(57)【要約】  ボンドワイヤインピーダンスの制御をもたらす構造。実施形態の一例では、複数の（１１５）グランドパッド、信号パッド及び電源パッドを有する集積回路（１３０）と、集積回路を搭載し、そして、集積回路を囲む少なくとも一つの基準トレース（１４０）を有する導電パスを含むパッケージ（１１０）とを備える集積回路装置（１００）がある。誘電体により被覆された金属テープにより形成されたグランドアーチ（１７０）が集積回路上に設けられ、熱放散及びＥＭＩシールドをもたらすためにグランドパッドに接続される。
2007500441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグランドパッド、信号パッド及び電源パッドを有する集積回路と、
前記集積回路を搭載し、そして、前記集積回路を囲む少なくとも一つの基準トレースを有する導電パスを含み、そして、前記集積回路上に設けられたグランドアーチを有するパッケージとを備えた集積回路装置。
【請求項２】
前記基準トレースは電圧基準、グランド基準の少なくとも一つに結合されている請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記グランドアーチは前記集積回路装置の領域に匹敵する領域を有する請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記グランドアーチは誘電体材料により被覆された金属テープより成る請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記グランドアーチは該グランドアーチと複数ワイヤボンドとの間の電気的接触を妨げるのに十分な構造をもたらす所定の厚みを有する請求項４に記載の集積回路装置。
【請求項６】
前記グランドアーチは前記集積回路装置上の少なくとも一つのグランド位置に結合され、該グランド位置は前記グランドトレース及びグランドパッドを含む請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項７】
前記グランド位置は、さらに、前記集積回路装置上のほぼ中央領域位置を含む請求項６に記載の集積回路装置。
【請求項８】
前記グランドアーチは銅、金、銀、アルミニウムそしてこれらの合金から選ばれた高導電材料の複数コンダクタを備える請求項５に記載の集積回路装置。
【請求項９】
前記高導電材料は固形テープ、メッシュそして編まれた複数ワイヤボンドを含む形態となっている請求項５に記載の集積回路装置。
【請求項１０】
前記グランドアーチは導電接着剤、ハンダ、共晶金属ボンドそして熱圧縮ボンドの少なくとも一つによりグランド位置に結合されている請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項１１】
前記誘電体はエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ハンダマスク、ＰＴＦＥそしてＴＥＦＬＯＮＴＭの少なくとも一つから選ばれる請求項３に記載の集積回路装置。
【請求項１２】
半導体装置ダイをパッケージに封入する際に複数ボンドワイヤのインピーダンスを制御する方法であって、
前記装置ダイ上の信号及び電源／グランドパッド位置を決め、
前記パッケージ上のグランドトレース位置を決め、
前記装置ダイの前記信号パッド及び電源／グランドパッドをボンディングし、
前記ボンドワイヤ及びグランドトレース位置上にグランドアーチを含む導電パスを設け、
前記装置及びグランドアーチを封入する方法。
【請求項１３】
導電パスを設けるのは、所定量前記パッケージを回転させ、そして、さらなるグランドアーチを設けることを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記所定量は約９０度である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらなるグランドアーチを設けるのは装置設計、パッケージサイズ、ワイヤボンド数そして所望インピーダンスに依る請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記所望インピーダンスはワイヤボンドからのグランドアーチ距離に依る請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、集積回路のパッケージングに関し、そして、特に、ピン数の多い半導体パッケージにおけるボンドワイヤインピーダンス低減に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路技術の改良により基板の所定領域に収納できる装置の密度並びに複雑さが増すにつれ、これら装置のパッケージングに重大な問題が起きている。コンピュータ応用においては、例えば、データバスの幅は１６，３２，６４ビットから１２８ビット、そして、それ以上に増えてきている。データがシステム内を移動する間にバスから同時スイッチ出力（ＳＳＯ）があることは珍しくない。ＳＳＯの間に一時的な大電流によりチップの電源及びグランドレールにノイズが生じることが多い。ノイズが大きいとグランド及び電源レールが規定電圧からはずれチップ動作が予測不可能になる。
【０００３】
ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）パッケージにおいては、装置ダイをパッケージ上のグランドに接続するのにボンドワイヤがよく用いられる。ピン数の多いＢＧＡでは、通常、グランドリングがよく用いられる。これらのボンドワイヤは、場合によっては、信号ボンドワイヤの近傍に置かれコプラナーウェーブガイド構造を形成して信号ボンドワイヤのインピーダンスを制御する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
米国特許５，８７２，４０３及び６，０８３，７７２は基板上に電力半導体ダイを搭載する構造及び方法に関するものである。これらは、一般的には、パワーエレクトロニクスに関し、さらに特に、電力素子用低インピーダンス大電流コンダクタ及びその製造に関する。
【０００５】
米国特許６，３１９，７７５Ｂ１は集積回路パッケージの製造方法に関し、特に、回路ダイ及びリードフレームへの導電ストラップの取り付け処理に関する。この特許及び上記引用された２件はこの参照によりそれら全体が開示に含まれる。
【０００６】
従来のプロセスでは金属のテント形状構造は屡々ドロップインヒートシンクと称されるが、熱抵抗を低減するのに用いることができる。これらドロップインヒートシンクは接地されてもされなくてもよい。しかし、ドロップインヒートシンクからボンドワイヤへの距離はボンドワイヤインピーダンスに大きな影響を与えるには遠すぎるかも知れない。従って、ボンドワイヤインピーダンスの制御力はほとんどない。特に、高周波で高性能が要求される用途でのボンドワイヤインピーダンスの制御力を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一例では構造がボンドワイヤインピーダンスの制御をもたらす。複数のグランドパッド、信号パッド及び電源パッドを有する集積回路と、前記集積回路を搭載するパッケージとを備えた集積回路装置がある。前記パッケージは前記集積回路を囲む少なくとも一つの基準トレースを有する導電パスを含む。グランドアーチが前記集積回路上に設けられている。この実施形態の特徴は前記基準トレースが電圧基準、グランド基準の少なくとも一つに結合されていることである。この実施形態の他の特徴は前記グランドアーチが誘電体材料により被覆された金属テープを備えていることである。
【０００８】
他の実施形態では半導体装置ダイをパッケージに封入する際に複数ボンドワイヤのインピーダンスを制御する方法が論じられる。この方法では前記装置ダイ上の信号及び電源／グランドパッド位置を決める。前記パッケージ上のグランドトレース位置が決められる。前記グランドトレース位置が決められると、前記装置ダイの前記信号パッド及び電源／グランドパッドがボンディングされる。前記ボンドワイヤ及びグランドトレース位置上にグランドアーチを含む導電パスが設けられる。前記グランドアーチが前記パッケージに取り付けられ、前記グランドアーチが前記グランドトレース位置に結合される前記装置及びグランドアーチが封入される。
【０００９】
さらなる効果並びに新規な特徴が以下に記載され、そして、部分的には、以下の記載を検討することにより当業者に明らかとなり又はこの発明を実施することにより知り得る。
【００１０】
この発明が添付図面を参照して、例を挙げて、さらに詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この発明は装置の電源又はグランドとＰＧＡパッケージとを繋ぐパスのインピーダンスの低減に効果的である。さらに、この発明は信号ボンドワイヤから所定距離おいてグランドアーチを設けることにより信号ボンドワイヤのインピーダンスを制御できるものである。
【００１２】
この発明は装置の電源又はグランドとＰＧＡパッケージとを繋ぐパスのインピーダンスの低減に効果的である。さらに、この発明は信号ボンドワイヤから所定距離おいてグランドアーチを設けることにより信号ボンドワイヤのインピーダンスを制御できるものである。これは高周波での用途、例えば、１ＧＨｚ付近での高周波メモリ用途に有用である。さらには、信号立ち上がり時間がパッケージを介した伝搬遅延より速い高速用途がある。信号ボンドワイヤのインピーダンスを小さくすることにより、ダイパッドでの立ち上がり時間が速くなり、これは、ダイパッドでの立ち上がり時間はパッケージ内部接続特性インピーダンスとパッドキャパシタンスとの積により決まるからである。ボンドワイヤを含むパッケージ内部接続インピーダンスが小さくなると立ち上がり時間が速くなり、従って、ＩＣ装置が高速となる。
【００１３】
他の応用では、グランドアーチはグランドではなく安定した基準電圧にボンディングされてもよい。そのような態様は特定の装置ダイ特性及び電圧供給条件により駆動されてもよい。
【００１４】
図１に見られるように、グラフ５０はグランドアーチからのボンドワイヤ距離の関数としてのボンドワイヤインピーダンスを示している。曲線６０は距離変化に応じたワイヤのインピーダンスを表している。距離変化に応じたインピーダンスが曲線の各データ点で６５により示された数値により表されている。例えば、距離が５０μｍではワイヤのインピーダンスは約６１オームである。他の例としては、ここには示されていないが、距離が５００μｍではインピーダンスは約１１９オームである。シールドされていないボンドワイヤではインピーダンスは約１２５オームである。
【００１５】
実施形態の一例では、集積回路（ＩＣ）装置及びボンドワイヤ上部近傍に銅のストリップが形成されボンドワイヤインピーダンスを低減させる。この低減したボンドワイヤインピーダンスが、さらに、ボンドワイヤインダクタンス及び電磁波障害（ＥＭＩ）を低減させる。薄い銅テープを用いると特定のボンドワイヤ及びダイ構造にグランドアーチをカスタマイズすることができる。
【００１６】
図２Ａを参照すると、この発明の実施形態の一例において、ボンドワイヤ直近でダイとパッケージとの間で低インピーダンス電力又はグランド接続が行われている。これがボンドワイヤのインピーダンスを小さくしている。ＩＣ装置がＢＧＡパッケージ構造１００内に収納されている。ダイ１３０が基板１１０に取り付けられている。ダイパッド１１５がワイヤ１２０によりパッケージランディング１２５にワイヤボンディングされている。ハンダボール１０５がグランドトレース１４０に結合されている。このグランドトレース１４０はＢＧＡでよく用いられるグランドリングでもよく、ＩＣダイ１３０にグランド接続を施している。グランドアーチ１７０がボンディングされたＩＣダイ１３０上に設けられ、且つ、導電ボンド１５０ａ及び１５０ｂを介してグランドトレース１４０に取り付けられている。グランドアーチ１７０は導電材料１６０及び誘電体材料１４５を有している。導電材料１６０はＩＣ装置を製造するプロセス、そして、その装置をパッケージするのに用いられるプロセスに適応する如何なる材料を備えてもよい。そのような材料は、限定されないが、銅、金、銀、アルミニウム、そしてこれらの合金を含んでもよい。
【００１７】
図２Ｂはグランドアーチ１７０の拡大横断面図である。導電材料１６０及び誘電体材料１４５はある特定パッケージタイプに適応する厚みとなっている。例えば、この発明は特別に設計されたリードフレームを有するセラミック及びプラスチックのピングリッドアレイ（ＰＧＡ）に適用できる。このリードフレームではアーチとの電気的接触を可能にするのに十分な幅をグランドリードが有する。
【００１８】
実施形態の一例では導電材料１６０は銅テープでもよい。銅テープは従来の如く形成され、所定のダイサイズ、ワイヤボンド高さ及び長さにより効率的にカスタマイズすることができる。しかし、このテープは封入器の厳密性に耐える自己支持構造となるのに十分な厚みでなければならない。例えば、２５μｍの厚みであれば十分であるが、他の状況を考えると２５０μｍの厚みでもよい。この厚みはパッケージの程度並びに何が製造されるかに依る。導電ボンド１５０ａ及び１５０ｂは導電性接着剤、ハンダ、又は、圧縮ボンドでもよいが、電気的接合をもたらすにはこれらの方法には限定されない。
【００１９】
誘電体材料１４５は短絡の原因となる導電材料１６０とボンドワイヤ１２０との接触を防止するものである。アーチに適用でき、不慮の短絡を防止できる誘電体は数多くある。誘電体の種類は潜在的なコストを踏まえて誘電率を下げるということを基にして選ばれる。そのような材料には、限定されないが、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ハンダマスク、ＰＴＦＥ、及び、ＴＥＦＬＯＮＴＭが含まれる。この誘電体は、当然、モールド処理の際に晒される温度に耐えるものでなければならない。
【００２０】
ここで図３を参照すると、グランドに対して導電ボンドが望ましくない場合がある。この発明による他の実施形態では、構造２００が、基板２１０にボンディングされたダイ２３０を有する。ダイ２３０は、ワイヤ２２０によりパッドランディング２１５からパッケージランディング２２５へワイヤボンディングされている。絶縁材料２４５がその上に設けられている導電部２６０を有するアーチ２７０がボンド２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃを介して基板２１０にボンディングされている。アーチ２７０はその中央で折り曲がり、さらなるボンディング点を提供している。この場合、アーチはその絶縁材料２４５上でボンディングされる。ボンド２５０ａ及び２５０ｃはグランドトレースを介してハンダボール２０５には接続されておらず、従って、アーチは電気的には接地されておらず、それは能動回路を有するダイ中央付近に取り付け可能である。しかし、アーチ内の導電材料はＩＣ装置２３０より発生する熱を逃がす経路をもたらす。装置設計並びにパッケージング処理が非電気的に接続されたボンディングの有用性に影響を与える。ボンド２５０ａ、２５０ｂ及び２５０ｃは適当な接着剤により接着されてアーチの機械的接続を十分なものとする。誘電体材料は所望の熱伝達特性及び用いられる接着剤との適合性を有するものが選ばれる。
【００２１】
図４を参照すると、この発明の他の実施形態では、図３に見られるような態様のアーチがパッケージに電気的にボンディングされてもよい。構造３００が、基板３１０に取り付けられたダイ３３０を有する。ワイヤボンド３２０がダイパッドランディング３１５をパッケージランディング３２５に結合している。ハンダボール３０５がグランドトレース３４０ａ及び３４０ｂに結合されている。これらグランドトレース３４０ａ及び３４０ｂ上で、グランドアーチ３７０の誘電体材料２４５が開かれグランドアーチの導電材料２６０が露出している点で、グランドトレース３４０ａ及び３４０ｂ上に導電ボンド３５０ａ及び３５０ｂを介してグランドアーチ３７０が結合されている。導電ボンド３５０ａ及び３５０ｂに加えて、ダイ３３０は中央付近にグランド領域３８０を有し、この上にさらなる導電ボンド３５０ｃが取り付けられてもよい。この態様とするために、グランド領域３８０がダイ３３０の中央付近となるようにユーザはＩＣ設計のレイアウトを考えると思われる。このグランドは設計プロセスの初期段階である特定のＩＣ装置の設計に組み込まれることになろう。もし設計が中央にグランド領域を設けることを許さない場合は、グランド領域は、例えば、ダイの異なる象限内に置かれてもよい。
【００２２】
他の実施形態では、グランドアーチ３７０の態様としては３５０ａ及び３５０ｂ上でグランドトレース３４０ａ及び３４０ｂに電気的にボンディングされてもよい。３５０ｃでの電気的接続は除外され、これは、中央グランドトレース３８０が無くなると思われるからである。３５０ｃのアーチ３７０がダイ中央付近に接着されてもよいが電気的には結合されない。従って、グランドアーチ３７０が３４０ａ、３５０ａ及び３４０ｂ、３５０ｂにおいてさらなるグランドを、そして、３５０ｃにおいて熱放散をもたらす。
【００２３】
グランドトレースのインピ−ダンスが低くなることにより、Ｉ／Ｏスイッチング電流による電源又はグランドで生じるノイズが減少して信号品質が高まる。グランドアーチを形成するテープは固形又はメッシュでもよい。アーチがグランドに結合されないと、アーチが低抵抗を低くし、ダイに発生する熱を放散させて、パッケージの伝熱能力が高められる。グランド結合の態様では、アーチはダイ上にシールドを施してＥＭＩを低下させる。ダイはパッケージと組み合わさってグランドシールドにより囲まれる。
【００２４】
図５はそれら上記の実施形態がピン数が多く、そして、同様にボール／ピン数が多いパッケージに封入される装置に適用できる場合のフローチャートを示す。実施形態の一例では、一連の工程５００が行われて、この発明が装置ダイ及びパッケージに適用される。設計者は既に装置上の信号及び電源／グランドパッド位置を決めているであろう。設計の前段階では装置のノイズの発生を最小限に抑え、一方で、装置の性能を高めることに集中することになろう。適当なパッケージが選ばれると、ユーザは装置の信号及び電源／グランドパッドを対応するパッケージランディングにボンディングする５１０。ボンディング５１０が完了すると、グランドアーチがボンドワイヤ上に設けられる５１５。グランドアーチ内に存在する誘電体材料が短絡が生じる可能性を低減させる。グランドアーチは導電ボンドによりパッケージに取り付けられる５２０。グランドアーチが取り付けられると、ユーザは装置ダイ及びグランドアーチアセンブリを封入する５３０。上述の如く、ダイ中央付近にグランドアーチを取り付けるのに電熱性接着剤を用いることができるように、グランドアーチは中央付近に凹部が形成されてもよい（図３及び４）。
【００２５】
アーチとグランド間の電気的接触には多くの手法を用いることができる。例えば、一つにはアーチの銅とパッケージグランドとの間に導電ダイ取り付け材料Ａｂｌｅｓｔｉｋ２０００ＢＴＭ等の導電接着剤を用いてもよい。
【００２６】
他の実施形態の例では、アーチがパッケージにハンダ付けされてもよい。この場合、ハンダペーストがパッケージグランド接続に適用され、アーチがハンダペーストと接触する。ハンダペーストがリフローされて接続を成す。モールドコンパウンドの硬化温度を超えるリフロー温度でハンダペーストが用いられることが多い。
【００２７】
他の実施形態の例では、取り付け手段としては、グランドパッドとアーチが金メッキされ、そして、熱圧縮ボンディングを成す熱及び圧縮により接続される金熱圧縮ボンディングでもよい。他の方法としては、シリコンダイをパッケージに取り付け、又は、ダイパッドをパッケージランディングにワイヤボンディングするものでもよい。
【００２８】
図６のフローチャートは上記の各実施形態に適合して実施される半導体装置製造のための一手法である。実施形態の他の例では、さらなる接地並びに熱放散が必要になるとの予測の基に設計者は信号パッド、電源／グランドパッド、そして、ダイ上グランドアーチの装置ダイ６０５上での取り付け位置を決める。工程６０５が通常シリコンに如何なる設計が施される前に行われる。しかし、この発明は如何なる装置とパッケージとの組み合わせに用いられてもよい。装置ダイパッド配置並びにパッケージが決まると、装置の信号及び電源／グランドパッドが対応するパッケージランディングにボンディングされ６１０、そして、ボンドグランドストラップが装置グランドパッド上且つパッケージグランドに設けられる６１５。パッケージタイプにより、これらは、図３の場合のように、ボンディングパッド又は装置ダイを囲むグランドリングでもよい。さらに複数のグランドストラップが装置／パッケージ構造に用いられてもよい。グランドストラップがボンディングされた後、グランドストラップ近傍の装置信号パッドが対応するパッケージランディングにワイヤボンディングされてもよい６２０。グランドアーチがボンディングされた後、パッケージがシールされる６２５。
【００２９】
この発明は特にＢＧＡパッケージに適するが、グランドアーチが取り付けられる領域を有する如何なるパッケージに適用できる。
【００３０】
さらには、二つ以上のグランドアーチが用いられてもよい。実施形態の一例では、グランドアーチは第一の方向に設けられてもよい。パッケージ／ダイアセンブリが９０度回転され、そして、他のグランドアーチが取り付けられる。
【００３１】
実施形態の他の例では、一つのグランドアーチが装置ダイ中央付近に取り付けられ、二番目のグランドアーチが、ダイ中央でボンディングされずに、パッケージ／ダイアセンブリが９０度回転された後に取り付けられるというように組み合わせによりグランドアーチが形成されてもよい。
【００３２】
三つ以上のグランドアーチが用いられてボンドワイヤインピーダンスを良好なものにしてもよい。設計者は所望にようにインピーダンスを制御できるようにグランドアーチ数を決めるであろう。グランドアーチ数はダイサイズ、パッケージ、ワイヤボンド数等による。
【００３３】
実施形態のさらに他の例では、多くのワイヤボンドが共に編み込まれて信号ワイヤボンド及び装置ダイ上にメッシュとされてもよい。このメッシュはグランド位置にボンディングされてシールドを施してもよい。
【００３４】
実施形態の他の例では、パッケージグランドのみに接続され、ワイヤボンド上に延在してシールドを施し、しかし、装置とは接触しないハーフアーチが形成されてもよい。この実施形態の変形例では、ハーフアーチはダイのみと接触して、熱抵抗を低減させ、しかし、パッケージには電気的に結合されないように設計されてもよい。
【００３５】
この発明が各種特定の実施形態例を参照して記載されたが、請求項に規定されるこの発明の精神と範疇から外れることなく、多くの変更がなされることが当業者には明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】ボンドワイヤインピーダンス対グランドアーチ距離特性を示す図である。
【図２Ａ】この発明の一実施形態によるＢＧＡ用グランドアーチ構造の側面図である。
【図２Ｂ】図２Ａのグランドアーチ構造の横断面の詳細を示す図である。
【図３】この発明の他の実施形態によるＢＧＡ用の他のグランドアーチ構造の側面図である。
【図４】この発明のさらに他の実施形態によるＢＧＡ用のさらに他のグランドアーチ構造の側面図である。
【図５】この発明の実施形態の一例による装置ダイのパッケージングのフローチャートである。
【図６】この発明の実施形態の他例による装置をパッケージングするための一手法を例示するフローチャートである。
【図１】
2007500441.tif 000003
【図２Ａ】
2007500441.tif 000004
【図２Ｂ】
2007500441.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007500441.tif 000008
【図６】
2007500441.tif 000009
【国際調査報告】
2007500441.tif 000010
2007500441.tif 000011
2007500441.tif 000012