(57)【要約】冷却システムのための温度設定点調節及び環境温度測定システム、監視のための温度検出アッセンブリ(1)および温度設定点を調節し環境温度を測定する方法が記載される。冷却システムのための温度設定点調節および環境温度測定のシステムは、検出アッセンブリ(1)および処理ユニット(20)からなり、検出アッセンブリ(1)は、コイル(2)およびコイル(2)と取り外し可能に接続される相互作用素子(3)からなる。コイル(2)は、サンプリング電圧(Vp)が印加されていて、また抵抗値(Rs)を有している。このシステムは、コイル(2)の前記抵抗値(Rs)の変化から環境温度(Tｓ)を測定する。環境温度（Ts)の温度設定点の調節は、コイル(2)での相互作用素子の変位により行い、この温度設定点の調節は、コイル(2)のインダクタンス（Ls)の変化から処理ユニット(20)により監視されている。
2007512597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却システムのための温度設定点調節及び環境温度測定システムであって、
検出アッセンブリ(1)と、処理ユニット(20)とからなり、
前記検出アッセンブリ(1)は、コイル(2)と、相互作用素子(3)とからなり、前記コイル(2)と前記相互作用素子(3)は、相互に取り外し可能に結合されていて、前記コイル(2)には、サンプリング電圧(Vp)が印加され、前記コイル(2)は抵抗値(Rs)を有し、
前記コイル(2)の抵抗値(Rs)の変化から環境温度(Ts)を測定し、
前記コイル(2)に対して前記相互作用素子(3)を変位することにより得られた、前記コイル(2)のインダクタンス(Ls)の変化から、前記冷却システムの温度設定点を決める
システム。
【請求項２】
前記コイル(2)は、抵抗値が温度とともに変わる材料から作られていることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
【請求項３】
前記相互作用素子(3)が高透磁率の強磁性材料であることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
【請求項４】
前記相互作用素子(3)が電気伝導性材料であることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
【請求項５】
前記相互作用素子(3)は前記コイル(2)の内部に相対的に変位することを特徴とする請求項３または４に記載されたシステム。
【請求項６】
前記検出アッセンブリ(1)はさらに調節軸(5)を備えることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
【請求項７】
前記調節軸(5)は前記相互作用素子(3)の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項６に記載されたシステム。
【請求項８】
前記調節軸(5)はその表面にねじ山が刻まれていることを特徴とする請求項７に記載されたシステム。
【請求項９】
前記調節軸(5)は取っ手(4)に結合されていることを特徴とする請求項８に記載されたシステム。
【請求項１０】
前記取っ手(4)がノブであることを特徴とする請求項９に記載されたシステム。
【請求項１１】
前記相互作用素子(3)は、通し孔が設けられかつ内部にねじ山が刻まれている材料を備えることを特徴とする請求項３に記載されたシステム。
【請求項１２】
前記コイル(2)は案内・調節装置(2a)の近くに取り付けられることを特徴とする請求項１に記載されたシステム。
【請求項１３】
前記案内・調節装置(2a)は、端部に境界部を有する円筒本体(2b)を備えることを特徴とする請求項１２に記載されたシステム。
【請求項１４】
前記相互作用素子(3)は前記案内・調節装置(2a)の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項１３に記載されたシステム。
【請求項１５】
コイル(2)と相互作用素子(3)とからなる検出アッセンブリであって、
前記コイル(2)と前記相互作用素子(3)は、相互に取り外し可能に結合されていて、
前記コイル(2)にはサンプリング電圧(Vp)が印加されて、前記コイル(2)は抵抗値(Rs)を有する
検出アッセンブリ。
【請求項１６】
前記コイル(2)は、温度とともに抵抗値が変わる材料から作られていることを特徴とする請求項１５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１７】
前記相互作用素子(3)は高透磁率の強磁性材料であることを特徴とする請求項１５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１８】
前記相互作用素子(3)は電気伝導性材料であることを特徴とする請求項１５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１９】
前記相互作用素子(3)は、前記コイル(2)の内部に対して変位することを特徴とする請求項１５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２０】
前記調節軸(5)を備えることを特徴とする請求項１５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２１】
前記調節軸(5)は強磁性材料の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項２０に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２２】
前記調節軸(5)はねじ山が刻まれていることを特徴とする請求項２１に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２３】
前記調節軸(5)は取っ手(4)に結合されていることを特徴とする請求項２２に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２４】
前記取っ手(4)がノブであることを特徴とする請求項２３に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２５】
前記相互作用素子(3)は、通し孔が設けられかつねじ山が刻まれている材料を備えることを特徴とする請求項２４に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２６】
前記コイル(2)は、案内・調節装置(2a)の近くに取り付けられることを特徴とする請求項２５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２７】
前記案内・調節装置(2a)は、円筒体(2b)とその両端での境界部(2c)を備えることを特徴とする請求項２６に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２８】
前記相互作用素子(3)は、前記案内・調節装置(2a)の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項２７に記載された検出アッセンブリ。
【請求項２９】
冷却システムの温度設定点を調節し、環境温度(Ts)を測定する方法であって、
コイル(2)と直列に接続される既知の抵抗値の抵抗体に既知のサンプリング電圧(Vp)を印加し、
第１測定時間(t1)と第２測定時間(t2)の後で前記コイル(2)で得られる電圧を測定し、
前に測定された第１測定時間(t1)と第２測定時間(t2)での電圧測定から前記コイル(2)の抵抗(Rs)と可変インダクタンス(Ls)を決定する
方法。
【請求項３０】
抵抗(Rs)と可変インダクタンス(Ls)の決定が処理ユニット(20)により行われることを特徴とする請求項２９に記載された方法。
【請求項３１】
前記コイル(2)の可変インダクタンス(Ls)の決定が、予め決められた第１測定時間(ｔ１)の経過後に行われることを特徴とする請求項３０に記載された方法。
【請求項３２】
前記コイル(2)の抵抗値(Rs)の決定が、予め決められた第２測定時間(ｔ２)の経過後に行われることを特徴とする請求項３０に記載された方法。
【請求項３３】
前記抵抗値(Rs)の決定において、環境温度(Ts)の値が得られ、前記可変インダクタンス（Ls)の決定において、温度設定点の調節が行われることを特徴とする請求項３０に記載された方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷却システムの温度設定点を調節して環境における温度を測定するシステム、冷却されるべき内部環境を監視して温度設定点の調節を可能にするシステム、冷却システムの温度設定点を調節して環境における温度を測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば冷却システム、冷却器（クーラー）、または、空調設備により冷却された部屋、の内部環境の温度を制御するため、これらは、環境の内部温度の設定点を調節する装置を備える。この装置は、使用者の要求により、冷却された環境内で、この大きさの増加または減少を調整するように設計されている。
【０００３】
現在市販されている冷却システムは、基本的に、温度を調節し制御するための少なくとも２個の素子を備える電子温度制御システムを備える。
【０００４】
この２個の素子は温度センサとポテンショメータである。温度制御器は、冷却されるべき環境の中に取り付けられ、通常は、抵抗値が温度とともに減少する負温度係数(NTC)型抵抗体であり、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化クロムなどの半導体からなる。ポテンショメータは、所望の温度値に調節するために用いる。
【０００５】
この種のシステムの２つの大きな欠点は、温度を測定するための比較的高価な半導体素子(NTC)と摺動ポテンショメータの使用である。なぜなら、摺動ポテンショメータは、摺動体とトラックの間の機械的接触のため特に高湿度の環境において故障しやすい。
【０００６】
温度設定点の調節の別の方法は、たとえばデジタル的な方法を用いる。これは、ポテン書メータを用いるときの問題を解消するが、そうであったとしても、２つの異なる素子が、調節機能と測定機能のために使用されねばならず、これは、最終的に得られる製品の市販価格を高くする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、冷却器の温度を測定し温度設定点を調節するシステムと、冷却されるべき環境における温度を監視する検出アッセンブリと、温度を測定する方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
発明の目的は、冷却器の温度を測定し温度設定点を調節するシステムを用いて達成される。このシステムは、コイル（１組の複数巻きの導体）と相互作用素子とからなる検出アッセンブリを備え、コイルと相互作用素子とは、相互に取り外し可能に結合されている。コイルには、サンプリング電圧が印加され、また、コイルは抵抗値を有する。このシステムは、コイルの抵抗値の変化から環境温度を測定し、コイルに対して相互作用素子を変位することにより得られたコイルのインダクタンスの変化から、冷却システムの温度設定点を決める。検出アッセンブリは、たとえば、内部環境、たとえば、冷却器に曝されているように位置される。
【０００９】
発明の第２の目的は、コイルと相互作用素子とからなる検出アッセンブリを提供することである。この検出アッセンブリでは、コイルと相互作用素子とは、相互に取り外し可能に結合されていて、コイルには、サンプリング電圧が印加され、また、コイルは抵抗値を有する。
【００１０】
発明の第３の目的は、冷却器の温度を測定し温度設定点を調節する測定方法を提供することである。この方法は、
コイルと直列に接続される既知の抵抗値の抵抗体に既知のサンプリング電圧を印加し、
次に、第１測定時間と第２測定時間の後でコイルで得られる電圧を測定し、
次に、前に測定された第１測定時間と第２測定時間での電圧測定からコイルの抵抗と可変インダクタンスを決定する。
【発明の効果】
【００１１】
発明の種々の効果のうち、以下が挙げられる。
（１）１つのシステムを用いることにより環境の温度を測定し、冷却器の温度設定点を超セルすること。
（２）温度設定点の調節のシステムにおいてポテンショメータを使用しないこと。
（３）機械的摩耗なしでの耐湿性。
（４）処理ユニットと検出アッセンブリとの間の結合の数の減少。
（５）温度測定のための半導体素子を用いず、最終製品の価格を低くすること。
（６）キーと表示等を用いるデジタル的な方法などの、高価な装置を必要としない簡単な解釈システム。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付の図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
図１に示すように、冷却器の温度を測定し温度設定点を調節する本発明のシステム１０は、検出アッセンブリ１と処理ユニット２０からなる。
【００１３】
検出アッセンブリ１は、（１組の複数回巻線である）コイル２と、強磁性材料または電気伝導性材料からなる相互作用素子３とからなる。相互作用素子３は、コイル２と取り外し可能に結合される。コイル２には、サンプリング電圧Vpが印加され、また、コイル２は、温度と可変インダクタンスLsに依存する抵抗値Rsを有する。検出アッセンブリ１は、さらに、調節軸５、取っ手４および案内調節装置２ａを備える。案内調節装置２ａは、円筒状本体２ｂを備え、本体２ｂは、その両端に境界部２ｃを備え、コイル２は、案内調節装置２ａの表面に境界部２ｃの間に装備される。
【００１４】
相互作用素子３は、高透磁率の強磁性材料または電気伝導性材料から製造される。好ましくは、相互作用素子３は、強磁性材料からなり、円筒状本体を備え、さらに内側にねじ山が刻まれていて、調節軸５のねじ山が刻まれた表面と相互に係合する。
【００１５】
複数の実施の形態で、取っ手４、好ましくはノブ、が使用される。ノブの代わりに別の同等なものを用いてもよい。
【００１６】
相互作用素子３の形状は、上述の円筒形状に加えて、コイル２に対して軸方向に変位可能であれば、他の形状であってもよい。相互作用素子３と案内調節装置２ａとの相互作用のために、明らかに、相互作用素子３の直径は、案内調節装置２ａの本体の内径より小さくなければならない。
【００１７】
案内調節装置２ａ、相互作用素子３および調節軸５は、後で説明するように、動作するように軸方向に組み立てられる。
【００１８】
取っ手４が作動されるとき、調節軸５が回転されて、案内調節装置２ａの円筒状本体２ｂの内側で相互作用素子３を軸方向に変位させる。案内調節装置２ａは、たとえば、冷却器（クーラー）のキャビネットの内部領域に固定される。
【００１９】
相互作用素子３の変位につれ、案内調節装置２ａ内の充填領域が変化し、取っ手４の回転に応じて変わる。
【００２０】
ねじ山が刻まれた調節軸５の代わりに、案内調節装置２ａに対して相互作用素子３を変位する他の方法も使用できる。たとえば、ねじ山が刻まれた調節軸５を用いずに、相互作用素子３を自由に動かす方法、または、案内調節装置２ａの内部での相互作用素子３の直接の変位も使用できる。
【００２１】
本発明の教えによって、検知アッセンブリ１は種々の形で具体化できる。すなわち、コイル２と相互作用素子３とは、その形状に制限されることなく、相対的に移動できなければならない。
【００２２】
そのような移動は、半径方向、軸方向、垂直方向、または、相対的運動がコイルにより生成される磁束線の通路に影響してインダクタンスＬｓに影響する任意の配置であればよい。
【００２３】
検知アッセンブリ１の動作において、サンプル用の電圧Ｖｐがコイル２に印加されるが、その値は一定である。こうして、検知アッセンブリ１の外側で、電流値Ｉが得られる。電流値Ｉは、案内調節装置２ａのコイル２に対する相互作用素子３の位置により変わり、また、検知アッセンブリ１の温度Ｔｓにより変わる。その代わりに、案内調節装置２ａは、相互作用素子３に対して変位できる。
【００２４】
案内調節装置２ａの内部での強磁性相互作用素子３の充填領域が大きいほど、コイル２の可変インダクタンスＬｓがより大きくなり、また、ある時間間隔での検知アッセンブリ１の等価回路１’による電流Ｉの変化がより小さくなる。逆に、強磁性相互作用素子３が案内調節装置２ａ内でより小さい領域を占めるとき、可変インダクタンスＬｓがより小さくなり、したがって、同じ時間間隔での検知アッセンブリ１の等価回路１’による電流Ｉの変化がより大きくなる。
【００２５】
検知アッセンブリ１の第２の実施形態において、図６に示されるように、相互作用素子３は、電気伝導性材料で製造される。この場合、コイル２により生成される磁界の線と相互作用素子３により誘起される電流との間の相互作用により、コイル２に対して近接するほど、可変インダクタンスＬｓがより小さくなる。
【００２６】
もし電気伝導性材料の相互作用素子３がコイル２からさらに離れるなら、可変インダクタンスＬｓがより大きくなり、電流Ｉは、前に説明したのと同様に変化する。第１の実施の形態において説明した相互作用素子３の取付の形態は、電気伝導性材料が使用されるときも用いられる。すなわち、コイル２は、電気伝導性材料と相互作用し、調節軸５は、いずれかの部分を動かすために使用できる。
【００２７】
コイル２の可変インダクタンスＬｓは、ある時間間隔でコイル２の出力電流Ｉに比例して計算される。可変インダクタンスＬｓの大きさを決めるため、案内調節装置２ａの寸法パラメータ（長さ、厚さ、コイル巻線の数、コアの位置など）が採用されねばならない。
【００２８】
使用者により取っ手４を用いて決定される相互作用素子３の位置を例外として、すべての他のパラメータは固定されており、したがって、調節位置は、案内調節装置２ａの可変インダクタンスＬｓを検出することにより決定できる。案内調節装置２ａは、さらに、巻線の電気抵抗により特徴づけられる。この電気抵抗は、長さ、断面積および使用される材料の抵抗率の関数である。
【００２９】
環境の温度Ｔｓとともに変化する抵抗率を例外として、他のパラメータは時間及び外部条件とともに変化する構造的因子であるので、コイル２の抵抗値Ｒｓが分かっていると、環境の温度Ｔｓは、下記の式（１）により容易に決定できる。
【数１】
2007512597.tif 000003
ここで、Ｒｓ＝環境の温度Ｔｓでのコイル２の抵抗値、
Ｒｏ＝既知の温度Ｔｏでのコイル２の抵抗値、
α＝材料の温度係数（データシートに表として記載されている）、
Ｔｓ＝環境の現在の温度、
Ｔｏ＝抵抗Ｒｏでの環境の温度。
または、逆に、
【数２】
2007512597.tif 000004
【００３０】
図２は、検知アッセンブリ１のための理論的モデルを示す。ここで、抵抗値Ｒｓは、冷却器の内部の環境の温度ＴＳに比例するコイル２の抵抗値を表し、可変インダクタンスＬｓは、コイル２に対する相互作用素子３の位置に比例する案内調節装置２ａのインダクタンスを表す。したがって、温度の設定点の調節の温度の測定は、コイル２の抵抗ＲＳと可変インダクタンスＬＳを測定するためのものであり、これらの測定値は、処理ユニット２０により解釈される。
【００３１】
図３は、環境の温度Ｔｓの測定と使用者によりなされる設定点の調節のためのシステム１０の基本的トポロジーを示す。周期的に、処理ユニット２０は、点Ａで既知のサンプリング電圧ＶＰを印加し、予め決められた時間にアナログ／デジタル変換器を用いて点Ｂで電圧を測定する。点Ｂでの測定電圧は、点Ａでの電圧印加の後で、次の式（３）で与えられる。
【数３】
2007512597.tif 000005
ここで、ＶＢ＝点Ｂでの電圧、
ＶＰ＝点Ａに印加されるサンプリング電圧、
Ｒ＝検出素子と直列の抵抗値、
ＲＴ＝検出素子の抵抗値ＲＳに加えられる抵抗値、
τ＝等価回路１’の時定数（Ｌ／ＲＴ）。
【００３２】
図４は、１例として、検出アッセンブリ１の異なるインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３のための３つの仮定的状況を示す。ここで、使用者は温度設定点で複数の異なる調整をし、その結果、相互作用素子３の位置と検出アッセンブリ１の可変インダクタンスＬＳを変えている。ここで、環境の温度ＴＳは変わらないと考えている。各々の調節位置、したがって、可変インダクタンスＬｓの値のそれぞれについて、処理ユニット２０は異なる値（図４の例ではＶ１，Ｖ２，Ｖ３）を読む。同じグラフに示される３つの曲線は、３つの異なる独立した測定を表し、温度設定点の調節における複数の変化に対して点Ｂで読まれた電圧ＶＢの挙動を示す。
【００３３】
図５は、１例として、検出アッセンブリ１の異なる抵抗値ＲＳのための３つの仮定的状況を示す。ここで、相互作用素子３の位置、したがって、可変インダクタンスＬｓが変えられていないと考えている。すなわち、使用者によりなされた温度設定点の同じ調節について、システムは、異なる環境温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３を読む。測定された環境温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３、したがって各々の抵抗値ＲＳについて、処理ユニット２０は、異なる電圧値（図４の例ではＶ１，Ｖ２，Ｖ３）を読む。同じグラフに示される３つの曲線は、３つの異なる独立した測定を表し、検出アッセンブリ１の異なる環境温度ＴＳにおいて点Ｂで読まれた電圧の挙動を示す。
【００３４】
図４と図５に示されたグラフは、それぞれ、温度設定点の調節と環境温度ＴＳの変化の状況の例を示す。しかし、このような状況は同時に起こることがある。したがって、２つのデータ測定は異なる測定時間、第１測定時間ｔ１と第２測定時間ｔ２、でなされる。第１測定時間ｔ１での第１の測定は、検出アッセンブリ１の可変インダクタンスＬＳ、したがって、使用者による設定点の調節を決める機能を有し、第２測定時間ｔ２における第２の測定は、検出アッセンブリ１の抵抗値ＲＳ、したがって、検出アセンブリ１が存在する環境の温度ＴＳを決める機能を有する。
【００３５】
図４は、最小インダクタンスＬｍｉｎと最大抵抗値Ｒｍａｘの比が第１測定時間ｔ１（より短い時間に含まれる）に得られるという依存関係が適用されるときの第１測定時間ｔ１の時点を示している。この時間は、相互作用素子３が全く回路の外に出ていて、検出アッセンブリ１の最大抵抗値Ｒｍａｘが検出アッセンブリ１について期待される最大環境温度で測定されるとき、検出アッセンブリ１の可能な最小インダクタンスＬｍｉｎを考慮して、処理ユニット２０のプログラム処理の間に決められる。
【００３６】
こうして、相互作用素子３の位置はコイル２の内部で決定できる。すなわち、使用者により選択された位置は、インダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３の３つの測定例において後で分かるように、可変インダクタンスＬＳの測定を特徴づける。
【００３７】
インダクタンスＬ３が測定される第１の状況において、第１電圧測定値Ｖ１についてサンプリング電圧ＶＰの急速な減少は、等価回路１’を流れる電流Ｉによるものであることがわかる。こうして、コイル２の可変インダクタンスＬＳはこの第１測定時間ｔ１で等価回路１’と干渉しないので、相互作用素子３がたとえば全くコイル２の外にあることが決定できる。
【００３８】
インダクタンスＬ２が測定される第２の状況において、インダクタンスＬ３の測定の第１の例と同じ第１測定時間ｔ１の経過の後で、第２電圧測定値Ｖ２について、サンプリング電圧ＶＰからのよりゆるやかな減少がある。ここで、たとえば、コイル２の内部で相互作用素子３の領域の５０％の挿入が決定できる。この例では、電流Ｉが第１の測定に比べて減少するので、コイル２の可変インダクタンスＬＳの干渉があることがわかる。
【００３９】
インダクタンスＬ１が測定される第３の状況において、インダクタンスＬ３の測定の第１及び第２の例と同じ第１測定時間ｔ１の経過の後で、第３電圧測定値Ｖ３へのサンプリング電圧ＶＰからのよりゆるやかな減少がある。ここで、等価回路１’は、より低い電流Ｉでより遅くなるので、相互作用素子３は、たとえば全くコイル２の中にあり、より低い電流値Ｉとともにより高い可変インダクタンスＬＳを生じる。
【００４０】
こうして、３つの電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３だけで、相互作用素子３のコイル２に対する位置が決定できる。
【００４１】
可変インダクタンスＬＳの値が得られたなら、処理ユニット２０は、たとえば冷却器のコンプレッサの容量について作動できる使用者により負わされた温度値を計算する。
【００４２】
検出アッセンブリ１の抵抗値ＲＳは、第２測定時間ｔ２の後に処理ユニット２０の点Ｂでの電圧ＶＢのサンプルを測定することにより得られる。この第２測定時間ｔ２は、検出アッセンブリ１の等価回路１’の最長の時定数のほぼ５倍であるべきである。この第２測定時間ｔ２は、検出アッセンブリ１の可能な最大インダクタンスＬｍａｘを考慮して、処理ユニット２０のプログラム処理において決められる。最大インダクタンスＬｍａｘは、相互作用素子３の全体が回路の中に挿入されるときに、検出アッセンブリ１の最小抵抗値ＲＳが検出素子１について予想される最低環境温度ＴＳで測定される。第２測定時間ｔ２は、強磁性素子３の電流Ｉにおけるほぼ永続的な体制を保証するために、最長時定数の約５倍であるとして規定される。
【００４３】
いずれにせよ、第２測定時間ｔ２の値は、等価回路１’がほぼ永続的体制で動作するように、すなわち、測定電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が時間に対して一定であるように、十分長くなければならない。抵抗値ＲＳが検出されると、処理ユニット２０は、システム１０が動作しているときの環境温度ＴＳを決定できる。
【００４４】
このシステムが永続的体制で動作することを考えると、検出アッセンブリ１の抵抗値は以下の式（４）で表される。
【数４】
2007512597.tif 000006
【００４５】
電圧ＶＡと抵抗Ｒが既知であるので、電圧ＶＢの値を用いて、処理ユニット２０は、検出アッセンブリ１の抵抗値ＲＳを直接に計算し、前に説明したように、環境温度の値ＴＳも計算する。図５は、異なる温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の測定のいくつかの例を示す。
【００４６】
環境温度ＴＳが計算されると、処理ユニット２０は、その値を、使用者により課された温度（設定点）と比べる。
【００４７】
測定を行うために、本発明は、さらに、上述のシステム１０の抵抗値ＲＳと可変インダクタンス値ＬＳを測定する方法を提供する。
【００４８】
この測定方法は、コイル２に既知のサンプリング電圧ＶＰを印加することと、第１測定時間ｔ１と第２測定時間ｔ２の後で点Ｂでの電圧ＶＢを処理ユニット２０により決めることからなる。
【００４９】
この後で、コイル２の可変インダクタンスＬＳの値と抵抗ＲＳの値が、第１測定時間ｔ１と第２測定時間ｔ２で行われた電圧ＶＢの測定から決定される。第１測定時間ｔ１の処理の後でコイル２の可変インダクタンスＬＳを得、第２測定時間ｔ２の経過の後でのコイル２の抵抗値ＲＳを得る。
【００５０】
この方法では、さらに、抵抗値ＲＳを検出するステップにおいて、環境温度ＴＳの値が得られ、そして、可変インダクタンスＬＳを得るステップにおいて、温度設定点の調節が行われる。
【００５１】
好ましい実施の形態が以上に説明されたが、理解されるべきことは、本発明の範囲は他の可能な変形も含んでいて、可能な均等物を含む添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の検出アッセンブリの分解図
【図２】本発明の検出アッセンブリの等価回路の単純化された電気回路図
【図３】本発明のシステムの電気回路図
【図４】本発明の検出アッセンブリの測定例を示すグラフ（ここでシステムの温度は一定である）
【図５】本発明の検出アッセンブリの測定例を示すグラフ（ここでシステムのインダクタンスは一定である）
【図６】本発明の第２の検出アッセンブリの分解図
【符号の説明】
【００５３】
１  検出アッセンブリ、    ２  コイル、    ２ａ  記案内・調節装置、    ２ｂ  円筒体、    ２ｃ  境界部、    ３  相互作用素子、    ４  取っ手、    ５  調節軸、    ２０  処理ユニット、    ｔ１  第１測定時間、    ｔ２  第２測定時間、    ＲＳ  コイルの抵抗、    ＬＳ  可変インダクタンス。
【図１】
2007512597.tif 000007
【図２】
2007512597.tif 000008
【図３】
2007512597.tif 000009
【図４】
2007512597.tif 000010
【図５】
2007512597.tif 000011
【図６】
2007512597.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１組の複数巻線からなるコイル(2)と、使用者により調節可能な相互作用素子(3)とからなる検出アッセンブリであって、
前記コイル(2)と前記相互作用素子(3)は、相互に取り外し可能に結合され、
前記コイル(2)にはサンプリング電圧(Vp)が印加され、前記コイル(2)は抵抗値(Rs)を有し、
前記検出アッセンブリは、環境の温度(Ts)の測定に使用可能であり、冷却システムの温度設定点を決定し、
環境の温度(Ts)は、前記コイル(2)の抵抗値(Rs)の変化から測定され、冷却システムの温度設定点は、コイル(2)に対して前記相互作用素子(3)を変位することによりコイル(2)のインダクタンス(Ls)から決定される
検出アッセンブリ。
【請求項２】
前記コイル(2)は、温度とともに抵抗値が変わる材料から作られていることを特徴とする請求項１に記載された検出アッセンブリ。
【請求項３】
前記相互作用素子(3)は高透磁率の強磁性材料であることを特徴とする請求項１に記載された検出アッセンブリ。
【請求項４】
前記相互作用素子(3)は電気伝導性材料であることを特徴とする請求項１に記載された検出アッセンブリ。
【請求項５】
さらに調節軸(5)を備えることを特徴とする請求項１に記載された検出アッセンブリ。
【請求項６】
前記調節軸(5)は強磁性材料の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項５に記載された検出アッセンブリ。
【請求項７】
前記調節軸(5)はねじ山が刻まれていることを特徴とする請求項６に記載された検出アッセンブリ。
【請求項８】
前記調節軸(5)は取っ手(4)に結合されていることを特徴とする請求項７に記載された検出アッセンブリ。
【請求項９】
前記取っ手(4)がノブであることを特徴とする請求項８に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１０】
前記相互作用素子(3)は、通し孔が設けられかつねじ山が刻まれている材料を備えることを特徴とする請求項９に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１１】
前記コイル(2)は、案内・調節装置(2a)の近くに取り付けられることを特徴とする請求項１０に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１２】
前記案内・調節装置(2a)は、円筒体(2b)とその両端での境界部(2c)を備えることを特徴とする請求項２６に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１３】
前記相互作用素子(3)は、前記案内・調節装置(2a)の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項１２に記載された検出アッセンブリ。
【請求項１４】
冷却システムのための温度設定点調節及び環境温度(Ts)測定システムであって、
検出アッセンブリ(1)と、処理ユニット(20)とからなり、
前記検出アッセンブリ(1)は、複数巻きのコイル(2)と相互作用素子(3)とからなり、前記コイル(2)と前記相互作用素子(3)は、相互に取り外し可能に結合されていて、前記コイル(2)には、サンプリング電圧（Vp)が印加され、また前記コイル(2)は抵抗値(Rs)を有し、
前記コイル(2)の前記抵抗値(Rs)の変化から環境温度(Tｓ)を測定し、
前記コイル(2)に対して前記相互作用素子(3)を変位することにより得られた、前記コイル(2)のインダクタンス(Ls)の変化から、前記冷却システムの温度設定点を決める
システム。
【請求項１５】
前記コイル(2)は、抵抗値が温度とともに変わる材料から作られていることを特徴とする請求項１４に記載されたシステム。
【請求項１６】
前記相互作用素子(3)が高透磁率の強磁性材料であることを特徴とする請求項１４に記載されたシステム。
【請求項１７】
前記相互作用素子(3)が電気伝導性材料であることを特徴とする請求項１４に記載されたシステム。
【請求項１８】
前記相互作用素子(3)は前記コイル(2)の内部に対して変位することを特徴とする請求項１６または１７に記載されたシステム。
【請求項１９】
前記検出アッセンブリ(1)は調節軸(5)を備えることを特徴とする請求項１８に記載されたシステム。
【請求項２０】
前記調節軸(5)は前記相互作用素子(3)の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項１９に記載されたシステム。
【請求項２１】
前記調節軸(5)はその表面にねじ山が刻まれていることを特徴とする請求項２０に記載されたシステム。
【請求項２２】
前記調節軸(5)は取っ手(4)に結合されていることを特徴とする請求項２１に記載されたシステム。
【請求項２３】
前記取っ手(4)がノブであることを特徴とする請求項２２に記載されたシステム。
【請求項２４】
前記相互作用素子(3)は、通し孔が設けられかつ内側にねじ山が刻まれている材料を備えることを特徴とする請求項１６に記載されたシステム。
【請求項２５】
前記コイル(2)は案内・調節装置(2a)の近くに取り付けられることを特徴とする請求項１４に記載されたシステム。
【請求項２６】
前記案内・調節装置(2a)は、端部に複数の境界部を有する円筒本体(2b)を備えることを特徴とする請求項２５に記載されたシステム。
【請求項２７】
前記相互作用素子(3)は前記案内・調節装置(2a)の内部に軸方向に入ることを特徴とする請求項２６に記載されたシステム。
【請求項２８】
冷却システムの温度設定点を調節し、環境温度(Ts)を測定する方法であって、
コイル(2)と直列に接続される既知の抵抗値の抵抗体に既知のサンプリング電圧(Vp)を印加し、
あらかじめ決められた第１測定時間(t1)と第２測定時間(t2)の後に前記コイル(2)で得られる電圧を測定し、
第１測定時間(t1)と第２測定時間(t2)とでの電圧測定から前記コイル(2)の抵抗(Rs)と可変インダクタンス(Ls)とを決定して、抵抗(Rs)から環境温度(Ts)を求め、インダクタンス(Ls)から冷却システムの温度設定点を決める
方法。
【請求項２９】
抵抗(Rs)と可変インダクタンス(Ls)の決定が処理ユニット(20)により行われることを特徴とする請求項２８に記載された方法。
【請求項３０】
前記コイル(2)の可変インダクタンス(Ls)の決定が、あらかじめ決められた第１測定時間(ｔ１)の経過後に行われることを特徴とする請求項２９に記載された方法。
【請求項３１】
前記コイル(2)の抵抗値(Rs)の決定が、あらかじめ決められた第２測定時間(ｔ２)の経過後に行われることを特徴とする請求項２９に記載された方法。
【請求項３２】
前記抵抗値(Rs)の決定において、環境温度(Ts)の値が得られ、前記可変インダクタンス（Ls)の決定において、さらに、温度設定点の調節が行われることを特徴とする請求項２９に記載された方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
温度設定点の調節の別の方法は、たとえばデジタル的な方法を用いる。これは、ポテン書メータを用いるときの問題を解消するが、そうであったとしても、２つの異なる素子が、調節機能と測定機能のために使用されねばならず、これは、最終的に得られる製品の市販価格を高くする。
米国特許第５，５６４，８３１号に開示された従来技術では、Ｄ／Ａ変換器を用いずにマイクロコンピュータに温度の読みを与えるための方法と装置が開示されている。環境温度の測定は、サーミスタを流れる電流を既知の抵抗を流れる電流と比べることにより行われる。ドライヤの排気流の温度は、電流を交互に排気流中に配置されたサーミスタを通してまたは既知の抵抗を通して比較器の反転入力に流すことにより行われ、全波整流信号が比較器の非反転入力に送られ、比較器の出力に現れる電圧パルスの幅が、排気流の温度を決めるために監視される。
また、国際公開第０３０９５９６０号に記載された従来技術文献では、インダクション型検出器の温度測定方法を記載し、この検出器は、コイルとコイルに対して移動可能なコアとからなり、コイルに対するコアの位置は、その素子の位置に依存する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
１組の複数巻線からなるコイル(2)と、使用者により調節可能な相互作用素子(3)とからなる検出アッセンブリであって、
前記コイル(2)と前記相互作用素子(3)は、相互に移動可能に結合され、
前記コイル(2)にはサンプリング電圧(Vp)が印加され、前記コイル(2)は抵抗値(Rs)を有し、
前記検出アッセンブリは、環境の温度(Ts)の測定に使用可能であり、冷却システムの温度設定点を決定し、
環境の温度(Ts)は、前記コイル(2)の抵抗値(Rs)の変化から測定され、冷却システムの温度設定点は、コイル(2)に対して前記相互作用素子(3)を変位することによりコイル(2)のインダクタンス(Ls)から決定される
検出アッセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
冷却システムのための温度設定点調節及び環境温度(Ts)測定システムであって、
検出アッセンブリ(1)と、処理ユニット(20)とからなり、
前記検出アッセンブリ(1)は、複数巻きのコイル(2)と相互作用素子(3)とからなり、前記コイル(2)と前記相互作用素子(3)は、相互に移動可能に結合されていて、前記コイル(2)には、サンプリング電圧（Vp)が印加され、また前記コイル(2)は抵抗値(Rs)を有し、
前記コイル(2)の前記抵抗値(Rs)の変化から環境温度(Tｓ)を測定し、
前記コイル(2)に対して前記相互作用素子(3)を変位することにより得られた、前記コイル(2)のインダクタンス(Ls)の変化から、前記冷却システムの温度設定点を決める
システム。
【国際調査報告】
2007512597.tif 000013
2007512597.tif 000014