【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のうち少なくとも一つの発光素子に対して並列に接続された保護回路と、を備え、
前記保護回路は、開放故障検出部、故障検出維持部、及び短絡部を有し、
前記開放故障検出部は、並列に接続された発光素子の開放故障を検出し、
前記故障検出維持部は、前記開放故障検出部が前記開放故障を検出した場合、該開放故障しているときの回路状態に移行し、該移行した回路状態を維持し、
前記短絡部は、前記故障検出維持部が前記開放故障しているときの回路状態を維持している場合、前記開放故障が検出された発光素子の両端を短絡させる光源装置。
【請求項２】
前記短絡部は、ドレインが前記発光素子の一端に接続され、ソースが前記発光素子の他端に接続されたＦＥＴを備え、
前記短絡部は、前記ＦＥＴのドレインとソースを導通状態にすることにより、前記発光素子の両端を短絡させる請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記故障検出維持部は、前記開放故障検出部が開放故障を検出した場合に溶断するヒューズを備え、
前記故障検出維持部は、前記ヒューズが溶断した場合に前記ＦＥＴのドレインとソースの導通状態を維持させる請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記短絡部は、前記ヒューズが溶断されるまで、前記ＦＥＴのゲート電位の変化を抑制する請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
前記ヒューズの一端は、前記ヒューズを備える故障検出維持部が並列に接続されている発光素子の次の段以降の発光素子のカソード、または前段以前の発光素子のアノードに接続されている請求項３に記載の光源装置。
【請求項６】
前記故障検出維持部は、コンデンサと複数のトランジスタとを備え、
前記故障検出維持部は、前記開放故障検出部が開放故障を検出した場合に、前記コンデンサに電荷を蓄積し前記複数のトランジスタの導通状態を固定することで、前記ＦＥＴのドレインとソースの導通状態を維持させる請求項２に記載の光源装置。
【請求項７】
前記開放故障検出部は、前記発光素子が正常に動作している際に両端にかかる電圧よりも高い降伏電圧を有するツェナーダイオードを備え、
前記故障検出維持部は、前記ツェナーダイオードに前記降伏電圧以上の電圧がかかった場合、前記開放故障しているときの回路状態に移行し、該移行した回路状態を維持する請求項１から６のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項８】
前記保護回路は、前記複数の発光素子のうち各々の発光素子に対して、それぞれ並列に接続される請求項１から７のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項９】
前記故障検出維持部は、前記開放故障が検出された発光素子が前記短絡部により短絡された後に前記複数の発光素子が再駆動された場合も、前記回路状態を維持する請求項１から８のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置から出射された光を画像データに応じて変調する変調部と、
前記変調部により変調された光を投射する投射光学系と、を備えるプロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）本発明の一態様は、直列に接続された複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうち少なくとも一つの発光素子に対して並列に接続された保護回路と、を備え、前記保護回路は、開放故障検出部、故障検出維持部、及び短絡部を有し、前記開放故障検出部は、並列に接続された発光素子の開放故障を検出し、前記故障検出維持部は、前記開放故障検出部が前記開放故障を検出した場合、該開放故障しているときの回路状態に移行し、該移行した回路状態を維持し、前記短絡部は、前記故障検出維持部が前記開放故障しているときの回路状態を維持している場合、前記開放故障が検出された発光素子の両端を短絡させる光源装置である。
これにより、直列に接続された複数の発光素子のうち任意の発光素子が開放故障した場合でも、開放故障した発光素子を短絡させたままにすることができ、他の発光素子の発光を維持させることができる。更に、開放故障しているときの回路状態を維持することで、開放故障した発光素子の両端を短絡させたままにするので、再度発光素子の駆動を開始した場合には発光素子の両端を短絡させた状態から駆動が始まる。そのため、突入電流が発光素子に繰り返し流れることがないので、突入電流によって生じる発光素子の劣化を軽減することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（２）また、本発明の一態様は、上述の光源装置であって、前記短絡部は、ドレインが前記発光素子の一端に接続され、ソースが前記発光素子の他端に接続されたＦＥＴを備え、前記短絡部は、前記ＦＥＴのドレインとソースを導通状態にすることにより、前記発光素子の両端を短絡させる。
これにより、ＦＥＴは、ほぼ０オームにて開放故障した発光素子の両端を短絡することができるのでＦＥＴでの損失がほぼ０Ｗとなり、発熱を低減することができる。その結果、開放故障しているときの回路状態を維持している場合に、光源装置の放熱構造が不要となる利点がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（４）また、本発明の一態様は、上述の光源装置であって、前記短絡部は、前記ヒューズが溶断されるまで、前記ＦＥＴのゲート電位の変化を抑制する。
これにより、ヒューズの両端の電圧によらず、ＦＥＴのゲート電圧が一定で高い状態にすることができＦＥＴがオフ状態のままにすることができる。そのため、ヒューズが完全に溶断されるまで、ｐＭＯＳトランジスタはＯＦＦ状態のままであるので、ヒューズが完全に溶断されるまでヒューズに一定の電流を供給することができる。その結果、ヒューズの溶断にかかる時間が長くなるのを防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（５）また、本発明の一態様は、上述の光源装置であって、前記ヒューズの一端は、前記ヒューズを備える故障検出維持部が並列に接続されている発光素子の次の段以降の発光素子のカソード、または前段以前の発光素子のアノードに接続されている。
これにより、ヒューズの両端に十分な電圧をかけることができるので、ヒューズを確実に溶断することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（８）また、本発明の一態様は、上述の光源装置であって、前記保護回路は、前記複数の発光素子のうち各々の発光素子に対して、それぞれ並列に接続される。
（９）また、本発明の一態様は、上述の光源装置であって、前記故障検出維持部は、前記開放故障が検出された発光素子が前記短絡部により短絡された後に前記複数の発光素子が再駆動された場合も、前記回路状態を維持する。
（１０）また、本発明の一態様は、上述の光源装置と、前記光源装置から出射された光を画像データに応じて変調する変調部と、前記変調部により変調された光を投射する投射光学系と、を備えるプロジェクターである。
また、本発明の一態様は、直列に接続された複数の発光素子と、前記発光素子から出射された光を変調する変調部と、前記複数の発光素子のうち少なくとも一つの発光素子に対して、並列に接続された開放故障検出部と故障検出維持部と短絡部とをそれぞれ備え、前記開放故障検出部は、並列に接続された発光素子の開放故障を検出し、前記故障検出維持部は、前記開放故障検出部が開放故障を検出した場合、該開放故障しているときの回路状態に移行し、該移行した回路状態を維持し、前記短絡部は、前記故障検出維持部が前記開放故障しているときの回路状態を維持している場合、前記開放故障が検出された発光素子の両端を短絡させるプロジェクターである。
これにより、直列に接続された複数の発光素子のうち任意の発光素子が開放故障した場合でも、開放故障した発光素子を短絡させたままにすることができ、他の発光素子の発光を維持させることができる。更に、開放故障しているときの回路状態を維持することで、開放故障した発光素子の両端を短絡させたままにするので、再度駆動を開始した場合には発光素子の両端を短絡させる状態から駆動が始まる。そのため、突入電流が発光素子に繰り返し流れることがないので、突入電流によって生じる発光素子の劣化を軽減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
短絡部２１３は、故障検出維持部２１２が開放故障しているときの回路状態を維持している場合、開放故障が検出された発光素子１１の両端を短絡させる。ここで短絡部２１３はＦＥＴゲート駆動部２１４及び短絡回路２１５を備える。
ＦＥＴゲート駆動部２１４は、抵抗Ｒ１４、抵抗Ｒ１５及び抵抗Ｒ１６を備える。抵抗Ｒ１４は、一端がヒューズＦ１１と抵抗Ｒ１３に接続され、他端がｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート、抵抗Ｒ１５及び抵抗Ｒ１６に接続されている。抵抗Ｒ１５は、一端が高電位線Ｈ２１に接続され、他端がｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート、抵抗Ｒ１４及び抵抗Ｒ１６に接続されている。抵抗Ｒ１６は、一端が抵抗Ｒ１４、抵抗Ｒ１５及びｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲートに接続され、他端が発光素子１３のカソードに接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
短絡部２６３は、故障検出維持部２６２が発光素子１６の開放故障しているときの回路状態を維持している場合、開放故障が検出された発光素子１６の両端を短絡させる。ここで短絡部２６３はＦＥＴゲート駆動部２６４及び短絡回路２６５を備える。
ＦＥＴゲート駆動部２６４は、抵抗Ｒ２４、抵抗Ｒ２５及び抵抗Ｒ２６を備える。抵抗Ｒ２４は、一端がヒューズＦ２１と抵抗Ｒ２３に接続され、他端がｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート、抵抗Ｒ２５及び抵抗Ｒ２６に接続されている。抵抗Ｒ２５は、一端が低電位線Ｌ２６に接続され、他端がｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート、抵抗Ｒ２４及び抵抗Ｒ２６に接続されている。抵抗Ｒ２６は、一端が抵抗Ｒ２４、抵抗Ｒ２５及びｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲートに接続され、他端が高電位線Ｈ２６に接続されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以上、第１の実施形態における保護回路２１は、発光素子１１が開放故障した場合、ヒューズが溶断されることで、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電位をローレベルにすることができる。ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲートが発光素子１３のカソードに接続されているので、ＦＥＴゲート駆動部２１４は、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２に十分なオンゲート電圧を供給することができる。そのため、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２に十分なオンゲート電圧を供給されることで、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２はほぼ０オームにて開放故障した発光素子１１の両端を短絡することができる。これにより、保護動作時の保護回路２１での損失もほぼ０Ｗとなり発熱を低減することができる。同様に、保護回路２２〜２６が備えるＦＥＴでの損失がほぼ０Ｗとなり発熱を低減することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ＦＥＴゲート駆動部２１４ｂは、ヒューズＦ１１が溶断されるまで、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電位の変化を抑制する回路である。ＦＥＴゲート駆動部２１４ｂは、抵抗Ｒ３１、抵抗Ｒ３２、ＮＰＮトランジスタＴ１３、抵抗Ｒ３３、抵抗Ｒ３４、ＰＮＰトランジスタＴ１４、抵抗Ｒ３５、抵抗Ｒ１５、及び抵抗Ｒ１６を備える。
ＮＰＮトランジスタＴ１３は、ベースが抵抗Ｒ３１を介してヒューズＦ１１及び抵抗Ｒ１３に接続され、更にベースが抵抗Ｒ３２を介して発光素子１３のカソードに接続されている。ＮＰＮトランジスタＴ１３は、コレクタが抵抗Ｒ３４及び抵抗Ｒ３３を介して高電位線Ｈ２１に接続されている。ＮＰＮトランジスタＴ１３は、エミッタが抵抗Ｒ１６及び発光素子１３のカソードに接続されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
続いて、保護回路２１ｂの動作について説明する。まず、発光素子１１が正常に動作している場合の、保護回路２１ｂの動作について説明する。ツェナーダイオードＺＤ１１のツェナー降伏電圧は、発光素子１１の駆動電圧を超えており、例えば、５．０Ｖである。
そのため、発光素子１１が正常に動作している場合には、ＮＰＮトランジスタＴ１１のベース電位がローレベルでＮＰＮトランジスタＴ１１がオフ状態でヒューズＦ１１には電流が流れないので、ＮＰＮトランジスタＴ１３のベース電圧がハイレベルとなり、ＮＰＮトランジスタＴ１３がオン状態となる。ＮＰＮトランジスタＴ１３がオン状態となると、ＰＮＰトランジスタＴ１４のベース電位がローレベルになり、ＰＮＰトランジスタＴ１４はオン状態になる。これにより、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電位は自身のソース電位と近くなり、ｐチャネルＦＥＴＱ１２はオフ状態である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ＦＥＴゲート駆動部２６４ｂは、ヒューズＦ２１が溶断されるまで、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート電位の変化を抑制する回路である。ＦＥＴゲート駆動部２６４ｂは、抵抗Ｒ４１、抵抗Ｒ４２、ＰＮＰトランジスタＴ２３、抵抗Ｒ４３、抵抗Ｒ４４、ＮＰＮトランジスタＴ２４、抵抗Ｒ４５、抵抗Ｒ２５、及び抵抗Ｒ２６を備える。
ＰＮＰトランジスタＴ２３は、ベースが抵抗Ｒ４１を介してヒューズＦ２１と抵抗Ｒ２３に接続され、更にベースが抵抗Ｒ４２を介して発光素子１３のカソードに接続されている。ＰＮＰトランジスタＴ２３は、コレクタが抵抗Ｒ４４及び抵抗Ｒ４３を介して低電位線Ｌ２６に接続されている。ＰＮＰトランジスタＴ２３は、エミッタが抵抗Ｒ２６と発光素子１３のカソードに接続されている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ここで、ヒューズＦ２１と抵抗Ｒ２３の接続点をノードＮＢと称する。抵抗Ｒ４１に比べて抵抗Ｒ４２は例えば大きい抵抗値を有する。抵抗Ｒ４１は例えば４．７ｋΩで、抵抗Ｒ４２は例えば１００ｋΩである。このため、駆動電源１０からヒューズＦ２１に電流が流れてノードＮＢの電位が多少下落してもＰＮＰトランジスタＴ２１のゲート電圧はほとんど変化せずローレベルのままである。その結果、ＰＮＰトランジスタＴ２３のオン状態が維持され、ＮＰＮトランジスタＴ２４のオン状態が維持され、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２のオフ状態が維持される。これにより、ヒューズＦ２１が溶断されるまでの間に、ヒューズＦ２１に流れる電流が小さくならないので、ヒューズＦ２１が溶断されるまでにかかる時間が長くなるのを防止することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
開放故障検出部２１１ｃは、ツェナーダイオードＺＤ５１及び抵抗Ｒ５１を備える。ツェナーダイオードＺＤ５１は、アノードが低電位線Ｌ２１に接続されている。またツェナーダイオードＺＤ５１は、カソードが抵抗Ｒ５１を介して高電位線Ｈ２１に接続され、更に抵抗Ｒ５２を介してＰＮＰトランジスタＴ５１のベースに接続されている。ツェナーダイオードＺＤ５１のカソードと抵抗Ｒ５１との接続点をノードＮＣと称す。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
続いて、保護回路２１ｃの動作について説明する。まず、発光素子１１が正常に動作している場合の、保護回路２１ｃの動作について説明する。ツェナーダイオードＺＤ５１と抵抗Ｒ５１との接続点をノードＮＣと称す。ツェナーダイオードＺＤ５１のツェナー降伏電圧は、発光素子１１の駆動電圧を超えており、例えば、５．０Ｖである。そのため、発光素子１１が正常に動作している場合には、ツェナーダイオードＺＤ５１には電流が流れないので、ノードＮＣの電位は高い状態で維持される。その結果、ＰＮＰトランジスタＴ５１のベース電位はハイレベルとなるので、ＰＮＰトランジスタＴ５１はオフ状態である。また、ヒューズＦ５１は溶断されていないので、ヒューズＦ５１の両端の抵抗が約０Ωであり、ＰＮＰトランジスタＴ５２のベース電位は発光素子１３のカソードの電位に引っ張られてローレベルになる。その結果、ＰＮＰトランジスタＴ５２はオン状態になるので、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電位はソース電位と近くなり、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２はオフ状態である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
時間が経過すると、駆動電源１０から供給された電流によって生じる熱で、ヒューズＦ５１が溶断される。ヒューズＦ５１が溶断されると、抵抗Ｒ５４を介したＰＮＰトランジスタＴ５２のベースと発光素子１３のカソードとの接続が切断されるので、ＰＮＰトランジスタＴ５２のベース電圧はハイレベルになり、ＰＮＰトランジスタＴ５２はオフ状態となる。これにより、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電位は抵抗Ｒ１５と抵抗Ｒ１６により定まる。その際、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲートが抵抗Ｒ１６を介して２段下の発光素子１３のカソードに接続されているので、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート電圧が２段下の発光素子１３のカソードの電圧に引っ張られて下降する。そのため、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電圧がローレベルになって、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２がオン状態になる。このようにヒューズＦ５１が切れた場合、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電圧がローレベルになるように、抵抗Ｒ１５と抵抗Ｒ１６の抵抗値が予め決められている。ｐＭＯＳトランジスタＱ１２がオン状態になると、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のソース、ドレイン間に電流が流れて、発光素子１１の両端を短絡することができる。これにより、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２は、開放故障した発光素子１１へ流入する電流をバイパスして発光素子１２へ供給するので、駆動電源１０は他の直列に接続された発光素子１２〜１６を駆動することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
続いて、保護回路２６ｃの回路構成について説明する。なお、保護回路２４ｃ及び２５ｃの回路構成は、保護回路２６ｃの回路構成と同様であるため、その詳細な説明を省略する。保護回路２６ｃは、ＦＥＴをオン状態にするゲート電位を得るために、ｐチャネルＦＥＴではなくｎチャネルＦＥＴを備え、ｎチャネルＦＥＴをオン状態にするオンゲート電圧を得るために、ｎチャネルＦＥＴのゲートが抵抗Ｒ２６を介して、２段上の発光素子１４のアノードに接続されている点で保護回路２１ｃと異なる。更に、保護回路２６ｃは、ヒューズに大きな電圧をかけるために、ヒューズの一端が２段上の発光素子１４のアノードに接続されている。このため、保護回路２６ｃは、その他の回路構成も保護回路２１ｃとは異なる。以下、保護回路２６ｃの回路構成の詳細について説明する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
続いて、保護回路２１ｄの動作について説明する。まず、発光素子１１が正常に動作している場合の、保護回路２１ｄの動作について説明する。ツェナーダイオードＺＤ７１のツェナー降伏電圧は、発光素子１１の駆動電圧を超えており、例えば、５．０Ｖである。
そのため、発光素子１１が正常に動作している場合には、ツェナーダイオードＺＤ７１には電流が流れないので、ＰＮＰトランジスタＴ７１のベース電位がハイレベルで、ＰＮＰトランジスタＴ７１はオフ状態である。その場合、ＰＮＰトランジスタＴ７３のベース電位は、抵抗Ｒ７５と抵抗Ｒ７６で決まりローレベルとなるので、ＰＮＰトランジスタＴ７３はオン状態になる。これにより、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート電位はソース電位と近く、ｐＭＯＳトランジスタＱ１２はオフ状態となる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
続いて、発光素子１１が開放故障（切断）した場合の、保護回路２１ｄの動作について説明する。発光素子１１が開放故障した場合、駆動電源１０が定電流を発光素子１１に流そうとしてツェナーダイオードＺＤ７１の両端の電圧が上昇する。ツェナーダイオードＺＤ７１の両端の電圧がツェナー降伏電圧（例えば、５．０Ｖ）以上になると、ツェナーダイオードＺＤ７１のカソードからアノードへ向けて電流が流れ始める。その場合、ツェナーダイオードＺＤ７１の両端にはツェナー降伏電圧がかかるため、ＰＮＰトランジスタＴ７１のベース電位がローレベルとなり、ＰＮＰトランジスタＴ７１がオン状態となる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
ＮＰＮトランジスタＴ８１は、ベースが抵抗Ｒ８２を介してコンデンサＣ２１の一端及びＰＮＰトランジスタＴ８２のコレクタに接続され、エミッタが低電位線Ｌ２６に接続され、コレクタが抵抗Ｒ８３を介してＰＮＰトランジスタＴ８２のベースに接続され、抵抗Ｒ８４または抵抗Ｒ８６を介して発光素子１３のカソードに接続され、ＮＰＮトランジスタＴ８３のベースに接続され、抵抗Ｒ８５を介して低電位線Ｌ２６に接続されている。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
ＰＮＰトランジスタＴ８３は、ベースがＮＰＮトランジスタＴ８１のコレクタに接続され、抵抗Ｒ８４または抵抗Ｒ８６を介して発光素子１４のアノードに接続され、抵抗Ｒ８５を介して低電位線Ｌ２６に接続されている。ＮＰＮトランジスタＴ８３は、エミッタが低電位線Ｌ２６に接続され、コレクタが抵抗Ｒ２４を介してｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート、抵抗Ｒ２５及び抵抗Ｒ２６に接続されている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
続いて、保護回路２６ｄの動作について説明する。まず、発光素子１６が正常に動作している場合の、保護回路２６ｄの動作について説明する。ツェナーダイオードＺＤ８１のツェナー降伏電圧は、発光素子１６の駆動電圧を超えており、例えば、５．０Ｖである。
そのため、発光素子１６が正常に動作している場合には、ツェナーダイオードＺＤ８１には電流が流れないので、ＮＰＮトランジスタＴ８１のベース電位がＮＰＮトランジスタＴ８１のエミッタ電位に引っ張られる。そのためＮＰＮトランジスタＴ８１のベース電位がローレベルとなり、ＮＰＮトランジスタＴ８１はオフ状態である。その場合、ＮＰＮトランジスタＴ８３のベース電位は、ハイレベルとなるので、ＮＰＮトランジスタＴ８３はオン状態になる。ここで、ＮＰＮトランジスタＴ８１はオフ状態の場合、ＮＰＮトランジスタＴ８３のベース電位がハイレベルになるように、抵抗Ｒ８５と抵抗Ｒ８６の抵抗値が決まっている。これにより、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート電位はソース電位と近く、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２はオフ状態となる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
ＮＰＮトランジスタＴ８１のオン状態が維持されるので、ＮＰＮトランジスタＴ８３のベースの電位がローレベルに維持され、ＮＰＮトランジスタＴ８３がオフ状態を維持する。これにより、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２のゲート電位は発光素子１４のアノードの電位に引っ張られてハイレベルとなり、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２はオン状態となる。これにより、ｎＭＯＳトランジスタＱ２２は、開放故障した発光素子１６へ流入する電流をバイパスして駆動電源１０へ供給するので、駆動電源１０は他の直列に接続された発光素子１１〜１５を駆動することができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
以上、第４の実施形態において、故障検出維持部２１２ｄは、コンデンサＣ１１と複数のトランジスタとを備え、故障検出維持部２１２ｄは、開放故障検出部２１１ｄが開放故障を検出した場合に、コンデンサＣ１１に電荷を蓄積し複数のトランジスタの導通状態を固定することでｐチャネルＦＥＴ（Ｑ１２）をオン状態に固定する。これにより、ほぼ０オームにて開放故障した発光素子の両端を短絡することができる。その結果、保護動作時の保護回路での損失もほぼ０Ｗとなり、従来方式と比べ保護回路２１ｄの放熱構造が不要となる利点がある。同様に、保護回路２２ｄ〜２６ｄの放熱構造が不要となる利点がある。
また、開放故障検出部２１１ｄが一度、発光素子の開放故障を検出した場合、故障検出維持部２１２ｄが備えるＰＮＰトランジスタＴ７１のオン状態が維持されて、抵抗Ｒ１４と高電位線Ｈ２１との接続が常に切断される。これにより、ｐチャネルＦＥＴ（Ｑ１２）のゲートが常にローレベルになって、ｐチャネルＦＥＴ（Ｑ１２）のオン状態が維持される。その結果、再度駆動を開始した場合に、ｐチャネルＦＥＴ（Ｑ１２）がオン状態から駆動が始まる。そのため、突入電流が繰り返し流れることがないので、保護回路２１ｄは突入電流によって生じる光源素子の劣化を軽減することができる。同様に、保護回路２２ｄ〜２６ｄは突入電流によって生じる光源素子の劣化を軽減することができる。
更に、ＰＮＰトランジスタＴ７１のベースが抵抗Ｒ７２を介してコンデンサＣ１１が接続されてコンデンサＣ１１に電荷が蓄えられることでＰＮＰトランジスタＴ７１のベース電位がローレベルに維持される。このためＰＷＭ調光等による短時間の電源切断の場合にも、保護回路２１ｄはＰＮＰトランジスタＴ７１のオン状態を維持することができる。それとともに、想定外の外部ノイズがあってもＰＮＰトランジスタＴ７１のオン状態が維持されるので、保護回路２１ｄの誤動作を防ぐことができる。同様に、保護回路２２ｄ〜２６ｄはＮＰＮトランジスタＴ８１のオン状態を維持することができる。それとともに、想定外の外部ノイズがあってもＮＰＮトランジスタＴ８１のオン状態が維持されるので、保護回路２２ｄ〜２６ｄの誤動作を防ぐことができる。