(57)【要約】本発明は、部品の第１の面をエッチングして、それの上にパッドを形成する段階と、部品の第２の面をエッチングして、前記パッドと同じ材料から作られた膜を露出する段階と、前記パッドと前記膜の作動手段を製造する段階と、を有する、光学部品のための作動システムを製造する方法に関する。
2007517252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品の第１の面（５１）をエッチングして、パッド（１４，５４，１５４）を形成する段階と、
部品の第２の面（５３）をエッチングして、前記パッドと同じ材料から作られた柔軟な、または変形可能な膜（１２，５２，１５２）を露出する段階と、
前記パッドと膜の作動手段（１６，１７，３０，３２，５６，５７）を製造する段階と、
を有することを特徴とする光学部品のための作動システムを製造する方法。
【請求項２】
前記膜と前記パッドは、３０μｍ未満、または５μｍから１５μｍの間の全体厚さを持つことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記膜は、１μｍから５μｍの間の全体厚さを持つことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記部品は半導体材料またはガラス（５１）から作られており、また前記部品には、前記パッドと膜がエッチングされる半導体材料または窒化物の表面層（６０）が提供されることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項５】
前記部品は、シリコン（５０１）の表面層と、絶縁層（５０２）と、基板（５０３）とを有するＳＯＩタイプからなり、前記パッドと前記膜はシリコンの表面層に作られることを特徴とする請求項１から４のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項６】
前記部品は、絶縁層とポリシリコンの層で覆われたシリコン基板、または窒化物層で覆われたシリコン基板であり、前記パッドと前記膜はそれぞれ、絶縁層、またはポリシリコン層、または窒化物層に作られることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項７】
前記部品は、２つの側（１５１，１５３）にドープされたシリコン基板であり、前記膜と前記パッドは、お互いに異なるドープがされた部分（１５２，１５３）から作られていることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項８】
前記作動手段は、電気的タイプ、または磁気的タイプ、または熱的タイプ、または圧電性タイプのものであることを特徴とする請求項１かた７のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項９】
前記作動手段は電気的タイプのものであり、デバイスのパッドに接続された１つまたは数個の可動電極（１６，５６）と、１つまたは数個の固定電極（１７，５７）と、を有することを特徴とする請求項１から７のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
前記作動手段は磁気的タイプのものであり、デバイスのパッドに接続された１つまたは数個の可動コイル（３０）または磁石と、１つまたは数個の固定磁石（３２）またはコイルと、を有することを特徴とする請求項１から７のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項１１】
パッド上の作動手段の第１の部分（５６）を作るための段階をも有することを特徴とする請求項１から１０のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の部分と協働して前記パッドと前記膜を作動させる前記作動手段の第２の部分（５７）が作られる第２の基板（５８）と、の組み合わせ段階をも有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記作動手段（１６，１７，３０，３２，５６，５７）は、前記膜およびパッドと、前記第２の基板（５８）との組み合わせ段階で機能し、これらの作動手段（１６，１７，３０，３２，５６，５７）は前記第２の基板（５８）上に前もって形成されることを特徴とする請求項１から１０のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項１４】
前記パッドは２μｍ未満の幅または幅の基部を持っていることを特徴とする請求項１から１３のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項１５】
前記パッドは２０未満の高さ／幅比を持っていることを特徴とする請求項１から１４のうちいずれか1項に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１から１５のうちいずれか1項に記載の作動システムを製造する段階と、前記膜上の反射手段を形成する段階と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
【請求項１７】
表面の一つに膜を一体的に形成したパッド（１４，５４，１５４）が提供された膜（１２，５２，１５２）であって、前記パッドまたは前記膜が、
・半導体材料またはガラス（５０）の上に形成された半導体材料または窒化物から作られた表面層（６０）内、
・あるいは、ＳＯＩタイプ部品のシリコン表面層（５０１）内、
・あるいは、基板上に直接、または基板上に堆積された絶縁層そのものの上、のうちいずれかに堆積されたポリシリコンまたは窒化物の表面層内、
・あるいは、異なるようにドープされた半導体基板の部分（１５２，１５３）内、に作られているようにした膜（１２，５２，１５２）と、
前記パッドと膜の作動手段（１６，１７，３０，３２，５６，５７）と、
を有することを特徴とする光学部品のための機械的作動システム。
【請求項１８】
前記膜とパッドは、３０μｍ未満、または５μｍから３０μｍの間の全体厚さを有することを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
柔軟な膜が、１μｍから５μｍの間の厚さを有することを特徴とする請求項１７または１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記膜が柔軟であることを特徴とする請求項１７から１９のうちいずれか1項に記載のシステム。
【請求項２１】
前記作動手段は、電気的タイプ、または磁気的タイプ、または熱的タイプのものであることを特徴とする請求項１７から２０のうちいずれか1項に記載のシステム。
【請求項２２】
前記作動手段は電気的タイプのものであり、デバイスのパッドに接続された１つまたは数個の可動電極（１６，５６）と、１つまたは数個の固定電極（１７，５７）と、を有することを特徴とする請求項１７から２０のうちいずれか1項に記載のシステム。
【請求項２３】
前記作動手段は磁気的タイプのものであり、デバイスのパッドに接続された１つまたは数個の可動コイルまたは磁石（３０）と、１つまたは数個の固定磁石またはコイル（３２）と、を有することを特徴とする請求項１７から２０のうちいずれか1項に記載のシステム。
【請求項２４】
前記パッドは２μｍ未満の幅または幅の基部を持っていることを特徴とする請求項１７から２３のうちいずれか1項に記載のシステム。
【請求項２５】
前記パッドは２０未満の高さ／幅比を持っていることを特徴とする請求項１７から２４のうちいずれか1項に記載のシステム。
【請求項２６】
請求項１７から２５のうちいずれか1項に記載の作動システムと、前記膜上の反射手段と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学部品の製造の分野に関する。
【０００２】
特に、それは、反射性薄膜が機械的に変形されて光線の位相を補正する適応光学に適用できる。
【０００３】
また、それは、反射性の薄膜または光学部品を作るための、機械的な作動手段の製造にも関連する。
【背景技術】
【０００４】
光学表面は反射性の膜に接合された作動手段(actuator：アクチュエータ)のマトリックス(matrix：行列)を使って変形させられる。
【０００５】
具体的な形態として、一つの機械的および光学的レベル（level）で、例えば電極のマトリックスに対しての移動が自由な反射性の膜が知られている。特許文献１および非特許文献１において例が与えられている。この１つのレベル（機械的および光学的の両方）を持つ方法は、光学表面の作動を分断することができない。例えば、光線を補正するためにの非常に柔軟な光学表面と、リアルタイムで動作するために１ｋＨｚより高い周波数で動作可能な非常に硬いアクチュエータとを持つことはしばしば要求される。ただ１つの光学的レベルのみしかないならば、頻繁に困難な妥協をしなければならない。
【０００６】
具体的な形態としては、例えば非特許文献２および非特許文献３に記載されているような、２つのレベルを持ち、これらのレベルのうち１つが光学的であるものも知られている。このアクチュエータは第１の機械的レベルにおいて作られ、第２の機械的レベルは光学的補正のために使われる。２つのレベルは、表面技術、例えばＭＵＭＰＳ酸化ケイ素／ポリシリコン表面技術によって、<<光学的>>機械的レベルのために使われたのと同じ材料（例えばポリシリコン）から作ることのできる機械的パッドを通して連結される。この技術は、最終の層が光学的な層であるようなコンフォーミング層(conforming layer：順応層)のスタック(stack：積層)からなり、その平面度は、より下層の層によって、またパッドが同じ材料から作られるという事実によって、劣化(degrade)する。
【０００７】
パッドは、ＳＯＩ基板とインジウムパッドの使用に起因して、例えば非特許文献４に記載されているように、アクチュエータの上に薄膜を移し替えること(transfer)によって、あるいは二重ＳＯＩ基板の使用と、（非特許文献５に記載のような）アクチュエータ上へのこれらの膜の接合(bonding)、または粘着性の層を用いて圧電アクチュエータが接合された膜を使うことに起因して、既にパッドを有している膜を移すことによって、<<光学的>>機械的レベルにおいて使われるのとは異なる材料からも作られうる。
【０００８】
いかなる場合も、パッドのインプレッション(impression：くぼみ、圧痕)の問題が膜の光学サイド上に観察され、劣化した平面度、あるいは粗さをもたらす。
【０００９】
さらに、パッドの表面はしばしば大きい場合があり、そのことは膜の柔軟性を低下させる。
【特許文献１】米国特許第６１０８１２１号明細書
【非特許文献１】G． Robertら著の文献：「le micro-miroir adaptatif : un micro-composant d'optique adaptative (the adaptive micro-mirror: an adaptive optics micro-component)」, Second Ademis Forum, 1997年, 第161〜165頁
【非特許文献２】R． Krishnamoorthyら著の文献：「Statistical performance evaluation of electrostatic micro-actuators for a deformable mirror」, SPIE 2881巻, 第35〜44頁
【非特許文献３】T． G． Bifanoら著の文献：「Continuous-membrane surface-micromachined silicon deformable mirror」, Optical Engineering, 第36巻, 第1354〜1360頁, 1997年
【非特許文献４】J．A．Hammerら著の文献：「Design and fabrication of a continuous membrane deformable mirror」, Proc． Of SPIE, 第4985巻, 第259〜270頁
【非特許文献５】C．Divouxら著の文献：「A novel electrostatic actuator for micro-deformable mirrors: fabrication and test」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、生じる課題は、とりわけ上述のようなタイプの新しい光学部品を作るために、特に機械的駆動のための新しい素子または手段を見出すことである。
【００１１】
生じる他の課題は、小さなパッドインプレッションを有し、平面度と柔軟性を向上した上述のようなタイプの部品を作ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
さらに正確に言えば、本発明は、
部品、例えば半導体基板またはそのような半導体基板の表面上に作られた薄い層などの、第１の面をエッチングして、パッドを形成する段階と、
部品の第２の面をエッチングして、前記パッドと同じ材料から作られた膜を作るか、あるいは露出する段階と、
前記パッドと膜の作動手段を製造する段階と、
を有する作動システムを製造する方法、または手段、またはデバイスに関連している。
【００１３】
最初の部品の１つの面がまずエッチングされ、他の面が続くという事実は、パッドを作り、次に、ただ部品の最初の厚さのうち少しの一部分のみに柔軟性または変形可能な膜を作ることを可能にする。パッドと膜とは同一のアセンプリ（組立体）を形成する。
【００１４】
このように膜とパッドは薄くでき、例えば全体厚さを３０μｍ未満、または５μｍから１５μｍの間とすることができる。
【００１５】
これにより本発明は、お互いに一体化された２つのレベルの光学部品を作るために使うことができ、そして非常に上質な光学的レベルを作るのにも使われる。
【００１６】
上記部品は半導体材料またはガラスから作ることができ、また上記部品には、パッドと膜がエッチングされる半導体材料または窒化物の表面層が提供される。
【００１７】
それは、また、シリコンの表面層と、絶縁層と、基板とを有するＳＯＩタイプからなることもでき、パッドと膜がシリコンの表面層に作られる。
【００１８】
それは、また、絶縁層とポリシリコンの層で覆われたシリコン基板、または窒化物層で覆われたシリコン基板とすることもでき、パッドと膜はそれぞれ、絶縁層、またはポリシリコン層、または窒化物層に作られる。
【００１９】
他の変形した態様によれば、それは２つの側にドープされた（不純物添加された）シリコン基板とすることもでき、膜と前パッドは、お互いに異なるドープがされた部分から作られている。
【００２０】
作動手段は、電気的タイプ、または磁気的タイプ、または熱的タイプのものでありうる。
【００２１】
それらは直接パッド上に部分的に形成することができ、または、それらは１つの基板または他の基板上に作ることができ、そして次にその基板が作動システムと共に組み立てられる。
【００２２】
本発明は、
その表面の一つに膜を一体的に形成したパッドが提供された膜と、
パッドと膜のための作動手段と、
を有する光学部品のための機械的作動システムにも関連している。
【００２３】
柔軟であるか、または作動手段およびパッドによって変形可能な膜は、上述したような部品の中に作ることができる。
【００２４】
本発明によるシステムは、上述のような大きさを持つことができ、その上に光学的性質を与える反射手段を提供することができる。
【００２５】
好ましくは、パッドの高さ／幅比は２０未満である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の第１の実施形態を図１および図２に示す。
【００２７】
これらの図において、第１のレベル１０を形成する作動手段は、連結パッド１４によって第２のレベル１２に結合される。
【００２８】
作動手段はパッドを移動するのに使われ、そのためパッドに接続されたこの第２のレベル１２の素子を動かすのに使われる。
【００２９】
例えば、これらの作動手段は、第１のレベル１０の下に形成された固定電極１７と協働して動作する可動電極１６である。変形例として、アクチュエータは、磁気的、または熱的、または圧電性手段からなることもできる。
【００３０】
磁気的動作手段の場合には、アクチュエータの可動部分は、図３に示すように、固定コイル３２またはそれに直面する磁石と共にパッド１４に接合された磁石３０またはコイルとすることができる。
【００３１】
熱的または圧電性手段に関し、アクチュエータの可動部分は、第１の層と第２の層で作られた二元金属の帯状構造物(bimetallic strip structure)で、第２の層が第１の層より大きな熱膨張係数または膨張率を持つものとすることができる。そして、固定される部分は、単に、これらの構造が位置する表面とすることができる。
【００３２】
図１において、参照符号２０は、例えば薄い層、例えばシリコン層またはゲルマニウム層またはインジウムリン（ＩｎＰ）層、また例えばＳＯＩタイプ基板を示す。
【００３３】
このアセンブリは、例えばシリコンまたはガラスから作られた基板１８上に保持される。
【００３４】
第２の機械的レベル１２および連結パッド１４は、接合または移し替え(transfer)なしに同一の層２０から作られる。例えばこの層は、（蒸着、エピタキシー、または他の何らかの方法によって）例えば直径１００ｍｍまたは２００ｍｍの基板上に数μｍの平面度、つまり例えば粗度が５ｎｍ未満であるような卓越した平面度で、基板上に前もって製造されうるであろう。
【００３５】
最初の基板は、この非常に良好な平面度に起因して、反射面の良好な平面度を提供する。パッド１４とレベル１２との間の材料の均一性は、２つの材料の間の格差のある膨張効果のために光学表面が劣化しないことを保証する。パッド１４とこのレベル１２との間に界面を欠いていることは、製造方法に起因した劣化をも制限する。
【００３６】
最後に、後でわかるように、膜１２−パッド１４アセンプリ−の薄い厚さは、限定された光学的インプレッションなどの欠陥を有する高品質な部品を作ることを可能にする。
【００３７】
従って本発明は、膜によって均一に形成され、そしてこの膜を変形するために使われる作動手段が提供された柔軟な、または変形可能な膜デバイスに関連している。
【００３８】
本発明によるシステムを作る方法は、図４Ａ〜図４Ｃに図式的に示された段階を含むことができる。
【００３９】
最初の部品は、薄い表面層６０を有する基板５０である。表面層は薄く、例えば１０μｍから３０μｍの間とすることができる。
【００４０】
このアセンプリは、例えばＳＯＩ基板とすることができる。典型的に、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）構造はシリコン層を有し、その下に埋込みシリコン酸化物層が形成され、それが、機械的補強としての役割を果たす本来のシリコン基板上で補強される。例えば、このような構造はフランス特許第２６８１４７２号明細書に記載されている。
【００４１】
基板５０は、絶縁体（不導体）とポリシリコン層で覆われたシリコン基板とすることもでき、窒化物で覆われたシリコン基板またはシリコン基板、あるいは両面がドープされた他の何らかの半導体材料、あるいは窒化物で覆われたガラス基板とすることもできる。
【００４２】
パッド５４は、層６０において、前側の面５１（図４Ｂ）と呼ばれる最初の部品の一面を通してエッチングされる。
【００４３】
次に、後側の面５３へのエッチングにより、層６０における膜５２（図４Ｃ）が露出される。これら２つの段階は、逆の順番に行うこともできる。
【００４４】
このような結果、一つの材料から作られたパッド５４−膜５２の組ができ、パッドと膜は一体的に形成され、それによってこれらの間の組み立てなしに形成される。
【００４５】
パッドと膜５２が形成される層は、Ｅに等しい厚さ、例えば５μｍから２０μｍの間、または３０μｍの厚さを持つ。膜５２単独の厚さｅは約１μｍから５μｍであり、それによって非常に柔軟で、また変形自在である。
【００４６】
正しい深さで停止するために、エッチング時間を決定するための一連のテストを利用する。ＲＩＥエッチングまたは湿式エッチングの場合には、現在の技術では＋／−５％の均一性が得られる。
【００４７】
次に、膜５２の外側表面５５上に反射性の堆積を行うことができる。
【００４８】
次に、活性化手段、またはこれらの手段の第１の部分、またこの場合には、可動電極の層５６が、このようにエッチングされた基板上に、例えば犠牲層を利用して直接作ることができる（図４Ｄ）。
【００４９】
次に、このアセンブリは、上に固定電極５７が作られた基板５８（図４Ｅ）と組み合わせられる。一つの変形例によれば、可動電極または可動電極の層５６は、固定電極と同じ基板上に作ることもできる。
【００５０】
図５Ａは、最初の部品が、シリコンの薄い層５０１、絶縁体の薄い層５０２（通常は二酸化ケイ素）、およびそれ自体がシリコンからなる基板５０３を有するＳＯＩ部品であるような場合において、先ほど述べた実施形態を示す。この構造は、シリコンの薄い層においてパッドと表面５２のエッチングを可能にする。すでに上述したように、第１の段階はパッド５４をエッチングすることであり、続いて基板５０３のエッチングを行って膜５２を露出する（図５Ａ）。
【００５１】
次の段階は層５０１に、直接、可動電極の層５６を形成することである。
【００５２】
図５Ｂに示すように、得られたアセンブリは、図４Ｅに示したような基板と共に組み合わせることができる。
【００５３】
図６に示した一変形例によれば、可動電極の層５６は、例えば、図４Ｅを参照しながら上述したように固定電極５７が既に作られ、金属によって覆われシリコンまたは窒化ケイ素から作られている基板５８上に直接作られる。可動電極は、キャビティ（空洞）を含む基板上で薄い層５６（例えばシリコンまたは窒化ケイ素から作られたもの）を接合することによって、得ることができる。キャビティ、すなわち通気孔５９は、工程の間およびその後において、圧力の均衡を保つために使われる。
【００５４】
参照符号６１は、例えば２つの電極レベルを分離するための電気絶縁層のような、電気的絶縁を形成する手段の層を示す。
【００５５】
次に図５Ａの構造は、図６の構造と共に組み立てることができ、要求される部品が得られる。
【００５６】
他の実施形態の詳細な例を、図７Ａ〜図７Ｊを参照しながら説明する。
【００５７】
アクチュエータ（可動電極）と光学膜の一部を作るために、まず、ＳＯＩ基板５０を使う。この基板５０（図７Ａ）は、半導体材料５０１の層（例えば１５μｍ厚さのシリコン）、絶縁層５０２（例えば０．５μｍ厚さの二酸化ケイ素）、および半導体材料５０３から作られた基板（例えば５００μｍ厚さのシリコン）を有する。
【００５８】
それは表面酸化されて（図７Ｂの絶縁層６０、６１）、エッチングマスクを形成する。
【００５９】
後側の面上に位置している絶縁層６１は部分的にエッチングされ（図７Ｃ）、膜を規定または露出するために使うことになる基板５０３の次のエッチング段階が実行される。
【００６０】
薄い層５０１は、前側の面（図７Ｄ）上が部分的にエッチングされ（例えばＲＩＥエッチングによって１０μｍを超えて）、例えば可動電極のような活性化手段と光学膜との間に連結パッド５４が作られる。
【００６１】
酸化物６６の堆積とそれに続く酸化物の平坦化（例えば化学的機械的研磨、ＣＭＰによる）が、残りの工程に対する平坦な表面を得るために使われる（図７Ｅ）。
【００６２】
ポリシリコン層６８（約１から２μｍ厚さ）が堆積され（図７Ｆ）、そして前側の面がエッチングされてアクチュエータが作られる（図７Ｇ）。
【００６３】
次に、酸化物のＨＦエッチングによって犠牲層が除去される（図７Ｈ）。
【００６４】
次に基板５０３は、後側の面がエッチングされ（図７Ｉ）、膜５２と層５０２が露出される。
【００６５】
１０ｍｍを超える直径と５μｍ未満の厚さを有する膜５２のためには、後側の面のエッチングの際にこの膜上にかかる力学的応力の均衡を保つように、図７Ｉの段階の前に、前側の面に作られたアクチュエータを層５０２と同じ酸化物厚さに酸化させることが望ましい。
【００６６】
次に、酸化物が前側の面（図７Ｊ）と後側の面とから除去される。
【００６７】
光学膜を作るために、後側の面における薄膜の乾式エッチングが利用される。このようにして、ＳＯＩの埋込み酸化物５０２は例えばＨＦでエッチングできる（図７Ｊ）。反射面を形成するために、エッチングによって得られた膜の後側の面５０５上への金属の堆積が利用される。
【００６８】
図８に示すように、金属からなる電極５７とトラック７０とアドレス指定パッド（図８に示さず）が、絶縁層５９（例えば１μｍの熱酸化物）が提供された他の基板上５８（例えばシリコン）上に作られる。次に、絶縁材料があらゆる場所に堆積され、次にアドレス指定パッドの位置がエッチングされる。光学膜とアクチュエータを支持するために、止め部７２が作られる。
【００６９】
次に、このようにして作られた２つの基板または素子は組み合わせられて、部品が形成される。このアセンブリは、周囲に接着剤を少量塗って機械的に保持することができる。このアセンプリは部品に対して部品を、あるいは基板に対して基板を作ることができる。換言すれば、同じ基板上に位置している数個の部品を単一の動作で組み立てることができるか、あるいは、それぞれの部品を前もって切り離しておいてから部品を１つずつ組み立てることができる。
【００７０】
そしてこの結果、図１に示したのと同じデバイスとなる。
【００７１】
膜５２を形成するのに使われた層５０１の半導体材料が単結晶シリコンであったならば、非常に良好なこの膜の機械的挙動と、低い粗度（１００ｎｍ未満のピーク・トゥ・ピーク振幅(peak-to-peak amplitude)）および非常に良好な平面度までもがもたらされる。インプレッション効果は制限される。
【００７２】
次に、デバイスの平面図を表わした図９に示すように、電気配線７４、７５を横方向に作ることができる。
【００７３】
次にこれらの固定電極を電源供給手段に接続できる。
【００７４】
先ほど述べた例はＳＯＩ基板から作られる実施形態に関係している。
【００７５】
図１０Ａに示す他の実施形態によれば、最初の基板１５０はシリコンまたはＡｓＧａから作られている。
【００７６】
それは、第１のタイプ（導電型）のドーピング（不純物）を使ってドープされた２つの横方向の部分１５１、１５３を有するようにドープされ、第２のタイプ（導電型）のドーピング（不純物）を使ってドープされた中間の部分または層１５２を取り囲む。
【００７７】
２つの層または部分１５３および１５２は、約３０μｍから１０μｍの全体厚さ、例えば２０μｍの厚さを持つ。
【００７８】
好都合に、第１および第２のドーピング間のドーピングの差の大きさは１０７ｃｍ−３のオーダである。
【００７９】
例えば、第１のドーピングの大きさ（ドーピングの量）は１０２０ｃｍ−３から１０２１ｃｍ−３であり、第２のドーピングについては約１０１４ｃｍ−３である。
【００８０】
異なるドープがされた部分は選択的なエッチングを可能にする。つまり、層１５３における第１のエッチング段階がパッド１５４を作るのに使われ、次に部分１５１がエッチングされて層１５２において膜が露出される（図１０Ｂ）。
【００８１】
やはり、部品の活性化手段の層が形成される部分を形成することができ、あるいは図６に示すような基板活性化手段アセンプリと共に組み立てることができる。２つの部分は異なるドープがされ、そしてパッドと膜との間に接続要素が存在しないけれども、実際には層１５２に形成されたパッド１５４と膜とは同じ材料から作られる。やはりこれは、従来技術による技法で起こる問題、すなわちパッドインプレッションおよび良好でない平面度あるいは粗度の問題を回避する。
【００８２】
図１１Ａから図１１Ｅに、この実施形態のために他の段階を示す。
【００８３】
最初に（図１１Ａ）、シリコン基板１５１が作られるか、または選定される。これは、例えば１０２１ｃｍ−３にｐ＋＋ドープされる。
【００８４】
次の段階は、約２０μｍ等しい厚さ、例えば１０μｍから３０μｍの範囲の厚さＥに、層１５２の第１のエピタキシーを行なうことである（図１１Ｂ）。このシリコン膜１５２はｐ−ドープされる。例えば、ドーピング剤はホウ素とすることができる。
【００８５】
ｐ＋＋シリコン膜１５３を、例えば１０２１ｃｍ−３に成長させるために、第２のエピタキシー段階が使われる（図１１Ｃ）。
【００８６】
その結果、図１０Ａを参照しながら上述したのと同様の構造がもたらされる。
【００８７】
次に、例えば湿式化学プロセス、特にＨＮＡの混合物（硫酸Ｈ２ＳＯ４、フッ化水素酸ＨＦ、およびＨＮＯ３の混合物）によって、パッド１５４が層１５３においてエッチングされる。
【００８８】
最後に（図１１Ｄおよび図１１Ｅ）、パッド１５４および層１５３の上に保護層１６２が堆積され、マスク１６０が後側の面に配置され、そして層１５２において膜を露出するように、この部品がＨＮＡ湿式エッチングにより後側の面をエッチングされる。
【００８９】
得られた部品は、図１０Ｂのものと類似していて、そして次に、例えば図６に示したような基板と共に組み合わせることができる。一変形例によれば、可動電極１５６の層が、層１５３およびパッド１５４の上に作られて、次にそのアセンプリが、図４Ｅに示すような基板と組み合わせられる。
【００９０】
図１２は、２つのパッド１５４と膜１５２の一部分の拡大図を示す。これらのパッドは前の実施形態におけるものと同一であるが、次の考察は他の実施形態にも適用することができる。
【００９１】
本発明によれば、パッド＋膜アセンプリの厚さＬは、予想された実施形態にかかわらず、例えば１０μｍから３０μｍの範囲、例として約２０μｍでありうる。エッチング技術の使用に起因して、図１２に示すようなパッドの高さＢとそれらの幅Ａとの比は、２０より小さい。もしＢが５μｍから１５μｍの間であるならば、Ａはかなり小さく、例えば１μｍまたは０．５から１．５μｍのオーダとなりうる。その結果、１μｍか５μｍから、１０μｍまでの厚さを有する膜の柔軟性は、それの一側の上におけるパッドの存在にほとんど影響を受けないということになる。例えば、パッドは約５００μｍの間隔で存在しうる。
【００９２】
従って本発明は、小さなパターンを作るのに使うことができる。これにより、例えば約２００μｍの厚さを有する厚い基板にエッチングすることによって得られるパターンとは異なり、デバイスの光学インプレッションが最小となって優れた品質を与えるようになる。本発明によれば、Ｌは基板の全体厚さに等しくなく、その基板の少しの一部分のみであるので、２００μｍより遥かに薄い。
【００９３】
本発明は、適応光学の分野またはマイクロミラー(micro-mirror)の製造に適用できる。
【００９４】
スキャナーまたはビーム偏差マイクロミラー(beam deviation micro-mirror)の光学部分に対して高いパワー（屈折力）は必要ないが、大きな角度を作り出すことは重要であろう。
【００９５】
光学的機械部分は変形されないように非常に堅固となるよう選定することもでき、また可動部分は、アクチュエータに対する要求を満たすように柔軟になるよう選定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明によるデバイス、またはそのようなデバイスの詳細を示す。
【図２】本発明によるデバイス、またはそのようなデバイスの詳細を示す。
【図３】本発明によるデバイス、またはそのようなデバイスの詳細を示す。
【図４Ａ】本発明によるデバイスの製造における各段階を示す。
【図４Ｂ】本発明によるデバイスの製造における各段階を示す。
【図４Ｃ】本発明によるデバイスの製造における各段階を示す。
【図４Ｄ】本発明によるデバイスの製造における各段階を示す。
【図４Ｅ】本発明によるデバイスの製造における各段階を示す。
【図５Ａ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図５Ｂ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図６】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ａ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｂ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｃ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｄ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｅ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｆ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｇ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｈ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｉ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図７Ｊ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図８】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図９】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１０Ａ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１０Ｂ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１１Ａ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１１Ｂ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１１Ｃ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１１Ｄ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１１Ｅ】本発明によるデバイスを作る種々の方法を示す。
【図１２】本発明によるデバイス、またはそのようなデバイスの詳細を示す。
【符号の説明】
【００９７】
１０  第１のレベル
１２  第２のレベル（膜）
１４  パッド
１６  可動電極
１７  固定電極
１８  基板
２０  層
３０  磁石
３２  固定コイル
５０  基板
５１  前側の面
５２  膜
５３  後側の面
５４  パッド
５６  可動電極の層
５７  固定電極
５８  基板
５９  絶縁層
６０  絶縁層（表面層）
６１  絶縁層
６６  酸化物
６８  ポリシリコン層
１５０  基板
１５１  シリコン基板
１５２  シリコン膜
１５３  シリコン膜
１５４  パッド
１５６  可動電極
１６０  マスク
１６２  保護層
５０１  半導体材料の層
５０２  絶縁層（酸化物）
５０３  基板（半導体材料）
５０５  後側の面
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007517252.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2007517252.tif 000009
【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
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【図７Ｊ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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