【手続補正書】
【提出日】平成28年1月16日(2016.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を発振する発振素子において、
電磁波をガイドするアンテナと、
前記アンテナに電気的に直列に接続され、かつ互いに並列に接続された複数の負性抵抗素子と、を有し、
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する電磁波の位相が互いに同位相となる位置または互いに逆位相となる位置にのみ配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する電磁波の位相が互いに同位相となる位置または互いに逆位相となる位置は、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する発振周波数が等しくなる位置である請求項１に記載の発振素子。
【請求項３】
前記アンテナを構成する少なくとも一つの導体と前記複数の負性抵抗素子のそれぞれとが、半導体層を介して電気的に直列に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発振素子。
【請求項４】
前記アンテナは、２つの導体を有し、
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記２つの導体の一方に接触して並置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項５】
前記複数の負性抵抗素子は、円弧状に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項６】
前記円弧は、前記電磁波の共振方向に平行な軸を境として線対称をなすことを特徴とする請求項５に記載の発振素子。
【請求項７】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれを構成する接合部の電流が流れる方向に垂直な断面の面積は、等しいことを特徴とする請求項５又は６に記載の発振素子。
【請求項８】
前記複数の負性抵抗素子は、直線状に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項９】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれを構成する接合部の電流が流れる方向に垂直な断面の面積は、異なることを特徴とする請求項８に記載の発振素子。
【請求項１０】
３０ＧＨｚから３０ＴＨｚの周波数帯域の一部を含む電磁波を発振可能なことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１１】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する電磁波同士の位相差の絶対値が、０以上π／８以下となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１２】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する電磁波同士の位相差の絶対値が、０以上π／１６以下となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１３】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する電磁波同士の位相差の絶対値が、７π／８以上９π／８以下となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１４】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれを構成する接合部の電流が流れる方向に垂直な断面の面積が１０μｍ２以下であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１５】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、シリコンを含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１６】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、化合物系半導体材料を含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１７】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体材料を含むことを特徴とする請求項１６に記載の発振素子。
【請求項１８】
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれを構成する接合部の電流が流れる方向に垂直な断面の面積が１μｍ２以下であることを特徴とする請求項１５に記載の発振素子。
【請求項１９】
前記複数の負性抵抗素子は、共鳴トンネルダイオードを含むことを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項２０】
前記アンテナと電気的に接続されて電磁波を伝送する導波路を有し、
前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記導波路に接続されていることを特徴とする請求項１から１９のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項２１】
前記アンテナは凸部を有し、前記複数の負性抵抗素子との間に前記凸部が位置するように配置されていることを特徴とする請求項１から２０のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項２２】
電磁波を発振する発振素子において、
電磁波をガイドするアンテナと、
前記アンテナに電気的に直列に接続している第１の負性抵抗素子と、
前記アンテナに電気的に直列に接続しており、前記第１の負性抵抗素子と電気的に並列な第２の負性抵抗素子及び第３の負性抵抗素子と、を有し、
前記第２の負性抵抗素子は、前記第２の負性抵抗素子が発振する電磁波の位相と前記第１の負性抵抗素子が発振する電磁波の位相とが同位相となる位置に配置されており、
前記第３の負性抵抗素子は、前記第３の負性抵抗素子が発振する電磁波の位相と前記第１の負性抵抗素子が発振する電磁波の位相とが逆位相となる位置に配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項２３】
電磁波を発振する発振素子において、
前記電磁波が共振する共振器を有し、前記電磁波をガイドするアンテナと、
前記アンテナに電気的に直列に接続している第１の負性抵抗素子と、
前記アンテナに電気的に直列に接続しており、前記第１の負性抵抗素子と電気的に並列な第２の負性抵抗素子と、を有し、
前記第１の負性抵抗素子は、前記第２の負性抵抗素子が配置されている位置における前記共振器を共振する前記電磁波の波面の位相との位相差の絶対値が０以上π／８以下となる前記共振器を共振する前記電磁波の波面の位置、又は、前記絶対値が７π／８以上９π／８以下となる前記共振器を共振する前記電磁波の波面の位置、に配置されている発振素子。
【請求項２４】
第３の負性抵抗素子を有し、
前記第１の負性抵抗素子は、前記第２の負性抵抗素子が配置されている位置における前記共振器を共振する前記電磁波の前記波面の位相との位相差の絶対値が０以上π／８以下となる前記共振器を共振する前記電磁波の波面の位置に配置されており、
前記第３の負性抵抗素子は、前記第２の負性抵抗素子が配置されている位置における前記共振器を共振する前記電磁波の前記波面の位相との位相差の絶対値が７π／８以上９π／８以下となる前記共振器を共振する前記電磁波の波面の位置に配置されている請求項２３に記載の発振素子。
【請求項２５】
電磁波を発振する発振器であって、請求項１から２４のいずれか１項に記載の発振素子と、前記発振素子に直流電圧を印加する電源ユニットと、を有することを特徴とする発振器。
【請求項２６】
電磁波を用いて測定物を撮像する撮像装置であって、
電磁波を測定物に発振する請求項２５に記載の発振器と、
前記測定物を透過または反射した電磁波を検出する検出器と、
前記検出器が検出した電磁波に関する情報から前記測定物に関する像を構築する像構築部と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明により提供される発振素子は、電磁波を発振する発振素子において、電磁波をガイドする単数または複数のアンテナと、前記アンテナに電気的に直列に接続され、かつ互いに並列に接続された複数の負性抵抗素子と、を有し、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれは、前記複数の負性抵抗素子のそれぞれが発振する電磁波の位相が互いに同位相となる位置または互いに逆位相となる位置にのみ配置されていることを特徴とする。