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【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素を含む第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられ炭化珪素を含む第２導電形の第２半導体領域と、
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域の一部との間に設けられ炭化珪素を含む第２導電形の第３半導体領域と、
を備え、
前記第３半導体領域のフォトルミネッセンスにおけ３８０ナノメートルの強度に対する前記第３半導体領域の前記フォトルミネッセンスにおけ５００ナノメートルの強度の比は、前記第１半導体領域のフォトルミネッセンスにおけ３８０ナノメートルの強度に対する前記第１半導体領域の前記フォトルミネッセンスにおけ５００ナノメートルの強度の比よりも高い、半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域の終端部との間に設けられた第２導電形の終端構造領域をさらに備えた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記終端構造領域の不純物濃度は、前記第３半導体領域の不純物濃度よりも高い請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３半導体領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域の不純物濃度と実質的に等しい請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３半導体領域の点欠陥の量は、前記第１半導体領域の点欠陥の量よりも多い請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３半導体領域は、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との界面に沿って延在する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３半導体領域は、島状に設けられた請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第３半導体領域は複数設けられ、
前記複数の第３半導体領域は、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との界面に沿って点在する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３半導体領域は複数設けられ、
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との界面に沿い互いに直交する第１方向及び第２方向において、前記複数の第３半導体領域は等間隔に設けられた請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
炭化珪素を含む第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられ炭化珪素を含む第２導電形の第２半導体領域であって、終端部と中央部とを有する第２半導体領域と、
前記第１半導体領域と前記中央部との間に設けられ前記第１半導体領域よりも炭素または珪素のアンチサイトを多く含むアンチサイト領域と、
を備えた半導体装置。
【請求項１１】
炭化珪素を含む第１導電形の第１半導体領域の上に、炭化珪素を含む第２導電形の第２半導体領域を形成する工程と、
前記第２半導体領域を介して前記第１半導体領域にイオンを打ち込むことで、前記第２半導体領域の一部の下前記第２導電形の第３半導体領域を形成する工程と、
を備え、
前記第３半導体領域のフォトルミネッセンスにおけ３８０ナノメートルの強度に対する前記第３半導体領域の前記フォトルミネッセンスにおけ５００ナノメートルの強度の比は、前記第１半導体領域のフォトルミネッセンスにおけ３８０ナノメートルの強度に対する前記第１半導体領域の前記フォトルミネッセンスにおけ５００ナノメートルの強度の比よりも高い、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、第１半導体領域と、第２半導体領域と、第３半導体領域と、を含む。前記第１半導体領域は、炭化珪素を含む。前記第１半導体領域の導電形は、第１導電形である。前記第２半導体領域は、炭化珪素を含む。前記第２半導体領域の導電形は、第２導電形である。前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の上に設けられる。前記第３半導体領域は、炭化珪素を含む。前記第３半導体領域の導電形は、第２導電形である。前記第３半導体領域は、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域の一部との間に設けられる。前記第３半導体領域のフォトルミネッセンスにおけ３８０ナノメートルの強度に対する前記第３半導体領域の前記フォトルミネッセンスにおけ５００ナノメートルの強度の比は、前記第１半導体領域のフォトルミネッセンスにおけ３８０ナノメートルの強度に対する前記第１半導体領域の前記フォトルミネッセンスにおけ５００ナノメートルの強度の比よりも高い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（７）本発明の実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、六方晶の単結晶構造を有し、かつ第１の主面（１０ａ）と、第１の主面（１０ａ）とは反対側に位置する第２の主面（１０ｂ）とを有する炭化珪素層（１０）を準備する工程を備える。炭化珪素層（１０）を準備する工程は、第１の導電型を有し、第２の主面（１０ｂ）を規定するコレクタ領域（１１，１２）を形成する工程と、第２の主面（１０ｂ）とは反対側のコレクタ領域（１１，１２）の表面に、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有するベース領域（１３）を形成する工程と、ベース領域（１３）上に、第１の導電型を有し、かつ第１の主面（１０ａ）を規定するエミッタ領域（１４）を形成する工程とを含む。製造方法は、エミッタ領域（１４）を貫通してベース領域（１３）に至る側壁面を有するトレンチ（ＴＲ）を形成する工程をさらに備える。トレンチ（ＴＲ）を形成する工程は、｛０００−１｝面に対して、５０°以上７０°以下の角度を有する第１の領域（ＳＷ１）を形成するために、炭化珪素層（１０）の第１の主面（１０ａ）を化学的に処理する工程を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
オフ角θは、好ましくは８°以下の角度であり、たとえば４°または８°である。具体的には、主面１０ｃの法線ベクトルｚが＜１１−２０＞および＜１−１００＞の少なくとも一方の成分を有するように、ｎ型層１２の主面１０ｃ（図４）は、｛０００１｝面からオフした面である。好ましくは、主面１０ｃの法線ベクトルｚが＜１１−２０＞の成分を有するように、主面１０ｃは｛０００１｝面からオフした面である。図３において、方向ｃは［０００１］方向（つまり六方晶炭化珪素のｃ軸）であり、方向ａ１はたとえば＜１１−２０＞方向である。オフ方向とは、主面１０ｃの法線ベクトルｚが［０００１］方向から傾斜している方向である。図３の場合において、オフ方向はａ１方向（つまり＜１１−２０＞方向）である。図４において主面１０ｃは、（０００１）面がａ１方向にオフした面である。面内オフ方向とは、オフ方向（ａ１方向）を主面１０ｃに投影した方向である。この実施の形態において、面内オフ方向は、ａ１１方向である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
熱エッチングは、たとえば、少なくとも１種類以上のハロゲン原子を有する反応性ガスを含む雰囲気中での加熱によって行ない得る。少なくとも１種類以上のハロゲン原子は、塩素（Ｃｌ）原子およびフッ素（Ｆ）原子の少なくともいずれかを含む。この雰囲気は、たとえば、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳＦ6、またはＣＦ4である。たとえば、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を、たとえば７００℃以上１０００℃以下として、熱エッチングが行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
上記のように、第３の実施の形態では、ｎ+型層１４（エミッタ領域）とｐ型層１３（ベース領域）との接合面と、第２の領域ＳＷ２とが垂直に交わる。したがって、図２６に示されるように、空乏層は、ｎ+型層１４（エミッタ領域）とｐ型層１３（ベース領域）との両方において一様に広がる。したがって炭化珪素半導体装置の耐圧を確保することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2015056544.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ素子を第１の直線方向に整列させる整列手段と、
複数の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の各々を入射し、第２の方向に反射させる複数の反射部材と、
前記整列手段に熱的に結合された放熱部材とを有し、
前記放熱部材は、２次元的に広がる金属部材を一対含み、一対の金属部材の間に前記整列手段および前記反射部材が配置され、前記放熱部材は、少なくとも複数の反射部材が配置された領域上に存在する、光源ユニット。
【請求項２】
前記金属部材は、平坦な面を含み、当該平坦な面には複数の放熱フィンが形成される、請求項１に記載の光源ユニット。
【請求項３】
前記平坦な面の端部は第１の角度で傾斜し、前記複数の放熱フィンの端部は第２の角度で傾斜し、前記平坦な面の端部と前記複数のフィンの端部が交差する、請求項２に記載の光源ユニット。
【請求項４】
前記整列手段は、複数の半導体レーザ素子を収容するための凹部が形成された金属製の固定部材を含み、前記固定部材は、複数の半導体レーザ素子からの光をコリメートするための複数のレンズを含み、前記固定部材は、前記半導体レーザ素子およびレンズの少なくとも一方を位置決めする位置決め手段を含む、請求項１または２に記載の光源ユニット。
【請求項５】
請求項３に記載の光源ユニットを複数含み、一方の光源ユニットの平坦な面の端部が他方の光源ユニットの放熱フィンの端部に当接され、一方の光源ユニットの放熱フィンの端部が他方の光源ユニットの平坦な面の端部に当接され、２つの光源ユニットが水平方向に結合される、光源ユニットアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月8日(2016.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、
連続的な前記第１の半導体層の上に位置する第１の発光構造及び第２の発光構造と、
前記第１の半導体層の上に位置する第１の電極と、
前記第１の発光構造の上に位置する第２の電極と、
前記第１の発光構造と前記第２の発光構造との間に位置し、前記第１の半導体層の上面を露出させる第１の溝であって、前記第１の電極及び前記第２の電極が前記第１の溝内に位置していない、第１の溝と、を含む、発光素子。
【請求項２】
前記第１の発光構造内に位置し、前記第１の半導体層を露出させる第２の溝をさらに含み、
前記第１の電極は、前記第２の溝内に位置する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２の発光構造の上に位置するもう１つの第２の電極と、
前記第２の発光構造内に位置する第２の溝と、
前記第２の溝内に位置するもう１つの第１の電極と、をさらに含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１の発光構造と前記第２の発光構造とは、上から見ると、同じパターンを含む、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第２の半導体層は側辺を含み、前記側辺と前記第１の電極との距離は約６０μｍ〜１００μｍである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１の溝は、前記第１の発光構造と前記第２の発光構造とを空間上で区切る、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１の発光構造及び前記第２の発光構造それぞれは、
前記第１の半導体層の上に位置する活性層と、
前記活性層の上に位置する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上に位置する透明導電層と、を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１の電極は、複数の第１の延在部を含み、
前記第２の電極は、複数の第２の延在部を含み、
前記複数の第１の延在部のうち１つは、前記複数の第２の延在部のうち２つの間に位置する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１の電極は、第１のワイヤボンディング部を含み、
前記第２の電極は、第２のワイヤボンディング部を含み、
前記第２の半導体層は、第１の側辺と、該第１の側辺から離れた第２の側辺とを含み、
前記第１のワイヤボンディング部は前記第１の側辺に近接し、前記第２のワイヤボンディング部は前記第２の側辺に近接する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１のワイヤボンディング部と前記第１の側辺との間は間隔を含み、該間隔は前記第１のワイヤボンディング部のサイズである、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記２つの第１の電極を接続させる電気接続線をさらに含む、請求項３に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１の溝と平行せず、前記第１の半導体層を露出させる第２の溝と、
前記第２の溝内に位置する第１のブリッジ接続部と、さらに含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１の電極と前記第１の半導体層との間に位置する電気絶縁部、をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１４】
第１の半導体層と、
連続的な前記第１の半導体層の上に位置する第１の発光構造及び第２の発光構造であって、前記第１の発光構造と前記第２の発光構造とが第１のブリッジ接続部を介して接続される、第１の発光構造及び第２の発光構造と、
前記第１の発光構造と前記第２の発光構造との間に位置し、前記第１の半導体層の上面を露出させる第１の溝と、
前記第の溝と平行せず、前記第１の半導体層を露出させ、第１の領域及び第２の領域を含む第２の溝と、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第２のブリッジ接続部と、
前記第１の溝内に位置する第１の電極と、
ワイヤボンディング部と、該ワイヤボンディング部から延在する複数の延在部とを含む第２の電極であって、前記複数の延在部のうち１つが前記第２のブリッジ接続部の上に位置する、第２の電極と、を含む、発光素子。
【請求項１５】
前記ワイヤボンディング部は、前記第１のブリッジ接続部の上に位置する、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１の溝と平行せず、第３の領域及び第４の領域を含む第３の溝をさらに含み、
前記第２のブリッジ接続部は、前記第３の領域と前記第４の領域との間に位置する、請求項１４に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも露光時間が重複するように得られた複数の視点の異なる像から画像を生成して表示する再生装置であって、
画像のピント位置を指示するフォーカス指示手段と、
画像の絞りを指示する絞り指示手段と、
前記フォーカス指示手段により指示されたピント位置および前記絞り指示手段により指示された絞りに応じて画像を再構成して生成する現像手段と、
前記現像手段により生成された画像に、ピント状態を示す表示をオーバーレイして表示する表示手段と、を有することを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記現像手段により生成された画像に、前記絞り指示手段により絞りが変更されることによってピント状態が変化することを示す表示を、前記ピント状態を示す表示と合わせて表示することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記ピント状態を判定するための閾値を設定する閾値設定手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の再生装置。
【請求項４】
前記表示手段は、前記現像手段により生成された画像に複数の測距枠をオーバーレイして表示し、ピント状態を示す表示としてピントが合っている測距枠を識別できるように表示することを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項５】
前記現像手段により生成された画像に表示された複数の測距枠について、それぞれピント状態を判定する判定手段を有し、
前記判定手段は、前記フォーカス指示手段により指示されたピント位置、前記絞り指示手段により指示された絞り値、合焦位置および合焦範囲に基づいてピント状態を判定することを特徴とする請求項４に記載の再生装置。
【請求項６】
少なくとも露光時間が重複するように得られた複数の視点の異なる像から画像を生成して表示する再生装置の制御方法であって、
フォーカス指示手段により指示されたピント位置および絞り指示手段により指示された絞りに応じて画像を再構成して生成する現像ステップと、
前記現像ステップにより生成された画像に、ピント状態を示す表示をオーバーレイして表示する表示ステップと、を有することを特徴とする再生装置の制御方法。
【請求項７】
少なくとも露光時間が重複するように得られた複数の視点の異なる像から画像を生成して表示する撮影装置を制御するためのプログラムであって、
フォーカス指示手段により指示されたピント位置および絞り指示手段により指示された絞りに応じて画像を再構成して生成する現像ステップと、
前記現像ステップにより生成された画像に、ピント状態を示す表示をオーバーレイして表示する表示ステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、少なくとも露光時間が重複するように得られた複数の視点の異なる像から画像を生成して表示する再生装置であって、画像のピント位置を指示するフォーカス指示手段と、画像の絞りを指示する絞り指示手段と、前記フォーカス指示手段により指示されたピント位置および前記絞り指示手段により指示された絞りに応じて画像を再構成して生成する現像手段と、前記現像手段により生成された画像に、ピント状態を示す表示をオーバーレイして表示する表示手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る撮像装置は、被写体光学像を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子を保持する保持部材と、前記保持部材が取り付けられる複数の取付部、及び、前記保持部材が取り付けられたときに前記撮像素子と向かい合う位置に形成された略長方形の開口部を有する固定部材とを備え、前記複数の取付部のうち、前記撮像素子の結像面と直交する方向の荷重による変形に対する断面二次モーメントが最も大きい取付部では第１の取付部材を用いて前記保持部材と前記第１の取付部材との間に弾性部材を挟まずに前記保持部材が前記固定部材に取り付けられ、その他の取付部の少なくとも１つの取付部では第２の取付部材を用いて前記保持部材と前記第２の取付部材との間に弾性部材を挟んで前記保持部材が前記固定部材に取り付けられることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体光学像を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子を保持する保持部材と、
前記保持部材が取り付けられる複数の取付部、及び、前記保持部材が取り付けられたときに前記撮像素子と向かい合う位置に形成された略長方形の開口部を有する固定部材とを備え、
前記複数の取付部のうち、前記撮像素子の結像面と直交する方向の荷重による変形に対する断面二次モーメントが最も大きい取付部では第１の取付部材を用いて前記保持部材と前記第１の取付部材との間に弾性部材を挟まずに前記保持部材が前記固定部材に取り付けられ、その他の取付部の少なくとも１つの取付部では第２の取付部材を用いて前記保持部材と前記第２の取付部材との間に弾性部材を挟んで前記保持部材が前記固定部材に取り付けられることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の取付部のうち前記第１の取付部材が用いられる取付部は、前記開口部の角部近傍に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の取付部のうち前記第２の取付部材が用いられる取付部の１つは、前記開口部の角部近傍に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の取付部のうち前記第１の取付部材が用いられる取付部の近傍に、前記撮像素子の結像面と直交する方向の荷重による変形に対する断面二次モーメントを増加させる補強部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第２の取付部材は、段ビスであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記弾性部材はゴムブッシュ又はコイルばねであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記固定部材は、前記撮像装置の骨格となる本体シャーシ又はミラーとその駆動機構を有するミラーボックスであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月22日(2016.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板と、
前記金属板の一面に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられる導体パターンと、を有する金属基板を備える回路装置であって、
前記絶縁層及び前記導体パターン上には、板状のバスバーが設けられ、
前記バスバーは、前記金属基板と対向する対向面と、前記対向面とは反対の面となる反対面と、を有し、
前記対向面は、前記金属基板と接触する接触部と、前記接触部と前記反対面との間に位置する面の少なくとも一部に設けられるとともに前記金属基板から離間した離間部を有することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記バスバーは、当該バスバーを前記金属基板に固定するための固定部材が挿通される挿通孔を有し、
前記挿通孔の内周に前記離間部を有することを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記固定部材は、金属製であり、樹脂製のカラーを介して前記挿通孔に挿通されていることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記固定部材は、樹脂製であることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項５】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられるとともに、挿通孔を有するバスバーと、
前記絶縁基板上に前記バスバーを固定する金属製の固定部材と、
前記固定部材が挿入される樹脂性のカラーと、を備え、前記カラーを介して前記挿通孔に前記固定部材が挿通された回路装置であって、
前記バスバーは、前記絶縁基板と対向する対向面と、前記対向面とは反対の面となる反対面と、を有し、
前記対向面は、前記絶縁基板と接触する接触部と、前記接触部と前記反対面との間に位置する面の少なくとも一部に設けられるとともに前記絶縁基板から離間した離間部を有し、
前記離間部は、前記挿通孔の内周に設けられることを特徴とする回路装置。
【請求項６】
前記カラーは、前記挿通孔に挿入されている挿入部を備え、
前記挿入部の外面と前記挿通孔の内面との間に隙間を有することを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これによれば、固定部材からバスバーまでの空間距離を長くすることができる。なお、固定部材は、バスバーを回路装置に固定するために設けられており、電流を流すことを目的としない導体である。
上記回路装置について、前記カラーは、前記挿通孔に挿入されている挿入部を備え、前記挿入部の外面と前記挿通孔の内面との間に隙間を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列され、該画素のそれぞれは複数の副画素を含み、前記副画素に対応して発光素子が設けられ、前記副画素の周縁部が隔壁層で囲まれた画素領域を有する素子基板と、
一方向に延伸された第１の電極パターンと、前記一方向と交差する方向に延伸された第２の電極パターンとを有し、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとが離間して設けられたセンシング部を有する対向基板と、を有し、
前記素子基板と前記対向基板は、前記画素領域と前記第１の電極パターンが内向するように間隙を持って対向配置され、
前記第１の電極パターンは、前記第１の電極パターンは、前記一方向に延伸する複数の第１の電極と、複数の第１の電極間パターンとを含み、且つ前記隔壁層と重なる領域に設けられ、
前記複数の第１の電極間パターンの各々は、個々の前記第１の電極間パターンの全体が互いに隣接する２つの第１の電極の間に位置し、
互いに隣接する前記２つの前記第１の電極と、前記２つの前記第１の電極の間に位置し且つ互いに隣接する２つの前記第１の電極間パターンとは、前記複数の副画素の一つを囲むことを特徴とする入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極パターンの側面部は、前記対向基板側から前記素子基板側に向かって開く傾斜面を構成することを特徴とする請求項１に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記第１の電極パターンの側面部は、光反射面を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極パターンは、少なくともアルミニウム層又はアルミニウム合金層を含んでおり、前記光反射面が前記アルミニウム層又はアルミニウム合金層で形成されることを特徴とする請求項２に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンは異なるパターンを有し、前記第２の電極パターンは、前記第１の電極パターンの周期的パターンを内包するように広面積の矩形状パターンを有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンは略同一のパターンを有し、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンが重なるように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記対向基板は、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとの間に、前記副画素と重なる位置に、カラーフィルタ層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の入力機能を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部、前記本体部よりも厚さの薄い薄肉部、及び前記本体部と前記薄肉部との間に設けられた厚さ境界部を有する電極端子を備えた電力用半導体装置を製造する電力用半導体装置の製造方法であって、
対象物に前記電極端子の接合面を載置する電極端子載置工程と、
前記電極端子の接合面に対向する面側から前記薄肉部の超音波接合部に超音波ホーンを当てることで前記超音波接合部を加圧し、前記薄肉部を加圧した状態で前記対象物と前記電極端子の接合面とを超音波接合する超音波接合工程と、を含み、
前記超音波接合工程では、前記厚さ境界部と前記超音波接合部との間に間隔を空けて、前記超音波ホーンによって前記超音波接合部を加圧する、
電力用半導体装置の製造方法。
【請求項２】
導体パターンが形成された絶縁基板と、
前記導体パターンの上に配設された電力用半導体素子と、
本体部、前記本体部よりも薄く形成された薄肉部、及び前記本体部と前記薄肉部との間に設けられた厚さ境界部を有するとともに、前記導体パターンと接合する接合部が前記薄肉部に形成された電極端子とを備え、
前記接合部における前記導体パターンとの接合面に対向する面には、前記厚さ境界部から間隔を空けて圧痕が形成される、
電力用半導体装置。
【請求項３】
導体パターンが形成された絶縁基板と、
前記導体パターンの上に配設された電力用半導体素子と、
本体部、前記本体部よりも薄く形成された薄肉部、及び前記本体部と前記薄肉部との間に設けられた厚さ境界部を有するとともに、前記電力用半導体素子の表面電極と接合する接合部が前記薄肉部に形成された電極端子とを備え、
前記接合部における前記電力用半導体素子の表面電極との接合面に対向する面には前記厚さ境界部から間隔を空けて圧痕が形成される、
電力用半導体装置。
【請求項４】
前記電極端子は、
前記本体部が、前記薄肉部から曲げられた端子曲げ部を介して前記絶縁基板の表面から離れる方向に延伸しており、
前記本体部と前記薄肉部との境界部における、前記絶縁基板と反対側の形状が、丸め形状又は面取り形状であることを特徴とする請求項２又は３に記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
前記電極端子は、前記端子曲げ部における、前記絶縁基板と反対側の形状が、丸め形状又は面取り形状であることを特徴とする請求項４記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
前記電極端子は、前記本体部において、外部回路が接続される側に、略Ｓ字形状のベンド部を有することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
前記電極端子は、複数の電極端子部材を前記絶縁基板に垂直な方向に重ねて構成されたことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項８】
前記電極端子における前記薄肉部よりも最先端側に、前記薄肉部よりも厚さが厚い領域が形成されていることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項９】
前記厚さ境界部から前記圧痕が形成された領域までの前記間隔は、前記絶縁基板と水平な方向で前記電極端子の接合部が延伸する方向における長さが０．５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項１０】
前記厚さ境界部から前記圧痕が形成された領域までの間における前記電極端子の厚さは、０．３ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２乃至９のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項１１】
前記本体部の厚さは、１．０ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項１２】
前記電力用半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項２乃至１１のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項１３】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１２記載の電力用半導体装置。
【請求項１４】
請求項２乃至１３のいずれか１項に記載の電力用半導体装置に設けられた前記電力用半導体素子によって構成される電力変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力用半導体装置の製造方法、電力用半導体装置および電力変換装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたものであり、セラミック基板等の絶縁基板上の導体パターンや電力用半導体素子の表面電極に対し電極端子を超音波接合した電力用半導体装置の製造方法において、超音波接合する際に、電極端子の疲労破壊やクラックの発生を防止し、信頼性を向上することを目的としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の電力用半導体装置の製造方法は、対象物に電極端子の接合面を載置する電極端子載置工程と、電極端子の接合面に対向する面側から薄肉部の超音波接合部に超音波ホーンを当てることで超音波接合部を加圧し、薄肉部を加圧した状態で対象物と電極端子の接合面とを超音波接合する超音波接合工程と、を含み、超音波接合工程では、本体部及び薄肉部の間の厚さ境界部と超音波接合部との間に間隔を空けて、超音波ホーンによって超音波接合部を加圧する、ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電力用半導体装置の製造方法によれば、超音波接合工程において本体部及び薄肉部の間の厚さ境界部と超音波接合部との間に間隔を空けて超音波ホーンによって超音波接合部を加圧するので、導体パターンや電力用半導体素子の表面電極である対象物に電極端子を超音波接合する際に、電極端子の疲労破壊やクラックの発生を防止し、信頼性を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、
前記基板を基板保持部で保持する基板保持機構と、
前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、
前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、
前記回収カップを前記基板保持部に対して相対的に昇降させる回収カップ昇降機構と、
前記回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給する回収カップ洗浄液供給部と、
前記回収カップ昇降機構と回収カップ洗浄液供給部を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記回収カップ洗浄液供給部によって前記降下された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給させて、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記制御装置は、前記下降された回収カップの内周面の洗浄時に、前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを昇降させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記回収カップ洗浄液供給部は、洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、前記洗浄ノズルを昇降させる洗浄ノズル昇降機構とを有し、
前記制御装置は、前記回収カップの内周面の洗浄時に、前記洗浄ノズル昇降機構によって前記洗浄ノズルを昇降させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記回収カップは、底部に形成した排気口の上方に排気口カバーを設け、
前記排気口カバーは、前記回収カップの内周面に洗浄液が供給される位置の下方から外側の範囲で前記排気口を覆うことで、前記回収カップの内周面に洗浄液が供給される位置の下方よりも内側において前記排気口の上方を開放させることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項５】
基板を処理液で処理する基板処理方法において、
基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記降下された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給して、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記降下された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給して、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、前記基板を基板保持部で保持する基板保持機構と、前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、前記回収カップを前記基板保持部に対して相対的に昇降させる回収カップ昇降機構と、前記回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給する回収カップ洗浄液供給部と、前記回収カップ昇降機構と回収カップ洗浄液供給部を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記回収カップ洗浄液供給部によって前記下降された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給させて、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理方法において、基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記降下された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給して、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明では、基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記下降された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給して、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することにした。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層、ソース電極及びドレイン電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を有するトランジスタを有し、
前記半導体層は、酸化物半導体を有する半導体層であり、
前記半導体層の一方の端面から他方の端面に向けて、前記ゲート電極は伸びており、
前記ゲート電極は前記一方の端面と重なっており、
前記ゲート電極の端面は、前記他方の端面と一致するよう設けられていること、を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層、ソース電極及びドレイン電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を有するトランジスタを有し、
前記半導体層は、酸化物半導体を有する半導体層であり、
前記半導体層の一方の端面から他方の端面に向けて、前記ゲート電極は伸びており、
前記ゲート電極は前記一方の端面と重なっており、
前記ゲート電極の端面は、前記他方の端面まで伸びていないこと、を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の半導体層、第１のソース電極及び第１のドレイン電極、第１のゲート絶縁膜、及び第１のゲート電極を有する第１のトランジスタが設けられた第１のメモリセルと、
第２の半導体層、第２のソース電極及び第２のドレイン電極、第２のゲート絶縁膜、及び第２のゲート電極を有する第２のトランジスタが設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、酸化物半導体を有する半導体層であり、
前記第１の半導体層の一方の端面から他方の端面に向けて、前記第１のゲート電極は伸びており、
前記第１のゲート電極は前記一方の端面と重なっており、
前記第１のゲート電極の端面は、前記他方の端面と一致するよう設けられており、
前記第２の半導体層の一方の端面から他方の端面に向けて、前記第２のゲート電極は伸びており、
前記第２のゲート電極は前記第２の半導体層の一方の端面と重なっており、
前記第２のゲート電極の端面は、前記第２の半導体層の他方の端面と一致するよう設けられており、
前記第１のメモリセルが有する第１のトランジスタと、前記第２のメモリセルが有する第２のトランジスタとは、隣接して設けられていること、を特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の半導体層、第１のソース電極及び第１のドレイン電極、第１のゲート絶縁膜、及び第１のゲート電極を有する第１のトランジスタが設けられた第１のメモリセルと、
第２の半導体層、第２のソース電極及び第２のドレイン電極、第２のゲート絶縁膜、及び第２のゲート電極を有する第２のトランジスタが設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、酸化物半導体を有する半導体層であり、
前記第１の半導体層の一方の端面から他方の端面に向けて、前記第１のゲート電極は伸びており、
前記第１のゲート電極は前記一方の端面と重なっており、
前記第１のゲート電極の端面は、前記他方の端面まで伸びておらず、
前記第２の半導体層の一方の端面から他方の端面に向けて、前記第２のゲート電極は伸びており、
前記第２のゲート電極は前記第２の半導体層の一方の端面と重なっており、
前記第２のゲート電極の端面は、前記第２の半導体層の他方の端面まで伸びておらず、
前記第１のメモリセルが有する第１のトランジスタと、前記第２のメモリセルが有する第２のトランジスタとは、隣接して設けられていること、を特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅを主成分として、すくなくともＢ、Ｐ、およびＣｕを含有するアモルファス合金薄帯を積層して形成される軟磁性コアの製造方法において、前記アモルファス合金薄帯のすくなくとも一方の面に、吸熱反応温度が、前記アモルファス合金薄帯のｂｃｃＦｅの結晶化による発熱が開始する第１結晶化温度と、Ｆｅ化合物の結晶化による発熱が開始する第２結晶化温度の間にある吸熱反応物質を配置して、熱処理を行う軟磁性コアの製造方法。
【請求項２】
前記吸熱反応物質が、メラミン樹脂、炭酸塩化合物、ＺｎまたはＺｎを含む合金から選択される一種類以上の物質であることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性コアの製造方法。
【請求項３】
前記アモルファス合金薄帯を、トロイダル状に巻いて形成される請求項１または請求項２に記載の軟磁性コアの製造方法。
【請求項４】
Ｆｅを主成分として、すくなくともＢ、Ｐ、およびＣｕを含有するアモルファス合金薄帯と、前記アモルファス合金薄帯のすくなくとも一方の面に吸熱反応後の物質を備え、前記アモルファス合金薄帯と前記吸熱反応後の物質とが積層して形成された軟磁性コア。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体とガスとを混合するとともに、互いに直交する軸方向および径方向と、周方向とを有するガス混合装置であって、
液体供給口およびガス供給口と、前記液体供給口および前記ガス供給口の下流に位置し供給された液体とガスとを物理的衝撃により混合する第１ミキシング部と、前記第１ミキシング部の下流に位置し混合された前記液体および前記ガスにさらに物理的衝撃を加えることによりガスの粒子を小さくする第２ミキシング部とを備え、
前記第１ミキシング部は、第１絞り部と、前記第１絞り部の下流に位置する第１流路と、前記第１流路の下流に位置し流体の流れ方向へ交差する方向へ延びる第１壁部とを備えるとともに、前記第１絞り部の流れ方向へ交差する方向における断面積が前記第１流路のそれよりも小さく、前記第１絞り部が、前記周方向に離間して配置された複数の隔壁で画定されるとともに、前記第１流路が、前記軸方向へと延びる環状壁の前記径方向外側に形成され、
前記第２ミキシング部は、前記第１流路の下流に位置する第２絞り部と、前記第２絞り部の下流に位置する第２流路と、前記第２流路の下流に位置し流体の流れ方向へ交差する方向へ延びる第２壁部とを備えるとともに、前記第２絞り部の流れ方向へ交差する方向における断面積が前記第２流路のそれよりも小さく、前記第２絞り部は、前記環状壁を前記径方向へ貫通する複数の貫通孔によって形成されることを特徴とするガス混合装置。
【請求項２】
前記第２ミキシング部の下流には、第３ミキシング部をさらに備え、
前記第３ミキシング部は、前記第２流路よりの下流に位置する第３絞り部と、前記第３絞り部の下流に位置する第３流路と、前記第３流路の下流に位置し流体の流れ方向へ交差する方向へ延びる第３壁部とを備えるとともに、前記第３絞り部の流れ方向へ交差する方向における断面積が前記第３流路のそれよりも小さいことを特徴とする請求項１記載のガス混合装置。
【請求項３】
前記第３絞り部は、前記第２壁部を前記軸方向へ貫通する複数の小孔によって形成され、前記第３壁部には前記軸方向へ貫通する複数の小孔が設けられ、前記第２壁部の前記第３絞り部と、前記第３壁部の前記小孔とは、前記軸方向へ延びる中心線に対して前記周方向へずらして配置されることを特徴とする請求項２記載のガス混合装置。
【請求項４】
前記第１ミキシング部の上流には、プレミキシング部をさらに備え、
前記プレミキシング部は、前記第１絞り部の前記径方向内側に設けられた凹部によって形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガス混合装置。
【請求項５】
前記第１ミキシング部および前記第２ミキシング部を収める筒状部を有するケーシングをさらに備え、
前記ケーシングは、パイプの内周に水密に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガス混合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、流体とガスとを混合するとともに、互いに直交する軸方向および径方向と、周方向とを有するガス混合装置であって、液体供給口およびガス供給口と、前記液体供給口および前記ガス供給口の下流に位置し供給された液体とガスとを物理的衝撃により混合する第１ミキシング部と、前記第１ミキシング部の下流に位置し混合された前記液体および前記ガスにさらに物理的衝撃を加えることによりガスの粒子を小さくする第２ミキシング部とを備え、前記第１ミキシング部は、第１絞り部と、前記第１絞り部の下流に位置する第１流路と、前記第１流路の下流に位置し流体の流れ方向へ交差する方向へ延びる第１壁部とを備えるとともに、前記第１絞り部の流れ方向へ交差する方向における断面積が前記第１流路のそれよりも小さく、前記第１絞り部が、前記周方向に離間して配置された複数の隔壁で画定されるとともに、前記第１流路が、前記軸方向へと延びる環状壁の前記径方向外側に形成され、前記第２ミキシング部は、前記第１流路の下流に位置する第２絞り部と、前記第２絞り部の下流に位置する第２流路と、前記第２流路の下流に位置し流体の流れ方向へ交差する方向へ延びる第２壁部とを備えるとともに、前記第２絞り部の流れ方向へ交差する方向における断面積が前記第２流路のそれよりも小さく、前記第２絞り部は、前記環状壁を前記径方向へ貫通する複数の貫通孔によって形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記ガス混合装置において、前記第３絞り部は、前記第２壁部を前記軸方向へ貫通する複数の小孔によって形成され、前記第３壁部には前記軸方向へ貫通する複数の小孔が設けられ、前記第２壁部の前記第３絞り部と、前記第３壁部の前記小孔とは、前記軸方向へ延びる中心線に対して前記周方向へずらして配置されてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記第１ミキシング部および前記第２ミキシング部を収める筒状部を有するケーシングをさらに備え、前記ケーシングは、パイプの内周に水密に配置されてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工具主軸に着脱可能に装着される加工用工具の交換を自動工具交換装置によって行う歯車加工機械であって、
前記自動工具交換装置が、前記加工用工具を着脱可能に保持する工具保持手段と、前記加工用工具を交換するための工具交換位置と加工動作中に前記加工用工具を待機するための待機位置との間で前記工具保持手段を前記工具主軸の軸方向と平行な方向に移動する移動手段と、前記待機位置と前記加工用工具を搬入および搬出するための工具搬出入位置との間で前記工具保持手段を回転する回転手段とを備えたものである
ことを特徴とする歯車加工機械。
【請求項２】
前記自動工具交換装置が、前記工具保持手段を鉛直な方向に昇降させる昇降手段を備えたものである
ことを特徴とする請求項１に記載の歯車加工機械。
【請求項３】
前記工具保持手段が、前記加工用工具の周方向における位置決め手段を備えたものである
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の歯車加工機械。
【請求項４】
前記自動工具交換装置が、前記工具保持手段が前記加工用工具を保持しているか否かを検出する工具有無検出手段を備えたものである
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の歯車加工機械。
【請求項５】
前記回転手段が、前記工具保持手段を鉛直な回転軸周りに回転させるものである
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の歯車加工機械。
【請求項６】
ベッド上に支持されるコラムと、前記コラムに支持されるサドルと、前記サドルに支持される工具ヘッドとを、それぞれ異なる三軸方向に移動可能に備え、
前記コラムと前記サドルと前記工具ヘッドの駆動によって、前記工具保持手段によって保持される前記加工用工具の軸方向と前記工具主軸の軸方向とを平行に保ったまま前記工具保持手段に保持される前記加工用工具を前記工具主軸に装着する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の歯車加工機械。
【請求項７】
前記被加工歯車に歯車加工を行う加工スペースと、前記加工用工具を前記工具保持手段に搬入および搬出するための段取りスペースと、前記加工スペースおよび前記段取りスペースの外部スペースとをそれぞれ区分けするカバー部材と、
前記カバー部材に設けられ、前記加工スペースと前記段取りスペースとを連通可能とする第一の扉部材と、
前記カバー部材に設けられ、前記段取りスペースと前記外部スペースとを連通可能とする第二の扉部材と、
前記第一の扉部材および前記第二の扉部材の開閉状態を検出する開閉状態検出手段と
を備えた
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の歯車加工機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する第一の発明に係る歯車加工機械は、工具主軸に着脱可能に装着される加工用工具の交換を自動工具交換装置によって行う歯車加工機械であって、前記自動工具交換装置が、前記加工用工具を着脱可能に保持する工具保持手段と、前記加工用工具を交換するための工具交換位置と加工動作中に前記加工用工具を待機するための待機位置との間で前記工具保持手段を前記工具主軸の軸方向と平行な方向に移動する移動手段と、前記待機位置と前記加工用工具を搬入および搬出するための工具搬出入位置との間で前記工具保持手段を回転する回転手段とを備えたものであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第一の発明に係る歯車加工機械によれば、自動工具交換装置において工具交換位置と待機位置との間で加工用工具をその軸方向に移動させるようにしたことにより、工具交換の際における周辺部材等との干渉領域が小さく、加工用工具の軸方向長さによっても周辺部材との干渉領域が変わらないので、設計作業を容易にすることができる。
また、自動工具交換装置において待機位置と工具搬出入位置との間で加工用工具を保持する工具保持手段を回転させるようにしたことにより、例えば、歯車加工機械の後方側に加工の際に発生する切粉を排出するためのチップコンベアや切粉ボックスを設置した場合であっても、当該チップコンベアや切粉ボックスが作業の邪魔にならない方向へ工具保持手段を向けることができるので、工具保持手段への加工用工具の搬入および搬出作業を容易に行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ホルダ保持部材８３には、ねじ部材８１と螺合して昇降可能な本体部８３ａと、本体部８３ａに連結されて工具ホルダ９０を回転可能に支持すると連結棒８３ｂとが設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
通電加熱生地作成工程は、いろいろなパターンに行うことができる。
例えば、原料混合物を設定温度範囲内である所定温度となるまで、迅速に加熱し、所定温度到達後は、所定時間その温度もしくは付近温度が維持されるように、通電加熱を行うものである。このような所定温度付近に温度維持を行う場合において、所定温度としては、５０〜９５℃であればよいが、好ましくは、５５〜８５℃であり、特に、好ましくは、６０〜８０℃である。また、所定温度維持時間は、所定温度により相違するが、１〜６０分間、好ましくは、１０〜４５分間である。より具体的には、所定温度が５５〜６５℃の場合、温度到達後の維持時間としては、２０〜４０分程度が好ましい。また、設定温度が６５〜７５℃の場合、温度到達後の維持時間としては、１０〜３０分程度が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらには、第１の所定温度（例えば、５０℃）に到達後、第１の所定時間（例えば、１５分間）、連続的もしくは段階的に温度が第２の所定温度（例えば、７０℃）まで上昇するように通電加熱を行い、続いて第２の所定温度（例えば、７０℃）に到達後、所定時間（例えば、１５分間）、連続的もしくは段階的に温度が第３の所定温度（例えば、６０℃）まで下降するように通電加熱を行うことが考えられる。
なお、通電加熱生地作成工程における温度（℃）×設定範囲内温度維持時間（分）の値（言い換えれば、温度−時間式における所定時間積分値）が、１５００〜２４００となるように通電制御を行うことが望ましい。