【事件の表示】
　特願２０１３−５１８４１１「シリコン凹部低減のためのエッチングプロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月１２日国際公開、ＷＯ２０１２／００５８４７、平成２５年　７月２２日国内公表、特表２０１３−５２９８５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年６月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年６月２９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年１２月１８日　　翻訳文の提出
　平成２６年　２月２０日　　審査請求
　平成２７年　５月　８日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　７月　６日　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２７年１２月２４日　　拒絶査定（起案日）
　平成２８年　４月　４日　　審判請求、手続補正書の提出
　
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年４月４日に提出された手続補正書によりなされた手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正の概要
　平成２８年４月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、本願の特許請求の範囲の請求項１、２、３、６、１１、１４、１８及び１９を補正するものであって、このうち、本件補正前後の請求項１の記載は以下のとおりである。
＜本件補正前＞
「　【請求項１】
　基板を選択的にエッチングするための方法であり、前記方法は：
　　シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板をプラズマエッチングシステムに導入すること；
プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２ を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用し；及び
　　前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであり、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの偏差が２度未満であるように選択される、方法。」
＜本件補正後＞
「　【請求項１】
　シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法であり、前記方法は：
　　シリコン上に前記シリコン窒化物層を含む前記基板をプラズマエッチングシステムに導入すること；
　　プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写し、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２ を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること；及び
　　前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択すること、
を含む、方法。」
（２）補正事項
　請求項１についての本件補正の補正事項を整理すると、次のとおりである。
　ア　補正事項１
　本件補正前の「基板を選択的にエッチングするための方法」という記載を、本件補正後は「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法」と補正する。
　イ　補正事項２
　本件補正前の「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板をプラズマエッチングシステムに導入する」という記載を、本件補正後は「シリコン上に前記シリコン窒化物層を含む前記基板をプラズマエッチングシステムに導入する」と補正する。
　ウ　補正事項３
　本件補正前の「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２ を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用し」という記載を、本件補正後は「　　プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写し、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２ を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること」と補正する。
　
　エ　補正事項４
　本件補正前の「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであり、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの偏差が２度未満であるように選択される」という記載を、本件補正後は「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択すること」と補正する。
　オ　補正事項５
　本件補正前の「方法。」という記載を、本件補正後は「を含む、方法。」と補正する。
２　新規事項の追加の有無、及び、補正の目的等について
　以下、各補正事項について、新規事項の追加の有無、及び、補正の目的等を検討する。
（１）補正事項１について
　ア　平成２３年６月６日付けで提出された翻訳文は、特許法第１８４条の６第２項の規定により、本願に係る国際出願日における願書に添付して提出した明細書、特許請求の範囲又は図面とみなされる。
　補正事項１は、前記翻訳文における、段落【０００８】の「１つの実施態様によると、基板を選択的にエッチングする方法が記載される。前記方法は、シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）を含む基板をプラズマエッチングシステム内に導入し；及びプラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層にパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、初期成分として、Ｃ，Ｈ，及びＦを含むプロセスガス及びＣＯ２ を含む添加ガスとを含むプロセスガス組成物を使用する、方法である。前記方法はさらに：前記プラズマエッチングプロセスでの前記添加ガスの量を：（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が、１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁が、９０度からの偏差が２度未満であること、を達成するように選択することを含む。」という記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項２の本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　イ　補正事項１のうち、本件補正前の「基板を選択的にエッチングするための方法」を「基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法」とする補正は、請求項１に係る「方法」が、「前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法」であることを限定する補正である。
　また、本件補正前の「基板」を「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板」とする補正は、補正前の請求項１に既に記載されていた「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板」という記載を補正後の請求項１の先頭に移動して、請求項１の記載を、前記段落【０００８】の記載に一致させて、より明確にしたものであると認められる。
　以上から、補正事項１の本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とすると認められる。
（２）補正事項２について
　ア　補正事項２は、前記段落【０００８】の記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項２の本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　イ　そして、補正事項２は、本件補正前の「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板」という記載が本件補正１によって既に補正後の請求項１で用いられたことから、「前記シリコン窒化物層」及び「前記基板」とすることで、これらが既に用いた「シリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層」及び「基板」と同じものであることを明確にしたものであると認められる。
　したがって、補正事項２の本件補正は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とすると認められる。
（３）補正事項３について
　ア　補正事項３は、前記段落【０００８】の記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項３の本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　イ　補正事項３は、段落単位で字下げするとともに、当該段落の末尾に「すること」という記載を付加することで、当該段落の特定事項が補正後の請求項１に係る「方法」における一つのステップを表していることを明確にするとともに、「パターン」という語が補正事項１によって既に補正後の請求項１で用いられたことから「前記パターン」とすることで、補正事項３における「パターン」が既に用いられた補正事項１における「パターン」と同じものであることを明確にしたものであると認められる。
　したがって、補正事項３の本件補正は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とすると認められる。
（４）補正事項４について
　ア　補正事項４は、前記段落【０００８】の記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項４の本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　イ　補正事項４は、本件補正前においても「（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであり、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの偏差が２度未満であるように」、「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量」が「選択される」ものであったところ、本件補正後は、「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択する」とすることで、請求項１の記載を、前記段落【０００８】の記載に一致させて、より明確にしたものであると認められる。
　そして、補正事項４において、段落の末尾に「すること」という記載を付加したことは、当該段落の特定事項が補正後の請求項１に係る「方法」の一つのステップを表していることを明確にしたものであると認められる。
　以上から、補正事項４の本件補正は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とすると認められる。
（５）補正事項５について
　ア　補正事項５の本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかである。
　イ　そして、補正事項５は、補正後の請求項１に係る「方法」が、「前記基板をプラズマエッチングシステムに導入すること」、「添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること」及び「達成するように選択すること」という３つのステップを「含む」ことを明確にしたものであると認められる。
　したがって、補正事項５の本件補正は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とすると認められる。
（６）発明の特別な技術的特徴について
　なお、補正事項１ないし８の補正が請求項１に係る発明の特別な技術的特徴を変更しないことは、明らかである。
（７）検討のまとめ
　以上検討したとおりであるから、請求項１についての本件補正の補正事項は、特許法第１７条の２第３項ないし第５項に規定する要件を満たす。
　
３　独立特許要件について
（１）検討の前提
　以上のとおり、請求項１についての本件補正の補正事項は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含む。
　そこで、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正が、いわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かを、請求項１に係る発明について検討する。
　
（２）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法であり、前記方法は：
　　シリコン上に前記シリコン窒化物層を含む前記基板をプラズマエッチングシステムに導入すること；
　　プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写し、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２　を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること；及び
　　前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択すること、
を含む、方法。」
　
（３）引用例の記載事項及び引用発明
　ア　引用例１の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において「引用文献１」として引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−１０２８９６号公報（以下「引用例１」という。）には、「高密度プラズマ中での高アスペクト比フィーチャ用の異方性選択的窒化物エッチング方法」（発明の名称）について、図１〜５とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付加したもの。以下、同様である。）。
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度プラズマを形成するためにフルオロカーボン・ガス、水素源、および弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起するステップ
前記多層構造上の前記高密度プラズマの方向性を制御するために前記多層構造に電源を適用するステップと、
窒化ケイ素層をエッチングするために前記高密度プラズマを前記窒化ケイ素層に導入する
多層構造から窒化ケイ素層を異方性エッチングする
　（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に集積回路および他の電子デバイスを製造する方法に関する。特に、本発明は、半導体ウエハまたは他の多層構造上に窒化ケイ素をエッチングする方法を記述する。」
　（ウ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの利点は、０．１７５μｍほどの小さいフィーチャ・サイズ用の酸化ケイ素の高密度プラズマ・エッチングについて実証されている。しかし、現代の半導体デバイス中で使用される多数のレベルは、酸化ケイ素層ならびに窒化ケイ素層、または窒化ケイ素層のみから構成される。ハードマスク用途では、厚い窒化物層は、単独か、または厚い酸化物層とともに存在し、不十分なフォトレジスト選択度およびそれに続く像完全性の損失のために現代の最新技術を使用して高密度プラズマ中でエッチングすることができない。高密度プラズマ反応器中の解離レベルが高いと、しばしばフルオロカーボン・ガス中のフッ素原子によって等方性エッチングが起こる。
　……（中略）……
【０００８】図１に、酸化物またはフォトレジスト２０中のブランケット窒化物層１０上で３５００Å分-1の窒化物エッチング速度を示す無酸素重合方法（Ｃ２Ｆ６／ＣＨ３Ｆ）の使用を示す。ブランケット窒化物層１０はシリコン基板１５上に形成される。しかしながら、エッチング・プロファイルは等方性であり、窒化物と酸化物または窒化物とフォトレジストとの境界３５のところに望ましくないアンダーカット３０が生じる。
【０００９】窒化ケイ素をエッチングする技術はよく開発されているが、この技術に固有のいくつかの問題がまだ存在する。１つの特定の問題は、高アスペクト比窒化ケイ素レベル用のエッチングである。したがって、フォトレジスト選択度を維持し、かつそれに続く像完全性の損失を回避しながら高いアスペクト比で窒化ケイ素をエッチングする方法が必要である。」
　（エ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、多層構造から窒化ケイ素層を異方性エッチングする方法は、励起されたエッチャント・ガスを含む高密度プラズマを形成するためにフルオロカーボン・ガス、水素源、および弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起するステップと、構造上の高密度プラズマの方向性を制御するために構造に電源を適用するステップと、窒化ケイ素層をエッチングするために高密度プラズマを窒化ケイ素層に導入するステップとを含む。
【００１１】本発明では、
フルオロカーボン・ガスはＣＦ
４
、Ｃ
２
Ｆ
６
、およびＣ
３
Ｆ
８
からなるグループから選択され、水素源はＣＨ
２
Ｆ
２
、ＣＨ
３
Ｆ、およびＨ
２
からなるグループから選択され、また弱いオキシダントはＣＯ、ＣＯ
２
、およびＯ
２
からなるグループから選択される
【００１２】本発明の範囲内のエッチャント・ガスの他の実施形態は、約４容積％〜２０容積％の量のフルオロカーボン・ガスを加えるステップ、約１０容積％〜３０容積％の量の水素源を加えるステップ、および約４０容積％〜７０容積％の量の弱いオキシダントを加えるステップを含む。
【００１３】本発明の他の実施形態によれば、ＲＦ電源など、プラズマの方向性の制御に使用される電源は、コイルなど、エッチャント・ガスを励起するために使用される電源から分離される。ＲＦ電源は、エッチングされる窒化ケイ素層を有する側に対向する側に適用されることが好ましい。
【００１４】本発明の他の実施形態によれば、エッチャント・ガスをチャンバに導入する。チャンバの圧力は、１ないし２０ミリトルに維持することが好ましい。次いでエッチャント・ガスを第１の電源に当てることによってガスを励起して、高密度プラズマを形成する。この実施形態は、第１の電源から分離された第２の電源を構造に適用することによって構造上のプラズマのバイアスを制御するステップを含む。プラズマを窒化ケイ素層に導入して、窒化ケイ素層中に少なくとも２：１、好ましくは少なくとも６：１のアスペクト比を有するフィーチャをエッチングする。」
　（オ）「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、フォトレジストに対する高い選択度を有し、かつ調節可能な異方性を与える窒化物エッチングを提供する。
より効率的な窒化物エッチングを可能にするドライ・エッチング方法
本発明の混合ガスは
窒化物エッチングのテーパ角度の微妙な制御が達成される
【００１６】本発明は、パッシベーション層の形成をもたらすフルオロカーボン・ポリマー前駆体種を使用し、したがってエッチングは異方性になる。本発明はまた、酸素含有種を使用して、垂直方向におけるイオン強化エッチングによるパッシベーション層の除去を援助する。フォトレジストは、フィーチャ中の窒化物の場合のようにマイクロローディングを受けないので、酸素を加えるとフォトレジストの選択度が低下する。レジストを保存するためにポリマー含有量を増加させれば、高アスペクト比フィーチャ中でエッチング停止がより起こり易くなる。
【００１７】本発明によれば、プラズマの方向性を制御するために使用される電源は、高密度プラズマを形成するエッチャント・ガスを励起するために使用される電源から分離される。したがって、分離された電源は、プラズマ発生機構からのウエハ上のバイアスの独立した制御を組み込む。イオン衝撃エネルギーは主としてウエハに対するバイアスによって制御されるが、イオン・フラックス（および密度）は主として発生構造（例えば、誘導プラズマ放射源中のコイル）に加えられた電力によって制御されるために「分離」なる語を使用する。この構造を図２に示す。エッチャント・ガスは（破線で示される）チャンバ４０中に導入され、
エッチャント・ガスは、第１の電源４５によって励起されて、イオン５５を有する高密度プラズマを形成する
【００１８】分離されたプラズマ放射源によって使用されるものなどバイアスされた基板は、ウエハ・プラテンの電位を一般に数千ボルトだけ振動させる。この電位のある部分は、プラズマ電子（シース・キャパシタンス）およびウエハ／チャック・キャパシタンスによって遮蔽されるが、ウエハに当たるイオンの加速度ははるかに大きくなり、一般に５０Ｖから５００Ｖに対応する加速度である。この追加のエネルギーは、ウエハ表面に対して直角な方向におけるエッチングを加速し、本発明における異方性エッチングの原因である。図２に示されるバイアスされた基板中で、ＲＦ電源５０は、基板６０の裏面、すなわち基板６０の（窒化ケイ素層など）エッチングされる層に対向する側に適用される。図２において、
基板６０は、シリコン基板上に形成される窒化ケイ素層を代表する
イオン５５を基板６０の方に加速し、それによりその方向におけるエッチング速度が速くなる。フォトレジスト６５上のパターンは、下地の層に直接転写
基板７０は、シリコン基板上に形成される窒化ケイ素層を代表する
【００１９】高密度プラズマは、プラズマ中の荷電粒子密度を示す。通常のまたは代表的な密度のプラズマ中では、イオン密度は一般に約１０１１ｃｍ−３よりも低いが、高密度放射源中では、分別イオン化は１０１１ｃｍ−３よりも大きい。高密度プラズマ放射源はプラズマ電子を反応器境界に対して直角な方向に加速し、したがって電子の平均自由行程はプラズマ寸法と比較して長くなる。このため動作圧力を低くすることができるが、またより高いイオン壁フラックスを有するプラズマを維持するためにより高い程度のイオン化が必要になる。
【００２０】
本発明の方法は、
６：１よりも高いアスペクト比の高密度プラズマ中での選択的異方性窒化物エッチングを提供する
【００２１】
本発明の例示的な実施形態では、図１に関して上記で説明した重合システムＣ
２
Ｆ
６
／ＣＨ
３
Ｆに弱いオキシダント、好ましくはＣＯまたはＣＯ
２
を加える
オキシダントの添加は、パッシベーション層の除去を助け、気相プラズマ・ケミストリのＣ／Ｆ比をより小さい値に切り替え、それによりエッチング速度がさらに速くなり、パッシベーション・ポリマーが減少する。結果を図４に示す
【００２２】図４は、
エッチング速度が約１００Å秒
−１
である理想に近いエッチング・プロファイルを示す。窒化物層１１０は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされ、酸化物またはフォトレジスト上層１２０はアンダーカットされていない。窒化物層１１０はシリコン基板１０５上に形成される。図示のフィーチャは窒化物層と基板との境界までエッチングされている
このフィーチャは、特定の必要に応じて、この境界のわずかに上または下までエッチングすることができる
好ましい混合ガスはＣ
２
Ｆ
６
、ＣＨ
３
Ｆ、ＣＯである
　（カ）「【００２３】上記の条件からＣＨ３ＦならびにＣＯを除去した場合、パッシベーション剤（ＣＨ３Ｆ）の損失が酸化剤（ＣＯ）の減少によって補償されるので、同様のプロファイル（図示せず）が得られる。例えば、１０標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）のＣ２Ｆ６、２０ｓｃｃｍのＣＨ３Ｆ、および６０ｓｃｃｍのＣＯの混合物から所望の結果が得られる。
【００２４】例えば、他の成分を一定にして重合剤（Ｃ２Ｆ６）を１０ｓｃｃｍから２０ｓｃｃｍに増加させると、図５に示すように、窒化物層１３０中のテーパ１３５の程度が増大する。窒化物層１３０は、酸化物層またはフォトレジスト層１４０の下に位置する。窒化物層１３０は、シリコン基板１４５上に形成される。高アスペクト比窒化物フィーチャ中でテーパ角度を慎重に制御することができるので、後の処理中にホールをより容易に充填することができる。
　……（中略）……
【００２６】本発明の範囲内の例示的な実施形態は、４％〜２０％のＣ２Ｆ６、１０％〜３０％のＣＨ３Ｆ、および４０％〜７０％のＣＯの混合ガスを含む。本発明による他の実施形態は、ダウンホール・ポリマーを生成するためのフルオロカーボン・ガス（例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８）、窒化物エッチング速度およびレジスト選択度を向上させるための水素源（例えば、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、希釈Ｈ２混合物）、および垂直表面上のポリマーを除去するための弱いオキシダント（例えば、ＣＯ、ＣＯ２、希釈Ｏ２）の適用を含む。」
　（キ）図２には、フォトレジスト６０が上面に設けられた基板６０を、イオン５５が垂直下向きに走行するチャンバ４０内に配置することが記載されている。
　イ　引用発明
　上記の（ア）〜（キ）から、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板をチャンバ内に配置し、フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起して形成した高密度プラズマを用いて前記窒化ケイ素層を異方性エッチングして、高いアスペクト比の選択的異方性窒化物エッチングを提供するドライ・エッチング方法であって、
　前記フルオロカーボン・ガスとしてＣ２Ｆ６を選択し、前記水素源としてＣＨ３Ｆを選択し、また前記弱いオキシダントとしてはＣＯまたはＣＯ２を選択した前記エッチャント・ガスを励起するステップと、
　前記高密度プラズマが有するイオンを前記基板の方に加速して、その方向におけるエッチング速度が速くして前記窒化ケイ素層を異方性エッチングすることで、前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップと、
　前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示すことを特徴とする、窒化物エッチングのテーパ角度の微妙な制御が達成されるドライ・エッチング方法。」
　ウ　引用例２の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において「引用文献２」として引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特表２００９−５２６３９８号公報（以下「引用例２」という。）には、「シリコンに対する誘電材料の選択エッチング方法及びシステム」（発明の名称）について、図１〜１２とともに次の事項が記載されている。
「【０００８】
　材料の処理方法においては、
ドライプラズマエッチングは、一の材料をエッチングする一方で他の材料を実質的にエッチングしない化学反応物を有するプラズマ化学を利用する
絶縁層には
シリコン窒化物(たとえばSi
2
N
3
)、又はこれら両方が含まれる
続いて絶縁層にはエッチング処理がなされる
素子の動作及び/又は信頼性にとっては、ポリシリコンゲート材料を実質的に減少させることなく、かつシリコン基板内に形成された凹部（図1B）を最小にして、スペーサが形成されることが重要である。凹部は2.7nm未満にまで減少させることが好ましく、1nm未満にまで減少させることがより好ましい
下地の（単結晶）シリコン基板のエッチングも最小限しながら、絶縁材料をエッチングする
（４）対比
　ア　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板」は、補正発明の「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板」に相当する。
　引用発明において、「高いアスペクト比の選択的異方性窒化物エッチングを提供する」とは、具体的には、「前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示すこと」であると認められる。ここで、「前記窒化ケイ素層」が「前記シリコン基板との境界までエッチングされる」ということは、「前記窒化ケイ素層」をエッチングする際の「前記シリコン基板」のオーバーエッチは無視できるということであり、つまり、「前記シリコン基板」には、エッチングによる凹部が実質的には形成されないことを意味すると認められる。
　したがって、引用発明の前記「基板」を「フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起して形成した高密度プラズマを用いて前記窒化ケイ素層を異方性エッチングして、高いアスペクト比の選択的異方性窒化物エッチングを提供するドライ・エッチング方法」と、補正発明の前記「基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法」とは、「基板を選択的にエッチングして、前記シリコン」には「シリコン凹部」が実質的には形成されず、「前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィル」はほぼ垂直である「前記基板を得るための方法」である点で共通する。
　（イ）引用発明の「チャンバ」は、その内部で「フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起して形成した高密度プラズマを用いて前記窒化ケイ素層を異方性エッチング」を行うことができる装置であるから、補正発明の「プラズマエッチングシステム」に相当する。
　そして、引用発明は、前記「異方性エッチング」を前記「チャンバ」内で行う。
　そうすると、引用発明が、補正発明の「シリコン上に前記シリコン窒化物層を含む前記基板をプラズマエッチングシステムに導入すること」に相当する、「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板をチャンバ内に」導入するステップを有することは自明である。
　（ウ）引用発明の「ドライ・エッチング方法」は、補正発明の「プラズマエッチングプロセス」に相当する。引用発明の「前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップ」は、前記「ドライ・エッチング方法」を用いて行われると認められる。
　また、引用発明において「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板」の「上面」は「窒化ケイ素層」の面であるから、前記「下地の層」は「窒化ケイ素層」を指すことは明らかである。そして、前記「転写」が「チャンバ内」で行われることも明らかである。
　そうすると、引用発明において「チャンバ内」で「前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写する」ことは、補正発明の「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写」することに相当する。
　また、引用発明の「弱いオキシダント」は、前記「エッチャント・ガス」において前記「フルオロカーボン・ガス」と前記「水素源」に「添加」されるガスである。しかし、引用発明の「弱いオキシダント」は、「ＣＯまたはＣＯ２」から「選択」されるものであって、補正発明のように「添加ガス」として特に「ＣＯ２ を含む」ことが選択されたガスではない。したがって、引用発明の「ＣＯまたはＣＯ２を選択」した「弱いオキシダント」と、補正発明の「ＣＯ２ を含む添加ガス」とは、酸化炭素を含む「添加ガス」である点で共通する。
　そして、引用発明の「エッチャント・ガス」から前記「弱いオキシダント」を除く、「Ｃ２Ｆ６」が「選択」された「フルオロカーボン・ガス」と、「ＣＨ３Ｆ」が「選択」された「水素源」とを併せたものは、補正発明の「Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス」に相当する。
　そうすると、引用発明の「混合ガス」である「フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガス」は、後述する「添加ガス」に関する相違点を除き、補正発明の「プロセスガス組成物」に相当する。
　以上から、引用発明の「前記高密度プラズマが有するイオンを前記基板の方に加速して、その方向におけるエッチング速度が速くして前記窒化ケイ素層を異方性エッチングすることで、前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップ」と、補正発明の「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写し、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２ を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること」とは、「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写し、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス」及び酸化炭素を含む「添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること」である点で共通する。
　（エ）引用発明において、「前記弱いオキシダントの添加」は「ドライ・エッチング方法」で行われるものであるが、「前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」ことは、「前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップ」を実行した結果としての「前記窒化ケイ素層」の「エッチング・プロファイル」を示すものである。
　これに対して、補正発明の「前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択すること」は、「前記プラズマエッチングプロセス」における「添加ガスの量」の「選択」手順を示すものと認められる。
　したがって、引用発明の「前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」ことと、補正発明の「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択すること」とは、「前記プラズマエッチングプロセス」で「前記添加ガス」により「（１）前記シリコン」に「シリコン凹部」が実質的には形成されないこと、及び「（２）前記パターンの側壁プロフィル」がほぼ垂直であること、「を達成するように」「すること」である点で共通する。
　イ　一致点と相違点
　以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違している。
（一致点）
「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が実質的には形成されず、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルはほぼ垂直である前記基板を得るための方法であり、前記方法は：
　　シリコン上に前記シリコン窒化物層を含む前記基板をプラズマエッチングシステムに導入すること；
　　プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へ前記パターンを転写し、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及び酸化炭素を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用すること；及び
　　前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスにより、（１）前記シリコンにシリコン凹部が実質的には形成されないこと、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルがほぼ垂直であること、を達成するようにすること、
を含む、方法。」
　
（相違点）
　（相違点１）
　補正発明の「方法」は「前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法」であるのに対して、引用発明の「ドライ・エッチング方法」は「高いアスペクト比の選択的異方性窒化物エッチングを提供する」方法である点。
　（相違点２）
　補正発明の「添加ガス」は「ＣＯ２ を含む」のに対して、引用発明の「弱いオキシダント」は「ＣＯまたはＣＯ２を選択した」ものである点。
　（相違点３）
　補正発明は「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択する」のに対して、引用発明は「ドライ・エッチング方法」において「前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」点。
（５）相違点１〜３についての当審の判断
　ア　第２の３（３）アのとおり、引用例１には、図４に示された、シリコン基板１０５上に形成された窒化物層１１０の理想に近いエッチング・プロファイルの説明として、窒化物層１１０は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされること、及び窒化物層１１０とシリコン基板１０５との境界までエッチングされることが、それぞれ記載されており（段落【００２２】、第２の３（３）ア（オ））、当該記載より、引用発明は、シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層に対して、高いアスペクト比の選択的異方性窒化物エッチングを提供するドライ・エッチング方法であって、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示すものと認められる。
　また、引用例２の記載（段落【０００８】、第２の３（３）ウ）より、シリコン基板上に形成されたシリコン窒化物をプラズマエッチングする際、当該エッチングによるシリコン基板のエッチングを最小限とし、当該エッチングにより前記シリコン基板内に形成される凹部の深さを２．７ｎｍ未満にまで減少させることが好ましいことは、本願の優先権主張の日前、公知であったと認められる。
　してみれば、引用発明において、シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層を、その側壁がシリコン基板表面となす角度が可能な限り９０度に近づくようにエッチングすることは、引用例１の記載に接した当業者が当業者が当然に行い得るものと認められ、前記角度の９０度からの偏差をどの程度に設定するかは、当業者が適宜選択し得るものといえる。
　そして、引用発明において、前記窒化ケイ素層をエッチングする際の前記シリコン基板のエッチングを可能な限り小さくすることも、引用例１の記載に接した当業者が当然に行い得るものと認められ、引用例２に記載された事項に鑑みれば、前記窒化ケイ素層をエッチングする際に前記シリコン基板に形成される凹部を、２．７ｎｍ未満にまで減少させることは、当業者が普通に行い得るものといえる。
　イ　他方、本願明細書には、補正発明の実施例として、「中心凹部」及び「端部凹部」がそれぞれ７，１ｎｍで、且つ「中央プロフィル」及び「端部プロフィル」が、それぞれ８９．５度及び８９度である、表１及び表２（【００７２】及び【００７３】）の「プロセス番号３」だけが記載されている。
　そして、本願明細書には、補正発明における「前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること」における「シリコン凹部」の上限値、及び「前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること」における「９０度からの角度偏差」の上限値、それぞれの臨界的意義に関する説明は記載されていない。
　してみれば、本願明細書の記載から、補正発明における前記「シリコン凹部」の上限値、及び前記「９０度からの角度偏差」の上限値それぞれの設定によって、格別の作用効果を奏するとは認められず、この点に、格別の技術的意義があるとは認められない。
　ウ　前記アのとおり、引用発明において、シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層をエッチングする際に、その側壁がシリコン基板表面となす角度の９０度からの偏差をどの程度に設定するかは、当業者が適宜選択し得るものと認められ、また、前記窒化ケイ素層をエッチングする際に前記シリコン基板に形成される凹部を、２．７ｎｍ未満にまで減少させることは、当業者が普通に行い得るものといえる。
　そして、前記イのとおり、補正発明における「前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること」における「シリコン凹部」の上限値、及び「前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること」における「９０度からの角度偏差」の上限値に、格別の技術的意義があるとは認められない。
　そうすると、引用発明において、前記窒化ケイ素層をエッチングする際に、前記シリコン基板に形成される凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さとなり、前記窒化ケイ素層の側壁がシリコン基板表面となす角度の９０度からの偏差が２度未満となるようにすることは、引用例１に記載の前記窒化物層の理想に近いエッチング・プロファイルを得るために、当業者が、適宜なし得たものと認められる。
　エ　ところで、第２の３（３）アのとおり、引用例１には、エッチャント・ガスを構成する、フルオロカーボン・ガスであるＣ２Ｆ６及び水素源であるＣＨ３Ｆに、弱いオキシダント（補正発明の「添加ガス」に相当。）として、好ましくはＣＯまたはＣＯ２を添加することにより、パッシベーション層の除去を助け、気相プラズマ・ケミストリのＣ／Ｆ比をより小さい値に切り替え、それによりエッチング速度がさらに速くなり、パッシベーション・ポリマーが減少するので、その結果、図４に示された、窒化物層１１０は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされ、及び窒化物層１１０とシリコン基板１０５との境界までエッチングされる、理想に近いエッチング・プロファイルが得られるとの記載（段落【００２１】及び【００２２】、第２の（３）ア（オ））があり、当該記載より、引用発明は、シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層を、フルオロカーボン・ガスとしてＣ２Ｆ６を、水素源としてＣＨ３Ｆを、弱いオキシダントとしてはＣＯまたはＣＯ２を、それぞれ選択したエッチャント・ガスを励起して形成した高密度プラズマを用いて異方性エッチングするドライエッチング方法であって、前記弱いオキシダントの添加の結果、「前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようエッチングされるとともに、前記シリコン基板の境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」ものと認められる。
　そして、引用発明において、エッチャント・ガスにおける前記弱いオキシダントの添加量により、パッシベーション層の除去が制御されて前記窒化ケイ素層の側壁と前記シリコン基板表面とがなす角度が変化することや、エッチング速度が制御されて前記シリコン基板に形成される凹部の深さが変化することは、引用例１の上記の記載から、当業者には自明と認められる。
　そうすると、前記ウのとおり、シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層をエッチングする際に、前記シリコン基板に形成される凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さとなり、前記窒化ケイ素層の側壁がシリコン基板表面となす角度の９０度からの偏差が２度未満となるようにすることは、引用例１に記載の前記窒化物層の理想に近いエッチング・プロファイルを得るために、当業者が、適宜なし得たものと認められるところ、その際に、前記「シリコン凹部」の深さに関する条件、及び前記「窒化ケイ素層」の側壁の角度に関する条件を満たすように、エッチャント・ガスにおける前記弱いオキシダントの添加量を選択することは、引用例１の記載に接した当業者が、普通に行い得るものといえる。
　そして、前記理想に近いエッチング・プロファイルを得るにあたり、前記弱いオキシダントとしてＣＯ２を選択することは、引用例１の記載に接した当業者が当然に行い得るものといえる。
　オ　引用発明において、補正発明のように「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ）層を含む基板を選択的にエッチングして、前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さを有し、及び（２）前記シリコン窒化物層へ転写されるパターンの側壁プロフィルは９０度から２度未満の角度偏差を有する前記基板を得るための方法」とすること、すなわち、相違点１に係る構成とすることは、前記アないしウの理由により、引用例１及び引用例２にそれぞれ記載された事項に接した当業者が、適宜なし得たものと認められる。
　そして、引用発明において、エッチャント・ガスにおける弱いオキシダントとして、補正発明のようにＣＯ２を選択すること、すなわち、相違点２に係る構成とすることは、前記エのとおり、引用例１の記載に接した当業者が当然に行い得るものと認められ、また、前記弱いオキシダントの添加量を、補正発明のように「（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること」を達成するように選択すること、すなわち、相違点３に係る構成とすることも、前記アないしエの理由により、引用例１及び引用例２にそれぞれ記載された事項に接した当業者が、普通に行い得るものと認められる。
　以上から、引用発明において、前記相違点１〜３に係る構成とすることは、引用例１及び引用例２にそれぞれ記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認める。
（６）独立特許要件の検討のまとめ
　以上から、引用発明を相違点１ないし相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、補正発明の効果も、当業者が引用発明から予期し得たものと認められる。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
４　小括
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２８年４月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２０に係る発明は、平成２７年７月６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、再掲すると、次のとおりのものである。
「基板を選択的にエッチングするための方法であり、前記方法は：
　　シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ　）層を含む基板をプラズマエッチングシステムに導入すること；
プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２　を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用し；及び
　　前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであり、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの偏差が２度未満であるように選択される、方法。」
　
２　引用例の記載事項及び引用発明
　引用例１及び引用例２の記載事項は、第２の３（３）ア、ウで摘記したとおりである。
　また、引用発明は、第２の３（３）イで認定したとおりのものである。
　
３　対比
　ア　本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板」は、本願発明の「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ ）層を含む基板」に相当する。
　そして、引用発明の前記「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板」を「チャンバ内に配置し、フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起して形成した高密度プラズマを用いて前記窒化ケイ素層を異方性エッチングして、高いアスペクト比の選択的異方性窒化物エッチングを提供するドライ・エッチング方法」は、本願発明の「基板を選択的にエッチングするための方法」に相当する。
　（イ）引用発明の「チャンバ」は、その内部で「フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガスを励起して形成した高密度プラズマを用いて前記窒化ケイ素層を異方性エッチング」を行うことができる装置であるから、本願発明の「プラズマエッチングシステム」に相当する。
　そして、引用発明は、「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板をチャンバ内に配置し」て前記「異方性エッチング」を行う。
　そうすると、引用発明における「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板をチャンバ内に」配置することは、本願発明の「シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ　）層を含む基板をプラズマエッチングシステムに導入すること」に相当する。
　（ウ）引用発明の「ドライ・エッチング方法」は、本願発明の「プラズマエッチングプロセス」に相当する。引用発明の「前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップ」は、前記「ドライ・エッチング方法」を用いて行われると認められる。
　また、引用発明において「シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成された基板」の「上面」は「窒化ケイ素層」の面であるから、前記「下地の層」は「窒化ケイ素層」を指すことは明らかである。そして、前記「転写」が「チャンバ内」で行われることも明らかである。
　そうすると、引用発明において「チャンバ内」で「前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写する」ことは、本願発明の「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写」することに相当する。
　また、引用発明の「弱いオキシダント」は、前記「エッチャント・ガス」において前記「フルオロカーボン・ガス」と前記「水素源」に「添加」されるガスである。しかし、引用発明の「弱いオキシダント」は、「ＣＯまたはＣＯ２」から「選択」されるものであって、本願発明のように「添加ガス」として特に「ＣＯ２ を含む」ことが選択されたガスではない。したがって、引用発明の「ＣＯまたはＣＯ２を選択」した「弱いオキシダント」と、本願発明の「ＣＯ２ を含む添加ガス」とは、酸化炭素を含む「添加ガス」である点で共通する。
　そして、引用発明の「エッチャント・ガス」から前記「弱いオキシダント」を除く、「Ｃ２Ｆ６」が「選択」された「フルオロカーボン・ガス」と、「ＣＨ３Ｆ」が「選択」された「水素源」とを併せたものは、後述する「添加ガス」に関する相違点を除き、本願発明の「Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス」に相当する。
　そうすると、引用発明の「混合ガス」である「フルオロカーボン・ガス、水素源、及び弱いオキシダントを含むエッチャント・ガス」は、本願発明の「プロセスガス組成物」に相当する。
　以上から、引用発明の「前記高密度プラズマが有するイオンを前記基板の方に加速して、その方向におけるエッチング速度が速くして前記窒化ケイ素層を異方性エッチングすることで、前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップ」と、本願発明の「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及びＣＯ２　を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用」することとは、「プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス」及び酸化炭素を含む「添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用」することである点で共通する。
　（エ）引用発明において、「前記弱いオキシダントの添加」は「ドライ・エッチング方法」で行われるものであるが、「前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」ことは、「前記基板の上面に設けられたフォトレジスト上のパターンを下地の層に直接転写するステップ」を実行した結果としての「前記窒化ケイ素層」の「エッチング・プロファイル」を示すものである。
　これに対して、本願発明の「前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであること、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であること、を達成するように選択すること」は、「前記プラズマエッチングプロセス」における「添加ガスの量」の「選択」手順を示すものと認められる。
　したがって、引用発明の「前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」ことと、本願発明の「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであり、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの偏差が２度未満であるように選択される」こととは、「前記プラズマエッチングプロセス」で「前記添加ガス」により「（１）前記シリコン」に「シリコン凹部」が実質的には形成されなく、及び「（２）前記パターンの側壁プロフィル」がほぼ垂直である「ように」「される」点で共通する。
　イ　一致点と相違点
　以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違している。
（一致点）
「基板を選択的にエッチングするための方法であり、前記方法は：
　　シリコン上にシリコン窒化物（ＳｉＮｙ　）層を含む基板をプラズマエッチングシステムに導入すること；
プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、Ｃ、Ｈ及びＦを含むプロセスガス、及び酸化炭素を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用し；及び
　　前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスにより、（１）前記シリコンにシリコン凹部が実質的には形成されなく、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルがほぼ垂直であるようにされる、方法。」
　
（相違点）
　（相違点４）
　本願発明の「添加ガス」は「ＣＯ２ を含む」のに対して、引用発明の「弱いオキシダント」は「ＣＯまたはＣＯ２を選択した」ものである点。
　（相違点５）
　本願発明は「前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、（１）前記シリコンに形成されるシリコン凹部が１０ナノメートル（ｎｍ）未満の深さであり、及び（２）前記パターンの側壁プロフィルが９０度からの角度偏差が２度未満であるように選択される」のに対して、引用発明は「ドライ・エッチング方法」において「前記弱いオキシダントの添加の結果、前記窒化ケイ素層は、側壁がほぼ垂直になるようにエッチングされるとともに、前記シリコン基板との境界までエッチングされるというエッチング・プロファイルを示す」点。
４　判断
　前記第２の３（４）イのとおり、前記相違点４及び５は、それぞれ、補正発明と引用発明との相違点２及び３と同一のものである。
　そうすると、前記第２の３（５）ア〜オの理由により、引用発明において相違点４及び５に係る構成とすることは、引用例１及び引用例２にそれぞれ記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、本願発明の効果も、引用発明及び引用例２の記載から当業者が予期し得たものと認められる。
　よって、本願発明は、引用例２の記載を参酌すれば、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　結言
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明及び引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。