(57)【要約】  対象物を処理流体で処理する装置及び方法。本装置は、チャンバハウジング内に形成された処理チャンバ及びチャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループを含む。本方法は、チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループの中で流体流を循環させる工程を含む。本方法はまた、処理チャンバ内で高速流体流を発生させる工程も含む。
2007517379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバハウジング内に形成された処理チャンバ、及び
前記チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループ
を含むことを特徴とする、対象物を処理流体で処理する装置。
【請求項２】
前記流体循環ループが、流体を受け取り、高速流体流を発生させる流れ発生手段を含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
処理流体を前記処理チャンバ内部から前記流れ発生手段へ一方向に流すように適合されかつ位置決めされた逆流阻止手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
処理流体を濾過する濾過手段をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
流体を前記処理チャンバに供給する流体供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記対象物は、集積回路を形成するための半導体ウェーハであることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
対象物の表面から汚染物を除去する時間だけ前記処理チャンバ内で処理流体を循環させる手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
処理薬品を前記流体循環ループに導入する手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記処理チャンバ内の流体と前記流体循環ループ内の流体のうちの少なくとも一方の温度を維持する手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
対象物を処理流体で処理する装置であって、
ａ．処理チャンバを規定するものであって、
ｉ．前記処理チャンバと連通する流体入口手段と流体出口手段、
ii．チャンバハウジング内に一体的に形成されたものであって、前記流体入口手段と流体出口手段を結合させる流体循環ループ、
iii．前記流体循環ループに結合した、流体を受け取り、高速流体を発生させる流れ発生手段
を含むチャンバハウジング、及び
ｂ．少なくとも１つの流体源を含む処理チャンバに処理流体を供給する流体供給手段
を含むことを特徴とする、対象物を処理流体で処理する装置。
【請求項１１】
前記流体入口手段は、高速流体流を対象物の上に方向付けするのに適していることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記流体入口手段は、高速流体流をほぼ全部、対象物表面から所定の距離の範囲内で対象物上に通すのにさらに適していることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
高速流体流を対象物の上に方向付けするための複数の流体出口を持つマニホールドをさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記マニホールドは、噴射リングを含むことを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記流れ発生手段は、流体供給手段と流体出口手段のうちの少なくとも一方から流体を受け取るように形作られていることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１６】
処理流体を前記処理チャンバ内部から前記流れ発生手段へ一方向に流すように適合されかつ位置決めされた逆流阻止手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１７】
前記逆流阻止手段は、少なくとも１つの逆止弁を含むことを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記対象物は、集積回路を形成するための半導体ウェーハであることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１９】
対象物の表面から汚染物を除去する時間だけ前記処理チャンバ内で処理流体を循環させる手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項２０】
前記流体は、気体、液体、超臨界及び近超臨界の二酸化炭素のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項２１】
溶剤、共溶剤、薬品及び界面活性剤のうちの少なくとも１つが二酸化炭素に含まれることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
処理流体を濾過する濾過手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項２３】
前記濾過手段は、処理流体の汚染レベルを下げるように形作られていることを特徴とする、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記濾過手段はさらに、コースフィルタとファインフィルタのうちの少なくとも一方を有するように形作られていることを特徴とする、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記流体源からの流体を前記処理チャンバに供給する流体供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項２６】
チャンバハウジング内に形成された処理チャンバ、
前記チャンバハウジング内にあって前記処理チャンバと連通する流体入口と流体出口、
前記チャンバハウジング内に一体的に形成されていて、前記流体出口と流体入口を結合させ、かつ、高速流体流を発生させるポンプを含む第１の流体連絡ライン、及び
処理流体を濾過する濾過手段
を含むことを特徴とする、半導体ウェーハ処理装置。
【請求項２７】
前記流体入口は、処理流体を対象物の上に方向付けするのに適合されていることを特徴とする、請求項２６に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項２８】
前記流体連絡ラインは、処理流体を前記流体出口から前記流体入口へ一方向に流すように作られた逆流阻止手段を含むことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項２９】
前記逆流阻止手段は、少なくとも１つの逆止弁を含むことを特徴とする、請求項２８に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項３０】
前記濾過手段は、流体連通ラインに結合していることを特徴とする、請求項２６に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項３１】
前記濾過手段は、処理流体の汚染レベルを下げるように形作られていることを特徴とする、請求項２６に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項３２】
前記濾過手段はさらに、コースフィルタとファインフィルタのうちの少なくとも一方を有するように形作られていることを特徴とする、請求項３１に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項３３】
前記チャンバハウジング内に一体的に形成されていて、前記流体出口と流体入口を結合させ、かつ、高速流体流を発生させるポンプを含む第２の流体連絡ラインをさらに含むことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項３４】
少なくとも１つの流体源を含む処理チャンバに処理流体を供給する流体供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体ウェーハ処理装置。
【請求項３５】
ａ．チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループの中で流体流を循環させる工程、及び
ｂ．処理チャンバ内で高速流体流を発生させる工程
を含むことを特徴とする、対象物を処理流体で処理する方法。
【請求項３６】
ａ．高速処理流体流を発生させることにより、半導体ウェーハの表面にかかる処理流体の摩擦力を増大させる工程、及び
ｂ．チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループの中で処理流体を循環させる工程
を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの表面から残留物の少なくとも一部分を処理流体で除去する方法。
【請求項３７】
ａ．チャンバハウジング内に処理チャンバを形成する工程、及び
ｂ．処理チャンバ内で高速流体流を発生させる目的で少なくとも１つの流体循環ループをチャンバハウジング内に一体的に形成する工程
を含むことを特徴とする、超臨界処理装置を製造する方法。
【請求項３８】
流体の汚染レベルを下げるために流体を濾過する濾過手段を設ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項３７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に半導体デバイス又はその他の物品（対象物）の製造において残留物や汚染物を除去する技術に関する。さらに詳細に説明すると、本発明は、処理チャンバ内で対象物を高速流体流で処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、超臨界二酸化炭素によるウェーハ洗浄の効果は、二酸化炭素に溶剤及び共溶剤を添加することによって高めることができるとみなされてきた。二酸化炭素中の溶剤及び共溶剤は、化学的に二酸化炭素と共にウェーハ表面の汚染物を溶解する働きを有する。
【０００３】
二酸化炭素は、超臨界状態を達成するために高圧下に維持されなければならないので、経済設計を達成するためには、プロセスチャンバ及び配管のサイズを最小寸法に設計するのが望ましい。設計の経済性は、プロセスチャンバとプロセスループの体積を減じ、それで基板の洗浄に必要な二酸化炭素、溶剤及び共溶剤の量を減じ、プロセスチャンバとプロセス配管のサイズ及び重量を減じることによって達成される。基板表面流が高速であることは、超臨界二酸化炭素の体積流量の大きいことを意味する。超臨界二酸化炭素は、洗浄プロセスの間循環するので、大きい体積流量は、高圧降下を回避するために大きい通流量を要求する。超臨界二酸化炭素がプロセスチャンバを出て、チューブの中を流れ、循環しながらプロセスチャンバに戻らなければならない場合、流量制御コンポーネント、配管及び圧力維持に必要な管継手は、大型になり、その結果、超臨界二酸化炭素、溶剤及び共溶剤を含むプロセスループの体積は増大し、設計コストが増大する。プロセス配管を大型化することなく超臨界二酸化炭素が基板表面上を通流できるような設計にすることが望ましい。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様は、対象物を処理流体で処理する装置である。本装置は、チャンバハウジング内に形成された処理チャンバを含む。チャンバハウジング内には流体循環ループが一体的に形成されている。
【０００５】
本発明の第２の態様は、対象物を処理流体で処理する装置である。本装置は、処理チャンバを規定するチャンバハウジングを含む。チャンバハウジングは、処理チャンバと連通する流体入口手段と流体出口手段を含む。チャンバハウジングは、チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループを含む。流体循環ループは、流体入口手段と流体出口手段を結合させる。本装置は、流体を受け取り、かつ高速流体を発生させる流れ発生手段も含む。流れ発生手段は、流体循環ループに結合している。本装置はまた、少なくとも１つの流体源を含む処理チャンバに処理流体を供給する流体供給手段も含む。
【０００６】
第３の態様は、半導体ウェーハ処理装置である。本半導体ウェーハ処理装置は、チャンバハウジング内に形成された処理チャンバを含む。チャンバハウジングは、処理チャンバと連通する流体入口と流体出口を含む。ウェーハ処理装置は、チャンバハウジング内に一体形成された、流体入口と流体出口を結合させる第１の流体連絡ラインを含む。第１の流体連絡ラインは、高速流体流を発生させるポンプを含む。本装置はまた、流体を濾過する濾過手段も含む。
【０００７】
第４の態様は、対象物を処理流体で処理する方法である。本方法は、チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループの中で流体流を循環させる工程を含む。本方法はまた、処理チャンバ内で高速流体流を発生させる工程も含む。
【０００８】
第５の態様は、半導体ウェーハの表面から残留物の少なくとも一部分を除去する方法である。本方法は、高速処理流体流を発生させることにより半導体ウェーハの表面にかかる処理流体の摩擦力を増大させる工程を含む。本方法は、チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループの中で処理流体を循環させる工程を含む。
【０００９】
第６の態様は、超臨界処理装置を作る方法で、チャンバハウジング内に処理チャンバを形成する工程、及び、処理チャンバ内で高速流体流を発生させるために流体循環ループをチャンバハウジング内に一体形成する工程を包含する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、添付の図面を参照することによってより良好に理解することができるであろう。なお、図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の実施態様による、対象物を処理流体で処理する装置の概略図であり、図２は、図１Ａに示した装置の代替実施態様の概略図であり、図３は、本発明の実施態様による半導体ウェーハ処理装置の概略図であり、図４は、図３に示した半導体ウェーハ処理装置の代替実施態様の概略図であり、図５は、本発明の実施態様による、対象物を処理流体で処理する方法を示すフローチャートであり、図６は、本発明の実施態様による、半導体ウェーハの表面から残留物の少なくとも一部分を除去する方法を示すフローチャートであり、そして図７は、本発明の実施態様による超臨界処理装置を作る方法を示すフローチャートである。なお、これらの図面において、同じ構成要素を説明するときには同じ参照番号が使用される。加えて、参照番号の左端の数字は、通常、その参照番号が最初に表れている図面を指している。
【００１１】
本発明は、対象物を処理流体で処理する装置に向けられたものである。本発明の目的及びこの開示にとって、“流体”は、気体、液体、超臨界流体及び／又は近超臨界流体を意味する。本発明のある実施態様では、“流体”は、気体を意味し、又は液体を意味し、又は超臨界二酸化炭素及び／又は近超臨界二酸化炭素を意味する。二酸化炭素は、溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤を含有することができると認識されたい。本発明の目的にとって、“二酸化炭素”は、液体状態、気体状態又は超臨界（近超臨界を含む）状態の流体として用いられる二酸化炭素（ＣＯ2）を指すと理解されたい。ここで、“超臨界二酸化炭素”は、臨界温度（３０．５℃）及び臨界圧力（７．３８ＭＰａ）を超える条件下のＣＯ2を指す。ＣＯ2が７．３８ＭＰａより高い圧力、３０．５℃より高い温度にさらされるとき、これが超臨界状態であると特定される。“近超臨界二酸化炭素”は、臨界温度及び臨界圧力の約８５％の範囲内のＣＯ2を指す。本発明の目的にとって“対象物”は、代表的に、低い汚染レベルを要求する集積回路、基板及び他の媒体を形成するための半導体ウェーハを指す。ここで使用される通り、“基板”は、代表的に電着フォトレジスト又は残留物を伴う半導体デバイス構造などの多様な構造を指す。基板は、シリコンウェーハなどの材料の単一層であっても複数の層であってもよい。基板は、金属、セラミック、ガラス又はその複合物を含む多様な材料から構成することができる。
【００１２】
図１は、本発明の実施態様による、対象物を処理流体で処理する装置１００の概略図である。本発明の好ましい実施態様では、装置１００は、チャンバハウジング１０１内に形成された処理チャンバ１０２を含む。処理チャンバの１つの例に関わる詳細は、同時係属中の米国特許出願第０９／９１２８４４号、タイトル“HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE”（２００１年７月２４日出願）、同第０９／９７０３０９号、タイトル“HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES”（２００１年１０月３日出願）、同第１０／１２１７９１号、タイトル“HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING FLOW ENHANCING FEATURES”（２００２年４月１０日出願）及び同第１０／１２１７９１号、タイトル“HIGH-PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR A SEMICONDUCTOR WAFER”（２００３年２月１０日出願）の中で開示されており、その内容を参考としてここに組み入れる。
【００１３】
本発明の好ましい実施態様によれば、装置１００は、チャンバハウジング１０１内に一体的に形成された流体循環ループ１４０を含む。好ましくは、流体循環ループ１４０は、流体を受け取り、かつ高速流体流を発生させる流れ発生手段１４６を含む。ある実施態様では、流れ発生手段１４６は、図１に示した流体出口手段１３７から流体を受け取るように形作られている。図２に示したような実施態様では、流れ発生手段２４６は、破線で表された通りの流体供給手段１０９と流体出口手段２３７のうち少なくとも一方から流体を受け取るように形作られている。図２に示した通り、一実施態様では、流体供給手段１０９はプロセスチャンバ２０２に結合している。
【００１４】
図１に示した通り、本発明の一実施態様では、チャンバハウジング１０１は、処理チャンバと連通する流体入口手段１３９と流体出口手段１３７、流体入口手段１３９と流体出口手段１３７を結合させる流体循環ループ１４０、及び、流体を受け取り、かつ高速流体を発生させる流れ発生手段１４６を包含する。好ましくは、流れ発生手段１４６は、流体循環ループ１４０に結合したポンプである。本発明の一実施態様では、装置１００は、逆流阻止手段（図示せず）を含む。好ましくは、逆流阻止手段は、処理チャンバ１０２内部から流れ発生手段１４６へ流体を一方向に流すように適合されかつ位置決めされている。一実施態様では、逆流阻止手段は少なくとも１つの逆止弁を包含する。
【００１５】
本発明の一実施態様では、装置１００は、流体を濾過する濾過手段（図示せず）を含む。好ましくは、濾過手段は、流体循環ループ１４０と流体で連通している。好ましくは、濾過手段は、処理流体の汚染レベルを下げるように形作られている。処理流体の汚染レベルを下げるために処理流体を濾過するいかなる手段も、本発明を実現させるのに適しているのが望ましい。ある実施態様では、濾過手段は、コースフィルタ（course filter）とファインフィルタ（fine filter）の両方又はいずれか一方を有するように形作られている。
【００１６】
一実施態様では、装置１００は、対象物の表面から汚染物を除去する時間だけ処理流体を処理チャンバ１０２内で循環させる手段を含む。ある実施態様では、対象物は、集積回路を形成するための半導体ウェーハである。好ましくは、処理流体は、気体の二酸化炭素、液体の二酸化炭素、超臨界の二酸化炭素及び近超臨界の二酸化炭素のうちの少なくとも１つを包含する。溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤が二酸化炭素中に含まれ得ることを認識されたい。
【００１７】
図１に示した通り、一実施態様では、装置１００は、処理流体を処理チャンバ１０２に供給する流体供給手段１０９を含む。流体供給手段１０９は、流体ミキサ１３５、この流体ミキサ１３５と流体連通する第１の流体源１２１、この第１の流体源からミキサ１３５への第１の流体の流れを制御するバルブ１２３、ミキサ１３５と流体連通する第２の流体源１１７、及び、この第２の流体源からミキサ１３５への第２の流体の流れを制御するバルブ１１９を含むことができると認識されたい。ある実施態様では、第１の流体源１２１と第２の流体源１１７の両方又はいずれか一方が、溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤を供給する。好ましくは、第１の流体源１２１と第２の流体源１１７の両方又はいずれか一方が、気体の二酸化炭素、液体の二酸化炭素、超臨界の二酸化炭素及び／又は近超臨界の二酸化炭素を供給する。溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤が二酸化炭素中に含まれ得ることを認識されたい。一実施態様では、処理流体の流れを制御するバルブなどの流量制御手段１３３が設けられる。
【００１８】
本発明の一実施態様では、処理薬品を流体循環ループ１４０に導入する手段が設けられる。一実施態様では、装置１００は、処理チャンバ１０２内の流体と流体循環ループ１４０内の流体のうち少なくとも一方の温度を維持する手段を含む。
【００１９】
本発明のある実施態様では、流体入口手段１３９は、高速流体流を対象物上に向かわせるのに適合されている。好ましくは、流体入口手段１３９は更に、高速流体流をほぼ全部、対象物表面から所定の距離の範囲内で対象物上に通すのに適合されている。ある実施態様では、流体入口手段１３９は、高速流体流を対象物上に向かわせるために複数の流体出口を持つマニホールドを含む。一実施態様では、マニホールドは噴射リングを包含する。本発明の一実施態様では、少量の超臨界二酸化炭素を通路と流量制御コンポーネントに通して循環させ、次に、対象物上に噴射する、それも、汚染物除去に効果的な高速流体循環を対象物表面上に生じさせるような仕方で噴射する。一実施態様では、多量の超臨界二酸化炭素を、処理チャンバ１０２と一体の、又は、処理チャンバ１０２に取り付けられたブロックと一体の通路と流量制御コンポーネントに通して循環させる。この手段により、流体循環ループ１４０のサイズと体積を増大させる配管及び管継手に対する要求は回避される。
【００２０】
図３は、本発明の実施態様による半導体ウェーハ処理装置３００の概略図である。図３に示した通り、半導体ウェーハ処理装置３００は、チャンバハウジング３０１内に形成された処理チャンバ３０２を含む。好ましくは、チャンバハウジング３０１は、処理チャンバ３０２と連通する流体入口３３９と流体出口３３７を含む。ある実施態様では、半導体ウェーハ処理装置３００は、流体出口３３７と流体入口３３９を結合させる流体連絡ライン３４０を含む。好ましくは、流体連絡ライン３４０は、チャンバハウジング３０１内に一体的に形成されている。好ましくは、流体連絡ライン３４０は、高速流体流を発生させるポンプ３４６を含む。
【００２１】
図３に示した通り、本発明の一実施態様では、装置３００は、処理流体を濾過する濾過手段３４３を含む。好ましくは、濾過手段３４３は流体連通ライン３４０に結合している。好ましくは、濾過手段３４３は、処理流体の汚染レベルを下げるように形作られている。処理流体の汚染レベルを下げるために処理流体を濾過するいかなる手段も、本発明を実現させるのに適しているのが望ましい。ある実施態様では、濾過手段３４３は、コースフィルタとファインフィルタの両方又はいずれか一方を有するように形作られている。
【００２２】
本発明の一実施態様では、流体入口手段３３９は、高速流体流を対象物上に向かわせるように適合されている。好ましくは、流体入口手段３３９は更に、高速流体流をほぼ全部、対象物表面から所定の距離の範囲内で対象物上に通すように適合されている。ある実施態様では、流体入口手段３３９は、高速流体流を対象物上に向かわせるために複数の流体出口を持つマニホールドを含む。一実施態様では、マニホールドは噴射リングを包含する。
【００２３】
本発明の一実施態様では、半導体ウェーハ処理装置３００は、逆流阻止手段（図示せず）を含む。好ましくは、逆流阻止手段は、流体を流体出口３３７から流体入口３３９へ一方向に流すように適合されかつ位置決めされている。一実施態様では、逆流阻止手段は、流体を処理チャンバ３０２内部からポンプ３４６へ一方向に流すように適合されかつ位置決めされている。一実施態様では、逆流阻止手段は少なくとも１つの逆止弁を包含する。
【００２４】
ある実施態様によれば、半導体ウェーハ処理装置３００は、少なくとも１つの流体源を含む処理チャンバに処理流体を供給する流体供給手段３０９を含む。流体供給手段３０９は、流体ミキサ３３５、この流体ミキサ３３５と流体連通する第１の流体源１２１、この第１の流体源からミキサ３３５への第１の流体の流れを制御する第１のバルブ３２３、ミキサ１３５と流体連絡する第２の流体源１１７、及び、この第２の流体源からミキサ３３５への第２の流体の流れを制御する第２のバルブ３１９を含むことができると認識されたい。ある実施態様では、第１の流体源１２１と第２の流体源１１７の両方又はいずれか一方が、溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤を供給する。好ましくは、第１の流体源１２１と第２の流体源１１７の両方又はいずれか一方が、気体の二酸化炭素、液体の二酸化炭素、超臨界の二酸化炭素及び／又は近超臨界の二酸化炭素を供給する。溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤は、二酸化炭素中に含まれ得ることを認識されたい。一実施態様では、処理流体の流れを制御するバルブなどの流量制御手段３３３が設けられる。ある実施態様では、図３に破線で示す通り、プロセス制御コンピュータ３５０が、第１のバルブ３２３、ミキサ３３５、第２のバルブ３１９、流量制御手段３３３、及び／又はポンプ３４６に結合している。
【００２５】
図４は、図３に示した半導体ウェーハ処理装置の代替実施態様の概略図である。図４に示した通り、半導体ウェーハ処理装置４００は、チャンバハウジング４０１内に形成された処理チャンバ４０２を含む。
【００２６】
本発明のある実施態様では、チャンバハウジング４０１は、処理チャンバ４０２と連通する第１の流体入口４４９と第１の流体出口４４７を含む。好ましくは、半導体ウェーハ処理装置４００は、第１の流体出口４４７と第１の流体入口４４９を結合させる第１の流体連絡ライン４４０を含む。好ましくは、第１の流体連絡ライン４４０は、チャンバハウジング４０１の壁に一体的に形成されている。一実施態様では、第１の流体連絡ライン４４０は、高速流体流を発生させる第１のポンプ４４６を含む。一実施態様では、第１の濾過手段４４３が第１の流体連絡ライン４４０に結合している。好ましくは、第１の濾過手段４４３は、処理流体の汚染レベルを下げるように形作られている。
【００２７】
ある実施態様によれば、チャンバハウジング４０１は、処理チャンバ４０２と連通する第２の流体入口４５９と第２の流体出口４５７も含む。好ましくは、装置４００は、第２の流体出口４５７と第２の流体入口４５９を結合させる第２の流体連絡ライン４５０を含む。好ましくは、第２の流体連絡ライン４５０は、チャンバハウジング４０１の壁に一体的に形成されている。一実施態様では、第２の流体連絡ライン４５０は、高速流体流を発生させる第２のポンプ４５６を含む。一実施例では、第２の濾過手段４５３が第２の流体連絡ライン４５０に結合している。好ましくは、第２の濾過手段４５３は、処理流体の汚染レベルを下げるように形作られている。
【００２８】
ある実施態様によれば、半導体ウェーハ処理装置４００は、少なくとも１つの流体源を含む処理チャンバに処理流体を供給する流体供給手段３０９を含む。流体供給手段３０９は、流体ミキサ３３５、この流体ミキサ３３５と流体連通する第１の流体源１２１、この第１の流体源からミキサ３３５への第１の流体の流れを制御するバルブ３２３、ミキサ１３５と流体連絡する第２の流体源１１７、及び、この第２の流体源からミキサ３３５への第２の流体の流れを制御するバルブ３１９を含むことができると認識されたい。ある実施態様では、第１の流体源１２１と第２の流体源１１７の両方又はいずれか一方が、溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤を供給する。好ましくは、第１の流体源１２１と第２の流体源１１７の両方又はいずれか一方が、気体の二酸化炭素、液体の二酸化炭素、超臨界の二酸化炭素及び／又は近超臨界の二酸化炭素を供給する。溶剤、共溶剤、薬品及び／又は界面活性剤は、二酸化炭素中に含まれ得ることを認識されたい。一実施態様では、処理流体の流れを制御するバルブなどの流量制御手段３３３が設けられる。ある実施態様では、図４に破線で示す通り、プロセス制御コンピュータ３５０が、第１のバルブ３２３、ミキサ３３５、第２のバルブ３１９、流量制御手段３３３、及び／又はポンプ４４６に結合している。
【００２９】
ある実施態様では、流体供給手段３０９からの流体を制御可能な形で半導体ウェーハ処理装置４００に流入させるために、流体供給手段３０９を第１の流体連通ライン４４０の１つにその中まで結合させている。
【００３０】
図５は、本発明の実施態様による、対象物を処理流体で処理する方法を示すフローチャートである。工程５１０において、チャンバハウジング内に一体的に形成された流体循環ループの中で流体流を循環させる。工程５２０において、処理チャンバ内で高速流体流を発生させる。
【００３１】
図６は、半導体ウェーハの表面から残留物の少なくとも一部分を処理流体で除去する方法を示すフローチャートである。工程６１０において、高速処理流体流を発生させることにより半導体ウェーハの表面にかかる処理流体の摩擦力を増大させる。工程６２０において、チャンバハウジング内に一体形成された流体循環ループの中で処理流体を循環させる。
【００３２】
図７は、本発明の実施態様による超臨界処理装置を製造する方法を示すフローチャートである。工程７１０において、チャンバハウジング内に処理チャンバを形成する。工程７２０において、処理チャンバ内で高速流体流を発生させる目的で少なくとも１つの流体循環ループをチャンバハウジング内に一体的に形成する。任意の工程７３０において、流体の汚染レベルを下げるために流体を濾過する濾過手段を設ける。
【００３３】
以上、本発明の方法及び装置を説明を目的として詳細に説明したが、本発明の方法及び装置は、以上に記載した実施態様だけに限られるものはでない。当業者であれば、添付の特許請求の範囲において規定される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、上記した好ましい実施態様に対してさまざまな改良を行い得ることが容易に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１Ａ】本発明の１態様に従うところの、対象物を処理流体で処理する装置の概略図である。
【図１Ｂ】本発明の１態様に従うところの、対象物を処理流体で処理する装置の概略図である。
【図２】図１Ａに示した装置の代替的態様の概略図である。
【図３】本発明の実施態様による半導体ウェーハ処理装置の概略図である。
【図４】図３に示した半導体ウェーハ処理装置の代替的態様の概略図である。
【図５】本発明の実施態様による、対象物を処理流体で処理する方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施態様による、半導体ウェーハの表面から残留物の少なくとも一部分を除去する方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施態様による、超臨界処理装置を製造する方法を示すフローチャートである。
【図１Ａ】
2007517379.tif 000003
【図１Ｂ】
2007517379.tif 000004
【図２】
2007517379.tif 000005
【図３】
2007517379.tif 000006
【図４】
2007517379.tif 000007
【図５】
2007517379.tif 000008
【図６】
2007517379.tif 000009
【図７】
2007517379.tif 000010