(57)【要約】  通常、並列なMOSFETは、電源用途において単一のゲート信号で駆動されるため、MOSFET間のカレントシェアリングが個々のMOSFETの特性に関して自動的に規定される。これは、MOSFET間の電流分布の大規模な非均一性をもたらす可能性がある。本発明によれば、MOSFETのオン抵抗の個々の制御が与えられ、このことが、並列化されたMOSFET間での改善されたカレントシェアリングを可能にする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のMOSFETと第２のMOSFETとを有する電子回路であって、前記第１のMOSFETと前記第２のMOSFETとは互いに並列に配置され、前記第１のMOSFETはスイッチオンされるとき第１の抵抗を持ち、前記第２のMOSFETはスイッチオンされるとき第２の抵抗を持ち、更に、前記第１のMOSFETの前記第１の抵抗と前記第２のMOSFETの前記第２の抵抗との少なくとも１つを個別に制御するMOSFET抵抗制御回路を有する電子回路。
【請求項２】
前記MOSFET抵抗制御回路は、前記第１のMOSFETの前記第１の抵抗と前記第２のMOSFETの前記第２の抵抗との少なくとも１つを制御するよう、前記第１のMOSFETの第１のゲート電圧と前記第２のMOSFETの第２のゲート電圧との少なくとも１つを個別に制御するゲート電圧制御回路を有する請求項１に記載の電子回路。
【請求項３】
前記ゲート電圧制御回路は、前記第１及び第２の抵抗と、前記第１及び第２のMOSFETを流れる第１及び第２の電流と、前記第１及び第２のMOSFETの第１及び第２の温度とのうち少なくとも１つが互いに調整されるよう、前記少なくとも１つの前記第１及び第２の電圧を制御する、請求項２に記載の電子回路。
【請求項４】
前記第１のMOSFETを流れる第１の電流と前記第２のMOSFETを流れる第２の電流との少なくとも１つを測定する電流測定ユニットを更に有し、前記ゲート電圧制御回路は、前記第１及び第２の電流の少なくとも１つに基づき、前記少なくとも１つの前記第１及び第２の電圧を個別に制御する、請求項２に記載の電子回路。
【請求項５】
前記第１のMOSFETの第１の温度と前記第２のMOSFETの第２の温度との少なくとも１つを測定する温度センサを更に有し、前記ゲート電圧制御回路は、前記少なくとも１つの前記第１及び第２の温度に基づき、前記少なくとも１つの第１及び第２の電圧を個別に制御する、請求項２に記載の電子回路。
【請求項６】
前記ゲート電圧制御回路は、前記第１及び第２の温度の１つが第１の所定閾値を超えるときにのみ、前記少なくとも１つの第１及び第２の電圧を制御する、請求項５に記載の電子回路。
【請求項７】
前記温度センサは、前記第１の温度及び前記第２の温度を測定するようなされ、前記ゲート電圧制御回路は、前記第１及び第２の温度の差が第２の所定値を超えるときにのみ、前記少なくとも１つの第１及び第２の電圧を制御する、請求項５に記載の電子回路。
【請求項８】
前記第１のMOSFETの前記第１の抵抗は、前記第１のMOSFETのRDSonであり、前記第２のMOSFETの前記第２の抵抗は、前記第２のMOSFETのRDSonである、請求項１に記載の電子回路。
【請求項９】
前記電子回路は、特に、自動車用途に使用される電源モジュールである、請求項１に記載の電子回路。
【請求項１０】
第１のMOSFET及び第２のMOSFETを動作させる方法において、前記第１のMOSFET及び前記第２のMOSFETは、互いに並列に配置され、前記第１のMOSFETは、スイッチオンされるとき第１の抵抗を持ち、前記第２のMOSFETは、スイッチオンされるとき第２の抵抗を持ち、前記方法は、前記第１のMOSFETの前記第１の抵抗と前記第２のMOSFETの前記第２の抵抗との少なくとも１つを個別に制御するステップを有する方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２の抵抗が互いに調整されるように前記第１のMOSFETの前記第１の抵抗と前記第２のMOSFETの前記第２の抵抗との少なくとも１つを制御するよう、前記第１のMOSFETの第１のゲート電圧と前記第２のMOSFETの第２のゲート電圧との少なくとも１つを個別に制御するステップを更に有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のMOSFETを流れる第１の電流と前記第２のMOSFETを流れる第２の電流との少なくとも１つを測定するステップと、前記第１及び第２の電流の少なくとも１つに基づき前記第１及び第２の電圧の少なくとも１つを個別に制御するステップとを更に有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のMOSFETの第１の温度と前記第２のMOSFETの第２の温度との少なくとも１つを測定するステップと、前記少なくとも１つの前記第１及び第２の温度に基づき前記少なくとも１つの第１及び第２の電圧を個別に制御するステップとを更に有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２の温度の１つが第１の所定閾値を超えるときにのみ、前記少なくとも１つの第１及び第２の電圧を制御するステップを更に有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の温度及び前記第２の温度を測定するステップと、前記第１及び第２の電圧の差が第２の所定値を超えるときにのみ前記少なくとも１つの第１及び第２の電圧を個別に制御するステップを更に有する請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１のMOSFETと第２のMOSFETとを動作させる電気回路及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
並列化されたMOSFETを用いた電力増幅、電力変換及び電力制御は、様々な電力用途において広く使用される。特に、このような回路は、自動車及び工業用途で広範な使用が見られる。このような回路は、MOSFETを並列化することで高い定格電流を得る。１つのゲート信号で駆動されるMOSFETを複数並列化することで、大電流が得られることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、並列のMOSFETが１つのゲート信号で駆動されるという事実が原因で、デバイス間のカレントシェアリング(current sharing)が、個々のデバイスの特性に関して自動的に規定(establish)する。これは、MOSFETの自己均衡効果(温度上昇により損失が大きくなるにつれ、RDSon（オン抵抗）がFETに対して大きくなる)にも関わらず、MOSFET間のカレントシェアリングの大規模な不均一性をもたらす可能性がある。電流における差が、個々のMOSFETに対する一層大きな最大電流をもたらすかもしれない。そこで、個々のデバイス、即ち、MOSFETは、オーバーレイテッド(overrated:過定格化)されなければならず、結果として、より大きく、より費用のかかるデバイスとなる。更に、消費電力が異なり、ホットスポットが発生する可能性があり、これは、信頼性の問題をもたらす。
【０００４】
本発明の目的は、電力変換又は電力制御に対する改善された電子回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の側面によれば、上記目的は、第１及び第２のMOSFETを有する電子回路により解決されることができる。第１及び第２のMOSFETは、互いに並列に配置される。第１のMOSFETは、それがスイッチオンされるとき第１の抵抗を持ち、第２のMOSFETは、それがスイッチオンされるとき第２の抵抗を持つ。本発明の側面によれば、第１のMOSFETの第１の抵抗と第２のMOSFETの第２の抵抗との少なくとも一方を個別に制御するMOSFET抵抗制御が与えられて存在する。
【０００６】
第１及び第２のMOSFETにおける第１及び第２の抵抗の個別の制御により、これらの並列なMOSFET間の改善されたカレントシェアリングが達成されることができる。有利には、これは、一層小さなデバイス、つまりより小さな定格のMOSFETの使用を可能にすることができ、オーバーディメンジョン(over-dimension:過寸法)が減少される。また、MOSFETを流れる電流のより均等な分布に起因して、より良好な熱分布が達成されることができる。これは、ホットスポットを回避することを可能にすることができる。全体として、本発明のこの例示的な実施形態は、電子回路のより改善された信頼性を可能にすることができる。
【０００７】
請求項２に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、MOSFET抵抗制御回路が第１及び第２のMOSFETにおける第１及び第２のゲート電圧の少なくとも一方を個別に制御し、それにより、MOSFETにおける第１及び第２の抵抗の少なくとも一方を制御するゲート電圧制御回路を有する。有利には、これは、MOSFET抵抗のとても簡単な制御を可能にする。こうして、最小限の部品数と高い信頼性とを備えるとても簡単な回路が低コストで提供されることができる。
【０００８】
請求項３に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、ゲート電圧制御回路が、抵抗が互いに調整されるように第１及び第２の電圧を制御する。MOSFETの抵抗の調整は、MOSFETを流れる電流が均一化されることを可能にする。こうして、MOSFET間の温度差が減少又は回避されることができる。
【０００９】
請求項４に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、第１のMOSFETを通る第１の電流と第２のMOSFETを流れる第２の電流との少なくとも一方を測定する電流測定ユニットが更に与えられる。更に、本発明のこの例示的な実施形態によれば、ゲート電圧制御回路は、第１及び第２の電流に基づき第１及び第２の電圧の少なくとも一方を個別に制御するようになされる。これは、MOSFETを流れる電流とMOSFETの抵抗とのとても正確な制御を可能にすることができる。ダイレクトフィードバック制御も実現されることができる。
【００１０】
請求項５に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、第１のMOSFETの第１の温度と第２のMOSFETの第２の温度との少なくとも一方を測定する温度センサが与えられる。ゲート電圧制御が、第１及び第２の温度の少なくとも一方に基づき、第１及び第２の電圧を制御するようになされる。こうして、MOSFETの第１及び第２の電圧の温度に基づく制御によって、MOSFETの過熱が回避されることができ、こうして回路の信頼性が増加されることができる。
【００１１】
請求項６に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、ゲート電圧制御回路は、第１及び第２の温度の一方が、第１の所定温度を超えるときにのみ、第１及び第２の電圧の制御を行う。こうして、電子回路は、温度が閾値温度を超えない限りは、MOSFETのゲート電圧の順応(adaptation)又は制御が行われないという態様で動作することができる。ゲート電圧の制御は、所定の閾値温度を超える温度が検出されるときにのみ行われる。
【００１２】
請求項７に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、少なくとも２つのMOSFETの温度が測定され、ゲート電圧制御回路が、第１及び第２の電圧の制御を、これらの温度の差が第２の所定温度を越えるときのみに行うようになされる。こうして、MOSFET抵抗は、お互いに調整され、MOSFET間での過度の温度差が回避されることができる。
【００１３】
請求項８及び９に説明されるような、本発明の他の例示的な実施形態によれば、制御されるMOSFETの抵抗は、RDSonである。更に、MOSFETと電子回路とは、電源モジュール、特に、自動車及び工業用途で使用されるものであってよい。電源モジュールは、少なくとも２つの並列化されたMOSFETを有する。
【００１４】
請求項１０に説明されるような、本発明の別の例示的な実施形態によれば、互いに並列に配置される第１及び第２のMOSFETを動作させる方法が与えられ、その中で、MOSFETの抵抗は個別に制御される。有利には、とても簡単な制御方法が与えられ、それは、過寸法が避けられることができるという事実により、並列なMOSFET間のカレントシェアリングを改善し、従って、より小さな、かつより費用の安いデバイスを与えることを可能にする。更に、この方法は、より良好な熱分布とホットスポットを回避することとを与えることができ、それによりMOSFETの増加された信頼性をもたらす。
【００１５】
請求項１１から１５は、本発明による方法の追加的な例示の実施形態を与える。
【００１６】
抵抗、即ちMOSFETのRDSonが個別に制御されることが、本発明の例示的な実施形態の要旨として理解されることができる。こうして、複数のMOSFETを有する回路において、他のMOSFETよりRDSonが一層小さく、従ってより大きな電流で充電されるより好適なMOSFETが、MOSFETの抵抗が互いに調整されるか又は均一化されるよう人工的に悪化される。これにより、MOSFETのカレントシェアリングが改善されることができ、MOSFET間の熱分布を改善することを可能にし、MOSFETの高い信頼性と、減少された過寸法とを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のこれら及び他の目的は、本書に説明される実施形態により明らかとなり、また実施形態を参照して説明されるであろう。
【００１８】
本発明の例示的な実施形態は、以下の図面を参照し、以下に説明されるであろう。
【００１９】
図１は、本発明による電子回路の第１の例示的な実施形態の簡略化された回路図を示す。この電子回路は、複数のMOSFETを含む電源モジュールであってよい。図１に描かれる電子回路は、１つの構造的なユニット又は１つのパッケージとして実現されることができる。このような電子電源モジュールは、特に、自動車及び工業用途で広範な使用が見られる。
【００２０】
図１からわかるように、ドライバ２と、複数のMOSFET、ここでは第１のMOSFET６、第２のMOSFET８及び第３のMOSFET１０を駆動するゲートレジスタ４とが与えられる。図１に描かれる回路は、MOSFET６から８の実際の回路構成及び接続を示すものではなく、それを要約した構成を示すものであることは留意される必要がある。
【００２１】
更に、第１、第２及び第３の電流測定ユニット１４、１６及び１８が与えられ、それらはそれぞれ、第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０を流れる第１、第２及び第３の電流を測定する。第１、第２及び第３の電流測定ユニット１４、１６及び１８は、第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０の抵抗RDSonのうち少なくとも１つを個別に制御するようになされるMOSFET抵抗制御回路１２に接続される。MOSFET抵抗制御回路１２は、第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧(gate to source voltage)のうち少なくとも１つを個別に制御し、それにより第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０の抵抗RDSonのうち少なくとも１つを制御するゲート電圧制御回路２６を有する。
【００２２】
更に、第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧を制御する、制御される電流源(controlled current source)２０、２２及び２４が与えられる。図１からわかるように、制御される電流源２０、２２及び２４は、MOSFET抵抗制御回路１２を用いて制御される。
【００２３】
電流測定ユニット１４、１６及び１８に関し多くの知られた実現が存在する。本発明の例示的な実施形態によれば、これらの電流測定ユニット１４、１６及び１８は、例えば、レジスタ、変流器、sense-FET、ホールセンサ又は他の適切な電流測定デバイスにより実現されることができる。
【００２４】
また、電流源２０、２２及び２４の代わりに、例えば、コントローラブル・レジスタ(controllable resistor)を与えることができる。
【００２５】
図２は、個々のMOSFETのゲートソース間電圧に依存するRDSonを表した、例示的なMOSFETの特性を示す。
【００２６】
本発明の側面によれば、図２に描かれるように個々のMOSFETのゲートソース間電圧に依存するRDSonが、電源モジュールにおけるMOSFETの制御に使用されることができることがわかる。特に、各MOSFETのゲートソース間電圧の個別の調整によって、図１に描かれるような並列に配置されるMOSFET間のカレントシェアリングが実質的に均一になることが実現されることができることがわかる。また、本発明の側面によれば、図４に関してより詳細に説明される、均一な損失又は均一な温度が実現されることができる。また、ゲートソース間電圧の制御により、電源モジュールのMOSFET間での温度差が制御されることができる。有利には、より小さなデバイスが実現されることができ、ホットスポットが回避されることができ、そして、電子回路のより高い信頼性が実現されることができる。
【００２７】
図３は、本発明による図１に描かれる電子回路における動作の第１の例示的な実施形態に関する簡略化されたフローチャートを示す。
【００２８】
ステップＳ１での開始の後、その方法はステップＳ２へと続き、そこではMOSFETが動作される。それから、その方法はステップＳ３へと続き、そこでは、MOSFET６、８及び１０を流れる電流が電流測定ユニット１４、１６及び１８を用いて測定される。本発明の側面によれば、MOSFETの１つを流れる電流を１つだけ測定し、それからこの個々のMOSFETのゲートソース間電圧を制御すれば十分であろう。しかしながら、本発明の別の側面によれば、MOSFETを流れる複数の電流が測定され、個々のゲートソース間電圧の連続的な制御に使用されてもよい。そして、その方法はステップＳ４へと続き、そこでは、MOSFET６、８及び１０の少なくとも１つのゲートソース間電圧がステップＳ３で測定される電流に基づき、MOSFETのRDSonが調整されるように制御される。好ましくは、本発明の側面によれば、MOSFET６、８及び１０のすべてに対してRDSonが均一となるように調整される。
【００２９】
上述したように、RDSonの制御は、MOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧を制御し、それぞれ電流源２０、２２及び２４を制御するゲート電圧制御回路２６を用いて実現されることができる。有利には、図３に関して説明される動作によって、並列化されたMOSFET６、８及び１０間の改善されたカレントシェアリングが実現されることができる。これにより、より小さなMOSFETと、従ってより小さなデバイスとが実現されることができる。それは、MOSFETの過寸法が少なくなったものを考慮すればよいためである。また、MOSFET間の電流分布がより均一であることによって、より好適な熱分布が実現されることができる。
【００３０】
有利には、これにより、モジュールでのホットスポットが回避されることができ、それはまた、電子回路の増加された信頼性を生じさせる。
【００３１】
図４は、本発明による電子回路の第２の例示的な実施形態の簡略化された回路図を示す。好ましくは、図１の電子回路同様、本発明の第２の例示的な実施形態によるこの電子回路も電源モジュールであり、特に、自動車又は工業用途での用途に対するものである。
【００３２】
図４において、図１におけるのと同じ又は対応する要素を指定するのに同じ参照番号が使用される。
【００３３】
図４からわかるように、第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧の制御をもたらす制御される電流源２０、２２及び２４が与えられ、互いに並列に配置される。更に、各MOSFETのそれぞれのゲートソース間電圧の制御を達成し、それにより第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０の各抵抗RDSonを制御するよう、制御される電流源２０、２２及び２４の少なくとも１つを個別に制御するゲート電圧制御回路３２を有するMOSFET抵抗制御回路３０が与えられる。
【００３４】
更に、MOSFET抵抗制御回路３０にそれぞれ接続される温度センサ３４、３６及び３８が与えられる。図４からわかるように、温度センサ３４は、第１のMOSFET６に関連付けられ、温度センサ３６は、第２のMOSFET８に関連付けられ、温度センサ３８は、第３のMOSFET１０に関連付けられる。各関連付けられる温度センサ３４、３６及び３８は、それらが個々のMOSFET６、８及び１０の温度を測定するようそれぞれ配置される。好ましくは、温度センサ３４、３６及び３８は、それぞれMOSFET６、８及び１０の近くに配置される。好ましくは、それらは、パッケージ上、ダイの近く、又は同じダイ上にさえ配置される。
【００３５】
温度センサ３４、３６及び３８の例示的な実施形態によれば、これらの温度センサは、温度感知レジスタ(temperature sensitive resister)、温度感知ダイオード(temperature sensing diodes)又は他の適切な知られた温度センサを用いて実現されることができる。
【００３６】
ゲート電圧制御回路３２は、温度センサ３４、３６及び３８により測定された温度に基づき、MOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧のうち少なくとも１つを個別に制御するようになされる。
【００３７】
ゲート電圧制御回路３２は、温度センサ３４、３６及び３８により測定された温度の少なくとも１つに基づき、MOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧の少なくとも１つを個別に制御するようになされる。本発明の側面によれば、ゲート電圧制御回路３２は、MOSFET６、８及び１０のうち特定のMOSFETのゲートソース間電圧を、この特定のMOSFET６、８及び１０において温度センサ３４、３６及び３８のうちの１つを用いて測定された温度に基づき制御するようになされる。また、ゲート電圧制御回路３２は、MOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧を、MOSFET６、８及び１０の温度に基づき制御するようになされてもよい。
【００３８】
本発明のこの例示的な実施形態の側面によれば、ゲート電圧制御回路３２は、測定された温度の１つが、所定の閾値温度を超えるときにのみ、MOSFET６、８及び１０のゲートソース間電圧のうち少なくとも１つを制御するようになされる。MOSFETの技術に依存して、この閾値温度は、摂氏１０５度から摂氏１１０度までの範囲にあることができる。しかしながら、個々の技術に応じて、閾値は摂氏９０度から大体摂氏２００度までの範囲から選択される場合がある。
【００３９】
本発明の別の側面によれば、ゲート電圧制御回路３２は、第１、第２及び第３のMOSFET６、８及び１０のうち少なくとも２つのMOSFET間における温度差を検出するようになされる。それから、本発明のこの例示的な実施形態におけるこの側面によれば、ゲート電圧制御回路は、少なくとも２つのMOSFETにおけるゲートソース間電圧のうち少なくとも１つを、検出された温度差に基づき制御する。特に、このような制御は、ゲートソース間電圧の制御が、このような温度差が所定の値を超えるときにのみ、例えば、温度差が摂氏５度を超える場合にのみ実現されるよう実現されることができる。しかしながら、この温度差の閾値は、MOSFETの技術に依存する。
【００４０】
当然に、本発明の追加的な側面によれば、上記２つの側面は組み合わされることができる。
【００４１】
図５は、図４の電子回路における動作方法の例示的な実施形態の簡略化されたフローチャートを示す。
【００４２】
図５からわかるように、ステップＳ１０での開始の後、その方法はステップＳ１１へと続き、そこではMOSFETが動作される。それから、続くステップＳ１２において、MOSFETのうちの少なくとも１つの温度が測定される。そして、続くステップＳ１３において、少なくとも１つのMOSFETにおけるゲートソース間電圧のうち少なくとも１つが、MOSFETの温度に基づき、MOSFETのRDSonが調整されるように制御される。上述したように、このような制御は、絶対的な温度に基づき、つまり、MOSFETのうちの１つの温度が閾値を超える場合に、又は、少なくとも２つのMOSFET間で生じる温度差に基づき実現されることができる。
【００４３】
それから、ステップＳ１４において、制御が継続されるべきかどうかが決定される。制御が継続されるべきであると決定される場合には、その方法はステップＳ１２に戻る。ステップＳ１４において、制御が継続されるべきでないと決定される場合には、その方法はステップＳ１５へと続き、そこで終了する。
【００４４】
本発明の別の例示的な実施形態によれば、図１及び図３に描かれる電流ベースの(current based:電流に基づく)ゲートソース間電圧制御が、図４及び図５に描かれる温度ベースの(temperature based:温度に基づく)ゲートソース間電圧制御と組み合わされることができる。こうして、MOSFETを流れる電流とMOSFETの温度とに基づくゲートソース間電圧制御を実現することにより、とても正確な制御が達成されることができる。
【００４５】
本発明の側面によれば、並列化されたMOSFET間での改善されたカレントシェアリングが達成されることができる。更に、改善されたカレントシェアリングにより、一層小さなデバイスが実現され、個々の部品の過寸法が一層必要でなくなる。更に、本発明は、より好適な熱分布と、ホットスポットの回避とを可能にし、このことは、全体の電子回路の改善された信頼性をもたらす。
【００４６】
本発明の追加的な側面によれば、ゲートドライバ２を１つだけ持つ代わりに、各MOSFET６、８及び１０に対して別々のゲートドライバが与えられることもできる。この側面によれば、電流源２０、２２及び２４は、MOSFET６、８及び１０の抵抗、MOSFETを流れる電流、又はMOSFET６、８及び１０の温度を個別に制御するよう与えられることもできる。また、抵抗制御回路１２及び３０の出力信号を電流源２０、２２及び２４に与える代わりに、これらの出力信号がMOSFET６、８及び１０の個々のドライバに与えられ、それによって、個々の駆動電圧(driving voltage)を個別に制御するようにすることができる。すると、制御される電流源は与えられる必要がなくなる。
【００４７】
本発明の別の側面によれば、図１及び図４の実施形態における電流源２０、２２及び２４を与える代わりに、個別のレジスタを与えることも可能である。それから、抵抗制御回路１２及び３０の出力信号により制御されるバリスタ(variable resistor)を各レジスタ４に対して直列に追加的に与えることによって、MOSFET６、８及び１０の駆動電圧が個別に制御されるようにしてもよい。こうして、レジスタ４に対して直列に配置されるこれらのバリスタを制御することによって、各MOSFET６、８及び１０のゲート電圧のとても簡単な調整が与えられることができる。有利には、これは、ゲート回路での減少された損失を可能にすることができる。
【００４８】
更に、本発明の別の側面によれば、抵抗制御回路１２及び３０は、例えば、ステートマシン又はEPLDを用いたデジタル制御ブロックとして実現されるか、又はアナログ制御ブロックとして配置されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の例示的な実施形態の簡略化された回路図を示す図である。
【図２】本発明により使用されることができる例示的なMOSFETのMOSFET特性を描く２つのチャートを示す図であり、ゲートソース間電圧に依存するRDSonが描かれる。
【図３】本発明の例示的な実施形態による、図１に描かれる電子回路の動作方法の簡略化されたフローチャートを示す図である。
【図４】本発明による電子回路の第２の例示的な実施形態の簡略化された回路図を示す図である。
【図５】本発明による、図４の電子回路の動作方法の例示的な実施形態の簡略化されたフローチャートを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2007502569.tif 000009
2007502569.tif 000010