Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波路を伝送路として、第１の電子機器が出力するベースバンド信号を、前記ベースバンド信号よりも高い周波数帯域の信号に周波数変換した変調信号を送信する送信部と、
前記第１の電子機器と、前記第１の電子機器が出力するベースバンド信号を受信する第２の電子機器とが接続されたときに、前記第１の電子機器によって検出される、前記第２の電子機器が内蔵する機構に相当する被検出機構であって、前記第１の電子機器と接続される被検出機構と
を備える通信装置。
【請求項２】
前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との接続状態に応じて、前記被検出機構と前記第１の電子機器との接続を制御する制御部をさらに備える
請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との接続を検出する接続検出部をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との接続が検出された場合に、前記被検出機構を、前記第１の電子機器に接続し、
前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との接続の切断が検出された場合に、前記被検出機構を、前記第１の電子機器から切断する
請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記接続検出部は、前記第２の電子機器が出力するベースバンド信号を周波数変換した変調信号を送信する他の通信装置から送信されてくる変調信号のパワーを検出し、そのパワーに基づいて、前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との接続を検出する
請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記他の通信装置から送信されてくる変調信号を受信し、前記ベースバンド信号に周波数変換する受信部をさらに備え、
前記接続検出部は、前記他の通信装置から送信されてくる変調信号を周波数変換することにより得られる前記ベースバンド信号を用いて、前記変調信号のパワーを検出する
請求項４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記接続検出部は、前記他の通信装置から送信されてくる変調信号を周波数変換することにより得られる前記ベースバンド信号のDC(Direct Current)オフセットを、前記変調信号のパワーとして検出する
請求項５に記載の通信装置。
【請求項７】
前記受信部は、前記他の通信装置から送信されてくる変調信号を周波数変換することにより得られる前記ベースバンド信号として、差動信号を出力し、
前記接続検出部は、前記差動信号のDCオフセットの差を、前記変調信号のパワーとして検出する
請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記接続検出部は、
前記変調信号のパワーが、第１の閾値以上である場合に、前記第１の電子機器と前記第２の電子機器とが接続されていると判定し、
前記変調信号のパワーが、前記第１の閾値より小さい第２の閾値以下である場合に、前記第１の電子機器と前記第２の電子機器とが切断されていると判定する
請求項４から７のいずれかに記載の通信装置。
【請求項９】
前記被検出機構は、コモンモードインピーダンスで構成される
請求項１から８のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１０】
前記変調信号は、ミリ波帯の信号である
請求項１から９のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１１】
導波路を伝送路として、第１の電子機器が出力するベースバンド信号を、前記ベースバンド信号よりも高い周波数帯域の信号に周波数変換した変調信号を送信する送信部と、
前記第１の電子機器と、前記第１の電子機器が出力するベースバンド信号を受信する第２の電子機器とが接続されたときに、前記第１の電子機器によって検出される、前記第２の電子機器が内蔵する機構に相当する被検出機構であって、前記第１の電子機器と接続される被検出機構と
を備える通信装置が、前記第１の電子機器に、前記被検出機構を検出させる
制御方法。
【請求項１２】
導波路を伝送路として、第１の電子機器が出力するベースバンド信号を、前記ベースバンド信号よりも高い周波数帯域の信号に周波数変換した変調信号を送信する送信部と、
前記第１の電子機器と、前記第１の電子機器が出力するベースバンド信号を受信する第２の電子機器とが接続されたときに、前記第１の電子機器によって検出される、前記第２の電子機器が内蔵する機構に相当する被検出機構であって、前記第１の電子機器と接続される被検出機構と、
前記第２の電子機器が出力するベースバンド信号を周波数変換した変調信号を送信する他の通信装置から送信されてくる変調信号を受信し、前記ベースバンド信号に周波数変換する受信部と
を備える通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
但し、図３の通信システムは、USBケーブル３０に代えて、ミリ波ケーブル５０及び６０が設けられている点で、図１の場合と相違する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１９】
なお、図１４では、接続検出部２８１において、受信部７２のミキサ１２２の出力を用いて、受信部７２で受信された変調信号のパワーを検出することとしたが、接続検出部２８１では、その他、例えば、アンプ１２３の出力や、アンプ１２１の出力を用いて、受信部７２で受信された変調信号のパワーを検出することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６４】
ミリ波コネクタ３２２は、ミリ波コネクタ５２や６２（図６、図１１）と同様に、ミリ波帯の変調信号を伝送する導波路となる誘電体等の材料で構成され、通信部３２３を内蔵している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９８】
また、本実施の形態では、本技術を、USB規格に準拠した電子機器（により構成される通信システム）に適用した場合について説明したが、本技術は、USB規格に準拠した電子機器の他、例えば、PCI Expressをインターフェースとして有する電子機器のような、通信相手の検出（通信相手との接続）を、その通信相手が有する被検出機構を用いて行う方式を採用する電子機器等に適用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９９】
さらに、図６の通信システムでは、通信部２０１を、ミリ波コネクタ５２に内蔵させることとしたが、通信部２０１は、通信部６３との間に、変調信号を伝送する導波路が形成されることを条件として、ミリ波ケーブル２００の任意の位置に内蔵させることができる。通信部６３も、通信部２０１との間に、導波路が形成されることを条件として、ミリ波コネクタ６２以外のミリ波ケーブル６０の任意の位置に内蔵させることができる。図１１の通信システムについても、同様である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2015186068.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年4月5日(2016.4.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−ピクセルを備えるディスプレイパネルと、
−前記ディスプレイパネルの見る側に配列される視差バリアであって、前記視差バリアは、回転軸回りで回転角度だけ回転可能な複数の電子インク粒子でそれぞれが満たされた複数の電子インクセルを有する第１の電子インク面を備え、前記電子インク粒子は、第１の方向では光を透過し、第２の方向では不透明である、前記視差バリアと、
−すべての前記電子インク粒子を、前記ディスプレイパネルのすべてのピクセルを第１の見る方向から見ることができる共通の第１の回転角度から、前記ディスプレイパネルのすべてのピクセルを第２の見る方向から見ることができる共通の第２の回転角度にセットするように同期した方法で回転させ、および、ユーザに立体視を与えるように前記ディスプレイパネルによるピクチャの再生と前記共通の第１の回転角度から前記共通の第２の回転角度への前記電子インク粒子の前記回転とを同期させるように構成される制御ユニットと、
を備える、裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項２】
回転軸回りで回転角度だけ回転可能な複数の電子インク粒子でそれぞれが満たされた複数の電子インクセルを備える第２の電子インク面をさらに備え、前記電子インク粒子は、第１の方向では光を透過し、第２の方向では不透明であり、前記第２の電子インク面の前記電子インク粒子は、前記第１の電子インク面の前記電子インク粒子の前記回転軸と直交する回転軸を有する、請求項１に記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項３】
前記第１の電子インク面内の前記電子インク粒子の前記回転軸は、互いに平行である、請求項１または２に記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項４】
同一の電子インク面内の前記電子インク粒子の前記回転軸は、互いに平行である、請求項２に記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項５】
前記第１の電子インク面の前記電子インク粒子の前記回転軸は、垂直方向に整列され、前記第２の電子インク面の前記電子インク粒子の前記回転軸は、水平方向に整列される、請求項２又は４に記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項６】
前記電子インク粒子は、光透過性の半球体と、前記半球体の間の不透明境界面とを有する球体である、請求項１から５のいずれかに記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項７】
前記電子インク粒子は、向かい合う側で逆帯電され、電界を印加することによって回転可能である、請求項１から６のいずれかに記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項８】
ユーザの頭部の位置および／または向きを追跡する頭部追跡装置をさらに備え、前記制御ユニットは、前記電子インク粒子の前記回転と、前記ディスプレイパネルの前記ピクチャの前記同期した再生とを前記ユーザの頭部の判定された位置に調整するようにさらに構成される、請求項１から７のいずれかに記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項９】
前記第１の電子インク面は、それぞれの前記電子インクセルの横幅の半分のサイズだけ、互いにインターリーブされる第１および第２のインターリーブサブレイヤを備える、請求項１から８のいずれかに記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項１０】
前記第１および／または第２の電子インク面は、それぞれの前記電子インクセルの横幅の半分のサイズだけ、互いにインターリーブされる第１および第２のインターリーブサブレイヤを備える、請求項２に記載の裸眼立体視ディスプレイ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の裸眼立体視ディスプレイを操作する方法であって、
−すべての電子インク粒子を、同期した方法で前記共通の第１の回転角度から前記共通の第２の回転角度に回転させることと、
−ユーザに立体視を与えるように、前記電子インク粒子の前記回転と、前記ディスプレイパネルによるピクチャの前記再生とを同期させることと、
を含む、前記方法。
【請求項１２】
前記電子インク粒子の前記回転と、前記ディスプレイパネルによるピクチャの前記再生とを同期させることは、
−立体画像ペアの第１の画像を前記共通の第１の回転角度で表示することと、
−前記立体画像ペアの第２の画像を前記共通の第２の回転角度で表示することと、
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
有利には、同一のｅインク面におけるｅインク粒子の傾斜軸は、互いと平行である。１つのｅインク面におけるすべてのｅインク粒子の共通整列が、それぞれの視差バリアの生成に関して有利である。一方、特に視差バリアの周辺エリアにおけるそれぞれのｅインク粒子のわずかに傾斜された回転軸により、ユーザの顔への、スクリーンの集束が向上し得る。言い換えると、ユーザによる認知は、点、すなわち目であり、共通方向に整列される傾斜軸を有するｅインク粒子によって与えられるような線や隙間ではない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
によって回転可能であり調節可能である。光透過方向ＤＴに対して直角の方向、すなわち光阻止方向ＤＢにおいて、ｅインク粒子１８は、光を完全に阻止する。複数のｅインク粒子１８は、方向ＤＢだけでなく、光透過方向ＤＴとは大きく異なる方向でも光を阻止する。したがって、方向選択的な光バリアが視差バリアによって与えられ、視差バリアによって透過される光線の角度範囲は、光透過方向における視差バリアの厚さと、それぞれのｅインクセル１０の内部空間１２内に配置されたｅインク粒子１８の数とによって定義される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
別の実施形態によると、第１および第２のｅインク面８は、ディスプレイパネル４の正面に配置され、第１のｅインク面のｅインク粒子１８の傾斜角は、好ましくは第２のｅインク面にあるｅインク粒子１８の傾斜軸に対して直角である。有利には、第１のｅインク面は、垂直であるとともに光を水平分散させる傾斜軸を有し、第２のｅインク面の傾斜軸は、水平方向に配列され、そうすることによって垂直面における透過角度を変化させる。第１および第２のｅインク面の同期をとることによって、水平面での、すなわち並んで座っている観客のための異なる複数の表示、ならびにたとえばくつろいでいる横になった観賞姿勢により自分の頭部を傾けている人に立体視を与える垂直面での異なる複数の表示が提供され得る。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
本発明のさらに有利な実施形態によると、１つのｅインク面の内側のｅインク粒子の傾斜軸（技術的に望ましくないずれは除く）は、互いに対して平行である。言い換えると、視差バリアのｅインク粒子１８は、同じ回転軸の回りを回転している。これは、電界
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月19日(2016.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前後方向と、前後方向に直交する幅方向と、を有する吸収性物品において、
吸収体を備える本体部と、
着用者の排泄口に対向して配置される排泄口当接領域の中心を含む中央領域よりも後方において、前記本体部の幅方向外縁から幅方向外側に突出するヒップフラップ部と、を備え、
前記吸収性物品の外縁の少なくとも一部は、外縁圧搾部を有し、
前記ヒップフラップ部は、非肌当接面側にサイド粘着部を備え、
前記ヒップフラップ部は、
第１くびれ部と、
前記第１くびれ部よりも後方に位置し、前記第１くびれ部よりも幅方向外側に突出すると共に、前記ヒップフラップ部の幅が最大となる部分を含む第１フラップ部と、
前記第１くびれ部よりも前方に位置し、前記第１くびれ部よりも幅方向外側に突出する第２フラップ部と、を備え、
前記第２フラップ部の外縁には、前記外縁圧搾部が配置され、
前記サイド粘着部は、前記第１フラップ部の非肌当接面側に配置される、吸収性物品。
【請求項２】
前記第１フラップ部の外縁には、前記外縁圧搾部が配置され、
前記サイド粘着部は、前記第１フラップ部における前記外縁圧搾部の幅方向内縁よりも幅方向内側に位置すると共に、前記第１くびれ部よりも幅方向内側に位置する、請求項１に記載の吸収性物品。
【請求項３】
前記第１フラップ部における前記外縁圧搾部の幅方向内縁から幅方向外縁までの長さは、前記第１フラップ部における前記外縁圧搾部の幅方向内縁から前記サイド粘着部の幅方向外側端部までの長さよりも短い、請求項２に記載の吸収性物品。
【請求項４】
前記ヒップフラップ部は、
前記第２フラップ部よりも前方に位置する第２くびれ部を備え、
前記第２くびれ部は、前記第１くびれ部よりも、幅方向内側に位置する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の吸収性物品。
【請求項５】
前記第１フラップ部における前記外縁圧搾部は、前記第１くびれ部よりも後方に位置し、前記第２フラップ部における前記外縁圧搾部は、前記第１くびれ部よりも前方に位置する、請求項２又は３に記載の吸収性物品。
【請求項６】
前記第２フラップ部における前記外縁圧搾部は、前記第１くびれ部と前記第２くびれ部とを通る直線よりも、幅方向外側に位置する、請求項４に記載の吸収性物品。
【請求項７】
前記ヒップフラップ部は、肌当接面側に配置されたサイドシートと、非肌当接面側に配置されたバックシートと、前記サイドシートと前記バックシートとの間に配置された中間層と、を備え、
前記中間層は、前記ヒップフラップ部に配置された前記外縁圧搾部よりも、幅方向内側に位置する、請求項５又は６に記載の吸収性物品。
【請求項８】
前記ヒップフラップ部は、前記第１フラップ部よりも後方に後方くびれ部を備える、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の吸収性物品。
【請求項９】
前記本体部は、非肌当接面側に本体粘着部を備え、
前記本体部の後端部の少なくとも一部に前記外縁圧搾部が配置され、
前記本体部の後端部に配置された前記外縁圧搾部の幅方向外側端部と、前記ヒップフラップ部における前記外縁圧搾部の後端部との間は、前記外縁圧搾部が配置されない非圧搾部であり、
前記サイド粘着部及び前記本体粘着部は、前記非圧搾部から少なくとも前記中央領域の後端部まで前後方向に延びる領域よりも幅方向外側及び内側にそれぞれ配置される、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の吸収性物品。
【請求項１０】
前記ヒップフラップ部は、肌当接面側に配置されたサイドシートと、非肌当接面側に配置されたバックシートと、前記サイドシートと前記バックシートとの間に配置された中間層と、を備え、
前記中間層の幅方向内縁に沿って前後方向に延びる直線は、前記非圧搾部の幅方向外側端部を通り、前記吸収体の幅方向外縁に沿って前後方向に延びる直線は、前記非圧搾部の幅方向外側端部を通る、請求項９に記載の吸収性物品。
【請求項１１】
前記ヒップフラップ部は、サイド圧搾部を有し、
前記サイド圧搾部は、後方に向かうにつれて幅方向内側から幅方向外側に延び、
前記サイド粘着部は、前記サイド圧搾部よりも後方に位置する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の吸収性物品。
【請求項１２】
前記サイド圧搾部は、複数の圧搾部によって構成されており、
前記複数の圧搾部は、間隔を空けて配置されている、請求項１１に記載の吸収性物品。
【請求項１３】
前記外縁圧搾部は、複数の圧搾部によって構成されており、
前記外縁圧搾部を構成する複数の圧搾部は、間隔を空けて配置されており、
前記サイド圧搾部を構成する圧搾部の外形と、前記外縁圧搾部を構成する圧搾部の外形とは、異なる、請求項１２に記載の吸収性物品。
【請求項１４】
前記サイド圧搾部を構成する圧搾部の間隔は、前記外縁圧搾部を構成する圧搾部の間隔よりも大きい、請求項１３に記載の吸収性物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ウイング部ＷＧは、着用者の下着の非肌当接面側に折り返されるように構成されている。ヒップフラップ部ＨＦは、着用者の下着の肌当接面側に固定されるように構成されている。ウイング部ＷＧ及びヒップフラップ部ＨＦは、非肌当接面側にそれぞれウイング部ずれ止め材９及びヒップフラップ部ずれ止め材８を備える。ヒップフラップ部ＨＦの詳細な構成については、後述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
つまり、吸収性物品１においては、ヒップフラップ部ＨＦの中で最も幅方向外側に突出した第１フラップ部４１より前方に第１くびれ部３１が位置し、第１くびれ部３１の前方に第２フラップ部４２が位置する。吸収性物品１の着用者が脚を閉じると、中央領域ＣＡの幅方向外側から内側に向かって力がかかり、その力が後方に伝達される。ヒップフラップ部ＨＦに伝達された力は、第２フラップ部４２を変形させるが、第１くびれ部３１で吸収される。そのため、第１フラップ部４１にかかる力が軽減される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２突出防止層と、
前記第２突出防止層上に配置され、第３の孔を有するセラミック本体を含むセラミック基板と、
前記第２突出防止層上に配置され、前記第３の孔に挿入される放熱ブロックと、
前記セラミック基板及び前記放熱ブロック上に配置される第１突出防止層と、
前記セラミック基板上に配置されて所定の大きさを有する第１の孔が形成され、前記第１の孔には高い全反射率を有する金属膜がコーティング又は蒸着される本体と、
紫外線を出力し、前記セラミック基板と前記本体の第１の孔によって形成されたキャビティの内部に配置される発光チップと、
前記本体上に配置されて所定の大きさを有する第２の孔を有するキャップと、
前記第２の孔に配置される透明窓と、を含み、
前記キャップの下部は、第１の面と前記第１の面より下部にさらに突出する第２の面に区分され、前記第１の面の少なくとも一部は前記本体と結着され、
前記第１突出防止層及び前記第２突出防止層は前記セラミック基板及び前記放熱ブロックと接する、発光パッケージ。
【請求項２】
前記第２の孔の下部直径は上部直径よりさらに小さく、前記第２の孔の前記上部直径と前記第２の孔の前記下部直径の間に段差が形成され、前記第２の孔に接触する前記透明窓の側面は、前記段差の形状と対応する段差を有する、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項３】
前記発光チップは、下部に結着するサブマウントをさらに含み、前記サブマウントは前記セラミック基板上に配置される、請求項１または２に記載の発光パッケージ。
【請求項４】
前記サブマウントは前記放熱ブロック上に配置される、請求項３に記載の発光パッケージ。
【請求項５】
前記第２の面の突出した高さは、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項６】
前記本体と前記第１の面の結着は、真空状態又は窒素（Ｎ２）ガスにてＡｕ−Ｓｎ共晶接合による、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項７】
前記発光チップは、Ａｕペーストを用いた接合又はＡｕ−Ｓｎ共晶接合で前記セラミック基板に固定された、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項８】
前記発光チップと前記透明窓との間の間隔は、０．２ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項９】
前記セラミック基板はＳｉＯ２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１０】
前記本体は、ＳｉＯ２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１１】
前記放熱ブロックは、Ｃｕ，Ｍ，Ｗ，Ａｇ，Ｍｏ，ＣｕＭｏ，ＣｕＷのいずれか一つを含む、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１２】
前記発光チップを包囲するように前記キャビティ内に形成されるモールディング部をさらに含む、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１３】
第２突出防止層と、
前記第２突出防止層上に配置され、第３の孔を有するセラミック本体を含むセラミック基板と、
前記第２突出防止層上に配置され、前記第３の孔に挿入される放熱ブロックと、
前記セラミック基板及び前記放熱ブロック上に配置される第１突出防止層と、
前記セラミック基板上に配置されて所定の大きさを有する第１の孔が形成されている本体と、
紫外線を出力し、前記セラミック基板と前記本体の孔により形成されたキャビティの内部に配置される発光チップと、
前記本体上に配置されて所定の大きさを有する第２の孔を有するキャップと、
前記第２の孔に配置される透明窓と、を含み、
前記第２の孔の上部直径は下部直径よりさらに小さく、前記第２の孔の前記上部直径と前記第２の孔の前記下部直径の間に段差が形成され、前記透明窓は前記第２の孔の下部に配置され、
前記第１突出防止層及び前記第２突出防止層は前記セラミック基板及び前記放熱ブロックと接する、発光パッケージ。
【請求項１４】
前記発光チップは、下部に結着するサブマウントをさらに含み、前記サブマウントは前記セラミック基板上に配置される、請求項１３に記載の発光パッケージ。
【請求項１５】
前記サブマウントは前記放熱ブロック上に配置される、請求項１４に記載の発光パッケージ。
【請求項１６】
前記本体と前記第１の面の結着は、真空状態又は窒素（Ｎ２）ガスにてＡｕ−Ｓｎ共晶接合による、請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１７】
前記発光チップは、Ａｕペーストを用いた接合又はＡｕ−Ｓｎ共晶接合で前記セラミック基板に固定された、請求項１３ないし１６のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１８】
前記発光チップと前記透明窓との間の間隔は、０．２ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１３ないし１７のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項１９】
前記セラミック基板はＳｉＯ２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１３ないし１８のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項２０】
前記本体は、ＳｉＯ２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１３ないし１９のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項２１】
前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの上面は前記第１突出防止層で覆われ、
前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの下面は前記第２突出防止層で覆われる、請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【請求項２２】
前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの上面は第１平面上に配置され、
前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの下面は第２平面上に配置される、請求項１ないし２１のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたエピタキシャル構造体と、を含み、
前記エピタキシャル構造体は、ｎ型またはｐ型にドープされ、１０％以下のドーピング均一度を有する、エピタキシャルウエハ。
【請求項２】
中心部から縁部まで前記ドーピング均一度を有する、請求項１に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項３】
前記エピタキシャル構造体は、
第１エピタキシャル層と、
前記第１エピタキシャル層上に配置された第２エピタキシャル層と、を含む、請求項１又は２に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項４】
前記第２エピタキシャル層は、０．５個／ｃｍ２以下の表面欠陥密度を有する、請求項３に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項５】
前記第１エピタキシャル層の組成と前記第２エピタキシャル層の組成は互いに同一である、請求項３又は４に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項６】
前記第１エピタキシャル層は第１ドーピング濃度にドープされ、前記第２エピタキシャル層は第２ドーピング濃度にドープされ、前記第１ドーピング濃度は、前記第２ドーピング濃度よりも高い、請求項３ないし５のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項７】
前記基板はシリコンカーバイド基板であり、前記第１及び第２エピタキシャル層のそれぞれはシリコンカーバイドを含む、請求項３ないし６のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項８】
ｎ型にドープされた前記第１及び第２エピタキシャル層のそれぞれは、シリコンカーボンナイトライド（ＳｉＣＮ）を含む、請求項７に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項９】
ｐ型にドープされた前記第１及び第２エピタキシャル層のそれぞれは、アルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉＣ）を含む、請求項７に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１０】
前記第１エピタキシャル層は、１．０μｍ以下の厚さを有する、請求項３ないし９のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１１】
前記ドーピング均一度は９％以下である、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１２】
前記第１エピタキシャル層は、前記基板と前記第２エピタキシャル層との間に配置されて、前記エピタキシャルウエハに電圧を印加するときに引き起こされる漏れ電流が抑制される、請求項３に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１３】
前記第１エピタキシャル層が前記基板と前記第２エピタキシャル層との間に配置されて、前記基板と前記第２エピタキシャル層との間の格子不整合を低減させて、前記第２エピタキシャル層の表面欠陥を減らす、請求項３に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１４】
前記ドーピング均一度は、以下の通りである、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【数１】
2014093526.tif 000001
（ここで、ｍｅａｎは、ドーピング濃度の平均を、σは、ドーピング濃度の標準偏差をそれぞれ示す。）
【請求項１５】
前記第１エピタキシャル層は０．５μｍ〜１．０μｍの厚さを有する、請求項１０に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１６】
請求項３ないし１０のいずれか一項に記載の前記エピタキシャルウエハと、
前記第２エピタキシャル層上に配置されたソース及びドレインとを含む、半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子を有する発光部を制御する発光素子制御装置であって、
交流信号を整流して脈流信号に変換する整流部と、
前記脈流信号の最大レベルと最小レベルとの間のレベル差を減少させて、駆動信号として出力する脈流信号調整部と、
前記駆動信号のレベル変化に相応して、前記複数の発光素子の点灯を制御する点灯制御部と、を含み、
前記複数の発光素子は直列接続され、
前記発光部は、
複数の発光素子アレイと、
前記発光素子アレイの間に配置された接続抵抗とを含み、
前記直列接続された複数の発光素子は、前記複数の発光素子アレイに区分され、
前記点灯制御部は、
前記接続抵抗と前記発光素子アレイ間の接点と、基準電位との間に配置されたスイッチと、
前記駆動信号のレベルによって前記スイッチの開閉を制御するスイッチング制御部とを含み、
前記点灯制御部は、
前記スイッチング制御部と前記スイッチとの間に配置された電流制限抵抗と、
前記駆動信号のレベルを調整して前記スイッチング制御部に供給する電圧調整部とをさらに含み、
前記電圧調整部は、
前記駆動信号の高い電位と低い電位との間で互いに直列接続される複数の第１抵抗と、
前記駆動信号の高い電位と低い電位との間で互いに直列接続される第２抵抗及び第３キャパシタとを含む、発光素子制御装置。
【請求項２】
前記脈流信号調整部は、
前記脈流信号のレベル差を４０％乃至５０％程度減少させて、前記駆動信号として出力する、請求項１に記載の発光素子制御装置。
【請求項３】
前記脈流信号調整部は、
前記最小レベルを増加させて前記レベル差を減少させる、請求項１に記載の発光素子制御装置。
【請求項４】
前記脈流信号調整部は、
前記脈流信号を充電し、充電された信号を前記脈流信号のレベルが一定レベル以下となるときに放電して、前記レベル差が減少した前記駆動信号として出力する信号充電及び放電部を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【請求項５】
前記脈流信号調整部は、
前記脈流信号の低い電位と接続される陽極を有する第１ダイオードと、
前記脈流信号の高い電位と前記第１ダイオードの陰極との間に接続される第１キャパシタと、
前記第１ダイオードの陰極に接続される陽極を有する第２ダイオードと、
前記第２ダイオードの陰極と接続される一側を有する充電経路抵抗と、
前記脈流信号の高い電位及び前記充電経路抵抗の他側にそれぞれ接続される陰極及び陽極を有する第３ダイオードと、
前記充電経路抵抗の他側と前記脈流信号の低い電位との間に接続される第２キャパシタと、を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【請求項６】
前記整流部は、
前記交流信号を整流して前記脈流信号に変換する全波ダイオードブリッジ回路を含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【請求項７】
前記点灯制御部は、
前記駆動信号のレベルが低い値から高い値に増加する位相範囲で、前記駆動信号のレベル増加によって前記発光素子の点灯数を増加させ、
前記駆動信号のレベルが高い値から低い値に減少する位相範囲で、前記駆動信号のレベル減少によって前記発光素子の点灯数を減少させる、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【請求項８】
前記点灯制御部は、前記第２抵抗と前記第３キャパシタの接点と、前記スイッチング制御部との間に接続されて、前記交流信号の遮断時又は入力時に、前記スイッチング制御部の動作をリセットさせるリセット部をさらに含む、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【請求項９】
前記点灯制御部は、前記スイッチング制御部にクロック信号を供給するクロック発生部をさらに含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【請求項１０】
前記点灯制御部は、前記クロック発生部で生成されたクロックの個数をカウントするカウンターをさらに含み、前記スイッチング制御部は、前記カウンターのカウントされた結果に応答して前記スイッチの開閉を制御する、請求項９に記載の発光素子制御装置。
【請求項１１】
前記点灯制御部は、
前記駆動信号のレベル変化によって、前記複数の発光素子の点灯又は消灯を前記複数の発光素子アレイ別に制御する、請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたエピタキシャル構造体と、を含み、
前記エピタキシャル構造体は、
第１エピタキシャル層と、
前記第１エピタキシャル層上に配置された第２エピタキシャル層と、
前記第１エピタキシャル層と前記第２エピタキシャル層との間に配置され、前記第１エピタキシャル層と隣接する第１境界において第１ドーピング濃度を有し、前記第２エピタキシャル層と隣接する第２境界において前記第１ドーピング濃度と異なる第２ドーピング濃度を有する第３エピタキシャル層と、を含む、エピタキシャルウエハ。
【請求項２】
前記第１エピタキシャル層の組成と前記第２エピタキシャル層の組成は互いに同一である、請求項１に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項３】
前記第１エピタキシャル層は、前記基板と前記第２エピタキシャル層との間に配置されて、前記エピタキシャルウエハに電圧を印加する時に引き起こされる漏れ電流が抑制される、請求項１又は２に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項４】
前記第１エピタキシャル層が前記基板と前記第２エピタキシャル層との間に配置されて、前記基板と前記第２エピタキシャル層との間の格子不整合を減少させて、前記第２エピタキシャル層の表面欠陥を減らす、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項５】
前記第３エピタキシャル層の前記第１境界と前記第２境界との間の内部ドーピング濃度は、前記第１境界から前記第２境界に行くほど、前記第１ドーピング濃度から前記第２ドーピング濃度に増加または減少する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項６】
前記第２エピタキシャル層の表面欠陥密度は、０．５個／ｃｍ２以下である、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項７】
前記基板及び前記エピタキシャル構造体のそれぞれは、炭化ケイ素を含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項８】
ｎ型にドープされた前記第１及び第２エピタキシャル層のそれぞれは、シリコンカーボンナイトライド（ＳｉＣＮ）を含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項９】
ｐ型にドープされた前記第１及び第２エピタキシャル層のそれぞれは、アルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉＣ）を含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１０】
前記第１エピタキシャル層は、１μｍ以下の厚さを有する、請求項１ないし９のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１１】
前記第１エピタキシャル層は、０．５μｍ〜１．０μｍの厚さを有する、請求項１０に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１２】
前記第１乃至第３エピタキシャル層は全てｎ型又はｐ型伝導性シリコンカーバイドを含んで形成される、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の前記エピタキシャルウエハと、
前記第２エピタキシャル層上に配置されたソース及びドレインとを含む、半導体素子。
【請求項１４】
前記半導体素子は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）に該当する、請求項１３に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と、
前記上部半導体層上に配置された第１電極層と、を含み、
前記第１電極層は、重ね合わされた第１接着層と第１ボンディング層を含み、前記第１接着層と前記第１ボンディング層との間に反射層が介在しない、発光素子。
【請求項２】
前記第１電極層は、前記第１接着層上に接して配置された第１バリア層をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記下部半導体層上に配置された第２電極層をさらに含み、
前記第２電極層は、重ね合わされた第２接着層と第２ボンディング層を含み、前記第２接着層と前記第２ボンディング層との間に反射層が介在しない、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２電極層は、前記第２接着層上に接して配置された第２バリア層をさらに含む、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１接着層は、Ｃｒ、Ｒｄ及びＴｉのうち少なくとも一つを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１バリア層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む、請求項２ないし５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記上部半導体層と前記第１電極層との間に配置された伝導層をさらに含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記伝導層と前記上部半導体層との間に配置された電流遮断層をさらに含む、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記電流遮断層は、分散ブラッグ反射層である、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記伝導層は、前記電流遮断層の上部及び側部を取り囲むように配置された、請求項８又は９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第１接着層の厚さは、少なくとも５ｎｍ〜１５ｎｍである、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１ボンディング層は、１００μｍ〜１８０μｍの厚さを有する、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記下部半導体層の側面は傾斜した、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１電極層は、５μｍ〜１００μｍの幅を有する、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１５】
基板と、
前記基板上に水平方向に互いに離隔して配列された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子において、二つの発光素子を接続する導電型相互接続層と、
前記複数の発光素子と前記導電型相互接続層との間に配置された第１絶縁層とを含み、
前記複数の発光素子のそれぞれは、
互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と、
前記上部半導体層上に配置された第１電極層と、
前記下部半導体層上に配置された第２電極層とを含み、
前記導電型相互接続層は、前記二つの発光素子のうち一方の前記第１電極層と、前記二つの発光素子のうち他方の第２電極層とを接続し、
前記第１電極層は、重ね合わされた第１接着層と第１ボンディング層を含み、
前記第１接着層と前記第１ボンディング層との間に反射層が介在しない、発光素子アレイ。
【請求項１６】
前記導電型相互接続層は、重ね合わされた第３接着層と第３ボンディング層を含み、
前記第３接着層と前記第３ボンディング層との間に反射層が介在しない、請求項１５に記載の発光素子アレイ。
【請求項１７】
前記導電型相互接続層は、前記第３接着層上に接して配置された第３バリア層をさらに含む、請求項１６に記載の発光素子アレイ。
【請求項１８】
前記第１絶縁層と前記複数の発光素子との間に配置された第２絶縁層をさらに含む、請求項１５乃至１７のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１９】
前記第１及び第２絶縁層のうち少なくとも一つは分散ブラッグ反射層である、請求項１８に記載の発光素子アレイ。
【請求項２０】
前記導電型相互接続層によって接続された前記二つの発光素子の第１及び第２電極層と、前記導電型相互接続層とは一体である、請求項１５乃至１９のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項２１】
前記発光素子のそれぞれは、前記上部半導体層と前記第１電極層との間に配置された伝導層をさらに含む、請求項１５乃至２０のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項２２】
前記導電型相互接続層は、前記伝導層又は前記下部半導体層と点接触する、請求項２１に記載の発光素子アレイ。
【請求項２３】
前記発光素子のそれぞれは、前記発光構造物と前記第１電極層との間に、前記第１絶縁層と離隔して配置された電流遮断層をさらに含む、請求項２１に記載の発光素子アレイ。
【請求項２４】
前記第１接着層は、前記電流遮断層の上部と側部を取り囲んで配置された、請求項２３に記載の発光素子アレイ。
【請求項２５】
前記導電型相互接続層の厚さは前記第１電極層の厚さよりも大きい、請求項１５乃至２４のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月4日(2016.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディーと、
前記ボディー上に配置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の点灯を制御する点灯制御部と、を含み、
前記複数の発光素子のうち少なくとも三つの隣接する発光素子は、互いに異なる間隔で離隔して配置され、
前記複数の発光素子は、前記ボディー上において一点を中心に放射方向に等距離に配置された、
発光モジュール。
【請求項２】
前記少なくとも三つの隣接する発光素子の中少なくとも二つの発光素子は、点灯頻度及び消費電力の中少なくとも一つがお互い異なる、
請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記複数の発光素子は、互いに異なるグループにグルーピングされる、請求項１又は２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記グループ間の離隔距離は、前記グループのうちいずれか一つのグループ内の隣接する発光素子間の離隔距離よりも大きい、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記複数の発光素子のうち少なくとも一部は、点灯頻度の順位に従って一定の方向に配列された、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項６】
前記複数のグループのそれぞれに含まれた発光素子の点灯頻度の順位の和は、同一である、請求項３ないし５のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項７】
前記複数の発光素子は、前記ボディーの上面を通過するある一つの線を中心に対称形状に配置された、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項８】
前記複数の発光素子において、前記一つの線を中心に一方に配置された発光素子は、互いに直列接続されて第１発光アレイをなし、
前記一つの線を中心に他方に配置された発光素子は、互いに直列接続されて第２発光アレイをなし、前記点灯制御部は、外部から印加される電源のレベルに比例して前記第１及び第２発光アレイの発光素子を順次点灯させる、請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項９】
前記点灯制御部は、外部から印加される前記電源のレベルに比例して前記第１及び第２発光アレイの発光素子を順次消灯させる、請求項８に記載の発光モジュール。
【請求項１０】
前記複数の発光素子の配置密度は、前記ボディー上において位置によって互いに異なる、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１１】
前記複数の発光素子の配置密度は、前記ボディー上において均一である、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１２】
前記複数のグループは、互いに等間隔に離隔して配置された、請求項６に記載の発光モジュール。
【請求項１３】
前記複数のグループは、互いに異なる間隔で離隔して配置された、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項１４】
前記複数のグループのそれぞれの前記複数の発光素子の配置密度は同一である、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項１５】
前記グループのうち少なくとも一つのグループに属する複数の発光素子の点灯順位は互いに同一である、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項１６】
前記グループのうち少なくとも一つのグループに属する発光素子の点灯順位は互いに異なる、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項１７】
前記複数のグループのうち隣接するグループ間の離隔距離は、前記一点を中心に４０°〜９０°の角度範囲内にある、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項１８】
前記複数のグループのいずれか一つのグループに属する隣接する発光素子間の離隔距離は、前記一点を中心に３０°〜８０°の角度範囲内にある、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項１９】
前記複数のグループのそれぞれは、一対の発光素子からなる、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項２０】
前記隣接する発光素子間の距離は、前記隣接する発光素子の中心間の距離に該当する、請求項１８に記載の発光モジュール。
【請求項２１】
互いに異なる電力を消費する発光素子は、消費電力の偏差に応じて配置された、請求項１ないし２０のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項２２】
前記複数の発光素子のそれぞれは、
光を放出する発光セルと、
前記ボディー上に配置されて前記発光セルと電気的に接続され、互いに電気的に離隔した第ｎ１及び第ｎ２（ここで、１≦ｎ≦Ｎ）リードフレームとを含む、請求項１ないし２１のいずれかに記載の発光モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主機械、励起子、及び永久磁石発電機（ＰＭＧ）を備え、各々がステータと、共通シャフトに各々装着されたロータとを有する機械を作動させる方法であって、
始動電流を前記主機械のステータに印加して、前記主機械のロータの制動巻線に制動電流を誘導させ、前記共通シャフトの回転を開始させる始動トルクを発生させる段階と、
前記共通シャフトによる前記ＰＭＧロータの回転に応答して前記ＰＭＧのステータにＰＭＧ電流を誘導させる段階と、
前記ＰＭＧ電流を前記励起子のステータに供給し、前記励起子のロータにおいて励起子ロータ電流を誘導させる段階と、
前記励起子ロータ電流を前記主機械のロータに供給する段階と、
を含み、前記始動電流の印加が、前記制動巻線が熱限界を超える前に終了するようにする、方法。
【請求項２】
前記始動電流の印加段階が、ＤＣ電源から前記始動電流を生成する段階と、
前記ＤＣ電源を逆変換して始動電流用のＡＣ電流を生成する段階とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＰＭＧ電流を誘導する段階が、ＡＣ電流を誘導する段階を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＰＭＧ電流を前記励起子ステータに供給する段階が、前記ＰＭＧ電流を３相から単相に変換する段階を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記ＰＭＧ電流を前記励起子ステータに供給する段階が、前記ＰＭＧ電流を励起子ステータ電流に変換する段階と、
前記励起子ステータ電流の周波数を経時的に増大させる段階とを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記励起子ロータ電流を前記主機械のロータに供給する段階が、前記励起子ロータ電流を整流する段階を含み、
前記ＰＭＧ電流を前記励起子ステータに供給する段階が、前記制動巻線が熱限界に達する前に行われ、
前記始動電流の印加の終了が、前記ＰＭＧ電流を前記励起子ステータに供給する段階と同時に起こる、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
主機械、励起子、及び永久磁石発電機（ＰＭＧ）を備え、各々がステータと、共通シャフトに各々装着されたロータとを有する機械を作動させる方法であって、
始動電流を前記主機械のステータに印加して、前記主機械のロータの制動巻線に制動電流を誘導させ、前記共通シャフトの回転を開始させる始動トルクを発生させることによって、前記主機械を非同期モードで始動させる段階と、  前記励起子のロータから前記主機械のロータに運転電流を供給することによって前記主機械を同期モードで運転させる段階と、
を含む、方法。
【請求項８】
前記始動電流の印加段階が、ＤＣ電源から前記始動電流を生成する段階と、
前記ＤＣ電源を逆変換して始動電流用のＡＣ電流を生成する段階を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記制動巻線が熱限界に達する前に、非同期モードから同期モードに切り換える段階を更に含み、
前記非同期モードから同期モードに切り換える段階が、前記始動電流の印加の終了と同時に起こる、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＡＣ電流が３相である、請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。