【事件の表示】
　特願２０１１−１２３７６７「薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月２２日出願公開、特開２０１１−２５８９４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１日（パリ条約による優先権主張２０１０年６月４日，大韓民国）を出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　５月　９日　審査請求
　平成２６年１２月１９日　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　３月２４日　意見書・手続補正書の提出
　平成２７年　８月　７日　拒絶査定（起案日）
　平成２７年１２月１４日　審判請求・手続補正書の提出
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年１２月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１については，本件補正の前後で以下のとおりである。
　・補正前
「【請求項１】
　絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳し、チャネル部を有する酸化物半導体層と、
　前記酸化物半導体層の上に形成されて、互いに離隔して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に形成される保護膜とを含み、
　前記保護膜は、
　　前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第１保護膜と、
　　前記第１保護膜の上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第２保護膜と、
を含み、
　前記ゲート絶縁膜は、
　　前記ゲート電極上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第１ゲート絶縁膜と、
　　前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第２ゲート絶縁膜と、
を含み、
　前記保護膜は、前記ドレイン電極を露出する第１コンタクトホールを有し、
　前記第１コンタクトホールは、底面から上部に向かうほど次第に断面積が広くなる形状を有する、薄膜トランジスタ表示板。」
・補正後
「【請求項１】
　絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳し、チャネル部を有する酸化物半導体層と、
　前記酸化物半導体層の上に形成されて、互いに離隔して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に形成される保護膜とを含み、
　前記保護膜は、
　　前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第１保護膜と、
　　前記第１保護膜の上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第２保護膜と、
を含み、
　前記ゲート絶縁膜は、
　　前記ゲート電極上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第１ゲート絶縁膜と、
　　前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第２ゲート絶縁膜と、
を含み、
　前記保護膜は、前記ドレイン電極を露出する第１コンタクトホールを有し、
　前記第１コンタクトホールは、底面から上部に向かうほど次第に断面積が広くなる形状を有する、薄膜トランジスタ表示板。」
２　補正事項の整理
　本件補正による，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
・補正事項１
　本件補正前の請求項１の「前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第１保護膜と、」を，「前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ
）か
・補正事項２
　本件補正前の請求項１の「前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第２ゲート絶縁膜と、」を，「前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ
）か
３　補正の適否について
・補正事項１
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３７】及び【００３８】の記載から，補正事項１は本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項１において，本件補正前の請求項１における「前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第１保護膜と、」を，「前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第１保護膜と、」とする補正は，第１保護膜を構成する材料として並列的かつ択一的に記載された要素の一部を削除し，酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）に限定するもので，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
・補正事項２
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２８】−【００３０】の記載から，補正事項２は本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項２において，本件補正前の請求項１における「前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第２ゲート絶縁膜と、」を，「前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第２ゲート絶縁膜と、」とする補正は，第２ゲート絶縁膜を構成する材料として並列的かつ択一的に記載された要素の一部を削除し，酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）に限定するもので，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
４　独立特許要件についての検討 
（１）検討の前提
　上記３で検討したとおり，本件補正における，本件補正前の請求項１についての補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから，本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，更に検討する。
（２）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
　絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳し、チャネル部を有する酸化物半導体層と、
　前記酸化物半導体層の上に形成されて、互いに離隔して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に形成される保護膜とを含み、
　前記保護膜は、
　　前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第１保護膜と、
　　前記第１保護膜の上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第２保護膜と、
を含み、
　前記ゲート絶縁膜は、
　　前記ゲート電極上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第１ゲート絶縁膜と、
　　前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第２ゲート絶縁膜と、
を含み、
　前記保護膜は、前記ドレイン電極を露出する第１コンタクトホールを有し、
　前記第１コンタクトホールは、底面から上部に向かうほど次第に断面積が広くなる形状を有する、薄膜トランジスタ表示板。」
（３）引用例１の記載と引用発明１及び引用発明２
　ア　引用例１
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献２として引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１０−４５２６３号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜図６Ｂとともに，次の記載がある。（当審注：下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は
薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する
（イ）「【背景技術】
　……（中略）……
【０００６】
　従来の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、ガラス等の基板上にゲ−ト電極、ゲ−ト絶縁層、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層、ソ−ス及びドレイン電極を積層した逆スタガ構造のものがあり、イメ−ジセンサを始め、大面積デバイスの分野において、アクティブマトリスク型の液晶ディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ等の駆動素子として用いられている。これらの用途では、従来アモルファスシリコンを用いたものでも高機能化に伴い作動の高速化が求められてきている。
【０００７】
　このような状況下、近年にあっては、結晶性のシリコン半導体よりも大面積に製造することやマスク枚数の削減等コストダウンが容易で、非晶性のシリコン半導体（アモルファスシリコン）よりも安定性や高い移動度を示すものとして、酸化物を用いた酸化物半導体が注目されている。」
（ウ）「発明が解決しようとする課題】
【００１５】
　本発明は、上記の事情に鑑みなされたものであり、亜鉛（Ｚｎ）を主要構成元素としない酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高い（即ち、ターゲットと薄膜の組成比の差が小さく、成膜条件の薄膜組成への影響が小さい）スパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。」
（エ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
１．酸化物半導体
　本発明の酸化物半導体は、Ｉｎ（インジウム）元素と、Ｓｎ（錫）元素と、６周期までの、３Ａ族元素、４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素、７Ａ族元素、８族元素及びＳｎより原子番号の小さい４Ｂ族から選択される１種以上の元素Ｘを含む。
【００１９】
　６周期までの３Ａ族元素としては、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）が挙げられる。
　６周期までの４Ａ族元素としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆが挙げられる。
　６周期までの５Ａ族元素としては、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａが挙げられる。
　６周期までの６Ａ族元素としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗが挙げられる。
　６周期までの７Ａ族元素としては、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅが挙げられる。
　６周期までの８族元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔが挙げられる。
　Ｓｎより原子番号の小さい４Ｂ族としては、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｃが挙げられる。
　……（中略）……
【００７１】
４．薄膜トランジスタ
　本発明の酸化物半導体又は非晶質半導体膜は、薄膜トランジスタに用いることができる。具体的には、本発明の薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極を有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層が本発明の酸化物半導体又は非晶質半導体膜である。
　……（中略）……
【００７７】
　ゲート絶縁膜を形成する材料にも特に制限はない。本発明の効果を失わない範囲で一般に用いられているものを任意に選択できる。例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮＸ，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，ＣｅＯ２，Ｋ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｒｂ２Ｏ，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３，ＰｂＴｉ３，ＢａＴａ２Ｏ６，ＳｒＴｉＯ３，ＡｌＮ等の酸化物を用いることができる。これらのなかでも、ＳｉＯ２，ＳｉＮＸ，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３を用いるのが好ましく、より好ましくはＳｉＯ２，ＳｉＮＸ，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３であり、特に好ましくはＹ２Ｏ３である。これらの酸化物の酸素数は、必ずしも化学量論比と一致していなくともよい（例えば、ＳｉＯ２でもＳｉＯＸでもよい）。
　このような
ゲート絶縁膜は、異なる２層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい
（オ）「【００７８】
　電界効果トランジスタは、半導体の保護層があることが好ましい。半導体の保護層が無いと、真空中や低圧下で半導体の表面層の酸素が脱離し、オフ電流が高くなったり、閾値電圧が負になるおそれがある。また、大気下でも湿度等周囲の影響を受け、閾値電圧等のトランジスタ特性のばらつきが大きくなるおそれがある。
　半導体の保護層を形成する材料にも特に制限はない。本発明の効果を失わない範囲で一般に用いられているものを任意に選択できる。例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮＸ，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，ＣｅＯ２，Ｋ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｒｂ２Ｏ，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３，ＰｂＴｉ３，ＢａＴａ２Ｏ６，ＳｒＴｉＯ３，ＡｌＮ等の酸化物を用いることができる。これらのなかでも、ＳｉＯ２，ＳｉＮＸ，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３を用いるのが好ましく、より好ましくはＳｉＯ２，ＳｉＮＸ，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３であり、特に好ましくはＳｉＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｈｆ２Ｏ３，ＣａＨｆＯ３等の酸化物である。これらの酸化物の酸素数は、必ずしも化学量論比と一致していなくともよい（例えば、ＳｉＯ２でもＳｉＯＸでもよい）。
　このような
保護膜は、異なる２層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい
　また、保護層は、結晶質、多結晶質、非晶質のいずれであってもよいが、工業的に製造しやすい多結晶質か、非晶質であるのが好ましい。しかし、保護層が非晶質であることが特に好ましい。非晶質膜でないと界面の平滑性が悪く移動度が低下したり、閾値電圧やＳ値が大きくなりすぎるおそれがある。
　
保護層は酸化物でないと半導体中の酸素が保護層側に移動し、オフ電流が高くなったり、閾値電圧が負になりノーマリーオフを示すおそれがある
  また、エッチングストッパー層を保護膜としてもよい。」
（カ）「【実施例】
【００８５】
［実施例１］
（１）スパッタリングターゲット
　
原料として、酸化インジウム、酸化錫、酸化イットリビウムの粉末を、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｙｂ）〕が０．７０、原子比〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｙｂ）〕が０．２０、原子比〔Ｙｂ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｙｂ）〕が０．１０となるように混合した。これを湿式ボールミルに供給し、混合粉砕して原料微粉末を得た
　得られた原料微粉末を造粒した後、プレス成形して、これを焼成炉に入れ、１，５００℃、１２時間の条件で焼成して、焼結体を得た。焼結体を加工後、無酸素銅製バッキングプレートにインジウム半田で接着して、直径１０ｃｍ、厚さ５ｍｍのターゲットとした。」
　……（中略）……
【００８８】
（２）
　
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣスパッタ法の一つであるＤＣマグネトロンスパッタリング法の成膜装置に装着し、ガラス基板（コーニング１７３７）上に透明導電膜を成膜した
  スパッタ条件は、基板温度；２５℃、到達圧力；１×１０−６Ｐａ、雰囲気ガス；Ａｒ９５％及び酸素５％、スパッタ圧力（全圧）；４×１０−１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、Ｓ−Ｔ距離９０ｍｍであった。
【００８９】
　
この結果、ガラス基板上に、膜厚が５０ｎｍの酸化物薄膜が形成された
　得られた膜組成をＩＣＰ法で分析したところ、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｙｂ）〕が０．７０、原子比〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｙｂ）〕が０．２０、原子比〔Ｙｂ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｙｂ）〕が０．１０であった。」
（キ）「【０１０４】
［実施例２］
　図２に示す
ＢＣＨ（バックチャンネルエッチ）型トランジスタを作製した
【０１０５】
  ＜ＢＣＨ型＞
　
無アルカリガラス基板２０上に、ＲＦスパッタリングでＭｏゲートメタルを２００ｎｍ積層した後、ウェットエッチングでパターニングしてゲート電極２１を形成した
　
その後、ＰＥＣＶＤでゲート絶縁膜２２としてＳｉＯ
Ｘ
を積層した
　次に、
（１）で得られたターゲットを用い（２）の条件で薄膜を成膜（５０ｎｍ）し、その後ウェットエッチングでパターニングしてチャンネル層（半導体層）２３を形成した
　
次に、
Ｍｏからなるソース／ドレイン電極２４（Ｗ＝５０μｍ、Ｌ＝１０μｍ）を形成した
　次に、
ＰＥＣＶＤで第一の保護膜２５及び第二の保護膜２６としてＳｉＯ
Ｘ
を積層
その後ドライエッチングによりコンタクトホールを形成し、配線とコンタクトをとった
　得られた薄膜トランジスタを（３）の条件で熱処理を加え、
ボトムゲート型の薄膜トランジスタを得た
（ク）「【０１０９】
［実施例５］
　ボトムゲート型のトランジスタを作製した他は、実施例１と同様にトランジスタを作製・評価した。
【０１１０】
＜
ＢＣＨ型
　熱酸化膜（１００ｎｍ）付きシリコン基板上に、（１）で得られたターゲットを用い（２）の条件で薄膜を成膜（５０ｎｍ）し、その後ウェットエッチングでパターニングしてゲート電極を形成した。
　次に、ＲＦマグネトロンスパッタリング及びウェットエッチングを用い、
Ｍｏからなるソース／ドレイン電極（Ｗ＝５０μｍ、Ｌ＝１０μｍ）を形成した
　
次に、ＲＦマグネトロンスパッタリングで第一の保護膜としてＳｉＯ
Ｘ
（２００ｎｍ）、第二の保護膜としてＳｉＮ
Ｘ
を積層（２００ｎｍ）
　得られた薄膜トランジスタを（３）の条件で熱処理を加え、
ボトムゲート型の薄膜トランジスタを得た
（ケ）「【産業上の利用可能性】
【０１１６】
　本発明の酸化物半導体は、スパッタリングターゲットとして使用できる。
本発明のスパッタリングターゲットから形成される薄膜は、ＴＦＴ等の半導体デバイスの半導体膜として使用でき
このような半導体デバイスは、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、及び無機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等のディスプレイに使用できる
（コ）図２には，ゲート絶縁膜２２がゲート電極２１の上に形成される構成，
チャンネル層（半導体層）２３がゲート絶縁膜２２を介してゲート電極２１と重畳する構成
ソース／ドレイン電極２４が互いに離隔して配置されている構成，ソース／ドレイン電極２４がチャンネル層２３の上に形成される構成
第一の保護膜２５がチャンネル層２３の上に形成される構成
第二の保護膜２６が第一の保護膜２５の上に形成される構成
第一の保護膜２５及び第二の保護膜２６に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極２４が露出されている構成
　イ　引用発明１
　上記アの（ア），（カ），（キ），（ケ）及び（コ）より，引用例１には，「実施例２」のボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタとして，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「無アルカリガラス基板２０上に形成されたゲート電極２１と，
　前記ゲート電極２１上に形成されるゲート絶縁膜２２と，
　前記ゲート絶縁膜２２を介して，前記ゲート電極２１と重畳するチャンネル層２３であって，酸化物薄膜からなる半導体層であるチャンネル層２３と，
　前記チャンネル層２３の上に形成されて，互いに離隔して配置されたソース電極２４及びドレイン電極２４と，
　前記ソース電極２４及びドレイン電極２４の上部に形成される第一の保護膜２５及び第二の保護膜２６とを含み，
　前記第一の保護膜２５は，前記チャンネル層２３の上に形成されたＳｉＯＸからなり，
　前記第二の保護膜２６は，前記第一の保護膜２５の上に形成されたＳｉＯＸからなり，
　前記ゲート絶縁膜２２は，前記ゲート電極２１上に形成されたＳｉＯＸからなり，
　前記第一の保護膜２５及び前記第二の保護膜２６は，前記ドレイン電極２４を露出するコンタクトホールであって，ドライエッチングにより形成されたコンタクトホールを有する，
　ディスプレイに使用されるボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタ。」
　ウ　引用発明２
　上記アの（ク）より，引用例１には，「実施例５」のボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタとして，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタにおいて，
　ソース／ドレイン電極の上に，ＳｉＯＸからなる第一の保護膜を形成し，
　前記第一保護膜の上に，ＳｉＮＸからなる第二の保護膜を形成すること。」
（４）引用例２の記載と引用発明３
　ア　引用例２
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献５として引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−２６０３７８号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置及びその作製方法に関する。
特に、酸化物半導体を用いた半導体装置に関する。
（イ）「【０００７】
　このような珪素からなる半導体に代わる材料として、近年、チャネル形成領域に酸化亜鉛などの酸化物半導体を用いてＴＦＴを形成する報告がなされている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照。）。酸化物半導体は、非晶質珪素からなる半導体により形成されたＴＦＴと同等かそれ以上の移動度を有しているため、さらなる特性の向上が求められている。
　……（中略）……
【００１０】
　本発明は、上記課題に鑑み、特性を向上させた半導体素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。」
（ウ）「【００７５】
（実施の形態３）
　本発明の実施の形態について、図４、図５を用いて説明する。本実施の形態は、チャネル保護型の薄膜トランジスタを有する半導体装置の例である。
【００７６】
　
基板４００は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等からなるガラス基板、シリコン基板、耐熱性を有するプラスチック基板又は樹脂基板を用いる。プラスチック基板又は樹脂基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。
【００７７】
　
基板４００上に導電膜４０１を形成する。
　……（中略）……
【００７９】
　
導電膜４０１上にフォトリソグラフィ工程を用いてレジストからなるマスクを形成し、マスクを用いて導電膜４０１を所望の形状に加工してゲート電極４０２を形成する（図４（Ｂ）参照）
【００８０】
次いで、
ゲート電極４０２上にゲート絶縁膜４０３ａ、ゲート絶縁膜４０３ｂを形成し２層の積層構造とする。
【００８１】
ゲート絶縁膜４０３ａ、ゲート絶縁膜４０３ｂは、酸化珪素（ＳｉＯ
ｘ
）、窒化珪素（ＳｉＮ
ｘ
）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ
ｘ
Ｎ
ｙ
）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮ
ｘ
Ｏ
ｙ
）（ｘ＞ｙ）などを適宜用いることができる。
基板から不純物などの拡散を防止するため、ゲート絶縁膜４０３ａとしては、窒化珪素（ＳｉＮ
ｘ
）、窒化酸化珪素（ＳｉＮ
ｘ
Ｏ
ｙ
）（ｘ＞ｙ）などを用いて形成することが好ましい。また、ゲート絶縁膜４０３ｂとしては、酸化珪素（ＳｉＯ
ｘ
）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ
ｘ
Ｎ
ｙ
）（ｘ＞ｙ）などを用いて形成することが望ましい。
本実施の形態では、ＳｉＨ
４
、ＮＨ
３
を反応ガスとして形成される膜厚５０ｎｍ〜１４０ｎｍの窒化珪素膜を用いてゲート絶縁膜４０３ａを形成し、ＳｉＨ
４
及びＮ
２
Ｏを反応ガスとして形成される膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜を用いてゲート絶縁膜４０３ｂを積層して形成する。
　……（中略）……
【００８３】
　
次にゲート絶縁膜４０３ｂ上に酸化物半導体膜４０４を形成する。
　……（中略）……
【００９０】
　次に、酸化物半導体膜４０４をフォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク４０８を作製し（図４（Ｈ））、マスク４０８を用いてエッチングを行い、所望の形状に加工された酸化物半導体膜４０９（島状酸化物半導体膜ともいう）を形成する（図５（Ａ））。なお、エッチングには、希釈したフッ酸を用いる。その後、酸化物半導体膜４０９上に第１の導電膜４１１、第２の導電膜４１２を形成し、フォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク４１３を形成する（図５（Ｂ））。マスク４１３を用いて第１の導電膜４１１、第２の導電膜４１２を所望の形状に加工し、ソース電極又はドレイン電極として機能する第１の導電膜４１４ａ、４１４ｂ、第２の導電膜４１５ａ、４１５ｂを形成する（図５（Ｃ））。
　……（中略）……
【００９９】
　
以上の工程で、チャネル部の半導体層がエッチングされないボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）の薄膜トランジスタを作製することが出来る。
　イ　引用発明３
　上記アの（ア）及び（ウ）より，引用例２には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「酸化物半導体膜４０４を有するボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて，
　基板からの不純物などの拡散を防止するために，基板４００上のゲート電極４０２上に，窒化硅素膜を用いてゲート絶縁膜４０３ａを形成し，
　前記ゲート絶縁膜４０３ａ上に，酸化珪素膜を用いてゲート絶縁膜４０３ｂを形成することで，
　前記ゲート電極４０２上に，前記ゲート絶縁膜４０３ａ及び前記ゲート絶縁膜４０３ｂからなる２層の積層構造を形成し，
　前記ゲート絶縁膜４０３ｂ上に酸化物半導体膜４０４を形成したボトムゲート型の薄膜トランジスタ。」
（５）周知例の記載と周知技術
　ア　周知例１
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献４として引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−２０４４９８号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造過程では、シリコン酸化膜をリアクティブ・イオン・エッチングする必要のある場合が多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述のようにシリコン酸化膜にリアクティブ・イオン・エッチングを行った場合、イオンは垂直入射される。このため、横方向にはエッチングが進まず、エッチングの側壁形状が垂直になる。トランジスタ等を有する半導体装置の製造工程では、このエッチング後の工程で上部に薄膜を堆積させる場合も多い。この場合、エッチング側壁が垂直であると膜のカバレッジが悪くなり、段切れ等の不良が発生する可能性が高くなる。このため、エッチングの側壁はテーパ状に形成されている方が好ましい場合もある。
（イ）「【０００９】図１からわかるように、シリコン基板からなる
半導体基板１０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）により、シリコン酸化膜２０を堆積する
つまり、下地としてのシリコン酸化膜２０上に、他種類の膜としてのシリコン窒化膜３０を形成する。このシリコン窒化膜３０が中間膜ＩＭを構成する。
【００１０】
次に、図２からわかるように、シリコン窒化膜３０を等方性エッチングすることにより空間３２を形成する。
シリコン窒化膜３０を
サイドエッチングの大きい条件で等方性エッチングする
【００１１】
次に、図３からわかるように、シリコン酸化膜２０をＲＩＥでエッチングすることにより酸化膜開孔２２を形成する。
【００１２】次に、図４からわかるように、レジスト４０を除去する。このようにして、半導体基板１０との選択比を高く保ちながら、シリコン酸化膜２０をテーパ形状の酸化膜開孔２２を形成する。以上の工程により図４に示す中間半導体装置が得られる。
【００１３】
以上のように本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、図３からわかるように、レジスト４０とシリコン酸化膜２０との間に空間３２が形成されているので、このシリコン酸化膜２０をＲＩＥでエッチングする際に、レジスト４０がシリコン酸化膜２０に付着するのを防止でき、シリコン酸化膜２０に良好なテーパ形状の開孔２２を形成することができる
【００１４】
より詳しくは、シリコン酸化膜２０上に中間膜ＩＭであるシリコン窒化膜３０を堆積させ、このシリコン窒化膜３０上にレジスト４０をパターンニングする。続いて、上層であるシリコン窒化膜３０をケミカルエッチング効果の高いガスを用いてサイドエッチングの大きい条件でエッチングする。その後シリコン酸化膜２０をＲＩＥでエッチングする。
レジスト４０とシリコン酸化膜２０との間には空間３２があるため、レジスト４０が熱変形しても、シリコン酸化膜２０にレジスト４０が付着しないようにすることができる。このようにレジスト４０が付着しないようにすることにより、レジスト４０の後退をスムーズに行うことができ、シリコン酸化膜２０に良好なテーパ状の開孔２２を形成することができる。すなわち、レジスト４０の端部が次第に変形していくことにより、結果的にテーパ状の開孔２２を形成することができる
【００１５】このように
シリコン酸化膜２０の開孔２２をテーパ状に形成することにより、この開孔２２内に薄膜を形成する場合におけるカバレッジを良くすることができる。すなわち、開孔２２内に形成する薄膜に、段切れ等が生じるおそれを回避することができる
（ウ）図３には，
シリコン酸化膜２０に形成されたテーパ形状の開孔２２として，底面よから上部に向かうほど広く形成される開孔の構成
　イ　周知技術
　周知例１における「従来の技術」が有する「課題」についての説明である上記アの（ア）より，シリコン酸化膜をエッチングして開孔を形成する場合、膜のカバレッジを良好にして段切れ等の不良が発生する可能性を低くするため，エッチングの側壁はテーパ状に形成されている方が好ましいことは，周知の事項であった。
　そして、上記アの（イ）より，
「半導体基板１０上にシリコン酸化膜２０を堆積し，下地としての前記シリコン酸化膜２０上に他種類の膜としてのシリコン窒化膜３０を形成して，
　前記シリコン窒化膜３０をサイドエッチングの大きい条件でエッチングした後に，前記シリコン酸化膜２０をエッチングして酸化膜開孔２２を形成することで、
　前記シリコン酸化膜２０に良好なテーパ形状の前記開孔２２を形成することができ，これにより，前記開孔２２内に薄膜を形成する場合におけるカバレッジを良くすることができ，前記開孔２２内に形成する薄膜に段切れ等が生じるおそれを回避すること。」
は，本願の優先権主張の日前，当該技術分野では周知の技術（以下「周知技術１」という。）と認められる。
　なお，上記アの（イ）及び（ウ）より，前記周知の事項及び周知技術１における「テーパ状」とは，底面から上部に向かうほど広く形成される形状のことを示すものである。
（６）補正発明と引用発明１の対比
　ア　引用発明１における「無アルカリガラス基板２０」，「ゲート電極２１」は，補正発明の「絶縁基板」，「ゲート電極」にそれぞれ相当するといえる。
　イ　引用発明１における「ゲート絶縁膜２２」は，補正発明の「第１ゲート絶縁膜」についての後述の相違点に係る構成を除き，ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜を構成するものであり，かつ，「酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）」からなるという点で，補正発明の「ゲート絶縁膜」が有する「第２ゲート絶縁膜」と共通するといえる。
　そして，引用発明１における「ゲート絶縁膜２２」は，後述の相違点に係る構成を除き，補正発明の「ゲート絶縁膜」に対応するといえる。
　ウ　引用発明１における「酸化物薄膜からなる半導体層であるチャンネル層２３」は，補正発明の「酸化物半導体層」に相当するといえる。
　エ　引用発明１における「ソース電極２４及びドレイン電極２４」は，補正発明の「ソース電極及びドレイン電極」に相当するといえる。
　オ　引用発明１における「前記チャンネル層２３の上に形成されたＳｉＯＸ」からなる「第一の保護膜２５」は，補正発明の「前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）」からなる「第１保護膜」に相当するといえる。
　また，引用発明１における「前記第一の保護膜２５の上に形成されたＳｉＯＸ」からなる「第二の保護膜２６」は，後述の相違点に係る構成を除き，前記「第１保護膜」の上に形成される保護膜であるという点で，補正発明の「前記第１保護膜の上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第２保護膜」と共通するといえる。
　よって，引用発明１における「第一の保護膜２５及び第二の保護膜２６」は，後述の相違点に係る構成を除き，補正発明の「保護膜」に対応するといえる。
　カ　引用発明１における「コンタクトホール」は，後述の相違点に係る構成を除き，保護膜が有するコンタクトホールであり，かつ，ドレイン電極を露出するコンタクトホールであるという点で，補正発明の第１コンタクトホールと共通するといえる。
　キ　引用発明１における「ボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタ」は，「無アルカリガラス基板２０上に形成された」ことで「ディスプレイに使用される」ものと認められる。
　したがって，「ディスプレイに使用されるボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタ」が形成された「無アルカリガラス基板２０」は，補正発明の「薄膜トランジスタ表示板」に相当するといえる。
　ク　以上から，補正発明と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違すると認める。
（ア）一致点
「絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳し、チャネル部を有する酸化物半導体層と、
　前記酸化物半導体層の上に形成されて、互いに離隔して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に形成される保護膜とを含み、
　前記保護膜は、
　　前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第１保護膜と、
　　前記第１保護膜の上に形成される第２保護膜と、
を含み、
　前記ゲート絶縁膜は、
　　酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第２ゲート絶縁膜と、
を含み、
　前記保護膜は、前記ドレイン電極を露出する第１コンタクトホールを有する、
薄膜トランジスタ表示板。」
（イ）相違点
　・相違点１
　補正発明の「第２保護膜」が，「ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる」のに対し，引用発明１における「第二の保護膜２６」は，「ＳｉＯＸ」からなる点。
　・相違点２
　補正発明の「ゲート絶縁膜」が，「前記ゲート電極上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第１ゲート絶縁膜」を備え，「前記第１ゲート絶縁膜の上に」第２ゲート絶縁膜が形成されるのに対し，引用発明１は，上記の構成を備えていない点。
　・相違点３
　補正発明の「第１コンタクトホール」が，「底面から上部に向かうほど次第に断面積が広くなる形状を有する」のに対し，引用発明１は，上記の構成を備えていない点。
（７）相違点についての検討
　ア　相違点１及び３について
　以下，相違点１及び３についてまとめて判断する。
　上記（３）ウ のとおり，引用発明１が記載された引用例１には，引用発明１と同じ「ボトムゲート型のＢＣＨ型薄膜トランジスタ」における保護膜に係る他の構成として，ＳｉＯＸからなる第一の保護膜上の第二の保護膜をＳｉＮＸとすること（引用発明２）が記載されており、引用発明１における「第二の保護膜２６」をＳｉＮＸとすることは、引用例１の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。
　また，上記（３）イのとおり，引用発明１におけるコンタクトホールはＳｉＯＸからなる膜に形成されるものであって，かつ，ドライエッチングにより形成されるものであるところ，上記（５）イのとおり，シリコン窒化膜の下に設けたシリコン酸化膜にエッチングを行う際に，各膜のエッチング条件を適宜に選択することで，前記シリコン酸化膜のエッチングで形成した開孔の側壁をテーパ状に形成して，前記開孔内に薄膜を形成する場合におけるカバレッジを良くすることは，半導体装置の製造方法に係る技術分野において周知の技術（周知技術１）であった。
　そして，引用発明１の「前記ドレイン電極２４を露出するコンタクトホール」内にも，電極膜を形成することは自明であり，その際に良好なカバレッジが求められるものと認められる。
　そうすると，引用例１における引用発明２についての記載，及び，周知技術１に鑑みれば，引用発明１において，「第二の保護膜２６」をＳｉＮＸにするとともに，各「保護膜」の「エッチング」条件を適宜に選択することで，ＳｉＯＸからなる第一の保護膜に形成されたコンタクトホールの側壁をテーパー状とし，底面から上部に向かうほど広くなる形状を有するようにすることは，当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　イ　相違点２について
　上記（３）ア（エ）のとおり，引用例１には，段落【００７７】に，「ゲート絶縁膜を形成する材料」として「ＳｉＯ２，ＳｉＮＸ」等が「より好まし」こと，「ゲート絶縁膜は、異なる２層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい。」ことが記載されている。
　一方，上記（４）イのとおり，引用例２には，基板上のゲート電極上に，前記基板から不純物などの拡散を防止するための窒化硅素膜からなるゲート絶縁膜を形成し，その上に，酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜を形成することで，２層の積層構造のゲート絶縁膜を形成すること（引用発明３）が記載されている。
　ここで，上記（３）イ，及び，（４）イのとおり，引用発明１及び引用発明３は，酸化物半導体層を有するボトムゲート型の薄膜トランジスタという共通の技術分野に係るものである。
そして，上記の「基板から不純物などの拡散を防止する」という引用発明３が有する技術的課題は，技術常識からすれば，当該技術分野においてよく知られた課題であるといえ，引用発明１においても当然に求められる課題であると認められる。
　そうすると，引用発明１において，「前記ゲート電極２１上に形成されたＳｉＯＸから」なる「ゲート絶縁膜２２」と「無アルカリガラス基板２０上に形成されたゲート電極２１」との間に，引用発明３のように，絶縁基板である前記「基板２０」から不純物などの拡散を防止するためのＳｉＮＸからなるゲート絶縁膜を備える構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
（８）補正発明の作用効果について
　ア　作用効果１について
　補正発明が奏する作用効果のうち，コンタクトホールの形状に基づく作用効果（以下「作用効果１」という）について，本願明細書には，「しかし、上記酸化物と窒化物の多層膜でゲート絶縁膜２３０及び保護膜１７０を成膜する場合、ドレイン電極拡張部６７を露出するコンタクトホール７７を形成する時、ゲート絶縁膜２３０及び保護膜１７０は、相対的にエッチング速度が低い酸化物が多層膜の中間に挟まっている構造となる。したがって、ゲート絶縁膜２３０及び保護膜１７０は、エッチングによって形成されたコンタクトホールの垂直的な構造が不安定な構造、例えば、下側の幅が上側の幅より広い構造を有することもあり、結果的に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極の間の電気的な接続関係に問題が発生し得る。」，「したがって、本発明の他の実施形態では、酸化物半導体におけるコンタクトホールの形成において、工程改善のための方案を提示する。即ち、本発明では、ドレイン電極拡張部を露出するコンタクトホールを形成時、エッチング工程を２段階に分けることによって、コンタクトホールが垂直的に安定した構造、例えば、底面から上部に向かうほど断面積が次第に広くなる逆梯形状の構造を有する。」（段落【００４２】及び【００４３】）と記載され，「結果的に、実際の工程に適用した図６を参照すれば、ドレイン電極拡張部を露出するコンタクトホール（図６Ａ）やゲートパッド部を露出するコンタクトホール（図６Ｂ）において、コンタクトホールの底面から上部に向かうほど断面積が次第に広くなる垂直的に安定した形状の構造を有することが確認できる。」（段落【００５５】）と記載されている。
　他方，上記（５）イのとおり，コンタクトホールを，底部から上部に向かうほど広くなるという，本願明細書でいう安定した形状で形成することは当該技術分野における周知の事項であった。
　また，上記（５）イのとおり，シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成したものに開孔を形成する際，エッチング工程を２段階に分け，前記開孔内に薄膜を形成する場合におけるカバレッジを良くすることができ，前記開孔内に形成する薄膜に段切れ等が生じるおそれを回避できるという，安定したテーパ形状を形成することも，周知の技術（周知技術１）である。
　そうすると，「前記第１コンタクトホールは、底面から上部に向かうほど次第に断面積が広くなる形状を有する」ことに基づいて補正発明が奏する作用効果１は，周知技術１を参酌すれば，引用発明１から当業者が予測し得る範囲内のものであるといえる。
　イ　作用効果２について
　ゲート絶縁膜及び保護膜に基づく作用効果（以下，「作用効果２」という）について，本願明細書には，「ゲート絶縁膜２３０は、ゲート線２２上に形成された下部絶縁膜２３２、及び下部絶縁膜２３２上に形成されて酸化物半導体層４０と接触する上部絶縁膜２３４からなる。下部絶縁膜２３２は酸化物半導体層４０と接触しないことが好ましい。下部絶縁膜２３２は窒化物、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、ＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせ等で形成され、好ましくは窒化ケイ素で形成されるとよい。上部絶縁膜２３４は、酸化物半導体層４０の電気的特性の劣化を防止するために、酸化物、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンなどで形成され、好ましくは酸化ケイ素で形成されるとよい。下部絶縁膜２３２は約２５０乃至５００ｎｍの厚さに形成され、上部絶縁膜２３４は約３０乃至１００ｎｍの厚さに形成されるとよい。」，「一般に、水素は酸化物半導体層４０と反応すれば、酸化物半導体層４０を還元させ、酸化物半導体層４０内に酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ　ｖａｃａｎｃｙ）を生成する。このような酸素空孔は、酸化物半導体層４０のチャネル部のキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）濃度を増加させる。したがって、ゲート絶縁膜２３０内に水素の含有量の高い場合、キャリア濃度が増加するようになって、酸化物薄膜トランジスタのしきい電圧（Ｖｔｈ）が負の方向に移動することによって、酸化物半導体層４０が導電体と同様の電気的特性を有するようになる。したがって、ゲート絶縁膜２３０の場合、酸化物半導体層４０と接触するため、ゲート絶縁膜２３０内の水素含有量を低くするのが重要である。」，「酸化物半導体層４０と接触する上部絶縁膜２３４を酸化物、例えば、酸化ケイ素で形成する場合、反応ガスとして水素含有ガスを使用せずに、Ｎ２ＯガスまたはＯ２ガスを使用するため、上部絶縁膜２３４内に水素の含有量が殆どなくて、酸化物半導体層４０の電気的特性が劣化するのを防止することができる。」（段落【００２８】ないし【００３０】）と記載されるとともに，「上記したゲート絶縁膜２３０の形成過程で説明したように、酸化物半導体層４０と接触する保護膜１７０内の水素含有量を低くするのが重要である。したがって、保護膜１７０は、酸化物半導体層４０と接触する下部保護膜１７２、及び酸化物半導体層４０と接触しないように下部保護膜１７２上に形成された上部保護膜１７４からなる。下部保護膜１７２は、酸化物半導体層４０の電気的特性の劣化を防止するために酸化物、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンなどで形成され、好ましくは酸化ケイ素で形成されるとよい。上部保護膜１７４は窒化物、例えば、窒化ケイ素、窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、ＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせ等で形成され、好ましくは窒化ケイ素で形成されるとよい。下部保護膜１７２は、約５０乃至４００ｎｍの厚さに形成され、上部保護膜１７４は約５０乃至４００ｎｍの厚さに形成されるとよい。」，「酸化物半導体層４０と接触する下部保護膜１７２を酸化物、例えば酸化ケイ素で形成する場合、反応ガスとして水素含有ガスを使用せずに、Ｎ２ＯガスまたはＯ２ガスを使用するため、下部保護膜１７２内に水素の含有量が殆どなくて、酸化物半導体層４０の電気的特性が劣化するのを防止することができる。この時、酸化ケイ素のみで形成された保護膜の厚さは３５０ｎｍ以上に形成するとよい。」（段落【００３７】及び【００３８】）と記載されている。
　しかしながら，補正発明は，「薄膜トランジスタ表示板」という物の発明に関するものであり，「酸化物半導体層４０と接触する上部絶縁膜２３４を酸化物、例えば、酸化ケイ素で形成する場合、反応ガスとして水素含有ガスを使用」しないという発明特定事項，「酸化物半導体層４０と接触する下部保護膜１７２を酸化物、例えば酸化ケイ素で形成する場合、反応ガスとして水素含有ガスを使用せずに、Ｎ２ＯガスまたはＯ２ガスを使用する」ことに関する発明特定事項を有していない。また、「酸化物半導体層」と接触する「ゲート絶縁膜」ないし「保護膜」の水素含有量が小さいという発明特定事項も有していない。
　したがって，前記作用効果２のうち，「上部絶縁膜２３４を酸化物、例えば、酸化ケイ素で形成する場合、反応ガスとして水素含有ガスを使用せずに、Ｎ２ＯガスまたはＯ２ガスを使用するため、上部絶縁膜２３４内に水素の含有量が殆どなくて、酸化物半導体層４０の電気的特性が劣化するのを防止することができる。」及び「酸化物半導体層４０と接触する下部保護膜１７２を酸化物、例えば酸化ケイ素で形成する場合、反応ガスとして水素含有ガスを使用せずに、Ｎ２ＯガスまたはＯ２ガスを使用するため、下部保護膜１７２内に水素の含有量が殆どなくて、酸化物半導体層４０の電気的特性が劣化するのを防止することができる。」という効果は補正発明が奏する効果であるとは認められない。
　他方，前記作用効果２のうち，「上部絶縁膜２３４」は「酸化物、例えば、酸化ケイ素」で形成することで「酸化物半導体層４０の電気的特性の劣化を防止する」，及び，「酸化物半導体層４０と接触する下部保護膜１７２を酸化物、例えば酸化ケイ素で形成する」ことで「酸化物半導体層４０の電気的特性が劣化するのを防止する」という効果は，「前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第２ゲート絶縁膜」と「前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）からなる第１保護膜」を備える補正発明が奏する作用効果であると認められる。
　しかしながら、上記（３）ア（オ）のとおり，引用例１の段落【００７８】には「このような保護膜は、異なる２層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい。」及び「保護層は酸化物でないと半導体中の酸素が保護層側に移動し、オフ電流が高くなったり、閾値電圧が負になりノーマリーオフを示すおそれがある。」と記載され，酸化物半導体層に接触する膜を酸化物として，前記半導体層中の酸素が移動することを防止して，電気特性の劣化を防止するという効果は，引用例１に示唆されていると認められる。
　そうすると，引用発明１は，「前記チャンネル層２３の上に形成されたＳｉＯＸ」からなる「前記第一の保護膜２５」を備えており，また，上記（７）イのとおり，絶縁基板である前記「基板２０」から不純物などの拡散を防止するためのＳｉＮＸからなるゲート絶縁膜の上に「ＳｉＯＸから」なる「ゲート絶縁膜２２」を備える構成とすることは，引用発明３に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められるから，補正発明における，「上部絶縁膜２３４」は「酸化物、例えば、酸化ケイ素」で形成することで「酸化物半導体層４０の電気的特性の劣化を防止する」，及び，「酸化物半導体層４０と接触する下部保護膜１７２を酸化物、例えば酸化ケイ素で形成する」ことで「酸化物半導体層４０の電気的特性が劣化するのを防止する」という作用効果は，いずれも，引用発明１において，引用発明３を参酌すれば当業者が容易に予期し得たものといえる。
　ウ　補正発明の作用効果についてのまとめ
　以上から，本願明細書に記載の作用効果のうち，補正発明が奏する効果は，引用発明１において，引用発明２，引用発明３及び周知技術１を参酌すれば，当業者が容易に予測し得るものと認められ，格別のものとはいえない。
（９）審判請求書の主張について
　ア　審判請求人は，審判請求書において，
（ア）「上記（ア）−（ウ）の構成によって、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）から成る第１保護膜と第２ゲート絶縁膜とが酸化物半導体層をサンドイッチ（sandwich）するため、「酸化物半導体層４０と直接的に接触する絶縁膜及び保護膜は、酸化物半導体４０の電気的特性の劣化を防止する」（本願出願当初明細書の段落［００４２］）という顕著な効果を奏します。」
（イ）「さらに、上記（オ）（カ）の構成によって、第２ゲート絶縁膜の下には、酸化物よりもエッジング速度が速い（本願出願当初明細書の段落［００４２］）窒化物によって第１ゲート絶縁膜が成膜され、第１保護膜の上には、酸化物よりもエッジング速度が速い（本願出願当初明細書の段落［００４２］）窒化物によって第２保護膜が成膜されるため、所定の膜厚が必要なゲート絶縁膜と保護膜の生産性を向上させる（本願出願当初明細書の段落［００４２］）という顕著な効果を奏します。」
との主張をする。
　イ　しかしながら，主張された効果については，上記（８）アないしウのとおり，引用発明１において，引用発明３及び周知技術１を参酌すれば，当業者が容易に予測し得るものと認められ，格別のものとはいえない。
　よって，審判請求人の当該主張は採用することができない。
　ウ　また，審判請求人は，審判請求書において，「ここで、引用文献２は、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）から成る第１保護膜と第２ゲート絶縁膜とが酸化物半導体層をサンドイッチ（sandwich）する構造を開示してはいるものの、保護膜、ゲート絶縁膜のそれぞれが酸化物、窒化物の２層構造を開示しているわけではありません。 引用文献５は、ゲート絶縁膜を窒化物からなるゲート絶縁膜４０３ａと、ゲート絶縁膜４０３ａに形成された酸化物からなるゲート絶縁膜４０３ｂから成る２層構造で形成することを開示しています。しかし、引用文献５には、ゲート絶縁膜４０３ａに窒化物を採用したのは、基板からの不純物の拡散を防止するため（引用文献５の段落［００８１］参照）であり、窒化物が酸化物よりもエッジング速度が速いことを利用して生産性を向上させることを意図したものではありません。したがって、引用文献２に係る発明に引用文献５の発明を組み合わせる動機づけはありません。また、引用文献３、４等においても、層間絶縁膜にＳｉＯＸとＳｉＮＸとの２層構造で形成することを開示していますが、窒化物が酸化物よりもエッジング速度が速いことが開示、示唆されておらず、引用文献２に係る発明に引用文献３、４等の発明を組み合わせる動機づけはありません。」との主張をする。
　エ　しかしながら，引用発明１に引用例２（引用文献５）に記載された引用発明３を適用する動機付けについては，上記（７）イで指摘した通りである。
　よって，審判請求人の当該主張は採用することができない。
（１０）まとめ
　本件補正後の請求項１に係る発明（補正発明）は，引用例１に記載された発明（引用発明１及び２），引用例２に記載された発明（引用発明３），周知例１に見られるような周知技術（周知技術１）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
５　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について
　平成２７年１２月１４日に提出された手続補正書による手続補正は，前記の通り却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２７年　３月２４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
　絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳し、チャネル部を有する酸化物半導体層と、
　前記酸化物半導体層の上に形成されて、互いに離隔して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に形成される保護膜とを含み、
　前記保護膜は、
　　前記酸化物半導体層の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第１保護膜と、
　　前記第１保護膜の上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第２保護膜と、
を含み、
　前記ゲート絶縁膜は、
　　前記ゲート電極上に形成されて、ＳｉＯＮ、ＳｉＮＸ、及びＳｉＯＮとＳｉＮＸとの組み合わせのいずれか１種からなる第１ゲート絶縁膜と、
　　前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されて、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンのうちの少なくとも１種からなる第２ゲート絶縁膜と、
を含み、
　前記保護膜は、前記ドレイン電極を露出する第１コンタクトホールを有し、
　前記第１コンタクトホールは、底面から上部に向かうほど次第に断面積が広くなる形状を有する、薄膜トランジスタ表示板。」
２　引用文献の記載と引用発明，及び周知例の記載と周知技術 
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献２として引用された引用例１の記載は第２の４（３）アのとおりであり，引用発明１及び引用発明２は，それぞれ，第２の４（３）イ及びウで認定したとおりである。
　また，原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献５として引用された引用例２の記載は第２の４（４）アのとおりであり，引用発明３は第２の４（４）イで認定したとおりである。
　更に，原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献４として引用された周知例１の記載は第２の４（５）アのとおりであり，周知技術１は第２の４（５）イで認定したとおりである。
３　本願発明と引用発明との対比
　第２の１及び２から明らかなように，本願発明は，補正発明に対し，平成２７年１２月１４日に提出された手続補正書による補正事項１及び２により削除された択一的な要素（第２の２及び３参照。）を並列的に付加したものである。
　そして，削除された択一的な要素を並列的に付加しても，新たな相違点が生じるとは認められない。
　そうすると，本願発明と引用発明１とを対比すると，第２の４（６）より，両者は，補正発明と引用発明との一致点で一致するとともに，相違点１ないし相違点３の点で相違すると認められる。
４　相違点についての検討
　第２の４（７）アで検討したとおり，相違点１及び３に係る構成は，引用例１における記載及び周知技術１に鑑みれば，引用発明１に基づいて当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　また，第２の４（７）イで検討したとおり，相違点２に係る構成は，引用発明１及び引用発明３に基づいて，当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　また，第２の４（８）と同様の理由により，本願発明が奏する作用効果は，引用発明１において，引用発明２，引用発明３及び周知技術１を参酌すれば，当業者が容易に予測し得るものと認められ，格別のものとはいえない。
５　まとめ
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用例１に記載された発明（引用発明１及び２），引用例２に記載された発明（引用発明３），周知例１に見られるような周知技術（周知技術１）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
第４　結言
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。