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【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材にトナー像を形成する画像形成部と、
電源から電力が供給されて発熱するヒータを有し、前記ヒータからの熱によって前記トナー像を記録材に定着する定着部と、
前記ヒータと前記電源とを接続する電源ラインと、
を備える画像形成装置において、
前記電源ラインに接続される第１の電極と、電気的接地部に接続され且つ前記第１の電極と電気的に接続されていない第２の電極と、を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とのいずれか一方は先鋭部を有し、他方は前記先鋭部と所定の間隔を空けて対向する面部を有し、
前記先鋭部は空間に浮くように設けられていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第１の電極及び前記第２の電極は、１つの保持部材で保持されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記保持部材は開口部を有し、前記開口部によって前記先鋭部が前記空間に浮くように設けられていることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記保持部材は、前記ヒータを駆動する電気回路基板であることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記保持部材は、絶縁体であり、前記絶縁体が前記ヒータを駆動する電気回路基板に保持されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記保持部材は、絶縁体であり、
前記第１の電極は前記保持部材の一方の面に設けられ、前記第２の電極は前記保持部材の他方の面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記ヒータは、基板と、前記基板の上に形成された発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体を覆うように設けられた保護層と、を有し、前記保護層が前記フィルムに接触し、
前記電源から前記第１の電極及び前記第２の電極を介して前記電気的接地部に至る経路のインピーダンスは、前記電源から前記ヒータの前記保護層を介して前記電気的接地部に至る経路のインピーダンスよりも小さいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記定着部は筒状のフィルムと、ローラと、を備え、
前記ヒータは、前記フィルムの内面に接触し、前記フィルムを介して前記ローラと共に前記トナー像が形成された記録材を搬送しながら加熱するニップ部を形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題を解決するための本発明の好適な実施態様は、記録材にトナー像を形成する画像形成部と、電源から電力が供給されて発熱するヒータを有し、前記ヒータからの熱によって前記トナー像を記録材に定着する定着部と、前記ヒータと前記電源とを接続する電源ラインと、を備える画像形成装置において、前記電源ラインに接続される第１の電極と、電気的接地部に接続され且つ前記第１の電極と電気的に接続されていない第２の電極と、を備え、前記第１の電極と前記第２の電極とのいずれか一方は先鋭部を有し、他方は前記先鋭部と所定の間隔を空けて対向する面部を有し、前記先鋭部は空間に浮くように設けられていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のコモン電極と、
前記コモン電極と電気的に接続された配線と、
前記配線の上面に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記コモン電極上、前記配線上、及び前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上面に接する領域を有する画素電極と、
前記コモン電極の上面に接する領域と、前記第１の導電膜の上面に接する領域と、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域と、を有する第２の導電膜と、
前記画素電極上及び前記第２の導電膜上の配向膜と、
前記配向膜上の液晶と、
前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続されたゲート配線と、
前記トランジスタと電気的に接続されたソース配線と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタ上に設けられており、
前記画素電極は、複数の開口を有し、
前記コモン電極、前記画素電極、及び前記第２の導電膜の各々は、透光性を有する導電膜であり、
前記配線は、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を介して、前記コモン電極と電気的に接続され、
前記液晶の配向は、前記コモン電極と前記画素電極との間の電界によって制御されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板上のコモン電極と、
前記コモン電極と電気的に接続された配線と、
前記配線の上面に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記コモン電極上、前記配線上、及び前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上面に接する領域を有する画素電極と、
前記コモン電極の上面に接する領域と、前記第１の導電膜の上面に接する領域と、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域と、を有する第２の導電膜と、
前記画素電極上及び前記第２の導電膜上の配向膜と、
前記配向膜上の液晶と、
前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続されたゲート配線と、
前記トランジスタと電気的に接続されたソース配線と、を有し、
前記コモン電極は、前記ゲート配線と重なる領域と、前記配線と重なる領域と、前記トランジスタの半導体層と重なる領域と、前記ソース配線と重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタ上に設けられており、
前記画素電極は、複数の開口を有し、
前記コモン電極、前記画素電極、及び前記第２の導電膜の各々は、透光性を有する導電膜であり、
前記配線は、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を介して、前記コモン電極と電気的に接続され、
前記液晶の配向は、前記コモン電極と前記画素電極との間の電界によって制御されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体層は、多結晶シリコンを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
基板上のコモン電極と、
前記コモン電極と電気的に接続された配線と、
前記配線の上面に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記コモン電極上、前記配線上、及び前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上面に接する領域を有する画素電極と、
前記コモン電極の上面に接する領域と、前記第１の導電膜の上面に接する領域と、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域と、を有する第２の導電膜と、
前記画素電極上及び前記第２の導電膜上の配向膜と、
前記配向膜上の液晶と、
前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続されたゲート配線と、
前記トランジスタと電気的に接続されたソース配線と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタ上に設けられており、
前記トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記画素電極は、複数の開口を有し、
前記コモン電極、前記画素電極、及び前記第２の導電膜の各々は、透光性を有する導電膜であり、
前記配線は、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を介して、前記コモン電極と電気的に接続され、
前記液晶の配向は、前記コモン電極と前記画素電極との間の電界によって制御されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ソース配線は、上面から見たとき、曲がった部分を有し、
前記画素電極は、前記ソース配線の前記曲がった部分に沿うような形状を有し、
前記複数の開口は、前記ソース配線の前記曲がった部分に沿うような形状を有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】センサモジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
検出部が形成され、前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、
を備え、
前記検出部を露出した状態で、少なくとも前記チップ搭載部の一部が樹脂で覆われており、
前記検出部を含む任意断面において、前記樹脂が前記半導体チップと接する第１領域では、前記半導体チップの上面よりも前記樹脂の上面が低く、
前記第１領域よりも前記半導体チップから離れた第２領域の一部において、前記半導体チップの上面よりも前記樹脂の上面の高さが高い、センサモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサモジュールにおいて、
前記検出部上を流れる気体の進行方向と並行する前記任意断面において、前記樹脂が前記半導体チップの上面を覆っていない、センサモジュール。
【請求項３】
チップ搭載部と、
検出部が形成され、前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、
を備え、
前記検出部を露出した状態で、少なくとも前記チップ搭載部の一部が樹脂で覆われており、
前記検出部上を流れる気体の進行方向と並行する任意断面において、前記半導体チップの上面の一部を前記樹脂が覆っている、センサモジュール。
【請求項４】
請求項３に記載のセンサモジュールにおいて、
前記任意断面において、前記半導体チップの上面を基準として、気体の流れる上流側の前記樹脂の上面が前記半導体チップの上面よりも高く、かつ、気体の流れる下流側の前記樹脂の上面の少なくとも一部が、気体の流れる上流側の前記樹脂の上面よりも低い、センサモジュール。
【請求項５】
請求項１または３に記載のセンサモジュールにおいて、
前記樹脂は、更に前記半導体チップとは別の半導体チップを覆っている、センサモジュール。
【請求項６】
請求項１または３に記載のセンサモジュールにおいて、
前記検出部上を流れる気体の進行方向と並行する方向に長尺形状を有する気流制御部が形成されている、センサモジュール。
【請求項７】
請求項１または３に記載のセンサモジュールにおいて、
前記半導体チップの最外表面の少なくとも一部に、ポリイミド膜、窒化シリコン膜、ポリシリコン膜、酸化シリコン膜から選ばれた表面保護膜が形成されている、センサモジュール。
【請求項８】
請求項１または３に記載のセンサモジュールにおいて、
前記半導体チップの気体の進行方向と並行する方向において、前記半導体チップの上面から前記樹脂の上面までの高さ寸法をＨ１とし、前記樹脂から露出している前記半導体チップの寸法をＬ１とする場合、０＜Ｈ１／Ｌ１≦１．５の関係を満たす、センサモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月4日(2016.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表２に表示する配列からなる群より選択される配列に対して少なくとも９０％の配列同一性を有する、または同一である延長組換えポリペプチド（ＸＴＥＮ）を含み、切断配列によって生物活性タンパク質に連結された、単離融合タンパク質であって、該融合タンパク質は、天然の生物活性タンパク質の生物学的活性の少なくとも一部を保持し、該生物活性タンパク質は、
（ａ）表３、表４および表５のペプチドからなる群より選択されるグルコース調節ペプチド、
（ｂ）表６のタンパク質からなる群より選択される代謝タンパク質、
（ｃ）表７のタンパク質からなる群より選択される凝固因子、または
（ｄ）表８のタンパク質からなる群より選択される非ヒト成長ホルモン
より選択される、単離タンパク質。
【請求項２】
前記グルコース調節ペプチドは、グルカゴン、ＧＬＰ−１、ＧＬＰ−２およびエキセンジン−４からなる群より選択される、請求項１に記載の単離融合タンパク質。
【請求項３】
前記代謝タンパク質は、β−ナトリウム排泄増加ペプチド、Ｃ型ナトリウム排泄増加ペプチド、線維芽細胞成長因子２、抗ＣＤ３およびＴＮＦ受容体のタンパク質からなる群より選択される、請求項１に記載の単離融合タンパク質。
【請求項４】
前記代謝タンパク質は、ＯＫＴ３およびヒト化抗ＣＤ３モノクローナル抗体より選択される抗ＣＤ３である、請求項３に記載の単離融合タンパク質。
【請求項５】
前記凝集因子は、第ＩＸ因子、第ＶＩＩ因子および第ＶＩＩａ因子のタンパク質からなる群より選択される、請求項１に記載の単離融合タンパク質。
【請求項６】
前記非ヒト成長ホルモンは、ブタ成長ホルモンおよび雄ウシ成長ホルモンからなる群より選択される、請求項１に記載の単離融合タンパク質。
【請求項７】
前記切断配列は、ＦＸＩａ、ＦＸＩＩａ、カリクレイン、ＦＶＩＩａ、ＦＩＸａ、ＦＸａ、ＦＩＩａ（トロンビン）、エラスターゼ−２、グランザイムＢ、ＭＭＰ−１２、ＭＭＰ−１３、ＭＭＰ−１７またはＭＭＰ−２０、ＴＥＶ、エンテロキナーゼ、ライノウイルス３Ｃプロテアーゼ、およびソルターゼＡより選択されるプロテアーゼによって切断可能なポリペプチド配列より選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離融合タンパク質。
【請求項８】
前記切断配列は、表１０に表示する配列より選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離融合タンパク質。
【請求項９】
前記融合タンパク質が、前記ＸＴＥＮに連結されていない前記生物活性タンパク質と比較して少なくとも２倍長い最終半減期を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離融合タンパク質。
【請求項１０】
前記融合タンパク質が、生理的条件下で６を超える見かけの分子量係数を示す、請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離融合タンパク質。
【請求項１１】
前記融合タンパク質が、被験体において循環血中濃度を達成または維持するために、同程度の様式で被験体に投与される前記ＸＴＥＮに連結されていない生物活性タンパク質と比較して、より低い頻度の投薬または低下した同程度の投薬量を必要とする、項目１〜６のいずれか１項に記載の単離融合タンパク質。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の融合タンパク質および少なくとも１つの薬学的に許容され得るキャリアを含む、薬学的組成物。
【請求項１３】
（ａ）請求項１〜６のいずれか１項に記載の融合タンパク質をコードするポリヌクレオチド、または
（ｂ）（ａ）の相補体をコードするポリヌクレオチド
より選択されるポリヌクレオチド配列を含む、単離核酸。
【請求項１４】
請求項１３のポリヌクレオチド配列を含む、発現ベクター。
【請求項１５】
前記ポリヌクレオチド配列に操作可能に連結された組換え制御配列をさらに含む、請求項１４に記載の発現ベクター。
【請求項１６】
請求項１４に記載の発現ベクターを含む、原核宿主細胞。
【請求項１７】
前記宿主細胞が大腸菌である、請求項１６に記載の原核宿主細胞。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪族ジオール単位と脂肪族ジカルボン酸単位とを含む脂肪族ポリエステル系樹脂であって、全脂肪族ジカルボン酸単位中、コハク酸単位を５モル％以上８６モル％以下含有するポリエステル樹脂（Ａ）、
脂肪族ジオール単位、脂肪族ジカルボン酸単位、および芳香族ジカルボン酸単位を含む芳香族脂肪族共重合ポリエステル系樹脂であって、全ジカルボン酸単位中、芳香族ジカルボン酸単位を５モル％以上９５モル％以下含有するポリエステル樹脂（Ｂ）、
脂肪族オキシカルボン酸を含むポリエステル樹脂（Ｃ）、および
フィラーを含有するポリエステル樹脂組成物であって、
ポリエステル樹脂（Ａ）およびポリエステル樹脂（Ｂ）の合計に対して、ポリエステル樹脂（Ａ）を１０〜８９重量％、ポリエステル樹脂（Ｂ）を１１〜９０重量％含有し、且つ、
ポリエステル樹脂（Ａ）、ポリエステル樹脂（Ｂ）およびポリエステル樹脂（Ｃ）の合計に対してポリエステル樹脂（Ｃ）を１〜４０重量％含有し、
フィラーの平均粒子径が０．５μｍ以上２μｍ以下であるポリエステル樹脂組成物。
【請求項２】
ポリエステル樹脂（Ａ）を構成する脂肪族ジカルボン酸単位が、炭素数２以上４０以下の脂肪族ジカルボン酸単位を含有する、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
フィラーを樹脂組成物中に０．０５〜４０重量％含む請求項１または請求項２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
フィラーが少なくともタルク、炭酸カルシウム、シリカから選ばれる一種を含む請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂組成物を成形して得られるフィルム。
【請求項５】
さらに滑材を含有する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を成形して得られるフィルム。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を成形して得られるマルチフィルム。
【請求項８】
請求項６に記載のフィルムを成形して得られる袋。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
実施例１〜９、１１〜２１、比較例１〜４、参考例１〜３
製造例１〜５で製造した、ポリエステル樹脂（Ａ）に該当する各樹脂と、ポリエステル樹脂（Ｂ）に該当する芳香族脂肪族共重合ポリエステル系樹脂として以下に示すＥｃｏｆｌｅｘを、ポリエステル樹脂（Ｃ）に該当する脂肪族オキシカルボン酸からなるポリエステル樹脂として以下に示すレイシアＨ−４００、フィラー（Ｄ）として以下に示す炭酸カルシウムを用いて、下記表１、表２に記載された組成比となるように配合し、２００℃において二軸混練機（池貝鉄鋼社製ＰＣＭ３０）にて混練し、１７５℃でインフレーション成形し、２１μｍ厚みのフィルムを作成した。
・  Ｅｃｏｆｌｅｘ（ポリブチレンアジペート−ブチレンテレフタレート系樹脂、ＢＡＳＦ社製  融点：１２０℃）
・  レイシアＨ−４００（ポリ乳酸、三井化学社製）
・  フィラー（Ｄ）
フィラー１：炭酸カルシウム  ＮＩＴＲＥＸ  ３０Ｐ  （日東粉化工業製  平均粒子径：０．７６μｍ、比重：２．７、比表面積：３００００ｃｍ２／ｇ、無処理）
フィラー２：炭酸カルシウム  ＮＣＣ  Ｖ２３００  （日東粉化工業製  平均粒子径：０．９６μｍ、比重：２．７、比表面積：２３０００ｃｍ２／ｇ、脂肪酸処理と有機化合物処理）
フィラー３：炭酸カルシウム  ＮＩＴＲＥＸ２３ＰＳ  （日東粉化工業製  平均粒子径：０．９６μｍ、比重：２．７、比表面積：２３０００ｃｍ２／ｇ、脂肪酸処理）
フィラー４：炭酸カルシウム  ＮＣＣ＃１０１０  （日東粉化工業製  平均粒子径：１．２μｍ、比重：２．７、比表面積：１９０００ｃｍ２／ｇ、無処理）
フィラー５：炭酸カルシウム  ＮＳ＃１００  （日東粉化工業製  平均粒子径：２．１μｍ、比重：２．７、比表面積：１０５００ｃｍ２／ｇ、無処理）
得られたフィルムそれぞれについて、以下の評価を実施した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【表２】
2016106171.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
明細書に記載の発明であって、ただし、該発明は、
（１）式：
【化１８８Ａ】
2016106149.tif 000001
の化合物またはその薬学的に受容可能な塩ではなく、
（２）式：
【化１８８Ｂ】
2016106149.tif 000002
の化合物またはその薬学的に受容可能な塩、および薬学的に受容可能なキャリアを含有する、薬学的組成物でもなく、
（３）式：
【化１８８Ｃ】
2016106149.tif 000003
の化合物またはその薬学的に受容可能な塩を含む、Ｃ型肝炎の処置において使用するための組成物でもなく、
（４）式：
【化１８８Ｄ】
2016106149.tif 000004
の化合物、もしくはその薬学的に受容可能な塩の、Ｃ型肝炎の予防的処置または治療的処置のための医薬の製造における使用でもなく、
（５）式：
【化１８８Ｅ】
2016106149.tif 000005
の化合物、もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む、Ｃ型肝炎の予防的処置または治療的処置のための組成物でもない、
発明。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糖尿病性神経因性疼痛の治療薬の製造におけるデキストロメトルファンとキニジンの組合せの使用であって、前記治療薬において、デキストロメトルファンの量が、１日につきデキストロメトルファンが約２０ｍｇ〜約６０ｍｇ投与されるような量であり、かつ、キニジンの量が、１日につきキニジンが約２．５ｍｇ以上約３０ｍｇ以下投与されるような量であり、ただしデキストロメトルファンとキニジンの重量対重量比が約１：１．１５以下である、使用。
【請求項２】
前記デキストロメトルファンおよび前記キニジンが１日につき１回、複合薬として投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記デキストロメトルファンおよび前記キニジンが１日につき少なくとも２回、複合薬として投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記キニジンの投与量が、約２０ｍｇ／日〜約３０ｍｇ／日である、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記デキストロメトルファンの投与量が、約２０ｍｇ／日〜約３０ｍｇ／日である、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
前記キニジンと前記デキストロメトルファンのうち少なくとも一つが、薬剤として許容される塩の形になっている、請求項１に記載の使用。
【請求項７】
前記キニジンと前記デキストロメトルファンのうち少なくとも一つが、遊離酸の塩、無機塩、硫酸塩、塩酸塩、および臭化水素酸塩からなる群より選択される、薬剤として許容される塩の形になっている、請求項１に記載の使用。
【請求項８】
１日につき、約３０ｍｇの臭化水素酸デキストロメトルファンが投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項９】
前記デキストロメトルファンと前記キニジンが別々に投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項１０】
１日につき、約３０ｍｇの硫酸キニジンが投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項１１】
糖尿病性神経因性疼痛の治療薬であって、デキストロメトルファンとキニジンの組合せを含み、前記治療薬において、デキストロメトルファンの量が、１日につきデキストロメトルファンが約２０ｍｇ〜約６０ｍｇ投与されるような量であり、かつ、キニジンの量が、１日につきキニジンが約２．５ｍｇ以上約３０ｍｇ以下投与されるような量であり、ただしデキストロメトルファンとキニジンの重量対重量比が約１：１．１５以下である、治療薬。
【請求項１２】
前記デキストロメトルファンおよび前記キニジンが１日につき１回、複合薬として投与される、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１３】
前記デキストロメトルファンおよび前記キニジンが１日につき少なくとも２回、複合薬として投与される、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１４】
前記キニジンの投与量が、約２０ｍｇ／日〜約３０ｍｇ／日である、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１５】
前記デキストロメトルファンの投与量が、約２０ｍｇ／日〜約３０ｍｇ／日である、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１６】
前記キニジンと前記デキストロメトルファンのうち少なくとも一つが、薬剤として許容される塩の形になっている、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１７】
前記キニジンと前記デキストロメトルファンのうち少なくとも一つが、遊離酸の塩、無機塩、硫酸塩、塩酸塩、および臭化水素酸塩からなる群より選択される、薬剤として許容される塩の形になっている、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１８】
１日につき、約３０ｍｇの臭化水素酸デキストロメトルファンが投与される、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項１９】
前記デキストロメトルファンと前記キニジンが別々に投与される、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項２０】
１日につき、約３０ｍｇの硫酸キニジンが投与される、請求項１１に記載の治療薬。
【請求項２１】
１日につき、約３０ｍｇの臭化水素酸デキストロメトルファンが投与され、かつ、１日につき、約３０ｍｇの硫酸キニジンが投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項２２】
１日につき、約３０ｍｇの臭化水素酸デキストロメトルファンが投与され、かつ、１日につき、約３０ｍｇの硫酸キニジンが投与される、請求項１１に記載の治療薬。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月8日(2016.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一成分と第二成分とを含む複合短繊維であって、
第一成分は、密度０．９０g/cm３〜０．９４g/cm３の直鎖状ポリエチレン、および低密度ポリエチレンを合わせて７５質量％以上含み、
第一成分において、低密度ポリエチレンが、直鎖状ポリエチレンと低密度ポリエチレンとを合わせた質量の１０質量％〜２５質量％を占めるように含まれており、
直鎖状ポリエチレンが、直鎖状ポリエチレンと低密度ポリエチレンとを合わせた質量の７５質量％〜９０質量％を占めるように含まれており、
第二成分は、第一成分を構成する直鎖状ポリエチレンの融点よりも４０℃以上高い融点を有するポリエステルを５０質量％以上含んでおり、
繊維断面において、第一成分は繊維表面の少なくとも２０％を占めており、第二成分の重心位置は繊維の重心位置からずれており、
複合短繊維は、波形状捲縮および螺旋状捲縮から選ばれる少なくとも一種の捲縮を有しており、
繊度が１．５〜３．５dtexであり、繊維長が５〜８０mmである、
顕在捲縮性複合短繊維。
【請求項２】
前記直鎖状ポリエチレンの重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｑ値：Ｍｗ／Ｍｎ）が２〜３．５である、請求項１に記載の顕在捲縮性複合短繊維。
【請求項３】
前記直鎖状ポリエチレンの融点が、前記低密度ポリエチレンの融点よりも高い、請求項１または２に記載の顕在捲縮性複合短繊維。
【請求項４】
前記複合短繊維におけるＪＩＳ  Ｌ  １０１５（２０１０年）に準じて捲縮数および捲縮率を測定したとき、捲縮率と捲縮数の比（捲縮率／捲縮数）が１．２以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の顕在捲縮性複合短繊維。
【請求項５】
第一成分と第二成分とを含む複合短繊維の製造方法であって、
密度０．９０g/cm３〜０．９４g/cm３の直鎖状ポリエチレン、および低密度ポリエチレンを合わせて７５質量％以上含み、かつ低密度ポリエチレンが、直鎖状ポリエチレンと低密度ポリエチレンとを合わせた質量の１０質量％〜２５質量％を占め、直鎖状ポリエチレンが、直鎖状ポリエチレンと低密度ポリエチレンとを合わせた質量の７５質量％〜９０質量％を占める第一成分と、
第一成分を構成する直鎖状ポリエチレンの融点よりも４０℃以上高い融点を有するポリエステルを５０質量％以上含む第二成分とを、
繊維断面において、第一成分が繊維表面の少なくとも２０％を占め、第二成分の重心位置が繊維の重心位置からずれるように、溶融紡糸して、紡糸フィラメントを得ること、
紡糸フィラメントをＴｇ２℃〜９５℃（ただし、Ｔｇ２は第二成分に含まれるポリマー成分のうち、最も高いガラス転移点を有するポリマー成分のガラス転移点）の範囲内にある温度で１．８〜５倍に延伸すること、
延伸後のフィラメントに対し、捲縮数５山/25mm〜２５山/25mmの範囲で機械捲縮を付与すること、
５０〜１１５℃の範囲内にある温度でアニーリング処理を施すこと、
アニーリング処理したフィラメントを５mm〜８０mmの長さに切断すること
を含む、波形状捲縮および螺旋状捲縮から選ばれる少なくとも一種の捲縮を有しており、繊度が１．５〜３．５dtexである複合短繊維の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の顕在捲縮性複合短繊維を２０質量％以上含む、繊維集合物。
【請求項７】
前記顕在捲縮性複合短繊維の第一成分によって、繊維同士が接着されている不織布である、請求項６に記載の繊維集合物。
【請求項８】
請求項６または７に記載の繊維集合物からなる、衛生物品の表面材。
【請求項９】
請求項８に記載の表面材を含む、衛生物品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月27日(2016.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上のソース電極と、
前記半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極と、
前記画素電極上の液晶と、を有する画素部を有し、
前記画素電極は、前記第１の絶縁膜と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方との間に挟まれた領域を有し、
前記半導体膜を有するトランジスタのチャネル長方向の断面において、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、前記半導体膜と重なる第１の側面を有し、
前記第１の側面は、前記画素電極の側面とは重ならず、
前記画素部は、ＩＰＳ方式又はＦＦＳ方式により表示を行う機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
第１の配線と、
前記ゲート電極上及び前記第１の配線上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上のソース電極と、
前記半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極と、
前記画素電極上の液晶と、を有する画素部を有し、
前記画素電極は、前記第１の絶縁膜と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方との間に挟まれた第１の領域を有し、
前記画素電極は、前記第１の絶縁膜を介して前記第１の配線と重なる第２の領域を有し、
前記第２の領域は、容量の電極としての機能を有し、
前記半導体膜を有するトランジスタのチャネル長方向の断面において、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、前記半導体膜と重なる第１の側面を有し、
前記第１の側面は、前記画素電極の側面とは重ならず、
前記画素部は、ＩＰＳ方式又はＦＦＳ方式により表示を行う機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体膜は、シリコンを有する非晶質半導体膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記画素電極は、透明導電膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置部材と、
前記設置部材から相手コネクタとの嵌合側に突出し、前記相手コネクタとの嵌合時に前記相手コネクタに挿着される嵌合部と、
前記設置部材から前記相手コネクタとの嵌合側に立設された立設部分をそれぞれ有し、前記嵌合部を挟んで対向配置された対の対応係止部と、を備え、
前記相手コネクタの係止部は、前記立設部分と前記嵌合部との間で前記対応係止部に係止されることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
前記嵌合部が前記相手コネクタに挿着されたときに前記相手コネクタと前記嵌合部の隙間を埋める環状の防水手段が前記嵌合部の周面に設けられている請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記設置部材は、前記相手コネクタとの嵌合側に前記相手コネクタとの突合せ面を形成している請求項１又は２に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記設置部材の前記突合せ面とは反対側の面に突出し端子ケースを係止する係止手段が設けられている請求項３に記載のコネクタ。
【請求項５】
複数の端子を更に備え、
前記複数の端子は、前記嵌合部によって周囲を取り囲まれている請求項１乃至４のいずれかに記載のコネクタ。
【請求項６】
前記設置部材は、前記複数の端子を挿通させる穴を有するフランジ部である請求項５に記載のコネクタ。
【請求項７】
前記立設部分の先端は前記嵌合部側に張り出している請求項１乃至６のいずれかに記載のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの磁性層の間にトンネル障壁層を配して構成される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
基板上に、前記二つの磁性層の一方の層と、前記トンネル障壁層を構成する層と、前記二つの磁性層の他方の層と、を備えた積層体を用意する工程と、
前記積層体をエッチングにより複数に分離し、前記基板上に分離した複数の積層体を形成する工程と、
減圧可能な処理チャンバーと前記処理チャンバー内に酸化性ガスまたは窒化性ガスを導入するガス導入系とを有するイオンビーム照射装置を用い、前記分離した複数の積層体の側部に前記処理チャンバー内でイオンビームを照射する工程と、
前記イオンビームの照射後、前記ガス導入系により前記処理チャンバー内に酸化性ガスまたは窒化性ガスを導入し、前記複数の積層体の表面に酸化層または窒化層を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングは、反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングは、前記イオンビームを照射することでなされることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記イオンビームの照射は、不活性ガスを用いたプラズマ生成を伴うことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
前記酸化性ガスまたは前記窒化性ガスは、前記不活性ガスと共に導入されることを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項６】
前記酸化性ガスまたは前記窒化性ガスの導入は、前記プラズマ生成が終了した後に行われる請求項４に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項７】
前記酸化性ガスまたは前記窒化性ガスの分圧は、１．０×１０−１Ｐａ〜２．０×１０−３Ｐａの範囲内で行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項８】
前記酸化層または前記窒化層の層厚は、１．５ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項９】
前記酸化層または前記窒化層の上に保護層を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層は、窒化膜であることを特徴とする請求項９に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項１１】
前記トンネル障壁層を構成する層は、Ａｌ２Ｏ３またはＭｇＯを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の光送受信装置に含まれる他の光送受信部との間で、挿抜可能な光コネクタを介した光伝送路により光信号を送受信する光送受信装置であって、前記光送受信装置は、電気信号を光送信信号に変換する光送信部、受信光信号を電気信号に変換する光受信部、前記受信光信号の光パワーに基づき前記光コネクタの接続状態を判定する光コネクタ接続状態判定部、および、前記光コネクタ接続状態判定部の判定の結果、前記光コネクタが接続していない場合、少なくとも１つのチャンネルの前記光送信信号を出力するように前記光送信部を制御する送信チャンネル選定部を有することを特徴とする光送受信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光送受信装置において、前記光コネクタ接続状態判定部は、前記受信光信号の光パワーが閾値以上の場合に前記光コネクタは接続していると判定することを特徴とする光送受信装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光送受信装置において、前記光コネクタ接続状態判定部の判定の結果、前記光コネクタが接続していない場合、前記送信チャンネル選定部は、前記光送信信号を出力する前記チャンネルを切り替えるように前記光送信部を制御することを特徴とする光送受信装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光送受信装置において、前記光コネクタが接続していない場合、前記送信チャンネル選定部は、通常の光パワーより低い光パワーの前記光送信信号を出力するように前記光送信部を制御することを特徴とする光送受信装置。
【請求項５】
請求項３に記載の光送受信装置において、前記光コネクタが接続していない場合、前記送信チャンネル選定部は、通常の光パワーより低い光パワーの前記光送信信号を出力するように前記光送信部を制御することを特徴とする光送受信装置。
【請求項６】
請求項３に記載の光送受信装置において、前記光コネクタが接続していない場合、前記送信チャンネル選定部は、所定間隔で、前記光送信信号を出力する前記チャンネルの切り替えるように前記光送信部を制御することを特徴とする光送受信装置。
【請求項７】
請求項１に記載の光送受信装置において、複数の前記他の光送受信装置にそれぞれ含まれる他の光送受信部との間で、複数の前記光伝送路により光信号を送受信する複数の光送受信部を有することを特徴とする光送受信装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光送受信装置において、前記光コネクタ接続状態判定部の判定の結果、前記光コネクタが接続していない場合、前記光コネクタ接続状態判定部はアラーム信号を出力することを特徴とする光送受信装置。
【請求項９】
請求項１に記載の光送受信装置において、通常光パワーレベルもしくはそれ以下の光送信信号を出力する少なくとも１つのチャンネルを有する光接続検出用の光送受信部を備え、前記光コネクタ接続状態判定部は、前記光接続検出用の光送受信部による、前記光コネクタを介して光ループバックした受信光信号の光パワーに基づいて前記光コネクタの接続判定することを特徴とする光送受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の主表面上に、半導体チップと、筒状電極とを実装する工程と、
前記筒状電極の、前記基板に実装される一方の端部と反対側の他方の端部が少なくとも露出するように、前記基板、前記半導体チップおよび前記筒状電極を樹脂材料により封止する工程と、
前記封止する工程の後に、前記筒状電極の、前記他方の端部から前記筒状電極内の空洞部に通じる開口を形成する工程とを備え、
前記開口を形成する工程を行なう前においては、前記筒状電極の前記他方の端部は塞がっている、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記筒状電極は、前記一方の端部側にフランジを含むように形成され、
前記筒状電極は、前記フランジにおいて前記基板に実装される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記筒状電極の外周は、前記筒状電極の外周の平面視における大きさが、前記一方の端部側から前記他方の端部側に向けて徐々に小さくなるように傾斜している、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記開口を形成する工程を行なう前においては、前記筒状電極は、前記他方の端部の肉厚が、前記空洞部と平面視において重なる領域の一部の真上において、前記空洞部と平面視において重なる領域のうち前記一部以外の領域よりも薄くなっている、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記開口を形成する工程を行なう前においては、前記筒状電極は、前記他方の端部の肉厚が、前記空洞部の外周の真上において前記空洞部の外周の真上以外の領域よりも薄くなっている、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記筒状電極を実装する工程は、単一の治具により複数の前記筒状電極を保持する工程と、
前記治具が複数の前記筒状電極を一括して前記基板の一方の主表面上に供給する工程とを含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物が配置される処理室と、前記被処理物に紫外線を照射する紫外線ランプを収納する光源ユニットと、前記処理室と前記光源ユニットとの間に配置された、前記紫外線ランプからの紫外線を透過する光透過窓と、前記処理室に活性種源を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段とを備えたデスミア処理装置であって、
前記処理用ガス供給手段は、処理用ガス供給源と、この処理用ガス供給源からの処理用ガスの供給量を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記被処理物に紫外線を照射する際に、前記処理用ガス供給源からの処理用ガスをパージガスとして供給するよう制御する機能を有し、
前記被処理物と前記光透過窓との間に供給された前記処理用ガスに紫外線を照射することによって生成した活性種とスミアとを反応させる反応工程と、前記被処理物と前記光透過窓との間に、前記反応工程よりも大きい供給量の前記処理用ガスをパージガスとして供給するパージ工程とからなる処理プロセスを繰り返すよう制御されることを特徴とするデスミア処理装置。
【請求項２】
活性種源を含む処理用ガスの存在下に、被処理物に紫外線を透過する光透過窓を介して紫外線を照射することによって、当該被処理物に残留するスミアを除去するデスミア処理方法であって、
前記被処理物と前記光透過窓との間に供給された前記処理用ガスに紫外線を照射することによって生成した活性種と前記スミアとを反応させる反応工程と、前記被処理物と前記光透過窓との間に、前記処理用ガスよりなるパージガスを供給するパージ工程とからなる処理プロセスを繰り返し、
前記パージ工程における前記パージガスの供給量が、前記反応工程における前記処理用ガスの供給量より大きいことを特徴とするデスミア処理方法。
【請求項３】
前記反応工程における前記処理用ガスの供給量が０であることを特徴とする請求項２に記載のデスミア処理方法。
【請求項４】
前記反応工程の時間が５〜１５秒間であることを特徴とする請求項２に記載のデスミア処理方法。
【請求項５】
前記処理プロセスの回数が５〜１５回であることを特徴とする請求項２に記載のデスミア処理方法。
【請求項６】
前記活性種源が、酸素ガスまたは酸素ガスとオゾンとの混合物であることを特徴とする請求項２に記載のデスミア処理方法。
【請求項７】
前記パージ工程において、前記被処理物に前記光透過窓を介して紫外線を照射することを特徴とする請求項２に記載のデスミア処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のデスミア処理装置は、被処理物が配置される処理室と、前記被処理物に紫外線を照射する紫外線ランプを収納する光源ユニットと、前記処理室と前記光源ユニットとの間に配置された、前記紫外線ランプからの紫外線を透過する光透過窓と、前記処理室に活性種源を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段とを備えたデスミア処理装置であって、
前記処理用ガス供給手段は、処理用ガス供給源と、この処理用ガス供給源からの処理用ガスの供給量を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記被処理物に紫外線を照射する際に、前記処理用ガス供給源からの処理用ガスをパージガスとして供給するよう制御する機能を有し、
前記被処理物と前記光透過窓との間に供給された前記処理用ガスに紫外線を照射することによって生成した活性種とスミアとを反応させる反応工程と、前記被処理物と前記光透過窓との間に、前記反応工程よりも大きい供給量の前記処理用ガスをパージガスとして供給するパージ工程とからなる処理プロセスを繰り返すよう制御されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のデスミア処理方法は、活性種源を含む処理用ガスの存在下に、被処理物に紫外線を透過する光透過窓を介して紫外線を照射することによって、当該被処理物に残留するスミアを除去するデスミア処理方法であって、
前記被処理物と前記光透過窓との間に供給された前記処理用ガスに紫外線を照射することによって生成した活性種と前記スミアとを反応させる反応工程と、前記被処理物と前記光透過窓との間に、前記処理用ガスよりなるパージガスを供給するパージ工程とからなる処理プロセスを繰り返し、
前記パージ工程における前記パージガスの供給量が、前記反応工程における前記処理用ガスの供給量より大きいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のデスミア処理方法においては、前記反応工程における前記処理用ガスの供給量が０であることが好ましい。
また、前記反応工程の時間が５〜１５秒間であることが好ましい。
また、前記処理プロセスの回数が５〜１５回であることが好ましい。
また、前記活性種源が、酸素ガスまたは酸素ガスとオゾンとの混合物であることが好ましい。
また、前記パージ工程において、前記被処理物に前記光透過窓を介して紫外線を照射することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続した所定のヒューズエレメントとを備え、前記ヒューズエレメントは、可溶性の高融点金属材からなり、前記パターン電極との接合界面に前記ヒューズエレメントの溶融温度未満の溶融温度を有する低融点金属材およびこの低融点金属材に由来する低融点合金層を有さないことを特徴とする保護素子。
【請求項２】
前記ヒューズエレメントは、固相線温度と液相線温度との温度差が５℃以上１００℃未満の可溶性の合金材であることを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項３】
前記ヒューズエレメントは、固相線温度２５０℃以上、液相線温度４００℃未満の高温はんだ材であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の保護素子。
【請求項４】
前記ヒューズエレメントは、Ｐｂを８５質量％以上含有した高温はんだ材であることを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れか一つに記載の保護素子。
【請求項５】
前記高温はんだ材は、９４．５Ｐｂ−５．５Ａｇ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、９０Ｐｂ−８Ｓｎ−２Ａｇ、８６Ｐｂ−１４Ｓｎ、８５．５Ｐｂ−１４．５Ｓｎの群から選択された何れか１つの合金材であることを特徴とする請求項４に記載の保護素子。
【請求項６】
前記絶縁基板に抵抗発熱素子を設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか一つに記載の保護素子。
【請求項７】
絶縁基板と、前記絶縁基板に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続した高融点金属材のヒューズエレメントとを備えた保護素子の製造方法において、前記ヒューズエレメントの前記パターン電極への電気接続は、前記絶縁基板を用意する基板準備工程、消散性フラックスを前記絶縁基板または前記ヒューズエレメントに塗布するフラックス塗布工程と、前記ヒューズエレメントを前記絶縁基板の所定の前記パターン電極上に搭載する合金マウント工程、前記ヒューズエレメントを搭載した前記絶縁基板を、還元性ガス雰囲気または還元性ガスと不活性ガスとの混合雰囲気に調整した還元性リフロー炉に通炉して前記ヒューズエレメントと前記パターン電極とを接合するリフロー工程からなることを特徴とする保護素子の製造方法。
【請求項８】
前記消散性フラックスは、炭素数２以上のポリオールまたは少なくとも水酸基を２個以上残したポリオールの部分アルコールエーテル誘導体、もしくは部分カルボン酸エステル誘導体、もしくは部分フェニルエーテル誘導体を有効成分とする請求項７に記載の保護素子の製造方法。
【請求項９】
前記消散性フラックスは、前記有効成分の沸点が１４０〜２４０℃であることを特徴とする請求項８に記載の保護素子の製造方法。
【請求項１０】
前記消散性フラックスは、前記有効成分がエチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール類、エチレングリコールとプロピレングリコールの共重合体、グリセリン、ペンタエリスリトールまたはそのモノないしジアルコールエーテル類、トリメチロールプロパン、ジメチルペンタンジオール類の群から選択されたことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の保護素子の製造方法。
【請求項１１】
前記消散性フラックスは、必要に応じて前記有効成分に、沸点が２４０℃以下のモノないしポリアルキレングリコールのアルキルエーテルまたはモノないしポリアルキレングリコールのフェニルエーテルまたはモノないしポリアルキレングリコールのカルボン酸エステルまたは高級アルコールまたはテルペン系アルコール類およびその誘導体の群から選択された増量剤をさらに添加したことを特徴とする請求項８ないし請求項１０の何れか一つに記載の保護素子の製造方法。
【請求項１２】
前記還元性ガスは、水素ガスからなることを特徴とする請求項７ないし請求項１１の何れか一つに記載の保護素子の製造方法。
【請求項１３】
前記不活性ガスは、窒素ガスまたは希ガスからなることを特徴とする請求項７ないし請求項１２の何れか一つに記載の保護素子の製造方法。
【請求項１４】
前記リフロー工程は、さらに実効温度をヒューズエレメントの固相温度以上、液相温度以下となるように調整したことを特徴とする請求項７ないし請求項１３の何れか一つに記載の保護素子の製造方法。
【請求項１５】
炭素数２以上のポリオールまたは少なくとも水酸基を２個以上残したポリオールの部分アルコールエーテル誘導体、もしくは部分カルボン酸エステル誘導体、もしくは部分フェニルエーテル誘導体を有効成分としたことを特徴とする保護素子用消散性フラックス。
【請求項１６】
前記有効成分は、沸点が１４０〜２４０℃であることを特徴とする請求項１５に記載の保護素子用消散性フラックス。
【請求項１７】
前記有効成分は、エチレングリコール、ポリエチレングリコール類、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール類、エチレングリコールとプロピレングリコールの共重合体、グリセリン、ペンタエリスリトールまたはそのモノないしジアルコールエーテル類、トリメチロールプロパン、ジメチルペンタンジオール類の群から選択されたことを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の保護素子用消散性フラックス。
【請求項１８】
前記有効成分に、沸点が２４０℃以下のモノないしポリアルキレングリコールのアルキルエーテルまたはモノないしポリアルキレングリコールのフェニルエーテルまたはモノないしポリアルキレングリコールのカルボン酸エステルまたは高級アルコールまたはテルペン系アルコール類およびその誘導体の群から選択された増量剤をさらに添加したことを特徴とする請求項１５ないし請求項１７の何れか一つに記載の保護素子用消散性フラックス。