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　特願２０１５−１０３０５２「位相シフトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月　５日出願公開、特開２０１５−１９４７５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２６年８月２１日（優先権主張　平成２５年８月２１日及び平成２６年３月２８日）に出願した特願２０１４−１６８３２１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２７年５月２０日に新たな特許出願としたものである。
　その後、平成２７年８月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされたが、平成２８年１月１２日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がなされた。
　これに対し、平成２８年４月１９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされ、当審にて平成２９年１月１１日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年３月２１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２９年３月２１日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、審判請求と同時になされた手続補正の請求項１における「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用される」を「ＡｒＦエキシマレーザ露光光にて、ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ネガティブトーン現像により未露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するための、」に補正したものである請求項９に係る発明は、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「ＡｒＦエキシマレーザ露光光にて、ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ネガティブトーン現像により未露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するための、ハーフトーン型の位相シフトマスクであって、
　透明基板と、前記透明基板上に形成され、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜パターン、またはＳｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜パターンと、を有し、
　前記光半透過膜パターンは、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．３〜２．７の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３８％の範囲内であり、さらに、膜厚が５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内であり、
　前記位相シフトマスクは、実際に解像される部分であるメインパターンと、前記メインパターンの近接に配置される実際には解像されない補助パターンとを有し、
　前記補助パターンが、凸状のパターンであり、６０ｎｍ以下の幅または奥行を有するものであることを特徴とする位相シフトマスク。」
　
３　刊行物の記載及び引用発明
（１）引用文献１
　当審拒絶理由に引用した、原出願の最先の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００３−３２２９５５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ）。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等のパターン転写に用いるためのリソグラフィーマスク及びその素材となるリソグラフィーマスクブランク並びにその製造方法に関し、特に位相シフターによる光の干渉作用を利用して転写パターンの解像度を向上できるようにした
ハーフトーン型の位相シフトマスクの素材となるハーフトーン型位相シフトマスクブランク
　
イ　「【０００３】そのような問題に対処するため、位相シフト法が用いられるようになった。位相シフト法では、微細パターンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使用される。位相シフトマスクは、例えば、マスク上のパターン部分を形成する位相シフター部と、位相シフター部の存在しない非パターン部からなり、両者を透過してくる光の位相を１８０°ずらすことで、パターン境界部分において光の相互干渉を起こさせることにより、転写像のコントラストを向上させる。位相シフター部を通る光の位相シフト量φ（ｒａｄ）は位相シフター部の複素屈折率実部ｎと膜厚ｄに依存し、下記数式（１）の関係が成り立つことが知られている。
φ＝２πｄ（ｎ−１）／λ　　…（１）
ここでλは露光光の波長である。したがって、位相を１８０°ずらすためには、膜厚ｄを
ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝　　　…（２）
とすればよい。この位相シフトマスクにより、必要な解像度を得るための焦点深度の増大が達成され、露光波長を変えずに解像度の改善とプロセスの適用性を同時に向上させることが可能となる。」
　
ウ　「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。本発明のリソグラフィーマスクブランクの製造方法においては、Ｓｉターゲットの比抵抗を０．１Ω・ｃｍ以下にする事で、パーティクル発生の原因となるアーク放電の抑制や、成膜速度向上といった効果が得られるというものである。ＤＣ放電可能なＳｉターゲットの比抵抗は５Ω・ｃｍ以下であるが、酸素、アーク放電の発生回数を測定した結果、Ｓｉターゲットの比抵抗を０．１Ω・ｃｍ以下にするとアーク放電発生回数が減少することがわかった。また、Ｓｉターゲットの比抵抗が小さくなるほど、同じＤＣ投入電力における成膜速度が大きくなった。Ｓｉターゲットに投入できる電力は冷却性能やバッキングプレートの強度、ボンディング材（通常はＩｎ）の融点により制限されるため、Ｓｉターゲットの比抵抗を下げることは、生産性の向上において有効である。Ｓｉターゲットに、導電性を付与するには、ＳｉターゲットにＢ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素を含有することにより可能となり、ドープされる元素の濃度を調整することにより所望の比抵抗を有する導電性を付与することができる。Ｓｉターゲットの比抵抗とドープする原子の濃度には、おおむね式１、式２のような関係がある。
ρＮ＝５×１０１５／原子濃度　（式１）
式１において、ρＮ：Ｎ型のドープ物質（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）をドープする場合のシリコンターゲットの比抵抗、原子濃度：１ｃｃのＳｉに含まれるドープ物質の原子数、である。
ρＰ＝１．３×１０１６／原子濃度　（式２）
式２において、ρＰ：Ｐ型のドープ物質（Ｂ）をドープする場合のシリコンターゲットの比抵抗、原子濃度＝１ｃｃのＳｉに含まれるドープ物質の原子数である。なお、スパッタされるＳｉターゲットは多結晶であっても単結晶であってもかまわない。また、本発明において用いられるスパッタリングガスとしては、Ａｒ、Ｘｅ等の不活性ガスを用いることができる。本発明において、シリコンを含有する薄膜は、例えばフォトマスクブランクにおける遮光膜、反射防止膜、位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜等、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスクブランク上の薄膜等、リソグラフィーマスクブランクにおけるあらゆる薄膜を指すものである。そして、このリソグラフィーマスクブランクにおける所望の薄膜を所望のパターンにパターニングすることによってリソグラフィーマスクを得ることができる。・・・
【００１１】特に、近年における露光波長の短波長化（特に、特に１４０ｎｍ〜２００ｎｍの露光波長領域）に対応し、
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜として、ＳｉＯ
Ｘ
Ｎ
Ｙ
単層膜
からなるもの
複素屈折率実部ｎ
複素屈折率虚部ｋ
ＡｒＦエキシマレーザ用では、０．１０≦ｋ≦０．４５の範囲が好ましい。
ＡｒＦエキシマレーザ用では、
ｎ≧２．５の範囲がさらに好ましい。
【００１３】また、上記したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの例において、考えられるエッチングストッパーとしては、クロム、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム等の一種又は二種以上の合金からなる金属膜、又はこれらの金属又は合金の酸化物、窒化物、酸窒化物、シリサイド等を用いたものが好ましい。このようなハーフトーン型位相シフトマスクを用いる際の露光光としては、特に１４０ｎｍ〜２００ｎｍの露光波長領域、具体的には、Ｆ２エキシマレーザの波長である１５７ｎｍ付近、及び
ＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍ付近を用いることができる。ハーフトーン位相シフター部を高透過率に設定（透過率８〜３０％）した高透過率品も作製することができる。
透明基板としては、合成石英基板等を用いる
【００１４】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
（実施例１）本実施例では、図１の様な
ＤＣスパッタリング装置を用い、薄膜形成を行
石英基板
上にＳｉＯＮ膜を作製し
　
エ　「【００１９】尚、上記実施例では、ＳｉＯＸＮＹ膜の形成のみを説明したが、例えば、金属等の薄膜上にＳｉＯＸＮＹ膜を形成することによって２層構造の光半透過膜を有するハーフトーン位相シフトマスクブランクを製造することができることは言うまでもない。また、ＳｉＯＸＮＹ膜に関らず、例えば、シリコン薄膜、又はＳｉの酸化膜、窒化膜、酸窒化膜であっても、同様の効果が得られる。さらに、Ｓｉの酸化膜、窒化膜、酸窒化膜を反射防止膜として遮光膜上に形成したマスクブランクの欠陥を減少させ、生産性を向上させることもできる。」
　
オ　上記「ウ」「段落【００１４】」には、ＤＣスパッタリング装置を用い、石英基板上にＳｉＯＮ膜を作製して薄膜形成を行う点が記載されているから、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、合成石英基板上に光半透過膜が形成される点が記載されているといえる。
　また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、上記「ウ」「段落【００１１】」の光半透過膜が、上記「イ」「段落【０００３】」の位相シフター部、上記「ウ」「段落【００１３】」のハーフトーン位相シフター部であることは、自明のことである。
　さらに、上記「イ」「段落【０００３】」の式「ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝…（２）」に、上記「ウ」「段落【００１３】」のＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍと、上記「ウ」「段落【００１１】」のＡｒＦエキシマレーザ用の複素屈折率実部ｎであるｎ＝２．５を代入すると、光透過膜の膜厚ｄ＝６４．３ｎｍが求められる。
　そして、上記「ウ」「段落【００１１】」のＡｒＦエキシマレーザ用の複素屈折率実部ｎは、ｎ≧２．５の範囲がさらに好ましいのであるから、光透過膜の膜厚ｄは６４．３ｎｍ以下であるといえる。
　
カ　上記アないしオより、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍ付近を用いるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、
　合成石英基板と、前記合成石英基板上に形成され、ＳｉＯＸＮＹ膜からなる光半透過膜と、を備え、
　前記光半透過膜は、ＡｒＦエキシマレーザ用では、複素屈折率虚部ｋについては、０．１０≦ｋ≦０．４５の範囲が好ましく、ＡｒＦエキシマレーザ用では、複素屈折率実部ｎについては、ｎ≧２．０の範囲が好ましく、ＡｒＦエキシマレーザの波長で透過率８〜３０％であり、膜厚が６４．３ｎｍ以下である、ハーフトーン型位相シフトマスク。」
　
（２）同じく、当審拒絶理由に引用した、原出願の最先の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００８−２５６７８１号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【００３３】
　なお、
領域３及び領域４に形成された補助パターンは解像限界以下の寸法であって、透過率の調整には寄与するが、それ自身のパターンはレジストに形成されない
（実施例２）
　本実施例はハーフトーン位相シフト遮光体と周辺領域の透過率制御によるパターン形成に関する。
【００３４】
　図２Ａは、本実施例のマスク（レチクル）の要部の平面図である。透明な基板１５の上の領域１１には主パターンとなる遮光体が配置されている。領域１１の周辺に透過率が最も高い領域１２が配置されている。領域１２の外側に透過率が低い領域１３が配置されている。この領域１３の幅は、従来の棒状パターンの幅に比べて広い。更に領域１３の外側に、領域１２の透過率よりも低い透過率であって且つ領域１３の透過率よりも高い中間的透過率を持つ領域１４が配置されている。
【００３５】
　領域１１の透過率は３％から１５％程度の中から選ぶことが可能で、形成するパターンを考慮して適当な条件のものを使用する。また、領域１１を透過する光の位相は領域１２を通過する光の位相とほぼ半波長の差を持つように設定されている。
【００３６】
　図２Ａに示すＡ−Ｂ線での断面図を図２Ｂに示す。
基板１５の領域１１には遮光体からなる主パターン１６が形成され、領域１３及び領域１４には補助パターン１７が形成されている。
領域１２の外側の領域１３は、解像しないが光の透過率を低減する微細なパターンよりなる。領域１３のさらに外側の領域１４は、実質的な透過率が領域２と領域１３の中間値になるように微細なパターンが適度な大きさ、適度な間隔にて配置されている。
【００３７】
　図２Ａのパターンを通過した光は図２Ｃに示す光透過率分布を有することとなる。すわなち、各領域１１ないし１４の透過率の関係は
領域１２＞領域１４＞領域１３＞領域１１
となっている。
【００３８】
　なお、光の位相は、領域１１と領域１３とは第一の位相であり、領域１２と領域１４とは第一の位相と第二の位相とは実質的に半波長の位相差を有する第二の位相である。この場合の光強度分布は図２Ｄに示すようなものとなる。現像閾値の光強度は、５０％程度になる適度な条件に設定されている。
【００３９】
　領域１１と領域１２の境界部では異なる位相の光が互いに振幅を弱め合うように働くため、形成されるパターンのエッジがシャープになる。また、領域１３と領域１４が透過光を弱めるので領域１１に回り込む光の強度が小さくなる。これらの効果により領域１１のパターン細りがより小さくなるように抑制される。
【００４０】
　本実施例の場合、図２Ｄ中に示すように光強度が５０％程度になる適度な条件を設定することにより、密集パターンと孤立パターンの寸法差を抑制し、ＤＯＦ（焦点深度）を大きくでき、適正露光条件範囲を広くすることができる。」
　
イ　図２Ａ及びＢは次のものである。
　
（３）同じく、当審拒絶理由に引用した、原出願の最先の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００２−３２３７４６号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【００１７】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の形態１による位相シフトマスク、及びそれを用いたホールパターン形成方法について、図１から図５を用いて説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態１による位相マスクの一例を示す上面図であり、図１（ｂ）は、現像後のレジストパターンの上面図である。
【００１８】図１（ａ）において、１０は位相シフトマスク、１１、１１ａ、１１ｂはホールパターンを形成するための透過率２０％のマスク遮光部（本体パターン）、
１２は本体パターンの近傍に、解像しない寸法で形成した透過率２０％のマスク遮光部（補助パターン）であり
　
イ　図１は次のものである。
　
４　対比・判断
（１）対比
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザ」、「ハーフトーン型位相シフトマスク」、「合成石英基板」、「複素屈折率虚部ｋ」及び「複素屈折率実部ｎ」は、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光」、「ハーフトーン型の位相シフトマスク」、「透明基板」、「消衰係数」及び「屈折率」に、それぞれ相当する。
　
（イ）引用発明の「前記合成石英基板上に形成され、ＳｉＯＸＮＹ膜からなる光半透過膜」は、本願発明の「前記透明基板上に形成され、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜パターン、またはＳｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜パターン」と、「前記透明基板上に形成され、Ｓｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜パターン」の点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍ付近を用いるハーフトーン型の位相シフトマスク」は、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスク」に相当する。
　
（エ）引用発明の「複素屈折率虚部ｋ」は、「ＡｒＦエキシマレーザ用では」、「０．１０≦ｋ≦０．４５の範囲が好まし」いことは、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数」が、「０．２〜０．４５の範囲内であ」ることに相当する。
　
（オ）引用発明の「複素屈折率実部ｎ」は、「ＡｒＦエキシマレーザ用では」、「ｎ≧２．０の範囲が好まし」いことは、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率」が、「２．３〜２．７の範囲内であ」ることに相当する。（本願発明の上記「２．３〜２．７」の上限値及び下限値に臨界的意義が認められないことから、相当関係にあると認定した。）
　
（カ）引用発明の「透過率」は、「ＡｒＦエキシマレーザの波長で」「８〜３０％であ」ることは、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率」が、「１５％〜３０％の範囲内であ」ることに相当する。
　
（キ）引用発明の「膜厚」は「６４．３ｎｍ以下である」ことは、本願発明の「膜厚」が、「５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内であること」に相当する。
（本願発明の上記「５７ｎｍ〜６７ｎｍ」の上限値及び下限値に臨界的意義が認められないことから、相当関係にあると認定した。）
　
イ　一致点・相違点
　上記アによれば、本願発明と引用発明とは、
「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、
　透明基板と、前記透明基板上に形成され、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜パターン、またはＳｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜パターンと、を有し、
　前記光半透過膜パターンは、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．３〜２．７の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３８％の範囲内であり、さらに、膜厚が５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内である位相シフトマスク。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
＜相違点１＞「位相シフトマスク」が、本願発明では「実際に解像される部分であるメインパターンと、前記メインパターンの近接に配置される実際には解像されない補助パターンとを有し、前記補助パターンが、凸状のパターンであり、６０ｎｍ以下の幅または奥行を有するものである」のに対して、引用発明の「位相シフトマスク」は、このように特定されない点。
　
＜相違点２＞「位相シフトマスク」が、本願発明では、ＡｒＦエキシマレーザ露光光にて、「ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ネガティブトーン現像により未露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するための」ものと特定されるのに対して、引用発明の「位相シフトマスク」は、このように特定されない点。
　
（２）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　メインパターンの近傍にメインパターンと同様の透過率等の特性を有する、凸状の非解像補助パターンを設けることは、引用文献２及び３に記載されるように周知の技術事項である（上記「２」「（２）」及び「（３）」参照）。
　そして、前記非解像補助パターンの幅又は奥行の値を、使用するＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長等に基づいて、非解像パターンとなる範囲として、適宜の値（上限値）以下と定めることは当業者が適宜設計し得ることである。
　そうすると、前記非解像補助パターンの幅又は奥行の上限の値を６０ｎｍに設定することは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成を備えることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　本願発明は「位相シフトマスク」という物の発明であるところ、相違点２は、「位相シフトマスク」が、「ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ネガティブトーン現像により未露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するための」という、用途を特定するものであって、「位相シフトマスク」自体の構成は、「透明基板と、前記透明基板上に形成され、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜パターン、またはＳｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜パターンと、を有し、前記光半透過膜パターンは、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．３〜２．７の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３８％の範囲内であり、さらに、膜厚が５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内であり、前記位相シフトマスクは、実際に解像される部分であるメインパターンと、前記メインパターンの近接に配置される実際には解像されない補助パターンとを有し、前記補助パターンが、凸状のパターンであり、６０ｎｍ以下の幅または奥行を有するものである」と特定されるにとどまる。
　したがって、本願発明の「位相シフトマスク」は、ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ポジティブトーン現像により露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するためのものであるのか、ネガ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ネガティブトーン現像により未露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するためのものであるのか、あるいは、「ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光して、ネガティブトーン現像により未露光部分を溶解除去することによって、レジストパターンを形成するための」ものであるのかという用途によって、物の発明としての「位相シフトマスク」の構成自体に格別の差異はない。
　引用発明は、ポジ型レジスト組成物であるのか、ネガ型レジスト組成物であるのか、及び、ポジティブトーン現像であるのか、ネガティブトーン現像であるのか、についての特定はないところ、当業者の技術常識から、ポジ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光してポジティブトーン現像する、ないしは、ネガ型レジスト組成物から構成されるレジスト膜を露光してネガティブトーン現像するものであると解釈するのが相当である。
　しかし、上記のとおり、用途による差異はないのであるから、「位相シフトマスク」という物の発明である本願発明と引用発明の相違点２は実質的な相違点ではない。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。