【事件の表示】
　特願２０１３−　７７６５９「高電子移動度トランジスタおよび絶縁ゲート電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月２９日出願公開、特開２０１３−１６８６６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２００８年（平成２０年）８月２７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００７年８月２８日，米国）を出願日とする特願２００８−２１８７５９号（以下，「原出願」という。）の一部を平成２５年４月３日に新たな出願としたものである。
　そして，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　４月２２日　審査請求・手続補正
平成２６年　６月１９日　拒絶理由通知
平成２６年　９月２４日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２６日　拒絶査定
平成２７年　７月　２日　審判請求・手続補正
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　平成２７年７月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，本件補正前の請求項７，８，１４及び１６を削除し，本件補正前の請求項９及び１７において前記削除した請求項の引用を削除するものであるから，請求項の削除を目的とするものであって，特許法第１７条の２第３項ないし第５項に規定された要件を満たす。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，本件補正後の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「バリア層およびチャンネル層を含むＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造と，
　バリア層の上にあるスペーサ層と，
　スペーサ層の上にある第１の不動態化構造であって，寄生キャパシタンスを低減し，デバイストラッピングを最小にするための第１の不動態化構造と，
　前記第１の不動態化構造の上にある第２の不動態化構造であって，前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造をカプセル化し，環境バリアを提供するための第２の不動態化構造と，
　第１の不動態化構造と第２の不動態化構造との間にある絶縁層と，を含み，
　前記第１の不動態化構造は，窒化ケイ素，窒化アルミニウム，ケイ素の酸窒化物，アルミニウムの酸窒化物から成る群から選択された非化学量論的窒化物の少なくとも１つのスパッタリングされた層と，前記ＩＩＩ族窒化物へテロ構造を完全にはカプセル化せずに，後続の不動態化層を前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造からさらに遠くに位置決めするための窒化ケイ素の少なくとも１つの化学気相堆積層とを含み，
　前記第２の不動態化構造は，化学量論的窒化物の環境バリアを含む，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００７／００２８６０号（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。また，訳は対応する公表公報（特表２００８−５４４５７８号公報）によるものである。）
（ア）「[0001] The present invention relates to 
semiconductor structures and devices formed in wide bandgap materials such as
the Group III nitrides
（訳：【０００１】本発明は，炭化珪素および
ＩＩＩ族の窒化物のような広いバンドギャップの材料において形成される半導体構造およびデバイスに関する
（イ）「[0007] Accordingly, in many circumstances semiconductor devices, including those that include oxidation layers, also incorporate one or more layers of silicon nitride to improve the resulting electronic properties (e.g., U.S. Patent No. 6,246,076). 
Silicon nitride also provides an environmental barrier that the oxide fails to provide, or without which, would allow the environment to degrade the structure and operation of the device, regardless of whether the device includes an oxide layer.
[0008] The dense structure of silicon nitride does not provide the open channels found in oxide structures; thus, nitride is widely employed in electronics as a barrier material. In particular, hydrogen diffuses slowly in a densified nitride film, and other small positive ions (Na+ or K+ ) are effectively blocked by thin nitride layers. Because oxygen diffuses very slowly through nitride, deposited nitride can prevent oxidation of underlying silicon. 
[0009] Nevertheless, nitrides deposited using 
chemical vapor deposition (often plasma enhanced chemical vapor deposition, 
PECVD
)
[0010] Additionally, hydrogen can passivate Mg-acceptors in a GaN-based semiconductor. Although the precise mechanism is not completely understood, when silicon nitride is deposited by means of PECVD at a deposition temperature in excess of 200゜C, hydrogen in the film can diffuse through thin ohmic contacts or other layers and into nearby Group III nitride layers, causing them to become passivated in a region close to their surface. That is, in a region near the surface, a substantial number of acceptor ions are rendered neutral by the introduction of hydrogen in the film. Accordingly, an interface between an ohmic contact and a nitride material is degraded, and the contact metal does not exhibit ideal ohmic characteristics. This can result in an increase in forward voltage (Vf degradation) in the device. Essentially, the device will behave as though the interface between a metal and a Group III nitride contact layer forms a Schottky contact instead of an ohmic contact.
[0011] Because nitride passivation layers are often used in conjunction with oxide layers, the hydrogen can migrate to the oxide layers. 
In turn, hydrogen in oxide films on SiC has been shown to alter the interface Fermi level and encourage a state of surface accumulation. Any resulting accumulation layer produces a charge layer that alters the device capacitance and exhibits a drift with a long time constant caused by the mobility of the hydrogen in the film.
[0012] 
Accordingly, although oxide and nitride layers offer certain advantages, they also raise certain problems that can limit or degrade device performance
（訳：【０００７】従って，様々な状況において，酸化層を含む半導体デバイスを包含する半導体デバイスはまた，窒化珪素の１つ以上の層を組み込み，結果としての電子特性を改善する。
窒化珪素はまた，酸化物が提供できない，またはデバイスが酸化物層を含むか否かに関わらず，環境がデバイスの構造および動作を劣化させることを可能としない環境障壁を提供する。
【０００８】高密度な窒化珪素の構造は，酸化物構造において見られるオープンチャネルを提供せず，従って，窒化物は，電子機器において障壁材料として広く利用されている。特に，水素は，密度を高められた窒化物フィルムにおいてゆっくりと拡散し，他の小さい陽イオン（Ｎａ＋またはＫ＋）は，薄い窒化物層によって効果的に遮断される。酸素は窒化物を通って非常にゆっくりと拡散するので，蒸着された窒化物は，下にある珪素の酸化を防止し得る。
【０００９】しかしながら，
化学蒸着（多くの場合に，プラズマ強化化学蒸着「ＰＥＣＶＤ」
を使用して蒸着された窒化物は，ほぼ必ず水素を含み，一般的には，類似の酸化物フィルムよりも非常に多く含む。
【００１０】さらに，水素は，ＧａＮに基づく半導体におけるＭｇ受容体を不動態化し得る。正確なメカニズムは完全には理解されていないが，窒化珪素が２００℃を超える蒸着温度においてＰＥＣＶＤによって蒸着された場合に，フィルム内の水素は，薄いオーム接点または他の層を通って，近くのＩＩＩ族の窒化物層の中に拡散し得，該ＩＩＩ族の窒化物層が表面領域付近で不動態化されることをもたらす。つまり，表面付近の領域において，かなりの数の受容体イオンは，フィルム内への水素の導入によって中性にされる。従って，オーム接点と窒化物材料との間のインターフェースは劣化され，接点の金属は理想的なオーム特性を示さない。これは，デバイス内の順方向電圧の増加となり得る（Ｖｆ劣化）。本質的に，金属とＩＩＩ族の窒化物接点層との間インターフェースが，オーム接点の代わりにショットキー接点を形成するかのように，デバイスは作用する。
【００１１】窒化物不動態化層は多くの場合に酸化物層と共に使用されるので，水素は酸化物層に移動し得る。
次に，ＳｉＣの上の酸化物フィルム内の水素は，インターフェースのフェルミ準位を変更し，表面蓄積の状態を促進するように現される。何らかの結果としての蓄積層は電荷層を生成し，該電荷層はデバイスの容量を変更し，フィルム内の水素の移動性によってもたらされる長期的な定数を有するドリフトを示す。
【００１２】
従って，酸化物と窒化物の層は特定の利点を供給するが，酸化物と窒化物の層はまた，デバイスの性能を制限および劣化し得る特定の問題をもたらす
（ウ）「[0014] In another aspect, the invention is 
a passivated semiconductor structure comprising a Group III nitride layer (including substrates); a first passivation structure on the Group III nitride layer for reducing parasitic capacitance and minimizing device trapping; and a second passivation structure on the first passivation structure for encapsulating the structure and providing an environmental barrier; the first passivation structure comprising at least one sputtered layer of non-stoichiometric nitride selected from the group consisting of silicon nitride, aluminum nitride, oxynitrides of silicon and oxynitrides of aluminum, and at least one chemical vapor deposited layer of silicon nitride for positioning the passivation layers further from the Group III nitride layer without fully encapsulating the structure; and the second passivation structure comprising an environmental barrier of stoichiometric nitrides.
（訳：【００１４】別の局面において，本発明は，（基板を含む）
ＩＩＩ族の窒化物層と，寄生容量を減少し，デバイスのトラッピングを最小化する，ＩＩＩ族の窒化物層の上の第１の不動態化構造と，構造をカプセル化し，環境障壁を提供する，第１の不動態化層の上の第２の不動態化層とを備える不動態化された半導体構造であり，該第１の不動態化構造は，窒化珪素，窒化アルミニウム，珪素の酸窒化物，およびアルミニウムの酸窒化物から選択される非化学量論的な窒化物の少なくとも１つのスパッタされた層と，構造を完全にカプセル化することなくＩＩＩ族の窒化物層からさらに遠くに不動態化層を配置する，窒化珪素の少なくとも１つの化学蒸着された層とを備えており，第２不動態化層は化学量論的な環境障壁を備えている。
（エ）「 [0041]
 Figure 3 illustrates
a gate contact 32
（訳：【００４１】
図３は，
ゲート接点として３２
（オ）「[0046]
 Figure 4 illustrates a device 40 based on gallium nitride (GaN) or aluminum gallium nitride (AlGaN) as the semiconductor.
[0047] It will be further understood that the aluminum gallium nitride is best expressed as Al xGa1-xN where 0 x  1. The atomic fractions of aluminum and gallium can be selected as desired or necessary based upon the intended structure and operation of the device.
[0048] The device 40 includes the source region 43 and the drain region 44. In the embodiment illustrated in Figure 4, the oxide layer is not present and, as known to those familiar with these materials and structures, neither gallium nitride nor aluminum gallium nitride form a suitable oxide under typical conditions appropriate for semiconductor device manufacture. Similarly, ohmic contacts 46 and 47 are made to the source 43 and drain 44 respectively.
[0049] 
The device 40 includes the first sputtered silicon nitride or aluminum nitride layer 50
The encapsulating stoichiometric silicon nitride layer is illustrated at 52 in Figure 4
（訳：【００４６】
図４は，半導体としての窒化ガリウム（ＧａＮ）または窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）に基づいたデバイス４０を例示している。
【００４７】窒化アルミニウムガリウムは，０＜ｘ＜１である場合，ＡｌｘＧａ１−ｘＮとして最良に表されることがさらに理解される。アルミニウムガリウムの原子分率は，意図された構造およびデバイスの動作に基づいて所望または必要に応じて選択され得る。
【００４８】デバイス４０はソース領域４３とドレイン領域４４を含む。図４に例示された実施形態において，酸化物層は存在しておらず，これらの材料および構造に精通した当業者に公知であるように，窒化ガリウムまたは窒化アルミニウムガリウムのいずれも，半導体デバイスの製造に適した一般的な状況下では適切な酸化物を形成しない。同様に，オーム接点４６および４７はソース４３およびドレイン４４のそれぞれに対して作成される。
【００４９】
デバイス４０は第１のスパッタされた窒化珪素または窒化アルミニウム層５０
カプセル化する化学量論的な窒化珪素層は，図４に５２で例示され
（カ）図４には，デバイス４０において，
「窒化珪素または窒化アルミニウム層５０」の上にリセスされた「ゲート接点」が，リセスされた「ゲート接点」の上に「カプセル化する化学両論的な窒化珪素層５２」が配置される
　イ　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ＩＩＩ族の窒化物層と，寄生容量を減少し，デバイスのトラッピングを最小化する，ＩＩＩ族の窒化物層の上の第１の不動態化構造と，半導体構造をカプセル化し，環境障壁を提供する，第１の不動態化層の上の第２の不動態化層とを備えるデバイスであり，該第１の不動態化構造は，窒化珪素，窒化アルミニウム，珪素の酸窒化物，およびアルミニウムの酸窒化物から選択される非化学量論的な窒化物の少なくとも１つのスパッタされた層と，半導体構造を完全にカプセル化することなく半導体構造からさらに遠くに不動態化層を配置する，窒化珪素の少なくとも１つの化学蒸着された層とを備えており，第２不動態化層は化学量論的な環境障壁を備えているデバイス。」
（３）引用文献２の記載及び引用発明２
　ア　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００７／０１８６５３号（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（訳は，対応する公表公報（特表２００９−５０７３６２号公報）によるものである。）
（ア）「FIELD OF THE INVENTION 
[0003] The present invention relates to 
electronic device (e.g., high electron mobility transistor) structures including III-nitride device layers 
（訳：発明の分野
【０００３】本発明は，ネイティブ（ｎａｔｉｖｅ）絶縁性基板上に成長した
ＩＩＩ−窒化物デバイス層を含む電子デバイス（例えば，高電子移動度トランジスタ）構造
（イ）「[0058] In another embodiment, a cap layer is added to a Ill-nitride multi-layer device structure having a thin (e.g.,  1000 nm) first layer and a native substrate. Referring to FIG. 5, 
a Ill-nitride multi-layer device structure 200 includes 
 a thin first GaN layer 220 
 A second AlGaN layer 230 is epitaxially grown on the first layer 210 to form a 2DEG 225 along the heterointerface between the first and second layers 220, 230. Thereafter, a very thin third GaN cap layer 235, preferably less than about 10 nm thick, is epitaxially grown on the second layer 230. 
（訳：【００５８】別の実施形態において，キャップ層が，薄い（例えば，≦１０００ｎｍ）第１の層と，ネイティブ基板とを有するＩＩＩ−窒化物多層デバイス構造に加えられる。図５を参照すると，
ＩＩＩ−窒化物多層デバイス構造２００が，
薄い第１のＧａＮ層２２０とを含む。第２のＡｌＧａＮ層２３０が第１の層２１０上にエピタキシャル成長して，第１の層２２０と第２の層２３０との間のヘテロ界面に沿って２ＤＥＧ　２２５を形成する。その後，好ましくは厚さ約１０ｎｍ未満の，非常に薄い第３のＧａＮキャップ層２３５が，第２の層２３０上にエピタキシャル成長する。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「第１のＧａＮ層と第２のＡｌＧａＮ層との間のヘテロ界面に沿って２ＤＥＧを形成し，第２のＡｌＧａＮ層の上に第３のＧａＮキャップ層が成長された高電子移動度トランジスタ。」
（４）引用文献３の記載と引用発明３
　ア　引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の優先日前に外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００７／０１８９１８号（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（訳は，対応する公表公報（特表２００９−５０３８１５号公報）によるものである。）
（ア）「FIELD OF THE INVENTION
　The present invention relates to semiconductor devices and in particular relates to 
transistors, such as high electron mobility transistors (HEMT), that incorporate nitride-based active layers and a recessed gate structure
（訳：【技術分野】
　本発明は，半導体デバイスに関し，詳細には，
窒化物ベースの活性層およびリセスゲート構造を組み込んだ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などのトランジスタ
（イ）「In some embodiments of the present invention, 
the channel layer 20 is a Group Ill-nitride
the channel layer 20 is GaN
　
A nitride-based barrier layer 22 is provided on the channel layer 20
...
　
The barrier layer 22 may be a Group Ill-nitride
... 
Figure ID illustrates the formation of the etch stop layer 26 and the dielectric layer 28. The etch stop layer 26 may be formed on the barrier layer 22 and ohmic contacts 30 and may be epitaxially grown and/or formed by deposition.
 The etch stop layer 26 may be sputtered AlN.
The dielectric layer 28 material may include SiN
formed by ex-situ PECVD on top of etch stop layer 26
（訳：本発明のいくつかの実施形態では，チャネル層２０とバリア層２２の間の境界面で，チャネル層の伝導帯端のエネルギーの方がバリア層の伝導帯端のエネルギーよりも小さいという条件のもとで，
チャネル層２０は，
ＩＩＩ族窒化物である。
チャネル層２０がＧａＮである
　
チャネル層２０上に窒化物ベースのバリア層２２を設ける。
・・・
　
バリア層２２は，ＩＩＩ族窒化物
・・・
　図１Ｄは，エッチストップ層２６および誘電体層２８の形成を示す。エッチストップ層２６は，バリア層２２およびオーム接点３０上に形成することができ，エピタキシアル成長させ，かつ／または堆積によって形成することができる。
エッチストップ層２６は，スパッタＡｌＮでよい。
誘電体層２８の材料は，ｅｘ−ｓｉｔｕのＰＥＣＶＤによってエッチストップ層２６上に形成したＳｉＮ
（ウ）「
As seen in Figure IH, the gate contact 32 is formed in the recess and contacts the exposed portion of the barrier layer 22.
Suitable gate materials may depend on the composition of the barrier layer 22, however, in certain embodiments, conventional materials capable of making a Schottky contact to a nitride based semiconductor material may be used
such as Ni, Pt, NiSi
x
 , Cu, Pd, Cr, W and/or WSiN
　As also seen in Figure IH, portions of the etch stop layer 26 and the dielectric layer 28 that were formed on the ohmic contacts 30 are removed to provide access to the ohmic contacts 30. This may occur at any time during or after the formation of the gate recess. The interface between the etch stop layer 26 and barrier layer 22 may have a low surface-state density and provide a high barrier to prevent injection of electrons from the barrier layer 22 to the etch stop layer 26. In other words, 
the etch stop layer 26 may provide good passivation.
　
A passivation layer may also be provided on the structure of Figure IH. The passivation layer may be blanket deposited on the structure of Figure IH
　Figure 2 illustrates formation of transistors according to further embodiments of the present invention. As seen in Figure 2,
 the structure of Figure IH may have an insulating layer 130 formed on the structure including in the gate recess. The gate contact 32 may then be formed on the insulating layer 130.
an insulating gate HEMT may be provided
（訳：
図１Ｈから分かるように，ゲート接点３２がリセス内に形成され，バリア層２２の露出された部分に接触する
適切なゲート材料は，バリア層２２の組成に依存し得るが，いくつかの実施形態では，Ｎｉ，Ｐｔ，ＮｉＳｉｘ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｗおよび／またはＷＳｉＮなど，窒化物ベースの半導体材料に対してショットキー接点を形成することができる従来の材料を使用することができる。
　また，図１Ｈから分かるように，オーム接点３０上に形成されたエッチストップ層２６および誘電体層２８の一部分を除去して，オーム接点３０へのアクセスを可能にする。これは，ゲートリセスの形成中またはその後に，いつでも行うことができる。エッチストップ層２６とバリア層２２の間の境界面は，低表面準位密度を有し，バリア層２２からエッチストップ層２６への電子の注入を防止する高い障壁をもたらすことができる。
換言すれば，エッチストップ層２６は，良好なパッシベーションをもたらすことができる。
　
パッシベーション層を，図１Ｈの構造上に形成することもできる。パッシベーション層は，図１Ｈの構造上にブランケット堆積することができる。
　図２は，本発明の別の諸実施形態によるトランジスタの形成を示す。図２から分かるように，
図１Ｈの構造は，ゲートリセス内を含む構造上に形成された絶縁層１３０を有することができる
絶縁層１３０上にゲート接点３２を形成する
絶縁ゲートＨＥＭＴを形成する
（エ）図２には，
チャネル層２０及びバリア層２２の上にエッチストップ層２６及び誘電体層２８が配置され，エッチストップ層２６及び誘電体層２６のゲートリセス内を含む上面に絶縁層を形成し，絶縁層状にゲート接点３２を形成する
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「ＩＩＩ族窒化物のチャネル層及びバリア層の上に良好なパッシベーションをもたらすエッチストップ層及び誘電体層が配置され，エッチストップ層及び誘電体層のゲートリセス内を含む上面に絶縁層を配置し，絶縁層上にゲート接点を形成し，その構造の上にパッシベーション層をブランケット堆積した高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
（５）本願発明と引用発明１との対比
　本願発明の「ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造」及び「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」は，それぞれ「半導体構造」及び「デバイス」ということができる。
　引用発明１の「寄生容量を減少し，デバイスのトラッピングを最小化する，第１の不動態化構造」は，本願発明の「第１の不動態化構造であって，寄生キャパシタンスを低減し，デバイストラッピングを最小にするための第１の不動態化構造」に相当すると認められる。
　本願発明の「前記第１の不動態化構造の上にある第２の不動態化構造であって，前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造をカプセル化し，環境バリアを提供するための第２の不動態化構造」は，引用発明１の「半導体構造をカプセル化し，環境障壁を提供する，第１の不動態化層の上の第２の不動態化層」と，「前記第１の不動態化構造の上にある第２の不動態化構造であって，半導体構造をカプセル化し，環境バリアを提供するための第２の不動態化構造」である点で共通する。
　引用発明１の「窒化珪素，窒化アルミニウム，珪素の酸窒化物，およびアルミニウムの酸窒化物から選択される非化学量論的な窒化物の少なくとも１つのスパッタされた層」は，本願発明の「窒化ケイ素，窒化アルミニウム，ケイ素の酸窒化物，アルミニウムの酸窒化物から成る群から選択された非化学量論的窒化物の少なくとも１つのスパッタリングされた層」に相当すると認められる。
　本願発明の「前記ＩＩＩ族窒化物へテロ構造を完全にはカプセル化せずに，後続の不動態化層を前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造からさらに遠くに位置決めするための窒化ケイ素の少なくとも１つの化学気相堆積層」と，引用発明１の「半導体構造を完全にカプセル化することなく半導体構造からさらに遠くに不動態化層を配置する，窒化珪素の少なくとも１つの化学蒸着された層」とは，「半導体構造を完全にはカプセル化せずに，後続の不動態化層を半導体構造からさらに遠くに位置決めするための窒化ケイ素の少なくとも１つの化学気相堆積層」という点で共通すると認められる。
　引用発明１の「第２不動態化層は化学量論的な環境障壁を備えている」は，窒化珪素層からなるもの（前記（２）ア（オ））であり，本願発明の「前記第２の不動態化構造は，化学量論的窒化物の環境バリアを含む」に相当すると認められる。
　してみると，本願発明と引用発明１を対比すると，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「第１の不動態化構造であって，寄生キャパシタンスを低減し，デバイストラッピングを最小にするための第１の不動態化構造と，
　前記第１の不動態化構造の上にある第２の不動態化構造であって，半導体構造をカプセル化し，環境バリアを提供するための第２の不動態化構造と，
　を含み，
　前記第１の不動態化構造は，窒化ケイ素，窒化アルミニウム，ケイ素の酸窒化物，アルミニウムの酸窒化物から成る群から選択された非化学量論的窒化物の少なくとも１つのスパッタリングされた層と，半導体構造を完全にはカプセル化せずに，後続の不動態化層を半導体構造からさらに遠くに位置決めするための窒化ケイ素の少なくとも１つの化学気相堆積層とを含み，
　前記第２の不動態化構造は，化学量論的窒化物の環境バリアを含む，デバイス。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明の「デバイス」は「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」であり，「半導体構造」が「ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造」であって「バリア層及びチャンネル層」を含むものであり，「バリア層の上にスペーサ層」があり，「第１の不動態構造」は「スペーサ層」の上にあるものであるのに対し，引用発明１の「デバイス」においては，「半導体構造」が「ＩＩＩ族の窒化物層」であり，「第１の不動態構造」は「ＩＩＩ族の窒化物層」の上にあるものである点。
（イ）相違点２
　本願発明は，「第１の不動態化構造と第２の不動態化構造との間にある絶縁層」を含むのに対し，引用発明１は「第１の不動態化構造と第２の不動態化構造との間にある絶縁層」を含まない点。
（６）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用発明１は，環境障壁における水素の移動によるデバイスの性能劣化を防止する（前記（２）ア（イ））という本願発明と同様の課題を解決するものである。そして，この課題はデバイスに普遍的な課題であるところ，引用発明１のＩＩＩ族窒化物デバイスを具体化するにあたり，引用発明２にみられるような周知の高電子移動度トランジスタのキャップ層（スペーサ層）及びＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造を採用して，高電子移動度トランジスタとすることは，当業者が適宜なし得ることである。
　イ　相違点２について
　引用発明１はデバイスであり，具体的には「窒化珪素または窒化アルミニウム層５０」の上にリセスされたゲート接点を設けることが開示されている（前記（２）ア）。そして，ゲート接点を設ける際に，ゲート接点を半導体材料に対してショットキー接点を形成するようにするか，ゲート接点を絶縁層上に形成するかは，引用文献３にみられるように当業者が適宜選択すべき均等手段である（前記（４）ア（ウ））から，引用発明１において引用発明３を採用してリセスされたゲート接点を絶縁層上に形成するように設計変更することは，当業者が容易になし得ることである。すると，引用発明３はパッシベーション（不動態化）をもたらすエッチストップ層とパッシベーション層の間に絶縁層を設けるものであるから，これを引用発明１に採用すれば，「第１の不動態化構造と第２の不動態化構造との間にある絶縁層」は，当業者が普通に導けることである。
（７）本願発明の効果について
　本願発明の効果は，引用発明１の構成から当業者が予測できるものであり，格別のものではない。
（８）まとめ
　したがって，本願発明は，引用発明１ないし３に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　結言
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。