(57)【要約】  位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法が開示される。その方法は、基板の上面に形成されたゼロ度ＰＳＷ、および基板の第１領域に形成された１８０度ＰＳＷを備えるフォトマスクを提供するステップを含む。リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進させる直交ＰＳＷは、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間の第２の領域に形成される。
2007511800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上の構造の印刷性を向上させる方法であって、
基板を備えるフォトマスクを提供するステップであって、前記フォトマスクがさらに、
前記基板の上面に形成されたゼロ度位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）と、
前記基板の第１の領域に形成された１８０度ＰＳＷとを提供するステップと、
前記ゼロ度ＰＳＷと前記１８０度ＰＳＷの間に、実質的に直交するＰＳＷを形成するために前記基板の第２の領域をエッチングするステップを含み、前記直交ＰＳＷが、リソグラフィ・プロセス中に前記第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進させるように動作可能である方法。
【請求項２】
協働してサブ波長フィーチャを形成する、前記ゼロ度ＰＳＷおよび前記１８０度ＰＳＷをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サブ波長フィーチャに隣接して前記フォトマスク上に配置された近傍波長フィーチャをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
水平方向に対して約ゼロ度と約９０度の間の角度を有する前記近傍波長フィーチャをさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記近傍波長フィーチャの一部分および前記サブ波長フィーチャの一部分の中に延出する前記直交ＰＳＷをさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記リソグラフィ・プロセス中に、ウェハ上への近傍波長構造の投影を促進するように動作可能である前記近傍波長フィーチャと、
前記リソグラフィ・プロセス中に、前記ウェハ上へのサブ波長構造の投影を促進するように動作可能である前記サブ波長フィーチャと、
前記近傍波長構造と前記サブ波長構造の間により先鋭な移行を形成するように動作可能である前記直交ＰＳＷとをさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記基板内で第１のトレンチによって形成された前記直交ＰＳＷであって、前記第１のトレンチが、前記ゼロ度ＰＳＷに対して約９０度の位相シフトを生成する第１の深さを有する直交ＰＳＷと、
前記基板の第２のトレンチによって形成された前記１８０度ＰＳＷであって、前記第２のトレンチが前記第１の深さよりも約２倍の深さを有する１８０度ＰＳＷとをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の第１のトレンチによって形成された前記１８０度ＰＳＷであって、前記第１のトレンチが、第１の深さを有する１８０度ＰＳＷと、
前記基板の第２のトレンチによって形成された前記直交ＰＳＷであって、前記直交ＰＳＷが前記ゼロ度ＰＳＷに対して約２７０度の位相シフトを生成するように、前記第２のトレンチが前記第１の深さよりも約５０パーセント深い第２の深さを有する直交ＰＳＷとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板にペリクル・アセンブリを連結するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の前記上面の少なくとも１部分に形成されたパターン層を備える前記フォトマスクと、
前記基板の前記上面を露光させるために前記パターン層に形成された前記ゼロ度ＰＳＷとをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ハードディスク・ドライブ用の読み取りヘッドまたは書き込みヘッドを製造するための前記リソグラフィ・プロセスで使用される前記直交ＰＳＷを備える前記フォトマスクをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法であって、
基板の少なくとも一部分にパターン層を形成するステップと、
前記基板の上面に露光するための前記パターン層にゼロ度位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）を形成するステップと、
前記基板の第１の露光された領域に１８０度ＰＳＷを形成するステップと、
前記基板の第２の露光された領域の前記ゼロ度ＰＳＷと前記１８０度ＰＳＷの間に９０度ＰＳＷを形成するステップであって、前記９０度ＰＳＷは、リソグラフィ・プロセス中に前記第２の露光された領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進するように動作可能であるステップを含む方法。
【請求項１３】
協働してサブ波長フィーチャの少なくとも１つの縁部を形成する、前記ゼロ度ＰＳＷと前記１８０度ＰＳＷをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記サブ波長フィーチャの前記少なくとも１つの縁部に隣接して前記フォトマスク上に配置された近傍波長フィーチャをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
水平方向に対して約ゼロ度と約９０度の間の角度を有する前記近傍波長フィーチャをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記近傍波長フィーチャの一部分および前記サブ波長フィーチャの一部分の中に延出する前記９０度ＰＳＷをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記リソグラフィ・プロセス中に、ウェハ上への近傍波長構造の投影を促進するように動作可能である前記近傍波長フィーチャと、
前記リソグラフィ・プロセス中に、前記ウェハ上へのサブ波長構造の投影を促進するように動作可能である前記サブ波長フィーチャと、
前記近傍波長構造と前記サブ波長構造との間により先鋭な移行を形成するように動作可能である前記９０度ＰＳＷとをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板内の第１のトレンチによって形成された前記９０度ＰＳＷであって、前記第１トレンチが第１の深さを備える９０度ＰＳＷと、
前記基板内の第２のトレンチによって形成された前記１８０度ＰＳＷであって、前記第２のトレンチが前記第１の深さよりも約２倍大きい第２の深さを有する１８０度ＰＳＷとをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板にペリクル・アセンブリを連結するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
ハードディスク・ドライブ用の読み取りヘッドまたは書き込みヘッドを製造するための前記リソグラフィ・プロセスで使用される前記９０度ＰＳＷを備える前記フォトマスクをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
ウェハ上の構造の印刷性を向上させるためのフォトマスクであって、
基板の上面に形成されたゼロ度位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）と、
前記基板の第１のトレンチによって形成された１８０度ＰＳＷと、
前記基板の第２のトレンチによって形成され、前記ゼロ度ＰＳＷと前記１８０度ＰＳＷの間に配置された、実質的に直交するＰＳＷであって、前記直交ＰＳＷが、リソグラフィ・プロセス中に前記第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進するように動作可能である実質的に直交するＰＳＷとを備えるフォトマスク。
【請求項２２】
協働してサブ波長フィーチャを形成する、前記ゼロ度ＰＳＷおよび前記１８０度ＰＳＷをさらに備える、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項２３】
前記サブ波長フィーチャに隣接して前記フォトマスク上に配置された近傍波長フィーチャをさらに備える、請求項２２に記載のフォトマスク。
【請求項２４】
水平方向に対して約ゼロ度と約９０度の間の角度を有する前記近傍波長フィーチャをさらに備える、請求項２３に記載のフォトマスク。
【請求項２５】
前記近傍波長フィーチャの一部分およびサブ波長フィーチャの一部分の中に延出する前記直交ＰＳＷをさらに備える、請求項２３に記載のフォトマスク。
【請求項２６】
前記リソグラフィ・プロセス中に、ウェハ上の近傍波長構造の投影を促進するように動作可能である前記近傍波長フィーチャと、
前記リソグラフィ・プロセス中に、前記ウェハ上のサブ波長構造の投影を促進するように動作可能である前記サブ波長フィーチャと、
前記近傍波長構造と前記サブ波長構造との間により先鋭な移行を形成するように動作可能である前記直交ＰＳＷとをさらに備える、請求項２３に記載のフォトマスク。
【請求項２７】
第１の深さを有する前記第１のトレンチと、
前記直交ＰＳＷが、前記ゼロ度ＰＳＷに対して約９０度の位相シフトを生成するように、前記第１の深さの約半分の深さである第２の深さを有する前記第２のトレンチとをさらに含む、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項２８】
第１の深さを有する前記第１のトレンチと、
前記直交ＰＳＷが前記ゼロ度ＰＳＷに対して約２７０度の位相シフトを生成するように、前記第２のトレンチが前記第１の深さより約５０パーセント深い第２の深さを有する前記第２のトレンチとをさらに備える、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項２９】
前記直交ＰＳＷが正方形を含む、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項３０】
前記直交ＰＳＷが長方形を含む、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項３１】
前記基板に連結されたペリクル・アセンブリをさらに備える、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項３２】
前記基板の前記上面の少なくとも一部分に形成されたパターン層と、
前記基板の前記上面を露光させるために前記パターン層に形成された前記ゼロ度ＰＳＷとをさらに備える、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項３３】
前記リソグラフィ・プロセス中に、ハードディスク・ドライブ用の読み取りヘッドまたは書き込みヘッドの製造を促進するようにさらに動作可能である、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項３４】
前記フォトマスクがクロムレス・フォトマスクを備える、請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項３５】
ウェハ上の構造の印刷性を向上するためのフォトマスクであって、
基板の少なくとも一部分に形成されたパターン層と、
前記基板の上面を露光させるために前記パターン層に形成されたゼロ度位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）と、
前記基板内の第１トレンチによって形成された１８０度ＰＳＷであって、前記ゼロ度ＰＳＷおよび前記１８０度ＰＳＷが協働して、サブ波長フィーチャを形成する１８０度ＰＳＷと、
前記サブ波長フィーチャに隣接して前記パターン層に形成された近傍波長フィーチャと、
前記サブ波長フィーチャの一部分および前記近傍波長フィーチャの一部分の中に延出する、前記ゼロ度ＰＳＷと前記１８０度ＰＳＷとの間の前記基板の第２のトレンチによって形成された９０度ＰＳＷであって、前記９０度ＰＳＷが、リソグラフィ・プロセス中に第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進するように動作可能である９０度ＰＳＷとを備えるフォトマスク。
【請求項３６】
前記基板に連結されたペリクル・アセンブリをさらに備える、請求項３５に記載のフォトマスク。
【請求項３７】
第１の深さを有する前記第１のトレンチと、
前記第１の深さの約半分の深さの第２の深さを有する前記第２のトレンチとをさらに備える、請求項３５に記載のフォトマスク。
【請求項３８】
前記リソグラフィ・プロセス中に、ウェハ上への近傍波長構造の投影を促進するように動作可能である前記近傍波長フィーチャと、
前記リソグラフィ・プロセス中に、前記ウェハ上へのサブ波長構造の投影を促進するように動作可能である前記サブ波長フィーチャと、
前記近傍波長構造と前記サブ波長構造との間により先鋭な移行を形成するように動作可能である前記９０度ＰＳＷとをさらに備える、請求項３５に記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００３年１１月１７日にＫｅｎｔ  Ｎａｋａｇａｗａによって提出された「ＰＨＡＳＥ  ＳＨＩＦＴ  ＰＨＯＴＯＭＡＳＫ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＩＭＰＲＯＶＩＮＧ  ＰＲＩＮＴＡＢＩＬＩＴＹ  ＯＦ  Ａ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＯＮ  Ａ  ＷＡＦＥＲ」という名称の米国仮特許出願第６０／５２０，８０９号の利益を主張するものである。
【０００２】
本出願は同時に、２００４年４月３０日にＫｅｎｔ  Ｎａｋａｇａｗａによって提出された「ＰＨＡＳＥ  ＳＨＩＦＴ  ＰＨＯＴＯＭＡＳＫ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＩＭＰＲＯＶＩＮＧ  ＰＲＩＮＴＡＢＩＬＩＴＹ  ＯＦ  Ａ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＯＮ  Ａ  ＷＡＦＥＲ」という名称の米国仮特許出願第６０／５６６，７３３号の利益を主張するものである。
【０００３】
本発明は一般に、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）に関し、より詳細には、位相シフト・フォトマスク（ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔ  ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
デバイスの製造業者がより小さなデバイスを生産し続けるにつれて、こうしたデバイスの製造に使用されるフォトマスクに対する必要条件が厳しくなり続ける。レチクルまたはマスクとしても知られるフォトマスクは一般に、基板上に形成されたパターン層を有する基板からなる。吸収層は、リソグラフィ・システムのウェハ上に転写することのできる写像を表すパターンを備える。デバイスのフィーチャ・サイズが縮小すると、フォトマスク上の対応するパターンは同様に、より小さくより複雑になる。その結果、マスクの質は、堅実で信頼性のある製造プロセスを確立することにおいて最も重要な要素の１つになった。
【０００５】
いくつかの用途は、サブ波長（ｓｕｂ−ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）ライン構造（ｌｉｎｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に加えて近傍波長（ｎｅａｒ−ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）構造の使用を必要とすることもある。従来より、サブ波長ライン構造は、交互開口位相シフトマスク（ＡＡＰＳＭ）を使用して作製することができる。ＡＡＰＳＭは一般に、弱め合う干渉をもたらすエッチングされた基板の領域を備え、それによって、リソグラフィ・システムにおいて使用される光の波長よりも小さいラインがウェハ上に印刷できるようにする。しかし、近傍波長構造は一般に、バイナリー・フォトマスク（ｂｉｎａｒｙ  ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）を使用して形成される。大容量ハードディスク・ドライブなどのいくつかの用途では、フォトマスクは、近傍波長領域に隣接して配置され、または直接接続されたサブ波長ＡＡＰＳＭ領域を含むこともある。近傍波長構造とサブ波長ライン構造との接合では、フィーチャ・エッジの湾曲は、サブ波長ＡＡＰＳＭ領域と近傍波長ＡＡＰＳＭ領域の間の移行によって誇張される可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フィーチャ・エッジの湾曲を低減する従前の技術は、光近接補正（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）（ＯＰＣ）または、基板のエッチングおよび非エッチング領域を幾何学的に修正することの適用を含む。しかしこうした技術は、フィーチャ・エッジの湾曲の軽減に最小限の効果しか与えない。フィーチャ・エッジの湾曲を補正する他の技術は、強度が減衰された透明材料の使用によって近傍波長構造がサブ波長ライン構造と接触する点で光の量を増加させることを含む。しかし、この技術は、サブ波長ライン構造の質を低下させる可能性のある、エッチングおよび非エッチング領域の位相シフトの性質に影響を与える。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の教示によれば、ウェハ上の構造を印刷することに伴う欠点および問題が実質的に低減されまたは解消された。特定の実施形態では、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷとの間の基板に形成された直交位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）は、リソグラフィ・プロセス中に、増加された強度を提供する。
【０００８】
本発明の１つの実施形態によれば、ウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法が、基板の上面に形成されたゼロ度ＰＳＷ、および前記基板の第１の領域に形成された１８０度ＰＳＷを備えるフォトマスクを提供するステップを含む。リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進する直交ＰＳＷが、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間の第２の領域に形成される。
【０００９】
本発明の別の実施形態によれば、ウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法が、基板の少なくとも一部分にパターン層を形成するステップと、基板の上面を露光させるためにパターン層にゼロ度ＰＳＷを形成するステップとを含む。１８０度ＰＳＷは、基板の第１の露光された領域に形成され、リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の露光された領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進する直交ＰＳＷは、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷとの間の第２の領域に形成される。
【００１０】
本発明の別の実施形態によれば、ウェハ上の構造の印刷性を向上させるためのフォトマスクが、基板の上面に形成されたゼロ度ＰＳＷを備える。１８０度ＰＳＷは、基板の第１のトレンチによって形成され、リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進する直交ＰＳＷは、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間の第２のトレンチによって形成される。
【００１１】
本発明の別の実施形態によれば、ウェハ上の構造の印刷性を向上させるためのフォトマスクは、基板の少なくとも一部分に形成されたパターン層、および基板の上面を露光させるためのパターン層に形成されたゼロ度ＰＳＷを備える。１８０度ＰＳＷは、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷが協働して、少なくとも１つのサブ波長フィーチャの縁部を形成するように、基板の第１のトレンチによって形成される。近傍波長フィーチャはサブ波長フィーチャに隣接してパターン層に形成される。直交ＰＳＷは、サブ波長フィーチャの一部分および近傍波長フィーチャの一部分の中に延出する、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷとの間の基板の第２のトレンチによって形成される。直交ＰＳＷは、リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進する。
【００１２】
本発明のいくつかの実施形態の重要な技術上の利点は、単一のフォトマスクを使用して近傍波長フィーチャとサブ波長フィーチャの製造を促進する直交ＰＳＷを含む。直交ＰＳＷは、それに対応する領域でウェハの表面の上に投影された放射エネルギーの強度を増加させるように機能する。増加された強度は、近傍波長構造とサブ波長構造との接合で所望の湾曲をもたらし、２つの構造を形成するために個別のフォトマスクを使用する必要をなくす。さらに、直交ＰＳＷは、単一の露光で構造の写像を可能にする。
【００１３】
本発明のいくつかの実施形態の別の技術上の利点は、サブ波長フィーチャに隣接して配置された近傍波長フィーチャが、ウェハの表面の上に写像される場合に生じる可能性のある極度の湾曲を解消する直交ＰＳＷを含む。ウェハ上に写像された近傍波長とサブ波長構造との接合での湾曲を補正するために、接合でウェハの上にフォトマスクを通して投影された光の量は、増加される必要がある。直交ＰＳＷは、フォトマスク上でサブ波長フィーチャの少なくとも一部分を形成するゼロ度ＰＳＷおよび１８０度ＰＳＷとほぼ直交するように設計される。直交ＰＳＷは、それがゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの位相シフト特性に寄与しないので、サブ波長構造の印刷、または近傍波長構造の傾斜部分の配置を歪めずに、構造の接合で光の増加された強度をもたらすように機能する。
【００１４】
こうした技術上の利点の全て、いくつかは、本発明の様々な実施形態に存在することができ、あるいは全く存在しない。その他の技術上の利点は、以下の図、説明、および特許請求の範囲から当分野の技術者に直ちに明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本実施形態のより完全で十分な理解およびその利点は、同様の参照番号が同様の特徴を示す添付の図面と関連させて以下の説明を参照することにより、得ることができる。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態とその利点は、同様の番号が同様の対応する部分を示すために使用される図１から６を参照することにより最も良く理解される。
【００１７】
図１は、例のフォトマスク・アセンブリ１０の断面図を示す。フォトマスク・アセンブリ１０は、フォトマスク１２に装着されたペリクル・アセンブリ１４を備える。基板１６、パターン層１８、ゼロ度位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）２４、直交ＰＳＷ２６、および１８０度ＰＳＷ２８は、必ずしもそれには限られないが丸、四角、または正方形を含む様々な寸法および形状を有する可能性のある、場合によってはマスクまたはレチクルとしても知られるフォトマスク１２を形成する。フォトマスク１２は、それには限定されないが、ワンタイム・マスタ、５インチ・レチクル、６インチ・レチクル、９インチ・レチクル、または半導体ウェハ上に回路パターンの写像を投影するのに使用できる任意のその他の適切な寸法にされたレチクルを含む、任意の様々なフォトマスクのタイプであることも可能である。フォトマスク１２はさらに、バイナリー・マスク、位相シフトマスク（ＰＳＭ）（たとえばレベンソン型マスクとしても知られている交互開口位相シフトマスク）、光学的近位補正（ＯＰＣ）マスク、またはリソグラフィ・システムで使用するのに適した任意のその他のタイプのマスクであることができる。
【００１８】
フォトマスク１２は、基板１６の上面１７に形成されたパターン層１８を備え、それはリソグラフィ・システム内で電磁エネルギーに曝されると、半導体ウェハ（明示されない）の表面上にパターンを投影する。基板１６は、石英、合成石英、溶融石英、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、または約１０ナノメートル（ｎｍ）と約４５０ｎｍの間の波長を有する入射光の少なくとも７５パーセント（７５％）を伝達する任意のその他の好ましい材料などの透明な材料であることができる。別の実施形態では、基板１６は、シリコン、または約１０ｎｍと４５０ｎｍの間の波長を有する入射光の約５０パーセント（５０％）より多くを反射する任意のその他の適切な材料などの反射材であることができる。
【００１９】
パターン層１８は、クロム、窒化クロム、金属オキシ・カルボ・ニトライド（ｏｘｙ−ｃａｒｂｏ−ｎｉｔｒｉｄｅ）（たとえば、ＭＯＣＮなど、ただしＭは、クロム、コバルト、鉄、亜鉛、モリブデン、ニオブ、タンタル、チタン、タングステン、アルミニウム、マグネシウム、シリコンからなる群から選択される）、または紫外（ＵＶ）領域、遠紫外（ＤＵＶ）領域、真空紫外（ＶＵＶ）領域、および極紫外（ＥＵＶ）領域の波長を有する電磁エネルギーを吸収する任意のその他の適切な材料などの金属材料であることができる。別の実施形態では、パターン層１８は、ＵＶ、ＤＵＶ、ＶＵＶ、およびＥＵＶ領域で約１パーセント（１％）から約３０パーセント（３０％）の透過率を有する、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）などの部分的に透過性の物質であることができる。
【００２０】
フレーム２０およびペリクル・フィルム２２は、ペリクル・アセンブリ１４を形成することができる。フレーム２０は一般に、陽極処理アルミニウムから形成されるが、あるいはステンレス鋼、プラスチック、またはリソグラフィ・システム内で電磁エネルギーに曝された場合に劣化またはガス放出しないその他の適切な物質から形成できる。ペリクル・フィルム２２は、硝酸セルロース、酢酸セルロース、Ｅ．Ｉ．ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙ製のＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＡＦ、または旭硝子社製のＣＹＴＯＰ（登録商標）などの非結晶フッ化ポリマー、またはＵＶ、ＤＵＶ、ＥＵＶ、および／またはＶＵＶ領域の波長に対して透過性である別の適切なフィルムなどの材料から形成された薄膜のメンブレンであることかできる。ペリクル・フィルム２２は、遠心鋳造法などの従来の技術によって加工することができる。
【００２１】
ペリクル・フィルム２２は、汚染物質がフォトマスク１２から規定の距離を保つようにすることによって塵粒などの汚染物質からフォトマスク１２を保護する。これは、リソグラフィ・システムにおいてとくに重要である可能性がある。リソグラフィ・プロセス中に、フォトマスク・アセンブリ１０は、リソグラフィ・システム内の放射エネルギー源によって生成された電磁エネルギーに曝される。電磁エネルギーは、水銀灯のほぼＩ線とＧ線の間、またはＤＵＶ、ＶＵＶ、もしくはＥＵＶ光の波長などの様々な波長の光を含むことができる。動作中には、ペリクル・フィルム２２は多くの割合の電磁エネルギーがそれを通過できるように設計されている。ペリクル・フィルム２２上に集められた汚染物質は、処理されているウェハの表面で焦点から外れると見込まれ、したがって、ウェハ上に露光される画像が鮮明になる。本発明の教示にしたがって形成されたペリクル・フィルム２２は、全てのタイプの電磁エネルギーを使用して満足のいくように使用することができ、本出願において説明される光波に限定されない。
【００２２】
フォトマスク１２は、標準のリソグラフィ・プロセスを使用して、フォトマスク・ブランクから形成することができる。リソグラフィ・プロセスでは、パターン層１８用のデータを含むマスク・パターン・ファイル（ｍａｓｋ  ｐａｔｔｅｒｎ  ｆｉｌｅ）が、マスク・レイアウト・ファイル（ｍａｓｋ  ｌａｙｏｕｔ  ｆｉｌｅ）から生成される。１つの実施形態では、マスク・レイアウト・ファイルは、集積回路用のトランジスタおよび電気接続を表現するポリゴン（ｐｏｌｙｇｏｎ）を含むことができる。マスク・レイアウト・ファイル内のポリゴンはさらに、集積回路が半導体ウェハ上に作製される場合に集積回路の異なる層を表現することができる。たとえば、トランジスタは、拡散層と多結晶シリコン層を備えて半導体ウェハ上に形成できる。したがって、マスク・レイアウト・ファイルは、拡散層に描かれた１つまたは複数のポリゴンおよびポリシリコン層に描かれた１つまたは複数のポリゴンを含むことができる。各層のためのポリゴンは、集積回路の１つの層を表すマスク・パターン・ファイルに変換できる。各マスク・パターン・ファイルは、特定の層のためのフォトマスクを形成するために使用できる。いくつかの実施形態では、マスク・パターン・ファイルは、フォトマスクがフィーチャを複数の層から半導体ウェハの表面の上に写像するのに使用できるように半導体回路の複数の層を含むことができる。
【００２３】
所望のパターンは、レーザ、電子ビーム、またはＸ線リソグラフィ・システムを使用してフォトマスク・ブランクのレジスト層に写像することができる。１つの実施形態では、レーザ・リソグラフィ・システムが約３６４ナノメートル（ｎｍ）の波長を有する光を放射するアルゴン・イオン・レーザを使用する。別の実施形態では、レーザ・リソグラフィ・システムが約１５０ｎｍから約３００ｎｍの波長で光を放射するレーザを使用する。
フォトマスク１２は、パターンを形成するためにレジスト層の露光された領域を現像しエッチングし、レジストによって覆われていないパターン層１８の部分をエッチングし、基板１６上にパターン層１８を形成するために未現像のレジストを除去することによって作製することができる。
【００２４】
図示された実施形態では、フォトマスク１２はさらに、ゼロ度ＰＳＷ２４、直交ＰＳＷ２６、および１８０度ＰＳＷ２８を備える。垂直ＰＳＷ２６および１８０度ＰＳＷ２８は、基板１６に形成されたトレンチ（ｔｒｅｎｃｈｅ）であることができる。ゼロ度ＰＳＷ２４と１８０度ＰＳＷ２８の組合せは、フォトマスク・アセンブリ１０がリソグラフィ・システムで使用される場合、１８０度ＰＳＷ２８を通過する放射エネルギーが、ゼロ度ＰＳＷ２４を通過する放射エネルギーと約１８０度位相がずれるように、約１８０°の位相シフトをもたらすことができる。ゼロ度ＰＳＷ２４と１８０度ＰＳＷ２８の間の１８０°位相シフトは、ウェハ上に形成されたレジスト層の暗領域または不透明領域を生成する、弱め合う干渉を生み出す。この暗領域は、現像プロセス中にレジストが暗領域から除去されないように、放射エネルギーに曝されないレジスト層の部分に一致する。
【００２５】
直交ＰＳＷ２６は、それがゼロ度ＰＳＷ２４および１８０度ＰＳＷ２８によって生成された位相シフトに寄与しまたは否定的に影響し合うことのないように、ゼロ度ＰＳＷ２４および１８０度ＰＳＷ２８の両方に実質的に直交であることができる。図示された実施形態では、直交ＰＳＷ２６の深さは、ゼロ度ＰＳＷ２４および１８０度ＰＳＷ２８に対する位相シフトが約９０°であるように、１８０度ＰＳＷ２８の深さの約半分であることができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷ２６の深さは、ゼロ度ＰＳＷ２４に対する位相シフトが約２７０°であり、１８０度ウインドウ２８に対する位相シフトが約９０°であるように１８０度ＰＳＷ２８の深さよりも約５０パーセント（５０％）大きくなることができる。ゼロ度ＰＳＷ２４は、基板１６の上面１７に露光するためにエッチング・パターン層１８によって形成することができ、直交ＰＳＷ２６および１８０度ＰＳＷ２８は、１つまたは複数の露光波長で所望の位相シフトを生じるのに適した深さを有するトレンチを生成するためのエッチング基板１６によって形成することができる。
【００２６】
リソグラフィ・プロセス中に、直交ＰＳＷ２６は、その領域に対応する領域のウェハの上に投影された放射エネルギーの強度を増加させることができる。増加された強度は、所望のライン幅を生成するのに必要な１８０°位相シフトに影響を与えずに所望のコーナリング効果を生成することができる。１つの実施形態では、直交ＰＳＷ２６は、ゼロ度ＰＳＷ２４および１８０度ＰＳＷ２８と同様のフォトマスク製造プロセスで基板１６に形成することができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷ２６は、フォトマスク１２が始めにゼロ度ＰＳＷ２４および１８０度ＰＳＷ２８を備え、次いで直交ＰＳＷ２６を備えるように変更されるように、個別の製造プロセスで形成することができる。
【００２７】
１つの実施形態では、直交ＰＳＷ２６は、ハードディスク・ドライブの読み取り／書き込みヘッド用の構造を写像するのに使用するためのフォトマスク１２に形成することができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷ２６は、リソグラフィ・システムの露光波長よりもかなり小さい幅を有する構造（たとえばサブ波長構造）と、リソグラフィ・システムの露光波長よりも大きなまたは等しい幅を有する構造（たとえば近傍波長構造）との間の実質的に正確なコーナー接合（ｃｏｒｎｅｒ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を有することから利益を得る任意の設計に使用できる。このタイプの設計は、特定の性能、スペーシング、またはタイミングの必要条件を有する集積回路を形成するのに使用できる。
【００２８】
図２は、直交ＰＳＷを備えるフォトマスクの例示の実施形態の断面図を示す。図示された実施形態では、フォトマスク３０は基板１６、上面１７上に形成された（全般的にパターン層１８と呼ばれる）パターン層１８ａおよび１８ｂ、（全般的にゼロ度ＰＳＷ２４と呼ばれる）ゼロ度ＰＳＷ２４ａおよび２４ｂ、（全般的に直交ＰＳＷ２６と呼ばれる）直交ＰＳＷ２６ａおよび２６ｂ、ならびに（全般的に１８０度ＰＳＷ２８と呼ばれる）１８０度ＰＳＷ２８ａ、および２８ｂを備える。
【００２９】
図示のように、ゼロ度ＰＳＷ２４ａは、基板１６の上面１７を露光するためにエッチング・パターン層１８ａによって形成することができる。直交ＰＳＷ２６ａは、フォトマスク３０がウェハの表面上に画像を投影するために使用される場合、リソグラフィ・システムの露光波長でゼロ度ＰＳＷ２４ａに対して約９０°の位相シフトを生成する深さを有する、基板１６にトレンチを形成するためのエッチング基板１６によって形成できる。別の実施形態では、直交ＰＳＷ２６ａを形成するトレンチは、露光波長でゼロ度ＰＳＷ２４ａに対して約２７０°の位相シフトを生成する深さを有することができる。直交ＰＳＷ２６ａは、ゼロ度ＰＳＷ２４ａに隣接して配置することができ、パターン層１８ａはウインドウを分離することができる。
【００３０】
１８０度ＰＳＷ２８ａは、リソグラフィ・システムの露光波長で、ゼロ度ＰＳＷ２４ａに対して約１８０度の位相シフトを生成する深さを有する、基板１６内のトレンチを形成するために、基板１６をエッチングすることによって形成できる。１８０度ＰＳＷ２８ａは直交ＰＳＷ２４ａに隣接することができ、パターン層１８ａは２つのウインドウを分離できる。ゼロ度ＰＳＷ２４ａおよび１８０度ＰＳＷ２８ａは、リソグラフィ・プロセス中に、協働してウェハの表面上にサブ波長構造として写像されるサブ波長フィーチャを形成することができる。図１を参照して上記に説明したように、直交ＰＳＷ２６は、ウインドウに対応する領域でウェハ上に投影された放射エネルギーの強度を増加させることによって、サブ波長ライン構造と近傍波長構造との接合で所望の湾曲を生成するように機能する。
【００３１】
フォトマスク３０は、ゼロ度ＰＳＷ２４ｂ、直交ＰＳＷ２６ｂ，および１８０度ＰＳＷ２８ｂを備えることもできる。図示されたように、１８０度ＰＳＷ２８ｂは、直交ＰＳＷ２６ｂに直接隣接して基板１６に形成することができる。さらに、直交ＰＳＷ２６ｂは、ゼロ度ＰＳＷ２４ｂに直接隣接して形成できる。別の実施形態では、パターン層１８ｂは、ゼロ度ＰＳＷ２４ｂ、直交ＰＳＷ２６ｂ、および１８０度ＰＳＷ２８ｂのうちの少なくとも１つを分離することができる。フォトマスク３０は、ゼロ度ＰＳＷ２４、直交ＰＳＷ２６、および１８０度ＰＳＷ２８を使用する特定のパターンを含むように示されているが、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間に直交ＰＳＷを配置することによって任意のパターンが形成できる。さらに、フォトマスク３０は、寸法、形状、およびタイプにおいて図１に表現されたフォトマスク１２と同等であることができる。
【００３２】
図３は、直交ＰＳＷを備えるフォトマスクの別の例示の実施形態の断面図を示す。図示された実施形態では、フォトマスク４０は、基板１６、（全般的にゼロ度ＰＳＷ３２と呼ばれる）ゼロ度ＰＳＷ３２ａ、３２ｂ、および３２ｃ、（全般的に直交ＰＳＷ３４と呼ばれる）直交ＰＳＷ３４ａ、３４ｂ、および３４ｃ、ならびに（全般的に１８０度ＰＳＷ３６と呼ばれる）１８０度ＰＳＷ３６ａおよび３６ｂを備える。図示された実施形態では、フォトマスク４０は、クロムレス位相リソグラフィ（ｃｈｒｏｍｅｌｅｓｓ  ｐｈａｓｅ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）（ＣＰＬ）に使用するクロムレス・フォトマスク（ｃｈｒｏｍｅｌｅｓｓ  ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）である。フォトマスク４０は、画像が表面上に転写されるのを防止するように、マスク・フィールドの外側で基板１６の上面１７の部分に形成された吸収層３８を備えることができる。吸収層３８を形成するのに使用される材料は、図１に表現されたパターン層１８を形成するのに使用されるものと同等であることができる。別の実施形態では、基板１６の上面１７は、吸収材料を無くすことができる。
【００３３】
ゼロ度ＰＳＷ３２は、フォトレジストの層（明示されない）を露光し、パターンを形成するためにフォトレジストを現像し、基板１６の上面１７を露光するために吸収層３８をエッチングすることによって形成できる。フォトレジストの別の層（明示されない）は、ゼロ度ＰＳＷ３２および任意の残りの吸収層３８の上に形成できる。１つの実施形態では、直交ＰＳＷ３４および１８０度ＰＳＷ３６を備えるパターンは、フォトレジストを露光し、また基板１６の上面１７を露光するためにフォトレジストを現像することによってフォトレジスト層に形成することができる。基板１６の露光された領域は、フォトマスク３０がウェハの表面上に写像を投影するのに使用される場合、リソグラフィ・システムの露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約９０°の位相シフトを生成する深さを有する、基板１６内のトレンチを形成するようにエッチングすることができる。１８０度ＰＳＷ３６は、フォトレジストの層（明示されない）をゼロ度ＰＳＷ３２、第１のエッチング・プロセスによって形成されたトレンチ、および任意の残りの吸収層３８の上に堆積させることによって形成できる。フォトレジストは、１８０度ＰＳＷ３６に対応するトレンチの部分を露光するために、露光し現像することができる。次いでトレンチの露光された部分は、１つまたは複数の露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約１８０度の位相シフトを生成する深さを有するトレンチを形成するためにさらにエッチングすることができる。
【００３４】
別の実施形態では、直交ＰＳＷ３４は、ゼロ度ＰＳＷ３２、第１および第２のエッチング・プロセスによって形成されたトレンチ、および任意の残りの吸収層２８によって形成されたトレンチの上にフォトレジストの層（明示されない）を堆積させることによって形成できる。フォトレジストは、直交ＰＳＷ２４に対応するトレンチの部分を露光するために、露光し現像することができる。次いでトレンチの露光された部分は、１つまたは複数の露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約２７０°の位相シフトを生成する深さを有するトレンチを形成するためにさらにエッチングすることができる。
【００３５】
直交ＰＳＷ３４および１８０度ＰＳＷ３６は、個別の段階で形成することもできる。たとえば、直交ＰＳＷ３４は、基板１６および任意の残りの吸収層３８の露光された部分にフォトレジストの層を堆積させ、直交ＰＳＷ３４に対応する領域のみにフォトレジストを露光させることによって形成できる。次いで露光された領域は、１つまたは複数の露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約９０°の位相シフトを生成する深さを有するトレンチを形成するためにエッチングすることができる。次いで、１８０度ＰＳＷ３６は、（たとえば直交ＰＳＷ３４を形成するトレンチを含む）基板１６の露光された部分にフォトレジストの層を堆積させ、１８０度ＰＳＷ３６に対応する領域のみにあるフォトレジストを露光することによって形成することができる。フォトレジストは、基板１６の上面１７を露光するために現像することができ、次いで基板１６は、１つまたは複数の露光波長で約１８０°の位相シフトを生成する深さを有するトレンチを形成するためにエッチングすることができる。
【００３６】
図示のように、ゼロ度ＰＳＷ３２ａは、直交ＰＳＷ３４ａに直接隣接することができ、１８０度ＰＳＷ３６ａは、エッチングされていない基板の小さな部分によって直交ＰＳＷ３４ａから分離できる。図１を参照して上記に説明したように、直交ＰＳＷ３４は、ウインドウに対応する領域で（明示されない）ウェハの表面の上に投影された放射エネルギーの強度を増加させるように機能することができる。増加された強度は、ウェハ上のサブ波長ライン構造と近傍波長ライン構造との接合で所望の湾曲を形成することができる。
【００３７】
フォトマスク４０は、ゼロ度ＰＳＷ３２ｂおよび３２ｃ、直交ＰＳＷ３４ｂおよび３４ｃ、ならびに１８０度ＰＳＷ３６ｂを含むこともできる。図示されるように、１８０度ＰＳＷ３６ｂは、直交ＰＳＷ３４ｂおよび３４ｃに直接隣接して基板１６に形成することができる。さらに、直交ＰＳＷ３４ｂは、ゼロ度ＰＳＷ３２ｂに直接隣接して形成することができ、直交ＰＳＷ３４ｃは、ゼロ度ＰＳＷ３２ｃに直接隣接して形成することができる。別の実施形態では、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間に直交ＰＳＷを形成することによって、任意の所望のパターンが形成できる。フォトマスク４０は、寸法、形状、およびタイプにおいて図１に表現されたフォトマスク１２と同等であることができる。
【００３８】
図４は、直交ＰＳＷの１つの例示の実施形態を使用して行われた製造可能性シミュレーションのグラフ表示を示す。シミュレーションの結果では、線５０がフォトマスク上に形成されたゼロ度ＰＳＷの縁部を表し、線５２がフォトマスク上に形成された１８０度ＰＳＷの縁部を表す。ライン５０と５２の間の長い薄い領域は、サブ波長構造を形成するためにフォトマスク上に形成され、ウェハの表面の上に写像することができる、サブ波長フィーチャ５４を表す。１つの実施形態では、サブ波長フィーチャ５４の幅は、約１００ナノメートルであることができる。別の実施形態では、サブ波長フィーチャ５４の幅は、リソグラフィ・システムの露光波長よりも小さくなることができる。ライン５６と５８の間に配置された広い三角形の領域は、近傍波長構造を形成するためにフォトマスク上に形成され、ウェハの表面の上に写像することができる、近傍波長フィーチャ６０を表す。
【００３９】
長方形６２は、フォトマスクの基板に形成された直交ＰＳＷを表す。１つの実施形態では、直交ＰＳＷは、約２００ナノメートルの長さ、および約１００ナノメートルの幅を有することができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷは、サブ波長フィーチャ５４の幅にほぼ等しい幅を有することができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷは、サブ波長フィーチャ５４の幅にほぼ等しい側面を有する正方形であることができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷは、サブ波長フィーチャ５４の幅より大きいまたは小さい幅を有することができる。図示された実施形態では、直交ＰＳＷは、近傍波長フィーチャ６０とサブ波長フィーチャ５４の間に対称に配置することができる。別の実施形態では、直交ＰＳＷは、より多くの量が近傍波長フィーチャ６０の中に延出し、またはより多くの量がサブ波長フィーチャ５４の中に延出するように配置することができる。
【００４０】
線６４および６６は、近傍波長フィーチャ６０に対応する近傍波長構造、およびサブ波長フィーチャ５４に対応するサブ波長構造が直交ＰＳＷを使用せずにウェハの表面の上にどのように写像されるかを表す。図示されるように、サブ波長フィーチャ５４と近傍波長フィーチャ６０との間の接合を表す曲線は、水平方向に対して形成される角度が、フィーチャ間の接合に関して特定された目標とする角度よりも大きくなるように歪められる。線６８および７０は、近傍波長構造、およびサブ波長ライン構造が直交ＰＳＷを使用してウェハの表面の上にどのように写像されるかを表す。図示されるように、水平方向に対する角度が低下され、ウェハ上に写像された構造がより正確に所望の構造を表現する。１つの実施形態では、直交ＰＳＷは、水平方向に対して約ゼロ度から約９０度の角度を有する近傍波長構造を印刷するのに使用することができる。
【００４１】
図５は、２４８ナノメートルの露光波長で直交ＰＳＷを使用して行われたシミュレーションのグラフ表示を示す。図示されるように、線７２および７４は、２４８ｎｍの露光波長で直交ＰＳＷ（たとえば長方形６２）を使用せずにウェハ上に印刷されるような近傍波長およびサブ波長ライン構造を表す。線７６および７８は、近傍波長構造およびサブ波長ライン構造が、直交ＰＳＷを使用することによってウェハの表面の上にどのように写像されるかを示す。図示されるように、ウェハ上に写像された曲線が（たとえば線５０および５６の交点、ならびに線５２および５８の交点によって示されるように）所望の曲線により近くなるように、直交ＰＳＷがフォトマスク上に含まれる場合、線７６および７８の水平方向に対する角度が低下される。
【００４２】
図６は、１９３ナノメートルの露光波長で直交ＰＳＷを使用して行われたシミュレーションのグラフ表示を示す。図示されるように、線８０および８２は、１９３ｎｍの露光波長で直交ＰＳＷを使用せずにウェハ上に印刷された近傍波長およびサブ波長ライン構造を表す。線８４および８６は、近傍波長構造およびサブ波長ライン構造が、直交ＰＳＷを使用することによってウェハの表面の上にどのように写像されるかを表す。図示されるように、直交ＰＳＷに対応する領域内（たとえば長方形６２）のウェハの表面上に与えられた放射エネルギーの増加された強さは、近傍波長とサブ波長構造との間により先鋭な移行を形成する。
【００４３】
本発明をその特定の好ましい実施形態に対して説明してきたが、当分野の技術者には、様々な変形および修正が示され、本発明はそのような変形および修正が添付の特許請求の範囲内に収まることを含むことが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の教示によるフォトマスク・アセンブリの断面図である。
【図２】本発明の教示によるフォトマスクの例示の実施形態の断面図である。
【図３】本発明の教示によるフォトマスクの別の例示の実施形態の断面図である。
【図４】本発明の教示による、直交位相シフト・ウインドウ（ＰＳＷ）を使用して行われた製造可能性シミュレーションのグラフ表示である。
【図５】本発明の教示による、１つの露光波長での直交ＰＳＷを使用して行われた製造可能性シミュレーションのグラフ表示である。
【図６】本発明の教示による、別の露光波長での直交ＰＳＷを使用して行われた製造可能性シミュレーションのグラフ表示である。
【図１】
2007511800.tif 000003
【図２】
2007511800.tif 000004
【図３】
2007511800.tif 000005
【図４】
2007511800.tif 000006
【図５】
2007511800.tif 000007
【図６】
2007511800.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ゼロ度ＰＳＷ３２は、フォトレジストの層（明示されない）を露光し、パターンを形成するためにフォトレジストを現像し、基板１６の上面１７を露光するために吸収層３８をエッチングすることによって形成できる。フォトレジストの別の層（明示されない）は、ゼロ度ＰＳＷ３２および任意の残りの吸収層３８の上に形成できる。１つの実施形態では、直交ＰＳＷ３４および１８０度ＰＳＷ３６を備えるパターンは、フォトレジストを露光し、また基板１６の上面１７を露光するためにフォトレジストを現像することによってフォトレジスト層に形成することができる。基板１６の露光された領域は、フォトマスク４０がウェハの表面上に写像を投影するのに使用される場合、リソグラフィ・システムの露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約９０°の位相シフトを生成する深さを有する、基板１６内のトレンチを形成するようにエッチングすることができる。１８０度ＰＳＷ３６は、フォトレジストの層（明示されない）をゼロ度ＰＳＷ３２、第１のエッチング・プロセスによって形成されたトレンチ、および任意の残りの吸収層３８の上に堆積させることによって形成できる。フォトレジストは、１８０度ＰＳＷ３６に対応するトレンチの部分を露光するために、露光し現像することができる。次いでトレンチの露光された部分は、１つまたは複数の露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約１８０度の位相シフトを生成する深さを有するトレンチを形成するためにさらにエッチングすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
別の実施形態では、直交ＰＳＷ３４は、ゼロ度ＰＳＷ３２、第１および第２のエッチング・プロセスによって形成されたトレンチ、および任意の残りの吸収層３８によって形成されたトレンチの上にフォトレジストの層（明示されない）を堆積させることによって形成できる。フォトレジストは、直交ＰＳＷ３４に対応するトレンチの部分を露光するために、露光し現像することができる。次いでトレンチの露光された部分は、１つまたは複数の露光波長でゼロ度ＰＳＷ３２に対して約２７０°の位相シフトを生成する深さを有するトレンチを形成するためにさらにエッチングすることができる。
【国際調査報告】
2007511800.tif 000009