【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置を備え、
前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、
前記カソード装置は、
エロージョン領域を前記対向領域で走査する走査部と、
前記エロージョン領域が形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、
前記エロージョン領域は、
前記ターゲットに形成される２つのエロージョン領域のうちの１つであり、
前記２つのエロージョン領域は、
前記走査部が走査を開始する開始位置にて、第１エロージョン領域と第２エロージョン領域とを含み、
前記第１エロージョン領域は、前記走査部が前記開始位置にあるとき、前記走査方向における前記形成領域の２つの端部のうち前記スパッタ粒子が先に到達する前記形成領域の第１端部に近い領域であり、前記第２エロージョン領域は、前記形成領域の前記第１端部から遠い領域であり、
前記カソード装置は、
前記開始位置にて、前記走査方向における前記ターゲットの第１部と前記形成領域の前記第１端部との間に配置される第１遮蔽部と、
前記開始位置にて、前記走査方向における前記ターゲットの第２部よりも前記形成領域から離れた位置に配置される第２遮蔽部と、
前記ターゲットの表面に前記第１エロージョン領域と前記第２エロージョン領域とを形成する磁気回路と、
前記走査方向にて前記磁気回路を走査することによって、前記ターゲットの前記表面のなかにおいて、前記走査方向にて前記第１エロージョン領域と前記第２エロージョン領域とを走査する磁気回路走査部と、を備え、
前記ターゲットの前記第１部は、前記走査部が前記開始位置にあるとき、前記走査方向にて前記形成領域の前記第１端部に最も近い前記ターゲットの前記表面における１点であり、前記ターゲットの前記第２部は、前記走査部が前記開始位置にあるとき、前記走査方向にて前記形成領域から最も遠い前記ターゲットの前記表面における１点であり、
前記磁気回路と前記第１遮蔽部との間の距離、および、前記磁気回路と前記第２遮蔽部
との間の距離の各々が、前記磁気回路の走査によって変わり、
前記磁気回路走査部が、前記走査方向に沿って前記磁気回路を走査する範囲において、
前記第１遮蔽部は、
前記第１エロージョン領域から前記ターゲットが向かう方向に放出される前記スパッタ粒子のうち、前記形成領域への入射角度が３０°以下であるスパッタ粒子を前記形成領域に到達させず、
前記第２遮蔽部は、
前記ターゲットの前記第１エロージョン領域から前記ターゲットが向かう方向とは反対の方向に放出される前記スパッタ粒子のうち、前記形成領域への入射角度が９°以下であるスパッタ粒子を前記形成領域に到達させない
反応性スパッタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第２遮蔽部は、
前記第２エロージョン領域から前記ターゲットが向かう方向とは反対側に向けて放出されるスパッタ粒子のうち、前記形成領域への入射角度が３０°以下であるスパッタ粒子を前記形成領域に到達させない
請求項１に記載の反応性スパッタ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ターゲットは、
前記走査方向に沿って並ぶ２つのターゲットのうちの１つであり、
前記２つのターゲットは、
前記開始位置にて前記形成領域に近い第１ターゲットと、前記第１ターゲットよりも前記形成領域から遠い第２ターゲットと、を含み、
前記第２遮蔽部は、
前記第２ターゲットの前記第２部よりも前記形成領域から離れた位置に配置される
請求項１または２に記載の反応性スパッタ装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記ターゲットは平板状を有し、
前記ターゲットの前記第１部は、前記走査方向における前記ターゲットの一方の端部である第１端部に位置し、前記ターゲットの前記第２部は、前記走査方向における前記ターゲットの他方の端部である第２端部に位置し、
前記磁気回路走査部は、
前記開始位置にて、前記磁気回路を前記ターゲットの前記第１端部と前記走査方向にて重なる位置に配置する
請求項１から３のいずれか一項に記載の反応性スパッタ装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本開示の技術における反応性スパッタ装置の一態様は、成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置を備える。前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、前記カソード装置は、エロージョン領域を前記対向領域で走査する走査部と、前記エロージョン領域が形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備える。前記エロージョン領域は、前記ターゲットに形成される２つのエロージョン領域のうちの１つであり、前記２つのエロージョン領域は、前記走査部が走査を開始する開始位置にて、第１エロージョン領域と第２エロージョン領域と、を含む。前記第１エロージョン領域は、前記走査部が前記開始位置にあるとき、前記走査方向における前記形成領域の２つの端部のうち前記スパッタ粒子が先に到達する前記形成領域の第１端部に近い領域であり、前記第２エロージョン領域は、前記形成領域の前記第１端部から遠い領域である。前記カソード装置は、前記開始位置にて、前記走査方向における前記ターゲットの第１部と前記形成領域の前記第１端部との間に配置される第１遮蔽部と、前記開始位置にて、前記走査方向における前記ターゲットの第２部よりも前記形成領域から離れた位置に配置される第２遮蔽部と、前記ターゲットの表面に前記第１エロージョン領域と前記第２エロージョン領域とを形成する磁気回路と、前記走査方向にて前記磁気回路を走査することによって、前記ターゲットの前記表面のなかにおいて、前記走査方向にて前記第１エロージョン領域と前記第２エロージョン領域とを走査する磁気回路走査部と、を備える。前記ターゲットの前記第１部は、前記走査部が前記開始位置にあるとき、前記走査方向にて前記形成領域の前記第１端部に最も近い前記ターゲットの前記表面における１点であり、前記ターゲットの前記第２部は、前記走査部が前記開始位置にあるとき、前記走査方向にて前記形成領域から最も遠い前記ターゲットの前記表面における１点である。前記磁気回路と前記第１遮蔽部との間の距離、および、前記磁気回路と前記第２遮蔽部との間の距離の各々が、前記磁気回路の走査によって変わり、前記磁気回路走査部が、前前記走査方向に沿って前記磁気回路を走査する範囲において、前記第１遮蔽部は、前記第１エロージョン領域から前記ターゲットが向かう方向に放出される前記スパッタ粒子のうち、前記形成領域への入射角度が３０°以下であるスパッタ粒子を前記形成領域に到達させない。前記第２遮蔽部は、前記ターゲットの前記第１エロージョン領域から前記ターゲットが向かう方向とは反対の方向に放出される前記スパッタ粒子のうち、前記形成領域への入射角度が９°以下であるスパッタ粒子を前記形成領域に到達させない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この点で、本開示の技術における反応性スパッタ装置の一態様によれば、第１遮蔽部は、入射角度が３０°以下であるスパッタ粒子を形成領域に到達させないため、化合物膜の単位厚さや単位面積での膜特性のばらつきが抑えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本開示の技術における反応性スパッタ装置の他の態様において、前記第２遮蔽部は、前記第２エロージョン領域から前記ターゲットが向かう方向とは反対側に向けて放出されるスパッタ粒子のうち、前記形成領域への入射角度が３０°以下であるスパッタ粒子を前記形成領域に到達させない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本開示の技術における反応性スパッタ装置の他の態様は、前記ターゲットが、前記走査方向に沿って並ぶ２つのターゲットのうちの１つであり、前記２つのターゲットは、前記開始位置にて前記形成領域に近い第１ターゲットと、前記第１ターゲットよりも前記形成領域から遠い第２ターゲットと、を含む。前記第２遮蔽部は、前記第２ターゲットの前記第２部よりも前記形成領域から離れた位置に配置される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本開示の技術における反応性スパッタ装置の他の態様において、前記ターゲットは平板状を有し、前記ターゲットの前記第１部は、前記走査方向における前記ターゲットの一方の端部である第１端部に位置し、前記ターゲットの前記第２部は、前記走査方向における前記ターゲットの他方の端部である第２端部に位置し、前記磁気回路走査部は、前記開始位置にて、前記磁気回路を前記ターゲットの前記第１端部と前記走査方向にて重なる位置に配置する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本開示の技術における反応性スパッタ装置の他の態様によれば、磁気回路が第１端部と第２端部との間の他の位置に配置される場合と比べて、磁気回路の形成するエロージョン領域と、形成領域の第１端部との距離が最も小さくなる。そのため、形成領域の第１端部の近傍には、磁気回路が他の位置に配置される場合と比べて、入射角度がより大きいスパッタ粒子が到達する。結果として、化合物膜における組成や膜密度のばらつきがより抑えられる。