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　特願２０１２−　４８５５１「電離性放射線照射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月１９日出願公開、特開２０１３−１８５８３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２４年３月５日を出願日とする特許出願であって、平成２７年８月７日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年１０月１５日に意見書が提出されるとともに明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたが、平成２８年１月２９日付けで拒絶査定がなされ、同査定の謄本は同年２月８日に請求人に送達され、これに対して、同年４月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がなされ、当審において、同年１１月３０日付けで拒絶理由を通知し，応答期間内である平成２９年１月１８日に意見書が提出されるとともに明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたところである。
２　本願発明
　この出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２９年１月１８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　側面もしくは上面に電離性放射線照射用の照射窓が設けられた筒状の耐熱炉と、前記耐熱炉の外側に配置された電離性放射線照射器とを備え、前記耐熱炉の照射部における雰囲気温度が１００℃以上の温度条件下で使用される電離性放射線照射装置であって、
　前記電離性放射線照射器が前記耐熱炉の照射窓から離間して配置され、
　前記耐熱炉の照射窓に金属箔が設けられると共に、前記電離性放射線照射器の電離性放射線出射用の出射窓に金属箔が設けられ、
　前記照射窓の金属箔と前記出射窓の金属箔とが対向して所定の間隔を設けて配置されて前記照射窓の金属箔と前記出射窓の金属箔とが外部空間に開放されており、
　さらに、前記照射窓を前記耐熱炉の外部より冷却するための冷却手段が備えられており、
　前記冷却手段が、前記照射窓に設けられた前記金属箔に向けて冷却用ガスを吹き付ける冷却手段であり、
　前記耐熱炉の照射部における雰囲気温度が３２７℃以上の温度条件下でフッ素樹脂を連続的に架橋可能とされ、
　前記筒状の耐熱炉の搬入口側から搬出口側に向かって、前記フッ素樹脂を加熱する加熱ゾーン、前記フッ素樹脂に電離性放射線を照射する照射ゾーン、前記フッ素樹脂を冷却する冷却ゾーンが順に設けられており、
　前記耐熱炉が筒状のマッフルであり、前記マッフルの外側にヒーターが設置されて前記加熱ゾーンにおいて前記ヒーターによりマッフル炉内が加熱されるように構成されており、前記照射ゾーンに前記照射窓が設けられていることを特徴とする電離性放射線照射装置。」
３　引用文献
（１）引用文献１の記載事項、引用発明
　当審において通知した拒絶の理由に引用された特開２００２−３３７１５６号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。
ア　引用文献１には、以下の事項が記載されている。
「【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を達成するため、
走行するフッ素樹脂等のシート状物に放射線を照射することによって前記シート状物の架橋を行うシート状物の架橋
【００１３】上記のシート状物としては、フッ素樹脂以外のポリエチレン等も構成材として適用可能であり、また、フッ素樹脂を適用するとき、その形態としては、ソリッドのシート状物、あるいは架橋後に粉砕されるシート状の粉末焼成体のいずれでもよい。放射線としては、電子線等の電離性放射線が扱いやすく好適である。
【００１４】多段に配置された各シート状物の走行速度は、放射線の飛程に伴う減衰を考慮して、照射源より離れるにしたがって低速となるように設定することが好ましく、このようにするときには、各シート状物の照射量を同じにして、架橋度合の均質化を図ることが可能となる。
【００１５】また、多段に配置されたシート状物の相互間には、窒素ガス等の不活性ガスを循環させ、これによって放射線の照射によるシート状物の昇温を防止するとともに、架橋雰囲気の無酸素化を図ることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるシート状物の架橋方法の実施の形態を説明する。図１において、
２１は電子線照射装置、２２は天井に照射窓２３を形成した照射室、２４は照射室２２の前に連結された加熱室、２５は照射室２２の後ろに連結された冷却室
【００１７】２６、２７および２８は、それぞれ
照射室２２、加熱室２４および冷却室２５内に
配置されたコンベア
走行するように構成されているとともに、その相互間には、加熱された窒素ガスが強制循環させられ
【００１８】２９は加熱室２４よりそれぞれ突出させられた各段のコンベア２７の端部上に設置されたホッパ、３０はホッパ２９の内部に収容されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の粉末を示す。図示されてはいないが、ホッパ２９には、ＰＴＦＥ粉末３０の消失分を補うタンクが連結されている。
【００１９】
ＰＴＦＥ粉末３０は、各ホッパ２９より各コンベア２７の端部上に平らになるように所定の量ずつ供給され、加熱室２４内を通過する間に融点以上に加熱されて嵩密度の小さなシート状物３１に固められる。固められたシート状物３１は、照射室２２において照射装置２１より所定の線量の電子線を照射された後、照射による昇温を冷却室２５で冷却され、外部に排出される。
【００２０】以上のようにして遂行されるこの実施の形態によるシート状物３１の架橋作業は、たとえば、以下の条件のもとに行われる。電子線照射装置２１の加速電圧：３ＭＶ、
照射窓２３：
Ｔｉ箔
循環窒素ガスの温度：３４０℃（ＰＴＦＥの架橋温度）
「【図１】本発明によるシート状物の架橋方法の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）は
使用される装置
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
イ　引用発明
　上記【図１】に、
電子線照射装置２１と照射室２２の天井の照射窓２３とは対向して離間して配置され
「走行するフッ素樹脂等のシート状物に放射線を照射することによって前記シート状物の架橋を行うシート状物の架橋に使用される装置であって、
電子線照射装置２１と照射室２２の天井の照射窓２３とは対向して離間して配置され、照射室２２の前に連結された加熱室２４、照射室２２の後ろに連結された冷却室２５とがあり、
照射窓２３は、Ｔｉ箔であり、
照射室２２、加熱室２４および冷却室２５内に多段に配置されたコンベアが走行するように構成されているとともに、その相互間には、加熱された窒素ガスが強制循環させられ、
循環窒素ガスの温度は、３４０℃（ＰＴＦＥの架橋温度）であり、
ＰＴＦＥ粉末３０は、各ホッパ２９より各コンベア２７の端部上に平らになるように所定の量ずつ供給され、加熱室２４内を通過する間に融点以上に加熱されて嵩密度の小さなシート状物３１に固められ、固められたシート状物３１は、照射室２２において照射装置２１より所定の線量の電子線を照射された後、照射による昇温を冷却室２５で冷却され、外部に排出される
装置。」
（２）引用文献２の記載事項、技術事項
ア　当審において通知した拒絶の理由に引用された特開２００６−２８２６８８号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。
「【００４４】
　図１、図２、図３を参照して本発明の含フッ素系高分子膜基材の放射線処理方法について説明する。これらの図において、同じ部分は同じ番号を付して表している。図１及び図２は、本発明に係わる含フッ素系高分子膜基材の高温電子線処理装置の例を示している。図１は縦断面図であり、図２は横断面図である。図１において、１は長尺で幅広に形成された含フッ素系高分子膜基材であり、本実施例では、厚さが１００μｍで幅が３０ｃｍで長さが１０ｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜を用いている。これは、リール２に巻き取られた状態からリール３に巻き取られるように移動する。
含フッ素系高分子膜基材１は
高温電子線処理装置１０内に導かれて、３４０℃程度に加熱された後に温度を３４０±５℃の範囲内に保った状態を維持しつつ電子線を照射される
【００４５】
　
高温電子線処理装置１０には放射線防護機能と気体封じ込め機能を有する処理容器１１が設けられており、
電子線照射装置１２は
電子線透過窓１３を透過して
電子線を照射できるようになっている
処理容器１１内で含フッ素系高分子膜基材１と電子線透過窓１３との間には第２の電子線透過窓１５
が設けられている
電子線透過窓１３と第２の電子線透過窓１５とは、ノズル１７から導かれてノズル１８から流出する不活性ガスがこれらの間を高速で流れることにより冷却される。
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
イ　引用文献２には、以下の技術事項が記載されている。
「含フッ素系高分子膜基材１は高温電子線処理装置１０内に導かれて、３４０℃程度に加熱された後に温度を３４０±５℃の範囲内に保った状態を維持しつつ電子線を照射され、
　高温電子線処理装置１０には放射線防護機能と気体封じ込め機能を有する処理容器１１が設けられており、
　電子線照射装置１２は、電子線透過窓１３を透過して電子線を照射できるようになっており、
　処理容器１１内で含フッ素系高分子膜基材１と電子線透過窓１３との間には第２の電子線透過窓１５及びこれを冷却するとともに機械的に支持する隔壁１６が設けられ、
　電子線透過窓１３と第２の電子線透過窓１５とは、ノズル１７から導かれてノズル１８から流出する不活性ガスがこれらの間を高速で流れることにより冷却される。」
４　対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「電子線照射装置２１」、「照射室２２の天井の照射窓２３」は、本願発明の「電離性放射線照射器」、「側面もしくは上面に電離性放射線照射用の照射窓」に相当する。
イ　引用発明の「天井」に「照射窓２３」がある「照射室２２」、「加熱室２４」及び「冷却室２５」は、連結され、その内に「加熱された窒素ガスが強制循環させられ」ているから、本願発明の「側面もしくは上面に電離性放射線照射用の照射窓が設けられた筒状の耐熱炉」に相当する。
　そして、引用発明の「天井」に「照射窓２３」がある「照射室２２」、「加熱室２４」及び「冷却室２５」と、本願発明の「前記耐熱炉が筒状のマッフルであり、前記マッフルの前記照射ゾーンに前記照射窓が設けられていること」とは、共に、「前記耐熱炉が筒状であり、前記照射ゾーンに前記照射窓が設けられていること」で共通する。
ウ　引用発明の「照射窓２３は、Ｔｉ箔」であることは、本願発明の「前記耐熱炉の照射窓に金属箔が設けられる」ことに相当する。また、「電子線照射装置２１」が、電子線出射用の金属箔からなる出射窓を有することは明らかであるから、引用発明も、本願発明の「前記耐熱炉の照射窓に金属箔が設けられると共に、前記電離性放射線照射器の電離性放射線出射用の出射窓に金属箔が設けられ」ていることに相当する構成を備えているといえる。そして、引用発明の「電子線照射装置２１と照射室２２の天井の照射窓２３とは対向して離間して配置され」ることは、本願発明の「前記耐熱炉の外側に配置された電離性放射線照射器とを備え」ていること、「前記電離性放射線照射器が前記耐熱炉の照射窓から離間して配置され」ること及び「前記照射窓の金属箔と前記出射窓の金属箔とが対向して所定の間隔を設けて配置されて前記照射窓の金属箔と前記出射窓の金属箔とが外部空間に開放されて」いることに相当する。
エ　引用発明の「照射室２２、加熱室２４および冷却室２５内に多段に配置されたコンベアが走行するように構成されているとともに、その相互間には、加熱された窒素ガスが強制循環させられ、循環窒素ガスの温度は、３４０℃（ＰＴＦＥの架橋温度）であ」ることは、ＰＴＦＥがフッ素樹脂であることを踏まえると、本願発明の「前記耐熱炉の照射部における雰囲気温度が３２７℃以上の温度条件下でフッ素樹脂を連続的に架橋可能とされ」ることに相当する。
　また、引用発明において、「照射室２２」に「３４０℃」の「加熱された窒素ガスが強制循環させられ」ていることから、引用発明の「走行するフッ素樹脂等のシート状物に放射線を照射することによって前記シート状物の架橋を行うシート状物の架橋に使用される装置」は、本願発明の「前記耐熱炉の照射部における雰囲気温度が１００℃以上の温度条件下で使用される電離性放射線照射装置」に相当する。
オ　引用発明の「ＰＴＦＥ粉末３０は、各ホッパ２９より各コンベア２７の端部上に平らになるように所定の量ずつ供給され、加熱室２４内を通過する間に融点以上に加熱されて嵩密度の小さなシート状物３１に固められ、固められたシート状物３１は、照射室２２において照射装置２１より所定の線量の電子線を照射された後、照射による昇温を冷却室２５で冷却され、外部に排出される」ことは、本願発明の「前記筒状の耐熱炉の搬入口側から搬出口側に向かって、前記フッ素樹脂を加熱する加熱ゾーン、前記フッ素樹脂に電離性放射線を照射する照射ゾーン、前記フッ素樹脂を冷却する冷却ゾーンが順に設けられて」いることに相当する。
カ　してみると、本願発明と引用発明は、以下の点で一致する。
　「側面もしくは上面に電離性放射線照射用の照射窓が設けられた筒状の耐熱炉と、前記耐熱炉の外側に配置された電離性放射線照射器とを備え、前記耐熱炉の照射部における雰囲気温度が１００℃以上の温度条件下で使用される電離性放射線照射装置であって、
　前記電離性放射線照射器が前記耐熱炉の照射窓から離間して配置され、
　前記耐熱炉の照射窓に金属箔が設けられると共に、前記電離性放射線照射器の電離性放射線出射用の出射窓に金属箔が設けられ、
　前記照射窓の金属箔と前記出射窓の金属箔とが対向して所定の間隔を設けて配置されて前記照射窓の金属箔と前記出射窓の金属箔とが外部空間に開放されており、
　前記耐熱炉の照射部における雰囲気温度が３２７℃以上の温度条件下でフッ素樹脂を連続的に架橋可能とされ、
　前記筒状の耐熱炉の搬入口側から搬出口側に向かって、前記フッ素樹脂を加熱する加熱ゾーン、前記フッ素樹脂に電離性放射線を照射する照射ゾーン、前記フッ素樹脂を冷却する冷却ゾーンが順に設けられており、
　前記耐熱炉が筒状であり、前記照射ゾーンに前記照射窓が設けられている電離性放射線照射装置。」
キ　そして、本願発明と引用発明は、以下の点で相違する。
（ア）相違点１
　筒状の耐熱炉が、本願発明では「マッフル」であり、その外側にヒーターが設置されて炉内が加熱されるように構成されているのに対し、引用発明では、「マッフル」であるとは特定されておらず、また、その外側のヒーターにより炉内が加熱されるように構成されているとは特定されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明は、「前記照射窓を前記耐熱炉の外部より冷却するための冷却手段が備えられており、前記冷却手段が、前記照射窓に設けられた前記金属箔に向けて冷却用ガスを吹き付ける冷却手段であ」るのに対し、引用発明は、そのような冷却手段について特定していない点。
５　判断
（１）相違点１について
　高温の加熱処理を伴う処理炉において、マッフル炉を用いることは周知技術であり、また、特開２０１１−１５３７３３号公報の段落０００２に、「マッフル炉は、前記マッフルと、前記マッフルの外部に配置され当該マッフル内の被処理物を間接的に加熱する加熱手段とを備えており」と、特開２００２−１３０９５４号公報の段落００１６に、「マッフル２１を加熱手段としてのガスバーナ２２，２３によって外側から加熱させ、これにより、マッフル２１内を間接的加熱雰囲気温度とするようにした」などと記載されているように、マッフルの外側の加熱手段によりマッフル炉内が加熱される構成は、マッフル炉の基本的構成である。
　そして、引用発明において、「循環窒素ガスの温度は、３４０℃（ＰＴＦＥの架橋温度）」と高温であるから、連結された「照射室２２」、「加熱室２４」及び「冷却室２５」をマッフルで構成し、また、「加熱室２４」をマッフルの外側の加熱手段によりマッフル内が加熱されるように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
（２）相違点２について　
　上記「３（２）イ」から、引用文献２には、「含フッ素系高分子膜基材１は高温電子線処理装置１０内に導かれて、３４０℃程度に加熱された後に温度を３４０±５℃の範囲内に保った状態を維持しつつ電子線を照射」する際に、「電子線透過窓１３」と「第２の電子線透過窓１５」（本願発明の用語で言い換えると「出射窓」、「照射窓」といえる。）を、不活性ガスの流れによって冷却するとの技術事項が記載されているといえる。
　そして、引用発明と引用文献２に記載された技術事項は、どちらも３４０℃の高温の雰囲気下にあるフッ素樹脂に対して電子線を照射する技術で共通しており、照射窓における環境も同じであり、引用発明の「照射窓２３」においても［当然に冷却の必要性は想定されるので、引用文献２に記載された「電子線透過窓１３」と「第２の電子線透過窓１５」の冷却に関する技術事項を適用し、相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（３）小括
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項及
び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明において検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。