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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月20日(2016.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のワイドギャップ半導体層表層に形成された、第２導電型の第１ベース層と、
前記第１ベース層表層に形成された、第１導電型の第１ソース層と、
前記第１ソース層と前記ワイドギャップ半導体層とに挟まれた前記第１ベース層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜、前記第１ベース層および前記第１ソース層を覆って形成された第１ソース電極と、
前記ワイドギャップ半導体層下に形成されたドレイン電極とを備える縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴと、
前記ワイドギャップ半導体層表層に、前記第１ベース層と同一工程で形成された第２ベース層と、
前記第２ベース層上に形成されたフィールド絶縁膜と、
前記第２ベース層表層において前記フィールド絶縁膜を挟んで、前記第１ソース層と同一工程で形成された第２ソース層と、
少なくとも前記フィールド絶縁膜上に形成された、前記第１ゲート電極と同一層である第２ゲート電極と、
一方の前記第２ソース層上に形成され、前記第２ゲート電極と電気的に接続された第３ゲート電極と、
他方の前記第２ソース層上に形成された第２ソース電極とを備える横型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴとを備えることを特徴とする、
ワイドギャップ半導体装置。
【請求項２】
前記第２ソース電極が、前記第１ソース電極と同一層であることを特徴とする、
請求項１に記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項３】
前記第２ソース電極が、前記縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴを囲んで形成された終端領域のグラウンド配線であることを特徴とする、
請求項１に記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項４】
前記横型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴにおける、前記第２ゲート電極と前記第２ソース電極との間の閾値電圧を２５Ｖ以上とすることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項５】
前記フィールド絶縁膜が、前記縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴを囲む周辺領域の形成工程において形成されたものであることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項６】
前記縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴが、電流センスＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする、
請求項１〜５のいずれかに記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項７】
前記横型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴが、前記縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴのゲートパッド領域内に配置されていることを特徴とする、
請求項１〜６のいずれかに記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項８】
前記横型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴが、前記縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴの電流センスパッド領域内に配置されていることを特徴とする、
請求項６に記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項９】
前記第２ベース層表層に形成された凹部をさらに備え、
前記第２ソース層が、前記凹部内に形成されていることを特徴とする、
請求項１〜８のいずれかに記載のワイドギャップ半導体装置。
【請求項１０】
前記ワイドギャップ半導体が、ＳｉＣまたはＧａＮであることを特徴とする、
請求項１〜９のいずれかに記載のワイドギャップ半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様に関するワイドギャップ半導体装置は、第１導電型のワイドギャップ半導体層表層に形成された、第２導電型の第１ベース層と、前記第１ベース層表層に形成された、第１導電型の第１ソース層と、前記第１ソース層と前記ワイドギャップ半導体層とに挟まれた前記第１ベース層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極と、前記第１ゲート電極を覆って形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜、前記第１ベース層および前記第１ソース層を覆って形成された第１ソース電極と、前記ワイドギャップ半導体層下に形成されたドレイン電極とを備える縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴと、前記ワイドギャップ半導体層表層に、前記第１ベース層と同一工程で形成された第２ベース層と、前記第２ベース層上に形成されたフィールド絶縁膜と、前記第２ベース層表層において前記フィールド絶縁膜を挟んで、前記第１ソース層と同一工程で形成された第２ソース層と、少なくとも前記フィールド絶縁膜上に形成された、前記第１ゲート電極と同一層である第２ゲート電極と、一方の前記第２ソース層上に形成され、前記第２ゲート電極と電気的に接続された第３ゲート電極と、他方の前記第２ソース層上に形成された第２ソース電極とを備える横型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴとを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本実施形態によれば、ワイドギャップ半導体装置が、縦型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴと、横型ワイドギャップ半導体ＭＯＳＦＥＴとを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
＜効果＞
本実施形態によれば、第２ソース電極が、第１ソース電極と同一層である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このような構成によれば、内蔵横型ｎチャネルＭＯＳＦＥＴのソース電極をＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴのソース電極に接続することで、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴの終端接合領域のグラウンド（ＧＮＤ）配線が不要となり、チップの無効領域の増加を抑えることができる。そのため、チップコストを増加させることなく、横型ｎチャネルＭＯＳＦＥＴを内蔵させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
＜効果＞
本実施形態によれば、ワイドギャップ半導体装置が、ｐベース層３Ａ（第２ベース層）表層に形成された凹部２０を備える。そしてｎ＋ソース層４Ａが、凹部２０内に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と開口部と凹部と電極を含む発光装置であって、
前記発光層は、第一半導体層と第二半導体層および前記第一半導体層と前記第二半導体層の間に形成される発光層を有し、前記第一半導体層は、第一表面と前記第一表面に連結する第一部分と前記第一部分に連結する第二部分を含み、
前記開口部は、第一表面から前記第一半導体層の前記第一部分を突き抜き、
前記凹部は、前記開口部に連結し、前記第二半導体層、前記発光層と前記第一半導体層の前記第二部分を突き抜き、且つその底部が前記第一半導体層の第二表面を露出するよう前記開口部より広い幅を有し、前記第二表面は前記第一表面の反対側にあり、
前記電極は、前記凹部に配置され、前記開口部と対応する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記凹部に充填され前記電極を覆う絶縁構造をさらに有する請求項1に記載の発光装置。
【請求項３】
前記電極は、前記開口部の幅より広い幅を有し、且つ前記第二表面に連結する請求項2に記載の発光装置。
【請求項４】
前記開口部内に配置され、前記電極と連結するワイヤボンディング用電極をさらに有する請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記絶縁構造は、前記電極、前記発光層および前記第二半導体層を隔離する請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第二半導体層と電気的に接続する導電層と前記第二半導体層を覆うバリア層とを備える導電構造をさらに有する請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記絶縁構造は前記第二半導体層の下に形成され、絶縁層を貫通し且つ前記第二半導体層に接続する複数の導電通路を有する請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記導電構造と前記絶縁構造の下に形成される金属反射層と、前記金属反射層の下に形成される導電接合層と、前記導電接合層の下に形成される導電性基板とを有する請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
前記電極は、ワイヤボンディング用電極と前記ワイヤボンディング用電極から延伸する延伸電極を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第一半導体層の前記第一表面には、前記発光層から発した光を遮光する構造を有さない請求項１に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部露出面、及び前記外部露出面に設けられたパッド形成部を備えた、最外層となる絶縁層と、
前記外部露出面よりも突起するパッドと、を有し、
前記パッド形成部は、
前記外部露出面よりも窪んだ凹部と、
平面視において前記凹部を囲むように設けられ、前記外部露出面から突起する堰部と、を備え、
前記パッドは、前記凹部及び前記堰部の内側に形成され、一方の端部が前記堰部から突起するパッド本体と、
前記パッド本体の一方の端部から側方に張り出し、前記堰部上に形成された庇部と、を備え、
前記パッド本体の一方の端部は平坦面を有する配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層と前記堰部とは、同一の絶縁性樹脂で一体に形成されている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記凹部の断面形状は、前記外部露出面側より底面側の方が幅が狭いテーパ形状である請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記パッドの前記凹部及び前記堰部と接する面は、粗化面とされている請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記パッド本体の前記凹部の底面に形成された部分に、ビア配線が接続されており、
前記ビア配線の断面形状は、前記絶縁層の前記外部露出面側より前記外部露出面とは反対面側の方が幅が広いテーパ形状である請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記外部露出面は、粗化面とされている請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ。
【請求項８】
支持体の上面に第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上面に開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、
前記開口部を介して前記第１金属層の一部を前記支持体に対して選択的に除去し、平面形状が前記開口部の外周側に拡大された凹部を形成し、前記凹部の底面に前記支持体の上面を露出させる工程と、
前記凹部の底部に露出する前記支持体の上面と前記凹部の内壁面とを覆う第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層上から前記開口部内に延在するパッドを形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記第１金属層の上面に前記パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記支持体を、前記第１金属層及び前記第２金属層に対して選択的に除去する工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を、前記パッドに対して選択的に除去する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト層を除去する工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記パッドの前記第１金属層及び前記第２金属層から露出する面を粗化する工程を有する請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１金属層の上面は粗化面とされている請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本配線基板は、外部露出面、及び前記外部露出面に設けられたパッド形成部を備えた、最外層となる絶縁層と、前記外部露出面よりも突起するパッドと、を有し、前記パッド形成部は、前記外部露出面よりも窪んだ凹部と、平面視において前記凹部を囲むように設けられ、前記外部露出面から突起する堰部と、を備え、前記パッドは、前記凹部及び前記堰部の内側に形成され、一方の端部が前記堰部から突起するパッド本体と、前記パッド本体の一方の端部から側方に張り出し、前記堰部上に形成された庇部と、を備え、前記パッド本体の一方の端部は平坦面を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の集積回路チップと冷却用チップとを積層した集積回路装置であって、
第１の集積回路チップの第１の面に接する同一平面上に、前記冷却用チップと第２の集積回路チップを配置して、前記第１の集積回路チップの前記第１の面に、前記冷却用チップと前記第２の集積回路チップとを積層したことを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
前記第２の集積回路チップを、前記第１の集積回路チップの前記第１の面上において前記冷却用チップに隣接するように配置し、
前記冷却用チップにおける前記第１の集積回路チップの側とは反対側の面上に第３の集積回路チップを配置したことを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記第１の集積回路チップ、前記第３の集積回路チップ、前記第２の集積回路チップの順で発熱量が小さくなることを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記第１の集積回路チップの前記第１の面のうち、前記第１の集積回路チップにおける発熱量が相対的に大きい領域に前記冷却用チップを配置し、発熱量が相対的に小さい領域に前記第２の集積回路チップを配置したことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記冷却用チップと前記第３の集積回路チップとを面接触するように配置し、
前記第１の集積回路チップと前記第３の集積回路チップとを、前記冷却用チップの内部に形成された貫通電極を介して電気的に接続したことを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項６】
前記第１の集積回路チップと前記第３の集積回路チップとを接続する端子位置を夫々のチップの外周側に配置し、
前記冷却用チップを前記第２の集積回路チップを囲うように配置したことを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項７】
前記第１の集積回路チップと前記第３の集積回路チップとを接続する接続チップを、前記第１の集積回路チップの前記第１の面に接する同一平面上における外周側に配置し、前記第１の集積回路チップの前記第１の面に、前記接続チップを積層したことを特徴とする請求項６に記載の集積回路装置。
【請求項８】
前記第１の集積回路チップは画像処理回路を有し、前記第２の集積回路チップはフラッシュメモリを有し、前記第３の集積回路チップはＤＲＡＭを有することを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明にかかる集積回路装置は、複数の集積回路チップと冷却用チップとを積層した集積回路装置であって、第１の集積回路チップの第１の面に接する同一平面上に、前記冷却用チップと第２の集積回路チップを配置して、前記第１の集積回路チップの前記第１の面に、前記冷却用チップと前記第２の集積回路チップとを積層したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る撮像素子の概略構成を表す断面図である。
【図２Ａ】図１に示した無機光電変換部の一構成例を表す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示した無機光電変換部の断面とは異なる断面を表す図である。
【図３】図１に示した緑用蓄電層の構成について説明するための断面図である。
【図４】図１に示した紫外線吸収膜の吸収特性の一例を表す図である。
【図５】図１に示した有機光電変換部の端部を表す断面図である。
【図６Ａ】図１に示した撮像素子の製造工程の一例を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０Ａ】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１に示した撮像素子の動作について説明するための断面図である。
【図１２】図１に示した撮像素子の動作について説明するための模式図である。
【図１３Ａ】比較例に係る撮像素子の製造工程を表す断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１４】変形例１に係る撮像素子の構成を表す断面図である。
【図１５】変形例２に係る撮像素子の構成を表す断面図である。
【図１６】変形例３に係る撮像素子の構成を表す断面図である。
【図１７】本技術の第２の実施の形態に係る撮像素子の構成を表す断面図である。
【図１８】図１に示した撮像素子を用いた撮像装置の全体構成を表す模式図である。
【図１９】図１８に示した撮像装置を適用した電子機器の概略構成を表す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
１…撮像装置、１０，１０Ａ，６０…撮像素子、１１…半導体基板、１１Ｇ，１１ＢＡ，１１ＲＡ…有機光電変換部、１１Ｂ，１１Ｒ…無機光電変換部、１２…層間絶縁層、１３ａ，１３ｂ…配線、１４，１４Ｒ，１４Ｂ…下部電極、１５，１５Ｒ，１５Ｂ…画素間絶縁膜、１６…有機光電変換層、１６Ｐ…Ｐ型半導体、１６Ｎ…Ｎ型半導体、１６ＰＮ…共蒸着層、１７，１７Ｒ，１７Ｂ…上部電極、１８，１８Ｒ，１８Ｂ…紫外線吸収膜、６８…紫外線反射膜、１９…保護膜、２０…平坦化層、２１…オンチップレンズ、５１…多層配線層、５３…支持基板、１１０…シリコン層、１１０Ｇ，１１０Ｇ１，１１０Ｇ２…緑用蓄電層、１２０ａ１，１２０ａ２…導電性プラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
一方が非同期型の場合は、クロック発生回路１０Ｂとクロック発生回路４０とが略同じ発振周波数であったとしても、若干の誤差により、一方の基本クロックの周波数が他方の基本クロックの周波数に比べて若干進むか又は遅れることになる。
例えば、一方が１％進む場合は、基本クロックの１００クロックにつき１クロックずつ進むことになり、基本クロックの１００クロックに１回だけ周期的に変化開始タイミング（立上り）の同調が発生する。それに伴って、ピーク成分の合成による高周波ノイズが周期的に発生することになる。
実施例２では、クロックモニタ部３０がクロック発生回路４０の低速クロックＣＬＫ−ＡＳを監視しておき、複数種類の低速クロックの変化開始タイミングの同調が発生する前に、分周カウンタ２０ａの分周比を変更（増分又は減分）することにより、同調によるピーク成分の合成を回避するものである。
このクロックモニタ生成部３０は、概説すれば、通常使用時におけるＥＭＩ状態を確認して問題となる周波数を検出すること、周波数から問題となる動作ブロックを決定すること、該当ブロックの分周カウンタの設定値を変更すること、変更後1回のみ分周カウンタの分周比を変更することの４つの機能を行っている。
次に、クロックモニタ部３０の具体的な構成を説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図９および図１０は、実施例２におけるケース２の場合（低速クロックＣＬＫ−ＡＳが低速クロックＣＬＫ−Ｓよりも１％進んだ、ＣＬＫ−ＡＳ=２×（ＣＬＫ−Ｓ）×９９％の場合）の動作を説明するためのタイミングチャートであり、特に図９はｕｐ制御に至る前の状態のタイミングチャートを示し、図１０はｕｐ制御の状態のタイミングチャートを示す。次に、図９を参照して、ケース２（ｕｐ制御）の場合の具体的な動作を説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
クロック発生回路１０Ｃは、基本クロック発生回路１１と、２種類（又は２系統）の高速クロックＣＬＫ−Ｈ１，ＣＬＫ−Ｈ２を発生するための高速クロック発生回路５０と、低速クロック発生回路の一例の分周回路４とを含む。基本クロック発生回路１１は図１と同様のものであり、分周回路４は図１５と同様のものが用いられる。
高速クロック発生回路５０は、基本クロック発生回路２から供給される基本クロックＭＡＩＮ−ＣＬＫに基づいて、２種類の高速クロックＣＬＫ−Ｈ１，ＣＬＫ−Ｈ２を発生して、回路ブロック５Ａ，５Ｂにそれぞれ供給する。すなわち、高速クロック発生回路５０は、回路ブロック５Ａに高速クロックＣＬＫ−Ｈ１を供給するための設定値レジスタ５１ａ，制御イネーブル生成部５２ａ，制御部５３ａおよびＡＮＤゲート５４ａを含む第１の回路系と、回路ブロック５Ｂに高速クロックＣＬＫ−Ｈ２を供給するための設定値レジスタ５１ｂ，制御イネーブル生成部５２ｂ，制御部５３ｂおよびＡＮＤゲート５４ｂを含む第２の回路系とからなる。
第１の回路系の制御イネーブル生成部５２ａ，制御部５３ａと、第２の回路系の制御イネーブル生成部５２ｂ，制御部５３ｂとは、回路ブロック５Ａ，５Ｂの動作単位となる８クロック又は１６クロックの高速クロックの固まりのうち、１つ目のクロックの動作開始タイミングが重ならないように、一方の高速クロック（例えばＣＬＫ−Ｈ１）の単位で所定数だけずらせて（又は飛ばして）発生するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（付記４）
同調状態検出手段（３０）は、
第１の低速クロック信号の変化開始時を検出する第１のエッジ検出部（３１ａ）と、
第２の低速クロック信号の変化開始時を検出する第２のエッジ検出部（３１ｂ）と、
第１のエッジ検出部によって検出された第１の低速クロック信号のエッジと第２のエッジ検出部によって検出された第２の低速クロック信号のエッジとの差分が所定範囲内になったことを検出する差分検出手段（３２，３３，３４ａ，３４ｂ）とを含み、
周期変更手段は、差分検出手段の出力に応答して、第１のクロック発生手段に作用して、第１の低速クロック信号の周期を基本クロックの所定数に相当する期間だけずらせるように変更する、付記３に記載のＥＭＩ対策回路。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上位装置と複数の電力監視機器からなり、前記上位装置と前記電力監視機器の間をマルチドロップ通信方式と１対Ｎ通信方式が混在する方式で通信する監視システムであって、
前記上位装置が前記電力監視機器のアドレス未設定の有無を確認し、個別アドレス未設定の電力監視機器に対し個別アドレスを設定することを特徴とする監視システム。
【請求項２】
上位装置と複数の電力監視機器からなり、前記上位装置と前記電力監視機器の間をマルチドップ通信方式と１対Ｎ通信方式が混在する方式で通信する監視システムであって、
前記上位装置が、前記１対Ｎ通信方式で接続された電力監視機器のアドレス未設定の有無を確認し、該アドレス未設定の電力監視機器に個別ＩＰアドレスと個別アドレスを設定し、
前記マルチドロップ通信方式で接続された電力監視機器のアドレス未設定の有無を確認し、該アドレス未設定の電力監視機器に個別アドレスを設定することにより、個別アドレス未設定の電力監視機器に対し個別アドレスを設定することを特徴とする監視システム。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の監視システムにおいて、
前記１対Ｎ通信方式は、ＬＡＮネット―ワークを介した通信方式であり、
前記マルチドロップ通信方式は、前記ＬＡＮネット―ワークに繋がるＬＡＮ変換器で変換されたシリアル通信上で実行されることを特徴とする監視システム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の監視システムにおいて、
前記上位装置は、前記設定した個別アドレスと対応する電力監視機器との対応リストを作成し管理することを特徴とする監視システム。
【請求項５】
上位装置と複数の電力監視機器の間をマルチドロップ通信方式と１対Ｎ通信方式が混在する方式で通信する監視システムにおける電力監視機器の個別アドレス設定方法であって、
前記１対Ｎ通信方式で接続された電力監視機器に個別アドレス未設定の確認要求コマンドを送信するステップと、
個別アドレス未設定の返信コマンドを受信した場合、受信したアドレス未設定の電力監視機器に個別ＩＰアドレスと個別アドレスの設定要求コマンドを送信するステップと、
前記マルチドロップ通信方式で接続された電力監視機器に個別アドレス未設定の確認要求コマンドを送信するステップと、
個別アドレス未設定の返信コマンドを受信した場合、受信したアドレス未設定の電力監視機器に個別アドレスの設定要求コマンドを送信するステップと、
を有することを特徴とする電力監視機器の個別アドレス設定方法。
【請求項６】
上位装置と複数の電力監視機器からなる監視システムに用いられる電力監視機器であって、
個別アドレスが設定されていない状態で、前記上位装置から個別アドレス未設定の確認要求コマンドがあった場合、ＭＡＣアドレスを付加して上位装置へ返信コマンドを送付することを特徴とする電力監視機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明の撮像装置にあっては、動画撮影に際して動画像を記録する間に、被写体の所定の動作であって、時間的に連続する一連の動作を検出する検出手段と、前記検出手段による前記動作の検出に応じて所定の撮影制御を行う撮影制御手段と、前記動画像に対し、前記検出手段により前記動作が検出されている検出期間を含む特定期間を対象として編集処理を行う編集手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画撮影に際して動画像を記録する間に、被写体の所定の動作であって、時間的に連続する一連の動作を検出する検出手段と、
前記検出手段による前記動作の検出に応じて所定の撮影制御を行う撮影制御手段と、
前記動画像に対し、前記検出手段により前記動作が検出されている検出期間を含む特定期間を対象として編集処理を行う編集手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記編集手段は、前記動画像に対し、前記動作が検出されている検出期間に、前記検出期間の直前の直前期間、又は前記検出期間の直後の直後期間の少なくともいずれかを加えた期間を前記特定期間として編集処理を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記被写体が前記動作に先行する準備動作を開始したと判断できる準備開始時点、又は前記被写体が前記動作の完了後に前記準備動作の開始直前の状態に復帰したと判断できる復帰時点の少なくともいずれかをさらに検出し、
前記編集手段は、前記準備開始時点から、前記検出手段により検出された前記動作の開始時点までの期間を前記直前期間とし、かつ前記動作の完了時点から、前記検出手段により検出された前記復帰時点までの期間を前記直後期間として、前記動画像に対し、前記動作が検出されている検出期間に、前記直前期間又は前記直後期間の少なくともいずれかを加えた期間を前記特定期間として編集処理を行う
ことを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記直前期間及び前記直後期間は、それぞれが予め決められている時間であることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項５】
前記編集手段による編集処理は、前記動画像からの、前記特定期間の削除であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記編集手段による編集処理は、前記特定期間に対するエフェクト処理であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮影制御手段による撮影制御は、動画撮影の終了、動画撮影の一時停止、及び撮影条件の変更のうち少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記被写体の所定の動作には、前記検出手段による前記動作の検出に応じた前記撮影制御手段による撮影処理を禁止する状態への移行、又は撮影処理を禁止する状態から許可する状態への移行のうちの少なくともいずれかを示す動作が含まれることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
動画撮影に際して動画像を記録する間に、被写体の所定の動作であって、時間的に連続する一連の動作を検出する検出処理と、
前記検出処理による前記動作の検出に応じて所定の撮影制御を行う撮影制御処理と、
前記動画像に対し、前記検出処理により前記動作が検出されている検出期間を含む特定期間を対象として編集処理を行う編集処理と
を含むことを特徴とする動画撮影方法。
【請求項１０】
撮像装置が有するコンピュータに、
動画撮影に際して動画像を記録する間に、被写体の所定の動作であって、時間的に連続する一連の動作を検出する検出機能と、
前記検出機能による前記動作の検出に応じて所定の撮影制御を行う撮影制御機能と、
前記動画像に対し、前記検出機能により前記動作が検出されている検出期間を含む特定期間を対象として編集処理を行う編集機能と
を実現させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記出力部は、前記重畳部からの出力信号を映像として表示する表示部と、前記重畳部からの出力信号を音声として出力する音声出力部とを備え、
前記制御部は、前記映像信号による映像を前記表示部に表示中に、前記健康機器から前記健康情報を受信したとき、前記音声信号による音声に前記健康情報受信メッセージを重畳して前記音声出力部に出力させる、請求項１記載のテレビジョン受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系を構成する補正部材の駆動により像振れを補正する撮像装置であって、
前記撮像光学系により結像される光学像を画像信号に光電変換する撮像素子と、
前記撮像光学系の状態を検出して検出情報を出力する検出手段と、
前記検出手段の検出情報を取得して、前記補正部材の駆動を制御する駆動制御手段と、
前記撮像素子により撮像される画像の歪曲を、前記補正部材の駆動により変化する第１の歪み成分に対する第１補正値と、前記補正部材の駆動により変化しない第２の歪み成分に対する第２補正値を算出する算出手段と、
前記撮像素子から画像信号を取得するとともに、前記算出手段から取得した前記第１補正値および第２補正値を用いて画像の幾何変形処理を行う画像処理手段とを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記駆動制御手段は、前記補正部材を、前記撮像光学系の光軸に対し、偏心または傾動または前後進を含んで３次元的に駆動させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記撮像光学系の光軸に対して垂直な方向の軸に対する前記補正部材の角度をパラメータとして前記第１補正値を算出することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記算出手段は、前記撮像装置の撮影条件をパラメータとして前記第２補正値を算出することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記画像処理手段は、前記補正部材による像振れ補正効果を除去する処理を行ってから前記像歪補正を行い、さらに前記像振れ補正効果を復元する処理を行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記算出手段は、前記検出手段の検出情報を取得して、前記撮像装置と被写体との相対位置関係の変化により引き起こされる像の変化に対する第３補正値を算出し、
前記画像処理手段は、前記補正部材による像振れ補正効果を除去する処理を行ってから像歪補正を行い、前記算出手段から取得した前記第３補正値を用いて前記像の変化を補正し、さらに前記像振れ補正効果を復元する処理を行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記画像処理手段は、非点対称の前記第１の歪み成分に対して射影変換による幾何変形を行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記画像処理手段は、前記第２の歪み成分について、基準中心座標に対称な歪曲を補正することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記射影変換による幾何変形は、並進、あおり、または水平方向および垂直方向における等方的な拡大縮小もしくは非等方的な拡大縮小を含むことを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記駆動制御手段は、前記補正部材の偏心量、光軸方向の位置、姿勢情報、または補正角の情報を検出して検出情報を前記算出手段に出力し、
前記算出手段は、前記検出情報を取得して、前記補正部材の偏心または傾動または前後進により生じる画像変化を射影変形と対応付けることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記画像処理手段は、射影変形、歪曲補正の順に処理を行うことを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記算出手段は、前記撮像素子により撮像される画像の歪曲を、前記第１の歪み成分と前記第２の歪み成分に分解し、前記第１補正値と前記第２補正値を算出することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記検出手段は、前記撮像光学系の姿勢変化及び位置変化の少なくとも一方を検出して前記検出情報を出力することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
撮像光学系を構成する補正部材の駆動により像振れを補正する撮像装置にて実行される制御方法であって、
前記撮像光学系により結像される光学像を撮像素子で画像信号に光電変換するステップと、
検出手段により前記撮像光学系の状態を検出する検出ステップと、
前記検出ステップでの検出情報を取得して、前記補正部材の駆動を制御する駆動制御ステップと、
前記補正部材の駆動により変化する第１の歪み成分に対する第１補正値と、前記補正部材の駆動により変化しない第２の歪み成分に対する第２補正値を算出する算出ステップと、
前記撮像素子から画像信号を取得するとともに、前記算出ステップで算出した前記第１補正値および第２補正値を用いて画像の幾何変形処理を行う画像処理ステップを備えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る装置は、撮像光学系を構成する補正部材の駆動により像振れを補正する撮像装置であって、前記撮像光学系により結像される光学像を画像信号に光電変換する撮像素子と、前記撮像光学系の状態を検出して検出情報を出力する検出手段と、前記検出手段の検出情報を取得して、前記補正部材の駆動を制御する駆動制御手段と、前記補正部材の駆動により変化する第１の歪み成分に対する第１補正値と、前記補正部材の駆動により変化しない第２の歪み成分に対する第２補正値を算出する算出手段と、前記撮像素子から画像信号を取得するとともに、前記算出手段から取得した前記第１補正値および第２補正値を用いて画像の幾何変形処理を行う画像処理手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーカス位置を変えて画像情報を取得する撮像素子と、
前記フォーカス位置を制御する制御部と、
前記画像情報に対して画像処理を行う画像処理部と、
前記画像情報を記憶する画像記憶部と、を備える撮像装置であって、
前記画像処理部は、前記撮像素子で取得された複数の画像情報から、被写界深度を調整した画像を生成する処理を行う被写界深度調整部を有し、
前記複数の画像情報は、画像情報取得時に前記制御部で設定したフォーカス位置の被写体を被写界深度に含む第一画像情報と、前記第一画像情報とは異なるフォーカス位置で撮影された第二画像情報とを含み、
前記画像記憶部は、前記被写界深度を調整した画像情報と前記第一画像情報を記憶し、前記第二画像情報を記憶しないことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画像処理部は、前記被写界深度調整部の調整結果を判定する調整判定部をさらに備え、
前記調整判定部での判定結果に基づいて、前記第一画像情報を記憶することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第二画像情報のフォーカス位置は、前記第一画像情報の被写界深度と、前記第二画像情報の被写界深度とが隣接、または、一部が重なるように設定されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第一画像情報とは異なるフォーカス位置で取得される複数の画像情報の数を、前記第一画像情報のフォーカス位置に基づいて設定されることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記画像処理部において、前記第一画像情報のフォーカス位置と被写界深度を調整する幅とに基づいて、前記第一画像情報とは異なるフォーカス位置で取得する画像情報の数を
決定し、前記第一画像情報の被写界深度を調整することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月9日(2016.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された複数のレジスタを含み、前記複数のレジスタのうち、走査をスキップするレジスタを指定可能な第１のシフトレジスタと、
前記スキップするレジスタを指定するためのスキップ情報を伝送する、第２のシフトレジスタと、
前記複数のレジスタに対応して設けられた複数のバイパス部と、
それぞれが前記複数のレジスタの連続する２つの出力ノードと入力ノードとを接続する入力ノードとを接続する、複数のスイッチと、を備え、
前記第２のシフトレジスタは前記スキップ情報に基づいて前記複数のバイパス部および前記複数のスイッチを、オン状態とオフ状態とに制御し、
前記第２のシフトレジスタは、前記複数のレジスタに含まれる１つのレジスタの入力ノードに接続された前記バイパス部と、前記１つのレジスタの出力ノードに接続された前記スイッチとに対して、互いに逆位相の信号を供給すること、
を特徴とする走査回路。
【請求項２】
前記第２のシフトレジスタによって、前記スキップ情報を伝送した後に、前記第１のシフトレジスタが走査を開始することを特徴とする請求項１に記載の走査回路。
【請求項３】
直列に接続された複数のレジスタを含み、前記複数のレジスタのうち、走査をスキップするレジスタを指定可能な第１のシフトレジスタと、
複数のメモリと、
前記複数のレジスタに対応して設けられた複数のバイパス部と、を備え、
前記第１のシフトレジスタは、前記スキップするレジスタを指定するためのスキップ情報を伝送し、
前記複数のメモリは、前記伝送されたスキップ情報を保持し、
前記複数のメモリに保持された前記スキップ情報に基づいて、前記複数のバイパス部を制御すること、
を特徴とする走査回路。
【請求項４】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、
前記画素アレイの行を選択する行選択部と、を含む光電変換装置であって、
前記行選択部は、請求項１〜３のいずれかに記載の走査回路を含むこと
を特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
前記行選択部は、前記第１のシフトレジスタの出力をゲーティングするゲート部をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の光電変換装置と、
前記複数の画素に像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたこと
を特徴とする撮像システム。
【請求項７】
直列に接続された複数のレジスタを含み、前記複数のレジスタのうち、走査をスキップするレジスタを指定可能な第１のシフトレジスタと、
前記スキップするレジスタを指定するためのスキップ情報を伝送する、第２のシフトレジスタと、
前記複数のレジスタに対応して設けられた複数のバイパス部と、
それぞれが前記複数のレジスタの連続する２つの出力ノードと入力ノードとを接続する入力ノードとを接続する、複数のスイッチと、を備え、
前記第２のシフトレジスタは前記スキップ情報に基づいて前記複数のバイパス部および前記複数のスイッチを、オン状態とオフ状態とに制御し、
前記第２のシフトレジスタは、前記複数のレジスタに含まれる１つのレジスタの入力ノードに接続された前記バイパス部と、前記１つのレジスタの出力ノードに接続された前記スイッチとに対して、互いに逆位相の信号を供給する走査回路の製造方法であって、
前記第１および第２のシフトレジスタの一部が、同一のマスクパターンを複数回用いて半導体基板上に形成されること
を特徴とする走査回路の形成方法。
【請求項８】
直列に接続された複数のレジスタを含み、前記複数のレジスタのうち、走査をスキップするレジスタを指定可能な第１のシフトレジスタと、
複数のメモリと、
前記複数のレジスタに対応して設けられた複数のバイパス部と、を備え、
前記第１のシフトレジスタは、前記スキップするレジスタを指定するためのスキップ情報を伝送し、
前記複数のメモリは、前記伝送されたスキップ情報を保持し、
前記複数のメモリに保持された前記スキップ情報に基づいて、前記複数のバイパス部を制御する走査回路の製造方法であって、
前記第１および第２のシフトレジスタの一部が、同一のマスクパターンを複数回用いて半導体基板上に形成されること
を特徴とする走査回路の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明の一の側面である走査回路は、直列に接続された複数のレジスタを含み、前記複数のレジスタのうち、走査をスキップするレジスタを指定可能な第１のシフトレジスタと、前記スキップするレジスタを指定するためのスキップ情報を伝送する、第２のシフトレジスタと、前記複数のレジスタに対応して設けられた複数のバイパス部と、それぞれが前記複数のレジスタの連続する２つの出力ノードと入力ノードとを接続する入力ノードとを接続する、複数のスイッチと、を備え、前記第２のシフトレジスタは前記スキップ情報に基づいて前記複数のバイパス部および前記複数のスイッチを、オン状態とオフ状態とに制御し、前記第２のシフトレジスタは、前記複数のレジスタに含まれる１つのレジスタの入力ノードに接続された前記バイパス部と、前記１つのレジスタの出力ノードに接続された前記スイッチとに対して、互いに逆位相の信号を供給すること、を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の別の側面である走査回路は、直列に接続された複数のレジスタを含み、前記複数のレジスタのうち、走査をスキップするレジスタを指定可能な第１のシフトレジスタと、複数のメモリと、前記複数のレジスタに対応して設けられた複数のバイパス部と、を備え、前記第１のシフトレジスタは、前記スキップするレジスタを指定するためのスキップ情報を伝送し、前記複数のメモリは、前記伝送されたスキップ情報を保持し、前記複数のメモリに保持された前記スキップ情報に基づいて、前記複数のバイパス部を制御すること、を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレッドの接地面幅内に設けられた複数本の周方向主溝と、該周方向溝によって区画された陸部と、を有する空気入りタイヤにおいて、
前記トレッドを構成するトレッドゴムの０℃、周波数５２Ｈｚ、初期歪２．０％、動歪率１．０％の条件におけるｔａｎδが０．９０以上であり、６０℃、周波数５２Ｈｚ、初期歪２．０％。動歪率１．０％の条件におけるｔａｎδが０．１２以下であり、かつ、
前記トレッドの接地幅内におけるネガティブ率が２０〜４０％であることを特徴とする空気入りタイヤ。
【請求項２】
前記トレッドの接地幅内が、３本の周方向溝と、該３本の周方向溝によって区画された４列の陸部と、を有し、トレッド幅方向両外側の２列の陸部をショルダー陸部、該ショルダー陸部に挟まれた２列の陸部をセンター陸部としたとき、全陸部に対する２列の前記ショルダー陸部の割合がそれぞれ２０〜３５％であり、全陸部に対する２列の前記センター陸部の割合がそれぞれ１５〜３０％であり、
前記センター陸部の少なくとも一方に、両側部を結ぶサイプであって、該サイプの両端部を結ぶ直線がトレッド幅方向に対して１６〜２４°傾斜している請求項１記載の空気入りタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の空気入りタイヤにおいては、前記トレッドの接地幅内が、３本の周方向溝と、該３本の周方向溝によって区画された４列の陸部と、を有し、トレッド幅方向両外側の２列の陸部をショルダー陸部、該ショルダー陸部に挟まれた２列の陸部をセンター陸部としたとき、全陸部に対する２列の前記ショルダー陸部の割合がそれぞれ２０〜３５％であり、全陸部に対する２列の前記センター陸部の割合がそれぞれ１５〜３０％であり、前記センター陸部の少なくとも一方に、両側部を結ぶサイプであって、該サイプの両端部を結ぶ直線がトレッド幅方向に対して１６〜２４°傾斜していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この自動変速装置では、同文献の図３に示すように、プリシフト制御が実行される。このプリシフト制御は、エンジンの動力が、２つの動力伝達経路の一方によって車輪に伝達されている状態で、他方の動力伝達経路のクラッチを遮断状態に保持しながら、シンクロ機構により、他方の動力伝達経路を構成する従動ギヤの１つと出力軸とを予め連結するものである。同図に示すように、ステップ３０１で、目標変速段を設定し、ステップ３０２で、この目標変速段の従動ギヤを出力軸に同期させながら連結するように、シンクロ機構を駆動する。そして、ステップ３０３で、目標変速段の従動ギヤが出力軸に連結されたか否かを判別し、目標変速段の従動ギヤの出力軸への連結が失敗したときには、ステップ３０４で、シンクロ機構による連結動作を解除し、ステップ３０５で、その入力軸とエンジンとの間のクラッチを接続した後、プリシフト制御を終了する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
一方、第２クラッチ６０が接続された状態で、２つのシンクロ機構２８，２９の一方によって４つの奇数変速段（１，３，５，７速段）の１つがインギヤされている場合、エンジン３から自動変速装置１に入力された動力は、第２動力伝達経路を介して、駆動輪ＤＷに伝達される。すなわち、エンジン３の動力は、第１入力軸１１、２つのギヤ１２，２２、第２入力軸２１、第２クラッチ６０、第２回転軸２３及びシンクロ機構２８，２９の一方を介して、インギヤ状態の奇数変速段に伝達され、この奇数変速段によって変速された後、出力軸３１、出力ギヤ３２及び終減速装置ＦＧを介して駆動輪ＤＷに伝達される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
一方、ステップ３０の判別結果がＮＯで、対象変速段が奇数変速段であるときには、ステップ３２に進み、回転差ＤＮを、対象ギヤ速度Ｎｇと第２回転速度Ｎ２との偏差の絶対値｜Ｎｇ−Ｎ２｜に設定した後、本処理を終了する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
次に、ステップ１８に進み、遅延制御タイマの計数値ＴＤＥＬＡＹを、マップ値ＴＤｍａｐに設定する。ステップ１８に続くステップ１９で、遅延制御処理の実行中であることを表すために、遅延制御中フラグＦ＿ＤＥＬＡＹを「１」に設定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
次いで、ステップ４４に進み、プリシフト制御処理を終了すべきであることを表すために、プリシフト実行条件フラグＦ＿ＰＲＥ＿ＳＦＴを「０」に設定する。次いで、ステップ４５に進み、スキップ・ダウンシフト変速フラグＦ＿ＳＫＰ＿ＤＷＮを「１」に設定した後、本処理を終了する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
一方、ステップ１２，１３，１５のいずれかの判別結果がＮＯで、出力軸３１の回転変動状態が発生しないか又は発生した回転変動の影響を受けにくいと推定されるときには、直ちにプリシフト制御処理が開始されるので、変速動作に要する時間を短縮することができ、商品性を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014163438.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
簡易型の基礎杭の天端に支持架台を設置支持させる支持架台取付金具であって、
前記基礎杭の天端に高さ方向の位置調整可能に取り付けられるレベル調整金具と、
一方で前記支持架台に取り付けられ、他方で前記レベル調整金具に対して水平方向での位置調整可能に取り付けられるベース金具と、
を有することを特徴とする支持架台取付金具。
【請求項２】
請求項１において、
前記レベル調整金具は、
前記基礎杭のフランジ部に取り付け可能にされた垂直状の取付片と、前記取付片の上端より前記基礎杭の上面側に水平に伸びるベース金具載置片とを有し、
前記取付片は、鉛直方向に延びる第１の長孔が形成されており、前記基礎杭の天端部のフランジ部から突出させたボルトを前記第１の長孔に貫通させて、ナットにて締め付けることで、高さ方向の位置調整を行えるように形成され、
前記ベース金具載置片は、水平方向である第１の方向に延びる複数の第２の長孔が平行に形成されており、これらの第２の長孔のいずれかを選択してボルトを貫通させ、ナットにて締め付けることで、第２の長孔位置の選択による横方向の水平位置調整及び第２の長孔の長さ方向での前後方向水平位置調整を行って、水平方向での位置調整可能に前記ベース金具と一体化しうるように形成された
ことを特徴とする支持架台取付金具。
【請求項３】
請求項２において、
前記ベース金具は、前記ベース金具載置片上に載置可能にされた水平状の載置片を有し、
この載置片には、前記第２の長孔と交差し、水平方向である第２の方向に延びる第３の長孔が形成され、この第３の長孔に前記第２の長孔を貫通するボルトを貫通させ、ナットにて締め付けることで、この第３の長孔の長さ方向での水平位置調整を行う
ことを特徴とする支持架台取付金具。
【請求項４】
地盤に打設されるＨ鋼製の複数の基礎杭と、
前記基礎杭の天端に取り付けられる支持架台取付金具と、
前記支持架台取付金具を介して前記基礎杭の天端に設置支持される支持架台と、
前記支持架台に設置支持される複数枚の太陽光発電パネルとを有し、
前記支持架台取付金具は、前記基礎杭の天端に高さ方向の位置調整可能に取り付けられるレベル調整金具と、一方で前記支持架台に取り付けられ、他方で前記レベル調整金具に対して水平方向での位置調整可能に取り付けられるベース金具とを有することを特徴とする太陽光発電パネル設置システム。
【請求項５】
請求項４において、
前記レベル調整金具は、
前記基礎杭のフランジ部に取り付け可能にされた垂直状の取付片と、前記取付片の上端より前記基礎杭の上面側に水平に伸びるベース金具載置片とを有し、
前記取付片は、鉛直方向に延びる第１の長孔が形成されており、前記基礎杭の天端部のフランジ部から突出させたボルトを前記第１の長孔に貫通させて、ナットにて締め付けることで、高さ方向の位置調整を行えるように形成され、
前記ベース金具載置片は、水平方向である第１の方向に延びる複数の第２の長孔が平行に形成されており、これらの第２の長孔のいずれかを選択してボルトを貫通させ、ナットにて締め付けることで、第２の長孔位置の選択による横方向の水平位置調整及び第２の長孔の長さ方向での前後方向水平位置調整を行って、水平方向での位置調整可能に前記ベース金具と一体化しうるように形成された
ことを特徴とする太陽光発電パネル設置システム。
【請求項６】
請求項５において、
前記ベース金具は、前記ベース金具載置片上に載置可能にされた水平状の載置片を有し、
この載置片には、前記第２の長孔と交差し、水平方向である第２の方向に延びる第３の長孔が形成され、この第３の長孔に前記第２の長孔を貫通するボルトを貫通させ、ナットにて締め付けることで、この第３の長孔の長さ方向での水平位置調整を行う
ことを特徴とする太陽光発電パネル設置システム。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれかにおいて、
前記支持架台取付金具と前記支持架台とは異なる金属にて形成され、
前記支持架台取付金具は少なくともベース金具の表面が樹脂コーティングされていることを特徴とする太陽光発電パネル設置システム。