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【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＣＩｅスイッチにおいて合成装置の動作を可能にする方法であって、
前記合成装置を、前記ＰＣＩｅスイッチに接続されたローカルホスト・コンポーネントに提供することと、
前記ローカルホスト内の読み込み動作および書き込み動作を取得し、それによって、前記ＰＣＩｅスイッチの管理システムが、ローカルホスト・コンポーネント・キューのシャドウコピーを生成することを可能にすることと、
前記管理システムにローカルホスト・ドライバの動作を通知することと、前記ローカルホストが、ドライバをロードすることと、
前記ローカルホスト内で実行される書込みを、前記管理システム上のメモリに反映させることを可能にすることと、
前記管理システム上でのシャドウキューの生成を可能にすることと、前記シャドウキューが、前記ローカルホストのコマンドキューおよび応答キューを反映することと、
前記ローカルホストのポートに関連するＤＭＡエンジンを、前記ローカルホストのキューに基づいて自動的に起動するようにセットアップすることと、
合成装置のドアベルからＤＭＡエンジンのドアベルへのマッピングを可能にすることと
を含む方法。
【請求項２】
前記ローカルホスト上の割込みベクトルを前記管理システムに送信することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
適切なホスト装置の応答のために、割込みベクトルをＤＭＡエンジンキューに関連付けることをさらに含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
複数のローカルホストおよび複数の物理装置が前記合成装置を使用する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記管理システムが、前記ＰＣＩｅスイッチにおいて前記合成装置を実施するための実行可能命令を提供する合成装置イネーブルモジュールを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記イネーブルモジュールが、前記ローカルホストからのデータに対して演算を行い、前記データを物理装置に送信する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記管理システムが、前記ローカルホスト上に記憶されたキューのシャドウコピーを有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記物理装置が前記ローカルホストによって要求された機能を完了すると、完了信号が前記管理システムに送信され、応答が前記ローカルホストに直接送信される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記管理システムと物理装置との間に、前記合成装置に関係するコマンドを伝送するための制御経路があり、前記物理装置と前記ローカルホストとの間に、データ経路がある、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記管理システム内の前記シャドウキューに反映される、前記ローカルホスト内のキューの更新の１対１のマッピングが存在する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記合成装置は、関連する物理装置なしに、ソフトウェアによって生成された装置である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ローカルホストと前記管理システムとの間でアドレスをマッピングし、それによって、前記物理装置と前記ローカルホストとの間のデータ伝送を可能にすることをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ローカルホストにおいてキューを割り当てることと、
前記キューを前記合成装置に書き込むことと
をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
管理システムに関連するＰＣＩエクスプレススイッチであって、前記管理システムが、当該ＰＣＩエクスプレススイッチにおいて物理装置の論理的統合を実施するための論理装置イネーブルモジュールを有し、 前記論理的統合が、接続ホストによって使用され、前記管理システムのメモリが、前記論理装置に記憶されたコマンドキュー、応答キュー、およびドアベルのシャドウコピーを記憶している、ＰＣＩエクスプレススイッチ。
【請求項１５】
ＰＣＩエクスプレススイッチであって、
複数の物理装置を合成装置として論理的に統合し、前記合成装置をホストに提供し、前記物理装置への書き込みに備えて、前記ホスト上にキューを割り当てるように動作する管理システムと、
前記ホスト上の前記キューのシャドウコピーを記憶するように動作するメモリと
を含み、
前記管理システムは、前記ホスト上の前記キューを前記メモリ上の前記キューの前記シャドウコピーにマッピングし、前記合成装置を介して前記物理装置にデータを書き込むために、前記ホストに対し、前記ホストのキューから前記キューのシャドウコピーへＤＭＡデータ転送を命じるようにさらに動作する、ＰＣＩエクスプレススイッチ。
【請求項１６】
前記合成装置は、前記ホストによる読み出し命令に応答し、前記メモリ上の前記キューの前記シャドウコピーから前記ホストのキューへＤＭＡデータ転送を行うように動作する、請求項１５に記載のＰＣＩエクスプレススイッチ。
【請求項１７】
前記合成装置は、前記ホストからのデータに対して演算を行い、前記データを前記物理装置へ送信するために実行されるソフトウェアである、請求項１６に記載のＰＣＩエクスプレススイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月23日(2016.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションがインストールされる情報処理装置であって、
アプリケーションと、該アプリケーションで利用するための言語リソースモジュールとのインストールを制御する第１の制御手段と、
言語リソースモジュールを追加でのインストールを制御する第２の制御手段と、
前記アプリケーションで利用する表示言語を決定する決定手段と、を有し、
前記決定手段は、前記第２の制御手段により１つの言語に対応する言語リソースモジュールだけが追加でインストールされた場合には、当該追加でインストールされた言語リソースモジュールに対応する言語を表示言語に決定することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記第２の制御手段により複数の言語に対応する言語リソースモジュールが追加でインストールされた場合には、前記アプリケーションが提供する選択画面を介して選択された言語を表示言語に決定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記アプリケーションが提供する選択画面を介して言語が既に選択されている際には、前記第２の制御手段により１つの言語に対応する言語リソースモジュールだけが追加でインストールされた場合であっても、当該追加でインストールされた言語リソースモジュールに対応する言語を表示言語に決定しないことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記アプリケーションが提供する選択画面は、前記第１の制御手段及び前記第２の制御手段によりインストールされた複数の言語リソースモジュールに対応する言語の中から、ユーザに表示言語として用いるべき言語を選択させる画面であることを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記アプリケーションが提供する選択画面は、当該アプリケーションの初回の起動時に表示されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記アプリケーションが提供する選択画面を介して選択された言語を当該アプリケーションの表示言語として反映する際に、前記情報処理装置のオペレーティングシステムの再起動が行われたことを判定するために、前記選択画面を介した選択が行われた時刻情報を保持しておくことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記決定手段は、前記第２の制御手段によりインストールされ、前記アプリケーションの表示言語に対応する言語リソースモジュールがアンインストールされた場合に、前記第１の制御手段によりインストールされた言語リソースモジュールに対応する言語を表示言語に決定することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記アプリケーションのアップグレードインストールを行う第３の制御手段をさらに有し、
前記第３の制御手段は、アップグレードインストールに際して、アップグレードする前に前記アプリケーションに設定されていた表示言語に対応する言語リソースモジュールのインストールを制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第３の制御手段は、アップグレードインストールに際して、アップグレードする前に前記アプリケーションに設定されていた表示言語に対応する言語リソースモジュールを持っていない場合には、その他の言語リソースモジュールのインストールを制御することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
アプリケーションがインストールされる情報処理装置であって、
アプリケーションと、該アプリケーションで利用するための１つ以上の言語リソースモジュールのインストールを制御する第１の制御手段と、
前記アプリケーションで利用する表示言語を決定する決定手段と、を有し、
前記第１の制御手段は、アップグレードインストールに際して、アップグレードする前のアプリケーションにインストールされた１つ以上の言語を基づき、アップグレードした後のアプリケーションで利用するための１つ以上の言語を選択するための選択画面の表示を制御することを特徴とすることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１１】
アプリケーションがインストールされる情報処理装置における方法であって、
アプリケーションと、該アプリケーションで利用するための言語リソースモジュールとのインストールを制御する第１の制御工程と、
言語リソースモジュールを追加でのインストールを制御する第２の制御工程と、
前記アプリケーションで利用する表示言語を決定する決定工程と、を有し、
前記決定工程では、前記第２の制御工程で１つの言語に対応する言語リソースモジュールだけが追加でインストールされた場合には、当該追加でインストールされた言語リソースモジュールに対応する言語を表示言語に決定することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
請求項１０に記載の手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信で媒体のＩＣタグへの情報の書き込み、及び前記ＩＣタグに含まれる情報の読み出しを行う情報読書部と、
前記情報読書部での前記ＩＣタグへの情報の書き込み及び前記ＩＣタグに含まれる情報の読み出しを制御し、前記媒体の前記ＩＣタグに情報を書き込むときに、前記ＩＣタグの記憶領域の特定のエリアが所定の状態であるか否かを判別し、前記所定の状態であると判別した場合に前記ＩＣタグへの書き込みを実行させる制御部と、
を備えることを特徴とする媒体処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記情報読書部での前記ＩＣタグへの情報の書き込み時に、前記ＩＣタグの前記記憶領域の前記特定のエリアが前記所定の状態ではないと判別した場合、前記ＩＣタグへの情報の書き込みを実行させない請求項１に記載の媒体処理装置。
【請求項３】
前記情報読書部は、
無線信号を送信して通信可能な前記ＩＣタグの検出を実行し、
前記制御部は、
前記情報読書部で通信可能な前記ＩＣタグの検出を実行したときに、検出される前記ＩＣタグの数を判別する請求項１または２に記載の媒体処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、
検出される前記ＩＣタグの数が２以上であることを判別した場合、検出される前記ＩＣタグの前記特定のエリアが前記所定の状態であるか否かを判別し、前記特定のエリアが前記所定の状態である前記ＩＣタグが１つのとき、前記特定のエリアが前記所定の状態である前記ＩＣタグへの情報の書き込みを実行させる請求項３に記載の媒体処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、
検出される前記ＩＣタグの数が２以上であることを判別した場合、
前記検出される前記ＩＣタグに書き込みを実行させない請求項３に記載の媒体処理装置。
【請求項６】
前記媒体は、前記ＩＣタグを、間隔を開けて配設し、
前記媒体を搬送する搬送部を備え、
前記情報読書部は、前記搬送部で情報読書位置に搬送された前記ＩＣタグに、書き込みを実行する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の媒体処理装置。
【請求項７】
媒体に配設されるＩＣタグを情報読書位置に搬送し、
前記ＩＣタグが前記情報読書位置に搬送された後、前記ＩＣタグの記憶領域の特定のエリアが所定の状態であるか否かを判別し、
前記特定のエリアが前記所定の状態であることを判別したとき、前記ＩＣタグへの情報の書き込み処理を実行することを特徴とする媒体処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記ＩＣタグが前記情報読書位置に搬送された後、前記ＩＣタグの数を検出し、
検出される前記ＩＣタグの数を判別し、
前記ＩＣタグの数が１であることを判別した後、前記ＩＣタグの前記記憶領域の前記特定のエリアが所定の状態であるか否かを判別する請求項７に記載の媒体処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板と液晶層と第１のシール材と２のシール材とを有し、
前記液晶層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域を有し、
前記第１のシール材は、前記液晶層を囲んでおり、
前記第１のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域を有し、
前記第２のシール材は、前記第１のシール材を囲んでおり、
前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域を有し、
前記第２のシール材は、前記第２の基板の側面と重なる領域を有する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のシール材は、フリットガラスを含む表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のシール材は、前記第１の基板の側面と重なる領域を有する表示装置。
【請求項４】
第１の基板と第２の基板と液晶層と第１のシール材と２のシール材と第３のシール材とを有し、
前記液晶層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域を有し、
前記第１のシール材は、前記液晶層を囲んでおり、
前記第１のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域を有し、
前記第２のシール材は、前記第１のシール材を囲んでおり、
前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域を有し、
前記第２のシール材は、前記第２の基板の側面と重なる領域を有し、
前記第３のシール材は、前記第２のシール材を囲んでおり、
前記第３のシール材は、前記第２の基板の側面と重なる領域を有する表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３のシール材は、金属材料または熱可塑性樹脂を含む表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第３のシール材は、前記第１の基板の側面と重なる領域を有する表示装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２のシール材は、フリットガラスを含む表示装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２のシール材は、前記第１の基板の側面と重なる領域を有する表示装置。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
前記第３のシール材を形成した後、前記第３のシール材にレーザ光を照射する工程を経る表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂、ワックス及び着色剤を含有するトナー母粒子を有するトナーであって、
着色剤として、一般式（１）で表される色素化合物を含有することを特徴とするトナー。
【化１】
2014063156.tif 000001
［一般式（１）中、
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、アルキル基又はアシル基を表す、或いは、Ｒ1とＲ2とが結合して、Ｒ1とＲ2とが結合する窒素原子をヘテロ原子として含む環式有機官能基を形成しても良く、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、アルキル基を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、アルキル基又はアルコキシ基を表し、
Ｒ7は、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を表し、
Ｒ8は、アルキル基を表す。］
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2のどちらか一方が、アルキル基であることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記トナー母粒子の表面に外添剤を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外面が曲面に成型された基体と、
前記曲面に沿って装着された表示パネルと、
前記基体の内面に中央部から外側領域に向かって高くなるように段差を持って設けられた複数の電子回路基板と、
前記電子回路基板同士を電気的に接続する配線部材と、を有し、
前記表示パネルは、前記基体の側面部で前記電子回路基板と接続されている表示装置。
【請求項２】
外面が曲面に成型された基体と、
前記曲面に沿って装着された表示パネルと、
前記基体の内面に中央部から外側領域に向かって高くなるように段差を持って設けられた複数の電子回路基板と、
前記電子回路基板同士を電気的に接続する配線部材と、を有し、
前記表示パネルは、前記基体の側面部で前記電子回路基板と接続され、
前記電子回路基板は、複数の平坦化層と、前記複数の平坦化層の間の配線と、を備える表示装置。
【請求項３】
外面が曲面に成型された基体と、
前記曲面に沿って装着された表示パネルと、
前記基体の内面に中央部から外側領域に向かって高くなるように段差を持って設けられた複数の電子回路基板と、
前記電子回路基板同士を電気的に接続する配線部材と、を有し、
前記表示パネルは、前記基体の側面部で前記電子回路基板と接続され、
前記電子回路基板は、前記表示パネルと電気的に接続する貫通孔を備える表示装置。
【請求項４】
外面が曲面に成型された基体と、
前記曲面に沿って装着された表示パネルと、
前記基体の内面に中央部から外側領域に向かって高くなるように段差を持って設けられた複数の電子回路基板と、
前記電子回路基板同士を電気的に接続する配線部材と、
前記電子回路基板に電力を供給する電池と、を有し、
前記表示パネルは、前記基体の側面部で前記電子回路基板と接続されている表示装置。
【請求項５】
前記基体が、タッチパネルを前記表示パネルに重なる位置に備える請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示装置の表示パネルを上面に備え、平坦部を底面に備える表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示装置を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂、ワックス及び着色剤を含有するトナー母粒子を有するトナーであって、着色剤として、一般式（１）で表される色素化合物を含有することを特徴とするトナー。
【化１】
2014063155.tif 000001
［一般式（１）中、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ6は、それぞれ独立して、アルキル基を表し、
Ｒ3乃至Ｒ5は、それぞれ独立して、アルキル基を表す、或いは、以下のｉ）及びｉｉ）のいずれかを満たす、
ｉ）Ｒ3とＲ4とが結合しており、Ｒ3とＲ4とが同時に結合している炭素原子とＲ3とＲ4とが含まれる環式有機官能基が形成され、Ｒ5は、アルキル基である、
ｉｉ）Ｒ3乃至Ｒ5が結合しており、Ｒ3乃至Ｒ5が同時に結合している炭素原子とＲ3とＲ4とＲ5とが含まれる環式有機官能基が形成される、
Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立して、アルキル基又はアシル基を表す、或いは、Ｒ7とＲ8とが結合しており、Ｒ7とＲ8とが同時に結合している窒素原子とＲ7とＲ8とが含まれる環式有機官能基が形成される。］
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ7、Ｒ8のどちらか一方が、アルキル基であることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ3乃至Ｒ5がいずれも、メチル基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記トナー母粒子の表面に外添剤を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂及び着色剤を含有するトナー粒子を有するイエロートナーであって、該着色剤は、下記一般式（１）で表される化合物を含むことを特徴とするイエロートナー。
【化１】
2014063154.tif 000001
[一般式（１）中、Ｒ１はアルキル基、アリール基又はアミノ基を表し、Ｒ２はカルボン酸エステル基又はカルボン酸アミド基を表し、Ａはカルボニル基又はスルホニル基を表し、Ｒ３及びＲ４は、各々独立してアルキル基又はアリール基を表す] 
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ１がアルキル基であることを特徴とする請求項１に記載のイエロートナー。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ２がカルボン酸エステル基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のイエロートナー。
【請求項４】
前記一般式（１）中のＲ３及びＲ４が、それぞれ独立して、エチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、２−エチルプロピル、２−エチルヘキシル基又はシクロヘキセニルエチル基であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のイエロートナー。
【請求項５】
前記一般式（１）中のＲ３及びＲ４が同一の置換基であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のイエロートナー。
【請求項６】
前記一般式（１）中のＲ３及びＲ４がシクロヘキシル基または２−エチルヘキシル基であることを特徴とする請求項５に記載のイエロートナー。
【請求項７】
前記トナー粒子は、さらにワックスを含有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のイエロートナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記金属酸化物膜の導電率を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜の一部と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記金属酸化物膜の導電率を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の領域及び第２の領域を有する金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜の前記第１の領域と接するように、酸素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記金属酸化物膜の前記第２の領域と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記金属酸化物膜の導電率を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜に含まれる窒素または水素を前記金属酸化物膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜の一部と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜に含まれる窒素または水素を前記金属酸化物膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の領域及び第２の領域を有する金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜の前記第１の領域と接するように、酸素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記金属酸化物膜の前記第２の領域と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜に含まれる窒素または水素を前記金属酸化物膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜が前記金属酸化物膜に接している状態で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜の一部と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜が前記金属酸化物膜に接している状態で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の領域及び第２の領域を有する金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜の前記第１の領域と接するように、酸素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記金属酸化物膜の前記第２の領域と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜が前記金属酸化物膜に接している状態で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月1日(2016.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた表示素子を有する画素部と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた第１のシール材と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた第２のシール材と、
第３のシール材と、を有し、
前記第１のシール材は、前記画素部を囲むように設けられ、
前記第２のシール材は、前記第１のシール材に接しないように前記画素部及び前記第１のシール材を囲み、且つ前記第１の基板及び前記第２の基板の側面の少なくとも一方に接するように設けられ、
前記第３のシール材は、前記第２のシール材に接して前記画素部、前記第１のシール材及び前記第２のシール材を囲み、
前記第１のシール材は、樹脂層であり、
前記第２のシール材は、ガラス層であり、
前記第３のシール材は、金属層であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のシール材は、前記第１のシール材及び前記第２のシール材よりも、透湿度が低いことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月22日(2016.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および感光層をこの順に有する電子写真感光体において、
該感光層が、フタロシアニン顔料および式（１）で示されるジシアノエチレン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2014063118.tif 000001
（式（１）中のＲ１およびＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のチエニル基、置換もしくは無置換のピペリジル基、または、置換のアミノ基を示す。）
【請求項２】
前記感光層が、前記支持体側から順に、電荷発生層および電荷輸送層を有し、前記フタロシアニン顔料および前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物が、該電荷発生層中に含有されている請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記電荷発生層中の、前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物の含有量が、前記電荷発生層の全質量に対して０．０５質量％以上１５質量％以下である請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記電荷発生層中の、前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物の含有量が、前記フタロシアニン顔料の含有量に対して、０．１質量％以上２０質量％以下である請求項２又は３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
支持体、下引き層および感光層をこの順に有する電子写真感光体において、
該下引き層が、式（１）で示されるジシアノエチレン化合物を含有し、
該感光層が、フタロシアニン顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化２】
2014063118.tif 000002
（式（１）中のＲ１およびＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のチエニル基、置換もしくは無置換のピペリジル基、または、置換のアミノ基を示す。）
【請求項６】
前記感光層が、前記支持体側から順に、電荷発生層および電荷輸送層を有し、前記フタロシアニン顔料が、該電荷発生層中に含有されている請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物の、密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られた双極子モーメントが、６．５ｄｅｂｙｅ以上である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物の、前記式（１）中のＲ１およびＲ２が、ピリジル基、ピペリジル基、アルキル基もしくはアリール基で置換されたアミノ基、または、２級アミンもしくは３級アミンで置換されたアリール基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物の、密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られたＬＵＭＯが、−２．４ｅＶ〜−２．０ｅＶである請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記式（１）で示されるジシアノエチレン化合物が、式（１−１）、式（１−２）および式（１−３）から選択されるいずれかで示されるジシアノエチレン化合物である請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化３】
2014063118.tif 000003
【請求項１１】
前記フタロシアニン顔料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニンである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、支持体および感光層をこの順に有する電子写真感光体において、該感光層が、フタロシアニン顔料および式（１）で示されるジシアノエチレン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、支持体、下引き層および感光層をこの順に有する電子写真感光体において、該下引き層が、式（１）で示されるジシアノエチレン化合物を含有し、該感光層が、フタロシアニン顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月22日(2016.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、ならびに、該支持体上に電荷発生層および電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
該電荷発生層が、フタロシアニン顔料および式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物を含有し、
該トリシアノエチレン化合物の密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られた双極子モーメントが、８．０ｄｅｂｙｅ以上であることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2014063119.tif 000001
（式（１）中のＲ１は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピペリジル基、または、置換のアミノ基を示す。）
【請求項２】
前記電荷発生層中の、前記式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物の含有量が、前記電荷発生層の全質量に対して０．０５質量％以上１５質量％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記電荷発生層中の、前記式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物の含有量が、前記フタロシアニン顔料の含有量に対して、０．１質量％以上２０質量％以下である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
支持体、該支持体上に下引き層、ならびに、該下引き層上に電荷発生層および電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物を含有し、
該トリシアノエチレン化合物の密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られた双極子モーメントが、８．０ｄｅｂｙｅ以上であり、
該電荷発生層が、フタロシアニン顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化２】
2014063119.tif 000002
（式（１）中のＲ１は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピペリジル基、または、置換のアミノ基を示す。）
【請求項５】
前記式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物の、前記式（１）中のＲ１が、ピリジル基、ピペリジル基、アルキル基もしくはアリール基で置換されたアミノ基、または、２級アミンもしくは３級アミンで置換されたアリール基である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物の密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られたＬＵＭＯが、−３．２ｅＶ〜−２．９ｅＶである請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物が、式（１−１）、式（１−２）及び式（１−３）から選択されるいずれかで示されるトリシアノエチレン化合物である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化３】
2014063119.tif 000003
【請求項８】
前記フタロシアニン顔料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニンである請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、支持体、ならびに、該支持体上に電荷発生層および電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
該電荷発生層が、フタロシアニン顔料および式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物を含有し、該トリシアノエチレン化合物の密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られた双極子モーメントが、８．０ｄｅｂｙｅ以上であることを特徴とする電子写真感光体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、支持体、該支持体上に下引き層、ならびに、該下引き層上に電荷発生層および電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、式（１）で示されるトリシアノエチレン化合物を含有し、該トリシアノエチレン化合物の密度汎関数計算Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇレベルでの分子軌道計算の結果より得られた双極子モーメントが、８．０ｄｅｂｙｅ以上であり、該電荷発生層が、フタロシアニン顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月6日(2016.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１挿入切欠を備えた回路基板、および前記回路基板に実装された複数の発光ブロックを含む光源と、
前記光源から受信した光をガイドする導光体と、
前記導光体から前記ガイドされた光を透過させ、映像を生成する表示パネルと、
第１底部、および前記第１底部から折り曲げられ、前記少なくとも１つの第１挿入切欠に重なり合う第２挿入切欠を備えた第１側壁部を含む第１支持部材と、
前記第１底部を支持する第２底部、および前記第２底部から折り曲げられ、前記第２挿入切欠に重なり合う第３挿入切欠を備えた第２側壁部を含む保護部材と、
一部が前記第１挿入切欠、前記第２挿入切欠、および前記第３挿入切欠に挿入され、前記複数の発光ブロックの出射面と前記導光体の入光面との間の間隔を一定に保持させる間隔保持部材とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記間隔保持部材は、
前記入光面と前記回路基板の一面に接触する接触部と、
前記接触部に接続され、少なくとも前記第１挿入切欠と前記第２挿入切欠に挿入される接続部と、
前記接続部に接続される固定部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記接触部の形状と前記固定部の形状は、互いに異なることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記接続部は前記第１挿入切欠、前記第２挿入切欠、及び前記第３挿入切欠に挿入され、
前記固定部は前記保護部材から突出していることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記接続部は前記第１挿入切欠と前記第２挿入切欠に挿入され、
前記固定部は前記第３挿入切欠に挿入され、
前記固定部は前記第３挿入切欠と同一の形状を有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記導光体と前記保護部材との間に配置されて前記導光体を支持し、前記導光体と前記保護部材との間の間隔を一定に保持させる第２支持部材をさらに含み、
前記第２支持部材の一部は、前記入光面に対向する前記導光体の対光面と接触することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
少なくとも１つの第１開口部を含む回路基板、及び前記回路基板に実装された複数の発光ブロックを含む光源と、
前記光源から受信した光をガイドする導光体と、
前記導光体から前記ガイドされた光を透過させ、映像を生成する表示パネルと、
前記回路基板を支持し、前記少なくとも１つの第１開口部に重なり合う第２開口部を含む支持部材と、
前記支持部材を支持する底部、および前記底部から折り曲げられた側壁部を含む保護部材と、
一部が前記第１開口部と第２開口部に挿入され、前記複数の発光ブロックの出射面と前記導光体の入光面との間の間隔を一定に保持させる間隔保持部材とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記間隔保持部材は、
前記回路基板の上側に配置され、前記導光体の前記入光面に接触する接触部と、
前記接触部に接続され、前記第１開口部及び前記第２開口部に挿入される接続部と、
前記接続部に接続され、前記支持部材の下側に配置される固定部とを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１開口部及び第２開口部の各々は、
平面上で第１方向に延びる第１部分と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる第２部分とを含み、
前記第１開口部は前記第２開口部と同一の形状を有することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記接続部は、前記第１開口部及び前記第２開口部の各々の前記第２部分に位置することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の論理素子と、
第２の論理素子と、
第１のスイッチと、
第２のスイッチと、
第３のスイッチと、
第４のスイッチと、
第１の容量素子と、
第２の容量素子と、を有し、
前記第１の論理素子は、前記第１の論理素子の入力端子の電位の極性を反転させて前記第１の論理素子の出力端子から出力する機能を有し、
前記第２の論理素子は、前記第２の論理素子の入力端子の電位の極性を反転させて前記第２の論理素子の出力端子から出力する機能を有し、
前記第１のスイッチは、第１の配線と、前記第１の論理素子の入力端子及び前記第２の論理素子の出力端子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第２のスイッチは、第２の配線と、前記第１の論理素子の出力端子及び前記第２の論理素子の入力端子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記第１の論理素子の入力端子及び前記第２の論理素子の出力端子と、前記第１の容量素子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第４のスイッチは、前記第１の論理素子の出力端子及び前記第２の論理素子の入力端子と、前記第２の容量素子との導通状態を制御する機能を有する記憶装置。
【請求項２】
第１の論理素子と、
第２の論理素子と、
第１のスイッチと、
第２のスイッチと、
第３のスイッチと、
第４のスイッチと、
第１の容量素子と、
第２の容量素子と、を有し、
前記第１の論理素子は、前記第１の論理素子の入力端子の電位の極性を反転させて前記第１の論理素子の出力端子から出力する機能を有し、
前記第２の論理素子は、前記第２の論理素子の入力端子の電位の極性を反転させて前記第２の論理素子の出力端子から出力する機能を有し、
前記第１のスイッチは、第１の配線と、前記第１の論理素子の入力端子及び前記第２の論理素子の出力端子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第２のスイッチは、第２の配線と、前記第１の論理素子の出力端子及び前記第２の論理素子の入力端子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記第１の論理素子の入力端子及び前記第２の論理素子の出力端子と、前記第１の容量素子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第４のスイッチは、前記第１の論理素子の出力端子及び前記第２の論理素子の入力端子と、前記第２の容量素子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第３のスイッチが有するトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
前記第４のスイッチが有するトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有する記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のスイッチが有するトランジスタのゲート電極は、前記第２のスイッチが有するトランジスタのゲート電極に電気的に接続されている記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第３のスイッチが有するトランジスタのゲート電極は、前記第４のスイッチが有するトランジスタのゲート電極に電気的に接続されている記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第１論理素子が有するトランジスタは、結晶性を有するシリコンをチャネル形成領域に有し、
前記第２論理素子が有するトランジスタは、結晶性を有するシリコンをチャネル形成領域に有する記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の記憶装置を、キャッシュとして用いるＣＰＵと、パワーコントローラと、を有し、
前記パワーコントローラは、前記ＣＰＵへ電源電圧を印加するか否かを制御する機能を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本実施形態における外乱（Ｃ２−Ｃ３）の緩衝効果は、上側緩衝材１２ａ、下側緩衝材１１ａおよび弱粘着性を有する両面粘着材１２ｃの複合作用に起因する。ＨＤＤ５の周り以外にＰＣ１に印加された外乱を緩衝する工夫が施されていないとき（本実施形態の上側緩衝材１２ａ、下側緩衝材１１ａおよび弱粘着性を有する両面粘着材１２ｃを備えない場合）、ＰＣ１に加えられた外乱はそのままＨＤＤ５に印加され、印加された衝撃によってＨＤＤ５は損傷を受ける。これに対して、上側緩衝材１２ａおよび下側緩衝材１１ａを配置した場合、ＨＤＤ５に印加された外乱は、初期衝撃緩和とこの初期衝撃緩和に続く遅延衝撃緩和とに分けることができる。つまり、外乱を衝撃加速度（Ｇ）で経過時間変化をプロットすると、初期衝撃緩和は印加される外乱の立ち上がり勾配とピーク値とに依存、遅延衝撃緩和は衝撃加速度における時間変化の積分量に依存する。上側緩衝材１２ａおよび下側緩衝材１１ａの衝撃緩和性能は、遅延衝撃緩和に効果があるものの、初期衝撃緩和に対する寄与が少ないことが判った。本実施形態における上側緩衝材１２ａと上壁１０ａとを粘着する両面粘着材１２ｃは、片側に弱粘着性を有する構成としたことで、上述の衝撃加速度と経過時間との関係で、外乱印加時点から経過時間が短時間で生じる初期衝撃緩和のピークと、初期衝撃緩和のピークに連続する経過時間が長い遅延衝撃緩和のピークとに分断させることができた。この初期衝撃緩和のピーク高さは、上側緩衝材１２ａと上壁１
０ａとの弱粘着性の剥離開始力および／または再粘着ときの再粘着力の調整により制御できる。また、遅延衝撃緩和は、上側緩衝材１２ａと下側緩衝材１１ａとの緩和性能により、振幅および／または緩和時間の長短が決まり、これらの緩衝材の材質や粘着する面積によって制御できる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子エミッタであって、
加熱されると電子を放射することができる円の丸形放射エリアを有する表面であって、前記丸形放射エリアが、複数のセグメントを互いに分離するとともに電気路を規定する細穴と、前記丸形放射エリアの第１の部分を前記丸形放射エリアの第２の部分から分離するギャップ、溝、またはその組合せであって、前記第１の部分および前記第２の部分を互いに接触させることなく、前記少なくとも１つのギャップまたは溝内で前記第１の部分および前記第２の部分の熱膨張を可能にするギャップ、溝、またはその組合せとを有し、前記電気路は、前記第１の部分において前記円の外径から始まり、前記第１の部分の経路をたどって、前記第２の部分に入る前に前記円の中心に到達し、前記丸形放射エリアは、前記少なくとも１つのギャップ又は溝に直交する少なくとも第２のギャップ又は溝であって、前記第１の部分および前記第２の部分を、少なくとも４つの部分に分割する少なくとも第２のギャップ又は溝を更に有するように構成された表面と、
前記丸形放射エリアの外側の位置で前記表面に連結され、前記丸形放射エリアに電流を供給することができる２つの導電性レッグと、
導電性ではなく且つ前記電子エミッタに連結された少なくとも一つのレッグであって、前記電子エミッタを面内に保持するための少なくとも一つのレッグと、
を備える電子エミッタ。
【請求項２】
前記第１の部分および前記第２の部分は、四分円を形成する別個のエリアを含む、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項３】
前記円の直径が少なくとも７ｍｍである、請求項２記載の電子エミッタ。
【請求項４】
前記丸形放射エリアが、前記円の中心に向かって狭くなる少なくとも１つのｖ字形ギャップを含む、請求項２記載の電子エミッタ。
【請求項５】
前記ｖ字形ギャップが、最も狭いギャップ長の約２倍である最も広いギャップ長から狭くなる、請求項４記載の電子エミッタ。
【請求項６】
前記表面が、ｖ字形ギャップと溝との両方を含む、請求項４記載の電子エミッタ。
【請求項７】
前記丸形放射エリアが、少なくとも２つのｖ字形ギャップを含む、請求項１記載の電子エミッタ。
【請求項８】
前記ギャップ、前記溝、又はその組合せは、前記表面を二分するとともに、前記丸形放射エリアを通り過ぎて、前記電子エミッタの最長寸法の端部で終わる切欠きに到達するように設けられている、請求項１記載の電子エミッタ。
【請求項９】
前記丸形放射エリアが、前記丸形放射エリアの中点に穴を含む、請求項１記載の電子エミッタ。
【請求項１０】
前記エミッタが、タングステン、炭化ハフニウムまたはその組合せを含む、請求項１記載の電子エミッタ。
【請求項１１】
四分円に分割される円盤状の放射エリアであって、１０Ａ以下の駆動電流で加熱されると電子を放射することができる円盤状の放射エリアを含む表面と、
前記円盤状の放射エリアの外側の位置で前記表面に連結され、前記円盤状の放射エリアに電流を供給することができる２つの導電性レッグであって、前記円盤状の放射エリアに電流が印加されると、前記円盤状の放射エリアは少なくとも摂氏２０００度の温度まで熱くなり、放射面の温度むらが、前記円盤状の放射エリアを加熱するときに達成される最高温度の６％未満となるように、前記円盤状の放射エリアに電流を供給することができる２つの導電性レッグと、
前記表面に結合され、前記電子エミッタを保持するための非導電性レッグと、
導電性ではなく且つ前記電子エミッタに連結された少なくとも一つのレッグであって、前記電子エミッタを保持するための少なくとも一つのレッグと、
を含む、電子エミッタ。
【請求項１２】
前記円盤状の放射エリアが円を含む、請求項１１記載の電子エミッタ。
【請求項１３】
前記円の直径が少なくとも７ｍｍである、請求項１２記載の電子エミッタ。
【請求項１４】
前記円の直径が、約７ｍｍと約１１ｍｍの間である、請求項１２記載の電子エミッタ。
【請求項１５】
前記エミッタが、前記放射面を囲む環状領域であって、前記放射面の一部ではない環状領域を含む、請求項１２記載の電子エミッタ。
【請求項１６】
前記円盤状の放射エリアが楕円を含む、請求項１１記載の電子エミッタ。
【請求項１７】
前記円盤状の放射エリアが、少なくとも摂氏２０００度の温度まで熱くなり、前記放射面全体の温度むらは、約７．５Ａと約９．５Ａとの間の駆動電流で達成される最高温度の６％未満である、請求項１１記載の電子エミッタ。
【請求項１８】
電子ビームを放射するように構成された電子エミッタを含む電子ビーム源であって、前記電子エミッタが、
加熱されると電子を放射することができ、少なくとも第１の部分と第２の部分とを有する円盤状の放射エリアであって、前記第１の部分における前記円盤状の放射エリアの外径から、前記第２の部分に入る前に前記円盤状の放射エリアの中心にまで延在するように設けられた蛇行する電気路と、前記少なくとも１つのギャップ又は溝に直交する少なくとも第２のギャップ又は溝であって、前記第１の部分および前記第２の部分を、少なくとも４つの部分に分割する少なくとも第２のギャップ又は溝とを含む円盤状の放射エリアと、
前記円盤状の放射エリアの外側の位置で前記電子エミッタに連結され、前記円盤状の放射エリアに電流を供給することができる複数の導電性レッグと、
導電性ではなく且つ前記電子エミッタに連結された支柱であって、前記電子エミッタを面内に保持する３つの支柱構造を形成するための支柱と
を備える、電子ビーム源と、
前記電子ビームを受け、前記電子ビームが衝突するとＸ線を放射するように構成されたアノードアセンブリと、
ハウジングであって、前記ハウジング内に前記電子ビーム源および前記アノードアセンブリが配置されるように構成されたハウジングと、
を含む、Ｘ線管。
【請求項１９】
前記円盤状の放射エリアが、約７ｍｍよりも大きい直径を有する円を含む、請求項１８記載のＸ線管。
【請求項２０】
前記円盤状の放射エリアが、前記円の中心に向かって狭くなる少なくとも１つのｖ字形ギャップであって、前記円盤状の放射エリアを複数の部分に分けるための少なくとも１つのｖ字形ギャップを含む、請求項１９記載のＸ線管。
【請求項２１】
前記円盤状の放射エリアが、温度調整を容易にするために、前記円の中心に、前記ｖ字形ギャップとは別の穴を含む、請求項２０記載のＸ線管。
【請求項２２】
前記円盤状の放射エリアが複数のローブを含む、請求項１８記載のＸ線管。
【請求項２３】
前記複数のローブの少なくとも一部が、１つまたは複数のｖ字形ギャップによって分離され、
前記円盤状の放射エリアは、加熱されると、隣接するローブを互いに接触させることなく前記１つまたは複数のｖ字形ギャップのサイズが減少するように、前記１つまたは複数のｖ字形ギャップ内で膨張する、請求項２２記載のＸ線管。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、静電気の除去方法に関しては以前、発明者が特許査定（特許第４０２４２１４号）を受けたものを採用している。
図１は、該特許の選択図である。該特許では、第１の導電体片と第２の導電体片の間に１０MΩ以上の絶縁層を介して静電気を蓄電し、第１の導電体片と第２の導電体片をバリスター、放電管で繋いで静電気を除去しているが、ここで、バリスターは、酸化亜鉛を主成分としたものでは、通常は絶縁物で１０MΩ以上あり、印加電圧がバリスター電圧以上になると短絡状態になる。従って、該絶縁層の代わりに、酸化亜鉛バリスター素子を使用した場合でも静電気を蓄電し、その後、バリスターの放電電圧で、帯電した電荷が放電吸収され、消滅する。