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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対してシリコン、炭素およびハロゲン元素を含みＳｉ−Ｃ結合を有する原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、
前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記基板に対してIII族元素またはＶ族元素のいずれかの所定元素を含む改質ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、炭素および前記所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記サイクルは、
前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、を含むセットを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素および炭素を含む第１の薄膜を形成する工程と、
前記改質ガスを供給する工程を行うことにより、前記第１の薄膜を前記所定元素を更に含む第２の薄膜に改質する工程と、
を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の薄膜を形成する工程および前記第１の薄膜を改質する工程は、前記基板を同一の処理室内に収容した状態で行われる請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の薄膜を形成する工程および前記第１の薄膜を改質する工程は、前記基板をそれぞれ異なる処理室内に収容した状態で行われる請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記サイクルは、前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、前記改質ガスを供給する工程と、をこの順に行う工程を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、では、前記基板の温度を室温以上１５０℃以下の温度とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記改質ガスを供給する工程では、前記基板の温度を室温以上５００℃以下の温度とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記改質ガスを供給する工程では、前記基板の温度を、前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、における前記基板の温度と等しい温度とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記改質ガスを供給する工程では、前記基板の温度を２００℃以上９００℃以下の温度とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記各工程は、ノンプラズマの雰囲気下で行われる請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記改質ガスを供給する工程では、前記改質ガスをプラズマで励起した状態で前記基板に対して供給する請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記改質ガスを供給する工程では、前記改質ガスを触媒ガスと共に前記基板に対して供給する請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記原料ガスは、アルキル基およびアルキレン基のうち少なくともいずれかを含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記改質ガスは、前記III族元素としてＢまたはＩｎを含み、前記Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へシリコン、炭素およびハロゲン元素を含みＳｉ−Ｃ結合を有する原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記処理室内へ触媒ガスを供給する触媒ガス供給系と、
前記処理室内へIII族元素またはＶ族元素のいずれかの所定元素を含む改質ガスを供給する改質ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスと触媒ガスとを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する処理と、前記基板に対して前記改質ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、炭素および前記所定元素を含む薄膜を形成する処理を行うように前記原料ガス供給系、前記酸化ガス供給系、前記触媒ガス供給系、および前記改質ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１６】
基板処理装置の処理室内の基板に対してシリコン、炭素およびハロゲン元素を含みＳｉ−Ｃ結合を有する原料ガスと、触媒ガスとを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する手順と、
前記基板に対してIII族元素またはＶ族元素のいずれかの所定元素を含む改質ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、炭素および前記所定元素を含む薄膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源周縁部を有する熱源と、
前記熱源に結合された第１伝導部材であって、少なくとも前記熱源周縁部まで延在する支持部分と、前記支持部分から延在すると共にウェブ領域により互いに分離された複数のフィンガ部分であって、前記ウェブ領域のウェブ厚さよりも大きなフィンガ厚さを有する複数のフィンガ部分とを有する第１伝導部材と、
前記第１伝導部材に結合された基板と、を具備する電力エレクトロニクス・デバイスであって、
前記第１伝導部材のフィンガ部分は、前記第１伝導部材のフィンガ厚さが、前記支持部分からの距離が増大するにつれて減少するようにテーパ付けされている、電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項２】
熱源周縁部を有する熱源と、
前記熱源に結合された第１伝導部材であって、少なくとも前記熱源周縁部まで延在する支持部分と、前記支持部分から延在する複数のフィンガ部分とを有すると共に、隣り合う二つの前記フィンガ部分間において、第１伝導部材周縁部に沿って不連続である第１伝導部材と、
前記第１伝導部材に結合された基板と、を具備する電力エレクトロニクス・デバイスであって、
前記第１伝導部材のフィンガ部分は、前記第１伝導部材のフィンガ厚さが、前記支持部分からの距離が増大するにつれて減少するようにテーパ付けされている、電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項３】
前記ウェブ領域の厚さはゼロである、請求項１に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項４】
前記第１伝導部材は、隣り合う少なくとも二つのフィンガ部分間において、第１伝導部材周縁部に沿って不連続である、請求項１に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項５】
前記第１伝導部材とは反対側で前記基板に結合された第２伝導部材を更に具備する、請求項１または２に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項６】
前記第２伝導部材は第２伝導部材周縁部を備えて成り、且つ、
前記複数のフィンガ部分の少なくとも一つのフィンガ部分が、前記第２伝導部材周縁部の近傍の第１伝導部材周縁部まで延在する、請求項５に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項７】
前記基板とは反対側で前記第２伝導部材に結合された冷却構造体であって、前記熱源から排出された熱を除去する冷却構造体を更に具備する、請求項５に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項８】
前記第１伝導部材の少なくとも二つの隣り合うフィンガ部分間の最大間隔は、前記基板の基板厚さの約４倍以下である、請求項１または２に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項９】
前記支持部分の図心の近傍に位置するフィンガ部分は、前記熱源周縁部に対してほぼ垂直である、請求項１または２に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項１０】
前記複数のフィンガ部分の少なくとも一つのフィンガ部分は、最小幅に対する最小長の比率が５：１より大きい最小長および最小幅を有する、請求項１または２に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項１１】
前記複数のフィンガ部分の少なくとも一つのフィンガ部分に関し、第１伝導部材周縁部から喉部までの最小距離は、前記喉部から前記支持部分までの最小間隔距離よりも大きい、請求項１または２に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【請求項１２】
前記喉部から前記支持部分までの前記最小間隔距離に対する、前記第１伝導部材周縁部から前記喉部までの前記最小距離の比率は、２：１より大きい、請求項１１に記載の電力エレクトロニクス・デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このようにして、金属板１０の上面側に、中央部に部品接続用パッドＰ１を備え、中央部の周囲に外部接続用パッドＰ２を備えた複数の配線層２０を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以上により、実施形態の電子部品装置１が得られる。図１３に示すように、本実施形態の電子部品装置１は、下面が大気に露出した状態の配線層２０を備えている。配線層２０は、中央部に部品接続用パッドＰ１を備え、中央部の周囲に外部接続用パッドＰ２を備えている。部品接続用パッドＰ１は引き出し配線部Ｗを介して外部接続用パッドＰ２に接続されている。複数の配線層２０の間の領域には永久レジスト層１２が配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
また、図１８に示す第２変形例の電子部品装置１ｂのように、封止樹脂５０、半導体素子４０及び枠部材３０を削ることにより、半導体素子４０の背面を露出させてもよい。これにより、電子部品装置１ｂの厚みを薄くすることができる。例えば、半導体素子４０の厚みが５０μｍ〜３０μｍになるように加工される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月16日(2015.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に互いに離間して配された複数の画素電極と、
該複数の画素電極上および該画素電極間に連続膜状に配された、光電変換層を含む有機膜と、
該有機膜の上に配された対向電極と、
該対向電極の上に配された保護膜とを有し、
前記画素電極の上面と前記基板の表面との段差が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、
前記画素電極の端部のテーパ角度が、１０°以上、９０°以下であり、
前記保護膜の内部応力が−６００ＭＰａ以上、−２００ＭＰａ未満であり、
前記保護膜の膜厚と内部応力の積が−４０,０００ＭＰａ×ｎｍ以上、−１４，０００Ｍｐａ×ｎｍ未満である光電変換素子。
【請求項２】
前記保護膜が、酸化アルミニウム層および酸窒化珪素層とから構成される請求項１記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記保護膜が、酸窒化珪素層のみからなる請求項１記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記内部応力が−４００ＭＰａ以上、−２００ＭＰａ未満である請求項１から３いずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記傾斜角度が３０°以上、９０°以下である請求項１から４いずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記段差が５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下である請求項１から５いずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項７】
請求項１から６いずれか１項記載の有機光電変換素子を備えた撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月4日(2016.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面側を受光面とし、当該受光面に沿って複数の画素が設定された半導体層と、
前記画素毎に前記半導体層内に設けられた光電変換部と、
前記半導体層の受光面側に形成された溝パターン内に絶縁層を設けて構成され、前記画素と画素との間の画素境界に対してずれた位置に設けられた溝型素子分離とを備えた
固体撮像装置。
【請求項２】
前記画素境界に対する前記溝型素子分離のずれる方向は、前記各画素において受光目的とする光の波長に依存する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記半導体層における受光面の上方には、前記光電変換部の上方を開口する開口部を有し、前記画素境界を中心とした線幅にパターン形成された遮光膜が設けられた
請求項１または２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記溝型素子分離は、前記遮光膜で覆われている
請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記半導体層における受光面の上方には、中心を前記画素の中心に対して一致させてパターン形成された各色のカラーフィルタが設けられた
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記半導体層における受光面の上方には、中心を前記画素の中心に対して一致させてパターン形成されたオンチップレンズが設けられた
請求項１〜５の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記溝型素子分離は、隣接して配置された前記画素のうち、受光目的とする光の波長が長い画素の方向にずれて設けられた
請求項１〜６の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記溝型素子分離は、前記溝パターンの中央に遮光膜が埋め込まれた
請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記溝型素子分離は、パターン幅が前記受光面側で大きくなるように多段階に形成された
請求項１〜８の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記溝型素子分離は、少なくとも前記受光面側の部分が前記画素境界に対してずれている
請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記溝型素子分離は、隣接して配置された前記画素のうち、受光目的とする光の波長が短い画素の方向にずれて設けられた
請求項１〜６の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記半導体層内には、前記受光面と逆側の面から前記溝型素子分離にまで達する前記画素境界上に、不純物領域で構成された分離領域を備えた
請求項１〜１１の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
一主面側を受光面とし、当該受光面に沿って複数の画素が設定された半導体層と、
前記画素毎に前記半導体層内に設けられた光電変換部と、
前記半導体層の受光面側に形成された溝パターン内に絶縁層を設けて構成され、前記画素と画素との間の画素境界に対してずれた位置に設けられた溝型素子分離と、
前記光電変換部に入射光を導く光学系とを備えた
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
図１５は、本技術の第６実施形態に係る電子機器の一例として、固体撮像装置を用いたカメラの構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。このカメラ９１は、固体撮像装置１と、固体撮像装置１の受光センサ部に入射光を導く光学系９３と、シャッタ装置９４と、固体撮像装置１を駆動する駆動回路９５と、固体撮像装置１の出力信号を処理する信号処理回路９６とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2014229810.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、該ハウジングに取付けられた固定子と、該固定子によって生じる回転磁界によって回転する回転子と、該回転子の回転に伴って回転する一端が前記ハウジングから突出して出力軸となる回転軸と、前記ハウジングの内部に設けられ前記回転軸を支持する軸受と、反出力軸側の前記ハウジングの外部に設けられた冷却ファンと、前記ハウジングの外周面に設けられ端子箱を設置するための端子箱台座とを有する回転電機であって、
前記端子箱台座が配置されていない前記ハウジングの外周面の円周上であって回転軸方向に延伸する部分を覆う第１の面と出力軸側外周端部であって前記回転子の半径方向に延伸する部分を覆う第２の面とが一体に構成されたカバーを前記ハウジングの外周部に設けたことを特徴とする回転電機。
【請求項２】
請求項１に記載の回転電機であって、
前記端子箱台座を複数有し、
前記カバーは、さらに前記端子箱台座に固定するための第３の面を有し、該第３の面は前記第１の面と前記第２の面と一体に構成されており、
前記カバーは、前記第３の面を介して前記複数の端子箱台座のうち端子箱を設置しない端子箱台座に固定されていることを特徴とする回転電機。
【請求項３】
請求項１または２の何れか１項に記載の回転電機であって、
前記カバーの第１の面は、前記反出力軸側の方向に延伸した面であることを特徴とする回転電機。
【請求項４】
請求項１から３の何れか１項に記載の回転電機であって、
前記カバーは前記第１の面と前記第２の面を複数有し、それらの面が一体に構成されていることを特徴とする回転電機。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項に記載の回転電機であって、
前記カバーは前記第１の面または前記第３の面にフィンを備えていることを特徴とする回転電機。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の回転電機であって、
前記第１の面と第２の面または前記第３の面は平面であることを特徴とする回転電機。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御盤の内部にＩＣメモリを設け、該ＩＣメモリには該制御盤の固有の情報が記録されていることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項２】
請求項１に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記ＩＣメモリは前記制御盤の内部の部材に埋め込まれていることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項３】
請求項１に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記ＩＣメモリは前記制御盤の内部の制御盤の銘鈑に埋め込まれていることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記制御盤の固有の情報は該制御盤の回路図面であることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記ＩＣメモリに記録された情報は、別体のＩＣメモリリーダを用いて表示端末に表示することを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記ＩＣメモリに記録された情報は、別体のＩＣメモリリーダ・ライターを用いて表示端末に表示、または書き換えることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項７】
制御盤にＩＣメモリを設け、該ＩＣメモリには該制御盤に関する情報が記録されており、
該ＩＣメモリは、前記制御盤の扉の表面に設けられていることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項８】
請求項７に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記制御盤に関する情報は該制御盤の交換部品表であることを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【請求項９】
請求項７に記載の情報保管装置付き制御盤であって、
前記制御盤に関する情報は該制御盤の製品情報であって、
前記ＩＣメモリの内容を読み取り表示して参照可能な電子銘鈑の機能を有することを特徴とする情報保管装置付き制御盤。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月9日(2016.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
未架橋の架橋性高分子は、典型的には６０００超、例えば６０００〜３０，０００、好ましくは８０００超、９０００超または１０，０００超の重量平均分子量Ｍｗを有し、８０００超〜２０，０００未満、９０００〜１８，０００および１０，０００〜１５，０００が典型的である。好ましい分子量により、合成中の妥当な歩留りおよび低膨張性（low swelling）／使用の際にギャップ充填組成物に接触する溶剤、例えば下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）、フォトレジスト、および現像液材料で使用される溶剤への高剥離抵抗性が可能となる。高膨張性／低剥離抵抗性は、上塗りしたフォトレジストのパターニング中にパターン崩壊を生じ得る。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路装置のレイアウトを設計する方法であって、
前記半導体集積回路装置の論理機能を実現する複数の機能ブロックをそれぞれ構成する複数のスタンダードセルをロジック回路配置領域の一部に配置するステップ（ａ）と、
前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセルが配置されていない領域の一部に、複数の基本セルを配置するステップ（ｂ）と、
前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセル及び基本セルが配置されていない領域の少なくとも一部に、所定のトランジスターのゲート電極と第１の電源配線との間に接続される第１のダイオード及び該ゲート電極と第２の電源配線との間に接続される第２のダイオードを含む少なくとも１つのダイオードセルを配置するステップ（ｃ）と、
を具備するレイアウト設計方法。
【請求項２】
前記基本セルの幅が前記ダイオードセルの幅よりも大きく、前記スタンダードセルの長さと前記基本セルの長さと前記ダイオードセルの長さとが略等しい、請求項１記載のレイアウト設計方法。
【請求項３】
ステップ（ｂ）が、前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセルが配置されていない領域の一部に、複数の第１の基本セルを配置するステップ（ｂ１）と、前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセル及び第１の基本セルが配置されていない領域の一部に、前記第１の基本セルの幅よりも小さく前記ダイオードセルの幅よりも大きい幅を有する複数の第２の基本セルを配置するステップ（ｂ２）とを含む、請求項１又は２記載のレイアウト設計方法。
【請求項４】
前記第１の基本セルの幅が前記ダイオードセルの幅の略３倍であり、前記第２の基本セルの幅が前記ダイオードセルの幅の略２倍であり、前記スタンダードセルの長さと前記第１の基本セルの長さと前記第２の基本セルの長さと前記ダイオードセルの長さとが略等しい、請求項３記載のレイアウト設計方法。
【請求項５】
前記基本セル又は前記第１の基本セルが、共通の第１のゲート電極を有する第１のＰチャネルトランジスター及び第１のＮチャネルトランジスターと、共通の第２のゲート電極を有する第２のＰチャネルトランジスター及び第２のＮチャネルトランジスターとを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載のレイアウト設計方法。
【請求項６】
前記第２の基本セルが、共通の第３のゲート電極を有する第３のＰチャネルトランジスター及び第３のＮチャネルトランジスターを含む、請求項３又は４記載のレイアウト設計方法。
【請求項７】
ロジック回路配置領域を有する半導体基板を含む半導体集積回路装置であって、
前記ロジック回路配置領域の一部に配置され、前記半導体集積回路装置の論理機能を実現する複数の機能ブロックをそれぞれ構成する複数のスタンダードセルと、
前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセルが配置されていない領域の一部に配置された複数の基本セルと、
前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセル及び基本セルが配置されていない領域の少なくとも一部に配置され、所定のトランジスターのゲート電極と第１の電源配線との間に接続される第１のダイオード及び該ゲート電極と第２の電源配線との間に接続される第２のダイオードを含む少なくとも１つのダイオードセルと、
を具備し、前記ダイオードセルが、前記ダイオードセルの長手方向と直交する方向において、２つのスタンダードセルの間の領域、スタンダードセルと基本セルとの間の領域、又は、前記ロジック回路配置領域の端部の領域の少なくとも一部に配置されている、半導体集積回路装置。
【請求項８】
前記複数の基本セルが、前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセルが配置されていない領域の一部に配置された複数の第１の基本セルと、前記ロジック回路配置領域においてスタンダードセル及び第１の基本セルが配置されていない領域の一部に配置され、前記第１の基本セルの幅よりも小さく前記ダイオードセルの幅よりも大きい幅を有する複数の第２の基本セルとを含む、請求項７記載の半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図１１は、図１０に示す第２の基本セルを用いて構成されるインバーターのレイアウトの例を示す平面図である。図１１において、「×」印は、層間絶縁膜に形成されたスルーホールの位置を表している。層間絶縁膜上に形成された配線が、スルーホールを通して、第２の基本セル１２ｂに含まれている複数のトランジスターのゲート電極又は不純物拡散領域に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記第１絶縁層の上面には、該第１絶縁層内に設けられた前記補強材が露出及び突出していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層よりも薄く設定され、
前記第２配線構造を構成する前記絶縁層及び前記配線層は複数層からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ビア配線は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔内を充填するように形成され、
前記ビア配線の上端面が前記第１絶縁層の上面と面一になるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２配線構造は、
前記第１絶縁層の上面に露出及び突出した補強材を被覆するように、前記第１絶縁層の上面に積層された、感光性樹脂を主成分とする第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の上面に開口し、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通して前記ビア配線の上端面を露出する第２貫通孔と、
前記第２貫通孔内に充填された第１配線層と、を有し、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁層の上面には、前記第１絶縁層を構成する樹脂層の上面から突出した補強材と前記樹脂層の上面とによって形成される凹凸と、前記樹脂層の上面に露出した補強材の表面に形成された凹凸との２種類の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記最外絶縁層の厚さは、前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さと等しい、又は前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さよりも厚く設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる複数層の第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる複数層の第２絶縁層と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有し、前記複数層の第１絶縁層のうち最上層の第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記複数層の第２絶縁層のうち最下層の第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記最上層の第１絶縁層の上面には、該最上層の第１絶縁層内に設けられた前記補強材が露出及び突出していることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記第２配線構造の最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
コア基板を準備する工程と、
前記コア基板の上面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記導電層の上面側から前記導電層及び前記第１絶縁層の上面を研磨し、前記第１絶縁層の上面に該第１絶縁層内に設けられた前記補強材を露出及び突出させるとともに、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記第１貫通孔内に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、
前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２配線構造を積層する工程は、
前記第１絶縁層の上面に露出及び突出した補強材を被覆するように、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする第３絶縁層を積層する工程と、
前記第３絶縁層の上面に開口し、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通して前記ビア配線の上端面を露出する第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔を充填する第１配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、前記第１絶縁層の上面には、該第１絶縁層内に設けられた前記補強材が露出及び突出している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、コア基板を準備する工程と、前記コア基板の上面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、前記導電層の上面側から前記導電層及び前記第１絶縁層の上面を研磨し、前記第１絶縁層の上面に該第１絶縁層内に設けられた前記補強材を露出及び突出させるとともに、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記第１貫通孔内に形成する工程と、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ＬｉｄＮｉ１−ａ−ｂ−ｃＣｏａＭｂＮｂｃＯ２（但し、ＭはＭｎ、Ｖ、Ｍｇ、Ｔｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素であり、０．０５≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．１０、０．００６≦ｃ≦０．０５、０．９５≦ｄ≦１．２０である。）で表されるリチウム遷移金属複合酸化物からなる非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法であって、
一般式Ｎｉ１−ａ−ｂ−ｃＣｏａＭｂＮｂｃ（ＯＨ）２（但し、ＭはＭｎ、Ｖ、Ｍｇ、Ｔｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素であり、０．０５≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．１０、０．００６≦ｃ≦０．０５、０．９５≦ｄ≦１．２０である。）で表されるニオブ含有遷移金属複合水酸化物を得る晶析工程、
該ニオブ含有遷移金属複合水酸化物を炭酸塩水溶液で洗浄して正極活物質の前駆体を得る洗浄工程、
該前駆体とリチウム化合物とを混合してリチウム混合物を得る混合工程および
該リチウム混合物を酸化雰囲気中７００〜８２０℃で焼成してリチウム遷移金属酸化物を得る焼成工程
を含むことを特徴とする非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項２】
前記晶析工程は、少なくともニッケルおよびコバルトを含む混合水溶液にアルカリ水溶液を加えて晶析させ、一般式Ｎｉ１−ａ’−ｂ’Ｃｏａ’Ｍｂ’（ＯＨ）２（但し、ＭはＭｎ、Ｖ、Ｍｇ、Ｔｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素であり、０．０５≦ａ’≦０．３５、０≦ｂ’≦０．１０である。）で表される遷移金属複合水酸化物を得る工程、および該遷移金属複合水酸化物のスラリーにニオブ化合物を被覆して、前記ニオブ含有遷移金属複合水酸化物を得る工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項３】
前記晶析工程は、少なくともニッケル及びコバルトを含む混合水溶液に、ニオブ溶液とアルカリ水溶液を加えて晶析させることで、前記ニオブ含有遷移金属複合水酸化物を得る工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄工程における炭酸塩水溶液のｐＨが８以上１２以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄工程における炭酸塩水溶液は、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸アンモニウムから選ばれる少なくとも１種類以上の炭酸塩水溶液であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項６】
前記焼成工程後に、スラリー中に含まれる水１Ｌに対する前記リチウム遷移金属複合酸化物の量（ｇ）を１００〜２０００ｇとして水洗することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項７】
一般式ＬｉｄＮｉ１−ａ−ｂ−ｃＣｏａＭｂＮｂｃＯ２（但し、ＭはＭｎ、Ｖ、Ｍｇ、Ｔｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素であり、０．０５≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．１０、０．００６≦ｃ≦０．０５、０．９５≦ｄ≦１．２０である。）で表されるリチウム遷移金属複合酸化物からなる非水系電解質二次電池用正極活物質であって、
硫酸根含有量が０．２質量％以下、かつ塩素含有量が０．１質量％以下である
ことを特徴とする非水系電解質二次電池用正極活物質。
【請求項８】
前記リチウム遷移金属複合酸化物の結晶子径が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載の非水系電解質二次電池用正極活物質。
【請求項９】
前記リチウム遷移金属複合酸化物は多孔質構造を有し、比表面積が１．４〜７．０ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項７又は８に記載の非水系電解質二次電池用正極活物質。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかに記載の非水系電解質二次電池用正極活物質を正極に用いたことを特徴とする非水系電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月21日(2016.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム（３）は、第１ライセンシーと紐付けするための第１情報（Ｉａ）を含み、コンテンツ（Ｃ）の使用を前記第１ライセンシーに許可する第１ライセンス（Ａ）を発行する過程と、
第１装置（１）から、前記第１ライセンス（Ａ）を第２ライセンシーに移転または前記第２ライセンシーと共有する設定の要求に応じて、前記移転または前記共有を設定する過程と、
第２装置（２）から、前記移転または前記共有の設定がなされているか否かを確認するための確認情報（Ａ）の受信に応じて、該設定がなされていることを確認して、前記第２ライセンシーと紐付けするための第２情報（Ｉｂ）を含み、前記コンテンツ（Ｃ）の使用を前記第２ライセンシーに許可する第２ライセンス（Ｂ）を発行し前記第２装置（２）に応答する過程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法を実現させるために用いる前記システム（３）に、
前記確認情報（Ａ）を送信し、前記第２ライセンス（Ｂ）を受信することを特徴とする第２装置（２）。
【請求項３】
コンピュータを、
請求項１に記載の方法を実現させるために用いる前記システム（３）に、
前記確認情報（Ａ）を送信させ、前記第２ライセンス（Ｂ）を受信させる前記第２装置（２）として機能させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために本発明のライセンス発行方法において、システム（３）は、第１ライセンシーと紐付けするための第１情報（Ｉａ）を含み、コンテンツ（Ｃ）の使用を前記第１ライセンシーに許可する第１ライセンス（Ａ）を発行する過程と、第１装置（１）から、前記第１ライセンス（Ａ）を第２ライセンシーに移転または前記第２ライセンシーと共有する設定の要求に応じて、前記移転または前記共有を設定する過程と、第２装置（２）から、前記移転または前記共有の設定がなされているか否かを確認するための確認情報（Ａ）の受信に応じて、該設定がなされていることを確認して、前記第２ライセンシーと紐付けするための第２情報（Ｉｂ）を含み、前記コンテンツ（Ｃ）の使用を前記第２ライセンシーに許可する第２ライセンス（Ｂ）を発行し前記第２装置（２）に応答する過程を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明によれば、請求項１〜３は、第１ライセンスを第２ライセンシーに移転または第２ライセンシーと共有するための第２ライセンスを発行するため、第１ライセンシーのライセンスを第２ライセンシーに移転または第２ライセンシーと共有することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月19日(2016.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器ごとの識別情報に対応付けて、機器ごとの情報を記憶する記憶部と、
模倣対象の機器の識別情報の指定を受け付ける受付部と、
前記受付部が受け付けた識別情報に対応付けられて前記記憶部に記憶されている情報に基づいて、機器に対応するアプリケーションプログラムからの要求に対して機器の動作を模倣する模倣部と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記機器ごとの情報は、前記機器の性能若しくは仕様に関する情報である、
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記模倣部は、前記記憶部に記憶されている情報に応じて、機器が実行するジョブに関する処理を変化させる、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記模倣は、エミュレート又はシミュレートである、
ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の情報処理装置。
【請求項５】
機器ごとの識別情報に対応付けて、機器ごとの情報を記憶する記憶部と、
模倣対象の機器の識別情報の指定を受け付ける受付部と、
前記受付部が受け付けた識別情報に対応付けられて前記記憶部に記憶されている情報に基づいて、機器に対応するアプリケーションプログラムからの要求に対して機器の動作を模倣する模倣部と、
を有することを特徴とする情報処理システム。
【請求項６】
１台以上のコンピュータが、
模倣対象の機器の識別情報の指定を受け付ける受付手順と、
機器ごとの識別情報に対応付けられて記憶部に記憶されている機器ごとの情報のうち、前記受付手順において受け付けた識別情報に対応付けられている情報に基づいて、機器に対応するアプリケーションプログラムからの要求に対して機器の動作を模倣する模倣手順と、
前記模倣手順における機器の動作の模倣に関する情報を、ネットワークを介して接続される情報処理装置に表示させる表示手順と、
を実行することを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】
前記機器ごとの情報は、前記機器の性能若しくは仕様に関する情報である、
ことを特徴とする請求項６記載の情報処理方法。
【請求項８】
前記模倣手順は、前記記憶部に記憶されている情報に応じて、機器が実行するジョブに関する処理を変化させる、
ことを特徴とする請求項６又は７記載の情報処理方法。
【請求項９】
前記模倣は、エミュレート又はシミュレートである、
ことを特徴とする請求項６乃至８いずれか一項記載の情報処理方法。
【請求項１０】
コンピュータに、
模倣対象の機器の識別情報の指定を受け付ける受付手順と、
機器ごとの識別情報に対応付けられて記憶部に記憶されている機器ごとの情報のうち、前記受付手順において受け付けた識別情報に対応付けられている情報に基づいて、機器に対応するアプリケーションプログラムからの要求に対して機器の動作を模倣する模倣手順と、
を実行させるプログラム。
【請求項１１】
前記機器ごとの情報は、前記機器の性能若しくは仕様に関する情報である、
ことを特徴とする請求項１０記載のプログラム。
【請求項１２】
前記模倣手順は、前記記憶部に記憶されている情報に応じて、機器が実行するジョブに関する処理を変化させる、
ことを特徴とする請求項１０又は１１記載のプログラム。
【請求項１３】
前記模倣は、エミュレート又はシミュレートである、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２いずれか一項記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで上記課題を解決するため、情報処理装置は、機器ごとの識別情報に対応付けて、機器ごとの情報を記憶する記憶部と、模倣対象の機器の識別情報の指定を受け付ける受付部と、前記受付部が受け付けた識別情報に対応付けられて前記記憶部に記憶されている情報に基づいて、機器に対応するアプリケーションプログラムからの要求に対して機器の動作を模倣する模倣部と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客の購入対象の商品を登録する登録装置と、前記商品の登録データに基づいて精算を行う複数の精算装置とを有するＰＯＳシステムにおいて、
前記登録装置は、
登録商品についての精算を行うべき精算装置を選択する選択手段と、
前記商品の登録が終了したことを示す所定の操作を受け付ける操作受付手段と、
を備え、
前記選択手段は、
前記操作受付手段が前記所定の操作を受け付けた後、前記精算装置を選択する
ことを特徴とするＰＯＳシステム。
【請求項２】
前記登録装置は、
前記精算装置から精算処理に関するステータス情報を取得する取得手段、
を備え、
前記選択手段は、前記登録商品についての精算を行うべき精算装置を前記ステータス情報に基づいて選択する
ことを特徴とする請求項１に記載のＰＯＳシステム。
【請求項３】
前記選択手段は、
前記ステータス情報が使用中である精算装置の選択を出来ないように選択禁止の制御を行う
ことを特徴とする請求項２に記載のＰＯＳシステム。
【請求項４】
前記登録装置は、
前記選択手段として操作可能な選択ボタンに、前記精算装置のステータス情報に基づく情報を重ねて表示する表示手段、
を備えることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のＰＯＳシステム。
【請求項５】
顧客の購入対象の商品を登録する登録手段と、
登録商品についての精算を行うべき精算装置を選択する選択手段と、
前記商品の登録が終了したことを示す所定の操作を受け付ける操作受付手段と、
を備え、
前記選択手段は、
前記操作受付手段が前記所定の操作を受け付けた後、前記精算装置を選択する
ことを特徴とする登録装置。
【請求項６】
顧客の購入対象の商品を登録する登録装置と、前記商品の登録データに基づいて精算を行う複数の精算装置とを有するＰＯＳシステムにおける登録装置としてのコンピュータを、
前記商品の登録が終了したことを示す所定の操作を受け付ける操作受付手段と、
前記操作受付手段が前記所定の操作を受け付けた後、登録商品についての精算を行うべき精算装置を選択する選択手段と、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＰＯＳシステム、登録装置、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、顧客が精算時の操作を行う際に用いて好適なＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ  Ｏｆ  Ｓａｌｅｓ）システム、登録装置、及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、精算処理における顧客の操作を軽減することができるＰＯＳシステム、登録装置、及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の一態様は、顧客の購入対象の商品を登録する登録手段と、登録商品についての精算を行うべき精算装置を選択する選択手段と、前記商品の登録が終了したことを示す所定の操作を受け付ける操作受付手段と、を備え、前記選択手段は、前記操作受付手段が前記所定の操作を受け付けた後、前記精算装置を選択することを特徴とする登録装置である。
また、本発明の一態様は、顧客の購入対象の商品を登録する登録装置と、前記商品の登録データに基づいて精算を行う複数の精算装置とを有するＰＯＳシステムにおける登録装置としてのコンピュータを、前記商品の登録が終了したことを示す所定の操作を受け付ける操作受付手段と、前記操作受付手段が前記所定の操作を受け付けた後、登録商品についての精算を行うべき精算装置を選択する選択手段と、として機能させるためのプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月30日(2015.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイテムをタッチスクリーンにリスト表示する画像表示装置であって、
前記タッチスクリーン上の拡大・縮小操作に応じてアイテムの表示サイズを変更する第１制御と、
アイテムの表示サイズに応じたアイテムの配置を計算する配置計算と、
前記拡大・縮小操作の完了前に、１以上のアイテムを対象として、前記配置計算において計算された当該アイテムの配置に応じた特定表示処理を実行する第２制御と、を実行することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載した画像表示装置であって
前記配置計算において、アイテムをリスト表示可能な表示領域のサイズと、アイテムの表示サイズとの関係に基づいてアイテムの配置を計算することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載した画像表示装置であって、
前記特定表示処理は、前記表示領域に表示されている１以上のアイテムを、前記配置計算において計算された当該アイテムの配置に応じた態様で表示する処理であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載した画像表示装置であって、
前記特定表示処理は、前記配置計算により前記表示領域に表示されないことになるアイテムを、前記配置計算により前記表示領域に表示されるアイテムとは異なる第１態様で表示する処理であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載した画像表示装置であって、
前記特定表示処理は、前記配置計算により前記表示領域の端に表示されることになるアイテムを、前記配置計算により前記表示領域の端以外に表示されるアイテムとは異なる第２態様で表示する処理であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項３に記載した画像表示装置であって、
前記特定表示処理は、
前記配置計算により前記表示領域に表示されないことになるアイテムを、前記配置計算により前記表示領域に表示されるアイテムとは異なる第１態様で表示し、
且つ、前記配置計算により前記表示領域の端に表示されることになるアイテムを、前記配置計算により前記表示領域の端以外に表示されるアイテムとは異なる第２態様で表示する処理であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項２に記載した画像表示装置であって、
前記特定表示処理は、前記表示領域に表示されている１以上のアイテムの配置が変更される過程を提示する処理であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載した画像表示装置であって、
前記拡大・縮小操作は、タッチスクリーンにおける指定操作により指定される２点の座標間の距離を変化させる操作であり、その距離が基準距離より小さい場合には、当該拡大・縮小操作によるアイテムの縮小表示を許可しないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項１に記載した画像表示装置であって、
前記拡大・縮小操作は、タッチスクリーンにおける指定操作により指定される２点の座標間の距離を変化させる操作であり、その距離が基準距離より大きい場合には、当該拡大・縮小操作によるアイテムの拡大表示を許可しないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
請求項１に記載した画像表示装置であって、
前記拡大・縮小操作が検出されたときに、その拡大・縮小操作に係る座標の近辺に位置するアイテムを特定態様で表示することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載した画像表示装置であって、
前記拡大・縮小操作の完了後、所定期間が経過するまでは前記特定態様での表示を継続することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載した画像表示装置であって、
前記拡大・縮小操作の完了前に、アイテムの表示サイズの変更が所定期間行われなかった場合、前記特定態様での表示を終了することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
請求項１に記載した画像表示装置であって、
前記アイテムはサムネイルであり、
サムネイルがリスト表示されている状態において、タッチスクリーンにおける指定操作に応じて目的処理の対象とするサムネイルを選択可能とする選択モードと、前記拡大・縮小操作に応じたサムネイルの拡大・縮小表示を実行可能とする非選択モードとが存在し、
前記指定操作および前記拡大・縮小操作は、いずれもタッチスクリーン上の２点が指定されるピンチ操作であり、
所定の切替操作により、前記選択モードと前記非選択モードとを切替可能であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１４】
請求項１０に記載した画像表示装置であって、
前記切替操作は、前記タッチスクリーン上の２点を所定時間以上タッチする長押操作であり、
前記長押操作に基づく選択モードへの移行後に、当該長押操作に係る２点の座標に基づいて決定される指定領域に属するサムネイル全てを選択態様で表示することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１５】
アイテムを画像表示装置のタッチスクリーンにリスト表示する基本制御と、
タッチスクリーン上の拡大・縮小操作に応じてアイテムの表示サイズを変更する第１制御と、
アイテムの表示サイズに応じたアイテムの配置を計算する配置計算と、
前記拡大・縮小操作の完了前に、１以上のアイテムを対象として、前記配置計算において計算された当該アイテムの配置に応じた特定表示処理を実行する第２制御と、
を実行することを特徴とする画像表示方法。
【請求項１６】
アイテムを画像表示装置のタッチスクリーンにリスト表示する基本制御ステップと、
タッチスクリーン上の拡大・縮小操作に応じてアイテムの表示サイズを変更する第１制御ステップと、
アイテムの表示サイズに応じたアイテムの配置を計算する配置計算ステップと、
前記拡大・縮小操作の完了前に、１以上のアイテムを対象として、前記配置計算において計算された当該アイテムの配置に応じた特定表示処理を実行する第２制御ステップと、
を含むことを特徴とするプログラム。