【事件の表示】
　特願２０１２−５４５１４９「有機電子（ＯＥ）素子製造のための組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月３０日国際公開，ＷＯ２０１１／０７６３８０，平成２５年　５月　９日国内公表，特表２０１３−５１６０５４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，２０１０年（平成２２年）１２月２２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年１２月２３日，欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年　８月１６日　特許法１８４条の４第１項の規定による翻訳文提出
　平成２５年１２月２４日　審査請求
　平成２６年１１月１３日　拒絶理由通知
　平成２７年　２月１６日　意見書・誤訳訂正書　　
　平成２７年　３月２４日　拒絶査定
　平成２７年　７月３０日　審判請求・手続補正書
　平成２７年１２月　４日　上申書
　
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２７年７月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］ 
１　本件補正の内容 
　本件補正は，本願の特許請求の範囲を補正するものであって，本願の特許請求の範囲の請求項１は，本件補正の前後で以下のとおりである。 
　・補正前
　「【請求項１】
　５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含むことを特徴とする，組成物。」
　・補正後
　「【請求項１】
　５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成ることを特徴とする，組成物。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による，補正前の特許請求の範囲の請求項１についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．補正箇所に下線を付した。）
　・補正事項
　補正前の請求項１の「前記有機溶媒は，少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含む」を，「前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソール
から成る
　
３　補正の適否について
　本願の願書に最初に添付した明細書の「本発明の非常に，好ましい具体例では，溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成る。」（【０１４９】）との記載，及び「例４　本質的に，比較例１が繰り返された。しかしながら，３，４−ジメチルアニソールが溶媒として使用された。」（【０２４９】）との記載から，上記補正事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，上記補正事項は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，上記補正事項は，補正前の請求項１に記載された「有機溶媒」の構成を，「少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含む」から「３，４−ジメチルアニソールから成る」に限定的に減縮するから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また，同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
　
４　独立特許要件についての検討 
（１）検討の前提
　上記３で検討したとおり，本件補正による補正前の請求項１についての補正事項は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから，本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，更に検討する。
　
（２）本願補正発明
　本件補正により補正された，本願特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。
　「【請求項１】
　５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成ることを特徴とする，組成物。」
　ここで，本件補正後の請求項１における「一以上の有機溶媒を含む組成物であって」との記載は，「組成物」には複数の「有機溶媒」が含まれ得ると解されるので，本件補正後の請求項１の「前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成る」との記載と矛盾する。
　しかし，本願明細書の記載（【０１４９】及び【０２４９】，上記３参照。）を参酌すれば，本件補正後の請求項１における「一以上の有機溶媒を含む組成物であって」との記載は，「有機溶媒を含む組成物であって」の誤記ということができる。
　以上より，本件補正後の請求項１における上記の誤記を認め，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，以下のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成ることを特徴とする，組成物。」
　
（３）引用文献の記載と引用発明
　ア　引用文献
　平成２７年３月２４日付け拒絶査定において，引用文献２として引用された，本願の優先権主張日（以下「本願優先日」という。）前に外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００９／１５１９７８号（以下「引用文献」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．訳は，対応する日本出願の公表公報（特表２０１１−５２５０４４号公報）による。また，下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「Background 
・・・
　A variety of organic semiconductor materials have been considered, the most common being fused aromatic ring compounds as exemplified by acenes. At least some of these organic semiconductor materials have performance characteristics such as charge- carrier mobility, on/off current ratios, and sub-threshold voltages that are comparable or superior to those of amorphous silicon-based devices. Typically, these materials have been vapor deposited since they are not very soluble in most organic solvents. 
When organic semiconductors have been deposited from solution (such as a solution of the organic semiconductor dissolved in an organic solvent), good or optimum performance characteristics have been difficult to achieve
Summary
　
There is a need for compositions that contain an organic semiconductor material dissolved in organic solvents for use in the preparation of semiconductor devices such as, for example, thin film transistors. There is a need for such compositions to provide  semiconductor devices having performance characteristics (such as high saturation field effect mobility (μ)) that have not typically been achieved using known compositions and preparation methods
（訳：背景技術
・・・
　様々な有機半導体材料が検討されており，最も一般的なのはアセン類に代表される縮合芳香族環化合物である。これらの有機半導体材料の少なくとも幾つかは，電荷キャリア移動度，オン／オフ電流比，及びサブ閾値電圧などの性能特性を有し，それらはアモルファスシリコン系デバイスと同等であるかあるいはそれより優れている。典型的にはこれらの材料は，多くの有機溶媒に対してあまり溶解度が高くないため，蒸着されている。
有機半導体が溶液（例えば有機溶媒中に溶解した有機半導体溶液など）から堆積されると，良好又は最適な性能特性は達成が難しくなっている
発明の概要
　
例えば薄膜トランジスタなどの半導体デバイスの作製に使用するための，有機溶媒に溶ける有機半導体材料を含む組成物のニーズが存在する。既知の組成物及び作製方法の使用では通常達成されないような性能特性（例えば高い飽和電界効果移動度（μ）など）を有する半導体デバイスを提供するための，そのような組成物のニーズが存在する
（イ）「
A composition is provided that includes (a) a solvent mixture and (b) an organic semiconductor dissolved in the solvent mixture. The solvent mixture contains (i) an alkane having 6 to 16 carbon atoms and (ii) an aromatic compound of Formula (I)
・・・
　・・・In some embodiments, 
the aromatic compound of Formula (I) is selected from
3,4-dimethylanisole
3,5-dimethylanisole
・・・
　In addition to the aromatic compound of Formula (I), 
the solvent mixture includes at least one alkane. Some solvent mixtures include more than one alkane
Non- limiting examples of alkanes include
dodecane
・・・
　
The solvent mixture typically includes 1 to 20 weight percent of the alkane having 6 to 16 carbon atoms and 80 to 99 weight percent of the aromatic compound of Formula (I) based on the weight of the solvent mixture
　
Some exemplary solvent mixtures include 1 to 12 weight percent decane
dodecane
or a mixture thereof and 88 to 99 weight percent
3,5- dimethylanisole
（訳：
（ａ）溶媒混合物，及び（ｂ）その溶媒混合物に溶解した有機半導体，を含む組成物が提供される。この溶媒混合物は（ｉ）６〜１６個の炭素原子を有するアルカン，及び（ｉｉ）式（Ｉ）の芳香族化合物を含む
・・・
　・・・幾つかの実施形態では，
式（Ｉ）の芳香族化合物は
３，４−ジメチルアニソール，３，５−ジメチルアニソール
から選択される
・・・
　
式（Ｉ）の芳香族化合物に加え，この溶媒混合物には少なくとも１つのアルカンが含まれる
非限定的なアルカンの例には
ドデカン
が挙げられる
・・・
　
この溶媒混合物は典型的に，溶媒混合物の重量に対し，６〜１６個の炭素原子を有するアルカンが１〜２０重量パーセント，式（Ｉ）の芳香族化合物が８０〜９９重量パーセントを含む
　
幾つかの代表的な溶媒混合物には，デカン
ドデカン，若しくはそれらの混合物１〜１２重量パーセントと
３，５−ジメチルアニソール
８８〜９９パーセント
ソール，ｎ−ブチルベンゼン，若しくはそれらの混合物９０〜９８重量パーセント，デカン，ウンデカン，ドデカン，若しくはそれらの混合物３〜１０重量パーセントとアニソール，３，５−ジメチルアニソール，ｎ−ブチルベンゼン，若しくはそれらの混合物９０〜９７重量パーセント，デカン，ウンデカン，ドデカン，若しくはそれらの混合物４〜１０重量パーセントとアニソール，３，５−ジメチルアニソール，ｎ−ブチルベンゼン，若しくはそれらの混合物９０〜９６重量パーセント，又は，デカン，ウンデカン，ドデカン，若しくはそれらの混合物４〜８重量パーセントとアニソール，３，５−ジメチルアニソール，ｎ−ブチルベンゼン９２〜９６重量パーセント
が含まれる
（ウ）「
The composition includes at least one organic semiconductor material dissolved in the solvent mixture
・・・
　
In some embodiments, the organic semiconductor includes a substituted pentacene
・・・
　
In addition to the semiconductor material dissolved in the solvent mixture, the composition can further include a polymer
The polymer is often added to modify the rheology of the composition or to improve the mechanical properties of a semiconductor layer formed from the composition
・・・
　The polymer can be an amorphous polymer (i.e., the polymer exhibits no crystalline melting point when analyzed, for example, by differential scanning calorimetry). 
Exemplary polymers include
polystyrene
（訳：
この組成物には，溶媒混合物に溶解した有機半導体材料が少なくとも１つ含まれる
・・・
　
幾つかの実施形態では，この有機半導体には置換ペンタセンが含まれる
・・・
　
溶媒混合物に溶解した半導体材料に加え，この組成物は更にポリマーを含み得る
このポリマーはしばしば，組成物のレオロジーを改変するため，又は，この組成物から形成される半導体層の機械的特性を改善するために加えられる
・・・
　ポリマーは非晶質ポリマーであり得る（すなわち，このポリマーは例えば，示差走査熱量測定法によって分析しても，結晶融点を示さない）。
代表的なポリマーには，ポリスチレン
が挙げられる
（エ）「
Although not wishing to be bound by theory, the addition of the alkane to the solvent mixture tends to lower the contact angle of the composition on the substrate and may help reduce pinning of the contact line between the composition and the substrate. The alkane typically has a lower surface tension than the aromatic compound of Formula (I)
After nucleation of the organic semiconductor at or near the contact line, the lower contact angle and perhaps the reduced pinning may help the organic semiconductor to crystallize and grow along the substrate or on the plane of the substrate rather than up off the plane of the substrate while the solvent evaporates
　More particularly, when small features are desired (e.g., on the order of 1 mm or less), the aromatic compound of Formula (I) often is selected to have a relatively low vapor pressure such as less than 10 mm mercury, less than 5 mm mercury, or less than 2 mm mercury at 20℃. 
If the only solvent included in the composition is the aromatic compound of Formula (I), however, the resulting semiconductor layer tends to be nonuniform
Mixing the aromatic compound of Formula (I) with an alkane having 9 to 16 carbon atoms or 10 to 12 carbon atoms tends to result in the formation of crystals over the entire deposited layer and growth along the substrate surface
　Additionally, when small features are desired, the alkane included in the solvent mixture is often selected to have a boiling point that is 5℃ to 35 ℃ above the boiling point of the aromatic compound of Formula (I). This selection may result in an optimal recirculatory flow (i.e., Marangoni flow) in the composition as the solvent is removed and may lead to the formation of semiconductor layers with optimal electrical performance. 
The optimum amount of the alkane in the solvent mixture may allow the contact line between the composition and the substrate to be pinned initially for a short time. During this time, nucleation of the semiconductor material occurs. Upon further removal of the solvent mixture, the contact line often recedes inward and the semiconductor crystals grows from the nucleation sites inward. This growth pattern tends to result in a fairly uniform semiconductor layer
（訳：
理論に束縛されるものではないが，溶媒混合物にアルカンを加えることは，基材上の組成物の接触角を下げる傾向があり，組成物と基材との間の接触ラインのピン固定を低減するのに役立ち得る。アルカンは典型的に，式（Ｉ）の芳香族化合物よりも低い表面張力を有する
接触ライン上又はその近くで有機半導体の核生成が起こった後，そのより低い接触角と，おそらくは低減されたピン固定が，溶媒が蒸発する際に，基材の面から離れるのではなく，基材に沿って，又は基材の平面上で，有機半導体が結晶化し成長するのに役立ち得る
　より具体的には，小型化（例えば１ｍｍ以下の規模）が望ましい場合，式（Ｉ）の芳香族化合物はしばしば，低蒸気圧（例えば２０℃で１０ｍｍＨｇ未満，５ｍｍＨｇ未満，又は２ｍｍＨｇ未満）を有するよう選択される。
しかしながら，組成物に含まれる唯一の溶媒が式（Ｉ）の芳香族化合物である場合は，結果として得られる半導体層は不均一になる傾向がある
式（Ｉ）の芳香族化合物を，９〜１６個の炭素原子又は１０〜１２個の炭素原子を有するアルカンと混合すると，堆積層全体にわたって結晶生成が生じ，基材表面に沿って成長する傾向がある
　加えて，小型化が望ましい場合，溶媒混合物中に含まれるアルカンはしばしば，式（Ｉ）の芳香族化合物の沸点よりも５℃〜３５℃高い沸点を有するよう選択される。この選択により，溶媒が除去される際に組成物中の最適な再循環流（すなわちマランゴニ対流）を生じさせることができ，最適な電気的性能を備えた半導体層の形成をもたらし得る。
溶媒混合物中のアルカンの最適量により，組成物と基材との間の接触ラインに当初短時間のピン固定が可能になり得る。この間に，半導体材料の核生成が起こる。溶媒混合物を更に除去すると，接触ラインはしばしば内側に後退し，半導体結晶が核生成部位から内側に成長する。この成長パターンにより，かなり均一な半導体層がもたらされる傾向がある
（オ）「Examples
　Unless otherwise noted, all reagents and solvents were or can be obtained from Sigma Aldrich Co., St. Louis, MO.
　
Unless otherwise noted, percentages of components of compositions are weight percentages
　
The term DMA refers to 3,5-dimethylanisole
・・・
　
The term PS refers to atactic poly(styrene) having a number average molecular weight of 112,000 grams/mole and a polydispersity index of 1.05
・・・
　
The term TIPS refers to 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene
（訳：実施例
　別途注記のない限り，すべての試薬及び溶媒は，Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｏ．（ミズーリ州セントルイス）から得られたか，又は得ることができる。
 　
別途注記のない限り，組成物の構成成分のパーセンテージは重量パーセントである
　
用語「ＤＭＡ」は，３，５−ジメチルアニソールを指す
・・・
　
用語「ＰＳ」は，数平均分子量１１２，０００グラム／モル，多分散指数１．０５を有する，アタクチックポリ（スチレン）を指す
・・・
　
用語「ＴＩＰＳ」は，６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンを指し
（カ）「
Preparation of Compositions with a Solvent and an Organic Semiconductor - Composition Preparation Method I
　
An amount of an organic semiconductor and an optional amount of polystyrene were weighed into a glass vial followed by the weighed addition of solvent(s) to prepare a composition of the desired concentrations of organic semiconductor and optional polystyrene in the composition and the desired weight ratio of solvents for compositions that contained more than one solvent
（訳：
溶媒及び有機半導体の組成物の調製−組成物調製方法Ｉ
　
ある量の有機半導体と，ある所望量のポリスチレンを，ガラス製バイアル中に秤量し，重さを測定した追加の溶媒を加えて，複数の溶媒を含む組成物の構成及び望ましい溶媒重量比での，望ましい濃度の有機半導体及び所望によるポリスチレンの組成物を調製した
（キ）「Substrate E was an n-type silicon wafer with thermal oxide (a silicon 100 wafer highly doped n+ (arsenic) with a resistivity of less than 0.005 ohm-cm, and supplied with a 1000 Angstrom thermal oxide (SiO2) on the front surface and coated with 100 Angstrom titanium nitride and 5000 Angstrom aluminum on the back surface) from Noel Technologies, Inc. (Campbell, CA). 」（３８頁１１行ないし１５行）
（訳：
基材Ｅは，Ｎｏｅｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）から入手された，熱酸化物を備えたｎ型シリコンウエハであった（シリコン＜１００＞ウエハ，高度にドーピングされたｎ＋（砒素），固有抵抗０．００５ｏｈｍ−ｃｍ未満，１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ
２
）がフロント面に供給され，１００オングストロームの窒化チタンと５０００オングストロームのアルミニウムが裏面にコーティングされている）
（ク）「
Preparation of Transistors by InkJet Printing - Semiconductor Deposition Method I
　
Compositions were deposited onto the layered transistor structures using an inkjet printer (commercially available under the trade designation DIMATIX 2800 series, available from Fujifilm Dimatix, Inc., Santa Clara, CA) in one of three print patterns, each with an individual drop volume of 10 pico liters. The compositions were passed through a 0.2 micrometer filter as they were loaded into inkjet cartridges (Model No. DMCLCP-11610, from Fujifilm Dimatix, Inc., Santa Clara, CA). The inkjet head and the platen on which the layered transistor structures were placed were held at a temperature of approximately 30℃
For Print Pattern 3, 121 drops of a composition were deposited in an 11 x 11 drop matrix (the center-to-center spacing of the drops was 30 micrometers) onto each transistor
（訳：
インクジェット印刷によるトランジスタの作製−半導体堆積方法Ｉ
　
組成物は，インクジェットプリンタ（Ｆｕｊｉｆｉｌｍ  Ｄｉｍａｔｉｘ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州サンタクララ）から商標名ＤＩＭＡＴＩＸ  ２８００シリーズとして市販）を使用して，３つの印刷パターンのうち１つで層状トランジスタ構造に堆積され，このそれぞれが個々の液滴体積１０ピコリットルであった。組成物は，インクジェットカートリッジ（Ｆｕｊｉｆｉｌｍ  Ｄｉｍａｔｉｘ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州サンタクララ）から販売されているモデルＮｏ．ＤＭＣＬＣＰ−１１６１０）に搭載される際に，０．２マイクロメートルのフィルタを通過した。このインクジェットヘッドと，層状トランジスタ構造が置かれる圧盤は，約３０℃の温度に維持された
プリントパターン３について，組成物１２１滴が，各トランジスタの１１×１１滴マトリックス内（液滴の中心間間隔は３０マイクロメートル）に堆積された
（ケ）「
Mobility Value Test Method I
　The saturation field effect mobility (μ) was determined using two Source Measure Units (Model 2400 from Keithley Instruments, Inc. (Cleveland, OH)). The devices were placed on an S-1160 Series probe station and probes connected using S-725-PRM manipulators (both available from Signatone Corp., Gilroy, CA). The drain to source bias voltage (VDS) was held at -40 V, while the gate to source bias (VGS) was incremented over the range +10 V to -40 V in 1 V steps. 
The drain-source current (I
DS
) was measured as a function of gate-source voltage bias (V 
GS
) from +10V to -40V at a constant drain- source voltage bias (V
DS
) of -40V. The saturation field effect mobility (μ) was calculated from  the slope of the linear portion of the plot of the square root of I
DS
  versus V
GS
 using the equation
　IDS = μWC(VGS -Vt)2÷2L 
　where C is the specific capacitance of the gate dielectric, W is the channel width, and L is the channel length. For some transistor samples prepared using Substrate E, the gate to source bias (VGS) was incremented over the range +20 V to -40 V in 1.2 V steps.」（４５頁２３行ないし４６頁６行）
（訳：
移動度試験方法Ｉ
　２台のソースメジャーユニット（モデル２４００，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．（オハイオ州クリーブランド））を用いて空気中で飽和電界効果移動度（μ）が測定された。この装置はＳ−１１６０シリーズプローブステーション上に置かれ，Ｓ−７２５−ＰＲＭマニピュレーター（両方ともＳｉｇｎａｔｏｎｅ  Ｃｏｒｐ．（カリフォルニア州ギルロイ）を使用してプローブが接続された。ドレイン・ソース間バイアス電圧（ＶＤＳ）を−４０Ｖに維持し，ゲート・ソース間バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で１Ｖ刻みで増加させた。
ドレイン・ソース間電圧バイアス（ＶＤＳ）を一定の−４０Ｖに維持し，ゲート・ソース間電圧バイアス（ＶＧＳ）の＋１０Ｖ〜−４０Ｖの範囲での関数として，ドレイン・ソース間電流（ＩＤＳ）が測定された。飽和電界効果移動度（μ）は，次の式を使用し，ＩＤＳの平方根をＶＧＳに対してプロットし，直線部分の傾きから算出された
　ＩＤＳ＝μＷＣ（ＶＧＳ−Ｖｔ）２÷２Ｌ
　式中，Ｃはゲート絶縁体の固有キャパシタンス，Ｗはチャネル幅，及びＬはチャネル長さである。基材Ｅを使用して作製された一部のトランジスタ試料については，ゲート・ソース間バイアス（ＶＧＳ）を，＋２０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で１．２Ｖ刻みで変えた。）」
（コ）「Examples 23-27 and Comparative Example 11
　
For each of Examples 23-27 and Comparative Example 11, compositions containing 1.8 weight percent TIPS and 0.9 weight percent PS were prepared by Composition Preparation Method I. The solvent or solvent mixtures included in the compositions are indicated in Table 7. Transistors were prepared comprising depositing the compositions onto Substrate E in Print Pattern 3 using Semiconductor Deposition Method I
The average mobility was determined by Mobility Value Test Method I and the data are given in Table 7
」（５３頁１０行ないし５４頁２行）
（訳：実施例２３〜２７及び比較例１１
　
実施例２３〜２７及び比較例１１については，１．８重量パーセントのＴＩＰＳと０．９重量パーセントのＰＳを，組成物調製方法Ｉに従って調製した。組成物中に含まれた溶媒又は溶媒混合物を，表７に示す。トランジスタは，半導体堆積方法Ｉを用いてプリントパターン３で基材Ｅ上に組成物を堆積させることによって作製された
移動度試験方法Ｉによって平均移動度が測定され，そのデータが表７に示されている
）
　イ　引用発明
　上記ア（コ）の表７における比較例１１の記載と，上記ア（ア）ないし（ケ）より，引用文献には，次の発明が記載されていると認められる。
　「１．８重量パーセントの６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ）と０．９重量パーセントのアタクチックポリスチレン（ＰＳ）と溶媒を含む組成物であって，上記溶媒は，３，５−ジメチルアニソールから成る，組成物。」（以下「引用発明１」という。）
　
（４）本願補正発明と引用発明１との対比
　ア　引用発明１における「６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ）」がの分子量が５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することは，その分子式（Ｃ４４Ｈ５４Ｓｉ２）より明らかである。
　そうすると，引用発明１における「１．８重量パーセントの６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ）と０．９重量パーセントのアタクチックポリスチレン（ＰＳ）と」を含むことは，本願補正発明の「５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）」を含むことに相当するといえる。
　イ　引用発明１における「溶媒」は「３，５−ジメチルアニソールから成る」から，「有機溶媒」ということができる。
　そうすると，本願補正発明の「前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成ること」と，引用発明１における「上記溶媒は，３，５−ジメチルアニソールから成る」こととは，「前記有機溶媒は，ジメチルアニソールから成る」点で共通するといえる。
　ウ　以上から，本願補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
（ア）一致点
　「５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，ジメチルアニソールから成る，組成物。」
（イ）相違点
　本願補正発明の「有機溶媒」は，「３，４−ジメチルアニソールから成る」のに対し，引用発明１における「溶媒」は，「３，５−ジメチルアニソールから成る」点。
　
（５）本願補正発明と引用発明１との相違点の判断
　上記（３）ア（イ）によれば，引用文献には，有機半導体を溶解し，インクジェット印刷により層状トランジスタ構造の堆積が可能な組成物を構成する有機溶媒として，３，５−ジメチルアニソールとともに，３，４−ジメチルアニソールも使用できることが記載されている。
　そうすると，引用発明１において，「溶媒」を「３，５−ジメチルアニソールから成る」構成に代えて，「３，４−ジメチルアニソールから成る」構成としても，同様の作用効果が得られることは，引用文献の上記の記載に接した当業者であれば，容易に予測し得るものということができる。
　以上から，引用発明１において，相違点に係る構成とすることは，引用文献の記載に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（６）本願補正発明の作用効果について
　本願明細書には，本願に係る発明の実施例について，２，４−ジメチルアニソールが溶媒として使用された例１よりも，２，５−ジメチルアニソール，及び２，６−ジメチルアニソールが，それぞれ溶媒として使用された例２及び３の方が改善されている（【０２４６】ないし【０２４８】）と記載され，そのうえで，３，４−ジメチルアニソールが溶媒として使用された例４について，次の記載がある。
　「例４
　本質的に，比較例１が繰り返された。しかしながら，３，４−ジメチルアニソールが溶媒として使用された。ＨＩＬ−０１２層は，２０μ〜１００μｄｓに対して，受容可能に湿潤した。印刷品質は，印刷温度に依存して，４０μ〜８０μｄｓに対して，良好であるか，少なくとも容可能（当審注．「受容可能」の誤記と認める。）であった。ジェット安定性は，良好であった。ノズル板湿潤は，良好であった。合体間隔は３００μｍであった。しかしながら，結果は，比較例２および３（当審注．「例２および３」の誤記と認める。）夫々と比べて改善されている。」（【０２４９】）
　本願明細書における例４の記載では，インクジェット印刷時における「ＨＩＬ−０１２層」の湿潤，印刷品質，ジェット安定性，及びノズル板湿潤といった指標について，「受容可能」や「良好」との判定結果が記載されているものの，上記指標が如何なる方法で検査又は測定され，上記判定結果が如何なる客観的基準に基づくものであるのかが不明であり，本願明細書における「例４」の記載からは，３，４−ジメチルアニソールが溶媒として使用された場合に，格別の作用効果を奏するとは認められない。
　そして，仮に，本願明細書の「例４」に関する記載に，３，４−ジメチルアニソールが溶媒として使用された場合の作用効果が記載されているとしても，３，５−ジメチルアニソールが溶媒として使用された場合（【０１３５】）や，ドデカン等の７ないし１４個の炭素原子を有するアルカンである湿潤剤が溶媒に含まれる場合（【０１７０】ないし【０１７５】）との作用効果上の比較は記載されていないので，本願明細書の「例４」に関する記載からは，これらの場合に比べて，格別の作用効果を奏するとは認められない。
　さらに，引用文献には，有機半導体が溶解される溶媒混合物は，ドデカン等の６〜１６個の炭素原子を有するアルカン，及び３，４−ジメチルアニソールや３，５−ジメチルアニソール等の芳香族化合物を含み（上記（３）ア（イ）），溶媒混合物にアルカンを加えることで，基材上の組成物の接触角を下げ，組成物と基材との間の接触ラインのピン固定を低減するのに役立ち，その結果，堆積層全体にわたって結晶生成が生じ，基材表面に沿って成長する傾向があり，かなり均一な半導体層がもたらされる傾向がある（上記（３）ア（エ））旨の記載があり，当該記載を参酌すれば，本願補正発明のように，３，４−ジメチルアニソールから成る溶媒を用いた場合よりも，３，４−ジメチルアニソールにアルカンを加えた溶媒混合物を用いた場合の方が，インクジェット印刷時における印刷の品質は改善されると推認することもできる。
　そうすると，本願補正発明は，「前記有機溶媒は，３，４−ジメチルアニソールから成る」との構成により，格別の作用効果を奏するとは認められない。
　以上から，本願補正発明が奏する効果は，引用発明１において，引用文献の記載に基づいて，当業者が容易に予測し得るものと認める。
　
（７）小括
　本件補正後の請求項１に係る発明（本願補正発明）は，引用文献の記載に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
  
５　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成２７年７月３０日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし２７に係る発明は，平成２７年２月１６日に提出された誤訳訂正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　「【請求項１】
　５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含むことを特徴とする，組成物。」
　
２　引用文献の記載と引用発明
　引用文献の記載は，前記第２の４（３）アのとおりである。
　そして，前記第２の４（３）ア（イ），及び前記第２の４（３）ア（コ）の表７における実施例２３ないし２６の記載と，前記第２の４（３）ア（ア）及び（ウ）ないし（ケ）より，引用文献には，次の発明が記載されていると認められる。
　「１．８重量パーセントの６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ）と０．９重量パーセントのアタクチックポリスチレン（ＰＳ）と溶媒混合物を含む組成物であって，上記溶媒混合物は，８８〜９７重量パーセントの３，５−ジメチルアニソールと３〜１２重量パーセントのドデカン，若しくはドデカンとデカンとの混合物とから成る，組成物。」（以下「引用発明２」という。）
　
３　本願発明と引用発明２との対比
　ア　前記第２の４（４）アより，引用発明２における「１．８重量パーセントの６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ）と０．９重量パーセントのアタクチックポリスチレン（ＰＳ）と」を含むことは，本願発明の「５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）」を含むことに相当するといえる。
　イ　引用発明２における「溶媒化合物」は「８８〜９７重量パーセントの３，５−ジメチルアニソールと３〜１２重量パーセントのドデカン，若しくはドデカンとデカンとの混合物とから成る」から，「有機溶媒」ということができる。
　そうすると，本願発明の「前記有機溶媒は，少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含む」ことと，引用発明２における「上記溶媒混合物は，８８〜９７重量パーセントの３，５−ジメチルアニソールと３〜１２重量パーセントのドデカン，若しくはドデカンとデカンとの混合物とから成る」こととは，「前記有機溶媒は，少なくとも６０重量％のジメチルアニソールを含む」点で共通するといえる。
　ウ　以上から，本願発明と引用発明２との一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
（ア）一致点
　「５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と有機溶媒を含む組成物であって，前記有機溶媒は，少なくとも６０重量％のジメチルアニソールを含む，組成物。」
（イ）相違点
　本願発明の「有機溶媒」は，「３，４−ジメチルアニソール」を含むのに対し，引用発明２における「溶媒化合物」は，「３，５−ジメチルアニソール」を含む点。
　
（５）本願発明と引用発明２との相違点の判断
　前記第２の４（３）ア（イ）によれば，引用文献には，有機半導体を溶解し，インクジェット印刷により層状トランジスタ構造の堆積が可能な組成物を構成する有機溶媒として，３，５−ジメチルアニソールとともに，３，４−ジメチルアニソールも使用できることが記載されている。
　そうすると，引用発明２において，「溶媒化合物」に「８８〜９７重量パーセントの３，５−ジメチルアニソール」を含む構成に代えて，「８８〜９７重量パーセントの３，４−ジメチルアニソール」を含む構成としても，同様の作用効果が得られることは，引用文献の上記の記載に接した当業者であれば，容易に予測し得るものということができる。
　以上から，引用発明２において，少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含む構成（相違点に係る構成）とすることは，引用文献の記載に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（６）本願発明の作用効果について
　前記第２の４（６）の理由により，本願発明は，「有機溶媒は，少なくとも６０重量％の３，４−ジメチルアニソールを含む」との構成により，格別の作用効果を奏するとは認められず，本願発明が奏する効果は，引用発明２において，引用文献の記載に基づいて，当業者が容易に予測し得るものと認める。
　
４　小括
　本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用文献の記載に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　
第４　結言
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項び規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。