【事件の表示】
　特願２０１３−　８３６９８「酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２１日出願公開，特開２０１３−２３６０７３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年４月１２日（パリ条約による優先権主張２０１２年４月１２日，アメリカ合衆国，２０１３年４月５日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２６年８月１５日付けで拒絶理由が通知され，同年１２月１１日に意見書及び手続補正書が提出され，平成２７年７月２１日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月２７日に意見書及び手続補正書が提出され，平成２８年６月２日付けで拒絶査定され，同年１０月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２９年１月１２日に上申書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年１０月７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
　１　補正の内容
　平成２８年１０月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１７を補正して，補正後の請求項１，２とするものであって，補正前後の請求項の記載は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　５５０〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリエチルシラン，ジメチルアミノトリエチルシラン，エチルメチルアミノトリエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン，ジイソプロピルアミノトリエチルシラン，ピロリジノトリエチルシラン，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ジエチルアミノジメチルシラン，ジメチルアミノジメチルシラン，エチルメチルアミノジメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン，イソ‐プロピルアミノジメチルシラン，ジイソプロピルアミノジメチルシラン，ピロリジノジメチルシラン，ジエチルアミノジエチルシラン，ジメチルアミノジエチルシラン，エチルメチルアミノジエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン，イソ‐プロピルアミノジエチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン，ピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン，ジピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン，及びそれらの混合物からなる群より選択されるか，または
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，メトキシトリメチルシラン，エトキシトリメチルシラン，イソ‐プロポキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン，フェノキシトリメチルシラン，アセトキシトリメチルシラン，メトキシトリエチルシラン，エトキシトリエチルシラン，イソ‐プロポキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン，フェノキシトリエチルシラン，アセトキシトリエチルシラン，メトキシジメチルシラン，エトキシジメチルシラン，イソ‐プロポキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン，フェノキシジメチルシラン，アセトキシジメチルシラン，メトキシジメチルフェニルシラン，エトキシジメチルフェニルシラン，イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン，フェノキシジメチルフェニルシラン，アセトキシジメチルフェニルシラン，ジメトキシジメチルシラン，ジエトキシジメチルシラン，ジ‐イソプロポキシジメチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン，ジアセトキシジメチルシラン，ジメトキシジエチルシラン，ジエトキシジエチルシラン，ジ‐イソプロポキシジエチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン，ジアセトキシジエチルシラン，ジメトキシジ‐イソプロピルシラン，ジエトキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン，ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン，ジメトキシメチルビニルシラン，ジエトキシメチルビニルシラン，ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン，ジアセトキシメチルビニルシラン，１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，及びそれらの混合物からなる群より選択される，方法。
【請求項２】
　前記パージガスが，窒素，ヘリウム，及びアルゴンからなる群より選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記酸素源が，酸素，過酸化物，酸素プラズマ，水蒸気，水蒸気プラズマ，過酸化水素，及びオゾン源からなる群より選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　ｆ．水蒸気又はヒドロキシル源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を工程ｅの後にさらに含む，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｆ．水蒸気又はＯＨ源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｇが繰り返され，
　プロセス温度が５５０〜８００℃であり，圧力が５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールである，酸化ケイ素を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリエチルシラン，ジメチルアミノトリエチルシラン，エチルメチルアミノトリエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン，ジイソプロピルアミノトリエチルシラン，ピロリジノトリエチルシラン，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ジエチルアミノジメチルシラン，ジメチルアミノジメチルシラン，エチルメチルアミノジメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン，イソ‐プロピルアミノジメチルシラン，ジイソプロピルアミノジメチルシラン，ピロリジノジメチルシラン，ジエチルアミノジエチルシラン，ジメチルアミノジエチルシラン，エチルメチルアミノジエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン，イソ‐プロピルアミノジエチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン，ピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン，ジピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン，及びそれらの混合物からなる群より選択されるか，または
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，メトキシトリメチルシラン，エトキシトリメチルシラン，イソ‐プロポキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン，ｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン，フェノキシトリメチルシラン，アセトキシトリメチルシラン，メトキシトリエチルシラン，エトキシトリエチルシラン，イソ‐プロポキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン，フェノキシトリエチルシラン，アセトキシトリエチルシラン，メトキシジメチルシラン，エトキシジメチルシラン，イソ‐プロポキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン，フェノキシジメチルシラン，アセトキシジメチルシラン，メトキシジメチルフェニルシラン，エトキシジメチルフェニルシラン，イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン，フェノキシジメチルフェニルシラン，アセトキシジメチルフェニルシラン，ジメトキシジメチルシラン，ジエトキシジメチルシラン，ジ‐イソプロポキシジメチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン，ジアセトキシジメチルシラン，ジメトキシジエチルシラン，ジエトキシジエチルシラン，ジ‐イソプロポキシジエチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン，ジアセトキシジエチルシラン，ジメトキシジ‐イソプロピルシラン，ジエトキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン，ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン，ジメトキシメチルビニルシラン，ジエトキシメチルビニルシラン，ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン，ジアセトキシメチルビニルシラン，１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，及びそれらの混合物からなる群より選択される，方法。
【請求項６】
　前記パージガスが，窒素，ヘリウム，及びアルゴンからなる群より選択される，請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　前記酸素源が，酸素，酸素プラズマ，亜酸化窒素，水蒸気，水蒸気プラズマ，過酸化水素，及びオゾン源からなる群より選択される，請求項５に記載の方法。
【請求項８】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　プロセス温度が５５０〜８００℃であり，圧力が５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールであり，前記ケイ素前駆体が少なくとも１つの固着官能基及びＳｉ‐Ｍｅ基を含む不動態化官能基を有する，酸化ケイ素を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ジエチルアミノジメチルシラン，ジメチルアミノジメチルシラン，エチルメチルアミノジメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン，イソ‐プロピルアミノジメチルシラン，ジイソプロピルアミノジメチルシラン，ピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，及びそれらの混合物からなる群より選択されるか，または
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，メトキシトリメチルシラン，エトキシトリメチルシラン，イソ‐プロポキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン，フェノキシトリメチルシラン，アセトキシトリメチルシラン，メトキシジメチルシラン，エトキシジメチルシラン，イソ‐プロポキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン，フェノキシジメチルシラン，アセトキシジメチルシラン，メトキシジメチルフェニルシラン，エトキシジメチルフェニルシラン，イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン，フェノキシジメチルフェニルシラン，アセトキシジメチルフェニルシラン，ジメトキシジメチルシラン，ジエトキシジメチルシラン，ジ‐イソプロポキシジメチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン，ジアセトキシジメチルシラン，ジメトキシメチルビニルシラン，ジエトキシメチルビニルシラン，ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン，ジアセトキシメチルビニルシラン，１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，及びそれらの混合物からなる群より選択される，方法。
【請求項９】
　前記酸素源が，酸素，過酸化物，酸素プラズマ，亜酸化窒素，水蒸気，水蒸気プラズマ，過酸化水素，及びオゾン源からなる群より選択される，請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
　前記プロセス温度が５５０〜７５０℃である，請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
　前記圧力が５０ミリトール（ｍＴ）〜１００トールである，請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
　前記固着官能基がアミノ基である，請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
８に記載の方法。
【請求項１４】
　前記固着官能基がアルコキシ基である，請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
　２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，及び２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体。
【請求項１６】
　２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，及び２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体を含んでなる組成物。
【請求項１７】
　ジメチルアミノトリメチルシランおよびジエチルアミノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体を含んでなる組成物。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択される，方法。
【請求項２】
　前記パージガスが，窒素，ヘリウム，及びアルゴンからなる群より選択される，請求項１に記載の方法。」
　
　２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「酸素源を前記反応器内に導入する工程」を，補正後の請求項１の「酸素源を前記反応器内に導入する工程，該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される」とすること。
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「５５０〜８００℃の１又は複数の温度」を，補正後の請求項１の「６００〜８００℃の１又は複数の温度」とすること。
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリエチルシラン，ジメチルアミノトリエチルシラン，エチルメチルアミノトリエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン，ジイソプロピルアミノトリエチルシラン，ピロリジノトリエチルシラン，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ジエチルアミノジメチルシラン，ジメチルアミノジメチルシラン，エチルメチルアミノジメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン，イソ‐プロピルアミノジメチルシラン，ジイソプロピルアミノジメチルシラン，ピロリジノジメチルシラン，ジエチルアミノジエチルシラン，ジメチルアミノジエチルシラン，エチルメチルアミノジエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン，イソ‐プロピルアミノジエチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン，ピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン，ジピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン，及びそれらの混合物からなる群より選択されるか，または
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，メトキシトリメチルシラン，エトキシトリメチルシラン，イソ‐プロポキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン，フェノキシトリメチルシラン，アセトキシトリメチルシラン，メトキシトリエチルシラン，エトキシトリエチルシラン，イソ‐プロポキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン，フェノキシトリエチルシラン，アセトキシトリエチルシラン，メトキシジメチルシラン，エトキシジメチルシラン，イソ‐プロポキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン，フェノキシジメチルシラン，アセトキシジメチルシラン，メトキシジメチルフェニルシラン，エトキシジメチルフェニルシラン，イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン，フェノキシジメチルフェニルシラン，アセトキシジメチルフェニルシラン，ジメトキシジメチルシラン，ジエトキシジメチルシラン，ジ‐イソプロポキシジメチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン，ジアセトキシジメチルシラン，ジメトキシジエチルシラン，ジエトキシジエチルシラン，ジ‐イソプロポキシジエチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン，ジアセトキシジエチルシラン，ジメトキシジ‐イソプロピルシラン，ジエトキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン，ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン，ジメトキシメチルビニルシラン，ジエトキシメチルビニルシラン，ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン，ジアセトキシメチルビニルシラン，１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，及びそれらの混合物からなる群より選択される」を，補正後の請求項１の「前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択される」とすること。
　すなわち，補正前の請求項１において，「前記少なくとも１つのケイ素前駆体」として用いることができる選択肢として特定されていた「ケイ素前駆体」の集合から，「ジエチルアミノトリエチルシラン」等のケイ素前駆体，及び，「それらの混合物」という選択肢を削除し，補正後の請求項１において，前記集合に，新たに「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン」及び「２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」を加えること。
（４）補正事項４
　補正前の請求項３ないし１７を削除すること。
　３　補正の目的の適否についての検討
・補正事項３について
　特許法第１７条の２第５項は，拒絶査定不服審判を請求する場合において，特許請求の範囲についてする補正は，（ｉ）第３６条第５項に規定する請求項の削除，（ii）特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて，その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。），（iii）誤記の訂正，及び，(iv）明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）のいずれかの事項を目的とするものに限られることを規定する。
　そして，補正事項３は，補正前の請求項１において，「前記少なくとも１つのケイ素前駆体」として用いることができる選択肢として択一的に記載されていた「ケイ素前駆体」の集合に，補正後の請求項１において，新たに「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン」及び「２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」が加わるように補正をするものである。
　そうすると，補正事項３を含む本件補正によって，補正前の請求項１においては含まれていなかった，「前記少なくとも１つのケイ素前駆体」が，「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン」あるいは「２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」である態様が，補正後の請求項１に新たに含まれることとなり，その範囲において，特許請求の範囲が拡がったということができるから，補正事項３を含む本件補正は，「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて，その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的としたものであるとは認められない。
　さらに，補正事項３を含む請求項１についての補正が，「第３６条第５項に規定する請求項の削除」，「誤記の訂正」あるいは「明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」のいずれかの事項を目的とするものであるとも認めることはできない。
　したがって，補正事項３を含む本件補正は，特許法第１７条の２第５項に規定する，いずれの事項を目的とするものでもない。
　
　４　むすび
　したがって，本件補正は，他の補正要件については検討するもでもなく，特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　なお，審判請求人は，審判請求書において，
「（３−２−２）請求項１で，「該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される」を追加する補正は，原請求項３および明細書の段落００３０に基づいて，特許請求の範囲を減縮するものです。
（３−２−３）請求項１で，「５５０〜８００℃」を「６００〜８００℃」とする補正は，明細書の段落００５２に基づいて，特許請求の範囲を減縮するものです。
（３−２−４）請求項１で，「ジエチルアミノトリエチルシラン」他のケイ素前駆体を削除する補正は，特許請求の範囲を減縮するものです。
（３−２−５）請求項１で，「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」を追加する補正は，原請求項１６に基づくものです。
（３−２−６）審判請求人は，上記の補正に伴って，原請求項３〜１７を削除しました。
（３−２−７）特許請求の範囲における上記以外の補正は，上記の補正に伴って，記載を明瞭にするものです。」と，補正の適法性を主張する。
　しかしながら，上記記載においては，「酸素源」等についての補正については，「特許請求の範囲を減縮するもの」等の，特許法第１７条の２第５項の規定に沿った説明をするが，請求項１で，「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」を追加した補正については，「原請求項１６に基づくもの」とのみ説明するだけであって，当該補正が，特許法第１７条の２第５項のいずれの規定に適合したものであるかについては説明がされていない。
　したがって，審判請求人の補正の適法性についての上記主張は不十分であって，採用することができない。
　なお，審判請求人が平成２９年１月１２日に提出した上申書の内容を検討しても，上記判断は妥当なものと認められる。
　
〔予備的判断〕
　なお，仮に，補正事項３を含む本件補正が特許法第１７条の２第５項の規定に違反しないとしても，下記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　すなわち，補正事項３は，補正前の請求項１において，「前記少なくとも１つのケイ素前駆体」として用いることができる選択肢として特定されていた「ケイ素前駆体」の集合から，「ジエチルアミノトリエチルシラン」等のケイ素前駆体，及び，「それらの混合物」という選択肢を削除する補正を含むから，請求項１についての本件補正は，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とした補正を含むこととなる。
　しかしながら，以下で検討するように，補正後の請求項１に係る発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　５　進歩性についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，以下のとおりである。（以下，再掲。）
　
「【請求項１】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択される，方法。」
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶理由通知で引用した，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１−４には，図面とともに，以下の事項が記載されている。（下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
　ア　引用例１：特開２００８−１３５６３３号公報
（引１ａ）「【請求項１】
　基板を収容した処理室に原料ガスを供給する第１の工程と，
　前記処理室に残留する前記原料ガスを前記処理室から排出する第２の工程と，
　前記処理室にＯを含有する酸化性ガスを供給する第３の工程と，
　前記処理室に残留する前記酸化性ガスを前記処理室から排出する第４の工程と，
を少なくとも備え，
　前記第１〜第４の工程を複数回繰り返して前記基板上に所望の薄膜を生成する半導体デバイスの製造方法であって，
　前記酸化性ガスは，前記第１〜第４の工程の繰り返し数を基準に少なくとも２種類のガスが使い分けられる，半導体デバイスの製造方法。」
（引１ｂ）「【技術分野】
　【０００１】
　
本発明は，半導体デバイスの製造方法に関し，特に，半導体デバイス製造工程においてＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法による酸化膜形成工程で下地の酸化を防ぐ手法に関するものである
【背景技術】
【０００２】
　酸化膜を形成する場合のＡＬＤ法について説明する。
ＳｉウエハにＡＬＤ法を用いて酸化膜を形成するには，例えば，原料ガスにＴＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン）とＯ
3
とＮ
2
と用いる。ＴＤＭＡＳ供給→Ｎ
2
パージ→Ｏ
3
供給→Ｎ
2
パージの成膜シーケンスを１サイクルとし，これを繰り返すことで１原子層ずつ酸化膜を堆積する
【０００３】
　図１は基板温度５５０℃，ＴＤＭＡＳの流量，照射時間を０．７ｓｌｍ，５秒，Ｏ3の流量，時間を５ｓｌｍ，３０秒で成膜した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示したものである。図１で，０ｃｙｃｌｅの膜厚１１ÅはＳｉウエハ昇温後にＡＬＤ法による成膜なしの状態の膜厚である。これに対して図１の直線はＳｉウエハ昇温後にＡＬＤ法による成膜ありの膜厚（１０ｃｙｃｌｅの膜厚と５０ｃｙｃｌｅの膜厚を直線で結ぶ）を示したものであるが，この直線によると，０ｃｙｃｌｅ時の膜厚が１９Åである。よってＡＬＤ法による成膜後はＳｉの下地が８Å酸化されていることがわかる。図２は図１の場合と同じ条件でＯ3の照射時間のみを６秒に短縮した場合を示したものであるが，この場合もＳｉの下地が２．９Å酸化されていることがわかる。従ってＴＤＭＡＳとＯ3を原料ガスに使用したＡＬＤ法による成膜では
Ｏ
3
の酸化能力が強いためにＳｉの下地を酸化してしまう問題があり，Ｏ
3
の照射時間を短縮してもＳｉの下地酸化を防ぐことが難しいという問題があった
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　従って，
本発明の主な目的は，下地の酸化状態を制御可能なＡＬＤ法による酸化膜形成工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供することにある
（引１ｃ）「【００１４】
　処理室２０１へは複数種類，ここではＴＤＭＡＳ，Ｏ3（ｏｒＯ2）ガス，Ｎ2ガスを供給する。開閉弁である第１のバルブ２４３ａを開きＴＤＭＡＳタンク１００にＮ2ガスを供給すると気泡が発生し，その蒸気が開閉弁である第２のバルブ２４３ｂ，第３のバルブ２４３ｃを介し，更にガスノズル２３７を介して処理室２０１に供給される。Ｎ2ガスの流量は第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御する。
Ｏ
3
はオゾン発生器１０１内部でＯ
2
を無声放電させることにより生成
（引１ｄ）「【００１８】
　次にＡＬＤ法による成膜例について，まず，本発明を適用しない場合でのＴＤＭＡＳ及びＯ3ガスを用いて
ＳｉＯ
2
膜を成膜
【００１９】
　ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の中の１つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は，ある成膜条件（温度，時間等）の下で，成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となる処理ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し，１原子層単位で吸着させ，表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【００２０】
　利用する化学反応は，たとえばＳｉＯ2（二酸化珪素）膜形成の場合，ＡＬＤ法ではＴＤＭＡＳ（ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］3（トリスジメチルアミノシラン）とＯ3（オゾン）を用いて３００〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。また，ガス供給は，複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして，膜厚制御は，反応性ガス供給のサイクル数で制御する。（たとえば，成膜速度が１Å／サイクルとすると，２０Åの膜を形成する場合，処理を２０サイクル行う。）
【００２１】
　まず
成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し，処理室２０１に搬入する
【００２２】
　（
ステップ１
　
ステップ１では，ガス排気管２３１のバルブ２４３ｆを閉じて排気を止める。この時バルブ２４３ａ，２４３ｂを開き，ＴＤＭＡＳタンクにＮ
2
を０．７ｓｌｍ供給し，気泡を発生させる。次にバルブ２４３ｃを開き，発生した蒸気を処理室２０１へ供給する。ガス排気管２３１のバルブ２４３ｆが閉じ処理室２０１内の圧力は急激に上昇して約７Ｔｏｒｒまで昇圧される。ＴＤＭＡＳを供給するための時間は５秒設定した。このときのウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持される
【００２３】
　（
ステップ２
　
ステップ２ではバルブ２４３ｃを閉じ，バルブ２４３ｆを開けて処理室２０１を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。また，この時にはＮ
2
等の不活性ガスを処理室２０１に供給すると，更に残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを処理室２０１から排除する効果が高まる
【００２４】
　（
ステップ３
　
ステップ３では，オゾン発生器１０１からＯ
3
をガスを流す。バルブ２４３ｄ，２４３ｅを開け，マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整されたＯ
3
ガスをノズル２３３から処理室２０１へ供給する。この時バルブ２４３ｆの弁度の開度を調整し，処理室２０１内の圧力を４Ｔｏｒｒにする。Ｏ
3
の供給により，ウエハ２００の表面に化学吸着したＴＤＭＡＳとＯ
3
とが表面反応（化学吸着）して，ウエハ２００上のＳｉＯ
2
膜が成膜される
【００２５】
　（
ステップ４
　
ステップ４ではバルブ２４３ｅを閉じ，バルブ２４３ｆを開けて処理室２０１を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。また，この時にはＮ
2
等の不活性ガスを処理室２０１に供給すると，更に残留するＯ
3
の成膜に寄与した後のガスを処理室２０１から排除する効果が高まる
【００２６】
　
上記ステップ１〜４を１サイクルとし，このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のＳｉＯ
2
を成膜する
【００２７】
　このような成膜シーケンスでは前述したように下地材料を酸化してしまう問題がある。
【００２８】
　本発明はこの従来技術の問題を解決するために考案されたものである。以下にその一例を示す。
【００２９】
　本発明者達は，Ｓｉの下地酸化を防ぐのに原料ガスをＯ3より酸化力の小さいＯ2を使用することを検討し，ＴＤＭＡＳとＯ2を原料ガスに使用してＡＬＤ法で成膜を行うことを考えた。図４に図１と同様な条件でＴＤＭＡＳとＯ2を原料ガスに使用してＡＬＤ法で成膜を行った場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す。図４よりＳｉウエハ昇温後で成膜ない場合の膜厚（Si wafer initial thickness）と直線で示すＳｉウエハ昇温後でＴＤＭＡＳとＯ2を原料ガスに使用したＡＬＤ法による成膜ありの場合の０ｃｙｃｌｅ時の膜厚が一致しており，Ｓｉの下地が酸化されないことが実証できた。
【００３０】
　次にＯ3のみの照射で膜厚が飽和するまでの酸化膜厚を測定した。Ｏ3のみ照射した場合はＡＬＤ法による成膜はされないのでＳｉの下地が酸化されるのみである。よって飽和するまでの酸化膜厚は最大のＳｉ下地の酸化膜厚と考えることができる。図５にＯ3のみを照射した場合のＯ3照射時間と酸化膜厚との関係を示す。図５より約２２Åで酸化膜厚が飽和しており，Ｓｉを下地にした場合最大で２２Å酸化されると考えられる。
【００３１】
　
この結果を元に，従来の膜質を維持しながら下地酸化を削減するために２２ÅまではＴＤＭＡＳとＯ
2
を原料ガスに使用してＡＬＤ法（ＴＤＭＡＳ−Ｏ
2
）で成膜を行い，それ以上の堆積はＴＤＭＡＳとＯ
3
を原料ガスに使用してＡＬＤ法（ＴＤＭＡＳ−Ｏ
3
）で成膜を行った
（引１ｅ）「【００３５】
　また，
本発明の好ましい実施例は，ＳｉＯ
2
膜に限らず，Ａｌ
2
Ｏ
3
膜，ＨｆＯ膜にも適用可能である。使用するガス種はＯ
3
，Ｏ
2
，Ｎ
2
以外にＡｌ
2
Ｏ
3
膜の場合はＡｌソースとしてＴＭＡ（トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ
3
）
3
）を使用し，ＨｆＯ膜の場合はＨｆソースとしてＴＤＭＡＨｆ（テトラジメチルアミノハフニウムＨｆ［Ｎ（ＣＨ
3
）
2
］
4
）を使用する
　イ　引用発明
　そうすると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
・引用発明１
「ａ．成膜しようとするウエハをボートに装填し，処理室に搬入する工程，
　ｂ．下記のステップ１〜４を１サイクルとし，このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のＳｉＯ2を成膜する工程
　を含む，ウエハ上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法。
（ステップ１）ガス排気管のバルブを閉じて排気を止め，ＴＤＭＡＳタンクにＮ2を０．７ｓｌｍ供給し，気泡を発生させ，発生した蒸気を処理室へ供給し，処理室内の圧力を約７Ｔｏｒｒまで昇圧し，ＴＤＭＡＳを５秒供給するステップであって，このときのウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持するステップ。
（ステップ２）処理室を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除するステップであって，Ｎ2等の不活性ガスを処理室に供給して，更に残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを処理室から排除する効果を高めるステップ。
（ステップ３）オゾン発生器からＯ3ガスを処理室に供給するステップであって，この時バルブの弁度の開度を調整し，処理室内の圧力を４Ｔｏｒｒにし，Ｏ3の供給により，ウエハの表面に化学吸着したＴＤＭＡＳとＯ3とが表面反応（化学吸着）して，ウエハ上にＳｉＯ2膜が成膜されるステップ。
（ステップ４）処理室を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除するステップであって，Ｎ2等の不活性ガスを処理室に供給して，更に残留するＯ3の成膜に寄与した後のガスを処理室から排除する効果を高めるステップ。」
　ウ　引用例２：特開２０１２−９８９９号公報
（引２ａ）「【請求項１】
　第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率を回復させる方法であって，ケイ素含有誘電体材料の該層の該第１の誘電率が第２の誘電率に増加しており，該方法は，
　ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも１つの表面と，ケイ素含有流体とを接触させるステップ，そして，
　ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも１つの表面を，紫外線照射，熱，および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ，の各ステップを含み，　ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で，ケイ素含有誘電体材料の該層が，該第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する，方法。」
　＜途中省略＞
【請求項９】
　該接触ステップが，
化学気相堆積工程
【請求項１０】
　該ケイ素含有流体が，メチルトリメトキシシラン，メチルトリエトキシシラン，メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン，メチルトリイソプロポキシシラン，エチルトリメトキシシラン，エチルトリエトキシシラン，ジメチルジメトキシシラン，ジメチルジエトキシシラン，ジエチルジメトキシシラン，ジエチルジエトキシシラン，ジエトキシメチルシラン，１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン，１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン，１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン，１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン，１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン，１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン，１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン，２，２，４，６，６−ペンタメチル−２，４，６−トリシラ−ヘプタン，１−メチル−１−エトキシシラシクロペンタン，１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシラシクロブタン，１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシ−１，３−ジシラシクロブタン，ビス（トリメチルシリルメチル）ベンゼン，（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン，ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン，ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン，ビス（ジメトキシフェニルシリル）メタン，ビス（ジエトキシフェニルシリル）メタン，ビス（メトキシジメチルシリル）メタン，ビス（エトキシジメチルシリル）メタン，ビス（メトキシジフェニルシリル）メタン，ビス（エトキシジフェニルシリル）メタン，ヘキサメチルジシラザン，ヘキサメチルシクロトリシラザン，ヘプタメチルジシラザン，オクタメチルシクロテトラシラザン，ノナメチルトリシラザン，ジメチルシクロシラザン，アセトキシトリメチルシラン，メトキシトリメチルシラン，エトキシトリメチルシラン，３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン，３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，アミノメチルトリメチルシラン，オクタメチルシクロテトラシロキサン，テトラメチルシクロテトラシロキサン，メチルトリアセトキシシラン，メチルエトキシシラシクロプロパン，ヘキサメチルシラブタン，ジメチルジアセトキシシラン，およびジ−ｔｅｒｔ−ブトキシジアセトキシシランからなる群から選択される少なくとも１種である，請求項９の方法。
【請求項１１】
　該ケイ素含有流体が，ヘキサメチルジシラザン，ヘキサメチルシクロトリシラザン，ヘプタメチルジシラザン，オクタメチルシクロテトラシラザン，ノナメチルトリシラザン，ジメチルシクロシラザン，アセトキシトリメチルシラン，
メトキシトリメチルシラン
ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン
ジメチルアミノトリメチルシラン
（引２ｂ）「【０００２】
　本発明は，　＜途中省略＞　そうした膜は，
集積回路（”ＩＣ”）等の半導体デバイスの製造中で絶縁材料として使用
（引２ｃ）「【００３１】
　
本発明に用いられるケイ素含有流体は，例えば，誘電体材料を生成するために典型的に用いられるもの等の例えば，シリカ含有前駆体を含む
【００３２】
　
以下のケイ素含有流体は，スピンオン堆積工程またはＣＶＤ工程のいずれにおける本発明での使用に適する
以下のケイ素含有流体の少なくとも一つは，任意選択的に溶媒と共に接触ステップと関連して適用されるであろう組成物を典型的には生成する
溶媒が用いられる態様において，シリカ含有流体は，残りが，溶媒および任意選択的に，例えば，触媒，流れ助剤，湿潤剤，ｐＨ調整剤，腐食阻害剤，イオン強度調整剤，および界面活性剤等の添加物で，流体の全質量の好ましくは約０．００１〜９９質量％，およびさらに好ましくは約０．０１〜約９０質量％を構成する
そうした添加物は，存在する場合，混合物のｐＨを変化させ，シリカ含有流体が濡らすことにおいて補助し，そして流体が相互作用する表面を改質することにより小さな構造と相互作用し，流体の粘性，表面張力，および溶解度パラメーターを変化させる機能を有することができる。そうした添加物は，銅の腐食を最小化し，そしてＢＥＯＬ工程により作り出される損傷と欠陥へのケイ素含有流体の反応性を高めるよう機能することもできる
　エ　引用例３：特表２００９−５３８９８９号公報
（引３ａ）「【発明を実施するための形態】
【００３３】
　　＜途中省略＞　高品質の応用例（
マイクロエレクトロニクス
（引３ｂ）「【００５５】
　本発明では，反応ガスとしての
酸素
【００５６】
　本発明では，前駆物質は（それだけには限らないが）以下から選択することができる。Ｗ（ＣＯ）６，Ｎｉ（ＣＯ）４，Ｍｏ（ＣＯ）６，Ｃｏ２（ＣＯ）８，Ｒｈ４（ＣＯ）１２，Ｒｅ２（ＣＯ）１０，Ｃｒ（ＣＯ）６，又はＲｕ３（ＣＯ）１２，ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５），テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（又はＴＤＭＡＴ），ＳｉＨ４，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６又はＢＣｌ３，ＷＦ６，ＴｉＣｌ４，ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６Ｓｉ２Ｈ６（ＧｅＨ３）３ＳｉＨ，（ＧｅＨ３）２ＳｉＨ２，ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ），テトラメチルジシロキシサン（ＴＭＤＳＯ），１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルジシロキサン，ヘキサメチルシクロテトラシロキサン，オクタメチルシクロテトラシロキサン，デカメチルシクロペンタンシロキサン，テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ），メチルトリメトキシシラン，メチルトリエトキシシラン，ジメチルジメトキシシラン，ジエトキシジメチルシラン，トリメチルエトキシシラン，メチルトリメトキシシラン，エチルトリエトキシシラン，ｎ−プロピルトリメトキシシラン，ｎ−プロピルトリエトキシシラン，ｎ−ブチルトリメトキシシラン，ｉ−ブチルトリメトキシシラン，ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，ビニルトリメトキシシラン，ビニルトリエトキシシラン，アミノメチルトリメチルシラン，ジメチルジメチルアミノシラン，
（ジメチルアミノ）トリメチルシラン
ジエチルアミノトリメチルシラン
　オ　引用例４：国際公開２０１０／０６４３０６号
（引４ａ）「技術分野
［０００１］
本発明は，半導体装置の製造方法
（引４ｂ）「［００４６］化学式（７）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては，例えば次の化合物が挙げられる。すなわち，
ジメチルアミノトリメチルシラン
ジエチルアミノトリメチルシラン
ジエチルアミノトリエチルシラン
（引４ｃ）「［００６３］また，ダメージ回復処理に用いる
ケイ素化合物には，上述したケイ素化合物以外の成分が含有されていてもよい。例えば，ケイ素化合物には，例えば，粘度を低下させるための溶媒が更に含有されていてもよい
［００６４］ケイ素化合物を用いたダメージ回復処理は，ケイ素化合物を絶縁膜１０２表面に接触させ，絶縁膜１０２表面のＳｉ−ＯＨ基とケイ素化合物とを反応できる処理であれば特に限定されるものではない。例えば，以下に述べる処理を用いることができる。
［００６５］すなわち，ダメージ回復処理としては，ケイ素化合物の蒸気に，絶縁膜１０２表面を曝すベーパ処理を適用することができる。ベーパ処理は，ケイ素化合物の蒸気を，絶縁膜１０２表面に導いて接触させることができればよい。ベーパ処理では，例えば，ケイ素化合物の蒸気をキャリアガスによって移動することにより，ケイ素化合物の蒸気を，絶縁膜１０２表面に導いて接触させてもよい。」（第６３ページ第１０−２０行）
（引４ｄ）「・・・ケイ素化合物として
ジメチルアミノトリメチルシラン
（３）本願補正発明１の進歩性について
　本願補正発明１と引用発明１とを対比する。  
　ア　引用発明１の「ウエハ」，「処理室」は，それぞれ，本願補正発明１の「基材」，「反応器」に相当する。
　イ　引用発明１の「ＴＤＭＡＳ」は，ケイ素前駆体の一種といえる。したがって，引用発明１の「（ステップ１）ガス排気管のバルブを閉じて排気を止め，ＴＤＭＡＳタンクにＮ2を０．７ｓｌｍ供給し，気泡を発生させ，発生した蒸気を処理室へ供給し，処理室内の圧力を約７Ｔｏｒｒまで昇圧し，ＴＤＭＡＳを５秒供給するステップであって，このときのウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持するステップ。」は，本願補正発明１の「少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程」に相当する。
　ウ　引用発明１の「Ｎ2等の不活性ガス」は，パージガスといえる。
　したがって，引用発明１の「（ステップ２）処理室を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除するステップであって，Ｎ2等の不活性ガスを処理室に供給して，更に残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを処理室から排除する効果を高めるステップ。」及び「（ステップ４）処理室を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除するステップであって，Ｎ2等の不活性ガスを処理室に供給して，更に残留するＯ3の成膜に寄与した後のガスを処理室から排除する効果を高めるステップ。」は，いずれも，本願補正発明１の「前記反応器をパージガスでパージする工程」に相当する。
　エ　引用発明１の「（ステップ３）オゾン発生器からＯ3ガスを処理室に供給するステップ」は，本願補正発明１の「酸素源を前記反応器内に導入する工程，該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される」に相当する。
　オ　引用発明１の「（ステップ１）ガス排気管のバルブを閉じて排気を止め，ＴＤＭＡＳタンクにＮ2を０．７ｓｌｍ供給し，気泡を発生させ，発生した蒸気を処理室へ供給し，処理室内の圧力を約７Ｔｏｒｒまで昇圧し，ＴＤＭＡＳを５秒供給するステップであって，このときのウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持するステップ。」及び「（ステップ３）オゾン発生器からＯ3ガスを処理室に供給するステップであって，この時バルブの弁度の開度を調整し，処理室内の圧力を４Ｔｏｒｒにし，Ｏ3の供給により，ウエハの表面に化学吸着したＴＤＭＡＳとＯ3とが表面反応（化学吸着）して，ウエハ上にＳｉＯ2膜が成膜されるステップ。」における，「処理室内の圧力を約７Ｔｏｒｒまで昇圧」，「ウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持」，及び，「処理室内の圧力を４Ｔｏｒｒにし」との特定から，本願補正発明１と，引用発明１は，「６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法」である点で一致すると認められる。
　カ　よって，本願補正発明１と引用発明１とは，以下の点で一致し，また，相違する。
　＜一致点＞  
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法。  
  
　＜相違点＞
　本願補正発明１では，「前記少なくとも１つのケイ素前駆体」が，「ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択される」ものであるのに対して，引用発明１では，「ＴＤＭＡＳ」である点。
　キ　上記相違点についての検討  
（ア）上記摘記（引１ａ）ないし（引１ｅ）から，引用例１には，以下の事項が記載されているものと理解される。
（ｉ）「半導体デバイスの製造方法に関し，特に，半導体デバイス製造工程においてＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法による酸化膜形成工程で下地の酸化を防ぐ手法」（【０００１】）に係る【技術分野】に属する技術的事項が記載されていること。
（ii）【背景技術】として，「ＳｉウエハにＡＬＤ法を用いて酸化膜を形成するには，例えば，原料ガスにＴＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン）とＯ3とＮ2と用いる。ＴＤＭＡＳ供給→Ｎ2パージ→Ｏ3供給→Ｎ2パージの成膜シーケンスを１サイクルとし，これを繰り返すことで１原子層ずつ酸化膜を堆積する」製造方法が知られていたこと，及び，「ＴＤＭＡＳとＯ3を原料ガスに使用したＡＬＤ法による成膜ではＯ3の酸化能力が強いためにＳｉの下地を酸化してしまう問題があり，Ｏ3の照射時間を短縮してもＳｉの下地酸化を防ぐことが難しいという問題があった。」（【０００３】）という課題が存在したこと。
（iii）引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の，【発明が解決しようとする課題】は，主に，「下地の酸化状態を制御可能なＡＬＤ法による酸化膜形成工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供すること」にあること。
（iv）前記【発明が解決しようとする課題】を解決する引用例１の請求項１に記載された発明は，「基板を収容した処理室に原料ガスを供給する第１の工程と，前記処理室に残留する前記原料ガスを前記処理室から排出する第２の工程と，前記処理室にＯを含有する酸化性ガスを供給する第３の工程と，前記処理室に残留する前記酸化性ガスを前記処理室から排出する第４の工程と，を少なくとも備え，前記第１〜第４の工程を複数回繰り返して前記基板上に所望の薄膜を生成する半導体デバイスの製造方法」という，【背景技術】の欄にも記載されている公知の製造方法を前提とした上で，当該製造方法において「前記酸化性ガスは，前記第１〜第４の工程の繰り返し数を基準に少なくとも２種類のガスが使い分けられる」（【請求項１】）ことを発明の本質的事項とすること。
　すなわち，上記（ｉ）ないし（iv）より，引用例１には，酸化性ガスとして，Ｏ3を使用した場合の，Ｏ3の酸化能力が強くＳｉの下地を酸化してしまうという課題を，酸化性ガスとして，少なくとも２種類のガスを使い分けることによって解決したことが記載されていると認められる。
（イ）一方，引用例１に記載されている「ＴＤＭＡＳ」は，引用例１の【背景技術】の欄の「ＳｉウエハにＡＬＤ法を用いて酸化膜を形成するには，
例えば
　そして，酸化膜を形成するにあたり，原料ガスとして「ＴＤＭＡＳ」を選択する特段の理由は，本願の発明の詳細な説明には記載されておらず，また，原料ガスとして「ＴＤＭＡＳ」を用いた場合に，他のガスを用いた場合と比較して，優れた効果を奏することを示す実験結果が本願の発明の詳細な説明に提示されているともいえない。
　加えて，引用例１の上記摘記（１ａ）に記載された請求項１には，前駆体となる材料は，単に「原料ガス」とのみ特定されており，さらに，引用例１の上記摘記（１ｅ）には，「
使用するガス種は
ＡｌソースとしてＴＭＡ（トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ
3
）
3
）を使用し
ＨｆソースとしてＴＤＭＡＨｆ（テトラジメチルアミノハフニウムＨｆ［Ｎ（ＣＨ
3
）
2
］
4
）を使用する
　すなわち，引用例１に記載された，「下地の酸化状態を制御可能なＡＬＤ法による酸化膜形成工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供すること」という課題の解決において，原料ガスが「ＴＤＭＡＳ」であることは必須の事項であるとは認められない。
　してみれば，引用例１に接した当業者であれば，引用例１の上記各記載から，引用例１で用いられている「ＴＤＭＡＳ」は，酸化膜を形成する際の原料ガスの一つとして単に例示されたものにすぎないと理解することが自然といえる。
（ウ）そして，引用例２ないし４の上記摘記した記載から，集積回路等の半導体デバイス（マイクロエレクトロニクス）の製造の技術分野において，本願補正発明１において特定されるケイ素前駆体に含まれる，「ジエチルアミノトリメチルシラン」，「ジメチルアミノトリメチルシラン」，「ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン」等の材料を，ケイ素前駆体として用いることが知られていたことが理解できる。
（エ）そうすると，引用例１の記載に接した当業者は，引用例１で用いられている「ＴＤＭＡＳ」が，酸化膜を形成する際の原料ガスの一つとして単に例示されたものにすぎないと理解することができ，また，引用例２ないし４の記載より，当該技術分野では，「ジエチルアミノトリメチルシラン」，「ジメチルアミノトリメチルシラン」，「ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン」等の材料を，ケイ素前駆体として用いることが知られていたと理解できるから，引用発明１において，酸化膜を形成する際の原料ガスとして用いられている「ＴＤＭＡＳ」に替えて，他の材料，例えば，引用例２ないし４に記載されている「ジエチルアミノトリメチルシラン」，「ジメチルアミノトリメチルシラン」，「ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン」等の材料を用いることは，当業者が適宜なし得たことと認められる。
　そして，これらの材料を用いたことによる効果は，本願の発明の詳細な説明の記載からは，格別のものであるとは認められない。
　
（カ）なお，審判請求人は，審判請求書において，以下のように主張する。
「そして，引用文献１に記載された原料ガスのＴＤＭＡＳは，Ｓｉ−Ｈ基を有するものです。更に，引用文献１に記載された発明は，反応は，３００〜６００℃の低温で行うことが教示されています（引用文献１の段落００２０）。 
　これに対して，上記の補正後の本願発明では，Ｈ−Ｓｉ基を有する化合物は排除されています。
　審判請求人は，Ｓｉ−Ｈ基を有するケイ素前駆体を用いた場合に対する，Ｓｉ−Ｈ基を有さないケイ素前駆体を用いた原子層堆積（ＡＬＳ）における酸化ケイ素膜の堆積への効果の優位性を明らかにするために，本願の対応する米国特許（米国特許出願番号１３／８５７５０７；米国特許第９４６０９１２号として登録済み）の審査過程で提出された，本願発明者の一人であるシンチアン　レイ博士（Dr. Xinjian Lei）による宣言書（declaration）（添付資料１）およびその翻訳文（添付資料２）ならびに該宣言書に添付された証拠Ａ（Exhibit A）(添付資料３）を添付資料として提出します。（なお，必要であれば，審判請求人は，証拠Ａの翻訳文を提出する用意があります。）
　シンチアン　レイ博士の宣言書に添付された証拠Ａ（Exhibit A）は，シンチアン　レイ博士が行った，または同博士の指示の下に行われた実験結果を示したものです。これらの実験では，アミノシラン（ＤＩＰＡＳおよびＢＴＢＡＳ）およびアルキルアミノシラン（ＤＭＡＴＭＳおよびＤＭＡＤＭＰＳ）前駆体の両方が，高温（すなわち５５０℃超）での原子層堆積（ＡＬＳ）による性能を評価されています（同博士の宣言書の第８段落）。
　証拠Ａのスライド３（添付資料３では第４頁と表記されている）のグラフを参照すると，６００℃超の温度では，３つのＳｉ−ＯＨ基を有するアミノシランＤＩＰＡＳは，より化学蒸気堆積のように挙動し，ここでは堆積速度は，急速に増加して，膜の非均一性をもたらします（５％超）。
　証拠Ａのスライド４（添付資料３では第５頁と表記されている）のグラフには，２つのＳｉ−ＯＨ基を有するアミノシランＢＴＢＡＳでの同様の挙動が示されており，そこではＢＴＢＡＳは５５０℃超でより化学蒸気堆積のように挙動し，そのような温度での非均一性は１０％超です。従って，証拠Ａのスライド３および４（添付資料３では第４および５頁と表記されている）には，アミノシラン前駆体（すなわち，複数のＳｉ−ＯＨを有する化合物）は，高温のＡＬＤ酸化ケイ素の堆積には好適ではないことを示しています（同博士の段落１０〜１２）。
　証拠Ａのスライド６，７および８のグラフには，２種のアルキルアミノシラン化合物，ＤＭＡＴＭＳおよびＤＭＡＤＭＰＳの原子層堆積を示しています。アルキルアミノシランは，Ｓｉ−ＯＨを有してはおらず，Ｓｉ−ＭｅまたはＳｉ−フェニル基を有しています。Ｓｉ−ＯＨを有するアミノシランの挙動とは対照的に，証拠Ａのスライド６，７および８のグラフには，アルキルアミノシランが，高温ＡＬＤ堆積に極めて好適であることを示しています。ＤＩＰＡＳおよびＢＴＢＡＳとは異なり，ＤＭＡＴＭＳおよびＤＭＡＤＭＰＳは，７００℃以下の温度では，ＣＶＤ状態には移行しないで，５％未満の非均一性を示しており，Ｓｉ−Ｍｅ基またはＳｉ−フェニル基は高温ＡＬＤ酸化ケイ素堆積に好適であることを示しています。従って，Ｓｉ−Ｈ基を有するアミノシランＢＴＢＡＳおよびＤＩＰＡＳは，高温（５５０℃超）のＡＬＤ酸化ケイ素堆積には好適ではなくて，低温（５００℃未満）のＡＬＤ酸化ケイ素堆積により好適です。対照的に，アルキルＤＭＡＴＭＳおよびＤＭＡＤＭＰＳは，高度に共形的な（conformal）酸化ケイ素膜を堆積するための，高温（６００℃以上）でのＡＬＤ堆積に非常に好適です（同博士の宣言書の段落１３〜１５）。
　このような，Ｓｉ−Ｈ基を含むケイ素前駆体と比較した，Ｓｉ−Ｈ基を含まないケイ素前駆体による，特に高温（６００℃以上）での原子層堆積への効果は，Ｓｉ−Ｈ基を含む原料ガスを用いて，３００〜６００℃の低温で（引用文献１の段落００２０）で原子層堆積を行うことのみを開示する引用文献１からは到底示唆されるものではないものと思料します。
　そして，引用文献２〜６に記載された発明は，平成２７年１０月２７日提出の意見書でも述べたとおり，引用文献１と組み合わせても，本願発明を示唆するものではないものと思料します。」
　しかしながら，前記「Ｓｉ−Ｈ基を含むケイ素前駆体と比較した，Ｓｉ−Ｈ基を含まないケイ素前駆体による，特に高温（６００℃以上）での原子層堆積への効果」という技術的知見は，本願の発明の詳細な説明又は図面には記載されておらず，また，本願の優先権の主張の日前における技術常識に照らして，本願の発明の詳細な説明又は図面の記載から自明なものであるとも認められない。
　したがって，仮に前記効果が存在したとしても，本願の発明の詳細な説明に記載されておらず，また，本願の優先権の主張の日前における技術常識に照らして，本願の発明の詳細な説明又は図面の記載から自明なものであるとも認められない効果に基づく審判請求人の前記主張は採用することができない。
　加えて，審判請求書において，「ＤＩＰＡＳおよびＢＴＢＡＳとは異なり，ＤＭＡＴＭＳおよびＤＭＡＤＭＰＳは，７００℃以下の温度では，ＣＶＤ状態には移行しないで，５％未満の非均一性を示しており，Ｓｉ−Ｍｅ基またはＳｉ−フェニル基は高温ＡＬＤ酸化ケイ素堆積に好適であることを示しています。」と自認するように，審判請求人の主張する効果は，本願補正発明１が特定する，「６００〜８００℃の１又は複数の温度」範囲の一部である「７００℃以下の温度」についてのみ示されているだけであって，審判請求書において示された「Ｄｅｐ　Ｒａｔｅ　ａｎｄ　Ｎｏｎ−Ｕｎｉｆｏｍｉｔｙ：ＤＭＡＴＭＳ」のグラフの形状からは，むしろ，８００℃近傍では，ＣＶＤ状態に移行して，５％以上の非均一性を示すことが推認される。
　してみれば，審判請求人の主張する前記効果を，「６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される」ことを発明特定事項として含む本願補正発明１の効果としては認めることができない。したがって，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　ク　小括 
　以上のとおり，仮に，本件補正が，補正要件を満たすものであったとしても，本願補正発明１は，引用例１に記載された発明と引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　６　サポート要件について
（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，特許権者が証明責任を負うと解するのが相当である（知財高判平成１７年１１月１１日(平成１７年(行ケ)１００４２号)「偏光フィルムの製造法」大合議判決を参照。) 。
 　以下，上記の観点に立って，本件のサポート要件について検討する。 
　
（２）本願の特許請求の範囲の記載について
　本願補正発明１は，以下のとおりのものである。（以下，再掲。）
「【請求項１】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，該酸素源は，水，酸素（Ｏ２），酸素プラズマ，オゾン（Ｏ３），一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ），二酸化窒素（ＮＯ２），一酸化炭素（ＣＯ），二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択される，方法。」
　
（３）本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明について 
　ア　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。
（ア）「【背景技術】
【０００３】
　熱酸化は，半導体用途の二酸化ケイ素などの高純度且つ高度に共形の酸化ケイ素膜（ＳｉＯ2）を堆積させるのに一般的に使用されるプロセスである。しかしながら，
熱酸化プロセスは，非常に遅い堆積速度
大量の製造プロセスでそれを非実用的なものにしている
【０００４】
　
原子層堆積（ＡＬＤ）及びプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）は，低温（＜５００℃）にて二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2
）の共形膜を堆積させるのに使用されるプロセスである
前駆体と反応性気体（例えば，酸素又はオゾンなど）が，特定のサイクル数で別々に律動的に送られて，サイクルごとに二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2
）の単分子層を形成する
しかしながら，これらのプロセスを使用して低温で堆積する二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2
）は，半導体用途に有害であるレベルの不純物，例えば，炭素（Ｃ），窒素（Ｎ），又はその両方などを含むこともある
これを解消するためには，１つの解決法は，例えば，５００℃以上に堆積温度を上げることである。しかしながら，これらのより高い温度では，半導体産業で用いられてきた従来の前駆体は，自己反応する傾向があって，熱分解し，そしてＡＬＤ様式よりむしろＣＶＤ様式で堆積する。ＣＶＤ様式の堆積は，特に半導体用途における高アスペクト比構造でＡＬＤ堆積と比較して，共形性が低下する。加えて，ＣＶＤ様式の堆積は，ＡＬＤ様式の堆積よりも膜又は物質の厚さが制御しにくい
（イ）「【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　よって，
熱に基づく堆積プロセスを置き換えるために，原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ型プロセス，例えば，これだけに限定されるものではないが，サイクリック化学気相成長プロセスを使用した高品質の，不純物の少ない，高度に共形的な酸化ケイ素膜を形成するためのプロセスを開発する必要がある。さらに，ＡＬＤ又はＡＬＤ型プロセスで，１又は複数の膜特性，例えば，純度及び／又は密度など，を改善するために，高温堆積（例えば，５００℃の１又は複数の温度での堆積）を開発することが望まれる場合もある
（ウ）「【課題を解決するための手段】
【０００９】
　
原子層堆積（ＡＬＤ）又はＡＬＤ型プロセスにおいて，高温にて，例えば，５００℃以上の１又は複数の温度にて，酸化ケイ素材料又は膜の堆積のためのプロセス
【００１０】
　１つの実施形態では，
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，５００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，酸化ケイ素を堆積させる方法が提供される。
【００１１】
　別の実施形態では，
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｆ．水蒸気又はヒドロキシル源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｇが繰り返され，５００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，酸化ケイ素を堆積させる方法が提供される。この又は他の実施形態では，酸素源は，酸素，酸素プラズマ，水蒸気，水蒸気プラズマ，過酸化水素，酸化窒素，及びオゾンからなる群より選択される。
【００１２】
　本明細書で記載される少なくとも１つのケイ素前駆体は，
　　Ｉ．Ｒ1Ｒ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp
（式中，Ｒ1，Ｒ2及びＲ3は，それぞれ独立に，水素，直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基，及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され，Ｒ4は，直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基，Ｃ6〜Ｃ10アリール基，及びＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基から選択され，ここで，Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず，ＸはＣｌ，Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライドであり，ｍは０〜３であり，ｎは０〜２であり，ｐは０〜２であり，ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）並びに
　　ＩＩ．Ｒ1Ｒ2mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp
（式中，Ｒ1及びＲ2は，それぞれ独立に，水素，直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基，及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され，Ｒ3及びＲ4は，それぞれ独立に，直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基，及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され，ここで，Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず，ＸはＣｌ，Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライド原子であり，ｍは０〜３であり，ｎは０〜２であり，ｐは０〜２であり，ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）からなる群より選択される。」
（エ）「【実施例】
　【００５４】
［
実施例１：ジメチルアミノトリメチルシラン
　
酸化ケイ素膜の原子層堆積を，次の前駆体を用いて行った：ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）
　＜途中省略＞
【００５６】
　所望の厚さに達するまで，工程２〜６を繰り返す。膜の厚みと屈折率を，膜からの反射データをあらかじめ設定しておいた物理モデルに当てはめることによって，FihnTek 2000SE偏光解析器（例えば，ローレンツ振動子モデル）を使用して計測した。ウェットエッチ速度を，脱イオン水中の４９％フッ化水素（ＨＦ）酸の１％溶液を使用することで実施した。熱酸化物ウェハーを，溶液濃度を確認するための各バッチの基準として使用した。Ｈ2Ｏ溶液中の１％ＨＦに関する典型的な熱酸化物ウェハーのウェットエッチ速度は，０．５Å／ｓである。エッチング前後のそれぞれの膜の厚みを，ウェットエッチ速度について計算するために使用した。膜中の炭素濃度と窒素濃度を，Dynamic Secondary Ions Mass Spectrometry（ＳＩＭＳ）技術を用いて分析した。不均質性（％）を，以下の方程式を使用して，６点の測定から計算した：不均質性（％）＝（（最大−最小）／（２*平均））。膜密度を，Ｘ線反射測定（ＸＲＲ）を用いて特徴づけした。表ＩＩ（審決注．
ウェハー温度５００℃ないし６５０℃における，ＤＭＡＴＭＳ投与によって堆積したＳｉＯ
２
膜の堆積速度が，いずれも１．２２ないし１．３２Å／サイクルであり，不均質性が，０．８ないし１．５％であり，Ｃ濃度が，２．２５Ｅ＋１９ないし３．８２Ｅ＋１９原子数／ｃｃ，Ｎ濃度が，１．６８Ｅ＋１８ないし２．５１Ｅ＋１８原子数／ｃｃであること等が示されている
５００〜６５０℃のウェハー温度にて，一定投与（８秒）のＤＭＡＴＭＳ前駆体を用いて堆積させたＳｉＯ
2
膜の特性をまとめる
　＜途中省略＞
【００５８】
　
ＤＭＡＴＭＳから堆積した酸化ケイ素の膜密度は，２．０８〜２．２３ｇ／ｃｃに及んだ
【００５９】
　図３は，
６５０℃にてＤＭＡＴＭＳを用いて堆積させた熱酸化物とＳｉＯ
2
とのリーク電流と絶縁破壊の比較を表しており，ＤＭＡＴＭＳを使用した酸化ケイ素が，熱酸化物に匹敵する電気的性質を有することを実証している。１〜５ＭＶ／ｃｍ（典型的な動作電圧）でのリーク電流は，熱酸化物の典型的なデバイス動作電圧の大きさの１桁分以内である
【００６０】
　ＡＬＤ様式の堆積を確認するために，複数回の前駆体投与をオゾン導入前に使用して，堆積が自己制限的であることを保証する。堆積工程を，以下で表ＩＩＩ内に挙げる。
　＜途中省略＞
【００６２】
　工程２ａと２ｂを繰り返して，ケイ素前駆体の複数回投与を導入した。堆積速度と不均質性の両方を，表ＩＶ（審決注．【００６３】の表ＩＶには，
ウェハー温度６５０℃における，ＤＭＡＴＭＳの投与が，２秒，２＋２秒，２＋２＋２秒の場合の，堆積速度が，いずれも１．１７ないし１．３６Å／サイクルであり，不均質性が，１．２ないし２．０％であることが示されている
　＜途中省略＞
【００６４】
　
堆積速度は，６５０℃におけるＡＬＤ様式の堆積を確認する前駆体投与の増加に伴って自己制限的挙動と飽和状態を示している
（オ）「【００６５】
［
実施例２：ジエチルアミノトリメチルシラン
　酸化ケイ素膜の原子層堆積は，実施例１の表Ｉに挙げた
ジエチルアミノトリメチルシラン（ＤＥＡＴＭＳ）使用工程である
５００〜６５０℃にて一定の前駆体投与（８秒）でＤＥＡＴＭＳを用いて堆積させたＳｉＯ
2
膜の堆積速度と膜不均質性を，表ＩＶ
ウェハー温度５００℃ないし６５０℃における，ＤＥＡＴＭＳ投与によって堆積したＳｉＯ
２
膜の堆積速度が，いずれも１．１０ないし１．２７Å／サイクルであり，不均質性が，０．５ないし２．５％であることが示されている
に示した
　＜途中省略＞
【００６９】
　工程２ａと２ｂを繰り返して，ケイ素前駆体の複数回投与をシミュレートする。堆積速度と不均質性の両方を，表ＶＩ（審決注．
ウェハー温度６５０℃における，ＤＥＡＴＭＳ投与が，２秒，２＋２秒，２＋２＋２秒，２＋２＋２＋２秒の場合の，堆積速度が，いずれも１．０１ないし１．３５Å／サイクルであり，不均質性が，２．３ないし２．８％であることが示されている
　＜途中省略＞
【００７１】
　
堆積速度は，６５０℃におけるＡＬＤ様式の堆積を確認する前駆体投与の増加に伴って自己制限的挙動と飽和状態を示している
（カ）「【００７２】
［
実施例３：ＤＭＡＴＭＳ
　ＳｉＯ2膜を，ＤＭＡＴＭＳを用いてパターンシリコンウェハー上に堆積させた。堆積プロセスを，６５０℃にて８秒の，酸素源ガスとしてのオゾンと前駆体の二連パルスを使用して実施した。基材上に堆積した膜を，電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥＳＥＭ）Hitachi S‐4800SEMを使用して計測した。サンプルを，断面ホルダーに乗せ，そして２ｋＶの加速電圧で稼働したＳＥＭを使用して調べられた。サンプル断面のＳｉＯ2厚の測定を，溝の上部，側壁，及び底部で行なった。ＳｉＯ2膜のＳＥＭ断面の精査で，
素晴らしい段差被覆率（＞９６％）を示した
（キ）【００７３】
［
実施例４：ジエチルアミノトリエチルシラン
　酸化ケイ素膜の堆積を，ケイ素前駆体である
ジエチルアミノトリエチルシラン（ＤＥＡＴＥＳ）
　＜途中省略＞
【００７５】
　表ＶＩＩ（審決注．
ウェハー温度５００℃ないし６５０℃における，ＤＥＡＴＥＳ投与によって堆積したＳｉＯ
２
膜の堆積速度が，５００℃の０．９１Å／サイクルから，６５０℃の２．５３Å／サイクルへと増加しており，不均質性が，６５０℃で，２４．８％となっていることが示されている
堆積速度及び不均質性は，６００℃において増加し（６００℃において一部のＣＶＤ反応で示された），そして６５０℃におけるＣＶＤ反応で更に増加した
（ク）「【００７６】
［
実施例５：メトキシトリメチルシラン
　酸化ケイ素膜の原子層堆積を，ケイ素前駆体である
メトキシトリメチルシラン
基材温度を６５０℃に設定した。堆積速度は，約０．３Å／サイクル
（ケ）「【００７７】
［
実施例６：クロロトリメチルシラン
　酸化ケイ素膜の原子層堆積を，ケイ素前駆体である
クロロトリメチルシラン
基材温度を６５０℃に設定した。堆積速度は０．５Å／サイクル
（コ）「【００７８】
［
実施例７：ヘキサメチルジシラザン
　酸化ケイ素膜の原子層堆積を，ケイ素前駆体である
ヘキサメチルジシラン
６５０℃にてオゾンを使用して実施した。堆積速度は，約１．３Å／サイクル
（サ）「【００７９】
［
実施例８：ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン
　
ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）
【００８０】
　堆積を，実験室スケールのＡＬＤプロセスツールにより実施した。堆積を，酸素源ガスとしてのオゾンと，表Ｉのものと同じ堆積プロセスパラメーターを使用して実施した。
【００８１】
　５００〜６５０℃にて一定の前駆体投与（８秒）でＢＤＭＡＤＭＳを使用して堆積させた酸化ケイ素膜の堆積速度と膜不均質性を，表ＶＩＩＩ（審決注．
ウェハー温度３００℃ないし６５０℃における，ＢＤＭＡＤＭＳ投与によって堆積したＳｉＯ
２
膜の堆積速度が，３００℃で，０．６７Å／サイクル，５００℃で０．９６Å／サイクル，６５０℃で１．７２Å／サイクルであり，不均質性が，２．１ないし５．０％であることが示されている
　＜途中省略＞
【００８３】
　二連前駆体パルスプロセスを使用して，ＡＬＤ様式をさらに検証した。表ＩＸには，一連の８秒パルスと二連の８秒パルスを用いた膜の堆積速度と不均質性に示す。
　＜途中省略＞
【００８５】
　表ＩＸ（審決注．
ウェハー温度６５０℃における，前駆体パルスが，８秒の場合の堆積速度が１．７２Å／サイクル，不均質性が５．０％であり，８＋８秒の場合の堆積速度が２．０５Å／サイクル，不均質性が７．８％であることが示されている
二連前駆体パルスを使用したとき，堆積速度が有意に増加し，そして均質性は低下し，そしてそれは，いくらのＣＶＤ様式の堆積を意味した
（シ）「【００８６】
［
実施例９：２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシランの合成
　添加漏斗，冷却管，及び機械式スターラーを備えた１０００ｍｌ容の三つ口丸底フラスコの中に，１１３ｇ（１．０ｍｏｌ）の
２，６‐ジメチルピペリジン及び５００ｍｌのヘキサンを加えた
クロロトリメチルシランを，添加漏斗を通して滴下して加えた
添加が完了した後，反応混合物を６時間還流した
室温まで冷まし，混合物は濾過した。固体をヘキサンで洗浄し，そして，そのヘキサン溶液を濾液と合わせた
溶媒であるヘキサンを蒸留によって取り除いた。分別蒸留によって１３４ｇの２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシランを得た
　イ　本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された事項について
（ア）上記（３）アより，本願の明細書の発明の詳細な説明には，本願に係る発明は，原子層堆積（ＡＬＤ）又はＡＬＤ型プロセスにおいて，高温にて，例えば，５００℃以上の１又は複数の温度にて，酸化ケイ素材料又は膜の堆積のためのプロセスに関するものであって（【０００９】），熱酸化プロセスは，非常に遅い堆積速度，例えば，７００℃にて０．０３Å／ｓであり，大量の製造プロセスでそれを非実用的なものにしており（【０００３】），一方，低温（＜５００℃）にて二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の共形膜を堆積させるのに使用されるプロセスである原子層堆積（ＡＬＤ）及びプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）は，二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が，低温で堆積されるので，半導体用途に有害であるレベルの不純物，例えば，炭素（Ｃ），窒素（Ｎ），又はその両方などを含むこともあり，他方，これを解消するために，例えば，５００℃以上に堆積温度を上げると，これらのより高い温度では，半導体産業で用いられてきた従来の前駆体は，自己反応する傾向があって，熱分解し，そしてＡＬＤ様式よりむしろＣＶＤ様式で堆積して，特に半導体用途における高アスペクト比構造でＡＬＤ堆積と比較して，共形性が低下し，加えて，ＣＶＤ様式の堆積は，ＡＬＤ様式の堆積よりも膜又は物質の厚さが制御しにくいこと（【０００４】）が，背景技術，及び，発明が解決しようとする課題として記載されている。
　そうすると，本願の明細書の発明の詳細な説明の記載より，本願に係る発明の課題は，大量の製造プロセスにおいて用いられ得るように，熱酸化プロセスよりも堆積速度を速くするために，プロセス温度を高温に，すなわち６００〜８００℃に上げると，半導体産業で用いられてきた従来の前駆体は，自己反応する傾向があって，熱分解し，そしてＡＬＤ様式よりむしろＣＶＤ様式で堆積して，特に半導体用途における高アスペクト比構造でＡＬＤ堆積と比較して，共形性が低下し，膜又は物質の厚さが制御しにくかったことにあるものと認められる。
（イ）上記（３）アより，本願の明細書の発明の詳細な説明には，本願に係る発明の構成と作用効果との関係について，以下の事項が記載されていると認められる。
　ａ．ケイ素前駆体が，「ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）」であるときに，５００〜６５０℃のウェハー温度にて堆積したＳｉＯ2膜の膜密度が，２．０８〜２．２３ｇ／ｃｃに及び，６５０℃にて堆積したＳｉＯ2のリーク電流と絶縁破壊が，熱酸化物に匹敵する電気的性質を有し，１〜５ＭＶ／ｃｍ（典型的な動作電圧）でのリーク電流は，熱酸化物の典型的なデバイス動作電圧の大きさの１桁分以内であり，６５０℃における堆積速度が，ＤＭＡＴＭＳを，２秒，２＋２秒，２＋２＋２秒で投与した場合のいずれもにおいても，１．１７ないし１．３６Å／サイクルであり，不均質性が，１．２ないし２．０％であることから，ＡＬＤ様式の堆積を確認する前駆体投与の増加に伴って自己制限的挙動と飽和状態を示すことが理解でき，素晴らしい段差被覆率（＞９６％）を示すこと（実施例１，実施例３）。
　ｂ．ケイ素前駆体が，「ジエチルアミノトリメチルシラン（ＤＥＡＴＭＳ）」であるときに，ウェハー温度５００℃ないし６５０℃における，ＤＥＡＴＭＳ投与によって堆積したＳｉＯ２膜の堆積速度が，いずれも１．１０ないし１．２７Å／サイクルであり，不均質性が，０．５ないし２．５％であり，ウェハー温度６５０℃における，ＤＥＡＴＭＳ投与が，２秒，２＋２秒，２＋２＋２秒，２＋２＋２＋２秒の場合の，堆積速度が，いずれも１．０１ないし１．３５Å／サイクルであり，不均質性が，２．３ないし２．８％であることから，堆積速度が，６５０℃におけるＡＬＤ様式の堆積を確認する前駆体投与の増加に伴って自己制限的挙動と飽和状態を示すことが理解できること（実施例２）。
　ｃ．ケイ素前駆体が，「ジエチルアミノトリエチルシラン（ＤＥＡＴＥＳ）」であるとき，ウェハー温度５００℃ないし６５０℃における，ＤＥＡＴＥＳ投与によって堆積したＳｉＯ２膜の堆積速度が，５００℃の０．９１Å／サイクルから，６５０℃の２．５３Å／サイクルへと増加しており，不均質性が，６５０℃で，２４．８％となっていることから，堆積速度及び不均質性は，６００℃において増加し（６００℃において一部のＣＶＤ反応で示された），そして６５０℃におけるＣＶＤ反応で更に増加することが理解できること（実施例４）。
　ｄ．ケイ素前駆体が，「メトキシトリメチルシラン」であるとき，基材温度を６５０℃に設定すると，堆積速度が，約０．３Å／サイクルとなること（実施例５）。
　ｅ．ケイ素前駆体が，「クロロトリメチルシラン」であるとき，基材温度を６５０℃に設定すると，堆積速度が，約０．５Å／サイクルとなること（実施例６）。
　ｆ．ケイ素前駆体が，「ヘキサメチルジシラン」であるとき，基材温度を６５０℃に設定すると，堆積速度が，約１．３Å／サイクルとなること（実施例７）。
　ｇ．ケイ素前駆体が，「ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）」であるとき，この前駆体は，Ｒ1Ｒ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）n（式中，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は，メチルであり，ｎ＝２，そしてｍ＝１。）の一般構造を有するものであるが，ウェハー温度３００℃ないし６５０℃における，ＢＤＭＡＤＭＳ投与によって堆積したＳｉＯ２膜の堆積速度が，３００℃で，０．６７Å／サイクル，５００℃で０．９６Å／サイクル，６５０℃で１．７２Å／サイクルであり，不均質性が，２．１ないし５．０％であり，ウェハー温度６５０℃において，二連前駆体パルスを使用したとき，前駆体パルスが，８秒の場合の堆積速度が１．７２Å／サイクル，不均質性が５．０％であり，８＋８秒の場合の堆積速度が２．０５Å／サイクル，不均質性が７．８％となり，堆積速度が有意に増加し，そして均質性は低下し，そしてそれは，いくらのＣＶＤ様式の堆積を意味すること（実施例８）。
　ｈ．ケイ素前駆体である「２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン」が，２，６‐ジメチルピペリジンにヘキサンを加えて，撹拌しながら，クロロトリメチルシランを，添加漏斗を通して滴下して加えて，反応混合物を６時間還流し，室温まで冷まし，混合物は濾過して，固体をヘキサンで洗浄し，そして，そのヘキサン溶液を濾液と合わせて，溶媒であるヘキサンを蒸留によって取り除き，分別蒸留を行うことによって得られること（実施例９）。
　
（４）サポート要件についての検討
　ア　上記（２）によれば，本願補正発明１は，「６００〜８００℃の１又は複数の温度」で実施されること，及び，「ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン，２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択される」少なくとも１つのケイ素前駆体を用いることを発明特定事項として含む，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法に係る発明である。
　イ　他方，上記（３）イ（イ）のとおり，本願明細書の発明の詳細な説明には，本願補正発明１における「ケイ素前駆体」のうち，「ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）」（実施例１，実施例３）及び「ジエチルアミノトリメチルシラン（ＤＥＡＴＭＳ）」（実施例２）については，いずれも，５００〜６５０℃のウェハー温度にて堆積した場合に，１．１０ないし１．３７Å／サイクル程度のＡＬＤ様式の堆積を示し，不均質性も２．８％以下であることが示されている。
　しかしながら，同じく本願補正発明１の「ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）」（実施例８）については，ウェハー温度６５０℃において，二連前駆体パルスを使用したとき，前駆体パルスが８秒の場合の堆積速度が１．７２Å／サイクル，不均質性が５．０％であるのに対して，前駆体パルスが８＋８秒の場合には，堆積速度が２．０５Å／サイクル，不均質性が７．８％となり，堆積速度が有意に増加し，そして均質性は低下し，そしてそれは，いくらのＣＶＤ様式の堆積を意味すると記載されており，さらに，同じく本願補正発明１の「２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン」については，堆積の態様が示されていない。また，本願補正発明１において特定されている，これら以外のシリコン前駆体についても，堆積速度及び不均質性の値が示されていない。
　そして，前駆体の所定の温度での堆積速度と堆積膜の不均質性を，当該ケイ素前駆体の構造式から定量的に予測する手段は本願の発明の詳細な説明に記載されておらず，また，本願の優先権主張の日前において技術常識であったとも認められない。
　ウ　上記（３）イ（ア）のとおり，本願に係る発明は，原子層堆積（ＡＬＤ）又はＡＬＤ型プロセスにおいて，高温にて酸化ケイ素材料又は膜の堆積のためのプロセスに関するもので，ＡＬＤ様式よりむしろＣＶＤ様式で堆積して，共形性が低下し，膜又は物質の厚さが制御しにくかったとの課題を解決しようとするものである。
　そして，上記（３）イ（イ）のとおり，実施例１の「ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）」においては，６５０℃における堆積速度は，ＤＭＡＴＭＳを，２秒，２＋２秒，２＋２＋２秒で投与した場合のいずれにおいても，堆積速度が，１．１７ないし１．３６Å／サイクルであり，不均質性が１．２ないし２．０％と，自己制限的挙動と飽和状態を示すことから，本願に係る発明の上記課題が解決されるものと解される。
　しかしながら，上記イ（イ）のとおり，実施例８の「ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）」においては，ウェハー温度６５０℃において，二連前駆体パルスを使用したとき，前駆体パルスが，８秒の場合の堆積速度が１．７２Å／サイクル，８＋８秒の場合の堆積速度が２．０５Å／サイクルとなり，不均質性が７．８％となることから，本願補正発明１において特定される前駆体のなかにおいても，前駆体の種類によって，一のサイクル毎に堆積する膜厚が異なることが理解される。
　そうすると，本願明細書の発明の詳細な説明の記載より，本願に係る発明において，ケイ素前駆体の種類によって，堆積速度及び不均質の値が異なると認められるから，発明の詳細な説明において堆積速度及び不均質性の値が示されていないケイ素前駆体を用いた場合にまで，ＡＬＤ様式の堆積を示し，不均質性を低い値に抑えることができるという課題を解決することはできるとは認めることはできない。
　エ　加えて，上記（３）イ（イ）より，実施例８の「ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）」においては，堆積したＳｉＯ２膜の堆積速度は，３００℃で，０．６７Å／サイクル，５００℃で０．９６Å／サイクル，６５０℃で１．７２Å／サイクルであることが示されていることから，ウェハー温度が上昇するに従って，一のサイクル毎に堆積する膜厚が厚くなることが理解される。
　そうすると，本願補正発明１において，「ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）」を，本願補正発明１の「６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施」という発明特定事項における上限の温度，すなわち，ウェハー温度を８００℃で実施した場合には，その堆積速度はさらに大きくなり，一のサイクル毎に堆積する膜厚が，二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の単分子層の厚さを超えて，ＣＶＤ様式の堆積となるものと認められ，本願に係る発明の上記の課題が解決できないことは明らかといえる。
　オ　以上より，本願の発明の詳細な説明の記載からは，本願の優先権主張の日前における技術常識に照らしても，本願補正発明１において特定されている全てのシリコン前駆体について，本願補正発明１の「工程ｂから工程ｅが繰り返され」る工程を，「６００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施」した場合に，ＡＬＤ様式の堆積を示し，不均質性を低い値に抑えるという，本願に係る発明の課題を解決できると認めることはできない。
　したがって，本願補正発明１は，発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。
　カ　なお，出願人は，平成２７年１０月２７日に提出した意見書において，以下のように主張する。
「（４）理由Ａ；特許法第３６条第６項第１号による拒絶理由について
　審査官殿は，本願請求項１，５および８の発明について，これらの請求項で規定されたケイ素前駆体が，実施例に記載されたもの以外のものを含むことを理由として，拒絶理由を述べられています。
　しかしながら，本願請求項１〜１４の発明は，特定の要件を含む，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法の発明であり，請求項１５〜１７の発明は，酸化ケイ素を得るためのケイ素含有前駆体もしくはそれを含む組成物の発明です。従って，本願請求項１，５，８および１５〜１７で列挙したケイ素前駆体は，基材上に酸化ケイ素膜を形成させるという特性を有する点で極めて限定されたものです。そして，これらの請求項で規定するケイ素前駆体は，固着官能基と不動態化官能基の両方を有し，更に，その固着官能基がアミノ基，アルコキシ基などであり，不動態化官能基がメチル，エチル，フェニル基などであるという，共通の化学構造を有するものです。一方，本願明細書の実施例には，固着官能基が，メチルアミノ基，エチルアミノ基，メトキシ基，ジメチルアミノ基，ジメチルピペリジノ基である場合，および不動態化官能基がメチル基およびエチル基である場合が例示的に記載されています。従って，本願明細書の段落００１８〜００２９他の記載および本願明細書の実施例の記載を参酌すれば，発明の詳細な説明に開示された内容を請求項に係る発明の範囲にまで拡張ないし一般化できるとはいえないとする合理的な理由はないものと思料します。」
　以下，上記主張について検討する。
　上記（３）イ（ア）で検討したように，本願補正発明１が解決しようとする課題は，「熱酸化プロセスよりも堆積速度を速くするために，プロセス温度を高温に，すなわち６００〜８００℃に上げると，半導体産業で用いられてきた従来の前駆体は，自己反応する傾向があって，熱分解し，そしてＡＬＤ様式よりむしろＣＶＤ様式で堆積して，特に半導体用途における高アスペクト比構造でＡＬＤ堆積と比較して，共形性が低下し，膜又は物質の厚さが制御しにくかったこと」にあるものと認められる。
　そして，発明の詳細な説明に開示された内容を請求項に係る発明の範囲にまで拡張ないし一般化できるといえるためには，請求項に係る発明の範囲が，前記課題を解決できると認識できる範囲のものであることを要するところ，出願人の前記主張は，発明の課題を，「基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる特性を有する点で極めて限定されたもの」であることを主張するものである。
　しかしながら，単に「基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる特性を有する」というだけでは，基材上にＣＶＤ様式で酸化ケイ素膜を堆積する場合を含むこととなるが，この場合には，共形性の低下，及び，膜又は物質の厚さの制御といった課題は解決されないことは明らかである。
　したがって，審判請求人の前記主張は，課題の認定が適切でないから採用することができない。
　
　キ　小括
　以上のとおり，仮に，本件補正が，補正要件を満たすものであったとしても，本願補正発明１は，発明の詳細な説明に記載されたものではなく，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成２８年１０月７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし請求項１７に係る発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明１７」という。）は，平成２７年１０月２７日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１７に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，本願発明１及び本願発明１７は以下のとおりである。
　
「【請求項１】
　ａ．基材を反応器内に用意する工程，
　ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程，
　ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程，
　ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程，及び
　ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み，所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され，
　５５０〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される，基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって，
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，ジエチルアミノトリエチルシラン，ジメチルアミノトリエチルシラン，エチルメチルアミノトリエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン，ジイソプロピルアミノトリエチルシラン，ピロリジノトリエチルシラン，ジエチルアミノトリメチルシラン，ジメチルアミノトリメチルシラン，エチルメチルアミノトリメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン，イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン，ピロリジノトリメチルシラン，ジエチルアミノジメチルシラン，ジメチルアミノジメチルシラン，エチルメチルアミノジメチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン，イソ‐プロピルアミノジメチルシラン，ジイソプロピルアミノジメチルシラン，ピロリジノジメチルシラン，ジエチルアミノジエチルシラン，ジメチルアミノジエチルシラン，エチルメチルアミノジエチルシラン，ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン，イソ‐プロピルアミノジエチルシラン，ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン，ピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン，ジピロリジノジメチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン，ジピロリジノジエチルシラン，ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン，ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン，ジピロリジノメチルビニルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン，２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン，トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン，トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン，及びそれらの混合物からなる群より選択されるか，または
　前記少なくとも１つのケイ素前駆体が，メトキシトリメチルシラン，エトキシトリメチルシラン，イソ‐プロポキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン，フェノキシトリメチルシラン，アセトキシトリメチルシラン，メトキシトリエチルシラン，エトキシトリエチルシラン，イソ‐プロポキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン，フェノキシトリエチルシラン，アセトキシトリエチルシラン，メトキシジメチルシラン，エトキシジメチルシラン，イソ‐プロポキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン，フェノキシジメチルシラン，アセトキシジメチルシラン，メトキシジメチルフェニルシラン，エトキシジメチルフェニルシラン，イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン，ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン，フェノキシジメチルフェニルシラン，アセトキシジメチルフェニルシラン，ジメトキシジメチルシラン，ジエトキシジメチルシラン，ジ‐イソプロポキシジメチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン，ジアセトキシジメチルシラン，ジメトキシジエチルシラン，ジエトキシジエチルシラン，ジ‐イソプロポキシジエチルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン，ジアセトキシジエチルシラン，ジメトキシジ‐イソプロピルシラン，ジエトキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン，ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン，ジメトキシメチルビニルシラン，ジエトキシメチルビニルシラン，ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン，ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン，ジアセトキシメチルビニルシラン，１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン，及びそれらの混合物からなる群より選択される，方法。」
「【請求項１７】
　ジメチルアミノトリメチルシランおよびジエチルアミノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体を含んでなる組成物。」
　２　進歩性について
（１）本願発明１について
　ア　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶理由通知で引用した，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である上記の引用例１−４には，図面とともに，上記「第２　５（２）」に摘記した事項が記載されている。
　イ　進歩性の判断
　本願発明１のケイ素前駆体に，「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン」及び「２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」を付加し，他の特定事項を限定したものである本願補正発明１が，前記「第２　５（３）本願補正発明１の進歩性について」で判断したとおり，引用例１に記載された発明と引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものと判断されることから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
（２）本願発明１７について
　ア　引用例とその記載事項，及び，引用発明
（ア）原査定の拒絶理由通知で引用した，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である上記の引用例１−４には，図面とともに，上記「第２　５（２）」に摘記した事項が記載されている。
　
（イ）そうすると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明２」）が記載されているといえる。
・引用発明２
「ａ．成膜しようとするウエハをボートに装填し，処理室に搬入する工程，
　ｂ．下記のステップ１〜４を１サイクルとし，このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のＳｉＯ2を成膜する工程
　を含む，ウエハ上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法に用いる，ＴＤＭＡＳタンクに格納されたＴＤＭＡＳ。
（ステップ１）ガス排気管のバルブを閉じて排気を止め，ＴＤＭＡＳタンクにＮ2を０．７ｓｌｍ供給し，気泡を発生させ，発生した蒸気を処理室へ供給し，処理室内の圧力を約７Ｔｏｒｒまで昇圧し，ＴＤＭＡＳを５秒供給するステップであって，このときのウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持するステップ。
（ステップ２）処理室を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除するステップであって，Ｎ2等の不活性ガスを処理室に供給して，更に残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを処理室から排除する効果を高めるステップ。
（ステップ３）オゾン発生器からＯ3ガスを処理室に供給するステップであって，この時バルブの弁度の開度を調整し，処理室内の圧力を４Ｔｏｒｒにし，Ｏ3の供給により，ウエハの表面に化学吸着したＴＤＭＡＳとＯ3とが表面反応（化学吸着）して，ウエハ上にＳｉＯ2膜が成膜されるステップ。
（ステップ４）処理室を真空排気し，残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除するステップであって，Ｎ2等の不活性ガスを処理室に供給して，更に残留するＯ3の成膜に寄与した後のガスを処理室から排除する効果を高めるステップ。」
　イ　対比・判断
（ア）本願発明１７と引用発明２との対比  
　ア　引用発明２の「ＴＤＭＡＳ」と，本願発明１７の「ジメチルアミノトリメチルシランおよびジエチルアミノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体を含んでなる組成物」は，「ケイ素含有前駆体を含む物」である点で一致する。
　よって，本願発明１７と引用発明２とは，以下の点で一致し，また，相違する。
　＜一致点＞  
　ケイ素含有前駆体を含む物。
  
　＜相違点＞
・相違点１：ケイ素含有前駆体が，本願発明１７では，「ジメチルアミノトリメチルシランおよびジエチルアミノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体」であるのに対して，引用発明２では，「ＴＤＭＡＳ」である点。
・相違点２：本願発明１７が，ケイ素含有前駆体の「組成物」であるのに対して，引用発明２では，そのような特定がされていない点。
　イ　上記相違点についての検討  
・相違点１について
　上記「第２　５（３）キ」で検討したように，引用例１に接した当業者であれば，引用例１で用いられている「ＴＤＭＡＳ」は，酸化膜を形成する際の原料ガスの一つとして単に例示されたものにすぎないと理解することが自然といえる。
　一方，引用例２ないし４の上記摘記した記載から，集積回路等の半導体デバイス（マイクロエレクトロニクス）の製造の技術分野において，本願発明１７において特定されるケイ素前駆体に含まれる，「ジメチルアミノトリメチルシラン」および「ジエチルアミノトリメチルシラン」が知られていたことが理解できる。
　してみれば，ＴＤＭＡＳではない，他のケイ素前駆体を用いることが想定されているものと理解される引用発明２において，ケイ素前駆体として，公知の材料である「ジメチルアミノトリメチルシランおよびジエチルアミノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体」を用いることは当業者が適宜なし得たことである。
・相違点２について
　引用例２の上記摘記（２ｃ），引用例４の上記摘記（４ｃ）の記載に照らして，ケイ素含有前駆体に，任意選択的に溶媒等を添加して，「組成物」を生成することは格別のこととは認められない。
　加えて，本願発明１７は，「組成物」と特定するだけであって，「ケイ素含有前駆体」に添加して「組成物」を生成する他の構成材料を何ら特定していないから，本願発明１７において，「組成物」としたことによる特段の効果を認めることはできない。
　したがって，引用発明２において，相違点２について本願発明１７の構成とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　小括
　以上のとおり，本願の請求項１７に係る発明は，引用例１に記載された発明と引用例２ないし４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　３　サポート要件について
　本願発明１のケイ素前駆体に，「２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン」及び「２‐メチルピロリジノトリメチルシラン」を付加し，他の特定事項を限定したものである本願補正発明１が，前記「第２　６（４）サポート要件についての検討」で判断したとおり，発明の詳細な説明に記載されたものではなく，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないと判断されることから，本願発明１も同様に，発明の詳細な説明に記載されたものではなく，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないものと認められる。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１および請求項１７に係る発明は，引用例１に記載された発明と引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　さらに，本願の特許請求の範囲の記載は，請求項１の記載によって特許を受けようとする発明が，発明の詳細な説明に記載されたものであるとは認められないから，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。