Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気インピーダンス効果を利用した磁気インピーダンス素子と、
前記磁気インピーダンス素子にバイアス磁界を印加するためのバイアスコイルと、
前記磁気インピーダンス素子に交流電流を印加する発振回路と、
前記磁気インピーダンス素子の出力を微分する微分回路と、
前記微分回路から出力されるトリガ波形に基づいて、ハイロウ出力するフリップフロップ回路と、
前記フリップフロップ回路から出力される前記ハイロウ出力のハイロウタイミングに基づいて、外部磁界を検出する演算部とを備え、
前記磁気インピーダンス素子に交流電流を印加して得られる出力から外部磁界を検出するものであり、
前記磁気インピーダンス素子は、非磁性基板と、前記非磁性基板の表面に形成された磁性膜と、を有し、当該磁気インピーダンス素子の長手方向が磁界の検出方向とされ、前記磁性膜の磁化容易軸が前記磁界の検出方向と同方向となるように磁気異方性がつけられており、
前記演算部は、交流バイアス周波数の立下り時においてリセット信号を前記フリップフロップ回路に送信し、当該リセット信号後の最初のハイレベル信号の時間に基づいて、外部磁界を検出する
ことを特徴とする磁界検出センサ。
【請求項２】
前記バイアスコイルは、磁気インピーダンス素子にバイアス磁界を印加すると共に、負帰還磁界を印加する単一の負帰還バイアスコイルにより構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁界検出センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の磁界検出センサは、磁気インピーダンス効果を利用した磁気インピーダンス素子と、前記磁気インピーダンス素子にバイアス磁界を印加するためのバイアスコイルと、前記磁気インピーダンス素子に交流電流を印加する発振回路と、前記磁気インピーダンス素子の出力を微分する微分回路と、前記微分回路から出力されるトリガ波形に基づいて、ハイロウ出力するフリップフロップ回路と、前記フリップフロップ回路から出力される前記ハイロウ出力のハイロウタイミングに基づいて、外部磁界を検出する演算部とを備え、前記磁気インピーダンス素子に交流電流を印加して得られる出力から外部磁界を検出するものであり、前記磁気インピーダンス素子は、非磁性基板と、前記非磁性基板の表面に形成された磁性膜と、を有し、当該磁気インピーダンス素子の長手方向が磁界の検出方向とされ、前記磁性膜の磁化容易軸が前記磁界の検出方向と同方向となるように磁気異方性がつけられており、前記演算部は、交流バイアス周波数の立下り時においてリセット信号を前記フリップフロップ回路に送信し、当該リセット信号後の最初のハイレベル信号の時間に基づいて、外部磁界を検出することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この磁界検出センサによれば、磁気インピーダンス素子は長手方向が磁界の検出方向とされ、磁性膜の磁化容易軸が長手方向に沿う方向に磁気異方性がつけられている。ここで、磁界の検出方向と磁性膜の磁化容易軸とを同方向とすることにより磁気インピーダンス特性をピラミッド型にすることができる。そして、ピラミッド型の磁気インピーダンス特性とすることにより、Ｍ字型のように傾きが急峻となるところまで直流及び交流バイアスを掛ける必要が無い。加えて、ピラミッド型ではＭ字型よりもヒステリシスが小さいため検出精度を向上でき、且つ、傾きが全域に亘って所定の傾斜を有していることから、検出範囲を広くすることができる。従って、消費電流を抑えると共に検出精度を高め、且つ、検出範囲を広範とすることができる。さらに、微分回路から出力されるトリガ波形に基づいて、外部磁界を検出するため、振幅の高低差に基づいて検出する場合、及び積分回路を用いる場合と比較してノイズに強くすることができる。従って、一層検出精度を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像データを構成する各ピクチャの画像データを階層符号化し、低階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第１のビデオストリームと高階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第２のビデオストリームを生成する画像符号化部と、
上記画像符号化部で生成された上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームを含むと共に、上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームにそれぞれ対応して、各ビデオストリームに含まれる各ピクチャの符号化画像データがどの階層組に属するかを示すストリーム識別情報と、上記第１のビデオストリームに対応して該第１のビデオストリームのレベル指定値が挿入された第１のデスクリプタと、上記第２のビデオストリームに対応して上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームを合わせたビデオストリームのレベル指定値が挿入された第２のデスクリプタを含む多重化ストリームを送信する送信部を備える
送信装置。
【請求項２】
画像符号化部が、動画像データを構成する各ピクチャの画像データを階層符号化し、低階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第１のビデオストリームと高階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第２のビデオストリームを生成する画像符号化ステップと、
送信部が、上記画像符号化ステップで生成された上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームを含むと共に、上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームにそれぞれ対応して、各ビデオストリームに含まれる各ピクチャの符号化画像データがどの階層組に属するかを示すストリーム識別情報と、上記第１のビデオストリームに対応して該第１のビデオストリームのレベル指定値が挿入された第１のデスクリプタと、上記第２のビデオストリームに対応して上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームを合わせたビデオストリームのレベル指定値が挿入された第２のデスクリプタを含む多重化ストリームを送信する送信ステップを有する
送信方法。
【請求項３】
動画像データを構成する各ピクチャの画像データが階層符号化されて生成された、低階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第１のビデオストリームと高階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第２のビデオストリームを含むと共に、上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームにそれぞれ対応して、各ビデオストリームに含まれる各ピクチャの符号化画像データがどの階層組に属するかを示すストリーム識別情報と、上記第１のビデオストリームに対応して該第１のビデオストリームのレベル指定値が挿入された第１のデスクリプタと、上記第２のビデオストリームに対応して上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームを合わせたビデオストリームのレベル指定値が挿入された第２のデスクリプタを含む多重化ストリームを受信する受信部と、
上記ストリーム識別情報と、上記第１のデスクリプタおよび第２のデスクリプタに挿入されているビデオストリームのレベル指定値に基づいて、上記多重化ストリームから、上記第１のビデオストリームのみ、あるいは上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームの双方を抽出して復号化処理を行って動画像データを得る多重化復号部を備える
受信装置。
【請求項４】
受信部が、動画像データを構成する各ピクチャの画像データが階層符号化されて生成された、低階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第１のビデオストリームと高階層側のピクチャの符号化画像データを持つ第２のビデオストリームを含むと共に、上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームにそれぞれ対応して、各ビデオストリームに含まれる各ピクチャの符号化画像データがどの階層組に属するかを示すストリーム識別情報と、上記第１のビデオストリームに対応して該第１のビデオストリームのレベル指定値が挿入された第１のデスクリプタと、上記第２のビデオストリームに対応して上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームを合わせたビデオストリームのレベル指定値が挿入された第２のデスクリプタを含む多重化ストリームを受信する受信ステップと、
多重化復号部が、上記ストリーム識別情報と、上記第１のデスクリプタおよび第２のデスクリプタに挿入されているビデオストリームのレベル指定値に基づいて、上記多重化ストリームから、上記第１のビデオストリームのみ、あるいは上記第１のビデオストリームおよび上記第２のビデオストリームの双方を抽出して復号化処理を行って動画像データを得る多重化復号ステップを有する
受信方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月7日(2016.6.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮蔽電気ケーブルであって、
前記ケーブルの長さに沿って延在し、前記ケーブルの幅に沿って互いに間隔を置いて配置されている複数の導体セットを含み、各々が１つ以上の絶縁導体を含む、複数の導体セットと、
同心部分、挟まれた部分、及び移行部分を含む第１及び第２の遮蔽フィルムであり、横断面において、前記同心部分が、前記各導体セットの１つ以上の端部導体と実質的に同心であり、前記第１及び第２の遮蔽フィルムの挟まれた部分が組み合わされて、前記導体セットの２つの側に、前記ケーブルの挟まれた部分を形成し、前記移行部分が、前記同心部分と前記挟まれた部分との間に緩やかな移行を提供するように配置される、第１及び第２の遮蔽フィルムと、
前記複数の導体セット上に配置される第１のＥＭＩ吸収層と、を含むケーブルであり、
各遮蔽フィルムが導電層を含み、
前記移行部分のうちの第１の移行部分は、
１つ以上の端部導体のうちの第１の端部導体に近接し、
前記第１及び第２の遮蔽フィルムの前記導電層と、前記同心部分と、前記第１の端部導体に近接する前記挟まれた部分のうちの前記第１の挟まれた部分と、の間の面積として定義される、断面積Ａ１を有し、式中Ａ１は、前記第１の端部導体の断面積よりも小さく、
各遮蔽フィルムは、前記ケーブルの幅にわたって変化する曲率半径によって、横断面において特徴付けることが可能であり、各遮蔽フィルムに関する曲率半径は、前記ケーブルの幅にわたって、少なくとも１００マイクロメートルであり、
前記第１及び第２の遮蔽フィルムが、主として電磁界を反射させることによって該電磁界を弱化させ、前記第１のＥＭＩ吸収層が、主として電磁界を吸収することによって該電磁界を弱化させる、
ケーブル。
【請求項２】
遮蔽電気ケーブルであって、
前記ケーブルの長さに沿って延在し、前記ケーブルの幅に沿って互いに間隔を置いて配置されていて、各々が、１つ以上の絶縁導体を含む複数の導体セットと、
同心部分、挟まれた部分、及び移行部分を含む、第１及び第２の遮蔽フィルムであり、横断面において、前記同心部分が、各導体セットの１つ以上の端部導体と実質的に同心であり、前記第１及び第２の遮蔽フィルムの挟まれた部分が組み合わされて、前記導体セットの２つの側に、前記ケーブルの挟まれた部分を形成し、前記移行部分が、前記同心部分と前記挟まれた部分との間に緩やかな移行を提供するように配置される、第１及び第２の遮蔽フィルムと、
前記複数の導体セット上に配置される第１のＥＭＩ吸収層と、を含むケーブルであり、
前記２つの遮蔽フィルムの一方は、前記同心部分のうちの第１の同心部分、前記挟まれた部分のうちの第１の挟まれた部分、及び前記移行部分のうちの第１の移行部分を含み、前記第１の移行部分は、前記第１の同心部分を前記第１の挟まれた部分に接続し、
前記第１の同心部分は、曲率半径Ｒ１を有し、前記移行部分は、曲率半径ｒ１を有し、
Ｒ１／ｒ１が、２〜１５の範囲であり、
前記第１及び第２の遮蔽フィルムが、主として電磁界を反射させることによって該電磁界を弱化させ、前記第１のＥＭＩ吸収層が、主として電磁界を吸収することによって該電磁界を弱化させる、
ケーブル。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
遮蔽電気ケーブル２は、更にかつ必要に応じて、ケーブル２の両側で配置されたＥＭＩ吸収層１５を含む。ＥＭＩ吸収層１５は、主として電磁界を吸収することによって該電磁界を弱化させる。遮蔽フィルム８は、主として電磁界を反射させることによって該電磁界を弱化させる。広くは、ケーブル２は、遮蔽フィルム８を有さない又は１つ以上の遮蔽フィルムを有し得及び／又はＥＭＩ吸収層を有さない又は１つ以上のＥＭＩ吸収層を有し得る。いくつかの場合において、遮蔽フィルム８及びＥＭＩ吸収層１５は、組み合わされて、しかし別個にではなく、隣り合う導体セット４間のクロストークを許容可能かつ所定のレベルまで低減する。このような場合には、各遮蔽フィルム８及びＥＭＩ吸収層１５は、所定のかつ所望のレベルを超えるレベルまでクロストークを低減するが、組み合わされる場合には、それらは所定のかつ所望のレベルと等しい又はそれ未満のレベルまで低減する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫黄系正極活物質であって、
未加硫のジエン系ゴムに、硫黄と、
(１)  前記ジエン系ゴム１００質量部あたり１質量部以上、６０質量部以下の加硫促進剤、および
(２)  前記ジエン系ゴム１００質量部あたり２質量部以上、６０質量部以下の導電性粉体、
のうちの少なくとも一方を配合し、熱処理して得られるものであり、
ラマンスペクトルにおいて、ラマンシフトの５００ｃｍ-1付近、１２５０ｃｍ-1付近、および１４５０ｃｍ-1付近にピークを有する炭素硫黄構造体を含む硫黄系正極活物質。
【請求項２】
前記炭素硫黄構造体は、前記ラマンスペクトルにおいて、ラマンシフトの１９４０ｃｍ-1付近にもピークを有している請求項１に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項３】
前記炭素硫黄構造体は式（ｉ）：
【化１】
2015092449.tif 000001
で表される化合物である請求項１または２に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項４】
前記炭素硫黄構造体で単体の硫黄を封入してなる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項５】
導電性粉体を包含してなる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項６】
前記導電性粉体は、グラファイト構造を有する炭素材料である請求項５に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項７】
前記硫黄の総含有量は５０質量％以上である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項８】
水素の含有量は１．６質量％以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項９】
ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて９１７ｃｍ-1付近、１０４２ｃｍ-1付近、１１４９ｃｍ-1付近、１２１４ｃｍ-1付近、１３８８ｃｍ-1付近、１４１５ｃｍ-1付近、および１４３９ｃｍ-1付近にピークが存在する請求項１ないし８のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項１０】
未加硫のジエン系ゴムに、硫黄と、
(１)  前記ジエン系ゴム１００質量部あたり１質量部以上、６０質量部以下の加硫促進剤、および
(２)  前記ジエン系ゴム１００質量部あたり２質量部以上、６０質量部以下の導電性粉体、
のうちの少なくとも一方を配合し、熱処理して得られたことを特徴とする硫黄系正極活物質。
【請求項１１】
前記加硫促進剤は、ジチオカルバミン酸塩系化合物である請求項１０に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項１２】
前記硫黄の配合割合は、ジエン系ゴム１００質量部あたり２５０質量部以上である請求項１０または１１に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項１３】
非酸化性雰囲気中で熱処理してなる請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質。
【請求項１４】
前記請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の硫黄系正極活物質を含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月3日(2016.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一つの縁に沿って複数の導電パターンが複数列に形成された回路基板を保持する第２ハウジングと、
前記第２ハウジングと相互に嵌合され、前記回路基板の前記導電パターンの各々と電気的に接続される複数列に配列される端子金具を保持する第１ハウジングと、を備え、
前記端子金具は、前記回路基板に対して同じ向きに傾斜して配列される、
ことを特徴とするカードエッジコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
かかる目的のもと、本発明者らは、カードエッジコネクタの端子金具を回路基板に対して傾斜して接続させれば、端子金具及びカード側端子のそれぞれを二列あるいはそれ以上に配列できることを着想した。すなわち本発明のカードエッジコネクタは、一つの縁に沿って複数の導電パターンが複数列に形成された回路基板を保持する第２ハウジングと、第２ハウジングと相互に嵌合され、回路基板の導電パターンの各々と電気的に接続される複数列に配列される端子金具を保持する第１ハウジングと、を備える。そして、本発明のカードエッジコネクタは、端子金具が、回路基板に対して同じ向きに傾斜して配列されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１可動ハウジング１１は、図１（ｂ）に示すように、挟持面１６と案内面１７の前端側に位置する交差部分に、直方体状の嵌合ブロック１９が形成されている。嵌合ブロック１９は、インナーハウジング１０とアウターハウジング５０の嵌合の過程で、アウターハウジング５０の第１案内面５３（第２可動ハウジング１２は、第２案内面５４）に接触する。また、嵌合ブロック１９は、嵌合が完了すると、アウターハウジング５０の嵌合溝５５に嵌合される。嵌合ブロック１９が第１案内面５３，第２案内面５４に接触すること、また、嵌合溝５５に嵌合されることによる効果については、後述する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端部から第２端部まで長軸に沿って延在しているケースと、
前記ケースの前記第１端部に配置され、前記長軸に沿った方向に前記ケースから延在し
ている第１導電性部材と、
閾値温度以上の温度で物理的固体状態から物理的非固体状態へ転移する非導電性材料を
有する熱反応部材と、
前記ケースの前記第２端部に配置され、前記長軸に沿った方向に前記ケースから延在し
ており、その先端部に接触面を有する第２導電性部材と、
前記熱反応部材と、前記第２導電性部材との間に配置された導電性の可動接触部材と、
前記熱反応部材と、前記可動接触部材との間に配置され、前記第２導電性部材に向かっ
て前記長軸に沿った方向に前記可動接触部材を付勢する第１付勢部材と、
前記可動接触部材と、前記ケースの前記第２端部との間に配置され、可動接触部材と直接に係合し、前記第２導電性部材から離れる前記長軸に沿った方向に前記接触部材を付勢する第２付勢部材とを具備する装置であって、
前記第２導電性部材の前記先端部は凹部を有し、前記接触面は、前記凹部の周囲を取
り囲むほぼ平たい環状部を有し、
前記熱反応部材が、閾値温度未満であり、熱遮断装置が、電流を導くように動作可能であるときに、前記接触面の前記環状部は、前記可動接触部材に直接係合しており、
前記熱反応部材が、閾値温度より高くなり、熱遮断装置が、電流を遮断するように動作可能であるときに、前記接触面の前記環状部は、前記可動接触部材から離れる、熱遮断装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記第２導電性部材の前記先端部の中央部の近くに位置し、
前記第２導電性部材は、前記中央部で前記可動接触部材に係合しない請求項１に係る熱
遮断装置。
【請求項３】
前記先端部は、前記接触面に向い合わせに肩部をさらに有し、
前記肩部の直径は、前記接触面の直径よりも小さい請求項２に係る熱遮断装置。
【請求項４】
前記熱反応部材は、有機化合物を有し、
前記閾値温度未満の温度で、前記熱反応部材は、ペレットの形態の固体であり、また、
前記熱反応部材は、前記可動接触部材が前記第２導電性部材に係合するように付勢される
ように、前記第１付勢部材と前記第２付勢部材とのバイアスを逆転させ、
前記閾値温度以上の温度で、前記熱反応部材は、液体又は気体であり、前記可動接触部
材が係合しなくなるように付勢され、前記第２導電性部材から離れるように、前記第１付
勢部材と前記第２付勢部材とのバイアスを逆転させることを止める請求項１に係る熱遮断
装置。
【請求項５】
前記熱反応部材と前記第１付勢部材との間に配置された第１ディスクと、
さらに前記第１付勢部材と前記可動接触部材との間に配置された第２ディスクとをさら
に有する請求項１に係る熱遮断装置。
【請求項６】
長軸に沿って延在しているケースと、
前記ケースの第１端部に配置され、前記長軸に沿った方向に前記ケースから延在してい
る第１リードと、
前記ケースの第２端部に配置され、前記長軸に沿った方向に前記ケースから延在し、そ
の先端部に接触面を有する第２リードと、
前記ケースの内壁に係合する導電性の可動接触部材を有し、閾値温度未満の温度で前記
第２リードの前記接触面に対して付勢される電流遮断アセンブリとを具備する装置であっ
て、
前記第２リードの先端部は、凹部を有し、前記接触面は、前記第２リードの前記先端部
の周回りにほぼ平たい部分を有し、
熱遮断装置が、閾値温度未満であるときに、前記第２リードの先端部の前記接触面は、前記可動接触部材に直接係合しており、熱遮断装置は、これを通る電流を導くように動作可能であり、
熱遮断装置が、閾値温度以上になったときに、前記第２リードの先端部の前記接触面は、前記可動接触部材から離れ、熱遮断装置は、これを通る電流を導くことが不動作可能となる、閾値温度で電気回路を遮断するための熱遮断装置。
【請求項７】
前記凹部は、前記第２リードの前記先端部の中央部の近くに位置し、前記接触面は、第２リードの先端部の前記中央部で前記可動接触部材に係合しない請求項６に係る熱遮断装置。
【請求項８】
前記電流遮断アセンブリは、
前記閾値温度以上の温度で、物理的固体状態から物理的非固体状態に転移する非導電性
材料を有する熱反応部材と、
前記熱反応部材と、前記可動接触部材との間に配置され、前記第２リードに向かって前記長軸に沿った方向に前記接触部材を付勢する第１付勢部材と、
前記可動接触部材と前記ケースの前記第２端部との間に配置され、前記第２リードから
前記長軸に沿った方向に前記接触部材を付勢する第２付勢部材とをさらに有する請求項６
に係る熱遮断装置。
【請求項９】
前記熱反応部材と前記第１付勢部材との間に配置された第１ディスクと、前記第１付勢
部材と前記可動接触部材との間に配置された第２ディスクとをさらに有する請求項８に係
る熱遮断装置。
【請求項１０】
長軸を有するケースと、
前記ケースの第１端部に配置され、前記長軸に沿った方向に前記ケースから延在してい
る導電性の第１リードと、
前記ケースの第２端部に配置され、前記長軸に沿った方向に前記ケースから延在してお
り、接触面を備える先端部を有する導電性の第２リードと、
前記第２リードに当接するように配置され、閾値温度未満の温度で前記接触面に係合す
るように付勢され、前記閾値温度より上の温度で前記接触面に係合しなくなるように付勢
される導電性の可動接触部材を有する電流遮断アセンブリとを具備し、
前記接触面は、凸部を有し、前記接触部材は、凹部を有し、
前記凸部及び前記凹部は、互いにぴったりと対応するように、ほぼ同じ曲率半径を有す
る、閾値温度で電気回路を遮断するための熱遮断装置。
【請求項１１】
前記凸部及び前記凹部は、入れ子関係で互いに係合する請求項１０に係る熱遮断装置。
【請求項１２】
前記電流遮断アセンブリは、
前記閾値温度以上の温度で、物理的固体状態から物理的非固体状態に転移する非導電性
材料を有する熱反応部材と、
前記熱反応部材と前記可動接触部材との間に配置され、前記第２リードに向かって前記
長軸に沿った方向に前記可動接触部材を付勢する第１付勢部材と、
前記可動接触部材と前記ケースの前記第２端部との間に配置され、前記第２リードから
前記長軸に沿った方向に前記接触部材を付勢する第２付勢部材と、
をさらに有する請求１０に係る熱遮断装置。
【請求項１３】
前記熱反応部材と前記第１付勢部材との間に配置された第１ディスクと、前記第１付勢
部材と前記可動接触部材との間に配置された第２ディスクとをさらに有する請求項１２に
係る熱遮断装置。
【請求項１４】
前記熱反応部材は、非導電性の有機化合物を有する請求項１２に係る熱遮断装置。
【請求項１５】
前記接触部材に当接して位置し、第２凹部を含むディスク部材をさらに有し、
前記接触部材は、前記凹部に向い合わせに位置する第２凸部をさらに有し、
前記第２凹部は、前記第２凸部にぴったりと対応する請求項１０に係る熱遮断装置。
【請求項１６】
前記先端部は、前記接触面に向い合わせに肩部をさらに有し、
前記肩部の直径は、前記接触面の直径よりも小さい請求項２に係る熱遮断装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス制御システム（１００）であって、 
プロセスと；
前記プロセスに接続される複数のコントローラ（１１０）と；
前記プロセスに接続される複数のデバイスと；
前記複数のデバイスに接続される通信ネットワークと；
複数のコントローラに接続され、ユーザインターフェイス（３００）を含むワークステーション（１０２）と；
ネットワーク上で実行可能であり、ネットワークに対するコントローラの接続、又はデバイスの接続を自動的に感知するためのルーチンを実行し、前記コントローラをネットワークオペレーティングシステムの中へ組み込むための、又は前記接続されたデバイスをユーザインターフェイスを介してユーザと通信するためのアクセス可能状態に置くためのソフトウエアシステムを備えることを特徴とするプロセス制御システム。
【請求項２】
前記複数のコントローラの少なくとも一つは、複数のデバイスに接続され、定義された制御構成に従って複数のデバイスを制御する配置されたコントローラであって、
前記配置されたコントローラは： 
ネットワークに接続されるが、定義された制御構成には含まれていないデバイスを感知するための制御論理；
接続されたデバイスに初期相互接続情報を供給するための制御論理；及び 
接続されたデバイスから配置されたコントローラに対して構成パラメータをアップロードするための制御論理を含むことを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
ソフトウエアシステムが更に： 複数のデバイスのネットワーク制御構成に接続されたデバイスを構成するためのルーチンを備える、請求項１または２に記載のプロセス制御システム。
【請求項４】
接続されたデバイスを構成するルーチンは更に、 接続されたデバイスのデバイスタイプを決定するためのユーザ対話式ルーチン；
プロセス制御システムに対して接続されたデバイスの役割を決定するためのユーザ対話式ルーチン；
物理的デバイスタグに決定された役割を割り当てるためのユーザ対話式ルーチン；及び 
ネットワークに対するデバイスの接続を確認するためのユーザ対話式ルーチンを備えることを特徴とする請求項３に記載のプロセス制御システム。
【請求項５】
接続されたデバイスを構成するルーチンは更に： 接続されたデバイスの較正を開始させるユーザ対話式ルーチン；及び プロセス制御システムの全体の制御計画内にデバイスを構成するためのユーザ対話式ルーチンを備えることを特徴とする請求項３に記載のプロセス制御システム。
【請求項６】
ソフトウエアシステムは更に： 制御システム内の入力／出力（Ｉ／Ｏ）サブシステムを自動的に構成するために、ネットワークに対するコントローラの接続の自動感知に反応するソフトウエアルーチンを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のプロセス制御システム。
【請求項７】
ソフトウエアシステムは更に： 接続されたデバイスを作動させるルーチンを備え、前記ルーチンは： 物理的デバイスタグ、デバイスアドレス及びデバイス識別名を接続されたデバイスに割り当てるためのユーザ対話式ルーチン；及び デジタルデバイスに制御戦略をインストールするためのユーザ対話式ルーチンを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のプロセス制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のインターホン子機と、前記インターホン子機を収容するインターホン親機を含むインターホンシステムを構成する前記インターホン子機であって、
自インターホン子機は、所定の外部機器へ電力を供給する１以上の給電コネクタと、前記給電コネクタに電力を供給する給電手段と、を有し、
前記給電手段は、自インターホン子機が備える呼出ボタンまたは前記呼出ボタン以外のボタンへの予め定められた特定操作が為された場合、または前記インターホン親機から予め定められた特定コマンドを受信した場合に、前記給電コネクタのいずれかまたは全てへの給電を開始または停止することを特徴とする給電機能を有するインターホン子機。
【請求項２】
請求項１に記載のインターホン子機において、
前記給電コネクタに接続される少なくとも１つの外部機器は、照明機器であって、前記給電手段は、自インターホン子機が前記インターホン親機を呼出した場合または前記インターホン親機が自インターホン子機を呼出した場合に、前記照明機器が接続された給電コネクタへ電力を供給し、自インターホン子機が備える復旧ボタンが押下された場合に、前記給電コネクタへの電力の供給を停止することを特徴とする給電機能を有するインターホン子機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】給電機能を有するインターホン子機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、１以上のインターホン子機と、前記インターホン子機を収容するインターホン親機を含むインターホンシステムを構成する前記インターホン子機であって、自インターホン子機は、所定の外部機器へ電力を供給する１以上の給電コネクタと、前記給電コネクタに電力を供給する給電手段と、を有し、前記給電手段は、自インターホン子機が備える呼出ボタンまたは前記呼出ボタン以外のボタンへの予め定められた特定操作が為された場合、または前記インターホン親機から予め定められた特定コマンドを受信した場合に、前記給電コネクタのいずれかまたは全てへの給電を開始または停止することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に沿って、間隔をおいて設けられた直方体状の複数の収容室を有し、前記複数の収容室内に積層セラミックコンデンサが収容されている積層セラミックコンデンサ連であって、
前記積層セラミックコンデンサは、磁器発生装置近傍を通過し、前記収容室の底面の面方向に対し、前記積層セラミックコンデンサの内部に設けられた内部電極の積層方向がすべて垂直もしくは水平であることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ連。
【請求項２】
前記内部電極は、Ｎｉを含むことを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ連。
【請求項３】
前記積層セラミックコンデンサは、セラミック素体を含み、
前記セラミック素体の長さ方向に沿った寸法は、０．６ｍｍ〜１．０ｍｍであり、
前記セラミック素体の厚み方向に沿った寸法は、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであり、
前記セラミック素体の幅方向に沿った寸法は、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであり、
前記積層セラミックコンデンサの静電容量が１μＦ以上であることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ連。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層セラミックコンデンサ連及び積層セラミックコンデンサ
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの照明光で照明瞳を介して被照射面を照明する照明光学系において、
前記光源からの照明光の強度を均一にする第１光学系と、
前記第１光学系からの照明光の少なくとも一部の偏光状態を変える偏光部と、
前記偏光部からの照明光を反射する複数の反射面を有し、前記複数の反射面を個別に制御して前記照明瞳に照明光を分布させる第２光学系と、
前記第１光学系から前記偏光部へ向かう光を検出するビーム検出系と、
を備える照明光学系。
【請求項２】
前記ビーム検出系は、前記第１光学系からの光が所定面に入射する位置と、前記所定面に対する角度との少なくとも一方を検出する、請求項１に記載の照明光学系。
【請求項３】
前記光源と前記偏光部との間に配置されて、前記所定面に入射する光の位置と角度とを能動的に変更する第３光学系を備える、請求項２に記載の照明光学系。
【請求項４】
前記第３光学系は、前記ビーム検出系からの出力で制御される、請求項３に記載の照明光学系。
【請求項５】
前記ビーム検出系は、前記第１光学系からの光の所定面での光強度分布をモニタする、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明光学系。
【請求項６】
前記複数の反射面は、前記ビーム検出系からの出力を用いて制御される、請求項５に記載の照明光学系。
【請求項７】
前記複数の反射面は、前記所定面に配置される、請求項２乃至６の何れか一項に記載の照明光学系。
【請求項８】
前記第１光学系は、入射光を波面分割する波面分割素子と、前記波面分割素子を介した光を集光する集光光学系とを備える、請求項１乃至７の何れか一項に記載の照明光学系。
【請求項９】
前記偏光部は、前記第１光学系からの光の光路を横切る方向での位置が変更される偏光素子を有する、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明光学系。
【請求項１０】
前記照明瞳に分布される前記光の偏光分布を所定の分布に設定するために、前記偏光素子の前記位置が設定される、請求項９に記載の照明光学系。
【請求項１１】
前記被照射面と光学的に共役な面を形成する投影光学系と組み合わせて用いられ、前記照明瞳は前記投影光学系の開口絞りと光学的に共役な位置である、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の照明光学系。
【請求項１２】
所定のパターンを照明するための請求項１乃至１１の何れか一項に記載の照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光する露光装置。
【請求項１３】
前記所定のパターンの像を前記感光性基板上に形成する投影光学系を備え、前記照明瞳は前記投影光学系の開口絞りと光学的に共役な位置である、請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
光源からの照明光で照明瞳を介して被照射面を照明する照明方法において、
第１光学系を用いて前記光源からの照明光の強度を均一にすることと、
偏光部を用いて前記第１光学系からの照明光の少なくとも一部の偏光状態を変えることと、
前記少なくとも一部の偏光状態が変えられた照明光を複数の反射面で反射することと、
前記複数の反射面を個別に制御して前記照明瞳に照明光を分布させることと、
前記第１光学系から前記偏光部へ向かう光を検出することと、
を含む照明方法。
【請求項１５】
前記検出することは、前記第１光学系からの光が所定面に入射する位置と、前記所定面に対する角度との少なくとも一方を検出することを含む、請求項１４に記載の照明方法。
【請求項１６】
前記検出することは、前記所定面に入射する光の位置と角度とを能動的に変更することをさらに含む、請求項１５に記載の照明方法。
【請求項１７】
前記検出することは、前記第１光学系からの光の所定面での光強度分布をモニタすることを含む、請求項１４乃至１６の何れか一項に記載の照明方法。
【請求項１８】
前記複数の反射面は、前記所定面に配置される、請求項１５乃至１７の何れか一項に記載の照明方法。
【請求項１９】
前記第１光学系は、入射光を波面分割する波面分割素子と、前記波面分割素子を介した光を集光する集光光学系とを備える、請求項１４乃至１８の何れか一項に記載の照明方法。
【請求項２０】
前記偏光状態を変えることは、偏光素子の位置を前記第１光学系からの光の光路を横切る方向で変更することを含む、請求項１４乃至１９の何れか一項に記載の照明方法。
【請求項２１】
前記変更することは、前記偏光素子の前記位置を変更して前記照明瞳に分布される前記光の偏光分布を所定の分布に設定することを含む、請求項２０に記載の照明方法。
【請求項２２】
請求項１４乃至２１の何れか一項に記載の照明方法を用いて、所定のパターンを照明することと、
前記照明された前記所定のパターンからの光で感光性基板を露光することと、
を含む、露光方法。
【請求項２３】
請求項１２または１３に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の露光方法を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の歯を表示するための方法であって、前記方法は、
前記患者の歯の３次元モデルを生成するステップと、
前記生成された３次元モデルを表示するステップと、
前記３次元モデルを通じて延在する切断平面の位置に従って、前記歯の断面図を示す画像を表示するステップと、
操作者指示に従って前記切断平面の相対的位置を調整するステップと、
を含み、
前記表示される断面図の配向は、前記切断平面の位置によって決定される、方法。
【請求項２】
前記表示される断面図の配向は、上顎弓および下顎弓からの前記断面図における歯の比例面積に依存する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記切断平面の位置を変更する操作者指示に従って、前記断面図の配向を変更するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記切断平面の相対的位置を調整するステップは、前記３次元モデルに対する前記切断平面の角度を変更するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の高分子凝集剤の溶液を、被処理物としての汚泥に加え、少なくとも１つの撹拌機により、前記汚泥と前記第１の高分子凝集剤の溶液とを混合して混合汚泥を調製する混合汚泥調製工程と、
第２の高分子凝集剤の溶液を前記混合汚泥に加え、前記混合汚泥と前記第２の高分子凝集剤の溶液とを混合して凝集フロックを形成して凝集汚泥を得る凝集フロック形成工程とを有し、
前記混合汚泥調製工程の前に、被処理物としての汚泥に無機凝集剤を加える無機凝集剤・前添加工程を導入することを特徴とする汚泥の処理方法。
【請求項２】
混合汚泥調製工程では、撹拌機の回転速度を１０００ｒｐｍ以上に設定した少なくとも１つの撹拌機により、前記汚泥と前記第１の高分子凝集剤の溶液とを混合して混合汚泥を調製することを特徴とする請求項１記載の汚泥の処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の汚泥の処理方法において、無機凝集剤・前添加工程を導入する代わりに、
前記凝集フロック形成工程の後に、凝集フロック形成工程で得られた凝集汚泥を濃縮して濃縮汚泥を得る濃縮工程と、濃縮工程で得た濃縮汚泥に無機凝集剤を加える無機凝集剤・後添加工程とを導入することを特徴とする、請求項１又は２に記載の汚泥の処理方法。
【請求項４】
前記無機凝集剤・後添加工程において、無機凝集剤が加えられた濃縮汚泥に、第３の高分子凝集剤を加えることを特徴とする請求項３に記載の汚泥の処理方法。
【請求項５】
無機凝集剤を汚泥に加える手段を備えた無機凝集剤添加機と、
第１の高分子凝集剤の溶液を前記汚泥に加える手段、及び、少なくとも１つの撹拌機を備え、前記汚泥と前記第１の高分子凝集剤の溶液とを混合して混合汚泥を調製する混合汚泥調製装置と、
第２の高分子凝集剤の溶液を前記混合汚泥に加える手段、及び、前記混合汚泥と前記第２の高分子凝集剤の溶液とを混合して凝集フロックを形成して凝集汚泥を得る凝集フロック形成装置と、を備えた汚泥の処理装置。
【請求項６】
第１の高分子凝集剤の溶液を、汚泥に加える手段、及び、少なくとも１つの撹拌機を備え、前記汚泥と前記第１の高分子凝集剤の溶液とを混合して混合汚泥を調製する混合汚泥調製装置と、
第２の高分子凝集剤の溶液を前記混合汚泥に加える手段、及び、前記混合汚泥と前記第２の高分子凝集剤の溶液とを混合して凝集フロックを形成して凝集汚泥を得る凝集フロック形成装置と、
前記凝集汚泥を濃縮する汚泥濃縮機と、
汚泥濃縮機から排出された濃縮汚泥に無機凝集剤を添加する無機凝集剤添加機と、を備えた汚泥の処理装置。
【請求項７】
混合汚泥調製装置は、第１の高分子凝集剤の溶液を前記汚泥に加える手段、及び、回転速度を１０００ｒｐｍ以上に設定された少なくとも１つの撹拌機を備えた装置である請求項５又は６に記載の汚泥の処理装置。
【請求項８】
前記汚泥濃縮機が、汚泥投入用ホッパーと、汚泥移動手段と、汚泥移動手段の上方に設けられた加圧手段と、汚泥移動手段の下方に設けられた水捕集手段とを備える汚泥圧搾機であることを特徴とする請求項６又は７に記載の汚泥の処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記コアが銅６０重量％以上７０重量％以下で亜鉛３０重量％以上４０重量％以下の重量比の黄銅で成る請求項１に記載のワイヤ電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
加熱炉３の中で素線２を加熱する拡散時間は、電気亜鉛鍍金による厚さ５μｍ以上２０μｍ以下の亜鉛の被覆層が亜鉛濃度４０重量％以上、確実には４５重量％以上４８重量％以下の亜鉛リッチ黄銅になるまでの時間が目安である。例えば、加熱炉３の全長が約８ｍであるとき、所要の適切な拡散時間に合わせると、素線２を直線走行させる走行速度は、具体的に、２．８ｍ／ｍｉｎ以上３．２ｍ／ｍｉｎ以下が適当である。加熱炉３の中は、４５０℃以上６５０℃以下の一定温度に保持され、望ましくは、５４０℃以上６００℃以下の範囲の一定温度に保たれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2014050945.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、染料、界面活性剤、有機溶剤、及びポリエーテル変性シリコーンオイルを含有し、
前記染料が、Ｃ．Ｉ．アシッドオレンジ３３であり、
水不溶性樹脂を含有しないことを特徴とするインクジェット記録用インク。
【請求項２】
ポリエーテル変性シリコーンオイルの含有量が、０．０５質量％〜１質量％である請求項１に記載のインクジェット記録用インク。
【請求項３】
界面活性剤がフッ素系界面活性剤である請求項１から２のいずれかに記載のインクジェット記録用インク。
【請求項４】
有機溶剤が、１，３−ブタンジオール及びグリセリンの少なくともいずれかである請求項１から３のいずれかに記載のインクジェット記録用インク。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のインクジェット記録用インクを容器中に収容してなることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のインクジェット記録用インクに刺激を印加し、該インクを飛翔させて画像を記録するインク飛翔手段を少なくとも有し、
前記インク飛翔手段が、シリコーン樹脂を含む撥インク層を有する記録ヘッドを有することを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のインクを記録媒体に吐出して印刷を行う印刷装置を制御する印刷制御装置であって、
少なくとも前記複数のインクのうちの１の特定インクの吐出量を当該特定インクの規定吐出量から減少補正する補正割合に基づいて、前記特定インクの規定吐出量を減少補正して実吐出量とし、前記複数のインクのうち前記特定インクを除く他のインクの各規定吐出量をそれぞれ増加させて各実吐出量とする実吐出量設定部と、
それぞれの前記実吐出量に基づくコマンドを前記印刷装置へ送信するコマンド出力部を有することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記補正割合として、前記特定インクを対象とする特定補正割合、または、前記複数のインクを対象とする全体補正割合の少なくとも一方を受け付ける補正割合受付部を有し、
前記実吐出量設定部は、
前記特定補正割合の減少補正を受け付けた場合に、前記特定補正割合に基づいて前記特定インクの規定吐出量を減少補正して実吐出量とし、前記複数のインクのうち前記特定インクを除く他のインクの各規定吐出量をそれぞれ増加させて各実吐出量とする第１実吐出量設定部と、
前記全体補正割合の減少補正を受け付けた場合に、前記全体補正割合に基づいて前記特定インクの前記規定吐出量を減少補正して当該特定インクの前記実吐出量とするとともに、前記全体補正割合に基づいて前記他のインクの各規定吐出量を減少補正した各補正吐出量に対し、前記特定インクの減少補正の値に基づいて各補正吐出量をそれぞれ増加させて前記他のインクの各実吐出量とする第２実吐出量設定部の少なくともいずれかを備えることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１実吐出量設定部は、減少補正対象の前記特定インクの前記規定吐出量と当該特定インクの前記実吐出量との差分に基づいて、前記他のインクの各規定吐出量を増加させることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記特定インクの前記規定吐出量と当該特定インクの前記実吐出量との差分は、前記他のインクのそれぞれにおける前記規定吐出量と前記実吐出量との各差分の合計に等しいことを特徴とする印刷制御装置。
【請求項５】
請求項２ないし４のうちのいずれかの項において、
前記第２実吐出量設定部は、前記特定インクの前記規定吐出量と前記実吐出量との差分に基づいて、前記他のインクの各補正吐出量を増加させることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記特定インクの前記規定吐出量と前記実吐出量との差分は、前記他のインクのそれぞれにおける前記規定吐出量と前記実吐出量との各差分の合計に等しいことを特徴とする印刷制御装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のうちのいずれかの項において、
前記特定インクは前記他のインクに対し色材の含有量が多いことを特徴とする印刷制御装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のうちのいずれかの項において、
前記複数のインクは、シアンインク、マゼンダインク、イエローインクおよびブラックインクであり、
前記特定インクは、ブラックインクであることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項９】
複数のインクを記録媒体に吐出して印刷を行う印刷装置の制御方法であって、
少なくとも前記複数のインクのうちの１の特定インクの吐出量を当該特定インクの規定吐出量から減少補正する補正割合に基づいて、前記特定インクの規定吐出量を減少補正して実吐出量とし、前記複数のインクのうち前記特定インクを除く他のインクの各規定吐出量をそれぞれ増加させて各実吐出量とすることを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項１ないし８のうちのいずれかの項に記載の印刷制御装置と、
前記印刷制御装置に接続されており、複数のインクを吐出して記録媒体に記録を行う印刷装置と、
を有することを特徴とする印刷システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周縁に刃先に対し直交する溝が形成され、該溝の周方向に対する端部に面取部が形成されているスクライビングホイール。
【請求項２】
前記溝の周方向に対する端部の両側に面取部が形成されている請求項１に記載のスクライビングホイール。
【請求項３】
前記溝の周方向に対して垂直な方向の端部に面取部がさらに形成されている請求項１又は２に記載のスクライビングホイール。
【請求項４】
請求項１〜３いずれかに記載のスクライビングホイールを有するスクライビング装置。
【請求項５】
基材の周縁に砥石を用いて溝を形成する工程と、
前記溝の周方向に対する端部を面取りする工程と、
を含むスクライビングホイールの製造方法。
【請求項６】
面取りを、前記溝の周方向に対する両端部に行う請求項５に記載のスクライビングホイールの製造方法。
【請求項７】
面取りを、レーザ加工により行う請求項５又は６に記載のスクライビングホイールの製造方法。
【請求項８】
前記溝の周方向に対して垂直な方向の端部を面取りする工程、
をさらに含む請求項５〜７いずれかに記載のスクライビングホイールの製造方法。
【請求項９】
前記溝を形成する工程において、基材の周縁全体にわたるように複数の溝を形成し、
面取りを、二つの前記溝で挟まれる稜線の周方向の長さに対して２０〜４０％の範囲で行う請求項５〜８いずれかに記載のスクライビングホイールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一つの態様に係るスクライビングホイールは、周縁に刃先に対し直交する溝が形成され、該溝の周方向に対する端部に面取部が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の他の態様に係るスクライブ装置は、周縁に刃先に対し直交する溝が形成され、該溝の周方向に対する端部に面取部が形成されているスクライビングホイールを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月1日(2016.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する吐出口が形成された部材と、
前記部材が接合された基板と、を有する液体吐出ヘッドであって、
前記基板は、シリコン化合物を含む蓄熱層と、前記吐出口に対応する位置に設けられ、通電により発熱することによって前記液体を前記吐出口から吐出させるエネルギー発生素子と、を有し、
前記エネルギー発生素子が、タンタルまたはタングステンで構成された金属層と、該金属層に積層され、シリコンで構成されたＳｉ層と、該Ｓｉ層に積層され、窒素で構成されたＮ層と、を有する積層体を有し、前記金属層が前記蓄熱層に接している、液体吐出ヘッド。
【請求項２】
前記エネルギー発生素子が互いに積層された複数の前記積層体を有する、請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドを備えた記録装置。
【請求項４】
液体を吐出する吐出口が形成された部材と、前記部材が接合され、シリコン化合物を含む蓄熱層が形成された基板と、を有する液体吐出ヘッドを製造する方法であって、
前記蓄熱層の表面にタンタルまたはタングステンで構成された金属層を積層する工程と、
前記金属層の表面にシリコンで構成されたＳｉ層を積層する工程と、
前記Ｓｉ層の表面に窒素で構成されたＮ層を積層する工程と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
原子層堆積法によって、前記金属層、前記Ｓｉ層、および前記Ｎ層を積層する、請求項４に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記金属層を積層する工程、前記Ｓｉ層を積層する工程、および前記Ｎ層を積層する工程の後に、前記Ｎ層の表面に前記金属層を積層する工程、前記Ｓｉ層を積層する工程、および前記Ｎ層を積層する工程をこの順に複数回行う、請求項４または請求項５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
シリコン化合物を含む蓄熱層が形成された基体と、
前記蓄熱層の側に設けられ、通電により液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子と、
を有する液体吐出ヘッド用基板において、
前記エネルギー発生素子が、タンタルまたはタングステンで構成された金属層と、該金属層に積層され、シリコンで構成されたＳｉ層と、該Ｓｉ層に積層され、窒素で構成されたＮ層と、を有する積層体を有し、前記金属層が前記蓄熱層に接している、液体吐出ヘッド用基板。
【請求項８】
前記エネルギー発生素子が、互いに積層された複数の前記積層体を有する、請求項７に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項９】
シリコン化合物を含む蓄熱層が形成された基体の前記蓄熱層の表面にタンタルまたはタングステンで構成された金属層を積層する工程と、
前記金属層の表面にシリコンで構成されたＳｉ層を積層する工程と、
前記Ｓｉ層の表面に窒素で構成されたＮ層を積層する工程と、を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１０】
原子層堆積法によって、前記金属層、前記Ｓｉ層、および前記Ｎ層を積層する、請求項９に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層を積層する工程、前記Ｓｉ層を積層する工程、および前記Ｎ層を積層する工程の後に、前記Ｎ層の表面に前記金属層を積層する工程、前記Ｓｉ層を積層する工程、および前記Ｎ層を積層する工程をこの順に複数回行う、請求項９または請求項１０に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。