Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
特許文献２に記載のプリンタ選択方法、及び特許文献３に記載のデータ処理装置は、プリンタの性能変動による印刷ジョブ中の印刷物の品質変化に対応することが困難である。また、ネットワークに接続されている複数のプリンタの中から印刷を行うプリンタを選択するものであり、各プリンタの最適な印刷条件を選択するものではない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
印刷条件変更検討部２６は、変更後の印刷条件における印刷管理情報の変化を予測する印刷管理情報予測部２８を備える。印刷管理情報予測部２８は、印刷条件の変更によって印刷中の印刷物について評価の向上が見込まれると判断された場合にも、変更後の印刷条件における印刷管理情報の変化を予測する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４９】
図１１の符号６００はスクリーン線数と粒状画質の評価の関係を模式的に示し、符号６０２はスクリーン線数とモアレ画質の評価の関係を模式的に示す。スクリーン線数は単位長さあたりの線数であり、単位は線数毎インチである。スクリーン線数は、品質印刷管理情報として挙げた解像度と同様の品質の評価指標である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６９】
式（８）、式（９）、及び式（１０）において、変数ｑ、ｃ、ｄがすべてゼロとなる場合が実在しないことを考慮して、評価関数Ｆは自然対数を用いた形式としたが、式（８）、式（９）、及び式（１０）に示した評価関数はあくまでも一例であり、ｑ、ｃ、ｄを変数とするさまざまな形式の評価関数を適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
特許文献２に記載のプリンタ選択方法、及び特許文献３に記載のデータ処理装置は、プリンタの性能変動による印刷ジョブ中の印刷物の品質変化に対応することが困難である。また、ネットワークに接続されている複数のプリンタの中から印刷を行うプリンタを選択するものであり、各プリンタの最適な印刷条件を選択するものではない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
印刷条件変更検討部２６は、変更後の印刷条件における印刷管理情報の変化を予測する印刷管理情報予測部２８を備える。印刷管理情報予測部２８は、印刷条件の変更によって印刷中の印刷物について評価の向上が見込まれると判断された場合にも、変更後の印刷条件における印刷管理情報の変化を予測する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４４】
図１１の符号６００はスクリーン線数と粒状画質の評価の関係を模式的に示し、符号６０２はスクリーン線数とモアレ画質の評価の関係を模式的に示す。スクリーン線数は単位長さあたりの線数であり、単位は線数毎インチである。スクリーン線数は、品質印刷管理情報として挙げた解像度と同様の品質の評価指標である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６４】
式（８）、式（９）、及び式（１０）において、変数ｑ、ｃ、ｄがすべてゼロとなる場合が実在しないことを考慮して、評価関数Ｆは自然対数を用いた形式としたが、式（８）、式（９）、及び式（１０）に示した評価関数はあくまでも一例であり、ｑ、ｃ、ｄを変数とするさまざまな形式の評価関数を適用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８５】
要求評価工程Ｓ１６において、ＹＥＳ判定となる、要求情報が示す印刷管理に関する要求に対する満足度合いが評価され、印刷物の評価を相対的に上げる印刷条件が導出可能な場合は、印刷条件導出工程Ｓ３２へ進む。印刷条件導出工程Ｓ３２では、要求情報が示す印刷管理に関する要求に対する満足度合いを相対的に上げる印刷条件を導出し、印刷条件検討工程Ｓ２０へ進む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８８】
要求評価工程Ｓ１６において、ＮＯ判定となる印刷条件不導出の場合は、印刷継続、停止工程Ｓ３４において、印刷を停止させるか、又は印刷条件を変更せずに印刷を継続させるかいずれかの処理が実行される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外面を有する少なくとも１つのディスクと、前記外面から半径方向に延びる少なくとも１つのバケットとが取り付けられたロータと、
前記ディスクに隣接する固定ステータ構成要素と、
前記固定ステータ構成要素の一部分から延びるシールプレートと、前記バケットから延び、前記シールプレートとの間で間隙ギャップを画定するエンジェルウィングシールと、前記シールプレートに配設されたアブレイダブルシール要素と
を備え、
前記シールプレートは、前記固定ステータ構成要素の半径方向内側に位置づけられ、
前記シールプレートは、前記固定ステータ構成要素のシャンク部分の軸方向外側に延在し、
前記アブレイダブルシール要素および前記シールプレートが、前記ロータの回転軸に対して４５度の角度で第１の方向に傾斜し、前記エンジェルウィングシールの方向に半径方向外方に延びる、回転ターボ機械。
【請求項２】
前記シールプレートが、ディスカレッジャシールを備える、請求項１記載の回転ターボ機械。
【請求項３】
前記シールプレートが、前記固定ステータ構成要素に選択的に挿入可能な取替え式インサートを備える、請求項１または２に記載の回転ターボ機械。
【請求項４】
前記エンジェルウィングシールが、前記エンジェルウィングシールの表面から半径方向外方に突出した少なくとも１つのシール歯を備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の回転ターボ機械。
【請求項５】
前記アブレイダブルシール要素が、ハニカムシールを備える、請求項１乃至４のいずれかに記載の回転ターボ機械。
【請求項６】
前記ハニカムシールが、約０．５０から２．００インチの間の長さ、および約０．１５０から０．５００インチの間の厚さを有する、請求項５記載の回転ターボ機械。
【請求項７】
前記アブレイダブルシール要素が、約０．０４０から０．０５０インチの間の厚さに付着されたアブレイダブルコーティングを備える、請求項１乃至６のいずれかに記載の回転ターボ機械。
【請求項８】
前記エンジェルウィングシールが、実質的に反対の第２の方向に傾斜している、請求項１乃至７のいずれかに記載の回転ターボ機械。
【請求項９】
外周及び、回転軸を有するロータと、
前記ロータに配置され、前記ロータの外周から半径方向外側に延在する複数のバケットであって、前記複数のバケットが、環状の列を形成し、各バケットが、シャンクと、該シャンクから半径方向外側に延在するエーロフォイルと、前記シャンクから延びる少なくとも１つのエンジェルウィングシールとを有する、前記複数のバケットと、
前記ロータに隣接して配設され、前記ロータの周りに延在する固定ステータであって、前記エンジェルウィングシールとともにシールギャップを画定するフランジを有する固定ステータと、
前記少なくとも１つのフランジ部分の表面に配設されたアブレイダブルシールと
を備え、
前記シールプレートは、前記固定ステータ構成要素の半径方向内側に位置づけられ、
前記シールプレートは、前記固定ステータ構成要素のシャンク部分の軸方向外側に延在し、
前記フランジおよび前記アブレイダブルシールが、前記ロータの回転軸に対して１０から５０度の間の角度で半径方向外方に第１の方向に傾斜し、前記エンジェルウィングシールが、半径方向外方に実質的に反対の第２の方向に傾斜している、ガスタービンアセンブリ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのフランジ部分が、前記固定ステータ構成要素に固定されたディスカレッジャシールを備える、請求項９記載のガスタービンアセンブリ。
【請求項１１】
前記ディスカレッジャシールが、前記固定ステータ構成要素に選択的に挿入可能な取替え式インサートを備える、請求項１０記載のガスタービンアセンブリ。
【請求項１２】
前記アブレイダブルシール要素が、ハニカムシールを備える、請求項９乃至１１のいずれかに記載のガスタービン。
【請求項１３】
前記ハニカムシールが、約０．５０から２．００インチの間の長さ、および約０．１５０から０．５００インチの間の厚さを有する、請求項１２記載のガスタービン。
【請求項１４】
前記アブレイダブルシール要素が、前記フランジの前記表面に付着されたアブレイダブルコーティングを備える、請求項９乃至１３のいずれかに記載のガスタービン。
【請求項１５】
タービンの回転構成要素と固定構成要素との間の境界におけるシールギャップを低減する方法であって、
外面を有するディスクと、前記外面から半径方向に離れて延びる少なくとも１つのバケットとを支持するロータを用意するステップであって、少なくとも１つのエンジェルウィングシールが前記少なくとも１つのバケットから実質的に軸方向に延びる、ステップと、
前記少なくとも１つのバケットに軸方向に隣接し、前記エンジェルウィングシールの方に延びるアブレイダブルシールが取り付けられたディスカレッジャシールを有する固定ステータ構成要素を用意するステップであって、前記エンジェルウィングシールと前記アブレイダブルシールとの間の半径方向間隙ギャップが画定される、ステップと、
前記ディスカレッジャシールおよび前記アブレイダブルシールを前記ロータの中心軸に対して鋭角に配置することによって、前記ロータが軸方向に膨張する間、前記間隙ギャップの半径方向寸法を低減するステップと
を含み、
前記シールプレートは、前記固定ステータ構成要素の半径方向内側に位置づけられ、
前記シールプレートは、前記固定ステータ構成要素のシャンク部分の軸方向外側に延在する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、かかる課題を解決するために鋭意検討した結果、次のような手段を採用するものである。
（１）少なくとも（Ａ）アミド基１個当たりの炭素原子数が７以上である脂肪族または脂環族ポリアミド樹脂、（Ｂ）半芳香族ポリアミド樹脂、（Ｃ）ガラス繊維および（Ｄ）ガラス繊維以外の無機フィラーを配合してなり、（Ａ）アミド基１個当たりの炭素原子数が７以上である脂肪族または脂環族ポリアミド樹脂４０〜６０重量部および（Ｂ）半芳香族ポリアミド樹脂４０〜６０重量部の合計１００重量部に対して、（Ｃ）ガラス繊維および（Ｄ）ガラス繊維以外の無機フィラーを合計４０〜２３０重量部配合してなるポリアミド樹脂組成物からなるウエルド部を有する成形品。
（２）前記ポリアミド樹脂組成物における（Ａ）成分の、溶媒として９６％硫酸を使用し、ＩＳＯ３０７に準拠して測定した粘度数が、８０〜１５０ｍｌ／ｇの範囲であることを特徴とする（１）記載のウエルド部を有する成形品。
（３）前記ポリアミド樹脂組成物における（Ａ）成分が、ポリヘキサメチレンセバカミド、ポリヘキサメチレンドデカミド、ポリウンデカンアミドおよび／またはポリドデカンアミドを含むことを特徴とする（１）または（２）記載のウエルド部を有する成形品。
（４）前記ポリアミド樹脂組成物における（Ｂ）成分が、ポリヘキサメチレンアジパミド／ポリヘキサメチレンイソフタルアミド／ポリカプロアミドコポリマーおよび／またはポリヘキサメチレンテレフタルアミド／ポリヘキサメチレンイソフタルアミドコポリマーを含むことを特徴とする（１）〜（３）のいずれか記載のウエルド部を有する成形品。
（５）前記ポリアミド樹脂組成物における（Ｄ）成分が、ワラステナイト、マイカおよび／または炭酸カルシウムを含むことを特徴とする（１）〜（４）のいずれか記載のウエルド部を有する成形品。
（６）前記ポリアミド樹脂組成物における（Ｃ）ガラス繊維と（Ｄ）ガラス繊維以外の無機フィラーの配合重量比（Ｃ）／（Ｄ）が１〜４であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか記載のウエルド部を有する成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも（Ａ）アミド基１個当たりの炭素原子数が７以上である脂肪族または脂環族ポリアミド樹脂、（Ｂ）半芳香族ポリアミド樹脂、（Ｃ）ガラス繊維および（Ｄ）ガラス繊維以外の無機フィラーを配合してなり、（Ａ）アミド基１個当たりの炭素原子数が７以上である脂肪族または脂環族ポリアミド樹脂４０〜６０重量部および（Ｂ）半芳香族ポリアミド樹脂４０〜６０重量部の合計１００重量部に対して、（Ｃ）ガラス繊維および（Ｄ）ガラス繊維以外の無機フィラーを合計４０〜２３０重量部配合してなるポリアミド樹脂組成物からなるウエルド部を有する成形品。
【請求項２】
前記ポリアミド樹脂組成物における（Ａ）成分の、溶媒として９６％硫酸を使用し、ＩＳＯ３０７に準拠して測定した粘度数が、８０〜１５０ｍｌ／ｇの範囲であることを特徴とする請求項１記載のウエルド部を有する成形品。
【請求項３】
前記ポリアミド樹脂組成物における（Ａ）成分が、ポリヘキサメチレンセバカミド、ポリヘキサメチレンドデカミド、ポリウンデカンアミドおよび／またはポリドデカンアミドを含むことを特徴とする請求項１または２記載のウエルド部を有する成形品。
【請求項４】
前記ポリアミド樹脂組成物における（Ｂ）成分が、ポリヘキサメチレンアジパミド／ポリヘキサメチレンイソフタルアミド／ポリカプロアミドコポリマーおよび／またはポリヘキサメチレンテレフタルアミド／ポリヘキサメチレンイソフタルアミドコポリマーを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のウエルド部を有する成形品。
【請求項５】
前記ポリアミド樹脂組成物における（Ｄ）成分が、ワラステナイト、マイカおよび／または炭酸カルシウムを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のウエルド部を有する成形品。
【請求項６】
前記ポリアミド樹脂組成物における（Ｃ）ガラス繊維と（Ｄ）ガラス繊維以外の無機フィラーの配合重量比（Ｃ）／（Ｄ）が１〜４であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載のウエルド部を有する成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工程（１）：離型剤と、樹脂粒子（Ａ）の水分散液とを混合して、離型剤粒子の水分散液を得る工程、
工程（２）：工程（１）で得られた離型剤粒子の水分散液と、樹脂粒子（Ｂ）の水分散液とを混合し、凝集させて、凝集粒子を得る工程、及び
工程（３）：工程（２）で得られた凝集粒子を融着させて融着粒子を得る工程
を含む静電荷像現像用トナーの製造方法であって、
前記樹脂粒子（Ａ）が、ポリエステル樹脂からなるセグメント（ａ１）と、スチレン系化合物由来の構成単位を含有するビニル系樹脂セグメント（ａ２）とを有する複合樹脂を含有し、
前記樹脂粒子（Ｂ）を構成する樹脂が、ポリエステル樹脂からなるセグメント（ｂ１）を５０質量％以上含有する樹脂である、静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項２】
前記樹脂粒子（Ａ）が、前記複合樹脂を９０質量％以上含有する、請求項１に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項３】
前記離型剤粒子の水分散液中における界面活性剤の含有量が前記離型剤１００質量部に対し１質量部以下である、請求項１又は２に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項４】
前記離型剤がパラフィンワックスを９５質量％以上含有する、請求項１〜３のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項５】
前記ビニル系樹脂セグメント（ａ２）が両反応性モノマーに由来する構成単位を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項６】
前記樹脂粒子（Ａ）の体積平均粒径（Ｄｖ）が０．０２μｍ以上１．００μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂粒子（Ａ）の体積平均粒径（Ｄｖ）が０．０２μｍ以上０．５０μｍ以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項８】
前記離型剤と前記樹脂粒子（Ａ）との質量比〔離型剤／樹脂粒子（Ａ）〕が１００／１〜１００／１００である、請求項１〜７のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項９】
前記樹脂粒子（Ａ）の水分散液が分散媒中９０質量％以上の水を含有する、請求項１〜８のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂粒子（Ｂ）の水分散液が分散媒中９０質量％以上の水を含有する、請求項１〜９のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項１１】
前記離型剤粒子の体積中位粒径（Ｄ５０）が０．０５μｍ以上１．００μｍ以下である、請求項１〜１０のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素領域のそれぞれに配置されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、
前記ＴＦＴのソース電極と接続されたソースコンタクト部及びドレイン電極と接続されたドレインコンタクト部と、
前記ソースコンタクト部及びドレインコンタクト部上に配置された第１保護層及び第２保護層と、
前記第２保護層上に配置された共通電極と、
前記共通電極上に配置された第３保護層と、
前記共通電極と重畳されるように前記第３保護層上に配置された伝導性ラインと、
第１コンタクトホールにおいて前記ドレインコンタクト部と接続され前記第３保護層上に配置された画素電極及び、
第１側が前記伝導性ラインと直接接続し、第２側が前記第３保護層を貫通して前記共通電極と接続されたブリッジコンタクト部と、を含むインセルタッチ液晶ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記共通電極を露出させる第２コンタクトホールに前記ブリッジコンタクト部が配置され、前記ブリッジコンタクト部と前記共通電極が接続された請求項１に記載のインセルタッチ液晶ディスプレイ装置。
【請求項３】
データラインと重畳された領域に、前記伝導性ラインと前記ブリッジコンタクト部の第１側が配置された請求項１に記載のインセルタッチ液晶ディスプレイ装置。
【請求項４】
複数の画素領域のそれぞれにＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成する段階と、
前記ＴＦＴのソース電極と接続されるソースコンタクト部及びドレイン電極と接続されるドレインコンタクト部を形成する段階と、
前記ソースコンタクト部及びドレインコンタクト部上に第１保護層及び第２保護層を形成する段階と、
前記第２保護層上に共通電極を形成する段階と、
前記共通電極上に第３保護層を形成する段階と、
前記第３保護層上の前記共通電極と重畳された領域に伝導性ラインを形成する段階と、
前記ドレインコンタクト部を露出させる第１コンタクトホールを形成し、前記第１コンタクトホール内部及び前記第３保護層上に画素電極を形成する段階及び、
第１側が前記伝導性ラインと直接接続し、第２側が前記第３保護層を貫通して前記共通電極と接続されるブリッジコンタクト部を形成する段階と、を含むインセルタッチ液晶ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項５】
前記ドレインコンタクト部と重畳された領域の前記第１保護層乃至前記第３保護層を除去して前記第１コンタクトホールを形成し、
前記共通電極と重畳された領域の前記第３保護層を除去して第２コンタクトホールを形成する請求項４に記載のインセルタッチ液晶ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２コンタクトホールに前記ブリッジコンタクト部の第２側が配置され、前記ブリッジコンタクト部と前記共通電極が接続される請求項５に記載のインセルタッチ液晶ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項７】
同一物質及び同一マスクを利用した製造工程で、前記画素電極と前記ブリッジコンタクト部を形成し、
前記ブリッジコンタクト部がアイランドパターンで形成されて前記画素電極と接続されない請求項４に記載のインセルタッチ液晶ディスプレイ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂フィルムと、
前記第１樹脂フィルム上に形成された第１検出電極と、
前記第１樹脂フィルムに対向して配置された第２樹脂フィルムと、
前記第２樹脂フィルム上に形成された第２検出電極と、
リタデーション値が３０００ｎｍ以上であり、前記第１樹脂フィルム及び前記第２樹脂フィルムと収縮方向同士が一致するように前記第１樹脂フィルムと前記第２樹脂フィルムとの間に配置された第３樹脂フィルムと、
を備えたタッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）色材と、（Ｂ）分散剤と、（Ｃ）溶剤とを含有し、前記（Ａ）色材が、酸性染料のジルコニウムレーキ色材を含む、カラーフィルタ用色材分散液。
【請求項２】
前記酸性染料のジルコニウムレーキ色材のレーキ化剤が、塩基性多核縮合イオンを形成可能なジルコニウム化合物である、請求項１に記載のカラーフィルタ用色材分散液。
【請求項３】
前記酸性染料のジルコニウムレーキ色材のレーキ化剤が、ジクロロオキソジルコニウム、クロロヒドロキシオキソジルコニウム、及びこれらの水和物の少なくとも１種である、請求項１又は２に記載のカラーフィルタ用色材分散液。
【請求項４】
前記酸性染料のジルコニウムレーキ色材において、前記酸性染料がローダミン系酸性染料である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のカラーフィルタ用色材分散液。
【請求項５】
前記酸性染料のジルコニウムレーキ色材において、前記酸性染料が下記一般式（ＩＩ）で表されるローダミン系酸性染料である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のカラーフィルタ用色材分散液。
【化１】
2016126162.tif 000001
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４がそれぞれ結合して環構造を形成してもよく、Ｒ１とキサンテン環の５位の炭素原子、Ｒ２とキサンテン環の７位の炭素原子、Ｒ３とキサンテン環の４位の炭素原子、又は、Ｒ４とキサンテン環の２位の炭素原子がそれぞれ結合して環構造を形成してもよい。
上記アリール基、又はヘテロアリール基が有する水素原子が、酸性基又はその塩、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい。
Ｒ５は、酸性基又はその塩を表し、ｘは０〜５の整数である。但し、一般式（ＩＩ）は、酸性基又はその塩を少なくとも２つ有し、そのうち1つは分子内塩を形成する。）
【請求項６】
前記（Ａ）色材が、更に、下記一般式（Ｉ）で表される色材を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のカラーフィルタ用色材分散液。
【化２】
2016126162.tif 000002
（一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｎと直接結合する炭素原子がπ結合を有しないａ価の有機基であって、当該有機基は、少なくともＮと直接結合する末端に飽和脂肪族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基、又は当該脂肪族炭化水素基を有する芳香族基を表し、炭素鎖中にＯ、Ｓ、Ｎが含まれていてもよい。Ｂｃ−はｃ価のポリ酸アニオンを表す。Ｒｉ〜Ｒｖは各々独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、ＲｉｉとＲｉｉｉ、ＲｉｖとＲｖが結合して環構造を形成してもよい。Ａｒ１は置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。複数あるＲｉ〜Ｒｖ及びＡｒ１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ａ及びｃは２以上の整数、ｂ及びｄは１以上の整数を表す。ｅは０又は１であり、ｅが０のとき結合は存在しない。複数あるｅは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の色材分散液と、（Ｄ）バインダー成分とを含有する、カラーフィルタ用着色樹脂組成物。
【請求項８】
ローダミン系酸性染料のジルコニウムレーキ色材である、カラーフィルタ用色材。
【請求項９】
前記ローダミン系酸性染料のジルコニウムレーキ色材のレーキ化剤が、塩基性多核縮合イオンを形成可能なジルコニウム化合物である、請求項８に記載のカラーフィルタ用色材。
【請求項１０】
前記ローダミン系酸性染料のジルコニウムレーキ色材のレーキ化剤が、ジクロロオキソジルコニウム、クロロヒドロキシオキソジルコニウム、及びこれらの水和物の少なくとも１種である、請求項８又は９に記載のカラーフィルタ用色材。
【請求項１１】
前記ローダミン系酸性染料が、下記一般式（ＩＩ）で表されるローダミン系酸性染料である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のカラーフィルタ用色材。
【化３】
2016126162.tif 000003
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４がそれぞれ結合して環構造を形成してもよく、Ｒ１とキサンテン環の５位の炭素原子、Ｒ２とキサンテン環の７位の炭素原子、Ｒ３とキサンテン環の４位の炭素原子、又は、Ｒ４とキサンテン環の２位の炭素原子がそれぞれ結合して環構造を形成してもよい。
上記アリール基、又はヘテロアリール基が有する水素原子が、酸性基又はその塩、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい。
Ｒ５は、酸性基又はその塩を表し、ｘは０〜５の整数である。但し、一般式（ＩＩ）は、酸性基又はその塩を少なくとも２つ有し、そのうち1つは分子内塩を形成する。）
【請求項１２】
透明基板と、当該透明基板上に設けられた着色層とを少なくとも備えるカラーフィルタであって、当該着色層の少なくとも１つが、酸性染料のジルコニウムレーキ色材を含む、カラーフィルタ。
【請求項１３】
前記請求項１２に記載のカラーフィルタと、対向基板と、前記カラーフィルタと前記対向基板との間に形成された液晶層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
前記請求項１２に記載のカラーフィルタと、発光体を有することを特徴とする発光表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
＜昇華性評価＞
実施例１〜３及び比較例１〜５で得られた着色樹脂組成物と実施例９〜１２及び比較例１１〜１７で得られた青色着色樹脂組成物を、上記と同様に厚み０．７ｍｍのガラス基板上に、スピンコーターを用いて塗布し、８０℃のホットプレート上で３分間加熱乾燥を行った。この着色層に８０μｍのライン＆スペースのストライプパターンが画かれたフォトマスクを介して超高圧水銀灯を用いて４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。その後、上記着色層が形成されたガラス板を、アルカリ現像液として０．０５質量％水酸化カリウム水溶液を用いて６０秒間シャワー現像したのち、さらに６０秒間超純水で洗浄した。
得られた着色パターンが形成されたガラス基板の０．７ｍｍ上面にガラス基板を配置し、２３０℃のホットプレート上で３０分間加熱した。上面のガラス基板への昇華物の有無を目視で確認することで、昇華性の評価とした。
Ａ：昇華物なし、Ｂ：昇華物あり
結果を表１、３、４に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルコールを実質的に含有せず、加熱殺菌処理後に未膨潤状態であるでん粉を２〜７重量％含有し、肉質改善機能を有することを特徴とする、焼く前に肉を漬け込むための焼肉用調味料。
【請求項２】
前記未膨潤状態であるでん粉が加工でん粉であることを特徴とする、請求項１に記載の焼肉用調味料。
【請求項３】
前記加工でん粉がリン酸架橋澱粉であることを特徴とする、請求項２に記載の焼肉用調味料。
【請求項４】
前記アルコールを実質的に含有しない焼肉調味料が、焼き肉用調味料全量に対する配合後のアルコールの割合が１．０％未満のものであることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１に記載の焼肉用調味料。
【請求項５】
前記加熱殺菌する熱交換器が、温水加熱方式の熱交換器であることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１に記載の焼肉調味料。
【請求項６】
１）でん粉を含まない原料を加熱釜で殺菌可能な温度以上に達するまで加熱しつつ混合する工程、
２）前記混合された原料の温度がでん粉がα化しない温度未満に低下するまで冷却する工程、
３）でん粉を含む原料を加熱釜に追加投入し更に混合する工程、
４）前記混合された原料を、熱交換器で８５℃未満の温度で加熱殺菌する工程、
５）前記殺菌済み原料を容器充填する工程、
を含み、上記殺菌工程後も未膨潤状態のでん粉を含有する、肉質改善機能を有することを特徴とする焼肉用調味料の製造方法。
【請求項７】
１）でん粉を含まない原料を加熱釜で８０℃以上に達するまで加熱しつつ混合する工程、
２）前記混合された原料の温度が８０℃未満に低下するまで冷却する工程、
３）でん粉を含む原料を加熱釜に追加投入し更に混合する工程、
４）前記混合された原料を、熱交換器で８５℃未満の温度で加熱殺菌する工程、
５）前記殺菌済み原料を容器充填する工程、
を含み、上記殺菌工程後も未膨潤状態のでん粉を含有する、肉質改善機能を有することを特徴とする焼肉用調味料の製造方法。
【請求項８】
１）でん粉を含まない原料を加熱釜で８０℃以上に達するまで加熱しつつ混合する工程、
２）前記混合された原料の温度が７５℃未満に低下するまで冷却する工程、
３）でん粉を含む原料を加熱釜に追加投入し更に混合する工程、
４）前記混合された原料を、熱交換器で８５℃未満の温度で加熱殺菌する工程、
５）前記殺菌済み原料を容器充填する工程、
を含み、上記殺菌工程後も未膨潤状態のでん粉を含有する、肉質改善機能を有することを特徴とする焼肉用調味料の製造方法。
【請求項９】
１）でん粉を含まない原料を加熱釜で９０℃以上に達するまで加熱しつつ混合する工程、
２）前記混合された原料の温度が７０℃未満に低下するまで冷却する工程、
３）でん粉を含む原料を加熱釜に追加投入し更に混合する工程、
４）前記混合された原料を、熱交換器で８５℃未満の温度で加熱殺菌する工程、
５）前記殺菌済み原料を容器充填する工程、
を含み、上記殺菌工程後も未膨潤状態のでん粉を含有する、肉質改善機能を有することを特徴とする焼肉用調味料の製造方法。
【請求項１０】
前記未膨潤状態のでん粉が全原料中の２〜７重量％含まれていることを特徴とする、請求項６から請求項９のいずれか１に記載の焼肉用調味料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
【表６】
2014198000.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
表６の結果からは、特に塩含有重量（Ｃ）が４．５％以下のブロック共重合体（Ｐ）を用いた陽イオン交換膜を用いた電気透析では、糖分リーク率が低く、膜抵抗の上昇も低い（膜の汚染が少ない）ことが判る（実施例１〜７）。さらに、塩含有重量（Ｃ）が４.０％以下の陽イオン交換膜を用いた電気透析では、より伝導度脱塩率が高いことがわかる（実施例２〜７）。一方で、塩含有重量が４．０％よりも多いブロック共重合体を用いた陽イオン交換膜を用いた電気透析では、糖分リーク率が高く、脱塩率が低かった（比較例１〜３）。一方で、完全相溶系であると考えられるミクロ相分離が確認されなかったランダム共重合体からなる陽イオン交換膜ＣＥＭ−１１を使用した場合（比較例４）では、脱塩率は実施例と同等であったが、耐有機汚染性の点では劣っていた。また、市販品の陽イオン交換膜を用いた場合は、有機汚染性に基づく電圧上昇率が著しく高く、通電３０分で電気透析を停止し、停止時の糖分リーク率と脱塩率、膜抵抗上昇率を測定した（比較例５）。以上のことから、ビニルアルコール系共重合体からなるイオン交換膜でポリマーセグメントの相分離を抑えた膜はイオン交換膜としての特性や、リーク率、耐汚染性に優れていることが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月14日(2016.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源供給部と電気的に接続する変圧器と、
前記変圧器と電気的に接続するスイッチと、
前記スイッチと電気的に接続するスイッチング制御回路と
前記変圧器及び出力部と電気的に接続する第１の整流平滑回路と、
前記変圧器及び前記スイッチング制御回路と電気的に接続する第２の整流平滑回路と、を有し、
前記スイッチング制御回路は、制御回路及びスタータ回路を有し、
前記スタータ回路は、
チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を有する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、並びに第１の端子及び第２の端子の間に酸化物半導体膜を有する抵抗素子を備える
ことを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項２】
電源供給部と電気的に接続するスイッチと、
前記スイッチと電気的に接続する変圧器と、
前記電源供給部及び前記スイッチと電気的に接続するスイッチング制御回路と、
前記スイッチ、前記変圧器、及び出力部と電気的に接続する第１の整流平滑回路と、
前記変圧器及び前記スイッチング制御回路と電気的に接続する第２の整流平滑回路と、を有し、
前記スイッチング制御回路は、制御回路及びスタータ回路を有し、
前記スタータ回路は、
チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を有する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、並びに第１の端子及び第２の端子の間に酸化物半導体膜を有する抵抗素子を備える
ことを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項３】
電源供給部と電気的に接続する第１の変圧器及び第２の変圧器と、
前記第１の変圧器及び前記第２の変圧器と電気的に接続するスイッチと、
前記スイッチと電気的に接続するスイッチング制御回路と、
前記第１の変圧器及び出力部と電気的に接続する第１の整流平滑回路と、
前記第２の変圧器及び前記スイッチング制御回路と電気的に接続する第２の整流平滑回路と、を有し、
前記スイッチング制御回路は、制御回路及びスタータ回路を有し、
前記スタータ回路は、
チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を有する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、並びに第１の端子及び第２の端子の間に酸化物半導体膜を有する抵抗素子を備える
ことを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記スイッチは、ゲート、ソース及びドレインを有し、
前記スタータ回路は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、抵抗素子、及びダイオードを有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と、前記抵抗素子の前記第１の端子とが、前記スイッチの前記ソース及びドレインの一方と電気的に接続し、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記抵抗素子の前記第２の端子とが、第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続し、
前記第１のトランジスタの前記ソース及びドレインの他方と、前記ダイオードの第１の端子とが電気的に接続し、
前記ダイオードの第２の端子が、前記制御回路の第１の端子と電気的に接続し、
前記第２のトランジスタの前記ソース及びドレインの他方が接地され、
前記第２のトランジスタのゲートが前記制御回路の第２の端子と電気的に接続し、
前記スイッチの前記ゲートが、前記制御回路の第３の端子と電気的に接続する
ことを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項５】
請求項４において、前記スイッチの前記ソース及びドレインの他方が、前記出力部に含まれる端子と電気的に接続することを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項６】
請求項４において、前記スイッチの前記ソース及びドレインの他方が、前記第１の整流平滑回路の端子及び前記変圧器の端子と電気的に接続することを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項７】
請求項４において、前記スイッチのソース及びドレインの他方が接地されることを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記制御回路に含まれる素子、及び前記スタータ回路に含まれる前記ダイオードは第１の素子層に形成され、
前記スタータ回路に含まれる前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記抵抗素子は、第２の素子層に形成され、
前記第２の素子層は、前記第１の素子層上に設けられ、
前記第１の素子層は、半導体基板を用いて形成され、
前記第１の素子層に含まれる半導体基板は、接地され、
前記第２の素子層に含まれる端子は、導電部材を介して接地される
ことを特徴とするスイッチングコンバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本実施形態のガラス基板は、酸化物基準の質量％で、
ＳｉＯ２：４５．６０〜６０％、
Ａｌ２Ｏ３：７〜２０％、
Ｂ２Ｏ３：１．００以上８％未満、
Ｐ２Ｏ５：０．５０〜７％、
ＴｉＯ２：１〜１５％、
ＲＯの合計量：５〜３５％（ただしＲはＺｎ及びＭｇ）、であってもよい。
この場合、ＣａＯの含有量が３．００％以下、ＢａＯの含有量が４％以下であり、ＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３およびＳｂ２Ｏ３およびＣｌ−、ＮＯ−、ＳＯ２−、Ｆ−成分を含有しないガラス組成（第２のガラス組成）を用いることも好ましい。このようなガラスに結晶化処理を施すことによって、主結晶相としてＲＡｌ２Ｏ４、Ｒ２ＴｉＯ４、（ただしＲはＺｎ、Ｍｇから選択される１種類以上）から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、結晶化度が１５％以下であり、比重が２．９５以下である結晶化ガラスとすることができる。
すなわち、ＳｉＯ２：４５．６０〜６０％、およびＡｌ２Ｏ３：７〜２０％、およびＢ２Ｏ３：１．００〜８％未満、およびＰ２Ｏ５：０．５０〜７％、およびＴｉＯ２：１〜１５％、およびＲＯの合計量：５〜３５％（ただしＲはＺｎ及びＭｇ）の各成分を含有し、ＣａＯの含有量が３．００％以下、ＢａＯの含有量が４％以下であり、ＰｂＯ成分、Ａｓ２Ｏ３成分およびＳｂ２Ｏ３成分およびＣｌ−、ＮＯ−、ＳＯ２−、Ｆ−成分を含有せず、主結晶相としてＲＡｌ２Ｏ４、Ｒ２ＴｉＯ４、（ただしＲはＺｎ、Ｍｇから選択される１種類以上）から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、結晶化度が１５％以下であり、比重が２．９５以下であることを特徴とする結晶化ガラスであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図４及び図５を参照して研磨装置の構成をさらに具体的に説明する。
研磨装置において、下定盤５０の上面および上定盤４０の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド１０が取り付けられている。キャリア３０は、外周部に設けられて太陽歯車６１及び内歯車６２に噛合する歯部３１と、ガラス素板Ｇを収容し保持するための１または複数の孔部３２とを有する。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、中心軸ＣＴＲを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するともに、ガラス素板Ｇ（ワーク）を１または複数を収容し保持する。下定盤５０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス素板Ｇと下定盤５０とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車６１がＣＣＷ（反時計回り）の方向に回転すれば、キャリア３０はＣＷ（時計回り）の方向に回転し、内歯車６２はＣＣＷの方向に回転する。その結果、研磨パッド１０とガラス素板Ｇの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス素板Ｇと上定盤４０とを相対的に移動させてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
［磁気ディスク］
磁気ディスクは、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体である。
磁気ディスクは、例えば、磁気ディスク用ガラス基板（以下、適宜「基板」という。）の主表面上に、その主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁気記録層、保護層、潤滑層が積層された構成を有する。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板主表面上に付着層から磁気記録層まで順次成膜する。付着層としては例えばＣｒＴｉ、下地層としては例えばＣｒＲｕを用いることができる。磁気記録層としては、ＣｏＰｔ系合金を用いることができる。上記成膜後、例えばＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
また、付着層と磁気記録層との間には、ＳＵＬ（軟磁性層）、シード層、中間層などを、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法などの公知の成膜方法を用いて形成してもよい。上記各層の詳細については、例えば特開２００９−１１０６２６号公報段落［００２７］〜［００３２］を参照できる。
なお、前述のとおり、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板を用いることで、ＳＵＬの膜厚が３０ｎｍ以下であっても高いＳＮＲを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月23日(2016.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明によれば、送信系本体に設けられたプラグを不用意にコンセントから抜けば、即座にこのプラグ離脱を検知して使用者に警報を発することができるので、停電を確実に検知できる。停電検知装置はコンセントに常時差し込まれていることになるので、停電状態を常時確実に監視できる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発振回路がそれぞれ出力する複数の発振信号から少なくとも１つを選択する信号選択回路と、
設定情報に基づいて、前記信号選択回路の動作を制御するとともに前記複数の発振回路の動作を制御する制御回路と、を含む、周波数選択回路。
【請求項２】
前記複数の発振回路をさらに含む、周波数選択回路。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記制御回路は、
前記設定情報に基づいて、前記複数の発振回路のそれぞれに供給する電源電圧を制御する、周波数選択回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記制御回路は、
前記複数の発振回路のそれぞれに供給する電源電圧を、前記設定情報に基づいて、第１の電源電圧と、前記第１の電源電圧よりも低く、かつ、発振動作を継続可能な第２の電源電圧と、のどちらかに制御する、周波数選択回路。
【請求項５】
請求項４において、
前記制御回路は、
前記複数の発振回路の全てに前記第２の電源電圧を供給する、周波数選択回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記制御回路は、
電源投入直後、かつ前記複数の発振回路の全てに前記第２の電源電圧を供給する前に、前記複数の発振回路の全てに前記第１の電源電圧を供給する、周波数選択回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記設定情報は、入力される信号によって変更可能である、周波数選択回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の周波数選択回路と、
前記複数の発振回路の各々と接続される複数の共振子と、を含む、発振器。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の周波数選択回路を含む、電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の周波数選択回路を含む、移動体。
【請求項１１】
複数の発振回路がそれぞれ出力する複数の発振信号から少なくとも１つを選択するとともに前記複数の発振回路の動作を制御する周波数選択回路の動作方法であって、
電源投入後、前記複数の発振回路の全てに、第１の電源電圧よりも低く、かつ、発振動作を継続可能な第２の電源電圧を供給するステップと、
少なくとも１つの前記発振回路に前記第１の電源電圧を供給するステップと、
前記第１の電源電圧が供給されている少なくとも１つの前記発振回路が出力する発振信号を選択するステップと、を含む、周波数選択回路の動作方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
電源投入後、前記複数の発振回路に前記第２の電源電圧を供給する前に、前記複数の発振回路に前記第１の電源電圧を供給するステップをさらに含む、周波数選択回路の動作方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
［態様１］
本態様に係る周波数選択回路は、複数の発振回路がそれぞれ出力する複数の発振信号から少なくとも１つを選択する信号選択回路と、設定情報に基づいて、前記信号選択回路の動作を制御するとともに前記複数の発振回路の動作を制御する制御回路と、を含む。
本態様に係る周波数選択回路によれば、設定情報に応じて、選択される発振信号を変更することができるので、出力周波数の切り替えが可能である。また、本態様に係る周波数選択回路によれば、設定情報に応じて、次に選択される発振信号を生成する発振回路に発振動作をさせておくことで高速な周波数切り替え動作を実現することができる。また、本態様に係る周波数選択回路によれば、設定情報に応じて、選択されていない発振信号を生成する発振回路の発振動作を停止させておくことで低消費電力動作を実現することができる。
［態様２］
上記態様に係る周波数選択回路は、前記複数の発振回路をさらに含むようにしてもよい。
［態様３］
上記態様に係る周波数選択回路において、前記制御回路は、前記設定情報に基づいて、前記複数の発振回路のそれぞれに供給する電源電圧を制御するようにしてもよい。
本態様に係る周波数選択回路によれば、発振回路に発振動作をさせるか否かを容易に制御することができる。
［態様４］
上記態様に係る周波数選択回路において、前記制御回路は、前記複数の発振回路のそれぞれに供給する電源電圧を、前記設定情報に基づいて、第１の電源電圧と、前記第１の電
源電圧よりも低く、かつ、発振動作を継続可能な第２の電源電圧と、のどちらかに制御するようにしてもよい。
本態様に係る周波数選択回路によれば、設定情報に応じて、次に選択される発振信号を生成する発振回路に第２の電源電圧（低電源電圧）を供給しておき、選択される直前に第１の電源電圧（高電源電圧）を供給することで、高速な周波数切り替え動作と低消費電力動作を両立することができる。
［態様５］
上記態様に係る周波数選択回路において、前記制御回路は、前記複数の発振回路の全てに前記第２の電源電圧を供給するようにしてもよい。
本態様に係る周波数選択回路によれば、複数の発振回路の全てが第２の電源電圧（低電源電圧）で発振動作をしている状態から、設定情報に応じて、出力周波数の選択や切り替えを行うことができるので、低消費電力化を実現することができる。
［態様６］
上記態様に係る周波数選択回路において、前記制御回路は、電源投入直後、かつ前記複数の発振回路の全てに前記第２の電源電圧を供給する前に、前記複数の発振回路の全てに前記第１の電源電圧を供給するようにしてもよい。
本態様に係る周波数選択回路によれば、電源投入直後、複数の発振回路を第１の電源電圧（高電源電圧）で安定発振させた後、第２の電源電圧（低電源電圧）に切り替えて発振動作を継続させることで、発振動作を継続している時の消費電力を低減させることが可能であるとともに、誤った周波数での発振を防止することができる。
［態様７］
上記態様に係る周波数選択回路において、前記設定情報は、入力される信号によって変更可能であるようにしてもよい。
本態様に係る周波数選択回路によれば、その動作を用途に応じて自由にカスタマイズすることができる。
［態様８］
本態様に係る発振器は、上記のいずれかの周波数選択回路と、前記複数の発振回路の各々と接続される複数の共振子と、を含む。
［態様９］
本態様に係る電子機器は、上記のいずれかの周波数選択回路を含む。
［態様１０］
本態様に係る移動体は、上記のいずれかの周波数選択回路を含む。
［態様１１］
本態様に係る周波数選択回路の動作方法は、複数の発振回路がそれぞれ出力する複数の発振信号から少なくとも１つを選択するとともに前記複数の発振回路の動作を制御する周波数選択回路の動作方法であって、電源投入後、前記複数の発振回路の全てに、第１の電源電圧よりも低く、かつ、発振動作を継続可能な第２の電源電圧を供給するステップと、少なくとも１つの前記発振回路に前記第１の電源電圧を供給するステップと、前記第１の電源電圧が供給されている少なくとも１つの前記発振回路が出力する発振信号を選択するステップと、を含む。
［態様１２］
上記態様に係る周波数選択回路の動作方法は、電源投入後、前記複数の発振回路に前記第２の電源電圧を供給する前に、前記複数の発振回路に前記第１の電源電圧を供給するステップをさらに含むようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
続けて、上記式（２）の係数の算出方法の一例について説明する。図６は、フラックスＦｘの流量と加圧エアとの関係の一例を示すグラフである。本例において係数は、流量計６０により取得したフラックスＦｘの現在流量測定値Ｄｆを加圧値に変換する際に用いられる変換係数であり、例えば流量確認動作時に算出される。係数の算出では、図６に示すように、加圧Ｐ１を０．０５ＭＰａとしたときのフラックスＦｘの流量Ｆ２を流量計６０により測定する。このときのフラックスＦｘの流量Ｆ２を５００μｌ／ｍｉｎとする。さらに、加圧Ｐ２を０．１ＭＰａとしたときのフラックスＦｘの流量Ｆ１を流量計６０により測定する。このときの流量Ｆ１を１０００μｌ／ｍｉｎとする。係数は、このような流量確認動作を行って得た、２点の加圧Ｐ１，Ｐ２と、これらの加圧Ｐ１，Ｐ２におけるフラックスＦｘの各流量Ｆ１，Ｆ２とを下記の式（３）に代入することにより算出される。
係数＝（加圧Ｐ２−加圧Ｐ１）／（流量Ｆ１−流量Ｆ２）    ・・・（３）
上記式（３）により算出された係数は、制御装置５０のメモリ５０ａに保存され、塗布補正時に制御装置５０によって読み出されて使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一方、基板にフラックスを塗布するフラクサと称されるフラックス塗布装置と、フラックスが塗布された基板を予備加熱するプリヒート装置と称される基板加熱装置と、予備加熱された基板にはんだ付を行うはんだ槽と、はんだ付された基板を冷却する冷却装置を備えたはんだ付装置が知られている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
制御部１００は、基板１１に対してはんだ付の一連の処理を連続して行う自動運転中には、基板１１へのフラックス塗布終了に基づいて、プリヒート装置１Ａへの基板１１の投入前にガラス板４１の基板１１側の表面温度が図示しない熱電対により測定され、熱電対により測定されたガラス板温度に基づいて、下プリヒートヒータ２Ａの出力を、待機運転出力とプリヒート運転出力の間に設定された暖気運転出力Ｐｗｂか、プリヒート運転出力Ｐｗｃに出力の切り替えを行なう基板投入前制御を行うように構成しても良い。この投入前制御によって、基板１１が長時間プリヒート内で加熱されることに伴い発生する、搭載部品の基板１１からの脱落や部品自体の熱破壊を回避できる。しかしながら、基板１１のサイズや、搭載される電子部品の点数などから、この投入前工程は必ずしも必要ではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2014197632.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2014197632.tif 000002