Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置および演算装置を含むプロセッサと、
前記プロセッサに電気的に接続される複数のバスラインと、
前記バスラインの各々に電気的に接続される第１のメモリと、
前記制御装置に電気的に接続される第２のメモリと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
制御装置および演算装置を含むプロセッサと、
前記プロセッサに電気的に接続される複数のバスラインと、
前記バスラインの各々に電気的に接続される第１のメモリと、
前記制御装置に電気的に接続される第２のメモリと、を有し、
前記第１のメモリ及び前記第２のメモリは、それぞれ、チャネル形成領域として酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
制御装置および演算装置を含むプロセッサと、
記憶装置と、
入出力装置と、
前記プロセッサと前記記憶装置との間、または前記プロセッサと前記入出力装置との間において、命令、アドレス、またはデータの授受の経路となる複数のバスラインと、
を有し、
前記バスラインの各々には、前記バスライン上の各々の情報を格納する第１のメモリが電気的に接続され、
前記制御装置には、前記バスライン上の情報に関するステータスフラグを格納する第２のメモリが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
制御装置および演算装置を含むプロセッサと、
記憶装置と、
入出力装置と、
前記プロセッサと前記記憶装置との間、または前記プロセッサと前記入出力装置との間において、命令、アドレス、またはデータの授受の経路となる複数のバスラインと、
を有し、
前記バスラインの各々には、前記バスライン上の各々の情報を格納する第１のメモリが電気的に接続され、
前記制御装置には、前記バスライン上の情報に関するステータスフラグを格納する第２のメモリが電気的に接続され、
前記第１のメモリ及び前記第２のメモリは、それぞれ、チャネル形成領域として酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４いずれか一において、
前記バスラインには、アドレスバス、データバスまたは入出力バスが含まれることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の図柄が施され、回転駆動される複数のリールと、
前記複数のリールの回転を開始させるために操作されるスタートレバーと、
回転中の前記複数のリールを個別に停止させるために操作されるストップボタンと、
複数種類の演出手段と、
前記複数種類の演出手段を制御する演出制御手段と、
を備え、前記スタートレバーが操作されたことに基づいて前記複数のリールの回転を開始させ、停止された前記複数のリールの態様に応じた利益を付与し、該利益の獲得を容易にする特典を付与可能であり、前回の遊技において前記複数のリールの回転が開始されてから所定の時間が経過したことに基づいて今回の遊技における前記複数のリールの回転を開始させることが可能な遊技台であって、
前記演出制御手段は、
前記ストップボタンの操作に関する第一の演出、および前記特典に関する第二の演出のそれぞれを、遊技が開始された以降であって前記ストップボタンに対する操作が有効となる以前に開始させるものであって、
前記第一の演出および前記第二の演出の双方が行われる場合のうちの少なくとも一部の場合には、第一のタイミングで前記第一の演出を開始させ、その後の第二のタイミングで前記第二の演出を開始させるものであり、
前記第一のタイミングは、
遊技が開始されたタイミングであり、
前記第二のタイミングは、
前回の遊技において前記複数のリールの回転が開始されてから前記所定の時間が経過したタイミングであり、
前記複数種類の演出手段は、
所定の演出手段を含むものであり、
前記演出制御手段は、
前記第一の演出および前記第二の演出のそれぞれを、前記所定の演出手段に少なくとも行わせるものであることを特徴とする遊技台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の遊技台は、
複数種類の図柄が施され、回転駆動される複数のリールと、
前記複数のリールの回転を開始させるために操作されるスタートレバーと、
回転中の前記複数のリールを個別に停止させるために操作されるストップボタンと、
複数種類の演出手段と、
前記複数種類の演出手段を制御する演出制御手段と、
を備え、前記スタートレバーが操作されたことに基づいて前記複数のリールの回転を開始させ、停止された前記複数のリールの態様に応じた利益を付与し、該利益の獲得を容易にする特典を付与可能であり、前回の遊技において前記複数のリールの回転が開始されてから所定の時間が経過したことに基づいて今回の遊技における前記複数のリールの回転を開始させることが可能な遊技台であって、
前記演出制御手段は、
前記ストップボタンの操作に関する第一の演出、および前記特典に関する第二の演出のそれぞれを、遊技が開始された以降であって前記ストップボタンに対する操作が有効となる以前に開始させるものであって、
前記第一の演出および前記第二の演出の双方が行われる場合のうちの少なくとも一部の場合には、第一のタイミングで前記第一の演出を開始させ、その後の第二のタイミングで前記第二の演出を開始させるものであり、
前記第一のタイミングは、
遊技が開始されたタイミングであり、
前記第二のタイミングは、
前回の遊技において前記複数のリールの回転が開始されてから前記所定の時間が経過したタイミングであり、
前記複数種類の演出手段は、
所定の演出手段を含むものであり、
前記演出制御手段は、
前記第一の演出および前記第二の演出のそれぞれを、前記所定の演出手段に少なくとも行わせるものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技を実行可能な遊技機であって、
動作を行う可動部材と、
遊技機への電力供給が停止しても所定期間記憶内容を保持可能であり、制御を行う際に発生する変動データを記憶する変動データ記憶手段と、
遊技機への電力供給が開始されたときに、所定条件の成立にもとづいて前記変動データ記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行する初期化手段と、
前記初期化手段によって前記初期化処理が実行されることにもとづいて、初期化報知を実行する初期化報知手段と、
遊技機への電力供給が開始されたことにもとづいて、前記可動部材の初期動作を実行する初期動作実行手段とを備え、
前記初期動作実行手段は、前記初期化報知手段による前記初期化報知を終了した後に、前記可動部材の初期動作を実行し、
特定演出を実行可能な特定演出実行手段と、
異常報知を実行するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段による判定にもとづく異常報知の実行中において、前記特定演出実行手段による前記特定演出の実行を規制する規制手段と、を更に備えた、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月9日(2016.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーヤキャラクタに設定されたパラメータを用いてプレーヤキャラクタと敵キャラクタとを対戦させるプログラムにおいて、
プレーヤが選択した複数のゲーム要素を、所定の配置領域におけるプレーヤの指示に基づく位置に配置する配置部と、
プレーヤの入力に基づく順序で、前記配置されたゲーム要素のパラメータとプレーヤキャラクタのパラメータとを比較し、前記比較の結果が所定の条件を満たす場合に、前記プレーヤキャラクタのパラメータを前記各ゲーム要素のパラメータに基づいて、都度更新するパラメータ演算部と、
所定の行動条件を満たした場合に、前記行動条件を満たしたときのプレーヤキャラクタの前記パラメータを用いて前記プレーヤキャラクタに所定の行動を実行させる処理を行うゲーム処理部としてコンピュータを機能させ、
前記ゲーム要素は、前記プレーヤキャラクタと前記敵キャラクタとの対戦結果に応じて、プレーヤに付与されることを特徴とするプログラム。
【請求項２】
請求項１において、
前記プレーヤキャラクタを移動させる移動指示に基づいて、前記配置領域における前記プレーヤキャラクタの移動を制御する移動制御部として更にコンピュータを機能させ、
前記パラメータ演算部は、
前記プレーヤキャラクタとの位置関係が所定の条件を満たしたゲーム要素のパラメータと前記プレーヤキャラクタのパラメータとを比較することを特徴とするプログラム。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれかにおいて、
前記ゲーム処理部は、
前記行動条件が満たされ且つ前記プレーヤキャラクタのパラメータの値が所定の条件を満たす場合に、前記プレーヤキャラクタに所定の行動を実行させる処理を行うことを特徴とするプログラム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記パラメータ演算部は、
前記プレーヤキャラクタに所定の行動を実行させる処理が行われた場合に、前記プレーヤキャラクタのパラメータの値を減少させることを特徴とするプログラム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記配置部は、
選択された前記ゲーム要素のパラメータの値が所定の条件を満たす場合に、当該ゲーム要素を前記配置領域に配置することを特徴とするプログラム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記配置部は、
前記配置領域に配置されている前記ゲーム要素の第２パラメータの値と、選択された前記ゲーム要素の第２パラメータの値の合計値が所定の条件を満たす場合に、選択された前記ゲーム要素を前記配置領域に配置することを特徴とするプログラム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記配置部は、
選択された前記ゲーム要素のパラメータの値に基づき、当該ゲーム要素を配置可能な前記配置領域上の位置を制限することを特徴とするプログラム。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記配置部は、
前記プレーヤキャラクタと前記ゲーム要素の位置関係が所定の条件を満たした場合に、当該ゲーム要素を前記配置領域から消去し、その後所定のタイミングで消去した当該ゲーム要素を前記配置領域に再配置することを特徴とするプログラム。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記配置部は、
他のプレーヤにより選択され配置領域に配置されたゲーム要素に関する配置情報をサーバから受信し、受信した配置情報に基づいて、前記他のプレーヤによりゲーム要素が配置された配置領域を、前記プレーヤの配置領域として設定することを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記ゲーム処理部は、
前記ゲーム要素のうち特殊効果を発動可能なゲーム要素と前記プレーヤキャラクタの位置関係が所定の条件を満たした場合に、前記特殊効果を発動する処理を行うことを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
プレーヤキャラクタに設定されたパラメータを用いてプレーヤキャラクタと敵キャラクタとを対戦させるゲーム装置において、
プレーヤが選択した複数のゲーム要素を、所定の配置領域におけるプレーヤの指示に基づく位置に配置する配置部と、
プレーヤの入力に基づく順序で、前記配置されたゲーム要素のパラメータとプレーヤキャラクタのパラメータとを比較し、前記比較の結果が所定の条件を満たす場合に、前記プレーヤキャラクタのパラメータを前記各ゲーム要素のパラメータに基づいて、都度更新するパラメータ演算部と、
所定の行動条件を満たした場合に、前記行動条件を満たしたときのプレーヤキャラクタの前記パラメータを用いて前記プレーヤキャラクタに所定の行動を実行させる処理を行うゲーム処理部とを含み、
前記ゲーム要素は、前記プレーヤキャラクタと前記敵キャラクタとの対戦結果に応じて
、プレーヤに付与されることを特徴とするゲーム装置。
【請求項１２】
プレーヤキャラクタに設定されたパラメータを用いてプレーヤキャラクタと敵キャラクタとを対戦させるサーバシステムにおいて、
プレーヤが選択した複数のゲーム要素を、所定の配置領域におけるプレーヤの指示に基づく位置に配置する配置部と、
プレーヤの入力に基づく順序で、前記配置されたゲーム要素のパラメータとプレーヤキャラクタのパラメータとを比較し、前記比較の結果が所定の条件を満たす場合に、前記プレーヤキャラクタのパラメータを前記各ゲーム要素のパラメータに基づいて、都度更新するパラメータ演算部と、
所定の行動条件を満たした場合に、前記行動条件を満たしたときのプレーヤキャラクタの前記パラメータを用いて前記プレーヤキャラクタに所定の行動を実行させる処理を行うゲーム処理部とを含み、
前記ゲーム要素は、前記プレーヤキャラクタと前記敵キャラクタとの対戦結果に応じて、プレーヤに付与されることを特徴とするサーバシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
（９）スライダ５１が、図６（ｖ）に示すように、右方向（ワーク搬送方向）へ移動して次工程位置に停止する（工程１３）。この移動により、スライダ５１のワークハンド２１ｂは検測ステーションＳ４の上方の上昇端位置へ移動し停止する。この時、ワークハンド２１ａはステーションから外れた上昇端位置へ移動し停止する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
（１０）ワークハンド２１ｂが下降端位置まで下降して、検測ステーションＳ４のワークＷをチャッキング保持して（工程１４）、その後上昇端位置まで上昇する（工程１５）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
（１１）スライダ５１が、図６（vi）に示すように、右方向（ワーク搬送方向）へ移動して次工程位置に停止する（工程１６）。この移動により、スライダ５１のワークハンド２１ａは検測ステーションＳ４の、またワークハンド２１ｂは搬出ステーションＳ５の上方の上昇端位置へそれぞれ移動し停止する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
（１２）両ワークハンド２１ａ、２１ｂが下降端位置まで下降し、チャッキング解除してワークＷをそれぞれ放し（工程１７）、その後上昇端位置まで上昇する（工程１８）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
（１３）スライダ５１が、左方向へ移動して、図６（ｉ）に示す工程開始位置まで移動復帰する（工程１９）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（１４）以後（２）〜（１３）の工程を順次繰り返す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
また、搬送工程１サイクルで、従来のワーク搬送処理装置５０においては、駆動モータ５４でスライダ５１をＬ０＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝４（ｐ１＋ｐ２）の距離だけ移動させ、本発明のワーク搬送処理装置１３においては、２台の駆動モータ２６、２６でスライダ４（７）を２Ａ＝２×ｐ１の距離だけ移動させ、スライダ５（６）を２Ｂ＝２×ｐ２の距離だけ移動させる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３α−エチニル、３β−ヒドロキシル，アンドロスタン−１７−オンオキシム、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項２】
３α−エチニル、３β−ヒドロキシル，アンドロスタン−１７−オンオキシムと、薬学的に許容される担体とを含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対応するＮＲ’４＋の構造を有する第四級アンモニウム対イオンを有する、ジェミナルビスホスホン酸基の少なくとも１種の塩またはその部分エステルを含む有機基が結合されている顔料を含む改質顔料であって、Ｒ'は、同一でも異なっていてもよく、Ｃ２〜Ｃ６アルキル基であり、かつ該第四級アンモニウム対イオンは、総炭素が少なくとも６個であり、かつ該改質顔料が、水性分散液の形態であり、かつ該水性分散液が、１０質量％〜１５質量％の改質顔料含量で、１０００マイクロジーメンス／ｃｍ以下の導電率を有している、改質顔料（但し、水溶性有機溶媒が該分散液の総質量の１５質量％以上を構成する分散液を除く）。
【請求項２】
前記水性分散液が、１０質量％〜１５質量％の改質顔料含量で、４００ｐｐｍ以下のリン酸塩イオン濃度を有している、請求項１記載の改質顔料。
【請求項３】
前記有機基が、式−ＣＱ(ＰＯ３Ｈ２)２を有する基の塩を含んでおり、Ｑは、Ｈ、Ｒ、ＯＲ、ＳＲまたはＮＲ２であり、Ｒは同一でも異なっていてもよく、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１８アシル基、アラルキル基、アルカリル基、またはアリール基である、請求項１記載の改質顔料。
【請求項４】
前記有機基が、式−(ＣＨ２)ｎ−ＣＱ(ＰＯ３Ｈ２)２を有する基の塩を含んでおり、Ｑは、Ｈ、Ｒ、ＯＲ、ＳＲまたはＮＲ２であり、Ｒは同一でも異なっていてもよく、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１８アシル基、アラルキル基、アルカリル基、またはアリール基であり、ｎは１〜３である、請求項１記載の改質顔料。
【請求項５】
前記有機基が、式−ＣＲ(ＰＯ３Ｈ２)２を有する基の塩またはその部分エステルを含んでおり、ＲはＨもしくはＣ１〜Ｃ６アルキル基である、請求項１記載の改質顔料。
【請求項６】
前記有機基が、式−ＣＯ−Ｑ−ＣＨ(ＰＯ３Ｈ２)２もしくは−ＳＯ２−Ｑ−ＣＨ(ＰＯ３Ｈ２)２を有する基の塩またはその部分エステルを含んでおり、ＱはＯ、Ｓ、もしくはＮＲ’であり、Ｒ’は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１８アシル基、アラルキル基、アルカリル基、またはアリール基である、請求項１記載の改質顔料。
【請求項７】
前記有機基が、式−Ｘ−ＣＯ−Ｑ−ＣＨ(ＰＯ３Ｈ２)２もしくは−Ｘ−ＳＯ２−Ｑ−ＣＨ(ＰＯ３Ｈ２)２を有する基の塩またはその部分エステルを含んでおり、Ｘは、該顔料に結合しており、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキレン、アルカリレン、またはアラルキレン基である、請求項１記載の改質顔料。
【請求項８】
Ｘがアリーレン基である、請求項７記載の改質顔料。
【請求項９】
Ｑが、ＮＨである、請求項６または７記載の改質顔料。
【請求項１０】
ａ）液体ビヒクル、および、
ｃ）請求項１〜９のいずれか１項記載の改質顔料、
を含むインクジェットインク組成物。
【請求項１１】
ａ）液体ビヒクル、
ｂ）共溶媒、および、
ｃ）請求項１〜９のいずれか１項記載の改質顔料、
を含むインクジェットインク組成物。
【請求項１２】
前記インクジェットインク組成物が、１０質量％〜１５質量％の改質顔料含量で、１０００マイクロジーメンス／ｃｍ以下の導電率を有している、請求項１０または１１記載のインクジェットインク組成物。
【請求項１３】
前記インクジェットインク組成物が、更に、１０質量％〜１５質量％の改質顔料含量で、６０℃で４週間の後に１０００マイクロジーメンス／ｃｍ以下の導電率を有している、請求項１０または１１記載のインクジェットインク組成物。
【請求項１４】
改質顔料の水性分散液の導電率増加を低減する方法であって、以下の工程、
ｉ）対応する対イオンを有する、ジェミナルビスホスホン酸基の少なくとも１種の塩またはその部分エステルが結合されている顔料を含む改質顔料の水性分散液を準備する工程、ならびに、
ｉｉ）該改質顔料の対イオンをイオン交換して、ＮＲ’４＋の構造を有する対応する第四級アンモニウム対イオンを有する、ジェミナルビスホスホン酸基の少なくとも１種の塩またはその部分エステルが結合されている顔料を含む改質顔料の水性分散液（但し、水溶性有機溶媒が該分散液の総質量の１５質量％以上を構成する分散液を除く）を形成する工程であって、ここでＲ’は、同じでも異なっていてもよく、Ｃ２〜Ｃ６アルキル基であり、そしてこの第四級アンモニウム対イオンは総炭素が少なくとも６個であり、かつ該改質顔料の水性分散液が、１０質量％〜１５質量％の改質顔料含量で、１０００マイクロジーメンス／ｃｍ以下の導電率を有している、工程、
を含んでなる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月19日(2015.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
摩擦熱反応剤１４は、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＭｇＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｃａ3（ＰＯ4）2、Ｌｉ3ＰＯ4及びＡｌＫ（ＳＯ4）2の群の中から選択された、一種または２種以上の材料であることが好ましい。いずれの材料も、研磨時に発生する摩擦熱によって、第２の研磨材１３の研磨機能を促進することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図６は、研磨処理後のスラリーのｐＨ測定結果を示す表である。
いずれも、毎分０．７〜１．０μｍという高い研磨レートを実現した。Ｌｉ2ＣＯ3とＣａ3（ＰＯ4）2以外の材料を摩擦熱反応剤として使用したとき，研磨前の測定値は、ｐＨ４．６  〜  ８．０、研磨後の測定値はｐＨ４．２〜８．２の範囲内であった。Ｌｉ2ＣＯ3とＣａ3（ＰＯ4）2を摩擦熱反応剤として使用したとき、研磨前の測定値は、それぞれｐＨ１０．１と９．０、研磨後の測定値はそれぞれｐＨ１１．２と９．６であった。いずれも、弱酸性〜弱アルカリ性の範囲内であり、作業環境への悪影響を抑えることができる。しかも、廃液処理が簡便になる。高温で高アルカリ雰囲気となる領域が微少領域であるから、スラリーのｐＨに大きく影響しないことがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月1日(2016.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本明細書における「ｐｐｂ」は、μｇ／Ｌを意味し、アルコール飲料の容量あたりに含まれる成分の質量を示す。アルコール飲料中のｄ−リモネン、ジヒドロジャスモン酸メチル、フルフラール、及びチモールの含有量及び量比を測定する手段は限定されず、例えば、ＧＣＭＳ等の公知の方法を用いて測定すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月15日(2016.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相同組換えを行う核酸分子に対して配列相同性を持たない少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドの存在下で相同組換えを行うことによって相同組換えの効率を改善するための方法であって、前記少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドの非存在下で相同組換えが行われる場合と比較して相同組換えの効率が改善される前記方法。
【請求項２】
少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドがDNAを含むかまたはDNAからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドが10〜100ヌクレオチド長である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドが約40ヌクレオチド長である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドが各エレクトロポレーションに1〜200pmolの濃度で用いられる、請求項１〜４のいずれか1つに記載の方法。
【請求項６】
相同組換えがRecEおよびRecTによって仲介される、請求項１〜５のいずれか1つに記載の方法。
【請求項７】
RecEが、配列番号１のアミノ酸588〜866、595〜866、602〜866または606〜866からなる群より選ばれる短縮型RecEである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
相同組換え法が、少なくとも1つの配列相同領域を共有する少なくとも第1核酸分子と第2核酸分子との間の相同組換えを行うための方法であって、5’-3’エキソヌクレアーゼおよびアニーリングタンパク質の存在下で第1核酸分子と第2核酸分子とを接触させることを含み、
前記5’-3’エキソヌクレアーゼが、
a）5’-3’エキソヌクレアーゼ活性を有する領域であって、配列番号1のアミノ酸588〜866を含む前記領域、または配列番号１のアミノ酸588〜866と配列番号１のアミノ酸588〜866の全長を通して少なくとも70%同一性を有する配列を有するその変種、および、
ｂ）少なくとも、
i）配列番号１のアミノ酸564〜587、または、
ii）配列番号1のアミノ酸564〜587に対してその24アミノ酸配列の全長を通して少なくとも70%同一性を有する24アミノ酸配列、
を含み、ｂ）の配列が前記5’-3’エキソヌクレアーゼ活性を有する領域のN末端側に直結する、RecEである、請求項１〜６のいずれか1つに記載の方法。
【請求項９】
相同組換えがRed αおよびRed βによって仲介される、請求項１〜５のいずれか1つに記載の方法。
【請求項１０】
相同組換えの実施に使用するための、請求項１〜４のいずれか1つで示された少なくとも1つの一本鎖オリゴヌクレオチドを含むキット。
【請求項１１】
RecEをコードする核酸を含む宿主細胞を含む、請求項１０記載のキット。
【請求項１２】
RedαおよびRedβを発現する宿主細胞を含む、請求項１１に記載のキット。
【請求項１３】
宿主細胞が、Red γ、RecA、RedαおよびRedβの1以上をコードする核酸配列をさらに含む、請求項１１に記載のキット。
【請求項１４】
1以上の線状化クローニングベクターをさらに含む、請求項１０〜１３のいずれか1つに記載のキット。
【請求項１５】
in vivoで相同組換えを行う前に、レアカット配列特異的DNA切断酵素を用いてin vivoで少なくとも1つの環状核酸分子を線状化して第1および/または第2核酸分子を作製するステップを含む、請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
レアカット配列特異的DNA切断酵素が、ホーミングエンドヌクレアーゼ、ジンクフィンガーヌクレアーゼ(ZFN)または転写活性化因子様エフェクターヌクレアーゼ(TALEN)から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ホーミングエンドヌクレアーゼが、 I-SceI、I-CeuI、I-CreI、I-ChuI、I-CsmI、I-DmoI、I-PanI、I-SceII、I-SceIII、I-SceIV、F-SceI、F-SceII、PI-AaeI、PI-ApeI、PICeuI、PI-CirI、PI-CtrI、PI-DraI、PI-MavI、PI-MflI、PI-MgoI、PI-MjaI、PI-MkaI、PI-MleI、PI-MtuI、PI-MtuHI、PI-PabIII、PI-PfuI、Pi-PhoI、PI-PkoI、PI-PspI、PI-RmaI、PI-SceI、PI-SspI、PI-TfuI、PI-TfuII、PI-TliI、PI-TliII. PI-TspI、PI-TspII、PI-BspI、PI-MchI、PI-MfaI、PI-MgaI、PI-MgaII、PI-MinI、PI-MmaI、Pi-MshI、PI-MsmII、PI-MthI、PI-TagI、PI-ThyII、I-NcrI、I-NcrII、I-PanII、I-TevI、I-PpoI、I-DirI、I-HmuI、I-HmuII、I-TevII、I-TevIII、F-SceI、F-SceII (HO)、F-SuvI、F-TevIおよびF-TevIIからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７で示された少なくとも1つのレアカット配列特異的DNA切断酵素をさらに含む、請求項１０〜１４のいずれか１つに記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月18日(2016.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メドキソミル基を有するプロドラッグを含有する素錠の外側に、メドキソミル基を有するプロドラッグ１００重量部に対して０．１〜５．０重量部の塩基性の無機酸塩を含有するフィルムコーティング層を有する錠剤。
【請求項２】
メドキソミル基を有するプロドラッグがオルメサルタンメドキソミル又はアジルサルタンメドキソミルである、請求項１に記載の錠剤。
【請求項３】
塩基性の無機酸塩が、炭酸、ケイ酸、又は燐酸の金属塩である、請求項１又は２に記載の錠剤。
【請求項４】
塩基性の無機酸塩が、炭酸マグネシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸アンモニウム、無水リン酸水素カルシウム、リン酸水素二カリウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミン酸マグネシウム、メタケイ酸アルミン酸マグネシウム、軽質無水ケイ酸から選ばれる、請求項１又は２に記載の錠剤。
【請求項５】
メドキソミル基を有するプロドラッグを含有する素錠と塩基性の無機酸塩を含有するフィルムフィルムコーティング層との間に、塩基性の無機酸塩を含有しないフィルムコーティング層が存在する、請求項１〜４のいずれかに記載の錠剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブドウ球菌属の種により発現されるセリン−アスパラギン酸（ＳＤ）リピートタンパク質のＳＤリピート（ＳＤＲ）エピトープに結合する抗体又はその機能的部分であって、細胞傷害性薬剤と結合して抗体‐薬剤複合体を形成する、抗体又はその機能的部分。
【請求項２】
ＳＤＲタンパク質はＣｌｆＡ、ＣｌｆＢ、ＳｄｒＣ、ＳｄｒＤ及びＳｄｒＥからなる群から選択される、請求項１に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項３】
前記バクテリアは表皮ブドウ球菌（S. epidermidis）である、請求項１に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項４】
ＳＤＲタンパク質はＳｄｒＦ、ＳｄｒＧ及びＳｄｒＨからなる群から選択される、請求項３に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項５】
前記バクテリアはスタフィロコッカス・キャピティス（S.capitis）である、請求項１に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項６】
ＳＤＲタンパク質はＳｄｒＸである、請求項５に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項７】
前記バクテリアはスタフィロコッカス・カプラエ（S.caprae）である、請求項１に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項８】
ＳＤＲタンパク質はＳｄｒＹ及びＳｄｒＺからなる群から選択される、請求項７に記載の抗体又はその機能的部分。
【請求項９】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体を含む、医薬及び／又は予防薬。
【請求項１０】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体を含む、グラム陽性細菌関連疾患を治療及び／又は予防するための医薬及び／又は予防薬。
【請求項１１】
グラム陽性細菌関連疾患を治療するため及び／又は予防するための医薬及び／又は予防薬の調製ための、請求項１から８の何れか一項に記載の抗体の使用。
【請求項１２】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体、及び薬学的に許容される担体、希釈剤又は賦形剤を含む、薬学的組成物。
【請求項１３】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体を産生する方法であって、前記抗体をコードする核酸を持つ細胞を提供すること、及び前記細胞に前記核酸を翻訳させること、それにより請求項１から８の何れか一項に記載の抗体を産生することを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１から８の何れか一項に記載の前記抗体を回収すること、精製すること及び／又は単離することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体を含む、ブドウ球菌感染の診断用キット。
【請求項１６】
黄色ブドウ球菌（S. aureus）及び／又は表皮ブドウ球菌（S. epidermidis）を検出するための、請求項１から８の何れか一項に記載の抗体の使用。
【請求項１６】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体を含む、ブドウ球菌感染の診断薬。
【請求項１８】
請求項１から８の何れか一項に記載の抗体の使用して、溶液から黄色ブドウ球菌（S. aureus）及び／又は表皮ブドウ球菌（S. epidermidis）を単離する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月16日(2016.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸結合相を用いて結合と溶出によって核酸を精製する方法であって、該核酸結合相が：
（ｉ）核酸結合性のＡ基であって、アミノ基であり、かつ２−（ジメチルアミノ）エチルメタクリレート（ＤＭＡＥＭＡ）およびジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＥＡＰＳ）から選択される化合物の一部分である、Ａ基と、
（ｉｉ）電荷中性のＮ基であって、ヒドロキシル基であり、かつアクリレートおよび反応性シランから選択される化合物の一部分であり、Ａ基と相互作用しない、Ｎ基と
を有すること；
該核酸結合相が修飾支持材であり、該修飾が：
（ｉ）リガンドＩが少なくとも１つのＡ基を有し、リガンドＩＩが少なくとも１つのＮ基を有する、少なくとも該リガンドＩと該リガンドＩＩとを有する混合物での該支持材の修飾；
（ｉｉ）該Ａ基が、少なくとも１つのＮ基を有する化合物によって立体遮蔽される、該Ａ基および該Ｎ基での該支持材の修飾；および
（ｉｉｉ）該実施形態（ｉ）〜（ｉｉ）の組合せによる該支持材の修飾
からなる群より選択されること；および
該方法が、少なくとも以下の工程：
（ａ）４〜７．５のｐＨ（結合ｐＨ）で、該核酸を該核酸結合相に結合させる工程と、
（ｂ）該結合ｐＨよりも大きいｐＨ（溶出ｐＨ）で、該核酸を溶出させる工程と
を有すること
を特徴とする方法。
【請求項２】
前記支持材が、Ａ基を有するシランでコートされたシリカ表面を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シランの量が、０．１〜５０μｍｏｌである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記シランの量が、０．１〜１０μｍｏｌである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜２のいずれか１項による支持材を有することを特徴とする、核酸を精製するためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月31日(2016.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともケモカインＣＣＬ３／ＭＩＰ−１α、ＣＣＬ４／ＭＩＰ−１βおよびＣＣＬ５／ＲＡＮＴＥＳと結合する、単離された抗体またはその抗原結合フラグメントであって、該抗体は、配列番号２、１２、２２、３２、４２、５２および６２からなる群から選択される重鎖可変領域配列に含まれる３つの重鎖ＣＤＲ（ＨＣＤＲ１，ＨＣＤＲ２およびＨＣＤＲ３）を含んでなり、かつ、配列番号７、１７、２７、４７、５７および６７からなる群から選択される軽鎖可変領域配列に含まれる３つの軽鎖ＣＤＲ（ＬＣＤＲ１，ＬＣＤＲ２およびＬＣＤＲ３）を含んでなる、単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項２】
キメラモノクローナル抗体である、請求項１に記載の単離または精製されたモノクローナル抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項３】
ヒト化モノクローナル抗体である、請求項１に記載の単離または精製されたモノクローナル抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項４】
全長モノクローナル抗体である、請求項１に記載の単離または精製されたモノクローナル抗体。
【請求項５】
請求項１に記載の単離または精製されたモノクローナル抗体の抗原結合フラグメント。
【請求項６】
Ｆａｂ’またはＦ（ａｂ’）２である、請求項５に記載のフラグメント。
【請求項７】
エフェクター部分、ターゲッティング部分、異種タンパク質、毒素、酵素、サイトカイン、化学的タグ、放射線学的タグ、その生物学的半減期を増加する物質、またはその生物学的アベイラビリティーを増加する物質とコンジュゲートした、請求項１に記載のモノクローナル抗体またはそのフラグメント。
【請求項８】
（ｉ）請求項１に記載の単離または精製されたモノクローナル抗体またはそのフラグメントおよび（ｉｉ）担体または賦形剤を含んでなる、組成物。
【請求項９】
配列番号１３のＨＣＤＲ１配列、配列番号１４のＨＣＤＲ２配列、および配列番号１５のＨＣＤＲ３配列を含んでなる重鎖可変領域、並びに、配列番号１８のＬＣＤＲ１配列、配列番号１９のＬＣＤＲ２配列、および配列番号２０のＬＣＤＲ３配列を含んでなる軽鎖可変領域を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１０】
配列番号２３のＨＣＤＲ１配列、配列番号２４のＨＣＤＲ２配列、および配列番号２５のＨＣＤＲ３配列を含んでなる重鎖可変領域、並びに、配列番号２８のＬＣＤＲ１配列、配列番号２９のＬＣＤＲ２配列、および配列番号３０のＬＣＤＲ３配列を含んでなる軽鎖可変領域を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１１】
配列番号４３のＨＣＤＲ１配列、配列番号４４のＨＣＤＲ２配列、および配列番号４５のＨＣＤＲ３配列を含んでなる重鎖可変領域、並びに、配列番号４８のＬＣＤＲ１配列、配列番号４９のＬＣＤＲ２配列、および配列番号５０のＬＣＤＲ３配列を含んでなる軽鎖可変領域を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１２】
配列番号５３のＨＣＤＲ１配列、配列番号５４のＨＣＤＲ２配列、および配列番号５５のＨＣＤＲ３配列を含んでなる重鎖可変領域、並びに、配列番号５８のＬＣＤＲ１配列、配列番号５９のＬＣＤＲ２配列、および配列番号６０のＬＣＤＲ３配列を含んでなる軽鎖可変領域を含んでなる、請求項３に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１３】
配列番号６３のＨＣＤＲ１配列、配列番号６４のＨＣＤＲ２配列、および配列番号６５のＨＣＤＲ３配列を含んでなる重鎖可変領域、並びに、配列番号６８のＬＣＤＲ１配列、配列番号６９のＬＣＤＲ２配列、および配列番号７０のＬＣＤＲ３配列を含んでなる軽鎖可変領域を含んでなる、請求項３に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１４】
配列番号２の配列を含んでなる重鎖可変領域配列および配列番号７の配列を含んでなる軽鎖可変領域配列を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１５】
配列番号１２の配列を含んでなる重鎖可変領域配列および配列番号１７の配列を含んでなる軽鎖可変領域配列を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１６】
配列番号２２の配列を含んでなる重鎖可変領域配列および配列番号２７の配列を含んでなる軽鎖可変領域配列を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１７】
配列番号４２の配列を含んでなる重鎖可変領域配列および配列番号４７の配列を含んでなる軽鎖可変領域配列を含んでなる、請求項１に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１８】
配列番号５２の配列を含んでなる重鎖可変領域配列および配列番号５７の配列を含んでなる軽鎖可変領域配列を含んでなる、請求項３に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項１９】
配列番号６２の配列を含んでなる重鎖可変領域配列および配列番号６７の配列を含んでなる軽鎖可変領域配列を含んでなる、請求項３に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項２０】
少なくとも３種の異なるＣＣケモカインに対して少なくとも２０ｎＭの結合親和性を有する、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の単離された抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項２１】
ＣＣケモカインの調整に関連する疾患または障害を治療するための薬剤の製造における、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメントの使用。
【請求項２２】
前記疾患または障害が、関節リウマチ、多発性硬化症、線維症、アテローム性動脈硬化症、および喘息からなる群から選択される、請求項２１に記載の使用。
【請求項２３】
ＣＣケモカインの調整に関連する疾患または障害を治療するための医薬組成物であって、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメントを含んでなる、医薬組成物。
【請求項２４】
前記疾患または障害が、関節リウマチ、多発性硬化症、線維症、アテローム性動脈硬化症、および喘息からなる群から選択される、請求項２３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マレイミドを基本とする又はハロアセチルを基本とするメイタンシノイドチオエーテルであって、
ここにおいて、マレイミドは、Ｎ−スクシンイミジル４−(マレイミドメチル)シクロヘキサンカルボキシレート（ＳＭＣＣ）、Ｎ−スクシンイミジル−４−(Ｎ−マレイミドメチル)−シクロヘキサン−１−カルボキシ−(６−アミドカプロエート) （ＬＣ−ＳＭＣＣ）、κ−マレイミドウンデカン酸Ｎ−スクシンイミジルエステル（ＫＭＵＡ）、γ−マレイミド酪酸Ｎ−スクシンイミジルエステル（ＧＭＢＳ）、ε−マレイミドカプロン酸Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル（ＥＭＣＳ）、ｍ−マレイミドベンゾイル−Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル（ＭＢＳ）、Ｎ−(α−マレイミドアセトキシ)−スクシンイミドエステル（ＡＭＡＳ）、スクシンイミジル−６−(β−マレイミドプロピオンアミド)ヘキサノエート（ＳＭＰＨ）、Ｎ−スクシンイミジル４−(ｐ−マレイミドフェニル)−ブチレート（ＳＭＰＢ）、およびＮ−(ｐ−マレイミドフェニル)イソシアネート（ＰＭＰＩ）からなる群から選択され；そして、
ここにおいて、ハロアセチルは、Ｎ−スクシンイミジル−４−（ヨードアセチル）−アミノベンゾエート（ＳＩＡＢ）、Ｎ−スクシンイミジルヨードアセテート（ＳＩＡ）、Ｎ−スクシンイミジルブロモアセテート（ＳＢＡ）およびＮ−スクシンイミジル３−(ブロモアセトアミド)プロピオネート（ＳＢＡＰ）からなる群から選択される、
前記メイタンシノイドチオエーテル。
【請求項２】
メイタンシノイドが、Ｎ２’−デアセチル−Ｎ２’−（３−メルカプト−１−オキソプロピル）−メイタンシン（ＤＭ１）、Ｎ２’−デアセチル−Ｎ２’−(４−メルカプト−１−オキソペンチル)−メイタンシン（ＤＭ３）、およびＮ２’−デアセチル−Ｎ２’−（４−メチル−４−メルカプト−１−オキソペンチル）−メイタンシン（ＤＭ４）からなる群から選択される、請求項１に記載のメイタンシノイドチオエーテル。
【請求項３】
メイタンシノイドがＤＭ１である、請求項２に記載のメイタンシノイドチオエーテル。
【請求項４】
メイタンシノイドがＤＭ４である、請求項２に記載のメイタンシノイドチオエーテル。
【請求項５】
マレイミドが、ＳＭＣＣ、ＬＣ−ＳＭＣＣ、ＫＭＵＡ、ＭＢＳ、ＡＭＡＳおよびＳＭＰＨからなる群から選択される、請求項１に記載のメイタンシノイドチオエーテル。
【請求項６】
マレイミドがＳＭＣＣである、請求項５に記載のメイタンシノイドチオエーテル。
【請求項７】
ハロアセチルがＳＩＡＢである、請求項１に記載のメイタンシノイドチオエーテル。
【請求項８】
マレイミドを基本とする又はハロアセチルを基本とするメイタンシノイドチオエーテルの製造方法であって、
ここにおいて、マレイミドは、Ｎ−スクシンイミジル４−(マレイミドメチル)シクロヘキサンカルボキシレート（ＳＭＣＣ）、Ｎ−スクシンイミジル−４−(Ｎ−マレイミドメチル)−シクロヘキサン−１−カルボキシ−(６−アミドカプロエート) （ＬＣ−ＳＭＣＣ）、κ−マレイミドウンデカン酸Ｎ−スクシンイミジルエステル（ＫＭＵＡ）、γ−マレイミド酪酸Ｎ−スクシンイミジルエステル（ＧＭＢＳ）、ε−マレイミドカプロン酸Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル（ＥＭＣＳ）、ｍ−マレイミドベンゾイル−Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル（ＭＢＳ）、Ｎ−(α−マレイミドアセトキシ)−スクシンイミドエステル（ＡＭＡＳ）、スクシンイミジル−６−(β−マレイミドプロピオンアミド)ヘキサノエート（ＳＭＰＨ）、Ｎ−スクシンイミジル４−(ｐ−マレイミドフェニル)−ブチレート（ＳＭＰＢ）、およびＮ−(ｐ−マレイミドフェニル)イソシアネート（ＰＭＰＩ）からなる群から選択され；そして
ここにおいて、ハロアセチルは、Ｎ−スクシンイミジル−４−（ヨードアセチル）−アミノベンゾエート（ＳＩＡＢ）、Ｎ−スクシンイミジルヨードアセテート（ＳＩＡ）、Ｎ−スクシンイミジルブロモアセテート（ＳＢＡ）およびＮ−スクシンイミジル３−(ブロモアセトアミド)プロピオネート（ＳＢＡＰ）からなる群から選択され；そして
当該方法は、チオールを含有するメンタンシノイドをマレイミドまたはハロアセチルと反応させることを含む、前記方法。
【請求項９】
メイタンシノイドが、Ｎ２’−デアセチル−Ｎ２’−（３−メルカプト−１−オキソプロピル）−メイタンシン（ＤＭ１）、Ｎ２’−デアセチル−Ｎ２’−(４−メルカプト−１−オキソペンチル)−メイタンシン（ＤＭ３）、およびＮ２’−デアセチル−Ｎ２’−（４−メチル−４−メルカプト−１−オキソペンチル）−メイタンシン（ＤＭ４）からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
メイタンシノイドがＤＭ１である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
メイタンシノイドがＤＭ４である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
マレイミドが、ＳＭＣＣ、ＬＣ−ＳＭＣＣ、ＫＭＵＡ、ＭＢＳ、ＡＭＡＳおよびＳＭＰＨからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
マレイミドがＳＭＣＣである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ハロアセチルがＳＩＡＢである、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
マレイミドがＳＭＣＣである、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ハロアセチルがＳＩＡＢである、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
マレイミドがＳＭＣＣである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
ハロアセチルがＳＩＡＢである、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明は、インゴットの保持部とインゴットの通電部の素材が異なった状態で放電加工が進行する領域を無くし、素材の異なるものに対する同時放電による放電加工の不安定性を低減させて、ワイヤの断線を防止することが可能な仕組みを提供とすることを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、インゴットをワイヤが並設された間隔でスライスする放電加工において用いられる保持装置であって、前記並設されたワイヤによる放電加工が行われない第１の位置に配置された前記インゴットを保持する保持部と、前記保持部のような前記インゴットの保持機能は備えずに、前記インゴットと前記ワイヤとの間に電流が流れるように前記インゴットに通電する通電部とを備え、前記通電部は、前記並設されたワイヤによる放電加工による前記インゴットのスライスが終了するまで、前記ワイヤと接触しない第２の位置に配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明により、インゴットの保持部とインゴットの通電部の素材が異なった状態で放電加工が進行する領域を無くし、素材の異なるものに対する同時放電による放電加工の不安定性を低減させて、ワイヤの断線を防止することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インゴットをワイヤが並設された間隔でスライスする放電加工において用いられる保持装置であって、
前記並設されたワイヤによる放電加工が行われない第１の位置に配置された前記インゴットを保持する保持部と、
前記保持部のような前記インゴットの保持機能は備えずに、前記インゴットと前記ワイヤとの間に電流が流れるように前記インゴットに通電する通電部とを備え、
前記通電部は、前記並設されたワイヤによる放電加工による前記インゴットのスライスが終了するまで、前記ワイヤと接触しない第２の位置に配置されることを特徴とする保持装置。
【請求項２】
前記インゴットのスライスが終了することとは、前記第２の箇所に前記並設されたワイヤが到達することであることを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
【請求項３】
前記通電部は、前記第２の位置で前記インゴットと線接触すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の保持装置。
【請求項４】
前記保持装置は、円筒型のＳｉＣインゴットを放電加工するために用いられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項５】
前記保持部は前記インゴットが落下しないように保持する爪部を有し、
前記保持装置が前記インゴットに接触する何れの境界面に前記インゴットを前記保持装置に固定する接着剤を用いず、前記爪部により当該インゴットが落下しないように保持可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項６】
前記通電部は、前記インゴットが保持装置から落下しないよう保持する導電性の接着剤を用いずに、前記保持部が当該インゴットを保持すること
を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項７】
インゴットの保持機能は備えずに、前記インゴットと並設されたワイヤとの間に電流が流れるように前記インゴットに通電する通電部による通電工程とを備え、前記通電部は、前記ワイヤによる放電加工による前記インゴットのスライスが終了するまで、前記ワイヤと接触しない第２の位置に配置される通電部であり、前記インゴットを前記ワイヤが並設された間隔でスライスする放電加工において用いられる保持装置を用いたインゴットの保持方法であって、
前記並設されたワイヤによる放電加工が行われない第１の位置で前記インゴットを保持する保持工程
を備えることを特徴とするインゴットの保持方法。
【請求項８】
インゴットをワイヤが並設された間隔でスライスするワイヤ放電加工装置であって、
前記並設されたワイヤによる放電加工が行われない第１の位置に配置された前記インゴットを保持する保持部と、
前記保持部のような前記インゴットの保持機能は備えずに、前記インゴットと前記ワイヤとの間に電流が流れるように前記インゴットに通電する通電部とを備え、
前記通電部は、前記並設されたワイヤによる放電加工による前記インゴットのスライスが終了するまで、前記ワイヤと接触しない第２の位置に配置されることを特徴とするワイヤ放電加工装置。
【請求項９】
インゴットをワイヤが並設された間隔でスライスするワイヤ放電加工装置を用いたインゴットの加工方法であって、
前記並設されたワイヤによる放電加工が行われない第１の位置に配置された前記インゴットを保持する保持工程と、
前記保持工程のような前記インゴットの保持機能は備えずに、前記インゴットと前記ワイヤとの間に電流が流れるように前記インゴットに通電する通電工程とを備え、
前記通電工程は、前記並設されたワイヤによる放電加工による前記インゴットのスライスが終了するまで、前記ワイヤと接触しない第２の位置に配置されることを特徴とするインゴットの加工方法。