【手続補正書】
【提出日】平成28年11月1日(2016.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含有する、少ない欠陥を与える化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物：
微量金属汚染物質を有する酸化セリウムスラリー；
高分子電解質；
殺生物剤；
シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、グルコン酸、乳酸、エチレンジアミンテトラ酢酸及びこれらの混合物からなる群より選択される有機酸；グリシン、アラニン、セリン、プロリン及びこれらの混合物からなる群より選択されるアミノ酸；少なくとも１つのカルボン酸基を有する有機酸誘導体；少なくとも１つのアミン酸部位を有するアミノ酸誘導体；第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含む有機化合物；少なくとも１つの硫酸基を有する有機硫酸；少なくとも１つ以上のリン酸基を有する有機リン酸；複数型官能基を有する有機キレート剤；ピリジン、２−メチルピリジン、それぞれ２、３、４、５又は６の位置で置換したピリジン、及びこれらの混合物からなる群より選択される、ピリジン及びその誘導体；２，２’−ビピリジン、置換２，２’−ビピリジン、４，４’−ジメチルビピリジン、４，４’−ビピリジン、４，４’−ビピリジン誘導体からなる群より選択されるビピリジン及びその誘導体；ターピリジン及びその誘導体；キノリン及びその誘導体；ヒドロキシキノリン及びその誘導体；水酸化アンモニウム、並びにこれらの混合物からなる群より選択される、化学キレート剤；及び
脱イオン水である溶媒；
ここで、前記化学キレート剤は、微量金属汚染物質中の微量金属イオンと反応して、金属イオン−キレート剤錯体を形成する。
【請求項２】
以下の構造１、構造２及びこれらの組合せからなる群より選択される化学構造を有するヒドロキシキノリン又はヒドロキシキノリン誘導体を含む、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物：
【化１】
2015213196.tif 000001
（式中、Ｒは、水素、アルキル、アルコキシ、１以上のヒドロキシ基を有する有機基、置換有機スルホン酸、置換有機スルホン酸塩、置換有機カルボン酸、置換有機カルボン酸塩、置換有機カルボン酸エステル、有機アミン基及びこれらの組合せからなる群より選択され；
Ｒ’及びＲ”は、同じでも又は異なっていてもよく、かつ水素、アルキル、アルコキシ、１以上のヒドロキシ基を有する有機基、置換有機スルホン酸、置換有機スルホン酸塩、置換有機カルボン酸、置換有機カルボン酸塩、置換有機カルボン酸エステル、有機アミン基及びこれらの組合せからなる群より独立して選択される）。
【請求項３】
前記ヒドロキシキノリン又はヒドロキシキノリン誘導体が、８−ヒドロキシキノリン、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１又は２に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項４】
前記高分子電解質が、ポリアクリル酸のアンモニウム塩、ポリビニルスルホン酸のアンモニウム塩、ポリ（４−スチレンスルホン酸）のアンモニウム塩、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項５】
前記高分子電解質が、ポリアクリル酸のアンモニウム塩であり、前記ヒドロキシキノリン又はヒドロキシキノリン誘導体が、８−ヒドロキシキノリン、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項６】
シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）プロセスにおいて、二酸化ケイ素を含む少なくとも１つの表面を有する基材を、以下を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物と動かしながら接触することを含む、化学機械研磨（ＣＭＰ）方法；
微量金属汚染物質を有する酸化セリウムスラリー；
高分子電解質；
殺生物剤；
シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、グルコン酸、乳酸、エチレンジアミンテトラ酢酸及びこれらの混合物からなる群より選択される有機酸；グリシン、アラニン、セリン、プロリン及びこれらの混合物からなる群より選択されるアミノ酸；少なくとも１つのカルボン酸基を有する有機酸誘導体；少なくとも１つのアミン酸部位を有するアミノ酸誘導体；第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含む有機化合物；少なくとも１つの硫酸基を有する有機硫酸；少なくとも１つ以上のリン酸基を有する有機リン酸；複数型官能基を有する有機キレート剤；ピリジン、２−メチルピリジン、それぞれ２、３、４、５又は６の位置で置換したピリジン、及びこれらの混合物からなる群より選択される、ピリジン及びその誘導体；２，２’−ビピリジン、置換２，２’−ビピリジン、４，４’−ジメチルビピリジン、４，４’−ビピリジン、４，４’−ビピリジン誘導体からなる群より選択されるビピリジン及びその誘導体；ターピリジン及びその誘導体；キノリン及びその誘導体；ヒドロキシキノリン及びその誘導体；水酸化アンモニウム、並びにこれらの混合物からなる群より選択される、化学キレート剤；及び
脱イオン水である溶媒；
ここで、前記化学キレート剤は、微量金属汚染物質中の微量金属イオンと反応して、容易に除去できる金属イオン−キレート剤錯体を形成して前記金属汚染物質による欠陥を減少させる。
【請求項７】
以下の構造１、構造２及びこれらの組合せからなる群より選択される化学構造を有するヒドロキシキノリン又はヒドロキシキノリン誘導体を含む、請求項６に記載の方法：
【化２】
2015213196.tif 000002
（式中、Ｒは、水素、アルキル、アルコキシ、１以上のヒドロキシ基を有する有機基、置換有機スルホン酸、置換有機スルホン酸塩、置換有機カルボン酸、置換有機カルボン酸塩、置換有機カルボン酸エステル、有機アミン基及びこれらの組合せからなる群より選択され；
Ｒ’及びＲ”は、同じでも又は異なっていてもよく、かつ水素、アルキル、アルコキシ、１以上のヒドロキシ基を有する有機基、置換有機スルホン酸、置換有機スルホン酸塩、置換有機カルボン酸、置換有機カルボン酸塩、置換有機カルボン酸エステル、有機アミン基及びこれらの組合せからなる群より独立して選択される）
ここで、前記化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物は、少ない欠陥を与えるシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）用のものである。
【請求項８】
前記ヒドロキシキノリン又はヒドロキシキノリン誘導体が、８−ヒドロキシキノリン、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記高分子電解質が、ポリアクリル酸のアンモニウム塩、ポリビニルスルホン酸のアンモニウム塩、ポリ（４−スチレンスルホン酸）のアンモニウム塩、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記高分子電解質が、ポリアクリル酸のアンモニウム塩であり、前記ヒドロキシキノリン又はヒドロキシキノリン誘導体が、８−ヒドロキシキノリン、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物を遠心処理して金属イオン−キレート剤錯体を除去する第１の工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
以下の群より選択される工程を含む、酸化セリウムスラリー中の微量金属汚染物質及び比較的小さなサイズの酸化セリウム粒子を低減する方法：
（１）（ａ）前記酸化セリウムスラリーにイオン交換樹脂を添加する工程；及び（ｂ）前記酸化セリウムスラリーから、前記イオン交換樹脂をろ過によって除去して、処理酸化セリウムスラリーを得る工程、ここで前記イオン交換樹脂は、プロトン又はカリウムイオンを有するカチオン性イオン交換樹脂又はヒドロキシル基を有するアニオン性イオン交換樹脂である；
（２）少なくとも１つの限外ろ過膜を用いて、制御した量の脱イオン水を前記酸化セリウムスラリーに流し、保持液として処理酸化セリウムスラリーを得る工程；
（３）（ａ）様々な速度での回転及び異なる遠心処理回数で、前記酸化セリウムスラリーを遠心処理する工程；（ｂ）遠心処理の沈殿物から酸化セリウム粒子を収集する工程；及び（ｃ）前記収集した酸化セリウム粒子と脱イオン水とを混合して、新たな酸化セリウムスラリーを生成する工程；及び（ｄ）工程（ａ）〜（ｃ）を少なくとも２回繰り返して、最後の遠心処理の沈殿物からの酸化セリウム粒子で作製された処理酸化セリウムスラリーを与える工程；
（４）（ａ）化学添加剤を前記酸化セリウムスラリーに添加して、混合物を形成する工程、ここで前記化学添加剤は、前記微量金属汚染物質中の微量金属イオンと反応して水溶性の化学添加剤−金属イオン錯体を前記混合物中に生成する；（ｂ）前記混合物を遠心処理する工程；（ｃ）遠心処理の沈殿物から酸化セリウム粒子を収集する工程；及び（ｄ）前記収集した酸化セリウム粒子と脱イオン水とを混合して、処理酸化セリウムスラリーを得る工程；
（６）これらの組合せ。
【請求項１３】
前記工程（１）を含み、かつ前記イオン交換樹脂が前記カリウムイオンを有するカチオン性イオン交換樹脂であり；かつ工程（１）において、さらに次の工程を含む、請求項１２に記載の方法：
（ｃ）ヒドロキシル基を有するアニオン性イオン交換樹脂を、工程（ｂ）後の前記処理酸化セリウムスラリーに添加する工程；
（ｄ）前記アニオン性イオン交換樹脂を、工程（ｃ）の前記酸化セリウムスラリーからろ過によって除去する工程；及び
ここで前記方法は、工程（ａ）〜（ｄ）を少なくとも２回繰り返す。
【請求項１４】
前記工程（３）をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記工程（２）及び工程（３）を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記工程（２）を含み、かつ（ａ）前記工程（２）の前に酸化セリウム粒子に凝集を引き起こす工程；及び（ｂ）前記工程（２）の後の前記処理酸化セリウムを超音波処理する工程をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記工程（３）をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記工程（４）を含み、前記化学添加剤が、以下からなる群より選択される、請求項１２に記載の方法：（ａ）シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、グルコン酸、乳酸、エチレンジアミンテトラ酢酸及びこれらの混合物からなる群より選択される有機酸；（ｂ）グリシン、アラニン、セリン、プロリン及びこれらの混合物からなる群より選択されるアミノ酸；（ｃ）少なくとも１つのカルボン酸基を有する有機化合物；（ｄ）少なくとも１つのアミン酸部位を有するアミノ酸誘導体又はイミノ二酢酸；（ｅ）エチレンジアミン、プロピレンジアミン、エチレンイミン、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含む有機化合物、及びこれらの混合物からなる群より選択される有機アミン化合物；（ｆ）少なくとも１つの硫酸基を有する有機硫酸；（ｇ）少なくとも１つのリン酸基を有する有機リン酸；（ｈ）ピリジン、２−メチルピリジン、それぞれ２、３、４、５又は６の位置で置換したピリジン、及びこれらの混合物からなる群より選択される、ピリジン及びその誘導体；（ｉ）２，２’−ビピリジン、４，４’−ジメチルビピリジン、４，４’−ビピリジン、及び他全ての置換２，２’−ビピリジン誘導体又は置換４，４’−ビピリジン誘導体、並びにこれらの混合物からなる群より選択されるビピリジン及びその誘導体；（ｊ）ターピリジン及びその誘導体；（ｋ）キノリン及びその誘導体；（ｌ）ヒドロキシキノリン及びその誘導体；（ｍ）水酸化アンモニウム、並びに（ｎ）これらの混合物。
【請求項１９】
前記工程（３）をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記化学添加剤が、０．０１Ｍ〜０．１Ｍの範囲の濃度のシュウ酸である、請求項１８に記載の方法。