【事件の表示】
　特願２０１３−５４０３６１「コーティングを施した摺動要素、特にピストンリング」拒絶査定不服審判事件〔２０１２年６月７日国際公開、ＷＯ２０１２／０７２４８３、平成２６年３月６日国内公表、特表２０１４−５０５８３７、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２０１１年１１月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年１１月２９日　ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年４月２１日付けで拒絶理由の通知がなされ、その指定期間内である同年７月２７日に手続補正がされたが、同年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１２月１日）、これに対し、平成２８年３月２８日に拒絶査定不服審判が請求され、その審判の請求と同時に手続補正がされ、同年８月２４日に上申書が提出されたものである。
  
第２　平成２８年３月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）　の適否  
　１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前（平成２７年７月２７日付け手続補正書）に、    
　「【請求項１】
　内側から外方へ、接着材層（１０）と、金属を含有するＤＬＣ層（１２）と、少なくともいくつかの領域に窒素でドーピングを施した無金属のＤＬＣ層（１４、１６）とを含むコーティングを少なくとも１つの面に施した摺動要素において、
　前記無金属のＤＬＣ層の窒素含有量が徐々に変化させられていることを特徴とする、摺動要素。
　　【請求項２】
　前記ＤＬＣ層（１２）は、前記金属としてタングステンを含有することを特徴とする、請求項１に記載の摺動要素。
　　【請求項３】
　ピストンリングであることを特徴とする、請求項１または２に記載の摺動要素。
　　【請求項４】
　前記摺動要素は、母材として鋳鉄または鋼を含むことを特徴とする、請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項５】
　前記無金属のＤＬＣ層の硬度は、１４００ＨＶ０．０２〜２９００ＨＶ０．０２であり、および／または、金属を含有する前記ＤＬＣ層の硬度は、８００〜１６００ＨＶ０．０２であることを特徴とする、請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項６】
　金属を含有する前記ＤＬＣ層および／または前記無金属のＤＬＣ層は、水素を含むことを特徴とする、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項７】
　タングステンを含有する前記ＤＬＣ層は、ナノ結晶タングステンカーバイド析出物を含むことを特徴とする、請求項１から６のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項８】
　前記接着材層の厚みは、最大１μｍであることを特徴とする、請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項９】
　前記接着剤相はクロム接着材層であることを特徴とする、請求項８に記載の摺動要素。
　　【請求項１０】
　前記コーティングの総厚は、５μｍ〜４０μｍであることを特徴とする、請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項１１】
　前記接着材層は、金属蒸着によって形成されていることを特徴とする、請求項１から１０のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項１２】
　金属を含有する前記ＤＬＣ層および／または前記無金属のＤＬＣ層は、ＰＶＤおよび／またはＰＡ−ＣＶＤによって形成されていることを特徴とする、請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項１３】
　金属を含有する前記ＤＬＣ層の厚みに対する前記無金属のＤＬＣ層の厚みの比率は、０．７〜１．５であり、および／または、前記コーティングの総厚に対する前記無金属のＤＬＣ層の厚みの比率は、０．４〜０．６であることを特徴とする、請求項１から１２のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項１４】
　前記無金属のＤＬＣ層の窒素含有量は、５ａｔ％を超え、および／または最大４０ａｔ％であることを特徴とする、請求項１から１３のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項１５】
　前記無金属のＤＬＣ層の窒素含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％であることを特徴とする、請求項１４に記載の摺動要素。
　　【請求項１６】
　前記無金属のＤＬＣ層の外側領域は、ドーピングを施されていることを特徴とする、請求項１から１５のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。
　　【請求項１７】
　前記無金属のＤＬＣ層の、ドーピングを施された領域の厚みは、前記無金属のＤＬＣ層の、ドーピングを施されていない領域の厚みの１０〜９０％であることを特徴とする、請求項１から１６のうちのいずれか１項に記載の摺動要素。」
　とあったものを、  
      
　「【請求項１】
　内側から外方へ、接着材層（１０）と、金属を含有するＤＬＣ層（１２）と、少なくともいくつかの領域に窒素でドーピングを施した無金属のＤＬＣ層（１４、１６）とを含むコーティングを少なくとも１つの面に施した摺動要素において、
　
前記摺動要素は、ピストンリングであり、
　前記無金属のＤＬＣ層は、窒素がドープされた層と、前記窒素がドープされた層の下に窒素がドープされていない層とを有し、前記窒素がドープされた層と前記窒素がドープされていない層との間の比較的狭い範囲の境界領域において、窒素のドープ濃度が急峻に変化している、
　　【請求項２】
　前記
金属を含有する
、金
　　【請求項３】
　前記摺動要素は、母材として鋳鉄または鋼を含むことを特徴とする、請求項１
または２
　　【請求項４】
　前記無金属のＤＬＣ層の硬度は、１４００ＨＶ０．０２〜２９００ＨＶ０．０２であり、および／または、
前記
るＤ
３
　　【請求項５】
　
前記
るＤ
４
　　【請求項６】
　タングステンを含有する前記ＤＬＣ層は、ナノ結晶タングステンカーバイド析出物を含むことを特徴とする、請求項
２
　　【請求項７】
　前記接着
材層
６
　　【請求項８】
　前記接着剤層はクロム接着材層であることを特徴とする、請求項
７
　　【請求項９】
　前記コーティングの総厚は、５μｍ〜４０μｍであることを特徴とする、請求項１から
８
　　【請求項１０】
　
前記
るＤ
９
　　【請求項１１】
　前記無金属のＤＬＣ層の窒素含有量は、５ａｔ％
から
１０
　　【請求項１２】
　前記無金属のＤＬＣ層の窒素含有量は１０ａｔ％
から
１１
　　【請求項１３】
　前記無金属のＤＬＣ層の
窒素がドープされた層は、前記無金属のＤＬＣ層の最上層である、
１２
　　【請求項１４】
　前記無金属のＤＬＣ層の、
前記窒素がドープされた層
前記窒素がドープされていない層
１３
　と補正するものである（下線は補正箇所を示すために請求人が付した。）。なお、請求項８の「前記接着剤層」は「前記接着材層」の誤記と認める。
  
　２　補正の目的について
（１）上記補正は、請求項１において、発明を特定するために必要な事項である「摺動要素」について「ピストンリング」であるとの限定を付し、「無金属のＤＬＣ層」について「窒素がドープされた層と、前記窒素がドープされた層の下に窒素がドープされていない層とを有し、前記窒素がドープされた層と前記窒素がドープされていない層との間の比較的狭い範囲の境界領域において、窒素のドープ濃度が急峻に変化している」との限定を付するものであり、かつ、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、請求項１において、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）また、審判請求書で「請求項１の補正に伴い、旧請求項３を削除した。また、旧請求項１１および１２を削除した」（「３．補正の内容」）と述べるように、本件補正は、請求項の削除を目的とするものである。
（３）また、審判請求書で「請求項２、４、７、１０、１１、１２、１３、１４について、請求項の記載を明確にするべく補正を行った」（「４．本願発明が特許されるべき理由」の「Ｂ．」）と述べるように、本件補正は、請求項２ないし１４において、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　３　新規事項について
　上記補正により請求項１に「前記無金属のＤＬＣ層は、窒素がドープされた層と、前記窒素がドープされた層の下に窒素がドープされていない層とを有し、前記窒素がドープされた層と前記窒素がドープされていない層との間の比較的狭い範囲の境界領域において、窒素のドープ濃度が急峻に変化している」との事項が付加された。
　上記事項に関して、願書に最初に添付した明細書には、「本発明によるコーティングは、基板８上に、内側から外方へ、接着材層１０、金属を含有するＤＬＣ層１２、および無金属のＤＬＣ層である最上層１４，１６を含む。示している実施形態の例では、外側領域１６は、窒素でのドーピングを施されているが、内側領域１４は、窒素でのドーピングを施されていない。示している例では、ドーピング領域の窒素濃度は、およそ１５％であり、ドーピングを施された領域からドーピングを施されていない領域への遷移部ではわずかな範囲で徐々に変化させられている。言い換えると、窒素含有量は、比較的小さな厚み範囲で０に下がっている」（段落【００３３】）との記載があり、また、同図面には、外側領域１６と内側領域１４との境界で窒素含有量が約１５ａｔ％から０ａｔ％に変化することが図示されている。
　
　上記記載及び図示内容からみて、請求項１の上記事項は願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されていると認められるから、上記補正は新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるから、特許法第１７条の２第３項に違反するところはない。  
　
　４　シフト補正について
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項に違反するところはない。  
　
　５　独立特許要件について
　本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）否かについて検討する。  
  
（１）刊行物  
　ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された国際公開第２００９／１２１７１９号（以下「刊行物１」という。）には、「KOLBENRING」に関して、次の事項が記載されている。仮訳は、刊行物１に対応する特表２０１１−５１９３９４号公報による。なお、同公報には【　】内に段落番号等が追記されている。下線は当審が付した。
　
（ア）２ページ８行〜１２行
　　（仮訳）
　「【０００７】
　本発明の目的は、従来技術により知られているピストンリングより労力をかけずに製造することができ、
同時に摩擦抵抗値および／または製品寿命についての要求を満たすことのできるピストンリングを提供する
　
（イ）２ページ１３行〜３ページ２２行
　　（仮訳）
　「【０００８】
　本目的は、請求項１に記載されたピストンリングによって達成される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　したがって、
ピストンリングは、内側から外側に、基板に施される接着層、金属含有非晶質炭素層および無金属非晶質炭素層を含む
【００１０】
　以下で詳述されるように、本発明にかかるピストンリングの摩擦係数が低いままで不変であることが、実験によって示された。この点において、新規のピストンリングはしかるべく長寿命を提供している。磨耗についても同様であり、長い製品寿命を保証する磨耗限度内にあることが分かっている。金属含有非晶質炭素層は、従来の記号表示（ＶＤＩガイドライン２８４０参照）に対応して、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅという省略形で表示されることができる。無金属非晶質炭素層に対応する記号表示は、ａ−Ｃ：Ｈである。例えば、ＰＡＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法における分離処理ステップの一部として、無金属非晶質炭素層が適用されることができる。
非晶質炭素層は両方とも、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）層である
　
（ウ）５ページ９行〜１２行
　　（仮訳）
　「【００２１】
　さらに、仮に無金属炭素層がおよそ１〜１５μｍ、特におよそ１μｍの厚さを有するとすれば、それをもって提供されるピストンリングは良好な性質を有することが明らかになった。」
　
（エ）５ページ２６行〜６ページ５行
　　（仮訳）
　「【００２４】
　本発明によって設計されるピストンリングの表面硬さは、１８００〜２８００ＨＶが好ましく、最大で２４００ＨＶ０．００２が望ましい。この場合の計測は、ＨＶｐｌ０．００２のナノ圧子（ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔｅｒ）を用いて実行された。略語ｐｌは、プラスチックを示していて、これに対応する方法は当業者によって知られている。特に、計測への適用に関して、ＨＶｐｌ０．０２のナノ圧子を用いることも可能である。」
　
（オ）７ページ１０行〜２２行
　　（仮訳）
　「【００２９】
　本発明にかかるピストンリングのシリンダー・スリーブの磨耗は２．７μｍであった。さらに、本発明にかかるピストンリングにおいて、摩擦係数は劇的に減少されていることが明らかになった。従来のＤＬＣでコーティングされたピストンリングと比較すると、摩擦係数は最大で３０％まで減少していることが明らかになった。
【００３０】
　したがって、本発明にかかるピストンリングの有利な特性が得られることが明らかになっている。上述したように、これは、特に摩擦係数に、とりわけ長期的に、収縮（ｒｕｎ−ｉｎ）動作およびスカッフィング抵抗（ｓｃｕｆｆ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）に当てはまり、
全体として耐久性のあるピストンリングが生じる
　
　これらの記載事項を総合し、本願補正発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「内側から外方へ、接着層と、金属含有非晶質炭素層と、無金属非晶質炭素層とを含むコーティングを少なくとも１つの面に施したピストンリング。」
　
　イ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された特開２００２−３２９０７号公報（以下「刊行物２」という。）には、「カーボン保護膜、磁気記録媒体及びそれらの製造方法ならびに磁気ディスク装置 」に関して、図面（特に、図１、図２参照）と共に、次の事項が記載されている。
  
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボン保護膜、そしてコンピュータのハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体及びそれらの製造方法、そしてそれを使用した磁気ディスク装置に関する。さらに詳しく述べると、
本発明は、磁気記録媒体の磁気記録層等を保護するカーボン保護膜とその製造に関する
（イ）「【０００７】しかしながら、従来の磁気記録媒体では、そのカーボン保護膜に水素や窒素を添加して耐久性の向上を図っているにもかかわらず、それを薄膜化した時に、十分に高い耐久性をもたらすことができない。すわなち、ハードディスク装置の急速な高記録密度化に伴い、ヘッドの低浮上化、保護膜の薄膜化が進んでいるけれども、カーボン保護膜は、それを薄膜化した時、耐久性を向上させ、維持することができない。実際、スパッタリング法やＣＶＤ法によって形成されたカーボン保護膜は、それに窒素を添加することによって耐久性を向上させたとしても、膜厚が５nm以下の薄膜の場合にはその耐久性を維持するのが厳しい状況にある。」
　
（ウ）「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記した従来の技術の問題点を解消して、膜厚が５nm以下の薄膜の時にも優れた耐久性を示し、しかもその耐久性を長期にわたって維持することのできる、特に磁気記録媒体に好適なカーボン保護膜、すなわち、炭素質の保護膜を提供することにある。また、
本発明の目的は、耐久性の低下を抑えつつ、潤滑剤層との密着性を向上できるカーボン保護膜を提供する
　
（エ）「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した目的を達成するために鋭意研究した結果、カーボン保護膜の形成に従来から広く使用されているスパッタリング法やＣＶＤ法に代えて、最近開発された技術である
Filtered Cathodic Arc 法（以下、「ＦＣＡ法」と呼ぶ）を用いて高硬度のカーボン保護膜を磁気記録層上に堆積するとともに、その高硬度のカーボン保護膜中に窒素を含有させた場合、カーボン保護膜の液体潤滑剤に対する吸着性が著しく向上せしめられ、優れた耐久性を得、かつ維持できる
カーボン保護膜に窒素を含ませる場合に、カーボン保護膜の最下部（下地との界面）から少なくとも膜厚の半分の領域までは窒素が完全にもしくは実質的に含まれないように構成してもよい
　
（オ）「【００１５】本発明で成膜法として使用する
ＦＣＡ法は、従来のカーボン保護膜の成膜法であるスパッタリング法、ＣＶＤ法などと比較した場合、よりダイヤモンド成分の多い高硬度のカーボン膜を形成する
　
（カ）「【００１７】
【発明の実施の形態】本発明による磁気記録媒体は、カーボン保護膜における相違を除いて、磁気記録媒体として一般的に知られ、実施されている層構成を有することができ、よって、以下、図１の基本構成を参照して本発明の磁気記録媒体を説明する。本発明の磁気記録媒体１０は、非磁性の基板１、下地層２、磁気記録層３、カーボン保護膜４、そして潤滑剤層５を少なくとも有している。しかし、磁気記録媒体１０では、本発明の範囲内において種々の変更や改良、例えば、磁気記録層３の多層化、中間層の追加などを行うことができる。実際、現用の磁気記録媒体の層構成は、非常に複雑になっている。」
　
（キ）「【００３３】上記したようなカーボン保護膜は、その層中の窒素の含有量が、２〜２０ａｔ％の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは４〜１５ａｔ％の範囲である。窒素含有量が２ａｔ％を下回ると、窒素をドーピングした効果が発現せず、反対に２０ａｔ％を上回ると、カーボン−窒素結合の割合が増加するので、カーボン原子どうしのダイヤモンド性の結合量が減少してしまい、膜硬度及びしたがって耐久性が低下する。また、カーボン保護膜の膜硬度は、ＦＣＡ成膜の優位性の観点から、少なくとも１８ＧＰａであることが好ましく、さらに好ましくは少なくとも２０ＧＰａである。また、本発明のカーボン保護膜においては、その膜厚の方向における窒素濃度分布をいろいろに変更することができる。窒素濃度分布は、通常、カーボン保護膜の膜厚の方向に関して均一であるけれども、窒素を添加することにより膜硬度が低下してしまうのを抑制するため、カーボン膜の下部から上部にかけて窒素濃度が徐々に増加するように窒素添加量に傾斜をもたせることが好ましい。図２は、カーボン保護膜４における窒素（便宜的に黒点で示す）の濃度の漸次的増加を模式的に示したもので、膜厚方向において、矢印の方向（下から上に）に向かって窒素濃度が徐々に増加している。
本発明によれば、窒素濃度をこのようにコントロールすることによって、カーボン保護膜の表面部での液体潤滑剤層との密着性を向上させることができるばかりか、窒素添加に由来する硬度の低下に関しては、均一窒素濃度カーボン保護膜に比較して硬度の低下のレベルを小さく抑えることもできる。また、このような効果は特に、カーボン保護膜の上層部に窒素を選択的に添加することによって、より顕著なものとすることができる。換言すると、本発明の１態様に従うと、下地（例えば、磁気記録媒体では磁気記録層）との界面であるカーボン保護膜の最下部から少なくとも膜厚のほぼ半分までの領域には窒素が含まれないように、窒素を選択的に添加することが好ましい
【００３４】さらに、カーボン保護膜の液体潤滑剤の吸着性は、その膜の水の接触角から簡易に評価することができる。本発明者らの知見によると、カーボン保護膜の水に対する接触角は、成膜後３０分以内で測定した時、３５°以下であることが好ましい。水に対する接触角が３５°を上回るようになると、カーボン保護膜の液体潤滑剤に対する吸着性が低下し、磁気記録媒体の寿命が大幅に低下する。
【００３５】
カーボン保護膜は、磁気記録媒体に一般的に使用されているようないろいろな膜厚で使用することができる
　
（ク）「【００５９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば、ＦＣＡ法を使用してカーボン保護膜を形成したので、優れた耐久性をを長期にわたって維持することのできるカーボン保護膜を得ることができ、よって、高性能で長寿命な磁気記録媒体を提供することができる。
【００６０】また、窒素イオンビームアシスト又は窒素雰囲気下での成膜により膜中に窒素を含有させるとともに、それにより膜硬度及び潤滑剤の吸着性を制御できるので、膜厚が５nm以下の薄膜の時にも優れた耐久性を達成することができる。さらに、カーボン保護膜の形成時、窒素濃度に傾斜をもたせることにより、保護膜表面部での液体潤滑剤層との密着性を向上させるとともに、窒素添加に由来する硬度の低下も抑制することができる。さらにまた、
本発明の磁気記録媒体を磁気ディスク装置を始めとしたコンピュータのハードディスク装置に使用する
　
（２）対比
　本願補正発明１と引用発明とを対比する。
　後者の「接着層」は前者の「接着材層（１０）」に相当し、以下同様に、「金属含有非晶質炭素層」及び「無金属非晶質炭素層」は、「非晶質炭素層は両方とも、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）層である」（段落【００１０】）から、「金属を含有するＤＬＣ層（１２）」及び「無金属のＤＬＣ層（１４、１６）」に、「ピストンリング」は「摺動要素」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、両者は、  
「内側から外方へ、接着材層と、金属を含有するＤＬＣ層と、無金属のＤＬＣ層とを含むコーティングを少なくとも１つの面に施した摺動要素において、前記摺動要素は、ピストンリングである摺動要素。」 
　である点で一致し、以下の点で相違している。  
  
〔相違点〕  
　本願補正発明１は、無金属のＤＬＣ層（１４、１６）が「少なくともいくつかの領域に窒素でドーピングを施し」ており、「前記無金属のＤＬＣ層は、窒素がドープされた層と、前記窒素がドープされた層の下に窒素がドープされていない層とを有し、前記窒素がドープされた層と前記窒素がドープされていない層との間の比較的狭い範囲の境界領域において、窒素のドープ濃度が急峻に変化している」のに対し、　
　引用発明は、無金属非晶質炭素層がかかる構成を有していない点。
　
（３）当審の判断
　そこで、相違点を検討する。
　刊行物２の前記「（１）イ」の記載事項からみて、刊行物２には、ＦＣＡ法によるカーボン保護膜においてカーボン保護膜の最下部から少なくとも膜厚のほぼ半分までの領域には窒素が含まれないように、窒素を選択的に添加する、磁気記録媒体の磁気記録層等を保護するカーボン保護膜が記載されている（以下「刊行物２に記載された事項」という。）。
　
　そして、刊行物２に記載された事項は、従来の磁気記録媒体では、そのカーボン保護膜に水素や窒素を添加して耐久性の向上を図っているにもかかわらず、それを薄膜化した時に、十分に高い耐久性をもたらすことができず、膜厚が５nm以下の薄膜の場合にはその耐久性を維持するのが厳しい状況にあったところ、ＦＣＡ法を用いて高硬度のカーボン保護膜を磁気記録層上に堆積するとともに、その高硬度のカーボン保護膜中に窒素を含有させた場合、カーボン保護膜の液体潤滑剤に対する吸着性が著しく向上せしめられ、優れた耐久性を得、かつ維持でき、膜厚が５nm以下の薄膜の時にも優れた耐久性を達成することができ、さらに、カーボン保護膜の形成時、窒素濃度に傾斜をもたせることにより、保護膜表面部での液体潤滑剤層との密着性を向上させるとともに、窒素添加に由来する硬度の低下も抑制することができるというものである。
　
　本願補正発明１と刊行物２に記載された事項とを対比すると、後者の「ＦＣＡ法によるカーボン保護膜」は「本発明で成膜法として使用するＦＣＡ法は、従来のカーボン保護膜の成膜法であるスパッタリング法、ＣＶＤ法などと比較した場合、よりダイヤモンド成分の多い高硬度のカーボン膜を形成する」（段落【００１５】）との記載からみて前者の「無金属のＤＬＣ層（１４、１６）」に相当し、後者の「カーボン保護膜の最下部から少なくとも膜厚のほぼ半分までの領域には窒素が含まれないように、窒素を選択的に添加する」ことは前者の無金属のＤＬＣ層が「少なくともいくつかの領域に窒素でドーピングを施し」ており、「無金属のＤＬＣ層は、窒素がドープされた層と、前記窒素がドープされた層の下に窒素がドープされていない層とを有」することに相当する。
　そうすると、刊行物２に記載された事項は、相違点に係る本願補正発明１の構成のうち、無金属のＤＬＣ層（１４、１６）が少なくともいくつかの領域に窒素でドーピングを施しており、前記無金属のＤＬＣ層は、窒素がドープされた層と、前記窒素がドープされた層の下に窒素がドープされていない層とを有しているとの構成を備えるといえる。
　
　ところで、刊行物２に記載された事項において、カーボン保護膜の最下部から少なくとも膜厚のほぼ半分までの領域には窒素が含まれないように、窒素を選択的に添加することの技術的意義は、特に刊行物２の段落【００３３】の記載からみて、カーボン保護膜の液体潤滑剤に対する吸着性を著しく向上せしめることで優れた耐久性を得、かつ維持できるとともに、窒素添加に由来する硬度の低下も抑制することにある。また、刊行物２には、刊行物２に記載された事項の適用分野として、磁気記録媒体の他に磁気ディスク装置を始めとしたコンピュータのハードディスク装置に使用することが記載（段落【００６０】）されている。
　他方、引用発明はピストンリングにおいて「同時に摩擦抵抗値および／または製品寿命についての要求を満たす」（前記（１）ア（ア））ことを課題とし、「全体として耐久性のあるピストンリングが生じることになる」（同（オ））ものである。
　ここで、刊行物２に記載された事項による優れた耐久性の維持や窒素添加に由来する硬度低下の抑制は、磁気記録媒体やコンピュータのハードディスク装置を前提としたものであるから、引用発明に製品寿命についての要求を満たすことや、全体として耐久性があるとの課題があったとしても、引用発明と刊行物２に記載された事項とでは前提となる技術分野及び課題が相違することから、無金属のＤＬＣ層としての硬度や膜厚等の条件が異なり、引用発明に刊行物２に記載された事項を適用することは容易に想到し得たとはいえない。
　
　また、本願明細書の「本発明は、摩擦係数と摩耗特性との組み合わせに関してさらに改善された摺動要素を提供するという目的に基づいている」（段落【００１０】）との記載、「摩擦および摩耗に関する特に良好な特性は、記載する値によって判定した。これらの摩擦学的特性については、最上層を厚くすると耐用年数を長くすることができる」（段落【００１２】）との記載、及び「無金属のＤＬＣ層のドーピングに関しては、特に窒素を使用した場合に、層の残留応力が有利に低減されることが確認できた。層の耐用年数を確実に長くできるようにするためには、無金属のＤＬＣ層に、特に臨界の層厚が達成されるくらいに、特に窒素でドーピングを施す。これによって、上述のように、残留応力が低減され、したがって、厚い層厚を形成できる」（段落【００１３】）との記載からみて、本願補正発明１の「いくつかの領域に窒素でドーピングを施した無金属のＤＬＣ層（１４、１６）」との構成は、無金属のＤＬＣ層の残留応力を低減することにより、無金属のＤＬＣ層の膜厚を厚くして、摩擦係数と摩耗特性を良好にし、層の耐用年数を長くするものであるが、刊行物１及び２にはかかる作用機序に関する記載はなくその示唆もない。
　
　以上から、引用発明に刊行物２に記載された事項を適用し、相違点に係る本願補正発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たということができない。
  
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明１は、引用発明及び刊行物２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
 　 
　また、請求項２ないし１４に係る発明は、本願補正発明１をさらに限定したものであるので、本願補正発明１と同様に、引用発明及び刊行物２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 
　
　６　むすび  
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。 
  
第３　本願発明について  
　本件補正は、上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されたとおりのものである。  
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。  
　よって、結論のとおり審決する。