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【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の太陽歯車および第１のリング歯車を含む第１の遊星歯車システム、ならびに前記第１の太陽歯車を駆動する第１のモータを有する、第１の作動路と、
第２の太陽歯車および第２のリング歯車を含む第２の遊星歯車システム、ならびに前記第２の太陽歯車を駆動する第２のモータを有する、第２の作動路と、
前記第１のモータを前記第２のリング歯車に結合して、前記第１の太陽歯車に加えて前記第２のリング歯車も駆動する、第１の歯車列と、
前記第２のモータを前記第１のリング歯車に結合して、前記第２の太陽歯車に加えて前記第１のリング歯車も駆動する、第２の歯車列と
を備え、
前記第１のモータが前記第１の太陽歯車だけでなく前記第２のリング歯車も駆動するのと組み合わさって、前記第２のモータが前記第２の太陽歯車だけでなく前記第１のリング歯車も駆動することによって、前記第１の作動路と前記第２の作動路が機械的に同期される、
アクチュエータ。
【請求項２】
前記第１の遊星歯車システムおよび前記第２の遊星歯車システムの寸法および歯車比が全く同じであり、
前記第１の歯車列および前記第２の歯車列の噛み合い数が偶数であり、
前記第１のモータおよび前記第２のモータが同じ方向に動作する、請求項１記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記第１のモータの速度と前記第２のモータの速度が異なる、請求項２記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記第１のモータにおける反射負荷と前記第２のモータにおける反射負荷が異なる、請求項２記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記第１の歯車列と前記第２の歯車列の噛み合い数が奇数であり、
前記第１のモータと前記第２のモータが互いに反対方向に動作する、請求項２記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記第１のモータの速度と前記第２のモータの速度が異なる、請求項５記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記第１のモータにおける反射負荷と前記第２のモータにおける反射負荷が異なる、請求項５記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記第１のモータおよび前記第２のモータのうちの少なくとも１つが故障したとき、前記第１のモータおよび前記第２のモータのうちの少なくとも１つにブレーキをかけるように構成されるブレーキ機構をさらに備える、請求項１乃至７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項９】
第１の駆動体を含む第１の作動路および第２の駆動体を含む第２の作動路を有する、作動路が２つあるアクチュエータの２つの出力部を機械的に同期させる方法であって、  噛み合い数が偶数の歯車列によって第１のモータの出力部と前記第２の作動路のリング歯車を結合するステップと、
噛み合い数が偶数の歯車列によって第２のモータの出力部と前記第１の作動路のリング歯車を結合するステップと、
前記駆動体を同じ方向に回転させて、前記２つの出力部を同じ方向に同期させるステップと
を含む方法。
【請求項１０】
第１の駆動体を含む第１の作動路および第２の駆動体を含む第２の作動路を有する、作動路が２つあるアクチュエータの２つの出力部を機械的に同期させる方法であって、
噛み合い数が奇数の歯車列によって第１のモータの出力部と前記第２の作動路のリング歯車を結合するステップと、
噛み合い数が奇数の歯車列によって第２のモータの出力部と前記第１の作動路のリング歯車を結合するステップと、
前記駆動体を互いに反対方向に回転させて、前記２つの出力部を互いに反対方向に同期させるステップと
を含む方法。
【請求項１１】
前記第１の作動路および前記第２の作動路が、２つの同一の遊星歯車システムから構成され、
前記第１の駆動体および前記第２の駆動体のうちの１つが故障したとき、前記第１の駆動体および前記第２の駆動体のうちの１つにブレーキをかけるステップをさらに含む、請求項９または１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に第１方向に配置された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する発光構造物と、
前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極層と、
前記第２導電型半導体層上に第２方向に配置され、前記活性層のエネルギーバンドギャップよりもさらに大きいエネルギーバンドギャップを有する第２電極層と、を含む、発光素子。
【請求項２】
前記発光素子は、
サブマウントと、
前記サブマウント上の第１及び第２電極パッドと、
前記第１及び第２電極層を前記第１及び第２電極パッドにそれぞれ連結する第１及び第２バンプとをさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２導電型半導体層及び前記第２電極層のうち少なくとも一つは、ＡｌＮ及びＢＮのうち少なくとも一つの物質を含む、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２電極層は、共にドーピングされた、第２導電型ドーパントと、酸素（Ｏ２）及び炭素（Ｃ）のうち少なくとも一つとを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第２電極層の屈折率と前記第２導電型半導体層の屈折率との差によって、前記第２電極層と前記第２導電型半導体層に含まれた組成物の含量は決定される、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２電極層は、光抽出パターンを有する、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記活性層から放出された光は、深紫外線または紫外線である、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２電極層と前記第２導電型半導体層は、一体化された単一層である、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２導電型半導体層は、アルミニウムを含む半導体物質を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２導電型半導体層に含まれたアルミニウムは、前記活性層から遠ざかるほど大きくなる濃度勾配を有する、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２電極層は１０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有する、請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記光抽出パターンは、二次プリズム形状、半球形状、円錐形状、トランケーテッド形状、六面体形状、円筒形状、陽刻形状、陰刻形状、バー状及び格子形状のいずれかの形状、またはこれらの組み合わせを有する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記アルミニウムの含量は５０％〜１００％である、請求項９または１０に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第２導電型半導体層は１０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する、請求項１ないし１３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２導電型半導体層は単一層構造または多層構造を有する、請求項１ないし１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第２電極層のエネルギーバンドギャップは、前記第２導電型半導体層のエネルギーバンドギャップと同一である、請求項１ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第２導電型半導体層に含まれたアルミニウムの濃度の変化量は、前記活性層から遠ざかるほど大きくなる、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第２導電型半導体層に含まれたアルミニウムの濃度の変化量は、前記活性層から遠ざかるほど小さくなる、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第２導電型半導体層に含まれたアルミニウムの濃度の変化量は、前記活性層からの距離に依存せず一定である、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第２電極層に配置される別途のオーミック層をさらに含む、請求項１ないし１９のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がデータ格納膜を含み、前記データ格納膜は磁性である、複数個の磁気接合と、
前記磁気接合の前記データ格納膜に隣接する少なくとも１つのスピン軌道相互作用（ＳＯ）活性膜と、を含み、
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜は、前記少なくとも１つのＳＯ活性膜と前記少なくとも１つのＳＯ活性膜に最も近い前記複数個の磁気接合の中の１つの磁気接合の前記データ格納膜との間の方向に垂直である方向に前記少なくとも１つのＳＯ活性膜を通じて流れる電流によって前記データ格納膜にＳＯトルクを印加するように構成され、
前記データ格納膜は少なくとも前記ＳＯトルクを使用してスイッチ可能するように構成される磁気メモリ。
【請求項２】
前記複数個の磁気接合の各々は基準膜及び非磁性スペーサー膜を含み、前記非磁性スペーサー膜は前記データ格納膜及び前記基準膜の間に配置され、前記データ格納膜は自由膜である請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜の各々のためのスピン拡散挿入膜をさらに含み、前記スピン拡散挿入膜は前記データ格納膜及び前記少なくとも１つのＳＯ活性膜の間に在る請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記スピン拡散挿入膜は少なくとも１つの金属膜、抵抗面積が２Ω・μｍ２より小さい絶縁膜、及び第１膜と第２膜を有する多重膜を含み、前記第１膜は第１物質を含み、前記第２膜は前記第１物質と異なる第２物質を含む請求項３に記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜は、Ａの第１ＳＯ膜及びＢでドーピングされたＭの第２ＳＯ膜から選択され、ＡはＹ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、非晶質β−Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、及びＡｔの中の少なくとも１つを含み、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｇａ、ＧａＭｎ及びＧａＡｓの中の少なくとも１つを含み、ＢはＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、ＩｎＳｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中の少なくとも１つを含む請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜はＣｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、非晶質β−Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中の少なくとも１つを含む請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記ＳＯ活性膜は前記データ格納膜に隣接し、前記データ格納膜はＣＯ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＭｎの中の少なくとも１つを含み、前記複数個の磁気接合の各々は前記データ格納膜に隣接する絶縁膜を含み、前記データ格納膜に隣接する前記絶縁膜は酸化アルミニウム及び酸化マグネシウムの中の少なくとも１つを含む請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜は前記複数個の磁気接合の中の少なくとも２つに延長される請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項９】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜はＳＯ活性ワードラインである請求項８に記載の磁気メモリ。
【請求項１０】
前記複数個の磁気接合の各々に隣接する前記ＳＯ活性膜の一部分は第１厚さ及び第１幅を有し、前記ＳＯ活性膜は前記複数個の磁気接合の中の２つの間で第２厚さ及び第２幅を有し、前記第１厚さと前記第１幅との第１掛け算は前記第２厚さと前記第２幅の第２掛け算より小さい請求項９に記載の磁気メモリ。
【請求項１１】
前記複数個の磁気接合に対応する少なくとも１つのワードラインを含み、前記少なくとも１つのＳＯ活性膜は前記データ格納膜及び前記少なくとも１つのワードラインの間に配置された請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのワードラインは前記少なくとも１つのＳＯ活性膜の各々に対応する少なくとも１つの孔を含む請求項１１に記載の磁気メモリ。
【請求項１３】
前記ＳＯ活性膜は、
前記電流の複数個の電荷キャリアの複数個のスピンを分極させるための少なくとも１つのスピン分極された電流インジェクタと、
大きいスピン拡散長さを有する少なくとも１つの導電膜と、を含み、
前記少なくとも１つの導電膜は少なくとも１つのスピン分極された電流インジェクタ及び前記複数個の磁気接合の間に在る請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１４】
前記スピン拡散長さは少なくとも１００ｎｍである請求項１３に記載の磁気メモリ。
【請求項１５】
前記スピン拡散長さは少なくとも１μｍである請求項１４に記載の磁気メモリ。
【請求項１６】
前記データ格納膜は前記磁気接合を通過する書込み電流を使用してスイッチ可能するように構成された請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１７】
前記データ格納膜は第１方向に待機磁気モーメントを有し、前記少なくとも１つのＳＯ活性膜は前記第１方向と垂直である第２方向にのＳＯ分極を生成する請求項１６に記載の磁気メモリ。
【請求項１８】
前記データ格納膜の前記待機磁気モーメントは面と垂直である請求項１７に記載の磁気メモリ。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜を通じる前記電流は第１電流パルスであり、前記書込み電流は第２電流パルスであり、前記第１電流パルスは前記第２電流パルスの後に開始しない請求項１６に記載の磁気メモリ。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのＳＯ活性膜は少なくとも１つのＺ、主物質Ｂの（１１１）表面上に配置される少なくとも１つの表面合金Ａ／Ｂ、物質Ｑ、又はそれらの組み合わせを含み、ＡはＣｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中の少なくとも１つを含み、
ＢはＳｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｐｔ、及びＰｄの中の少なくとも１つを含み、前記表面合金Ａ／ＢはＢｉ／Ａｇ、Ｓｂ／Ａｇ、Ｂｉ／Ｓｉ、Ａｇ／Ｐｔ、Ｐｂ／Ｇｅ、又はＢｉ／Ｃｕを含み、ＺはＣｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中の少なくとも１つを含み、
ＱはＩｎＧａＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＬａＡｌＯ３／ＳｒＴｉＯ３二重膜、及びＬａＴｉＯ３／ＳｒＴｉＯ３二重膜の中の少なくとも１つを含む請求項１に記載の磁気メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、
１つのピリミジン環および１つの正孔輸送性骨格を有する環を含む第１の有機化合物と、
芳香族アミンである第２の有機化合物と、
三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質と、
を含む層を有し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは励起錯体を形成する組み合わせであることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に、
１つのピリミジン環および１つの正孔輸送性骨格を有する環を含み、かつ分子量が４００以上１２００以下である第１の有機化合物と、
芳香族アミンである第２の有機化合物と、
三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質と、
を含む層を有し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは励起錯体を形成する組み合わせであることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記正孔輸送性骨格を有する環は、カルバゾール環、ジベンゾチオフェン環、またはジベンゾフラン環であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項６】
請求項４に記載の発光装置を用いた照明装置。
【請求項７】
一般式（Ｇ１）で表される構造を有する複素環化合物。
【化１】
2014045176.tif 000001
（式中、Ａｒ１〜Ａｒ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基のいずれかを表し、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基、のいずれかを表す。また、αは置換または無置換のフェニレン基を表し、ｎは、２または３を表す。また、Ｚは酸素または硫黄を表す。）
【請求項８】
一般式（Ｇ２）で表される構造を有する複素環化合物。
【化２】
2014045176.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基、のいずれかを表す。また、αは置換または無置換のフェニレン基を表し、ｎは、２または３を表す。また、Ｚは酸素または硫黄を表す。）
【請求項９】
構造式（１００）で表される複素環化合物。
【化３】
2014045176.tif 000003
【請求項１０】
構造式（１０１）で表される複素環化合物。
【化４】
2014045176.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層を有し、
前記第１の絶縁層上に第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層上に第２の導電層を有し、
前記第２の酸化物半導体層上に第３の導電層を有し、
前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上に第４の導電層を有し、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第４の導電層上に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上に第５の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上に第６の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第６の導電層と前記第２の酸化物半導体層との重なり部分の面積が、前記第６の導電層と前記第３の導電層との重なり部分の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第６の導電層と前記第２の酸化物半導体層との重なり部分の面積が、前記第６の導電層と前記第４の導電層との重なり部分の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に第２の導電層を有し、
前記酸化物半導体層上に第３の導電層を有し、
前記酸化物半導体層上に第４の導電層を有し、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第４の導電層上に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上に第５の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上に第６の導電層を有し、
前記第４の導電層は、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に位置し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の導電層と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第３の導電層と重なる第２の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第４の導電層と重なる第３の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に第４の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の領域と前記第３の領域との間に第５の領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第４の領域と重なる領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第４の領域と重なる領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第５の領域と重なる領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第６の導電層と前記酸化物半導体層との重なり部分の面積が、前記第６の導電層と前記第３の導電層との重なり部分の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第６の導電層と前記酸化物半導体層との重なり部分の面積が、前記第６の導電層と前記第４の導電層との重なり部分の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第６の導電層はフローティング状態であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月27日(2016.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に有機化合物を有し、
前記有機化合物が、
２位及び３位が無置換のジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン骨格、置換もしくは無置換のジベンゾフラン骨格、または置換もしくは無置換のカルバゾール骨格の中から選ばれた正孔輸送性骨格と、
アリーレン骨格と、
を有し、
前記２位及び３位が無置換のジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、前記正孔輸送性骨格が前記アリーレン骨格を介して結合する
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に有機化合物を有し、
前記有機化合物が、
少なくとも２位及び３位が無置換のジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格を有し、
前記有機化合物から、
ＬＣ分離後、アルゴンガスを３０ｅＶ以上１００ｅＶ以下のエネルギーで衝突させるＬＣ／ＭＳ分析で、少なくともプレカーサーイオンと、前記プレカーサーイオンの数値からｍ／ｚ＝５５を差分した数値のプロダクトイオンと、が検出される
ことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項５】
請求項３に記載の発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて、発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、
メモリから、第１波長でレーザ発振させるための前記波長可変レーザの駆動条件を取得する第１ステップと、
前記第１波長の前記駆動条件と、要求波長であって前記第１波長と前記第１波長とは異なる第２波長との波長差分とを参照して、前記波長可変レーザを駆動するための前記第２波長の駆動条件を算出する第２ステップと、を含み、
前記第２ステップによって得られた駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する、波長可変レーザの制御方法。
【請求項２】
前記第２ステップは、前記波長検知部における波長特性の制御値あるいは前記目標値を算出するものである、請求項１記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項３】
前記波長検知部は、エタロンを備え、
前記第２ステップは、前記第１波長を得るための前記目標値において、前記第２波長を得ることができる前記エタロンの波長特性の制御値を算出するステップである、請求項２記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項４】
前記エタロンの波長特性の制御値を算出するステップは、前記エタロンの温度の制御値を算出するステップである、請求項３記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項５】
前記波長可変レーザは、半導体利得素子を備え、
前記エタロンは、前記半導体利得素子と共通の温度制御装置に搭載されてなる、請求項３または４記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項６】
前記第１波長で前記波長可変レーザを発振させる制御を実行した後に、前記第２ステップで算出された駆動条件によって、前記波長可変レーザを駆動する、請求項１乃至５記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項７】
前記波長可変レーザは、温度によって波長を変化させることのできる半導体レーザを備え、
前記第２ステップにおいては、さらに前記第１波長を実現するための前記半導体レーザの温度条件に基づいて、前記第２波長を実現するための前記半導体レーザの温度条件を算出する、請求項２乃至６記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項８】
前記波長可変レーザは、光出力制御部を備え、
前記波長検知部は、前記光出力制御部の出力を検知するものであり、
前記波長検知部が前記第２波長を検知した後に、前記光出力制御部の光出力を増大させる制御をなす、請求項２乃至７記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項９】
前記第２ステップは、前記目標値を算出するものであり、
前記波長検知部は、エタロンを備え、
前記算出された目標値に基づいて前記エタロンの検知レンジを切り替える制御をなす、請求項２乃至８記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項１０】
前記メモリは、レーザ発振させるための駆動条件を異なる波長ごとに複数格納してなり、
前記第１ステップは、前記格納された駆動条件の中から前記第１波長における駆動条件を選択するステップを含む、請求項１乃至９記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項１１】
前記第１ステップに先立ち、前記第２波長に基づいて前記第１波長を決定するステップが実行される、請求項１０記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項１２】
前記第１ステップに先立ち、前記第１波長と、前記第１波長と前記第２波長との波長差分を得るステップが実行される、請求項１０記載の波長可変レーザの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】波長可変レーザの制御方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）交流電圧の入力ライン間に接続された容量素子の電荷を放電する放電回路において、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第一回路と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第二回路と、を有し、前記第一回路の複数の抵抗素子の間と前記第二回路の複数の抵抗素子の間を接続したことを特徴とする放電回路。
（２）交流電圧の入力ライン間に接続された容量素子と、前記交流電圧を整流及び平滑して出力する整流平滑手段と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第一回路と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第二回路と、を有し、前記第一回路の複数の抵抗素子の間と前記第二回路の複数の抵抗素子の間を接続したことを特徴とする電源装置。
（３）記録材に画像を形成する画像形成装置において、画像を形成するための画像形成手段と、前記画像形成装置に電力を供給する電源と、を有し、前記電源は、交流電圧の入力ライン間に接続された容量素子と、前記交流電圧を整流及び平滑して出力する整流平滑手段と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第一回路と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第二回路と、を有し、前記第一回路の複数の抵抗素子の間と前記第二回路の複数の抵抗素子の間を接続したことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧の入力ライン間に接続された容量素子の電荷を放電する放電回路において、
直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第一回路と、
直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第二回路と、を有し、
前記第一回路の複数の抵抗素子の間と前記第二回路の複数の抵抗素子の間を接続したことを特徴とする放電回路。
【請求項２】
前記第一回路と前記第二回路の抵抗素子の数は２以上であることを特徴とする請求項１に記載の放電回路。
【請求項３】
前記第一回路と前記第二回路の複数の抵抗素子のいずれか１つが故障した場合、前記容量素子の電荷を所定値まで放電するための時間は１秒以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の放電回路。
【請求項４】
前記第一回路の複数の抵抗素子及び前記第二回路の複数の抵抗素子の抵抗値は同じであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放電回路。
【請求項５】
前記第一回路の複数の抵抗素子の接続部と前記第二回路の複数の抵抗素子の接続部を抵抗素子を介して接続することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放電回路。
【請求項６】
交流電圧の入力ライン間に接続された容量素子と、
前記交流電圧を整流及び平滑して出力する整流平滑手段と、
直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第一回路と、
直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第二回路と、を有し、
前記第一回路の複数の抵抗素子の間と前記第二回路の複数の抵抗素子の間を接続したことを特徴とする電源装置。
【請求項７】
前記第一回路と前記第二回路の抵抗素子の数は２以上であることを特徴とする請求項６に記載の電源装置。
【請求項８】
前記第一回路と前記第二回路の複数の抵抗素子のいずれか１つが故障した場合、前記容量素子の電荷を所定値まで放電するための時間は１秒以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の電源装置。
【請求項９】
前記第一回路の複数の抵抗素子及び前記第二回路の複数の抵抗素子の抵抗値は同じであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項１０】
前記第一回路の複数の抵抗素子の接続部と前記第二回路の複数の抵抗素子の接続部を抵抗素子を介して接続することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項１１】
記録材に画像を形成する画像形成装置において、
画像を形成するための画像形成手段と、
前記画像形成装置に電力を供給する電源と、を有し、
前記電源は、交流電圧の入力ライン間に接続された容量素子と、前記交流電圧を整流及び平滑して出力する整流平滑手段と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第一回路と、直列に接続された複数の抵抗素子を備え、前記入力ライン間に接続された第二回路と、を有し、前記第一回路の複数の抵抗素子の間と前記第二回路の複数の抵抗素子の間を接続したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
前記第一回路と前記第二回路の抵抗素子の数は２以上であることを特徴とする請求項１１に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記第一回路と前記第二回路の複数の抵抗素子のいずれか１つが故障した場合、前記容量素子の電荷を所定値まで放電するための時間は１秒以下であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記第一回路の複数の抵抗素子及び前記第二回路の複数の抵抗素子の抵抗値は同じであることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１５】
前記第一回路の複数の抵抗素子の接続部と前記第二回路の複数の抵抗素子の接続部を抵抗素子を介して接続することを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１６】
前記画像形成手段を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段の動作を制御するコントローラと、を有し、
前記電源は、前記コントローラに電力を供給することを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸収性物品を構成する構成部品が連続した連続体を切断する切断装置と、
前記切断装置によって切断された単体を搬送する搬送装置と、を有する吸収性物品の製造装置であって、
前記切断装置は、前記連続体を切断する切断刃を有するカッターロールと、前記カッターロールと対向して配置されるアンビルロールとを備え、
前記搬送装置は、前記カッターロールから受け渡される前記単体を外周面に沿わせて搬送する送りロールを有しており、
前記送りロールの外周面には、下側メッシュベルト層と、前記下側メッシュベルト層上に配置された上側メッシュベルト層と、が設けられており、
前記送りロールは、前記上側メッシュベルト層上に配置された前記単体を吸引するサクション手段を備えており、
前記下側メッシュベルト層の網目のパターンと、前記上側メッシュベルト層の網目のパターンと、が異なる、吸収性物品の製造装置。
【請求項２】
前記カッターロールの周速と前記送りロールの周速は、同速である、請求項１に記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項３】
前記カッターロールの外周面には、前記連続体が挿入される凹部が形成されており、
前記切断刃は、前記凹部の縁部に沿って配置されている、請求項１又は請求項２に記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項４】
前記搬送装置は、前記凹部内に配置され、前記連続体の外周面に当接して変形する弾性部材を備える、請求項３に記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項５】
前記搬送装置は、前記送りロールから受け渡される前記単体を外周面に沿わせて搬送するリピッチドラムを有しており、
前記リピッチドラムは、
回転機構と、
前記回転機構の外周面において周方向に所定の間隔をあけて配置され、前記単体を受ける第１位置から前記単体を受け渡す第２位置へ前記単体を搬送する複数の保持部材と、
前記保持部材をそれぞれ移動する回転駆動手段と、を有し、
前記回転駆動手段は、前記保持部材の速度を変化させて、前記第１位置よりも前記第２位置における前記保持部材同士の間隔が広くなるように前記保持部材を移動させるように構成されている、請求項１から請求項４のいずれかに記載の吸収性物品の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ロールに架けられた第１ベルト部材と、前記第１ロールと離間して配置された第２ロールに架けられた第２ベルト部材と、を有し、前記第１ベルト部材によって吸収性物品を搬送した後、前記第１ベルト部材と前記第２ベルト部材とによって吸収性物品を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構によって搬送する前記吸収性物品を、前記吸収性物品の搬送方向と直交する交差方向に沿う折り目を基点に折り畳む折り機構と、を備える吸収性物品の折り畳み装置であって、
前記折り機構は、前記吸収性物品に当接し、前記折り目を基点に前記吸収性物品を折る折り羽根を備えており、
前記第１ベルト部材は、前記第１ベルト部材と前記第２ベルト部材とによって前記吸収性物品を挟んで搬送するニップ領域側に向かって前記第１ロール側から前記吸収性物品を搬送しており、
前記折り羽根は、前記第２ロール側から前記ニップ領域側に向かって移動し、前記第１ベルト部材によって前記第１ロール側から前記ニップ領域側に向かって搬送される前記吸収性物品と当接する、吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項２】
前記折り羽根は、前記吸収性物品と当接した後、前記ニップ領域側から前記第１ロール側に向かって移動する、請求項１に記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項３】
前記第１ベルト部材は、第１方向に沿って前記吸収性物品を搬送した後、前記第１ロールの外周面に沿って前記吸収性物品を搬送して方向を転換し、前記第１方向と直交しかつ前記折り目と直交する第２方向に沿って前記吸収性物品を前記ニップ領域に向かって搬送し、
前記第２ベルト部材は、前記第１方向と反対の第３方向に沿って移動した後、前記第２方向に沿って移動する、請求項１又は請求項２に記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項４】
前記折り羽根は、前記第３方向に沿って移動した後に前記吸収性物品と当接する、請求項３に記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項５】
前記搬送機構は、前記吸収性物品の前後方向に沿って前記吸収性物品を搬送し、
前記折り機構は、前記吸収性物品の前後方向に直交する交差方向に沿う折り目を基点に、前記吸収性物品の前側端部と後側端部のうち、いずれか一方である第１端部を、前記吸収性物品の前後方向内側に向けて折り返す、請求項１から請求項４のいずれかに記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項６】
前記折り機構は、前記吸収性物品の前記第１端部を前記交差方向に沿う第１折り目を基点に折る第１折り機構と、前記第１折り機構よりも搬送方向下流側に配置され、前記吸収性物品の前側端部と後側端部のうち、他方である第２端部を前記交差方向に沿う第２折り目を基点に折る第２折り機構と、を備える、請求項５に記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項７】
前記搬送機構は、前記第１折り機構によって折り畳まれた前記吸収性物品を、前記第１折り目側を搬送方向上流側に位置する状態で搬送し、
前記第２折り機構は、前記第２端部と前記第１折り目を基点に折られた第１端部とを、前記第１折り目よりも搬送方向下流側に位置する前記第２折り目を基点に折る、請求項６に記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項８】
前記折り羽根の前記交差方向の中心の厚みは、前記折り羽根の前記交差方向の端部の厚みよりも薄く構成されている、請求項１から請求項７のいずれかに記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項９】
前記折り羽根の前記交差方向の中心には、切り欠きが形成されている、請求項１から請求項７のいずれかに記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項１０】
前記第１ベルト部材の吸収性物品対向面と前記第２ベルト部材の吸収性物品対向面との距離は、前記ニップ領域において最も狭くなるように構成されており、
前記折り羽根は、前記ニップ領域よりも搬送方向上流側に位置する、請求項１から請求項９のいずれかに記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項１１】
前記第２ベルト部材と前記折り羽根との間には、前記第２ベルト部材の表面を覆うカバー部材が設けられている、請求項１から請求項１０のいずれかに記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【請求項１２】
前記折り羽根が前記ニップ領域に最も近づいた状態において、前記折り羽根の先端と前記第１ベルト部材の吸収性物品対向面との距離は、前記折り羽根の先端と前記第２ベルト部材の吸収性物品対向面との距離よりも短い、請求項１から請求項１１のいずれかに記載の吸収性物品の折り畳み装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加算比較選択（ＡＣＳ）演算を反復して行う方法であって、
１回の反復において、
少なくとも２つのブランチ・メトリックからなるブランチ・メトリックの第１の組、及び少なくとも２つの状態メトリックからなる状態メトリックの第１の組を、第１のＡＣＳレイヤモジュールの加算器の第１の組に供給するステップであって、加算器の前記第１の組は、少なくとも２つの加算器を含み、かつ、キャリーセーブ加算を実施する、ステップと、
前記第１のＡＣＳレイヤモジュールによって、ブランチ・メトリックの前記第１の組及び状態メトリックの前記第１の組に応答して、単一クロックサイクル内で、少なくとも２つの状態メトリックからなる状態メトリックの第２の組を生成するステップと、
状態メトリックの前記第２の組を、第２のＡＣＳレイヤモジュールの加算器の第２の組に供給するステップであって、加算器の前記第２の組は、少なくとも２つの加算器を含み、かつ、キャリーセーブ加算を実施する、ステップと、
前記第２のＡＣＳレイヤモジュールによって、前記クロックサイクル内で、少なくとも２つのブランチ・メトリックからなるブランチ・メトリックの第２の組及び状態メトリックの前記第２の組に応答して、少なくとも２つの状態メトリックからなる状態メトリックの第３の組を生成するステップと、
状態メトリックの前記第３の組を、前記第２のＡＣＳレイヤモジュールのキャリー成分として記憶するステップと、
次の反復のために、状態メトリックの前記第１の組に代えて状態メトリックの前記第３の組を、前記第１のＡＣＳレイヤモジュールに供給するステップ
を実施することを含む方法。
【請求項２】
前記記憶するステップは、前記キャリー成分をレジスタに記憶することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＡＣＳレイヤモジュールと前記第２のＡＣＳレイヤモジュールは、キャリーセーブ算術を実行して単一サイクル内でキャリー成分を生成するために、前記レジスタを介して帰還ループを形成するように直列に結合され、
前記ブランチ・メトリックは複数のビットによって表され、
前記第１と第２のＡＣＳレイヤモジュールの各々は、複数のマルチプレクサをさらに備え、
状態メトリックの前記第２の組は、加算器の前記第１の組によってキャリーセーブ加算にしたがって生成され、状態メトリックの前記第３の組は、加算器の前記第２の組によってキャリーセーブ加算にしたがって生成され、
前記複数のマルチプレクサを用いて、前記キャリー成分として記憶された最大状態メトリックが選択されることからなる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１と第２のＡＣＳレイヤモジュールの各々は、４個のオペランドのＡＣＳ演算（ＡＣＳ４）を実行するように構成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１と第２のＡＣＳレイヤモジュールの各々は、８個のオペランドのＡＣＳ演算（ＡＣＳ８）を実行するように構成される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１と第２のＡＣＳレイヤモジュールの各々は、１６個のオペランドのＡＣＳ演算（ＡＣＳ１６）を実行するように構成される、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
加算比較選択（ＡＣＳ）演算を行うための装置であって、
キャリーセーブ算術を用いて状態メトリックを計算するように構成されたＡＣＳモジュールの少なくとも２つのレイヤであって、各々のレイヤが、対応する入力状態及び出力状態ならびに対応する入力ベクトル及び出力ベクトルを有する、ＡＣＳモジュールの少なくとも２つのレイヤと、
前記計算された状態メトリックをキャリー成分として記憶する手段
を備え、
前記ＡＣＳモジュールの先行レイヤと該先行レイヤに後続する前記ＡＣＳモジュールの後続レイヤにおいて、前記先行レイヤの入力ベクトルと前記後続レイヤの入力ベクトルは異なり、前記先行レイヤの前記出力状態は前記後続レイヤに供給され、前記装置は最大状態メトリックを生成するために、単一クロックサイクル内で前記少なくとも２つのレイヤにおける状態メトリックの計算を完了するように構成される、装置。
【請求項８】
前記記憶する手段がレジスタである、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ＡＣＳモジュールが、
４個のオペランドのＡＣＳ演算と、
８個のオペランドのＡＣＳ演算と、
１６個のオペランドのＡＣＳ演算
とのうちの少なくとも１つのＡＣＳ演算を実行するように構成される、請求項７または８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月25日(2016.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに応じて像担持体を露光し、静電潜像を形成する露光手段と、
前記露光手段により静電潜像が形成された像担持体をトナー像に現像する現像手段と、
前記現像手段により現像されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記転写手段により記録媒体に転写されたトナー像を熱により記録媒体に定着させる定着手段と、
前記定着手段の周辺の空気が前記露光手段に向かう気流を発生させる送風手段と、
結露発生の程度が高くなることに応じて前記露光手段に到達する風量が低減するよう前記送風手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、温度と湿度の少なくとも一方に基づいて前記結露発生の程度が高くなるのを判定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記定着手段の温度を設定する温度設定手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記温度設定手段の設定温度が高くなると、風量が増加するように前記送風手段の駆動条件を変更することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
印刷ジョブの印刷枚数を検出する印刷枚数検出手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記印刷枚数が多くなると、風量が減少するように前記送風手段の駆動条件を変更することを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置
【請求項５】
画像を形成するシートのサイズを検出するシートサイズ検出手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記シートサイズが大きくなると、風量が減少するように前記送風手段の駆動条件を変更することを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
画像データに応じて像担持体を露光し、静電潜像を形成する露光手段と、
前記露光手段により静電潜像が形成された像担持体をトナー像に現像する現像手段と、
前記現像手段により現像されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記転写手段により記録媒体に転写されたトナー像を熱により記録媒体に定着させる定着手段と、
前記定着手段の周辺の空気が前記露光手段に向かう気流を発生させる送風手段と、
湿度が高くなることに応じて前記露光手段に到達する風量が低減するよう前記送風手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明は、
画像データに応じて像担持体を露光し、静電潜像を形成する露光手段と、
前記露光手段により静電潜像が形成を形成された像担持体をトナー像に現像する現像手段と、
前記現像手段により現像されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
該転写手段により記録媒体に転写されたトナー像を熱により記録媒体に定着させる定着手段と、
前記定着手段の周辺の空気が前記露光手段に向かう気流を発生させる送風手段と、
結露発生の程度が高くなることに応じて前記露光手段に到達する風量が低減するよう前記送風手段を制御する制御手段と、
により画像形成装置を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月28日(2016.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光源からの光束を反射し、レンズユニットへ導く複数の反射面を備える光学ユニットであって、
前記複数の反射面は、前記複数の反射面で反射された光束が複数の収斂光束であり、前記複数の収斂光束が前記複数の反射面から離れるにつれて互いの距離を縮めるように構成されており、
前記複数の反射面は、複数の凹面鏡であって、
前記複数の凹面鏡は第１の凹面鏡と前記第１の凹面鏡よりも前記レンズユニットから離れた位置に設けられた第２の凹面鏡とを含み、
前記第２の凹面鏡の焦点距離は、前記第１の凹面鏡の焦点距離よりも長く、
前記第１の凹面鏡と前記第２の凹面鏡は互いに異なる形状の複数の凹面の各々の一部である、
ことを特徴とする光学ユニット。
【請求項２】
前記凹面は放物面である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学ユニット。
【請求項３】
前記複数の反射面のうち少なくとも１つの反射面は、前記反射面からの光束が、前記反射面から離れるにつれて前記レンズユニットに対して前記レンズユニットの光軸方向に近づくように構成されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光学ユニット。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学ユニットと、
前記レンズユニットと、
前記複数の反射面からの光束を前記レンズユニットに導くミラーユニットと、をさらに備え、
前記レンズユニットは、前記ミラーユニットからの複数の収斂光束を互いに平行な複数の平行光束に変換するように構成されている、
ことを特徴とする光学装置。
【請求項５】
前記レンズユニットは、負のパワーを有し、前記複数の光源からの光束が入射する側が凸のメニスカスレンズを備える、
ことを特徴とする請求項４に記載の光学装置。
【請求項６】
前記レンズユニットの光軸及び前記ミラーユニットの長辺方向に平行な面を第１断面とし、
前記第１断面と直交し、前記レンズユニットの光軸と平行な面を第２断面とするとき、前記複数の反射面のうち、前記第１断面あるいは前記第２断面を対称面として対称に設けられている反射面同士は、同じ形状の放物面形状の一部である、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の光学装置。
【請求項７】
複数の光源と、
前記複数の光源からの複数の光束それぞれが入射する複数の正レンズと、
請求項４乃至６のいずれか１項に記載の光学装置と、
前記光学装置からの光束の一部を前記光学装置からの光束と波長が異なる変換光に変換するとともに、前記変換光と、前記光学装置からの光束と波長が同じ非変換光と、を射出する波長変換素子と、
ダイクロイックミラーと、を備え、
前記ダイクロイックミラーは、前記光学装置からの光束が前記ダイクロイックミラーを介して前記波長変換素子へ入射するように構成されている、
ことを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光源装置と、
光変調素子と、
前記光源装置からの光束を複数の光束に分割して前記光変調素子に導くとともに、前記光変調素子からの光束を合成する色分離合成系と、
前記光源装置からの光束を前記色分離合成系に導く照明光学系と、を備える、
ことを特徴とする投射型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の光学ユニットは、
複数の光源からの光束を反射し、レンズユニットへ導く複数の反射面を備える光学ユニットであって、
前記複数の反射面は、前記複数の反射面で反射された光束が複数の収斂光束であり、前記複数の収斂光束が前記複数の反射面から離れるにつれて互いの距離を縮めるように構成されており、
前記複数の反射面は、複数の凹面鏡であって、
前記複数の凹面鏡は第１の凹面鏡と前記第１の凹面鏡よりも前記レンズユニットから離れた位置に設けられた第２の凹面鏡とを含み、
前記第２の凹面鏡の焦点距離は、前記第１の凹面鏡の焦点距離よりも長く、
前記第１の凹面鏡と前記第２の凹面鏡は互いに異なる形状の複数の凹面の各々の一部である、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工事現場に配置される工事現場用デジタルサイネージ装置であって、
外形が直方体に形成されるとともに防水防塵加工がなされた内部を有し、前記直方体の前面に画像を表示する液晶表示画面が配置された本体部と、
４つの車輪が取り付けられ、前記本体部を載置する台座部と、を備え、
前記本体部の前記内部に、前記本体部の内部と外部との間で無線通信により情報の送受信を行うための通信部と、前記液晶表示画面に画像を表示させる液晶表示画面制御部と、前記液晶表示画面制御部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記本体部の外部より送られるデータを前記通信部を介して受信し、前記データに基づいて前記液晶表示画面制御部を制御して前記液晶表示画面に表示させ、
前記本体部の直方体の両側面の上方及び下方にそれぞれ取手が取り付けられ、前記直方体の上面は２本のアイボルトが取り付けられており、前記取手又は前記アイボルトが使われて前記台座部が前記車輪で移動する工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項２】
前記データは工事現場に応じた情報及び災害情報を含み、
前記制御部は、災害が発生した時には、前記工事現場に応じた情報から前記災害情報に切り替えて、前記液晶表示画面に表示させる請求項１に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項３】
前記本体部の前記内部に、前記液晶表示画面制御部及び前記液晶表示画面を冷却するための冷却部を有し、
前記冷却部は、前記前面の反対側の後面の下方に配置され、前記本体部の内部に外気を取り入れるための通気口と、前記通気口から取り入れた外気を前記本体部の内部の上方に送るための第１冷却ファンと、前記後面の上方に取り付けられ、前記前記本体部の内部の上方に送られた外気を前記本体部の外部に排出するための第２冷却ファンと、を備え、
前記通気口と前記第２冷却ファンには、前記本体部の内部に水及び塵等が入らないように、防水防塵加工がなされたフィルタが取り付けられている請求項１又は請求項２に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項４】
前記本体部の外側表面には１つのみのスイッチが配置されており、前記スイッチは、前記制御部が通電されている状態で押された場合には前記制御部を起動させ、前記制御部が起動している状態で押された場合には所定の停止過程を経た後に前記制御部を停止させる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項５】
前記通信部は、非接触型ＩＣチップの情報の受信がなされる請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項６】
前記本体部の内部には、前記制御部に接続され前記本体部の内部の温度を測定する温度測定部が配置され、
前記冷却部は前記制御部に接続されて前記温度測定部の測定温度に応じて制御される請求項３から請求項５のいずれか一項に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項７】
前記本体部は、前記台座部上で前記前面方向にスライドし、又は前記台座部上において水平面内で回転する請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。
【請求項８】
前記台座部には、地面から前記本体部に伝わる振動を減衰させる防振部を備える請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の工事現場用デジタルサイネージ装置。