(57)【要約】【課題】反応ガスを用いて基板から残留有機層を除去するための方法および装置【解決手段】基板表面から層を除去するためのシステムおよび方法が提供される。この方法は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を提供することを含む。少なくとも１つのカプセル化輸送体は、化学反応性の層である上記の層に作用される。このカプセル化輸送体は、基板表面からの化学反応層の除去を促進するために、化学反応層の上で破裂して、反応ガスを反応誘発剤とともに化学反応層の上に放出する。少なくとも１つのカプセル化輸送体は、バブルまたはフォームである。【選択図】図１
2007521655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面から層を除去するための方法であって、
少なくともいくらかの反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を提供する工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層の上への前記化学反応ガスの放出は、前記反応ガスと反応誘発剤との組み合わせを前記化学反応層に直接接触させる、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記反応誘発剤は、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤、脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤のうちのいずれかである、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、他のカプセル化輸送体と組み合わさることによってフォームを形成する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体はバブルである、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記反応ガスは、オゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、フッ化水素酸（ＨＦ）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、および酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）のうちのいずれかである、方法。
【請求項７】
基板表面から層を除去するための方法であって、
反応ガスを提供する工程と、
反応誘発剤を提供する工程と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガスと前記反応誘発剤とを混ぜ合わせる工程であって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの前記反応ガスを含有する、工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層の上への前記化学反応ガスの放出は、前記反応ガスと前記反応誘発剤との組み合わせを前記化学反応層に直接接触させる、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層は有機材料である、方法。
【請求項１０】
基板表面から層を除去するための装置であって、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する、作用ユニットを備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と、前記反応ガスと反応誘発剤との組み合わせと、の間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記反応誘発剤は、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤、脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤のうちのいずれかである、装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記作用ユニットは容器である、装置。
【請求項１４】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、更に、
カプセル化輸送体生成ユニットを備える装置。
【請求項１５】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記反応ガスは、オゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、フッ化水素酸（ＨＦ）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、および酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）のうちのいずれかである、装置。
【請求項１６】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記層は有機材料である、装置。
【請求項１７】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、他のカプセル化輸送体と組み合わせることによってフォームを形成する、装置。
【請求項１８】
基板表面から層を除去するための装置であって、
反応ガス源と、
反応誘発剤源と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガス源から得られた反応ガスと、前記反応誘発剤源から得られた反応誘発剤と、の組み合わせを受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの前記反応ガスを含有する、作用ユニットと、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と、前記反応ガスと前記反応誘発剤との組み合わせと、の間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項２０】
請求項１８に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記作用ユニットは近接ヘッドである、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造に関するものである。本発明は、より具体的には、シリコンウエハの表面を洗浄するための反応ガスを送り込む方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハ上に電子デバイスを製造するプロセスは、複数の層を堆積および除去する複雑なプロセスをともなう。このような層は、例えば、誘電体層、金属層、ポリシリコン層、およびその他の層を含み、いずれも、パターン形成工程の最中に完全にまたは部分的に除去される。層材料のパターン形成は、シリコンウエハの上に有機性フォトレジストを作用させることを含む。次いで、プラズマエッチングの実施に先だって、フォトレジストのパターン形成が行われる。プラズマ化学剤による対象材料のエッチング後は、シリコンウエハを洗浄して有機性フォトレジストを除去する必要がある。有機性フォトレジストは、もし除去されないと、シリコンウエハを汚染してシリコンウエハ上の電子デバイスに損傷をきたす恐れがある。このように、洗浄工程は、半導体デバイスの多数の層を形成するための複数の加工サイクル中に何度も繰り返される非常に重要な工程である。
【０００３】
有機性フォトレジストを除去する方法の１つは、オゾン（Ｏ3）を用いる方法である。オゾンは、有機性フォトレジストに接触するように配される。したがって、オゾンは、有機性フォトレジストとの間に反応を生じて有機性フォトレジストをＣＯ2に酸化する。この反応は、したがって、有機性フォトレジスト汚染物質の除去を可能にする。具体的に言うと、この酸化反応は、Ｈ2Ｏを必要とする。酸化速度は、脱イオン水（ＤＩＷ）に対するオゾンの溶解度と、温度との組み合わせに依存する。周知のように、オゾンは、低温では溶解度は高いが反応速度が小さく、高温では反応速度は大きいが溶解度が小さい。
【０００４】
Ｍａｔｔｈｅｗｓに属する米国特許第５，４６４，４８０号は、オゾンを高い割合で染み込ませた冷えた水溶液に複数束のシリコンウエハを浸すシリコンウエハ洗浄プロセスを開示している。オゾンは、高い割合で染み込んでいるので、有機性フォトレジストとの間に高度の酸化を生じることができる。また、シリコンウエハを丸ごと水溶液に浸すことによって、その全表面を確実に水溶液に触れさせることが可能である。しかしながら、低温の環境は、オゾンの溶解限度を増大させる一方で、酸化速度を低下させるので、高温を用いるプロセスに比べて洗浄時間が長い。更に、低温のプロセスは、非常に微量の汚染物質を除去するためだけに何ガロンもの水を使用するので、水の使用面で恐ろしく非効率的である。
【０００５】
Ｂｅｒｇｍａｎらに属する米国特許第６，２６７，１２５号は、ウエハ表面にＤＩＷを吹き付けてウエハを回転させるシリコンウエハ洗浄プロセスを開示している。回転による遠心力は、ＤＩＷを広がらせ、すなわち分散させ、非常に薄いＤＩＷ層を形成する。開示されたこのプロセスは、次いで、シリコンウエハの上に高濃度のオゾンを導入する。オゾンは、非常に薄いＤＩＷ層内を拡散するだけで良いので、有機性フォトレジストとの間にほぼすぐに反応を生じて有機性フォトレジストを酸化させる。ＤＩＷ層が厚い場合は、溶解度の低さゆえに厚い層内のオゾンの拡散が制限されるので、フォトレジストの除去は、長い時間を必要とする。
【０００６】
Ｂｅｒｇｍａｎらによるこのプロセスの難点は、ＤＩＷがシリコンウエハ表面の中心に吹き付けられるので、回転によって、ウエハの端よりもウエハの中心に多量のＤＩＷが集まることである。要するに、回転は、ＤＩＷをシリコンウエハ表面上に一様に分布させることができず、ＤＩＷの分布（例えば厚さ）の不均一性は、その結果、フォトレジスト汚染物質の除去を不十分にしたり不均一にしたりする。このような除去の不均一性は、層の厚い領域では反応が遅く進行し、層が薄い領域では反応が速く進行するために生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上からわかるように、最小量のＤＩＷを用いて最大濃度の反応ガスをシリコンウエハ表面上に効率良く、均一に、且つ素早く送り込む半導体洗浄プロセスが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、概して、基板表面から層を除去するシステムおよび方法を提供することによって、これらのニーズを満たすものである。なお、本発明は、プロセス、装置、システム、コンピュータ可読媒体、またはデバイスを含む、数多くの形態で実現可能である。以下に、本発明のいくつかの実施形態を説明して示す。
【０００９】
一実施形態は、基板表面から層を除去する方法を提供する。この方法は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を提供する工程を含む。少なくとも１つのカプセル化輸送体は、化学反応性の層である上記の層に作用される。カプセル化輸送体は、基板表面からの層の除去を促進するために、化学反応層の上で破裂し、化学反応層の上に反応ガスを放出する。
【００１０】
別の一実施形態は、基板表面から層を除去する方法を提供する。この方法は、少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、反応ガスと反応誘発剤とを混ぜ合わせる。少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する。
【００１１】
この方法は、次いで、カプセル化輸送体を化学反応層に作用させる。カプセル化輸送体は、基板表面からの層の除去を促進するために、化学反応層の上で破裂し、化学反応層の上に反応ガスを放出する。
【００１２】
別の一実施形態は、基板表面から層を除去するための装置を含む。この装置は、少なくとも１つのカプセル化輸送体を受け取るように構成された作用ユニットを含む。カプセル化輸送体は、少なくともいくらかの反応ガスを含有している。カプセル化輸送体は、層に作用させることができる。カプセル化輸送体は、破裂するときに、層と反応ガスとの間に反応を生じさせる。
【００１３】
別の一実施形態は、基板表面から層を除去するための装置を含む。この装置は、反応ガス源と、反応誘発剤源と、作用ユニットとを含む。作用ユニットは、反応ガス源から得られた反応ガスと、反応誘発剤源から得られた反応誘発剤と、の組み合わせを受け取るように構成される。更に、この装置は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成する。カプセル化輸送体は、層に作用させることができ、破裂するときに、層と反応ガスとの間に反応を生じさせる。
【００１４】
本発明は、添付の図面を参照にした以下の詳細な説明をもとに、容易に理解することができる。図中、類似の参照番号は、類似の構成要素を表すものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
基板からの層材料の除去を促進するための方法および装置に関する発明が開示される。以下の詳細な説明では、本発明の十分な理解を可能にするために、数多くの詳細が特定されている。しかしながら、当業者ならば明らかなように、本発明は、これらの詳細の一部または全部を特定しなくても実施可能である。また、本発明が不必要に不明瞭になるのを避けるため、周知のプロセス工程の詳細な説明は省略されている。
【００１６】
図１は、フォーム１００を形成する複数のカプセル化輸送体１０１を示している。本明細書において、１つまたはそれ以上のカプセル化輸送体１０１は、互いの配置関係に応じてバブルあるいはフォーム（液状の発泡体）を形成するものと言える。図１において、複数のカプセル化輸送体１０１は、フォーム１００を形成するような形で寄り集まっている。もちろん、フォーム１００から１つまたはそれ以上のカプセル化輸送体１０１が分離している場合は、そのカプセル化輸送体１０１をそれぞれバブルと見なすことができる。
【００１７】
本発明の一実施形態にしたがうと、カプセル化輸送体１０１は、反応誘発剤１０２で反応ガス１０６を取り囲まれた二相系である。反応誘発剤１０２は、反応ガス１０６を保持し且つ取り囲む被膜または薄層を形成する。反応ガスは、別の材料に直接接触するように配されたときに化学反応を生じるもしくは化学反応を促進する１種のガスまたは複数のガスの任意の組み合わせであることが好ましい。反応ガス１０６の例としては、例えばオゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、およびフッ化水素酸（ＨＦ）など汚染物質と反応するガス、ならびに例えば窒素（Ｎ2）およびアルゴン（Ａｒ）などの非反応性のガスを挙げられる。反応ガスは、また、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）など複数のガスの任意の組み合わせを含むこともできる。オゾンは、水（Ｈ2Ｏ）と組み合わさったときに有機材料と化学的に反応するので、本発明の一実施形態は、反応ガス１０６としてオゾンを用いる。一実施形態において、有機材料は、半導体フォトリソグラフィ工程で通常に用いられる有機性フォトレジスト材料であることが可能である。別の一実施形態では、カプセル化輸送体１０１に含有されるオゾンの濃度を高めるために、オゾンに窒素を組み合わせることも可能である。
【００１８】
一実施形態において、反応誘発剤１０２は、別の材料に直接接触するように配されたときに化学反応を生じるまたは化学反応を促進する液体（例えば水またはＤＩＷ）である。反応誘発剤１０２は、適切な洗浄流体を含有するＤＩＷ水溶液または適切な洗浄流体を含有する半水溶液であることが可能である。反応誘発剤の例としては、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤１０８、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤１０８、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤１０８、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤１０８を挙げられる。水は、オゾンと有機性フォトレジスト材料との化学反応を可能にするまたは促進するので、本発明の一実施形態は、反応誘発剤１０２として水を用いる。反応誘発剤１０２は、反応ガス１０６を取り囲んでいる。反応誘発剤１０２は、また、カプセル化輸送体１０１間の空間に存在することも可能である。
【００１９】
図１に簡単に示されるように、この空間は、反応誘発剤１０２の流れる有限幅の流路１０４を形成する。反応誘発剤１０２は、反応ガス１０６を取り囲む量はごく少量で、大部分は流路１０４を流れていると考えられる。しかしながら、流路１０４は、２つのカプセル化輸送体１０１間に必ずしも形成されるとは限らず、その場合の反応誘発剤１０２は、反応ガス１０６を取り囲んでいると考えられる。更に、形成されたばかりのフォーム１００を平衡状態に落ち着かせるためのプロセスを含む様々な状況において、重力またはその他の力は、流路１０４を通じてフォーム１００から反応誘発剤１０２を流出させる。
【００２０】
図２Ａは、２つのカプセル化輸送体１０１間の界面を詳細に示した拡大図１０５である。図中には、反応誘発剤１０２の流路１０４に隔てられた反応ガス１０６が示されている。大部分のフォーム１００は、その存在を、表面活性剤１０８の存在に負っている。表面活性剤１０８の一例は、脂と油とで作られた石けんである。脂および油は、脂肪酸に変換され、ナトリウム塩として組み込まれるのが通常である。一般に、表面活性剤１０８は、カプセル化輸送体１０１の表面に関連付けられた表面エネルギまたは表面張力を低減させる。更に重要なことに、表面活性剤１０８は、カプセル化輸送体１０１の表面を破裂しないように安定させる。もう１つのよくある添加物は、（高濃度の）グリセロールであり、これは、粘度を高めることによって、フォーム１００からの反応誘発剤１０２の流出を抑える。市販のフォーム製品は、表面活性剤１０８の働きを高める起泡力増進剤として知られる少量の添加成分も含む。図２Ｂは、本発明の一実施形態の図であり、有機材料層１１２の上で破裂するカプセル化輸送体１０１を示している。基板１１０のパターン形成は、基板１１０の上に有機性フォトレジストを作用させることを含むので、この一実施形態は、有機材料として有機性フォトレジストを用いる。本実施形態において、基板１１０は、シリコンウエハである。しかしながら、基板１１０は、シリコンウエハに限定されない。有機性フォトレジストは、パターン形成のために、様々な基板層に作用させることができる。基板層の例は、誘電体層、金属層、ポリシリコン層、およびその他の層を含み、いずれも、パターン形成の最中に完全にまたは部分的に除去することが可能である。また、有機材料は、適切な乾燥式の剥ぎ取りプロセスまたは適切な湿式の剥ぎ取りプロセスで処理されたフォトレジストに由来することも可能である。
【００２１】
カプセル化輸送体１０１およびフォーム１１０の大部分は、有限の寿命を有する。カプセル化輸送体１０１は、一般に、露出表面を破裂させることによってその生涯を終える。このような破裂の原因としては、数多くの要因を提示することができる。反応誘発剤１０２の流出は、カプセル化輸送体１０１の厚さを低減させるうえで重要である。蒸発は、厚さを更に低減させると考えられる。また、表面活性剤の濃度が適切でない、塵埃がカプセル化輸送体１０１に影響を及ぼす、不純物や添加物が不安定性を助長する、などの要因も挙げられる。また、反応ガス１０６も、カプセル化輸送体１０１の表面と反応してフォームの寿命を制限する可能性がある。
【００２２】
一実施形態において、カプセル化輸送体１０１が破裂するとき、その破裂は、反応ガス１０６および反応誘発剤１０２を放出させ、それらをカプセル化輸送体１０１と有機材料層１１２との間の界面１１４で有機材料層１１２に直接接触させる。反応ガス１０６および反応誘発剤１０２を有機材料層１１２に直接接触させると、反応ガス１０６と、反応誘発剤１０２と、有機材料層１１２との間に化学反応が生じ、基板表面１１１からの有機材料層１１２の除去を促進する。場合によっては、カプセル化輸送体１０１を破裂させなくても、反応誘発剤１０２を有機材料層１１２に直接接触させることが可能である。前述したように、フォーム１００からの反応誘発剤１０２の流出も、反応誘発剤１０２を有機材料層１１２に接触させることができる。
【００２３】
フォーム１００は、多くの方法で生成することが可能であるが、図３Ａ〜３Ｄに、フォーム１００の生成を可能にする各種の代表的方法を示した。図３Ａは、容器３１０に入れられた反応誘発剤１０２に部分的に浸された細いノズル３０５を含む一実施形態のカプセル化輸送体生成器１２０ａを示している。カプセル化輸送体生成器１２０ａは、細いノズル３０５の投入端３０１を通じて定圧下で反応ガス１０６を供給することによって、カプセル化輸送体１０１を生成する。反応ガス１０６の供給は、反応誘発剤１０２に浸された細いノズル３０５の出口端３０２において、カプセル化輸送体１０１を生成させる。カプセル化輸送体１０１は、次いで、反応誘発剤１０２の最上部へと浮遊する。一実施形態では、細いノズル３０５の出口端３０２の上方に位置する別の容器３１５によって、反応誘発剤１０２の最上部にあるカプセル化輸送体１０１を捕らえる。したがって、カプセル化輸送体１０１は、フォーム１００を形成するような形で寄り集まる。
【００２４】
図３Ｂは、容器３１１に入れられた反応誘発剤１０２に浸されたスパージャ３２０を含む別の一実施形態のカプセル化輸送体生成器１２０ｂを示している。カプセル化輸送体生成器１２０ｂは、スパージャ３２０に繋がれた投入管３２１を通じて加圧下で反応ガス１０６を供給することによって、カプセル化輸送体１０１を生成する。反応ガス１０６は、スパージャ３２０を通って反応誘発剤１０２内に拡散してカプセル化輸送体１０１を形成する。カプセル化輸送体１０１は、次いで、反応誘発剤１０２の最上部へと浮遊し、フォーム１００を形成するような形で寄り集まる。図３Ｃは、反応ガス投入管３３１および反応誘発剤投入管３３２を有するスパージャ３２２を含む別の一実施形態のカプセル化輸送体生成器１２０ｃを示している。カプセル化輸送体生成器１２０ｃは、投入管３３１，３３２を通じて加圧下で反応ガス１０６および反応誘発剤１０２をスパージャ３２２に供給することによって、フォーム１００を生成する。反応ガス１０６および反応誘発剤１０２は、スパージャ３２２の中で、フォーム１００を生成するような形で混ざり合う。
【００２５】
図３Ｄは、放射状ブレード３４１をともなう回転軸形態の機械的アジテータ３２５を含む別の一実施形態のカプセル化輸送体生成器１２０ｅを示している。ブレード３４１は、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２に浸されている。回転式の放射状ブレード３４１は、回転によって、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２を攪拌することによって、カプセル化輸送体１０１を生成する。カプセル化輸送体１０１は、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２の最上部に浮遊し、フォーム１００を形成するような形で寄り集まる。
【００２６】
また、他の実施形態において、機械的アジテータ３２５は、必ずしも放射状ブレードとして構成される必要はなく、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２を攪拌可能であるように構成される限り、例えば、柄、棒、管、および板など、構成、形状、および大きさの全部またはいずれかを任意に適切に設計することが可能である。別の一実施形態において、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２の攪拌は、機械的アジテータ３２５を用いずに行われる。攪拌は、その代わりに、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２を振るまたは打つことによって行われる。
【００２７】
フォーム１００は、他にも、様々な方法および装置で生成することが可能である。例えば、反応ガス１０６を染み込ませた反応誘発剤１０２内で生じるカプセル化輸送体１０１の核形成も、フォーム１００を生成することができる。図４Ａ〜４Ｅは、フォーム１００を有機材料層１１２に作用させる各種の代表的な実施形態を示している。もちろん、フォーム１００を有機材料層１１２の表面に作用させる機能を実現可能である範囲内で、他の実施形態を考えつくことも可能である。図４Ａは、作用器４０５によってフォーム１００を有機材料層１１２上に直接作用させる一実施形態を示している。この実施形態において、作用器４０５は、フォーム１００を導くために用いられる中空の円柱管である。作用器４０５は、フォーム１００を受け取って、フォーム１００を有機材料層１１２上へと導く。有機材料層１１２上にフォーム１００が作用されると、カプセル化輸送体１０１は、有機材料層１１２の全表面に広がる。カプセル化輸送体１０１が破裂すると、その破裂は、反応ガス１０６と反応誘発剤１０２の薄層との組み合わせを有機材料層１１２に直接接触させる。反応ガス１０６は、非常に薄い層である反応誘発剤１０２内に拡散するだけで良いので、有機材料層１１２との間にほぼすぐに反応を生じて基板表面１１１からの有機材料層１１２の除去を促進することができる。更に、反応誘発剤の層の厚さは、有機材料層１１２の全表面にわたって均一であるので、有機材料の除去は、均一であると考えられる。
【００２８】
一実施形態において、図４Ａに示された作用器４０５は、基板１１０の中心部から基板１１０の端部へと直線移動することができる。なお、作用器４０５の動きとしては、基板１１０の一端から基板１１０の対角線上のもう一端へと直線移動する他の実施形態を用いても良いし、あるいは、例えばラジカル運動、円運動、螺旋運動、およびジグザグ運動などのその他の非直線運動を用いても良い。
【００２９】
また、作用器４０５は、必ずしも円柱管の形態をとる必要はなく、フォーム１１０を作用させられるように構成される限り、例えばマニホールド、円盤、棒、四角、楕円盤、および板など、構成、形状、および大きさの全部またはいずれかを任意に適切に設定することが可能である。図４Ｂは、作用器４１０が円盤の形をとる一実施形態の別の一例を示している。図中において、作用器４１０の幅は、基板１１０の全幅に跨っているが、作用器４１０の大きさは、所望の用途に応じて任意の適切な大きさに可変である。とある用途の一実施形態において、作用器４１０は、フォーム１１０を受け取って、フォーム１００を基板材料層１１２の全表面に均一に作用させる。
【００３０】
図４Ｃは、基板１１０をフォーム１００に浸すことによってフォーム１００を有機材料層１１２に作用させる別の一実施形態を示している。図４Ｃは、容器４１５に入れられたフォーム１００に完全に浸されたシリコンウエハ１１０’の形をとる基板１１０の側面図である。図４Ｄは、フォーム１００に浸されたシリコンウエハの上面図である。シリコンウエハ１１０’を丸ごとフォーム１００に浸すと、有機材料層１１２の全表面をフォーム１００に触れさせることができる。上述したように、カプセル化輸送体１０１が破裂するとき、その破裂は、反応ガス１０６および反応誘発剤１０２を有機材料に直接接触させて、シリコンウエハ１１０’からの有機材料層１１２の除去を促進する。この実施形態は、有機材料層１１２の全表面を大量のフォーム１００に触れさせるので、このような浸漬は、シリコンウエハ１１０’から有機材料層１１２を完全に且つ均一に除去する。
【００３１】
図４Ｅは、２枚以上のシリコンウエハ１１０’をフォーム１００に浸した別の一実施形態を示している。図４Ｅは、フォーム１００に浸された３枚のシリコンウエハ１１０’の上面図である。複数枚のシリコンウエハ１１０’をフォーム１００に浸すと、１枚のシリコンウエハ１１０’をフォーム１００に浸す場合よりも沢山のシリコンウエハ１１０’を一度に洗浄することができ、したがって、効率を高めることができる。
【００３２】
他の実施形態では、有機材料層１１２の表面のどこかをフォーム１００に直接接触させられる範囲内で、フォーム１００を入れられた容器４１５内のシリコンウエハ１１０’の向きまたは位置を任意に設定することが可能である。また、別の一実施形態において、容器４１５は、必ずしも長方形の箱である必要はなく、フォーム１００を保持可能であるように構成される限り、構成、形状、および大きさの全部またはいずれかを任意に適切に設定することが可能である。
【００３３】
図５に示されるように、本発明の別の一実施形態は、基板表面１１１から有機材料層１１２を除去するために近接ヘッド５０１を用いている。近接ヘッド５０１は、有機材料層１１２に近接するヘッド表面５１５を有するヘッドを含む。一実施形態において、スパージャ３２０は、近接ヘッド５０１の一部であって、反応誘発剤投入管５１０および反応ガス投入管５０５に繋がれている。反応ガス１０６および反応誘発剤１０２は、加圧下で、それぞれ反応ガス投入管５０５および反応誘発剤投入管５１０を通じてスパージャ３２０に供給される。反応ガス１０６および反応誘発剤１０２は、スパージャ３２０内において、近接ヘッド５０１と有機材料層１１２の表面との間にフォーム１００を生成する形で混ざり合う。また、図４Ａおよび図４Ｂに示されるような他の実施形態では、スパージャ３２０は、近接ヘッド５０１の一部を構成していない。この実施形態では、近接ヘッドによってフォーム１００を生成するのではなく、代わりに、他の方法または装置で生成されたフォーム１００を供給するための任意の適切な数の投入管を用いることができる。
【００３４】
別の一実施形態において、近接ヘッド５０１は、真空を供給することによってウエハと近接ヘッド５０１との間の領域から液体、気体、フォーム、および有機材料の全部またはいずれかを排出するように構成された少なくとも１本の除去管５２０（真空出口としても知られる）を有するように構成することができる。なお、スパージャ、除去管、およびフォーム投入管の全部またはいずれかは、装置の構成に応じて任意の数だけ用いることが可能である。更に他の実施形態において、近接ヘッド５０１は、空気、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、脱イオン水、および化学剤などのその他の流体を供給するための他の入口を含むことができる。また、用途に応じて他の排出口を含ませることも可能である。簡単のため、図中には１組の除去管５２０のみを示した。
【００３５】
また、近接ヘッド５０１は、必ずしも「ヘッド」の構成をとる必要はなく、フォーム１１０を作用させられるように構成される限り、例えばマニホールド、円盤、棒、四角、楕円盤、管、および板など、構成、形状、および大きさの全部またはいずれかを任意に適切に設定することが可能である。一実施形態において、近接ヘッド５０１は、図５に示されるように円盤の形をとることができる。近接ヘッド５０１の大きさは、所望の用途に応じて任意の適切な大きさに可変である。
【００３６】
図示された一実施形態において、近接ヘッド５０１は、基板１１０の中心部から基板１１０の端部へと直線移動することができる。なお、近接ヘッド５０１の動きとしては、基板１１０の一端から基板１１０の対角線上のもう一端へと直線移動する他の実施形態を用いても良いし、あるいは、例えばラジカル運動、円運動、螺旋運動、およびジグザグ運動などのその他の非直線運動を用いても良い。また、近接ヘッド５０１の動きは、ユーザの望むように指定された任意の適切な運動軌道を取ることも可能である。別の一実施形態では、基板１１０を回転させつつ近接ヘッド５０１を直線移動させることによって、近接ヘッド５０１による基板１１０のあらゆる部分の処理を可能にしている。また、基板１１０を回転させず、基板１１０の上方で近接ヘッド５０１を基板１１０のあらゆる部分の処理を可能にする形で移動させる、他の実施形態を用いることもできる。また、近接ヘッド５０１は、例えば２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、およびフラットパネルなど、任意の形状および大きさの基板１１０にフォーム１００を作用させるために用いることができる。
【００３７】
図６は、基板表面１１１から有機材料層１１２を除去する方法の一実施形態を示した代表的な機能ブロック図である。この方法は、先ず、工程６０５において、少なくとも１つのカプセル化輸送体１０１を提供する。上述したように、カプセル化輸送体１０１およびフォーム１００は、様々な方法および装置で生成することが可能である。この方法は、工程６１０において、有機材料層１１２にカプセル化輸送体１０１を作用させる。工程６１５において、有機材料層１１２の上でカプセル化輸送体１０１が破裂すると、その破裂は、反応ガス１０６と反応誘発剤１０２の薄膜との組み合わせを有機材料層１１２に直接接触させることによって、基板１１０からの有機材料層１１２の除去を促進する。
【００３８】
その後、基板１１０は、洗浄流体によって副生物をすすぎ落とされ、乾燥される。その際は、任意の数の洗浄プロセスを用いることができ、そのような洗浄工程に用いられる流体の種類も可変である。簡単な洗浄工程において、洗浄流体は、脱イオン水、または脱イオン水と、フッ化水素酸（ＨＦ）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、および水酸化アンモニウムなどの各種の酸および塩基との混合、または特許登録済みの任意のいくつかの水溶性化学剤もしくは半水溶性化学剤の、いずれかであることが可能である。一実施形態において、乾燥工程は、回転・すすぎ・乾燥（ＳＲＤ）技術を用いることができる。この乾燥技術では、シリコンウエハの形をとる基板１１０が、高速度で回転される。周知のように、ＳＲＤ技術において、洗浄用の流体および任意の微粒子は、遠心力によってウエハの表面からウエハの端部へと引っ張られ、最終的にはウエハから引きずり落とされる。更に別の一実施形態では、近接ヘッドによる洗浄および乾燥を、最終の洗浄工程を実施するために用いることもできる。
【００３９】
以上では、理解を明確にする目的で、本発明が詳しく説明されたが、添付した特許請求の範囲内であれば、特定の変更および改良を加えられることは明らかである。したがって、上述した実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされるので、本発明は、上述した詳細に限定されず、添付した特許請求の範囲およびその等価形態の範囲内で変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態にしたがった、フォームを形成する複数のカプセル化輸送体を示した図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、２つのカプセル化輸送体間の界面を詳細に示した拡大図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、有機材料上で破裂するカプセル化輸送体を示した図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、フォームを生成する方法を示した図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、フォームを生成する方法を示した図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態にしたがった、フォームを生成する方法を示した図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態にしたがった、フォームを生成する方法を示した図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、有機材料層にフォームを作用させる一実施形態を示した図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、有機材料層にフォームを作用させる一実施形態を示した図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態にしたがった、有機材料層にフォームを作用させる一実施形態を示した図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態にしたがった、有機材料層にフォームを作用させる一実施形態を示した図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態にしたがった、有機材料層にフォームを作用させる一実施形態を示した図である。
【図５】本発明の一実施形態にしたがった、基板表面から有機材料層を除去する近接ヘッドを示した図である。
【図６】本発明の一実施形態にしたがった、基板表面から層を除去する方法の工程を示したフローチャートである。
【符号の説明】
【００４１】
１００…フォーム
１０１…カプセル化輸送体
１０２…反応誘発剤
１０４…流路
１０６…反応ガス
１０８…表面活性剤
１１０…基板
１１０’…シリコンウエハ
１１１…基板表面
１１２…有機材料層
１１４…界面
１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ，１２０ｅ…カプセル化輸送体生成器
３０１…投入端
３０２…出口端
３０５…ノズル
３１０…容器
３１５…容器
３２０…スパージャ
３２１…投入管
３２２…スパージャ
３３１…反応ガス投入管
３３２…反応誘発剤投入管
３２５…機械的アジテータ
３４１…ブレード
４０５…作用器
４１０…作用器
４１５…容器
５０１…近接ヘッド
５０５…反応ガス投入管
５１０…反応誘発剤投入管
５１５…ヘッド表面
５２０…除去管
【図１】
2007521655.tif 000003
【図２Ａ】
2007521655.tif 000004
【図２Ｂ】
2007521655.tif 000005
【図３Ａ】
2007521655.tif 000006
【図３Ｂ】
2007521655.tif 000007
【図３Ｃ】
2007521655.tif 000008
【図３Ｄ】
2007521655.tif 000009
【図４Ａ】
2007521655.tif 000010
【図４Ｂ】
2007521655.tif 000011
【図４Ｃ】
2007521655.tif 000012
【図４Ｄ】
2007521655.tif 000013
【図４Ｅ】
2007521655.tif 000014
【図５】
2007521655.tif 000015
【図６】
2007521655.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面から層を除去するための方法であって、
少なくともいくらかの反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を提供する工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層の上への前記反応ガスの放出は、前記反応ガスと反応誘発剤との組み合わせを前記化学反応層に直接接触させる、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記反応誘発剤は、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤、脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤のうちのいずれかである、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、他のカプセル化輸送体と組み合わさることによってフォームを形成する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体はバブルである、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記反応ガスは、オゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、フッ化水素酸（ＨＦ）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、および酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）のうちのいずれかである、方法。
【請求項７】
基板表面から層を除去するための方法であって、
反応ガスを提供する工程と、
反応誘発剤を提供する工程と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガスと前記反応誘発剤とを混ぜ合わせる工程であって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの前記反応ガスを含有する、工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層の上への前記反応ガスの放出は、前記反応ガスと前記反応誘発剤との組み合わせを前記化学反応層に直接接触させる、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層は有機材料である、方法。
【請求項１０】
基板表面から層を除去するための装置であって、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する、作用ユニットを備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と、前記反応ガスと反応誘発剤との組み合わせと、の間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記反応誘発剤は、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤、脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤のうちのいずれかである、装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記作用ユニットは容器である、装置。
【請求項１４】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、更に、
カプセル化輸送体生成ユニットを備える装置。
【請求項１５】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記反応ガスは、オゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、フッ化水素酸（ＨＦ）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、および酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）のうちのいずれかである、装置。
【請求項１６】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記層は有機材料である、装置。
【請求項１７】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、他のカプセル化輸送体と組み合わせることによってフォームを形成する、装置。
【請求項１８】
基板表面から層を除去するための装置であって、
反応ガス源と、
反応誘発剤源と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガス源から得られた反応ガスと、前記反応誘発剤源から得られた反応誘発剤と、の組み合わせを受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの前記反応ガスを含有する、作用ユニットと、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と、前記反応ガスと前記反応誘発剤との組み合わせと、の間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項２０】
請求項１８に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記作用ユニットは近接ヘッドである、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
一実施形態において、図４Ａに示された作用器４０５は、基板１１０の中心部から基板１１０の端部へと直線移動することができる。なお、作用器４０５の動きとしては、基板１１０の一端から基板１１０の対角線上のもう一端へと直線移動する他の実施形態を用いても良いし、あるいは、例えば放射運動、円運動、螺旋運動、およびジグザグ運動などのその他の非直線運動を用いても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図示された一実施形態において、近接ヘッド５０１は、基板１１０の中心部から基板１１０の端部へと直線移動することができる。なお、近接ヘッド５０１の動きとしては、基板１１０の一端から基板１１０の対角線上のもう一端へと直線移動する他の実施形態を用いても良いし、あるいは、例えば放射運動、円運動、螺旋運動、およびジグザグ運動などのその他の非直線運動を用いても良い。また、近接ヘッド５０１の動きは、ユーザの望むように指定された任意の適切な運動軌道を取ることも可能である。別の一実施形態では、基板１１０を回転させつつ近接ヘッド５０１を直線移動させることによって、近接ヘッド５０１による基板１１０のあらゆる部分の処理を可能にしている。また、基板１１０を回転させず、基板１１０の上方で近接ヘッド５０１を基板１１０のあらゆる部分の処理を可能にする形で移動させる、他の実施形態を用いることもできる。また、近接ヘッド５０１は、例えば２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、およびフラットパネルなど、任意の形状および大きさの基板１１０にフォーム１００を作用させるために用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面から層を除去するための方法であって、
少なくともいくらかの反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を提供する工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層の上への前記反応ガスの放出は、前記反応ガスと反応誘発剤との組み合わせを前記化学反応層に直接接触させる、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記反応誘発剤は、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤、脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤のうちのいずれかである、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、他のカプセル化輸送体と組み合わさることによってフォームを形成する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体はバブルである、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記反応ガスは、オゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、フッ化水素酸（ＨＦ）、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、および酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）のうちのいずれかである、方法。
【請求項７】
基板表面から層を除去するための方法であって、
反応ガスを提供する工程と、
反応誘発剤を提供する工程と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガスと前記反応誘発剤とを混ぜ合わせる工程であって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの前記反応ガスを含有する、工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層の上への前記反応ガスの放出は、前記反応ガスと前記反応誘発剤との組み合わせを前記化学反応層に直接接触させる、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の、基板表面から層を除去するための方法であって、
前記化学反応層は有機材料である、方法。
【請求項１０】
基板表面から層を除去するための装置であって、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの反応ガスを含有する、作用ユニットを備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と、前記反応ガスと反応誘発剤との組み合わせと、の間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記反応誘発剤は、水（Ｈ2Ｏ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体、水（Ｈ2Ｏ）と表面活性剤、水（Ｈ2Ｏ）と洗浄流体と表面活性剤、脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体、脱イオン水（ＤＩＷ）と表面活性剤、および脱イオン水（ＤＩＷ）と洗浄流体と表面活性剤のうちのいずれかである、装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記作用ユニットは容器である、装置。
【請求項１４】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、更に、
カプセル化輸送体生成ユニットを備える装置。
【請求項１５】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記反応ガスは、オゾン（Ｏ3）、酸素（Ｏ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、フッ化水素酸（ＨＦ）、オゾン（Ｏ3）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、オゾン（Ｏ3）と酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）、および酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）のうちのいずれかである、装置。
【請求項１６】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記層は有機材料である、装置。
【請求項１７】
請求項１０に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、他のカプセル化輸送体と組み合わせることによってフォームを形成する、装置。
【請求項１８】
基板表面から層を除去するための装置であって、
反応ガス源と、
反応誘発剤源と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガス源から得られた反応ガスと、前記反応誘発剤源から得られた反応誘発剤と、の組み合わせを受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくともいくらかの前記反応ガスを含有する、作用ユニットと、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と、前記反応ガスと前記反応誘発剤との組み合わせと、の間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【請求項２０】
請求項１８に記載の、基板表面から層を除去するための装置であって、
前記作用ユニットは近接ヘッドである、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板表面から層を除去するための方法であって、
反応ガスを含有する少なくとも１つのカプセル化輸送体を提供する工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
基板表面から層を除去するための方法であって、
反応ガスを提供する工程と、
反応誘発剤を提供する工程と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガスと前記反応誘発剤とを混ぜ合わせる工程であって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくとも一部の前記反応ガスを含有する、工程と、
前記少なくとも１つのカプセル化輸送体を、化学反応性の層である前記層に作用させる工程と、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記基板表面からの前記化学反応層の除去を促進するために、前記化学反応層の上で破裂して、前記反応ガスを前記化学反応層の上に放出する、方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
基板表面から層を除去するための装置であって、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、反応ガスを含有する、作用ユニットを備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
基板表面から層を除去するための装置であって、
反応ガス源と、
反応誘発剤源と、
少なくとも１つのカプセル化輸送体を生成するために、前記反応ガス源から得られた反応ガスと、前記反応誘発剤源から得られた反応誘発剤と、の組み合わせを受け取るように構成された作用ユニットであって、前記少なくとも１つのカプセル化輸送体は、少なくとも一部の前記反応ガスを含有する、作用ユニットと、を備え、
前記カプセル化輸送体は、前記層の上で破裂するときに、前記層と前記反応ガスとの間に反応を生じさせるように、前記層に作用させることができる、装置。
【国際調査報告】
2007521655.tif 000017
2007521655.tif 000018
2007521655.tif 000019