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【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１大当り判定用乱数を生成するハード乱数カウンタと、
第２大当り判定用乱数を生成するソフト乱数カウンタと、
前記ハード乱数カウンタが異常状態か否かを判定するカウンタ異常判定手段と、
通常遊技状態時には前記第１大当り判定用乱数に基づき大当りとするか否かを判定する当否判定手段と、
前記カウンタ異常判定手段により異常であると判定されたとき前記第１大当り判定用乱数から前記第２大当り判定用乱数に切換える異常状態制御手段と、を備えた遊技機において、
前記異常状態制御手段は、
前記カウンタ異常判定手段により異常状態と判定されたときの遊技状態が遊技者に有利な特別遊技状態であるか否かを判定する遊技状態判定手段を更に備え、
前記遊技状態判定手段により特別遊技状態であると判定されたときに限り前記第１大当り判定用乱数から前記第２大当り判定用乱数に切換え、特別遊技状態でないと判定されたとき及び前記特別遊技状態であると判定された後で該特別遊技状態が終了したときには遊技不能とし、
前記カウンタ異常判定手段は、第１カウンタ異常判定手段を備え、
該第１カウンタ異常判定手段は、
予め定められた割り込みタイミングで実行される通常処理中又は残余処理中に実行され、
遊技状態に係る情報を記憶する遊技状態記憶手段と、
電源投入時に初期化操作手段の操作に基づいて前記遊技状態記憶手段に記憶された情報を消去する初期化設定手段と、を備え、
前記カウンタ異常判定手段は、第２カウンタ異常判定手段を備え、
該第２カウンタ異常判定手段は、
前記初期化設定手段による前記情報の消去後且つ前記通常処理又は前記残余処理の前に実行され、
前記カウンタ異常判定手段により異常であると判定された旨を報知する異常報知手段を備え、
該異常報知手段は、
前記遊技状態判定手段により判定された遊技状態に基づいて異なる異常報知態様にて報知する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するためになされた本発明の請求項１に記載の遊技機は、
第１大当り判定用乱数を生成するハード乱数カウンタと、
第２大当り判定用乱数を生成するソフト乱数カウンタと、
前記ハード乱数カウンタが異常状態か否かを判定するカウンタ異常判定手段と、
通常遊技状態時には前記第１大当り判定用乱数に基づき大当りとするか否かを判定する当否判定手段と、
前記カウンタ異常判定手段により異常であると判定されたとき前記第１大当り判定用乱数から前記第２大当り判定用乱数に切換える異常状態制御手段と、を備えた遊技機において、
前記異常状態制御手段は、
前記カウンタ異常判定手段により異常状態と判定されたときの遊技状態が遊技者に有利な特別遊技状態であるか否かを判定する遊技状態判定手段を更に備え、
前記遊技状態判定手段により特別遊技状態であると判定されたときに限り前記第１大当り判定用乱数から前記第２大当り判定用乱数に切換え、特別遊技状態でないと判定されたとき及び前記特別遊技状態であると判定された後で該特別遊技状態が終了したときには遊技不能とし、
前記カウンタ異常判定手段は、第１カウンタ異常判定手段を備え、
該第１カウンタ異常判定手段は、
予め定められた割り込みタイミングで実行される通常処理中又は残余処理中に実行され、
遊技状態に係る情報を記憶する遊技状態記憶手段と、
電源投入時に初期化操作手段の操作に基づいて前記遊技状態記憶手段に記憶された情報を消去する初期化設定手段と、を備え、
前記カウンタ異常判定手段は、第２カウンタ異常判定手段を備え、
該第２カウンタ異常判定手段は、
前記初期化設定手段による前記情報の消去後且つ前記通常処理又は前記残余処理の前に実行され、
前記カウンタ異常判定手段により異常であると判定された旨を報知する異常報知手段を備え、
該異常報知手段は、
前記遊技状態判定手段により判定された遊技状態に基づいて異なる異常報知態様にて報知する
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また請求項１に記載の遊技機によれば、異常である旨の報知を行う態様を、遊技状態の種別毎に異なる態様で実行することで、異常が発生した遊技状態に応じて、適宜、想定される遊技者の心理に対応した態様で異常を報知するため、異常発生時の適切な対処が可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
主制御装置８０は、S１０１０で、ＲＡＭクリア信号がオンか否か、すなわち電源投入時に図示しない初期化操作手段としてのＲＡＭクリアボタンの操作が為されたか否かの判定処理を実行する（S１０１０）。
そして、肯定判定である場合、すなわちＲＡＭクリア処理が為された場合には（Ｓ１０１０：ｙｅｓ）、Ｓ１０４５に処理を移行する。否定判定である場合、すなわちＲＡＭクリア処理が為されず電源投入された場合には（Ｓ１０１０：ｎｏ）、Ｓ１０１５に処理を移行する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
内蔵ＲＡＭ２０２が、遊技状態記憶手段に、またＲＡＭクリアボタンが初期化操作手段に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月2日(2016.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパルスシーケンスを実行するための磁気共鳴システム（１）の制御方法であって、
空間依存性の静磁場を発生させるために１つの傾斜磁場方向に第１の傾斜磁場が印加され、かつ選択性の高周波励起パルス（Ａ）が送出され、その選択性の高周波励起パルス（Ａ）が、検査ボリューム（３０；４５）の第１の部分領域（３３；４６）内では第１の物質を励起して第２の物資を励起せず、検査ボリューム（３０；４５）の第２の部分領域（３６；４７）内では第１の物質を励起せずに第２の物資を励起する励起段階と、
検査ボリューム（３０；４５）の第１および第２の部分領域（３３，３６；４６，４７）の生データを前記傾斜磁場方向（ｚ）に沿った空間エンコーディングにより取得するために、リフォーカスパルス（Ｒ）が送出される取得段階と
を含む磁気共鳴システムの制御方法。
【請求項２】
前記リフォーカスパルスのうち少なくとも１つのリフォーカスパルスが非選択性である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
生データの取得が３次元の空間エンコーディングにより行われる、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
３次元の空間エンコーディングが、第１および第２の次元では位相エンコーディングとして行われ、第３の次元では周波数エンコーディングとして行われる、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記傾斜磁場方向に沿って位相エンコーディングが行われる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
空間依存性の静磁場が、前記傾斜磁場によって次のように調整される、即ち検査ボリューム（３０；４５）の第１の部分領域（３３；４６）内の第１の物質における核スピンの共鳴周波数が第１の周波数（ｆ１）と第２の周波数（ｆ２）との間にあり、かつ検査ボリューム（３０；４５）の第２の部分領域（３６；４７）内の第２の物質における核スピンの共鳴周波数が第１の周波数（ｆ１）と第２の周波数（ｆ２）との間にあるように調整される、請求項１乃至５の１つに記載の方法。
【請求項７】
選択性の高周波励起パルスの周波数スペクトルが第１の周波数（ｆ１）と第２の周波数（ｆ２）との間にある、請求項１乃至６の１つに記載の方法。
【請求項８】
空間依存性の静磁場を発生させるために第１の傾斜磁場と符号が異なる第２の傾斜磁場が印加されかつ選択性の高周波励起パルス（Ａ）が送出される励起段階を有する第２のパルスシーケンスが実行される、請求項１乃至７の１つに記載の方法。
【請求項９】
選択性の高周波励起パルス（Ａ）が周波数シフトされて送出される励起段階を有する第２のパルスシーケンスが実行される、請求項１乃至８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
ＨＦ送信アンテナシステム（５）、傾斜磁場システム（６）およびＨＦ受信アンテナシステム（７）を含む磁気共鳴システムを制御するための制御装置（１３）であって、その制御装置（１３）が次のように構成されている、即ち、空間依存性の静磁場を発生させるために１つの傾斜磁場方向に沿って第１の傾斜磁場を印加すべく前記傾斜磁場システム（６）を制御し、かつ選択性の高周波励起パルス（Ａ）を送出すべくＨＦ送信アンテナシステム（５）を制御し、その際に選択性の高周波励起パルス（Ａ）が検査ボリューム（３０；４５）の第１の部分領域（３３；４６）において第１の物質を励起して第２の物質を励起せず、選択性の高周波励起パルス（Ａ）が検査ボリューム（３０；４５）の第２の部分領域（３６；４７）において第１の物質を励起せずに第２の物質を励起し、そして検査ボリューム（３０；４５）の生データを前記傾斜磁場方向に沿った空間エンコーディングにより取得するために特定の数のリフォーカスパルス（Ｒ）を送出すべくＨＦ送信アンテナシステム（５）を制御するように構成されている、制御装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の制御装置（１０）を有する磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１２】
プログラムが制御装置（１３）において実行される際に請求項１乃至８の１つに記載の方法の全てのステップを実施するためのプログラムコード手段を有する、磁気共鳴トモグラフィシステム（１）のプログラミング可能な制御装置（１３）内に直接にロード可能であるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の側壁を有するチューブと、該チューブの側壁に一体に形成されて径方向外側に突出する略円筒状の枝管とを備えた枝管付チューブの製造方法であって、
前記チューブの円筒状の側壁に下穴を形成する穴あけ工程と、
前記チューブの円筒状の側壁の前記下穴の周囲を径方向外側に突出させて前記枝管を形成するバーリング工程と、
前記枝管の基部付近を内周面または外周面から押圧して、前記バーリング工程によって前記枝管の基部に生じた残留応力を圧縮方向に変化させる塑性歪を生じさせる押圧加工部を形成する残留応力変更工程と、を含むことを特徴とする枝管付チューブの製造方法。
【請求項２】
前記残留応力変更工程は、前記チューブの軸方向に沿った前記枝管の基部の少なくとも一方側を押圧することを特徴とする請求項１に記載の枝管付チューブの製造方法。
【請求項３】
前記残留応力変更工程は、前記チューブの円筒状の側壁の円周方向における前記枝管の基部の両側部を押圧することを特徴とする請求項１に記載の枝管付チューブの製造方法。
【請求項４】
前記バーリング工程中に前記残留応力変更工程の押圧を行なうことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の枝管付チューブの製造方法。
【請求項５】
前記残留応力変更工程は、前記枝管の基部を内側から押圧して前記内周面に凹部を形成することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の枝管付チューブの製造方法。
【請求項６】
作動流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に挿入されたピストンと、
該ピストンに連結されて前記シリンダの外部に延出されたピストンロッドと、
前記シリンダの外周に設けられた外筒と、
前記シリンダの外周囲に設けられ、前記シリンダ内と連通する環状通路を形成する円筒状の側壁を有するセパレータチューブと、
前記シリンダと前記外筒との間の前記セパレータチューブの外側に形成されて作動流体及びガスが封入されたリザーバと、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁に一体に形成されて径方向外側に突出して前記環状通路に連通する通路を形成する略円筒状の枝管と、を備えた緩衝器の製造方法であって、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁に下穴を形成する穴あけ工程と、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁の前記下穴の周囲を径方向外側に突出させて前記枝管を形成するバーリング工程と、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁の円周方向における前記枝管の基部の両側部を内側から押圧する押圧工程と、を含むことを特徴とする緩衝器の製造方法。
【請求項７】
前記押圧工程は、前記枝管の基部の両側部を内側から径方向外側に向け押圧して前記枝管の内周面に凹部を形成し、
前記バーリング工程中または前記バーリング工程後に前記押圧工程を行なうことを特徴とする請求項６に記載の緩衝器の製造方法。
【請求項８】
前記押圧工程は、前記バーリング工程によって前記枝管の基部に生じた残留応力を圧縮方向に変化させる塑性歪を生じさせる押圧加工部を形成することを特徴とする請求項６又は７に記載の緩衝器の製造方法。
【請求項９】
円筒状の側壁を有するチューブと、該チューブの側壁に一体に形成されて径方向外側に略円筒状に突出する枝管とを備え、内部に圧力流体が流れる枝管付チューブであって、
前記枝管は、前記チューブの円筒状の側壁を径方向外側に突出させることにより形成され、前記チューブの円筒状の側壁の円周方向における前記枝管の基部の両側部に、前記チューブの側壁を内側から押圧して径方向外側に向けて内周面を凹ませた凹部が形成されていることを特徴とする枝管付チューブ。
【請求項１０】
作動流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に挿入されたピストンと、
該ピストンに連結されて前記シリンダの外部に延出されたピストンロッドと、
前記シリンダの外周に設けられた外筒と、
前記シリンダの外周囲に設けられ、前記シリンダ内と連通する環状通路を形成する円筒状の側壁を有するセパレータチューブと、
前記シリンダと前記外筒との間の前記セパレータチューブの外側に形成されて作動流体及びガスが封入されたリザーバと、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁に一体に形成されて径方向外側に突出して前記環状通路に連通する通路を形成する略円筒状の枝管と、を備えた緩衝器であって、
前記枝管は、前記セパレータチューブの円筒状の側壁を径方向外側に突出させることにより形成され、前記セパレータチューブの円筒状の側壁の円周方向における前記枝管の基部の両側部に、前記セパレータチューブの側壁を内側から押圧して径方向外側に向けて内周面を凹ませた凹部が形成されていることを特徴とする緩衝器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は、円筒状の側壁を有するチューブと、該チューブの側壁に一体に形成されて径方向外側に突出する略円筒状の枝管とを備えた枝管付チューブの製造方法であって、
前記チューブの円筒状の側壁に下穴を形成する穴あけ工程と、
前記チューブの円筒状の側壁の前記下穴の周囲を径方向外側に突出させて前記枝管を形成するバーリング工程と、
前記枝管の基部付近を内周面または外周面から押圧して、前記バーリング工程によって前記枝管の基部に生じた残留応力を圧縮方向に変化させる塑性歪を生じさせる押圧加工部を形成する残留応力変更工程と、を含むことを特徴とする。
また、円筒状の側壁を有するセパレータチューブと、該セパレータチューブの側壁に一体に形成されて径方向外側に突出する略円筒状の枝管とを備えた枝管付セパレータチューブを用いた緩衝器の製造方法であって、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁に下穴を形成する穴あけ工程と、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁の前記下穴の周囲を径方向外側に突出させて前記枝管を形成するバーリング工程と、
前記セパレータチューブの円筒状の側壁の円周方向における前記枝管の基部の両側部を内側から押圧する押圧工程と、を含むことを特徴とする。
さらに、円筒状の側壁を有するチューブと、該チューブの側壁に一体に形成されて径方向外側に突出する略円筒状の枝管とを備えた枝管付チューブ、および、これを用いた緩衝器であって、
前記枝管は、前記チューブの円筒状の側壁を径方向外側に突出させることにより形成され、前記チューブの円筒状の側壁の円周方向における前記枝管の基部の両側部に、前記チューブの側壁を内側から押圧して径方向外側に向けて内周面を凹ませた凹部が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、枝管付チューブおよびこれを用いた緩衝器の耐圧性及び疲労強度を高めることができ、その薄肉化が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月18日(2016.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、結晶構造を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第１の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深く、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第３の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の窒化絶縁膜と、
前記第１の窒化絶縁膜上方の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、結晶構造を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第１の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深く、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第３の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜に含まれるＳｉの濃度は、３×１０１８／ｃｍ３以下であり、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜に含まれる炭素の濃度は、３×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜は、表面と略垂直な方向にｃ軸が配向した結晶領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜よりも結晶化度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜よりも結晶化度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜は、局在準位による吸収係数が３×１０−３／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上方の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、結晶構造を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第１の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深く、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第３の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の一部をチャネル形成領域として含む第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜上方の第２のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、結晶構造を有し、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第１の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深く、
前記第２の酸化物半導体膜の伝導帯下端は、前記第３の酸化物半導体膜の伝導帯下端に比べて真空準位から深いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜に含まれるＳｉの濃度は、３×１０１８／ｃｍ３以下であり、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜に含まれる炭素の濃度は、３×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜は、当該膜の表面と略垂直な方向にｃ軸が配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の酸化物半導体膜は、当該膜の表面と略垂直な方向にｃ軸が配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜は、局在準位による吸収係数が３×１０−３／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月27日(2016.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上方の第１の酸化物絶縁層と、
前記第１の酸化物絶縁層上方の金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上方の第２の酸化物絶縁層と、
前記第２の酸化物絶縁層を介して前記金属酸化物層と重なる第１のゲート電極層と、を有し、
前記金属酸化物層は、第１乃至第３の金属酸化物層が順に積層された構造を有し、
前記第１乃至前記第３の金属酸化物層は少なくともインジウムを含み、
前記第２の金属酸化物層は、前記第１及び前記第３の金属酸化物層よりもインジウムの含有率が多く、
前記第２の金属酸化物層は結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上方の第１の窒化物絶縁層と、
前記第１の窒化物絶縁層上方の第１の酸化物絶縁層と、
前記第１の酸化物絶縁層上方の金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上方の第２の酸化物絶縁層と、
前記第２の酸化物絶縁層上方の第２の窒化物絶縁層と、
前記第２の酸化物絶縁層及び前記第２の窒化物絶縁層を介して前記金属酸化物層と重なる第１のゲート電極層と、を有し、
前記金属酸化物層は、第１乃至第３の金属酸化物層が順に積層された構造を有し、
前記第１乃至前記第３の金属酸化物層は少なくともインジウムを含み、
前記第２の金属酸化物層は、前記第１及び前記第３の金属酸化物層よりもインジウムの含有率が多く、
前記第２の金属酸化物層は結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化物層は、局在準位による吸収係数が３×１０−３／ｃｍ以下であること特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物絶縁層を介して、前記金属酸化物層と重なる第２のゲート電極層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１及び前記第３の金属酸化物層に含まれるシリコンの濃度は３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第１及び前記第３の金属酸化物層に含まれる炭素の濃度は３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の酸化物絶縁層上方に第１及び第２の金属酸化物層を形成し、
酸素及び窒素雰囲気下で第１の加熱処理を行い、
前記第２の金属酸化物層上方に第３の金属酸化物層を形成し、
前記第３の金属酸化物層上方に第２の酸化物絶縁層を形成し、
酸素及び窒素雰囲気下で第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐチャネル型の第１のトランジスタと、ｎチャネル型の第２のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか一方がオン状態であり、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか他方がオフ状態であり、かつ前記第３のトランジスタがオン状態であり、
前記第２の期間において、前記第１のトランジスタの導通状態が切り替わり、前記第２のトランジスタの導通状態が切り替わり、かつ前記第３のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
【請求項２】
ｐチャネル型の第１のトランジスタと、ｎチャネル型の第２のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか一方がオン状態であり、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか他方がオフ状態であり、かつ前記第３のトランジスタがオン状態であり、
前記第２の期間において、前記第１のトランジスタの導通状態が切り替わり、前記第２のトランジスタの導通状態が切り替わり、かつ前記第３のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
【請求項３】
ｐチャネル型の第１のトランジスタと、ｎチャネル型の第２のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか一方がオン状態であり、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか他方がオフ状態であり、かつ前記第３のトランジスタがオン状態であり、
前記第２の期間において、前記第１のトランジスタの導通状態が切り替わり、前記第２のトランジスタの導通状態が切り替わり、かつ前記第３のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１及び第２の外側面と、第３及び第４の外側面を有し、上部へ開放したキャビティーが設けられた胴体と、
前記キャビティーの底面から前記第１の外側面方向に延びた第１のリードフレームと、
前記キャビティーの底面から前記第２の外側面方向に延びた第２のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの上に配置された発光チップと、
を含み、
前記キャビティーは、第１軸方向に前記第１及び第２の外側面にそれぞれ対応する第１及び第２の内側面を有し、前記第１の内側面と前記発光チップ間の間隔より、前記第２の内側面と前記発光チップ間の間隔が狭く、
前記第１軸方向と直交する第２軸方向に、前記第２の内側面の幅は、前記第１の内側面の幅より狭く、
前記キャビティーの底に露出した前記第２のリードフレームの上面は、前記発光チップに隣接するほど広い幅を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記キャビティーは、前記第１の内側面に連結され、前記発光チップの両側において互いに対応する第２軸方向の第３及び第４の内側面と、前記第２の内側面と前記第３の内側面の間に形成された第５の内側面と、前記第２の内側面と前記第４の内側面との間に形成された第６の内側面とを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記キャビティーの第２の内側面は、前記第１の内側面の幅よりも、２.５〜３.５倍狭い幅を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２のリードフレーム上に配置され、前記キャビティーと、前記胴体の第２及び第４の外側面の少なくとも一側面との間に配置された保護チップを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記保護チップは、前記キャビティーの第５及び第６の内側面の少なくとも１つと、前記胴体の第２の及び第３の外側面の少なくとも１つとの間に配置されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１のリードフレームには、前記第２のリードフレームに隣接した領域に第１の凹部が形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１のリードフレームには、前記胴体の第１外側面に対向する領域に第２の凹部が形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１の凹部の第１の深さは、前記第２の凹部の第２の深さに比較して、２倍以上又は前記第１のリードフレームの長さの３０〜６０％の範囲の深さを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間の間隙の下面幅は、上面幅に比較して、２倍以上広いことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１のリードフレームは、前記胴体の第１の外側面に隣接して、前記第３及び第４の外側面の下へ延び、
前記第１の凹部は、前記胴体の第３の外側面及び第４の外側面の間の間隔と等しい幅を有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第１のリードフレームの下面面積は、前記第１のリードフレームの上面面積よりも３０％以上狭く形成されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１のリードフレームは、前記第１の凹部と前記第２の凹部との間に配置された、前記胴体の下面に露出した第１のリード領域を有し、
前記第２のリードフレームは、前記第１及び第２のリードフレーム間の間隙に隣接し、前記胴体の下面に露出した第２のリード領域を有することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第２のリードフレームは、前記胴体の第２の外側面に対向する領域に第３凹部を有し、
前記第２の凹部の第２の深さと前記第３凹部の第３深さとは、等しい深さを有することを特徴とする請求項７乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１のリードフレームは、前記胴体の第１の外側面、第３及び第４の外側面で露出した第１乃至第３の突起を有し、
前記第２のリードフレームは、前記胴体の第２、第３、及び第４の外側面で露出した第４乃至第６の突起を有し、
前記第１乃至第６の突起は、前記胴体の下面から離隔することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第５の内側面及び第６の内側面の少なくとも１つと、前記第２の内側面との間の内角は、鈍角で形成されることを特徴とする請求項２又は３に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第５の内側面と前記第３の内側面との間の内角は、鈍角で形成され、
前記第６の内側面と前記第４の内側面との間の内角は、鈍角で形成されることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第５の内側面及び第６の内側面の少なくとも１つは、曲面又は変曲点を有することを特徴とする請求項２乃至１６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第５の内側面は、前記第３の内側面との内角が、前記第２の内側面との内角より大きい角度で形成され、
前記第６の内側面は、前記第４の内側面との内角が、前記第２の内側面との内角より大きい角度で形成されることを特徴とする請求項２乃至１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第３の内側面と前記第５の内側面との間の変曲地点と、前記第４の内側面と前記第６の内側面との間の変曲地点とは、前記第１のリードフレーム及び前記第１及び第２のリードフレーム間の間隙の少なくとも１つに配置されることを特徴とする請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第５及び第６の内側面は、前記キャビティーのセンター方向に凸状または凹状に突出することを特徴とする請求項２乃至１９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第２の外側面と、前記キャビティーの第２の内側面との間の上面幅は、前記第１の外側面と前記第１の内側面との間の上面幅よりも広いことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２２】
前記発光チップの周囲に第１のモールド部材と、前記第１のモールド部材上に第２のモールド部材と、前記発光チップと前記第２のモールド部材上に蛍光体層とを含むことを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月19日(2016.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、
前記酸化物半導体積層と前記ゲート電極層との間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体積層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、シリコンを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、結晶部を有するインジウム亜鉛酸化物層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、
前記酸化物半導体積層と前記ゲート電極層との間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体積層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、炭素を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、結晶部を有するインジウム亜鉛酸化物層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第３の酸化物半導体層に含まれるシリコンの濃度は、３×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第３の酸化物半導体層に含まれる炭素の濃度は、３×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の酸化物半導体層は、結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層として、ＩｎＭＸＺｎＹＯＺ（Ｘ≧１、Ｙ＞１、Ｚ＞０、Ｍは、Ｇａ、Ｍｇ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択された一又は複数の金属元素）で表記される層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層された複数の絶縁膜と、
隣接する前記絶縁膜の間に介在するゲート電極を含む複数の水平構造体と、
前記絶縁膜及び前記水平構造体を貫通する半導体柱を含む複数の垂直構造体と、
前記基板と前記垂直構造体との各々の間に介在する複数のエピタキシァルパターンと、を有し、
前記エピタキシァルパターンの最小幅は、前記垂直構造体の幅より小さいことを特徴とする３次元半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記水平構造体の中の最下部の水平構造体は、前記エピタキシァルパターンに接し、前記最下部の水平構造体は、リセスされた前記エピタキシァルパターンに沿って膨らむように配置されることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記エピタキシァルパターンは、リセスされた側壁を有することを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記水平構造体の中の最下部の水平構造体は、残りの他の水平構造体より厚く、
前記エピタキシァルパターンの上部面は、前記最下部の水平構造体の上部面より高いことを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記水平構造体は、同一の厚さを有し、
前記エピタキシァルパターンは、前記基板に近く配置され、垂直的に隣接する少なくとも２つの前記水平構造体に接することを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記水平構造体の各々は、前記ゲート電極と前記半導体柱との間の第１及び第２ブロッキング絶縁膜を含み、
前記第１及び第２ブロッキング絶縁膜の各々は、シリコン酸化膜及びアルミニウム酸化膜の中の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記垂直構造体の各々は、保護膜、電荷格納膜、及びトンネル絶縁膜を含み、
前記垂直構造体に隣接する前記水平構造体は、前記垂直構造体の電荷格納膜に接することを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項８】
下部ゲートパターン及び該下部ゲートパターンを貫通して基板に連結される下部半導体パターンを含む下部構造体と、
前記下部構造体上に積層された上部ゲートパターン、該上部ゲートパターンを貫通して前記下部半導体パターンに連結される上部半導体パターン、及び該上部半導体パターンと前記上部ゲートパターンとの間に介在する垂直絶縁体を含む上部構造体と、を有し、
前記下部半導体パターンは、前記下部ゲートパターンに隣接し、前記基板の上部面に対して傾いた傾斜面によって定義されるリセス領域を有することを特徴とする３次元半導体メモリ装置。
【請求項９】
前記下部ゲートパターンの垂直的な厚さは、前記下部半導体パターンの最大幅より小さいことを特徴とする請求項８に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項１０】
前記下部構造体は、前記下部ゲートパターンを複数個含み、垂直的な位置で該下部ゲートパターンの間に配置された絶縁膜を含み、
前記絶縁膜に隣接する領域で前記下部半導体パターンの横断面は、実質的に円形状を有し、
前記リセス領域で前記下部半導体パターンの横断面は、実質的に方形状を有することを特徴とする請求項８に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項１１】
前記下部半導体パターンの最小幅は、該下部半導体パターンの最大幅と前記下部ゲートパターンの垂直的な厚さとの差異に該当することを特徴とする請求項８に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項１２】
前記下部ゲートパターンと前記下部半導体パターンとの間で前記下部ゲートパターンの上部面及び下部面に延長され、前記上部ゲートパターンと前記垂直絶縁体との間で前記上部ゲートパターンの上部面及び下部面に延長される水平絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項１３】
基板上に、複数の犠牲膜及び複数の絶縁膜が交互に反復的に積層された複数の薄膜構造体を形成する段階と、
前記薄膜構造体を貫通して前記基板を露出させる開口部を形成する段階と、
前記開口部の下部領域を満たす下部半導体膜を形成する段階と、
前記下部半導体膜が形成された前記開口部内に垂直絶縁体及び上部半導体パターンを形成する段階と、
前記薄膜構造体をパターニングして、前記開口部と離隔して前記基板を露出させるトレンチを形成する段階と、
前記トレンチに露出した前記犠牲膜を除去してゲート領域を形成する段階と、
前記ゲート領域の中の少なくとも最下位の１つによって露出した前記下部半導体膜を選択的にエッチングして前記基板に対して傾いた傾斜面によって定義されるリセス領域を有する下部半導体パターンを形成する段階と、
前記ゲート領域内にゲートパターンを形成する段階と、を有することを特徴とする３次元半導体メモリ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記下部半導体膜を形成する段階は、前記開口部によって露出した前記基板をシード（ｓｅｅｄ）として利用する選択的なエピタキシァル工程を遂行する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の３次元半導体メモリ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記下部半導体膜を選択的にエッチングする段階は、ハロゲン元素を含有する反応ガスを利用して気相エッチング（Ｇａｓ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）工程又は化学的乾式エッチング（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｄｒｙ  ｅｔｃｈ）工程を遂行する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の３次元半導体メモリ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティーを有する胴体と、
前記キャビティーの内に複数のリードフレームと、
前記複数のリードフレームのうち、少なくとも１つの上に発光チップと、
前記発光チップの周りに配置され、内部に第１金属酸化物が添加された第１モールディング部材と、
前記第１モールディング部材及び前記発光チップの上に配置され、内部に第２金属酸化物が添加された第２モールディング部材とを含み、
前記発光チップは複数の化合物半導体層を含む発光構造物、前記発光構造物の下に反射電極層を含み、
前記第１モールディング部材の上面は前記キャビティーの底方向に凹んだ凹形である、ことを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記反射電極層は発光チップの上面から１５μｍ以内の距離に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１モールディング部材の上面の低点は前記反射電極層の上面を水平方向に延長した線と同一又はより高く、
前記第１モールディング部材の上面は前記発光チップの側面の上端部から延びることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１モールディング部材の上面が前記キャビティーの内側面と接する線は前記発光チップの上面の高さより低いことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１モールディング部材の上面が前記キャビティーの内側面と接する線の高さは前記発光チップの上面の高さと同一であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１モールディング部材の上面は前記キャビティーの底方向に凹な曲面で形成され、前記凹な曲面の深さは前記発光チップの上面の延長線から前記発光チップの厚さの３０％以上に深く、前記発光チップ厚さの７０％以下に低い深さを有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１モールディング部材の上面は０．０５−１ｍｍの曲率を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１モールディング部材の上面と前記第１モールディング部材の上面に対応する前記第２モールディング部材の下面の曲率は互いに同一な曲率を有することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２モールディング部材の上面は前記第１モールディング部材の上面に形成された曲率より大きい曲率を有することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１金属酸化物は前記第２金属酸化物と同一又は小さい屈折率を有し、前記第１及び第２モールディング部材の内に５〜１５ｗｔ％範囲の含有量で添加されることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２モールディング部材の内に蛍光体を含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１モールディング部材は、前記第２モールディング部材と同一又は小さい屈折率を有することを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１金属酸化物はＴｉＯ２を含み、前記第２金属酸化物はＳｉＯ２を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１モールディング部材と前記第２モールディング部材は互いに同一なシリコン材質であることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記胴体はエポキシまたはシリコン材質であることを特徴とする、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記胴体は前記第１及び第２モールディング部材の材質と同一な材質を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記発光チップと前記第２モールディング部材との間に蛍光体層をさらに含み、
前記蛍光体層は前記発光チップの上面に接触し、前記第１モールディング部材の上面である曲面の高点は、前記蛍光体層の下面より低い位置に配置され、前記第１モールディング部材の上面である曲面の低点は、前記発光チップの上面より低い位置に配置されることを特徴とする、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記蛍光体層は前記第１モールディング部材と前記第２モールディング部材との間にさらに配置されることを特徴とする、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第２モールディング部材は前記第１モールディング部材の最大厚さより厚く配置されることを特徴とする、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記発光チップと前記第２モールディング部材の上面との間の間隔は前記発光チップの厚さの１−３倍厚い厚さを有することを特徴とする、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体と、
前記胴体の上面に配置された第１接合部及び前記第１接合部から延長された第２接合部を有する第１リード電極と、
前記第１接合部の内側に間隙部を置いて包囲された第３接合部及び前記第２接合部に対向する第４接合部を有する第２リード電極と、
前記胴体の下面に配置された第３リード電極と、
前記胴体の下面に配置された第４リード電極と、
前記胴体内に前記第１リード電極と前記第３リード電極を連結する第１連結電極と、
前記胴体内に前記第２リード電極と前記第４リード電極を連結する第２連結電極と、
前記第１リード電極の第１接合部と前記第２リード電極の第３接合部上に配置された発光チップと、
前記発光チップと前記第１リード電極の第１接合部との間を接続する接合部材、及び前記発光チップと前記第２リード電極の第３接合部との間を接続する接合部材を含む第１接合部材を備え、
前記第１リード電極は、前記第２リード電極の第３接合部の周りに配置される発光素子。
【請求項２】
前記間隙部は、前記第１接合部と前記第３接合部との間の配置された第１間隙部を含み、前記第１間隙部は前記第３接合部の第１軸方向の幅で離隔されてお互いに平行な第１及び第２領域と、前記第１及び第２領域に連結されて前記第１及び第２領域に対して垂直な第３領域を含み、
前記発光チップは、前記間隙部の第１乃至３領域上に配置される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２接合部と前記第４接合部上に配置された保護チップと、及び前記保護チップと前記第２接合部との間を接続する接合部材及び前記保護チップと前記第４接合部との間を接続する接合部材を含む第２接合部材群を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２及び第４接合部は間に配置された第２間隙部を置いて対向しており、前記第２間隙部は前記第１及び第２領域に対して平行に配置され、
前記保護チップは、前記第２間隙部上に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１領域及び第２領域のうちで少なくとも一つと前記第３領域の間に前記第３領域の仮想直線に対して鈍角で折曲された領域を含むことを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１接合部と前記第３接合部は、前記間隙部の領域で少なくとも３側面がお互いに対向することを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１リード電極及び第２リード電極の外側面は前記胴体の側面から離隔されて、前記第１リード電極から前記胴体の第１側面に延長された第１支持突起と、
前記第１リード電極から前記胴体の第２側面に延長された第２支持突起と、
前記第２リード電極から前記胴体の第１側面に延長された第３支持突起と、
前記第１リード電極から前記胴体の第２側面に延長された第４支持突起を含むことを特徴とする請求項２乃至６のうちいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１支持突起と前記第２支持突起を連結する仮想線分は、前記発光チップの中心と同じ線上に配置されることを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第３支持突起と前記第４支持突起を連結する仮想線分は、前記保護チップの中心と同じ線上に配置されることを特徴とする請求項７または８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１リード電極には前記発光チップのコーナーのうちで少なくとも３コーナーに対応される領域に第１乃至第３リセス部を含み、
前記第１乃至第３リセス部の深さは、前記発光チップのある一側面と前記発光チップのある一側面に隣接した前記胴体の側面の間の間隔であり、
前記発光チップは、前記第１乃至第３リセス部の間の領域に配置されることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第１及び第２リセス部は、前記発光チップのある一側面に接するように配置されて、
前記第１及び第２リセス部の間の間隔は、前記発光チップのある一側面の長さであることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１及び第３リセス部は、前記第１及び第２リセス部の間の間隔よりさらに離隔されて、前記発光チップの対角線長さで離隔されることを特徴とする請求項１０または１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１連結電極は、前記発光チップのある一角に接するように配置されて、前記第１乃至第３リセス部から前記発光チップのある一側面の長さよりさらに離隔されることを特徴とする請求項１０乃至１２のうちいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記発光チップの周りに金属酸化物を有する第１樹脂層と、
前記発光チップ上に蛍光体層と、
前記第１樹脂層上にある第２樹脂層と、を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれかに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１樹脂層は、前記発光チップの上面より低く前記保護チップの上面上に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１樹脂層には前記金属酸化物が５〜１５ｗｔ％範囲で添加されて、
前記金属酸化物は、ＴｉＯ２を含むことを特徴とする請求項１４または１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に金属酸化物が添加された第３樹脂層を含み、
前記第３樹脂層は、前記発光チップの側面から離隔されて、前記保護チップを覆うことを特徴とする請求項１５または１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記胴体は、サファイア(Ａｌ２Ｏ３)のセラミックス材質を含むことを特徴とする請求項２乃至１７のうちいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記発光チップは、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する発光構造層と、該発光構造層上に第１電極層と、該第１電極層上に反射層と、該反射層上に第２電極層と、該第２電極層上に配置されて前記第１リード電極の第１接合部と対応される第２電極と、前記発光構造層内に前記第１導電型半導体層を露出する複数のリセスと、該複数のリセス及び前記第２電極層の一部に絶縁層と、該絶縁層上に配置されて前記第２リード電極の第２接合部に対応される複数の第２電極を含むことを特徴とする請求項２乃至１８のうちいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】
前記発光チップの複数の第１電極は、お互いに離隔されて、前記複数の第１電極の間に前記第２電極の一部が配置されることを特徴とする請求項１９に記載の発光素子。