Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を走査露光する露光装置であって、
前記露光装置は、複数回の走査露光で露光される複数の部分領域が走査方向と直交する直交方向に一部の繋ぎ領域を互いに重複させて配列される繋ぎ露光を行い、
光が照射される前記基板上の照射領域における前記走査方向の前後の境界形状が曲線形状となるように前記境界形状を規定する第１遮光部と、
前記繋ぎ領域を形成するために、前記照射領域における前記直交方向の端部の形状を規定するエッジ部を含む第２遮光部と、
を含み、
１回の走査露光での前記繋ぎ領域における前記直交方向の露光量分布の形状が傾斜した直線になるように、前記第２遮光部の前記エッジ部の形状が曲線形状に構成されている、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第２遮光部を前記走査方向に移動させることにより、前記繋ぎ領域の露光量分布の形状と前記繋ぎ領域の前記直交方向の幅とを維持したまま、前記照射領域における前記直交方向の端部が前記直交方向にシフトする、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２遮光部の前記エッジ部の形状は、前記照射領域における前記走査方向の前後の境界形状を表す関数をｇ（ｘ）、前記照射領域の前記走査方向における幅をｓ、前記照射領域の重心と前記繋ぎ領域との間の前記直交方向における距離をａ、前記繋ぎ領域の前記直交方向における幅をｂ、前記直交方向をｘおよび前記走査方向をｙとしたとき、
ｙ＝ｇ（ｘ）＋ｓ（ｘ−ａ）／ｂ
によって表される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２遮光部の前記エッジ部の形状は、前記照射領域における前記走査方向の前後の境界形状を表す関数をｇ（ｘ）、前記照射領域の前記走査方向における幅をｓ、前記照射領域の重心と前記繋ぎ領域との間の前記直交方向における距離をａ、前記繋ぎ領域の前記直交方向における幅をｂ、前記直交方向をｘおよび前記走査方向をｙとしたとき、
ｙ＝ｇ（ｘ）＋ｓ−ｓ（ｘ−ａ）／ｂ
によって表される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２遮光部の移動を制御する制御部を更に含み、
前記制御部は、前記部分領域の前記直交方向における幅に応じて、前記第２遮光部を前記走査方向に移動させる、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２遮光部は、回転可能に構成され、
前記第２遮光部を回転させることによって、前記繋ぎ領域の露光量分布の形状が変わる、ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１遮光部は、前記照射領域における前記走査方向の前後の境界形状が円弧形状になるように前記境界形状を規定し、
前記第２遮光部の前記エッジ部の形状が円弧形状に構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１遮光部は、前記照射領域における前記走査方向の前後の境界形状が二次以上の関数で表される形状になるように前記境界形状を規定する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第２遮光部の前記エッジ部は、前記照射領域の外側に向かった凸形状を有する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２遮光部の前記エッジ部は、前記照射領域の内側に向かった凸形状を有する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第２遮光部は、前記照射領域における前記直交方向の２つの端部の形状をそれぞれ規定する２つの前記エッジ部を有し、
２つの前記エッジ部のうち一方は、前記照射領域の外側に向かった凸形状を有し、他方は、前記照射領域の内側に向かった凸形状を有する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記繋ぎ領域における前記直交方向の露光量分布の形状が前記照射領域の外側に向かって線形的に減少するように、前記第２遮光部の前記エッジ部の形状が曲線形状に構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２遮光部は、前記複数の部分領域を繋ぎ合せたときの前記繋ぎ領域の露光量が、前記繋ぎ領域以外の領域の露光量に近づくように、前記エッジ部の形状が曲線形状に構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１４】
原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系を更に含み、
前記第２遮光部は、前記投影光学系と前記基板との間に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか1項に記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板を走査露光する露光装置であって、前記露光装置は、複数回の走査露光で露光される複数の部分領域が走査方向と直交する直交方向に一部の繋ぎ領域を互いに重複させて配列される繋ぎ露光を行い、光が照射される前記基板上の照射領域における前記走査方向の前後の境界形状が曲線形状となるように前記境界形状を規定する第１遮光部と、前記繋ぎ領域を形成するために、前記照射領域における前記直交方向の端部の形状を規定するエッジ部を含む第２遮光部と、を含み、１回の走査露光での前記繋ぎ領域における前記直交方向の露光量分布の形状が傾斜した直線になるように、前記第２遮光部の前記エッジ部の形状が曲線形状に構成されている、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を封止した半導体装置に用いられるリードフレームであって、
フレーム基材に形成された開口部により画定された複数の接続リードと、前記接続リードを互いに接続するダムバーを含み、
前記接続リードは、前記ダムバーより内側のインナーリードと、前記ダムバーより外側のアウターリードを含み、
前記アウターリードは、前記フレーム基材の上面及び下面の何れか一方と両側面に形成されためっき層を含み、前記フレーム基材の上面及び下面の何れか他方は露出しており、
前記めっき層は、前記フレーム基材の側面を下端から上端まで被覆するように設けられていること、
を特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記めっき層は、前記半導体装置を実装対象に実装するために前記アウターリードの一部に形成され、前記実装対象にはんだにより接合される接合部に応じて形成されてなること、を特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記インナーリードは前記フレーム基材先端の上面又は下面には前記半導体素子に接続される内部端子が形成され、
前記めっき層は、前記内部端子が形成された面と反対側の前記フレーム基材の面と両側面に形成されてなること、
を特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記インナーリードは前記フレーム基材先端の上面又は下面には前記半導体素子に接続される内部端子が形成され、
前記めっき層は、前記内部端子が形成された面と同じ側の前記フレーム基材の面と両側面に形成されてなること、
を特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記めっき層は、前記フレーム基材の表面から順に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第３めっき層とが順に形成された３層構造であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記アウターリードには、第１屈曲部とする箇所と、第２屈曲部とする箇所を有し、
前記第１屈曲部とする箇所は、ダムバーの形成位置に設けられ、
前記めっき層は、少なくとも前記アウターリードの一端から前記インナーリードに向けて、前記第１屈曲部とする箇所と前記第２屈曲部とする箇所との間まで形成されていること、
を特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂の端部から導出され、先端部が接続対象と接続される接合部として成型され、その接合部の下面と両側面に形成されためっき層を有し、前記接合部の上面はフレーム基材が露出する複数の接続リードと、
を有し、
前記フレーム基材は、銅または銅合金からなり、
前記めっき層は、前記フレーム基材の側面を下端から上端まで被覆するように設けられており、
前記めっき層により被覆されていない前記フレーム基材の面には酸化被膜が形成されていること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記接続リードは、第１屈曲部と第２屈曲部とを有し、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との間を脚部とし、前記第２屈曲部と先端部との間を接合部とし、
前記めっき層は、前記接合部から前記脚部にかけて連続して形成されていること、
を特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
複数の接続リードを有する半導体装置を基板に実装する半導体装置の実装構造であって、
前記複数の接続リードは、第１屈曲部と第２屈曲部とを有し、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との間を脚部とし、前記第２屈曲部と先端部との間を接合部とし、前記接合部の下面と両側面にめっき層が形成され、前記めっき層は、前記接合部から前記脚部にかけて連続して形成され、前記接合部の上面はフレーム基材が露出しており、
前記接合部は、前記基板のパッドにはんだを介して接続され、
前記はんだは、前記接合部の側面の上端、及び前記脚部の下面まで這い上がっていること、
を特徴とする半導体装置の実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の実装構造
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の実装構造に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、半導体素子を封止した半導体装置に用いられるリードフレームであって、フレーム基材に形成された開口部により画定された複数の接続リードと、前記接続リードを互いに接続するダムバーを含み、前記接続リードは、前記ダムバーより内側のインナーリードと、前記ダムバーより外側のアウターリードを含み、前記アウターリードは、前記フレーム基材の上面及び下面の何れか一方と両側面に形成されためっき層を含み、前記フレーム基材の上面及び下面の何れか他方は露出しており、前記めっき層は、前記フレーム基材の側面を下端から上端まで被覆するように設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、半導体素子３１、金属線３３、ダイパッド１２、及びインナーリード１７の先端部を含む一部分は、封止樹脂３４により封止されている。そして、この半導体装置３０では、インナーリード１７の基端部とアウターリード１８が封止樹脂３４から露出している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、アウターリード１８の側面は、上端までめっき層２３により覆われているため、はんだ６２がアウターリード１８の上端まで這い上がり易い。これにより、好適なはんだフィレットを有するはんだ６２が形成される。このようなはんだ６２は、接続信頼性が高い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、比較例を説明する。なお、比較例の説明において、同様の部材については上記実施形態と同じ符号を用いて説明する。
図５（ａ）に示すように、比較例のリード７１は、基材７２の下面（実装面）にめっき層７３が形成されている。この比較例では、リード７１（基材７２）の側面にめっき膜が形成されていない。そして、このように露出する基材７２の側面は、樹脂封止等による熱履歴によって酸化膜（例えば酸化銅）が形成されている。このような酸化膜は、はんだ６２の濡れ性を阻害する要因となる。したがって、リード７１（基材７２）の側面にはんだ６２が這い上がらないため、はんだ６２はフィレットを形成しない。従って、このリード７１による接合は接続信頼性が低い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
しかしながら、収容部２３は、必ずしも放熱板２２によって区画形成されることを要しない。少なくとも送風装置１０の送風体１１を収容可能である限りにおいて、ヒートシンク２０の一部に形成された凹部を収容部２３として利用してもよい。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
照明具７０においては、半導体発光素子７１から出射された光を用いて所定の配光を行ないうる限りにおいて、レンズ７２を適宜の光学部品（単なる透光部材、導光部材、散乱フィルタ等）で代えてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め設定された撮像範囲を有し、当該撮像範囲内の対象物を撮像する撮像部と、
特定の指標像が前記撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定部と、
前記撮像範囲内の所定画像部分を検出する所定画像検出部と、
前記指標像判定部により前記指標像が前記所定画像部分に重なったことが判定されると、当該判定の旨を報知する報知部と、
を具備し、
前記所定画像検出部は、画像情報の変化部の変化方向を判定可能であり、
前記報知部は、前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記指標像判定部は、前記撮像部の撮像範囲外からの画像データ変化からユーザの指部を認識して前記指標像と判定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記所定画像検出部が検出する前記所定画像部分は、前記撮像部により取得される画像情報の変化部である特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記所定画像検出部が検出する前記所定画像部分は、前記撮像部により取得される領域の境界部であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
予め設定された撮像範囲を有し、当該撮像範囲内の対象物を撮像する撮像部と、
特定の指標像が前記撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定部と、
前記指標像判定部により前記指標像の先端部が前記撮像範囲内の所定画像部分に重なったことが判定されると、振動または音声信号を発生する報知部と、
を具備し、
前記報知部は、前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知することを特徴とする操作装置。
【請求項６】
前記指標像判定部は、前記撮像部の撮像範囲外からの画像データ変化と画像形状からユーザの指部を認識して前記指標像と判定することを特徴とする請求項５に記載の操作装置。
【請求項７】
前記所定画像部分は、前記撮像部により取得される領域の境界部である特徴とする請求項５に記載の操作装置。
【請求項８】
前記所定画像部分は、前記撮像部により取得される画面内の画像情報の変化部であることを特徴とする請求項５に記載の操作装置。
【請求項９】
前記報知部は、前記指標像の先端部が前記撮像部により取得される領域の境界部と重なる場合と、前記指標像の先端部が前記撮像部により取得される画面内の画像情報と重なる場合とで、報知を切り替えることを特徴とする請求項５に記載の操作装置。
【請求項１０】
予め設定された撮像範囲を有し、当該撮像範囲内の対象物を撮像する撮像ステップと、
特定の指標像が前記撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定ステップと、
前記指標像判定ステップにより前記指標像が前記撮像範囲内の所定画像部分に重なったことが判定されると、当該判定の旨を前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知する報知ステップと、
を有することを特徴とする対象物確認方法。
【請求項１１】
前記指標像判定ステップは、前記撮像範囲外からの画像データ変化からユーザの指部を認識して前記指標像と判定することを特徴とする請求項１０に記載の対象物確認方法。
【請求項１２】
前記所定画像部分は、前記撮像ステップにより取得される領域の境界部または、画像情報の変化部である特徴とする請求項１０に記載の対象物確認方法。
【請求項１３】
コンピュータに、
撮像部を用いて撮像する機能と、
特定の指標像が前記撮像部の撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定機能と、
前記指標像が前記撮像範囲内の所定画像部分に重なったことが判定されると、当該判定の旨を前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知する報知機能と、
を実現させるための操作装置用プログラム。
【請求項１４】
前記指標像判定機能は、前記撮像部の撮像範囲外からの画像データ変化と画像形状からユーザの指部を認識して前記指標像と判定することを特徴とする請求項１３に記載の操作装置用プログラム。
【請求項１５】
前記所定画像部分は、前記撮像部により取得される領域の境界部または、画像変化部である請求項１３に記載の操作装置用プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の主要な局面に係る撮像装置は、予め設定された撮像範囲を有し、当該撮像範囲内の対象物を撮像する撮像部と、特定の指標像が前記撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定部と、前記撮像範囲内の所定画像部分を検出する所定画像検出部と、前記指標像判定部により前記指標像が前記所定画像部分に重なったことが判定されると、当該判定の旨を報知する報知部とを具備し、前記所定画像検出部は、画像情報の変化部の変化方向を判定可能であり、前記報知部は、前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の主要な局面に係る操作装置は、予め設定された撮像範囲を有し、当該撮像範囲内の対象物を撮像する撮像部と、特定の指標像が前記撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定部と、前記指標像判定部により前記指標像の先端部が前記撮像範囲内の所定画像部分に重なったことが判定されると、振動または音声信号を発生する報知部とを具備し、前記報知部は、前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の主要な局面に係る対象物確認方法は、予め設定された撮像範囲を有し、当該撮像範囲内の対象物を撮像する撮像ステップと、特定の指標像が前記撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定ステップと、前記指標像判定ステップにより前記指標像が前記撮像範囲内の所定画像部分に重なったことが判定されると、当該判定の旨を前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知する報知ステップとを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の主要な局面に係る操作装置用プログラムは、コンピュータに、撮像部を用いて撮像する機能と、特定の指標像が前記撮像部の撮像範囲内に入ったか否かを判定する指標像判定機能と、前記指標像が前記撮像範囲内の所定画像部分に重なったことが判定されると、当該判定の旨を前記指標像の変化方向と画像情報の変化方向の関係で報知する報知機能とを実現させる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を受信する受信部と、前記受信した映像の所定の領域を切り出してサブストリーム映像を生成するサブストリーム映像生成部と、前記サブストリーム映像生成部で生成したサブストリーム映像を出力する出力部と、を有する映像配信装置と、
前記サブストリーム映像を受信する受信部と、映像を表示する表示部と、前記受信したサブストリーム映像に基づいて前記表示部に表示する映像を生成する表示映像生成部と、を有する映像表示装置と、
を備えることを特徴とする映像配信システム。
【請求項２】
前記映像配信装置が複数存在する映像配信システムであるか、または前記映像配信装置から複数のサブストリーム映像が出力される映像配信システムであって、
前記映像表示装置は、前記受信部において複数のサブストリーム映像を受信し、前記受信した複数のサブストリーム映像を合成して前記表示部に表示する映像を生成することを特徴とする請求項１に記載の映像配信システム。
【請求項３】
前記映像は鉄道車輌を撮影した映像であって、
前記サブストリーム映像は鉄道車両のドア部分を切り出した画像であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の映像配信システム。
【請求項４】
前記映像配信装置は、前記受信した映像を切り出さずにメインストリーム映像を生成するメインストリーム映像生成部をさらに有し、前記出力部からはメインストリーム映像とサブストリーム映像を出力し、
前記映像表示装置は、前記受信部において前記メインストリーム映像と前記サブストリーム映像を受信し、前記表示映像生成部は、前記メインストリーム映像と前記サブストリーム映像を合成して前記表示部に表示する映像を生成することを特徴とする請求項１に記載の映像配信システム。
【請求項５】
前記映像配信装置は、前記サブストリーム映像生成部において前記受信した所定の領域を切り出して画質改善処理を実施することでサブストリーム映像を生成することを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の映像配信システム。
【請求項６】
前記映像表示装置は、前記表示映像生成部において前記受信したサブストリーム映像に対して画質改善処理を実施してから前記表示部に表示する映像を生成することを特徴とする請求項１乃至請求項４の映像配信システム。
【請求項７】
映像を配信する映像配信装置と配信された映像を受信して表示する映像表示装置からなるシステムにおいて、
映像の所定の領域を切り出して複数のサブストリーム映像を生成して配信し、前記複数のサブストリーム映像を合成して映像を表示することを特徴とする映像配信方法。
【請求項８】
映像を受信する受信部と、前記受信した映像の所定の領域を切り出して複数のサブストリーム映像を生成するサブストリーム映像生成部と、前記サブストリーム映像生成部で生成した複数のサブストリーム映像を出力する出力部と、を有することを特徴とする映像配信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理室に搬送する工程と、
前記処理室内に、Ｂ原子含有ガスを供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、Ｓｉ原子含有ガスを前記処理室内に供給してＢ含有濃度が３．０×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３以下となるＳｉ膜を前記基板に形成する第２のガス供給工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のガス供給工程と、前記第２のガス供給工程の後にパージガスを供給するパージ工程を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のガス供給工程によって前記基板表面をＢ終端させる請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のガス供給工程では、前記Ｂ原子含有ガスとしてＢＣｌ３ガスを５ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍの範囲で供給する請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板を処理室に搬送する工程と、
前記処理室内に、Ｂ原子含有ガスを供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、Ｓｉ原子含有ガスを前記処理室内に供給してＢ含有濃度が３．０×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３以下となるＳｉ膜を前記基板に形成する第２のガス供給工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項６】
基板を処理する処理室と、
前記処理室に設けられ、Ｂ原子含有ガスを供給するＢ原子含有ガス供給管と、
前記処理室に設けられ、Ｓｉ原子含有ガスを供給するＳｉ原子含有ガス供給管と、
前記Ｂ原子含有ガス供給管と前記Ｓｉ原子含有ガス供給管のそれぞれに設けられたガス流量制御装置と、
前記処理室内に前記Ｂ原子含有ガス供給管を介してＢ原子含有ガスを供給し、前記Ｂ原子含有ガス供給後、前記Ｓｉ原子含有ガスを供給してＢ含有濃度が３．０×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３以下となるＳｉ膜を形成するように前記ガス流量制御装置を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに形成された半導体デバイスと電気的に接続し、テスタによって前記半導体デバイスの電気的な検査を行うプローブ装置であって、
前記半導体ウエハを載置する載置台と、
前記載置台において前記半導体ウエハが載置される載置面に形成され、前記半導体デバイスの裏面側に形成された裏面側電極と接触する載置台電極と、
前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続する複数のプローブを有するプローブカードと、
前記載置台を駆動して当該載置台に載置された前記半導体ウエハの前記半導体デバイスの電極に前記複数のプローブを接触させる駆動機構と、
前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される電極板と、
前記載置台の側方に配設されたコンタクトプローブと、
前記載置台の側方に固定されたストッパアンドガイドブロックと、
前記載置台の下部から突出して配設されたベースブロックとを備え、
前記コンタクトプローブは、  上面に凹凸が形成されて前記電極板に当接する当接部と、前記当接部の下方において当該当接部と一体に構成され、前記載置台電極と電気的に接続されたケーブルが接続されるケーブル接続部とを有し、
前記コンタクトプローブは前記ベースブロック上にプローブガイドブロック及びプローブ押さえを介して係止され、
前記コンタクトプローブは１つの金属材料から一体に構成され、
前記コンタクトプローブの表面には金メッキ層及び中間メッキ層が形成され、前記中間メッキ層は前記金メッキ層の下層に形成され、
前記ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって前記当接部と前記ケーブル接続部とが上下動自在に構成され、
前記載置台を上昇させて前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させた際に、前記当接部と前記電極板とを当接させて前記裏面側電極と前記テスタとを電気的に接続させる
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
請求項１記載のプローブ装置であって、
前記コンタクトプローブが、前記載置台の周方向に間隔を設けて複数配設されている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプローブ装置であって、
前記コンタクトプローブを上下動させる昇降機構を備える
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項４】
請求項３記載のプローブ装置であって、
昇降機構は、前記コンタクトプローブの高さを多段階で調整可能である
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部が円板状に形成されるとともに、前記ケーブル接続部が直方体状に形成され、前記当接部の直下に前記ケーブル接続部が配設され、前記ケーブル接続部の側面に前記ケーブルを接続するためのねじ部が配設されている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部及び前記ケーブル接続部の表面に金メッキ層が形成されている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部の側面と前記ケーブル接続部の側面との間の抵抗値が０．１ｍΩ以下である
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記ストッパアンドガイドブロックはアルミニウムから構成される
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記ベースブロックはステンレス鋼からなる
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記プローブガイドブロックは樹脂からなる
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記プローブ押さえはアルミニウムからなる
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記中間メッキ層は無電解ニッケルメッキからなる
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記金メッキ層の厚さは０．３μｍ〜０．５μｍである
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記中間メッキ層の厚さは３μｍである
ことを特徴とするプローブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のプローブ装置の一態様は、半導体ウエハに形成された半導体デバイスと電気的に接続し、テスタによって前記半導体デバイスの電気的な検査を行うプローブ装置であって、前記半導体ウエハを載置する載置台と、前記載置台において前記半導体ウエハが載置される載置面に形成され、前記半導体デバイスの裏面側に形成された裏面側電極と接触する載置台電極と、前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続する複数のプローブを有するプローブカードと、前記載置台を駆動して当該載置台に載置された前記半導体ウエハの前記半導体デバイスの電極に前記複数のプローブを接触させる駆動機構と、前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される電極板と、前記載置台の側方に配設されたコンタクトプローブと、前記載置台の側方に固定されたストッパアンドガイドブロックと、前記載置台の下部から突出して配設されたベースブロックとを備え、前記コンタクトプローブは、上面に凹凸が形成されて前記電極板に当接する当接部と、前記当接部の下方において当該当接部と一体に構成され、前記載置台電極と電気的に接続されたケーブルが接続されるケーブル接続部とを有し、前記コンタクトプローブは前記ベースブロック上にプローブガイドブロック及びプローブ押さえを介して係止され、前記コンタクトプローブは１つの金属材料から一体に構成され、前記コンタクトプローブの表面には金メッキ層及び中間メッキ層が形成され、前記中間メッキ層は前記金メッキ層の下層に形成され、前記ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって前記当接部と前記ケーブル接続部とが上下動自在に構成され、前記載置台を上昇させて前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させた際に、前記当接部と前記電極板とを当接させて前記裏面側電極と前記テスタとを電気的に接続させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無機基板を備えた配線部材と、接着部を介して前記配線部材上に接着された、第２無機基板を備えた補強部材と、を有し、
前記第１無機基板の前記接着部側の面には、第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と配線層とが各々複数層積層され、前記第１無機基板の前記接着部側とは反対側の面には第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と配線層と有機絶縁層とが積層され、
前記第２無機基板の前記接着部側の面には、第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層が複数層積層され、前記第２無機基板の前記接着部側とは反対側の面には第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と有機絶縁層とが積層され、
前記補強部材には、前記第２無機基板、前記第２無機基板の両面に積層された前記無機絶縁層、及び前記有機絶縁層を貫通する開口部が設けられ、
前記第１無機基板の前記接着部側の前記無機絶縁層と、前記第２無機基板の前記接着部側の前記無機絶縁層とは同一層構成であって、前記接着部を中心として上下対称に配置され、
前記第１無機基板の前記接着部側とは反対側の前記無機絶縁層及び前記有機絶縁層と、前記第２無機基板の前記接着部側とは反対側の前記無機絶縁層及び前記有機絶縁層とは同一層構成であって、前記接着部を中心として上下対称に配置され、
前記第１無機基板及び前記第２無機基板の各々の前記接着部側とは反対側の最外絶縁層は有機絶縁層であるインターポーザ。
【請求項２】
前記第１無機基板と前記第２無機基板とは同一の厚さであり、
前記接着部を中心として上下対称に配置された絶縁層同士は、同一の厚さである請求項１記載のインターポーザ。
【請求項３】
前記補強部材は、前記配線部材の一方の側の外縁部に配置された枠状の部材であり、
前記補強部材の内側には電子部品搭載用のパッドとなる配線層が露出している請求項１又は２記載のインターポーザ。
【請求項４】
請求項３記載のインターポーザの前記電子部品搭載用のパッドに電子部品が実装された電子部品パッケージ。
【請求項５】
第１無機基板の両面に配線層及び絶縁層が設けられた配線部材を作製する工程と、
第２無機基板の両面に絶縁層が設けられた補強部材を作製する工程と、
前記配線部材上に接着部を介して前記補強部材を接着する工程と、を有し、
前記配線部材を作製する工程では、前記第１無機基板の一方の面側に、第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と配線層とを各々複数層積層し、前記第１無機基板の他方の面側に第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と配線層と最外絶縁層となる有機絶縁層とを積層し、
前記補強部材を作製する工程では、前記第１無機基板の両面に設けられた絶縁層と同一層構成となるように、前記第２無機基板の両面に絶縁層を形成し、前記第２無機基板、前記第２無機基板の両面に積層された前記無機絶縁層、及び前記有機絶縁層を貫通する開口部を設け、
前記補強部材を接着する工程では、前記補強部材の前記有機絶縁層と前記配線部材の前記有機絶縁層が各々前記接着部側とは反対側を向くように、前記配線部材上に接着部を介して前記補強部材を接着するインターポーザの製造方法。
【請求項６】
前記配線部材を作製する工程は、
前記第１無機基板の一方の側に、第１の温度で無機絶縁層を成膜する工程と、
前記第１無機基板の他方の側を研磨して薄型化する工程と、
前記第１無機基板の一方の側の前記無機絶縁層上に、接着材を介して支持体を仮接着する工程と、
前記第１無機基板の他方の側に第２の温度で硬化する有機絶縁層を形成する程と、を有し、
前記第１の温度は前記接着材の耐熱温度よりも高く、前記第２の温度は前記接着材の耐熱温度よりも低い請求項５記載のインターポーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本インターポーザは、第１無機基板を備えた配線部材と、接着部を介して前記配線部材上に接着された、第２無機基板を備えた補強部材と、を有し、前記第１無機基板の前記接着部側の面には、第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と配線層とが各々複数層積層され、前記第１無機基板の前記接着部側とは反対側の面には第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と配線層と有機絶縁層とが積層され、前記第２無機基板の前記接着部側の面には、第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層が複数層積層され、前記第２無機基板の前記接着部側とは反対側の面には第１無機絶縁膜及び第２無機絶縁膜を含む無機絶縁層と有機絶縁層とが積層され、前記補強部材には、前記第２無機基板、前記第２無機基板の両面に積層された前記無機絶縁層、及び前記有機絶縁層を貫通する開口部が設けられ、前記第１無機基板の前記接着部側の前記無機絶縁層と、前記第２無機基板の前記接着部側の前記無機絶縁層とは同一層構成であって、前記接着部を中心として上下対称に配置され、前記第１無機基板の前記接着部側とは反対側の前記無機絶縁層及び前記有機絶縁層と、前記第２無機基板の前記接着部側とは反対側の前記無機絶縁層及び前記有機絶縁層とは同一層構成であって、前記接着部を中心として上下対称に配置され、前記第１無機基板及び前記第２無機基板の各々の前記接着部側とは反対側の最外絶縁層は有機絶縁層であることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一のチャンバ内において又は通路部を介して大気から隔離して連結された複数のチャンバ内において、Ａｌを含む半導体層が積層された半導体基板にエッチングを施して前記半導体層の少なくとも一部を露出させたメサ構造を形成し且つ前記メサ構造で露出した前記Ａｌを含む半導体層の酸化を防止する酸化防止膜を形成するメサ構造形成工程と、
前記メサ構造形成工程の後に前記半導体基板を前記同一のチャンバ又は前記複数のチャンバから搬出し、半導体結晶成長装置が備える他のチャンバに搬入する搬送工程と、
前記他のチャンバ内で、前記酸化防止膜を除去した後に前記メサ構造の両側を埋込層で埋め込む埋込工程と、
を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記酸化防止膜が、非晶質Ａｓ膜であり、
前記埋込工程が、前記非晶質Ａｓ膜を加熱することで前記メサ構造から前記非晶質Ａｓ膜を脱離させることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記埋込工程は、前記非晶質Ａｓ膜を２５０℃以上の温度に加熱することで前記非晶質Ａｓ膜を除去することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記メサ構造形成工程は、前記メサ構造の表面に前記非晶質Ａｓ膜を１０℃以下の温度で形成することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記メサ構造形成工程は、
チャンバに酸化防止膜形成部を備えたドライエッチング装置と、
酸化防止膜形成装置およびドライエッチング装置並びにこれらの装置のチャンバ間を大気から隔離して接続する搬送通路を備えた装置と、
のうち一方を用いて、
前記メサ構造を形成するエッチングの後、連続して前記メサ構造の表面に前記酸化防止膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
台座を備えたチャンバと、
前記チャンバ内に連通し、前記台座上の半導体基板にエッチングを行うためのエッチングガス供給部と、
前記チャンバ内に連通し、前記台座上の半導体基板に酸化防止膜を形成するための酸化防止膜形成部と、
前記チャンバに対する前記エッチングガス供給部および前記酸化防止膜形成部の連通と遮断とを選択的に切り替える開閉機構と、
を備えることを特徴とする半導体素子の製造装置。
【請求項７】
前記酸化防止膜が非晶質Ａｓ膜であり、
前記酸化防止膜形成部が、前記台座上の半導体基板に非晶質Ａｓ膜を形成するように前記チャンバ内にＡｓ分子を供給するＡｓ供給部であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の製造装置。
【請求項８】
前記Ａｓ供給部は、前記チャンバ内に連通したるつぼ及び前記るつぼを加熱するヒータを備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明にかかる半導体素子の製造方法は、
同一のチャンバ内において又は通路部を介して大気から隔離して連結された複数のチャンバ内において、Ａｌを含む半導体層が積層された半導体基板にエッチングを施して前記半導体層の少なくとも一部を露出させたメサ構造を形成し且つ前記メサ構造で露出した前記Ａｌを含む半導体層の酸化を防止する酸化防止膜を形成するメサ構造形成工程と、
前記メサ構造形成工程の後に前記半導体基板を前記同一のチャンバ又は前記複数のチャンバから搬出し、半導体結晶成長装置が備える他のチャンバに搬入する搬送工程と、
前記他のチャンバ内で、前記酸化防止膜を除去した後に前記メサ構造の両側を埋込層で埋め込む埋込工程と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項３記載の暗号装置であって、
前記メモリ部は、前記暗号制御部における前記先行読み出し処理用の読み出しプログラムを規定する複数の命令コード情報をさらに格納し、
前記電力消費処理は、前記先行読み出し処理の前に実行され、前記複数の命令コード情報のうち一の情報を選択読み出し命令コード情報として読み出す、命令コード読み出し処理を含み、
前記先行読み出し処理は、前記選択読み出し命令コード情報で規定された読み出しプログラムを実行する処理を含む、
暗号装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５の発明は、請求項３記載の暗号装置であって、前記メモリ部は、前記暗号制御部における前記先行読み出し処理用の読み出しプログラムを規定する複数の命令コード情報をさらに格納し、前記電力消費処理は、前記先行読み出し処理の前に実行され、前記複数の命令コード情報のうち一の情報を選択読み出し命令コード情報として読み出す、命令コード読み出し処理を含み、前記先行読み出し処理は、前記選択読み出し命令コード情報で規定された読み出しプログラムを実行する処理を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月22日(2016.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を取得し、取得した映像に対してコントラスト強調処理を実施する機能を備えた監視カメラと、
受信した情報を音声または視覚的表示により周囲に通知する通知装置と、
前記監視カメラからの信号に応じて前記通知装置を制御する制御装置と、を備え、
前記監視カメラは、コントラスト強調処理の度合いを示す信号を前記制御装置へ送信し、
前記制御装置は、前記コントラスト強調処理の度合いを示す信号に基づいて、前記通知装置に対する制御が必要か否かを判断し、必要と判断した場合には、コントラスト強調処理の度合いに応じて通知の内容を変更することを特徴とする監視システム。
【請求項２】
霞補正回路、スミア補正回路、及びズーム機構を備えた監視カメラ装置、前記監視カメラ装置のパン角及びチルト角を制御する旋回台、前記旋回台を制御する旋回台制御部、前記監視カメラ装置が撮像した映像を表示するモニタ、並びに、前記監視カメラ装置、前記旋回台、前記旋回台制御部及び前記モニタを制御する制御装置を有する監視カメラシステムにおいて、
前記制御装置は、
前記監視カメラ装置の設置位置、前記監視カメラ装置のプリセット位置、及び前記監視カメラを設置した場所の太陽の位置情報を格納する記憶部を備え、
前記霞補正回路若しくはスミア補正回路から出力される黒ピーク値またはズーム倍率と、前記旋回台制御部から出力されるパン角及びチルト角の情報と、前記記憶部から取得する現在の太陽の位置に基づいて、前記黒ピーク値が所定の範囲の場合に、霧若しくは霞が発生したか、またはフレアが発生したかを判定し、霧若しくは霞が発生した場合には、当該監視カメラ装置に霞補正するように第１の制御信号を出力し、かつ、出力端子に接続した外部機器に警報または警告を出力することを特徴とする監視システム。
【請求項３】
請求項２記載の監視カメラシステムにおいて、前記黒ピーク値の範囲を複数のクラスに分け、前記複数のクラス毎に、異なる警報または警告を出力することを特徴とする監視システム。
【請求項４】
請求項３のいずれかに記載の監視カメラシステムにおいて、前記監視カメラのズーム倍率によって、前記複数のクラス毎に出力する警報または警告を変更することを特徴とする監視システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月8日(2016.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明による撮像装置は以下の構成を備える。即ち、
外部装置とネットワークを介して接続され、パン・チルトの機構を有する撮像装置であって、
外部装置から、当該撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲の設定を指示する可動範囲設定コマンドを受信する受信手段と、
前記可動範囲と前記撮像装置の画角とに基づいて、当該撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を設定する設定手段と、
を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置とネットワークを介して接続され、パン・チルトの機構を有する撮像装置であって、
外部装置から、当該撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲の設定を指示する可動範囲設定コマンドを受信する受信手段と、
前記可動範囲と前記撮像装置の画角とに基づいて、当該撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を設定する設定手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可視範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の垂直画角とに基づいて、当該撮像装置の可視範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の最大水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可視範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の最大垂直画角とに基づいて、当該撮像装置の可視範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の画角とに基づいて設定した前記撮像装置の可視範囲に基づいてプリセット位置を変更する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の画角とに基づいて設定した前記撮像装置の可視範囲に基づいて可視範囲内となるようにプリセット位置を変更する
ことを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
パン・チルトの機構を有する撮像装置とネットワークを介して接続される情報処理装置であって、
前記撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を示す可視範囲情報を取得する取得手段と、
前記可視範囲情報が示す可視範囲と前記撮像装置の広角端画角とに基づいて、前記撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲を設定する設定手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
前記設定手段は、前記可視範囲と前記撮像装置の広角端水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可動範囲を設定する
ことを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記設定手段は、前記可視範囲と前記撮像装置の広角端垂直画角とに基づいて、当該撮像装置の可動範囲を設定する
ことを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
外部装置とネットワークを介して接続され、パン・チルトの機構を有する撮像装置の制御方法であって、
外部装置から、当該撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲の設定を指示する可動範囲設定コマンドを受信する受信工程と、
前記可動範囲と前記撮像装置の画角とに基づいて、当該撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を設定する設定工程と、
を備えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１２】
前記設定工程では、前記可動範囲と前記撮像装置の水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可視範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【請求項１３】
パン・チルトの機構を有する撮像装置とネットワークを介して接続される情報処理装置の制御方法であって、
前記撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を示す可視範囲情報を取得する取得工程と、
前記可視範囲情報が示す可視範囲と前記撮像装置の広角端画角とに基づいて、前記撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲を設定する設定工程と、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１４】
前記設定工程では、前記可視範囲と前記撮像装置の広角端水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可動範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１３に記載の制御方法。
【請求項１５】
外部装置とネットワークを介して接続され、パン・チルトの機構を有する撮像装置の制御をコンピュータに機能させるためのプログラムであって、
前記コンピュータを、
外部装置から、当該撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲の設定を指示する可動範囲設定コマンドを受信する受信手段、
前記可動範囲と前記撮像装置の画角とに基づいて、当該撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を設定する設定手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１６】
前記設定手段は、前記可動範囲と前記撮像装置の水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可視範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１５に記載のプログラム。
【請求項１７】
パン・チルトの機構を有する撮像装置とネットワークを介して接続される情報処理装置の制御をコンピュータに機能させるためのプログラムであって、
前記撮像装置の撮像可能な画角の範囲である可視範囲を示す可視範囲情報を取得する取得手段、
前記可視範囲情報が示す可視範囲と前記撮像装置の広角端画角とに基づいて、前記撮像装置のパン方向及びチルト方向への可動範囲を設定する設定手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１８】
前記設定手段は、前記可視範囲と前記撮像装置の広角端水平画角とに基づいて、当該撮像装置の可動範囲を設定する
ことを特徴とする請求項１７に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼器組立体であって、
束状の空気／燃料予混合噴射管の下流端部に隣接して配置されている環状渦停留キャビティであり、前記束状の予混合管の先頭端部に隣接する径方向内側部分に開口部を含む、環状渦停留キャビティと、
前記環状渦停留キャビティの周辺に配設されている１つまたは複数の空気噴射孔と、
前記環状渦停留キャビティの周辺に配設されている１つまたは複数の燃料源と
を含み、
前記１つまたは複数の燃料源は、前記環状渦停留キャビティの環状後壁に配置された少なくとも１つの空気／燃料予混合噴射管と、前記環状渦停留キャビティの前壁に配置された少なくとも１つの空気／燃料予混合噴射管を含み、
前記１つまたは複数の空気噴射孔および前記１つまたは複数の燃料源は、前記環状渦停留キャビティ内の渦を駆動するように構成されている、
燃焼器組立体。
【請求項２】
前記１つまたは複数の燃料源は、１つまたは複数の液体燃料噴射装置を含む、請求項１記載の燃焼器組立体。
【請求項３】
燃焼器組立体であって、
上流端部、下流端部、およびそれらの間に流路を有する束状の空気／燃料予混合噴射管と、
前記空気／燃料予混合噴射管の前記下流端部に隣接して配置されておりかつ環状後壁、環状前壁、およびそれらの間に形成されている環状径方向外壁との間に画定されている環状渦停留キャビティと、
前記外壁から離間されておりかつ前記後壁と前記前壁との間に延在している前記環状渦停留キャビティの径方向内側部分にある、環状渦停留キャビティ開口部と、
前記環状渦停留キャビティの周辺に配設されている１つまたは複数の空気噴射孔と、
前記環状渦停留キャビティの周辺に配設されている１つまたは複数の燃料源と
を含み、
前記１つまたは複数の燃料源は、
上流方向に前記後壁上の径方向外側部分に配設されている第１の空気／燃料予混合噴射管と、
下流方向に前記前壁上の径方向内側部分に配設されている第２の空気／燃料予混合噴射管と
を含み、
前記１つまたは複数の空気噴射孔および前記１つまたは複数の燃料源は、前記環状渦停留キャビティ内の渦を駆動するように構成されており、
前記第１の空気／燃料予混合噴射管および前記第２の空気／燃料予混合噴射管は、前記束状の空気／燃料予混合噴射管の前記流路と同方向回転で前記環状渦停留キャビティ内の前記渦を駆動する、
燃焼器組立体。
【請求項４】
前記１つまたは複数の空気噴射孔は、前記予混合管の前記流路と同方向回転で前記環状渦停留キャビティ内の前記渦を駆動するように角度が付けられている、請求項１乃至３のいずれかに記載の燃焼器組立体。
【請求項５】
前記環状渦停留キャビティと連通しているクロスファイア管又は点火装置
をさらに含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の燃焼器組立体。
【請求項６】
前記１つまたは複数の燃料源は、
下流方向に配置されている液体燃料噴射装置
を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の燃焼器組立体。
【請求項７】
燃焼器組立体であって、
上流端部、下流端部、およびそれらの間に流路を有する束状の空気／燃料予混合噴射管と、
前記空気／燃料予混合噴射管の前記下流端部に隣接して配置されておりかつ環状後壁、環状前壁、およびそれらの間に形成されている環状径方向外壁との間に画定されている、環状渦停留キャビティと、
前記外壁から離間されておりかつ前記後壁と前記前壁との間に延在している前記環状渦停留キャビティの径方向内側部分にある、環状渦停留キャビティ開口部と、
前記環状渦停留キャビティの周辺に配設されている１つまたは複数の空気噴射孔と、
前記環状渦停留キャビティの周辺に配設されている１つまたは複数の燃料源と、
前記束状の予混合管、前記環状渦停留キャビティ、前記１つまたは複数の空気噴射孔、および前記１つまたは複数の燃料源と空気流連通して配設されている環状燃焼器ライナにより取り巻かれている、燃焼室と
を含み、
前記１つまたは複数の燃料源は、
上流方向に前記後壁上の径方向外側部分に配設されている第１の空気／燃料予混合噴射管と、
下流方向に前記前壁上の径方向内側部分に配設されている第２の空気／燃料予混合噴射管と
を含み、
前記１つまたは複数の空気噴射孔および前記１つまたは複数の燃料源は、前記環状渦停留キャビティ内の渦を駆動するように構成されており、
第１の予混合噴射装置および第２の予混合噴射装置は、前記束状の空気／燃料予混合噴射管の前記流路と同方向回転で前記環状渦停留キャビティ内の前記渦を駆動する、
燃焼器組立体。
【請求項８】
前記１つまたは複数の空気噴射孔は、前記予混合管の前記流路に対して逆方向回転で前記環状渦停留キャビティ内の前記渦を駆動するように角度が付けられている、請求項７に記載の燃焼器組立体。
【請求項９】
前記環状渦停留キャビティと連通しているクロスファイア管又は点火装置
をさらに含む、請求項７または８に記載の燃焼器組立体。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の燃料源は、
下流方向に配置されている液体燃料噴射装置
を含む、請求項７乃至９のいずれかに記載の燃焼器組立体。