Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立により遊技を実行し、該遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、
前記遊技制御装置は、
遊技制御プログラムを記憶する遊技制御プログラム記憶手段と、
前記遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理を行う際に値が記憶される第１のレジスタ群と、
前記第１のレジスタ群と同じ構成を有する第２のレジスタ群と、
前記第１のレジスタ群及び前記第２のレジスタ群の何れか一方を、アクセス可能に切り替えるレジスタ群切替手段と、
を備え、
前記遊技制御プログラムは、
メイン処理と、
前記メイン処理の実行中において、所定の割込信号が発生した場合に呼び出される割込処理と、を含み、
前記メイン処理では、前記第１のレジスタ群及び前記第２のレジスタ群のうち、前記第１のレジスタ群のみを使用して演算処理を行うように構成することを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
呼び出し元のモジュールで用いられていたレジスタの値が、呼び出し先のサブモジュールで変更されてしまうと、ＣＰＵの演算処理に支障を来たす。そのため、従来の遊技機では、呼び出し先のモジュール内にて、ＰＵＳＨ命令やＰＯＰ命令を記述する必要があり、プログラムのコード量が増えてしまう要因となっていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、汎用レジスタの不足を解消することによって、プログラムの複雑化及びコード量の増大を防ぐことを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の代表的な一形態では、所定の始動条件の成立により遊技を実行し、該遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、前記遊技制御装置は、遊技制御プログラムを記憶する遊技制御プログラム記憶手段と、前記遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、前記演算処理を行う際に値が記憶される第１のレジスタ群と、前記第１のレジスタ群と同じ構成を有する第２のレジスタ群と、前記第１のレジスタ群及び前記第２のレジスタ群の何れか一方を、アクセス可能に切り替えるレジスタ群切替手段と、を備え、前記遊技制御プログラムは、メイン処理と、前記メイン処理の実行中において、所定の割込信号が発生した場合に呼び出される割込処理と、を含み、前記メイン処理では、前記第１のレジスタ群及び前記第２のレジスタ群のうち、前記第１のレジスタ群のみを使用して演算処理を行うように構成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
「遊技」とは、例えば、表示画面の画像を表示可能な領域（表示領域）設けられた複数の変動表示領域において、各変動表示領域に識別情報などが表示され、各識別図柄が変動表示する変動表示ゲームである。変動表示ゲームにおける「特別な結果」とは、例えば、変動表示する識別図柄がすべて同じ図柄で停止した場合である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
あるいは、入賞した遊技球を、特定入賞領域（所謂Ｖゾーン）か一般入賞領域（所謂外れゾーン）に振り分ける遊技のことを「遊技」と称し、この遊技の結果として、遊技球が特定入賞領域に入賞した場合を「特別な結果」と称する場合もある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一形態によれば、汎用レジスタの不足を解消することによって、プログラムの複雑化及びコード量の増大を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレイヤーが所有する複数の所有ゲーム媒体、及び、複数の前記所有ゲーム媒体のうち、対戦相手との対戦に用いられる対戦ゲーム媒体が、前記プレイヤーに対応付けて設定されたプレイヤー情報を記憶する記憶部と、
複数の前記所有ゲーム媒体の中から前記プレイヤーによって選択された変換元の所有ゲーム媒体を、その変換元の所有ゲーム媒体が有するレアリティに応じたレアリティを有する変換先のゲームアイテムに変換する処理、
変換先のゲームアイテムを消費することによって、その変換先のゲームアイテムが有するレアリティに応じたレアリティを有する補助対戦ゲーム媒体であって、その変換元の所有ゲーム媒体に設定されたパラメーターよりも低いパラメーターが設定された補助対戦ゲーム媒体を生成する処理、及び、
前記対戦ゲーム媒体の他にその生成された前記補助対戦ゲーム媒体を参戦させ、前記対戦ゲーム媒体及び前記補助対戦ゲーム媒体のそれぞれに設定されたパラメーターに基づいて、前記対戦の進行を制御する処理を、実行する制御部と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、
前記対戦中に、前記補助対戦ゲーム媒体に設定されたパラメーターが消費された場合は、その消費後のパラメーターを回復させず、前記対戦ゲーム媒体に設定されたパラメーターが消費された場合には、その消費後のパラメーターを回復させる処理を、さらに実行する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、
変換先の前記ゲームアイテムが有するレアリティのそれぞれに対応するアイテム選択ボタンを含むゲーム画面のデータを生成する処理、
前記ゲーム画面において複数の前記アイテム選択ボタンのうちのいずれかのアイテム選択ボタンがプレイヤーによって選択された際に、その選択された前記アイテム選択ボタンに対応するレアリティを有する前記補助対戦ゲーム媒体を参戦させる処理を、さらに実行する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、
前記ゲーム画面において複数の前記アイテム選択ボタンのうちのいずれかのアイテム選択ボタンがプレイヤーによって選択された際に、その選択された前記アイテム選択ボタンに設定された使用制限回数に達した場合には、その選択された前記アイテム選択ボタンに対応する前記補助対戦ゲーム媒体を参戦させない、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
プレイヤーが所有する複数の所有ゲーム媒体、及び、複数の前記所有ゲーム媒体のうち、対戦相手との対戦に用いられる対戦ゲーム媒体が、前記プレイヤーに対応付けて設定されたプレイヤー情報を記憶する記憶部を備えたコンピューターに、
複数の前記所有ゲーム媒体の中から前記プレイヤーによって選択された変換元の所有ゲーム媒体を、その変換元の所有ゲーム媒体が有するレアリティに応じたレアリティを有する変換先のゲームアイテムに変換する処理と、
変換先のゲームアイテムを消費することによって、その変換先のゲームアイテムが有するレアリティに応じたレアリティを有する補助対戦ゲーム媒体であって、その変換元の所有ゲーム媒体に設定されたパラメーターよりも低いパラメーターが設定された補助対戦ゲーム媒体を生成する処理と、
前記対戦ゲーム媒体の他に、その生成された前記補助対戦ゲーム媒体を参戦させ、前記対戦ゲーム媒体及び前記補助対戦ゲーム媒体のそれぞれに設定されたパラメーターに基づいて、前記対戦の進行を制御する処理を、
実行させることを特徴とするゲームプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、及び、ゲームプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
容器本体およびその容器本体を密閉し開封可能な蓋体からなる気密容器と、
その気密容器内に収容され、溶解ガスが溶解している食品と、
前記気密容器内に充填されている溶解ガス
とを備えており、
前記密閉容器が、前記蓋体を容器本体に係合させる係合部と、
前記蓋体を係合部に係合したときに気密状態にするシール部と、
前記蓋体を取り外すときに、係合部による係合を維持した状態で、前記シール部の一部の気密状態を解除する解除機構を備えている、
ガス加工食品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のガス加工食品は、容器本体およびその容器本体を密閉し開封可能な蓋体からなる気密容器と、その気密容器内に収容され、溶解ガスが溶解している食品と、前記気密容器内に充填されている溶解ガスとを備えており、前記密閉容器が、前記蓋体を容器本体に係合させる係合部と、前記蓋体を係合部に係合したときに気密状態にするシール部と、前記蓋体を取り外すときに、係合部による係合を維持した状態で、前記シール部の一部の気密状態を解除する解除機構を備えていることを特徴としている（請求項６）。
このようなガス加工食品は、前記シール部を気密容器の収容空間の外側に設けていることが好ましい（請求項７）。
また前記食品が果実であることが好ましい（請求項８）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のガス加工食品（請求項６）は、消費者が蓋体を開封するときに食品の形状を保つことができ、食品中に溶解ガスを保持し、溶解ガスの効果が得られやすい。さらに開封時は解除機構により溶解ガスが徐々に放出されるため、食品を傷付けることなく取り出すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記沈殿濾過槽に汚泥管を介して連結され、前記沈殿濾過槽の中に沈殿した汚泥を貯留する汚泥タンクを備えることを特徴とする請求項１に記載の浄化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記沈殿濾過槽に沈殿した汚泥を前記汚泥タンクに送出するための汚泥送出ポンプを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の浄化装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
＜浄化装置２００の全体構成＞
図１は、本発明の実施形態における浄化装置２００の全体構成図である。浄化装置２００は、原水を貯留する原水池３００の原水中の汚泥を除去することにより原水池３００の浄化を行う浄化装置であって、ゼオライト系の凝集剤粉末を連続的に投入可能な凝集剤投入機１０、凝集剤粉末が投下された原水を渦流で攪拌する第１の攪拌機２０、内壁への衝突による再攪拌を行う第２の攪拌機３０、第１の攪拌機２０による攪拌後の原水を一時貯留する揚水タンク４０、２段階の沈殿濾過を行う第１の沈殿濾過槽５０及び第２の沈殿濾過槽６０を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第１の沈殿濾過槽５０は、その上壁から底部の上方まで延びた隔壁５１によって仕切られており、第２の攪拌機３０から第１の沈殿濾過槽５０内に落下した水は隔壁５１を回り込んで、隔壁５１の左側の空間に設けられた濾過層５２を下から上に通過するようになっている。これにより、原水は、濾過層５２で濾過されるとともに、原水に含まれた汚泥５３が第１の沈殿濾過槽５０の底部に沈殿する。沈殿した汚泥５３は第１の沈殿濾過槽５０の底に接続された汚泥管５４を通して汚泥タンク７０に送られる。汚泥タンク７０の底部７１には汚泥５３が貯まるが、上澄み水は配管７２を通して揚水タンク４０に戻される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そして、脱水筒９８内に汚泥コンベア８０から汚泥５３が搬入されて、基台９７の上動により脱水蓋９４で汚泥が垂直方向に圧縮されることにより、汚泥５３の水分が排水管９６から排出されるように構成されている。排水管９６から排出された水は、排水管９６を通して原水池３００に戻されることが好ましい。脱水されて粉末化した汚泥５３は小形軽量化されていることから袋などに詰め込んだ状態で運搬するのに適しており、脱水筒９８から取り出され、廃棄場所や仮置き場に運搬される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動機でコンプレッサの回転を加勢する電動排気過給機を備えたエンジンの起動装置であって、
前記コンプレッサの圧縮空気出口と排気タービンの排気入口とを接続するバイパス通路と、
前記バイパス通路を開閉するバイパス弁と、
前記エンジンを起動させる前に、前記バイパス弁を開くとともに、前記電動機により前記コンプレッサを回転させ、少なくとも前記エンジンの起動時には前記電動機により前記コンプレッサを回転させておき、前記エンジンの起動に応じたタイミングで前記バイパス弁を閉じる起動制御部と、
を備えることを特徴とするエンジンの起動装置。
【請求項２】
前記コンプレッサから前記エンジンに繋がる通路が常時導通している請求項１に記載のエンジンの起動装置。
【請求項３】
前記エンジンは２サイクルエンジンであり、前記エンジンの起動前において、前記電動機により駆動される前記コンプレッサの圧縮空気が、前記バイパス通路と前記エンジンの掃気室とに供給される請求項１に記載のエンジンの起動装置。
【請求項４】
前記エンジンは２サイクルエンジンであり、前記バイパス弁を閉じるタイミングは、前記２サイクルエンジンを起動させた直後である請求項１から３のいずれかに記載のエンジンの起動装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のエンジンの起動装置を備えたことを特徴とする船舶。
【請求項６】
電動機でコンプレッサの回転を加勢する電動排気過給機を備えたエンジンの起動方法であって、
前記エンジンを起動させる前に、前記電動機により前記電動排気過給機のコンプレッサを回転させ、該コンプレッサから吐出される圧縮空気を排気タービン側に流す過給準備ステップと、
前記電動機により前記コンプレッサを回転させながら前記エンジンを起動させるエンジン起動ステップと、
前記エンジンの起動に応じたタイミングで前記圧縮空気を前記エンジン側に流す過給開始ステップと、
を備えることを特徴とするエンジンの起動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、本発明の第１態様に係るエンジンの起動装置は、電動機でコンプレッサの回転を加勢する電動排気過給機を備えたエンジンの起動装置であって、前記コンプレッサの圧縮空気出口と排気タービンの排気入口とを接続するバイパス通路と、前記バイパス通路を開閉するバイパス弁と、前記エンジンを起動させる前に、前記バイパス弁を開くとともに、前記電動機により前記コンプレッサを回転させ、少なくとも前記エンジンの起動時には前記電動機により前記コンプレッサを回転させておき、前記エンジンの起動に応じたタイミングで前記バイパス弁を閉じる起動制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、電動機によりコンプレッサを回転させながらエンジンの起動が行われる。舶用大型２サイクルディーゼルエンジンにおいては、ピストンが膨張行程の位置にある燃焼シリンダに起動用の圧縮空気を投入し、ピストンを押し下げてエンジンを起動させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
起動制御部は、エンジンの起動に応じたタイミングでバイパス弁を閉じる。これにより、コンプレッサで生成された圧縮空気が排気タービンに供給されなくなり、圧縮空気の全量がエンジン（掃気室）に送られて通常運転に移行する。
ところで、前記コンプレッサから前記エンジンに繋がる通路は常時導通していることが好ましい。これにより、特に２サイクルエンジンにおいては、掃気室の圧力を大気圧よりも上昇させてエンジン起動性を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明の第３態様に係るエンジンの起動方法は、電動機でコンプレッサの回転を加勢する電動排気過給機を備えたエンジンの起動方法であって、前記エンジンを起動させる前に、前記電動機により前記電動排気過給機のコンプレッサを回転させ、該コンプレッサから吐出される圧縮空気を排気タービンに供給する過給準備ステップと、前記電動機により前記コンプレッサを回転させながら前記エンジンを起動させるエンジン起動ステップと、前記エンジンの起動に応じたタイミングで前記圧縮空気を前記エンジン側に供給する過給開始ステップと、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、エンジン起動ステップにおいて電動機によりコンプレッサを回転させながらエンジンの起動が行われるが、予め過給準備ステップにおいてコンプレッサの回転速度が高められているため、２サイクルエンジンにおいては、エンジンの起動と同時に掃気室の圧力を素早く高めることができ、掃気室からエンジンに十分な燃焼空気を供給して良好に起動させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、電動機２８によりコンプレッサ２６を回転させながら舶用大型ディーゼルエンジン１の起動が行われる（図２のステップＳ４，図３のＢ点）。この舶用大型ディーゼルエンジン１においては、燃焼シリンダ４に起動用の圧縮空気を投入し、ピストン９を押し下げることによってエンジンを起動させる。このステップＳ４がエンジン起動ステップとなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
１  舶用大型ディーゼルエンジン（エンジン）
２  起動装置
４  燃焼シリンダ
５  排気静圧管
６  掃気室
１２  掃気ポート
１３  排気ポート
１４  排気弁
２４  電動排気過給機
２５  排気タービン
２６  コンプレッサ
２７  ローター軸
２８  電動機
３５  圧縮空気管（コンプレッサからエンジンに繋がる通路）
４４  バイパス通路
４５  バイパス弁
４８  起動制御部
Ｓ２，Ｓ３  過給準備ステップ
Ｓ４  エンジン起動ステップ
Ｓ５  過給開始ステップ
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＧａＮ系半導体層と、
前記第１のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第１のＧａＮ系半導体層よりバンドギャップの大きい第２のＧａＮ系半導体層と、
前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるソース電極と、
前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるｐ型の第３のＧａＮ系半導体層と、
前記第３のＧａＮ系半導体層上に設けられるゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間であって、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第３のＧａＮ系半導体層と離れて設けられるｐ型の第４のＧａＮ系半導体層と、
前記第４のＧａＮ系半導体層の前記第２のＧａＮ系半導体層と反対側に設けられる絶縁膜と、
前記第４のＧａＮ系半導体層との間に前記絶縁膜を介在させて設けられる第１のフィールドプレート電極と、を備え、
前記第１のフィールドプレート電極の前記ドレイン電極側の端部と、前記第２のＧａＮ系半導体層との間に、前記第４のＧａＮ系半導体層が位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第４のＧａＮ系半導体層がフローティングであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第４のＧａＮ系半導体層が前記第２のＧａＮ系半導体層に接して設けられることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第４のＧａＮ系半導体層のアクセプタの面密度が、前記第１のＧａＮ系半導体層と前記第２のＧａＮ系半導体層との界面に生成される２次元電子ガスの面密度よりも低いことを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第４のＧａＮ系半導体層の端部が傾斜していることを特徴とする請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３のＧａＮ系半導体層と前記第４のＧａＮ系半導体層とが同一のｐ型不純物濃度を有し、前記第４のＧａＮ系半導体層の膜厚が、前記第３のＧａＮ系半導体層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート電極と前記第４のＧａＮ系半導体層との間、または、前記第４のＧａＮ系半導体層と前記ドレイン電極との間の、前記第２のＧａＮ系半導体層の前記第１のＧａＮ系半導体層と反対側に設けられ、前記第３のＧａＮ系半導体層および前記第４のＧａＮ系半導体層と分離されるｐ型の第５のＧａＮ系半導体層を、さらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第４のＧａＮ系半導体層の膜厚が、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のフィールドプレート電極との間に絶縁膜を介在させて設けられ、前記第４のＧａＮ系半導体層との間に絶縁膜を介在させて設けられる第２のフィールドプレート電極をさらに備え、
前記第２のフィールドプレート電極の前記ドレイン電極側の端部と、前記第２のＧａＮ系半導体層との間に、前記第４のＧａＮ系半導体層が位置することを特徴とする請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置は、第１のＧａＮ系半導体層と、前記第１のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第１のＧａＮ系半導体層よりバンドギャップの大きい第２のＧａＮ系半導体層と、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるソース電極と、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるｐ型の第３のＧａＮ系半導体層と、前記第３のＧａＮ系半導体層上に設けられるゲート電極と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間であって、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第３のＧａＮ系半導体層と離れて設けられるｐ型の第４のＧａＮ系半導体層と、前記第４のＧａＮ系半導体層の前記第２のＧａＮ系半導体層と反対側に設けられる絶縁膜と、前記第４のＧａＮ系半導体層との間に前記絶縁膜を介在させて設けられる第１のフィールドプレート電極と、を備え、前記第１のフィールドプレート電極の前記ドレイン電極側の端部と、前記第２のＧａＮ系半導体層との間に、前記第４のＧａＮ系半導体層が位置する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上の単結晶シリコンをドーピングすることにより、
第１の導電型を有する第１の電極と、
第２の導電型を有する第２の電極と、
第１のＩＶ族元素層と、
第２のＩＶ族元素層とを形成する半導体光素子の製造方法であって、
前記絶縁膜上に、前記第１の電極と前記第２の電極を形成する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極上に、両者から導通するように、前記第１のＩＶ族元素層を積層する工程と、
前記第１のＩＶ族元素層上に、ハードマスクを堆積する工程と、
前記第１のＩＶ族元素層の近傍にイオン注入層を形成する工程と、
前記イオン注入層にドーピングする物質のイオンを注入する工程と、
前記半導体光素子を熱処理する工程と、
前記ハードマスク、前記イオン注入層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１のＩＶ族元素層は、１０<SUP>１９</SUP>ｃｍ<SUP>−３</SUP>以上の濃度でｎ型ドーピングされることを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２のＩＶ族元素層のキャリア濃度は、１０<SUP>１７</SUP>ｃｍ<SUP>−３</SUP>以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１のＩＶ族元素層の近傍から、前記第２のＩＶ族元素層の近傍まで、
細線形状に加工された誘電体が延伸するように形成することを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項５】
前記誘電体の材料が、シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、または、それらの組み合わせであることを特徴とする請求項４記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１のＩＶ族元素層及び前記第２のＩＶ族元素層は、ゲルマニウム、または、ゲルマニウム・スズであることを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項７】
絶縁膜上の単結晶シリコンをドーピングすることにより、
第１の導電型を有する第１の電極と、
第２の導電型を有する第２の電極と、
第１のＩＶ族元素層と、
第２のＩＶ族元素層とが形成された半導体光素子であって、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第１のＩＶ族元素層を介して電気的に接続されており、
前記第１のＩＶ族元素層と前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記第１の電極と前記第２の電極の凸部の上面のみで接触しており、
前記第１の電極と前記第２の電極において、前記第１のＩＶ族元素層と接している領域の膜厚は、前記第１のＩＶ族元素層と接していない領域の膜厚より厚いことを特徴とする半導体光素子。
【請求項８】
前記第１のＩＶ族元素層は、１０<SUP>１９</SUP>ｃｍ<SUP>−３</SUP>以上の濃度でｎ型ドーピングされていることを特徴とする請求項７記載の半導体光素子。
【請求項９】
前記第２のＩＶ族元素層のキャリア濃度は、１０<SUP>１７</SUP>ｃｍ<SUP>−３</SUP>以下であることを特徴とする請求項７記載の半導体光素子。
【請求項１０】
前記第１のＩＶ族元素層に順方向電流を流したときに、発光し、前記第２のＩＶ族元素層に逆方向電圧を印加したときに、光を受光して電気信号に変換することを特徴とする請求項７記載の半導体光素子。
【請求項１１】
前記第１のＩＶ族元素層の近傍から、前記第２のＩＶ族元素層の近傍まで、細線形状に加工された第１の誘電体が延伸するように形成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体光素子。
【請求項１２】
前記第１の誘電体の材料が、シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、または、それらの組み合わせであることを特徴とする請求項１１記載の半導体光素子。
【請求項１３】
前記第１のＩＶ族元素層、前記第２のＩＶ族元素層のＩＶ族元素は、ゲルマニウム、または、ゲルマニウム・スズであることを特徴とする請求項７記載の半導体光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地物および文字列を含む３次元地図を表示する３次元地図表示システムであって、
前記地物の３次元形状を表す地物データおよび前記文字列を表示させるための文字データを記憶する地図データベースと、
前記地物データを用いて、仮想３次元空間に配置された前記地物を透視投影することで地物画像を生成する地物画像生成部と、
前記文字データを用いて、仮想３次元空間内に前記文字列を表したポリゴンを配置して、平行投影することで文字画像を生成する文字画像生成部と、
前記文字画像を、前記地物画像に重畳して表示する重畳部とを備え、
前記文字画像生成部は、
前記文字列を貼付した文字板ポリゴンを生成し、
前記文字板ポリゴンと地表面との間の角度が、前記投影画像内における前記文字の配置方向と配置位置に基づいて設定される所定値となるよう、前記仮想３次元空間内で該文字板ポリゴンを配置して、
前記平行投影を行う３次元地図表示システム。
【請求項２】
請求項１記載の３次元地図表示システムであって、
前記文字画像生成部は、前記透視投影における視線方向と同方向からの平行投影を行う３次元地図表示システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の３次元地図表示システムであって、
前記文字板ポリゴンと地表面との間の角度は、前記投影画像内における前記文字の配置位置が前記透視投影の視点側から奥に行くにつれて徐々に大きく設定される３次元地図表示システム。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか記載の３次元地図表示システムであって、
前記文字画像生成部は、前記文字画像を、前記文字データに格納された文字列ごとに個別に生成し、
前記重畳部は、前記文字画像の前記投影画像内での配置を個別に設定して、前記重畳を行う３次元地図表示システム。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の３次元地図表示システムであって、
前記地物には道路が含まれ、前記文字列には該道路の名称が含まれており、
前記文字画像生成部は、前記道路の名称を表す文字列を、該道路に沿う方向に配置して前記文字画像を生成する３次元地図表示システム。
【請求項６】
コンピュータによって、地物および文字列を含む３次元地図を表示する３次元地図表示方法であって、
前記コンピュータが実行するステップとして、
前記地物の３次元形状を表す地物データおよび前記文字列を表示させるための文字データを記憶する地図データベースにアクセスするステップと、
前記地物データを用いて、仮想３次元空間に配置された前記地物を透視投影することで地物画像を生成するステップと、
前記文字データを用いて、仮想３次元空間内に前記文字列を表したポリゴンを配置して、平行投影することで文字画像を生成するステップと、
前記文字画像を、前記地物画像に重畳して表示するステップとを備え、
前記文字画像の生成は、
前記文字列を貼付した文字板ポリゴンを生成し、
前記文字板ポリゴンと地表面との間の角度が、前記投影画像内における前記文字の配置方向と配置位置に基づいて設定される所定値となるよう、前記仮想３次元空間内で該文字板ポリゴンを配置して平行投影することにより行われる
３次元地図表示方法。
【請求項７】
コンピュータによって、地物および文字列を含む３次元地図を表示するためのコンピュータプログラムであって、
前記地物の３次元形状を表す地物データおよび前記文字列を表示させるための文字データを記憶する地図データベースにアクセスする機能と、
前記地物データを用いて、仮想３次元空間に配置された前記地物を透視投影することで地物画像を生成する機能と、
前記文字データを用いて、仮想３次元空間内に前記文字列を表したポリゴンを配置して、平行投影することで文字画像を生成する機能と、
前記文字画像を、前記地物画像に重畳して表示する機能とをコンピュータによって実現し、
前記文字画像の生成は、
前記文字列を貼付した文字板ポリゴンを生成し、
前記文字板ポリゴンと地表面との間の角度が、前記投影画像内における前記文字の配置方向と配置位置に基づいて設定される所定値となるよう、前記仮想３次元空間内で該文字板ポリゴンを配置して平行投影することにより行われる
ためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため、
クロック信号により生成される所定の駆動波形周波数の駆動信号で表示手段を駆動する表示駆動手段と、
時刻情報を含む電波の受信期間中に、当該電波の受信周波数と前記駆動波形周波数の高調波周波数とが重ならないように、前記クロック信号の発振周波数の誤差に基づいて前記駆動波形周波数を設定する周波数設定手段と
を備えることを特徴とする電波時計である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック信号により生成される所定の駆動波形周波数の駆動信号で表示手段を駆動する表示駆動手段と、
時刻情報を含む電波の受信期間中に、当該電波の受信周波数と前記駆動波形周波数の高調波周波数とが重ならないように、前記クロック信号の発振周波数の誤差に基づいて前記駆動波形周波数を設定する周波数設定手段と
を備えることを特徴とする電波時計。
【請求項２】
前記クロック信号から予め設定されたタイミングで前記誤差分の信号を取り除いた調整信号を出力する信号調整手段と、
前記調整信号を計数することで計時する計時手段と
を備えることを特徴とする請求項１記載の電波時計。
【請求項３】
前記誤差の大きさと、前記電波の受信時に変更させる前記駆動波形周波数とを対応付けてテーブルとして記憶する変更設定記憶手段を備え、
前記周波数設定手段は、前記電波の受信時に前記変更設定記憶手段を参照して前記駆動波形周波数を変更する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の電波時計。
【請求項４】
前記変更設定記憶手段は、前記電波の受信周波数ごとに前記テーブルを記憶することを特徴とする請求項３記載の電波時計。
【請求項５】
前記電波の受信期間中において前記変更がなされた駆動波形周波数は、当該変更がなされない前記駆動波形周波数よりも高く設定されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電波時計。
【請求項６】
クロック信号を出力する発振手段と、
前記クロック信号の発振周波数の誤差データを記憶する誤差記憶手段と、
温度を計測する温度計測手段と、を備え、
前記誤差記憶手段に記憶された前記誤差には、前記発振手段に固有の固定誤差と、温度に依存する変動誤差とが含まれ、
前記周波数設定手段は、計測された温度に基づいて前記誤差を算出し、当該算出された誤差に基づいて前記駆動波形周波数を変更する
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の電波時計。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、本実施例のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳにおける質量分解能向上のためのエネルギ収束に関連した特徴的な動作について説明する。
イオン化の際には、次のような遅延引き出しが実行される。
制御部２５の制御の下に、レーザ光が照射される以前の適宜の時点で、引き出し電圧発生部２１は引き出し電極１２へ電圧Ｖ1を印加し、プレート電圧発生部２０はサンプルプレート１０へ電圧Ｖ1よりも高い電圧Ｖ2を印加する。一般的な遅延引き出し法ではＶ1＝Ｖ2であるのに対し、ここではＶ2＞Ｖ1である。ただし、このときの電位差Ｖ2-Ｖ1は後述するイオン加速時の電位差Ｖ3−Ｖ1に比べると十分に小さい。このとき、サンプルプレート１０と引き出し電極１２との間の空間（引き出し領域）におけるイオン光軸Ｃ上の電位分布は、図２中に点線で示す状態である。即ち、引き出し領域には、サンプルプレート１０から引き出し電極１２に向かって緩やかに下傾する電位勾配を有する電場が形成される。一方、加速電圧発生部２２は加速電極１３に電圧Ｖ1よりも十分に低い電圧Ｖ0を印加する。したがって、引き出し電極１２と加速電極１３との間の空間（加速領域）には、引き出し電極１２から加速電極１３に向かって急峻に下傾する電位勾配を有する電場が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
試料Ｓにレーザ光が照射され試料Ｓ表面でイオンが生成されると、それらイオンには引き出し領域における上記電場が作用する。それにより、イオンは引き出し電極１２に向かう方向（図１では上方）に誘引される。このとき電場により与えられるポテンシャルエネルギに由来するイオンの速度は質量電荷比が小さいほど大きい。そのため、質量電荷比が小さなイオンほど引き出し電極１２に近い位置になるように、イオンはおおまかに分離される。また、ほぼ同一の質量電荷比を有するイオンの集まりを子細にみると、大きな初期エネルギを持つイオンほど引き出し電極１２に近い位置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本実施例のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳにおけるエネルギ補償動作の効果を検証するために行ったシミュレーション結果の一例を図４に示す。図４において従来法は、本実施例と同様の改良遅延引き出し法を実施したうえで補助加速電場を用いない方法である。また、図４において本発明法は、上述した改良遅延引き出し法を実施したうえで図３に示したボルツマン関数による電位勾配を示す補助加速電場を用いた方法である。このシミュレーションでは、図１に示したようなイオン光軸Ｃを中心とする軸対称のイオン輸送系を想定し、補助電極以外の各電極に印加する電圧などの条件は、補助加速電場の有無に対してそれぞれシミュレーション結果ができるだけ良好になるように調整した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
具体的には、特許文献３に開示されている、他の改良遅延引き出し法を用いてもよい。この、他の改良遅延引き出し法を用いた、第２実施例の変形例によるＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの動作を、図により説明する。図９（ａ）、（ｂ）はこの変形例であるＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳにおけるイオン光軸上の電位分布の概略図である。なお、装置構成は第２実施例と基本的に同じであるので、図６に示した概略構成図を使用する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
引き出し領域中に電位勾配が形成されることにより、イオンは加速電圧による比較的低いエネルギを受け移動する。このときのイオンの速度は質量電荷比が大きいほど小さくなるから、同じ位置にある、つまり同じ加速エネルギを受けた異なる質量電荷比のイオンを比べると、質量電荷比が小さなイオンほど大きな速度を持つ。そのため、全体として質量電荷比の小さなイオンほど早く引き出し電極１２を通過して加速領域に入り、逆に質量電荷比の大きなイオンは引き出し領域に留まり易い。このように、引き出し領域において質量分離に近い操作が行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、この第２実施例のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳにおいても第１実施例と同様に、遅延引き出しを行わずに、イオンの発生時点において引き出し領域に加速領域と同様の電位勾配を有する電場を形成しておいてもよい。図８（ａ）、（ｂ）は、第２実施例のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳと同様の電極構成で、遅延引き出しを行わない場合のイオン光軸上の電位分布の概略図である。この場合には、イオン生成時点において引き出し領域にもイオンを加速するような電位勾配を有する電場が形成されており、イオンはその発生の直後に加速される。この場合でも、イオンが加速領域に導入された時点で直線状の電位勾配を非線形状に変化させるように補助加速電極に電圧を印加する。図８（ａ）に示した例では、加速領域においてイオン流の下流側の電位を下げて電位勾配の形状を疑似曲線状に変化させており、図８（ｂ）に示した例では、加速領域においてイオン流の上流側の電位を上げて電位勾配の形状を疑似曲線状にして変化させている。これは、上記図７（ａ）、（ｂ）と同じである。このように加速領域における電位勾配を疑似曲線状とすることで、各イオンのエネルギずれを補償することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月29日(2016.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水溶媒に電解質塩が溶解されている非水電解液において、非水溶媒が環状カーボネートと鎖状カーボネートとを含有し、下記一般式（Ｉ）で表されるアルキニル化合物の少なくとも１種が非水電解液中に０．０１〜１０質量％含有されていることを特徴とする非水電解液。
【化１】
2015179672.tif 000001
（式中、Ｘ１は、−Ｓ（＝Ｏ）２−基、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ３）−基、又は−Ｘ３−Ｓ（＝Ｏ）２Ｏ−基（Ｘ３は、炭素数１〜８のアルキレン基、又は少なくとも一つのエーテル結合を含む炭素数２〜８の２価の連結基を示す。）を示す。Ｒ１は、炭素数２〜８のアルケニル基、ホルミル基、炭素数２〜８のアシル基、炭素数７〜１５のアリールカルボニル基、炭素数１〜８のアルカンスルホニル基、炭素数３〜８のアルキニルオキシスルホニル基、炭素数６〜１５のアリールスルホニル基、炭素数２〜１６のジアルキルホスホリル基、炭素数２〜１６のアルキル（アルコキシ）ホスホリル基、又は炭素数２〜１６のジアルコキシホスホリル基を示し、Ｒ２は、炭素数３〜８のアルキニル基、又は炭素数３〜８のアルキニルオキシ基を示し、Ｒ３は、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数３〜８のアルキニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜８のアルケニルオキシ基、炭素数３〜８のアルキニルオキシ基、又は炭素数６〜１８のアリールオキシ基を示し、ｎは、０又は１を示す。ただし、Ｘ１が−Ｓ（＝Ｏ）２−基の場合、ｎは０、Ｒ１はアルケニル基、Ｒ２は炭素数３〜８のアルキニルオキシ基であり、Ｘ１が−Ｘ３−Ｓ（＝Ｏ）２Ｏ−基の場合、Ｒ２は炭素数３〜８のアルキニル基である。）
【請求項２】
一般式（Ｉ）で表されるアルキニル化合物が、ビニルスルホン酸２−プロピニル、及びビニルスルホン酸１，１−ジメチル−２−プロピニルから選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の非水電解液。
【請求項３】
一般式（Ｉ）で表されるアルキニル化合物が、下記一般式（III）で表されるアルキニルスルホネート化合物である請求項１に記載の非水電解液。
【化２】
2015179672.tif 000002
（式中、Ｘ４は、炭素数１〜８のアルキレン基、又は少なくとも一つのエーテル結合を含む炭素数２〜８の２価の連結基を示し、Ｒ６は、ホルミル基、炭素数２〜８のアシル基、炭素数７〜１５のアリールカルボニル基、炭素数１〜８のアルカンスルホニル基、炭素数３〜８のアルキニルオキシスルホニル基、炭素数６〜１５のアリールスルホニル基、炭素数２〜１６のジアルキルホスホリル基、炭素数２〜１６のアルキル（アルコキシ）ホスホリル基、又は炭素数２〜１６のジアルコキシホスホリル基を示し、Ｒ７は炭素数３〜８のアルキニル基を示し、ｍは０又は１を示す。ただし、ｍが１の場合、Ｒ６は、ホルミル基、炭素数２〜８のアシル基、炭素数７〜１５のアリールカルボニル基、炭素数１〜８のアルカンスルホニル基、炭素数６〜１５のアリールスルホニル基、炭素数２〜１６のジアルキルホスホリル基、炭素数２〜１６のアルキル（アルコキシ）ホスホリル基、又は炭素数２〜１６のジアルコキシホスホリル基を示す。また、前記Ｒ６、Ｘ４、Ｒ７の炭素原子上の水素原子は、少なくとも１つがハロゲン原子で置換されていてもよい。）
【請求項４】
一般式（III）で表されるアルキニルスルホネート化合物が、エタン−１，２−ジスルホン酸ジ（２−プロピニル）、プロパン−１，３−ジスルホン酸ジ（２−プロピニル）、２−（アセチルオキシ）エタンスルホン酸２−プロピニル、３−（アセチルオキシ）プロパンスルホン酸２−プロピニル、２−（メタンスルホニルオキシ）エタンスルホン酸２−プロピニル、及び３−（メタンスルホニルオキシ）プロパンスルホン酸２−プロピニルから選ばれる少なくとも１種である請求項３に記載の非水電解液。
【請求項５】
環状カーボネートが、二重結合又はフッ素原子を有する環状カーボネートを含有する請求項１〜４のいずれかに記載の非水電解液。
【請求項６】
正極、負極及び非水溶媒に電解質塩が溶解されている非水電解液を有する電気化学素子において、非水溶媒が環状カーボネートと鎖状カーボネートとを含有し、請求項１に記載の一般式（Ｉ）で表されるアルキニル化合物の少なくとも１種が非水電解液中に０．０１〜１０質量％含有されていることを特徴とする電気化学素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】図形描画装置、図形描画方法およびプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、任意の図形を描画させるのに好適な図形描画装置、図形描画方法およびその制御プログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みなされたもので、ユーザが指定した図形部分の値を簡単に変更し容易に図形を変化させて表示させることが可能になる図形描画装置、図形描画方法およびその制御プログラムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る図形描画装置は、表示部に描画された少なくとも１つの図形部分に応じた測定項目を前記表示部に表示させる測定情報表示手段と、前記測定情報表示手段により表示された測定項目が、当該測定項目の値を変更するためのスライダが設定可能な種類の測定項目である場合は、スライダを設定するためのスライダ識別子を前記表示部に表示させるスライダ識別子表示手段と、前記スライダ識別子表示手段により表示されたスライダ識別子に対するユーザ操作を受け付けて、前記測定情報表示手段により表示された測定項目の値を変更するためのスライダを前記表示部に表示させるスライダ表示手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部に描画された少なくとも１つの図形部分に応じた測定項目を前記表示部に表示させる測定情報表示手段と、
前記測定情報表示手段により表示された測定項目が、当該測定項目の値を変更するためのスライダが設定可能な種類の測定項目である場合は、スライダを設定するためのスライダ識別子を前記表示部に表示させるスライダ識別子表示手段と、
前記スライダ識別子表示手段により表示されたスライダ識別子に対するユーザ操作を受け付けて、前記測定情報表示手段により表示された測定項目の値を変更するためのスライダを前記表示部に表示させるスライダ表示手段と、
を備えたことを特徴とする図形描画装置。
【請求項２】
前記表示部に描画された図形の部分に対するユーザ選択操作を受け付ける図形部分選択手段を備え、
前記測定情報表示手段は、前記図形部分選択手段により選択された図形部分に応じた測定項目とその測定値を前記表示部に表示させ、
前記スライダ表示手段により表示されたスライダに対するユーザ操作を受け付けて、前記測定情報表示手段により表示された測定項目の値を変更し前記表示部に描画された図形を変化させる図形描画変化手段を備えた、
請求項１に記載の図形描画装置。
【請求項３】
前記測定情報表示手段は、
前記図形部分選択手段により選択された図形部分に応じた複数種類の値の測定項目を一覧表示させる測定項目一覧表示手段を有し、
この測定項目一覧表示手段により一覧表示された複数種類の測定項目からユーザ操作に応じて選択された測定項目とその測定値を表示させる、
ことを特徴とする請求項２に記載の図形描画装置。
【請求項４】
前記図形部分選択手段により選択された図形部分に応じた複数種類の値の測定項目のうち予め定められたスライダ設定可能な種類の測定項目を一覧表示させるスライダ可能測定項目表示手段を備え、
前記スライダ表示手段は、
前記スライダ識別子表示手段により表示されたスライダ識別子のユーザ操作に応じて、前記測定情報表示手段により表示された測定項目の値を変更するためのスライダを表示させる第１のスライダ表示手段と、
前記スライダ可能測定項目表示手段により一覧表示された測定項目のうちユーザ操作に応じて選択された測定項目の値を変更するためのスライダを表示させる第２のスライダ表示手段とを有する、
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の図形描画装置。
【請求項５】
前記図形部分選択手段により選択された図形部分に応じてスライダ設定可能な種類の測定項目は、当該図形部分が１辺の場合はその１辺の長さの測定項目であり、当該図形部分が２辺の場合はその２辺のなす角度又は補角又は距離の測定項目であり、当該図形部分が円の場合はその半径の測定項目である、
ことを特徴とする請求項２ないし請求項４の何れか１項に記載の図形描画装置。
【請求項６】
前記表示部と、キー群またはタッチパネルを備え、前記キー群またはタッチパネルに対して前記ユーザ操作が行われる、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の図形描画装置。
【請求項７】
表示部を備えた電子機器の図形描画方法であって、
前記表示部に描画された少なくとも１つの図形部分に応じた測定項目を前記表示部に表示させる測定情報表示ステップと、
前記測定情報表示ステップにより表示された測定項目が、当該測定項目の値を変更するためのスライダが設定可能な種類の測定項目である場合は、スライダを設定するためのスライダ識別子を前記表示部に表示させるスライダ識別子表示ステップと、
前記スライダ識別子表示ステップにより表示されたスライダ識別子に対するユーザ操作を受け付けて、前記測定情報表示ステップにより表示された測定項目の値を変更するためのスライダを前記表示部に表示させるスライダ表示ステップと、
とからなる図形描画方法。
【請求項８】
表示部を備えた電子機器のコンピュータを制御するためのプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記表示部に描画された少なくとも１つの図形部分に応じた測定項目を前記表示部に表示させる測定情報表示手段、
前記測定情報表示手段により表示された測定項目が、当該測定項目の値を変更するためのスライダが設定可能な種類の測定項目である場合は、スライダを設定するためのスライダ識別子を前記表示部に表示させるスライダ識別子表示手段、
前記スライダ識別子表示手段により表示されたスライダ識別子に対するユーザ操作を受け付けて、前記測定情報表示手段により表示された測定項目の値を変更するためのスライダを前記表示部に表示させるスライダ表示手段、
として機能させるためのコンピュータ読み込み可能なプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の車載用画像処理装置は、路面上の対象物を検出する車載用画像処理装置であって、自車周囲を撮像した画像を取得する画像取得部と、該画像の自車近傍領域の輝度分布に基づいて自車周囲の路面状態を推定する路面状態推定部と、該路面状態に応じて対象物の判定方法を設定する判定方法設定部と、前記画像から前記対象物と推定される対象物候補を検出する対象物候補検出部と、前記判定方法を用いて前記対象物候補が前記対象物であるか否かを判定する対象物判定部とを有することを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
たとえば、高速道路のサービスエリアやパーキングエリアでは、図１１の右図（ｂ）の左側の駐車枠線２３Ｌの下端から駐車枠線２３Ｌの延在方向に対して垂直な線分と、駐車枠線２３Ｌの下端同士を結ぶ線分との交差角度ρが０度、３０度、４５度のいずれかとすることが定められている。また、駐車枠２３の幅Ｗについても取り得る値の範囲が決まっている。そこで、本実施の形態では、上記交差角度ρが、０度、３０度、４５度のいずれかの値であるときに取り得る距離Ｂの値があらかじめ不図示のメモリ等に記憶されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
１０００  車載用画像処理装置
１００１〜１００４  カメラ
１０２１  画像取得部
１０３１  路面状態推定部
１０４１  判定方法設定部
１０５１  白線候補検出部
１０６１  白線判定部
１０７１  駐車枠認識部
１０８１  駐車支援制御部
２０００  車載用画像処理装置
２０９１  汚れ検出部
２０６１  白線判定部
２０７１  駐車枠認識部
２０８１  駐車支援制御部
３０００  車載用画像処理装置
３０５１  障害物候補検出部
３０６１  障害物判定部
３０８１  車両制御部
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
路面上の対象物を検出する車載用画像処理装置であって、
自車周囲を撮像した画像を取得する画像取得部と、
該画像の自車近傍領域の輝度分布に基づいて自車周囲の路面状態が予め設定された複数の路面状態のいずれに属するのかを推定する路面状態推定部と、
該推定された路面状態に応じて対象物の判定方法を設定する判定方法設定部と、
前記画像から前記対象物と推定される対象物候補を検出する対象物候補検出部と、
前記判定方法を用いて前記対象物候補が前記対象物であるか否かを判定する対象物判定部と、
を有することを特徴とする車載用画像処理装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４−６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４−６】
2015179482.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2015179482.tif 000002