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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学像を光電変換する撮像素子と、
前記撮像素子から得られる複数枚の画像を互いに位置合わせする画像位置合わせ手段と、
前記画像位置合わせ手段によって位置合わせされた画像を記憶する記憶手段と、
前記画像位置合わせ手段によって位置合わせされた前記複数枚の画像を合成する画像合成手段と、
前記画像合成手段によって合成された前記複数枚の画像の重複している領域の情報に基づいて焦点状態を検出する焦点状態検出手段と、
撮影方向の変更を検出する検出手段と、
を有し、
前記検出手段が前記撮影方向の変更を検出しない場合には、前記画像位置合わせ手段は、前記記憶手段に記憶された複数枚の位置合わせ済み画像に、位置合わせ前の画像を位置合わせし、
前記検出手段が前記撮影方向の変更を検出した場合には、前記画像位置合わせ手段は、前記位置合わせ前の画像に前記記憶手段に記憶された１枚の画像を位置合わせする位置合わせ量に基づいて、前記位置合わせ前の画像に前記記憶手段に記憶された複数枚の位置合わせ済み画像を位置合わせすることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
記録用画像を記録する記録手段を更に有し、
前記画像位置合わせ手段は、前記位置合わせ前の画像に前記記憶手段に記憶された１枚の画像を位置合わせする位置合わせ量に基づいて、前記位置合わせ前の画像に前記記憶手段に記憶された複数枚の位置合わせ済み画像を位置合わせし、前記記録手段は前記画像合成手段によって合成された画像を前記記録用画像として記録することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記記録手段に記録される記録用画像は、前記位置合わせ前の画像の枠を有し、前記記憶手段に記憶された複数枚の画像の前記枠よりはみ出る部分はトリミングされることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記記録用画像において前記位置合わせ前の画像の枠内で複数枚の画像が重ならない部分の利得は補正されることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記記憶手段に記憶された位置合わせ済み画像が所定枚数になると、前記位置合わせ前の画像を取得するたびに、前記記憶手段から読み出す位置合わせ済み画像を古い順に消去することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の視差画像を取得できる撮像素子と、
前記撮像素子の出力する画像信号に基づいて取得される第１の視差画像データと第２の視差画像データとの合成画像を縮小した縮小画像と前記縮小画像の視差量情報とを生成して記憶手段に記憶する生成手段と、
前記記憶手段に記憶された前記縮小画像の視差量情報が示す視差を拡大する拡大処理手段と、
前記視差が拡大された視差量情報と前記縮小画像とに基づいて、視差のある縮小画像を生成して３次元表示する表示手段とを備える
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示手段は、さらに、前記記憶手段に記憶された縮小画像を表示し、
前記拡大処理手段は、前記表示された縮小画像のうちから選択された縮小画像の視差量情報が示す視差のみを拡大する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記表示手段は、前記表示された縮小画像のうち、選択されなかった縮小画像を２次元表示する
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
複数の視差画像を取得できる撮像素子と、
前記撮像素子の出力する画像信号に基づいて取得される第１の視差画像データと第２の視差画像データとの合成画像を縮小した縮小画像と前記縮小画像の視差量情報とを生成し、前記視差量情報が示す視差を拡大した上で、前記縮小画像と前記視差が拡大された視差量情報とを記憶手段に記憶する生成手段と、
前記記憶手段に記憶された前記縮小画像と前記視差が拡大された視差量情報とに基づいて、視差のある縮小画像を生成して３次元表示する表示手段とを備える
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記撮像素子の出力する画像信号に基づいて取得される第１の視差画像データと第２の視差画像データとに基づいて、前記合成画像と前記合成画像の視差量情報とを生成し、生成した合成画像の視差量情報と前記縮小画像のサイズとに基づいて、前記縮小画像の視差量情報を生成する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像素子は、一つのマイクロレンズに対して撮像光学系の射出瞳の分割された異なる領域を通過した光束を光電変換して画像信号を生成する複数の光電変換部を有する画素部を備える
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
複数の視差画像を取得できる撮像装置の制御方法であって、
前記撮像素子の出力する画像信号に基づいて取得される第１の視差画像データと第２の視差画像データとの合成画像の縮小画像と前記縮小画像の視差量情報とを生成して記憶手段に記憶する生成工程と、
前記記憶手段に記憶された前記縮小画像の視差量情報が示す視差を拡大する拡大処理工程と、
前記視差が拡大された視差量情報と前記縮小画像とに基づいて、視差のある縮小画像を生成して３次元表示する表示工程とを有する
ことを特徴とする制御方法。
【請求項８】
複数の視差画像を取得できる撮像装置の制御方法であって、
前記撮像素子の出力する画像信号に基づいて取得される第１の視差画像データと第２の視差画像データとの合成画像の縮小画像と前記縮小画像の視差量情報とを生成し、前記視差量情報が示す視差を拡大した上で、前記縮小画像と前記視差が拡大された視差量情報とを記憶手段に記憶する生成工程と、
前記記憶手段に記憶された前記縮小画像と前記視差が拡大された視差量情報とに基づいて、視差のある縮小画像を生成して３次元表示する表示工程とを有する
ことを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施形態の撮像装置は、複数の視差画像を取得できる撮像素子と、前記撮像素子の出力する画像信号に基づいて取得される第１の視差画像データと第２の視差画像との合成画像を縮小した縮小画像と前記縮小画像の視差量情報とを生成して記憶手段に記憶する生成手段と、前記記憶手段に記憶された前記縮小画像の視差量情報が示す視差を拡大する拡大処理手段と、前記視差が拡大された視差量情報と前記縮小画像とに基づいて、視差のある縮小画像を生成して３次元表示する表示手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されたデータを変調し、少なくとも二つの信号に分割して出力するＭＩＭＯ変調部と、
前記ＭＩＭＯ変調部からの各々の信号を増幅及び信号処理を行い出力すると共に、故障が生じた場合に前記ＭＩＭＯ変調部にアラーム信号を出力する少なくとも二つの送信高周波部と、
前記送信高周波部から前記増幅及び信号処理された信号を無線出力する少なくとも二つのアンテナと、
を備えた送信装置であって、
更に、前記ＭＩＭＯ変調部は、
前記入力されたデータをＭＩＭＯの通信方式に合わせて少なくとも二つの信号に分割する分割部と、
前記分割部で分割された信号のそれぞれをパラレル変換する少なくとも二つのＳＰ変換部と、
前記ＳＰ変換部からのそれぞれのパラレル信号を畳込み符号化する少なくとも二つの畳込み符号化部と、
前記畳込み符号化部からの信号に対して所定の係数で演算すると共に、前記送信高周波部からアラーム信号が入力された場合に、当該アラーム信号に応じて前記係数を適応的に変更して演算し、少なくとも二つの信号を出力するマトリクス部と、
前記マトリクス部からのそれぞれの信号を所定の変調方式に従いデータキャリアにマッピングして前記送信高周波部へ出力する少なくとも二つのマッピング部と、
を備えたことを特徴とする送信装置。
【請求項２】
ＭＩＭＯ変調部と、少なくとも２つの送信高周波部を有する送信装置において、
前記ＭＩＭＯ変調部は、マトリクス部を有し、
前記マトリクス部は、前記送信高周波部からの信号に基づき、マトリクス係数を適応的に変更して、前記少なくとも２つの送信高周波部に出力することを特徴とする送信装置。
【請求項３】
入力されたデータを変調及び分割処理して出力し、
前記変調及び分割処理された信号の各々を増幅及び信号処理を行って出力し、
前記増幅及び信号処理された信号を無線送信するＭＩＭＯ無線通信システムにおける送信装置のデータ送信方法であって、
前記増幅及び信号処理において故障が生じた場合にアラーム信号を出力し、
前記アラーム信号が出力されると、空間を介して受信装置で混合されるように変調及び分割処理される信号を、予め混合された信号として無線送信されるように変調及び分割処理し、
前記混合された信号を増幅及び信号処理して無線送信することを特徴とするＭＩＭＯ無線通信システムにおける送信装置のデータ送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月25日(2015.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に、前記複数の受光部における各受光部に対応し、互いに接する複数のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記複数のカラーフィルタ層の上方に、前記各カラーフィルタ層の境界部分の上方領域に開口を有するフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストの前記開口の側面に、前記各カラーフィルタ層の境界部分の上方領域を覆わないサイドウォールを形成する工程と、
少なくとも前記サイドウォールをマスクとしたエッチングにより、前記各カラーフィルタ層の境界部分を除去し、前記複数の各カラーフィルタ層の間に中空部を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記中空部の上部を封止する封止層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記フォトレジストは、２００℃以上の耐熱材料からなるものであることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記フォトレジストは、波長が４００ｎｍ〜７００ｎｍの光の透過率が８０％以上の材料からなるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記サイドウォールを形成する工程では、前記フォトレジストの上面および側面を含む全面に、酸化膜層を成膜し、その後、前記酸化膜層に対して異方性ドライエッチング法を用いてエッチバックし、前記酸化膜層を前記フォトレジストの側面に残して、前記酸化膜層からなる前記サイドウォールを形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化膜層を、前記フォトレジストの上面にも残すことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記中空部を形成する際のエッチングに用いるガスは、Ｏ2とＣＯとＮ2であり、
前記酸化膜層をエッチバックする際に用いるガスは、ＣＦ4とＡｒであることを特徴とする請求項５または６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の上方に、前記複数の受光部における各受光部に対応したマイクロレンズを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板と前記複数のカラーフィルタ層との間に、前記複数の受光部における各受光部に対応した導波路を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置であって、
前記半導体基板の上方に形成され、前記複数の受光部における各受光部に対応した複数のカラーフィルタ層と、
前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の上方に形成されたフォトレジストと、
前記フォトレジストの側面に、一方側の端が接して形成されたサイドウォールと
を含み、
前記各カラーフィルタ層の間には中空部が形成されており、
前記中空部は、前記サイドウォールにおける前記一方側の端と反対の他方側の端に整合して形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方に、前記複数の受光部における各受光部に対応し、互いに接する複数のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記複数のカラーフィルタ層の上方に、前記各カラーフィルタ層の境界部分の上方領域に開口を有するフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストの前記開口の側面に、前記各カラーフィルタ層の境界部分の上方領域を覆わないサイドウォールを形成する工程と、少なくとも前記サイドウォールをマスクとしたエッチングにより、前記各カラーフィルタ層の境界部分を除去し、前記複数の各カラーフィルタ層の間に中空部を形成する工程とを含む。
本発明の固体撮像装置は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置であって、前記半導体基板の上方に形成され、前記複数の受光部における各受光部に対応した複数のカラーフィルタ層と、前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の上方に形成されたフォトレジストと、前記フォトレジストの側面に、一方側の端が接して形成されたサイドウォールとを含み、前記各カラーフィルタ層の間には中空部が形成されており、前記中空部は、前記サイドウォールにおける前記一方側の端と反対の他方側の端に整合して形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に、カラーフィルタ層を形成する工程と、
前記カラーフィルタ層の上に、複数の開口を有する封止用層を形成する工程と、
前記複数の受光部の各受光部間の上方領域であって、前記カラーフィルタ層に複数の中空部を形成する工程と、
前記封止用層を加熱して軟化させ、前記複数の中空部の上部を前記封止用層の材料で封止する封止層を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記封止用層の前記複数の開口は、前記複数の受光部の各受光部間の上方領域に形成され、
前記複数の中空部は、前記封止用層をマスクとしたエッチングにより、前記カラーフィルタ層における前記複数の受光部の各受光部間の上方領域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方であって、前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、第１のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記第１のカラーフィルタ層における上面および側面に、犠牲膜層を形成する工程と、
前記半導体基板の上方であって、前記第１の受光部と隣接する第２の受光部の上方領域に、前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面の少なくとも一部を露出するように第２のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記第１のカラーフィルタ層および前記第２のカラーフィルタ層の上に、前記第１のカラーフィルタ層の上面の上に形成されている前記犠牲膜層を露出させる開口を有する封止用層を形成する工程と、
前記封止用層の前記開口を通じて、前記犠牲膜層をエッチングによって除去することにより、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に中空部を形成する工程と、
前記封止用層を加熱して軟化させ、前記中空部の上部を前記封止層用の材料で封止する封止層を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方であって、前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、第１のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記第１のカラーフィルタ層の側面に犠牲膜層を形成する工程と、
前記半導体基板の上方であって、前記第１の受光部と隣接する第２の受光部の上方領域に、前記犠牲膜層と接するように第２のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記第１のカラーフィルタ層および前記第２のカラーフィルタ層の上に、前記犠牲膜層を露出させる開口を有する封止用層を形成する工程と、
前記封止用層の前記開口を通じて、前記犠牲膜層をエッチングによって除去することにより、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に中空部を形成する工程と、
前記封止用層を加熱して軟化させ、前記中空部が前記封止層用の材料で充填されないように、前記中空部の上部を前記封止層用の材料で封止する封止層を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止用層は、有機材料からなるものであり、
前記封止用層を前記加熱する際の温度は、１１０℃以上２５０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記封止用層の厚みは、前記中空部の幅よりも厚いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の受光部の各受光部の上方にマイクロレンズを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の受光部の各受光部上に導波路を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の受光部の各受光部の上方にインナーレンズを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方に、カラーフィルタ層を形成する工程と、前記カラーフィルタ層の上に、複数の開口を有する封止用層を形成する工程と、前記複数の受光部の各受光部間の上方領域であって、前記カラーフィルタ層に複数の中空部を形成する工程と、前記封止用層を加熱して軟化させ、前記複数の中空部の上部を前記封止用層の材料で封止する封止層を形成する工程とを含む。
本発明の固体撮像装置の製造方法における他の態様は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方であって、前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、第１のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第１のカラーフィルタ層における上面および側面に、犠牲膜層を形成する工程と、前記半導体基板の上方であって、前記第１の受光部と隣接する第２の受光部の上方領域に、前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面の少なくとも一部を露出するように第２のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第１のカラーフィルタ層および前記第２のカラーフィルタ層の上に、前記第１のカラーフィルタ層の上面の上に形成されている前記犠牲膜層を露出させる開口を有する封止用層を形成する工程と、前記封止用層の前記開口を通じて、前記犠牲膜層をエッチングによって除去することにより、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に中空部を形成する工程と、前記封止用層を加熱して軟化させ、前記中空部の上部を前記封止層用の材料で封止する封止層を形成する工程とを含む。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法におけるその他の態様は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方であって、前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、第１のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第１のカラーフィルタ層の側面に犠牲膜層を形成する工程と、前記半導体基板の上方であって、前記第１の受光部と隣接する第２の受光部の上方領域に、前記犠牲膜層と接するように第２のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第１のカラーフィルタ層および前記第２のカラーフィルタ層の上に、前記犠牲膜層を露出させる開口を有する封止用層を形成する工程と、前記封止用層の前記開口を通じて、前記犠牲膜層をエッチングによって除去することにより、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に中空部を形成する工程と、前記封止用層を加熱して軟化させ、前記中空部が前記封止層用の材料で充填されないように、前記中空部の上部を前記封止層用の材料で封止する封止層を形成する工程とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１４と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
インターフェイスブロック１４において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014138063.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方であって前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、第１のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記第１のカラーフィルタ層の上面および側面に、犠牲膜層を形成する工程と、
前記半導体基板の上方であって前記第１の受光部と隣接する第２の受光部の上方領域に、前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面領域の少なくとも一部を露出するように第２のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面領域の少なくとも一部が露出した状態で、前記犠牲膜層に対してエッチングを行って、前記第１のカラーフィルタ層の上面および側面に形成された前記犠牲膜層を除去し、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に中空部を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記中空部を形成した後、前記中空部の開口領域を封止する封止層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のカラーフィルタ層を形成する工程では、平坦化層の上面上であって前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、前記第１のカラーフィルタ層を形成し、
前記犠牲膜層を形成する工程では、前記第１のカラーフィルタ層の上面および側面、並びに、前記平坦化層の上面に、前記犠牲膜層を形成し、
前記第２のカラーフィルタ層を形成する工程では、前記犠牲膜層の上面上であって前記第２の受光部の上方領域に、前記第２のカラーフィルタ層を形成し、
前記中空部を形成する工程では、前記犠牲膜層に対してエッチングを行って、前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面および側面に形成された部分を除去するとともに前記第２のカラーフィルタ層の下面の部分を残して、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に前記中空部を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層とは、厚みが異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のカラーフィルタ層は、緑色のフィルタ層であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のカラーフィルタ層は、赤色のフィルタ層および青色のフィルタ層を含み、
前記第２のカラーフィルタ層を形成する工程は、
前記第１のカラーフィルタ層に対し第１の方向に隣接させて、前記赤色のフィルタ層を形成する工程と、
前記第１のカラーフィルタ層に対し第２の方向に隣接させて、前記青色のフィルタ層を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１のカラーフィルタ層および前記第２のカラーフィルタ層の上方であって前記複数の受光部における各受光部の上方領域に、マイクロレンズを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板の上方に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層における、前記複数の受光部の各受光部の上方領域に、導波路を形成する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板と前記第１のカラーフィルタ層および前記第２のカラーフィルタ層との間であって前記複数の受光部の各受光部の上方領域に、インナーレンズを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方であって前記複数の受光部のうちの第１の受光部の上方領域に、第１のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第１のカラーフィルタ層の上面および側面に、犠牲膜層を形成する工程と、前記半導体基板の上方であって前記第１の受光部と隣接する第２の受光部の上方領域に、前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面領域の少なくとも一部を露出するように第２のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記犠牲膜層のうちの前記第１のカラーフィルタ層の上面領域の少なくとも一部が露出した状態で、前記犠牲膜層に対してエッチングを行って、前記第１のカラーフィルタ層の上面および側面に形成された前記犠牲膜層を除去し、前記第１のカラーフィルタ層と前記第２のカラーフィルタ層との間に中空部を形成する工程とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置であって、
前記半導体基板の上方に形成され、前記複数の受光部における各受光部に対応した複数のカラーフィルタ層と、
前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の間に形成された中空部と
を含み、
前記各カラーフィルタ層は、平面視において、隣接するカラーフィルタ層と接する第１の部分と、前記中空部によって前記隣接するカラーフィルタ層と接しない第２の部分を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記中空部の幅は、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記各カラーフィルタ層がその上下左右の少なくとも一方向に隣接するカラーフィルタ層と接触している長さは、前記中空部の幅の１／２の長さ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記中空部の開口領域を封止する封止層を更に含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記各カラーフィルタ層は、その角部領域が隣接するカラーフィルタ層と接して形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の上方に形成され、前記複数の受光部における各受光部に対応したマイクロレンズを更に含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に、前記複数の受光部における各受光部に対応した複数のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の間に、中空部を形成する工程と
を含み、
前記各カラーフィルタ層は、平面視において、隣接するカラーフィルタ層と接する第１の部分と、前記中空部によって前記隣接するカラーフィルタ層と接しない第２の部分を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置であって、前記半導体基板の上方に形成され、前記複数の受光部における各受光部に対応した複数のカラーフィルタ層と、前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の間に形成された中空部とを含み、前記各カラーフィルタ層は、平面視において、隣接するカラーフィルタ層と接する第１の部分と、前記中空部によって前記隣接するカラーフィルタ層と接しない第２の部分を有する。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上面に複数の受光部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方に、前記複数の受光部における各受光部に対応した複数のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記複数のカラーフィルタ層における各カラーフィルタ層の間に、中空部を形成する工程とを含み、前記各カラーフィルタ層は、平面視において、隣接するカラーフィルタ層と接する第１の部分と、前記中空部によって前記隣接するカラーフィルタ層と接しない第２の部分を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端面に一対の引出電極が設けられるとともに、両端面の間の側面が互いに対向する一対の扁平面と、前記一対の扁平面どうしを繋ぐ一対の湾曲した曲面とで構成された扁平形状のコンデンサ素子と、
前記コンデンサ素子の一対の引出電極に接続された一対の外部引き出端子と、
前記コンデンサ素子、および前記外部引き出し端子の少なくとも一部を内部に収容する樹脂外装体と、を備え、
前記コンデンサ素子は、前記一対の扁平面のうち一方の扁平面が前記樹脂外装体の底部と対向するように前記樹脂外装体の内部に配置され、
前記樹脂外装体の底部外表面あるいは上部外表面の少なくともいずれか一方に金属層が設けられたフィルムコンデンサ。
【請求項２】
両端面に一対の引出電極が設けられるとともに、両端面の間の側面が互いに対向する一対の扁平面と、前記一対の扁平面どうしを繋ぐ一対の湾曲した曲面とで構成された扁平形状のコンデンサ素子と、
前記コンデンサ素子の一対の引出電極に接続された一対の外部引き出し端子と、
前記コンデンサ素子、および前記外部引き出し端子の少なくとも一部を内部に収容する樹脂外装体と、を備え、
前記コンデンサ素子は、前記一対の扁平面のうち一方の扁平面が前記樹脂外装体の側部と対向するように前記樹脂外装体の内部に配置され、
前記樹脂外装体の側部外表面には金属層が設けられたフィルムコンデンサ。
【請求項３】
前記金属層は、前記樹脂外装体の外表面に貼着した状態で設けられた請求項１あるいは請求項２のいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
【請求項４】
前記樹脂外装体は、前記コンデンサ素子に直接接触する外装樹脂のみで構成される請求項３に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項５】
前記外装樹脂はエポキシ樹脂であり、
前記外装樹脂と接触する前記金属層の接着層は微細な凹凸が設けられた請求項４に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項６】
前記金属層は金属箔、あるいは金属板にて構成された請求項１あるいは請求項２のいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
【請求項７】
前記金属層は金属を蒸着させることで形成された請求項１あるいは請求項２のいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
【請求項８】
前記樹脂外装体の底部外表面は平面状である請求項１に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項９】
前記樹脂外装体の側部外表面は平面状である請求項２に記載のフィルムコンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ナノ粒子と多孔性炭素の複合体である金属担持多孔性炭素材料の製造方法であって、
金属錯体含有多孔性高分子を前駆体として直接焼成することを特徴とする金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項２】
前記金属錯体含有多孔性高分子が、高分子鎖に共有結合で固定化された金属錯体を含有する多孔性高分子である請求項１に記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項３】
前記金属錯体含有多孔性高分子が、
（i）配位性モノマー（Ｌ）と金属塩（Ｓ）を混合することにより金属錯体含有モノマー（Ｌｍ）を調製する工程、続いて、
（ii）前記金属錯体含有モノマー（Ｌｍ）と芳香族含有架橋性モノマー（Ａｍ）と混合して重合性組成物（Ａ）を得た後、重合性組成物（Ａ）とは相溶するが、重合性組成物（Ａ）の重合体（ＰＡ）と相溶しない溶剤（Ｍ）及び添加剤（Ｄ）と混合して組成物（Ｘ）を調製し、組成物（Ｘ）の重合後、重合体（ＰＡ）から溶剤（Ｍ）及び添加剤（Ｄ）を除去することにより、
形成した金属錯体含有多孔性高分子である請求項１又は２に記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項４】
前記金属塩（Ｓ）が、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｇからなる群から選択される一つ以上の金属の塩である請求項３に記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項５】
前記配位性モノマー（Ｌ）が、ホスフィノ基を分子構造中に有する請求項３又は４に記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項６】
前記添加剤（Ｄ）が、ポリスチレンである請求項３〜５のいずれか１つに記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項７】
前記の金属錯体含有多孔性高分子の焼成過程が、段階的に加熱することにより、不融化・焼成・賦活化を行う請求項１〜６のいずれか１つに記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項８】
多孔構造としてマイクロ孔を含み、ＢＥＴ比表面積が８００ｍ２・ｇ−１以上である請求項１〜７のいずれか１つに記載の金属担持多孔性炭素材料の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法により得られた金属担持多孔性炭素材料を活物質として含む電気化学キャパシタの電極触媒の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法により得られた金属担持多孔性炭素材料を活物質として含む燃料電池の電極触媒の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属担持多孔性炭素材料の製造方法、及び電極触媒の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記一番目の課題を解決するために、本発明は、金属ナノ粒子と多孔性炭素の複合体である金属担持多孔性炭素材料の製造方法であって、金属錯体含有多孔性高分子を前駆体として直接焼成することを特徴とする金属担持多孔性炭素材料の製造方法を提供する。また、金属塩、配位性モノマー、及び芳香族モノマーとを混合し、加熱重合することにより金属錯体含有多孔性高分子を形成させる第１工程と、前期金属錯体含有多孔性高分子を高温加熱することにより、不融化・焼成・賦活化を行って金属担持多孔性炭素材料を形成させる第２工程と、を含む金属担持多孔性炭素材料の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層面が互いに並行となるように配置されてなる複数の無機化合物層の層間に、疎水性を付与する有機基と水吸着有機分子とを有しており、
前記疎水性を付与する有機基は、その一端側が層面に強固に固定され、その他端側が、層面の対面側に一端側が固定された別の疎水性を付与する有機基の他端側と相互作用しており、
相対湿度が変化しても、前記無機化合物層の層間隔が不変とされていることを特徴とする層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項２】
前記水吸着有機分子が、その一端側が前記層面に固定され、その他端側に水吸着部が具備されていることを特徴とする請求項１に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項３】
前記疎水性を付与する有機基が、アルキルアンモニウム基であることを特徴とする請求項１又は２に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項４】
前記アルキルアンモニウム基が、下記一般式（１）で表され、前記式（１）で、ｍは４以上２０以下の自然数であり、ｋ及びｌは０以上３以下の同一の又は相異する整数であり、Ｒ４はＳｉ含有アルキル基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【化１】
2014172777.tif 000001
【請求項５】
前記アルキルアンモニウム基が、ｏｃｔａｄｅｃｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌ（３−ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌｐｒｏｐｙｌ）ａｍｍｏｎｉｕｍ、ｈｅｘａｄｅｃｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌ（３−ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌｐｒｏｐｙｌ）ａｍｍｏｎｉｕｍ、ｏｃｔａｄｅｃｙｌｄｉｅｔｈｙｌ（３−ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌｐｒｏｐｙｌ）ａｍｍｏｎｉｕｍの群から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項６】
前記水吸着有機分子が、アルコールアミンであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項７】
前記アルコールアミンが、下記一般式（２）で表され、前記式（２）で、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ同一又は別の１以上４以下の自然数であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ同一又は別のアルキル基又はＯＨ基であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の少なくとも一つはＯＨ基であることを特徴とする請求項６に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【化２】
2014172777.tif 000002
【請求項８】
前記アルコールアミンが、トリエタノールアミン又はジエチルエタノールアミンであることを特徴とする請求項７に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項９】
前記水吸着有機分子の前記水吸着部が、非共有電子対（ローンペア）を有する窒素であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項１０】
前記無機化合物層が、ケイ酸塩層又はニオブ酸塩層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【請求項１１】
層状無機化合物の層間に疎水性を付与する有機基が強固に固定された層状無機／有機複合体と、トリエタノールアミンを混合・攪拌して、疎水性を付与する有機基及びトリエタノールアミンを含有する層間隔不変−層状無機／有機複合体を合成することを特徴とする層間隔不変−層状無機／有機複合体の製造方法。
【請求項１２】
層状無機化合物の層間に疎水性を付与する有機基が強固に固定された層状無機／有機複合体と、ジエチルエタノールアミンを混合・攪拌して、疎水性を付与する有機基及びジエチルエタノールアミンを含有する複合体を合成する工程と、前記複合体を減圧下、加熱して層間隔不変−層状無機／有機複合体を合成する工程と、を有することを特徴とする層間隔不変−層状無機／有機複合体の製造方法。
【請求項１３】
Ｘ線源と、前記Ｘ線源から出射されたＸ線が入射される請求項１〜１０のいずれか１項に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体と、前記層状無機／有機複合体から出射されるＸ線が入射されるＸ線検出器と、を有することを特徴とする湿度観測システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２）前記水吸着有機分子が、その一端側が前記層面に固定され、その他端側に水吸着部が具備されていることを特徴とする（１）に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
（３）前記疎水性を付与する有機基が、アルキルアンモニウム基であることを特徴とする（１）又は（２）に記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
（４）前記アルキルアンモニウム基が、下記一般式（１）で表され、前記式（１）で、ｍは４以上２０以下の自然数であり、ｋ及びｌは０以上３以下の同一の又は相異する整数であり、Ｒ４はＳｉ含有アルキル基であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の層間隔不変−層状無機／有機複合体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
疎水性を付与する有機基４１として、アルキルアンモニウム基を挙げることができる。
前記アルキルアンモニウム基としては、先に記載の一般式（１）で表され、前記式（１）で、ｍは４以上２０以下の自然数であり、ｋ及びｌは０以上３以下の同一の又は相異する整数であり、Ｒ４はＳｉ含有アルキル基であるものを挙げることができる。
前記アルキルアンモニウム基としては、ｏｃｔａｄｅｃｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌ（３−ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌｐｒｏｐｙｌ）ａｍｍｏｎｉｕｍ（以下、ＯＤＡＣと略記する場合がある。）、ｈｅｘａｄｅｃｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌ（３−ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌｐｒｏｐｙｌ）ａｍｍｏｎｉｕｍ、ｏｃｔａｄｅｃｙｌｄｉｅｔｈｙｌ（３−ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌｐｒｏｐｙｌ）ａｍｍｏｎｉｕｍを挙げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明の実施形態である層間隔不変−層状無機／有機複合体は、前記アルキルアンモニウム基が、先に記載の一般式（１）で表され、前記式（１）で、ｍは４以上２０以下の自然数であり、ｋ及びｌは０以上３以下の同一の又は相異する整数であり、Ｒ４はＳｉ含有アルキル基である構成なので、層間隔不変−層状無機／有機複合体の無機化合物層の層間隔を一定保持させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明の実施形態である層間隔不変−層状無機／有機複合体は、前記水吸着有機分子の前記水吸着部が、非共有電子対（ローンペア）を有する窒素である構成なので、水を吸着させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月11日(2015.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
昇降路内を昇降可能なかご枠体と、
前記かご枠体を昇降させる昇降手段と、
前記かご枠体内にロープによって吊持された上かごと、
前記かご枠体内の前記上かごの下側に、前記ロープによって吊持された下かごと、
前記かご枠体に設置され、前記ロープが巻き掛けられた駆動シーブを有し、前記上かご及び前記下かごを、互いに相反する方向に移動させる移動手段と、
前記上かごの停止位置に関する信号を発する第１検知手段と、
前記下かごの停止位置に関する信号を発する第２検知手段と、
前記第１検知手段及び前記第２検知手段の信号に応じて、前記昇降手段により前記かご枠体を昇降させながら、前記移動手段により前記上かごと前記下かごとを移動させる制御装置と、
を備えることを特徴とするダブルデッキエレベータ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記の面積比が０．７５以上１未満のときには、接合部の強度及び剛性を維持しつつ、その厚みを、第１の樹脂複合材及び第２の樹脂複合材に比して小さくすることができる。すなわち、接合部を、陥没部として形成することが可能である。一方、上記の面積比が１よりも大きく２以下であるときには、接合部の強度及び剛性を一層向上させることができる。この場合、接合部は、隆起部として形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図６は、前記非重畳空間６０を、その近傍とともに示した要部拡大図である。この場合、非重畳空間６０は略菱形形状をなす。第１実施形態においては、この非重畳空間６０の面積Ｓ１と、凸部２６、２６同士の重畳された部位の面積Ｓ２とが同等となるように、凸部２６、２６同士が重畳される。すなわち、Ｓ２／Ｓ１＝１が成立する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
第１の樹脂複合材７２及び第３の樹脂複合材７６は、前記下型８６の支持凸部９０に、該支持凸部９０を覆うようにして載置される。その一方で、波形状部７８ａ、７８ｂが形成された第２の樹脂複合材７４が、例えば、加熱炉によって全体が加熱される。加熱された第２の樹脂複合材７４は軟化しているので、波形状部７８ａ、７８ｂが第１の樹脂複合材７２及び第３の樹脂複合材７６の端部に重畳されると、第２の樹脂複合材７４において、支持凸部９０の上端面から突出した部位は、該支持凸部９０の縦壁に沿って容易に撓む。図１１では、この状態を、第２の樹脂複合材７４を第１の樹脂複合材７２及び第３の樹脂複合材７６から離間させて示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
第２の樹脂複合材７４の波形状部７８ａ、７８ｂの凸部８２が第１の樹脂複合材７２及び第３の樹脂複合材７６の端部に重畳されると、図１２に示すように、第１の樹脂複合材７２の端部と、第２の樹脂複合材７４の波形状部７８ａの凹部８０との間に非重畳空間９６が形成される。凸部８２において、非重畳空間９６の面積Ｓ３と、第１の樹脂複合材７２の端部に重畳された部位の面積Ｓ４とは同等である。すなわち、Ｓ４／Ｓ３＝１が成り立つ。また、堰止部材９４ａ、９４ｂが第１の樹脂複合材７２、第３の樹脂複合材７６の各上端面の所定箇所に載置される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図示しないが、第２の樹脂複合材７４の波形状部７８ｂの凹部８０と、第３の樹脂複合材７６の端部との間にも同様に非重畳空間９６が形成される。また波形状部７８ｂの凸部８２において、第３の樹脂複合材７６の端部に重畳された部位の面積と、非重畳空間９６の面積は同等である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
その後、前記昇降機構の作用下に上型８８（図１１参照）が下型８６に向かって降下する。その結果、支持凸部９０が進入凹部９２に進入する。上型８８が最下点に到達すると、次に、進入凹部９２内に配設された前記押圧型が降下し、波形状部７８ａと第１の樹脂複合材７２の端部との重畳箇所から、波形状部７８ｂと第３の樹脂複合材７６の端部との重畳箇所にわたる範囲を押圧する。これにより、前記２個の重畳箇所が圧潰される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
例えば、Ｓ２／Ｓ１＝１（図６参照）とする必要は特になく、０．７５≦Ｓ２／Ｓ１≦２とするようにしてもよい。Ｓ２／Ｓ１が０．７５以上１未満のときには、接合部の強度を維持しつつ、その厚みを、第１部位１８や第２部位２０の厚みに比して小さくすることができる。すなわち、接合部を、陥没部として形成することが可能である。一方、Ｓ２／Ｓ１が１よりも大きく２以下であるときには、接合部の強度を一層向上させることができる。この場合、接合部は、隆起部として形成される。以上においては、例えば、陥没部又は隆起部を意匠形状として活用するようにすればよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
勿論、第２実施形態においても、Ｓ４／Ｓ３＝１（図１２参照）とする必要は特になく、０．７５≦Ｓ４／Ｓ３≦２とするようにしてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2014172334.tif 000001