Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月9日(2016.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像画素に混在して設けられる位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズ
を備え、
前記マイクロレンズは、
そのレンズ面が実質的に球面をなし、
平面視において矩形形状に形成されるとともに四隅の角が略角取りされることなく形成され、
断面視において画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の底面が、対角境界部を含む対角境界部近傍の底面よりも高くなるように形成される
レンズアレイ。
【請求項２】
前記マイクロレンズは、
平面視において正方形形状に形成され、
前記対辺中央部の断面における前記レンズ面の曲率半径である第１の曲率半径と、前記対角境界部の断面における前記レンズ面の曲率半径である第２の曲率半径とは略等しくなるように形成される
請求項１に記載のレンズアレイ。
【請求項３】
前記位相差検出画素の画素サイズは、３μｍ以上とされ、
前記レンズ面の曲率半径ｒが、前記レンズ面の頂点を通る断面での底面の幅ｄと、前記底面を基準とした前記レンズ面の頂点の高さｔとを用いて、ｒ＝（ｄ2＋４ｔ2）／８ｔ
で表される場合、
前記第１の曲率半径ｒ１と前記第２の曲率半径ｒ２との比である曲率半径比ｒ１／ｒ２は、0.98乃至1.20の範囲に含まれる値とされる
請求項２に記載のレンズアレイ。
【請求項４】
前記レンズ面表面に、反射防止膜として、少なくとも１層の無機膜が形成される
請求項２または３に記載のレンズアレイ。
【請求項５】
前記無機膜は、前記第１の曲率半径ｒ１と前記第２の曲率半径ｒ２との差を小さくする
請求項４に記載のレンズアレイ。
【請求項６】
撮像画素に混在して設けられる位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズを備えるレンズアレイの製造方法であって、
前記マイクロレンズを、
そのレンズ面を実質的に球面とし、
平面視において矩形形状に形成するとともに四隅の角を略角取りされることなく形成し、
断面視において画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の底面を、対角境界部を含む対角境界部近傍の底面よりも高くなるように形成する
ステップを含むレンズアレイの製造方法。
【請求項７】
撮像画素に混在して設けられる位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズ
を備え、
前記マイクロレンズが、
そのレンズ面が実質的に球面をなし、
平面視において矩形形状に形成されるとともに四隅の角が略角取りされることなく形成され、
断面視において画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の底面が、対角境界部を含む対角境界部近傍の底面よりも高くなるように形成されるレンズアレイ
を備える固体撮像装置。
【請求項８】
撮像画素に混在して設けられる位相差検出画素に対応して形成されるマイクロレンズ
を備え、
前記マイクロレンズが、
そのレンズ面が実質的に球面をなし、
平面視において矩形形状に形成されるとともに四隅の角が略角取りされることなく形成され、
断面視において画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の底面が、対角境界部を含む対角境界部近傍の底面よりも高くなるように形成されるレンズアレイを備える固体撮像装置
を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月13日(2016.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１及び第２の主表面を持つＳｉ基板と、
前記Ｓｉ基板の前記第１の主表面上に形成され、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成され、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ≠ｙ）からなるエピタキシャル結晶成長層と、
前記エピタキシャル結晶成長層に形成されたトランジスタと、
前記Ｓｉ基板の前記第２の主表面から前記バッファ層に達する貫通孔に充填され、前記バッファ層と同じ組成比ｘのＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる充填材とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記貫通孔及び前記充填材は、前記トランジスタのソース電極の下方には設けられておらず、前記トランジスタのドレイン電極の下方に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記Ｓｉ基板の前記第２の主表面から前記トランジスタのソースパッドに達するソースバイアホールの内壁と前記Ｓｉ基板の前記第２の主表面に設けられ、前記ソースパッドに接続された金属膜を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記Ｓｉ基板はｎ型であり、前記トランジスタのソースパッドの直下の前記バッファ層及び前記エピタキシャル結晶成長層に設けられた開口を介して前記ソースパッドが前記Ｓｉ基板に直接コンタクトしていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記Ｓｉ基板はｎ型であり、前記トランジスタのソース電極の直下の前記バッファ層及び前記エピタキシャル結晶成長層に設けられた開口を介して前記ソース電極が前記Ｓｉ基板に直接コンタクトしていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記Ｓｉ基板の抵抗率は１０４Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バッファ層はＡｌＮであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
互いに対向する第１及び第２の主表面を持つＳｉ基板の前記第１の主表面上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ≠ｙ）からなるエピタキシャル結晶成長層を形成する工程と、
前記エピタキシャル結晶成長層にトランジスタを形成する工程と、
前記バッファ層をストッパー層として用いて、前記第２の主表面から前記Ｓｉ基板をエッチングして貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に前記バッファ層と同じ組成比ｘのＡｌｘＧａ１−ｘＮからなる充填材を充填する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記充填材を充填する工程は、
前記充填材を前記Ｓｉ基板の前記第２の主面上及び前記貫通孔内に形成する工程と、
前記Ｓｉ基板の前記第２の主面上に形成された前記充填材を削って平坦化する工程とを有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記充填材の充填にスパッタ又はＣＶＤを用いることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
フラーレン誘導体における官能基としては、例えば、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、シアノ基、アルコキシ基、及び、芳香族複素環基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子や塩素原子などが挙げられる。アルキル基としては、例えば、メチル基やエチル基などが挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基やエトキシ基などが挙げられる。芳香族複素環基としては、例えば、芳香族炭化水素基、チエニル基、及び、ピリジル基などが挙げられる。また、芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基やナフチル基などが挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
（第１の実施例）  
太陽電池１１０において、無アルカリガラス（厚さｄ２＝０．７ｍｍ、屈折率約１．５）を基板５として用いる。スパッタ法により１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極を第２電極１２として形成する。そしてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（型番ＡＩ４０８３）をスピンコート（回転数５０００ｒｐｍ、３０秒間）し、空気中で１４０℃、１０分間のアニールを行い、膜厚約５０ｎｍの正孔輸送層を第２中間層２２として形成する。次に、Ｎ２ガスでパージされたグローブボックス中に試料を移動し、ｐ形半導体としてＰＣＤＴＢＴ、ｎ形半導体としてＰＣ［７０］ＢＭをジクロロベンゼンで溶解した溶液をＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ上にスピンコート（回転数２０００ｒｐｍ、６０秒間）し、７０℃、１０分間のアニールを行い、膜厚約７５ｎｍの光電変換膜３０を形成する。なおＰＣＤＴＢＴとＰＣ［７０］ＢＭの比は１：４とする。次に試料をグローブボックスから取り出し、空気中でＴｉ酸化物の前駆体をスピンコート（回転数５０００ｒｐｍ、３０秒間）し、空気中にて７０℃、１０分間のアニールを行い膜厚約５ｎｍのＴｉＯｘの電子輸送層を第１中間層２１として形成する。次に、真空蒸着法によりＡｌを約１００ｎｍ蒸着し、第１電極１１を形成する。そして、Ｎ２雰囲気中で封止ガラスにより前述の積層構造の部分を封止し、太陽電池１１０とする。なお図１では封止ガラスの図示は省略している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月10日(2016.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Nd及びPrのうちの少なくとも1種から成る軽希土類元素RL、Fe及びBを含有するRFeB系磁石から成る焼結磁石又は熱間塑性加工磁石である基材の被付着面に対向してノズルを配置し、
該ノズルから、Dy, Tb及びHoのうちの少なくとも1種から成る重希土類元素RHを含有するRH含有粉末と有機溶剤を混合した混合物を吐出することにより、該混合物を前記被付着面に付着させ、
前記基材を前記混合物ごと加熱する
ことを特徴とするRFeB系磁石の製造方法。
【請求項２】
前記被付着面が非平面であることを特徴とする請求項１に記載のRFeB系磁石の製造方法。
【請求項３】
前記RH含有粉末の最大粒径が、前記ノズルの径の0.15以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のRFeB系磁石の製造方法。
【請求項４】
前記混合物の粘度が30Pa・s以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のRFeB系磁石の製造方法。
【請求項５】
前記被付着面上の位置によって異なる量で該被付着面に前記混合物を付着させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のRFeB系磁石の製造方法。
【請求項６】
前記有機溶剤がシリコーングリース又は流動パラフィンであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のRFeB系磁石の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の載置部と、第２の載置部と、を備えた吸着ステージであって、
前記第１の載置部は、
第１の本体部の一方の端面の外縁側に設けられ、環状を呈する第１の壁部と、
前記第１の本体部の前記第１の壁部が設けられる側とは反対側の端面の外縁側に設けられ、環状を呈する第２の壁部と、
前記第１の本体部を厚み方向に貫通する孔部と、
を有し、
前記第２の載置部は、
前記第１の本体部に対峙する第２の本体部と、
前記第２の本体部から突出し、前記孔部に挿入された支持部と、
を有した吸着ステージ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
第１主面及び前記第１主面とは逆側の面である第２主面を有しており、前記第２主面が前記チップ搭載部に対向する向きに前記チップ搭載部に搭載されている第１半導体チップと、
第３主面及び前記第３主面とは逆側の面である第４主面を有しており、前記第３主面が前記第１主面に対向する向きに前記第１半導体チップの上に一部が搭載されている第２半導体チップと、
を備え、
平面視において、前記チップ搭載部は切欠部を有しており、かつ前記第２半導体チップの一部は前記切欠部と重なっており、
さらに、前記第１半導体チップの前記第１主面のうち前記第２半導体チップと重なっていない部分に位置している第１電極パッドと、
前記第２半導体チップの前記第３主面のうち前記切欠部と重なっている領域に位置している第２電極パッドと、
一端が前記第１電極パッドに接続する第１ボンディングワイヤと、
一端が前記第２電極パッドに接続する第２ボンディングワイヤと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの前記第１主面に形成された第１インダクタと、
前記第２半導体チップの前記第３主面に形成された第２インダクタと、
を備え、平面視において、前記第１インダクタと前記第２インダクタは重なっている半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップのうち前記切欠部に面している辺の幅は、前記切欠部の幅よりも広く、
平面視において、前記第１半導体チップの一部は前記切欠部と重なっている半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
平面視において、前記切欠部の開口側の端部にはテーパが形成されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１ボンディングワイヤの他端が接続している第１リード端子と、
前記第２ボンディングワイヤの他端が接続している第２リード端子と、
前記第２リード端子と並んで配置されている２つの第３リード端子と、
前記２つの第３リード端子のうち前記チップ搭載部側の端部を互いに接続している端子接続部と、
前記チップ搭載部、前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、第１ボンディングワイヤ、前記第２ボンディングワイヤ、前記第１リード端子の少なくとも前記第１ボンディングワイヤが接続している部分、前記第２リード端子の少なくとも前記第２ボンディングワイヤが接続している部分、前記２つの第３リード端子のうち少なくとも前記端子接続部が接続している部分、及び前記端子接続部を封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
平面視において、第２リード端子及び前記第３リード端子は、前記チップ搭載部を挟んで前記第１リード端子とは逆側に配置されており、
前記第２リード端子から前記チップ搭載部までの距離は、前記第１リード端子から前記チップ搭載部までの距離よりも離れている半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記２つの第３リード端子及び前記端子接続部を複数組備え、
複数の前記第２リード端子を、第１の前記組及び第２の前記組の間に有している半導体装置。
【請求項８】
請求項５に記載の半導体装置において、
平面視において、第２リード端子及び前記第３リード端子は、前記チップ搭載部を挟んで前記第１リード端子とは逆側に配置されており、
複数の前記第１リード端子を備え、
前記複数の第１リード端子の間に位置しており、前記チップ搭載部に接続している支持部を備える半導体装置。
【請求項９】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第１ボンディングワイヤの前記他端の前記第１リード端子に対する角度は、前記第１ボンディングワイヤの前記一端の前記第１半導体チップに対する角度よりも小さく、
前記第２ボンディングワイヤの前記他端の前記第２リード端子に対する角度は、前記第２ボンディングワイヤの前記一端の前記第２半導体チップに対する角度よりも大きい半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップは、前記第１半導体チップよりも厚い半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップの前記第４主面に設けられた保護層を備える半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップに形成された電力制御素子を備えている半導体装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップの前記第３主面と前記第１半導体チップの前記第１主面の間に位置する固定層を備え、
前記固定層の一部は前記第２半導体チップの側面の上に位置しており、
前記固定層の他の一部は、前記第１半導体チップの側面のうち前記第２半導体チップと重なっている領域の上に位置している半導体装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの前記第１主面及び前記第２半導体チップの前記第３主面のいずれか一方に形成された凸部と、
前記第１半導体チップの前記第１主面及び前記第２半導体チップの前記第３主面の他方に形成された切欠部と、
を備え、
平面視において、前記凸部の外形と前記切欠部の外形は同様の形状を有しており、かつ前記凸部と前記切欠部は重なっている半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＤＤセル及びＴＤＤセルとキャリアアグリゲーションを適用して通信を行うユーザ端末であって、
各セルから送信されるＤＬ信号を受信する受信部と、
受信したＤＬ信号に対する送達確認信号を所定のサブフレームに割当ててフィードバックするフィードバック制御部と、を有し、
前記フィードバック制御部は、ＦＤＤセルとＴＤＤセルの両方でＵＬサブフレームが設定される場合に、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、両方の上り制御チャネルを利用して送達確認信号をフィードバックし、かつＦＤＤセルの一方にＵＬサブフレームが設定される場合にＦＤＤセルの上り制御チャネルを利用して送達確認信号をフィードバックすることを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記フィードバック制御部は、前記第１のセルと前記第２のセルがそれぞれ異なるスケジューラでスケジューリングされる場合と、前記第１のセルと前記第２のセルが同じスケジューラでスケジューリングされる場合に共通のＨＡＲＱタイミングを適用することを特徴とする請求項１に記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記フィードバック制御部は、ＦＤＤセルのＤＬ信号に対する送達確認信号とＴＤＤセルのＤＬ信号に対する送達確認信号の送信を、各セルの上り制御チャネルを利用してそれぞれ独立に制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のユーザ端末。
【請求項４】
前記受信部は、ＦＤＤセルとＴＤＤセルの両方でＵＬサブフレームが設定される場合に、各セルの上り制御チャネルに関する情報が含まれる下り制御情報を受信することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項５】
ＦＤＤセル及びＴＤＤセルとキャリアアグリゲーションを利用するユーザ端末と通信する基地局であって、
ＤＬ信号を送信する送信部と、
前記ＤＬ信号に対してユーザ端末から送信される送達確認信号を所定のＵＬサブフレームで受信する受信部と、を有し、
前記受信部は、ＦＤＤセルとＴＤＤセルの両方でＵＬサブフレームが設定される場合に、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、両方の上り制御チャネルでフィードバックされる送達確認信号を受信し、かつＦＤＤセルの一方にＵＬサブフレームが設定される場合にＦＤＤセルの上り制御チャネルでフィードバックされる送達確認信号を受信することを特徴とする基地局。
【請求項６】
ＦＤＤセル及びＴＤＤセルとキャリアアグリゲーションを適用して通信を行うユーザ端末の無線通信方法であって、
各セルから送信されるＤＬ信号を受信する工程と、
受信したＤＬ信号に対する送達確認信号を所定のＵＬサブフレームに割当ててフィードバックする工程と、を有し、
前記フィードバック制御部は、ＦＤＤセルとＴＤＤセルの両方でＵＬサブフレームが設定される場合に、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、両方の上り制御チャネルを利用して送達確認信号をフィードバックし、かつＦＤＤセルの一方にＵＬサブフレームが設定される場合にＦＤＤセルの上り制御チャネルを利用して送達確認信号をフィードバックすることを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のユーザ端末は、ＦＤＤセル及びＴＤＤセルとキャリアアグリゲーションを適用して通信を行うユーザ端末であって、各セルから送信されるＤＬ信号を受信する受信部と、受信したＤＬ信号に対する送達確認信号を所定のサブフレームに割当ててフィードバックするフィードバック制御部と、を有し、前記フィードバック制御部は、ＦＤＤセルとＴＤＤセルの両方でＵＬサブフレームが設定される場合に、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、両方の上り制御チャネルを利用して送達確認信号をフィードバックし、かつＦＤＤセルの一方にＵＬサブフレームが設定される場合にＦＤＤセルの上り制御チャネルを利用して送達確認信号をフィードバックすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるＤｕｐｌｅｘ−ｍｏｄｅを設定可能な第１のセル及び第２のセルと通信を行うユーザ端末であって、
各セルから送信されるＤＬ信号を受信する受信部と、
受信したＤＬ信号に対する送達確認信号を所定のタイミングで送信するフィードバック制御部と、を有し、
前記フィードバック制御部は、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、各セルのＤＬ信号に対する送達確認信号の送信タイミングを、各セルの上り制御チャネルをそれぞれ利用して独立に制御することを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記フィードバック制御部は、一方のセルのＤＬ信号に対する送達確認信号のみ送信する場合には、当該ＤＬ信号の下り制御チャネルのリソースに基づいて決定されるＰＵＣＣＨリソースを用いて当該一方のセルから送達確認信号を送信し、各セルのＤＬ信号に対する送達確認信号の送信が重複する場合には、各セルのＰＵＣＣＨリソースをそれぞれ用いて送達確認信号を送信するように制御することを特徴とする請求項１に記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記第１のセルと第２のセルの一方はＦＤＤセルであり、他方はＴＤＤセルであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のユーザ端末。
【請求項４】
前記第１のセルはＰＣｅｌｌであり、前記第２のセルは前記ＰＣｅｌｌ以外にＰＵＣＣＨが設定されるＳＣｅｌｌであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項５】
前記第１のセルと前記第２のセルは、それぞれ異なるスケジューラでスケジューリングされることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項６】
前記第１のセルと前記第２のセルは、同じスケジューラでスケジューリングされることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項７】
前記フィードバック制御部は、前記第１のセルと前記第２のセルがそれぞれ異なるスケジューラでスケジューリングされる場合と、前記第１のセルと前記第２のセルが同じスケジューラでスケジューリングされる場合に共通のＨＡＲＱタイミングを適用することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項８】
異なるＤｕｐｌｅｘ−ｍｏｄｅを設定可能な第１のセル及び第２のセルを利用するユーザ端末と通信する基地局であって、
ＤＬ信号を送信する送信部と、
前記ＤＬ信号に対してユーザ端末から送信される送達確認信号を所定のタイミングで受信する受信部と、を有し、
前記受信部は、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、各セルで送信されたＤＬ信号に対する送達確認信号を、各セルの上り制御チャネルで受信することを特徴とする基地局。
【請求項９】
異なるＤｕｐｌｅｘ−ｍｏｄｅを設定可能な第１のセル及び第２のセルと通信を行うユーザ端末の無線通信方法であって、
各セルから送信されるＤＬ信号を受信する工程と、
受信したＤＬ信号に対する送達確認信号を所定のタイミングで送信する工程と、を有し、
ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、各セルのＤＬ信号に対する送達確認信号の送信タイミングを、各セルの上り制御チャネルをそれぞれ利用して独立に制御することを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のユーザ端末は、異なるＤｕｐｌｅｘ−ｍｏｄｅを設定可能な第１のセル及び第２のセルと通信を行うユーザ端末であって、各セルから送信されるＤＬ信号を受信する受信部と、受信したＤＬ信号に対する送達確認信号を所定のタイミングで送信するフィードバック制御部と、を有し、前記フィードバック制御部は、ＰＣｅｌｌが設定されるセルに関わらず、各セルのＤＬ信号に対する送達確認信号の送信タイミングを、各セルの上り制御チャネルをそれぞれ利用して独立に制御することを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月28日(2015.12.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
進化型ユニバーサル地上無線アクセスネットワーク（Ｅ−ＵＴＲＡＮ）の中の進化型ノードＢ（ｅＮＢ）によって用いられる装置であって、
ユーザ機器（ＵＥ）と通信する通信モジュールと、
１つ以上のマルチメディアブロードキャストマルチキャストサービス（ＭＢＭＳ）が提供される複数の代わりのキャリア周波数を示すシステム情報を、前記通信モジュールを介して前記ＵＥに送信するＭＢＭＳモジュールと
を備え、
前記システム情報は、システム情報ブロック伝送信号に含まれる、
装置。
【請求項２】
前記システム情報はさらに、前記複数の代わりのキャリア周波数の指標を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記システム情報はさらに、前記ＵＥによって用いられるキャリア選択モードの指標を備え、
前記キャリア選択モードは、複数のＭＢＭＳを提供する複数のキャリア周波数の選択を優先する第１の選択モード、または、前記キャリア周波数がＭＢＭＳを送信しているかどうかに関係がなく信号品質に基づいて複数のキャリア周波数の選択を優先する第２の選択モードのうちの選択された１つである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記通信モジュールに結合された１つ以上のアンテナをさらに備える、請求項１から３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
ユーザ機器（ＵＥ）によって用いられる装置であって、
進化型ユニバーサル地上無線アクセスネットワーク（Ｅ−ＵＴＲＡＮ）の中の進化型ノードＢ（ｅＮＢ）と通信する通信モジュールと、
システム情報ブロックに含まれるシステム情報を、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢから受信するマルチメディアブロードキャストマルチキャストサービス（ＭＢＭＳ）モジュールと
を備え、
前記システム情報は、ＭＢＭＳが提供される複数の代わりのキャリア周波数を示す、装置。
【請求項６】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、
前記ＵＥが、前記キャリア周波数の１つ上の前記ＭＢＭＳを受信することを示すＭＢＭＳ関心指標メッセージを、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢに送信する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、ラジオリソースコントロール（ＲＲＣ）信号伝達を介して前記ＭＢＭＳ関心指標メッセージを送信する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、ユニキャストサービスと比べて前記ＭＢＭＳを受信するとの前記ＵＥの優先度を示すＭＢＭＳ関心指標メッセージを、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢに送信する、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、ユニキャストサービスと比べて前記ＭＢＭＳを受信するとの前記ＵＥの前記優先度が変更された場合に、別のＭＢＭＳ関心指標メッセージを、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢに送信する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、前記ＵＥが、ＭＢＭＳ受信を優先するか、または、ユニキャスト受信を優先するかを示す１ビットを備えるＭＢＭＳ関心指標メッセージを、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢに送信する、請求項５に記載の装置。
【請求項１１】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、
複数のＭＢＭＳに対して適用されるＭＢＭＳ／ユニキャスト優先指標、
前記ＭＢＭＳのＭＢＭＳ識別子、
前記ＭＢＭＳのテンポラリモバイルグループ識別子（ＴＭＧＩ）、または、
前記ＵＥが受信するＭＢＭＳの数がいくつであるかを示す情報を備えるＭＢＭＳ関心指標メッセージを、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢに送信する、請求項５に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＭＢＭＳモジュールはさらに、ＭＢＭＳ受信に関連した前記ＵＥの能力情報を、前記通信モジュールを介して前記ｅＮＢに示す、請求項５から１１の何れか一項に記載の装置。
【請求項１３】
タッチスクリーンディスプレイ及び１つ以上のカメラの少なくとも１つをさらに備える、請求項５から１１の何れか一項に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
幾つかの形態では、ＭＢＭＳアシスト情報は、複数の代わりのＭＢＭＳ搬送キャリアに対する情報を含んでもよい。複数の代わりのＭＢＭＳ搬送キャリアは、同一のｅＮＢ又は異なるｅＮＢによって送信されてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
幾つかの形態では、ＭＢＭＳ関係情報は、１つ以上の代わりのキャリアに対する含まれた情報の関連性を示すことによって、ＳＩＢ１３のエクステンションを用いて、サービス提供ｅＮＢ１０４によって送信されてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月30日(2016.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
ハウジング２は、一対の長い側および一対の短い側を有する細長い形状であり（図３を参照）、上壁２１と、底壁２２と、一対の側壁２３とを含む。側壁２３のそれぞれが、上壁２１と底壁２２とを相互接続するために、短い面のいずれか一方にそれぞれ配置される。ロッキング機構（例えば、ワイヤー）がそこを通って伸びることを可能とするため、貫通孔２３１が側壁２３のいずれか一方に形成されてもよい。このようにして、インターフェイス装置１が、アクセサリーアイテムとして、財布または携帯用の装置など他の物に取り付けられることが可能となる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
上壁２１および底壁２２は、長い側において互いに接続されておらず、それによって、長い側に二つの開口部２０１、２０２がそれぞれ形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
さらに図５および図６を参照して、回路基板４は、裏表の第１および第２の表面４１、４２を有し、ハウジング２と類似する、一対の長い側および一対の短い側で構成される細長い形状を有する。回路基板４は、スイッチユニット３にはめ込まれる。特に、回路基板４の一部がベース３１に包含され、且つ回路基板４の他の部分がフレーム３２に噛合する。その結果として、回路基板４は、スイッチユニット３によって、ハウジング２に対して相対的に移動することが可能となる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
第１の接続インターフェイス５は、スイッチユニット３のフレーム３２において、回路基板４の短い側のいずれか一方に備えられ、且つ電子装置９の第１のソケット９１と電気的に接続されるよう構成される。第１の接続インターフェイス５は、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）２．０またはＵＳＢ３．０規格に準拠してもよい。一方で、第１のソケット９１は、ＵＳＢ２．０またはＵＳＢ３．０規格をサポートするＵＳＢソケットであってもよい（図２を参照）。他の接続規格が、第１の接続インターフェイス５を電子装置９の多様なソケットに接続するための手段として用いられてもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
第２の接続インターフェイス７が、第１の接続インターフェイス５と反対側であり、回路基板４の短い側の他方に提供される。第２の接続インターフェイス７は、第１の接続インターフェイス５と異なる。例えば、第１の接続インターフェイス５が、ＵＳＢ２．０またはＵＳＢ３．０規格に準拠する一方で、第２のインターフェイス７は、マイクロＵＳＢまたはミニＵＳＢ規格に準拠してもよい。実際には、第２のインターフェイス７は、電子装置９の第２のソケット９２と電気的に接続されるよう構成されてもよく（図２を参照）、且つ絶縁板７１と、第２の端子セット７２と、第２のシェル部材７３とを含んでもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
絶縁板７１は、回路基板４の短い側の他方に固定される。第２の端子セット７２は、一部が回路基板４と電気的に接触して、絶縁板７１の上に配置される。第２のシェル部材７３は、絶縁板７１に接続され、且つ第２の端子セット７２を覆う。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極から成る１つまたは複数の蓄電素子と、
前記蓄電素子を制御する制御部と、を備え、
前記蓄電素子の負極の活物質は、少なくとも黒鉛を含み、
前記制御部は、第１放電が実行された際の放電曲線である第１放電曲線と、前記第１放電よりも放電レートが低い第２放電が実行された際の放電曲線である第２放電曲線とに基づいて、前記蓄電素子の反応律速が前記正極または前記負極のいずれであるかを診断し、前記診断した結果に応じて、前記蓄電素子の作動範囲である蓄電素子作動範囲を設定する蓄電装置。
【請求項２】
請求項１に記載の蓄電装置において、
前記制御部は、
前記第１放電によって放電される容量である放電容量Ｑ１と、前記第２放電によって放電される容量である放電容量Ｑ２をそれぞれ計測し、前記放電容量Ｑ２から前記放電容量Ｑ１を引いた値Ｑ２−Ｑ１を算出し、
前記Ｑ２−Ｑ１が所定の閾値より大きければ、前記蓄電素子の反応律速が正極であると診断して、放電末期側を含まないように前記蓄電素子作動範囲を設定し、
前記Ｑ２−Ｑ１が所定の閾値より小さければ、前記蓄電素子の反応律速が負極であると診断して、放電初期側を含まないように前記蓄電素子作動範囲を設定する蓄電装置。
【請求項３】
請求項１に記載の蓄電装置において、
前記制御部は、
前記第１放電によって放電される容量である放電容量Ｑ１と、前記第２放電によって放電される容量である放電容量Ｑ２をそれぞれ計測し、前記放電容量Ｑ１を前記放電容量Ｑ２で割った値Ｑ１／Ｑ２を算出し、
前記Ｑ１／Ｑ２が所定の閾値より小さければ、前記蓄電素子の反応律速が正極であると診断して、放電末期側を含まないように前記蓄電素子作動範囲を設定し、
前記Ｑ１／Ｑ２が所定の閾値より大きければ、前記蓄電素子の反応律速が負極であると診断して、放電初期側を含まないように前記蓄電素子作動範囲を設定する蓄電装置。
【請求項４】
請求項１に記載の蓄電装置において、
前記制御部は、
前記第１放電によって放電される容量である放電容量Ｑ１を計測し、
前記第２放電曲線の前記放電容量Ｑ１における電圧値Ｖ２が所定の閾値より大きければ、前記蓄電素子の反応律速が正極であると診断して、放電末期側を含まないように前記蓄電素子作動範囲を設定し、
前記電圧値Ｖ２が所定の閾値より小さければ、前記蓄電素子の反応律速が負極であると診断して、放電初期側を含まないように前記蓄電素子作動範囲を設定する蓄電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１による発明の蓄電装置は、正極と負極から成る１つまたは複数の蓄電素子と、蓄電素子を制御する制御部と、を備え、蓄電素子の負極の活物質は、少なくとも黒鉛を含み、制御部は、第１放電が実行された際の放電曲線である第１放電曲線と、第１放電よりも放電レートが低い第２放電が実行された際の放電曲線である第２放電曲線とに基づいて、蓄電素子の反応律速が正極または負極のいずれであるかを診断し、診断した結果に応じて、蓄電素子の作動範囲である蓄電素子作動範囲を設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月30日(2016.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
キャパシタとは、対向する２つの電極間に誘電体又は電気二重層を挟んだ形で構成されてなる蓄電機能を有するものである。誘電体を用いるものとしては、アルミ電解コンデンサ（アルミ電解キャパシタ）やタンタル電解コンデンサ（タンタル電解キャパシタ）が挙げられ、電気二重層を用いるものとしては、電気二重層キャパシタが挙げられる。電気二重層キャパシタの電極としては、一対の電気二重層容量型電極、一方が電気二重層容量型電極でもう一方が酸化還元型電極の組み合わせの何れでも良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
実施例４、１０〜１３と比較例４との比較から、ドライヤーにおいて、シリンダードライヤーの温度を上げて、フィブリル化された溶剤紡糸セルロース繊維からの水分除去を進めることで、溶剤紡糸セルロース繊維同士の結合力が上がり、厚み方向での平均内部結合強度が上昇し、最低内部結合強度も上昇した。その結果、平均繊維長０．４０〜１．１０ｍｍのフィブリル化された溶剤紡糸セルロース繊維を主体繊維とし、厚み方向での平均内部結合強度が６０ｍＪ以上であり、且つ、最低内部結合強度が３０ｍＪ以上である多孔質シートからなる実施例４、１０〜１３のセパレータは、引張り強度がより強くなり、且つ、加工性やスリット加工歩留まりも向上した。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実施例2〜3
CrN/TiN積層皮膜の成膜時間と回数をそれぞれ50分×6回（実施例2）、5分×60回（実施例3）、及びCu金属層の成膜時間と回数をそれぞれ5分×5回（実施例2）、1分×59回（実施例3）に変更した以外は実施例1と同じ条件で、金属(Cu)層含有CrN/TiN積層硬質皮膜の成膜を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月5日(2016.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
Ｓ２０８において、制御系５Ａは、先に説明した（ｅ）電流波形解析動作を実行する。
Ｓ２０９において、制御系５Ａは、先に説明した（ｆ）短絡耐量測定動作を開始する。具体的には、制御系５Ａは、ステップＳ２１０に処理を進める。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
図２５に示される検討例の場合、容量素子ＣＰ１０１の下部電極ＬＥ１０１が、第３配線層の配線Ｍ３と同層の導電膜パターンにより形成されている。すなわち、図２５に示される検討例の場合、下部電極ＬＥ１０１と配線Ｍ３とは、共通の導電膜（上記導電膜ＣＤ３に相当するもの）をパターニングすることにより形成されたものである。このため、図２５に示される検討例の場合、下部電極ＬＥ１０１の積層構成は、配線Ｍ３の積層構成と同じであり、下部電極ＬＥ１０１と配線Ｍ３とは、どちらも、バリア導体膜Ｂ３ａと、バリア導体膜Ｂ３ａ上のアルミニウムを主成分とする主導体膜Ｃ３と、主導体膜Ｃ３上のバリア導体膜Ｂ３ｂとの積層膜からなる。そして、下部電極ＬＥ１０１上に、容量絶縁膜ＹＺ１０１を介して上部電極ＵＥ１０１が形成されている。上部電極ＵＥ１０１は、配線Ｍ３とは別の導電膜パターンにより形成されており、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）膜からなる。容量絶縁膜ＹＺ１０１は、例えば窒化シリコン膜からなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
また、下部電極ＬＥと平面視で重ならない部分の上部電極ＵＥ上にプラグＰ４ａが配置されて、そのプラグＰ４ａと上部電極ＵＥとが電気的に接続されている点は、本実施の形態３も上記実施の形態１と同様である。すなわち、上部電極ＵＥの上面のうち、上記凸部ＴＢの周囲の領域上（すなわち凸部ＴＢよりも低くなっている領域上）に、プラグＰ４ａが配置されている点は、本実施の形態３も上記実施の形態１と同様である。プラグＰ４ａは、上部電極ＵＥとプラグＰ４ａ上に配置された配線Ｍ４との間を電気的に接続するように機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
上記実施の形態１と同様にして、プラグＰ３形成工程までを行って、上記実施の形態１の上記図１２に対応する図３８の構造が得られる。なお、本実施の形態５では、図３８に示されるように、層間絶縁膜Ｌ３にスルーホールＳ３を形成する際に、プラグＰ３ｄを埋め込むためのスルーホールＳ３も形成し、スルーホールＳ３内にプラグＰ３を形成する際に、プラグＰ３ｄも形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月4日(2016.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空状のケース（１０）と、
前記ケースの内部に組み付けられ、電子部品が実装されて所定の電子回路を構成する回路基板（３０）と、
前記ケースの内部に組み付けられ、前記回路基板を保護するシールド部材（４０，１４０，２４０）と、
前記ケースの内部に充填された後に硬化して前記回路基板および前記シールド部材を封入する防湿用充填材（５０）と、
を備え、
前記ケースには、開口（１１Ａ）が形成され、
前記シールド部材には、前記防湿用充填材の硬化時に水平となる水平面に対して傾斜する傾斜面（４１Ａ）と、前記傾斜面に連続し、前記シールド部材を挟む両側の空間を連通させる連通部（４１Ｂ〜４１Ｅ）と、が設けられ、
前記傾斜面は、前記防湿用充填材を前記開口から封入する際に、前記開口側が最下端となるように傾斜して形成されていること
を特徴とする電子装置（１）。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、
前記シールド部材には、前記傾斜面に対して複数の前記連通部（４１Ｂ〜４１Ｅ）が設けられていること
を特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子装置において、
前記シールド部材には、前記傾斜面（１４１ＡＡ，１４１ＡＢ，２４２Ａ）が複数設けられていること
を特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の電子装置において、
前記開口は、前記連通部とは別に設けられていること
を特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月13日(2016.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
車両で用いられ、
表示装置に地図の表示を行わせる表示処理部（７７）を備える運転支援装置であって、
前記地図に含まれる道路網の構成要素としてリンクを所定の種別にパターン分けしたパターンのうちから、自車が走行した前記リンクをもとに、前記車両のドライバが経験不足な未熟パターンを特定する未熟パターン特定部（７５）と、
設定された起点から前記未熟パターン特定部で特定した未熟パターンを通過せずに前記車両が到達できる行動可能範囲を特定する行動可能範囲特定部（７６）とを備え、
前記表示処理部は、表示されている前記地図において、前記行動可能範囲特定部で特定した行動可能範囲を前記地図に重畳した表示を行わせることを特徴とする運転支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の運転支援装置は、車両で用いられ、表示装置に地図の表示を行わせる表示処理部（７７）を備える運転支援装置であって、地図に含まれる道路網の構成要素としてリンクを所定の種別にパターン分けしたパターンのうちから、自車が走行したリンクをもとに、車両のドライバが経験不足な未熟パターンを特定する未熟パターン特定部（７５）と、設定された起点から未熟パターン特定部で特定した未熟パターンを通過せずに車両が到達できる行動可能範囲を特定する行動可能範囲特定部（７６）とを備え、表示処理部は、表示されている地図において、行動可能範囲特定部で特定した行動可能範囲を地図に重畳した表示を行わせることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月9日(2016.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客にメンテナンスレポートを提供するメンテナンスレポート提供システムであって、
データベース、データ収集部及び電子帳票作成部を含むレポートセンターと、
当該レポートセンターと通信手段を介して接続された保守員端末及び顧客端末と
を備え、
前記顧客端末でメンテナンスレポートが使用される毎に、当該顧客端末は保守対象機器
の使用履歴を、前記通信手段を介して前記レポートセンターに送信することを特徴とする
メンテナンスレポート提供システム。
【請求項２】
請求項１に記載のメンテナンスレポート提供システムであって、
前記メンテナンスレポートは、サマリー表示画面を含む電子帳票として前記顧客端末に
提供されることを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のメンテナンスレポート提供システムであって、
前記データ収集部は、前記保守対象機器を遠隔監視する遠隔監視端末に通信回線を介し
て接続され、当該保守対象機器の稼働状況あるいは故障発生状況を収集し、収集したデー
タを前記データベースに記録することを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のメンテナンスレポート提供システムであって
、
前記電子帳票作成部は、前記データベースで紐付けられた情報を参照し、顧客別のメン
テナンスレポートの電子帳票を作成することを特徴とするメンテナンスレポート提供シス
テム。
【請求項５】
請求項４に記載のメンテナンスレポート提供システムであって、
前記電子帳票を開いたときの最初の画面は、前記メンテナンスレポートの一覧表を記載
したサマリー表示画面であることを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項６】
請求項５に記載のメンテナンスレポート提供システムであって、
前記サマリー表示画面の一覧表の内容は、前記メンテナンスレポートの重要度に応じて
並び替えられることを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項７】
請求項５に記載のメンテナンスレポート提供システムであって、
前記一覧表には、行毎の承認欄と、全件承認欄が設けられていることを特徴とするメン
テナンスレポート提供システム。
【請求項８】
請求項７に記載のメンテナンスレポート提供システムであって、
予め設定された行の前記承認欄が承認状態となったとき、前記全件承認欄の承認が有効
となることを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のメンテナンスレポート提供システムであって
、
前記使用は、前記メンテナンスレポートの開封、閲覧、承認、全件承認、送信及び印刷
の各行為の１つを含むことを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載のメンテナンスレポート提供システムであって
、
前記レポートセンターは進捗管理部をさらに含み、
当該進捗管理部は、前記データベースから未承認顧客一覧データを取り出し、作成された電子帳票に未承認のものがあり、電子帳票作成から予め設定した期間経過している顧客に対して確認依頼メールを送信し、前記電子帳票への承認を促すことを特徴とするメンテナンスレポート提供システム。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のメンテナンスレポート提供システムであっ
て、
前記保守対象機器がエレベーター及びエスカレーターを含む昇降機であること特徴とす
るメンテナンスレポート提供システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月6日(2016.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータを、
オンライン地図情報サービスから取得された、指定された区域の地図を地図表示領域に表示する地図表示処理手段、
前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、その指定された地図上の位置に当該撮影手段を示すアイコンを表示するアイコン表示処理手段、
前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、当該撮影手段の設置地点を示す情報を少なくとも含む撮影手段情報を当該撮影手段に対応させて生成し、記憶手段に保存する情報管理手段、
地図上に表示されたいずれかの前記アイコンがユーザに選択されると、その選択された前記アイコンに対応する撮影手段により撮影された画像として、オンライン地図情報サービスから取得された、当該撮影手段の設置地点において撮影された写真画像を写真画像表示領域に表示する画像表示処理手段、
ユーザにより入力された格納先から現場の写真画像を取得する画像取得手段、
として機能させ、
前記画像表示処理手段は、ユーザにより現場の写真画像の格納先が入力された場合、オンライン地図情報サービスから取得された写真画像に代えて、前記画像取得手段により取得された現場の写真画像を前記写真画像表示領域に表示することを特徴とするプログラム。
【請求項２】
前記撮影手段情報には、当該撮影手段の撮影方向を示す情報が含まれており、
前記画像表示処理手段は、オンライン地図情報サービスが提供する風景を撮影した写真画像の中から、当該撮影手段の設置地点から当該撮影手段に対応する前記撮影手段情報により特定される撮影方向を撮影したときの写真画像を取得することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
コンピュータを、更に、
前記記憶手段に保存された撮影手段情報を撮影手段情報表示領域に表示する撮影手段情報表示処理手段として機能させることを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項４】
前記情報管理手段は、ユーザによる入力又はユーザ操作に応じて前記撮影手段に対応する撮影手段情報の更新を行い、
前記アイコン表示処理手段は、撮影手段情報の更新に応じて更新された撮影手段情報に対応する撮影手段に対応するアイコンの表示を更新することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項５】
前記撮影手段情報には、前記撮影手段の画角又は焦点距離を示す撮影範囲情報の少なくとも一方が含まれており、
前記アイコン表示処理手段は、撮影範囲情報を視覚的に表す画像を付加して前記アイコンを表示することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項６】
オンライン地図情報サービスから取得された、指定された区域の地図を地図表示領域に表示する地図表示処理手段と、
前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、その指定された地図上の位置に当該撮影手段を示すアイコンを表示するアイコン表示処理手段と、
前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、当該撮影手段の設置地点を示す情報を少なくとも含む撮影手段情報を当該撮影手段に対応させて生成し、記憶手段に保存する情報管理手段と、
地図上に表示されたいずれかの前記アイコンがユーザに選択されると、その選択された前記アイコンに対応する撮影手段により撮影された画像として、オンライン地図情報サービスから取得された、当該撮影手段の設置地点において撮影された写真画像を写真画像表示領域に表示する画像表示処理手段と、
ユーザにより入力された格納先から現場の写真画像を取得する画像取得手段と、
を有し、
前記画像表示処理手段は、ユーザにより現場の写真画像の格納先が入力された場合、オンライン地図情報サービスから取得された写真画像に代えて、前記画像取得手段により取得された現場の写真画像を前記写真画像表示領域に表示することを特徴とする情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るプログラムは、コンピュータを、オンライン地図情報サービスから取得された、指定された区域の地図を地図表示領域に表示する地図表示処理手段、前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、その指定された地図上の位置に当該撮影手段を示すアイコンを表示するアイコン表示処理手段、前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、当該撮影手段の設置地点を示す情報を少なくとも含む撮影手段情報を当該撮影手段に対応させて生成し、記憶手段に保存する情報管理手段、地図上に表示されたいずれかの前記アイコンがユーザに選択されると、その選択された前記アイコンに対応する撮影手段により撮影された画像として、オンライン地図情報サービスから取得された、当該撮影手段の設置地点において撮影された写真画像を写真画像表示領域に表示する画像表示処理手段、ユーザにより入力された格納先から現場の写真画像を取得する画像取得手段、として機能させ、前記画像表示処理手段は、ユーザにより現場の写真画像の格納先が入力された場合、オンライン地図情報サービスから取得された写真画像に代えて、前記画像取得手段により取得された現場の写真画像を前記写真画像表示領域に表示することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る情報処理装置は、オンライン地図情報サービスから取得された、指定された区域の地図を地図表示領域に表示する地図表示処理手段と、前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、その指定された地図上の位置に当該撮影手段を示すアイコンを表示するアイコン表示処理手段と、前記地図表示領域に表示された地図上において撮影手段の設置地点がユーザに指定されると、当該撮影手段の設置地点を示す情報を少なくとも含む撮影手段情報を当該撮影手段に対応させて生成し、記憶手段に保存する情報管理手段と、地図上に表示されたいずれかの前記アイコンがユーザに選択されると、その選択された前記アイコンに対応する撮影手段により撮影された画像として、オンライン地図情報サービスから取得された、当該撮影手段の設置地点において撮影された写真画像を写真画像表示領域に表示する画像表示処理手段と、ユーザにより入力された格納先から現場の写真画像を取得する画像取得手段と、を有し、前記画像表示処理手段は、ユーザにより現場の写真画像の格納先が入力された場合、オンライン地図情報サービスから取得された写真画像に代えて、前記画像取得手段により取得された現場の写真画像を前記写真画像表示領域に表示することを特徴とする。