(57)【要約】  本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。【選択図】  図１
2007528932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に銅シード層を堆積させる方法であって、
該基板表面がバリヤ層を含み、
該基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオン、pＨ７未満を含む、前記ステップと、
該基板表面に電気的バイアスを印加するステップと、
該錯体形成銅イオンを該バイアスで還元して該銅シード層を該バリヤ層に堆積させるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
該バリヤ層が、コバルト、ルテニウム、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、チタン、窒化チタン及びギンからなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該錯体形成銅イオンが、クエン酸銅、ホウ酸銅、酒石酸銅、シュウ酸銅、ピロリン酸銅、酢酸銅、ＥＤＴＡ銅錯体及びその組合わせからなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該錯体形成銅イオンの濃度が約０.０２Ｍ〜約０.８Ｍの範囲にある、請求項３記載の方法。
【請求項５】
該バイアスが、該基板表面全体に約１０ｍＡ/ｃｍ2未満である該基板表面全体に電流密度を生成させるように構成されている、請求項４記載の方法。
【請求項６】
該電流密度が、約０.５ｍＡ/ｃｍ2〜約３ｍＡ/ｃｍ2の範囲にある、請求項５記載の方法。
【請求項７】
該銅シード層の厚さが約２００オングストロームである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
該銅シード層に間隙充填銅層を堆積させるステップを更に含み、該間隙充填層を堆積させるステップが、
該基板表面を第二銅溶液に入れる工程であって、該第二銅溶液が遊離銅イオンを含んでいる、前記工程と、
該基板表面に第二電気的バイアスを印加する工程と、
該遊離銅イオンを該第二電気バイアスで還元して該銅シード層に該銅間隙充填層を堆積させる工程と、
を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
該銅間隙充填層にバルク充填銅層を堆積させるステップを更に含み、該バルク充填層を堆積させるステップが、
該基板表面を第三銅溶液に入れる工程であって、第三銅溶液が該遊離銅イオンを含んでいる、前記工程と、
該基板表面に第三電気的バイアスを印加する工程と、
該遊離銅イオンを該第三電気的バイアスで還元して該銅バルク充填層を該銅間隙充填層に堆積させる工程と、
を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つのレベリング剤を該第二銅溶液に添加して該第三銅溶液を形成する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
基板表面上のバリヤ層に金属シード層を堆積させる方法であって、
該基板表面を溶液に入れるステップであって、該溶液が酸性であり、金属供給源化合物と錯体形成化合物を含んでいる、前記ステップと、
該溶液中に錯体形成金属イオンを形成させるステップと、
該錯体形成金属イオンを電気めっき技術で還元して該金属シード層を形成するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１２】
該金属シード層が銅を含んでいる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
該バリヤ層が、コバルト、ルテニウム、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、チタン、窒化チタン及び銀からなる群より選ばれる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
該錯体形成金属イオンが、金属クエン酸塩、金属ホウ酸塩、金属酒石酸塩、金属シュウ酸塩、金属ピロリン酸塩、金属酢酸塩、金属ＥＤＴＡ錯体及びその組合わせからなる群より選ばれる、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
該金属供給源化合物の金属濃度が約０.０２Ｍ〜約０.８Ｍの範囲にある、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
該錯体形成化合物の濃度が約０.０２Ｍ〜約１.６Ｍの範囲にある、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
該電気めっき技術が、該基板表面全体に約１０ｍＡ/ｃｍ2未満である電流密度を生成するように構成されたバイアスを含んでいる、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
該電流密度が、約０.５ｍＡ/ｃｍ2〜約３ｍＡ/ｃｍ2の範囲にある、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
該金属シード層の厚さが約２００オングストローム未満である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
間隙充填銅層を該金属シード層に堆積させるステップを更に含み、該間隙充填層を堆積させるステップが、
該基板表面を銅溶液に入れる工程であって、該銅溶液が遊離銅イオンを含んでいる、前記工程と、
該基板表面に第二電気的バイアスを印加する工程と、
該遊離銅イオンを該第二電気的バイアスで還元して該銅間隙充填層を該金属層に堆積させる工程と、
を含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
該銅間隙充填層に該バルク充填銅層を堆積させるステップが、
該基板表面を第二銅溶液に入れる工程であって、第二銅溶液が該遊離銅イオンを含んでいる、前記工程と、
該基板表面全体に第三電気的バイアスを印加する工程と、
該遊離銅イオンを該第三電気的バイアスで還元して該銅間隙充填層に該銅バルク充填層を堆積させる、前記工程と、
を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１つのレベリング剤を該銅溶液に添加して該第二銅溶液を形成する、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
銅溶液からバリヤ層に銅シード層を電気めっきする方法であって、
該バリヤ層を含む基板表面を該銅溶液と接触した液体に入れるステップであって、該銅溶液が銅イオンと錯体形成化合物を含んでいる、前記ステップと、
該銅イオンを電気的バイアスで還元して該銅シード層を形成するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２４】
該バリヤ層が、コバルト、ルテニウム、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、チタン、窒化チタン及び銀からなる群より選ばれる、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
該銅溶液が、クエン酸銅、ホウ酸銅、酒石酸銅、シュウ酸銅、ピロリン酸銅、酢酸銅、ＥＤＴＡ銅錯体及びその組合わせからなる群より選ばれた少なくとも１つの銅供給源化合物を含んでいる、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
該電気的バイアスが、該基板表面全体に約１０ｍＡ/ｃｍ2未満の電流密度を生成するように構成されている、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
該電流密度が、約０.５ｍＡ/ｃｍ2〜約３ｍＡ/ｃｍ2の範囲にある、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
該銅イオンの金属濃度が約０.０２Ｍ〜約０.８Ｍの範囲にある、請求項１４記載の方法。
【請求項２９】
該錯体形成化合物の濃度が、約０.０２Ｍ〜約１.６Ｍの範囲にある、請求項１５記載の方法。
【請求項３０】
該銅シード層の厚さが約２００オングストローム未満である、請求項２７記載の方法。
【請求項３１】
間隙充填銅層を該銅シード層に堆積させるステップを更に含み、該間隙充填層を堆積させるステップが、
該基板表面を第二銅溶液に入れる工程であって、該第二銅溶液が遊離銅イオンを含んでいる、前記工程と、
該基板表面全体に第二バイアスを印加する工程と、
該遊離銅イオンを該第二バイアスで還元して該銅間隙充填層を該金属シード層に堆積させる工程と、
を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
該銅間隙充填層にバルク充填銅層を堆積させるステップが、
該基板表面を第三銅溶液に入れる工程であって、第三銅溶液が該遊離銅イオンを含んでいる、前記工程と、
該基板表面全体に第三バイアスを印加する工程と、
該遊離銅イオンを該第三バイアスで還元して該銅間隙充填層に該銅バルク充填層を堆積させる、前記工程と、
を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
少なくとも１つのレベリング剤を該第二銅溶液に添加して該第三銅溶液を形成する、請求項３２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【本発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、電気化学めっきにより金属層を堆積させる方法に関し、特に、金属層は銅シード層である。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]サブクォータミクロンサイズの特徴部のメタライゼーションは、集積回路製造工程の現在及び将来の世代のための基本的技術である。超大規模集積型デバイスのようなデバイス、即ち、集積回路が百万を超えるロジックゲートを含むデバイスにおいて、これらデバイスの中心にあるマルチレベル相互接続部は、通常は、高アスペクト比相互接続特徴部を導電物質（例えば、銅又はアルミニウム）で充填することにより形成される。従来、化学気相堆積（ＣＶＤ）や物理気相堆積（ＰＶＤ）のような堆積技術は、これら相互接続特徴部を充填するために用いられてきた。しかしながら、相互接続部サイズが小さくなり、アスペクト比が増加するにつれて、従来のメタライゼーション技術によるボイドを含まない相互接続特徴部はますます困難である。その結果として、めっき技術、例えば、電気化学めっき（ＥＣＰ）や無電解めっきが、集積回路製造工程においてサブクォータミクロンサイズの高アスペクト比相互接続特徴部を充填するための実行可能なプロセスとして出現してきた。
【０００３】
[0003]ＥＣＰプロセスにおいて、基板の表面に形成されるサブクォータミクロンサイズの高アスペクト比特徴部は、銅のような導電物質で効率良く充填することができる。大抵のＥＣＰプロセスは通常は二段階プロセスであり、シード層はまず基板の表面特徴部上に形成され（このプロセスは別個のシステムにおいて行われてもよい）、次に基板表面特徴部が電解質溶液に晒されると同時に電気的バイアスが基板と電解質溶液内に配置されたアノードとの間に印加される。電解質溶液は、通常は、基板の表面にめっきすべきイオンが多く含んでいる。それ故、電気的バイアスを適用すると、金属イオンを還元させる還元反応が働き、各々の金属が沈殿する。沈澱する際、金属がシード層にめっきして膜を形成する。
【０００４】
[0004]現代の超小型電子デバイスにおける微小寸法が０.１μm以下に収縮するにつれて、銅相互接続部に必要とされるプロセスは更により厳しくなっている。その結果として、従来のめっきプロセスは将来の相互接続技術の要求を支持するために不適当なものである。従来のめっき技術は、拡散バリヤ層（例えば、タンタル又は窒化タンタル）に物理気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）によって銅シード層を堆積させることを含んでいる。しかしながら、銅集塊の不連続な島がＰＶＤ技術による高アスペクト比の特徴部の底面近くにしばしば得られるので、ＰＶＤ技術で十分なシードステップカバレージを有することは極めて難しい。ＣＶＤ技術の場合、通常は、フィールド上に厚い銅層（例えば、＞２００オングストローム）が特徴部の深さ全体に連続的な側壁カバレージを有することが必要とされ、特徴部の側壁が覆われる前にしばしば特徴部の狭路が閉ざされる。更に、銅純度は、通常、完全な前駆物質リガンド削除が難しいために、ＣＶＤプロセスにおいて不確かである。ＡＬＤ技術は、通常はバリヤに良好な接着でコンホーマルな堆積を与えることができるが、側壁上に連続した銅膜を与えるには時間がかかりすぎる。また、コバルト、ニッケル、ルテニウム、銀、窒化チタンを含む代替物質が、バリヤ層に用いられる物質を徐々に置き換えている。
【０００５】
[0005]これらの従来のバリヤ物質は表面全体に絶縁未変性酸化物を有するので、タンタル又は窒化タンタルのようなバリヤ物質上に直接めっきすることは難しい。また、電気めっきの間、バリヤ導電物質（例えば、コバルト）は、通常は、遊離銅イオンの還元的電位近くで酸化する。それ故、銅シード層の電気めっきの間にバリヤ層の品質が損なわれる。ＰＶＤは銅シード層を堆積するための好ましい技術であった。タンタル又は窒化タンタルのバリヤ層にシード層を堆積するための無電解めっき技術が知られている。しかしながら、これらの技術は、銅シード層とバリヤ層間の接着不良のようないくつかの問題と、完全な無電解堆積システムの複雑さが加わりプロセス制御の難しさを伴う欠点を持っている。その上、良好に付着したシード層は、バルク銅層の電気めっき中に用いられる酸性溶液からバリヤ層（例えば、コバルト）を保護するようないくつかの利点を有する。また、銅シードはバルク銅を支持し、バリヤ層からの剥離を最少にする。
【０００６】
[0006]それ故、コバルト、ニッケル、ルテニウム、銀又は窒化チタンのようなバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法が求められている。方法は、バリヤ層に対して強力な接着と基板表面全体に対して良好な均一性で銅シード層を堆積すべきである。また、方法はバリヤ物質の範囲に適用可能であるべきである。バリヤ層は、シード層堆積中にほとんど又は全く酸化せずに維持されるべきである。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]本発明は、一般的に基板表面に銅シード層を堆積させる方法であって、基板表面がバリヤ層を含んでいる、前記方法を提供する。その方法は、銅イオンを含む銅の溶液に基板表面を入れるステップであって、銅溶液が錯体イオンを含んでいる、前記ステップと、基板表面全体に電流を加えるステップと、錯体形成銅イオンを電流で還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させるステップとを含んでいる。
【０００８】
[0008]他の実施形態においては、本発明は、基板表面上のバリヤ層に金属シード層を堆積させる方法を提供する。その方法は、溶液に基板表面を入れるステップであって、溶液が金属源化合物と錯体形成化合物を含んでいる、前記ステップと、溶液内で錯体形成金属イオンを形成するステップと、錯体形成金属イオンを電気めっきで還元して金属シード層を形成するステップを含んでいる。
【０００９】
[0009]他の実施形態においては、本発明は、銅溶液からバリヤ層に銅シード層を電気めっきする方法を提供する。その方法は、バリヤ層を含む基板表面を銅溶液と接触した液体に入れるステップであって、銅溶液が銅イオンと錯体形成化合物を含んでいる、前記ステップと、銅イオンを電流で還元して銅シード層を形成するステップとを含んでいる。
【００１０】
[0010]本発明の上記特徴が詳細に理解され得るように、上で簡単に纏められた本発明の更に具体的な説明が実施形態によってなされるものであり、それらの一部は添付された図面において示されている。しかしながら、添付された図面は、本発明の典型的な実施態様のみ示しているので、本発明の範囲を制限するものとみなすべきでなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を許容することができることに留意すべきである。
【好適実施形態の詳細な説明】
【００１１】
[0013]本発明の一実施形態は、基板表面上に、通常はバリヤ層上に銅シード層を堆積させる方法を教示する。その方法は、錯体形成銅イオンを含む銅溶液に基板表面を入れるステップを含んでいる。電流又はバイアスが基板表面全体に加えられ、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅を堆積させる。一態様においては、錯体形成銅イオンは、カルボン酸リガンド、例えば、クエン酸リガンド、酒石酸リガンド、ＥＤＴＡリガンド及び/又は酢酸リガンドを含んでいる。バリヤ層は、コバルト、ルテニウム、ニッケル、タングステン、チタン及び/又は銀より選択された金属を含んでいる。銅溶液は湿潤剤とサプレッサを含有することもできる。
【００１２】
[0014]図１は、本発明の方法を実施することができる電気化学処理システム（ＥＣＰＳ）１００の実施形態の正面図である。ＥＣＰＳ１００は、通常は、ロボット１２０がその上に中央に配置された処理ベース１１３を含んでいる。ロボット１２０は、通常は、その上に基板を支持するように構成された１つ以上のロボットアーム１２２及び１２４を含んでいる。更に、ロボット１２０とロボットアーム１２２及び１２４は、通常は、伸長し、回転し、垂直に移動するように構成され、ロボット１２０はベース１１３上に配置された複数の処理位置１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６へ、また、それらから基板を挿入し取り出すことができる。処理位置は、無電解めっきセル、電気化学めっきセル、基板洗浄及び/又は乾燥セル、基板ベベル洗浄セル、基板表面洗浄又は前洗浄セル及び/又はめっきプロセスに有利な他の処理セルとして構成することができる。好ましくは、本発明の実施形態は、処理位置１０２、１０４、１１０、１１２の少なくとも１つの中で行われる。
【００１３】
[0015]ＥＣＰＳ１００は、更に、ファクトリインタフェース（ＦＩ）１３０を含んでいる。ＦＩ１３０は、通常は、処理ベース１１３に隣接しているＦＩ１３０の側面に隣接して配置された少なくとも１つのＦＩロボット１３２を含んでいる。ＦＩロボット１３２は、基板カセット１３４から基板１２６を接続するように配置されている。ＦＩロボット１３２は、処理セル１１４及び１１６の１つに基板１２６を分配して処理シーケンスを開始させる。同様に、ＦＩロボット１３２は、基板処理シーケンスが完了した後、処理セル１１４及び１１６の１つから基板を回収するために用いることができる。この状況において、ＦＩロボット１３２は、システム１１０から除去するためのカセット１３４の１つに基板１２６逆に分配することができる。更に、ロボット１３２はファクトリインタフェース１３０を処理メインフレーム又はプラットフォーム１３４に接続するリンクトンネル１１５にも伸長する。更に、ＦＩロボット１３２は、ＦＩ１３０と連通して配置されたアニールチャンバ１３５に接続するように構成されている。アニールチャンバ１３５は、通常は、二位置アニールチャンバを含み、冷却板又は位置１３６と加熱板又は位置１３７は、例えば、２つのステーション間でそれに接近した位置に配置された基板輸送ロボット１４０と隣接して配置されている。ロボット１４０は、通常は、それぞれの加熱板１３７と冷却板１３６との間で基板を移動させるように構成されている。
【００１４】
[0016]本発明の実施形態は、銅シード層のＥＣＰのめっき溶液内に含まれた錯体形成銅供給源の使用を教示している。錯体形成銅供給源を含有するめっき溶液は、遊離銅イオンを含有するめっき溶液より著しい負の析出電位を有する。通常は、標準水素電極に対して電圧が０.２３５ＶのＡｇ/ＡｇＣｌ（１Ｍ ＫＣｌ）に示された場合、錯体形成銅イオンの析出電位は約-０.９Ｖ〜約-０.３Ｖであるが、遊離銅イオンの析出電位は約-０.３Ｖ〜約-０.１Ｖの範囲にある。例えば：
【００１５】
【化１】
2007528932.tif 000003
[0017]コバルト又はニッケルのようなバリヤ層は、遊離銅イオンの析出電位と同じ電位の溶解電位を有する。例えば：
【００１６】
【化２】
2007528932.tif 000004
それ故、遊離銅イオンは還元して銅シード層を形成するが、コバルト又はニッケルバリヤ層は酸化され溶液に溶解される。一旦バリヤ層の品質が悪くなると、銅はバリヤ層のボイドを通って移動するとともに基板の他の物質を汚染し得る。
【００１７】
[0018]図２は、遊離銅イオン（例えば、ＣｕＳＯ4）と比較した錯体形成銅イオン（例えば、クエン酸Ｃｕ）のＥＣＰを示す一例のグラフである。グラフは、めっきプロセスの電位（Ｖ）に対する電流密度（Ａ/ｃｍ2）をプロットしている。錯体形成銅イオンを含有する溶液は、クエン酸Ｃｕ（１）とクエン酸Ｃｕ（２）として標識されている。クエン酸Ｃｕ（１）溶液は０.２５Ｍクエン酸銅（ＩＩ）と０.２５Ｍの酢酸ナトリウムを含有し、クエン酸Ｃｕ（２）溶液は０.２５ＭのＣｕＳＯ4と０.５Ｍのクエン酸ナトリウムを含有する。遊離銅イオンを含有する溶液は、ＣｕＳＯ4（１）とＣｕＳＯ4（２）として標識されている。ＣｕＳＯ4（１）溶液は０.８ＭのＣｕＳＯ4とサプレッサを含有し、ＣｕＳＯ4（２）溶液は０.８ＭのＣｕＳＯ4、サプレッサ、アクセレータを含有する。グラフは、錯体槽を用いることにより、銅析出電位が１ｍＡ/ｃｍ2以上のあらゆる実施電流密度下で、これら金属の溶解電位がその範囲外であるので、コバルト又はニッケル溶解/腐食を生じないより負の値に著しく移動したことを示している。銅の析出電位のより負でない値が用いられる場合には、シード層形成の前にバリヤ層酸化が起こり始める。従って、より負の値の電位を用いた銅シード層によって錯体槽における銅析出の間、バリヤ金属は保護されている。
【００１８】
[0019]一方、遊離銅イオンを有する槽と比較した場合、錯体槽の電位に対する電流依存は実質的に減少する。それ故、基板表面全体に局所的な電流密度変化は、薄いバリヤ金属の低い導電性のために基板表面全体に大きな電位勾配の存在下でさえも改善される。このことにより、基板表面全体に析出均一性が良好になる。
【００１９】
[0020]金属シード層（例えば、銅）を上に堆積するのに適したバリヤ層は、コバルト、ルテニウム、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、チタン、窒化チタン、銀を含んでいる。バリヤ層は、通常は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ増強型ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ-ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、電気めっき又は無電解めっき堆積技術、又はその組み合わせた技術によって堆積される。
【００２０】
[0021]めっき溶液は錯体形成銅イオンを含むので、堆積プロセスは遊離銅イオンから銅を堆積するために必要とされるより負の電位（例えば、-０.５Ｖ〜-０.３Ｖ）のバイアスで開始する。また、バイアスはバリヤ層を酸化するのに必要とされるより負の電位を有する。バイアスが掛けられるにつれて、錯体形成銅イオンは化学的に還元され、銅金属がめっき溶液から沈殿する。銅の沈殿物は、バリヤ層を堆積又は被覆して銅シード層を形成する。一旦バリヤ層が銅シード層がその上に堆積されると、バリヤ層はより負でない電位で金属溶解プロセスから保護又は遮蔽される。堆積バイアスは、通常は、電流密度が約１０ｍＡ/ｃｍ2以下、好ましくは約５ｍＡ/ｃｍ2以下、更に好ましくは約３ｍＡ/ｃｍ2以下である。一実施形態においては、堆積バイアスの電流密度は約０.５ｍＡ/ｃｍ2〜約３.０ｍＡ/ｃｍ2の範囲にある。
【００２１】
[0022]銅をめっきするのに本明細書で記載されるプロセスで用いることができる適切なめっき溶液は、少なくとも１つの銅供給源化合物と、少なくとも１つのキレート化又は錯体形成化合物と、任意の湿潤剤又はサプレッサと、任意の１つ以上のｐＨ調整剤と、溶媒を含むことができる。
【００２２】
[0023]めっき溶液は、少なくとも１つの種々のリガンドで錯体形成又はキレート化された少なくとも１つの銅供給源化合物を含有する。錯体形成銅は核内に銅原子を含み、リガンド、官能基、分子又はイオンによって、もしあるならばリガンド（例えば、水）に対してかなり弱い有限性を備えた遊離銅イオンに相容れないように、銅に対して強力な有限性で囲まれている。錯体形成銅供給源は、めっき溶液（例えば、クエン酸銅）に加えられる前にキレート化されるか又は遊離銅イオン供給源（例えば、硫酸銅）を錯化剤（例えば、クエン酸又はクエン酸ナトリウム）と合わせることによってその場で形成される。銅原子は、リガンドで錯体形成前に、間に又は後に、０、１又は２のような任意の酸化状態であり得る。それ故、開示内容全体に、銅又は元素記号Ｃｕという用語の使用は、特に区別又は留意されない限り、銅金属（Ｃｕ0）、第二銅（Ｃｕ+1）又は第一銅（Ｃｕ+2）を含んでいる。
【００２３】
[0024]適切な銅供給源化合物の例は、硫酸銅、リン酸銅、窒化銅、クエン酸銅、酒石酸銅、シュウ酸銅、ＥＤＴＡ銅、酢酸銅、ピロリン酸銅、その組合わせ、好ましくは硫酸銅及び/又はクエン酸銅を含んでいる。具体的な銅供給源化合物はライゲートされた種類を有してもよい。例えば、クエン酸銅は少なくとも１つの第二銅原子、第一銅原子又はその組合わせや少なくとも１つのクエン酸リガンドを含むことができ、Ｃｕ(Ｃ6Ｈ7Ｏ7）、Ｃｕ2(Ｃ6Ｈ4Ｏ7）、Ｃｕ3(Ｃ6Ｈ5Ｏ7）又はＣｕ(Ｃ6Ｈ7Ｏ7)2を含んでいる。他の例においては、ＥＤＴＡ銅は少なくとも１つの第二銅原子、第一銅原子又はその化合物、少なくとも１つのＥＤＴＡリガンドを含むことができ、Ｃｕ(Ｃ10Ｈ15Ｏ8Ｎ2）、Ｃｕ2(Ｃ10Ｈ14Ｏ8Ｎ2）、Ｃｕ3(Ｃ10Ｈ13Ｏ8Ｎ2）、Ｃｕ4(Ｃ10Ｈ12Ｏ8Ｎ2）、Ｃｕ(Ｃ10Ｈ14Ｏ8Ｎ2）又はＣｕ2(Ｃ10Ｈ12Ｏ8Ｎ2）を含んでいる。めっき溶液は、約０.０２Ｍ〜約０.８Ｍの範囲の濃度、好ましくは約０.１Ｍ〜約０.５Ｍの範囲の濃度で１つ以上の銅供給源化合物又は錯体形成金属化合物を含むことができる。例えば、約０.２５Ｍの硫酸銅は銅供給源化合物として用いることができる。
【００２４】
[0025]めっき溶液は１つ以上のキレート化又は錯体形成化合物を含有し、カルボキシレート基、ヒドロキシル基、アルコキシル、オキソ酸基、ヒドロキシル基とカルボキシレート基の混合物、その組合わせより選ばれた１つ以上の官能基を有する化合物を含んでいる。１つ以上のカルボキシレート基を有する適切なキレート化合物の例は、クエン酸、酒石酸、ピロリン酸、コハク酸、シュウ酸、その組合わせを含んでいる。１つ以上のカルボキシレート基を有する他の適切な酸は、酢酸、アジピン酸、酪酸、カプリン酸、カプロン酸、カプリル酸、グルタル酸、グリコール酸、ギ酸、フマル酸、乳酸、ラウリン酸、リンゴ酸、マレイン酸、マロン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、フタル酸、プロピオン酸、ピルビン酸、ステアリン酸、吉草酸、キナルジン酸、グリシン、アントラニル酸、フェニルアラニン、その組合わせを含んでいる。適切なキレート化合物は、更に、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジエチレントリアミン誘導体、ヘキサジアミン、アミノ酸、エチレンジアミン四酢酸、メチルホルムアミド又はその組合わせのような１つ以上のアミン官能基やアミド官能基を有する化合物を含んでいる。めっき溶液は、約０.０２Ｍ〜約１.６Ｍの範囲、好ましくは約０.２Ｍ〜約１.０Ｍの範囲にある濃度で１つ以上のキレート化剤を含むことができる。例えば、約０.５Ｍのクエン酸がキレート化剤として用いられてもよい。
【００２５】
[0026]１つ以上のキレート化合物は、また、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、アンモニウム、その化合物のような本明細書に記載されるキレート化合物の塩を含むことができる。キレート化合物の塩は、完全に又は部分的にのみ、上記陽イオン（例えば、ナトリウム）と酸性プロトン、例えば、Ｎａx(Ｃ6Ｈ8-xＯ7）又はＮａxＥＤＴＡ、Ｘ=１-４を含有することができる。このような塩は、銅供給源と合わせてＮａＣｕ(Ｃ6Ｈ5Ｏ7）を生成する。適切な無機酸塩又は有機酸塩の例は、アンモニウム塩やカリウム塩、又は有機酸、例えば、シュウ酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、一塩基性クエン酸カリウム、二塩基性クエン酸カリウム、三塩基性クエン酸カリウム、酒石酸カリウム、酒石酸アンモニウム、コハク酸カリウム、シュウ酸カリウム、及びその組合わせを含んでいる。１つ以上のキレート化合物は、錯体形成塩、例えば、水和物（例えば、クエン酸ナトリウム２水和物）を含むことができる。
【００２６】
[0027]めっき溶液は特に銅をめっきするのに有効であるが、その溶液は、プラチナ、タングステン、チタン、コバルト、金、銀、ルテニウム、その組合わせのような他の導電性物質を堆積するのに用いることもできると考えられる。銅前駆物質は、前述の金属と少なくとも１つのリガンド、例えば、クエン酸コバルト、硫酸コバルト又はリン酸コバルトを含有する前駆物質によって代用される。
【００２７】
[0028]めっき溶液の導電性を減少させる電気抵抗添加物のような湿潤剤又はサプレッサは、約１０ｐｐｍ〜約２，０００ｐｐｍの範囲、好ましくは約５０ｐｐｍ〜約１，０００ｐｐｍの範囲で溶液に加えることができる。サプレッサは、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸ポリマー、ポリカルボキシレートコポリマー、エチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイド（ＥＯ/ＰＯ）のポリエーテル又はポリエステル、ココナッツジエタノールアミド、オレイン酸ジエタノールアミド、エタノールアミド誘導体又はその組合わせを含んでいる。
【００２８】
[0029]１つ以上のｐＨ調整剤は、７未満、好ましくは約３〜約７、更に好ましくは約４.５〜約６.５のｐＨを達成するためにめっき溶液に任意に加えられる。その他の成分の濃度が異なる配合物に変わるにつれて、ｐＨ調整剤の量は変動し得る。異なる化合物は、或る濃度の異なるｐＨレベルを与えることができ、例えば、組成物は、希望のｐＨレベルを与えるために、約０.１％〜約１０容量％の塩基、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム又はその組合わせを含むことができる。１つ以上のｐＨ調整剤は、酢酸、クエン酸、シュウ酸のようなカルボン酸、リン酸、リン酸アンモニウム、リン酸カリウムを含むリン含有成分、硫酸、硝酸、塩酸のような無機酸及びその組合わせを含む酸の種類より選ぶことができる。
【００２９】
[0030]本明細書に記載されるめっき溶液の残量又は残部は、極性溶媒のような溶媒である。水が好ましい溶媒、好ましくは脱イオン水である。有機溶媒は、例えば、アルコール又はグリコールを用いることもできるが、通常は水溶液で含まれる。
【００３０】
[0031]めっき溶液は１つ以上の添加化合物を含むことができる。添加剤化合物は、基板表面に対して金属、即ち、銅を堆積させるめっき溶液の有効性を改善するためのサプレッサ、エンハンサ、レベラ、光沢剤、安定剤を含む電解質添加物を含むが、これらに限定されない。例えば、ある種の添加剤は金属原子のイオン化割合を減少させることができ、それにより溶解プロセスを阻止するが、他の添加物は仕上がった光沢のある基板表面を与える。添加剤は、約１５質量又は容量％までの濃度のめっき溶液に存在することができ、めっき後の望ましい結果に基づいて変えることができる。
【００３１】
[0032]一実施形態においては、めっき溶液は少なくとも１つの銅供給源化合物と、少なくとも１つのキレート化合物又は錯体形成化合物と、溶媒を含んでいる。一態様においては、少なくとも１つの銅供給源化合物は硫酸銅を含み、キレート化合物はクエン酸塩を含み、溶媒は脱イオン水である。硫酸銅は、脱イオン水に溶解されて濃度が約０.２５Ｍの硫酸銅溶液を生成する。同様に、クエン酸ナトリウム２水和物は、濃度が約０.５Ｍの溶液に脱イオン水に溶解される。前述の２つの溶液は、ｐＨが約５〜約６の範囲のめっき溶液を形成するために合わせられる。他の態様においては、銅源（例えば、硫酸銅）とキレート化合物（例えば、クエン酸ナトリウム２水和物）は固体として合わせることができ、次に水で許容しうる濃度に溶解される。
【００３２】
[0033]他の実施形態においては、めっき溶液は、少なくとも１つの銅供給源化合物と、少なくとも１つのキレート化合物又は錯体形成化合物、少なくとも１つの湿潤剤と溶媒を含んでいる。一態様においては、少なくとも１つの銅供給源化合物は硫酸銅を含み、キレート化合物はクエン酸塩を含み、湿潤剤はエチレンオキシドとプロピレンオキシドのコポリマーを含み、溶媒は脱イオン水である。硫酸銅と上記のクエン酸溶液は、約２００ｐｐｍのコポリマー（エチレンオキシドとプロピレンオキシド）と合わせて約５〜約６の範囲のｐＨを有するめっき溶液を形成する。
【００３３】
[0034]他の実施形態においては、めっき溶液は、少なくとも１つの銅供給源化合物と、少なくとも１つのキレート化合物又は錯体形成化合物と、溶媒を含んでいる。一態様においては、少なくとも１つの銅供給源化合物は硫酸銅を含み、キレート化合物はホウ酸を含み、溶媒は脱イオン水である。硫酸銅をホウ酸に溶解して約５〜約６の範囲のｐＨを有するめっき溶液を形成する。硫酸銅の濃度は約０.２５Ｍであり、ホウ酸の濃度は約０.４０Ｍである。
【００３４】
[0035]他の実施形態においては、めっき溶液は、少なくとも１つの銅源化合物と、少なくとも１つのキレート化合物又は錯体形成化合物と、少なくとも１つの湿潤剤と、溶媒を含んでいる。一態様においては、少なくとも１つの銅供給源化合物は硫酸銅を含み、キレート化合物はクエン酸塩を含み、湿潤剤はエチレンオキシドとプロピレンオキシドのコポリマーを含み、溶媒は脱イオン水である。硫酸銅及び上記のクエン酸溶液は、コポリマー（エチレンオキシドとプロピレンオキシド）と合わせてｐＨが約５〜約６の範囲のめっき溶液を形成する。
【００３５】
[0036]銅シードは、いずれもカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手できる、Ｅｌｅｃｔｒａ Ｃｕ ＥＣＰ(登録商標)システム又はＳｌｉｍＣｅｌｌ Ｃｏｐｐｅｒ Ｐｌａｔｉｎｇシステムのセル内に上述のめっき溶液のいずれかを用いて堆積される。これらシステムのめっきセル、又は用いられる他のめっきシステムは、標準的なセルから製造されたものより更に均一な電場を可能にするように修正されてもよい。一調整としては、固体のアノードをセグメントアノードで置き換えることが含まれる。他態様においては、シャッタ又はシールドにより基板表面の周りにより均一な電場で直流電流がセルに加えられる。
【００３６】
[0037]バリヤ層を含む基板表面はめっき溶液に晒される。バイアスは、アノードから、セルの底面に、めっき溶液を通って、基板表面全体に始まる。電圧は通常は、約-０.９Ｖ〜約-０.３Ｖの範囲でプロセスを通って一定に維持され、基板表面全体の電流密度は、約１０ｍＡ/ｃｍ2以下、好ましくは約３ｍＡ/ｃｍ2以下である。銅シード層は、電圧又は電流がめっき溶液内の錯体形成銅イオンを還元するにつれて堆積される。銅シード層は、約５０オングストローム〜約３００オングストロームの範囲の厚さに堆積される。一態様においては、厚さは約３００オングストローム以下、好ましくは約２００オングストローム以下、更に好ましくは約１００オングストローム以下である。
【００３７】
[0038]銅シード層が堆積された後、基板は銅めっき溶液による続いてのめっき溶液の汚染を除去するために洗浄される。基板は、約２０ｒｐｍ〜約４００ｒｐｍの速度で回転しつつ、約５秒〜約３０秒の間で水溶液、好ましくは脱イオン水で洗浄される。続いて、基板は、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素又はその組合わせのようなガスフローによって乾燥される。
【００３８】
[0039]洗浄/乾燥ステップ後、基板は、良好な結晶配向を得るためにアニール、好ましくは水素ガスを含有する環境で熱アニールされる。良好な結晶配向は、続いての銅マイグレーションのエレクトロマイグレーション耐性を改善する。基板は、いずれもカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手できる、ＲＴＰ ＸＥｐｌｕｓ Ｃｅｎｔｕｒａ(登録商標)のような高速熱プロセス（ＲＴＰ）チャンバ又はＥｌｅｃｔｒａ ｉＥＣＰ(登録商標)のアニールチャンバ又はＳｌｉｍＣｅｌｌめっきシステムに配置される。チャンバは、一般的には酸素を含まない環境であり、通常は、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素又はその組合わせのようなガスを含有している。基板は、約１５０℃〜約３５０℃の範囲の温度で、約５秒〜約１８０秒間アニールされる。アニーリング時間は約５秒〜約２０秒間であってもよい。
【００３９】
[0040]アニールステップ後、第二銅堆積ステップ、間隙充填ステップが行われる。間隙充填ステップは、約０.０５-０.５ＭのＨ2ＳＯ4、約２０-１００ｐｐｍレベルのＣｌ、約８-２４ｐｐｍのＳＰＳ（アクセレータ）、約５０-５００ｐｐｍのエチレンオキシドとプロピレンオキシドのコポリマー（湿潤剤としてＥＯ/ＰＯコポリマー）、レベラとして約１００ｐｐｍ未満のポリアミンを含有する溶液を含んでいる。
【００４０】
[0041]続いて、第二アニーリングステップ、次にバルク充填ステップである第三銅堆積ステップが行われる。バルク充填ステップは、ギャップフィル堆積の間に用いられる溶液に少なくとも１つのレベリング剤（例えば、ポリアミン又はポリイミダゾール）を加えることによって調製された堆積溶液を含んでいる。レベリング剤は良好な平坦さを達成するために用いられる。また、パルスされた逆の電流は、最終的な銅堆積の平坦さを微調整するために導入され得る。
【００４１】
[0042]下記の制限されない実施例は、本発明の実施形態を更に説明するために示される。しかしながら、実施例は全て包含するものではなく、本明細書に記載された本発明の範囲を制限するものではない。
【実施例】
【００４２】
実施例１
[0043]銅シード層を、バリヤ層（コバルト）を有する基板上に堆積した。銅シードを、Ｅｌｅｃｔｒａ Ｃｕ ＥＣＰ(登録商標)システムの変更されたセル内に以下のめっき溶液を用いて堆積した。基板を以下のめっき溶液を含有する槽内に配置した。
脱イオン水中約０.２５Ｍの硫酸銅と、
脱イオン水中約０.５Ｍクエン酸ナトリウム２水和物。
【００４３】
それ故、めっき溶液のｐＨは約６であった。電気を約２ｍＡ/ｃｍ2の電流密度で印加した。めっきプロセスは、シード層が約１００オングストロームの厚さに堆積されるまで続けた。
【００４４】
基板を、約１００ｒｐｍで回転しつつ、約３０秒間脱イオン水で洗浄し、次にアルゴンガスフローによって乾燥した。基板は、Ｅｌｅｃｔｒａ ｉＥＣＰシステムのアニーリングチャンバにおいて、３０秒間Ｏ2を含まない環境でアニールした。
【００４５】
アニーリングステップ後、間隙充填堆積ステップが行われる。間隙充填ステップは、ＣｕＳＯ4（０.２５Ｍ）、Ｈ2ＳＯ4（０.３Ｍ）、５０ｐｐｍレベルのＣｌ、１５ｐｐｍのＳＰＳ（アクセレータ）、平均分子量が５，０００の２００ｐｐｍのＥＯ/ＰＯコポリマーを含有する溶液を含んでいる。
【００４６】
続いて、他のアニーリングステップがバルク重点堆積ステップに続いて行われる。バルク充填ステップは、間隙充填の間に用いられる溶液にポリアミン（レベリング剤）を加えることによって調製された堆積溶液を含んでいる。
【００４７】
実施例２
[0044]銅シード層を、バリヤ層（コバルト）を含む基板上に堆積した。銅シードを、Ｅｌｅｃｔｒａ Ｃｕ ＥＣＰ(登録商標)システムの変更されたセル内で以下のめっき溶液を用いて堆積した。基板は以下のめっき溶液を含有する槽内に配置した。
脱イオン水中約０.２５Ｍの硫酸銅と、
脱イオン水中約０.５Ｍのクエン酸ナトリウム２水和物と、
約２００ｐｐｍのポリカルボン酸（ＥＯ/ＰＯ）コポリマー。
【００４８】
めっき溶液のｐＨは約５.８であった。電気を約２.０ｍＡ/ｃｍ2の電流密度で印加した。めっきプロセスはシード層が約１００オングストロームの厚さに堆積されるまで続けた。
【００４９】
実施例３
[0045]銅シード層を、バリヤ層（ルテニウム）を含む基板上に堆積した。銅シードを、Ｅｌｅｃｔｒａ Ｃｕ ＥＣＰ(登録商標)システムの変更されたセル内に以下のめっき溶液を用いて堆積した。基板を以下のめっき溶液を含有する槽内に配置した。
脱イオン水中の約０.３Ｍの硫酸銅と、
脱イオン水中の約０.５Ｍのホウ酸。
【００５０】
めっき溶液のｐＨは約５であった。電気を約２.０ｍＡ/ｃｍ2の電流密度で印加した。めっきプロセスはシード層が約１００オングストロームの厚さに堆積されるまで続けた。
【００５１】
実施例４
[0046]銅シード層を、バリヤ層（ルテニウム）を含む基板上に堆積した。銅シードを、Ｅｌｅｃｔｒａ Ｃｕ ＥＣＰ(登録商標)システムの変更されたセル内に以下のめっき溶液を用いて堆積した。基板を以下のめっき溶液を含有する槽内に配置した。
脱イオン水中の約０.３Ｍの硫酸銅と、
脱イオン水中の約０.５Ｍのホウ酸と、
約２００ｐｐｍのＥＯ/ＰＯコポリマー。
【００５２】
[0047]めっき溶液のｐＨは約５であった。電気を約２.０ｍＡ/ｃｍ2の電流密度で印加した。めっきプロセスはシード層が約１００オングストロームの厚さに堆積されるまで続けた。
【００５３】
実施例５（推測的実施例）
[0048]銅シード層を、実施例１の手順と一致したコバルトバリヤ層を含むいくつかの基板に堆積した。基板を厚さが約１００オングストロームのシード層でめっきを始める際に種々の手段で調べた。テープテストによって、バリヤ層と銅シード層間の強力な接着を求めた。銅シード層の導電性は定性的に高かった。更に、シード層の堆積の間バリヤ層にほとんど又は全く酸化が生じなかった。
【００５４】
[0049]上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の更に多くの実施形態が本発明の基本的な範囲から逸脱することなく構成されてもよく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は、本発明の方法を実施することができる電気化学処理システムの実施形態の正面図である。
【図２】図２は、電流密度と電位のグラフである。
【符号の説明】
【００５６】
１００…電気化学処理システム、１１３…処理ベース、１１４…処理セル、１１５…リンクトンネル、１１６…処理セル、１２０…ロボット、１２２、１２４…ロボットアーム、１２６…基板、１３０…ファクトリインタフェース、１３２…ロボット、１３４…基板カセット、１３５…アニールチャンバ、１３６…冷却板、１３７…加熱板、１４０…基板搬送ロボット。
【図１】
2007528932.tif 000005
【図２】
2007528932.tif 000006
【国際調査報告】
2007528932.tif 000007
2007528932.tif 000008