(57)【要約】  複数の要素を含む半導体装置のパッケージ方法が提供されている。本方法は、隣接する、要素間の配線を提供する導体の隙間より小さな直径を有する絶縁粒子を含む絶縁材料を、半導体装置の少なくとも一部分へ塗布することを含んでいる。本方法は、また、絶縁材料を硬化させることを含んでいる。
2007534153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップを含む、複数の要素を含む半導体装置のパッケージ方法：
要素間の配線を提供する隣接した導体間の隙間より小さな直径を有する絶縁粒子を含む絶縁材料を、半導体装置の少なくとも一部分へ塗布するステップ；および、
絶縁材料を硬化させるステップ。
【請求項２】
前記塗布ステップが、シリカ粒子と重合体樹脂を含む絶縁材料を塗布することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記硬化ステップが、絶縁材料を、紫外線放射、可視光放射、および赤外線放射のうちの少なくとも１つへ露呈することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記硬化ステップが、絶縁材料を加熱すること、および紫外線放射、可視光放射、および赤外線放射のうちの少なくとも１つへ露呈することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
硬化ステップが、温度の上昇、均熱、および温度の下降を含む熱処理を、絶縁材料に適用することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
塗布ステップが、絶縁粒子が絶縁材料の体積の５０〜８５％を占める絶縁材料を、装置へ塗布することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記塗布ステップが、絶縁粒子が２０ミクロンの最大直径を有する絶縁材料を装置へ塗布することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記塗布ステップが、絶縁粒子がおよそ４．５ミクロンの中央値の直径を有する絶縁材料を装置へ塗布することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記塗布ステップが、絶縁粒子がおよそ４．１ミクロンの平均直径を有する絶縁材料を装置へ塗布することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記塗布ステップを通して、絶縁粒子が、隣接する導体間に分散し、それにより、導体間の絶縁分離を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
塗布ステップの前に、半導体装置を５０〜１２５℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項１２】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
塗布ステップの前に、半導体装置を８０〜１００℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項１３】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
塗布ステップの前に、絶縁材料を３５〜８５℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項１４】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
塗布ステップの前に、絶縁材料を５０〜７０℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項１５】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
半導体装置を封入するステップ。
【請求項１６】
前記封入ステップが、外側被膜封入材で半導体装置を封入することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記封入ステップが、グラブトップ封入材で半導体装置を封入することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
絶縁材料が半導体要素から複数の導体に分散するよう、前記塗布ステップが、絶縁材料を、半導体装置の実質的中央部分にある半導体要素へ塗布することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
隣接する導体の間へ、少なくとも１つの絶縁粒子を引き込み、それにより、前記引き込みステップ前には互いに接触していた隣接する導体を分離するステップ。
【請求項２０】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
前記硬化ステップに先立って、２〜５０秒間、絶縁材料が流動する時間を提供するステップ、この流動時間は、半導体装置のサイズ、半導体装置の温度、前記塗布ステップの間での絶縁材料の温度、および要素間に配線を提供する導体の密度に基づいて選択される。
【請求項２１】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１に記載の方法：
前記硬化ステップに先立って、７〜２５秒間、絶縁材料が流動する時間を提供するステップ、この流動時間は、半導体装置のサイズ、半導体装置の温度、前記塗布ステップの間の絶縁材料の温度、および要素間に配線を提供する導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される。
【請求項２２】
以下を含む半導体装置：
複数の半導体要素；
前記複数の半導体要素間に配線を提供する複数の導体；および、
前記複数の導体隣接するものの隙間より小さい直径を有する絶縁粒子を含んでいる絶縁材料、前記絶縁材料は、前記複数の導体の少なくとも一部分を覆っている。
【請求項２３】
前記絶縁材料が重合体樹脂を含み、前記絶縁粒子がシリカ粒子である、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記絶縁材料が、紫外線放射、可視光放射、および赤外線放射の少なくとも１つにより、少なくとも部分的に硬化される、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記絶縁粒子が、前記絶縁材料の体積の５０〜８５％を占める、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記絶縁粒子が、２０ミクロンの最大直径を有している、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記絶縁粒子が、およそ４．５ミクロンの中央値の直径を有している、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記絶縁粒子が、およそ４．１ミクロンの平均直径を有している、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２９】
前記絶縁粒子が、前記複数の導体の少なくとも２つの間へ絶縁分離を提供する、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記複数の半導体要素、前記複数の導体、および前記絶縁材料を封入する封入層をさらに含んでいる、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記封入層が、外側被膜封入材を含んでいる、請求項３０に記載の半導体装置。
【請求項３２】
前記封入層が、グラブトップ封入材を含んでいる、請求項３０に記載の半導体装置。
【請求項３３】
前記複数の導体の各々が、それぞれの導体の直径より、少なくとも２５０倍大きな長さを有している、請求項３０に記載の半導体装置。
【請求項３４】
前記絶縁材料を硬化させるのに先立って、前記絶縁材料が流動する、２〜５０秒の時間が提供され、この流動時間が、前記半導体装置のサイズ、前記半導体装置の温度、前記複数の導体の前記部分への塗布中の前記絶縁材料の温度、および前記要素間に配線を提供する前記導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される、請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項３５】
前記絶縁材料を硬化させるのに先立って、前記絶縁材料が流動する、７〜２５秒の時間が提供され、この流動時間が、前記半導体装置のサイズ、前記半導体装置の温度、前記複数の導体の前記部分への塗布中の前記絶縁材料の温度、および前記要素間に配線を提供する前記導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される、請求項２４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のパッケージング、特にパッケージされた半導体装置内での短絡を防止し、および軽減する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造では、導体（例えば、結合線）は、しばしば半導体装置の要素間の配線を提供するのに利用されている。例えば、図１は、従来の半導体装置１００の一部を示している。半導体装置１００は、リードフレーム１０２とリードフレーム接点１０２ａを含んでいる。半導体要素（例えば、ダイ）１０４は、リードフレーム１０２上に取り付けられている。結合線１０６は、半導体要素１０４とリードフレーム接点１０２ａとの間の配線を提供する。オーバーモールド１０８（すなわち、モールド化合物）は、結合線１０６、半導体要素１０４、およびリードフレーム接点１０２ａ上に提供されている。図１に示した構成では、半導体装置１００には、半導体要素１０４上の様々な結合点と対応するリードフレーム接点１０２ａとの間の配線を提供するために、多数の結合線１０６が含まれていてもよい。
【０００３】
半導体装置１００製造処理中に、隣接する結合線１０６の間で短絡が、または１本以上の結合線１０６に関連して断線が起こることがある。例えば、製造中、結合線１０６の動き（例えば、横ぶれ、スイープなど）が、隣接した結合線１０６の間を短絡させることもある。
【０００４】
図２は、結合線１０６上に封入材２１０を含んだ、従来の半導体装置２００を示している。封入材２１０は、また、結合線１０６と半導体要素１０４とリードフレーム接点１０２ａの各々との間の結合点を覆っている。図２に示した要素は、他の点では、上で図１に示し、説明したものと非常に似ている。
【０００５】
図３は、図１に示した装置と同様の、従来の半導体装置１００の斜視図である。半導体要素１０４は、リードフレーム１０２に取り付けられた状態で示されている。複数の結合線１０６は、半導体要素１０４と対応するリードフレーム接点１０２ａとの間の配線を提供する。外側被膜１０８（図３では部分的に破断されている）は、半導体要素１０４と結合線１０６上に提供されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１〜図３に示した従来の半導体装置構成には、様々な問題が見出されている。上で指摘したように、半導体装置の製造と移動の間、結合線１０６は、結合点のうちの１つ（すなわち、半導体要素１０４またはリードフレーム接点１０２ａ）で外れてしまう（すなわち、断線する）こともある。さらに、隣接する結合線１０６は、特に外側被膜１０８が適用されていると、互いに向かって動く（例えば、横ぶれする）ことがあり、それにより、半導体装置内で短絡を生成してしまう。これらは、特に、半導体装置のサイズを減少させる要請（さらに、これに対応して、半導体装置内の導体密度を増加させる要請）の見地から大きな問題である。これらの製造上の欠陥は、半導体ロット内に不良要素を生じさせ、製造費を高め、ひいては信頼性を減少させてしまう。これらの問題は、超微細ピッチの結合線装置で、特に著しい。こういうわけで、特に、超微粒ピッチワイヤボンド装置に関する半導体装置の改良された製造方法を提供するのは望ましいであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の典型的実施例では、従来技術の欠点を克服するよう、複数の要素を含む半導体装置のパッケージ方法が提供されている。本方法は、半導体装置の少なくとも一部分へ、各要素の間へ配線を提供する隣接導体間の隙間より小さな直径を有する絶縁粒子を含む、絶縁材料を塗布することを含んでいる。本方法は、また、絶縁材料を硬化させることも含んでいる。
【０００８】
本発明の別の典型的実施例によると、半導体装置が提供されている。この半導体装置は、複数の半導体要素と、複数の半導体要素間に配線を提供する複数の導体を含んでいる。この半導体装置は、また、隣接する導体間の隙間より小さな直径を有する絶縁粒子を含む、絶縁材料を含んでいる。絶縁材料は、複数の導体の少なくとも一部を覆っている。
【０００９】
本発明の典型的実施例は、以下の図面を参照して説明されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
ここでは、本発明の選択された実施例の好適な機構は、図面を参照して説明されている。本発明の趣旨と範囲が、図示のために選択された実施例に限定されないことは理解されるであろう。また、図面は、いかなる特定の縮尺や割合も示していないことに留意すべきである。以下に説明する、いかなる構成や材料も、本発明の範囲内で変更可能であることが意図される。
【００１１】
本願明細書に使用されているように、半導体装置という用語は、集積回路、メモリ装置、ＢＧＡ（すなわち、ボールグリッドアレイ）、ＤＳＰ（すなわち、デジタル信号プロセッサ）、ＱＦＰ（すなわち、クワッドフラットパッケージ）、ＰＢＧＡ（すなわち、プラスチックボールグリッドアレイ）、ＢＯＣ（ボードオンチップ）、ＣＯＢ（すなわち、チップオンボード）、ＣＡＢＧＡ（チップアレイボールグリッドアレイ）、および、個別装置（すなわち、パッケージされていない装置、１基板上に１つ以上の装置が存在することもある）などのパッケージされた半導体装置を含む、広いカテゴリの装置に関連している。さらに、半導体要素という用語は、基板、ダイ、チップ、リードフレーム、リードフレーム接点などを含む、半導体装置の任意の部分を指している。
【００１２】
概して、１つの典型的実施例では、本発明は、ある特定の製造ステップ（例えば、超微細ピッチ半導体装置に外側被覆を施す）の間に、結合線をスイープから保護することに関連する。他の典型的実施例では、本発明は、（例えば、超微細ピッチ装置と微細ピッチ装置において）結合線の短絡を軽減することに関連する。
【００１３】
さらに詳しく述べると、本発明は、絶縁粒子の一部が、ワイヤボンド半導体装置内の結合線の間隔（例えば、微細または超微細間隔）を通って流動するような、規定された配分の絶縁粒子（例えば、無機パウダ、シリカ粒子など）を含む絶縁材料（例えば、封入材、高分子材料、エポキシ樹脂など）の塗布および硬化に関連する。様々な典型的実施例によると、本発明は、接触する（すなわち、短絡した）かもしれない結合線の動きを促進し、絶縁材料の塗布後には、短絡した結合線がもはや接触せず、絶縁粒子を含む絶縁材料により事実上互いから絶縁されることに関連している。短絡の排除を促進するための絶縁材料の配分方法を含むこうした処理は、特定の製造ステップ（例えば、樹脂トランスファー成形処理、グロブトップ封入など）の間に短絡を起こさないよう保護する場合、特に有用であることが判明している。
【００１４】
処理中に、存在する結合線の短絡を軽減することに加え、絶縁材料の塗布は、ワイヤボンド半導体装置（例えば、超微細ピッチワイヤボンド半導体装置）の組み立て中に起こる結合線の短絡も実質的に減少させる。本方法は、半導体装置のグロブトップ封入中、半導体装置の樹脂トランスファー成形中（すなわち、導体接着後に絶縁材料／封入材が塗布されたとき）の、半導体装置製品歩留まりを向上させるのに、特に有用である。絶縁材料の使用（および、関連処理）により、実質的に、ワイヤのループ長、ワイヤのスイープ、またはワイヤの垂下に関連する制限を受けることなく、高い生産性歩留まりでの超微細ピッチ結合線の成形が可能となる。
【００１５】
図４Ａ〜図４Ｃは、短絡した結合線の例を示している。例えば、結合線は、（例えば、図１〜図３に図示のように）半導体装置内に含まれる半導体要素間に配線を提供している。図４（ａ）は、隣接した結合線４００、４０２を示している。結合線４００、４０２のうち少なくとも１つが、互いに向かって僅かに曲げられて、短絡が起っている。図４Ａに示したタイプの短絡は、結合線４００、４０２のいずれか一方（または、双方とも）が、もう一方に向かって曲げられたとき起こる。このタイプの短絡は、接線型短絡として知られている。
【００１６】
図４Ｂは、隣接した結合線４０４、４０６を示している。結合線４０６は、屈曲しており、こういう場合短絡は、結合線４０６の屈曲部分と隣接する結合線４０４の間に起こる。このタイプの短絡は、屈曲型短絡として知られている。
【００１７】
図４Ｃは、隣接した結合線４０８、４１０を示している。結合線４０８、４１０の一方（または、双方とも）は、もう一方へ向かって湾曲され、こういう場合は、結合線４０８、４１０の一方は結合線４０８、４１０の他方の上に配置される。このタイプの短絡は、高度交差型短絡として知られている。
【００１８】
図５Ａ〜図５Ｃは、半導体装置の隣接した結合線間の短絡を軽減する方法を示している。図５Ａは、結合線５００、５０２を示している。結合線５００、５０２は、上で図４Ａに関して示して説明したように、互いに対して（位置５０１で）短絡している。封入材５０４は、図５Ａの短絡した結合線５００、５０２に塗布される。（本願明細書にさらに説明するように）封入材５０４の毛細管現象は、位置５０８で示したように、結合線５００、５０２を押すように方向付けられる。
【００１９】
図５Ｂは、結合線５００、５０２が、互いに対して短絡し続けているのを示している；しかしながら、封入材５０４は、図５Ｂに示した各結合線５００、５０２の長さの大部分を覆ってしまっている。さらに、封入材５０４は、封入材５０４に含まれている絶縁粒子（例えば、シリカ粒子）を、結合線５００、５０２の間へ引き込んでいる。例えば、絶縁粒子５０６は、図５Ｂの結合線５００、５０２の間へ、特に位置５０１において、結合線５００、５０２間の短絡へ向かって引き込まれている。封入材５０４の毛細管力は、図５Ｂの位置５０８に示されるように、ここでは結合線５００、５０２を分離するよう作用している；しかしながら、封入材５０４の毛細管力が、図５Ｂの下部から上部へと進むと、結合線５００、５０２は、位置５１０で互いに向かって引かれることになる。
【００２０】
図５Ｃは、封入材５０４が、結合線５００、５０２の図示した部分を完全に覆ったところを示している。絶縁粒子５０６は、位置５０１へ引かれ、さらに、結合線５００、５０２の間の短絡を軽減している。例えば、絶縁粒子５０６は、結合線５００、５０２の緩みを通って位置５０１へ引かれており、それにより、結合線のそれぞれの均衡位置を探すことになる。
【００２１】
本発明に関連づけられたある実験データによると、絶縁材料（絶縁粒子を含む）の毛細管力と表面張力により、隣接する結合線の間の短絡は最大８０％の場合が修正可能であることが本発明者により究明されている。さらに、本願明細書に開示されている方法が、結合線の接線型短絡（例えば、図４Ａ）の排除に大いに成功し、さらに、結合線の屈曲型短絡（例えば、図４Ｂ）と、結合線の高度交差型短絡（例えば、図４Ｃ）の排除には、成功の程度は落ちるが、かなり成功しているのを究明している。短絡のタイプにかかわらず、本願明細書に開示された技術を利用することで、およそ８０％（および、たまには、さらに大きな割合）の短絡を取り除くことができる。
【００２２】
さらになお、絶縁材料の塗布前に、結合線が洗浄（例えば、プラズマ洗浄）されるなら、さらに大きな割合の短絡結合線が修正可能である。
【００２３】
図６は、本発明の典型的実施例に従う半導体装置６００の破断側面図を示している。半導体装置６００は、リードフレーム６０２上に取り付けられた半導体要素６０４（例えば、ダイ）を含んでいる。半導体要素６０４は、例えば接着剤を用いて、リードフレーム６０２へ取り付け可能である。結合線６０６は、半導体要素６０４とリードフレーム接点６０２ａとの間の配線を提供する。外側被膜６０８が装置へ塗布される前に、結合線６０６の少なくとも一部分を覆うよう、絶縁材料６１０が装置へ塗布される。例えば、絶縁材料６１０は、半導体要素６０４（例えば、ダイ６０４）の上面へ塗布可能であり、さらに、そこから結合線６０６上へ分散し、および分配する。代替的に、絶縁材料６０６は、直接結合線６０６へ塗布可能である。絶縁材料６０６は、好ましくは隣接する結合線６０６間の距離間隔より小さな直径を有する、絶縁粒子（図６には示さず）（例えば、シリカ粒子）を含んでいる。本発明のこうした実施例では、絶縁材料６０６が装置に塗布された後、絶縁粒子が隣接する結合線６０６間に分配し、それにより、短絡を減少し、防止し、または軽減する絶縁距離間隔が実現する。
【００２４】
例えば、絶縁材料６１０は、エポキシ樹脂封入材材料などの高分子材料であってもよい。加えて、本発明の典型的実施例に従って、絶縁材料６０６内に分配された絶縁粒子は、およそ４．１μｍの平均粒子サイズ、４．５μｍの中央粒子サイズ、および２０μｍの最大粒子サイズを有している。これらの絶縁粒子は、例えば、球状のシリカ粒子であってもよい。
【００２５】
絶縁材料は、ワイヤ間の毛細管力の生成を許容する粘度と、絶縁粒子が結合線間を移動する表面張力を有するよう設計されている。設計上の粘度は、少なくとも部分的に、絶縁材料の設計上の分散温度、および使われる絶縁材料ディスペンサーのタイプに関連している。例えば、室温では、粘度は、分散されると、１万〜３万センチポアズであってもよい。粘度は、絶縁材料および／または半導体装置を加熱することにより、減少してもよい。
【００２６】
図７は、結合線７０６ａ、７０６ｂ、７０６ｃの破断図である。例えば、結合線７０６ａ、７０６ｂ、７０６ｃは、半導体装置内の半導体要素（図７には示さず）とリードフレーム接点（図７には示さず）との間に配線を提供している。絶縁材料７１２は、結合線７０６ａ、７０６ｂ、７０６ｃの少なくとも一部分にわたって提供される。図７に示した本発明の典型的実施例では、絶縁材料７１２は絶縁粒子／ビーズを含んでいる。絶縁ビーズは、様々な異なるサイズのものでもよく、絶縁ビーズが隣接する結合線間の（例えば、結合線７０６ａ、７０６ｂ間の）距離より小さいので、絶縁ビーズは、隣接する結合線間の位置に分散し、それにより、隣接する結合線間の安定性、および絶縁の増進を提供することになる。
【００２７】
図７は、結合線７０６ａ、７０６ｂの中心間の距離（すなわち、ピッチ）を表す距離「ｄｌ」を示している。さらに、図７は、結合線７０６ａ、７０６ｂ間の間隔を表す距離「ｄ２」を示している。本発明の典型的実施例によると、絶縁材料は、超微細ピッチ結合線半導体装置へ塗布可能である。例えば、こうした装置の距離ｄｌはおよそ３５μｍ以下であり、さらにこうした装置の距離ｄ２はおよそ１５μｍ以下である。結合線の少なくとも一部分にわたって、（例えば、内部へ分散した絶縁ビーズを伴う）絶縁材料を提供することにより、本発明の改善された結合線の安定性と絶縁が、距離ｄ１、ｄ２が小さな値の、超微細ピッチワイヤボンド半導体装置へ塗布されてもよい。
【００２８】
本願明細書に説明した方法で半導体装置を製造することにより、半導体装置内の導体密度（すなわち、結合線密度）を増加させ、それにより、より小さな大きさの、または空間効率が増加した半導体装置を好適にもたらすことを究明した。
【００２９】
本発明の様々な典型的実施例に従って使用される、絶縁材料に含まれる絶縁粒子／ビーズは、多数のタイプの絶縁粒子のいずれであってもよい。例えば、この粒子は、シリカフィラーで構成されていてもよい。さらに、この絶縁粒子は、異なるサイズと形状を有する、異なるタイプのものでもよい。
【００３０】
図８は、本発明の典型的実施例に従う絶縁材料内で使用される、２つの異なるシリカフィラー（例えば、ＳｉＯ２）の典型的粒子サイズ（すなわち、粒子サイズ直径）の配分を示した棒グラフである。図８に示した典型的配分では、シリカ２の粒子サイズビーズは、およそ０．０５ミクロン〜およそ０．５ミクロンの範囲である。さらに、シリカ１の粒子サイズビーズの配分は、およそ０．５ミクロン〜およそ２０ミクロンの範囲である。図８の棒グラフのＹ軸は、各シリカ１粒子とシリカ２粒子の各サイズの割合を示している。
【００３１】
図８に示されたシリカフィラーは、本発明の特定の典型的実施例に従う、絶縁材料（例えば、エポキシ樹脂）内に分散されると、特に有用であることが判明している。シリカ１に指定される、球状シリカタイプに対するシリカ直径の大きさの個々の配分は、以下の通りである：２４ミクロン以上は０％であり、１６ミクロン〜２４ミクロンは１．１％であり、１２ミクロン〜１６ミクロンは４．０％であり、８ミクロン〜１２ミクロンは１１．５％であり、６ミクロン〜８ミクロンは１２．８％であり、３ミクロン〜６ミクロンは３５．８％であり、２ミクロン〜３ミクロンは１３．３％であり、１ミクロン〜２ミクロンは１２．５％であり、０．５ミクロン〜１ミクロンは７．０％であり、そして、０ミクロン〜０．５ミクロンは２．０％である。シリカ２に指定される、球状シリカタイプに対するシリカ直径の大きさの個々の配分は、以下の通りである：０．６ミクロン以上は０％であり、０．５ミクロン〜０．６ミクロンは０．５％であり、０．４５ミクロン〜０．５ミクロンは７．０３％であり、０．４ミクロン〜０．４５ミクロンは９．１３％であり、０．３５ミクロン〜０．４ミクロンは１２．８３％であり、０．３ミクロン〜０．３５ミクロンは１３．４３％であり、０．３ミクロン〜０．３５ミクロンは１３．３３％であり、０．２５ミクロン〜０．３ミクロンは９．３３％であり、０．２ミクロン〜０．２５ミクロンは５．８３％であり、０．１５ミクロン〜０．２ミクロンは４．３３％であり、０．１ミクロン〜０．１５ミクロンは５．８３％であり、０．０９ミクロン〜０．１ミクロンは５．９３％であり、０．０８ミクロン〜０．０９ミクロンは５．５３％であり、０．０７ミクロン〜０．０８ミクロンは４．９３％であり、０．０６ミクロン〜０．０７ミクロンは１．７３％であり、そして、０．０６ミクロン未満は０．３１％である。
【００３２】
上で指摘したように、異なるタイプおよびサイズの絶縁粒子（例えば、シリカ粒子）が、本発明の特定の典型的実施例に従う絶縁材料内で混合されていてもよい。例えば、シリカ１の粒子配分が、シリカ２の粒子配分と混合されていてもよい。ある実施例では、シリカ１の粒子配分の１０部が、シリカ２タイプの粒子配分の３部へ混合されている。必要とあれば、こうした混合物のＳｉＯ２粒子サイズ配分を示す棒グラフは、図９に示されている。
【００３３】
図９に示した、球状シリカの混合物に対する、シリカ直径のサイズの個々の配分は、以下の通りである：２４ミクロン以上は０％であり、１６ミクロン〜２４ミクロンは０．８５％であり、１２ミクロン〜１６ミクロンは３．０８％であり、８ミクロン〜１２ミクロンは８．８５％であり、６ミクロン〜８ミクロンは９．８５％であり、３ミクロン〜６ミクロンは２７．５４％であり、２ミクロン〜３ミクロンは１０．２３％であり、１ミクロン〜２ミクロンは９．６２％であり、０．６ミクロン〜１ミクロンは５．５％であり、０．５ミクロン〜０．６ミクロンは３．１６％であり、０．４５ミクロン〜０．５ミクロンは２．１１％であり、０．４ミクロン〜０．４５ミクロンは２．９６％であり、０．３５ミクロン〜０．４ミクロンは３．１％であり、０．３ミクロン〜０．３５ミクロンは３．０８％であり、０．２５ミクロン〜０．３ミクロンは２．１５％であり、０．２ミクロン〜０．２５ミクロンは１．３５％であり、０．１５ミクロン〜０．２ミクロンは１．０％であり、０．１ミクロン〜０．１５ミクロンは１．３５％であり、０．０９ミクロン〜０．１ミクロンは１．３７％であり、０．０８ミクロン〜０．０９ミクロンは１．２８％であり、０．０７ミクロン〜０．０８ミクロンは１．１４％であり、０．０６ミクロン〜０．０７ミクロンは０．４％であり、０．５ミクロン〜０．６ミクロンは０．０７％であり、そして、０．０５ミクロン未満は０％である。
【００３４】
本発明に従う絶縁材料の塗布は、最長結合線の長さと直径の比率が２５０より大きい、半導体パッケージ内の結合線を、製造中（例えば、絶縁材料の塗布後の外側被覆処理中）のワイヤスイープから保護するのに、特に有用なことが判明している。特定の実施例では、この処理は、（例えば、ワイヤボンド機械上に、まだ半導体装置が存在する間の）絶縁材料の分配を含んでおり、さらにその後、材料の流動時間が提供される。例えば、流動時間は、半導体装置のサイズ、半導体装置の温度、分配中の絶縁材料の温度、および要素間に配線を提供する導体の密度など、いくつかの条件に応じて、２〜５０秒（より具体的には、７〜２５秒）となる。その後、絶縁材料は、熱、ＵＶ放射、可視光放射、およびＩＲ放射の何らかの組み合わせを用いて硬化される。
【００３５】
本願明細書で指摘したように、特定のサイズと量の絶縁粒子を含む絶縁材料の塗布は、短絡した結合線対間を流動し、それらを分離する、絶縁材料の能力の改善に特に有用である。例えば、小さな直径の無機粒子は、結合線の間を満たすのに使用可能である。さらに、利用される絶縁材料（例えば、重合体樹脂）のタイプは、短絡防止特性と還元特性を最大にするよう、絶縁材料／封入材の界面エネルギー特性を高めることが可能である。
【００３６】
例えば、絶縁粒子（すなわち、フィラー粒子）のスケールは、隣接する結合線の隙間より明らかに小さく、さらに、絶縁材料の流動を改善するよう、特定のサイズと量が加えられる。絶縁材料／封入材は、放射ＵＶ源、または、ＵＶ放射、可視光放射線、および赤外線放射の組み合わせへ露呈することにより、迅速に硬化可能である。本願明細書で開示された方法は、ワイヤボンディング後すぐに、または間もなく、絶縁材料が塗布され、結合線の長さが結合線の直径の少なくとも２５０倍の長さであるとき、特に有用である。
【００３７】
本願明細書で開示される様々な典型的実施例を通して、本発明は、より長くて、より薄い結合線を伴い、より小さなパッドピッチで、より高密度の入出力接続を備えた、パッケージされた半導体装置に提供可能である。また、半導体装置の歩留まりも、特に接着後の基板の取り扱い、外側被覆、およびグラブトップ（ｇｌｏｂｔｏｐ）封入に対して増加する。半導体装置の歩留まりは、隣接する結合線間の分散および分配用装置に対して、小および中程度のサイズの絶縁粒子（例えば、球状シリカ粒子）の組み合わせを含む絶縁材料の塗布を通して、微細ピッチの小さな直径のワイヤボンドした半導体装置の短絡を防止し、さらに、熱、放射への露呈（紫外線、可視線、および／または赤外線）、および／または、熱バッチ処理を通して、絶縁材料（例えば、ワイヤボンダ）を実質的に硬化／ゲル化させることにより増加する。本発明の典型的実施例によると、小および中程度のサイズの球状シリカの組み合わせを含む絶縁材料は、実際のワイヤボンド後すぐに、自動分配機械を用いて塗布される。
【００３８】
絶縁材料の硬化および／またはゲル化は、利用される本発明の実施例により異なることもある。例えば、絶縁材料は、熱および紫外線へ露呈することにより、ワイヤボンダ上で直接硬化／ゲル化されてもよい。本発明の他の典型的実施例によると、絶縁材料は、熱、および紫外線、可視光、および赤外線放射の組み合わせへ露呈することにより、ワイヤボンダ上で硬化／ゲル化されてもよい。本発明のさらに他の典型的実施例によると、絶縁材料は、熱バッチ処理を用いて硬化／ゲル化されてもよい。
【００３９】
絶縁材料は、超微細ピッチのワイヤボンドされた半導体装置における、隣接する結合線の間の空間よりも少なくとも部分的に小さな、実質的に球状のシリカ粒子を含む、エポキシ封入材材料であってもよい。こうした実施例では、封入材材料は、特定の強度、持続時間、および紫外線放射、可視光放射、および／または、赤外線放射の波長分布が、封入材材料を、迅速にゲル化させ、または少なくとも部分的に硬化させるように設計されていてもよい。さらに、絶縁材料の特性と、その塗布処理パラメータは、絶縁材料が、ワイヤボンドされた半導体装置上へ分配され、結合線全体、または結合線の一部を覆うように設計されていてもよい。
【００４０】
さらになお、絶縁材料は、多数の方向の何れにも塗布可能である。例えば、絶縁材料は、半導体装置内部の半導体要素（例えば、ダイ）に向かって、リードフレーム接点から塗布可能である。代替的に、絶縁材料は、半導体装置の内部の半導体要素（例えば、ダイ）から、半導体装置のリードフレーム接点に向かって塗布することもできる。さらに他の代替手段は、結合線それ自体の直接上（または、下）から絶縁材料を塗布する。
【００４１】
絶縁材料の塗布前に、半導体装置は、例えば、５０℃〜１２５℃の温度、さらに具体的には、８０℃〜１００℃の温度まで加熱されるのが好ましい。さらに、絶縁材料ディスペンサーは、また、例えば、３５℃〜８５℃の温度、さらに具体的には、５０℃〜７０℃の温度まで加熱されるのが好ましい。絶縁材料ディスペンサー内の絶縁材料を加熱することにより、絶縁材料の分配はより簡単となる。
【００４２】
上で指摘したように、絶縁材料は、絶縁粒子を含んだ充填材料を含んでいるのが好ましい。例えば、充填材料は、様々な評価基準を基に決定されたサイズ分布を含んでいる、シリカの組み合わせから作られていてもよい。例えば、サイズ分布は、以下の目的に基づいている：（１）隣接する結合線ループ間の狭い空間内へ小さいシリカ粒子を運び、それにより、結合線を分離する；（２）シリカにより（例えば、毛細管力により）、隣接する結合線の間に、比較的高レベルの電気的隔離を提供する；（３）結合線を安定させ、それにより、絶縁材料の電気的絶縁能力を維持するよう、適所へシリカと絶縁材料（例えば、重合体）の残りを固定する；（４）絶縁材料の塗布中に、脆いワイヤループへの妨害を最少にする；（５）低ＣＴＥを達成するよう、シリカ粒子のパッキング密度を増加させる；および、（６）絶縁材料に滑らかな流動能力を提供する。
【００４３】
絶縁材料の塗布処理は、細い結合線のデリケートなループがワイヤボンド処理の完了直後（または、その後間もなく）も安定し、かつ保存されるよう、半導体装置がワイヤボンド機械上にある間に、絶縁材料を分配すること、および絶縁材料を硬化させることを含んでいる。
【００４４】
さらになお、絶縁材料の分配は、比較的迅速で効率的な製造処理が達成されるよう、一連の半導体装置がワイヤボンドされている間に起こってもよい。例えば、第１半導体装置が絶縁材料ディスペンサーから絶縁材料を受け（さらに、続いて硬化／ゲル化し）ている間、第２半導体装置がワイヤボンドされる。こうした動作（すなわち、絶縁材料の塗布、および絶縁材料の硬化／ゲル化）は、同じワイヤボンド装置上の、第１および第２半導体装置の双方に適用可能である。
【００４５】
上で指摘したように、絶縁材料／封入材は、ワイヤボンドの直後（または、ほとんど直後、または、実際上、自動分配機械を用いたワイヤボンド後すぐ）に塗布され、さらに、加熱と、（例えば、紫外線、可視光、または赤外線の）放射エネルギーの少なくとも１つへ露呈させることにより、または熱バッチ処理により、硬化／ゲル化が実行されることになる。例えば、絶縁材料を硬化させるよう使用される熱処理は、以下を含んでもよい：（１）温度の上昇；（２）均熱時間；および、（３）温度の下降。
【００４６】
絶縁材料（絶縁粒子を含む）の加熱および分配のためのディスペンサー手段は、既存のワイヤボンド装置に追加した新規のサブシステムとして提供されてもよいし、独立システムとして提供されてもよい。
【００４７】
本願明細書で開示される本発明の様々な実施例により、以下の利点が達成される：（１）絶縁粒子は、絶縁材料を結合線間に充填可能にする（これは、超微細ピッチのワイヤボンディングを利用する半導体装置で特に有用である）；（２）パッケージ全体が同じ材料で成形される半導体装置と対照的に、潜在的により高い費用の封入材料を実質的により少ない体積で済ます半導体装置が提供される；そして、（３）比較的低費用の従来の成形化合物か、グラブトップ封入材（および、関連設備）が、パッケージのオーバーモールドで使用できる。
【００４８】
本発明の様々な実施例を容易にするために使用される塗布システムは、パッケージング処理が、絶縁材料の塗布を含むことによる、生産性の減少を受けないことを確実にするよう設計されていてもよい。例えば、ソフトウェア制御装置とセンサー融合を用いて、本システムは、同時にワイヤボンド処理を行いながら、絶縁材料を分配させおよび硬化させる機能を一体化させることができる。さらに、絶縁材料の塗布後、（例えば、樹脂トランスファー成形、グラブトップ封入などを通して）パッケージ処理が持続している間、微細な結合線は、隣接する結合線の短絡をもたらした動きから保護される。これは、少なくとも部分的には、絶縁材料（例えば、成形化合物または封入材）の迅速な流動に起因している。
【００４９】
図１０は、上に説明した、本発明の様々な態様に従う、半導体装置のパッケージ方法を示したフローチャートである。任意のステップ１００２では、対象の半導体装置は、５０℃〜１２５℃の温度、さらに具体的には８０℃〜１００℃の温度まで加熱される。任意のステップ１００４では、絶縁材料は、３５℃〜８５℃の温度、さらに具体的には５０℃〜７０℃の温度まで（例えば、ディスペンサーにおいて）加熱される。ステップ１００６では、絶縁材料（例えば、エポキシ樹脂）は、互いに接触（すなわち、短絡）した、隣接する接着導体を分離するよう、半導体装置の少なくとも一部分へ塗布される。この絶縁材料は、要素間へ配線を提供する、隣接した導体間の隙間より小さな直径を有する絶縁粒子（例えば、球状のシリカ粒子）を含んでいる。ステップ１００８では、絶縁材料が硬化される。例えば、絶縁材料は、熱、放射エネルギー（例えば、紫外線放射、可視光放射、および／または赤外線放射）、および熱処理への露呈の利用などの、本願明細書で開示された、いかなる技術を用いても、硬化可能である。任意のステップ１０１０では、半導体装置は、外側被膜封入材により封入される。こうして、パッケージされた半導体装置が提供される。
【００５０】
本発明の様々な実施例は、半導体装置上への封入材の最終層のスクリーン印刷動作またはステンシル印刷動作の間、微細な結合線ループの保存へ首尾よく適用可能であることが理解される。
【００５１】
本発明は、主として、エポキシ樹脂などの高分子材料である絶縁材料と関連して説明されてきたが、これは本発明を限定するものではない。絶縁導体が、所望される毛細管現象、表面張力、絶縁値、および安定性を接合導体へ提供する限り、様々な代替的な絶縁材料が利用可能である。
【００５２】
本発明は、主として、シリカ粒子である粒子と関連して説明されてきたが、これは本発明を限定するものではない。粒子が、所望されるように、隣接する導体の間で分散可能である限り、絶縁材料内で、様々な代替的な粒子またはビーズが利用可能である。
【００５３】
本発明は、主として熱、放射エネルギー、および熱加工を利用する硬化動作と関連して説明されてきたが、これは本発明を限定するものではない。硬化方法が、利用される特定の絶縁材料に調和する限り、様々な代替的な硬化方法が利用可能である。
【００５４】
図示された実施例に対して、他の変更が、請求項で定義される本発明の範囲から逸脱することなく実行可能であることは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来技術の半導体装置の要素間の配線の、破断側面図である。
【図２】従来技術の半導体装置の要素間の封入された配線の、破断側面図である。
【図３】従来技術の半導体装置の要素間の複数の配線の斜視図である。
【図４Ａ】半導体装置内の短絡した導体を示す図である。
【図４Ｂ】半導体装置内の短絡した導体を示す図である。
【図４Ｃ】半導体装置内の短絡した導体を示す図である。
【図５Ａ】本発明の典型的実施例に従う、半導体装置内の短絡した導体の分離ステップを示す図である。
【図５Ｂ】本発明の典型的実施例に従う、半導体装置内の短絡した導体の分離ステップを示す図である。
【図５Ｃ】本発明の典型的実施例に従う、半導体装置内の短絡した導体の分離ステップを示す図である。
【図６】本発明の典型的実施例に従う、半導体装置の要素間の絶縁された配線の斜視図である。
【図７】本発明の典型的実施例に従う、絶縁材料により分離された導体の破断図である。
【図８】本発明の典型的実施例に従う、絶縁材料内のシリカ粒径の分布を示す図である。
【図９】本発明の典型的実施例に従う、絶縁材料内のシリカ粒径の分布を示す他の図である。
【図１０】本発明の典型的実施例に従う、半導体装置のパッケージ方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５６】
４００  結合線、４０２  結合線、４０４  結合線、４０６  結合線、４０８  結合線、４１０  結合線、５００  結合線、５０２  結合線、５０４  封入材、５０６  絶縁素粒子、６００  半導体装置、６０２  リードフレーム、６０４  半導体要素、６０６  結合線、６０８  外側被膜、６１０  絶縁材料、７１２  絶縁材料。
【図１】
2007534153.tif 000003
【図２】
2007534153.tif 000004
【図３】
2007534153.tif 000005
【図４Ａ】
2007534153.tif 000006
【図４Ｂ】
2007534153.tif 000007
【図４Ｃ】
2007534153.tif 000008
【図５Ａ】
2007534153.tif 000009
【図５Ｂ】
2007534153.tif 000010
【図５Ｃ】
2007534153.tif 000011
【図６】
2007534153.tif 000012
【図７】
2007534153.tif 000013
【図８】
2007534153.tif 000014
【図９】
2007534153.tif 000015
【図１０】
2007534153.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含んでいる半導体装置：
少なくとも１つの半導体要素；
前記少なくとも１つの半導体要素を支持するためのキャリヤ；
前記少なくとも１つの半導体要素と前記キャリヤとの間に配線を提供する複数の導体；および、
前記複数の導体の隣接するものの隙間より小さな直径を有する絶縁粒子を含んでいる絶縁材料、前記絶縁材料は、前記複数の導体の少なくとも一部分を覆っており、それにより、隣接する導体間の短絡の可能性を減少させる。
【請求項２】
前記絶縁材料が重合体樹脂を含み、前記絶縁粒子がシリカ粒子である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁材料が、紫外線放射、可視光放射、および赤外線放射の少なくとも１つにより、少なくとも部分的に硬化された、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁粒子が、前記絶縁材料の体積の５０〜８５％を占めている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁粒子が、２０ミクロンの最大直径を有している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁粒子が、およそ４．５ミクロンの中央値の直径を有している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁粒子が、およそ４．１ミクロンの平均直径を有している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁粒子が、前記複数の導体の少なくとも２つの間に絶縁分離を提供する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体要素、前記キャリヤ、前記複数の導体、および前記絶縁材料の少なくとも１つを封入する封入層をさらに含んでいる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記封入層が、外側被膜封入材を含んでいる、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記封入層が、グラブトップ封入材を含んでいる、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記複数の導体の各々が、それぞれの導体の直径より、少なくとも２５０倍大きい長さを有している、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁材料を硬化させるのに先立って、前記絶縁材料が流動する、２〜５０秒の時間が提供され、この流動時間が、前記半導体装置のサイズ、前記半導体装置の温度、前記複数の導体の前記部分への塗布中の前記絶縁材料の温度、および前記少なくとも１つの要素と前記キャリアの間に配線を提供する前記導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記絶縁材料を硬化させるのに先立って、前記絶縁材料が流動する、７〜２５秒の時間が提供され、この流動時間が、前記半導体装置のサイズ、前記半導体装置の温度、前記複数の導体の前記部分への塗布中の前記絶縁材料の温度、および前記少なくとも１つの要素と前記キャリアの間に配線を提供する前記導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの半導体要素、キャリヤ、および少なくとも１つの半導体要素とキャリヤとの間に配線を提供する複数の導体を含んでいる半導体装置のパッケージ方法、この方法は以下のステップを含んでいる：
絶縁材料を、半導体装置の少なくとも一部分および導体へ塗布するステップ、絶縁材料は、隣接する導体の隙間より小さな直径を有する絶縁粒子を含んでおり、それにより、隣接する導体間の短絡の可能性を減少させる；および、
絶縁材料を硬化させるステップ。
【請求項１６】
前記塗布ステップが、シリカ粒子と重合体樹脂を含む絶縁材料を塗布することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記硬化ステップが、絶縁材料を、紫外線放射、可視光放射、および赤外線放射の少なくとも１つへ露呈することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記硬化ステップが、絶縁材料を加熱し、紫外線放射、可視光放射、および赤外線放射の少なくとも１つへ露呈することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
硬化ステップが、温度の上昇、均熱、および温度の下降を含む熱処理を、絶縁材料に適用することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
塗布ステップが、絶縁粒子が絶縁材料の体積の５０〜８５％を占める絶縁材料を、装置へ塗布することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記塗布ステップが、絶縁粒子が２０ミクロンの最大直径を有する絶縁材料を装置へ塗布することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記塗布ステップが、絶縁粒子がおよそ４．５ミクロンの中央値の直径を有する絶縁材料を装置へ塗布することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記塗布ステップが、絶縁粒子がおよそ４．１ミクロンの平均径を有する絶縁材料を装置へ塗布することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前記塗布ステップを通して、絶縁粒子が、隣接する導体間に分散し、それにより、導体間の絶縁分離を提供する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
塗布ステップの前に、半導体装置を５０〜１２５℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項２６】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
塗布ステップの前に、半導体装置を８０〜１００℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項２７】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
塗布ステップの前に、絶縁材料を３５〜８５℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項２８】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
塗布ステップの前に、絶縁材料を５０〜７０℃の温度まで加熱するステップ。
【請求項２９】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
半導体装置を封入するステップ。
【請求項３０】
前記封入ステップが、外側被膜封入材で半導体装置を封入することを含んでいる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記封入ステップが、グラブトップ封入材で半導体装置を封入することを含んでいる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
絶縁材料が少なくとも１つの半導体要素から複数の導体に分散するよう、前記塗布ステップが、絶縁材料を、その実質的中央部分の少なくとも１つの半導体要素へ塗布することを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項３３】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
隣接する導体の間へ、少なくとも１つの絶縁粒子を引き込み、それにより、前記引き込みステップ前には互いに接触していた隣接する導体を分離するステップ。
【請求項３４】
さらに以下のステップを含んでいる、以下の請求項１５に記載の方法：
前記硬化ステップに先立って、２〜５０秒の、絶縁材料が流動する時間を提供するステップ、この流動時間は、半導体装置のサイズ、半導体装置の温度、前記塗布ステップの間の絶縁材料の温度、および少なくとも１つの要素とキャリアとの間に配線を提供する導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される。
【請求項３５】
さらに以下のステップを含んでいる、請求項１５に記載の方法：
前記硬化ステップに先立って、７〜２５秒の、絶縁材料が流動する時間を提供するステップ。この流動時間は、半導体装置のサイズ、半導体装置の温度、前記塗布ステップの間の絶縁材料の温度、および少なくとも１つの要素とキャリアとの間に配線を提供する導体の密度の少なくとも１つに基づいて選択される。
【国際調査報告】
2007534153.tif 000017
2007534153.tif 000018
2007534153.tif 000019