【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に貫通する複数の貫通導体が設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面に配置された第１接続パッドと、
前記絶縁基板の他方の面に、前記第１接続パッドに対応して配置された第２接続パッドと、
前記第１接続パッドを取り囲んで配置された第１金属層と、
前記第１金属層に対応して配置され、前記第２接続パッドを取り囲む第２金属層と、
前記第１接続パッドと前記第２接続パッドとを接続すると共に、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する前記複数の貫通導体と、
前記第１接続パッドと前記第１金属層との間の部分の前記絶縁基板の上に配置された絶縁層と、
平面視で前記絶縁層と重なる領域の前記絶縁基板の部分に貫通して形成された開口部と、
前記絶縁基板の開口部に充填された弾性体と
を有し、
前記第１接続パッド、前記第２接続パッド、前記第１金属層、及び前記第２金属層に、前記複数の貫通導体がそれぞれ接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、それぞれ２つ以上に分割されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１金属層及び前記第２金属層の各々において、分割された隣合う金属層は電源パターンとグランドパターンであり、
前記第１金属層及び前記第２金属層の分離された部分の前記絶縁基板に、電気的に孤立した前記複数の貫通導体が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁基板は酸化アルミニウム基板であり、前記貫通導体の密度は、４×１０６本／ｍｍ２〜１×１０１０本／ｍｍ２の範囲で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記弾性体の弾性率は、１００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
複数のスルーホールを備えた絶縁基板を用意する工程と、
前記絶縁基板の上に環状パターンの絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁基板及び前記絶縁層の上にシード金属層を形成する工程と、
前記シード金属層を給電経路とする電解めっきにより、前記絶縁基板のスルーホールに貫通導体を充填する工程と、
前記絶縁層の下の前記絶縁基板を除去して開口部を形成する工程と、
前記絶縁基板の開口部に弾性体を充填する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記弾性体を充填する工程の後に、
前記絶縁層が露出するまで前記シード金属層を除去して、前記環状パターンの絶縁層の内側に第１接続パッドを形成すると共に、前記絶縁層の外側に第１金属層を形成する工程を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記貫通導体を充填する工程は、
前記第１接続パッドに対応する部分の前記絶縁基板の下面に、前記貫通導体に繋がる第２接続パッドを形成すると共に、前記第１金属層に対応する部分の前記絶縁基板の下面に、前記貫通導体に繋がる第２金属層を形成することを含むことを特徴とする請求項７に配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、２つ以上に分離されて形成されることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁基板は酸化アルミニウム基板であり、前記貫通導体の密度は、４×１０６本／ｍｍ２〜１×１０１０本／ｍｍ２の範囲で形成されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、厚み方向に貫通する複数の貫通導体が設けられた絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に配置された第１接続パッドと、前記絶縁基板の他方の面に、前記第１接続パッドに対応して配置された第２接続パッドと、前記第１接続パッドを取り囲んで配置された第１金属層と、前記第１金属層に対応して配置され、前記第２接続パッドを取り囲む第２金属層と、前記第１接続パッドと前記第２接続パッドとを接続すると共に、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する前記複数の貫通導体と、前記第１接続パッドと前記第１金属層との間の部分の前記絶縁基板の上に配置された絶縁層と、平面視で前記絶縁層と重なる領域の前記絶縁基板の部分に形成された開口部と、前記絶縁層の開口部に充填された弾性体とを有し、前記第１接続パッド、前記第２接続パッド、前記第１金属層、及び前記第２金属層に、前記複数の貫通導体がそれぞれ接続されている配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお、図１（ｂ）の陽極酸化工程において、アルミニウム基板１０ａの下面に保護金属層（不図示）を形成した状態で、アルミニウム基板１０ａを陽極酸化してもよい。この場合、アルミニウム基板１０ａの下面により近い部分まで陽極酸化することができる。そして、保護金属層及びアルミニウム部１０ｂがエッチングにより除去される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
また、第１電源プレーン５０ａ及び第１グランドプレーン５０ｂに対応する部分の酸化アルミニウム基板１０に複数の貫通導体ＴＣがそれぞれ配置されている。酸化アルミニウム基板１０の他方の面において、第１電源プレーン５０ａに対応する部分に、複数の貫通導体ＴＣに繋がる第２電源プレーン５２ａが形成されている。これにより、第１電源プレーン５０ａは複数の貫通導体ＴＣを介して第２電源プレーン５２ａに電気的に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
さらに、第１接続パッドＰ１を取り囲むように第１グランドプレーン５０ｂを容易に配置することができる。このため、接続パッドが狭ピッチ化される場合であっても、高周波回路でのクロストークを低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
また、電源−グランド間の共振による放射ノイズを抑制するためには、電源プレーン５０ａ，５２ａとグランドプレーン５０ｂ，５２ｂとの間に比較的大きな容量のキャパシタが配置されることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
このような観点から、図６（ａ）及び（ｂ）では、電源プレーン５０ａ，５２ａとグランドプレーン５０ｂ，５２ｂとの間の領域Ａの酸化アルミニウム基板１０にも複数の貫通導体ＴＣが配置されている。この領域Ａの酸化アルミニウム基板１０に配置される複数の貫通導体ＴＣは電気的に孤立しており、他の導体に接続されていない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
これにより、電源プレーン５０ａ，５２ａと、貫通導体ＴＣの間に配置された酸化アルミニウム基板１０と、グランドプレーン５０ｂ，５２ｂとによりキャパシタが形成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
このようにして形成されるキャパシタは、電源プレーン５０ａ，５２ａとグランドプレーン５０ｂ，５２ｂとの間の領域Ａの酸化アルミニウム基板１０に絶縁性の弾性体４０を一体的に充填する場合よりも大きな容量が得られる。このため、放射ノイズの抑制効果を高めることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
ここで、図７〜図８を参照しながら、電源プレーン５０ａ，５２ａとグランドプレーン５０ｂ，５２ｂとを分離させ、かつそれらの間の領域Ａの酸化アルミニウム基板１０に複数の貫通導体ＴＣを配置する製造方法について説明する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、第１電源プレーン５０ａと第１グランドプレーン５０ｂとを分離する部分の下地金属層２２の上に、フォトレジスト層１５をディスペンサなどにより直線状のパターンで形成する。さらに、図７（ｃ）に示すように、前述した図２（ｄ）と同様な方法により、下地金属層２２及びフォトレジスト層１５の上に金属めっき層２４を形成してシード金属層２０を得る。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
これにより、酸化アルミニウム基板１０の上面において、第１電源プレーン５０ａと第１グランドプレーン５０ｂとが分離されて配置される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
以上の方法により、電源プレーン５０ａ，５２ａとグランドプレーン５０ｂ，５２ｂとを分離させ、かつそれらの間の領域の酸化アルミニウム基板１０に複数の貫通導体ＴＣが配置された構造を製造することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
あるいは、図９に示す変形例の配線基板１ａのように、電源−グランド間の共振による放射ノイズが問題にならない場合は、電源プレーン５０ａ，５２ａとグランドプレーン５０ｂ，５２ｂとの間の領域の酸化アルミニウム基板１０に一括して弾性体４０が充填されるようにしてもよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
この場合は、前述した図７（ａ）の工程において、下地金属層２２を形成する前に、第１電源プレーン５０ａと第１グランドプレーン５０ｂとを分離する部分にも永久レジスト層１２を形成すればよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
図１０に示すように、半導体チップ６０の電極を前述した図８（ｄ）の配線基板１の第１接続パッドＰ１、第１電源プレーン５０ａ及び第１グランドプレーン５０ｂの各接続部の上にはんだを介して配置する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
実装する電子部品として半導体チップ６０を例示したが、各種の電子部品の実装基板として使用することができる。また、本実施形態の配線基板は、実装基板と電子部品との間に配置されるインターポーザとして使用してもよい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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