(57)【要約】  本発明においては大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置が記載される。低温（＜８０℃）無機膜は、プラスチック基板にほとんど付着しない。それ故、接着性を改善するために低温（＜８０℃）プラズマ前処理が加えられる。プラズマ前処理した無機膜は、良好な接着と気密性を示す。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に無機膜を堆積させる方法であって、
該基板を堆積プロセスチャンバ内に配置するステップと、
該基板上でプラズマ処理プロセスを行うステップと、
該基板上に８０℃未満の温度で無機膜を堆積させるステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
該基板がプラスチックである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該基板がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）か又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
該無機膜が不動態化膜である、請求項２記載の方法。
【請求項５】
該不動態化膜が、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜、又はそれらの組合わせである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
該不動態化膜が、シリコン含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、第１窒素含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、第２窒素含有ガスを約２０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＮ膜である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４であり、該第１窒素含有ガスがＮＨ３であり、該第２窒素含有ガスがＮ２である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
該不動態化膜が、シリコン含有ガスを約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、酸素含有ガスを約２００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で、窒素含有ガスを約３０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＮ膜である、請求項５記載の方法。
【請求項９】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４であり、該酸素含有ガスがＮ２Ｏであり、該窒素含有ガスがＮ２である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
該不動態化膜が、シリコン含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約６００ｓｃｃｍの流量で、酸素含有ガスを約５０００ｓｃｃｍ〜約１５０００ｓｃｃｍの流量で、約１００ワット〜約４０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＯ膜である、請求項５記載の方法。
【請求項１１】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４であり、該酸素含有ガスがＮ２Ｏである、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
該プラズマ処理プロセスが、不活性ガス、水素含有ガス、窒素含有ガス、又はこれらのガスの混合物で行われる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
該不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、又はクリプトン（Ｋｒ）である、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
該水素含有ガスがＨ２か又はＮＨ３である、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
該窒素含有ガスがＮ２か又はＮＨ３である、請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
該ガス流量が約５００ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍであり、該圧力が約０.１トール〜約５トールであり、該基板と該ガス拡散プレートとの間の該間隔が約０.４インチ〜約１.４インチであり、該電力が約４００ワット〜約３０００ワットである、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
該プラズマ処理時間が２秒〜約１０分である、請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
該プラズマ処理プロセスの該プラズマが、該堆積プロセスチャンバ内で生成されるか又は遠隔で生成される、請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
該プラズマ処理プロセスの該プラズマが、ＲＦ電力か又はマイクロ波電力で生成される、請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
該基板が、少なくとも１２０,０００ｍｍ２の表面積を有する矩形である、請求項２記載の方法。
【請求項２１】
該プラズマ処理が、該基板上の該無機膜の該接着性を改善するためである、請求項１記載の方法。
【請求項２２】
基板上に無機膜を堆積させる方法であって、
該基板を堆積プロセスチャンバ内に配置するステップと、
該基板上でプラズマ処理プロセスを行うステップと、
シリコン含有ガス、ＮＨ３、窒素含有ガス、酸素含有ガス、又はそれらの組合わせからなるグループより選ばれたガスを含むガス混合物によって該基板上に８０℃未満の温度で無機膜を堆積させるステップと、
を含む前記方法。
【請求項２３】
該無機膜が、ＳｉＨ４ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、ＮＨ３ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、Ｎ２ガスを約２０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＮ膜である、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
該ＳｉＯＮ膜が、ＳｉＨ４ガスを約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、Ｎ２Ｏガスを約２００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で、Ｎ２ガスを約３０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積される、請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
該ＳｉＯ膜が、ＳｉＨ４ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約６００ｓｃｃｍの流量で、Ｎ２Ｏガスを約５０００ｓｃｃｍ〜約１５０００ｓｃｃｍの流量で、約１００ワット〜約４０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積される、請求項２２記載の方法。
【請求項２６】
該無機膜が該基板に対して良好な接着性を有する、請求項２２記載の方法。
【請求項２７】
該無機膜が気密性である、請求項２２記載の方法。
【請求項２８】
該基板がプラスチックであり、少なくとも１２０,０００ｍｍ２の表面積を有する矩形である、請求項２２記載の方法。
【請求項２９】
該プラズマ処理が、該基板上の該無機膜の該接着性を改善するためである、請求項２２記載の方法。
【請求項３０】
基板上に不動態化膜を堆積させる方法であって、
該基板を堆積プロセスチャンバ内に配置するステップと、
該基板上でプラズマ処理プロセスを行うステップと、
その後、該基板上に８０℃未満の温度で不動態化膜を堆積させるステップと、
を含む前記方法。
【請求項３１】
該不動態化膜が多層を備えている、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
該不動態化膜が、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜、又はそれらの組合わせを備えている、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
該基板がプラスチックである、請求項３０記載の方法。
【請求項３４】
該不動態化膜が、シリコン含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、第１窒素含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、第２窒素含有ガスを約２０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＮ膜を備えている、請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４であり、該第１窒素含有ガスがＮＨ３であり、該第２窒素含有ガスがＮ２である、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
該不動態化膜が、シリコン含有ガスを約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で、酸素含有ガスを約２００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で、窒素含有ガスを約３０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと該基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＯＮ膜を備えている、請求項３２記載の方法。
【請求項３７】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４であり、該酸素含有ガスがＮ２Ｏであり、該窒素含有ガスがＮ２である、請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
該不動態化膜が、シリコン含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約６００ｓｃｃｍの流量で、酸素含有ガスを約５０００ｓｃｃｍ〜約１５０００ｓｃｃｍの流量で、約１００ワット〜約４０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと基板との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度で流すことにより堆積されたＳｉＯ膜を備えている、請求項３２記載の方法。
【請求項３９】
該シリコン含有ガスがＳｉＨ４であり、該酸素含有ガスがＮ２Ｏである、請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
該プラズマ処理プロセスが、不活性ガス、水素含有ガス、窒素含有ガス、又はこれらのガスの組合わせで行われる、請求項３０記載の方法。
【請求項４１】
該不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、又はクリプトン（Ｋｒ）である、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
該ガス流量が約５００ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍであり、該圧力が約０.１トール〜約５トールであり、該基板と該ガス拡散プレートとの間の該間隔が約０.４インチ〜約１.４インチであり、該電力が約４００ワット〜約３０００ワットである、請求項４０記載の方法。
【請求項４３】
該プラズマ処理時間が２秒〜約１０分である、請求項４０記載の方法。
【請求項４４】
該プラズマ処理プロセスの該プラズマが、該基板プロセスチャンバ内で生成されるか又は遠隔で生成される、請求項４０記載の方法。
【請求項４５】
該基板が、少なくとも１２０,０００ｍｍ２の表面積を有する矩形である、請求項３０記載の方法。
【請求項４６】
該プラズマ処理が、該基板上の該不動態化膜の該接着性を改善するためである、請求項３０記載の方法。
【請求項４７】
堆積プロセスチャンバと、
プラスチック基板を支持する該チャンバ内に配置された基板支持体と、
該堆積プロセスチャンバ内にプラズマガスを供給する該チャンバに結合されたＲＦ源と、
該堆積プロセスチャンバに無機ガスを供給するガス源と、
該基板の温度を８０℃以下に制御し且つその上に無機膜を堆積させるコントローラと、
を備えている装置。
【請求項４８】
該ＲＦ源が該堆積プロセスチャンバ内に位置するシャワヘッドに結合されている、請求項４７記載の装置。
【請求項４９】
該ＲＦ源がリモートプラズマ源に結合されている、請求項４７記載の装置。
【請求項５０】
該基板支持体が抵抗加熱素子を含有する、請求項４７記載の装置。
【請求項５１】
該基板支持体が放射加熱素子を含有する、請求項４７記載の装置。
【請求項５２】
該堆積プロセスチャンバがプラズマ増強型堆積プロセスチャンバである、請求項４７記載の装置。
【請求項５３】
該基板が、少なくとも１２０,０００ｍｍ２の表面積を有する矩形である、請求項４７記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、化学気相堆積処理を用いた薄膜の堆積に関する。特に、本発明は、大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に比べて、応答時間が速く、視角が広く、コントラストが高く、より軽量で、より低電力で、可撓性基板の影響を受けやすいことから考えて、ディスプレイ応用においては、最近かなりの関心を得ている。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイは、二重層有機発光デバイスからの効率的なエレクトロルミネセンス（ＥＬ）がＣ.Ｗ.ＴａｎｇとＳ.Ａ.Ｖａｎ Ｓｌｙｋｅによって１９８７年に報告された後、ＬＣＤディスプレイに対して重大な競争物となっている。数多くの有機物質が、青色領域を含む可視スペクトルにおいては、非常に高い蛍光量子効率をもっていることが知られ、一部は１００％に近い。この点においては、有機物質は、理想的には、多色ディスプレイ応用に適している。しかしながら、有機ＥＬデバイスの開発は、単一層有機結晶の中に電荷を注入するために必要とされる電圧が高いため成功しなかった。Ｃ.Ｗ.ＴａｎｇとＳ.Ａ.Ｖａｎ Ｓｌｙｋｅによる二重層又は有機物質の発見は、単極（ホール）輸送だけができる一方の層とエレクトロルミネセンスのもう一方の層をもつ２つの注入電極の間に挟まれた有機物質の単一層と対照的に、動作電圧を下げ、ＯＬＥＤの実用的な応用を可能にする。
【０００３】
[0003]二重層ＯＬＥＤの発見後、ＯＬＥＤの有機層は、多重層に進展し、各層は異なる機能を働いた。ＯＬＥＤセル構造は、透明アノードと金属カソードの間に挟まれた有機層のスタックからなる。図１は、基板１０１上に蓄積されるＯＬＥＤデバイス構造を示す一例である。透明アノード層１０２が基板１０１上に堆積した後、有機層のスタックがアノード層１０２上に堆積される。有機層は、ホール注入層１０３と、ホール輸送層１０４と、放出層１０５と、電子輸送層１０６と、電子注入層１０７と、を含む。有機層の５層すべてがＯＬＥＤセルを蓄積させるために必要とされないことは留意すべきである。二重層ＯＬＥＤデバイスは、１９８７年のＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒの５１巻、９１３頁に記載され、ホール輸送層１０４と放出層１０５のみを含有する。有機層堆積後、金属カソード１０８が有機層のスタックの最上部上に堆積される。適切な電圧１１０（典型的には数ボルト）がセルに印加される場合、注入された正電荷と負電荷は、放出層で再結合して、光１２０を生成する（エレクトロルミネセンス）。有機層の構造及びアノードとカソードの選択は、放出層での再結合プロセスを最大にするように設計され、従って、ＯＬＥＤデバイスからの光出力が最大になる。
【０００４】
[0004]初期の研究から、ＯＬＥＤが、ＥＬ効率の低下と駆動電圧の増加を特徴とする、限られた寿命をもつことが示された。ＯＬＥＤの劣化の主な理由は、水分又は酸素の進入による非放出ダークスポットの形成である。放出層は、しばしば８-ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から生成される（化学構造については図２を参照のこと）。湿り大気にさらされると、最初のアモルファス膜においてＡｌｑ３結晶構造の形成が誘発されることがわかる。Ａｌｑ３層に結晶クラスタが形成されると、カソードが剥離を起こし、その結果、時間で成長する非放出ダークスポットが生じる。
【０００５】
[0005]従って、下でＯＬＥＤデバイスを保護するために、気密性と接着性が良好な大面積のプラスチック基板上に不動態化膜を堆積させる方法がなお求められている。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置の実施形態が提供される。一実施形態においては、基板上に無機膜を堆積させる低温薄膜堆積法は、連続して、堆積プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板上でプラズマ処理プロセスを行うステップと、基板上に８０℃未満の温度で無機膜を堆積させるステップを含む。
【０００７】
[0007]他の実施形態においては、基板上に無機膜を堆積させる方法は、連続して、堆積プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板上でプラズマ処理プロセスを行うステップと、シリコン含有ガス、ＮＨ３、窒素含有ガス、酸素含有ガス、及びそれらの組合わせからなるグループより選ばれたガス混合物で基板上に８０℃未満の温度で無機膜を堆積させるステップを含む。
【０００８】
[0008]他の実施形態においては、基板上に不動態化膜を堆積させる低温薄膜堆積法は、連続して、堆積プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板上でプラズマ処理プロセスを行うステップと、基板上に８０℃未満の温度で不動態化膜を堆積させるステップとを含む。
【０００９】
[0009]更に他の実施形態においては、装置は、堆積プロセスチャンバと、プラスチック基板を支持するためにチャンバ内に配置された基板支持体と、堆積プロセスチャンバ内にプラズマガスを供給するようにチャンバに結合されたＲＦ源と、堆積プロセスチャンバに無機ガスを供給するガス源と、基板の温度を８０℃以下に制御し且つその上に無機膜を堆積させるコントローラとを含む。
【００１０】
[0010]本発明の上記特徴が詳細に理解されうるように、上で簡単にまとめた本発明のより詳しい説明は、実施形態によって参照することができ、その一部は添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態だけを示し、それ故、本発明の範囲を制限するものとみなされるべきでなく、本発明は、他の等しく有効な実施形態を許容するものである。
【好適実施形態の詳細な説明】
【００１１】
[0017]本発明は、一般的には、大面積プラスチック基板上に低温膜を堆積させる方法及び装置に関する。本発明は、プラスチック基板上のＯＬＥＤ、有機ＴＦＴ、太陽電池等のあらゆるデバイスに適用する。基板は、半導体ウエハ製造には円形で又はフラットパネルディスプレイ製造には矩形のような多角形である。フラットパネルディスプレイの表面積矩形基板は、典型的には大きく、例えば、少なくとも約３００ｍｍ×約４００ｍｍ（又は、１２０,０００ｍｍ２）の矩形である。
【００１２】
[0018]本発明は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズの事業部、ＡＫＴから入手できる、プラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システムのような大面積の基板を処理するように構成されたプラズマ増強型化学気相堆積システムによって、下で説明的に記載される。しかしながら、本発明は、円形の基板を処理するように構成されたシステムを含む、他の化学気相堆積システムや他の膜堆積システムのような他のシステム構成に効用があることは理解されなければならない。
【００１３】
[0019]窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）のようなプラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）膜は、シリコン集積回路（ＩＣ）チップの平面部分のメタライゼーションに効果的な不動態化オーバーコートとして、７０年代初頭に開発された。そのとき以来、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯの膜は、水分、空気、腐食性イオンに対する効果的なバリヤ層として、プラスチック封入超小型回路の電子パッケージにも適用されてきた。ＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜は、水分や空気を阻止するのに特に効果的であり、気密性が良好である。ＯＬＥＤの最上部上に気密性をもつ不動態化層を堆積させると、非放出ダークスポットによる現在の問題がかなり減少し、デバイスの寿命が長くなる。有機層中に残留水分が存在すると、封入デバイスにおいてさえＡｌｑ３結晶化プロセスが促進してしまうことに留意することは重要である。堆積した不動態化層は、膜の多層を含み得る。
【００１４】
[0020]有機層の熱安定性について懸念があるために、不動態化層堆積プロセスは、８０℃未満のような低温で保持されなければならない。良好な気密性に加えて、不動態化膜は、膜が基板表面から離れず、また、水分や空気が浸透して、膜が不動態化すると考えられる下でデバイスを劣化させないことを確実にするために、プラスチック基板に良く付着させることを必要とする。
【００１５】
[0021]図３は、基本的なＯＬＥＤデバイス構造の一例を示す図である。透明アノード層２０２は、ガラス又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のようなプラスチックから製造できる基板２０１上に堆積される。透明アノード層２０２の一例は、２００オングストローム〜２０００オングストロームの範囲にある厚さをもつ酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。ホール輸送層２０４はアノード層２０２の最上部上に堆積する。ホール輸送層２０４の例は、ナフチル置換ベンジジン（ＮＰＢ）誘導体、Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-Ｎ,Ｎ'-ビス(３-メチルフェニル)-(１,１'-ビフェニル)-４,４'-ジミン（ＴＰＤ）であるジアミン（化学構造については図４を参照のこと）を２００オングストローム〜１０００オングストロームの範囲で含む。ＴＰＤは、２×１０-６トール未満の底面圧をもつ真空チャンバ内で、バッフル付きＭｏるつぼからの熱蒸発によって基板上に堆積させることができる。
【００１６】
[0022]ホール輸送層２０４の堆積後、放出層２０５が堆積される。放出層２０５の材料は、典型的には、蛍光金属キレート錯体の種類に属する。一例は、８-ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）である。放出層の厚さは、典型的には、２００オングストローム〜１５００オングストロームの範囲にある。放出層２０５の堆積後、有機層がパターン形成される。その後、最上部の電極２０８が、堆積され、パターン形成される。最上部の電極２０８は、金属、金属の混合物、又は、金属の合金であり得る。最上部の電極の一例は、１０００オングストローム〜３０００オングストロームの範囲の厚さの、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）の合金である。
【００１７】
[0023]ＯＬＥＤデバイス構成が完成した後、不動態化層２０９が堆積される。気密性を有する不動態化層の例としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）又は酸窒化シリコンＳｉＯＮが含まれ、３００オングストローム〜５０００オングストロームの厚さ範囲で堆積される。
【００１８】
[0024]有機層の熱安定性について懸念があるために、不動態化層堆積プロセスは、８０℃未満のような低温で保持されなければならない。ＳｉＮ膜は、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと基板表面の間、約４０℃〜約８０℃の堆積温度によって、ＳｉＨ４のようなシリコン含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量、ＮＨ３のような窒素含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で及び/又はＮ２のような他の窒素含有ガスを約２０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で流すことによって堆積させることができる。ＳｉＯＮ膜は、約４００ワット〜約２０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.４インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度によって、ＳｉＨ４のようなシリコン含有ガスを約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量、Ｎ２Ｏのような酸素含有ガスを約２００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量、Ｎ２のような窒素含有ガスを約３０００ｓｃｃｍ〜約６０００ｓｃｃｍの流量で流すことによって堆積させることができる。ＳｉＯ膜は、約１０００ワット〜約４０００ワットのＲＦ電力、約０.５トール〜約５.０トールの圧力、約０.４インチ〜約１.１インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、約４０℃〜約８０℃の堆積温度によって、ＳｉＨ４のようなシリコン含有ガスを約１００ｓｃｃｍ〜約６００ｓｃｃｍの流量、Ｎ２Ｏのような酸素含有ガスを約５０００ｓｃｃｍ〜約１５０００ｓｃｃｍの流量で流すことによって堆積させることができる。
【００１９】
[0025]低温気密性膜堆積の１つの課題は、ＰＥＴ又はＰＥＮのようなプラスチック基板に対する接着性である。不動態化層と基板の間が良好に接着しないと、堆積した不動態化膜は基板から離れ気密性を失うことがある。不動態化膜堆積の前のプラズマ処理は、接着性を改善し得る。下で有機層の熱不安定性の懸念もあるために、プラズマ処理プロセスは低温（＜８０℃）であることを必要とする。接着の質は、厳しい水分条件下で膜の完全性と接着性を強調するために用いられる、沸騰水（約１１０-１２０℃）の入った圧力鍋の中に９９分間浸漬された堆積した基板について目視検査とスコッチテープ剥離試験によって試験される。圧力鍋は、イリノイ州レイクフォレストのＳａｌｔｏｎ社製のＦａｒｂｅｒｗａｒｅ圧力鍋である。目視検査は、全体の接着の課題を検出するために用いられる。接着性が“悪い”場合には、堆積した膜は、基板から剥離してしまい、基板表面上に泡を生じることがあり、基板の一部に又は基板全体にわたって透明で光沢がある代わりに、霧がかかったように見えることもある。スコッチテープの剥離テストは、堆積した基板が目視検査を合格した後に行われる。スコッチテープの剥離テストは、一枚のスコッチテープの粘着性面を基板表面上に配置し、その後、基板表面からテープを剥がすことにより行われる。接着性が“良好”である場合には、スコッチテープは堆積した膜を持ち込まずに剥がれる。接着性が十分に良好でない場合には、堆積した膜は基板表面から離れ、スコッチテープと剥がれる。堆積した基板が目視検査を合格するが、スコッチテープの剥離テストに落ちた場合、接着性は“不合格”と記載される。
【００２０】
[0026]表１は、プラズマ処理せずにＰＥＴプラスチック基板上に堆積される種々の不動態化膜の堆積条件を示すものである。膜はすべて、目視検査によって、２時間沸騰水中に配置された後のＰＥＴ基板に対する接着が貧弱である。“悪い”粘着性は、膜が基板から剥がれるのを目で見ることができるか又は膜が、圧力鍋ストレスの前又は後の接着が悪いために“霧がかかっている”ように見えることを意味する。基板に良く付着する誘電体膜は、基板上で透明で光沢があるように見え且つ基板を反射させる。表１の膜はすべて、６０℃で堆積させ、厚さが約１００００オングストロームである。
【００２１】
【表１】
2007533860.tif 000003
【００２２】
[0027]表１におけるプラズマ前処理せず堆積したＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯの膜の悪い接着結果は、堆積した膜と基板の間の接着を改善させるために下記のプラズマ前処理が必要であるということを示している。図５は、不動態化層堆積と不動態化層堆積の前のプラズマ処理プロセスステップのプロセスフロー５００示す図である。ステップ５１０は、基板上にＯＬＥＤデバイスを形成するプロセスを記載している。その後、基板は、ステップ５２０で堆積プロセスチャンバ内に配置される。不動態化層を堆積させる前に、基板はステップ５３０でプラズマ処理を受け、基板に対する不動態化層の接着が増加する。プラズマ処理ステップ５３０後、基板はステップ５４０で不動態化層堆積を受ける。不活性ガスの例としては、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、及びそれらの組合せが含まれ、通常にはアルゴンやヘリウムが用いられる。
【００２３】
[0028]プラズマ処理は、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）又はクリプトン（Ｋｒ）のような不活性ガス、Ｈ２又はＮＨ３のような水素含有ガス、Ｎ２又はＮＨ３のような窒素含有ガス、又はこれらのガスの混合物で行うことができる。プラズマ処理ガスの流量は５００ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍである。処理プロセスの圧力は０.１トール〜５トールに下げる。基板とガス拡散プレートとの間の間隔は約０.４インチ〜約１.４インチである。プラズマ電力は約４００ワット〜約３０００ワットである。プラズマ処理時間は２秒〜約１０分である。処理プロセスに影響し得るパラメータとしては、堆積した膜の種類、基板材料、処理ガスの種類、処理ガスの流量、圧力、基板とガス拡散プレートとの間の間隔、プラズマ電力レベル、プラズマ処理時間が含まれる。プラズマはインサイチュ又はエクスサイチュで（又は遠隔で）生成することができる。プラズマ電源はＲＦ電力又はマイクロ波電力であり得る。
【００２４】
[0029]表２は、ＰＥＴ基板上のＳｉＮ膜の接着改善に関するＡｒプラズマ処理の影響を示すものである。ＳｉＮ膜は、２５０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、３００ｓｃｃｍのＮＨ３、５５００ｓｃｃｍのＮ２、９００ワットのＲＦによって、２.１トールの圧力、０.９インチのガス拡散プレートと基板表面との間隔、６０℃の温度で、約５０００オングストロームの厚さに堆積される。Ａｒプラズマ前処理は、１５００ｓｃｃｍのＡｒ、１.２トール、１インチのガス拡散器と基板表面との間隔、６０℃で処理される。
【００２５】
【表２】
2007533860.tif 000004
【００２６】
表２のデータは、７５０ワットのＲＦ電力で１２０秒間プラズマ前処理をすると、良好な接着性が得られ、より長い２４０秒間の前処理では、接着性が良好から普通に低下することを示している。“良好な”接着は、目視検査もスコッチテープ剥離試験も全基板にわたって剥離が見られないことを意味する。“普通の”接着は、堆積した基板が目視検査を合格するが、スコッチテープ剥離試験は失敗することを意味する。堆積した基板はすべて、沸騰水の入った圧力鍋の中に９９分間浸漬された。結果は、より長いプラズマ処理が必ずしも良好な接着性を得ないことを示している。表２のデータは、また、接着性が９０秒〜１８０秒で良好であるので、１０００ワットでのプロセス窓がかなり広いということを示している。１８００ワットでは、接着性は３０秒と６０秒の処理が良好である。
【００２７】
[0030]表３は、約５０００オングストロームの厚さの２つのＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＮ-２とＳｉＯＮ-４の接着改善についてＡｒプラズマ処理の影響を示すものである。両方のＳｉＯＮ膜は、７５０ｓｃｃｍのＮ２Ｏ、４５００ｓｃｃｍのＮ２、１１５０ワット、１.９トールのチャンバ圧、１インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、６０℃の基板温度によって堆積される。ＳｉＯＮ-２は、２００ｓｃｃｍのＳｉＨ４で堆積し、ＳｉＯＮ-４は３００ｓｃｃｍのＳｉＨ４で堆積される。Ａｒプラズマ前処理は、１５００ｓｃｃｍのＡｒ、１.２トール、１インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、６０℃の基板温度によって処理される。
【００２８】
【表３】
2007533860.tif 000005
【００２９】
表３の結果は、Ａｒ前処理がＳｉＯＮ-２膜の場合にスコッチテープ剥離試験が失敗であることを意味する普通の接着結果しか得られず、ＳｉＯＮ-４膜は、目視検査において悪い接着を反映する霧がかかっていることが見られることを示している。
【００３０】
[0031]Ａｒプラズマ処理に加えて、Ｈ２プラズマ処理についてＳｉＯＮ膜上で試験した。表４は、約５０００オングストロームの厚さの３つのＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＮ-２、ＳｉＯＮ-３、ＳｉＯＮ-４の接着改善についてのＨ２プラズマ処理時間の影響を示すものである。３つのＳｉＯＮ膜はすべて、７５０ｓｃｃｍのＮ２Ｏ、４５００ｓｃｃｍのＮ２、１１５０ワット、１.９トール、０.７インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、６０℃の基板温度で堆積される。ＳｉＯＮ-２は、２００ｓｃｃｍのＳｉＨ４で堆積され、ＳｉＯＮ-３は２５０ｓｃｃｍのＳｉＨ４で堆積され、ＳｉＯＮ-４は３００ｓｃｃｍのＳｉＨ４で堆積される。Ｈ２プラズマ前処理は、１５００ｓｃｃｍのＨ２、１.５トール、１インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、６０℃で処理される。
【００３１】
【表４】
2007533860.tif 000006
【００３２】
[0032]１５００ワットのＲＦ、１.５インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔で１２０秒間Ｈ２プラズマ処理により、霧がかかったＰＥＴ基板上のＳｉＯＮ-２膜が得られる。１０００ワットと２０００ワットのＲＦ電力、１インチの間隔によって９０秒間と１８０秒間のＨ２プラズマ処理により、ＳｉＯＮ-３膜とＰＥＴ基板の間に良好な接着性が得られる。１５００ワットのＲＦ電力、１インチの間隔で１２０秒間Ｈ２プラズマ処理を受けるＳｉＯＮ-４膜は良好な接着結果を示す。
【００３３】
[0033]上記の結果は、Ａｒのような不活性ガス、又はＨ２のような水素含有ガスによるプラズマ前処理が、ＰＥＴのようなプラスチック基板上でＳｉＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯのような不動態化層の接着を改善させることを示している。ここで示されるデータは、単に無機不動態化（又は気密性）膜とプラスチック基板の間の接着性を改善させるためにプラズマ処理を用いることの実行可能性を証明するためのものである。堆積した膜の種類、基板材料、プラズマ処理ガスの種類、プラズマ処理ガスの流量、プラズマ電力レベル、プラズマ圧、基板とガス拡散プレートとの間の間隔、プラズマ処理時間は全て、プラズマ処理に影響し且つ接着性に影響する。
【００３４】
[0034]良好な接着性に加えて、ＯＬＥＤデバイスを保護するために用いられる不動態化膜は、気密性ももたなければならない。表５は、ＳｉＯＮ膜とＳｉＮ膜の酸素透過性を比較するものである。ＳｉＮ膜は、２５０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、３００ｓｃｃｍのＮＨ３、５５００ｓｃｃｍのＮ２、９００ワットのＲＦ、２.１トールの圧力、０.９インチのガス拡散プレートと基板表面との間隔、６０℃の温度で、約５０００オングストロームの厚さに堆積される。ＳｉＮ膜を堆積させる前に、ＰＥＴプラスチック基板はＡｒプラズマ前処理を受ける。Ａｒプラズマ前処理は、１５００ｓｃｃｍのＡｒ、１０００ワット、１.２トール、１インチのガス拡散器と基板表面との間隔、６０℃で１２０秒間処理される。堆積した基板が沸騰水の入った圧力鍋の中に９９分間浸漬した後、堆積したＳｉＮ膜は目視と剥離試験の双方を合格する。ＳｉＯＮ-５膜は、１３０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、７５０ｓｃｃｍのＮ２Ｏ、４５００ｓｃｃｍのＮ２、１１５０ワット、１.９トール、０.７インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、６０℃の基板温度で、約５０００オングストロームの厚さに堆積させる。ＳｉＯＮ-５膜を堆積させる前に、ＰＥＴプラスチック基板はＨ２プラズマ前処理を受ける。Ｈ２プラズマ前処理は、１５００ｓｃｃｍのＨ２、１５００ワット、１.５トール、１インチのガス拡散プレートと基板表面との間の間隔、６０℃で１２０秒間処理される。堆積した基板が沸騰水の入った圧力鍋の中に９９分間浸漬された後、堆積したＳｉＯＮ-５膜は目視と剥離試験の両方を合格する。ＳｉＯＮ-５膜は、また、８５℃で８５％の水分（８５％/８５℃）の１００時間水分ストレスを残存している。ＳｉＯＮ-５膜の堆積速度は、-０.５０Ｅ９ダイン/ｃｍ２の膜応力において約８７２オングストローム/分である。
【００３５】
【表５】
2007533860.tif 000007
【００３６】
[0035]Ｏ２透過性試験は、ミネソタ州ミネアポリスのＭｏｃｏｎ社によって製造された酸素透過率測定システムＯＸ-ＴＲＡＮによって行われる。測定は、ＰＥＴ基板上に堆積された５０００オングストローム膜で２５℃において行われる。結果は、ＳｉＮとＳｉＯＮ-５の膜の酸素透過性が共に低いことを示している。ＳｉＯＮ-５膜の酸素透過性はＳｉＮ膜より低い。
【００３７】
[0036]酸素透過性試験に加えて、水透過性についてもＳｉＯＮ-５が測定される。水透過性試験は、ミネソタ州ミネアポリスのＭｏｃｏｎ社によって製造された水蒸気透過率測定システムＰＥＲＭＡＴＲＡＮ-Ｗによって行われる。測定された水蒸気透過度（ＷＶＴＲ）は、ＰＥＴ基板上に堆積された１０,０００オングストローム膜について３.３ｇ/ｍ２.日である。収集ＷＶＴＲの他に、沸騰水の入ったＦａｒｂｅｒｗａｒｅ圧力鍋に堆積された基板を３０時間浸漬した前後にＳｉＯＮ-５膜の反射指数（ＲＩ）と厚さを比較することによって極端な水透過性試験が行われる。膜厚とＲＩをシリコン基板上で測定することがより容易であるので、シリコン基板上に堆積されたＳｉＯＮ-５について測定を集めた。表６は、圧力鍋ストレス前後のＳｉＯＮ-５膜の厚さとＲＩを示すものである。
【００３８】
【表６】
2007533860.tif 000008
【００３９】
[0037]結果は、極端な水分ストレス後の厚さと反射指数（ＲＩ）の変化が非常に小さいことを示している。上の結果は、プラズマ前処理をして堆積されたＳｉＮ又はＳｉＯＮのような低温不動態化膜の接着と気密性が良好であることを示している。
【００４０】
[0038]図６は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズの事業部、ＡＫＴから入手できるプラズマ増強型化学気相堆積システム６００の一実施形態の概略断面図である。システム６００は、一般的には、ガス源６０４に結合された処理チャンバ６０２を含む。処理チャンバ６０２は、部分的にプロセス容積６１２を画成する壁６０６と底面６０８を有する。プロセス容積６１２は、典型的には、処理チャンバ６０２へ、また、処理チャンバ６０２から基板の移動の助けをする壁６０６のポート（図示せず）を通って接近する。壁６０６と底面６０８は、典型的には、単位ブロックのアルミニウム又は処理と適合する他の材料から製造される。壁６０６は、排気口にプロセス容積６１２を結合するポンププレナム６１４を有するリッドアセンブリ６１０を支持する。そのポンププレナム６１４は、（様々なポンプ要素を含む、図示せず）。
【００４１】
[0039]温度制御された基板支持アセンブリ６３８は、処理チャンバ６０２の中の中心に配置される。支持アセンブリ６３８は、処理中、ガラス基板６４０を支持する。一実施形態においては、基板支持アセンブリ６３８は、少なくとも１つの埋め込みヒータ６３２を封入しているアルミニウム本体６２４を備えている。支持アセンブリ６３８内に配置された抵抗素子のようなヒータ６３２は、任意の電源６７４に結合され、支持アセンブリ６３８とその上に配置されたガラス基板６４０を所定の温度に制御可能に加熱する。典型的には、ＣＶＤプロセスにおいては、ヒータ６３２は、ガラス基板６４０を約１５０〜少なくとも約４６０℃の一様な温度で維持し、堆積されている材料の堆積処理パラメータに左右される。
【００４２】
[0040]一般的には、支持アセンブリ６３８は、下面６２６及び上面６３４を有する。上面６３４はガラス基板６４０を支持する。下面６２６はそこに結合されたステム６４２を有する。ステム６４２は、高い処理位置（図示された）と処理チャンバ６０２へ、また、処理チャンバ６０２から基板搬送を容易にする低い位置の間で支持アセンブリ６３８を移動させるリフトシステム（図示せず）に支持アセンブリ６３８を結合する。ステム６４２によって、更に、支持アセンブリ６３８とシステム６００の他の要素の間のリード線と熱電対リード線のコンジットが設けられる。
【００４３】
[0041]ベローズ６４６は、支持アセンブリ６３８（又はステム６４２）と処理チャンバ６０２の底面６０８の間に結合される。ベローズ６４６によって、支持アセンブリ６３８の縦の移動を容易にしつつチャンバ容積６１２と処理チャンバ６０２の外側の雰囲気の間に真空シールが設けられる。
【００４４】
[0042]支持アセンブリ６３８は、一般的には、リッドアセンブリ６１０と基板支持アセンブリ６３８の間に位置するガス分配プレートアセンブリ６１８に電源６２２によって供給されるＲＦ電力（又はチャンバのリッドアセンブリ内に又は近傍に位置する他の電極）が、支持アセンブリ６３８と分配プレートアセンブリ６１８の間のプロセス容積６１２内に存在するガスを励起することができるように接地される。電源６２２からのＲＦ電力は、一般的には、化学気相堆積プロセスを駆動させるために、基板の大きさと同じ大きさが選ばれる。
【００４５】
[0043]支持アセンブリ６３８は、更に、外接するシャドウフレーム６４８を支持する。一般的には、シャドウフレーム６４８は、ガラス基板６４０と支持アセンブリ６３８の縁部の堆積を防止するので、基板は支持アセンブリ６３８に付着しない。支持アセンブリ６３８は、複数のリフトピン６５０を受け入れるそこを通って配置された複数の穴６２８を有する。リフトピン６５０は、典型的には、セラミック又は陽極酸化アルミから構成される。リフトピン６５０は、任意のリフトプレート６５４によって支持アセンブリ６３８に関連して作動し、支持表面６３０から突出し、それによって、基板が支持アセンブリ６３８と隔置された関係に配置される。
【００４６】
[0044]リッドアセンブリ６１０は、プロセス容積６１２に上方境界を設ける。リッドアセンブリ６１０は、典型的には、処理チャンバ６０２を使用可能にするために取り外すことができ開放することもできる。一実施形態においては、リッドアセンブリ６１０は、アルミニウム（Ａｌ）から製造される。
【００４７】
[0045]リッドアセンブリ６１０は、その中に形成され、外部ポンプシステム（図示せず）に結合されたポンププレナム６１４を含む。ポンププレナム６１４は、ガスと処理副生成物をプロセス容積６１２からと処理チャンバ６０２から一様に送るために用いられる。
【００４８】
[0046]リッドアセンブリ６１０は、典型的には、エントリポート６８０を含み、そこを通ってガス源６０４によって供給されるプロセスガスが処理チャンバ６０２に導入される。エントリポート６８０は洗浄源６８２にも結合される。洗浄源６８２は、典型的には、解離したフッ素のような洗浄剤を供給し、処理チャンバ６０２に導入されて、ガス分配プレートアセンブリ６１８を含む処理チャンバハードウェアから堆積副生成物や膜を除去する。
【００４９】
[0047]ガス分配プレートアセンブリ６１８は、リッドアセンブリ６１０の内側６２０に結合される。ガス分配プレートアセンブリ６１８は、典型的には、例えば、大面積の基板に対しては多角形、ウエハに対しては円形のガラス基板６４０の輪郭に実質的に従って構成される。ガス分配プレートアセンブリ６１８は貫通領域６１６を含み、そこを通ってガス源６０４から供給されるプロセスガスや他のガスがプロセス容積６１２に分配される。ガス分配プレートアセンブリ６１８の貫通領域６１６は、ガス分配プレートアセンブリ６１８を通過するガスが処理チャンバ６０２に一様に分配されるように構成される。本発明のためになるように適合されることができるガス分配プレートは、２００１年８月８日出願のＫｅｌｌｅｒらによる共同譲渡された米国特許出願第０９/９２２,２１９号、２００２年５月６日出願の第１０/１４０,３２４号、２００３年１月７日出願のＢｌｏｎｌｇａｎらによる第１０/３３７,４８３号、２００２年１１月１２日発行のＷｈｉｔｅらの米国特許第６,４７７,９８０号、２００３年４月１６日出願のＣｈｏｌらによる米国特許出願第１０/４１７,５９２号に記載され、これらの明細書の記載は本願明細書に全体で含まれるものとする。
【００５０】
[0048]ガス分配プレートアセンブリ６１８は、典型的には、ハンガープレート６６０から吊り下げられた拡散プレート６５８を含む。拡散プレート６５８とハンガープレート６６０は、交互に単一の単位部材を備えることができる。複数のガス通路６６２は、拡散プレート６５８を通って形成されて、ガス分配プレートアセンブリ６１８を通ってプロセス容積６１２に通過するガスの所定の分配を可能にする。ハンガープレート６６０は、拡散プレート６５８とリッドアセンブリ６１０の内面６２０を隔置された関係で維持し、従って、それらの間にプレナム６６４が画成される。プレナム６６４は、リッドアセンブリ６１０に流れ込むガスを拡散プレート６５８の幅全体に一様に分配することを可能にするので、ガスは中央の貫通領域６１６の上に一様に供給され、ガス通路６６２を通って一様な分配で流れる。
【００５１】
[0049]拡散プレート６５８は、典型的には、ステンレス鋼、アルミニウム（Ａｌ）、陽極酸化アルミニウム、ニッケル（Ｎｉ）又は他のＲＦ導電材料から製造される。拡散プレート６５８は、基板処理に悪影響を及ぼさないようにアパーチャ６６６全体に十分な平坦を維持する厚さで構成される。一実施形態においては、拡散プレート６５８の厚さは約１.０インチ〜約２.０インチである。拡散プレート６５８は、半導体ウエハ製造に対しては円形で、フラットパネルディスプレイ製造に対しては矩形のような多角形であり得る。フラットパネルディスプレイ応用に対する拡散プレート６５８の一例は、厚さが１.２インチで約３００ｍｍ×約４００ｍｍの矩形である。
【００５２】
[0050]本発明をある種の実施形態と実例に従って記載してきたが、本発明はそれらに制限されることを意味しない。本明細書のＣＶＤプロセスは、実用的な堆積速度で高品質膜を得るようにガス流量、圧力、温度を調整した他のＣＶＤチャンバを用いて実施することができる。本発明は添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１（従来の技術）は、ＯＬＥＤデバイスを示す概略断面図である。
【図２】図２（従来の技術）は、８-ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）の化学構造を示す図である。
【図３】図３は、最上部上に堆積した気密性層をもつ基本的なＯＬＥＤデバイスを示す概略断面図である。
【図４】図４は、ジアミンの化学構造を示す図である。
【図５】図５は、プロセスチャンバ内の基板上に薄膜を堆積させるステップを示すプロセスフローである。
【図６】図６は、本発明のガス分配プレートアセンブリの一実施形態を有する説明的処理チャンバを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０１…基板、１０２…アノード層、１０３…ホール注入層、１０４…ホール輸送層、１０５…放出層、１０６…電子輸送層、１０７…電子注入層、１０８…金属カソード、１１０…電圧、１２０…光、２０１…基板、２０２…アノード層、２０４…ホール輸送層、２０５…放出層、２０８…最上部の電極、２０９…不動態化層、６００…プラズマ増強型化学気相堆積システム、６０２…処理チャンバ、６０６…壁、６０８…底面、６１０…リッドアセンブリ、６１２…プロセス容積、６１４…ポンププレナム、６１６…貫通領域、６１８…ガス分配プレートアセンブリ、６２４…アルミニウム本体、６２６…下面、６２８…穴、６３２…ヒータ、６３８…支持アセンブリ、６４０…ガラス基板、６４２…ステム、６５０…リフトピン、６５４…リフトプレート、６５８…拡散プレート、６６０…ハンガープレート、６６２…ガス通路、６６４…プレナム、６６６…アパーチャ、６８０…エントリポート。
【図１】
2007533860.tif 000009
【図２】
2007533860.tif 000010
【図３】
2007533860.tif 000011
【図４】
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【図５】
2007533860.tif 000013
【図６】
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【国際調査報告】
2007533860.tif 000015
2007533860.tif 000016
2007533860.tif 000017
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