(57)【要約】  絶縁ハウジングまたは導電性ハウジング内にあるバネ仕掛けの高周波の制御型インピーダンスの同軸プローブアセンブリ。制御型インピーダンスのコネクタ本体またはアセンブリ内に固定されたまたは軸方向に浮動する中央コンタクトからなる高周波の同軸プローブアセンブリ。プローブコンタクトの頭部が、制御型インピーダンスコネクタ本体を通ってそこから突出する固定式または軸方向浮動式基準平面または空間を作り上げる、制御型インピーダンスコネクタ本体またはアセンブリ上の所定の場所にスナップ嵌合され保持される、可とう性で弾性変形可能な固定式または現場交換可能で取外し自在の接地コンタクト。高周波にて制御型インピーダンスの個々の同軸プローブアセンブリは、ＤＵＴボードといったプレーナデバイスに対向配置されたときに、連続的な軸方向信号コンタクトを提供するようにバネ仕掛けになっている。可とう性で弾性変形可能な、固定式または現場交換可能な接地コンタクトは、弾性のある連続的なワイピングアクションを提供する。このワイピングアクションは、プレーナデバイスの接地平面をなす導電性要素の表面から酸化物または材料を除去する。こうして、流出電流路および帰還電流路との間の総接地ループを最小限におさえ、これによって、インダクタンスを低減させながら、プレーナデバイス上の接地平面をなす導電性要素との接触が確保される。
2007530920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地表面と信号表面とを有するプレーナデバイスと係合させるための同軸の信号コンタクトと接地コンタクトとを有する装置において、
ａ）同軸コネクタ本体を有すると共に、
ｂ）前記信号コンタクトは前記同軸コネクタ本体に対して中央に配置され、
ｃ）前記接地コンタクトは、主本体および少なくとも１つの弾性コンタクト部材を備えて、同軸コネクタ本体に付着され、
ｄ）前記少なくとも１つの弾性コンタクト部材は、前記主本体から実質的に半径方向に延び、
ｅ）前記少なくとも１つの弾性コンタクト部材は、前記プレーナデバイスの前記接地表面と接触するように適合された先端を含んでなる装置。
【請求項２】
前記装置は、全体が絶縁ハウジング内にてバネ装荷されるように、絶縁ハウジング内に配置される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置は、全体が導電性ハウジング内でバネ装荷されるように、導電性ハウジング内に配置される請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記接地コンタクトデバイスが、使い捨て可能で、交換可能である請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記接地コンタクトデバイスが、前記同軸コネクタ本体に固定される請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記信号コンタクトが、前記同軸コネクタ本体内で固定される請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記信号コンタクトが、前記同軸コネクタ本体内でバネ装荷される請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＴＥ（自動試験装置）や、集積回路の試験を必要とする他の業種において使用されるタイプのバネプローブアセンブリ、特にマイクロ波周波数帯（１０ＧＨｚ＋）で使用するバネプローブアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
バネプローブアセンブリは、試験のためＤＵＴ（Device Under Test）ボードに差込まれる集積回路の各種入力および出力を調べるためのＤＵＴボードのようなプレーナ（planar）デバイスに対して一時的コンタクトを提供する目的で、ＡＴＥ産業ならびに、集積回路、シリコンウェーハ等の試験を必要とする他の業種においても広く使用されている。従来のバネプローブアセンブリは、プレーナデバイス上に配置されたときにインピーダンス不整合を生じさせるような接地位置と信号位置とにおいてバネピンを使用する。これらのインピーダンス不整合は、被試験集積回路を調べることのできる周波数を著しく制限してしまう。このような理由から、従来の同軸バネプローブは、試験の実施中、バネの伸縮行程の大部分において、信号ピンのまわりにインピーダンス整合をもたらす同軸接地管を備えることにより、このインピーダンス不整合の大部分を補償するように設計されていた。同軸バネプローブを用いてインピーダンス不整合は改善されたが、同軸バネ接地管および信号バネピンを所定の場所に保持する同軸バネプローブ内部の材料のインピーダンス不整合に起因して、標準的同軸バネプローブにはなおも制限がある。これらの不整合は一般に、周波数性能を６ＧＨｚ未満に制限してしまう。従ってインピーダンス不整合をさらに良好に制御した同軸バネプローブが強く望まれる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、高周波のインピーダンス制御型同軸プローブアセンブリに関するものである。その同軸プローブアセンブリは、その中心に、ベリリウム−銅、リン−青銅等のような導電性材料で通常作られる固定式または軸方向浮動式の中央コンタクトを有するマイクロ波周波数コネクタを基にしている。この中央コンタクトは、プレーナデバイスが、高周波の制御型インピーダンス同軸プローブアセンブリに向かって動かされたときに、ＤＵＴボードのようなプレーナデバイスに接続する。プレーナデバイスと中央コンタクトとが結合した時点で、インピーダンス制御型同軸プローブアセンブリは、絶縁ハウジング内に押し戻されることになる。後部保持レールおよび絶縁ブッシングによって所定の場所に保持されたバネは、同軸プローブコンタクトとプレーナデバイスとの間の連続性を全試験中維持するのに十分な力を提供する。高周波の制御型インピーダンスの経路は、高周波の制御型インピーダンス同軸プローブアセンブリの制御されたインピーダンスコネクタ本体上の所定の場所でスナップ嵌合され保持される、可とう性で弾性変形する固定式または現場交換可能なおよび取外し自在の接地コンタクトを用いることによって実現される。この可とう性で弾性変形可能な固定式または現場交換可能でかつ取外し自在の接地コンタクトは、中央コンタクトがプレーナデバイスと係合する前にプレーナーデバイスの接地平面と係合することになるように、押し型部品の突出端部が形成された少なくとも１つのコンタクト機構を有する。これらの突出端部はこのとき変位し、中央コンタクトがプレーナデバイスに係合するまで変形する。接地コンタクトと中央コンタクトとの関係は、中央コンタクトがプレーナデバイスと係合したときに、プレーナデバイスとインピーダンス制御型同軸プローブアセンブリの前方表面との間の空隙が最小限となるようなものである。中央コンタクトおよび接地コンタクトは、プレーナデバイスの表面（「Ｚ」軸）ならびに信号コンタクトおよび接地コンタクトの場所（「Ｘ」および「Ｙ」軸）における偏差が±０．０６３ｃｍ（０．０２５インチ）も変動する場合でさえも、プレーナデバイスとの一体的接触を維持するように設計されている。プレーナデバイスのコンタクト領域におけるこの最小インピーダンス不連続性は、少なくとも１２ＧＨｚそして考えられる限りでは６５ＧＨｚまでの周波数性能を結果としてもたらす。マイクロ波周波数性能に加えて、プローブハウジングは、個々のラインが修理または交換のために容易に取外せるように設計されている。さらに、所望の場合、プローブハウジングが組立てられた状態のままで、接地コンタクトを個別に容易に交換することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
本発明についてここでその好ましい実施形態を表わす図１〜４に関連して記述する。図１は、本発明の一実施形態による同軸プローブアセンブリ１０の側面断面図である。同軸プローブアセンブリ１０は、内部の中央に配置された信号コンタクト１１を有する同軸コネクタ本体２０を含んでいる。同軸コネクタ本体２０には、接地コンタクト１２が接続されている。
【０００５】
同軸プローブアセンブリ１０は、好ましくは高周波のインピーダンス制御型同軸プローブアセンブリである。本発明の利点は、このようなアセンブリで最も明白である。
【０００６】
信号コンタクト１１は好ましくは、ベリリウム−銅、銅またはリン−青銅といった材料から作られている。
【０００７】
接地コンタクト１２は好ましくは、ベリリウム−銅、銅またはリン−青銅といった材料から型押しされる。これは、同軸コネクタ本体２０に固定的に付着させることが可能である。代替的には、これは、スナップ嵌合または摩擦嵌合などによって、同軸コネクタ本体２０上に取外し自在に取付けることもできる。同軸コネクタ本体２０上に接地コンタクト１２を取外し自在に取付けることは、本発明にとって幾分かの付加的な利点を提供することから、好ましい。特に、接地コンタクト１２を取外し可能な形で取付けることによって、使用中にそれが破損した場合、容易に交換可能になる。かかる「現場での交換可能性」は、アセンブリ全体を修理のために分解する必要がなく、修理を行うためのダウンタイムが少なくなることから、有利である。
【０００８】
図２は、ハウジング５０の内部に取付けられ、そこから突出すると共にプレーナデバイス１３に接続した同軸プローブアセンブリ１０の側面図である。本明細書で使用する「プレーナ（planar）」という語は、表面が不規則であるのを許容すべく「実質的に平坦である」ことを意味する。プレーナデバイス１３は、標準的にはＤＵＴボードであり、少なくとも接地表面１４と信号表面１５とを含む。図２に示すように、接地コンタクト１２は、主本体４０およびこの主本体４０から実質的に半径方向に延びる弾性コンタクト部材３０を有する。図示した実施形態においては、このような弾性コンタクト部材３０が２つ存在しており、本発明では、本明細書中の開示に基づいて当業者が認識する弾性部材のあらゆる形態を包含するように意図されている。弾性コンタクト部材３０は、接地表面１４と接触するように適合された先端部３２を含む。好ましくは、先端部３２は、信号コンタクト１１よりもさらに長くプレーナデバイス１３に向かって延びる。このようにして、先端部３２は、信号コンタクト１１が信号表面１５に接触する前に接地表面１４と接触する。平坦な表面（１３）がさらに信号コンタクト１１に向かって移動させられ、かくして信号コンタクト１１が信号表面１５と接触すると、弾性コンタクト部材３０は後方に変位して、信号コンタクト１１と信号表面１５との間の接触を可能にし、同時に先端部３２と接地表面１４との間の接触も維持する。この要領で、ハウジング５０内に複数の同軸プローブアセンブリ１０が装着されたときに、弾性コンタクト部材３０の可とう性により、プレーナデバイス１３の不規則性または信号コンタクト１１の長さの変動に対応することができる。こうして、全ての信号コンタクト１１と信号表面１５との間に、そしてプレーナデバイス１３に沿った接地表面１４と先端部３２との間に、良好な接触が確保される。その結果、優れたデータの完全性を実現することができる。
【０００９】
図１を再び参照すると、Ultem、ＰＴＦＥまたはTorlonといった材料で作られた後方絶縁ビーズ２５が、同軸ケーブル２２の中央導体２７上に配置される。中央導体２７は、中央（信号）コンタクト１１の後方に接続され、従来のはんだづけ、圧着、導電性エポキシを用いて、または機械的手段によってしっかりと固定される。Ultem、ＰＴＦＥまたはTorlonといった材料から作られた前方絶縁体３５が、中央接点１１全体のまわりに配置され、次にこの接点１１がインピーダンス制御型コネクタ本体２０内に配置される。インピーダンス制御型コネクタ本体２０は次に、同軸ケーブル編組体４２上に、従来のはんだづけ、圧着、導電性エポキシを用いてかまたは機械的手段によりしっかりと固定される。同軸プローブアセンブリ１０はまた、好ましい実施形態において、バネ６０を含んでいる。このバネは、ＰＴＦＥ、UltemまたはTorlonといった材料から作られた絶縁用ブッシング６５を用いて、予圧力により保持される。
【００１０】
図３は、本発明の一実施例による複数の同軸プローブアセンブリ１０（そのうち１つのみを示す）のためのアパーチャ５１を備えるハウジング５０の斜視図である。ハウジング５０は、ＬＣＰまたはUltemといった熱可塑性材料から作られた絶縁のためのハウジングである。ブッシング６５、バネ６０およびインピーダンス制御型同軸プローブアセンブリ１０は、ＬＣＰまたはUltemといった材料で作られた後方リテーナ７０によって、ハウジング５０のアパーチャ５１内に保持される。
【００１１】
図４は、標準的な従来技術によるバネプローブアセンブリ（図中「従来技術」と表示）に対する本明細書で記述されているような高周波のインピーダンス制御型プローブアセンブリ（「新」と表示）についてのインピーダンス試験データを示すグラフである。記載されているデータは、３０ＧＨｚの周波数と等価な立上り時間が３３ｐＳの入力信号を用いて時間領域反射率測定計（Techtronics１１８０１）により得られたものである。ここに示すプロットは、本発明を用いて達成可能になった、かなり大きく制御されたインピーダンスを示している。
【００１２】
本明細書で記述された構成を用いることによって、本発明は、ＤＵＴボードといったプレーナデバイスに対しマイクロ波周波数の信号をオン／オフするためのインタフェースとして、高周波（１２ＧＨｚを上回る）で電気的に安定した低インダクタンス（５％未満の反射）を有する信号経路を提供することができる。さらに、可とう性で弾性変形可能な固定式または現場での交換が可能な取外し自在の接地コンタクトにより、弾性をもって連続的なワイピングアクションを提供する。このワイピングアクションは、プレーナデバイス上の接地平面をなす導電性要素の表面から酸化物や材料を除去する。こうして、流出電流路および帰還電流路との間の総接地ループ長を最小限にすることにより、インダクタンスを低減させながら、プレーナデバイス上の接地平面をなす導電性要素との接触が確保される。
【００１３】
本発明を好ましい実施形態において開示してきたが、添付の請求項で定義されているとおりの発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者はさまざまな修正をこれに加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】高周波のインピーダンス制御型プローブアセンブリの横断面を示す図である。
【図２】絶縁ハウジング内に装入された状態での、高周波のインピーダンス制御型プローブアセンブリを示すバネプローブハウジングの側面図である。
【図３】高周波のインピーダンス制御型プローブアセンブリの斜視図である。
【図４】標準的な従来技術のバネプローブアセンブリに対する本発明に係る高周波のインピーダンス制御型プローブアセンブリについてのインピーダンス試験データを示すグラフである。
【図１】
2007530920.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007530920.tif 000005
【図４】
2007530920.tif 000006
【国際調査報告】
2007530920.tif 000007