【事件の表示】
　特願２０１２−２４６６６０「３ＤＩＣ方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開、特開２０１３−　５８７８１、請求項の数（１７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年８月７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００５年８月１１日、米国）を国際出願日とする特願２００８−５２６１０４号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年１１月８日に新たな外国語書面出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年１２月１０日　翻訳文提出書・審査請求・補正書・上申書
　平成２５年　９月２４日　拒絶理由通知
　平成２６年　４月　１日　意見書・手続補正書
　平成２６年１１月２８日　拒絶理由通知
　平成２７年　３月１７日　意見書・手続補正書
　平成２７年　９月２５日　拒絶理由通知
　平成２７年１２月２５日　意見書・手続補正書
　平成２８年　３月１７日　拒絶査定
　平成２８年　７月２１日　審判請求・手続補正書
　平成２８年１１月１０日　上申書
　平成２９年　２月　８日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年　５月１０日　意見書・手続補正書
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成２９年５月１０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　第１コンタクト構造を有する第１素子を第２コンタクト構造を有する第２素子と集積する方法であって、
　銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属から前記第１および第２コンタクト構造を形成することと、前記第１および第２コンタクト構造のうち少なくとも１つは、前記第１および第２素子のそれぞれの表面より下方に後退させられ、
　少なくとも前記第１コンタクト構造に対して露出されたビアを前記第１素子内に形成することと、
　前記ビア内に、少なくとも前記第１コンタクト構造に接続された導電材料を形成することと、
　前記第１素子中の材料を前記第２素子中の材料に接着することと、
　前記第１および第２コンタクト構造間の圧力を上げるために前記第１および第２素子を４００℃未満の温度で加熱し、前記第１および第２コンタクト構造を互いに直接接触する状態にし、前記第１および第２コンタクト構造間に直接接着を形成することとを具備し、
　前記第１および第２コンタクト構造は、前記接着の間、介在する絶縁物無しで互いに露出される方法。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
　「この出願については、平成２７年９月２５日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
●理由（特許法第２９条第２項）について
・請求項１ないし１９に対して
・引用文献２、３
・備考
　出願人は意見書において、『三、本願が特許されるべき理由
　審査官殿は、引用文献１には、４００℃未満の温度で素子を加熱することを除いて、請求項１の各要素が開示されているとされました。同様に、引用文献２にも、４００℃未満の温度で素子を加熱することを除いて、請求項１の各要素が開示されているとされました。そして、引用文献３は、引用文献１及び２のこの不足を補うものであるとご認定されました。
　これに対し、出願人は、少なくとも、補正後の独立請求項１に記載の『前記第１および第２コンタクト構造のうち少なくとも１つは、前記第１および第２素子のそれぞれの表面より下方に後退させられ』（下線部追加）は、主引例である引用文献１及び２に、教示も開示もされていないと思料致します。引用文献１及び２は、少なくとも、この特徴について触れていませんし、引用文献３は、引用文献１及び２のこの不足を補いません。また、これらの文献の発明を組み合わせる動機付けもございません。
　以上により、補正後の請求項１は、引用文献１〜３に対して進歩性を備えているものと思料致します。また、これに従属する請求項２〜１９についても、それぞれの内容に加え、請求項１と同様の理由により、特許されるべきであると思料します。』旨を主張している（意見書の第１頁下から９行ないし第２頁第６行を参照）。
　そこで出願人の上記主張について検討する。
　引用文献２（国際公開第２００５／０４３５８４号）には、図１８、１９及び第１９頁第１７行ないし第２０頁第１１行の記載等を参照すると、第１および第２コンタクト構造のうち少なくとも１つは、第１および第２素子のそれぞれの表面から露出していることが記載されており、また、図６Ａ及び第１３頁第３ないし１４行の記載等を参照すると、導電性構造体１２（第２コンタクト構造）を露出させるエッチングが図６Ａに示されており、このエッチングは、導電性構造体１７（第１コンタクト構造）の隙間または孔を通って導電性構造体１２（第２コンタクト構造）まで延びているビア部分６０を生じることが記載されている。
　このことから、上記引用文献２には、ビア部分によって、第１および第２コンタクト構造体のうち少なくとも１つである第２コンタクト構造体は、ダイ（第１素子）および基板、装置領域（第２素子）のそれぞれの表面より下方に後退させられることが記載されているものと認める。
　したがって、補正後の本願請求項１ないし１９に係る発明は、引用文献２、引用文献３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　また、本願発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　文献２．国際公開第２００５／０４３５８４号
　文献３．米国特許出願公開第２００４／０１５７４０７号明細書」
２　原査定の理由についての当審の判断
（１）引用文献の記載事項及び引用発明
　ア　引用文献２の記載事項及び引用発明２
（ア）引用文献２の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願及び原出願についての優先権の主張の基礎とした出願の日（以下「本願の優先日」という。）の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２００５／０４３５８４号（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．訳は当審で作成したものであり、下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）
　ａ「
The present invention relates
to the fabrication of three-dimensional integrated circuits using direct wafer bonding.
（訳：
本発明は、
直接ウエハ接合を使用した３次元集積回路の製造に関する。
　ｂ「Referring now to the drawings, in particular FIG. 1, a first embodiment of the method according to the invention will be described.
・・・
 
Substrate 10 includes a device region 11 having contact structures 12.
・・・
 
Contact structures 12 are
metal pads
・・・
 
Positioned for bonding to substrate 10 on surface 13 are three separated die 14-16. Each die has a substrate portion 19, a device region 18 and contact structures 17.
・・・
 
Contact structures 17 are
metal pads
（訳：ここで、図面、特に図１を参照して、本発明による方法の第１の実施の形態を説明する。
・・・
　
基板１０は、コンタクト構造体１２を有するデバイス領域１１を含む。
・・・
コンタクト構造体１２は、
金属パッド
である。
・・・
　
基板１０の表面１３に接合するために、３つの分離されたダイ１４ないし１６が配置される。各ダイは、基板部分１９と、デバイス領域１８と、コンタクト構造体１７とを有している。
・・・
　
コンタクト構造体１７は、
金属パッド
である。
　ｃ「
As shown in FIG. 2A, surface 20 of die 14 is bonded to surface 13 of substrate 10.
（訳：
図２Ａに示されているように、ダイ１４の表面２０は、基板１０の表面１３に接合されている。
　ｄ「
Using the hard mask 40, substrate portions of dies 14-16 are etched to form vias 50, as shown in FIG. 5.
・・・
 FIG. 9A shows an example of a masked electroplated method whereby a metal seed layer 90 is first deposited over the structure, making electrical contact to contact structures 12 and 17, followed by formation of a mask using, for example, photoresist 91. Using mask 91 and e
lectrical contact to seed layer 90, metal contact 92 fills vias 50 and 60.
（訳：
図５に示されているように、ハードマスク４０を用いて、ダイ１４ないし１６の基板部分がエッチングされ、ビア５０を形成する。
・・・
　図９Ａは、マスク式電気めっき方法の例を示しており、この方法によれば、まず、金属シード層９０が構造体上に堆積されてコンタクト構造体１２及び１７への電気的接触を形成し、その後、例えば、フォトレジスト９１によりマスクを形成する。マスク９１およびシード層９０への電気接触を用いて、
金属コンタクト９２がビア５０及び６０を埋める。
　ｅ「A further embodiment is shown in FIGS. 16A, 16B and 17. Substrate 110 has device region 111 with contact structures 112. Die 114-116 each having a substrate portion 121 and contacts 117 are bonded to substrate 110 on surface 113 as shown in FIG. 16 A. In this embodiment there is no material covering contact structures 112. Following the single masking process described for the first or second embodiments, the structures shown in FIGS. 16B and 17 is produced. 
A via 50 is etched through substrate 118, exposing a planar (back) surface of contact structures 117. The etching is continued to expose a top surface of contact structure 112. Contact 120 is formed in the via, with or without a seed layer 90, connecting contact structures 112 and 117.
（訳：更なる実施の形態が図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１７に示されている。基板１１０は、コンタクト構造体１１２を備えたデバイス領域１１１を有している。図１６Ａに示されるように、それぞれが基板部分１２１とコンタクト１１７を有するダイ１１４ないし１１６が、表面１１３上で基板１１０と接合されている。この実施の形態では、コンタクト構造体１１２を覆う材料がない。第１または第２の実施の形態について説明された単一のマスク工程の後に、図１６Ｂおよび図１７に示される構造体が形成される。
基板１１８を貫通するビア５０がエッチングされ、コンタクト構造体１１７の平らな（裏）面を露出させる。エッチングは、コンタクト構造体１１２の上面を露出させるよう継続される。シード層９０を設けて、あるいは設けることなしに、コンタクト１２０がビア内に形成され、コンタクト構造体１１２と１１７とを接続する。
　ｆ「
A still further embodiment is shown in FIGS. 18-19. In this embodiment there is no material covering contact structures 122 or 123.
Die 114-116 with exposed metal are bonded to surface 113 with exposed metal
The bond between die 114-116 and substrate 110 elastically produces a compressive force between contact structures 122 and 123, creating a contact between structures 122 and 123 sufficiently low in contact resistance. Following the single masking process described for the preceding embodiments, the structure shown in FIG. 19 is produced.
（訳：
更に他の実施の形態が図１８および図１９に示されている。この実施の形態では、コンタクト構造体１２２及び１２３を覆う材料がない。
露出した金属を有するダイ１１４ないし１１６は、露出した金属を有する表面１１３に接合されている。ダイ１１４ないし１１６と基板１１０との接合は、コンタクト構造体１２２、１２３間に圧縮力を弾性的に生じさせ、構造体１２２、１２３間に接触抵抗が十分に低いコンタクトを生じさせる。上記実施の形態について述べた単一のマスク工程の後に、図１９に示される構造体が形成される。
（イ）引用発明２
　ａ　上記（ア）ａ及びｆの引用文献２の記載並びに引用文献２のＦＩＧ．１８及びＦＩＧ．１９の記載より、引用文献２には、「コンタクト構造体１２３を有するダイ１１４をコンタクト構造体１２２を有する基板１１０と集積する方法」が記載されているといえる。
　ｂ　上記（ア）ｂ及びｆの引用文献２の記載より、引用文献２には、「金属からコンタクト構造体１２３及びコンタクト構造体１２２を形成すること」が記載されているといえる。
　ｃ　上記（ア）ｄないしｆの引用文献２の記載並びに引用文献２のＦＩＧ．１８及びＦＩＧ．１９の記載より、引用文献２には、「コンタクト構造体１２３に対して露出されたビアをダイ１１４内に形成すること」及び「前記ビア内に、コンタクト構造体１２３に接続されたコンタクト１２０を形成すること」が記載されているといえる。
　ｄ　上記（ア）ａ、ｃ及びｆの引用文献２の記載並びに引用文献２のＦＩＧ．１８及びＦＩＧ．１９の記載より、引用文献２には、「ダイ１１４を基板１１０に接着すること」が記載されているといえる。
　ｅ　上記（ア）ｆの引用文献２の記載並びに引用文献２のＦＩＧ．１８及びＦＩＧ．１９の記載より、引用文献２には、「コンタクト構造体１２３とコンタクト構造体１２２との間に直接接着を形成すること」が記載されているといえる。
　ｆ　上記（ア）ｆの引用文献２の記載並びに引用文献２のＦＩＧ．１８及びＦＩＧ．１９の記載より、引用文献２には、「コンタクト構造体１２３及びコンタクト構造体１２２は、接着の間、介在する絶縁物無しで互いに露出される」ことが記載されているといえる。
　ｇ　上記（ア）の引用文献２の記載、上記ａないしｆ及び当該技術分野における技術常識より、引用文献２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「コンタクト構造体１２３を有するダイ１１４をコンタクト構造体１２２を有する基板１１０と集積する方法であって、
　金属からコンタクト構造体１２３及びコンタクト構造体１２２を形成することと、
　コンタクト構造体１２３に対して露出されたビアをダイ１１４内に形成することと、
　前記ビア内に、コンタクト構造体１２３に接続されたコンタクト１２０を形成することと、
　ダイ１１４を基板１１０に接着することと、
　コンタクト構造体１２３とコンタクト構造体１２２との間に直接接着を形成することとを具備し、
　コンタクト構造体１２３及びコンタクト構造体１２２は、前記接着の間、介在する絶縁物無しで互いに露出される方法。」
　イ　引用文献３の記載事項及び引用発明３
（ア）引用文献３の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である米国特許出願公開第２００４／０１５７４０７号明細書（以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「[0095] FIG. 6A shows substrates 60 and 61 with planar surfaces. 
Recesses 62 and 63 are formed in substrates 60 and 61, respectively, and metal pads 64 and 65 are formed in recessed 62 and 63 respectively.
The metal or combination of metals making up pads 64 and 65 can reflow at low temperatures. Examples of such a metal is indium that reflows at a melting temperature of 160 degrees C., and such a combination of metals is 96.5% tin and 3.5% silver that reflows at a eutectic melting temperature of 220 degrees C.
[0096] 
After the surfaces in FIG. 6A are prepared for direct chemical bonding and the surfaces are placed together, a chemical bond is formed between the planar surfaces.
[0097] After the chemical bond in FIG. 6B has been formed, a void 66 is formed by partially metal-filled recesses from both wafers. This void does not impede the wafer surfaces from coming together and forming a chemical bond like the metal contacts do in the first and second embodiments. A maximum bond area is thus realized that maximizes the bond energy. 
After this high bond energy chemical bond has been formed, a low temperature reflow anneal reflows the metal in the recesses resulting in wetting of the metal from the opposing wafers together and resulting in an interconnected metal structure with high reliability.
（訳：[0095]　図６Ａは、平坦な表面を有する基板６０および基板６１を示す。
基板６０及び基板６１に凹部６２及び凹部６３がそれぞれ形成され、凹部６２及び凹部６３の中に金属パッド６４および金属パッド６５がそれぞれ形成される。
パッド６４およびパッド６５を形成する金属または金属の組合せは、低温でのリフローが可能なものである。そうした金属の例としては、摂氏１６０度の融解温度でリフローするインジウムがあり、金属の組合せの例としては、摂氏２２０度の共晶融解温度でリフローする９６．５％スズと３．５％銀がある。
[0096]　
図６Ａの表面が直接化学結合のために準備され、一体に配置された後、平坦な表面の間に化学結合が形成される。
[0097]　図６Ｂのように化学結合が形成された後、両ウエハの部分的に金属で満たされた凹部によって、ボイド６６が形成される。このボイドは、実施形態１及び実施形態２の金属コンタクトとは異なり、ウエハの表面が接合して化学結合を形成することを妨げない。このようにして、結合領域の面積を最大化することで、結合力の最大化を実現した。
この高結合力化学結合が形成された後、低温リフローアニールにより凹部の中の金属をリフローさせ、対向する両ウェハの金属の濡れをもたらし、高信頼の相互接続金属構造をもたらす。
（イ）引用発明３
上記（ア）の引用文献３の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用文献３には次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　「基板６０の表面に形成された凹部６２の中に金属パッド６４を形成し、
　基板６１の表面に形成された凹部６３の中に金属パッド６５を形成し、
　基板６０と基板６１とを接合し、
　金属パッド６４と金属パッド６５を１６０℃程度の低温でリフローさせることによって、金属パッド６４と金属パッド６５とを接続する、方法。」
（２）本願発明と引用発明２との対比
　ａ　引用発明２における「ダイ１１４」及び「基板１１０」は、それぞれ、本願発明における「第１素子」及び「第２素子」に相当するといえる。
　また、引用発明２における「コンタクト構造体１２３」及び「コンタクト構造体１２２」は、後述する相違点１及び２を除き、それぞれ、本願発明における「第１コンタクト構造」及び「第２コンタクト構造」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明２における「コンタクト構造体１２３を有するダイ１１４をコンタクト構造体１２２を有する基板１１０と集積する」ことは、本願発明における「第１コンタクト構造を有する第１素子を第２コンタクト構造を有する第２素子と集積する」ことに相当するといえる。
　ｂ　引用発明２における「金属からコンタクト構造体１２３及びコンタクト構造体１２２を形成すること」と、本願発明における「銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属から前記第１および第２コンタクト構造を形成すること」とは、「金属から前記第１および第２コンタクト構造を形成すること」である点において共通し、後述する相違点１において相違するといえる。
　ｃ　引用発明２における「ビア」は、本願発明における「ビア」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明２における「コンタクト構造体１２３に対して露出されたビアをダイ１１４内に形成すること」は、本願発明における「少なくとも前記第１コンタクト構造に対して露出されたビアを前記第１素子内に形成すること」に相当するといえる。
　ｄ　引用発明２における「コンタクト１２０」が導電材料からなることは明らかであり、当該「コンタクト１２０」は、本願発明における「導電材料」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明２における「前記ビア内に、コンタクト構造体１２３に接続されたコンタクト１２０を形成すること」は、本願発明における「前記ビア内に、少なくとも前記第１コンタクト構造に接続された導電材料を形成すること」に相当するといえる。
　ｅ　上記（１）ア（ア）ａ、ｃ及びｆの引用文献２の記載並びに当該技術分野における技術常識より、引用発明２における「ダイ１１４を基板１１０に接着すること」においては、ダイ１１４中の材料を基板１１０中の材料に接着しているといえる。
　そうすると、引用発明２における「ダイ１１４を基板１１０に接着すること」は、本願発明における「前記第１素子中の材料を前記第２素子中の材料に接着すること」に相当するといえる。
　ｆ　引用発明２における「コンタクト構造体１２３とコンタクト構造体１２２との間に直接接着を形成すること」と、本願発明における「前記第１および第２コンタクト構造間の圧力を上げるために前記第１および第２素子を４００℃未満の温度で加熱し、前記第１および第２コンタクト構造を互いに直接接触する状態にし、前記第１および第２コンタクト構造間に直接接着を形成すること」とは、「前記第１および第２コンタクト構造間に直接接着を形成すること」である点において共通し、後述する相違点３において相違するといえる。
　ｇ　引用発明２における「コンタクト構造体１２３及びコンタクト構造体１２２は、前記接着の間、介在する絶縁物無しで互いに露出される」ことは、本願発明における「前記第１および第２コンタクト構造は、前記接着の間、介在する絶縁物無しで互いに露出される」ことに相当するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明と引用発明２との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ａ）一致点
「第１コンタクト構造を有する第１素子を第２コンタクト構造を有する第２素子と集積する方法であって、
　金属から前記第１および第２コンタクト構造を形成することと、
　少なくとも前記第１コンタクト構造に対して露出されたビアを前記第１素子内に形成することと、
　前記ビア内に、少なくとも前記第１コンタクト構造に接続された導電材料を形成することと、
　前記第１素子中の材料を前記第２素子中の材料に接着することと、
　前記第１および第２コンタクト構造間に直接接着を形成することとを具備し、
　前記第１および第２コンタクト構造は、前記接着の間、介在する絶縁物無しで互いに露出される方法。」
（ｂ）相違点
　・相違点１
　本願発明では、「銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属」から「第１コンタクト構造」及び「第２コンタクト構造」を形成するのに対し、引用発明２では、「金属」から「第１コンタクト構造」（コンタクト構造体１２３）及び「第２コンタクト構造」（コンタクト構造体１２２）を形成することは特定するものの、当該「金属」が「銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属」であるとは特定しない点。
　・相違点２
　本願発明では、「第１コンタクト構造」及び「第２コンタクト構造」のうち少なくとも１つが「第１素子」及び「第２素子」のそれぞれの表面より下方に後退させられるのに対し、引用発明２では、「第１コンタクト構造」（コンタクト構造体１２３）及び「第２コンタクト構造」（コンタクト構造体１２２）のうち少なくとも一つが「第１素子」（ダイ１１４）及び「第２素子」（基板１１０）のそれぞれの表面より下方に後退させられるとは特定しない点。
　・相違点３
　本願発明では、「第１コンタクト構造」と「第２コンタクト構造」との間の圧力を上げるために「第１素子」および「第２素子」を４００℃未満の温度で加熱し、「第１コンタクト構造」と「第２コンタクト構造」を互いに直接接触する状態にし、「第１コンタクト構造」と「第２コンタクト構造」との間に直接接着を形成するのに対し、引用発明２では、「第１コンタクト構造」（コンタクト構造体１２３）と「第２コンタクト構造」（コンタクト構造体１２２）との間に直接接着を形成することは特定するものの、「第１コンタクト構造」（コンタクト構造体１２３）と「第２コンタクト構造」（コンタクト構造体１２２）との間の圧力を上げるために「第１素子」（ダイ１１４）および「第２素子」（基板１１０）を４００℃未満の温度で加熱し、「第１コンタクト構造」（コンタクト構造体１２３）と「第２コンタクト構造」（コンタクト構造体１２２）を互いに直接接触する状態にするとは特定しない点。
（３）判断
　ａ　本願発明について
（ａ）相違点１ないし３について、まとめて検討する。
（ｂ）上記（１）イ（イ）のとおり、引用文献３には、
　「基板６０の表面に形成された凹部６２の中に金属パッド６４を形成し、
　基板６１の表面に形成された凹部６３の中に金属パッド６５を形成し、
　基板６０と基板６１とを接合し、
　金属パッド６４と金属パッド６５を１６０℃程度の低温でリフローさせることによって、金属パッド６４と金属パッド６５とを接続する、方法。」（引用発明３）
　が記載されていると認められる。
（ｃ）ここで、引用発明３における「基板６０」、「基板６１」、「金属パッド６４」及び「金属パッド６５」は、それぞれ、本願発明における「第１素子」、「第２素子」、「第１コンタクト構造」及び「第２コンタクト構造」に相当するものであるといえる。
　そして、引用文献３のＦＩＧ．６ａの記載より、引用発明３は、「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）及び「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）が、「第１素子」（基板６０）及び「第２素子」（基板６１）の「それぞれの表面より下方に後退させられ」る構成（相違点２に係る構成）を備えたものであるといえる。
（ｄ）また、引用発明３において、「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）及び「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を加熱するに際し、「第１素子」（基板６０）及び「第２素子」（基板６１）も同時に加熱されることは明らかであり、また、リフローによって「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）と「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）が接触して両者間の圧力が上がることも明らかであるから、引用発明３は、「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）及び「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）間の圧力を上げるために前記「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）と前記「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を１６０℃程度の温度で加熱し、前記「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）と前記「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を互いに直接接触できる状態にする構成（相違点３に係る構成のうち、加熱の温度が「４００℃未満」である点を除く構成）を備えたものであるといえる。
（ｅ）他方、上記（１）イ（ア）の引用文献３の記載（段落[0095]）より、引用発明３は、インジウムや、９６．５％スズと３．５％銀の組合せといった、低温でのリフローが可能な金属によって「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）及び「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を形成するものであって、「銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属」により「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）及び「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を形成するものではないと認められるから、引用発明３は、相違点１に係る構成を備えるものではないといえる。
（ｆ）そこで、引用発明２に対して引用発明３を適用する際に、相違点１に係る構成、及び、相違点３のうち、加熱の温度が「４００℃未満」である構成を採用することが、当業者が容易になし得たことであるか否かについて、さらに検討する。
（ｇ）引用発明３は、「第１素子」（基板６０）及び「第２素子」（基板６１）の「それぞれの表面より下方に後退させられ」た「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）と「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を接続するために、「第１コンタクト構造」（金属パッド６４）と「第２コンタクト構造」（金属パッド６５）を加熱してリフローさせるというものである。
　そうすると、引用発明２に対して引用発明３を適用する際には、「第１コンタクト構造」と「第２コンタクト構造」がリフローする温度条件を選択する必要があるものと認められる。
（ｈ）他方、「銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属」が「４００℃未満」の低温でリフローしないことは、技術常識より明らかであるといえる。
（ｉ）そうすると、引用発明２に対して引用発明３を適用する際に、「第１コンタクト構造」（コンタクト構造体１２３）及び「第２コンタクト構造」（コンタクト構造体１２２）を「銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属」により形成し、さらに、加熱の温度を「４００℃未満」とすることには、動機付けを見いだすことができない。
（ｊ）したがって、引用発明２及び３に基づいて、相違点１ないし３に係る構成を全て備えた本願発明とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
（ｋ）以上より、本願発明は、引用文献２に記載された発明（引用発明２）及び引用文献３に記載された発明（引用発明３）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　ｂ　本願の請求項２ないし１７に係る発明について
　本願の請求項２ないし１７は、請求項１を引用しており、本願の請求項２ないし１７に係る発明は、本願発明をさらに限定した発明である。
　してみれば、上記ａのとおり、本願発明が引用文献２に記載された発明（引用発明２）及び引用文献３に記載された発明（引用発明３）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２ないし１７に係る発明は、引用文献２に記載された発明（引用発明２）及び引用文献３に記載された発明（引用発明３）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　３　原査定の理由についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１７に係る発明は、引用文献２に記載された発明（引用発明２）及び引用文献３に記載された発明（引用発明３）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２９年２月８日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
「１．（サポート要件）　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２．（新規事項）　平成２８年７月２１日付けでした手続補正は、下記の点で外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
１．理由１（サポート要件）について
（１）請求項７及び８について
　本願の請求項７に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する』と記載されているが、発明の詳細な説明には、この点について記載されていない。
　これに関し、明細書の段落［００７４］には、『コンタクト構造１２３、１２２間で内圧の上昇が減ることを回避するために、
コンタクト構造１２３がダイ１１４乃至１１６の表面より低い場合、コンタクト構造１２２の周辺が、
コンタクト構造１２３の周辺内に位置することが好ましい。
　なお、［図１９Ｃ］には開口部を有しない『コンタクト構造１２４』が記載されているが、段落［００７４］の上記記載は『コンタクト構造１２４』について説明したものではない。また、仮に段落［００７４］の上記記載が［図１９Ｃ］の『コンタクト構造１２４』にも当てはまるものであったとしても、本願の請求項７に係る発明は『第１コンタクト構造』が開口部を有するか否かを特定しておらず、『第１コンタクト構造』が開口部を有するものを包含するものと認められるところ、発明の詳細な説明には、『第１コンタクト構造』が開口部を有する場合において『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する』ことは記載されていない。
　請求項７を引用する請求項８についても上記と同様である。
　よって、請求項７及び８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（２）請求項１４について
　本願の請求項１４に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の面積より小さい面積を有するように形成する』と記載されているが、発明の詳細な説明には、この点について記載されていない。（上記（１）と同様である。）
　よって、請求項１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（３）請求項１５について
　本願の請求項１５に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の面積より小さい面積を有するように形成する』と記載されているが、発明の詳細な説明には、この点について記載されていない。（上記（１）と同様である。）
　よって、請求項１５に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（４）請求項１６について
　本願の請求項１６に『前記第１コンタクト構造を前記第１素子の上面より第１距離低い上面を有するように形成することと、
　前記第２コンタクト構造を前記第２素子の上面より前記第１距離未満の第２距離低い上面を有するように形成することと、
　前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成することと、』と記載されているが、発明の詳細な説明には、この点について記載されていない。
　これに関し、明細書の段落［００７４］には、『さらに、
コンタクト構造１２３がダイ１１４乃至１１６の表面より低いとともにコンタクト構造１２２が表面１１３より低い場合、
表面よりも最も低いコンタクト構造の周辺が、
対向するコンタクト構造の周辺内に位置する。
　また、請求項１６の『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成すること』との記載については、上記（１）と同様である。
　よって、請求項１６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
２．理由２（新規事項）について
（１）請求項７について
　平成２８年７月２１日付けでした手続補正（以下『本件補正』という。）後の請求項７に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する』と記載されているが、外国語書面の翻訳文には、この点について記載されていない。（上記１．（１）と同様である。）
　よって、請求項７についての本件補正は、外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
（２）請求項１４について
　本件補正後の請求項１４に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の面積より小さい面積を有するように形成する』と記載されているが、外国語書面の翻訳文には、この点について記載されていない。（上記１．（２）と同様である。）
　よって、請求項１４についての本件補正は、外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
（３）請求項１５について
　本件補正後の請求項１５に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の面積より小さい面積を有するように形成する』と記載されているが、外国語書面の翻訳文には、この点について記載されていない。（上記１．（３）と同様である。）
　よって、請求項１５についての本件補正は、外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
（４）請求項１６について
　本件補正後の請求項１６に『前記第１コンタクト構造を前記第１素子の上面より第１距離低い上面を有するように形成することと、
　前記第２コンタクト構造を前記第２素子の上面より前記第１距離未満の第２距離低い上面を有するように形成することと、
　前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成することと、』と記載されているが、外国語書面の翻訳文には、この点について記載されていない。（上記１．（４）と同様である。）
　よって、請求項１６についての本件補正は、外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでない。」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）サポート要件について
　ａ　当審拒絶理由の１．（１）において、「本願の請求項７に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する』と記載されているが、発明の詳細な説明には、この点について記載されていない。」旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年５月１０日付け手続補正により、請求項７の「前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する」との記載が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ｂ　当審拒絶理由の１．（２）において、「本願の請求項１４に『前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の面積より小さい面積を有するように形成する』と記載されているが、発明の詳細な説明には、この点について記載されていない。」旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年５月１０日付け手続補正により、請求項１４の「前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する」との記載が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ｃ　当審拒絶理由の１．（３）及び（４）において、請求項１５及び請求項１６に係る発明は発明の詳細な説明に記載したものでない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年５月１０日付け手続補正により、請求項１５及び請求項１６が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ｄ　上記ａないしｃのとおり、当審拒絶理由の「１．理由１（サポート要件）について」に示した拒絶の理由は全て解消している。
（２）新規事項について
　ａ　当審拒絶理由の２．（１）において、補正後の請求項７に「前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する」と記載されているが、外国語書面の翻訳文には、この点について記載されていない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年５月１０日付け手続補正により、請求項７の「前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する」との記載が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ｂ　当審拒絶理由の２．（２）において、補正後の請求項１４に「前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する」と記載されているが、外国語書面の翻訳文には、この点について記載されていない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年５月１０日付け手続補正により、請求項１４の「前記第２コンタクト構造を前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように形成する」との記載が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ｃ　当審拒絶理由の２．（３）及び（４）において、請求項１５及び請求項１６についての補正は、外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年５月１０日付け手続補正により、請求項１５及び請求項１６が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ｄ　上記ａないしｃのとおり、当審拒絶理由の「２．理由２（新規事項）について」に示した拒絶の理由は全て解消している。
３　当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由の「１．理由１（サポート要件）について」及び「２．理由２（新規事項）について」に示した拒絶の理由は全て解消している。
　そうすると、もはや、当審拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。