(57)【要約】本発明は、透過性キャリア材料（４、５）と吸収体材料（３）とを有するリソグラフィマスクの透過領域（１、２）内の欠陥材料（４０）を除去する方法に関し、第１の方法ステップは、処理領域内の欠陥材料（４０）と吸収体材料（３）とを除去することを含み、第２の方法ステップは、外部領域に吸収性材料（７）を堆積させることを含み、外部領域は、吸収体材料によって覆われていた処理領域の部分領域に基づいている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過性キャリア材料（４、５）と吸収体材料（３）とを有するリソグラフィマスクの透過領域（１、２）における欠陥材料（４０）を除去する方法であって、
ａ）処理領域における欠陥材料（４０）と吸収体材料（３）とを除去するステップと、
ｂ）吸収体材料（３）で覆われていた前記処理領域の部分領域に基づく外部領域に吸収性材料（７）を堆積させることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ステップａ）において欠陥材料（４０）と吸収体材料（３）とを除去するために集束イオンビームを使用する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップａ）において、まず、前記透過領域（１）と欠陥材料（４０）と、または欠陥材料（４０）と吸収体材料（３）とに隣接して、または近接して補助ホール（６）が形成され、続いて、マイクロプレーンによって除去される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ステップａ）において、まず、前記透過領域（２）と欠陥材料（４０）と、または欠陥材料（４０）と吸収体材料（３）との両側に隣接して、または近接して２個の補助ホール（６）が形成され、続いて、マイクロプレーンによって除去される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
補助ホールの形成に集束イオンビームが使用される請求項３および４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
マイクロプレーンによって前記欠陥材料（４０）、または前記欠陥材料（４０）及び前記吸収体材料（３）を除去した後に、前記リソグラフィマスクに、追加の洗浄プロセスが施される請求項３〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップｂ）において、元の透過領域（２）と比べて拡大した前記リソグラフィマスクの透過領域（２１）を形成するように、前記外部領域に前記吸収性材料（７）が堆積される請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップｂ）において、元の透過領域（１、２）と比べてサイズが減少したリソグラフィマスクの透過領域（１０、２０）を形成するように、前記外部領域に前記吸収性材料（７）が堆積される請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ステップｂ）における吸収性材料（７）として炭素または金属が使用される請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法によって欠陥材料（４０）が除去された透過領域（１０、２０、２１）を有することを特徴とするリソグラフィマスク。
【請求項１１】
前記透過領域（１０、２０、２１）に隣接し、または近接する少なくとも１つの補助ホール（６）を有する請求項１０に記載のリソグラフィマスク。
【請求項１２】
透過領域（１０、２０）を有するリソグラフィマスクであって、前記透過領域（１０、２０）は、前記リソグラフィマスクの表面の１つ以上の吸収体材料（３、７）によって境界付けられており、前記吸収体材料（３、７）または複数の吸収体材料（３、７）は、リソグラフィマスク上の異なる水平面に設けられていることを特徴とするリソグラフィマスク。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、透過性キャリア材料と吸収体材料とを有するリソグラフィマスクの透過領域に位置する欠陥材料を除去するための方法に関するものである。本発明は、さらに、透過領域を有するリソグラフィマスクに関するものである。
【０００２】
フォトリソグラフィのパターニング方法は、通常、半導体基板ウェハー上に位置する、構造寸法が小さい大規模集積回路の製造に用いられる。この場合、放射感度の高いフォトレジスト層を、パターニングされる基板ウェハー表面に塗布し、リソグラフィマスクを介して電磁放射によって露光する。そして、露光動作の間、リソグラフィマスクの互いに隣接している透過性領域と吸収性領域とによって調整されたマスク構造を、レンズシステムによってフォトレジスト層の上に投影し、続く現像プロセスによってフォトレジスト層に転写する。このようにしてパターニングされたフォトレジスト層は、エッチングプロセス、または、基板ウェハーの表面に電気回路構造を形成するための注入ドーピング工程において、直接マスクとして用いられる。
【０００３】
半導体産業の主な目的は、回路の高速化およびそれに伴う電子構造の小型化によって性能を上げ続けることである。構造を小型化するために、主に、用いる露光光の波長をより短くすることが挙げられる。しかし同時に、経済的な理由から、構造をさらに小型化するために、より短い次世代の露光波長に変える前のできるだけ長い間、リソグラフィ技術を用いることが、試みられる。露光波長はそのままにして解像度限界を上げることによってより構造を小型化するために、フォトリソグラフィまたはマイクロリソグラフィにおいて、いわゆる「超解像技術」（ＲＥＴ）が用いられるようになってきた。これらの技術の中には、特に、いわゆる位相シフトマスク（ＰＳＭ)の使用が含まれている。位相シフトマスクを、位相マスクとも呼ぶ。
【０００４】
標準的なクロムマスクまたはバイナリマスク（これらのマスクでは、透過性のキャリア上に配置されたパターニングされた吸収性のクロム層を用いて、投影される上記構造が複写される）と比べて、位相マスクは、位相差が１８０°の２タイプの透過領域を有しているという点において異なっている。これにより、マスク構造のエッジにおいて位相マスクを透過する露光光がはっきりした明暗に遷移する。これにより、分解能が改善される。
【０００５】
主な位相マスクとして、いわゆる、レベンソン型位相シフトマスク（ＡｌｔＰＳＭ)が挙げられる。このレベンソン型位相シフトマスクは、位相が０°である透過領域と、位相が１８０°である、または、位相が１８０°シフトした透過領域とを交互に有している。これらの透過領域の間には、それぞれ、吸収体材料を有する吸収性領域が配置されている。この場合、上記の位相が１８０°シフトした透過領域（以下、位相シフト領域と呼ぶ）は、通常、位相マスクの透過性キャリア材料にエッチングを施したものである。それによって、用いられた露光光の伝播時間差が得られ、それゆえに、所望のように位相が１８０°シフトする。
【０００６】
レベンソン型位相シフトマスクの主な問題は、位相が１８０°シフトするように本来完全にエッチングされているはずの位相シフト領域に、透過性キャリア材料の残留物が残っていることである。これらの残留物（以下では、欠陥材料と呼ぶ）は、主に、透過性キャリア材料をエッチングする前に形成される位相シフト領域の上に、吸収体材料またはその他の粒子の残留物が余分に残っていることに起因している。
【０００７】
位相シフト領域の中および表面にあるこのような欠陥によって、露光光の位相が０°になることが多い。その結果、露光光は、相殺的干渉のゆえに欠陥のエッジにおいて消滅し、これによって、これらの欠陥は暗くなり、したがって、横寸法が小さい場合には悪影響を及ぼす。特に、これらの欠陥は、例えば、配線、トレンチ、または、コンタクトホールとして形成される、範囲が狭く定められた、または、幅の狭い位相シフト領域において、および、いわゆる「１８０°位相補助」において、非常に有害である。同様に、マスクのトレンチ中の曲線状の表面を有する、透過性の欠陥、部分的に透過性の欠陥、または、非透過性の欠陥も、有害である。
【０００８】
このような欠陥を防止するために、透過性キャリア材料をエッチングする前の位相マスクの吸収性領域を、通常、吸収体の余分な残留物について検査し、これらの残留物を、場合によっては、集束イオンビームを用いて修復する。しかし不都合な点は、吸収体材料の残留物を見過ごしてしまい、さらには、キャリア材料の検査工程とエッチング工程との間に、欠陥が形成される位相マスクの、後に形成される位相シフト領域上に粒子が達してしまうという点である。
【０００９】
さらには、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いてレベンソン型位相シフトマスクの形成された位相シフト領域を測定すること、および、原子間力顕微鏡の測定端を用いて不要な欠陥材料を削る（つまり、層ごとに切除する）ことが知られている。続いて、この削られた欠陥材料を洗浄プロセスにおいて除去する。この手順は、「ナノマシニング」と呼ばれ、例えば、M, Verbeek他「High precision mask repair using nanomachining」（１〜８ページ、ＥＭＣ  ２００２）、および、Y, Morikawa他「Alternating-PSM repair by nanomachining」（１８〜２０ページ、Microlithography World、２００３年１１月）に記載されている。しかし、この手順は、削る方向の両側に十分な進行路がある場合にのみ、効果がある。したがって、この方法は、例えば、コンタクトホール、および、トレンチの末端において、左右のスペースが制限されている位相シフト領域内の欠陥の除去には用いることができない。
【００１０】
別の方法として、水晶のトレンチ中の欠陥材料を、集束イオンビームを用いて除去する方法がある。この方法の不都合な点は、空間分解能が不十分であるという点である。このことは、特にホールが小さい場合に顕著である。さらには、上記イオンビームのイオンを注入することによって、こうして修復された位相シフト領域の透過率が低下してしまう。さらには、集束イオンビームを用いることにより、処理後の位相シフト領域の底部およびエッジの表面が不必要に粗くなってしまう。
【００１１】
本発明の目的は、リソグラフィマスクの透過領域において欠陥材料を除去する改変された方法、及び、欠陥のないリソグラフィマスクを提供することにある。
【００１２】
この目的は、請求項１に係る方法と、請求項１０および請求項１２に係るリソグラフィマスクによって達成される。さらに有利な実施形態が従属請求項において特定される。
【００１３】
本発明は、透過性キャリア材料と吸収体材料とを有するリソグラフィマスクの透過領域における欠陥材料を除去する方法を提案する。この場合、第１の方法ステップは、処理領域において、欠陥材料と、生来的に完全な吸収体材料とを除去することを含み、第２の方法ステップは、吸収体材料によって覆われていた処理領域の部分領域に基づく外部領域に吸収性材料を堆積させることを含む。その結果、欠陥は取り除かれ、吸収体の所望の形状が再構成される。
【００１４】
本発明に従った方法は、まず、処理領域において、欠陥材料と吸収体材料との双方と、好ましくは、吸収体材料の下に配置された透過性キャリア材料を除去し、続いて、リソグラフィマスク上に所望の位相シフトを有する予め決定された透過領域を再び形成するために、外部領域に吸収性材料を堆積する。このようにして、本発明に従った方法によれば、例えば、ホール内、またはトレンチの末端に制限されたスペース状態が現れた場合であっても、透過領域内の欠陥を確実に除去する可能性を得ることができる。この方法は、特に、交互に位相がシフトするマスクの位相シフト領域内の欠陥を除去するために使用されるが、欠陥を除去する目的のために、例えば、バイナリマスクのような他のリソグラフィマスクにも適用される。
【００１５】
ある好ましい実施形態では、第１の方法ステップにおいて、欠陥材料と吸収体材料と、そして好ましくは、透過性キャリア材料を除去するために集束イオンビームが使用される。この実施形態によれば、リソグラフィマスクの透過領域内の欠陥を簡単に速く除去することができる。この場合、関係する材料が、好ましくは、透過領域の底によって規定される平面の下まで除去される。
【００１６】
ある好ましい実施形態では、第１の方法ステップにおいて、まず、好ましくは集束イオンビームを用いて、透過領域及び欠陥材料、または、欠陥材料及び吸収体材料に隣接して、または、近接して形成され、また、好ましくは、続いて、透過性キャリア材料がマイクロプレーンを用いて除去される。補助ホールの形成により、例えば、原子間力顕微鏡の測定端であるマイクロプレーンを用いるための十分な進行路が形成される。このため、この方法の実施形態は、例えば、トレンチとして現れている透過領域のトレンチ端においてスペース条件が制限されているリソグラフィマスクの透過領域内にある欠陥材料の除去に特に適している。マイクロプレーンを使用するため、このようにして修復される透過領域は、底面と、平面と平滑な表面と真っ直ぐなエッジとを有するサイド領域とを有している。補助ホールの形成において、関係するマスク材料は、上述した実施形態に基づいて、好ましくは、透過領域の底によって規定される平面まで、または平面の下まで除去される。
【００１７】
他の好ましい実施形態によれば、第１の方法ステップにおいて、まず、好ましくは集束イオンビームを用いて、透過領域の両側に隣接して、及び／または近接して２つの補助ホールが形成される。続いて、欠陥材料、または、欠陥材料及び吸収体材料、そして、好ましくは、透過性キャリア材料が、マイクロプレーンを用いて除去される。この実施形態も、２つの補助ホールによってマイクロプレーンのための十分な進行路が形成されるので、狭いホール内に現れる限定されたスペース条件を有する透過領域内の欠陥を除去することに使用すると有効である。
【００１８】
マイクロプレーンを用いて、欠陥材料、または欠陥材料及び吸収体材料、そして、好ましくは透過性キャリア材料を除去した後、リソグラフィマスクに追加の洗浄 プロセスを施すことがさらに好ましい。このようにして、マイクロプレーンにより除去ざれた材料または複数の材料は、リソグラフィマスクから完全に除去される。
【００１９】
集束イオンビームが材料の除去に使用されると、イオンビームからのイオンがリソグラフィマスクの透過領域に注入され、この結果、修復された透過領域の透過率が低減される。この効果を補償するために、第２の方法ステップにおいて、元の透過領域に比べて拡大されたリソグラフィマスクの透過領域を形成するように、外部領域、または補助ホール/複数の補助ホールに吸収性材料が堆積される。透過率の減少を補償するために、エッチング除去される領域が、好ましくは、最初、現れた欠陥の除去のみに必要であるよりも幾分大きく選択される。吸収体材料の上記した堆積の後、欠陥材料が除去され、さらに、露光において光学的に有効な局地的透過度が、理想的な状態に近づく。
【００２０】
一方、欠陥のない理想的な透過領域に比べて露光光線の透過度が増大するようにエッジが修復されたリソグラフィマスクの透過領域を得る可能性がある。この効果は、欠陥の除去後に現れて理想的なエッジ構造から逸脱したエッジ構造によるエッジでの露光光の散乱の減少によって引き起こされる。このような場合、第２の方法ステップにおいて、この効果を補償するために、元の透過領域に比べてサイズが減少したリソグラフィマスクの透過領域を形成するように、外部領域に収性材料を堆積することが好ましい。
【００２１】
本発明の後の２つの実施形態に関しては、第２の方法ステップを実施する前に、リソグラフィマスクの光学転写特性をシミュレーションすることが好ましい。このようにして、吸収性材料が、所望の最適の転写特性に従って堆積される。シミュレーションのパラメータを決定するために、マスク形状が、従来技術に基づく方法、即ち、光学顕微鏡（ＡＩＭＳ）、電子顕微鏡、イオン顕微鏡、または原子間力顕微鏡による修復の前に、好ましくは、その間に測定される。
【００２２】
本発明は、さらに、本発明、または好ましい実施形態のうちの１つに係る方法によって欠陥材料が除去された透過領域を有するリソグラフィマスクを提案する。本発明の方法または好ましい実施形態によって、特に、スペース条件が制限された透過領域において、確実に且つ効果的に欠陥が除去され得るので、そのような欠陥のないリソグラフィマスクは、好ましい光学転写特性によって特徴づけられる。
【００２３】
一般的に、このようなリソグラフィマスクは、リソグラフィマスクの表面に関連する１つ以上の吸収体材料によって境界付けられる透過領域を有している。吸収体材料、または複数の吸収体材料は、リソグラフィマスク上の異なる水平面に配置されている。
【００２４】
以下では、本発明について図面を参照しながら詳述する。
【００２５】
図１〜図４は、本発明の方法の第１実施形態に関する、欠陥を有する位相マスクの透過性位相シフト領域の細部を示す平面図および側面断面図、および、欠陥を除去した位相マスクの透過性位相シフト領域の細部を示す平面図および側面断面図である。
【００２６】
図５〜図８は、さらに、本発明の方法の第２実施形態に関する、欠陥を有する位相マスクの透過性位相シフト領域を示す平面図および側面断面図、および、欠陥を除去した位相マスクの透過性位相シフト領域を示す平面図および側面断面図である。
【００２７】
図９〜図１１は、本発明の方法の第３実施形態に関する、図５の位相シフト領域の欠陥を除去した、平面図および側面断面図である。
【００２８】
図１は、レベンソン型位相シフトマスクの透過性位相シフト領域（以下では、透過領域１と呼ぶ）の細部を示す概略的な平面図および概略的な断面図である。ここで、上記平面図の切断線ＡＡに沿って切断した図が、この断面図である。これについては、以下の図も同様である。透過領域１は、位相マスクの表面に位置するトレンチとして存在しており、図１の平面図から分かるように、吸収体材料３（例えば、クロム）の表面によって境界付けられている。透過領域１の幅は、例えば４００ｎｍである。
【００２９】
位相マスクのさらなる構造を、図１の側面断面図から識別できる。この位相マスクは、透過性キャリア材料５からなる層、および、吸収体３とキャリア材料５との間に位置する透過性キャリア材料４からなる他の層、を備えている。キャリア材料４、５は、通常、同じ透過性材料（例えば、水晶）から形成されている。
【００３０】
位相マスクの形成において、吸収体材料３によって覆われていないキャリア材料４を、キャリア材料５の表面までエッチングによって除去する。これにより、上記したように、リソグラフィにおける露光において用いられる電磁放射の位相が１８０°シフトする。吸収体３の厚さは、例えば８０ｎｍである。露光波長が１９３ｎｍである場合に位相を１８０°シフトするために、透過性キャリア材料４からなる層の厚さは、例えば、１７０ｎｍになっている。
【００３１】
図１は、さらに、透過領域１のトレンチの末端に位置する欠陥４０を示している。この欠陥は、エッチングによって除去されなかったキャリア材料４の残留物から生じる。このような欠陥４０は、例えば、吸収体材料３の余分な残留物、または、エッチングを行う前のキャリア材料４上に位置する粒子から生じる。該欠陥４０によって、例えば、露光光の位相は０°のみになる。これにより、露光光は、相殺的干渉のゆえに欠陥４０のエッジにおいて消滅する。結果として、欠陥４０が、リソグラフィによる露光の間にエッジまたはトレンチの末端を不必要に暗くする。この暗くなる現象は、欠陥に起因して位相が０°にシフトしなかった場合、または、欠陥において散乱が生じた場合にも、生じてしまう。
【００３２】
本発明の方法の第１実施形態に関する欠陥または欠陥材料４０を除去するために、図２に示したように、初めに、透過領域１に隣接し、欠陥４０に近接している外部領域に、集束イオンビームによって補助ホール６をエッチングする。これにより、吸収体材料３およびキャリア材料４、さらに、図２から分かるように場合によってはキャリア材料５の一部が、除去される。
【００３３】
その後、図３に示したように、マイクロプレーン（図示せず）を用いて、欠陥材料４０を除去する。この場合、欠陥材料４０は、補助ホール６の方向に向かって、または、該補助ホール６の中に向かって押されることが好ましい。マイクロプレーンとして機能するのは、例えば、原子間力顕微鏡の測定端である。同時に、透過領域１および欠陥４０を測定するために、この原子間力顕微鏡をあらかじめ用いてもよい。
【００３４】
次に、図４に示したように、例えば厚さ４０ｎｍの吸収性材料７からなる層が、露出している外部領域または補助ホール６に堆積される。吸収性材料７として、炭素または金属（例えば、クロム）が用いられることが好ましい。この炭素または金属は、例えば一般的なプロセスによって、外部領域に堆積される。このようにして、位相マスクの新しい透過領域１０が形成される。
【００３５】
図１〜図４の点線から分かるように、吸収性材料７はもとの透過領域１に突き出ているので、透過領域１０の横幅は、もとの透過領域１のそれよりも少し小さく形成される。これにより、露光中における露光光の透過度を上げることができる。上記透過度の上昇は、欠陥を除去したことにより、理想的なエッジ構造ではなかったエッジ構造が変更されたために、透過領域１０の、修復された欠陥のないトレンチの末端において、露光光の散乱が低減したことに起因する。
【００３６】
吸収性材料７を形成する前に、位相マスクに他の洗浄プロセスを施すことが好ましい場合もある。これにより、マイクロプレーンによって切除された欠陥材料４０を、位相マスクから完全に除去することにより、吸収性材料７はキャリア材料５上にのみ形成され、補助ホール６の中、または、該補助ホール６のエッジに位置する欠陥材料上には形成されない。修復された構造が後の洗浄を受けてなお安定しているか、または、このような洗浄が省略される場合、位置の変わった欠陥材料を、吸収体によって覆ってもよい。
【００３７】
図２に示したように透過領域に隣接して補助ホール６を形成する代わりに、透過領域に近接して該透過領域から少し間隔をあけて補助ホールを形成してもよい。それゆえに、欠陥材料４０に加えて、さらに、該欠陥４０と補助ホールとの間に存在している吸収体材料３と、該吸収体材料３の下に配置されたキャリア材料４とが、マイクロプレーンによって切除される。
【００３８】
さらには、単一の補助ホール６の代わりに、２つの補助ホールを、透過領域１の両側に隣接して、および／または、該両側に近接して、形成してもよい。これらの補助ホールは、例えば、欠陥４０に近接した、透過領域１の長手方向に沿った両側に形成される。２つの補助ホールの形成は、特に、位相マスクの透過領域が横寸法の比較的短いホールとして存在している場合の欠陥の除去に適している。これについて、続く図５〜図８を参照しながら詳述する。
【００３９】
図５は、ここでも透過領域２の端部においてエッチングによって除去されていないキャリア材料４の残留物から生じた欠陥４０を有する、位相マスクの他の透過性位相シフト領域（以下では、透過領域２と呼ぶ）を示している。ホールとして形成された透過領域２は、同様に、例えば位相マスクの吸収体材料３（例えば、クロム）の表面によって境界付けられており、上記透過領域２の幅は、４００ｎｍであり、長さは８００ｎｍである。
【００４０】
透過性キャリア材料４、５（通常、水晶）からなる２つの層は、ここでも、吸収体３の下に配置されている。吸収体３の厚さは、ここでも、例えば８０ｎｍである。露光波長が１９３ｎｍである場合に露光光の位相を１８０°シフトするために、透過性キャリア材料４からなる層の厚さは、ここでも、例えば１７０ｎｍになっている。
【００４１】
図６に示したように、欠陥４０を除去するために、外部領域の中の透過領域２の両側に、集束イオンビームによって２つの補助ホール６を形成する。補助ホール６を形成している間に、吸収体材料３と、キャリア材料４と、場合によってはキャリア材料５の一部とを除去する。
【００４２】
さらに、図６から、左側の補助ホール６が、例えば透過領域２に隣接して形成され、右側の補助ホール６が、例えば透過領域２に近接して少し間隔をあけて形成されている、ということが分かる。言うまでもなく、２つの補助ホール６を、透過領域２に隣接して形成してもよいし、該透過領域２に近接して形成してもよい。
【００４３】
その後、図７に示したように、欠陥材料４０と、右側の補助ホール６のエッジに配置された吸収体材料３と、その下に配置されたキャリア材料４とは、マイクロプレーン（図示せず）を用いて除去される。このマイクロプレーンは、ここでも、原子間力顕微鏡の測定端であってもよい。この場合、これらの材料は、補助ホール６の方向に向かって、または、該補助ホールの中に向かって押されることが好ましい。
【００４４】
マイクロプレーンを用いて切除された材料を完全に除去し、位相マスクを洗浄する任意のプロセスの後、外部領域または補助ホール６を、図８に示したように、例えば吸収性材料７（例えば、炭素または金属）からなる層によって覆う。これにより、透過領域２０が形成される。吸収性材料７からなる層の厚さは、ここでも例えば４０ｎｍである。
【００４５】
図５〜図８に示した点線から、透過領域２０がここでももとの透過領域２よりも小さく形成されていることが分かる。このようにして、透過領域２０のエッジでは、露光光の散乱が低減されることによって透過度を上げることができる。
【００４６】
図４および図８から分かるように、修復された位相マスクは、それぞれ、透過領域１０、２０を有している。該透過領域は、それぞれ、位相マスクの表面において１つの吸収体材料によって境界付けられているか、または、形成された吸収性材料７が吸収体材料３とは異なっている場合には複数の吸収体材料によって境界付けられている。この場合、１つの吸収体材料または複数の吸収体材料は、位相マスク上の異なる水平面に配置されている。
【００４７】
図９〜図１１は、マイクロプレーンを用いない本発明の方法の第３実施形態に関する位相マスクの、ホールとして形成された透過領域２、の中の欠陥４０の除去を示している。ここでは、図１０に示したように、欠陥材料４０と、吸収体材料３と、その下に配置されたキャリア材料４と、場合によってはキャリア材料５の一部との除去には、集束イオンビームのみを用いる。こうして、透過領域２の比較的大きな部分領域を占める補助ホール６が、形成される。位相マスクを洗浄する任意のプロセスの後、図１１に示したように、位相マスクの透過領域２１を形成するために、ここでも外部領域に吸収性材料７が形成される。
【００４８】
本発明の方法のこの第３実施形態は、同様に、さまざまな形状をした透過領域の欠陥を除去するために用いられる。このようにして、例えば、図１に示したようにトレンチとして存在している透過領域１の欠陥４０も除去される。
【００４９】
図９〜図１１の点線から、透過領域２１がもとの透過領域２よりもいくぶん横に広がっているように形成されていることが分かる。これにより、透過領域２１中の露光光の透過度を低減できる。このように透過度が低減されることは、透過領域２１に注入されたイオンビームからのイオンによって生じる。このイオンビームは、上記したように、もとの透過領域２の比較的大きな部分領域において材料を除去するために用いられる。
【００５０】
基本的に、吸収性材料７を形成する前に、位相マスクの光学転写特性をシミュレーションによって計算することが好ましい。これらのシミュレーションに基づいて、続いて、吸収性材料７を、位相マスクの所望の最適の転写特性に形成する。これにより、もとの透過領域と比べて拡大または縮小した透過領域が形成される。もとの透過領域の寸法に一致する透過領域を形成してもよい。
【００５１】
さらに、リソグラフィを用いる前に本発明の方法または上記実施形態を用いて修復された位相マスクにおいて、該位相マスクおよびレンズシステムを介して照射した後に露光光の「光学像」と呼ばれる強度分布を測定することによって、位相マスクの転写特性を検査することが、好ましい場合もある。このために、一般的な「光学像測定システム」（ＡＩＭＳ）が用いられる。
【００５２】
図面に基づいて記載した方法の実施形態とともに、他の実施形態も考えられる。例えば、第１の方法ステップでは、処理領域において、欠陥と、吸収体材料とのみを除去し、該吸収体の下に配置された非透過性キャリア材料を除去しなくてもよい。
【００５３】
さらには、本発明の方法または上記実施形態は、レベンソン型位相シフトマスクの透過性位相シフト領域に位置する欠陥材料を除去するためにのみ用いられるのではない。この方法または上記実施形態は、位相が０°である透過領域において欠陥または材料を除去するため、および、基本的に、他のリソグラフィマスク（例えば、バイナリリソグラフィマスクまたは反射ＥＵＶマスクなど）の透過領域において材料を除去するか、あるいは他には、粒子を除去するためにも用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の方法の第１実施形態に関する、欠陥を有する位相マスクの透過性位相シフト領域の細部を示す平面図および側面断面図である。
【図２】本発明の方法の第１実施形態に関する、欠陥を有する位相マスクの透過性位相シフト領域の細部を示す平面図および側面断面図である。
【図３】本発明の方法の第１実施形態に関する、欠陥を除去した位相マスクの透過性位相シフト領域の細部を示す平面図および側面断面図である。
【図４】本発明の方法の第１実施形態に関する、欠陥を除去した位相マスクの透過性位相シフト領域の細部を示す平面図および側面断面図である。
【図５】本発明の方法の第２実施形態に関する、欠陥を有する位相マスクの透過性位相シフト領域を示す平面図および側面断面図である。
【図６】本発明の方法の第２実施形態に関する、欠陥を有する位相マスクの透過性位相シフト領域を示す平面図および側面断面図である。
【図７】本発明の方法の第２実施形態に関する、欠陥を除去した位相マスクの透過性位相シフト領域を示す平面図および側面断面図である。
【図８】本発明の方法の第２実施形態に関する、欠陥を除去した位相マスクの透過性位相シフト領域を示す平面図および側面断面図である。
【図９】本発明の方法の第３実施形態に関する、図５の位相シフト領域の欠陥を除去した、平面図および側面断面図である。
【図１０】本発明の方法の第３実施形態に関する、図５の位相シフト領域の欠陥を除去した、平面図および側面断面図である。
【図１１】本発明の方法の第３実施形態に関する、図５の位相シフト領域の欠陥を除去した、平面図および側面断面図である。
【図１】
2007534993.tif 000003
【図２】
2007534993.tif 000004
【図３】
2007534993.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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