Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に磁性層が成膜されたサーボ情報書き込み用の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記ガラス基板に、座屈変形及び曲げ変形の少なくともいずれかの変形を生じることを含み、
前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後５時間経過時の平坦度と、
荷重を加える前の平坦度との差の絶対値を擬弾性変形量Ａとした場合に、
前記擬弾性変形量Ａが２．０μｍ以下であり、
前記ガラス基板のガラスは、Ａｌ２Ｏ３を５ｍｏｌ％以上含有しており、
Ｂ２Ｏ３の含有量が０．１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、または含有するアルカリ金属酸化物は１種類以下であり、アルカリ金属酸化物の含有量が０ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下、またはアルカリ金属酸化物を２種類以上含有し、アルカリ金属酸化物の含有量が０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下である磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後５時間経過時の平坦度と、
荷重を取り除いた後４８時間経過時の平坦度との差の絶対値を擬弾性変形量Ｂとした場合に、
前記擬弾性変形量Ｂが１．５μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後、５時間経過時の平坦度である擬弾性変形量Ｃが２．５μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁気記録媒体の製造方法は
前記ガラス基板上に磁性層を成膜する磁性層成膜工程と、前記磁気記録媒体をカセット内に保持する磁気記録媒体保持工程と、から選択される１以上の工程を有しており、
前記磁性層成膜工程と、前記磁気記録媒体保持工程と、から選択された１以上の工程において、前記ガラス基板に座屈変形及び曲げ変形の少なくともいずれかの変形を生じる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板のガラスが、Ａｌ２Ｏ３を５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記ガラス基板のガラスが、
ＳｉＯ２を５５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下と、
アルカリ土類金属酸化物を０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下と、
を含有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
ガラス基板上に磁性層が成膜されたサーボ情報書き込み用の磁気記録媒体であって、
前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後５時間経過時の平坦度と、
荷重を加える前の平坦度との差の絶対値を擬弾性変形量Ａとした場合に、
前記擬弾性変形量Ａが２．０μｍ以下であり、
前記ガラス基板のガラスは、Ａｌ２Ｏ３を５ｍｏｌ％以上含有しており、
Ｂ２Ｏ３の含有量が０．１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、または、含有するアルカリ金属酸化物は１種類以下であり、アルカリ金属酸化物の含有量が０ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下、またはアルカリ金属酸化物を２種類以上含有し、アルカリ金属酸化物の含有量が０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下である磁気記録媒体。
【請求項８】
前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後５時間経過時の平坦度と、
荷重を取り除いた後４８時間経過時の平坦度との差の絶対値を擬弾性変形量Ｂとした場合に、
前記擬弾性変形量Ｂが１．５μｍ以下である請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後、５時間経過時の平坦度である擬弾性変形量Ｃが２．５μｍ以下である請求項７または８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記ガラス基板のガラスが、Ａｌ２Ｏ３を５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有する、請求項７〜９のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記ガラス基板のガラスが、
ＳｉＯ２を５５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下と、
アルカリ土類金属酸化物を０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下と、
を含有する請求項７〜１０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明はガラス基板上に磁性層が成膜されたサーボ情報書き込み用の磁気記録媒体の製造方法であって、前記ガラス基板に、座屈変形及び曲げ変形の少なくともいずれかの変形を生じることを含み、前記磁気記録媒体は、前記ガラス基板の直径方向の両端部を下面側から支持し、前記ガラス基板の中央部上面に荷重を４８時間加えた後に荷重を取り除き、荷重を取り除いた後５時間経過時の平坦度と、荷重を加える前の平坦度との差の絶対値を擬弾性変形量Ａとした場合に、前記擬弾性変形量Ａが２．０μｍ以下であり、前記ガラス基板のガラスは、Ａｌ２Ｏ３を５ｍｏｌ％以上含有しており、Ｂ２Ｏ３の含有量が０．１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、または含有するアルカリ金属酸化物は１種類以下であり、アルカリ金属酸化物の含有量が０ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下、またはアルカリ金属酸化物を２種類以上含有し、アルカリ金属酸化物の含有量が０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下である磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作成指示に基づき、内部に保管している記録媒体に所望のデータを記録する記録媒体作成装置であって、
前記記録媒体を前記記録媒体の種類ごとに保管する複数の記録媒体保管部と、
前記記録媒体に前記データを書き込む複数のデータ記録部と、
前記記録媒体を、少なくとも前記記録媒体保管部および前記データ記録部を含む範囲を搬送する記録媒体搬送部と、
少なくともこれらを制御する制御部と、を備え、
複数の前記データ記録部は、予め、前記記録媒体の種類に対応して割り当てられ、
前記制御部は、前記記録媒体搬送部を制御して、いずれかの前記記録媒体保管部に保管されている前記記録媒体を、その種類に対応する前記データ記録部へ搬送させることを特徴とする記録媒体作成装置。
【請求項２】
前記記録媒体の種類を識別する記録媒体識別部を備え、
前記記録媒体識別部は、前記データ記録部へ搬送された前記記録媒体の種類を識別することを特徴とする請求項１に記載の記録媒体作成装置。
【請求項３】
前記作成指示が、同一の種類の前記記録媒体を複数枚作成する指示の場合は、
前記作成指示で指定されていない種類の前記記録媒体に割り当てられた前記データ記録部が、前記作成指示で指定されている種類の前記記録媒体に割り当てられることを特徴とする請求項１または２に記載の記録媒体作成装置。
【請求項４】
前記記録媒体保管部は、前記記録媒体の残量を検出する記録媒体残量検出部を備え、
前記記録媒体残量検出部が、いずれかの前記記録媒体保管部の前記記録媒体がなくなったことを検出した場合は、
検出された前記記録媒体の種類に割り当てられた前記データ記録部が、残量のある他方の前記記録媒体保管部の前記記録媒体の種類に割り当てられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の記録媒体作成装置。
【請求項５】
作成指示に基づき、内部に保管している記録媒体に所望のデータを記録する記録媒体作成装置の制御方法であって、
前記記録媒体作成装置は、前記記録媒体を前記記録媒体の種類ごとに保管する複数の記録媒体保管部と、前記記録媒体に前記データを書き込む複数のデータ記録部と、前記記録媒体を、少なくとも前記記録媒体保管部および前記データ記録部を含む範囲を搬送する記録媒体搬送部と、少なくともこれらを制御する制御部と、を備え、
複数の前記データ記録部は、予め、前記記録媒体の種類に対応して割り当てられ、
前記制御部は、前記記録媒体搬送部を制御して、いずれかの前記記録媒体保管部に保管されている前記記録媒体を、その種類に対応する前記データ記録部へ搬送させることを特徴とする記録媒体作成装置の制御方法。
【請求項６】
前記データ記録部へ搬送された前記記録媒体に前記データを書き込む際、当該記録媒体の種類を識別することを特徴とする請求項５に記載の記録媒体作成装置の制御方法。
【請求項７】
前記作成指示が、同一の種類の前記記録媒体を複数枚作成する指示の場合は、
前記作成指示で指定されていない種類の前記記録媒体に割り当てられた前記データ記録部が、前記作成指示で指定されている種類の前記記録媒体に割り当てられることを特徴とする請求項５または６に記載の記録媒体作成装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、負極と、単層あるいは複数層の微多孔膜が設けられたセパレータと、電解液とを備えたリチウム二次単電池を中心部に複数配置するとともに、前記中心部に配置したリチウム二次単電池を取り囲む外周部に前記リチウム二次単電池をさらに複数配置したリチウム二次電池装置において、
前記中心部に配置された前記リチウム二次単電池の前記セパレータ（以下、第１セパレータ）のシャットダウン温度は、前記外周部に配置された前記リチウム二次単電池の前記セパレータ（以下、第２セパレータ）のシャットダウン温度よりも高いことを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項２】
請求項１に記載のリチウム二次電池装置において、
前記第２セパレータは低融点材層を含むことを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項３】
請求項２に記載のリチウム二次電池装置において、
前記低融点材層は、ポリエチレン、合成ワックス、ポリオレフィン系樹脂のいずれかを含むことを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のリチウム二次電池装置において、
前記第１セパレータ及び前記第２セパレータのシャットダウン温度の範囲が１００〜１６０℃であることを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のリチウム二次電池装置において、
前記第１セパレータの前記シャットダウン温度は、１２５〜１４０℃であり、
前記第２セパレータの前記シャットダウン温度は、１００〜１２５℃であり、
前記第１セパレータのシャットダウン温度と、前記第２セパレータのシャットダウン温度との差は、５〜４０℃であることを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のリチウム二次電池装置において、
前記第１セパレータ又は前記第２セパレータには、耐熱材層が設けられていることを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項７】
請求項６に記載のリチウム二次電池装置において、
前記第２セパレータの１５０℃における熱収縮率が８％以内であることを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載のリチウム二次電池装置において、
前記耐熱材層は、Ａｌ、Ａｌ酸化物（アルミナ）、水酸化アルミニウム、ベーマイト、
Ｓｉ、Ｓｉ酸化物、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウムのいずれかを含むことを特徴とするリチウム二次電池装置。
【請求項９】
正極と、負極と、単層あるいは複数層の微多孔膜が設けられたセパレータと、電解液とを備えたリチウム二次単電池を中心部に複数配置するとともに、前記中心部に配置したリチウム二次単電池を取り囲む外周部に前記リチウム二次単電池をさらに複数配置したリチウム二次電池装置の製造方法であって、
前記中心部に配置された前記リチウム二次単電池の前記セパレータ（以下、第１セパレータ）のシャットダウン温度は、前記外周部に配置された前記リチウム二次単電池の前記セパレータ（以下、第２セパレータ）のシャットダウン温度よりも高いことを特徴とし、
前記第２セパレータは低融点材層を含み、
前記低融点材層は、界面活性剤、結着剤、及び、水系エマルジョン化された低融点材を含む溶液を用いて形成されることを特徴とするリチウム二次電池装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のリチウム二次電池装置の製造方法において、
前記溶液中の前記低融点材の重量割合を６質量％以上とし、
前記溶液中の前記界面活性剤の体積割合を溶媒に対して０．０５体積％以上とし、
前記溶液中の前記結着剤の重量割合を低融点材に対して０．５質量％以上とすることを特徴とするリチウム二次電池装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のリチウム二次電池装置の製造方法において、
前記第１セパレータ又は前記第２セパレータは、さらに耐熱材層を含み、
前記耐熱材層および前記低融点材層は、前記微多孔膜に塗布されることで設けられることを特徴とするリチウム二次電池装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウム二次電池装置およびリチウム二次電池装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：Ｌｉ1+sＮｉxＣｏyＭｎzＭtＯ2（−０．０５≦ｓ≦０．２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１、０．３≦ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４、０．１≦ｚ≦０．４、０．０００３≦ｔ≦０．０５、Ｍは、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上の元素）で表され、一次粒子が凝集した二次粒子で構成された層状構造を有する六方晶系リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子からなり、かつ、ＣｕＫα線を使用した粉末Ｘ線回折において、ミラー指数（ｈｋｌ）における（００３）面での回折ピークの半価幅から求められる結晶子径に対する、（１０４）面での回折ピークの半価幅から求められる結晶子径の比が、０を超えて０．６０未満であり、
前記（００３）面での回折ピークの半価幅から求められる結晶子径が８０ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲にあり、かつ、前記（１０４）面での回折ピークの半価幅から求められる結晶子径が４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲にある、非水電解質二次電池用正極活物質。
【請求項２】
前記二次粒子の平均粒径が３μｍ〜２０μｍである、請求項１に記載の非水電解質二次電池用正極活物質。
【請求項３】
前記二次粒子の粒度分布の広がりを示す指標である〔（ｄ９０−ｄ１０）／平均粒径〕が０．６０以下である、請求項１または２に記載の非水電解質二次電池用正極活物質。
【請求項４】
一般式：ＮｉxＣｏyＭｎzＭt（ＯＨ）2+α（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１、０．３≦ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４、０．１≦ｚ≦０．４、０．０００３≦ｔ≦０．０１、Ｍは、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上の元素）で表されるニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を得る晶析工程と、
前記ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子に、リチウム以外の金属元素の原子数の合計に対する、リチウムの原子数の比が０．９５〜１．２０となるように、リチウム化合物を混合して、リチウム混合物を得る混合工程と、
酸化性雰囲気中で、６５０℃から焼成温度までの昇温時間を０．５時間〜１．５時間とするとともに、焼成温度を８５０℃〜１０００℃として、この温度で１時間〜５時間保持する焼成条件により、前記リチウム混合物を焼成して、リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子を得る焼成工程と
を備える、非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
前記焼成工程における、昇温開始から焼成終了までの全体の焼成時間を３時間〜９時間の範囲とする、請求項４に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項６】
前記晶析工程において、平均粒径が３μｍ〜２０μｍの範囲にあり、かつ、粒度分布の広がりを示す指標である〔（ｄ９０−ｄ１０）／平均粒径〕が０．６０以下であるニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を得る、請求項５に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項７】
前記混合工程の前に、前記ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を１０５℃〜４００℃の範囲の温度で熱処理する熱処理工程をさらに備える、請求項５または６に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項８】
前記焼成工程で得られたリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子を解砕する解砕工程をさらに備える、請求項５〜７のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項９】
正極と、負極と、セパレータと、非水電解質とを備え、前記正極の正極材料として、請求項１〜３のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質が用いられている、非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
（粒子構造）
本発明の非水電解質二次電池用正極活物質は、一次粒子が複数凝集して形成された略球状の二次粒子により構成されたリチウム複合酸化物粒子からなる。二次粒子を構成する一次粒子の形状としては、板状、針状、直方体状、楕円状、稜面体状などのさまざまな形態を採ることができ、その凝集状態も、ランダムな方向に凝集する場合のほか、中心から放射状に粒子の長径方向が凝集する場合も本発明に適用することは可能である。ただし、正極活物質の充填性を改善するために、二次粒子の形状は球状であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、上記二次粒子は、該二次粒子を構成する一次粒子間に、電解液が浸透可能な界面または粒界を有している。このため、リチウムイオンの脱離および挿入が行われる一次粒子の表面まで電解液を浸透させることができ、上述した（１０４）面結晶子径比や結晶子径の制御との相乗効果により、出力特性を大幅に改善することができる。なお、このような二次粒子は、後述するような晶析工程により容易に得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月8日(2016.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる色成分の画素が２次元に配列されて構成される複数の画像を画像処理する画像処理手段を備え、
前記画像処理手段は、
前記複数の画像から、当該画像の各画素の色成分のデータに基づいて演算された擬似的な輝度値を画素毎に画素値として有する複数の擬似輝度成分画像を生成する擬似輝度画像生成部と、
前記複数の画像のうち、所定の１枚を基準画像として、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像における注目画素と、その隣接画素を垂直方向及び水平方向に所定数含む領域をテンプレートとして生成するテンプレート生成部と、
前記複数の画像のうち、前記基準画像以外を追加画像として、前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像内の所定の探索範囲における前記テンプレートと同サイズの探索領域を生成する探索領域生成部と、
前記テンプレートと前記探索領域をＮＬ−ｍｅａｎｓに従ったパターンマッチングを用いることにより前記複数の画像を合成する合成部と、を含み、
前記テンプレート生成部は、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像のどの画素を前記注目画素とした場合であっても、同一サイズの前記テンプレートを生成することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理手段は、
前記テンプレートと前記探索領域をＮＬ−ｍｅａｎｓに従ってパターンマッチングをすることで相関量を算出する相関量算出部と、
前記相関量に基づいて係数を算出する係数算出部と、をさらに含み、
前記合成部は、前記係数を用いた畳み込み演算を行うことで、前記複数の画像を合成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記係数算出部は、前記ＮＬ−Ｍｅａｎｓにおける強度パラメータを、前記テンプレートの輝度に応じて可変設定し、当該強度パラメータを用いて前記係数を算出することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像処理手段は、
前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像と、前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像とに基づいて、グローバル移動ベクトルを算出し、当該グローバル移動ベクトルに基づいて、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像と前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像との間の変換行列を生成する変換行列生成部をさらに含み、
前記探索領域生成部は、前記変換行列を用いて、前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像内の所定の探索範囲における前記テンプレートと同サイズの前記探索領域を生成する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記複数の画像は、Ｂａｙｅｒ配列の画像であること特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
異なる色成分の画素が２次元に配列されて構成される複数の画像を画像処理する画像処理ステップを含む画像処理方法であって、
前記画像処理ステップは、
前記複数の画像から、当該画像の各画素の色成分のデータに基づいて演算された擬似的な輝度値を画素毎に画素値として有する複数の擬似輝度成分画像を生成する擬似輝度画像生成ステップと、
前記複数の画像のうち、所定の１枚を基準画像として、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像における注目画素と、その隣接画素を垂直方向及び水平方向に所定数含む領域をテンプレートとして生成するテンプレート生成ステップと、
前記複数の画像のうち、前記基準画像以外を追加画像として、前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像内の所定の探索範囲における前記テンプレートと同サイズの探索領域を生成する探索領域生成ステップと、
前記テンプレートと前記探索領域をＮＬ−ｍｅａｎｓに従ってパターンマッチングをすることで相関量を算出する相関量算出ステップと、
前記相関量に基づいて係数を算出する係数算出ステップと、
前記係数を用いた畳み込み演算を行うことで、前記複数の画像を合成する合成ステップと、を含み
前記テンプレート生成ステップは、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像のどの画素を前記注目画素とした場合であっても、同一サイズの前記テンプレートを生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータに、
異なる色成分の画素が２次元に配列されて構成される複数の画像を画像処理する画像処理機能を実現させるプログラムであって、
前記画像処理機能は、
前記複数の画像から、当該画像の各画素の色成分のデータに基づいて演算された擬似的な輝度値を画素毎に画素値として有する複数の擬似輝度成分画像を生成する擬似輝度画像生成機能と、
前記複数の画像のうち、所定の１枚を基準画像として、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像における注目画素と、その隣接画素を垂直方向及び水平方向に所定数含む領域をテンプレートとして生成するテンプレート生成機能と、
前記複数の画像のうち、前記基準画像以外を追加画像として、前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像内の所定の探索範囲における前記テンプレートと同サイズの探索領域を生成する探索領域生成機能と、
前記テンプレートと前記探索領域をＮＬ−ｍｅａｎｓに従ってパターンマッチングをすることで相関量を算出する相関量算出機能と、
前記相関量に基づいて係数を算出する係数算出機能と、
前記係数を用いた畳み込み演算を行うことで、前記複数の画像を合成する合成機能と、を含み、
前記テンプレート生成機能は、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像のどの画素を前記注目画素とした場合であっても、同一サイズの前記テンプレートを生成することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の画像処理装置は、
異なる色成分の画素が２次元に配列されて構成される複数の画像を画像処理する画像処理手段を備え、
前記画像処理手段は、
前記複数の画像から、当該画像の各画素の色成分のデータに基づいて演算された擬似的な輝度値を画素毎に画素値として有する複数の擬似輝度成分画像を生成する擬似輝度画像生成部と、
前記複数の画像のうち、所定の１枚を基準画像として、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像における注目画素と、その隣接画素を垂直方向及び水平方向に所定数含む領域をテンプレートとして生成するテンプレート生成部と、
前記複数の画像のうち、前記基準画像以外を追加画像として、前記追加画像から生成した擬似輝度成分画像内の所定の探索範囲における前記テンプレートと同サイズの探索領域を生成する探索領域生成部と、
前記テンプレートと前記探索領域をＮＬ−ｍｅａｎｓに従ったパターンマッチングを用いることにより前記複数の画像を合成する合成部と、を含み、
前記テンプレート生成部は、前記基準画像から生成した擬似輝度成分画像のどの画素を前記注目画素とした場合であっても、同一サイズの前記テンプレートを生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサービス提供元を示す情報を予め登録しているウェブブラウザが動作する情報処理装置であって、
サーバからサービスの種類を示す情報を取得する取得手段と、
前記取得手段による前記サービスの種類を示す情報の取得に応じて、前記予め登録されている複数のサービス提供元を示す情報の中から、当該取得した情報に示される種類のサービスを提供可能なサービス提供元を示す情報を探す探索手段と、
前記探索手段で見つかった情報が複数ある場合、前記ウェブブラウザにより、当該見つかった複数の情報を表示する表示手段と、
前記表示された複数の情報のうちの少なくとも二つの情報のユーザによる選択に応じて、当該選択された少なくとも二つの情報に示される少なくとも二つのサービス提供元へ、インターネットを介して、サービスの提供を依頼する依頼手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記サービスの種類には、データの共有が含まれることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記取得手段は、サービスの種類、及び、サービスが扱う対象物のフォーマットを示す情報を取得し、
前記探索手段は、前記取得手段で取得したサービスの種類を持ち、かつ、前記フォーマットを扱うことができるサービス提供元を示す情報を、前記予め登録されている複数の情報から探索し、
前記表示手段は、前記探索手段の探索により見つかった情報が複数ある場合、当該見つかった複数の情報を表示することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
複数のサービス提供元を示す情報を予め登録しているウェブブラウザが動作する情報処理装置における制御方法であって、
サーバからサービスの種類を示す情報を取得する取得工程と、
前記取得工程での前記サービスの種類を示す情報の取得に応じて、前記予め登録されている複数のサービス提供元を示す情報の中から、当該取得した情報に示される種類のサービスを提供可能なサービス提供元を示す情報を探す探索工程と、
前記探索工程で見つかった情報が複数ある場合、前記ウェブブラウザにより、当該見つかった複数の情報を表示する表示工程と、
前記表示された複数の情報のうちの少なくとも二つの情報のユーザによる選択に応じて、当該選択された少なくとも二つの情報に示される少なくとも二つのサービス提供元へ、インターネットを介して、サービスの提供を依頼する依頼工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項５】
前記サービスの種類には、データの共有が含まれることを特徴とする請求項４に記載の制御方法。
【請求項６】
前記取得工程では、サービスの種類、及び、サービスが扱う対象物のフォーマットを示す情報を取得し、
前記探索工程では、前記取得工程で取得したサービスの種類を持ち、かつ、前記フォーマットを扱うことができるサービス提供元を示す情報を、前記予め登録されている複数の情報から探索し、
前記表示工程では、前記探索手段の探索により見つかった情報が複数ある場合、当該見つかった複数の情報を表示することを特徴とする請求項４に記載の制御方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の手段としてコンピューターを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、複数のサービス提供元を示す情報を予め登録しているウェブブラウザが動作する情報処理装置であって、サーバからサービスの種類を示す情報を取得する取得手段と、前記取得手段による前記サービスの種類を示す情報の取得に応じて、前記予め登録されている複数のサービス提供元を示す情報の中から、当該取得した情報に示される種類のサービスを提供可能なサービス提供元を示す情報を探す探索手段と、前記探索手段で見つかった情報が複数ある場合、前記ウェブブラウザにより、当該見つかった複数の情報を表示する表示手段と、前記表示された複数の情報のうちの少なくとも二つの情報のユーザによる選択に応じて、当該選択された少なくとも二つの情報に示される少なくとも二つのサービス提供元へ、インターネットを介して、サービスの提供を依頼する依頼手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子の受光面を遮光膜により撮像画素よりも大きく遮光した位相差画素を備え、
前記位相差画素は、前記遮光膜に入射される遮光対象の光軸上に光吸収膜を有し、前記受光面に入射される透過対象の光軸上には前記光吸収膜が設けられていない
固体撮像素子。
【請求項２】
前記光吸収膜は、所定の色フィルタで形成されている
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記光吸収膜は、前記撮像画素で利用されている色フィルタの一つで形成されている
請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記光吸収膜は、青色の色フィルタである
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記光吸収膜は、隣接する前記撮像画素の色フィルタを延伸することにより形成されている
請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記光吸収膜は、前記撮像画素で利用されている複数の色フィルタを積層して構成されている
請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記光吸収膜は、赤外フィルタまたは黒色の色フィルタである
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記受光面に入射される透過対象の光軸上には、前記光吸収膜とは異なる色の色フィルタが設けられている
請求項１乃至６のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記受光面に入射される透過対象の光軸上には、ホワイトフィルタが設けられている
請求項１乃至８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記光吸収膜は、前記遮光膜の上に形成されている
請求項１乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記光吸収膜の遮光方向の線幅が、前記遮光膜よりも短くなるようにオフセットされている
請求項１乃至１０のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記光吸収膜のオフセット量は、最大入射角に応じて決定されている
請求項１１に記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
前記光吸収膜のオフセット量は、画素アレイ部内の位置に応じて異なる
請求項１１または１２に記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記光吸収膜のオフセット量は、前記遮光膜からの高さに応じて異なる
請求項１１乃至１３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１５】
前記光吸収膜は、所定の膜を介して前記遮光膜の上に形成されている
請求項１乃至１４のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１６】
前記位相差画素と前記撮像画素とが混在している
請求項１乃至１５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１７】
前記位相差画素のみで構成されている
請求項１乃至１５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１８】
前記遮光膜は金属膜である
請求項１乃至１７のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１９】
位相差画素の画素領域に、光電変換素子の受光面を撮像画素よりも大きく遮光した遮光膜を形成し、
前記受光面に入射される透過対象の光軸上には光吸収膜を形成せずに、前記遮光膜に入射される遮光対象の光軸上に前記光吸収膜を形成する
固体撮像素子の製造方法。
【請求項２０】
光電変換素子の受光面を遮光膜により撮像画素よりも大きく遮光した位相差画素を備え、
前記位相差画素は、前記遮光膜に入射される遮光対象の光軸上に光吸収膜を有し、前記受光面に入射される透過対象の光軸上には前記光吸収膜が設けられていない
固体撮像素子
を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられ、第１導電型の第１半導体領域を含む光電変換部と、
前記第１半導体領域に隣接して設けられ、前記第１半導体領域よりも前記第１導電型の不純物濃度が低い前記第１導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域から離れた位置に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域と前記第３半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、を備え、
平面視において前記第２半導体領域と前記ゲート電極との間にギャップを有しており、前記半導体基板は、前記第２半導体領域の縁から前記ゲート電極の下に至る領域に前記第１導電型とは極性が異なる第２導電型の領域を有する、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第２半導体領域は、前記第１導電型の不純物濃度が、前記第１半導体領域の１０分の１以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第３半導体領域から離れた位置に設けられた前記第１導電型の第４半導体領域と、
前記第３半導体領域と前記第４半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、をさらに備え、
平面視において前記第３半導体領域と前記第２ゲート電極との間にギャップを有しており、前記半導体基板は、前記第３半導体領域の縁から前記第２ゲート電極の下に至る領域に前記第２導電型の第２領域を有し、
前記第３半導体領域は、前記ゲート電極の側から前記第２ゲート電極の側に向かって順に第１部分と第２部分とを有しており、前記第２部分は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第１部分よりも低い、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１部分は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第１半導体領域と同じであり、
前記第２部分は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第２半導体領域と同じである、
ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
半導体基板に設けられ、第１導電型の第１半導体領域を含む光電変換部と、
前記第１半導体領域に隣接して設けられ、前記第１半導体領域よりも前記第１導電型の不純物濃度が低い前記第１導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域から離れた位置に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域と前記第３半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、
前記第３半導体領域から離れた位置に設けられた前記第１導電型の第４半導体領域と、
前記第３半導体領域と前記第４半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、を備え、
平面視において前記第３半導体領域と前記第２ゲート電極との間にギャップを有しており、前記半導体基板は、前記第３半導体領域の縁から前記第２ゲート電極の下に至る領域に前記第１導電型とは極性が異なる第２導電型の領域を有する
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
前記第１導電型はＰ型であり、前記第１導電型の不純物としてボロンが用いられた、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置を有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項８】
光電変換装置の製造方法であって、
前記光電変換装置は、半導体基板に設けられ、第１導電型の第１半導体領域を含む光電変換部と、前記第１半導体領域に隣接して設けられ、前記第１半導体領域よりも前記第１導電型の不純物濃度が低い前記第１導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域から離れた位置に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられ、前記第２半導体領域と前記第３半導体領域との間にチャネルを形成するためのゲート電極と、を備え、
前記光電変換装置の製造方法は、
前記ゲート電極の側面にサイドウォールスペーサを形成する工程と、
前記ゲート電極と前記サイドウォールスペーサとをマスクとして不純物を注入し、平面視において前記第２半導体領域と前記ゲート電極との間にギャップを有するように、前記第２半導体領域を形成する工程と、を含み、
前記半導体基板は、前記第２半導体領域の縁から前記ゲート電極の下に至る領域に前記第１導電型とは極性が異なる第２導電型の領域を有する、
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月7日(2016.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられ、第１導電型の第１半導体領域を含む光電変換素子と、
前記第１半導体領域に接触して設けられた前記第１導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域と離れた位置に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域と前記第３半導体領域の間に設けられ、前記第１導電型とは極性が異なる第２導電型の第４半導体領域と、
前記第３半導体領域と離れた位置に設けられる前記第１導電型の第５半導体領域と、
前記第３半導体領域と前記第５半導体領域の間に設けられる前記第２導電型の第６半導体領域と、
前記第４半導体領域の上に絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、
前記第６半導体領域の上に絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、を備え、
前記第３半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第５半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さよりも深い
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第３半導体領域の不純物濃度は前記第５半導体領域の不純物濃度よりも低い、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２半導体領域の中に、前記第２半導体領域より不純物濃度が高い前記第１導電型の第７半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第３半導体領域の中に、前記第３半導体領域より不純物濃度が高い前記第１導電型の第８半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２半導体領域の中に、前記第２半導体領域より不純物濃度が高い前記第１導電型の第７半導体領域が配置され、
前記第３半導体領域の中に、前記第３半導体領域より不純物濃度が高い前記第１導電型の第８半導体領域が配置されており、
前記第５半導体領域の不純物濃度は前記第７半導体領域及び前記第８半導体領域よりも高いことを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第１半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さより浅いことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第２半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第５半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さより深いことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２半導体領域と前記第３半導体領域の不純物濃度は前記第１半導体領域より高いことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第５半導体領域の周囲には、前記第５半導体領域より不純物濃度が低い第９半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第５半導体領域にはコンタクトプラグが接触していることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１ゲート電極を含む第１トランジスタが導通状態であって、前記第２ゲート電極を含む第２トランジスタが非導通状態であるモードで動作することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本願発明の光電変換装置は、半導体基板に設けられ、第１導電型の第１半導体領域を含む光電変換素子と、前記第１半導体領域に接触して設けられた前記第１導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域と離れた位置に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、前記第２半導体領域と前記第３半導体領域の間に設けられ、前記第１導電型とは極性が異なる第２導電型の第４半導体領域と、前記第３半導体領域と離れた位置に設けられる前記第１導電型の第５半導体領域と、前記第３半導体領域と前記第５半導体領域の間に設けられる前記第２導電型の第６半導体領域と、前記第４半導体領域の上に絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、前記第６半導体領域の上に絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、を備え、前記第３半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第５半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さよりも深いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
能動層を含む発光スタック層と、
前記発光スタック層に接続される非酸化物絶縁層と、を含み、
前記非酸化物絶縁層の屈折率は、1.4よりも小さく、
前記非酸化物絶縁層の材料は、ハロゲン化物、又は、IIA族及びVIIA族の化合物を含む、発光素子。
【請求項２】
請求項1に記載の発光素子であって、
前記能動層と、前記非酸化物絶縁層との間に位置するウィンドウ層を更に含み、
前記ウィンドウ層の屈折率は、前記非酸化物絶縁層の屈折率よりも大きい、発光素子。
【請求項３】
請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の真上に位置する電気接触層を更に含む、発光素子。
【請求項４】
請求項3に記載の発光素子であって、
前記電気接触層は、半導体材料を含む、発光素子。
【請求項５】
請求項3に記載の発光素子であって、
前記発光スタック層の上に位置する第一電極を更に含む、発光素子。
【請求項６】
請求項5に記載の発光素子であって、
前記第一電極は、前記電気接触層の上に位置する突部を含み、及び/又は、前記第一電極は、前記電気接触層を覆う延伸部を含む、発光素子。
【請求項７】
請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の一つの表面を覆う透明導電構造を更に含む、発光素子。
【請求項８】
請求項7に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層を貫通する複数の孔隙を更に含み、
前記透明導電構造は、前記複数の孔隙に充填される、発光素子。
【請求項９】
請求項7に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の厚さは、前記透明導電構造の厚さの1/5よりも小さく、
前記透明導電構造は、
前記非酸化物絶縁層の下に位置する第一導電酸化層と、
前記発光スタック層と、前記第一導電酸化層との間に位置する第二導電酸化層と、を含み、
前記第一導電酸化層及び前記第二導電酸化層の材料は、少なくとも一つの構成元素が異なる、発光素子。
【請求項１０】
請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の下に位置する基板と、
前記基板と、前記非酸化物絶縁層との間に位置する導電性接着層と、を更に含む、発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層表面に粗化処理により粗化粒子が形成され、粗化処理表面の平均粗さＲｚが０．２〜１．３μｍであり、粗化処理表面の光沢度が０．５〜６８であり、
前記粗化処理表面の三次元表面積Ａと、前記粗化処理表面を前記銅箔表面側から平面視したときに得られる二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂが１．５５〜２．４５であるキャリア付銅箔。
【請求項２】
以下の（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか一つ以上を満たす請求項１に記載のキャリア付銅箔。
（Ａ）前記平均粗さＲｚが０．５〜１．１μｍである、
（Ｂ）前記光沢度が１．０〜４０である、
（Ｃ）前記Ａ／Ｂが１．５５〜２．３０である。
【請求項３】
以下の（Ｄ）〜（Ｆ）のいずれか一つ以上を満たす請求項１または２のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
（Ｄ）前記平均粗さＲｚが０．６〜０．９μｍである、
（Ｅ）前記光沢度が４．８〜３５である、
（Ｆ）前記Ａ／Ｂが１．５５〜２．１５である。
【請求項４】
前記キャリア付銅箔を、極薄銅層の粗化処理表面側から厚さ５０μｍの樹脂基板の両面に貼り合わせた後、キャリアを剥がし、続いてエッチングで前記極薄銅層を除去したとき、前記樹脂基板の光透過率が３０％以上となる請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項５】
以下の（Ｇ）〜（Ｉ）のいずれか一つを満たす請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
（Ｇ）前記粗化処理表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する、
（Ｈ）前記粗化処理表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有し、且つ、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える、
（Ｉ）前記粗化処理表面上に樹脂層を備える。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する方法。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法を用いて製造したプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法を用いて製造したプリント配線板又は請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法を用いて製造したプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
【請求項１１】
請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法を用いて製造したプリント配線板を１つ以上用いて電子機器を製造する方法。
【請求項１２】
請求項６に記載のプリント配線板を製造する方法を用いて製造したプリント配線板と、部品とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板を製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月21日(2016.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、樹脂からなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の一端に設けられ、前記第１面に形成された第１導体と、
前記第１面の前記第１導体の両側に離間して形成された第１グランドパターンと、
前記絶縁基板の一端に設けられ、前記第２面に形成され、前記絶縁基板を貫通する第１ビア配線により前記第１導体と接続された導体パターンと、
前記第２面の前記導体パターンの両側に離間して形成され、前記絶縁基板を貫通する第２ビア配線により前記第１グランドパターンと接続された第２グランドパターンと、を具備し、
前記絶縁基板の一端における前記導体パターンと前記第２グランドパターンとの距離は、前記第１導体と前記第１グランドパターンとの距離より小さいことを特徴とするフレキシブル基板。
【請求項２】
前記導体パターンの幅は前記第１導体の幅より大きいことを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基板。
【請求項３】
前記第２グランドパターンの幅は前記第１グランドパターンの幅より大きいことを特徴とする請求項１または２記載のフレキシブル基板。
【請求項４】
第１信号線路及び前記第１グランドパターンは、外部配線基板の電極に接続されることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載のフレキシブル基板。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月27日(2016.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層を挟んで上下に位置する第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記半導体層と前記第１のゲート電極との間の第１のゲート絶縁層と、
前記半導体層と前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁層と、
前記半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記半導体層は、前記ソース電極と重なる第１の領域と、前記ドレイン電極と重なる第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならない第３の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記第２のゲート電極と重なる第４の領域と、前記第１の領域と前記第４の領域との間の第５の領域と、前記第２の領域と前記第４の領域との間の第６の領域と、を有し、
前記第３の領域は全て、前記第１のゲート電極と重なり、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さは、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第６の領域のチャネル長方向の長さは、前記第５の領域のチャネル長方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記半導体層と重なる開口を有する環状の上面形状を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記開口の内側に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体層は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体層と前記第１のゲート絶縁層との間の第１の酸化物層と、
前記半導体層と前記第２のゲート絶縁層との間の第２の酸化物層と、有し、
前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、前記半導体層が有する金属元素と同じ金属元素を一種以上有することを特徴とする半導体装置。