【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年4月5日(2016.4.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族求核置換により半結晶質ポリ（アリールエーテルケトン）を調製する方法であって、前記芳香族求核置換は求核剤を４，４′−ジフルオロベンゾフェノンと反応させることを含み、前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンは以下の不純物限界：
（ｉ）［２，４’−ジフルオロベンゾフェノン］＋［４−モノフルオロベンゾフェノン］≦１２５０ｐｐｍ（４，４’−ジフルオロベンゾフェノンと存在するすべての不純物との総重量に対する重量）
ただし、４，４’−ジフルオロベンゾフェノンにおける２，４’−ジフルオロベンゾフェノンおよび４−モノフルオロベンゾフェノンの量は、４，４’−ジフルオロベンゾフェノンをアセトンに溶解し、アセトン／脱イオン水の混合物を移動相として使用することによる液体クロマトグラフィー分析によって決定される、
及び
（ｉｉ）［塩素総含有率］≦０．０７５重量％
ただし、塩素総含有率は、アルゴンと酸素の混合物中で燃焼させ、該燃焼生成物を燃焼ガス流により滴定セル内へと運び、燃焼から生成される塩化水素を銀イオンで電量的に滴定することによる全有機ハロゲン分析によって決定される、
を満たし、
反応は、以下の不純物限界：
2015110778.tif 000001
ここで、ｐｐｍおよび重量％は、ジフェニルスルホンの全重量に対するものであり、面積％は、ジフェニルスルホンのすべてのＧＣピーク総面積に対する対象不純物のＧＣピーク面積の割合を表す、
の少なくとも１を満たすジフェニルスルホンの存在下で実行され、
ジフェニルスルホン中のモノクロロジフェニルスルホン及びモノメチルジフェニルスルホン含有量は、ジフェニルスルホンをアセトンに溶解し、不純物濃度をＣＧ  ＦＩＤピーク面積から計算される面積％として示すガスクロマトグラフィーにより決定され、
ジフェニルスルホン中のナトリウム、カリウム、及び鉄含有量は、灰化し、続いて誘導結合プラズマ原子分光分析による元素濃度の測定によって決定され、
ジフェニルスルフィド含有量は、ジフェニルスルホンをアセトニトリルに溶解し、アセトニトリル／脱イオン水の混合物を移動相として使用することによる液体クロマトグラフィー分析によって決定され、
アセトン中のジフェニルスルホンの色（ＡＰＨＡ）は、２５℃のアセトン８０ｇ中にジフェニルスルホン２０ｇの濃度で、分光光度計を用いて、ＡＰＨＡスケール（ＡＳＴＭ  Ｄ１２０９−００）においてＰｔ−Ｃｏ標準と比較した溶液の色を測定して決定され、
ジフェニルスルホン中の塩素総含有率は、アルゴンと酸素の混合物中で燃焼させ、該燃焼生成物を燃焼ガス流により滴定セル内へと運び、燃焼から生成される塩化水素を銀イオンで電量的に滴定することにより決定される、
方法。
【請求項２】
前記ジフェニルスルホンがモノメチルジフェニルスルホン、モノクロロジフェニルスルホン及び残留酸性についての不純物限界を満たす、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ジフェニルスルホンが、ナトリウム、鉄、ジフェニルスルフィド、及び２５℃のアセトン中の２０％溶液のＡＰＨＡの不純物限界を満たす、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンがさらに、以下の不純物限界：
［２，４’−ジフルオロベンゾフェノン］≦７５０ｐｐｍ
を満たす、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンがさらに、以下の不純物限界：
［２，４’−ジフルオロベンゾフェノン］≦７５０ｐｐｍ、及び
［４−モノフルオロベンゾフェノン］≦５００ｐｐｍ
を満たす、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンがさらに、以下の不純物限界：
［２，４’−ジフルオロベンゾフェノン］≦３００ｐｐｍ、及び
［４−モノフルオロベンゾフェノン］≦９５０ｐｐｍ
を満たす、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンがさらに、以下の不純物限界：
［クロロフルオロベンゾフェノン］≦５０００ｐｐｍ
を満たす、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンが、ＧＣ純度≦９９．９面積％を有する、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記４，４′−ジフルオロベンゾフェノンが、ＧＣ純度＜９９．９面積％を有する、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記求核剤が、ｐ−ヒドロキノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’−ビフェノール、１，４−ビス−（ｐ−ヒドロキシベンゾイル）ベンゼンおよび１，３−ビス−（ｐ−ヒドロキシベンゾイル）ベンゼンからなる群から選択される、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリ（アリールエーテルケトン）が、ポリ（エーテルエーテルケトン）（ＰＥＥＫ）である、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリ（アリールエーテルケトン）が、ポリ（エーテルケトン）（ＰＥＫ）である、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
粒状炭酸ナトリウムの存在下にて芳香族求核置換によって、前記求核剤を４，４′−ジフルオロベンゾフェノンと反応させる方法であって、前記粒状炭酸ナトリウムが、以下の粒径分布：
Ｄ９０≧４５μｍおよびＤ９０≦２５０μｍおよびＤ９９．５≦７１０μｍ
を有する、請求項１から１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
得られるポリ（アリールエーテルケトン）が、
融解熱（Ｊ／ｇ）≧６８．０−２６．６＊ＲＶ（ｄｌ／ｇ）を有し、該融解熱が、ＡＳＴＭ  Ｄ３４１８−０３、Ｅ１３５６−０３、Ｅ７９３−０６、Ｅ７９４−０６に従い、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＤＳＣ２９２０でのＤＳＣにより測定され、ＲＶが濃硫酸（１重量％／ｖｏｌ）中で２５℃にてＡＳＴＭ  Ｄ２８５７−９５（２００７）に従って測定される、ポリ（エーテルエーテルケトン）（ＰＥＥＫ）である、請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
ジフェニルスルホン中のモノクロロジフェニルスルホンおよびモノメチルジフェニルスルホン含有量は、以下に説明されるようにガスクロマトグラフィーによって決定することができる。ＧＣ分析は、Ｒｅｓｔｅｋ  ＲＴｘ−５ＭＳ、１５ｍ×内径０．２５ｍｍ×膜厚０．２５μのカラムを使用してＨＰ５８９０シリーズ１１ガスクロマトグラフで行われる。以下のＧＣ条件が用いられる：
ヘリウム流量：１ｍｌ／分
インジェクター温度：２５０℃
ＦＩＤ温度：２５０℃
オーブン温度プログラム：１００℃で１分間保持し、３０℃／分で２５０℃に昇温し、１分間保持する
総実行時間：１４分
注入体積：１μｌ
分割４０：１
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
アセトン５ｍｌ中にＤＰＳ０．２ｇを溶解することによって、試料を調製する。モノメチルジフェニルスルホン異性体のＧＣ保持時間は通常、８．０および８．１分であり、モノクロロジフェニルスルホンの保持時間は８．２分である。不純物の同定は、試料溶液で実施されるＧＣＭＳによって決定される。不純物濃度は、ＧＣ  ＦＩＤピーク面積から計算される面積％として示される。数種類の異性体が存在する場合、その濃度は、これらの異性体の合計を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
本発明の実施形態（Ｄ）に従った方法において、前記ジフェニルスルホンは好ましくは、モノメチルジフェニルスルホン、モノクロロジフェニルスルホンおよび残留酸性度の不純物限界を満たす。