(57)【要約】  流体吐出装置（１０３）は、第１の表面を有する基板（１１５）と、第１の表面上に形成される流体吐出器（２０１）と、流体吐出器の周囲に形成される発射室（２０２）を画定し、且つ発射室上のノズル（１０５）を画定するカバー層（１２４）とを備える。カバー層は少なくとも２つのＳＵ８層によって形成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面を有する基板と、
前記第１の表面上に形成される流体吐出器と、
前記流体吐出器の周囲に形成される発射室を画定し、且つ該発射室上のノズルを画定するカバー層と
を備え、前記カバー層は少なくとも２つのＳＵ８層によって形成される、流体吐出装置。
【請求項２】
前記ＳＵ８層の各層が同じ材料から形成される請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項３】
前記ＳＵ８層の各層が異なる処理を施される請求項２に記載の流体吐出装置。
【請求項４】
前記カバー層が下塗層とノズル層とを有し、該下塗層が前記カバー層の厚みの５０％未満の厚みを有する請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項５】
前記下塗層が、２１０℃において硬化する低粘度のＳＵ８である請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項６】
前記カバー層が、薄膜層をコーティングする下塗層と、前記発射室を画定する発射室層と、前記ノズルを画定するノズル層とを有する少なくとも３つの層を備える請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項７】
前記カバー層上に形成される上側被覆層をさらに備える請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項８】
前記カバー層の前記複数の層のうちの少なくとも１つはロストワックス法によって形成される請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項９】
前記カバー層の前記複数の層のための材料は、ＣＴＥ整合、インク耐性、応力緩和、非濡れ性、濡れ性、光硬化性、高解像度処理能力、滑らかな表面、相溶性、及び混合性のうちの少なくとも１つの特性を得るために選択される請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項１０】
前記カバー層の前記複数の層のうちの少なくとも１つは乾燥塗膜から形成される請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項１１】
前記カバー層が、薄膜層をコーティングする下塗層と、前記発射室を画定する発射室層と、前記ノズルを画定する光子障壁層及びノズル層とを有する少なくとも４つの層を備える請求項１に記載の流体吐出装置。
【請求項１２】
流体吐出器を含む薄膜スタックを第１の材料を用いてコーティングするステップと、
第１のＳＵ８カバー層を形成するため、前記第１の材料を露光するステップと、
前記第１の材料を第２の材料を用いてコーティングするステップと、
発射室を画定する第２のＳＵ８カバー層を形成するため、前記第２の材料を露光するステップと、
前記発射室から露光されていない第２の材料を除去するために現像するステップと、
前記発射室をレジストを用いて充填するステップと、
前記レジストを平坦化するステップと、
前記レジストを第３の材料を用いてコーティングするステップと、
ノズルを画定する第３のＳＵ８カバー層を形成するため、前記第３の材料を露光するステップと、
レジスト及び第３の材料を除去するために現像するステップと
を含む、流体吐出装置を形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［発明の分野］
本発明は流体吐出装置に関し、より詳細には、流体吐出装置内にある複数の障壁層に関する。
【背景技術】
【０００２】
［発明の背景］
当該技術分野において種々のインクジェットプリンティング構成が知られており、それらの構成には、熱作動式のプリントヘッド及び機械作動式のプリントヘッドが含まれる。熱作動式のプリントヘッドは、インク吐出を達成するために、抵抗素子等を用いる傾向があるのに対して、機械作動式のプリントヘッドは、圧電変換器等を用いる傾向がある。
【０００３】
典型的なサーマルインクジェットプリントヘッドは、半導体基板上に配設される複数の薄膜抵抗器を有する。基板上の薄膜層上に障壁層が堆積される。障壁層は、各抵抗器の周囲にある発射室と、各抵抗器に対応するオリフィスと、各発射室への入口又は流体チャネルとを画定する。多くの場合に、インクは基板内にあるスロットを通して供給され、ノズル層によって画定される流体チャネルを通って発射室まで流れる。「発射信号」によってヒータ抵抗器を作動させることにより、対応する発射室内にあるインクが加熱され、対応するオリフィスを通って吐出される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ノズル層と薄膜層との間は隙間なく接着されることが望ましい。プリントヘッド基板ダイ、特に、サイズが大きいか、又は高いアスペクト比を有するダイを用いる場合、機械的又は熱的な応力に起因して、望ましくない反り、それゆえノズル層の剥離が生じる可能性がある。たとえば、多くの場合に、ノズル層は、半導体基板の熱膨張率とは異なる熱膨張率を有する。熱による応力が生じる結果として、ノズル層又は他の薄膜層の剥離が生じ、最終的には、インク漏れ及び／又は短絡に繋がる可能性がある。さらに別の例では、部品を組み付けた後のウェーハ上のダイが分離されるときに、剥離が生じる場合もある。それに加えて、及び／又は別の例では、ノズル層が硬化した後のノズル層の収縮、ノズル層の製造中の構造的な接着による収縮、装置の取扱い及び流体吐出装置の熱サイクルに起因して、ノズル層が応力を受ける可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
［概要］
流体吐出装置は、第１の表面を有する基板と、第１の表面上に形成される流体吐出器と、流体吐出器の周囲に形成される発射室を画定し、且つ発射室上のノズルを画定するカバー層とを備える。カバー層は少なくとも２つのＳＵ８層によって形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
［詳細な説明］
図１は、プリントヘッドのような流体吐出装置１０３を有するカートリッジ１０１の一実施形態の斜視図である。そのカートリッジは、インクのような流体供給源を収容する。プリントヘッドの外側表面には複数のオリフィス又はノズル１０５を見ることができ、そこを通して、流体が選択的に吐出される。一実施形態では、流体は、電気コネクタ１０７を通してプリントヘッドに伝達されるプリンタ（図示せず）のコマンドに基づいて吐出される。
【０００７】
図２の実施形態は、図１のプリントヘッド１０３の断面図を示しており、基板１１５を貫通してスロット１１０が形成される。基板内のスロット領域（又はスロットエリア）を貫通してスロットを形成する際に用いられる実施形態には、ウエットエッチングと、ドライエッチングと、ＤＲＩＥと、ＵＶレーザ加工とが含まれる。
【０００８】
一実施形態では、基板１１５はシリコンである。種々の実施形態では、基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ガリウムヒ素、ガラス、シリカ、セラミック、又は半導体材料のうちの１つである。用いることができる基板材料として列挙される種々の材料は、必ずしも入れ替えることができるわけではなく、それらの材料が用いられることになる応用形態に応じて選択される。
【０００９】
図２の実施形態では、基板１１５の正面又は第１の面（又は表面）上に、薄膜スタック１１６（活性層、導電層、超小型電子機器を備える層等）が形成又は堆積される。一実施形態では、薄膜スタック１１６は、基板の第１の表面上に形成されるキャッピング層１１７を含む。キャッピング層１１７は、フィールド酸化膜、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、ガラス（ＰＳＧ）のような種々の異なる材料から形成することができる。この実施形態では、キャッピング層１１７上に層１１９を堆積又は成長させる。１つの特定の実施形態では、層１１９は窒化チタンと、チタンタングステンと、チタンと、チタン合金と、金属窒化物と、タンタルアルミニウムと、アルミニウムシリコンとのうちの１つである。
【００１０】
この実施形態では、層１１９上に導電性材料を堆積することにより、導電層１２１が形成される。その導電性材料は、アルミニウム、約１／２％の銅を含むアルミニウム、銅、金、１／２％のシリコンを含むアルミニウム等の種々の異なる材料のうちの少なくとも１つから形成され、スパッタリング及び蒸着のような任意の方法によって堆積することができる。導電層１２１をパターニング及びエッチングして、導電性トレースが形成される。導電性トレースを形成した後に、エッチングされた導電性材料１２１上に抵抗性材料１２５が堆積される。抵抗性材料をエッチングして、流体吐出器、抵抗器、加熱素子、気泡発生器等の吐出素子２０１が形成される。タンタルアルミニウムと、ニッケルクロムと、窒化タングステンシリコンと、窒化チタンとを含む種々の適当な抵抗性材料が当業者に知られており、オプションでは、それらの材料に酸素、窒素、炭素のような適当な不純物をドープし、それらの材料の抵抗率を調整することができる。
【００１１】
図２の実施形態において示されるように、薄膜スタック１６は、抵抗性材料上に形成される絶縁性パッシベーション層１２７をさらに含む。パッシベーション層１２７は、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、ガラスのような任意の適当な材料から形成することができる。この実施形態では、パッシベーション層１２７上に、キャビテーション層１２９が追加される。１つの特定の実施形態では、キャビテーション層はタンタルである。
【００１２】
一実施形態では、障壁層１２４のようなカバー層が薄膜スタック１１６、詳細にはキャビテーション層１２９上に堆積される。一実施形態では、カバー層１２４は、フォトイメージャブルエポキシ（ＩＢＭによって開発されたＳＵ８等）、フォトイメージャブルポリマー、ShinEtsu（商標）によって製造されるＳＩＮＲ−３０１０のような感光性シリコーン誘電体、又はPolyset Co. Inc.（Mechanicsville、NY）によって製造されるＰＣＸ３０のようなエポキシ・シロキサン（epoxy siloxane）等の高速架橋ポリマーから構成される層である。別の実施形態では、カバー層１２４は、インクの腐食作用に対して概ね不活性である有機ポリマーのブレンドから形成される。この目的を果たすのに適したポリマーは、E. I. DuPont de Nemours and Co.（Wilmington、Del）によってＶＡＣＲＥＬ及びＲＩＳＴＯＮの商標で市販される製品を含む。
【００１３】
カバー層の物理的な構成、及び薄膜の下部構造の一例が、１９９４年２月のHewlett-Packerd Journalの４４ページに示される。プリントヘッドのさらに別の例は、同一譲受人に譲渡される米国特許第４，７１９，４７７号と、米国特許第５，３１７，３４６号と、米国特許第６，１６２，５８９号とに記載される。本発明の実施形態は、応用形態に応じて、基板上に形成又は堆積される任意の数及びタイプの層を有することを含む。
【００１４】
１つの特定の実施形態では、カバー層１２４は、対応する吐出素子２０１によって流体が加熱される発射室２０２を画定し、また加熱された流体が吐出されるノズルオリフィス１０５を画定する。流体は、スロット１１０を通って、カバー層１２４で形成されるチャネル２０３を経由して発射室２０２に流れ込む。抵抗器の中に電流又は「発射信号」を伝えることにより、対応する発射室内の流体が加熱され、対応するノズル１０５を通って吐出される。
【００１５】
図２及び図３にそれぞれ示される実施形態の断面図及び斜視図に示されるように、カバー層１２４は２つの層２０５及び２０７を含む。下塗層及び下側層のような第１の層２０５は層１２９の上に形成され、第２の層２０７（上側被覆層、発射室層、ノズル層等）は層２０５上に形成される。この実施形態では、第１の層２０５は、発射室２０２を少なくとも部分的に画定し、第２の層２０７は、流体チャネル２０３の天井、発射室及び壁部の残りの部分、並びにノズル１０５を画定する。図示されないが、別の実施形態では、第１の層２０５は、発射室の壁部を画定し、第２の層２０７はノズルを画定する。
【００１６】
一実施形態では、層２０５及び２０７は異なる材料から形成される。この実施形態では、層２０５及び２０７は同じ材料から形成される。別の実施形態では、層２０５及び２０７は概ね同じ厚みであるか、層２０７が層２０５よりも厚いか、又は層２０５が層２０７よりも厚い。この実施形態では、層２０５は層２０７よりも薄い。一実施形態では、層２０５は約２〜１５ミクロン、好ましくは２〜６ミクロン、好ましくは２ミクロンの厚みを有する。一実施形態では、層２０７は約２０〜６０ミクロン、好ましくは３０ミクロンの厚みを有する。一実施形態では、下塗層の厚みは、層１２４の全厚の約５０％未満である。
【００１７】
一実施形態では、下塗層２０５は、２１０℃において硬化する低粘度のＳＵ８材料である。別の実施形態では、下塗層２０５のための材料は、インクへの耐性を得るために、且つ薄膜スタック１１６とノズル又は発射室層への接着性を得るために選択される。別の実施形態では、下塗層２０５はカバー層１２４の他の層よりも可撓性である。さらに別の実施形態では、下塗層２０５は、カバー層１２４の他の層よりも高いインクへの耐性を有する。別の実施形態では、下塗層２０５は、低い弾性率のＳＵ８組成物であるＮＡＮＯ（商標）ＳＵ８ＦｌｅｘＣＰから形成される。別の実施形態では、下塗層２０５は、可撓性のエポキシである。別の実施形態では、下塗層２０５はポリイミド−ポリアミド層である。別の実施形態では、下塗層２０５は、その材料を感光性にする別の光酸発生剤（ＰＡＧ）を加えたＳＵ８である。別の実施形態では、下塗層２０５は、カバー層１２４内の他の層よりも高い温度において硬化する。この高い温度の場合、インクへの耐性が高くなるが、応力が大きくなる可能性がある。しかしながら、望ましくない亀裂を少なくするために、層２０５の厚みは、比較的薄いままである。
【００１８】
一実施形態では、層２０７は、高解像度のフォトリソグラフィ特性を有する。一実施形態では、層２０７は１７０℃において硬化する。
【００１９】
図４Ａ〜図４Ｄに示される実施形態では、２つの層（２０５、２０７）からなる障壁層１２４を形成する工程が示される。図５の実施形態は、図４Ａ〜図４Ｄに示される工程に対応するフローチャートを示す。下塗層２０５は、ステップ５００においてコーティングされ、ステップ５１０において露光される。ステップ５２０では、図４Ａに示されるように、ノズル層材料２０７ａが下塗層２０５を覆う。ステップ５３０では、図４Ｂ及び図４Ｃに示されるように、ノズル層２０７が２つのマスクにおいて露光される。ステップ５４０では、図４Ｄに示されるように、残りの露光されていないノズル層材料２０７ａが現像され、それにより除去される。ノズル層は発射室２０２及びノズル１０５を形成する。
【００２０】
図６に示される実施形態では、ノズル層２０７上に、付加的な上側被覆２０９が形成される。一実施形態では、上側被覆２０９は光学的に画定可能である。一実施形態では、上側被覆２０９はＳＵ８から形成される。一実施形態では、上側被覆は非濡れ性である。別の実施形態では、上側被覆２０９は、ノズル層の、多くの場合に粗い表面形状を平坦化するための平坦化層である。さらに別の実施形態では、上側被覆２０９は、皿穴を形成し、流体を溜まりにくくするために描画されるマスクである。別の実施形態では、上側被覆２０９は低い表面エネルギーを有する。別の実施形態では、上側被覆２０９はシロキサン系材料である。別の実施形態では、上側被覆２０９はフルオロポリマー系材料である。一実施形態では、層２０９の厚みは約１／２〜５ミクロンの範囲内にあり、１．１ミクロンであることが好ましい。
【００２１】
図７Ａ〜図７Ｈに示される実施形態では、３つの層（２０５、２０６、２０８）からなる障壁層１２４を形成する工程が示される。図８の実施形態は、図７Ａ〜図７Ｈに示される工程に対応するフローチャートを示す。ステップ８００では、流体吐出器を形成する薄膜１１６が基板上に堆積される。ステップ８１０では、下塗層２０５が薄膜層１１６上に回転塗布され、パターニングされる。ステップ８２０では、図７Ａに示されるように、発射室層を形成する材料２０６ａが回転塗布される。図７Ｂに示されるように、材料２０６ａはパターニング又は露光され、発射室層２０６が形成される。図７Ｃに示されるように、ステップ８２０では、材料２０６ａが現像され、それにより除去される。ステップ８３０では、図７Ｄに示されるように、レジストのような充填材料３００が発射室層２０６を覆う。ステップ８４０では、図７Ｅに示されるように、充填材料３００が、材料のＣＭＰ、パターニング、現像のような方法によって平坦化される。ステップ８５０では、図７Ｆに示されるように、発射室層２０６及び平坦化された材料３００が、ノズル層を形成する材料２０８ａでコーティングされる。図７Ｇに示されるように、ノズル層２０８が露光される。ステップ８５０では、材料２０８ａが現像される。ステップ８６０では、図７Ｈに示されるように、充填材料（たとえばレジスト）が除去される。図７Ａ〜図７Ｈに図示され、図８のフローチャートに示される方法は、ロストワックス法と呼ばれる場合もある。
【００２２】
この実施形態では、図７Ｈの下塗層は、約２〜１５ミクロンの範囲、より好ましくは２〜６ミクロンの範囲、さらに好ましくは２ミクロンの厚みを有する。この実施形態では、発射室層２０６及びノズル層２０８はそれぞれ、約１０〜３０ミクロンの範囲の厚みを有する。より詳細な一実施形態では、層２０６及び２０８のうちの少なくとも一方は、約１５〜２０ミクロンの範囲の厚みを有する。別の実施形態では、層２０６及び２０８のうちの少なくとも一方は、１５又は２０ミクロンの厚みを有する。
【００２３】
一実施形態では、ノズル層２０８は、上記の層２０７の材料と同じような材料から形成される。一実施形態では、発射室層２０６は、上記の層２０７と同じような材料から形成される。別の実施形態では、発射室層２０６は、ｚコントラスト(z-contrast)を得るために光学的に漂白可能な染料を含むＳＵ８から形成される。一実施形態では、ｚコントラストは、概ね平坦な基板に対して垂直な方向を指している。より詳細な一実施形態では、ｚコントラストは、配合物の中に吸収材料を入れて、光強度を内部で完全に消滅させることを指している。この実施形態では、「コントラスト」は、ＳＵ８材料が現像液に耐える光酸濃度から現像液によって溶解される濃度への移り変わりがはっきりしている度合いを指している。一実施形態では、この移り変わりがはっきりしているほど、特徴物の角がはっきりする。この実施形態では、この光学的に漂白可能な染料は、十分な電磁エネルギー照射量において漂白し、透明になる。
【００２４】
図９に示される実施形態では、ノズル層２０８上に付加的な上側被覆２０９が形成される。上側被覆２０９は、図６に関して説明された上側被覆２０９に類似である。
【００２５】
図１０Ａ〜図１０Ｆに示される実施形態では、４つの層（２０５、１２０６、１０００、１２０８）からなる障壁層１２４を形成する工程が示される。図１１の実施形態は、図１０Ａ〜図１０Ｆに示される工程に対応するフローチャートを示す。ステップ１１００では、図１０Ａに示されるように、発射室層を形成するための材料１２０６ａが下塗層２０５上にコーティングされる。ステップ１１１０では、図１０Ｂに示されるように、発射室層１２０６が露光され、それにより発射室の周囲の壁部が形成され、発射室エリア内に露光されていない材料１２０６ａが残される。ステップ１１２０では、図１０Ｃに示されるように、光子障壁層を形成するための材料１０００ａが発射室層１２０６及び材料１２０６ａ上にコーティングされる。ステップ１１３０では、図１０Ｄに示されるように、ノズル層のための材料１２０８ａが光子障壁層材料１０００ａ上にコーティングされる。ステップ１１４０では、図１０Ｅに示されるように、ノズル層１２０８及び光子障壁層１０００が露光される。材料１２０６ａは発射室２０２内に残され、材料１０００ａ及び１２０８ａはノズル１０５内に残される。ステップ１１５０では、図１０Ｆに示されるように、材料１２０６ａと、１０００ａと、１２０８ａとが現像され、それにより発射室及びノズルから除去される。
【００２６】
この実施形態では、光子障壁層１０００は、エポキシ又はアクリル樹脂と、結合剤と、溶媒と、ＰＡＧ（感光剤）と、ｉ線染料（光子障壁）とのうちの１つを含む溶液から成形される。一実施形態では、光子障壁層１０００の厚みは、約１／２ミクロン〜２ミクロンの範囲内にあり、好ましくは１／２ミクロンである。別の実施形態では、光子障壁層は、十分に吸収性にしながら、最小限に抑えられる。
【００２７】
一実施形態では、発射室層１２０６及びノズル層１２０８は、上記の層２０７の材料と同じような材料から形成される。一実施形態では、層１２０６は、層２０６の材料と同じような材料を有する。別の実施形態では、光子障壁層１０００は、上記の層２０６の一実施形態に関して説明されたのと同じような、光学的に漂白可能な染料を含むＳＵ８から形成される。一実施形態では、光学的に漂白可能な染料を含むＳＵ８によって、寸法制御性が良好になり、縁をさらに垂直にすることができる。たとえば、図１０Ｆに示されるように、発射室とノズルとの間の角部の縁が、概ね角張った縁になる。
【００２８】
図１２に示される実施形態では、ノズル層１２０８上に付加的な上側被覆２０９が形成される。上側被覆２０９は、図６に関して説明された上側被覆２０９に類似である。
【００２９】
一実施形態では、これまでの実施形態のうちの１つにおけるカバー層１２４内の複数の層のうちの少なくとも１つが、同じ初期基本コーティング材料で形成される。しかしながら、その層に、カバー層１２４内の他の層とは異なる特性を与えるため、その材料に異なる処理が施される。たとえば、一実施形態では、１つの層はカバー層１２４の残りの層とは異なる照射量の電磁エネルギーに露光されるか、又は異なる温度で硬化する。
【００３０】
一実施形態では、カバー層１２４の層のための材料は、ＣＴＥ整合と、インク耐性と、応力緩和と、非濡れ性と、濡れ性と、光硬化性と、高解像度処理能力と、滑らかな表面と、相溶性と、混合性とのうちの少なくとも１つの特性を得るために選択される。
【００３１】
一実施形態では、これまでの実施形態のうちの１つにおけるカバー層１２４内の複数の層のうちの少なくとも１つが、研摩砂加工と、ドライエッチングと、ウエットエッチングと、ＵＶ利用ウエットエッチングと、露光及び現像と、ＤＲＩＥと、ＵＶレーザ加工とのうちの少なくとも１つの方法を用いてパターニング又はエッチングされる材料で形成される。一実施形態では、これまでの実施形態のうちの１つにおけるカバー層１２４内の複数の層のうちの少なくとも１つは乾燥塗膜で形成される。
【００３２】
一実施形態では、下塗層、発射室層、及び／又はノズル層を形成する材料は、ｉ線露光を通して光学的に画定される。ｉ線露光は、露光の１つのタイプであり、詳細には、約３６５ｎｍ波長による露光である。一実施形態では、この光学的に画定されるパターンはレジスト材料で覆われる。一実施形態では、レジストは、ポジ型フォトレジストであり、特定の一実施形態では、それはＳＰＲ−２２０である。レジストは通常、対流オーブン内で、１１０℃〜１９０℃の温度で加熱乾燥され、後続の平坦化及び穴又はノズル層処理のためにレジストを安定化させる。いくつかの実施形態では、露光されていない発射室層及びノズル層を除去する溶媒現像工程も用いてレジストが除去される。
【００３３】
一実施形態では、上記の実施形態の少なくとも１つは、オリフィス−発射室位置合わせの変動性を低減することによって軌道制御を最大にする。
【００３４】
一実施形態では、ＳＵ８成分比と、添加剤と、ＳＵ８オリゴマの分子量とを調整し、先に記載された材料特性の範囲を与える。
【００３５】
それゆえ、本発明が、具体的に説明されるのとは異なる方法で実施できることは理解されたい。たとえば、本発明は熱作動式の流体吐出装置に限定されるのではなく、たとえば圧電作動式の流体吐出装置、及び他の機械作動式のプリントヘッド、並びに他の流体吐出装置も含むことができる。さらに別の実施形態では、本発明のカバー層１２４は、４層、５層、６層等の複数の層を含む。これらの層はそれぞれ、応用形態に応じて、同じ材料組成又は異なる材料組成のいずれかを有することができる。本発明の本明細書中の実施形態は、全ての点で例示と見なされるべきであり、限定するものと見なされるべきではなく、本発明の範囲は、上記説明ではなく、添付の特許請求の範囲によって示されることになる。請求項が、その対応するものの「１つの」又は「第１の」構成要素を記載する場合、そのような請求項は、１つ又は複数のそのような構成要素を組み込むことを含み、２つ以上のそのような構成要素を要求も、排除もしないものと理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の流体吐出カートリッジの一実施形態の斜視図である。
【図２】図１の断面２−２を通して見た流体吐出装置の一実施形態の断面図である。
【図３】島状の障壁部分（barrier island）及び対応する発射室の一実施形態の斜視図である。
【図４Ａ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図４Ｂ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図４Ｃ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図４Ｄ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図５】図４Ａないし図４Ｄの図に対応するフローチャートである。
【図６】図４Ｄに示される図に１つの層が追加された、本発明の一実施形態の断面図である。
【図７Ａ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｂ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｆ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｇ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図７Ｈ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図８】図７Ａないし図７Ｈの図に対応するフローチャートである。
【図９】図７Ｈに示される図に１つの層が追加された、本発明の一実施形態の断面図である。
【図１０Ａ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図１０Ｂ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図１０Ｃ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図１０Ｄ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図１０Ｅ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図１０Ｆ】本発明のための工程の一実施形態の断面図である。
【図１１】図１０Ａないし図１０Ｆの図に対応するフローチャートである。
【図１２】図１０Ｆに示される図に１つの層が追加された、本発明の一実施形態の断面図である。
【図１】
2007528803.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
2007528803.tif 000009
【図１２】
2007528803.tif 000010
2007528803.tif 000011
【図８】
2007528803.tif 000012
【図１１】
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2007528803.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｃ】
2007528803.tif 000015
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｄ】
2007528803.tif 000016
【国際調査報告】
2007528803.tif 000017
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