【事件の表示】
　特願２０１１−１９７３９８「不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開、特開２０１３−　５８６９１、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年９月９日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　９月２５日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２６年１１月２５日　　　意見書及び補正書の提出
　平成２７年　１月１６日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　３月１２日　　　意見書及び補正書の提出
　平成２７年　６月１２日　　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年　９月１６日　　　審判請求
　平成２８年１０月　６日　　　当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年１２月１２日　　　意見書及び補正書の提出
　平成２９年　２月２４日　　　最後の当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２９年　４月２５日　　　意見書及び補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２９年４月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものと認められる。
　本願の請求項１ないし７に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明７」という。）は以下のとおりである。
「　【請求項１】
　第１配線と、
　第２配線と、
　一端を前記第１配線に、他端を前記第２配線にそれぞれ電気的に接続され、フィラメント型抵抗変化素子を備えたメモリセルと
を具備し、
　前記メモリセルは、
　　抵抗値の変化で情報を記憶する抵抗変化層と、
　　前記抵抗変化層の両端にそれぞれ接続され、貴金属を含まない第１電極及び第２電極と
を備え、
　前記第１電極は、
　　第１外側電極と、
　　前記第１外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接し、窒化チタン又は窒化タンタルである第１界面電極と
を含み、
　前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり、
　前記第１界面電極の抵抗率は、前記第１外側電極の抵抗率よりも高く、
　前記第１電極の抵抗値は、前記抵抗変化層の低抵抗状態の抵抗値よりも低く、
　前記第２電極は、
　　第２外側電極と、
　　前記第２外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接し、窒化チタン又は窒化タンタルである第２界面電極と
を含み、
　前記第２界面電極の膜厚は、前記第２外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり、
　前記第２界面電極の抵抗率は、前記第２外側電極の抵抗率よりも高く、
　前記第２電極の抵抗値は、前記抵抗変化層の低抵抗状態の抵抗値よりも低い
　不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
　前記抵抗変化層は、前記第１界面電極および前記第２界面電極と比較して、酸化され易い
　不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項３】
　請求項１または２に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
　前記第１界面電極および前記第２界面電極は、２原子層以上、２０原子層以下である
　不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項４】
　請求項１乃至３のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
　前記第１外側電極および前記第２外側電極は、金属の膜であり、
　前記第１界面電極および前記第２界面電極は、前記金属の窒化物である
　不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項５】
　請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
　前記第１界面電極中の窒素濃度は、前記第１界面電極から前記第１外側電極へ向かって連続的に減少しており、
　前記第２界面電極中の窒素濃度は、前記第２界面電極から前記第２外側電極へ向かって連続的に減少している
　不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項６】
　請求項１乃至５のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
　前記メモリセルは、前記第１電極及び前記第２電極のうちのいずれか一方に直列に接続されたトランジスタを更に備える
　不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項７】
　請求項１乃至５のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
　前記メモリセルは、前記第１電極及び前記第２電極のうちのいずれか一方に直列に接続されたダイオードを更に備える
　不揮発性半導体記憶装置。」
第３　原査定の理由について
　１　原査定の理由の概要
　（１）拒絶理由通知の概要
　原査定の根拠となった平成２７年１月１６日付けの拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。
「理由１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１〜４
・引用文献等　１〜３
・備考
　引用文献１の段落００２５に、抵抗変化層（３００）と第１外側電極（２３０）との間に窒化チタンからなるバリアメタル層を設けることが記載されており、本願の第１界面電極に対応する。
　引用文献２の段落００４０に、導電層（１０）に対してバリアメタルを薄く形成することが記載されている。
　引用文献３の段落００２０に、電極（１２）の厚さを、フィラメントの直径２０×１０−９［ｍ］の５０％である１０−８［ｍ］とすることが記載されており、上記構成を組み合わせることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　……（中略）……
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２０１０−２３２２２６号公報
２．国際公開第２００９／０５７２６２号
３．特開２０１１−０５４６４６号公報（新規引用文献）
４．特開２００８−１８６９２６号公報
５．国際公開第２０１１／０９６１９４号」
　（２）拒絶査定の概要
　平成２７年６月１２日付けの拒絶査定の理由の概要は以下のとおりである。
「この出願については、平成２７年１月１６日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　……（中略）……
・請求項１〜１０
・引用文献等　１〜５
　出願人は、平成２７年３月１２日付け手続補正書において、「前記第１外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接する第１界面電極」と補正し、平成２７年３月１２日付け意見書において『引用文献２（例えば［0040］）には、導電層１０の下層にバリアメタルを積層することが記載されています。引用文献２では導電層１０と、抵抗変化層５との間には、上部電極９や半導体層８が設けられているため、導電層１０の下層に設けられたバリアメタルは、抵抗変化層５に接していないものと思料します。すなわち、引用文献１には、抵抗変化層に接する第１界面電極を含む第１電極の厚さが、抵抗変化層に形成されるフィラメント直径の０％より大きく、８０％以下であるとともに、第１電極において抵抗変化層に接する側の電極（第１界面電極）よりも、他方側の電極（第１電極）の抵抗値が小さくなるように設定された記憶装置は、開示されていません。』旨、主張している。
　確かに、引用文献２ではバリアメタルが抵抗変化層５に接することは記載されていないが、引用文献１の段落００２５に、「また、不揮発性記憶装置１０において、下側電極１３０と整流素子部３２０との間、整流素子部３２０と記憶部３００との間、記憶部３００と上側電極２３０との間のそれぞれに、図示しないバリアメタル層を設けることもできる。」と記載されており、記憶部３００（本願の抵抗変化層に対応）と上側電極２３０（本願の第１外側電極に対応）との間にバリアメタル層（本願の第１界面電極に対応）を設けていることから、引用文献１記載の発明においても、「前記第１外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接する第１界面電極」である点で本願と同様である。
　そして、このような構成を有する引用文献１記載の発明において、電極とバリアメタルの位置関係はそのままに、ともにバリアメタルを用いる引用文献２記載の発明の膜厚の大小関係を採用し、「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く」することは当業者が容易に想到し得た事項である。
　したがって、出願人の主張は、採用できない。
　よって、請求項１〜１０に係る発明は、引用文献１〜５に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１０−２３２２２６号公報
２．国際公開第２００９／０５７２６２号
３．特開２０１１−０５４６４６号公報
４．特開２００８−１８６９２６号公報
５．国際公開第２０１１／０９６１９４号」
　２　原査定の理由の判断
　（１）引用文献
　　ア　引用文献１の記載事項
　平成２７年１月１６日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２０１０−２３２２２６号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審において付したもの。以下同様。）。
　　（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、不揮発性記憶装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　不揮発性記憶装置として多用されているフラッシュメモリは、集積度の向上に対して限界があるとされている。フラッシュメモリより高集積度の、いわゆる４Ｆ２の素子面積が可能な不揮発性記憶装置として、例えば電気抵抗が可変の記憶部を２枚の電極に挟んだ構成の、クロスポイント型不揮発性記憶装置が注目されている（特許文献１）。
　すなわち、リソグラフィによる最小パターン線幅をＦとすると、配線の幅がＦで、配線間の間隔がＦとなるため、一般的なクロスポイント型不揮発性記憶装置においては、１つの記憶セルの素子面積は４Ｆ２となる。
【０００３】
　クロスポイント型不揮発性記憶装置において、さらに集積度を向上させることが期待されている。
【０００４】
　また、集積度を上げた場合、配線が細くなり、配線の基板に対する密着性が弱くなり、信頼性が低下する問題もある。
　……（中略）……
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　本発明の目的は、
集積度が高く、配線の密着性を向上した高信頼性の不揮発性記憶装置
　　（イ）「【００１３】
　（第１の実施の形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る
不揮発性記憶装置
　図２は、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式図である。
　図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する、それぞれ、模式的斜視図及び模式的透過平面図である。図１（ａ）は、図２のＡ−Ａ’線断面図、図１（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ’線断面図である。
　図１及び図２に表したように、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置１０は、
基板１０５の主面１０６の上に設けられた下側電極１３０と
下側電極１３０の上方に位置し、下側電極１３０と対向して設けられた上側電極２３０と
下側電極１３０と上側電極２３０の間に設けられた記憶部３００と、を備えている
　……（中略）……
【００１８】
　基板１０５には、例えばシリコン基板を用いることができ、このシリコン基板の上には、不揮発性記憶装置を駆動する駆動回路を設けることもできる。
　また、
記憶部３００としては、例えば、ＮｉＯ
Ｘ
、ＴｉＯ
Ｘ
、ＣｏＯ
Ｘ
、ＴａＯ
Ｘ
、
　また、
記憶部３００には、上記の各種の金属酸化物
【００１９】
　ただし、本発明は、これに限らず、
記憶部３００には、印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する任意の材料を用いることができる
【００２０】
　下側電極１３０
（第１の下側電極１１０及び第２の下側電極１２０）
（第１の上側電極２１０及び第２の上側電極２２０）には、例えば、タングステン、タングステンシリサイド、タングステンナイトライド等を用いる
【００２１】
　また、スペーサ絶縁層１５０には、例えば、電気抵抗の高い酸化珪素や窒化珪素等を用いることができる。
【００２２】
　なお、
下側電極１３０をビット線（ＢＬ）とし
ワード線
【００２３】
　不揮発性記憶装置１０において、
下側電極１３０に与える電位と上側電極２３０に与える電位の組み合わせによって、各記憶部３００に印加される電圧が変化し、その時の記憶部３００の特性によって、情報を記憶することができる
【００２４】
　なお、図１、図２では、整流素子部３２０が、下側電極１３０と記憶部３００との間に設けられている例を示しているが、整流素子部３２０は、上側電極２３０と記憶部３００との間に設けても良い。また、
整流素子部３２０は、下側電極１３０と上側電極２３０とが対向する領域以外の領域に設けても良い
【００２５】
　また、不揮発性記憶装置１０において、
下側電極１３０と
記憶部３００との間
記憶部３００と上側電極２３０との間
に、図示しないバリアメタル層を設ける
バリアメタル層としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いる
【００２６】
　なお、下側電極１３０と上側電極２３０との間に設けられた記憶部３００及び整流素子部３２０は、これらの電極が３次元的に交差する領域ごとにパターニングされている。そして、記憶部３００の周辺には、素子間分離絶縁膜１８０が設けられている。なお、記憶部３００及び整流素子部３２０は、ＸＹ平面で切断した時の断面が長方形の直方体の形状の他、例えば断面が五角形以上の多角形の形状や、例えば断面が円形の円柱の形状等を有することができる。
　……（中略）……
【００３９】
　なお、図１に例示した不揮発性記憶装置１０においては、第１の下側電極１１０及び第２の下側電極１２０の幅よりもスペーサ絶縁層１５０の幅が狭い例であり、これにより、第１の下側電極１１０及び第２の下側電極１２０の幅が広くでき、下側電極１３０の配線抵抗を低くすることができる。同様に、第１の上側電極２１０及び第２の上側電極２２０の幅よりもスペーサ絶縁層２５０の幅が狭く、これにより、第１の上側電極２１０及び第２の上側電極２２０の幅が広くでき、上側電極２３０の配線抵抗を低くすることができる。」
　　（ウ）「【００８２】
　（第２の実施の形態）
　図７は、本発明の第２の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
　図７に表したように、第２の実施形態に係る不揮発性記憶装置２０においては、記憶部３００の幅は、第１の電極及び第２の電極の幅よりも狭い。
【００８３】
　すなわち、記憶部３００のＹ軸方向の幅は、例えば第１の下側電極１１０のＹ軸方向の幅よりも狭く、第２の下側電極１２０のＹ軸方向の幅よりも狭い。これにより、下側電極１３０の上に記憶部３００を形成する例えばフォトリソグラフィの合わせ精度に余裕ができ、製造し易くなる。」
　　イ　引用文献１に記載された発明
　前記ア（イ）には、「図１、図２では、整流素子部３２０が、下側電極１３０と記憶部３００との間に設けられている例を示しているが……整流素子部３２０は、下側電極１３０と上側電極２３０とが対向する領域以外の領域に設けても良い。」（段落【００２４】）と記載されている。すなわち、引用文献１には、「下側電極１３０と上側電極２３０とが対向する領域」には「記憶部３００」だけを設けることが記載されている。
　そうすると、前記アの（ア）〜（ウ）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「基板１０５の主面１０６の上に設けられ、ビット線となる下側電極１３０と、
　前記下側電極１３０の上方に位置し、前記下側電極１３０と対向して設けられて、ワード線となる上側電極２３０と、
　前記下側電極１３０と前記上側電極２３０の間に設けられた記憶部３００と、
を備え、
　前記記憶部３００は、
　　ＮｉＯＸ、ＴｉＯＸ、ＣｏＯＸ、ＴａＯＸなどの、印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する金属酸化物の層からなり、前記下側電極１３０に与える電位と前記上側電極２３０に与える電位の組み合わせによって変化する特性によって情報を記憶することができるものであり、
　前記下側電極１３０は、
　　タングステン、タングステンシリサイド、タングステンナイトライド等を用いて形成される第１の下側電極１１０及び第２の下側電極１２０と、
　　前記第１の下側電極１１０及び前記第２の下側電極１２０と、前記記憶部３００との間に設けられる、チタン、窒化チタンを用いて形成されるバリアメタル層と、
を含み、
　前記上側電極２３０は、
　　タングステン、タングステンシリサイド、タングステンナイトライド等を用いて形成される第１の上側電極２１０及び第２の上側電極２２０と、
　　前記第１の上側電極２１０及び前記第２の上側電極２２０と、前記記憶部３００との間に設けられる、チタン、窒化チタンを用いて形成されるバリアメタル層と、
を含む、
　不揮発性記憶装置。」
　　ウ　引用文献２の記載事項
　平成２７年１月１６日付けの拒絶理由通知に引用された文献である国際公開第２００９／０５７２６２号（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　（ア）「[0001]　本発明は、
抵抗変化層を用いたクロスポイント型の不揮発性半導体記憶装置
　　（イ）「[0038]　（第１の実施の形態）
　図１は、本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を説明する断面図である。
[0039]　本実施の形態の不揮発性半導体記憶装置は、基板１と、この基板１上に形成されたストライプ形状の第１の配線２と、第１の配線２を被覆して基板１上に形成された第１の層間絶縁層３と、第１の層間絶縁層３上に第１の配線２と直交するように形成されたストライプ形状の第２の配線１１と、第２の配線１１を被覆して第１の層間絶縁層３上に形成された第２の層間絶縁層１２と、第２の層間絶縁層１２上に形成された上層配線１３とを備えている。また、第１の配線２と第２の配線１１が直交する領域の第１の層間絶縁層３には第１のメモリセルホール４が形成され、この第１のメモリセルホール４中には、第１の配線２に接続する
第１の抵抗変化層５
[0040]　以上の構成において、第１の配線２、第２の配線の抵抗率の低い導電層１０、上層配線１３は、例えば銅あるいはアルミニウムなどからなる抵抗率の低い導電層（厚み：１００ｎｍ〜５００ｎｍ）もしくは
これらの下層に窒化チタン、チタン、窒化タンタル、タンタルなどのバリアメタル（厚み：５ｎｍ〜１００ｎｍ）を積層した
　……（中略）……
[0042]　また、第１の層間絶縁層３及び第２の層間絶縁層１２としては、絶縁性の酸化物材料を用いることができる。具体的には、ＣＶＤ法による酸化シリコン（ＳｉＯ）やオゾン（Ｏ３)とテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いてＣＶＤ法により形成したＴＥＯＳ−ＳｉＯ膜あるいはシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を用いることができる。さらに、低誘電率材料であるシリコン炭窒化（ＳｉＣＮ）膜やシリコン炭酸化（ＳｉＯＣ）膜あるいはシリコンフッ素酸化（ＳｉＯＦ）膜等を用いてもよい。第１の層間絶縁層３及び第２の層間絶縁層１２の膜厚は１００〜５００ｎｍ程度の膜厚が好ましい。配線間絶縁層が薄くなると配線間リーク電流の増加し、配線間絶縁層が厚くなると第１のコンタクトが深くなり、加工するのが困難になるからである。
[0043]　また、第１の抵抗変化層５としては、鉄を含む酸化物、例えば四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）や、酸化チタン、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化亜鉛、ニオブ酸化膜等の遷移金属酸化物を用い、スパッタリング法等で形成してもよい。このような遷移金属酸化物材料は、閾値以上の電圧または電流が印加されたときに特定の抵抗値を示し、その抵抗値は新たに一定の大きさのパルス電圧またはパルス電流が印加されるまでは、その抵抗値を維持しつづける。なお、本実施形態は第１の抵抗変化層５が第１のメモリセルホール４内に充填されているが、例えば第１のメモリセルホール４の底部や側壁にのみ形成されている形態でもかまわない。」
　　エ　引用文献３の記載事項
　平成２７年１月１６日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２０１１−５４６４６号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　（ア）「【００１４】
　本実施形態の半導体メモリ素子を図１に示す。本実施形態の半導体メモリ素子１０は、
イオン伝導現象を利用した抵抗変化型のメモリ素子
【００１５】
　半導体メモリ素子１０をオン状態に書き換えるためには、第１の電極１２に＋の電圧を、第２の電極１３に−の電圧を印加して行う。
第１の電極１２に＋の電圧を、第２の電極１３に−の電圧を印加すると、第１の電極１２に含まれる第１の金属がイオン化してイオン伝導性を有する層１１を伝導し、第２の電極１３の表面で還元され金属フィラメント１４として析出する
　　（イ）「【００１８】
　第１の電極１２の構成要素が第１の金属のみとすると、半導体メモリ素子１０をオン状態にすると第１の電極１２が全て金属フィラメント１４へと変化してしまうことから第１の電極１２が存在した部分に空間ができてしまう。その場合、イオン伝導性を有する層１１が外部回路への信号経路を失い、書き換え動作を継続することが不可能となる。そのような状況を避けるため、第１の電極１２の構成要素は第１の金属および第１の金属と異なる導電性材料とすることが好ましく、第１の金属の体積含有率ｘは、イオン伝導性を有する層１１が外部回路への信号経路を失わないよう０．５以下であることが好ましい。
【００１９】
　半導体メモリ素子１０をオフ状態に書き換えるためには、第１の電極１２に−の電圧を、第２の電極１３に＋の電圧を印加して行う。第１の電極１２に−の電圧を、第２の電極１３に＋の電圧を印加すると、オン状態の逆の反応が起こり、金属フィラメント１４の高さが減り、高抵抗状態となる。
【００２０】
　本実施形態の半導体メモリ素子１０について、イオン伝導性を有する層１１がＴａ２Ｏ５、イオン伝導性を有する層に可動イオンとして供給可能な第１の金属がＣｕ、第１の電極１２の構成要素である導電性材料がＡｕ、第２の電極１３の導電性材料はＰｔと仮定する。第１の電極１２はＡｕとＣｕの合金であってもよい。非特許文献１に開示されているように、
Ｐｔ電極の直径が１００ｎｍであるとき、Ｃｕフィラメントの直径は２０×１０
−９
［ｍ］となる
そのときの第１の電極１２の
高さを１０
−８
［ｍ］とする
　　オ　引用文献４の記載事項
　平成２７年１月１６日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２００８−１８６９２６号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　（ア）「【背景技術】
【０００２】
　LSI等の半導体装置では、層間の電気的な接続を行うために、層間絶縁膜のホール内に導電性プラグが形成される。例えば、半導体基板に形成されるMOSトランジスタでは、ソース／ドレイン領域等の不純物拡散領域上や、ゲート電極上に導電性プラグが形成される。このうち、不純物拡散領域の表層には、導電性プラグとの間のコンタクト抵抗を低減するために、金属シリサイド層を形成するのが普通である。
【０００３】
　その導電性プラグはタングステンを主にして構成されるが、
タングステンが周囲の層間絶縁膜に拡散すると層間のリーク電流が増大するという問題が起きる。また、導電性プラグのタングステンが金属シリサイド層に触れると、金属シリサイド層とタングステンとが反応し、コンタクト抵抗が不安定になる
【０００４】
　このような
タングステンの拡散や、タングステンと金属シリサイド層との反応は、導電性プラグの外周にバリアメタル膜を形成することで防止し得る
【０００５】
　但し、このようにバリアメタル膜を形成したことで、金属シリサイド層等の下地と導電性プラグとの間のコンタクト抵抗が増大したのでは、半導体基板に形成される回路が設計通りに機能しなくなり、半導体装置の歩留まりが低下してしまう。
【０００６】
　よって、バリアメタル膜には、金属シリサイド層等の下地とのコンタクト抵抗が低下しないような特性が求められる。」
　　（イ）「【００４２】
　次いで、フォトリソグラフィにより
第１層間絶縁膜２１をパターニングして
第１ホール２１ａを形成する
【００４３】
　続いて、図３（ｂ）に示すように、
第１ホール２１ａの内面と、該第１ホール２１ａに露出する金属シリサイドパターン１７ａの上面に、第１バリアメタル膜２２ａとしてスパッタ法によりチタン膜を３０nmの厚さに形成する
【００４４】
　この
第１バリアメタル膜２２ａは、チタンのような純粋な高融点金属で構成されることにより、拡散防止膜としての役割の他に、金属シリサイドパターン１７ａとの密着性を向上させる密着膜としての役割をも担う
　　（ウ）「【０１３４】
　図１９に示されるように、第２バリアメタル膜２２ｂに対するアニールを行わない場合（一点鎖線）では、第１バリアメタル膜２２ａはその表層のみが実質的に窒化される。その結果、第１バリアメタル膜２２ａにおける窒素濃度は、第１バリアメタル膜２２ａの上面から下面に向かって連続的に減少し、その下面では、金属シリサイドパターン１７ａの上面と同様に窒素濃度が実質的にゼロとなる。
【０１３５】
　これに対し、第２バリアメタル膜２２ｂに対してアニールを行う本実施形態（実線）では、そのアニールによって第１バリアメタル膜２２ａの膜中に窒素が浸透する。その浸透の効果は、第１バリアメタル膜２２ａの上面から深くなるにつれて低下するため、第１バリアメタル膜２２ａにおける窒素濃度は、その上面から下面に向かって単調に減少する。しかし、第１バリアメタル膜２２ａの下面にも上記のアニールの効果が及んでいるため、該下面における窒素濃度は金属シリサイドパターン１７ａのそれよりも高くなる。
【０１３６】
　このように、
第２バリアメタル膜２２ｂに対してアニールを行って得られた半導体装置は、第１バリアメタル膜２２ａにおける窒素濃度が該第１バリアメタル２２ａの上面から下面に向かって単調に減少し、且つ、該下面における窒素濃度が、金属シリサイドパターン１７ａの上面における窒素濃度よりも高い
【０１３７】
　また、本願発明者の調査によれば、
第１導電性プラグ２４のコンタクト抵抗の不安定化は、通常のロジック品よりも、FeRAM等のように強誘電体キャパシタQを備えた半導体装置の製造工程において発生し易い
　　カ　引用文献５の記載事項
　平成２７年１月１６日付けの拒絶理由通知に引用された文献である国際公開第２０１１／０９６１９４号（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。
「[0126]　（実施の形態２）
　実施の形態２は、実施の形態１において説明した
抵抗変化素子を備える不揮発性記憶装置である
[0127]　［不揮発性記憶装置の構成］
　図１９は、本発明の実施の形態２の不揮発性記憶装置の構成の一例を示すブロック図である。図１９に示すように、不揮発性記憶装置２００は、抵抗変化素子を具備するメモリアレイ２０１と、アドレスバッファ２０２と、制御部２０３と、行デコーダ２０４と、ワード線ドライバ２０５と、列デコーダ２０６と、ビット線／プレート線ドライバ２０７とを備えている。ここで、制御部２０３と、ワード線ドライバ２０５と、ビット線／プレート線ドライバ２０７とを、駆動部２０８と総称する。
[0128]　メモリアレイ２０１は、図１９に示すように、縦方向に延びる２本のワード線Ｗ２０１、Ｗ２０２と、当該ワード線Ｗ２０１、Ｗ２０２と交差して横方向に延びる２本のビット線Ｂ２０１、Ｂ２０２と、当該ビット線Ｂ２０１、Ｂ２０２に一対一で対応して設けられる横方向に延びる２本のプレート線Ｐ２０１、Ｐ２０２と、
ワード線Ｗ２０１、Ｗ２０２及びビット線Ｂ２０１、Ｂ２０２との各交差点に対応してマトリクス状に設けられた４個のトランジスタＴ２１１、Ｔ２１２、Ｔ２２１、Ｔ２２２と、当該４個のトランジスタＴ２１１、Ｔ２１２、Ｔ２２１、Ｔ２２２に一対一で対応してマトリクス状に設けられたメモリセルＭＣ２１１、ＭＣ２１２、ＭＣ２２１、ＭＣ２２２と、を具備している
　（２）本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
　　ア　一致点
「メモリセルを具備し、
　前記メモリセルは、
　　抵抗値の変化で情報を記憶する抵抗変化層と、
　　前記抵抗変化層の両端にそれぞれ接続され、貴金属を含まない第１電極及び第２電極と
を備え、
　前記第１電極は、
　　第１外側電極と、
　　前記第１外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接し、窒化チタンである第１界面電極と
を含み、
　前記第２電極は、
　　第２外側電極と、
　　前記第２外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接し、窒化チタンである第２界面電極と
を含む、
　不揮発性半導体記憶装置。」
　　イ　相違点
相違点１
　本願発明１は「メモリセル」に「それぞれ電気的に接続され」る「第１配線」と「第２配線」を具備するのに対して、引用発明は「下側電極１３０」が「ビット線」でもあり、「上側電極２３０」が「ワード線」でもある点。
相違点２
　本願発明１の「抵抗値の変化で情報を記憶する抵抗変化層」は「フィラメント型抵抗変化素子」であるのに対して、引用発明の「記憶部３００」である「金属酸化物の層」は「前記下側電極１３０に与える電位と前記上側電極２３０に与える電位の組み合わせによって変化する特性によって情報を記憶する」ものであるが「フィラメント型抵抗変化素子」であるかどうかは不明である点。
相違点３
　本願発明１においては、「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」、「前記第２界面電極の膜厚は、前記第２外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であ」るのに対して、引用発明においては、「前記第１の下側電極１１０及び前記第２の下側電極１２０と、前記記憶部３００との間」及び「前記第１の上側電極２１０及び前記第２の上側電極２２０と、前記記憶部３００との間」にそれぞれ設けられる「バリアメタル層」の厚さは不明である点。
相違点４
　本願発明１においては、「前記第１界面電極の抵抗率は、前記第１外側電極の抵抗率よりも高」く、「前記第２界面電極の抵抗率は、前記第２外側電極の抵抗率よりも高」いのに対して、引用発明において、「タングステン、タングステンシリサイド、タングステンナイトライド等を用いて形成される第１の下側電極１１０及び第２の下側電極１２０」及び「タングステン、タングステンシリサイド、タングステンナイトライド等を用いて形成される第１の上側電極２１０及び第２の上側電極２２０」と比べて、それぞれの「チタン、窒化チタンを用いて形成されるバリアメタル層」の抵抗率が高いかどうかは不明である点。
相違点５
　本願発明１においては、「前記第１電極の抵抗値は、前記抵抗変化層の低抵抗状態の抵抗値よりも低く」、「前記第２電極の抵抗値は、前記抵抗変化層の低抵抗状態の抵抗値よりも低い」のに対して、引用発明の「下側電極１３０」及び「上側電極２３０」の抵抗値が「金属酸化物の層」の低抵抗状態の抵抗値よりも低いかどうかは不明である点。
　（３）　本願発明１についての判断
　　ア　相違点３について検討する。
　本願明細書には、段落【００２６】に「第１界面電極４２は、少なくとも下部電極５１と抵抗変化層４１との界面の酸化を防止する機能が求められているから、抵抗変化層４１の表面を確実に覆うべく、２原子層程度以上であることが好ましい。一方で、上記材料は抵抗率が高い傾向にあるので、下部電極５１の抵抗を低く抑えるべく、２０原子層程度以下とすることが好ましい。あるいは、膜厚１ｎｍ以上、１０ｎｍ程度であることが好ましい。」と、段落【００３９】〜【００４０】に「図４Ｂに示すように、図３の（ｂ）試料の抵抗変化動作では、０．５Ｖ近傍で高抵抗化が、１．５Ｖ近傍で低抵抗化がそれぞれ発生していることがわかる。高抵抗化と低抵抗化との電圧マージンは、１．０Ｖ程度である。そのため、電圧バラツキが存在することを考慮しても、抵抗変化動作を高い信頼性で行うことが可能である。以上のように、（ａ）試料と（ｂ）試料とでは、その抵抗変化特性が大きく異なることが分かる。両試料の相違点は、既述のように、下部電極及び上部電極のＴｉＮＸ（窒化チタン）の膜厚、すなわち、下部電極及び上部電極の抵抗値である。膜厚が相対的に薄く抵抗値が低い（ｂ）試料の方が、良好な抵抗変化特性を有することが分かる。」と記載されている。
　これらの記載によれば、本願発明１は、相違点３に係る「窒化チタン又は窒化タンタル」である「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」、「窒化チタン又は窒化タンタル」である「前記第２界面電極の膜厚は、前記第２外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」という構成を備えることで、「下部電極５１と抵抗変化層４１との界面の酸化を防止する」とともに、「第１界面電極」ないし「第２界面電極」を含む「第１電極」ないし「第２電極」の「抵抗を低く抑える」ことができ、その結果、本願発明１に係る「不揮発性半導体記憶装置」が「高抵抗化と低抵抗化との電圧マージン」が大きくなり「良好な抵抗変化特性を有する」という、本願明細書に記載された格別の効果を奏するものである。
　　イ　一方、引用文献１には、引用発明の「前記第１の下側電極１１０及び前記第２の下側電極１２０と、前記記憶部３００との間に設けられる、チタン、窒化チタンを用いて形成されるバリアメタル層」の厚さについては、何ら記載されていない。
　これに対して、引用文献２には、「抵抗変化層を用いたクロスポイント型の不揮発性半導体記憶装置」に関して、段落[0040]に「以上の構成において、第１の配線２、第２の配線の抵抗率の低い導電層１０、上層配線１３は、例えば銅あるいはアルミニウムなどからなる抵抗率の低い導電層（厚み：１００ｎｍ〜５００ｎｍ）もしくはこれらの下層に窒化チタン、チタン、窒化タンタル、タンタルなどのバリアメタル（厚み：５ｎｍ〜１００ｎｍ）を積層した構成からなることが好ましい。前者は配線をより低抵抗化することで、回路動作の遅延の防止、高速動作を実現するためであり、後者は層間絶縁層からの不純物の拡散の防止、層間絶縁層との密着性の向上に効果がある。」と記載されている。
　すなわち、引用文献２には、本願発明１の「第１界面電極」ないし「第２界面電極」と、重複する材料である「窒化チタン」で形成され、重複する「厚み」を有する「バリアメタル」を設けることが記載されている。
　　ウ　しかしながら、引用発明の「バリアメタル層」は、その位置からみて、「前記記憶部３００」である「ＮｉＯＸ、ＴｉＯＸ、ＣｏＯＸ、ＴａＯＸなどの、印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する金属酸化物の層」と、「前記第１の下側電極１１０及び前記第２の下側電極１２０」または「前記第１の上側電極２１０及び前記第２の上側電極２２０」との間の「バリアメタル」として機能するものである。
　一方、引用文献２の「バリアメタル」は、「第１の配線２、第２の配線の抵抗率の低い導電層１０、上層配線１３」の下層に「層間絶縁層からの不純物の拡散の防止、層間絶縁層との密着性の向上」のために設けられるものであり、「抵抗変化層５」と「下部電極７」の間に設けられるものでない。
　したがって、抵抗変化層を備えた不揮発性記憶装置という点で同じ技術分野に属するからといって、引用発明の「バリアメタル層」とは設けられる位置も求められる機能も異なる引用文献２の「バリアメタル」に関する技術を、引用発明に適用することを当業者が想起し得たとは認められない。
　　エ　また、引用文献２に記載された「バリアメタル」は、「層間絶縁層からの不純物の拡散の防止」等のために「導電層１０、上層配線１３」の下層に設けられるものであり、本願発明１の「第１界面電極」ないし「第２界面電極」とは、設けられる位置も求められる機能も異なる。そして、前記「バリアメタル」の「厚み」の上限は「１００ｎｍ」であり、本願発明１の「第１界面電極」ないし「第２界面電極」の「膜厚」の上限である「１０ｎｍ」の１０倍である。
　したがって、仮に引用発明に引用文献２に記載された「バリアメタル」に関する技術を適用することを想起し得たとしても、前記アで指摘した相違点３に係る本願発明１の効果を得ることができるとは認められず、また、当該効果を引用発明及び引用文献２の記載から当業者が予期し得るとも認められない。
　　オ　そして、相違点３に係る「窒化チタン又は窒化タンタル」である「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」、「窒化チタン又は窒化タンタル」である「前記第２界面電極の膜厚は、前記第２外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」という構成は、引用文献３ないし引用文献５には記載も示唆もされていない。
　　カ　そうすると、引用発明を相違点３に係る構成とすることを、引用文献２ないし引用文献５から、当業者が容易に想到し得たものと認められない。
　そして、前記アで指摘した、「第１界面電極」ないし「第２界面電極」を含む「第１電極」ないし「第２電極」の「抵抗を低く抑える」ことができ、その結果、本願発明１に係る「不揮発性半導体記憶装置」が「高抵抗化と低抵抗化との電圧マージン」が大きくなり「良好な抵抗変化特性を有する」という効果は、引用発明及び引用文献２ないし引用文献５から当業者が予期し得たとは認められない。
　　キ　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし引用文献５から、当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
　（４）本願発明２ないし本願発明７について
　本願発明２ないし本願発明７は、いずれも、本願発明１をさらに限定したものであるので、本願発明１と同様に、引用文献に記載された発明及び引用文献２ないし引用文献５から当業者が容易に発明をすることができたとも認められない。
　（５）小括
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
　１　平成２８年１０月６日付けの当審拒絶理由について
　（１）平成２８年１０月６日付けの当審拒絶理由の概要
　当審より平成２８年１０月６日付けで通知した拒絶理由の概要は以下のとおりである。
「１．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）請求項１〜７、及び、請求項９〜１０について
　……
　以上から、「第１界面電極」と「第１外側電極」という２層構造を有する「第１電極」を含む「メモリセル」において、「前記第１電極の厚みは、前記抵抗変化層に形成されるフィラメント直径の０％より大きく、８０％以下」とする請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　請求項１を引用する請求項２〜７、及び、請求項１を引用する請求項９〜１０に係る発明も、同様の理由により、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（２）請求項８〜１０について
　……
　したがって、「前記第１界面電極及び前記第１外側電極中の窒素濃度は、前記第１界面電極から前記第１外側電極へ向かって連続的に減少している」という態様において、前記メモリセルが良好な抵抗変化特性を示す理由である「前記第１電極の厚みは、前記抵抗変化層に形成されるフィラメント直径」の「８０％以下であ」ることは、本願明細書には記載されていない。
　よって、請求項８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　請求項８を引用する請求項９〜１０に係る発明も、同様の理由により、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（３）請求項１、及び、請求項１を引用する請求項５〜６ないし請求項９〜１０について
……
　以上の記載から、「第１界面電極」が、「貴金属」を含まず「抵抗率は、前記第１外側電極の抵抗率よりも高」いという条件を満たせば、それが如何なる材料であっても、「高信頼な抵抗変化素子を実現する」という課題を解決することが、本願明細書に記載されているとは、認められない。
　以上から、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項５〜６ないし請求項９〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
  
（４）請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜５、請求項７〜１０には、「第１電極及び第２電極」を備えることは記載されているものの、前記「第２電極」の構成については何ら記載されていない。
　したがって、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜５、請求項７〜１０に係る発明における前記「第２電極」は、「貴金属を含まない」単一の層で均一な「抵抗率」を持つ材料からなるものを包含している。 
　しかしながら、「第２電極」を、「貴金属を含まない」単一の層で均一な「抵抗率」を持つ材料で形成することが、本願明細書に記載されているとは認められない。 
　よって、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜５、請求項７〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
  
（５）請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜４、６〜１０について
　請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜４、６〜１０には、「前記第１電極の厚みは、前記抵抗変化層に形成されるフィラメント直径の０％より大きく、８０％以下であり」、「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く」との記載はあるものの、「前記第１界面電極の膜厚」の具体的な範囲、特に「前記第１界面電極の膜厚」の下限については、何ら記載されていない。
　したがって、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜４、６〜１０に係る発明の「第１界面電極」は、たとえば、単原子膜からなる「電極」を包含している。
　これに対して、本願明細書には、たとえば、段落【００１２】〜【００１６】及び【００２６】に、「メモリセル」が「良好な抵抗変化特性を持つ」という課題を解決するため、「第１界面電極４２は、少なくとも下部電極５１と抵抗変化層４１との界面の酸化を防止する機能が求められているから、抵抗変化層４１の表面を確実に覆うべく、２原子層程度以上であることが好ましい。一方で、上記材料は抵抗率が高い傾向にあるので、下部電極５１の抵抗を低く抑えるべく、２０原子層程度以下とすることが好ましい。あるいは、膜厚１ｎｍ以上、１０ｎｍ程度であることが好ましい。」と記載されている。
　すなわち、本願明細書には、「メモリセル」が「良好な抵抗変化特性を持つ」という課題を解決するためには「少なくとも下部電極５１と抵抗変化層４１との界面の酸化を防止する機能が求められている」とともに「下部電極５１の抵抗を低く抑えるべく」、「第１界面電極の膜厚」を、「２原子層程度以上」かつ「２０原子層程度以下とする」か、あるいは、「１ｎｍ以上、１０ｎｍ程度であることが好ましい。」ことが記載されている。
　よって、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜４、６〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
  
２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）請求項１〜１０について
　請求項１には、「前記第１電極の厚みは、前記抵抗変化層に形成されるフィラメント直径の０％より大きく、８０％以下であり」と記載されている。
　一方、本願明細書の段落【０００７】には、フィラメントは抵抗変化層の「絶縁破壊」で形成されると記載されている。
　ここで、抵抗変化層内での前記「絶縁破壊」は当該抵抗変化層内の各部の状態に応じてランダムに発生すると認められるから、フィラメントは、必ずしも１個だけとは限らず、むしろ、複数個が、抵抗変化層内で不定形の形状で形成されると認められる。
　このように、不定形の形状で複数個形成される「フィラメント」の「直径」をどのように特定し評価するのか、本願明細書には何ら記載されておらず、また、当業者に自明であるとも認められない。
　以上から、請求項１に係る発明は明確でない。
　請求項１を引用する請求項２〜１０に係る発明も、同じ理由から明確でない。
  
（２）請求項８には、請求項７を引用して「前記第１界面電極及び前記第１外側電極中の窒素濃度は、前記第１界面電極から前記第１外側電極へ向かって連続的に減少している」と記載されている。
　上記の記載は、「前記第１界面電極」と「前記第１外側電極」とで「窒素濃度」が「連続的に減少している」こと、すなわち、「前記第１界面電極」と「前記第１外側電極」とで実質的には１つの「電極」を形成していることを、意味するものと認められる。
　そうすると、請求項８の「前記第１界面電極及び前記第１外側電極中の窒素濃度は、前記第１界面電極から前記第１外側電極へ向かって連続的に減少している」という記載は、請求項７の「前記第１外側電極は、金属の膜であり」、「前記第１界面電極は、前記金属の窒化物である」という記載、ないしは、請求項７が引用する請求項１の「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く」、「前記第１界面電極の抵抗率は、前記第１外側電極の抵抗率よりも高く」という記載と矛盾している。
　よって、請求項８、及び、請求項８を引用する請求項９〜１０に係る発明は明確でない。
  
３．この出願は、発明の詳細な説明の記載について下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
 　 
　本願明細書の段落【０００７】及び【０００９】を参照すると、「フィラメント」は抵抗変化素子の「初期化」ないし「低抵抗化」における「絶縁破壊」によって形成されることが記載されている。したがって、「フィラメント直径」の大きさは、「抵抗変化層」の材料特性や内部の状態、「フィラメント」を形成するための「初期化」ないし「低抵抗化」時における抵抗変化素子のバイアス条件等で変化すると解される。
　しかしながら、「初期化」ないし「低抵抗化」時に形成される「フィラメント」の大きさや、「フィラメント直径」を決定する具体的な条件については、本願明細書には何ら記載されておらず、また、これらの事項が当業者に自明であるとも認められない。
　また、理由２（１）で指摘したように、本願明細書には、形成された「フィラメント」の「フィラメント直径」の大きさを具体的にどのように特定し評価するのか、何ら記載されておらず、これが当業者に自明な事項であるとも認められない。
　以上のように、本願明細書において、「フィラメント直径」の大きさを特定する方法が不明である以上、「前記第１電極の厚み」を「前記抵抗変化層に形成されるフィラメント直径の０％より大きく、８０％以下」に設定する方法も不明であると認められる。
　したがって、「前記第１電極の厚みは、前記抵抗変化層に形成されるフィラメント直径の０％より大きく、８０％以下」である「不揮発性半導体記憶装置」をどのように製造するのか、本願明細書の記載からでは不明である。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜１０に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
　（２）平成２８年１０月６日付け当審拒絶理由に対する判断
　　ア　理由１（１）、理由１（２）、理由２（１）及び理由３について
　平成２８年１２月１２日付けの手続補正によって特許請求の範囲から「フィラメント（の形状）」に係る限定事項を削除する補正がなされた結果、本願発明１ないし本願発明７は「フィラメント直径」についての発明特定事項を有していない。
　したがって、理由１（１）、理由１（２）、理由２（１）及び理由３で指摘した理由によっては、もはや、本願発明１ないし本願発明７が本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものでないとすることも、本願発明１ないし本願発明７が明確でないとすることも、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１ないし本願発明７を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないとすることも、できない。
　よって、平成２８年１０月６日付け当審拒絶理由の理由１（１）、理由１（２）、理由２（１）及び理由３は解消した。
　　イ　理由１（３）について
　平成２９年４月２５日付けの手続補正によって、本願発明１の「第１界面電極」及び「第２界面電極」は、「貴金属を含まない」ものであって「窒化チタン又は窒化タンタルである」ものとなり、これにより、本願発明１ないし本願発明７は、発明の詳細な説明に記載されたものとなった。
　したがって、平成２８年１０月６日付け当審拒絶理由の理由１（３）は解消した。
　　ウ　理由１（４）について
　平成２８年１２月１２日付けの手続補正によって請求項１の「第２電極」が「第１電極」と同様に構成されていることを明確にする補正がなされた結果、本願発明１ないし本願発明７の「第２電極」は「第１電極」と同様に構成されているものとなった。
　したがって、理由１（４）で指摘した理由によっては、もはや、本願発明１ないし本願発明７が本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものでないとすることはできない。
　よって、平成２８年１０月６日付け当審拒絶理由の理由１（４）は解消した。
　　エ　理由１（５）について
　平成２８年１２月１２日付けの手続補正によって、「第１界面電極」及び「第２界面電極」の「膜厚」の下限が特定され、これにより、本願発明１の「第１界面電極」及び「第２界面電極」の「膜厚」は「１ｎｍ以上」であるものに特定された。
　したがって、理由１（５）で指摘した理由によっては、もはや、本願発明１ないし本願発明７が本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものでないとすることはできない。
　よって、平成２８年１０月６日付け当審拒絶理由の理由１（５）は解消した。
　　オ　理由２（２）について
　平成２８年１０月１２付けの手続補正によって、補正後の請求項７に記載の「窒素濃度が連続的に減少する」構成要素が「第１界面電極（および第２界面電極）」であることを明確にする補正がなされ、平成２９年４月２５日付けの手続補正によって、本願発明５において、「窒素濃度」が「前記第１界面電極から前記第１外側電極へ向かって連続的に減少して」いるのは「前記第１界面電極中の窒素濃度」であり、「窒素濃度」が「前記第２界面電極から前記第２外側電極へ向かって連続的に減少して」いるのは「前記第２界面電極中の窒素濃度」であると補正された。
　そして、これにより、本願発明５ないし本願発明７は明確になった。
　したがって、平成２８年１０月６日付け当審拒絶理由の理由２（２）は解消した。
　２　平成２９年２月２４日付けの最後の当審拒絶理由について
　（１）平成２９年２月２４日付けの最後の当審拒絶理由の概要
　当審より平成２９年２月２４日付けで通知した最後の拒絶理由の概要は以下のとおりである。
「１　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）請求項１には、「Ｒｕ（ルテニウム）又はＴｉＮｘ（窒化チタン）のいずれか一つを少なくとも含み、かつ、貴金属を含まない第１電極及び第２電極」と記載されている。
　しかしながら、 
　ア　本願明細書には、……抵抗変化素子の電極材料としてＲｕ（ルテニウム）を用いることは背景技術として本願明細書に記載されているのであって、当業者が出願時の技術常識に照らし前記「発明が解決しようとする課題」を解決できると認識できる範囲のものとして、「第１電極及び第２電極」が「Ｒｕ（ルテニウム）」を「少なくとも含」むことが、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されているとは、認められない。
　イ　請求項１の記載によれば、前記「第１電極及び第２電極」は、それぞれ、「第１外側電極」と「第１界面電極」、及び、「第２外側電極」と「第２界面電極」を有している。
　したがって、請求項１の上記の記載では、「Ｒｕ（ルテニウム）又はＴｉＮｘ（窒化チタン）のいずれか一つを少なくとも含み、かつ、貴金属を含まない」のは、前記「第１電極」の場合は「第１外側電極」と「第１界面電極」のうちのどれであるのか、前記「第２電極」の場合は「第２外側電極」と「第２界面電極」のうちのどれであるのか、不明である。
　ウ　また、上記アで指摘したように、「Ｒｕ（ルテニウム）」は貴金属の一つであることは、当業者の技術常識である。
　そうすると、請求項１の上記の記載によれば、「第１電極及び第２電極」は、貴金属である「Ｒｕ（ルテニウム）」を「少なくとも含み」、かつ、「貴金属を含まない」こととなるので、前記「第１電極及び第２電極」が、どのような電極材料で形成されるのか不明である。
 　エ　以上から、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでなく、明確でもない。
  
（２）請求項１には、「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり」、及び、「前記第２界面電極の膜厚は、前記第２外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり」と記載されている。
　しかしながら、 
　ア　請求項１には、「第１外側電極の膜厚」及び「第２外側電極の膜厚」は具体的に特定されていないため、「第１界面電極の膜厚」及び「第２界面電極の膜厚」は、その下限が「１ｎｍ以上」と特定されているだけで、上限は実質的には何ら特定されておらず、したがって、各「界面電極」の構成が不明りょうになっている。
　イ　本願明細書には、段落【００２６】に「第１界面電極４２は、少なくとも下部電極５１と抵抗変化層４１との界面の酸化を防止する機能が求められているから、抵抗変化層４１の表面を確実に覆うべく、２原子層程度以上であることが好ましい。一方で、上記材料は抵抗率が高い傾向にあるので、下部電極５１の抵抗を低く抑えるべく、２０原子層程度以下とすることが好ましい。あるいは、膜厚１ｎｍ以上、１０ｎｍ程度であることが好ましい。」と記載されている。
　すなわち、本願明細書には、上記（１）アで指摘した「発明が解決しようとする課題」を解決するために、「界面電極」の膜厚が１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であること、あるいは、「界面電極」の膜厚を２原子層程度以上、２０原子層程度以下とすることが記載されている。
  
　ウ　これに対して、請求項１に記載された「第１界面電極」及び「第２界面電極」は、上記アで指摘したように、「膜厚」が１０ｎｍを超えるもの、あるいは、２０原子層を超えるものを包含している。
　しかしながら、そのような「膜厚」の「第１界面電極」及び「第２界面電極」を有する「不揮発性半導体記憶装置」までもが、上記（１）アで指摘した「発明が解決しようとする課題」を解決できる発明として、本願明細書に記載されているとは認められない。
　エ　以上から、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項２〜４、６〜９に係る発明は、明確でなく、発明の詳細な説明に記載したものでもない。」
　（２）平成２９年２月２４日付けの最後の当審拒絶理由に対する判断
　　ア　理由１（１）について
　平成２９年４月２５日付けの手続補正によって、本願の請求項１に、「第１電極及び第２電極」は「貴金属を含まない」こと、「前記第１電極」は「第１外側電極」と「前記第１外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接し、窒化チタン又は窒化タンタルである第１界面電極」とを含むこと、「前記第２電極」は「第２外側電極」と「前記第２外側電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層に接し、窒化チタン又は窒化タンタルである第２界面電極」とを含むことという発明特定事項を追加する補正がなされた。
　この補正により、本願発明１において、「第１電極」を構成する「第１外側電極」と「第１界面電極」、「第２電極」を構成する「第２外側電極」と「第２界面電極」は、いずれも「貴金属を含まない」ものであり、これらの電極のうち、特に前記「第１界面電極」及び前記「第２界面電極」は「窒化チタン又は窒化タンタルである」ことが特定された。
　したがって、理由１（１）で指摘した理由によっては、もはや、本願発明１ないし本願発明７が、明確でないとも、本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものでないともすることはできない。
　よって、平成２９年２月２４日付け当審拒絶理由の理由１（１）は解消した。
　　イ　理由１（２）について
　平成２９年４月２５日付けの手続補正によって、本願発明１において、「前記第１界面電極の膜厚は、前記第１外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」、「前記第２界面電極の膜厚は、前記第２外側電極の膜厚よりも薄く、かつ、１ｎｍ以上であり、かつ、１０ｎｍ以下であり」と補正された。
　したがって、平成２９年２月２４日付け当審拒絶理由の理由１（２）は解消した。
　３　小括
　したがって、平成２８年１２月１２日付けの手続補正及び平成２９年４月２５日付けの手続補正によって、平成２８年１０月６日付けの当審拒絶理由の理由１ないし３、平成２９年２月２４日付けの最後の当審拒絶理由の理由１はすべて解消した。
　そうすると、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。