【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー修飾基に共有結合した修飾ヌクレオチド糖を含む組成物の製造方法であって、該ポリマー修飾基が、少なくとも１つの直鎖状又は分岐状ポリ（エチレングリコール）残基を含み、
該修飾ヌクレオチド糖が、ＣＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＣＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＣＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＡＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＡＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＡＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＵＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＵＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＵＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＧＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＧＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＧＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＴＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＴＤＰ−フコース−ＰＥＧ及びＴＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＣＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、並びにこれらのデオキシ種から選択され、
該方法が、以下：
（ｉ）該修飾ヌクレオチド糖を含む反応混合物を陰イオン交換媒体と接触させること；
（ii）該陰イオン交換媒体から該ヌクレオチド糖を溶出することにより、該修飾ヌクレオチド糖を含む溶出画分を生成すること；及び
（iii）該溶出画分を脱塩すること
を含み、
ここで、該方法は、工程（ｉ）の前の限外濾過を含まず、
こうして該組成物を生成する、方法。
【請求項２】
該反応混合物が、５mS/cm未満の塩導電率を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該陰イオン交換媒体が、第４級アンモニウム樹脂及びジエチルアミノエチル（ＤＥＡＥ）樹脂から選択されるメンバーである、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
該陰イオン交換媒体が、第４級アンモニウム樹脂の重炭酸塩型である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
該陰イオン交換媒体が、Ｑ−セファロース樹脂である、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
該修飾ヌクレオチド糖が、重炭酸緩衝液を用いて該陰イオン交換媒体から溶出される、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
該緩衝液が、０．０１mM〜３０mMの間の該重炭酸を包含する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
該脱塩が、膜濾過を用いて達成される、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
該膜濾過が、接線流濾過（ＴＦＦ）である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
該膜濾過が、該溶出画分の容量を減少させる、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該膜濾過により、該膜濾過前の塩導電率に比較して該溶出画分の該塩導電率が低下する、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
該溶出画分の該低下した塩導電率が、１０μS/cm〜２００μS/cmの間である、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
該溶出画分の該低下した塩導電率が、５０μS/cm未満である、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｉ）の前に、更に
（iv）該混合物の容量を減少させること
を含む、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
該減少が、回転蒸発を利用して達成される、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
更に
（ｖ）該修飾ヌクレオチド糖を含む該溶出画分を凍結乾燥又は噴霧乾燥に付すこと
を含む、請求項１〜１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
該ポリ（エチレングリコール）残基が、５kDa〜５００kDaの間の分子量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
該ポリ（エチレングリコール）残基が、１０kDa〜１００kDaの間の分子量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
該修飾ヌクレオチド糖の該糖が、ＧｌｃＮＡｃ残基、ＧａｌＮＡｃ残基及びシアル酸（ＳＡ）残基から選択されるメンバーである、請求項１〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
該修飾ヌクレオチド糖が、シチジン−モノホスホ−シアル酸（ＣＭＰ−ＳＡ）を含む、請求項１〜１９のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
該ヌクレオチド糖が、直鎖状又は分岐状ポリ（エチレングリコール）残基に共有結合したシチジン−モノホスホ−シアル酸（ＣＭＰ−ＳＡ）である、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
該分岐ポリ（エチレングリコール）残基が、グリセロール基本骨格を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
該修飾ヌクレオチド糖が、下記：
【化２２】
2016026179.tif 000001
［式中、
各ｎは、１〜２５００から独立に選択される整数であり；
各Ｑは、Ｈ、負電荷及び塩の対イオンから独立に選択されるメンバーであり；そして
各Ｑ１は、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル及びヘキシルから独立に選択されるメンバーである］から選択されるメンバーである、請求項１〜２２のいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
ｎが、２００〜５００から選択される、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
該方法が、８０％〜１００％（w/w）の間の純度で該修飾ヌクレオチド糖を与える、請求項１〜２４のいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
該方法が、５０％〜９０％（w/w）の全収率で該修飾ヌクレオチド糖を与える、請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
工程（ｉ）の前に、更に
（vii）第１級アミノ基を含むヌクレオチド糖誘導体を、活性化ポリ（エチレングリコール）残基と、該ヌクレオチド糖誘導体のアミノ基と該ポリ（エチレングリコール）残基との間に共有結合を生成させるのに十分な条件下で接触させること
を含む、請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
該ヌクレオチド糖誘導体が、ＣＭＰ−ＳＡ−グリシンである、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
該活性化ポリ（エチレングリコール）残基が、ｐ−ニトロフェニルカーボネート残基を含む、請求項２７又は２８記載の方法。
【請求項３０】
該ヌクレオチド糖誘導体と該ポリ（エチレングリコール）試薬とが、８．０〜８．８の間のｐＨを有する水性溶媒の存在下で接触する、請求項２７〜２９のいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
該ポリ（エチレングリコール）試薬が、ポリ（エチレングリコール）−ｐ−ニトロフェニルカーボネートである、請求項２７〜３０のいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
ポリマー修飾基に共有結合した修飾ヌクレオチド糖を含む組成物の製造方法であって、該ポリマー修飾基が、少なくとも１つの直鎖状又は分岐状ポリ（エチレングリコール）残基を含み、
該修飾ヌクレオチド糖が、ＣＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−ＳＡ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−ＳＡ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−ＧｌｃＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−Ｇａｌ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−ＧａｌＮＡｃ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−Ｇｌｃ−ＰＥＧ、ＣＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＣＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＣＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＡＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＡＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＡＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＵＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＵＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＵＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＧＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＧＤＰ−フコース−ＰＥＧ、ＧＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＴＭＰ−フコース−ＰＥＧ、ＴＤＰ−フコース−ＰＥＧ及びＴＴＰ−フコース−ＰＥＧ、ＣＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＣＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＣＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＡＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ｃＡＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＡＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＡＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＵＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＵＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＵＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＧＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ｃＧＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＧＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＧＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＴＭＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、ＴＤＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ及びＴＴＰ−Ｍａｎ−ＰＥＧ、並びにこれらのデオキシ種から選択され、
該方法が、以下：
（ｉ）第１級アミノ基を含むヌクレオチド糖誘導体を、ｐ−ニトロフェニルカーボネート残基を含む活性化ポリ（エチレングリコール）残基と、該ヌクレオチド糖誘導体の該アミノ基と該ポリ（エチレングリコール）残基との間に共有結合を生成させるのに十分な条件下で接触させること（ここで、該接触は、８．０〜８．８の間のｐＨを有する水性溶媒の存在下で行われ、こうして該修飾ヌクレオチド糖を含む反応混合物を生成する）；
（ii）該修飾ヌクレオチド糖を含む該反応混合物を陰イオン交換媒体と接触させること；
（iii）該陰イオン交換媒体から該修飾ヌクレオチド糖を溶出して、該修飾ヌクレオチド糖を含む溶出画分を生成すること；
（iv）膜濾過を用いて該溶出画分を脱塩すること；及び
（ｖ）該溶出画分から水を除去すること
を含み、方法は、工程（ｉ）の前の限外濾過を含まず、
こうして該組成物を生成する、方法。
【請求項３３】
該ヌクレオチド糖誘導体が、ＣＭＰ−ＳＡ−グリシンである、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
該修飾ヌクレオチド糖が、直鎖状又は分岐状ポリ（エチレングリコール）残基に共有結合したＣＭＰ−ＳＡである、請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
該ポリ（エチレングリコール）残基が、１０〜１００kDaの間の分子量を有する、請求項３４記載の方法。