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【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
掻き取り層と、パルプ繊維を含む吸水層とが積層されてなる清掃用シートであって、 前記掻き取り層は、太径繊維及び該太径繊維よりも繊度の小さい熱融着性繊維からなる細径繊維を含み、  前記掻き取り層は、太径繊維の繊維交点が接合されており、かつ複数の該太径繊維が起立して、その先端部が該掻き取り層の表面に存在しているエアレイド不織布からなり、  前記太径繊維は、その繊度が１０ｄｔｅｘ以上１５０ｄｔｅｘ以下であり、かつ前記掻き取り層中に１０質量％以上含まれており、  前記掻き取り層は、前記太径繊維どうしの間に空間を有し、該空間に研磨粒子が脱離可能に存在しており、 前記太径繊維のうち、前記掻き取り層の表面に先端部が存在している太径繊維は、該先端部を含む先端域に、前記研磨粒子が実質的に付着していない、清掃用シート。
【請求項２】
前記掻き取り層中に、前記太径繊維と、該太径繊維よりも繊度の小さい細径繊維とを含有させた、請求項１に記載の清掃用シート。
【請求項３】
前記掻き取り層に含まれる前記太径繊維が、熱融着性繊維である請求項１又は２に記載の清掃用シート。
【請求項４】
前記掻き取り層の表面に、凹凸が形成されている請求項１ないし３のいずれか一項に記載の清掃用シート。
【請求項５】
ミシン目が形成されている請求項１ないし４のいずれか一項に記載の清掃用シート。
【請求項６】
前記細径繊維が短繊維であり、その繊維長が２ｍｍ以上である請求項１ないし５のいずれか一項に記載の清掃用シート。
【請求項７】
前記太径繊維のうち、掻き取り層の表面に先端部が存在している太径繊維は、該太径繊維の先端域を拡大したときに観察される前記研磨粒子の数が、掻き取り層の厚み方向の中央部での前記太径繊維に観察される研磨粒子の数に対して１０％以下である請求項１ないし６のいずれか一項に記載の清掃用シート。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の清掃用シートが複数枚積層されて、包装材内に収納されている清掃用シート包装体であって、  前記包装材は、前記清掃用シートを取り出すための開口部と、該開口部を閉鎖するリシール可能な閉鎖部材とを備えており、  前記清掃用シートは、その吸水層の側が前記開口部の側を向くように前記包装材内に積層されている、清掃用シート包装体。
【請求項９】
前記の包装材は、周縁部に開孔又はフックが設けられた別包装材に内封された別包装体である請求項８に記載の清掃用シート包装体。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の清掃用シートが、包装材内に１枚収納されて個別包装されている清掃用シート包装体であって、  前記包装材の周縁部に開孔又はフックが設けられており、該開孔又は該フックによって吊り下げが可能になっている清掃用シート包装体。
【請求項１１】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の清掃用シートの製造方法であって、  研磨粒子が付与される前の清掃用シートにおける掻き取り層に、研磨粒子を含むスラリーを塗工して塗膜を形成し、  前記塗膜が湿潤状態のうちに、前記掻き取り層に、表面が平滑な部材を押し当てて、該掻き取り層の表面域からスラリーを除去する工程を有する、清掃用シートの製造方法。
【請求項１２】
前記塗膜を乾燥させた後、掻き取り層の表面域を繊維からなる拭き取り部材で拭き取る工程を更に有する請求項１１に記載の清掃用シートの製造方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  清掃用シート１には、掻き取り層５の表面に凹凸を形成してもよい。例えば図１に示すとおり、掻き取り層５の表面に、菱形格子状のヒートエンボス加工を施すことで、菱形格子状の凹部８を形成してもよい。この菱形格子状の凹部８によって取り込まれた領域は、凸部９からなる非エンボス領域となっている。凹部８は、ヒートエンボス加工による熱及び圧力の適用によって、凸部９からなる非エンボス領域よりも圧密化している。このヒートエンボス加工は、掻き取り層５の表面に凹凸を形成することに加えて、掻き取り層５と吸水層４とを接合するためにも用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  凹部８のパターン形状は菱形格子状に限定されず、線状、点状、特定模様の任意の形状が採用され得る。凹部８の総面積は、清掃用シート１の清掃面の面積に対して５％以上、特に１０％以上であることが好ましい。また、５０％以下、特に４０％以下であることが好ましい。具体的には、凹部８の総面積は、清掃用シート１の清掃面の面積に対して５％以上５０％以下であることが好ましく、１０％以上４０％以下であることが更に好ましい（以下この値を凹部８の面積率という）。凹部８の面積率をこの範囲内に設定することで、清掃時の表面強度と清掃性とを首尾よく両立させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】＜２２＞  吸水層の坪量は、好ましくは３０ｇ／ｍ２以上、更に好ましくは４０ｇ／ｍ２以上であり、好ましくは１００ｇ／ｍ２以下、更に好ましくは８０ｇ／ｍ２以下である前記＜１＞ないし＜２１＞のいずれか１に記載の清掃用シート。＜２３＞  掻き取り層と吸水層からなる清掃用シートの総坪量は、好ましくは５０ｇ／ｍ２以上３００ｇ／ｍ２以下である前記＜１＞ないし＜２２＞のいずれか１に記載の清掃用シート。＜２４＞  面内方向の通気度ＴＭＤよりも垂直厚み方向の通気度ＴＶＤの方が小さく、掻き取り層の垂直厚み方向の通気度ＴＶＤよりも吸水層の垂直厚み方向の通気度ＴＶＤの方が小さい前記＜１＞ないし＜２３＞のいずれか１に記載の清掃用シート。＜２５＞  清掃用シートの厚み方向において研磨粒子は掻き取り層の裏面側（吸水層）寄りの位置に相対的に多く存在し、表面側（清掃面側）に相対的に少ないか、又は存在しない前記＜１＞ないし＜２４＞のいずれか１に記載の清掃用シート。＜２６＞  前記＜１＞ないし＜２５＞のいずれか１に記載の清掃用シートを、使用前の状態では乾式タイプものとなし、使用に際しては、乾式のまま、あるいは湿潤させて使用し、  湿潤させて使用する場合、清掃対象面を水で湿潤させておき、湿潤状態の清掃対象表面を掻き取り層で清掃し、次いで湿潤状態の該清掃対象表面の水分を含む汚れを含んだ汚液を吸水層で拭き取る、清掃方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015229041.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属を含むケイ酸塩と、
アルカリ性電解水と、を含み、
前記アルカリ金属は、ナトリウムと、カリウム又はリチウムの少なくとも１つと、を含むことを特徴とするコンクリート保護材。
【請求項２】
アルカリ金属を含むケイ酸塩と、
アルカリ性電解水と、
前記アルカリ性電解水に対して非溶解状態の二酸化珪素と、を含むことを特徴とするコンクリート保護材。
【請求項３】
前記アルカリ金属は、ナトリウム、カリウム、及びリチウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載のコンクリート保護材。
【請求項４】
前記アルカリ金属は、ナトリウムと、カリウム又はリチウムの少なくとも１つと、を含むことを特徴とする請求項２に記載のコンクリート保護材。
【請求項５】
前記二酸化珪素を核として前記ケイ酸塩が凝集していることを特徴とする請求項２、３又は４の何れか１項に記載のコンクリート保護材。
【請求項６】
前記二酸化珪素の含有重量よりも、前記ケイ酸塩の含有重量の方が大きいことを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に記載のコンクリート保護材。
【請求項７】
コンクリート改質材をコンクリート構造物へ供給する改質剤供給工程と、
前記改質剤供給工程の後に行なわれ、請求項１乃至６のうちいずれか１項記載のコンクリート保護材を前記コンクリート構造物へ供給する保護剤供給工程と、を有し、
前記コンクリート改質材はアルカリ性電解水と、カルシウムイオンとを含む
ことを特徴とするコンクリート構造物の補修方法。
【請求項８】
アルカリ性電解水と、カルシウムイオンとを含むコンクリート改質材をコンクリート構造物へ供給する改質剤供給工程と、
前記改質剤供給工程の後に行なわれ、アルカリ金属を含むケイ酸塩及びアルカリ性電解水を含むコンクリート保護材を、前記コンクリート構造物へ供給する保護剤供給工程と、
を有することを特徴とするコンクリート構造物の補修方法。
【請求項９】
前記コンクリート改質剤における前記カルシウムイオンの溶解度は、前記アルカリ性電解水１００ｇに対して０．１７ｇを超える比率であることを特徴とする請求項７又は８に記載のコンクリート構造物の補修方法。
【請求項１０】
アルカリ性電解水と、該アルカリ性電解水に対して非溶解状態の二酸化珪素とを含むことを特徴とするコンクリート構造物の欠陥充填剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下側がフロントフレームに接続固定され、ルーフが開いたときに張架展開して走行風を整流しルーフが閉じたときに折り畳まれて収納される薄布状部材と、
前記薄布状部材の折り畳み動作を誘導する収納誘導部材と、を有するサンルーフ装置のディフレクタ構造であって、
前記収納誘導部材は、
前記フロントフレームと前記薄布状部材との固定部よりも後方に間隔を空けてフロントフレームから立設する前寄りの第１立設壁および後寄りの第２立設壁と、
前記薄布状部材の上側を支持する上部ホルダにおいて、張架展開した薄布状部材の上部後面に沿うように形成された板状の誘導壁と、を備え、
ルーフが閉じるとき、
前記薄布状部材の上部は、下がるにしたがい前方に変位する前記誘導壁の下端により折れ曲がり、
前記薄布状部材の下端寄りが前記固定部と前記第１立設壁との間に収納されるとともに、前記薄布状部材の上端寄りが前記第１立設壁と前記第２立設壁との間に収納され、
前記誘導壁は、収納時には前記第１立設壁と前記第２立設壁との間に起立した状態で配置されることを特徴とするサンルーフ装置のディフレクタ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明は、下側がフロントフレームに接続固定され、ルーフが開いたときに張架展開して走行風を整流しルーフが閉じたときに折り畳まれて収納される薄布状部材と、前記薄布状部材の折り畳み動作を誘導する収納誘導部材と、を有するサンルーフ装置のディフレクタ構造であって、前記収納誘導部材は、前記フロントフレームと前記薄布状部材との固定部よりも後方に間隔を空けてフロントフレームから立設する前寄りの第１立設壁および後寄りの第２立設壁と、前記薄布状部材の上側を支持する上部ホルダにおいて、張架展開した薄布状部材の上部後面に沿うように形成された板状の誘導壁と、を備え、ルーフが閉じるとき、前記薄布状部材の上部は、下がるにしたがい前方に変位する前記誘導壁の下端により折れ曲がり、前記薄布状部材の下端寄りが前記固定部と前記第１立設壁との間に収納されるとともに、前記薄布状部材の上端寄りが前記第１立設壁と前記第２立設壁との間に収納され、前記誘導壁は、収納時には前記第１立設壁と前記第２立設壁との間に起立した状態で配置されることを特徴とする。
特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被取付体の台盤に設けられたキャスタ取付部にキャスタの取付台板の上面を所定姿勢に支承する支承部と、前記取付台板の一端側を下方から掛止める台盤に固定された第１台盤側掛止部と、該第１台盤側掛止部と対峙して前記取付台板の他側を下方から掛止めると共に、台盤に基端が前記取付台板と離間する方向に傾動可能に取り付けられた第２台盤側掛止部とを有し、該第２台盤側掛止部の後方に前記第２台盤側掛止部を拘束する取付部材を収納する収納室を備えたキャスタの取付構造において、
収納室が、第２台盤側掛止部と所定の間隔を隔てて前後に対峙して、台盤に固定された後方壁部と、
第２台盤側掛止部と後方壁部の間に沿って平行に延びる左右一対の側壁部と、
該側壁部に設けられて第２台盤側掛止部側で開口し後方壁部に向かって斜めに傾斜する一対の長穴部とが設けられており、
取付部材は、略ロール形状からなる取付部本体と、左右両側の側壁面から外方に突出し、前記長穴部に摺動可能に挿入される支軸部と、取付部本体の外周壁面に設けられて前記後方壁部の内面に衝合して取付部材の回転を規制するカム面部と、
該カム面部が後方壁部に衝合した位置で、前記第２台盤側掛止部を垂直姿勢に維持し第２台盤側掛止部の掛止部を外側から覆って拘束する拘束片部とからなっていることを特徴とするキャスタの取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
取付部材の左右側壁面に一対の大径の側板が設けられており、該側板にカム面部が設けられており、側板間に設けられた中軸部には、支軸部を長孔部に挿入した際に第２台盤側掛止部と衝合しないように切欠部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のキャスタの取付構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の三層型化粧料によれば、安定した界面を有する三層型化粧料を提供することができる。また、本発明の三層型化粧料によれば、水を多量に配合することが可能であり、そして使用する油分が特定の油種に限定されない。従って、三層構造の比率を自由に制御することが可能であり、更に水の量の調節及び油分の選択により、幅広い使用感の化粧料を製造することが可能である。更に、特許文献２記載の発明においては、液状三層状組成物を得ために、有機性値が５００以上で、無機性値と有機性値との差が０〜７００である液状の非イオン性界面活性剤を添加する必要があるが、本発明の三層型化粧料は、そのような非イオン性界面活性剤に限定されず、多様な非イオン性界面活性剤を用いることができる。従って、化粧料の種類に応じて、最適な油分、糖、糖アルコール及び非イオン性界面活性剤を選択することができる。すなわち、本発明の三層型化粧料は、様々な化粧料（例えば、メーク落とし、化粧水、美容液、マッサージオイル、入浴剤、又はドライシャンプー）に適用することができるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月16日(2015.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  本発明の併用成分の一つである、環式モノテルペンアルコール類としては、イソプレゴール、メントール、テルピネオール、ジヒドロテルピネオール、テルピネオール−４、カルベオール、ジヒドロカルベオール、ペリラアルコール、ミルテノール、ノポール、ピノカルベオール、フェンキルアルコール、ボルネオール、イソボルネオール、ツヤノールなどの化合物が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】  マイクロカプセル剤とする方法は、特に限定されるものではなく、界面重合法、ｉｎ−ｓｉｔｅ重合法、コアセルベーション法、噴霧乾燥法等、従来公知の方法が用いられ、マイクロカプセルの膜材としては、シクロデキストリン膜、ゼラチン膜、ウレタンウレア膜、メラミン樹脂膜、尿素樹脂膜、ナイロン膜、ポリウレタン、ポリ尿素、エポキシ樹脂、尿素／ホルマリン樹脂、メラミン／ホルマリン樹脂等公知のものが使用できる。
マイクロカプセル剤とすると、これを忌避シートに分散塗布または含浸することにより、有効成分がゆっくりと揮散し忌避効果が長期にわたって持続する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】［試験例１］ショウジョウバエ：空間的忌避効果試験法−Ｉ
試験箱として、ベニヤ板製コンテナー（５８２×９００×６００（Ｈ）ｍｍ：容積０．３１ｍ３）を組み立てた。コンテナー側面の２面は金網を張り、上部は観察ができるように透明なプラスチック板を使用した。また、デコパネ製で作製した上部を開放した試験容器（３００×３００×２９０（Ｈ）ｍｍ：容積２６．１ｌ）２個を試験箱中に並べて置いた。
次の手順で操作をおこなった。
・ＡＭ９：００頃に、一方の試験容器の中央部に、試験物質５．０ｇを入れたシャーレ（直径６８ｍｍシャーレの表面にネットを被せて虫の侵入を防止。）を設置し、予め検体（試験物質）を揮散させ、試験終了まで置いた。他方の対照の試験容器内には試験物質の入っていないシャーレ（無処理）を置いた。
・１３：００頃に、それぞれの試験容器内には、誘引物として３５％ハチミツ水溶液を３０ｇ入れた丸型容器（直径６０×４５（Ｈ）ｍｍ）を設置し、それぞれの誘引物を入れた容器の上に補虫のため直径５ｍｍの穴を２個開けた粘着紙（９８×７９ｍｍ）を置いた。
・１３：１０頃、約１００頭のショウジョウバエを試験箱内に放飼した。
・翌朝８：３０〜９：００、試験容器内に侵入した供試虫の個体数を観察した。
・場所によるバラツキをなくすため、処理区と無処理区を変えて繰り返しをおこない、２回の結果から忌避率を算出した。
＜忌避率＞
忌避率（％）を次式の計算法で算出した。
2015229674.tif 000001
＜試験物質とその組み合わせについて＞
試験物質▲１▼〜▲５▼：環式モノテルペンアルコール類
試験物質▲６▼〜▲８▼：環式モノテルペンケトン類
試験物質▲９▼〜▲１２▼：環式セスキテルペン類
を用い
（ｉ）本発明の組み合わせ例（併用例）として、
環式モノテルペンアルコール類と環式セスキテルペン類の併用
環式モノテルペンケトン類と環式セスキテルペン類の併用
三種類の併用
を行った。
（ｉｉ）比較例（＊印）として
環式モノテルペンアルコール類と環式モノテルペンケトン類の併用
を行った。
結果を表１に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】［試験例５］チャバネゴキブリ：空間的忌避効果試験法−ＩＶ
試験箱として、５３４×３４８×２９２（Ｈ）ｍｍのポリプロピレン製コンテナーを用いて、その内壁の上部１／２にゴキブリの逃亡を二重防止数するために、白マーガリンを塗布し、次の手順で試験をおこなった。
・観察が容易になるように、直径９０ｍｍ×７（Ｈ）ｍｍの透明なポリスチレン製ペトリディッシュ・シェルター（ゴキブリの棲家：４か所に１０×７ｍｍの出入り口を持つ。）を用いた。
・２２５×１５３×１２５（Ｈ）ｍｍ（内容積：４．３ｌ）の半透明なポリプロピレン製容器を２個準備し、それぞれの底部の中央部に４０×８（Ｈ）ｍｍの出入り口を１か所設けて、透明なプラスティック４０×５０×８（Ｈ）ｍｍの通路で接続した。それぞれの内壁の上部１／３にゴキブリの逃亡を防止するために白マーガリンを塗布する。
一方の容器内にはゴキブリの糞で汚染させたシェルター〔予め飼育箱で一夜放置して、ゴキブリが定着しやすくさせた〕を２個、水、および餌を設置し、他方には、新しいシェルター〔ゴキブリの糞で汚染されてない〕を２個、水、および餌を設置する。
・供試虫（チャバネゴキブリ）の雄成虫５０頭と雌成虫５０頭の計１００頭）を試験箱内に放飼し、観察が容易になるように、透明なプラスティック板を載せ密閉状態にして、一昼夜、容器を馴らす。
・ゴキブリの糞で汚染させたシェルター側に多くのゴキブリが棲息しているのを確認して、プラスティック板を静かに外しシェルターのすぐ側に供試検体（試験物質１．０ｇを直径４０ｍｍ×１５（Ｈ）ｍｍのシャーレに入れたもの。）を置き、再度プラスティック板を被せる。そのあと、シェルター、および試験容器内に潜伏する供試虫（チャバネゴキブリ）の個体数を経時的に観察した。
試験結果を表５に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して窒化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する工程と、
前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して酸化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素および酸素を含む第２の層を形成する工程と、
を行う半導体装置の製造方法。  
【請求項２】
前記窒化ガスおよび前記酸化ガスは、それぞれプラズマ励起により活性化された状態で前記基板に対して供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスとは、異なるガスである請求項１もしくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して窒化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する工程と、
前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して前記窒化ガスを供給して排気する工程と、前記基板に対して酸化ガスを供給して排気する工程と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素、窒素、酸素を含む第２の層を形成する工程と、
を行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に所定元素を含む第1の原料ガスを供給する第1の原料ガス供給系と、
前記処理室内に所定元素を含む第２の原料ガスを供給する第２の原料ガス供給系と、
前記処理室内に窒化ガスを供給する窒化ガス供給系と、
前記処理室内に酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記基板を加熱する加熱系と、
前記処理室を排気する排気系と、
前記処理室に収容された表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記処理室内に所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する処理と、前記処理室内に窒化ガスを供給して排気する処理と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する処理と、前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、、前記処理室内に前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する処理と、前記処理室内に酸化ガスを供給して排気する処理と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素および酸素を含む第２の層を形成する処理と、を行うように、前記第1の原料ガス供給系、前記第２の原料ガス供給系、前記窒化ガス供給系、前記酸化ガス供給系、加熱系、排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項６】
表面にレジストパターンが形成された基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して所定元素を含む第１の原料ガスを供給して排気する手順と、前記基板に対して窒化ガスを供給して排気する手順と、を複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第１の層を０．５ｎｍ〜５ｎｍの膜厚となるよう形成する手順と、
前記基板を２００℃以下の所定温度に維持しつつ、前記基板に対して前記所定元素を含む第２の原料ガスを供給して排気する手順と、前記基板に対して酸化ガスを供給して排気する手順と、を複数回行うことで、前記第１の層上に、前記所定元素および酸素を含む第２の層を形成する手順と、を行う手順をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月1日(2015.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体のシリコン製の半導体領域にトレンチを形成するプラズマエッチング方法であって、該半導体領域上には該トレンチを形成するためのパターンを有するハードマスクが設けられており、該方法は、
前記被処理体を収容した処理容器内においてハロゲン含有ガス、Ｏ２ガス、及びＣＯガスを含む処理ガスのプラズマを生成して、前記半導体領域をエッチングする工程を含む、プラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記半導体領域をエッチングする前記工程において前記処理容器内に供給される前記Ｏ２ガスの流量は、前記ＣＯガスの流量以下である、
請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記半導体領域をエッチングする前記工程において前記処理容器内に供給される前記Ｏ２ガスの流量は、
前記ＣＯガスの流量に対して
前記Ｏ２ガスの流量：前記ＣＯガスの流量＝６：３０
で規定される流量以上であり、
前記Ｏ２ガスの流量：前記ＣＯガスの流量＝１：１
で規定される流量以下である、
請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記ハロゲン含有ガスは、ＨＢｒガス及びＮＦ３ガスのうち少なくとも一方を含む、請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記半導体領域をエッチングする前記工程の後に、前記被処理体を収容した処理容器内においてハロゲン含有ガス、Ｏ２ガス、及びＣＯガスを含む処理ガスのプラズマを生成して、前記半導体領域を更にエッチングする工程を更に含み、
前記半導体領域を更にエッチングする前記工程における前記Ｏ２ガスの流量は、前記半導体領域をエッチングする前記工程における前記Ｏ２ガスの流量よりも少ない、
請求項１〜４の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記半導体領域を更にエッチングする前記工程における前記ハロゲン含有ガスの流量は、前記半導体領域をエッチングする前記工程における前記ハロゲン含有ガスの流量よりも多い、
請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記ハードマスクは、前記半導体領域上に設けられたシリコン酸化層、該シリコン酸化層上に設けられた多結晶シリコン層、及び、該多結晶シリコン層上に設けられたＴＥＯＳ層を含む、請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
プラズマ処理装置の処理容器内で被処理体のシリコン製の半導体領域をエッチングして該半導体領域にトレンチを形成するプラズマエッチング方法であって、
前記半導体領域上に第１のシリコン酸化層、多結晶シリコン層、第２のシリコン酸化層、及び、パターンを有する第１のマスクが設けられた前記被処理体を前記処理容器内に準備する工程と、
前記第１のマスクの前記パターンを転写するように前記第１のシリコン酸化層、前記多結晶シリコン層、及び、前記第２のシリコン酸化層をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、
前記処理容器内にハロゲン含有ガス、Ｏ２ガス、及びＣＯガスを含む処理ガスを供給し、前記ハードマスクのパターンを転写するように該処理ガスのプラズマにより前記半導体領域をエッチングして、該半導体領域に溝を形成する第１のエッチング工程と、
を含む、プラズマエッチング方法。
【請求項９】
前記第１のエッチング工程において前記処理容器内に供給される前記Ｏ２ガスの流量は、前記ＣＯガスの流量以下である、請求項８に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１０】
前記第１のエッチング工程において前記処理容器内に供給される前記Ｏ２ガスの流量は、
前記ＣＯガスの流量に対して
前記Ｏ２ガスの流量：前記ＣＯガスの流量＝６：３０
で規定される流量以上であり、
前記Ｏ２ガスの流量：前記ＣＯガスの流量＝１：１
で規定される流量以下である、
請求項９に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１１】
前記第１のエッチング工程の後に、前記処理容器内にハロゲン含有ガス、Ｏ２ガス、及びＣＯガスを含む処理ガスを供給し、該処理ガスのプラズマを生成して、前記半導体領域を更にエッチングする第２のエッチング工程を更に含み、
前記第２のエッチング工程における前記Ｏ２ガスの流量は、前記第１のエッチング工程における前記Ｏ２ガスの流量よりも少ない、
請求項８〜１０の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１２】
前記第２のエッチング工程における前記ハロゲン含有ガスの流量は、前記第１のエッチング工程における前記ハロゲン含有ガスの流量よりも多い、請求項１１に記載のプラズマエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素半導体装置であって、
第１の電極と、
前記第１の電極に面しかつ前記第１の電極に電気的に接続された第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有し、第１の導電型を有し、不純物濃度ＮAを有する第１のドリフト層と、
前記第１のドリフト層の前記第２の面に部分的に設けられ、前記第１の面から距離ＬAを有し、第２の導電型を有する緩和領域と、
前記第２の面に接する第３の面と前記第３の面と反対の第４の面とを有し、前記第１の導電型を有する第２のドリフト層とを備え、前記第１のドリフト層および前記第２のドリフト層は、前記緩和領域を埋め込むドリフト領域を構成しており、前記第２のドリフト層は不純物濃度ＮBを有し、ＮB＞ＮAが満たされ、前記炭化珪素半導体装置はさらに
前記第２のドリフト層の前記第４の面上に設けられ、前記第２の導電型を有するボディ領域と、
前記ボディ領域上に設けられ、前記ボディ領域によって前記ドリフト領域から隔てられ、前記第１の導電型を有するソース領域と、
前記ソース領域に電気的に接続された第２の電極と、
前記ソース領域および前記第２のドリフト層をつなぐように前記ボディ領域上に位置する部分を含むゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備え、
前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記第２のドリフト層に至り、前記第１のドリフト層から離れた側壁面を有するトレンチが設けられ、前記トレンチの側壁面および底面を覆うようにゲート絶縁膜が形成される、炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
前記第３の面は前記第４の面から距離ＬBを有し、ＬA＞ＬBが満たされている、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
ＬA＞２・ＬBが満たされている、請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
ＬA＞５μｍが満たされている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項５】
前記緩和領域はドーズ量ＤRを有し、ＬA・ＮA＜ＤRが満たされている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極は前記ゲート絶縁膜を介して前記側壁面上に位置している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項７】
第１の電極と、
前記第１の電極に面しかつ前記第１の電極に電気的に接続された第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有し、第１の導電型を有し、不純物濃度ＮAを有する第１のドリフト層と、
前記第１のドリフト層の前記第２の面に部分的に設けられ、前記第１の面から距離ＬAを有し、第２の導電型を有する緩和領域と、
前記第２の面に接する第３の面と前記第３の面と反対の第４の面とを有し、前記第１の導電型を有する第２のドリフト層とを備え、前記第１のドリフト層および前記第２のドリフト層は、前記緩和領域を埋め込むドリフト領域を構成しており、前記第２のドリフト層は不純物濃度ＮBを有し、ＮB＞ＮAが満たされ、前記炭化珪素半導体装置はさらに
前記第２のドリフト層の前記第４の面上に設けられ、前記第２の導電型を有するボディ領域と、
前記ボディ領域上に設けられ、前記ボディ領域によって前記ドリフト領域から隔てられ、前記第１の導電型を有するソース領域と、
前記ソース領域に電気的に接続された第２の電極と、
前記ソース領域および前記第２のドリフト層をつなぐように前記ボディ領域上に位置する部分を含むゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備え、
前記ソース領域、前記ボディ領域および前記第２のドリフト層の各々からなる部分を有しかつ前記第２のドリフト層の前記第４の面と平行な平坦面が設けられており、
前記ゲート電極は前記ゲート絶縁膜を介して前記平坦面上に位置している、炭化珪素半導体装置。
【請求項８】
前記第１のドリフト層、前記緩和領域、前記第２のドリフト層、前記ボディ領域、および前記ソース領域を含む炭化珪素層は、前記トレンチによって囲まれた六角形状の上面を有し、前記緩和領域は、前記六角形状の上面とほぼ相似の外縁および開口部を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項９】
前記トレンチの側壁面は、面方位{０−３３−８}を有する面を含む、請求項１〜６，８のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の実装端子を備える物理量センサーと、
前記物理量センサーが実装されたセンサー実装領域を表面に有する基板本体と、を備え、
前記基板本体の前記表面には、
前記センサー実装領域の内側に、前記物理量センサーの前記複数の実装端子に個別に接合されている複数の電極と、
前記センサー実装領域の外側に、シールド電極と、が設けられ、
前記センサー実装領域と前記シールド電極との間には絶縁体で形成される領域が配置されていることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサーユニットにおいて、
前記複数の電極の少なくとも２つは、配線で接続されて同電位に設定されていることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項３】
請求項２に記載のセンサーユニットにおいて、
前記配線は、前記基板本体の厚み方向に沿って設けられた導電ビアと、前記基板本体の内部の前記導電ビアに接続されている導電層と、を含むことを特徴とするセンサーユニット。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のセンサーユニットにおいて、
前記シールド電極は、前記基板本体の前記表面において前記センサー実装領域を囲んで設けられていることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のセンサーユニットにおいて、
前記シールド電極は、前記複数の電極のうちの隣接する電極の間隔よりも大きい間隔で前記複数の電極から離れて配置されることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項６】
複数の実装端子を備える物理量センサーと、
前記物理量センサーが実装されたセンサー実装領域を表面に有する基板本体と、を備え、
前記基板本体の前記表面には、前記センサー実装領域の内側に、前記物理量センサーの前記複数の実装端子に個別に接合されている複数の電極が設けられ、
前記複数の電極の少なくとも２つは、前記基板本体の厚み方向からの平面視で前記センサー実装領域の外側に少なくとも一部が配置されている配線で接続されていることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項７】
請求項６に記載のセンサーユニットにおいて、
前記配線は前記基板本体の表面に設けられることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項８】
請求項６に記載のセンサーユニットにおいて、
前記配線は、前記基板本体の厚み方向に沿って設けられた導電ビアと、前記基板本体の内部の前記導電ビアに接続されている導電層と、を含むことを特徴とするセンサーユニット。
【請求項９】
請求項８に記載のセンサーユニットにおいて、
前記導電ビアの少なくとも一つは、平面視で前記センサー実装領域の外側に配置されることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれか１項に記載のセンサーユニットにおいて、
前記基板本体の表面において前記センサー実装領域および前記配線の外側にシールド電極が設けられていることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項１１】
複数の実装端子を備える物理量センサーと、
前記物理量センサーが実装されたセンサー実装領域を表面に有する基板本体と、を備え、
前記基板本体の前記表面には、
シールド電極と、該シールド電極が形成されていない非電極形成部分と、が設けられ、
前記非電極形成部分には、前記物理量センサーの前記複数の実装端子に個別に接合され、且つ、前記シールド電極との間に間隙をあけて配置されている複数の電極が設けられていることを特徴とするセンサーユニット。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のセンサーユニットを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のセンサーユニットを備えることを特徴とする運動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】センサーユニット、電子機器および運動体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、物理量センサーを実装する実装基板を利用するセンサーユニット、センサーユニットを利用する電子機器および運動体等に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の少なくとも１つの態様によれば、物理量センサーの温度特性を良好に維持することができる物理量センサー実装用の実装基板を含むセンサーユニット、電子機器および運動体が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月25日(2015.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面を有する台座部と、
前記台座部上に配置され、上面及び側面を有する静電チャックと、
前記台座部と、前記静電チャックとの間に設けられ、前記台座部と前記静電チャックとを接着する樹脂接着剤が配置され、側面を有する接着部と、
前記台座部及び前記静電チャックの側面であって、前記接着部の側面を含む領域に、前記台座部、前記静電チャック、及び前記接着部の外周に沿って設けられ、上端部が前記静電チャックの上面よりも下側に位置する凹部と、
前記凹部に嵌合して設けられ、前記接着部の側面を覆うフォーカスリングと、を有する静電チャック装置。
【請求項２】
前記フォーカスリングは複数に分割できる請求項１に記載の静電チャック装置。
【請求項３】
前記フォーカスリングは環状形状を有しており、その周方向に複数に分割することができる請求項１または２に記載の静電チャック装置。
【請求項４】
前記フォーカスリングの上部には、上部フォーカスリングが設けられている請求項１乃至３いずれか一項に記載の静電チャック装置。
【請求項５】
前記凹部は、
前記静電チャックの側面に設けられた下向きの面と、
前記静電チャック、及び前記台座部の側面に設けられた側面と、
前記台座部に設けられた上向きの面と、を有する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の静電チャック装置。
【請求項６】
複数に分割された前記フォーカスリングの部材は、凹形状の表面が形成された一の部材と、前記凹形状の表面に対向する凸形状の表面が形成されたもう一方の部材とを有し、
前記凹形状の表面が形成された一の部材と、前記凸形状の表面が形成されたもう一方の部材とは、互いに噛み合わさるように構成されている、請求項３に記載の静電チャック装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明は、側面を有する台座部と、
前記台座部上に配置され、上面及び側面を有する静電チャックと、
前記台座部と、前記静電チャックとの間に設けられ、前記台座部と前記静電チャックとを接着する樹脂接着剤が配置され、側面を有する接着部と、
前記台座部及び前記静電チャックの側面であって、前記接着部の側面を含む領域に、前記台座部、前記静電チャック、及び前記接着部の外周に沿って設けられ、上端部が前記静電チャックの上面よりも下側に位置する凹部と、
前記凹部に嵌合して設けられ、前記接着部の側面を覆うフォーカスリングと、を有する静電チャック装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
フォーカスリング２５の材料は特に限定されるものではないが、用いるプロセスガスに対して耐食性を有するものであることが好ましい。例えば、シリコン、石英、セラミック材料や、フッ素系樹脂等により好ましく構成することができる。なお、ここでのセラミック材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２等を主成分としたセラミック、又は溶射等によるこれらの被膜形成体を好ましく用いることができる。また、フッ素系樹脂としては、ＰＦＡなどを好ましく用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月8日(2016.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電力状態および前記第１電力状態とは異なる第２電力状態で動作する画像処理装置であって、
検知領域において熱源を検知する焦電センサと、
前記焦電センサが前記検知領域において前記熱源を検知した後、前記焦電センサが前記熱源を検知しなくなった場合、前記焦電センサが前記熱源を最後に検知した前記検知領域における位置に基づいて前記熱源が前記検知領域の外側に移動したか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動したと判定した場合、前記画像処理装置を前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させ、前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動していないと判定した場合、前記画像処理装置を前記第１電力状態のままとする電力制御手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記焦電センサは、前記検知領域内の前記熱源を検知する複数の焦電セルを有するアレイセンサであり、
前記判定手段は、前記検知領域の外縁に存在する前記熱源を検知する焦電セルの検知結果に基づいて、前記熱源が前記焦電センサの検知領域の外側に移動したか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記焦電センサは、マトリクス状又はライン状に配置された前記複数の焦電セルを有することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動したと判定した場合、前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させるための第１時間をタイマに設定し、前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動していないと判定した場合、前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させるための前記第１時間より長い第２時間を前記タイマに設定するタイマ制御手段、をさらに備え、
前記タイマ制御手段により設定された前記第１時間もしくは前記第２時間の経過後に、前記電力制御手段は、前記画像処理装置を前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させる、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記タイマが前記タイマ制御手段により設定された前記第２時間を計測している間に、前記焦電センサが前記検知領域において前記熱源を検知した場合、前記タイマ制御手段は、前記第１時間を前記タイマに設定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像処理装置においてエラーが発生しているか否かを判定するエラー判定手段、をさらに備え、
前記エラー判定手段がエラーが発生していないと判定し、かつ、前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動したと判定した場合に、前記電力制御手段は、前記画像処理装置を前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させる、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記エラー判定手段がエラーが発生していると判定した場合に、前記電力制御手段は、前記画像処理装置を前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させないことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記第２電力状態は、前記第１電力状態が要する電力よりも低い電力を要する電力状態であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記熱源とは、ユーザであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
検知領域において熱源を検知する焦電センサを備え、第１電力状態および前記第１電力状態とは異なる第２電力状態で動作する画像処理装置において実行される制御方法であって、
前記画像処理装置の判定手段が、前記焦電センサが前記検知領域において前記熱源を検知した後、前記焦電センサが前記熱源を検知しなくなった場合、前記焦電センサが前記熱源を最後に検知した前記検知領域における位置に基づいて前記熱源が前記検知領域の外側に移動したか否かを判定する判定工程と、
前記画像処理装置の電力制御手段が、前記判定工程において前記熱源が前記検知領域の外側に移動したと判定された場合、前記画像処理装置を前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させ、前記判定工程において前記熱源が前記検知領域の外側に移動していないと判定された場合、前記画像処理装置を前記第１電力状態のままとする電力制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る画像処理装置は、第１電力状態および前記第１電力状態とは異なる第２電力状態で動作する画像処理装置であって、検知領域において熱源を検知する焦電センサと、前記焦電センサが前記検知領域において前記熱源を検知した後、前記焦電センサが前記熱源を検知しなくなった場合、前記焦電センサが前記熱源を最後に検知した前記検知領域における位置に基づいて前記熱源が前記検知領域の外側に移動したか否かを判定する判定手段と、前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動したと判定した場合、前記画像処理装置を前記第１電力状態から前記第２電力状態に移行させ、前記判定手段が前記熱源が前記検知領域の外側に移動していないと判定した場合、前記画像処理装置を前記第１電力状態のままとする電力制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
被写体からの電磁波を検出する電磁波検出素子を備えた複数の画素と、前記複数の画素からの信号を読み出すためのスイッチと、
所定の周期をもつ信号を発生し且つ前記所定の周期をもつ信号を前記複数の画素のそれぞれに伝送線を介して供給する信号発生部を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、前記スイッチを介して前記信号を読み出すための走査線に接続されており、
前記複数の画素のそれぞれは、前記所定の周期をもつ信号を用いて前記複数の電磁波検出素子の検出信号を周波数変換する周波数変換素子を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記周波数変換素子はミキサであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記複数の画素のそれぞれは、さらに、前記周波数変換された信号が入力されるローパスフィルタを有することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記信号発生部は、１０kHzから２００MHzの周波数をフーリエ成分に含む前記所定の周期をもつ信号を生成することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記伝送線に、位相シフタを設けて、前記画素間における前記所定の周期をもつ信号の位相差を補償することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記複数の画素のそれぞれは、前記所定の周期をもつ信号とは別の所定の周期をもつ信号を供給するための伝送線に接続されており、
前記複数の画素のそれぞれは、前記周波数変換素子とは別の周波数変換素子をさらに備えることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記複数の画素のそれぞれは、直交型の複数の周波数変換素子を備えることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記電磁波検出素子は、整流型検出器、又はトランジスタ、又は量子型検出器であることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記周波数変換素子は、パッシブミキサであることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記電磁波は、テラヘルツ波であることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか１項に記載の画像形成装置と、被検体に対して電磁波のアクティブ照明を行う照射手段を含み、
前記電磁波検出素子は前記被検体からの電磁波を検出することを特徴とするイメージングシステム。
【請求項１２】
前記照射手段は、前記アクティブ照明の電磁波の周波数ないし振幅を変調するための変調手段を含むことを特徴とする請求項１１に記載のイメージングシステム。
【請求項１３】
前記照射手段は、前記変調手段における変調周波数の情報の管理手段を備えており、
前記画像形成装置は、前記変調手段における変調周波数の情報に基づいて前記信号発生部の発生する信号の周波数を制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項１２に記載のイメージングシステム。
【請求項１４】
前記照射手段は、前記変調手段における位相の情報の管理手段を備えており、
前記画像形成装置は、前記変調手段における位相の情報に基づいて前記信号発生部の発生する信号の位相を制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項１２または１３に記載のイメージングシステム。
【請求項１５】
前記制御手段は、前記管理手段の管理する前記変調周波数及び位相のうちの少なくとも１つの情報を、ＲＦを用いて受信することを特徴とする請求項１３または１４に記載のイメージングシステム。
【請求項１６】
前記被検体と二次元アレイ状に配列された前記電磁波検出素子との間に配置される対物レンズを含むことを特徴とする請求項１１から１５の何れか１項に記載のイメージングシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像形成装置は、被写体からの電磁波を検出する電磁波検出素子を備えた複数の画素と、前記複数の画素からの信号を読み出すためのスイッチと、所定の周期をもつ信号を発生し且つ前記所定の周期をもつ信号を前記複数の画素のそれぞれに伝送線を介して供給する信号発生部を有する。前記複数の画素のそれぞれは、前記スイッチを介して前記信号を読み出すための走査線に接続されており、前記複数の画素のそれぞれは、前記所定の周期をもつ信号を用いて前記複数の電磁波検出素子の検出信号を周波数変換する周波数変換素子を備える。また、本発明のイメージングシステムは、前記画像形成装置と、被検体に対して電磁波のアクティブ照明を行う照射手段を含み、前記電磁波検出素子は前記被検体からの電磁波を検出することを特徴とする。