【事件の表示】
　特願２０１２−　７２４４２「縦型窒化物半導体素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月　７日出願公開，特開２０１３−２０６９９０，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年３月２７日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　８月１０日　拒絶理由通知（同年８月１８日発送）
　　　同年１０月１５日　手続補正書・意見書
平成２８年　３月１０日　拒絶理由通知（最後・同年３月１５日発送）
　　　同年　５月１３日　手続補正書・意見書
　　　同年１０月１８日　補正の却下の決定（同年１１月１日発送）
　　　　　　　　　　　（平成２８年５月１３日　手続補正書について）
　　　同年１０月１８日　拒絶査定（同年１１月１日発送）
平成２９年　１月２６日　審判請求
第２　平成２８年１０月１８日付けの補正の却下の決定について
　請求人は，審判請求の理由において，平成２８年５月１３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）に係る標記補正の却下の決定（以下「本件決定」という。）について，その補正の却下の理由はいずれもあたらない旨の主張をしているので，まずこれについて検討する。
１　本件決定の理由
　本件決定の理由は，請求項１に係る発明の「半導体層の接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積となる」という発明特定事項は，当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであるから，特許法第１７条の２第３項の規定に違反し，仮にそうでないとしても，本件補正後の請求項１−４に記載された発明は，周知技術を勘案して，引用例１又は引用例２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができず，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定を満たさない，というものである。
　ここで，本件決定において引用された各刊行物は以下のとおりである。
−−−＜　引用例等一覧　＞−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
１　特開２００６−０７３８２２号公報
２　特開２００６−０７３６１９号公報
３　特開平１１−１６３４０３号公報
４　特開平５−３４３７４２号公報
５　特開２００７−２３４８６５号公報
６　特開２０１０−１１４４１１号公報
７　特開２００６−３１９３１１号公報
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２　本件補正
（１）本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書を補正するものであり，補正前後の特許請求の範囲については以下のものである。
〈補正前〉
「【請求項１】
　導電性基板と，前記導電性基板の一方の表面側に，第２の電極を介して接合された，窒化物からなる半導体層と，前記導電性基板の他方の表面に形成された金属層と，前記半導体層の接合表面と対向する表面に形成された第１の電極と，前記導電性基板と前記第２の電極との間に形成された電極材料または導電性材料からなる接合層と，を備える縦型窒化物半導体素子であって，
　前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有し，
　前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積であることを特徴とする縦型窒化物半導体素子。
　【請求項２】
　前記接合層は，前記第２の電極の表面に形成された第１の接合層，および，前記導電性基板の表面に形成された第２の接合層の少なくとも一層を有することを特徴とする請求項１に記載の縦型窒化物半導体素子。
　【請求項３】
　請求項１に記載の縦型窒化物半導体素子の製造方法であって，
　導電性基板と，絶縁性基板の表面に形成され，第２の電極が接合された窒化物からなる半導体層とを準備し，前記導電性基板および前記第２の電極の少なくとも一方に接合層を形成する準備工程と，
　前記導電性基板の一方の表面に，前記接合層を介して，前記準備工程で準備した前記半導体層を接合する接合工程と，
　前記半導体層から前記絶縁性基板を除去する基板除去工程と，
　前記半導体層に第１の電極を形成すると共に，前記導電性基板に金属層を形成する電極・金属層形成工程と，
　前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出して，前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積となるように，前記半導体層から前記導電性基板の厚さ方向の一部までを切削することによって当該導電性基板の残部を複数形成し，前記導電性基板の残部で互いが連結された複数の積層素子を作製する切削工程と，
　前記導電性基板の残部を分割し，前記フランジ部を有する複数の縦型窒化物半導体素子を作製する分割工程と，を含むことを特徴とする縦型窒化物半導体素子の製造方法。
　【請求項４】
　前記分割工程は，前記導電性基板の他方の表面側から，前記導電性基板の残部に分割線を形成することによって前記積層素子を分割することを特徴とする請求項３に記載の縦型窒化物半導体素子の製造方法。」
〈補正後〉
「【請求項１】導電性基板と，前記導電性基板の一方の表面側に，第２の電極を介して接合された，窒化物からなる半導体層と，前記導電性基板の他方の表面に形成された金属層と，前記半導体層の接合表面と対向する表面に形成された第１の電極と，前記導電性基板と前記第２の電極との間に形成された電極材料または導電性材料からなる接合層と，を備える縦型窒化物半導体素子であって，
　前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有し，
　前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積であり，
　前記フランジ部の延出長さが，前記半導体層の長さに対して０．１〜０．５倍であることを特徴とする縦型窒化物半導体素子。
　【請求項２】
　前記接合層は，前記第２の電極の表面に形成された第１の接合層，および，前記導電性基板の表面に形成された第２の接合層の少なくとも一層を有することを特徴とする請求項１に記載の縦型窒化物半導体素子。
　【請求項３】
　請求項１に記載の縦型窒化物半導体素子の製造方法であって，
　導電性基板と，絶縁性基板の表面に形成され，第２の電極が接合された窒化物からなる半導体層とを準備し，前記導電性基板および前記第２の電極の少なくとも一方に接合層を形成する準備工程と，
　前記導電性基板の一方の表面に，前記接合層を介して，前記準備工程で準備した前記半導体層を接合する接合工程と，
　前記半導体層から前記絶縁性基板を除去する基板除去工程と，
　前記半導体層に第１の電極を形成すると共に，前記導電性基板に金属層を形成する電極・金属層形成工程と，
　前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出して，前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積となるように，前記半導体層から前記導電性基板の厚さ方向の一部までを切削することによって当該導電性基板の残部を複数形成し，前記導電性基板の残部で互いが連結された複数の積層素子を作製する切削工程と，
　前記導電性基板の残部を分割し，前記フランジ部を有する複数の縦型窒化物半導体素子を作製する分割工程と，を含むことを特徴とする縦型窒化物半導体素子の製造方法。
　【請求項４】
　前記分割工程は，前記導電性基板の他方の表面側から，前記導電性基板の残部に分割線を形成することによって前記積層素子を分割することを特徴とする請求項３に記載の縦型窒化物半導体素子の製造方法。」
（２）補正事項の整理
《補正事項》
　補正前の請求項１の「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積である」を補正後の請求項１の「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積であり，　前記フランジ部の延出長さが，前記半導体層の長さに対して０．１〜０．５倍である」と補正すること。
３　本件補正の目的の適否についての検討
　前記補正事項は，補正前の「フランジ部」について，補正後の「前記フランジ部の延出長さが，前記半導体層の長さに対して０．１〜０．５倍である」として，補正前の請求項１の発明特定事項である「フランジ部」について技術的に限定するものである。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
４　本件補正の新規事項の追加の有無についての検討
（１）フランジ部について
　前記補正事項に係る，「フランジ部の延出長さが，前記半導体層の長さに対して０．１〜０．５倍である」ことは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００２１】に記載されている。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（２）各表面が同一面積であることについて
　本件補正後の請求項１に係る，「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積である」ことは，平成２７年１０月１５日にされた手続補正により加入されたものであり，当該手続補正に対して，平成２８年３月１０日付けの最後の拒絶理由通知において，当該事項の加入について特許法第１７条の２第３項の規定に違反する旨が通知されて，本件決定の理由の一つとなっているから，以下，この点について検討する。
ア　当初明細書等の記載
　当初明細書等には以下の記載がある（下線は当審で付加。以下同様。）。
「【００１７】
＜縦型窒化物半導体素子＞
　本発明に係る縦型窒化物半導体素子の実施の形態について，図面を参照して説明する。図１に示すように，縦型窒化物半導体素子１００は，導電性基板２０と，半導体層３０と，金属層７０と，第１の電極５０と，第２の電極６０と，接合層４０とを備える。そして，導電性基板２０は，フランジ部２１を有する。
　なお，本発明において，縦型窒化物半導体素子１００とは，導電性基板２０および半導体層３０を挟んで第１の電極５０，第２の電極６０および金属層７０とが対向するように上下方向（積層方向）に配置された半導体素子構造を持つものを言う。
　以下，縦型窒化物半導体素子（以下，半導体素子と称する）１００の各構成について説明する。
　【００１８】
　・・・（中略）・・・
　【００２３】
　そして，フランジ部２１の形成方法の詳細は，後記する半導体素子１００の製造方法の欄で説明するが，図４，図５に示すように，
導電性基板２０と半導体層３０とを接合した後，半導体層３０の側面３０ｂと導電性基板２０の側面２０ｂが露出するように，半導体層３０をエッチングし，エッチング後，導電性基板２０の厚さ方向の一部までを切削して形成される導電性基板２０の残部２２を分割することによってフランジ部２１が形成される
「【００４３】
（切削工程）
　
切削工程Ｓ５では，図５（ｂ）に示すように，半導体層３０の側面３０ｂと導電性基板２０の側面２０ｂが露出するように，絶縁性基板１０が除去された半導体層３０側から導電性基板２０の厚さ方向の一部までを切削することによって導電性基板２０の残部２２を複数形成して，導電性基板２０の残部２２で互いが連結された複数の積層素子１１０を作製する
　【００４４】
　詳細には，
絶縁性基板１０が除去された半導体層３０の表面側から，ＳｉＯ２等の絶縁膜８０までＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）を行い，その後，絶縁膜８０，接合層４０および導電性基板２０をダイサー等により切削する。例えばダイサー等により切込みを入れて厚さ方向に切溝を形成すると共に，導電性基板２０の一部を残すように導電性基板２０の厚さ方向の一部を切削する
　【００４５】
　溝部２３の間隔Ｌは，作製する複数の積層素子１１０（半導体素子）の大きさに相当する。そして，積層素子１１０（半導体素子）の大きさによって適宜設定するが，例えば，間隔Ｌは，ダイサーの刃の厚みにもよるが０．５ｍｍ〜３．０ｍｍである。また，溝部２３の深さＴ３は，導電性基板２０の残部２２の厚さが，前記したフランジ部２１の厚さＴ２となるように，適宜設定する。ここで，フランジ部２１の厚さＴ２は，導電性基板２０にＣｕＷを用いる場合，１０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
　【００４６】
　
溝部２３の形成方法としては，溝部２３が形成できれば特に限定されないが，電子線照射，ダイサー等を用いることができ，作業性に優れる点でダイサーを用いることが好ましい
　ここで，図５は以下のものであって，溝部２３の幅が一定であることが見て取れる。
イ　検討
　当初明細書等の記載からは，上記図５に示されているとおり，溝部２３の幅が一定であることが見て取れ，また，当初明細書等の全記載を見ても，溝部の幅を深さ方向について途中で変える旨の記載もない。
　ところで，上記アで摘記したとおり，溝部２３の形成方法として，具体的には，半導体層３０をエッチングし，その後ダイサーにより導電性基板に至るように切削することが，上記段落【００２３】及び【００４４】に記載されている。
　しかしながら，当初明細書等には，半導体層３０をエッチングすることによる技術的意義は何ら記載されておらず，また，「溝部２３の形成方法としては，溝部２３が形成できれば特に限定されない」（段落【００４６】）との記載もある。
　さらに，一般に，発光ダイオードを構成する半導体層をダイサーで切削することは，従来より慣用されていることでもある（例えば，特開平１１−１６３４０３号公報の段落【００３９】の記載を参照）。
　また，当初明細書等に記載されたものにおいて，半導体層３０がダイサーで切削されることにより，半導体層３０の切削加工面にダメージが生じ，当該切削加工面近傍における発光がいくらか減少するとしても，当該減少の程度が，従来技術に比して増大された半導体層主面の面積により発光面面積が増加するという効果を全く消滅するものとまではいえない。
　したがって，当初明細書等の記載からは，半導体層３０をエッチングし，その後ダイサーにより導電性基板に至るように切削するに際し，ダイサーの切削幅をエッチングによる加工幅と同等以上として切削して，溝部２３の全部において幅を一定とすることが排除されているとはいえない。
　よって，本件補正後の請求項１に係る，「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積である」ことは，当初明細書に記載されているといえる。
５　補正発明の独立特許要件についての検討
　上記３で検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる限定的減縮を目的とするものを含むから，以下においては，本件補正が，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
（１）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：特開２００６−７３８２２号公報
（ア）本件決定の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−７３８２２号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜６とともに，以下の記載がある。
「【００３０】
　以下，本発明を，図を用いて詳細に説明する。図１は，
本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の概略断面図である。本発明の窒化物系化合物半導体は，第一の導電性基板１１上に，第一のオーミック電極１２が形成され，当該第一のオーミック電極１２上に接着用金属層２０が形成され，当該接着用金属層２０の上に第二のオーミック電極１３が形成され，当該第二のオーミック電極１３上に窒化物系化合物半導体層３０が形成され，当該窒化物系化合物半導体層３０上に透明電極１７が形成され，当該透明電極１７上にパッド電極１８が形成されている。なお，窒化物系化合物半導体層３０には凹溝部５０が形成されている
【００３１】
　また，上記図１の窒化物系化合物半導体発光素子において，
第一の導電性基板１１の裏面には，オーミック電極１４がさらに形成され
第二のオーミック電極１３と第二の接着用金属層２２との間には，反射層１９が形成されている
【００３２】
　さらに，図１において，窒化物系化合物半導体層３０は，第一の導電性基板１１側から順番に，Ｐ型層３１，発光層３２およびＮ型層３３よりなる。発光素子として機能させるためである。また，
接着用金属層２０は，第一の接着用金属層２１と第二の接着用金属層２２とから構成されている
【００３３】
　・・・（中略）・・・
【００４０】
　なお，本発明において，上記の窒化物系化合物半導体層を形成した後，凹溝部を形成する。凹溝部の形成手段としては，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いることができ，凹溝の幅は，１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内が好ましい。１００μｍを超えるとであると，チップの取れ数が減少するという問題が生じるおそれがあり，１μｍ未満であると，チップを分割する際にうまく分割できないという問題が生じるおそれがあるためである。また，凹溝部の深さは，後述するように第二の基板に達するか，または，第二の基板の途中まで形成することが好ましい。
【００４１】
　なお，本発明において，窒化物系化合物半導体層は，第一の接着用金属層と接合する前に，すなわち，第一の導電性基板と接着する前に，予めバッファ層，Ｎ型層，発光層およびＰ型層をこの順番で第二の基板上に積層形成して，窒化物系化合物半導体発光素子構造体とするものである。
【００４２】
　すなわち，図２に示すように，第二の基板３５上に，バッファ層３６，Ｎ型層３３，発光層３２およびＰ型層３１をこの順番で積層成長し，窒化物系化合物半導体層を形成する。次いで，当該窒化物系化合物半導体層に，凹溝部５０をバッファ層３６に達する程度までまたは第二の基板の途中まで形成して窒化物系化合物半導体発光素子構造体とする。その後，凹溝部５０の形成されてない部分におけるＮ型層上に第二のオーミック電極１３，反射層１９，バリヤ層（図示せず），第二の接着用金属層２２をこの順番で蒸着法などにより形成する。その後，当該構造体中の第二の接着用金属層２２を第一の接着用金属層２１に接合する。
【００４３】
　このように，予め窒化物系化合物半導体発光素子構造体を形成しておくことにより，窒化物系半導体層と第一の導電性基板との接着性を確実にすることができ，また，窒化物系半導体層の凹溝部形成も容易に行うことができる。さらに，電極を半導体発光素子の上下に対向するように形成することができるものである。
【００４４】
　・・・（中略）・・・
【００４９】
　
本発明において，第一の導電性基板にも，凹溝部を形成していてもよい
【００５０】
　本発明において，上述したように，第一の導電性基板と窒化物系半導体層とを一体化するに際し，第一の導電性基板に予め凹溝部を形成しておき，その後窒化物半導体層と一体化してもよい。このように，第一の導電性基板および窒化物半導体層の両方に凹溝部を形成しておくことにより，接着の面積がさらに小さくなり，より確実な密着性を確保することができる。
【００５１】
　次に，本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法について説明する。本発明の窒化物系化合物半導体の製造方法によれば，第二の基板上に窒化物系化合物半導体を積層形成する工程と，該窒化物系化合物半導体に凹溝部を形成する工程と，該凹溝部を有する窒化物系化合物半導体上に第二のオーミック電極を形成する工程と，該第二のオーミック電極の上に第二の接着用金属層を形成する工程と，第一の導電性基板上に第一のオーミック電極を形成する工程と，該第一のオーミック電極上に第一の接着用金属層を形成する工程と，前記第一の接着用金属層と前記第二の接着用金属層とを接合する工程と，前記第二の基板を除去して前記窒化物系化合物半導体層の表面を露出させる工程と，該露出した表面に透明電極を形成する工程とを包含する。
【００５２】
　・・・（中略）・・・
【００５５】
　本発明の製造方法において，第二の接着用金属層と第一の接着用金属層とを接合する前に，第一の導電性基板に予め凹溝部を形成していることが好ましい。具体的には，図４に示すように，第一の導電性基板１１上に第一のオーミック電極１２および第一の接着用金属層２１を形成した後，エッチングにより凹溝部５１を形成するものである。その後，図５に示すように，上述の製造方法と同様に，第二の基板側の構造と第一の導電性基板側の構造とを一体化し，第二の基板を除去する。その後，第一の導電性基板において，凹溝部５１の底部Ｘから基板面に垂直な方向にスクライブラインを導入し，その後当該スクライブラインに沿って分割することにより，図６に示すような窒化物系化合物半導体発光素子を得ることができる。
【００５６】
　このように，第一の導電性基板にも凹溝部を形成していることにより，第一の接着用金属層と第二の接着用金属層との接合の際の面積がさらに小さくなるので，接合の強度をさらに増大させることができる。」
　ここで，図６は以下のものである。
（イ）図６に示された断面を参照すると，導電性基板１１には，凹溝部が形成されて，オーミック電極１４が設けられた面が，第一のオーミック電極１２が設けられた面よりも幅が広くなっていることが見て取れ，このことから，オーミック電極１４が設けられた面の面積が，第一のオーミック電極１２が設けられた面の面積よりも広いことがわかる。また，凹溝部５０は曲線として表されていることから，窒化物系化合物半導体発光素子を構成する各層の表面の面積が必ずしも同じとはいえないことがわかる。
（ウ）以上から，引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明１」という。）。
「窒化物系化合物半導体発光素子であって
第一の導電性基板１１上に，第一のオーミック電極１２が形成され，当該第一のオーミック電極１２上に接着用金属層２０が形成され，当該接着用金属層２０の上に第二のオーミック電極１３が形成され，当該第二のオーミック電極１３上に窒化物系化合物半導体層３０が形成され，当該窒化物系化合物半導体層３０上に透明電極１７が形成され，当該透明電極１７上にパッド電極１８が形成され，窒化物系化合物半導体層３０には凹溝部５０が形成されており，
　第一の導電性基板１１の裏面には，オーミック電極１４がさらに形成され，
　第二のオーミック電極１３と第二の接着用金属層２２との間には，反射層１９が形成されており，
　接着用金属層２０は，第一の接着用金属層２１と第二の接着用金属層２２とから構成されており，
　第一の導電性基板１１には，凹溝部が形成されて，オーミック電極１４が設けられた面の面積が，第一のオーミック電極１２が設けられた面の面積よりも広くなっている，
窒化物系化合物半導体発光素子。」
イ　引用例２：特開２００６−７３６１９号公報
（ア）本件決定の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−７３６１９号公報（以下「引用例２」という。）には，図１〜１０とともに，以下の記載がある。
「【００２７】
　（実施形態１）
　図１は，本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の概略断面図である。図１において，
本発明の窒化物系化合物半導体発光素子は，導電性基板１上に，少なくとも第一のオーミック電極，第一の接着用金属層２１，第二の接着用金属層３１および第二のオーミック電極３を含み，当該第二のオーミック電極３上に窒化物系化合物半導体層６０が形成されている。また，当該窒化物系化合物半導体層６０上には，発光素子として機能させるために必要な，透明電極７，パッド電極８およびボンディングワイヤ９が形成されている
【００２８】
　本発明において，上記窒化物系化合物半導体層は，図１に示すように，Ｐ型層４，発光層５およびＮ型層６をこの順に備える。このような半導体層の組成，層厚および物性等を調整することにより，所望の特性を有する発光を達成することができる。
【００２９】
　・・・（中略）・・・
【００３３】
　次に，本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を，図を用いて説明する。なお，以下の製法において例示する各層の寸法は一例であって，所望する発光素子の特性に応じて適宜調整することができる。
　・・・（中略）・・・
【００４０】
　次に，図５に示すように，図３に示した構成体と図４に示した構成体とを，第二の接着用金属層３１と第一の接着用金属層２１とが接合するようにして接合させる。具体的には，第一の接着用金属層２１としてのＡｕ層と第二の接着用金属層３１としてのＡｕＳｎ層上のＡｕ層とを対向させ，共晶接合法を用いて，温度２９０℃，圧力３００Ｎにて貼り付ける。
【００４１】
　次に，図６に示すように，支持基板１０を除去する。具体的には，ＹＡＧ−ＴＨＧレーザ（波長３５５ｎｍ）を鏡面研磨した支持基板１０側から照射し，支持基板１０と界面のＧａＮ材料からなるバッファ層１１とＮ型ＧａＮ材料からなるＮ型層６の一部を熱分解することにより支持基板１０を除去する。なお，図６において，図中の破線は，除去された支持基板１０，バッファ層１１およびＮ型層６の一部を示す。
【００４２】
　次に，図７に示すように，Ｎ型層６上にレジスト１２を形成し，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて，Ｎ型層６側からＰ型層４まで完全に除去し，第二のオーミック電極３の一主面５０を露出させて溝を形成する。ここで，ＲＩＥで露出させた溝の幅Ｘは，１μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。１μｍ未満であると，露出させた溝の表面にチップ化するための溝を形成することが困難なため，チップ分割ができないおそれがあり，１００μｍを超えると，溝の幅を広く取りすぎるため，一枚のウェハからチップの取れ率が減少してしまう。より好ましくは，１０μｍ以上３０μｍ以下である。なお，実施形態１においては，５０μｍとしている。
【００４３】
　次いで，図８に示すように，レジスト１２を除去し，支持基板１０が除去され露出されたＧａＮ材料からなるＮ型層６上にＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ２Ｏ３）からなる透明導電体電極７をほぼ全面に形成し，その中心部にボンディングパッド電極８としてＮ型ボンディングパッド電極（Ａｕ／Ｔｉ）を形成する。
【００４４】
　次に，図９に示すように，矢印の方向にＹＡＧ−ＴＨＧレーザ（波長３５５ｎｍ）を照射して，第二のオーミック電極３の一主面５０から導電性基板１の途中までに溝１３を形成する。次に，図１０に示すように，赤外線透過型スクライブ装置を用いて，溝１３に対向するように導電性基板裏面側からケガキ線１４を入れる。このケガキ線１４に沿って分割するとチップ化工程を完了することができる。さらに，ボンディングパッド８上にＡｕ材料からなるボンディングワイヤ９をボールボンディングする。これにより，図１に示すような本発明の窒化物系化合物半導体発光素子化工程を製造することができる。
【００４５】
　以上のように，本発明の窒化物系化合物半導体発光素子によれば，ＰＮ接合近傍をケガキまたは分割しない構造とするため，ケガキまたは分割用の溝を形成する領域において窒化物系化合物半導体層を完全に除去するかまたはＰ型層の途中まで除去することにより，チップ化工程でのケガキ時に発生するＰ層とＮ層の短絡がなくなりリーク電流の低減が可能となり，信頼性の良好な窒化物系化合物半導体発光素子が実現できる。
【００４６】
　また，露出したオーミック電極層を，レーザを用いて溝を形成し，さらにその溝に対向するように導電性基板側からも溝を形成しているため，接着用金属層の剥がれ，剥離等がなくなりチップ分割が容易になりチップの取れ率が向上する。なお，導電性基板裏面側からのケガキ線１４は導電性基板の裏面からＳｉをエッチングにより除去しそこにケガキ線を入れるとさらにチップ化が容易になる。」
　ここで，図１は以下のものである。
（イ）図１に示された断面を参照すると，第二のオーミック電極３よりも下の部分と，窒化物系化合物半導体層６０とは，その幅が異なるように表され，両者を構成する各層の表面の面積が必ずしも同じとはいえないことがわかる。
（ウ）以上から，引用例２には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明２」という。）。
「窒化物系化合物半導体発光素子であって，
　導電性基板１上に，少なくとも第一のオーミック電極，第一の接着用金属層２１，第二の接着用金属層３１および第二のオーミック電極３を含み，当該第二のオーミック電極３上に窒化物系化合物半導体層６０が形成されており，当該窒化物系化合物半導体層６０上には，発光素子として機能させるために必要な，透明電極７，パッド電極８およびボンディングワイヤ９が形成されている，
窒化物系化合物半導体発光素子。」
（２）対比
　上記引用発明１または２と，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）とを対比する。
ア　引用発明１との対比
　引用発明１の「第一の導電性基板１１」，「窒化物系化合物半導体層３０」，「透明電極１７」，「第二のオーミック電極１３」，「接着用金属層２０」，及び「オーミック電極１４」は，それぞれ，補正発明の「導電性基板」，「窒化物からなる半導体層」，「第１の電極」，「第２の電極」，「接合層」，及び「金属層」に相当する。
　また，引用発明１の，「第一の導電性基板１１には，凹溝部が形成されて，オーミック電極１４が設けられた面の面積が，第一のオーミック電極１２が設けられた面の面積よりも広くなっている」ことは，補正発明の「前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有」することに相当する。
　よって，引用発明１と補正発明とは，
「導電性基板と，前記導電性基板の一方の表面側に，第２の電極を介して接合された，窒化物からなる半導体層と，前記導電性基板の他方の表面に形成された金属層と，前記半導体層の接合表面と対向する表面に形成された第１の電極と，前記導電性基板と前記第２の電極との間に形成された電極材料または導電性材料からなる接合層と，を備える縦型窒化物半導体素子であって，
　前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有する縦型窒化物半導体素子。」
である点で一致する。
　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　補正発明は，「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積であ」るとの構成を備えるが，引用発明１はそのような構成を備えない点。
《相違点２》
　補正発明は，「前記フランジ部の延出長さが，前記半導体層の長さに対して０．１〜０．５倍である」と特定されているのに対して，引用発明１はそのような特定がされていない点。
イ　引用発明２との対比
　引用発明２の「導電性基板１」，「窒化物系化合物半導体層６０」，「透明電極７」，「第二のオーミック電極３」，及び「接着用金属層３１」は，それぞれ，補正発明の「導電性基板」，「窒化物からなる半導体層」，「第１の電極」，「第２の電極」及び「接合層」に相当する。
　よって，引用発明２と補正発明とは，
「導電性基板と，前記導電性基板の一方の表面側に，第２の電極を介して接合された，窒化物からなる半導体層と，前記半導体層の接合表面と対向する表面に形成された第１の電極と，前記導電性基板と前記第２の電極との間に形成された電極材料または導電性材料からなる接合層と，を備える縦型窒化物半導体素子。」
である点で一致する。
　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点３》
　補正発明は「導電性基板の他方の表面に形成された金属層」を備えるが，引用発明２はそのようなものを備えない点。
《相違点４》
　補正発明は，「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積であ」るとの構成を備えるが，引用発明２はそのような構成を備えない点。
《相違点５》
　補正発明は，「前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有」するとともに「前記フランジ部の延出長さが，前記半導体層の長さに対して０．１〜０．５倍であ」る構成を備えるが，引用発明２は，そのような構成を備えない点。
（３）判断
ア　上記（２）ア，イから，引用発明１と補正発明との相違点である《相違点１》は，引用発明２と補正発明との相違点である《相違点４》と同じものであるから，まずこの点について検討する。
イ　《相違点１》について
　前記（１）ア（イ）に記載したとおり，引用例１の図６に示された断面において，凹溝部５０は曲線として表されていることから，窒化物系化合物半導体発光素子を構成する各層の表面の面積が必ずしも同じとはいえないことがわかる。すなわち，補正発明の「前記半導体層の前記接合表面」に相当する窒化物系化合物半導体層３０の導電性基板１１側の表面と，補正発明の「前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面」に相当する窒化物系化合物半導体層３０の透明電極１７側の表面と，補正発明の「前記導電性基板の一方の前記表面」に相当する導電性基板１１の窒化物系化合物半導体層３０側の表面とは，同一の表面積とはいえない。
　また，引用発明１には，断面において，凹溝部５０が曲線として表される構造に代えて，凹溝部５０が垂直な直線として表されるように構成する旨の記載ないし示唆はない。
　引用例３及び４には，半導体層表面から支持基板表面にかけて各層の表面が同じ面積となるように構成することが記載されてはいるものの，引用例３及び４に記載された技術は，支持基板としてサファイア等を用いたときの素子分割時の課題（特に，引用例３の段落【０００４】〜【００１３】，引用例４の段落【０００４】〜【０００５】を参照。）に対応するものであるから，引用発明１に係る，導電性基板を用いたものに当該技術を適用する動機は生じ得ない。
　一方，補正発明は，相違点１に係る構成を備えることで，発光面積の増大という効果を奏するものである。
　よって，周知技術を勘案しても，相違点１は，引用発明１から当業者が容易に想到することができないものである。
ウ　《相違点４》について
　前記（１）イ（イ）に記載したとおり，引用例２の図１に示された断面を参照すると，第二のオーミック電極３よりも下の部分と，窒化物系化合物半導体層６０とは，その幅が異なるように表され，両者を構成する各層の表面の面積が必ずしも同じとはいえないことがわかる。すなわち，補正発明の「前記半導体層の前記接合表面」に相当する窒化物系化合物半導体層６０の導電性基板１側の表面と，補正発明の「前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面」に相当する窒化物系化合物半導体層６０の透明電極７側の表面と，補正発明の「前記導電性基板の一方の前記表面」に相当する導電性基板１の窒化物系化合物半導体層３０側の表面とは，同一の表面積とはいえない。
　そして，引用例２に記載されたものがそのような構成を備えることは，製造工程において，引用例２の段落【００４２】〜【００４６】に記載された製造工程において，ＲＩＥにより形成された溝と，ＹＡＧ−ＴＨＧレーザ照射により形成された溝１３を設けることにより生ずるものである。そして，引用例２には，第二のオーミック電極３よりも下の部分と，窒化物系化合物半導体層６０とが，幅が同じとなるように形成する旨の記載ないし示唆はない。
　引用例３及び４には，半導体層表面から支持基板表面にかけて各層の表面が同じ面積となるように構成する技術が記載されてはいるものの，上記イでの検討と同様に，引用発明２に係る，導電性基板を用いたものに当該技術を適用する動機は生じ得ない。
　一方，補正発明は，相違点４に係る構成を備えることで，発光面積の増大という効果を奏するものである。
　よって，周知技術を勘案しても，相違点４は，引用発明２から当業者が容易に想到することができないものである。
エ　よって，《相違点２》について検討するまでもなく，補正発明は引用発明１から当業者が容易に発明をすることができたものではなく，また，《相違点３》及び《相違点５》について検討するまでもなく，補正発明は引用発明２から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
オ　また，本件補正後の請求項２は，補正発明に係る構成を全て含むものであるから，上記検討と同様に，周知技術を勘案しても，引用発明１又は引用発明２から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
カ　本件補正後の請求項３，及び請求項３を引用する請求項４について検討する。
　請求項３は，「請求項１に記載の縦型窒化物半導体素子の製造方法」であって，「前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出して，前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積となるように，前記半導体層から前記導電性基板の厚さ方向の一部までを切削する」工程を備えるところ，上記検討のとおり，引用例１及び引用例２には，いずれも「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積であ」る構成が示されておらず，また，そのような構成となるように製造することも記載されていない。
　それゆえ，本件補正後の請求項３に係る発明は，周知技術を勘案しても，引用例１に記載された発明又は引用例２に記載された発明から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また，本件補正後の請求項３に係る構成を全て含む請求項４に係る発明についても，同様に，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであり，また，他に，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定を満たさない事項は発見しないので，本件補正は特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定を満たすものである。
６　小括
　以上のとおりであって，本件補正は適法にされたものであるから，平成２８年１０月１８日付けの補正の却下の決定は取り消すべきものである。
第３　本件発明について
１　本件発明
　上記第２　２〜６で検討したとおり，本件補正は適法にされたものであるから，本件発明は，前記第２　２（１）に〈補正後〉として記載したとおりのものである（以下においては，請求項１〜４に係る発明を，それぞれ「本件発明１」〜「本件発明４」という。）。
２　原査定の拒絶の理由について
　原査定の拒絶の理由は，本願に係る発明は，周知技術を勘案して，引用例１又は引用例２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず，また，平成２７年１０月１５日にされた手続補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものでないから特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないというものである。
３　検討
（１）特許法第２９条第２項の規定に関して
　上記第２　５（１）〜（３）で検討したとおり，本件発明１〜本件発明４は，周知技術を勘案しても，引用例１又は引用例２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許法第１７条の２第３項の規定に関して
ア　平成２７年１０月１５日にされた手続補正の内容
（ア）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面から延出するフランジ部を有し」を，補正後の請求項１の「前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有し」とすること。
（イ）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記フランジ部は，前記導電性基板と前記半導体層とを接合した後，前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出するように，前記半導体層から前記導電性基板の厚さ方向の一部までを切削して形成される当該導電性基板の残部を分割することによって形成される」を，補正後の請求項１の「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積である」とすること。
（ウ）補正事項３
　補正前の請求項３の「前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出するように，」を，補正後の請求項３の「前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出して，前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積となるように，」とすること。
イ　検討
（ア）補正事項１について
　「前記導電性基板は，他方の表面側に前記導電性基板の側面の一部から延出するフランジ部を有」することは，前記第２　４（２）アで摘記した，当初明細書等の段落【００４４】〜【００４６】の記載から明らかである。
（イ）補正事項２及び補正事項３について
　上記第２　４で検討したとおり，「前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積である」ことは当初明細書に記載されているといえる。
　また，同様に理由により，「前記半導体層の側面と前記導電性基板の側面が露出して，前記半導体層の前記接合表面と，前記接合表面と対向する前記半導体層の前記表面と，前記導電性基板の一方の前記表面とが同一面積となるように，」することも当初明細書に記載されているといえる。
ウ　小括
　以上のとおりであるから，平成２７年１０月１５日にされた手続補正は，特許法第１７条の２第３項の規定を満たすものである。
４　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１〜４に係る発明は，周知技術を勘案しても，引用発明１または引用発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず，また，平成２７年１０月１５日にされた手続補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。