【事件の表示】
　特願２０１１−１４２２４８「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月１０日出願公開、特開２０１３−　　８９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年６月２７日の出願であって、平成２７年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２８年１月１３日に拒絶査定不服審判が請求がされるととも手続補正書が提出され、同年２月９日付けで手続補正書（方式）が提出され、審判請求書の請求の理由が補正された。その後当審において、同年９月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月３０日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２９年１月６日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年３月１３日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　平成２９年３月１３日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２９年３月１３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　本件補正の内容
  本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１２を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１１と補正するとともに、明細書の発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前後の請求項１は、それぞれ次のとおりである。
　
（補正前）
 「【請求項１】
　サファイア基板と、
　前記サファイア基板上に開口部を有して形成された絶縁膜と、
　前記開口部内に形成された下地ＧａＮ層と、
　前記絶縁膜及び前記下地ＧａＮ層上に形成された中間バッファ層と、
　前記中間バッファ層上に形成されるとともにＩｎＧａＮウエル層を含む発光層とを少なくとも備え、
　前記中間バッファ層は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、前記ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率は、前記下地ＧａＮ層から前記発光層に向かって段階的に増加するとともに、前記発光層の前記ＩｎＧａＮウエル層のＩｎ組成比率よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。」
（補正後）
「【請求項１】
　サファイア基板と、
　前記サファイア基板上に
、三角形、菱形、六角形、円形、ストライプ、または選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状の
　
前記絶縁膜の
ＧａＮバッファ層と、
　
前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された
　
前
　前記中間バッファ層上に形成されるとともにＩｎＧａＮウエル層を含む発光層とを少なくとも備え、
　前記中間バッファ層は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、前記ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率は、前記下地ＧａＮ層から前記発光層に向かって段階的に増加するとともに、前記発光層の前記ＩｎＧａＮウエル層のＩｎ組成比率よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。」（下線は補正箇所に付加したもの。）
２　本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１に記載の「前記サファイア基板上に開口部を有して形成された絶縁膜」を、「前記サファイア基板上に、三角形、菱形、六角形、円形、ストライプ、または選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状の開口部を有して形成された絶縁膜」とすること。
［補正事項２］
　補正前の請求項１に記載の「前記開口部内に形成された下地ＧａＮ層」を、「前記絶縁膜の前記開口部内に形成されたＧａＮバッファ層と、前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された下地ＧａＮ層」とすること。
［補正事項３］
　補正前の請求項１に記載の「前記絶縁膜及び前記下地ＧａＮ層上に形成された中間バッファ層」を、「前記下地ＧａＮ層上に形成された中間バッファ層」とすること。
［補正事項４］
　補正前の明細書の段落【００１７】を補正すること。
（２）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　以下、補正事項１〜４について検討する。
ア　補正事項１について
（ア）補正事項１により補正された事項は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の段落【００７４】に記載されているから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（イ）補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「開口部」について、「三角形、菱形、六角形、円形、ストライプ、または選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状の」という構成を追加して、「開口部」を限定する補正であり、補正前の請求項に記載された発明と産業上の利用分野及び発明が解決しようとする課題が同一である。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
イ　補正事項２、３について
（ア）補正事項２により補正された事項は、当初明細書の段落【００７３】に、補正事項３により補正された事項は、当初明細書の段落【００３１】に記載されており、補正事項２及び３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項２及び３は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるから、いずれも特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（イ）補正事項２は、補正前の請求項１に記載の「前記開口部内に形成された下地ＧａＮ層」を、「前記絶縁膜の前記開口部内に形成されたＧａＮバッファ層」と補正するとともに、「前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された下地ＧａＮ層」との記載を付加するものであり、補正事項３は、補正前の請求項１に記載の「中間バッファ層」について、「前記絶縁膜及び前記下地ＧａＮ層上に形成された」との限定を「前記下地ＧａＮ層上に形成された」と補正するものである。
　したがって、補正事項２、３は、補正前の請求項１に記載の「『前記開口部内に形成された』下地ＧａＮ層」が、具体的には、発明の詳細な説明に記載のどの層が対応するのか不明瞭であったものを、「前記絶縁膜の前記開口部内に形成された」層は「ＧａＮバッファ層」であること、「下地ＧａＮ層」は「前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された」ものであること、及び「中間バッファ層」は「前記下地ＧａＮ層上に形成された」ものであることを明らかにするものであるから、「『明瞭でない記載』の不明瞭さ」を正して、「その記載本来の意味内容」を明らかにするものである。
　よって、補正事項２、３は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
ウ　補正事項４について
　補正事項４により補正された事項は、当初明細書の段落【００７３】及び【００７４】に記載されており、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
エ　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定の規定に適合するか）について、以下において検討する。 
　
（３）独立特許要件について 
ア　本件補正後の発明 
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 
 　　　 
イ　引用例の記載と引用発明 
（ア）引用例１：特開２００８−３４８４８号公報
　当審における、平成２９年１月６日付けで通知した最後の拒絶理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−３４８４８号公報（以下「引用例１」という。）には、「窒化物系発光素子」（発明の名称）に関して、図１〜１２とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。 
　
ａ「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
窒化物系発光素子
ｂ「【背景技術】
【０００２】
　発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、電流を光に変換させる周知の半導体発光素子で、１９６２年ＧａＡｓＰ化合物半導体を用いた赤色ＬＥＤが商品化したことを始めとして、ＧａＰ：Ｎ系列の緑色ＬＥＤと共に、情報通信機器をはじめとする電子装置の表示画像用光源として用いられてきている。
…（略）…
【０００９】
　一方、このようなＧａＮ系列半導体の成長が、他のIII−Ｖ族化合物半導体よりも難しい理由の一つに、高品質の基板、すなわち、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮなどの物質からなるウエハが存在しないことが挙げられる。
【００１０】
　この理由から、サファイアのような異種基板上にＬＥＤ構造を成長させることになるが、この場合、多くの欠陥が生じ、それらの欠陥はＬＥＤ性能に大きく影響することになる。
【００１１】
　このようなＧａＮ系列物質のＬＥＤの基本構造をみると、図１に示すように、ｎ−型半導体層１が配置され、このｎ−型半導体層１と隣接して量子井戸構造を持つ活性層２が配置され、この活性層２と隣接してｐ−型半導体層３が配置される。このようなＬＥＤ構造のエネルギーバンド構造を、図２に示す。
【００１２】
　このようなＬＥＤ構造は、基板４上に成長させた状態のもので、基板４上のバッファー層５上に形成される。
【００１３】
　以降、このようなＬＥＤ構造には電極（図示せず）が形成され、このような電極を通した電荷の注入によって発光が可能になる。」
ｃ「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
　本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、発光素子の歪（ｓｔｒａｉｎ）及び結晶欠陥を調節または抑制し、電子と正孔が活性層に効率的に閉じ込められるようにすることによって信頼性特性を向上させることができる
窒化物系発光素子
ｄ「【発明の効果】
【００１８】
　本発明の
窒化物系発光素子
ｅ「［第１実施例］
【００２６】
　図３は、本発明の第１実施例による構造を示すもので、
相互に異なるＩｎ組成を持つＩｎＧａＮからなる第１層１０とこれらのそれぞれの第１層１０をなす各層１１，１２，１３間に位置するＧａＮからなる第２層２０が、活性層３０の下側に配置された構造
【００２７】
　
このような構造は、基板４０上に形成されるｎ−型半導体層６０上に、上述した第１層１０と第２層２０が交互に配置されてなり、基板４０とｎ−型半導体層６０との間には非ドープのバッファー層５０が配置される
【００２８】
　これらの
第１層１０と第２層２０上には、量子井戸層と量子障壁層からなって量子井戸構造を持つ活性層３０が配置され、この活性層３０上にはｐ−型半導体層７０が形成される
【００２９】
　ここで、
第１層１０は、上部の層が下部のそれよりも大きいＩｎ組成を有し、それぞれ異なるＩｎ組成で形成される。すなわち、二番目のＩｎＧａＮ層１２は一番目のＩｎＧａＮ層１１よりも大きいＩｎ組成を持ち、三番目のＩｎＧａＮ層１３は二番目のＩｎＧａＮ層１２よりも大きいＩｎ組成を持つ
【００３０】
　
したがって、これらのＩｎＧａＮからなる第１層１０のＩｎ組成は、活性層３０に近づくほど活性層３０のＩｎ組成に近似するＩｎ組成を持つようになる。この場合、第１層１０のＩｎ組成は、活性層３０より小さいＩｎ組成を有する
【００３１】
　したがって、第１層１０のＩｎ組成が次第に増加することから、図４に示すように、エネルギーバンドギャップは活性層３０に近付くにつれて順次に低くなる。
【００３２】
　このような構造から、活性層３０のＩｎＧａＮ物質の成長時に、ｎ−型半導体層６０上に直接成長する場合に比べてより小さい歪または応力を受けるようになり、その結果、活性層３０において高品質のＩｎＧａＮ量子井戸層を成長させることができる。
【００３３】
　なお、図４に示すように、第１層１０のバンドギャップは次第に活性層３０に近似していくため、活性層３０の下に配置された第１層１０の３つのＩｎＧａＮ層１１，１２，１３に電荷（ｃａｒｒｉｅｒ）が捕獲されて効率よく
活性層３０のＩｎＧａＮ量子井戸層
【００３４】
　また、これらのＩｎＧａＮ層１１，１２，１３の間に配置される第２層２０は、各ＩｎＧａＮ層１１，１２，１３よりも薄く形成されることができる。
【００３５】
　したがって、第２層２０は電荷の流れを邪魔しない。
【００３６】
　上記のように、活性層３０と第１層１０がＩｎＧａＮからなり、第１層１０がＩｎｘＧａ１−ｘＮで表現される組成を有するとき、ｘは０．１〜０．１５（０．１≦ｘ≦０．１５）であることが好ましい。
【００３７】
　一方、活性層３０がＩｎＧａＮからなる場合、ＡｌとＩｎの組成を調節して第１層１０をＡｌＩｎＧａＮにしても良い。
【００３８】
　また、
第１層１０の厚さは５０〜１０００Åとし、第２層２０の厚さは５〜５００Åとする
【００３９】
　本実施例では、第１層１０と第２層２０がｎ−型半導体層６０と活性層３０との間に配置される場合について説明しているが、このような第１層１０と第２層２０は成長段階で活性層３０の下側に形成されるいずれの場合も適用可能である。
【００４０】
　したがって、もし活性層３０の下側にｐ−型半導体層７０が位置すると、第１層１０と第２層２０は活性層３０とｐ−型半導体層７０との間に位置することができる。
【００４１】
　また、本実施例では、活性層３０がＩｎＧａＮからなる例で説明したが、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどからなる場合も適用可能である。第２層２０も同様に、ＧａＮの他に、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどの物質でも形成可能である。
【００４２】
　本実施例では第１層１０をなす各層と第２層２０がそれぞれ３つの層（各第１層と各第２層がなす３対の層）からなる例で説明しているが、少なくとも２つの層（２対の層）であれば本発明の効果が発揮できる。
【００４３】
　場合によって、
第１層１０と第２層２０が交互に積層された構造
［第２実施例］
…（略）…
【００６０】
　第１実施例と同様に、第１層１０と第２層２０が交互に積層された構造は、活性層３０の一部と見なすことができる。すなわち、バンドギャップが変化する第１層１０は、厚さの変化する量子井戸層と見なすことができ、第１層１０同士間にそれぞれ位置する第２層１０は量子障壁層と見なすことができる。
［第３実施例］
【００６１】
　図６は、本発明の第３実施例による構造を示すもので、活性層３０とｎ−型半導体層６０との間、及び活性層３０とｐ−型半導体層７０との間に、第１層８０と第２層９０が交互に配置されて介在された構造を示している。
【００６２】
　すなわち、基板４０上に形成されるｎ−型半導体層６０上に、上述した第１層８０と第２層９０が交互に形成されることができ、基板４０とｎ−型半導体層６０との間には非ドープのバッファー層５０が配置されることができる。
【００６３】
　このような第１層８０と第２層９０の上には、量子井戸層と量子障壁層からなって量子井戸構造を持つ活性層３０が配置され、この活性層３０上には再び第１層８０と第２層９０が交互に配置され、その上にｐ−型半導体層７０が形成される。
…（略）…
【００６６】
　第１層８０は、
ｎ−型半導体層６０またはｐ−型半導体層７０をなすＧａＮ
ｆ「【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】一般の発光素子を例示する断面図である。
【図２】図１に示す構造のバンドダイヤグラムである。
【図３】本発明の第１実施例による構造を示す断面図である。
【図４】図３に示す構造のバンドダイヤグラムである。
【図５】本発明の第２実施例による構造を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施例による構造を示す断面図である。
…（略）…」
ｇ　図３、４は、以下のとおりである。
（イ）引用発明
　以上、図１〜６を参酌してまとめると、引用例１には、図３に示される「第１実施例」として、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「窒化物系発光素子であって、
　基板４０と、
　非ドープのバッファー層５０と、
　ｎ−型半導体層６０と、
　活性層３０とを備え、
　相互に異なるＩｎ組成を持つＩｎＧａＮからなる第１層１０とこれらのそれぞれの第１層１０をなす各層１１，１２，１３間に位置するＧａＮからなる第２層２０が活性層３０の下側に配置された構造が、基板４０上に形成されるｎ−型半導体層６０上に、上述した第１層１０と第２層２０が交互に配置されてなり、基板４０とｎ−型半導体層６０との間には非ドープのバッファー層５０が配置され、
　第１層１０と第２層２０上には、ＩｎＧａＮ量子井戸層と量子障壁層からなって量子井戸構造を持つ活性層３０が配置され、この活性層３０上にはｐ−型半導体層７０が形成され、
　第１層１０は、上部の層が下部のそれよりも大きいＩｎ組成を有し、それぞれ異なるＩｎ組成で形成され、すなわち、二番目のＩｎＧａＮ層１２は一番目のＩｎＧａＮ層１１よりも大きいＩｎ組成を持ち、三番目のＩｎＧａＮ層１３は二番目のＩｎＧａＮ層１２よりも大きいＩｎ組成を持ち、
　したがって、これらのＩｎＧａＮからなる第１層１０のＩｎ組成は、活性層３０に近づくほど活性層３０のＩｎ組成に近似するＩｎ組成を持つようになり、第１層１０のＩｎ組成は、活性層３０より小さいＩｎ組成を有し、
　第１層１０の厚さは５０〜１０００Åとし、第２層２０の厚さは５〜５００Åとし、
　第１層１０と第２層２０が交互に積層された構造を有する窒化物系発光素子。」
ウ　対比
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「窒化物系発光素子」、「相互に異なるＩｎ組成を持つＩｎＧａＮからなる第１層１０とこれらのそれぞれの第１層１０をなす各層１１，１２，１３間に位置するＧａＮからなる第２層２０」、及び「ＩｎＧａＮ量子井戸層と量子障壁層からなって量子井戸構造を持つ活性層３０」は、それぞれ、補正発明の「半導体発光素子」、「中間バッファ層」、及び「ＩｎＧａＮウエル層を含む発光層」に相当する。
　また、補正発明の「下地ＧａＮ層」と引用発明の「ｎ−型半導体層６０」とは、前者はその上に「中間バッファ層」や「発光層」が形成され、後者はその上に「第１層１０と第２層２０が交互に積層された構造」や「活性層３０」が形成されたものであることは明らかであるから、いずれも、「下地層」である点で共通する。
　更にまた、補正発明の「ＧａＮバッファ層」と引用発明の「非ドープのバッファー層５０」とは、「バッファ層」である点で共通する。
（イ）更に、引用発明では、「『相互に異なるＩｎ組成を持つＩｎＧａＮからなる第１層１０とこれらのそれぞれの第１層１０をなす各層１１，１２，１３間に位置するＧａＮからなる第２層２０』が、『配置された構造』が、『上述した第１層１０と第２層２０が交互に配置されてなり』」、「第１層１０と第２層２０が交互に配置された構造を有する」ものであること、及び、「第１層１０の厚さは５０〜１０００Åとし、第２層２０の厚さは５〜５００Å」の数値範囲も勘案すると、引用発明の「第１層１０と第２層２０が交互に積層された構造」は、補正発明の「複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造」に相当する。
（ウ）引用発明では、「第１層１０と第２層２０上には、ＩｎＧａＮ量子井戸層と量子障壁層からなって量子井戸構造を持つ活性層３０が配置され、この活性層３０上にはｐ−型半導体層７０が形成され、第１層１０は、上部の層が下部のそれよりも大きいＩｎ組成を有し、それぞれ異なるＩｎ組成で形成され、すなわち、二番目のＩｎＧａＮ層１２は一番目のＩｎＧａＮ層１１よりも大きいＩｎ組成を持ち、三番目のＩｎＧａＮ層１３は二番目のＩｎＧａＮ層１２よりも大きいＩｎ組成を持ち、したがって、これらのＩｎＧａＮからなる第１層１０のＩｎ組成は、活性層３０に近づくほど活性層３０のＩｎ組成に近似するＩｎ組成を持つようになり、第１層１０のＩｎ組成は、活性層３０より小さいＩｎ組成を有」するから、引用例１の図４も参照すると、補正発明と引用発明とは、「中間バッファ層」は、「前記ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率は、前記下地層から前記発光層に向かって段階的に増加するとともに、前記発光層の前記ＩｎＧａＮウエル層のＩｎ組成比率よりも小さ」い点で一致する。
（エ）したがって、補正発明と引用発明との一致点と相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板と、
　バッファ層と、
　前記バッファ層上に形成された下地層と、
　前記下地層上に形成された中間バッファ層と、
　前記中間バッファ層上に形成されるとともにＩｎＧａＮウエル層を含む発光層とを少なくとも備え、
　前記中間バッファ層は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、前記ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率は、前記下地層から前記発光層に向かって段階的に増加するとともに、前記発光層の前記ＩｎＧａＮウエル層のＩｎ組成比率よりも小さい半導体発光素子。」
＜相違点１＞
　相違点１を、相違点１−１〜相違点１−３に分けて示す。
・相違点１−１
　基板について、補正発明では、「サファイア基板」であるのに対し、引用発明では、「基板４０」が「サファイア基板」とは特定されていない点。
・相違点１−２
（その上に下地ＧａＮ層が形成された）バッファ層について、補正発明では、「ＧａＮバッファ層」であるのに対し、引用発明では、「非ドープのバッファー層５０」で、「ＧａＮバッファ層」とは特定されていない点。
・相違点１−３
　下地層について、補正発明では、「下地ＧａＮ層」であるのに対し、引用発明では、「ｎ−型半導体層６０」で、「ＧａＮ層」とは特定されていない点。
＜相違点２＞
　補正発明では、「『サファイア基板』と、『前記サファイア基板上に、三角形、菱形、六角形、円形、ストライプ、または選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状の開口部を有して形成された絶縁膜』と、『ＧａＮバッファ層』と、『下地ＧａＮ層』と、『中間バッファ層』」とを少なくとも備え、「ＧａＮバッファ層」は「前記絶縁膜の前記開口部内に形成されたＧａＮバッファ層」で、「下地ＧａＮ層」は「前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された下地ＧａＮ層」で、「中間バッファ層」は「前記下地ＧａＮ層上に形成された中間バッファ層」である。
　それに対し、引用発明では、「基板４０」と、「バッファー層５０」と、「ｎ−型半導体層６０」（下地層）と、（「活性層３０」と）を備え、「相互に異なるＩｎ組成を持つＩｎＧａＮからなる第１層１０とこれらのそれぞれの第１層１０をなす各層１１，１２，１３間に位置するＧａＮからなる第２層２０」（中間バッファ層）が配置されてなるものの、補正発明の「前記サファイア基板上に、三角形、菱形、六角形、円形、ストライプ、または選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状の開口部を有して形成された絶縁膜」を備える点について特定されておらず、そのため、「バッファー層５０」（バッファ層）が「前記絶縁膜の前記開口部内に形成された」ものである点、及び「ｎ−型半導体層６０」（下地層）が「前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された」ものである点について特定されていない点。
エ　判断
　以下、相違点１、２について検討する。
（ア）相違点１について
ａ　まず、相違点１−３について検討する。
　上記イ（ア）ｇの引用例１の図４から、層２０と層６０の伝導帯と価電子帯はいずれも等しいことが見てとれる。
　図４の層２０及び層６０は、それぞれ引用発明の「第２層２０」及び「ｎ−型半導体層６０」が対応すること、並びに、引用発明において、「第２層２０」は「ＧａＮからなる第２層２０」であることを勘案すると、図４から、「ｎ−型半導体層６０」は「ＧａＮからなる第２層２０」と組成が等しいことが示唆されているといえる。
　更に、引用例１の段落【００６６】には、第３実施例について、「ｎ−型半導体層６０またはｐ−型半導体層７０をなすＧａＮ」と記載されている。
　すなわち、引用例１には、「『ＧａＮ』からなる、ｎ−型半導体層６０」が開示されているといえる。
　よって、相違点１−３は、実質的なものではない。
ｂ　次に、仮に、相違点１−３が実質的なものであった場合について、相違点１−１〜１−３について、以下においてまとめて検討する。
　一般に、基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された下地層と、ＩｎＧａＮ層を含む発光層を備える半導体発光素子において、基板をサファイア基板、バッファ層をＧａＮバッファ層、及び下地層をＧａＮ層とすることは、下記の周知例１及び２に記載されているように、周知技術（以下「周知技術Ａ」という。）である。
　そして、引用発明の窒化物系発光素子は、「基板４０」と、「ｎ−型半導体層６０」（下地層）とを備え、「基板４０とｎ−型半導体層６０との間には非ドープのバッファー層５０が配置され」、「ＩｎＧａＮ量子井戸層」を含む「活性層３０」（発光層）を備えるものであるから、引用発明において、上記周知技術Ａに基づき、基板がサファイア基板、バッファ層がＧａＮバッファ層、及び下地層がＧａＮ層から、それぞれなる構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、仮に、相違点１−３が実質的なものであったとしても、引用発明において、上記周知技術Ａに基づき、相違点１−１〜１−３に係る補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（ａ）周知例１：特開２００４−５５６４６号公報
「【００７２】
［２．実施例２（ＧａＮ系青色ＬＥＤにハニカム構造を適用）］
　もう一つｐ型層が高抵抗になり電流拡散が難しいのはＧａＮである。図６に本発明を適用したＧａＮ系青色発光ダイオードの一例を示す。
サファイヤ基板２２の上に
ＧａＮバッファ層２３
ｎ型ＧａＮクラッド層２４、ＩｎＧａＮ活性層２５
（ｂ）周知例２：特開平１０−３３５７０２号公報
「【００１０】（実施例１）はじめに、本発明の第１の実施例である窒化物系化合物半導体発光ダイオードについて図１を用いて説明する。原料には、III族原料として有機金属であるトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびＶ族原料としてアンモニアガスを用いた。窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長前に、一般的な反応性イオンエッチング装置を用いて（０００１）面サファイア基板１表面をエッチング処理した。このエッチング処理に用いるガスはアルゴン、水素、窒素、メタン、エタン、塩素系等いずれでも構わない。そして、一般的な有機金属気相成長装置により、（０００１）面
サファイア基板１上に
ＧａＮバッファ層
２を堆積した
【００１１】まず、再結晶化したＧａＮバッファ層２上に、ｎ−ＧａＮコンタクト層（厚さ４μｍ、ｎ＝３×１０18ｃｍ-3）３、
ｎ−ＧａＮクラッド層
４
ＺｎドープＧａ
0.9
Ｉｎ
0.1
Ｎ活性層
５
を順次エピタキシャル成長した
ｃ　同様に、相違点１−３が実質的なものではない場合についても、引用発明において、上記周知技術Ａに基づき、基板がサファイア基板、及びバッファ層がＧａＮバッファ層から、それぞれなる構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、相違点１−３が実質的なものではない場合についても、引用発明において、上記周知技術Ａに基づき、相違点１−１及び１−２に係る補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（イ）相違点２について
　一般に、基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された下地層と、ＩｎＧａＮウエル層を含む発光層を備える半導体発光素子において、基板がサファイア基板で、当該サファイア基板上に、「サファイア基板を露出するように形成され、『選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状』の絶縁膜」、または「平行なストライプ形状、三角形状、若しくは六角形状の開口部を有する絶縁膜」を備え、かつ、バッファ層が、「前記絶縁膜に挟まれた基板上に配置されたバッファ層」、または「『前記絶縁膜の前記開口部内』に形成されたバッファ層」であり、下地層が、「『前記バッファ層及び前記絶縁膜上』に形成された」ものは、貫通転位を低下させることができるものであることは、下記の周知例３〜７に記載されているように、周知技術（以下「周知技術Ｂ」という。）である（「サファイア基板を露出するように形成され、『選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状』の絶縁膜」を備え、かつ、バッファ層が、「前記絶縁膜に挟まれた基板上に配置されたバッファ層」であるものについては、周知例３〜５を参照。「平行なストライプ形状、三角形状、若しくは六角形状の開口部を有する絶縁膜」を備え、かつ、バッファ層が、「『前記絶縁膜の前記開口部内』に形成されたバッファ層」であるものについては、周知例６、７を参照。）。
　しかも、周知例５には、半導体発光素子として、サファイア基板１０上の、バッファ層１６として低温ＧａＮバッファ層、第１半導体層１２ａとしてＧａＮ系半導体層が開示されている。また、周知例７に記載の第２の実施形態は、サファイア基板３０上に、低温ＧａＮバッファ層３２、アンドープＧａＮ下地層３３、ｎ型ＧａＮコンタクト層３５、ＭＱＷ構造を有するＩｎＧａＮ系活性層３８等を備えるものである。
　そして、引用発明の窒化物系発光素子は、活性層３０（発光層）が「ＩｎＧａＮ量子井戸層」を含むものであり、貫通転位を低下させることが望ましいことは明らかであるから、上記（ア）ｂ、ｃで検討したように、引用発明において、基板４０が「サファイア基板」からなる構成を採用する場合、上記周知技術Ｂに基づき、当該サファイア基板上に、「サファイア基板を露出するように形成され、『選択横方向エピタキシャル成長を阻害しないパターン形状』の絶縁膜」、または「平行なストライプ形状、三角形状、若しくは六角形状の開口部を有する絶縁膜」と、「前記絶縁膜に挟まれた基板上に配置されたバッファ層」、または「『前記絶縁膜の前記開口部内』に形成されたバッファ層」と、「『前記バッファ層及び前記絶縁膜上』に形成された下地層」を備える構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって、引用発明において、上記周知技術Ｂに基づき、相違点２に係る補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
ａ　周知例３：特開２００９−１９４３６５号公報
「【０００６】
  現在、
転位密度を１０
6
〜１０
7
ｃｍ
-2
程度まで低減できる有効な方法として確立している技術は、選択横方向成長の特性を生かしたＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）技術
「【００２７】
[第１の実施の形態]
（素子構造）
　本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子は、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、
基板１０と、基板１０上に配置された保護膜１８と、保護膜１８に挟まれた基板１０上および保護膜１８上に配置され,ｎ型不純物をドープされたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２上に配置された活性層１３と
を備える
【００２８】
　また、
保護膜１８に挟まれた基板１０上に配置されたバッファ層１６をさらに備えていても良い
「【００４７】
　異種基板上へ部分的に屈折率の異なる保護膜１８を形成した基板を作成し、さらに窒化物系半導体を直接上記の基板へエピタキシャル成長させ、発光素子を形成することにより、エピタキシャル成長層ー基板界面に凹凸を形成でき、光の散乱・回折が生じ、光取り出し効率が向上する。
【００４８】
　また、基板の加工が不要なため、コスト・工程的にも負担が少なく、生産性も優れている。
【００４９】
　保護膜１８の窓部分から直接エピタキシャル成長を行うことで、エピタキシャル成長プロセスを一度に統合できる。
【００５０】
　保護膜１８を覆うように、横方向成長（ＥＬＯ）させるため、結晶の貫通転位を曲げることができ、結晶性も向上する。
…（略）…
【００５２】
（詳細構造例）
　第１の実施の形態に係る半導体発光素子は、図１１に示すように、
基板１０と、基板１０上に配置された保護膜１８と、保護膜１８に挟まれた基板１０上に配置されたバッファ層１６と、バッファ層１６および保護膜１８上に配置され,ｎ型不純物が不純物添加されたｎ型半導体層１２と、
活性層１３と、
を備える
…（略）…
【００５６】
　
基板１０には
サファイア基板
基板１０上に保護膜１８を形成後、バッファ層１６、ｎ型半導体層１２
活性層１３
が順次積層される
【００５７】
（保護膜）
　保護膜１８は、発光波長に対して透明であり、かつ保護膜１８の屈折率は、基板１０の屈折率とほぼ等しい材料であることが必要である。例えば、保護膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、チタン酸化膜、アルミナ膜などで形成する。
【００５８】
　
サファイア基板
【００５９】
　保護膜１８のサイズとしては、例えば、幅最大約１０μｍ程度で、厚さは、例えば約１００ｎｍ以上、１μｍ程度が望ましい。
保護膜１８の形状は、
選択横方向エピタキシャル成長（ＥＬＯ）を阻害しないパターン形状ものが良い
【００６０】
　基板１０の裏面もしくはエピタキシャル成長層の上面から光を取り出す際、保護膜１８とエピタキシャル成長層の界面に凹凸が生じるため、光が散乱もしくは回折され、エピタキシャル成長層−異種基板界面の屈折率差によって全反射されていた光が、外へ効率よく取り出されることになる。」
「【００８８】
（活性層）
　
活性層１３は
多重量子井戸（ＭＱＷ）構造
…（略）…
【００９０】
　
井戸層３２１〜３２ｎは、例えばＩｎ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ（０＜ｘ＜１）層によって形成
「【０１３９】
（製造方法）
　第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図２乃至図８に示すように、基板１０を準備する工程と、
基板１０上に保護膜１８を形成する工程と、保護膜１８をパターニングし、基板１０を露出する工程と、保護膜１８に挟まれ,露出された基板１０および保護膜１８上にｎ型不純物をドープされたｎ型半導体層１２を横方向エピタキシャル成長により形成する工程と、ｎ型半導体層１２上に活性層１３を形成する工程
を有する
【０１４０】
　また、
基板１０を露出する工程後、保護膜１８に挟まれ, 露出された基板１０上にバッファ層１６を形成する工程をさらに有する
ｂ：周知例４：特開２０１１−９３８２号公報
「【０００６】
  現在、
転位密度を１０
6
〜１０
7
ｃｍ
-2
程度まで低減できる有効な方法として確立している技術は、選択横方向成長の特性を生かしたＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）技術
「【００２８】
[第１の実施の形態]
（素子構造）
　本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子は、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、
基板１０と、基板１０上に配置され、ナノサイズ加工された加工層１８と、加工層１８に挟まれた基板１０上および加工層１８上に配置され,ｎ型不純物をドープされたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２上に配置された活性層１３と
を備える
【００２９】
　加工層１８のパターンサイズはナノメータスケールであり、例えば、ナノインプリント技術を用いて基板成長面に充分な高さの凹凸構造を作製することによって、加工層１８のパターンを形成している。
【００３０】
　また、
加工層１８に挟まれた基板１０上に配置されたバッファ層１６をさらに備えていても良い
「【００３８】
　第１の実施の形態に係る半導体発光素子の基板１０の加工工程について、図３（ａ）〜図３（ｄ）及び図４（ａ）〜（ｄ）を参照して、以下に説明する。
【００３９】
（ａ）まず、図３（ａ）に示すように、基板１０として、例えば、サファイア基板を準備する。
【００４０】
（ｂ）次に、図３（ｂ）に示すように、基板１０の表面上に、加工層１８を形成する。加工層１８は、加工が容易な材料の層であり、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、チタン酸化膜、アルミナ膜などを適用することができる。
…（略）…
【００４５】
（ｇ）次に、図４（ｃ）に示すように、上記のレジストパターンを用いて、ＲＩＥなどのエッチング技術を用いて、
加工層１８を加工し、サファイア基板１０を露出させる
「【００６２】
（製造方法）
　第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図１５〜図２１に示すように、基板１０を準備する工程と、
基板１０上に、ナノサイズ加工された加工層１８を形成する工程と、加工層１８をパターニングし、基板１０を露出する工程と、加工層１８に挟まれ,露出された基板１０および加工層１８上にｎ型不純物をドープされたｎ型半導体層１２を横方向エピタキシャル成長により形成する工程と、ｎ型半導体層１２上に活性層１３を形成する工程と
を有する
【００６３】
　加工層１８のパターンサイズはナノメータスケールであり、例えば、ナノインプリント技術を用いて基板成長面に充分な高さの凹凸構造を作製することによって、加工層１８のパターンを形成している。
【００６４】
　また、基板１０を露出する工程後、加工層１８に挟まれ, 露出された基板１０上に
バッファ層１６を形成する工程をさらに有する
【００６５】
　以下、図１５〜図２１を参照して、第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法を説明する。以下に述べる半導体発光素子の製造方法は一例であり、変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。ここでは、基板１０にサファイア基板を適用する例を説明する。
【００６６】
（ａ）まず、図１５に示すように、サファイア基板１０を準備し、
サファイア基板１０上に加工層１８を形成後
ナノサイズ加工し、基板１０の表面を露出する
【００６７】
　
加工層１８の形状は
ストライプ等、横方向選択エピタキシャル成長（ＥＬＯ）を阻害しないパターン形状ものが良い
…（略）…
【００７４】
　例えば、
加工層１８のパターンをストライプ状に形成する場合
加工層１８の幅を約１〜４μｍ程度、繰り返しの周期を例えば約７μｍ程度とする
「【０１２２】
（活性層）
　また、
活性層１３は、バリア層とバリア層よりバンドギャップが小さい井戸層が交互に配置された積層構造を有し、インジウムを含む多重量子井戸からなる
【０１２３】
　また、バリア層は、ＧａＮよりなり、
井戸層は、Ｉｎ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ（０＜ｘ＜１）
ｃ：周知例５：特開２０１１−６０９１７号公報
「【００２７】
  [第１の実施の形態]
（素子構造）
　本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子は、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、第１屈折率を有する
基板１０と
基板１０上に配置され、
周期的凹凸加工された加工層１８と
加工層１８に挟まれた基板１０上および加工層１８上に配置され、第３屈折率を有し、ｎ型不純物をドープされた第１半導体層１２と
第１半導体層１２上に配置された活性層１３と
を備え
【００２８】
　
基板１０は、例えばサファイア基板で形成される
…（略）…
【００３５】
　また、第１の実施の形態に係る半導体発光素子は、図１（ａ）に示すように、加工層１８に挟まれた基板１０上に配置された
バッファ層１６をさらに備えていても良い
【００３６】
　バッファ層１６は、例えば、ＢsＡｌtＧａ1-uＮ(
０≦ｓ
０≦ｔ
０≦ｕ
【００３７】
　
第１半導体層１２
第３屈折率はバッファ層１６の屈折率の値と同じ
「【００８３】
（製造方法）
　第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図２０〜２５に示すように、第１屈折率を有する基板１０を準備する工程と、
基板１０上に、第２屈折率を有する加工層１８を形成する工程と、加工層１８をパターニングし、基板１０を露出する工程と、加工層１８に挟まれ、露出された基板１０および加工層１８上に、第３屈折率を有し、第１半導体層１２を形成する工程と、第１半導体層１２上に活性層１３を形成する工程と
を有する
【００８４】
　また、第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、加工層１８に挟まれた基板１０上に
バッファ層１６を形成する工程を有していても良い
【００８５】
（ａ）まず、図２０に示すように、サファイア基板１０上に、周期的凹凸加工するための加工層１８を一様に堆積する。加工層１８は、例えば、…（略）…
【００８６】
（ｂ）次に、図２１に示すように、フォトリソグラフィなどを用いてパターニングを実施し、所定のパターンサイズにエッチング加工することによって、
加工層１８の凹凸の周期構造を形成する
サファイア基板１０が露出される
【００８７】
（ｃ）次に、図２２に示すように、
加工層１８に挟まれたサファイア基板１０上および加工層１８上に、Ｂ
w
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x
Ｉｎ
z
Ｎ(０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＝ｗ＋ｙ＋ｚ)系半導体層からなる第１半導体層１２ａを堆積する
【００８８】
　詳細には、
加工層１８に挟まれたサファイア基板１０上にＢ
w
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x
Ｉｎ
z
Ｎ(０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＝ｗ＋ｙ＋ｚ)系半導体層からなるバッファ層１６を形成し
Ｂ
w
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x
Ｉｎ
z
Ｎ(０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＝ｗ＋ｙ＋ｚ)系半導体層からなる第１半導体層１２ａを堆積する
【００８９】
　
バッファ層１６は
低温ＧａＮバッファ層
【００９０】
　
第１半導体層１２ａは
ＧａＮ
などを堆積する
【００９１】
　バッファ層１６、第１半導体層１２ａのいずれか一方若しくは両方ともにｎ型ドーパントであるＳｉがドーピングされていても良い。
【００９２】
　
第１半導体層１２ａは、バッファ層１６の屈折率の値と同じ
【００９３】
（ｄ）次に、図２３に示すように、第１半導体層１２ａの形成後、ｎ型ＢＡｌＧａＩｎＮ層１２ｂを形成する。第１半導体層１２ａの形成後には、生産性を向上させるために、必要に応じて堆積装置を変更しても良い。例えば、縦型の反応炉を持つＭＯＣＶＤ装置から、別の縦型反応炉を持つＭＯＣＶＤ装置に変更する、もしくは横型反応炉のＭＯＣＶＤ装置へ変更することも可能である。ｎ型ＢＡｌＧａＩｎＮ層１２ｂを形成後は、活性層１３を形成前に、必要に応じて、超格子構造を導入することも可能である。例えば、Ｉｎ0.09Ｇａ0.91Ｎ（０．７ｎｍ）／ＧａＮ（２．６ｎｍ）の４０周期の超格子構造を導入する。超格子構造は、Ｓｉがドーピングされていても良く、濃度は、例えば、約４×１０18ｃｍ-3程度である。
【００９４】
（ｅ）次に、図２３に示すように、ｎ型ＢＡｌＧａＩｎＮ層１２ｂを形成後、活性層１３を形成する。
活性層１３は、量子井戸構造を有し
井戸層としてＩｎ
0.09
Ｇａ
0.91
Ｎ
「【０１０７】
（横方向成長工程）
　第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法において、横方向成長の一工程を説明する模式的断面構造は、図２６〜図３２に示すように、第１屈折率を有する基板１０を準備する工程と、
基板１０上に、第２屈折率を有する加工層１８を形成する工程と、加工層１８をパターニングし、基板１０を露出する工程と、加工層１８に挟まれ、露出された基板１０および加工層１８上に、第３屈折率を有し、ｎ型不純物をドープされた第１半導体層１２を横方向エピタキシャル成長により形成する工程と、第１半導体層１２上に活性層１３を形成する工程
を有する
【０１０８】
　また、基板１０を露出する工程後、
加工層１８に挟まれ、露出された基板１０上にバッファ層１６を形成する工程をさらに有する
【０１０９】
　以下、図２６〜図３２を参照して、横方向成長工程を説明する。以下に述べる横方向成長工程は一例であり、変形例を含めて、これ以外の種々の工程により実現可能であることは勿論である。ここでは、基板１０にサファイア基板を適用する例を説明する。
【０１１０】
（ａ）まず、図２６に示すように、サファイア基板１０を準備し、
サファイア基板１０上に加工層１８を形成後、周期的凹凸加工し、基板１０の表面を露出する
【０１１１】
　
加工層１８の形状は
ストライプ等、横方向選択エピタキシャル成長（ＥＬＯ）を阻害しないパターン形状ものが良い
…（略）…
【０１１５】
  加工層１８を埋めるため、途中からピタキシャル成長条件を横方向成長を促進させる条件に変えても良い。横方向成長を促進させるためには、例えば、結晶成長時のガス系の圧力を変化させると良い。第１のステップとして、例えば約１０５０℃で、約１００Ｔｏｒｒで約１μｍ程度成長後、第２のステップとして、例えば約１０５０℃で、約２００Ｔｏｒｒで約１.５μｍ程度成長させることができる。このように第１半導体層１２を形成することによって、
ＥＬＯによる貫通転位密度の低減効果
…（略）…
【０１１８】
　例えば、
加工層１８のパターンをストライプ状に形成する場
加工層１８の幅を約１〜５μｍ程度、繰り返しの周期を例えば約１．２〜７μｍ程度とする
ｄ：周知例６：特開平１１−３１８６４号公報
「【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウムの結晶成長方法に関し、特に、転位密度の低い窒化ガリウムの結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウムは、燐化インジウムや砒化ガリウムといった従来の一般的な化合物半導体に比べ、禁制帯幅エネルギーが大きい。そのため、窒化ガリウム系化合物半導体は緑から紫外にかけての発光素子、特に半導体レーザ（以下単にレーザと略記する）への応用が期待されている。
【０００３】従来、代表的な窒化ガリウム系化合物半導体である窒化ガリウムは、有機金属化学気相成長（以下ＭＯＶＰＥと略記する）法により、（１１−２０）面または（０００１）面を表面とするサファイア基板上に形成されることが一般的であった。
【０００４】図１８は、このような従来の技術の窒化ガリウムの結晶成長方法によりサファイア（０００１）面基板上に形成された代表的な窒化ガリウム系レーザの概略断面図である（S. Nakamura et al., Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74)。図１８において、この窒化ガリウム系レーザは、（０００１）面を表面とする
サファイア基板１０１上に、
窒化ガリウム低温成長バッファ層１８０２
Ｉｎ
0.2 
Ｇａ
0.8
Ｎ量子井戸層と
からなる２６周期の多重量子井戸構造活性層１８０７
【０００５】図１９は、やはり上述の従来技術の結晶成長法によりサファイア（１１−２０）面基板上に形成された代表的な窒化ガリウム系レーザの概略断面図である（S.Nakamura et al., Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L217) 。図１９において、この窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面を表面とする
サファイア基板１９０１上に
窒化ガリウム低温成長バッファ層１９０２
Ｉｎ
0.2
 Ｇａ
0.8 
Ｎ量子井戸層と
からなる２０周期の多重量子井戸構造活性層１９０７
【０００６】このような従来技術の結晶成長法により形成された窒化ガリウムは、貫通転位密度が高いという問題点がある。よって、その貫通転位密度を低減するために、改善された窒化ガリウムの結晶成長法もいくつか考案されている。」
「【００２７】実施例５
サファイア基板上の窒化ガリウムの選択成長とマストランスポートを用いて、
窒化ガリウム層の貫通転位密度を低減した
【００２８】
サファイア（０００１）面基板１０１上に
ストライプ状の開口部を持つ
酸化珪素マスク１０３を形成した
窒化ガリウム低温成長バッファ層１８０２を形成した後に
窒化ガリウム層１０４の形成を開始した
ｅ：周知例７：特開２０００−２１７８９号公報
「【００４８】（第１の実施形態）図１乃至３は、本発明の第１の実施形態に係わる窒化物系半導体素子の構造を説明するための図で、図１および図２は断面図、図３は斜視図である。
【００４９】本実施形態では、従来法及び本発明による方法で、（０００１）面に平行な主面を有するサファイア基板上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりＧａＮ層を形成する場合について説明する。また、従来法及び本発明による方法で作成したＧａＮ層の結晶特性を比較した結果を示す。
【００５０】図１は、
従来法
【００５１】まず、
サファイア基板１０上に
ＧａＮバッファ層１２を
成長し
【００５２】次に、サファイア基板１０上にＧａＮバッファ層１２を介して、高温ＧａＮ層１３を成長する方法についての詳細を説明する。
【００５３】まず、有機洗浄，酸洗浄によって処理されたサファイア基板１０を、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に導入し、高周波加熱されるサセプタ上に設置した。次いで、常圧で水素を２５Ｌ／分の流量で流しながら、温度１２００℃で約１０分間だけ気相エッチングを施し、表面にできた自然酸化膜を除去した。
【００５４】次いで、サファイア基板１０上に、ＧａＮバッファ層１２を成長温度５５０℃で４分間、厚さ４０ｎｍに成膜した。本実験では成長時のキャリアガスとして水素が２０．５Ｌ／分、原料ガスとしてしアンモニアが９．５Ｌ／分、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）を２５ｃｃ／分流した。また、バッファ層１２を成長後、基板温度を１２分間で１１００℃に昇温し、１１００℃に到達したらＧａＮ層１３を１時間成長し、２μｍの膜厚に形成した。
【００５５】次いで、このようにして得られた高温成長ＧａＮ層１３について、モフォロジ観察及びＸ線回折法によるロッキンカーブの半値幅の測定，ホール効果測定を行った。その結果、表面平坦性の極めて良いＧａＮ層１３が得られたことが判明した。Ｘ線半値幅は３．２ arcmin 、キャリア濃度６×１０16ｃｍ-3（ｎ型）、ホール移動度５００ｃｍ2 ／Ｖ・sec と、従来法で作成したＧａＮ層としては、比較的良好な結晶特性が得られた。また、この試料について断面から透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行ったところ、高温成長ＧａＮ層１３中の貫通転位密度は約３×１０8 ｃｍ-2であり、従来法で作成したＧａＮ層としては低転位密度の結晶が得られた。
【００５６】次に、
本発明による方法
【００５７】まず、図３に示すように、
サファイア基板２０上に
１０μｍ間隔で直径２μｍの開口部２１ａを有するＳｉＯ
2 
から成るマスク２１を形成する
【００５８】次いで、
マスク２１を形成したサファイア基板２０上に、ＧａＮバッファ層２２を
成膜し
形成した
【００５９】次いで、このようにして得られた高温成長ＧａＮ層２３について、モフォロジ観察及びＸ線回折法によるロッキンカーブの半値幅の測定，ホール効果測定を行った。その結果、表面平坦性の極めて優れたＧａＮ層２３が得られ、Ｘ線半値幅は１．２ arcmin 、キャリア濃度５×１０15ｃｍ-3（ｎ型）、ホール移動度９００ｃｍ2 ／Ｖ・sec と、
従来法では得られなかった高品質の結晶が得られた
高温成長ＧａＮ層２３中の貫通転位密度は
従来法で作成したＧａＮ層の貫通転位密度の約１／１００であった
【００６０】また、断面ＴＥＭ観察によると、貫通転位２５はＳｉＯ2 マスク２１のほぼ中央部にのみ存在しており、その他の部分には殆ど結晶欠陥は無かった。これは、マスク２１の開口部２１ａが成長核となり、マスク２１上ではラテラル成長が促進され、マスク２１の中央部で各々の開口部２１ａからラテラル成長した各島が合体し、転位が形成されるためと考えられる。
【００６１】なお、本実施形態では、低温バッファ層２２を設け、その上部に高温成長ＧａＮ層２３を形成したが、本発明による製造方法によれば、マスク２１に形成する開口部２１ａの面積が本実施形態のように小さい場合には、低温バッファ層無しでも同様の効果が得られる。
【００６２】このように本実施形態によれば、
サファイア基板２０上に開口２１ａを有するＳｉＯ
2 
マスク２１を設け、マスク２１の開口２１ａを種にして低温成長ＧａＮバッファ層２２
を形成する
従来よりも貫通転位を低減することができる
「【００６４】（第２の実施形態）図４は、本発明の第２の実施形態に係わる窒化物系半導体レーザの素子構造を示す断面図である。
【００６５】
サファイア基板３０上に
低温ＧａＮバッファ層３２が形成されている
マスク３１及びバッファ層３２上には、ラテラル成長を利用してアンドープＧａＮ下地層３３が形成されている
【００６６】
ＧａＮ下地層３３上には
ｎ型ＧａＮコンタクト層３５
多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有するＩｎＧａＮ系活性層３８
がこの順で形成されている
「【０１１１】（第７の実施形態）図９、図１０は本発明の第７の実施形態に係わる窒化物系半導体レーザを説明するための図で、図９は素子構造断面図、図１０はマスクパターンの平面図である。
【０１１２】図９において、
１０１はサファイア基板
１０２はマスクとしてのＳｉＯ
2 
層（０．３μｍ）
１０３はアンドープＧａＮ層（３μｍ
活性層１０８は、ＩｎＧａＮ量子井戸（アンドープ，Ｉｎ
0.2
 Ｇａ
0.8 
Ｎ，３ｎｍ）が５層とそれを挟むＩｎＧａＮ障壁層（アンドープ，Ｉｎ
0.05
Ｇａ
0.95
Ｎ，６ｎｍ）からなる量子井戸構造（ＳＣＨ−ＭＱＷ）となっている
【０１１３】さらに、…（略）…
【０１１４】図９で示す構造の製造方法は、以下の通りである。まず、
サファイア基板１０１上に
六角形に開口したマスクを形成する
…（略）…
【０１２３】なお、本実施形態では、図１０（ａ）で示した
六角形の開口パターンを有するＳｉＯ
2 
マスク１０２を用いたが
三角形の開口パターンを有するマスクを用いた場合でも同様の効果を得ることができた
（ウ）判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから、相違点１−３は実質的なものではなく、引用発明において、周知技術Ａ及びＢに基づいて、相違点１（相違点１−１、１−２）及び相違点２に係る補正発明の構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　また、仮に、相違点１−３が実質的なものであったとしても、引用発明において、周知技術Ａ及びＢに基づいて、相違点１（相違点１−１〜１−３）及び相違点２に係る補正発明の構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、補正発明によって当業者が予期し得ない格別の効果が奏されるとは認められず、補正発明は当業者が容易に発明をすることができたものというほかない。
　したがって、補正発明は、引用発明並びに周知技術Ａ及びＢに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、補正発明は、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
オ　独立特許要件についてのまとめ
　よって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下され、本願は、「半導体発光素子」に関するものと認められ、その特許請求の範囲の請求項１には、以下のとおり記載されている。
「【請求項１】
　サファイア基板と、
　前記サファイア基板上に開口部を有して形成された絶縁膜と、
　前記開口部内に形成された下地ＧａＮ層と、
　前記絶縁膜及び前記下地ＧａＮ層上に形成された中間バッファ層と、
　前記中間バッファ層上に形成されるとともにＩｎＧａＮウエル層を含む発光層とを少なくとも備え、
　前記中間バッファ層は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、前記ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率は、前記下地ＧａＮ層から前記発光層に向かって段階的に増加するとともに、前記発光層の前記ＩｎＧａＮウエル層のＩｎ組成比率よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　当審における、平成２９年１月６日付けで通知した最後の拒絶理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−３４８４８号公報（引用例１、再掲）には、「窒化物系発光素子」（発明の名称）に関して、図１〜１２とともに上記「第２　２（３）イ（ア）引用例１」に記載した事項が記載されており、引用例１には上記「第２　２（３）イ（イ）引用発明」に記載したとおりの引用発明が記載されている。
  
３　対比・判断
　上記１に記載した本願発明について、検討する。
　平成２９年１月６日付けで通知した最後の拒絶理由の理由２（サポート要件）及び理由３（明確性）の概要は、理由２（サポート要件）、本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないというもの、及び、理由３（明確性）、本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないというものである。
　これに対し、請求人は、平成２９年３月１３日に提出された意見書で、「本意見書と同日付けで別途提出した手続補正書により、…請求項１の記載を補正した。…、補正後の請求項１の補正事項「前記絶縁膜の前記開口部内に形成されたＧａＮバッファ層と、前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された…中間バッファ層と、」は、拒絶の理由２（サポート要件）及び理由３（明確性）を解消するためにしたものであって、当初明細書の段落［００７３］の記載などに基づく。」と主張している。
　上記意見書の主張によると、本件補正のうち、上記第２、２（１）補正事項の整理の［補正事項２］及び［補正事項３］は、拒絶の理由２（サポート要件）及び理由３（明確性）、すなわち、特許請求の範囲の記載が不備であり、平成２９年３月１３日に提出した手続補正書によりその解消をするためにしたものである。
　したがって、上記１で認定した本願発明のうち、上記［補正事項２］及び［補正事項３］に係る「前記開口部内に形成された下地ＧａＮ層」及び「前記絶縁膜及び前記下地ＧａＮ層上に形成された中間バッファ層」の記載は、発明の詳細な説明の記載と上記意見書の記載を参酌すると、「前記絶縁膜の前記開口部内に形成された」下地となる「ＧａＮ層」及び「前記絶縁膜及び前記」下地となる「ＧａＮ層上に」中間バッファ層の下地となる「ＧａＮ層」を介して「形成された中間バッファ層」を意味する発明を包含するものと認められる。
　すなわち、「記絶縁膜の前記開口部内に形成された」下地となる「ＧａＮ層」と「前記絶縁膜及び前記」下地となる「ＧａＮ層上に」中間バッファ層の下地となる「ＧａＮ層」は、いずれも中間バッファ層の下側に位置するＧａＮ層であって、前者は補正発明の「ＧａＮバッファ層」に、後者は補正発明の「下地ＧａＮ層」にそれぞれ相当するものである。
　してみると、補正発明の「ＧａＮバッファ層」を「前記絶縁膜の前記開口部内に形成された」とし、補正発明の「下地ＧａＮ層」を「前記ＧａＮバッファ層及び前記絶縁膜上に形成された」とした発明を包含する本願発明は、補正発明と同様に、引用発明並びに周知技術Ａ及びＢに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。