【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配置された第１の垂直共振器面発光レーザー（第１のVCSEL）と、
前記第１のVCSELの近くにおいて前記光電子デバイスに水平方向に集積されたマッハツェンダー変調器（MZM）
を備え、
前記第１のVCSELは、前記基板の上に配置された第１の分布ブラッグ反射器（第１のDBR）と、該第１のDBRの上に配置された第１の量子井戸（QW）領域と、該第１のQW領域の上に配置された第２の分布ブラッグ反射器（第２のDBR）と、該第２のDBRの上に前記基板に対向して配置された第１の反射器とを備え、該第１の反射器は、前記第１のVCSELによって生成された光を反射して前記光電子デバイス中へと戻し、
前記MZMは、前記第１のVCSELによって生成された光を受け取り、該受け取った光を変調して変調された光信号を生成し、
前記MZMは、前記第１のVCSELから受け取った前記光が該MZMの上面を通過するのを阻止する第２の反射器を該MZM内または該MZM上に有し、
前記第１の反射器と前記第２の反射器は、単一の反射器の互いに異なる部分であることからなる、光電子デバイス。
【請求項２】
VCSELの構造を有する出力空胴をさらに備え、
前記出力空胴は、前記MZMの近くにおいて前記第１のVCSELに対向して、前記光電子デバイスに水平方向に集積され、
前記出力空胴は、第３のDBR、該第３のDBRの上に配置された第２のQW領域、及び、該第２のQW領域の上に配置された第４のDBRを備え、
前記出力空胴は、前記MZMから出て行く前記変調された光信号を受け取って、該光信号を、前記光電子デバイスの外部へと該出力空胴の光軸に平行な方向に送ることからなる、請求項１の光電子デバイス。
【請求項３】
前記MZMは、入力光Ｙ接合部、第１の光閉じ込めアーム、第２の光閉じ込めアーム、及び出力光Ｙ接合部を少なくとも備え、
前記入力光Y接合部は、前記第１のVCSELによって生成された光を受け取るために該第１のVCSELに結合する第１の分岐を有し、
前記入力光Y接合部は、前記第１の光閉じ込めアームの第１の端部に結合する第２の分岐と、前記第２の光閉じ込めアームの第１の端部に結合する第３の分岐を有し、
前記出力光Ｙ接合部は、前記第１の光閉じ込め分岐の第２の端部に結合する第４の分岐と、前記第２の光閉じ込め分岐の第２の端部に結合する第５の分岐を有して、前記第１の光閉じ込めアームの前記第２の端部及び前記第２の光閉じ込めアームの前記第２の端部から出て行く光を受け取り、該受け取った光を結合して前記変調された光信号を生成し、
前記出力光Ｙ接合部は、前記変調された光信号を前記出力空胴に結合するために前記出力空胴に結合する端部を有する第６の分岐を備えることからなる、請求項２の光電子デバイス。
【請求項４】
前記MZMは、前記MZMに電界を印加して前記第１及び第２の光閉じ込めアームの一方または両方に加えられる電圧差を生じさせるための第１の電極及び第２の電極を少なくとも備える、請求項３の光電子デバイス。
【請求項５】
前記MZMへの電界の印加によって、前記第１の光閉じ込めアームに電圧差を生じさせ、
前記第１の光閉じ込めアームに加えられる前記電圧差によって、前記第１の光閉じ込めアームを伝搬する光に位相変化を生じさせ、これによって、前記第１の光閉じ込めアーム及び前記第２の光閉じ込めアーム内を伝搬する光間に位相差が生じるようにし、
前記位相差によって、前記光が前記出力光Ｙ接合部内へと伝搬するときに前記光の干渉及び変調が生じることからなる、請求項４の光電子デバイス。
【請求項６】
前記第１のアームの長さと前記第２のアームの長さは等しい、請求項５の光電子デバイス。
【請求項７】
前記第１のアームの長さと前記第２のアームの長さは等しくない、請求項５の光電子デバイス。
【請求項８】
前記MZMは、第１の電極、第２の電極、及び第３の電極を少なくとも備え、前記第１及び第２の電極には第１の電圧差が加えられ、及び、前記第２及び第３の電極には第２の電圧差が加えられ、
前記第１の電圧差は、前記第１の光閉じ込めアームに印加され、前記第２の電圧差は、前記第２の光閉じ込めアームに印加される、請求項３の光電子デバイス。
【請求項９】
前記第１の電圧差及び前記第２の電圧差は、互いに１８０°位相がずれている交流（ＡＣ）電圧差である、請求項８の光電子デバイス。
【請求項１０】
前記第１の光閉じ込めアームに対する前記第１の電圧差の印加によって前記第１のアーム中を伝搬する光に第１の位相変化を生じさせ、前記第２の光閉じ込めアームに対する前記第２の電圧差の印加によって前記第２のアーム中を伝搬する光に第２の位相変化を生じさせ、これによって、前記第１のアームと前記第２のアーム中を伝搬する光間に位相差が生じるようにし、
前記位相差によって、前記光が前記出力光Ｙ接合部内へと伝搬するときに前記光の干渉及び変調が生じ、
前記光の干渉及び変調によって前記変調された光信号が生成されることからなる、請求項９の光電子デバイス。
【請求項１１】
前記第１の反射器は、前記第１のVCSELによって生成された光を、前記第１の反射器の下面に対する垂線に対して非ゼロの小さな角度で反射し、前記角度は０°と約２０°の間であり、
前記角度で反射された前記光は、前記MZMの上部DBR及び下部DBRによって前記小さな角度で反射されながら前記MZM中を伝搬し、
前記第２の反射器は、前記MZMの前記上部DBRを通過する光が、前記MZMの上面を通って該MZMから出て行くのを阻止することからなる、請求項２の光電子デバイス。
【請求項１２】
前記出力空胴は、前記変調された光信号を前記光電子デバイスの外へ送る前に、該変調された光信号を増幅する第２のVCSELである、請求項１１の光電子デバイス。
【請求項１３】
前記出力空胴は、前記変調された光信号を増幅することなく前記光電子デバイスの外へ送る、請求項１１の光電子デバイス。
【請求項１４】
前記第１のVCSEL、前記出力空胴、及び前記MZMは、同じエピタキシャル構造を共有する、請求項１１の光電子デバイス。
【請求項１５】
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配置された第１の垂直共振器面発光レーザー（第１のVCSEL）と、
前記第１のVCSELの近くにおいて前記光電子デバイスに水平方向に集積されたマッハツェンダー変調器（MZM）と、
前記MZMの近くにおいて前記第１のVCSELに対向して、前記光電子デバイスに水平方向に集積された出力空胴
を備え、
前記第１のVCSELは、前記基板の上に配置された第１の分布ブラッグ反射器（第１のDBR）と、該第１のDBRの上に配置された第１の量子井戸（第１のQW）領域と、該第１のQW領域の上に配置された第２の分布ブラッグ反射器（第２のDBR）と、該第２のDBRの上に前記基板に対向して配置された第１の反射器とを備え、該第１の反射器は、前記第１のVCSELによって生成された光を反射して前記光電子デバイス中へと戻し、
前記MZMは、前記第１のVCSELによって生成された光を受け取り、該受け取った光を変調して変調された光信号を生成し、
前記MZMは、前記第１のVCSELから受け取った前記光が該MZMの上面を通過するのを阻止する第２の反射器を該MZM内または該MZM上に有し、
前記出力空胴は、前記MZMから出て行く前記変調された光信号を受け取って、該光信号を、前記光電子デバイスの外部へと該出力空胴の光軸に平行な方向に送ることからなる、光電子デバイス。
【請求項１６】
前記第１の反射器と前記第２の反射器は別個の反射器である、請求項１５の光電子デバイス。
【請求項１７】
前記第１の反射器と前記第２の反射器は、単一の反射器の互いに異なる部分である、請求項１５の光電子デバイス。
【請求項１８】
前記出力空胴はVCSELの構造を有し、及び、前記出力空胴は、前記基板の上に配置された第３のDBR、該第３のDBRの上に配置された第２のQW領域、及び、該第２のQW領域の上に配置された第４のDBRを備える、請求項１５の光電子デバイス。
【請求項１９】
前記第１の反射器は、前記第１のVCSELによって生成された光を、該第１の反射器の下面に対する垂線に対して非ゼロの小さな角度で反射し、該角度は０°と約２０°の間であり、
前記角度で反射された前記光は、前記MZMの上部DBR及び下部DBRによって前記小さな角度で反射されながら前記MZM中を伝搬することからなる、請求項１５の光電子デバイス。
【請求項２０】
前記MZMは、入力光Ｙ接合部、第１の光閉じ込めアーム、第２の光閉じ込めアーム、及び出力光Ｙ接合部を少なくとも備え、
前記入力光Y接合部は、前記第１のVCSELによって生成された光を受け取るために該第１のVCSELに結合する第１の分岐を有し、
前記入力光Y接合部は、前記第１の光閉じ込めアームの第１の端部に結合する第２の分岐と、前記第２の光閉じ込めアームの第１の端部に結合する第３の分岐を有し、
前記出力光Ｙ接合部は、前記第１の光閉じ込め分岐の第２の端部に結合する第４の分岐と、前記第２の光閉じ込め分岐の第２の端部に結合する第５の分岐を有して、前記第１の光閉じ込めアームの前記第２の端部及び前記第２の光閉じ込めアームの前記第２の端部から出て行く光を受け取り、該受け取った光を結合して前記変調された光信号を生成し、
前記出力光Ｙ接合部は、前記変調された光信号を前記出力空胴に結合するために前記出力空胴に結合する端部を有する第６の分岐を備えることからなる、請求項１９の光電子デバイス。
【請求項２１】
前記MZMは、前記MZMに電界を印加して前記第１及び第２の光閉じ込めアームの一方または両方に加えられる電圧差を生じさせるための第１の電極及び第２の電極を少なくとも備える、請求項２０の光電子デバイス。
【請求項２２】
前記MZMへの電界の印加によって、前記第１の光閉じ込めアームに加えられる電圧差を生じさせ、
前記第１の光閉じ込めアームに加えられる前記電圧差によって、前記第１の光閉じ込めアーム内を伝搬する光に位相変化を生じさせ、これによって、前記第１の光閉じ込めアーム及び前記第２の光閉じ込めアーム内を伝搬する光間に位相差が生じるようにし、
前記位相差によって、前記光が前記出力光Ｙ接合部内へと伝搬するときに前記光の干渉及び変調が生じることからなる、請求項２１の光電子デバイス。
【請求項２３】
前記第１のアームの長さと前記第２のアームの長さは等しい、請求項２２の光電子デバイス。
【請求項２４】
前記第１のアームの長さと前記第２のアームの長さは等しくない、請求項２２の光電子デバイス。
【請求項２５】
前記MZMは、第１の電極、第２の電極、及び第３の電極を少なくとも備え、前記第１及び第２の電極には第１の電圧差が加えられ、及び、前記第２及び第３の電極には第２の電圧差が加えられ、
前記第１の電圧差は、前記第１の光閉じ込めアームに印加され、前記第２の電圧差は、前記第２の光閉じ込めアームに印加される、請求項２０の光電子デバイス。
【請求項２６】
前記第１の電圧差及び前記第２の電圧差は、互いに１８０°位相がずれている交流（ＡＣ）電圧差である、請求項２５の光電子デバイス。
【請求項２７】
前記第１の光閉じ込めアームに対する前記第１の電圧差の印加によって前記第１のアーム中を伝搬する光に第１の位相変化を生じさせ、前記第２の光閉じ込めアームに対する前記第２の電圧差の印加によって前記第２のアーム中を伝搬する光に第２の位相変化を生じさせ、これによって、前記第１のアームと前記第２のアーム中を伝搬する光間に位相差が生じるようにし、
前記位相差によって、前記光が前記出力光Ｙ接合部内へと伝搬するときに前記光の干渉及び変調が生じ、
前記光の干渉及び変調によって前記変調された光信号が生成されることからなる、請求項２６の光電子デバイス。
【請求項２８】
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配置された第１の垂直共振器面発光レーザー（第１のVCSEL）と、
前記第１のVCSELの近くにおいて前記光電子デバイスに水平方向に集積されたマッハツェンダー変調器（MZM）と、
前記MZMの近くにおいて前記第１のVCSELに対向して、前記光電子デバイスに水平方向に集積された出力空胴
を備え、
前記第１のVCSELは、前記基板の上に配置された第１の分布ブラッグ反射器（第１のDBR）と、該第１のDBRの上に配置された第１の量子井戸（第１のQW）領域と、該第１のQW領域の上に配置された第２の分布ブラッグ反射器（第２のDBR）と、該第２のDBRの上に前記基板に対向して配置された第１の反射器とを備え、
前記第１の反射器は、前記第１のVCSELによって生成された光を反射して前記光電子デバイス中へと戻し、
前記第１の反射器は、前記第１のVCSELによって生成された光を、該第１の反射器の下面に対する垂線に対して非ゼロの小さな角度で反射し、該角度は０°〜約２０°の間であり、
前記MZMは、前記第１のVCSELによって生成された光を受け取り、
前記非ゼロの小さな角度で反射した前記光は、前記MZMの上部DBR及び下部DBRによって前記小さな角度で反射されながら前記MZM中を伝搬し、
前記MZMは、前記受け取った光を変調して変調された光信号を生成し、
前記MZMは、前記第１のVCSELから受け取った前記光が該MZMの上面を通過するのを阻止する第２の反射器を該MZM内または該MZM上に有し、
前記出力空胴は、前記MZMから出て行く前記変調された光信号を受け取って、該光信号を、前記光電子デバイスの外部へと該出力空胴の光軸に平行な方向に送ることからなる、光電子デバイス。