(57)【要約】  水晶ウェハ基板上への実装のため複数のＳＡＷ感知共振器を機械的にシミュレートできる水晶センサの方法および装置が開示される。その後、水晶ウェハ基板は適宜エッチングされ、これにより水晶ウェハ基板から水晶ダイアフラムを製造することができる。次に、基板上への実装のため既に行われている機械的シミュレートに基づく水晶ウェハ基板上に、複数のＳＡＷ感知共振器（例えば、圧力、基準、および／または温度ＳＡＷ共振器）を配置することができ、これにより、水晶ウェハ基板から水晶センサパッケージを製造することができる。
2007533998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶ウェハ基板上への実装のため複数のＳＡＷ感知共振器を機械的にシミュレートする工程と、
前記水晶ウェハ基板をエッチングし、前記水晶ウェハ基板から複数の水晶圧力感知膜を製造する工程と、
前記水晶ウェハ基板上に、前記基板上への実装のため機械的にシミュレートされた前記複数のＳＡＷ感知共振器に基づく複数のＳＡＷ感知共振器を配置し、それにより、前記水晶ウェハ基板から水晶センサパッケージを製造する工程と、
を含む水晶センサの方法。
【請求項２】
さらに、前記水晶ウェハ基板上に過圧停止部コンポーネントを作る工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、金属イオンを前記水晶ウェハ基板中に打ち込み、その導電性経路接続部を形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属イオンは、チタンを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記水晶センサパッケージを形成するために前記水晶ウェハ基板上で水晶間ウェハボンディング作業を実施する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、少なくとも１つの圧力ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、少なくとも１つの温度ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、少なくとも１つの基準ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、前記水晶ウェハ基板の圧縮応力領域上に部分的に配置された少なくとも１つの圧力ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
水晶ウェハ基板上への実装のための複数のＳＡＷ感知共振器と、
前記水晶ウェハ基板からエッチングされた水晶ダイアフラムとを備え、
前記基板上への実装のため機械的にシミュレートされた前記水晶ダイアフラムに基づく複数のＳＡＷ感知共振器が、前記水晶ウェハ基板上に配置され、それにより、前記水晶ウェハ基板から水晶センサパッケージが製造される、
水晶センサ装置。
【請求項１１】
さらに、前記水晶ウェハ基板上に加工された過圧停止部コンポーネントを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
さらに、導電性経路接続部を形成するため前記水晶ウェハ基板中に打ち込まれる金属イオンを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記金属イオンは、チタンを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記水晶ウェハ基板は、前記水晶センサパッケージを形成するために水晶間ウェハボンディング作業が行われる、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、少なくとも１つの圧力ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、少なくとも１つの温度ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、少なくとも１つの基準ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のＳＡＷ感知共振器は、前記水晶ダイアフラムの圧縮応力領域上に部分的に一体配置された少なくとも１つの圧力ＳＡＷ共振器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
エッチングされた過圧停止ギャップを間に形成するために水晶エッチングカバーを備える水晶ＳＡＷチップと、
前記エッチングされた過圧停止部ギャップ内の前記水晶ＳＡＷチップ上に配置された複数のＳＡＷ感知共振器と、
金属ピンが結線を通じて接触するように前記金属ピンが突き出るベースプレートと、
前記水晶ＳＡＷチップ上に、また前記水晶ＳＡＷチップ上に蒸着されたチタン製インプラントの上に蒸着された金属と、
前記ベースプレートに接続され、ＳＡＷ圧力センサを形成するために前記水晶ＳＡＷチップおよび前記水晶カバーを囲む外部カバーと、
を備える水晶センサ装置。
【請求項２０】
さらに、
前記水晶ＳＡＷチップと前記水晶カバーとの間の水晶直接ボンディングと、
前記ベースプレートと前記水晶ＳＡＷチップとの間のボンディング用樹脂と、
汚染物質が前記水晶ＳＡＷチップと接触するのを防ぐために前記ベースプレート内に形成されたギャップ内に配置された圧力伝達要素とを備え、
前記水晶ＳＡＷチップは、エッチングされたダイアフラムを含む、請求項１９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、全体として、感知方法および装置に関係する。実施形態は、さらに、圧力および温度センサにも関係する。実施形態は、さらに、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスおよびセンサに関係する。
【背景技術】
【０００２】
圧力センサは、圧力を監視する必要がある場合に使用される。このようなデバイスは、タイヤ空気圧感知などの用途に理想的に適している。圧力センサは、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスを水晶（クオーツ）などの圧電性物質内のエッチングされたダイアフラム上に配置することにより実装されうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、今日まで、技術的諸問題により、このような素子を効果的に実装することが妨げられていた。現在、タイヤ空気圧監視アプリケーションの場合のように、過酷な環境下で、または回転する部品に関連して使用する圧力および温度センサに対する大きな需要が存在する。これまでに、圧力感知デバイスを実装する試みがなされてきた。既存の設計では、基板および回路のサイズを大きくしなければならず、また製造時に高価な較正プロセスも必要とする。
【０００４】
そこで、本発明の一態様では、改善されたセンサに基づく方法および装置を実現する。
【０００５】
本発明の他の態様では、改善されたＳＡＷセンサに基づく方法および装置を実現する。
【０００６】
本発明のさらに他の態様では、改善された水晶（クオーツ）ＳＡＷセンサに基づく方法および装置を実現する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の以下の概要説明は、本発明に独自の革新的特徴のいくつかを理解しやすくするために用意されているのであって、完全な説明を期しているわけではない。本発明のさまざまな態様を完全に理解するためには、明細書、請求項、図面、および要約全体を必要とする。
【０００８】
本発明の前述の態様ならびに他の目的および利点は、本明細書で説明されている通りに達成することが可能である。水晶ウェハ基板上への実装のため複数の感知膜を機械的にシミュレートできる水晶センサに基づく方法および装置が、開示されている。次いで、水晶（クオーツ）ウェハ基板は適宜エッチングされ、これにより水晶ウェハ基板から水晶ダイアフラムを製造することができる。次に、基板上への実装のため既にシミュレートされている感知膜に基づく水晶ウェハ基板上に、複数の感知要素およびデバイス（例えば、圧力、基準、および／または温度ＳＡＷ共振器）が配置され、これにより、水晶ウェハ基板から水晶センサパッケージを製造することができる。
【０００９】
類似の参照番号が別になっている図面全体を通して同一または機能的に類似している要素を指し示し、明細書に組み込まれ、明細書の一部をなす付属の図面では、さらに、本発明を例示し、本発明の詳細な説明と共に、本発明の原理を説明するために使用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
これらの限定されない実施例で説明される特定の値および構成は、変えることができ、本発明の少なくとも一実施形態を例示するだけのために引用され、本発明の範囲を制限することを意図されていない。
【００１１】
本明細書で開示されている実施形態は、一般に、圧力感知のためのエッチングされた水晶ダイアグラムの機械的設計の方法、および強水晶（クオーツ）エッチング、直接水晶（クオーツ）間パッケージング、および水晶ケージの外部に突き出る金属接続のための技術を説明している。そこで、本発明のさまざまな実施形態に関して、ＳＡＷセンサの交信のための新しい方法および装置がここで説明される。このような概念は、複数のＳＡＷ共振器の実装に基づく感知構成に適用することができる。
【００１２】
これらのＳＡＷ共振器のうちの１つは、圧力感知ダイアフラム上に少なくとも部分的に置くことができる（つまり、「Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ」と呼ばれる）。残りの共振器（つまり、Ｒｅｆ−ＳＡＷおよびＴ−ＳＡＷ）は、応力なしのゾーン内に配置できる。圧力は、Ｐ−ＳＡＷおよびＲｅｆ−ＳＡＷセンサを使用して差に関して測定できるが、温度は、応力のない領域上に配置されたＲｅｆ−ＳＡＷおよびＴ−ＳＡＷセンサを使用する異なる方法により測定することができる。温度測定の場合、水晶（クオーツ）基板上の温度測定について、位相速度の温度係数および周波数の温度係数の異方性が推測可能である。他のＳＡＷセンサのＳＡＷ伝搬方向に関するＴ−ＳＡＷ共振器の最適な傾斜は、使用されるそれぞれの型の水晶について実装できるのが好ましい。
【００１３】
温度および圧力測定のためのワイヤレスおよび／または受動的水晶ベースＳＡＷセンサの設計および加工に先立って、ダイアフラム上の応力形態の機械的シミュレーションを実施し、圧力および温度動作範囲全体にわたって水晶（クオーツ）ＳＡＷセンサの信頼できる、弾性的挙動が可能であることを確認すべきである。
【００１４】
測定対象の圧力範囲にわたって、圧力下でたわむ水晶ダイアフラムは、パッケージングに使用される他の水晶ウェハおよび過圧停止部によりエッジで支えられているより薄い水晶ウェハ（つまり、エッチング領域なしの）から、またはエッチングされた水晶圧力感知ダイアフラムを得るために水晶を選択的にエッチングすることにより構成することができる。水晶ウェットおよび／またはドライエッチングにより実行される水晶（クオーツ）ダイアフラムは、より小さな圧力測定を行えるように構成することができる。一般に、水晶ダイアフラムの機械的挙動の解析的シミュレーションでは、さまざまな結果が得られ、これらは、図１〜９の実施形態に関して、本明細書で一般的に示されている。
【００１５】
図１は、一様に分布する圧力負荷ｐ（Ｎ／ｍ２）の下で締め付けられている外部エッジによる円形の平板内の応力の定性的表現を示すグラフ１００である。結果は、小さなたわみを持つ大きな板（つまり、板厚さがダイアフラムの最小開口−円形の板の場合の直径−よりも約１０倍小さい）の理論から導かれる（つまり、最大のたわみは、ダイアフラム厚さよりも約５倍小さい）。グラフ１００は、矢印１０２で示されているように正規化された引張応力および圧縮応力の半径方向分布を示している。応力は、一般に、軸１０８により示される。プロット１０４および１０６は、それぞれ一様に分布する圧力負荷によりダイアフラム上の誘起された接線方向および半径方向の応力の変動を示しているが、矢印１１０、１１１、および１１２は、ダイアフラムの中心、および締め付けられているダイアフラムのエッジにおけるそのような応力の正規化された表現を示す。
【００１６】
挿入部分１１３も、グラフ１００と関連して図１に示されており、締め付けられているダイアフラム、つまり、リムにより結合されている円形の平板１１４を表す。円形の平板１１４上に一様に分布する圧力は、一般に、図１にも示されている、挿入部分１１６内の複数の矢印により示される。同じ挿入部分１１３および１１６も、本明細書の図２〜５に示されていることに留意されたい。一般に、図１のグラフ１００は、ダイアフラム１１４上の応力分布をダイアフラム１１４の中心からの正規化された距離（ｒ／ｒ０）の関数として示す。
【００１７】
図２は、水晶ダイアフラム半径／ダイアフラム厚さに関して表される水晶ダイアフラムの弾性変形の許容可能な範囲を縦軸とし、圧力を横軸とするグラフ２００である。このような構成は、さらに、小さなたわみを持つ大きな板の理論および変形を弾性範囲内に保持する条件から導かれる（つまり、最大の誘発応力−締め付けられたエッジのところの半径方向応力である−は、ダイアフラム材料の弾性／破壊の限界よりも「ｃ」倍小さく、「ｃ」は、通常１から３までの間の安全係数である）。
【００１８】
グラフ２００は、一般に、比ｒ０／ｈの許容可能な値の範囲を縦軸とし板１１４に印加される最高圧力を横軸とするグラフであり、弾性変形は最大応力σｅｌａｓｔｉｃ／ｆｒａｃｔｕｒｅ＝５０ＭＰａにより調整される。したがって、グラフ２００は、ダイアフラム１１４の最大半径を抽出して特定のダイアフラム厚さについて使用することで、特定の圧力および安全係数についてダイアフラム１１４の弾性挙動を求めることができることを示している。
【００１９】
図３は、正規化された半径方向および接線方向の応力を縦軸とし、小さなたわみを持つ円形の板の理論から導かれるダイアフラム１１４の中心からダイアフラム１１４のリムまでの正規化された距離を横軸とする詳細な依存関係を示すグラフ３００である。グラフ３００は、一般に、締め付けられたダイアフラムに関連する、板１１４などの水晶円形板に対する、正規化された半径方向および接線方向の応力（つまり、変数σ０がダイアフラムの中心における応力を表すものとしてσｒ，ｅ／σ０）を示す。図３のグラフ３００により示される結果は、一般に、ＳＡＷデバイスの音響感度の推定に好ましい。
【００２０】
図４および５は、グラフ４００および５００、ならびに関連する表４０２、４０４、および５０２、５０４を例示しており、これらは、水晶ダイアフラムの最大のたわみを、小さなたわみを持つ大きな板の理論と変形を弾性範囲内に保持する条件とから求められるダイアフラム厚さの関数として記述する。図４および５のグラフ４００および５００ならびにそれぞれの表４０２、４０４、および５０２、５０４は、一般に、ダイアフラム半径と安全係数のさまざまな値に対し１５０ｐｓｉの圧力において水晶ダイアフラム１１４の最大のたわみをダイアフラム厚さの関数として示す。図４および５のグラフ４００および５００ならびにそれぞれの表４０２、４０４、および５０２、５０４は、与えられた圧力荷重に対するダイアフラム厚さの許容可能な範囲およびダイアフラム厚さと安全係数のさまざまな値の供給元として解釈することができる。このような結果は、円形ダイアフラムおよび過圧停止部装置の幾何学的特徴の計算、ならびにすべての水晶パッケージング技術の設計に役立つ。
【００２１】
応力の機械的解析的シミュレーション（図１および３を参照）から、半径ｒ０の円形ダイアフラムについて、約０．６ｒ０の半径ｒを有する引張（つまり、符号は＋）中心領域を得ることができるが、ダイアフラム１１４からそのリムまでの残り部分（つまり、幅０．４ｒ０）は圧縮される（つまり、符号は−）。半径方向および接線方向の引張応力は、ダイアフラム１１４の中心で最大であり、半径方向応力ではｒ＝０．５５ｒ０で、接線方向応力ではｒ＝０．９ｒ０で０に減少する。半径方向応力はｒ＞０．５５ｒ０で負になるが、接線方向応力はｒ＞０．９ｒ０で負になり、最大の圧縮はダイアフラム１１４のエッジでこの２種類の方向の応力について得られる。
【００２２】
解析的シミュレーションから得られる半径方向および接線方向の歪みは、ダイアフラム１１４上に配置されたＳＡＷ共振器の音響感度の推定を行うのに非常に重要である。半径方向応力と接線方向応力との組合せは、ＳＡＷデバイスの音響感度に関わる。ＳＡＷ発振器のすべての水晶パッケージングの最適化の際に実験検証により証明することが可能なこのような結果は、ダイアフラム上のＳＡＷ共振器の感度、設計、および配置にとって欠かせないものである。このような結果は、さらに、応力のかからないシーリングを得るうえでパッケージング技術に欠かせない。圧力および温度を測定する３つのＳＡＷ共振器センサの配置は、設計者が望む感度レベルに応じて、さまざまな構成形態を使用して行うことが可能である。
【００２３】
図６は、本発明の一実施形態による、水晶チップ６００上に構成された３つのＳＡＷ共振器６１８、６１４、および６１６のブロック図である。図６に示されている実施形態では、ＳＡＷ共振器６１４（つまり、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ）は、リムに近い方の水晶チップ６００上に配置し、圧縮応力に曝されるようにできる。この方法により、センサ全体から「見える」のは圧縮されたゾーンのみになる。基準ＳＡＷ共振器６１６（つまり、Ｒｅｆ．ＳＡＷ）を外部に配置し、ＳＡＷ共振器６１４とＳＡＷ共振器６１６との間の周波数差を決定することにより測定するようにできる。
【００２４】
同様に、温度は、両方のＳＡＷセンサ（つまり、Ｔ−ＳＡＷとＲｅｆ．ＳＡＷ）が応力のないゾーン内に配置される、差に関する方法で測定することができる。図６の構成では、温度は、ＳＡＷ共振器６１８（つまり、Ｔ−ＳＡＷ）とＳＡＷ共振器６１６（つまり、Ｒｅｆ．ＳＡＷ）との周波数差から得ることができる。３つのＳＡＷ共振器の配置のこの方法は、圧力測定に対する温度の影響をなくすうえで本質的な改善となっており、また相互的である。図６において、領域６０４の半径ｒは、０．６ｒ０にほぼ等しく、これは、矢印６０６により示されているように、ほぼ２．７ｍｍに相当する。矢印６０８は、約４．５ｍｍの半径ｒ０を示す。矢印６１２は、０．４ｒ０が１．８ｍｍにほぼ等しいことを示すが、矢印６１０は、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ共振器６１４の長さが約１．５ｍｍであることを示す。矢印６２８および６２４は、それぞれ、水晶チップ６００の寸法が約１１ｍｍ（つまり、長さ）および１０ｍｍ（つまり、幅）であることを示している。
【００２５】
図６は、一般に、複数の仮定を考慮することにより０から１５０ｐｓｉの範囲の圧力測定に対する水晶ダイアフラムの機械的設計の一実施例を示す。第１の仮定では、水晶強度は、５０ＭＰａ（引張応力）に等しいものとし、水晶ダイアフラムの弾性限界の計算に関する最悪の場合を表す。第２の仮定では、安全係数ｃは１．５に等しいとする。第３の仮定では、ＳＡＷ共振器６１４（つまり、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ）は、リムに近い円形ダイアフラム６０２の圧縮された領域の内側に配置され、半径にそって約０．３３ｒ０の長さＬ、つまり約１．５ｍｍを占有するものとする。この値は、動作周波数９１５ＭＨｚ、および免許不要の領域の周波数帯域から得られる。第４の仮定は、圧力感度について高い値を得るという考え方に基づく。この仮定は、ダイアフラムの圧縮された領域において可能な半径方向および接線方向の応力の組合せの最適化により成立させることができる。
【００２６】
上述の仮定に関連して測定される最大圧力１５０ｐｓｉについて、シミュレーション結果から、図６の矢印６０８により示されているように、ダイアフラムの半径ｒ０は４．５ｍｍにほぼ等しいことがわかる。安全係数ｃ＝１．５では、ダイアフラム半径とダイアフラム厚さとの比は、６．６７未満である。このような構成では、水晶ダイアフラム厚さは、６７５マイクロメートルとなる。このような解決方法の利点の１つとして、ＳＡＷ共振器６１４（つまり、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ）の配置が圧縮領域内に丸ごと入り、高い圧力感度が得られるという事実が挙げられる。他の利点は、ＳＡＷ共振器６１６（つまり、Ｒｅｆ．ＳＡＷ）およびＳＡＷ共振器６１８（つまり、Ｔ−ＳＡＷ）が応力のない領域上に配置され、そこでは、測定された圧力の温度依存性が低下するというものである。図６の構成の欠点としては、チップサイズが増大する、ダイアフラムの厚さが増す、金属経路が長くなるという点が挙げられる。金属接続部が長いと、センサの電気的直列抵抗が増大する可能性があり、さらに、そのようなデバイスの品質係数（Ｑ）に影響を及ぼすことが考えられる。
【００２７】
図７は、水晶ダイアフラム７０２上に部分的に配置されている、圧力ＳＡＷ共振器７１４（つまり、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷセンサ）と関連して図６に示されている３つのＳＡＷ共振器のブロック図の一実施例を示す。他の２つのＳＡＷセンサ７１８および７１６は、本発明の他の実施形態により、図６に示されているように、水晶チップ上にほぼ同じ配置で構成することができる。図７に示されている構成では、Ｐ−ＳＡＷセンサの一群の反射体は応力のない領域上に配置することができる。
【００２８】
図７の実施例において、領域７０４の半径ｒは、０．６ｒ０にほぼ等しく、これは、矢印７０６により示されているように、ほぼ１．５ｍｍに相当する。矢印７０８は、約２．５ｍｍの半径ｒ０を示す。矢印７１２は、０．４ｒ０が１ｍｍにほぼ等しいことを示すが、矢印７１０は、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ共振器７１４の長さが約１．５ｍｍであることを示す。矢印７２８および７２４は、それぞれ、水晶チップ７００の寸法が約６．５ｍｍ（つまり、長さ）および６ｍｍ（つまり、幅）であることを示している。
【００２９】
図７に示されている構成の利点は、ＳＡＷ共振器７１６（つまり、Ｒｅｆ．ＳＡＷ）およびＳＡＷ共振器７１８（つまり、Ｔ−ＳＡＷ）が応力のない領域上に配置されるという点である。他の利点は、特に図６に示されている実施例に関して、測定された圧力の温度依存性の減少およびチップサイズの縮小である。図７の構成の欠点は、特に図６に示されている構成に関して、圧力感度の減少が生じうる、矢印７１０により示されている、圧縮領域上のＳＡＷ共振器７１４（つまり、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ）の部分的配置である。図７の構成の他の欠点は、金属経路が長いということを含む。
【００３０】
図８は、本発明の他の実施形態による、よりコンパクトな配置で構成されている、他の２つのＳＡＷ共振器８１６および８１８と共に、水晶ダイアフラム８０２上に部分的に配置されている、圧力ＳＡＷ共振器８１４に関連して図６に示されている３つのＳＡＷ共振器のブロック図である。矢印８０８により示されているように２．５ｍｍの半径ｒ０を有するダイアフラム８０２は、一般に、水晶チップ８００上に配置され、矢印８０６により示されているように、半径ｒ＝０．６ｒ０＝１．５ｍｍの引張領域８０４を含む。水晶チップ８００の幅は、矢印８２４により示されているように約６ｍｍであるが、水晶チップ８００の長さは、矢印８２８により示されているように、約７．５ｍｍである。矢印８１２は、０．４ｒ０＝１ｍｍであることを示している。矢印８１０および８１５は、それぞれ、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷ共振器８１４の長さおよび幅がそれぞれ約１．５ｍｍおよび１．２ｍｍであることを示している。ＳＡＷ共振器８１６は、Ｒｅｆ．ＳＡＷとして実装することができるが、ＳＡＷ共振器８１８は、Ｔ−ＳＡＷとして実装することができる。
【００３１】
図７の構成に存在していたのと同じ欠点のうちのいくつかは、図８に示されている実施例にも存在する。しかし、図８の構成は、３つのＳＡＷ共振器（センサ）８１８、８１４、および８１６の間の金属接続長が短く、そのため金属の直列抵抗が低く、品質係数が高まるなどのいくつかの利点も有する。
【００３２】
図９は、本発明の他の実施形態による、水晶チップ９００上の応力のないゾーン内に配置されたＳＡＷ共振器９１８（つまり、Ｔ−ＳＡＷ）および基準ＳＡＷ共振器９１６（つまり、Ｒｅｆ．ＳＡＷ）と共に、水晶ダイアフラム９０２の引張応力ゾーン上に一体となるように配置されている圧力ＳＡＷ共振器９１４に関連して図６に示されている３つのＳＡＷ共振器のブロック図である。図９に示されている他の実施形態では、水晶チップ９００は、一般に、矢印９２４により示されているように幅が６ｍｍ、矢印９２８により示されているように長さが７．５ｍｍである。水晶ダイアフラム９０２の引張応力領域９０４は、矢印９０６により示されているように半径がｒ＝０．６ｒ０＝１．５ｍｍである。
【００３３】
ダイアフラム９０２の半径ｒ０は、矢印９０８により示されているように、ほぼ２．５ｍｍに等しい。矢印９２０は、「水晶内のＸ方向」を表しているが、矢印９１２は、ダイアフラム９０２の圧縮応力ゾーンに対する距離が０．４ｒ０＝１ｍｍであることを示している。図９に示されている構成では、ＳＡＷ共振器９１４（つまり、Ｐｒｅｓ．ＳＡＷ）は、矢印９０６により一般的に示されるｒ＝０．６ｒ０＝１．５ｍｍの引張応力領域内に全体が配置されており、ダイアフラム９０２の中心から始まり、引張領域と圧縮領域との間の境界に至り、これは、輪状破線９３０により一般的に示されている。他の２つのセンサ（つまり、ＳＡＷ共振器９１６および９１８）は、ＳＡＷ共振器９１４（つまり、Ｐｒｅｓ−ＳＡＷセンサ）にできる限り近くなるように、応力のない表面上でダイアフラム９０２の外部に配置される。
【００３４】
この場合の音響感度は、引張領域と圧縮領域との間の境界（破線９３０を参照）に近いダイアフラム領域上で最大化することが可能である。エッチングされた水晶ダイアフラムに基づく感知原理により、ＳＡＷセンサの面積とダイアフラムの直径が両方ともできる限り最小にされうる、新世代の高周波ＳＡＷ圧力センサの方法が推進されてきた。一般に、エッチング水晶ダイアフラム加工では、高いエッチ速度を必要とするが、この要件および平坦なエッチング面を実現する要件は、２つのかなり相容れない条件であり、これは、エッチング速度と表面粗さとの間の妥協が効果的に行われうる、最適化された高密度プラズマエッチング技術および機器を使用して実現できる。
【００３５】
例えば、０．３マイクロメートル／分と速いエッチ速度および約２ｎｍの表面粗さは、ＳＦ６エッチングガス、低プロセス圧力（例えば、２ｍＴｏｒｒ）、および自己バイアス電圧（例えば、３４０Ｖ）を使用して誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ  ＲＩＥ）を介して得ることができる。図１０〜１２は、このようなパラメータのいくつかの実施例を示し、ここでは、一般の例示的な、また文脈上の目的のみのために与えられる。さらに、このような図は、本明細書で開示されているいくつかの実施形態に対する理論的裏付けとして使用することができる。このようなパラメータのいくつかの実施例は、非限定的な引用文献、ＡｂｅおよびＥｓａｓｈｉ（Ｓｅｎｓｏｒｓ＆Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、Ａ８２、２０００年、１３９〜１４３頁）でさらに詳しく説明されている。
【００３６】
図１０は、ＡＴ水晶ドライエッチング速度を縦軸とし、ＳＦ６エッチング圧力／流量を横軸とするグラフ１０００、およびそれと同時に、ＩＣＰ−ＲＩＥにおけるＡＴ水晶表面粗さに対するエッチングパラメータの効果を示している。他方、図１１は、粗さ平均が一般に２ｎｍ未満である、ＡＦＭ粗さ評価を示すグラフ１１０４および１１０２を含む、グラフ構成１１０を例示している。図１２は、ＩＣＰ  ＲＩＥにおけるＡＴ水晶のエッチ速度および表面品質に対する自己バイアス電圧の効果を示すグラフ１２００である。
【００３７】
一般に、ＳＡＷセンサ動作の周波数を上げることで、ＳＡＷデバイスの寸法の大幅縮小を決定することができるが、その一方で、免許不要の周波数帯域内に動作を保持する周波数帯域制限は容易に達成可能である。ＳＡＷフィルタの標準的技術も、櫛型電極弾性表面波変換（ＩＤＴ）領域を定義するために応用することが可能である。直接水晶ボンディング技術は、極めて平坦な表面を必要とするため、全水晶パッケージの内側からボンディングパッドの外側までの導電性経路を作成する方法として金属イオン打ち込みの使用が好ましい。チタンは、好ましい金属の一種を代表し、チタン打ち込みのエネルギーおよび線量は、センサアンテナへのアダプテーション回路により必要とされる通り、導電性経路の設計電気抵抗により決定される。
【００３８】
パッケージング用の材料の選択およびＳＡＷデバイスのカプセル化は、温度依存特性および長期安定性に対し途方もない影響を及ぼしうるが、それは、ＳＡＷデバイスが配置される水晶基板の表面における熱応力が動作周波数を変える可能性があるからである。したがって、ＳＡＷ圧力センサのパッケージングは、ピエゾ抵抗圧力センサのプロセスに類似する、クリティカルプロセスである。熱膨張係数不整合による熱応力を避けるために、また過圧停止部装置を製作することにより水晶ダイアフラムを保護することができるようにするために、直接水晶間ウェハボンディングプロセスに関して真の全水晶（クオーツ）パッケージング（ＴＡＱＰ）技術を実装することができる。
【００３９】
１．受け取ったままの水晶ウェハのマイクロ粗さ評価（ＡＦＭ：ＲＭＳ＜１．３ｎｍ）。
【００４０】
２．加工された水晶カバー（ウェハレベル）および水晶ＳＡＷ基板（ウェハレベル）のマイクロ粗さ評価（ＡＦＭ：ＲＭＳ＜１．３ｎｍ）。
【００４１】
３．３０〜３０分間、沸騰した濃縮ＨＮＯ３中での水晶カバーおよび水晶ＳＡＷ基板の親水化処理（つまり、一般的に、ＲＭＳはこの処理の後に減少する）。
【００４２】
４．ＤＩ水でのすすぎの後、乾燥が続く。
【００４３】
５．１０分間、Ｍｅｇａｓｏｎｉｃ  ＲＣＡ  １溶液（ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５）で洗浄した後、１０分間、ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：６で洗浄する。
【００４４】
６．水晶カバーおよび水晶ＳＡＷ基板の両方の乾燥。
【００４５】
７．カバーおよびＳＡＷ基板の即時接触および位置合わせ。
【００４６】
８．温度Ｔ＜４５０℃で１時間、Ｎ２中で、熱アニール（つまり、温度は、約１０℃／分で加減されなければならない）。
【００４７】
９．「ひび割れ開口」法が５０ｎｍの薄い刃を使って利用される、ボンディング制御。
【００４８】
上記のプロセスは、一般的に図１３〜１５に示されている最終パッケージ水晶ＳＡＷ圧力デバイスに適用することができる。したがって、図１３〜１５に例示されているいくつかの実施形態のそれぞれにおいて、もちろん本発明のさまざまな実施形態による、完全にカプセル化されたＴＡＱＰ  ＳＡＷデバイスを通して断面で示される。高圧測定の場合、仮定された水晶強度値５０ＭＰａについて、一般に、エッチングされた水晶ダイアフラムを利用する必要はない。このような状況において、「開始」水晶ウェハは、中圧および低圧の動作を行うＴＡＱＰプロセスとの関連で、ダイアフラムに基づく感知原理が実装されるように全体として使用されうる。
【００４９】
図１３は、本発明の一実施形態による、水晶パッケージＳＡＷ圧力センサデバイス１３００の断面図である。図１３では、圧力感知水晶ダイアフラムを、ＴＡＱＰプロセスの一部として構成することができる。図１３に示されている実施例では、一次パッケージとしての水晶ＳＡＷチップ１３０６は、ゾーン１３０２および１３０３内に逆さまの直接ボンディング（水晶間）特徴と共に実装することができる。水晶ベースチップ１３２６は、ダイアフラムを区切るためのエッチングされたギャップ１３２４を含むように構成することができる。エッチングされたギャップ１３２４は、さらに、過圧停止部装置として機能しうる。凹んでいるゾーン１３２２では、結線をダイシングプロセスにより取り除くことができ、したがって、本明細書で詳しく説明されているように、水晶ＳＡＷチップ１３０６の横方向ストリークを残すようにできる。
【００５０】
チップ１３０６および１３２６のボンディングは、真空中で、または周囲圧力において実行できるため、ギャップ１３２４は、基準チャンバとして機能することができるが、パッケージングされたセンサ１３００は、絶対またはゲージ圧センサとしてそれぞれ使用することができる。水晶ＳＡＷチップ１３０６は、凹んでいるゾーン１３３８を含むように構成することができ、これにより、電気的接触を、導電性樹脂１３１８を使って、水晶ＳＡＷチップ１３０６と水晶ベースチップ１３２６の両方に蒸着された２つの金属層１３３６の間に配置することができる。チタン製インプラント１３３４などの打ち込まれた金属接続部も、直接ボンディング１３０３を通して突き出て、水晶ＳＡＷチップ１３０６の金属接続部（例えば、ＳＡＷ電極１３３２と蒸着金属１３３６）の間にオーム接触を形成することができる。
【００５１】
二次パッケージでは、接着用樹脂１３２８（例えば、シリコーンＰＳＡ、ＲＴＶゴム、エポキシなど）を使用して、水晶直接ボンディングチップ１３０６および１３０８のアセンブリをパッケージベースプレート１３２０（つまり、金属またはプラスチックから構成された）にボンディングすることができる。絶縁された金属ピン１３１６は、パッケージベースプレート１３２０を突き抜けて、結線１３１０と接触することができる。次いで、導電性樹脂１３１８が分注器から注入され、これにより２つの蒸着金属層１３３６の間の電気接続を確定することができる。さらに、保護絶縁軟性樹脂１３１２は、結線１３１０を囲むことができる。金属またはプラスチックから構成されている外部カバー１３０８は、一般に、アセンブリ１３０６／１３０８およびパッケージベースプレート１３２０を封止する。
【００５２】
外部カバー１３０８は、代替え溶接１３３０または１３１４（例えば、レーザーまたは電気溶接、樹脂溶接、プラスチック同士の溶接など）によりベースプレート１３２０に接続することができる。外部パッケージは、金属および／またはプラスチックから構成することができる。圧力伝達要素１３０４（例えば、エアフィルタ、柔軟なゲル）を外部カバー１３０８への空気入口に配置し、水晶ＳＡＷチップの背面に汚染物質が到達するのを防ぐことができる。ホールがギャップ１３２４の領域内でベースチップ１３２６とパッケージベースプレート１３２０の両方を突き抜けている場合、パッケージングされたセンサ１３００は、示差測定圧力センサとして使用することができる。さらに、金属ピン１３１６は、設計要件に応じて、アンテナまたは他の電気的もしくはワイヤレスコンポーネントを接続するために使用することができる。
【００５３】
同じ方向で特殊デュアルダイシングプロセスを実行することにより水晶ＳＡＷチップ１３０６に関してより大きなサイズのベースチップ１３２６がダイ分離中に得られる。アセンブリ１３０６／１３２６は、水晶間直接ボンディングによりウェハレベルで実行できる。最初に、水晶ベースチップ１３２６の凹んでいるゾーン１３２２の真上に配置されている水晶ＳＡＷチップ１３０６の上側ステイクのみを（続くチップ間ダイシング工程の後に）取り除くためにダイシング工程を実行することができる。最後に、水晶直接ボンディングアセンブリ１３０６／１３０８全体を離すために、チップ間コンポーネントの垂直な方向にダイシング工程を実行することができる。
【００５４】
図１４は、本発明の他の実施形態による、水晶パックＳＡＷ圧力センサデバイス１４００の断面図である。デバイス１４００は、一般に、エッチングされたダイアフラム１４２８および水晶ＳＡＷチップ１４０４の上側のゾーン１４１６および１４１７内で直接ボンディングされている（水晶と水晶の間）水晶カバー１４０６を備えることができる、水晶ＳＡＷチップ１４０４を含む。水晶カバー１４０６は、ダイアフラム１４２８の過圧停止部として機能するエッチングされたギャップ１４０２を含むように構成することができる。チップ１４０６および１４０４のボンディングは、真空中で、または周囲圧力において、実行できるため、ギャップ１４０２は、基準チャンバとして機能しうる。パッケージングされたセンサ１４００は、それぞれ、絶対またはゲージ圧センサとして実装することができる。
【００５５】
水晶ＳＡＷチップ１４０４ゾーンは、凹んでいるゾーン１４３４を含むように構成することができ、これにより、凹んでいる領域１４３４上に蒸着された金属１４１２に結線することができる。ダイシングプロセスにより取り除かれた後、図１３に示されている実施形態に関して説明されているのと同じ方法で、水晶カバー１４０６上の横方向ストリークを凹んでいる領域１４３４の上に配置することができる。チタン製インプラントは、ＳＡＷ電極１４１４を接続する蒸着された金属１４１２と凹んでいる領域１４３４上の蒸着された金属１４１２との間を接触させるために水晶ＳＡＷチップ１４０４上に配置することができる。次いで、水晶間直接ボンディングによりウェハレベルで実行され、「一次パッケージ」とも呼ばれるアセンブリ１４０４／１４０６は、接着用樹脂１４３０、１４３１（例えば、シリコーンＰＳＡ、ＲＴＶゴム、エポキシなど）を介してベースプレート１４２４（「二次パッケージ」内の）にボンディングすることができる。
【００５６】
結線１４１０は、一般に、凹んでいるゾーン上の蒸着された金属１４１２と、金属またはプラスチックから形成できるベースプレート１４２４を突き抜ける金属ピン１４２０との間に張られる。圧力伝達要素１４２６（つまり、空気入口に配置されたエアフィルタ、または水晶感知ダイアフラムと直接接触する柔軟なゲル）をベースプレート１４２４の付近に使用し、汚染物質が水晶ＳＡＷチップの背面に到達するのを防ぐことができる。代替え溶接１４１８および１４３２（例えば、レーザーまたは電気溶接、樹脂溶接、プラスチック同士の溶接など）を使用して、ベースプレート１４２４を外部カバー１４０８に接続することができる。外部カバー１４０８は、金属またはプラスチックから形成することができることに留意されたい。
【００５７】
したがって、図１４は、ＳＡＷセンサ技術およびパッケージングの代替え解決法となるものを提示しており、これは、エッチングされた水晶ダイアフラムが必要な、低圧測定に応用することができる。このセンサ技術およびパッケージング技法の主な利点は、ＳＡＷ電極から外部金属ピン（例えば、ピン１４２０）への電気的接触が、両方とも同じ水晶片上に配置されたＳＡＷ電極とワイヤボンディングパッドとの間のチタン製インプラント接続を利用することによりかなり簡素化できるという事実に由来する。ホールがギャップ１１４０２の領域内の外部カバー１４０８と水晶カバー１４０６の両方を突き抜ける場合、パッケージングされたセンサ１４００は、示差測定圧力センサとして使用することができることに留意されたい。
【００５８】
図１５は、本発明の他の実施形態による、微小機械加工水晶感知ダイアフラム１５１０を使用して実装されたＳＡＷ圧力センサパッケージ１５００のブロック図である。図１５の他の実施形態では、ＳＡＷ温度センサ１５０２、１５０４（つまり、Ｔ１ＳＡＷおよびＴ２ＳＡＷ）を含む、ＳＡＷデバイスを接種させるために、ウェハ貫通接触ホール１５０６、１５０８が使用可能である。図１５に例示されている構成では、ＳＡＷ圧力センサ１５１２（ＰＳＡＷまたはＰｒｅｓ．ＳＡＷ）は、ダイアフラム１５１０上に配置することができる。ＳＡＷセンサ１５０２、１５０４（つまり、Ｔ１ＳＡＷおよびＴ２ＳＡＷ）は、一般に、ダイアフラム１５１０から離れた場所に配置される。
【００５９】
「一次パッケージ」は、一般に、（ｉ）温度および圧力ＳＡＷセンサ１５０２、１５０４、および１５１２（最後のものはダイアフラム１５１０上に配置される）およびウェハ貫通接触ホール１５０６、１５０８を備えることができる水晶ＳＡＷチップ１５１６、ならびに（ｉｉ）ダイアフラム１５１０の過圧停止部として動作するエッチングされたギャップ１５２０を備える水晶カバー１５０１であり、両片とも直接水晶間ボンディング技術によりボンディングされる。チップ１５０１および１５１６のボンディングは、真空中で、または周囲圧力において実行できるため、ギャップ１５２０は、基準チャンバとして機能することができ、パッケージングされたセンサ１５００は、絶対またはゲージ圧センサとして使用することができる。ホールがギャップ１５２０の領域内の水晶カバー１５０１を突き抜ける場合、パッケージングされたセンサ１５００は、示差測定圧力センサとして使用することができる。「二次パッケージ」については、封止を行う複数の変更形態を実装することができる。例えば、非常に便利な解決方法としては、単純にアセンブリ１５０１／１５１６をひっくり返し、水晶カバー１５０１をプレート土台にボンディングする方法がある。
【００６０】
一般に、本明細書で説明されているＳＡＷデバイスを高圧測定に使用するために（例えば、図１３を参照）、ＳＡＷ水晶ウェハ加工に多数の処理工程が使用されうる。このような処理工程の一実施例が以下に示されている。
【００６１】
１．受け取ったままの両面化学研磨水晶ＳＡＷウェハのマイクロ粗さ評価。
【００６２】
２．ウェハ洗浄。
【００６３】
３．次の工程でレジストマスクとして使用される薄い金属層の蒸着。
【００６４】
４．ＳＡＷ表面から（複数の）外部接続部へ通る金属経路に必要な、チャネルギャップ形成のためのフォトリソグラフィプロセス。
【００６５】
５．チャネルギャップのＲＩＥエッチング。
【００６６】
６．金属除去。
【００６７】
７．ウェハ洗浄。
【００６８】
８．チタン打ち込み用のレジストマスクとして使用される薄膜層の蒸着。
【００６９】
９．チタン打ち込み用のフォトリソグラフィプロセス。
【００７０】
１０．埋め込み導電性経路形成のためのチタン打ち込み。
【００７１】
１１．ＳＡＷ電極形成および外部接触に使用される金属層の蒸着。
【００７２】
１２．金属パターン形成用のフォトリソグラフィプロセス。
【００７３】
１３．金属エッチング。
【００７４】
１４．ウェハ洗浄。
【００７５】
１５．沸騰した濃縮ＨＮＯ３中での水晶ＳＡＷウェハの、３０〜５０分間の親水性処理。
【００７６】
１６．ＤＩ水でのすすぎの後、乾燥が続く。
【００７７】
１７．１０分間、Ｍｅｇａｓｏｎｉｃ  ＲＣＡ  １溶液（ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５）で洗浄した後、１０分間、ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：６で洗浄する。
【００７８】
１８．乾燥。
【００７９】
上記の処理工程の完了後、類似の処理工程群を他の水晶ウェハ上で実行し、水晶ベースプレートを形成することができる。２つの水晶ウェハの直接ボンディングが行える状態になったら、ウェハダイシングおよびチップ組立てを、下記のように処理することができる。
【００８０】
１．水晶ＳＡＷウェハおよび水晶ベースプレートの接触および位置合わせ。
【００８１】
２．温度Ｔ＜４５０℃で１時間、Ｎ２中で、熱アニールを行うが、約１０℃／分で温度の加減が行われなければならない。
【００８２】
３．「ひび割れ開口」法が５０ｍｍの刃を介して利用される、ボンディング制御。
【００８３】
４．部分的ウェハダイシング（つまり、水晶ＳＡＷウェハの厚さに等しい厚さの、一方向のみの切断）。
【００８４】
５．ＡＱＰ微細構造のチップ間空間上のボンディングされたウェハの全厚さダイシング。
【００８５】
６．パッケージベースプレート上での特殊樹脂によるチップボンディング。
【００８６】
７．両方のチップからの金属接触のための導電性樹脂の分注。
【００８７】
８．ワイヤボンディング。
【００８８】
９．保護樹脂の分注。
【００８９】
１０．キャッピングおよび溶接。
【００９０】
類似の方法で、ＡＱＰ  ＳＡＷ圧力センサの他の加工解決方法の技術について説明することができる。水晶ウェハは、例えば、ウェットまたはドライエッチングによりエッチングすることが可能である。「全水晶」センサパッケージでは、アンテナとの電極接続は、「ウェハ貫通」接続を介して実行することが可能である。「ウェハ貫通」設計では、レーザー、超音波、またはウェットエッチングにより「貫通」ホールをあけることが可能である。
【００９１】
本明細書で開示されている実施形態および実施例では、一般に、改善された機械的設計およびシミュレーション方法、ならびに統合化加工および試験段階での較正作業低減を指向するＳＡＷセンサアセンブリおよびパッケージングの技術を説明している。このような技術は、水晶製圧力感知膜の機械的シミュレーション、水晶ダイアフラムの選択的水晶ウェハエッチング、過圧停止部加工、金属接続のための金属イオン打ち込み、および低価格の較正不要のＳＡＷセンサの直接水晶間ウェハボンディングに基づく。
【００９２】
本明細書で述べられている実施形態および実施例は、本発明およびその実用的応用を最もよく説明するために取りあげられており、これにより、当業者であれば、本発明を製作し利用することができる。しかし、当業者であれば、前記の説明および実施例は、説明および例示のみを目的として掲載されていることを理解するであろう。本発明の他の変更形態および修正形態も、当業者には明白であり、そのような変更形態および修正形態も対象とすることが付属の請求項の意図である。
【００９３】
述べられている説明は、網羅的である、または本発明の範囲を制限することを意図されていない。多くの修正形態および変更形態が、請求項の範囲から逸脱することなく上記の教示に照らして可能である。本発明の使用は、異なる特性を持つコンポーネントを伴いうることが考えられる。本発明の範囲は、付属の請求項により定められ、これにより、あらゆる点において等価物を完全に認知する。
【００９４】
排他的特性または権利が請求される本発明の実施形態は、特許請求の範囲の通り画定される。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の一実施形態を理論的に裏付ける基礎として使用することができる、一様に分布する圧力荷重の下で締め付けられた外部エッジによる円形の平板における応力の定性的表現を示すグラフである。
【図２】本発明の一実施形態を理論的に裏付ける基礎として使用することができる、パラメータとして安全係数ｃを含む、水晶ダイアフラム半径／ダイアフラム厚さに関して表された水晶ダイアフラムの弾性変形の許容可能な範囲を縦軸とし、圧力を横軸とするグラフである。
【図３】本発明の一実施形態を理論的に裏付ける基礎として使用することができる、正規化された半径方向および接線方向の応力を縦軸とし、ダイアフラム中心からリムまでの正規化された距離を横軸とする詳細な依存関係を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施形態を理論的に裏付ける基礎として使用することができる、水晶ダイアフラムの最大のたわみをダイアフラム厚さの関数として記述するグラフおよび関連する表である。
【図５】本発明の一実施形態を理論的に裏付ける基礎として使用することができる、水晶ダイアフラムの最大のたわみをダイアフラム厚さの関数として記述するグラフおよび関連する表である。
【図６】本発明の一実施形態を理論的に裏付ける基礎として使用することができる、水晶チップ上に構成された３つのＳＡＷ共振器のブロック図である。
【図７】本発明の他の実施形態による、図６に示されているような、他の２つのＳＡＷ共振器が水晶チップ上のほぼ同じ場所に構成される圧力ＳＡＷ共振器が水晶ダイアフラム上に部分的に配置された図６からの同じ３つのＳＡＷ共振器のブロック図である。
【図８】本発明の他の実施形態による、他の２つのＳＡＷ共振器がよりコンパクトな配置で構成されるように圧力ＳＡＷ共振器が水晶ダイアフラム上に部分的に配置されている図に示されている３つのＳＡＷ共振器のブロック図である。
【図９】本発明の他の実施形態による、応力のないゾーン内に配置されたＴ−ＳＡＷおよび基準ＳＡＷと共に、水晶ダイアフラムの引張応力ゾーン上に一体となるように配置されている圧力ＳＡＷ共振器に関連して図６に示されている３つのＳＡＷ共振器のブロック図である。
【図１０】水晶ドライエッチング速度を縦軸とし、同時に水晶表面粗さに対するエッチングパラメータの効果を表すＳＦ６エッチング圧力／流量を横軸とするグラフである。
【図１１】ＡＦＭ粗さ評価を一般的に示すグラフである。
【図１２】ＡＴ水晶のエッチング速度に対する自己バイアス電圧の効果を一般的に示すグラフである。
【図１３】本発明の一実施形態による、水晶パッケージＳＡＷ圧力センサの断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による、水晶パックＳＡＷ圧力センサの断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による、微小機械加工水晶感知ダイアフラムを使用して実装されたＳＡＷ圧力センサのブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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