【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層と、
前記第１配線層が埋め込まれ、前記第１配線層の下に第１ビアホールが形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の下に形成され、前記第１ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続された第２配線層と
を備えたベース配線基板と、
前記ベース配線基板の上に、前記第１配線層及び前記第１絶縁層に接触した状態で形成され、前記第１配線層の上に第２ビアホールが形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に形成され、前記第２ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続された再配線層と
を備えた再配線部と
を有し、
前記ベース配線基板の前記第１配線層の上面と前記第１絶縁層の上面とは面一になっており、
前記第１のビアホールは前記第１絶縁層の下面からその厚み方向に向けて直径が小さくなるテーパー形状であり、第２のビアホールは前記第１ビアホールと逆のテーパー形状となっており、
前記再配線層の幅は前記第１及び第２配線層の幅より細く、かつ、前記第２絶縁層の厚みは前記第１絶縁層の厚みより薄いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ベース配線基板の前記第２配線層は、前記第１絶縁層の下面から突き出ていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１配線層の最上部に金層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記再配線層はシード層と前記シード層の上に配置された金属めっき層とから形成され、前記シード層は、チタン層と、前記チタン層の上に配置された銅層とから形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記シード層の幅は、前記金属めっき層の幅と同一か、あるいは、前記金属めっき層の幅よりも広いことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記再配線層のライン：スペースは、１μｍ：１μｍ〜５μｍ：５μｍの範囲から選択されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層は熱硬化樹脂からなり、前記第２絶縁層は感光性樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
金属板の上に第１配線層を形成する工程と、
前記金属板の上に、前記第１配線層の上に上面から厚み方向に向けて直径が小さくなるテーパー形状の第１ビアホールが設けられた第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記第１絶縁層の上に形成する工程と、
前記金属板を除去する工程と、
前記第１絶縁層の前記金属板を除去した面上に、前記第１配線層の上に前記第１ビアホールと逆のテーパー形状の第２ビアホールが設けられた第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上に、前記第２ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続される再配線層を形成する工程と
を有し、
前記再配線層の幅は前記第１及び第２配線層の幅より細く、かつ、前記第２絶縁層の厚みは前記第１絶縁層の厚みより薄く設定されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記再配線層を形成する工程は、
前記第２ビアホール内及び前記第２絶縁層の上にシード層を形成する工程と、
前記第２ビアホールを含む領域に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
電解めっきにより、前記第２ビアホール及び前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
異方性ドライエッチングにより、前記金属めっき層をマスクにして前記シード層を除去する工程とを含み、
前記シード層の幅は前記金属めっき層の幅と同一、あるいは、前記金属めっき層の幅よりも広いことを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属板を除去する工程において、
前記第１配線層の下面と前記第１絶縁層の下面とが面一になって露出することを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記シード層を形成する工程において、前記シード層をスパッタ法によって形成することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記再配線層のライン：スペースは、１μｍ：１μｍ〜５μｍ：５μｍの範囲から選択されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、第１配線層と、前記第１配線層が埋め込まれ、前記第１配線層の下に第１ビアホールが形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下に形成され、前記第１ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続された第２配線層とを備えたベース配線基板と、前記ベース配線基板の上に、前記第１配線層及び前記第１絶縁層に接触した状態で形成され、前記第１配線層の上に第２ビアホールが形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成され、前記第２ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続された再配線層とを備えた再配線部とを有し、前記ベース配線基板の前記第１配線層の上面と前記第１絶縁層の上面とは面一になっており、前記第１のビアホールは前記第１絶縁層の下面からその厚み方向に向けて直径が小さくなるテーパー形状であり、第２のビアホールは前記第１ビアホールと逆のテーパー形状となっており、前記再配線層の幅は前記第１及び第２配線層の幅より細く、かつ、前記第２絶縁層の厚みは前記第１絶縁層の厚みより薄い配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、その開示の他の観点によれば、金属板の上に第１配線層を形成する工程と、前記金属板の上に、前記第１配線層の上に上面から厚み方向に向けて直径が小さくなるテーパー形状の第１ビアホールが設けられた第１絶縁層を形成する工程と、前記第１ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記第１絶縁層の上に形成する工程と、前記金属板を除去する工程と、前記第１絶縁層の前記金属板を除去した面上に、前記第１配線層の上に前記第１ビアホールと逆のテーパー形状の第２ビアホールが設けられた第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の上に、前記第２ビアホール内のビア導体を介して前記第１配線層に接続される再配線層を形成する工程とを有し、前記再配線層の幅は前記第１及び第２配線層の幅より細く、かつ、前記第２絶縁層の厚みは前記第１絶縁層の厚みより薄く設定される配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、シリコン基板２２０の両面側には、配線層２４０の上に開口部が設けられた絶縁層２６０がそれぞれ形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ベース配線基板２の上面には、第１配線層２１の金属層２１ａ（図２（ｄ））が露出した状態となる。ベース配線基板２の第１配線層２１の上面と第１層間絶縁層３１の上面は面一となっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
再配線部３では、感光性を有する樹脂材料をフォトリソグラフィでパターン化することにより、微細なビアホールを備えて厚みが５μｍ程度の薄膜の第４〜第６層間絶縁層３４，３５，３６を形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
製造途中で上下反転したベース配線基板２の上に再配線部３が形成されるため、再配線部３の第４〜第６ビアホールＶＨ４〜ＶＨ６は、ベース配線基板２の第１〜第３ビアホールＶＨ１〜ＶＨ３と逆のテーパー形状となって配置されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
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【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
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