(57)【要約】  超薄型の裏面照射フォトダイオード・アレイの構造と製造方法である。このフォトダイオード・アレイは第１と第２の表面を有する第１の導電型の基板を有する裏面照射フォトダイオード・アレイであり、第２の表面は基板よりも大きい導電率を有する第１の導電型の層を有する。このアレイはまた、基板の第１の表面から基板よりも大きい導電率を有する第１の導電型の層へと延びて基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域のマトリックス、第１の導電型の領域のマトリックスの中に散在させられ、基板の第２の表面上の第１の導電型の層へと延びることのない第２の導電型の複数の領域、と第１の導電型の領域のマトリックスと第２の導電型の複数の領域への電気的コンタクトを作るための第１の表面上の複数のコンタクト部も有する。
2007521657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面照射式のフォトダイオード・アレイであって、
第１と第２の表面を有する第１の導電型の基板を含み、
前記第２の表面が前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の層を有し、
前記基板の前記第１の表面から、前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の前記層へ延び、前記基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域のマトリックスと、
前記第１の導電型の領域の前記マトリックスの中に散在させられ、かつ前記基板の前記第２の表面の前記第１の導電型の前記層へと延びない第２の導電型の複数の領域と、
前記第１の導電型の領域の前記マトリックスと前記第２の導電型の前記複数の領域へと電気的コンタクトを作るための前記第１の表面上の複数のコンタクト部とを含むフォトダイオード・アレイ。
【請求項２】
前記第２の導電型の前記複数の領域が、ゼロ・バイアスでの前記基板の空乏深さにほぼ等しい量で前記基板の前記第２の表面から分離される請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項３】
前記第２の導電型の前記複数の領域が約９μｍで前記基板の前記第２の表面から分離される請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項４】
前記基板が、約４００オーム−ｃｍの抵抗率を有するｎ型のシリコン基板である請求項２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項５】
前記複数のコンタクト部が複数のボール・グリッドによるコンタクトである請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項６】
前記複数のコンタクト部が前記フォトダイオード・アレイ全域に均等に配分された実質的に等しいサイズである請求項５に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項７】
前記第１の導電型の領域の前記マトリックスが複数の正方形領域のＸ−Ｙマトリックスを規定する方形のマトリックスを含み、各々の正方形領域が前記第２の導電型の前記複数の領域のそれぞれ１つを含む請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項８】
ドーピング処理が前記第１の導電型の領域の前記マトリックスと前記第２の導電型の前記複数の領域の重なりを形成する請求項７に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項９】
前記基板が約５０μｍ未満の厚さを有する請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１０】
前記基板が約３０μｍの厚さを有する請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１１】
前記基板がシリコン基板である請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１２】
裏面照射式のフォトダイオード・アレイであって、
第１と第２の表面、さらに約５０μｍ未満の厚さを有する第１の導電型の基板を含み、
前記第２の表面が前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の層を有し、
前記基板の前記第１の表面から、前記基板の前記第２の表面上の前記第１の導電型の前記層へ延び、前記基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域の方形マトリックスであって、複数の方形領域のＸ−Ｙマトリックスを規定するマトリックスと、
前記第１の導電型の領域の前記マトリックスの中に散在させられた第２の導電型の複数の領域であって、各々が第１の導電型の領域の前記方形マトリックスによって規定されるそれぞれの正方形領域の中にある複数の領域と、
前記第１の導電型の領域の前記マトリックスと前記第２の導電型の前記複数の領域へと電気的コンタクトを作るための前記第１の表面上の複数のコンタクト部と
を含むフォトダイオード・アレイ。
【請求項１３】
前記第２の導電型の前記複数の領域が、ゼロ・バイアスでの前記基板の空乏深さにほぼ等しい量で前記基板の前記第２の表面から分離される請求項１２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１４】
前記第２の導電型の前記複数の領域が約９μｍで前記基板の前記第２の表面から分離される請求項１３に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１５】
前記基板が、約４００オーム−ｃｍの抵抗率を有するｎ型のシリコン基板である請求項１３に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１６】
前記複数のコンタクト部が複数のボール・グリッドによるコンタクトである請求項１２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１７】
前記複数のコンタクト部が前記フォトダイオード・アレイ全域に実質的に均等に配分された実質的に等しいサイズである請求項１６に記載のフォトダイオード・アレイ
【請求項１８】
ドーピング処理が第１の導電型の領域の前記マトリックスと前記第２の導電型の前記複数の領域の重なりを形成する請求項１２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１９】
前記基板が約３０μｍの厚さを有する請求項１２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項２０】
前記基板がシリコン基板である請求項１２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項２１】
フォトダイオード・アレイを製造する方法であって、
第１と第２の表面を有する半導体基板を用いて、
高温の拡散処理を含めて、前記基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域のマトリックスの形で前記第１の表面から前記基板の中に延びる第１の領域を設ける工程と、
追加的な高温の拡散処理を含めて前記第１の導電型の領域の前記マトリックスの中に散在させられ、前記第１の領域よりも短い距離で前記第１の表面から前記基板の中に延びた第２の導電型の複数の領域を設ける工程と、
前記基板の厚さを削減するため、さらに前記基板の前記第２の表面上で前記第２の導電型の前記複数の領域以外の第１の導電型の領域の前記マトリックスを露出させるために前記第２の表面から前記基板を研削する工程と、
前記基板の前記第２の表面上で前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の層を設ける工程と、
前記第１の表面で、第１の導電型の領域のマトリックスの形の前記第１の領域と、前記第２の導電型の前記複数の領域のための複数の電気的コンタクト部を設ける工程とを含む方法。
【請求項２２】
前記基板の前記第２の表面上で前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の前記層がインプランテーションによって設けられる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板が、ゼロ・バイアスでの前記基板の空乏深さにほぼ等しい量で前記基板の前記第２の表面から前記第２の導電型の前記複数の領域を分離する厚さに研削される請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の導電型の前記複数の領域が前記基板の前記第２の表面から約９μｍで分離される請求項２１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項２５】
前記基板が、約４００オーム−ｃｍの抵抗率を有するｎ型のシリコン基板である請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記複数のコンタクト部が複数のボール・グリッドによるコンタクトである請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記複数のコンタクト部が前記フォトダイオード・アレイ全域に均等に配分された実質的に等しいサイズである請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記基板が約５０μｍ未満の厚さに研削される請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板が約３０μｍの厚さに研削される請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
フォトダイオード・アレイを製造する方法であって、
第１と第２の表面を有するシリコン基板を用いて、
高温の拡散処理を含めて、前記基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域のマトリックスの形で前記第１の表面から前記基板の中に延びる第１の領域を設ける工程と、
追加的な高温の拡散処理を含めて前記第１の導電型の領域の前記マトリックスの中に散在させられ、前記第１の領域よりも短い距離で前記第１の表面から前記基板の中に延びた第２の導電型の複数の領域を設ける工程と、
さらに高温の拡散処理を含めて前記第１の領域の追加的なドーピング処理を行う工程と、
前記基板の厚さを約５０μｍ未満に削減するためと、前記基板の前記第２の表面上で前記第２の導電型の前記複数の領域以外の第１の導電型の領域の前記マトリックスを露出させるために前記第２の表面から前記基板を研削する工程と、
前記基板の前記第２の表面上で前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の層を設ける工程と、
前記第１の表面で、第１の導電型の領域のマトリックスの形の前記第１の領域と、前記第２の導電型の前記複数の領域のための複数の電気的コンタクト部を供給する工程とを含む方法。
【請求項３１】
前記基板の前記第２の表面上で前記基板よりも大きい導電率を有する前記第１の導電型の前記層がインプランテーションによって形成される請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記基板が、ゼロ・バイアスでの前記基板の空乏深さにほぼ等しい量で前記基板の前記第２の表面から前記第２の導電型の前記複数の領域を分離する厚さに研削される請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記第２の導電型の前記複数の領域が前記基板の前記第２の表面から約９μｍで分離される請求項３０に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項３４】
設けられる前記基板が、約４００オーム−ｃｍの抵抗率を有するｎ型のシリコン基板である請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記複数のコンタクト部が複数のボール・グリッドによるコンタクトである請求項３０に記載の方法。
【請求項３６】
前記複数のコンタクト部が前記フォトダイオード・アレイ全域に均等に配分された実質的に等しいサイズである請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記基板が約３０μｍの厚さに研削される請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
半導体デバイスを製造する方法であって、
第１の導電型の半導体基板を用いて、
前記半導体基板の第１の表面上に前記半導体デバイスを形成する工程であって、前記基板の前記第１の表面から第２の表面へと前記基板を貫いて延びる深い拡散部を形成する処理を含む工程と、
前記基板の前記第２の表面上に前記深い拡散部と同じ導電型のブランケット状領域を形成する工程とを含む方法。
【請求項３９】
前記基板が第１の導電型であり、前記深い拡散部と前記ブランケット状領域が第２の導電型である請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記基板を貫いて延びる前記深い拡散部が、前記半導体デバイスの拡散部よりも深い拡散部を形成し、かつ、前記基板の厚さを削減するためと前記基板の前記第２の表面から前記深い拡散部を露出させるために前記第２の表面から前記基板を研削することによって形成される請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
半導体デバイスを製造する方法であって、
第１の導電型の半導体基板を用いて、
前記半導体基板の第１の表面上に前記半導体デバイスを形成する工程であって、前記基板の前記第１の表面から第２の表面へと前記基板を貫いて延びる深い拡散部を形成する処理を含む工程とを含む方法。
【請求項４２】
前記基板を貫いて延びる前記深い拡散部が、前記半導体デバイスの拡散部よりも深いが前記基板を貫いて延びることのない拡散部を形成し、かつ、前記基板の厚さを削減するためと前記基板の前記第２の表面から前記深い拡散部を露出させるために前記第２の表面から前記基板を研削することによって形成される請求項４１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体フォトダイオード、特に、高性能の裏面照射フォトダイオード・アレイとそのような構造体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のフォトダイオード・アレイの構造は前面照射または裏面照射技術のどちらかを基本としている。図１ａは例としての先行技術の前面照射フォトダイオード・アレイの単純化された断面であり、図１ｂは例としての先行技術の裏面照射フォトダイオード・アレイの単純化された断面である。基板１はｎ型またはｐ型の材料であり、その中の領域２に拡散された逆の導電型を備えている。これがそれぞれｐ−ｏｎ−ｎまたはｎ−ｏｎ−ｐ構造を作り出す。ｐ−ｏｎ−ｎ構造のためのアノード金属パッド３（カソードはｎ−ｏｎ−ｐ構造に接触する）は常にデバイスの前面にある。逆の極性の電極は、前面照射構造のケースでは普通はチップの裏面に堆積され（メッキされ、スパッタされ、または蒸着され）（図１ａの金属層４参照）、あるいは裏面照射構造のケースでは金属化された直通のビア６、７を使用してデバイスの前面上に作られる（図１ｂの金属パッド４参照）。基板と同じ導電型のダイの裏面のブランケット型インプランテーション５はデバイスの電荷収集効率とＤＣ／ＡＣの電気的性能の両方を向上させることができる。
【０００３】
２つの取り組み方（前面照射と裏面照射の構造）の各々がその独自の利点と欠点を有する。例えば、図１ａに示されたそれのような旧来の前面照射の構造は高性能のフォトダイオードとフォトダイオード・アレイを構築することを可能にするが、しかし金属の通る幅に厳しい制約を課す。それらの制約は前面照射フォトダイオード・アレイの設計を、一層少ない数の素子または隣り合う素子間の一層大きな隙間のどちらかの使用に限定する。金属の通路が隣り合う拡散領域２の間に収められられなければならないことに留意すべきである（図１ａ参照）。
【０００４】
最近いくつかの企業によって報告された裏面照射の構造は構造体の前面にコンタクト（バンプ）を使用してアレイの複数の素子を外部の基板もしくはＰＣ基板へと電気的に接続するためにハンダ・バンプ技法を活用する。ハンダ・バンプ技法を利用することによって、普通は隣り合う素子の開口の間の活性表面上にある金属の相互接続はチップが実装される基板もしくはＰＣ基板へ移動させることが可能である。そのような手法はアレイの隣り合う素子間の隙間を最小限にでき、同時に素子の合計数に事実上制限を加えないようにすることができる。しかしながら、以前に報告された裏面照射の構造のいくつかの欠点がそれらの用途を制限する。
１）第１に、普通ではこれらの構造体は比較的厚い（＞５０μｍ）ウェハを使用して製造され、全ボリュームをゼロ・バイアスに激減させるために材料の抵抗率は充分に高く（＞１０００オーム−ｃｍ）、これが多くの用途で必要とされる。
２）第２に、高い抵抗率の材料の利用は漏れ電流とシャント抵抗に関してフォトダイオードの性能を落とす。
３）第３に、もし高い抵抗率の材料が使用されなければ、時間的応答は全体的に空乏化した構造体のドリフト過程ではなく拡散過程によって決定されるので、時間的応答が極めて長く（マイクロ秒またはそれ以上に）なる。
４）第４に、隣り合うセルをデバイスの全厚の中で互いから隔絶する機能が殆ど無くなるかまたは全く無くなり、これは結果的として、特にゼロ・バイアスで比較的高いクロストークにつながる。
【０００５】
要約すると、漏れ電流、シャント抵抗、クロストーク、スペクトル感度、時間的応答のようなパラメータは先行技術の裏面照射構造体に関する主な検討課題である。付け加えると、ウェハ加工過程の中での薄い（＜５０μｍ）ウェハの取り扱いはそれ自体で大きな心配事であり、ウェハの厚さのさらなる減少と共に次第に重要になるであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の本旨は添付の図面で具体的に示される。本発明の目的は、
１）優れた性能のすべての素子で、多素子の裏面照射２Ｄ−フォトダイオード・アレイを提供すること、
２）超薄型ウェハ上の裏面照射フォトダイオード・アレイに関して製造方法を提供することを含む。
【０００７】
したがって、先行技術のアレイを上回る大幅に改善された特性を有するシリコンの多素子型２−Ｄフォトダイオード・アレイのための構造を提供することが本発明の目的であり、それをＣＴスキャナなどといった用途に利用できるようにする。
【０００８】
別の目的は、超薄型ウェハ上へのＳｉデバイスの加工の方法を提供することであり、この方法はフリップ・チップの多素子型シリコン・フォトダイオード２次元アレイの製造に適合することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明のこれらとその他の目的は以下の開示から明らかになるであろう。この開示では、完成したダイオード・アレイの好ましい実施形態が最初に説明され、その後、アレイを作製する好ましい方法が述べられるであろう。
【００１０】
図２は、本発明の好ましい実施形態による半導体超薄型チップのフォトダイオード・アレイの単純化された断面図である。この構造はｎ型またはｐ型のどちらかのバルク・シリコン１を使用して構築される。簡潔にするために、ｐ−ｏｎ−ｎ構造のケースではアノード、あるいはｎ−ｏｎ−ｐ構造のケースではカソードが「第１の電極」と称され、その一方でｐ−ｏｎ−ｎ構造のケースではカソード、ｎ−ｏｎ−ｐ構造のケースではアノードは「第２の電極」と称される。
【００１１】
材料の抵抗率、ウェハ／ダイの厚さ、ドーパントの濃度と投入量、拡散条件は以下の要求条件を満たすように選択されることが好ましい。
ａ）完成したダイの裏面に充分に近くまで活性領域（第１の電極）の拡散部２が延びている。ダイは、拡散部のエッジとダイの裏面のブランケット状インプラントとの間のボリュームの残りとブランケット状インプラントの一部、すなわち図２で「ｄ」として示されるスペースが０ボルトのバイアスで完全に空乏化する。
ｂ）ウェハ・バルク１の多数キャリヤのそれと同じ極性のインプラントを備えたウェハの裏側の均一な「ブランケット」タイプのインプランテーション５が、ウェハ裏側を横切って優れた多数キャリヤ導電率を提供し、かつ第１の電極の下でキャリヤ収集のための垂直方向の電界がクロストークを最小にすることを確実にする。
ｃ）拡散をウェハの裏側に到達させ、それにより、ブランケット状インプランテーション５と重なり合い、ウェハ全体にわたる第２の電極のネットワークの間に完全な電気的接触を供給する、インプランテーションとドライブ・プロトコルを使用して第２の電極、すなわち拡散部８がウェハの前面から設けられる。同時に、ドープ領域の具体的例示の明瞭化のために前の図面には示されないが図６に示される酸化層１２が前面の上に成長させられる。
【００１２】
約４００オーム−ｃｍの抵抗率を備えたｎ型バルクＳｉを使用して構築される実際の構造の範例は図３に概略で示されている。ゼロ・バイアスでは、空乏領域の幅は約９μｍであってウェハ裏側のブランケット状インプランテーション５まで、および（貫通はしないが）中へと延びる。（図３の点を打った領域９を伴った斜線部参照。ブランケット状拡散部５は約０．６μｍの厚さしかなく、それゆえに空乏領域は完全にではないがほぼウェハ裏側に延びる。）ビルトイン・ポテンシャルが空乏領域を横切る電界を作り出し、ダイの裏面付近で光によって作り出される非平衡キャリヤの高速収集を容易にする。非平衡キャリヤは電極によって隣のセルから収集される可能性を有さないかまたは殆ど有しない。なぜならば、
・光によるキャリヤ発生が主として生じるダイ裏面付近の電界はダイ表面に対して直角の方向であり、したがって、キャリヤは主として同じセルの接合部に向かって移動（ドリフト）し、隣のセルによって捕捉される可能性を殆ど有さない、
・図３のケースではｎ＋拡散である第２の電極の拡散領域８がダイの厚さ全部に広がり、隣のセルからの有効なキャリヤ・アイソレータとしてはたらく、
からである。
【００１３】
第１の電極の拡散部２は図３に示されるようにダイの前面近くで第２の電極の拡散部８と重なり合う可能性が高い。この重なり合いは降伏電圧を大幅に下げる可能性が高いが、ゼロ・バイアスのデバイスについては重要ではない。
【００１４】
したがって、第１の電極部２と第２の電極部８の例としての代表的な拡散プロファイルが図３に示されている。第１の電極拡散部２の深さは、ゼロ・バイアスでの基板材料１の空乏深さに等しい量で最終的な基板厚さよりも少なく（通常では５０μｍ未満、さらに通常では図３に示されるように約３０μｍで）なければならない。第２の電極拡散部８は基板の全厚、または少なくともウェハの裏側のブランケット状インプランテーション５との信頼性の得られる低抵抗の接触を提供するために充分な深さに広がらなければならない。ドーパント５と８が同じ極性であることに留意すべきである。
【００１５】
そのような構造体は構造的剛性と処理時の完全性のために次の３段階のマスク工程を使用して厚い基板（例えば３００μｍ）で開始して製造される。
・最初に、図４ａに示されるように第２の電極部８のインプランテーション／拡散工程が適用され、ドライブ工程に引き継がれる。この段階で、第１の電極部２と第２の電極部８に関する最終拡散深さの差（約９μｍ）が形成される。
・２番目に、図４ｂに示されるように第１の電極部２のインプランテーション／拡散工程が適用され、ドライブ工程に引き継がれる。この段階の終わりまでに、拡散プロファイル２と８はそれらの最終構成にほぼ達する。
・３番目に、図４ｃに示されるように第２の電極部８が追加的な促進工程を受け、ドライブ工程に引き継がれることで優れた電気的接触を確実化し、ドーパントを活性化する。この段階で、カソード拡散とアノード拡散の両方のプロファイルはそれらの最終構成に達する（図４ｃの実線と斜線の領域参照）。ドーパントのインプランテーション／拡散／ドライブのこの３番目の工程の前の拡散プロファイルは図４ｃに破線で概略的に示されている。裏側の研削と研磨工程の後のウェハの将来の裏面は二点鎖線１０で概略的に示されている。
【００１６】
その後、アレイは好ましくは基板に約５０μｍ以下、さらに好ましくは約３０μｍの厚さを与えるためにアレイの裏側を研削することによって厚さを削減される。もちろん、達成される最終の厚さはゼロ・バイアスで基板材料の空乏深さにほぼ等しい量で拡散が基板の裏側からスペースを開けられるように基板の抵抗率と第１の電極拡散部の深さに従って選択されることが好ましい。その後、第１の導電型のブランケット状インプラントがウェハの裏側に作られ、このインプラントがフォトダイオード・アレイの電荷収集効率とＤＣ／ＡＣの電気的性能の両方を向上させる。インプラントの活性化が第１と第２の電極部の拡散を大幅に変えることはない。場合によっては、所望であれば裏側に関する拡散が使用されることが可能である。ブランケット状インプラントは空乏領域に比べると極めて薄く、空乏領域が中へと延びるが、しかし最終アレイのブランケット状インプラントを貫通することはない。
【００１７】
ダイの裏側表面の理想的な平坦性は多くの用途、例えばフォトダイオード・アレイの裏側にシンチレータ結晶を取り付けることを必要とするＣＴスキャナにとって極めて重要である。この要求条件を満たす補助のために、酸化層１２は均一にパターン化され、第１の電極部２と第２の電極部８に接触する金属パッド１４はダイ１６の表面の全域で均等に間隔を置かれ、かつウェハ全体を通して理想的なボール・バンピング条件を提供するように同じサイズにされる（図５と６参照）。酸化層１２と金属パッド１４は図５では大きいほうの径の円で表わされ、小さい方の径の円はコンタクト用の開口部を記述している。
【００１８】
本発明のフォトダイオード・アレイは、各々の画素の優れた分離性が理由で極めて低いクロストークを示す。また、小さい空乏容積が理由で、アレイは低いノイズと低い温度感受性を示す。Ｘ線システムに使用されるとき、それらは低い放射損傷を示し、かつそれらが搭載されるであろうシンチレータに類似した熱特性を有する。基板の裏側への電気的コンタクトを作るための薄い基板と結び付けて深い拡散を使用する技法は、もちろん他の半導体デバイスに使用されることが可能である。好ましい実施形態では深い拡散は基板と同じ導電型であるが、所望であれば深い拡散は逆の導電型であることが可能であるのでこれは本発明の限定ではない。
【００１９】
本発明の好ましい範例の実施形態が本願明細書に開示されてきたが、そのような開示は範例の実施形態を理解する目的のためだけであって、本発明の限定のためのものではない。添付の特許請求項の全範囲に列挙されるような本発明の精神と範囲から逸脱することなくフォトダイオード・アレイの製造過程と構造に様々な変更が為され得ることは当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１ａ】前面照射フォトダイオード・アレイと裏面照射フォトダイオード・アレイのための通常の従来の先行技術による構造を示す概略の断面図である。
【図１ｂ】前面照射フォトダイオード・アレイと裏面照射フォトダイオード・アレイのための通常の従来の先行技術による構造を示す概略の断面図である。
【図２】本発明による超薄型裏面照射フォトダイオード・アレイを示す概略の断面図である。
【図３】３０μｍの厚さを有するｎ型シリコン・ウェハの本発明のサンプル構造を示す概略の断面図である。
【図４ａ】本発明による薄いウェハのフォトダイオード・アレイ構造の電極部を加工するための方法の順序立てた工程を例示する図である。
【図４ｂ】本発明による薄いウェハのフォトダイオード・アレイ構造の電極部を加工するための方法の順序立てた工程を例示する図である。
【図４ｃ】本発明による薄いウェハのフォトダイオード・アレイ構造の電極部を加工するための方法の順序立てた工程を例示する図である。
【図５】ウェハの前面を横切るカソード・パッドとアノード・パッドの範例のレイアウトを例示する図である。
【図６】図５の金属コンタクト部の１つを貫通してとられた断面図である。
2007521657.tif 000003
2007521657.tif 000004
【図２】
2007521657.tif 000005
【図３】
2007521657.tif 000006
2007521657.tif 000007
2007521657.tif 000008
2007521657.tif 000009
【図５】
2007521657.tif 000010
【図６】
2007521657.tif 000011
【国際調査報告】
2007521657.tif 000012
2007521657.tif 000013
2007521657.tif 000014