Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月14日(2015.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブをガイドするための貫通孔が形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記貫通孔の内壁と、前記シリコン基板の第１の主面における前記貫通孔の近傍領域と、前記シリコン基板の前記第１の主面の反対側の第２の主面における前記貫通孔の近傍領域とに選択的に形成された第１のシリコン酸化膜と
を有することを特徴とするプローブガイド板。
【請求項２】
プローブをガイドするための貫通孔が形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記貫通孔の内壁に選択的に形成された第１のシリコン酸化膜と、
前記シリコン基板の第１の主面と、前記シリコン基板の前記第１の主面の反対側の第２の主面とに形成され、前記第１のシリコン酸化膜よりも膜厚の薄い第２のシリコン酸化膜と
を有することを特徴とするプローブガイド板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプローブガイド板において、
前記第１のシリコン酸化膜の膜厚は、３μｍ〜１０μｍである
ことを特徴とするプローブガイド板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプローブガイド板を有することを特徴とするプローブ装置。
【請求項５】
基板に、プローブをガイドするための貫通孔を形成する工程と、
前記基板の前記貫通孔の内壁と、前記基板の第１の主面と、前記基板の前記第１の主面の反対側の第２の主面とに、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の前記第１の主面に形成された前記第１の絶縁膜のうちの前記貫通孔の近傍領域以外の部分、及び、前記基板の前記第２の主面に形成された前記第１の絶縁膜のうちの前記貫通孔の近傍領域以外の部分をエッチング除去する工程と
を有することを特徴とするプローブガイド板の製造方法。
【請求項６】
基板に、プローブをガイドするための貫通孔を形成する工程と、
前記基板の前記貫通孔と、前記基板の第１の主面における前記貫通孔の近傍領域と、前記基板の前記第１の主面の反対側の第２の主面における前記貫通孔の近傍領域とを露出するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして、前記基板の前記貫通孔の内壁と、前記基板の前記第１の主面における前記貫通孔の前記近傍領域と、前記基板の前記第２の主面における前記貫通孔の前記近傍領域とに、第１の絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とするプローブガイド板の製造方法。
【請求項７】
基板に、プローブをガイドするための貫通孔を形成する工程と、
前記基板の前記貫通孔の内壁と、前記基板の第１の主面と、前記基板の前記第１の主面の反対側の第２の主面とに、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜のうちの前記第１の主面に形成された部分、及び、前記第１の絶縁膜のうちの前記第２の主面に形成された部分を、薄くする工程と
を有することを特徴とするプローブガイド板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のプローブガイド板の製造方法において、
前記第１の絶縁膜を形成する工程の後に、前記内壁に前記第１の絶縁膜が形成された前記貫通孔内に、前記第１の絶縁膜とエッチング特性が異なる部材を埋め込む工程を更に有し、
前記薄くする工程は、前記第１の絶縁膜をエッチングすることにより前記第１の絶縁膜を薄くする
ことを特徴とするプローブガイド板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態の一観点によれば、プローブをガイドするための貫通孔が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の前記貫通孔の内壁と、前記シリコン基板の第１の主面における前記貫通孔の近傍領域と、前記シリコン基板の前記第１の主面の反対側の第２の主面における前記貫通孔の近傍領域とに選択的に形成された第１のシリコン酸化膜とを有することを特徴とするプローブガイド板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
複数の貫通孔５４の内壁には、プローブ４０の摺動に耐える厚さの絶縁膜８０が形成されている。基板５２の表面及び裏面には、絶縁膜８０よりも膜厚の薄い絶縁膜８０ａが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ジッタ抽出部１６に入力されるリカバ―ドクロックに対し、乗算器４２でａ0＝１が乗算され、加算器４４に入力される。また、リカバ―ドクロックは、遅延回路４０，４１で遅延された後、乗算器４３でａ2＝−１が乗算され加算器４４に入力される。加算器４４は、乗算器４２，４３の出力信号を加算することで、ジッタをデジタル信号で出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ジッタ抽出部１６ａに入力されるリカバ―ドクロックに対し、ローパスフィルタ５０の乗算器５３でａ0＝１が乗算され、加算器５５に入力される。また、リカバ―ドクロックは、遅延回路５２で遅延された後、乗算器５４でａ1＝１が乗算され加算器５５に入力される。加算器５５は、乗算器５３，５４の出力信号を加算する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
以上のようなジッタ抽出部１６，１６ａにより、リカバ―ドクロックからジッタを抽出することができる。
なお、上記では、２次のデジタルフィルタの例を示しているが、次数は変更してもよいし、アナログフィルタを用いてもよい。ただ、デジタルフィルタの場合、ロジックスキャン試験により機能と動作速度を検証できる点でアナログフィルタを用いる場合よりも優れている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
さらに、制御部１８は、選択部１３ａ，１３ｂ，１３ｃに選択信号を送り、ジッタトレランス試験用のパスを設定する（ステップＳ５）。これにより、テスト制御部７１からＣＤＲ回路１４へシリアルデータを送るパスと、ＣＤＲ回路１４からリンクレイヤーである内部回路３へパラレルデータとリカバ―ドクロックを送るパスが遮断される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
その後、制御部１８は、テストパターン生成部１２と照合部１５を試験モードに設定する（ステップＳ７）。たとえば、テストパターン生成部１２と照合部１５にて、ＰＲＢＳ発生回路を用いてテストパターンおよび期待値が生成される場合、使用される生成多項式（図６参照）が決定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2014174131.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2014174131.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は、複数のアプリケーションプログラムのうちの少なくとも２つを並行して起動可能な情報処理装置であって、操作入力を受け付ける操作手段を介する主のアプリケーションプログラムの起動指示入力に応じて、当該主のアプリケーションプログラムを起動し、当該主のアプリケーションプログラムに対応する画面を表示手段における表示画面内の第１のエリアに表示させる第１の制御手段と、前記主のアプリケーションプログラムの実行中に、当該主のアプリケーションプログラムに従属する従のアプリケーションプログラムを前記複数のアプリケーションプログラムから抽出し、抽出した従のアプリケーションプログラムを起動させるための起動ボタンを前記表示画面内の第２のエリアに表示させる第２の制御手段と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアプリケーションプログラムのうちの少なくとも２つを並行して起動可能な情報処理装置であって、
操作入力を受け付ける操作手段を介する主のアプリケーションプログラムの起動指示入力に応じて、当該主のアプリケーションプログラムを起動し、当該主のアプリケーションプログラムに対応する画面を表示手段における表示画面内の第１のエリアに表示させる第１の制御手段と、
前記主のアプリケーションプログラムの実行中に、当該主のアプリケーションプログラムに従属する従のアプリケーションプログラムを前記複数のアプリケーションプログラムから抽出し、抽出した従のアプリケーションプログラムを起動させるための起動ボタンを前記表示画面内の第２のエリアに表示させる第２の制御手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記操作手段を介する前記起動ボタンの操作入力に応じて、前記第１のエリアを残したまま、当該起動ボタンに対応する従のアプリケーションプログラムを起動し、当該従のアプリケーションプログラムに対応する画面を前記表示画面内の第３のエリアに表示させる第３の制御手段を備える請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記従のアプリケーションプログラムは、第１の従のアプリケーションプログラムの実行中に、当該第１の従のアプリケーションプログラムに従属する第２の従のアプリケーションプログラムを含み、
前記第２の制御手段は、前記第１の従のアプリケーションプログラムの実行中に、前記第２の従のアプリケーションプログラムを前記複数のアプリケーションプログラムから抽出し、抽出した第２の従のアプリケーションプログラムを起動させるための起動ボタンを前記表示画面内の第２のエリアに表示させる請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
起動中の主のアプリケーションプログラムを示すタスクボタンを前記表示画面内の第１のタスクエリアに表示させ、起動中の従のアプリケーションプログラムを示すタスクボタンを前記表示画面内の第２のタスクエリアに表示させる第４の制御手段を備える請求項１から３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第４の制御手段は、起動中のアクティブなアプリケーションプログラムに対応するタスクボタンを、アクティブであることが認識可能な表示形式で表示する請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第４の制御手段は、前記操作手段を介するタスクボタンの操作入力に応じて、当該タスクボタンが主のアプリケーションプログラムに対応する場合に、当該主のアプリケーションプログラムを前記第１のプログラム実行エリアに表示し、前記タスクボタンが従のアプリケーションプログラムに対応する場合に、当該従のアプリケーションプログラムに対応する画面を前記第２のエリアに表示する請求項４又は５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
複数のアプリケーションプログラムのうちの少なくとも２つを並行して起動可能な情報処理装置のコンピュータを、
操作入力を受け付ける操作手段を介する主のアプリケーションプログラムの起動指示入力に応じて、当該主のアプリケーションプログラムを起動し、当該主のアプリケーションプログラムに対応する画面を表示手段における表示画面内の第１のエリアに表示させる第１の制御手段、
前記主のアプリケーションプログラムの実行中に、当該主のアプリケーションプログラムに従属する従のアプリケーションプログラムを前記複数のアプリケーションプログラムから抽出し、抽出した従のアプリケーションプログラムを起動させるための起動ボタンを前記表示画面内の第２のエリアに表示させる第２の制御手段、
として機能させるための情報処理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より像側へ順に配置された、正の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、正の屈折力の第３レンズ群、正の屈折力の第４レンズ群より構成され、
ズーミングに際して、前記第２レンズ群、前記第３レンズ群、前記第４レンズ群が移動することにより、隣り合うレンズ群の間隔が変化するズームレンズにおいて、
広角端から望遠端へのズーミングにおける前記第２レンズ群の移動量をＭ２、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２、広角端と望遠端における前記第３レンズ群の横倍率を各々β３ｗ、β３ｔとするとき、
４．６＜Ｍ２／｜ｆ２｜＜７．５
０．４＜β３ｔ／β３ｗ＜４．５
なる条件式を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
広角端と望遠端における前記第２レンズ群の横倍率を各々β２ｗ、β２ｔとするとき、
２５＜β２ｔ／β２ｗ＜８０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】
前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３、広角端における全系の焦点距離をｆｗとするとき、
６．８＜ｆ３／ｆｗ＜１１．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載のズームレンズ。
【請求項４】
前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１とするとき、
−９．５＜ｆ１／ｆ２＜−６．５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項５】
前記第２レンズ群を構成する各レンズの材料の屈折率の平均値をＮ２ｎｄとするとき、
Ｎ２ｎｄ＞１．８５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項６】
像ぶれ補正に際して、前記第３レンズ群の全体あるいは一部が光軸に対して垂直方向の成分を持つ方向に移動することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項７】
ズーミングに際して、前記第１レンズ群が移動することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項８】
広角端における有効像円径が望遠端における有効像円径よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のズームレンズと、該ズームレンズによって形成された像を受光する撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のズームレンズは、物体側より像側へ順に配置された、正の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、正の屈折力の第３レンズ群、正の屈折力の第４レンズ群より構成され、
ズーミングに際して、前記第２レンズ群、前記第３レンズ群、前記第４レンズ群が移動することにより、隣り合うレンズ群の間隔が変化するズームレンズにおいて、
広角端から望遠端へのズーミングにおける前記第２レンズ群の移動量をＭ２、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２、広角端と望遠端における前記第３レンズ群の横倍率を各々β３ｗ、β３ｔとするとき、
４．６＜Ｍ２／｜ｆ２｜＜７．５
０．４＜β３ｔ／β３ｗ＜４．５
なる条件式を満足することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
一方、広画角化を図るとレンズ前玉（第１レンズ群）に入射してくる光線の入射角度が大きくなるため、入射瞳位置が全系の小型化を図る際に重要となる。特に前述したリアフォーカスタイプの４群ズームレンズは広角端から少し望遠端寄りのズーム位置で前玉有効径が決まる事が多い。この為、前記ズーム位置において入射瞳位置を第１レンズ群に近づけることが前玉有効径の小型化には必要となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
各実施例において広角端から望遠端へのズーミングにおける第２レンズ群Ｌ２の移動量をＭ２、第２レンズ群Ｌ２の焦点距離をｆ２とする。広角端と望遠端における第３レンズ群Ｌ３の横倍率を各々β３ｗ、β３ｔとする。このとき、
４．６＜Ｍ２／｜ｆ２｜＜７．５    ・・・（１）
０．４＜β３ｔ／β３ｗ＜４．５    ・・・（２）
なる条件式を満足している。ここで第２レンズ群Ｌ２の移動量Ｍ２の符号は、広角端に比べて望遠端において物体側に位置するときを負、像側に位置するときを正としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
各実施例において、更に好ましくは次の諸条件のうち１以上を満足するのが良い。広角端と望遠端における第２レンズ群Ｌ２の横倍率を各々β２ｗ、β２ｔとする。第３レンズ群Ｌ３の焦点距離をｆ３、広角端における全系の焦点距離をｆｗ、第１レンズ群Ｌ１の焦点距離をｆ１とする。第２レンズ群Ｌ２を構成する各レンズの材料の屈折率の平均値をＮ２ｎｄとする。このとき次の条件式のうち１以上を満足するのが良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してサーバにアクセスする情報処理装置であって、
前記情報処理装置に固有の情報を含む証明書の発行要求を認証局に送信する送信手段と、
前記発行要求に応じて前記認証局から送信される証明書を受信する受信手段と、
前記情報処理装置に固有の情報と前記証明書に含まれる前記固有の情報とを比較して、前記情報処理装置が前記サーバにアクセスできるかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段が前記サーバにアクセスできないと判定すると、前記サーバへの接続要求の発行を禁止する禁止手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記証明書はクライアント証明書であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記固有の情報は、前記情報処理装置の機器シリアル番号、ＭＡＣアドレス、ＩＰアドレスの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記送信手段は、公開鍵により前記証明書に含まれるパラメータを暗号化し、当該暗号化されたパラメータを含む前記発行要求を前記認証局に送信することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記パラメータを入力する入力手段を更に有することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記入力手段は、
前記パラメータを入力するための画面を表示するための画面情報を他の情報処理装置に送信し、当該他の情報処理装置で前記画面を介して入力されたパラメータを受信することで前記パラメータを入力することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記受信手段により受信した前記証明書を格納する格納手段と、前記情報処理装置に固有の情報を記憶する記憶手段とを更に有し、
前記格納手段と前記記憶手段はそれぞれ別の記憶媒体を有し、少なくとも前記記憶手段は、前記情報処理装置から取り外すことができないことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
ネットワークを介して情報処理装置からアクセスされるサーバであって、
少なくとも前記情報処理装置に特有のパラメータを含む暗号化された情報を情報処理装置から受信する受信手段と、
前記受信手段が受信した前記情報を復号する復号手段と、
前記復号手段により復号された前記情報に含まれるパラメータと、前記サーバが記憶しているパラメータとを比較して前記情報処理装置を認証する認証手段と、
前記認証手段が認証に成功すると前記情報処理装置からのアクセスを受け付け、前記認証手段が認証に失敗すると前記情報処理装置からのアクセスを拒否するように制御する制御手段と、
を有することを特徴とするサーバ。
【請求項９】
前記情報は、更に前記サーバが提供するサービスを利用するためのＩＤ、及びパスワードを含むことを特徴とする請求項８に記載のサーバ。
【請求項１０】
前記受信手段は更にクライアント証明書を受信し、
前記制御手段は、前記受信手段が受信した前記クライアント証明書を検証し、その検証結果に基づいて前記情報処理装置からのアクセスを受付けるか、拒否するか判定することを特徴とする請求項８に記載のサーバ。
【請求項１１】
ネットワークを介してサーバにアクセスする情報処理装置を制御する制御方法であって、
前記情報処理装置に固有の情報を含む証明書の発行要求を認証局に送信する送信工程と、
前記発行要求に応じて前記認証局から送信される証明書を受信する受信工程と、
前記情報処理装置に固有の情報と前記証明書に含まれる前記固有の情報とを比較して、前記情報処理装置が前記サーバにアクセスできるかどうかを判定する判定工程と、
前記判定工程で前記サーバにアクセスできないと判定すると、前記サーバへの接続要求の発行を禁止する禁止工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１２】
ネットワークを介して情報処理装置からアクセスされるサーバを制御する制御方法であって、
少なくとも前記情報処理装置に特有のパラメータを含む暗号化された情報を情報処理装置から受信する受信工程と、
前記受信工程で受信した前記情報を復号する復号工程と、
前記復号工程で復号された前記情報に含まれるパラメータと、前記サーバが記憶しているパラメータとを比較して前記情報処理装置を認証する認証工程と、
前記認証工程で認証に成功すると前記情報処理装置からのアクセスを受け付け、前記認証工程で認証に失敗すると前記情報処理装置からのアクセスを拒否するように制御する制御工程と、
を有することを特徴とするサーバの制御方法。
【請求項１３】
コンピュータに、請求項１１又は１２に記載の制御方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを記憶した、コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る情報処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
ネットワークを介してサーバにアクセスする情報処理装置であって、
前記情報処理装置に固有の情報を含む証明書の発行要求を認証局に送信する送信手段と、
前記発行要求に応じて前記認証局から送信される証明書を受信する受信手段と、
前記情報処理装置に固有の情報と前記証明書に含まれる前記固有の情報とを比較して、前記情報処理装置が前記サーバにアクセスできるかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段が前記サーバにアクセスできないと判定すると、前記サーバへの接続要求の発行を禁止する禁止手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
接続部３０１は、ネットワークＩ／Ｆ制御部２０５を経由してネットワーク１０６上のサービスに接続する。受信部３０２は、ネットワークＩ／Ｆ制御部２０５を経由してネットワーク１０６のサービスからデータを受信する。送信部３０３は、ネットワークＩ／Ｆ制御部２０５を経由してネットワーク１０６のサービスにデータを送信する。認証部３０４は、ＦＲＡＭ２０６内のシリアル番号３１０と証明書３１１の持つシリアル番号の情報とを比較する。制御部３０５は、ＴＰＭ２１０やＦＲＡＭ２０６、ＨＤＤ２０４の情報を制御する。発行要求生成部３０６は、認証局１０３に対してクライアント証明書の発行要求を行うために必要な要求を生成する。鍵管理部３０７は、秘密鍵３０８と公開鍵３０９の鍵ペア生成、及び鍵を利用した暗号化、復号化を行う。これら接続部３０１、受信部３０２、送信部３０３、認証部３０４、制御部３０５、発行要求生成部３０６、鍵管理部３０７を実現するプログラムは、前述したようにＨＤＤ２０４からＲＡＭ２０３に展開され、ＣＰＵ２０１の制御の下に実行される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月4日(2016.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第１の層と、前記第１の層上の第２の電極と、を有し、
前記発光層は、燐光性化合物及び有機化合物を含み、かつ、前記燐光性化合物よりも前記有機化合物を多く含み、
前記第１の層は、前記有機化合物を含み、
飛行時間二次イオン質量分析計による分析では、前記発光層は、前記第１の層よりも、前記有機化合物の二次イオン強度が高い発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、前記第１の電極上の第１の層と、前記第１の層上の発光層と、前記発光層上の第２の層と、前記第２の層上の第２の電極と、を有し、
前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含み、かつ、前記第２の有機化合物を最も多く含み、
前記第１の層は、前記第１の有機化合物を含み、
前記第２の層は、前記第２の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物は、励起錯体を形成する組み合わせであり、
飛行時間二次イオン質量分析計による分析では、前記第１の層、前記発光層、及び前記第２の層のうち、前記第２の有機化合物の二次イオン強度が最も高い層は前記発光層であり、次に高い層は前記第２の層であり、最も低い層は前記第１の層である発光素子。
【請求項３】
第１の電極と、前記第１の電極上の第１の層と、前記第１の層上の発光層と、前記発光層上の第２の層と、前記第２の層上の第２の電極と、を有し、
前記発光層は、燐光性化合物と、正孔輸送性の第１の有機化合物と、電子輸送性の第２の有機化合物と、を含み、
前記第１の層は、前記第１の有機化合物を含み、
前記第２の層は、前記第２の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物は、励起錯体を形成する組み合わせであり、
飛行時間二次イオン質量分析計による分析では、前記第１の層、前記発光層、及び前記第２の層のうち、前記第２の有機化合物の二次イオン強度が最も高い層は前記発光層であり、次に高い層は前記第２の層であり、最も低い層は前記第１の層である発光素子。
【請求項４】
請求項２又は３において、
飛行時間二次イオン質量分析計による分析では、前記第１の層、前記発光層、及び前記第２の層のうち、前記第１の有機化合物の二次イオン強度が最も低い層は前記第２の層である発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面とを含む基板本体、前記基板本体の前記上面上に配置され、第１電極パターンと前記第１電極パターンと電気的に絶縁された第２電極パターンとを含む第１金属層、及び前記基板本体の前記下面下に配置された第２金属層、を含む基板と、
前記第１電極パターン上に配置された第１ＬＥＤチップと、
前記第１ＬＥＤチップ上に配置された第１蛍光体と、
前記第２電極パターン上に配置された第２ＬＥＤチップと、
前記第２ＬＥＤチップ上に配置された第２蛍光体と、
前記第１金属層上に配置され、前記第１ＬＥＤチップと前記第２ＬＥＤチップとを取り囲むダムと、
を含む、発光装置。
【請求項２】
前記ダム内部に配置され、前記第１ＬＥＤチップ、前記第２ＬＥＤチップ、前記第１蛍光体及び前記第２蛍光体を覆うエンキャップ層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ダム上に配置され、前記ＬＥＤチップと離隔されて配置された反射防止部をさらに含む、請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射防止部は、
反射防止用ガラスを含む、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記エンキャップ層は、
蛍光体を含む、請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１及び第２ＬＥＤチップは、
垂直型ＬＥＤチップ、水平型ＬＥＤチップ及びフリップ型チップのうちの少なくともいずれか一つである、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１電極パターンの上面に配置された金属層をさらに含み、
前記第１ＬＥＤチップは、前記金属層に配置される、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記金属層は、
Ａｕを含む、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１及び第２蛍光体は、
シリケート系列、サルファイド系列、ＹＡＧ系列、ＴＡＧ系列、Ｎｉｔｒｉｄｅ系列で構成されたグループから少なくとも一つを含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記ダムの高さは、
前記第１及び第２ＬＥＤチップの高さより高い、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体に固定された複数の電線と、
複数の発光ダイオードと、を備え、
前記複数の電線の各々は、芯線と前記芯線を被覆する絶縁部材とを有するとともに、前記絶縁部材から前記芯線が露出する複数の露出部を備え、
前記複数の発光ダイオードの各々は、前記複数の電線のうちの一組の電線が備える各露出部に対して、正負の電極がそれぞれ実装される、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の発光ダイオードはＬＥＤチップであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記基体は溝を有し、
前記複数の電線は前記溝に引っ掛けられている、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の電線は複数の屈曲している部分を有し、
前記複数の露出部は前記複数の屈曲している部分にそれぞれ位置する、
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の電線は複数の高い部分と複数の低い部分とを有し、
前記複数の露出部は前記複数の高い部分にそれぞれ位置する、
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
複数の貫通孔を有する基体と、
前記基体の裏面側に設けられた電線と、
複数の発光ダイオードと、
を備え、
前記基体の裏面側に設けられた電線は、その複数の箇所が、前記基体が有する複数の貫通孔において前記基体の表面側へ通じ、
前記複数の発光ダイオードは、前記基体の表面側へ通じている前記電線の各箇所にそれぞれ実装される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記電線は、アノード用の電線とカソード用の電線との一対からなり、
前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とは、前記複数の発光ダイオードが実装される各箇所が、前記基体の裏面側から前記貫通孔を通って前記基体の表面側に一旦突き出た後、再び貫通孔を通って前記基体の裏面側に戻るように曲げられており、
前記複数の発光ダイオードは、その正負の電極が、前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とにそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電線は、複数本からなり、
各電線は、一端と他端とが前記基体の裏面側から前記貫通孔を通って前記基体の表面側に突き出ており、
前記複数の発光ダイオードは、その正負の電極が、前記複数の電線のうちの一の電線の一端と他の電線の他端とにそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
前記基体の裏面側から前記貫通孔を通って前記基体の表面側に突き出た前記電線が前記基体の表面に向けて折り畳まれていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記電線は、アノード用の電線とカソード用の電線との一対からなり、
前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とは、前記基体の裏面側において前記貫通孔の開口面を横切り、
前記複数の発光ダイオードは、前記貫通孔内に設けられ、その正負の電極が、前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とにそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項６〜請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置において、さらに、発光ダイオード及び／又は保護素子が前記基体の裏面側の電線に実装されている、ことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
複数の貫通孔を有する基体を準備する工程と、
前記基体が有する複数の貫通孔において前記基体の表面側へ複数の箇所が通じるように前記基体の裏面側に電線を設ける工程と、
前記基体の表面側へ通じている前記電線の各箇所に複数の発光ダイオードをそれぞれ実装する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電線は、アノード用の電線とカソード用の電線との一対からなり、
前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とは、前記複数の発光ダイオードを実装される各箇所が、前記基体の裏面側から前記貫通孔を通って前記基体の表面側に一旦突き出た後、再び貫通孔を通って前記基体の裏面側に戻るように曲げられ、
前記複数の発光ダイオードは、前記基体の表面側に設けられ、その正負の電極が、前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とにそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記電線は、複数本からなり、
各電線は、一端と他端とが前記基体の裏面側から前記貫通孔を通って前記基体の表面側に突き出ており、
前記複数の発光ダイオードは、前記基体の表面側に設けられ、その正負の電極が、前記複数の電線のうちの一の電線の一端と他の電線の他端とにそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基体の裏面側から前記貫通孔を通って前記基体の表面側に突き出た前記電線を前記基体の表面に向けて折り畳む工程を有することを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記電線は、アノード用の電線とカソード用の電線との一対からなり、
前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とは、前記基体の裏面側において前記貫通孔の開口面を横切り、
前記複数の発光ダイオードは、前記貫通孔内に設けられ、その正負の電極が、前記アノード用の電線と前記カソード用の電線とにそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２〜請求項１６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法において、さらに、発光ダイオード及び／又は保護素子を前記基体の裏面側の電線に実装する工程を有する、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物層と接して設けられ、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物層と接して設けられ、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記酸化物層は、伝導帯下端のエネルギーが前記酸化物半導体層よりも０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層にチャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の側端部に接して設けられた、ソース電極およびドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は結晶質であり、
前記酸化物半導体層に含まれる結晶部のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層および前記酸化物層の各々は、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎを含む酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ及びＺｎを含む酸化物、Ｉｎ及びＧａを含む酸化物、またはＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
前記酸化物層の厚さは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記酸化物層の厚さは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記酸化物半導体層のシリコン濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の炭素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１の酸化物層、前記第１の酸化物層上の酸化物半導体層、および前記酸化物半導体層上の第２の酸化物層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、かつインジウムを含み、
前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の酸化物層、前記第１の酸化物層上の酸化物半導体層、および前記酸化物半導体層上の第２の酸化物層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、かつインジウムを含み、
前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の各々は、伝導帯下端のエネルギーが前記酸化物半導体層よりも０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は結晶質であり、
前記酸化物半導体層に含まれる結晶部のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層、前記第１の酸化物層、および前記第２の酸化物層の各々は、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎを含む酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の各々は、前記酸化物半導体層よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１３乃至請求項１７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の厚さは、ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の各々の厚さは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１３乃至請求項１８のいずれか一において、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の各々の厚さは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月7日(2016.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物層と接して設けられ、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物層と接して設けられ、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記酸化物層は、伝導帯下端のエネルギーが前記酸化物半導体層よりも０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層にチャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の側端部に接して設けられたソース電極およびドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物層は結晶質であり、
前記酸化物層に含まれる結晶部のｃ軸は、前記酸化物層の表面の法線ベクトルに平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層および前記酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さく、Ｉｎに対するＭの原子数比が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ酸化物またはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の厚さが３ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、前記酸化物層の厚さが３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記酸化物層の厚さが３ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記酸化物半導体層のシリコン濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の炭素濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１の酸化物層、第２の酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層と接して設けられ、
前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、かつインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層と対向して前記第２の酸化物層と接して設けられ、
前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の酸化物層、第２の酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記多層膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層と接して設けられ、
前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、かつインジウムを含み、
前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層と対向して前記第２の酸化物層と接して設けられ、
前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、かつインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層は、伝導帯下端のエネルギーが前記酸化物半導体層よりも０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１の酸化物層は結晶質であり、
前記第１の酸化物層に含まれる結晶部のｃ軸は、前記第１の酸化物層の表面の法線ベクトルに平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層、前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さく、Ｉｎに対するＭの原子数比が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１３乃至請求項１７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の厚さが３ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の厚さが３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１３乃至請求項１８のいずれか一において、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の厚さが３ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重仕事関数半導体デバイスを製造する方法であって、
第１導電型のトランジスタを形成するための第１所定エリアと、第１導電型とは異なる第２導電型のトランジスタを形成するための第２所定エリアとを含む基板を準備する工程と、
基板の上に、前記第１エリアの少なくとも一部を覆うように延び、および前記第２エリアの少なくとも一部を覆うように延びる誘電体層を形成する工程と、
第１仕事関数シフト元素を含む第１金属層／スタックを、前記第１所定エリアの前記誘電体層の上に形成する工程と、を含み、
前記第１金属層／スタックは、ＴｉＮ／Ｍｇ／ＴｉＮ、Ｍｇ／ＴｉＮ、ＴｉＮ／Ｌａ／ＴｉＮ、Ｌａ、Ｌａ２Ｏ３、またはマトリックス材料の元素とは異なる第１仕事関数シフト元素を含むマトリックス材料を含む層の１つであり、更に、
第２仕事関数シフト元素を含む第２金属層／スタックを、前記第１所定エリアの前記第１金属層／スタックの上、および前記第２所定エリアの前記誘電体層の上に直接形成する工程と、
第１仕事関数シフト元素および第２仕事関数シフト元素を誘電体層中に拡散させるためにアニールする工程と、
前記第１金属層／スタックおよび前記第２金属層／スタックを除去する工程と、
第３金属層／スタックを、前記第１所定エリアおよび前記第２所定エリアに形成する工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記第１金属層／スタックは、金属、金属化合物、または第１仕事関数シフト元素を含む誘電体から形成されたマトリックス材料から形成された請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記仕事関数シフト元素は、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｙ、およびＳｃからなるグループから選択される希土類金属である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マトリックス材料は、酸化物または窒化物である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記仕事関数シフト元素は、アルカリ土類金属である請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記仕事関数シフト元素は、ＭｇまたはＳｃである請求項５に記載の方法。
【請求項７】
二重仕事関数半導体デバイスを製造する方法であって、
第１導電型のトランジスタを形成するための第１所定エリアと、第１導電型とは異なる第２導電型のトランジスタを形成するための第２所定エリアとを含む基板を準備する工程と、
基板の上に、前記第１エリアの少なくとも一部を覆うように延び、および前記第２エリアの少なくとも一部を覆うように延びる誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上にエッチング停止層を形成する工程と、を含み、
前記エッチング停止層は、前記第１金属層／スタックおよび／または前記第２金属層／スタックをエッチングするためのエッチャントによって実質的にエッチングされないものであり、
前記エッチング停止層は、それを通過する第１仕事関数シフト元素および第２仕事関数シフト元素の拡散を許容するものであり、更に、
第１仕事関数シフト元素を含む第１金属層／スタックを、前記第１所定エリアの前記エッチング停止層の上に形成する工程と、
第２仕事関数シフト元素を含む第２金属層／スタックを、前記第１所定エリアの前記第１金属層／スタックの上、および前記第２所定エリアの前記エッチング停止層の上に形成する工程と、
第１仕事関数シフト元素および第２仕事関数シフト元素を誘電体層中に拡散させるためにアニールする工程と、
前記第１金属層／スタックおよび前記第２金属層／スタックを除去する工程と、
第３金属層／スタックを、前記第１所定エリアおよび前記第２所定エリアに形成する工程と、を含む方法。
【請求項８】
前記第２仕事関数シフト元素を含む前記第２金属層／スタックを堆積する前に、第１仕事関数シフト元素を前記誘電体層中に拡散させるための独立したアニール工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
アニール工程は、前記第２仕事関数シフト元素を、前記第１所定エリアの前記誘電体層中に拡散させない請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチング停止層は、ＴａＮ、Ｔａ、ＴａＯ、Ｔａ２Ｏ３およびＴｉＮの少なくとも１つを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記エッチング停止層は、ＴａＮ層、およびＴａＯ層およびＴａ２Ｏ３層のいずれかを含む二重層を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記エッチング停止層は、ＴｉＮ層、およびＴａＯ層およびＴａ２Ｏ３層のいずれかを含む二重層を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１金属層／スタックあるいは前記第２金属層／スタックは、ＴｉＮ／Ｍｇ／ＴｉＮ、Ｍｇ／ＴｉＮ、Ｌａ、Ｌａ２Ｏ３、およびＴｉＮ／Ｌａ／ＴｉＮの１つを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１金属層／スタックおよび前記第２金属層／スタックの少なくとも１つは、アルミニウムを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１金属層／スタックおよび前記第２金属層／スタックの少なくとも１つは、ＴｉＮ層で覆われた、またはＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮを含む三重層で覆われた、アルミニウム酸化物を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１金属層／スタックおよび前記第２金属層／スタックの少なくとも１つは、ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮを含む三重層で覆われたアルミニウム酸化物を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記エッチング停止層は、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有する請求項７に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板を準備する工程は、前記第１所定エリアを前記第２所定エリアから電気的に絶縁する絶縁エリアを準備する工程を含み、
この方法は、更に、
前記絶縁領域の上方の位置で、前記誘電体層の一部、前記エッチング停止層および前記第３金属層／スタックを除去する工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
前記誘電体層は、高誘電率（high-k）誘電体を含む請求項７に記載の方法。
【請求項２０】
前記高誘電率（high-k）誘電体は、ＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＮ、ＺｒＯ２、およびドープしたハフニウム酸化物の１つ含む請求項１９に記載の方法。