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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月5日(2016.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ディスプレイ４５は、穀粒タンク１５に貯留された穀粒の『貯留体積量』を表示する『貯留体積量モード』、エンジン１１における燃料噴射量の積算値である『燃料消費量』を表示可能な『燃料消費量表示モード』等の複数の表示モードが備えられている。ディスプレイ４５は、不図示の切替スイッチの短押操作によって特定の表示モードから他の表示モードへと、順繰りに切替可能に構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
選択部５０は、排出クラッチ４２、株元センサ２６、回転センサ２３の各状況に応じて、『貯留体積量モード』におけるディスプレイ４５に、リアルタイムの『貯留体積量』、確定された『貯留体積量』のいずれを表示させるべきかを選択する。選択部５０は、排出クラッチ４２、株元センサ２６、回転センサ２３、演算部５１に接続されている。選択部５０は、通常、『リアルタイム表示信号』を演算部５１に出力し続けている。但し、排出クラッチ４２が切り状態から入り状態になったことを確認すると、『記憶指令信号』を演算部５１へ出力するとともに、『リアルタイム表示信号』の代わりに『確定表示信号』を演算部５１へ出力し続ける。そして、選択部５０は、この状態から、株元センサ２６が検出状態になり、かつ、回転センサ２３が駆動軸の回転を検出している検出状態になると、再び、『確定表示信号』の代わりに『リアルタイム表示信号』を演算部５１へ出力し続ける状態へ復帰する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
演算部５１は、重量センサ２８および品質センサ２７からの情報に基づいて穀粒タンク１５内に貯留された穀粒の『貯留体積量』を演算する。演算部５１は、重量センサ２８、品質センサ２７、判定部５２、表示指令部５５に接続されている。演算部５１は、重量センサ２８により計測された穀粒タンク１５の重量から、穀粒タンク１５の風袋重量を減算して、穀粒タンク１５内に貯留された穀粒の『概算重量』を演算するように構成されている。そして、演算部５１は、品質センサ２７により測定された穀粒の水分値やタンパク値に基づいて、記憶部５７に予め記憶された穀粒の水分値やタンパク値等に対応した『比重値』を読み出す。そして、演算部５１は、重量センサ２８による計測に基づく穀粒タンク１５内に貯留された穀粒の『概算重量』と、品質センサ２７により検出された穀粒の水分値やタンパク値等により決定される『比重値』と、に基づいて、穀粒タンク１５内に貯留された穀粒の『貯留体積量』を演算する。演算部５１は、選択部５０から『リアルタイム表示信号』を入力している間は、『貯留体積量』をリアルタイムに判定部５２および表示指令部５５へ出力し続けるように構成されている。また、演算部５１は、選択部５０から『確定表示信号』を入力すると、排出クラッチ４２が切り状態から入り状態になる直前、すなわち、排出オーガ４１が作動される直前時に演算した貯留体積量を確定された『貯留体積量』として記憶部５７に記憶させる。そして、演算部５１は、選択部５０から『確定表示信号』を入力している間は、表示指令部５５に、『読出表示信号』を出力し続けるように構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
変更部５４は、判定部５２に設定された『閾値』を『新たな閾値』に変更する。変更部５４は、入力装置４４、判定部５２、通信部５３、に接続されている。変更部５４は、入力装置４４から『新たな閾値』の入力があると、判定部５２において設定されている『閾値』を『新たな閾値』へ変更できるように構成されている。変更部５４は、外部サーバ６０から通信部５３を介して入力された『新たな閾値』等の含まれた情報に基づいて『閾値』を変更可能に構成されている。つまり、変更部５４は、通信部５３から『新たな閾値』が入力されると、判定部５２において設定されている『閾値』を『新たな閾値』へ変更できるように構成されている。変更部５４は、入力装置４４と通信部５３とから同時に『新たな閾値』の入力があると、判定部５２において設定されている『閾値』を、通信部５３から入力された『新たな閾値』へ変更する。また、変更部５４は、入力装置４４から『新たな閾値』が入力されると、入力装置４４によって『閾値』が変更された事実および変更後の『新たな閾値』等が含まれた変更結果の情報を通信部５３へ出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
表示指令部５５は、リアルタイムの『貯留体積量』、あるいは、確定された『貯留体積量』を、『貯留体積量モード』におけるディスプレイ４５に表示させる。表示指令部５５は、演算部５１、ディスプレイ４５、に接続されている。表示指令部５５に備えられている記憶部５７は、各種情報を記憶・消去可能に構成されている。記憶部５７には、記憶された穀粒の水分値やタンパク値毎の『比重値』が予め記憶されている。また、記憶部５７には、演算部５１から入力される確定された『貯留体積量』が記憶される。また、詳細は省略するが、記憶部５７には、エンジン１１における燃料噴射量の積算値である『燃料消費量』がリアルタイムに記憶されるように構成されている。表示指令部５５は、演算部５１からリアルタイムの『貯留体積量』を入力している間は、『貯留体積量モード』におけるディスプレイ４５に、そのリアルタイムの『貯留体積量』を『貯留体積量モード』におけるディスプレイ４５に表示させ続ける。そして、表示指令部５５は、演算部５１から『読出表示信号』を入力している間は、記憶部５７に記憶されている確定された『貯留体積量』を『貯留体積量モード』におけるディスプレイ４５に表示させ続ける。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、スターチ型を用いたグミキャンディの製造方法であって、スターチに、本体部と漏斗状部を有するスターチ押し型を本体部側から押し当てるステップと、スターチに内方寄りから順に本体部と漏斗状部の形状の凹みをプリントするステップと、スターチにプリントされた漏斗状部の形状の凹みに溶融したグミキャンディを注ぎ入れるステップと、グミキャンディの自重によって後段の成型部に流入させるステップと、固化したグミキャンディを得るためにスターチを除去するステップと、を含む、グミキャンディの製造方法を提示する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器に収容されたスターチに押し当て、スターチに溶融物充填用の凹みを形成するためのスターチ押し型であって、該スターチ押し型の押し当て側とは反対側に、本体部に続く漏斗状部が形成されていることを特徴とするグミキャンディ成型用のスターチ押し型。
【請求項２】
上記スターチ押し型における本体部の高さ寸法が、本体部の平面視での縦寸法および横寸法のうちの少なくとも一方よりも長いことを特徴とする請求項１に記載のグミキャンディ成型用のスターチ押し型。
【請求項３】
上記スターチ押し型において、押し当て方向に通孔が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のグミキャンディ成型用のスターチ押し型。
【請求項４】
スターチ型を用いたグミキャンディの製造方法であって、
スターチに、本体部と漏斗状部を有するスターチ押し型を本体部側から押し当てるステップと、
スターチに内方寄りから順に本体部と漏斗状部の形状の凹みをプリントするステップと、
スターチにプリントされた漏斗状部の形状の凹みに溶融したグミキャンディを注ぎ入れるステップと、
グミキャンディの自重によって後段の本体部に流入させるステップと、
固化したグミキャンディを得るためにスターチを除去するステップと、
を含む、グミキャンディの製造方法。
【請求項５】
上記スターチ押し型における本体部の高さ寸法が、本体部の平面視での縦寸法および横寸法のうちの少なくとも一方よりも長いことを特徴とする請求項４に記載のグミキャンディの製造方法。
【請求項６】
上記スターチ押し型において、押し当て方向に通孔が設けられていることを特徴とする請求項４に記載のグミキャンディの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にゲート絶縁膜が形成された基板に対して、第１の金属元素を含むフッ素非含有金属原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、反応ガスを供給し排気する工程と、
を、前記基板を２００℃以上４００℃以下に加熱しつつ、交互に複数回行い、前記ゲート絶縁膜上に前記第1の金属元素を含むライナー膜を形成する工程と、
前記ライナー膜が形成された基板に対して、第１の還元ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、第２の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガスと第２の還元ガスとを供給し排気する工程と、
を、交互に複数回行い、前記ライナー膜上に第２の金属元素を含むゲート電極を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属元素はチタンであり、前記ライナー膜はチタン窒化膜であって、前記第２の金属元素はタングステンであり、前記ゲート電極はタングステン含有膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ライナー膜を形成する工程では、３ｎｍ以上５ｎｍ以下のライナー膜を形成する請求項１もしくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板を収容する第１の処理室と、
基板を収容する第２の処理室と、
前記基板を加熱する加熱系と、
第１の処理室内に、第１の金属が元素を含むフッ素非含有金属原料ガス、反応ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記第２の処理室内に、第２の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガス、第１の還元ガス、第２の還元ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記第１の処理室、前記第２の処理室を排気する排気系と、
前記加熱系、前記第１のガス供給系、前記排気系を制御して、表面にゲート絶縁膜が形成され、前記第１の処理室内に収容された基板に対してフッ素非含有金属原料ガスを供給し排気する処理と、前記基板に対して前記反応ガスを供給し排気する処理とを、前記基板を２００℃以上４００℃以下に加熱しつつ、交互に複数回行い、前記ゲート絶縁膜上に前記第1の金属元素を含むライナー膜を形成する処理を行うよう構成される第１の制御部と、
前記第２のガス供給系、前記排気系を制御して、前記ライナー膜が形成され、前記第２の処理室内に収容された基板に対して前記第１の還元ガスを供給し排気する処理と、前記基板に対して前記フッ素含有金属原料ガスを供給しと前記第２の還元ガスとを供給し排気する処理と、を、交互に複数回行い、前記ライナー膜上に第２の金属元素を含むゲート電極を形成する処理を行うよう構成される第２の制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項５】
基板を収容する第１の処理室と、
前記基板を加熱する加熱系と、
前記第１の処理室内に、第１の金属元素を含むフッ素非含有金属原料ガス、反応ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記第１の処理室内を排気する第１の排気系と、
前記加熱系、前記第１のガス供給系、前記第１の排気系を制御して、表面にゲート絶縁膜が形成され、前記第１の処理室内に収容された基板に対して前記フッ素非含有金属原料ガスを供給し排気する処理と、前記基板に対して前記反応ガスを供給し排気する処理とを、前記基板を２００℃以上４００℃以下に加熱しつつ、交互に複数回行い、前記ゲート絶縁膜上に前記第1の金属元素を含むライナー膜を形成する処理を行うよう構成される第１の制御部と、
を有する基板処理装置と、
基板を収容する第２の処理室と、
前記第２の処理室内に、第２の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガス、第１の還元ガス、第２の還元ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記第２の処理室内を排気する第２の排気系と、
前記第２のガス供給系、前記第２の排気系を制御して、前記ライナー膜が形成され、前記第２の処理室内に収容された基板に対して前記第１の還元ガスを供給し排気する処理と、前記基板に対して前記フッ素含有金属原料ガスと前記第２の還元ガスとを供給し排気する処理と、を、交互に複数回行い、前記ライナー膜上に第２の金属元素を含むゲート電極を形成する処理を行うよう構成される第２の制御部と、
を有する基板処理装置と、
を有する基板処理システム。
【請求項６】
基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜が形成された基板に対して第１の金属元素を含むフッ素非含有金属原料ガスを供給し排気する処理と、前記基板に対して反応ガスを供給し排気する処理とを、前記基板を２００℃以上４００℃以下に加熱しつつ、交互に複数回行い、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記第1の金属元素を含むライナー膜と、
前記ライナー膜が形成された基板に対して第１の還元ガスを供給し排気する処理と、前記基板に対して第２の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガスと第２の還元ガスとを供給し排気する処理と、を、交互に複数回行い、前記ライナー膜上に形成された第２の金属元素を含むゲート電極と、
を有する半導体装置。
【請求項７】
表面にゲート絶縁膜が形成された基板に対して、第１の金属元素を含むフッ素非含有金属原料ガスを供給し排気する手順と、
前記基板に対して、反応ガスを供給し排気する手順と、
を、前記基板を２００℃以上４００℃以下に加熱しつつ、交互に複数回行い、前記ゲート絶縁膜上に前記第1の金属元素を含むライナー膜を形成する手順と、
前記ライナー膜が形成された基板に対して、第１の還元ガスを供給し排気する手順と、
前記基板に対して、第２の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガスと第２の還元ガスとを供給し排気する手順と、
を、交互に複数回行い、前記ライナー膜上に第２の金属元素を含むゲート電極を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理装置、基板処理システム、半導体装置およびプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電率の異なる膜が少なくとも複数積層された基板を処理室に搬入する工程と、
前記基板にマイクロ波を供給して少なくとも誘電率が最も高い前記膜を選択的に加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板に積層された膜は、少なくとも高誘電率膜と金属含有膜とを含み、前記金属含有膜は、前記高誘電率膜上に形成されている請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板に積層された膜は、界面酸化膜を含み、前記界面酸化膜は、前記基板と前記高誘電率膜との間に形成されている請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板に積層された膜は、少なくとも界面酸化膜と前記界面酸化膜上に形成された高誘電率膜とを含み、前記界面酸化膜は、前記マイクロ波が供給されることで前記マイクロ波を供給する前の前記界面酸化膜の膜厚よりも薄膜化する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
誘電率の異なる膜が少なくとも複数積層された基板が搬入される処理室と、
前記基板にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記基板にマイクロ波を供給して少なくとも誘電率が最も高い前記膜を選択的に加熱させるように前記マイクロ波供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項６】
誘電率の異なる膜が少なくとも複数積層された基板を処理室に搬入する手順と、
前記基板にマイクロ波を供給して少なくとも誘電率が最も高い前記膜を選択的に加熱する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置を制御するためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め車載充電装置へ送ったパルス信号の電圧状態に基づいて前記車載充電装置へ電力の供給を開始する充電ケーブルを用いて、高圧バッテリおよび低圧バッテリに対して充電を行う車載充電装置であって、
前記低圧バッテリから供給される電力により動作し、前記充電を制御する充電制御部と、
前記充電制御部によってオン／オフを制御され、オンのときに前記パルス信号の電圧を低下させる電圧低下スイッチと、
前記充電制御部以外によってオンされ、オンのときに前記パルス信号の電圧を低下させる第１のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチがオンされた場合、前記充電ケーブルからの電力が前記低圧バッテリまたは前記充電制御部に供給される、
車載充電装置。
【請求項２】
前記充電ケーブルからの電力をＡＣからＤＣへ変換するＡＣ／ＤＣ変換部と、
前記充電制御部以外によってオンされ、前記充電ケーブルからの電力を前記ＡＣ／ＤＣ変換部へ供給させる第２のスイッチと、をさらに有し、
前記第２のスイッチは、
前記第１のスイッチがオンされたときにオンされ、前記充電ケーブルからの電力を前記ＡＣ／ＤＣ変換部へ供給させ、
前記ＡＣ／ＤＣ変換部は、
前記充電ケーブルからの電力をＡＣからＤＣに変換して前記充電制御部へ供給する、
請求項１記載の車載充電装置。
【請求項３】
前記ＡＣ／ＤＣ変換部は、
前記ＡＣからＤＣに変換した電力を、前記充電制御部へ供給せずに、前記充電制御部の電源となる前記低圧バッテリへ供給する、
請求項２記載の車載充電装置。
【請求項４】
前記充電制御部以外によってオンされ、前記ＡＣ／ＤＣ変換部からの電力を前記低圧バッテリへ供給させないようにする第３のスイッチと、をさらに有し、
前記第３のスイッチは、
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチがオンされたときにオフされ、前記ＡＣ／ＤＣ変換部からの電力を前記低圧バッテリへ供給させないようにする、
請求項２または３記載の車載充電装置。
【請求項５】
前記第１スイッチのオン、前記第２スイッチのオン、および前記第３スイッチのオフを同時にできる補充電スイッチをさらに有する、
請求項４記載の車載充電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【表１】
2014187011.tif 000001
＊  溶接を経て熱処理後の接点部の母材部の転位密度／溶接後の接点部の母材部の転位密度
＊＊  溶接を経て熱処理後の溶接部の転位密度／溶接後の溶接部の転位密度
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月13日(2016.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金からなる基材と、前記基材上の一部または全部に設けられた白色系金属層と、前記白色系金属層上に設けられた油膜を有する金属部材から形成される端子であって、
前記白色系金属層の厚さは０．０１〜０．８０μｍであり、
前記白色系金属層の表面の算術平均粗さは０．６〜１．２μｍであり、
前記油膜の電気二重層容量が１．５〜７．０μＦ／ｃｍ２であり、
他の端子と嵌合するコネクタ部と、電線と圧着接合する管状圧着部と、前記コネクタ部と前記管状圧着部とをつなぐトランジション部とを有し、
前記管状圧着部が段差形状を有することを特徴とする端子。
【請求項２】
前記白色系金属層が、Ｓｎ層、Ｓｎ合金層、Ｎｉ層及びＮｉ合金層からなる群から選ばれる少なくとも１つの層である、請求項１に記載の端子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の端子と、被覆電線とを圧着接合して形成した電線接続構造体。
【請求項４】
前記被覆電線の導体部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項３に記載の電線接続構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端子及び電線接続構造体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、銅及び銅合金のレーザ溶接性を向上させた端子及び電線接続構造体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、銅及び銅合金のレーザ溶接性が向上され、かつ、ＨＡＺの領域が小さい端子及び電線接続構造体を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、上記課題は以下の手段により解決される。
（１）銅又は銅合金からなる基材と、前記基材上の一部または全部に設けられた白色系金属層と、前記白色系金属層上に設けられた油膜を有する金属部材から形成される端子であって、前記白色系金属層の厚さは０．０１〜０．８０μｍであり、前記白色系金属層の表面の算術平均粗さは０．６〜１．２μｍであり、前記油膜の電気二重層容量が１．５〜７．０μＦ／ｃｍ２であり、他の端子と嵌合するコネクタ部と、電線と圧着接合する管状圧着部と、前記コネクタ部と前記管状圧着部とをつなぐトランジション部とを有し、前記管状圧着部が段差形状を有することを特徴とする端子。
（２）前記白色系金属層が、Ｓｎ層、Ｓｎ合金層、Ｎｉ層及びＮｉ合金層からなる群から選ばれる少なくとも１つの層である、（１）に記載の端子。
（３）（１）又は（２）に記載の端子と、被覆電線とを圧着接合して形成した電線接続構造体。
（４）前記被覆電線の導体部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、（３）に記載の電線接続構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成される第一導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表面に形成される第二導電型拡散層と、
前記第二導電型拡散層の表面のＭＯＳ構造形成領域に形成される第一導電型拡散層と、
前記第一導電型拡散層の表面から前記エピタキシャル層にわたって互いに離間して形成される複数のゲートトレンチと、
前記第一導電型拡散層の表面に形成されて前記第一導電型拡散層に接続されたソース電極と、
前記第二導電型拡散層の表面に形成されて前記第二導電型拡散層に接続されたボディ電極と、
前記ゲートトレンチに接続されたゲート電極と、
前記半導体基板の裏面に接続されたドレイン電極とを有し、
前記ＭＯＳ構造領域外の前記第二導電型拡散層の表面から前記第二導電型拡散層内に形成され、
前記ボディ電極に接続されたボディトレンチとを有し、
前記ゲート電極及び前記ボディ電極に与える電圧に応じて、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に双方向若しくは片方向の電流が流れる
ことを特徴とする縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２】
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の何れの方向にも電流を流さない時は、
前記ゲート電極をＯＦＦ状態にし、かつ前記ボディ電極の電位を０Ｖにする
ことを特徴とする請求項１記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項３】
前記ボディトレンチが前記ボディ電極と同一の材料で形成される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項４】
前記ボディトレンチの深さが前記第一導電型拡散層の深さより深い
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項５】
前記ボディトレンチが複数あり、平面視で該ボディトレンチの形成ピッチが０．５μｍより長い
ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項６】
前記ボディトレンチが、ストライプ状若しくはハニカム形状からなる
ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項７】
前記ボディ電極が前記ソース電極の周囲を囲んで形成される
ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴと、
前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴが搭載されるリードフレームと、
前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴの電極と前記リードフレームの端子とを電気的に接続する導電材と、
前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ及び前記導電材を封止する封止樹脂とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴと、
コントロールＩＣチップと、
前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ及び前記コントロールＩＣチップが搭載されるリードフレームと、
前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴの電極，前記コントロールＩＣチップの電極及び前記リードフレームの端子を互いに電気的に接続する導電材と、
前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ，前記コントロールＩＣチップ及び前記導電材を封止する封止樹脂とを有する
ことを特徴とする複合モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ、半導体装置及び複合モジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の縦型双方向ＭＯＳＦＥＴは、第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成される第一導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面に形成される第二導電型拡散層と、前記第二導電型拡散層の表面のＭＯＳ構造形成領域に形成される第一導電型拡散層と、前記第一導電型拡散層の表面から前記エピタキシャル層にわたって互いに離間して形成される複数のゲートトレンチと、前記第一導電型拡散層の表面に形成されて前記第一導電型拡散層に接続されたソース電極と、前記第二導電型拡散層の表面に形成されて前記第二導電型拡散層に接続されたボディ電極と、前記ゲートトレンチに接続されたゲート電極と、前記半導体基板の裏面に接続されたドレイン電極とを有し、前記ＭＯＳ構造領域外の前記第二導電型拡散層の表面から前記第二導電型拡散層内に形成され、前記ボディ電極に接続されたボディトレンチとを有し、前記ゲート電極及び前記ボディ電極に与える電圧に応じて、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に双方向若しくは片方向の電流が流れることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置は、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴと、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴが搭載されるリードフレームと、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴの電極と前記リードフレームの端子とを電気的に接続する導電材と、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ及び前記導電材を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の複合モジュールは、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴと、コントロールＩＣチップと、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ及び前記コントロールＩＣチップが搭載されるリードフレームと、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴの電極，前記コントロールＩＣチップの電極及び前記リードフレームの端子を互いに電気的に接続する導電材と、前記縦型双方向ＭＯＳＦＥＴ，前記コントロールＩＣチップ及び前記導電材を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする複合モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部材と、
前記金属部材の上に接して配置された白色レジストと、
接合面が絶縁性の部材からなり、前記白色レジストの上に接合部材を介して配置される発光素子と、
前記発光素子と、前記金属部材と、を電気的に接続するワイヤと、
光反射性部材からなり、前記発光素子を囲むように配置される枠体と、を有し、
前記白色レジストは、前記金属部材と前記ワイヤとの接続領域を開口する開口部を備え、前記開口部は前記枠体に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、透光性基板上に半導体層を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属部材は、絶縁性基板上に配置された金属層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記白色レジストの厚みは５μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記金属部材の厚みは、５μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記金属部材は少なくともその表面がＡｇであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記白色レジストは、前記発光素子の接合面の全面に対応するように形成されている請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記白色レジストと前記発光素子との接合面のうち、中央付近の一部の前記白色レジストが開口されて前記金属部材が露出されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記白色レジストが２層以上に積層されている請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
平面視において、前記枠体の内側に位置する前記金属部材の全面が前記白色レジストに覆われる請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月13日(2016.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の端子と嵌合するコネクタ部と、電線と圧着接合する管状圧着部と、前記コネクタ部と前記管状圧着部とを連結するトランジション部とからなる端子であって、
前記管状圧着部は、厚さ０．２０〜１．４０ｍｍの銅または銅合金からなる基材上に、厚さ０．２〜３．０μｍのスズ、スズ合金、ニッケル、ニッケル合金、銀または銀合金からなる被覆層が形成された金属部材からなり、前記金属部材を突合せ溶接して形成した溶接部を有し、前記溶接部の端子長手方向に垂直な断面において、前記溶接部に０．０１μｍ２より大きなスズ、スズ合金、ニッケル、ニッケル合金、銀または銀合金の相が存在しており、かつ、
前記管状圧着部が段差形状を有していることを特徴とする端子。
【請求項２】
前記基材と前記被覆層の間に、厚さ０．８μｍ以下のニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金からなる下地層を有することを特徴とする、請求項１に記載の端子。
【請求項３】
前記下地層の厚さが、０．２〜０．８μｍである請求項２に記載の端子。
【請求項４】
前記管状圧着部における前記被覆層の厚さの平均値ｄ１と前記基材の厚さの平均値ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が０．００１〜０．００５である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の端子。
【請求項５】
前記溶接が、ファイバレーザによる溶接である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の端子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の端子と、被覆電線とを圧着接合した電線接続構造体。
【請求項７】
前記被覆電線の導体部がアルミニウムまたはアルミニウム合金である請求項６に記載の電線接続構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端子及び電線接続構造体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電気導通を担う部品に関する。より詳しくは、電線を接続する端子、および端子と電線とを接合した電線接続構造体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（１）他の端子と嵌合するコネクタ部と、電線と圧着接合する管状圧着部と、前記コネクタ部と前記管状圧着部とを連結するトランジション部とからなる端子であって、前記管状圧着部は、厚さ０．２０〜１．４０ｍｍの銅または銅合金からなる基材上に、厚さ０．２〜３．０μｍのスズ、スズ合金、ニッケル、ニッケル合金、銀または銀合金からなる被覆層が形成された金属部材からなり、前記金属部材を突合せ溶接して形成した溶接部を有し、前記溶接部の端子長手方向に垂直な断面において、前記溶接部に０．０１μｍ２より大きなスズ、スズ合金、ニッケル、ニッケル合金、銀または銀合金の相が存在しており、かつ、前記管状圧着部が段差形状を有していることを特徴とする端子。
（２）前記基材と前記被覆層の間に、厚さ０．８μｍ以下のニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金からなる下地層を有することを特徴とする、（１）に記載の端子。
（３）前記下地層の厚さが、０．２〜０．８μｍである（２）に記載の端子。
（４）前記管状圧着部における前記被覆層の厚さの平均値ｄ１と前記基材の厚さの平均値ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が０．００１〜０．００５である（１）乃至（３）のいずれかに記載の端子。
（５）前記溶接が、ファイバレーザによる溶接である（１）乃至（４）のいずれかに記載の端子。
（６）（１）乃至（５）のいずれかに記載の端子と、被覆電線とを圧着接合した電線接続構造体。
（７）前記被覆電線の導体部がアルミニウムまたはアルミニウム合金である（６）に記載の電線接続構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが基板に配列された光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、
前記基板において、前記複数の画素のそれぞれの間に形成された素子分離領域を備え、
前記複数の画素は、
第１波長の光を通過させるための第１カラーフィルタが設けられた第１画素と、
前記第１波長より長い第２波長の光を通過させるための第２カラーフィルタが設けられた第２画素と、
前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光パターンを備え、前記光電変換部に入射する光を前記遮光パターンにより制限する、遮光パターンを有する画素と、
を含み、
前記素子分離領域のうち、前記遮光パターンを有する画素と前記第１画素との間の第１領域は、前記第１画素と前記第２画素との間の第２領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１領域は、前記第２領域よりも画素間方向の幅が狭い、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記基板からの深さが浅い、
前記第１領域は、前記第２領域よりも不純物濃度が低い、ことの少なくともいずれか１つをみたす、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素は、前記第１波長より短い第３波長の光を通過させるための第３カラーフィルタが設けられた第３画素をさらに含んでおり、
前記第１画素はベイヤ配列における緑色画素に対応する位置に配され、前記遮光パターンを有する画素又は前記第２画素は前記ベイヤ配列における赤色画素に対応する位置に配され、前記第３画素は前記ベイヤ配列における青色画素に対応する位置に配されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
それぞれが基板に配列した光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、
前記複数の画素のそれぞれの間の、前記基板に形成された素子分離領域を備え、
前記複数の画素は、撮像用の画素と、前記光電変換部に対して偏心した遮光パターンを有する画素とを含み、
前記遮光パターンは、前記光電変換部に入射する光を制限し、
前記素子分離領域のうち、前記遮光パターンを有する画素と前記撮像用の画素との間の第１領域は、互いに隣接する２つの前記撮像用の画素との間の第２領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１領域は、前記第２領域よりも画素間方向の幅が狭い、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記基板からの深さが浅い、
前記第１領域は、前記第２領域よりも不純物濃度が低い、ことの少なくともいずれか１つをみたす、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記複数の画素は複数の配線層をさらに備えており、
前記遮光パターンは、前記複数の配線層のうち前記基板に最も近い側の配線層に配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記素子分離領域の上には、絶縁体からなる素子分離部が設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、それぞれが基板に配列された光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、前記基板において、前記複数の画素のそれぞれの間に形成された素子分離領域を備え、前記複数の画素は、第１波長の光を通過させるための第１カラーフィルタが設けられた第１画素と、前記第１波長より長い第２波長の光を通過させるための第２カラーフィルタが設けられた第２画素と、前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光パターンを備え、前記光電変換部に入射する光を前記遮光パターンにより制限する、遮光パターンを有する画素と、を含み、前記素子分離領域のうち、前記遮光パターンを有する画素と前記第１画素との間の第１領域は、前記第１画素と前記第２画素との間の第２領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが基板に配列された光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、
前記基板において、前記複数の画素のそれぞれの間に形成された素子分離領域を備え、
前記複数の画素は、
第１波長の光を通過させるための第１カラーフィルタが設けられた第１画素と、
前記第１波長より短い第２波長の光を通過させるための第２カラーフィルタが設けられた第２画素と、
前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光パターンを備え、前記第２波長より長い光が前記開口を介して前記光電変換部に入射するように構成された遮光パターンを有する画素と、
を含んでおり、
前記素子分離領域のうち、前記遮光パターンを有する画素と前記第１画素との間の第１領域は、前記第１画素と前記第２画素との間の第２領域よりも、信号電荷に対して高い障壁を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１領域は、前記第２領域よりも画素間方向の幅が広い、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記基板からの深さが深い、
前記第１領域は、前記第２領域よりも不純物濃度が高い、ことの少なくともいずれか１つをみたす、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素は、前記第１波長より長い第３波長の光を通過させるための第３カラーフィルタが設けられた第３画素をさらに含んでおり、
前記第１画素はベイヤ配列における緑色画素に対応する位置に配され、前記遮光パターンを有する画素又は前記第２画素は前記ベイヤ配列における青色画素に対応する位置に配され、前記第３画素は前記ベイヤ配列における赤色画素に対応する位置に配されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記複数の画素は、複数の配線層をさらに備えており、
前記遮光パターンは、前記複数の配線層のうち前記基板に最も近い側の配線層に配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記遮光パターンを有する画素は、第１の遮光パターンを有する画素であり、
前記複数の画素は、
前記第１波長より長い第３波長の光を通過させる第３カラーフィルタが設けられた第３画素と、
前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた第２の遮光パターンを有する画素であって少なくとも前記第２波長より長い光が前記開口を介して前記光電変換部に入射するように構成された、第２の遮光パターンを有する画素と、
をさらに含み、
前記第１画素はベイヤ配列における緑色画素に対応する位置に配され、前記第１の遮光パターンを有する画素又は前記第２画素は前記ベイヤ配列における青色画素に対応する位置に配され、前記第２の遮光パターンを有する画素又は前記第３画素は前記ベイヤ配列における赤色画素に対応する位置に配されており、
前記素子分離領域のうち、前記第２の遮光パターンを有する画素と前記第１画素との間の第３領域は、前記第２領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第３領域は、前記第２領域よりも画素間方向の幅が狭い、
前記第３領域は、前記第２領域よりも前記基板からの深さが浅い、
前記第３領域は、前記第２領域よりも不純物濃度が低い、ことの少なくともいずれか１つをみたす、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素は複数の配線層をさらに備えており、
前記遮光パターンは、前記複数の配線層のうち前記基板に最も近い側の配線層に配されている、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記素子分離領域の上には、絶縁体からなる素子分離部が設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、それぞれが基板に配列された光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、前記基板において、前記複数の画素のそれぞれの間に形成された素子分離領域を備え、前記複数の画素は、第１波長の光を通過させるための第１カラーフィルタが設けられた第１画素と、前記第１波長より短い第２波長の光を通過させるための第２カラーフィルタが設けられた第２画素と、前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光パターンを備え、前記第２波長より長い光が前記開口を介して前記光電変換部に入射するように構成された遮光パターンを有する画素と、を含んでおり、前記素子分離領域のうち、前記遮光パターンを有する画素と前記第１画素との間の第１領域は、前記第１画素と前記第２画素との間の第２領域よりも、信号電荷に対して高い障壁を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の活物質を含む第１の層を有する第１の電極と、
第２の活物質を含む第２の層を有する第２の電極と、
電解液と、を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極間を第１の向きに流れる第１の電流と、前記第１の方向とは逆方向に前記第１の電極と前記第２の電極間を流れる第２の電流とを交互に繰り返し、前記第１の電極又は前記第２の電極に供給することにより、充電又は放電されており、
前記第２の電流の１回の供給時間は、前記第１の電流の１回の供給時間よりも短いことを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電流の前記供給時間は、前記第１の電流の前記供給時間の１／１００以上１／３以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の電流の前記供給時間は、０．１秒以上３分以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項４】
請求項１において、
前記第２の電流の前記供給時間は、３秒以上３０秒以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の電流を供給することにより、前記第１の電極上に反応生成物が成長し、
前記第２の電流を供給することにより、前記第１の電極上の前記反応生成物が溶解することを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の電流を供給することにより、前記第１の電極上に反応生成物が成長し、
前記第２の電流を供給することにより、前記第１の電極上の前記反応生成物が溶解し、
前記反応性生物は、絶縁物であることを特徴とする電気化学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月25日(2016.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱交換器（１１）を通過する空気流が流通する空気通路（１１ｆ）を開閉する車両用シャッタであって、
前記空気通路内の空気流れ方向に対して交差する交差方向にスライド移動が可能な遮風部材（４２、５２、６２）を備え、
前記熱交換器は、前記交差方向に並べられた複数のチューブ（１１ａ）を有して構成されており、
前記空気通路内の空気流が前記複数のチューブの間を通過するように前記空気通路が形成されており、
前記遮風部材は、前記複数のチューブの間のそれぞれに対応して設けられる複数の遮風部材の１つであり、
前記複数の遮風部材は、前記交差方向の一方側に位置するとき前記複数のチューブのうち対応するチューブに対して前記空気流れ方向に配置されることにより前記空気通路を開け、
前記複数の遮風部材は、前記交差方向の他方側に位置するとき互いに前記交差方向にオフセットして配置されることにより前記空気通路を閉じる車両用シャッタ。
【請求項２】
前記複数の遮風部材は、前記熱交換器のうち前記空気流が入る空気流入面（１７ａ）、および前記空気流が出る空気流出面（１７ｂ）のうち一方の面に沿うようにスライド移動が可能に構成されている請求項１に記載の車両用シャッタ。
【請求項３】
前記複数の遮風部材は、前記空気流れ方向に対して直交する方向にスライド移動が可能に構成されている請求項１または２に記載の車両用シャッタ。
【請求項４】
前記複数の遮風部材を前記交差方向の一方側、或いは前記交差方向の他方側に移動させる駆動部（７０、８０）を備える請求項１ないし３のいずれか１つに記載の車両用シャッタ。
【請求項５】
前記複数の遮風部材が前記交差方向の一方側に位置するとき、前記複数の遮風部材が前記対応するチューブに対して前記空気流れ方向に並ぶように配置されることにより、前記複数の遮風部材が前記空気通路を開ける請求項１ないし４のいずれか１つに記載の車両用シャッタ。
【請求項６】
前記複数の遮風部材のそれぞれの前記交差方向の寸法は、前記対応するチューブにおける前記交差方向の寸法以下になっている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の車両用シャッタ。
【請求項７】
前記複数の遮風部材が前記交差方向の他方側に位置するとき、前記複数の遮風部材が前記複数のチューブのうち隣り合う２本のチューブの間に亘って前記空気通路を閉じる請求項１ないし６のいずれか１つに記載の車両用シャッタ。
【請求項８】
前記複数の遮風部材は、前記熱交換器に対して前記空気流れ方向の上流側に配置されている請求項１ないし７のいずれか１つに記載の車両用シャッタ。
【請求項９】
前記複数の遮風部材は、３つ以上の遮風部材である請求項１ないし８のいずれか１つに記載の車両用シャッタ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１つに記載の車両用シャッタ（１５）と、
走行用エンジンの冷却水を車室外空気により冷却するラジエータとしての前記熱交換器（１１）と、
を備える熱交換器モジュール。
【請求項１１】
熱交換器（１１）を通過する空気流が流通する空気通路（１１ｆ）を開閉する車両用シャッタであって、
前記空気通路内の空気流れ方向に対して交差する交差方向にスライド移動が可能な遮風部材（４２、５２、６２）を備え、
前記熱交換器は、前記交差方向に並べられた複数のチューブ（１１ａ）を有して構成されており、
前記空気通路内の空気流が前記複数のチューブの間を通過するように前記空気通路が形成されており、
前記遮風部材は、前記複数のチューブの間のそれぞれに対応して設けられる複数の遮風部材の１つであり、
前記複数の遮風部材は、前記交差方向の一方側に位置するとき前記複数のチューブのうち対応するチューブに対して前記空気流れ方向に配置されることにより前記空気通路を開け、
前記複数の遮風部材は、前記交差方向の他方側に位置するとき互いに前記交差方向にオフセットして配置されることにより、前記交差方向の一方側に位置する場合よりも前記空気通路の開度を減少する車両用シャッタ。
【請求項１２】
前記複数の遮風部材が前記交差方向の他方側に位置するとき、前記複数の遮風部材が前記交差方向において前記複数のチューブのうち隣り合う２本のチューブの間に亘って前記空気通路を閉じる請求項１１に記載の車両用シャッタ。
【請求項１３】
前記複数の遮風部材は、走行用エンジンの冷却水を車室外空気により冷却するラジエータとしての前記熱交換器（１１）と、冷凍サイクルを構成して冷媒を車室外空気により冷却するコンデンサ（１２）との間に設けられている請求項１１または１２に記載の車両用シャッタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、熱交換器（１１）を通過する空気流が流通する空気通路（１１ｆ）を開閉する車両用シャッタであって、
空気通路内の空気流れ方向に対して交差する交差方向にスライド移動が可能な遮風部材（４２、５２、６２）を備え、
熱交換器は、交差方向に並べられた複数のチューブ（１１ａ）を有して構成されており、
空気通路内の空気流が複数のチューブの間を通過するように空気通路が形成されており、
遮風部材は、複数のチューブの間のそれぞれに対応して設けられる複数の遮風部材の１つであり、
複数の遮風部材は、交差方向の一方側に位置するとき複数のチューブのうち対応するチューブに対して空気流れ方向に配置されることにより空気通路を開け、
複数の遮風部材は、交差方向の他方側に位置するとき互いに交差方向にオフセットして配置されることにより空気通路を閉じる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技媒体を用いた遊技を行う遊技機であって、
所定条件の成立に基づいて判定を行う判定手段と、
前記判定手段による判定にて特別の結果が得られたとき、遊技者に利益を付与する利益付与手段と、
前記判定手段の判定結果に基づいて演出を制御する演出制御手段と、
遊技者により操作可能な操作受け部を有する操作手段と、
を備え、
前記演出制御手段は、
特定の演出実行期間にて前記操作受け部に対する操作が行われると、所定の操作対応演出を実行可能な操作対応演出実行手段と、
遊技者による操作を受けること無しに前記操作手段を動作させる動力の付与制御を行う駆動制御手段と、
前記駆動制御手段により前記操作手段が動作する場合に、該操作手段が動作しない場合には行われることのない所定の動作対応演出を実行可能な動作対応演出実行手段と、を有し、
前記駆動制御手段は、前記特定の演出実行期間が到来していないなかで、前記操作手段を動作させる動力の付与制御を行う
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（解決手段１）
上記目的を達成するために、本発明の遊技機は、
遊技媒体を用いた遊技を行う遊技機であって、
所定条件の成立に基づいて判定を行う判定手段と、
前記判定手段による判定にて特別の結果が得られたとき、遊技者に利益を付与する利益付与手段と、
前記判定手段の判定結果に基づいて演出を制御する演出制御手段と、
遊技者により操作可能な操作受け部を有する操作手段と、
を備え、
前記演出制御手段は、
特定の演出実行期間にて前記操作受け部に対する操作が行われると、所定の操作対応演出を実行可能な操作対応演出実行手段と、
遊技者による操作を受けること無しに前記操作手段を動作させる動力の付与制御を行う駆動制御手段と、
前記駆動制御手段により前記操作手段が動作する場合に、該操作手段が動作しない場合には行われることのない所定の動作対応演出を実行可能な動作対応演出実行手段と、を有し、
前記駆動制御手段は、前記特定の演出実行期間が到来していないなかで、前記操作手段を動作させる動力の付与制御を行うことを特徴とする。