【手続補正書】
【提出日】平成27年12月25日(2015.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
【請求項２】
基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
【請求項３】
前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項４】
前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする請求項２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項５】
前記補助マークの長辺は、２５μｍ以上６００μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項６】
前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項８】
基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、
該反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記基準マークは、前記吸収体膜に形成されていることを特徴とする請求項８記載の反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記基準マークは、前記メインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されていることを特徴とする請求項８又は９記載の反射型マスクブランク。
【請求項１１】
前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項１２】
前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする請求項１０又は１１記載の反射型マスクブランク。
【請求項１３】
前記補助マークの長辺は、２５μｍ以上６００μｍ以下であることを特徴とする請求項１２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１４】
請求項７乃至１３のいずれかに記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされていることを特徴とする反射型マスク。
【請求項１５】
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、
該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。
【請求項１６】
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、
該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
【請求項１８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、
前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１乃至６のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項２０】
前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれかに記載の前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２２】
請求項７乃至１３のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、
前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２３】
請求項７乃至１３のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２４】
請求項１５又は１６に記載のマスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、
前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２５】
請求項１５又は１６に記載のマスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２６】
前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする請求項２４又は２５に記載のマスクブランクの製造方法。