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【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂硬化度が９０％以上になるまで重合が進行した樹脂である絶縁層と、前記絶縁層に積層されたシールド層と、前記シールド層に積層された接着剤層とを有する積層体であるシールドフィルムを形成する工程と、
前記シールドフィルムをプリント基板に載置する工程と、
前記シールドフィルムと前記プリント基板とを加熱プレスする工程と
を備え、
前記絶縁層は、前記加熱プレス時において保護層が積層されていないことを特徴とするシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記シールドフィルムを形成する工程は、
前記絶縁層側の面が保護部材に当接するように当該保護部材に積層され、前記接着剤層側から前記保護部材を残して前記積層体を切断するハーフカット工程と、
切断された前記シールドフィルムを前記保護部材から剥離する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記シールドフィルムを形成する工程は、
前記シールドフィルムを、前記絶縁層側の面が保護シートに当接するように当該保護シートに載置して当該積層体を切断するカット工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
樹脂硬化度が９０％以上になるまで重合が進行した樹脂である絶縁層と、前記絶縁層に積層された等方導電性接着剤層とを有する積層体であるシールドフィルムを形成する工程と、
前記シールドフィルムをプリント基板に載置する工程と、
前記シールドフィルムと前記プリント基板とを加熱プレスする工程と
を備え、
前記絶縁層は、前記加熱プレス時において保護層が積層されていないことを特徴とするシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記シールドフィルムを形成する工程は、
前記絶縁層側の面が保護部材に当接するように当該保護部材に積層され、前記接着剤層側から前記保護部材を残して前記積層体を切断するハーフカット工程と、
切断された前記シールドフィルムを前記保護部材から剥離する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項４に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記シールドフィルムを形成する工程は、
前記シールドフィルムを、前記絶縁層側の面が保護シートに当接するように当該保護シートに載置して当該積層体を切断するカット工程を備えたことを特徴とする請求項４に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層は、フィルム状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層は、耐熱性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層は、層厚が２μｍ〜２５μｍに形成されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載のシールドプリント配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のシールドプリント配線板の製造方法は、樹脂硬化度が９０％以上になるまで重合が進行した樹脂である絶縁層と、前記絶縁層に積層されたシールド層と、前記シールド層に積層された接着剤層とを有する積層体であるシールドフィルムを形成する工程と、前記シールドフィルムをプリント基板に載置する工程と、前記シールドフィルムと前記プリント基板とを加熱プレスする工程と
を備え、前記絶縁層は、前記加熱プレス時において保護層が積層されていないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記シールドフィルムを形成する工程は、前記絶縁層側の面が保護部材に当接するように当該保護部材に積層され、前記接着剤層側から前記保護部材を残して前記積層体を切断するハーフカット工程と、切断された前記シールドフィルムを前記保護部材から剥離する工程と、を備えることが好ましい。
また、前記シールドフィルムを形成する工程は、前記シールドフィルムを、前記絶縁層側の面が保護シートに当接するように当該保護シートに載置して当該積層体を切断するカット工程を備えても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のシールドプリント配線板の製造方法は、樹脂硬化度が９０％以上になるまで重合が進行した樹脂である絶縁層と、前記絶縁層に積層された等方導電性接着剤層とを有する積層体であるシールドフィルムを形成する工程と、前記シールドフィルムをプリント基板に載置する工程と、前記シールドフィルムと前記プリント基板とを加熱プレスする工程とを備え、前記絶縁層は、前記加熱プレス時において保護層が積層されていないことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記シールドフィルムを形成する工程は、前記絶縁層側の面が保護部材に当接するように当該保護部材に積層され、前記接着剤層側から前記保護部材を残して前記積層体を切断するハーフカット工程と、切断された前記シールドフィルムを前記保護部材から剥離する工程と、を備えることが好ましい。
また、前記シールドフィルムを形成する工程は、前記シールドフィルムを、前記絶縁層側の面が保護シートに当接するように当該保護シートに載置して当該積層体を切断するカット工程を備えても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のドリフト層（１１）を構成する半導体基板（１０）と、
前記ドリフト層上に形成された第２導電型のベース層（１２）と、
前記ドリフト層のうちの前記ベース層側と反対側に形成された第２導電型のコレクタ層（２１）および第１導電型のカソード層（２２）と、
前記ベース層を貫通して前記ドリフトに達する複数のトレンチ（１３）と、
前記トレンチの壁面に形成されたゲート絶縁膜（１６）と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極（１７ａ、１７ｂ）と、
前記ベース層の表層部に形成され、前記トレンチと接する第１導電型のエミッタ領域（１４）と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第１電極（１９）と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第２電極（２３）と、を備え、
前記半導体基板のうちのＩＧＢＴ素子として動作する領域がＩＧＢＴ領域（１ａ）とされていると共にダイオード素子として動作する領域がダイオード領域（１ｂ）とされている半導体装置において、
前記トレンチは、前記ＩＧＢＴ領域および前記ダイオード領域にそれぞれ形成され、
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極（１７ｂ）は、前記ＩＧＢＴ領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極（１７ａ）と異なる制御が可能とされており、前記ベース層に前記第１電極と前記ドリフト層との間を繋ぐ反転層（２４）が形成されない電圧が印加されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極は、前記第１電極と電気的に接続されることにより、前記エミッタ領域と同電位とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極は、前記ＩＧＢＴ領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極が接続されているゲートパッド（３ａ）と異なるゲートパッド（３ｂ）に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極が接続される前記ゲートパッドは、前記第１電極と電気的に接続されており、
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極は、前記エミッタ領域と同電位とされていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ＩＧＢＴ領域に配置された前記ゲート電極は、素子ゲート電極（２５ａ）と、ダミーゲート電極（２５ｂ）とを有し、前記素子ゲート電極と前記ダミーゲート電極とは互いに異なる制御が可能とされており、
前記素子ゲート電極には、前記ＩＧＢＴ素子を動作させる電圧が印加され、前記ダミーゲート電極には、前記ベース層に前記第１電極と前記ドリフト層との間を繋ぐ前記反転層が形成されない電圧が印加されることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極と前記ダミーゲート電極とは、前記素子ゲート電極が接続されているゲートパッド（３ａ）と異なる共通のゲートパッド（３ｂ）と接続されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
第１導電型のドリフト層（１１）を構成する半導体基板（１０）と、
前記ドリフト層上に形成された第２導電型のベース層（１２）と、
前記ドリフト層のうちの前記ベース層側と反対側に形成された第２導電型のコレクタ層（２１）および第１導電型のカソード層（２２）と、
前記ベース層を貫通して前記ドリフトに達する複数のトレンチ（１３）と、
前記トレンチの壁面に形成されたゲート絶縁膜（１６）と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極（１７ａ、１７ｂ）と、
前記ベース層の表層部に形成され、前記トレンチと接する第１導電型のエミッタ領域（１４）と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第１電極（１９）と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第２電極（２３）と、を備え、
前記半導体基板のうちのＩＧＢＴ素子として動作する領域がＩＧＢＴ領域（１ａ）とされていると共にダイオード素子として動作する領域がダイオード領域（１ｂ）とされており、
前記トレンチは、前記ＩＧＢＴ領域および前記ダイオード領域にそれぞれ形成され、
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極（１７ｂ）は、前記ＩＧＢＴ領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極（１７ａ）と異なる制御が可能とされており、前記ベース層に前記第１電極と前記ドリフト層との間を繋ぐ反転層（２４）が形成されない電圧が印加され、
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極は、前記ＩＧＢＴ領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極が接続されているゲートパッド（３ａ）と異なるゲートパッド（３ｂ）に接続されている半導体装置の製造方法において、
前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極に所定の電圧を印加することにより、当該ゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜の耐圧を検査することと、
前記ゲート絶縁膜の耐圧を検査することの後、前記ダイオード領域に配置された少なくとも一部の前記ゲート電極が接続される前記ゲートパッドを前記第１電極と電気的に接続することにより、当該ゲート電極と前記エミッタ領域とを同電位にすることと、行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）領域とダイオード（Free Wheeling Diode）領域とを有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は上記点に鑑みて、ダイオード素子の導通損失を低減しつつ、耐圧が低下することも抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーリングメンブレン（１）であって、以下の層構造体、すなわち、
ａ）ポリ塩化ビニル及び可塑剤を含有するフィルム（Ｆ１）（２）と、
ｂ）第１の接着剤（Ｋ１）（３）と、
ｃ）ポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｆ２）（４））と、
ｄ）第２の接着剤（Ｋ２）（５））と、
を備え、前記層がａ）、ｂ）、ｃ）、及びｄ）の順に配置され、
前記ポリ塩化ビニル及び可塑剤を含有するフィルム（Ｆ１）（２）が１〜５ｍｍの厚さを有し、
前記第１の接着剤（Ｋ１）（３）が、熱によって活性化させることができる（メタ）アクリレートに基づく接着剤である、
シーリングメンブレン。
【請求項２】
前記第２の接着剤（Ｋ２）（５）がコンタクト接着剤であることを特徴とする請求項１に記載のシーリングメンブレン。
【請求項３】
前記ポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｆ２）（４）が、５〜５０マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のシーリングメンブレン。
【請求項４】
アルミニウム（Ｆ３）（６）で作製された層ｂ’）が、前記第１の接着剤（Ｋ１）（３）の層ｂ）と前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの層ｃ）との間に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン。
【請求項５】
前記シーリングメンブレンが繊維（１０）によって強化されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン。
【請求項６】
前記シーリングメンブレンが、前記シーリングメンブレンの前記縁領域（１２）に、特に長手方向の側部上に突き出るＰＶＣストリップ（２）を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン。
【請求項７】
前記突き出るＰＶＣストリップ（２）上に第２の接着剤（Ｋ２）が存在しないことを特徴とする請求項６に記載のシーリングメンブレン。
【請求項８】
前記第２の接着剤（Ｋ２）（５）の前記層が、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｆ２）（４）とは反対側の前記側部上で分離フィルム（Ｆ４）（７）と接触していることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン（１）と前記シーリングメンブレンの前記第２の接着剤（Ｋ２）（５）によってそれに取り付けられた基体（Ｓ１）とからなる複合材本体（９）。
【請求項１０】
前記複合材本体がシールされた屋根であることを特徴とする請求項９に記載の複合材本体。
【請求項１１】
基体（Ｓ１）（８）をシーリングするための方法であって、以下のステップ、すなわち、
α）請求項８に記載のシーリングメンブレンの前記分離フィルム（Ｆ４）（７）を除去するステップ、
又は、
α’）請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン（１）を提供するステップと、
β）前記シーリングメンブレン（１）の前記第２の接着剤（Ｋ２）（５）をシールされるべき前記基体（Ｓ１）（８）と接触させるステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
前記ステップβ）に続くステップγ）で、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の第２のシーリングメンブレン（１）をさらに準備し、これが、存在する可能性がある分離フィルム（Ｆ４）（７）が除去された後で、ステップα）又はステップα’）及びステップβ）に従って既に貼り付けられている前記シーリングメンブレンに隣接して貼り付けられ、前記第２のシーリングメンブレン（１）の前記第２の接着剤（Ｋ２）（５）がシールされるべき前記基体（Ｓ１）（８）と接触させられ、これにより前記突き出るＰＶＣストリップがステップα）又はステップα’）及びステップβ）に従って既に貼り付けられている前記シーリングメンブレンに重なり、且つこのメンブレンの前記ポリ塩化ビニルを含有するフィルム（Ｆ１）（２）に接続されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ステップβ）に続くステップγ）で、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の第２のシーリングメンブレンをさらに準備し、これが、存在する可能性がある分離フィルム（Ｆ４）（７）が除去された後で、ステップα）又はステップα’）及びステップβ）に従って既に貼り付けられている前記シーリングメンブレンに隣接して貼り付けられ、前記第２のシーリングメンブレン（１）の前記第２の接着剤（Ｋ２）（５）がシールされるべき前記基体（Ｓ１）（８）と接触させられ、後続するステップε）で、互いに隣接して位置付けられる前記シーリングメンブレンの前記ポリ塩化ビニルを含有するフィルム（Ｆ１）（２）がＰＶＣストリップ（１６）によって互いに接続され、これにより前記シーリングメンブレンの間に存在する可能性があるギャップ（１５）がシールされることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
基体（Ｓ１）（８）をシーリングするための請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のシーリングメンブレン（１）の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガス中の粒子状物質を捕集するための排ガス浄化フィルタ（１）であって、
該排ガス浄化フィルタ（１）は、ハニカム構造体（２）と、該ハニカム構造体（２）の軸方向（Ｘ）の端面（２８、２９）を部分的に閉塞する栓部（３）とを有し、
上記ハニカム構造体（２）は、格子状に設けられたセル壁（２１）と、
該セル壁（２１）に囲まれて形成された複数のセル（２２）と、
上記軸方向（Ｘ）に直交する断面において、中心部（２０）から外周部（２００）に向かって径方向（Ｙ）にセル密度が異なる複数のセル密度領域（２３）と、
隣り合う該セル密度領域（２３）同士の間に形成され、かつ両者を隔てる境界隔壁（２４）とを有し、
上記セル（２２）は、上記境界隔壁（２４）に接する境界セル（２２１）と、上記境界隔壁（２４）に接することなく上記セル壁（２１）に囲まれて形成された内部セル（２２２）とを有し、
複数の該内部セル（２２２）のうちの少なくとも一部は、上記軸方向（Ｘ）における両端面（２８、２９）のいずれか一方が上記栓部（３）によって閉塞されており、
複数の上記境界セル（２２１）のうちの少なくとも一部は、上記軸方向（Ｘ）における両端面（２８、２９）に開口する境界開口セル（２２５）であることを特徴とする排ガス浄化フィルタ（１）。
【請求項２】
上記内部セル（２２２）には、上記軸方向（Ｘ）における上流側の端面（２８）が上記栓部（３）によって閉塞されているものと、上記軸方向（Ｘ）における両端面（２８、２９）に開口する内部開口セル（２２６）とがあることを特徴とする請求項１に記載の排ガス浄化フィルタ（１）
【請求項３】
上記内部セル（２２２）には、上記軸方向（Ｘ）における上流側の端面（２８）が上記栓部（３）によって閉塞されているものと、下流側の端面（２９）が上記栓部（３）によって閉塞されているものとがあることを特徴とする請求項１に記載の排ガス浄化フィルタ（１）。
【請求項４】
同じ上記セル密度領域（２３）内に存在する上記境界セル（２２１）と上記内部セル（２２２）とについて、１つの上記内部セル（２２２）の端面（２８、２９）における面積Ｓ1と１つの上記境界セル（２２１）の端面（２８、２９）における面積Ｓ2とを比較したとき、上記面積Ｓ1に対する上記面積Ｓ2の割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が５０％以上である上記境界セル（２２１）が上記境界開口セル（２２５）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の排ガス浄化フィルタ（１）。
【請求項５】
全ての上記境界セル（２２１）が上記境界開口セル（２２５）であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の排ガス浄化フィルタ（１）。
【請求項６】
上記排ガス浄化フィルタ（１）は、ガソリンエンジンから排出される粒子状物質を捕集するために用いられることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の排ガス浄化フィルタ（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
具体的には、同じセル密度領域２３１、２３２内に存在する境界セル２２１と内部セル２２２とについて、１つの内部セル２２２の端面２８、２９における面積Ｓ1と１つの境界セル２２１の端面１８、１９における面積Ｓ2とを比較したとき、面積Ｓ1に対する面積Ｓ2の割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が７５％以上である境界セル２２１の全てが境界開口セル２２５である（図２〜図４参照）。一方、上述の面積割合が７５％未満の境界セル２２１は、内部セル２２２と同様に、端面２８、２９のいずれか一方が栓部３によって閉塞している。なお、図２においては、第１セル密度領域２３１内における内部セル２２２の面積Ｓ1及び境界セル２２１の面積Ｓ2を示しているが、第２セル密度領域２３２についても同様の関係である。内部セル２２２の端面２８、２９における面積Ｓ1、境界セル２２１の端面２８、２９における面積Ｓ2は、セル壁２１や境界隔壁２４の部分の面積を含まない。即ち、面積Ｓ1、Ｓ2は、栓部３が形成されていない状態におけるセルの開口部分の面積のことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例２の排ガス浄化フィルタは、１つの内部セルの端面における面積Ｓ1と１つの境界セルの端面における面積Ｓ2とを比較したとき、面積Ｓ1に対する面積Ｓ2の割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が５０％以上である境界セルの全てが境界開口セルである。一方、面積割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が５０％未満の境界セルは、端面のいずれか一方が栓部によって閉塞している。その他の構成は、実施例１と同様である。実施例３のハニカム構造体は、上述の面積割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が２５％以上である境界セルの全てが境界開口セルである。一方、面積割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が２５％未満の境界セルは、端面のいずれか一方が栓部によって閉塞している。その他の構成は、実施例１と同様である。実施例２及び実施例３の排ガス浄化フィルタの図示は省略する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
具体的には、同じセル密度領域２３１、２３２内に存在する境界セル２２１と内部セル２２２とについて、１つの内部セル２２２の端面２８、２９における面積Ｓ1と１つの境界セル２２１の端面１８、１９における面積Ｓ2とを比較したとき、面積Ｓ1に対する面積Ｓ2の割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が７５％以上である境界セル２２１の全てが境界開口セル２２５である（図１０〜図１２参照）。一方、上述の面積割合が７５％未満の境界セル２２１は、内部セル２２２と同様に、端面２８が栓部３によって閉塞している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実施例６の排ガス浄化フィルタは、１つの内部セルの端面における面積Ｓ1と１つの境界セルの端面における面積Ｓ2とを比較したとき、面積Ｓ1に対する面積Ｓ2の割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が５０％以上である境界セルの全てが境界開口セルである。一方、面積割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が５０％未満の境界セルは、排ガスの流入する側の端面が栓部によって閉塞している。その他の構成は、実施例５と同様である。実施例７のハニカム構造体は、上述の面積割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が２５％以上である境界セルの全てが境界開口セルである。一方、面積割合（Ｓ2／Ｓ1×１００）が２５％未満の境界セルは、排ガスの流入する側の端面が栓部によって閉塞している。その他の構成は、実施例５と同様である。実施例６及び実施例７の排ガス浄化フィルタの図示は省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月1日(2016.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基地局装置の第１の設定に関する第１の情報と、第２の基地局装置の第２の設定に関する第２の情報とを上位層の信号を用いて受信する受信部と、
前記第２の基地局装置のセルが設定された場合、前記第１の情報に含まれる物理上りリンク共有チャネルに関するパラメータと上りリンク電力制御に関するパラメータとに基づいて、前記第１の基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットし、前記第２の情報に含まれる物理上りリンク共有チャネルに関するパラメータと上りリンク電力制御に関するパラメータとに基づいて、前記第２の基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットする送信電力制御部と、
を備えることを特徴とする端末装置。
【請求項２】
前記第２の基地局装置のセルに対し、前記第１の基地局装置用の前記物理上りリンク共有チャネルの送信電力に用いられるパスロス参照リソースと、前記第２の基地局装置用の前記物理上りリンク共有チャネルの送信電力に用いられるパスロス参照リソースとは、それぞれ個別に設定される
ことを特徴とする請求項１記載の端末装置。
【請求項３】
端末装置が基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットするために用いられる前記基地局装置の設定に関する情報であって、物理上りリンク共有チャネルに関するパラメータと上りリンク電力制御に関するパラメータとを含む情報、を上位層のシグナリングを介して送信する送信部
を備えることを特徴とする基地局装置。
【請求項４】
前記端末装置が前記基地局装置用の前記物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットするために用いられるパスロス参照リソースと、前記端末装置が他の基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットするために用いられるパスロス参照リソースとを、それぞれ個別に設定するように構成された上位層処理部
を更に備えることを特徴とする請求項３記載の基地局装置。
【請求項５】
第１の基地局装置の第１の設定に関する第１の情報と、第２の基地局装置の第２の設定に関する第２の情報とを上位層の信号を用いて受信する工程と、
前記第２の基地局装置のセルが設定された場合、前記第１の情報に含まれる物理上りリンク共有チャネルに関するパラメータと上りリンク電力制御に関するパラメータとに基づいて、前記第１の基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットし、前記第２の情報に含まれる物理上りリンク共有チャネルに関するパラメータと上りリンク電力制御に関するパラメータとに基づいて、前記第２の基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットする工程と、
を含むことを特徴とする端末装置の方法。
【請求項６】
端末装置が基地局装置用の物理上りリンク共有チャネルの送信電力をセットするために用いられる前記基地局装置の設定に関する情報であって、物理上りリンク共有チャネルに関するパラメータと上りリンク電力制御に関するパラメータとを含む情報、を上位層のシグナリングを介して送信する工程
を含むことを特徴とする基地局装置の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端末装置、基地局装置、端末装置の方法および基地局装置の方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、端末装置、基地局装置、端末装置の方法および基地局装置の方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む複数の発光領域を有する発光構造物と、
前記複数の発光領域上に配置される第１分散ブラッグ反射層と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１半導体層上に配置される第１電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２半導体層上に配置される第２電極部と、
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第２半導体層上に配置される中間パッドと、
前記複数の発光領域を直列連結するように前記第１分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極と、を含む、発光素子。
【請求項２】
第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む複数の発光領域を有する発光構造物と、
前記複数の発光領域上に配置される第１分散ブラッグ反射層と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１半導体層上に配置される第１電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２半導体層上に配置される第２電極部と、
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第１半導体層上に配置される中間パッドと、
前記複数の発光領域を直列連結するように前記第１分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極と、を含む、発光素子。
【請求項３】
前記連結電極は、
隣接する発光領域のいずれか一方の第１半導体層と、残りの他方の第２半導体層とを電気的に連結する、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１電極部及び前記第２電極部のそれぞれは、電源が供給されるパッドを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結される、請求項１、３、及び４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記同一の発光領域内で、前記第１分散ブラッグ反射層上において前記中間パッドは前記連結電極と離隔した、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記同一の発光領域内で、前記第１分散ブラッグ反射層上において前記中間パッドは前記連結電極と一体化された、請求項１、３ないし６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記連結電極は、
前記第１分散ブラッグ反射層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第２半導体層と接触する第１部分を含む、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記連結電極は、
第１分散ブラッグ反射層、前記第２半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第１半導体層と接触する第２部分を含み、
前記第１分散ブラッグ反射層は、前記第２部分と前記第２半導体層との間、及び前記第２部分と前記活性層との間に配置される、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記発光構造物の下に配置される基板と、
前記発光領域と前記第１分散ブラッグ反射層との間に配置される伝導層とをさらに含む、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記連結電極の第２部分は前記伝導層を貫通する、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１分散ブラッグ反射層は、前記連結電極と前記伝導層との間に配置される、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１分散ブラッグ反射層上に配置され、前記連結電極を覆う第２分散ブラッグ反射層をさらに含む、請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第２分散ブラッグ反射層は、前記第１電極部、前記第２電極部、及び前記中間パッドを露出する、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１分散ブラッグ反射層及び前記第２分散ブラッグ反射層のそれぞれは、屈折率が互いに異なる第１層及び第２層が交互に少なくとも１回以上積層された絶縁物質である、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１電極部は第１電源の印加を受け、前記中間パッド及び前記第２電極部のうち少なくとも一つは第２電源の印加を受ける、請求項１、及び３ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記中間パッド及び前記第１電極部のうち少なくとも一つは第１電源の印加を受け、前記第２電極部は第２電源の印加を受ける、請求項２ないし４、６、及び８ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１８】
サブマウントと、
前記サブマウント上に互いに離隔して配置される第１金属層及び第２金属層と、
前記サブマウント上に配置される請求項１又は２に記載の発光素子と、
前記発光素子と前記サブマウントを電気的に連結する第１バンプ部及び第２バンプ部と、を含み、
前記第１バンプ部は、前記第１金属層と前記発光素子の第１電極部とを電気的に連結し、前記第２バンプ部は、前記第２金属層と、前記発光素子の第２電極部及び中間パッドのいずれか一つとを電気的に連結する、発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記第１バンプ部は、
前記第１金属層と前記第１電極部との間に位置する第１バンパーと
前記第１バンパーと前記第１電極部との間に位置する第１拡散防止接着層と、
前記第１バンパーと前記第１金属層との間に位置する第２拡散防止接着層と、を含み、
前記第２バンプ部は、
前記第２金属層と、第２電極部及び中間パッドのいずれか一つとの間に位置する第２バンパーと、
前記第２バンパーと、前記第２電極部及び中間パッドのいずれか一つとの間に位置する第３拡散防止接着層と、
前記第２バンパーと前記第２金属層との間に位置する第４拡散防止接着層と、を含む、請求項１８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
前記発光素子は、
前記第１分散ブラッグ反射層上に配置され、前記連結電極を覆う第２分散ブラッグ反射層をさらに含む、請求項１８又は１９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２１】
前記連結電極は、前記第１半導体層と点接触する、請求項１ないし１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２２】
前記連結電極は、前記伝導層と点接触する、請求項１０ないし１７のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月3日(2015.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを含む水溶液、鉄を含む水溶液およびリン酸を含む水溶液のいずれか一以上に酸化グラフェンを含み、
前記リン酸を含む水溶液に前記リチウムを含む水溶液を滴下することでリン酸リチウムを含む第１の混合液を作製し、
前記鉄を含む水溶液に前記第１の混合液を滴下することでリン酸鉄リチウムの前駆体を含む第２の混合液を作製し、
前記第２の混合液を加圧雰囲気において加熱処理を行った後、ろ過し、残渣を洗浄処理した後、乾燥処理してリン酸鉄リチウムの粒子を得ることを特徴とするリチウムイオン電池用正極活物質の作製方法。
【請求項２】
リチウムを含む水溶液、マンガンを含む水溶液およびリン酸を含む水溶液のいずれか一以上に酸化グラフェンを含み、
前記リン酸を含む水溶液に前記リチウムを含む水溶液を滴下することでリン酸リチウムを含む第１の混合液を作製し、
前記マンガンを含む水溶液に前記第１の混合液を滴下することでリン酸マンガンリチウムの前駆体を含む第２の混合液を作製し、
前記第２の混合液を加圧雰囲気において加熱処理を行った後、ろ過し、残渣を洗浄処理した後、乾燥処理してリン酸マンガンリチウムの粒子を得ることを特徴とするリチウムイオン電池用正極活物質の作製方法。
【請求項３】
リチウムを含む水溶液、コバルトを含む水溶液およびリン酸を含む水溶液のいずれか一以上に酸化グラフェンを含み、
前記リン酸を含む水溶液に前記リチウムを含む水溶液を滴下することでリン酸リチウムを含む第１の混合液を作製し、
前記コバルトを含む水溶液に前記第１の混合液を滴下することでリン酸コバルトリチウムの前駆体を含む第２の混合液を作製し、
前記第２の混合液を加圧雰囲気において加熱処理を行った後、ろ過し、残渣を洗浄処理した後、乾燥処理してリン酸コバルトリチウムの粒子を得ることを特徴とするリチウムイオン電池用正極活物質の作製方法。
【請求項４】
リチウムを含む水溶液、ニッケルを含む水溶液およびリン酸を含む水溶液のいずれか一以上に酸化グラフェンを含み、
前記リン酸を含む水溶液に前記リチウムを含む水溶液を滴下することでリン酸リチウムを含む第１の混合液を作製し、
前記ニッケルを含む水溶液に前記第１の混合液を滴下することでリン酸ニッケルリチウムの前駆体を含む第２の混合液を作製し、
前記第２の混合液を加圧雰囲気において加熱処理を行った後、ろ過し、残渣を洗浄処理した後、乾燥処理してリン酸ニッケルリチウムの粒子を得ることを特徴とするリチウムイオン電池用正極活物質の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記加圧雰囲気は０．１ＭＰａ以上４．０ＭＰａ以下であることを特徴とするリチウムイオン電池用正極活物質の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に積層され、インダクターを含む第１層と、
前記第１層の前記基板側とは反対側に配置されているバンプ群と、
を含み、
前記バンプ群は、
所定規則で配置されている複数のバンプと、
前記複数のバンプとは異なり、前記基板を平面視したとき、中心が前記インダクターと重ならない少なくとも１個のバンプと、
を含む、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は、前記平面視において矩形であり、
前記インダクターは、前記平面視において、前記矩形の何れかの角部に位置し、
前記インダクターを含み、アナログ信号を処理してデジタル信号を出力するアナログ信号処理回路部と、
前記平面視において前記アナログ信号処理回路部と離間して設けられ、前記デジタル信号を処理するデジタル信号処理回路部と、
を含む、半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記アナログ信号処理回路部は、前記平面視において、前記インダクターと前記デジタル信号処理回路部との間に配置されている電源回路部を含む、
半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記デジタル信号処理回路部は、
第１の動作周波数で動作する第１のメモリーと、
前記第１の動作周波数よりも低い第２の動作周波数で動作する第２のメモリーと、
を含み、
前記第１のメモリーと前記アナログ信号処理回路部との間の距離が、前記第２のメモリーと前記アナログ信号処理回路部との間の距離よりも長い、
半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記アナログ信号処理回路部は、アナログ信号を受信する受信回路部である、
半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
ＬＮＡ（Low Noise Amplifier）を含み、
前記ＬＮＡは前記インダクターを含む、
半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至６の何れか一項において、
前記アナログ信号は、測位用衛星信号であり、
前記デジタル信号処理回路部は、
前記測位用衛星信号を捕捉するための相関演算を行う相関演算回路部を含み、
前記第１のメモリーと前記アナログ信号処理回路部との間の距離が、前記相関演算回路部と前記アナログ信号処理回路部との間の距離よりも長い、
半導体装置。
【請求項８】
請求項２乃至７の何れか一項において、
前記アナログ信号処理回路部は、
前記インダクターを３以上有し、
且つ、前記平面視において、各前記インダクターの中央を結んでなる多角形の面積が、０．０８ｍｍ２以上、０．１１６ｍｍ２以下である、
半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体装置を含む、電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置等に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上述した課題に鑑みて考案されたものであり、その目的とするところは、インダクターを備えた半導体装置において、インダクターの特性劣化を抑えた新たな半導体装置、およびその半導体装置を含む電子機器を実現することである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービングゲートウェイ装置によって下りデータがマスター無線基地局及びセカンダリ無線基地局に分配される構成のキャリアアグリゲーションを開始する際に、該マスター無線基地局が、基礎鍵に基づいて、セカンダリ無線基地局用基礎鍵を生成して、該セカンダリ無線基地局に対して、該セカンダリ無線基地局用基礎鍵を送信する工程と、
前記セカンダリ無線基地局が、前記セカンダリ無線基地局用基礎鍵に基づいて、前記キャリアアグリゲーションにおいて移動局との間の通信に用いる通信鍵を生成する工程とを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
サービングゲートウェイ装置によって下りデータがマスター無線基地局及びセカンダリ無線基地局に分配される構成のキャリアアグリゲーションを開始する際に、該マスター無線基地局が、移動管理ノードから受信したパラメータに基づいて、セカンダリ無線基地局用基礎鍵を生成して、該セカンダリ無線基地局に対して、該セカンダリ無線基地局用基礎鍵を送信する工程と、
前記セカンダリ無線基地局が、前記セカンダリ無線基地局用基礎鍵に基づいて、前記キャリアアグリゲーションにおいて移動局との間の通信に用いる通信鍵を生成する工程とを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項３】
前記移動局が前記セカンダリ無線基地局配下のセルに対するハンドオーバを行った場合、前記移動局と前記セカンダリ無線基地局との間の通信に用いる通信鍵を変更することを特徴とする請求項１又は２に記載の移動通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部負荷からの負荷要求に応じた電力を出力する燃料電池システムであって、
電極に触媒が配置されている燃料電池と、
前記燃料電池の温度状態を検出する温度検出部と、
複数の運転制御を切り替えて実行し、前記燃料電池の出力電力を制御する電圧制御部であって、前記複数の運転制御として、少なくとも、
前記負荷要求に応じて前記燃料電池の出力電圧を制御する通常制御と、
前記燃料電池の出力電圧を前記触媒の酸化還元電位よりも低い電圧まで低下させる低電圧制御と、
を実行する電圧制御部と、
前記燃料電池が所定の温度よりも高い温度状態である場合には、前記電圧制御部における前記低電圧制御の実行を制限する低電圧制御制限部と、
を備える、燃料電池システム。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池システムであって、さらに、
前記電圧制御部の制御下において、前記燃料電池の出力電力の一部を蓄電し、前記燃料電池とともに前記外部負荷に電力を出力する二次電池を備え、
前記電圧制御部は、前記負荷要求に応じた電力が所定の電力より低い場合に前記低電圧制御を実行する、燃料電池システム。
【請求項３】
請求項２記載の燃料電池システムであって、
前記二次電池の充電状態を検出する充電状態検出部を備え、
前記低電圧制御制限部は、前記燃料電池の温度状態に基づく判定に加えて、前記二次電池の蓄電量に基づく判定を行い、前記電圧制御部における前記低電圧制御の制限の可否を決定する、燃料電池システム。
【請求項４】
請求項３記載の燃料電池システムであって、
前記燃料電池システムは、移動体に搭載されており、
前記負荷要求は、前記移動体からの出力電力の要求であり、
前記燃料電池システムは、前記移動体から受ける前記負荷要求が増大する可能性を判定する負荷要求増大可能性判定部を備え、
前記電圧制御部は、
（ｉ）前記負荷要求に応じた電力が前記所定の電力より低い場合において、前記負荷要求増大可能性判定部によって前記負荷要求が増大する可能性が低いと判定されている場合には、前記低電圧制御を実行し、
（ｉｉ）前記負荷要求に応じた電力が前記所定の電力より低い場合において、前記負荷要求増大可能性判定部によって前記負荷要求が増大する可能性が高いと判定されている場合には、前記燃料電池に前記触媒の酸化還元電位よりも高い電圧で出力電圧の増減を繰り返させつつ、前記燃料電池の出力電力の余剰分を前記二次電池に蓄電する電圧増減制御を実行する、燃料電池システム。
【請求項５】
請求項４記載の燃料電池システムであって、
前記負荷要求増大可能性判定部は、前記負荷要求に応じた電力が前記所定の電力より低い状態が継続されている低負荷要求時間を計測し、前記低負荷要求時間が所定の時間より長い場合には、前記負荷要求が増大する可能性がないと判定する、燃料電池システム。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の燃料電池システムであって、
前記負荷要求は、前記移動体の駆動力源に用いられる電力の要求であり、
前記移動体は、ユーザーが前記移動体の加速を操作する加速操作部と、前記ユーザーが前記移動体の移動を禁止するブレーキ操作部と、を備えており、
前記負荷要求増大可能性判定部は、前記ブレーキ操作部によって前記移動体が停止されているときに、前記負荷要求が増大する可能性が低いと判定し、
前記電圧制御部は、前記ユーザーによる前記加速操作部の操作が検出されないときに、前記負荷要求に応じた電力が前記所定の電力より低い場合として、前記低電圧制御または前記電圧増減制御を実行する、燃料電池システム。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の燃料電池システムであって、
前記低電圧制御は、前記燃料電池の出力電圧を０Ｖまで低下させる制御である、燃料電池システム。
【請求項８】
燃料電池車両であって、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の燃料電池システムを搭載する、燃料電池車両。
【請求項９】
電極に触媒が配置されている燃料電池を備える燃料電池システムの制御方法であって、
複数の運転制御を切り替えて実行し、前記燃料電池の出力電力を制御する電圧制御工程であって、前記複数の運転制御として、少なくとも、
外部からの負荷要求に応じて前記燃料電池の出力電圧を制御する通常制御と、
前記燃料電池の出力電圧を前記触媒の酸化還元電位よりも低い電圧まで低下させる低電圧制御と、
を実行する電圧制御工程と、
前記燃料電池が所定の温度よりも高い温度状態である場合に、前記電圧制御工程における前記低電圧制御の実行を制限する低電圧制御制限工程と、
を備える、制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
この実験では、燃料電池が高温状態の場合（破線グラフＴＨ）と低温状態の場合（実線グラフＴＬ）とについて、図１２に示すように、燃料電池に対する反応ガスの供給を間欠的に実行することによって、燃料電池の電圧を０〜１Ｖの範囲で周期的に変動させた。そして、所定の変動回数（始動サイクル数）ごとに、所定の電流を出力させたときの燃料電池の電圧の初期状態からの低下量を計測した。なお、高温状態のときと低温状態のときの燃料電池の温度差は３０℃以上であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2015095306.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池であって、
発電単位となる燃料電池セルを複数積層したスタック構造のセルスタックと、
該セルスタックの一端の側に装着され、外部から燃料電池セル積層方向に加えられる押圧力を前記セルスタックに及ぼすプレッシャープレートとを備え、
該プレッシャープレートは、
プレート周縁に複数設けられ、前記外部からの押圧力を受けて該押圧力を前記セルスタックにスタック周縁で及ぼすセル周縁押圧部と、
プレート面内において前記外部からの押圧力を受けて該押圧力を前記セルスタックに前記燃料電池セルのセル面内で及ぼすセル面内押圧部とを有し、
前記セル周縁押圧部同士を繋ぐ第１繋ぎ領域と、前記セル面内押圧部と該押圧部の周囲に位置する前記セル周縁押圧部とを繋ぐ第２繋ぎ領域の少なくとも一方の繋ぎ領域は、前記セル面内押圧部および前記セル周縁押圧部を有しない残余のプレート部位よりプレート肉厚が厚くされている
燃料電池。
【請求項２】
前記セル面内押圧部は、前記プレート面内に複数設けられて前記セル面内押圧部同士を繋ぐ第３繋ぎ領域を備え、該第３繋ぎ領域と、前記第１繋ぎ領域と、前記第２繋ぎ領域の少なくとも一つの繋ぎ領域は、前記残余のプレート部位よりプレート肉厚が厚くされている請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記プレッシャープレートは、前記残余のプレート部位に、前記プレッシャープレートの前記セルスタックの側のプレート面において複数の凹部を備え、該複数の凹部は、前記繋ぎ領域が凹部間リブとして残るよう点在形成されている請求項１または請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記セル面内押圧部と前記セル周縁押圧部とは、前記プレッシャープレートの前記セルスタックの側のプレート面において凹部を備え、該凹部の開口周縁の前記プレート面にて前記押圧力を前記セルスタックに及ぼす請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の燃料電池。
【請求項５】
前記セル周縁押圧部は、前記プレッシャープレートのプレート面から突出した凸部とされ、前記外部からの押圧力を、前記凸部の頂上面に当接する荷重調整ネジから受ける請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に電極を有する絶縁部材を含む静電チャックを有し、前記静電チャックの上に載置された基板にプラズマ処理を施す基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記電極に直流電圧の印加を行わない状態で、前記基板を、第１の圧力を有する処理ガスのプラズマによってプラズマ除電しながら、前記基板の裏面に第２の圧力で伝熱ガスを供給する、第１工程、
を含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記第１の圧力に対する前記第２の圧力の比の値は、０よりも大きく１．２５以下の範囲内である、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１工程は更に、
前記電極に、負の直流電圧を印加する工程と、
前記電極への前記負の直流電圧の印加を停止する工程と、
を含む、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１工程の前に、
前記基板の裏面に前記伝熱ガスを供給しながら、前記電極に正の直流電圧を印加する工程と、
前記基板の裏面への前記伝熱ガスの供給を停止する工程と、
前記電極への前記正の直流電圧の印加を停止する工程と、
前記電極に、前記正の直流電圧を再印加する工程と、
を含む第２工程を含む、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第２工程は、複数回繰り返して実施される、
請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第１工程と前記第２工程との間に、
前記電極に、負の直流電圧を印加する工程と、
前記電極への前記負の直流電圧の印加を停止する工程と、
を含む、請求項４又は５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板処理装置であって、
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板を載置する載置台と、
前記処理容器内に設けられ、前記載置台と対向する電極板と、
前記処理容器内に所定のガスを供給するガス供給部と、
前記載置台又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、
前記載置台の上部に設けられ、前記基板の載置面を形成し、内部に電極を有する絶縁部材を含む、静電チャックと、
前記電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記基板処理装置の作動を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記電極に直流電圧の印加を行わない状態で、前記基板を、第１の圧力を有する処理ガスのプラズマによってプラズマ除電しながら、前記基板の裏面に第２の圧力で伝熱ガスを供給するよう、前記基板処理装置を制御する、
基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を備えた支持体と、
前記支持体上に積層された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップ上に第１非導電性接着層を介して積層された中継基板と、
前記中継基板上に第２非導電性接着層を介してフェイスアップ状態で積層された第２半導体チップと、を有し、
前記中継基板は、導電部と、前記導電部と電気的に接続された突起電極と、を備え、
前記導電部は、前記中継基板の前記第２半導体チップと対向する面側に接続された金属線を介して前記支持体上の配線と電気的に接続され、
前記突起電極は、前記第２非導電性接着層を貫通して前記第２半導体チップの非回路形成面と接して導通している半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体チップは、前記支持体上にフェイスダウン状態で積層され、
前記中継基板は、前記導電部と電気的に接続され前記第１非導電性接着層を貫通して前記第１半導体チップの非回路形成面と接して導通する突起電極を備えている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体チップは、前記支持体上にフェイスダウン状態で積層され、
前記第１半導体チップと前記中継基板の下面に設けられた前記第１非導電性接着層との間に配置され、第３非導電性接着層を介して前記第１半導体チップ上に積層された第２中継基板を有し、
前記第２中継基板は、
前記導電部と絶縁された第２導電部と、
前記第２導電部と電気的に接続され前記第３非導電性接着層を貫通して前記第１半導体チップの非回路形成面と接して導通する突起電極と、を備え、
前記第２導電部は、第２金属線を介して前記支持体上の配線と電気的に接続されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記中継基板は、樹脂で形成された基体を有し、
前記導電部は、前記基体の前記第２半導体チップと対向する面側に形成された導体層である請求項１又は３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記中継基板は、樹脂で形成された基体を有し、
前記導電部は、前記基体の両面に形成された導体層であり、
前記基体の両面に形成された導体層は、前記基体に形成された貫通電極を介して電気的に接続されている請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記中継基板は、導電性の金属板からなり、
前記金属板が、前記導電部である請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
突起電極は径が太い部分と径が細い部分とを有するバンプであり、
前記径が太い部分側が前記中継基板と接続され、前記径が細い部分側が半導体チップと接続されている請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２半導体チップの平面形状は、前記中継基板の平面形状よりも大きい請求項１乃至７の何れか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置は、配線を備えた支持体と、前記支持体上に積層された第１半導体チップと、前記第１半導体チップ上に第１非導電性接着層を介して積層された中継基板と、前記中継基板上に第２非導電性接着層を介してフェイスアップ状態で積層された第２半導体チップと、を有し、前記中継基板は、導電部と、前記導電部と電気的に接続された突起電極と、を備え、前記導電部は、前記中継基板の前記第２半導体チップと対向する面側に接続された金属線を介して前記支持体上の配線と電気的に接続され、前記突起電極は、前記第２非導電性接着層を貫通して前記第２半導体チップの非回路形成面と接して導通していることを要件とする。