【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバの中で基板の上にシリコン窒化物材料を形成する方法であって、
前記基板を無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露することであって、前記無ハロゲンのシリコン含有物は、前記基板の表面上に吸着されることと、
前記基板を第１の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記窒素含有反応物は、前記基板の表面上に吸着されることと、
前記基板を前記第１の窒素含有反応物と異なる第２の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記第１の窒素含有反応物は炭素を含まず、前記第２の窒素含有反応物は炭素を含み、
前記反応チャンバの中に気相の窒素含有反応物が存在しているとともに前記無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流が停止されているときに、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火することと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記無ハロゲンのシリコン含有反応物は、トリシリルアミン（ＴＳＡ）である、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物は、アンモニア、ヒドラジン、またはヒドロキシルアミンである、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって
前記第２の窒素含有反応物は、Ｃ1-10アルキルアミンである、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記第２の窒素含有反応物は、ｔ−ブチルアミンである、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１〜１０：１である、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１〜４：１である、方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１０〜１：１である、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：４〜１：１である、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、ゲルマニウム・テルル・アンチモン合金を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記シリコン窒化物材料が上に形成される金属表面を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記シリコン窒化物材料が上に形成される酸化物表面を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
前記反応チャンバの中の圧力は、前記シリコン含有反応物の前記気相流中に高くなるように周期をなす、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記反応チャンバの中の圧力は、約５〜５０Ｔｏｒｒである第１の圧力と、約１〜５Ｔｏｒｒである第２の圧力との間で周期をなす、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記方法中、継続的に、前記第１の窒素含有反応物の前記気相流に暴露され続ける、方法。
【請求項１６】
反応チャンバの中で基板の上にシリコン窒化物材料を形成する方法であって、
前記基板をシリコン含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露することであって、前記シリコン含有反応物は、前記基板の表面上に吸着されることと、
前記基板を第１の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記窒素含有反応物は、前記基板の表面上に吸着されることと、
前記基板を前記第１の窒素含有反応物と異なる第２の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記第１の窒素含有反応物は炭素を含まず、前記第２の窒素含有反応物は炭素を含み、
前記反応チャンバの中に気相の窒素含有反応物が存在しているとともに前記シリコン含有反応物の気相流が停止されているときに、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火することと、
を備える、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記プラズマは、約０．１５〜０．５Ｗ／ｃｍ2の出力を有するＲＦプラズマである、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記プラズマは、約１〜３Ｗ／ｃｍ2の出力を有するＲＦプラズマである、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記プラズマは、ＨＦのみのＲＦプラズマである、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、
前記基板は、前記第１の窒素含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露される、方法。
【請求項２１】
反応チャンバの中で基板の上にシリコン窒化物材料を形成する方法であって、
前記基板を無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露することであって、前記シリコン含有物は、前記基板の表面上に吸着されることと、
前記基板を第１の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記窒素含有反応物は、前記基板の表面上に吸着されることと、
前記反応チャンバの中に気相の窒素含有反応物が存在しているとともに前記シリコン含有反応物の気相流が停止されているときに、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火することであって、前記プラズマは、０．１５〜３Ｗ／ｃｍ2の出力を有するＲＦプラズマであることと、
を備え、
前記反応チャンバの中の圧力は、前記シリコン含有反応物の前記気相流中に、前記シリコン含有反応物の気相流が停止されているときよりも高くなるように周期をなす、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、
前記プラズマは、約０．１５〜１Ｗ／ｃｍ2の出力を有する、方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であって、
前記シリコン含有反応物は、トリシリルアミン（ＴＳＡ）である、方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物は、アンモニア、ヒドラジン、またはヒドロキシルアミンである、方法。
【請求項２５】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板は、ゲルマニウム・テルル・アンチモン合金を含む、方法。
【請求項２６】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板は、前記シリコン窒化物材料が上に形成される金属表面を含む、方法。
【請求項２７】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板は、前記シリコン窒化物材料が上に形成される酸化物表面を含む、方法。
【請求項２８】
請求項２１に記載の方法であって、
前記反応チャンバの中の圧力は、約５〜５０Ｔｏｒｒである第１の圧力と、約１〜５Ｔｏｒｒである第２の圧力との間で周期をなす、方法。
【請求項２９】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板は、前記方法中、継続的に、前記第１の窒素含有反応物の気相流に暴露され続ける、方法。
【請求項３０】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板は、前記第１の窒素含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露される、方法。
【請求項３１】
請求項２１に記載の方法であって、
前記プラズマは、ＨＦのみのＲＦプラズマである、方法。
【請求項３２】
請求項２１に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記第１の窒素含有反応物と異なる第２の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記第１の窒素含有反応物は炭素を含まず、前記第２の窒素含有反応物は炭素を含む、方法。
【請求項３３】
請求項２１に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物は炭素を含まない、方法。
【請求項３４】
請求項２１に記載の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物はアミンである、方法。
【請求項３５】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板の温度は、約４００℃以下に維持される、方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、
前記基板の温度は、約３５０℃以下に維持される、方法。
【請求項３７】
請求項２１に記載の方法であって、
前記シリコン窒化物材料の応力は、約−４〜−２ＧＰａである、方法。
【請求項３８】
請求項２１に記載の方法であって、
前記シリコン窒化物材料の応力は、約−２〜１ＧＰａである、方法。
【請求項３９】
請求項２１に記載の方法であって、
前記基板の表面は、１つ以上の隆起したまたはへこんだ特徴を含み、
前記シリコン窒化物材料は、前記１つ以上の隆起したまたはへこんだ特徴に対して共形である、方法。
【請求項４０】
半導体ウエハの上にシリコン窒化物膜を蒸着させるための装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）前記シリコン窒化物膜を形成するための活性化エネルギ源と、
（ｃ）反応物入口と、
（ｄ）コントローラであって、
蒸着サイクル中に第１の窒素含有反応物を前記反応チャンバに流し入れるための命令と、
前記蒸着サイクル中にシリコン含有反応物を前記反応チャンバに一定時間ごとに流し入れるための命令と、
前記シリコン含有反応物の流れが停止されているときで、なおかつ前記反応チャンバの中の気相内に前記第１の窒素含有反応物が存在している間に、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火するための命令と、
前記反応チャンバの中の圧力が、前記シリコン含有反応物の前記流入中に、前記シリコン含有反応物の流れが停止されているときよりも高くなるように周期をなすための命令と、
を含むコントローラと、
を備える装置。
【請求項４１】
請求項４０に記載の装置であって、
前記プラズマは、約０．１５〜３Ｗ／ｃｍ2の出力を有するＲＦプラズマである、装置。
【請求項４２】
請求項４１に記載の装置であって、
前記プラズマは、約０．１５〜１Ｗ／ｃｍ2の出力を有する、装置。
【請求項４３】
請求項４０に記載の装置であって、
前記プラズマは、ＨＦのみのＲＦプラズマである、装置。
【請求項４４】
請求項４０に記載の装置であって、
前記第１の窒素含有反応物は、前記反応チャンバの中の前記基板の表面上に吸着する条件下において前記反応チャンバに流し込まれる、装置。
【請求項４５】
請求項４４に記載の装置であって、
前記シリコン含有反応物は、前記反応チャンバの中の前記基板の表面上に吸着する条件下において前記反応チャンバに流し込まれる、装置。
【請求項４６】
請求項４０に記載の装置であって、
前記反応チャンバの中の圧力は、約５〜５０Ｔｏｒｒである第１の圧力と、約１〜５Ｔｏｒｒである第２の圧力との間で周期をなす、装置。
【請求項４７】
請求項４０に記載の装置であって、
前記第１の窒素含有反応物は、前記蒸着サイクル中、継続的に流れ続ける、装置。
【請求項４８】
請求項４０に記載の装置であって、
前記第１の窒素含有反応物は、前記蒸着サイクル中、継続的に一定時間ごとに流れ続ける、装置。
【請求項４９】
請求項４０に記載の装置であって、
前記コントローラは、さらに、前記蒸着サイクル中に前記第１の窒素含有反応物と異なる第２の窒素含有反応物を前記反応チャンバに一定時間ごとに流し入れるための命令を含む、装置。
【請求項５０】
請求項４９に記載の装置であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１〜１０：１である、装置。
【請求項５１】
請求項４９に記載の装置であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１０〜１：１である、装置。
【請求項５２】
請求項４０に記載の装置であって、
前記コントローラは、さらに、前記基板の温度を約４００℃以下に維持するための命令を含む、装置。
【請求項５３】
請求項５２に記載の装置であって、
前記基板の温度は、約３５０℃以下に維持される、装置。
【請求項５４】
請求項４０に記載の装置であって、
前記蒸着サイクル中に蒸着された前記シリコン窒化物材料は、約−４〜−２ＧＰａの応力を有する、装置。
【請求項５５】
請求項４０に記載の装置であって、
前記蒸着サイクル中に蒸着された前記シリコン窒化物材料は、約−２〜１ＧＰａの応力を有する、装置。
【請求項５６】
請求項４０に記載の装置であって、
前記蒸着サイクル中に蒸着された前記シリコン窒化物材料は、前記基板のあらゆる隆起したまたはへこんだ特徴を含む前記基板の表面に対して共形である、装置。
【請求項５７】
請求項４０に記載の装置であって、
前記活性化エネルギ源は、前記反応チャンバの中で一定時間ごとに前記プラズマを点火するように前記コントローラによって動作されるプラズマ発生器である、装置。
【請求項５８】
請求項５７に記載の装置であって、
前記プラズマ発生器は、誘導コイル、および／またはマイクロ波源を含む、装置。
【請求項５９】
システムであって、請求項４０に記載の装置およびステッパを備える、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
以上、理解を明瞭にする目的で、幾らか詳細な説明がなされてきたが、添付の特許請求の範囲内で、特定の変更および修正がなされてよいことが明らかである。説明されたプロセス、システム、および方法を実行に移すには、多くの代替的手法があることが留意される。したがって、説明された実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされる。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
反応チャンバの中で基板の上にシリコン窒化物材料を形成する方法であって、
前記基板を無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露することであって、前記無ハロゲンのシリコン含有物は、前記基板の表面上に吸着される、ことと、
前記基板を第１の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記窒素含有反応物は、前記基板の表面上に吸着される、ことと、
前記反応チャンバの中に気相の窒素含有反応物が存在しているとともに前記無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流が停止されているときに、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火することと、
を備える方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、
前記無ハロゲンのシリコン含有反応物は、トリシリルアミン（ＴＳＡ）である、方法。
適用例３：
適用例１の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物は、炭素を含まない、方法。
適用例４：
適用例１または２の方法であって
前記第１の窒素含有反応物は、アミンである、方法。
適用例５：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物は、炭素を含まず、
前記方法は、さらに、炭素を含む第２の窒素含有反応物の気相流を流すことを備える方法。
適用例６：
適用例５の方法であって、
前記第２の窒素含有反応物は、Ｃ1-10アルキルアミンである、方法。
適用例７：
適用例５または６の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１〜１０：１である、方法。
適用例８：
適用例５または６の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１〜４：１である、方法。
適用例９：
適用例５または６の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：１０〜１：１である、方法。
適用例１０：
適用例５または６の方法であって、
前記第１の窒素含有反応物対前記第２の窒素含有反応物の体積流量比は、約１：４〜１：１である、方法。
適用例１１：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記基板は、ゲルマニウム・テルル・アンチモン合金、シリコン窒化物材料が上に形成される金属表面、およびシリコン窒化物材料が上に形成される酸化物表面のうちの、１つを含む、方法。
適用例１２：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記プラズマまたは活性化エネルギ源は、約０．１５〜０．５Ｗ／ｃｍ2の出力を有するＲＦプラズマである、方法。
適用例１３：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記プラズマまたは活性化エネルギ源は、約１〜３Ｗ／ｃｍ2の出力を有するＲＦプラズマである、方法。
適用例１４：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記プラズマまたは活性化エネルギ源は、ＨＦのみのＲＦプラズマである、方法。
適用例１５：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記基板の温度は、約４００℃以下に維持される、方法。
適用例１６：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記基板の温度は、約３７５℃以下に維持される、方法。
適用例１７：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記基板の温度は、約３５０℃以下に維持される、方法。
適用例１８：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記基板の温度は、約３２５℃以下に維持される、方法。
適用例１９：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記シリコン窒化物材料の応力は、約−４〜−２ＧＰａである、方法。
適用例２０：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記シリコン窒化物材料の応力は、約−２〜１ＧＰａである、方法。
適用例２１：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記シリコン窒化物材料は、ハロゲンを含まない、方法。
適用例２２：
適用例１ないし３のいずれか一項の方法であって、
前記基板の表面は、１つ以上の隆起したまたはへこんだ特徴を含み、
前記シリコン窒化物材料は、前記１つ以上の隆起したまたはへこんだ特徴に対して共形である、方法。
適用例２３：
半導体基板の上にシリコン窒化物膜を蒸着させるための装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）前記シリコン窒化物膜を形成するための活性化エネルギ源と、
（ｃ）反応物入口と、
（ｄ）コントローラであって、
蒸着サイクル中に第１および第２の窒素含有反応物を前記反応チャンバに流し入れるための命令と、
前記蒸着サイクル中に無ハロゲンのシリコン含有反応物を前記反応チャンバに一定時間ごとに流し入れるための命令と、
前記シリコン含有反応物の流れが停止されているときで、なおかつ前記反応チャンバの中の気相内に前記第１および第２の窒素含有反応物が存在している間に、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火するための命令と、
を含むコントローラと、
を備える装置。
適用例２４：
適用例２３の装置であって、
前記活性化エネルギ源は、プラズマ発生器、誘導コイル、およびマイクロ波源のうちの、１つ以上である、装置。