【事件の表示】
　特願２０１２−５１５４５９「放射線検出器用低干渉センサヘッド及び低干渉センサヘッドを有する放射線検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月２３日国際公開、ＷＯ２０１０／１４６０４４、平成２４年１１月２９日国内公表、特表２０１２−５３０２５２、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成２２年　６月１５日　国際特許出願（パリ条約による優先権主張２０　　　　　　　　　　　　　０９年６月１５日、ドイツ）
　平成２６年　６月２７日　拒絶理由通知（同年７月２日発送）
　平成２６年　９月２２日　意見書・手続補正書
　平成２７年　２月１３日　拒絶理由通知（最後）（同年２月１８日発送）
　平成２７年　８月１８日　意見書・手続補正書
　平成２８年　１月　６日　平成２７年８月１８日付け手続補正の却下の決　　　　　　　　　　　　　定、拒絶査定（平成２９年１月１８日送達）
　平成２８年　５月１８日　本件審判請求・手続補正書
　平成２８年１１月　２日　上申書
　平成２９年　２月２８日　拒絶理由通知（最後）（同年３月６日発送、以　　　　　　　　　　　　　下「当審拒絶理由通知」という。）
　平成２９年　５月２９日　意見書・手続補正書
　
２　本願発明
　本願の請求項１−１５に係る発明（以下、その順に「本願発明１」等という。）は、平成２９年５月２９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定されるとおりの発明であり、請求項１は以下のとおりの発明である。
「ＥＤＸのための放射線検出器（７４）用の低干渉センサヘッド（３０）であって、コンポーネントとして、少なくとも、
　‐前面（１２）を有するプリント回路基板（１０）と、
　‐前記プリント回路基板（１０）の前記前面（１２）上に配置され、放射線（７２）に感応するセンサチップ（３２）と、
　‐コンタクトピン（４２）を有する、前記センサチップ（３２）を動作させるための複数の信号及び制御接続部と、を含み、前記コンタクトピン（４２）は、ボンディングワイヤ（４６）を介して前記プリント回路基板（１０）に接続され、
　‐前記コンタクトピン（４２）を保持するベースプレート（５０）と、
　‐前記前面（１２）から遠ざかる方向に向いた前記プリント回路基板（１０）の面に配置された冷却及び／又は熱除去手段（３６）と、を更に含み、
　前記ベースプレート（５０）、及び前記コンタクトピン（４２）の少なくとも１つは、少なくとも１種類の材料から成り、該材料の比透磁率（μｒ）は、１．５未満であり、１．５未満の比透磁率を有する材料は、材料番号が１．４４２９，１．４４０６，１．４４０４，１．４３０１，１．３９６４，１．３９６０又は１．３９５２の焼きなましオーステナイト系ステンレス鋼から成る、低干渉センサヘッド（３０）。」
　
　なお、本願発明２−１５の概要は以下のとおりである。
　本願発明２−１３は、本願発明１を減縮した発明である。
　本願発明１４は、本願発明１−１３の何れかの低干渉センサヘッドを備えた放射線検出器の発明である。
　本願発明１５は、本願発明１−１３の何れかの低干渉センサヘッド、または、本願発明１４の放射線検出器を備えた顕微鏡の発明である。
　
３　引用文献、引用発明等
（１）引用文献１について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特表２０００−５０１５６２号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
（ア）「【特許請求の範囲】
１．
粒子のビームを供給する粒子源と前記ビームに共中心状態で配置されそのビームを偏向させる偏向系と前記ビームの入射を受ける基板を支持する支持体とを有する粒子ビームシステム用の検出器組立体であって
　
前記偏向系の内側に前記ビームに共中心状態で配置され、前記基板から入射するｘ線、電子およびその他の粒子の少なくとも一つを検出できる環状検出器と
　
前記環状検出器を保持するハウジングと
　
前記環状検出器を前記ハウジングから隔てるとともに各々が前記環状検出器の対応の能動領域と電気的接触状態にある複数個の互いに隔てられた導電性エラストマー部材とを含む検出器組立体
（イ）「発明の技術分野
　この発明は
荷電粒子ビームシステム
における反射粒子および二次粒子の検出のための検出器
（ウ）「従来技術の説明
　…検出信号を最大にするには検出器が基板からみて大きい立体角に相対する状態にすることが重要である。すなわち、
検出器も電磁レンズも偏向コイルも基板に近接していなければならない。
　したがって、
電磁対物レンズ／偏向系と基板との間の領域に電磁レンズ素子、偏向素子および検出素子を備えなければならない。これら素子の占める空間を最小に抑えるように電磁レンズ作用、偏向作用および検出作用を重畳させることがとくに重要である
　粒子ビームシステムにおいて環状の固体検出器は周知である。基板の結合構造についてより多くの情報を得るために互いに異なるアジマス角度からの信号を別々に記録する必要がある場合があり、そのために
一つの検出器基板にいくつかの個別の検出器（能動領域）を備える環状検出器
検出器は高不純物濃度でドープしたシリコンの薄い基板に形成したプレーナダイオード構成を通常備える
（エ）「概要
　この発明は
電磁レンズおよび偏向磁界の中にそのレンズと基板との間の距離を最小にするように検出器を取り付けることを対象とする
　この発明によると、分割した固体検出器組立体を複合電磁レンズ／偏向器組立体の磁極片の中に配置する。電磁レンズおよび偏向磁界の中に検出器を配置すると特別の問題が生ずることを発明者らは見出し、その問題に対処する。
電磁レンズ用定常磁界の歪みを回避するために、検出器構成材料および取り付け部材材料を真空の透磁率に近い透磁率を有する非磁性材料で構成する
　検出器の能動領域への電気的および機械的接触は軟質磁性材料から成り能動領域表面を損なわない導電性エラストマー材料のセグメントで達成する。実際の検出器はこれらセグメントおよび比較的高い抵抗率材料製の薄い反対側裏あてリングの間に挿む。前置増幅器など外部回路への電気的接続は、特別の高抵抗率ネジと渦電流の影響下の材料全部の体積を最小にし抵抗率を最大にするフレキシブル印刷配線板とによって形成する。この取付け手法によってシステム内の渦電流セットラーを最小にする。」
　
（オ）「 図２Ａは検出器組立体内の渦電流損を最小に抑えるこの検出器組立体のいくつかの側面を断面で示す。渦電流は偏向帯域幅を減少させるので好ましくない。検出器１の下側表面にある能動領域への接触は導電性エラストマー部材１０を経て形成する。各エラストマー部材１０は、例えば単一の円形または長方形０リングから切り出し、同様に分割した導電性信号コンタクトリング１１上の浅い溝に挿入した円弧状のセグメントである。エラストマー部材１０の軟らかい表面が検出器１の能動領域への充分な電気的コンタクトをそれら能動領域への損傷を伴うことなく形成する。エラストマー部材１０の抵抗率はミリアンペア程度の信号電流を目立つほどの電圧効果を伴うことなく伝導するのに十分な程度に低く、しかも渦電流の発生を抑えるのに十分な程度に高い。シリコン検出器１は、後述のとおり四つの象限（能動領域）を備える以外は慣用の構成を備える。
　
薄いシリコン検出器１をエラストマー部材１０とその検出器１の裏面に接するバッキングリング１２との間に挿む
いくつかのごく小さいねじ１４と付随ワッシャ１５（図２Ａの断面図にねじ１４の頭部を示す）とを抵抗率の比較的大きい金属（チタンなど）で構成する。ねじ１４およびワッシャ１５（または同等の締付け部材）はこの検出器組立体を一体に保つための機械的な力をもたらすとともに、外部への電気的接続（図１に８で表示）のためのフレキシブル印刷配線板組立体１６への電気的接続を形成する
　図２Ｂおよび２Ｃは図２Ａの構成の上面図および底面図をそれぞれ示し、図２Ａは図２Ｂおよび図２Ｃの線Ａ−Ａにおける断面図である。図２Ｃに示した表面全部が導体または導体被膜で構成してある。
 …」
　
（カ）図１、図２は、以下のとおりである。
イ　引用発明
（ア）上記ア（ア）によれば、以下の事項が記載されている。
「粒子のビームを供給する粒子源と前記ビームに共中心状態で配置されそのビームを偏向させる偏向系と前記ビームの入射を受ける基板を支持する支持体とを有する粒子ビームシステム用の検出器組立体であって、
　前記偏向系の内側に前記ビームに共中心状態で配置され、前記基板から入射するｘ線、電子およびその他の粒子の少なくとも一つを検出できる環状検出器と、
　前記環状検出器を保持するハウジングと、
　前記環状検出器を前記ハウジングから隔てるとともに各々が前記環状検出器の対応の能動領域と電気的接触状態にある複数個の互いに隔てられた導電性エラストマー部材とを含む検出器組立体。」
（イ）上記ア（ウ）によれば、環状検出器は、一つの検出器基板にいくつかの個別の検出器（能動領域）を備えることが記載されているから、上記（ア）の「能動領域」は、「個別の検出器」である。また、前記個別の検出器は、高不純物濃度でドープしたシリコンの薄い基板に形成したプレーナダイオード構成を備えることが記載されている。
（ウ）上記ア（エ）によれば、検出器構成材料および取り付け部材材料を真空の透磁率に近い透磁率を有する非磁性材料で構成し、電磁レンズ用定常磁界の歪みを回避することが記載されている。
（エ）上記ア（オ）によれば、薄いシリコン検出器１をエラストマー部材１０とその検出器１の裏面に接するバッキングリング１２との間に挿むことが記載されている。また、いくつかのごく小さいねじ１４と付随ワッシャ１５とを抵抗率の比較的大きい金属（チタンなど）で構成し、ねじ１４およびワッシャ１５（または同等の締付け部材）はこの検出器組立体を一体に保つための機械的な力をもたらすとともに、外部への電気的接続のためのフレキシブル印刷配線板組立体１６への電気的接続を形成することが記載されている。ここで、上記（イ）によれば、「薄いシリコン検出器」は、高不純物濃度でドープしたシリコンの薄い基板に形成したプレーナダイオード構成を備える「個別の検出器」である。また、環状検出器を保持する「ハウジング」、検出器組立体を一体に保つ「ねじ」、「ワッシャ」は、上記（ウ）の取り付け部材材料である。
（オ）以上によれば、引用文献１には、
「粒子のビームを供給する粒子源と前記ビームに共中心状態で配置されそのビームを偏向させる偏向系と前記ビームの入射を受ける基板を支持する支持体とを有する粒子ビームシステム用の検出器組立体であって、
　前記偏向系の内側に前記ビームに共中心状態で配置され、前記基板から入射するｘ線、電子およびその他の粒子の少なくとも一つを検出できる環状検出器と、
　前記環状検出器を保持するハウジングと、
　前記環状検出器を前記ハウジングから隔てるとともに各々が前記環状検出器の対応の個別の検出器と電気的接触状態にある複数個の互いに隔てられた導電性エラストマー部材とを含み、
　前記環状検出器は、一つの検出器基板にいくつかの個別の検出器を備え、　前記個別の検出器は、高不純物濃度でドープしたシリコンの薄い基板に形成したプレーナダイオード構成を備え、
　バッキンリング、ねじ、ワッシャーをさらに備え、前記個別の検出器は、エラストマー部材とその個別の検出器の裏面に接するバッキングリングとの間に挿まれ、ねじおよびワッシャにより検出器組立体が一体に保たれ、フレキシブル印刷配線板組立体への電気的接続を形成して外部への電気的接続がなされ、
　検出器構成材料および取り付け部材材料である、ハウジング、ねじ、ワッシャーを真空の透磁率に近い透磁率を有する非磁性材料で構成し、電磁レンズ用定常磁界の歪みを回避する、
　検出器組立体。」（以下「引用発明」という。）
（２）引用文献２について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平８−８３５８８号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面分析技術に係り、特に、微細コンタクトホ−ル等の深孔底面の残膜分析に適した
Ｘ線分析装置
（イ）「【０００７】本発明の目的は、電子線中心軸に接近して設置したＸ線検出器でコンタクトホ−ル底面の残膜を高精度に定性、定量分析を行うＸ線分析装置において、
Ｘ線検出器による照射電子線の軌道への悪影響を解消
（ウ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的は、電子線中心軸に接近して設けられた
Ｘ線検出手段
Ｘ線検出器およびこの検出面に入射する電子を遮断する手段
を非磁性材料で構成する
【０００９】Ｘ線検出手段は、少なくとも電子線中心軸に面した外壁を非磁性材料で構成する。
非磁性材料としては、非透磁率が１に近い材料、例えばアルミニウム、銅、クロム、又はステンレス鋼
Ｘ線検出器のハウジングを、コールドフィンガー又はペルチェ素子に接合するすることにより、高感度検出ができるようにＸ線検出器を冷却しても良い
【００１０】Ｘ線検出器に入射する電子を遮断する手段としては、Ｘ線検出器の検出面（例えば、
半導体検出器
この検出面に対して装脱着可能なシャッタ又はフィルタ
を用いる
これらは非磁性材料で形成
（エ）「【００１６】＜実施例１＞本発明の一実施例を図１に示した。図１では、加速された電子線１が試料２の表面に垂直に照射されている。ここで、電子線１のビーム径は残膜の堆積領域の大きさ（たとえば微細孔の直径）に比べて十分小さく、電子線１の加速エネルギーは５ｋｅＶ以下に制御されている。電子線１の集束、加速は対物レンズ３およびコンデンサレンズ４により行われている。電子線１の照射により、残膜からＸ線５が発生する。このＸ線５は、対物レンズ３とコンデンサレンズ４の中間位置で電子線１の近軸に設けられた検出器６で検出される。検出器６は、Ｘ線固体検出器（ＳＳＤ）やハーピコン（撮像管）等に代表される、エネルギー分析機能を有する検出器である。検出器６の設置位置は、検出器の受光面の全部もしくは一部にＸ線５が入射するように、できるだけ電子線１に近づけることが重要である。このため、検出器６は非磁性材料である銅で構成されたハウジング９に収められ、対物レンズ３とコンデンサレンズ４の間から、電子線中心軸の極近傍に設置される。又ハウジング９の先端部の側面を通過する電子線１は、軌道に悪影響を及ぼされることなく、集光される。検出器６でＸ線５のエネルギー強度を測定することにより、残膜の定性、定量分析ができる。
…
【００２０】Ｘ線検出器６に高エネルギ−あるいは多量の反射電子、２次電子が入射すると、Ｘ線検出器の性能が劣化してバックグラウンドノイズが増加したり、最悪の場合にはＸ線検出素子が破壊される恐れがある。特に、電子線の光軸調整を行う場合には、様々な箇所で反射した電子がＸ線検出器に多量に入射するため、低エネルギ−電子の場合でも検出器の性能劣化を引き起こし易い。そこで図１に示すように、Ｘ線検出器６の前面に、真空チャンバ外から開閉操作を行うための開閉機構１０を備えたシャッタ１１を設置する。電子線の光軸調整時などのＸ線検出器６に高エネルギ−または多量の電子が入射してこの検出器の性能劣化を招く恐れのある場合に、開閉機構１０でシャッタ１１を閉じることにより検出器への電子の入射を遮断し、したがって検出器の性能劣化を防ぐことができる。また、Ｘ線検出素子の性能劣化を招くことの無い５ｋｅＶ以下の低エネルギ−電子線でＸ線分析を行う場合には、開閉機構１０でシャッタ１１を開ける。なお、シャッタ１１も電子線１の直近に設置するためハウジング９と同様に非磁性材料である銅で構成され、また、いかなる高エネルギ−電子線でも透過することの無いように充分な厚み（０．５ｍｍ以上）を持たせている。」
（オ）図１は、以下のとおりである。
イ　上記引用文献２には、Ｘ線検出器による照射電子線の起動への悪影響を解消したＸ線検出器が開示されており、Ｘ線検出手段（Ｘ線検出器及びシャッタ）を非磁性材料で構成すること、非磁性材料としては、ステンレス鋼等を用いること、Ｘ線検出器のハウジングをペルチエ素子等に接合して冷却し高感度検出すること、Ｘ線検出器として半導体検出器を用いること、が技術手段として開示されている。
（３）引用文献３について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２０００−２３８０４６号公報）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００９】本発明はかかる従来の問題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、耐久性にすぐれた異方導電性シート製造用金型、その製造方法及び異方導電性シート製造装置を提供することである。」
（イ）「【００２１】
非磁性体部７２の材料としては
ハンダがある
イ　上記引用文献３には、非磁性の材料としてハンダが開示されている。
（４）引用文献４について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開平８−２１２９６３号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【０００５】本発明の目的は上述した従来技術の欠点をなくし、インレンズ形対物レンズや漏洩磁場形対物レンズを保有する走査電子顕微鏡と組み合わせても、走査電子顕微鏡のレンズ性能（分解能）を損なうことなく高感度なＸ線分析ができるエネルギー分散形Ｘ線分析装置を提供することにある。」
（イ）「【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明では
Ｘ線検出器先端部に
非磁性材で構成した筒状コリメータを装着したＥＤＸ検出装置を用い
コリメータの一部または全部を対物レンズ磁界中に配置して、対物レンズ磁界で散乱電子の軌道を曲げて散乱電子がＸ線検出器に入り込むのを防止
（ウ）「【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例の概略断面図である。陰極１と第一陽極２に印加される電圧Ｖ１により陰極１から放射された一次電子線４は、第二陽極３に印加される電圧Ｖacc に加速されて後段のレンズ系に進行する。この一次電子線４は、レンズ制御電源１５で制御された集束レンズ５と対物レンズ６により試料７に微小スポットとして集束され、二段の偏向コイル８で試料上を２次元的に走査される。偏向コイル８の走査信号は、観察倍率に応じて偏向制御装置１６により制御される。対物レンズ６の対物レンズ磁界９は試料側に発生し、試料７は対物レンズ磁界中に配置される。
【００１５】ＥＤＸ検出装置１１は、検出器素子１２とその前方に配置されたコリメータ１３を備える。コリメータ１３は例えば非磁性体であるアルミニウムで構成された筒状体であり、内面に高さ約０.１mm のネジが切ってある。ＥＤＸ検出装置１１は、そのコリメータ１３が対物レンズ６の対物レンズ磁界９中に位置するように配置される。
【００１６】試料７から発生したＸ線１４は、コリメータ１３のＸ線通過孔を通過し、ＥＤＸ検出装置１１内の検出器素子１２で検出される。一方、試料７から発生した散乱電子１０は、図２に示すように対物レンズ６の対物レンズ磁界９でその軌道が曲がり、コリメータ１３のＸ線通過孔を通過できずにその内壁に衝突する。内壁に衝突した散乱電子は、内壁の衝突面で２次的な電子を発生するが内壁に凹凸構造があるために、検出器素子１２へ進行することができない。また、内壁表面は、散乱電子１０の衝突による２次的な電子が発生しにくい材質になっているため、前記凹凸構造との相乗効果で、散乱電子１０が検出器素子１２へ進入する確率は非常に小さくなる。」　
（エ）図１は、以下のとおりである。
イ　上記刊行物４には、Ｘ線検出器先端部に非磁性材料で構成した筒状コリメータを装着したＥＤＸ検出装置を用いることにより、散乱電子がＸ線検出器に入り込むのを防止する技術手段が開示されている。
（５）引用文献５について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開平３−４８１８９号公報）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「〔産業上の利用分野〕
この発明は、荷電粒子分布測定装置、例えば、イオンミキシング装置やイオン注入装置等に用いられる荷電粒子分布測定装置であって、特に、大電流・大面積のビームの二次元分布を、ビームの偏向を用いずに、高分解能に測定する荷電粒子分布測定装置に関するものである。」（１頁左下欄１９行〜同頁右下欄５行）
（イ）「コレクタ電極板（１７）の製造プロセスは次のとおりである。
…
　丸５　
ワイヤボンディング
で導線（８ａ）と測定線（８ｂ）を接合する
　以上の工程で製造されたコレクタ電極板（１７）を使用すれば、上記したように、測定分解能を一層あげることができる。」（４頁右上欄１２行〜同頁左下欄２０行、注：「丸５」は丸数字の５である。）
イ　上記引用文献５には、銅線と測定線を接合する技術手段として、ワイヤボンディングが記載されている。
（６）引用文献６について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特開２００９−１０５０３７号公報）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
　本発明はＰＩＮ型検出器及びＰＩＮ型検出器を備えた荷電粒子ビーム装置に関し、更に詳しくはＳＥＭ等の荷電粒子ビーム装置に設置される検出器の改良に関する。」
（イ）「【発明が解決しようとする課題】
…
【００１０】
…
６）従来の
信号取り出し電極は、約０．５ｍｍ径のエリアにＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）を蒸着し、その上に直径１００μｍ程度のＡｕ線をエポテック（導電性接着材）やＡｇ（銀）ペースト等で接着する。
【００１１】
　つまり、感度低下をきたし歩留まりが悪かった。なお、電極部の面積が小さく、ＡｌやＡｕの蒸着膜が薄いため、ワイヤボンディングができない。また、ワイヤボンディングで使用する直径１０μｍ程度のＡｕ線は、エポテック（導電性接着剤）やＡｇペースト等で接着した場合、接触抵抗が大きく、また断線がおきやすく使用できない等の問題があった。」
イ　上記引用文献６には、信号取り出し電極に、Ａｕ線を導電性接着剤や銀ペースト等で接着する技術が開示されている。
（７）引用文献７について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７（特開２００７−４８６８６号公報）には、以下の事項が記載されている。　
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
電子ビームまたは光信号を取得する検出装置
（イ）「【００２９】
　ＭＣＰ１４、蛍光板１５、ＦＯＰ１６及びＴＤＩセンサ１７は１つのパッケージに形成され、
ＴＤＩセンサ１７の出力ピンはワイヤーボンディングその他の接続手段で、フィードスルー部ＦＴのピン１８に接続される
イ　上記引用文献７には、電子ビームまたは光信号を取得する検出装置において、センサの出力ピンとフィードスルー部ＦＴのピンを接続する手段として、ワイヤーボンディングが記載されている。
４　対比・判断
（１）本願発明１について
ア　対比
（ア）引用発明の「粒子ビームシステム」は本願発明１の「放射線検出器」に相当し、以下同様に、「検出器組立体」は「低干渉センサヘッド」に、「環状検出器」は「センサチップ」に、それぞれ相当する。
（イ）してみると、本願発明１と引用発明は、
「放射線検出器用の低干渉センサヘッドであって、コンポーネントとして、少なくとも、放射線に感応するセンサチップを含む、低干渉センサヘッド。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：放射線検出器が、本願発明１では「ＥＤＸのための」放射線検出器であるのに対し、引用発明ではＥＤＸのためのものなのか否か明らかではない点。
相違点２：低干渉センサヘッドが含むコンポーネントが、本願発明１では、「‐前面（１２）を有するプリント回路基板（１０）と、
　‐前記プリント回路基板（１０）の前記前面（１２）上に配置され、放射線（７２）に感応するセンサチップ（３２）と、
　‐コンタクトピン（４２）を有する、前記センサチップ（３２）を動作させるための複数の信号及び制御接続部と、を含み、前記コンタクトピン（４２）は、ボンディングワイヤ（４６）を介して前記プリント回路基板（１０）に接続され、
　‐前記コンタクトピン（４２）を保持するベースプレート（５０）と、
　‐前記前面（１２）から遠ざかる方向に向いた前記プリント回路基板（１０）の面に配置された冷却及び／又は熱除去手段（３６）と、を更に含み、
　前記ベースプレート（５０）、及び前記コンタクトピン（４２）の少なくとも１つは、少なくとも１種類の材料から成り、該材料の比透磁率（μｒ）は、１．５未満であり、１．５未満の比透磁率を有する材料は、材料番号が１．４４２９，１．４４０６，１．４４０４，１．４３０１，１．３９６４，１．３９６０又は１．３９５２の焼きなましオーステナイト系ステンレス鋼から成る」
のに対し、引用発明では、
「前記偏向系の内側に前記ビームに共中心状態で配置され、前記基板から入射するｘ線、電子およびその他の粒子の少なくとも一つを検出できる環状検出器と、
　前記環状検出器を保持するハウジングと、
　前記環状検出器を前記ハウジングから隔てるとともに各々が前記環状検出器の対応の個別の検出器と電気的接触状態にある複数個の互いに隔てられた導電性エラストマー部材とを含み、
　前記環状検出器は、一つの検出器基板にいくつかの個別の検出器を備え、　前記個別の検出器は、高不純物濃度でドープしたシリコンの薄い基板に形成したプレーナダイオード構成を備え、
　バッキンリング、ねじ、ワッシャーをさらに備え、前記個別の検出器は、エラストマー部材とその個別の検出器の裏面に接するバッキングリングとの間に挿まれ、ねじおよびワッシャにより、検出器組立体が一体に保たれ、フレキシブル印刷配線板組立体への電気的接続を形成して外部への電気的接続がなされ、
　検出器構成材料および取り付け部材材料である、ハウジング、ねじ、ワッシャーを真空の透磁率に近い透磁率を有する非磁性材料で構成」
される点。
イ　相違点についての判断
　はじめに、上記相違点２について検討する。
　上記「３（１）ア（エ）」の記載によれば、引用文献１は、電磁レンズおよび偏向磁界の中にそのレンズと基板との間の距離を最小にするように検出器を取り付ける技術を開示するものであるところ、引用発明は、上記相違点２に係る引用発明の特定事項のうち、
（ア）「前記偏向系の内側に前記ビームに共中心状態で配置され、前記基板から入射するｘ線、電子およびその他の粒子の少なくとも一つを検出できる環状検出器」
（イ）「前記環状検出器を保持するハウジング」
（ウ）「前記環状検出器を前記ハウジングから隔てるとともに各々が前記環状検出器の対応の能動領域と電気的接触状態にある複数個の互いに隔てられた導電性エラストマー部材」
の構成を備えることにより、電磁レンズおよび偏向磁界の中にそのレンズと基板との間の距離を最小にするように検出器を取り付けるものである。そうすると、引用発明において、上記（ア）〜（ウ）の特定事項は、レンズと基板との間の距離を最小にするように検出器を取り付けるために採用した構成であるから、上記（ア）〜（ウ）の特定事項を他の構成に変更することには、阻害要因がある。
　また、上記相違点２に係る本願発明１の特定事項のうち、
「‐前面（１２）を有するプリント回路基板（１０）と、
　‐前記プリント回路基板（１０）の前記前面（１２）上に配置され…るセンサチップ（３２）と、
　‐コンタクトピン（４２）を有する、前記センサチップ（３２）を動作させるための複数の信号及び制御接続部と、を含み、前記コンタクトピン（４２）は、ボンディングワイヤ（４６）を介して前記プリント回路基板（１０）に接続され、
　‐前記コンタクトピン（４２）を保持するベースプレート（５０）」
を更に含む「コンポーネント」は、上記引用文献２〜７の何れにも記載されておらず、本願の優先日前において周知技術であるともいえない。
　以上のとおり、当業者といえども、引用発明及び引用文献２から７に記載された技術事項から、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を容易に想到することはできない。
　したがって、上記相違点１について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明、引用文献２から７に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２−１３について
　本願発明２−１３は、上記２に記載したとおり、本願発明１を減縮した発明である。そうすると、本願発明２−１３は、上記相違点２に係る本願発明１の特定事項を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２から７に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　また、本願発明１４は、本願発明１−１３の何れかの低干渉センサヘッドを備えた放射線検出器の発明であり、本願発明１５は、本願発明１−１３の何れかの低干渉センサヘッド、または、本願発明１４の放射線検出器を備えた顕微鏡の発明である。そうすると、本願発明１４、１５は、何れも、上記相違点２に係る本願発明１の特定事項を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２から７に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１−１９（注：平成２６年９月２２日付け手続補正により補正された請求項１−１９である。）について、上記引用文献１−７に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、本願発明１−１５は、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を有するものとなっており、上記のとおり、本願発明１−１５は、上記引用文献１に記載された発明及び上記引用文献２−７に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
６　当審拒絶理由通知について
（１）特許法第３６条第４項第１号、第６項第２号に関し、以下の拒絶理由を通知している。
ア　請求項２、発明の詳細な説明の段落【００２４】に記載された「比
誘電
イ　請求項１４に記載された「放射線検出器（７４）、
特に
特に
ウ　請求項１５に記載された「請求項１〜
１４
エ　請求項１５に記載された「…放射線検出器（７４）の
使用
　上記拒絶理由ア〜エは、平成２９年５月２９日付け手続補正により、何れも解消した。
　
７　むすび。
　以上のとおり、本願発明１−１５は、当業者が引用発明及び引用文献２−７に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。