【事件の表示】
　特願２０１３−１８１３２８「パッド構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月２１日出願公開，特開２０１４−　７２５１９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１３年（平成２５年）９月２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１２年９月２８日，米国）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　９月　２日　審査請求
　平成２６年　８月２７日　拒絶理由通知
　平成２６年１２月　１日　期間延長請求
　平成２６年１２月２２日　意見書・手続補正書
　平成２７年　１月１５日　拒絶査定
　平成２７年　５月２０日　審判請求・手続補正書
　平成２８年　２月１６日　拒絶理由通知
　平成２８年　５月２３日　意見書・手続補正書
　平成２８年　８月　４日　拒絶理由通知（最後）
　平成２８年１１月　７日　期間延長請求
　平成２８年１２月　９日　意見書・手続補正書
　
　
第２　当審による拒絶理由通知の概要
　審判合議体が平成２８年８月４日付けで通知した拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）の概要は次のとおりである。
　［理由１］
　本願の特許請求の範囲の請求項１における「前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含」むこと，及び請求項７における「前記第二領域および前記第三領域の金属，前記第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，前記第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含むこと」は，いずれも，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されているとは認められないから，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　［理由２］
　本願の特許請求の範囲の請求項１における「前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み」との記載，及び請求項７における「前記第二領域および前記第三領域の金属，前記第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，前記第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含むこと」との記載では，上記各請求項に係る発明の構成が明確に記載されているとは認められないから，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　［理由３］
　平成２８年５月２３日付け手続補正書において，本願の特許請求の範囲の請求項１に「前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み」との記載を付加する補正，及び請求項７に「前記第二領域および前記第三領域の金属，前記第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，前記第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含むこと」との記載を付加する補正は，いずれも，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「本願の当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえないから，上記手続補正による補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　［理由４］
　本願請求項１における「前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，」との記載を，「前記第一領域の全体にわたり，前記層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，」と解したとしても，本願請求項１に係る発明は，特開２００２−２２２８１１号公報（以下「引用文献１」という。）に記載された発明であり，また，当該請求項を引用する本願請求項２に係る発明も，引用文献１に記載された発明である。
　そして，本願請求項７における「前記層間領域下の金属間領域であって，この金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料，前記第二領域および前記第三領域の金属，前記第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，前記第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含む」との記載を，「前記層間領域下の金属間領域であって，この金属間領域は，前記第一領域の全体にわたり，前記層間領域との間，及び後述する頂部金属領域との間に，それぞれ，第一誘電体−誘電体インターフェース，及び第二誘電体−誘電体インターフェースを形成する，前記第一領域の誘電体材料，並びに前記第二領域および前記第三領域の金属を含む」と解したとしても，本願請求項７に係る発明は，引用文献１に記載された発明である。
　以上から，本願の請求項１，２及び７の各請求項に係る発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　［理由５］
　本願請求項１における「前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，」との記載を，上記理由４のように解したとしても，本願請求項１に係る発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであり，また，当該請求項を引用する本願請求項２ないし６の各請求項に係る発明も，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　そして，本願請求項７における「前記層間領域下の金属間領域であって，この金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料，前記第二領域および前記第三領域の金属，前記第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，前記第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含む」との記載を，上記理由４のように解したとしても，本願請求項７に係る発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　以上から，本願の請求項１ないし７に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第３　補正の適法性について
１　本件補正の内容 
　平成２８年１２月９日付け手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲，及び本願明細書を補正するものであって，特許請求の範囲については，本件補正の前後で以下のとおりである。 
　・補正前
　「【請求項１】
　接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の層間領域と，
　前記層間領域下の金属間領域と，
　前記金属間領域下の頂部金属領域と，
　前記頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　前記層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の金属を有する第一パッド接続を含み，
　前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，
　前記頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含む，
ことを特徴とするパッド構造。
　　【請求項２】
　第三領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記第一領域に隣接して前記パッド下に，前記第二および第三領域が前記第一領域を挟むように設置され，
　第四領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記第二領域に隣接して前記パッドの少なくとも一部の下に，前記第一および第四領域が前記第二領域を挟むように設置され，
　第五領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記第三領域に隣接してパッドの少なくとも一部の下に，前記第一および第五領域が前記第三領域を挟むように設置され，
　前記層間領域はさらに，前記第三領域の金属，および，前記第四領域および前記第五領域の誘電体材料を有する第二パッド接続を含み，
　前記層間領域下の前記金属間領域はさらに，前記第三領域の金属，および，前記第四領域および前記第五領域の誘電体材料を含む，
ことを特徴とする請求項１に記載のパッド構造。
　　【請求項３】
　前記金属間領域と前記パッシベーション酸化物領域間に一つ以上の追加金属間領域を含み，前記一つ以上の追加金属間領域の追加の金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含むことを特徴とする請求項２に記載のパッド構造。
　　【請求項４】
　前記第二領域において，前記追加金属間領域は，金属領域の上に位置する第一ビアを含むことを特徴とする請求項３に記載のパッド構造。
　　【請求項５】
　前記追加金属間領域は，前記第三領域の金属を含むことを特徴とする請求項３に記載のパッド構造。
　　【請求項６】
　前記追加金属間領域は，前記第四領域および前記第五領域の誘電体材料を含むことを特徴とする請求項３に記載のパッド構造。
　　【請求項７】
　第一領域の上に位置する接着領域と，
　前記接着領域下のパッドであって，前記第一領域，第二領域，および，第三領域の上に位置するパッドと，
　前記パッド下の層間領域であって，前記第一領域の誘電体材料，前記第二領域の第一パッド接続，および，前記第三領域の第二パッド接続を含む層間領域と，
　前記層間領域下の金属間領域であって，この金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料，前記第二領域および前記第三領域の金属，前記第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，前記第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含むことと，
　金属間領域下の頂部金属領域であって，この頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域および前記第三領域の金属を含むことと，前記頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　前記第一領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，
　前記第二領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記第一領域に隣接して設置され，
　前記第三領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記第一領域に隣接して，前記第二および第三領域が前記第一領域を挟むように設置される，
ことを特徴とするパッド構造。」
　・補正後
　「【請求項１】
　接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の層間領域と，
　前記層間領域下の金属間領域と，
　前記金属間領域下の頂部金属領域と，
　前記頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　第三領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して前記第二領域との間で前記第一領域を挟むように設置され，
　第四領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッドの少なくとも一部の下に前記第二領域に隣接して前記第一領域との間で前記第二領域を挟むように設置され，
　第五領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッドの少なくとも一部の下に前記第三領域に隣接して前記第一領域との間で前記第三領域を挟むように設置され，
　前記層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の金属を有する第一パッド接続を含み，
　前記金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含み，前記第一領域における前記金属間領域と前記層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成し，
　前記頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含み，
　前記層間領域は，さらに，前記第三領域に位置する金属を有する第二パッド接続，および前記第四領域と前記第五領域とにおける誘電体材料を含み，
　前記層間領域下の前記金属間領域は，さらに，前記第三領域の金属，および前記第四領域と前記第五領域とにおける誘電体材料を含むこと
　を特徴とするパッド構造。
　　【請求項２】
　前記金属間領域と前記パッシベーション酸化物領域との間に一つ以上の追加金属間領域を含み，前記一つ以上の追加金属間領域の追加の金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含むこと
　を特徴とする請求項１に記載のパッド構造。
　　【請求項３】
　前記第二領域において，前記追加金属間領域は，金属領域上に位置する第一ビアを含むことを特徴とする請求項２に記載のパッド構造。
　　【請求項４】
　前記追加金属間領域は，前記第三領域の金属を含むことを特徴とする請求項２に記載のパッド構造。
　　【請求項５】
　前記追加金属間領域は，前記第四領域および前記第五領域の誘電体材料を含むことを特徴とする請求項２に記載のパッド構造。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による特許請求の範囲，及び本願明細書特許請求の範囲についての補正を整理すると次のとおりとなる。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。）
　［補正事項１］
　補正前の請求項１を削除する補正。
　［補正事項２］
　補正前の請求項１の削除に伴い，補正前の請求項２の項番を繰り上げて請求項１とし，補正前の請求項１の記載を引用する記載を当該請求項の記載を引用しないものとしたうえで，以下の補正をすること。
　・補正事項２Ａ
　　引用していた補正前の請求項１の「第一領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，第二領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，」を，「第一領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領
域お
び前
域お
び前
　・補正事項２Ｂ
　　引用していた補正前の請求項１の「前記金属間領域は，前記第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，」を，「前記金属間領域は，前記第一
領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含み，前記第一領域における前記金属間領域と前記層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成し，
　・補正事項２Ｃ
　　引用していた補正前の請求項１の「前記頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含む，」を，「前記頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材
料お
び前
み，
　［補正事項３］
　補正前の請求項３の項番を繰り上げて請求項２とし，引用する請求項の項番を繰り上げたうえで，補正前の請求項３の「前記金属間領域と前記パッシベーション酸化物領域間に一つ以上の追加金属間領域を含み，前記一つ以上の追加金属間領域の追加の金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含むこと」を，「前記金属間領域と前記パッシベーション酸化物領域
との
料お
び前
　［補正事項４］
　補正前の請求項４の項番を繰り上げて請求項３とし，引用する請求項の項番を繰り上げたうえで，補正前の請求項４の「前記第二領域において，前記追加金属間領域は，金属領域の上に位置する第一ビアを含むこと」を，「前記第二領域において，前記追加金属間領域は，金属領
域上
　［補正事項５］
　補正前の請求項５の項番を繰り上げて請求項４とし，引用する請求項の項番を繰り上げる補正。
　［補正事項６］
　補正前の請求項６の項番を繰り上げて請求項５とし，引用する請求項の項番を繰り上げる補正。
　［補正事項７］
　補正前の請求項７を削除する補正。
　［補正事項８］
　本願明細書の段落【０００４】における「この発明の一態様によれば，接着領域と，接着領域下のパッドと，パッド下の層間領域と，層間領域下の金属間領域と，金属間領域下の頂部金属領域と，頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，パッシベーション酸化物領域下のウェハとを含むパッド構造において，第一領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域，および，ウェハを通して延在する領域として規定され，接着領域およびパッド下に設置され，第二領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域，および，ウェハを通して延在する領域として規定され，パッド下に第一領域に隣接して設置され，層間領域は，第一領域の誘電体材料と第二領域の金属を有する第一パッド接続を含み，金属間領域は，第一および第二領域間の誘電体−誘電体インターフェースを形成する第一領域の誘電体材料および第二領域の金属を含み，頂部金属領域は，第一領域の誘電体材料と第二領域の金属を含むパッド構造を提供する。
　この発明の別の態様によれば，第一領域の上に位置する接着領域と，接着領域下のパッドであって，第一領域，第二領域，および，第三領域の上に位置するパッドと，パッド下の層間領域であって，第一領域の誘電体材料，第二領域の第一パッド接続，および，第三領域の第二パッド接続を含む層間領域と，層間領域下の金属間領域であって，この金属間領域は，第一領域の誘電体材料，第二領域および第三領域の金属，第一および第二領域間の第一誘電体−誘電体インターフェース，および，第一および第三領域間の第二誘電体−誘電体インターフェースを含むことと，金属間領域下の頂部金属領域であって，この頂部金属領域は，第一領域の誘電体材料と，第二領域および第三領域の金属を含むことと，頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，パッシベーション酸化物領域下のウェハと，を含むパッド構造において，第一領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域，および，ウェハを通して延在する領域として規定され，第二領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域，および，ウェハを通して延在する領域として規定され，第一領域に隣接して設置され，第三領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域，および，ウェハを通して延在する領域として規定され，第一領域に隣接して，第二および第三領域が第一領域を挟むように設置されることを特徴とするパッド構造を提供する。」を，以下のとおり補正すること。
「この発明の一態様によれば，第一領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域およびウェハを通して延在する領域として規定され，接着領域およびパッド下に設置され，第二領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領
域お
びウ
第三領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域およびウェハを通して延在する領域として規定され，パッド下に第一領域に隣接して第二領域との間で第一領域を挟むように設置され，第四領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域およびウェハを通して延在する領域として規定され，パッドの少なくとも一部の下に第二領域に隣接して第一領域との間で第二領域を挟むように設置され，第五領域は，層間領域，金属間領域，頂部金属領域，パッシベーション酸化物領域およびウェハを通して延在する領域として規定され，パッドの少なくとも一部の下に第三領域に隣接して第一領域との間で第三領域を挟むように設置され，
領域の誘電体材料および第二領域の金属を含み，第一領域における金属間領域と層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成し，
料お
び第
み
層間領域は，さらに，第三領域に位置する金属を有する第二パッド接続，および第四領域と第五領域とにおける誘電体材料を含み，層間領域下の金属間領域は，さらに，第三領域の金属，および第四領域と第五領域とにおける誘電体材料を含む
　
３　補正目的の適否，及び新規事項の追加の有無について
（１）補正事項１について
　補正事項１が，特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかであり，また，補正事項１は，同法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２について
　ア　補正事項２Ａ及び２Ｃについて
　補正事項２Ａ及び２Ｃは，いずれも，補正前の請求項２について，補正前の請求項１の削除に伴い項番を繰り上げ，補正前の請求項１の記載を引用しないものとしたうえで，補正前の請求項１における句読点を削除する補正であって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　イ　補正事項２Ｂについて
　補正事項２Ｂは，補正前の請求項２について，補正前の請求項１の削除に伴い項番を繰り上げ，補正前の請求項１の記載を引用しないものとしたうえで，当審拒絶理由通知に係る拒絶の理由１ないし３に示す事項についてした補正である。
　そして，補正事項２Ｂは，本願の当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものと認められるから，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　ウ　小括
　上記ア及びイより，補正事項２は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は，補正前の請求項３について，補正前の請求項１の削除に伴い項番，及び引用する請求項の項番を繰り上げたうえで，補正前の請求項３における誤記を訂正し，句読点を削除する補正であって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は，補正前の請求項４について，補正前の請求項１の削除に伴い項番，及び引用する請求項の項番を繰り上げたうえで，補正前の請求項４における誤記を訂正する補正であって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（５）補正事項５及び６について
　補正事項５及び６は，それぞれ，補正前の請求項５及び６について，補正前の請求項１の削除に伴い項番，及び引用する請求項の項番を繰り上げる補正であるから，いずれも適法な補正である。
　
（６）補正事項７について
　補正事項７が，特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかであり，また，補正事項７は，同法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（７）補正事項８について
　補正事項８は，補正事項１及び７による補正前の請求項１及び７の削除と，補正事項２による補正前の請求項２の補正に伴い，対応する本願明細書の記載を補正したものである。
　そして，補正事項８は，本願の当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものと認められるから，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（８）まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正による特許請求の範囲，及び本願明細書についての補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，また，本件補正における特許請求の範囲についてする補正は，同法第１７条の２第５項第１号，第３号又は第４号のいずれかに掲げる事項を目的とするものに該当する。
　そして，本件補正における特許請求の範囲についてする補正は，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当しないから，同法第１７条の２第６項の規定（独立特許要件）は適用されない。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，適法なものである。
　
　
第４　本願発明の容易想到性について
１　本願発明　
　本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（再掲）
　「【請求項１】
　接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の層間領域と，
　前記層間領域下の金属間領域と，
　前記金属間領域下の頂部金属領域と，
　前記頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　第三領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して前記第二領域との間で前記第一領域を挟むように設置され，
　第四領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッドの少なくとも一部の下に前記第二領域に隣接して前記第一領域との間で前記第二領域を挟むように設置され，
　第五領域は，前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッドの少なくとも一部の下に前記第三領域に隣接して前記第一領域との間で前記第三領域を挟むように設置され，
　前記層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の金属を有する第一パッド接続を含み，
　前記金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含み，前記第一領域における前記金属間領域と前記層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成し，
　前記頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含み，
　前記層間領域は，さらに，前記第三領域に位置する金属を有する第二パッド接続，および前記第四領域と前記第五領域とにおける誘電体材料を含み，
　前記層間領域下の前記金属間領域は，さらに，前記第三領域の金属，および前記第四領域と前記第五領域とにおける誘電体材料を含むこと
　を特徴とするパッド構造。」
　
２　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献１（特開２００２−２２２８１１号公報）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　ア「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，ボンディングパッド領域を有する半導体装置
に関する
【０００２】
【背景技術】現在，半導体装置の微細化の進展に伴い，半導体装置において配線層が多層にわたって形成されている。半導体装置は，一般に，配線層の最上層に達するパッド開口部が設けられ，そのパッド開口部において，外部と配線層の最上層の電気的接続が果たされる。
【０００３】図９に，半導体装置のパッド形成領域を模式的に示す断面図を示す。
一般に，パッド開口部が達している配線層３４０より下のレベルの配線層３３２，３３０は，パッド開口部３６０の下方の領域においも形成されている
パッド開口部３６０の下方の領域において，配線層３３２，３３０を形成すると，図１０に示すように，パッド開口部３６０においてワイヤボンディングを行う際に，層間絶縁層３２２，３２４においてクラック３１０が生じる場合がある
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，パッド開口部が達している配線層の下方の層間絶縁層においてクラックが生じるのが抑えられた半導体装置
を提供することにある
【０００５】
【課題を解決するための手段】（半導体装置）
・・・
【０００７】
本発明においては，パッド開口部が達している配線層より下のレベルにある配線層は，平面的にみてパッド開口部の領域外において形成されている
パッド開口部が達している配線層より下のレベルにある配線層は，パッド開口部の下方の領域には形成されていない
ワイヤボンディングの際に，パッド開口部が達している配線層に衝撃が加わっても，その衝撃を層間絶縁層で受けることができる
パッド開口部が達している配線層の下方の層間絶縁層においてクラックが生じるのを抑えることができる
　イ「【００１４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好適な実施の形態について，図面を参照しながら説明する。
【００１５】［半導体装置］図１は，半導体装置を模式的に示す平面図である。図２（ａ）は，図１の領域Ａ１０を拡大した図である。図２（ｂ）は，図２（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【００１６】まず，半導体装置１０００の平面構造を説明する。
半導体装置１０００は，
パッド領域２００とを有する
【００１７】次に，半導体装置１０００の断面構造を説明する。能動部における半導体基板１０の表面上には，半導体素子（図示せず）が形成されている。半導体素子は，たとえばＭＩＳトランジスタ，メモリトランジスタである。
半導体基板１０の上には，第１の層間絶縁層２０が形成されている。第１の層間絶縁層２０の上には，第１の配線層３０が形成されている。第１の層間絶縁層２０および第１の配線層３０の上には，第２の層間絶縁層２２が形成されている
上方に後述の保護絶縁層５０が形成されている第１の層間絶縁層２０の上面を第１の領域とすると，第１の配線層３０は，第１の領域の上に形成されている。また，上方に後述のパッド開口部６０が形成されている第１の層間絶縁層２０の上面を第２の領域とすると，第２の領域の上には，第２の層間絶縁層２２が形成されている
第２の層間絶縁層２２において，第１の配線層３０と第２の配線層３２とを電気的に接続するための第１のプラグ７０が形成されている
【００１８】
第２の層間絶縁層２２および第１のプラグ７０の上には，第２の配線層３２が形成されている。第２の層間絶縁層２２および第２の配線層３２の上には，第３の層間絶縁層２４が形成されている
上方に後述の保護絶縁層５０が形成されている第２の層間絶縁層２２の上面を第３の領域とすると，第２の配線層３２は，第３の領域の上に形成されている。
上方に後述のパッド開口部６０が形成されている第２の層間絶縁層２２の上面を第４の領域とすると，第４の領域の上には，第３の層間絶縁層２４が形成されている
【００１９】
第３の層間絶縁層２４の上には，第３の配線層４０が形成されている
第３の層間絶縁層２４において，第３の配線層４０と第２の配線層３２とを電気的に接続するための第２のプラグ７２が形成されている
【００２０】
第３の層間絶縁層２４およびプラグ配線層４０の上において，保護絶縁層５０が形成されている。保護絶縁層５０において，パッド開口部６０が形成されている。パッド開口部６０は，第３の配線層４０の上面に達している
このパッド開口部６０において，外部と第３の配線層４０とを電気的に接続するために，たとえばワイヤボンディングがなされる
【００２１】次に，本実施の形態における特徴点を説明する。
第３の配線層４０の下のレベルにおいて形成された，第１および第２の配線層３０，３２は，平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成されている。つまり，パッド開口部６０の下方の領域において，第１および第２の配線層３０，３２が形成されていない。このため，たとえばワイヤボンディングの際に，第３の配線層４０に衝撃が加わっても，その衝撃を層間絶縁層２０，２２，２４のみで受けることができる。その結果，第３の配線層４０の下の層間絶縁層２０，２２，２４においてクラックが生じるのを抑えることができる。また，配線層と層間絶縁層との界面において，膜はがれが生じるのを抑えることができる
　ウ「【００２２】［半導体装置の製造方法］以下，図２を参照して，実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００２３】まず，半導体基板１０の上に，半導体素子（たとえばＭＩＳトランジスタ，メモリトランジスタ）を形成する。次に，公知の方法により，
酸化シリコンからなる第１の層間絶縁層２０を形成する
【００２４】次に，第１の層間絶縁層２０の上に，第１の配線層３０を形成する。
第１の配線層３０は，公知の方法により導電層（たとえばアルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層）を形成し，その導電層をパターニングすることにより形成される
【００２５】次に，第１の配線層３０および第１の層間絶縁層２０の上において，公知の方法により，
酸化シリコンからなる第２の層間絶縁層２２を形成する
第１のプラグ７０は，タングステン層を全面に形成し，そのタングステン層をエッチバックすることにより形成される
【００２６】次に，第１のプラグ７０および第２の層間絶縁層２２の上に，第２の配線層３２を形成する。
第２の配線層３２は，公知の方法により導電層（たとえばアルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層）を形成し，その導電層をパターニングすることにより形成される
【００２７】次に，第２の層間絶縁層２２および第２の配線層３２の上に，公知の方法により，酸化シリコンからなる第３の層間絶縁層２４を形成する。第３の層間絶縁層２４は，必要に応じて，ＣＭＰ法により平坦化される。次に，第３の層間絶縁層２４において，第２の配線層３２に達するスルーホール２４ａを形成する。スルーホール２４ａの幅は，たとえば０．２〜０．５μｍである。スルーホール２４ａの平面の面積は，たとえば０．２×０．２〜０．５×０．５μｍ２である。次に，スルーホール２４ａ内に，第２のプラグ７２を形成する。
第２のプラグ７２は，タングステン層を全面に形成し，そのタングステン層をエッチバックすることにより形成される
【００２８】次に，第３の層間絶縁層２４および第２のプラグ７２の上に，第３の配線層４０を形成する。第３の配線層４０は，公知の方法により導電層（たとえばアルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層）を形成し，その導電層をパターニングすることにより形成される。
【００２９】次に，第３の配線層４０の上に，公知の方法により，保護絶縁層（たとえば酸化シリコン層）５０を形成する。次に，リソグラフィ技術を利用して，保護絶縁層４０を選択的にエッチングすることにより，第３の配線層４０に達するパッド開口部６０を形成する。
パッド開口部６０は，第１および第２の配線層３０，３２が平面的にみてパッド開口部６０の領域外において配置されるように，形成される
　エ「【００３０】（作用効果）本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の作用効果を説明する。
【００３１】
本実施の形態においては，第１および第２の配線層３０，３２をパッド開口部６０の領域外において形成されるようにしている。このため，パッド開口部６０の下方の領域において，第１および第２の配線層３０，３２が形成されていない。
ボンディングの際にかかる応力は，第１〜第３の層間絶縁層２０，２２，２４のみで受けることができる。このため，第１〜第３の層間絶縁層２０，２２，２４においてクラックが生じるのを抑えることができる。また，層間絶縁層と配線層との界面において，膜はがれが生じるのを抑えることができる
　オ「【００３２】［変形例］本実施の形態は，次の変形が可能である。
・・・
【００４０】（６）上
記実施の形態においては，第３の配線層４０の下の配線層は，第１の配線層および第２の配線層であり，２層であった
第３の配線層４０の下の配線層は
３層以上であってもよい
　カ　図１，並びに図２（ａ）及び（ｂ）より，半導体装置１０００のパッド領域２００（当審注．図２（ａ）及び（ｂ）における番号「１００」は「２００」の誤記と認める。）について，以下の事項が看取できる。
（ア）半導体装置１０００のパッド領域２００が，以下の領域を備える点。
　・第３の層間絶縁層２４，第２の層間絶縁層２２，第１の層間絶縁層２０，及び半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，パッド開口部６０及び第３の配線層４０下に設置される領域（下図（図２（ｂ）に補助線及び文字を書き加えた図）においてＡで示された領域。以下「領域Ａ」という。）。
　・第３の層間絶縁層２４，第２の層間絶縁層２２，第１の層間絶縁層２０，及び半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，第３の配線層４０下に領域Ａに隣接して設置される領域（下図においてＢで示された領域。以下「領域Ｂ」という。）。
　・第３の層間絶縁層２４，第２の層間絶縁層２２，第１の層間絶縁層２０，及び半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，第３の配線層４０下に領域Ａに隣接して領域Ｂとの間で領域Ａを挟むように設置される領域（下図においてＣで示された領域。以下「領域Ｃ」という。）。
　・第３の層間絶縁層２４，第２の層間絶縁層２２，第１の層間絶縁層２０，及び半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，領域Ｂに隣接して領域Ａとの間で領域Ｂを挟むように設置される領域（下図においてＤで示された領域。以下「領域Ｄ」という。）。
　・第３の層間絶縁層２４，第２の層間絶縁層２２，第１の層間絶縁層２０，及び半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，領域Ｃに隣接して領域Ａとの間で領域Ｃを挟むように設置される領域（下図においてＥで示された領域。以下「領域Ｅ」という。）。
（イ）半導体装置１０００のパッド領域２００が，以下の構成を備える点。
　・第３の層間絶縁層２４は，領域Ａの酸化シリコン，領域Ｂの第２の配線層３２及び第２のプラグ７２，領域Ｃの第２の配線層３２及び第２のプラグ７２，並びに領域Ｄ及びＥの酸化シリコンを含む点。
　・第２の層間絶縁層２２は，領域Ａの酸化シリコン，領域Ｂの第１の配線層３０及び第１のプラグ７０，領域Ｃの第１の配線層３０及び第１のプラグ７０，並びに領域Ｄ及びＥの酸化シリコンを含む点。
　
　
（２）引用発明
　引用文献１の記載より，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体装置１０００のパッド領域２００におけるパッド開口部６０と，
　上記パッド開口部６０下の第３の配線層４０と，
　上記第３の配線層２４下の酸化シリコンからなる層間絶縁層であって，アルミニウム層又はアルミニウムと銅の合金層である第２の配線層３２を被覆し，上記第３の配線層４０下から上記第２の配線層３２に達するスルーホール２４ａ内に形成されたタングステン層からなる第２のプラグ７２を有する，第３の層間絶縁層２４と，
　上記層間絶縁層２４下の酸化シリコンからなる層間絶縁膜層であって，アルミニウム層又はアルミニウムと銅の合金層である第１の配線層３０を被覆し，上記第２の配線層３２下から上記第１の配線層３０に達するスルーホール２２ａ内に形成されたタングステン層からなる第１のプラグ７０を有する，第２の層間絶縁層２２と，
　上記第２の層間絶縁層２２下の酸化シリコンからなる第１の層間絶縁層２０と，
　第１の層間絶縁層２０下の半導体基板１０と，
を含む半導体装置１０００のパッド領域２００において，
　上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記パッド開口部６０及び上記第３の配線層４０下に設置される領域Ａと，
　上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記第３の配線層４０下に上記領域Ａに隣接して設置される領域Ｂと，
　上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記第３の配線層４０下に上記領域Ａに隣接して上記領域Ｂとの間で上記領域Ａを挟むように設置される領域Ｃと，
　上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記領域Ｂに隣接して上記領域Ａとの間で上記領域Ｂを挟むように設置される領域Ｄと，
　上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記領域Ｃに隣接して上記領域Ａとの間で上記領域Ｃを挟むように設置される領域Ｅとを備え，
　上記第３の層間絶縁層２４は，上記領域Ａの酸化シリコン，上記領域Ｂの上記第２の配線層３２及び上記第２のプラグ７２，上記領域Ｃの上記第２の配線層３２及び上記第２のプラグ７２，並びに上記領域Ｄ及びＥの酸化シリコンを含み，
　上記第２の層間絶縁層２２は，上記領域Ａの酸化シリコン，上記領域Ｂの上記第１の配線層３０及び上記第１のプラグ７０，上記領域Ｃの上記第１の配線層３０及び上記第１のプラグ７０，並びに上記領域Ｄ及びＥの酸化シリコンを含み，
　上記パッド開口部６０の下方の領域において，上記第１及び第２の配線層３０，３２が形成されていない，
　半導体装置１０００のパッド領域２００。」
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）対比
　ア　引用発明における「半導体装置１０００のパッド領域２００」は，本願発明の「パッド構造」に相当するといえる。
　そして，引用発明における「パッド開口部６０」は，上記２（１）イ（【００２０】）よりワイヤボンディングされることが予定されている領域と認められるから，本願発明の「接着領域」に相当するといえる。
　また，引用発明における「第３の配線層４０」は，「パッド領域２００」を構成し，ワイヤボンディングされるものであるから，本願発明の「パッド」に相当するといえる。
　さらに，引用発明における「第３の層間絶縁層２４」及び「第２の層間絶縁層２２」は，それぞれ，本願発明の「層間領域」及び「金属間領域」に相当するということができ，また，引用発明における「酸化シリコンからなる第１の層間絶縁層２０」及び「半導体基板１０」は，後述する相違点１に係る構成（本願発明の「頂部金属領域」の有無。）を除き，それぞれ，本願発明の「パッシベーション酸化物領域」及び「ウェハ」に相当するといえる。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「接着領域と，前記接着領域下のパッドと，前記パッド下の層間領域と，前記層間領域下の金属間領域と，前記頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，パッシベーション酸化物領域下のウェハと，を含むパッド構造」である点で共通するということができる。
　イ　本願発明の「前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され」る「第一領域」と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記パッド開口部６０及び上記第３の配線層４０下に設置される領域Ａ」とは，「前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され」る領域（以下「領域１」という。）である点で共通するということができる。
　ウ　本願発明の「前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され」る「第二領域」と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記第３の配線層４０下に上記領域Ａに隣接して設置される領域Ｂ」とは，「前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記領域１に隣接して設置される領域」（以下「領域２」という。）である点で共通するということができる。
　エ　本願発明の「前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して前記第二領域との間で前記第一領域を挟むように設置され」る「第三領域」と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記第３の配線層４０下に上記領域Ａに隣接して上記領域Ｂとの間で上記領域Ａを挟むように設置される領域Ｃ」とは，「前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記領域１に隣接して前記領域２との間で前記領域１を挟むように設置される領域」（以下「領域３」という。）である点で共通するということができる。
　オ　本願発明の「前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッドの少なくとも一部の下に前記第二領域に隣接して前記第一領域との間で前記第二領域を挟むように設置され」る「第四領域」と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記第３の配線層４０下に上記領域Ｂに隣接して上記領域Ａとの間で上記領域Ｂを挟むように設置される領域Ｄ」とは，「前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記領域２に隣接して前記領域１との間で前記領域２を挟むように設置される領域」（以下「領域４」という。）である点で共通するということができる。
　カ　本願発明の「前記層間領域，前記金属間領域，前記頂部金属領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッドの少なくとも一部の下に前記第三領域に隣接して前記第一領域との間で前記第三領域を挟むように設置され」る「第五領域」と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４，上記第２の層間絶縁層２２，上記第１の層間絶縁層２０，及び上記半導体基板１０を通して延在する領域として規定され，上記第３の配線層４０下に上記領域Ｃに隣接して上記領域Ａとの間で上記領域Ｃを挟むように設置される領域Ｅ」とは，「前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記領域３に隣接して前記領域１との間で前記領域３を挟むように設置される領域」（以下「領域５」という。）である点で共通するということができる。
　キ　上記イ及びウより，本願発明の「前記層間領域は，前記第一領域の誘電体材料」を含むとの構成と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４は，上記領域Ａの酸化シリコン」を含むとの構成は，「前記層間領域は」，領域１の「誘電体材料」を含む点で共通するといえる。
　また，引用発明における「第２の配線層３２」は「アルミニウム層又はアルミニウムと銅の合金層」であり，「第２のプラグ７２」は「上記第３の配線層４０下から上記第２の配線層３２に達するスルーホール２４ａ内に形成されたタングステン層」であるから，「第２の配線層３２」及び「第２のプラグ７２」は，金属を有し，引用発明の「第３の配線層４０」（本願発明の「パッド」に相当。）に接続するための構成といえる。
　してみれば，上記イ及びウより，本願発明の「前記層間領域は」，「前記第二領域の金属を有する第一パッド接続」を含むとの構成と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４は」，「上記領域Ｂの上記第２の配線層３２及び上記第２のプラグ７２」を含むとの構成は，「前記層間領域は」，領域２の「金属を有する第一パッド接続」を含む点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「前記層間領域は，前記領域１の誘電体材料と前記領域２の金属を有する第一パッド接続を含」む構成を備える点で共通するということができる。
　ク　上記イ及びウより，本願発明の「前記金属間領域は，前記第一領域の誘電体材料」を含むとの構成と，引用発明における「上記第２の層間絶縁層２２は，上記領域Ａの酸化シリコン」を含むとの構成は，「前記金属間領域は」，領域１の「誘電体材料」を含む点で共通するといえる。
　また，引用発明における「第１の配線層３０」は「アルミニウム層又はアルミニウムと銅の合金層」であり，「第１のプラグ７０」は「上記第２の配線層３２下から上記第１の配線層３０に達するスルーホール２２ａ内に形成されたタングステン層」であるから，「第１の配線層３０」及び「第１のプラグ７０」は金属である。
　してみれば，上記イ及びウより，本願発明の「前記金属間領域は」，「前記第二領域の金属」を含むとの構成と，引用発明における「上記第２の層間絶縁層２２は」，「上記領域Ｂの上記第１の配線層３０及び上記第１のプラグ７０」を含むとの構成は，「前記金属間領域は」，領域２の「金属」を含む点で共通するといえる。
　そして，引用発明における「第３の層間絶縁層２４」及び「第２の層間絶縁層２２」それぞれの「領域Ａ」には「酸化シリコン」が含まれること，及び上記２（２）のとおり，引用発明は「上記パッド開口部６０の下方の領域において，上記第１及び第２の配線層３０，３２が形成されていない」との構成を備えることに鑑みれば，引用発明は，「領域Ａ」における「第２の層間絶縁層２２」と「第３の層間絶縁層２４」との間に，誘電体材料である「酸化シリコン」によるインターフェース，すなわち，本願発明の「誘電体−誘電体インターフェース」が形成されると認められる。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「前記金属間領域は，前記領域１の誘電体材料および前記領域２の金属を含み，前記領域１における前記金属間領域と前記層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成」するとの構成を備える点で共通するということができる。
　ケ　上記キのとおり，引用発明における「第２の配線層３２」及び「第２のプラグ７２」は，金属を有し，引用発明の「第３の配線層４０」（本願発明の「パッド」に相当。）に接続するための構成といえる。
　そして，上記イ及びエより，本願発明の「前記層間領域は」，「前記第三領域の金属を有する第二パッド接続」を含むとの構成と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４は」，「上記領域Ｃの上記第２の配線層３２及び上記第２のプラグ７２」を含むとの構成は，「前記層間領域は」，領域３の「金属を有する第二パッド接続」を含む点で共通するといえる。
　また，上記イ，オ及びカより，本願発明の「前記層間領域は」，「前記第四領域と前記第五領域とにおける誘電体材料」を含むとの構成と，引用発明における「上記第３の層間絶縁層２４は」，「上記領域Ｄ及びＥの酸化シリコン」を含むとの構成は，「前記層間領域は」，領域４と領域５とにおける「誘電体材料」を含む点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「前記層間領域は，さらに，前記領域３に位置する金属を有する第二パッド接続，および前記領域４と前記領域５とにおける誘電体材料を含」む構成を備える点で共通するということができる。
　コ　上記クのとおり，引用発明における「第１の配線層３０」及び「第１のプラグ７０」は金属である。
　そして，上記イ及びエより，本願発明の「前記層間領域下の前記金属間領域は」，「前記第三領域の金属」を含むとの構成と，引用発明における「上記第２の層間絶縁層２２は」，「上記領域Ｃの上記第１の配線層３０及び上記第１のプラグ７０」を含むとの構成は，「前記金属間領域は」，領域３の「金属」を含む点で共通するといえる。
　また，上記イ，オ及びカより，本願発明の「前記層間領域下の前記金属間領域は」，「前記第四領域と前記第五領域とにおける誘電体材料」を含むとの構成と，引用発明における「上記第２の層間絶縁層２２は」，「上記領域Ｄ及びＥの酸化シリコン」を含むとの構成は，「前記層間領域下の前記金属間領域は」，領域４と領域５とにおける「誘電体材料」を含む点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「前記層間領域下の前記金属間領域は，さらに，前記領域３の金属，および前記領域４と前記領域５とにおける誘電体材料を含む」構成を備える点で共通するということができる。
　
（２）本願発明と引用発明との一致点及び相違点
　上記（１）より，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，以下のとおりであると認められる。
　ア　一致点
　「接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の層間領域と，
　前記層間領域下の金属間領域と，
　前記頂部金属領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　領域１は，前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　領域２は，前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記領域１に隣接して設置される領域され，
　領域３は，前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記領域１に隣接して前記領域２との間で前記領域１を挟むように設置され，
　領域４は，前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記領域２に隣接して前記領域１との間で前記領域２を挟むように設置され，
　領域５は，前記層間領域，前記金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域および前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記領域３に隣接して前記領域１との間で前記領域３を挟むように設置され，
　前記層間領域は，前記領域１の誘電体材料と前記領域２の金属を有する第一パッド接続を含み，
　前記金属間領域は，前記領域１の誘電体材料および前記領域２の金属を含み，前記領域１における前記金属間領域と前記層間領域との間に誘電体−誘電体インターフェースを形成し，
　前記層間領域は，さらに，前記領域３に位置する金属を有する第二パッド接続，および前記領域４と前記領域５とにおける誘電体材料を含み，
　前記層間領域下の前記金属間領域は，さらに，前記領域３の金属，および前記領域４と前記領域５とにおける誘電体材料を含む，
　パッド構造。」
　イ　相違点
　・相違点１
　本願発明は，「前記金属間領域下の頂部金属領域」を備え，「前記頂部金属領域は，前記第一領域の誘電体材料および前記第二領域の金属を含」むとともに，「パッシベーション酸化物領域」は「頂部金属領域」下に設けられ，また，「第一領域」ないし「第五領域」は，いずれも「頂部金属領域」を通して延在する領域として規定されているのに対し，引用発明は，本願発明の「頂部金属領域」に相当する構成を備えていない点。
　・相違点２
　本願発明では，「第四領域」は「前記パッドの少なくとも一部の下に前記第二領域に隣接して前記第一領域との間で前記第二領域を挟むように設置され」ているのに対し，引用発明では，「領域Ｄ」が「上記領域Ｂに隣接して上記領域Ａとの間で上記領域Ｂを挟むように設置され」ているものの，「第３の配線層４０」（本願発明の「パッド」に相当。）の少なくとも一部の下に設置されることは明示されていない点。
　・相違点３
　本願発明は，「第五領域」は「前記パッドの少なくとも一部の下に前記第三領域に隣接して前記第一領域との間で前記第三領域を挟むように設置され」ているのに対し，引用発明では，「領域Ｅ」が「上記領域Ｃに隣接して上記領域Ａとの間で上記領域Ｃを挟むように設置され」ているものの，「第３の配線層４０」（本願発明の「パッド」に相当。）の少なくとも一部の下に設置されることは明示されていない点。
　
４　相違点についての検討
（１）相違点１について
　半導体装置において，基板上に誘電体材料からなる絶縁層を積層し，各絶縁層上に形成された電極又は配線を，各絶縁層中に形成した導電材料を介して接続する多層配線構造は，当該技術分野では周知の技術であり，また，上記２（１）オによれば，引用文献１には，「上
記実施の形態においては，第３の配線層４０の下の配線層は，第１の配線層および第２の配線層であり，２層であった
第３の配線層４０の下の配線層は
３層以上であってもよい
　そして，引用発明において，上記の新たな層間絶縁層を形成することにより，「領域Ａ」ないし「領域Ｅ」のそれぞれが，上記の新たな層間絶縁層をも通して延在する領域として規定されることは当然である。
　さらに，上記２（１）ア及びエより，引用発明は，パッド開口部が達している配線層の下方の層間絶縁層においてクラックが生じるのが抑えられた半導体装置を提供することを目的とし（【０００４】），「パッド開口部６０」の下方の領域において，「第１及び第２の配線層３０，３２」が形成されていない構成とすることで，上記目的を達成する（【０００７】，【００３１】）と認められるから，引用発明において，上記の新たな層間絶縁層を形成する際に，「第２の層間絶縁層２２」と同様，「領域Ａ」の酸化シリコン，及び「領域Ｂ」の「第１の配線層３０」及び「第１のプラグ７０」を含む構成とすることは，引用発明の目的を達成するために，当業者が当然に行い得るものといえる。
　そうすると，引用発明において，相違点１に係る構成とすることは，引用文献１の記載に接した当業者が，適宜なし得たものと認める。
　
（２）相違点２及び３について
　相違点２及び３について，まとめて検討する。
　本願明細書の記載より，本願発明は，剥離を軽減するパッド構造を提供することを目的とし（【０００３】），第一領域が，誘電体−金属インターフェースを含まないように，一つ以上の誘電体−誘電体インターフェースが第一領域内に形成することで上記の目的を達成したもの（【００１３】，【００２０】）と認められる。
　他方，上記２（１）ア及びエより，引用発明は，パッド開口部が達している配線層の下方の層間絶縁層においてクラックが生じるのが抑えられた半導体装置を提供することを目的とし（【０００４】），「パッド開口部６０」の下方の領域において，「第１及び第２の配線層３０，３２」が形成されていない構成とすることで，上記目的を達成する（【０００７】，【００３１】）と認められる。
　してみれば，相違点２及び３に係る構成により，本願発明と引用発明との間に，作用効果上，格別の相違が生じるとは認められない。
　そして，引用発明において，「第３の配線層４０」（本願発明の「パッド」に相当。）の端部を，「第１及び第２の配線層３０，３２」及び「第１及び第２のプラグ７０，７２」が形成されていない，「第２の層間絶縁層２２」及び「第３の層間絶縁層２４」それぞれの「領域Ｄ」上，及び「領域Ｅ」上まで延在させること，すなわち，「領域Ｄ」及び「領域Ｅ」が，「第３の配線層４０」の少なくとも一部の下に設置される構成とすることは，必要に応じて，当業者が適宜行い得るものと認められる。
　また，引用発明における上記目的とその達成手段である上記構成との関係からみて，引用発明において，「領域Ｄ」及び「領域Ｅ」が，「第３の配線層４０」の少なくとも一部の下に設置される構成とすることで，引用発明における上記目的の達成が妨げられるとは認められない。
　そうすると，相違点２及び３に係る構成により，本願発明と引用発明との間に，作用効果上，格別の相違が生じるとは認められず，また，引用発明において，相違点２及び３に係る構成とすることに阻害要因があるとも認められないから，引用発明において，相違点２及び３に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たものと認める。
　
５　本願発明の作用効果について
　上記４（１）のとおり，引用発明において，相違点１に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たものであって，その効果は，当業者が容易に予測し得たものと認められ，そして，上記４（２）のとおり，相違点２及び３に係る構成により，本願発明と引用発明との間に，作用効果上，格別の相違が生じるとは認められず，さらに，これらを総合しても，本願発明が奏する作用効果は，引用発明の作用効果から，当業者が容易に予測し得る範囲を超えるとは認められない。
　そうすると，本願発明が奏する作用効果は，格別のものとはいえない。
　
６　小括
　したがって，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用文献１記載の発明（引用発明）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
　
第４　結言
　
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。