【事件の表示】
　特願２０１１−　２６６８８「エッチングマスク付基材の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月　６日出願公開、特開２０１２−１６９３１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年２月１０日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年１１月　６日　審査請求・手続補正書
　平成２６年１１月２７日　拒絶理由通知
　平成２７年　１月２１日　意見書・手続補正書
　平成２７年　４月２７日　拒絶理由通知
　平成２７年　６月２４日　意見書・手続補正書
　平成２７年１２月１８日　拒絶査定
　平成２８年　３月１８日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　２月　６日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年　４月　６日　意見書・手続補正書
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２９年４月６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　被エッチング基材を準備する工程と、該被エッチング基材の表面に感光材を塗布し、レーザ露光により、露光・現像せしめてレジストパターンを形成する工程と、該被エッチング基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成する工程と、該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめて該被エッチング基材の表面にエッチングマスクとなるＤＬＣパターンを形成する工程と、を含むエッチングマスク付基材の製造方法であり、
前記感光材が塗布される前記被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた一種の材料からなることを特徴とするエッチングマスク付基材の製造方法。」
第３　当審拒絶理由の概要
　平成２９年２月６日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
「３．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
……（中略）……
３．理由３（進歩性）について
（１）請求項１について
　下記のとおり、本願の請求項１に係る発明（以下『本願発明１』という。）は、引用文献１に記載された発明（以下『引用発明』という。）と、引用文献２及び３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　ア　引用文献１の段落［００２８］ないし［００３１］、［００４２］及び［００４３］並びに［図１］には、『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成し、『貴金属薄膜層１７』及び『磁気記録層１４』をエッチングすることが記載されている。
　したがって、引用発明における、『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成したものは、本願発明１における『被エッチング基材』に相当するといえる。
　また、引用発明において、『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成することは、『被エッチング基材を準備する工程』であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明は、『被エッチング基材を準備する工程』を備える点において、共通するといえる。
　イ　引用文献１の段落［００３２］、［００３３］及び［図１］には、『磁気記録層１４』上に『ＤＬＣ膜１５』を形成することが記載されている。
　また、引用文献１の段落［００３３］ないし［００４１］には、『ＤＬＣ膜１５』の上に『レジスト１６』を塗布し、電子ビーム描画装置によるリソグラフィー技術を用いて『レジスト１６』に凹凸パターンを転写し、『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングすることにより、『ＤＬＣ膜１５』をパターン加工することが記載されている。
　また、引用文献１の段落［００４２］及び［図１］には、上記パターン加工した『ＤＬＣ膜１５』をエッチングマスクとして『貴金属薄膜層１７』及び『磁気記録層１４』をエッチングすることが記載されており、上記『ＤＬＣ膜１５』は『エッチングマスク』であるといえ、引用文献１の［図１］（ｅ）に記載されたものは、『エッチングマスク付基材』であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明は、『エッチングマスク付基材の製造方法』である点において共通するといえる。
　ウ　上記アのとおり、引用発明における、『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成したものは、本願発明１における『被エッチング基材』に相当するといえる。
　また、引用文献１の段落［００２８］ないし［００３１］の記載より、引用発明における『基板１０』はガラス基板、若しくはアルミニウム又はシリコンを主要原料とする基板であるといえ、『軟磁性層１１』はＮｉ又はＦｅを含むものであるといえ、『シード層１２』はＣｏＮｉＦｅＳｉからなるものであるといえ、『磁気記録層１４』はＰｔ、Ｎｉ、又はＦｅを含むものであるといえ、『貴金属薄膜層１７』はＡｕ、Ｐｔ、又はＰｄを材料とするものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明は、『被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の材料からなる』点において共通するといえる。
　エ　以上から、本願発明１と引用発明とは、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。
（ア）一致点
　『被エッチング基材を準備する工程を含むエッチングマスク付基材の製造方法であり、
前記被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の材料からなることを特徴とするエッチングマスク付基材の製造方法。』
（イ）相違点
　本願発明１は『該被エッチング基材の表面に感光材を塗布し、レーザ露光により、露光・現像せしめてレジストパターンを形成する工程』、『該被エッチング基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成する工程』、及び『該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめる工程』を備えるのに対し、引用発明はこれらの工程を備えない点。
　オ　上記相違点について検討する。パターン加工されたＤＬＣ膜を基材上に形成するために、基材上に感光材を塗布し、光露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ膜を形成し、レジストパターン上に形成されたＤＬＣ膜をレジストパターンごと剥離せしめることは、引用文献２（２ページ上左欄３行ないし上右欄３行及び３ページ上左欄１３行ないし下左欄１２行）及び引用文献３（段落［０００７］ないし［００２１］及び［００３７］ないし［００４０］）に記載されているように、周知技術である。
　また、感光材を光露光するに際し、レーザ光を用いることは、引例を挙げるまでもなく周知技術であり、当業者であれば適宜採用することができたものである。
　したがって、引用発明において、パターン加工されたＤＬＣ膜を基材上に形成する際に、『ＤＬＣ膜１５』の上に『レジスト１６』を塗布し、電子ビーム描画装置によるリソグラフィー技術を用いて『レジスト１６』に凹凸パターンを転写し、『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングする方法に代えて、基材上に感光材を塗布し、レーザ露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ膜を形成し、レジストパターン上に形成されたＤＬＣ膜をレジストパターンごと剥離せしめる方法を採用することによって、上記相違点に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　カ　また、本願発明１の奏する作用効果は、引用発明及び上記周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　キ　よって、本願発明１は、引用文献１に記載された発明（引用発明）と、引用文献２及び３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
……（中略）……
＜引　用　文　献　等　一　覧＞
１．特開２０１１−２３０５２号公報
２．特開平１−１０４７６１号公報（周知技術を示す文献）
３．特開平５−２７０９８６号公報（周知技術を示す文献）」
第４　当審の判断
１　引用文献及び周知文献の記載事項並びに引用発明及び周知技術
（１）引用文献１の記載事項と引用発明
　ア　引用文献１の記載事項
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１１−２３０５２号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（当審注．下線は、参考のために当審において付したものである。以下において同じ。）。
　「【００２７】
　以下、図面を引用して本発明の
パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法
　図１に、本発明のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を説明するために、凹凸パターン形成工程を示す基板の概略断面図を示す。
【００２８】
　本発明にかかる磁気記録媒体では、
基板１０
　
前記基板１０上に、
軟磁性層１１を形成する。
【００２９】
　次に、
この軟磁性層１１の表面に、
シード層１２を
成膜する。
中間層１３となるＲｕなどを
成膜する。
【００３０】
　その後、
磁気記録層１４となるＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｆｅなどを少なくとも一つを含む強磁性材料を
形成する。
【００３１】
　その後、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＲｈおよびＰｄから少なくとも１種類の貴金属材料を
貴金属薄膜層１７として成膜する。
【００３２】
　次に、第一保護層として
ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）などのカーボンを
成膜し、ＤＬＣ膜１５とする。
【００３３】
　次に、前述のようにして決められた膜厚に成膜した
ＤＬＣ膜１５をパターン加工するために、このＤＬＣ膜１５の表面に形成されるレジスト１６
レジスト１６としてはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）が、ＤＬＣ膜１５の表面に
塗布される。
【００３４】
　別途、Ｎｉ、シリコン、ガラスなどを基盤材料として用い、その表面に前記ピッチ幅の凹凸パターンが形成されるスタンパを用いたナノインプリント法により、前述の
ＤＬＣ膜１５の表面に塗布されているＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）からなるレジスト１６に前記凹凸パターンを転写する（図１（ｂ））。
【００３５】
　レジスト１６には、アクリル系樹脂が主成分である紫外線硬化型、熱可塑性あるいは熱硬化型などの樹脂材料を用いることも可能である。
レジスト１６は下層のＤＬＣ膜１５に凹凸パターンをエッチングで形成するマスクとなる
・・・
【００３９】
　このＳＯＧからなる
レジスト１６の残膜部を、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去し、ＤＬＣ膜１５の表面を露出させる（図１（ｃ））。
　この際、レジスト１６の凸部もフッ素系ガスイオンによりエッチングされるため、フッ素系ガスイオンによるエッチング時には、基板バイアス印加あるいはグリッド電極によりイオンの異方性を強くし、基板に対してできるだけ垂直にイオンを入射することが好ましい。具体的にはＣＦ４ガスを用いて、ＲＦを１００Ｗから１０００Ｗのパワーでプラズマを発生させ、基板バイアスを１０Ｗから２００Ｗのパワーで印加するか、グリッド電極に１００Ｖから２０００Ｖの電圧を印加して加工を行う（図１（ｃ））。
【００４０】
　次に、
残ったレジスト１６の凸部をマスクとして、ＤＬＣ膜１５を下層にある第二保護層となる貴金属薄膜層１７の表面が露出するまで、Ｏ
２
ガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的に除去する。
【００４１】
　また、このエッチング加工の際、圧力を制御することでも酸素イオンの異方性を制御することができる。また、酸素イオンとＳＯＧからなるレジスト１６は反応性に乏しく、マスクであるレジスト１６は物理的なエッチング加工を支配的に受けるだけなので、凸形状のレジスト幅の減少は少ない。具体的にはＯ２ガスを用いて、ＲＦを１００Ｗから１０００Ｗのパワーでプラズマを発生させ、基板バイアスを１０Ｗから２００Ｗのパワーで印加するか、グリッド電極に１００Ｖから２０００Ｖのイオン加速電圧を印加してＤＬＣ膜１５のエッチング加工を行う（図１（ｄ））。
【００４２】
　
ＤＬＣ膜１５の加工後、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングによりＳＯＧからなるレジスト１６を剥離する（図１（ｅ））
　その後、
ＤＬＣ膜１５をエッチングマスクとして、Ａｒガスなどの不活性ガスを用いたイオンビームエッチングにより貴金属薄膜層１７
を加工する。
【００４３】
　
貴金属薄膜層１７
をエッチング加工した後、エッチングマスクであるＤＬＣ膜１５をＯ
２
ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去する（図１（ｇ））。
　イ　引用発明
　上記アの引用文献１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板１０上に、軟磁性層１１、シード層１２、中間層１３、及び磁気記録層１４を形成する工程と、
　Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＲｈおよびＰｄから少なくとも１種類の貴金属材料を貴金属薄膜層１７として成膜する工程と、
　ＤＬＣ膜１５を成膜する工程と、
　レジスト１６をマスクとして前記ＤＬＣ膜１５をパターン加工する工程と、
　レジスト１６を除去する工程と、
　前記パターン加工されたＤＬＣ膜１５をエッチングマスクとして前記貴金属薄膜層１７をエッチング加工する工程と、
　を含む、パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。」
（２）引用文献２及び３、周知文献１ないし３の記載事項並びに周知技術１
　ア　引用文献２の記載事項
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平１−１０４７６１号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「〔目的〕
　本発明は、
基板上に形成されたダイヤモンド状炭素膜を容易に微細パターン化する
〔構成〕
　
本発明は、基板上にパターン化したレジスト層を形成した後、その上にダイヤモンド状炭素膜を形成し、ついでリフト・オフ法によりそのレジストおよびレジスト上のダイヤモンド状炭素膜を除去することを特徴とするパターン化ダイヤモンド状炭素膜の製法に関する。
本発明のレジスト層は、ＩＣ等の製造工程で使用されているのと同様の方法で目的とする基板上にパターン模様をもって形成する。
　
レジスト材料としては、ポジ型レジスト（東京応化ＯＦＰＲ８００，ＴＳＭＲ８８００，シュプレ１３５０，１４００）、ネガ型レジスト（東京応化ＯＭＲ−８０）がある。
このようにして形成されたレジストパターン上にダイヤモンド状炭素膜を形成する。
「〔実施例〕
　実施例１
　本実施例は我々の開発した
硬質炭素膜のリフト・オフ法
硬質炭素膜の不必要な部分にレジストパターン３を形成する。レジスト材料としてはポジ型、ネガ型どちらでもよく、
　
この上から硬質炭素膜４を
形成した。
　次に、レジスト剥離液もしくはアセトン等の有機溶剤を用いて
レジスト３を剥離することにより、レジスト上の硬質炭素膜４（不必要な部分）が除去され、必要とされる部分のみ硬質炭素膜４がパターンされることになる。
実施例２
　本実施例は本発明をＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）に適用した例である。基板１に半導体薄膜５及びソース電極６、ドレイン電極７が形成されている。これに
硬質炭素膜の不必要な部分にレジストパターン３を形成する。
この上から硬質炭素膜４を
形成した。
　次に実施例１と同様の方法で
硬質炭素膜４をリフト・オフしてゲート絶縁膜とした。
　イ　引用文献３の記載事項
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平５−２７０９８６号公報（以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００７】すなわち、前記課題を解決するための本発明は、
基板の表面におけるダイヤモンド膜を形成すべき部分に、レジストによるパターン膜を形成した後、前記基板の表面全体にダイヤモンド状炭素膜を形成し、溶剤により前記パターン膜を溶解すると共にその表面上にある前記ダイヤモンド状炭素膜を前記基板の表面から除去
【０００８】以下に、本発明について詳細に説明する。本発明の方法は、
１）基板の表面におけるダイヤモンド膜を形成すべき部分にレジストによりパターン膜を形成する工程（以下、パターン膜形成工程と称する。）、
２）基板の表面全体にダイヤモンド状炭素膜（以下においてこれをＤＬＣと略称することがある。）を被覆形成する工程（以下、ＤＬＣコーティング工程と称する。）、
３）溶剤によりパターン膜を溶解すると共にその表面にあるダイヤモンド状炭素膜を基板の表面から除去する工程（以下、ＤＬＣ除去工程と称する。）、
４）砥粒により基板の表面全体を傷付け処理する工程（以下、傷付け処理工程と称する。）、
５）基板の表面に気相法によるダイヤモンド膜を形成する工程（以下、ダイヤモンド膜形成工程と称する。）の５つの工程を有する。以下、順を追って前記各工程について説明する。
【０００９】−パターン膜形成工程−
前記パターン膜形成工程では、レジストを用いて基板表面にパターン膜が形成される。
このパターン膜形成工程では、
フォトレジストを含有するパターン膜形成用塗布液を前記基板の表面全体に塗布し、これを乾燥してからフォトマスクを介して紫外線等の光を照射し、露光部分を除去しあるいは未露光部分を除去することによりパターン膜が形成される。
・・・
【００１４】−ＤＬＣコーティング工程−
ＤＬＣコーティング工程では、例えば図２に示すように、前記パターン膜２を形成した基板１の表面全体にダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ）３が被覆形成される。
・・・
【００２０】−ＤＬＣ除去工程−
ＤＬＣ除去工程では、前記の工程で形成されたレジストによるパターン膜とその表面にあるダイヤモンド状炭素膜とが基板の表面から除去される。
【００２１】なお、ダイヤモンド状炭素は前記溶剤に溶解することはないが、前記溶剤を使用すると、レジストによるパターン膜が容易に溶剤に溶解し、その溶解と同時に前記パターン膜の表面に形成されたダイヤモンド状炭素膜の下に空間が生じ、該ダイヤモンド状炭素膜は非常に不安定な状態となり、結果として容易に除去されるようになる。一方、基板の表面におけるパターン膜の存在しない部分に直接に被覆形成されたダイヤモンド状炭素膜は、基板と密着しているので、溶剤で処理しても除去されることはない。したがって、
図３に示すように、基板１の表面におけるパターン膜の形成されなかった部分に、ダイヤモンド状炭素膜３がパターン状に残留した状態になる。
・・・
【００３７】
【実施例】以下、本発明の実施例およびその比較例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
−パターン膜形成工程−
Ｓｉウエハーの基板の表面に、ネガ型フォトレジスト（富士薬品工業（株）製：ＬＭＲ−３３）からなるパターン膜形成用塗布液を、毎分５，０００ｒｐｍのスピナーで塗布することにより、基板の表面にレジスト層を形成
フォトマスクを、基板上のレジスト層の上に配置し、Ｘｅ−Ｈｇランプ（波長３００ｎｍ以下）で露光（３０ｍＪ／ｃｍ
２
）した。露光後１００℃で３０分かけて加熱し、さらに、同社製のＬＭＲ用現像液Ｃタイプを用いて、未感光の部分を２０℃で８０秒間かけて除去し、同社製のＬＭＲリンス液にて、２０℃で２０秒間かけてリンスを行ない、パターン膜の形成を行なった。
【００３８】−ＤＬＣコーティング工程−
ＲＦ平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用い、酸素供給量１０ｓｃｃＭ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦ出力２００Ｗにて、１５秒間アッシングしてレジストを完全に除去した後、以下の条件で
ダイヤモンド状炭素膜を形成した。
【００３９】導入原料ガスの種類及びその流量：ＣＨ３、１０ｓｃｃｍ、
系内の圧力：１０−２Ｔｏｒｒ、
ＲＦ出力：１５０Ｗ、
反応時間：３０分
結果として、厚みが約１，０００Åであり、ヌープ硬度が５，０００Ｋｇ／ｍｍ２であるダイヤモンド状炭素膜が、基板の表面に被覆された。
【００４０】−ダイヤモンド状炭素膜の除去工程−
前記基板を、アセトンで洗浄し、
基板の表面のパターン膜を溶解除去すると共に、前記パターン膜の表面に形成されたダイヤモンド状炭素膜も同時に除去した。
　ウ　周知文献１の記載事項
　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００９−１１１００４号公報（以下「周知文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００５７】
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ９０）として、ＤＬＣ絶縁膜形成工程が実施される。この工程（Ｓ９０）では、ｎ−ＳｉＣ層２０上に、
第２の主面２０Ｂに接するようにダイヤモンドライクカーボンからなる絶縁膜が形成される。具体的には、図８を参照して、まず、ソースコンタクト電極８０が形成されたｎ
−
ＳｉＣ層２０の第２の主面２０Ｂ上に、レジストが塗布された後、露光および現像が行なわれ、所望の絶縁膜としてのゲート絶縁膜３０（図１参照）の形状に応じた領域に開口を有するレジスト膜９２が形成される。次に、レジスト膜９２が形成された第２の主面２０Ｂ上に、水素を含有するＤＬＣ膜３５が成膜される。
・・・
【００６０】
　
その後、上記レジスト膜９２上のＤＬＣ膜３５がレジスト膜９２とともに除去される（リフトオフ）。
　エ　周知文献２の記載事項
　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平１１−２７８９９０号公報（以下「周知文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００７】
特開平５−２７０９８６号公報、同７−１０６９０号公報には、ＤＬＣ膜成膜前にフォトレジストによるパターニングを基板上に施し、ＤＬＣ膜成膜後にレジストごとＤＬＣを除去する方法が記載されている。
　オ　周知文献３の記載事項
　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−１０２７６号公報（以下「周知文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００４９】
　本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
　図４は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００５０】
　
導電性基材２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）５が形成されている（図４（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層５をパターン化する（図４（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層５の不要部を除去して突起部６を残すことにより行われる。
・・・
【００５２】
　前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
　
突起部６からなる凸状パターンを有する導電性基材２の表面に絶縁層３を形成する（図４（ｃ））。
【００５３】
　
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する
・・・
【００５７】
　次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。
絶縁層３が付いている状態（図４（ｃ）参照）で、突起部６からなる凸状パターンを除去する（図ｄ（ｄ）参照）。
　カ　周知技術１
　上記アないしオより、「パターン加工されたＤＬＣ膜を基材上に形成するために、基材の表面に感光材を塗布し、光露光により、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ膜を形成し、レジストパターン上に形成されたＤＬＣ膜をレジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成すること」は、引用文献２及び３並びに周知文献１ないし３にみられるように、本願の出願前に当該技術分野において周知の技術と認められる（以下、当該周知の技術を「周知技術１」という）。
（３）周知文献４ないし６の記載事項及び周知技術２
　ア　周知文献４の記載事項
　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００８−２１８８６６号公報（以下「周知文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００２】
　半導体装置の製造工程では、シリコンなどからなる円盤状の基板（ウェハー）に複数の回路を形成し、これらの回路を切り分けることで半導体素子を作製する。
　この回路のパターン形成はフォトリソグラフィ工程によって行われ、一般に、ウェハー表面にシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜などからなる各層を形成したウェハー表面上に、さらに
フォトレジストを膜状に塗布し、加熱によりフォトレジスト膜を固化した後、フォトマスクを通じて露光し現像すると、フォトマスクに描かれた素子・回路のパターンをフォトレジスト膜に転写することができる。
【０００３】
　フォトレジストは、感光した部分が溶解する「ポジ型」と、感光した部分が残る「ネガ型」があるが、パターンの微細化にはポジ型が有利であるとも言われている。
　いずれも露光後に現像処理を行うと、不要な部分のフォトレジストが除去され、レジストパターンがウェハー上に現れる。
　このレジストパターンを利用して、さらにエッチングや成膜・リフトオフなどを行うことで、目的とする回路をウェハー上に作成することができる。
【０００４】
　近年では、半導体デバイスの微細化に伴い、レジストパターンに要求される最小線幅も小さくなるとともに、
ＫｒＦやＡｒＦ等の短波長のエキシマレーザーが露光光源の主流となっている。
　イ　周知文献５の記載事項
　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００９−８７７６０号公報（以下「周知文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０１２８】
　４．発光層パターニング工程
　本実施態様における発光層パターニング工程は、残存する上記フォトレジスト層を除去して、上記フォトレジスト層上の上記発光層をリフトオフする工程である。
【０１２９】
　フォトレジスト層を除去する方法としては、ポジ型フォトレジストを用いた場合は、フォトレジスト層を露光し、現像する方法等を用いることができる。
【０１３０】
　
フォトレジスト層を露光する方法としては、
レーザー描画法
など、一般的な方法を用いることができる。
　ウ　周知文献６の記載事項
　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−１０１７５号公報（以下「周知文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００７６】
　
フォトレジスト層への露光方法は
レーザ光を用いて走査露光を行うことも可能であり、
　エ　周知技術２
　上記アないしウより、「フォトレジストを光露光してレジストパターンを形成する際に、レーザ光を用いること」は、周知文献４ないし６にみられるように、本願の出願前に当該技術分野において周知の技術と認められる（以下、当該周知の技術を「周知技術２」という）。
　２　本願発明と引用発明との対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明における「貴金属薄膜層１７」は、「前記パターン加工されたＤＬＣ膜１５をエッチングマスクとして前記貴金属薄膜層１７をエッチング加工する工程」においてエッチング加工されるものであるから、「被エッチング基材」であるといえる。
　そして、引用発明における「Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＲｈおよびＰｄから少なくとも１種類の貴金属材料を貴金属薄膜層１７として成膜する工程」は、「被エッチング基材を準備する工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「被エッチング基材を準備する工程」を含む点において共通するといえる。
　イ　引用発明における「ＤＬＣ膜１５を成膜する工程」、「レジスト１６をマスクとして前記ＤＬＣ膜１５をパターン加工する工程」及び「レジスト１６を除去する工程」において形成される「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」は、「ＤＬＣパターン」であるといえる。
　また、引用発明においては、「前記パターン加工されたＤＬＣ膜１５をエッチングマスクとして前記貴金属薄膜層１７をエッチング加工する工程」において「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」をエッチングマスクとして用いているのであるから、引用発明における「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」は、「エッチングマスクとなる」ものであるといえる。
　さらに、上記１（１）アの引用文献１の記載（段落【００３１】、【００３２】及び【００４０】）及び引用文献１の【図１】（ｂ）ないし（ｅ）の記載より、引用発明における「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」は、「貴金属薄膜層１７」の表面に形成されるものであるといえ、上記アのとおり、引用発明における「貴金属薄膜層１７」は「被エッチング基材」であるといえるから、引用発明における「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」は「被エッチング基材」の表面に形成されるものであるといえる。
　以上より、引用発明における「ＤＬＣ膜１５を成膜する工程」、「レジスト１６をマスクとして前記ＤＬＣ膜１５をパターン加工する工程」及び「レジスト１６を除去する工程」は、「被エッチング基材の表面にエッチングマスクとなるＤＬＣパターンを形成する工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「被エッチング基材の表面にエッチングマスクとなるＤＬＣパターンを形成する工程」を含む点において共通し、後述する相違点において相違するといえる。
　ウ　引用発明における「貴金属薄膜層１７」は「Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＲｈおよびＰｄから少なくとも１種類の貴金属材料」を成膜したものであり、「Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＲｈおよびＰｄ」から選ばれた一種の材料からなるものを含むものと認められる。
　そして、上記アのとおり、引用発明における「貴金属薄膜層１７」は「被エッチング基材」であるといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた一種の材料からなる」点において共通し、後述する相違点において相違するといえる。
　エ　上記１（１）アの引用文献１の記載（段落【００３１】、【００３２】及び【００４０】）及び引用文献１の【図１】（ｅ）の記載より、引用発明においては、中間生産物として、「貴金属薄膜層１７」の表面に「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」が付いたもの（以下「中間生産物」という。）が製造されるといえる。
　そして、引用発明における「貴金属薄膜層１７」は「基材」であるといえ、引用発明における「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」は「エッチングマスク」であるといえるから、引用発明における中間生産物は、「エッチングマスク付基材」であるといえる。
　以上より、引用発明は、「エッチングマスク付基材」を製造する方法を包含するものであるといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「エッチングマスク付基材の製造方法」である点において共通するといえる。
（２）以上から、本願発明と引用発明とは、下記アの点で一致し、下記イの点で相違すると認める。
　ア　一致点
　「被エッチング基材を準備する工程と、
該被エッチング基材の表面にエッチングマスクとなるＤＬＣパターンを形成する工程と、を含むエッチングマスク付基材の製造方法であり、
前記被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた一種の材料からなることを特徴とするエッチングマスク付基材の製造方法。」
　イ　相違点
　本願発明は「該被エッチング基材の表面に感光材を塗布し、レーザ露光により、露光・現像せしめてレジストパターンを形成する工程」と、「該被エッチング基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成する工程」を含み、「該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ」ることによって「被エッチング基材の表面にエッチングマスクとなるＤＬＣパターンを形成する」ものであり、「被エッチング基材」は「感光材が塗布される」ものであるのに対し、引用発明は「ＤＬＣ膜１５を成膜する工程と、レジスト１６をマスクとして前記ＤＬＣ膜１５をパターン加工する工程と、レジスト１６を除去する工程」によって「貴金属薄膜層１７」（被エッチング基材）の表面に「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」（エッチングマスクとなるＤＬＣパターン）を形成するものであり、「貴金属薄膜層１７」（被エッチング基材）に感光材が塗布されるとは特定しない点。
３　相違点についての検討
　上記１（２）カのとおり、「パターン加工されたＤＬＣ膜を基材上に形成するために、基材の表面に感光材を塗布し、光露光により、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ膜を形成し、レジストパターン上に形成されたＤＬＣ膜をレジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成すること」（周知技術１）は、本願出願前に周知の技術であった。
　そうすると、引用発明において、「貴金属薄膜層１７」（被エッチング基材）の表面に「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」（エッチングマスクとなるＤＬＣパターン）を形成するために、「ＤＬＣ膜１５を成膜する工程と、レジスト１６をマスクとして前記ＤＬＣ膜１５をパターン加工する工程と、レジスト１６を除去する工程」に代えて、上記周知技術１を適用し、「貴金属薄膜層１７」（被エッチング基材）の表面に感光材を塗布し、光露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ膜を形成し、レジストパターン上に形成されたＤＬＣ膜をレジストパターンごと剥離せしめ、「貴金属薄膜層１７」（基材）の表面に「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」（エッチングマスクとなるＤＬＣパターン）を形成することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　また、上記１（３）エのとおり、「フォトレジストを光露光してレジストパターンを形成する際に、レーザ光を用いること」（周知技術２）は、本願出願前に周知の技術であったから、引用発明に対して周知技術１を適用する際に、レーザー光を用いてフォトレジストを光露光することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　以上より、引用発明に対して周知技術１及び２を適用し、上記相違点に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
４　本願発明の作用効果について
　本願明細書の段落【０００８】には、本願発明の効果として、「すなわち、本発明では、いわゆるリフトオフとよばれる手法を用いているため、サイドエッチングの問題が生じず、エッチングによってＤＬＣパターニングを形成する場合と比べて高精細を実現することができる。」と記載されている。しかしながら、ＤＬＣ膜をエッチングする方法に代えて周知技術１を用いた場合にサイドエッチングが生じないのは当然のことであり、また、明細書の上記記載からは、従来技術と比較して具体的にどの程度の高精細化を実現することが可能であるのかが不明である。
　また、本願明細書の段落【００３７】には、本願発明の「被エッチング基材」をニッケルとした実施態様に関し、「そして、凹部パターン２２の形成されたニッケル層の表面を４ヘッド型研磨機（株式会社シンク・ラボラトリー製研磨機）を用いて研磨し、図５に示す高精細なパターン付製品を得た。図５において、このパターン付製品の表面を光学顕微鏡で観察したところ、凹部パターン２２の線幅は１４μｍであり、深度は５μｍであった。」と記載されているものの、従来技術との比較がなされておらず、従来技術と比較した場合の効果は不明である。
　また、本願発明のうち、「被エッチング基材」がニッケル以外であるものについては、本願明細書の段落【００３８】に「また、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒ及びＭｏをそれぞれ基材としたものについても前記Ｎｉの実施例と同様にしてエッチングマスク付基材を作製した。これらエッチングマスク付基材の表面を光学顕微鏡で観察したところ、高精細なエッチングマスク付基材が観察された。」と記載されているに過ぎず、従来技術と比較した場合の具体的な効果は不明である。
　以上より、従来技術と比較した場合の本願発明の具体的な効果は不明であると言わざるを得ないから、本願発明は、引用発明並びに周知技術１及び２の奏する作用効果から予測することのできない格別の作用効果を奏するものであるとはいえない。
５　当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
６　請求人の主張について
（１）請求人は、平成２９年４月６日付けの意見書（以下、単に「意見書」という。）において、「審判長殿は、上記した一致点の認定に当たり、本願発明１と引用文献１の記載内容を比較検討し箇条書き（ア、イ、ウ）しております。引用文献１の引用部分については異論はありませんが、審判長殿の判断部分には本願発明１の構成についての誤解に起因する誤りを含んでおります。本願発明１でいう『被エッチング基材』は図１の符号１２で示されるもので（本願明細書【００２５】）、その表面に感光材１４が塗布されるものです（本願明細書【００２７】）。具体的には、本願明細書の実施例に記載されるように、版母材（アルミ中空ロール）に銅メッキ層及びニッケルメッキ層を形成した場合には、ニッケルメッキ層を基材としてその表面に感光膜を塗布するものです（本願明細書【００３１】参照）。つまり、上記実施例では版母材の上に銅メッキ層及びニッケルメッキ層の２層を形成しておりますが、この場合はニッケルメッキ層が被エッチング基材であって、銅メッキ層は被エッチング基材ではありません。つまり、本願発明においては、複数の層が存在する場合には、感光材が塗布される最上層を被エッチング基材と定義しているものです。まずもって、この被エッチング基材の定義について、審判長殿は誤解しておりその後の議論がこの誤解をもとに行われているために、全ての議論が誤りを含んだものとなっているものであります。
　以下に誤りを含む拒絶理由通知書の該当箇所を指摘します。
（Ｉ）
　拒絶理由通知書の〈３．理由３（進歩性）について〉〈（１）請求項１について〉において、『したがって、引用発明における、『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成したものは、本願発明１における『被エッチング基材』に相当するといえる。』という指摘は誤りです。
　本願の図1から明らかなように、被エッチング基材１２は一層で、本願明細書の実施例に記載の例でいえば、版母材、銅メッキ層（これらは本願の図面には図示されておりません）の上に形成されたニッケルメッキ層、つまり最上層の一層のみです。引用文献１においては、審判長殿が指摘するように、『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成したものが教示されており、審判長殿はこれらの複数層の総体を『被エッチング基材』と認定しておりますが、これは明かに誤りです。これらの層の内で本願発明１の被エッチング基材１２に対応するものは、最上層である『貴金属薄膜層１７』ということになります。審判長殿は引用文献１の『貴金属薄膜層１７』のみを本願発明１の被エッチング基材１２に対応するものと特定せず、上記した複数の層をまとめて本願発明１の被エッチング基材１２に相当すると判断しているのは第１の誤りといえます。」との主張をしている。
　上記の主張について検討する。当審拒絶理由が通知された時点における請求項１（すなわち、平成２９年４月６日付け手続補正書による補正前の請求項１）には、「前記感光材が塗布される前記被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた
少なくとも一種の材料からなる
アルミ
銅
ニッケル
　したがって、当審拒絶理由における「被エッチング基材」についての認定は妥当なものといえるから、請求人の上記主張を採用することはできない。
　なお、本審決では、上記２（１）ア及びウのとおり、引用発明における「貴金属薄膜層１７」が「被エッチング基材」に相当するものであると認定しているが、これは、平成２９年４月６日付け手続補正書による補正（以下「当審拒絶理由に対する補正」という。）により、請求項１の「前記感光材が塗布される前記被エッチング基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒからなる群から選ばれた
少なくとも一種の材料からなる
一種の材料からなる
　そして、当審拒絶理由における認定（すなわち、引用発明における「『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成したもの」が「被エッチング基材」に相当するとの認定）と、本審決における認定（すなわち、引用発明における「貴金属薄膜層１７」が「被エッチング基材」に相当するとの認定）とは、「被エッチング基材」に下層が含まれるか否かという点においてのみ相違し、「貴金属薄膜層１７」がエッチングされるという点においては変わりがなく、また、補正後の本願発明は、「被エッチング基材」の下層の構成には特徴を有しない。
　そうすると、上記の認定の変更は、当審拒絶理由における、本願発明が引用発明と周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとの結論には何ら影響しない。
　以上より、上記の認定の変更は、当審拒絶理由に対する補正に伴い、引用発明と本願発明の対応関係を修正したもので、これによって、当審拒絶理由の結論に影響は及ばないから、上記の認定の変更が、当審拒絶理由における容易想到性の理由を実質的に変更しないことは明らかである。
（２）請求人は、意見書において、「さらに、本願発明１においては、本願の図１（ａ）に示されるように、被エッチング基材１２上には感光材１４が塗布され、図１（ｂ）に示されるように、この感光材の塗布膜を露光・現像せしめてレジストパターン１６が形成され（本願明細書【００２７】）、図１（ｃ）に示されるように、この基材１２及びレジストパターン１６の表面にＤＬＣ被覆膜１８を形成するものです（本願明細書【００２８】）。
　これに対して、引用文献１においては、【００２８】〜【００３１】に上記した『基板１０』上に『軟磁性層１１』、『シード層１２』、『中間層１３』、『磁気記録層１４』及び『貴金属薄膜層１７』を形成する説明がなされ、次いで、図１（ａ）に示されるように、『貴金属薄膜層１７』の上にＤＬＣ膜１５が形成され、このＤＬＣ膜１５の上にレジスト１６が形成されることが記載されております（引用文献１【００３２】〜【００３６】）。つまり、この引用文献１の『貴金属薄膜層１７』、ＤＬＣ膜１５及びレジスト１６の膜の配置は、引用文献１の図１（ａ）と本願の図１（ａ）〜（ｃ）を見比べれば明白ですが、ＤＬＣ膜１８と感光材層１４の設置順が真逆になっており、しかも本願発明１においては感光材層１４を露光・現像せしめてレジストパターン１６を形成した後にＤＬＣ膜１８を形成しており、つまりＤＬＣ膜１８は形成した当初から凹凸形状をなしているものです。一方、引用文献１においては、『貴金属薄膜層１７』上にＤＬＣ膜１５を平坦形状で形成し、その上にレジスト１６を形成しているものです。このように、本願発明１の被エッチング基材１２に対応すると考えられる『貴金属薄膜層１７』（後述するように、実際はこの『貴金属薄膜層１７』は本願発明１の被エッチング基材１２に対応するものではありませんが）の上に形成されるＤＬＣ膜１５及びレジスト１６の形成順序及び形成態様は、本願発明１の感光材層１４及びそれからレジストパターン１６の形成及びそのレジストパターン１６上への凹凸形状のＤＬＣ膜１８の形成とは全く別異のものであり、同等と考えられるものではありません。」との主張をしている。
　上記の主張について検討する。引用発明に対して周知技術１を適用した場合には、「貴金属薄膜層１７」上にレジストパターンを形成し、その上にＤＬＣ膜を形成することは、当業者にとって明らかである。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
（３）請求人は、意見書において、「さらにまた、上記では引用文献１の『貴金属薄膜層１７』が本願発明１の被エッチング基材１２に対応するものとして議論を進めたわけですが、実のところ『貴金属薄膜層１７』は本願発明１の被エッチング基材１２に対応するものでもありません。本願発明１の被エッチング基材１２は、本願の図１（ｄ）に示されるように、被エッチング基材１２の表面にＤＬＣパターン２０を形成したエッチングマスク付基材１０となり、さらに処理されると凹部パターン２２が被エッチング基材１２の表面に形成されたパターン付製品２４となるもので、処理途中で消えることなく最終製品まで基材として残存するものです。ところが、引用文献１の『貴金属薄膜層１７』はその図１（ｈ）に示されるように、最磁気記録層１４が形成されると最終的には除去されるものであり、本願発明１の被エッチング基材１２のように最終製品まで基材として残るものとはその役割が明らかに異なるもので、両者を同等と考えることは不可能です。」との主張をしている。
　上記の主張について検討する。明細書の記載及び本願出願時の技術常識を参酌しても、「被エッチング基材」との語を「最終製品まで基材として残るもの」に限定して解釈すべき理由はない。そして、引用発明における「貴金属薄膜層１７」は、基材であり、エッチングされるものであるから、「被エッチング基材」といえるものである。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　なお、仮に本願発明の「被エッチング基材」を「最終製品まで基材として残るもの」に限定して解釈したとしても、引用発明における各工程をいずれの事業者が実施するのかは単なる人為的取決めに過ぎず、引用発明における中間生産物（すなわち、引用文献１の【図１】（ｅ）に記載された、「貴金属薄膜層１７」の表面に「パターン加工されたＤＬＣ膜１５」が付いたもの）を製品として他の事業者に譲渡し、他の事業者が後続の工程を実施することも普通に行い得ることであり、その場合には「貴金属薄膜層１７」が「最終製品まで基材として残るもの」となるのであるから、いずれにせよ、請求人の上記主張を採用することはできない。
（４）請求人は、意見書において、「（オ）審判長殿は上記（Ｂ）工程、（Ｃ）工程、及び（Ｄ）工程が、引用文献２及び引用文献３に記載されるように周知技術であると述べております。御庁の審査基準によれば『周知技術とは、その技術分野において一般的に知られている技術であって、例えば、これに関し、相当多数の公知文献が存在し、又は業界に知れわたり、あるいは、例示する必要がない程よく知られている技術』とされています。審判長殿は２件の公知文献をあげて（Ｂ）工程、（Ｃ）工程、及び（Ｄ）工程が周知技術であると認定しておりますが、２件の公知文献は相当多数の公知文献といえるのでしょうか。このような判断を今後も行う予定であるとすれば、審査基準の『相当多数の公知文献が存在し』という規定自体が有名無実化しますので、『複数の公知文献が存在し』と変更する必要があるものと思料します。常識的に考えて、『２件の公知文献』が『相当多数の公知文献』と同義であるとは到底考えられません。なお、公知文献の公開日乃至公知日が古いからと言って周知技術にならないものが多数存在することはいうまでもありません。」との主張をしている。
　上記の主張について検討する。上記１（２）アないしオのとおり、周知技術１は、多数の文献に記載され、当該技術分野において広く知られたものであるといえるから、周知技術１が周知であるとした当審拒絶理由及び本審決の認定に誤りがあるとはいえない。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　なお、仮に周知技術１が周知の技術とはいえないとしても、引用発明に対して引用文献２及び３に記載された発明を適用することについて困難があったとはいえないから、本願発明が引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとの結論に影響はない。
（５）請求人は、意見書において、「ところで、引用文献２及び３に記載された周知技術を引用発明に適用するにあたり、まず、引用発明における『ＤＬＣ膜１５』の上に『レジスト１６』を塗布するという根幹的な手順である膜形成の順序が変更となり、つまり引用発明とは真逆の手順によりレジスト（パターン）の上にＤＬＣ膜を形成することになり、これに伴って『レジスト１６』に対するリソグラフィー技術の適用の順序や『ＤＬＣ膜１５』に対するエッチングの有無などの大きな手順上の変更が必要となります。このような手順上の大きな変更は当業者といえども発明的な努力なしには容易になしうるものではありません。」との主張をしている。
　上記の主張について検討する。上記（２）のとおり、引用発明に対して周知技術１を適用した場合には、「貴金属薄膜層１７」上にレジストパターンを形成し、その上にＤＬＣ膜を形成することは明らかであり、そのような手順とすることは、当業者であれば普通に行い得たことである。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
（６）請求人は、意見書において、「実際上の問題としては、引用発明（引用文献１）の出願日は２００９年７月１４日であり、引用文献２の公開日は１９８９年４月２１日で、引用文献３の公開日は１９９３年１０月１９日です。引用発明は引用文献２が公知となってから２０年後に出願され、引用文献３が公知となってから１６年後に出願されたものです。このように２０年前及び１６年前に公知となった引用文献２や引用文献３の周知技術が知られていても、引用発明においては『『ＤＬＣ膜１５』の上に『レジスト１６』を塗布し、電子ビーム描画装置によるリソグラフィー技術を用いて『レジスト１６』に凹凸パターンを転写し、『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングする方法』を採用しているものです。つまり、引用発明の完成過程においては、引用文献２や引用文献３の技術を採用しても良好な結果がえられず、旧来の上記した『『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングする方法』を採用して良好な結果をえて引用発明が完成されたものと推測されます。引用文献２や引用文献３の周知技術が存在していても、単純にそのまま適用すればよいものではなく、適用技術の内容に応じて他の公知の技術との比較検討や取捨選択が行われて初めて発明的な技術が完成されることになることが、引用発明の発明過程からみてとれるものです。
　ところで、引用文献１（引用発明）の出願日は２００９年７月１４日で、本願の出願日（２０１１年２月１０日）の１年半前です。引用発明と本願発明の属する技術業界の技術水準は同程度と考えるのが妥当と思われますが、上述したように引用発明においては旧来の上記した『『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングする方法』を採用しており、一方、本願発明１においては、引用文献１には全く記載されていない（Ｂ）工程、（Ｃ）工程及び（Ｄ）工程を採用しているものです。
　審判長殿は、本願発明１において、引用文献２及び３に記載されている（Ｂ）工程、（Ｃ）工程及び（Ｄ）工程を引用発明に適用するのは当業者にとって容易であると判断しているものです。しかしながら、当業者である引用発明の発明者は引用文献２及び３記載の周知技術が存在するにも拘わらず旧来の上記した『『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングする方法』を採用しているものです。ということは、ＤＬＣパターン形成にあたり、引用文献２及び３記載の周知技術が存在するにしても直ちにその周知技術を採用するものではなく、種々の技術を検討して最終的に当該発明に適した技術を選定して発明を完成するものであり、このような発明手順は当業者にとっても容易になしうるものでないことは自明であります。従って、引用発明が完成する際の手順と同様に本願発明の発明者は種々の技術を検討した結果、本願発明のＤＬＣパターンの形成には（Ａ）工程及び構成要素（Ｅ）を含めて（Ｂ）工程、（Ｃ）工程及び（Ｄ）工程を採用するのが、高精細なパターニングを達成する上でも最適であるとして本願発明を完成したものであり、当業者といえども容易になしうるものではありません。・・・審判長殿は、本願発明１の奏する作用効果は格別顕著なものではないと述べておりますが、本願発明は近年の電子部品の精密化に対応すべく、より高精細なパターニングを実現したもので、実用的価値は非常に高いものであります。」との主張をしている。
　上記の主張について検討する。引用文献１には、周知技術１を採用しなかった理由について何ら記載されておらず、「引用発明の完成過程においては、引用文献２や引用文献３の技術を採用しても良好な結果がえられず、旧来の上記した『『レジスト１６』の凸部をマスクとして『ＤＬＣ膜１５』をエッチングする方法』を採用して良好な結果をえて引用発明が完成されたものと推測されます。」との請求人の主張には根拠がない。
　また、採用することが可能なあらゆる周知技術を明細書中に網羅的に記載することは実際上不可能であるから、引用文献１において周知技術１についての記載がないからといって、そのことが直ちに、引用発明に対して周知技術１を適用することが困難であったことの根拠とならないことは当然である。
　そして、上記４のとおり、本願発明は、引用発明並びに周知技術１及び２の奏する作用効果から予測することのできない格別の作用効果を奏するものであるとはいえないのであるから、本願発明に対して周知技術１及び２を適用することは、当業者であれば容易になし得たことであると言わざるを得ない。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
（７）以上のとおり、上記（１）ないし（６）に摘記した請求人の主張はいずれも採用することができない。また、請求人のその他の主張を考慮しても、本願発明が引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとの結論を覆すに足りる根拠を見いだすことができない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明（引用発明）並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。