Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、多層膜と、を有し、
前記多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記多層膜は、酸化物層と、前記酸化物層に積層された酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との間の領域を有し、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、
前記元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一であり、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間には、前記酸化物層と前記酸化物半導体層との比率が連続的に変化する領域が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、多層膜と、を有し、
前記多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記多層膜は、酸化物層と、前記酸化物層に積層された酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との間の領域を有し、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、
前記元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一であり、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間には、前記酸化物層と前記酸化物半導体層との比率が連続的に変化する領域が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、多層膜と、を有し、
前記多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記多層膜は、酸化物層と、前記酸化物層に積層された酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との間の領域を有し、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、
前記元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一であり、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下真空準位に近く、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間には、前記酸化物層と前記酸化物半導体層との比率が連続的に変化する領域が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
ソース電極及びドレイン電極を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層及び前記酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一）を有し、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さい領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、厚さが３ｎｍ以上２００ｎｍ以下の領域を有し、
前記酸化物層は、厚さが３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と対向する酸化物積層膜と、を含むトランジスタを有し、
前記酸化物積層膜は、複数の酸化物膜を有し、
前記複数の酸化物膜の少なくとも一つはチャネル形成領域を有し、
前記トランジスタのチャネル長は、５ｎｍ以上６０ｎｍ未満であり、
前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記チャネル形成領域を有する前記酸化物膜の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、前記ゲート電極に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と対向する酸化物積層膜と、
前記酸化物積層膜と接するソース電極及びドレイン電極と、を含むトランジスタを有し、
前記酸化物積層膜は、複数の酸化物膜を有し、
前記複数の酸化物膜の少なくとも一つはチャネル形成領域を有し、
前記トランジスタのチャネル長は、５ｎｍ以上６０ｎｍ未満であり、
前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記チャネル形成領域を有する前記酸化物膜の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と、ゲート電極とが重なる領域のチャネル長方向における長さは、チャネル長の５％以上１０％未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の端面よりチャネル長方向に伸長した領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層と同じ材料で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層と異なる材料で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記トランジスタのチャネル長が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜で換算した膜厚で、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記トランジスタのオフ時のリーク電流は、１ｚＡ／μｍ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記トランジスタのオフ時のリーク電流は、１ｙＡ／μｍ未満であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電気活性金属と、
少なくとも１つのハロゲン化アルカリ金属と、
前記正極組成物の重量に基づいて、少なくとも１．０重量パーセントの量で存在するアルミニウムと、
を含む、正極組成物。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電気活性金属がニッケルを含む、請求項１に記載の正極組成物。
【請求項３】
前記ハロゲン化アルカリ金属が、ナトリウム、カリウムおよびリチウムの群から選択されたアルカリ金属と、塩化物、臭化物およびフッ化物の群から選択されたハロゲン化物とを含む、請求項１に記載の正極組成物。
【請求項４】
前記正極組成物がさらに、元素の硫黄および／または１つまたは複数の硫化物を含む、請求項１に記載の正極組成物。
【請求項５】
前記アルミニウムが、元素のアルミニウムの形態である、請求項１に記載の正極組成物。
【請求項６】
前記組成物が、エネルギー貯蔵装置内に含まれる、請求項１に記載の正極組成物。
【請求項７】
前記組成物が、
前記正極組成物の重量に基づいて、およそ５０〜６５重量パーセントの前記電気活性金属と、
前記正極組成物の総重量に基づいて、およそ３５〜４５重量パーセントの前記ハロゲン化アルカリ金属と、
前記正極組成物の重量に基づいて、少なくともおよそ１．０重量パーセントの前記アルミニウムと、
前記正極組成物中のハロゲン化アルカリ金属の重量に基づいて、およそ０〜１重量パーセントのヨウ化ナトリウムと、
を有する、請求項１に記載の正極組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１つの電気活性金属が、チタン、バナジウム、ニオビウム、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、クロム、マンガン、銀、アンチモン、カドミウム、スズ、鉛、銅、亜鉛から成る群から選択され、
前記少なくとも１つのハロゲン化アルカリ金属が、塩化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化ナトリウム、フッ化ナトリウム、塩化カリウム、ヨウ化カリウム、臭化カリウム、フッ化カリウム、塩化リチウム、ヨウ化リチウム、臭化リチウム、フッ化リチウム、塩化セシウムおよびそれらの組み合わせから成る群から選択され、
前記正極組成物がさらに、およそ０．１から１０重量パーセントの元素の硫黄、１つまたは複数の硫化物またはそれらの組み合わせを含む、
請求項７に記載の正極組成物。
【請求項９】
少なくとも１つの電気活性金属と、
ヨウ化ナトリウム以外の少なくとも１つのハロゲン化アルカリ金属と、
前記正極組成物の重量に基づいて、少なくとも０．５重量パーセントの量で存在するアルミニウムと、
前記正極組成物中のハロゲン化アルカリ金属の重量に基づいて、前記ハロゲン化物含有量のおよそ１．０重量パーセントまでの量で存在するヨウ化ナトリウムと、
を含む正極組成物。
【請求項１０】
前記組成物がさらに、：イオンの伝導性を高める、帯電カソード化学種の溶解性を増減させる、溶融電解質による固体電解質の濡れ性を改善する、および正極マイクロ−ドメインのライプニングを防止するなどの特性のうちの少なくとも１つまたは複数を提供するように選択される１つまたは複数の添加剤を含む、請求項８記載の正極組成物。
【請求項１１】
筐体と、
集電体と、
前記筐体に配置された正極組成物であって、
少なくとも１つの電気活性金属と、
ハロゲン化アルカリ金属と、
前記正極組成物の重量に基づいて、少なくとも１．０重量パーセントの量で存在するアルミニウムとを含む正極組成物と、
前記筐体内に配置された溶融電解質塩と、
を含む、正極。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィーチャを有する半導体基板を反応チャンバ内で処理する方法であって、
（ａ）前記基板の表面に実質的に吸着するのに十分な期間にわたってアルミニウム含有前駆体に前記基板を露出させるステップと、
（ｂ）気相から前記アルミニウム含有前駆体を実質的に全て除去するには不十分な期間にわたって、前記アルミニウム含有前駆体を前記反応チャンバからパージするステップと、
（ｃ）前記基板に実質的にコンフォーマルであり、約１．５Å以上の厚さを有する窒化アルミニウム層を前記基板の前記表面上に形成するために、熱媒介反応を誘発するのに十分な期間にわたって窒素含有前駆体に前記基板を露出させるステップと、
（ｄ）気相の前記窒素含有前駆体を前記反応チャンバからパージするステップと、
（ｅ）ステップ（ａ）〜（ｄ）を繰り返すステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記窒化アルミニウム層が、少なくとも約８０％のステップカバレッジを有する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が、約２５０℃〜約４５０℃の間のプロセス温度で処理される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が、約０．０１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒの間の圧力で処理される方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記アルミニウム含有前駆体がトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）である方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記窒素含有前駆体がアンモニア（ＮＨ3）である方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記アルミニウム含有前駆体をパージするステップが、窒素（Ｎ2）を流すステップをさらに含み、前記窒素含有前駆体をパージするステップが、窒素（Ｎ2）を流すステップをさらに含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記アルミニウム含有前駆体が、約２秒にわたってパージされる方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が、約７．５秒〜約３０秒にわたって前記アルミニウム含有前駆体に露出される方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が前記アルミニウム含有前駆体に露出される時間と、前記アルミニウム含有前駆体がパージされる時間との比が、約３．７５：１〜約１５：１の間である方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
処理が、実質的にパターンローディングを示さない方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
ステップ（ａ）〜（ｄ）のサイクル中に堆積された窒化アルミニウムの量が、少なくとも約２Åである方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
ステップ（ａ）〜（ｄ）のサイクル中に堆積された窒化アルミニウムの量が、少なくとも約５Åである方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の前記フィーチャが、少なくとも約２：１のアスペクト比を有する方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の前記フィーチャが、約１００ｎｍ未満の開口を有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板を処理する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１６］
基板表面上に被膜を堆積するための装置であって、
前記基板を保持するためのペデスタルを備える反応チャンバと、
真空に結合するための少なくとも１つの出口と、
２つ以上の前駆体源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、
装置内での操作を制御するための制御装置であって、
（ａ）前記基板の前記表面に第１の前駆体を実質的に吸着するのに十分な期間にわたって第１の前駆体を前記反応チャンバ内に導入するステップ、
（ｂ）気相から前記第１の前駆体を実質的に全て除去するには不十分な期間にわたって前記チャンバをパージするステップ、
（ｃ）前記基板に実質的にコンフォーマルであり、約１．５Å以上の厚さを有する層を前記基板表面上に形成するのに十分な期間にわたって第２の前駆体を前記反応チャンバに導入するステップ、
（ｄ）気相から前記第２の前駆体を除去するのに十分な期間にわたって前記チャンバをパージするステップ、および
（ｅ）ステップ（ａ）〜（ｄ）を繰り返すステップ
のための機械可読命令を備える制御装置と
を備える装置。
［適用例１７］
適用例１６に記載の装置であって、
前記制御装置が、さらに、ステップ（ｂ）を行うための時間の約３．７５〜約１５倍の時間にわたってステップ（ａ）を行うための命令を含む装置。
［適用例１８］
適用例１６または１７に記載の装置であって、
前記第１の前駆体を導入するステップが、前記第１の前駆体のリザーバの前記ヘッドスペースから前記チャンバに前記第１の前駆体を引き込むステップを含む装置。
［適用例１９］
適用例１８に記載の装置であって、
前記第１の前駆体を導入するステップが、前記ヘッドスペースからの前記第１の前駆体の引込みよりも下流で、かつ前記反応チャンバよりも上流で、前記第１の前駆体を含むキャリアガスを流すステップをさらに含む装置。
これらおよび他の態様を、図面を参照して以下にさらに述べる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月1日(2016.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が収容された反応室内に少なくとも１つの塩素基を持ったシリコンソースガスを供給して活性化させ、該活性化したシリコンソースガスと前記被処理体とを反応させて当該被処理体にシリコン吸着物を吸着させる吸着ステップと、
前記反応室内にアルキル金属ガスを供給して活性化させ、該活性化したアルキル金属ガスと前記シリコン吸着物とを反応させて当該シリコン吸着物に含まれる塩素を除去する塩素除去ステップと、
を備え、
前記吸着ステップと前記塩素除去ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とするカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項２】
前記塩素除去ステップでは、前記アルキル金属ガスに、トリメチルボロン、トリエチルボロン、トリプロピルボロン、または、トリイソプロピルボロンを用いる、ことを特徴とする請求項１に記載のカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項３】
前記吸着ステップでは、前記シリコンソースガスに、ジクロロシラン、トリクロロシラン、モノクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、オクタクロロトリシランを用いる、ことを特徴とする請求項１または２に記載のカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項４】
前記塩素除去ステップでは、前記反応室内を２００℃〜６００℃に設定する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項５】
前記塩素除去ステップを実行した後、前記反応室にプラズマにより活性化された水素ガスを供給し、前記シリコン吸着物に含まれる塩素をさらに除去するプラズマ処理ステップを、さらに備え、
前記吸着ステップと、前記塩素除去ステップと、前記プラズマ処理ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項６】
前記塩素除去ステップを実行した後、前記反応室に酸素を供給して活性化させ、該活性化した酸素と前記シリコン吸着物とを反応させて当該シリコン吸着物に酸素を含ませる酸素供給ステップを、さらに備え、
前記吸着ステップと、前記塩素除去ステップと、前記酸素供給ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項７】
前記酸素供給ステップを実行した後、前記反応室に窒素を供給して活性化させ、該活性化した窒素と前記シリコン吸着物とを反応させて当該シリコン吸着物に窒素を含ませる窒素供給ステップを、さらに備え、
前記吸着ステップと、前記塩素除去ステップと、前記酸素供給ステップと、前記窒素供給ステップを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とする請求項６に記載のカーボンを含むシリコン膜の形成方法。
【請求項８】
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に少なくとも１つの塩素基を持ったシリコンソースガスを供給するシリコンソースガス供給手段と、
前記反応室内にアルキル金属ガスを供給するアルキル金属ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記シリコンソースガス供給手段を制御して前記反応室内にシリコンソースガスを供給させ、前記反応室内に収容された被処理体にシリコン吸着物を吸着し、前記アルキル金属ガス供給手段を制御して前記反応室内にアルキル金属ガスを供給させ、前記シリコン吸着物とに含まれる塩素を除去する、
処理を複数回繰り返す、ことを特徴とするカーボンを含むシリコン膜の形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図５は、受変電設備１の母線配置を示す平面図である。図５において、図の上方が第１の受電スイッチギヤ１１、第２の受電スイッチギヤ１２、第１の負荷給電スイッチギヤ１３、第２の負荷給電スイッチギヤ１４、ＶＣＴ用スイッチギヤ１５のそれぞれの後面を示している。各スイッチギヤ１１、１２、１３、１４、１５の上面に第１のバイパス母線３４及び第２のバイパス母線３５が配設されており、後面に母線３１、３２、３３が配設されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１スイッチング素子を所定のキャリア周波数でオン・オフ動作させてバッテリの電圧を昇圧して昇圧直流電力とする昇圧コンバータと、
複数の第２スイッチング素子を所定のキャリア周波数でオン・オフ動作させて前記昇圧コンバータから出力された昇圧直流電力を交流電力に変換してモータに供給するインバータと、
前記昇圧コンバータの昇圧電圧を調整する制御部と、を備え、
前記制御部は、
要求回転数と要求トルクで前記モータを運転する際の最適昇圧電圧を規定した最適昇圧電圧マップであって、前記モータの回転数がゼロから第１回転数までの間は前記最適昇圧電圧をシステム最大電圧より低い第１電圧とし、前記モータの回転数が第１回転数を超えて第２回転数までの間は前記最適昇圧電圧を前記第１電圧よりも低い第２電圧とし、前記モータの回転数が第２回転数を超えると前記モータの回転数に応じて前記最適昇圧電圧を前記第２電圧から前記システム最大電圧まで上昇させる最適昇圧電圧マップを有し、前記モータの回転数がゼロから第１回転数までの間で、前記インバータのキャリア周波数が所定の閾値以下の場合に、前記昇圧コンバータの昇圧電圧を前記最適昇圧電圧マップで規定する前記第１電圧よりも高くするモータ制御システム。
【請求項２】
請求項１に記載のモータ制御システムであって、
前記制御部は、
前記モータの回転数がゼロから第１回転数までの間で、前記キャリア周波数が所定の閾値以下の場合に、前記昇圧コンバータの昇圧電圧をシステム最大電圧とするモータ制御システム。
【請求項３】
請求項１に記載のモータ制御システムであって、
前記制御部は、
前記モータの回転数がゼロから第１回転数までの間で、前記キャリア周波数が所定の閾値以下の場合に、前記モータのトルクが大きいほど前記昇圧コンバータの昇圧電圧の前記第１電圧からの偏差を大きくするモータ制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
昇圧電圧変更プログラム６８を実行すると、制御部６０は、図２（ｂ）に示すように交流モータ４０の回転数ＲがＮ11で、キャリア周波数Ｆｃが所定の閾値Ｆｃ0よりも低いＦｃ1の場合、昇圧コンバータ２０の昇圧電圧（直流高電圧ＶＨ）を各最適昇圧電圧ＶＨｓよりも大きいシステム最大電圧ＶＨｍａｘに設定する。これにより、図２（ａ）に示すように、昇圧コンバータ２０の動作点は昇圧電圧変更プログラム６８を実行する前の動作点Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13からＰ10に移動し、昇圧コンバータ２０は、システム最大電圧ＶＨｍａｘの昇圧電圧をインバータ３０に供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月13日(2016.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置および受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３Ｄ映像番組コンテンツと２Ｄ映像番組コンテンツとが放送されるデジタル放送信号を受信する受信装置であって、
前記デジタル放送信号は、ＭＰＥＧトランスポートストリーム形式であり、
前記ＭＰＥＧトランスポートストリームは、符号化された映像番組コンテンツと映像番組コンテンツに関する番組情報を記述したイベント情報テーブルを含み、
前記番組情報には、現在放送されている映像番組コンテンツについての番組情報と、現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツについての番組情報とが含まれており、
前記現在放送されている映像番組コンテンツについての番組情報は、前記現在放送されている映像番組コンテンツが３Ｄ映像を含むかどうかを示す識別情報を含み、
前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツについての番組情報は、前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツが３Ｄ映像を含むかどうかを示す識別情報を含み、
前記デジタル放送信号を受信する受信部と、
前記受信部で受信した前記デジタル放送信号に含まれる前記映像番組コンテンツの映像を復号して所定の映像フォーマットで表示出力すること、または、前記受信部で受信した前記ＭＰＥＧトランスポートストリームに含まれるイベント情報テーブルの番組情報を表示出力することが可能な出力部と、
前記受信部で受信した前記デジタル放送信号に含まれる前記映像番組コンテンツについての識別情報により、前記出力部を制御する制御部と、
を備え、
前記出力部における表示出力は、３Ｄ映像を３Ｄ状態で視聴するためには、視聴者が対応する眼鏡を着用する必要がある方式であり、
前記制御部は、  
前記出力部に表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツについての番組情報に含まれる識別情報が、前記出力部に表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツに３Ｄ映像が含まれていることを示しているときに、前記出力部が表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの映像を表示出力しつつ、前記出力部に表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツが３Ｄ映像を含むことを示すメッセージの表示出力を行うように制御する制御状態がある
ことを特徴とする受信装置。
【請求項２】
３Ｄ映像番組コンテンツと２Ｄ映像番組コンテンツとが放送されるデジタル放送信号を受信する受信装置における受信方法であって、
前記デジタル放送信号は、ＭＰＥＧトランスポートストリーム形式であり、
前記ＭＰＥＧトランスポートストリームは、符号化された映像番組コンテンツと映像番組コンテンツに関する番組情報を記述したイベント情報テーブルを含み、
前記番組情報には、現在放送されている映像番組コンテンツについての番組情報と、現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツについての番組情報とが含まれており、
前記現在放送されている映像番組コンテンツについての番組情報は、前記現在放送されている映像番組コンテンツが３Ｄ映像を含むかどうかを示す識別情報を含み、
前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツについての番組情報は、前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツが３Ｄ映像を含むかどうかを示す識別情報を含み、
前記デジタル放送信号を受信する受信ステップと、  
前記受信ステップで受信した前記デジタル放送信号に含まれる前記映像番組コンテンツの映像を復号して所定の映像フォーマットで表示出力する、または、前記受信ステップで受信した前記ＭＰＥＧトランスポートストリームに含まれるイベント情報テーブルの番組情報を表示出力する出力ステップと、
を備え、
前記出力ステップにおける表示出力は、３Ｄ映像を３Ｄ状態で視聴するためには、視聴者が対応する眼鏡を着用する必要がある方式であり、
前記出力ステップには、  
表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツについての番組情報に含まれる識別情報が、表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツに３Ｄ映像が含まれていることを示しているときに、表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの映像を表示出力しつつ、表示出力している前記現在放送されている映像番組コンテンツの次に放送される映像番組コンテンツが３Ｄ映像を含むことを示すメッセージの表示出力を行う出力状態がある
ことを特徴とする受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換する光電変換部と、
前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタと
が単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備え、
前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続され、
前記画素領域のウェル電位は、負電位に設定される
撮像素子。
【請求項２】
前記画素領域外に、前記単位画素から前記電荷が信号として伝送される回路が形成される周辺回路領域をさらに備え、
前記画素領域のウェル電位は、前記周辺回路領域のウェル電位よりも低電位に設定される
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記光電変換部および前記トランジスタを含む回路の電源電位は、前記周辺回路領域の前記回路の電源電位と同電位に設定される
請求項２に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記回路は、前記単位画素から伝送される前記信号をA/D変換するA/D変換部を有する
請求項２または請求項３に記載の撮像素子。
【請求項５】
互いに重畳される複数の半導体基板を有し、
前記画素領域と前記周辺回路領域とは、互いに異なる前記半導体基板に形成される
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の撮像素子。
【請求項６】
前記周辺回路領域に、前記画素領域のウェル電位を生成する負電位生成部をさらに備える
請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の撮像素子。
【請求項７】
前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続されるフォトダイオードを有し、
前記トランジスタは、
前記フォトダイオードからの読み出しを制御する読み出しトランジスタと、
前記フォトダイオードから読み出された電荷が転送されるフローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンの電位を増幅する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタから出力される信号の転送を制御するセレクトトランジスタと
を有する
請求項２乃至請求項６のいずれかに記載の撮像素子。
【請求項８】
前記読み出しトランジスタのオフ時のゲート電位は、前記画素領域のウェル電位よりも低電位に設定される
請求項７に記載の撮像素子。
【請求項９】
前記周辺回路領域に、前記読み出しトランジスタのオフ時の前記ゲート電位を生成する負電位生成部をさらに備える
請求項８に記載の撮像素子。
【請求項１０】
入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタとが単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備え、前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続され、前記画素領域のウェル電位は、負電位に設定される撮像素子と、
前記撮像素子において光電変換された被写体の画像を画像処理する画像処理部と
を備える撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレイヤを有する画像の前記複数のレイヤ間の予測であるレイヤ間予測を行う最上位のサブレイヤを決定するレイヤ間予測制御情報に基づいて、前記レイヤ間予測を行うようにして、前記画像を符号化する符号化部
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記符号化部は、カレントレイヤのカレントピクチャが、前記レイヤ間予測制御情報により前記レイヤ間予測を行うように決定されるサブレイヤに属する場合、前記カレントピクチャの画像を、前記レイヤ間予測を用いて符号化する
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記符号化部は、最下位サブレイヤから前記レイヤ間予測制御情報により決定される最上位のサブレイヤまでのサブレイヤに属するピクチャの画像を、前記レイヤ間予測を用いて符号化する
請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記レイヤ間予測制御情報は、レイヤ毎に設定される
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記レイヤ間予測制御情報は、全レイヤ共通のパラメータとして設定される
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記符号化部により符号化された前記画像の符号化データと、前記レイヤ間予測制御情報とを伝送する伝送部
をさらに備える請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記符号化部は、
前記レイヤ間予測制御情報として設定された、前記複数のレイヤ間のピクセル予測であるレイヤ間ピクセル予測を行うかを制御するレイヤ間ピクセル予測制御情報に基づいて前記レイヤ間ピクセル予測を行い、
前記レイヤ間予測制御情報として、前記レイヤ間ピクセル予測制御情報とは独立に設定された、前記複数のレイヤ間のシンタクス予測であるレイヤ間シンタクス予測を行うかを制御するレイヤ間シンタクス予測制御情報に基づいて前記レイヤ間シンタクス予測を行い、
前記伝送部は、前記レイヤ間予測制御情報として、互いに独立に設定された前記レイヤ間ピクセル予測制御情報および前記レイヤ間シンタクス予測制御情報を伝送する
請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記レイヤ間ピクセル予測制御情報は、前記レイヤ間ピクセル予測を行うかを、前記サブレイヤを用いて制御し、
前記符号化部は、前記レイヤ間ピクセル予測制御情報により指定されるサブレイヤのみ前記レイヤ間ピクセル予測を行い、
前記レイヤ間シンタクス予測制御情報は、前記レイヤ間シンタクス予測を行うかを、ピクチャ若しくはスライス毎に制御し、
前記符号化部は、前記レイヤ間シンタクス予測制御情報により指定されるピクチャ若しくはスライスのみ前記レイヤ間シンタクス予測を行う
請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記伝送部は、前記レイヤ間ピクセル予測制御情報を、ナルユニット（nal_unit）、ビデオパラメータセット（VPS（Video Parameter Set））、若しくは、拡張ビデオパラメータセット（vps_extension）として伝送する
請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記伝送部は、前記レイヤ間シンタクス予測制御情報を、ナルユニット（nal_unit）、ピクチャパラメータセット（PPS（Picture Parameter Set））、若しくは、スライスヘッダ（SliceHeader）として伝送する
請求項８または請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
複数のレイヤを有する画像の前記複数のレイヤ間の予測であるレイヤ間予測を行う最上位のサブレイヤを決定するレイヤ間予測制御情報に基づいて、前記レイヤ間予測を行うようにして、前記画像を符号化する
画像処理方法。
【請求項１２】
コンピュータを、
複数のレイヤを有する画像の前記複数のレイヤ間の予測であるレイヤ間予測を行う最上位のサブレイヤを決定するレイヤ間予測制御情報に基づいて、前記レイヤ間予測を行うようにして、前記画像を符号化する符号化部
として機能させるプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【請求項１３】
コンピュータを、
複数のレイヤを有する画像の前記複数のレイヤ間の予測であるレイヤ間予測を行う最上位のサブレイヤを決定するレイヤ間予測制御情報に基づいて、前記レイヤ間予測を行うようにして、前記画像を符号化する符号化部
として機能させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被取付面に設けられた被取付部に対向する面を有するベース部材と、
前記ベース部材に取り付けられ、前記被取付部と係合して電気的に接続される引掛刃と、
前記ベース部材の被取付部に対向する面に突出可能に構成された突出部を有し、当該突出部が前記被取付部に設けられた孔に嵌合されることによって前記引掛刃の係合状態を保つことが可能なロック部と、
前記ベース部材に取り付けられ、ＬＥＤ素子が実装された基板を保持する放熱部と、
前記ベース部材に取り付けられる透光性カバーと、
を備え、
前記ベース部材には、前記被取付部に対向する面とは反対側の面に当該ベース部材の内部方向に突出して形成された、前記ロック部を固定するための固定溝と、前記ロック部の突出部が当該ベース部材内部側から前記被取付部に対向する面側に挿通可能な突出部挿通孔と、前記引掛刃を固定するための引掛刃孔及び引掛刃溝が設けられる、ＬＥＤ照明装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤ素子が実装された基板には前記ＬＥＤ素子を点灯させる点灯回路が設けられている、請求項１に記載のＬＥＤ照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るＬＥＤ照明装置は、被取付面に設けられた被取付部に対向する面を有するベース部材と、ベース部材に取り付けられ、被取付部と係合して電気的に接続される引掛刃と、ベース部材の被取付部に対向する面に突出可能に構成された突出部を有し、当該突出部が被取付部に設けられた孔に嵌合されることによって引掛刃の係合状態を保つことが可能なロック部と、ベース部材に取り付けられ、ＬＥＤ素子が実装された基板を保持する放熱部と、ベース部材に取り付けられる透光性カバーと、を備え、ベース部材には、被取付部に対向する面とは反対側の面に当該ベース部材の内部方向に突出して形成された、ロック部を固定するための固定溝と、ロック部の突出部が当該ベース部材内部側から被取付部に対向する面側に挿通可能な突出部挿通孔と、引掛刃を固定するための引掛刃孔及び引掛刃溝が設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、ＬＥＤ素子が実装された基板にはＬＥＤ素子を点灯させる点灯回路が設けられていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、上記のように、ベース部材に設けられた引掛刃により、ＬＥＤランプ本体を、アダプタを介することなく直接に、被取付部の配線器具と電気的かつ機械的に接続しているため、アダプタ分の取付高さ（厚み）を必要とせず天井面に取り付けた場合にも充分な薄型化を実現することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の一態様によれば、ＬＥＤ素子と点灯回路を単一の同じ基板に設けているため、点灯回路にＬＥＤ素子を配設するための器具を別途要せず、より一層確実に薄型化、小型化を達成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、上述の実施形態によって以下のような発明をも導くことができる。
（Ａ）放熱部材の少なくとも一部が外気に接触して、冷却される、ＬＥＤ照明装置。
これにより、冷却効率が高まり、ＬＥＤ素子からの発熱を効率良く放散して抑制することができる。
（Ｂ）ロック機構のロックを解除する解除ボタンも備え、この解除ボタンは、ＬＥＤランプ本体の外縁に設けられている、ＬＥＤ照明装置
これにより、引掛刃によりベース部材を天井面等に近接して設置しても、天井面等とＬＥＤ照明装置との間の僅少な隙間に手等を入れて、ＬＥＤ照明装置の外部から簡易に解除操作を行え、透光性カバーを取り外すことなく、容易かつ円滑、確実に、照明装置の脱着を行うことができる。
（Ｃ）火災を報知する火災報知手段をも更に備えている、ＬＥＤ照明装置。
これにより、ＬＥＤ照明装置とは別個に火災報知器等を設置する必要もなく、照明機能だけではなく、安全性も高めることができる。
以上、この発明の実施の形態を説明したが、この発明は、これらの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても本発明に含まれる。すなわち、当業者であれば、当然なし得る各種変形、修正もまた本発明に含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この他、シート積層巻回装置は、巻き芯１００ｃに対向した押圧ローラー４１０と、電極シート除去部４２０Ｓ，４２０Ｎと、制御装置４３０とを備える。押圧ローラー４１０は、上記の各ローラーから送り出されたシートを、巻き芯１００ｃの側から、正極シート１０１、セパレーター１０３、負極シート１０２、セパレーター１０４の順に重なるようにして、各シートを巻き芯１００ｃの側に向けて押圧する。こうして押圧された状態で、巻き芯１００ｃは、制御装置４３０の制御下で、回転する。これにより、シート積層巻回装置は、それぞれの上記各ローラーに巻き取り済みの正極シート１０１とセパレーター１０３と負極シート１０２とセパレーター１０４とを、正極シート１０１と負極シート１０２との間にセパレーター１０３が介在し（図１参照）、この負極シート１０２と当該負極シートに重なる正極シート１０１との間にセパレーター１０４が介在するようにして、巻回軸たる巻き芯１００ｃに送り出し、この巻き芯１００ｃにて積層巻回する。この巻き芯１００ｃへの巻回により巻回電極体１００が形成され、巻き芯１００ｃへの巻回は、得られた巻回電極体１００が電池容器本体１１に収まる外径となるまで所定の巻回回数に亘って繰り返される。シートの巻回の繰り返しにより、得られる巻回電極体１００の外径は徐々に大きくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ガスと酸化剤ガスとの電気化学反応により発電する燃料電池を有し、複数の前記燃料電池が積層されて積層方向両端にエンドプレートが配置される燃料電池スタックと、
前記燃料電池スタックに前記燃料ガスを供給する燃料ガスユニットと、
前記燃料電池スタックに前記酸化剤ガスを供給する酸化剤ガスユニットと、
を備える燃料電池システムが搭載される燃料電池車両であって、
前記燃料ガスユニットは、燃料ガス配管及び燃料ガス補機を含む燃料ガス系部材の中、少なくとも２つの前記燃料ガス系部材を一体に組み付ける一方、
前記酸化剤ガスユニットは、酸化剤ガス配管及び酸化剤ガス補機を含む酸化剤ガス系部材の中、少なくとも２つの前記酸化剤ガス系部材を一体に組み付けるとともに、
前記燃料電池スタックと前記酸化剤ガスユニットとの間には、前記燃料ガスユニットの少なくとも一部が介装された状態で、前記燃料電池スタック、前記燃料ガスユニット及び前記酸化剤ガスユニットは、一体に固定され、
前記燃料電池スタックは、前記エンドプレートが配置される両端部以外を覆う燃料電池カバー部材を有するとともに、
前記燃料ガスユニットと前記酸化剤ガスユニットとの間には、該燃料ガスユニットの一部を覆う燃料ガスユニットカバー部材が配置され、
前記燃料電池カバー部材と前記燃料ガスユニットカバー部材とは、別体に構成されることを特徴とする燃料電池車両。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池車両において、前記燃料電池スタックは、一方のエンドプレートから前記燃料電池の積層方向に延在する燃料ガス入口連通孔、燃料ガス出口連通孔、酸化剤ガス入口連通孔及び酸化剤ガス出口連通孔を設けるとともに、
前記一方のエンドプレートには、前記燃料ガスユニット及び前記酸化剤ガスユニットが配置されることを特徴とする燃料電池車両。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料電池車両において、前記酸化剤ガスユニットは、一体化された状態で、前記燃料電池スタックに取り付けられることを特徴とする燃料電池車両。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池車両において、前記酸化剤ガスユニットは、前記酸化剤ガス系部材である酸化剤ガス加湿用の加湿器を備え、
前記燃料電池スタックに取り付けられる前記燃料ガスユニットの下方に隣接して前記加湿器が配置されることを特徴とする燃料電池車両。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池車両において、前記燃料電池スタックは、前記燃料電池の前記積層方向が車両の車幅方向に一致するとともに、
前記燃料電池スタックから電流を取り出すケーブル部材を備え、
前記ケーブル部材は、前記車幅方向において、前記燃料電池スタックと前記燃料ガスユニットとの間を通って配設されることを特徴とする燃料電池車両。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の燃料電池車両において、前記酸化剤ガスユニットは、前記酸化剤ガス系部材であるエアポンプを備え、
前記エアポンプは、前記燃料電池スタック及び前記燃料ガスユニットよりも鉛直方向下方に配置されることを特徴とする燃料電池車両。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の燃料電池車両において、前記燃料ガスユニットは、前記燃料ガス系部材である燃料ガス循環ポンプを備えるとともに、
前記酸化剤ガスユニットは、前記酸化剤ガス系部材である酸化剤ガス循環ポンプを備え、
前記燃料ガス循環ポンプの軸と前記酸化剤ガス循環ポンプの軸とは、前記車幅方向において互いにオフセットして配置されることを特徴とする燃料電池車両。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上述したように、イオン化に際し高電圧発生部１１は針電極１０に高電圧パルスを印加する。この高電圧発生部１１が本発明に係る高電圧電源装置の一実施例である。
図２は高電圧発生部１１の概略構成図である。
この高電圧発生部１１は、最大数kV程度（極性は正、負切替可能）の直流高電圧を出力する直流高電圧電源１１０と、高電圧スイッチング回路１１２と、を含む。この直流高電圧電源１１０はＰＥＳＩイオン化ユニットＡの代わりに装着されるＥＳＩイオン化ユニット、やＡＰＣＩイオン化ユニットであるイオン化ユニットＢへ直流高電圧を印加するのにも利用される。即ち、直流高電圧電源１１０は複数のイオン化ユニットに共用される。一方、高電圧スイッチング回路１１２はＰＥＳＩイオン化ユニットＡのみに使用される。
上述したような理由により、直流高電圧電源１１０の出力抵抗１１１の抵抗値Ｒ1は数MΩ以上である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この高電圧発生部１１の特徴的な動作を図３を参照して説明する。
第１スイッチ１１５がオン状態、第２スイッチ１１６がオフ状態であるとき、高電圧発生部１１から針電極１０には高電圧が印加されている。出力電圧をターンオフする場合、制御部２２からの指示により、第１スイッチ１１５はオン→オフ、第２スイッチ１１６はオフ→オンに切り替わる。すると、図３（ａ）に示すように、一端がＧＮＤに接続されている負荷容量１００の他端は第２スイッチ１１６を通してＧＮＤに接続されるため、その直前まで負荷容量１００に充電されていた電荷は第２スイッチ１１６を通して放電される。これにより、出力電圧は短時間で低下し、負荷、つまり針電極１０の電位はＧＮＤレベルとなる。即ち、高電圧パルスの立ち下がりは迅速である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
出力電圧ターンオン時には、制御部２２からの指示により、第１スイッチ１１５はオフ→オン、第２スイッチ１１６はオン→オフに切り替わる。この出力電圧ターンオン時の動作は２段階に分けて説明できる。
出力電圧ターンオン時の直前、つまり二つのスイッチ１１５、１１６が図３（ａ）に示す状態にあるとき、コンデンサ１１４の両端の電圧ＶAは次の(1)式で示される。
ＶA＝｛Ｒ2／（Ｒ1＋Ｒ2）｝ＶE      …(1)
ここで、ＶEは直流高電圧電源１１０の出力電圧である。上述したように、このとき負荷容量１００の両端電圧は０Ｖである。この状態から出力電圧をターンオンすると、図３（ｂ）に示すように、コンデンサ１１４に充電されている電荷が第１スイッチ１１５を通して短時間で負荷容量１００に移動する。この移動後のコンデンサ１１４及び負荷容量１００の両端の電圧ＶBは次の(2)式で示される。
ＶB＝｛Ｃ1／（Ｃ1＋Ｃ2）｝ＶA      …(2)
これが、出力電圧立ち上がり動作の第１段階である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、図３（ｃ）に示すように、コンデンサ１１４及び負荷容量１００はいずれも直流高電圧電源１１０による電圧によって充電され、それにより出力電圧はＲ1×（Ｃ1＋Ｃ2）の時定数で緩やかに上昇する。そして、最終的に定常電圧ＶAに達する。これが出力電圧立ち上がり動作の第２段階である。
いま、第２段階の出力電圧Ｖo(ｔ)、及び通過電流Ｉ1、Ｉ2を図３（ｄ）のように定義すると、
ＶE＝（Ｉ1＋Ｉ2）Ｒ1＋Ｖo(ｔ)      …(3)
ただし、Ｉ1＝（Ｃ1＋Ｃ2）（ｄＶo(ｔ)／ｄｔ）、Ｉ2＝Ｖo(ｔ)／Ｒ2
と表される。(3)式の微分方程式を初期条件Ｖo(ｔ)＝ＶB（ただしｔ＝０のとき）で解くと(4)式となる。
Ｖo(ｔ)＝ＶA［１−（Ｃ2×Ｐ）exp｛−Ｐｔ（（１／Ｒ1）＋（１／Ｒ2））｝］      …(4)
ただし、Ｐ＝１／（Ｃ1＋Ｃ2）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
１…イオン化室
５…溶媒容器
６…送液ポンプ
７…ノズル
８…試料ステージ
９…試料
１０…針電極
１１…高電圧発生部
１２…Ｚ方向駆動部
１３…Ｘ−Ｙ方向駆動部
２２…制御部
１００…負荷容量
１１０…直流高電圧電源
１１１…出力抵抗
１１２…高電圧スイッチング回路
１１３…抵抗器
１１４…コンデンサ
１１５、１１６…スイッチ
１１７…入力端
１１８…出力端
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月10日(2016.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータヨークと、前記ロータヨークの外周に設けられて、前記ロータヨークの周方向に向かって配列される複数のマグネットと、を含むモータロータと、
前記ロータヨークの径方向外側に、複数のティースが環状に配置されるステータコア及び前記ステータコアを励磁させる励磁コイルを含むモータステータと、
を含み、
前記ロータヨークの外周は、前記ロータヨークの径方向外側に突出する凸部と、周方向に隣り合う前記凸部間の凹部と、を含み、
前記マグネットは、前記凹部表面に配置され、
前記凸部には、前記モータロータの回転中心の軸と平行な軸方向に、前記ロータヨークの内部を貫通して、前記ロータヨークよりも透磁率が低い磁気的ギャップ部が少なくとも１つあり、
前記凹部は、前記マグネットが配置される前記凹部表面と、前記凸部の最外周との間に、軸方向でみて直線状の傾斜部を備え、前記凸部の最外周と前記傾斜部との交差位置と、前記マグネットの径方向外側との最短距離が、隣り合う前記ティース間の距離よりも大きい、電動機。
【請求項２】
前記マグネットは、径方向外側の外径の曲率中心が前記モータロータの回転中心とずれている、請求項１に記載の電動機。
【請求項３】
前記磁気的ギャップ部は、前記凸部の径方向外側寄りの端部の形状が軸方向からみて湾曲している、請求項１又は２に記載の電動機。
【請求項４】
前記凸部の磁気的ギャップ部と、周方向に隣り合う前記凸部の磁気的ギャップ部とは、径方向外側の端部よりも径方向内側の端部が近づくように延び、かつ当該径方向内側の端部同士が磁路となる間隔を有している、請求項１から３のいずれか１項に記載の電動機。
【請求項５】
前記磁気的ギャップ部は、前記軸方向でみた縁の少なくとも一部が、前記マグネットが配置される前記凹部表面よりも、前記ステータコア寄りにある仮想中心で描いた円弧を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の電動機。
【請求項６】
前記凸部の磁気的ギャップ部は、第１磁気的ギャップ部と、前記第１磁気的ギャップ部とは、周方向に異なる位置にある第２磁気的ギャップ部とを備え、
前記第１磁気的ギャップ部と、周方向に隣り合う前記第１磁気的ギャップ部とは、径方向外側の端部よりも径方向内側の端部が近づくように延び、かつ当該径方向内側の端部同士が磁路となる第１間隔を有し、
前記第２磁気的ギャップ部と、周方向に隣り合う前記第２磁気的ギャップ部とは、径方向外側の端部よりも径方向内側の端部が近づくように延び、かつ当該径方向内側の端部同士が磁路となる第２間隔を有し、
前記第２間隔は、前記第１間隔よりも径方向内側にあり、前記第１間隔よりも大きい、請求項１から３のいずれか１項に記載の電動機。
【請求項７】
前記第２間隔とは、前記第１間隔と、前記マグネットとは、順に径方向に並んでいる、請求項６に記載の電動機。
【請求項８】
前記磁気的ギャップ部は、非磁性材料を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の電動機。
【請求項９】
補助操舵トルクを得るための電動パワーステアリング用途に用いられる、請求項１から８のいずれか１項に記載の電動機。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載の電動機により補助操舵トルクを得ることを特徴とする電動パワーステアリング装置。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項に記載の電動機を備えることを特徴とする車両。