(57)【要約】【構成】アクティブマトリクスディスプレイ装置を製造する方法は、硬質ガラス基板とその上に位置するプラスチック基板とを含む第１基板構造の製造を含む。プラスチック基板上に画素回路が形成される。ディスプレイのアクティブプレート及びパッシブプレートが実装された後のプラスチック基板から硬質ガラス基板（１２）のみが除去され、ディスプレイモジュール（１０）となる。この方法により、例えば標準的なＡＭＬＣＤ工場において最小の設備を追加するだけで、略従来の基板の取扱、処理、及びセルの作製を使用することが可能となる。
2007512568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクスディスプレイ装置を製造する方法であって、
硬質キャリア基板と、前記硬質キャリア基板上のプラスチック基板とを含む基板構造を製造し、
前記基板構造の前記プラスチック基板上に画素回路のアレイを形成し、
前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成し、
前記ディスプレイ層を形成した後に前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップを有する方法。
【請求項２】
前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップが、選択反射型ディスプレイ層を提供するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択反射型ディスプレイ層が電気泳動材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップが、前記画素回路のアレイ上にＬＥＤ素子を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第２の基板構造を製造するステップをさらに含み、前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップが、間に電子光学材料を挟持させて前記第１の基板構造と前記第２の基板構造とを実装するステップを含み、これにより前記アクティブディスプレイ装置が前記電子光学材料を間に挟持した前記第１の基板及び前記第２の基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の基板構造を製造するステップが、第２の硬質キャリア基板と、前記第２の硬質キャリア基板上の第２のプラスチック基板とを提供することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の硬質キャリア基板がガラス基板を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のプラスチック基板と前記第２の硬質キャリア基板との間に第２の剥離層をさらに含む、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の基板構造を製造するステップが、黒色マスク層を形成するステップをさらに含む、請求項６から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の基板構造を製造するステップが、前記第２の基板構造の上面にウェルのアレイを形成するステップをさらに含む、請求項６から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ウェルのアレイが、前記第２のプラスチック基板上に設けられたポリマ層に形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の基板構造を製造するステップが、前記ウェルのアレイにカラーフィルタを形成するステップをさらに含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
カラーフィルタの形成にインクジェット印刷を使用する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の基板構造を製造するステップが、最上部の導電層を提供するステップをさらに含む、請求項６から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記最上部の導電層がＩＴＯ層を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２のプラスチック基板から前記第２の硬質キャリア基板を剥離するステップをさらに含む、請求項６から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記剥離がレーザプロセスによるものである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のプラスチック基板に偏光板を付加するステップをさらに含む、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
間に前記電子光学材料を挟持させて前記第１の基板構造と前記第２の基板構造とを実装するステップが真空整列液晶の充填を含む、請求項６から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記硬質キャリア基板がガラス基板を含む、請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記プラスチック基板と前記硬質キャリア基板との間に剥離層を形成するステップをさらに含む、請求項１から２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
各画素回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む、請求項１から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
各薄膜トランジスタがアモルファスシリコンＴＦＴを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記剥離がレーザプロセスによるものである、請求項１から２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記プラスチック基板に偏光板を追加するステップをさらに含む、請求項１から２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記基板構造を製造するステップが、スピン工程を用いて硬質キャリア基板にプラスチックコーティングを塗布するステップを含む、請求項１から２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記プラスチック基板がパリレンを含む、請求項１から２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記基板構造を製造するステップが、パラキシレンを含むモノマ粒子の気体を重合することにより、パリレン層を堆積するステップを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
薄膜電子装置を製造する方法であって、
スピン工程を使用して、プラスチック基板を形成するプラスチックコーティングを硬質キャリア基板に塗布し、
前記プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成し、
前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップを含む方法。
【請求項３０】
薄膜電子素子を製造する方法であって、
硬質キャリア基板上に、プラスチック基板を形成するパリレンコーティングを形成し、
前記プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成し、
前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップ、
を含む方法。
【請求項３１】
前記薄膜電子素子が薄膜トランジスタを含む、請求項２９又は３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記硬質キャリア基板がガラス基板を含む、請求項２９、３０又は３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記プラスチック基板と前記硬質キャリア基板との間に剥離層を形成することをさらに含む、請求項２９から３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記剥離がレーザプロセスによるものである、請求項２９から３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３５】
前記薄膜電子素子が薄膜トランジスタを含む、請求項２９から３４のいずれかに記載の方法。
【請求項３６】
薄膜電子装置であって、
パリレン基板と、
前記パリレン基板上に配置される薄膜電子素子と、
を含む薄膜電子装置。
【請求項３７】
アクティブマトリクスディスプレイを含み、前記薄膜電子素子がアクティブマトリクス画素回路を定義し、前記装置が前記アクティブマトリクス画素回路上のディスプレイ層をさらに含む、請求項３６に記載の装置。
【請求項３８】
前記ディスプレイ層が選択反射型ディスプレイ層を含む、請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記選択反射型ディスプレイ層が電子泳動材料を含む、請求項３８に記載の装置。
【請求項４０】
前記画素回路のアレイ上の前記ディスプレイ層がＬＥＤ層を含む、請求項３７に記載の装置。
【請求項４１】
第２の基板構造をさらに含み、前記ディスプレイ層が、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電子光学材料を含む、請求項３７に記載の装置。
【請求項４２】
前記電子光学材料がＬＣ材料を含む、請求項４１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラスチック基板上におけるアクティブマトリクスディスプレイ装置等の電子装置の製造、及びかかる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクスディスプレイの最も一般的な形態は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）である。ＡＭＬＣＤ装置は通常、厚さ０．７ｍｍの大きなガラス基板上で作製される。１つのセルに対して２つのプレートが必要であるため、完成したディスプレイは厚さが１．４ｍｍ強にもなる。携帯電話製造業者及びいくつかのラップトップコンピュータの製造業者は、より薄くて軽量なディスプレイを必要としており、完成したセルは、ＨＦ（フッ化水素酸）溶液中でその厚みを薄くすることができ、その厚さは一般に約０．８ｍｍである。携帯電話の製造業者はディスプレイをより一層薄くすることを理想としているが、この方法によってセルの厚さを０.８ミリ未満にして作製すると、非常に壊れやすいことが判明した。
【０００３】
ＨＦによる薄型化は、安全且つ経済的に処分することが難しい危険な化学物質を使用する不経済なプロセスであるため、魅力的なものではない。また、ガラスに穴をあけることにより、エッチングプロセス中にも若干の収率損失がある。
【０００４】
その代替として、軽量で頑丈な薄いプラスチックのＡＭＬＣＤの良さが長い間認識されてきた。近年、プラスチックディスプレイに対する関心はますます高まっているが、その要因のひとつには、携帯電話及びＰＤＡにおいてカラーＡＭＬＣＤを使用することが多くなったことがある。最近ではプラスチック基板上のＡＭＬＣＤ及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの研究も盛んである。そのような関心をよそに、プラスチックディスプレイを大量生産するための、信頼のおける製造ルートが現在もなお必要とされている。
【０００５】
プラスチック基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）あるいはディスプレイを製造する、主に３つの異なる方法が報告されている。それらの方法とは、自立プラスチック基板上における直接的な装置の作製、転写プロセス、及び犠牲エッチングである。それらの技術の幾つかの例と、関連する問題とを以下に示す。
【０００６】
（ｉ）  プラスチック基板上における直接的なＡＭＬＣＤの作製
これはプラスチック上にＡＭＬＣＤを製造する最初の方法であり、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴあるいはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴが使用された。この方法には問題が多く、未だ製造段階に達していない。
【０００７】
プラスチック基板は加熱されると収縮して、露光の整合とプレートの結合が困難となるため、ＴＦＴの製造とセル作製の処理温度を制限しなければならない。何時間も基板を予熱すると処理中の収縮量は減るが、全体的に見れば収縮がなくなるわけではない。処理温度を下げると、ＴＦＴに問題が生じる（ａ−Ｓｉ ＴＦＴは電気的に安定しなくなり、ＬＴＰＳＴＦＴはゲート誘電体ＳｉＯ２の質が悪くなる）。
【０００８】
自立プラスチック基板上でのディスプレイの製造を行う様々なグループにより、幾つかの異なる試みがなされたが、オートメーション工場での基板の取り扱いについての問題は解決されなかった。処理、カセット搬送、及びフォトレジストのスピン塗布に対して、ガラス基板の機械的強度に依存する標準的なＡＭＬＣＤ工場を使用することは不可能である。工程段階の全てに対して、機械のセットを完全に新しくする必要がある。多くの異なる機械製造業者が協調する必要があり、装置製造業者のうちの一社でもそれに関らなければ、又は１つのモジュールの開発に成功しなければ、その他の機械に関するすべての作業が無駄になってしまう。
【０００９】
いくつかのグループがロールツーロール製造を提案したが、これも真空装置での使用及び層の整合に関する深刻な問題を有する。新たな印刷技術を開発する必要があるが、高い収率と良好な整合性で実現可能であるかどうかは不明瞭である。
【００１０】
ほとんどの自立プラスチックフィルムは表面の品質が良くない。詳細には、それらは平坦化されにくく、表面に多くの亀裂がある。ガラス基板は機械的に硬質であるため、穏やかに触れる程度では傷つくことはなく、カセット搬送することができる。これらカセット内ではガラスの端部だけがカセットに触れるため、ガラスの領域の大半にカセットが触れることはない。これに対してプラスチック基板は柔らかく、カセット搬送できる程に硬質ではない。このことから、プラスチック基板は他の層と接触させた状態で平坦にパッキングするか、あるいは円筒状のものに巻きつける必要があることになるが、この場合にはプラスチック基板の上面及び下面の両面が他の層と接触した状態となり機械的応力を受けることとなる。このようなプロセスにより、プラスチックの柔軟な表面が損傷を受ける傾向がある。標準的なＡＭＬＣＤ製造では、ガラス面をできる限り完全に近い状態にするために多大な注意が払われるため、損傷を受けて粗い状態のプラスチック面は、高収率大量生産を行うことに対しては現実的な選択肢ではあり得ない。表面を平坦化して保護コーティングを付加することはできるが、これは処理ステップを追加することになるため、費用がかかる。
【００１１】
（ｉｉ）  転写プロセスによるプラスチックディスプレイ
かかる処理の一つの周知例は、セイコーエプソン株式会社が開発した、いわゆるＳＵＦＴＬＡプロセスであり、これは二重転写のプロセスである。まず、ガラス上のアモルファスシリコン層及び二酸化シリコン層の上に低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴアレイを作製する。ＴＦＴアレイの上面を水溶性の接着剤でプラスチック基板に貼り付け、ＸｅＣｌレーザをガラスを通して底面のａ−Ｓｉ層に照射することにより、ＴＦＴ層を下部基板から剥がす。
【００１２】
レーザビームにより水素外部拡散が生じると、放出された水素が元のガラス基板からＴＦＴアレイを持ち上げる。実用的な理由から、ＴＦＴアレイは標準的な形状を有しており、ＬＴＰＳ ＴＦＴアレイの上面がＡＭＬＣＤのＬＣ材料方向を向く。永久接着剤を使用して第２のプラスチックフィルムをＴＦＴアレイの下面に積層する。水溶性の接着剤を溶解させることにより、第１のプラスチックフィルムからアレイを剥離させる。
【００１３】
これは２つの転写プロセスを使用するため、費用のかかるプロセスであると共に、収率の問題があると思われる。また、プラスチック基板にＴＦＴ層を積層することによって、平坦で良好なディスプレイを得ることにおいても問題がある可能性がある。ＴＦＴアレイが最後のプラスチック基板に転写された後、セルの製造が問題となる。このプロセスでは、２つの薄い柔軟なプラスチックシートを正確に整合させて、その後セルを結合し充填する必要がある。基板の取り扱いと整合が難しいことにより、大量生産すると問題が生じる。
【００１４】
提案されている別の転写プロセスは、ガラス基板上のＳｉＯ２層上にＬＴＰＳアレイを形成することを含む。このプロセスでも、第２の基板をＴＦＴアレイ上に水溶性接着剤で接着するが、ここではガラス基板をＨＦ中でエッチングする。次いでアレイを永久プラスチック基板に転写し、水溶性接着剤を溶解させることによって、一時基板を取り去る。このプロセスはレーザ転写プロセスを使用するのではなく、ガラス基板をエッチングすることによりＴＦＴアレイを一時基板上に転写するという点で、上述の転写プロセスとは異なる。このプロセスの方が収率は良いかもしれないが、ガラス基板全体を完全にエッチングすることにより、費用がかかると共に環境面でも不経済である。
【００１５】
これらの転写技術の主な利点は、最終的なプラスチック基板上にＴＦＴを形成しないため、高温処理を用いることができることである。また、上述のように自立プラスチック基板上にＴＦＴを製造することの主な問題の１つである、基板の収縮に関する問題がない。
【００１６】
(ｉｉｉ)  犠牲エッチングによるプラスチックディスプレイ
また別の提案は、硬質基板上にアモルファスシリコンの犠牲層を使用し、その後プラスチック層上でスピニングを行うことである。プラスチック層の上面上にポリシリコンＴＦＴを作製し、プラスチック層とアレイを通るエッチングホールを作製する。次いで基板をエッチング液中に浸すと、エッチング液がエッチングホールを通ってアモルファスシリコンの犠牲層を溶かし、プラスチック層とＴＦＴを浮かせることができる。このプロセスは、アレイにエッチングホールが散在するため、ディスプレイの作製には適切でない。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１の態様によれば、アクティブマトリクスディスプレイを製造する方法が提供される。この方法は、硬質キャリア基板と、前記硬質キャリア基板上のプラスチック基板とを含む基板構造を製造し、
前記基板構造の前記プラスチック基板上に画素回路のアレイを形成し、
前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成し、
前記ディスプレイ層の形成後に、前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップを含む。
【００１８】
本発明はほぼ従来通りの基板の取扱い、処理、及びセル作製を使用することのできる方法を提供する。
【００１９】
本発明によれば、最小限の追加設備を必要とするだけで、プラスチック基板上にアクティブマトリクスディスプレイを製造する製造プロセスを、標準的な工場で実行することができる。
【００２０】
前記画素回路のアレイ上に前記ディスプレイ層を形成するステップは、前記画素回路のアレイ上に反射型電気泳動ディスプレイ層を設けるステップ、又は、前記画素回路のアレイ上にＬＥＤ（例えば印刷ポリマＬＥＤ）を形成するステップを含む。
【００２１】
一つの例において、前記方法は第２の基板構造を製造するステップをさらに含み、前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップは、間に電子光学材料を挟持させて前記第１及び前記第２の基板構造を実装するステップを含む。このように、前記アクティブマトリクスディスプレイ装置は前記第１及び前記第２の基板を含み、それらの間には前記電子光学材料が挟持される。
【００２２】
標準的なガラス基板上にプラスチックディスプレイを作製できると共に、これらを何度も再利用することができる。本発明は例えばＬＣＤ、ＰＬＥＤ、又はＯＬＥＤディスプレイに適用することができ、またアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又は低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴと共に適用可能である。
【００２３】
このプロセスでは本質的にＴＦＴをプラスチック層上に製造し、それらを相互接続し、プラスチック層をガラスに付着させた状態で何らかの実装を行うことができる。剥離はセルを形成した後に行う。これは全てのプラスチック基板の用途に対して魅力的なものであり、柔軟な基板上にディスプレイを作製することに対して、特に魅力的なプロセスである。
【００２４】
一例では、プラスチックをウェットキャストすることができる。例えば、スピン工程によりプラスチック層を硬質基板に塗布することができ、このプラスチック基板が最終的なディスプレイ基板となる。代替的には、ブレードによる塗布、又はオフセット印刷若しくはシルクスクリーン印刷等の印刷技術により、プラスチックを塗布することができる。
【００２５】
別の例では、プラスチックをパリレンとし、パリレン堆積プロセスを使用する。このプロセスは、パラキシレンを含むモノマ粒子からなる気体を重合することにより、パリレン層を堆積することを含む。
【００２６】
本発明は、プラスチックをガラスに付着させたままで、処理、セルの作製、及び相互接続の生成をできる限り行うことを可能にする。剥離プロセスはできる限り後で行う。セルの作製と相互接続の生成は、周知の通り薄い柔軟な基板では難しく、製造経験と専門的知識の全ては硬質ガラス基板に適応したものである。
【００２７】
硬質キャリアはガラス基板を含むことが好ましい。
【００２８】
剥離層を使用する場合には、剥離層はアモルファスシリコンを含むことができ、次いでレーザ剥離プロセスにより剥離を実行することができる。
【００２９】
各画素回路は少なくとも薄膜トランジスタ、例えばアモルファスシリコンＴＦＴを含むことが好ましい。
【００３０】
２つの基板をそれらの間に電子光学材料を挟持させた状態で使用する例では、第２の基板構造を製造することが、第２の硬質キャリア基板と、第２の剥離層と、前記剥離層上の第２のプラスチック基板と、を提供しても良い。
【００３１】
第２の硬質キャリアはガラス基板を含んでもよく、第２の剥離層はアモルファスシリコンを含んでもよい。
【００３２】
第２の基板構造は本質的にディスプレイのパッシブプレートであり、（知られたように）黒色マスク層をさらに含んでも良い。第２の基板構造を製造することはまた、第２の基板構造の上面にウェルのアレイを形成することを含んでも良い。これらは第２のプラスチック基板上に設けられたポリマ層に形成されることができ、ウェルのアレイ内にカラーフィルタを形成できる。
【００３３】
カラーフィルタを形成するためにインクジェット印刷を使用することができる。
【００３４】
第２の基板の製造は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような最上部導電層を提供することをさらに含んでも良い。これはディスプレイ画素に共通した電極として作用する。
【００３５】
第２の硬質キャリア基板も、２つの基板構造の実装後に第２のプラスチック基板から剥離されるが、これもレーザプロセスを使用して実行しても良い。その後、第１及び第２のプラスチック基板に偏光板を付加しても良い。
【００３６】
間に電子光学材料を挟持させて第１及び第２の基板構造を実装することは、真空整列液晶の充填の実行を含んでも良い。
【００３７】
本発明を他の電子装置の製造に適用することもできる。
【００３８】
従って本発明の第２の態様によれば、薄膜電子装置を製造する方法が提供される。この方法は、
スピン工程を用いて、プラスチック基板を形成するプラスチックコーティングを硬質キャリア基板に塗布し、
前記プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成し、
前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップと、
を含む。
【００３９】
さらに本発明の第３の態様によれば、薄膜電子装置を製造する方法が提供される。この方法は、
プラスチック基板を形成するパリレンコーティングを硬質キャリア基板上に形成し、
前記プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成し、
前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップと、
を含む。
【００４０】
したがって、本発明はディスプレイ製造以外の分野にも適用でき、ほぼ従来通りの基板の取扱い方法を、プラスチック基板上で薄膜電子装置を処理することに使用することもできる。スピン工程、又はパリレン堆積プロセスを使用することで、平坦で高品質の面が得られる。従来の取扱い装置を使用しての処理が可能であることで、収率が向上する。薄膜の電子素子は、薄膜トランジスタを含むことが好ましい。
【００４１】
本発明はまた、薄膜電子装置を提供する。この薄膜電子装置は、
パリレン基板と、
前記パリレン基板上に配置される薄膜電子素子と、
を含む。
【００４２】
この装置は、多くの異なるタイプのディスプレイ装置として実行されることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
添付の図面を参照して、本発明の例示を詳細に記載する。
【００４４】
第１の態様において、本発明はアクティブマトリクスディスプレイのアクティブプレートをプラスチック基板上に支持する製造方法を提供するが、処理中にこのプラスチック基板をガラス基板に接着することで、その取扱いと処理が簡便化される。プラスチック基板の剥離は、ディスプレイセルの形成後に実行する。
【００４５】
図１は本発明によるプラスチックディスプレイの製造を概略的に示し、最終の剥離段階を示す。完成したディスプレイ１０がガラス基板１２から剥離され、次いで携帯電話１４等の装置で使用される。
【００４６】
ここで本発明の方法の一例を詳細に示し、レーザを用いてガラス基板からディスプレイを剥離する方法、ディスプレイのカラーフィルタにインクジェット印刷を使用する方法、及びセル作製に真空整列液晶（ＶＡＬＣ）を使用する方法を示す。２つの対向する（アクティブ及びパッシブ）基板同士の間にＬＣ材料を挟持する液晶ディスプレイセルの製造に関する例を詳細に示す。本発明は、多くの他のディスプレイ技術及び非ディスプレイ技術に適用できるが、特定の例のみを示す。
【００４７】
図２Ａから図２Ｎは、或る製造スキームの連続した段階の概略図である。明確さを期すため、これらの図は作製するディスプレイを１つのみ示しているが、実際には、図１に示すように大きなガラス基板上に多くのディスプレイが存在する。
【００４８】
図２Ａは、ａ−Ｓｉ剥離層２０、及びプラスチック基板として機能するプラスチック層２２と共にガラスキャリアプレート２０を示す。この基板は、アクティブプレート及びパッシブプレートの基礎を形成することができる。
【００４９】
このプラスチック層は、完成したセルの壁の１つとなるのに十分な強さを有していなければならない。適切なプラスチック層は無色のポリイミド、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、又は他のプラスチック層であってよい。プラスチック層の厚さは、低コスト及び製造のし易さに対しては薄く、強度をつけるには厚くするのであるが、それらの間の妥協点とする。その厚さは通常、５から５０μｍの範囲である。剥離層２０はａ−Ｓｉの薄い層であり得、プラスチック層２２を付加する前に、ガラス基板１２上に配置する。この剥離層２０は、剥離プロセスを使用するかどうかによって、必要ない場合もある。
【００５０】
ａ−Ｓｉ剥離層はプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）により塗布し、１０から５０ｎｍの厚さとすることができる。
【００５１】
一例では、プラスチック層はスピンコートされる。こうすることで、表面の品質が極めて高品質となり、必要であれば極薄い層とすることができる。最も重要なことに、プラスチックはウェットキャストできる。従って、スピンコートの代わりに、ブレードによる塗布、又はオフセット印刷若しくはシルクスクリーン印刷等の印刷技術によって、プラスチックを塗布することもできる。
【００５２】
さらなる例ではプラスチック層をパリレンとし、パリレン堆積プロセスを使用する。
【００５３】
図２Ｂはアクティブプレートを示しており、ａ−ＳｉのＴＦＴアレイが（ほぼ）標準的な処理を用いてプラスチック面上に作製されている。最大処理温度は選択するプラスチック層によるが、プラスチックは硬質ガラス基板１２にしっかりと固定されて、収縮に関する問題が生じないため、自立プラスチックフィルムに対する温度より高い温度とすることができる。
【００５４】
ＴＦＴアレイは、ゲート金属層３０、窒化ケイ素ゲート誘電体層３２、及びＩＴＯ画素電極３４を含む。ＴＦＴは参照番号３６で概略的に示される。
【００５５】
図２Ｃは、ＬＣセルに対して列スペーサ４０を追加したものを示す。スペーサ４０は、適切なポリマ層上にインクジェット印刷又はスピニングを行い、次いで露光によりパターン形成することにより作製することができる。代わりに分散ガラス又はプラスチックビーズ若しくはロッドも使用できるが、列スペーサは両方の基板に付着するため、プラスチックセルの機械的な強度が増し、セルの分離を防止することに役立つ。
【００５６】
図２Ｄはパッシブプレート基板の製造を示す。パッシブプレートはまた、ガラス基板５０と、任意の剥離層５２と、プラスチック基板５４（これはアクティブプレートに使用するものと同じプラスチックでも、異なるプラスチックでもよい）と、を含む。図２Ｄはまた黒色マスク層５６を示す。これは、このようにプラスチックディスプレイを製造する別の利点、即ちそれら構造を構築して基板とすることができることを示している。黒色マスク５６はまた、標準的な方法を使用して後の段階で作製してもよい。
【００５７】
図２Ｅに示すように、第２のポリマ層６０をパッシブプレート層に付加する。このステップは、埋設した黒色マスク層を使用する場合に限り必要である。
【００５８】
図２Ｆに示すように、パッシブキャリアプレート中に陥凹ウェル７０をエッチングする。このステップは、カラーフィルタをインクジェット印刷する場合に限り必要である。これらのウェルはカラーフィルタ画素の形状を正確に画定するように作用する。ウェルは露光、及び酸素プラズマ、レーザ切断によって、あるいはハードマスクを用いて食刻することによって、プラスチック層中にエッチングすることができる。
【００５９】
図２Ｇは、カラーフィルタ層８０のインクジェット印刷後のパッシブキャリアプレートを示す。
【００６０】
図２Ｈは、ガラス基板上にスパッタリングにより形成されたＩＴＯ層９０を示す。さらに、ＩＴＯ、プラスチック、及びａ−Ｓｉ剥離層をエッチングすることにより、共通のアクティブプレートガラス基板上で、離散したディスプレイ装置が形成される。
【００６１】
この段階で、従来のセル作製を使用するか、又はより新しい真空整列液晶（ＶＡＬＣ）方法（滴下充填とも言う）を使用するかにより、異なるプロセスルートをとることができる。この滴下充填法では、整合の前にプレートのうちの１つの上にＬＣの液滴を滴下させ、真空状態でプレートの結合を実行する。例として、以下に説明する図面は、ＶＡＬＣプロセスを示すものである。
【００６２】
図２Ｉは、ＬＣ液滴１００がプラスチックディスプレイのアクティブプレート領域に滴下された状態を示す。
【００６３】
次いでＶＡＬＣプロセスを使用して、図２Ｊに示す組立パネルを形成する。
【００６４】
次にガラスプレートのうちの１つを、付着しているプラスチック層から除去する。これは剥離層のガラス若しくはプラスチック層の底面を通してレーザ放射若しくはランプ過熱を行うことによって、又はホットプレート上でガラスプレートを加熱することによって、行うことができる。
【００６５】
図２Ｋは、例えばレーザ剥離プロセスによって、パッシブプレートのガラス基板を除去した状態を示す。パッシブガラスのキャリアプレートは、再利用に先立ちパッシブガラスプレートプロセスからの残留物全ての痕跡を取り除くように洗浄することができる。
【００６６】
図２Ｌに示すように、その後偏光板１１０を付加する。ディスプレイはガラスと結合していることにより、この段階ではまだ剛性を有するため、ディスプレイを最終的に剥離させる前のこの段階で偏光板を付加することは、より容易である。偏光板はまた、最上部のプラスチック層に付加的強度を与える。この段階でチップオンガラスプロセスを行ったり、又は相互接続用の箔を加えたりしてもよい。これを実行する利点は、プラスチックシートをガラスにしっかりと付着させ、整合と固定を簡易化できることである。
【００６７】
図２Ｍに示すように、アクティブプレートのプラスチック基板もアクティブプレート基板１２から取り外す。基板１２は洗浄して再利用可能である。
【００６８】
偏光板フィルムを各アクティブプレートのプラスチック基板２２にも塗布する。第２の偏光板１１２を図２Ｎに示すが、この図は完成したディスプレイを示している。
【００６９】
この場合、偏光板はディスプレイ毎に塗布しなければならない。ＶＡＬＣを使用しない場合には、図２Ｎに示す完成したセルの形成後に相互接続を行う。
【００７０】
プラスチック基板をガラス基板から剥離できる方法は少なくとも３つある。使用できる方法は、ガラス基板と直接接触しているプラスチックからレーザ剥離する方法、ガラスとプラスチックとの間のシリコン剥離層を使用してレーザ剥離する方法、そしてシリコン剥離層を用いてランプ加熱する方法である。これら方法のそれぞれについて以下に述べる。
【００７１】
（ｉ）ガラス基板から直接レーザ剥離させる方法
石英キャリアを通してレーザ放射（ＸｅＣｌ）を行い、ポリイミド層を剥離させて金属−ポリイミド回路を形成する方法が開示されている。１μｍ未満の薄い層は、光により除去され剥離する自立ポリイミドであり、それは良好な機械的完全性を有している。ＭＥＭＳ製造においても同様のプロセスが使用されたが、今回は、ポリイミドを犠牲層として使用し、レーザによる剥離プロセスの後に溶解させる。原理的に、このプロセスは堆積又はスピニングを行うために付加的な剥離層を必要としないため、プラスチックディスプレイを作製する理想的なプロセスである。
【００７２】
（ｉｉ）ａ−Ｓｉ剥離層を使用するレーザ剥離
第２の方法は、いわゆるＳＵＦＬＡプロセスで使用されるａ−Ｓｉ剥離層を用いてレーザ剥離プロセスを使用する方法である。図３は、ａ−Ｓｉ剥離層１２４を使用してガラスキャリア１２２に取り付けられた２０μｍのポリイミドプラスチック層１２０を示しており、これはプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）により作製される。
【００７３】
ポリイミド１２０は金属マスキング層を使用してドライエッチングされる。ポリイミド部分の周りでむき出しになっている基板を残すように、ａ−Ｓｉ剥離層１２２もドライエッチングされる。ガラスの底面にわたってＸｅＣＬレーザラインビーム１２６を走査することにより、ａ−Ｓｉを溶かして水素を放出させる。こうすることで、ガラスの表面からポリイミドがきれいに剥離される。
【００７４】
(ｉｉｉ)ａ−Ｓｉ剥離層とランプ又はホットプレート加熱とを使用する剥離
ａ−Ｓｉ剥離層をレーザ放射する代替法として、高速熱処理（ＲＴＰ）用に作製されたランプにより、又はホットプレート上にサンプルを下降させることにより、ａ−Ｓｉを迅速に加熱することができる。
【００７５】
上述のレーザ剥離の例は、ポリイミドプラスチック基板を使用することに関するものであるが、電子装置のプラスチック基板としてポリイミドを使用することは従来にも提案されている。ポリイミドは非常に強度があるとともに、剥離後の機械的特性も良好であるが、複屈折が強い。これは、反射性及び放射性のディスプレイ及びセンサ用の基板としては適しているが、透過型ＬＣＤにおいては使用できないことを意味している。
【００７６】
従って、代替的なプラスチック層が望まれる。ディスプレイ基板に使用されたプラスチックの中には、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のように、加熱押出によってでなければ作製できないものもある。これらを薄膜としてガラス基板に塗布する単純な方法はない。
【００７７】
本発明の態様による基板用のプラスチック材料の好適な代替例の１つはパリレンであり、このプラスチック材料にはレーザ剥離プロセスが適切である。
【００７８】
パリレンは、（カテーテル等の）手術道具、（人工股関節及び心臓弁のような）手術による移植、並びに厳密な仕様の回路基板及び航空宇宙部品用のコーティングに対するコーティング層として、幅広く使用されている。
【００７９】
パリレンは、液体として加熱押出又は塗布するのではなく、３つの異なる真空槽内で３段階の真空プロセスにより堆積される。３つの堆積ステップは以下のものである：
（ｉ）槽Ａ内で約１５０℃の温度で固体の二量体を昇華させるステップ。
（ｉｉ）次いで二量体を約６８０℃の温度の真空炉（槽Ｂ）を通過させ、熱分解により破壊させて安定したモノマを形成する。
（ｉｉｉ）上記モノマを堆積槽Ｃ内に入れ、基板表面上での吸収と重合を同時に行う。
【００８０】
堆積プロセス中基板は室温であるため、冷却中に層内に応力がかかることはない。これは全ての昇温堆積プロセスの特徴である。
【００８１】
パリレンの他の顕著な特徴は以下のものである：
（ｉ）ほぼ完全な絶縁保護コーティングであり、低温堆積プロセスを使用することにより、小さい空間に充填できる。完全にピンホールフリーのバリアコーティングであると考えられる。
（ｉｉ）耐薬品性が良好であり、一般的な溶剤には不溶解性であり、酸及び塩基に曝されることによる衝撃に耐性がある。
（ｉｉｉ）透明度が高い。詳細には、略同じスペクトル域にわたって１７３７ガラスと略同じ透明度を有する。
（ｉｖ）高い絶縁耐力（＞５ＭＶ／ｃｍ）と２.６５の誘電率を有する。
（ｖ）気体及び液体に対するバリア性に優れている。このことはＬＣセルに対して極めて重要であり得るが、それはＬＣ材料中に湿気及びイオン汚染を浸入させないことが重要であるためである。
（ｖｉ）パリレンは自立した膜として良好な機械的特性を有する。このことはマイクロメカトロニクススイッチ（ＭＥＭＳ）における周知の使用、例えばバルブ及びスピーカ用の自立構造及び膜として使用されていることで、実証されている。
【００８２】
熱に対する耐久性はプラスチック基板に対する最も大きい問題の１つである。パリレンは大気中１０６℃の温度で１００，０００時間の耐久性を有し、不活性雰囲気中では２００℃でも１００，０００時間を越える耐久性を有するといわれている。パリレンＣはパリレンの最も一般的な形態である（他にパリレンＤ及びパリレンＮがある）と共に、本願に対する選択肢としても好適であり、２８０℃の溶融温度を有する。従って、パリレンの最大処理温度は２２０℃から２６０℃の範囲である。
【００８３】
上で説明した剥離プロセスを実証するための基板材料としてパリレンを実験的に使用する一例を説明する。
【００８４】
アモルファスシリコン剥離プロセスを使用した。このために、２０ｎｍのアモルファス水素化シリコンａ−Ｓｉ：Ｈを３００℃の温度でガラス基板上に堆積させた。使用したａ−Ｓｉはおよそ７原子百分率の水素を含む。
【００８５】
パリレンＣの１０μｍコーティングを堆積させた。
【００８６】
図４に示すように、走査型ＸｅＣｌエキシマレーザを用いるレーザ剥離プロセスを使用した。
【００８７】
図４は、ガラス基板１４０、パリレンプラスチック基板１４２、及び剥離層１４４を示す。
【００８８】
ＸｅＣｌレーザビーム１４６がガラス基板１４０の裏面を通過するようにレーザを方向付けると、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１４４は３０８ｎｍの青色レーザ光を非常に強く吸収する。レーザ光の作用を調整して、ａ−Ｓｉを溶解させるようにした。
【００８９】
溶解すると、ａ−Ｓｉ：Ｈが分解して水素を放出させる。ａ−Ｓｉの溶解と水素の放出とを組み合わせることで、ガラス基板からパリレンが持ち上がる。
【００９０】
実施した実験ではパルスレーザを使用し、露光領域を次第に移動させて（矢印１４８方向）、パリレンを離昇させるプロセスを実行した。ＸｅＣｌレーザをパルス化して、一回のフラッシュ毎に約２０×０．５ｍｍの領域を放射させた。露光が終わる毎に、一連の重複線を有するようにレーザを０．４ｍｍずつ移動させた。
【００９１】
ただし、広面積シングルパルスレーザ及び強力なランプアニールなど、照射によりａ−Ｓｉ：Ｈを溶解させる任意のプロセスを使用することができる。
【００９２】
これらの実験では、パリレン層はプラスチック基板から除去し易いと共に機械的特性が良好であるため、持ち上げて巻き取ることができることが実証された。
【００９３】
パリレンは光透過率が高い。図５はコーニング１７３７ガラス基板上での１０μｍのパリレンフィルムの光透過率と波長との関係（プロット１６２）を示す。図５に示すように、パリレンでコーティングされた基板は、ＡＭＬＣＤ業界で使用される標準的ガラスであるコーニング１７３７ガラス基板を単独で用いた時と同様の光透過特性（プロット１６０）を有している。
【００９４】
剥離されたパリレンフィルムをライトボックス上で直交偏光板同士の間に置き、偏光板を使用してディスプレイ用途で使用することに対する適性を判断し、その性能をポリイミドフィルムと比較した。この構成では、パリレンが略全ての光を吸収するのに対し、ポリイミドフィルムはかなりの量の光がポリイミドを通過する。ポリイミドが高い複屈折を有することは知られており、この高い複屈折により偏光が異なる量で回転し、光減衰損失につながる。パリレンの高い光減衰率は、ＬＣＤ用の基板材料として使用されることに対する適性を示している。
【００９５】
パリレンは非常に滑らかであるが、これはＴＦＴ及びディスプレイを作製する際に他の薄膜をパリレンに付着させることが困難であることを意味している。これは通常、他の層を堆積させる前にアルゴンプラズマに表面を晒すことにより、プラスチック基板としての使用に対して解決することができる。例えば、接着促進剤として機能させるために有機シランの多分子層を塗布するなど、他の前処理を実行してもよい。
【００９６】
パリレン堆積プロセスの前にガラス基板を洗浄することで、コーティングプロセスに先立って油分及びイオン等の表面汚染物質を除去してもよい。この洗浄プロセスには従来の溶剤を使用することができる。
【００９７】
上記の例はアクティブマトリクスディスプレイ装置の製造に関するものである。さらなる態様では、本発明はより一般的に、プラスチック基板上に薄膜回路を含む電子装置の製造に関する。従って本発明は、スピン工程又はパリレン堆積プロセスを使用して硬質キャリア基板にプラスチックコーティングを塗布し、ことと、プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成し、プラスチック基板から硬質キャリア基板を剥離させるステップを含む。
【００９８】
またこのプロセスでは、プラスチック基板上の（例えばＴＦＴを有する）薄膜電子装置の処理に、ほぼ従来の基板の取扱いを使用することができる。スピン工程又はパリレン堆積プロセスを使用することで、平坦で高品質な表面が得られる。
【００９９】
スピン工程により、非常に薄い基板の形成が可能となる。例えば、ポリイミド基板を３μｍ程の薄さで形成することができる。
【０１００】
下に位置する硬質キャリアからプラスチック基板を剥離させる様々な剥離手段（即ち可能な付加的剥離層と様々な剥離方法）に関連する、上述と同様の考え方を適用する。
【０１０１】
上記では、製造方法の例をＬＣＤディスプレイとの関連で詳述した。しかし、当業者には上述の各ステップの数多くの変更が明らかであろう。
【０１０２】
より一般的には、本発明はまず基板にプラスチックの塗布を提供する。プラスチック層の層厚は通常２から５０μｍである。ディスプレイ用途の場合、このプラスチックが最終的にディスプレイのプラスチック基板となるであろう。適切なウェットキャストプロセスにはスピンコーティング、印刷、及び拡散があり、パリレン堆積プロセスは、代替的な適切なプロセスである。
【０１０３】
基板は標準的なガラス基板、又は青色光吸収層でコーティングされたガラス基板であっても良く、使用するプラスチック及びレーザ剥離特性により選択する。
【０１０４】
通常、パッシベーション層をプラスチック層上に設けることが望ましい。適切な層のタイプは、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）又はスパッタリングにより窒化ケイ素あるいは酸化ケイ素を堆積させたものである。
【０１０５】
次いでＴＦＴアレイをプラスチック／パッシベーション層上に作製する。ＴＦＴアレイの製造は、ａ−Ｓｉ又は低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴに対してごく標準的なアレイ処理状態下で実行することができる。堆積層が高い機械的応力を有することのないように、小さなプロセス変更を幾らか行う必要性があり得る。標準的なガラス基板を用いて非常に薄いプラスチック層をコーティングし、標準的なＴＦＴアレイ処理を使用できるということは、このプロセスが既存のＴＦＴ製造設備において使用可能であることを意味している。
【０１０６】
上記ＬＣＤの例だけではなく、幾つかの異なるディスプレイタイプを複合するアクティブ装置素子として、ＴＦＴを使用できる。ディスプレイタイプには関係なく、ＴＦＴアレイをガラス上に付着させたままディスプレイを製造する。これは、標準的なディスプレイ製造ツール及び技術を使用できることを意味すると共に、プラスチックの薄い層が存在しても何ら有意差はないことを意味する。
【０１０７】
一例では、ガラス基板を介してプラスチック（又は青色光吸収層）の底面に青色光を当てるように照射することにより、プラスチック層をガラス基板から取り外す。このためには、通常はレーザがディスプレイ領域を完全に覆うように走査させる必要があろう。３０８ｎｍと３５１ｎｍの波長を有するパルスエキシマレーザを使用すれば、ガラスから黄色ポリイミド層を巧みに取り外すことができ、プラスチック層の下にアモルファスシリコンを設けることによって、ポリイミド、ＢＣＢ、シリコン、およびパリレンをガラスからうまく剥離させることができる。
【０１０８】
ポリイミド等の任意の黄色プラスチックは、ガラス基板を通してＵＶレーザ光を吸収することにより、直接レーザ剥離させることができる。一般に黄色基板は、例えば反射型ＬＣＤ、電気泳動ディスプレイ（Ｅ−Ｉｎｋ）、又はＯＬＥＤ若しくはＡＭＰＬＥＤ等の上方放出性放射ディスプレイ等、放射型又は反射型ディスプレイと共にしか使用できない。
【０１０９】
ＵＶレーザ光を吸収しない透明プラスチック（ＢＣＢ、シリコン、及びパリレン等）には、上述のアモルファスシリコン層のような吸収／剥離層を下に設ける必要がある。しかし、適切な吸収層あるいは剥離層にはアモルファスシリコンのみならずクロムも含まれ、場合によってはポリイミド等の黄色プラスチックも含まれる。
【０１１０】
透明プラスチックは、透過型及び半透過型ＬＣＤ、並びに下方放射型ＯＬＥＤＳ及びＰＬＥＤを含む全てのタイプのディスプレイと共に使用することができる。
【０１１１】
ａ−Ｓｉのような剥離層を黄色プラスチック層の下に用いてプロセスウィンドウを広め、プラスチック層への損傷を軽減し、ガラス基板上にプラスチックの残留が確実に残らないようにすることもできる。アモルファスシリコンからの水素により、ポリマ層が下に位置する基板から離れるように持ち上げられ、剥離プロセスの信頼性がより一層高められる。
【０１１２】
上述のとおり、液晶ディスプレイは本発明から利点を享受するディスプレイ技術の一例にすぎない。
【０１１３】
図６は、電気泳動材料を用いた一例の反射型ディスプレイ装置２００を示す。このタイプのディスプレイの一例は、電子インクディスプレイとして知られている。ガラス上のプラスチック層２０４上に薄膜トランジスタ２０２のアレイを形成する。窒化ケイ素不動態化層２０６と窒化ケイ素ゲート絶縁膜層２０８上にＴＦＴアレイを設け、ポリマ不動態化層２１２上にＩＴＯ画素２１０を形成する。図３にはガラス基板は示しておらず、ガラス基板を最終的に除去したディスプレイ装置を示している。
【０１１４】
電気泳動材料の層はカプセル２１４を含み、ＴＦＴアレイ上に積層される。カプセルはインク金属箔層にわたって局所的な電界を受けやすい。この層は本質的に粘着性があり、ＴＦＴアレイ上に配置して約１００℃に加熱し、圧延する。ＩＴＯ層２１６とプラスチック保護層２１８とを備えて、ディスプレイモジュールが完成する。
【０１１５】
金属箔層上に実装されたドライバチップを引込領域に接続し、次いでレーザ剥離工程を実行する。
【０１１６】
図７は、一例のＬＥＤ下方放射ディスプレイ装置３００を示す。被服された薄膜トランジスタ回路３０２のアレイは、透明プラスチック（シリコン、ＢＣＢ、又はパリレン等）基板３０４上に形成され、窒化ケイ素不動態化層３０８上には透明ＩＴＯ画素電極３０６が形成されている。
【０１１７】
親水性ポリマ壁３１０は、ポリマＬＥＤ材料３１２により画定される画素を囲む（ただしこれは有機ＬＥＤには必要ない）。カルシウム等の金属陰極３１４が構造を覆い、陰極３１４はポリマ不動態化層３１６で覆われる。
【０１１８】
本例はガラス基板上にアモルファスシリコン剥離層を使用するが、それらの各々については図示していない。
【０１１９】
図６及び図７の例は本発明により製造したものであるが、上記説明した方法を用いれば、他の電子部品設計のみならず、数多くの他の特定ディスプレイ設計も可能であることが理解されよう。例えば、適切なディスプレイタイプの例として、ＬＣＤのみならず、ＯＬＥＤ（有機ＬＥＤ）、ＰＬＥＤ（ポリマＬＥＤ）、ＥＬ（エレクトロルミネセンス）、及びＰＤＬＣ（ポリマ分散液晶）ディスプレイ等が挙げられる。
【０１２０】
本発明の種々の変更は、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明により製造されたディスプレイが、携帯電話における使用のために共通のガラス基板から剥離される様子を示す図。
【図２】図２Ａから図２Ｎは、本発明の方法の一例における処理ステップを示す図。
【図３】図２Ａから図２Ｎに関して説明した方法において使用できる、ポリイミドプラスチック基板に対する剥離プロセスを示す図。
【図４】図２Ａから図２Ｎに関して説明した方法において使用できる、パリレンプラスチック基板に対する剥離プロセスを示す図。
【図５】図４の剥離プロセスにおいて使用されるプラスチック基板の透過性能を示すグラフ。
【図６】本発明により製造されたディスプレイの２番目の例を示す図。
【図７】本発明により製造されたディスプレイの３番目の例を示す図。
【図１】
2007512568.tif 000003
【図２Ｍ】
2007512568.tif 000004
【図２Ｊ】
2007512568.tif 000005
【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2007512568.tif 000010
【図２Ｃ】
2007512568.tif 000011
【図２Ｄ】
2007512568.tif 000012
【図２Ｅ】
2007512568.tif 000013
【図２Ｆ】
2007512568.tif 000014
【図２Ｇ】
2007512568.tif 000015
【図２Ｈ】
2007512568.tif 000016
【図２Ｉ】
2007512568.tif 000017
【図２Ｊ】
2007512568.tif 000018
【図２Ｋ】
2007512568.tif 000019
【図２Ｌ】
2007512568.tif 000020
【図２Ｎ】
2007512568.tif 000021
【図３】
2007512568.tif 000022
【図５】
2007512568.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜電子装置を製造する方法であって、
スピン工程を用いて、プラスチック基板を形成するプラスチックコーティングを硬質キャリア基板に塗布し、
前記プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成し、
前記プラスチック基板から前記硬質キャリア基板を剥離するステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記薄膜電子素子が薄膜トランジスタを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記硬質キャリア基板がガラス基板を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記プラスチック基板と前記硬質キャリア基板との間に剥離層を形成するステップをさらに含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記剥離がレーザプロセスによるものである、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記薄膜電子素子が薄膜トランジスタを含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
アクティブマトリクスディスプレイ装置を製造する請求項１から６のいずれかに記載の方法であって、
前記プラスチック基板上に薄膜電子素子を形成するステップが、前記プラスチック基板上に画素回路のアレイを形成するステップを含み、
前記硬質キャリア基板から前記プラスチック基板を剥離する前に、前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップをさらに含む、方法。
【請求項８】
前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップが、選択反射型ディスプレイ層を提供するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記選択反射型ディスプレイ層が電子泳動材料を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップが、前記画素回路のアレイ上にＬＥＤ素子を形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
第２の基板構造を製造するステップをさらに含み、前記画素回路のアレイ上にディスプレイ層を形成するステップが、間に電子光学材料を挟持させて前記第１の基板構造と前記第２の基板構造を実装するステップを含み、これにより前記アクティブマトリクスディスプレイ装置が、間に前記電子光学材料を挟持した第１の基板及び第２の基板を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の基板構造を製造するステップが、第２の硬質キャリア基板と、前記第２の硬質キャリア基板上の第２のプラスチック基板とを提供するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の硬質キャリア基板がガラス基板を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のプラスチック基板と前記第２の硬質キャリア基板との間に第２の剥離層を形成するステップをさらに含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の基板構造を製造するステップが、黒色マスク層を形成することをさらに含む、請求項１２から１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の基板構造を製造するステップが、前記第２の基板構造の上面にウェルのアレイを形成するステップをさらに含む、請求項１２から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記ウェルのアレイが前記第２のプラスチック基板上に設けられたポリマ層に形成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の基板構造を製造するステップが、前記ウェルのアレイにカラーフィルタを形成するステップをさらに含む、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記カラーフィルタの形成にインクジェット印刷を用いる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の基板構造を製造するステップが、最上部の導電層を提供するステップをさらに含む、請求項１１から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記最上部の導電層がＩＴＯ層を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のプラスチック基板から前記第２の硬質キャリア基板を剥離するステップをさらに含む、請求項１２から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記剥離がレーザプロセスによるものである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２のプラスチック基板に偏光板を付加するステップをさらに含む、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２５】
間に前記電子光学材料を挟持させて前記第１の基板構造と前記第２の基板構造とを実装することが、真空整列液晶の充填を実行するステップを含む、請求項１２から２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
各画素回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む、請求項７から２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
各薄膜トランジスタがアモルファスシリコンＴＦＴを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記プラスチック基板に偏光板を付加することをさらに含む、請求項１から２７のいずれかに記載の方法。
【国際調査報告】
2007512568.tif 000024
2007512568.tif 000025
2007512568.tif 000026