(57)【要約】【課題】  改良されたフォーカスリングに対する方法および装置を提供することである。【解決手段】  プラズマ処理システム内で基板ホルダに組み合わせるように構成されたフォーカスリングアセンブリは、フォーカスリングの寿命を決定する１つ以上の消耗インジケータを有するフォーカスリングを具備し、そこにおいて、このフォーカスリングを基板ホルダに組み合わさせることは、プラズマ処理システムのフォーカスリングの自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたリングをセンタリングすることは、フォーカスリング上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。【選択図】
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムの基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングアセンブリであって、
前記基板ホルダに組み合わせられるように構成されたセンタリングリングと、
上面と、下面と、前記上面および前記下面の少なくとも一方に組み合わせられる１つ以上の消耗インジケータとを含むフォーカスリングとを具備し、
前記フォーカスリングは、前記センタリングリングに前記フォーカスリングを組み合わせることによって前記基板のまわりにセンタリングされるように構成されているフォーカスリングアセンブリ。
【請求項２】
前記センタリングリングは、前記基板ホルダの上に載置されることと、前記基板ホルダに機械的に固定されることと、前記基板ホルダに電気的に固定されることとの少なくとも１つによって、前記基板ホルダに組み合わせられる請求項１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項３】
前記センタリングリングは、前記センタリングリング上に前記フォーカスリングをセンタリングするように構成されたセンタリング形態を有している請求項１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項４】
前記センタリング形態は、センタリングピンと、センタリング受け口と、センタリングエッジとのうちの少なくとも１つを有している請求項３のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項５】
前記フォーカスリングは、前記センタリング形態で組み合わせられるように構成された嵌合形態を有している請求項３のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項６】
前記嵌合形態は、センタリングピンと、センタリング受け口と、センタリングエッジとのうちの少なくとも１つを有している請求項５のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項７】
前記フォーカスリングは、シリコン、石英、炭化珪素、窒化シリコン、アモルファスカーボン、アルミナ、サファイヤ、ポリイミド、およびテフロン（登録商標）の少なくとも１つからできている請求項１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項８】
前記１つ以上の消耗インジケータは、前記上面内で、前記上面から、前記上面と前記下面との間の距離の一部分を有する深さまで伸びている穴を有している請求項１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項９】
前記１つ以上の消耗インジケータは、前記下面内で、前記下面から、前記上面と前記下面との間の距離の一部分を有する深さまで伸びている穴を有している請求項１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項１０】
前記１つ以上の消耗インジケータの各々に対する前記深さは、１つの消耗インジケータから別の消耗インジケータへ変化している請求項８または９のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項１１】
前記センタリングリングは、アルミニウム、コーティングされたアルミニウム、シリコン、炭化珪素、窒化シリコン、アモルファスカーボン、アルミナ、サファイヤ、ポリイミド、およびテフロンの少なくとも１つのからできている請求項１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項１２】
前記センタリングリングは、コーティングされたアルミニウムからできており、表面陽極酸化と、プラズマ電解酸化コーティングと、スプレーコーティングとのうちの少なくとも１つを有している請求項１１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項１３】
前記センタリングリングは、コーティングされたアルミニウムからできており、ＩＩＩ族元素と、ランタニド系元素とのうちの少なくとも一方を含むコーティングを有している請求項１１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項１４】
前記センタリングリングは、コーティングされたアルミニウムからできており、Ａｌ２Ｏ３、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、およびＤｙＯ３の少なくとも１つを含むコーティングを有している請求項１１のフォーカスリングアセンブリ。
【請求項１５】
プラズマ処理システムの基板ホルダ上の基板を囲む使い捨て可能なフォーカスリングであって、
上面と、下面と、前記上面および前記下面の少なくとも１つに組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを含む前記基板ホルダに組み合わせられるように構成されたリングを具備し、
前記リングは、前記基板ホルダに前記リングを組み合わせることによって前記基板のまわりにセンタリングされるように構成されているリング。
【請求項１６】
プラズマ処理システムの基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングを交換する方法であって、
前記プラズマ処理システムから第１のフォーカスリングを取り外すことと、
前記基板ホルダに前記第２のフォーカスリングを組み合わせることによって前記プラズマ処理システムに第２のフォーカスリングをインストールすることとを具備し、
前記組み合わせることは、前記プラズマ処理システムの前記第２のフォーカスリングの自動−センタリングを容易にし、
前記第１のフォーカスリングおよび前記第２のフォーカスリングは、各々、上面と、下面と、前記上面および前記下面の少なくとも一方に組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを含んでいる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
このＰＣＴ出願は、２００３年１１月１２日に出願の米国非仮特許出願番号第１０／７０５、２２１号に基づくものであり、および優先権によるものであり、その全体の内容は、参照によって本願明細書に引用したものとする。
【０００２】
本発明は、プラズマ処理システム内でフォーカスリングを利用する方法および装置に関するものであり、より詳しくは、本発明は、プラズマ処理システムの改良されたメンテナンスを容易にするフォーカスリングアセンブリに関するものである。
【背景技術】
【０００３】
半導体産業の集積回路（ＩＣ）の製造は、一般的に、基板から材料を取り除くのに、および基板に材料を堆積させるのに必要な真空処理システム内で表面化学反応を生成し、およびアシストするようにプラズマを使用する。一般に、プラズマは、供給されたプロセスガスとのイオン化衝突を維持するための十分なエネルギを有するように電子を加熱することによって、真空条件下の処理システム内で形成される。さらに、加熱された電子は、解離性衝突を維持するための十分なエネルギを有することができ、そして従って、所定の条件下（例えば、チャンバ圧力、ガス流量など）でのガスの特定のセットは、システム内で実行される特定のプロセス（例えば、材料が基板から取り除かれるエッチングプロセス、または材料が基板に加えられる堆積プロセス）に適した荷電種および化学的反応種の集団を生成するように選ばれる。
【０００４】
荷電種（イオンなど）および化学的反応種の集団の形成が基板表面でのプラズマ処理システム（すなわち材料エッチング、材料堆積など）の機能を実行するために必要であるが、処理チャンバの内部上の他の部品表面は、物理的に、および化学的に活性プラズマに曝され、そして、やがて、腐食し得る。処理システム内で曝された部品の腐食は、プラズマ処理性能の段階的な低下に、そして、結局、システムの完全故障につながることとなり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、処理プラズマに曝されることによって受けたダメージを最小化するために、シリコン、石英、アルミナ、カーボンまたは炭化珪素から作られるような消耗品または交換可能な部品は、頻繁な交換におけるよりコストがかかる高価な部品の表面を保護し、および／またはプロセスの変化に影響を及ぼすように、処理チャンバ内に挿入されることができる。さらに、不必要な汚染物質、不純物等を、処理プラズマに、そしてどうにかして基板上に形成されるデバイスに取り込むのを最小限に抑える表面材料を選ぶことは、望ましい。多くの場合、これらの消耗品または交換可能な部品は、システムクリーニングの間に頻繁にメンテナンスされるプロセスキットの一部であると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
プラズマ処理システムのフォーカスリングを利用する方法および装置は、記載される。
【０００７】
１つの態様に係る、プラズマ処理システム内で基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングアセンブリは、基板ホルダに組み合わせられるように構成されたセンタリングリングと、上面と下面と上面及び下面の少なくとも一方に組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを有するフォーカスリングと、を具備し、そこにおいて、フォーカスリングは、センタリングリングにフォーカスリングを組み合わせることによって基板のまわりにセンタリングされるように構成されている。
【０００８】
別の態様に係る、プラズマ処理システム内の基板ホルダ上の基板を囲む使い捨て可能のフォーカスリングは、上面と、下面と、上面及び下面の少なくとも一方に組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを有する基板ホルダに組み合わせられるように構成されたリングを具備し、そこにおいて、このリングは、基板ホルダにリングを組み合わせることによって基板のまわりにセンタリングされるように構成されている。
【０００９】
加えて、プラズマ処理システム内の基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングを交換する方法は、プラズマ処理システムから第１のフォーカスリングを取り外すことと、基板ホルダに第２のフォーカスリングを組み合わせることによってプラズマ処理システム内に第２のフォーカスリングをインストールすることとを具備する。組み合わせることは、プラズマ処理システムの第２のフォーカスリングの自動−センタリングを容易にし、そこにおいて、第１のフォーカスリングおよび第２のフォーカスリングは、各々、上面と、下面と、上面および下面の少なくとも一方に組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
プラズマ処理において、フォーカスリングは、例えば、基板ホルダ上の基板を囲むように構成されることができ、基板の周囲エッジへのプロセス化学物質の場所（ローカル）の特性の調整および／または制御するように使用されることができる。従来のプラズマ処理システムに対し、フォーカスリングは、例えば酸化物エッチングに対してはシリコンのリングであり、基板ホルダの上に載置され、基板周囲を取り囲む。
【００１１】
本発明の実施形態に係る、プラズマ処理システム１は、図１において記載され、プラズマ処理チャンバ１０と、上部アセンブリ２０と、電極板アセンブリ２４と、基板３５を支持する基板ホルダ３０と、プラズマ処理チャンバ１０内に減圧雰囲気１１を提供するための真空ポンプ（図示せず）に組み合わせられた排気ダクト４０とを含んでいる。プラズマ処理チャンバ１０は、基板３５に隣接する処理空間１２に処理プラズマを形成するのを容易にすることができる。プラズマ処理システム１は、どのようなサイズの基板、例えば２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、またはより大きい基板でも処理するように構成されることができる。
【００１２】
図示の実施形態において、電極板アセンブリ２４は、電極板２６（図１）と、電極２８（図１）とを含む。代わりの実施形態では、上部アセンブリ２０は、カバーと、ガス注入アセンブリと、上部電極インピーダンスマッチングネットワークとのうちの少なくとも１つを有することができる。電極板アセンブリ２４は、ＲＦ電源に結合されることができる。他の代わりの実施形態において、上部のアセンブリ２０は、電極板アセンブリ２４に組み合わせられるカバーを含み、そこにおいて、電極板アセンブリ２４は、プラズマ処理チャンバ１０の電位と同電位で維持される。例えば、プラズマ処理チャンバ１０と、上部のアセンブリ２０と、電極板アセンブリ２４とは、電気的にグラウンド電位に接続されることができる。
【００１３】
プラズマ処理チャンバ１０は、堆積シールド１４に組み合わせられた光学的ビューポート１６を更に備えることができる。光学的ビューポート１６は、光学ウィンドウ堆積シールド１８の裏面に組み合わされた光学ウィンドウ１７を含むことができ、光学ウィンドウフランジ１９は、光学ウィンドウ堆積シールド１８に光学ウィンドウ１７を組み合わせるように構成されることができる。Ｏリングのようなシール部材は、光学ウィンドウフランジ１９と、光学ウィンドウ１７との間に、光学ウィンドウ１７と、光学ウィンドウ堆積シールド１８との間に、および、光学ウィンドウ堆積シールド１８と、プラズマ処理チャンバ１０との間に供給されることができる。光学的ビューポート１６は、処理空間１２内の処理プラズマから、光学的発光のモニタリングを可能にすることができる。
【００１４】
基板ホルダ３０は、基板ホルダ３０と、プラズマ処理チャンバ１０とに結合され、プラズマ処理チャンバ１０の減圧雰囲気１１から垂直並進デバイス５０をシールするように構成されたベローズ５２によって囲まれたこの垂直並進デバイス５０を更に備えることができる。加えて、ベローズシールド５４は、基板ホルダ３０に組み合わせられることができ、ベローズ５２を処理プラズマから保護するように構成されることができる。基板ホルダ３０は、フォーカスリング６０と、シールドリング６２とのうちの少なくとも１つと更に組み合わせられることができる。さらにまた、バッフル板６４（ｂａｆｆｌｅ  ｐｌａｔｅ  ６４）は、基板ホルダ３０の円周のまわりに延びることができる。
【００１５】
基板３５は、ロボット基板移送システムを介して、スロットバルブ（図示せず）およびチャンバフィードスルー（図示せず）を通してプラズマ処理チャンバ１０との間で移送されることができ、ここで基板３５は、基板ホルダ３０内に収容された基板リフトピン（図示せず）によって受けられ、その内部に収容されたデバイスによって機械的に移動される。一旦、基板３５が基板移送システムから受けとられると、それは、基板ホルダ３０の上面まで降ろされる。
【００１６】
基板３５は、静電クランピングシステムを介して基板ホルダ３０に固定されることができる。さらにまた、基板ホルダ３０は、基板ホルダ３０から熱を受け、熱交換器システム（図示せず）へ熱を移送し、または、加熱するときには、熱交換器システムから熱を移送する再循環クーラント流れを包含している冷却システムを更に具備することができる。さらに、ガスは、基板３５と、基板ホルダ３０との間のガスギャップ熱伝導を改良するように裏面ガスシステムを介して基板３５の裏面に供給されることができる。基板の温度制御が上昇したか低下した温度で必要なときに、このようなシステムは利用されることができる。他の実施の形態において、抵抗加熱部材のような加熱部材、または熱電式ヒータ／冷却器は、包含されることができる。
【００１７】
図１に示された図示された実施形態において、基板ホルダ３０は、ＲＦ電力を通して処理空間１２の処理プラズマに結合させる電極を含むことができる。例えば、基板ホルダ３０は、ＲＦ発振器（図示せず）からインピーダンスマッチングネットワーク（図示せず）を通して基板ホルダ３０へのＲＦ電力の伝達を介して、ＲＦ電圧で電気的にバイアスをかけられることができる。ＲＦバイアスは、プラズマを形成し、維持するために電子を加熱するのに役に立つことができる。この構成において、システムは、チャンバと、上部のガス注入電極とが接地面として働く反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈ：ＲＩＥ）リアクタとして動作することができる。ＲＦバイアスのための典型的な周波数は、約１ＭＨｚから約１００ＭＨｚまでの範囲であり得て、例えば、約１３．５６ＭＨｚであり得る。プラズマ処理のためのＲＦシステムは、当業者にとって周知である。
【００１８】
代わりとして、処理空間１２の処理プラズマは、平行平板型、容量結合型プラズマ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ：ＣＣＰ）ソース、誘導結合型プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）ソース、それらのいかなる組合せでも、およびマグネットシステムを有する場合と、無い場合とでも使用して形成されることができる。代わりとして、処理空間１２の処理プラズマは、電子サイクロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲ）を使用して形成されることができる。さらに別の実施形態では、処理空間１２の処理プラズマは、ヘリコン波のラウンチング（ｌａｕｎｃｈｉｎｇ  ｏｆ  ａ  Ｈｅｌｉｃｏｎ  ｗａｖｅ）から形成される。さらに別の実施形態では、処理空間１２の処理プラズマは、表面波（ｓｕｒｆａｃｅ  ｗａｖｅ）の伝搬から形成される。
【００１９】
ここで、図２（平面図）および図３（断面図）に記載された本発明の図示された実施形態を参照すると、フォーカスリング６０は、上面８２と、下面８４と、内側の半径方向のエッジ８６と、外側の半径方向のエッジ８８とを含むリングを形成し得る。フォーカスリング６０は、シリコン、石英、炭化珪素、窒化シリコン、カーボン、アルミナ、サファイヤ、テフロン（登録商標）、およびポリイミドの少なくとも１つから形成されることができる。フォーカスリング６０は、約０．５から約１０ｍｍまでの範囲の厚さを有することができる。別の形態として、厚さは、約１から約５ｍｍまでの範囲とすることができ、または、厚さが、ほぼ１ｍｍとすることができる。フォーカスリング６０は、例えば、機械加工、レーザカット、研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）、および研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）の少なくとも１つを使用して製造されることができる。
【００２０】
図４Ａおよび図４Ｂは、フォーカスリング６０の拡大された断面図を提供し、そこにおいて、フォーカスリング６０は、下面８４に組み合わせられ、かつ処理中にフォーカスリングの消費の範囲を示すように構成された少なくとも１つの消耗インジケータ９０を備えている。代わりとして、フォーカスリング６０は、上面８２に組み合わせられ、かつ処理中のフォーカスリングの消費の範囲を示すように構成された少なくとも１つの消耗インジケータ９０を備えている。例えば、図４Ａは、一定の長さおよび幅を有する消耗インジケータ９０を示す。別の形態として、図４Ｂは、異なる長さおよび／または異なる幅を各々有するいくつかの消耗インジケータ９０、９０’、９０’’を示す。
【００２１】
ここで図５Ａを参照して、１つ以上の消耗インジケータ９０がフォーカスリング６０の下面８４に組み合わせられるときに、消耗インジケータで横切っている深さまで腐食するように上面８２（それは、処理環境に曝される）に対して十分に長いプロセス時間（すなわちＴ１−Ｔ０）が経過するまで、各々の消耗インジケータ９０は処理環境に曝されない。一旦、消耗インジケータ９０が曝されて、ここでフォーカスリング６０の上面８２から見ることができると、フォーカスリング６０は、交換の予定であるとすることができる。光学ウィンドウ１７を介してフォーカスリング６０をモニタリングしながら、この観測は、ランから次のランまでに（ｆｒｏｍ  ｒｕｎ−ｔｏ−ｒｕｎ）されることができる。別の形態として、図５Ｂに示すように、１つ以上の消耗インジケータ９０がフォーカスリング６０の上面８２に組み合わせられるときに、各々の消耗インジケータ９０は、処理環境に曝され、それにより腐食を受け、そこにおいて、横方向および縦方向の両方の腐食範囲は、時間ｔ０からｔ１、ｔ２、ｔ３等に至るに従って増加する。一旦、消耗インジケータ９０が所定のサイズまで拡大すると、フォーカスリング６０は、交換の予定であるとすることができる。光学ウィンドウ１７を介してフォーカスリング６０をモニタリングしながら、この観測は、ランから次のランまでにされることができる。
【００２２】
加えて、消耗インジケータ９０は、フォーカスリング６０の消費の半径方向の変化を観測するために、フォーカスリング６０上の異なる半径方向の位置に配置されることができる。別の形態として、消耗インジケータは、フォーカスリング６０の消費の方位変化を観測するために、フォーカスリング６０上の異なる方位の位置に配置されることができる。消耗インジケータ９０は、約１から約５ｍｍまでの範囲の長さを有することができる。別の形態として、長さは、約０．２５から約１ｍｍまでの範囲とすることができ、または長さは、ほぼ０．５ｍｍとすることができる。代わりとして、消耗インジケータ９０は、フォーカスリング６０の厚さの一部分であり得て、約１０から約９０％までの部分的な範囲内である。別の形態として、フォーカスリング厚さの一部分は、約２５から約７５％までの部分的な範囲を有することができ、または、フォーカスリング厚さの一部分は、ほぼ５０％であり得る。１つ以上の消耗インジケータは、例えば、機械加工、エッチング、レーザミリング（ｌａｓｅｒ−ｍｉｌｌｉｎｇ）、およびソニックミリング（ｓｏｎｉｃ−ｍｉｌｌｉｎｇ）の少なくとも１つを使用して製作されることができる。
【００２３】
本発明の１つの実施形態によれば、フォーカスリング６０は、基板ホルダ上のセンタリング形態とフォーカスリング上の嵌合形態を組み合わせることによって、基板ホルダ上に自動的にセンタリングされることができる。例えば、フォーカスリング６０の嵌合形態は、外側の半径方向のエッジ８６（図３を参照）上の嵌合表面８７である。加えて、基板ホルダ上のセンタリング形態は、基板ホルダに組み合わせられるセンタリングリングであることができる。図６は、センタリングリング１００の平面図を示し、図７は、センタリングリング１００の断面図を示し、そして図８は、センタリングリング１００の拡大された断面図を示す。センタリングリング１００は、フランジ領域１１０と、リップ領域１１２とを有することができ、そこにおいて、リップ領域１１２は、センタリング面１２０を更に有している。センタリング面１２０は、例えば、図６、図７、および図８に示すように半径方向面であり得て、そこにおいて、半径方向の位置的な隙間嵌め合い（ｃｌｅａｒａｎｃｅ  ｆｉｔ）は、センタリングリング１００にフォーカスリング６０を組み合わせた場合の、嵌合表面８７と、センタリング面１２０との間として示される。
【００２４】
依然として図６〜８を参照すると、センタリングリング１００は、基板ホルダにセンタリングリング１００を組み合わせるための２つ以上の位置づけ形態（ｌｏｃａｔｉｎｇ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）１３０、例えば２つの穴を更に備えることができる。センタリングリング１００は、基板ホルダの上に載置されることができる。代わりとして、センタリングリング１００は、クランプリングと、留め金具（ｆａｓｔｅｎｅｒ）との少なくとも一方を使用して基板ホルダに機械的に固定されることができる。代わりとして、センタリングリング１００は、静電クランピング（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  ｃｌａｍｐｉｎｇ：ＥＳＣ）システムを使用して基板ホルダに電気的に固定されることができる。
【００２５】
センタリングリング１００は、アルミニウム、コーティングされたアルミニウム、シリコン、石英、炭化珪素、窒化シリコン、カーボン、アルミナ、サファイヤ、テフロン、およびポリイミドの少なくとも１つから作られることができる。コーティングされたアルミニウムに対して、センタリングリング１００がプラズマのような苛酷な処理環境に曝されるときに、このコーティングは、例えば、腐食耐性表面の供給を促進（ｆａｃｉｌｉｔａｔｅ）することができる。製造中に、１つ以上の表面は、陽極酸化されることができ、１つ以上の表面は、スプレーされたコーティングを有することができ、または、１つ以上の表面は、プラズマ電解酸化（ｐｌａｓｍａ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）に当てられることができる。例えば、コーティングは、ＩＩＩ族元素と、ランタニド系元素とのうちの少なくとも一つを含むことができる。コーティングは、Ａｌ２Ｏ３、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、およびＤｙＯ３の少なくとも１つを含むことができる。アルミニウム部品を陽極酸化する方法、およびスプレーコーティングを適用する方法は、表面材料処理の当業者にとって周知である。
【００２６】
ここで図９を参照すると、プラズマ処理システム内の基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングを交換する方法は、記載されている。方法は、プラズマ処理システムから第１のフォーカスリングを取り外すことを有する２１０にて開始しているフローチャート２００であり、そこにおいて、フォーカスリングは、上面と、下面と、上面および下面の少なくとも一方に組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを有している。第１のフォーカスリングを取り外すことは、例えば、大気圧状態にプラズマ処理システムをベントすること（ｖｅｎｔｉｎｇ）と、内部にアクセスするためにプラズマ処理チャンバを開く（ｏｐｅｎｉｎｇ）ことと、そして続いてフォーカスリングを基板ホルダから分離することとを有することができる。フォーカスリングを基板ホルダから分離することは、例えば、フォーカスリングを基板ホルダから持ち上げて離すことを含むことができ、または、基板ホルダからフォーカスリングのクランプを外して（ｄｅ―ｃｌａｍｐｉｎｇ）、そして、それでフォーカスリングを基板ホルダから持ち上げて離すことを含むことができる。
【００２７】
２２０にて、第２のフォーカスリングは、基板ホルダに第２のフォーカスリングを組み合わせることによって、プラズマ処理システムにインストールされ、そこにおいて、この組み合わせることは、プラズマ処理システムの第２のフォーカスリングの自動−センタリングを容易にする。第２のフォーカスリングは、第１のフォーカスリングとした後に再生されることを含むことができ、または、それは、上面と、下面と、前記上面および前記下面の少なくとも一方に組み合わせられた１つ以上の消耗インジケータとを有する新しく製造されたフォーカスリングであり得る。プラズマ処理システムの第２のフォーカスリングの自動−センタリングは、上記の通り、フォーカスリングの外側の半径方向のエッジに嵌合表面を提供することと、基板ホルダにマウントされたセンタリングリングのリップ領域上のセンタリング面に、嵌合表面を組み合わせることとによって、達成されることができる。代わりとして、プラズマ処理システムの第２のフォーカスリングの自動−センタリングは、フォーカスリング上の接触面にマウントされた２本以上のピンを提供することと、センタリングリングの受け表面上の２つ以上の受入れ穴に、フォーカスリング上のピンを組み合わせることとによって、達成されることができる。別の形態として、２本以上のピンは、センタリングリングに位置づけられることができ、２つ以上の受入れ穴は、フォーカスリング上に位置づけられることができる。
【００２８】
本発明の特定の典型的な実施形態だけが上で詳述され、当業者は、本発明の新規進歩の事項から逸脱することなく、典型的な実施形態において非常に多くの変更態様が可能であることを容易に理解する。したがって、全てのこのような変更態様は、本発明の範囲内に包含されることを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ処理システムの概略ブロック図を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係るフォーカスリングの平面図を示す図である。
【図３】図２に記載されたフォーカスリングの断面図を示す図である。
【図４Ａ】図２に記載されたフォーカスリングの拡大された断面図を示す図である。
【図４Ｂ】図２に記載されたものと別のフォーカスリングの拡大された断面図を示す図である。
【図５Ａ】本発明の１つの実施形態に係る、処理中の消耗インジケータの進行を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態に係る処理中の消耗インジケータの進行を示す図である。
【図６】本発明の１つの実施形態に係るセンタリングリングの平面図を示す図である。
【図７】図５に記載されたセンタリングリングの断面図を示す図である。
【図８】図７に記載されたセンタリングリングの拡大された断面図を示す図である。
【図９】プラズマ処理システムの基板を囲むフォーカスリングを交換する方法を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
2007511089.tif 000014
2007511089.tif 000015