【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバにおける半導体基板を、Ｈ２Ｏ２を含有する雰囲気に露出するステップと、
前記基板を露出しながら、約３００Ｔｏｒｒ以下にて前記プロセスチャンバに圧力を提供するステップと
を含む、半導体処理のための方法。
【請求項２】
前記圧力が約１５０Ｔｏｒｒ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセスチャンバにおけるＨ２Ｏ２の滞留時間が約５分以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
流動可能な誘電体膜が前記基板上に堆積され、前記誘電体膜が、ケイ素、窒素、酸素および／または水素を含む膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記雰囲気が水素をさらに含み、前記半導体基板を露出するステップが、前記誘電体膜から窒素を取り除く、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセスチャンバの上流の液体としてＨ２Ｏ２を計量するステップと、
前記液体をエバポレータで蒸発させるステップと、
蒸発したＨ２Ｏ２を前記プロセスチャンバ内に流動させるステップと
をさらに含み、前記液体を蒸発させている間、前記エバポレータは１２０℃以下の温度に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記雰囲気はＨ２Ｏ２と異なる１種以上の追加の酸化種をさらに含み、前記追加の酸化種はオゾン、酸素、およびＨ２Ｏからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プロセスチャンバ内の圧力を硬化圧力に減少させるために前記プロセスチャンバを排気するステップであって、前記プロセスチャンバは、前記半導体基板の露出を開始する前に５０Ｔｏｒｒ未満に排気されない、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体基板を前記プロセスチャンバにロードしている間、および／または前記半導体基板を加熱している間、前記半導体基板をＯ２に露出するステップをさらに含み、前記半導体基板のロードが比較的低いプロセスチャンバ温度で実施され、前記プロセスチャンバ温度は前記半導体基板の露出を開始した後に増加する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体基板を露出している間、前記プロセスチャンバに酸化ガスを循環的に交互に提供するステップをさらに含み、
前記酸化ガスを循環的に交互に提供するステップは複数のサイクルを実施することを含み、各サイクルは、前記半導体基板を、過酸化水素を含む第１の酸化ガスならびに蒸気、オゾン、および酸素からなる群から選択される１種以上のガスを含む第２の酸化ガスに連続して露出することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
プロセスチャンバに半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板をＨ２Ｏ２雰囲気に露出するために前記プロセスチャンバ内にＨ２Ｏ２種を流動させるステップと、
前記プロセスチャンバからガスを排気するステップであって、流量、チャンバ圧力、およびチャンバ温度の条件は、前記プロセスチャンバ内のＨ２Ｏ２種の平均滞留時間が約５分未満になるように設定される、ステップと
を含む、半導体処理のための方法。
【請求項１２】
前記流量、チャンバ圧力およびチャンバ温度の条件は、反応チャンバ内のＨ２Ｏ２種の平均滞留時間が約２分未満になるように設定される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
Ｈ２Ｏ２種を前記プロセスチャンバ内に流動させる前に、半導体基板上に誘電材料を堆積させるステップであって、前記半導体基板をＨ２Ｏ２雰囲気に露出することにより、前記誘電材料を硬化させる、ステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
Ｈ２Ｏ２種を流動させている間、前記プロセスチャンバの圧力を硬化圧力に減少させるステップであって、Ｈ２Ｏ２種を流動させる前に、前記半導体基板を、硬化圧力を超える圧力のみに露出する、ステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体基板を提供するステップが、前記半導体基板を前記プロセスチャンバ内にロードすることを含み、
前記半導体基板をロードしている間、前記プロセスチャンバに酸化ガスを流動させるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記プロセスチャンバが、２０以上の基板を収容するように構成されるバッチプロセスチャンバである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
続いて前記半導体基板をアニールするステップをさらに含み、
前記基板をアニールした後、前記半導体基板をＨ２Ｏ２雰囲気に露出するために前記プロセスチャンバ内にＨ２Ｏ２種を流動させるステップと、
前記プロセスチャンバからガスを排気するステップと
をさらに含み、前記プロセスチャンバにおけるＨ２Ｏ２種の平均滞留時間が約５分未満であり、前記半導体基板をアニールするステップは不活性ガス雰囲気で実施され、前記プロセスチャンバ内にＨ２Ｏ２種を流動させるステップは３００℃以下で実施され、前記半導体基板をアニールするステップは４００〜８００℃で実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
半導体基板上で半導体デバイスを製造する方法であって、
低酸素含有膜を形成させるために、酸素を加えずに、炭素を含まないケイ素源および遠隔ＮＨ３プラズマを使用して基板上に流動可能な誘電体膜を堆積させるステップと、
前記低酸素含有膜を有する基板をプロセスチャンバにロードするステップと、
前記低酸素含有膜を硬化するために前記基板を過酸化水素に露出するステップと
を含む、方法。
【請求項１９】
前記基板を過酸化水素に露出するステップが、前記基板のロードを完了してから約２５分以内に実施される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記炭素を含まないケイ素源がシリル−アミンまたはアミノ−シランである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記プロセスチャンバに前記基板をロードしている間、酸素を前記プロセスチャンバに流動させるステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板を過酸化水素に露出するステップが、前記プロセスチャンバ内で硬化圧力にて実施され、前記基板を露出するまで硬化圧力以上にプロセスチャンバ圧力を維持しながら、前記基板をロードした後、前記プロセスチャンバを排気するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記プロセスチャンバにおける過酸化水素種の滞留時間が約５分以下である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記基板を過酸化水素に露出するステップが、前記基板を過酸化水素に露出する前に、前記基板を他の硬化に露出せずに実施される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
高温壁と、ウェーハボートにおいて複数の半導体基板を収容するように構成されるバッチプロセスチャンバとを備える垂直炉を含む、半導体処理システムであって、前記半導体処理システムは、
プロセスチャンバにおける半導体基板を、Ｈ２Ｏ２を含有する雰囲気に露出し、
前記基板を、Ｈ２Ｏ２を含有する雰囲気に露出しながら、約３００Ｔｏｒｒ以下にプロセスチャンバ圧力を維持する
ように構成される、システム。
【請求項２６】
前記半導体処理システムは、前記基板を、Ｈ２Ｏ２を含有する雰囲気に露出しながら、約１５０Ｔｏｒｒ以下に前記プロセスチャンバ圧力を維持するように構成される、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記半導体処理システムは、前記半導体基板をロードした後、前記プロセスチャンバ内の圧力を硬化圧力に減少させるように構成され、前記プロセスチャンバは、前記半導体基板の、Ｈ２Ｏ２を含有する雰囲気への露出を開始する前に５０Ｔｏｒｒ未満に排気されない、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記半導体処理システムは、前記半導体基板を前記プロセスチャンバにロードしている間、および／または前記半導体基板を加熱している間、前記半導体基板をＯ２に露出するように構成され、前記半導体処理システムは、前記半導体基板をロードしている間、比較的低いプロセスチャンバ温度を維持し、前記半導体基板の露出を開始した後に前記プロセスチャンバ温度を増加させるように構成される、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２９】
前記半導体処理システムは、前記半導体基板を露出している間、前記プロセスチャンバに酸化ガスを循環的に交互に提供するように構成され、
前記酸化ガスを循環的に交互に提供することは複数のサイクルを実施することを含み、各サイクルは、
前記半導体基板を、過酸化水素を含む第１の酸化ガスならびに蒸気、オゾン、および酸素からなる群から選択される１種以上のガスを含む第２の酸化ガスに連続して露出することを含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３０】
Ｈ２Ｏ２種の流量、チャンバ圧力、およびチャンバ温度の条件は、前記プロセスチャンバ内のＨ２Ｏ２種の平均滞留時間が約５分未満になるように設定される、請求項２５に記載のシステム。