(57)【要約】熱発生集積回路チップのスタックは介在する冷却集積回路チップを備えることが可能である。冷却集積回路チップは冷却流体の流れのためにマイクロチャンネルを有することが可能である。冷却流体は集積電気浸透ポンプを用いてポンピングされることが可能である。冷却流体ガスの除去は一部の実施形態において集積再結合部を用いて達成される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱発生集積回路チップを挟む少なくとも２つの冷却集積回路チップを有するスタックを形成する段階であって、前記冷却集積回路チップは冷却流体の循環のためのマイクロチャンネルを有する、段階；及び
冷却集積回路チップの一に第２熱発生集積回路チップを固定する段階；
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記冷却集積回路チップにおいて電気浸透ポンプを形成する段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記冷却集積回路チップにおいて集積された再結合部を形成する段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記マイクロチャンネルに接続するポートを除いて、前記スタックのエッジを塞ぐ段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記マイクロチャンネルとの連絡における流体入力リザーバ及び流体出力リザーバを備える、ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記スタックを有するパッケージにおいて前記リザーバを形成する段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記パッケージにおいて前記流体入力リザーバ及び前記流体出力リザーバを分離する段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記パッケージに外側で前記流体入力リザーバ及び前記流体出力リザーバを結合する段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記冷却集積回路チップと前記熱発生集積回路チップとの間の電気的接続を備える段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記電気的接続を与えるビアを用いる段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
パッケージ化された集積回路構造体であって：
一対の集積回路チップ；
前記一対の集積回路チップの間の冷却集積回路チップであって、前記冷却集積回路チップは冷却流体の循環のためのマイクロチャンネルを有する、冷却集積回路チップ；及び
前記集積回路チップを含むパッケージ；
を有することを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の集積回路構造体であって、前記チャンネルと前記冷却集積回路チップの外側から連絡するように流体を含むための第１トレンチを有する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の集積回路構造体であって、前記第１トレンチから分離された第２トレンチを有し、前記パッケージにおいて前記冷却集積回路チップと隣接している、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１４】
請求項１３に記載の集積回路構造体であって、前記第２トレンチは流体を含み且つ前記マイクロチャンネル流体的に連絡する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１５】
請求項１４に記載の集積回路構造体であって、前記パッケージの外側から前記第１トレンチ及び前記第２トレンチと連絡するポートを有する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１６】
請求項１１に記載の集積回路構造体であって、前記冷却集積回路チップにおいて集積電気浸透ポンプを有する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１７】
請求項１１に記載の集積回路構造体であって、前記冷却集積回路チップにおいて集積再結合部を有する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１８】
請求項１１に記載の集積回路構造体であって、前記熱発生集積回路チップのエッジは塞がれている、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項１９】
請求項１５に記載の集積回路構造体であって、前記ポートは前記パッケージの外側に接続されている、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項２０】
請求項１１に記載の集積回路構造体であって、前記集積回路チップに結合された電気的ビアを有する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項２１】
請求項１１に記載の集積回路構造体であって、制御部と、電気浸透ポンプと、前記熱発生集積回路チップの特定の領域を冷却するように前記電気浸透ポンプを電気的に動作させるための前記集積回路チップ内の温度センサとを有する、ことを特徴とする集積回路構造体。
【請求項２２】
パッケージ化集積回路構造体であって：
一対の集積回路チップと前記一対の集積回路チップ間の冷却集積回路チップとを有するスタックであって、前記冷却集積回路チップは冷却流体の循環のためのマイクロチャンネルを有する、スタック；
前記スタックを受け入れるためのパッケージであって、前記パッケージは前記マイクロチャンネルと連絡するように形成された入力流体リザーバ及び出力流体リザーバを有する、パッケージ；及び
前記出力流体リザーバから前記入力流体リザーバに流体を循環させるための流路；
を有することを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２３】
請求項２２に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記集積回路チップの一において第２冷却集積回路チップを有する、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２４】
請求項２２に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記パッケージの外側における流路を有する、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２５】
請求項２２に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記集積回路チップのエッジは塞がれている、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２６】
請求項２２に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記スタックは前記流体リザーバと接している、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２７】
請求項２６に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記マイクロチャンネルは前記冷却集積回路チップのエッジと連絡している、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２８】
請求項２２に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記冷却集積回路チップにおいて電気浸透ポンプを含んでいる、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項２９】
請求項２８に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記電気浸透ポンプの各々に結合された再結合部を有する、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項３０】
請求項２７に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、前記冷却集積回路チップは局部的冷却を与えるように選択的に動作されることが可能である、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【請求項３１】
請求項２２に記載のパッケージ化集積回路構造体であって、温度制御された冷却を可能にするように複数の温度センサを含んでいる、ことを特徴とするパッケージ化集積回路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、集積回路の冷却スタックに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の集積回路チップの積層化は集積回路の機能性を改善することが可能である一方、同時に、所要空間を減少させる。トランジスタの寸法が縮小するにつれて、熱を発生させる集積回路の積層は放熱の問題を悪化させる。従来の集積回路技術は、一連の熱を発生するチップを積層することにより発生する熱を適切に除去することができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
それ故、集積回路の積層を冷却する、より良好な方法に対する要請が存在している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
図１を参照するに、シリコンにより作製されている電気浸透ポンプ２８は、フリット１８を通して、例えば、冷却流体等の流体をポンピングすることができる。フリット１８は、フリット１８を通して液体の移送をもたらす電界を発生させる電極２９に対向端部において結合されている。この処理は、電気浸透効果として知られている。液体は、例えば、水であることが可能であり、フリットは、一実施形態においては、二酸化珪素から成ることが可能である。この場合、フリットの壁において水酸基からの水素は脱プロトン化され、壁に対して横方向に又は流体の動きの方向に対して横方向に移動する過剰なプロトンがもたらされ、矢印Ａで示されている。水素イオンは、矢印Ａの方向に電極２９により印加される電界に応じて移動する。非帯電した水の原子は又、イオンと水の原子との間に存在する流体抵抗のために、印加される電界に応じて移動する。
【０００５】
結果的に、ポンピング効果は、何れの可動部を有することなく達成することが可能である。更に、その構造は、集積回路を冷却するためのポンプとして適用可能な装置を製造するように非常に小さいサイズにシリコンにおいて形成されていることが可能である。
【０００６】
本発明の一実施形態に従って、フリット１８は、ナノ開気孔を有する開気孔及び連続気孔を有する誘電体薄膜から成ることが可能である。用語“ナノ気孔”については、１０乃至１０００ｎｍのオーダーの孔を有するフィルムを意味することが意図されている。一実施形態においては、開気孔率はゾルゲル法を用いて導入される。この実施形態においては、開気孔率はポロゲン相を燃やし尽くすことにより導入されることが可能である。しかしながら、１０乃至１０００ｎｍのオーダーの連続気孔又は開気孔を有する誘電体薄膜を形成する何れの処理が本発明の一部の実施継体においては適切である。
【０００７】
例えば、適切な材料は、幾つかの例を挙げると、相分離が化学的に導入されたオルガノシリケート樹脂及びゾルゲルから成ることが可能である。市販されているそのようなプロダクトのソースは、非常に低誘電率の誘電体薄膜の半導体アプリケーションのための薄膜を提供する非常に多くのメーカーから入手可能である。
【０００８】
一実施形態においては、開気孔キセロゲルは、数オーダーの大きさだけ最大ポンピング圧力を増加させる２０ｎｍの開気孔の幾何学的構成を有するように作製することができる。キセロゲルは、キセロゲルを侵す何れの水分張力の問題を回避するようにエチルアルコール等の極性のない溶剤と共に形成されることが可能である。又、表面張力を低減するために、ポンプは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、エチルアルコール及び水の勾配のある混合を与えられる。一旦、ポンプが水を伴って動作されると、表面張力のためにポンプの側壁において正味の力は存在しない。
【０００９】
図２乃至９を参照するに、ナノポーラス開気孔誘電体フリット１８を用いる集積電気浸透ポンプ２８の製造は、電気浸透トレンチの範囲を定めるようにパターニング及びエッチングから始まる。
【００１０】
図２を参照するに、一実施形態においては、薄い誘電体層１６はトレンチを覆って成長される。代替として、窒化シリコン等から成る薄いエッチング又は研磨ストップ層１６が化学的気相成長法により形成される。ナノポーラス誘電体層１８が、例えば、スピン堆積法により、次いで形成される。一実施形態においては、誘電体層１８はゾルゲルの形をとることが可能である。堆積された誘電体層１８は効果されることが可能である。
【００１１】
次いで、図３を参照するに、図２の構造は、ストップ層１６まで研磨又はエッチングされる。その結果、ナノポーラス誘電体フリット１８は、薄い誘電体層１６内に範囲を定められ、基板トレンチを埋める。
【００１２】
続いて、図４を参照するに、本発明の一実施形態においては、開口２４がレジスト層２２内に範囲を定められる。開口２４は、電気的接続がフリット１８の端部まで形成されることができるようになっている。それ故、開口２４は、下にあるフリット１８を覆う堆積された酸化物層２０まで形成されている。一部の実施形態においては、堆積された酸化物層２０は必要ない。
【００１３】
レジスト２２は、図４に示すようにパターニングされ、露出された領域はエッチングされ、次いで、図５に示すようにナノポーラス誘電体層１８と並行してトレンチ２６を形成するようにマスクとして用いられる。一旦、トレンチ２６が形成されると、金属２９がウエハの上部に堆積される。一実施形態においては、金属を堆積するためにスパッタリング法が用いられる。金属２９は、図６に示すようにトレンチ２６の下部のトレンチのみにおける金属を除去するような方式でエッチング又はリフトオフ技術により除去される。金属２９は、有利であることに、フリット１８の露出された端部領域に達した液体を閉じこめることを回避するようにできるだけ薄くされ、最終的には、ポンプ２８に対する入り口及び出口の開口として機能する。金属３０は、しかしながら、電極への損傷をもたらさない適切な電流を確実にするように十分厚いものとなっている。更に、それは、金属２９が又、気孔を遮らない厚さまでフリットの端部に沿って堆積される場合、有利である。このことは、フリットの全体的な深さに沿った均一な電界を確実にする。
【００１４】
図７を参照するに、化学的気相成長材料３４がフリット１８を覆って形成され、図８に示すマイクロチャンネル３８の形成を与えるように、参照番号３２で示すように、フォトレジストを用いてパターニングされ且つエッチングされる。マイクロチャンネル３８は、ポンプ４１の他の部分に及びその部分から液体を移送する流路としての役割を果たす。又、電気的接続３６は、電流が電極２９に供給されるようにするためにウエハにおいて、金属を堆積し（例えば、スパッタリング法により）、選択された領域における金属を除去する（例えば、リソグラフィパターニング法及びエッチング法により）ことにより形成される。この電流は、ポンプ２８により流体を導くために用いられる電界を構成する。
【００１５】
図９を参照するに、流体はマイクロチャンネル３８を通過し、第１電極の上を通ることによりフリット１８に入る。流体は、上記の電気浸透プロセス及び電界によりフリット１８から引き出される。その結果、流体（水であることが可能）はポンプ２８によりポンピングされる。
【００１６】
ここで、図１０乃至１７を参照するに、集積再結合部を形成するための製造技術の一実施形態が示されている。最初に、シリコンウエハのような半導体基板６０は、例えば、パターニング及びエッチング技術により形成されるトレンチ６２を有する。その後、図１０に示すように、例えば、白金又は鉛等の触媒材料６４がスパッタリング法により堆積される。触媒材料６４を、図１１に示すように一部６６のみが残るように、ウエハ基板６０の上部を研磨して除去する。図１２及び１３に示すように、レジストは、マイクロチャンネル６８ａ及び６８ｂを形成するためにスピン形成され、パターニングされる。
【００１７】
マイクロチャンネル６８ａ及び６８ｂは、触媒材料６６の上部の深さまでエッチングされ、エッチングを行うために用いられたレジストは洗浄される。次いで、図１４に示すように、レジスト７０は、スピン形成され、そしてウエハ基板６０の上部をきれいになるように灰化される。例えば、ＴｉＴｉＮ及び銅等のバリアが、ウエハ基板６０の上部にスパッタリング法により形成される。レジストのリフトオフは、図１７に示すように、触媒材料６６並びにマイクロチャンネル６８ａ及び６８ｂの上部から銅を除去するために用いられる。
【００１８】
多孔質のテフロン（登録商標）層（図示せず）がウエハ表面に対して堆積され、テフロン（登録商標）が触媒材料６６を覆う一方、露出された銅７２を有するように、エッチング除去又は研磨される。そのテフロン（登録商標）層は、再結合されたガスが水に変わる場合、触媒材料６６を保護する。上記のように処理された一対の全く同じ基板６０は、次いで、図１７Ａに示すように、再結合部３０を形成するように向かい合った隣接した状態で結合される。基板６０は、銅と銅との接合により結合され、ここでは、トレンチ１６又はチャンネルは存在しない。例えば、共晶接合又は直接接合等の他の接合技術は又、２つのウエハを共に結合させるために用いられることが可能である。トレンチ１６及びチャンネル６８は、触媒材料６６に対する冷却流体の循環のための経路を構成するようにアライメントされることが可能である。
【００１９】
再結合部３０は、ポンプ２８によりポンピングされる冷却流体におけるガスの蓄積を低減するために用いられることが可能である。触媒材料６６へのガスの接触はガスの再結合をもたらす。再結合部３０は、再結合されたガスから形成された水で覆われることを回避するに十分である深さに形成されることが可能である。
【００２０】
図１８を参照するに、スタック１１０は、交互の集積回路１１２と冷却チップ１２４とを有することが可能である。特に、下部から開始して、集積回路１１２ａは、プリント回路基板のような構造１１４に表面実測接続部１１８により結合される。集積回路１１２ａの上に冷却流体の循環のためのマイクロチャンネル１２２を有する冷却チップ１２４がある。冷却チップ１２４の上に他の集積回路１１２ｂがあり、他の冷却チップ１２４及び他の集積回路１１２ｃが下にある他の冷却チップ１２４に続く。それらの交互層の適切な数は大きく変更されることがある。
【００２１】
各々の集積回路１１２は、ウエハ結合層１２０において種々の接合技術を用いて重ね合わされる冷却チップ１２４に結合されることが可能である。ウエハ接合層１２０は、本発明の一部の実施形態においては、銅又は酸化物接合層１２０であることが可能である。電気的接合を又、用いることが可能である。
【００２２】
各々の集積回路１１２は特定の機能を有することが可能であり、集積回路１１２全てが一実施形態における同じ機能を有することが可能である。各々の集積回路１１２は活性層１１６ａとバルク半導体基板１１２ｂとを有することが可能である。
【００２３】
電気的接続は集積回路１１２間に形成されることが可能である。例えば、電気的ビア１２６ａは集積回路１１２ａと集積回路１１２ｃとに結合することが可能である。ビア１２６ａは集積回路１１２ｃ及び１１２ｂに結合することが可能である。電気的ビア１２６ｃは、集積回路１１２ａと共に集積回路１１２ｂに結合することが可能である。
【００２４】
一部の場合、幾つかの集積エレクトロニクスは冷却チップ１２４に含まれることが可能である。例えば、サーミスタのような集積温度センサが、他の制御要素と同様に回路において形成されることが可能である。
【００２５】
マイクロチャンネル１２２は、マイクロチャンネル６８及びトレンチ１６の形成と共に、上述の技術により形成されることが可能である。基本的に、マイクロチャンネル１２２は、近接の集積回路１１２を冷却するために冷却チップ１２４を通して冷却流体を循環させる。それらの冷却チャンネル１２２の数及び位置はそれらの方向と共に大きく変更されることがある。
【００２６】
図１９を参照するに、図１８におけるスタック１１０は、支持構造体１１８に設置されるパッケージ１３８内に全体的に含まれることが可能である。パッケージ１３８の外部には、ポンプ及び再結合ユニット１３０がある。一実施形態においては、再結合ユニットは上記のように形成され、集積回路において形成されることが可能である。ライン１３６及び１３４は、放熱のためにポンプ及び再結合ユニット１３０をスタック１１０及びラジエータ１３２に結合する。図１９に示すように、ライン１３４及び１３６は、プラスチック又は金属チューブのようなチューブであることが可能である。
【００２７】
図２０を参照するに、他の実施形態に従って、スタック１１０は、スタック内に同様に集積されることが可能である、この場合、スタック１１０は、銅接合層のような接合層１２０に接合されることが可能である。接合層１２０は、重なり合う基板１４２からスタックの上部部分を分離するために用いられるガラス層１４０に結合されることが可能である。構造体１４２は、マイクロチャンネル１２２に冷却流体を供給するように形成される電気浸透ポンプ１８を有することが可能である。銅ヒートシンク１４６は複数のポンプ１８に渡って位置付けられることが可能である。銅ヒートシンク１４６は、薄くされたヒートシンク１３２により放熱するように機能することが可能である。ポンプ１８からの流体流は、下にあるマイクロチャンネル１２２と連絡するように構造体１４２を通してビアとして形成された縦方向チャンネルにより移送されることが可能である。
【００２８】
続いて、図２１を参照するに、この場合、スタック１１０は、ポンプ／再結合部１３０ａと共にパッケージ１３８内に全体的に含まれている。又、ポンプ／再結合部１３０ａは図１乃至１７Ａに示されている技術を用いて形成されることが可能であり、スタック１１０内のマイクロチャンネル１２２にチャンネル１３６及び１５０によって結合される集積回路であることが可能である。流体パイプ１３６はポンプ／再結合部１３０ａからラジエータ１３２に繋がっている。他のパイプ１３４は、ラジエータの戻りからスタック１１０に繋がっている。流体は、放熱のために、ポンプ１３０ａからスタック１１０へ、そしてラジエータ１３２へのループを循環する。又、スタック１１０から分離されているヒートシンク１３２を有することにより、シンク１３２及びスタック１１０の間の大きい温度差を達成することが可能であり、その結果、更なる放熱がもたらされる。一実施形態においては、層１４８はシリコンにおいて形成された一連のビルトアップ層であることが可能である。
【００２９】
図２２を参照するに、チャンネル１２２を通る流体の流れは大きく変更されることが可能である。例えば、チャンネル１２２の各々は流体入力１３４を受けることが可能であり、ポンプ又は再結合部に流体出力１３２を通して戻すことが可能である。それ故、そのような場合、各々の冷却チップ１２４を通る流体流は実質的に並行であることが可能である。
【００３０】
図２３を参照するに、チャンネルチップ１２４を通る流体流は、その流れが接続要素１３５を介して一の冷却チップ１２４から他の冷却チップに進む直列形式で配列されることが可能である。接続要素１３５は、スタック１１０の外部にあるように示されている一方、それらは又、本発明の一実施形態においては、下方のチップにおけるチャンネル１２２に一のチップ１２４におけるチャンネルを接続するビアとして形成されるように、内部にあることが可能である。
【００３１】
図２４を参照するに、本発明の一実施形態においては、一の冷却チップ１２４における一連のチャンネル１２２ａ乃至１２２ｄは、他のチップ１２４における一連のチャンネル１２２ｅ乃至１２２ｈに対して、又、更に他のチップ１２４における一連のチャンネル１２２ｉ乃至１２２ｌに対して配置されることが可能である。
【００３２】
図２５を参照するに、チャンネル１２２ａ乃至１２２ｄのような、何れの所定のチップ１２４におけるチャンネルの集合１２２の各々は、図示しているような直列の流れを与えるように配列されることが可能である。直列の流れは、チップ１２４自体内部に形成されたチャンネルにより簡単に構成されることが可能である。代替として、チャンネル１２２ａ乃至１２２ｄを含む層のような、何れの所定の層を通る流れは、図２６に示すように並列であることが可能である。それ故、何れの所定のチップ１２４内の流れは直列又は並列であることが可能であり、チップ１２４からチップ１２４への流れは、本発明の一部の実施形態においては、直列又は並列であることが可能である。
【００３３】
図２７を参照するに、本発明の一実施形態においては、制御部１５４は、本発明の一実施形態における冷却チップ１２４の１つに集積されることが可能である。制御部１５４は、各々の冷却チップ１２４に含まれる温度センサ１５２と電気的に連絡する。温度センサ１５２は局部の温度を検知し、どこの冷却が必要であるか又は必要でないかを示す。冷却が必要である場合、流体の流れが与えられる。例えば、流体流は、本発明の一実施形態においては、一の層に与えられ、他の層には与えられない。そのような場合、１つの集積回路１１２のみが冷却を必要とする状態にあり、冷却の流れは、厚い集積回路に関連する冷却チップ１２４内を冷却流体を通すように制御されることが可能である。
【００３４】
このような温度に応じた冷却制御は複数の方法で与えられることが可能である。それを実行する一方法は、各々が１つ又はそれ以上の冷却チャンネルと関連付けられている複数の電気浸透ポンプ２８を備えることである。それらの電気浸透ポンプは、制御部１５４からの信号に基づいて動作される又は動作されない。それ故、どれ位の冷却が与えられるべきか、及び、その冷却はどこに与えられるべきかの比較的細かな制御が、本発明の一部の実施形態において容易になされることが可能である。
【００３５】
本発明の一部の実施形態においては、スタック１１０は、スタック１１０が液体中に部分的に浸されることが可能であるように、特にエッジを密閉された状態にすることが可能である。しかしながら、スタック１１０のエッジ領域のハーメチックシールのために、液体は、冷却チップ１２４において形成されたマイクロチャンネル１２２と連絡するポートによってのみスタック１１０に入ることが可能である。
【００３６】
例えば、図２８を参照するに、パッケージ１５６は、互いに分離されている第１トレンチ及び第２トレンチを有することが可能である。トレンチ１５４、１６０の内側のエッジは、パッケージ１５６に挿入されるスタック１１０により規定される。トレンチ１５４及び１６０は、流体が追加される又はパッケージの外側から排出されることが可能であるポート１５８及び１６２と連絡することが可能である。スタック１１０のエッジは、流体が満たされたトレンチ１５４と連絡できる状態にある。流体が満たされたトレンチ１５４からの流体はスタック１１０に入ることが可能であり、流体がみたされたトレンチ１６０を通って出ることが可能である。流体は、ポート１６２及び１５８に接続されたチューブ１６８により再循環されることが可能である。
【００３７】
図２９を参照するに、流体が満たされたトレンチ１５４は、１つ又はそれ以上のマイクロチャンネル１２２と流体的に連絡することが可能であり、又、１つ又はそれ以上の電気浸透ポンプ２８及び再結合部３０と連絡することが可能である。このように、流体は、マルチチップスタック１１０の熱い領域を選択的に冷却するための電気浸透ポンプ２８によりポンピングされることが可能である。上部カバー１６４及び下部カバー１６６は、本発明の一実施形態においては、パッケージに含まれることが可能である。
【００３８】
本発明については、限定された数の実施形態に関連して詳述したが、種々の修正及び変更が適用可能であることを当業者は理解することであろう。本発明の真の主旨及び範囲から逸脱することなく、同時提出の特許請求の範囲はそのような修正及び変更を網羅することが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態に従ってその実施形態の動作について示す模式図である。
【図２】製造の初期段階における本発明の一実施形態の拡大された断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における図８の線７−７に沿った拡大された断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に従った平面図である。
【図９】本発明の一実施形態に従った完成された構造の拡大された断面を示す図である。
【図１０】製造の初期段階の再結合部を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された平面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における図１２の線１３−１３に沿った拡大された断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における拡大された平面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における図１５の線１６−１６に沿った拡大された断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に従った製造の続く段階における図１６に対応する拡断面図である。
【図１７Ａ】本発明の一実施形態に従った再結合部の側面図である。
【図１８】本発明の一実施形態に従ったシステムの断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に従ったパッケージシステムの模式図である。
【図２０】本発明の一実施形態に従ったパッケージシステムの断面図である。
【図２１】本発明の他の実施形態に従ったパッケージシステムの断面図である。
【図２２】本発明の他の実施形態に従った冷却システムの模式図である。
【図２３】本発明の他の実施形態の模式図である。
【図２４】本発明の他の実施形態の模式図である。
【図２５】本発明の他の実施形態の模式図である。
【図２６】本発明の他の実施形態の模式図である。
【図２７】本発明の他の実施形態の模式図である。
【図２８】図２９の線２８−２８に沿って一般的に取られた本発明の一実施形態による拡大されていない断面図である。
【図２９】本発明の一実施形態における図２８の線２９−２９に沿って一般的に取られた断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１７Ａ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【国際調査報告】
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