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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）サイクリックＡＭＰ（ｃＡＭＰ）エンハンサーおよびプロスタグランジンＥＰレセプターに対するリガンドからなる群より選択される薬剤と、有機溶媒と、
（ｂ）ヒト細胞と
を含む組成物であって、組成物は無菌でかつエンドトキシンを含まない、組成物。
【請求項２】
前記ｃＡＭＰエンハンサーは、ジブチリルｃＡＭＰ（ＤＢｃＡＭＰ）、ホルボールエステル、フォルスコリン、スクラレリン、８−ブロモ−ｃＡＭＰ、コレラ毒素（ＣＴｘ）、アミノフィリン、２，４ジニトロフェノール（ＤＮＰ）、ノルエピネフリン、エピネフリン、イソプロテレノール、イソブチルメチルキサンチン（ＩＢＭＸ）、カフェイン、テオフィリン（ジメチルキサンチン）、ドパミン、ロリプラム、イロプロスト、プロスタグランジンＥ１、プロスタグランジンＥ２、下垂体アデニル酸シクラーゼ活性化ポリペプチド（ＰＡＣＡＰ）、および血管作動性腸管ポリペプチド（ＶＩＰ）からなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記プロスタグランジンＥＰレセプターに対する前記リガンドは、
（ａ）プロスタグランジンＥＰレセプターアゴニスト、
（ｂ）プロスタグランジンＥ２（ＰＧＥ２）、
（ｃ）１６，１６−ジメチルＰＧＥ２、１６−１６ジメチルＰＧＥ２、ｐ−（ｐ−アセトアミドベンズアミド）フェニルエステル、１１−デオキシ−１６，１６−ジメチルＰＧＥ２、９−デオキシ−９−メチレン−１６、１６−ジメチルＰＧＥ２、９−デオキシ−９−メチレンＰＧＥ２、９−ケトフルプロステノール、５−トランスＰＧＥ２、１７−フェニル−ω−トリノルＰＧＥ２、ＰＧＥ２セリノールアミド、ＰＧＥ２メチルエステル、１６−フェニルテトラノルＰＧＥ２、１５（Ｓ）−１５−メチルＰＧＥ２、１５（Ｒ）−１５−メチルＰＧＥ２、８−イソ−１５−ケトＰＧＥ２、８−イソＰＧＥ２イソプロピルエステル、２０−ヒドロキシＰＧＥ２、１１−デオキシＰＧＥ１、ノクロプロスト、スルプロストン、ブタプロスト、１５−ケトＰＧＥ２、および１９（Ｒ）ヒドロキシＰＧＥ２からなる群より選択されるＰＧＥ２アナログ、
（ｄ）非ＰＧＥ２ベースのリガンド、または
（ｅ）ＥＰ１アゴニスト、ＥＰ２アゴニスト、ＥＰ３アゴニスト、およびＥＰ４アゴニストからなる群より選択される非ＰＧＥ２ベースのリガンドである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記薬剤は、容器中に１００ｎＭ〜１０ｍＭの濃度で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記薬剤は、前記容器中に１ｍＭ〜１０ｍＭの濃度で存在する、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記薬剤は、前記容器中に１００ｎＭ〜１μＭの濃度で存在する、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
前記薬剤は、前記容器中に１０ｍＭの濃度で存在する、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記有機溶媒は、酢酸メチルを含まない、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記有機溶媒は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、ジメチルアセトアミド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物は、前記細胞のエキソビボ処理に適した容器中にあり、該容器は、
（ａ）該組成物の貯蔵に適したバッグ、カプセル、バイアル、チューブ、ディッシュ、もしくはシリンジ、
（ｂ）使い捨て容器、または
（ｃ）適した培地をさらに含むバッグ、バイアル、チューブ、ディッシュ、もしくはシリンジである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記ヒト細胞は、造血幹細胞を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記造血幹細胞は、臍帯血または動員末梢血から得られる、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記薬剤は、最終濃度１０ｍＭの１６，１６−ジメチルＰＧＥ２であり、
前記有機溶媒は、酢酸メチルを含まないジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
被験体への投与に適した組成物を調製する方法であって、該方法は、
（ａ）有機溶媒と、サイクリックＡＭＰ（ｃＡＭＰ）エンハンサーおよびプロスタグランジンＥＰレセプターに対するリガンドからなる群より選択される薬剤とを含む組成物を提供する工程であって、該組成物は無菌でかつエンドトキシンを含まない、工程；および
（ｂ）（ａ）の組成物をヒト細胞と合わせて、それによって該被験体への投与に適した組成物を調製する工程を含む、
方法。
【請求項１５】
前記薬剤は、最終濃度１０ｍＭの１６，１６−ジメチルＰＧＥ２であり、
前記有機溶媒は、酢酸メチルを含まないジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
（Ａ）前記（ａ）の組成物および前記ヒト細胞は、該ヒト細胞のエキソビボ処理に適した容器中で合わせられ、ここで該ヒト細胞は臍帯血を含むか、または
（Ｂ）該（ａ）の組成物および該ヒト細胞は、該ヒト細胞のエキソビボ処理に適した容器中で合わせられ、ここで該容器は適切な培地を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記ヒト細胞は、造血幹細胞を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記造血幹細胞は、臍帯血または動員末梢血から得られる、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
エキソビボ治療適用における使用のための、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遠用検査距離にて遠用両眼視機能を検査するための遠用視標を表示可能に構成されたディスプレイを備える視標呈示装置において、
所定の近用検査距離にて両眼視機能を検査するための近用視標を選択する視標選択手段と、
前記視標選択手段によって選択された前記近用視標を前記ディスプレイに表示する際に、前記近用視標の表示領域を所定領域に制限する制御手段と、を備えることを特徴とする視標呈示装置。
【請求項２】
請求項１の視標呈示装置において、
前記ディスプレイの前面に配置される偏光光学部材であって、該ディスプレイが持つ画素に対応して縦方向及び横方向の少なくとも一方に交互に配置された左眼用光学領域と右眼用光学領域を持ち、該左眼用光学領域及び該右眼用光学領域が該ディスプレイからの光を透過させるときに、互いに直交する偏光軸の光に変換する偏光光学部材を備え、
前記所定領域は所定の近用検査距離において前記左眼用光学領域及び前記右眼用光学領域を通過して被検眼に届く光にクロストークを生じさせないように設定された領域であって、前記遠用視標の表示領域より狭く設定された領域であり、
前記制御手段は、設定された前記所定領域内に前記近用視標を表示することを特徴とする視標呈示装置。
【請求項３】
請求項２の視標呈示装置において、
前記所定領域は、近用検査距離と、前記ディスプレイの画面に直交する方向から被検眼が画面を見た状態で前記左眼用光学領域及び前記右眼用光学領域を通過して被検眼に届く光にクロストークが発生しないときの被検眼の視角と、に基づいて設定されていることを特徴とする視標呈示装置。
【請求項４】
遠用距離にて遠用視機能を検査するための遠用視標を表示可能に構成されたディスプレイを備える視標呈示装置の動作を制御する制御装置において実行される視標呈示プログラムにおいて、
近用距離にて近用視機能を検査するための近用視標を前記ディスプレイに表示する際に、
前記ディスプレイ上における表示領域を制限する制御ステップを前記制御装置に実行させることを特徴とする視標呈示プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）  所定の遠用検査距離にて遠用両眼視機能を検査するための遠用視標を表示可能に構成されたディスプレイを備える視標呈示装置において、所定の近用検査距離にて両眼視機能を検査するための近用視標を選択する視標選択手段と、前記視標選択手段によって選択された前記近用視標を前記ディスプレイに表示する際に、前記近用視標の表示領域を所定領域に制限する制御手段と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の視標呈示装置において、前記ディスプレイの前面に配置される偏光光学部材であって、該ディスプレイが持つ画素に対応して縦方向及び横方向の少なくとも一方に交互に配置された左眼用光学領域と右眼用光学領域を持ち、該左眼用光学領域及び該右眼用光学領域が該ディスプレイからの光を透過させるときに、互いに直交する偏光軸の光に変換する偏光光学部材を備え、前記所定領域は所定の近用検査距離において前記左眼用光学領域及び前記右眼用光学領域を通過して被検眼に届く光にクロストークを生じさせないように設定された領域であって、前記遠用視標の表示領域より狭く設定された領域であり、前記制御手段は、設定された前記所定領域内に前記近用視標を表示することを特徴とする。
（３）  （２）の視標呈示装置において、前記所定領域は、近用検査距離と、前記ディスプレイの画面に直交する方向から被検眼が画面を見た状態で前記左眼用光学領域及び前記右眼用光学領域を通過して被検眼に届く光にクロストークが発生しないときの被検眼の視角と、に基づいて設定されていることを特徴とする。
（４）  遠用距離にて遠用視機能を検査するための遠用視標を表示可能に構成されたディスプレイを備える視標呈示装置の動作を制御する制御装置において実行される視標呈示プログラムにおいて、近用距離にて近用視機能を検査するための近用視標を前記ディスプレイに表示する際に、前記ディスプレイ上における表示領域を制限する制御ステップを前記制御装置に実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周回走行する走行体を備えたコンベア装置と、前記走行体の外周面に向かってシート状と塊状の廃棄物が混合された固形物によって構成される被分別物を落下させる被分別物供給手段と、前記走行体の走行方向の位置及び勾配を変更可能に、前記コンベア装置を支持する変更装置とを具備する固形物の分別装置であって、前記走行体は無端ベルトで、前記被分別物が落下する側で走行方向先側に上り勾配となる傾斜姿勢で備えられており、前記走行体の外周面側が所定の弾性を有し、且つ、前記外周面は摩擦係数が大きくなるように粗面となっており、前記被分別物を前記走行体の外周面に落下させ、前記被分別物が前記走行体に衝突したとき、塊状の廃棄物は前記走行体から搬送されずに脱落して前記塊状の廃棄物の落下空間に落下し、シート状の廃棄物は前記走行体にそのまま載り滑り落ちることなく搬送されて前記走行体の走行方向先側の端より前記シート状の廃棄物の落下空間に落下することで分別が行われることを特徴とする固形物の分別装置。
【請求項２】
請求項１に記載した固形物の分別装置において、走行体は合成樹脂によって構成され、その内部には多数の気泡が形成されてスポンジ様になっていることを特徴とする固形物の分別装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載した固形物の分別装置において、走行体の外周面に付着した被分別物を除去するクリーニング手段が設けられていることを特徴とする固形物の分別装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明は、周回走行する走行体を備えたコンベア装置と、前記走行体の外周面に向かってシート状と塊状の廃棄物が混合された固形物によって構成される被分別物を落下させる被分別物供給手段と、前記走行体の走行方向の位置及び勾配を変更可能に、前記コンベア装置を支持する変更装置とを具備する固形物の分別装置であって、前記走行体は無端ベルトで、前記被分別物が落下する側で走行方向先側に上り勾配となる傾斜姿勢で備えられており、前記走行体の外周面側が所定の弾性を有し、且つ、前記外周面は摩擦係数が大きくなるように粗面となっており、前記被分別物を前記走行体の外周面に落下させ、前記被分別物が前記走行体に衝突したとき、塊状の廃棄物は前記走行体から搬送されずに脱落して前記塊状の廃棄物の落下空間に落下し、シート状の廃棄物は前記走行体にそのまま載り滑り落ちることなく搬送されて前記走行体の走行方向先側の端より前記シート状の廃棄物の落下空間に落下することで分別が行われることを特徴とする固形物の分別装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載した固形物の分別装置において、走行体は合成樹脂によって構成され、その内部には多数の気泡が形成されてスポンジ様になっていることを特徴とする固形物の分別装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３の発明は、請求項１または２に記載した固形物の分別装置において、走行体の外周面に付着した被分別物を除去するクリーニング手段が設けられていることを特徴とする固形物の分別装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の演出を表示可能な演出表示手段と、
所定の表示領域に表示される図柄の組合せごとに対応して遊技者に付与する特典が規定されている遊技価値規定手段と、
複数の可動体の停止順序に応じて前記特典の度合いが異なる押下対応役が少なくとも含まれた複数の当選役の中からいずれの当選役にするかを抽選する抽選手段と、
通常遊技状態および該通常遊技状態よりも有利な有利遊技状態がある中でいずれかの遊技状態に制御する遊技状態制御手段と、を備えた遊技機であって、
前記有利遊技状態には、
複数のゲームに跨って実行可能な第１の有利遊技状態と第２の有利遊技状態とが少なくとも含まれており、
前記第１の有利遊技状態は、
前記第２の有利遊技状態である期間における１ゲームあたりの純増枚数を「Ｘ」としたとき、該「Ｘ」よりも高い「Ｙ」とされており、
前記有利遊技状態に制御されているとき、前記第１の有利遊技状態で遊技を進行させるか前記第２の有利遊技状態で遊技を進行させるかを遊技者が選択可能な状態選択手段と、
実行されている前記第１の有利遊技状態から実行されていない前記第２の有利遊技状態への変更または実行されている前記第２の有利遊技状態から実行されていない前記第１の有利遊技状態への変更が可能であることを前記演出表示手段に表示させる変更教示手段と、
前記有利遊技状態に制御されているとき、前記第１の有利遊技状態で遊技を進行させるか前記第２の有利遊技状態で遊技を進行させるかを遊技者が行う複数回の操作に基づいて決定される操作機会複数付与決定手段と、
を備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
所定の演出を表示可能な演出表示手段と、所定の表示領域に表示される図柄の組合せごとに対応して遊技者に付与する特典が規定されている遊技価値規定手段と、複数の可動体の停止順序に応じて前記特典の度合いが異なる押下対応役が少なくとも含まれた複数の当選役の中からいずれの当選役にするかを抽選する抽選手段と、通常遊技状態および該通常遊技状態よりも有利な有利遊技状態がある中でいずれかの遊技状態に制御する遊技状態制御手段と、を備えた遊技機であって、前記有利遊技状態には、複数のゲームに跨って実行可能な第１の有利遊技状態と第２の有利遊技状態とが少なくとも含まれており、前記第１の有利遊技状態は、前記第２の有利遊技状態である期間における１ゲームあたりの純増枚数を「Ｘ」としたとき、該「Ｘ」よりも高い「Ｙ」とされており、前記有利遊技状態に制御されているとき、前記第１の有利遊技状態で遊技を進行させるか前記第２の有利遊技状態で遊技を進行させるかを遊技者が選択可能な状態選択手段と、実行されている前記第１の有利遊技状態から実行されていない前記第２の有利遊技状態への変更または実行されている前記第２の有利遊技状態から実行されていない前記第１の有利遊技状態への変更が可能であることを前記演出表示手段に表示させる変更教示手段と、前記有利遊技状態に制御されているとき、前記第１の有利遊技状態で遊技を進行させるか前記第２の有利遊技状態で遊技を進行させるかを遊技者が行う複数回の操作に基づいて決定される操作機会複数付与決定手段と、を備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月3日(2016.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースと、
前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースに結合された通信システムと、
を含み、
前記通信システムが、
エラー検出器と、
デマルチプレクサと、
を含み、
前記エラー検出器が、
エラー検出オーバーヘッドビットを含む復号化されたシリアル・データ・ストリームを受け取り、
前記復号化されたシリアル・データ・ストリームで、少なくとも第１のデータ・チャンネルのエラーを第１の精度で、少なくとも第２のデータ・チャンネルのエラーを第２の精度で、検出し、
前記復号化されたシリアル・データ・ストリームから、前記エラー検出オーバーヘッドビットを除去する
ように構成され、
前記デマルチプレクサが、
前記エラー検出オーバーヘッドビットの除去後に、前記エラー検出器から前記復号化されたシリアル・データ・ストリームを受け取り、
少なくとも前記第１のデータ・チャンネルおよび前記第２のデータ・チャンネルを再生成するために逆多重化を行う、
ように構成されている、
システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースは、前記少なくとも１つの制御器へ転送するために少なくとも１つの電力半導体デバイスに関連した１つ以上のセンサからデータを得るように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記データは、（ａ）物理的情報、（ｂ）アナログ情報、又は（ｃ）ディジタル情報の内の少なくとも１つを有している、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電力半導体デバイス・インターフェースは更に、第３のチャンネル又は第４のチャンネルのうちの少なくとも一方を介して前記少なくとも１つの制御器へ前記データを送信するように構成されている、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
制御器と少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースとの間の通信を容易にするように構成された通信リンクを有している機器であって、
前記通信リンクは、ビット・エラーに対する第１の許容度で第１のチャンネル上の情報の、ビット・エラーに対する第２の許容度で第２のチャンネル上の情報のガルバニック絶縁分離を提供し、
前記通信リンクは、
エラー検出器によるエラー検出オーバーヘッドビットの除去後に、前記エラー検出器から復号化されたシリアル・データ・ストリームを受け取り、
少なくとも前記第１のチャンネルおよび前記第２のチャンネルを再生成するために逆多重化を行う、
ように構成されている、
機器。
【請求項６】
前記制御器は、前記第１のチャンネル又は前記第２のチャンネルの内の少なくとも一方を介して前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースへ伝送するための情報を出力するように構成されている、請求項５に記載の機器。
【請求項７】
前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースは少なくとも１つの電力半導体デバイスに結合されている、請求項５に記載の機器。
【請求項８】
前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースは、前記少なくとも１つの電力半導体デバイスに関連した１つ以上のセンサからデータを得るように構成されている、請求項７に記載の機器。
【請求項９】
前記データは、（ａ）電圧測定値、（ｂ）電流測定値、又は（ｃ）温度の内の少なくとも１つを有している、請求項９に記載の機器。
【請求項１０】
前記制御器は、第３のチャンネル又は第４のチャンネルのうちの少なくとも一方を介して前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースから前記データを受け取るように構成されている、請求項９に記載の機器。
【請求項１１】
前記通信リンクは、前記第１のチャンネル又は前記第２のチャンネルを多重化するように構成されているマルチプレクサを備える、請求項５に記載の機器。
【請求項１２】
前記通信リンクは、前記第１のチャンネル又は前記第２のチャンネルのうちの少なくとも一方で通信される情報を符号化するように構成されている符号化器を備える、請求項５に記載の機器。
【請求項１３】
少なくとも１つの制御器から前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースへ、少なくともビット・エラーに対する第１の許容度を有する第１のチャンネルと、ビット・エラーに対する第２の許容度を有する第２のチャンネルを含むシリアル・データ・ストリームを用いて、情報を伝送するステップと、
前記シリアル・データ・ストリームを復号化して、復号化されたシリアル・データ・ストリームを取得するステップと、
エラー検出オーバーヘッドビットを用いて、前記復号化されたシリアル・データ・ストリームのエラーを検出するステップと、
前記エラー検出オーバーヘッドビットの利用後に、前記エラー検出オーバーヘッドビットを除去するステップと、
前記エラー検出オーバーヘッドビットの除去後に、前記復号化されたシリアル・データ・ストリームを逆多重化して、少なくとも前記第１のチャンネルおよび前記第２のチャンネルを再生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記第１のチャンネルおよび前記第２のチャンネルにある情報を多重化するように構成された少なくとも１つのマルチプレクサを設けるステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースは、少なくとも１つの電力半導体デバイスに関連した１つ以上のセンサから情報を得るように構成されており、該データは、（ａ）物理的情報、（ｂ）アナログ情報、又は（ｃ）ディジタル情報の内の少なくとも１つを有している、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの制御器は、前記第１のチャンネル又は前記第２のチャンネルの内の少なくとも一方を介して前記少なくとも１つの電力半導体デバイス・インターフェースから情報を受け取るように構成されている、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並設されたワイヤ列で被加工物を放電によりスライスするワイヤ放電加工装置であって、
前記ワイヤ列を同じ方向に走行させる走行手段と、
前記被加工物を前記放電によりスライスする場合に、角状である被加工物の二辺が、前記ワイヤ列方向と交差し、かつ前記ワイヤ列と対向するように前記被加工物を配置する配置手段と、
を備え、
前記被加工物のスライスを開始する前には、前記配置手段が前記ワイヤ列から前記二辺における一方がより遠くなるように前記被加工物を配置して前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持し、
前記被加工物のスライスを開始したあとに、前記配置手段が、前記ワイヤ列の面に対する前記被加工物の加工面がほぼ平行になるように前記被加工物の配置を変更して前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持することを特徴とするワイヤ放電加工装置。
【請求項２】
前記被加工物のスライスを開始する前には、前記配置手段が前記二辺においてより遠くなる一方を、前記走行するワイヤ列が前記被加工物に進行する側にして前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持することを特徴とする請求項１に記載のワイヤ放電加工装置。
【請求項３】
前記被加工物のスライスを開始する前に前記配置手段により保持されている前記被加工物の二辺における一方とその他方との前記ワイヤ列までの極間距離の差が、ワイヤの直径の２倍以上あるいは１ｍｍ以上のいずれか一方を満たしていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワイヤ放電加工装置。
【請求項４】
並設されたワイヤ列で被加工物を放電によりスライスする、前記ワイヤ列を同じ方向に走行させる走行手段を備えるワイヤ放電加工装置における加工方法であって、
前記被加工物を前記放電によりスライスする場合に、角状である被加工物の二辺が、前記ワイヤ列方向と交差し、かつ前記ワイヤ列と対向するように前記被加工物を配置する配置工程を含み、
前記被加工物のスライスを開始する前の前記配置工程では前記ワイヤ列から前記二辺における一方がより遠くなるように前記被加工物を配置して前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持し、
前記被加工物のスライスを開始したあとの前記配置工程では前記ワイヤ列の面に対する前記被加工物の加工面がほぼ平行になるように前記被加工物の配置を変更して前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持することを特徴とする加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、並設されたワイヤ列で被加工物を放電によりスライスするワイヤ放電加工装置であって、前記ワイヤ列を同じ方向に走行させる走行手段と、前記被加工物を前記放電によりスライスする場合に、角状である被加工物の二辺が、前記ワイヤ列方向と交差し、かつ前記ワイヤ列と対向するように前記被加工物を配置する配置手段と、を備え、前記被加工物のスライスを開始する前には、前記配置手段が前記ワイヤ列から前記二辺における一方がより遠くなるように前記被加工物を配置して前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持し、前記被加工物のスライスを開始したあとに、前記配置手段が、前記ワイヤ列の面に対する前記被加工物の加工面がほぼ平行になるように前記被加工物の配置を変更して前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記被加工物のスライスを開始する前には、前記配置手段が前記二辺においてより遠くなる一方を、前記走行するワイヤ列が前記被加工物に進行する側にして前記被加工物と前記ワイヤ列との極間を保持することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記被加工物のスライスを開始する前に前記配置手段により保持されている前記被加工物の二辺における一方とその他方との前記ワイヤ列までの極間距離の差が、ワイヤの直径の２倍以上あるいは１ｍｍ以上のいずれか一方を満たしていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部をそれぞれ有する複数の凹溝と、上表面を有する平たい台とを含む半導体積層と、
第１の導電材料を含み、且つ前記平たい台の前記上表面の上に位置する第１の層と、第２の導電材料を含み、且つ前記第１の層の上に位置する第２の層とを含む第１の電極と、
前記複数の凹溝の各前記底部にそれぞれ位置する複数の第２の電極と、
前記複数の凹溝に位置し、且つ前記平たい台の前記上表面の一部の上に位置する第１の絶縁層であって、前記第１の絶縁層が複数の通路を含み、前記複数の第２の電極を露出する、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に位置し、且つ前記第１の電極と接触する第１の電極パッドと、
前記複数の第２の電極の上に位置し、且つ前記複数の第２の電極と接触する第２の電極パッドと、を含む発光素子。
【請求項２】
前記半導体積層の下に位置する基板を更に含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記半導体積層は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を更に含み、前記活性層は光線を発することができ、前記複数の凹溝は前記活性層を横切っている請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１の導電型半導体層は前記複数の凹溝の前記底部から露出され、且つ前記平たい台の前記上表面は前記第２の導電型半導体層の表面となる請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１の電極と前記第１の電極パッドとの間に位置する第２の絶縁層を更に含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２の絶縁層の一部の領域と前記第１の絶縁層とは直接接触している請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１の導電材料と前記第２の導電材料とは異なる請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１の層の前記光線に対する反射率は、前記第２の層の前記光線に対する反射率よりも大きい請求項３に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１の導電材料及び／又は前記第２の導電材料は金属を含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１の電極の前記第１の層と前記第１の絶縁層とは互いに離れている請求項１に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上面に配置された二次電池と、
前記第１の絶縁層の上面に形成され、前記二次電池を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層を覆う第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上面に形成された第１の配線層と、
前記第３の絶縁層と前記第２の絶縁層を貫通し、前記第１の配線層と前記二次電池の電極とを電気的に接続するビアと、
を有し、
前記第２の絶縁層の引張強さの値は、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層の引張強さの値より低いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の絶縁層は、前記二次電池が固定された前記第１の絶縁層の上面全体を覆うように形成され、
前記第３の絶縁層は前記第２の絶縁層の上面を覆うように形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上面において、前記二次電池が配置された領域を覆うように形成され、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層から露出する前記第１の絶縁層の上面と前記第２の絶縁層を覆うように形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記二次電池の電極上に形成されたバンプを有し、
前記ビアは、前記バンプと前記第１の配線層とを電気的に接続すること、
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の下面に形成された第２の配線層と、
前記第２の配線層と前記第１の配線層を電気的に接続する貫通ビアと、
を有することを特徴とする請求項１〜４のうちの何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の絶縁層の下面と前記第３の絶縁層の上面の少なくとも一方の面の側に積層された複数の配線層及び絶縁層を有することを特徴とする請求項１〜５のうちの何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記二次電池は、全固体薄膜二次電池であることを特徴とする請求項１〜６のうちの何れか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
第１の絶縁層の上面上に二次電池を配置する工程と、
前記第１の絶縁層の上面に形成した第２の絶縁層により前記二次電池を覆う工程と、
第３の絶縁層により前記第２の絶縁層を覆う工程と、
前記第３の絶縁層の上面に第１の配線層を形成するとともに、前記第３の絶縁層と前記第２の絶縁層を貫通し、前記第１の配線層と前記二次電池の電極とを接続するビアを形成する工程と、
を有し、
前記第２の絶縁層の引張強さの値は、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層の引張強さの値より低いことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記ビアを形成する工程において、前記第１の絶縁層の下面に第２の配線層を形成するとともに、前記第１の配線層と前記第２の配線層とを接続する貫通ビアを形成することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記二次電池の電極上にバンプが形成され、
前記ビアは、前記第１の配線層と前記バンプとを接続するように形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層の上面において、前記二次電池が配置された領域を覆うように形成され、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層から露出する前記第１の絶縁層の上面と前記第２の絶縁層とを覆うように形成されること、を特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の絶縁層は、前記二次電池が固定された前記第１の絶縁層の上面全体を覆うように形成され、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層を覆うように形成されること、を特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上面に配置された二次電池と、前記第１の絶縁層の上面に形成され、前記二次電池を覆う第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層を覆う第３の絶縁層と、前記第３の絶縁層の一上面に形成された第１の配線層と、前記第３の絶縁層と前記第２の絶縁層を貫通し、前記第１の配線層と前記二次電池の電極とを電気的に接続するビアと、を有し、前記第２の絶縁層の引張強さの値は、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層の引張強さの値より低いものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
第２部分１６４は、平面視において、第２側面１３２から第３側面１３３まで延出している。言い換えれば、第２部分１６４は、平面視において、第２側面１３２と第３側面１３３とを接続している。第２部分１６４は、平面視において、所定の幅を有し、第２部分１６４の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。第２部分１６４は、第２側面１３２との接続部分に設けられた第３端面１８３と、第３側面１３３との接続部分に設けられた第４端面１８４と、を有している。図示の例では、第２部分１６４の延出方向は、平面視において、第１側面１３１に対して傾いているが、第１側面１３１と平行であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
第３部分１６６は、平面視において、第３側面１３３から第１側面１３１まで延出している。言い換えれば、第３部分１６６は、平面視において、第３側面１３３と第１側面１３１とを接続している。第３部分１６６は、平面視において、例えば、所定の幅を有し、第３部分１６６の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。第３部分１６６は、第３側面１３３との接続部分に設けられた第５端面１８５と、第１側面１３１との接続部分に設けられた第６端面１８６と、を有している。第６端面１８６は、出射部として機能することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
なお、図６では、反射部において光損失がないと仮定した場合の曲線も破線で示している。また、図７では、キャリア密度の差によってキャリアが移動する前の状態も破線で示している。また、図６および図７では、幅（光導波路の延出方向と直交する方向の大きさ）が一定な光導波路を想定している。また、図６および図７では、横軸の位置０から矢印の先端（外側）に向かう光のみを考慮している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
１．３．２．  第２変形例
次に、第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、第１の実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す平面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
プロジェクター８００によれば、第１側面１３１と直交する方向の長さを大きくすることなく、第２部分１６４により、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを調整することができる発光装置３００を含む（図１２参照）。これにより、レンズアレイ８０２の大きさに合わせて、容易に出射部１８１，１８６の間隔Ｄを調整することができる。したがって、プロジェクター８００では、レンズアレイ８０２のアライメントが容易であり、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
なお、この実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した方法により製造したマスクブランク用基板Ｍは、バイナリーマスクブランク、位相シフトマスクブランク、ナノインプリント用マスクブランクの製造に使用することができる。バイナリーマスクブランクは、ＭｏＳｉ系、Ｔａ系、Ｃｒ系のいずれであってもよい。位相シフトマスクブランクは、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、レベンソン型位相シフトマスクブランク、クロムレス型位相シフトマスクブランクのいずれであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
Ｄ．反射型マスクの製造
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジストをスピンコート法により塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚が１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
その後、形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
その後、このレジストパターンをマスクにして、吸収体膜のドライエッチングを行って、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしては、Ｃｌ２ガスを用いた。
その後、レジストパターンを除去し、洗浄を行なった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
Ｄ．反射型マスクの製造
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、実施例２と同様に、吸収体膜パターンを形成して、ＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面全体を研磨する研磨方法であって、
基板の裏面の中心側領域を保持しながら、前記裏面の外周側領域に研磨具を摺接させる工程と、
前記基板を保持しながら、前記裏面の前記中心側領域に研磨具を摺接させる工程を含むことを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
前記外周側領域に前記研磨具を摺接する工程を行い、その後前記中心側領域に前記研磨具を摺接する工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記基板の裏面の中心側領域を保持しながら、かつ前記基板の裏面に純水を供給しながら、前記裏面の前記外周側領域に前記研磨具を摺接させ、
前記基板のベベル部を保持しながら、かつ前記基板の裏面に純水を供給しながら、前記裏面の前記中心側領域に前記研磨具を摺接させることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨方法。
【請求項４】
基板の裏面の中心側領域を保持しながら、前記裏面の外周側領域に研磨具を摺接させて該外周側領域を研磨する第１裏面研磨ユニットと、
前記基板を保持しながら、前記裏面の前記中心側領域に研磨具を摺接させて該中心側領域を研磨する第２裏面研磨ユニットと、
前記第１裏面研磨ユニットと前記第２裏面研磨ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送ロボットとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記第１裏面研磨ユニットが前記外周側領域を研磨した後に、前記第２裏面研磨ユニットが前記中心側領域を研磨することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送ロボットは、前記第１裏面研磨ユニットによって研磨された前記基板を反転させて前記第２裏面研磨ユニットに搬送するように構成されていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板の裏面全体を研磨する研磨方法であって、基板の裏面の中心側領域を保持しながら、前記裏面の外周側領域に研磨具を摺接させる工程と、前記基板を保持しながら、前記裏面の前記中心側領域に研磨具を摺接させる工程を含むことを特徴とする研磨方法である。
本発明の好ましい態様は、前記外周側領域に前記研磨具を摺接する工程を行い、その後前記中心側領域に前記研磨具を摺接する工程を行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の裏面の中心側領域を保持しながら、かつ前記基板の裏面に純水を供給しながら、前記裏面の前記外周側領域に前記研磨具を摺接させ、前記基板のベベル部を保持しながら、かつ前記基板の裏面に純水を供給しながら、前記裏面の前記中心側領域に前記研磨具を摺接させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の他の態様は、基板の裏面の中心側領域を保持しながら、前記裏面の外周側領域に研磨具を摺接させて該外周側領域を研磨する第１裏面研磨ユニットと、前記基板を保持しながら、前記裏面の前記中心側領域に研磨具を摺接させて該中心側領域を研磨する第２裏面研磨ユニットと、前記第１裏面研磨ユニットと前記第２裏面研磨ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送ロボットとを備えたことを特徴とする基板処理装置である。
本発明の好ましい態様は、前記第１裏面研磨ユニットが前記外周側領域を研磨した後に、前記第２裏面研磨ユニットが前記中心側領域を研磨することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記搬送ロボットは、前記第１裏面研磨ユニットによって研磨された前記基板を反転させて前記第２裏面研磨ユニットに搬送するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に半導体素子を搭載した半導体パッケージであって、前記半導体素子を搭載した前記基板の表面には、誘電体を介して、枠状もしくは環状の導電性部材が、前記半導体素子が前記導電性部材の開口部から露出するように配置されており、前記基板には前記導電性部材と対向するように配線パターンが設けられており、前記配線パターンは前記半導体素子に設けられた信号配線層に形成されたグラウンド端子または電源端子と電気的に接続しており、前記導電性部材と前記配線パターンとの間の静電結合容量値は、前記導電性部材と信号配線層との間の静電結合容量値以上であることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記信号配線層は前記半導体素子の前記基板への搭載面と逆側の表面に形成されており、前記配線パターンはボンディングワイヤを介して信号配線層に形成されたグラウンド端子または電源端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記導電性部材と配線パターンとの間の静電結合容量値は、前記導電性部材と信号配線層との間の静電結合容量値の１．７８倍の値以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記配線パターンは、前記導電性部材と対向して配置された枠状もしくは環状のパターンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記配線パターンは、前記導電性部材と対向して配置された枠状もしくは環状のパターンの、お互いが対向する２か所に不連続部が形成された２つの配線パターンからなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
基板の表面に半導体素子を搭載した半導体パッケージにであって、前記半導体素子を搭載した前記基板の表面と逆側の表面には、誘電体を介して、枠状もしくは環状の導電性部材が、前記導電性部材の開口部が、前記半導体パッケージを平面視した場合に、前記半導体素子の外形よりも大きく前記半導体素子の外径を取り囲むように配置されており、前記基板には前記導電性部材と対向するように配線パターンが設けられており、前記配線パターンは前記半導体素子に設けられた信号配線層に形成されたグラウンド端子または電源端子と電気的に接続しており、前記導電性部材と配線パターンとの間の静電結合容量値は、前記導電性部材と信号配線層との間の静電結合容量値以上であることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項７】
前記信号配線層は前記半導体素子の前記基板への搭載面と逆側の表面に形成されており、前記配線パターンはボンディングワイヤを介して信号配線層に形成されたグラウンド端子または電源端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記導電性部材と配線パターンとの間の静電結合容量値は、前記導電性部材と信号配線層との間の静電結合容量値の１．７８倍の値以上であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記配線パターンは、前記導電性部材と対向して配置された枠状もしくは環状のパターンであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記配線パターンは、前記導電性部材と対向して配置された枠状もしくは環状のパターンの、お互いが対向する２か所に不連続部が形成された２つの配線パターンからなっていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記半導体素子は、外部からの信号を受信するセンサーであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体パッケージを備えた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体パッケージおよび電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料処理装置において、パターニングされたレジストを有する被処理試料を処理する試料の処理方法であって、
前記試料処理装置は、真空紫外線光を発する光源と、ステージを内部に有し該ステージ上に配置された被処理試料に波長２００ｎｍ以下の前記真空紫外線光を照射可能な処理室と、前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス供給手段と、前記処理室の排気口に接続された真空排気装置とを備えており、
パターニングされたレジストを有する被処理試料を前記処理室内の前記ステージ上に配置し、
前記処理室内に処理ガスとして、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）を供給し、
前記処理室内の前記処理ガスに前記真空紫外線光を照射して該真空紫外線光の一部で前記処理ガスを励起し、該励起された処理ガス中の含有元素Ｓｉと前記レジストを残りの前記真空紫外線光で反応させ、前記レジストのキュアを行うと共に該レジストに生じる応力を緩和する
ことを特徴とする試料の処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の試料の処理方法において、
前記試料処理装置は、前記処理室の圧力を制御する圧力調整部を備えており、
該処理室内の圧力を１Ｐａ〜１０ｋＰａに保持し、前記真空紫外線光を照射して前記処理ガスを励起する
ことを特徴とする試料の処理方法。
【請求項３】
請求項２記載の試料の処理方法において、前記試料は、ＡｒＦレジストパターンウエハであることを特徴とする試料の処理方法。
【請求項４】
請求項２記載の試料の処理方法において、前記試料は、ＥＵＶレジストパターンウエハであり、
前記ＥＵＶレジストパタ−ニングしたウエハを前記処理室内に配置し、前記処理ガスを供給してキュア処理を実施し、前記レジストパターンのラフネスを低減した後、該レジストをマスクとして、該レジストの下地膜をプラズマでエッチングすることを特徴とする試料の処理方法。
【請求項５】
真空紫外線光を発する光源と、ステージを内部に有し該ステージ上に配置された被処理試料に前記真空紫外線光のうち波長200nm以下の真空紫外線光を照射可能な処理室と、前記処理室内の前記真空紫外線光の照射領域に処理ガスを導入する処理ガス供給手段と、前記処理室の排気口に接続された真空排気装置と、前記処理室の圧力を制御する容器内圧力調整部とを備え、
前記処理ガスが、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）であり、
前記被処理試料が、パターニングされたレジストを有する試料であり、
前記処理室内の前記処理ガスに前記真空紫外線光を照射して該真空紫外線光の一部で前記処理ガスを励起し、該励起された処理ガス中の含有元素Ｓｉと前記レジストを残りの前記真空紫外線光で反応させ、前記レジストのキュアを行うと共に該レジストに生じる応力を緩和する
ことを特徴とする試料処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の試料処理装置において、
前記容器内圧力調整部が、前記真空排気装置により減圧される前記処理室内の圧力を調整する機能を有し、
前記処理室内の圧力を１Ｐａ〜１０ｋＰａに維持した状態で、前記レジストのキュアを行うことを特徴とする試料処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の試料処理装置において、
前記処理ガス供給手段は、波長１７２nmのエキシマ光が透過可能な合成石英、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＬＩＦまたはサファイアから成るガス分散部を有し、該ガス分散部を介して前記処理ガスを前記処理室内に供給することを特徴とする試料処理装置。
【請求項８】
請求項６記載の試料処理装置において、
前記ガス供給手段と前記処理室の間において、該処理室の外周部に設けられたガス溜まりスペースを有し、
該ガス溜まりスペースには、前記処理室の壁面から前記被処理試料上に放射状に均一に前記処理ガスを供給できるよう、周方向均等に設けられた複数のガス穴を有することを特徴とする試料処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に六方晶系の結晶構造を有する第１の半導体層を成長させる工程と、
上記第１の半導体層を上記第１の基板がエッチングされるまでストライプ状にエッチングすることにより複数のストライプ状のシードを形成する工程と、
上記シードを形成した後の上記第１の基板の表面を六方晶系の結晶構造を有する半導体層が実質的に成長しないように処理する工程と、
それぞれの上記シードから六方晶系の結晶構造を有する第２の半導体層を横方向成長させる工程とを有する半導体素子の製造方法。
【請求項２】
上記第２の半導体層を横方向成長させた後、
上記第２の半導体層上に第２の基板を設ける工程と、
上記シード、上記第２の半導体層および上記第２の基板から上記第１の基板を剥離する工程とをさらに有する請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
上記第２の半導体層を横方向成長させた後、
上記第２の半導体層を覆うように全面に六方晶系の結晶構造を有する第３の半導体層を成長させる工程と、
上記第３の半導体層上に第２の基板を設ける工程と、
上記シード、上記第２の半導体層、上記第３の半導体層および上記第２の基板から上記第１の基板を剥離する工程とをさらに有する請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
上記第１の半導体層を成長させた後、上記シードを形成する前に、上記第１の半導体層上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜および上記第１の半導体層を上記第１の基板がエッチングされるまでストライプ状にエッチングすることにより上記シードを形成する請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
上記シードを形成する工程において、上記第１の基板が１μｍ以上の深さにエッチングされるようにする請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
上記六方晶系の結晶構造を有する半導体層が実質的に成長しないように処理する工程が上記第１の基板を酸化または窒化する工程である請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
上記シードを形成する工程において、上記第１の基板がエッチングされることにより形成される上記第１の基板からなるストライプ状の柱の断面のアスペクト比が１以上となるまで、または、上記第１の基板からなるストライプ状の柱の高さが４μｍ以上になるまで上記第１の基板がエッチングされるようにする請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
上記シード上に上記絶縁膜を残した状態で上記第２の半導体層を横方向成長させる請求項４記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
上記シード、上記第２の半導体層および上記第２の基板から上記第１の基板を剥離する工程が上記第１の基板をウェットエッチングする工程である請求項２記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
上記シード、上記第２の半導体層、上記第３の半導体層および上記第２の基板から上記第１の基板を剥離する工程が上記第１の基板をウェットエッチングする工程である請求項３記載の半導体素子の製造方法。