(57)【要約】  本発明は、基板上に薄い半導体材料層を含む構造を製造する方法に関し、この方法は、薄層がそこから作られるべきドナー基板の表面下に、ドナー基板の厚さ内に脆化領域を作り出すために、イオン種が注入されるステップと、注入をうけたドナー基板の表面が、支持基板に密着して配置されるステップと、ドナー基板が前記脆化領域において、ドナー基板の一部を支持基板上に転写するために且つ支持基板上に薄層を形成するために、剥離されるステップとを含む。本発明は、注入ステップが、剥離後得られる構造における低い周波の粗さを最小化するために、少なくとも２つの異なる原子のイオン種の共注入を含み、この方法が、仕上げステップも含み、この仕上げステップは、剥離後得られる構造における高い周波の粗さを最小化するために、少なくとも１つの急速熱アニール工程を含むことを特徴とする。
2007500435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法であって、
・前記薄層がそれから作られるべきドナー基板の表面の下にイオン種の注入を実施し
て、それにより前記ドナー基板の厚さ内に脆化領域を形成し、
・前記ドナー基板が注入をうけた後、支持基板に密着して前記ドナー基板の前記表面を
配置し、
・前記脆化領域で前記ドナー基板を剥離して、前記支持基板上に前記ドナー基板の一部
分を転写して前記支持基板上に前記薄層を形成する、
段階を含み、
・前記注入の段階が少なくとも２つの異なる原子のイオン種の共注入を実施し、それに
よって剥離後得られる前記構造のレベルで低い周波の粗さを最小にし、
・さらに前記方法が、仕上げステップを含み、前記仕上げステップは少なくとも１つの
急速熱アニール工程を含み、それによって剥離後得られる構造のレベルで高い周波の
粗さを最小化する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
水素とヘリウムイオン種が、前記注入ステップの間に、共注入されることを特徴とする上記請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水素とヘリウムイオン種が、順次注入されることを特徴とする上記請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ヘリウムが、前記水素の前に注入されることを特徴とする上記請求項に記載３の方法。
【請求項５】
注入されるヘリウムの注入量が、ほぼ０．７×１０16ｃｍ-2〜１．２×１０16ｃｍ-2の間であり、注入される水素の注入量が、ほぼ０．７×１０16ｃｍ-2〜２×１０16ｃｍ-2の間であることを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記急速熱アニール（ＲＴＡ）が、温度９００℃〜１３００℃の間で、１〜６０秒間、実施されることを特徴とする前記請求項１−５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記急速熱アニール（ＲＴＡ）が、アルゴンと水素からなる混合気体を含む雰囲気中で実施されることを特徴とする上記請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記急速熱アニール（ＲＴＡ）が、純アルゴンの雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記急速熱アニール（ＲＴＡ）が、純水素の雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記仕上げ段階が、さらに、剥離後得られる前記構造の安定化酸化ＳｔａｂＯｘの少なくとも１つの工程を含むことを特徴とする前記請求項１−９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＳｔａｂＯｘ工程が、連続的に酸化工程、アニール工程および酸化物除去工程を実施することを特徴とする上記請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記アニール工程が、約１１００℃の温度で、２時間実施されることを特徴とする上記請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記仕上げ段階の間に、前記ＲＴＡアニール工程が、前記ＳｔａｂＯｘ工程の前に実施されることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記仕上げ段階が、複数のＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記仕上げ段階の間に、前記ＳｔａｂＯｘ工程が、前記ＲＴＡアニール工程の前に実施されることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記仕上げ段階が、複数のＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記仕上げ段階が、やはり少なくとも１つの単純な酸化工程を含み、前記単純な酸化工程が、剥離後得られる前記構造の、酸化物除去工程に引き継がれる酸化工程を含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記仕上げ段階の間に、前記ＲＴＡ工程が前記単純な酸化の前に実施されることを特徴とする上記請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記仕上げ段階が、複数のＲＴＡ／単純酸化シーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記仕上げ段階の間に、前記単純酸化が、前記ＲＴＡアニール工程の前に実施されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記仕上げ段階が、複数の単純酸化／ＲＴＡシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記薄層が、小さな低周波粗さ、特に、ほぼ、４〜５Å  ＲＭＳの間に含まれる４０×４０μｍ2の面を走査することによって測定された粗さを示すことを特徴とする前記請求項１−２１のいずれか一項に記載の方法によって製造された構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法に関し、
・  薄層がそれから作り出されるべきドナー基板（ｄｏｎｏｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の
表面の下にイオン種（ｓｐｅｃｉｅｓ）の注入を実施して、それによりドナー基板の
厚さ内に脆化領域（ｅｍｂｒｉｔｔｅｌｅｍｅｎｔ  ｚｏｎｅ）を形成し、
・  ドナー基板の表面を、注入をうけた後に支持基板に密着させて配置し、
・  脆化領域でドナー基板を剥離してドナー基板の一部分を支持基板上に転写し支持基板
上に薄層を形成する、
段階を含む方法である。
【０００２】
本発明は、またそのような方法を用いることによって得られる構造にも関する。
【背景技術】
【０００３】
イオン種の注入は、注入された基板の材料上へこれらのイオン種を導入するような原子あるいはイオン種のどんな照射も指すと理解され、注入されたイオン種の最大濃度は、照射された表面に関して基板からあらかじめ設定された深さに位置する。
【０００４】
上述の種類の方法は、既知である。
【０００５】
ＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）タイプの方法は、この種の方法の一例である。これらの方法は、本発明の好ましい一実施形態に相当する。
【０００６】
ＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）法に関する十分詳細な説明が、Ｊｅａｎ−Ｐｉｅｒｒｅ  Ｃｏｌｉｎｇｅ著の文献「Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｔｏ  ＶＬＳＩ，２ｎｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ」、出版社Ｋｌｕｗｅｒ  Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ｐ．５０〜ｐ．５１に見られる。
【０００７】
このような方法は半導体材料の薄層を含む構造を有利に製造する。
【０００８】
これらの構造は、ＳＯＩタイプ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｒ  Ｉｓｏｌａｎｔに対する、広く受け入れられた英語の技術用語によるシリコンオンインシュレータ）であってよい。
【０００９】
このような方法から得られる構造は、マイクロエレクトロニクス、光学および／またはオプトロニクスの分野での用途に使用される。
【００１０】
現在、これらの分野で用いられている構造の表面状態の仕様は、一般に非常に厳しい。
【００１１】
薄層の粗さは、実質上、その構造上に作り出されることになる構成要素の質をある程度まで決定するパラメータである。
【００１２】
粗さは、一般的にＲＭＳ（英語ＲＯＯＴ  ＭＥＡＮ  Ｓｑｕａｒｅの頭字語による）として知られる自乗平均値によるか、ＰＳＤ（英語Ｐｏｗｅｒ  Ｓｐｅｃｔｒａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙの頭字語による）として知られるパワースペクトル密度のいずれかによって表される。
【００１３】
一例として、ＲＭＳ値で５Åを超えてはならないという粗さ仕様を見出すのが一般的である。
【００１４】
粗さ測定は、原子間力顕微鏡ＡＦＭ（英語Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅの頭字語による）を用いてなされてよい。
【００１５】
このタイプの測定器において、粗さはＡＦＭ顕微鏡の側定点によって走査される（ｓｗｅｐｔ）表面上で測定され、その範囲は１×１μｍ2から１０×１０μｍ2、まれにより広い５０×５０μｍ2あるいは１００×１００μｍ２である。
【００１６】
粗さは、特に、２つの様式（ｍｏｄａｌｉｔｉｅｓ）によって特徴付けられてよい。
【００１７】
これらの様式の１つによれば、粗さは、高い周波（ｈｉｇｈ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）であるといわれ、狭い寸法の走査表面（１×１μｍ2程度）に対応する。
【００１８】
これらの様式の他方によれば、粗さは、低い周波（ｌｏｗ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）であるといわれ、広い寸法の走査表面（１０×１０μｍ2程度かまたはそれより広い）に対応する。
【００１９】
したがって、前述の「高い周波」および「低い周波」は、粗さ測定に関連する空間周波に対応する。
【００２０】
したがって、一例として示した前述の５Å  ＲＭＳの仕様は、１０×１０μｍ２の走査表面に対応する低い周波の粗さである。
【００２１】
特に、高い周波で小さい粗さは、良好なゲート酸化物を得るのに望ましい。
【００２２】
低い周波（すなわち、うねり）で小さい粗さが特に関心があるのは、狙いが薄層の自由表面上に別の基板を接合することである場合である。
【００２３】
公知（たとえばＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）タイプ）の転写方法によって得られる薄層は、薄層の表面上に特定の処理を適用していない場合、一般に前述のような仕様より大きな値の表面粗さを有する。
【００２４】
したがって、仕上げステップが、一般に剥離段階の後に引き続いて構造に対し用いられ、転写された薄層の品質を改善するようにしている。
【００２５】
より正確には、特にこれらの仕上げステップの目的は、全ての粗さ、すなわち高い周波の粗さも低い周波の粗さも含む粗さ全てを埋めてなくす（ｇｕｍ  ｏｕｔ）ことである。
【００２６】
これらの仕上げステップは一般に、化学機械研磨（すなわちＣＭＰ、英語の用語のＣｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇによる）、高温炉アニール（ｋｉｌｎ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、急速熱アニール、酸化／酸化物除去シーケンスなどの工程を使用する。
【００２７】
表面粗さ低減用の既知の方法の第１のタイプは、薄層の自由表面の化学機械研磨を含む。
【００２８】
このタイプの方法は、あらゆるうねりを低減することによって薄層の自由表面の粗さと、特に、最小周波の粗さを低減させる。
【００２９】
しかし、化学機械研磨は、（たとえば冷間加工によって）薄層内に欠陥を生じさせる。
【００３０】
さらに、化学機械研磨は、薄層の自由表面の均一性（特に非常に低い周波による均一性）を危うくする。
【００３１】
さらに、これらの欠点は、薄層の表面が重要な方法で研磨される場合に増大する。
【００３２】
このようなＣＭＰ研磨の代わりに、水素添加雰囲気中でアニールすることによって構造の表面を処理することが提案されている。
【００３３】
文献欧州特許第９５４０１４号には、ＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）タイプの方法に従って転写された薄層の粗さを低減可能にする仕上げ加工が提案されており、この仕上げ加工は、剥離ステップに引き続いて水素を含む還元雰囲気中で熱アニールすることを含んでいる。
【００３４】
水素を含む還元雰囲気中の熱アニールは、表面の再構成によって高い周波の粗さをうめてなくすことはできる。
【００３５】
しかしこの処理は、最小周波の粗さ（５〜１０μｍ）を完全には除去することができない。
【００３６】
さらにはフランス特許第２７９７７１３号に表面処理の２つの異なる種類を組み合わせることが提案されていて、これら２種類の各処理が別の粗さの周波範囲に作用する。
【００３７】
したがって、還元雰囲気中での急速熱アニールのステップも、化学機械研磨（ＣＭＰ）のステップも実施され、前記ステップは、異なる周波範囲に対するそれらの効果によってはっきり区別される。
【００３８】
このような処理の場合、還元雰囲気中でのアニールは、高い周波の粗さ（３Åより小さい空間周期）を平滑化するのに役立つが、しかしもっと低い周波であるうねりを低減するためにはあまり有効でない。
【００３９】
化学機械研磨は本質的に（ｐｅｒｓｅ）低い周波のうねりを減少させるのに効果的である。
【００４０】
しかし、既に見てきたように化学機械研磨は、本質的に一定の欠点を伴う。
【００４１】
したがって、前述のタイプの構造の薄層の品質を改善するための既知の方法は、限界と欠点を伴っているように思われる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４２】
本発明の目的は、これらの限界と欠点を効果的に取り除くことである。
【００４３】
さらに具体的には、本発明のもう１つの目的は、ＣＭＰタイプの研磨によらずに、構造における低い周波と高い周波の粗さを共に効果的に処理可能にすることである。
【００４４】
したがって、本発明の目的は、薄い表面層の品質を改善することであって、その品質の改善は、
・  表面粗さの低減と、薄層の均一性の改善の他に、
・  薄層内にある欠陥密度を低減することでもある
と理解される。
【課題を解決するための手段】
【００４５】
これらの目的を達成するために、本発明は、第１の態様によれば、
・前記薄層がそれから作り出されるべきドナー基板の表面の下にイオン種の注入を実施
して、それにより前記ドナー基板の厚さ内に脆化領域を主成する段階と、
・前記ドナー基板が注入をうけた後、支持基板に密着して前記ドナー基板の前記表面を
配置する段階と、
・前記脆化領域で前記ドナー基板を剥離して、前記支持基板上に前記ドナー基板の一部
分を転写して前記支持基板上に前記薄層を形成する段階と
を含む基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法であって、
・前記注入段階が少なくとも２つの異なる原子のイオン種の共注入を実施し、それによ
って剥離後得られる前記構造のレベルで低い周波の粗さを最小にし、
・さらに前記方法が、仕上げステップを含み、前記仕上げステップは少なくとも１つの
急速熱アニール工程を含み、それによって剥離後得られる構造の前記レベルで高い周
波の粗さを最小化することを特徴とする方法を提案する。
【００４６】
本発明の第１の態様による方法の好ましい態様は、非限定的な態様であるが、以下のとおり、
・水素とヘリウムイオン種とが前記注入段階の間に、共注入され、
・前記水素とヘリウムイオン種とが順次注入され、
・ヘリウムが水素の前に注入され、
・注入されるヘリウムの注入量がほぼ０．７×１０16ｃｍ-2〜１．２×１０16ｃｍ-2
の間であって、注入される水素の注入量がほぼ０．７×１０16ｃｍ-2〜２×１０16
ｃｍ-2の間であり、
・急速熱アニール（ＲＴＡ）が、９００℃〜１３００℃の間の温度で、１〜６０秒の間
で実施され、
・ＲＴＡアニールが、水素とアルゴンとの混合気体を含む雰囲気中、または純アルゴン
雰囲気中、または純水素雰囲気中で実施され、
・前記仕上げ段階が、剥離後得られる構造の安定化酸化ＳｔａｂＯｘの少なくとも１つ
の工程を含むこともでき、
・前記ＳｔａｂＯｘ工程が、連続的に、酸化工程、アニール工程、および酸化物除去
（ｄｅｏｘｉｄａｔｉｏｎ）工程を実施し、
・前記アニール工程は、約１１００℃の温度で２時間実施され、
・仕上げステップの間、ＲＴＡアニール工程が、ＳｔａｂＯｘ工程の前に実施されても
よく、
・前記仕上げステップが、複数のＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンスを含むことができ、
・仕上げステップの間、ＳｔａｂＯｘ工程が同様に、ＲＴＡアニール工程の前に実施さ
れてよく、
・前記仕上げステップが、複数のＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡシーケンスを含むことができ、
・ＳｔａｂＯｘ工程（複数回も含む）が、単純な酸化工程によって置き換えられてよ
く、前記単純な酸化工程が酸化物除去工程によって引き継がれる剥離後に得られる構
造の酸化工程も含むことができる。
【００４７】
もう１つの態様によると、本発明は、本発明の第１の態様による方法を実施することによって製造された構造にも関する。
【００４８】
本発明のその他の特徴、目的および利点が、添付の図面を参照して、非限定的な例として与えられ、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【００４９】
既に説明しているように、本発明は支持基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造することに関し、その薄層はイオン種の注入によって既に脆化させたドナー基板のレベルで剥離することによって得られる。
【００５０】
その構造は一般に、外部の環境に晒される表面（自由表面）上の半導体材料の薄層を含むどんな種類の構造でもよい。
【００５１】
限定ではないが、半導体材料の薄層は、シリコンＳｉ、炭化シリコンＳｉＣ、ゲルマニウムＧｅ、シリコンゲルマニウムＳｉＧｅ、ガリウムヒ素ＡｓＧａなどであってよい。
【００５２】
基板支持はシリコンＳｉ、石英などの材料から作られてよい。
【００５３】
酸化物の層が、やはり支持基板と薄層の間に挿入され、したがってその構造は、半導体オンインシュレータ（英語Ｓｅｍｉ−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒの頭字語によるＳｅＯＩ構造）、特にたとえばＳＯＩ構造で形成される。
【００５４】
本発明は、ＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）タイプの転写方法を利用することによって得られる構造の薄層の品質改善に役立てることができる。
【００５５】
このような転写方法の範囲内で、本発明が有益に実施されれば、脆化領域のレベルで剥離することから生じる半導体材料の２つの表面の一方または他方の、あるいはこれら２つの表面から、粗さを低減することができる。
【００５６】
本発明による方法の範囲内で、
・脆化領域を作り出されるためにイオン種の注入のステップが、ドナー基板の表面の下
に少なくとも２つの異なるイオン種の共注入によって実施され、
・脆化領域の所で剥離した後、急速熱アニールによって仕上げステップも実施される。
【００５７】
本発明の実施形態によれば、水素とヘリウムイオン種が、脆化領域を形成するためにドナー基板の表面の下に共注入される。
【００５８】
これに限らないが、好ましくは共注入が、ヘリウム、次いで水素を順次注入することによって実施される。
【００５９】
共注入を用いた実験によって、出願人は、ヘリウムと水素の共注入がただ水素だけの注入に引き続く転写と比較して、低減された粗さの水準を有する薄層の転写をもたらすということを洞察した。
【００６０】
より正確には、出願人は、この粗さの改善が最も顕著であると思われる周波は、最小の空間周波粗さの周波、すなわちＣＭＰによって一般にうまく処理される周波に対応するということを洞察した。
【００６１】
本発明による方法の範囲内で、共注入をうけたドナー基板の表面は、次いで支持基板に密着して配置される。
【００６２】
次いで、ドナー基板は、ドナー基板の一部分を支持基板へ転写するために脆化領域のそのレベルの所で剥離され、支持基板上に薄層を形成する。
【００６３】
これらの密着および剥離の段階は、当業者には既知であり、上述の転写プロセスに従来から使用されている。
【００６４】
したがって、剥離は、熱的パワー供給と、隋意に力学的作用によって、脆化領域のそのレベルの所で実施されてよい。
【００６５】
本発明による方法は、やはり仕上げステップを含み、その目的は特に剥離の後に得られる構造のレベルで高い周波の粗さを最小にすることである。
【００６６】
このような仕上げステップは少なくとも１つの急速熱アニールの段階を含む。
【００６７】
急速熱アニールは、制御された雰囲気中の（すなわち、数秒から数十秒にわたって実施される）急速熱アニールを意味すると理解される。
【００６８】
このようなアニールは、用語ＲＴＡアニール（英語Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇの頭字語に相当する）によって一般に示される。
【００６９】
構造のＲＴＡアニールを実施するためには、構造は高温でアニールされ、その温度は、たとえば９００℃〜１３００℃程度で、１〜６０秒間でよい。
【００７０】
ＲＴＡアニールは、制御された雰囲気で実施される。この雰囲気は、水素とアルゴンの混合気体を含む雰囲気、または純アルゴンの雰囲気、または純水素の雰囲気でさえもよい。
【００７１】
特に、ＲＴＡアニール段階は、本来、表面の再構成と平滑化によって薄層の表面粗さを低減する。
【００７２】
そして、前述のように、ＲＴＡアニールは、特に高い周波にある粗さの低減に役立つ。
【００７３】
さらに、薄層内に存在し、特に注入および剥離の間に生じた結晶欠陥は、少なくとも部分的にこのＲＴＡアニールによって矯正される。
【００７４】
したがって、良好な品質の薄層を有する構造を得るための本発明による方法は、ＣＭＰを利用しないが、しかし高い周波の欠陥も、低い周波の欠陥も共に減少させる。
【００７５】
したがって本発明による方法を実施することで、その品質が、この薄層をマイクロエレクトロニクスあるいはオプトエレクトロニクス用途に用いるのにふさわしく、かつそれらに適合する薄層を含む構造がもたらされる。
【００７６】
変形実施形態によれば、前記仕上げ段階は、やはり、少なくとも１つの安定化酸化ステップを含んでよい（同様に、以下、ＳｔａｂＯｘと呼ばれる）。
【００７７】
ＳｔａｂＯｘステップは、典型的に転写プロセス中、剥離段階に続いて、特に、
・薄層の厚さを調整し、欠陥密度を低減すること、および
・薄層と支持基板の間の界面を補強すること
のために用いられる。
【００７８】
したがって、ＳｔａｂＯｘ段階は、以下の一連の工程と同様であることになる：
・以下を一連に含む熱処理：
・・前記構造の酸化
・・・そのような酸化が、当業者によって一般的に知られている、例えば、気体
酸素中で、約９００℃に、前記構造を加熱することによって実施されるこ
とができる。
・・・次いで、この酸化の後、一層の酸化物が薄層上に形成される
・・アルゴン雰囲気中で、約１１００℃で、２時間の前記構造のアニールを連続的に
含む熱処理。このアニールは同時に、以下を可能とする：
・・・支持基板と、注入をうけたドナー基板の表面と、の間の界面を補強し、
・・・注入および剥離段階の間に生じた一定の欠陥を矯正することを可能にす
る。
・熱処理に引き続いて実施される酸化物除去工程であって、それによって酸化工程の間に
形成された酸化物層を取り去る酸化物除去工程。
【００７９】
それ自体知られている、このような酸化物除去は、構造をたとえば数分間１０％または２０％のフッ化水素酸溶液中に浸漬することによってなされてよい。
【００８０】
酸化の間に形成された酸化物層が、アニールの間、下にある薄層を保護するのに役立つことに留意されたい。
【００８１】
したがって、自由表面の近傍の薄層の一部分が、このようなＳｔａｂＯｘ工程の間に消耗されることにも留意されたい。
【００８２】
仕上げステップの間に、ＲＴＡステップに加えて、ＳｔａｂＯｘステップを実施することによって、本発明による方法は、特に、薄層中の欠陥濃度がなお一層低減され、かつその構造が最終製品として既定の厚さにされることが可能になる。
【００８３】
前述のように、実際に、ＲＴＡアニールは、薄層の表面を再構成し、薄層の厚さ内の一定の欠陥を矯正するのに役立つ。
【００８４】
この矯正が、場合によって、ただ部分的に可能である場合、したがって補足的なＳｔａｂＯｘステップが実施され、薄層の自由表面近傍および薄層の厚さ内にある大部分の欠陥を含む材料が取り除かれることを可能にする。
【００８５】
これもやはり構造の品質改善に相当する。
【００８６】
本発明による方法の変形は、仕上げステップが、ＲＴＡステップおよび少なくとも１つのＳｔａｂＯｘを含み、したがって、薄層の自由表面の方向に増加する欠陥の濃度勾配があり、この表面近傍に顕著な濃度の欠陥がある場合に特に有利である。
【００８７】
１つまたは複数のＳｔａｂＯｘ／酸化物除去シーケンスによって消耗される全体厚さが、全ての欠陥を除去するためと、構造を所望の厚さにするために有利に制御されてよいことに留意されたい。
【００８８】
本発明の特に有利な実施形態によれば、ＳｔａｂＯｘステップが仕上げ段階の間で、かつＲＴＡステップの前に実施される。
【００８９】
このＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンスは、ＳｔａｂＯｘステップが、剥離の直後に実施され、平滑化のＲＴＡステップの前にＳｔａｂＯｘステップを実施しない場合に、より良い酸化物均一性をもたらす。
【００９０】
実際には、ＲＴＡステップがＳｔａｂＯｘステップより前に実施される場合、表面粗さはより小さく、薄層の表面はかなり均一である。
【００９１】
このように、酸化の速度は、研磨される構造が酸化される場合に得られる速度に接近しており、さらにその上、構造のどこの点でも同じである。
【００９２】
さらに、薄層内にある結晶欠陥をその厚さを消耗する前に（ＳｔａｂＯｘ／酸化物除去シーケンスの間に）、取り除くことは有用であることがある。
【００９３】
これは、薄層が、特別良好である場合で、かつその厚さの消耗が、たとえば、ＲＴＡアニールによってあらかじめ矯正され、かつ再び塞がれない孔を開けそうな場合になおさら興味深い。
【００９４】
本発明の他の実施形態によれば、仕上げ段階が、少なくとも１つのＲＴＡ工程を含み、以下のシーケンスの１つからなるものでよい、すなわち、
・ＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘ（前述した）と、
・いくつかのＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンスの反復（連続して、２つの、これら
ＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンス含む、後で説明する実施形態の例）と、
・ＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡと、
・ＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡと
である。
【００９５】
仕上げ段階が、少なくとも１つの追加のＲＴＡアニールを含む場合（ＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘまたはＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡシーケンスが数回反復される場合であってよい）、追加のＲＴＡアニールは、薄層の自由表面の研磨が継続されることを可能にする。
【００９６】
前記追加のＲＴＡアニールは、最初のＲＴＡアニールより低い温度（たとえば１０００℃〜１１００℃）で実施されてもよい。
【００９７】
したがって、より低い温度でＲＴＡアニールを実施することによって、前述のシーケンスの繰り返しのサーマルバジェットを低減することが可能である。
【００９８】
本発明の特別の実施形態によれば、いわゆる単純な酸化工程が、前述のようにＳｔａｂＯｘステップの代わりに実施される。
【００９９】
この単純な酸化工程は、連続的に酸化段階および酸化物除去段階を含む。
【０１００】
したがって、サーマルバジェットは、やはり、第２のＳｔａｂＯｘ工程（ほぼ２時間にわたる熱アニール）が利用されないので低減され得る。
【０１０１】
サーマルバジェットの削減は、構造に加えられる拘束を限定可能にするという点で、有利であり、構造の結晶配列中の転位タイプの欠陥つまりスリップラインの発生確率を減少させる。
【０１０２】
したがって、酸化物除去段階に引き継がれるその酸化段階が、前述の連鎖形成中の全てのＳｔａｂＯｘステップに取って代わることができる。
【０１０３】
これから、本発明による方法の実施形態が、限定でない例として以下に詳細に説明されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０４】
この実施形態は、支持基板上に薄層を含むＳ１、Ｓ２、Ｓ３構造の製造に関する。
【０１０５】
これらの構造の薄層の厚さは、それぞれ５０〜２０００Åの間で、これらの構造の全厚さは、約７００μｍである。
【０１０６】
これらの構造Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、イオン種の注入ステップの間に、ヘリウム次いで水素の共注入を実施することによって、それぞれ、
・Ｓ１構造にはヘリウム０．７×１０16ｃｍ-2および水素０．９×１０16ｃｍ-2の、
・Ｓ２構造にはヘリウム０．８×１０16ｃｍ-2および水素０．９×１０16ｃｍ-2の、
・Ｓ３構造にはヘリウム０．９×１０16ｃｍ-2および水素０．９×１０16ｃｍ-2の、
注入量を用いて作り出される。
【０１０７】
比較として、Ｓ４構造が、ただ水素だけの注入により５．５×１０１６ｃｍ−２の注入量を用いて作り出され、この注入量は、共注入の間に注入される全注入量より多いほぼ３倍の注入量である。
【０１０８】
共注入技術の共通の利点が、単イオン種タイプの注入と比較してその注入量のほぼ１／３だけに削減されることで、ここに開示されている。
【０１０９】
この削減は、注入時間の削減、そして最終的には、特にＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）タイプの転写方法によって支持基板上に薄層を含む構造を製造することに伴うコストの削減に移し換えられる。
【０１１０】
この既知の利点は、たとえば、Ａｄｉｔｙａ  Ａｇａｒｗａｌ、Ｔ．Ｅ．Ｈａｙｎｅｓ、Ｖ．Ｃ．Ｖｅｎｅｚｉａ、Ｏ．Ｗ．Ｈｏｌｌａｎｄ、およびＤ．Ｊ．Ｅａｇｌｅｓｈａｍ共著による文献「Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｆｉｌｍｓ  ｂｙ  ｃｏ−ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｈｅ＋ｗｉｔｈ  Ｈ＋」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ．７２（１９９８）、ｐ．１０８６〜１０８８、に開示されていて、その中で、水素とヘリウムの共注入が注入されるべき注入量の低減に役立つということが確かめられている。
【０１１１】
やはり、この文献の中で水素とヘリウムの共注入によって得られるＳＯＩ表面層が、ただ水素だけの注入によって得られる表面のＳＯＩ層の粗さに匹敵する粗さを示すと述べられていることにも留意しなければならない。
【０１１２】
すぐ上で述べた文献では、したがって、共注入によって、どんな表面粗さの改善も、もたらされていない（そして、いわんや、そのような効果の開発も一見したところ提案していない）。
【０１１３】
ここで本発明の説明に戻ると、前述の共注入ステップに引き続いて、典型的な密着配置および剥離ステップが、次いで少なくとも１つＲＴＡを含む仕上げステップが実施されて、それによってＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４構造が得られる。
【０１１４】
これらの各構造のＰＳＧ粗さ測定が、ＡＦＭ顕微鏡によって実施された。
【０１１５】
図１は、各Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４構造の粗さの異なるスペクトル成分のパワーを示す。
【０１１６】
したがって、図１のグラフに示された横軸は、空間的な周期であり（μｍの）、観測された粗さ周波を、高い周波（この軸の左側へ）から、低い周波（この軸の右側へ）にわたって示す。
【０１１７】
これらの測定は、構造の端部で、すなわち、剥離ステップの間に剥離が始動される領域のそのレベルの所でさらに精密に実施されていて、その結果、この領域は、一般的に比較的重大な粗さを有する。
【０１１８】
図１は、４０＊４０μｍ2の走査表面上のこのような測定結果を示す（したがって、この４０＊４０μｍ２の表面は、その周波によって粗さが観測されてよい最大の周波に相当する）。
【０１１９】
したがって図１は、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４構造の間の粗さの違いを、前記構造の仕上げステップのＲＴＡアニール後で、示している。
【０１２０】
第１の曲線Ｃ４は、ただ水素だけの注入によって一般的に製造されたＳ４構造の粗さを示す。
【０１２１】
他の３曲線、Ｃｌ、Ｃ２、Ｃ３は、それぞれ、本発明による、共注入とＲＴＡアニールとを組み合わせている方法によって製造された構造Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の粗さを示す。
【０１２２】
これら３曲線、Ｃｌ、Ｃ２、Ｃ３は、共注入のイオン種の注入量の違いに対応する。
【０１２３】
図１は、粗さを含む周波の分析によって破損面を特徴付け、かつ本発明によるＲＴＡと共注入の連携によって得られた利点を明示している。
【０１２４】
図１は、本発明に従って製造されたＳ１、Ｓ２、およびＳ３構造の低い周波の粗さが、一般的に製造されたＳ４構造の粗さよりかなり低いということを効果的に確認している。
【０１２５】
大体３〜１５μｍの間の空間的な周期に対する粗さのなかに正味の低減が、特に観察される。
【０１２６】
したがって、共注入は、低い周波の粗さが制限されることを可能にし、他方、高い周波の粗さは、ただ水素だけの注入の場合、同等か、あるいはわずかに小さい。
【０１２７】
したがって、本発明による一連の共注入／密着／剥離／ＲＴＡステップは、全体的に、既知の一連のただ水素のみの注入／密着／剥離／ＲＴＡステップの場合より弱い粗さを与える。
【０１２８】
一般的に示されているものより、低い周波の粗さを維持しながら共注入のイオン種の注入量を変えることも可能である（特にここで提示された例のヘリウム注入量）。
【０１２９】
ここで詳しく説明された本発明による方法の実施形態によれば、仕上げステップは、ＲＴＡステップは別にして、一連のＳｔａｂＯｘ、ＲＴＡおよびＳｔａｂＯｘステップ（あるいは、２つのＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンス反復を含む仕上げ段階）を含む。
【０１３０】
既に示されたように、このような仕上げ加段階は、
・薄層の厚さを消耗すること、および剥離後の、表面下に残留する注入欠陥を低減すること、
・ＳｔａｂＯｘ段階の間に実施されるアニールによって薄層／支持基板接着界面を貼り合せること、
・構造を最終製品向けに、所望の厚さにすること、および
・追加のＲＴＡアニールによって表面の平滑化を進めること
を可能とする。
【０１３１】
図２は、本発明による実施形態によって得られたＳ３タイプの構造のＲＭＳ表面粗さと、従来の方法によって得られたＳ４タイプの構造の表面のＲＭＳ表面粗さの比較を実施している。
【０１３２】
粗さ測定は、走査表面１０＊１０μｍ2と４０＊４０μｍ2のＡＦＭ顕微鏡を使用して、構造の端部（すなわち、剥離が始動される領域）と同時に構造の中心部でも実施されている。
【０１３３】
図２（ＲＭＳÅ単位の縦軸）では、第１の面にある縦棒が、Ｓ３タイプの構造で測定された粗さを示すのに対し、第２の面にある縦棒はＳ４タイプの構造で測定された粗さを示す。
【０１３４】
図２では、Ｓ３構造に対する粗さに正味の低減が、特に低い空間周波に対して観察される。
【０１３５】
図３ａおよび図３ｂは、図１のグラフと類似の表示であり、本発明に従って得られる粗さの低減を、それぞれ、構造の中心部内と、この構造の端部で図示している。
【０１３６】
図３ａおよび図３ｂは、本発明を実施することによって得られたＳ３タイプの構造のＰＳＤ粗さと、旧来の方法によって得られたＳ４タイプの構造のＰＳＤ粗さを、端部（図３ｂ）と同様に前記構造の中心部の所（図３ａ）でも比較可能にしている。
【０１３７】
走査表面は、４０＊４０μｍ2の大きさを有した。
【０１３８】
図３ａおよび図３ｂの各図では、構造Ｓ３の粗さが構造Ｓ４の粗さより、特に低い空間周波（特に、空間周期が３〜１５μｍの間である場合）で小さいことが観察されることができる。
【０１３９】
やはり、Ｓ４構造に対するよりＳ３構造に対してより良い粗さの均一性であることに気付かされる（Ｓ３構造の端部と中心部の間の均一性における差が効果的に和らげられている）。
【０１４０】
本発明による方法は、ほとんどの粗さを防止可能にする（特に低い周波で）最初の手法を構成することに留意されたい。
【０１４１】
ここで、本発明は、所与の粗さを「剥がす（ｔａｋｅ  ｕｐ）」ために介入する限りにおいて、「治癒的（ｃｕｒａｔｉｖｅ）」である既知の処理とは異なる。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】種々の構造の中心部で実施されたＰＳＤタイプの粗さ測定を示す図であり、また低い周波の粗さの低減を示す図でもあって、ＲＴＡタイプの単純な熱処理によって得られるものと比較して、本発明による方法を利用することによって実施することができる低い周波の粗さの低減を示す。
【図２】ＲＭＳ粗さ測定を示す図であり、また本発明による方法によって実施することができる低い周波の粗さの低減を示し、かつこの低減はＣＭＰステップによらない。
【図３ａ】図１のものと類似の同様の図であって、本発明によって得られた粗さの低減を示し、構造の中心部を示している。
【図３ｂ】図１のものと類似の同様の図であって、本発明によって得られた粗さの低減を示し、図３ａと同じ構造の端部を示している。
【図１】
2007500435.tif 000003
【図２】
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【図３ａ】
2007500435.tif 000005
【図３ｂ】
2007500435.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法であって、
・前記薄層がそれから作られるべきドナー基板の表面の下にイオン種の注入を実施し
て、それにより前記ドナー基板の厚さ内に脆化領域を形成し、
・前記ドナー基板が注入をうけた後、支持基板に密着して前記ドナー基板の前記表面を
配置し、
・前記脆化領域で前記ドナー基板を剥離して、前記支持基板上に前記ドナー基板の一部
分を転写して前記支持基板上に前記薄層を形成する、
段階を含み、
・前記注入の段階が少なくとも２つの異なる原子のイオン種の共注入を実施し、それに
よって剥離後得られる前記構造のレベルで低い周波の粗さを最小にし、
・さらに前記方法が、仕上げステップを含み、前記仕上げステップは少なくとも１つの
急速熱アニール工程を含み、前記急速熱アニールは、純アルゴンの雰囲気中、純水素
の雰囲気中または、アルゴンと水素からなる混合気体を含む雰囲気中で実施され、そ
れによって剥離後得られる構造のレベルで高い周波の粗さを最小化する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
水素とヘリウムイオン種が、前記注入ステップの間に、共注入されることを特徴とする上記請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水素とヘリウムイオン種が、順次注入されることを特徴とする上記請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ヘリウムが、前記水素の前に注入されることを特徴とする上記請求項３に記載の方法。
【請求項５】
注入されるヘリウムの注入量が、ほぼ０．７×１０16ｃｍ-2〜１．２×１０16ｃｍ-2の間であり、注入される水素の注入量が、ほぼ０．７×１０16ｃｍ-2〜２×１０16ｃｍ-2の間であることを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記急速熱アニール（ＲＴＡ）が、温度９００℃〜１３００℃の間で、１〜６０秒間、実施されることを特徴とする前記請求項１−５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記仕上げ段階が、さらに、剥離後得られる前記構造の安定化酸化ＳｔａｂＯｘの少なくとも１つの工程を含むことを特徴とする前記請求項１−６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳｔａｂＯｘ工程が、連続的に酸化工程、アニール工程および酸化物除去工程を実施することを特徴とする上記請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アニール工程が、約１１００℃の温度で、２時間実施されることを特徴とする上記請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記仕上げ段階の間に、前記ＲＴＡアニール工程が、前記ＳｔａｂＯｘ工程の前に実施されることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記仕上げ段階が、複数のＲＴＡ／ＳｔａｂＯｘシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記仕上げ段階の間に、前記ＳｔａｂＯｘ工程が、前記ＲＴＡアニール工程の前に実施されることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記仕上げ段階が、複数のＳｔａｂＯｘ／ＲＴＡシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記仕上げ段階が、やはり少なくとも１つの単純な酸化工程を含み、前記単純な酸化工程が、剥離後得られる前記構造の、酸化物除去工程に引き継がれる酸化工程を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記仕上げ段階の間に、前記ＲＴＡ工程が前記単純な酸化の前に実施されることを特徴とする上記請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記仕上げ段階が、複数のＲＴＡ／単純酸化シーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記仕上げ段階の間に、前記単純酸化が、前記ＲＴＡアニール工程の前に実施されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記仕上げ段階が、複数の単純酸化／ＲＴＡシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記薄層が、小さな低周波粗さ、特に、ほぼ、４〜５Å  ＲＭＳの間に含まれる４０×４０μｍ2の面を走査することによって測定された粗さを示すことを特徴とする前記請求項１−１８のいずれか一項に記載の方法によって製造された構造。
【国際調査報告】
2007500435.tif 000007
2007500435.tif 000008
2007500435.tif 000009
2007500435.tif 000010
2007500435.tif 000011
2007500435.tif 000012