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【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動車両に搭載されたバッテリの直流電圧を所望の直流電圧に変換する電力変換装置から電圧が供給され、電動車両の動力輪を駆動する電動機に電力を供給するインバータと、
トルク指令に基づいて前記インバータを制御するインバータ制御部と、を備え、
前記インバータ制御部は、
前記電力変換装置から供給される電圧を計測する計測部と、
前記電力変換装置から供給される電圧の変動を推定する推定部と、
前記計測部による電圧計測値と前記推定部による推定値との差分が所定値以上の場合に前記推定値を選択し、前記差分が所定値未満の場合に前記電圧計測値を選択する選択部と、を有し、
前記インバータ制御部は、前記選択部で選択された前記推定値または前記電圧計測値と、前記トルク指令とに基づいて、前記インバータを制御することを特徴とする電動車両用電力制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電動車両用電力制御装置において、
電動車両を制御する車両用制御装置から前記電力変換装置への電圧変換指令を取得する取得部を備え、
前記推定部は、前記取得部で取得した前記電圧変換指令に基づいて電圧の変動を推定することを特徴とする電動車両用電力制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電動車両用電力制御装置において、
前記電圧変換指令は少なくとも電圧変換の電圧目標値を含み、
前記電圧目標値の変化が所定閾値以上の場合には前記選択部による選択を行い、前記電圧目標値の変化が所定閾値未満の場合には前記選択部による選択を行わず、かつ、前記電圧計測値に基づいて前記インバータの制御が行われることを特徴とする電動車両用電力制御装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電動車両用電力制御装置において、
前記計測部はフィルタを有し、該フィルタを通過した第１の電圧計測値と、前記フィルタを通過させない第２の電圧計測値とを計測し、
前記推定部は、前記第２の電圧計測値に基づいて電圧の変動を推定することを特徴とする電動車両用電力制御装置。
【請求項５】
請求項３に記載の電動車両用電力制御装置において、
前記選択部で選択された前記推定値または前記電圧計測値を前記車両用制御装置へ出力することを特徴とする電動車両用電力制御装置。
【請求項６】
バッテリと、
前記バッテリの直流電圧を所望の直流電圧に変換する電力変換装置と、
前輪および後輪の一方を駆動する第１の電動機と、
前記電力変換装置から電圧が供給され、前記第１の電動機に電力を供給する第１のインバータと、
前輪および後輪の他方を駆動する第２の電動機と、
前記第２の電動機に対して設けられ、前記電力変換装置から直流電圧が供給されると共に前記第２の電動機に電力を供給する第２のインバータを有する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電動車両用電力制御装置と、を備えたことを特徴とする電動四輪駆動車両。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記上面の上に形成された半導体層と、ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極とを有する電界効果トランジスタと、
前記半導体基板の前記上面に形成されたＰ型拡散層と、
前記半導体基板の前記上面に形成され、前記Ｐ型拡散層と共に横型ダイオードを構成する第１のＮ型拡散層と、
前記Ｐ型拡散層を接地点に接続する第１の接続電極と、
前記第１のＮ型拡散層を前記ゲート電極又は前記ドレイン電極に接続する第２の接続電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のＮ型拡散層は前記Ｐ型拡散層内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記Ｐ型拡散層内に形成された第２のＮ型拡散層を更に備え、
前記第１の接続電極は前記第２のＮ型拡散層を介して前記Ｐ型拡散層に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のＮ型拡散層は前記Ｐ型拡散層の中央部に形成され、
前記第１の接続電極は前記Ｐ型拡散層の外周部に接続され、
前記Ｐ型拡散層内において前記外周部と前記第１のＮ型拡散層との間に形成された第２のＮ型拡散層を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の前記下面に形成された接地電極を更に備え、
前記第１の接続電極は前記半導体基板を通って前記接地電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極又は前記ソース電極に接続されたワイヤボンディングパッドを更に備え、
前記Ｐ型拡散層と前記第１のＮ型拡散層は絶縁膜を介して前記ワイヤボンディングパッドの直下に配置されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の上面に横型ダイオードを構成するＰ型拡散層とＮ型拡散層を形成する工程と、
前記Ｐ型拡散層と前記Ｎ型拡散層を覆う絶縁膜を前記半導体基板上の一部に形成する工程と、
前記絶縁膜を形成した後に、前記絶縁膜で覆われてない前記半導体基板上に半導体層と、ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極とを有する電界効果トランジスタを形成する工程と、
前記Ｐ型拡散層を接地点に接続する第１の接続電極を形成する工程と、
前記Ｎ型拡散層を前記ゲート電極又は前記ソース電極に接続する第２の接続電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層を形成する際に前記絶縁膜上に非晶質半導体層が形成され、
前記非晶質半導体層の内部に前記半導体層の金属元素又は結晶欠陥を捕獲することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
接続電極１６が絶縁膜１５に設けられたビアを介してＰ型拡散層１２を接地パッド１７に接続し、接地パッド１７はワイヤ又はビアにより接地点に接続される。接続電極１８が、絶縁膜１５に設けられたビアを介してＮ＋型拡散層１３をゲートパッド５ａに接続する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
実施の形態４．
図１４は、本発明の実施の形態４に係るサージ保護素子を示す上面図である。図１５は、本発明の実施の形態４に係るサージ保護素子を示す断面図である。接続電極２３は、サージ保護素子２６を覆う絶縁膜１５だけでなく、半導体基板１も貫通している。そして、接続電極２３は半導体基板１を通って裏面電極１０に接続されて接地されている。これにより、接地パッド２４が不要となるため、チップ面積を低減することができる。サージ保護素子２６の動作及びその他の効果は実施の形態２等と同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
実施の形態５．
図１６は、本発明の実施の形態５に係るサージ保護素子を示す上面図である。図１７は、本発明の実施の形態５に係るサージ保護素子を示す断面図である。接続電極２３は、サージ保護素子２６を覆う絶縁膜１５を貫通しておらず、半導体基板１の下面からＰ＋型拡散層２２の底部までエッチングしたバイアホールを金属材料等で充填することで形成されている。そして、接続電極２３は半導体基板１を通って裏面電極１０に接続されて接地されている。これにより、接地パッド２４だけでなく絶縁膜１５上でのＧＮＤ配線も不要となるため、実施の形態４よりもチップ面積を低減することができる。サージ保護素子２６の動作及びその他の効果は実施の形態２等と同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、サージ保護素子領域に絶縁膜２９を残したままでＧａＮバッファー層２、アンドープＧａＮチャネル層３、及びＡｌＧａＮ電子供給層４を形成するため、絶縁膜２９の上部にアモルファスＧａＮである非晶質半導体層３０が形成される。非晶質半導体層３０には多数の不整結合が存在するため、エピタキシャル層や電極の形成時に混入する金属元素（鉄、銅、クロム、ニッケル等）、格子定数の不整合、その応力から発生した結晶欠陥を非晶質半導体層３０内部に捕獲することができる。このため、トランジスタ領域のピット、転位ループを低減できるので電界効果トランジスタ９のリーク電流や長期動作時の特性変動を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記基板本体は、前記流路に前記冷却媒体を流入する流入口を有し、
前記流入流路の幅は、前記流入口からの距離が遠いほど広いこと、
を特徴とする請求項１に記載の冷却装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記基板本体は、前記流路から前記冷却媒体を流出する流出口を有し、
前記流出流路の幅は、前記流出口からの距離が遠いほど広いこと、
を特徴とする請求項１または２に記載の冷却装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基板本体２１の上面には複数の電極パッド２４が形成されている。電極パッド２４は、接続用バンプ６３により半導体チップ５０に接続されている。基板本体２１の下面には、複数の電極パッド２５が形成されている。電極パッド２５は端子の一例である。電極パッド２４，２５材料は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル合金等である。電極パッド２４と電極パッド２５は、貫通電極２３を介して互いに電気的に接続されている。電極パッド２５は、バンプ６２により配線基板１０の電極パッド１２に電気的に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、基板１００の上面に、その上面全体を覆うレジスト膜１０１を形成する。レジスト膜１０１は、例えば液状のレジスト材を均一な厚さに塗布する、またはシート状のレジスト材を貼付することにより得られる。そして、レジスト膜１０１に、例えばフォトリソグラフィによって図１に示す流入口２７に対応する開口部１０１ａと、貫通孔２２に対応する開口部１０１ｂを形成する。なお、図３（ａ）では、流入口２７（図１参照）に対応する開口部１０１ａを示しているが、レジスト膜１０１には、図１に示す流出口２８に対応する開口部も同様に形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
・図１０に示すように、基板本体２１の内面に図２（ａ）に示す絶縁膜３３，３４を形成しないようにしてもよい。つまり、流路２６に対して、基板本体２１の材料であるシリコンが露出している。このような基板本体は、例えば流入口２７と流出口２８を、２つのシリコン基板を貼り合わせて流路２６と貫通孔２２を有する基板を生成し、その基板に対する熱処理の後に形成することにより得られる。シリコンは撥水性を有しているため、流路２６を通過する冷却媒体に対する抵抗は、シリコン酸化膜における抵抗よりも小さい。したがって、冷却媒体を流れやすくすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
例えば、図１１に示すように、流入口２７（流出口２８）と流路２６に応じた溝１４１を形成した基板１４０と、流路２６に応じた溝１５１を形成した基板１５０を貼り合わせて基板本体を形成するようにしてもよい。なお、図１１では、貫通孔２２（図参照）に応じた貫通孔１４２，１５２を有する基板１４０，１５０を互いに貼り合わせて貫通孔２２を形成したが、貼り合わせ後に貫通孔２２を形成してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
なお、図１３では、中間基板２０ａの上面と下面にそれぞれ１つの半導体チップ５０ａ，５０ｂを実装したが、上面と下面の少なくとも一方に複数の半導体チップを実装してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月10日(2016.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整列した複数の発光素子と、
該発光素子の側面を被覆する光反射性部材と、
前記発光素子間の前記光反射性部材間に配置される遮光性部材とを備える発光装置。
【請求項２】
さらに、前記発光素子の上面を被覆する透光性部材を備え、前記光反射性部材が前記透光性部材の側面を被覆する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記透光性部材の側面を被覆する前記発光素子間の前記光反射性部材間に、前記遮光性部材が配置されている請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子は、基材上に接合され、前記基材と発光素子との間に埋設部材が埋設されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記埋設部材は、光反射性樹脂によって形成されている請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記上面側における前記透光性部材、光反射性部材及び遮光性部材が略面一である請求項２〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子が、独立して駆動される請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記遮光性部材は、前記発光素子間の前記光反射性部材に形成された溝内に配置されている請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記遮光性部材は、上面視において、前記光反射性部材の対向する辺の一方側から他方側に向かって直線状に配置されている請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記遮光性部材は断面視においてＶ字形状である請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１１】
前記遮光性部材は、前記発光装置に載置されている全ての発光素子間に配置されている請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2014236175.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に形成された第１窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層上に形成され、前記第１窒化物半導体層よりバンドギャップが広い第２窒化物半導体層と、
前記第２窒化物半導体層を貫通し、前記第１窒化物半導体層の途中まで到達する溝と、
前記溝内にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記第２窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第１電極および第２電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記溝の端部から前記第１電極側に延在し、前記溝の端部側に位置する第１部と、前記第１部より前記第１電極側に位置し、前記第１部より膜厚の大きい第２部とを有する、半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２部は、前記第２窒化物半導体層上に配置された第１膜と、前記第１膜上に配置された第２膜とからなり、
前記第１部は、前記第２窒化物半導体層上に配置された前記第２膜からなる、半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第２膜は、酸化アルミニウムを含有する膜である、半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１膜は、窒化シリコンを含有する膜である、半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記溝の側壁がテーパー形状である、半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記溝の側面と前記溝の底面の延長面とのなす角度が、９０°以下である、半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記角度が、７０°以上９０°以下である、半導体装置。
【請求項８】
請求項２記載の半導体装置において、
前記溝の端部から前記第１膜までの距離は、前記第２膜の膜厚以上である、半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記溝の端部から前記第１膜までの距離は、０．２μｍ以上である、半導体装置。
【請求項１０】
請求項２記載の半導体装置において、
前記溝の端部から前記第１膜までの距離は、５ｎｍ以上０．１μｍ以下である、半導体装置。
【請求項１１】
基板の上方に形成された第１窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層上に形成され、前記第１窒化物半導体層よりバンドギャップが広い第２窒化物半導体層と、
前記第２窒化物半導体層を貫通し、前記第１窒化物半導体層の途中まで到達する溝と、
前記溝内にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記第２窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第１電極および第２電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記溝の両側の前記第２窒化物半導体層上に配置され、前記溝の形成領域を含む開口領域を有する第１膜と、前記開口領域を含む前記第１膜上に形成された第２膜とを有する、半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記第１膜は、前記溝の前記第１電極側の端部から後退して配置されている、半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置において、
前記第１膜は、前記溝の前記第２電極側の端部から後退して配置されている、半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記第１膜は、窒化シリコンを含有する膜であり、
前記第２膜は、酸化アルミニウムを含有する膜である、半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記溝の側壁がテーパー形状である、半導体装置。
【請求項１６】
請求項１２記載の半導体装置において、
前記溝の端部から前記第１膜までの距離は、０．２μｍ以上である、半導体装置。
【請求項１７】
（ａ）第１窒化物半導体層を形成し、前記第１窒化物半導体層上に、前記第１窒化物半導体層よりバンドギャップが広い第２窒化物半導体層を形成することにより積層体を形成する工程、
（ｂ）前記積層体上の第１開口部を有する第１膜をマスクとして、前記積層体をエッチングすることにより、前記第２窒化物半導体層を貫通し、前記第１窒化物半導体層の途中まで到達する溝を形成する工程、
（ｃ）前記第１膜の端部を前記溝の端部から後退させる工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記溝の内部を含む前記第１膜上に、第２膜を形成する工程、
（ｅ）前記第２膜上に、ゲート電極を形成する工程、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記積層体上に、前記第１開口部を有する前記第１膜と、前記第１膜上に形成され、前記第１開口部の第１端から後退した第３膜との積層膜を形成する工程、
（ｂ２）前記積層膜をマスクに、前記積層体をエッチングすることにより、前記溝を形成する工程、を有し、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記第３膜をマスクに、前記第１膜をエッチングする工程、
（ｃ２）前記第３膜を除去する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１膜は、窒化シリコンを含有する膜であり、
前記第２膜は、酸化アルミニウムを含有する膜である、半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、前記第１膜の端部を前記溝の端部から０．２μｍ以上後退させる工程である、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験者の生体情報に基づいて測定脈拍数を検出する検出部と、
前記被験者の体動情報に基づいて推定脈拍数を推定する推定部と、
前記推定脈拍数に基づいて規定された所定の範囲内に前記測定脈拍数が含まれるか否かを判定する第一判定部と、
前記測定脈拍数の周波数特性に基づいて信頼度情報を算出する信頼度情報算出部と、
前記信頼度情報が前記測定脈拍数の信頼性の有無を規定する所定の基準を満たすか否かを判定する第二判定部と、
前記第一判定部および前記第二判定部の判定結果に基づいて、前記測定脈拍数または前記推定脈拍数のいずれかを前記被験者の脈拍数として決定する決定部と、
を備えることを特徴とする生体情報測定装置。
【請求項２】
前記第一判定部は、前記推定脈拍数に基づいて上限値および下限値を設定し、上限値および下限値で規定される範囲に前記測定脈拍数が含まれている場合に、前記所定の基準を満たすと判定することを特徴とする請求項１に記載の生体情報測定装置。
【請求項３】
前記推定部は、前記体動情報と前記推定脈拍数との相関関係を表した演算式あるいは相関テーブルを用いて、前記体動情報から前記推定脈拍数を導出することを特徴とする請求項１または２に記載の生体情報測定装置。
【請求項４】
前記第一判定部の判定結果に基づいて、前記測定脈拍数の信頼性を判定する前記所定の基準を算出する基準値算出部を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の生体情報測定装置。
【請求項５】
前記第二判定部は前記所定の基準を用いて前記測定脈拍数の信頼性を判定し、
前記決定部は、前記測定脈拍数の信頼性が有ると判断された場合は、前記測定脈拍数を前記被験者の脈拍数として決定し、前記測定脈拍数の信頼性が無いと判断された場合は、前記推定脈拍数を前記被験者の脈拍数として決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の生体情報測定装置。
【請求項６】
前記決定部が決定した前記被験者の脈拍数における最大脈拍数および最小脈拍数を記憶する記憶部を備え、
前記第一判定部は、前記最大脈拍数および前記最小脈拍数に基づいて規定される第二の所定の基準に前記測定脈拍数が含まれるか否かを更に判定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の生体情報測定装置。
【請求項７】
被験者の生体情報に基づいて測定脈拍数を検出する検出工程と、
前記被験者の体動情報に基づいて推定脈拍数を推定する推定工程と、
前記推定脈拍数に基づいて規定された所定の範囲内に前記測定脈拍数が含まれるか否かを判定する第一判定工程と、
前記測定脈拍数の信頼度情報を算出する算出工程と、
前記信頼度情報を用いて前記測定脈拍数の信頼性の有無を判定する第二判定工程と、
前記第一判定工程および前記第二判定工程の判定結果に基づいて、前記測定脈拍数または前記推定脈拍数のいずれかを前記被験者の脈拍数として決定する決定工程と、
を備えることを特徴とする生体情報測定方法。
【請求項８】
前記決定工程で決定された前記被験者の脈拍数における最大脈拍数および最小脈拍数を記憶する記憶部を備え、
前記第一判定工程は、前記最大脈拍数および前記最小脈拍数に基づいて規定される第二の所定の基準に前記測定脈拍数が含まれるか否かを更に判定することを特徴とする請求項７に記載の生体情報測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者の生体情報を検出する生体情報検出部と、
前記被検者の動作に関する体動情報を検出する体動情報検出部と、
所定基準に基づき前記生体情報の信頼性を判定する信頼性判定部と、
前記体動情報と前記生体情報との相関関係を更新する更新部と、を備え、
前記生体情報は前記所定基準を満たすと前記信頼性判定部が判定した場合、前記更新部は、前記生体情報と前記体動情報とに基づいて前記相関関係を更新することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の生体情報処理装置において、
前記相関関係に基づいて、前記体動情報検出部が検出した前記体動情報から推定生体情報を出力する推定部と、
前記信頼性判定部の判定結果に基づいて前記生体情報および前記推定生体情報の何れかを出力情報として決定する決定部と、
前記決定部が決定した前記出力情報を出力する出力部と、を備えることを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の生体情報処理装置において、
前記信頼性判定部は、前記生体情報に対して前記所定基準に基づいて信頼性を第１判定、第２判定および第３判定の何れかに判定し、
前記決定部は、前記生体情報に対して前記第１判定が判定された場合、前記推定部が推定した前記推定生体情報を前記出力情報に決定し、前記生体情報に対して前記第２判定または前記第３判定が判定された場合、前記生体情報検出部が検出した前記生体情報を前記出力情報に決定し、
前記更新部は、前記生体情報に対して前記第３判定が判定された場合、前記相関関係を更新することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の生体情報処理装置において、
前記信頼性判定部は、生体情報検出部が検出する前記生体情報の安定性、および前記生体情報を示す信号に含まれるノイズ成分の比率を示すノイズ比率情報の少なくとも１つに基づいて前記生体情報の信頼性を判定することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の生体情報処理装置において、
前記相関関係を記憶する記憶部を備え、
前記更新部は、前記生体情報検出部による前記生体情報の検出開始時において前記記憶部に記憶されている第１の前記相関関係と、前記生体情報検出部による前記生体情報の検出時において第１の前記相関関係から更新された第２の前記相関関係と、に基づいて第３の前記相関関係を生成し、生成した第３の前記相関関係を前記記憶部に記憶することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の生体情報処理装置において、
前記更新部は、第１の前記相関関係と第２の前記相関関係との差異が所定の範囲内である場合、第３の前記相関関係を前記記憶部に記憶することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の生体情報処理装置において、
前記更新部は、前記生体情報および前記体動情報の関係が前記相関関係と大きく異なる場合、前記信頼性判定部の判定結果に依らず前記相関関係を非更新とすることを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項８】
被検者に関する生体情報を検出する生体情報検出工程と、
前記被検者に関する体動情報を検出する体動情報検出工程と、
所定基準に基づき前記生体情報の信頼性を判定する信頼性判定工程と、
前記信頼性判定工程で前記生体情報が前記所定基準を満たすと判定した場合、前記体動情報と前記生体情報との相関関係を前記生体情報と前記体動情報とに基づいて更新する更新工程と、を有することを特徴とする生体情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者の生体情報を検出する生体情報検出部と、
前記被検者の動作に関する体動情報を検出する体動情報検出部と、
前記体動情報から前記被検者の活動情報を導出する活動情報導出部と、
前記活動情報に関連付けられた前記体動情報と前記生体情報との相関関係と、前記活動情報導出部が導出した前記活動情報とに基づいて前記体動情報検出部が検出した前記体動情報から推定生体情報を決定する推定部と、
前記生体情報の信頼性を判定する信頼性判定部と、
前記信頼性判定部の判定結果に基づいて、前記生体情報および前記推定生体情報の何れかを出力情報として決定する決定部と、を備えることを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の生体情報処理装置において、
前記活動情報導出部は、前記体動情報から得られる加速度信号の周期性に基づいて、前記被検者の前記活動情報を導出することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の生体情報処理装置において、
前記活動情報導出部は、前記加速度信号に前記周期性が有ると判定した場合、前記周期性に応じた振動数に基づいて所定時間における平均歩調を算出し、前記平均歩調の値に応じて前記被検者の活動が歩行であるか、または走行であるかを判定することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の生体情報処理装置において、
前記活動情報導出部が前記被験者の活動が歩行であると判定した場合に、前記推定部は歩行に対応した前記相関関係に基づいて前記推定生体情報を決定し、前記活動情報導出部が前記被験者の活動が走行であると判定した場合に、前記推定部は走行に対応した前記相関関係に基づいて前記推定生体情報を決定することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載の生体情報処理装置において、
前記活動情報導出部は、前記加速度信号に前記周期性が無いと判定した場合、前記加速度信号の強度を解析し、所定強度の出現数に基づいて前記被検者の活動が脈拍上昇を伴う非周期的な運動であることを判定することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の生体情報処理装置において、
前記決定部は、前記生体情報が信頼性に関する所定条件を満たすと前記信頼性判定部が判定した場合、前記生体情報を前記出力情報に決定し、前記生体情報が前記所定条件を満たさないと判定した場合、前記推定生体情報を前記出力情報に決定することを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項７】
被検者の生体情報を検出する生体情報検出工程と、
前記被検者の動作に関する体動情報を検出する体動情報検出工程と、
前記体動情報から前記被検者の活動情報を導出する活動情報導出工程と、
所定基準に基づき前記生体情報の信頼性を判定する信頼性判定工程と、
前記信頼性判定工程で前記生体情報が前記所定基準を満たすと判定した場合、前記生体情報を出力情報として決定し、前記生体情報が前記所定基準を満たさないと判定した場合、前記活動情報に関連付けられた前記体動情報と前記生体情報との相関関係、及び前記活動情報に基づいて、前記体動情報から推定生体情報を決定し、前記推定生体情報を出力情報として決定する決定工程と、を有することを特徴とする生体情報処理方法。
【請求項８】
被検者に関する生体情報を検出する生体情報検出部と、
前記被検者の動作に関する体動情報を検出する体動情報検出部と、
前記体動情報から前記被検者の活動情報を導出する活動情報導出部と、
前記活動情報導出部が導出した前記活動情報に関連付けられた前記体動情報と前記生体情報との相関関係、前記活動情報、及び前記体動情報検出部が検出した前記体動情報から推定生体情報を決定する推定部と、を有することを特徴とする生体情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月30日(2016.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前胴回り域、後胴回り域及び股下域とから構成され、液保持性の吸収体を含む縦長の吸収体と、
前記吸収体の幅方向における側縁部の少なくとも一部に設けられるサイドフラップと、
前記サイドフラップに取り付けられ、前記前胴回り域または前記後胴回り域の一方から前記吸収体の製品幅方向外側に延出し、前記前胴回り域または前記後胴回り域の他方に止着されるように構成された一対のファスニングテープと
を備える使い捨ておむつであって、
前記ファスニングテープは、前記サイドフラップから延在する基材シートと、前記基材シートの肌当接面の一部に備えられ、複数の係合フックが設けられたフックシートとを含み、
前記フックシートは、前記基材シートの製品幅方向外側の端部まで備えられ、
前記フックシートが存在するフックシート存在域における前記ファスニングテープの製品幅方向における単位長さ当たりのKES曲げ剛性値は、0.015974N/cm2/cm以下である使い捨ておむつ。
【請求項２】
前記吸収体の製品幅方向における中心に向かって凹んだ脚回り開口部に沿って製品長手方向に延在するとともに、少なくとも製品長手方向に沿って一部が伸縮可能な一対のレッグ伸縮部を備え、
前記レッグ伸縮部は、前記股下域から前記ファスニングテープに向かって湾曲している請求項１に記載の使い捨ておむつ。
【請求項３】
前記股下域において前記吸収体を構成する吸収性コアと重なる位置に形成されており、伸縮性を有するクロッチ伸縮部とを備え、
前記クロッチ伸縮部は、
前記吸収性コアの製品幅方向における幅の６０％以上の領域に形成され、
前記前胴回り域及び前記後胴回り域と、前記レッグ伸縮部とから独立して設けられる請求項２に記載の使い捨ておむつ。
【請求項４】
前記ファスニングテープの肌当接面には、肌当接面側から非肌当接面側に向けて圧搾されたエンボスが形成されており、
前記エンボスは、少なくとも前記フックシートの一部と、前記フックシートと前記基材シートとの境界を跨ぐように形成される請求項１乃至３の何れか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項５】
前記エンボスの密度は、製品幅方向内側から製品幅方向外側に向かうに連れて高くなる請求項４に記載の使い捨ておむつ。
【請求項６】
前記ファスニングテープは、製品幅方向外側に向かうに連れて製品長手方向における幅が狭くなる先細り状である請求項１乃至５の何れか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項７】
前記フックシートは、前記基材シートの製品長手方向外側の端部まで備えられる請求項１乃至６の何れか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項８】
前記ファスニングテープの一方と、前記ファスニングテープの他方との間には、製品幅方向に沿って伸縮可能な要素が設けられる請求項１乃至７の何れか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項９】
前記ファスニングテープが接続される前記サイドフラップの部分は、製品幅方向に沿って伸縮可能な要素によって構成される請求項１乃至７の何れか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項１０】
前記ファスニングテープの係合力は、0.3N/30mm以上、1.5N/30mm以下である請求項１乃至９の何れか一項に記載の使い捨ておむつ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の特徴は、前胴回り域（前胴回り域20）、後胴回り域（後胴回り域30）及び股下域（股下域25）とから構成され、液保持性の吸収体を含む縦長の吸収体（吸収体40）と、前記吸収体の幅方向における側縁部の少なくとも一部に設けられるサイドフラップ（サイドフラップ70）と、前記サイドフラップに取り付けられ、前記前胴回り域または前記後胴回り域の一方から前記吸収体の製品幅方向（製品幅方向W）外側に延出し、前記前胴回り域または前記後胴回り域の他方に止着されるように構成された一対のファスニングテープ（ファスニングテープ90）とを備える使い捨ておむつ（使い捨ておむつ10）であって、前記ファスニングテープは、前記サイドフラップから延在する基材シート（基材シート91）と、前記基材シートの肌当接面の一部に備えられ、複数の係合フックが設けられたフックシート（フックシート92）とを含み、前記フックシートは、前記基材シートの製品幅方向外側の端部まで備えられ、前記フックシートが存在するフックシート存在域（フックシート存在域SHS）における前記ファスニングテープの製品幅方向における単位長さ当たりのKES曲げ剛性値は、0.015974N f/cm2/cm以下であることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（１）使い捨ておむつの全体概略構成
図１は、本実施形態に係る使い捨ておむつ10の展開平面図である。図２は、図１に示したF1-F1線に沿った使い捨ておむつ10の断面図である。図３は、図１に示したF2-F2線に沿った使い捨ておむつ10の断面図である。図１に示す展開平面図は、使い捨ておむつを構成するトップシート50、サイドフラップ70等の皺が形成されない状態まで、レッグ伸縮部75及びレッグサイドギャザー80の弾性部材71を伸長させた状態の図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
また、フックシート92が存在するフックシート存在域SHSにおけるファスニングテープ90の製品幅方向Wにおける単位長さ当たりのKES曲げ剛性値は、0.015974N /cm2/cm以下である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ここで、表１は、ファスニングテープ90の実施例及び比較例に係る基材シート91の構成及びKES曲げ剛性値の値を示す。
【表１】
2014236794.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
脚回り形成工程は、レッグ伸縮部75の幅方向外側端部に沿って、トップシート50、外装シート60、及びバックシート60aを切断する。これにより、着用者の脚回りに配置される脚回り開口部35が形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
（５）作用・効果
上述した使い捨ておむつ10によれば、複数の係合フックを有するフックシート92は、基材シート91の製品幅方向W外側の端部まで備えられる。また、フックシート92が存在するフックシート存在域SHSにおけるファスニングテープ90の製品幅方向Wにおける単位長さ当たりのKES曲げ剛性値は、0.015974N /cm2/cm以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一緒に積み重ねた複数の機能性プレートと、
前記機能性プレート間の結合を提供するために隣接する機能性プレートの間に配置される接着剤塗布メッシュ基板を構成するＵＶインク混合可能接着剤及びメッシュ基板を有すると共に、前記複数の機能性プレートのエッジからの前記ＵＶインク混合可能接着剤の押し出しを阻止する接着剤閉じ込め構造と、を含み、
前記ＵＶインク混合可能接着剤は、ＵＶインクにさらされたときでも接着剤の性質を維持し、前記メッシュ基板は、セルロース、天然繊維状材料、及びセルロースと天然繊維状材料との混合物のうちの少なくとも一つを備える、印字ヘッドアセンブリ。
【請求項２】
前記接着剤閉じ込め構造が、約１００〜３２５ｍｍの長さと、約１０〜約５０ｍｍの幅とを有している、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【請求項３】
前記接着剤閉じ込め構造が、約７０ｍｍの長さと約４ｍｍの幅とを有する複数の開口部を含み、前記複数の開口部同士の間は約１ｍｍ〜約２ｍｍ離れている、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【請求項４】
前記接着剤閉じ込め構造が複数の開口部を含み、各開口部は約２５μｍ〜約７００μｍの大きさを有しており、約３００μｍ〜約６００μｍの間隔があいている、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【請求項５】
前記接着剤閉じ込め構造が複数の開口部を含み、各開口部は約５μｍ〜約２５μｍの大きさを有している、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【請求項６】
前記ＵＶインク混合可能接着剤が、高分子、架橋性アクリル接着剤、エポキシ樹脂、または熱可塑性ポリイミドを含む、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【請求項７】
前記複数の機能性プレートは、金属、セラミック、及びプラスチック材料のうちの一つから構成される第１機能性プレートと、金属、セラミック、及びプラスチック材料のうちの他の一つから構成される第２機能性プレートとを備える、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【請求項８】
前記メッシュ基板は、金属メッシュである、請求項１に記載の印字ヘッドアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月9日(2016.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連する性能包絡線を有する航空機を飛行経路に沿って飛行させる方法であって、
プロセッサにより、前記航空機の前記性能包絡線に基づいて前記飛行経路に沿った巡航上昇の高度プロファイルを決定するステップと、
プロセッサにより、前記飛行経路に沿った法定フライトレベルを決定するステップと、
前記法定フライトレベル間で段階移動する際に少なくとも１つの制約を受ける、理論上の巡航上昇の前記高度プロファイルに近似するように、前記法定フライトレベル間で段階的に前記飛行経路に沿って前記航空機を飛行させるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記性能包絡線が前記航空機の一定推力レベルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
理論上の巡航上昇の前記高度プロファイルが、前記航空機を前記一定推力レベルで飛行させる間の前記飛行経路に沿った前記航空機の高度を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記飛行経路に沿った降下プロファイルを決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
理論上の巡航上昇の前記高度プロファイルと前記降下プロファイルの交点を決定するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記飛行経路に沿って段階的に前記航空機を前記飛行させるステップが、前記決定された交点に基づいて中止される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの制約が、前記飛行経路に沿って理論上の巡航上昇の前記高度プロファイルよりも低いフライトレベルで飛行させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの制約が、フライトレベルに沿って少なくとも１つの予め定められた距離を飛行させることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記予め定められた距離が５０海里（９２．６ｋｍ）である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの制約が、前記飛行経路上の危険を回避することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの制約が、最高法定フライトレベルで飛行させることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの制約が、フライトレベルに沿って少なくとも予め定められた距離を飛行させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記予め定められた距離が５０海里（９２．６ｋｍ）である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの制約が、前記飛行経路上の危険を回避することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの制約が、最高法定フライトレベルで飛行させることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シート後処理装置および画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載のシート後処理装置は、画像形成が行われたシートに加工処理を行うシート後処理装置において、シート或いはシート束に加工処理を行う後処理手段であって、一度に加工処理できるシートの枚数の上限値がシートの種類に応じて設定されるＮ（Ｎは整数）である後処理手段と、搬送されるシートを滞留させて、滞留させたシートと少なくとも１枚のその後続のシートとを重ね合わせてシート束として搬送するバッファ処理を行うバッファ手段と、前記後処理手段がシート又はシート束に前記加工処理を行う場合、前記バッファ手段に前記上限値Ｎ以下の後続の複数のシートに対して前記バッファ処理を行わせて、前記バッファ処理で形成されたシート束毎に前記加工処理を行わせるよう前記バッファ手段及び前記後処理手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記上限値Ｎが１枚の場合、前記バッファ処理を行わせることなく、シート１枚毎に前記加工処理を行わせることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記目的を達成するために、請求項１５記載の画像形成装置は、シートに画像形成を行う印刷手段と、請求項１乃至１４の何れか１項に記載のシート後処理装置と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成が行われたシートに加工処理を行うシート後処理装置において、
シート或いはシート束に加工処理を行う後処理手段であって、一度に加工処理できるシートの枚数の上限値がシートの種類に応じて設定されるＮ（Ｎは整数）である後処理手段と、
搬送されるシートを滞留させて、滞留させたシートと少なくとも１枚のその後続のシートとを重ね合わせてシート束として搬送するバッファ処理を行うバッファ手段と、
前記後処理手段がシート又はシート束に前記加工処理を行う場合、前記バッファ手段に前記上限値Ｎ以下の後続の複数のシートに対して前記バッファ処理を行わせて、前記バッファ処理で形成されたシート束毎に前記加工処理を行わせるよう前記バッファ手段及び前記後処理手段を制御する制御手段と、
を有し、前記制御手段は、前記上限値Ｎが１枚の場合、前記バッファ処理を行わせることなく、シート１枚毎に前記加工処理を行わせることを特徴とするシート後処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記後処理手段に対してシートを搬送する装置へシートの搬送間隔を広げる指示を出力することを特徴とする請求項１記載のシート後処理装置。
【請求項３】
シートの坪量が第１の値であるときの前記上限値Ｎは、シートの坪量が前記第１の値よりも大きい第２の値であるときの前記上限値Ｎよりも大きいことを特徴とする請求項１記載のシート後処理装置。
【請求項４】
前記上限値Ｎが１枚でない場合、前記制御手段は、前記後処理手段にシート１枚のみで搬送されないように前記バッファ手段を制御することを特徴とする請求項１記載のシート後処理装置。
【請求項５】
前記上限値Ｎが１枚でない場合、前記制御手段は、前記加工処理を行うべき１セットのシートの枚数が偶数であれば、１枚目以降のシートに対して２枚ずつのシート束を形成するように前記バッファ手段を制御し、前記加工処理を行うべき１セットのシートの枚数が奇数であれば、１枚目のシートに対しては前記バッファ処理を行わせず、２枚目以降のシートに対して２枚ずつのシート束を形成するように前記バッファ手段を制御することを特徴とする請求項４記載のシート後処理装置。
【請求項６】
前記上限値Ｎが２枚より大きい場合、前記制御手段は、前記加工処理を行うべき１セットのシートの枚数が偶数であれば、２枚ずつのシート束を形成するように前記バッファ手段を制御し、前記加工処理を行うべき１セットのシートの枚数が奇数であれば、各２枚のシート束と３枚のシート束とを形成するように前記バッファ手段を制御することを特徴とする請求項４記載のシート後処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記加工処理を行うべき１セットのシートの枚数が奇数であれば、１セット目の最終シートと２セット目の１枚目のシートとの搬送間隔を広げる指示を、前記後処理装置へシートを搬送する装置に出力することを特徴とする請求項５記載のシート後処理装置。
【請求項８】
前記バッファ手段で滞留されるべきシートの枚数を示すバッファ枚数に応じて、前記搬送されるシートを、前記バッファ処理を行わずに前記後処理手段に搬送する所定の第１のシート、前記バッファ手段によって滞留させる所定の第２のシート、前記バッファ手段によって滞留させることなく前記第２のシートに重ねられる所定の第３のシートのいずれであるかを決定する決定手段を有することを特徴とする請求項１記載のシート後処理装置。
【請求項９】
前記決定手段は、前記上限値Ｎが１枚であると、前記搬送されるシートを前記所定の第１のシートと決定することを特徴とする請求項８記載のシート後処理装置。
【請求項１０】
前記決定手段は、前記搬送されるシートが前記加工処理を行う最終のシートでない場合に、前記上限値Ｎが２枚以上でありかつ前記バッファ枚数が前記上限値Ｎより１枚少ない枚数未満である場合、前記搬送されるシートを前記所定の第２のシートと決定することを特徴とする請求項８記載のシート後処理装置。
【請求項１１】
前記決定手段は、前記上限値Ｎが２枚以上でありかつ前記バッファ枚数が前記上限値Ｎより１枚少ない枚数である場合、前記搬送されるシートを前記所定の第３のシートと決定することを特徴とする請求項１０記載のシート後処理装置。
【請求項１２】
前記決定手段は、前記搬送されるシートが前記加工処理を行う最終のシートである場合に、前記上限値Ｎが２枚以上でありかつ前記バッファ枚数が０枚である場合、前記搬送されるシートを前記バッファ処理が行われない前記所定の第１のシートと決定することを特徴とする請求項８記載のシート後処理装置。
【請求項１３】
前記決定手段は、前記搬送されるシートが前記加工処理を行う最終のシートである場合に、前記上限値Ｎが２枚以上でありかつ前記バッファ枚数が０枚でない場合、前記搬送されるシートを前記第３のシートと決定することを特徴とする請求項８記載のシート後処理装置。
【請求項１４】
前記加工処理は、前記シート又は前記シート束に折り筋を付ける筋付け処理又は孔を開ける穿孔処理であることを特徴とする請求項１記載のシート後処理装置。
【請求項１５】
シートに画像形成を行う印刷手段と、
請求項１乃至１４の何れか１項に記載のシート後処理装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月30日(2016.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の製造方法であって、
支持基板の表面を改質して第１の非晶質層を形成するとともに、半導体の単結晶層の表面を改質して第２の非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、
前記第１の非晶質層と前記第２の非晶質層とを接触させる接触工程と、
前記第１の非晶質層と前記第２の非晶質層とが接触している状態の前記支持基板および前記単結晶層を熱処理する熱処理工程と、
を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
７００〜１２００ｎｍの波長領域の反射率が６０〜１００％のフィルム（２）の表面に、黒色接着剤層（１）を担持してなる太陽電池用裏面保護シート（Ｚ）であって、
前記黒色接着剤層（１）が、フタロシアニン系青色顔料とジオキサジン系紫色顔料とからなる群より選ばれる少なくとも一種の顔料（Ａ）と、ジケトピロロピロール系赤色顔料（Ｂ）とを、（Ａ）／（Ｂ）＝４０／６０〜８０／２０（重量比）で含有することを特徴とする太陽電池用裏面保護シート。
【請求項２】
黒色接着剤層（１）１００重量％中、前記（Ａ）とジケトピロロピロール系赤色顔料（Ｂ）とを合計で３〜７７．４重量％含有することを特徴とする請求項１記載の太陽電池用裏面保護シート。
【請求項３】
フィルム（２）が、白色顔料、体質顔料もしくは気泡を含有する白色フィルム（２−１）を具備するか、または透明フィルム（２−２）−ａと白色の接着剤層もしくは白色のコーティング層（２−２）−ｂとを具備することを特徴とする請求項１または２記載の太陽電池用裏面保護シート。
【請求項４】
白色フィルム（２−１）又は透明フィルム（２−２）−ａが、ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項３記載の太陽電池用裏面保護シート。
【請求項５】
黒色接着剤層（１）が、水酸基を有する樹脂（Ｃ）と、ポリイソシアネート化合物（Ｄ）とを含有する接着剤から形成されることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の太陽電池用裏面保護シート。
【請求項６】
水酸基を有する樹脂（Ｃ）が、アクリル系樹脂（Ｃ１）であることを特徴とする請求項５記載の太陽電池用裏面保護シート。
【請求項７】
アクリル系樹脂（Ｃ１）が、（メタ）アクリロイル系の二重結合を有するアクリル系樹脂（Ｃ１１）であることを特徴とする請求項６記載の太陽電池用裏面保護シート。
【請求項８】
太陽電池の受光面側に位置する太陽電池表面封止シート（Ｉ）、太陽電池の受光面側に位置する封止材層（ＩＩ）、太陽電池素子（ＩＩＩ）、太陽電池の非受光面側に位置する封止剤層（ＩＶ）、及び請求項１〜７いずれか１項に記載の太陽電池裏面保護シートを具備してなる太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池裏面保護シート中の黒色接着剤層（１）が、前記非受光面側封止剤層（ＩＶ）に接していることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項９】
非受光面側封止剤層（ＩＶ）がエチレンービニルアセテート共重合体充填剤層であることを特徴とする、請求項８に記載の太陽電池モジュール。