Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月5日(2016.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１記載の発明は、固定部と可動部を両端に回動軸を有する２本の平行な第１アームと第２アームで連結することにより平行リンク機構を構成し、可動部に重量物を支持し、第１アームと第２アームの各固定部側の回動軸を中心に可動部側を重力方向で傾動回動自在にしたアーム構造であって、第１アームに沿って直線的に伸縮する圧縮バネを設け、第２アームに前記圧縮バネの一端を受け止めるストッパを設け、可動部側の傾動時にストッパの第１アームに対する相対変位により圧縮バネを圧縮して反傾動方向への反発力を発生させることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３記載の発明は、固定部の２つの回動軸が構成する平行リンク機構のリンク辺が水平に対し第１アーム側の回動軸を上にして傾斜するように構成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の発明によれば、アーム構造の傾動角度に応じて生じるストッパの相対変位により圧縮バネを圧縮する際、ストッパの小さな相対変位で圧縮バネを長手方向全体で圧縮させるため、全傾動角度範囲にわたって変化の少ない反発力が得られ、重量物を安定した状態で支持することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３記載の発明によれば、傾動角度に相応するストッパ構造と相まってより変化の少ない反発力が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
固定部２には第１アーム３と第２アーム４の各回動軸３ａ、４ａが軸支されている。各回動軸３ａ、４ａは水平に対して回動軸３ａを上にした４５度の傾きで設けられている。第１アーム３及び第２アーム４は同じ長さで、垂直を基準状態としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
可動部５には上下２本のアーム６、７により先端部８が連結されており、先端部８には機器９が支持されている。上側のアーム６の一端の回動軸６ａと、下側のアーム７の他端の回動軸７ｂとの間には引張バネ１０が設けられている。この実施形態では、アーム６、７、先端部８、機器９、引張バネ１０により重量負荷としての「重量物」が形成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
固定部２と可動部５の間の第１アーム３には略全長にわたって圧縮バネ１１が設けられている。圧縮バネ１１は第１アーム３の外側に設けられている。第２アーム４の下方にはストッパ１２が固定されている。ストッパ１２は第１アーム３に向けて第２アームの主軸方向と直角に延在し第１アーム３に沿って伸縮する圧縮バネ１１を受け止める平面を有する。さらに、ストッパ１２には長孔状の貫通孔１３が形成されている。この貫通孔１３は第１アーム３だけ貫通できるサイズで、圧縮バネ１１は貫通できない。そのため圧縮バネ１１の下端はこのストッパ１２における貫通孔１３の周辺部で受け止められる。圧縮バネ１１の一端は回動軸３ｂに位置固定され他端はストッパ１２を付勢しつつ付勢している平面に沿って摺動することができる。圧縮バネ１１の伸縮方向はストッパ１２の付勢面に対して垂直であり、ストッパ１２を付勢することにより回動軸４ａのまわりのトルクを発生させる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と可動部を両端に回動軸を有する２本の平行な第１アームと第２アームで連結することにより平行リンク機構を構成し、可動部に重量物を支持し、第１アームと第２アームの各固定部側の回動軸を中心に可動部側を重力方向で傾動回動自在にしたアーム構造であって、
第１アームに沿って直線的に伸縮する圧縮バネを設け、第２アームに前記圧縮バネの一端を受け止めるストッパを設け、可動部側の傾動時にストッパの第１アームに対する相対変位により圧縮バネを圧縮して反傾動方向への反発力を発生させることを特徴とするアーム構造。
【請求項２】
圧縮バネが第１アームの外側に設けられ、ストッパに第１アームのみ貫通させる長孔状の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１記載のアーム構造。
【請求項３】
固定部の２つの回動軸が構成する平行リンク機構のリンク辺が水平に対し第１アーム側の回動軸を上にして傾斜するように構成されることを特徴とする請求項１または２記載のアーム構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体組成物を中間転写体に付与する液体組成物付与工程と、色材を含有するインクを前記中間転写体に付与して中間画像を形成する中間画像形成工程と、前記中間画像を転写温度Ｔｔに加熱して記録媒体に転写する転写工程とを有する画像記録方法であって、
前記液体組成物が、第１の樹脂粒子を含有し、
前記インクが、第２の樹脂粒子を含有し、
前記転写工程における前記転写温度Ｔｔと、前記第１の樹脂粒子のガラス転移点Ｔｇ１と、前記第２の樹脂粒子のガラス転移点Ｔｇ２とが、Ｔｇ２＜Ｔｔ＜Ｔｇ１の関係を満足することを特徴とする画像記録方法。
【請求項２】
前記転写温度Ｔｔと前記第２の樹脂粒子のガラス転移点Ｔｇ２との差（Ｔｔ−Ｔｇ２）が１０℃以上であり、かつ、前記第１の樹脂粒子のガラス転移点Ｔｇ１と前記転写温度Ｔｔとの差（Ｔｇ１−Ｔｔ）が１０℃以上である請求項１に記載の画像記録方法。 
【請求項３】
前記第１の樹脂粒子の算術平均粒径が、前記第２の樹脂粒子の算術平均粒径に対して、０．２倍以上５倍以下である請求項１又は２に記載の画像記録方法。
【請求項４】
前記第１の樹脂粒子のガラス転移点が、８０℃以上である請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像記録方法。
【請求項５】
前記インク中の第２の樹脂粒子の含有量（質量％）が、前記色材のインク全質量を基準とした含有量（質量％）に対して、質量比率で１倍以上１０倍以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像記録方法。
【請求項６】
前記液体組成物が更に反応剤を含有し、前記インク中の前記第２の樹脂粒子が、前記反応剤の作用により凝集する請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像記録方法。
【請求項７】
前記インク中の前記色材が前記反応剤の作用により凝集又は析出する請求項６に記載の画像記録方法。
【請求項８】
前記液体組成物付与工程の後に、前記中間画像形成工程が行われる請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像記録方法。
【請求項９】
前記中間画像形成工程において、前記インクは、前記中間転写体上の前記液体組成物が付与された領域に付与される請求項１乃至８の何れか１項に記載の画像記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２本鎖ポリヌクレオチドが形成する二重らせん構造の周期性を利用して、１本鎖ポリヌクレオチドからなるスカフォールドを、前記１本鎖ポリヌクレオチドと部分的に相補的なオリゴヌクレオチドからなるステイプルにより連結しバンドル化されてなる、曲率を持った柔らかい３次元コイル構造であって、
連結の位置を、前記周期性からずらした位置としていることを特徴とする３次元コイル構造。
【請求項２】
連結の位置には、
スカフォールドに塩基の欠失又は塩基の挿入の少なくともいずれか一方がなされていることを特徴とする請求項１に記載の３次元コイル構造。
【請求項３】
スカフォールドを２本に束ねた場合に、以下の条件とすることを特徴とする請求項２に記載の３次元コイル構造。
１）スカフォールドに、７又は１４塩基毎に塩基の挿入がある。
２）１）の塩基の挿入数がそれぞれ３以上である。
【請求項４】
スカフォールドを４本に束ねた場合に、以下の条件とすることを特徴とする請求項２に記載の３次元コイル構造。
１）スカフォールドクロスオーバをコイル構造の端に配置する。
２）ステイプルクロスオーバとステイプルの継ぎ目が、ポリヌクレオチドの延在方向と直交する縦方向に揃っている。
【請求項５】
さらに以下の条件とすることを特徴とする請求項４記載の３次元コイル構造。
１）スカフォールドに１６塩基以上ごとに塩基の挿入又は欠失がある。
２）１）の塩基の挿入数又は欠失数が、それぞれ２以上である。
【請求項６】
２本鎖ポリヌクレオチドが形成する二重らせん構造の周期性を利用して、１本鎖ポリヌクレオチドからなるスカフォールドを、前記１本鎖ポリヌクレオチドと部分的に相補的なオリゴヌクレオチドからなるステイプルにより連結しバンドル化されてなる、曲率を持った柔らかい３次元コイル構造を作成する製造方法であって、
連結の位置を、前記周期性からずらした位置とし、
連結の位置に、スカフォールドに塩基の欠失又は塩基の挿入の少なくともいずれか一方を配置することを特徴とする３次元コイル構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一観点によれば、２本鎖ポリヌクレオチドが形成する二重らせん構造の周期性を利用して、１本鎖ポリヌクレオチドからなるスカフォールドを、前記１本鎖ポリヌクレオチドと部分的に相補的なオリゴヌクレオチドからなるステイプルにより連結しバンドル化されてなる、曲率を持った柔らかい３次元コイル構造であって、前記連結の位置を、前記周期性からずらした位置としていることを特徴とする３次元コイル構造が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に加わる加速度を検出する加速度センサと、
前記筐体に対し、所定の閾値以上の加速度となる振動が加わる振動期間を検出する振動期間検出部と、
前記加速度センサが検出した加速度に基づき、前記振動期間における前記筐体の姿勢移動に伴う成分速度である第１の移動速度を推定する速度変化推定部と、
前記加速度に基づいて前記筐体の速度である第２の移動速度を算出し、前記振動期間検出部での検出結果により、前記振動期間にある場合には、前記第２の移動速度を前記速度変化推定部で推定された前記第１の移動速度に基づいて補正する速度算出部と、
前記速度算出部で補正された速度に基づき、前記筐体に加えられた振動に対して前記筐体の姿勢移動に伴って生じる像移動量である像ブレ補正量を算出するブレ量算出部と、
を備えるブレ量検出装置。
【請求項２】
前記速度変化推定部は、
前記振動期間における加速度を、前記振動期間の前後の加速度を用いて前記振動期間における前記筐体の姿勢移動に伴う成分となる加速度を補間して算出する補間部と、
前記補間された加速度を積分することで前記振動期間における前記第１の移動速度を推定する積分演算部と、
を有する請求項１に記載のブレ量検出装置。
【請求項３】
前記補間部は、前記振動期間の前後の３つ以上の加速度を用いて生成した補間曲線により前記補間をすることを特徴とする請求項２に記載のブレ量検出装置。
【請求項４】
前記補間部は、前記振動期間後の加速度の数以上の個数の前記振動期間前の加速度を用いて前記補間曲線を算出することを特徴とする請求項３に記載のブレ量検出装置。
【請求項５】
前記振動期間における加速度を補間する補間演算の精度を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項２又は３に記載のブレ量検出装置。
【請求項６】
前記制御部は、像倍率とシャッタ速度の少なくとも何れかに応じて前記補間演算の精度を制御することを特徴とする請求項５に記載のブレ量検出装置。
【請求項７】
前記速度変化推定部は、前記振動期間検出部によって検出された振動期間の開始から、振動期間が終了するまでの時間である前記振動期間の継続期間の長さに応じて前記第１の移動速度の推定を実施するか否かを判定する請求項１に記載のブレ量検出装置。
【請求項８】
前記速度変化推定部は、
前記加速度センサで検出された加速度を積分する第１の積分部と、
前記加速度センサで検出された加速度のうち、前記筐体自体とは異なる可動部の振動による加速度を抽出する抽出部と、
前記抽出部で抽出された該加速度を積分する第２の積分部と、
を有し、
前記第１の積分部の積分結果と前記第２の積分部の積分結果との差分から前記第１の移動速度を推定することを特徴とする請求項１に記載のブレ量検出装置。
【請求項９】
前記抽出部は、手ブレによる前記筐体の振動の周波数の上限値よりも高く、前記可動部の振動の周波数の下限値よりも低い遮断周波数を有するハイパスフィルタを有することを特徴とする請求項８に記載のブレ量検出装置。
【請求項１０】
前記速度は、並進速度であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載のブレ量検出装置。
【請求項１１】
前記所定の閾値以上の振動は、シャッタの可動による振動であることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載のブレ量検出装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載のブレ量検出装置と、
シャッタと、
を具備し、
前記振動期間検出部は、前記シャッタの制御信号に基づいて前記振動期間を検出することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記の目的を達成するために、本発明の第１の態様のブレ量検出装置は、筐体に加わる加速度を検出する加速度センサと、前記筐体に対し、所定の閾値以上の加速度となる振動が加わる振動期間を検出する振動期間検出部と、前記加速度センサが検出した加速度に基づき、前記振動期間における前記筐体の姿勢移動に伴う成分速度である第１の移動速度を推定する速度変化推定部と、前記加速度に基づいて前記筐体の速度である第２の移動速度を算出し、前記振動期間検出部での検出結果により、前記振動期間にある場合には、前記第２の移動速度を前記速度変化推定部で推定された前記第１の移動速度に基づいて補正する速度算出部と、前記速度算出部で補正された速度に基づき、前記筐体に加えられた振動に対して前記筐体の姿勢移動に伴って生じる像移動量である像ブレ補正量を算出するブレ量算出部とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月11日(2016.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を制御可能に遅延させるための回路であって、前記回路が、第１の遅延ユニット（１）と第２の遅延ユニット（２）を備えて構成され、前記入力信号（PULS_IN）が、前記第１の遅延ユニット（１）に入力され、値ｘｔ＿ｋを発生するために、前記第１の遅延ユニットが、前記入力信号（PULS_IN）を第１のクロック信号（CLK1）のｋサイクルだけ遅延させ、遅延された入力信号を前記第２の遅延ユニット（２）に出力し、
前記第２の遅延ユニット（２）が、変換器（３）と第２のシフトレジスタ（４）を備えて構成され、前記変換器（３）が、ｎ本のリード線によって前記第２のシフトレジスタ（４）に接続され、
前記値ｘｔ＿ｋと、前記第１のクロック信号（CLK1）のｋ−１サイクルだけ遅延された前記入力信号（PULS_IN）である値ｘｔ＿ｋ−１とが、前記変換器（３）に入力され、
前記値ｘｔ＿ｋ−１がリード線１〜ｍに入力され、かつ前記値ｘｔ＿ｋがリード線ｍ＋１〜ｎに入力される（但し、１≦ｍ＜ｎ−１）か、または、前記値ｘｔ＿ｋ−１もしくは前記値ｘｔ＿ｋが各リード線１〜ｎに入力され、それにより直並列変換器を形成するように、前記変換器（３）が構成され、
前記第２のシフトレジスタ（４）が、リード線１〜ｎに入力された前記値を、前記回路の出力信号（PULS_OUT）として連続的に出力する、回路。
【請求項２】
前記第２のシフトレジスタ（４）が、ＴＣＬＫ１：ＴＣＬＫ２＝ｎ：１であるように発生される第２のクロック信号（CLK2）を用いてトリガされる、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記第１の遅延ユニット（１）が、第１のシフトレジスタであって、その有効長さｋが第１の制御値（ｐ）によって制御可能である第１のシフトレジスタを備える、請求項１又は２に記載の回路。
【請求項４】
前記変換器（３）が、組み合わせ論理ユニットを備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路。
【請求項５】
ｍ、及びしたがってｘｔ＿ｋ−１の出力とｘｔ＿ｋの出力との間の境界を定義し制御する第２の制御値（ｑ）が、前記変換器（３）の入力部に入力される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路。
【請求項６】
前記回路が、前記第１の制御値（ｐ）と前記第２の制御値（ｑ）を発生して出力する制御装置を備える、請求項３又は５に記載の回路。
【請求項７】
前記第１の遅延ユニット（１）が、ｘｔ＿ｋとｘｔ＿ｋ−１の両方を前記第２の遅延ユニット（２）に出力する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の回路。
【請求項８】
前記第１のクロック信号（CLK1）が、前記第２のシフトレジスタ（４）の入力部に入力され、前記第２のシフトレジスタ（４）が、前記第１のクロック信号（CLK1）の各立ち上がりエッジにてリード線１〜ｎに入力された論理値が前記第２のシフトレジスタ（４）に伝達されるように、好ましくは構成される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路。
【請求項９】
値ｘｔ＿ｋを得るために、第１の遅延ユニット（１）によって第１のクロック信号（CLK1）のｋサイクルだけ入力信号（PULS_IN）を遅延させるステップを備える、入力信号を制御可能に遅延させるための方法において、
さらなるステップ、すなわち、
前記値ｘｔ＿ｋを変換器（３）に転送するステップと、
前記第１のクロック信号（CLK1）のｋ−１サイクルだけ遅延された前記入力信号（PULS_IN）である値ｘｔ＿ｋ−１を前記変換器（３）に転送するステップと、
リード線１〜ｍ上に前記値ｘｔ＿ｋ−１およびリード線ｍ＋１〜ｎ上に前記値ｘｔ＿ｋを前記変換器（３）によって出力する（但し、１≦ｍ＜ｎ−１）か、または、前記値ｘｔ＿ｋ−１もしくは前記値ｘｔ＿ｋを各リード線１〜ｎに前記変換器（３）によって出力して、それにより直並列変換器を形成するステップと、
リード線１〜ｎ上に存在する前記値を第２のシフトレジスタ（４）に転送するステップと、
リード線１〜ｎに入力された前記値を、第２のシフトレジスタ（４）によって出力信号（PULS_OUT）として連続的に出力するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１０】
試料を検査するための顕微鏡であって、前記試料を照明するためのレーザ光源（５）と、前記試料から発せられる検出光（７）を検出するための検出装置（８）とを備え、第１の制御信号（１１）が、前記レーザ光源によって発生された照明レーザビーム（６）を制御するのに供せられ、第２の制御信号（１２）が、前記検出装置（８）を制御するのに供せられるものであり、
前記第１の制御信号（１１）が、請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路に入力信号（PULS_IN）として入力され、前記第２の制御信号（１２）が、前記回路の出力信号（PULS_OUT）によって構成される、顕微鏡。
【請求項１１】
レーザ光源（５）と検出装置（８）を有する顕微鏡を制御するための方法であって、前記レーザ光源（５）が第１の制御信号（１１）によって制御され、前記検出装置（８）が第２の制御信号（１２）によって制御されるものであり、
前記第２の制御信号（１２）が、請求項９に記載の方法を用いて、前記第１の制御信号（１１）を制御可能に遅延させることによって発生され、前記第１の制御信号（１１）が、前記第１の遅延ユニット（１）に入力信号（PULS_IN）として入力され、前記第２の制御信号（１２）が、前記第２のシフトレジスタ（４）の出力信号（PULS_OUT）によって構成される、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
値ｘｔ＿ｋ及びｘｔ＿ｋ−１は、変換器に存在し、ｘｔ＿ｋは、第１のクロック信号のｋサイクルだけ遅延された入力信号であり、ｘｔ＿ｋ−１は、第１のクロック信号のｋ−１サイクルだけ遅延された入力信号である。変換器は、値ｘｔ＿ｋ−１が、リード線１〜ｍ上に存在し、かつ値ｘｔ＿ｋが、リード線ｍ＋１〜ｎ上に存在する（但し、１≦ｍ≦ｎ−１）ように構成される。
ｍ＝ｎの場合は、値ｘｔ＿ｋ−１が、全てのリード線１〜ｎ上に存在し、かつ値ｘｔ＿ｋが、どのリード線にも出力されないという事実をカバーする。
それによって、第２の遅延ユニットは、第１の遅延ユニット及び第２の遅延ユニットが互いに対応して適合することを利用して、第１のクロック信号の一サイクルと等しい遅延を発生することができる。
これは、第１の遅延ユニットによるシフトが、回路全体の所望の遅延に正確に対応するであろう場合に興味深い。
この構成によって、本発明による回路及び本発明による方法はまた、かかる場合をカバーすることが可能になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ｍが比較的自由に定義可能な境界であるので、値ｘｔ＿ｋ−１がリード線１〜ｍ−１上
に存在し、かつ値ｘｔ＿ｋがリード線ｍ〜ｎ上に存在するように、変換器もまた構成でき
ることが自明である。
ここでもまた、１≦ｍ≦ｎ−１である。
第２の遅延ユニットによるゼロシフトの場合は、この実施形態において、ｍ＝１の場合によって構成される。
この実施形態も同様に、添付の特許請求の範囲によってカバーされるべきであることに留意されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月22日(2016.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線に応じた電荷を蓄積する変換素子を含む複数の画素が配列された画素アレイと、前記複数の画素の前記変換素子にバイアス電位を与えるためのバイアス線と、前記バイアス線を流れる電流を検知する検知回路と、前記検知回路からの出力に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知し、それに応じて前記複数の画素による電荷の蓄積動作を制御する制御部と、を備える放射線撮像装置であって、
前記検知回路は、差動増幅回路およびフィードバック経路を含み、基準バイアス電位に応じた電位を前記バイアス線に供給するように構成され、
前記差動増幅回路は、演算増幅器を含み、前記演算増幅器は、前記基準バイアス電位が与えられる第１入力端子と、前記バイアス線が接続された第２入力端子と、出力端子とを有し、
前記フィードバック経路は、前記出力端子と前記第２入力端子とを接続し、
放射線の照射を検知する検知動作時における前記フィードバック経路のインピーダンスは、前記画素アレイからの信号の読み出し動作時における前記フィードバック経路のインピーダンスよりも大きい、
ことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検知回路からの出力に基づいて前記フィードバック経路のインピーダンスを制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記検知回路からの出力に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射の終了を検知し、それに応じて前記フィードバック経路のインピーダンスを小さくする、
ことを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記複数の画素のち選択された画素の信号を読み出す読み出し回路を備え、
前記制御部は、前記画素アレイへの放射線の照射の終了の検知後に前記読み出し回路が最初にリセットされる期間に前記フィードバック経路のインピーダンスを小さくする、
ことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記画素アレイへの放射線の照射の開始の検知に応じて前記フィードバック経路のインピーダンスを小さくする、
ことを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記読み出し動作の終了に応じて前記フィードバック経路のインピーダンスを大きくする、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記フィードバック経路は、前記出力端子と前記第２入力端子とを接続する複数の経路を有し、前記制御部は、前記複数の経路のうち有効にする経路を選択することによって前記フィードバック経路のインピーダンスを制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記複数の経路は、抵抗を含む経路、および、導電線で構成された経路を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記抵抗を含む経路は、前記抵抗に対して並列に接続された容量を更に含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記差動増幅回路および前記フィードバック経路は、電流電圧変換アンプを構成し、前記検知回路は、前記電流電圧変換アンプの出力を増幅する電圧増幅アンプを更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置から出力される信号を処理するプロセッサと、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、放射線に応じた電荷を蓄積する変換素子を含む複数の画素が配列された画素アレイと、前記複数の画素の前記変換素子にバイアス電位を与えるためのバイアス線と、前記バイアス線を流れる電流を検知する検知回路と、前記検知回路からの出力に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知し、それに応じて前記複数の画素による電荷の蓄積動作を制御する制御部と、を備える放射線撮像装置に係り、前記検知回路は、差動増幅回路およびフィードバック経路を含み、基準バイアス電位に応じた電位を前記バイアス線に供給するように構成され、前記差動増幅回路は、演算増幅器を含み、前記演算増幅器は、前記基準バイアス電位が与えられる第１入力端子と、前記バイアス線が接続された第２入力端子と、出力端子とを有し、前記フィードバック経路は、前記出力端子と前記第２入力端子とを接続し、放射線の照射を検知する検知動作時における前記フィードバック経路のインピーダンスは、前記画素アレイからの信号の読み出し動作時における前記フィードバック経路のインピーダンスよりも大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のセキュリティが確保されていないセッションにおける送信データを生成する生成手段と、
前記生成手段により前記送信データが生成された場合に、当該セッションの相手装置が該セッションに対応する前記所定のセキュリティを確保するための第１の処理を開始しているかを判定する判定手段と、
前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていないと判定された場合に、前記所定のセキュリティを確保するための第２の処理を開始する開始手段と、
前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていると判定された場合、当該第１の処理により前記所定のセキュリティが確保されたことに応じて、前記第１の処理により確保された前記所定のセキュリティを用いて、前記送信データを送信し、
前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていないと判定された場合、前記第２の処理により前記所定のセキュリティが確保されたことに応じて、前記第２の処理により確保された前記所定のセキュリティを用いて、前記送信データを送信する送信手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記生成手段により生成された前記送信データを前記セッションと対応付けて管理する管理手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１の処理は、前記セッションの相手装置が開始した鍵交換処理であり、
前記第２の処理は、前記通信装置が開始した鍵交換処理である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１の処理または前記第２の処理によって交換された鍵を用いて、前記送信データを暗号化する暗号化手段をさらに有し、
前記送信手段は、前記暗号化手段により暗号化された前記送信データを送信する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１の処理、および、前記第２の処理は、IKE（Internet Key Exchange）プロトコルに準拠した処理である、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていると判定された場合、前記開始手段は、前記第２の処理を開始しない、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていると判定された場合において、前記第１の処理による前記所定のセキュリティの確保が失敗した場合、前記送信データを破棄する第１の破棄手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていないと判定された場合において、前記第２の処理による前記所定のセキュリティの確保が失敗した場合、前記送信データを破棄する第２の破棄手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
所定のセキュリティが確保されていないセッションにおける送信データを生成する生成工程と、
前記送信データが生成された場合に、当該セッションの相手装置が該セッションに対応する前記所定のセキュリティを確保するための第１の処理を開始しているかを判定する判定工程と、
前記第１の処理が開始されていないと判定された場合に、前記所定のセキュリティを確保するための第２の処理を開始する開始工程と、
前記第１の処理が開始されていると判定された場合、当該第１の処理により前記所定のセキュリティが確保されたことに応じて、前記第１の処理により確保された前記所定のセキュリティを用いて、前記送信データを送信する第１の送信工程と、
前記第１の処理が開始されていないと判定された場合、前記第２の処理により前記所定のセキュリティが確保されたことに応じて、前記第２の処理により確保された前記所定のセキュリティを用いて、前記送信データを送信する第２の送信工程と、
を有することを特徴とする通信方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明による通信装置は、所定のセキュリティが確保されていないセッションにおける送信データを生成する生成手段と、前記生成手段により前記送信データが生成された場合に、当該セッションの相手装置が該セッションに対応する前記所定のセキュリティを確保するための第１の処理を開始しているかを判定する判定手段と、前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていないと判定された場合に、前記所定のセキュリティを確保するための第２の処理を開始する開始手段と、前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていると判定された場合、当該第１の処理により前記所定のセキュリティが確保されたことに応じて、前記第１の処理により確保された前記所定のセキュリティを用いて、前記送信データを送信し、前記判定手段により、前記第１の処理が開始されていないと判定された場合、前記第２の処理により前記所定のセキュリティが確保されたことに応じて、前記第２の処理により確保された前記所定のセキュリティを用いて、前記送信データを送信する送信手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月14日(2015.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
通液型コンデンサ用の電極として用いた場合に必要なイオンの吸着量、塗膜強度、その他の性能や、ハンドリング性等を確保する観点から、本発明の電極における、炭素材料を含有する多孔質電極層の厚みは５０〜１０００μｍであることが好ましい。多孔質電極層の厚みが５０μｍ未満である場合は、イオンの吸着容量が不十分でなるおそれがある。逆に多孔質電極層の厚みが１０００μｍを超える場合は、多孔質電極層が脆くなり、ひび割れ等の欠陥が発生しやすくなるおそれがある。多孔質電極層の厚みは、より好ましくは１００〜８００μｍであり、更に好ましくは１５０〜５００μｍである。なお、多孔質電極層の厚みは、乾燥した多孔質電極層の厚みのことを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月27日(2015.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、臭気成分を吸着したナノミストとガスを導入するナノミスト導入口及び回収水供給部を介して前記ナノミストを回収するための回収水を導入する回収水導入口を有し、前記ナノミスト導入口から導入される前記ナノミストと前記回収水導入口から導入される前記回収水とを接触及び混合させるナノミスト−回収水接触部と、
前記ナノミスト−回収水接触部からのミストをサイクロンで回収する回収部と、を備える、ことを特徴とする、ナノミスト回収装置。
【請求項２】
前記臭気成分を吸着する前のナノミスト及び前記回収水はｐＨ５．８以上ｐＨ８．６以下であることを特徴とする、請求項１に記載のナノミスト回収装置。
【請求項３】
前記ナノミスト回収装置は、さらに、前記ナノミスト回収装置から放出される排水のｐＨを測定するセンサを備え、
前記回収水供給部は、さらに、前記センサによるｐＨ測定値に基づいて前記回収水の供給量を調節する回収水供給量調節機を備える、
ことを特徴とする、請求項１又は２に記載のナノミスト回収装置。
【請求項４】
臭気成分を吸着したナノミストの回収方法であって、
少なくとも、臭気成分を吸着したナノミストとガスを導入するステップと、
前記ナノミストを回収するための回収水を導入するステップと、
前記ナノミストと前記回収水とを接触及び混合させる接触混合ステップと、
前記接触混合ステップを経たミストをサイクロンで回収する回収ステップと、を含む、ことを特徴とする、ナノミスト回収方法。
【請求項５】
臭気成分を吸着する前のナノミスト及び前記回収水はｐＨ５．８以上ｐＨ８．６以下であることを特徴とする、請求項４に記載のナノミスト回収方法。
【請求項６】
前記回収ステップ後の排水のｐＨを測定する測定ステップを更に含み、
前記測定ステップによるｐＨ測定値に基づいて前記回収水の導入量を調節する回収水供給量調節ステップを更に含む、
ことを特徴とする、請求項４又は５に記載のナノミスト回収方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係るナノミスト回収装置においては、前記ナノミスト回収装置は、さらに、前記ナノミスト回収装置から放出される排水のｐＨを測定するセンサを備え、前記回収水供給部は、さらに、前記センサによるｐＨ測定値に基づいて前記回収水の供給量を調節する回収水供給量調節機を備えることが好ましい。このような構成とすることで、ナノミスト回収装置から放出される排水のｐＨが適正値となるように制御することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月27日(2016.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の隣接する送電部、及び前記送電部と電気的に接続する電源部を含み、
前記複数の隣接する送電部はそれぞれ、
前記電源部から電力供給され、第１のスイッチが設けられた送電用コイルと、
前記送電用コイルと非接触で配置され、電磁誘導により電磁気的に結合している送電側共鳴用コイルと、
前記送電側共鳴用コイルから反射される反射電力を第２のスイッチ及び第３のスイッチへ入力する方向性結合器とを有し、
前記第２のスイッチは前記入力される反射電力が基準電力より小さい場合オンし、
前記第３のスイッチは前記入力される反射電力が前記基準電力より大きい場合オンし、
前記第１のスイッチは、前記第２のスイッチがオンすることによりオンし、
前記送電側共鳴用コイルに設けられた前記第１のスイッチをオンすると送電状態となり、
前記送電側共鳴用コイルに設けられた前記第１のスイッチをオフすると非送電状態となることを特徴とする送電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のスイッチと前記電源部との間に蓄電手段を有することを特徴とする送電装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはｐチャネル型トランジスタであり、前記第３のスイッチはｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする送電装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記方向性結合器と第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのゲート、及びソース又はドレインの一方は電気的に接続し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記電源部と電気的に接続することを特徴とする送電装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の送電装置と、
受電部、及び前記受電部と電気的に接続する負荷部を含む受電装置とを有し、
前記受電装置において、前記受電部は、
前記負荷部に電力を供給する受電用コイルと、
前記受電用コイルと非接触で配置され、電磁誘導により電磁気的に結合する受電側共鳴用コイルとを含み、
前記送電状態においては前記送電側共鳴用コイルと前記受電側共鳴用コイルとが共鳴することを特徴とする給電システム。
【請求項６】
請求項５の給電システムを用い、
複数の送電部において前記第３のスイッチをオフとし、かつ前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオンとし前記送電装置を送電状態に設定する第１のステップと、
前記送電用コイルにおいて前記電源部より供給された電力を前記送電側共鳴用コイルに送電する第２のステップと、
前記送電側共鳴用コイルにおいて前記受電装置へ送電する第３のステップと、
前記第３のステップにおいて前記送電側共鳴用コイルによって反射された反射電力を、前記方向性結合器を介して第２のスイッチ及び第３のスイッチへ入力する第４のステップと、
前記第４のステップにおいて前記反射電力が前記基準電力より小さい場合、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオンとしたまま前記送電部は前記受電装置への送電を継続し、前記第３のステップ及び前記第４のステップを繰り返し、
前記第４のステップにおいて前記反射電力が前記基準電力より大きい場合、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオフとし前記送電装置を非送電状態に設定し、かつ前記第３のスイッチをオンとし前記反射電力を前記第３のスイッチを介して前記電源部へ送ることを特徴とする給電方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記送電状態と前記非送電状態とでは、前記送電側共鳴用コイルの共振周波数が異なることを特徴とする給電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、
第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層と、を含み、
前記第２導電型半導体層は、
複数の第１領域及び複数の第２領域を含む電子遮断層を含み、前記複数の第１領域及び前記複数の第２領域は前記活性層上に配置され、
前記複数の第１領域は、互いに離隔するようにパターンされ、前記複数の第２領域のそれぞれは、隣接する前記第１領域の間に配置される、発光素子。
【請求項２】
前記第１領域のそれぞれは、ＡｌＧａＮの単一層、ＡｌＧａＮ／ＧａＮまたはＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮの複数層のいずれか一つを含んでなる、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記電子遮断領域は、周期的な形態でパターニングされた、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記電子遮断領域をなす複数個のパターンのそれぞれは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの幅を有する、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１領域のそれぞれは、５ｎｍ〜５０ｎｍだけ互いに離隔した、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
互いに接する第１領域の幅Ｗ１及び第２領域の幅Ｗ２の和Ｗ１＋Ｗ２において第２領域が占める幅Ｗ２の比率が２．４％〜５０％である、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２領域は、発光素子の断面積の５％〜８０％の面積を占める、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２領域は、前記第１領域よりもエネルギーバンドギャップが小さい、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２導電型半導体層上に透明電極層をさらに含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
第１導電型半導体層と、
第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層と、を含み、
前記第２導電型半導体層は、前記活性層上に配置される電子遮断層と、前記電子遮断層上の第２導電型クラッド層とを含み、前記電子遮断層は、互いに離隔した複数個のパターンからなる第１領域と、隣接した第１領域間の第２領域とを含み、
前記第１領域及び前記第２領域は前記活性層上に配置され、
前記第１領域と前記第２領域は、互いに異なるエネルギーバンドギャップを有する物質からなる、発光素子。
【請求項１１】
前記第１領域は電子遮断領域であり、前記第２領域は正孔注入領域である、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第２領域は、前記第２導電型クラッド層と同一の組成の物質を含む、請求項１０又は１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
第１導電型半導体層と、
第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層と、を含み、
前記第２導電型半導体層は、前記活性層に隣接して位置する電子遮断層と、前記電子遮断層上の第２導電型クラッド層とを含み、前記電子遮断層は、互いに離隔した複数個のパターンからなる第１領域と、隣接した第１領域間の第２領域とを含み、
前記第１領域及び前記第２領域は前記活性層上に配置され、
前記第２領域は、前記活性層上に配置される第２−１層と、前記第２導電型クラッド層上に配置される第２−２層とを含み、
前記第２−１層は、前記第２−２層よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する物質からなり、
前記第１領域と前記第２領域は、互いに異なるエネルギーバンドギャップを有する物質からなる、発光素子。
【請求項１４】
前記第１領域のそれぞれは、断面が六角形の形状を有する、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１領域のそれぞれは、断面が円形の形状を有する、請求項１３又は１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第２−１層は、前記第１領域よりも薄く形成された、請求項１３ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第２−１層は、前記活性層と接する一面が、前記活性層と接する前記第１領域の一面と同一面上に位置する、請求項１３ないし１６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第２−１層は、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さに形成された、請求項１３ないし１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第２−１層は、前記第１領域の厚さの１０％〜５０％の厚さに形成された、請求項１３ないし１８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第１領域のそれぞれは、前記第２領域よりも高い抵抗を有する、請求項１３ないし１９のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月21日(2016.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層と、
前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層と、を含み、
前記活性層は、
（Ｔ＋１）個のバリア層と、
前記（Ｔ＋１）個のバリア層の間に配置されたＴ個の井戸層と、
前記第２導電型半導体層に隣り合うＮ個の井戸層と前記Ｎ個の井戸層に隣り合うＮ個のバリア層との間に配置される第１ダミー層と、を含み、
Ｔ＞Ｎ≧１であることを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記活性層は、
前記第１導電型半導体層に隣り合うＭ個の井戸層と前記Ｍ個の井戸層に隣り合うＭ個のバリア層との間に配置される第２ダミー層をさらに含み、
Ｎ≧Ｍ≧１であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１ダミー層は前記バリア層の上及び下のうちの１つの上に配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２ダミー層は前記バリア層の上及び下のうちの１つの上に配置されることを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記活性層は、
前記第２導電型半導体層に接する第１バリア層と前記第１バリア層に接する第１井戸層との間に配置される第３ダミー層をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第３ダミー層は、前記第１ダミー層と離隔され、
前記第３ダミー層の厚さは、前記第１ダミー層の厚さより薄いことを特徴とする、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１ダミー層は前記第１井戸層と接する第２バリア層の上及び下のうちの１つの上に配置されることを特徴とする、請求項５に記載の発光素子。
【請求項８】
前記活性層は、
前記第１導電型半導体層に隣り合うＭ個の井戸層と前記Ｍ個の井戸層に隣り合うＭ個のバリア層との間に配置される第２ダミー層と、
前記第１導電型半導体層に接する第３バリア層と前記第３バリア層に接する第２井戸層との間に配置される第４ダミー層と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第３バリア層は、前記第２導電型半導体層に最も近い最後のバリア層に対して、最も近くに配置されることを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２ダミー層は前記第２井戸層と接する第４バリア層の上及び下のうちの１つの上に配置され、
前記第２ダミー層のバンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第１乃至第４ダミー層のうちの少なくとも１つは、前記第１バリア層と同一のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１乃至第４ダミー層のうちの少なくとも１つは、前記第１井戸層のバンドギャップと前記第１バリア層のバンドギャップとの間のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１乃至第４ダミー層のうちの少なくとも１つは、前記第１バリア層と同一の種類の化合物半導体材質で形成されることを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記（Ｔ＋１）個のバリア層の各々は同一の厚さを有することを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記活性層は４５０nm以上のピーク波長の光を生成することを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１導電型半導体層はｎ型半導体層であり、
前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層であり、
前記活性層は、前記ｐ型半導体層に最も近い最後の量子井戸層を有し、
前記第１ダミー層は、前記最後の量子井戸層と接して配置されることを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記活性層は、前記ｐ型半導体層に最も近い最後のバリア層を有し、
前記第１ダミー層のバンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーと同一または小さく、
前記第１ダミー層の厚さは、前記最後のバリア層の厚さより薄いことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１ダミー層のバンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１ダミー層は、前記最後の量子井戸層の両側に接して配置されることを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第２井戸層は、前記第１井戸層と前記最後の量子井戸層との間に配置され、
前記第２井戸層には、ダミー層が配置されないことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第１ダミー層の最高バンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項２２】
支持体と、
前記支持体の上に第１及び第２電極ラインと、
前記支持体及び前記第１及び第２電極ラインのうちのいずれか１つの上に配置され、請求項１乃至２１のうちいずれか１項に記載の発光素子と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁膜の作製方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することにより、絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記絶縁膜は酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜であり、前記原料ガスは、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体であることを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記絶縁膜は酸化窒化シリコン膜であり、前記原料ガスは、シラン及び一酸化二窒素であることを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項４】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、及び一対の電極上に保護膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することにより、前記保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に保護膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することにより、前記保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、及び前記一対の電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に保護膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することにより、前記保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記保護膜は酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜であり、前記原料ガスは、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記保護膜は酸化窒化シリコン膜であり、前記原料ガスは、シラン及び一酸化二窒素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一項において、前記保護膜を形成した後、前記保護膜の成膜温度より高い温度で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記加熱処理の温度は、２５０℃以上基板歪み点未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の一部とゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接する領域を有する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上の保護膜と、
を有し、
前記保護膜は、電子スピン共鳴測定によるｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満である酸化絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記一対の電極は、前記ゲート絶縁膜及び前記酸化物半導体膜の間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１において、前記一対の電極は、前記酸化物半導体膜及び前記保護膜の間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接する領域を有する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の一部と前記ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有するゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上の保護膜と、
を有し、
前記保護膜は、電子スピン共鳴測定によるｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満である酸化絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。