【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）下記式によって表される１種以上の物質；
【化１】
2015121816.tif 000001
（式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項２】
（ｉｉｉ）１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）下記式によって表される１種以上の物質；
【化２】
2015121816.tif 000002
（式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項４】
基体を含み；
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）下記式によって表される１種以上の物質を含み、
【化３】
2015121816.tif 000003
（式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい；
被覆された基体システム。
【請求項５】
液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）下記式によって表され、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
【化４】
2015121816.tif 000004
（式中ｙは４５モルパーセント以下であり及びｘ＋ｚは５５モルパーセント以上である。）
を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。
【請求項７】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項８】
前記ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基を含む１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基を含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
を含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項１２】
基体を含み；
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい；
被覆された基体システム。
【請求項１３】
液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含み、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
を含み、ただし、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質は、フッ素原子を含まず、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。
【請求項１５】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項１６】
前記ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基を含む１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、１以上のフッ素基またはフッ素置換基を含む、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基を含む、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質；
を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項２１】
基体を含み；
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さい；
被覆された基体システム。
【請求項２２】
液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）ヒドロキシ置換された多環炭素環式アリール基および１種以上の光酸不安定基を含み、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
を含み、前記（ｉｉｉ）１種以上の物質の流体力学的体積が、前記（ｉ）１種以上の樹脂の流体力学的体積よりも小さいフォトレジスト組成物。
【請求項２４】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質；
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項２５】
前記ヘテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質が、前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、ヘテロ置換された炭素環式アリール基を含む樹脂を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヘテロ置換された多環炭素環式アリール基を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記１種以上の実質的に非混和性の樹脂が、ヒドロキシルナフチル基を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、１以上のフッ素基またはフッ素置換基を含む、請求項２４〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記１種以上の実質的に非混和性の物質が、水性塩基可溶性基および／または１種以上の光酸不安定基を含む、請求項２４〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
（ａ）（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質；
を含むフォトレジスト組成物を基体上に適用し；並びに
（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光する；
ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。
【請求項３２】
基体を含み；
基体上にフォトレジスト組成物の塗膜層を有し；
当該フォトレジスト組成物が（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含む１種以上の物質を含む；
被覆された基体システム。
【請求項３３】
液浸リソグラフィー流体がフォトレジスト塗膜層の上面と接触しており、および／または当該システムが液浸フォトリソグラフィー露光ツールをさらに含む、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３４】
（ｉ）１種以上の樹脂、
（ｉｉ）光活性成分、および
（ｉｉｉ）へテロ置換された炭素環式アリール基を含み、前記１種以上の樹脂とは異なりかつ前記１種以上の樹脂と実質的に非混和性である１種以上の物質；
を含むフォトレジスト組成物。