【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）（ｉ）１種以上の樹脂
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）前記１種以上の樹脂とは異なり、かつ（Ａ）１以上の塩基反応性基および（Ｂ）１以上の塩基反応性基に加えて、これとは異なるヒドロキシル、シアノ、ニトロ、スルホノもしくはスルホキシド基の１以上を含み、前記（Ａ）１以上の塩基反応性基および（Ｂ）ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、スルホノもしくはスルホキシド基が同じ樹脂繰り返し単位に存在する１種以上の材料
を含み、前記１種以上の材料（ｉｉｉ）が光酸不安定基を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し、並びに
ｂ）適用されたフォトレジスト層を前記フォトレジスト組成物を活性化する放射線に液浸露光する
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項２】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上の塩基反応性基に加えて、これとは異なる１以上の酸基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上の塩基反応性基に加えて、これとは異なる１以上の光酸不安定基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
適用中に前記（ｉｉｉ）１種以上の材料がフォトレジスト組成物層の上部に向かって移動する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が水性アルカリ現像剤と反応してヒドロキシ、カルボキシもしくはスルホン酸基を提供する基を含み、および／または前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が１以上のフッ素基もしくはフッ素置換基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
露光されたフォトレジスト層を水性アルカリ現像剤で現像し、それにより前記１以上の塩基反応性基が結合破壊反応を受けて１以上の極性基を生じさせることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
現像前のフォトレジスト層が４０°を超える水後退接触角を有し、かつ現像後のフォトレジスト層が３０°未満の水後退接触角を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上のヒドロキシル基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上のシアノ基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上のニトロ基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上のスルホノ基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記（ｉｉｉ）１種以上の材料が、１以上のスルホキシド基を含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
この点については、本発明の特に好ましいフォトレジストは、現像後に、約４０°未満、より好ましくは３０°未満、さらにより好ましくは２５°未満もしくは２０°未満の水後退接触角（ｗａｔｅｒ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｒｅｃｅｄｉｎｇ  ａｎｇｌｅ）（レジストの塗膜層）を示す。本明細書において言及される場合、後退角をはじめとする水接触角はＢｕｒｎｅｔｔら、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ．Ｂ，２３（６）、２７２１〜２７２７ページ（２００５年１１月／１２月）に定義され、これに開示される様な手順によって決定されうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明のフォトレジストに使用するのに好ましい実質的に非混和性の材料はフォトレジスト現像剤組成物（例えば、０．２６Ｎのアルカリ水溶液）に可溶性でもあり得る。よって、実質的に非混和性の材料中に、上述の光酸不安定基に加えて、他の水性塩基可溶性基、例えば、ヒドロキシル、フルオロアルコール（例えば、−Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２）、カルボキシなどが含まれうる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明のフォトレジストに使用するのに好適な実質的に非混和性の材料は粒子の形態であってもよい。このような粒子は別個の粒子の形態、すなわち、分離しかつ別個のポリマーとして重合されるポリマーを含むことができる。このようなポリマー粒子は典型的には、線状もしくはラダーシリコンポリマーのような線状もしくはラダーポリマーとは異なる１以上の特徴を有する。例えば、このようなポリマー粒子は特定のサイズおよび低い分子量分布を有しうる。より具体的には、好ましい形態においては、本発明のフォトレジストにおいて、約５〜３０００オングストローム、より好ましくは約５〜２０００オングストローム、さらにより好ましくは約５〜約１０００オングストローム、さらにより好ましくは約１０〜約５００オングストローム、さらにより好ましくは１０〜５０もしくは２００オングストロームの平均粒子サイズ（寸法）を有する複数のポリマー粒子が使用されうる。多くの用途のために、特に好ましい粒子は約２００もしくは１００オングストローム未満の平均粒子サイズを有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
カルボン酸基への変換
さらなる好ましい塩基反応性基には、塩基（例えば、水性アルカリ現像剤組成物）での処理の際に１以上のカルボン酸基を提供できる部分が挙げられる。より具体的には、このような塩基反応性基を含む好適なモノマーには、以下の式（ＩＩＩ）のものが挙げられる：
【化１２】
2012113302.tif 000001
式中、Ｍはビニルおよびアクリルをはじめとする重合性官能基であり、Ｒ１はカルボキシル連結を有するかもしくは有しないアルキルスペーサー基（例えば、Ｃ１−２０線状、分岐もしくは環式）、Ｒｆは少なくともアルファ炭素（カルボニル炭素の隣の炭素）がフッ素化されているフルオロもしくはペルフルオロアルキル基（例えば、１〜８個のフッ素原子を有するＣ１−２０アルキル）、およびＲ２はアルキル基（例えば、Ｃ１−２０線状、分岐もしくは環式）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
本発明に従って使用されるフォトレジストの好ましい任意成分の添加剤は追加塩基、特にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）またはテトラメチルアンモニウムラクタートであり、これは現像されたレジストレリーフ像の解像度を向上させることができる。１９３ｎｍで像形成されるレジストについては、好ましい追加塩基はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの乳酸塩、並びに様々な他のアミン、例えば、トリイソプロパノール、ジアザビシクロウンデセンまたはジアザビシクロノネンである。追加塩基は比較的少量で、例えば、全固形分に対して約０．０３〜５重量パーセントで好適に使用される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
上述のように、フォトレジスト組成物は好ましくは、短い露光波長によって、特に、サブ（ｓｕｂ）４００ｎｍ、サブ３００ｎｍおよびサブ２００ｎｍの露光波長によって光活性化され、ＥＵＶだけでなく、Ｉ線（３６５ｎｍ）、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍも特に好ましい露光波長である。