【事件の表示】
　特願２０１１−２８０５７０「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月　４日出願公開、特開２０１３−１３１６５３、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１２月２１日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年１０月　９日　拒絶理由通知
　平成２７年１２月　１日　意見書・手続補正書
　平成２８年　６月１３日　拒絶査定
　平成２８年　９月１３日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　２月２８日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年　３月３０日　意見書・手続補正書
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２９年３月３０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
基板の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程と、
を有し、
前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されており、
前記第２の導電膜は、金属材料により形成され、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料であってＡｌを含み、
前記熱処理の温度は、４００℃以上、７００℃以下であり、
前記第１の導電膜を形成する工程は、
　前記開口部にレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンが形成されている面に、第１の導電膜を成膜する工程と、
　前記レジストパターンの上に形成されている第１の導電膜を前記レジストパターンとともにリフトオフにより除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
　「この出願については、平成２７年１０月　９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１
・引用文献等　１，４，５
・備考
　上記拒絶理由通知書において引用した引用文献１（第２頁右上欄第１３行ないし同頁左下欄第４行、第３頁右上欄第１９行ないし第５頁右上欄第４行、第１図参照）には、基板２１上に絶縁膜２２を形成し、絶縁膜２２にコンタクトホール２３を形成し、コンタクトホール２３内の絶縁膜２２側壁に金属層２４を形成し、コンタクトホール２３内に露出された基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン層２５を形成する半導体装置の製造方法（以下、『引用発明１』という。）が記載されている。引用発明１の『絶縁膜２２』、『コンタクトホール２３』、『金属層２４』及び『タングステン層２５』は、それぞれ本発明の『絶縁膜』、『開口』、『第１導電膜』及び『第２導電膜』に相当し、両者は『絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の底面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程と、前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面、及び前記第１の絶縁膜の側面に第２の導電膜を形成する工程と、』『を有し、前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されており、前記第２の導電膜は、金属材料により形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。』である点で一致する。引用発明１は、基板２１の上に半導体層を形成する工程を有さない点（相違点１）、及び、熱処理を行う工程を有さない点（相違点２）で、本発明と相違する。
　相違点１について検討する。半導体装置を基板上の半導体層に形成することは、例えば、上記拒絶理由通知書において引用した引用文献４（００３０段落ないし００４３段落参照）及び引用文献５（００３４段落参照）に記載されているように周知慣用技術であり、引用発明１において半導体装置を基板上の半導体層に形成することは、当業者が容易になし得たことである。
　相違点２について検討する。引用文献４（００４２段落及び００４３段落参照）及び引用文献５（００４１段落参照）に記載されているように、電極となる金属膜を形成した後に良好なオーミック特性を得るために熱処理を行うことは周知技術であり、引用発明１は電極のコンタクトを良好に行うことを目的とするものであるから、上記周知技術に基づき引用発明１において良好なオーミック特性を得るよう熱処理を行うことは、当業者が容易になし得たことである。
　出願人は意見書において、引用文献４及び５に記載された熱処理工程を引用発明１に適用する動機づけはなく、後知恵にすぎない旨主張しているが、上記において相違点２について検討したとおり、引用発明１と、引用文献４及び５に記載された発明とは、いずれもコンタクト特性を得るという共通の課題を持つものであるから、動機づけがないとは認められない。よって、上記出願人の主張を採用することはできない。
　したがって、本発明は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
・請求項　２
・引用文献等　１，４，５
・備考
　引用文献４及び５には、電極となる金属膜を形成した後、５５０℃の温度で熱処理を行うことが記載されている。
　その他の点については、上記において請求項１について検討したとおりであるから、本発明は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
・請求項　３
・引用文献等　１，４，５
・備考
　引用文献１には、『金属層２４』を形成した後レジストをマスクとした異方性エッチングによりコンタクトホール内に基板を露出することが記載されている。
　その他の点については、上記において請求項１について検討したとおりであるから、本発明は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開平２−１６６７３１号公報
４．特開２０１１−７１３０７号公報（周知技術を示す文献）
５．特開２０１１−２１０７５１号公報（周知技術を示す文献）」
２　原査定の理由についての当審の判断
（１）引用文献１、４及び５の記載事項並びに引用発明
　ア　引用文献１の記載事項及び引用発明
（ア）引用文献１の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平２−１６６７３１号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）
　ａ「〔従来の技術〕
　以下、従来技術について説明する。
　
第３図（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の製造方法を説明する図である。
　
この図において、２１はＳｉからなる基板、２２は例えばＳｉＯ
２
からなる絶縁膜、２３はコンタクトホール、２４は例えば（Ｗ、ＴｉＷや、ＴｉＮ、ＷＮ等の金属窒化膜等でも良い）Ｔｉからなる金属層、２５は配線として機能するタングステン（Ｗ）層、２６はＡｌからなる配線層である。
　ｂ「〔課題を解決するための手段〕
　本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のため、基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜を形成する工程と、スパッタ法により前記コンタクトホール内及び前記絶縁膜を覆うように金属層を形成する工程と、異方性エッチングにより前記金属層を選択的にエッチングして前記コンタクトホール内に前記基板を露出させるとともに、前記コンタクトホール内の前記絶縁膜側壁に前記金属層を残す工程と、化学気相成長法により前記コンタクトホール内に露出された前記基板及び前記金属層を覆うようにタングステン層を形成する工程と、前記タングステン層をエッチングして前記コンタクトホール内に埋め込む工程と、埋め込まれた前記タングステン層とコンタクトを採るように配線層を形成する工程とを含むものである。」（３ページ上右欄１９行ないし下左欄１５行）
　ｃ「〔作用〕
　本発明は、基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜が形成され、スパッタ法によりコンタクトホール内及び絶縁膜が覆われるように金属層が形成された後、異方性エッチングにより金属層が選択的にエッチングされてコンタクトホール内に基板が露出されるとともに、コンタクトホール内の絶縁膜側壁に金属層が残される。次いで、化学気相成長法により露出された基板及び金属層が覆われるようにタングステン層が形成され、タングステン層がエッチングされてコンタクトホール内に埋め込まれた後、埋め込まれたタングステン層とコンタクトを採るように配線層が形成される。
　したがって、
第１図（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法によりタングステン層２５がコンタクトホール２３を覆って形成される際、第２図に示すように、タングステンはＳｉからなる基板２１上を成長する成長速度（Ａ部）とスパッタ法により形成した金属層２４上を成長する成長速度（Ｂ部）とが異なっており、Ｓｉからなる基板２１上を成長する成長速度の方が速くなっている。このため、コンタクトホール２３を覆ってタングステン層２５を形成する際、コンタクトホール２３内の露出された基板２１上の方（第２図に示すＡ部）がコンタクトホール２３内の金属層２４横方向（Ｂ部）よりも成長速度が大きく厚く形成することができるため、タングステン層２５に中空を入り難くすることができ、
　ｄ「〔実施例〕
　以下、本発明を図面に基づいて説明する。
　
第１図及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例を説明する図であり、第１図（ａ）〜（ｆ）は一実施例の製造工程を説明する図
　
これらの図において、第３図（ａ）〜（ｅ）と同一符号は同一または相当部分を示し、１はレジスト膜である。
　なお、金属層２４は絶縁膜２２とタングステン層２５に対して密着膜として機能しうるものである。
　次に、その製造工程について説明する。
　まず、
第１図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法により基板２１上にＳｉＯ
２
を堆積して膜厚が例えば１μｍの絶縁膜２２を形成した後、例えばＲＩＥ法により絶縁膜２２を選択的にエッチングして直径が例えば０．５φのコンタクトホール２３を形成する。
　次に、
第１図（ｂ）に示すように、スパッタ法によりコンタクトホール２３内及び絶縁膜２２を覆うようにＴｉを堆積して膜厚が例えば５００Åの金属層２４を形成する。
　次に、
第１図（ｃ）に示すように、金属層２４上にレジスト膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマスクとして異方性エッチングにより金属層２４を選択的にエッチングしてコンタクトホール２３内に基板２１を露出させるとともに、コンタクトホール２３内の絶縁膜２２側壁に金属層２４を残す。
　次に、
第１図（ｄ）に示すように、レジスト膜１を除去した後、ＣＶＤ法によりコンタクトホール内に露出された基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン層２５を形成する。
　次に、
第１図（ｅ）に示すように、タングステン層２５をエッチバックしてコンタクトホール２３内に埋め込む。
　そして、
第１図（ｆ）に示すように、スパッタ法により埋め込まれたタングステン層２５とコトタクトを採るようにＡｌを堆積して配線層２６を形成する。
　すなわち、上記実施例では、第１図（ｃ）に示すように、コンタクトホール２３内に基板２１を露出させるとともに、コンタクトホール２３内の絶縁膜２２側壁に金属層２４を残るようにした後、第１図（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法により、コンタクトホール２３内に露出された基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン層２５を形成している。
ここで、ＣＶＤ法によりタングステン層２５がコンタクトホール２３を覆って形成される際、第２図に示すように、タングステンはＳｉからなる基板２１上を成長する成長速度（Ａ部）とスパッタ法により形成した金属層２４上を成長する成長速度（Ｂ部）とが異なっており、Ｓｉからなる基板２１上を成長する成長速度の方が速くなっている。このため、コンタクトホール２３を覆ってタングステン層２５を形成する際、コンタクトホール２３内の露出された基板２１上（第２図に示すＡ部）の方がコンタクトホール２３内の金属層２４横方向（Ｂ部）よりも成長速度が大きく厚く形成することができるため、タングステン層２５に中空を入り難くすることができる。
（イ）引用発明
　上記（ア）の引用文献１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「Ｓｉからなる基板２１上にＳｉＯ２を堆積して絶縁膜２２を形成する工程と、
　前記絶縁膜２２を選択的にエッチングしてコンタクトホール２３を形成する工程と、
　スパッタ法により、前記コンタクトホール２３内及び前記絶縁膜２２を覆うようにＴｉを堆積して金属層２４を形成する工程と、
　前記金属層２４上にレジスト膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマスクとして異方性エッチングにより前記金属層２４を選択的にエッチングして前記コンタクトホール２３内に前記基板２１を露出させるとともに、前記コンタクトホール２３内の前記絶縁膜２２側壁に前記金属層２４を残す工程と、
　前記レジスト膜１を除去する工程と、
　ＣＶＤ法により、前記コンタクトホール２３内に露出された前記基板２１及び前記金属層２４を覆うように、タングステン層２５を形成する工程と、
　前記タングステン層２５をエッチバックして前記コンタクトホール２３内に埋め込む工程と、
　埋め込まれた前記タングステン層２５とコンタクトを採るようにＡｌを堆積して配線層２６を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　イ　引用文献４の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１１−７１３０７号公報（以下「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３０】
３−３．チャネル層
　
チャネル層３は、基板１の上に設けられ、
・・・
【００３７】
　また、
チャネル層３は、例えば、基板１の上にＣＶＤにより形成することができる。
・・・
【００３９】
３−４．バリア層
　
バリア層４は、チャネル層３の上に設けられ、
・・・
【００４１】
　また、
バリア層４は、例えば、チャネル層３の上にＣＶＤにより形成することができる。
【００４２】
３−５．ソース電極
　
ソース電極６は、バリア層４上にソース電極６、ゲート電極７およびドレイン電極８の順で離間して設けられるように設けられ、
・・・
　また、
ソース電極６は、真空蒸着法、スパッタ法などにより形成した後、熱処理を行うことができる。熱処理は、特に限定されないが、例えば、５５０℃で１分間行うことができる。このことにより、ソース電極６とチャネル層３は、第１のｎ型不純物拡散層１２を介してオーミック接続することができる。
【００４３】
３−６．ドレイン電極
　
ドレイン電極８は、バリア層４上にソース電極６、ゲート電極７およびドレイン電極８の順で離間して設けられるように設けられ、
・・・
　また、
ドレイン電極８は、真空蒸着法、スパッタ法などにより形成した後、熱処理を行うことができる。熱処理は、特に限定されないが、例えば、５５０℃で１分間行うことができる。このことにより、ドレイン電極８とチャネル層３は、第２のｎ型不純物拡散層１２を介してオーミック接続することができる。
　ウ　引用文献５の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１１−２１０７５１号公報（以下「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３４】
　まず、
基板（図示せず）上に、III族窒化物半導体によりチャネル層９０１を形成する（チャネル層形成工程）。次に、チャネル層９０１上に、ＡｌＮ等により、障壁層９０９を形成する。さらに、障壁層９０９上面（チャネル層９０１上方）に、III族窒化物半導体をヘテロ接合させてもう一層の障壁層９０２を形成する（障壁層形成工程）。
・・・
【００４１】
　さらに、前記凹部の側面および底面を介して前記ｎ型導電層領域にオーミック接触する
オーミック電極（ソース電極９０６およびドレイン電極９０７）を形成する（オーミック電極形成工程）。
オーミック・アロイを行えば、さらに低抵抗化し、かつ熱安定性に関して信頼性の高いオーミック電極を得ることが出来る。前記オーミック・アロイは、例えば、５５０℃未満の低温条件で行っても良い。
（２）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明における「絶縁膜２２」は、本願発明における「絶縁膜」に相当するといえる。
　そして、引用発明における「Ｓｉからなる基板２１上にＳｉＯ２を堆積して絶縁膜２２を形成する工程」と、本願発明における「前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程」とは、「絶縁膜を形成する工程」である点において共通し、下記相違点１−１において相違するといえる。
　イ　引用発明における「コンタクトホール２３」は、「開口部」であるといえる。
　また、引用発明における「前記絶縁膜２２を選択的にエッチングしてコンタクトホール２３を形成する工程」においては、絶縁膜２２の所定の領域にコンタクトホール２３を形成しているといえる。
　さらに、上記（１）ア（ア）ｄの引用文献１の記載（４ページ上右欄７行ないし１４行）及び引用文献１の第１図（ａ）の記載より、引用発明における「コンタクトホール２３」は、「絶縁膜２２」の側面を露出させるものであるといえる。
　そうすると、引用発明における「コンタクトホール２３」は、下記相違点１−２を除き、本願発明における「開口部」に相当するといえ、引用発明における「前記絶縁膜２２を選択的にエッチングしてコンタクトホール２３を形成する工程」と、本願発明における「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程」とは、「前記絶縁膜の所定の領域に、前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程」である点において共通し、下記相違点１−２において相違するといえる。
　ウ　引用発明における「金属層２４」が導電性を有することは明らかである。また、上記（１）ア（ア）ｄの引用文献１の記載（４ページ上右欄１５行ないし１８行）より、引用発明における「金属層２４」は、膜状のものであるといえる。したがって、引用発明における「金属層２４」は、「導電膜」であるといえる。
　また、上記（１）ア（ア）ｄの引用文献１の記載（４ページ上右欄１５行ないし下左欄１０行）及び引用文献１の第１図（ａ）ないし（ｃ）の記載より、引用発明における「スパッタ法により、前記コンタクトホール２３内及び前記絶縁膜２２を覆うようにＴｉを堆積して金属層２４を形成する工程と、前記金属層２４上にレジスト膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマスクとして異方性エッチングにより前記金属層２４を選択的にエッチングして前記コンタクトホール２３内に前記基板２１を露出させるとともに、前記コンタクトホール２３内の前記絶縁膜２２側壁に前記金属層２４を残す工程」においては、コンタクトホール２３により露出した絶縁膜２２の側面に金属膜２４を形成しているといえる。
　そうすると、引用発明における「金属層２４」は、本願発明における「第１の導電膜」に相当するといえ、引用発明における「スパッタ法により、前記コンタクトホール２３内及び前記絶縁膜２２を覆うようにＴｉを堆積して金属層２４を形成する工程と、前記金属層２４上にレジスト膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマスクとして異方性エッチングにより前記金属層２４を選択的にエッチングして前記コンタクトホール２３内に前記基板２１を露出させるとともに、前記コンタクトホール２３内の前記絶縁膜２２側壁に前記金属層２４を残す工程」と、本願発明における「前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程」とは、「前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程」である点において共通するといえる。
　エ　引用発明における「タングステン層２５」が導電性を有することは明らかであるから、引用発明における「タングステン層２５」と、本願発明における「第２の導電膜」とは、「導電性物質」である点において共通するといえる。
　また、上記（１）ア（ア）ｄの引用文献１の記載（４ページ下左欄１１行ないし下右欄６行）及び引用文献１の第１図（ｃ）ないし（ｅ）の記載より、引用発明における「ＣＶＤ法により、前記コンタクトホール２３内に露出された前記基板２１及び前記金属層２４を覆うように、タングステン層２５を形成する工程と、前記タングステン層２５をエッチバックして前記コンタクトホール２３内に埋め込む工程」においては、コンタクトホール２３により露出した基板２１の表面、及び金属層２４の側面に、タングステン層２５を形成しているといえる。
　そうすると、引用発明における「ＣＶＤ法により、前記コンタクトホール２３内に露出された前記基板２１及び前記金属層２４を覆うように、タングステン層２５を形成する工程と、前記タングステン層２５をエッチバックして前記コンタクトホール２３内に埋め込む工程」と、本願発明における「前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程」とは、「前記第１の導電膜の側面に導電性物質を形成する工程」である点において共通し、下記相違点１−２及び１−３において相違するといえる。
　オ　引用発明における「配線層２６」が導電性を有することは明らかであり、また、上記（１）ア（ア）ｄの引用文献１の記載（４ページ下右欄７行ないし１２行）より、引用発明における「配線層２６」は、膜状のものであるといえる。したがって、引用発明における「配線層２６」は、「導電膜」であるといえる。
　また、上記（１）ア（ア）ｄの引用文献１の記載（４ページ下右欄７行ないし１０行）及び引用文献１の第１図（ｆ）の記載より、引用発明における「埋め込まれた前記タングステン層２５とコンタクトを採るようにＡｌを堆積して配線層２６を形成する工程」においては、タングステン層２５の上に配線層２６を形成しているといえる。
　そうすると、引用発明における「配線層２６」は、本願発明における「第３の導電膜」に相当するといえ、引用発明における「埋め込まれた前記タングステン層２５とコンタクトを採るようにＡｌを堆積して配線層２６を形成する工程」と、本願発明における「前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程」とは、「前記導電性物質の上に第３の導電膜を形成する工程」である点において共通し、下記相違点１−３において相違するといえる。
　カ　引用発明における「タングステン層２５」は、金属からなるものであるといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「前記導電性物質は、金属材料により形成され」る点において共通し、下記相違点１−３において相違するといえる。
　キ　引用発明における「埋め込まれた前記タングステン層２５とコンタクトを採るようにＡｌを堆積して配線層２６を形成する工程」においては、Ａｌを堆積することにより配線層２６を形成しているのであるから、引用発明における「配線層２６」は、Ａｌを含むものであるといえる。
　また、引用発明における「タングステン層２５」は、タングステンからなるものであり、「配線層２６」は、Ａｌを堆積することにより形成されるものであるから、引用発明における「配線層２６」は、「タングステン層２５」とは異なる金属材料からなるものであるといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「前記第３の導電膜は、前記導電性物質に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料であってＡｌを含」む点において共通し、下記相違点１−３において相違するといえる。
　ク　本願発明と引用発明とは、「半導体装置の製造方法」である点において共通するといえる。
　ケ　以上から、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ア）一致点
　「絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定の領域に、前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜の側面に導電性物質を形成する工程と、
前記導電性物質の上に第３の導電膜を形成する工程と、
を有し、
前記導電性物質は、金属材料により形成され、
前記第３の導電膜は、前記導電性物質に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料であってＡｌを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（イ）相違点
　・相違点１−１　本願発明は「基板の上に半導体層を形成する工程」を有し、半導体層の上に絶縁膜を形成するのに対し、引用発明は、「基板の上に半導体層を形成する工程」を有しておらず、基板２１の上に絶縁膜（絶縁膜２２）を形成する点。
　・相違点１−２　本願発明では、半導体層の表面を露出させる開口部を形成し、開口部により露出した半導体層の表面に導電性物質（第２の導電膜）を形成するのに対し、引用発明では、基板２１の表面を露出させる開口部（コンタクトホール２３）を形成し、開口部（コンタクトホール２３）により露出した基板２１の表面に導電性物質（タングステン層２５）を形成する点。
　・相違点１−３　本願発明における導電性物質は「第２の導電膜」であるのに対し、引用発明における導電性物質（タングステン層２５）は、コンタクトホール内に埋め込まれたものであり、「膜」と言い得るのか不明である点。
　・相違点１−４　本願発明は「前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程」を有し、熱処理の温度は、４００℃以上、７００℃以下であるのに対し、引用発明は、「熱処理を行なう工程」を有しておらず、熱処理の温度を特定しない点。
　・相違点１−５　本願発明では、第１の導電膜が、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されるのに対し、引用発明では、Ｔｉを堆積することにより第１の導電膜（金属層２４）を形成しており、第１の導電膜（金属層２４）が窒化物又はタングステンを含む材料により形成されるものではない点。
　・相違点１−６　本願発明では、「第１の導電膜を形成する工程」が、「前記開口部にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンが形成されている面に、第１の導電膜を成膜する工程と、前記レジストパターンの上に形成されている第１の導電膜を前記レジストパターンとともにリフトオフにより除去する工程」とを有するのに対し、引用発明では、開口部（コンタクトホール２３）内を覆うようにＴｉを堆積して第１の導電膜（金属層２４）を形成し、第１の導電膜（金属層２４）上にレジスト膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマスクとして異方性エッチングにより第１の導電膜（金属層２４）を選択的にエッチングして開口部（コンタクトホール２３）内の絶縁膜（絶縁膜２２）側壁に第１の導電膜（金属層２４）を残すことにより、第１の導電膜（金属層２４）を形成しており、「前記開口部にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンが形成されている面に、第１の導電膜を成膜する工程と、前記レジストパターンの上に形成されている第１の導電膜を前記レジストパターンとともにリフトオフにより除去する工程」を有しない点。
（３）判断
　引用文献１、４及び５には、相違点１−６に係る構成について、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明は、相違点１−６に係る構成を備えることによって、「開口部４１の底面４１ａにおいて露出している電子供給層２２にエッチングによるダメージを与えることなく、第１の導電膜５１を開口部４０の側面４１ｂに形成することができる。」（本願明細書の段落【００４７】）という、引用発明にはない格別の効果を奏するものである。
　したがって、相違点１−１ないし１−５について検討するまでもなく、本願発明は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　３　原査定の理由についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２９年２月２８日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
「１．（サポート要件）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
１．理由１（サポート要件）について
（１）請求項１及び２について
　ア　本願の請求項１に『前記絶縁膜の所定の領域に、前記
半導体層の底面
を露出させる開口部を形成する
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、半導体層の
底面
表面
　請求項１を引用する請求項２についても上記と同様の点が指摘される。
　よって、請求項１及び２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　イ　本願の請求項１に『前記開口部により露出した
前記半導体層の前記底面、及び前記第１の絶縁膜の側面に第２の導電膜を形成する工程
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、半導体層の
底面
第１の絶縁膜の側面
　請求項１を引用する請求項２についても上記と同様の点が指摘される。
　よって、請求項１及び２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（２）請求項２について
　ア　本願の請求項２に『前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面及び前記開口部により露出した
前記半導体層の前記底面に、第１の導電膜を成膜する工程
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、半導体層の
底面
　よって、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　イ　本願の請求項２に『前記開口部により露出した
前記半導体層の前記底面の位置に対応して開口を有するレジストパターンを形成する工程
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、半導体層の
底面
　よって、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
２．理由２（明確性）について
（１）請求項１及び２について
　ア　本願の請求項１の『前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程』との記載より、本願の請求項１に係る発明においては、『半導体層』の上に『絶縁膜』が形成されるものと認められる。
　そうすると、当該『絶縁膜』に開口部を形成した場合には、『半導体層』の
表面
底面
半導体層の底面
を露出させる開口部を形成する
前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面、
　請求項１を引用する請求項２についても上記と同様の点が指摘される。
　よって、請求項１及び２に係る発明は明確でない。
　イ　本願の請求項１に『前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面、及び
前記第１の絶縁膜
　請求項１を引用する請求項２についても上記と同様の点が指摘される。
　よって、請求項１及び２に係る発明は明確でない。
　ウ　本願の請求項１に『前記熱処理の温度は、前記半導体層と前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜とのオーミックコンタクト抵抗、及び前記第３の導電膜に含まれるＡｌの融点を考慮して設定されている』と記載されている。
　しかしながら、上記記載からは、具体的にどのような考慮をするのかが不明であり、上記記載により特定される熱処理の温度の範囲が不明確である。
　また、『考慮し』との記載は人間の精神活動を表現したものと認められるところ、『考慮し』たか否かは外形上明らかでないため、どのような行為が請求項１に係る発明の技術的範囲に属することとなるのかが不明確である。
　請求項１を引用する請求項２についても上記と同様の点が指摘される。
　よって、請求項１及び２に係る発明は明確でない。
（２）請求項２について
　ア　本願の請求項１の『前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程』との記載より、請求項１に係る発明においては、『半導体層』の上に『絶縁膜』が形成されるものと認められる。
　そうすると、当該『絶縁膜』に開口部を形成した場合には、『半導体層』の
表面
底面
前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面
前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面
　よって、請求項２に係る発明は明確でない。
３．理由３（進歩性）について
　以下では、本願の請求項１の『前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の
底面
表面
底面
第１の絶縁膜
表面
第１の導電膜
底面
表面
底面
表面
『【請求項１】
基板の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の
表面
前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記半導体層の前記
表面
導電膜
前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程と、
を有し、
前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されており、
前記第２の導電膜は、金属材料により形成され、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料であってＡｌを含み、
前記熱処理の温度は、前記半導体層と前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜とのオーミックコンタクト抵抗、及び前記第３の導電膜に含まれるＡｌの融点を考慮して設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の導電膜を形成する工程は、
前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面及び前記開口部により露出した前記半導体層の前記
表面
前記開口部により露出した前記半導体層の前記
表面
前記レジストパターンの形成されていない領域の前記第１の導電膜をドライエッチング又はウェットエッチングにより除去する工程と、
を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。』
（１）請求項１について
　ア　引用文献１の段落［００８３］及び［図１４］には、『ＳｉＣ基板１２』上にｎ型不純物を含む『ＳｉＣ層１４』を成長させることが記載されており、引用文献１に記載された発明（以下『引用発明』という。）における『ＳｉＣ層１４』は『半導体層』であるといえる。
　そうすると、引用発明における『ＳｉＣ基板１２』及び『ＳｉＣ層１４』はそれぞれ、本願の請求項１に係る発明（以下『本願発明１』という。）における『基板』及び『半導体層』に相当するといえ、本願発明１と引用発明とは、『基板の上に半導体層を形成する工程』を有する点において共通するといえる。
　イ　引用文献１の段落［００８７］には、ゲート電極３０上に『層間絶縁膜７２』を堆積することが記載されている。引用文献１の段落［００８４］ないし［００８７］及び［図１５］ないし［図１７］の記載より、引用発明における『層間絶縁膜７２』は『ＳｉＣ層１４』の上に形成されているといえる。
　そうすると、引用発明における『層間絶縁膜７２』は、本願発明における『絶縁膜』に相当するといえ、本願発明１と引用発明とは、『前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程』を有する点において共通するといえる。
　ウ　引用文献１の段落［００８７］には、レジスト４０ｆをマスクとして『層間絶縁膜７２』をパターニングし、さらに同一のレジストマスクを用いて、ソース領域を貫通し『ｐウェルコンタクト領域２０』に達する『第２のトレンチ８２』を形成することが記載されている。
　引用文献１の段落［００８４］の記載より、引用発明における『ｐウェルコンタクト領域２０』は『ＳｉＣ層１４』に形成されたものであり、『ＳｉＣ層１４』の一部分であるといえるから、引用発明における『第２のトレンチ８２』は『『ＳｉＣ層１４』の表面を露出させる開口部』であるといえる。
　また、引用文献１の段落［００８７］及び［図１７］の記載より、引用発明における『第２のトレンチ８２』は、『『層間絶縁膜７２』の側面を露出させる』ものといえる。
　そうすると、引用発明における『第２のトレンチ８２』は、本願発明１における『開口部』に相当するといえ、本願発明１と引用発明とは、『前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程』を有する点において共通するといえる。
　エ　引用文献１の段落［００８８］には、Ｎｉの『金属膜２４ａ』を堆積し、『第２のトレンチ８２』底部の『金属膜２４ａ』を除去することが記載されている。引用文献１の段落［００８８］及び［図１８］の記載より、引用発明における『金属膜２４ａ』は、『第２のトレンチ８２』により露出した『層間絶縁膜７２』の側面に形成されているといえる。
　また、引用文献１の段落［００２８］には、『第１の電極２４』として、Ｗ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料を用いることが記載されている。引用文献１の段落［００８８］ないし［００９１］及び［図１８］ないし［図２０］の記載より、『金属膜２４ａ』は『第１の電極２４』の材料となるものであるといえるから、『第１の電極２４』として、Ｗ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料を用いる場合には、『金属膜２４ａ』を、Ｗ、ＴｉＮ又はＴａＮを含む材料により形成することは明らかであるといえる。
　そうすると、引用発明における『金属膜２４ａ』は、本願発明１における『第１の導電膜』に相当するといえ、本願発明１と引用発明とは、『前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程』を有する点、及び、『前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成され』ている点において共通するといえる。
　オ　引用文献１の段落［００８９］には、ＴｉとＡｌの『金属膜２６ａ』を堆積することが記載されている。引用文献１の段落［００２９］には、『第２の電極２６』が『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』を堆積した電極であることが記載されており、引用文献１の段落［００８９］ないし［００９３］並びに［図１９］及び［図２０］の記載より、『金属膜２６ａ』は『第２の電極２６』の材料となるものであるといえるから、『金属膜２６ａ』は『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』を積層した金属膜であるといえる。
　また、引用文献１の段落［００８９］及び［図１９］の記載より、引用発明における『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』を積層した『金属膜２６ａ』のうち下側のもの（以下『下層金属膜』という。）は、『第２のトレンチ８２』により露出した『ＳｉＣ層１４』の表面、及び『金属膜２４ａ』の側面に形成され、『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』を積層した『金属膜２６ａ』のうち上側のもの（以下『上層金属膜』という。）は、『下層金属膜』の上に形成されるといえる。
　そうすると、引用発明における『下層金属膜』及び『上層金属膜』は、後述する相違点１を除いて、本願発明１の『第２の導電膜』及び『第３の導電膜』に相当するといえ、本願発明１と引用発明とは、『前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程』を有する点、『前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程』を有する点、『前記第２の導電膜は、金属材料により形成され』る点、及び『前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料』である点において共通するといえる。
　カ　引用文献１の段落［００９２］には、熱処理を行うことが記載されている。引用文献１の段落［００８７］ないし［００９２］及び［図１８］ないし［図２０］の記載より、引用発明における熱処理は、『金属膜２６ａ』、『下層金属膜』及び『上層金属膜』を形成した後で行われるものといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、『前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程』を有する点において共通するといえる。
　キ　引用文献１の段落［００９３］及び［００９４］の記載より、引用発明は『ＭＯＳＦＥＴ』の製造方法であるといえ、本願発明１と引用発明とは、『半導体装置の製造方法』である点において共通するといえる。
　ク　以上から、本願発明１と引用発明とは、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。
（ア）一致点
　『基板の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程と、
を有し、
前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されており、
前記第２の導電膜は、金属材料により形成され、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。』
（イ）相違点
　・相違点１　本願発明１は『第３の導電膜』が『Ａｌを含』むのに対し、引用発明は、『下層金属膜』及び『上層金属膜』が『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』の積層であることは特定するものの、『上層金属膜』が『Ａｌを含』むとは特定しない点。
　・相違点２　本願発明１は『前記熱処理の温度は、前記半導体層と前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜とのオーミックコンタクト抵抗、及び前記第３の導電膜に含まれるＡｌの融点を考慮して設定されている』という構成を備えるのに対し、引用発明は当該構成について特定しない点。
　ケ　上記相違点１について検討する。引用文献１の段落［００３８］及び［００３９］の記載より、Ａｌと『層間絶縁膜３２』とを離隔すべきことは当業者にとって明らかである。また、引用文献１の段落［００９３］には、『第２の電極２６』の上にＡｌの金属膜を成膜することが記載されており、密着性を高めるために『上層金属層』をＡｌとすることが好適であることは当業者にとっては明らかである。
　仮にこれらの点が明らかであるといえないとしても、『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』の積層としては、Ａｌを上層とするかＴｉを上層とするかの２つの選択肢しか存在しないのであるから、このうち前者を採用することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、『上層金属層』をＡｌとし『下層金属層』をＴｉとすることによって上記相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　コ　次に、上記相違点２について検討する。引用文献１の段落［００９２］の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用発明における熱処理は、『金属膜２４ａ』、『金属膜２６ａ』と、『ソース領域１８』、『ｐウェルコンタクト領域２０』とのオーミックコンタクトを形成するために行われていることは明らかである。そして、引用文献１の段落［００２８］及び［００２９］の記載並びに当該技術分野における技術常識より、オーミックコンタクト抵抗を考慮して熱処理における温度条件を設定すべきことは明らかであるといえる。
　また、引用発明における『金属膜２６ａ』は『Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）』の積層であり、熱処理において『金属膜２６ａ』を溶融すべきでないことは明らかであるから、Ａｌの融点を考慮して熱処理における温度条件を設定すべきであることも明らかであるといえる。
　そうすると、引用発明における熱処理の際に、『ＳｉＣ層１４』と『金属膜２４ａ』及び『下層金属膜』とのオーミックコンタクト抵抗、及び『Ａｌ』の融点を考慮して温度を設定することにより、上記相違点２に係る構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　サ　以上より、本願発明１は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることが出来ない。
（２）請求項２について
　ア　引用文献１の段落［００８８］、［図１７］及び［図１８］の記載より、本願の請求項２に係る発明（以下『本願発明２』という。）と引用発明とは、『前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面及び前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面に、第１の導電膜を成膜する工程』を有する点において共通するといえる。
　イ　本願発明２と引用発明とを比較すると、上記相違点１及び２に加えて、下記の点において相違する。
　・相違点３　本願発明２は『前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面の位置に対応して開口を有するレジストパターンを形成する工程』と『前記レジストパターンの形成されていない領域の前記第１の導電膜をドライエッチング又はウェットエッチングにより除去する工程』という構成を備えるのに対し、引用発明は当該構成について特定しない点。
　ウ　上記相違点３について検討する。金属膜をパターニングするために、金属膜の上にレジストパターンを形成し、レジストパターンの形成されていない領域の金属膜をウェットエッチング又はドライエッチングにより除去することは、引例を挙げるまでもなく周知の技術である。そうすると、引用発明において、『第２のトレンチ８２』底部の『金属膜２４ａ』を除去するために、ＲＩＥ法などの異方性エッチングを行う方法に代えて、『金属膜２４ａ』の上に『第２のトレンチ８２』底部（『ＳｉＣ層１４』表面）の位置に対応して開口を有するレジストパターンを形成し、レジストパターンの形成されていない領域の『金属膜２４ａ』をウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する方法を採用することにより、上記相違点３に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　エ　また、相違点１及び２については、上記（１）ケ及びコと同様である。
　オ　以上より、本願発明２は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることが出来ない。
　　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２０１０−２３８７３８号公報」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）サポート要件について
　ア　当審拒絶理由の１．（１）アにおいて、本願の請求項１に「前記絶縁膜の所定の領域に、前記
半導体層の底面
を露出させる開口部を形成する
底面
　これに対し、平成２９年３月３０日付け手続補正により、請求項１の「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の底面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程」との記載が「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の
表面
　イ　当審拒絶理由の１．（１）イにおいて、本願の請求項１に「前記開口部により露出した
前記半導体層の前記底面、及び前記第１の絶縁膜の側面に第２の導電膜を形成する工程
底面
第１の絶縁膜の側面
　これに対し、平成２９年３月３０日付け手続補正により、請求項１の「前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面、及び前記第１の絶縁膜の側面に第２の導電膜を形成する工程」との記載が「前記開口部により露出した前記半導体層の前記
表面
第１の導電膜
　ウ　当審拒絶理由の１．（２）ア及びイにおいて、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月３０日付け手続補正により、請求項２が削除されたため、上記拒絶理由は解消した。
　エ　上記アないしウのとおり、当審拒絶理由の「１．理由１（サポート要件）について」に示した拒絶の理由は全て解消している。
（２）明確性について
　ア　当審拒絶理由の２．（１）ア及びイにおいて、請求項１の「前記絶縁膜の所定の領域に、前記
半導体層の底面
を露出させる開口部を形成する
前記開口部により露出した前記半導体層の前記底面、
前記第１の絶縁膜
　これに対し、平成２９年３月３０日付け手続補正により、請求項１の「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の底面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程」との記載が「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の
表面
表面
第１の導電膜
　イ　当審拒絶理由の２．（１）ウにおいて、請求項１の「前記熱処理の温度は、前記半導体層と前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜とのオーミックコンタクト抵抗、及び前記第３の導電膜に含まれるＡｌの融点を考慮して設定されている」との記載が不明確である旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月３０日付け手続補正により、請求項１の「前記熱処理の温度は、前記半導体層と前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜とのオーミックコンタクト抵抗、及び前記第３の導電膜に含まれるＡｌの融点を考慮して設定されている」との記載が「
前記熱処理の温度は、４００℃以上、７００℃以下であり、
　ウ　当審拒絶理由の２．（２）アにおいて、請求項２に係る発明が明確でない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月３０日付け手続補正により、請求項２が削除されたため、上記拒絶理由は解消した。
　エ　上記アないしウのとおり、当審拒絶理由の「２．理由２（明確性）について」に示した拒絶の理由は全て解消している。
（３）進歩性について
　ア　当審引用文献の記載事項及び当審引用発明
（ア）当審引用文献の記載事項
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−２３８７３８号公報（以下「当審引用文献」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ａ「【００１９】
（第１の実施の形態）
・・・
【００２０】
　図１は、本実施の形態の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの構成を示す断面図である。このＭＯＳＦＥＴ１００は、第１と第２の主面を有するＳｉＣ基板（炭化珪素基板）１２を備えている。
・・・
【００２８】
　
第１の電極２４は、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される金属元素を含有する電極である。
【００２９】
　また、
第２の電極２６は、
Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した電極である。
・・・
【００３８】
　さらに、
本実施の形態のＭＯＳＦＥＴ１００は、Ａｌを含有する第２の電極２６と層間絶縁膜３２との間に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される金属元素を含有する第１の電極２４が介在するよう構成されている。ＳｉＣを用いた半導体装置は、２００℃以上の高温での動作が可能である。一方、このような高温の動作環境では、層間絶縁膜と電極との反応が進み、電極間ショート等の信頼性不良が生ずることが懸念される。特に、電極にＡｌを含む材料を用い、層間絶縁膜にＳｉを含有するシリコン酸化膜等を用いると、Ａｌのシリサイド化が進行し、信頼性不良の懸念が増長される。
【００３９】
　
ＭＯＳＦＥＴ１００は、層間絶縁膜と反応性の高いＡｌを含む電極が、直接、層間絶縁膜に接することをできるだけ排除するために、層間絶縁膜とＡｌを含む電極との間に、層間絶縁膜との反応性がＡｌより低いＮｉ、Ｔｉ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される金属元素を含む電極を介在させる。これにより、Ａｌと層間絶縁膜との反応を防止し、信頼性不良の発生を抑制する。したがって、信頼性に優れた半導体装置が実現可能となる。具体的には、例えば、ゲート電極３０と第１の主電極３４間の層間絶縁膜３２の耐圧に関する信頼性不良が発生することが抑制される。
　ｂ「【００６２】
（第３の実施の形態）
・・・
【００６３】
　本実施の形態の半導体装置は、トレンチの側面をチャネル領域とするいわゆるトレンチＭＯＳＦＥＴである。
ソースコンタクト電極とｐウェルコンタクト電極をトレンチ内に有する構成については、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
【００６４】
　図１２は、本実施の形態の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの構成を示す断面図である。
・・・
【００７３】
　
第１の電極（ソースコンタクト電極）２４は、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される金属元素を含有する電極である。例えば、ＮｉＳｉ、ＴｉＮ、ＴａＮである。
【００７４】
　また、
第２の電極２６は、
Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した電極である。
・・・
【００８２】
　次に
本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図１４〜図２０は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００８３】
　図１４に示すように、ｎ型不純物としてＰ（リン）またはＮ（窒素）を不純物濃度１×１０１９ｃｍ−３程度含む、厚さ３００μｍであり、六方晶系の結晶格子を有する低抵抗のＳｉＣ基板１２を準備する。そして、
ＳｉＣ基板１２上にエピタキシャル成長法により、ｎ型不純物としてＰを不純物濃度１×１０
１６
ｃｍ
−３
程度含み、厚さが１０μｍ程度の高抵抗のＳｉＣ層１４を成長させる。
【００８４】
　次に、図１５に示すように、
ＳｉＣ層１４の全面に、ｐ型不純物であるＡｌをイオン注入し、ｐウェル領域１６を形成する。
ｎ型不純物であるＰをＳｉＣ層１４にイオン注入し、ソース領域１８を形成する。
【００８５】
　次に、図１６に示すように、ＳｉＣ層１４の上面にレジスト４０ｅをパターニングし、トレンチエッチングマスクを形成する。そして、このマスクを用いて、
ソース領域１８およびｐウェル領域１６を貫通し、ｎ
−
層１４に達する第１のトレンチ６２を、例えばＲＩＥ法により形成する。
【００８６】
　次に、図１７に示すようにレジスト４０ｅを剥離する。そして、第１のトレンチ６２底部に絶縁物６４を形成する。そして、第１のトレンチ６２側面の、ソース領域１８、ｐウェル領域１６および、ｎ−層１４の表面に連続的にゲート絶縁膜６８を形成する。ゲート絶縁膜６８の形成には、例えば、熱酸化法あるいはＣＶＤ法等を用いる。その後、ゲート絶縁膜６８上にポリシリコン膜を成膜したのち、ＣＭＰ等で
第１のトレンチ６２内にのみポリシリコン膜を残しゲート電極７０を形成する。
【００８７】
　その後、ゲート電極３０上に、例えば、
シリコン酸化膜の層間絶縁膜７２を堆積する。
層間絶縁膜７２をレジスト４０ｆをマスクにＲＩＥ法によりパターニングする。さらに、同一のレジストマスクを用いて、ソース領域１８を貫通し、ｐウェルコンタクト領域２０に達する第２のトレンチ８２を、例えばＲＩＥ法により形成する。
【００８８】
　次に、
図１８に示すように、例えば、蒸着法やスパッタ法によりＮｉの金属膜２４ａを堆積する。
ＲＩＥ法などの異方性エッチングを行い、第２のトレンチ８２底部の金属膜２４ａを除去する。
【００８９】
　その後、
図１９に示すように、例えば、スパッタ法により、例えば、ＴｉとＡｌの金属膜２６ａを堆積する。
【００９０】
　そして、図２０に示すように、レジスト４０ｆを剥離することで、不要な金属膜をリフトオフする。
【００９１】
　このようにして、第２のトレンチ８２側面のソース領域１８上および層間絶縁膜７２の側面にＮｉ、Ｔｉ、Ｔａ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される金属元素を含有する第１の電極２４を形成し、第２のトレンチ８２底部のｐウェルコンタクト領域２０上および第２のトレンチ８２側面の第１の電極２４上にＡｌを含有する第１の電極２４を形成する。
【００９２】
　次に、ＳｉＣ基板１２の第２の主面側、すなわち裏面側に、例えば、Ｎｉの金属膜を蒸着し、第２の主電極３６を形成する。第２の主電極３６はドレイン電極である。例えば
９５０℃程度の熱処理を行い、Ｎｉの金属膜とＳｉＣ基板１２を反応させる。同時に、金属膜２４ａ、２６ａと、ソース領域１８、ｐウェルコンタクト領域２０のＳｉＣを反応させる。
【００９３】
　次に、第１の電極２４と第２の電極２６上に、例えば、スパッタ法によりＡｌの金属膜を成膜し第１の主電極３４を形成する。第１の主電極３４は、ソース・ｐウェル共通電極である。このようにして、図１２に示すＭＯＳＦＥＴ３００が形成される。
【００９４】
　
本実施の形態の半導体装置の製造方法
（イ）当審引用発明
　ａ　上記（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８４】）並びに当審引用文献の【図１４】及び【図１５】の記載より、当審引用文献には、「ＳｉＣ層１４」内に「ｐウェル領域１６」、「ソース領域１８」及び「ｐウェルコンタクト領域２０」を形成することが記載されているといえ、「ｐウェル領域１６」、「ソース領域１８」及び「ｐウェルコンタクト領域２０」は、「ＳｉＣ層１４」の一部であるといえる。
　ｂ　上記（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８７】）及び当審引用文献の【図１７】の記載より、当審引用文献には、「ソース領域１８」の上に「層間絶縁膜７２」を形成することが記載されているといえる。
　また、上記ａのとおり、「ソース領域１８」は「ＳｉＣ層１４」の一部であるといえる。
　そうすると、当審引用文献には、「ＳｉＣ層１４」の上に「層間絶縁膜７２」を形成することが記載されているといえる。
　ｃ　上記（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８７】）並びに当審引用文献の【図１７】の記載より、当審引用文献には、「ｐウェルコンタクト領域２０」の表面及び「層間絶縁膜７２」の側面を露出させる「第２のトレンチ８２」を形成することが記載されているといえる。
　また、上記ａのとおり、「ｐウェルコンタクト領域２０」は「ＳｉＣ層１４」の一部であるといえる。
　そうすると、当審引用文献には、「ＳｉＣ層１４」の表面及び「層間絶縁膜７２」の側面を露出させる「第２のトレンチ８２」を形成することが記載されているといえる。
　ｄ　上記（ア）ａ及びｂの当審引用文献の記載（段落【００２８】及び【００７３】）より、当審引用文献には、「第１の電極２４」として、Ｗ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料を用いることが記載されているといえる。
　また、上記（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８８】ないし【００９１】）及び当審引用文献の【図１８】ないし【図２０】の記載より、当審引用文献には、「金属膜２４ａ」を材料として「第１の電極２４」を形成することが記載されているといえ、「第１の電極２４」としてＷ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料を用いる場合には、「金属膜２４ａ」をＷ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料により形成することは明らかであるといえる。
　以上より、当審引用文献には、「金属膜２４ａ」がＷ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料により形成されることが記載されているといえる。
　ｅ　上記（ア）ａ及びｂの当審引用文献の記載（段落【００２９】及び【００７４】）より、当審引用文献には、「第２の電極２６」が「Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）」を積層した電極であることが記載されているといえる。
　また、上記（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８９】ないし【００９３】）並びに当審引用文献の【図１９】及び【図２０】の記載より、当審引用文献には、「金属膜２６ａ」を材料として「第２の電極２６」を形成することが記載されているといえ、「金属膜２６ａ」が「Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）」を積層した金属膜であることは明らかである。
　以上より、当審引用文献には、「金属膜２６ａ」がＴｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した金属膜であることが記載されているといえる。
　ｆ　上記（ア）の当審引用文献の記載、上記ａないしｅ、及び当該技術分野における技術常識より、当審引用文献には次の発明（以下「当審引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ＳｉＣ基板１２上にＳｉＣ層１４を形成する工程と、
　前記ＳｉＣ層１４上に層間絶縁膜７２を形成する工程と、
　レジストマスクを用いて前記層間絶縁膜７２をパターニングし、さらに同一のレジストマスクを用いて、前記ＳｉＣ層１４の表面及び前記層間絶縁膜７２の側面を露出させる第２のトレンチ８２を形成する工程と、
　金属膜２４ａを形成する工程と、
　前記第２のトレンチ８２底部の前記金属膜２４ａを除去する工程と、
　金属膜２６ａを形成する工程と、
　９５０℃程度の熱処理を行う工程と、
　を有し、
　前記金属膜２４ａは、Ｗ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料により形成されており、
　前記金属膜２６ａは、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した金属膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　イ　対比
　本願発明と当審引用発明とを対比する。
（ア）当審引用発明における「ＳｉＣ基板１２」は、「基板」であるといえる。
　また、上記ア（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８３】）及び当該技術分野における技術常識より、当審引用発明における「ＳｉＣ層１４」が「半導体層」であることは明らかである。
　そうすると、当審引用発明における「ＳｉＣ基板１２」は、本願発明における「基板」に相当するといえ、当審引用発明における「ＳｉＣ層１４」は、本願発明における「半導体層」に相当するといえ、当審引用発明における「ＳｉＣ基板１２上にＳｉＣ層１４を形成する工程」と、本願発明における「基板の上に半導体層を形成する工程」とは、「基板の上に半導体層を形成する工程」である点において共通するといえる。
（イ）当審引用発明における「層間絶縁膜７２」は、「絶縁膜」であるといえる。
　そうすると、当審引用発明における「層間絶縁膜７２」は、本願発明における「絶縁膜」に相当するといえ、当審引用発明における「前記ＳｉＣ層１４上に層間絶縁膜７２を形成する工程」と、本願発明における「前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程」とは、「前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程」である点において共通するといえる。
（ウ）当審引用発明における「第２のトレンチ８２」は、「開口部」であるといえる。
　また、上記ア（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８７】）及び当審引用文献の【図１７】の記載より、当審引用発明における「レジストマスクを用いて前記層間絶縁膜７２をパターニングし、さらに同一のレジストマスクを用いて、前記ＳｉＣ層１４の表面及び前記層間絶縁膜７２の側面を露出させる第２のトレンチ８２を形成する工程」においては、層間絶縁膜７２の所定の領域に、第２のトレンチ８２を形成しているといえる。
　そうすると、当審引用発明における「第２のトレンチ８２」は、本願発明における「開口部」に相当するといえ、当審引用発明における「レジストマスクを用いて前記層間絶縁膜７２をパターニングし、さらに同一のレジストマスクを用いて、前記ＳｉＣ層１４の表面及び前記層間絶縁膜７２の側面を露出させる第２のトレンチ８２を形成する工程」と、本願発明における「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程」とは、「前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程」である点において共通するといえる。
（エ）当審引用発明における「金属膜２４ａ」は「導電膜」であるといえる。
　また、上記ア（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８８】）及び当審引用文献の【図１８】の記載より、当審引用発明における「金属膜２４ａを形成する工程と、前記第２のトレンチ８２底部の前記金属膜２４ａを除去する工程」においては、第２のトレンチ８２により露出した層間絶縁膜７２の側面に金属膜２４ａを形成しているといえる。
　そうすると、当審引用発明における「金属膜２４ａ」は、本願発明における「第１の導電膜」に相当するといえ、当審引用発明における「金属膜２４ａを形成する工程と、前記第２のトレンチ８２底部の前記金属膜２４ａを除去する工程」と、本願発明における「前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程」とは、「前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程」である点において共通し、下記相違点２−３において相違するといえる。
（オ）当審引用発明における「金属膜２６ａ」は、「Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した金属膜」であり、Ｔｉからなる金属膜と、Ａｌからなる金属膜を積層したものであるといえる。（以下では、当審引用発明における「金属膜２６ａ」のうち下側のものを「下層金属膜」といい、上側のものを「上層金属膜」という。）
　また、上記ア（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８８】及び【００８９】）並びに当審引用文献の【図１８】及び【図１９】の記載より、当審引用発明における「金属膜２６ａを形成する工程」においては、第２のトレンチ８２により露出したＳｉＣ層１４の表面と、金属膜２４ａの側面に、下層金属膜を形成しているといえる。
　また、当審引用発明における「金属膜２６ａ」は、下層金属膜と上層金属膜とを積層したものであるから、下層金属膜の上に上層金属膜を形成していることは明らかである。
　そうすると、当審引用発明における「下層金属膜」及び「上層金属膜」は、下記相違点２−１を除いて、本願発明の「第２の導電膜」及び「第３の導電膜」に相当するといえ、当審引用発明における「金属膜２６ａを形成する工程」と、本願発明における「前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程」とは、「前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程」である点において共通するといえる。
（カ）上記ア（ア）ｂの当審引用文献の記載（段落【００８８】ないし【００９２】）より、当審引用発明における「９５０℃程度の熱処理を行う工程」は、「金属膜２４ａ」、「下層金属膜」及び「上層金属膜」を形成した後で行うものであるといえる。
　そうすると、当審引用発明における「９５０℃程度の熱処理を行う工程」と、本願発明における「前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程」とは、「前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程」である点において共通し、下記相違点２−２において相違するといえる。
（キ）当審引用発明における「金属膜２４ａ」は、Ｗ、ＴｉＮ又はＴａＮを包含する材料により形成されているから、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されているといえる。
　そうすると、本願発明と当審引用発明とは、「前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されており」という点において共通するといえる。
（ク）当審引用発明における「下層金属膜」は、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した金属膜のうち、下側のものであるから、金属材料により形成されているといえる。
　そうすると、本願発明と当審引用発明とは、「前記第２の導電膜は、金属材料により形成され」という点において共通するといえる。
（ケ）当審引用発明における「上層金属膜」及び「下層金属膜」は、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）を積層した金属膜であるから、「上層金属膜」は、「下層金属膜」と異なる金属材料により形成されているといえる。
　そうすると、本願発明と当審引用発明とは、「前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料である」という点において共通し、下記相違点２−１において相違するといえる。
（コ）当審引用発明と本願発明とは、「半導体装置の製造方法」である点において共通するといえる。
（サ）以上から、本願発明と当審引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
　ａ　一致点
　「基板の上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定の領域に、前記半導体層の表面、及び前記絶縁膜の側面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記絶縁膜の前記側面に第１の導電膜を形成する工程と、
前記開口部により露出した前記半導体層の前記表面、及び前記第１の導電膜の側面に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜の上に第３の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を形成した後に、熱処理を行なう工程と、
を有し、
前記第１の導電膜は、窒化物又はタングステンを含む材料により形成されており、
前記第２の導電膜は、金属材料により形成され、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜に含まれる前記金属材料とは異なる金属材料であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点２−１　本願発明における第３の導電膜はＡｌを含むのに対し、当審引用発明では、第２の導電膜（下層金属膜）及び第３の導電膜（上層金属膜）がＴｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）の積層であることは特定するものの、第３の導電膜（上層金属膜）がＡｌを含むとは特定しない点。
　・相違点２−２　本願発明における熱処理の温度は４００℃以上７００℃以下であるのに対し、当審引用発明における熱処理の温度は９５０℃程度である点。
　・相違点２−３　本願発明では、「第１の導電膜を形成する工程」が、「前記開口部にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンが形成されている面に、第１の導電膜を成膜する工程と、前記レジストパターンの上に形成されている第１の導電膜を前記レジストパターンとともにリフトオフにより除去する工程」とを有するのに対し、当審引用発明では、第１の導電膜（金属膜２４ａ）を形成する工程と、開口部（第２のトレンチ８２）底部の第１の導電膜（金属膜２４ａ）を除去する工程とにより、第１の導電膜（金属膜２４ａ）を形成しており、「前記開口部にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンが形成されている面に、第１の導電膜を成膜する工程と、前記レジストパターンの上に形成されている第１の導電膜を前記レジストパターンとともにリフトオフにより除去する工程」を有しない点。
　ウ　判断
　当審引用文献には、相違点２−３に係る構成について、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明は、相違点２−３に係る構成を備えることによって、「開口部４１の底面４１ａにおいて露出している電子供給層２２にエッチングによるダメージを与えることなく、第１の導電膜５１を開口部４０の側面４１ｂに形成することができる。」（本願明細書の段落【００４７】）という、当審引用発明にはない格別の効果を奏するものである。
　したがって、相違点２−１及び２−２について検討するまでもなく、本願発明は、当審引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　エ　進歩性についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、当審引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、当審拒絶理由の「理由３」に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（４）当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由の「理由１」ないし「理由３」に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　そうすると、もはや、当審拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。