【事件の表示】
　特願２０１３−　　１７７７「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月２４日出願公開，特開２０１４−１３５３４７，請求項の数（３）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年１月９日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年１２月　４日　審査請求
平成２８年　９月１２日　拒絶理由通知
平成２８年１１月　８日　意見書・補正書
平成２９年　２月　７日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　４月１０日  補正書（平成２９年４月１２日付け通知書により本補正書は返戻）
平成２９年　４月１１日　審判請求・補正書・上申書
平成２９年　８月２４日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知」という。）
平成２９年　９月２６日　意見書・補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１，５，１１
・引用文献　１，２
　引用文献１（特に，段落［００１０］，［００１３］−［００２０］，［００２７］−［００２９］，図４）には，基板１上に形成された窒化物半導体からなるバッファ層２と，バッファ層２上に形成されたＧａＮからなる電子走行層４と，電子走行層４上に形成されたＡｌＧａＮやＡｌＩｎＧａＮ等からなる電子供給層５ａと，電子供給層５ａ上に形成されたシリコン酸化物からなる第１の絶縁膜９と，電子供給層５ａ上に形成されたソース電極６及びドレイン電極７と，第１の絶縁膜９に形成された開口部を介して形成された凹部（リセス）１５ａ（本願発明の「溝」に相当。）と，第１の絶縁膜９及び凹部１５ａ上に形成されたシリコン窒化物からなる第２の絶縁膜１０（本願発明の「ゲート絶縁膜」に相当。）と，第２の絶縁膜１０上に形成されたゲート電極１１と，を備えた構成のヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法の発明が記載されている。又，電子供給層はキャップ層を有してもよい旨の記載があり，ＡｌＧａＮからなるキャップ層も例示されている（段落［００１０］，［００３３］）。
　補正後の請求項１，５，１１に係る発明と引用文献１に記載の発明を比較すると，本願発明は，キャップ層の開口部により露出した露出面に酸化膜を，ウェット処理により形成する工程を含むのに対し，引用文献１には，その旨の明示的な記載がない点で相違する。
　一方，引用文献２（特に，段落［０００５］，［００２４］，［００２８］−［００４２］，［００４６］−［００４７］，［００５０］，図２−４）には，ＧａＮを含む半導体層を用いた半導体装置の製造方法であって，半導体層の表面を水素ガスにより処理し，表面層から窒素を除去することで半導体層の表面をＧａ表面とする表面処理工程と，表面処理工程後の表面においてＧａ２Ｏ３からなる均一な絶縁膜を形成することができるように半導体層表面を酸化する酸化工程を含む半導体装置の製造方法の発明が記載されており，酸化工程として，過酸化水素を含む溶液により半導体層の表面を酸化工程とすることができ，過酸化水素水を含む溶液として過酸化水素と硫酸の混合液が例示されている（段落［００２４］）。
　してみると，引用文献１及び引用文献２に記載の発明は，窒化物半導体からなる半導体装置におけるリーク電流の抑制及び耐圧改善という共通の課題を有するものであるから，引用文献１に記載の発明に引用文献２に記載の発明を適用して，凹部１５ａにおけるキャップ層及び電子供給層５ａの露出面に過酸化水素と硫酸の混合溶液による酸化工程を行って処理表面にＧａ２Ｏ３からなる均一な絶縁膜を形成することは当業者が容易に想到し得たことである。
　したがって，先の拒絶理由通知書に記載した理由により，本願発明は，引用文献１及び２に基づき当業者が容易に発明することが出来たものであるから，依然として，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　尚，出願人は平成２８年１１月８日付けの意見書にて，「引用文献２は，酸化工程により形成した酸化膜１０の一部をエッチングして開口を形成し，この開口内にショットキー電極１３を直接形成するものである（段落００３５〜００４２及び図５〜８）。引用文献２を参照した当業者は，引用文献１記載の方法において，電子供給層５ａに凹部１５を形成した後に，第２の絶縁膜１０（ゲート絶縁膜）を形成する前に，凹部１５ａの露出面にウェット処理により酸化膜を形成する理由はなく，さらに，酸化膜上にゲート絶縁膜を形成する理由がない。」と主張している。
　しかしながら，引用文献２に記載の発明における課題は，酸化工程においてＧａＮ表面に部分的に発生する窒素抜けを抑制することで，Ｇａ２Ｏ３からなる絶縁膜におけるリークを改善することであり（段落［０００３］），引用文献２に記載の発明は当該課題を解決するために上記の表面処理工程及び酸化工程を行うものであり，実施の形態１として記載されたショットキーバリアダイオードはあくまで上記の二工程を含む製造方法を適用した一例として記載されたものである。したがって，引用文献２に記載の発明は必ずしもショットキー電極にのみ適用可能なものではなく，段落［００５０］においても「本発明は，半導体層の表面に絶縁膜（酸化膜）が形成された構成を備える半導体装置であれば任意の半導体装置に適用することができる。」と記載されており，さらに，絶縁膜上にゲート電極を形成した半導体装置であるＭＩＳ−ＦＥＴの製造方法に適用できる旨も併せて記載されている。
　よって，出願人の主張は採用できない。
・請求項　２，６
・引用文献等　１，２
・備考
　引用文献１には，半導体層表面を酸化する酸化工程の前に，半導体層の表面を水素ガスにより処理し，表面層から窒素を除去することで半導体層の表面をＧａ表面とする表面処理工程（本願発明の「露出面を洗浄する工程」に相当。）を行うことが記載されている（段落［００３１］）。
・請求項　３，７
・引用文献等　１，２
・備考
　引用文献２には，酸化工程として，過酸化水素を含む溶液により半導体層の表面を酸化工程とすることができ，過酸化水素水を含む溶液として過酸化水素と硫酸の混合液が例示されている（段落［００２４］）。
・請求項　４，８，１２
・引用文献等　１，２
・備考
　引用文献２には，表面処理工程後の表面においてＧａ２Ｏ３からなる均一な絶縁膜を形成する酸化工程についての記載がある（段落［００３２］）。
・請求項　９，１０
・引用文献等　１，２
・備考
　引用文献１（特に，段落［００３２］−［００３３］，図７）には，ゲート電極８が第２の半導体層である電子供給層５ｂの表面上に第２絶縁膜１０を介して配置されている構成のヘテロ接合型電界効果半導体装置の発明が実施例４として記載されている。さらに，第２の半導体層はキャップ層を含む積層体でもよい旨の記載（段落［００１０］，［００３３］）もある。
　してみれば，引用文献１に記載の発明である電子供給層５ａ上に新たにキャップ層を設けた構成に，引用文献２に記載の発明を適用して，当該新たなキャップ層がシリコン酸化物からなる第１の絶縁膜９との界面にＧａ２Ｏ３からなる酸化物を有する構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２００９−０５４８０７号公報
２.特開２００９−２６７０１９号公報
第３　当審拒絶理由の概要
１（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。 
  
２（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
・理由　２（進歩性） 
・請求項　１，２，４ 
・引用文献　１〜３ 
・備考 
　引用文献１の，特に，【０００５】，【０００９】，【００１１】，【００２９】，【００３０】及び図１，２には，「ＧａＡｓ基板１（請求項１において「半導体基板」に相当）上にバッファ層２を介してチャネル層３（請求項１において「電子走行層」に相当）を形成する工程と，チャネル層３上にスペーサ層４を介して電子供給層５を形成する工程と，電子供給層５上にバリア層６を介してキャップ層７を形成する工程を有し，開口部に露出したキャップ層７の側面上を含み，酸及びアルカリを含まない過酸化水素水に浸漬させることにより酸化膜６’’，７’’を形成する工程（請求項１において「露出したキャップ層の露出面に酸化膜を，ウエット処理による形成する工程」に相当）を有するＨＥＭＴ（請求項１において「半導体装置」に相当）の製造方法。」 
　が開示されている（以下，「引用製造方法発明１」という。） 
　引用製造方法発明１において，「開口部に露出したキャップ層７の側面上を含み酸及びアルカリを含まない過酸化水素水に浸漬させることにより酸化膜６’’，７’’を形成する工程」は，酸化膜６’’，７’’が連続的に形成され，特に，酸化膜形成当初の酸化膜６’’はキャップ層の露出面に形成され，その後に，連続的にゲート絶縁膜として利用する酸化膜６’’，７’’が形成される工程を含むから，請求項１に係る発明において，「開口部により露出したキャップ層の露出面にウエット処理により酸化膜を形成する工程と，前記酸化膜上にゲート絶縁膜を形成する工程」に相当するので，請求項１に係る発明と引用製造方法発明１とを対比すると以下の各点で相違する。 
 （相違点） 
　相違点（１） 
　請求項１に係る発明では，ＧａＡｓ基板１上にチャネル層３を形成する工程と，チャネル層３上に電子供給層５を形成する工程と，電子供給層５上にキャップ層７を形成する工程を有するの対して，引用製造方法発明１では，ＧａＡｓ基板１上にバッファ層２を介してチャネル層３を形成する工程と，チャネル層３上にを介して電子供給層５を形成する工程と，電子供給層５上にバリア層６を介してキャップ層７を形成する工程を有する点。 
　相違点（２） 
　請求項１に係る発明では，キャップ層上にキャップ層の一部が露出する開口部を有する保護層を形成する工程を有するのに対して，引用製造方法発明１では，キャップ層上にキャップ層の一部が露出する開口部を有するレジスト１１を形成する工程を有する点。 
 　以下，前記各相違点について検討する。 
　相違点（１）について 
　ＨＥＭＴにおいて，バッファ層２，スペーサ層４，バリア層６という各層は，結晶成長やキャリア制御の改善等を図るために当業者が選択的に採用し得る半導体層であり，例えばプロセスの簡略化等を考慮して，当該半導体層を省略する構造を採用することは，当業者が容易に想到し得たものと認められる（特に，請求項１）。 
　相違点（２）について 
　引用文献２の，特に，【００３１】及び図１（ｃ）には，ゲート電極部を画定するためのパターニング用のマスクとして，表面層５（請求項１において「キャップ層」に相当）上に，表面層５の一部が露出する開口部を有する保護絶縁膜８（請求項１において「保護膜」に相当）を用いる技術が開示されており，引用製造方法発明１において，ゲート電極のパターニングの際，エッチング耐性等の半導体プロセスの一般的な技術的課題に配慮して，引用文献２に開示された技術を採用する事は，当業者が容易に想到し得たものと認められる（特に，請求項１）。 
　また，引用文献３の，特に，【００７６】には，酸化膜層を形成する前に，キャップ層の露出面を洗浄する技術が開示されており，引用製造方法発明１に記載された発明において，表面の清浄化という薄膜形成時の一般的な技術的課題に配慮して，引用文献３に開示された技術を採用する事は，当業者が容易に想到し得たものと認められる（特に，請求項２）。 
  
　さらに，引用文献２の，特に，【００２７】には，ＨＥＭＴにおけるキャップ層の典型的な材料としてＧａＮ，ＡｌＧａＮ等，ガリウムを含む材料が開示されており，ガリウムを含む材料を酸化する際，酸化ガリウムが形成されることは通常予想される酸化物であるから，引用製造方法発明１において，キャップ層及び酸化物の具体的かつ典型的な材料として，引用文献２に開示及び示唆された材料を採用することに格別な困難性は認められない（特に，請求項４） 
 ・理由　１（新規性），２（進歩性） 
 ・請求項　５，６ 
 ・引用文献　１〜３ 
 ＜引用文献１を主引例とした場合＞ 
　引用文献１の，特に【０００５】，【０００９】，【００１１】，【００２９】，【００３０】及び図１，２には， 
 「ＧａＡｓ基板1（請求項５において「半導体基板」に相当），と，ＧａＡｓ基板１上に，形成されたチャネル層３（請求項５において「電子走行層」に相当）と，チャネル層３上に形成された電子供給層５と，電子供給層５上に形成されたキャップ層７を有し，キャップ層７の側面上を含みゲート絶縁膜を構成する酸化膜６’’，７’’を有するＨＥＭＴ（請求項５において「半導体装置」に相当）。」が開示されている（以下，「引用装置発明１」という。） 
　ここで，引用装置発明１において酸化膜６’’，７’’は，連続的に形成され，特に，酸化膜形成当初の酸化膜６’’はキャップ層との界面における絶縁膜であり，その後連続的に形成される，酸化膜６’’，７’’はゲート絶縁膜として機能するから，請求項５における「キャップ層上に形成されたゲート絶縁膜を備え，前記キャップ層は，前記ゲート絶縁膜との界面に酸化膜を有すること」に相当し，請求項５に係る発明と引用装置発明１との間に実質的な差異は認められず，仮に差異があったとしても，その差異は，当業者が容易に想到し得た範囲と認められる（特に，請求項５）。 
　また，引用文献２の，【００２７】には，ＨＥＭＴにおけるキャップ層の典型的な材料としてＧａＮ，ＡｌＧａＮ等，ガリウムを含む材料が開示されており，ガリウムを含む材料を酸化する際，酸化ガリウムが形成されることは通常予想される酸化物であるから，引用装置発明１において，キャップ層及び酸化膜の具体的かつ典型的な材料として，引用文献２に開示及び示唆された材料を構成することに格別な困難性は認められない（特に，請求項６）。
 
 ＜引用文献３を主引例とした場合＞ 
　引用文献３の，特に，【００７１】〜【００８２】及び図４（Ａ）〜（Ｈ）には， 
 「Ｓｉ−ＳｉＣ基板１（請求項５において「半導体基板」に相当）と，Ｓｉ−ＳｉＣ基板１上に形成されたｉ−ＧａＮ電子走行層２，ｉ−ＧａＮ電子走行層２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層３，ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層３上に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１２を有し当該キャップ層１２上にゲート絶縁膜を構成する酸化膜ＴａＯ膜５ＣＸを有するＨＥＭＴ）」が開示されている（以下，「引用装置発明３」という。）。 
　引用装置発明３において形成された酸化膜ＴａＯ膜５ＣＸは，キャップ層上に形成されゲート酸化膜として機能すると共に，キャップ層との界面における絶縁膜であるから，請求項５における「キャップ層上に形成されたゲート絶縁膜を備え，前記キャップ層は，前記ゲート絶縁膜との界面に酸化膜を有すること」に相当し，両者に実質的な差異は認められず，仮に差異があったとしても，その差異は，当業者が容易に想到し得た範囲と認められる（特に，請求項５）。 
　また，ｎ−ＧａＮキャップ層１２上に酸化膜ＴａＯ膜５ＣＸを形成する際，当該キャップ層１２のうちガリウムを含む層が表面に露出している箇所には，酸化ガリウムが形成され得ることは通常予想される範囲の技術的事項である（特に，請求項６）。　 
 　　 
＜拒絶の理由を発見しない請求項＞ 
　請求項（３）に係る発明については，現時点では，拒絶の理由を発見しない。拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。 
  
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
１.特開２０１１−４９３１４号公報 
２.特開２００８−１９８９４７号公報 
３.特開２０１１−１８７７２８号公報 
第４　本願発明
　本願請求項１ないし３に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は，平成２９年９月２６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし本願発明３は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　半導体基板上に電子走行層を形成する工程と，
　前記電子走行層上に電子供給層を形成する工程と，
　前記電子供給層上にキャップ層を形成する工程と，
　前記キャップ層上に，前記キャップ層の一部が露出する開口部を有する保護層を形成する工程と，  前記開口部により露出した前記キャップ層の露出面に酸化膜を，ウェット処理により形成する工程と，
　前記酸化膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と，
　を備え，
　前記ウェット処理は，アンモニア過酸化水素水，硫酸過酸化水素水，塩酸過酸化水素水及びリン酸の何れか一つを用いて行われることを特徴とする，半導体装置の製造方法。
　【請求項２】
　前記酸化膜を形成する工程の前に，前記キャップ層の前記露出面を洗浄する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】
　前記キャップ層は，ガリウムを含み，
　前記酸化膜は，酸化ガリウム膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」
第５　引用文献，引用発明等
１　原審の引用文献１について
（１）原審の引用文献１の記載事項
　原審で引用された特開２００９−５４８０７号公報（以下，「原審引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線部は，当審で追加した。以下，同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
ノーマリオフ型のＨＥＭＴ( High Electron Mobility Transistor)又はこれに類似のヘテロ接合型電界効果半導体装置
　イ　「【００１０】
なお，請求項２に示すように，前記凹部の深さを，前記凹部に隣接して前記第２の半導体層の残存部が生じるように前記第２の半導体層の厚みよりも浅く設定することができる。この場合には，前記第２の半導体層の残存部及び前記第２の絶縁膜の厚みを，電流通路として機能する２次元キャリアガス層が前記第１の半導体層に生じないように決定する。
また，請求項３に示すように，前記第２の半導体層に凹部（リセス）を設けない構成にすることもできる。この場合には，前記第２の半導体層及び前記第２の絶縁膜の厚みを，電流通路として機能する２次元キャリアガス層が前記第１の半導体層に生じないように決定する。
また，請求項４に示すように，前記第２の絶縁膜は，更に，前記ゲート電極の下から前記第１の絶縁膜の上に延在している部分を有していることが望ましい。
また，請求項５に示すように，更に，ゲートフィールドプレートを有し，該ゲートフィールドプレートは前記第２の絶縁膜の上に配置され且つ前記ゲート電極に接続されていることが望ましい。
また，請求項６に示すように，前記第１の絶縁膜は前記ゲート電極側に傾斜側面を有し，前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜の前記傾斜側面を覆っており，前記ゲートフィールドプレートは前記第２の絶縁膜を介して前記第１の絶縁膜の前記傾斜側面を覆っていることが望ましい。
なお，本願において，
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層のそれぞれは単一層のみでなく，複数の層の積層体をも意味している
前記第２の半導体層は
スペーサ層と電子供給層とキャップ層との積層体でも良い
　ウ　「【実施例２】
【００２７】
次に，図４に示す実施例２に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置を説明する。但し，図４及び後述する図５において図１と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００２８】
図４に示すヘテロ接合型電界効果半導体装置の主半導体領域３ａは変形された凹部（リセス）１５ａを有する電子供給層５ａを備えている他は，図１の主半導体領域３と同一に形成されている。図４の凹部（リセス）１５ａは電子走行層４に到達しないように形成されている。従って，図４の電子供給層５ａの凹部１５ａが設けられている部分の厚みは電子供給層５ａの凹部（リセス）１５ａが設けられていない部分の厚みよりも小さく，凹部（リセス）１５ａの底面１６と電子走行層４との間に電子供給層５ａの薄い残存部１９が存在している。この電子供給層５ａの残存部１９の厚みは０ｎｍよりも大きく，且つ２０ｎｍよりも小さいことが望ましい。電子供給層５ａの薄い残存部１９の上にシリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０が配置されているので，シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０の引っ張り応力が電子供給層５ａの薄い残存部１９に作用し，電子供給層５ａの薄い残存部１９におけるピエゾ分極に起因する電荷が消失する。また，電子供給層５ａの残存部１９は薄いので，この残存部１９の自発分極に起因する電荷は少ない。このため，凹部（リセス）１５ａの下に２ＤＥＧ層が形成されず，ノーマリオフ特性が得られる。
【００２９】
図４に示す実施例２のヘテロ接合型電界効果半導体装置は，凹部（リセス）１５ａの下に電子供給層５ａの薄い部分が残存している点を除いて，図１に示す実施例１のヘテロ接合型電界効果半導体装置と同一に構成されているので，実施例１と同様な効果を有する。」
　エ　図４には，以下の事項が記載されている。
　   
　基板１上に形成されたバッファ層２と，バッファ層２上に形成された電子走行層４と，電子走行層４上に形成された電子供給層５ａと，電子供給層５ａ上に形成された第１の絶縁膜９と，第１の絶縁膜９に形成された開口部を介して電子走行層４に到達しないように形成された凹部（リセス）１５ａと，第１の絶縁膜９及び凹部１５ａ上に形成された第２の絶縁膜１０と，第２の絶縁膜１０上に形成されたゲート電極８と，を備えた構成のヘテロ接合型電界効果半導体装置。
（２）原審引用製造方法発明１
　前記（１）の記載から，原審引用文献１には，以下の事項が記載されている。
　ＧａＡｓ基板上にバッファ層を介して電子走行層を形成する工程と，電子走行層の上にスペーサ層を介して電子供給層を形成する工程と，電子供給層上にキャップ層を形成する工程と，キャップ層の上に第１の絶縁膜を形成する工程と，第１の絶縁膜に形成された開口部を介して電子走行層に到達しないように凹部（リセス）を形成する工程と，第１の絶縁膜９及び前記凹部上に第２の絶縁膜１０を形成する工程と，第２の絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有するＨＥＭＴの製造方法。
２　原審の引用文献２について
（１）原審の引用文献２に記載された事項
　原審で引用された特開２００９−２６７０１９号公報（以下，「原審引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線部は，当審で追加した。以下，同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体装置の製造方法に関する。」
　イ　「【００２４】
　また，本発明における酸化工程としては，
過酸化水素を含む溶液により半導体層の表面を酸化する工程
（２）原審引用製造方法発明２
　前記（１）の記載から，前記原審引用文献２には次の発明（以下，「原審引用製造方法発明２」という。）が記載されていると認められる。
 「半導体層の表面を過酸化水素を含む溶液により酸化する技術。」
３　当審の拒絶理由で引用された引用文献１について
（１）当審で引用された引用文献１に記載されていた事項
　当審で引用された特開２０１１−４９３１４号公報（以下，「当審引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線部は，当審で追加した。以下，同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置およびその製造方法に関する。」
　イ　「【０００４】
　図１（ａ）〜（ｏ）を参照して，
基板材料としてＧａＡｓを用いたＨＥＭＴの従来の製造方法
【０００５】
　まず，分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法），有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等を用いて，
ＧａＡｓ基板１上に，バッファ層２，チャネル層３，スペーサー層４，電子供給層５，バリア層６，キャップ層７を積層した多層膜構造を作製する
【０００６】
　次に，
ＨＥＭＴ構造基板の表面全体にレジスト８を塗布した後，メサ分離のためのパターニングを施してメサエッチングを行う
　ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
　前述のように，酸を用いた半導体のウェットエッチング処理は，過酸化水素水等の酸化剤による酸化反応と，酸またはアルカリ溶液による溶解が同時に起こることでエッチングが進行する。従来技術の場合，リセスエッチング後のレジスト開口部においてバリア層６及びキャップ層７の露出部分が酸化して酸化膜６’及び７’となっているが（図１（j）），バリア層６とその酸化膜６’との膜厚の和はプロセスバッチ間で安定しない。エッチングは，リセスエッチャントの混合比や水洗槽中の溶存酸素に依存し，酸化は，リセスエッチングから蒸着までの間の搬送における大気暴露等に依存するからである。」
　エ　「【課題を解決するための手段】
【００２１】
　このような目的を達成するために，本発明の第１の態様は，ゲート電極を備える半導体装置の製造方法であって，チャネル層と前記チャネル層の上方のバリア層と前記バリア層に隣接して形成されたキャップ層とを有する多層膜構造の前記キャップ層表面の一部を，酸化剤を含む酸またはアルカリ性溶液によって前記バリア層が露出するまでエッチングしてリセスを形成するリセスエッチング工程と，
前記リセスエッチング工程とは独立の工程であり，前記リセスの表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程
【００２２】
　また，本発明の第２の態様は，第１の態様において，
前記酸化膜形成工程が，前記多層膜構造を酸およびアルカリを含まない過酸化水素水に浸漬させることにより酸化膜を形成する工程を含む
　オ　「【００２９】
　以下，図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
実施例１  
　本発明による半導体装置の製造方法は，図１を参照して説明した従来の製造方法と，リセスエッチング工程（図１（ｈ）〜（ｊ））後に酸化膜形成工程を行う点が相違する。
本発明による製造方法では，リセスエッチングを行った後に，ＨＥＭＴ構造基板を過酸化水素に浸漬させることで化学的な反応によって強制的に酸化膜６’’及び７’’を形成
酸化膜６’’及び７’’は，面内均一性に優れ，かつ，ある厚さで安定するため，大気中に暴露してもそれ以上酸化は進まない。つまり，大気に暴露しても酸化が進まないような酸化膜が表面に存在すれば，酸化膜厚の経時変化および面内分布を抑えることができ，ウェハ面内およびプロセスバッチ間の特性ばらつきは低減する
（２）当審引用製造方法発明１
　前記（１）の記載から，前記当審引用文献１には次の発明（以下，「当審引用製造方法発明１」という。）が記載されていると認められる。
  「ＧａＡｓ基板上にバッファ層を介してチャネル層を形成する工程と，チャネル層上にスペーサ層を介して電子供給層を形成する工程と，電子供給層上にバリア層を介してキャップ層を形成する工程と，キャップ層に開口部を形成する工程と，開口部に露出したキャップ層の側面上を含み，酸およびアルカリを含まない過酸化水素水に浸漬させることにより酸化膜を形成する工程，を有するＨＥＭＴの製造方法。」
４　当審の拒絶理由で引用された引用文献２について
（１）当審で引用された引用文献２に記載されていた事項
　当審で引用された特開２００８−１９８９４７号公報（以下，「当審引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線部は，当審で追加した。以下，同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる窒化物半導体層に形成された半導体装置及びその製造方法に関するものである。」
　イ  「【００３１】
　続いて，図１（ｃ）に示すように，保護絶縁膜８を形成した後，保護絶縁膜８に当該保護絶縁膜８を開口する貫通溝８ａを形成する。
　詳細には，先ず，ＳｉＣ基板１の全面に絶縁材料，例えばＳｉ3Ｎ4をＣＶＤ法等により膜厚１００ｎｍ程度に堆積し，保護絶縁膜８を形成する。Ｓｉ3Ｎ4は，ＧａＮ等と相性に優れており，ＧａＮに悪影響を与えることがなく，従って保護絶縁膜８は表面層５の十分な保護機能を果たす。」
（２）当審引用製造方法発明２
　前記（１）の記載から，前記当審引用文献２には次の発明（以下，「当審引用製造方法発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ゲート電極部を画定するためのパターニング用のマスクとして，表面層上に，表面層５の一部が露出する開口部を有する保護絶縁膜を用いるパターニング技術。」
５　当審の拒絶理由で引用された引用文献３について
（１）当審で引用された引用文献３に記載されていた事項
　当審で引用された特開２０１１−１８７７２８号公報（以下，「当審引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線部は，当審で追加した。以下，同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，化合物半導体装置及びその製造方法に関する。」
　イ　「【００７６】
　次いで，図４（Ｃ）に示すように，リセス１３Ａ，１３Ｂを含むＧａＮ系半導体積層構造４の表面，即ち，ＧａＮキャップ層１２及びＡｌＧａＮ電子供給層３の表面を，例えば有機溶剤や酸を用いて充分に洗浄する。本実施形態では，ＧａＮキャップ層１２上のドライエッチング残渣を取り除くために，例えば硫酸と過酸化水素水の混合物を用いた酸処理（ＳＰＭ）によって充分に洗浄する。」
（２）当審引用製造方法発明３
　前記（１）の記載から，前記当審引用文献３には次の発明（以下，「当審引用製造方法発明３」という。）が記載されていると認められる。
  「酸化膜層を形成する前に，キャップ層の露出面を洗浄する洗浄技術。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と当審引用製造法発明１の対比
　ア　当審引用製造方法発明１の「ＧａＡｓ基板」は，本願発明１の「半導体基板」に相当する。
　イ　当審引用製造方法発明１の「チャネル層」は，キャリアである電子が走行する層であるから，本願発明１の「電子走行層」に相当する。
　ウ　当審引用製造方法発明１の「開口部に露出したキャップ層の側面上を含み，酸およびアルカリを含まない過酸化水素水に浸漬させることにより酸化膜を形成する工程」は，「開口部により露出したキャップ層の露出面にウエット処理により酸化膜を形成する工程」という点で本願発明１と共通する。
　とすると，本願発明１と当審引用製造方法発明１は以下のエの点で一致し，以下のオの点で相違する。
　エ　一致点
　「半導体基板上に電子走行層を形成する工程と，
　前記電子走行層上に電子供給層を形成する工程と，
　前記電子供給層上にキャップ層を形成する工程と，
　前記開口部により露出した前記キャップ層の露出面に酸化膜を，ウェット処理により形成する工程と，
　を備えた半導体装置の製造方法。」
　オ　相違点
　相違点（１）
　本願発明１では，アンモニア過酸化水素水，硫酸過酸化水素水，塩酸過酸化水素水及びリンの何れか一つを用いて酸化膜をウエット処理で形成するのに対して，当審引用製造方法発明１では，酸およびアルカリを含まない過酸化水素水に浸漬させることにより酸化膜をウエット処理で形成する点。
　相違点（２）
　本願発明１では，半導体基板基板上にチャネル層を形成する工程と，チャネル層上に電子供給層を形成する工程と，電子供給層上にキャップ層を形成する工程を有するの対して，当審引用製造方法発明１では，ＧａＡｓ基板上にバッファ層を介してチャネル層を形成する工程と，チャネル層上にスペーサ層を介して電子供給層を形成する工程と，電子供給層上にバリア層を介してキャップ層を形成する工程を有する点。 
　相違点（３） 
　本願発明１では，キャップ層上にキャップ層の一部が露出する開口部を有する保護層を形成する工程を有するのに対して，当審引用製造方法発明１では，キャップ層上にキャップ層の一部が露出する開口部を有するレジストを形成する工程を有する点。 
　相違点（４）
　本願発明１では，開口部により露出したキャップ層の露出面にウエット処理により形成された酸化膜上にゲート絶縁膜を形成する工程を有するのに対して，当審引用製造方法発明１では，当該ゲート絶縁膜を形成する工程を有しない点。
（２）相違点についての判断
　以下，相違点（１）について検討する。
　前記相違点（１）において，アンモニア過酸化水素水，硫酸過酸化水素水，塩酸過酸化水素水及びリン酸の何れか一つを用いて酸化膜を形成する工程は，当審引用文献１ないし３には記載されておらず，又示唆もされていない。むしろ，当審引用文献１には，従来技術としてその問題を指摘し，採用を否定する理由が記載がされている（前記３（１）ウ参照）。
　しかし，本願発明１は，当該工程を有することにより，以下の様な格別な効果を奏する。
　すなわち，キャップ層の露出面の洗浄処理が行われることにより，キャップ層の露出面に均一な膜質の酸化膜が形成され，当該酸化膜が形成されることにより，キャップ層とゲート絶縁膜との界面における電子トラップが軽減されることが予測され，その結果，Ｉｄ−Ｖｇ特性におけるヒステリシス（ΔＶｔｈ）は低減されるという効果を奏する（本願明細書段落【００６５】，【００６６】参照）。
　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者が当審引用文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）小括
　本願発明１は，当審引用文献１ないし３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
２　本願発明２及び３について
　本願発明２及び３は，本願発明１の発明特定事項を全て含む従属請求項であることから，本願発明１は，当業者が当審引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明２および３も，当業者が当審引用文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとは認められない。
第７　原査定についての判断
　平成２９年９月２６日付けの補正により，補正後の請求項１には，「酸化膜をウエット処理により形成する工程」について，「前記ウェット処理は，アンモニア過酸化水素水，硫酸過酸化水素水，塩酸過酸化水素水及びリン酸の何れか一つを用いて行われることを特徴とする」という技術的事項を有するものとなった。
　当該各技術的事項は，原審引用文献１，２には記載されておらず，また示唆もされていない。
　以上から，本願発明１は，当業者が，原審引用文献１，２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものではない。
　また，本願発明２および３は，本願発明１の発明特定事項を全て含む従属請求項であることから，本願発明１と同様に，当業者が，原審引用文献１，２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。