【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１導電層と、
前記複数の第１導電層上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられた複数の半導体層と、
前記第１絶縁膜及び前記複数の半導体層上に設けられた第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に設けられた複数の第２導電層と、
前記複数の第２導電層の上方に設けられた複数の表示素子と、を備え、
前記複数の半導体層の一部に導体層を有し、
前記複数の半導体層の他の一部、前記第２絶縁膜及び前記第２導電層は、トップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、
前記第１導電層、前記第１絶縁膜及び前記導体層は、容量部を形成する表示装置。
【請求項２】
行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源と低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極と、を有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源及び前記駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極と前記ゲート電極との間に接続された保持容量と、を備え、
前記駆動トランジスタは前記薄膜トランジスタで形成され、
前記保持容量は前記容量部で形成されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源と低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極と、を有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源及び前記駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記表示素子と前記高電位電源との間に接続された補助容量と、を備え、
前記駆動トランジスタは前記薄膜トランジスタで形成され、
前記補助容量は前記容量部で形成されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
互いに対向する、前記導体層、第２絶縁膜及び第２導電層は、他の容量部を形成する請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源と低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極と、を有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源及び前記駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極と前記ゲート電極との間に接続された保持容量と、
前記表示素子と前記高電位電源との間に接続された補助容量と、を備え、
前記駆動トランジスタは前記薄膜トランジスタで形成され、
前記保持容量及び前記補助容量の一方は前記容量部で形成され、
前記保持容量及び前記補助容量の他方は前記他の容量部で形成されている請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記出力スイッチは、前記複数の画素で共用されている請求項２、３及び５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１導電層は、金属で形成されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１導電層は、表示領域の外側で、定電位の電源に接続された電源線に接続されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記定電位の電源は、前記高電位電源又は前記低電位電源である請求項８に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一実施形態に係る表示装置は、
複数の第１導電層と、
前記複数の第１導電層上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられた複数の半導体層と、
前記第１絶縁膜及び前記複数の半導体層上に設けられた第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に設けられた複数の第２導電層と、
前記複数の第２導電層の上方に設けられた複数の表示素子と、を備え、
前記複数の半導体層の一部に導体層を有し、
前記複数の半導体層の他の一部、前記第２絶縁膜及び前記第２導電層は、トップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、
前記第１導電層、前記第１絶縁膜及び前記導体層は、容量部を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
補助容量Ｃａｄは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極及び定電位の配線間に接続されていればよい。定電位の配線としては、高電位電源線ＳＬａや、低電位電源線ＳＬｂや、リセット配線Ｓｇｒを挙げることができる。  
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の駆動方法に限らず、各種の表示装置及び表示装置の駆動方法に適用することが可能である。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］複数の第１導電層と、
前記複数の導電層上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられた複数の導体層と、
前記第１絶縁膜及び複数の導体層上に設けられた第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に設けられた複数の第２導電層と、
前記複数の第２導電層の上方に設けられた複数の表示素子と、を備え、
前記導体層、第２絶縁膜及び第２導電層は、トップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、
前記第１導電層、第１絶縁膜及び導体層は、容量部を形成する表示装置。
［２］行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源と低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極と、を有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源及び駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極と前記ゲート電極との間に接続された保持容量と、を備え、
前記駆動トランジスタは前記薄膜トランジスタで形成され、
前記保持容量は前記容量部で形成されている［１］に記載の表示装置。
［３］行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源と低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極と、を有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源及び駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記表示素子と前記高電位電源との間に接続された補助容量と、を備え、
前記駆動トランジスタは前記薄膜トランジスタで形成され、
前記補助容量は前記容量部で形成されている［１］に記載の表示装置。
［４］互いに対向する前記導体層、第２絶縁膜及び第２導電層は、前記薄膜トランジスタの他に他の容量部を形成する［１］に記載の表示装置。
［５］行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源と低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極と、を有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源及び駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極と前記ゲート電極との間に接続された保持容量と、
前記表示素子と前記高電位電源との間に接続された補助容量と、を備え、
前記駆動トランジスタは前記薄膜トランジスタで形成され、
前記保持容量及び補助容量の一方は前記容量部で形成され、
前記保持容量及び補助容量の他方は前記他の容量部で形成されている［４］に記載の表示装置。
［６］前記出力スイッチは、前記複数の画素で共用されている［２］、［３］及び［５］の何れか１に記載の表示装置。
［７］前記第１導電層は、金属で形成されている［１］に記載の表示装置。
［８］前記第１導電層は、表示領域の外側で、定電位の電源に接続された電源線に接続されている［１］に記載の表示装置。
［９］前記定電位の電源は、前記高電位電源又は低電位電源である［６］に記載の表示装置。