Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
簡略化した画像内で縁の画素をそのままにするシステムであって、
簡略化した所定のパーセンテージに対応するハーフトーンスクリーン処理を用いて、連続画像データの画素を、二値画像データの画素に変換するハーフトーン処理回路と、
前記二値画像データ内の縁以外の画素を判定する縁検知回路と、
を含み、
前記縁検知回路は、
前記二値画像データの画素のウィンドウ内の対象画素が白以外の画素であるかどうかを判定し、
前記対象画素が前記白以外の画素であると判定すると、前記ウィンドウを、前記所定のパーセンテージに対応する二値画像データの画素の所定のパターンと比較し、
前記所定のパターン内の全ての白以外の画素の位置が、前記ウィンドウ内の白以外の画素の位置に対応すると判定すると、前記対象画素は縁以外の画素であると判定し、
前記ハーフトーンスクリーン処理は、
所定の数の閾値を有し、前記所定の数の第１のパーセンテージの第１の数の閾値を第１の値に設定し、
前記所定の数の第２のパーセンテージの第２の数の直線的に目盛付けされた閾値を有し、
前記第１のパーセンテージは、１００％から前記所定のパーセンテージを引いたパーセンテージと同じであり、
前記第２のパーセンテージは、前記所定のパーセンテージと同じであり、
前記所定のパターンは、前記連続画像データの画素が変換された前記二値画像データの画素を含まない、
システム。
【請求項２】
前記縁検知回路は、前記所定のパターン内の白以外の画素の１つの位置が、前記ウィンドウ内の白以外の画素の位置に対応しないと判定すると、前記対象画素は縁の画素であると判定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記白以外の画素は、黒の画素である、請求項１又は請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ハーフトーン処理回路は、閾値より小さい値を有する前記連続画像データの画素を、前記二値画像データの白以外の画素に変換する、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記ハーフトーン処理回路は、閾値以上の値を有する前記連続画像データの画素を、前記二値画像データの白画素に変換する、請求項１〜請求項４の何れか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月28日(2015.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に開口部を有し、内部にＸ線管球が収納された環状回転体と、
筒状に形成され、前記開口部に嵌め込まれることにより、前記開口部の中心側から前記環状回転体を覆う筒側部を有し、前記筒側部に前記Ｘ線管球からのＸ線を透過するＸ線透過口が形成されたカバーと、
前記Ｘ線透過口を塞ぐように配置され、防音層を挟むように設けられたシート状の二つの防音部材と、
を有する
ことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
前記防音部材は、ポリエチレンテレフタレートにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項３】
前記防音層は、空気層であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項４】
前記防音部材の厚さは、０．５［ｍｍ］から１．０［ｍｍ］であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項５】
検査対象となる被検者の体表にレーザ光を照射することにより、前記体表に目印を付けるように構成され、
前記防音部材は、有色の前記レーザ光を透過する有色フィルムにより構成されることを特徴とする請求項４に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項６】
前記防音部材は、前記有色フィルムと無色透明フィルムとを重ね合わせることにより構成されることを特徴とする請求項５に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項７】
前記有色フィルムは、無色透明の基材に、前記有色のレーザ光を透過する着色剤を練り込むことにより形成されることを特徴とする請求項５に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項８】
薄膜状の基材の両面に接着剤が塗られた両面テープをさらに有し、
前記両面テープにより二つの防音部材が貼り合わせられることを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項９】
前記両面テープの厚さは、０．５［ｍｍ］から１．０［ｍｍ］であることを特徴とする請求項８に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項１０】
前記防音層は、吸音シートにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項１１】
前記吸音シートは、グラスウールを含む多孔質材料であることを特徴とする請求項１０に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項１２】
前記防音層は、音響反射材により形成されることを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、実施形態のＸ線ＣＴ装置は、中央に開口部を有し、内部にＸ線管球が収納された環状回転体と、筒状に形成され、開口部に嵌め込まれることにより、開口部の中心側から環状回転体を覆う筒側部を有し、筒側部にＸ線管球からのＸ線を透過するＸ線透過口が形成されたカバーと、Ｘ線透過口を塞ぐように配置され、防音層を挟むように設けられたシート状の二つの防音部材と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を貼り合せる基板貼合装置であって、
前記複数の基板の少なくとも一つを一方から他方に受け渡す二つの受渡部と、
前記他方の受渡部が有する受渡面の傾斜を、前記一方の受渡部が有する受渡面の傾斜に応じて調整する調整部と、
を備える基板貼合装置。
【請求項２】
前記調整部は、前記一方の受渡部の前記受渡面に平行になるように前記他方の受渡部の前記受渡面の傾斜を調整する請求項１に記載の基板貼合装置。
【請求項３】
前記調整部は、基板を支持しつつ個別に昇降する複数の押上ピンを含み、前記複数の押上ピンのいずれかの昇降により、前記複数の押上ピンが形成する受渡面の傾斜を変化させる請求項２に記載の基板貼合装置。
【請求項４】
前記調整部は、基板を搬送する搬送ロボットと基板を受け渡す場合に、前記複数の押上ピンが形成する受渡面を、前記搬送ロボットが有する受渡面に対して調整する請求項３に記載の基板貼合装置。
【請求項５】
前記調整部は、前記複数の押上ピンの各々が個別に受ける負荷を均等にすることにより、前記複数の押上ピンが形成する受渡面の傾斜を調整する請求項３または請求項４に記載の基板貼合装置。
【請求項６】
前記調整部は、揺動することにより、基板を搭載する受渡面の傾斜を変化させるステージを含む請求項２から請求項５までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項７】
前記調整部は、基板を支持する複数の押上ピンと基板を受け渡す場合に、前記ステージの受渡面を前記複数の押上ピンが形成する受渡面に整合させる請求項６に記載の基板貼合装置。
【請求項８】
前記調整部は、基板を搬送する搬送ロボットを駆動するアクチュエータの負荷の大きさに基づいて、受渡面の傾斜を変化させる請求項２から請求項７までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項９】
前記調整部は、前記一方の受渡部が基板と共に保持する基板ホルダの重量に基づいて、前記他方の受渡部の前記受渡面の傾斜を変化させる請求項２から請求項８までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項１０】
前記調整部は、前記基板ホルダの重量を検出し、検出した重量に基づいて前記受渡面を変化させる請求項９に記載の基板貼合装置。
【請求項１１】
前記調整部は、前記一方の受渡部が基板を保持した場合に形成する受渡面に整合すべく、前記他方の受渡部の前記受渡面を変位させる請求項２から請求項１０までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項１２】
前記調整部は、前記一方の受渡部が基板を保持した場合に形成する受渡面と、当該受渡部が基板を保持していない場合に形成する受渡面との中間に位置する受渡面に整合すべく、前記他方の受渡部の前記受渡面を変位させる請求項２から請求項１１までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項１３】
前記調整部は、前記受渡面にかかる荷重により弾性変形する変形部を含む請求項２から請求項１２までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項１４】
前記調整部は、受け渡しの過程で生じる受渡面の変化に追従して受渡面の傾斜を変化させる請求項２から請求項１３までのいずれか一項に記載の基板貼合装置。
【請求項１５】
複数の基板を貼り合せる基板貼合方法であって、
前記複数の基板の少なくとも一つを二つの受渡部の一方から他方に受け渡す場合に、前記他方の受渡部の受渡面の傾斜を、前記一方の受渡部の受渡面の傾斜に応じて調整する段階を含む基板貼合方法。
【請求項１６】
複数の基板の貼り合せを基板貼合装置に実行させる基板貼合プログラムであって、
前記複数の基板の少なくとも一つを、二つの受渡部の一方から他方に受け渡す場合に、前記他方の受渡部の受渡面の傾斜を、前記一方の受渡部の受渡面の傾斜に応じて調整するステップを含む基板貼合プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部材と第２の部材とを互いに位置合わせするアライメント装置であって、
前記第１の部材に設けられた構造物の位置である構造物位置と、前記第１の部材に配されたアライメントマークの位置であるマーク位置とを含む位置情報を取得する取得部と、
取得した前記位置情報、及び、前記第２の部材のアライメントマークのマーク位置を用いて、前記第１の部材及び前記第２の部材を互いに位置合わせする位置合わせ部と、
を備えるアライメント装置。
【請求項２】
前記第１の部材は、第１の半導体基板であり、前記第２の部材は、第２の半導体基板であり、前記構造物は、前記第１の半導体基板に設けられ、前記第２の半導体基板と電気的に接続される接続部である請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項３】
前記位置合わせ部は、前記構造物位置と前記構造物の設計上の位置である構造物設計位置とのずれ量に基づいて、前記第１の部材および前記第２の部材を互いに位置合わせする請求項１または２に記載のアライメント装置。
【請求項４】
前記位置情報から前記第１の部材の前記構造物と、前記第２の部材の構造物との相対位置関係を算出して出力する位置関係算出部と、
前記相対位置関係に基づいて、前記第１の部材と前記第２の部材とを位置合わせする請求項３に記載のアライメント装置。
【請求項５】
前記位置関係算出部は、前記第１の部材において、前記アライメントマークの設計上の位置であるマーク設計位置と前記マーク位置との相違が小さくなるマーク移動量と、前記構造物設計位置と前記構造物位置との相違が小さくなる構造物移動量とをそれぞれ算出し、前記マーク移動量および前記構造物移動量に基づいて、前記第１の部材の前記構造物が前記第２の部材の前記構造物に予め定められた位置で重なり合うように前記第１の部材と前記第２の部材との位置合わせを行う請求項４に記載のアライメント装置。
【請求項６】
前記位置関係算出部は、前記第２の部材において前記マーク移動量と前記構造物移動量とを算出し、前記第１の部材および前記第２の部材のそれぞれの前記マーク移動量および前記構造物移動量に基づいて、前記第１の部材および前記第２の部材の少なくとも一方の移動量を算出する請求項５に記載のアライメント装置。
【請求項７】
前記アライメントマークを観察して画像を前記取得部に出力する観察部を備える請求項４から６のいずれか一項に記載のアライメント装置。
【請求項８】
前記第１の部材と前記第２の部材の複数の組の位置合わせする場合において、
前記位置関係算出部は、前記第１の部材を複数のクラスタに分割して、クラスタごとに前記構造物設計位置に対する前記構造物位置の誤差を算出して、他の組の部材の前記マーク位置、前記位置情報及び前記誤差から仮想の構造物実測位置を算出する請求項７に記載のアライメント装置。
【請求項９】
前記位置関係算出部は、前記部材の最初の組で算出した前記マーク位置の個数より、前記部材の後の組で算出する前記マーク位置の個数を減らす請求項８に記載のアライメント装置。
【請求項１０】
前記観察部は、前記部材の最初の組で前記マーク位置の算出に用いた前記アライメントマークに対応するアライメントマークを前記部材の後の組で観察する請求項９に記載のアライメント装置。
【請求項１１】
前記位置合わせ部は、前記ずれ量を補正量として用いる請求項３に記載のアライメント装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載のアライメント装置を備え、前記アライメント装置で位置合わせされた前記第１の部材および前記第２の部材を互いに貼り合わせる貼り合わせ装置。
【請求項１３】
第１の部材と第２の部材とを互いに位置合わせする位置合わせ方法であって、
前記第１の部材に設けられた構造物の位置である構造物位置と、前記１の部材に配されたアライメントマークの位置であるマーク位置とを含む位置情報を取得する取得段階と、
取得した前記位置情報、及び、前記第２の部材のアライメントマークのマーク位置を用いて、前記第１の部材及び前記第２の部材とを位置合わせする位置合わせ段階と、
を含む位置合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アライメント装置、貼り合わせ装置および位置合わせ方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物層と、
前記酸化物層と電気的に接続された、ソース電極層と第１及び第２のドレイン電極層と、
ゲート絶縁膜を挟んで、前記ソース電極層、前記第１のドレイン電極層、及び前記酸化物層と重なる第１のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記ソース電極層、前記第２のドレイン電極層、及び前記酸化物層と重なる第２のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記酸化物層の側面と重なる第３のゲート電極層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極層と前記第１のドレイン電極層は、トランジスタのチャネル長方向と略平行な方向に沿って並置され、
前記ソース電極層と前記第２のドレイン電極層は、前記トランジスタのチャネル長方向と略平行な方向に沿って並置され、
前記第１及び第２のゲート電極層は、前記トランジスタのチャネル幅方向と略平行な方向に沿って並置されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
ゲート電極層が前記第１のドレイン電極層に電気的に接続される第１のトランジスタと、
ゲート電極層が前記第２のドレイン電極層に電気的に接続される第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のゲート電極層の電位に従い、前記第１のトランジスタのゲート電極層に蓄積される電荷が第１のデータとして保持され、
前記第２のゲート電極層の電位に従い、前記第２のトランジスタのゲート電極層に蓄積される電荷が第２のデータとして保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１及び第２のデータは、２ビット以上のデータであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月13日(2016.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜及び酸化物膜が積層された多層膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、又はＮｄ）を有し、
前記酸化物膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、又はＮｄ）を有し、
前記酸化物膜は、前記酸化物半導体膜よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さく、
前記酸化物膜のＭの原子数比は、前記酸化物膜のＩｎの原子数比以上であり、
前記酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の上面と接して設けられ、
前記酸化物半導体膜の上端と前記酸化物膜の下端が略一致し、
前記多層膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜の下面と前記酸化物半導体膜の側面とは、第１の角度をなし、
前記酸化物膜の下面と前記酸化物膜の側面とは、第２の角度をなし、
前記第１の角度は、前記第２の角度よりも小さく、且つ鋭角であり、
前記ソース電極は、前記酸化物膜の上面に接する領域と、前記酸化物膜の側面に接する領域と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域と、を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物膜の上面に接する領域と、前記酸化物膜の側面に接する領域と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月25日(2016.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層に接する領域をそれぞれ有する、第１の電極および第２の電極と、
前記第１の電極および前記第２の電極上の、第３の酸化物層と、
前記第３の酸化物層の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、第３の電極と、を有し、
前記第３の酸化物層は、前記酸化物半導体層の一部に接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の酸化物層は、前記第２の酸化物層を構成する金属元素のうち、１種類以上の同じ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の酸化物層と第２の酸化物層の間に酸化物半導体層を有する積層体と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
第３の酸化物層と、
ゲート絶縁層と、
ゲート電極と、を有し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極は、それぞれ、前記積層体の一部に接する領域を有し、
前記第３の酸化物層は、前記積層体の一部に接する領域を有し、かつ前記ソース電極と前記ドレイン電極の一部と重なる領域を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第３の酸化物層は、前記第１の酸化物層又は前記第２の酸化物層と接する領域を有し、
前記第３の酸化物層は、前記第１の酸化物層又は前記第２の酸化物層を構成する金属元素のうち、１種類以上の同じ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の酸化物層と、前記第２の酸化物層とは、それぞれ、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち、１種類以上の同じ金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、またはＺｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の酸化物層の電子親和力と、前記第２の酸化物層の電子親和力は、それぞれ、前記酸化物半導体層の電子親和力よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第３の酸化物層の電子親和力は、前記酸化物半導体層の電子親和力よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第３の酸化物層の電子親和力は、前記第２の酸化物層の電子親和力よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の酸化物層の端部は、第１のテーパ角を有し、
前記酸化物半導体層の端部は、第２のテーパ角を有し、
前記第２の酸化物層の端部は、第３のテーパ角を有し、
前記第２のテーパ角は、前記第１のテーパ角及び前記第３のテーパ角よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ層を一対の電極間に有する発光素子であり、前記ＥＬ層を液体クロマトグラフ質量分析により解析した時、
ｍ／ｚが７７２であるイオンが検出され、
前記ｍ／ｚが７７２であるイオンをアルゴンガスに衝突させることで、少なくとも
ｍ／ｚが３４９であるイオンと、
ｍ／ｚが４２５であるイオンと、のいずれか一以上が検出される発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記ｍ／ｚが３４９であるイオンと前記ｍ／ｚが４２５であるイオンは、
前記ｍ／ｚが７７２であるイオンのプロダクトイオンである発光素子。
【請求項３】
ＥＬ層を一対の電極間に有する発光素子であり、前記ＥＬ層を液体クロマトグラフ質量分析により解析した時、少なくとも
カルバゾール骨格およびジベンゾチオフェン骨格が結合した化合物である、ｍ／ｚが３４９であるイオンと、
カルバゾール骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびベンゼン環が結合した化合物である、ｍ／ｚが４２５であるイオンと、のいずれか一以上が検出される発光素子。
【請求項４】
ＥＬ層を一対の電極間に有する発光素子であり、前記ＥＬ層を液体クロマトグラフ質量分析により解析した時、
組成式がＣ５４Ｈ３０〜３４Ｎ２Ｓ２であるイオンが検出され、
液体クロマトグラフによって分離された、前記組成式がＣ５４Ｈ３０〜３４Ｎ２Ｓ２であるイオンに対して、質量分析により解析すると、少なくとも
組成式がＣ２４Ｈ１２〜１６ＮＳであるイオンと、
組成式がＣ３０Ｈ１７〜２１ＮＳであるイオンと、のいずれか一以上が検出される発光素子。
【請求項５】
ＥＬ層を一対の電極間に有する発光素子であり、液体クロマトグラフ質量分析により解析した時、少なくとも
Ｃ５４Ｈ３０〜３４Ｎ２Ｓ２に相当する分子量と、
Ｃ３０Ｈ１７〜２１ＮＳに相当する分子量と、
Ｃ２４Ｈ１２〜１６ＮＳに相当する分子量と、のいずれか一以上が検出される化合物を含む発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記化合物の分子構造には、カルバゾール骨格およびジベンゾチオフェン骨格が含まれる発光素子。
【請求項７】
ＥＬ層を一対の電極間に有する発光素子であり、前記ＥＬ層は、
下記一般式（Ｇ１）で表される化合物を含み、
前記ＥＬ層を液体クロマトグラフ質量分析により解析した時、前記下記一般式（Ｇ１）で表される化合物のイオンをアルゴンガスに衝突させることで、少なくとも
下記一般式（Ｇ２）で表される化合物のイオン、
もしくは下記一般式（Ｇ３）で表される化合物のイオン、
または前記下記一般式（Ｇ２）で表される化合物のイオンおよび前記下記一般式（Ｇ３）で表される化合物のイオンの両方が検出される発光素子。
【化１】
2014116595.tif 000001
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニレン基又はビフェニルジイル基を表し、Ｒ１乃至Ｒ１４はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至４のアルキル基、又は炭素数６乃至１２のアリール基のいずれかを表す。）
【化２】
2014116595.tif 000002
（但し、一般式（Ｇ２）中、Ｒ１乃至Ｒ７はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至４のアルキル基、又は炭素数６乃至１２のアリール基のいずれかを表す。）
【化３】
2014116595.tif 000003
（但し、一般式（Ｇ３）中、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基又はビフェニル基を表し、Ｒ８乃至Ｒ１４はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至４のアルキル基、又は炭素数６乃至１２のアリール基のいずれかを表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月19日(2016.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の第１導電膜と、
前記酸化物半導体膜上及び一対の前記第１導電膜上の絶縁層と、
前記絶縁層上において、前記酸化物半導体膜と重なる第２導電膜と、を有し、
前記絶縁層は、少なくとも第１の層乃至第３の層を有し、
一対の前記第１導電膜と前記第２の層の間に位置する前記第１の層と、前記第２の層と前記第２導電膜の間に位置する前記第３の層は、珪素またはアルミニウムの酸化物または窒化物を含み、
前記第２の層は、ガリウム、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物を含む半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上の第１導電膜と、
前記第１導電膜上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上において、前記第１導電膜と重なる酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の第２導電膜と、
前記酸化物半導体膜上及び一対の前記第２導電膜上の第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上において、前記酸化物半導体膜と重なる第３導電膜と、を有し、
前記第１絶縁層は、少なくとも第１の層乃至第３の層を有し、
前記第２絶縁層は、少なくとも第４の層乃至第６の層を有し、
前記第１導電膜と前記第２の層の間に位置する前記第１の層と、前記第２の層と前記酸化物半導体膜の間に位置する前記第３の層は、珪素またはアルミニウムの酸化物または窒化物を含み、
前記第２の層は、ガリウム、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物を含み、
一対の前記第２導電膜と前記第５の層の間に位置する前記第４の層と、前記第５の層と前記第３導電膜の間に位置する前記第６の層は、珪素またはアルミニウムの酸化物または窒化物を含み、
前記第５の層は、ガリウム、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物を含む半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上の第１導電膜と、
前記第１導電膜上の絶縁層と、
前記絶縁層上において、前記第１導電膜と重なる酸化物半導体膜と、
酸化物半導体膜上の一対の第２導電膜と、を有し、
前記絶縁層は、少なくとも第１の層乃至第３の層を有し、
前記第１導電膜と前記第２の層の間に位置する前記第１の層と、前記第２の層と一対の前記第２導電膜の間に位置する前記第３の層は、珪素またはアルミニウムの酸化物または窒化物を含み、
前記第２の層は、ガリウム、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の配線への第１の信号の供給を制御する機能を有し、
前記第１の配線は、画素に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上において前記酸化物半導体膜に電気的に接続されている第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上において前記酸化物半導体膜に電気的に接続されている第２の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上、前記第１の導電膜上、及び前記第２の導電膜上の金属酸化物膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体膜と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル幅方向において前記第１の領域よりも幅の広い第２の領域を有し、
前記金属酸化物膜に含まれる一の金属元素は、前記酸化物半導体膜に含まれる一の金属元素と同じである半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ乃至第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の配線への第１の信号の供給を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の配線への前記第１の信号の供給を制御する機能を有し、
前記第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲート電極への第１の電位の供給を制御する機能と、前記第２のトランジスタのゲート電極への前記第１の電位の供給を制御する機能と、を有し、
前記第１の配線は、画素に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタ乃至前記第３のトランジスタは、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上において前記酸化物半導体膜に電気的に接続されている第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上において前記酸化物半導体膜に電気的に接続されている第２の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上、前記第１の導電膜上、及び前記第２の導電膜上の金属酸化物膜と、をそれぞれ有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体膜と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル幅方向において前記第１の領域よりも幅の広い第２の領域を有し、
前記金属酸化物膜に含まれる一の金属元素は、前記酸化物半導体膜に含まれる一の金属元素と同じである半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月27日(2016.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成室と該プラズマ生成室の下方の処理室とを含む空間を画成する処理容器と、
前記処理室に設けられた載置台と、
前記プラズマ生成室に希ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記プラズマ生成室を封止するように設けられた誘電体窓と、
前記誘電体窓を介して前記プラズマ生成室にマイクロ波を供給するアンテナと、
前記処理室に前駆体ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に設けられており、該プラズマ生成室と該処理室とを連通させる複数の開口を有し、紫外線に対する遮蔽性を有する遮蔽部と、
前記処理室に接続された排気装置と、
を備え、
前記プラズマ生成室の圧力が前記処理室の圧力の４倍以上に設定され、且つ、前記処理室から前記プラズマ生成室への前記前駆体ガスの拡散度が、０．０１以下に設定されており、ここで、前記拡散度は、前記処理室への前記前駆体ガスの流量が１ｓｃｃｍ増加したときの前記プラズマ生成室の圧力のパスカル単位での増加量として定義される、成膜装置。
【請求項２】
前記遮蔽部に接続されたバイアス電源であり、前記プラズマ生成室において生成されたイオンを前記遮蔽部に引き込むためのバイアス電力を前記遮蔽部に与える該バイアス電源を更に備える、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記第１のガス供給系は、前記プラズマ生成室に、前記希ガスと共に水素ガスを供給する、請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第２のガス供給系は、前記処理室に、前記前駆体ガスと共にトルエンガスを供給する、請求項１〜３の何れか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記遮蔽部は、４０ｃｍ以上の直径を有する、請求項１〜４の何れか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記遮蔽部は、前記プラズマ生成室から前記処理室に向かうイオンに電子を供与する請求項１〜５の何れか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
処理容器内の処理室に設けられた被処理基体上に低誘電率膜を形成する方法であって、
前記処理容器内において前記処理室の上方に設けられたプラズマ生成室においてマイクロ波を用いて希ガスのプラズマを生成し、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に設けられており、該プラズマ生成室と該処理室とを連通させる複数の開口を有し、紫外線に対する遮蔽性を有する遮蔽部を介して、前記プラズマ生成室から前記処理室に粒子を供給し、
前記処理室に前駆体ガスを供給する、
ことを含み、
前記プラズマ生成室の圧力が前記処理室の圧力の４倍以上に設定され、且つ、前記処理室から前記プラズマ生成室への前記前駆体ガスの拡散度が、０．０１以下に設定されており、ここで、前記拡散度は、前記処理室への前記前駆体ガスの流量が１ｓｃｃｍ増加したときの前記プラズマ生成室の圧力のパスカル単位での増加量として定義される、方法。
【請求項８】
比誘電率が２．７より小さく、且つ、屈折率が１．５より大きい、ＳｉＣＯ膜。
【請求項９】
請求項８に記載のＳｉＣＯ膜をキャップ層として有する、ダマシン配線構造。
【請求項１０】
Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなるＳｉＣＯ膜であって、
該ＳｉＣＯ膜をフーリエ変換赤外分光法によって分析して得たスペクトルの信号のうち、波数１０１０ｃｍ−１近傍に見られる信号、波数１０５０ｃｍ−１近傍に見られる信号、波数１０７５ｃｍ−１近傍に見られる信号、波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号、及び波数１１４０ｃｍ−１近傍に見られる信号の信号面積の総和を１００％としたときに、波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号の面積比が２５％以上である、
ＳｉＣＯ膜。
【請求項１１】
前記波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号の面積比が４０％以上であり、波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号の全半値幅が３５以下である、請求項１０に記載のＳｉＣＯ膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の更に別の側面に係るＳｉＣＯ膜は、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなるＳｉＣＯ膜であって、該ＳｉＣＯ膜をフーリエ変換赤外分光法によって分析して得たスペクトルの信号のうち、波数１０１０ｃｍ−１近傍に見られる信号、波数１０５０ｃｍ−１近傍に見られる信号、波数１０７５ｃｍ−１近傍に見られる信号、波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号、及び波数１１４０ｃｍ−１近傍に見られる信号の信号面積の総和を１００％としたときに、波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号の面積比が２５％以上である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上述した複数の波数近傍に見られる信号はそれぞれ、互いに異なる結合角を有するシロキサン結合を示す信号であり、これら信号のうち波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号は、結合角が約１５０°のシロキサン結合を示す信号である。波数１１０８ｃｍ−１近傍に見られる信号の面積比が２５％以上である場合には、ＳｉＣＯ膜は、その直鎖構造の対称性を高めるシロキサン結合を多く含むようになる。したがって、当該ＳｉＣＯ膜は、低い比誘電率を有するＳｉＣＯ膜となる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に開口部を有するケースと、
前記ケース内部に収容されるとともに両端部に一対の端面電極を有するコンデンサ素子と、
前記ケース内部に注入され、前記コンデンサ素子をモールドするモールド樹脂と、
前記コンデンサ素子の前記一対の端面電極に一端が夫々接続され、他端が前記モールド樹脂から表出し外部端子と夫々接続される一対のバスバーとを備え、
前記一対のバスバーのうち少なくとも一方のバスバーは、前記モールド樹脂表面との接触部分にビードとこのビードの内側に設けられた貫通孔を有し、
前記貫通孔の少なくとも一部は前記モールド樹脂に埋入したケースモールド型コンデンサ。
【請求項２】
前記一方のバスバーは、前記モールド樹脂から表出した屈曲部を有し、
前記一方のバスバーにおいて前記ビードが設けられた範囲は、前記貫通孔の配設位置から前記屈曲部まで及ぶ請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項３】
前記貫通孔は前記屈曲部よりも前記モールド樹脂側に設けられた請求項２に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項４】
前記一方のバスバーは前記ケースの内側壁に沿って配設された請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項５】
前記貫通孔は円形である請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この課題を解決するために本発明は、上面に開口部を有するケースと、前記ケース内部に収容されるとともに両端部に一対の端面電極を有するコンデンサ素子と、前記ケース内
部に注入され、前記コンデンサ素子をモールドするモールド樹脂と、前記コンデンサ素子の前記一対の端面電極に一端が夫々接続され、他端が前記モールド樹脂から表出し外部端子と夫々接続される一対のバスバーとを備え、前記一対のバスバーのうち少なくとも一方のバスバーは、前記モールド樹脂表面との接触部分にビードとこのビードの内側に設けられた貫通孔を有し、前記貫通孔の少なくとも一部は前記モールド樹脂に埋入した構成としたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状をなし、表面に外部接続電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子に積層されて前記半導体素子と接着され、接着面が前記半導体素子と略同一形状の柱状をなし、積層方向の厚さが前記半導体素子より厚い支持部材と、
前記外部接続電極と電気的に接続されるフレキシブル基板と、
を備え、前記フレキシブル基板は、前記半導体素子および前記支持部材の側面に配置されるとともに、前記支持部材の側面のみと接着剤により接着されることを特徴とする半導体装置接続構造。
【請求項２】
前記支持部材の前記半導体素子との接着面近傍に接着剤溜り部を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置接続構造。
【請求項３】
前記支持部材側面と前記フレキシブル基板との間隔よりも、前記半導体素子側面と前記フレキシブル基板との間隔のほうが狭くなるように、前記半導体素子に対して前記支持部材を配置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置接続構造。
【請求項４】
前記支持部材と前記フレキシブル基板とにアライメントマークが形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置接続構造。
【請求項５】
前記支持部材に回路が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置接続構造。
【請求項６】
前記アライメントマークは電極であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置接続構造。
【請求項７】
前記支持部材が中空部を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置接続構造。
【請求項８】
前記半導体素子は超音波振動子であり、
前記支持部材内部の中空部に超音波の伝播を吸収するバッキング材を配置することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置接続構造。
【請求項９】
前記中空部内の前記支持部材上に実装された電子部品を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置接続構造。
【請求項１０】
表面に外部接続電極を有し、角柱状をなす複数の超音波素子と、
長手方向に直交する方向に複数配列された前記複数の超音波振動子に積層されて該超音波素子と接着され、積層方向の厚さが前記超音波振動子より厚い支持部材と、
前記外部接続端子と接続されるフレキシブル基板と、
を備え、前記フレキシブル基板は前記超音波振動子および前記支持部材の側面に配置されるとともに、前記支持部材と接着剤により接着されることを特徴とする超音波モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の超音波モジュールを備えていることを特徴とする超音波内視鏡システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月11日(2015.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像から特定の物体を検出する検出手段と、
前記検出手段が検出処理領域に対して前記特定の物体の検出処理を行う場合の処理負荷に応じた評価情報を取得する取得手段と、
前記取得手段において取得された評価情報に応じて前記検出処理領域の設定に関する制御を実行する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記評価情報が予め定めた閾値を超えた場合に警告を出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記検出処理領域に対して予想される前記検出手段の検出処理速度を表示手段に表示させることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記評価情報が予め定められた閾値を超える検出処理領域がユーザ操作によって指定中である場合、前記制御手段は、前記検出処理領域の設定を行うためのユーザインタフェースの動作を制限することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像の部分領域ごとの評価情報を記録した評価情報マップを生成する生成手段を更に備え、
前記取得手段は、前記生成手段により生成された前記評価情報マップを用いて、前記評価情報を取得することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像から特定の物体を検出する検出手段と、
前記検出手段が検出処理を実行した際の画像の部分領域と、前記部分領域ごとの処理時間を記録する記録手段と、を更に備え、
前記取得手段は、前記処理時間に基づく前記評価情報を取得することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記評価情報マップから前記画像の特徴量が予め定めた閾値を超えて変化する場合、前記評価情報の変更が必要であることを示す警告を出力する出力手段を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像処理装置の制御方法であって、
画像から特定の物体を検出する検出工程と、
前記検出工程において検出処理領域に対して前記特定の物体の検出処理を行う場合の処理負荷に応じた評価情報を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された評価情報に応じて前記検出処理領域の設定に関する制御を実行する制御工程と、  を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成する本発明の一つの側面に係る画像処理装置は、画像から特定の物体を検出する検出手段と、前記検出手段が検出処理領域に対して前記特定の物体の検出処理を行う場合の処理負荷に応じた評価情報を取得する取得手段と、前記取得手段において取得された評価情報に応じて前記検出処理領域の設定に関する制御を実行する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤ基板と、 前記ＬＥＤ基板が一端に配置され、内部に空間を有する筒状の放熱部材と、 前記ＬＥＤ基板を覆う透光性カバーと、  前記ＬＥＤ基板に給電する点灯回路基板と、  前記点灯回路基板を収納しかつ前記放熱部材の空間内に配され、前記放熱部材から突出する突出筒部を有する絶縁筐体と、  環状に形成されて中心付近が開口されて当該開口内に前記絶縁筺体の突出筒部が位置し、前記放熱部材の前記ＬＥＤ基板が載置された一端と反対側の他端を前記絶縁筺体とで挟持して前記放熱部材を固定する環状挟持部材と、  前記絶縁筺体の突出筒部の一端側に取付けられた口金部材と、を備えるＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記放熱部材は他端にて内側に突出して形成された底壁を有し、  前記絶縁筐体は前記放熱部材の空間に配された状態で当該放熱部材の底壁に当接する当接部を有し、前記突出筒部が外周面に形成されたネジ部を含み、  前記環状挟持部材は内周面にネジ部を有し、  前記絶縁筺体の突出筒部のネジ部と前記環状挟持部材のネジ部とが螺合されて前記絶縁筺体の当接部と前記環状挟持部材とで前記放熱部材が挟持されて固定される、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記環状挟持部材と前記口金部材が離間して位置する、請求項１又は２に記載のＬＥＤランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】 本発明に係るＬＥＤランプは、ＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤ基板と、ＬＥＤ基板が一端に配置され、内部に空間を有する筒状の放熱部材と、ＬＥＤ基板を覆う透光性カバーと、ＬＥＤ基板に給電する点灯回路基板と、点灯回路基板を収納しかつ放熱部材の空間内に配され、放熱部材から突出する突出筒部を有する絶縁筐体と、環状に形成されて中心付近が開口されて当該開口内に絶縁筺体の突出筒部が位置し、放熱部材の前記ＬＥＤ基板が載置された一端と反対側の他端を前記絶縁筺体とで挟持して前記放熱部材を固定する環状挟持部材と、絶縁筺体の突出筒部の一端側に取付けられた口金部材と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】 また、放熱部材は他端にて内側に突出して形成された底壁を有し、絶縁筐体は前記放熱部材の空間に配された状態で当該放熱部材の底壁に当接する当接部を有し、突出筒部が外周面に形成されたネジ部を含み、環状挟持部材は内周面にネジ部を有し、前記絶縁筺体の突出筒部のネジ部と前記環状挟持部材のネジ部とが螺合されて前記絶縁筺体の当接部と前記環状挟持部材とで前記放熱部材が挟持されて固定されてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】 さらに、前記環状挟持部材と前記口金部材が離間して位置してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  本発明によれば、放熱部材と絶縁筺体を一体に組立てる際に、口金部材とは異なる環状挟持部材を使用するので、口金部材を除いて組立てても、分離することなく一体で安定した状態となっており、次工程以降の組立てがし易く尚且つ、前記環状挟持部材と前記口金部材は独立しているので、口金部材に前記放熱部材を挟持するための機械的負荷がかからない。これにより、口金部材の、この負荷による歪みをなくすことができ、歪みによる給電線の接合部への影響を排除して長期に亘り安定した給電が行えるＬＥＤランプを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光線を電気信号に変換する複数の第１の画素と、
近赤外線を電気信号に変換する複数の第２の画素と、
第１のフレームでは複数の前記第１の画素の電気信号を含む信号を出力させ、第２のフレームでは複数の前記第２の画素の電気信号のみを含む信号を出力させる走査回路とを有し、
前記第２のフレームでは、複数の前記第２の画素の前記電気信号が加算されて出力されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の第１の画素及び前記複数の第２の画素は、２次元行列状に配置され、
前記２次元行列の各行は、複数の前記第１の画素を含む行又は複数の前記第２の画素のみを含む行のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１のフレームでは、複数の前記第１の画素の前記電気信号が互いに独立して出力されることを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置に像を形成する光学系と、
前記撮像装置から出力された画像を処理して画像データを生成する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項５】
前記信号処理部は、前記第１のフレームを基に可視光線画像を形成し、前記第２のフレームを基に近赤外線画像を形成することを特徴とする請求項４記載の撮像システム。
【請求項６】
前記信号処理部は、前記可視光線画像及び前記近赤外線画像をフレーム毎に交互に表示させることを特徴とする請求項５記載の撮像システム。
【請求項７】
前記信号処理部は、前記可視光線画像及び前記近赤外線画像を合成して表示させることを特徴とする請求項５記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の撮像装置は、可視光線を電気信号に変換する複数の第１の画素と、近赤外線を電気信号に変換する複数の第２の画素と、第１のフレームでは複数の前記第１の画素の電気信号を含む信号を出力させ、第２のフレームでは複数の前記第２の画素の電気信号のみを含む信号を出力させる走査回路とを有し、前記第２のフレームでは、複数の前記第２の画素の前記電気信号が加算されて出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユーザから登録された宛先情報の一覧と、前記一覧の宛先情報を参照する参照情報で構成され前記複数のユーザそれぞれに対応したアドレス帳と、を記憶する記憶手段、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
ユーザから前記一覧の宛先情報の編集指示を受け付けると、前記一覧の宛先情報と、前記アドレス帳の参照情報と、を編集する編集手段、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記編集手段は、新たな宛先情報を前記一覧に追加し、当該追加された前記新たな宛先情報を参照する参照情報を前記アドレス帳に追加する、ことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記新たな宛先情報の複数の項目のうち一部分の項目の内容について、前記一覧に既に登録されている宛先情報と重複しているかを判定する重複判定手段、をさらに備え、
前記編集手段は、前記重複判定手段が当該重複していると判定した場合に、前記複数の項目のうち前記一部分の項目以外の項目の内容を前記新たな宛先情報として追加し、前記新たな宛先情報を前記既に登録されている宛先情報と関連づける、
ことを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記編集手段は、削除指示された宛先情報を前記一覧から削除し、前記削除指示された宛先情報を参照する参照情報を前記アドレス帳から削除する、ことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記削除指示された宛先情報と関連づけられた宛先情報が前記一覧に登録されているかを判定する第１の宛先判定手段、をさらに備え、
前記編集手段は、前記第１の宛先判定手段が前記一覧に登録されていると判定した場合に、前記関連づけられた宛先情報に前記削除指示された宛先情報の項目の内容をコピーしてから、前記削除指示された宛先情報を前記一覧から削除する、
ことを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記削除指示された宛先情報が、当該削除指示したユーザと異なるユーザに対応する前記アドレス帳から参照されているか否かを判定する第１の参照判定手段、をさらに備え、
前記編集手段は、前記第１の参照判定手段が当該参照されていないと判定した場合に、前記削除指示された宛先情報を前記一覧から削除する、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
編集指示された宛先情報と関連づけられた宛先情報が前記一覧に登録されているかを判定する第２の宛先判定手段、をさらに備え、
前記編集手段は、前記第２の宛先判定手段が前記一覧に登録されていると判定した場合に、前記関連づけられた宛先情報に前記編集指示された宛先情報の項目の内容をコピーしてから、前記編集指示された宛先情報を編集する、
ことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記編集指示された宛先情報が、当該編集指示したユーザと異なるユーザに対応する前記アドレス帳から参照されているか否かを判定する第２の参照判定手段、をさらに備え、
前記編集手段は、前記第２の参照判定手段が当該参照されていないと判定した場合に、前記編集指示された宛先情報を編集し、
前記第２の参照判定手段が当該参照されていると判定した場合に、当該編集された内容を新たな宛先情報として前記一覧に追加し、当該追加された前記新たな宛先情報を参照する参照情報を前記アドレス帳に追加する、
ことを特徴とする請求項２又は８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
複数のユーザから登録された宛先情報の一覧と、前記一覧の宛先情報を参照する参照情報で構成され前記複数のユーザそれぞれに対応したアドレス帳と、を記憶する記憶手段、を有する画像形成装置において実行されるデータ編集方法であって、
前記画像形成装置の編集手段が、ユーザから前記一覧の宛先情報の編集指示を受け付けると、前記一覧の宛先情報と、前記アドレス帳の参照情報と、を編集する編集工程、
を有することを特徴とするデータ編集方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデータ編集方法の各工程としてコンピュータを実行させるプログラム。
【請求項１２】
複数のユーザから登録された宛先情報の一覧と、前記一覧の宛先情報を参照する参照情報で構成され前記複数のユーザそれぞれに対応したアドレス帳と、を記憶する記憶手段と、
ユーザから前記一覧の宛先情報の編集指示を受け付けると、前記一覧の宛先情報と、前記アドレス帳の参照情報と、を編集する編集手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。