Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本実施例の配置情報データベースＤＢ（ＤＢ０，ＤＢ１）には、プロジェクターが２台登録されており、プロジェクターＩＤ０およびプロジェクターＩＤ１によって、マルチプロジェクションシステム１が構築されていることが表わされている。このとき、先頭のプロジェクターＩＤ０をマスタープロジェクターとし、２行目のプロジェクターＩＤ１をスレーブプロジェクターとする。他にもスレーブプロジェクターがある場合には、プロジェクターＩＤ２，ＩＤ３，・・・というように、配置情報データベースＤＢの行数が追加される。配置情報データベースＤＢには、プロジェクターＩＤ毎に、表示画素数および相対位置の情報が格納される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
このように、マルチプロジェクションシステム３において、配置情報生成処理が行われると、マスタープロジェクターＩＤ０およびスレーブプロジェクターＩＤ１、ＩＤ２、ＩＤ３の配置情報（即ち、配置情報データベースＤＢ３）を、それぞれのプロジェクターが認識することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
（４）プロジェクター１００は、マスタープロジェクター処理において、各プロジェクター１００，１０１，１０２，１０３の表示画素数情報と配置情報とに基づいて、全てのプロジェクターによって構成される総表示画素数情報を算出する。そして、表示属性記憶部２２に総表示画素数情報を記憶する。マスタープロジェクターＩＤ０の表示属性記憶部２２に記憶された総表示画素数情報は、外部の画像供給装置から参照することが可能である。これにより、画像供給装置は、マルチプロジェクションシステム１，２，３の総表示画素数情報を参照して、当該総表示画素数情報に応じた画像を生成し、マルチプロジェクションシステム１，２，３のマスタープロジェクターＩＤ０に供給することが可能となるため、有益である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
（変形例１）上記実施形態では、画像供給装置（図示せず）は、マスタープロジェクターＩＤ０の表示属性記憶部２２に記憶された総表示画素数情報に基づいて、全体画像（全体の画像信号）を生成して、マスタープロジェクターＩＤ０に供給するものとした。そして、マスタープロジェクターＩＤ０の画像出力端子ＭＯと、スレーブプロジェクターＩＤ１の画像信号入力部３０とを接続するものとした。同様に、各スレーブプロジェクターＩＤ２，ＩＤ３は、上流側のプロジェクターから直列的に接続して画像信号を入力するものとした。しかし、画像供給装置は、マスタープロジェクターＩＤ０とスレーブプロジェクターＩＤ１，ＩＤ２，ＩＤ３とに、それぞれ、画像信号を供給してもよい。つまり、画像供給装置と各プロジェクターとを並列的に接続してもよい。この場合、画像供給装置は、各プロジェクターの表示画素数情報と、各プロジェクターが配置情報データベースに基づいて認識した自身の配置を表す情報とを、各プロジェクターまたはマスタープロジェクターから取得して、各プロジェクターに、それぞれが投写を担当する範囲（投写領域）の画像の画像信号を供給してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ現像型樹脂組成物からなる樹脂層（Ａ）と、
該樹脂層（Ａ）を介してフレキシブルプリント配線板に積層される樹脂層（Ｂ）と、
を有する積層構造体であって、
前記樹脂層（Ｂ）が、イミド環を有するアルカリ溶解性樹脂と光塩基発生剤と熱反応性化合物を含む感光性熱硬化性樹脂組成物からなることを特徴とする積層構造体。
【請求項２】
前記樹脂層（Ａ）と前記樹脂層（Ｂ）が共に、光照射によりパターニングが可能である請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
フレキシブルプリント配線板の屈曲部および非屈曲部のうちの少なくともいずれか一方に用いられる請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項４】
フレキシブルプリント配線板のカバーレイ、ソルダーレジストおよび層間絶縁材料のうちの少なくともいずれか１つの用途として用いられる請求項１〜３のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の積層構造体の少なくとも片面が、フィルムで支持または保護されていることを特徴とするドライフィルム。
【請求項６】
フレキシブルプリント配線板上に請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の積層構造体の硬化物の絶縁膜を有することを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体と、
光源が発した光を前記感光体に照射する光照射手段と、
前記感光体にトナーを付着させる現像手段と、を有し、
前記光照射手段は、前記感光体の画像部に対し通常発光量で前記光源を発光させ、前記感光体の非画像部に対し前記通常発光量よりも小さい微小発光量で前記光源を発光させ、
前記微小発光量が前記光照射手段に入力される基準値に基づいて設定される画像形成装置において、
予め定められた基準値と、前記予め定められた基準値に基づいて前記光源を発光させた時の前記感光体に照射される光の光量と、の関係に関する情報に基づいて前記光照射手段に入力する基準値を決定する決定手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記情報は、前記予め定められた基準値により前記光源を発光させた時の前記感光体の位置での光量に関する値であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記情報は、予め定められた複数の基準値に対応する複数の光量に関する値であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
感光体と、
光源が発した光を前記感光体に照射する光照射手段と、
前記感光体にトナーを付着させる現像手段と、を有し、
前記光照射手段は、前記感光体の画像部に対し通常発光量で前記光源を発光させ、前記感光体の非画像部に対し前記通常発光量よりも小さい微小発光量で前記光源を発光させ、
前記微小発光量が前記光照射手段に入力される基準値に基づいて設定される画像形成装置において、
予め定められた光量と、前記感光体に照射される光の光量が前記予め定められた光量となるよう前記光源を発光させる為の基準値と、の関係に関する情報に基づいて前記光照射手段に入力する基準値を決定する決定手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
前記情報は、前記感光体の位置での光量が前記予め定められた光量となるよう前記光源を発光させる為の基準値に関する値であることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記情報は、複数の前記予め定められた光量に対応する複数の基準値に関する値であることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記光照射手段は、前記光源の発光量を調整する調整手段と、前記光源の発した光を受光する受光手段と、を備え、
前記調整手段は、前記光照射手段に入力される基準値と前記受光手段の出力とに基づいて前記微小発光量を調整することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記調整手段は、前記光源を発光させる為の駆動電流を調整することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、感光体と、光源が発した光を前記感光体に照射する光照射手段と、前記感光体にトナーを付着させる現像手段と、を有し、前記光照射手段は、前記感光体の画像部に対し通常発光量で前記光源を発光させ、前記感光体の非画像部に対し前記通常発光量よりも小さい微小発光量で前記光源を発光させ、前記微小発光量が前記光照射手段に入力される基準値に基づいて設定される画像形成装置において、予め定められた基準値と、前記予め定められた基準値に基づいて前記光源を発光させた時の前記感光体に照射される光の光量と、の関係に関する情報に基づいて前記光照射手段に入力する基準値を決定する決定手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、感光体と、光源が発した光を前記感光体に照射する光照射手段と、前記感光体にトナーを付着させる現像手段と、を有し、前記光照射手段は、前記感光体の画像部に対し通常発光量で前記光源を発光させ、前記感光体の非画像部に対し前記通常発光量よりも小さい微小発光量で前記光源を発光させ、前記微小発光量が前記光照射手段に入力される基準値に基づいて設定される画像形成装置において、予め定められた光量と、前記感光体に照射される光の光量が前記予め定められた光量となるよう前記光源を発光させる為の基準値と、の関係に関する情報に基づいて前記光照射手段に入力する基準値を決定する決定手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光領域の一部が遮光されている遮光画素１画素と、その遮光画素の遮光方向の周辺画素列の画素値を取得し、前記遮光画素の画素値に対して感度低下の補正を行った補正後の画素値を、前記周辺画素列の画素値と比較することにより、前記遮光画素の位相差を検出する位相差検出部を備える
信号処理装置。
【請求項２】
前記遮光画素が位相差の検出を行うのに適した画素であるかを判定する信頼度判定部をさらに備え、
前記位相差検出部は、前記信頼度判定部により、位相差の検出を行うのに適した画素であると判定された前記遮光画素に対して位相差を検出する
請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記信頼度判定部は、
取得された前記周辺画素列の画素値のダイナミックレンジを算出し、算出されたダイナミックレンジを判定するダイナミックレンジ判定部と、
取得された前記周辺画素列の画素値の単調増加および単調減少を判定する単調増減判定部と
を有し、
前記信頼度判定部は、前記ダイナミックレンジ判定部および前記単調増減判定部により、算出されたダイナミックレンジが所定の閾値よりも大であり、かつ、前記周辺画素列の画素値が単調増加または単調減少の傾向を有していると判定された場合に、前記遮光画素が位相差の検出を行うのに適した画素であると判定する
請求項２に記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記信頼度判定部は、
算出された前記遮光画素の位相差を、近傍の他の遮光画素の位相差と比較することにより、前記位相差検出部により検出された位相差が信頼できる値であるかを判定する検出位相差判定部を有する
請求項２または３に記載の信号処理装置。
【請求項５】
前記検出位相差判定部は、画素内の遮光領域の配置が、位相差を算出した前記遮光画素と前記他の遮光画素で同じ場合、算出された前記遮光画素の位相差と、前記他の遮光画素の位相差の符号が同じで、算出された前記遮光画素の位相差と、前記他の遮光画素の位相差の差分絶対値が所定の閾値より小である場合に、前記位相差検出部により検出された位相差が信頼できる値であると判定する
請求項４に記載の信号処理装置。
【請求項６】
前記検出位相差判定部は、画素内の遮光領域の配置が、位相差を算出した前記遮光画素と前記他の遮光画素で異なる場合、算出された前記遮光画素の位相差と、前記他の遮光画素の位相差の符号が異なり、算出された前記遮光画素の位相差と、前記他の遮光画素の位相差の差分絶対値が所定の閾値より小である場合に、前記位相差検出部により検出された位相差が信頼できる値であると判定する
請求項４に記載の信号処理装置。
【請求項７】
前記位相差検出部は、取得した前記遮光画素の画素値を、遮光率に応じてゲイン倍補正することにより、前記感度低下の補正を行う
請求項１乃至６のいずれかに記載の信号処理装置。
【請求項８】
前記位相差検出部は、取得した前記遮光画素の画素値を、前記補正テーブルに基づいて決定された遮光率に応じてゲイン倍補正することにより、前記感度低下の補正を行う
請求項７に記載の信号処理装置。
【請求項９】
前記位相差検出部は、取得した前記遮光画素の画素値を、周辺の他の遮光画素から算出した遮光率に応じてゲイン倍補正することにより、前記感度低下の補正を行う
請求項７に記載の信号処理装置。
【請求項１０】
前記位相差検出部は、前記遮光画素の画素値に対して感度低下の補正を行った補正後の画素値に対応する前記周辺画素列の画素値波形上の位置を求めることで、前記遮光画素の位相差を算出する
請求項１乃至９のいずれかに記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記位相差検出部は、前記遮光画素の画素値に対して感度低下の補正を行った補正後の画素値との差分が小さい前記周辺画素列の２つの画素値を用いて、前記遮光画素の位相差を算出する
請求項１０に記載の信号処理装置。
【請求項１２】
前記位相差検出部は、前記補正後の画素値と、前記周辺画素列の２つの画素値それぞれとの画素差分の比に基づいて、前記遮光画素の位相差を算出する
請求項１１に記載の信号処理装置。
【請求項１３】
前記位相差検出部は、前記周辺画素列の画素が遮光画素である場合には、その遮光画素の画素値として、その周辺の通常画素の画素値で補間した値を用いる
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の信号処理装置。
【請求項１４】
複数の前記遮光画素が配置されている撮像領域を、所定数の領域に分割する領域分割部と、
検出された前記位相差に基づいて、分割された前記領域ごとの位相差を決定する領域位相差決定部と
をさらに備える
請求項１乃至１３のいずれかに記載の信号処理装置。
【請求項１５】
前記領域分割部は、画像のテクスチャ情報を用いて、前記撮像領域を、所定数の領域に分割する
請求項１４に記載の信号処理装置。
【請求項１６】
前記領域分割部は、同一の奥行きと認識される領域単位に、前記撮像領域を、所定数の領域に分割する
請求項１４または１５に記載の信号処理装置。
【請求項１７】
前記領域位相差決定部は、検出された前記位相差に対して統計処理を用いて、分割された前記領域ごとの位相差を決定する
請求項１４乃至１６のいずれかに記載の信号処理装置。
【請求項１８】
遮光画素を有する撮像部からの信号を処理する信号処理装置が、
受光領域の一部が遮光されている遮光画素１画素と、その遮光画素の遮光方向の周辺画素列の画素値を取得し、
前記遮光画素の画素値に対して感度低下の補正を行った補正後の画素値を、前記周辺画素列の画素値と比較することにより、前記遮光画素の位相差を検出する
信号処理方法。
【請求項１９】
受光領域の一部を遮光した遮光領域がある遮光画素と、前記遮光領域がない通常画素とを備える画素アレイ部を備え、
前記画素アレイ部内に配置されている複数の前記遮光画素それぞれの前記遮光領域の位置は同一である
固体撮像装置。
【請求項２０】
受光領域の一部を遮光した遮光領域がある遮光画素と、前記遮光領域がない通常画素とを備える画素アレイ部を備え、
前記画素アレイ部内に配置されている複数の前記遮光画素それぞれの前記遮光領域の位置は同一である
固体撮像装置
を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月18日(2016.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナーを使って画像を作成する画像作成機から排出される不要なトナーを搬送経路に沿って搬送するトナー搬送機と、
前記トナー搬送機によるトナーの搬送に用いられる駆動力を駆動源から該トナー搬送機へと伝達する伝達機と、
前記トナー搬送機によって搬送されたトナーが収容されるトナー収容容器と、
前記トナー収容容器の壁に設けられ、空気を通してトナーを止めるフィルタと、
前記伝達機によって前記トナー搬送機へと伝達される駆動力の一部が用いられて前記フィルタに衝撃を与える衝撃付与機と、
を備えたことを特徴とするトナー回収装置。
【請求項２】
前記衝撃付与機が、
前記フィルタに接触する第１の位置と該フィルタから離間した第２の位置との間で移動自在な移動部材と、
前記移動部材を前記第２の位置から第１の位置へと向かう向きに付勢する付勢部材と、
前記駆動力の一部で駆動し、前記移動部材を前記付勢部材による付勢力に逆らって前記第１の位置から前記第２の位置へと移動させ、該第２の位置で該移動部材を開放することで該移動部材を該付勢力で該第１の位置へと戻させる駆動部材と、
を備えたものであることを特徴とする請求項１記載のトナー回収装置。
【請求項３】
トナーを使って画像を作成する画像作成機と、
から排出される不要なトナーを搬送経路に沿って搬送するトナー搬送機と、
前記トナー搬送機によるトナーの搬送に用いられる駆動力を駆動源から該トナー搬送機へと伝達する伝達機と、
前記トナー搬送機によって搬送されたトナーが収容されるトナー収容容器と、
前記トナー収容容器の壁に設けられ、空気を通してトナーを止めるフィルタと、
前記伝達機によって前記トナー搬送機へと伝達される駆動力の一部が用いられて前記フィルタに衝撃を与える衝撃付与機と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法を用いた絶縁膜の形成方法であって、
酸素を含む雰囲気下において、
ジルコニウムを含んだターゲットを用い、
前記被形成面の温度を、前記絶縁膜が完全結晶化するよりも低い温度とし、
前記絶縁膜内の一部に前記絶縁膜の化学量論的組成よりも過剰な酸素を含有する非晶質領域が形成されるように、前記スパッタリング法を行う、ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
酸化ジルコニウムを含む絶縁膜であって、
前記絶縁膜において、膜中に非晶質領域と、空隙と、が確認され、
且つ、昇温脱離ガス分光法分析にて検出される、温度に対する質量数３２の検出強度が、一以上のピークを有する、ことを特徴とする絶縁膜。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法分析にて検出される、温度に対する質量数３２の検出強度が、３５０℃以上にピークを有する、ことを特徴とする絶縁膜。
【請求項４】
請求項２又は３において、
酸化ジルコニウムと酸化イットリウムを有する絶縁膜であって、
膜密度が５．４０ｇ／ｃｍ３以上５．９５ｇ／ｃｍ３以下である、ことを特徴とする絶縁膜。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一に記載の絶縁膜と、
酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極層と、ソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記絶縁膜と、前記酸化物半導体層とは接して設けられる、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の絶縁膜の形成方法により、前記絶縁膜を形成する工程と、
酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体層を形成する工程と、
ゲート絶縁層を形成する工程と、
ゲート電極層を形成する工程と、
ソース電極層及びドレイン電極層を形成する工程と、を有し、
前記絶縁膜と前記酸化物半導体層とは接するように形成され、
前記絶縁膜及び前記酸化物半導体膜を形成する工程よりも後に、前記絶縁膜から酸素が脱離する温度で、前記絶縁膜及び前記酸化物半導体膜または前記酸化物半導体層を加熱する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月11日(2015.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にある第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上にある活性層と、
前記活性層上にある第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上にある第１電極と、
前記第２導電型半導体層上にある第２電極と、
前記基板の上面に備えられる第１光抽出パターンと、
前記基板の側面に備えられる第２光抽出パターンと、
を含み、
前記第２光抽出パターンは、第１パターン、第２パターン及び第３パターンを含み、
前記第２パターンと前記第３パターンは、前記第１パターンより密に形成される発光素子。
【請求項２】
前記第１光抽出パターンは前記基板の物質と同じ物質を含み、前記第２光抽出パターンは前記基板の物質と異なる物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２光抽出パターンの屈折率は前記基板の屈折率より大きいことを特徴とする請求項１乃至２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２光抽出パターンはシリコン物質を含むことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第２光抽出パターンは透光性物質から形成されることを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１パターンと前記第２パターンの大きさはそれぞれ異なることを特徴とする請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１パターンは前記第２パターンより寸法が大きく、前記第１パターンは前記第２パターンより前記活性層に近く配置されることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
第２前記光抽出パターンは、少なくとも第４パターンと第５パターンを含み、前記第４パターンと前記第５パターンの形状がそれぞれ異なり、
前記第４パターンは、前記第１光抽出パターンと、前記第４パターンの高さと垂直の方向で、重ならないことを特徴とする請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第４パターンは三角形形状を含み、前記第５パターンは半円形状を含み、
前記第４パターンの高さは、前記第５パターンの高さより高いことを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２光抽出パターンは、前記基板の底面に平行するようにライン形態に配置されることを特徴とする請求項１乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２光抽出パターンの大きさは、前記基板の垂直厚さの１/１０ないし１/５であることを特徴とする請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１導電型半導体層の側面に形成される第３光抽出パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第３光抽出パターンは前記第２光抽出パターンと同じ物質から形成されたことを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記基板の底面に形成される第４光抽出パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第４光抽出パターンは、前記基板の物質と異なる物質から形成されることを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第４光抽出パターンは、前記第２光抽出パターンの物質と同じ物質から形成されることを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第２光抽出パターンは複数のパターンを含み、前記複数のパターンは相互同一な大きさと形状を有することを特徴とする請求項１乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１導電型半導体層の側面に形成される第３光抽出パターンをさらに含み、
前記第３光抽出パターンは前記第２光抽出パターンと異なる物質から形成されたことを特徴とする請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第３光抽出パターンは、前記第１導電型半導体層の側面がエッチングされて形成されることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記基板の底面に形成される第４光抽出パターンをさらに含み、
前記第４光抽出パターンは前記基板の物質と同じ物質を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のうち、いずれか１項記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側箸部材と、
下側箸部材と、
を含み、前記下側箸部材には１／４の球体が設けられ、前記１／４の球体の上縁が前記下側箸部材の上面から突出する、箸。
【請求項２】
前記箸の保持状態で、前記１／４の球体の先端が、使用者の薬指の第１関節付近と接触する、請求項１に記載の箸。
【請求項３】
前記箸の保持状態で、前記１／４の球体の後端が、使用者の人差し指の第３指節の指の腹と接触する、請求項１に記載の箸。
【請求項４】
前記箸の保持状態で、前記１／４の球体が、使用者の薬指の第２関節付近と接触する、請求項１に記載の箸。
【請求項５】
前記下側箸部材の背面から前記１／４の球体の自由端までの距離Ｌ１’と、前記１／４の球体の先端と後端との間の中央から前記下側箸部材の先端までの距離Ｌ２’とが、Ｌ１’×（１０〜１５）＞Ｌ２’の式を満たす、請求項１に記載の箸。
【請求項６】
前記１／４の球体が、前記下側箸部材の背面に設けられている、請求項１に記載の箸。
【請求項７】
前記１／４の球体の下縁が、前記下側箸部材の背面から突出する、請求項１に記載の箸。
【請求項８】
前記箸の保持状態で、前記１／４の球体は、中指の第２指節が前記下側箸部材に近付き過ぎることを防止する、請求項１に記載の箸。
【請求項９】
拡張部が、前記１／４の球体の先端から下へ延びる、請求項１に記載の箸。
【請求項１０】
前記下側箸部材は半環体を有し、前記半環体の２つの端部は、いずれも前記下側箸部材の背面に取り付けられ、前記半環体の円周部は前記下側箸部材の背面から突出しており、前記半環体は、第１突出物と、第２突出物と、接続部材とを含んでおり、前記第１突出物及び前記第２突出物は、いずれも前記下側箸部材の背面から突出しており、前記接続部材は前記第１突出物と前記第２突出物とを接続し、前記半環体の上部に前記１／４の球体が設けられる、請求項１に記載の箸。
【請求項１１】
前記半環体と前記１／４の球体とが一体に結合している、請求項１０に記載の箸。
【請求項１２】
前記１／４の球体の下縁と前記半環体とが結合している、請求項１０に記載の箸。
【請求項１３】
前記箸の保持状態で、前記第１突出物が、使用者の薬指の第１関節付近と接触する、請求項１０に記載の箸。
【請求項１４】
前記箸の保持状態で、前記第２突出物が、使用者の人差し指の第３指節の指の腹と接触する、請求項１０に記載の箸。
【請求項１５】
前記箸の保持状態で、前記接続部材が、使用者の薬指の第２関節付近と接触する、請求項１０に記載の箸。
【請求項１６】
前記下側箸部材の前記背面から前記接続部材の上端までの距離Ｌ１と、前記第１突出物と前記第２突出物との間の中央から前記下側箸部材の先端までの距離Ｌ２とが、Ｌ１×（１０〜１５）＞Ｌ２の式を満たす、請求項１０に記載の箸。
【請求項１７】
前記箸の保持状態で、薬指の第１関節付近と人差し指の第３指節の下部とが前記下側箸部材の背面と接触し、親指の第２指節が前記下側箸部材の前面を押さえ、親指の第１指節及び人差し指の第３指節が前記上側箸部材を押さえ、人差し指の第１指節及び中指の第１指節が前記上側箸部材を上下に動かすことができる、請求項１に記載の箸。
【請求項１８】
前記箸の保持状態で、親指の第２指節が、前記下側箸部材の前面における、前記第１突出物と前記第２突出物との間に対応する位置に直接接触し、前記位置には障害物が設けられていない、請求項１０に記載の箸。
【請求項１９】
前記１／４の球体の下には付加的に１／４の球体が拡張されて、全体として半球体を形成し、前記半球体の表面は、前記下側箸部材の背面から突出する、請求項１に記載の箸。
【請求項２０】
上側箸部材と、
下側箸部材と、
を含み、前記下側箸部材は半環体を有し、該半環体の２つの端部は、いずれも前記下側箸部材の背面に取り付けられ、前記半環体の円周部は、前記下側箸部材の前記背面から突出しており、前記半環体は、第１突出物と、第２突出物と、接続部材とを含んでおり、前記第１突出物及び前記第２突出物は、いずれも前記下側箸部材の背面から突出しており、前記接続部材は前記第１突出物と前記第２突出物とを接続し、前記下側箸部材の前記背面から前記接続部材の上端までの距離Ｌ１と、前記第１突出物と前記第２突出物との間の中央から前記下側箸部材の先端までの距離Ｌ２とが、Ｌ１×（１０〜１５）＞Ｌ２の式を満たし、前記半環体には拡張部が設けられ、前記半環体と前記拡張部が一体に結合している、箸。
【請求項２１】
前記拡張部が半円形の拡張部である、請求項２０に記載の箸。
【請求項２２】
前記箸の保持状態で、薬指の第１関節付近と人差し指の第３指節の下部とが前記下側箸部材の前記背面に接触し、親指の第２指節が前記下側箸部材の前面を押さえ、親指の第１指節と人差し指の第３指節とが前記上側箸部材を押さえ、人差し指の第１指節と中指の第１指節とが、前記上側箸部材を上又は下に動かすことができ、前記第１突出物が、使用者の薬指の第１関節付近と接触し、前記第２突出物が、使用者の人差し指の第３指節の指の腹と接触する、請求項２０に記載の箸。
【請求項２３】
前記箸の保持状態で、親指の第２指節が、前記下側箸部材の前面における、前記第１突出物と前記第２突出物との間に対応する位置に直接接触し、前記位置には障害物が設けられていない、請求項２０に記載の箸。
【請求項２４】
上側箸部材と、
背面から突出する突起を有する下側箸部材と、
を含む箸であって、前記箸の保持状態で、前記突起の自由端が使用者の薬指の第２関節付近と接触する箸。
【請求項２５】
前記下側箸部材の前記背面から前記突起の前記自由端までの距離Ｌ１’と、前記突起の中央から前記下側箸部材の先端までの距離Ｌ２’とが、Ｌ１’×（１０〜１５）＞Ｌ２’の式を満たす、請求項２４に記載の箸。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂（ａ１）を含有してなる樹脂粒子（Ａ１）及び結晶性樹脂（ａ２）を含有してなる樹脂粒子（Ａ２）が水性媒体中に分散されてなる水性分散液（Ｗ）中に、樹脂（ｂ）、（ｂ）の前駆体（ｂ０）、及びそれらの有機溶剤溶液から選ばれる１種以上を含有してなる油性液（Ｏ）を分散させ、（ｂ０）又はその有機溶剤溶液を用いる場合には、更に（ｂ０）から（ｂ）を生成させ、（Ｗ）中で、（ｂ）を含有してなる樹脂粒子（Ｂ）を形成させることにより、（Ｂ）の表面に（Ａ１）が付着され、（Ｂ）の内部に（Ａ２）を含有した構造を有する樹脂粒子（Ｃ）の製造方法であって、（ａ１）の酸価が１０〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇ、（ａ２）の酸価が０〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、かつ［（ａ２）の酸価／（ａ１）の酸価］が０〜１である樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項２】
（Ｏ）が、重量平均分子量が１，０００以下の有機酸（ｃ１）及び重量平均分子量が１，０００以下の第３級アミン（ｃ２）を含有し、（Ｏ）の酸価が１〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、全アミン価が１〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、（Ｏ）の酸価と全アミン価の差の絶対値が２０以下であり、かつ［（Ｏ）の酸価／（Ｏ）の全アミン価］が０．１〜７である請求項１に記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項３】
（ａ１）が、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂及びエポキシ樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂である請求項１又は２に記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項４】
（ａ２）が、結晶性ビニル樹脂、結晶性ポリエステル樹脂及び結晶性ポリウレタン樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂である請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項５】
（ｂ）が、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂及びエポキシ樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂である請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項６】
（Ｃ）の重量に基づく（Ａ１）の含有率が０．１〜５０重量％、（Ａ２）の含有率が０．１〜５０重量％及び（Ｂ）の含有率が５０〜９９．９重量％である請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項７】
（Ｃ）の［体積平均粒径／個数平均粒径］が１．０〜１．５である請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項８】
（ｂ０）が、反応性基を有するプレポリマー（α）と硬化剤（β）からなる請求項１〜７のいずれかに記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項９】
（α）が、イソシアネート基、ブロック化イソシアネート基及びエポキシ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの反応性基を有し、かつ（β）が活性水素基含有化合物（β１）である請求項８に記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【請求項１０】
更に、水性媒体と必要により有機溶剤を除去する工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の樹脂粒子（Ｃ）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
近年、電子部品やリチウムイオン電池正極物質の製造用治具などの用途では、耐高温酸化性に優れ、かつ、大型の冶具部材が求められている。しかし、上記特許文献１〜３として示したＮｉ基合金は熱間鍛造性あるいは耐高温酸化性が十分とはいえないため、熱間鍛造性及び耐高温酸化性が要請される用途のＮｉ基合金としては満足できる特性を備えるものではなかった。
さらに、半導体製造装置部材などの用途では、高い寸法精度が求められる部位や可動部でも更なるハロゲンガスに対する耐食性が求められるようになった。しかし、上記特許文献４として示した皮膜形成処理装置用部材は、基材を機械加工した後に、皮膜形成処理を施すため、高い寸法精度を出すことが困難であり、可動部では皮膜がミクロ的に破壊されパーティクルを発生させる源になってしまうことがら、こうした部位で満足できる特性を備えるものではなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
Ａｌ：
Ａｌは、Ｎｉ基合金の表面にアルミナ被膜を形成し、耐高温酸化性を向上させ、酸化スケールの発生を低減する作用があり、また特に高温フッ素系ガス環境では保護性の高いフッ化アルミニウムを形成し、腐食生成物の発生を抑制することでパーティクルの発生を低減する作用があるので添加するが、その含有量が２．０％未満では十分なアルミナ皮膜やフッ化アルミニウム皮膜が形成されないので所望の効果が得られず、一方、その含有量が５．０％を超えると、素地中にγ´相（Ｎｉ３Ａｌ金属間化合物）が析出することにより熱間加工性が低下し、加工することが困難となるので好ましくない。したがって、Ａｌの含有量は２．０〜５．０％と定めた。より好ましいＡｌの含有量は３．６〜４．２％である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
表１と表２に示される結果から、この発明から外れた合金成分組成を有する比較Ｎｉ基合金１〜１２の内、比較Ｎｉ基合金２、４、９〜１２については、熱間鍛造中に割れを発生したため、耐高温酸化性評価試験・耐高温ハロゲンガス腐食性評価試験にまで至らなかった。同様に比較Ｎｉ基合金７については、熱間鍛造後に微細な割れ発生を確認したため、耐高温酸化性評価試験・耐高温ハロゲンガス腐食性評価試験にまで至らなかった。
特に、Ｚｒを単独添加した比較Ｎｉ基合金９、Ｂを単独添加した比較Ｎｉ基合金１１、また、ＺｒとＢのいずれかが本発明範囲外である比較Ｎｉ基合金１０、１２については、いずれも熱間鍛造中に割れを発生し、熱間鍛造性が劣るものであった。  
また、熱間鍛造が可能であった比較Ｎｉ基合金１、３についても、いずれも酸化皮膜の厚さが厚く形成されており、本発明Ｎｉ基合金１〜１５と比較すると、耐高温酸化性に劣るものであった。また、熱間鍛造が可能であった比較Ｎｉ基合金５、６、８についても、いずれもパーティクル発生率が高く、本発明Ｎｉ基合金１〜１５と比較すると、耐高温ハロゲンガス腐食性に劣るものであった。
また、表１、表３に示される結果から、本発明Ｎｉ基合金１〜１５は、従来材料である従来Ｎｉ基合金１に比べ熱間鍛造性に優れていることがわかる。なお、従来Ｎｉ基合金１についても、熱間鍛造中に割れを発生したため、耐高温酸化性評価試験にまで至らなかった。さらに、従来材料である従来Ｎｉ基合金２に比べ耐高温ハロゲンガス腐食性に優れていることがわかる。
上記表１〜表３の結果から、本発明のＮｉ基合金は、特に、合金成分であるＢとＺｒをそれぞれ所定量、同時添加しているため、熱間鍛造性に優れ、しかも、耐高温酸化性・耐高温ハロゲン腐食性に優れるものであることが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
上記の電極活物質の含有量は特に限定されないが、ペースト中に５質量％以上６０質量％以下であるのが好ましく、より好ましくは１５質量％以上５０質量％以下であればよい。また、電極活物質は、活性炭素粉末またはリチウム遷移金属酸化物のいずれかのみを含んでいてもよく、両者を含んでいてもよい。また、本発明においては、電極活物質として、活性炭素粉末およびリチウム遷移金属酸化物以外の電極活物質を使用することを排除するものではない。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
また、得られた導電性ダイヤモンドライクカーボン層１３の抵抗率を測定するために、大きさ５ｃｍ×２ｃｍのガラス基材上に上記の導電性ダイヤモンドライクカーボン層１３と同じ成膜条件で導電性ダイヤモンドライクカーボン層を形成した。得られた導電性ダイヤモンドライクカーボン層の抵抗率を４端子法（株式会社三菱化学アナリテック製、ロレスタＧＰ）によって測定した結果、抵抗率は約８０ｍΩ・ｃｍであった。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
【表１】
2014080685.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2014080685.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2014080685.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2014080613.tif 000001
の官能化エラストマーであって、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、Ｃ１〜Ｃ８アルキル又はＣ１〜Ｃ８アルコキシであるが、ただしＲ１、Ｒ２及びＲ３の少なくとも二つはＣ１〜Ｃ８アルコキシであり；Ｒ４は、Ｃ１〜Ｃ８アルカンジイル、Ｃ１〜Ｃ８アリーレン、Ｃ１〜Ｃ８アルキルアリーレン、Ｃ１〜Ｃ８アリールアルカンジイル、又は共有結合であり；Ｒ５はＣ２アルカンジイルであり；Ｓｉはケイ素であり；Ｘは、硫黄又は酸素であり；そしてＰはジエン系エラストマーであり、ｎは１又は２であることを特徴とする官能化エラストマー。
【請求項２】
シリカ及び請求項１に記載の官能化エラストマーを含むゴム組成物。
【請求項３】
請求項２に記載のゴム組成物を含む空気入りタイヤ。
【請求項４】
官能化エラストマーの製造法であって、
Ａ）金属末端ジエン系エラストマーのリビングポリマーを、エチレンスルフィド又はエチレンオキシドからなる群から選ばれる第一の停止剤と反応させて、第一の停止ポリマーを形成させ；そして
Ｂ）第一の停止ポリマーを、式III：
【化２】
2014080613.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、Ｃ１〜Ｃ８アルキル又はＣ１〜Ｃ８アルコキシであるが、ただしＲ１、Ｒ２及びＲ３の少なくとも二つはＣ１〜Ｃ８アルコキシであり；Ｒ４は、Ｃ１〜Ｃ８アルカンジイル、Ｃ１〜Ｃ８アリーレン、Ｃ１〜Ｃ８アルキルアリーレン、Ｃ１〜Ｃ８アリールアルカンジイル、又は共有結合であり；そしてＱはハロゲンである］の第二の停止剤と反応させる
ステップを含む方法。
【請求項５】
第一の停止剤がエチレンスルフィドであり、第二の停止剤がクロロトリエトキシシランであり、そしてジエン系エラストマーがイソプレン及びブタジエンの少なくとも一つと任意にスチレンから誘導されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月29日(2016.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー樹脂であって、アルコールモノマーおよび酸モノマーからなるポリエステルを含み、前記アルコールモノマーまたは前記酸モノマーは、以下の式の多面体オリゴマーであるシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）モノマーを含み、
【化１】
2014080612.tif 000001
式中、Ｒ２とＲ３は同じであってもよく、または異なっていてもよく、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ、分岐していてもよい脂肪族アルキル基；分岐していてもよい不飽和アルキル基；芳香族であってもよい環状基；ハロゲン化物；ヒドロキシル基；酸またはその塩；アミン；ニトリル；シアネート；およびアミド；またはこれらの組み合わせを含む、トナー樹脂。
【請求項２】
前記シルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）が、ポリオールを含む、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項３】
前記シルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）が、ポリ酸を含む、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項４】
前記樹脂が、さらに二酸、ポリ酸、またはそれらの塩を含む、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項５】
前記樹脂が、さらにジオール、またはポリオールを含む、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項６】
前記樹脂が、１０℃から１２０℃のＴｇ（ｏｎ）を有する、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項７】
前記樹脂が、９０℃から１５０℃のＴｓ（軟化温度）を有する、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項８】
前記樹脂が、１，０００から５０，０００のＭｎおよび２，０００から１００，０００のＭｗを有する、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項９】
前記樹脂が、３から３０の間の酸価（ＡＶ）を有する、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項１０】
さらに芳香族化合物を含む、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項１１】
前記芳香族化合物が、無水トリメリット酸を含む、請求項１０に記載のトナー樹脂。
【請求項１２】
前記多面体オリゴマーであるシルセスキオキサンが、ｔｒａｎｓ−シクロヘキサンジオールイソブチルポリ八面体オリゴマーシルセスキオキサンを含む、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項１３】
前記樹脂が、１００ｎｍから５００ｎｍの間の粒径を有する、請求項１に記載のトナー樹脂。
【請求項１４】
任意の着色剤および任意のワックスを含む、請求項１に記載のトナー樹脂を含むトナー。
【請求項１５】
さらに結晶性樹脂を含む、請求項１４に記載のトナー。
【請求項１６】
さらにアモルファス樹脂を含む、請求項１４に記載のトナー。
【請求項１７】
１５０℃未満の最低融合温度を有する、請求項１４に記載のトナー。
【請求項１８】
着色剤を含む、請求項１４に記載のトナー。
【請求項１９】
乳化／凝集トナーを含む、請求項１４に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月6日(2016.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気タービンと、
蒸気を蒸気タービンに供給する排熱回収ボイラと、
蓄熱作動媒体を貯蔵する蓄熱ユニットであって、排熱回収ボイラから供給された蒸気に熱エネルギを放出し、蒸気タービンによる発電を補充するように構成され、低温状態にある蓄熱作動媒体を含む低温タンクと加熱状態にある蓄熱作動媒体を含む高温タンクとを含む蓄熱ユニットと、
蒸気タービン、排熱回収ボイラ及び蓄熱ユニットと流体連通し、蓄熱ユニットの蓄熱作動媒体と排熱回収ボイラから蒸気タービンに供給される蒸気との間の熱エネルギの直接的な熱移動を促進する２以上の熱交換器と
を備えている発電装置であって、蓄熱作動媒体が、排熱回収ボイラから供給される蒸気によって加熱され、２以上の熱交換器が、高温タンク及び低温タンクと直列に配置されて第１のループを形成しているとともに、排熱回収ボイラ及び蒸気タービンと直列に配置されて第２のループを形成しており、第１のループと第２のループが２以上の熱交換器によって並列に熱接続されている、発電装置。
【請求項２】
低温タンクの蓄熱作動媒体が、排熱回収ボイラから供給される蒸気と蓄熱作動媒体との間での熱エネルギの直接的な熱移動を促進して加熱された蓄熱作動媒体を生じる充填動作モードで、２以上の熱交換器に供給される、請求項１記載の発電装置。
【請求項３】
充填動作モードの際に２以上の熱交換器の少なくとも１つが蒸気と蓄熱作動媒体との間の熱エネルギの直接的な熱移動を促進するのと同時に、排熱回収ボイラが蒸気を蒸気タービンに供給する、請求項２記載の発電装置。
【請求項４】
加熱された蓄熱作動媒体が高温タンクに貯蔵される、請求項２又は請求項３記載の発電装置。
【請求項５】
蓄熱ユニットのオフ動作モードの際に、排熱回収ボイラが、２以上の熱交換器を介した蓄熱作動媒体との熱移動を伴わずに、蒸気のすべてを蒸気タービンに直接供給するように構成されている、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の発電装置。
【請求項６】
蓄熱ユニットのオフ動作モードの際に、低温タンクでの蓄熱作動媒体の固化を回避するため、高温タンク内の蓄熱作動媒体の所定量が低温タンク内の蓄熱作動媒体に供給される、請求項５記載の発電装置。
【請求項７】
排熱回収ボイラから供給される蒸気への蓄熱ユニットの蓄熱作動媒体の放出が、ピーク需要時間の間に、蒸気タービンからの蒸気発生と電力出力とを増強するのが望まれるときに起こる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の発電装置。
【請求項８】
排熱回収ボイラから供給される蒸気への蓄熱ユニットの蓄熱作動媒体の放出が、電気供給グリッドの周波数低下を補償するためグリッドにエネルギ増強をもたらすことが望まれるときに起こる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の発電装置。
【請求項９】
蓄熱作動媒体が無機塩を含む、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の発電装置。
【請求項１０】
ガスタービンと、
ガスタービンからの排気エネルギを回収し排気エネルギから蒸気を発生するように構成されている排熱回収ボイラ（ＨＲＳＧ）と、
ＨＲＳＧから蒸気の供給を受け取るように構成されている蒸気タービンと、
蓄熱作動媒体を貯蔵する蓄熱ユニットであって、ＨＲＳＧから供給された蒸気に熱エネルギを放出して蒸気タービンによる発電を補充するように構成されており、低温状態にある蓄熱作動媒体を含む低温タンクと加熱状態にある蓄熱作動媒体を含む高温タンクとを含む蓄熱ユニットと、
ＨＲＳＧ、蓄熱ユニット及び蒸気タービンと流体連通し、蓄熱ユニットの蓄熱作動媒体とＨＲＳＧから供給される蒸気とから蒸気タービンへの熱エネルギの直接的な熱移動を促進する２以上の熱交換器と
を備えるコンバインドサイクル発電装置であって、蓄熱作動媒体が、ＨＲＳＧから供給される蒸気によって加熱され、２以上の熱交換器が、高温タンク及び低温タンクと直列に配置されて第１のループを形成しているとともに、ＨＲＳＧ及び蒸気タービンと直列に配置されて第２のループを形成しており、第１のループと第２のループが２以上の熱交換器によって並列に熱接続されている、発電装置。
【請求項１１】
低温タンクの蓄熱作動媒体が、ＨＲＳＧから供給される蒸気と蓄熱作動媒体との間での熱エネルギの直接的な熱移動を促進することにより加熱された蓄熱作動媒体を生じる充填動作モードで、２以上の熱交換器に供給される、請求項１０記載のコンバインドサイクル発電装置。
【請求項１２】
充填動作モードの際に２以上の熱交換器の少なくとも１つが蒸気と蓄熱作動媒体との間の熱エネルギの直接的な熱移動を促進するのと同時に、ＨＲＳＧが蒸気を蒸気タービンに供給する、請求項１１記載のコンバインドサイクル発電装置。
【請求項１３】
加熱された蓄熱作動媒体が高温タンクに貯蔵される、請求項１１又は請求項１２記載のコンバインドサイクル発電装置。
【請求項１４】
蓄熱ユニットのオフ動作モードの際に、ＨＲＳＧが、２以上の熱交換器を介した蓄熱作動媒体との熱移動を伴わずに、蒸気のすべてを蒸気タービンに直接供給するように構成されている、請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項記載のコンバインドサイクル発電装置。
【請求項１５】
２以上の熱交換器の少なくとも１つが、装置全体の始動時間とＨＲＳＧの起動時間とを改善するために、蓄熱ユニットにおける蓄熱作動媒体からの熱エネルギを放出してＨＲＳＧに戻すように構成されている、請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項記載のコンバインドサイクル発電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンコンパートメント用の漏れ検出システムであって、
前記タービンコンパートメントへの流体供給部に流体的に接続されたトレーサ流体システムであって、前記タービンコンパートメントへの導入に先立って、流体供給部に光学検出可能流体を供給するように構成され、前記流体供給部が、タービンを駆動するガス燃料又は液体燃料を含む、トレーサ流体システムと、
前記タービンコンパートメントに動作可能に接続された光学検出システムであって、前記タービンコンパートメントの少なくとも１つの箇所における前記光学検出可能流体の存在を検出するように構成された、光学検出システムと、
前記トレーサ流体システム及び前記光学検出システムに動作可能に接続された制御システムであって、前記少なくとも１つの箇所における前記光学検出可能流体の存在に関するデータを取得し、前記少なくとも１つの箇所における前記光学検出可能流体の存在に関するデータに基づいて潜在的漏れ箇所のインジケータを提供するように構成された制御システムと、
を備える、漏れ検出システム。
【請求項２】
前記トレーサ流体システムは、前記タービンコンパートメントへの前記流体供給部に対する前記光学検出可能流体の供給を制御するための少なくとも１つの弁を含む、請求項１に記載の漏れ検出システム。
【請求項３】
前記制御システムは更に、前記タービンコンパートメントへの前記流体供給部に対する前記光学検出可能流体の供給を制御するための前記少なくとも１つの弁を作動させるように構成されている、請求項２に記載の漏れ検出システム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの弁がソレノイド弁を含み、前記制御システムは前記ソレノイド弁を電気的に作動させるように構成されている、請求項３に記載の漏れ検出システム。
【請求項５】
前記制御システムは、所定の経過時間スケジュールに従って、前記少なくとも１つの箇所における前記光学検出可能流体の存在に関するデータを定期的に取得するように構成されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の漏れ検出システム。
【請求項６】
前記光学検出システムが少なくとも１つのカメラを含み、前記光学検出システムは前記タービンコンパートメントの前記少なくとも１つの箇所における前記光学検出可能流体の存在を光学的に検出するように位置決めされており、前記タービンコンパートメントの前記少なくとも１つの箇所は前記タービンコンパートメントの隣接部品の間の接合部を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の漏れ検出システム。
【請求項７】
前記制御システムは、有害ガス検出及び防火システム（ＨＧＤＦＰＳ）の警報のトリガに応答して前記少なくとも１つの箇所における前記光学検出可能流体の存在に関するデータの取得を開始するように構成されている、ＨＧＤＦＰＳを更に含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の漏れ検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月29日(2016.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（接触抵抗の測定）
第１接触部２２２Ｘに、垂直方向に沿って６Ｎの荷重を印可した際の、第１メッキ２３０と第２メッキ３３０との間の接触抵抗を測定した。図１１に、様々なメッキ硬度差における接触抵抗を示す。また、図１４に、様々なメッキ硬度比における接触抵抗を示す。測定した接触抵抗は、比較例１、実施例１、実施例２及び比較例２の夫々について折れ線で描画している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
（露出回数の測定）
上述した第２接触部３２２Ｘ上の第１接触部２２２Ｘのスライドを繰り返し行い、第２メッキ３３０が摩耗して地金部分の銅が露出するまでのスライド回数（露出回数）を測定した。図１２に、様々なメッキ硬度差における露出回数を示す。また、図１５に、様々なメッキ硬度比における露出回数を示す。測定した露出回数は、比較例１、実施例１、実施例２及び比較例２の夫々について折れ線で描画している。