(57)【要約】  半導体材料の間で選択された材料の薄層をドナーウェハから形成するための方法は、連続的に、以下の工程、（ａ）第１のウェハ面の下のウェハ中に実質的に薄層の厚みに対応する深さに第１の脆弱化領域を形成する工程と、（ｂ）第１の面の直近の第１の脆弱化領域の側に存在するウェハの部分である第１の薄層を第１の脆弱化領域のレベルでウェハから剥離する工程と、（ｃ）第２のウェハ面の下のウェハ中に実質的に薄層の厚みに対応する深さに第２の脆弱化領域を形成する工程と、（ｄ）第２の面の直近の第１の脆弱化領域の側に存在するウェハの部分である第２の薄層を第２の脆弱化領域のレベルでウェハから剥離する工程とを備える。これらの工程は、中間のリサイクル工程なしに順に行われて、これらのリサイクリング操作を省いている。特に、セミコンダクタ・オン・インシュレータ構造の製造に適用される。
2007502533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料の間で選択された材料の薄層をドナーウェハから形成するための方法であって、中間のリサイクル工程なしに順に行われる以下の連続的な工程、すなわち
（ａ）第１のウェハ面の下の前記ウェハ中に実質的に薄層の厚みに対応する深さに第１の脆弱化領域を形成する工程と、
（ｂ）前記第１の面の直近の前記第１の脆弱化領域の側に存在する前記ウェハの部分である第１の薄層を前記第１の脆弱化領域のレベルで前記ウェハから剥離する工程と、
（ｃ）第２のウェハ面の下の前記ウェハ中に実質的に薄層の厚みに対応する深さに第２の脆弱化領域を形成する工程と、
（ｄ）前記第２の面の直近の前記第１の脆弱化領域の側に存在する前記ウェハの部分である第２の薄層を前記第２の脆弱化領域のレベルで前記ウェハから剥離する工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
工程（ａ）の前の前記ドナーウェハが、以前の薄層形成中に使用された後にリサイクルされたウェハであり、前記方法が、工程（ａ）の前に、このリサイクルされたドナーウェハの表面状態を仕上げる少なくとも１つの工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
薄層の後続の形成中に再使用されるようにするために、工程（ｄ）の後に前記ドナーウェハをリサイクルする工程と、これに続き、このリサイクルされたドナーウェハの表面状態を仕上げる工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記リサイクル工程が両側の研磨の使用を備えることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記仕上げ工程が、機械研磨、化学的機械研磨、犠牲酸化、化学エッチング、プラズマ支援化学エッチング、及び不活性雰囲気中のアニーリングから選択される少なくとも１つの技法の使用を備えることを特徴とする請求項２から４のうちの一項に記載の方法。
【請求項６】
工程（ａ）と（ｂ）の間に、そして、工程（ｃ）と（ｄ）の間に、前記ドナーウェハを、この第１の面及び第２の面において、２つの各ターゲット基板上に接合する２つの各工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｂ）の前に、前記ウェハ上に絶縁層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする前記請求項のうちの一項に記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁層が、シリコン表面の熱酸化により、又はＳｉＯ２の堆積により形成されるＳｉＯ２の層であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの脆弱化領域の前記形成が、前記ウェハの各面を介して前記脆弱化領域の深さに、原子化学種の注入によって実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの脆弱化領域の前記形成が前記ドナーウェハの前記材料の表面層の多孔質化によって実行され、前記関連する薄層が前記多孔質化された層上の半導体材料の堆積によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記薄層を剥離する工程の少なくとも１つが、エネルギーの入力によって実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｄ）の前に、以下の工程、すなわち
前記ウェハの前記第２の面の品質を検査する工程と、
前記ウェハの前記第２の面の検査された品質が最小の許容可能品質値よりも小さい場合に、前記第２の面の品質を修復する工程を実行する工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１から４のうちの一項に記載の方法。
【請求項１３】
仕上げ工程が、実行され、前記絶縁層の単なる除去と、前記第２の面の厚み修復が後で行われる前記絶縁層の除去から選択されることを特徴とする請求項７及び請求項１２を組み合わせた方法。
【請求項１４】
前記仕上げ工程の後に、前記ウェハ上に前記絶縁層を再形成する工程が行われることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記再形成された絶縁層は、シリコン表面の熱酸化により、又はＳｉＯ２の堆積によって形成されるＳｉＯ２の層であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記仕上げ工程は、機械研磨、化学的機械研磨、犠牲酸化、化学エッチング、プラズマ支援化学エッチング、及び不活性雰囲気中のアニーリングを備える群から選択される技法の使用を備えることを特徴とする請求項１２から１４のうちの一項に記載の方法。
【請求項１７】
工程（ｄ）の後に実行される前記ウェハをリサイクルする工程をさらに備えることを特徴とする前記請求項のうちの一項に記載の方法。
【請求項１８】
セミコンダクタ・オン・インシュレータの形成に対する請求項１から１７のうちの一項に記載の方法の適用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるドナーウェハから半導体材料の薄層を形成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
とりわけ（特に文献仏国特許第２６８１４７２号に説明されているように）Ｓｍａｒｔ−ｃｕｔ（登録商標）タイプなどの知られている諸方法は、ドナーウェハから半導体薄層を取得することを可能にしている。
【０００３】
これらの方法は、原理的に２つの工程、すなわち、１）ウェハの１つの面の下の意図された薄層の厚みに実質的に対応する深さに脆弱化領域を形成する工程と、２）剥離側の面の直近の側に存在する脆弱化領域側に横たわるこのウェハの一部分である薄層をこの脆弱化領域のレベルにおいてこのウェハから剥離する工程の使用に基づいている。
【０００４】
これらの２工程の方法は、一般に、表面粗さの修復を実現して、このウェハの少なくとも剥離側上の面の平坦度を改善することが意図された、このウェハを形成又はリサイクルする工程によって先行される。
【０００５】
しかし、これらのあらかじめ必要な粗さの仕様が、支持物又は別の層上へのこの剥離された薄層の良好な後工程の接合を確実にするために、且つ／又は特に従来の（「シリコン・オン・インシュレータ」の略語である）ＳＯＩ構造中など非常に薄い層の場合には高品質の構造を提供するのに十分に一様な厚みを有する層を最終的に得るために、薄層製造業者にとって予め必要な粗さの仕様が規定されるものと仮定すると、上記リサイクリング操作は一般に薄層製造業者の仕様を達成するのに十分には粗さを修復することはない。
【０００６】
従って、粗さの修復のための仕上げ工程が通常、このドナーウェハの剥離側の面上で実行されて、このリサイクル工程の後に残っている過剰な粗さを修復して、前記仕様を満たすようになる。
【０００７】
一方では、オプションとして支持物上に接合される薄層を、他方では、この薄層の厚みだけ薄くされたドナーウェハをもたらすためこの仕上げ工程中に、その粗さが修復された面でこの２工程の剥離方法が実行される。
【０００８】
ドナーウェハにさらなるリサイクリング及び表面修復工程を実行後に、このドナーウェハは第２の薄層の製造のために再使用することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このタイプの方法は、薄層の製造において、とりわけＳＯＩ構造の製造において真の発展を提供してきているが、特に効率、速度、及び製造コストの観点から、またとりわけ製造工程数を低減させるためにこの方法を改善することが依然として望ましい。
【００１０】
それ故に必要なリサイクル工程数を大幅に低減させることは有用なはずである。
【００１１】
例えば文献欧州特許第０９６１３１２号及び米国特許第５８５６２２９号において提案されているように、例えばドナーウェハの各面上に脆弱化領域を形成し、次いで２つの薄層を同時に剥離し、それによって二剥離間の中間のリサイクリングを回避することが考えられるはずである。
【００１２】
しかし、かかる２重の剥離がその後で行われる、かかる２重の注入は、第２の脆弱化領域を形成するためにこのドナーウェハをひっくり返す必要性など、余分な技術的作業の困難さを含み、それによって汚染、電気的ダメージ、及び機械的ダメージのリスクと、このドナーウェハのこれらの２面上に２枚のレセプタウェハを同時に接合する大規模な高価な装置についての必要性と、ハンドリング・タスクと処理タスクの両方が同時に増大されるので、様々な作業工程のより困難な調整とを増大させてしまう。
【００１３】
これらの理由のために、これらの後者の方法は、前者の方法に対して、技術的な進歩をもたらすものではなく、余分な技術的な困難さをもたらすものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の目的は、半導体材料の間で選択された材料の薄層をドナーウェハから形成するための方法であって、中間のリサイクル工程なしに順に行われる以下の連続的な工程、すなわち、（ａ）第１のウェハ面の下の前記ウェハ中に実質的に薄層の厚みに対応する深さに第１の脆弱化領域を形成する工程と、（ｂ）前記第１の面の直近の前記第１の脆弱化領域の側に存在する前記ウェハの部分である第１の薄層を前記第１の脆弱化領域のレベルで前記ウェハから剥離する工程と、（ｃ）第２のウェハ面の下の前記ウェハ中に実質的に薄層の厚みに対応する深さに第２の脆弱化領域を形成する工程と、（ｄ）前記第２の面の直近の前記第１の脆弱化領域の側に存在する前記ウェハの部分である第２の薄層を前記第２の脆弱化領域のレベルで前記ウェハから剥離する工程とを備えることを特徴とする方法を提供することにより上記の状況を改善するものである。
【００１５】
本発明のいくつかの好ましいが限定されない態様は以下の通りである。
【００１６】
工程（ａ）の前の前記ドナーウェハが、以前の薄層形成中に使用された後にリサイクルされたウェハであり、前記方法が、工程（ａ）の前に、このリサイクルされたドナーウェハの表面状態を仕上げる少なくとも１つの工程をさらに備える。
【００１７】
薄層の後続の形成中に再使用されるようにするために、工程（ｄ）の後に前記ドナーウェハをリサイクルする工程と、これに続き、このリサイクルされたドナーウェハの表面状態を仕上げる工程とをさらに備える。
【００１８】
前記リサイクル工程が両側の研磨の使用を備える。
【００１９】
前記仕上げ工程が、機械研磨、化学的機械研磨、犠牲酸化、化学エッチング、プラズマ支援化学エッチング、及び不活性雰囲気中のアニーリングから選択される少なくとも１つの技法の使用を備える。
【００２０】
前記方法は、さらに、工程（ａ）と（ｂ）の間に、そして、工程（ｃ）と（ｄ）の間に、前記ドナーウェハを、この第１の面及び第２の面において、２つの各ターゲット基板上に接合する２つの各工程をさらに備える。
【００２１】
工程（ｂ）の前に、前記ウェハ上に絶縁層を形成する工程をさらに備える。
【００２２】
前記絶縁層が、シリコン表面の熱酸化により、又はＳｉＯ２の堆積により形成されるＳｉＯ２の層である。
【００２３】
少なくとも１つの脆弱化領域の前記形成が、前記ウェハの各面を介して前記脆弱化領域の深さに、原子化学種の注入によって実行される。
【００２４】
少なくとも１つの脆弱化領域の前記形成が前記ドナーウェハの前記材料の表面層の多孔質化によって実行され、前記関連する薄層が前記多孔質化された層上の半導体材料の堆積によって形成される。
【００２５】
前記薄層を剥離する工程の少なくとも１つが、エネルギーの入力によって実行される。
【００２６】
工程（ｄ）の前に、以下の工程、すなわち、前記ウェハの前記第２の面の品質を検査する工程と、前記ウェハの前記第２の面の検査された品質が最小の許容可能品質値よりも小さい場合に、前記第２の面の品質を修復する工程を実行する工程とをさらに備える。
【００２７】
接合界面層が絶縁層であり、そして、仕上げ工程が、実行され、前記絶縁層の単なる除去と、前記第２の面の厚み修復が後で行われる前記絶縁層の除去から選択される。
【００２８】
前記仕上げ工程の後に、前記ウェハ上に前記絶縁層を再形成する工程が行われる。
【００２９】
前記再形成された絶縁層は、シリコン表面の熱酸化により、又はＳｉＯ２の堆積によって形成されるＳｉＯ２の層である。
【００３０】
前記仕上げ工程は、機械研磨、化学的機械研磨、犠牲酸化、化学エッチング、プラズマ支援化学エッチング、及び不活性雰囲気中のアニーリングを備える群から選択される技法の使用を備える。
【００３１】
工程（ｄ）の後に実行される前記ウェハをリサイクルする工程をさらに備える。
【００３２】
本発明は、さらに、セミコンダクタ・オン・インシュレータの形成に対する前記方法の適用に関する。
【００３３】
本発明の他の態様、目的、及び利点については、非限定的な例を介して、添付図面を参照して提供される、本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な説明を読むとすぐにより簡単に明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図１ａから１ｉによって示される図面は、概略的なものであり、これらの図面は、本発明による方法の原理を最適に説明するというただ１つの目的でしか作成されていないので、空間的縮尺の観点からは真の状況を反映していないことがここでは注目されよう。
【００３５】
図１ａを参照すると、単結晶シリコンなどの半導体材料のドナーウェハ１０は、以下で説明されるように、そこから薄層が交互に得られる面１１及び１２を有する。
【００３６】
ウェハ１０は、数十ミクロンから数ミリメートルの間の典型的な厚みを有する。
【００３７】
ウェハ１０の面１１及び１２は、「真新しい」又は生の状態にあるウェハ、換言すればその製造以来、使用されていないウェハの典型的な特性を有する。
【００３８】
図１ａは、この生の状態におけるウェハ１０を表し、このウェハは、製造後に通常生じる諸特性、すなわちその前面（図１ａ中の面１１）上における低い平均粗さと、その裏面（図１ａ中の面１２）上における大きな平均粗さとを有する。
【００３９】
ここで、（例えば、３００ｍｍの直径を有する）より大きなサイズのウェハの場合よりも、（例えば２００ｍｍの直径を有する）中間サイズのウェハの場合において、この平均の裏面の粗さが大きくなることが多いことを指摘しておくべきである。
【００４０】
しかしウェハ１０の特定の一構成（図示せず）においては、このウェハは、各面が（例えば、研磨操作及びラッピング操作を受けた後の）大きな平均粗さを有する２つの面１１や１２などの他の特性を有していてもよい。これら２つの面１１及び１２は、この場合に、例えば両面研磨を同時に実行することにより、リサイクル工程中に調整されてもよい。
【００４１】
ウェハ１０の他の特定の構成（図示せず）においては、このウェハは、（すなわち、良好な接合のために必要な仕様に近い）低い平均粗さを有する２つの面１１及び１２を有する。
【００４２】
次いで、ドナーウェハ１０の面１１は、表面状態の観点から慣例的な仕様を満たすのに十分に平坦になるようにすることができ、その結果、このウェハから取得される薄層は、次いで支持物などの上に適切に接合することができ、且つ／又は最終的には十分に一様な厚みを有する薄層を有することができる。これらの仕様は、とりわけこの表面粗さに関連し、通常は、形成すべき薄層の厚みに依存する。
【００４３】
例えば、これらの仕様は、一般に表面粗さの最大許容値を規定しており、以下で説明されるように、薄層を形成するプロセスを開始することができるようになるためには、これらの面１１及び１２の表面状態は、この許容値以下でなければならない。
【００４４】
この最大表面粗さ値は、通常は、原子間力、又は（「原子間力顕微鏡」）の略語である）ＡＦＭ顕微鏡を使用して、測定される粗さ測定値に基づいて決定される粗さの標準偏差値、又は（「２乗平均平方根」の略語である）「ＲＭＳ」値によって定義される。
【００４５】
この粗さの最大許容値は、一般的に層の表面上の１ミクロン×１ミクロンの寸法の領域中で測定される約５オングストロームのＲＭＳ粗さである。
【００４６】
多くの場合は、また、とりわけ薄い層がウェハ１０からその後に形成される場合には、このウェハ１０の表面粗さはこの許容値に比べて依然としてあまりにも大きすぎるので、それ故にウェハ１０の面１１の表面状態を仕上げる工程を実行することは都合が良い。
【００４７】
微細な粗さの修復を使用して最終的に製造業者によって規定される仕様を満たすようにすることにより仕上げ工程が実行される。
【００４８】
この仕上げ工程のために使用することができるいくつかの技法については以下で説明される。
【００４９】
この仕上げ工程の後のウェハ１０が図１ｂに示されている。
【００５０】
図１ｃを参照すると、この第１の面１１の粗さは、ここで、薄層の形成が可能となっており、ドナーウェハ１０上に絶縁層１３を形成する工程が効果的に実行される。
【００５１】
例えば、ＳｉＯ２の絶縁層１３は、シリコン表面の熱酸化やＳｉＯ２の堆積などの従来技法によって形成されてもよい。
【００５２】
次いで、ＳｉＯ２の絶縁層１３で覆われたドナーウェハ１０が得られる。
【００５３】
この絶縁層１３は、ＳｉＯ２以外の材料、例えばＳｉ３Ｎ４（この場合には、絶縁層１３は、例えばドナーウェハ１０のシリコン表面を窒化させることにより形成される）又はＳｉＯｘＮｙから成ることもできる。
【００５４】
ドナーウェハ１０の第２の面１２のレベルにおける絶縁層１３の形成では、一般に、この基礎となる半導体材料を有する境界面１８のレベルにおいて、絶縁層１３下部の平均粗さが減衰されることに留意されたい。これは、絶縁層１３の形成が、一般に、平均表面粗さを平滑化する特性を有するからである。
【００５５】
例えば、形成される絶縁酸化物層１３の厚みが大きいときに、これに相応して第２の面１２の酸化がさらにその面の粗さを軽減させ、この特性は、さらにある用途ではただ単に「犠牲酸化」の技法と呼ばれる平滑化技法としても使用される。
【００５６】
図１ｄを参照すると、次いで、第１の面１１の下で取得すべきことが意図される薄層の厚みに実質的に対応する深さにウェハ１０の第１の脆弱化領域１４が形成される。
【００５７】
本発明による本方法を使用して形成される薄層の厚みは一般的に数百ナノメートルから数マイクロメートルの間である。
【００５８】
脆弱化領域は、ウェハ１０の残りの領域で見出されるよりも弱く、且つ／又は少ない原子間結合を有する領域として定義される。従って、この脆弱化領域は、外部エネルギーが加えられるときにウェハ１０の残りの領域より前に割れ易い傾向のある領域である。
【００５９】
脆弱化領域１４は、実質上、平坦であり、面１１によって定義される平面に対して平行であることが有利である。
【００６０】
脆弱化領域１４を形成する２つの好ましい方法が以下で説明される。
【００６１】
次に図１ｅを参照すると、面１１と脆弱化領域１４の間に存在するウェハの部分である第１の薄層２１が脆弱化領域１４のレベルにおいてウェハ１０から剥離される。
【００６２】
オプションとして（接合境界面を形成する）絶縁層１３が設けられた面１１とターゲット基板２４との間の接合を予め実行した後に、薄層２１の剥離が実施される。
【００６３】
接合境界面の絶縁層１３が第１の薄層２１上に存在し、且つ／又は絶縁層がターゲット基板２４上に存在する場合には、この接合を強化するために熱処理が有利に実行される。
【００６４】
次いでターゲット基板２４、絶縁層１３ａ、及び剥離された第１の薄層２１を備える構造２０ａが得られる。
【００６５】
この剥離された第１の薄層２１がシリコンから成る場合、また絶縁層１３が十分な電気絶縁を実現するに十分に厚い場合には、「シリコン・オン・インシュレータ」（ＳＯＩ）構造２０ａが得られる。
【００６６】
次いですべての場合において、剥離された第１の薄層２１は、本質的に既知の方法において、機械研磨、化学的機械平坦化（ＣＭＰ）、犠牲酸化、化学エッチング、プラズマ支援化学エッチング、不活性雰囲気中における（特に水素中における）アニーリングなど、１つ又は複数の処理を用いて厚み及び表面粗さについて修復されてもよい。
【００６７】
この第１の剥離後に残っているドナーウェハ１０は、この従来の剥離技法に従って、剥離された第１の薄層２１のネガ側の対応物を実質上構成するその第１の面１１上にリング１９ａを有する。
【００６８】
第２の脆弱化領域１７を形成する前に、図１ｆを参照して説明されるように、特に表面１２の完全性を確認するために表面１２の品質の測定又は評価から成る、面１２の表面状態を検査する操作が効果的に実行される。
【００６９】
例えば、粗さを測定し、引っかき傷、品質を下げしてしまう欠陥、汚染物質又は孤立粒子の有無を検出することが可能である。
【００７０】
この測定が、これらの仕様を満たす品質を提供し、それによってこの面１２と同じ側上にある第２の薄層を剥離することを可能にする場合には、次いでこの第２の薄層の形成が、図１ｆに示されるように実行される。
【００７１】
逆に、とりわけ第１の薄層２１の形成中に生じうる欠陥（粒子状汚染物質、小さな引っかき傷など）のために、又は第２の面１２上に最初から存在する粗さ（図１ａ参照）のために、この測定が仕様に関して不十分な品質を提供する場合には、第２の仕上げ工程が実行されて、面１２の表面状態を修復し、とりわけこの粗さ値がこれらの仕様内に入るようにする。
【００７２】
この第２の仕上げ工程は第１の仕上げ工程と同じ技法によって効果的に実行される。
【００７３】
依然としてこの第２の例示の場合の範囲において、また絶縁層１３がウェハ１０の表面上に存在する特定の場合においては、この粗さの修復は、絶縁層１３の除去、又は、絶縁層１３の除去、及び、これに続いて、この方法で露出された面１２の厚みの修復（これは、実際には図１ｅに示される境界面１８である）を備えていてもよい。
【００７４】
この選択は、前述の検査する操作によって明らかにされるような、面１２上の粗さ欠陥又は他の欠陥の程度に主として依存する。
【００７５】
絶縁層１３の除去は、化学手段によって、とりわけシリコンの薄層２１の場合においては、フッ化水素酸などの薬剤による腐食を使用して好ましく実行される。次いで、絶縁層１３が接合境界面を形成するために存在するように意図される場合には、ウェハ１０を表面再酸化する工程が仕上げ工程の後に実行されてもよい。
【００７６】
次いで、図１ｆに示されるように、高品質の第２の面１２が、とりわけほんの少ししか粗さを有さない面が得られる。
【００７７】
その後にドナーウェハ１０からの第２の層（図１ｇに関する薄層２２）の剥離を可能にする第２の面１２を仕上げるこの工程は、従来の技術の場合のような第２の層の剥離のために第１の面１１を準備するように実行され得る、前記第１の剥離の後に第１の面１１をリサイクルする標準的な工程に比べて実行することがより簡単である。
【００７８】
特にリサイクリングとは対照的に、この仕上げ工程は、表面１２の処理を行い、その中では、この粗さは、埋め込まれており（すなわち、境界面１８）、剥離後の面１１上におけるリング１９ａの不連続性のような、このエッジにおける不連続性は存在せず、この平面性は、絶縁層１３のレベルにおいては、その後の除去後においては、とりわけ（前述されるような）絶縁層１３を形成する操作によって実現される自然な平滑化のために、この第１の剥離後の表面１５の場合に比べてほとんどの場合により良好である。
【００７９】
しかし、面１２の表面状態が、仕上げ工程によって補償されるようにするために過剰な作業量、又は過剰に時間のかかる作業を必要とする極端な場合には、ウェハ１０はリサイクリングされる。それにもかかわらず、すべてのハンドリング対策が講じられている場合には、かかる極端な場合は、非常にまれにしか起こらないことになる。
【００８０】
図１ｆを参照すると、ウェハ１０の第２の面１２の下で、剥離される薄層の厚みに実質的に対応する深さで、ウェハ１０内において第２の脆弱化領域１７が形成される。
【００８１】
この第２の脆弱化領域１７が形成される方法は第１の脆弱化領域１４を形成するために使用される方法と同じであってもよい。
【００８２】
図１ｇを参照すると、第２の脆弱化領域１７のレベルにおいて、第２の薄層２２がウェハ１０から剥離され、この剥離される第２の薄層２２は、第２の面１２と第２の脆弱化領域１７との間に実質的に存在するウェハ１０の部分である。
【００８３】
この第２の薄層２２を剥離するために使用される１つ又は複数の技法は、第２のターゲット基板２６への取付けを伴う、第１の薄層２１を剥離するために使用される１つ又は複数の技法と同じであってもよい。
【００８４】
次いで、第２のターゲット基板２６、絶縁層１３ｂ、及び剥離された第２の薄層２２を備える第２の構造２０ｂが得られる。
【００８５】
第２の薄層２２の表面状態が処理される方法は第１の薄層２１の表面が処理される方法と同じでもよい。
【００８６】
従来の剥離技法に従って、第１の剥離後に残っているドナーウェハ１０は、剥離された第２の薄層２２のネガ側の対応物を実質的に構成する、ウェハ１０のその第２の面１２上にリング１９６ａを有する。
【００８７】
従って、本発明による方法は、ドナーウェハ１０を中間のリサイクル工程にかける必要なしに、このドナーウェハ１０から２つの薄層２１及び２２を形成することを可能にしており、これは、ウェハが、特に、これらの薄層が剥離されるサイトから地理的に離れていることもあるリサイクリング・サイトに移送される必要があるときに、かかるリサイクリングは、常に製造の速度を遅くするという仮定の基である。軽微な粗さの修復しか伴わない、ただ簡単な仕上げ工程しか、オプションとして実行されない。
【００８８】
図１ｈを参照すると、これらの薄層２１及び２２の厚みだけ薄くされたウェハ１０は、リサイクル工程にかけられ、このリサイクル工程中にその新しい面１５及び１６の粗さが修復され、その結果、この方法は、反復することができ、２つの新しい薄層を、次のリサイクリングの前に形成することができる。
【００８９】
とりわけ、次いで両面研磨（換言すれば、ドナーウェハ１０の面１５と１６の両方に同時に作用する研磨）を実行して、ドナーウェハ１０の迅速なリサイクリングを実行することができる。
【００９０】
次に、本発明による方法の技術的実施についての好ましい技法が説明される。
【００９１】
脆弱化領域１４及び１７を形成する第１の好ましい方法は、Ｓｍａｒｔ−ｃｕｔ（登録商標）タイプの方法を含んでおり、換言すれば、化学種が、ウェハ１０の面１１又は面１２を介してそれぞれ注入され、この脆弱化領域１４又は１７の深さは、ウェハ１０中の化学種の貫通深さに事実上対応している。
【００９２】
対象となる化学種は、イオン、とりわけ水素イオンであることが好ましく、これらのイオンは、イオン衝撃機器により、又はプラズマ機器によって注入される。
【００９３】
好ましい実施形態においては、前述のように、絶縁層１３は注入の前にウェハ１０の表面に形成される。
【００９４】
変形形態によれば、他の原子化学種の注入が脆弱化領域１４又は１７を形成する注入に先行する。この他の注入、好ましくは、例えば水素化学種、又は水素及びホウ素化学種のイオン注入の主要目的は、将来の脆弱化領域のレベルに欠陥を引き起こして、その後に注入される化学種を捕捉することである。
【００９５】
他の好ましい実施形態においては、熱処理が、これらの化学種の注入中及び／又は注入後に実行されて、その脆弱化領域１４又は１７のレベルにおけるドナーウェハ１０の脆弱化を際ださせる。
【００９６】
好ましくはシリコンの薄層２１又は２２の場合に一般的に３００°Ｃと５００°Ｃの間にある温度範囲の加熱処理により、熱的に生成されるエネルギー、及び／又は好ましくはウェハ１０上に及ぼされる機械力により機械的に生成されるエネルギーを入力することにより薄層２１又は２２の剥離が実行される。
【００９７】
脆弱化領域１４又は１７を形成する第２の方法は、例えば陽極酸化による、結晶材料の初期ウェハの各表面上における多孔質半導体層の形成を備える。
【００９８】
次いで、剥離される薄層２１及び２２を形成する半導体材料の層は、この多孔質層上のエピタキシにより、好ましくは（「化学気相成長」の略号である）「ＣＶＤ」技法によって形成されてもよい。
【００９９】
この多孔質層、及び堆積された層２１又は２２が設けられたウェハ１０は、その表面が酸化されて、絶縁層１３を形成することが好ましく、この絶縁層は、ターゲット基板に取り付ける間における接合境界面層を形成することになる。
【０１００】
薄層２１又は２２の剥離は、エネルギーの入力、好ましくはそれぞれ脆弱化領域１４又は１７のレベルにおいて加えられる液体のジェットを用い、とりわけ水などの液体のジェットを用いた機械的エネルギーの入力によって実行されることが好ましい。
【０１０１】
図２を参照すると、ウェハ１０の面１１及び１２の粗さを修復することを意図された仕上げ工程又はリサイクル工程を実行するための装置が示されている。回転駆動シャフト６００に取り付けられた研磨ヘッド２００はウェハ１０を保持することができるキャビティを有する。やはり回転することができる研磨プレート１００は研磨ヘッド２００に対して押しつけられることによって研磨ヘッド２００のキャビティを閉じて、このプレートとこのヘッドの間でウェハ１０を収容する。
【０１０２】
この研磨ヘッド２００は、有利にはファブリック（ｆａｂｒｉｃ）によりカバーされると効果的である。
【０１０３】
シャフト６００に沿って研磨ヘッドに加えられる力１はヘッド２００のキャビティの内面及びプレート１００の上面とウェハ１０を接触させる。
【０１０４】
ウェハ１０に関するヘッド２００及びプレート１００の各回転運動２及び４は、ウェハ１０の面１１及び１２上において摩擦を引き起こし、それによってこれらの面を同時に研磨する。
【０１０５】
好ましい実施形態においては、研磨ヘッド２００は、ウェハ１０を伴って、特定の経路に沿って研磨プレート１００の上表面上で移動させられて、面１１及び１２の研磨を最適に均質化する。この移動は、例えば特定の軸に沿って往復平進移動する運動であってもよく、また回転運動及び並進運動の組み合わされた運動（螺旋状運動）でもよい。
【０１０６】
他の好ましい変形例においては、機械研磨、（シリカ粒子などの）注入された研磨粒子による摩耗、及び（「化学的機械平坦化」の略号である）いわゆるＣＭＰ法による化学エッチングを組み合わせることも可能である。
【０１０７】
さらに他の実施形態においては研磨装置は複数のウェハを保持する研磨ヘッド２００を備える。
【０１０８】
この装置の特定の実施形態が図３を参照して示される。この装置は研磨ヘッド２００を有する図２の装置と同様であり、この研磨ヘッドは今回は３枚のウェハ１０ａ、１０ｂ及び１０ｃを保持する。
【０１０９】
好ましい変形例においては、この研磨ヘッド２００は、往復並進運動３を行って直径軸６に沿って研磨プレート１００に関して移動させられ、この並進運動は、研磨ヘッド２００の回転運動と組み合わされて、この研磨プレート１００に関してこれらのウェハ１０ａ、１０ｂ及び１０ｃに対して各螺旋状運動を与え、それによって各ウェハの面１１及び１２をその表面において均質的に研磨する。
【０１１０】
図４を参照すると、仕上げ工程を実行するための他の化学的機械平坦化装置が示されている。この装置は、３つの研磨プレート１００ａ、１００ｂ及び１００ｃと、３つの液体注入装置３００ａ、３００ｂ及び３００ｃを有する。互いに接続された３つの研磨ヘッド２００ａ、２００ｂ、２００ｃは、回転シャフト７００から等距離だけ切り離されており、この回転シャフトを基準にして移動することができる。
【０１１１】
研磨プレート１００ａ、１００ｂ及び１００ｃは、それぞれ３つのブラッシング装置４００ａ、４００ｂ、４００ｃと接触しており、その結果、表面残留物がこれらのプレートから定期的に除去されることが好ましい。
【０１１２】
この装置の１つの動作変形例においては、プレート１００ａ及びヘッド２００ａは、図２で説明された方法と同じ方法でウェハ１０の面１１及び１２を研磨する機能を有する。この機械研磨に追加して、注入装置１００ａは、化学エッチングを実行できるように腐食性薬剤を、又は代わりに機械エッチングを実行できるように研磨用薬剤を注入することができる。
【０１１３】
研磨ヘッド１００ａは、シャフト７００の周りのヘッド１００ａの回転運動により、ウェハ１０を第２の研磨プレート１００ｂのレベルに、また最終的には第３の研磨プレート１００ｃのレベルに運んで、注入装置３００ｂ及び３００ｃを介して注入される洗浄液によるウェハ１０の表面の洗浄の各プロセスを実行する。
【０１１４】
もちろん、他の機械研磨法、又は化学的機械研磨法を使用して、ウェハ１０の面１１及び１２の粗さの修復することもできる。とりわけ、犠牲酸化、化学エッチング、プラズマ支援化学エッチング、及び不活性雰囲気中のアニーリングについて言及することもできる。
【０１１５】
とりわけ、以上で説明され言及された様々な方法をさらに入念なやり方で使用して、選択的な粗さの修復を、換言すれば、例えば事前にこれらの面上で実行されており、他の領域よりも粗い一部の領域を検出している粗さの測定値によって変わる異なる適切な粗さの修復を受けてもよいウェハ１０の面１１及び１２上の異なる粗さの修復を実行することもできる。
【０１１６】
本発明は、もちろん、説明され示されてきたこれらの実施形態だけには決して限定されるものではなく、当業者なら、これらの実施形態に対する多数の変形形態及び修正形態を実施することができよう。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１ａ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｂ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｃ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｄ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｅ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｆ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｇ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図１ｈ】本発明による２つの薄層を形成するための方法を一工程で説明する図である。
【図２】本発明による方法において使用される研磨又はＣＭＰ装置の斜視図である。
【図３】本発明による方法において使用される研磨又はＣＭＰ装置の平面図である。
【図４】本発明による方法において使用されるＣＭＰ装置の平面図である。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図１ｇ】
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【図１ｈ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2007502533.tif 000015
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