(57)【要約】液体の浸漬媒体（２４）にウェハ（１２）を浸漬する浸漬リソグラフィシステム（１０）を監視する方法を提供する。この方法は、露光パターンが通過する部分の浸漬媒体の反射率を検出し、ウェハに露光パターンを露光するのが妥当であるかを判定する。また、この方法とともに、浸漬リソグラフィシステム（１０）のための監視・制御システム（２６）を提供する。
2007500449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浸漬リソグラフィシステム（１０）を監視する方法であって、
浸漬媒体（２４）中で露光されるウェハ（１２）を浸漬する工程；
露光パターンが通過する通過部の浸漬媒体の反射率を検出する工程；及び、
前記ウェハに前記露光パターンを露光するのに、前記反射率が妥当であるかどうか判定する工程、
を備える方法。
【請求項２】
前記判定する工程は、前記反射率が所定の妥当範囲内にあるかどうかを判定する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記判定する工程は、前記通過部の第１地点から第２地点までの前記反射率が均一であるかどうかを判定する工程を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記判定する工程は、測定装置の波長において測定された反射率を、露光パターンの波長における露光反射率に相関させる工程を含む、請求項１ないし３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記反射率は、前記通過部の全体にわたって測定される、請求項１ないし４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
前記反射率は、干渉計アセンブリ（３２）によって測定される、請求項１ないし５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記通過部の全体にわたる反射率の検出に複数のビームを用いる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記通過部の全体にわたる反射率を求めるために、少なくとも一つのビームで前記通過部をスキャンする、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記反射率が妥当であるかを判定するために、前記ウェハを露光する工程を遅延させるように、前記浸漬リソグラフィシステムを制御する工程をさらに備える、請求項１ないし８のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも前記通過部内における外来物質の存在を判定するために、前記浸漬媒体を監視する工程をさらに備える、請求項１ないし９のいずれか記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、集積回路の製造に関し、より具体的には、浸漬リソグラフィによるウェハのイメージングの監視及び／または制御するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景
ウェハ上への様々な集積回路（ＩＣ）構造の形成は、リソグラフィのプロセスに依存することが多く、フォトリソグラフィに関係する場合もある。例えば、パターンは、ＰＲ層上に所望のパターンをイメージする構成を有するマスク（またはレチクルという）に光エネルギを透過させることにより、フォトレジスト層から形成される。この結果、そのパターンはＰＲ層に転写される。ＰＲ層が十分に露光された領域において、現像が終了すると、ＰＲ材は、可溶性になり、下層（例えば、半導体層、金属層あるいは金属含有層、誘電体層等）が選択的に曝される。照射光の光エネルギが閾量に達していない部分のＰＲ層は、除去されることなく下層を保護するように機能する。そして、暴露された下層の部分は、（例えば、ケミカルウェットエッチング、または、ドライリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を用いることによって）エッチングされ、ＰＲ層から形成されたパターンが下層に転写される。これに代えて、ＰＲ層は、下層の保護された部分へのドーパント注入から保護するために、あるいは、下層の保護された部分への反応を遅延させるために、用いられる。この後に、ＰＲ層の残りの部分は除去される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＩＣ製造界に浸透しているトレンドは、様々な構造が形成される集積密度を増大させることである。この結果、このトレンドに対応するニーズとして、リソグラフィシステムの解像度の可能性を増大させることがある。従来の光学的なリソグラフィに代わる次世代リソグラフィ技術として、浸漬リソグラフィ(immersion lithography)が知られている。浸漬リソグラフィでは、リソグラフィシステムによってイメージされるウェハは、溶液(liquid medium)中に配設され、パターン化された光は、この溶液中に入射する。浸漬媒体は、従来のドライリソグラフィイメージングシステムの最終レンズとウェハとの間に存在したエアギャップに代わって存在する。
【０００４】
しかしながら、浸漬リソグラフィを実現する試みには数々の難題があった。例えば、浸漬媒体の反射率の軽微なばらつきが露光パターンのウェハへの投影に悪影響を与える可能性がある。
【０００５】
従って、改良された浸漬リソグラフィシステム及び浸漬リソグラフィシステムを用いたイメージングの制御方法の技術に対するニーズが存在する。
【０００６】
発明の概要
本発明の一局面によれば、本発明は、浸漬リソグラフィシステムの監視方法に関する。この方法は、露光されるウェハを浸漬媒体溶液内に浸漬する工程；露光パターンが通過する通過部の浸漬媒体の反射率を検出する工程；及び、露光パターンでウェハを露光するために反射率が妥当(acceptable)であるか判定する工程、を備える。
【０００７】
この発明の他の局面によれば、本発明は、浸漬リソグラフィシステムのための監視・制御システムに関する。浸漬リソグラフィシステムは、露光されるウェハを受け取るとともに、このウェハを浸漬媒体内に浸漬するためのチャンバと、露光パターンをウェハに投影するとともに、浸漬媒体内を通過させるイメージングサブシステムとを備える。監視・制御システムは、浸漬媒体を通じてレーザビームテスト構成部分に指令を送るとともに、チャンバの周辺のレーザビームの制御部に指令を送る干渉計アセンブリと、レーザビームテスト構成部分及びレーザビームの制御部から信号を受信する検出器アセンブリであって、露光パターンが通過する部分の浸漬媒体の反射率を示す信号を出力する検出器アセンブリとを有する浸漬媒体監視サブシステム；及び、反射率を示す信号を受信し、この反射率が、露光パターンでウェハを露光するのに基準を満たすか否か判定する制御部、を備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の特徴は、以下の詳細な説明及び添付の図面によって明らかになる。
【０００９】
発明の開示
以下の詳細な説明において、本発明の実施形態の異同にかかわらず、対応する構成要素には同一の符号を付す。
本発明の内容を明確かつ正確に図示するために、図面は必ずしも比例的に縮尺されず、また、いくつかの特徴は幾分簡略化して示されている。
【００１０】
この詳細な説明は、集積回路（ＩＣ）が上面に形成されたウェハを製造する例示的な形態として構成されている。例示的なＩＣは、数千個あるいは数百万個のトランジスタ、ひとつのフラッシュメモリ、あるいは、その他特定の回路から作製される一般的な用途のマイクロプロセッサを含む。しかしながら、この発明の属する技術分野における当業者であれば、ここで説明する方法及びデバイスは、例えば、マイクロマシン、ディスクドライブのヘッド、遺伝子チップ、マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ:micro electro-mechanical systems）、及び、その他のもののように、リソグラフィを用いて製造されるあらゆる製品の製造に適用することができるものである。
【００１１】
ここで説明する装置及び方法は、浸漬リソグラフィのためのキーパラメータのリアルタイムでの検出を提供する。すなわち、浸漬媒体溶液の反射率を監視することにより、ウェハの露光に適切な状況であるか否かを判定することができる。さらに、浸漬媒体における外来物体（すなわち、粒子及び／または泡）の存在を監視してもよい。
【００１２】
図１は、例示的なＩＣ処理構成を示すブロック図である。この構成は、ウェハ１２あるいはその一部の領域にパターンをイメージ（image：写像）するために用いられる浸漬リソグラフィシステム１０を備える。このシステム１０は、例えば、ステップ・アンド・リピート露光システム、あるいは、ステップ・アンド・スキャン露光システムを備えるが、これらのシステムに限定されるものではない。このシステム１０は、マスク１８（このマスクのことをレチクルと称する場合もある）に光エネルギ１６を供給する光源１４を備える。光エネルギ１６は、例えば、紫外線のさなかの波長（例えば、約２４８ｎｍあるいは１９３ｎｍ）、または、真空紫外線（ＶＷ）波長（例えば、約１５７ｎｍ）を有する。
【００１３】
マスク１８は、光エネルギ１６を選択的に遮断し、マスク１８によって規定される光エネルギパターン１６’がウェハ１２に投影されるようにする。続いて、イメージングサブシステム２０は、ステッパアセンブリあるいはスキャナアセンブリで構成され、マスク１８によって伝達された光エネルギパターン１６’をウェハ１２上の一連の所望の位置に照射する。イメージングサブシステム２０は、イメージング光エネルギパターン（あるいは露光光エネルギパターン）２２の形式で光エネルギ１６’をウェハ１２に縮尺及び照射するために用いられる、一連のレンズ及び／または反射板を備える。
【００１４】
イメージングパターン（あるいは露光パターン）２２は、イメージングサブシステム２０によって、相対的に高い反射率（例えば、１より大きい反射率）を有する浸漬溶液または浸漬媒体２４内を伝達される。浸漬媒体２４は、液体で構成することができる。一例として、清浄化された消イオン水を、波長１９３ｎｍの光源１４（例えば、アルゴンフッ素（ＡｒＦ）レーザ）とともに用いることができる。他の例としては、ポリフルオロエーテル(polyfluoroether)を、波長１５７ｎｍの光源１４とともに用いることができる。
【００１５】
浸漬媒体２４の反射率の変更及び変動は、ウェハ１２の上に生じるイメージングパターン２２に重大な影響を与える。例えば、イメージングパターン２４が通過する部分の浸漬媒体２４の反射率が均一的に変化すると、焦点のずれ、及び／または、球面収差が生じる場合がある。もし、浸漬媒体２４の反射率が、イメージングパターン２２が通過する部分で不均一に変化すると、ウェハ１２の上に生じるイメージングパターン２２に予期せぬ収差が非常に生じやすくなる。浸漬媒体２４の反射率の変化及び／または変動がウェハ１２の上に形成される集積回路に欠陥を生じさせることは明らかである。
【００１６】
理論に拘束される意図ではなく、浸漬媒体２４の反射率の変化及び／または変動の要因には、例えば、浸漬媒体２４内の乱流、浸漬媒体２４の密度の変化、浸漬媒体２４の温度の変化、及びその他が含まれる。ドライリソグラフィ（すなわち、イメージングパターンが空気のギャップあるいは気体のギャップを通過するリソグラフィ）では、ウェハによって露光照射量から、何ジュールものエネルギが吸収される。浸漬リソグラフィでは、イメージングパターン２２から少なくとも幾分かのエネルギが浸漬媒体２４によって吸収されると考えられている。また、浸漬媒体２４は少なくともウェハ１２と接触しているため、ウェハ１２から浸漬媒体に熱が伝導される。浸漬媒体２４によるエネルギ吸収は、少ない量であっても、イメージングパターン２２に悪影響を与えうる浸漬媒体２４の反射率の変動を生じさせるのに十分である。また、ウェハ１２は、イメージングサブシステム２０に対して相対的に移動可能なステージに搭載されている。例えば、ウェハ１２は、露光された後に約３０ｍｍの移動により新たな位置へ移動し、第２回目の露光のために停止する、などのように移動が行われる。ウェハの移動速度は、毎秒約２５０ｍｍから毎秒約５００ｍｍに設定することができる。この移動は、浸漬媒体２４の反射率の変動を生じさせる浸漬媒体２４の乱流またはその他の特性の変化を生じさせる可能性がある。これに加えて、浸漬媒体２４は、意図的に変動（例えば、ウェハ１２の上における流動パターン）の下に置かれ、また、液圧に曝される。これらの要因は、浸漬媒体２４の反射率の変動を生じさせる。
【００１７】
従って、浸漬媒体２４の反射率を監視及び制御することが望ましい。
図２は、例示的なＩＣ処理構成１０に用いられる、浸漬媒体２４の監視・制御アセンブリ２６の構成を示すブロック図である。監視・制御アセンブリ２６は、ＩＣ処理構成１０及び浸漬媒体制御サブシステム３０を制御するプログラムを有するコンピュータで構成される制御部２８を備える。制御部２８は、入力信号または浸漬媒体監視サブシステム３２から出力される信号を受信する。
【００１８】
図示するように、イメージングサブシステム２０は、出力レンズ３４、あるいは、その他の構成を有する最終光学部材を備える。
少なくとも、レンズ３４を含むイメージングサブシステム２０の一部は、浸漬媒体２４及びウェハ１２を含むチャンバ３６内に入れるように構成される。レンズ３４は、浸漬媒体２４と密接的に接触しており、レンズ３４から出力されるイメージングパターン２２が浸漬媒体２４内を貫くように投影され、浸漬媒体２４内に配設または浸漬されるウェハ２４の少なくとも一部の上に投影される。
【００１９】
以下では、イメージングパターン２２のパターン領域（例えば、浸漬媒体２４の全体または一部であって、イメージングパターン２２が通過する部分）内の浸漬媒体２４の部分を通過部３８と称する。一形態では、レンズ３４は、ウェハ１２の１ｍｍ情報に配設される。しかしながら、照射光波長、浸漬媒体２４、特定の処理構成１０、ウェハ１２の上に形成されるデバイス、処理に用いられる特定のフォトレジスト、及びその他の要因に応じてレンズ３４とウェハ１２の間の距離を変えてもよい。ある構成では、通過部は、幅約２５ｍｍ、及び、長さ約１０ｍｍである。これらのパラメータは、大幅に変更することが可能である。
【００２０】
監視システム３２は、浸漬媒体２４またはその一部の反射率を監視するデバイスを備える。この反射率としては、例えば、浸漬媒体２４の通過部３８の全体の反射率が該当する。監視システム３２は、少なくとも、例えば、マイケルソン干渉計(Michelson interferometer)のような、ひとつの干渉計アセンブリを備える。それゆえ、監視サブシステム３２は、例えば、レーザビーム源４０、一対のビームスプリッタ４２ａ及び４２ｂ、一対のミラー４４ａ及び４４ｂ、及び、検出器アセンブリ４６を備える。検出器アセンブリ４６は、例えば、光逓倍管(photo multiplier tube)で構成される。一形態では、レーザ装置４０によって生成されるビームの直径は、数百ミクロンである。それゆえ、通過部３８内の幾つもの線に沿った浸漬媒体２４の反射率を同時に監視するために、一つまたは複数のレーザ装置４０によって生成される複数のビームを用いることができる。必要に応じて、複数のビームスプリッタ４２、ミラー４４及び検出器が加えられる。図の簡略化のために、一本のビームに関する監視方法を示し、説明する。しかしながら、複数ビームを用いた干渉計システムは、当業者にとって明らかであろう。これに代えて、一つあるいは複数のビームで通過部３８の全体をスキャンすることにより、通過部３８の全体にわたって浸漬媒体２４の反射率を検出することができる。
【００２１】
レーザ装置４０は、ウェハ１２の上に形成されるフォトレジストの活性化を避ける出力波長を生成するように選択されるべきである。例えば、波長は、約３００ｎｍまたはそれ以上（例えば、可視光線の範囲内）に設定されるべきであるが、このパラメータは、使用されるフォトレジストの特性によって変更可能である。一形態では、ヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザを用いる。このレーザビームに対して、任意的に、軸方向の磁界によってジーマンスプリッティング(Zeeman spritting)を行ってもよい。
【００２２】
チャンバ３６は、エンハンスウィンドウ４６ａ及び出口ウィンドウ４６ｂを備える。このエンハンスウィンドウ４６ａを介して、レーザ装置４０によって生成されたビームのテスト構成部分４８ａがチャンバ３６に入ることができ、出口ウィンドウ４６ｂを介してテスト構成部分４８ａがチャンバ３６から出ることができる。ウィンドウ４６は、レーザ装置４０によって生成されるビームの波長を透過可能であり、また、テスト構成部分４８ａの透過を容易にする反射防止コーティングあるいはその他の機構を有する。
【００２３】
干渉計の使用において共通することであるが、レーザ装置４０から出力されるレーザビームは、ビームスプリッタ４２ａによって、テスト構成部分４８ａ及び制御構成部分４８ｂに分割(split)される。制御構成部分４８ｂは、ミラー４４ａ及び４４ｂによって誘導されることにより、チャンバ３６の周囲の空気媒体を透過することができる。テスト構成部分４８ａ及び制御構成部分４８ｂは、共に検出器アセンブリ４６に誘導されるように、ビームスプリッタ４２ｂによって一緒にされる。検出器アセンブリ４６は、テスト構成部分４８ａと制御構成部分４８ｂとの位相差判定するように構成される。位相差は、レーザ装置４０によって生成されたビームの波長における浸漬媒体２４の反射率の直接的な指標として用いられる。
【００２４】
これに代えて、ジーマンスプリッティングによって生成される第１波長をテスト構成部分４８ａとして用い、かつ、ジーマンスプリッティングによって生成される第２波長を制御構成部分４８ｂとして用いてもよい。この場合、テスト構成部分と制御部との周波数の差を判定するために、従来のヘテロダイン検出を用いる。この周波数の差は、浸漬媒体２４の反射率の指標となる。
【００２５】
以上説明したように、通過部３８の複数の位置における浸漬媒体２４の反射率を判定するために、複数のビームを用いることができる。これは通過部３８の一部についても適用可能である。これに代えて、通過部３８の複数の位置における反射率を判定するために、一つあるいは複数のビームで通過部３８をスキャンしてもよい。こちらも通過部３８の一部についても適用可能である。
【００２６】
反射率の測定値、または、反射率の測定値を計算するのに用いられる監視サブシステム３２の生データが、入力信号の形式で検出器アセンブリ４６から制御部２８に伝送されるように構成してもよい。制御部２８は、通過部の全体にわたって浸漬媒体２４の反射率が均一であるかどうかを判定するために、入力信号を処理することができ、及び／または、制御部２８は、システム１０によってウェハ１２にイメージングを行うにあたり、浸漬媒体２４の反射率が妥当な範囲内にあるかどうかを判定するために、入力信号を処理できるように構成される。
【００２７】
一形態では、反射率の妥当性の判定は、反射率の変化または変動を監視サブシステム３２から導き出される結果に相関させることにより、露光波長（例えば、紫外線、ＤＵＶ、または、ＶＬＴＶ）における浸漬媒体２４の反射率の変化または変動を演算する工程を備え、この監視サブシステム３２は、異なる波長（例えば、可視光）で演算処理を行う。化学的に純粋、あるいは、ほぼ純粋な物質（例えば、浸漬媒体２４）の反射率の変化は、大部分において、その媒質の密度の変化に基づいている。一つの波長（例えば、レーザ装置４０によって発振されるレーザ光の波長）における反射率を測定することにより、間接的に密度が求まり、この測定は、異なる波長（例えば、露光源１４による露光の波長）における反射率の推測あるいは誘導に用いることができる。
【００２８】
露光波長に対して、反射率が均一で、かつ、妥当な範囲内にある場合は、制御部２８は、システム１０に対して、ウェハ１２を露光する指令を発行することができる。しかしながら、ウェハ１２を露光するために、通過部３８の全体にわたって反射率が均一でない場合、あるいは、反射率が妥当な範囲内にない場合は、ウェハ１２の露光に適さない状況であるため、制御部２８はウェハの露光を延期する。
【００２９】
これらの好ましくない状況のいずれかが存在する場合は、一つあるいは複数の特定の動作を実行するように制御部２８をプログラムすることができる。例えば、浸漬媒体２４がより好ましい状態に安定すると期待される所定の期間にわたって、制御部２８が待機するように制御部２８をプログラムすることができる。所定期間が経過した後には、浸漬媒体２４の反射率を再度測定すればよい。他の形態では、校正処理を行うように制御部２８をプログラムすることができる。例示的な校正処理は、例えば、浸漬媒体２４を加熱または冷却するための指令、浸漬媒体２４の流量を減少または増大させる指令、または、その他の指令を浸漬媒体制御サブシステム３０に送信する工程を備える。他の形態では、ウェハ１２をイメージングするために好ましくない状況であることを作業者に警告するように制御部２８をプログラムしてもよい。作業者への警告は、浸漬媒体２４の繰り返しの測定において好ましくない状況が判明した場合、及び／または、浸漬媒体２４の反射率が所定の閾値を超えている、あるいは、所定の閾値より低い場合には、取り消さずに残しておく(reserve)ように構成してもよい。さらに他の例示的な形態では、例えば、所定期間待機してから校正処理を行うように、制御部２８が前述の機能のうちの二つ以上を行うように、制御部２８をプログラムしてもよい。
【００３０】
浸漬媒体２４の反射率の監視に加えて、監視サブシステム３２が浸漬媒体２４中の外来物質５０を検出するように構成してもよい。一形態では、監視サブシステム３２は、通過部３８内の外来物質５０の存在を検出するように構成される。外来物質５０は、パーティクル（例えば、埃、不純物、フォトレジストの漂遊片などのような浸漬媒体２４内に浮遊する物質）、または、泡（例えば、浸漬媒体２４内の空気または他の気体のポケット）を含む。浸漬媒体中における外来物質５０の存在は、システム１０によってウェハ１２の上にイメージされるパターンの品質に対して好ましくないものである。
【００３１】
ビームのテスト構成部分４８ａが外来物質５０に入射すると、テスト構成部分４８ａの幾らかは、散乱光５２として散乱する場合がある。散乱光５２は、検出装置４６、または、セパレート型の検出器アセンブリによって検出される。これに代えて、外来物質を監視するために、浸漬媒体２４の反射率を監視するために用いられる装置とは別のセパレート型のレーザ装置及び検出装置を用いてもよい。
【００３２】
散乱光を検出した場合は、検出器アセンブリ４６は、ウェハ１２のイメージングを延期する制御部４８に対応する信号を伝送する。これに加えて、制御部２８を、一つあるいは複数の特定の処理を実行するようにプログラムしてもよい。例えば、外来物質が通過部３８から流出すると期待される所定の期間だけ単に待機するように、制御部２８をプログラムしてもよい。所定期間の後、浸漬媒体２４の反射率は再測定される。他の例示的な形態では、構成処理を行うように制御部２８をプログラムしてもよい。例示的な構成処理は、例えば、浸漬媒体２４の流量を減少または増大させるための指令を浸漬媒体制御サブシステム３０に指令を送信する工程を備える。さらに他の例示的な形態では、ウェハ１２をイメージングするのに好ましくない状況であることを作業者に警告するように制御部２８をプログラムしてもよい。浸漬媒体２４の繰り返しの測定において外来物質５０の存在が判明した場合は、作業者に警告を行う工程を取り消さずに残しておく(reserve)ように構成してもよい。さらに他の例示的な形態では、例えば、所定時間待機してから構成処理を行うように、前述の機能のうちの複数を実行するように制御部２８をプログラムしてもよい。
【００３３】
付加的なセンサ（図示せず）から得られる他の情報とともに反射率の値を分析するように制御部２９をプログラムするように構成してもよい。ここにいうその他の情報は、浸漬媒体２４及び／またはイメージングサブシステム２０の構成部品の温度を検出するセンサ、ウェハ１２の位置を検出するセンサ、浸漬媒体の流量または乱流を検出するセンサ、及びその他のセンサから得られる情報を含む。複数の要因に基づいて、上述の機能、または、ここでは特に特定しない他の機能のうちの一つまたは複数のものを実行するように制御部２８をプログラムしてもよい。
【００３４】
以上、本発明の特定の形態について詳細に説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲の精神及び文言に含まれる、あらゆる改変、改良及び均等物を含むことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】例示的なＩＣ処理構成を示すブロック図。
【図２】例示的なＩＣ処理構成に用いられる、浸漬媒体の監視・制御アセンブリの構成を示すブロック図。
【図１】
2007500449.tif 000003
【図２】
2007500449.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浸漬リソグラフィシステム（１０）を監視する方法であって、
浸漬媒体（２４）中で露光されるウェハ（１２）を浸漬する工程；
露光パターンが通過する通過部の浸漬媒体の反射率を検出する工程；及び、
ｉ）前記通過部の反射率が均一であるか、ｉｉ）前記通過部の反射率が妥当範囲内にあるか、または、ｉｉｉ）これらｉ）及びｉｉ）の両方を満たすか、を判定することにより、前記ウェハに前記露光パターンを露光するのに、前記反射率が妥当であるかどうか判定する工程、
を備える方法。
【請求項２】
前記判定する工程は、前記通過部の第１地点から第２地点までの前記反射率が均一であるかどうかを判定する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記判定する工程は、測定装置の波長において測定された反射率を、露光パターンの波長における露光反射率に相関させる工程を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記反射率は、前記通過部の全体にわたって測定される、請求項１ないし３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記反射率は、干渉計アセンブリ（３２）によって測定される、請求項１ないし４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
前記通過部の全体にわたる反射率の検出に複数のビームを用いる、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記通過部の全体にわたる反射率を求めるために、少なくとも一つのビームで前記通過部をスキャンする、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記反射率が妥当であるかを判定するために、前記ウェハを露光する工程を遅延させるように、前記浸漬リソグラフィシステムを制御する工程をさらに備える、請求項１ないし７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
少なくとも前記通過部内における外来物質の存在を判定するために、前記浸漬媒体を監視する工程をさらに備える、請求項１ないし８のいずれか一項記載の方法。
【国際調査報告】
2007500449.tif 000005
2007500449.tif 000006
2007500449.tif 000007