Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対物レンズを有し、第１の周波数で強度変調された第１の光を標本に照射する第１光学系と、
前記対物レンズを有し、第２の周波数で強度変調された第２の光を前記標本に照射し、前記標本で反射された第２の光を検出部に導く第２光学系と、
前記検出部において検出された前記第２の周波数を有する信号に基づいて、前記対物レンズと前記標本との相対距離を調整する制御部と、
を備える顕微鏡システム。
【請求項２】
前記第２の周波数は、前記第１の周波数よりも低い周波数である
請求項１に記載の顕微鏡システム。
【請求項３】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数の整数倍でない
請求項１又は２に記載の顕微鏡システム。
【請求項４】
前記検出部は、ロックインアンプを備える
請求項１〜３のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【請求項５】
前記標本は、ガラス部材を含む
請求項１〜４のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【請求項６】
前記第１光学系は、前記第１の光を前記標本の第１の位置に照射し、
前記第２の光学系は、前記第２の光を前記標本の第２の位置に照射する
請求項１〜５のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【請求項７】
前記第２光学系は、前記第２の光の照射位置を調整する第３光学系を有する
請求項１〜６のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【請求項８】
前記第１光学系は、前記第１の光を第１の周波数で強度変調する第１強度変調素子を有する
請求項１〜７のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【請求項９】
前記第２光学系は、前記第２の光を第２の周波数で強度変調する第２強度変調素子を有する
請求項１〜８のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【請求項１０】
前記第２の光はパルス光である
請求項１〜９のいずれか１項に記載の顕微鏡システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】顕微鏡システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、顕微鏡システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、ＡＦ光の波長が信号光・照明光の波長と重複しても、ＡＦ光のみを検出できる顕微鏡システムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明に係る顕微鏡システムは、対物レンズを有し、第１の周波数で強度変調された第１の光を標本に照射する第１光学系と、対物レンズを有し、第２の周波数で強度変調された第２の光を標本に照射し、標本で反射された第２の光を検出部に導く第２光学系と、検出部において検出された第２の周波数を有する信号に基づいて、対物レンズと標本との相対距離を調整する制御部と、を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明を以上のように構成すると、ＡＦ光の波長が信号光・照明光の波長と重複しても、ＡＦ光のみを検出できる顕微鏡システムを提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月20日(2016.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影して撮影画像を取得する撮影部と、
前記撮影画像から前記被写体を抽出した被写体画像と、前記被写体画像の前景となる前景画像及び前記被写体画像の背景となる背景画像のいずれかを含む装飾画像と、を重畳して表示する表示部と、
前記被写体画像と前記装飾画像とを合成した合成画像を生成する画像処理部と、
を備え、
前記表示部は、利用者による所定のタッチ操作に基づいて、前記装飾画像に重畳されている前記被写体画像のみが移動、回転、拡大、または縮小されるように表示する写真撮影遊戯装置。
【請求項２】
所定のボタンが押下されるまで、あるいは所定の時間が経過するまで、前記タッチ操作による前記被写体画像の移動、回転、拡大、または縮小を行うことが可能に構成されている、請求項１に記載の写真撮影遊戯装置。
【請求項３】
被写体を撮影して撮影画像を取得するステップと、
前記撮影画像から前記被写体を抽出した被写体画像と、前記被写体画像の前景となる前景画像及び前記被写体画像の背景となる背景画像のいずれかを含む装飾画像と、を重畳して表示するステップと、
利用者による所定のタッチ操作が行われると、前記装飾画像に重畳されている前記被写体画像のみを、移動、回転、拡大、または縮小するように表示するステップと、
前記被写体画像と前記装飾画像とを合成した合成画像を生成するステップと、
を備えている、画像生成方法。
【請求項４】
コンピュータに、
被写体を撮影して撮影画像を取得するステップと、
前記撮影画像から前記被写体を抽出した被写体画像と、前記被写体画像の前景となる前景画像及び前記被写体画像の背景となる背景画像のいずれかを含む装飾画像と、を重畳して表示するステップと、
利用者による所定のタッチ操作が行われると、前記装飾画像に重畳されている前記被写体画像のみを、移動、回転、拡大、または縮小するように表示するステップと、
前記被写体画像と前記装飾画像とを合成した合成画像を生成するステップと、
を実行させる、画像生成プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極集電箔にバインダ成分を含む電極材料を塗布する塗工工程と、
電極材料に含まれるバインダ成分を析出させる固化工程と、
固化された塗布膜である固化膜を対向するプレスローラにより圧縮する圧縮工程と、
圧縮された固化膜を乾燥させる乾燥工程を備え、
前記圧縮工程を前記固化工程と前記乾燥工程の間に行なうことを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項２】
電極集電箔にバインダ成分を含む電極材料を塗布する塗工工程と、
電極材料に含まれるバインダ成分を析出させる固化工程と、
固化された塗布膜である固化膜を対向するプレスローラにより圧縮する圧縮工程と、
圧縮された固化膜を乾燥させる乾燥工程を備え、
前記乾燥工程の前に前記固化工程と前記圧縮工程を行なうことを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記圧縮工程は、前記乾燥工程内で実施することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
さらに、前記固化工程によって固化された塗布膜である固化膜を一部乾燥させる第１の乾燥工程を備え、
前記圧縮工程は、該一部乾燥させた固化膜を対向するプレスローラにより圧縮することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記塗工工程は前記電極集電箔への両面塗工であり、
前記固化工程は塗工された両面の電極材料の両面一括固化であり、
前記圧縮工程は固化された両面の固化膜を両面一括圧縮し、
前記乾燥工程は圧縮された両面の固化膜を両面一括乾燥することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から４の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記塗工工程により、前記電極集電箔の１面に電極材料を塗布し、
前記固化工程により、塗工された１面の電極材料の固化を行い、
さらに、前記塗工工程により、前記電極集電箔の前記１面の裏面に電極材料を塗布し、
前記固化工程により、塗工された前記裏面の電極材料の固化を行い、
前記圧縮工程は固化された両面の固化膜を両面一括圧縮し、
前記乾燥工程は圧縮された両面の固化膜を両面一括乾燥することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記電極材料は液状のスラリであり、
前記固化工程は、前記電極材料に含まれるバインダ成分を析出させる成分を含んでなる固化液を前記塗布された電極材料からなる塗布膜に噴霧して該塗布膜を固化させる工程であり、
前記電極材料のスラリに含まれる溶剤は、非プロトン性極性溶剤であり、
前記固化液に用いる溶剤は、水もしくはアルコール類またはこれらの混合液であることを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記非プロトン性極性溶剤は、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、ジメチルホルムアミド、もしくはγ−ブチロラクトンであり、
前記アルコール類は、エタノール、もしくはイソプロピルアルコールであることを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記固化工程で供給される前記固化液のアルコール濃度は、２０〜８０％であることを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法であって、
前記圧縮工程に備えられたプレスローラは、その表面にシリコン乃至テフロン（登録商標）コーティングが施されていることを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造方法。
【請求項１１】
電極集電箔にバインダ成分を含む電極材料を塗布する塗工手段と、
前記電極材料に含まれるバインダ成分を析出させる固化工程を行う固化室と、
固化された塗布膜である固化膜を圧縮するプレスローラと、
圧縮された固化膜を乾燥させる乾燥工程を行う乾燥室と備え、
前記プレスローラを前記固化室と前記乾燥室の間に配置したことを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【請求項１２】
電極集電箔にバインダ成分を含む電極材料を塗布する塗工手段と、
前記電極材料に含まれるバインダ成分を析出させる固化工程を行う固化室と、
固化された塗布膜である固化膜を圧縮するプレスローラと、
圧縮された固化膜を乾燥させる乾燥工程を行う乾燥室と備え、
前記乾燥室の前に前記固化室と前記プレスローラを配置したことを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置であって、
前記プレスローラは、前記乾燥室内に配置されることを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【請求項１４】
請求項１１または１２の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置であって、
さらに、前記固化工程によって固化された塗布膜である固化膜を一部乾燥させる第１の乾燥室を備え、
前記プレスローラは、該第１の乾燥室で一部乾燥させた固化膜を圧縮することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【請求項１５】
請求項１１から１４の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置であって、
前記塗工手段は前記電極集電箔の両面へ電極材料の塗布を行う手段であり、
前記固化室は塗布された両面の電極材料を固化させる固化工程を行い、
前記プレスローラは固化された両面の固化膜を圧縮し、
前記乾燥室は圧縮された両面の固化膜を乾燥することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【請求項１６】
請求項１１から１４の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置であって、
前記塗工手段により、前記電極集電箔の１面に電極材料を塗布し、
前記固化室は塗布された１面の電極材料を固化させる固化工程を行い、
さらに、前記塗工手段により、前記電極集電箔の前記１面の裏面に電極材料を塗布し、
前記固化室が塗布された前記裏面の電極材料を固化させる固化工程を行い、
前記プレスローラは固化された両面の固化膜を圧縮し、
前記乾燥室は圧縮された両面の固化膜を乾燥することを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【請求項１７】
請求項１１から１６の何れか１項に記載のリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置であって、
前記プレスローラは、その表面にシリコン乃至テフロンコーティングが施されていることを特徴とするリチウムイオン二次電池の電極板の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単電池を積層して構成された電池ブロックと、
前記複数の単電池を固定する固定部品と、を備え、
前記固定部品は、
前記複数の単電池の積層方向の両端に配置される一対のエンドプレートと、
前記一対のエンドプレートの端部同士を連結して前記複数の単電池を圧縮状態にする金属バンドと、を含み、
前記一対のエンドプレートの各々は外周部と中央位置とを有し、前記一対のエンドプレートは、それぞれ、前記外周部において前記複数の単電池の積層方向の両端に位置する両端単電池の一方と接し、前記中央位置において前記両端単電池の一方から離間しており、
前記一対のエンドプレートにおける前記両端単電池の一方から離間している面積は、前記一対のエンドプレートが前記両端単電池と接する面積の３０〜８０％である、
組電池。
【請求項２】
前記エンドプレートには、前記中央位置に貫通孔が設けられている、
請求項１記載の組電池。
【請求項３】
前記エンドプレートは、前記中央位置に薄肉部を有する、
請求項１記載の組電池。
【請求項４】
前記薄肉部は、前記エンドプレートの前記単電池と面する側の表面に凹みが設けられることで形成されている、
請求項３記載の組電池。
【請求項５】
前記凹みの最大深さは、０．０３ｍｍ以上で、かつ、前記薄肉部以外の部分の厚さの１０％以下である、
請求項４記載の組電池。
【請求項６】
前記エンドプレートにおいて、前記電池ブロックと接する部分は、前記金属バンドと隣接する、
請求項１記載の組電池。
【請求項７】
前記エンドプレートは、２種類の異なる材料で構成されており、相対的に剛性の高い材料が、前記電池ブロックと接する側である内側に配置されている、
請求項１記載の組電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商品を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段が撮像した前記商品の画像から、当該商品の商品情報を検出する第１検出手段と、
前記撮像手段が撮像した前記商品の画像から、当該商品に対して付与されるサービスの内容を示したサービスラベルを検出する第２検出手段と、
前記第２検出手段による検出の対象とする商品の商品情報を登録したリストに、前記第１検出手段が検出した商品情報の商品が登録されているか否かを判定する判定手段と、
を備え、
前記第２検出手段は、前記判定手段により登録されていると判定された場合、所定時間の間、前記サービスラベルの検出を継続するコード読取装置。
【請求項２】
前記判定手段が登録されていると判定した場合に、前記サービスラベルが存在する旨の報知を行う第１報知手段を更に備える請求項１に記載のコード読取装置。
【請求項３】
前記サービス付与の対象とする商品の商品数と、前記サービス付与の非対象とする商品の商品数との比率に応じて、前記リストに登録する商品の商品情報を切り替える切替手段を更に備える請求項１又は２に記載のコード読取装置。
【請求項４】
前記切替手段は、前記比率が少数となる商品の商品情報を前記リストに登録する請求項３に記載のコード読取装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記切替手段による切り替えに応じて、前記リストに対する判定基準を切り替えることで、前記第１検出手段が検出した商品情報の商品が前記第２検出手段の検出対象か否かを判定し、
前記第２検出手段は、前記判定手段により前記第２検出手段の検出対象と判定された場合、所定時間の間、前記サービスラベルの検出を継続する請求項３又は４に記載のコード読取装置。
【請求項６】
前記第２検出手段が前記サービスラベルを所定時間内に検出できない場合に、前記サービスラベルの確認を促す報知を行う第２報知手段を更に備える請求項１〜５の何れか一項に記載のコード読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コード読取装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、コード読取装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、商品に付加されたサービスラベルの読み取りを効率的に行うことが可能なコード読取装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態のコード読取装置は、撮像手段と、第１検出手段と、第２検出手段と、判定手段とを備える。撮像手段は、商品を撮像する。第１検出手段は、前記撮像手段が撮像した前記商品の画像から、当該商品の商品情報を検出する。第２検出手段は、前記撮像手段が撮像した前記商品の画像から、当該商品に対して付与されるサービスの内容を示したサービスラベルを検出する。判定手段は、前記第２検出手段による検出の対象とする商品の商品情報を登録したリストに、前記第１検出手段が検出した商品情報の商品が登録されているか否かを判定する。また、第２検出手段は、前記判定手段により登録されていると判定された場合、所定時間の間、前記サービスラベルの検出を継続する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月3日(2015.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動しながら使用され、移動した位置に応じたサービスを受けることが可能な機器のために、前記機器に少なくとも一部がインストールされて、前記位置を通知するプログラムであって、
前記機器は、複数の測位用装置の各々から受信された、位置を特定するための測位信号に基づいて、各々の位置情報を求める測位手段を備えるものであり、
前記プログラムは、ライブラリとして前記機器に提供され、前記機器にインストールされたアプリケーションに対して前記通知を行うものであり、
前記プログラムは、
前記測位手段により求められた位置情報を、前記複数の測位用装置の種類毎にメモリに保持するためのプログラムコードと、
前記測位手段により新たに求められた位置情報について、前記サービスを受けるために前記通知を行うか否かを、前記メモリを参照して決定するためのプログラムコードとを備えることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月6日(2016.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換部が生成した電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送する転送部と、前記フローティングディフュージョン部をリセットするリセット部と、画素を選択する選択部とを各々が備える複数の画素と、
前記複数の画素の各々から出力されるアナログ信号を時間の経過とともに電圧が変化する参照信号と比較することによって前記アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を有し、
前記アナログデジタル変換器により前記複数の画素の各々において前記光電変換部が生成した電荷が前記フローティングディフュージョン部に転送された状態で出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する際に、前記複数の画素の各々における前記フローティングディフュージョン部がリセットされた状態でデジタル信号に変換された際の電圧から前記参照信号の生成を開始することを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記アナログデジタル変換器は、前記複数の画素の列毎に設けられることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記複数の画素の各々における前記フローティングディフュージョン部がリセットされた状態で変換されたデジタル信号は、前記列毎に設けられた前記アナログデジタル変換器がアナログデジタル変換をするときに、最も早くデジタル信号を出力するアナログデジタル変換器から得られる信号であることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記光電変換部が生成した電荷が前記フローティングディフュージョン部へ転送された状態で、前記アナログデジタル変換器が変換したデジタル信号を補正する補正部をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記補正は、前記複数の画素の各々における前記フローティングディフュージョン部がリセットされた状態で変換されたデジタル信号を用いて行われることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記複数の画素の各々における前記フローティングディフュージョン部がリセットされた状態で変換されたデジタル信号に応じた電圧が前記参照信号に加算されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子へ結像する光学系と、前記固体撮像素子からの信号を処理する撮像信号処理回路を含む撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の固体撮像素子は、光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換部が生成した電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送する転送部と、前記フローティングディフュージョン部をリセットするリセット部と、画素を選択する選択部とを各々が備える複数の画素と、前記複数の画素の各々から出力されるアナログ信号を時間の経過とともに電圧が変化する参照信号と比較することによって前記アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器とを有し、前記アナログデジタル変換器により前記複数の画素の各々において前記光電変換部が生成した電荷が前記フローティングディフュージョン部に転送された状態で出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する際に、前記複数の画素の各々における前記フローティングディフュージョン部がリセットされた状態でデジタル信号に変換された際の電圧から前記参照信号の生成を開始することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図２に示すように、電圧変換回路８０は、抵抗Ｒ１，Ｒ３と、Ｎ型スイッチング素子Ｓとを備えている。スイッチング素子Ｓは、例えばＰＮＰトランジスタであって、ベースが抵抗Ｒ１を介して制御部２０に接続され、エミッタが電源１０に接続され、コレクタが抵抗Ｒ２を介してＩＰＤ３１のＩＮ端子（イン端子）ＴＩＮに接続されている。また、スイッチング素子ＳであるＰＮＰトランジスタのベース−エミッタ間は抵抗Ｒ３を介して接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここで、電圧Ｖ２−負電圧となる電圧値（図４の矢印で示す範囲参照）は、ＩＰＤ３１の動作電圧以上となっている。このため、ＩＰＤ３１は、動作電圧が確保されて低電圧遮断機能が働かないこととなる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３軸方向の加速度を検出する加速度センサおよび演算装置を備えた携帯端末において実行されるプログラムであって、
前記携帯端末の静止状態を検出し、前記携帯端末の傾斜角度を算出する第１の処理と、
前記携帯端末が搭載された自動車の直進状態を検出し、前記自動車の進行方向に対する前記携帯端末の回転角を算出する第２の処理と、
前記傾斜角度および前記回転角に基づいて、前記加速度センサにより検出された加速度を前記自動車の加速度に変換する第３の処理と、を前記演算装置に実行させることを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項２】
請求項１に記載の携帯端末用プログラムにおいて、
前記携帯端末は、３軸方向の方位角を検出する方位角センサおよび位置を検出する位置センサの少なくとも一つをさらに備え、
前記第１の処理では、前記加速度センサにより検出された加速度の変化に基づいて、前記携帯端末の静止状態を検出し、
前記第２の処理では、前記携帯端末の静止状態を検出済みであるときに、前記方位角センサにより検出された方位角、前記位置センサにより検出された位置、および前記加速度センサにより検出された加速度の少なくとも一つの変化に基づいて、前記自動車の直進状態を検出することを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の携帯端末用プログラムにおいて、
前記第１の処理および前記第３の処理では、前記自動車が走行している道路の勾配を取得し、取得した前記道路の勾配に基づいて前記傾斜角度を補正することを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の携帯端末用プログラムにおいて、
前記携帯端末は、画像表示部をさらに備え、
前記回転角に基づいて前記自動車の進行方向を前記画像表示部に表示させることを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項５】
請求項４に記載の携帯端末用プログラムにおいて、
前記画像表示部はタッチパネルであり、
前記自動車の進行方向に加えて、前記第１の処理で検出された前記携帯端末の静止状態を解除するための操作ボタンと、前記第２の処理で検出された前記自動車の直進状態を解除するための操作ボタンとの少なくとも一つを、前記タッチパネルにさらに表示させることを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の携帯端末用プログラムにおいて、
前記携帯端末は、動画を撮影するカメラをさらに備え、
前記自動車の運転風景に関する運転動画を前記カメラにより撮影し、前記自動車の加速度に基づいて前記運転動画の撮影終了タイミングを決定する処理を前記演算装置にさらに実行させることを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の携帯端末用プログラムにおいて、
前記自動車の加速度の履歴に基づいて、前記自動車のドライバーに対する運転特性診断を前記携帯端末に行わせることを特徴とする携帯端末用プログラム。
【請求項８】
３軸方向の加速度を検出する加速度センサを備え、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の携帯端末用プログラムを実行することを特徴とする携帯端末。
【請求項９】
請求項８に記載の携帯端末と、
前記携帯端末と無線通信を行うセンタ装置とを備え、
前記携帯端末は、前記携帯端末が搭載された自動車の加速度を検出して前記センタ装置に送信し、
前記センタ装置は、前記携帯端末から送信された前記自動車の加速度の履歴に基づいて、前記自動車のドライバーに対する運転特性診断を行うことを特徴とする自動車運転特性診断システム。
【請求項１０】
３軸方向の加速度を検出する加速度センサを備えた携帯端末を用いて、前記携帯端末が搭載された自動車の加速度を算出する方法であって、
前記携帯端末の静止状態を検出して前記携帯端末の傾斜角度を算出し、
前記自動車の直進状態を検出して前記自動車の進行方向に対する前記携帯端末の回転角を算出し、
前記傾斜角度および前記回転角に基づいて、前記加速度センサにより検出された加速度を前記自動車の加速度に変換することにより、前記自動車の加速度を算出することを特徴とする自動車加速度算出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様による携帯端末用プログラムは、３軸方向の加速度を検出する加速度センサおよび演算装置を備えた携帯端末において実行されるプログラムであって、前記携帯端末の静止状態を検出し、前記携帯端末の傾斜角度を算出する第１の処理と、前記携帯端末が搭載された自動車の直進状態を検出し、前記自動車の進行方向に対する前記携帯端末の回転角を算出する第２の処理と、前記傾斜角度および前記回転角に基づいて、前記加速度センサにより検出された加速度を前記自動車の加速度に変換する第３の処理と、を前記演算装置に実行させるものである。
本発明による携帯端末は、３軸方向の加速度を検出する加速度センサを備え、上記の携帯端末用プログラムを実行するものである。
本発明による自動車運転特性診断システムは、上記の携帯端末と、前記携帯端末と無線通信を行うセンタ装置とを備え、前記携帯端末は、前記携帯端末が搭載された自動車の加速度を検出して前記センタ装置に送信し、前記センタ装置は、前記携帯端末から送信された前記自動車の加速度の履歴に基づいて、前記自動車のドライバーに対する運転特性診断を行うものである。
本発明による自動車加速度算出方法は、３軸方向の加速度を検出する加速度センサを備えた携帯端末を用いて、前記携帯端末が搭載された自動車の加速度を算出する方法であって、前記携帯端末の静止状態を検出して前記携帯端末の傾斜角度を算出し、前記自動車の直進状態を検出して前記自動車の進行方向に対する前記携帯端末の回転角を算出し、前記傾斜角度および前記回転角に基づいて、前記加速度センサにより検出された加速度を前記自動車の加速度に変換することにより、前記自動車の加速度を算出するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月1日(2016.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極箔と負極合剤層とを有する負電極を備えた二次電池であって、
前記負極合剤層は、ＳｉＯ系活物質粒子と結着剤とを含み、
前記ＳｉＯ系活物質粒子は、前記結着剤よりも結着力が高くイミド結合を含む樹脂材料からなる被覆層によって少なくとも一部が被覆されていることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
前記樹脂材料は、ポリアミドイミドであることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項３】
前記結着剤は、スチレンブタジエンゴムを含むことを特徴とする請求項２に記載の二次電池。
【請求項４】
前記被覆層の総重量は、前記ＳｉＯ系活物質粒子の総重量の１％以上かつ５％以下であることを特徴とする請求項２に記載の二次電池。
【請求項５】
前記負極合剤層は、炭素系活物質粒子を含むことを特徴とする請求項２に記載の二次電池。
【請求項６】
負極箔と負極合剤層とを有する負電極を備えた二次電池の製造方法であって、
樹脂材料の前駆体をイミド化させてＳｉＯ系活物質粒子の表面の少なくとも一部にイミド結合を含む前記樹脂材料からなる被覆層を形成する被覆工程と、
前記被覆層を有する前記ＳｉＯ系活物質粒子と結着剤とを含むスラリを調製する調製工程と、
前記負極箔に前記スラリを塗布して乾燥させることで前記結着剤を含む前記負極合剤層を形成する塗布乾燥工程と、を含み、
前記塗布乾燥工程における乾燥温度は、前記被覆工程において前記前駆体をイミド化させる温度よりも低いことを特徴とする二次電池の製造方法。
【請求項７】
前記被覆工程は、前記前駆体を前記ＳｉＯ系活物質粒子と共に２５０℃以上かつ３５０℃以下の温度に加熱してイミド化させる重合工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の二次電池の製造方法。
【請求項８】
前記被覆工程は、
前記重合工程の前に、前記ＳｉＯ系活物質粒子と前記前駆体の溶液との混合物を得る混合工程と、該混合物を乾燥させて前記ＳｉＯ系活物質粒子と前記前駆体とを含む塊状物を得る乾燥工程と、該塊状物を粉砕して前記ＳｉＯ系活物質粒子と前記前駆体とを含む粉体を得る粉砕工程と、を有し、
前記重合工程において、前記粉体を加熱することを特徴とする請求項７に記載の二次電池の製造方法。
【請求項９】
前記被覆工程は、前記重合工程の後に、前記ＳｉＯ系活物質粒子と前記樹脂材料からなる塊状物を解砕して少なくとも一部が前記被覆層に被覆された前記ＳｉＯ系活物質粒子を得る解砕工程と、該粉末を篩に掛ける選別工程と、を有することを特徴とする請求項７に記載の二次電池の製造方法。
【請求項１０】
前記塗布乾燥工程における前記乾燥温度は、１２０℃以下であることを特徴とする請求項７に記載の二次電池の製造方法。
【請求項１１】
前記調製工程において、炭素系活物質粒子を含む前記スラリを調整することを特徴とする請求項７に記載の二次電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記内側重なり部は、前記内側屈曲部から鉛直方向上側に延び、前記外側重なり部は、前記シール材を屈曲させた屈曲部から鉛直方向下方に延びるように設けられている請求項１又は請求項２に記載の電池パック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記電池パックについて、前記内側重なり部は、前記内側屈曲部から鉛直方向上側に延び、前記外側重なり部は、前記シール材を屈曲させた屈曲部から鉛直方向下方に延びるように設けられていることが好ましい。
これによれば、内側重なり部と、外側重なり部との継ぎ目が鉛直方向上側を向かないため、継ぎ目から液体やほこりが侵入しにくい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月27日(2016.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
１０…巻き取りローラー
１１…ローラー
１２…ローラー
１３…ローラー
１４…ローラー
１５…ローラー
２０Ｐ…正極シート
２０Ｎ…負極シート
３０ａ…セパレータシート
３０ｂ…セパレータシート
４０…シート積層体
５０…隔壁部
５１…第１壁部
５２…第２壁部
５３…第３壁部
１００…電極巻回装置
Ｒ…巻き取り方向
Ｒ１…搬送方向上流側の領域
Ｒ２…搬送方向下流側の領域
θ１…ローラー１２の抱き角の角度
θ２…角度
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月17日(2016.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並設された複数の電池セルと、
前記複数の電池セルにおける並設方向両端に設けられる一対の板部材と、
前記一対の板部材に設けられ、前記複数の電池セルを一体化する拘束具と、
互いに並設方向に隣り合う前記電池セルの端子同士を接続する少なくとも一つの接続バスバーと、
前記電池セルの並設方向の膨張を吸収する弾性部材とを有し、
前記少なくとも一つの接続バスバーは、
前記端子と接続される一対の接続部と、
前記一対の接続部の間に設けられ、前記電池セルの並設方向の膨張に応じて並設方向に伸長変形可能な屈曲部とを有し、
前記屈曲部の並設方向の変形許容量に基づき設定される総変形許容量は、前記弾性部材の並設方向の厚さ以上に設定されていることを特徴とする電池モジュール。
【請求項２】
前記少なくとも一つの接続バスバーは、前記屈曲部に前記電池セルの並設方向と直交する方向に切り欠かれた切り欠きを有することを特徴とする請求項１記載の電池モジュール。
【請求項３】
前記屈曲部は、前記接続部に対して傾斜して延在する一対の傾斜壁と、前記一対の傾斜壁の間に位置し、前記接続部と平行な平行壁とを有し、前記切り欠きは平行壁に設けられていることを特徴とする請求項２記載の電池モジュール。
【請求項４】
前記屈曲部は、上方へ向けて凸となる形状を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電池モジュール。
【請求項５】
前記屈曲部は、台形状を有することを特徴とする請求項４記載の電池モジュール。
【請求項６】
前記少なくとも一つの接続バスバーは、複数の接続バスバーのうちの一つであり、
前記総変形許容量は、前記複数の接続バスバーの変形許容量の総和に相当することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の電池モジュール。
【請求項７】
前記複数の電池セルがそれぞれ最大膨張量まで膨張しても、前記弾性部材は、前記複数の電池セルの膨張を吸収することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、並設された複数の電池セルと、前記複数の電池セルにおける並設方向両端に設けられる一対の板部材と、前記一対の板部材に設けられ、前記複数の電池セルを一体化する拘束具と、互いに並設方向に隣り合う前記電池セルの端子同士を接続する少なくとも一つの接続バスバーと、前記電池セルの並設方向の膨張を吸収する弾性部材とを有し、前記少なくとも一つの接続バスバーは、前記端子と接続される一対の接続部と、前記一対の接続部の間に設けられ、前記電池セルの並設方向の膨張に応じて並設方向に伸長変形可能な屈曲部とを有し、前記屈曲部の並設方向の変形許容量に基づき設定される総変形許容量は、前記弾性部材の並設方向の厚さ以上に設定されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記の電池モジュールにおいて、前記少なくとも一つの接続バスバーは、前記屈曲部に前記電池セルの並設方向と直交する方向に切り欠かれた切り欠きを有する構成としてもよい。
この場合、接続バスバーの変形許容量を超えるように電池セルが膨張しても、接続バスバーの切り欠きに応力が集中し、端子が著しく変形したり破損したりする前に、接続バスバーは切り欠きから破断する。
よって、接続バスバーが破断することにより、電池セルの膨張による端子の変形や破損を抑制することができる。
また、上記の電池モジュールにおいて、前記屈曲部は、前記接続部に対して傾斜して延在する一対の傾斜壁と、前記一対の傾斜壁の間に位置し、前記接続部と平行な平行壁とを有し、前記切り欠きは平行壁に設けられている構成としてもよい。
また、上記の電池モジュールにおいて、前記屈曲部は、上方へ向けて凸となる形状を有する構成としてもよい。
また、上記の電池モジュールにおいて、前記屈曲部は、台形状を有する構成としてもよい。
また、上記の電池モジュールにおいて、前記少なくとも一つの接続バスバーは、複数の接続バスバーのうちの一つであり、前記総変形許容量は、前記複数の接続バスバーの変形許容量の総和に相当する構成としてもよい。
また、上記の電池モジュールにおいて、前記複数の電池セルがそれぞれ最大膨張量まで膨張しても、前記弾性部材は、前記複数の電池セルの膨張を吸収する構成としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動を取決めた取決めについて、取決めの主体および期間を含む基本情報と、将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動の条件を示すフロー条件と、前記基本情報または前記フロー条件に影響する付加的な条件を示すイベント情報とを保持する取決め情報保持部と、
外部装置から入力された複数種類の取決めのそれぞれで定められた基本情報を受け付け、各取決めの基本情報を前記取決め情報保持部に格納する基本情報登録部と、
を備えることを特徴とする情報管理システム。
【請求項２】
将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動を取決めた取決めについて、取決めの主体および期間を含む基本情報と、将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動の条件を示すフロー条件と、前記基本情報または前記フロー条件に影響する付加的な条件を示すイベント情報とを保持する取決め情報保持部と、
外部装置から入力された複数種類の取決めのそれぞれで定められたフロー条件を受け付け、各取決めのフロー条件を前記取決め情報保持部に格納するフロー条件登録部と、
を備えることを特徴とする情報管理システム。
【請求項３】
将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動を取決めた取決めについて、取決めの主体および期間を含む基本情報と、将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動の条件を示すフロー条件と、前記基本情報または前記フロー条件に影響する付加的な条件を示すイベント情報とを保持する取決め情報保持部と、
外部装置から入力された複数種類の取決めのそれぞれで定められたイベント情報を受け付け、各取決めのイベント情報を前記取決め情報保持部に格納するイベント情報登録部と、
を備えることを特徴とする情報管理システム。
【請求項４】
将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動を取決めた取決めについて、取決めの主体および期間を含む基本情報と、将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動の条件を示すフロー条件と、前記基本情報または前記フロー条件に影響する付加的な条件を示すイベント情報とを保持する取決め情報保持部と、
前記取決め情報保持部に保持された基本情報、フロー条件、イベント情報の中から、取決めの管理に関する複数種類の業務のそれぞれで必要とされる所定項目の情報を抽出して、前記複数種類の業務のそれぞれを支援するための管理画面を生成する管理画面生成部と、
を備えることを特徴とする情報管理システム。
【請求項５】
将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動を取決めた取決めについて、取決めの主体および期間を含む基本情報と、将来時点における金銭もしくは物品またはこれらに対する権利の移動の条件を示すフロー条件と、前記基本情報または前記フロー条件に影響する付加的な条件を示すイベント情報とを保持する取決め情報保持部と、
前記取決め情報保持部に保持された基本情報、フロー条件、イベント情報を参照して、複数種類の取決めの基本情報を一括して表示する管理画面と、複数種類の取決めのフロー条件を一括して表示する管理画面と、複数種類の取決めのイベント情報を一括して表示する管理画面を生成する管理画面生成部と、
を備えることを特徴とする情報管理システム。
【請求項６】
前記取決め情報保持部は、複数種類の取決めのそれぞれで定められた情報を、前記基本情報と、前記フロー条件と、前記イベント情報とに分類して保持する請求項１から５のいずれかに記載の情報管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ｎ個の等差半径ｒ１からｒｎの同心球表面で定義される電子の存在確率を、比例拡大した数値をＰ１からＰｎとし、ｒ１からｒｎを比例拡大した数値Ｒ１（＝Ｒ）からＲｎ（＝ｎＲ）を半径、Ｓ１からＳｎを面積とするｎ重同心円の、１≦ｍ≦ｎとするｍ番目の円の外周から内側Ｒの範囲内に、その範囲の面積とＳｍとの比にＰｍを掛けて得た個数の、外形寸法がＲ未満である小図形を、等間隔配置した水素原子の電子の存在確率表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、各実施形態において、低炭素層１６、高炭素層１７、１９の各層のいずれか１つが基板１２側からチャネル１８側に向かって炭素濃度が徐々に増加していてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１の第１導電型領域と、
前記第１の第１導電型領域の表層に形成された第２導電型領域と、
前記第２導電型領域の上に位置する第１半導体層と、
前期第１半導体層に形成されており、底部が前記第２導電型領域に接続している第２の第１導電型領域と、
前記第１の第１導電型領域に接続する第１コンタクトと、
前記第２導電型領域に接続する第２コンタクトと、
前記第２の第１導電型領域に接続する第３コンタクトと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体基板は第１導電型であり、
さらに、前記半導体基板に形成され、前記第１の第１導電型領域の側面及び底面を囲む第２導電型の分離領域を備える半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体基板のうち前記第１半導体層とは異なる場所に形成された第２半導体層と、
前記第２半導体層に形成され、ソースとなる第１不純物領域と、
前記第２半導体層に形成され、前記第１不純物領域から離れており、ドレインとなる第２不純物領域と、
前記第２半導体層のうち前記第１不純物領域と前記第２不純物領域の間に位置する部分に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備える半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板の一部の上に形成された第１半導体層と、
前記第１半導体層に形成された第１の第１導電型領域と、
前記第１半導体層に形成され、前記第１の第１導電型領域から離れている第２の第１導電型領域と、
前記第１半導体層に形成され、前記第１の第１導電型領域と前記第２の第１導電型領域とを接続する第２導電型領域と、
を備える半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記基板は第１導電型の半導体基板であり、
さらに、前記半導体基板に形成され、前記第１半導体層の底面を囲む第２導電型の分離領域を備える半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記基板のうち前記第１半導体層とは異なる場所に形成された第２半導体層と、
前記第２半導体層に形成され、ソースとなる第１不純物領域と、
前記第２半導体層に形成され、前記第１不純物領域から離れており、ドレインとなる第２不純物領域と、
前記第２半導体層のうち前記第１不純物領域と前記第２不純物領域の間に位置する部分に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備える半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第１半導体層の上面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を挟んで前記第２の第１導電型領域の上に位置する被覆膜と、
を備え、
前記被覆膜は、前記ゲート電極と同一の材料によって形成されている半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図１５（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置ＳＤの製造方法を説明するための斜視図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のバイポーラトランジスタＢＰＴの断面図である。図１５（ｂ）が示す断面は、図１４が示す断面に相当している。本実施形態に係る半導体装置ＳＤの製造方法は、以下の点を除いて第１の実施形態に係る半導体装置ＳＤの製造方法と同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（第７の実施形態）
図２４は、第７の実施形態に係る半導体装置ＳＤの平面図であり、図２５は図２４のＢ−Ｂ´断面図である。図２４は第５の実施形態における図２０に対応しており、図２５は第５の実施形態における図２１に対応している。本実施形態に係る半導体装置ＳＤは、以下の点を除いて第５の実施形態に係る半導体装置ＳＤと同様の構成である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月4日(2015.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基板と、
複数の第１タイプ及び第２タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって、第１タイプの層は第２タイプの層よりも高い屈折率を有し、それによりブラッグミラーを形成する結晶性スタックと、を備え、
キャリア基板は、０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲し、
結晶性スタックは、湾曲したキャリア基板に取り付けられ、
キャリア基板は、ＳｉＯ２、Ｓｉ、サファイア、又は超低膨張ガラスＵＬＥを含み、
ミラーの単結晶性半導体層は、ＡｌＧａＡｓ三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり、前記第１タイプ及び第２タイプは、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ただし０＜ｘ＜１、を含み、第１タイプの層に関するｘは第２タイプの層に関するｘよりも小さく、
６００ｎｍ〜３μｍの中心波長において９９．９９％を超える反射率を有し、１×１０−５から１０−６までの制限的損失角を有することにより低ブラウニアンノイズを有する低吸収結晶性ミラーアセンブリ。
【請求項２】
キャリア基板は透過的であり、とりわけ１０６４ｎｍ又は１５５０ｎｍの波長において透過的であり、キャリア基板の表面は磨かれていて好ましくは１ｎｍ以下のＲＭＳ面粗さを持つ請求項１に記載のミラーアセンブリ。
【請求項３】
結晶性スタックは、ファンデルワールス力結合及び共有結合のうちの少なくとも一方によって、キャリア基板に取り付けられる請求項１又は２に記載のミラーアセンブリ。
【請求項４】
低吸収結晶性ミラーアセンブリの製造方法であって、ミラーは、キャリア基板と、複数の第１タイプ及び第２タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって、第１タイプの層は第２タイプの層よりも高い屈折率を有する結晶性スタックと、を備え、キャリア基板は、０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲する製造方法において、
第１の基板を準備するステップと、
キャリア基板を準備するステップと、
例えば分子線エピタキシー法ＭＢＥや有機金属気相エピタキシー法ＭＯＶＰＥによって、第１タイプ及び第２タイプの交互式単結晶性半導体層の結晶性スタックをエピタキシャルに形成し、それによりブラッグミラーを形成するステップと、
第１の基板からスタックを分離するステップと、
湾曲するキャリア基板にスタックに取り付けるステップと、を含み、
第１の基板はＧａＡｓ又はＧｅを含み、
キャリア基板は、ＳｉＯ２、Ｓｉ、サファイア、又は超低膨張ガラスＵＬＥを含み、
単結晶性半導体層は、ＡｌＧａＡｓ三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり、前記第１タイプ及び第２タイプは、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ただし０＜ｘ＜１、を含み、第１タイプの層に関するｘは第２タイプの層に関するｘよりも小さく、
ミラーアセンブリは、６００ｎｍ〜３μｍの中心波長において９９．９９％を超える反射率を有し、１×１０−５から１０−６までの制限的損失角を有することにより低ブラウニアンノイズを有する製造方法。
【請求項５】
キャリア基板は透過的であり、とりわけ１０６４ｎｍ又は１５５０ｎｍの波長において透過的であり、キャリア基板の表面は磨かれている請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
結晶性スタックは、化学−機械的基板除去プロセス又はエピタキシャルリフトオフプロセスを用いることで、第１の基板から分離される請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
化学−機械的基板除去プロセスは、ラッピング、研磨及びウェットエッチングのうちの少なくとも一つを含む請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
スタックは、ファンデルワールス力結合及び共有結合のうちの少なくとも一方によって、キャリア基板に取り付けられる請求項４〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
スタックはキャリア基板に結合され、当該結合はアニーリングによって強化される請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の２つのミラーアセンブリを備える光学精密測定用の光共振器であって、ミラーの反射面は所定距離で相互に向かい合い、０．１ｍから１０ｍのＲＯＣに関し、所定の厚みを有するスペーサーが２つのミラーアセンブリの間に存在し、そのスペーサーは２つのミラー間に所定の距離を与える光学精密測定用の光共振器。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の２つのミラーアセンブリを備える光学精密測定用の光共振器であって、ミラーの反射面は所定距離で相互に向かい合い、１ｋｍから１０ｋｍのＲＯＣに関し、各ミラーアセンブリは個別に支持される光学精密測定用の光共振器。
【請求項１２】
ミラーの位置を固定する少なくとも一つの支持部を更に備える請求項１０又は１１に記載の光共振器。
【請求項１３】
６００ｎｍから３μｍまでの動作波長を有する請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の光共振器。
【請求項１４】
第１の基板の厚みが５０μｍと１ｍｍとの間、好ましくは３００μｍ〜５００μｍである請求項４に記載の製造方法。
【請求項１５】
単結晶性半導体層は、総厚みが６〜１０μｍであり、側方寸法又は直径が１０ｍｍから２００ｍｍ、好ましくは１０ｍｍ〜２５ｍｍである請求項１〜３のいずれか一項に記載のミラーアセンブリ。
【請求項１６】
エピタキシャル層は、第１の基板をまず研削プロセスによって機械的に薄くして次に残りの基板材料を化学的に除去することで分離されたスタックを得るリフトオフプロセスにより、第１の基板から分離される請求項６に記載の製造方法。
【請求項１７】
１ｓより小さい平均化時間に関して１０−１６から１０−１７の一部に対応する周波数安定性を有する請求項１１に記載の光共振器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このとき、リレー２６の接点が導通状態であれば、第一の蓄電池１から第二の負荷群２５にも電力が供給され、第二の蓄電池４から第一の負荷群２４にも電力が供給される。
なお、第一の蓄電池１と第二の蓄電池４の出力電圧に僅かな電圧差が生じていても、抵抗１０，１４によりコイル９，１３に流れる電流が抑制されるため、接点８，１２は導通状態に維持される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
このような構成により、第一の蓄電池１が短絡状態となったときには、第三の実施形態と同様に動作する。
また、ワイヤーハーネス５３に地絡Ｓが発生したとき、ヒューズ２及びヒューズ１５ｂが切断されるので、第一の蓄電池１及び第二の蓄電池４を保護可能である。