Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペプチドを含む組織閉塞剤を含む水溶液であって、該ペプチドが、配列番号２に記載されるアミノ酸配列を有する、水溶液。
【請求項２】
少なくとも１％の該ペプチドを含む、請求項１に記載の水溶液。
【請求項３】
さらに、低分子薬剤を含む、請求項１に記載の水溶液。
【請求項４】
前記低分子薬剤が、ブドウ糖、白糖、精製白糖、乳糖、麦芽糖、トレハロース、デキストラン、ヨウ素、塩化リゾチーム、ジメチルイソプロピルアズレン、トレチノイントコフェリル、ポピドンヨード、アルプロスタジルアルファデクス、アニスアルコール、サリチル酸イソアミル、α，α−ジメチルフェニルエチルアルコール、バグダノール、ヘリオナール、スルファジン銀、ブクラデシンナトリウム、アルプロスタジルアルファデクス、硫酸ゲンタマイシン、塩酸テトラサイクリン、フシジン酸ナトリウム、ムピロシンカルシウム水和物および安息香酸イソアミルからなる群より選択される、請求項３記載の水溶液。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、抗凝固剤を添加されて凝固能力が低下した条件における血液の出血の止血剤。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、実質臓器の出血創面の止血剤。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、動脈性出血および静脈性出血の止血剤。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、胆のうまたは胆管からの胆汁漏出の防止剤。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、肺からの出血または空気漏出の防止剤。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、内視鏡的粘膜切除術における切除部分を隆起させるための粘膜組織への注入剤。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、粘膜組織に液体を注入することによって隆起された粘膜組織部分を切除する方法における切除部分からの出血及び体液漏出の防止剤。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、内視鏡的粘膜切除術における切除部からの出血を止血する経カテーテル的に適用可能な止血剤。
【請求項１３】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水溶液を含む、動静脈閉塞術における動静脈閉塞剤または静脈瘤硬化療法における静脈瘤硬化剤。
【請求項１４】
さらに、抗癌剤および／または造影剤を含む、請求項１３に記載の動静脈閉塞剤。
【請求項１５】
ペプチドを含む組織閉塞剤を含む粉末であって、該ペプチドが、配列番号２に記載されるアミノ酸配列を有する、粉末。
【請求項１６】
さらに、低分子薬剤を含有する、請求項１５に記載の粉末。
【請求項１７】
前記低分子薬剤が、ブドウ糖、白糖、精製白糖、乳糖、麦芽糖、トレハロース、デキストラン、ヨウ素、塩化リゾチーム、ジメチルイソプロピルアズレン、トレチノイントコフェリル、ポピドンヨード、アルプロスタジルアルファデクス、アニスアルコール、サリチル酸イソアミル、α，α−ジメチルフェニルエチルアルコール、バグダノール、ヘリオナール、スルファジン銀、ブクラデシンナトリウム、アルプロスタジルアルファデクス、硫酸ゲンタマイシン、塩酸テトラサイクリン、フシジン酸ナトリウム、ムピロシンカルシウム水和物および安息香酸イソアミルからなる群から選択される、請求項１６記載の粉末。
【請求項１８】
ペプチドを含む組織閉塞剤を含むガーゼ、包帯又は裏打ちであって、該ペプチドが、配列番号２に記載されるアミノ酸配列を有する、ガーゼ、包帯又は裏打ち。
【請求項１９】
ペプチドを含む組織閉塞剤を含む粉末又は溶液を含む噴霧式スプレーであって、該ペプチドが、配列番号２に記載されるアミノ酸配列を有する、噴霧式スプレー。
【請求項２０】
哺乳動物における組織の損傷部を閉塞するための方法であって、以下：
（ａ）体液が漏出している組織損傷部（体液漏出部）から余剰体液を除去すること、
（ｂ）配列番号２からなるアミノ酸配列のペプチドの溶液を含む組成物を体液漏出部に適用すること
の工程を含む方法。
【請求項２１】
該体液漏出部が、血管部、管部、肺損傷部、腫瘍切除部、又は肝臓損傷部であるか又はそれを含む、請求項２０に記載される方法。
【請求項２２】
該組成物が、生理的ｐＨ及び/又は陽イオンの存在下で、βシート構造を形成する、請求項２０に記載される方法。
【請求項２３】
該生理的ｐＨが、ｐＨ６〜８であり、陽イオンが、５ｍＭ〜５Ｍのナトリウムイオン又はカリウムイオンである、請求項２２に記載される方法。
【請求項２４】
該組成物が、生理的ｐＨ及び/又は陽イオンの存在下で、ゲル化する、請求項２０に記載される方法。
【請求項２５】
該方法が、対象における失血を減少させる、請求項２０に記載される方法。
【請求項２６】
該組成物が、さらに、低分子薬剤を含有する、請求項２０に記載される方法。
【請求項２７】
該低分子薬剤が、ブドウ糖、白糖、精製白糖、乳糖、麦芽糖、トレハロース、デキストラン、ヨウ素、塩化リゾチーム、ジメチルイソプロピルアズレン、トレチノイントコフェリル、ポピドンヨード、アルプロスタジルアルファデクス、アニスアルコール、サリチル酸イソアミル、α，α−ジメチルフェニルエチルアルコール、バグダノール、ヘリオナール、スルファジン銀、ブクラデシンナトリウム、アルプロスタジルアルファデクス、硫酸ゲンタマイシン、塩酸テトラサイクリン、フシジン酸ナトリウム、ムピロシンカルシウム水和物および安息香酸イソアミルからなる群から選択される、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
該体液漏出部が、抗凝固剤を添加されて凝固能力が低下している条件で出血している動脈である、請求項２０記載の方法。
【請求項２９】
該体液漏出部が、実質臓器の出血創面である、請求項２０記載の方法。
【請求項３０】
該体液漏出部が、動脈性出血および静脈性出血である、請求項２０記載の方法。
【請求項３１】
該体液漏出部が、胆のうまたは胆管である、請求項２０記載の方法。
【請求項３２】
該方法が、対象の内視鏡的粘膜切除における切除部分を隆起させる、請求項２０記載の方法。
【請求項３３】
該体液漏出部が、粘膜組織への液体の注入によって隆起している粘膜組織を切除することによって誘導される切除である、請求項２０記載の方法。
【請求項３４】
内視鏡的粘膜切除術における切除部からの止血のための内視鏡的粘膜切除間の経カテーテル的適用のために用いることができる、請求項２０記載の方法。
【請求項３５】
該体液漏出部が、動静脈閉塞又は食道静脈瘤である、請求項２０記載の方法。
【請求項３６】
該組成物が、さらに抗癌剤及び/又は造影剤を含む、請求項２０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセスポイント（ＡＰ）と、
複数のワイヤレス送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）と、
を備え、
前記ＡＰは、
前記複数のＷＴＲＵのそれぞれから、構成情報を受信するよう構成され、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つから受信される構成情報は、２０ＭＨｚチャネルおよび４０ＭＨｚチャネルの共存に関する情報、グリーンフィールド保護情報、時空間ブロック符号化（ＳＴＢＣ）情報、並びに従来のシグナルフィールド（Ｌ−ＳＩＧ）送信権（ＴＸＯＰ）保護情報を含み、さらに、
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つに、チャネル化および従来の保護に関する、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための命令を送信するよう構成され、前記チャネル化および従来の保護に関する、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令の内容は、前記複数のＷＴＲＵのそれぞれからの前記構成情報に少なくとも基づく、
無線ネットワーク。
【請求項２】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つから受信される前記構成情報は、物理層スプーフィング、短縮されたフレーム間スペース（ＲＩＦＳ）保護、または共存運用（ＰＣＯ）のうちの少なくとも１つに関する情報をさらに含む、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項３】
前記ＡＰは、接続処理の間又は接続処理の後に、前記複数のＷＴＲＵのそれぞれから前記構成情報を受信するようさらに構成された、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項４】
前記ＡＰは、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つに、構成情報についての要求を送信し、
前記要求に応じて、前記構成情報を受信するようさらに構成された、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項５】
前記ＡＰは、前記複数のＷＴＲＵのそれぞれから、前記構成情報を周期的に更新したものを受信し、
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令を周期的に更新したものを、前記複数のＷＴＲＵの少なくとも１つに送信するようさらに構成された、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項６】
前記ＡＰは、専用メッセージ交換、マルチキャストメッセージ、または簡易ネットワーク管理プロトコルのうちの少なくとも１つを用いて、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令を送信するようさらに構成された、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項７】
拡張チャネル構成データを含むソフトウェア／ドライバをダウンロードしたものを受信するようさらに構成された、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項８】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令は、拡張チャネルブロックコマンド情報を備え、
前記ＡＰは、接続処理の間に前記拡張チャネルブロックコマンド情報を送信するよう構成された、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項９】
前記ＡＰは、輻輳制御メッセージを送信するようさらに構成され、前記輻輳制御メッセージは前記拡張チャネルブロックコマンド情報を含む、請求項８に記載の無線ネットワーク。
【請求項１０】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つから受信される前記構成情報は、チャネル管理方法とチャネル選択方法とを管理する手法に関する情報を含む、請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項１１】
アクセスポイント（ＡＰ）において、複数のＷＴＲＵのそれぞれから、構成情報を受信するステップであって、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つから受信される構成情報は、２０ＭＨｚチャネルおよび４０ＭＨｚチャネルの共存に関する情報、グリーンフィールド保護情報、時空間ブロック符号化（ＳＴＢＣ）情報、並びに従来のシグナルフィールド（Ｌ−ＳＩＧ）送信権（ＴＸＯＰ）保護情報を含む、ステップと、
前記ＡＰから、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つに、チャネル化および従来の保護に関する、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための命令を送信するステップであって、前記チャネル化および従来の保護に関する、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令の内容は、前記複数のＷＴＲＵのそれぞれからの前記構成情報に少なくとも基づく、ステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つから受信される前記構成情報は、物理層スプーフィング、短縮されたフレーム間スペース（ＲＩＦＳ）保護、または共存運用（ＰＣＯ）のうちの少なくとも１つに関する情報をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
接続処理の間又は接続処理の後に、前記複数のＷＴＲＵのそれぞれから前記構成情報を受信するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つに、構成情報についての要求を送信するステップと、
前記要求に応じて、前記構成情報を受信するステップと、
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のＷＴＲＵのそれぞれから、前記構成情報を周期的に更新したものを受信するステップと、
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令を周期的に更新したものを、前記複数のＷＴＲＵの少なくとも１つに送信するステップと、
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
専用メッセージ交換、マルチキャストメッセージ、または簡易ネットワーク管理プロトコルのうちの少なくとも１つを用いて、前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令を送信するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
拡張チャネル構成データを含むソフトウェア／ドライバをダウンロードしたものを受信するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つの動作を制御するための前記命令は、拡張チャネルブロックコマンド情報を備え、
接続処理の間に前記拡張チャネルブロックコマンド情報を送信するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
輻輳制御メッセージを送信するステップをさらに含み、前記輻輳制御メッセージは前記拡張チャネルブロックコマンド情報を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数のＷＴＲＵのうちの少なくとも１つから受信される前記構成情報は、チャネル管理方法とチャネル選択方法とを管理する手法に関する情報を含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯情報端末、及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯情報端末であって、
前記携帯情報端末に対する操作指示の入力を行う操作部と、
時刻情報を取得する時刻情報取得部と、
前記携帯情報端末の所定の機能又は動作の制限を行う端末ロック処理、及び、前記制限を解除する端末ロック解除処理、の少なくとも一方の制御を行う端末ロック制御部と、
を備え、
前記端末ロック制御部は、
前記操作部に入力された前記操作指示に応じて、前記時刻情報取得部で取得した前記時刻情報に基づいて前記端末ロック解除処理を制御する
ことを特徴とする携帯情報端末。
【請求項２】
前記携帯情報端末は、更に、
所定の時刻設定情報を記憶する時刻設定情報記憶部
を備え、
前記端末ロック制御部は、
前記時刻情報取得部が取得した前記時刻情報が、前記時刻設定情報記憶部に記憶された前記所定の時刻設定情報に基づく時刻範囲内にある場合には、前記操作部に入力された第一の端末ロック解除指示に基づいた前記端末ロック解除処理を行うように制御を行い、
前記時刻情報取得部が取得した前記時刻情報が、前記時刻設定情報記憶部に記憶された前記所定の時刻設定情報に基づく時刻範囲内にない場合には、前記操作部に入力された第二の端末ロック解除指示に基づいた前記端末ロック解除処理を行うように制御を行う
ことを特徴とする請求項１に携帯情報端末。
【請求項３】
前記携帯情報端末は、更に、
認証情報を記憶する認証情報記憶部と、
認証用入力情報と前記認証情報記憶部に記憶された前記認証情報との一致率を確認する一致率確認部と、
を備え、
前記第二の端末ロック解除指示により、前記操作部は前記認証用入力情報を入力する処理を少なくとも含み、
前記端末ロック制御部は、
前記時刻情報取得部が取得した前記時刻情報が、前記時刻設定情報記憶部に記憶された前記所定の時刻設定情報に基づく時刻範囲内にない場合には、更に、
前記一致率確認部において前記操作部から入力された前記認証用入力情報と前記認証情報記憶部に記憶された前記認証情報との一致率が所定の値を超えることが確認された場合には、前記端末ロック解除処理を行うように制御を行い、
前記一致率確認部において前記操作部から入力された前記認証用入力情報と前記認証情報記憶部に記憶された前記認証情報との一致率が所定の値を超えることが確認されない場合には、前記端末ロック解除処理を行わないように制御を行う
ことを特徴とする請求項２に記載の携帯情報端末。
【請求項４】
前記時刻設定情報記憶部に記憶された前記所定の時刻設定情報は、前記操作部に入力された時刻情報登録指示に基づいて記憶されたものである
ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の携帯情報端末。
【請求項５】
前記第一の端末ロック解除指示は、前記第二の端末ロック解除指示と比較して、より簡単な操作指示である
ことを特徴とする請求項２乃至請求項４の何れか一項に記載の携帯情報端末。
【請求項６】
携帯情報端末の制御方法であって、
前記携帯情報端末の所定の機能又は動作を制限する端末ロック処理を行う端末ロックステップと、
前記携帯情報端末に対する操作指示の入力を行う操作ステップと、
時刻情報を取得する時刻情報取得ステップと、
前記端末ロックステップで行われた前記制限を解除する端末ロック解除処理を行う端末ロック解除ステップと、
を備え、
前記端末ロック解除ステップでは、
前記操作ステップで入力された前記操作指示に応じて、前記時刻情報取得ステップで取得した前記時刻情報に基づいて前記端末ロック解除処理を制御する
ことを特徴とする携帯情報端末の制御方法。
【請求項７】
前記携帯情報端末の制御方法は、更に、
所定の時刻設定情報を記憶する時刻設定情報記憶ステップ
を備え、
前記端末ロック解除ステップは、
前記時刻情報取得ステップで取得した前記時刻情報が、前記時刻設定情報記憶ステップで記憶した前記所定の時刻設定情報に基づく時刻範囲内にある場合には、前記操作ステップで入力された第一の端末ロック解除指示に基づいた前記端末ロック解除処理を行うように制御を行い、
前記時刻情報取得ステップで取得した前記時刻情報が、前記時刻設定情報記憶ステップで記憶した前記所定の時刻設定情報に基づく時刻範囲内にない場合には、前記操作ステップで入力された第二の端末ロック解除指示に基づいた前記端末ロック解除処理を行うように制御を行う
ことを特徴とする請求項６に携帯情報端末の制御方法。
【請求項８】
前記携帯情報端末の制御方法は、更に、
認証情報を記憶する認証情報記憶ステップと、
認証用入力情報と前記認証情報記憶ステップで記憶した前記認証情報との一致率を確認する一致率確認ステップと、
を備え、
前記第二の端末ロック解除指示により、前記操作ステップは前記認証用入力情報を入力する処理を少なくとも含み、
前記端末ロック解除ステップは、
前記時刻情報取得ステップで取得した前記時刻情報が、前記時刻設定情報記憶ステップで記憶した前記所定の時刻設定情報に基づく時刻範囲内にない場合には、更に、
前記一致率確認ステップにおいて前記操作ステップで入力された前記認証用入力情報と前記認証情報記憶ステップで記憶した前記認証情報との一致率が所定の値を超えることが確認された場合には、前記端末ロック解除処理を行うように制御を行い、
前記一致率確認ステップにおいて前記操作ステップで入力された前記認証用入力情報と前記認証情報記憶ステップで記憶した前記認証情報との一致率が所定の値を超えることが確認されない場合には、前記端末ロック解除処理を行わないように制御を行う
ことを特徴とする請求項７に記載の携帯情報端末の制御方法。
【請求項９】
前記時刻設定情報記憶ステップで記憶した前記所定の時刻設定情報は、前記操作ステップで入力された時刻情報登録指示に基づいて記憶されたものである
ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の携帯情報端末の制御方法。
【請求項１０】
前記第一の端末ロック解除指示は、前記第二の端末ロック解除指示と比較して、より簡単な操作指示である
ことを特徴とする請求項７乃至請求項９の何れか一項に記載の携帯情報端末の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月4日(2016.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腎癌患者について可能性のある臨床的結果を予測するための方法であって、
（ａ）前記患者から得られた生体試料において、ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを測定する工程と、
（ｂ）ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを正規化して、正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルを得る工程と、
（ｃ）前記正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルが負の臨床的結果と正に相関する場合に、当該患者について可能性のある臨床的結果が予測される工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルに基づいてレポートを作成する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記負の臨床的結果が癌の再発である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記生体試料が腎細胞癌から得られる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
表３ａ、３ｂ、８ａ又は８ｂから選択される少なくとも１つの他の遺伝子のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを測定する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
腎癌患者から得られた腫瘍に関する病期を予測するための方法であって、
（ａ）前記腫瘍から得られた生体試料において、ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを測定する工程と、
（ｂ）ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを正規化して、正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルを得る工程と、
（ｃ）前記正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルが腫瘍の病期の増加と正に相関する場合に、腫瘍の病期が予測される工程とを含む、方法。
【請求項７】
前記腫瘍が腎細胞癌である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
癌患者から得られた腫瘍の悪性度を予測するための方法であって、
（ａ）前記腫瘍から得られた生体試料において、ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを測定する工程と、
（ｂ）ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを正規化して、正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルを得る工程と、
（ｃ）前記正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルが腫瘍の悪性度の増加と正に相関する場合に、腫瘍の悪性度が予測される工程とを含む、方法。
【請求項９】
前記腫瘍が腎細胞癌である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
腎癌患者から得られた組織試料中の壊死の存在を予測するための方法であって、
（ａ）前記組織試料において、ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを測定する工程と、
（ｂ）ＬＭＮＢ１のＲＮＡ転写物またはその遺伝子産物のレベルを正規化して、正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルを得る工程と、
（ｃ）前記正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルが壊死の存在と正に相関する場合に、組織の壊死の存在が予測される工程とを含む、方法。
【請求項１１】
前記癌が腎細胞癌である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記患者が前記正規化されたＬＭＮＢ１発現レベルに基づいて負の臨床的結果を有する可能性を評価するスコアを算出する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スコアに基づいてレポートを作成する工程をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
表３ａ、３ｂ、８ａ又は８ｂから選択される少なくとも１つの他の遺伝子のＲＮＡ転写物が、ＣＣＮＢ１、ＰＰＡＰ２Ｂ、ＮＯＳ３、ＣＥＡＣＡＭ１、ＩＤ１、ＰＲＫＣＨ、ＡＰＯＬＤ１、ＳＧＫ１、ＣＸ３ＣＬ１、ＣＡＳＰ１０およびＣＣＬ５から選択される、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月6日(2016.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプリング回路と、
アナログデジタル変換回路と、を有し、
前記サンプリング回路は、信号に応じたアナログ値を取得し、取得した前記アナログ値を保持する機能を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、保持されている前記アナログ値をデジタル値に変換する機能を有し、
前記サンプリング回路が有するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項２】
サンプリング回路と、
アナログデジタル変換回路と、
センサと、を有し、
前記サンプリング回路は、前記センサから出力される信号に応じたアナログ値を取得し、取得した前記アナログ値を保持する機能を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、保持されている前記アナログ値をデジタル値に変換する機能を有し、
前記サンプリング回路が有するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項３】
サンプリング回路と、
アナログデジタル変換回路と、
センサと、
信号処理回路と、
出力装置と、を有し、
前記サンプリング回路は、前記センサから出力される信号に応じたアナログ値を取得し、取得した前記アナログ値を保持する機能を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、保持されている前記アナログ値をデジタル値に変換する機能を有し、
前記信号処理回路は、前記デジタル値を用いて前記出力装置の動作を制御する機能を有し、
前記サンプリング回路が有するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項４】
サンプリング回路と、
アナログデジタル変換回路と、
センサと、
信号処理回路と、
液晶表示装置と、を有し、
前記サンプリング回路は、前記センサから出力される信号に応じたアナログ値を取得し、取得した前記アナログ値を保持する機能を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、保持されている前記アナログ値をデジタル値に変換する機能を有し、
前記信号処理回路は、前記デジタル値を用いて前記液晶表示装置の動作を制御する機能を有し、
前記サンプリング回路が有するトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記液晶表示装置は液晶素子を有し、
前記センサは、前記液晶素子が有する液晶層の温度を用いて前記信号を生成する機能を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記信号処理回路は、前記デジタル値を用いて前記液晶素子に印加される電圧を調整することで、前記液晶表示装置の動作を制御する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記アナログ値は、前記信号が有する電流値に応じた値または前記信号が有する電圧値に応じた値である半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記サンプリング回路は、容量素子を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月16日(2016.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を検出する検出素子において、
電磁波を受信するアンテナと、前記アンテナに直列に接続され、かつ極性が同じ向きになるよう互いに並列に接続された、前記アンテナから伝播される電磁波を受ける複数の半導体整流素子と、を有し、
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記アンテナから伝播される電磁波の位相が互いに実質的に同位相となる位置に配置されていることを特徴とする検出素子。
【請求項２】
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記アンテナから伝播される電磁波の同一の波面に対して平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の検出素子。
【請求項３】
前記アンテナを構成する少なくとも一つの導体と前記複数の半導体整流素子のそれぞれとが、半導体層を介して電気的に直列に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の検出素子。
【請求項４】
前記アンテナは、２つの導体を有し、
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記２つの導体の一方に接触して並置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項５】
前記アンテナは凸部を有し、前記複数の半導体整流素子の間に前記凸部が位置するように配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項６】
前記アンテナと電気的に接続されて電磁波を伝送する伝送線路を有し、
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記伝送線路を介して前記アンテナから伝播される電磁波を受けるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項７】
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記伝送線路に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の検出素子。
【請求項８】
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記アンテナから伝播される電磁波の位相差の絶対値が０以上π／１６以下となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項９】
前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記アンテナから伝播される電磁波の位相差の絶対値が０以上π／３２以下となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項１０】
前記複数の半導体整流素子のそれぞれを構成する接合部の電流が流れる方向に垂直な断面の面積は、互いに等しいことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項１１】
前記接合部の前記面積は、１０μｍ２以下であることを特徴とする請求項１０に記載の検出素子。
【請求項１２】
前記接合部は、周囲を誘電体で囲まれた円柱状をなすことを特徴とする請求項１０または１１に記載の検出素子。
【請求項１３】
前記一対のアンテナは、基板上に配置された互いに非接触の二つの導体からなることを特徴とする請求項４に記載の検出素子。
【請求項１４】
前記複数の半導体整流素子は、シリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の検出素子。
【請求項１５】
前記複数の半導体整流素子は、化合物系半導体材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の検出素子。
【請求項１６】
前記複数の半導体整流素子は、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載の検出素子。
【請求項１７】
前記複数の半導体整流素子は、ショットキーバリアダイオードまたはプレーナドープバリアダイオードを含むことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項１８】
３０ＧＨｚから３０ＴＨｚの一部を含む周波数帯域の電磁波を検出することを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項１９】
前記複数の半導体整流素子のうち少なくとも二つが、伝播される電磁波の位相が互いに実質的に同位相となる位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項２０】
電磁波を検出する検出器であって、
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の検出素子と、
前記アンテナにおける電場を計測する計測ユニットと、を有することを特徴とする検出器。
【請求項２１】
電磁波を用いて測定物を撮像する撮像装置であって、
３０ＧＨｚから３０ＴＨｚの一部を含む周波数帯域の電磁波を発振する発振器と、
前記電磁波を検出する請求項２０に記載の検出器と、
前記検出器が検出した電磁波に関する情報に基づいて前記測定物に関する像を構築する像構築部と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明により提供される検出素子は、電磁波を検出する検出素子において、電磁波を受信するアンテナと、前記アンテナに直列に接続され、かつ極性が同じ向きになるよう互いに並列に接続された、前記アンテナから伝播される電磁波を受ける複数の半導体整流素子と、を有し、前記複数の半導体整流素子のそれぞれは、前記アンテナから伝播される電磁波の位相が互いに実質的に同位相となる位置に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像取得装置（１１５）に結合されたデータ処理装置（１２０）を含むシステム内で実物体（１１０）のテクスチャ描写を生成する方法であって、
任意の姿勢の前記実物体を描写する第一画像を受信するステップ（３１０）と、
前記任意の姿勢と同一の姿勢の前記実物体を描写する第二画像を取得するステップであって、前記第二画像は前記任意の姿勢の前記実物体の透明度を表している、ステップ（３１５、３２０、３２５、３３０）と、
前記第一および第二画像を組み合わせることによって、前記テクスチャ描写を生成するステップ（３３５）と、を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記第一および第二画像の前記組み合わせが、前記第一および第二画像の点同士の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記任意の姿勢と同一の姿勢の前記実物体を表す第三画像を受信するステップをさらに含み、前記第三画像は、結果的に前記第一画像を生じた照明条件とは異なる照明条件の下で生成され、前記第二画像は前記第三画像を処理することによって取得される、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記処理が、前記第三画像の各点の成分または成分の組み合わせのフィルタリング（３２０）、反転（３２５）、および閾値化（３３０）のステップのうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第一画像を結果的に生じた前記照明条件が前記実物体の前方照明を可能にし、前記第三画像を結果的に生じた前記照明条件は前記実物体の背面照明を可能にする、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項６】
光源の選択的な起動を制御するステップをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記画像のうちの少なくとも１つの取得を命令するステップをさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータ上でこのプログラムが実行されるときに、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行するのに適した命令を含む、コンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行するのに適した手段を含む装置。
【請求項１０】
実物体（１１０）の画像から前記実物体のテクスチャ描写を生成するシステムであって、
画像取得装置（１１５）と、
前記画像取得装置に接続され、
任意の姿勢の前記実物体を描写する第一画像を受信するステップ（３１０）と、
前記任意の姿勢と同一の姿勢の前記実物体を描写する第二画像を取得するステップであって、前記第二画像は前記任意の姿勢の前記実物体の透明度を表しているステップ（３１５、３２０、３２５、３３０）と、
前記第一および第二画像を組み合わせることによって前記テクスチャ描写を生成するステップ（３４０）と、
の各々を実行するように構成されたデータ処理装置（１２０）と、を含むことを特徴とする、システム。
【請求項１１】
前記実物体を受けるのに適した支持体をさらに含み、前記支持体は、使用中のものと類似の姿勢にある前記実物体を提示するように構成されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
少なくとも２つの群に分配された複数の光源をさらに含み、第一群からの少なくとも１つの光源は、第二群からの少なくとも１つの光源とは無関係に起動することが可能である、請求項１０または請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記データ処理装置が、前記第一群からの少なくとも１つの光源および前記第二群からの少なくとも１つの光源を、順次起動するように構成されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第一画像の前記実物体上の反射を生成するように構成されたサイクロラマ（１３５）をさらに含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被蒸着体が搭載される少なくとも一つのポケットと、
前記少なくとも一つのポケットが着脱する挿入空間を有しているキャリアボディーと、
を備える、半導体製造装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つのポケットは、複数のポケットを有し、
前記複数のポケットのそれぞれが前記キャリアボディーに挿入される深さは、前記複数のポケット別に異なる、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記挿入空間は、前記キャリアボディーが貫通された孔の形態を有したり、または、前記キャリアボディーの上部面が窪んだ溝の形態を有する、請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つのポケットは、
前面で前記被蒸着体を支持する前面支持部と、
背面で前記キャリアボディーと結合する背面結合部と、を備え、
前記キャリアボディー及び前記背面結合部は互いに結合可能な形態を有する、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記前面支持部は、
前記少なくとも一つのポケットが前記キャリアボディーに挿入される第１の方向に延びている第１の内側面と、
前記第１の内側面から前記第１の方向と異なる第２の方向に延びており、前記被蒸着体の周縁部が載せられる第１の内底面と、
前記第１の内底面から前記第１の方向に延びている第２の内側面と、
を備える、請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記前面支持部は、
前記第２の内側面から前記第２の方向に延びており、前記少なくとも一つのポケットの底に相当する第２の内底面をさらに備える、請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の内底面の少なくとも一方は、前記被蒸着体に対して膨らんだ形状、または凹んだ形状を有する、請求項５または６に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記第１及び第２の内底面の少なくとも一方は、少なくとも一つの段差面を有する、請求項５または６に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記背面結合部は、
前記第１の内側面の反対側で前記第１の方向に延びている第１の外側面と、
前記第１の内底面の反対側で前記第１の外側面から前記第２の方向に延びている第１の外底面と、
前記第２の内側面の反対側で前記第１の外底面から前記第１の方向に延びている第２の外側面と、
を備える、請求項５または６に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記背面結合部は、
前記第２の内底面の反対側で前記第２の外側面から前記第２の方向に延びている第２の外底面をさらに備える、請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記キャリアボディーは、
前記第１の外側面に面し、前記第１の方向に延びている第３の内側面と、
前記第１の外底面に面し、前記第３の内側面から前記第２の方向に延びている第３の内底面と、
前記第２の外側面に面し、前記第３の内底面から前記第１の方向に延びている第４の内側面と、
を備える、請求項１０に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記キャリアボディーは、
前記第２の外底面に面し、前記第４の内側面から前記第２の方向に延びている第４の内底面をさらに備える、請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
前記第４の内底面は、前記被蒸着体に対して膨らんだ形状、または凹んだ形状を有する、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項１４】
前記第４の内底面は、少なくとも一つの段差を有する、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項１５】
前記キャリアボディーは、
前記第４の内底面の反対側の第３の外底面をさらに備え、
前記第３の外底面は、少なくとも一つの段差を有する、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項１６】
前記ポケットは、前記第１の外底面から前記キャリアボディーの前記第３の内底面に向かって突出している支持突起を有し、
前記キャリアボディーは、前記ポケットの前記支持突起が挿入されるように前記第３の内底面に形成された支持溝を有する、請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１７】
前記背面結合部は、雄ねじ形態の外側壁を有し、
前記キャリアボディーは、雌ねじの形態で刻まれた内側壁を有し、
前記背面結合部及び前記キャリアボディーは、前記雄ねじと前記雌ねじとが噛み合う形態で結合する、請求項５または６に記載の半導体製造装置。
【請求項１８】
前記少なくとも一つのポケットの周縁上面に目盛りが形成されており、
前記周縁上面に隣接する前記キャリアボディーの周縁上面に少なくとも一つのインジケータが形成されている、請求項１７に記載の半導体製造装置。
【請求項１９】
前記背面結合部は、前記少なくとも一つのポケットが前記キャリアボディーに挿入される第１の方向と異なる第２の方向に突出している結合突起を有し、
前記キャリアボディーは、前記少なくとも一つのポケットを前記第１の方向に加圧する時に前記結合突起が係止されるに適した少なくとも一つの結合溝を有する、請求項４乃至６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項２０】
前記少なくとも一つの結合溝は、等間隔で形成された複数の結合溝を有する、請求項１９に記載の半導体製造装置。
【請求項２１】
前記背面結合部の外側壁には、前記少なくとも一つのポケットが前記パッケージボディーに挿入された深さを表す目盛りが形成されている、請求項１９に記載の半導体製造装置。
【請求項２２】
前記ポケットの底の周縁における第１厚さと前記ポケットの底の中央における第２厚さとが異なる、請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項２３】
前記キャリボディーの底の周縁における第３厚さと前記キャリボディーの底の中央における第４厚さとが異なる、請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項２４】
前記第２外側面の第１高さと前記第４内側面の第２高さとが同一である、請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項２５】
前記第２外側面の第１高さが前記第４内側面の第２高さよりも小さい、請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項２６】
前記第１外側面の第３高さと前記第３内側面の第４高さとが同一である、請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項２７】
前記第１外側面の第３高さと前記第３内側面の第４高さとが異なる、請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月23日(2015.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、第１のチャネル形成領域と、第２のチャネル形成領域と、を有する酸化物半導体層と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第２のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、
前記第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
を有し、
前記第１のソース電極は、前記第１のチャネル形成領域を介して前記第１のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２のソース電極は、前記第２のチャネル形成領域を介して前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極と、電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層上の全面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、島状に加工されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は酸化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が複数の行及び複数の列を有する行列状に配された画素部を有する固体撮像装置であって、
前記複数の画素のうちの第１画素に配された第１光電変換部と、
前記第１画素に配された第２光電変換部と、
前記複数の画素のうちの第２画素であって前記第１画素が位置する行とは異なる行に位置する第２画素に配された第３光電変換部と、
前記第２画素に配された第４光電変換部と、
前記画素部の各列に配された少なくとも２本の列信号線を含む第１配線層と、
前記第１配線層の上に配された第２配線層であって前記画素部の各列に配された少なくとも２本の列信号線を含む第２配線層と、
前記第１光電変換部と前記第２光電変換部との双方に対して共通に設けられたマイクロレンズと、を備え、
前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部からの信号をそれぞれ出力するように配され、
前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第３光電変換部及び前記第４光電変換部からの信号をそれぞれ出力するように配されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数の画素が複数の行及び複数の列を有する行列状に配された画素部を有する固体撮像装置であって、
前記複数の画素のうちの第１画素に配された第１光電変換部と、
前記第１画素に配された第２光電変換部と、
前記複数の画素のうちの第２画素であって前記第１画素が位置する行とは異なる行に位置する第２画素に配された第３光電変換部と、
前記第２画素に配された第４光電変換部と、
前記画素部の各列に配された少なくとも２本の列信号線を含む第１配線層と、
前記第１配線層の上に配された第２配線層であって前記画素部の各列に配された少なくとも２本の列信号線を含む第２配線層と、
前記第１光電変換部と前記第２光電変換部との双方に対して共通に設けられたマイクロレンズと、を備え、
前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第１光電変換部及び前記第３光電変換部からの信号をそれぞれ出力するように配され、
前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第２光電変換部及び前記第４光電変換部からの信号をそれぞれ出力するように配されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１画素と前記第２画素とは互いに同じ列に位置している
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１配線層は、導電性のシールドパターンをさらに含み、
前記シールドパターンは、前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線に隣接するように配され、
前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、いずれも、前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線の直上からずれた位置に配されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１配線層は、導電性のシールドパターンをさらに含み、
前記シールドパターンは、前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線の間に配されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第２配線層は、導電性の第２のシールドパターンをさらに含み、
前記第２のシールドパターンは、前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線の間に配されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素は、ベイヤ配列にしたがって配列されており、
前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、第１の色の画素信号を伝搬し、
前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第１の色とは異なる第２の色の画素信号を伝搬する、
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記複数の画素は、ベイヤ配列にしたがって配列されており、
前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線と、前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線とは、第１の色の画素信号を伝搬する部分を含む、
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の画素は、ベイヤ配列にしたがって配列されており、
前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線のうちの１つと、前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線のうちの１つとは、互いに同種の色の画素信号を伝搬する、
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、複数の画素が複数の行及び複数の列を有する行列状に配された画素部を有する固体撮像装置であって、前記複数の画素のうちの第１画素に配された第１光電変換部と、前記第１画素に配された第２光電変換部と、前記複数の画素のうちの第２画素であって前記第１画素が位置する行とは異なる行に位置する第２画素に配された第３光電変換部と、前記第２画素に配された第４光電変換部と、前記画素部の各列に配された少なくとも２本の列信号線を含む第１配線層と、前記第１配線層の上に配された第２配線層であって前記画素部の各列に配された少なくとも２本の列信号線を含む第２配線層と、前記第１光電変換部と前記第２光電変換部との双方に対して共通に設けられたマイクロレンズと、を備え、前記第１配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部からの信号をそれぞれ出力するように配され、前記第２配線層の前記少なくとも２本の列信号線は、前記第３光電変換部及び前記第４光電変換部からの信号をそれぞれ出力するように配されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられ、第１の領域、前記第１の領域の一部を挟むように設けられた第２の領域および第３の領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記第１の領域乃至前記第３の領域のそれぞれの少なくとも一部と重畳して設けられたゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と接するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重畳するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接する第１の低抵抗領域および第２の低抵抗領域と、を含んでおり、
前記第２の領域および前記第３の領域のチャネル長方向の長さは、前記第１の領域のチャネル長方向の長さより短い半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられ、第１の領域、前記第１の領域の一部を挟むように設けられた第２の領域および第３の領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記第１の領域乃至前記第３の領域のそれぞれの少なくとも一部と重畳して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面および上面を覆う側壁絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜の側面および前記側壁絶縁膜の側面に接するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上に設けられた層間絶縁膜と、を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重畳するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接する第１の低抵抗領域および第２の低抵抗領域と、を含んでおり、
前記第２の領域および前記第３の領域のチャネル長方向の長さは、前記第１の領域のチャネル長方向の長さより短い半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のビット線駆動回路と、第２のビット線駆動回路と、第１のワード線駆動回路と、第２のワード線駆動回路と、を有する駆動回路と、
第１のメモリセルアレイと、第２のメモリセルアレイと、第３のメモリセルアレイと、第４のメモリセルアレイとを有し、
前記第１乃至前記第４のメモリセルアレイは、前記駆動回路と重なり、
前記第１のビット線駆動回路と前記第２のビット線駆動回路とは、前記駆動回路において第１の対角線上に配置され、
前記第１のワード線駆動回路と前記第２のワード線駆動回路とは、前記駆動回路において前記第１の対角線と交わる第２の対角線上に配置され、
前記第１のメモリセルアレイは、第１のビット線を有し、
前記第２のメモリセルアレイは、第２のビット線を有し、
前記第３のメモリセルアレイは、第３のビット線を有し、
前記第４のメモリセルアレイは、第４のビット線を有し、
前記第１のメモリセルアレイと前記第４のメモリセルとは、共通の第１のワード線を有し、
前記第２のメモリセルアレイと前記第３のメモリセルとは、共通の第２のワード線を有し、
前記第１のメモリセルアレイと前記第３のメモリセルアレイとは、前記第１の対角線上に配置され、
前記第２のメモリセルアレイと前記第４のメモリセルアレイとは、前記第２の対角線上に配置され、
前記第１のワード線は、前記第１のメモリセルアレイと前記第４のメモリセルアレイの境界部で前記第２のワード線駆動回路と接続され、
前記第２のワード線は、前記第２のメモリセルアレイと前記第３のメモリセルアレイの境界部で前記第１のワード線駆動回路と接続され、
前記第１のビット線と、前記第２のビット線は、前記第１のメモリセルアレイと前記第２のメモリセルアレイとの境界部で前記第１のビット線駆動回路に接続され、
前記第３のビット線と、前記第４のビット線は、前記第３のメモリセルアレイと前記第４のメモリセルアレイとの境界部で前記第２のビット線駆動回路に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のビット線駆動回路は、前記第１のビット線と前記第２のビット線の電位の差を増幅する増幅素子を有し、
前記第２のビット線駆動回路は、前記第３のビット線と前記第４のビット線の電位の差を増幅する増幅素子を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１及び前記第２のビット線駆動回路のそれぞれは、第１のデコーダ、セレクタ、及び、読み出し回路を有し、
前記第１及び前記第２のワード線駆動回路はそれぞれ、第２のデコーダ、レベルシフタ、及び、バッファを有することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記メモリセルは、酸化物半導体を有するトランジスタを有し、
前記駆動回路は、シリコンを有するトランジスタを有することを特徴とする記憶装置。