(57)【要約】【課題】  マスキングが交換可能かつ再利用可能な手段によるものであり、単純かつ効果的な手段を提供する。【解決手段】半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理方法であって、かつ該構造１００は、作動層の下に電気的絶縁層を含み、また前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた島を作動層中に構成するように設計されている、作動層の湿式化学的エッチング段階を含んでいる処理方法であって、さらに、この作動層に様々な島を構成するため、湿式エッチング段階の前に、前記作動層のいくつかの領域の上に選択的マスキングを実現し、かつ各領域がそれぞれの島に対応した作動層からマスクされている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理方法であって、
該構造は、作動層の下に電気的絶縁層を含み、
前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた少なくとも一つの島を前記作動層中に構成するように設計されている、作動層の湿式化学的エッチング段階を含んでいる処理方法であって、
この作動層にいくつかの島を構成するため、湿式エッチング段階の前に、前記作動層のいくつかの領域に選択的マスキングを実現し、
各領域が、それぞれの島に対応した作動層からマスクされていることを特徴とする、多層構造の作動層の処理方法。
【請求項２】
前記湿式エッチング段階が、構造全体にわたり同時に実現され、
マスクされた前記領域が、エッチングから保護されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法が、以下の各段階、すなわち、
それぞれの基本的なマスクによって、島に対応した構造の各領域を密封マスキングする段階と、
前記作動層に選択的にアタックするが、電気的絶縁層または基本的マスクはアタックしないエッチング溶液による湿式エッチング段階と、
構造の洗浄および乾燥段階とを、
実施することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記密封マスキングが、一般的なクランプの形状をしており、構造上に基本的マスクを備えているデバイスを締め付けることによって得られることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各領域のマスキングが、前記領域に吸着カップタイプの弾性マスキングを適用することによって実現されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
各領域のマスキングが、リジッドマスクの減圧手段に関連したリジッドマスクを前記領域に適用することによって実現されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記作動層が、シリコンからなることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
前記構造が、ＳＯＩであることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
半導体物質からなる多層構造の電気的特性を特徴づけるための、請求項１から８のいずれか一つに記載の方法の適用方法。
【請求項１０】
該構造の作動層の全表面を実質的に包含する規定された領域の電気的特性をマッピングするための、請求項９に記載の方法の適用方法。
【請求項１１】
半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層を処理するデバイスであって、
該構造が、前記作動層の下に電気的絶縁層を含み、
前記処理が、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた少なくとも一つの島を前記作動層中に構成するように設計されている、エッチング段階を含んでいる処理デバイスであって、
前記作動層のそれぞれの領域を密封方法によってマスクし、
一旦前記領域がマスクされると、前記構造の湿式エッチングが実現されるように、いくつかの基本的マスクをデバイスが含んでいることを特徴とする、処理デバイス。
【請求項１２】
前記基本的マスクが、減圧手段に関連したリジッドマスクを含んでいることを特徴とする、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基本的マスクが、吸着カップタイプの弾性マスクを含んでいることを特徴とする、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記デバイスが、前記マスクを支持するパッドを含んでいることを特徴とする、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記デバイスが、二つの顎部を備えたクランプの形状をした一般的な構成を有し、
その内の第一顎部が、前記マスクを支持しており、
該クランプが、構造により締まるような方法で、マスクが構造との密封接触面を形成するようになっていることを特徴とする、請求項１３または１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
クランプが構造により締まると、相対している構造の後部側が、作動層を支持している構造の側に保持されることを確保するために、デバイスの第二顎部が、拍車状部を支持していることを特徴とする、請求項１４または１５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的に、マイクロエレクトロニクス、光学およびオプトエレクトロニクスに応用される半導体物質からなる構造の特徴に関する。
【０００２】
本発明に関連した構造は、いわゆる「作動する」電気的導電層と、電気的絶縁層とを含んでいる多層構造である。
【０００３】
作動層はしばしば構造の表面層であり、電気的絶縁層は構造の厚さの中に埋め込まれている。
こうした構造は、例えばＳＯＩｓ（シリコン・オン・インシュレータ）でも構わない。
この場合、作動層はシリコンの表面薄層であり、また絶縁層は埋め込まれた絶縁層（例えば酸化物）である。
しかし、このＳＯＩの実施例は限定的なものではない。
【０００４】
より正確に述べれば、本発明は、半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理方法であって、かつ該構造は前記作動層の下に電気的絶縁層を含み、また前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた少なくとも一つの島を前記作動層中に構成するように設計されている、作動層の湿式化学的エッチング段階を含んでいる処理方法に関する。
【０００５】
本発明はまた、半導体物質からなる多層構造の電気的特性を特徴づけるためのかかる方法の適用に関する。
【０００６】
また、本発明は、こうした方法の枠組みにおいて実施することができるデバイスにも関する。
【背景技術】
【０００７】
上述した種類の方法は、既知である。
【０００８】
こうした方法により、構造の作動層中に、例えば電気的導電性物質（ＳＯＩの場合はシリコン）のＳＯＩ島を構成することが可能となる。
【０００９】
本発明に関連した構造上でいくつかの操作を実現するためには、実際、こうした島を構成することが必要となる。
こうした操作は、特に、構造の電気的特性の特徴づけを含んでいる。
【００１０】
こうした特徴づけは、特に、擬似ＭＯＳＦＥＴと称する構造の少なくとも一つの擬似要素を実施することによって行うことができる。
【００１１】
該擬似ＭＯＳＦＥＴはトランジスタに類似した肉眼で見えるデバイスであり、多くの場合、その製造にはきわめて限られた数の技術的段階しか必要とされない。
こうしたデバイスは、特に上述したような構造の中に構成することができる。
【００１２】
このデバイスは、さらに、ＣＭＯＳ製造法に固有の修正（チャンネルレイアウト等）を必要とすることなく、デバイスを製造する場所となる作動層の物質の特徴的な結果を提供するという利点を呈する。
【００１３】
したがって、この構造および、特にその作動層の電気的特性を特徴づけるために、構造（ＳＯＩまたはその他）の中にこうしたデバイスを構成することは単純である。
ＳＯＩの中に組み込んだ擬似ＭＯＳＦＥＴにおいては、埋め込んだ酸化物を誘電体ゲートとし、また、基板をゲートとし、さらに、作動層上の二つの接点をソースおよびドレーンとして使用することによって、ＳＯＩのＭＯＳ固有の構造を利用する。
擬似ＭＯＳＦＥＴは、ＭＯＳＦＥＴの形状をしているが、逆になっている。
擬似ＭＯＳＦＥＴは、ショットキータイプの接点を用いた単純なＭＯＳＦＥＴに基づいたものである。
【００１４】
こうした擬似ＭＯＳＦＥＴは、図１に概略して図示されており、該図は、シリコンの薄作動層１１、絶縁層１２および基板層１３からなるＳＯＩ１０の場合を図解したものである。
【００１５】
擬似ＭＯＳＦＥＴは、ＳＯＩの中の確定した領域に構成されていた。
【００１６】
この擬似ＭＯＳＦＥＴは、作動層１１の中に二つの接点ＳおよびＤを具備しており、それぞれデバイスのソースとドレーンとなっている。
基板層１３は、擬似ＭＯＳＦＥＴに対するゲート（接点ＶG）として機能している。
【００１７】
こうして擬似ＭＯＳＦＥＴは、半導体構造の特徴づけのための有利なデバイスを構成している。
擬似ＭＯＳＦＥＴは、与えられたパターンをこの種の構造の上部層に空間的に画定することによって製造する。
こうして、このパターンは、絶縁層１２によって該構造の基板層１３から電気的に絶縁される。
【００１８】
擬似ＭＯＳＦＥＴは、いわゆる「Ψ−ＭＯＳ試験」と称する評価法に従って実現することができる。
【００１９】
「Ψ−ＭＯＳ試験」法により、構造の前面（すなわちその構造の作動層を支持している側）に、二つのタングステン・カーバイドの点の圧力を介して二つの接点を作ることが可能となる。
【００２０】
これら二つの接点、すなわち、図１の接点ＳおよびＤに対応するものを、構造の上部層に画定されたパターンの中心に適用する。
【００２１】
こうして構造は、評価サンプルを構成する（本明細書では以降、「構造」と「サンプル」という用語を区別しないで用いるものとする）。
【００２２】
構造の後部側は、導体板上に置かれており、その上に電圧が印加される。
構造の後部側にあるこの接点は、ゲート接点に対応している。
【００２３】
「Ψ−ＭＯＳ試験」法の枠組みにおいて、図２に示すように、特徴づける構造の中に様々な絶縁した島が次々に実現される。
【００２４】
これらの島１５のそれぞれは、絶縁層がこれらの溝と同一面となるように作動表面層の物質が除去されている溝によって、ほかの島から分離されている。
【００２５】
この方法による構造の特徴づけは、一般的に、上述した離散接点を適用して構造の各種の島１５を特徴づけすることにより達成される。
こうして、構造の電気的特性を、異なった島にマッピングすることが可能となる。
【００２６】
特徴づけした電気的パラメータが、一般的に、次のものである点に注目する。
すなわち、μｅ（電子移動度）、μｈ（ホール移動度）、Ｄｉｔ（界面準位密度）、Ｖｔｈ（閾値電圧）、ＶＦＢ（フラットバンド電圧）、Ｑｂｏｘ（絶縁層電荷）。
【００２７】
こうして、この評価法によって、総括的な方法で、同一構造の異なった島を特徴づけるマッピングを実施することが可能となるが、そのことは有利である。
【００２８】
図２に示すような島を製造するためには、パターン転写法を実施する。
【００２９】
この種の方法により、たとえ小さいサイズ（例えば直径３インチの）構造上にでも、様々な島を構成することが可能となる。
しかし、こうした手順は、実施するのに面倒であり、また費用もかかる。
【００３０】
さらに、この種の方法では、一般的に、かなり大きなサイズ（例えば直径８インチ、またはそれ以上のケース）の構造の全表面にわたって島を構成することはできない。
【００３１】
パターン転写による島の製造の変形態様においては、サンプル構造の上に「ハード」マスキングを通じて構造を選択的にエッチングすることにより、特徴づけの島を製造することが可能となる。
【００３２】
この変形態様においては、島を構成するため湿式エッチングにより構造を選択的にアタックすることが一般的に実施されている。
【００３３】
こうして、図３は、本発明に関連したサンプル構造１００を示したものである。
【００３４】
二つのＯリング２１ａ、２１ｂのそれぞれは、該当するガラス板２０ａ、２０ｂ、およびサンプル構造の両側の一つに対して押しつけられている。
この圧力は、手段２２によってもたらされる。
【００３５】
こうして、これら二つのＯリングは、サンプル構造１００の両側の真向かいに、密封した方法で絶縁されているサンプルの二つの領域１０１ａ、１０１ｂを画定する。
【００３６】
絶縁されている領域を有するサンプル１００は、次いで、サンプルの作動層を選択的にエッチングし得るエッチング溶液、例えば、シリコンの作動層サンプルの場合は、ＫＯＨにさらす。
【００３７】
作動層を「選択的」にエッチングするとは、作動層のみをエッチングし、近接した層はエッチングしないということを意味する。
【００３８】
このことは、当初の構造の層が保存されている領域１０１ａおよび１０１ｂの真向かいの部分を除いた作動層に、湿式エッチングを行なうという結果となる。
【００３９】
これらの領域は、「Ψ−ＭＯＳ試験」法に関連して先に開示した方法と同一の方法でサンプルを特徴づけ得るレベルにある島に対応する。
【００４０】
この方法によって、単一の島を有するサンプルを製造する。
【００４１】
また湿式エッチングを行なうこの島の製造方法は、パターン転写による島の構成法に関連して上述した不便さには晒されない。
【００４２】
したがって、湿式エッチングによるこの種の方法は有利である。
【００４３】
しかし、この種の方法では、サンプル構造に単一の島を構成することが可能となるのみである。
したがって、上述したようなマッピングを実現するために、構造の表面に様々な島を構成することはできない。
【特許文献１】米国特許第６１５９８２９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４４】
本発明の目的は、パターン転写による方法に関連して上述した不便さには晒されることなく、同一構造上に様々な島を構成し得るようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００４５】
この目的を達成するため、本発明では、第一の態様に従って、半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理方法であって、かつ、該構造は、前記作動層の下に電気的絶縁層を含み、また、前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた少なくとも一つの島を前記作動層中に構成するように設計されている、作動層の湿式化学的エッチング段階を含んでいる処理方法であって、さらに、この作動層に様々な島を構成するため、湿式エッチング段階の前に、前記作動層のいくつかの領域の選択的マスキングを実現し、かつ各領域が、それぞれの島に対応した作動層からマスクされていることを特徴とする処理方法を提案する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本処理方法の好ましいが、しかし限定的ではない態様は、以下のとおりである。
・湿式エッチング段階は、構造全体にわたり同時に実現され、かつ、マスクされた前記領域は、エッチングから保護される。
・該方法は、以下の各段階を実施する。
それぞれの基本的なマスクによって、島に対応した構造の各領域を密封マスキングする段階。
前記作動層を選択的にアタックするが、電気的絶縁層または基本的マスクはアタックしないエッチング溶液による湿式エッチング段階。
構造の洗浄および乾燥段階。
・前記密封マスキングは、一般的なクランプの形状をしており、かつ、構造上に基本的マスクを備えているデバイスを締め付けることによって得られる。
・各領域のマスキングは、前記領域に吸着カップタイプの弾性マスキングを適用することによって実現される。
・各領域のマスキングは、リジッドマスクの減圧手段に関連したリジッドマスクを前記領域に適用することによって実現される。
・前記作動層は、シリコンからなる。
・前記構造は、ＳＯＩである。
【００４７】
本発明は第二の態様に従って、半導体物質からなる多層構造の電気的特性の特徴づけにこうした方法を適用することを提案する。
【００４８】
こうした適用には、構造の作動層の全表面を実質的に包含する規定された領域の電気的特性のマッピングが含まれることがある。
【００４９】
最後に、本発明は第三の態様に従って、半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理システムであって、かつ、該構造は、前記作動層の下に電気的絶縁層を含み、また、前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた少なくとも一つの島を前記作動層中に構成するように設計されている、処理システムであって、さらに、作動層のそれぞれの領域を密封方法によってマスクし、それによって、一旦前記領域がマスクされると前記構造の湿式エッチングが実現されるように、様々な基本的マスクをデバイスが含んでいることを特徴とする処理システムを提案する。
【００５０】
こうしたデバイスの好ましいが、しかし限定的ではない態様は以下のとおりである。
・基本的マスクは、減圧手段に関連したリジッドマスクを含んでいる。
・基本的マスクは、吸着カップタイプの弾性マスクを含んでいる。
・デバイスは、前記マスクを支持するパッドを含んでいる。
・デバイスは、二つの顎部を備えたクランプの形状をした一般的な構成で、その内の第一顎部は前記マスクを支持しており、そして、該クランプが構造により締まると、マスクが構造との間で密封接触面を形成するようになっている。
・デバイスの第二顎部は、クランプが構造により締まると、相対している構造の後部側が、作動層を支持している構造の側に保持されることを確保するよう、拍車状部を支持している。
【実施例】
【００５１】
本発明のその他の態様、目的および利点は、すでに注釈した図１および図３に加えて、以下の各図面を含む添付図面を参照しながら、本発明に関する以下の説明を読めば明らかとなるはずである。
【００５２】
図４ａおよび４ｂは、それぞれ、本発明の第一の実施態様によるデバイスの側面図および正面図である。
図４ｃは、図４ａおよび４ｂにおけるデバイスに実現した基本的マスクの概略図である。
図５ａおよび５ｂは、それぞれ、本発明の第二の実施態様によるデバイスの側面図および正面図である。
図５ｃは、図５ａおよび５ｂにおけるデバイスに実現した基本的マスクの概略図である。
【００５３】
図４ａおよび４ｂを参照して、表面の電気的導電作動層および埋め込まれた電気絶縁層からなる多層構造を処理するデバイスを示す。
【００５４】
この構造は、例えばＳＯＩであっても構わない。
こうした構造は、本発明の第一の実施態様によるデバイス（図４ａおよび４ｃによる）、または、本発明の第二の実施態様によるデバイス（図５ａおよび５ｃによる）によって処理することができる。
【００５５】
該構造は、これらの図面には示していないが、それは分かりやすくするためである（しかしながら、この構造を受け入れるためのエリアは、図４ｂに点線で示してある）。
【００５６】
図４ａおよび図４ｂにおけるデバイス３０は、一般的に二つの顎部を備えたクランプ状の構成を有している。
【００５７】
図４ａは、第一顎部３１０と第二顎部３２０を示している。
該二つの顎部は、軸３３０の回りに関節で繋がれており、この軸の回りを旋回することによって開閉することができる。
この軸３３０の反対側にあるデバイスの部分に、該デバイス３０は、それぞれの顎部３１０、３２０に関連したハンドル３１１、３２１を有している。
【００５８】
デバイス３０は、オペレータが手で開閉することができる。
しかし、変形として、二つのハンドル３１１、３２１に作用する機械によって、これらの操作を実現することができる点に注目することができる。
【００５９】
これら二つのハンドルのレベルに、デバイスの閉鎖ロック３４０も設けてある。
このロックは、構造がデバイス内部に配置された時、デバイスを閉位置に維持する役割を果たす。
ロック３４０は、例えば、二つのハンドルのための締付ネジ３４１を含むことがある。
【００６０】
顎部３１０、３２０の向かい側で、かつ、構造を受け入れるデバイスの部分のレベルにライニングパッド３１２、３２２があり、それぞれが、これら顎部の向かいの両側に関連している点に注目することができる。
これらパッドのそれぞれは、それ自体既知のなんらかの手段（例えば強制挿入、接着剤による貼り付け、またはその他の手段等）によって、関連した顎部の側に取り付けられている。
該パッドは、デバイスによって処理すべき構造の形状に対応している領域を受け入れるため、一般的に円形形状を有している。
このデバイスは、デバイスに配置される構造の正しい位置決めを確保するためフール・プルーフ・デバイスまたはガイド・マークを含むことがある点に注目することができる。
【００６１】
特に、本発明に関連した構造の周辺部に一般的に認められるノッチと共に作動することを目的としたスナッグ（図示せず）を設けることがある。
【００６２】
また、異なった大きさの構造（例えば異なった直径のディスク）を位置決めするために、多様なガイド・マークを設けることも可能である。
これらのガイド・マークは、特に二つのパッドの片側および／または反対側に設けることができる。
【００６３】
パッド３１２は、該パッドの残りの部分と同一素材からなるいくつかの弾性吸着カップ３１２０を支持している。
【００６４】
変形として、これらの吸着カップをパッドの予め規定した場所に移動可能な方法で取り付けることも可能である。
例えば該パッドの中に、このように移動可能な吸着カップを受け入れる手段（例えば吸着カップのネジを受け入れるように設計したネジ切りの形状をした）を構成することもできる。
各吸着カップは、構造をデバイスの中に位置決めし、そしてデバイスをその周辺で閉鎖した時、構造の表面との間で密封した接触を形成するように設計されている。
【００６５】
この点に関連して、この構造の作動層が吸着カップの向い側に来るような方法でデバイスの中に構造を配置することに注目することができる。
【００６６】
変形によれば、閉鎖したデバイスの中に構造を納めた時、ウエハーおよび構造を保持するため、第二のパッド３２２に突出拍車状部を設けることが可能となる。
図４ａに、一連の突出拍車状部３２２０を示す。
図４ａは、拍車状部が各吸着カップの向い側にある様子を示したものである。
【００６７】
しかし、この変形において、拍車状部の個数およびレイアウトを適合させることが可能となる。
いずれのケースにおいても、デバイスを処理すべき構造上で閉鎖した時、この個数およびレイアウトは、この構造に十分な圧力を加えて、構造の作動側と吸着カップ３１２０との間の接触が密封されることを保証し得るものでなければならない。
【００６８】
この圧力は、また、構造に損傷を加えないようにするため、十分に分布しまた制限されたものでなければならない。
当然のことながら、それぞれのパッド３１２、３２２の表面上で拍車状部および吸着カップの分布が一様となっていることが好ましい。
【００６９】
図４ｃは、処理すべき構造１００に接触している吸着カップ３１２０を概略的に示したものである。
【００７０】
デバイス３０は、また、いくつかの吸着カップ３１２０を含み、そこで各カップが、構造１００の作動層のそれぞれの領域を密封した方法でマスクする。
【００７１】
したがって、一旦前記領域をマスクすると、エッチング溶液が前記領域をアタックすることなく、構造の湿式エッチングを実現することが可能となる。
【００７２】
実際、構造を収納しているデバイス３０がエッチング溶液の中に投入されるか、それともデバイス中に配置された構造がそれ自体既知の方法で、この溶液によって浸されている。
【００７３】
作動層がシリコンである構造の場合、エッチング溶液はＫＯＨでも構わない。
いずれ場合においても、エッチング溶液は作動層の物質のみをエッチングするように選定する。
デバイス３０の異なった構成要素の物質は、エッチング溶液のアタックを受けないように適合したものでなければならない。
例えば、パッド３１２、３２２、並びに、それらの吸着カップと拍車状部を、エッチング溶液のアタックを受けないゴムで作ることができる。
【００７４】
こうして、吸着カップのマスキングによりエッチングから保護した構造の作動層の領域に対応した島を、本発明により構成することが可能となる。
該島は、エッジ効果を回避するため通常円形の形状を有している（このことは特に図４ｂに図示してある）。
また、これらの島は、通常少なくとも１ｃｍの直径を有している。
円形形状およびこうした直径は、実際Ψ−ＭＯＳ試験への適用に対して適合している。
【００７５】
また本発明の場合、パターン転写法の厄介さに晒されることなく、その利点（特に様々な島を同時に構成することができる点）からの利益に加えて、さらにコスト費用の低減という利益を得ることができる。
【００７６】
こうして、本発明を実施することは、以下のことを意味する。
作動層に様々な島を構成し、かつ各島に対応した作動層から各領域をマスクすることを目的とした、処理すべき構造の作動層におけるいくつかの領域の選択的マスキングの実現。
次いで、前記島を構成するための湿式エッチング段階。
【００７７】
なお、該湿式エッチング段階は、構造全体にわたり同時に実現する。
湿式エッチング後、構造の洗浄と乾燥段階（例えば窒素の吹き付けによる）を実施する。
【００７８】
こうして、構造の作動層の領域の密封マスキングは、一般的なクランプの形状をしており、かつ、前記構造上に基本的マスクを備えているデバイスを締め付けることによって得られる。
【００７９】
このデバイスは、図４ａおよび４ｂに示すタイプのものでも構わないことを見てきた。
【００８０】
本発明の別の実施態様によると、このデバイスは、図５ａおよび５ｂのデバイス４０に示すタイプのものでも構わない。
【００８１】
本発明のこの実施態様によると、構造を処理する該デバイスは、シングル顎部４１０からなる。
【００８２】
弾性吸着カップ３１２０の形状に実現された基本的マスク（図４ａおよび４ｃ）は、ここでは減圧手段に関連したリジッド手段４１２０によって実現されている。
手段４１２０は、それ自体の内部に空洞４１２１のネットワークを画定しており、またこれらの空洞は、減圧源（真空に類似した）と連通している。
これらの手段４１２０は、島の実現のための基本的マスクを構成している（各空洞４１２１によって、それぞれの島を構造上に画定することができる）。
手段４１２０は、特にシールの形状に実現することができる。
【００８３】
図４ａおよび４ｂにおけるデバイス３０とは逆に、デバイス４０はシングル顎部４１０を有している。
このシングル顎部は、ネットワークを経由して真空に連結されている。
手段４１２０には、直接板が配置されている。
該板は、エッチング溶液に浸す目的で、真空の力によってこれらの手段の上に保持されている。
【００８４】
第二顎部に関連した特定の要素および吸着カップの形状に実現された基本的マスクを除くと、デバイス３０に関連し上述した全ての説明は、デバイス４０にも該当する。
こうして構造（異なった大きさの構造を含む）のフール・プルーフ・デバイスおよび／またはガイド・マークを提供することができる。
【００８５】
そして、デバイス４０を実施する一般的方法は、デバイス３０に対する方法と同一である（ただし処理デバイスの対応する位置に島を構成する、構造の領域の密封接触面の形成を除く）。
【００８６】
手段４１２０は、それ自体顎部４１０によって支持されているシングル部分４１２によって構成することができる。
この部分４１２は、剛体部分でも構わないし、またある程度の弾性を有していても構わない（構造との密封接触を保証するため、特に手段４１２０のレベルにおいては、特にそうである）。
部分４１２は、それ自体既知のなんらかの方法で顎部４１０に取り付けることができる。
基本的マスク４１２０の概略構造を図５ｃに示す。
基本的マスクのそれぞれは、それが構造１００と接触して配置され、かつ空洞のレベルにおいて減圧を受けて構造に接触状態で維持されると、空洞４１２１を画定する。
こうして基本的マスクは、一旦それ自体と構造の間に接触が確立されると、空洞４１２１の内部に減圧または制御された真空を確立する手段を提供したことになる。
【００８７】
これらの手段は、コネクター４１２５０を経由して減圧源に接続することができる一般的な減圧回路４１２５を含むことがある。
【００８８】
こうして、弁４１２５１によって、この回路４１２５に選択的に減圧を確立することが可能となる。
また、図５ｃに示すように、各基本的マスクに関連して個別の弁（弁４１２２）を設けることも可能となる。
【００８９】
こうして、本発明は、単純かつ有利な湿式エッチング法によって、特徴づけすべき同一構造の作動層中に異なった島を実現することを可能にする。
さらに、この方法によって異なった構造のサイズを処理することが可能となる。
さらに、パッド３１２、３２２ならびに部分４２２を除去可能な方法でそれぞれのクランプ顎部に取り付けることによって、化学的な湿式エッチング後に除去と清浄化を行ない得るという事実があるが、そのため本発明の実施はさらに単純化される点に注目することができる。
【００９０】
本発明を有利に実施するにより、本発明に関連した構造の作動層における規定された領域の電気的特性のマッピングを実現することができる。
【００９１】
すでに見てきたように、規定されたこれらの領域は、特徴づけすべき構造の作動層のほぼ全表面を包含している。
【００９２】
本発明は、多層構造の表面における少なくとも一つの島の生成を含む既知の技術と異なることに注目しなければならない。
この点に関連し、二つの従来技術について以下略述し、議論する。
【００９３】
一つの既知の技術が米国特許第６１５９８２９号明細書に開示されている。
この明細書によると、構造の上部Ｓｉ層は、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨおよびＨＦを混合し、マスクを通じてエッチングする。
こうしたエッチング（およびそのＨＦ）においては、構造の上部層のみならず、下部層もエッチングされる。
【００９４】
本発明の場合は、逆に上部層（作動層）のみがエッチングされる。
それは、特にエッチングを、作動層のみをエッチングするエッチング溶液（Ｓｉによる作動層の場合はＫＯＨ）によって行うためである。
【００９５】
さらに、米国特許第６１５９８２９号明細書の場合、マスキングは樹脂から作らなければならないが、樹脂は必ず構造の表面に付着する点に注目しなければならない。
本発明の場合、マスキングは、交換可能かつ再利用可能な手段によって得られるため、本発明は特に単純かつ効果的なものとなる。
【００９６】
最後に、論文『Ｓｉウエハーの擬似ＭＯＳトランジスタに関するレビュー：操作、パラメータ抽出および応用』（ＩＥＥＥ  ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｄｅｖｉｃｅｓ，  ｖｏｌ．４７  Ｎｏ．５，２０００年５月）も、様々な種類のエッチングに関して指摘している。
【００９７】
しかし、この論文は、使用する技術の種類について詳細を明らかにしていない。
特に、選択的エッチングについては、なんら言及していない。
【００９８】
さらに、本発明をΨ−ＭＯＳ試験に適用するためには、いくつかの島が必要とされるのに対して、この論文は、単一のＳｉ島（この論文の図１に図解されているように）を作ることしか教示していない点に注目しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】擬似ＭＯＳＦＥＴの概略図
【図２】パターン転写の概略図
【図３】本発明に関連した構造の要部の縦断面図
【図４ａ】本発明の第一の実施態様によるデバイスの側面図
【図４ｂ】本発明の第一の実施態様によるデバイスの正面図
【図４ｃ】図４ａおよび４ｂにおけるデバイスに実現した基本的マスクの概略図
【図５ａ】本発明の第二の実施態様によるデバイスの側面図
【図５ｂ】本発明の第二の実施態様によるデバイスの正面図
【図５ｃ】図５ａおよび５ｂにおけるデバイスに実現した基本的マスクの概略図
【符号の説明】
【０１００】
１０  ＳＯＩ
１１  作動層
１２  絶縁層
１３  基板層
１５  島
２０ａ  ガラス板
２０ｂ  ガラス板
２１ａ  Ｏリング
２１ｂ  Ｏリング
２２  手段
３０  デバイス
４０  デバイス
１００  サンプル構造
１０１ａ  領域
１０１ｂ  領域
３１０  第一顎部
３１１  ハンドル
３１２  ライニングパッド
３２０  第二顎部
３２１  ハンドル
３２２  ライニングパッド
３３０  軸
３４０  閉鎖ロック
３４１  締付ネジ
４１０  シングル顎部
４１２  シングル部分
３１２０  弾性吸着カップ
３２２０  突出拍車状部
４１２０  リジッド手段
４１２１  空洞
４１２２  弁
４１２５  減圧回路
４１２５０  コネクター
４１２５１  弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【国際調査報告】
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