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【手続補正書】
【提出日】平成28年10月19日(2016.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電要素と、
前記発電要素を収容し、外壁の一部に内部空間を小さくする絞り部を有する電槽と、を備え、
前記電槽の角部を、前記絞り部を内側に超えない範囲にて内側に厚くすることにより、前記角部を前記外壁より厚肉の厚肉部とした鉛蓄電池。
【請求項２】
請求項１に記載の鉛蓄電池であって、
前記角部の内周面は、前記絞り部の内周面よりも前記内部空間における外側に位置している鉛蓄電池。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の鉛蓄電池であって、
前記角部が前記外壁と同じ厚さとなる時の、前記角部の内周側の半径を基準半径と定義した場合に、
前記角部の内周側の半径が、前記絞り部を内側に超えない範囲にて、前記基準半径よりも大きな値である鉛蓄電池。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の鉛蓄電池であって、
前記電槽は、複数枚の前記外壁と底壁とを有し、一方に開口する箱型であり、
前記絞り部は、前記外壁の底部側に設けられ、
前記電槽を構成する２枚の前記外壁が交わる前記角部のうち、前記絞り部よりも開口に近い側の角部が、前記厚肉部である鉛蓄電池。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の鉛蓄電池であって、
前記発電要素は、セパレータを介して正極板と負極板とを交互に積層配置した極板群であり、
前記電槽の前記絞り部は、前記極板群の積層方向と交差する方向を狭くして形成されている鉛蓄電池。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の鉛蓄電池であって、
前記電槽内には、流動可能な電解液が収容されている鉛蓄電池。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の鉛蓄電池であって、
前記電槽の開口を封口する蓋部材をさらに備え、
前記厚肉部は、前記絞り部よりも前記電槽の開口側に位置しており、
前記蓋部材は、前記電槽の前記外壁に接合されるリブと、前記リブと間隔をあけて配置され、前記電槽の外壁を取り囲む外周壁と、を有する鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月8日(2016.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層と絶縁層が複数層、交互に積層、接合されて形成されてなる多層配線板であって、該導電層は、該導電層の上に位置する絶縁層に側面まで埋入されてなると共に上下に位置し、かつ、該導電層は、上下の導電層に挟まれた絶縁層を貫通する電気的導通路によって互いに電気的に接続されてなる多層配線板の製造方法において、
該多層配線板の設計情報を３Ｄ−ＣＡＤに取り込み、該多層配線板の立体構造を水平断面で薄層に分割して３Ｄデータ化し、該薄層を３Ｄプリンターで印刷、硬化、積層して３次元積層構造を形成する多層配線板の製造方法。
【請求項２】
前記上下の導電層に挟まれた絶縁層を貫通する電気的導通路と、前記上下に位置する導電層の上位に位置する導電層との電気的接続は、該電気的導通路を該絶縁層表面よりも上に突出させた突出部を設け、該突出部を上位に位置する導電層によって包覆することによって形成する請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項３】
前記導電層と、導電層を挟む上下二層の上の絶縁層と、上の絶縁層を貫通する電気的導通路を形成するに際して、前記導電層と電気的導通路を先に硬化させて、強度を発現させた後に、上の絶縁層を硬化させる請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項４】
前記電気的導通路および配線回路のインクを、レーザーを局所照射して、加熱硬化させ、次に、配線回路を包み隠すように絶縁用の樹脂を印刷して形成する請求項３に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項５】
前記多層配線板の配線やパッドの設計情報を３Ｄ−ＣＡＤに取り込み、該多層配線板の立体構造を水平断面で薄層に分割して３Ｄデータ化するに際して、３Ｄプリンターで印刷、硬化、積層して３次元積層構造を形成するための薄層の厚みを絶縁層では２０〜１００μｍ厚とし、導電層では２〜１００μｍとする請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項６】
多層基板の製造のスタート材が、樹脂基板または銅張樹脂基板、ガラス基板、または、セラミックス基板である請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項７】
前記導電性インクが、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｃｒの中から選択された一種あるいは一種以上の成分の合金あるいは混合物を主成分とした請求項３に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁性インクが、有機系絶縁材料の粉末あるいは無機系絶縁材料の粉末あるいは有機系粉末と無機系粉末を混合した絶縁材料を主成分とするものであって、該有機系絶縁材料の粉末は、エポキシ、アラミド、ＡＢＳ、ポリカーボネート、フェノール、ウレタン、フッ素、ポリアミド、アクリル、ＲＥＴの中から選択された一種あるいは２種以上の樹脂粉末を混合したものであって、該無機系絶縁材料の粉末は、アルミナ、窒化アルミ、炭化ケイ素、シリカ、酸化硼素、窒化ケイ素、ガラス、ガラス繊維、カーボンナノチューブの中から選択された一種あるいは２種以上のセラミックス粉末を混合したものである請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項９】
前記印刷し、硬化された表面のパットおよびバンプに、メッキを施す請求項１の多層配線板の製造方法。
【請求項１０】
下地のパットやバンプ上には、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕのメッキを施す請求項１の多層配線板の製造方法。
【請求項１１】
多層配線板が上下の絶縁層と、これらの絶縁層を挟む上下の導電層と、導電層を挟む上下の絶縁層、および絶縁層を貫通し、上下の導電層に接合された電気的導通路の組合せからなる単位構造を多重に積重ねた多層配線板である請求項１に記載の多層配線の製造方法。
【請求項１２】
最下層が前記導電層である前記単位構造を多重に積重ねた請求項９に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１３】
最下層が前記電気的導通路である単位構造を多重に積み重ねた請求項１の多層配線板の製造方法。
【請求項１４】
銅張樹脂基盤をスタート材に使用し、得られた多層配線板の中にスタート材を残す請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１５】
ダミー板をスタート材に使用し、得られた多層配線板からダミー板を剥ぎ取る請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１６】
電気的導通路を導電層の上に積層し、導電層と電気的導通路を、共に絶縁層に埋入し、且つ、隣同士の導電層の間隙も絶縁層で埋めた請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１７】
電気的導通路を絶縁層に埋入された状態で、絶縁層を貫通して外に突出しており、更に、絶縁層の上に導電層が積層され、絶縁層から外に突出した電気的導通路を導電層が包覆する請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１８】
適用３Ｄ−ＣＡＤで作成した三次元内部配線を有する基板の設計情報をもとに３Ｄデータを作成し、これを３Ｄプリンターに入力してＭＬＰＣＢの製作に適用する請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１９】
微細な内部配線構造を有する三次元内部配線構造からなるアルミナセラミックス製パッケージ（ＨＴＣＣ）の作製に適用する請求項1に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項２０】
両面、多層配線板の層間に、電子部品（抵抗、コイル等の回路素子）を作り込む請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項２１】
両面、多層配線板の層間に、既成の電子部品（抵抗、コイル等の回路素子）を作り込む請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層配線板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は多層配線板の製造方法に係わり、更に詳しくは、３Ｄプリンターを使用して製造する方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、多層配線板において、多品種少量生産でも、短期間で安価に製造でき、かつ配線回路の断線、上下の絶縁層間の導通不良等の問題を解決して不良率を大幅に低減できる多層配線板の新規な製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
多層基板の製造を始めるときのスタート材の選択に特別の制約はない。銅張樹脂基板を用いても良いし、または、通常の樹脂基板を使用しても良いし、セラミック基板でも良い。または、スタート材は使用せずに、最初から３Ｄプリンターを用いてスタートしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素と
を備え、
前記撮像画素は、前記光電変換部より上に形成された高屈折率膜をさらに有し、
前記位相差検出画素は、前記光電変換部より上に形成された低屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。
【請求項２】
前記撮像画素および前記位相差検出画素は、それぞれ、前記高屈折率膜および前記低屈折率膜の上層に形成されたカラーフィルタ層を有し、
前記高屈折率膜または前記低屈折率膜は、平坦化膜を兼ねて形成される
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記低屈折率膜は、前記高屈折率膜を覆うように形成され、前記平坦化膜を兼ねている
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記高屈折率膜は、前記低屈折率膜を覆うように形成され、前記平坦化膜を兼ねている
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記高屈折率膜の屈折率は、前記低屈折率膜の屈折率と比べて0.1以上高い
請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記高屈折率膜の屈折率は、1.5乃至2.0の間の値とされる
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記低屈折率膜の屈折率は、1.1乃至1.5の間の値とされる
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記高屈折率膜および前記低屈折率膜のいずれか一方または両方は、感光性を有する材料で形成される
請求項１乃至７のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記高屈折率膜または前記低屈折率膜は、断面形状が上凸型レンズ形状となるように形成される
請求項１乃至８のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記撮像画素および前記位相差検出画素は、前記カラーフィルタ層より上にマイクロレンズを有し、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記位相差検出画素において一様に形成される
請求項１乃至９のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記光電変換部より上に高屈折率膜を形成し、
前記位相差検出画素において、前記光電変換部より上に低屈折率膜を形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素と
を備え、
前記撮像画素は、前記光電変換部より上に形成された高屈折率膜をさらに有し、
前記位相差検出画素は、前記光電変換部より上に形成された低屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置
を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
ステップＳ９２において、図２１Ｃに示されるように、高屈折率材料９１ａ上の位相差検出画素３２以外の領域（すなわち、撮像画素３１の領域）に、フォトレジスト１０１が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
ステップＳ９３において、位相差検出画素３２の領域の高屈折率材料９１ａが、ドライエッチングされる。これにより、図２１Ｄに示されるように、高屈折率膜９１が形成されるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
ここでは、位相差検出画素３２の領域のみに、露光量5000J/m2、フォーカスオフセット０μmでｉ線露光が行われ、現像後、低屈折率材料９２ａの溶剤の除去および低屈折率材料８２ａの硬化のために、200℃での加熱が10分間行われるようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
本実施の形態においても、位相差検出画素３２が有するカラーフィルタ３５５Ｇ'が、その膜厚が、Ｇ画素３１Ｇが有するカラーフィルタ３５５Ｇの膜厚より薄くなるように形成されるようにしたので、撮像画素の感度を最適にしつつ、位相差検出画素の感度を低下させないようすることができる。すなわち、撮像画素の感度と位相差検出画素のAF性能とを最適にすることが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合チャンバと、
前記接合チャンバの内部で上側ウェハを上下方向に移動可能に支持する上側ステージ機構と、
前記接合チャンバの内部で下側ウェハを水平面内で移動可能に支持する下側ステージ機構
とを具備し、
前記下側ステージ機構は、
前記下側ウェハを保持する下側ウェハ保持部を有するキャリッジと、
前記キャリッジに連結されて前記キャリッジを支持する弾性案内と、
前記下側ウェハ保持部を粗動させる位置決めステージと、
前記下側ウェハ保持部を微動させる微動機構と、
キャリッジ支持台
とを含み、
前記弾性案内は、前記上側ステージ機構から前記キャリッジに荷重が印加されていないときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触しないように前記キャリッジを支持し、前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記キャリッジに前記上下方向に荷重が印加されると前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形し、
前記位置決めステージは、前記弾性案内を駆動することによって前記下側ウェハ保持部を粗動させ、
前記キャリッジは、前記弾性案内が接合されたキャリッジプレートを含み、
前記下側ウェハ保持部は、前記キャリッジプレートの上方に位置し、
前記微動機構は、
前記キャリッジプレートの上に設けられたフレームと、
前記フレームに連結され前記下側ウェハ保持部を駆動する駆動機構
とを含み、
前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記キャリッジに前記上下方向に荷重が印加されると、前記弾性案内は、前記キャリッジプレートが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形する
常温接合装置。
【請求項２】
請求項１に記載の常温接合装置であって、
前記フレームには、前記下側ウェハ保持部を前記上下方向に移動可能に支持する支持機構が設けられ、
前記支持機構は、前記上側ステージ機構から前記下側ウェハ保持部に荷重が印加されていないときに前記下側ウェハ保持部が前記キャリッジプレートに接触しないように前記下側ウェハ保持部を支持し、前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記下側ウェハ保持部に前記上下方向に荷重が印加されると前記下側ウェハ保持部が前記キャリッジプレートに接触するように弾性変形する
常温接合装置。
【請求項３】
接合チャンバと、
前記接合チャンバの内部で上側ウェハを上下方向に移動可能に支持する上側ステージ機構と、
前記接合チャンバの内部で下側ウェハを水平面内で移動可能に支持する下側ステージ機構
とを具備し、
前記下側ステージ機構は、
前記下側ウェハを保持する下側ウェハ保持部を有するキャリッジと、
前記キャリッジに連結されて前記キャリッジを支持する弾性案内と、
前記下側ウェハ保持部を粗動させる位置決めステージと、
前記下側ウェハ保持部を微動させる微動機構と、
キャリッジ支持台
とを含み、
前記弾性案内は、前記上側ステージ機構から前記キャリッジに荷重が印加されていないときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触しないように前記キャリッジを支持し、前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記キャリッジに前記上下方向に荷重が印加されると前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形し、
前記微動機構は、
テーブルと、
前記テーブルを駆動する駆動機構
とを含み、
前記弾性案内は、前記下側ウェハ保持部を前記テーブルに連結し、
前記位置決めステージは、前記微動機構の全体を駆動することによって前記下側ウェハ保持部を粗動させ、
前記微動機構は、前記駆動機構によって前記テーブルを駆動することによって前記下側ウェハ保持部を微動させる
常温接合装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の常温接合装置であって、
前記上側ステージ機構は、
前記上側ウェハを保持する上側ウェハ保持部と、
前記上側ウェハ保持部の向きを調節する角度調節機構
とを具備する
常温接合装置。
【請求項５】
請求項４に記載の常温接合装置であって、
前記上側ステージ機構は、更に、前記上下方向に昇降される昇降ロッドを備え、
前記角度調節機構は、
前記上側ウェハ保持部に固定される球フランジと、
前記昇降ロッドに固定される球座と、
前記球座に固定され、前記球フランジを挟持して前記球フランジを前記球座に連結する固定フランジ
とを含む
常温接合装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
［製造例１］
導電助剤である炭素材料としてアセチレンブラック（デンカブラックＨＳ−１００）１０部、合成例（１）に記載の分散剤（ａ）の水溶液ないし水性分散体を固形分として２部、水８０部をミキサーに入れて混合し、更にサンドミルに入れて分散を行い、二次電池電極用炭素材料分散体（１）を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
［製造例２］
導電助剤である炭素材料としてアセチレンブラック（デンカブラックＨＳ−１００）１０部、合成例（１）に記載の分散剤を固形分として２部、水８０部をニーダーに入れて分散を行い、二次電池電極用炭素材料分散体（２）を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
［製造例３〜８］、［比較製造例１〜３］
表２に示す導電助剤である炭素材料、分散剤を使用して、二次電池電極用炭素材料分散体（１）と同様の方法で、製造例３〜８の二次電池電極用炭素材料分散体（３）〜（８）と、比較製造例１〜３の二次電池電極用炭素材料分散体（９）〜（１１）とを得、以下の方法にて、炭素材料分散体としての分散度を求めた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
【表２】
2015135773.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
表２に示すように、製造例１〜８の二次電池電極用炭素材料分散体を用いた場合、導電助剤である炭素材料（ｂ）の分散性に優れ、均一な二次電池電極用炭素材料分散体であることが明らかとなった。分散剤（ａ）を使用することにより、炭素材料の種類、混錬方法が異なっても、分散性に優れた均一な二次電池電極用炭素材料分散体を得ることが分かる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
＜正極合材インキ＞、＜正極＞、＜コイン型電池＞
［実施例９］
製造例１で調製した二次電池電極用炭素材料分散体（１）５０部（アセチレンブラック固形分量として５部）に対して、正極活物質としてＬｉＦｅＰＯ4  ４５部、バインダー（ポリテトラフルオロエチレン３０−Ｊ：三井・デュポンフロロケミカル社製、６０％水系分散体）８．３部、水５０部を混合して、正極用の二次電池電極用合材インキを作製した。合材インキの分散度を、前述の炭素材料分散体の分散度の場合と同様にして求めた。
そして、この正極用の二次電池電極用合材インキを、集電体となる厚さ２０μｍのアルミ箔上にドクターブレードを用いて塗布した後、減圧加熱乾燥して電極の厚みが１００μｍとなるよう調整した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
［実施例１０〜１５］、［比較例４〜６］
表３に示すように二次電池電極用炭素材料分散体（３）〜（１１）を用いた以外は実施例９と同様にして、正極二次電池電極用合材インキ、および正極を得、同様に評価した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
【表３】
2015135773.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体で形成された基台と、
絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、前記基台を複数のチップ設置部に区切るように前記基台に固定された枠体と、
前記基台に互いに絶縁されるように埋め込まれた複数の金属部品と、
前記複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で前記複数の金属部品のいずれか１つの金属部品が露出した導電部と、前記基台が露出した絶縁部と、を有し、
前記枠体のうち、前記絶縁部と接する部分に前記金属部品を露出させる貫通孔が形成されたことを特徴とする半導体試験治具。
【請求項２】
前記金属部品は、前記複数のチップ設置部のうちの少なくとも２つのチップ設置部でつながることを特徴とする請求項１に記載の半導体試験治具。
【請求項３】
前記複数のチップ設置部のそれぞれに、１つずつ前記金属部品が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体試験治具。
【請求項４】
前記導電部と前記絶縁部の境界線は、平面視で、前記複数のチップ設置部のそれぞれを２等分するように前記複数のチップ設置部のそれぞれの中央に位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項５】
前記導電部と前記絶縁部の境界線は、前記導電部側に凸形状となることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項６】
前記導電部と前記絶縁部の境界線は、前記絶縁部側に凸形状となることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項７】
前記貫通孔は、前記複数の枠のそれぞれに、第１貫通孔と第２貫通孔を有し、
前記複数のチップ設置部のそれぞれに設けられた前記金属部品として、第１金属部品と、前記基台によって前記第１金属部品と絶縁された第２金属部品を有し、
前記導電部は、前記第１金属部品が露出した第１導電部と、前記第２金属部品が露出した第２導電部を有し、
前記第１貫通孔は前記第１金属部品を露出させ、
前記第２貫通孔は前記第２金属部品を露出させることを特徴とする請求項１に記載の半導体試験治具。
【請求項８】
前記金属部品の下面が露出したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項９】
前記貫通孔の直下では前記基台の下面が露出することを特徴とする請求項８に記載の半導体試験治具。
【請求項１０】
前記金属部品の下面が前記基台の下面よりも下方にあることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体試験治具。
【請求項１１】
前記金属部品は、
前記貫通孔の底面に露出した第１部分と、
前記第１部分の上に、前記第１部分よりも狭い幅で形成された第２部分と、
前記第２部分の上に、前記第２部分よりも広い幅で形成された第３部分と、を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項１２】
前記チップ設置部に、前記導電部と前記絶縁部に接するように設けられた金属プレートを備えたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項１３】
前記金属プレートと、前記導電部及び前記絶縁部との間には導電性のペーストが設けられたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体試験治具。
【請求項１４】
前記貫通孔の底面の前記金属部品と接するように、前記貫通孔に設けられた導電性のスペーサを備えたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項１５】
前記基台と前記枠体は一体的に形成されたことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
【請求項１６】
絶縁体で形成された基台と、絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、前記基台を複数のチップ設置部に区切るように前記基台に固定された枠体と、前記基台に互いに絶縁されるように埋め込まれた複数の金属部品と、を備え、前記複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で前記複数の金属部品のいずれか１つの金属部品が露出した導電部と、前記基台が露出した絶縁部と、を有し、前記枠体のうち、平面視で前記絶縁部と接する部分に前記金属部品を露出させる貫通孔が形成された半導体試験治具と、
前記半導体試験治具をのせるステージと、
前記複数のチップ設置部のそれぞれに１つずつ設置された縦型半導体チップのうち少なくとも２つの縦型半導体チップを同時に測定する測定器と、を備えたことを特徴とする測定装置。
【請求項１７】
絶縁体で形成された基台と、絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、前記基台を複数のチップ設置部に区切るように前記基台に固定された枠体と、前記基台に互いに絶縁されるように埋め込まれた複数の金属部品と、を備え、前記複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で前記複数の金属部品のいずれか１つの金属部品が露出した導電部と、前記基台が露出した絶縁部と、を有する半導体試験治具の前記複数のチップ設置部に上面電極と下面電極を有する縦型半導体チップをのせて、前記下面電極と前記導電部を接触させる工程と、
前記半導体試験治具をステージにのせる工程と、
前記枠体のうち、平面視で前記絶縁部と接する部分に前記金属部品を露出させるように形成された貫通孔に第１プローブをとおして前記第１プローブを前記金属部品にあてつつ、第２プローブを前記上面電極にあてて、前記複数の縦型半導体チップの電気的特性を測定する工程と、を備えたことを特徴とする試験方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願の発明に係る試験方法は、絶縁体で形成された基台と、絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、該基台を複数のチップ設置部に区切るように該基台に固定された枠体と、該基台に互いに絶縁されるように埋め込まれた複数の金属部品と、を備え、該複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で該複数の金属部品のいずれか１つの金属部品が露出した導電部と、該基台が露出した絶縁部と、を有する半導体試験治具の該複数のチップ設置部に上面電極と下面電極を有する縦型半導体チップをのせて、該下面電極と該導電部を接触させる工程と、該半導体試験治具をステージにのせる工程と、該枠体のうち、平面視で該絶縁部と接する部分に該金属部品を露出させるように形成された貫通孔に第１プローブをとおして該第１プローブを該金属部品にあてつつ、第２プローブを該上面電極にあてて、該複数の縦型半導体チップの電気的特性を測定する工程と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る換気装置は、室外給気口から熱交換器を介して室内給気口に通じる給気風路と、室内排気口から熱交換器を介して室外排気口に通じる排気風路と、給気風路内に設けられ、室外空気を室外給気口から吸引し、熱交換器を介して室内給気口から室内に給気する給気送風機と、排気風路内に設けられ、室内空気を室内排気口から吸引し、熱交換器を介して室外排気口から室外へ排気する排気送風機と、給気風路内に流れる室外空気から室外温度を検出する室外温度センサーと、給気送風機および排気送風機を制御し、室外温度センサーにより検出された室外温度に応じて、給気送風機の回転数と排気送風機の回転数との差が変わるように、給気送風機および排気送風機の何れか一方の回転数を制御する換気風量制御部とを備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
Ｔ１≧Ｔｏａ＞Ｔ２のときは、図４に示すように、Ｔｏａ＞Ｔ１のときを最大風量１００％、Ｔ２≧Ｔｏａのときの風量をＢ％として、Ｔ１≧Ｔｏａ＞Ｔ２の間は室外温度Ｔｏａと風量の関係が一次関数となるように給気送風機４の風量を制御する。
具体的には、図４の関係を満たすように、換気風量制御部１１により、室外温度Ｔｏａから風量を算出しても良いし、適当な分解能例えば室外温度０．１℃刻み毎の風量をテーブルとして制御回路１０内に用意し、テーブルを参照することによって風量を求めて、給気送風機４を制御するようにしても良い。室外温度Ｔｏａが低下すると徐々に風量が制限され、給気による排気の冷却が抑えられて結露が抑制される。また、排気送風機７は運転を続けるため、熱交換器２が排気によって温められ凍結が防止される（第１の風量制御運転）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
室外給気口から熱交換器を介して室内給気口に通じる給気風路と、
室内排気口から前記熱交換器を介して室外排気口に通じる排気風路と、
前記給気風路内に設けられ、室外空気を前記室外給気口から吸引し、前記熱交換器を介して前記室内給気口から室内に給気する給気送風機と、
前記排気風路内に設けられ、室内空気を前記室内排気口から吸引し、前記熱交換器を介して前記室外排気口から室外へ排気する排気送風機と、
前記給気風路内に流れる室外空気から室外温度を検出する室外温度センサーと、
前記給気送風機および前記排気送風機を制御し、前記室外温度センサーにより検出された室外温度に応じて、前記給気送風機の回転数と前記排気送風機の回転数との差が変わるように、前記給気送風機および前記排気送風機の何れか一方の回転数を制御する換気風量制御部と
を備えたことを特徴とする換気装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月31日(2016.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
具体的に、図１に示されるように、ＦＡＴ領域Ｒ２において、例えば、０番目と１番目のＦＡＴエントリ(0)，(1)には、「ＲＳＶ」を示す特別な値が設定され、２番目のＦＡＴエントリ(2)には、「ＥＯＣ」を示す値が格納される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、図５(b)に示されるように、消去対象の物理セクタＡのうち、有効なデータが書き込まれている２番目，４番目，７番目および８番目のセクタのデータを、置換用の物理セクタＢの２番目，４番目，７番目および８番目のセクタに書き込む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ここで、書き込み済みクラスタ情報１３１は、例えば、初期状態(消去状態)で『１１１１１１１１』となっているクラスタにデータ(『０』)を書き込み、書き込みが済んだクラスタ番号の情報である。また、未書き込みクラスタ情報１３２は、データ(『０』)が未だ書き込まれていない『１１１１１１１１』となっているクラスタ番号の情報である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図１３を参照して、一時書込み領域Ｒ４への書き込み、および、一時書込み領域Ｒ４への書き込みの再試行(再書き込み処理)について説明する。図１３は、本実施例に係るメモリ制御プログラムにおけるデータ書き込み処理の一例を説明するためのフローチャートである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
ここで、「書き込み済みクラスタ」が「未書き込みクラスタ」であるかどうかの判定は、ＲＡＭ１３に格納された書き込み済みクラスタ情報１３１および未書き込みクラスタ情報１３２を参照して行う。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
（付記１３）
演算処理装置と、一時記憶を行う第１メモリと、プログラムを格納する第２メモリと、データを書き込む外部メモリとのアクセスを制御するメディアアクセス装置と、を含む半導体集積回路装置であって、
前記演算処理装置は、前記メディアアクセス装置を介して、
前記外部メモリに一時書込み領域を確保し、
前記外部メモリにデータを書き込むとき、前記一時書込み領域に対して、閾時間に基づいて書き込みを行い、
前記一時書込み領域における第１個所への書き込みが、前記閾時間が経過するまでに完了しない場合には、前記第１個所への書き込みをキャンセルして、前記一時書込み領域における、前記第１個所とは異なる第２個所への書き込みを行う、
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに対するデータ書き込みを制御するメモリ制御方法であって、
前記メモリに一時書込み領域を確保し、
前記メモリにデータを書き込むとき、前記一時書込み領域に対して、閾時間に基づいて書き込みを行い、
前記一時書込み領域における第１個所への書き込みが、前記閾時間が経過するまでに完了しない場合には、前記第１個所への書き込みをキャンセルして、前記一時書込み領域における、前記第１個所とは異なる第２個所への書き込みを行う、
ことを特徴とするメモリ制御方法。
【請求項２】
前記閾時間は、
前記一時書込み領域に対する書き込み試行を複数回行い、書き込み時間のばらつきを分析して決定する、
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリ制御方法。
【請求項３】
前記閾時間の決定は、
前記メモリを使用する装置に対して、前記メモリが接続されたとき、或いは、前記メモリが接続された装置の電源がオンしたときに行われる、
ことを特徴とする請求項２に記載のメモリ制御方法。
【請求項４】
前記メモリは、フラッシュメモリである、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリ制御方法。
【請求項５】
メモリに対するデータ書き込みを制御するメモリ制御プログラムであって、演算処理装置に対して、
前記メモリに一時書込み領域を確保する手順と、
前記メモリにデータを書き込むとき、前記一時書込み領域に対して、閾時間に基づいて書き込みを行う手順と、
前記一時書込み領域における第１個所への書き込みが、前記閾時間が経過するまでに完了しない場合には、前記第１個所への書き込みをキャンセルして、前記一時書込み領域における、前記第１個所とは異なる第２個所への書き込みを行う手順と、を実行させる、
ことを特徴とするメモリ制御プログラム。
【請求項６】
さらに、前記演算処理装置に対して、
前記一時書込み領域に対する書き込み試行を複数回行い、書き込み時間のばらつきを分析して前記閾時間を決定する手順を実行させる、
ことを特徴とする請求項５に記載のメモリ制御プログラム。
【請求項７】
演算処理装置と、一時記憶を行う第１メモリと、プログラムを格納する第２メモリと、データを書き込む外部メモリとのアクセスを制御するメディアアクセス装置と、を含む半導体集積回路装置であって、
前記演算処理装置は、前記メディアアクセス装置を介して、
前記外部メモリに一時書込み領域を確保し、
前記外部メモリにデータを書き込むとき、前記一時書込み領域に対して、閾時間に基づいて書き込みを行い、
前記一時書込み領域における第１個所への書き込みが、前記閾時間が経過するまでに完了しない場合には、前記第１個所への書き込みをキャンセルして、前記一時書込み領域における、前記第１個所とは異なる第２個所への書き込みを行う、
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
前記演算処理装置は、前記メディアアクセス装置を介して、
前記一時書込み領域に対する書き込み試行を複数回行い、書き込み時間のばらつきを分析して前記閾時間を決定する、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】
前記第１メモリは、
前記一時書き込み領域における書き込み済み個所の情報および未書き込み個所の情報を格納している、
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る地域防災情報システムは、所定の地域内における１つ又は複数の住戸に設けられ、火災等を検出して警報する警報器と、前記住戸に設けられ、前記警報器からの警報信号を含む通信情報を送信する子機と、前記所定の地域内に設けられ、前記子機からの通信情報を受信して再送信する中継機と、前記子機及び前記中継機の少なくとも一方からの通信情報を受信する親機と、前記親機と通信回線を介して接続され、前記通信回線を介して電子メールを送信するサーバーと、を備え、前記サーバーは、前記所定の地域内の居住者が所持する１つ又は複数の情報端末の電子メールアドレスの情報が予め記憶され、前記親機から前記警報信号を含む通信情報を取得したとき、前記警報器が火災等を検出した旨の情報を含む第１の電子メールを、前記情報端末の少なくとも１つに送信し、前記情報端末から火災確定信号を含む通信情報を取得したとき、前記住戸に火災が発生した旨の情報を含む第２の電子メールを、所定の前記情報端末に送信することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の地域内における１つ又は複数の住戸に設けられ、火災等を検出して警報する警報器と、
前記住戸に設けられ、前記警報器からの警報信号を含む通信情報を送信する子機と、
前記所定の地域内に設けられ、前記子機からの通信情報を受信して再送信する中継機と、
前記子機及び前記中継機の少なくとも一方からの通信情報を受信する親機と、
前記親機と通信回線を介して接続され、前記通信回線を介して電子メールを送信するサーバーと、を備え、
前記サーバーは、前記所定の地域内の居住者が所持する１つ又は複数の情報端末の電子メールアドレスの情報が予め記憶され、
前記親機から前記警報信号を含む通信情報を取得したとき、前記警報器が火災等を検出した旨の情報を含む第１の電子メールを、前記情報端末の少なくとも１つに送信し、
前記情報端末から火災確定信号を含む通信情報を取得したとき、前記住戸に火災が発生した旨の情報を含む第２の電子メールを、所定の前記情報端末に送信する
ことを特徴とする地域防災情報システム。
【請求項２】
前記サーバーは、
前記第１の電子メールを複数の前記情報端末に送信し、前記第１の電子メールを送信した前記情報端末の少なくとも１つから、前記住戸へ駆け付け可能である旨の情報を取得したとき、
前記第１の電子メールを送信した他の前記情報端末へ、他の前記居住者が前記住戸へ駆け付け可能である旨の情報を含む第３の電子メールを送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の地域防災情報システム。
【請求項３】
前記サーバーは、
前記第１の電子メールを送信したあと所定の時間内に、前記住戸へ駆け付け可能である旨の情報の返信がない場合、
前記第１の電子メールを送信した前記情報端末以外の前記情報端末へ、前記警報器が火災等を検出した旨の情報又は他の前記居住者が前記住戸へ駆け付けられない旨の情報を含む第４の電子メールを送信する
ことを特徴とする請求項２に記載の地域防災情報システム。
【請求項４】
前記サーバーは、
前記情報端末の少なくとも１つから誤報信号を含む通信情報を取得したとき、誤報である旨の情報を含む第５の電子メールを、前記情報端末に送信する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の地域防災情報システム。
【請求項５】
前記所定の地域内に設けられ、前記所定の地域内に警報を鳴動させる防災音響ユニットを備え、
前記サーバーは、
前記情報端末から火災確定信号を含む通信情報を取得したとき、前記防災音響ユニットの警報を鳴動させる
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の地域防災情報システム。
【請求項６】
前記サーバーは、
クラウドコンピューティングシステムの機能によって構成された
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の地域防災情報システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線端末に割り当てられた端末ＩＤを受信する受信部と、
受信した前記端末ＩＤ及び装置ＩＤを送信する送信部と、
光源からの光を外部に照射する照明部と、
前記受信部及び前記送信部に電力を供給する二次電池を収容する収容部とを有する、
照明装置。
【請求項２】
前記収容部は、前記受信部及び前記送信部の少なくとも一方を収容する、
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記収容部は、前記光源からの光を反射する光反射部材を有する、
請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記受信部は、微弱無線により、前記端末ＩＤを受信する、
請求項１から３の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記受信部は、一定の時間間隔おきに発信されるビーコン信号に含まれる前記端末ＩＤを受信する、
請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記送信部は、前記微弱無線と異なる無線通信方式により、前記端末ＩＤ及び前記装置ＩＤを送信する、
請求項４又は５に記載の照明装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の照明装置と、
前記無線端末の位置を管理する管理装置と、を有し、
前記送信部は、前記端末ＩＤ及び前記装置ＩＤを前記管理装置に送信する、
通信システム。
【請求項８】
前記送信部から送信された前記端末ＩＤ及び前記装置ＩＤを中継する中継部を有する、
請求項７に記載の通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様によれば、無線端末に割り当てられた端末ＩＤを受信する受信部と、受信した前記端末ＩＤ及び装置ＩＤを送信する送信部と、光源からの光を外部に照射する照明部と、前記受信部及び前記送信部に電力を供給する二次電池を収容する収容部とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に形成され、前記第１絶縁層の周辺に形成された外部接続パッドと、前記外部接続パッドより内側の内部接続パッドとを有する配線層と、
第１面に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたバンプとを有し、前記第１面において前記電極パッドより内側に回路素子を含む領域が設定され、前記バンプが前記配線層の前記内部接続パッドに接続された半導体素子と、
前記半導体素子の第１面と前記第１絶縁層との間に充填された第２絶縁層と、
前記半導体素子の第２面を被覆し、前記外部接続パッドに対応する開口部が形成された第３絶縁層と、
前記外部接続パッドに接続された外部接続端子と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記回路素子を含む領域において、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は前記第３絶縁層より薄いこと、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線層の第１面を被覆し、前記配線層の内端を前記内部接続パッドとする開口部と、前記配線層の外端を前記外部接続パッドとする開口部とが形成されたレジスト層を有すること、を特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記レジスト層は
前記配線層を覆う第１レジスト層と、
前記第１レジスト層の一部を覆う第２レジスト層と、
を有し、
前記第１レジスト層と前記第２レジスト層を貫通して形成された開口部によって前記配線層の一部を前記外部接続パッドとし、
前記第１レジスト層に形成された開口部によって前記配線層の一部を前記内部接続パッドとすること、
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子はセンサチップであり、前記半導体素子に設定された領域に検出のための回路素子が含まれること、を特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
支持板の上面に、第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に配線層を形成する工程と、
前記配線層の内部接続パッドに半導体素子を接続する工程と、
前記半導体素子を覆う樹脂層を形成する工程と、
前記支持板を除去する工程と、
前記樹脂層に開口部を形成する工程と、
前記開口部に前記配線層の外部接続パッドに接続された外部接続端子を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記配線層の外部接続パッドに第１の接続端子を接続する工程を有し、
前記半導体素子を覆う樹脂層により前記半導体素子と前記第１の接続端子を被覆し、
前記樹脂層に開口部を形成する工程において前記第１の接続端子を露出し、
前記開口部から露出した前記第１の接続端子に導電材を付加して前記半導体素子を被覆する樹脂層の表面から突出する前記外部接続端子を形成すること、
を特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持板は突出部を有し、
前記突出部により前記第１絶縁層に凹部を形成し、
前記凹部に応じて切断して表面端部に段差部を有する前記半導体装置を形成すること、を特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と対向する第２面との間を貫通した収容孔を有するコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成された第１配線層と、
前記コア基板の第２面に形成された第２配線層と、
前記収容孔内に配置された電子部品と、
前記収容孔の内側面に形成され、前記電子部品の接続端子と対応し、前記第１配線層及び前記第２配線層の少なくとも一方の配線層と接続された導電膜と、
前記電子部品の接続端子と前記導電膜とを熱的に接続する熱伝導材と、
前記コア基板の第１面と前記第１配線層とを被覆する第１絶縁層と、
前記コア基板の第２面と前記第２配線層とを被覆する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通して前記電子部品の接続端子に接続された第１ビアと、
前記第２絶縁層を貫通して前記電子部品の接続端子に接続された第２ビアと、
を有し、
前記電子部品の接続端子と前記第１ビアとの接続面積、及び前記電子部品の接続端子と前記第２ビアとの接続面積より、前記電子部品の接続端子と前記熱伝導材との接続面積が大きいこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記電子部品は、本体と複数の接続端子を有し、
前記収容孔は、内側面に前記導電膜が形成された複数の第１収容孔と、複数の前記第１収容孔を互いに連通し、前記本体と対向した内側面と前記本体との間の距離が、前記導電膜と前記接続端子との間の距離よりも短く設定された第２収容孔と、を有すること、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記熱伝導材は、前記電子部品の接続端子と前記導電膜とを電気的に接続する導電材であること、を特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層上に形成され、前記電子部品の接続端子に接続された前記第１ビアを含む第３配線層と、
前記第２絶縁層上に形成され、前記電子部品の接続端子に接続された前記第２ビアを含む第４配線層と、
を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記収容孔内の電子部品はチップキャパシタであることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記コア基板の第１面側に形成され第２の電子部品を実装するための接続パッドと、
前記コア基板の第２面側に形成された外部接続パッドと、
を有し、
前記電子部品の接続端子は、前記接続パッドと前記外部接続パッドとに電気的に接続されたこと、
を特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
第１面と第２面とを有するコア基板に前記第１面と前記第２面との間を貫通する複数の第１貫通孔を形成する工程と、
前記複数の第１貫通孔の内側面に導電膜を形成する工程と、
前記複数の第１貫通孔を互いに連通して電子部品を収容する収容孔を形成する工程と、
前記収容孔に前記電子部品を配置する工程と、
前記電子部品の接続端子と前記導電膜との間に熱伝導材を形成する工程と、
前記コア基板の第１面に前記導電膜に接続された配線を含む第１配線層と、前記コア基板の第２面に前記導電膜に接続された配線を含む第２配線層とを形成する工程と、
前記コア基板の第１面と前記第１配線層とを被覆する第１絶縁層と、前記コア基板の第２面と前記第２配線層とを被覆する第２絶縁層とを形成する工程と、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに前記電子部品の接続端子の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記第１絶縁層の開口部に充填された第１ビアを介して前記電子部品の接続端子に接続される配線層と、前記第２絶縁層の開口部に充填された第２ビアを介して前記電子部品の接続端子に接続される配線層とを形成する工程と、
を有し、
前記電子部品の接続端子と前記第１ビアとの接続面積、及び前記電子部品の接続端子と前記第２ビアとの接続面積より、前記電子部品の接続端子と前記熱伝導材との接続面積が大きいこと、
を特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１面と前記第１面と対向する第２面との間を貫通した収容孔を有するコア基板と、前記コア基板の第１面に形成された第１配線層と、前記コア基板の第２面に形成された第２配線層と、前記収容孔内に配置された電子部品と、前記収容孔の内側面に形成され、前記電子部品の接続端子と対応し、前記第１配線層及び前記第２配線層の少なくとも一方の配線層と電気的に接続された導電膜と、前記電子部品の接続端子と前記導電膜とを熱的に接続する熱伝導材と、前記コア基板の第１面と前記第１配線層とを被覆する第１絶縁層と、前記コア基板の第２面と前記第２配線層とを被覆する第２絶縁層と、前記第１絶縁層を貫通して前記電子部品の接続端子に接続された第１ビアと、前記第２絶縁層を貫通して前記電子部品の接続端子に接続された第２ビアと、を有し、前記電子部品の接続端子と前記第１ビアとの接続面積、及び前記電子部品の接続端子と前記第２ビアとの接続面積より、前記電子部品の接続端子と前記熱伝導材との接続面積が大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】前記した課題を解決するために本発明は、モーターの回転ローターを軸方向に垂直にＮ分割しその１／Ｎごとに駆動する電力の位相を同位相で駆動するまた外部の回転動力を使用して回転軸を回転し発電機として使用することを特徴とするモーターの馬力アップ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月27日(2016.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動機を駆動するためのインバータを制御するインバータ制御装置であって、
前記インバータに対して出力する角速度指令および位相を目標角速度および振動補償角速度に基づいて算出する周波数演算部と、
前記位相の出力値の時間あたりの変化量を算出するとともに、算出した変化量としきい値とを比較する位相監視部と、
前記変化量が前記しきい値を下回っている場合に前記周波数演算部に対して前記インバータの出力値を０とするよう指示する運転・停止指令部と、
を備えることを特徴とするインバータ制御装置。
【請求項２】
前記位相の変化量を算出する際の監視期間の長さを前記目標角速度に応じて決定した長さとすることを特徴とする請求項１に記載のインバータ制御装置。
【請求項３】
前記しきい値を前記電動機の負荷トルクに応じて決定した値とすることを特徴とする請求項１に記載のインバータ制御装置。
【請求項４】
電動機を駆動するためのインバータを制御するインバータ制御装置であって、
前記インバータに対して出力する角速度指令および位相を目標角速度および振動補償角速度に基づいて算出し、前記角速度指令を０よりも大きな値とすることを特徴とするインバータ制御装置。
【請求項５】
前記角速度指令の下限値を前記電動機の目標周波数に応じて決定した値とすることを特徴とする請求項４に記載のインバータ制御装置。