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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月27日(2016.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内箱と外箱との間に真空断熱材を備えて断熱箱体として構成される冷蔵庫本体および前記断熱箱体の前面開口部を開閉する扉を有し、該扉は内板と外板との間に真空断熱材を備えて構成される冷蔵庫であって、
前記扉の両端部には、ガスケット取付部が前記扉の真空断熱材の後ろ面より後方にそれぞれ設けられ、
このガスケット取付部には、ガスケットが前記断熱箱体を構成する側壁にそれぞれ対向して設けられ、
前記扉の真空断熱材の前記断熱箱体を構成する側壁側の両端部は、当該側壁の内板面の位置よりも外側に延出する冷蔵庫。
【請求項２】
前記扉の真空断熱材の前記断熱箱体を構成する側壁側の端部は、扉の密閉性を高めるために当該扉の左右両側の端部にそれぞれ設けられるガスケットを扉に取り付けるガスケット取付部の中心よりも外側に延出している請求項１記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記扉の真空断熱材の周囲に形成される耳部分が当該真空断熱材の内側に折り返され、当該耳部分の折り返し先端が、前記ガスケットを扉に取り付ける差込部の中心よりも内側にある請求項２記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記扉には、冷蔵庫内部に延びる突出部が設けられ、該突出部は断熱性を保持する請求項１乃至３記載のいずれか１項に記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記扉から冷気漏れを防ぐために庫内側に突出する冷気漏れ防止部を有し、前記扉の真空断熱材端部は前記冷気漏れ防止部より外側に延出している請求項１乃至４記載のいずれか１項に記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態の冷蔵庫は、内箱と外箱との間に真空断熱材を備えて断熱箱体として構成される冷蔵庫本体および前記断熱箱体の前面開口部を開閉する扉を有し、該扉は内板と外板との間に真空断熱材を備えて構成される冷蔵庫であって、前記扉の両端部には、ガスケット取付部が前記扉の真空断熱材の後ろ面より後方にそれぞれ設けられ、このガスケット取付部には、ガスケットが前記断熱箱体を構成する側壁にそれぞれ対向して設けられ、前記扉の真空断熱材の前記断熱箱体を構成する側壁側の両端部は、当該側壁の内板面の位置よりも外側に延出する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月17日(2016.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内箱と外箱との間に箱状断熱壁体を挟むように配置して構成された冷蔵庫本体を備えてなる冷蔵庫において、
前記箱状断熱壁体の左側面、右側面、背面及び底面に真空断熱パネルが配設されており、
前記左側面真空断熱パネル及び前記右側面真空断熱パネルは、機械室に対応する部分が斜めにカットされており、
前記背面真空断熱パネルは前記内箱の左右の角部付近まで延長されていると共に、前記背面真空断熱パネルの左辺部及び右辺部は前記左側面真空断熱パネル及び前記右側面真空断熱パネルに近接するように配置されており、
前記底面真空断熱パネルは、機械室に対応する部分が内方へ折れ曲がっており、
前記背面真空断熱パネルと前記底面真空断熱パネルとの間に離間部が設けられており、
前記離間部を通って接続手段が前記機械室内に導入されており、
前記接続手段は、冷媒パイプと排水経路とを有しており、
前記冷媒パイプは、前記背面真空断熱パネルの前において巻回されており、
前記排水経路は、鉛直方向に延びており、
前記離間部において、前記底面真空断熱パネルは前記内箱に接触していると共に、前記底面真空断熱パネルは前記外箱から離れるように突出しており、更に、前記底面真空断熱パネルと前記背面真空断熱パネルとの間に発泡断熱手段が設けられていることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
内箱と外箱との間に箱状断熱壁体を挟むように配置して構成された冷蔵庫本体を備えてなる冷蔵庫において、
前記箱状断熱壁体の左側面、右側面、背面及び底面に真空断熱パネルが配設されており、
前記左側面真空断熱パネル及び前記右側面真空断熱パネルは、機械室に対応する部分が斜めにカットされており、
前記背面真空断熱パネルは前記内箱の左右の角部付近まで延長されていると共に、前記背面真空断熱パネルの左辺部及び右辺部は前記左側面真空断熱パネル及び前記右側面真空断熱パネルに近接するように配置されており、
前記底面真空断熱パネルは、機械室に対応する部分が内方へ折れ曲がっており、
前記背面真空断熱パネルと前記底面真空断熱パネルとの間に離間部が設けられており、
前記離間部を通って接続手段が前記機械室内に導入されており、
前記接続手段は、冷媒パイプと排水経路とを有しており、
前記冷媒パイプは、前記背面真空断熱パネルの前において巻回されており、
前記排水経路は、鉛直方向に延びており、
前記離間部において、前記背面真空断熱パネルのうちの前記内箱が離間する部分と、前記底面真空断熱パネルとの間に発泡断熱手段が設けられていることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項３】
前記離間部においては、前記箱状断熱壁体の内外方向の厚み寸法を厚く構成したことを特徴とする請求項１または２記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記接続手段は、電気配線を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記接続手段は、前記冷蔵庫本体の庫内側または庫外側において断熱材で覆われていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態の冷蔵庫は、内箱と外箱との間に箱状断熱壁体を挟むように配置して構成された冷蔵庫本体を備えてなる冷蔵庫において、前記箱状断熱壁体の左側面、右側面、背面及び底面に真空断熱パネルが配設されており、前記左側面真空断熱パネル及び前記右側面真空断熱パネルは、機械室に対応する部分が斜めにカットされている。前記背面真空断熱パネルは前記内箱の左右の角部付近まで延長されていると共に、前記背面真空断熱パネルの左辺部及び右辺部は前記左側面真空断熱パネル及び前記右側面真空断熱パネルに近接するように配置されており、前記底面真空断熱パネルは、機械室に対応する部分が内方へ折れ曲がっている。前記背面真空断熱パネルと前記底面真空断熱パネルとの間に離間部が設けられており、前記離間部を通って接続手段が前記機械室内に導入されており、前記接続手段は、冷媒パイプと排水経路とを有しており、前記冷媒パイプは、前記背面真空断熱パネルの前において巻回されており、前記排水経路は、鉛直方向に延びている。前記離間部において、前記底面真空断熱パネルは前記内箱に接触していると共に、前記底面真空断熱パネルは前記外箱から離れるように突出しており、更に、前記底面真空断熱パネルと前記背面真空断熱パネルとの間に発泡断熱手段が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月19日(2016.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素イオン伝導性を有する固体電解質体（５）の一部と、該固体電解質体（５）に設けられた一対のセンサ用電極（２１、２２）とからなり、被測定ガス中の特定ガスの濃度を検出するセンサセル（２）と、
上記固体電解質体（５）の他の一部と、該固体電解質体（５）に設けられた一対のポンプ用電極（３１、３２）とからなり、上記被測定ガス中の酸素濃度を調整するポンプセル（３）と、
一方の上記センサ用電極（２１）及び一方の上記ポンプ用電極（３１）に面するとともに、上記被測定ガスが導入される内部空間（１１）と、
該内部空間（１１）に導入される上記被測定ガスが通過する拡散抵抗部（１７）と、を備え、
該拡散抵抗部（１７）の長さをＬ１、該拡散抵抗部（１７）の長さ方向に直交する断面の空間断面積をＳ１、上記拡散抵抗部（１７）と上記センサセル（２）との間の距離をＬ２、上記内部空間（１１）における上記ポンプセル（３）と上記センサセル（２）との並び方向に直交する断面の空間断面積をＳ２としたとき、
１０００≦（Ｌ１／Ｓ１）×（Ｌ２／Ｓ２）≦５０００を満たし、
上記拡散抵抗部（１７）は、多孔質体によって構成されており、上記空間断面積Ｓ１は、上記拡散抵抗部（１７）の長さ方向に直交する断面の断面積（Ｓ０）に上記多孔質体の気孔率を乗じた値であり、
上記内部空間（１１）は、上記ポンプ用電極（３１）が面する領域から上記センサ用電極（２１）が面する領域に至るまで、一様な形状を有することを特徴とするガスセンサ素子（１）。
【請求項２】
１２５０≦（Ｌ１／Ｓ１）×（Ｌ２／Ｓ２）≦２５００を満たすことを特徴とする請求項１に記載のガスセンサ素子（１）。
【請求項３】
上記固体電解質体（５）の一部と該固体電解質体（５）に設けられた一対のモニタ用電極（４１、４２）とからなり、上記被測定ガス中の酸素濃度を検出するモニタセル（４）を、さらに有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のガスセンサ素子（１）。
【請求項４】
上記センサセル（２）と上記モニタセル（４）との並び方向は、上記ポンプセル（３）と上記センサセル（２）との並び方向に直交することを特徴とする請求項３に記載のガスセンサ素子（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様は、酸素イオン伝導性を有する固体電解質体の一部と、該固体電解質体に設けられた一対のセンサ用電極とからなり、被測定ガス中の特定ガスの濃度を検出するセンサセルと、
上記固体電解質体の他の一部と、該固体電解質体に設けられた一対のポンプ用電極とからなり、上記被測定ガス中の酸素濃度を調整するポンプセルと、
一方の上記センサ用電極及び一方の上記ポンプ用電極に面するとともに、上記被測定ガスが導入される内部空間と、
該内部空間に導入される上記被測定ガスが通過する拡散抵抗部と、を備え、
該拡散抵抗部の長さをＬ１、該拡散抵抗部の長さ方向に直交する断面の空間断面積をＳ１、上記拡散抵抗部と上記センサセルとの間の距離をＬ２、上記内部空間における上記ポンプセルと上記センサセルとの並び方向に直交する断面の空間断面積をＳ２としたとき、
１０００≦（Ｌ１／Ｓ１）×（Ｌ２／Ｓ２）≦５０００を満たし、
上記拡散抵抗部は、多孔質体によって構成されており、上記空間断面積Ｓ１は、上記拡散抵抗部の長さ方向に直交する断面の断面積Ｓ０に上記多孔質体の気孔率を乗じた値であり、
上記内部空間は、上記ポンプ用電極が面する領域から上記センサ用電極が面する領域に至るまで、一様な形状を有することを特徴とするガスセンサ素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記拡散抵抗部は、多孔質体によって構成されており、上記空間断面積Ｓ１は、上記拡散抵抗部の断面積に上記多孔質体の気孔率を乗じた値である。これにより、拡散抵抗部における拡散抵抗を容易に調整することができるとともに、（Ｌ１／Ｓ１）×（Ｌ２／Ｓ２）の調整によって、応答性及び検出精度を正確に管理することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記内部空間は、上記ポンプ用電極が面する領域から上記センサ用電極が面する領域に至るまで、一様な形状を有する。これにより、内部空間に導入された被測定ガスが円滑にセンサ用電極まで到達することができるため、応答性に優れたガスセンサ素子を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー蓄積用のアキュムレータと共に患者の体内に移植されるよう構成された人工腸セクションを備えるシステムであって、
前記人工腸セクションは、互いに流体連通する第１の開放端部と第２の開放端部とを有し、少なくとも前記第１の開放端部は、患者の腸に外科的に形成された開口部に連結できるように構成され、
前記アキュムレータは、無線でエネルギーを充電するように構成され、前記人工腸セクションの少なくとも１つのエネルギー消費部に直接または間接的にエネルギーを供給するために設けられ、
前記少なくとも一つのエネルギー消費部は、直接または間接的に、前記第１および第２の開放端部分との間の前記人工腸セクションに含まれる腸内容物と相互に作用する少なくとも１つの素子を備え、
前記人工腸セクションは、前記第１および前記第２の開放端部の間に、前記第１の開放端部を通じて供給される腸内容物を受け取り、一時的に集めるための貯蔵部を備え、
前記システムは、第２の開放端部を通じて前記人工腸セクションの外側に腸内容物を前進させるためのポンプと、閉位置において、前記第２の開放端部を通って腸内容物が流れるのを防止する少なくとも１つの常閉出口弁を備える流量調整装置とを備える、
システム。
【請求項２】
前記第１および前記第２の開放端部分は、中間腸セクションを形成するために、患者の腸に外科的に形成された切断面の開口部に接続するように構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の開放端部分は、腸端部セクションを形成するために、人工ストーマに接続するように構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記第２の開放端部分は、腸端部セクションを形成するために、患者の直腸または肛門に、または、患者の肛門に隣接した組織に接続するように構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記流量調整装置は、開位置において、前記第１の開放端部を通って腸内容物を前記人工腸セクションに流す入口弁を備える、請求項１から４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記入力弁は、常開弁である、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記出口弁および前記入力弁は、２つの弁のうちの１つが閉じるときに、もう一方の弁が、逆に開いているように構成される、請求項５または６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記出口弁および前記入力弁の少なくとも一つは、区画の体積を変えることによって弁を開閉するのに適している可変的な体積を有する区画を備える、請求項１から７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記出口弁および前記入力弁の少なくとも一つは、前記区画を作動油で充填および前記区画を空にするための少なくとも一つの通路を備える、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記区画は、開口を定めている少なくとも一つの柔軟壁を有し、前記区画の体積が増加した時に、前記開口は閉じるように構成される、請求項８または９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
前記出口弁および前記入力弁の少なくとも一つは、フラップ弁である、請求項１から１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記フラップ弁は、回動可能ディスクを備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記貯蔵部は、蛇腹部材によって形成され、前記蛇腹部材は、その一端において前記蛇腹部材を閉じる末端壁を有し、前記末端壁は、前記ポンプの一部を形成し、前記末端壁が前進した時に前記蛇腹部材の体積が減少する、請求項１から１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
前記ポンプは、前記貯蔵部内に延びる前端部を有する可動ピストンを備え、前記ピストンが前進した時に前記貯蔵部の体積が減少する、請求項１から１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１５】
前記貯蔵部は、柔軟壁を有し、前記ポンプは、前記貯蔵部をしぼることによって前記貯蔵部を空にするように構成されている請求項１から１２のいずれかに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユーザのそれぞれについて当該ユーザのパラメータ値及び当該ユーザが所属するグループの情報を記憶する記憶部を備え、複数のユーザが対戦相手と対戦するゲームを進行させるサーバ装置を制御して、
ユーザの端末から前記ゲームへの参加要求を受信した場合に、当該ユーザを前記ゲームに参加させる第１の参加ステップと、
前記ゲームに参加している参加ユーザの端末から前記ゲームの進行要求を受信した場合に、前記ゲームを進行させる進行ステップと、
前記参加ユーザのパラメータ値がしきい値を下回った場合に、前記グループの情報を参照して当該参加ユーザが所属するグループを特定し、特定されたグループに所属するユーザのうち前記ゲームに参加していない他のユーザを特定する特定ステップと、
前記他のユーザが所属するグループの前記参加ユーザの情報、前記他のユーザが所属するグループ以外で前記ゲームに参加しているグループの情報、及び前記ゲームでユーザが獲得できる報酬の情報のうちの少なくとも１つを含み前記他のユーザに前記ゲームへの参加を要請する画面を表示させるための情報を、前記他のユーザの端末に送信する送信ステップと、
前記他のユーザの端末から前記ゲームへの参加要求を受信した場合に、当該他のユーザを前記ゲームに参加させる第２の参加ステップと、
前記ゲーム内の対戦の進行状況に応じて決定されるグループに所属する前記参加ユーザに報酬を付与する付与ステップと、
を実行させることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記記憶部は、各ユーザが前記ゲーム内の対戦を進行させるために使用する複数のカードであって、それぞれに体力値が対応付けられたカードの情報をさらに記憶し、
各ユーザの端末から当該ユーザが前記対戦で使用するカードの指定を受け付ける受付ステップを前記サーバ装置にさらに実行させ、
前記送信ステップでは、前記サーバ装置は、前記参加ユーザのパラメータ値である当該参加ユーザが指定したカードの体力値が前記しきい値を下回った場合に、当該参加ユーザの操作を要することなく、前記画面を表示させるための情報を前記他のユーザの端末に送信する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記送信ステップでは、前記サーバ装置は、前記他のユーザが所属するグループの前記参加ユーザの名前、前記他のユーザが所属するグループ以外で前記ゲームに参加しているグループの数、及び前記ゲームで前記報酬としてユーザが獲得できるアイテムを前記画面内に表示させるための情報を送信する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記記憶部は、前記対戦相手のパラメータ値をさらに記憶し、
前記付与ステップでは、前記サーバ装置は、前記対戦相手のパラメータ値が予め定められたしきい値を下回った場合に、前記参加ユーザが所属するグループを特定し、前記参加ユーザのうち特定されたグループに所属するユーザに前記報酬を付与する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
複数のユーザのそれぞれについて当該ユーザのパラメータ値及び当該ユーザが所属するグループの情報を記憶する記憶部を備え、複数のユーザが対戦相手と対戦するゲームを進行させるサーバ装置の制御プログラムであって、前記サーバ装置に、
ユーザの端末から前記ゲームへの参加要求を受信した場合に、当該ユーザを前記ゲームに参加させる機能と、
前記ゲームに参加している参加ユーザの端末から前記ゲームの進行要求を受信した場合に、前記ゲームを進行させる機能と、
前記参加ユーザのパラメータ値がしきい値を下回った場合に、前記グループの情報を参照して当該参加ユーザが所属するグループを特定し、特定されたグループに所属するユーザのうち前記ゲームに参加していない他のユーザを特定する機能と、
前記他のユーザが所属するグループの前記参加ユーザの情報、前記他のユーザが所属するグループ以外で前記ゲームに参加しているグループの情報、及び前記ゲームでユーザが獲得できる報酬の情報のうちの少なくとも１つを含み前記他のユーザに前記ゲームへの参加を要請する画面を表示させるための情報を、前記他のユーザの端末に送信する機能と、
前記他のユーザの端末から前記ゲームへの参加要求を受信した場合に、当該他のユーザを前記ゲームに参加させる機能と、
前記ゲーム内の対戦の進行状況に応じて決定されるグループに所属する前記参加ユーザに報酬を付与する機能と、
を実行させることを特徴とする制御プログラム。
【請求項６】
複数のユーザが対戦相手と対戦するゲームを進行させるサーバ装置であって、
複数のユーザのそれぞれについて当該ユーザのパラメータ値及び当該ユーザが所属するグループの情報を記憶する記憶部と、
ユーザの端末と通信を行う通信部と、
ユーザの端末から前記ゲームへの参加要求を受信した場合に、当該ユーザを前記ゲームに参加させる第１のユーザ参加部と、
前記ゲームに参加している参加ユーザの端末から前記ゲームの進行要求を受信した場合に、前記ゲームを進行させるゲーム進行部と、
前記参加ユーザのパラメータ値がしきい値を下回った場合に、前記グループの情報を参照して当該参加ユーザが所属するグループを特定し、特定されたグループに所属するユーザのうち前記ゲームに参加していない他のユーザを特定するユーザ特定部と、
前記他のユーザが所属するグループの前記参加ユーザの情報、前記他のユーザが所属するグループ以外で前記ゲームに参加しているグループの情報、及び前記ゲームでユーザが獲得できる報酬の情報のうちの少なくとも１つを含み前記他のユーザに前記ゲームへの参加を要請する画面を表示させるための情報を、前記他のユーザの端末に送信する要請部と、
前記他のユーザの端末から前記ゲームへの参加要求を受信した場合に、当該他のユーザを前記ゲームに参加させる第２のユーザ参加部と、
前記ゲーム内の対戦の進行状況に応じて決定されるグループに所属する前記参加ユーザに報酬を付与する報酬付与部と、
を備えることを特徴とするサーバ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
かくして、本発明によれば、開口部を有し、かつ塵埃を収容する集塵容器と、掃除機の底部の吸込口から吸い込まれた塵埃を空気と共に前記集塵容器に流入させる流入口と、流入した空気を通過させて塵埃を捕集するフィルタ部と、前記フィルタ部と個別で開閉可能になるように前記集塵容器に軸支され、かつ前記フィルタ部と前記集塵容器の開口部とを上部より覆うカバー部とを備え、前記フィルタ部は、集塵容器におけるカバー部の軸支部分近傍に回動可能に軸支され、前記フィルタ部が集塵容器の開口部を覆った状態でカバー部のみを開閉可能にした自走式掃除機の集塵装置が提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し、かつ塵埃を収容する集塵容器と、掃除機の底部の吸込口から吸い込まれた塵埃を空気と共に前記集塵容器に流入させる流入口と、流入した空気を通過させて塵埃を捕集するフィルタ部と、前記フィルタ部と個別で開閉可能になるように前記集塵容器に軸支され、かつ前記フィルタ部と前記集塵容器の開口部とを上部より覆うカバー部とを備え、
前記フィルタ部は、集塵容器におけるカバー部の軸支部分近傍に回動可能に軸支され、前記フィルタ部が集塵容器の開口部を覆った状態でカバー部のみを開閉可能にした自走式掃除機の集塵装置。
【請求項２】
請求項１の集塵装置を備えた自走式掃除機。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
遊技者の動作を検出可能な動作検出手段と、
前記動作検出手段の検出結果に基づいて演出内容を進行可能な動作演出として、第１動作演出と第２動作演出とを含む複数種類の動作演出を実行するか否かを決定する動作演出決定手段と、
前記動作演出決定手段の決定結果に基づいて、動作演出を実行する動作演出実行手段と、
可変表示が開始されてから表示結果が導出表示されるまでに一旦仮停止させた後に可変表示を再度実行する再可変表示を所定回実行する再可変表示実行手段と、を備え、
前記再可変表示実行手段による前記再可変表示の実行回数に応じて前記第１動作演出または前記第２動作演出を異なる割合により実行可能であり、
前記再可変表示中に所定演出を実行可能であり、前記所定演出の実行の有無または実行回数に応じて有利度合いが異なる
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、遊技者の動作を検出可能な動作検出手段と、前記動作検出手段の検出結果に基づいて演出内容を進行可能な動作演出として、第１動作演出と第２動作演出とを含む複数種類の動作演出を実行するか否かを決定する動作演出決定手段と、前記動作演出決定手段の決定結果に基づいて、動作演出を実行する動作演出実行手段と、可変表示が開始されてから表示結果が導出表示されるまでに一旦仮停止させた後に可変表示を再度実行する再可変表示を所定回実行する再可変表示実行手段と、を備え、前記再可変表示実行手段による前記再可変表示の実行回数に応じて前記第１動作演出または前記第２動作演出を異なる割合により実行可能であり、前記再可変表示中に所定演出を実行可能であり、前記所定演出の実行の有無または実行回数に応じて有利度合いが異なる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のチャネル形成領域を含むシリコン半導体膜を有する、第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の第１の窒化絶縁膜と、
前記第１の窒化絶縁膜上の第２の窒化絶縁膜と、
前記第２の窒化絶縁膜上の、第２のチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有する、第２のトランジスタと、を有し、
前記第２の窒化絶縁膜の水素濃度は、前記第１の窒化絶縁膜の水素濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の窒化絶縁膜の密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上であること特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の窒化絶縁膜の水素濃度が２０原子％以上２５原子％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の窒化絶縁膜の水素濃度が１０原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の窒化絶縁膜は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の窒化絶縁膜は、前記第１の窒化絶縁膜に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の窒化絶縁膜と前記第２の窒化絶縁膜との間に設けられ、且つ前記第１の窒化絶縁膜及び前記第２の窒化絶縁膜に接して設けられた酸化絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、トップゲート構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２のトランジスタ上に第３の窒化絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第３の窒化絶縁膜は、Ｘ線反射率法によって測定される密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上であること特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第３の窒化絶縁膜の水素濃度が１０原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第３の窒化絶縁膜は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月18日(2016.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
スピンチャックであって、前記スピンチャックの上側表面に対して予め定められた向きにウエハ状物品を保持するためのスピンチャックと、
少なくとも１つの加熱素子を収容するケースを含む加熱アセンブリであって、前記スピンチャックの前記上側表面の上方に、前記スピンチャック上に搭載された際にウエハ状物品に隣接するように取り付けられている加熱アセンブリと、前記ケースは、ガス供給部につながれているガス入口と、前記ケースからガスを放出するための少なくとも１つの出口とを含むこと、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記加熱アセンブリは、前記スピンチャック上に搭載された際のウエハ状物品の下方に取り付けられ、前記加熱アセンブリは、前記スピンチャックの回転に対して静止している、装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、
前記少なくとも１つの出口は、前記スピンチャックの周縁領域に配置され、前記ケースの半径方向外向きの表面上に開口している、装置。
【請求項４】
請求項２に記載の装置であって、
前記少なくとも１つの出口は、前記ケースの軸方向上向きの表面上に開口しており、これにより、前記スピンチャック上に搭載された際のウエハ状物品の下向き表面に対して前記ケースからガスを放出する、装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、更に、
前記ケース内に配置されている温度センサと、前記ケース内で検出された温度に基づいて、前記ケースに入るガスの流量を調整する流量コントローラとを備える装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記流量コントローラは、前記温度センサが所定の冷却点を超える温度を検出したときに、ガスの流量を、好ましくは１００〜２００Ｌ／分の範囲、より好ましくは１２０〜１８０Ｌ／分の範囲、最も好ましくは１４０〜１６０Ｌ／分の範囲である第１の流量に設定するように構成され、前記温度センサが所定の冷却点以下の温度を検出したときに、ガスの流量を、好ましくは１０〜８０Ｌ／分の範囲、より好ましくは１５〜６０Ｌ／分の範囲、最も好ましくは２０〜４０Ｌ／分の範囲である第２の流量に設定するように構成される、装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の装置であって、
前記少なくとも１つの加熱素子は前記ケースの周縁領域に沿って延びており、前記ガス入口は前記ケースの中央領域内に開口しており、前記少なくとも１つの加熱素子と前記ガス入口との間には、内部室が形成され、これにより、前記ガス入口を通じて前記内部室に供給されるガスの対流加熱による前記少なくとも１つの加熱素子の冷却を促す、装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の装置であって、
前記スピンチャックは静止している中央ポストを中心にして回転するように取り付けられているチャックボディを含み、前記ケースは前記静止している中央ポストに堅く固定されている基端と、前記チャックボディの上方に配置され前記基端を通じてカンチレバー方式で支えられている末端とを含む、装置。
【請求項９】
ウエハ状物品を処理するための方法であって、
スピンチャック上に予め定められた向きでウエハ状物品を配置し、ケースに収容されている少なくとも１つの加熱素子を含む赤外線加熱アセンブリが前記ウエハ状物品に隣接するように配置され、
前記ウエハ状物品を前記赤外線加熱アセンブリによって加熱し、
前記少なくとも１つの加熱素子によるガスの伝導加熱を引き起こす条件の下で、前記ケースのガス入口を通じて前記ケースにガスを導入し、
加熱されたガスを前記ケースの少なくとも１つの出口を通じて前記ケースから放出すること、
を備える方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記加熱されたガスは、前記ケース及び前記スピンチャックの半径方向外向きに放出される、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記加熱されたガスは、前記ウエハ状物品の下向き表面に対して前記ケースから軸方向上向きに放出され、これにより、前記ウエハ状物品を伝導的に加熱する、方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの加熱素子は前記加熱工程の終わりでオフに切り替えられ、前記ケース内の温度が所定のレベルに下がるまで、好ましくは１００〜２００Ｌ／分の範囲、より好ましくは１２０〜１８０Ｌ／分の範囲、最も好ましくは１４０〜１６０Ｌ／分の範囲である第１の流量でガスが前記加熱アセンブリの前記ケースに導入され、前記ケース内の温度が前記所定のレベルに下がると、前記ガスは、好ましくは１０〜８０Ｌ／分の範囲、より好ましくは１５〜６０Ｌ／分の範囲、最も好ましくは２０〜４０Ｌ／分の範囲である第２の流量で前記加熱アセンブリの前記ケースに導入される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、更に、
前記ケース内の温度を監視し、
前記ケース内で検出された温度に基づいて、前記ケースに入るガスの流量を調整すること、
を備える方法。
【請求項１４】
請求項９から１３のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記赤外線加熱アセンブリを前記スピンチャックに及び前記ウエハ状物品に対して相対的に静止させたままで、前記スピンチャック及び前記ウエハ状物品を前記加熱中に回転させることを備える方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法あって、
前記加熱工程中に、前記赤外線加熱アセンブリの前記ケースにガスが導入される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月27日(2016.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の下にある活性層、前記活性層の下にある第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層の上に配置され、前記第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極と、
前記第２導電型半導体層に電気的に連結され、前記第２導電型半導体層の底面に連結された第２電極と、
前記発光構造物の下部の周りを囲むチャンネル層と、
前記第２電極の下に配置され、前記第２電極と電気的に連結された第１伝導性支持部材と、
前記第２電極の下に配置され、前記第１伝導性支持部材と電気的に絶縁された第２伝導性支持部材と、
前記第１電極と前記第２伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部と、
前記第２電極と前記第２伝導性支持部材との間に配置された第１絶縁層と、を含み、
前記第２伝導性支持部材は、前記第１伝導性支持部材を囲むように配置され、
前記第１絶縁層は、前記チャネル層を囲むように配置され、
前記第１連結部は、前記第１導電型半導体層の側面に接触し、
前記第１連結部は、前記第１絶縁層を貫通して前記第２伝導性支持部材に電気的に連結されたことを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記チャンネル層の上部面は前記活性層の上部面に比べてより高く配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１伝導性支持部材の下部面と前記第２伝導性支持部材の下部面が同一平面に配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記チャンネル層が前記活性層の周りを囲むように配置されたことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記チャンネル層が前記第２導電型半導体層の周りを囲むように配置されたことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記チャネル層は、エッチングストッパーであることを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２電極は前記第２導電型半導体層の下に配置された第１金属層を含み、前記第１金属層は前記第１伝導性支持部材と電気的に連結されたことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２電極は、前記第２導電型半導体層の下に配置されたオーミック接触層と、前記オーミック接触層と前記第１金属層との間に配置された反射層をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記チャネル層の一端が、前記第２導電型半導体層と前記反射層との間に配置されたことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１金属層と前記第２伝導性支持部材との間に配置された絶縁層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記絶縁層の上部面は前記発光構造物の下部の周りに露出したことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記発光構造物の上部面に配置されたラフネスを含むことを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記チャンネル層の一端が前記第２導電型半導体層の下に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記チャンネル層の一端が前記第２導電型半導体層の下部面に接触したことを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２電極の下に配置された拡散障壁層、ボンディング層を含むことを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記チャンネル層は酸化物または窒化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記チャンネル層の一端が前記第２導電型半導体層と前記第２電極との間に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１伝導性支持部材と前記第２伝導性支持部材は互いに離隔して配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１伝導性支持部材と前記第２伝導性支持部材との間に配置された絶縁層を含むことを特徴とする、請求項１乃至１８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第２絶縁層は、前記第１伝導性支持部材を囲み、
前記第２伝導性支持部材は、前記第２絶縁層を囲むことを特徴とする、請求項１９項に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第１連結部と前記発光構造物との間に配置された保護膜を含むことを特徴とする、請求項１乃至２０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を挟んで前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上に位置し、前記ゲート絶縁層と接する領域を有する第２の酸化物半導体膜とを有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜と重なる第１の領域と、前記第２の酸化物半導体膜と重ならず、且つ前記ソース電極と重なる第２の領域と、前記第２の酸化物半導体膜と重ならず、且つ前記ドレイン電極と重なる第３の領域とを有し、
前記第２の領域は、段差部を有し、
前記第３の領域は、段差部を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体膜の電子親和力より０．１ｅＶ以上小さく、
前記第１の酸化物半導体膜と前記第２の酸化物半導体膜は、同一の金属元素を主成分として含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、前記絶縁表面と前記第１の酸化物半導体膜との間に位置する第３の酸化物半導体膜を有し、
前記第３の酸化物半導体膜の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体膜の電子親和力より０．１ｅＶ以上小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも大きく、
前記第２の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月4日(2016.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主制御手段に、
遊技球の始動口への入球に起因して数値データを抽出する数値抽出手段と、
図柄の変動表示の開始条件の成立の有無に拘わらず、前記数値データに基づいて、先読み抽選を実行する先読み抽選手段と、
前記数値データを保留記憶として設定された上限数まで記憶する保留記憶手段と、
図柄の変動表示の開始条件が成立したことにより、前記保留記憶に基づいて当否抽選を実行する当否抽選手段と、
を備え、
サブ制御手段に、
前記保留記憶手段に記憶された保留記憶数を示唆する保留記憶数指示コマンドに基づいて、保留記憶数を更新表示する保留数表示手段と、
前記先読み抽選の結果を示唆する先読み結果指示コマンドに基づいて、前記保留記憶数の表示を通常態様とは異なる特別態様にて表示する保留先読み予告を実行するか否かを判定する保留先読み予告判定手段と、
前記保留記憶数を０から１へと増加表示し、且つ、該保留記憶数の表示を前記特別態様にて表示すると、前記保留数表示手段による保留記憶数の表示又は前記保留記憶数指示コマンドの受信から所定時間が経過するまで、その後の前記更新表示による保留記憶数の減少表示を遅延する表示制御遅延手段と、
を備えることを特徴とする弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するためになされた請求項１記載の本発明は、
主制御手段に、
遊技球の始動口への入球に起因して数値データを抽出する数値抽出手段と、
図柄の変動表示の開始条件の成立の有無に拘わらず、前記数値データに基づいて、先読み抽選を実行する先読み抽選手段と、
前記数値データを保留記憶として設定された上限数まで記憶する保留記憶手段と、
図柄の変動表示の開始条件が成立したことにより、前記保留記憶に基づいて当否抽選を実行する当否抽選手段と、
を備え、
サブ制御手段に、
前記保留記憶手段に記憶された保留記憶数を示唆する保留記憶数指示コマンドに基づいて、保留記憶数を更新表示する保留数表示手段と、
前記先読み抽選の結果を示唆する先読み結果指示コマンドに基づいて、前記保留記憶数の表示を通常態様とは異なる特別態様にて表示する保留先読み予告を実行するか否かを判定する保留先読み予告判定手段と、
前記保留記憶数を０から１へと増加表示し、且つ、該保留記憶数の表示を前記特別態様にて表示すると、前記保留数表示手段による保留記憶数の表示又は前記保留記憶数指示コマンドの受信から所定時間が経過するまで、その後の前記更新表示による保留記憶数の減少表示を遅延する表示制御遅延手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
次に、図１９を参照して説明する。図１９は、図１８と異なり既に演出図柄表示装置６には幾つか（例えば、２個）の保留記憶が表示されている状態を前提としている。
また、遊技者をして先後関係が不明な程の略同時に、入賞が発生し続いて消化が行われた状態を説明する。
先ず、当初、上述したように演出図柄表示装置６には２個の保留記憶が表示されている状態であり、且つ遅延フラグが０すなわち遅延時間中ではない状態が示されている。なお、図示しないが、２個の内の最古の保留記憶に基づく変動表示の開始条件が成立していない状態である。
この状態から、主制御装置８０が実行する２ｍｓ毎の割り込み処理中に、始動口への入賞に基づいて保留記憶が増加（２から３へ増加）することに起因したコマンド送信処理が１回実行されると、サブ統合制御装置８３は、当該保留記憶数指示コマンドの受信に基づいて、保留先読み演出を実行するか否かの判定によって保留先読み演出を実行するときは、遅延フラグに１を設定し且つ遅延時間として、遅延タイマカウンタを設定することで、ｔ１（例えば、１０００ｍｓ）の計時を開始する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水と、揺変剤と、粉末消火剤と、を含有すると共にチキソトロピー性を有することを特徴とする混合消火剤。
【請求項２】
前記粉末消火剤は、膨張蛭石、膨張真珠岩、塩化ナトリウム又はケイ酸ナトリウムであることを特徴とする請求項１に記載の混合消火剤。
【請求項３】
水と、揺変剤と、粉末硬化剤と、を含有すると共にチキソトロピー性を有することを特徴とする混合消火剤。
【請求項４】
前記粉末硬化剤は、セメント又は石膏であること特徴とする請求項３に記載の混合消火剤。
【請求項５】
前記揺変剤は、コロイド性含水ケイ酸塩であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の混合消火剤。
【請求項６】
防護領域に設けられ配管に接続されたスプリンクラヘッドと、該配管に消火剤を圧送する加圧手段とを備え、該加圧手段によって、該配管を介して該スプリンクラヘッドから請求項１乃至５の何れかに記載の混合消火剤を放出することを特徴とするスプリンクラ消火設備。
【請求項７】
前記混合消火剤は、前記加圧手段によって加圧されることでゾル状となり、前記配管内を移動して前記スプリンクラヘッドから均等に散布されると共に、
該スプリンクラヘッドから散布されて静止するとゲル状となることを特徴とする請求項６に記載のスプリンクラ消火設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】混合消火剤及びそれを用いたスプリンクラ消火設備
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、水と、揺変剤と、粉末消火剤と、を含有すると共にチキソトロピー性を有することを特徴とする混合消火剤である。又、本発明は、水と、揺変剤と、粉末硬化剤と、を含有すると共にチキソトロピー性を有することを特徴とする混合消火剤である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
又、本発明は、防護領域に設けられ配管に接続されたスプリンクラヘッドと、該配管に消火剤を圧送する加圧手段とを備え、該加圧手段によって、該配管を介して該スプリンクラヘッドから前記混合消火剤を放出することを特徴とするスプリンクラ消火設備である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
尚、本発明は、前記粉末消火剤を、膨張蛭石、膨張真珠岩、塩化ナトリウム又はケイ酸ナトリウムとすることができる。又、本発明は、前記粉末硬化剤を、セメント又石膏とすることができる。又、本発明は、前記揺変剤を、コロイド性含水ケイ酸塩とすることができる。又、本発明は、前記混合消火剤を、前記加圧手段によって加圧されることでゾル状となり、前記配管内を移動して前記スプリンクラヘッドから均等に散布されると共に、該スプリンクラヘッドから散布されて静止するとゲル状となる様にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療機器を備える医療機器カスタマイゼーションシステムであって、
前記医療機器が、
ハードウェアであり、
生物学的プローブ、
メモリ、および
前記生物学的プローブからの信号を受信し、前記生物学的プローブからの前記信号に基づいたデータを前記メモリに格納する、処理装置
を含む、ハードウェアと、
前記生物学的プローブからの信号を処理し、前記メモリに基本データを格納するベースアプリケーション仮想マシンと、前記メモリに前記ベースアプリケーション仮想マシンによって格納された前記基本データを用いてカスタムアプリケーションを実施するカスタムアプリケーション仮想マシンとを確立する、仮想マシンマネージャと
を有し、
コードは、前記カスタムアプリケーション仮想マシンから受け取った暗号化された許可キーに基づいて権限レベルを決定するように前記処理装置に命じる
医療機器カスタマイゼーションシステム。
【請求項２】
前記仮想マシンマネージャが、前記カスタムアプリケーションの権限レベルに基づいて、前記カスタムアプリケーション仮想マシンにより実施される前記カスタムアプリケーションによる前記ハードウェアに対するアクセスを制限する、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記権限レベルが、前記カスタムアプリケーション仮想マシンに前記メモリにある前記基本データに対するアクセスを許可する、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記権限レベルが、前記カスタムアプリケーション仮想マシンの前記基本データへのアクセスを前記生物学的プローブが休止しているときに限定する、請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記権限レベルが、前記カスタムアプリケーション仮想マシンによるアクセスを前記メモリにある前記基本データの予め定義したサブセットに限定する、請求項３記載のシステム。
【請求項６】
前記権限レベルが、前記メモリにある前記基本データを読み出せるが書き換えないように前記メモリにある前記基本データへのアクセスを制限する、請求項３記載のシステム。
【請求項７】
前記権限レベルが、前記仮想マシンに前記生物学的プローブについての動作パラメータの変更を許可する、請求項２記載のシステム。
【請求項８】
前記医療機器から離れた場所にあるサーバをさらに備え、前記サーバが、前記医療機器についての複数のカスタムアプリケーションを格納し、前記アプリケーションを前記医療機器にダウンロードできるようにする、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
異なるカスタムアプリケーションに異なる権限レベルが割り当てられ、前記権限レベルは、前記カスタムアプリケーション仮想マシンが前記基本データに対するアクセスを許可される時間を、前記生物学的プローブが休止しているときに限定すること、カスタムアプリケーション仮想マシンによるアクセスを前記メモリにある前記基本データの予め定義したサブセットに限定すること、前記メモリにある前記基本データを読み出せるが書き換えないように前記メモリにある前記基本データへのアクセスを限定することからなる限定のグループから選択された限定を有する、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
開発者によって開発された前記カスタムアプリケーションが、前記医療装置の提供者によって暗号化され前記開発者に公表されない許可キーを有する、請求項８記載のシステム。
【請求項１１】
動作パラメータを有する生物学的プローブからの信号を受信するステップと、
前記信号に基づいた基本データをベースアプリケーション仮想マシンの制御下の医療機器のメモリに格納するステップと、
医療機器によってカスタムアプリケーションを受け取るステップと、
前記メモリにある基本データを用いて前記カスタムアプリケーションを実行するのに前記医療機器の仮想マシンが確立されるステップと、
暗号化された許可キーに基づいて前記仮想マシンへの許可レベルを決定するステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記カスタムアプリケーションに関連する許可レベルに基づいて、前記仮想マシンによる前記基本データおよび前記動作パラメータの少なくとも１つに対するアクセスを制限するステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記権限レベルが、前記カスタムアプリケーション仮想マシンが前記基本データにアクセスを許可される時間を、前記生物学的プローブが休止しているときに限定する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記権限レベルが、前記仮想マシンによるアクセスを前記メモリにある前記基本データの予め定義したサブセットに限定する、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記権限レベルが、前記メモリにある前記基本データを読み出せるが書き換えないように前記メモリにある前記基本データへのアクセスを制限する、請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記権限レベルが、前記仮想マシンに前記生物学的プローブについての動作パラメータの変更を許可する、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記仮想マシンマネージャが、前記仮想マシンから受け取った暗号化された前記許可キーに基づいて権限レベルを決定する、請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
ダウンロード可能なカスタムアプリケーションの保存場所を前記医療機器に設けるステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
前記保存場所が、提供者によって前記医療機器に設けられ、前記カスタムアプリケーションの第１のカスタムアプリケーションに前記提供者により第１の権限レベルが与えられ、前記カスタムアプリケーションの第２のカスタムアプリケーションに前記提供者により前記第１の権限レベルとは異なる第２の権限レベルが与えられる、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記カスタムアプリケーションの第１のカスタムアプリケーションが、第１の提供者によって提供され、前記カスタムアプリケーションの前記第２のカスタムアプリケーションが、前記第１の提供者とは関係ない第２の提供者によって提供される、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
医療機器カスタマイゼーションシステムであって、
医療機器についての複数のカスタムアプリケーションを格納し、アプリケーションを前記医療機器にダウンロードできるようにする、サーバを備え、前記カスタムアプリケーションのうちの一つは、開発者によって開発され、前記医療機器のハードウェアにアクセスする権限レベルを示す暗号化された許可キーを有し、前記暗号化された許可キーは、前記医療機器の提供者によって暗号化され、前記許可キーは前記提供者にのみ知られている、システム。
【請求項２２】
前記カスタムアプリケーションの第１のカスタムアプリケーションには、提供者によって前記医療機器の生データおよび動作パラメータの少なくとも１つにアクセスできる第１の権限レベルが与えられ、前記カスタムアプリケーションの第２のカスタムアプリケーションには、前記提供者によって前記医療機器の生データおよび動作パラメータの少なくとも１つにアクセスできる前記第１の権限とは異なる第２の権限が与えられる、請求項２１記載のシステム。
【請求項２３】
前記第１の権限レベルおよび前記第２の権限レベルが、暗号化された許可キーによって示される、請求項２２記載のシステム。