【手続補正書】
【提出日】平成28年5月20日(2016.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のマークを含むパターンが形成されたショット領域を有する基板上にインプリント材を供給する供給工程と、
前記インプリント材に型のマークを含むパターンを有する型を接触させる接触工程と、
前記型を接触させた状態で前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、
前記基板と前記型との間隔を広げることで、前記型のマークが転写されて成るインプリント材のマークを含むパターンをインプリント材に形成する形成工程とを有するインプリント方法であって、
センサと、前記センサ上に前記型を透過した光によってインプリント材のマークの像及び基板のマークの像を形成する光学系とを用い、前記型のマークが前記光学系の焦点深度外に位置するまで、前記基板と前記型との間隔を広げた後、前記センサでインプリント材のマーク及び基板のマークを検出して、基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを求めることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
基板上には前記ショット領域が複数配置されており、
各ショット領域に対し、前記接触工程において型と基板との位置合わせを行ってから、前記硬化工程及び形成工程を実行し、その後、前記基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを求めることで、複数のショット領域に順にパターンを形成する際に、
先のショット領域において求めた基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを、後のショット領域における前記型と基板との位置合わせに用いることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
先のショット領域において求めた基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれが、許容範囲外の場合は、後のショット領域に対するパターンの形成を停止することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
複数の基板のそれぞれに対し、前記接触工程において型と基板との位置合わせを行い、前記硬化工程及び形成工程を実行し、その後、前記基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを求めることで、複数の基板に順にパターンを形成する際に、
先の基板において求めた基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを、後の基板における前記型と基板との位置合わせに用いることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記型のマークを含むパターンが形成されたパターン面を有し、前記基板と前記型との間隔を広げた後に、前記型を前記パターン面に平行な方向に移動させ、その後、前記インプリント材のマーク及び基板のマークを検出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記光学系の焦点深度内に基板のマークを位置させた状態で、前記基板と前記型との間隔を広げる動作を行うことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
基板上に供給されたインプリント材に、型のマークを含むパターンを有する型を接触させ、前記型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、前記基板と前記型との間隔を広げることで、前記型のマークが転写されて成るインプリント材のマークを含むパターンをインプリント材に形成するインプリント装置であって、
前記基板は、基板のマークを含むパターンが形成されたショット領域を有し、
前記基板と前記型との間隔を広げる駆動部と、
インプリント材のマークと基板のマークとを検出する検出部と、
前記駆動部及び検出部の動作を制御するとともに、前記検出部の検出結果から、前記基板に形成されたパターンと前記インプリント材に形成されたパターンとの相対的な位置ずれを求める制御部と、を有し、
前記検出部は、センサと、前記センサ上に前記型を透過した光によってインプリント材のマークの像及び前記基板のマークの像を形成する光学系とを備えており、
インプリント材の硬化の後、前記制御部は、前記駆動部によって前記型のマークが前記光学系の焦点深度外に位置するまで、前記基板と前記型との間隔を広げた後、前記検出部によってインプリント材のマークと基板のマークとを検出させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
前記検出部は更に前記型のマークを検出する機能を有し、前記制御部は、インプリント材に型を接触させる際に、前記検出部に型のマークと基板のマークとを検出させ、その検出結果から前記型に形成されたパターンと前記基板に形成されたパターンとの相対的な位置ずれを求めることを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は前記光学系の焦点深度内に基板のマークを位置させた状態で、前記基板と前記型との間隔を広げる動作を行うことを特徴とする請求項７または８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９の何れか１項に記載のインプリント装置を用いて、基板上のインプリント材にパターンを形成する工程と、
インプリント材に形成されたパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のインプリント方法は、基板のマークを含むパターンが形成されたショット領域を有する基板上にインプリント材を供給する供給工程と、インプリント材に型のマークを含むパターンを有する型を接触させる接触工程と、型を接触させた状態でインプリント材を硬化させる硬化工程と、基板と型との間隔を広げることで、型のマークが転写されて成るインプリント材のマークを含むパターンをインプリント材に形成する形成工程とを有するインプリント方法であって、センサと、センサ上に型を透過した光によってインプリント材のマークの像及び基板のマークの像を形成する光学系とを用い、型のマークが光学系の焦点深度外に位置するまで、基板と型との間隔を広げた後、センサでインプリント材のマーク及び基板のマークを検出して、基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを求めることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示したように、型１１とショット領域５とのずれが倍率ずれ、台形ずれ、ねじれなどである場合、制御部１７は、補正機構１６によって、型１１のパターン面１１ａの形状を変形させる。具体的には、検出部１５で型側マーク１８と基板側マーク１９とを検出し、検出結果に基づいて制御部１７の演算部ＣＡＬは、型１１と基板１３との相対的な位置ずれを求める。制御部１７は、求めた相対的な位置ずれから、パターン面１１ａの形状が基板上のショット領域５の形状となるように、補正機構１６によるパターン面１１ａの変形量を制御する。補正機構１６によりパターン面１１ａを変形させ、基板ステージ２３によりショット領域（基板１３）を変位（移動）させることで、型１１とショット領域５のアライメントを行う。また、アクチュエータ１６ｂの駆動量（即ち、型１１に付与する力）とパターン面１１ａの変形量との対応関係を表すデータを予め取得して制御部１７のメモリＭＲＹなどに記憶させておいても良い。制御部１７は、メモリＭＲＹに格納したデータに基づき、パターン面１１ａの変形量に対応するアクチュエータ１６ｂの駆動量を求め、アクチュエータ１６ｂを駆動させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
本実施形態では、ダイバイダイアライメントにおける型と基板の位置合わせについて説明したが、本発明のインプリント方法はダイバイダイアライメントに限らない。例えば、基板上に複数配置されたショット領域に形成されたマークを検出し、検出結果から複数のショット領域の配列座標を求め、求めた配列座標に基づいて型と基板の位置合わせを行うグローバルアライメント方式でも良い。グローバルアライメント方式で型と基板の位置合わせをして、型に形成されたパターンを基板上のショット領域上のインプリント材に形成したのち、上述した方法で基板のパターンとインプリント材のパターンとの相対的な位置ずれを求める。グローバルアライメント方式の場合、ずれを求めた基板とは異なる基板上の複数のショット領域の配列座標を求める際に、求めた相対的な位置ずれの結果を用いる。複数のショット領域に形成されたマークの検出結果に加え、相対的な位置ずれの結果を用いることで、インプリント材を硬化させた後の基板のパターンと転写されたパターンとの相対的な位置ずれを低減することができる。