(57)【要約】  特にフィルムバルク音響波共振子（ＦＢＡＲ）又は固定実装バルク音響波共振子（ＳＢＡＲ）のようなバルク音響波（ＢＡＲ）共振子になる共振子構造体（１００）であって、少なくとも一つの基板（１０）と、前記基板（１０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの反射体層（２０）と、前記反射体層（２０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのボトム電極層（３０）、特にボトム電極と、前記ボトム電極層（３０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの圧電層（４０）、特にＣ軸垂直圧電層と、前記圧電層（４０）が前記ボトム電極層（３０）と前記トップ電極層（５０）との間にもたらされるように前記ボトム電極層（３０）上及び／又は前記圧電層（４０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのトップ電極層（５０）、特にトップ電極とを有する共振子構造体をもたらすため、前記ボトム電極層（３０）と前記トップ電極層（５０）との間の非オーバラップ部の少なくとも一つの領域における少なくとも一つの空間上及び／又は少なくとも一つの空間内にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの誘電層（６３、６５）が提案されている。本発明はこのような共振子構造体を製造する方法及びその用途にも関する。
2007507960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にフィルムバルク音響波共振子又は固定実装バルク音響波共振子のようなバルク音響波共振子になる共振子構造体であって、少なくとも一つの基板と、前記基板上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの反射体層と、前記反射体層上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのボトム電極層、特にボトム電極と、前記ボトム電極層上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの圧電層、特にＣ軸垂直圧電層と、前記圧電層が前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間にもたらされるように前記ボトム電極層上及び／又は前記圧電層上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのトップ電極層、特にトップ電極とを有する共振子構造体において、前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間の非オーバラップ部の少なくとも一つの領域における少なくとも一つの空間上及び／又は少なくとも一つの空間内にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの誘電層によって特徴付けられる共振子構造体。
【請求項２】
前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間の非オーバラップ部の領域の全厚さは、前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間のオーバラップ部の領域の全厚さに等しくなり、それ故に前記共振子構造体の平坦化が含まれる態様、又は前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間の非オーバラップ部の領域において堆積される前記誘電層の厚さは、平坦化のために要求される厚さ以外で選択される態様で前記誘電層は堆積される請求項１に記載の共振子構造体。  
【請求項３】
前記トップ電極層及び／又は前記誘電層の上にもたらされる少なくとも一つの質量負荷層によって特徴付けられる請求項１又は２に記載の共振子構造体。    
【請求項４】
前記質量負荷層及び／又は前記誘電層及び／又は前記前記トップ電極層は、少なくとも一つの並列共振子又は分路共振子の少なくとも一つの領域において厚くされることが可能であり、及び／又は少なくとも一つの直列共振子の少なくとも一つの領域において薄くされ、開口され、及び／又は除去されることが可能である請求項３に記載の共振子構造体。
【請求項５】
前記共振子構造体は少なくとも一つの丸い端部を有し、及び／又は前記トップ電極層は前記ボトム電極層よりも小さくなる請求項１乃至４の何れか一項に記載の共振子構造体。
【請求項６】
共振キャビティの全厚さと比較して薄くなる、自身の端部が前記共振子の端部を規定する電極を有する請求項１に記載の共振子構造体。  
【請求項７】
2007507960.tif 000005
により共振キャビティの厚さdrcによって除される電極厚さdeを有する請求項６に記載の共振子構造体。  
【請求項８】
請求項１乃至７の少なくとも一項に記載の少なくとも一つの共振子構造体を有するフィルタ。  
【請求項９】
マスク設計ルールとの適合性及び適切な音響結合をもたらすように調整される前記共振子構造体の間のギャップの幅を備える一つよりも多くの密に空間配置された共振子構造体によって特徴付けられる請求項８に記載のフィルタ。  
【請求項１０】
特にフィルムバルク音響波共振子又は固定実装バルク音響波共振子のようなバルク音響波共振子になる共振子構造体を製造する方法であって、少なくとも一つの基板上に少なくとも一つの反射体層をもたらすか、又は堆積するステップと、前記反射体層上に少なくとも一つのボトム電極層、特にボトム電極をもたらすか、又は堆積するステップと、前記ボトム電極層上に少なくとも一つの圧電層、特にＣ軸垂直圧電層をもたらすか、又は堆積するステップと、前記圧電層が前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間にもたらされるように前記ボトム電極層上及び／又は前記圧電層上に少なくとも一つのトップ電極層、特にトップ電極をもたらすか、又は堆積するステップとを有する方法において、前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間の非オーバラップ部の少なくとも一つの領域における少なくとも一つの空間上及び／又は少なくとも一つの空間内に少なくとも一つの誘電層をもたらすか、又は堆積する少なくとも一つの更なるステップによって特徴付けられる方法。
【請求項１１】
前記トップ電極層及び／又は前記誘電層の上に少なくとも一つの質量負荷層をもたらすか、又は堆積し、少なくとも一つの直列共振子の少なくとも一つの領域における前記誘電層及び／又は前記質量負荷層を開口及び／又は除去することが可能であり、及び／又は少なくとも一つの並列共振子若しくは分路共振子の少なくとも一つの領域における前記質量負荷層及び／又は前記誘電層を厚くすることが可能である少なくとも一つの更なるステップによって特徴付けられる請求項１０に記載の方法。  
【請求項１２】
受信器及び／又は送信器における請求項７又は８に記載の少なくとも一つのフィルタ及び／又は請求項１乃至６の少なくとも一項に記載の少なくとも一つの共振子構造体の用途。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概して、圧電共振子（piezoelectric resonator）及び圧電共振子を有するフィルタに関する。
【０００２】
特に本発明は、特にフィルム（膜）バルク音響波共振子（film bulk-acoustic-wave (BAW)  resonator (FBAR)）又は固定実装バルク音響波共振子（solidly-mounted BAW resonator (SBAR)）のようなバルク音響波共振子（bulk-acoustic-wave (BAW) resonator）になる共振子構造体（resonator structure）であって、少なくとも一つの基板と、前記基板上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの反射体（リフレクタ）層（reflector layer）と、前記反射体層上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのボトム（底部）電極層（bottom electrode layer）、特にボトム電極と、前記ボトム電極層上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの圧電層（piezoelectric layer）と、前記圧電層が前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間にもたらされるように前記ボトム電極層上及び／又は前記圧電層上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのトップ（上部）電極層（top electrode layer）、特にトップ電極とを有する共振子構造体に関する（例えば従来技術文献国際特許出願第ＷＯ 99/59244 A2号公報又は従来技術文献国際特許出願第ＷＯ 01/06647 A1号公報参照）。
【０００３】
本発明は更に、特にフィルムバルク音響波共振子又は固定実装バルク音響波共振子のようなバルク音響波共振子になる共振子構造体を製造する方法であって、（i）基板上に少なくとも一つの反射体層をもたらすか、又は堆積するステップと、（ii）前記反射体層上に少なくとも一つのボトム電極層、特にボトム電極をもたらすか、又は堆積するステップと、（iii）前記ボトム電極層上に少なくとも一つの圧電層をもたらすか、又は堆積するステップと、（iv）前記圧電層が前記ボトム電極層と前記トップ電極層との間にもたらされるように前記ボトム電極層上及び／又は前記圧電層上に少なくとも一つのトップ電極層、特にトップ電極をもたらすか、又は堆積するステップとを有する方法に関する（例えば従来技術文献国際特許出願第ＷＯ 01/24361 A1公報又は従来技術文献国際特許出願第ＷＯ 03/058811 A1号公報参照）。
【背景技術】
【０００４】
薄膜バルク音響波共振子に基づくＲＦ（無線周波数（R[adio]F[requency]））フィルタは、モバイル電話及びワイヤレスコネクティビティ（接続）（wireless connectivity）のような用途のために開発されている。BAW技術の利点は、デバイスが小さくなり、（１ワットよりも高い）優れた電力処理部(power handling)を有し、約１ギガヘルツから約２０ギガヘルツまでの周波数帯域をカバーし、シリコン（Ｓｉ）上のウエハ規模の処理（wafer-scale processing）及びパッケージングを利用し得ることにある。
【０００５】
代わりの技術はセラミック電磁(EM)波フィルタ(ceramic electromagnetic (EM) wave filters)及び表面音響波(SAW)フィルタ(surface-acoustic-wave (SAW) filter)である。前者は同等の周波数に対して比較的大きくなると共に高価になる一方、後者はリチウムタンタル酸塩(lithium tantalate)又は石英（クウォーツ）(quartz)  のような単結晶物質(single-crystal materials)を必要とし、実際約２ギガヘルツよりも低い周波数に制限され、制限された電力処理機能（特性）も有する。
【０００６】
BAW共振子は基本的に、メタル電極層の間に挟まれる（サンドイッチされる）圧電層を有する音響キャビティ（空洞）（acoustic cavity）になる。代わりの電気信号がこれらの電極の間にもたらされるとき、エネルギは機械的形態（mechanical form）に変換され、定常音響波（standing acoustic wave）が励振される。実際の薄膜共振子の振動の基本モードは基本厚み縦（TE1）（thickness-extensional）音響モードであり、すなわち振動は、当該モードの波長の半分がキャビティの全厚さにほぼ等しくなる周波数で層に対して正常になる。
【０００７】
二つの主な種類の共振子が検討されてきた。
【０００８】
これらの共振子の第一の種類、フィルムBAW共振子（いわゆるFBAR）（T. W. Grudkowski, J. F. Black, T. M. Reeder, D. E.Cullen, 及び R. A.Warnerによる"シリコン上の基本モードVHF/UHFバルク音響波共振子及びフィルタ（Fundamental mode VHF/UHF bulk acoustic wave resonators and filters on silicon）", Proc. IEEE超音波シンポジウム、８２９乃至８３３頁、1980年（IEEE Ultrasonics Symposium, pp. 829 to 833, 1980）参照）において、図１Ａ（膜を基礎としたフィルムBAW共振子の側面図）及び図１Ｂ（図１ＡのFBARの上面図）において示されているように薄膜（thin membrane）２０がキャビティを形成する。
【０００９】
FBARの通常の寸法及び物質（図１Ａ及び図１Ｂ参照）は、例えばシリコン（silicon（Si））から構成される基板１０の厚さに対して約３００マイクロメートルになり、例えば二酸化シリコン（silicon dioxide (SiO2)）から構成される薄膜２０（エッチ停止（ストップ）層（etch-stop layer））の厚さに対して約１マイクロメートルになり、各々のトップ電極５０及びボトム電極３０に対して約１００マイクロメートルになり、例えばアルミニウム（Al）から構成されるトップ電極５０上の各パッド５２に対して１マイクロメートルになり、例えばアルミニウム窒化物（AlN）から構成されるＣ軸垂直圧電層４０の厚さに対して約３マイクロメートルになる。
【００１０】
これらの共振子第二の種類、図２Ａ（ブラグ反射体（ブラグリフレクタ）（Bragg-reflector）BAW共振子の側面図）及び図２Ｂ（図２ＡのSBARの上面図）において示されている固定実装（搭載）BAW共振子（いわゆるSBAR）（K. M. Lakin, G. R. Kline, 及びK. T. McCarronによる"ワイヤレス用途のための小型フィルタの開発（Development of miniature filters for wireless applications）", IEEE会報、MTT-43、２９３３乃至２４１６頁、1995年（IEEE Trans. MTT-43, pp. 2933 to 2416, 1995）参照）において、膜（メンブレン）２０の下部空き（自由）表面（lower free surface）（図１Ａ参照）が、音響波を反射するように作用する音響不整合（ミスマッチ）層（acoustically mismatched layer）２２及び２４のセット２０’によって置換されている。この概念は光学におけるブラグ反射体に相当する。反射体層２２及び２４は固体基板１０、すなわち通常ガラス又はシリコン（Si）上に堆積されるので、該構造体はFBARよりも物理的にロバストになる。
【００１１】
SBARの通常の寸法及び物質（図２Ａ及び図２Ｂ参照）は、例えばガラス又はシリコンから構成される基板１０の厚さに対して約３００マイクロメートルになり、例えば二酸化シリコン (SiO2）から構成される各々の低い機械インピダンス反射体層（mechanical impedance reflector layer）２４の厚さに対して約１マイクロメートルになり、音響不整合層２２及び２４のセット２０’が代わりに例えば四つの高い機械インピダンス反射体層２２及び例えば四つの低い機械インピダンス反射体層２４から構成され、それ故に約８マイクロメートルの厚さを有する場合、例えばタングステン（W）又は五酸化タンタル（Ta2O5）から構成される各々の高い機械インピダンス反射体層２２の厚さに対して約１マイクロメートルになり、各々のトップ電極５０及びボトム電極３０に対して約１００マイクロメートルになり、例えばアルミニウム（Al）から構成されるトップ電極５０上の各パッド５２に対して１マイクロメートルになり、例えばアルミニウム窒化物（AlN）から構成されるＣ軸垂直圧電層４０の厚さに対して約３マイクロメートルになる。
【００１２】
図１に示されているように、ボトム電極への電気的接続（コネクション）はビア（via）を通じてなされてもよい。代わりに、図２に示されているように、ボトム電極を電気的にフローティング（浮動）させて、二つの共振子を直列に形成することによってビアが回避されてもよい。適切な領域の場合、二つのアプローチは一次のオーダまで電気的に等しくなることであり、各々はFBAR構成体又はSBAR構成体の何れかで使用されてもよい。
【００１３】
通常使用されるBAW共振子の電気的等価回路が図３に示されている。C0, C1, L1, 及びR1はそれぞれ、共振子自身の静的（スタティック）容量（static capacitance）（C0）、動的容量（motional capacitance）（C1）、動的インダクタンス（motional inductance）（L1）、及び動的抵抗（motional resistance）（R1）であり、付加寄生部（added parasitic）を備えるいわゆるバタワースヴァンダイク（Butterworth-Van Dyke）BAW共振子モデルを共に形する。すなわち残留コンポーネントは電気的寄生部になる。
【００１４】
三つの抵抗は、異なる種類のエネルギ損失（ロス（loss））、すなわち、相互接続部及び電極におけるオーミック（ohmic）損失（Rs）、基板における迷走電界（stray electric field）による損失（Rp）、及び抵抗に関連する機械損失（R1）を特徴付ける。
【００１５】
誘電損（dielectric loss）は通常、無視され得る。
【００１６】
図３による等価回路モデルは、フィルタの初回通過（ファーストパス）設計（及びBAW共振子を使用する他の回路）にとって有用になる。
【００１７】
BAW共振子のより物理的な表現は、いわゆるノボトニ−ベンズ（Novotny-Benes）BAW共振子モデルである。当該モデルは１次元（１Ｄ）における場（フィールド）の方程式の解をもたらす。当該モデルにおいて、層に対して垂直の方向で示されている“共振子”は、トップ電極とボトム電極との間のオーバラップ部の領域によって規定されることが仮定される。これは“初期”領域と称され、端部（エッジ（縁））の外側の空き領域（空間）は“外部”領域と称されるであろう。 
【００１８】
構成が図１Ｂ又は図２Ｂにおける上面図（トップビュー）に示されているようになる場合、すなわち、トップ電極領域がボトム電極よりもかなり小さくなる場合、共振子端部は、（相互接続部の領域における場合を除いて）トップ電極の端部に一致するので、トップ電極は内部領域をほぼ規定する（ボトム電極がより小さくなるとき、その逆になる）。
【００１９】
１Ｄモデルにおいて、機械的な場（メカニカルフィールド（mechanical field））及び電場はx3方向（すなわち層に対して垂直の方向）にのみかなりの空間分散を有しており、内部領域においてのみ非ゼロ（non-zero）になることが実効的に仮定される。外部領域において全ての場はゼロと仮定される。通常の共振子の横方向（ラテラル）の寸法（ディメンション）は層厚よりもずっと大きくなるため、当該寸法はいくつかの点で適度な近似値になる。
【００２０】
通常のBAW共振子の測定コンダクタンスＧ（共振子アドミッタンスＹの実部）は、広帯域に渡って図４における両方のモデルによる予測値と比較される（測定値：破線、バタワースヴァンダイク回路モデル：実線、１Ｄノボトニ−ベンズモデル：点線、反共振fa）。サセプタンス（共振子アドミッタンスＹの虚部）に対する合致のレベルは同じになる。電気的寄生コンポーネントCp, Ls, Rp, 及びRsは、両方のモデルに含まれる。
【００２１】
決定的ではないが、ほとんどの応答の特性（特徴）は、１Ｄ物理モデルによって予測される。このことは、これは反共振に近い挙動（動作）であり、当該モデルの何れによっても予測されず、本提案の中心になる。応答において理解される更なる効果は、音場（アコースティックフィールド（acoustic field））の真の挙動及び共振子端部における電場の真の挙動に関連している。
【００２２】
１Ｄモデルはそれ自体、非ゼロ音場からゼロ音場への急激な変化が空き領域（空間）に隣接する表面においてのみ可能であるという意味で非物理的である。しかしながら、（図１Ａ及び図２Ａに示されているようにトップ電極の端部における非常に小さな領域に渡る部分を除いて）共振子端部における層に対して垂直な面においてこのようなインタフェースは存在しない。圧電層及び他の層は連続的である。それ故に、より現実（実際）的なモデルは、このような面における場が連続的になることを要求する。
【００２３】
１Ｄモデルにおける原理を欠いた寄与（principle-missing contribution）は、層構造体によってサポートされる（誘）導音（響）モード（guided acoustic mode）になる。完全なモデル（フルモデル）は３次元（３Ｄ）場解析を必要とするが、x3方向とx1方向（すなわち層に対して平行な方向）との両方で音場及び電場は不均一になることが仮定される２次元（２Ｄ）モデルを使用して端部における挙動を理解することは可能である。
【００２４】
当該２Ｄモデルにおいて、共振子端部は、面x1 = +W/2内にもたらされることが仮定される。ここでWは共振子幅である。共振子のx2寸法（ディメンション）は、当該解析のために、共振子幅Wと比較して非常に大きくなることが仮定されるので、場はx2から独立している。このような２Ｄモデルは、x1寸法及びx2寸法がより近くなる（同等になる）ときでさえ、端部の挙動の優れた定性的な理解をもたらすことも見込まれ得る。３Ｄ数値解析に関する２Ｄモデルの利点は、当該モデルが１Ｄモデルの解析形態、それ故に物理的な洞察を保持することにある。全部の解は、コンポーネント（成分）場が（通常複合の）指数的なx1及びx2依存性を有する部分モードの重ね合わせになる。
【００２５】
本提案は、導音モードが層に対して平行に移動することを可能にする音導波路（acoustic waveguide）を薄膜層のセットはもたらすという理解に基づいている。何れの所与の周波数においても、複数の当該モードが存在していてもよく、各々のモードnは波数（wave number）knの固有離散x1成分（characteristic discrete x1-component）を有する。導波路モードの解は、層表面における適切な境界条件下で、結合された２次元の電気的且つ機械的な波の方程式を解くことによって各々の層における部分的なモードの組み合わせとして見つけられる。
【００２６】
波数knは（モードがx1方向で減衰されることなく伝搬されることを示す）実数であってもよく、（モードがx1方向で減衰されること、すなわちモードが遮断（カットオフ）モード若しくははかない（次第に消えていく）モード（evanescent mode）になることを示す）虚数であってもよく、又は（モードがx1方向での減衰なしで伝搬されることを示す）複素数であってもよい。
【００２７】
周波数を備える波数knの分散は、モードに対する分散（dispersion relation）関係と称される。内部及び外部領域が異なる導波路をもたらすことを認識することは、共振子端部挙動を理解する上で重要なことである。通常、同じ誘導モード型が各々の導波路においてサポートされるが、それらの分散関係は異なる。
【００２８】
図５及び図６はそれぞれ、通常のFBAR構成体の内部領域に対する分散曲線（図５参照）及び外部領域に対する分散曲線（図６参照）を示している。これらの図における決まりは、（ギガヘルツで測定される）周波数がｙ軸上に示されており、波数knの正規化されたx1成分の実部及び虚部が正のｘ軸及び負のｘ軸上にそれぞれ示されていることにある。（便宜のため、波数knは、x3方向で圧電層において自由に伝搬している縦波（extensional wave）の波数に各々の周波数で正規化される。）
【００２９】
（１Ｄモデルによって予測されるように）層の厚さは、基本厚み縦（TE1）モードに２ギガヘルツの共振周波数をもたらすように選択されている。分散曲線の形状は、全ての層の厚さの比率が一定に保持される場合、全厚さから独立している。
【００３０】
対称性のために、示されている波数knの否定（negative）も解になり、波数knの実部と虚部との両方が非ゼロになる場合、当該波数の複素共役（complex conjugate）（及び当該波数の複素共役の否定）も解になる。最下位の五つのモードが図５及び図６の各々のプロット、すなわち湾曲（flexural）（Ｆ１）、縦（伸長）（extensional）（Ｅ１）、基本厚みすべり（fundamental thickness shear）（ＴＳ１）、基本厚み縦（fundamental thickness extensional）（ＴＥ１）、及び第二高調波厚みすべり（second harmonic thickness shear）（ＴＳ２）で示される。
【００３１】
ＴＥ１及びＴＥ２分岐部（ブランチ）が、両方の導波路型に対して連続曲線を形成していることは注意されるべきである。内部領域に対して、一方の分岐部が虚数になる約2ギガヘルツ（ＴＥ１モード遮断）から約2.1ギガヘルツ（ＴＥ２モード遮断）までのインタバルの間を除いて、波数knは約1.8ギガヘルツよりも高い実数になる。
【００３２】
1.8ギガヘルツよりも下において、二つの分岐部は複素共役になる。このことは、ＴＥ１モード及びＴＥ２モードが同じ場の分布を有しており、全周波数で強く結合される傾向にあることを示している。外部領域に対して、二つの分岐部は約2.4ギガヘルツよりも下で複素共役になり、二つの遮断周波数は図から外れ、それ故に2.5ギガヘルツよりも高くなる。
【００３３】
他の三つのモード（Ｆ１、Ｅ１、及びＴＳ１）は内部領域と外部領域との両方において実波数knを有しており、それ故に、示されている周波数帯域全体に渡って減衰されることなく伝搬される。全てのより高いモード（図示略）は当該周波数帯域において強く減衰させられる。
【００３４】
共振子端部における場の連続性の条件は、駆動電気−音場の線形的な重ね合わせ（superposition）（すなわち１Ｄ解）及び内部領域と外部領域との両方における誘導モードの結合によってのみ満足させられ得る。基本的に、ともすると連続条件は端部面におけるx3の全ての値に対して満足され得ないため、各々の領域における全ての誘導モードは、ある程度励振させられなければならない。
【００３５】
実際、いくつかのモードが優勢（支配的）になる。この場合、各々のモードにおける場のx3依存性が周波数の関数になり、遮断に近い周波数に対して１Ｄ解に近付くことを理解することは重要である。二つの領域における遮断周波数（特に、優勢なTE1及びTE2モードの遮断周波数）はかなり異なるため、二つの領域における名目上同じモードに関連する場もかなり異なる。
【００３６】
それ故に、正味の場（net field）の連続性を保証するために他のモードからのかなりの寄与が必要とされる。この現象はモード変換として知られている。その効果の一つは、共振子から離れたF1、E1、及びTS1モードの減衰のない伝搬を通じてエネルギが失われることにある。
【００３７】
内部領域において逆方向に伝わる共振子端部において励振される誘導モードに起因して定常波も発生する。当該定常波は、整数の誘導モードの半波長が共振子幅にほぼ対応する周波数で最も強くなるため、当該定常波は通常、非高調波（inharmonic）と称される。
【００３８】
共振子アドミッタンスYに関する端部の効果はそれ故に、共振子から離れて分散させられる誘導モードに起因して、コンダクタンスG（共振子アドミッタンスYの実部）に対する寄与として現れる両方の損失を導くことにあり、再度共振子に分散させられる誘導モードに起因して、共振子アドミッタンスYの実部と虚部との両方においてリップルする（さざめく）ことにある。SBAR構成体における波誘導及び分散は、FBAR構成体における波誘導及び分散よりも複雑になるが、同様の議論がもたらされる。
【００３９】
フィルタ設計の状況において、共振子の応答において最大の問題となる二つの周波数は共振fr及び反共振faであり、それぞれ共振の最大及び最小アドミッタンスの周波数になる。高Ｑ（クオリティ）ファクタ（Q-factor）共振の場合、これらはコンダクタンスの最大値及び最小値に非常に近くなる。応答が図４に示されている実施例において、これらの周波数はそれぞれ、ほぼ1.985ギガヘルツ及び2.03ギガヘルツになる。
【００４０】
図７は、反共振fa付近における図４からの非常に細かな詳細部を示している。これにより、測定値と等価回路及び１Ｄシミュレーションモデルの両方との間の最も大きな食い違い（不一致）の領域が示される。測定された応答は、上記の反共振faの近くのリップル及び更なるコンダクタンス（すなわち損失）を明らかに示しており、端部に起因する挙動をモデリングすることによってのみ説明され得る。
【００４１】
概して、共振子の端部から漏れる音響エネルギは損失の最も重大な源の一つとして識別され得ることが記載されることは可能であり、これは、端部によってもたらされる物理的不連続性における音響モード変換の結果としてもたらされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４２】
上記のように欠点及び不利点から開始すると共に、議論のように従来技術を考慮して、受信器感度及び送信器消費電力のような要求仕様のために、薄膜BAW共振子を含むRFフィルタは通常、非常に低い挿入損失を有することが要求されるため、本発明の目的は、薄膜BAW共振子における損失をかなり低減すること、それ故に薄膜BAWフィルタにおける最小限の挿入損失（insertion loss）を実現することにある。
【００４３】
本記載において、本発明の他の目的は、動作周波数において優れた電気的応答を備える簡単な共振子構造体をもたらすことにある。
【課題を解決するための手段】
【００４４】
本発明の目的は、請求項１の特徴を有する共振子構造体、及び請求項６の特徴を有するフィルタ、並びに請求項８の特徴を有する共振子構造体を製造する方法によって実現される。本発明の有利な実施例及び迅速な改善例が各従属請求項において開示されている。
【００４５】
本発明は、平坦化（planarisation）を使用する向上させられた品質の薄膜BAW共振子の技術的な原理に基づいている。
【００４６】
モード変換を最小限化するため、それ故に損失を低減するため、少なくとも一つの平坦化ステップが導入されることは提案される。通常の電気的インピダンス要求仕様に合致している共振子寸法を共に備える横方向（ラテラル）音響結合（lateral acoustic coupling）に基づく共振子の少なくとも一つを含むフィルタ及び本共振子構造体の単一（シングル）モード動作（オペレーション）のような他の利点が当該新たな技術からもたらされてもよいことも提案される。
【００４７】
外部領域におけるＴＥ１モードの遮断周波数（及びＴＥ１モードの遮断周波数に結合されるＴＥ２モードの遮断周波数）が、内部領域における対応する遮断周波数のずっとより近くにもたらされる場合、上記議論の損失は低減されるであろう。
【００４８】
本記載において、用語“内部領域（internal region）”はボトム電極層とトップ電極層との間のオーバラップの領域を意味し、用語“外部領域（external region）”はボトム電極層とトップ電極層との間の非オーバラップの領域を意味する。すなわち、外部領域は内部領域の端部の外側に位置されている。
【００４９】
このことは、当該ＴＥ１及びＴＥ２モードに関連する場の分布がそのとき、共振子端部の平面内でずっとより密に（接近して）整合（合致）させられるという効果を有する。他のモード、特に外部領域において伝搬するモードの励振はそのとき、ずっとより弱くなり、リップル及び損失の効果は非常に低減させられる。
【００５０】
本発明の教示によれば、外部領域における遮断周波数において必要とされる低減は、外部領域における更なる誘電層の堆積によって実現されることが提案される。
【００５１】
本発明の好ましい実施例において、音響の不連続性の完全な除去は、更なる誘電層が、トップ電極と等しい厚さ及び音響インピダンスになることを示唆している。例えば、二酸化シリコン（SiO2）の更なる誘電層は、アルミニウム（Al）トップ電極に優れた機械インピダンス整合をもたらす。
【００５２】
等しい厚さは平坦化、すなわち誘電層が、外部領域の全厚さは内部領域の全厚さに等しくなる態様で外部領域において堆積されることを示唆しており、それ故に共振子構造体の平坦化を示唆している。
【００５３】
代わりに、厚さが電極の厚さよりも少なくなる更なる誘電層は、機械インピダンス製造整合に関してなおもいくらかの改善をもたらす。すなわち、外部領域内に堆積される誘電層の厚さは、平坦化のために必要とされる厚さとは別に選択される。
【００５４】
いかなる場合においても、外部領域の厚さ及び電極寸法は好ましくは、単一モードをエネルギ的に閉じ込める（エネルギトラップ（energy-trap）する）ように調整され、電極領域がインピダンス要求仕様に合致させられる。
【００５５】
完全な平坦化の場合、すなわち完全に平坦なトップ表面がもたらされる場合、かなりの不連続性のみが電場における不連続性になる。当該不連続性は、共振子を規定するために必要になるが、所望のモードのエネルギを閉じ込めるためにも必須になる。エネルギ閉じ込めは、平坦化された共振子デバイスにおいてより弱くなるため、使用可能な領域の共振子構造体による単一モードの閉じ込めが可能になり、このことは、より明確な応答を伴うフィルタをもたらす。
【００５６】
単一モード動作を実現する方法は、従来技術文献国際特許出願第ＷＯ 01/06647 A1号公報にも記載されている。当該従来技術文献は、通常、何れかの幅よりも多い厚さを備える内部領域と外部領域との間の規定幅のフレームのような領域（frame-like region）を開示している。損失及びモード変換の問題は従来技術文献国際特許出願第ＷＯ 01/06647 A1号公報によって扱われていない。
【００５７】
本発明は更に、上記のような少なくとも一つの共振子構造体を有するフィルタにも関する。本発明の特に好ましい実施例は、マスク設計ルールとの適合性及び適切な音響結合をもたらすように調整される共振子の間のギャップ（間隙）の幅を備える一つよりも多くの密に空間配置された（密接した）共振子構造体（closely-spaced resonator structure）を備えるフィルタに向けられる。
【００５８】
すなわち本発明による方法は、結合ギャップが過度に小さくなることのない、横方向に音響結合される共振子（laterally acoustically coupled resonator）に基づくフィルタの設計も可能にする。（ギャップは極小さくなる必要があると共に、強いエネルギ閉じ込めのために制御することが困難になる。）
【００５９】
単一モード動作及び横方向結合は、通常の周波数がメガヘルツのオーダになる長年築かれてきたクウォーツ（石英（quartz））結晶技術において標準技術である。電極厚さは共振子厚さの0.1パーセントのオーダになり、10パーセント又は平坦化ステップのない薄膜技術におけるより標準的な値にはならないため、電極端部における音響不連続性が元来非常に小さくなるという事実により、このような設計は前記技術において自動的に可能になる。
【００６０】
本発明は、共振キャビティの全厚さと比較して薄くなる、自身の端部が共振子の端部を規定する電極を有する共振子構造体にも関する。
【００６１】
特に、
2007507960.tif 000003
により共振キャビティの厚さdrcによって除される電極厚さdeを有する共振子構造体が好ましい。
【００６２】
互いに接近している内部及び外部領域の遮断周波数をもたらす代わりの方法は、トップ若しくはボトム電極の何れか、又は両方の電極を薄く設計することにある。このことは特に、端部が共振子領域をほぼ決定する電極に適用される。例えば1.95 GHzで共振子が動作する好ましい実施例において、トップ電極とボトム電極との両方は約50nm厚になるであろう。通常、電極厚さと共振子キャビティの厚さとの間の比率は小さくなるべきである（例えば2.5%）。薄い電極は反共振において共振子Ｑを改善するという事実にもかかわらず、当該電極は、自身の増大するシート抵抗（sheet resistance）によって共振Ｑを低減するであろう。このことは、後者の方法を、全共振子キャビティ厚さの約1%の電極厚さに制限する。共振子領域の端部において物理不連続性を低減するため、好ましくは、電極は先細（テーパ）端部を有するべきである。
【００６３】
最終的に本発明は、受信器及び／又は送信器における上記の少なくとも一つのフィルタの使用及び／又は上記の少なくとも一つの共振子構造体の使用に関する。
【００６４】
既に記載のように、有利な態様で本発明の教示を具現化するだけでなく改善するいくつかのオプションが存在する。このため、請求項１及び請求項７に従属する請求項が参照される。本発明の更なる改善、特徴、及び利点は、例示によって八つの好ましい実施例（図８乃至１５Ｃ参照）を参照して、及び添付図面を参照して、以下より詳細に説明される。
【００６５】
上記のように、従来技術の記載に関連して、図１Ａ乃至図１５Ｃが参照されている。同じ番号は図１Ａ乃至図１５Ｃにおける対応する部分に対して使用されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６６】
以下、本発明による平坦化提案を使用して、バルク音響波（BAW）共振子１００及び１００’のいくつかの実施例が記載されており、特に本発明の八つの異なる実施例が図８乃至図１５Ｃに示されており、当該八つの実施例は、本発明による方法によって提案されているように製造される。
【００６７】
基板１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）、ガラス、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、又はセラミックであってもよい。
【００６８】
高い音響インピダンス及び低い音響インピダンスを有する  
【数１】
2007507960.tif 000004
層の対から構成される音響反射体２０は、基板１０上にもたらされるか、又は堆積される。当該層は、二酸化シリコン／タンタル五酸化塩（silicon dioxide/tantalum pentoxide (SiO2/Ta2O5)）、二酸化シリコン／タングステン（silicon dioxide/tungsten (SiO2/W)）、二酸化シリコン／窒化アルミニウム（silicon dioxide/aluminum nitride (SiO2/AlN)）、二酸化シリコン／酸化ハフニウム（silicon dioxide/hafnium oxide (SiO2/HfO2)）、二酸化シリコン／モリブデン（silicon dioxide/molybdenum (SiO2/Mo)）、二酸化シリコン／白金（silicon dioxide/platinum (SiO2/Pt)）であってもよい。二酸化シリコン（SiO2）の代わりに、低密度物質、例えばエアロゲル（aerogel）、キセロゲル（xerogel）、ポリマ（polymer）が使用されてもよい。
【００６９】
ボトム電極３０は、反射体層２０上にもたらされるか、又は堆積され、アルミニウム（aluminum (Al)）、アルミニウム：シリコン（aluminum:silicon (Al:Si)）、アルミニウム：銅（aluminum:copper (Al:Cu)）、モリブデン（molybdenum (Mo)）、白金（platinum (Pt)）、タングステン（tungsten (W)）、又はこれらの物質の組み合わせから構成されてもよい。
【００７０】
平坦化層６３は、ボトム電極３０上にもたらされるか、又は堆積され、平坦化層６３がボトム電極３０と同じ高さを有するようにパターン化される。これは、正確なリソグラフィ手段によって実現されることが可能であり、又は代わりに少なくともボトム電極３０の厚さの平坦化層６３を堆積させ、その後、ボトム電極３０の表面が達せられるまで平坦化層６３を研磨（ポリッシング（polish））することによって実現されることが可能である。これは、例えば化学機械研磨（chemical mechanical polishing (CMP)）によってなされ得る。
【００７１】
平坦化層６３は、二酸化シリコン（SiO2）、タンタル五酸化塩(SiO2/Ta2O5）、ポリマ、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene (BCB)）、ポリイミド（polyimide）等のような音響に適した誘電体から構成されてもよい。
【００７２】
それからＣ軸垂直圧電層４０が、ボトム電極３０及び／又は平坦化層６３の上にもたらされるか、又は堆積される。圧電層４０は、窒化アルミニウム（aluminum nitride (AlN)）、酸化亜鉛（zinc oxide (ZnO)）、チタン酸ジルコニウム酸鉛（lead zirconate titanate (PZT)）、カリウムニオブ酸塩（potassium niobate (KNbO3)）等から構成されてもよい。
【００７３】
トップ電極５０は、圧電層４０上にもたらされるか、又は堆積され、アルミニウム（aluminum (Al)）、アルミニウム：シリコン（aluminum:silicon (Al:Si)）、アルミニウム：銅（aluminum:copper (Al:Cu)）、モリブデン（molybdenum (Mo)）、白金（platinum (Pt)）、タングステン（tungsten (W)）、又はこれらの物質の組み合わせから構成されてもよい。
【００７４】
ボトム電極３０及び／又はトップ電極５０の下に、例えばチタン（Ti）若しくはクロム（Cr）又は窒化チタン（TiN）から構成される付（密）着層（adhesion layer）が堆積されてもよい。
【００７５】
トップ電極５０は再び平坦化される。この場合、ボトム電極３０に対する技術と同じ技術が適用されてもよい。トップ電極５０に関連する平坦化層６５は、ボトム電極３０に関連する平坦化層６３と同様に、二酸化シリコン（SiO2）、タンタル五酸化塩(SiO2/Ta2O5）、ポリマ、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene (BCB)）、又はポリイミド（polyimide）のような一つ又は複数の音響に適した誘電体から構成されてもよい。しかしながら、異なる物質が使用されてもよい。
【００７６】
図８は、音響反射体スタック（acoustic reflector stack）２０を備える基板１０上の固定実装BAW共振子（SBAR）１００を示す。SBARのボトム電極層３０とトップ電極層５０との両方は、（ボトム電極層３０に対して）平坦化層６３及び（トップ電極層５０に対して）平坦化層６５を使用して平坦化される。
【００７７】
図９及び図１０は、SBAR若しくはFBAR型の従来格子（lattice）又はラダー（はしご）（ladder）フィルタのようなフィルタを実現するのに必要とされる並列共振子又は分路（分流）共振子（shunt resonator）のどれくらいの質量負荷（mass-loading）がトップ電極層５０の平坦化と組み合わされ得るかを示す二つの実施例を示している。
【００７８】
当該記載において、図９は、（誘電層６３による）ボトム電極３０と（誘電層６５による）トップ電極５０との両方の平坦化を示している。更に、開口（オープン）されている別個の質量負荷層７０、すなわち直列共振子上で除去される別個の質量負荷層７０をもたらすことによって質量負荷もなされる。これによって、トップ電極層５０によって規定される直列共振子から十分に離れた状態が維持される質量負荷層７０における段差（ステップ）７２が生成される。
【００７９】
図１０は、（誘電層６３による）ボトム電極３０と（誘電層６５による）トップ電極層５０ｐ及び５０ｓとの両方の平坦化も示している。本発明の第三の実施例において、分路共振子及び直列共振子に対して異なる厚さのトップ電極５０ｐ及び５０ｓを使用することによって質量負荷はなされるが、厚いトップメタル層５０ｐは分路共振子上にもたらされており、薄いトップメタル層５０ｓは直列共振子上にもたらされている。
【００８０】
その後、平坦化層６５がもたらされると共に、分路共振子のトップメタライゼーション５０ｐの表面が達せられるまで研磨される。直列共振子のトップ電極５０ｓはそのときまだ平坦化層６５の下に埋もれているため、平坦化層６５は開口される。すなわち平坦化層６５は直列共振子の位置でリソグラフィによって除去される。これにより、トップ電極５０ｓによって規定される直列共振子から十分に離れた状態が保持される直列共振子の近くの平坦化層６５における段差６７が生成される。
【００８１】
図１１において、SBAR100の（自身の段差５４を備える）トップ電極５０のみが、平坦化層６５を使用して平坦化される。当然のことながら、本発明の他の実施例（図８乃至図１５Ｃで図示略）が、ボトム電極３０のみの平坦化６３を使用してもよい。
【００８２】
図１２において、（ボトム電極層３０に対して）平坦化層６３及び（トップ電極層５０に対して）平坦化層６５を使用する、フィルムBAW共振子（FBAR）１００の（誘電層６３による）ボトム電極３０と（誘電層６５による）トップ電極５０との両方の平坦化が示されている。
【００８３】
基板１０と（平坦化層６３を備える）ボトム電極３０との間のエアギャップ（air gap）１３が、犠牲（防食）層（sacrificial layer）を除去することによって形成される。このエアギャップ１３の端部において、更なる支持（サポート）層１５が形成される。
【００８４】
図１３において、平坦化層６５を使用して、FBAR１００のトップ電極５０のみが平坦化される。当然のことながら、本発明の他の実施例（図８乃至図１５Ｃで図示略）が、ボトム電極３０のみの平坦化６３を使用してもよい。
【００８５】
図１２による本発明の第五の実施例、更に図１３による本発明の第六の実施例においても、基板１０と（圧電層４６の部分を備える）ボトム電極３０との間のエアギャップ（air gap）１３が、犠牲（防食）層（sacrificial layer）を除去することによって形成される。このエアギャップ１３の端部において、更なる支持（サポート）層１５が形成される。
【００８６】
図１４において、（自身の段差６１を備える）第一の誘電層６３及び（自身の段差６７を備える）第二の誘電層６５は、単一又は特定の音響モードのみがSBAR構造体１００によってエネルギ的に閉じ込められるように音響的に設計される。第一の実施例（図８参照）のように、二つの誘電層６３及び６５は、特定の音響モードのみが閉じ込められるような厚さで適合させられる。層６３及び６５は、対応するボトムメタライゼーション３０及び対応するトップメタライゼーション５０よりも１０倍厚くなってもよく、及び／又は１０倍薄くなってもよい。  
【００８７】
代わりに誘電平坦化層６３及び６５は、特定モードのエネルギ閉じ込めが低減され、隣接する共振子１００及び１００’の音場８０及び８０’がオーバラップするようにも設計され得る。これにより、それから、隣接する共振子１００及び１００’の間の改善された音響結合がもたらされ、横方向に音響結合された共振子構造体が技術的に実現可能になる。
【００８８】
音響結合された共振子構造体１００及び１００’の動作原理は、図１５Ａ（上面図）、図１５Ｂ（断面図）、及び図１５Ｃに示されている。
【００８９】
厚さｔを備える幅ｗの二つの共振子１００及び１００’は距離ｇによって分離させられる。平坦化層６３及び６５がもたらされる。当該二つの誘電層６３及び６５は振動モード（vibration mode）のエネルギ閉じ込めを低減する。個々の共振子１００及び１００’の音場８０及び８０’は拡幅（伸張）されると共にオーバラップ（一部重複）する（図１５Ｃ参照）。
【００９０】
共振子１００及び１００’の幅ｗに対する通常の値は約１×ｔから約５０×ｔまでの範囲の値になる。ここでｔは共振子１００及び１００’の厚さであり、通常、約０．１マイクロメートルから約１０マイクロメートルまでの範囲の値になる。共振子１００及び１００’の間の距離ｇは通常、約ｗ／１０から約ｗまでの範囲の値になる。音響結合を強化するため、共振子１００及び１００’の長さｌが、共振子１００及び１００’の幅ｗよりも大きくなる（又は等しくなる）べきである。
【００９１】
最後に、図８乃至図１５Ｃに記載されている本発明の八つの実施例に関して、共振子構造体１００の層スタック（垂直レイアウト）における不連続性ばかりでなく横方向共振子レイアウトにおける不連続性もモード変換及び音響損失に寄与する。
【００９２】
それ故に、共振子構造体１００が設計されるとき、鋭い角及び鋭い端部は避けられるべきである。丸い端部及び丸い角を備える共振子構造体１００又は丸い共振子さえもが有利になり得る。
【００９３】
共振子構造体１００のボトム電極３０における段差３２（図１１）は損失をもたらすばかりでなく、当該領域における圧電物質の妨害された成長ももたらすことも注意されるべきである。それ故に、幾何学的にボトム電極３０よりも小さくなるトップ電極５０を設計することは有利になり得る。  
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１Ａ】従来技術による膜を基礎としたフィルムバルク音響波共振子（FBAR）の断面図を概略的に示す。
【図１Ｂ】図１ＡのFBARの上面図（トップビュー）を概略的に示す。
【図２Ａ】従来技術によるブラグ反射体バルク音響波共振子（SBAR）の断面図を概略的に示す。
【図２Ｂ】図２ＡのSBARの上面図を概略的に示す。
【図３】従来技術による付加寄生部を備える等価回路モデル、すなわちバタワースヴァンダイクBAW共振子モデルの概略図を示す。
【図４】広い周波数帯域ｆに渡ってバタワースヴァンダイクBAW共振子モデル（等価回路モデル；図３実線参照）及びノボトニ−ベンズBAW共振子モデル（１Ｄモデル、点線）による予測と比較して、通常のバルク音響波（BAW）共振子のミリシーメンス（Milli-Siemens）（= mS = 10-3/Ohm）で測定される測定コンダクタンスＧ（共振子アドミッタンスＹの実部）（破線）を示す図を表している。
【図５】通常のFBAR構成体の“内部”導波路における最下位の五つのモード、すなわち湾曲モード（Ｆ１）、縦モード（Ｅ１）、基本厚みすべりモード（ＴＳ１）、基本厚み縦モード（ＴＥ１）、及び第二高調波厚みすべりモード（ＴＳ２）に対する分散曲線を示す図を表している。
【図６】通常のFBAR構成体の“外部”導波路における最下位の五つのモード、すなわち湾曲モード（Ｆ１）、縦モード（Ｅ１）、基本厚みすべりモード（ＴＳ１）、基本厚み縦モード（ＴＥ１）、及び第二高調波厚みすべりモード（ＴＳ２）に対する分散曲線を示す図を表している。
【図７】反共振周波数fa= 2.03ギガヘルツ付近における図４からの非常に細かな詳細部を示している。
【図８】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第一の実施例の断面図を概略的に示す。
【図９】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第二の実施例の断面図を概略的に示す。
【図１０】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第三の実施例の断面図を概略的に示す。
【図１１】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第四の実施例の断面図を概略的に示す。
【図１２】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第五の実施例の断面図を概略的に示す。
【図１３】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第六の実施例の断面図を概略的に示す。
【図１４】本発明による方法によって製造される本発明による共振子構造体の第七の実施例の断面図を概略的に示す。
【図１５Ａ】本発明による方法によって製造される本発明による二つの共振子の構造体の第八の実施例の上面図を概略的に示す。
【図１５Ｂ】図１５Ａの二つの共振子の構造体の断面図を概略的に示す。
【図１５Ｃ】図１５Ａ及び図１５Ｂの二つの共振子の構造体の拡幅されると共にオーバラップする音場を概略的に示す。
【符号の説明】
【００９５】
100   共振子構造体、特に第一の共振子
100'  共振子構造体、特に第二の共振子
10    基板
12    基板10内のエアギャップ
13    基板10とボトム電極30との間のエアギャップ
15    エアギャップ13の端部における支持層
20    反射体又は反射体スタック、特に膜
20'   反射体又は反射体スタック、特に 音響不整合層22及び24のセット
22    低機械インピダンスの反射体層
24    高機械インピダンスの反射体層
30    ボトム電極層、特にボトム電極
32    ボトム電極層30における段差
40    圧電層、特にＣ軸垂直圧電層
50    トップ電極層、特にトップ電極
50p   厚いトップ電極層、特に並列共振子又は分路共振子上にもたらされる厚いトップメタル層
50s   薄いトップ電極層、特に直列共振子上にもたらされる薄いトップメタル層
52    トップ電極層50のパッド
54    トップ電極層50の段差
61    誘電層63における段差
63    (ボトム電極層30に関連する)誘電層
65    (トップ電極層50に関連する)誘電層
67    誘電層65における段差
70    質量負荷層
72    質量負荷層70における段差
80    場、特に第一の共振子100の音場
80'   場、特に第二の共振子100'の音場
200   音響結合された共振子フィルタ
C0    静的容量(図３参照:従来技術)
C1    動的容量(図３参照:従来技術)
Cp    基板10における迷走電界による容量(図３参照:従来技術)
g     共振子100と100'との間の距離
l     共振子100と100'との長さ
L1    動的インダクタンス(図３参照:従来技術)
Ls    電極及び相互接続部におけるインダクタンス(図３参照:従来技術)
R1    動的抵抗(図３参照:従来技術)
Rp    基板10における迷走電界による抵抗(図３参照:従来技術)
Rs    電極30, 50, 50p, 50s, 52, 及び相互接続部におけるオーミック抵抗(図３参照:従来技術)
t     共振子100, 100'の厚さ
w     共振子100, 100'の幅  
【図１Ａ】
2007507960.tif 000006
【図１Ｂ】
2007507960.tif 000007
【図２Ａ】
2007507960.tif 000008
【図２Ｂ】
2007507960.tif 000009
【図３】
2007507960.tif 000010
【図４】
2007507960.tif 000011
【図５】
2007507960.tif 000012
【図６】
2007507960.tif 000013
【図７】
2007507960.tif 000014
【図８】
2007507960.tif 000015
【図９】
2007507960.tif 000016
【図１０】
2007507960.tif 000017
【図１１】
2007507960.tif 000018
【図１２】
2007507960.tif 000019
【図１３】
2007507960.tif 000020
【図１４】
2007507960.tif 000021
【図１５Ａ】
2007507960.tif 000022
【図１５Ｂ】
2007507960.tif 000023
【図１５Ｃ】
2007507960.tif 000024
【国際調査報告】
2007507960.tif 000025
2007507960.tif 000026
2007507960.tif 000027