(57)【要約】  基板を処理するための処理パッドアセンブリの実施形態を提供する。処理パッドアセンブリは、処理面を有する上層と、上層に結合した上側と上側に対向する下側を有する電極とを含んでいる。第一組の穴は、電極を処理面にさらすために上層を通って形成されている。少なくとも１つのアパーチャは、下層と電極を通って形成されている。【選択図】  図４
2007512971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理面を有する上層と、
該上層に結合した上側と該上側に対向する下側を有する電極と、
該電極を該処理面にさらすために該上層を通って形成された第一組の穴と、
該上層と該電極を通って形成された少なくとも１つのアパーチャと、
を含む処理パッドアセンブリ。
【請求項２】
該電極が耐食性の導電性金属から製造されている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項３】
該耐食性の導電性金属がＳｎ、Ｎｉ，Ｔｉ、又はＡｕである、請求項２記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項４】
該電極が耐食性の導電性金属で被覆された導電性金属から製造されている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項５】
該耐食性の導電性金属がＳｎ、Ｎｉ，Ｔｉ、又はＡｕである、請求項４記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項６】
該電極が耐食性の導電性合金から製造されている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項７】
該耐食性の導電性合金が、青銅、真鍮、ステンレス鋼、又はパラジウム‐スズ合金である、請求項６記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項８】
該電極が金属被覆織物から製造されている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項９】
該電極が、導電性充填剤を有するポリマーマトリックスから製造されている、請求項１記載の処理アセンブリ。
【請求項１０】
該電極が固体シートである、請求項２記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１１】
該電極が金属スクリーンである、請求項２記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１２】
該電極が貫通シートである、請求項２記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１３】
該電極の該上層に面する側が接着促進剤で下塗り（is primed）されている、請求項２記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１４】
該接着促進剤が導電性である、請求項１３記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１５】
該電極が透過性である、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１６】
ポリマー層が該電極の下側に付けられている、請求項１５記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１７】
該ポリマー層が該電極を貫通し、該電極の該上側に少なくとも部分的にさらされている、請求項１６記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１８】
該ポリマー層が、該電極の該上側を該上層に結合するために用いられる接着剤と強力な相互作用を有する、請求項１６記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項１９】
該電極が接着剤で該上層に結合されている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２０】
該接着剤は、該電解液に対し化学的に抵抗性がある、請求項１９記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２１】
該上層が導電性である、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２２】
該上層が非導電性である、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２３】
該上層がポリウレタンから製造されている、請求項２２記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２４】
該電極が、複数の、独立してバイアス可能な電気ゾーンを更に備えている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２５】
該電気ゾーンが同心リングを更に備えている、請求項２４記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２６】
該電極と該上層間に配置されたサブパッドを更に備えている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２７】
該電極が、
第一導電ゾーンと、
少なくとも第二導電ゾーンと、
を更に備えている、請求項１記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２８】
該電極が、
該第一導電ゾーンを備えた第一導電素子と、
第二導電ゾーンを備えた第一導電素子を囲んでいる第二導電素子と、
第三導電ゾーンを備えた該第二導電素子を囲んでいる第三導電素子と、
を更に備えている、請求項２７記載の処理パッドアセンブリ。
【請求項２９】
処理面を有する上層と、
該上層に結合した上側と該上側に対向する下側を有する耐食性の導電性金属下層であって、該下層が複数の横に分かれた独立して電気的にバイアス可能なゾーンを有する前記下層と、
該電極を該処理面にさらすために該上層を通って形成された第一組の穴と、
該上層と該下層を通って形成された少なくとも１つのアパーチャと、
を備えている処理パッドアセンブリ。
【請求項３０】
上面を有するプラテンアセンブリと、
該上層に結合した上側と該上側に対向する下側を有する耐食性の導電性金属下層であって、該下層が複数の横に分かれた独立して電気的にバイアス可能なゾーンを有する前記下層と、
該プラテンアセンブリに対向して該下層に結合し且つ該処理面全体に画成された異なる電流透過性の少なくとも２つのゾーンを有する誘電処理面であって、該少なくとも２つのゾーンが処理面の特性によって画成されている前記誘電処理面と、
該処理面上に配置された基板の片面と接触するように配置された少なくとも１つの導電素子と、
該導電素子と該下層の該ゾーンとの間にバイアスを印加するように適合された電源と、
該処理パッドアセンブリの上に配置され且つ該処理パッドアセンブリに対して基板を保持するとともにそこの間に相対運動の少なくとも一部を与えるように適合されたキャリアヘッドと、
を備えている基板を処理するための装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、電気化学機械的処理のためのパッドアセンブリに関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]電気化学機械的処理（ＥＣＭＰ）は、従来の化学機械的研磨（ＣＭＰ）プロセスと比較して低下した機械的摩耗で基板を同時に研磨しつつ、電気化学的溶解によって基板表面から導電材料を取り除くために用いられる技術である。バイアスの極性を変えながら、通常は基板上の導電材料の堆積にＥＣＭＰシステムを適合させることができる。電気化学的溶解は、導電材料を基板表面から周囲の電解液へ取り除くために陰極と基板表面間にバイアスを印加することにより行なわれる。バイアスは、基板が処理される研磨材料上に、或いはその研磨材料を通って配置された導電性コンタクトによって基板表面に印加することができる。研磨プロセスの機械的要素は、基板と、基板からの導電材料の除去を増強する研磨材料との間に相対運動を与えることにより行われる。
【０００３】
[0003]銅は、電気化学機械的研磨を用いて研磨することができる一つの材料である。典型的には、銅は、２ステッププロセスを用いて研磨される。第一ステップにおいては、銅の大部分が取り除かれ、典型的には基板の表面に一部の銅残渣が残る。銅残渣は、次に第二ステップにおいて除去され、典型的には、重複研磨ステップと呼ばれる。
【０００４】
[0004]しかしながら、銅残渣の除去は、周囲の材料、典型的には誘電体又は他のバリヤ層の平面の下での銅特徴部のくぼみを生じてしまう。くぼみの量は、典型的には、研磨を受ける銅特徴部の幅とともに、研磨化学と重複研磨ステップに用いられる処理パラメータに関係する。銅層の厚みが基板全体に均一でないので、一部の特徴部上にくぼみが生じることなく且つ他の特徴部上の銅残渣の全てを取り除いて、銅残渣の全てを取り除くことは難しい。
【０００５】
[0005]このように、電気化学機械的研磨のための改良装置が求められている。
発明の概要
[0006]一実施形態においては、基板を処理するための処理パッドアセンブリが提供される。処理パッドアセンブリは、処理面を有する上層と、上層に結合した上側と上側に対向する下側を有する電極とを含んでいる。第一組の穴は、電極を処理面にさらすために上層を通って形成される。少なくとも１つのアパーチャは、上層と電極を通って形成される。
【０００６】
[0007]他の実施形態においては、処理パッドアセンブリは、処理面を有する上層と上層に結合した上側と上側に対向する下側を有する電極と含んでいる。電極は、第一導電ゾーンと少なくとも第二導電ゾーンとを含んでいる。第一組の穴は、電極を処理面にさらすために上層を通って形成される。少なくとも１つのアパーチャは、上層と電極を通って形成される。
【０００７】
[0008]本発明の上記特徴、利点、目的が得られる方法が詳細に理解され得るように、上で簡単にまとめた本発明の、より具体的な説明は添付の図面に示される、その実施形態によってなされるものである。
【０００８】
[0009]しかしながら、添付の図面が本発明の典型的な実施形態だけを示し、それ故、本発明の範囲を制限するとみなされず、本発明が他の等しく有効な実施形態を許容することができることは留意すべきである。
【０００９】
[0016]理解を容易にするために、可能な場合、図に共通である同一の要素を示すために、同一の符号を用いた。
【詳細な説明】
【００１０】
[0017]基板から材料の均一な除去を強化するように適合された処理パッドアセンブリが提供される。処理パッドアセンブリは、少なくとも電極と処理パッドとを含んでいる。処理パッドは、非導電性でも導電性でもよい。
【００１１】
[0018]図１は、本発明の処理パッドアセンブリ１０６の一実施形態を有する処理ステーション１００の断面図である。処理ステーション１００は、基板１２０をプラテンアセンブリ１４２に対して保持するように適合されたキャリアヘッドアセンブリ１１８を含んでいる。相対運動は、基板１２０を研磨するためにそれらの間に与えられる。相対運動は回転運動、横からの運動、それらの一部の組合せでもよく、キャリアヘッドアセンブリ１１８とプラテンアセンブリ１４２のいずれか又は双方で与えることができる。
【００１２】
[0019]一実施形態においては、キャリアヘッドアセンブリ１１８は、基板１２０をＥＣＭＰステーション１３２に配置されたプラテンアセンブリ１４２に対して保持されるように適合されている。キャリアヘッドアセンブリ１１８は、ベース１３０に結合されたアーム１６４で支持され、ＥＣＭＰステーション１３２上に伸びている。ＥＣＭＰステーションは、ベース１３０結合されてもよく、近傍に配置されてもよい。
【００１３】
[0020]キャリアヘッドアセンブリ１１８は、一般的には、キャリアヘッド１２２に結合した駆動システム１０２を含んでいる。駆動システム１０２は、一般的には、キャリアヘッド１２２に少なくとも回転運動を与える。キャリアヘッド１２２は、更に、処理されている間、キャリアヘッド１２２で保持された基板１２０が、ＥＣＭＰステーション１３２の処理面１０４に対して配置されるように、ＥＣＭＰステーション１３２の方へ作動させることができる。
【００１４】
[0021]一実施形態においては、キャリアヘッド１２２は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社が製造したTITAN HEAD(登録商標)又はTITANPROFILER(登録商標)ウエハキャリアであってもよい。一般的には、キャリアヘッド１２２は、基板１２０が保持されている中央凹部を画成するハウジング１２４と保持リング１２６を備えている。保持リング１２６は、処理の間、キャリアヘッド１２２の下から基板がすべることを防止するためにキャリアヘッド１２２内に配置された基板１２０を囲んでいる。他のキャリアヘッドを用いることができることも企図される。
【００１５】
[0022]ＥＣＭＰステーション１３２は、一般的には、ベース１５８に回転して配置されたプラテンアセンブリ１４２を含んでいる。ベース１５８に相対してプラテンアセンブリ１４２と回転を容易にするためにプラテンアセンブリ１４２とベース１５８の間にベアリング１５４が配置されている。プラテンアセンブリ１４２は、典型的には、プラテンアセンブリ１４２に回転運動を与えるモータ１６０に結合されている。
【００１６】
[0023]プラテンアセンブリ１４２は、上部プレート１１４と下部プレート１４８を有する。上部プレート１１４は金属又は剛性プラスチックのような剛性材料から製造することができ、一実施形態においては、塩素化ポリ塩化ビニル(ＣＰＶＣ)のような誘電材料から製造されるか又は誘電材料で被覆される。上部プレート１１４は、円形、矩形又は平坦な上面を有する他の形であってもよい。上部プレート１１４の上面１１６は、その上に処理パッドアセンブリ106を支持している。処理パッドアセンブリ１０６は、磁気引力、静電引力、真空、接着剤等によってプラテンアセンブリ１４２の上部プレート１１４に保持されることができる。
【００１７】
[0024]下部プレート１４８は、一般的には、アルミニウムのような剛性材料で製造され、複数のファスナ（図示せず）のようなあらゆる慣用手段によって上部プレート１１４と結合することができる。一般的には、複数の位置決めピン１４６（１つは図１に示されている)は、上部プレートと下部プレート１１４、１４８の間に配置され、上下の調整を行っている。上部プレート１１４と下部プレート１４８は、任意に単一単位の部材から製造することができる。
【００１８】
[0025]プレナム１３８は、プラテンアセンブリ１４２において画成され、上部プレート又は下部プレート１１４、１４８の少なくとも１つにおいて部分的に形成されてもよい。図１に示される実施形態においては、プレナム１３８は、上部プレート１１４の下面に部分的に形成された凹部１４４において画成されている。少なくとも1つの穴１０８は上部プレート１１４に形成され、電解質源１７０からプレナム１３８に供給される電解液を、処理の間、プラテンアセンブリ１４２を通って基板１２０と接触して流れることを可能にする。プレナムアセンブリ１３８は、凹部１４４を封じている上部プレート１１４に結合されたカバー１５０が部分的に束縛している。或いは、電解液は、パイプ（図示せず）から処理パッドアセンブリ１０６の上面の上へ分配することができる。
【００１９】
[0026]少なくとも１つの接触アセンブリ１３４は、処理パッドアセンブリ１０６とともにプラテンアセンブリ１４２上に配置されている。少なくとも１つの接触アセンブリ１３４は、少なくとも処理パッドアセンブリ１０６の上面に又はそれを超えて伸び、基板１２０を電源１６６に電気的に結合するように適合されている。処理パッドアセンブリ１０６が電源１６６の異なる端子と結合しているので電圧を基板１２０と処理パッドアセンブリ１０６の間で設定することができる。
【００２０】
[0027]言い換えれば、処理の間、基板１２０が処理パッドアセンブリ１０６に対して保持されているとき、基板１２０を電源１６６の１つの端子に電気的に結合することによってコンタクトアセンブリ１３４が基板１２０をバイアスする。処理パッドアセンブリ１０６は、電源１６６の他の端子に結合される。電解液供給源１７０から導入され且つ処理パッドアセンブリ１０６上に配置されている電解液は、基板１２０と処理パッドアセンブリ１０６の間の電気回路を完成させ、基板１２０の表面から材料の除去を援助する。
【００２１】
[0028]図２は、図１の処理パッドアセンブリ１０６とプラテンアセンブリ１４２を示す部分断面分解図である。処理パッドアセンブリ１０６は、少なくとも非導電性上層２１２と導電性下層、又は電極210を含んでいる。図２に示された実施形態においては、電極２１０と上層２１２の間に任意のサブパッド２１１が配置されている。任意のサブパッドは、本明細書に述べられた処理パッドアセンブリの実施形態のいずれかに用いることができる。電極２１０、サブパッド２１１、処理パッドアセンブリ１０６の上層２１２は、接着剤、結合、圧縮成形等の使用により単位アセンブリに合わせてもよい。一実施形態においては、電極２１０、サブパッド２１１、上層２１２を共に結合させるために接着剤が用いられる。接着剤は、電極２１０、サブパッド２１１、上層２１２に強力な物理的及び/又は化学的結合を有し、電解質化学に抵抗することができる。適した接着剤の例としては、ウレタン接着剤、アクリル接着剤、メタクリル接着剤、ゴムをベースにした接着剤、シリコーン接着剤、エポキシ接着剤等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２２】
[0029]電極１２０、サブパッド２１１、上層２１２間の接着剤結合は、処理パッドアセンブリ１０６を形成するために選ばれた材料の表面の形態（即ち、織物、スクリーン、貫通と、固体)によって、又は接着促進剤の使用によって増強させることができる。接着促進剤は導電性である。接着促進剤の例としては、シラン結合剤、チタン酸結合剤等が挙げられるが、これらに限定されない。或いは、接着を増強させるために付着される表面の１つ以上が化学的に処理されるかプラズマ処理される。処理パッドアセンブリ１０６の層間に所望の接着を得るために、表面の形態、結合剤、又は化学的又はプラズマ処理のあらゆる組合わせを用いることができることが企図される。
【００２３】
[0030]上層２１２は、プロセス化学と適合するポリマー材料から製造することができ、その例としては、ポリウレタン、ポリカーボネート、フルオロポリマー、ＰＴＦＥ、ＰＴＦＡ、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、又は、それらの組み合わせ、電気化学処理環境に用いるのに適した他の材料が挙げられる。一実施形態においては、処理パッドアセンブリ１０６の上層２１２の処理表面２１４は誘電体、例えば、ポリウレタン又は他のポリマーである。
【００２４】
[0031]他の実施形態においては、処理パッドアセンブリ１０６の上層２１２は導電性であるか又は導電性複合物（即ち、導電性要素は、処理表面を備える材料と一体的に分散しているか、又はその材料を含んでいる。）、例えば、特に、その中に分散された導電性粒子を有するポリマーマトリックス又は、導電性被覆織物から作られた処理表面214を含むことができる。
【００２５】
[0032]本発明からの利点に適合することができる処理パッドアセンブリの例は、２００３年６月６日出願のＹ.Ｈuらの米国特許出願第１０/４５５,９４１号（“CONDUCTIVE POLISHINGARTICLE FOR ELECTROCHEMICAL MECANICAL POLITHNG.”と称する、代理人整理番号4500P4)、２００３年６月６日出願のＹ.Ｈuらの米国特許出願第１０/４５５,８９５号(“CONDUCTIVE POLISHINGARTICLE FOR ELECTROCHEMICAL MECANICAL POLITHNG. ”と称する、代理人整理番号4500P4)に記載され、いずれも本明細書に全体で援用されている。
【００２６】
[0033]一実施形態においては、少なくとも１つの透過性通路２１８が少なくとも上層２１２を通って配置され、少なくとも電極２１０に伸びている。即ち、透過性通路２１８は、あらゆる介入層（例えば、サブパッド２１１）に配置されている。通路２１８は、電解液が基板１２０と電極２１０間の導電性通路を与えることを可能にする。通路２１８は、上層２１２の透過性部分、上層に形成された穴は、又は、それらの２つの組合わせであってもよい。存在する場合、サブパッド２１１も透過性材料から形成することができ、上層２１２に形成された穴と整列する穴を含んでいる。図２に示される実施形態においては、透過性通路２１８は、上層２１２と任意のサブパッド２１１の中に、また、それを通って形成された複数の穴216であり、処理の間、電解質がそれを通って流れ電極２１０と接触することを可能にする。
【００２７】
[0034]任意に、透過性通路２１８の伸長部２２２は、電解液と接触と接触している電極２１０の表面積が大きくするために電極２１０(想像線で示されている)に少なくとも部分的に通って形成されてもよい。伸長部２２２は、完全に電極２１０を通って伸びている。電極２１０と接触している電解液のより大きな表面積は、処理の間、基板１２０の表面から材料の除去率を改善する。
【００２８】
[0035]サブパッド２１１は、典型的には、上層２１２の材料より柔軟な、又はより従順な又は材料で作られている。上層２１２とサブパッド２１１間の硬度又はジュロメータの差は、所望の研磨（又は堆積）性能を与えるように選ぶことができる。一般的には、サブパッド２１１は、約８ショアＯから約２０ショアＤの範囲にあるデュロメータを有する。サブパッド２１１はまた、圧縮性であってもよい。適切なサブパッド２１１の材料の例としては、発泡ポリマー、エラストマー、フェルト、含浸フェルト、処理化学と適合するプラスチックが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２９】
[0036]電極２１０は、プラテンアセンブリ１４２の上部プレート１１４の上面１１６上に配置され、磁気引力、静電引力、真空、接着剤等によってそこで保持することができる。
一実施形態においては、接着剤は、電極２１０を上部プレート１１４に付着させるために用いられる。処理ステーション１００において処理パッドアセンブリ１０６の処理、挿入、除去の容易さを促進させるために、他の層、例えば、離型膜、ライナー、他の接着剤層を電極２１０と上部プレート１１４間に配置することができることが企図される。
【００３０】
[0037]電極２１０は、例えば、ステンレス鋼ネジ（図示せず）で端子２０２を電源１６６のリード２０４に固定することによって、電源１６６への結合を容易にする少なくとも１つの端子２０２を有する。電極２１０は、単一の電極として作用することができ、相互に分離した複数の独立した電極を備えることもできる。電極２１０は、典型的には、金属、導電性合金、金属被覆織物、導電性ポリマー、導電性パッドなどの耐食性導電材料から構成される。導電性金属としては、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ等が挙げられる。導電性金属としても、耐食性金属、例えば、Ｓｎ、Ｎｉ、又はＣｕ、Ｚｎ、Ａｌ等の活性金属上に被覆したＡｕが挙げられる。導電性合金としては、特に、青銅、真鍮、ステンレス鋼、又はパラジウム-スズ合金のような無機合金と金属合金が含まれる。金属被覆織物は、あらゆる耐食性金属コーティングで織られても織られなくてもよい。導電性パッドは、ポリマーマトリックスに配置された導電性充填剤からなる。マルチゾーン電極が用いられる場合、電極２１０は、また、ゾーン間のクロストークを最小にするために電解液科学と適合する材料から製造されなければならない。例えば、電解質化学において安定な金属は、ゾーンクロストークを最小にすることができる。
【００３１】
[0038]金属が電極２１０のための材料として用いられる場合には、固体シートであってもよい。或いは、電極２１０は、上層２１２又は任意のサブパッドに対する接着を増強するために、金属スクリーンから形成されてもよく(図５の電極５１０によって示される)、貫通されてもよい(図６の電極６１０によって示されるように)。電極２１０は、また、上層又は任意のサブパッド２１１に対する接着を増強するために、上記のように、接着促進剤と準備されてもよい。貫通しているか又は金属スクリーンから形成される電極２１０は、表面積がより大きく、処理の間、基板除去速度を増大させる。
【００３２】
[0039]電極２１０が金属スクリーン、貫通した金属シート、又は導電性織物から製造される場合、電極２１０の片側は、上層２１２又は任意のサブパッド２１１に対する接着を増強するために電極の開口部を貫通しているポリマー層で薄層、被覆、又は成形することができる。電極２１０が導電性パッドから形成される場合、導電性パッドのポリマーマトリックスは、上層２１２又は任意のサブパッド２１１に適用した接着剤に対して高親和性又は相互作用を有してもよい。
【００３３】
[0040]少なくとも１つのアパーチャ２２０は、電極２１０、任意のサブパッド２１１、処理パッドアセンブリ１０６の上層２１２に形成される。少なくとも１つのアパーチャ２２０の各々は、それを通って配置されたコンタクトアセンブリ１３４を収容する大きさと場所を有する。一実施形態においては、少なくとも１つのアパーチャ２２０は、単一のコンタクトアセンブリ１３４を収容する処理パッドアセンブリ１０６の中央に形成された単一のアパーチャである。
【００３４】
[0041]コンタクトアセンブリ１３４は、電源１６６に結合している。図２においてプラテンアセンブリ１４２の上層１１４に結合したコンタクトアセンブリ１３４が１つだけ示されているが、あらゆる数のコンタクトアセンブリ１３４がプラテンアセンブリ１４２の上層１１４上にあらゆる数の配置で用いることができ配分することができる。
【００３５】
[0042]図３と図４は、本明細書に記載される発明の種々の実施形態における使用に有利に適合することができる複数のゾーンを有する電極の代替的実施形態を示す底面図である。図３においては、電極３１０は、少なくとも１つの誘電体スペーサーと少なくとも２つの導電素子とを含んでいる。導電素子は、電極３１０の表面全体に複数の、独立してバイアス可能なゾーンを作るように配置される。図３に示される実施形態においては、電極３１０は、誘電体スペーサー３９０によって相互に電気的に絶縁して、電極ゾーン、外部電極ゾーン３２４、中間電極ゾーン３２６、内部電極ゾーン３２８を作る３つの導電素子３５０、３５２、３５４を有する。各電極ゾーン３２４、３２６、３２８‐破線の境界線380で分けて示されている‐は基板研磨プロファイルを調整することを可能にするように独立してバイアスすることができる。電極ゾーンのバイアス制御を有する研磨法の一例は、２００２年９月１６日出願の米国特許出願第１０/２４４,６９７号に記載され、この開示内容は本明細書に全体で援用されている。
【００３６】
[0043]電極ゾーン３２４、３２６、３２８と導電素子３５０、３５２、３５４は、同心リングとして示されているが、電極ゾーンは、具体的な研磨適用に適するように交互に構成されてもよい。例えば、電極ゾーン３２４、３２６、３２８及び/又は導電素子３５０、３５２、３５４は、直線、曲線、同心円、インボリュート曲線又は他の形であってもよく、向きは導電素子が可能である。電極ゾーン３２４、３２６、３２８及び/又は導電素子３５０、３５２、３５４は、１つのゾーンから次のゾーンまでサイズと形が実質的に同じであってもよく、サイズと形は関係する具体的なゾーンによって異なってもよい。
【００３７】
[0044]図４は、複数の、独立してバイアス可能な電極ゾーンを有する電極４１０を示す他の実施形態である。一実施形態においては、電極４１０は、少なくともｎゾーン電極（３つの電極４１０１、４１０２、４１０３として示されている)を有し、ここで、ｎは２以上の整数である。電極４１０１、４１０２、４１０３は、それぞれ電源に結合のために端子４０２１、４０２２、４０２３を含んでいる。電極４１０１、４１０２、４１０３は、一般的には、誘電スペーサー４０６又はエアギャップで分けられ、それぞれ独立した電源ゾーンを形成する。電極４１０１、４１０２、４１０３は、１つ以上の導電素子、例えば、図１と図２に示されたコンタクトアセンブリとの連動を容易にするために１つ以上のアパーチャ１３４を含むことができる。
【００３８】
[0045]上記は本発明の説明的実施形態に関するが、本発明の更に多くの実施形態が本発明の基本的な範囲から逸脱することなく構成されてもよく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、処理パッドアセンブリを有する電気化学機械的処理システムの処理ステーションの部分断面側面図である。
【図２】図２は、図１の処理ステーションのプラテンと処理パッドアセンブリの一実施形態の部分断面分解図である。
【図３】図３は、図１の処理ステーションの処理パッドアセンブリの電極の一実施形態の平面図である。
【図４】図４は、図１の処理ステーションの処理パッドアセンブリの電極の他の実施形態の平面図である。
【図５】図５は、図１の処理ステーションの処理パッドアセンブリの電極の他の実施形態の平面図である。
【図６】図６は、図１の処理ステーションの処理パッドアセンブリの電極の他の実施形態の平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１００…処理ステーション、１０６…処理パッドアセンブリ、１１４…上部プレート、１１６…上面、１１８…キャリアヘッドアセンブリ、１２０…基板、１２２…キャリヤヘッド、１２４…ハウジング、１２６…保持リング、１３０…ベース、１３２…ＥＣＭＰステーション、１３８…プレナム、１４２…プラテンアセンブリ、１４６…位置決めピン、１４８…下部プレート、１５８…ベース、１６０…モータ、１６４…アーム、１７０…電解液供給源、２１０…電極、２１１…サブパッド、２１２…非導電性上層、２１４…処理面、２１６…穴、２１８…透過性通路、２２２…伸長部、３１０…電極、３２４…電極ゾーン、３２６…電極ゾーン、３２８…電極ゾーン、３５０…導電素子、３５２…導電素子、３５４…導電素子、３９０…誘電スペーサ、４０２…端子、４１０…電極、４２０…アパーチャ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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