【手続補正書】
【提出日】平成28年11月9日(2016.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔。
【請求項２】
該金属層は、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項３】
該銅層は、厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、大きさが５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項４】
該フィルムは、厚みが２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、１２０℃、３０分で熱処理した後の熱収縮率がＭＤ方向（長手方向）、ＴＤ方向（幅方向）いずれも２．０％以下であり、かつ、融点が２２０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（フィルムの厚み、熱収縮率の測定）
フィルムの厚みを膜厚計DIGMICRO MFC-101を用いて測定した。またJIS K 7133に準じて１２０℃、３０ｍｉｎの条件で加熱前の寸法Ｌ、加熱後の寸法Ｌ０から寸法変化率
ΔＬ＝（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０×１００
を算出した。測定はフィルムのＭＤ方向およびＴＤ方向で行い、値の大きな方を熱収縮率とした。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（実施例１）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。

【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（実施例２）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でチタン層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
チタン層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、チタン層のみでの透過率は９３．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．２１ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．２個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は６．０×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は８．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて６ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は５．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。剥離しなかった部分を用いてこの離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．３×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．３×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて６ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３３．０ｍ／ｍｉｎで０．２μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は５．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたがピンホールから樹脂が染み出し剥離が重たい箇所が生じた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．１ｍ／ｍｉｎで６．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１３．２ｍ／ｍｉｎで０．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は３．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたがピンホールから樹脂が染み出し剥離が重たい箇所が生じた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１６．５ｍ／ｍｉｎで０．４μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は一部シワの発生があったが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。シワが発生しなかった部分を用いて真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着はフィルムの厚みが厚く巻きズレが一部発生したが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。シワが発生しなかった部分を用いて真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例１０）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でタンタル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
タンタル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、タンタル層のみでの透過率は９５．８％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．０２ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
（比較例１）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製したが、蒸着は巻きズレ、シワが発生し巻き取ることは出来なかった。ただし評価のサンプルはシワの発生があるが取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は１．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．３９μｍであった。この離型アルミ箔付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところシワの影響でうまく張りあわせることができなかった。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中はロールとの密着性が悪くシワが多発したが、評価するためのサンプルだけは取ることができた。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．７２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離しようとしたところ、剥離がかなり重く剥離困難であった。剥離力は２２．１×１０−２Ｎ／ｍｍであった。また、真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃いずれの条件でも剥離しようとするとフィルムが破れてしまい、剥離出来なかった。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【表１】
2015157472.tif 000001