【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子、及び、
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系、
から構成されており、
分散補償光学系は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波長毎に群速度分散値を制御する半導体レーザ装置組立体。
【請求項２】
分散補償光学系は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光において、最短波長のレーザ光に対して負の群速度分散値を与え、最短波長よりも長い波長のレーザ光に対して、最短波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を与える請求項１に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項３】
分散補償光学系は、長い波長のレーザ光に対して、最短波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな一定の群速度分散値を、波長に依存すること無く与える請求項２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項４】
一定の群速度分散値は０［（ピコ秒）2］である請求項３に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項５】
一定の群速度分散値は正の値である請求項３に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項６】
分散補償光学系は、長い波長のレーザ光に対して、最短波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を、波長に依存して与える請求項２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項７】
長い波長のレーザ光に対して与えられる群速度分散値は、波長が長いほど、大きな値である請求項６に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項８】
分散補償光学系は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光において、最短波長のレーザ光に対して負の群速度分散値を与え、
与えられた負の群速度分散値の絶対値は、所定の波長よりも短いレーザ光にあっては、レーザ光の波長が短い程、大きい請求項１に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項９】
分散補償光学系は、所定の波長よりも長い波長のレーザ光に対して、所定の波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を与える請求項８に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１０】
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、分散補償光学系に入射され、
分散補償光学系に入射したレーザ光の一部は、分散補償光学系から出射され、半導体レーザ素子に戻され、分散補償光学系に入射したレーザ光の残りは、系外に出力される請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１１】
系外に出力されたレーザ光に対して正の群速度分散値を与えるパルス圧縮器を更に備えている請求項１０に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１２】
分散補償光学系は、回折格子、集光手段、及び、空間位相変調器から成り、
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、回折格子と衝突し、
回折格子からの０次光は系外に出力され、
回折格子からの回折光は、集光手段を介して空間位相変調器に入射し、次いで、空間位相変調器から出射して、集光手段、回折格子を介して半導体レーザ素子に戻される請求項１０又は請求項１１に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１３】
空間位相変調器は反射型液晶表示装置から成る請求項１２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１４】
空間位相変調器はデフォーマブルミラーから成る請求項１２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１５】
空間位相変調器は複数の反射鏡から成る請求項１２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１６】
半導体レーザ素子は、可飽和吸収領域を有するモード同期半導体レーザ素子から成る請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１７】
モード同期半導体レーザ素子は、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成る第３化合物半導体層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
が、順次、積層されて成る積層構造体を有する請求項１６に記載の半導体レーザ装置組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ装置組立体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本開示は、半導体レーザ装置組立体、具体的には、半導体レーザ素子及び分散補償光学系を備えた半導体レーザ装置組立体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
パルス当たりのエネルギーが同じである場合、レーザ光のピークパワーは、パルス時間幅が狭いほど高く、目的とする非線形光学現象がより顕著に発現される。従って、超短光パルス光源の性能指標の１つとして、狭いパルス時間幅を挙げることができる。受動モード同期のチタン／サファイア・レーザ装置では、１０フェムト秒程度のパルス時間幅を有するレーザ光を発生するものが市販されている。これに対して、受動モード同期半導体レーザ素子では、電流注入型の量子井戸レーザのパルス時間幅は１ピコ秒乃至２ピコ秒程度が一般的である。しかしながら、半導体レーザ素子は、利得帯域が十分に広いため、サブピコ秒のレーザ光を発生させる能力を潜在的に有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の半導体レーザ装置組立体において、半導体レーザ素子は、可飽和吸収領域を有するモード同期半導体レーザ素子から成る構成とすることができる。尚、従来の光励起型のモード同期半導体レーザ素子では発振特性を制御するのに半導体可飽和吸収体（ＳＥＳＡＭ）の温度特性を利用するが、可飽和吸収領域を有する形態にあっては、可飽和吸収領域への逆バイアス電圧Ｖsaに基づき発振特性を制御することができるので、発振特性の制御が容易である。そして、この場合、モード同期半導体レーザ素子は、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成る第３化合物半導体層（活性層）、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
が、順次、積層されて成る積層構造体を有する構成とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
前述したとおり、半導体光増幅器を備えている場合、半導体光増幅器は、分散補償光学系から系外に出射されたレーザ光を増幅する、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層の積層構造体、又は、ワイドギャップ半導体層の積層構造体から成る構成とすることが好ましい。尚、この場合、半導体レーザ装置組立体から出力されるレーザ光は、周波数チャープが負であり、パルス時間幅が０．５ピコ秒以下であることが望ましい。ここで、半導体光増幅器へ入射するレーザ光のパルス時間幅をτ1、半導体光増幅器から出力されるレーザ光のパルス時間幅をτ2としたとき、τ1＞τ2であり、且つ、半導体光増幅器の駆動電流値が高い程、τ2の値が小さくなる形態とすることができる。また、半導体光増幅器において、キャリアのバンド内緩和時間は、２５フェムト秒以下であることが好ましい。また、半導体光増幅器から出力されるレーザ光の光スペクトル幅は４．５ＴＨｚ以上であることが好ましい。波長λ（単位：メートル）のレーザ光の光スペクトル幅ΔＳＰLは、通常、長さの単位（メートル）で表されるが、これを周波数ΔＳＰFで表示すると、光速をｃ（単位：メートル／秒）としたとき、以下の関係にある。
ΔＳＰF＝ΔＳＰL×ｃ／（λ2）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
実施例７も実施例４の変形である。実施例７にあっては、半導体光増幅器は、分散補償光学系１１０から系外に出射されたレーザ光を増幅する、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層の積層構造体、又は、ワイドギャップ半導体層の積層構造体から成る。半導体光増幅器の構成、構造は、第２電極が分割されていない点、及び、リッジストライプ構造は、湾曲しておらず、代わりに、光入射端面（第１端面）から光出射端面（第２端面）に向かって、その幅が広くなっている点を除き、実質的に、モード同期半導体レーザ素子１０と同じ構成、構造を有する。具体的には、半導体光増幅器は、デバイス長３．０ｍｍ、フレア幅１５μｍのテーパー型の半導体光増幅器であり、光閉込め係数は、半導体光増幅器の仕様上、２．６％である。尚、半導体レーザ装置組立体から出力されるレーザ光は、周波数チャープが負であり、パルス時間幅が０．５ピコ秒以下であることが要求される。実施例１０〜実施例１４においても同等である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
製作したモード同期半導体レーザ素子１０の第２電極６２の第２部分６２Ｂと第２部分６２Ｂとの間の電気抵抗値を４端子法にて測定した結果、分離溝６２Ｃの幅が２０μｍのとき、第２電極６２の第１部分６２Ａと第２部分６２Ｂとの間の電気抵抗値は１５ｋΩであった。また、製作したモード同期半導体レーザ素子１０において、第２電極６２の第１部分６２Ａから発光領域４１を経由して第１電極６１に直流電流を流して順バイアス状態とし、第１電極６１と第２電極６２の第２部分６２Ｂとの間に逆バイアス電圧Ｖsaを印加することによって可飽和吸収領域４２に電界を加えることで、セルフ・パルセーション動作させることができた。即ち、第２電極６２の第１部分６２Ａと第２部分６２Ｂとの間の電気抵抗値は、第２電極６２と第１電極６１との間の電気抵抗値の１０倍以上であり、あるいは又、１×１０2Ω以上である。従って、第２電極６２の第１部分６２Ａから第２部分６２Ｂへの漏れ電流の流れを確実に抑制することができる結果、発光領域４１を順バイアス状態とし、しかも、可飽和吸収領域４２を確実に逆バイアス状態とすることができ、確実にシングルモードのセルフ・パルセーション動作を生じさせることができた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《半導体レーザ装置組立体》
半導体レーザ素子、及び、
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系、
から構成されており、
分散補償光学系は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波長毎に群速度分散値を制御する半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０２］分散補償光学系は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光において、最短波長のレーザ光に対して負の群速度分散値を与え、最短波長よりも長い波長のレーザ光に対して、最短波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を与える［Ａ０１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０３］分散補償光学系は、長い波長のレーザ光に対して、最短波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな一定の群速度分散値を、波長に依存すること無く与える［Ａ０２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０４］一定の群速度分散値は０［（ピコ秒）2］である［Ａ０３］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０５］一定の群速度分散値は正の値である［Ａ０３］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０６］分散補償光学系は、長い波長のレーザ光に対して、最短波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を、波長に依存して与える［Ａ０２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０７］長い波長のレーザ光に対して与えられる群速度分散値は、波長が長いほど、大きな値である［Ａ０６］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０８］分散補償光学系は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光において、最短波長のレーザ光に対して負の群速度分散値を与え、
与えられた負の群速度分散値の絶対値は、所定の波長よりも短いレーザ光にあっては、レーザ光の波長が短い程、大きい［Ａ０１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ０９］分散補償光学系は、所定の波長よりも長い波長のレーザ光に対して、所定の波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を与える［Ａ０８］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１０］分散補償光学系は、所定の波長よりも長い波長のレーザ光に対して、所定の波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな一定の群速度分散値を、波長に依存すること無く与える［Ａ０９］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１１］一定の群速度分散値は０［（ピコ秒）2］である［Ａ１０］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１２］一定の群速度分散値は正の値である［Ａ１０］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１３］分散補償光学系は、所定の波長よりも長い波長のレーザ光に対して、所定の波長のレーザ光に対する群速度分散値よりも大きな群速度分散値を、波長に依存して与える［Ａ０８］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１４］長い波長のレーザ光に対して与えられる群速度分散値は、波長が長いほど、大きな値である［Ａ１３］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１５］半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、分散補償光学系に入射され、
分散補償光学系に入射したレーザ光の一部は、分散補償光学系から出射され、半導体レーザ素子に戻され、分散補償光学系に入射したレーザ光の残りは、系外に出力される［Ａ０１］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１６］系外に出力されたレーザ光に対して正の群速度分散値を与えるパルス圧縮器を更に備えている［Ａ１５］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１７］分散補償光学系は、回折格子、集光手段、及び、空間位相変調器から成り、
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、回折格子と衝突し、
回折格子からの０次光は系外に出力され、
回折格子からの回折光は、集光手段を介して空間位相変調器に入射し、次いで、空間位相変調器から出射して、集光手段、回折格子を介して半導体レーザ素子に戻される［Ａ１５］又は［Ａ１６］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１８］空間位相変調器は反射型液晶表示装置から成る［Ａ１７］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ１９］空間位相変調器はデフォーマブルミラーから成る［Ａ１７］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ２０］空間位相変調器は複数の反射鏡から成る［Ａ１７］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ２１］半導体レーザ素子は、可飽和吸収領域を有するモード同期半導体レーザ素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ２０］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ａ２２］モード同期半導体レーザ素子は、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成る第３化合物半導体層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
が、順次、積層されて成る積層構造体を有する［Ａ２１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０１］系外に出力されたレーザ光を増幅する半導体光増幅器を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ａ２２］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０２］半導体光増幅器は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層の積層構造体あるいはワイドギャップ半導体層の積層構造体から成る［Ｂ０１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０３］半導体光増幅器へ入射するレーザ光のパルス時間幅をτ1、半導体光増幅器から出力されるレーザ光のパルス時間幅をτ2としたとき、τ1＞τ2であり、且つ、半導体光増幅器の駆動電流値が高い程、τ2の値が小さくなる［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０４］半導体光増幅器から出力されるレーザ光の光スペクトル幅は４．５ＴＨｚ以上である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０５］半導体光増幅器の駆動電流密度は５×１０3アンペア／ｃｍ2以上である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０６］半導体光増幅器の光閉込め係数は３％以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０７］半導体光増幅器へ入射するレーザ光の光スペクトル幅に対して、半導体光増幅器から出力されるレーザ光の光スペクトル幅が、２．５ＴＨｚ以上増加する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０８］モード同期半導体レーザ素子は、ピークパワーの光密度が１×１０10ワット／ｃｍ2以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０19／ｃｍ3以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ０９］半導体光増幅器に入射するレーザ光の主発振周波数に対する雑音成分は−６０ｄＢ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ１０］モード同期半導体レーザ素子は、レーザ光の繰返し周波数が１ＧＨｚ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０９］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ１１］分散補償光学系から系外に出射されたレーザ光に対して光スペクトルを整形する光スペクトル整形手段を更に備えており、整形後のレーザ光が半導体光増幅器に入射する［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ１２］光スペクトル整形手段は、誘電多層膜から構成されたバンドパスフィルタから成り、
分散補償光学系から系外に出射されたレーザ光は、バンドパスフィルタを複数回、通過する［Ｂ１１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ１３］バンドパスフィルタは、単一の二分の一波長共振器を内蔵する誘電体多層膜共振器から成る［Ｂ１２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ１４］バンドパスフィルタは、複数の二分の一波長共振器を内蔵する誘電体多層膜共振器から成る［Ｂ１２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｂ１５］バンドパスフィルタは、二分の一波長の整数倍の共振器を内蔵する誘電体多層膜共振器から成る［Ｂ１２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０１］《第１の構成の半導体光増幅器》
分散補償光学系において、
第１化合物半導体層は、基体側から、第１クラッド層及び第１光ガイド層の積層構造を有し、
積層構造体は、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第１光ガイド層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造を有し、
第１光ガイド層の厚さをｔ1、リッジストライプ構造を構成する第１光ガイド層の部分の厚さをｔ1’としたとき、
６×１０-7ｍ＜ｔ1
０（ｍ）＜ｔ1’≦０．５・ｔ1
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ１５］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０２］ｔ1≦３×１０-6ｍ
を満足する［Ｃ０１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０３］半導体光増幅器は単一モードの光ビームを出力する［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０４］積層構造体の光出射端面から出射された光ビームのリッジストライプ構造の幅方向の寸法をＬＢX、リッジストライプ構造の厚さ方向の寸法をＬＢYとしたとき、
０．２≦ＬＢY／ＬＢX≦１．２
を満足する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０５］積層構造体の光出射端面において、リッジストライプ構造の厚さ方向に沿った、積層構造体における活性層中心点から、積層構造体から出射される光ビームの中心点までの距離ＹCCは、
ｔ1’≦ＹCC≦ｔ1
を満足する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０６］第１光ガイド層内には、第１光ガイド層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されている［Ｃ０１］乃至［Ｃ０５］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０７］第１光ガイド層を構成する化合物半導体材料の屈折率をｎG-1、高屈折率層を構成する化合物半導体材料の屈折率をｎHRとしたとき、
０．０１≦ｎHR−ｎG-1≦０．１
を満足する［Ｃ０６］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｃ０８］第２化合物半導体層は、基体側から、第２光ガイド層及び第２クラッド層の積層構造を有し、
第１光ガイド層の厚さは、第２光ガイド層の厚さよりも厚い［Ｃ０１］乃至［Ｃ０７］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｄ０１］《第２の構成の半導体光増幅器》
分散補償光学系において、
積層構造体は、少なくとも第２化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造を有し、
第１化合物半導体層は、０．６μｍを超える厚さを有し、
第１化合物半導体層内には、第１化合物半導体層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ１５］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｄ０２］第１化合物半導体層は、基体側から、第１クラッド層及び第１光ガイド層の積層構造を有し、
第１光ガイド層は、０．６μｍを超える厚さを有し、
高屈折率層は、第１光ガイド層の内部に形成されている［Ｄ０１］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｄ０３］活性層と第１光ガイド層との界面から、活性層側に位置する第１光ガイド層の部分と高屈折率層との界面までの距離は、０．２５μｍ以上である［Ｄ０２］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｄ０４］第１光ガイド層を構成する化合物半導体材料の屈折率をｎG-1、高屈折率層を構成する化合物半導体材料の屈折率をｎHRとしたとき、
０＜ｎHR−ｎG-1≦０．３
を満足する［Ｄ０２］又は［Ｄ０３］に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｄ０５］半導体光増幅器は単一モードの光ビームを出力する［Ｄ０１］乃至［Ｄ０４］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
［Ｄ０６］第２化合物半導体層は、基体側から、第２光ガイド層及び第２クラッド層の積層構造を有し、
第１光ガイド層の厚さは、第２光ガイド層の厚さよりも厚い［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３０】
2015153979.tif 000001