(57)【要約】  本発明は部分的に反射する第１の出力面（２）と第２の反射面（３）とを有する共振キャビティ（１）を含む希土類イオンの極超短波レーザー源に係るものである。第１の活性材料（４）は第１の固体レーザーポンプ源（６）により放射されるポンプ光束（７）を受ける。  本発明では共振キャビティ（１）はパルスが辿る７．５ｍよりも大きい光路をつくり、そのパルスエネルギーＥＬは１００ｎＪより大きく、前記の光路は前記の活性材料（４）における少なくとも一つの通路を含んでおり、そして極超短波レーザー源は前記の共振キャビティ（１）を延長する手段を備え、それによりコンパクトなレーザー源の共振キャビティ（１）内で前記の光パルスが辿る光路長を延長し、前記の共振キャビティ（１）のＡＢＣＤ伝播マトリックスが単位マトリックスに接近し、そのため前記の共振キャビティ（１）内で前後に進む光ビームの特徴が変化しないままである。【選択図】図１
2007519248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方では、部分的に反射する第１の出力面（２）と第２の反射面（３）とを有する共振キャビティ（１）を含み、他方ではこの共振キャビティ内に配置され、飽和フルエンスが３Ｊ／ｃｍ２よりも大きく、そしてポンプ光束（５）を受ける第１の活性材料（４）を含んでいる希土類イオン極超短波レーザー源であって、前記光束は第１の固体レーザーポンプ源により放射され、この固体レーザーポンプ源はエネルギーＥＬの光パルスを放射する希土類イオンの極超短波レーザー源において、
前記の共振キャビティ（１）は、前記のパルスが辿る７．５ｍよりも長い光路を有し、パルスエネルギーＥＬは１００ｎＪより大きく、前記の光路は前記の活性材料（４）における少なくとも一つの通路を含んでおり、
前記の極超短波レーザー源は前記の共振キャビティ（１）を延長する手段を備え、それによりコンパクトなレーザー源の共振キャビティ（１）内で前記の光パルスが辿る光路長を延長できるようにし、前記の共振キャビティ（１）のＡＢＣＤ伝播マトリックスが単位マトリックスに接近して前記の共振キャビティ（１）内で行ったり来たりする光ビームの特徴が変化しないままであるようにしたことを特徴とする希土類イオンの極超短波レーザー源。
【請求項２】
光路長は７．５ｍと３００ｍとの間にあることを特徴とする請求項１に記載の極超短波レーザー源。
【請求項３】
共振キャビティを延長する手段は少なくとも一つの共振キャビティ延長装置（８）を含み、この共振キャビティ延長装置は第１の端に第１の平面鏡（９）を有し、第２の端に第２の平面鏡（１０）を有し、これら第１と第２の平面鏡（９，１０）はそれぞれ第１と第２の凹面鏡（１１，１２）の焦点に配置されており、前記の第２の平面鏡（１０）の表面における法線軸は、前記の第１の平面鏡（９）を含む面に平行な面に対して角度θ／ｎだけ垂直に対して傾いていて、これによって、第１の平面鏡（９）の表面の法線に対して、垂直面内で入射角θで、そして水平面内で角度Φで、前記共振キャビティ延長装置（８）に入る光パルスは、該共振キャビティ延長装置を出る前に第２の球面鏡（１０）でｎ／２反射を受けることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の極超短波レーザー源。
【請求項４】
第１の球面鏡（１１）の正面にあって、それから離されている入力鏡が共振キャビティを延長する装置に光パルスを注入し、そして放出することができることを特徴とする請求項３に記載の極超短波レーザー源。
【請求項５】
レーザー源が共振キャビティ（１）の内側に少なくとも一つの第２の活性材料（５）を備え、この第２の活性材料（５）はポンプ光束（１４）を受けることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の極超短波レーザー源。
【請求項６】
前記のポンプ光束（１４）が第２の固体レーザーポンプ源（１５）を介して送られることを特徴とする請求項５に記載の極超短波レーザー源。
【請求項７】
各活性材料（４，５）における通路の数が２に等しいか、それよりも大きいことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の極超短波レーザー源。
【請求項８】
各活性材料（４，５）における通路の数が４に等しいことを特徴とする請求項７に記載の極超短波レーザー源。
【請求項９】
レーザー源が前記の固体活性材料（４，５）とその固体材料ポンプ源（７，１５）との間にダイクロイック鏡（１３）を備えており、この鏡が前記の活性材料（４，５）からの光束パルスを受け、そして前記の活性材料（４，５）に向けて光束パルスを反射することを特徴とする請求項７もしくは８に記載の極超短波レーザー源。
【請求項１０】
前記の固体レーザーポンプ源（１５）が半導体レーザーであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の極超短波レーザー源。
【請求項１１】
前記の固体レーザーポンプ源（１５）がイッテルビウムイオンを含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の極超短波レーザー源。
【請求項１２】
前記の活性材料（４，５）がネオジムイオンを含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の極超短波レーザー源。
【請求項１３】
一つの軸を限定するレーザーキャビティの延長装置において、２つの凹面鏡のそれぞれの焦点に配置された２つの平面鏡を備え、それらの焦点はレーザーキャビティの軸上にあって、そして２つの平面鏡の一方はその軸に対して角度θ／ｎだけ傾いていることを特徴とする延長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は安定パルス列をつくる希土類イオンの極超短波レーザー源に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
ピコ秒（１ｐｓ＝１０−１２ｓ）よりも短い最初のレーザー放射パルスを１９７４年イッペンとシャンクとが実現して以来（アプライド・フイジックス  論文２４（１９７３）３７３）、パルス幅は常に減少の一途を辿ってきた。ピコ秒よりも狭い幅のパルスを発生するレーザーは「極超短波レーザー」と称する。それらは非常に人気があり、そして科学部門で熱心な探求が起こっているのは、その発生される極超短波を使えば、これまで大抵の検出器では検出できなかった超高速なプロセスの（１０−１０以下の）時間についての動きを調べられるからである。これらの極超短波光源による新しい研究分野と応用分野は、多光子吸収分子の切断及び又は脱離プロセス、度量衡学、生物学的細胞の化学的機構の非破壊研究などに広がっている。
【０００３】
極超短波パルスを発生するレーザーには希土類イオン（イッテルビウム（Ｙｂ）、ネオジム（Ｎｄ）・…）増幅媒体を含むものが知られている。これらのレーザーは好都合なことには半導体レーザーにより直接ポンプでき、そのことによってレーザーをコンパクトに、信頼がおけるようにし、そして低廉にもする。特に、イッテルビウム・イオンでドープした増幅媒体をパワーレーザーダイオードによりポンプしているのはイッテルビウムイオンが近赤外吸収帯を呈するからである。イッテルビウムイオンでドープした増幅媒体の吸収光線とパワーレーザーダイオードの放射波長との間の一致が優れた結合効率を生じる。さらに、パワーレーザーダイオードの放射波長は典型的に１０２０ｎｍと１０７０ｎｍとの間にあるレーザー放射波長に近い。そのため増幅媒体における熱損失が少なく、そして素量的スループットが非常に大きくなる。
【０００４】
レーザーとしての極超短波パルスの安定発生と言う点での大きな問題はＱスイッチング（「トリガーモード」ＱＳ）なしのモードを得るためのパラメーターの決定にある。閉塞モードは極超短波パルスを得ることに寄与し、他方トリガーモードには極超短波レーザーを介して送られる極超短波パルス列に不安定を生じさせる性質がある。このような不安定はパルス列における強い変調となって転嫁される。そのような不安定性が特に顕著なのは、イッテルビウムイオンをドープした増幅媒体を含む放射効率の良い低断面増幅媒体を使う極超短波レーザーである。
【０００５】
トリガーサイクルの特性であるこのような不安定性を回避する方策はレーザーのパラメーター選定にあり、特に増幅媒体におけるレーザーモードの直径の選定にあって、そのような不安定性を抑制でき、そしてある種のモードをブロックすることができる。この方策はモードをブロックするための窓がとても短く、もしくは存在しないようなレーザー構成とすることになる。さらに、そのような構成を回避することは希土類イオン媒体を増幅するためには問題となり、重要なトップレベルの弛緩もしくは放射部分の効率低下をもたらす。
【０００６】
それ故この点でトリガーモードが、時間的に信頼でき、安定して作動することが要求される用途には希土類イオン増幅媒体使用の極超短波レーザーを使いものにならないようにしている。
【０００７】
これまで満足すべき安定性の得られる手段はなかったのである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、設計とそれの作動モードが簡単で、コンパクトで、費用もかからず、そして非常にパルスエネルギーの高い、典型的には１００ｎＪよりも大きい極超短波パルス列を連続して安定してつくれる希土類イオンの極超短波レーザー源を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的の達成のため本発明は一方では、部分的に反射する第１の出力面と第２の反射面とを有する共振キャビティを含み、他方ではこの共振キャビティ内に配置した第１の活性材料を含んでいる希土類イオン極超短波レーザー源であって、飽和フルエンスが３Ｊ／ｃｍ２よりも大きく、そしてポンプ光束を受け、この光束は第１の固体レーザーポンプ源により放射され、この固体レーザーポンプ源がエネルギーＥＬの光パルスを放射する希土類イオンの極超短波レーザー源に係るものである。
【００１０】
本発明に従って、前記の共振キャビティは、前記のパルスが辿る７．５ｍよりも長い光路を有し、パルスエネルギーＥＬは１００ｎＪより大きく、前記の光路は前記の活性材料における少なくとも一つの通路を含んでおり、
前記の極超短波レーザー源は前記の共振キャビティを延長する手段を備え、それによりコンパクトなレーザー源の共振キャビティ内で前記の光パルスが辿る光路長を延長できるようにし、前記の共振キャビティのＡＢＣＤ伝播マトリックスが単位マトリックスに接近して前記の共振キャビティ内で前後に進む光ビームの特徴が変化しないままであるようにしている。
【００１１】
「極超短波レーザー源」とは、１０ピコ秒、更に好ましくは１ピコ秒よりも短い幅の光パルスを放射するレーザー源を意味する。
【００１２】
以下に説明する本発明の様々な実施例において明らかとなる特徴を個々に、もしくは技術的に可能であれば組合せて応用できる。
‐光路長は７．５ｍと３００ｍとの間にある。
‐共振キャビティを延長する手段は少なくとも一つの共振キャビティ延長装置（８）を含み、この共振キャビティ延長装置は第１の端に第１の平面鏡（９）を有し、第２の端に第２の平面鏡（１０）を有し、これら第１と第２の平面鏡（９，１０）はそれぞれ第１と第２の凹面鏡（１１，１２）の焦点に配置されており、前記の第２の平面鏡（１０）の表面における法線軸は、前記の第１の平面鏡（９）を含む面に平行な面に対して角度θ／ｎだけ垂直に対して傾いていて、これによって、第１の平面鏡（９）の表面の法線に対して、垂直面内で入射角θで、そして水平面内で角度Φで、前記共振キャビティ延長装置（８）に入る光パルスは、該共振キャビティ延長装置を出る前に第２の球面鏡（１０）でｎ／２反射を受ける。
‐第１の球面鏡の正面にあって、それから離されている入力鏡が共振キャビティを延長する装置に光パルスを注入し、そして放出することができる。
‐レーザー源が共振キャビティの内側にある少なくとも一つの第２の活性材料を備え、この第２の活性材料はポンプ光束を受ける。
‐前記のポンプ光束が第２の固体レーザーポンプ源を介して送られる。
‐各活性材料における通路の数が２に等しいか、それよりも大きい。
‐各活性材料における通路の数が４に等しい。
‐レーザー源が前記の固体活性材料とその固体材料ポンプ源との間にダイクロイック鏡を備えており、この鏡が前記の活性材料からの光束パルスを受け、そして前記の活性材料に向けて光束パルスを反射する。
‐前記の固体レーザーポンプ源が半導体レーザーである。
‐前記の固体レーザーポンプ源がイッテルビウムイオンを含む。
‐前記の活性材料がネオジムイオンを含む。
【００１３】
本発明は軸を限定するレーザーキャビティの延長装置にも係るものであり、その装置は、２つの凹面鏡のそれぞれの焦点に配置された２つの平面鏡を備え、それらの焦点はレーザーキャビティの軸上にあって、そして２つの平面鏡の一方はその軸に対して角度θ／ｎだけ傾いている。
【００１４】
そのような構成はビームの特性を保持しながら共振キャビティを延長することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の目的は希土類イオンの極超短波レーザー源においてトリガーされるサイクルに関連している不安定性を抑制することであって、その目的は共振キャビティの大きな長さにより及び又はキャビティが前後することにより少なくとも一つの増幅媒体内で幾つかの行路をつくるようにしている共振キャビティの構成により達成できる。
【００１６】
本発明の希土類イオンの極超短波レーザー源は、部分的に反射する第１の出力面２と第２の反射面３とを有する共振キャビティ１を含んでいる。これら両方の面２，３の間に、光パルスが辿る光路が形成され、その光路は、共振キャビティ１内に配置され、３Ｊ／ｃｍ２よりも大きい飽和フルエンスを有する第１の活性材料４にある少なくとも一つの通路を有している。好ましい実施例において共振キャビティ１は３Ｊ／ｃｍ２よりも大きい飽和フルエンスを有する少なくとも一つの第２の活性材料５を含んでいる。これらの活性材料４，５の各々は異なるポンプレーザー源６によりポンプされることができる。これらのポンプレーザー源６はポンプ光束７を放出する固体レーザーである。好ましい実施例において各ポンプレーザー源６は半導体レーザーである。その波長λＤは中心であって、典型的には８００ｎｍと１μｍとの間にある。活性材料４に使用される希土類イオンは以下の材料から選ばれる。イッテルビウム（Ｙｂ）、ネオジム（Ｎｄ）もしくは他のこれらと均等な材料。
【００１７】
共振キャビティ１内をパルスが辿る光路長は７．５ｍよりも大きく、そのパルスエネルギーＥＬは２Ｗの平均パワーに対して１００ｎＪよりも大きい。
【００１８】
図１は、本発明の第１の実施例である希土類イオンの極超短波レーザー源を示している。第１と第２の面２，３の間の距離は典型的には数メートルであって、例えば３．３３ｍで、これは閉塞モードサイクルにおいて４５ＭＨｚの周波数に対応する。共振キャビティ内の光路は平面鏡２０，２１により、そして凹面鏡２２，２３，２４により折り返されている。また、共振キャビティはただ一つの活性材料４を備え、これは３Ｊ／ｃｍ２よりも大きい飽和フルエンスを有し、例えばクリスタルのＹｂ：ＫＧＷであって、この活性材料４は共振キャビティ１の内側にある。この活性材料４は、好ましくは半導体レーザーである固体レーザーポンプ源６からのポンプ光束７を受ける。共振キャビティ１内をパルスが走行する光路長を増加するためそのような共振キャビティ１は共振キャビティを延長する手段を備えている。共振キャビティを延長する少なくとも一つの装置８内で光パルスが複数の路を辿ることによって光路長を増加させる。
【００１９】
共振キャビティのＡＢＣＤ伝播マトリックスは単位マトリックスに近く、そのため共振キャビティ１内で前後に進む光束の特性（広がり、ディメンジョンなど）は変らないままである。延長手段のない短い共振キャビティに対して延長手段のある共振キャビティの幾何学的パラメーターは同じである。
【００２０】
レーザービームの光学的特性は、自然のもしくは人工の光源（太陽、ランプ・…）からの普通の光束の光学的特性とは非常に異なる。幾何学的な光学理論ではレーザービームの空間的トランスフォーメーションを説明できない。レーザービームの伝播は回折現象に大きく依存することになる。
【００２１】
「レーザービームと共振器」と題する論文（エィチ  コゲルニックとティ  エルアィ；  アプライド・オプテイックス、５巻、１０号、１９６６年１０月）のＡＢＣＤ伝播マトリックスもしくは伝達マトリックスが、近軸光学システムを取り囲む２つの面の間を進行する光束が受けるトランスフォーメーションを記述している。そのようなマトリックスは始発面から出た光線の座標で表わされ、それは他にもあるが、ガウスビームに係る。
【００２２】
共振キャビティの延長手段８は図２に示す共振キャビティを延長する単一の装置を含み、それは第１の端で第１の平面入力鏡９を、そして他端で第２の平面鏡１０を含んでいる。これらの第１と第２の平面鏡９，１０はそれぞれ第１と第２の曲面鏡１１，１２の焦点に配置されている。これらの曲面鏡１１，１２の間隔はそれらの焦点距離の和に等しい。これらの曲面鏡１１，１２は凹面鏡であるのが好都合である。共振キャビティの延長装置８でいくつもの行路を辿らせるにはレーザーパルスは第１の平面鏡の表面１６における法線１７に対して入射角θで延長装置８に入る。垂直に対して角度θ／ｎだけ延長装置の他端の第２の平面鏡１０を傾けることによりパルスは延長装置８の垂直面内でｎ個の通路を辿って出ていく。延長装置８に入る光パルスを延長装置８から出る光パルスと分けるためには、第１の平面鏡９の表面における法線に対して入射角θで延長装置８に光パルスを入れるだけではなくて（この入射角は垂直面内に含まれている）、前記の法線に対して角度Ｆで入れ、この角度Ｆは水平面内に含まれている。光パルスの入射と出射とは延長装置の第１の曲面鏡の正面で、下方にずれて配置された入力鏡、例えば半月鏡を介して行われる。
【００２３】
図３は本発明の第２実施例の希土類イオンの極超短波レーザー源を示す。図１に示された要素（複数）と同じ参照数字を有する図２の要素（複数）は、同じものを示している。この第２の実施例では鏡２０を共振キャビティ内で鏡２５に位置合わせしているので、光パルスは、共振キャビティ１内で行ったり来たりすることによりいくつもの（ここでは４つの）通路を活性材料４において辿る。利得媒体をｍ回通ることが、共振キャビティ１内で行ったり来たりすることによって線形利得をｍ倍にし、このことは媒体の増幅Ｇを共振キャビティの損失を変えることなくＧｍに変えることに相当し、そして所与のパルスエネルギに対してレーザー利得の高い飽和を可能としている。活性材料４をこのように複数回通ることは、共振キャビティを延長する手段を実施することにより得られる共振キャビティ１の延長と関連している。極超短波レーザー源は活性材料４とそれの固体レーザーポンプ源６との間にダイクロイックミラー１３を備え、このミラーは活性材料４の光パルスを受け、そして活性材料の方にその光パルスを反射する。
【００２４】
図４は本発明の第３の実施例の希土類イオンの極超短波レーザー源を示す。図２に示された要素（複数）と同じ参照数字を有する図３の要素（複数）は、同じものを示している。この第３の実施例ではレーザー源は、共振キャビティ１内に配置した少なくとも一つの第２の活性材料５、ビームを折り返す鏡２２，２３，２４，２７，２８を備え、そして第２の活性材料５は第２の固体レーザーポンプ源１５を介して送られるポンプ光束２６を受ける。
【００２５】
このキャビティレーザーは、ダイオードレーザー、利得媒体（Ｙｂ：ＫＧＷ）内の焦点光学系、利得媒体内でレーザーモードの焦点を結ばせる２つの曲面鏡、レーザーモードの焦点を非線形鏡に結ばせる第３の曲面鏡を備え、レーザーを始動させ、そしてその動作パルスモードを安定させている。この構成において、パルスは共振キャビティ内を行ったり来たりすることにより利得媒体を２回通る。２つの他の鏡は折り返し平面鏡であってキャビティを一層コンパクトにする。
【００２６】
キャビティを延長する装置は、多路キャビティの入力における平面鏡、半径０．５ｍの２つの曲面鏡の焦点に、距離約１ｍを離して配置した２つの平面鏡、出力結合器の方へレーザービームを向ける出力における平面鏡を備えている。この延長装置を一回通ると、パルスはその系の光学軸に対して異なる角度で６回通過し、これはレーザーキャビティ内を行ったり来たりすることによる１２の通路に相当する。
【００２７】
キャビティの全長は９．５ｍであって、これは１６．８ＭＨｚの周波数に対応する。
【００２８】
本発明は以上の説明に限定さるものではなく、技術の発展につれて様々に変更して実施されることとなろう。本装置の全体構成におけると同様細かい部分でも代替や変更が本発明の技術思想内で当業者により行われよう。上述の様々な実施例を組み合わせて１００ｎＪ以上のエネルギーの光パルスを放射する極超短波レーザー源を得られる。
【００２９】
希土類イオンの極超短波レーザーにおけるトリガーされたサイクルと関連した不安定性の抑制を理論的な解析により説明する（「超高速の、イッテルビウムをドープしたバルクレーザーとレーザーアンプリファイアー」、クレムンス  ホーニンガー、ハーツング‐ゴア  ヴェルラーグ、１９９８、ＩＳＢＮ３−８９６４９−３９１−２）。
【００３０】
極超短波レーザー源の平均パワー、パルス当たりのエネルギーそしてピークパワーの関係は次式により与えられる。
2007519248.tif 000003
ここでτpulseはパルス幅、ｆrespは反復頻度数である。
ｆresp＝ｃ／２×Ｌcav    （２）
Ｌcavは共振キャビティ内をパルスが走行する光路の長さである。
【００３１】
もしモードブロッキング装置が緩慢飽和の吸収体（ｔrelax＞ｔpulse）であれば、（それはキャビティの２路通過中に完全に回復し（ｔrelax＜＜１／ｆresp）、それの飽和パラメータは飽和エネルギーＥsat，Aとそれの変調深度ΔＲによって主として記述される）閉塞モードでのパルス列の安定条件は次式により与えられる。
2007519248.tif 000004
ここでｇeffはスペクトルフイルタリング効果を考慮した固定実効利得であり、Ｅsat，Ｌは次式により与えられるレーザー飽和エネルギーである。
2007519248.tif 000005
ここでσemは波長レーザーにおける伝播断面、ｍはキャビティ内での前進後退によるレーザー媒体を通過する数であり、Ａeff，Lは活性材料におけるレーザーモードのサイズである。
【００３２】
活性材料４，５における非常に長い共振キャビティ１もしくは多路構成がパルス列と言う形のトリガーモードの動作と結びつく不安定性を抑制することが、パルスエネルギーと反復頻度数とを結びつける関係式（１）と安定性の条件式（３）とによって明らかとされる。
【００３３】
これら両方の手段がキャビティの２路走行中にレーザー利得を十分に飽和させることができる。長い光路を呈する共振キャビティにより、式（１）と（２）に従って高エネルギーの超短波パルスを発生できる。キャビティの２路走行により活性材料４，５における通過の数がｍである多路構成は、共振キャビティ内で循環するパルスのエネルギーをｍ倍したパルスにより利得が飽和させられる単一の共振キャビティと同じである。
【００３４】
このことはイッテルビウムをドープしたレーザーで特に興味深いが、低効率断面のすべての材料にも応用できる。
【００３５】
図５，６は、長い光学キャビティを持ち、閉塞モードサイクルで作動する共振器として本発明を実施した場合の結果を示す。キャビティを延長する装置により長さ９．５ｍのキャビティをつくれる。周波数１５．８ＭＨｚのフェムト秒パルスが得られる。
【００３６】
図５，６はスペクトルと自己相関とをそれぞれ示している。図５で横軸２９は波長（ｎｍ）を表わし、そして縦軸３０は測定した強度を表わす。図６で横軸３１は時間で標準化したパルスの相関（ｐｓ）を表わし、パルス幅を与えており、そして縦軸３２はパルスエネルギーを表わす。スペクトルの幅は４．６ｎｍであり、そしてパルス幅は２５０ｆｓである。平均パワーは２Ｗであり、１２０ｎＪのパルスエネルギーに相当する。
【００３７】
サブピコ秒サイクルにおいてパルス当たり１００ｎＪよりも大きいエネルギーで本発明を実施して伝統的な要件を遥かに高いエネルギーシステムにより満足させられる。このパルスエネルギーは、レーザー切除もしくは被処理材料の内部構造の変更を例えば以下の領域で得るに十分な大きさである。
‐透明材料の内部マーキング
‐例えば導波管をつくるための屈折率の変更
‐マイクロとナノのテクスチュアリング
‐微小オブジェクトの創生による迅速なプロトタイピング
‐屈折眼球手術
‐マイクロ機械加工
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施例の極超短波レーザー源の概略図である。
【図２】本発明の特定の実施例の共振キャビティ延長装置の概略図である。
【図３】本発明の第２実施例の極超短波レーザー源の概略図である。
【図４】本発明の第３実施例の極超短波レーザー源の概略図である。
【図５】本発明の第１実施例で得られるスペクトルを示す図である。
【図６】図５の実施例で得られる自己相関計測を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１    共振キャビティ
２    第１の出力面
３    第２の反射面
４    第１の活性材料
５    第２の活性材料
６    固体レーザーポンプ源
７    ポンプ光束
８    延長手段
１３  ダイクロイックミラー
１５  第２の固体レーザーポンプ源
【図１】
2007519248.tif 000006
【図２】
2007519248.tif 000007
【図３】
2007519248.tif 000008
【図４】
2007519248.tif 000009
【図５】
2007519248.tif 000010
【図６】
2007519248.tif 000011
【国際調査報告】
2007519248.tif 000012
2007519248.tif 000013
2007519248.tif 000014
2007519248.tif 000015
2007519248.tif 000016