に関するデータに基づいて、この画像の生成前又は生成中に、温度に影響を及ぼす手段の動作を制御するよう形成される。よって、多くの電気エネルギがサブ勾配コイル内で損失されることになり、勾配コイル・システムの温度、特に、その結合素材の温度が上昇する傾向の増大を示すことになるということを予測することができる「高電力」撮像/走査の場合、そうした走査動作を行う前に、冷却能力を、相当に低い流体の温度と、比較的低い電力の走査が凝縮の問題に場合によってはつながりかねないほど低い値に流体回路内の流体の温度が設定されるような度合いまで増大させることが可能であるように、（測定値に反応する代わりに）必要な冷却能力を予想することが考えられる。
【００１８】
更なる好ましい実施例によれば、加熱手段は、接合素材内に電気抵抗線を備える。そうした電気抵抗線によって、接合素材の温度を非常にすばやくかつ効果的に上昇させることが可能になる。
【００１９】
本発明は、検査空間において主磁場を発生させる主磁石システムと、基本的に主磁石システムと検査空間との間に配置され、サブ勾配コイルと、サブ勾配コイルをまとめるガラス温度を備える接合素材とを備える勾配コイル・システムと、勾配コイル・システムの温度を制御する制御手段と、制御手段から発信される制御信号に基づいて勾配コイル・システムの温度に影響を及ぼす、温度に影響を及ぼす手段とを備える磁気共鳴撮像（MRI）装置を作動させる方法に関し、MRI装置の動作中に、制御手段は、勾配コイル・システムの接合素材の温度を、ガラス温度を超える値に制御する。そうした方法によって提供される利点は、本発明によるMRI装置の説明を参照して上記に説明した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の前述及びその他の局面は、以下に記載する実施例から明らかであり、そうした実施例を参照しながら明らかになる。
【実施例】
【００２１】
図１は、閉じた、円筒タイプのＭＲＩ装置の勾配コイル・システム１を示し、このタイプは、当業者に周知のものである。勾配コイル・システム１は、中心線２を備える円筒形状を事実上有し、検査空間は勾配コイル・システムの内側に配置され、この検査空間は、患者の内臓の画像をMRI装置によって生成することができるように、検査対象の患者を収容する役目を担う。外側では、勾配コイル・システム１は、主磁場が検査空間内で発生する主システムによって取り囲まれている。勾配コイル・システム１は基本的に、３つのサブ勾配コイル４、５、６のうちの最外群３と、３つのサブ勾配コイル８，９，１０のうちの最内群７とを備える。これらの群３、７は、特定の距離、間隔があいており、この間隔は、ガラス・ファイバ素材、又は同様なものによって補強されたエポキシ樹脂１１のコアによって埋められており、この素材は、又、サブ勾配コイル間に存在し、これらのサブ勾配コイルを相互接続し、配置する。エポキシ樹脂１１のガラス温度は４０°Cである。
【００２２】
サブ勾配コイル８、９、１０は、３つの直交方向における傾斜磁場を検査空間内の主磁場上に重ね合わせる役目を担う。サブ勾配コイル４、５、６は、サブ勾配コイル８、９、１０によって発生する傾斜磁場を主磁石から遮蔽する役目を担う。サブ勾配コイル４、５、８、９は、円筒形状を併せて画定する実質的に鞍形のエレメントを備える一方、サブ勾配コイル６、１０は各々、螺旋状に巻いた中空管を備える。
【００２３】
サブ勾配コイル６、１０のこれらの管のキャビティーは、サブ勾配コイル６、１０毎に２つの並列の回路部分１２a、１２bを、サブ勾配コイル６、１０の位置で備える流体回路１２の一部を形成する。流体は、ポンプ手段（図示せず）によって流体回路１２を通って流れる。流体の温度と勾配コイル・システム１の温度が異なるものとすれば、エネルギ交換が勾配コイル・システム１内で行われるので、勾配コイル・システム１の温度に、よって、影響を及ぼすことができる。望ましい態様でこのことを行うために、流体回路１２内の流体の温度に関する測定データに基づいて冷却装置１７及び加熱装置１８を制御する制御装置１３が備えられる。冷却装置１７及び加熱装置１８は、流体回路１２の一部を形成する。冷却装置１７内では、流体回路１２が熱交換器の第１の側部を形成し、冷却器２０が組み入れられた、閉じた冷却回路１９が第２の側部を形成する。
【００２４】
本発明に合わせれば、制御装置１３は、勾配コイル・システム１のエポキシ樹脂１１の温度として、（エポキシ樹脂のガラス温度である）４０°Cを超える値、例えば、４５°Cの値が取り入れられるように形成される。エポキシ樹脂１１の温度は、しかし、温度が高すぎる場合にサブ勾配コイル４、５、６、８、９、１０をまとめることがもう十分にできないことがあり得るというリスクが理由で最大値を超えてはならない。ガラス温度を超えると生じる変化の結果、エポキシ樹脂１１は、４０°Cを超える温度でのサブ勾配コイル４、５、６、８、９、１０の振動及び支持構造の振動に関するかなりの減衰特性を有する。
【００２５】
勾配コイル・システム１のエポキシ樹脂１１の温度は、原則的に、勾配コイル・システム１のエポキシ樹脂１１に接続される熱対によって直接測定することができるが、しかし、熱対１６による勾配コイル・システム１の入力と、熱対１４，１５による勾配コイル・システム１の出力とでの流体の温度の測定によって判定することもでき、経験的に判定されてもされなくてもよい適切なモデルを利用する。
【００２６】
図２は、検査空間内に中心線３２を有する、閉じた、円筒タイプのMRI装置の勾配コイル・システム３１を示す。この勾配コイル・システムは、図１に示す勾配コイル・システム１に概ね相当し、３つのサブ勾配コイル３３、３４、３５の最外群４０と、３つの勾配コイル３６、３７、３８の最内群４１が備えられ、サブ勾配コイルはエポキシ樹脂素材３９に埋め込まれ、エポキシ樹脂素材３９によってまとめられる。勾配コイル・システム３１の温度に影響を及ぼすために、部分的に、螺旋形状のサブ勾配コイル３５、３８のキャビティーを通って延びる流体回路４８が備えられる。
【００２７】
この目的で用いる制御システムは、とりわけ、勾配コイル・システムの外側に配置された２つの並列の回路部分４２、４３も備えるという点で、図１に示す実施例とは異なる。回路部分４２は、冷却器５３によって冷却され、冷却装置４４から流出する流体の温度が、比較的低い値、例えば５°Cを必ず有するようにする冷却装置４４を備える。回路部分４３は、加熱装置４５を流出する流体が、比較的高い値、例えば７０°Cを必ず有するようにする加熱装置４５を備える。２つの回路部分４２、４３は、勾配コイル・システム３１から比較的短い距離、手前で、一方の、回路部分４２から流出する流体の量と、他方の、回路部分４３から流出する流体の量との間の比率を混合弁の位置によって調節することを可能にする制御可能な混合弁４６の位置で接触する。混合弁４６の位置は、勾配コイル・システムのエポキシ樹脂について少なくとも４０°Cの温度を得るための、混合弁４６の所要位置を、少なくとも、熱対４８、４９、５０による温度測定によって判定する制御装置４７から発信される制御信号によって制御される。熱対５０、５１はエポキシ樹脂素材３９のコア内に配置されているので、その温度を直接判定することができる。熱対４９は、勾配コイル・システム３１の、検査空間を向いている側に配置される。上記位置での温度については、特に、勾配コイル・システム３１から放出される許容可能でない放射熱に検査空間内の患者が露出されることを排除することが重要である。
【００２８】
更に、制御装置４７から混合弁４６への制御信号が、生成する対象の画像に関する情報によっても変わってくるということが本発明の範囲内で考えられる。画像が生成される前に、原則的に、サブ勾配コイルを通って流れる電流によって勾配コイル・システム３１内で放出されることになるエネルギ量が分かっており、その結果、例えば、原則的に、勾配コイル・システム３１の、平均を超える温度上昇を期待できる相対的に「高い電力の」撮像動作の場合に、勾配コイル・システム３１に流入する際に流体回路４８内の流体に、特に低下させた温度、又は少なくとも（、流体の流速を増加させることによっても達成することができる、）冷却能力の増大を用いることによってこのことを予想することが可能である。相対的に「低い電力の」走査動作の場合、そのように増大させた冷却能力を用いることによって、勾配コイル・システム３１の外側の表面上の凝縮をもたらし得る。
【００２９】
特に、勾配コイル・システム３１の直ぐ手前に配置されるので、混合弁４６を加えることによって、混合弁４６に先行する２つの回路部分４２、４３内の各々の温度間で、勾配コイル・システム３１に流入する流体の温度を非常に急速に変動させることが可能になる。このことは、特に、撮像処理の始めでは好ましいものであり得るが、それは、その処理の前は、４０°Cを超える温度を勾配コイル・システムのエポキシ樹脂５２として取り入れるようにするために勾配コイル・システム３１を加熱する必要があり得る一方、撮像処理の開始直後では、その温度が望ましくないほど高い値に上昇することを排除するよう勾配コイル・システム３１を冷却する必要があるからである。画像が生成された直後、勾配コイル・システム３１に流入する流体の温度は、勾配コイル・システム３１の温度が低すぎる状態になることと、よって凝縮とを排除するために急速に上昇しなければならない。
【００３０】
図３に示す実施例は、勾配コイル・システム７４の中空の、螺旋形状のサブ勾配コイル７２、７３を通って延びる流体回路７１の傍らに第２の流体回路７７を備える。第２の流体回路７７は、勾配コイル・システム７４のエポキシ樹脂７８を通って延びる。第２の流体回路７７は、第２の冷却装置７９と、加熱装置８０とを備える。冷却装置７５及び７９は、冷却器８５によって冷却される。第２の冷却装置７９の能力と、加熱装置８０の能力は、熱対８１、８２、８３、８４による温度測定によって部分的に変わってくるように制御装置７６によって制御される。そうした実施例によって達成することができる重要な利点は、勾配コイル・システム７４の温度を、その種々の部分を区別できるように制御できるという点にある。よって、例えば、勾配コイル・システム７４の中央にあるエポキシ樹脂７８として、勾配コイル・システム７４の、検査空間を向いている側よりもかなり高い温度を取り入れるようにすることができる。
【００３１】
図４に示す実施例は、図３に示す実施例に部分的に相当する。よって、該当する場合、図４では、同様な参照数字を図３中のように用い、図４の説明の範囲において、その更に詳細な説明は省略する。図３に示す実施例と、図４に示す実施例との間の最も重要な差は、特にエポキシ樹脂７８、更に具体的には、そのコアの温度に影響を及ぼすのに用いる第２の流体回路７７が、電流源９０を用いる電気加熱システムによって置き換えられるという点にある。電流回路が電流源９０に接続され、その電流回路は、部分的に、エポキシ素材７８のコアを通って延び、適切な電流が抵抗線を通過すると、熱を発生し、よって、エポキシ素材７８を加熱することができる電気抵抗線によってそこに形成される。抵抗線は、エポキシ素材７８内を基本的に２つのループ９１、９２の形態で延び、この線は、電流源までつながっており、戻り線は、抵抗線自体が発生しかねない画像妨害磁場を排除するよう、対にする、例えば巻き合わせるように備える。当然、本発明の範囲内で３つ以上のループ、又は単一のループを、あるいは、組み入れ得る。
【００３２】
上記では、本発明を、本発明の範囲を限定するものとして解されないこととする実施例によって説明した。多くの変形が本発明の範囲内で考えられる。例えば、サブ勾配コイルの一部を構成する流体回路の代わりに、あるいは、例えば、２層のサブ勾配コイルの間に延びる別個の冷却/加熱線を利用することができる。更に、勾配コイル・システムの加熱は、必要な場合、勾配コイル・システムに暖かい流体を通すことにより、又は、勾配コイル・システムに組み入れられている別個の電気抵抗加熱エレメントを用いることにより勾配コイル・システムを加熱するかわりに、画像を生成するのに用いられていない場合に電気抵抗加熱エレメントとしての役割を果たすサブ勾配コイル自体によって構成される加熱エレメントを用いることによって達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明によるMRI装置の第１の実施例の略図である。
【図２】本発明によるMRI装置の第２の実施例の略図である。
【図３】本発明によるMRI装置の第３の実施例の略図である。
【図４】本発明によるMRI装置の第４の実施例の略図である。
【図１】
2007512073.tif 000003
【図２】
2007512073.tif 000004
【図３】
2007512073.tif 000005
【図４】
2007512073.tif 000006
【国際調査報告】
2007512073.tif 000007
2007512073.tif 000008