【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が実質的に等しいベストフォーカス面を有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が実質的に等しい像シフトを有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
【請求項３】
リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に実質的に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
【請求項４】
リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造の像シフト間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に実質的に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
【請求項５】
前記ベストフォーカス面の決定又は前記像シフトの決定は、前記投影システムを用いて前記構造の投影をシミュレートすることによって行われる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の構造のうちの第１構造は、前記投影システムによる投影後に測定される、前記特定の波長の実質的に半分の寸法を有する第１ピッチを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の構造のうちの第１構造は、前記特定の波長よりも小さいピッチを備え、前記複数の構造のうちの第２構造は、前記特定の波長よりも大きいピッチを備え、前記ピッチは、前記投影システムによる投影後に測定されたピッチである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記厚さを選択するステップは、前記厚さが選択される範囲を定義するステップである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記厚さを選択するステップは、前記特定の波長の放射に対する前記放射吸収材料の位相シフト特性に依存して前記吸収材料の厚さを選択するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記放射吸収材料の厚さは、前記放射吸収材料の前記位相シフト特性を最適化するようにさらに選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が実質的に等しいベストフォーカス面を有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
【請求項１２】
リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が実質的に等しい像シフトを有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
【請求項１３】
リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に実質的に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
【請求項１４】
リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造の像シフト間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に実質的に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
【請求項１５】
特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるリソグラフィマスクであって、前記基板は、ある配置で放射吸収材料を有し、前記配置は、前記特定の波長の放射ビームの断面にパターンを付与するように構成され、前記放射吸収材料の配置は、第１ピッチを有する複数の構造と、前記第１ピッチと比較して異なる第２ピッチを有する複数の構造と、を備え、前記放射吸収材料は、前記第１ピッチを有する前記構造及び前記第２ピッチを有する前記構造が、リソグラフィ装置の投影システムを用いて投影される際に実質的に等しいベストフォーカス面を有するような厚さを有する、リソグラフィマスク。