(57)【要約】  ガス分配シャワーヘッド(1501)は、広範囲なシャワーヘッド対ウェハ間隔(y)にわたり均一厚みの膜の堆積を許容するように設計される。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートへの入口オリフィス(1501a)の数、幅及び／又は深さを減少させて、流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートの上流で圧力を高める。この高い上流のガス流圧力は、次いで、シャワーヘッドの縁部分に対してその中心部分を通して流れるガスの速度の変化を減少させ、これにより、ウェハの縁又は中心部分に堆積される膜の厚みの均一性を保証する。【選択図】      図４Ａ
2007507861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みを有するフェースプレート本体であって、幅及び深さを有する多数の入口オリフィスを画成しているフェースプレート本体を備え、上記数、幅及び深さの少なくとも１つは、上記入口オリフィスを通してガスが流されるときにフェースプレートの縁及び中心領域を横切って約０．８乃至１トールの均一な圧力降下を生じさせるように構成され、これにより、ウェハが約７５乃至４５０ミルのギャップで上記フェースプレートから分離されたときに、ウェハの縁に堆積される材料の厚みが、ウェハの中心に堆積される材料の厚みから３％以下しか変化しないようにしたガス分配フェースプレート。
【請求項２】
上記オリフィスの幅は、約０．０１０インチ乃至０．０１８インチである、請求項１に記載のフェースプレート。
【請求項３】
上記数は、オリフィス約２０００乃至１７５００個を含む、請求項１に記載のフェースプレート。
【請求項４】
上記数は約１００００を含み、上記フェースプレートは直径が約３００ｍｍのウェハを処理するように構成される、請求項３に記載のフェースプレート。
【請求項５】
上記数は約５０００を含み、上記フェースプレートは直径が約２００ｍｍのウェハを処理するように構成される、請求項３に記載のフェースプレート。
【請求項６】
中心対縁の厚み変化が３％以下の材料の層を半導体ウェハに堆積する方法において、
厚みを有するガス分配フェースプレートで、幅及び深さを有する多数の入口オリフィスを画成しているフェースプレートを設けるステップであって、上記オリフィスの数、幅及び深さの少なくとも１つは、上記フェースプレートの縁及び中心領域を通してガスが流されるときに約０．８乃至１トールの均一な圧力降下を生じさせるように構成されたものであるステップと、
半導体ウェハを上記ガス分配フェースプレートからギャップにより分離して設けるステップと、
上記フェースプレートの本体を通り、上記ギャップを横切ってガスを流して、上記ウェハに材料の層を堆積するステップと、
を備えた方法。
【請求項７】
上記半導体ウェハは、約７５乃至４５０ミルのギャップにおいて設けられる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記フェースプレートの本体には、幅が約０．０１０インチ乃至０．０１８インチのオリフィスが設けられる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
上記フェースプレートの本体には、約２０００乃至１７５００個のオリフィスが設けられる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
直径３００ｍｍのウェハが設けられ、上記フェースプレートには約１００００個のオリフィスが設けられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
直径２００ｍｍのウェハが設けられ、上記フェースプレートには約５０００個のオリフィスが設けられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
半導体ウェハへの均一な中心対縁厚みの材料の堆積を促進する方法において、
ガス分配フェースプレートを通る堆積ガスの流れを制限して、それによりフェースプレートを横切って生じる圧力降下でウェハ上に低圧力領域を形成するようにし、ウェハの中心及びウェハの縁上のこの低圧力領域におけるガス速度が、中心対縁厚み変化が３％以下の材料層の堆積を生じさせるに充分なほど均一であるようにした方法。
【請求項１３】
上記それにより生じる圧力降下は約０．８乃至１．０トールである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記半導体ウェハは、上記フェースプレートから約７５乃至４５０ミルのギャップにおいて設けられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
上記堆積ガス流は、幅が約０．０１０インチ乃至０．０１８インチのフェースプレートオリフィスにより制限される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
上記堆積ガス流は、個数が約２０００乃至１７５００個のフェースプレートオリフィスにより制限される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
上記堆積ガス流は約１００００個のオリフィスにより制限され、更に、上記材料は直径３００ｍｍのウェハに堆積される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記堆積ガス流は約５０００個のオリフィスにより制限され、更に、上記材料は直径２００ｍｍのウェハに堆積される、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
[0001]本出願は、全ての目的で参考としてここに援用する２００２年１月２５日に出願された米国ノンプロビジョナル特許出願第１０／０５７，２８０号の一部継続として優先権を請求する。
【発明の背景】
【０００２】
[0002]高温化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスは、半導体産業において幅広く利用されている。図１Ａは、高温化学気相堆積を実行するための従来の装置の簡単な断面図である。説明上、図１Ａ及び本出願の他の図は、正しい縮尺で描かれていない。
【０００３】
[0003]装置１００は、堆積チャンバー１０５内に収容されるウェハ支持構造体１０４を備えている。基板処理中にこの支持構造体１０４にウェハ１０２をのせることができる。
【０００４】
[0004]ガス分配シャワーヘッド１０６がウェハ１０２の上に位置され、ウェハ１０２からギャップＹだけ分離される。特定の用途に対するギャップＹの大きさは、シャワーヘッド１０６に対してウェハ支持構造体１０４の高さを調整することにより制御できる。例えば、非ドープの珪酸ガラス（ＵＳＧ）材料の従来の堆積中に、ギャップＹは、約３００ミルより大きくてもよい。
【０００５】
[0005]ガス分配シャワーヘッド１０６は、アパーチャー１１２を有するブロッカープレート１１０と流体連通するプロセスガス入口１０８を備えている。ブロッカープレート１１０の下流には、ガス分配フェースプレート１１４が位置される。このフェースプレート１１４は、ブロッカープレート１１０からプロセスガスの流れを受け取り、このガスを、ホール１１６を経てウェハ１０２へと流す。プロセスガスが流れた結果として、ウェハ１０２には堆積材料層１１８が形成される。
【０００６】
[0006]図１Ｂは、図１Ａの従来のガス分配フェースプレート１１４の下部斜視図である。フェースプレート１１４のホール１１６は、フェースプレートの表面上に分布されている。図１Ｂは、フェースプレートにおけるホール１１６の分布の一実施例を示すに過ぎず、フェースプレートにおけるホールの他の多数の配列も考えられる。
【０００７】
[0007]再び図１Ａを参照すれば、ブロッカープレート１１０の役割は、到来するプロセスガス流１２０を、フェースプレート１１４の入口側１１４ａにわたって大まかに分配することである。次いで、フェースプレート１１４がガス流を分配して、均一に微細に分配された流れを形成し、これがウェハ１０２へ露出される。プロセスガスのこの微細に分配された流れを露出する結果として、堆積材料の高品質の層１１８がウェハ１０２上に形成される。
【０００８】
[0008]図１Ａ−図１Ｂに示す従来の高温堆積装置は、半導体ウェハの表面に構造体を形成するのに有効である。高温ＣＶＤにより形成される構造体の１つの形式が浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）である。図２は、アクティブなトランジスタのような半導体構造体２０２を支持するウェハ２００の拡大断面図である。隣接するアクティブな半導体デバイス２０２は、非ドープの珪酸ガラス（ＵＳＧ）のような誘電体材料が充填されたトレンチで構成されるＳＴＩ構造体２０４により互いに電子的に分離される。
【０００９】
[0009]このＳＴＩ構造体は、ウェハの露出領域をマスキング及びエッチングしてトレンチを形成することにより作られる。次いで、マスクを除去し、高温プロセスを使用して、トレンチ内を含むウェハ上にＵＳＧを堆積する。トレンチの外側に堆積されたＵＳＧは、その後、エッチング又は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により除去して、最終的なＳＴＩ構造体を露呈させることができる。
【００１０】
[0010]図１Ａ−図１Ｂに示す従来の装置は、ＳＴＩ及び他の用途に対して高い温度でＵＳＧのような材料を堆積するのに首尾良く利用されている。しかしながら、高温堆積装置の設計上の改良が要望される。例えば、シャワーヘッドをウェハに対してより至近間隔とすることで、より高い堆積率が得られることが知られている。より高い堆積率は、堆積装置のスループットを向上させることにより、運営者が装置の購入及び維持経費をより迅速に取り戻せるようにする。
【００１１】
[0011]しかしながら、シャワーヘッドに対しウェハをより至近間隔にすると、堆積される材料が非均一なトポグラフィーを示し、ウェハ上のスポット又は筋として見えるようになる。このようにウェハ対シャワーヘッドの至近間隔において堆積される材料のトポグラフィーは、フェースプレート上のホールの位置を反映する。
【００１２】
[0012]図３Ａ−図３Ｂは、従来の装置を利用してウェハ対フェースプレートの至近間隔で材料を堆積した結果を示す写真である。図３Ａは、フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルの状態で従来のシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。図３Ａのウェハは、著しいスポット及び筋を示す。
【００１３】
[0013]図３Ｂは、フェースプレート対ウェハ間隔が５０ミルの状態で従来のシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。図３Ｂのウェハは、図３Ａのウェハより更に目立つスポット及び筋を示している。
【００１４】
[0014]従って、基板の表面に密接に接近してプロセスガスを印加することを許容する方法及び構造が要望される。
【発明の概要】
【００１５】
[0015]本発明によるガス分配シャワーヘッド及び方法の実施形態は、広範囲のシャワーヘッド対ウェハ間隔にわたり均一厚みの膜を堆積するのを許容する。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートに対する入口オリフィスの数、幅及び／又は深さを減少して、流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートの上流で圧力を高めることができる。この高い上流のガス流圧力は、次いで、シャワーヘッドの縁部分に対してその中心部分を通して流れるガスの速度の変化を減少させ、これにより、ウェハの縁部分と中心部分とに堆積される膜の厚みの均一性を保証する。
【００１６】
[0016]中心対縁の厚み変化が３％以下である材料の層を半導体ウェハに堆積する方法の実施形態は、厚みを有するガス分配フェースプレートであって、幅及び深さを有する多数の入口オリフィスを画成しているフェースプレートを用意するステップを備えている。オリフィスの数、幅及び深さの少なくとも１つは、フェースプレートの縁及び中心領域にガスが流されるときに約０．８から１トールの均一な圧力降下を生じるように構成される。半導体ウェハは、ガス分配フェースプレートからギャップで分離されて設けられる。ガスは、フェースプレート本体を経てギャップを横切って流れ、ウェハ上に材料の層を堆積する。
【００１７】
[0017]本発明によるガス分配フェースプレートの実施形態は、厚みを有するフェースプレート本体であって、幅及び深さを有する多数の入口オリフィスを画成しているフェースプレート本体を備えている。その数、幅及び深さの少なくとも１つは、入口オリフィスにガスが流されるときにフェースプレートの縁及び中心領域を横切って約０．８から１トールの均一な圧力降下を生じるように構成される。ウェハがフェースプレートから約７５乃至４５０ミルのギャップで分離されるときには、ウェハの縁に堆積される材料の厚みは、ウェハの中心に堆積される材料の厚みから３％以下しか変化しない。
【００１８】
[0018]半導体ウェハにおける均一な中心対縁厚みの材料の堆積を促進する方法の実施形態は、ガス分配フェースプレートを通る堆積ガスの流れを制限するステップを備えている。それによりフェースプレートを横切って生じる圧力降下は、ウェハ上に低圧力領域を形成し、ウェハの中心及びウェハの縁上のこの低圧領域におけるガス速度は、中心対縁の厚み変化が３％以下である材料層の堆積を生じるに充分なほど均一である。
【００１９】
[0019]本発明のこれら及び他の実施形態、並びにその特徴及び幾つかの潜在的な効果は、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。
【特定の実施形態の説明】
【００２０】
[0052]ガス分配シャワーヘッドは、広範囲なシャワーヘッド対ウェハ間隔にわたり均一な厚みの膜の堆積を許容するように設計される。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートのオリフィスの構成を減少して流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートのすぐ上流の領域における圧力を高めるようにする。この高い上流ガス流圧力は、ひいては、シャワーヘッドの異なる部分（即ち、縁対中心）に流れるガスの速度変化を減少し、これにより、これら領域に堆積される膜の厚みの均一性を保証する。
【００２１】
Ａ．スロット付きのフェースプレート
[0053]図４Ａは、本発明による化学気相堆積システムの一実施形態を示す簡単な断面図である。装置３００は、ウェハ３０２をウェハ支持構造体３０４に接触させ且つ堆積チャンバー３０６内に収容して備えている。ガス分配シャワーヘッド３０８は、ウェハ３０２の上に位置されて、ウェハ３０２からギャップＹ’で分離される。
【００２２】
[0054]ガス分配シャワーヘッド３０８は、アパーチャー３１４を有するブロッカープレート３１２と流体連通するプロセスガス入口３１０を備えている。厚みＺの本体３１５を有するガス分配フェースプレート３１６がブロッカープレート３１２の下流に位置される。フェースプレート３１６は、ブロッカープレート３１２からプロセスガスの流れを受け取って、このガスを、本体３１５のアパーチャー３１８を経てウェハ３０２へと流す。
【００２３】
[0055]全堆積装置の説明上、図４Ａは、一定断面プロフィールをもつアパーチャー３１８を示すために簡単化されている。しかしながら、本出願の譲受人に共通に譲渡された米国特許第４，８５４，２６３号は、ガス流方向を横断する断面の増加を示すフェースプレートアパーチャーの値を開示している。
【００２４】
[0056]図４Ｂは、本発明によるガス分配シャワーヘッドのフェースプレート３１６の一実施形態を示す上面（ガス入口）図である。図４Ｃは、本発明によるガス分配シャワーヘッドのフェースプレート３１６の一実施形態を示す下面（ガス出口）図である。
【００２５】
[0057]図４Ｂに示すように、ブロッカープレートから大まかに分配されたプロセスガスの流れを受け取るフェースプレート３１６のガス入口側３１６ａは、直径Ｘの複数の個別のホール３１８ａを含む。図４Ｃに示すように、微細に分配されたプロセスガスをフェースプレートからウェハへ搬送するフェースプレート３１６のガス出口側３１６ｂは、長さＬの複数の連続する細長いスロット３１８ｂを含む。この細長いスロット３１８ｂは、２つ以上の個別のホール３１８ａからガス流を受け取ることができる。長さＬがフェースプレート３１６の厚みＺの少なくとも半分であるような細長いスロットを設けることで、堆積材料がスポットや筋のような望ましからぬトポグラフィー特徴を示すようにならずに、フェースプレート３１６のウェハ表面への接近配置が許されることが分かった。
【００２６】
[0058]接近したフェースプレート対ウェハ間隔で従来のシャワーヘッドを使用して堆積される膜の厚みが変化する１つの原因は、ガス速度の変化である。より詳細には、フェースプレート開口に近い方のウェハの部分は、フェースプレート開口から離れた方のウェハの部分より高い速度で進行するガスを経験する。この作用は、従来のフェースプレート１７００の出口部分１７００ａの簡単な断面図である図１７Ａに示されており、ここでは、等速度線１７０２が出口オリフィス１７０４の位置から横方向の距離において減少する。これら等速度線１７０２の位置は、ひいては、ウェハ１７５０上に堆積されたときに異なる厚みを示す膜１７１４の局所的な山１７１０及び谷１７１２に対応することになる。
【００２７】
[0059]図１７Ａに示されたガス速度のプロフィール及び堆積材料の厚みは、本発明によるフェースプレート１７０１の実施形態の簡単な断面図に対応する図１７Ｂに示されたものとは対照的である。より詳細には、フェースプレート１７０１の出口部分１７０１ａにスロット１７２０が存在するために、ガスがフェースプレートを出る前に、その流動ガスの方位方向拡散の開始を許容する。スロット１７２０の存在により与えられるこの付加的な方位方向拡散は、ウェハ表面に到達するガスの速度分布を平滑化するように働き、均一厚みの膜１７１５の堆積を促進する。
【００２８】
[0060]以下に詳細に説明するように、ある実施形態では、フェースプレートの入口及び出口部分を横切ってある大きさの圧力降下を確保して、フェースプレートの縁部分と中心部分との間に均質な流速を確保することが効果的であろう。従って、図４Ｄは、図４Ａ−図４Ｃのフェースプレートの拡大断面図である。図４Ｄは、ここに示す特定の実施形態に対して、流れの入口部分３１６ａにおけるホール３１８ａの断面幅Ｘが、流れの出口部分３１６ｂにおける細長いスロット３１８ｂの断面幅Ｘ’よりも実質的に狭いことを示している。本発明の実施形態は、Ｘ’／Ｘの比が２．２５以上の細長いフェースプレートスロットを使用してもよい。
【００２９】
[0061]図５Ａ−図５Ｂは、本発明の実施形態に基づいて材料を堆積した結果を示す写真である。図５Ｂは、フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルの状態で本発明の一実施形態によるシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。図５Ａのウェハは、図３Ａに示した従来のシャワーヘッドを使用して同じ間隔で堆積することから得られたウェハよりもスポット及び筋が実質的に少ないことを示している。
【００３０】
[0062]図５Ｂは、フェースプレート対ウェハ間隔が５０ミルの状態で本発明の一実施形態によるシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。図５Ｂのウェハは、図３Ｂに示した従来のシャワーヘッドを使用して同じ間隔で堆積することから得られたウェハよりもスポットが実質的に少ないことを示している。
【００３１】
[0063]本発明の開発中に、従来のホール及び細長いスロット状開口の両方を保持する複合フェースプレートを使用して、ウェハにＵＳＧを堆積した。図６Ａは、この複合シャワーヘッド４５０の簡単な平面図で、このシャワーヘッドは、従来のホール４５４を含む第１領域４５２と、本発明の実施形態による細長いスロット４５８を含む第２領域４５６とを備えている。
【００３２】
[0064]図６Ｂは、フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルの状態で図６Ａの複合シャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。図６Ｃは、フェースプレート対ウェハ間隔が５０ミルの状態で複合ホール／スロット構成をもつシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。図６Ｂ及び図６Ｃの両方から明らかなように、細長いスロットを通して堆積される材料４０２は、複合フェースプレートの従来のホールから堆積される材料４００よりも実質的に滑らかなトポグラフィーを示す。
【００３３】
[0065]上述した図は、複数の連続的な同心的配向のスロットをその出口側に支持するシャワーヘッドを示しているが、この特定の構成が本発明により要求されるのではない。細長いスロットの他の構成を使用することもでき、また、シャワーヘッドも本発明の範囲内に保たれる。
【００３４】
[0066]図７Ａ−図７Ｄは、異なる配向の細長いスロットを各々保持する本発明によるガス分配フェースプレートの種々の別々の実施形態の出口部分を示す簡単な底面図である。図７Ａのフェースプレート出口部分６６０は、周囲方向に配向された複数の非連続的スロット６６２を保持する。図７Ｂのフェースプレート出口部分６６４は、半径方向に配向された複数の非連続的なスロット４６６を保持する。図７Ｃのフェースプレート出口部分６６８は、同心的にも半径方向にも排他的に配向されるのではない複数の非連続的スロット６７０を保持する。図７Ｄのフェースプレート出口部分６７２は、従来のホール６７６と組み合わされた複数の非連続的スロット６７４を保持する。
【００３５】
[0067]本発明による装置及び方法の実施形態は、多数の利益を与える。例えば、図８は、異なる温度でのＵＳＧ堆積プロセスに対して堆積率とフェースプレート対ウェハ間隔とをプロットしたグラフである。図８は、堆積プロセスが５１０℃又は５４０℃で行われる場合に、フェースプレート対ウェハ間隔を減少すると、堆積率が増加する結果となる。この関係は、密接なフェースプレート対ウェハ間隔においてより顕著なものになる。
【００３６】
[0068]図９は、広い範囲（５０−２５０ミル）のフェースプレート対ウェハ間隔にわたりＵＳＧ堆積率をプロットしたグラフである。図９は、この広い範囲にわたる図８の結果を確認するものである。より詳細には、図９は、密接な間隔においてＵＳＧ堆積率が増加することを示すと共に、密接な間隔における堆積率に対して顕著な作用があることを示している。
【００３７】
[0069]図１０は、異なる温度及び圧力におけるＵＳＧ堆積プロセスに対して％膜収縮及び湿式エッチング選択性とフェースプレート対ウェハ間隔とをプロットしたグラフである。図１０は、５１０℃及び５４０℃の両方で堆積されるＵＳＧ膜が、密接なフェースプレート対ウェハ間隔で堆積されるときに低い収縮性を示すことを表わしている。このデータは、密接な間隔においてより高密度の高品質膜が形成されることを示している。
【００３８】
[0070]図１０の湿式エッチングデータは、密接なフェースプレート対ウェハ間隔で堆積される層の品質が改善されるというこの発見を相関させる。より詳細には、密接なフェースプレート対ウェハ間隔で堆積されたＵＳＧ膜は、より高い密度に一致する湿式エッチング選択性を示した。
【００３９】
[0071]図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明によるシャワーヘッドを使用する高温ＵＳＧ堆積により形成された浅いトレンチ分離構造体の断面の写真である。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すＵＳＧ堆積プロセスは、フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルで、５１０℃の温度において行われた。これらの写真は、１０５０℃で、６０分間、後堆積アニールをした後に、ＵＳＧが浅いトレンチ構造体を埋めたことを示す。図１１Ａ及び１１Ｂは、従来のフェースプレート設計を使用するプロセスに比して、本発明の実施形態に基づくプロセスではギャップ充填の同等の質が得られることを示している。
【００４０】
Ｂ．テーパー付けされたフェースプレート
[0072]また、本発明による実施形態は、スロット付きシャワーヘッドフェースプレートの使用に限定されない。図４Ａに戻ると、ウェハ３０２に対してシャワーヘッド３０８を密接に接近させた１つの結果として、ウェハの縁付近でプロセスガスの下方流が増加することがある。それにより生じるウェハの縁への質量流量の増加は、堆積材料３２０の増加した縁厚み３２０ａを招くことがある。
【００４１】
[0073]図１２は、２つのフェースプレート対ウェハ間隔に対して計算された追加質量流量とウェハの中心からの距離とをプロットしたグラフである。０．２７０インチという従来の広いフェースプレート対ウェハ間隔では、堆積で追加される質量流量は、ウェハの中心から縁まで比較的一貫したものである。しかしながら、０．０７５インチという狭いフェースプレート対ウェハ間隔では、プロセスは、ウェハの周囲領域への顕著な付加的な質量流量を示す。この追加質量流量は、縁よりも中心において著しく大きな厚みを有する堆積材料の層を招くことがある。
【００４２】
[0074]従って、本発明のシャワーヘッドの別の実施形態は、密接なフェースプレート対ウェハ間隔において堆積材料の縁厚みの増加を回避するためにテーパー付けされたプロフィールを有するフェースプレートを使用することができる。図１３は、本発明による高温堆積システムの別の実施形態を示す簡単な断面図である。装置９００では、ウェハ９０２がウェハ支持構造体９０４に接触されて堆積チャンバー９０６内に位置される。ガス分配シャワーヘッド９０８がウェハ９０２の上に位置され、ウェハ９０２からギャップＹインチで分離される。
【００４３】
[0075]ガス分配シャワーヘッド９０８は、アパーチャー９１６を有するブロッカープレート９１４と流体連通するプロセスガス入口９１２を備えている。ガス分配フェースプレート９１８がブロッカープレート９１４の下流に位置される。フェースプレート９１８は、ブロッカープレート９１４からプロセスガスの流れを受け取って、このガスを、ホール９２０を経てウェハ９０２へと流す。
【００４４】
[0076]図４Ａを参照して上述したように、ウェハに対してフェースプレートを密接に接近させると、ウェハの縁への質量流量が増加することがある。従って、図１３に示す実施形態は、テーパー付けされたプロフィールを有するフェースプレート９１８を備えている。より詳細には、フェースプレート９１８の縁部分９１８ａが、フェースプレート９１８の中心部分９１８ｂに対して引っ込められる。テーパー角度Ａは、フェースプレートの中心と縁との間の厚みの差で画成される角度を表わし、これは、約０．５°から約５°の範囲でよい。
【００４５】
[0077]密接なフェースプレート対ウェハ間隔において堆積材料の厚み均一性が改善されたことを特徴とするガス分配シャワーヘッドの使用。テーブルＡは、テーパー付けされたフェースプレート及びフラットなフェースプレートにより１００及び７５ミルの間隔で堆積される材料に対して堆積率、厚み均一性、及び厚み範囲を比較するものである。
【００４６】
【表１】
2007507861.tif 000003
【００４７】
[0078]テーブルＡは、テーパー付きのフェースプレートを使用する堆積が、より均一な中心対縁厚みを有する材料層の形成を生じることを示す。テーブルＡに集められたデータは、細長いスロットを有するテーパー付けされたフェースプレート及びフラットなフェースプレートを使用する堆積を表わしているが、本発明の実施形態に基づくテーパー付けされたフェースプレートは、細長いスロットをもつことが要求されない。
【００４８】
[0079]図１４は、３つの異なるフェースプレートプロフィールに対して計算された追加質量流量とウェハの中心からの距離とをプロットしたグラフである。図１４は、ウェハにわたる追加質量の山から谷への変化が、ギャップを０．０２５インチ及び０．０５０インチテーパー付けすることにより各々３５％及び４６％減少されたことを示している。本発明の実施形態によるテーパー付けされたフェースプレート構造体の使用で、材料層の堆積が示す中心対縁厚みの変化を８００Å以下とすることができる。
【００４９】
Ｃ．フェースプレート入口オリフィスの幅の減少
[0080]前記説明は、密接なフェースプレート対ウェハ間隔において堆積される膜の厚み均一性を確保するためにフェースプレートの出口スロットの存在及び／又はテーパー付けされたフェースプレートプロフィールの使用に焦点を当てたものであった。しかしながら、広範囲なフェースプレート対ウェハ間隔にわたり堆積膜の厚み均一性を確保するために他の技術を使用してもよい。
【００５０】
[0081]図１５Ａは、ブロッカープレート１５０２の下流に位置された従来のガス分配フェースプレート１５００の縁及び中心領域を横切るプロセスガスの流速及び圧力の作用を簡単に示す概略図である。より詳細には、ウェハ１５０４は、上に横たわるフェースプレート１５００から間隔Ｙだけ分離されたヒーター１５０６に支持される。
【００５１】
[0082]プロセスガスは、最初に、ブロッカープレート１５０２のオリフィス１５０２Ａを通って、フェースプレート１５００の上流の領域１５９９へ流れる。次いで、プロセスガスは、分配フェースプレート１５００のオリフィス１５００ａを通り、長さＹのギャップ１５１０を横切って、ウェハ１５０４の表面へと流れ、膜１５１２を堆積する。
【００５２】
[0083]堆積された膜１５１２の厚みは、ウェハ表面に到達する局所的なガス速度に依存する。シャワーヘッドの縁を通ってウェハの縁へと流れるガスは、チャンバー出口への比較的低抵抗の流路に遭遇する。これに対して、シャワーヘッドの中心を通ってウェハの中心へと流れるガスは、チャンバーから流出するウェハ縁のガスの後方で渋滞するので、高抵抗流路に遭遇する。ウェハの中心と縁との間の堆積膜の厚み変化は、フェースプレートの縁を通過するガスの速度（ＶＥ）と、フェースプレートの中心を通過するガスの速度（ＶＣ）とが相違することに起因し得る。これらのガス流速ＶＥ及びＶＣは、次いで、フェースプレートの中心領域及び縁領域を横切る圧力降下の相違に依存する。
【００５３】
[0084]ガス速度と圧力との間の簡単な関係が、次の式（１）で与えられる。
【００５４】
Ｖ＝ＫＰ                          (1)
但し、Ｖ＝ガス速度、Ｋ＝定数、及びＰ＝圧力、である。
【００５５】
[0085]ガス流速の変化の大きさの式は、次の式（２）で与えられる。
【００５６】
【数１】
2007507861.tif 000004
【００５７】
但し、％ΔＶ＝ウェハの中心から縁への速度のパーセント変化、ΔＶ＝ウェハの中心から縁への速度の変化、Ｖａｖｇ＝ウェハの中心と縁との間の平均速度、ΔＰＲ＝ウェハの中心から縁への圧力の変化、ΔＰＦＰ＝中心から縁へフェースプレートを横切る圧力の変化、Ｃ＝第１の定数、Ｃ’＝第２の定数、Ｙ＝シャワーヘッドからウェハへの間隔、及びｄ＝フェースプレートオリフィスの直径である。
【００５８】
[0086]式（２）は、次いで、次のように簡単化することができる。
【００５９】
【数２】
2007507861.tif 000005
【００６０】
但し、％ΔＶ＝ウェハの中心から縁への速度のパーセント変化、Ｖａｖｇ＝ウェハの中心と縁との間の平均速度、Ｃ”＝合成定数（（第１及び第２の定数からの）、Ｙ＝シャワーヘッドからウェハへの間隔、及びｄ＝フェースプレートオリフィスの直径である。
【００６１】
[0087]式（３）は、ガス速度の変化（％ΔＶ）を減少するための多数の考えられる解決策を示唆する。１つの解決策は、フェースプレート対ウェハ間隔（Ｙ）を広げることである。しかしながら、これは、高い堆積率の必要性が対応的に高いツールスループットを招く等の、プロセス内の制約により実際的でないことがある。
【００６２】
[0088]％ΔＶを減少するために式（３）により示唆される別の考えられる技術は、平均流量（Ｖａｖｇ）を増加することである。しかしながら、この解決策も、供給パイプの直径がガス速度をあるレベル以下に制限する等の、ツールの既存のハードウェアアーキテクチャーの制約により、実際的でないことがある。
【００６３】
[0089]また、式（３）により示唆されるように、％ΔＶを減少するための第３の考えられる技術は、フェースプレートのオリフィスの直径（ｄ）を減少して、フェースプレートを横切る圧力降下を高めることである。この解決策が、本発明の一実施形態に基づく縮小サイズの入口オリフィス１５０１ａを有するガス分配フェースプレート１５０１を通るガスの流れを示した簡単な断面図である図１５Ｂに概略的に示されている。図１５Ｂは、フェースプレートの入口オリフィスの幅の減少が、フェースプレートを通るプロセスガスの流れを制限し、フェースプレートのすぐ上流の領域１５９９に圧力上昇を生じさせることを示している。この上流の圧力上昇は、次いで、フェースプレートを横切って流れるガスの速度を制限し、フェースプレートとウェハとの間に圧力降下及び低圧力領域を形成し、ウェハの縁及び中心領域上のガスが、より均一な速度を示すようにする。このように、ウェハの縁に遭遇するガスが経験する減少された流れ抵抗は、全ガス流を決定する役割をほとんど演じない。
【００６４】
[0090]従って、図１５Ｂに示す本発明の実施形態では、全体的なガス流速が全フェースプレートを横切る圧力降下によって支配される。これとは対照的に、図１５Ａに示した従来のフェースプレートでは、全体的なガスの流れは、ウェハの中心ではなく、ウェハの縁へ流れるガスが経験する圧力降下の差によって支配される。前者のケースでは、材料は、ウェハの中心及び縁に、より均一な率で堆積される。
【００６５】
[0091]図２１Ａ−Ｎは、入口直径が２９ミルの従来の低ガス流抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持する複数の３００ｍｍウェハと、入口直径が１０ミルの本発明の一実施形態による高ガス流抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持する複数の３００ｍｍウェハとに対する厚み均一性マップを示す。以下のテーブルＢは、これらの結果を要約する。
【００６６】
【表２】
2007507861.tif 000006
【００６７】
[0092]図１６は、前記テーブルＢに示された結果に対して縁／中心の厚みの比（ｘ１００）とフェースプレート対ウェハ間隔とをプロットしたグラフである。図１６は、フェースプレートのオリフィスの直径の減少が、非常に広範囲のウェハ対フェースプレート間隔にわたってウェハの中心から縁への膜堆積のより一貫した厚みを生じることを示している。より詳細には、本発明によるオリフィス直径０．０１０インチのフェースプレートは、約７５から４５０ミルの範囲の間隔にわたり約３％以内の変化を示した。対照的に、オリフィス直径０．０２９インチの従来のフェースプレートは、約９０−１２５ミルの非常に狭い範囲の間隔内で３％の厚み変化を示すだけであった。
【００６８】
[0093]更に、この狭い間隔インターバルにわたり、従来のフェースプレートに対する縁／中心の比の値は、全±３％（合計６％）の範囲にわたって変化した。これに対して、本発明の一実施形態によるフェースプレートの場合には、縁／中心の比は、狭い（＋３％）合計範囲内で、１００％より大きく保たれた。
【００６９】
[0094]上述した実施例は、幅が０．０１０インチの入口オリフィスの使用に関するものであるが、本発明によるフェースプレート構造体の実施形態は、このサイズ又は他の特定のサイズの入口オリフィスに限定されない。例えば、付加的な数の入口オリフィスを製造する必要性に関連した困難さ及び追加費用は、少数の若干大きなホールを有するフェースプレート設計を利用することにより減少できる。
【００７０】
[0095]従って、図２０Ａ−Ｂは、幅０．０１２インチの入口オリフィスを有するフェースプレート設計の性能特性を示す。図２０Ａは、フェースプレート設計に対して圧力降下と入口オリフィスの数とをプロットしたグラフである。図２０Ｂは、スロットの頂部におけるガス速度と入口オリフィスの数とをプロットしたグラフである。
【００７１】
[0096]図２０Ａは、フェースプレートを横切る希望の圧力降下に対する制御を、入口オリフィスの数を制限することで達成できることを示している。図２０Ｂは、０．０１２インチ直径のオリフィスの数が約１００００個の場合に、０．０１２インチ直径のオリフィスのフェースプレートに対するスロットの頂部のガスの速度が、０．０１０インチ直径の入口オリフィスを有するフェースプレートに一致することを示している。
【００７２】
[0097]以下のテーブルＣは、３００ｍｍ直径の基板を処理するのに使用される従来の低ガス流抵抗のフェースプレートと、本発明によるフェースプレートとの属性を比較する。
【００７３】
【表３】
2007507861.tif 000007
【００７４】
Ｄ．フェースプレート入口オリフィスの深さの減少
[0098]図１５Ａ−Ｂ及び式（１）−（３）について既に説明したように、フェースプレートを横切る圧力降下を上昇させて、フェースプレートの中心部分及び縁部分を横切る均一なガス流速度を保証し、その結果、ウェハ表面の中心部分及び縁部分に材料を均一に堆積するのが好都合である。また、フェースプレート入口オリフィスの構成が、フェースプレートを使用して堆積される材料の特性に影響することもある。
【００７５】
[0099]図１８は、本発明によるフェースプレートの一実施形態の一部分を示す断面図である。フェースプレート１８００は、幅φ１及び深さＬ１の入口オリフィス１８０２を含み、これは、幅φ２及び深さＬ２の中間オリフィス部分１８０６を通して、幅φ３及び深さＬ３の出口スロット１８０４と流体連通する。図１８に示す実施形態では、中間オリフィス部分１８０６の存在は、全深さがＬ１＋Ｌ２の狭い幅φ１のオリフィスを製造するための現在の加工技術の能力の限界に主として起因し、これは、３００ｍｍ直径のウェハの表面上にガスを配送するのに使用されるフェースプレートの一実施形態の場合に０．０２５インチである。
【００７６】
[0100]図１９は、幅（φ１）が０．０１０インチ及び０．０１２インチの入口オリフィスを各々有する２つの異なるフェースプレート設計に対してフェースプレートを横切る圧力降下と入口ホールの深さ（Ｌ１）とをプロットしたグラフである。図１９は、両フェースプレート設計に対して、入口オリフィスの深さ（Ｌ１）を増加すると、フェースプレートを横切る圧力降下が増加する結果となることを示している。また、図１９は、入口ホールの幅を減少すると、フェースプレートを横切る圧力降下が望ましいことに増加することも示している。これら技術のいずれか又は両方を使用して、フェースプレートの中心部分と縁部分との間に均一のガス流速度を確保し、ウェハの中心及び縁に均質な材料堆積率を生じさせることができる。
【００７７】
[0101]本開示では、本発明の幾つかの実施形態のみを図示して説明した。本発明は、種々の他の組み合せ及び環境で使用できると共に、ここに述べる本発明の概念の範囲内で変更及び修正が可能であることを理解されたい。例えば、本発明の実施形態に基づく装置及び方法は、特定サイズの半導体ウェハの処理に限定されず、２００ｍｍ直径のウェハ、３００ｍｍ直径のウェハ、又は他の形状及びサイズの半導体ウェハを伴う半導体製造プロセスに有用である。
【００７８】
[0102]また、本発明による実施形態は、非ドープの珪酸ガラスの高温堆積に使用されるシリコン含有先駆ガスの流れに関連して以上に説明したが、本発明は、この特定の実施形態に限定されない。本発明の実施形態によるシャワーヘッドは、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、ボロシリケートガラス（ＢＳＧ）、又はボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）の形態のドープされた酸化シリコンの化学気相堆積を含む（これに限定されないが）半導体製造プロセスのアレイに有用な種々様々なガスを分配するのに使用できる。
【００７９】
[0103]本発明の実施形態によるシャワーヘッドを使用して分配できるガスは、例えば、テトラエチルオーソシラン（ＴＥＯＳ）、トリエチルホスフェート（ＴＥＰＯ）、及びトリエチルボレート（ＴＥＢ）を含むが、これらに限定されない。本発明は、先駆ガスの流れを分配することに限定されず、ＣＶＤ反応に直接関与しないＨｅやＮ２のような担体ガスを流すのにも使用できる。
【００８０】
[0104]また、本発明の実施形態によるシャワーヘッドは、金属、窒化物、オキシニトライドを含む（これらに限定されないが）、酸化シリコン以外の材料を形成するための先駆ガスを流すのに使用してもよい。また、シャワーヘッドは、高温ＣＶＤプロセスに関して上述したが、本発明の実施形態は、他の形式のＣＶＤプロセス、例えば、プラズマエンハンスト化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス又はサブアトモスフェリック化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスにおいてガスを流すのに使用してもよい。
【００８１】
[0105]また、本発明による実施形態は、化学気相堆積プロセスに関連した使用に限定されない。また、本発明によるシャワーヘッドは、他の形式の半導体製造プロセス、例えば、乾式又はプラズマエッチングプロセスにおいてガスを流すのに使用してもよい。
【００８２】
[0106]以上、本発明並びに種々の実施形態を詳細に説明したが、その等効物、代替物、理解し得る明白な変更及び修正が、本発明の範囲内に包含されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１Ａ】従来の高温堆積システムの簡単な断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａのシステムの従来のガス分配シャワーヘッドのフェースプレートを示す底部斜視図である。
【図２】従来の浅いトレンチ分離構造体を示す断面図である。
【図３Ａ】フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルの状態で従来のシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。
【図３Ｂ】フェースプレート対ウェハ間隔が５０ミルの状態で従来のシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による高温堆積システムの簡単な断面図である。
【図４Ｂ】本発明によるガス分配シャワーヘッドのフェースプレートの一実施形態を示す上面図である。
【図４Ｃ】本発明によるガス分配シャワーヘッドのフェースプレートの一実施形態を示す下面図である。
【図４Ｄ】図４Ａ−４Ｂのフェースプレートの拡大断面図である。
【図５Ａ】フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルの状態で本発明の一実施形態によるシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。
【図５Ｂ】フェースプレート対ウェハ間隔が５０ミルの状態で本発明の一実施形態によるシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。
【図６Ａ】ホール及び細長いスロットの両方を支持する複合フェースプレートの平面図である。
【図６Ｂ】フェースプレート対ウェハ間隔が７５ミルの状態で複合ホール／スロット構成をもつシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。
【図６Ｃ】フェースプレート対ウェハ間隔が５０ミルの状態で複合ホール／スロット構成をもつシャワーヘッドから堆積されたＵＳＧ膜を支持するウェハを示す写真である。
【図７Ａ】異なるパターンの細長いスロットを支持する本発明の別の実施形態によるフェースプレートの簡単な平面図である。
【図７Ｂ】異なるパターンの細長いスロットを支持する本発明の別の実施形態によるフェースプレートの簡単な平面図である。
【図７Ｃ】異なるパターンの細長いスロットを支持する本発明の別の実施形態によるフェースプレートの簡単な平面図である。
【図７Ｄ】異なるパターンの細長いスロットを支持する本発明の別の実施形態によるフェースプレートの簡単な平面図である。
【図８】異なる温度及び圧力におけるＵＳＧ堆積に対して堆積率とフェースプレート対ウェハ間隔とをプロットしたグラフである。
【図９】広い範囲のフェースプレート対ウェハ間隔にわたり堆積率をプロットしたグラフである。
【図１０】異なる温度及び圧力におけるＵＳＧ堆積プロセスに対して％膜収縮及び湿式エッチング選択性とフェースプレート対ウェハ間隔とをプロットしたグラフである。
【図１１Ａ】従来のシャワーヘッドを使用する高温ＵＳＧ堆積により形成された浅いトレンチ分離構造体の断面の写真である。
【図１１Ｂ】本発明によるシャワーヘッドを使用する高温ＵＳＧ堆積により形成された浅いトレンチ分離構造体の断面の写真である。
【図１２】２つのフェースプレート対ウェハ間隔に対して計算された追加質量流量とウェハの中心からの距離とをプロットしたグラフである。
【図１３】本発明による高温堆積システムの別の実施形態を示す簡単な断面図である。
【図１４】３つの異なるフェースプレートプロフィールに対して計算された追加質量流量とウェハの中心からの距離とをプロットしたグラフである。
【図１５Ａ】出口オリフィスを特徴とする従来のガス分配フェースプレートを通るガスの流れを示す簡単な断面図である。
【図１５Ｂ】減少サイズのオリフィスを特徴とする本発明の一実施形態によるガス分配フェースプレートを通るガスの流れを示す簡単な断面図である。
【図１６】２つの異なるホール直径を有するシャワーヘッドに対して縁及び中心の厚みの比とウェハ対フェースプレート間隔とをプロットしたグラフである。
【図１７Ａ】従来のフェースプレートの出口部分の簡単な拡大断面図である。
【図１７Ｂ】本発明によるフェースプレートの一実施形態の出口部分の簡単な拡大断面図である。
【図１８】本発明によるフェースプレートの一実施形態の断面図である。
【図１９】２つの異なるフェースプレート設計に対して図１８に示すフェースプレートを横切る圧力降下と頂部ホールの深さとをプロットしたグラフである。
【図２０Ａ】フェースプレート設計に対する圧力降下と入口オリフィスの数とをプロットしたグラフである。
【図２０Ｂ】スロットの頂部のガス速度と入口オリフィスの数とをプロットしたグラフである。
【図２１Ａ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｂ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｃ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｄ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｅ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｆ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｇ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｈ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｉ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｊ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｋ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｌ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｍ】従来の低抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【図２１Ｎ】本発明の実施形態による高抵抗のフェースプレートを使用して堆積された層を保持するウェハの均一性マップを示す図である。
【符号の説明】
【００８４】
３００…装置、３０２…ウェハ、３０４…ウェハ支持構造体、３０６…堆積チャンバー、３０８…ガス分配シャワーヘッド、３１０…プロセスガス入口、３１２…ブロッカープレート、３１４…アパーチャー、３１５…本体、３１６…ガス分配フェースプレート、３１８…アパーチャー、３１８ａ…ホール、３１８ｂ…連続する細長いスロット、９００…装置、９０２…ウェハ、９０４…ウェハ支持構造体、９０６…堆積チャンバー、９０８…ガス分配シャワーヘッド、９１４…ブロッカープレート、９１８…フェースプレート、９２０…ホール、Ａ…テーパー角度、１７００…従来のフェースプレート、１７０１…本発明のフェースプレート、１７０２…等速度線、１７０４…出口オリフィス、１７１０…山、１７１２…谷、１７１４…膜、１７２０…スロット、１７５０…ウェハ
【図１Ａ】
2007507861.tif 000008
【図１Ｂ】
2007507861.tif 000009
【図２】
2007507861.tif 000010
【図３Ａ】
2007507861.tif 000011
【図３Ｂ】
2007507861.tif 000012
【図４Ａ】
2007507861.tif 000013
【図４Ｂ】
2007507861.tif 000014
【図４Ｃ】
2007507861.tif 000015
【図４Ｄ】
2007507861.tif 000016
【図５Ａ】
2007507861.tif 000017
【図５Ｂ】
2007507861.tif 000018
【図６Ａ】
2007507861.tif 000019
【図６Ｂ】
2007507861.tif 000020
【図６Ｃ】
2007507861.tif 000021
【図７Ａ】
2007507861.tif 000022
【図７Ｂ】
2007507861.tif 000023
【図７Ｃ】
2007507861.tif 000024
【図７Ｄ】
2007507861.tif 000025
【図８】
2007507861.tif 000026
【図９】
2007507861.tif 000027
【図１０】
2007507861.tif 000028
【図１１Ａ】
2007507861.tif 000029
【図１１Ｂ】
2007507861.tif 000030
【図１２】
2007507861.tif 000031
【図１３】
2007507861.tif 000032
【図１４】
2007507861.tif 000033
【図１５Ａ】
2007507861.tif 000034
【図１５Ｂ】
2007507861.tif 000035
【図１６】
2007507861.tif 000036
【図１７Ａ】
2007507861.tif 000037
【図１７Ｂ】
2007507861.tif 000038
【図１８】
2007507861.tif 000039
【図１９】
2007507861.tif 000040
【図２０Ａ】
2007507861.tif 000041
【図２０Ｂ】
2007507861.tif 000042
【図２１Ａ】
2007507861.tif 000043
【図２１Ｂ】
2007507861.tif 000044
【図２１Ｃ】
2007507861.tif 000045
【図２１Ｄ】
2007507861.tif 000046
【図２１Ｅ】
2007507861.tif 000047
【図２１Ｆ】
2007507861.tif 000048
【図２１Ｇ】
2007507861.tif 000049
【図２１Ｈ】
2007507861.tif 000050
【図２１Ｉ】
2007507861.tif 000051
【図２１Ｊ】
2007507861.tif 000052
【図２１Ｋ】
2007507861.tif 000053
【図２１Ｌ】
2007507861.tif 000054
【図２１Ｍ】
2007507861.tif 000055
【図２１Ｎ】
2007507861.tif 000056
【国際調査報告】
2007507861.tif 000057
2007507861.tif 000058
2007507861.tif 000059