【事件の表示】
　特願２０１１−１３０４１９「有機発光表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　２月　２日出願公開、特開２０１２−　２３０２８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１０日（パリ条約による優先権主張　２０１０年７月１４日，韓国）に出願した特願２０１１−１３０４１９号であり，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 
平成２７年　２月１９日：拒絶理由通知（同年同月２４日発送） 
平成２７年　５月２２日：意見書 
平成２７年　５月２２日：手続補正書 
平成２７年　６月２９日：拒絶査定（同年７月７日送達） （以下「原査定」という。）
平成２７年１０月２１日：審判請求 
平成２７年１０月２１日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。） 
 　
第２　補正の却下の決定 
［結論］ 
　平成２７年１０月２１日提出の手続補正書による手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１　補正の内容 
(1) 本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１，４，７及び８の記載は，以下のとおりである（以下，この請求項８に係る発明を，「本願発明」という。）。 
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に配される素子回路部と，
　前記素子回路部と電気的に連結される画素電極と，
　有機物からなり，前記画素電極を露出させる画素定義膜と，
　前記画素電極上に配されて光を放出する中間層と，
　前記画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と，を備え，
　前記第１イオン注入層は，前記画素定義膜にイオンを注入して形成され，
　前記イオンは，ＢＨｘ＋またはＰＨ＋であることを特徴とする有機発光表示装置。」
「【請求項４】
　前記画素電極と前記画素回路部との間に配され，前記画素回路部を覆う平坦化膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。」
「【請求項７】
　前記平坦化膜上には第２イオン注入層が配されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。」
「【請求項８】
　前記第２イオン注入層は，前記平坦化膜上にイオンを注入して形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。」
　
(2) 本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は，以下のとおりである（以下，この記載に係る発明を，「本件補正後発明」という。）。なお，下線は当合議体が付したものである（以下同じ。）。 
 「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に配され，
ソース／ドレイン電極を有する薄膜トランジスタである
　前記画素回路部と電気的に連結される画素電極と，
　前記画素電極と前記画素回路部との間に配され，前記画素回路部を覆う平坦化膜であって，
前記画素回路部の前記ソース／ドレイン電極を覆う
　有機物からなり，前記画素電極を露出させる画素定義膜と，
　前記画素電極上に配されて光を放出する中間層と，
　前記画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と，
　前記平坦化膜上に形成される第２イオン注入層と，を備え，
　前記第１イオン注入層は，前記画素定義膜にイオンを注入して形成され，
　前記第２イオン注入層は，平坦化膜にイオンを注入して形成され，
　前記イオンは，ＢＨｘ＋またはＰＨ＋であることを特徴とする有機発光表示装置。」 
２　補正の適否
　本件補正のうち，請求項１に係る補正は，本件補正前の請求項１を削除し，本件補正前の請求項８を独立形式の記載に改めて新たな請求項１とするものである。そして，「素子回路部」とあったところを「画素回路部」の記載に揃えるとともに，本件補正後の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「画素回路部」について，明細書の段落【００３９】，【００４０】及び図１などに記載された事項に基づいて，「ソース／ドレイン電極を有する薄膜トランジスタである」という限定を付加するとともに，本件補正後の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「平坦化膜」について，明細書の段落【００５４】及び図３などに記載された事項に基づいて，「前記画素回路部の前記ソース／ドレイン電極を覆うもの」であるとの限定を付加するものである。
　そして，補正前の請求項８に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，本件補正の上記限定を付加する補正は，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また，本件補正は，特許法１７条の２第３項の規定に違反するところはない。
　そこで，本件補正後発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて，以下，検討する。
（1）本件補正後発明
　本件補正後発明は，上記１（2）に記載したとおりのものである。
（2）引用例の記載及び引用発明
ア　引用例１の記載 
　本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物であり，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２００５−１５０１０５号公報（以下「引用例１」という。）には，以下の事項が記載されている。
（ア）　「【技術分野】
【０００１】
 本発明は，電極間に発光材料を挟んだ素子（以下，発光素子という）を有する表示装置及びその作製方法に関する。特に，ＥＬ(エレクトロルミネッセンス：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)が得られる発光性材料（以下，ＥＬ材料という）を用いた表示装置に関する。」
（イ）　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら，封止構造により，ＥＬ素子で形成される表示領域を密封して，外部から侵入する水分を遮断しても，ＥＬ表示装置の劣化を完全に防ぐことが出来なかった。すなわち，画素内における点状の非発光領域（発光輝度が部分的に低下する領域も含む）の形成やその拡大による不良（以下「ダークスポット」ともいう。），画素周辺からの非発光領域が経時的に拡大する不良（以下「シュリンク」ともいう。）を無くすことが出来なかった。」
（ウ）　「【００１４】
　本発明では，耐熱性平坦化膜，第１電極または絶縁層（隔壁）に一導電型の不純物元素である周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素をドーピング処理することで添加する。ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。周期律１３族もしくは１５族の元素として，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉの元素を用いることができ，典型的にはリン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を用いる。比較的原子半径の大きい周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって歪みを与え，表面（側壁を含む）を改質，または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。また，ドーピング処理自体のベーク効果により，水分を処理時に放出できる。第１の電極にも周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって，抵抗値などの物性を制御することができる。」
（エ）　「【００４０】
　また，ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり，例えば，トップゲート型ＴＦＴ，ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴ，または順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。」
（オ）　「【発明の効果】
【００４２】
 隔壁に用いる絶縁層に，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することにより，絶縁層の表面及び側面が改質され高密度となり，外部から進入する水分や絶縁層中に含まれる水分が放出され，ＥＬに作用することを防止できる。よって，ダークスポットやシュリンクなど様々な劣化を防止することができ，表示装置の信頼性を向上させることができる。」
（カ）　「【００４５】
［実施形態１］
　本発明の実施形態について，以下に説明する。
（中略）
【００９１】
　ゲート絶縁膜１０５をエッチングし，ソース領域，ドレイン領域に達する開口部を形成する。開口部は，耐熱性平坦化膜１０９をエッチングした後，再度マスクを形成するか，エッチングされた耐熱性平坦化膜１０９をマスクとして，絶縁膜１０８及びゲート絶縁膜１０５をエッチングし，開口部を形成すればよい。エッチング用ガスにＣＨＦ3とＡｒを用いてゲート絶縁膜１０５のエッチング処理を行う。上記条件のエッチングにより，エッチング残渣を低減し，凹凸の少ない平坦性の高いコンタクトホールを形成することができる。なお，より半導体層上に残渣を残すことなくエッチングするためには，１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。以上の工程で，コンタクトホール１３０が形成される（図１（Ｂ）参照。）。
【００９２】
　
金属膜を形成し，金属膜をエッチングして各不純物領域とそれぞれ電気的に接続する配線１１２を形成する。配線１１２はソース電極，ドレイン電極としても機能する。
（キ）　「【０１０９】
［実施形態２］
　本実施形態を図３乃至５を用いて詳細に説明する。
【０１１０】
　本実施形態では，耐熱性平坦化膜，第１の電極，絶縁層（隔壁）に対してそれぞれ形成後に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理を行う。
【０１１１】
　実施形態１で説明したように，基板３００上に下地膜３０１ａ，３０１ｂを形成し，不純物領域３０３及び３０４を有する半導体層３０２を形成する。半導体層３０２上にゲート絶縁膜３０５を介してゲート電極である導電層３０６及び３０７を形成し，パッシベーション膜として絶縁膜３０８を形成する。そして，層間膜として，耐熱性平坦化膜３０９を形成する（図３（Ａ）参照。）。ここまでの工程についての詳細（材料，形成条件等）は実施形態１を参照すればよい。本実施形態においては，耐熱性平坦化膜３０９にシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。
【０１１２】
　本実施形態においては，レジストからなるマスクを用いて耐熱性平坦化膜３０９にコンタクトホール（開口部）３３０を形成すると同時に周縁部の耐熱性平坦化膜を除去した後に，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を有するガス３１５を耐熱性平坦化膜３０９にドーピングし，添加領域３１６を形成する（図３（Ｂ）参照。）。
【０１１３】
　ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。周期律１３族もしくは１５族の元素として，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉを用いることができ，典型的にはリン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を用いる。比較的原子半径の大きい周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって歪みを与え，表面（側壁を含む）を改質，または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。また，ドーピング処理自体のベーク効果により，水分を処理時に放出できる。高密度化した部分（添加領域３１６）に含まれる周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素は，１×１０18〜５×１０21／ｃｍ3，代表的には２×１０19〜２×１０21／ｃｍ3の濃度範囲とする。なお，端部をテーパー形状とすると，耐熱性平坦化膜の側面にドーピングしやすくなる。
【０１１４】
　また，コンタクトホール３３０形成後，導電性を有する元素をコンタクトホールの周辺に添加する場合，コンタクトホール周辺部を高密度化するだけでなく，コンタクトホール下の半導体層にも導電性を有する元素を，同工程で添加することができる。本実施形態においては，ｐチャネル型の不純物領域を有する半導体層に，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素としてボロン（Ｂ）を添加するので，半導体層に高濃度不純物領域３３１を自己整合的に形成することができる。また同工程で耐熱性平坦化膜も高密度化と，高濃度不純物領域の形成が行えるので，工程数を増加することなく，表示装置の信頼性の向上と，所望の電気特性に制御することが可能となる。このように不純物濃度を制御して，所望な不純物領域を作製する工程は，本発明の他の実施形態１，３乃至５，実施例１乃至６に対しても適用することができる。
【０１１５】
　次に配線３１２を形成し，配線３１２と接するように第１の電極３１３を形成する（図３（Ｃ）参照。）。本実施形態では，ＴｉＮ，Ａｌ，ＴｉＮをこの順にそれぞれ１００，３５０，１００ｎｍと積層したのち，所望の形状にパターニングして，配線３１２を形成する。なお，ＴｉＮは，耐熱性平坦化膜との密着性が良好な材料の一つである。
【０１１６】
　本実施形態では，表示素子として発光素子を用い，発光素子からの光を第１の電極側から取り出す構造のため，第１の電極が透光性を有する。第１の電極として，透明導電膜を形成し，所望の形状にエッチングすることで第１の電極３１３を形成する。第１の電極３１３として，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＴＳＯの他，酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いることができる。本実施形態では，第１の電極３１３としてＩＴSＯを用いている。ＩＴＳＯは，ベークを行ってもＩＴＯのように結晶化せず，アモルファス状態のままである。従って，ＩＴＳＯは，ＩＴＯよりも平坦性が高く，有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくい。第１の電極３１３は，その表面が平坦化されるように，ＣＭＰ法，ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し，研磨しても良い。またＣＭＰ法を用いた研磨後に，第１の電極３１３の表面に紫外線照射，酸素プラズマ処理などを行ってもよい。
【０１１７】
　本実施形態では，第１の電極３１３形成後，第１の電極３１３及び耐熱性平坦化膜３０９の一部に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を有するガス３２５のドーピング処理を行う。周期律１３族もしくは１５族の元素として，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉを用いることができ，典型的にはリン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を用いる。ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。本実施形態では，ｐチャネル型の周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であるボロン（Ｂ）を有するガス３２５をドーピングし，添加領域３１７を形成する（図３(Ｄ)参照。）。本発明によって第１の電極の添加領域３１７においては，導電性を有する元素の添加によって抵抗値などの物性が変化する。よって，本発明により，電極の電気的物性（電気特性）を制御することができる。
【０１１８】
　次に，第１の電極３１３の端部，配線３１２を覆う絶縁層（絶縁物）３１４（バンク，隔壁，障壁，土手などと呼ばれる）を形成する。絶縁層３１４としては，塗布法により得られるＳＯＧ膜（例えば，アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる。エッチングには，ドライエッチングとウェットエッチングのどちらかを用いることができるが，ここではＣＦ4とＯ2とＨｅの混合ガスを用いたドライエッチングにより絶縁層３１４を形成する。圧力は５Ｐａ，１５００Ｗで，ＣＦ4２５ｓｃｃｍ，Ｏ2２５ｓｃｃｍ，Ｈｅ５０ｓｃｃｍでドライエッチングを行う。このドライエッチングにおいて，アルキル基を含むＳｉＯｘ膜のエッチングレートは５００〜６００ｎｍ／ｍｉｎ，一方，ＩＴＳＯ膜のエッチングレートは１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であり十分選択比が取れる。また，配線３１２は，アルキル基を含むＳｉＯｘ膜からなる絶縁物３１４に覆われるため，密着性のよいＴｉＮ膜が最表面となっている。絶縁物３１４は，シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜の他に，耐熱性が高く，平坦化性がよいものであれば，無機材料（酸化珪素，窒化珪素，酸化窒化珪素，窒化酸化珪素など），感光性または非感光性の有機材料（有機樹脂材料）（ポリイミド，アクリル，ポリアミド，ポリイミドアミド，レジスト，ベンゾシクロブテンなど），低誘電率であるＬｏｗ　ｋ材料などの一種，もしくは複数種からなる膜，またはこれらの膜の積層などを用いることができる。
【０１１９】
　絶縁層３１４の形成後，絶縁層３１４に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理を行う。周期律１３族もしくは１５族の元素として，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉの元素を用いることができ，典型的にはリン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を用いる。ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。本実施形態では，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であるＢを有するガス３３５をドーピングし，添加領域３１８を形成する（図４(E)参照。）。本発明によって耐熱性平坦化膜及び絶縁物の添加領域３１８は高密度化した部分となる。比較的原子半径の大きい周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって歪みを与え，表面（側壁を含む）を改質，または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。また，添加領域に含まれる周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素は，１×１０18〜５×１０21／ｃｍ3，代表的には２×１０19〜２×１０21／ｃｍ3の濃度範囲とする。なお，耐熱性平坦化膜の端部をテーパー形状とすると，耐熱性平坦化膜の側面にドーピングしやすくなる。
【０１２０】
　本発明による周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理によって，隔壁となる絶縁層３１４の添加領域３１８は，黒く着色する。よって，この隔壁をブラックマトリクスとしても用いることができる。よって，本発明により，隔壁は，高密度化された汚染物質遮断物としての機能と，低透過率及び低反射率を有する光学特性的に良好なブラックマトリクスとしての機能を兼ね備えることができる。従って，低コストで歩留まりよく信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【０１２１】
　本実施形態では，隔壁となる絶縁層を形成し，パターニングを行った後，第１の電極及び隔壁に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素をドーピングしている例を示した。しかし，隔壁となる絶縁膜を形成後に全面にわたって周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素をドーピングし，着色した後，パターニングを行っても良い。この場合，このドーピング工程では，第１の電極には周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加されないので，添加濃度，添加領域の箇所などが自由に決定でき，設計の幅が広がる。
【０１２２】
　なお，信頼性を向上させるため，有機化合物を含む発光層３１９の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば，有機化合物材料の蒸着を行う前に，基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜３００℃の加熱処理を行うことが望ましい。ここでは，層間絶縁膜と隔壁とを高耐熱性を有するＳｉＯｘ膜で形成しているため，高い加熱処理を加えても問題ない。従って，加熱処理による信頼性向上のための工程を十分行うことができる。
【０１２３】
　第１の電極３１３（添加領域３１７）の上には発光層３１９が形成される。具体的には，正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け，その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設けた積層構造としてもよい。Ａｌｑ3にキナクリドン，ペリレンもしくはＤＣＭ１といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
【０１２４】
　但し，以上の例は発光層として用いることのできる有機発光材料の一例であって，これに限定する必要はまったくない。発光層，電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて発光層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。
【０１２５】
　次に，発光層３１９の上には導電膜からなる第２の電極３２０が設けられる。本実施形態では，第１の電極を陽極として，第２の電極を陰極として機能させるので，電極３２０としては，仕事関数の小さい材料（Ａｌ，Ａｇ，Ｌｉ，Ｃａ，またはこれらの合金ＭｇＡｇ，ＭｇＩｎ，ＡｌＬｉ，ＣａＦ2，またはＣａＮ）を用いればよい。本実施形態は，第２の電極３２０は陰極として機能し，陽極として機能する第１の電極３１３側から光を取り出す構造のため，第２の電極３２０はＡｌ，Ａｇ，Ｌｉ，Ｃａ，またはこれらの合金ＭｇＡｇ，ＭｇＩｎ，ＡｌＬｉからなる金属膜（膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍ）を用いることが好ましい。しかし，本発明は，この構成に限定されず，画素部のＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴとし，第１の電極３１３を陰極とし，第２の電極３２０を陽極とすることもできる。
【０１２６】
　第２の電極３２０を覆うようにしてパッシベーション膜３２１を設けることは有効である。パッシベーション膜としては，窒化珪素，酸化珪素，酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ），窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ），窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム，ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ），窒素含有炭素膜（ＣＮ）を含む絶縁膜からなり，該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また，シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され，置換基に少なくとも水素を含む材料，もしくは置換基にフッ素，アルキル基，または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【０１２７】
　次いで，封止基板３２３をシール材３２４で貼り合わせて発光素子を封止する。シール材が耐熱性平坦化膜３０９（添加領域３１６）の端部を覆うように貼りあわせる。断面からの水分の侵入がシール材によって遮断されるので，発光素子の劣化が防止でき，表示装置の信頼性が向上する。なお，シール材で囲まれた領域には充填材３２２を充填する（図４（Ｆ）参照。）。本実施形態では，第１の電極３１３側から光を取り出す構造なため，充填材３２２は透光性を有する必要はないが，充填材３２２を透過して光を取り出す構造の場合は，透光性を有する必要がある。ここでは屈折率１．５０，粘度５００ｃｐｓ，ショアＤ硬度９０，テンシル強度３０００ｐｓｉ，Ｔｇ点１５０℃，体積抵抗１×１０15Ω・ｃｍ，耐電圧４５０Ｖ／milである高耐熱のＵＶエポキシ樹脂（エレクトロライト社製：２５００Ｃｌｅａｒ）を用いる。また，充填材３２２を一対の基板間に充填することによって，全体の透過率を向上させることができる。
【０１２８】
　こうして作製された表示装置は，耐熱性平坦化膜３０９，代表的にはシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるＴＦＴの層間絶縁膜（後に発光素子の下地膜となる膜），絶縁層（隔壁）３１４において，端部または開口部をテーパー形状とし，さらに，比較的原子半径の大きい周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって歪みを与え，表面（側壁を含む）を改質，または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する構造として，表示装置の信頼性を向上させている。また，第１の電極３１３にも周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって，抵抗値などの物性を制御することもできる。
【０１２９】
　また，絶縁層（隔壁）３１４を形成後，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理を行わなかった場合を図５に示す。この場合は，隔壁である絶縁層３１４は添加領域３１８を有さない。しかし耐熱性平坦化膜３０９が高密度化された添加領域３１６を有しており，水分等に対する遮断効果がある。よって，信頼性の高い表示装置とすることができる。」
（ク）　「【０１４８】
［実施形態４］
　本実施形態を図９及び図１０を用いて詳細に説明する。
【０１４９】
　本実施形態では，耐熱性平坦化膜，及び隔壁（絶縁層）に対して，耐熱性平坦化膜，隔壁形成後にそれぞれ周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理を行う。
【０１５０】
　実施形態１で説明したように，
基板９００上に下地膜９０１ａ，９０１ｂを形成し，不純物領域９０３及び９０４を有する半導体層９０２を形成する。半導体層９０２上にゲート絶縁膜９０５を介してゲート電極である導電層９０６及び９０７を形成し，パッシベーション膜として絶縁膜９０８を形成する。そして，層間膜として，耐熱性平坦化膜９０９を形成
耐熱性平坦化膜９０９にシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用い
【０１５１】
　本実施形態においては，レジストからなるマスクを用いて
耐熱性平坦化膜９０９にコンタクトホール（開口部）９３０を形成すると同時に周縁部の耐熱性平坦化膜を除去した後に，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を有するガス９１５を耐熱性平坦化膜９０９にドーピングし，添加領域９１６を形成
【０１５２】
　
ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行え
周期律１３族もしくは１５族の元素として
リン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を用い
【０１５３】
　次に
配線９１２を形成し，配線９１２と接するように第１の電極９１３を形成
ＴｉＮ，Ａｌ，ＴｉＮをこの順に
積層したのち，所望の形状にパターニングして，配線９１２を形成
【０１５４】
　本実施形態では，表示素子として発光素子を用い，発光素子からの光を第１の電極側から取り出す構造のため，第１の電極が透光性を有する。第１の電極として，
透明導電膜を形成し，所望の形状にエッチングすることで第１の電極９１３を形成
【０１５５】
　次に，
第１の電極９１３の端部，配線９１２を覆う絶縁層９１４
を形成
絶縁層９１４としては，塗布法により得られるＳＯＧ膜
を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用い
【０１５６】
　
絶縁層９１４の形成後，第１の電極９１３及び絶縁層９１４に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理を行
ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行え
本実施形態では，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であるＢを有するガス９３５をドーピングし，添加領域９１７及び９１８を形成
【０１５７】
　本発明による周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーピング処理によって，隔壁となる絶縁層９１４の添加領域９１８は，黒く着色する。よって，この隔壁をブラックマトリクスとしても用いることができる。よって，本発明により，隔壁は，高密度化された汚染物質遮断物としての機能と，低透過率及び低反射率を有する光学特性的に良好なブラックマトリクスとしての機能を兼ね備えることができる。従って，低コストで歩留まりよく信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【０１５８】
　本実施形態では，隔壁となる絶縁層を形成し，パターニングを行った後，第１の電極及び隔壁に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素をドーピングしている例を示した。しかし，隔壁となる絶縁層を形成後に全面にわたって周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素をドーピングし，着色した後，パターニングを行っても良い。この場合，このドーピング工程では，第１の電極には周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加されないので，添加濃度，添加領域の箇所などが自由に決定でき，設計の幅が広がる。
【０１５９】
　なお，信頼性を向上させるため，有機化合物を含む発光層９１９の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば，有機化合物材料の蒸着を行う前に，基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜３００℃の加熱処理を行うことが望ましい。ここでは，層間絶縁膜と隔壁とを高耐熱性を有するＳｉＯｘ膜で形成しているため，高い加熱処理を加えても問題ない。従って，加熱処理による信頼性向上のための工程を十分行うことができる。
【０１６０】
　
第１の電極９１３（添加領域９１７）の上には発光層９１９が形成され
正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け，その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ
3
）膜を設けた
【０１６１】
　但し，以上の例は発光層として用いることのできる有機発光材料の一例であって，これに限定する必要はまったくない。発光層，電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて発光層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。
【０１６２】
　次に，
発光層９１９の上には導電膜からなる第２の電極９２０が設けら
【０１６３】
　
第２の電極９２０を覆うようにしてパッシベーション膜９２１を設け
【０１６４】
　次いで，
封止基板９２３をシール材９２４で貼り合わせて発光素子を封止する。シール材が耐熱性平坦化膜９０９（添加領域９１６）の端部を覆うように貼りあわせ
シール材で囲まれた領域には充填材９２２を充填
【０１６５】
　こうして
作製された表示装置
（ケ）　「【図３】
」
（コ）　「【図４】
」
（サ）　「【図５】
」
（シ）　「【図９】
」
（ス）　「【図１０】
」
イ　引用発明 
　引用例１には，実施形態４について記載した段落【０１５４】に，「ここまでの工程についての詳細（材料，形成条件等）は実施形態１及び実施形態２を参照すればよい。」と記載されている。そして，実施形態４の「配線９１２」に対応する実施形態１の「配線１１２」について，段落【００９２】には「金属膜を形成し，金属膜をエッチングして各不純物領域とそれぞれ電気的に接続する配線１１２を形成する。配線１１２はソース電極，ドレイン電極としても機能する。」と記載されている。
　したがって，引用例１には，実施形態４（段落【０１４８】〜【０１６５】）に記載のプロセスにより作製される「表示装置」に関する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。（段落番号を併記する。）
「【０１５０】基板９００上に下地膜９０１ａ，９０１ｂを形成し，不純物領域９０３及び９０４を有する半導体層９０２を形成し，半導体層９０２上にゲート絶縁膜９０５を介してゲート電極である導電層９０６及び９０７を形成し，パッシベーション膜として絶縁膜９０８を形成し，層間膜として，耐熱性平坦化膜９０９を形成し，耐熱性平坦化膜９０９にシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用い，
【０１５１】耐熱性平坦化膜９０９にコンタクトホール（開口部）９３０を形成すると同時に周縁部の耐熱性平坦化膜を除去した後に，周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を有するガス９１５を耐熱性平坦化膜９０９にドーピングし，添加領域９１６を形成し，
【０１５２】ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行い，周期律１３族もしくは１５族の元素として，リン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を用い，
【０１５３】ＴｉＮ，Ａｌ，ＴｉＮをこの順に積層したのち，所望の形状にパターニングして，配線９１２を形成し，配線９１２は，【００９２】金属膜を形成し，金属膜をエッチングして形成され，各不純物領域とそれぞれ電気的に接続し，ソース電極，ドレイン電極としても機能し，
【０１５３】配線９１２と接するように，【０１５４】透明導電膜を形成し，所望の形状にエッチングすることで第１の電極９１３を形成し，
【０１５５】第１の電極９１３の端部，配線９１２を覆う絶縁層９１４を形成し，絶縁層９１４としては，塗布法により得られるＳＯＧ膜を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用い，
【０１５６】絶縁層９１４の形成後，第１の電極９１３及び絶縁層９１４に周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうちＢを有するガス９３５をドーピングし，添加領域９１７及び９１８を形成し，ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法で行い，
【０１６０】第１の電極９１３（添加領域９１７）の上には，正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け，その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設けた発光層９１９が形成され，
【０１６２】発光層９１９の上には導電膜からなる第２の電極９２０が設けられ，
【０１６３】第２の電極９２０を覆うようにしてパッシベーション膜９２１を設け，
【０１６４】封止基板９２３をシール材９２４で貼り合わせて発光素子を封止し，シール材が耐熱性平坦化膜９０９（添加領域９１６）の端部を覆うように貼りあわせ，シール材で囲まれた領域には充填材９２２を充填して
【０１６５】作製される表示装置。」
（3）　対比 
ア　基板，画素回路部
　引用発明の「基板９００」は，本件補正後発明の「基板」に相当する。
　引用発明の「配線９１２」は，「ソース電極，ドレイン電極としても機能」するものである。引用発明の「不純物領域９０３及び９０４を有する半導体層９０２」，「ゲート絶縁膜９０５」，「ゲート電極である導電層９０６及び９０７」及び「配線９１２」が，ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を構成していることは，技術的にみて明らかである。この点は，引用例１の「しかし，本発明は，この構成に限定されず，画素部のＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴとし，第１の電極９１３を陰極とし，第２の電極９２０を陽極とすることもできる。」（段落【０１６２】）などの記載からも明らかである。
　したがって，引用発明の「不純物領域９０３及び９０４を有する半導体層９０２」，「ゲート絶縁膜９０５」，「ゲート電極である導電層９０６及び９０７」及び「配線９１２」を併せたもの（以下「ＴＦＴ部」という。）は，本件補正後発明の「画素回路部」に相当するとともに，基板９００上に形成されるものであるから，「基板上に配され，ソース／ドレイン電極を有する薄膜トランジスタである」との要件を満たす。
イ　画素電極，平坦化膜
　引用発明の「第１の電極９１３」は，「配線９１２と接するように」，形成されている。そして，引用発明の「第１の電極９１３（添加領域９１７）の上に」，「発光層９１９」を形成して，「表示装置」を作製している。ここで，「表示装置」における「発光層９１９」は画素を構成していることは，技術的にみて明らかである。したがって，引用発明の「第１の電極９１３」は，本件補正後発明の「画素電極」に相当するとともに，「配線９１２と接する」電極であるから，「前記画素回路部と電気的に連結される」との要件を満たす。
　引用発明の「耐熱性平坦化膜９０９」は，平坦化膜として形成される。したがって，引用発明の「耐熱性平坦化膜９０９」は，本件補正後発明の「平坦化膜」に相当する。
ウ　画素定義膜，中間層
　引用発明においては，「第１の電極９１３の端部，配線９１２を覆う絶縁層９１４を形成」している。そして，「第１の電極９１３及び絶縁層９１４」に「ガス９３５をドーピングし，添加領域９１７及び９１８を形成し」，「第１の電極９１３（添加領域９１７）の上に」，「発光層９１９」を形成している。
　引用発明の「絶縁層９１４」は，本件補正後発明の「画素定義膜」に相当する。そして，引用発明の「絶縁層９１４」は，「第１の電極９１３の端部」を覆い，「第１の電極９１３（添加領域９１７）の上に」，「発光層９１９」を形成するのであるから，「第１の電極９１３」は，「絶縁層９１４」に対して，外部に露出されているといえる。したがって，引用発明の「絶縁層９１４」は，本件補正後発明の「前記画素電極を露出させる」との要件を満たす。
　ここで，本願の明細書の段落【００６２】には，「中間層１６２としては，・・・ホール注入層・・・，ホール輸送層・・・，発光層・・・，電子輸送層・・・，電子注入層・・・などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成でき」ると記載されている。引用発明の「発光層９１９」は，「正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け，その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設け」て形成されている。したがって，引用発明の「発光層９１９」は，本件補正後発明の「中間層」に相当する。そして，引用発明の「発光層９１９」は，「発光層」を含み，光を発するのであるから，本件補正後発明の「前記画素電極上に配されて光を放出する」との要件を満たす。
エ　第１，第２のイオン注入層
　引用発明の「耐熱性平坦化膜９０９」には，「周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を有するガス９１５」がドーピングされて，「添加領域９１６」が形成される。引用発明の「第１の電極９１３及び絶縁層９１４」にも，「周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうちＢを有するガス９３５」がドーピングされ，「添加領域９１７及び９１８」が形成されている。そして，引用発明においては，「ドーピング処理はイオンドープ法，プラズマドープ法もしくはイオン注入法」で行っている。イオンドープは，「イオン」を「ドープ」しており，ドープ処理は何かを「注入」する処理といえること，及び注入物が「イオン」であることは，技術的にみて明らかである。プラズマドープ法及びイオン注入法についても同様である。
　したがって，引用発明の「添加領域９１６」は，「耐熱性平坦化膜９０９」にイオンを注入することにより形成されるのであるから，本件補正後発明の「第２イオン注入層」に相当し，「平坦化膜にイオンを注入して形成され」，「前記平坦化膜上に形成される」との要件を満たす。同様に，引用発明の「添加領域９１８」は，「絶縁層９１４」にイオンを注入することにより得られ，本件補正後発明の「第１イオン注入層」に相当し，「前記画素定義膜にイオンを注入して形成され」，「前記画素定義膜上に形成される」との要件を満たす。
オ　有機発光表示装置
　引用発明の「表示装置」は，「発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜」を用いており，有機の発光層を用いているのであるから，本件補正後発明の「有機発光表示装置」に相当する。そして，引用発明の「表示装置」は，上記ア〜エの範囲で，本件補正後発明の「基板」と，「画素回路部」と，「画素電極」と，「平坦化膜」と，「画素定義膜」と，「中間層」と，「第１イオン注入層」と，「第２イオン注入層」と，を「備える」との要件を満たす。
（4）　一致点 
　上記（3）からみて，本件補正後発明と引用発明は，以下の構成において一致する。 
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に配され，ソース／ドレイン電極を有する薄膜トランジスタである画素回路部と，
　前記画素回路部と電気的に連結される画素電極と，
　平坦化膜と，
　前記画素電極を露出させる画素定義膜と，
　前記画素電極上に配されて光を放出する中間層と，
　前記画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と，
　前記平坦化膜上に形成される第２イオン注入層と，を備え，
　前記第１イオン注入層は，前記画素定義膜にイオンを注入して形成され，
　前記第２イオン注入層は，平坦化膜にイオンを注入して形成される有機発光表示装置。」 
　
（5）　相違点 
　本件補正後発明と引用発明は，以下の点で相違する。 
ア　相違点１
　本件補正後発明の「平坦化膜」は，「前記画素電極と前記画素回路部との間に配され，前記画素回路部を覆う平坦化膜であって，前記画素回路部の前記ソース／ドレイン電極を覆う」のに対して，引用発明の「ソース電極，ドレイン電極としても機能」する「配線９１２」は，「耐熱性平坦化膜９０９」にコンタクトホールを形成して設けており，引用発明の「耐熱性平坦化膜９０９」は，「前記画素電極と前記画素回路部との間に配され」，「前記画素回路部」及び「前記画素回路部の前記ソース／ドレイン電極を覆う」とはいえない点。
イ　相違点２
　本件補正後発明の「画素定義膜」が「有機物からな」るのに対して，引用発明の「絶縁層９１４」は，「ＳＯＧ膜」からなる点。
ウ　相違点３
　本件補正後発明のイオン注入層を形成する「イオン」は，「ＢＨｘ＋またはＰＨ＋」であるのに対して，引用発明は，イオンを注入することにより，リン（Ｐ），ボロン（Ｂ）を添加しているが，イオンが「ＢＨｘ＋またはＰＨ＋」であるかは，必ずしも明らかでない点。
（6）　判断 
　上記相違点について，検討する。
ア　相違点１について
　有機発光表示装置に関する技術分野において，ソース／ドレイン電極を形成した後に，その上に平坦化膜を形成し，平坦化膜にビアホールを形成し，画素電極によりソース／ドレイン電極と画素電極を接触させる構造とすることは，例えば，原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−３４７２７５号公報の【図３Ｃ】，また，特開２００９−２７２３１３号公報の図１，２及び特開２０１０−２０３１１号公報の各図などにも開示されているように，本願の優先日時点の当業者における周知技術にすぎない（以下「周知技術１」という。）。また，引用例１の段落【００４０】には「ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能」とも記載されている。
　そうしてみると，引用発明のＴＦＴ部の構造に替えて周知技術１のＴＦＴの構造を採用することは，引用例１の記載が示唆する設計的事項に過ぎない。
　また，引用発明のＴＦＴ部の構造に替えて周知技術１のＴＦＴの構造を採用してなるものは，「平坦化膜」が，「前記画素電極と前記画素回路部との間に配され」，「前記画素回路部」及び「前記画素回路部の前記ソース／ドレイン電極を覆う」こととなる。
　したがって，引用発明を，相違点１に係る構成を具備するものに変更することは，引用例１の記載が示唆する設計変更にすぎない。
イ　相違点２について
　引用例１には，「絶縁層９１４は，シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜の他に，耐熱性が高く，平坦化性がよいものであれば，・・・感光性または非感光性の有機樹材料（有機樹脂材料）（ポリイミド，アクリル，ポリアミド，ポリイミドアミド，レジスト，ベンゾシクロブテンなど）・・・などの一種，もしくは複数種からなる膜，またはこれらの膜の積層などを用いることができる。」（段落【０１５５】）と記載されている。つまり，引用例１には，「絶縁層９１４」について，実施形態のＳＯＧに代えて，有機樹脂材料を用いることが記載されている。したがって，引用例１の示唆に従って，引用発明における「絶縁層９１４」を，有機樹脂材料とすることもまた，引用例１の記載が示唆する範囲内の設計変更にすぎない。
ウ　相違点３について
　引用発明において用いられるリン（Ｐ），ボロン（Ｂ）をイオンドーピングする際に，Ｂ2Ｈ6やＰＨ3などのガスを材料ガスとして，「ＢＨｘ＋またはＰＨ＋」といったイオンを注入することは，当業者に広く知られている（以下，「周知技術２」という。）（例えば，原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２５６６３８号公報の段落【００４２】，【００４３】，特開２００１−５９９７８号公報の段落【００８２】，【００８５】などを参照，他にも特開２００４−３９９３６号公報の段落【０００５】，【０００６】など参照。）。
　したがって，引用発明におけるドーピング処理として周知技術２を採用することは，引用発明を具体化するに際して当業者が適宜選択し得る事項にすぎない。
（7）　効果について 
　発明の目的に関して，本願の明細書には，「本発明の一実施形態によれば，外部から有機発光層へのガスの流れ込み，または画素定義膜などの有機膜の内部からのガス排出を遮断できる。」（段落【００３５】）などと記載されている。
　しかしながら，引用例１の段落【００１４】には「本発明では，耐熱性平坦化膜，第１電極または絶縁層（隔壁）に一導電型の不純物元素である周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素をドーピング処理することで添加する。・・・比較的原子半径の大きい周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することによって歪みを与え，表面（側壁を含む）を改質，または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。」と記載されている。したがって，引用例１には，耐熱性平坦化膜，絶縁層（隔壁）などに所定の元素をドーピング処理することにより，水分や酸素の侵入を防止できることが記載されており，本件補正後発明が奏する上記の効果は，引用発明がすでに奏していた効果であるか，引用発明において周知技術を採用した当業者が期待する効果の範囲内のものである。
（8）　小括 
　本件補正後発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際に独立して特許を受けることができない。 
３　補正却下のまとめ 
　本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本件出願の特許請求の範囲の請求項８に係る発明（本願発明）は，上記「第２」１(1)に記載のとおりのものである。 
　
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は，概略，本願発明は，本願の優先日前に日本国又は外国において頒布された引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいてその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
３　引用例に記載の事項及び引用発明について 
　引用例１の記載及び引用発明については，上記「第２」２(2)に記載したとおりである。
４　対比及び判断 
　本願発明は，上記「第２」２で検討した本件補正後発明から，相違点１に関する「素子（画素）回路部」が「ソース／ドレイン電極を有する薄膜トランジスタである」に係る限定事項と，「平坦化膜」が，「前記画素回路部の前記ソース／ドレイン電極を覆う」に係る限定事項を除いたものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正後発明が，上記「第２」２に記載したとおり，引用発明及び周知技術に基づいて，本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。また，引用例１の実施形態２に対応する引用発明を基にした場合についても，同様である。
　
第４　まとめ 
　以上のとおり，本願発明は，その優先日前に日本国又は外国において頒布された引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　したがって，他の請求項に係る発明について審究するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。