【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測するシステムであって、
前記基板上に形成されたパターンに対して一次電子線を走査して照射する一次電子線照射
手段と、
該一次電子線照射手段により一次電子線が照射された基板から放出される後方散乱電子の
うち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する後方散乱
電子検出手段と、
該後方散乱電子検出手段で検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成す
る電子線像生成手段と、
該電子線像生成手段で生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領
域との境界領域を求めて、該求めた境界領域を前記穴パターン又は溝パターンのエッジ位
置として検出する画像処理手段と
を有すことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。
【請求項２】
基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測するシステムであって、
前記基板上に形成されたパターンに対して一次電子線を走査して照射する一次電子線照射
手段と、
該一次電子線照射手段により一次電子線が照射された基板から放出される後方散乱電子の
うち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する後方散乱
電子検出手段と、
該後方散乱電子検出手段で検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成す
る電子線像生成手段と、
該電子線像生成手段で生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領
域との境界領域を求めて、該求めた境界領域の内部の暗部領域の明るさの情報から前記穴
パターン又は溝パターンの深さを推定する深さ推定手段と
を有すことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。
【請求項３】
基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測するシステムであって、
前記基板上に形成されたパターンに対して一次電子線を走査して照射する一次電子線照射
手段と、
該一次電子線照射手段により一次電子線が照射された基板から放出される後方散乱電子の
うち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する後方散乱
電子検出手段と、
該後方散乱電子検出手段で検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成す
る電子線像生成手段と、
該電子線像生成手段で生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領
域との境界領域を求めて、該求めた境界領域を前記穴パターン又は溝パターンのエッジ位
置として検出する画像処理手段と、
前記電子線像生成手段で生成した電子線像上の前記明部領域内に存在する暗部領域の前記
明部領域との境界領域を求めて、該求めた境界領域の内部の暗部領域の明るさの情報から
前記穴パターン又は溝パターンの深さを推定する深さ推定手段と
を有すことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
前記後方散乱電子検出手段は、前記基板上に形成されたパターンに照射する一次電子線の
光路を取り囲むようにして配置されて、前記一次電子線を走査して照射した前記基板から
放出された後方散乱電子を検出する後方散乱電子検出器を備えていることを特徴とする走
査電子顕微鏡システム。
【請求項５】
請求項２または３に記載の走査電子顕微鏡システムであって、
前記深さ推定手段は、予め作成した穴パターン又は溝パターンの深さと電子線像の明るさ
を関連づける検量線を参照して深さを算出することを特徴とする走査電子顕微鏡システム
。
【請求項６】
請求項１ないし３の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
さらに、前記基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出手段と、該二次電子検
出手段で検出した二次電子の強度に対応する電子線像を生成する二次電子線像生成手段と
、該二次電子線像生成手段で生成した二次電子の電子線像の前記明部領域のエッジ位置に
基づき前記穴パターンの上径又は前記溝パターンの幅を計測するパターン幅計測手段を更
に含むことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。
【請求項７】
請求項１ないし３の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
さらに、前記基板から放出される後方散乱電子のうち仰角が５度よりも小さい方向に散乱
した後方散乱電子を検出する第二の後方散乱電子検出手段と、該第二の後方散乱電子検出
手段で検出した仰角が５度よりも小さい方向に散乱した後方散乱電子強度に対応する電子
線像を生成する第二の電子線像生成手段と、該第二の電子線像生成手段で生成した後方散
乱電子線像上の前記穴パターン又は前記溝パターンの底相当領域の明るさから、前記穴パ
ターン又は前記溝パターンの底の材料を推定する材料推定手段を更に含むことを特徴とす
る走査電子顕微鏡システム。
【請求項８】
請求項１ないし３の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する前記後方散乱
電子検出手段は、前記後方散乱電子を方位別に検出する複数の検出面を有する検出器を備
えたことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。
【請求項９】
基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測する方法であって、
電子顕微鏡で基板上に形成された穴パターン又は溝パターンに対して一次電子線を走査し
て照射し、
該一次電子線が照射された前記基板から放出される後方散乱電子のうち前記穴パターン又
は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出し、
該検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成し、
該生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領域との境界領域を求
め、
該求めた境界領域を前記穴パターン又は溝パターンのエッジ位置として検出することと、
前記求めた境界領域の内部の暗部領域の明るさの情報から前記穴パターン又は溝パターン
の深さを推定することの何れか又は両方を行う
ことを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。
【請求項１０】
請求項９記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、前記電子顕
微鏡で、３０キロ電子ボルト以上のエネルギーを有する前記一次電子線を前記穴パターン
又は溝パターンに照射することを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計
測方法。
【請求項１１】
基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測する電子顕微鏡であって、
前記基板上に形成されたパターンに対して一次電子線を走査して照射する一次電子線照射
手段と、
該一次電子線照射手段により一次電子線が照射された基板から放出される後方散乱電子の
うち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する後方散乱
電子検出手段と、
該後方散乱電子検出手段で検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成す
る電子線像生成手段と、
を有すことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１２】
請求項１１に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記後方散乱電子検出手段は、前記基板上に形成されたパターンに照射する一次電子線の
光路を取り囲むようにして配置されて前記一次電子線を走査して照射した前記基板から放
出された後方散乱電子を検出する後方散乱電子検出器を備えていることを特徴とする走査
電子顕微鏡。
【請求項１３】
請求項１１に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記後方散乱電子検出手段は、前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた仰角が
５度以上の方向に散乱した後方散乱電子を検出することを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１４】
請求項１１に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出手段と、該二次電子検出手段で
検出した二次電子の強度に対応する電子線像を生成する二次電子線像生成手段とを更に含
むことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１５】
請求項１１に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記基板から放出される後方散乱電子のうち仰角が５度よりも小さい方向に散乱した後方
散乱電子を検出する第二の後方散乱電子検出手段と、該第二の後方散乱電子検出手段で検
出した仰角が５度よりも小さい方向に散乱した後方散乱電子強度に対応する電子線像を生
成する第二の電子線像生成手段と、を更に含むことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項１６】
請求項１１に記載の走査電子顕微鏡であって、
前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する前記後方散乱
電子検出手段は、前記後方散乱電子を方位別に検出する複数の検出面を有する検出器を備
えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。