(57)【要約】マスク（１０）は第１マイクロチャネルプレート（２ａ）と第２マイクロチャネルプレート（２ｂ）との間に設置される、質量分析計のためのイオン検出器が提供される。マスク（１０）は、実質的に同時に２つの集電アノード（５、６）を照射する第２マイクロチャネルプレート（２ｂ）からの二次電子雲を生成するイオン到達イベントを防止する。また、マスク（１０）は強度が著しくばらつく電子雲が出射されることを防止する。
2007535104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドと、
少なくとも、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの下流に配置される、第１の活性電子検出面積またはサイズを有する第１集電アノードおよび第２の異なる活性電子検出面積またはサイズを有する第２の別の集電アノードと
を含むイオン検出器。
【請求項２】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスが、１つ、２つ、または２つよりも多いマイクロチャネルプレートを含む請求項１に記載のイオン検出器。
【請求項３】
前記第２マイクロチャネルプレートデバイスが、１つ、２つ、または２つよりも多いマイクロチャネルプレートを含む請求項１または２に記載のイオン検出器。
【請求項４】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスから出射される電子を阻止、減衰、少なくとも部分的に減衰、または発散するように配置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項５】
前記マスクまたはシールドは、電子が前記第１マイクロチャネルプレートデバイスから出るかまたは出現すること、および／または前記第２マイクロチャネルプレートデバイスに当たるかまたは到達することを実質的に防止する、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項６】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイス上の所定の場所または位置において前記第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達する少なくともいくつかのイオンが、（ａ）その後、二次電子雲が前記第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射されることを実質的に防止するか、または（ｂ）その後、二次電子雲が前記第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射され、実質的に前記第１集電アノードに当たるか、または前記第２集電アノードに当たるが、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射された前記二次電子雲は前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードの両方に同時には実質的に当たらないように配置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項７】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達したイオンが、前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードの両方に同時に当たる二次電子雲を実質的に生成しないように配置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項８】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達したイオンが、前記第１集電アノードまたは前記第２集電アノードのいずれかに当たるが、前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードの両方に同時には当たらない二次電子雲を生じさせるように配置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項９】
前記マスクまたはシールドが、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜５μｍ、（ｉｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｖ）１０〜１５μｍ、（ｖ）１５〜２０μｍ、（ｖｉ）２０〜２５μｍ、（ｖｉｉ）２５〜３０μｍ、（ｖｉｉｉ）３０〜３５μｍ、（ｉｘ）３５〜４０μｍ、（ｘ）４０〜４５μｍ、（ｘｉ）４５〜５０μｍ、（ｘｉｉ）５０〜５５μｍ、（ｘｉｉｉ）５５〜６０μｍ、（ｘｉｖ）６０〜６５μｍ、（ｘｖ）６５〜７０μｍ、（ｘｖｉ）７０〜７５μｍ、（ｘｖｉｉ）７５〜８０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５μｍ、（ｘｉｘ）８５〜９０μｍ、（ｘｘ）９０〜９５μｍ、（ｘｘｉ）９５〜１００μｍ、および（ｘｘｉｉ）＞１００μｍからなる群から選択される厚さを有する、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１０】
少なくとも前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの前面が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１１】
少なくとも前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１２】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの両端の電位差が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１３】
少なくとも前記マスクまたはシールドの前面が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１４】
少なくとも前記マスクまたはシールドの後面が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１５】
前記マスクまたはシールドの両端の電位差が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１６】
少なくとも前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１７】
少なくとも前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの後面が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１８】
前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの両端の電位差が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１９】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面と前記マスクまたはシールドの前面との間の電位差が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２０】
前記マスクまたはシールドの後面と前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面との間の電位差が、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２１】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面に装着されるか、または別の方法で設置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２２】
前記マスクまたはシールドが、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面に装着されるか、または別の方法で設置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２３】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面に装着されるか、または別の方法で設置され、かつ前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面に装着されるか、または別の方法で設置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２４】
前記マスクまたはシールドが、（ｉ）金属、（ｉｉ）プラスチック、（ｉｉｉ）セラミック、（ｉｖ）導体、（ｖ）絶縁体、（ｖｉ）半導体、（ｖｉｉ）薄膜、（ｖｉｉｉ）有機層、（ｉｘ）無機層、（ｘ）ポリイミド層、（ｘｉ）熱可塑性層、および（ｘｉｉ）カプトン（登録商標）からなる群から選択される材料を含む、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２５】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスが、使用中にイオンが受け取られる前面および使用中に電子が出射される後面を含み、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスが、使用中に前記第１マクロチャネルプレートデバイスから出射される電子が受け取られる前面および使用中に電子が出射される後面を含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２６】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面と前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面との間の分離が、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜５μｍ、（ｉｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｖ）１０〜１５μｍ、（ｖ）１５〜２０μｍ、（ｖｉ）２０〜２５μｍ、（ｖｉｉ）２５〜３０μｍ、（ｖｉｉｉ）３０〜３５μｍ、（ｉｘ）３５〜４０μｍ、（ｘ）４０〜４５μｍ、（ｘｉ）４５〜５０μｍ、（ｘｉｉ）５０〜５５μｍ、（ｘｉｉｉ）５５〜６０μｍ、（ｘｉｖ）６０〜６５μｍ、（ｘｖ）６５〜７０μｍ、（ｘｖｉ）７０〜７５μｍ、（ｘｖｉｉ）７５〜８０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５μｍ、（ｘｉｘ）８５〜９０μｍ、（ｘｘ）９０〜９５μｍ、（ｘｘｉ）９５〜１００μｍ、および（ｘｘｉｉ）＞１００μｍからなる群から選択される、請求項２５に記載のイオン検出器。
【請求項２７】
前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの後面と前記第１集電アノードの前面との間の分離が、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜２０μｍ、（ｉｖ）２０〜３０μｍ、（ｖ）３０〜４０μｍ、（ｖｉ）４０〜５０μｍ、（ｖｉｉ）５０〜６０μｍ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０μｍ、（ｉｘ）７０〜８０μｍ、（ｘ）８０〜９０μｍ、（ｘｉ）９０〜１００μｍ、（ｘｉｉ）１００〜１２０μｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１４０μｍ、（ｘｉｖ）１４０〜１６０μｍ、（ｘｖ）１６０〜１８０μｍ、（ｘｖｉ）１８０〜２００μｍ、（ｘｖｉｉ）２００〜２５０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）２５０〜３００μｍ、（ｘｉｘ）３００〜３５０μｍ、（ｘｘ）３５０〜４００μｍ、（ｘｘｉ）４００〜４５０μｍ、（ｘｘｉｉ）４５０〜５００μｍ、および（ｘｘｉｉｉ）＞５００μｍからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２８】
前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの後面と前記第２集電アノードの前面との間の分離が、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜２０μｍ、（ｉｖ）２０〜３０μｍ、（ｖ）３０〜４０μｍ、（ｖｉ）４０〜５０μｍ、（ｖｉｉ）５０〜６０μｍ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０μｍ、（ｉｘ）７０〜８０μｍ、（ｘ）８０〜９０μｍ、（ｘｉ）９０〜１００μｍ、（ｘｉｉ）１００〜１２０μｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１４０μｍ、（ｘｉｖ）１４０〜１６０μｍ、（ｘｖ）１６０〜１８０μｍ、（ｘｖｉ）１８０〜２００μｍ、（ｘｖｉｉ）２００〜２５０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）２５０〜３００μｍ、（ｘｉｘ）３００〜３５０μｍ、（ｘｘ）３５０〜４００μｍ、（ｘｘｉ）４００〜４５０μｍ、（ｘｘｉｉ）４５０〜５００μｍ、および（ｘｘｉｉｉ）＞５００μｍからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項２９】
前記第１集電アノードが、前記第２集電アノードよりも実質的に大きい、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３０】
前記第１活性電子検出面積またはサイズと前記第２活性電子検出面積またはサイズの比が、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜１．５、（ｉｉｉ）１．５〜２．０、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１５、（ｘｉｉｉ）１５〜２０、（ｘｉｖ）２０〜２５、（ｘｖ）２５〜３０、（ｘｖｉ）３０〜３５、（ｘｖｉｉ）３５〜４０、（ｘｖｉｉｉ）４０〜４５、（ｘｉｘ）４５〜５０、（ｘｘ）５０〜６０、（ｘｘｉ）６０〜７０、（ｘｘｉｉ）７０〜８０、（ｘｘｉｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｉｖ）９０〜１００、（ｘｘｖ）１００〜１５０、（ｘｘｖｉ）１５０〜２００、（ｘｘｖｉｉ）２００〜２５０、（ｘｘｖｉｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｉｘ）３００〜３５０、（ｘｘｘ）３５０〜４００、（ｘｘｘｉ）４００〜４５０、（ｘｘｘｉｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞５００からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３１】
前記第１および第２集電アノードが、実質的に共面である、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３２】
前記第１および第２集電アノードが、実質的に共面でない、請求項１から３０のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３３】
前記第１集電アノードが、前記第２集電アノードを実質的に封ずるか、囲むか、または包む、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３４】
前記第２集電アノードが、前記第１集電アノード内にまたは前記第１集電アノードによって形成されるスロット、チャネル、スリット、アパーチャまたはウインドウ内に設置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３５】
前記第１集電アノード内にまたは前記第１集電アノードによって形成される前記スロット、チャネル、スリット、アパーチャまたはウインドウのサイズが、前記第２集電アノードのサイズ、面積、直径、長さまたは幅よりも実質的に大きい、請求項３４に記載のイオン検出器。
【請求項３６】
前記第１集電アノードが、１つ以上の集電アノードを含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３７】
前記第１集電アノードが、集電アノードのアレイを含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３８】
前記第２集電アノードが、１つ以上の集電アノードを含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項３９】
前記第２集電アノードが、集電アノードのアレイを含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項４０】
前記第１集電アノードに接続された１つ以上の時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）をさらに含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項４１】
前記第１集電アノードに接続された１つ以上のアナログ−デジタル変換器（「ＡＤＣ」）をさらに含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項４２】
前記第２集電アノードに接続された１つ以上の時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）をさらに含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項４３】
前記第２集電アノードに接続された１つ以上のアナログ−デジタル変換器（「ＡＤＣ」）をさらに含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項４４】
先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器を含む分析器。
【請求項４５】
請求項１から４３のいずれかに記載のイオン検出器を含む質量分析部。
【請求項４６】
請求項１から４３のいずれかに記載のイオン検出器を含む質量分析計。
【請求項４７】
質量分析部をさらに含む請求項４６に記載の質量分析計。
【請求項４８】
前記質量分析部が、（ｉ）直交加速飛行時間質量分析部、（ｉｉ）軸方向加速飛行時間質量分析部、（ｉｉｉ）ポール３Ｄ四重極イオントラップ質量分析部、（ｉｖ）２Ｄまたは線形四重極イオントラップ質量分析部、（ｖ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴質量分析部、（ｖｉ）磁気セクタ質量分析部、（ｖｉｉ）四重極質量分析部、および（ｖｉｉｉ）ペニングトラップ質量分析部からなる群から選択される、請求項４７に記載の質量分析計。
【請求項４９】
（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、および（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源からなる群から選択されるイオン源をさらに含む請求項４６、４７または４８に記載の質量分析計。
【請求項５０】
イオンを検出する方法であって、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、第２マイクロチャネルプレートデバイスと、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドとを含むイオン検出器に向けてイオンを送り出すステップと、
少なくとも第１の集電アノードと第２の別の集電アノードを使用して前記第２のマイクロチャネルプレートデバイスから出射される電子を検出するステップであって、前記第１集電アノードは第１の活性電子検出面積またはサイズを有し、前記第２集電アノードは第２の異なる活性電子検出面積またはサイズを有し、前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードは前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの下流に配置されるステップとを含む方法。
【請求項５１】
請求項５０に記載のイオン検出方法を含む質量分析方法。
【請求項５２】
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドであって、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの間の分離が≦５０μｍである、マスクまたはシールドと
を含むイオン検出器。
【請求項５３】
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドであって、前記マスクまたはシールドが絶縁体を含むマスクまたはシールドと
を含むイオン検出器。
【請求項５４】
前記マスクまたはシールドが、（ｉ）プラスチック、（ｉｉ）セラミック、（ｉｉｉ）薄膜、（ｉｖ）有機層、（ｖ）無機層、（ｖｉ）ポリイミド層、（ｖｉｉ）熱可塑性層、および（ｖｉｉｉ）カプトン（登録商標）からなる群から選択される材料を含む、請求項５３に記載のイオン検出器。
【請求項５５】
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドと
を含むイオン検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン検出器、質量分析計、イオン検出法および質量分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
個々の電子、イオンまたは光子を検出および記録するための様々に異なる種類の検出器が知られている。１つ以上のマイクロチャネルプレート（「ＭＣＰ」）にイオンを当て、二次電子を放出および増幅させる特定タイプのイオン検出器が知られている。マイクロチャネルプレートから出射された電子パルスは集電アノードに到達し、高速電子イベントカウンタを使用してカウントされる。このようなイオン検出器は、個々のイオンおよびそれらの到達時間を検出および記録するために質量分析計における飛行時間（「ＴＯＰ」）質量分析部において一般に使用される。
【０００３】
このような公知のイオン検出器の最大カウントレートは、単一の集電アノードを使用するのではなく、それぞれに自身の高速電子イベントカウンタをともなった複数の集電アノードを使用することによって増加させることができることが知られている。複数の集電アノードを使用するイオン検出器は、例えば、飛行時間質量分析部において、その質量分析部のダイナミックレンジを拡大するために使用される。集電アノードは、検出器システムの入力へ到達するイオンによって生成される二次電子パルスの異なる部分またはグループを捕集および記録するように配置される。各集電アノードは、それ自身の独立した増幅器、弁別器および時間−デジタル変換器（ＴＤＣ）に取り付けられる。
【０００４】
公知の電子増倍管検出器システムの入力におけるイオン到達レートがある限度を一旦超えると、２つの集電アノードの大きい方から記録される信号が次第に不正確となる。したがって、イオン到達イベントカウンタはカウントし損ね始める。しかし、二次電子パルスのより小さな部分を検出および記録するように配置された小さい方の集電アノードから記録される信号は、マイクロチャネルプレートの対応する入力領域に到達するすべてのイオンをカウントし続ける。異なる集電アノード上で記録されるイオン到達イベントの部分間の比は既知なので、総イオン到達レートが計算できる。したがって、到達するイオン電流を定量化するためのダイナミックレンジを拡大できる。
【０００５】
飛行時間質量分析計において、イオンをカウントし損ねると、固有の質量電荷比を有するイオンについて記録したイオン到達分布にずれが生じる。このため、測定されるイオンの平均到達時間がずれ、その結果、質量電荷比の決定する際に誤差が生じる。イオン検出器のダイナミックレンジを増加すると、イオン信号の定量化および対応するイオンの質量電荷比の決定の両方の精度が向上し得る。
【０００６】
集電アノードの１つに到達する二次電子パルスの数を減衰させるマスクを用いることによってイオンカウント検出器のダイナミックレンジを向上させることが考えられる。マスクを最後尾のマイクロチャネルプレートの下流に配置して、二次電子の一部が集電アノードの１つに当たることを防止するか、またはマスクを先頭のマイクロチャネルプレートの上流に配置してそのマイクロチャネルプレートに当たるイオンの強度を低減することが考えられる。いずれにせよ、２つの集電アノードは、マイクロチャネルプレートから出射された二次電子パルスの異なる部分を捕集するように配置される。
【０００７】
これらの考えられる構成は、イオンが到達するごとに生じる二次電子の雲が集電アノードに到達する際に大きく広がるという問題がある。多重アノード検出器システムにおける１つの集電アノードの端縁に近い位置にあるマイクロチャネルプレートにイオンが到達すると、その後イオン到達によって生成された二次電子のうちのいくつかまたは一部だけがその特定の集電アノードに当たることが起こりうる。しかし、イオン到達が検出されカウントされるかどうかは、主に集電アノードに当たる電子の数によって決定される。したがって、イオン到達イベントが記録される尤度は、検出器に当たる際のイオンの位置、電子増倍管における電子増幅率、イオン到達の結果生じる集電アノードに当たる電子雲における電子の割合、増幅器ゲインおよびイベントカウンタ弁別器レベルに左右される。
【０００８】
電子増倍管における電子増幅率は通常ガウシアン分布にしたがってイベントごとにばらつく。イオンカウントシステムは、電子増幅率の正規（ガウシアン）なばらつきがカウントされるイオン数に著しく影響を与えるほどには大きくならないようにするとともに、システムのノイズが余計なカウントを引き起こすほどには大きくならないように、通常設計される。しかし、イオンが集電アノードの境界に対応するイオン検出器上の位置に到達した場合には、あまりはっきりとはノイズと区別されないことがあり、イオン検出器上のそのような位置に到達するイオンによるカウント数は、直接的に検出器システムの設定によって異なることは明らかであろう。
【０００９】
別の大きな問題は、２つの集電アノードが互いに著しく近寄って配置される場合、１個のイオンがイオン検出器の入力に到達したことによって生成される二次電子雲が両集電アノード上に部分的に入射し得ることである。この結果、イオン到達イベントがカウントされないか、イオン到達イベントが２つの集電アノードによって１回または２回にカウントされるかのいずれかになり得る。これがどの程度起こり得るかは、直接的に、検出器システムの設定によって異なる。
【００１０】
この効果のよって生じる不正確さは、二次電子のより少ない部分を記録するように配置された集電アノードにとっては特に著しい。小さい方の集電アノードを大きい方の集電アノードの面積の、例えば１０分の１または１００分の１に設計する場合もある。したがって、この誤差の大きさは、最も小さい集電アノードの相対面積が小さくなればなる程、それに対応して大きくなる。さらに、集電アノードの端縁または境界がその面積に対して非常に大きくなるようにイオン検出器を設計する場合もある。例えば、ある集電アノードが大きなプレートを備えるとともに、別の集電アノードがその大きなプレートの前に細いワイヤを備える場合がある。細いワイヤの集電アノードは、その面積に比例して非常に大きな境界を有する。したがって、そのようなイオン検出器は、小さな方のワイヤ集電アノードによって記録されるイオンカウントレートに大きな誤差が生じ得るという問題がある。この誤差は、総イオンカウントレートが高すぎて大きい方の集電アノード上で正確に記録できないような状況において総イオンカウントレートを決定する際に生じる。
【００１１】
特に、集電アノード間の境界に対応する位置に到達するイオンについては共有信号の問題がある。イオンによっては１つより多くの集電アノードに当たる電子雲を生成することがある。これらの共有電子雲がそれぞれ単独の集電アノード上で生成する信号は小さくなるため、いずれもカウントされるほど大きくならない場合がある。
【００１２】
電子雲が２つの集電アノード間に共有されないようにいずれかの集電アノードには到達しないように、マスクを最後尾のマイクロチャネルプレートの後方かつ集電アノードの前方に配置することが考えられる。しかし、そのような配置には、電子雲の一部だけが特定の集電アノードに当たるという問題がある。集電アノードに当たる電子雲は、その強度が低減されるので、イオン到達イベントとして登録されるのに十分である場合もあれば、不十分な場合もある。これは、電子増倍管における電子増幅率、集電アノードに当たる電子雲の割合、増幅ゲインおよび検出器弁別器レベルに左右される。
【００１３】
マスクの端縁近傍の位置に到達するイオンの検出される割合は、直接的に、検出器システムの設定によって異なる。細いワイヤの集電アノードなどの大きな境界を有する小さなアノードでは、これがイオンカウント数に大きな誤差をもたらす。
【００１４】
２つの集電アノード間に共有される電子雲を生成しないようにこれらのイオンがイオン検出器に到達することを阻止するために、マスクを先頭のマイクロチャネルプレートの前面の上流に配置することが考えられる。そのような配置では、マスクを最後尾のマイクロチャネルプレート検出器の下流に配置する上記のような場合と同じような問題は起こらない。しかし、そのような配置は、先頭のマイクロチャネルプレートの前面の前にマスクを搭載する必要があり、多くの異なる問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
第１に、そのような検出器を飛行時間質量分析計に使用すると、マイクロチャネルプレート入力面またはマスクのどちらに当たるかに応じて、ある質量電荷比を有するイオンが他のイオンよりも先に検出器面に当たる。また、マスクの端縁に当たるイオンは二次電子を放出させ、次いでその二次電子はマイクロチャネルプレートによって増幅されるので、その結果、検出されるイオンは得られる質量スペクトルにゴーストピークを生じさせる。
【００１６】
第２に、後段加速イオン検出器などのイオン検出器の設計においては、イオンがイオン検出器に近づく際にさらに加速させることがある。イオンを受け取るように配置されたマイクロチャネルプレートは、その前面が完全には平坦ではないので、加速電界も完全には均一でない。その結果、マスクを先頭のマイクロチャネルプレートの前面に配置すると、あるイオンは別のイオンと異なるように加速され、偏向されるイオンも生じるので、イオン検出器に到達する時間がわずかに異なる。この結果、得られる質量スペクトルにおいて質量ピークが広がる。
【００１７】
第３に、イオンに当てるために意図的に配置されるいずれのマスクも時間がたつにつれ、絶縁となり得る物質によって被膜され得る。その結果、マスクが電荷を保持し始め、さらにイオンの飛行経路および到達時間を乱すことがある。また、マスクには、入射イオンによってスパッタリングされる二次原子およびイオンも当たり、その結果、検出器によって検出されるそれらの一部によって、得られる質量スペクトルにゴーストピークが生じる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一局面によると、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドと、
少なくとも、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの下流に配置される、第１の活性電子検出面積またはサイズを有する第１集電アノードおよび第２の異なる活性電子検出面積またはサイズを有する第２の別の集電アノードと
を含むイオン検出器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
一実施形態によると、第２活性電子検出面積またはサイズは第１活性電子検出面積またはサイズのｘパーセントに等しく、ｘは（ｉ）＜０．２％、（ｉｉ）０．２〜０．３％、（ｉｉｉ）０．３〜０．４％、（ｉｖ）０．４〜０．５％、（ｖ）０．５〜０．６％、（ｖｉ）０．６〜０．７％、（ｖｉｉ）０．７〜０．８％、（ｖｉｉｉ）０．８〜０．９％、（ｉｘ）０．９〜１．０％、（ｘ）１〜１０％、（ｘｉ）１０〜２０％、（ｘｉｉ）２０〜３０％、（ｘｉｉｉ）３０〜４０％、（ｘｉｖ）４０〜５０％、（ｘｖ）５０〜６０％、（ｘｖｉ）６０〜７０％、（ｘｖｉｉ）７０〜８０％、（ｘｖｉｉｉ）８０〜９０％、（ｘｉｘ）９０〜１００％からなる群から選択される。
【００２０】
第１マイクロチャネルプレートデバイスは１つ、２つ、または２つよりも多いマイクロチャネルプレートを含んでもよい。同様に、第２マイクロチャネルプレートデバイスは１つ、２つ、または２つよりも多いマイクロチャネルプレートを含んでもよい。
【００２１】
好ましくは、マスクまたはシールドは第１マイクロチャネルプレートデバイスから出射される電子を阻止、減衰、少なくとも部分的に減衰、または発散するように配置される。好ましくは、マスクまたはシールドは、電子が第１マイクロチャネルプレートデバイスから出射されるかまたは出現すること、および／または第２マイクロチャネルプレートデバイスに当たるかまたは到達することを実質的に防止する。一実施形態によると、マスクまたはシールドは、第１マイクロチャネルプレートデバイス上の所定の場所または位置において第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達する少なくともいくつかのイオンが、（ａ）その後、二次電子雲が第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射されることを実質的に防止するか、または（ｂ）その後、二次電子雲が第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射され、実質的に第１集電アノードに当たるか、または第２集電アノードに当たるが、第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射された二次電子雲は第１集電アノードおよび第２集電アノードの両方に同時には実質的に当たらないようにする。
【００２２】
一実施形態によると、マスクまたはシールドは、第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達したイオンが、第１集電アノードおよび第２集電アノードの両方に同時に当たる二次電子雲を実質的に生成しないように配置される。好ましくは、マスクまたはシールドは、第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達したイオンが、第１集電アノードまたは第２集電アノードのいずれかに当たるが、第１集電アノードおよび第２集電アノードの両方に同時には当たらない二次電子雲を生じさせるように配置される。
【００２３】
一実施形態によると、マスクまたはシールドは、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜５μｍ、（ｉｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｖ）１０〜１５μｍ、（ｖ）１５〜２０μｍ、（ｖｉ）２０〜２５μｍ、（ｖｉｉ）２５〜３０μｍ、（ｖｉｉｉ）３０〜３５μｍ、（ｉｘ）３５〜４０μｍ、（ｘ）４０〜４５μｍ、（ｘｉ）４５〜５０μｍ、（ｘｉｉ）５０〜５５μｍ、（ｘｉｉｉ）５５〜６０μｍ、（ｘｉｖ）６０〜６５μｍ、（ｘｖ）６５〜７０μｍ、（ｘｖｉ）７０〜７５μｍ、（ｘｖｉｉ）７５〜８０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５μｍ、（ｘｉｘ）８５〜９０μｍ、（ｘｘ）９０〜９５μｍ、（ｘｘｉ）９５〜１００μｍ、および（ｘｘｉｉ）＞１００μｍからなる群から選択される厚さを有する。
【００２４】
好ましくは、少なくとも第１マイクロチャネルプレートデバイスの前面は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される。好ましくは、少なくとも第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される。好ましくは、第１マイクロチャネルプレートデバイスの両端の電位差は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される。
【００２５】
一実施形態によると、少なくともマスクまたはシールドの前面は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される。好ましくは、マスクまたはシールドの後面は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される。好ましくは、マスクまたはシールドの両端の電位差は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される。
【００２６】
一実施形態によると、少なくとも第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される。好ましくは、第２マイクロチャネルプレートデバイスの後面は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電圧または電位に、使用中、保持される。好ましくは、第２マイクロチャネルプレートデバイスの両端の電位差は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される。
【００２７】
一実施形態によると、第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面とマスクまたはシールドの前面との間の電位差は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される。同様に、一実施形態によると、マスクまたはシールドの後面と第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面との間の電位差は、（ｉ）０Ｖ、（ｉｉ）±０〜１０Ｖ、（ｉｉｉ）±１０〜１００Ｖ、（ｉｖ）±１００〜５００Ｖ、（ｖ）±５００〜１０００Ｖ、（ｖｉ）±１〜２ｋＶ、（ｖｉｉ）±２〜３ｋＶ、（ｖｉｉｉ）±３〜４ｋＶ、（ｉｘ）±４〜５ｋＶ、（ｘ）±５〜６ｋＶ、（ｘｉ）±６〜７ｋＶ、（ｘｉｉ）±７〜８ｋＶ、（ｘｉｉｉ）±８〜９ｋＶ、（ｘｉｖ）±９〜１０ｋＶ、および（ｘｖ）＞±１０ｋＶからなる群から選択される電位差に、使用中、保持される。
【００２８】
好ましくは、マスクまたはシールドは、第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面に装着されるか、または別の方法で設置される。好ましくは、マスクまたはシールドは、第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面に装着されるか、または別の方法で設置される。一実施形態によると、マスクまたはシールドは、第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面に装着されるか、または別の方法で設置され、かつ第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面に装着されるか、または別の方法で設置される。
【００２９】
好ましくは、マスクまたはシールドは、（ｉ）金属、（ｉｉ）プラスチック、（ｉｉｉ）セラミック、（ｉｖ）導体、（ｖ）絶縁体、（ｖｉ）半導体、（ｖｉｉ）薄膜、（ｖｉｉｉ）有機層、（ｉｘ）無機層、（ｘ）ポリイミド層、（ｘｉ）熱可塑性層、および（ｘｉｉ）カプトン（登録商標）からなる群から選択される材料を含む。
【００３０】
好ましくは、第１マイクロチャネルプレートデバイスは、使用中にイオンが受け取られる前面および使用中に電子が出射される後面を含み、第２マイクロチャネルプレートデバイスは、使用中に第１マクロチャネルプレートデバイスから出射される電子が受け取られる前面および使用中に電子が出射される後面を含む。
【００３１】
好ましくは、第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面と第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面との間の分離は、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜５μｍ、（ｉｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｖ）１０〜１５μｍ、（ｖ）１５〜２０μｍ、（ｖｉ）２０〜２５μｍ、（ｖｉｉ）２５〜３０μｍ、（ｖｉｉｉ）３０〜３５μｍ、（ｉｘ）３５〜４０μｍ、（ｘ）４０〜４５μｍ、（ｘｉ）４５〜５０μｍ、（ｘｉｉ）５０〜５５μｍ、（ｘｉｉｉ）５５〜６０μｍ、（ｘｉｖ）６０〜６５μｍ、（ｘｖ）６５〜７０μｍ、（ｘｖｉ）７０〜７５μｍ、（ｘｖｉｉ）７５〜８０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５μｍ、（ｘｉｘ）８５〜９０μｍ、（ｘｘ）９０〜９５μｍ、（ｘｘｉ）９５〜１００μｍ、および（ｘｘｉｉ）＞１００μｍからなる群から選択される。
【００３２】
一実施形態によると、第２マイクロチャネルプレートデバイスの後面と第１集電アノードの前面との間の分離は、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜２０μｍ、（ｉｖ）２０〜３０μｍ、（ｖ）３０〜４０μｍ、（ｖｉ）４０〜５０μｍ、（ｖｉｉ）５０〜６０μｍ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０μｍ、（ｉｘ）７０〜８０μｍ、（ｘ）８０〜９０μｍ、（ｘｉ）９０〜１００μｍ、（ｘｉｉ）１００〜１２０μｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１４０μｍ、（ｘｉｖ）１４０〜１６０μｍ、（ｘｖ）１６０〜１８０μｍ、（ｘｖｉ）１８０〜２００μｍ、（ｘｖｉｉ）２００〜２５０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）２５０〜３００μｍ、（ｘｉｘ）３００〜３５０μｍ、（ｘｘ）３５０〜４００μｍ、（ｘｘｉ）４００〜４５０μｍ、（ｘｘｉｉ）４５０〜５００μｍ、および（ｘｘｉｉｉ）＞５００μｍからなる群から選択される。
【００３３】
一実施形態によると、第２マイクロチャネルプレートデバイスの後面と第２集電アノードの前面との間の分離は、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜２０μｍ、（ｉｖ）２０〜３０μｍ、（ｖ）３０〜４０μｍ、（ｖｉ）４０〜５０μｍ、（ｖｉｉ）５０〜６０μｍ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０μｍ、（ｉｘ）７０〜８０μｍ、（ｘ）８０〜９０μｍ、（ｘｉ）９０〜１００μｍ、（ｘｉｉ）１００〜１２０μｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１４０μｍ、（ｘｉｖ）１４０〜１６０μｍ、（ｘｖ）１６０〜１８０μｍ、（ｘｖｉ）１８０〜２００μｍ、（ｘｖｉｉ）２００〜２５０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）２５０〜３００μｍ、（ｘｉｘ）３００〜３５０μｍ、（ｘｘ）３５０〜４００μｍ、（ｘｘｉ）４００〜４５０μｍ、（ｘｘｉｉ）４５０〜５００μｍ、および（ｘｘｉｉｉ）＞５００μｍからなる群から選択される。
【００３４】
好ましくは、第１集電アノードは第２集電アノードよりも実質的に大きい。好ましくは、第１集電アノードは第１活性電子検出面積を有し、第２集電アノードは第２活性電子検出面積を有する。第１活性電子検出面積と第２活性電子検出面積の比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜１．５、（ｉｉｉ）１．５〜２．０、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１５、（ｘｉｉｉ）１５〜２０、（ｘｉｖ）２０〜２５、（ｘｖ）２５〜３０、（ｘｖｉ）３０〜３５、（ｘｖｉｉ）３５〜４０、（ｘｖｉｉｉ）４０〜４５、（ｘｉｘ）４５〜５０、（ｘｘ）５０〜６０、（ｘｘｉ）６０〜７０、（ｘｘｉｉ）７０〜８０、（ｘｘｉｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｉｖ）９０〜１００、（ｘｘｖ）１００〜１５０、（ｘｘｖｉ）１５０〜２００、（ｘｘｖｉｉ）２００〜２５０、（ｘｘｖｉｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｉｘ）３００〜３５０、（ｘｘｘ）３５０〜４００、（ｘｘｘｉ）４００〜４５０、（ｘｘｘｉｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞５００からなる群から選択される。
【００３５】
一実施形態によると、第１および第２集電アノードは実質的に共面である。先の実施形態ほどではないが、好ましい実施形態によると、第１および第２集電アノードは実質的に共面でない。
【００３６】
好ましくは、第１集電アノードは第２集電アノードを実質的に封ずるか、囲むか、または包む。一実施形態によると、第２集電アノードは、第１集電アノード内にまたは第１集電アノードによって形成されるスロット、チャネル、スリット、アパーチャまたはウインドウ内に設置される。好ましくは、第１集電アノード内にまたは第１集電アノードによって形成されるスロット、チャネル、スリット、アパーチャまたはウインドウのサイズは、第２集電アノードのサイズ、面積、直径、長さまたは幅よりも実質的に大きい。
【００３７】
好ましくは、第１集電アノードは１つ以上の集電アノードを含む。第１集電アノードは集電アノードのアレイを含んでもよい。好ましくは、第２集電アノードは１つ以上の集電アノードを含む。第２集電アノードは集電アノードのアレイを含んでもよい。
【００３８】
一実施形態によると、イオン検出器は、第１集電アノードに接続された１つ以上の時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）を含むのが好ましい。一実施形態によると、イオン検出器は、第１集電アノードに接続された１つ以上のアナログ−デジタル変換器（「ＡＤＣ」）を含むのが好ましい。
【００３９】
一実施形態によると、イオン検出器は、記第２集電アノードに接続された１つ以上の時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）を含むのが好ましい。一実施形態によると、イオン検出器は、第２集電アノードに接続された１つ以上のアナログ−デジタル変換器（「ＡＤＣ」）を含むのが好ましい。
【００４０】
本発明の一局面によると、上記イオン検出器を含む分析器が提供される。
【００４１】
本発明の一局面によると、上記のイオン検出器を含む質量分析部が提供される。
【００４２】
本発明の一局面によると、上記のイオン検出器を含む質量分析計が提供される。
【００４３】
好ましくは、質量分析計は質量分析部をさらに備える。好ましくは、質量分析部は、（ｉ）直交加速飛行時間質量分析部、（ｉｉ）軸方向加速飛行時間質量分析部、（ｉｉｉ）ポール３Ｄ四重極イオントラップ質量分析部、（ｉｖ）２Ｄまたは線形四重極イオントラップ質量分析部、（ｖ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴質量分析部、（ｖｉ）磁気セクタ質量分析部、（ｖｉｉ）四重極質量分析部、および（ｖｉｉｉ）ペニングトラップ質量分析部からなる群から選択される。
【００４４】
好ましくは、質量分析計または他の分析器はさらにイオン源を含む。イオン源はパルス化イオン源または実質的に連続なイオン源のいずれでもよい。イオン源は、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、および（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源からなる群から選択されるのが好ましい。
【００４５】
本発明の別の局面によると、イオンを検出する方法であって、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、第２マイクロチャネルプレートデバイスと、第１マイクロチャネルプレートデバイスと第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドとを含むイオン検出器に向けてイオンを送り出すステップと、
少なくとも第１の集電アノードと第２の別の集電アノードを使用して第２のマイクロチャネルプレートデバイスから出射される電子を検出するステップであって、第１集電アノードは第１の活性電子検出面積またはサイズを有し、第２集電アノードは第２の異なる活性電子検出面積またはサイズを有し、第１集電アノードおよび第２集電アノードは第２マイクロチャネルプレートデバイスの下流に配置されるステップとを含む方法が提供される。
【００４６】
本発明の一局面によると、上記のイオン検出方法を含む質量分析方法が提供される。
【００４７】
本発明の一局面によると、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドであって、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの間の分離が≦５０μｍである、マスクまたはシールドと
を含むイオン検出器が提供される。
【００４８】
本発明の一局面によると、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドであって、マスクまたはシールドが絶縁体を含むマスクまたはシールドと
を含むイオン検出器が提供される。
【００４９】
本発明の一局面によると、マスクまたはシールドは、（ｉ）プラスチック、（ｉｉ）セラミック、（ｉｉｉ）薄膜、（ｉｖ）有機層、（ｖ）無機層、（ｖｉ）ポリイミド層、（ｖｉｉ）熱可塑性層、および（ｖｉｉｉ）カプトン（登録商標）からなる群から選択される材料を含む。
【００５０】
本発明の一局面によると、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドと
を含むイオン検出器が提供される。
【００５１】
好ましい実施形態は、２つ以上のマイクロチャネルプレートおよび２つ以上の集電アノードを含むマイクロチャネルプレート検出器アッセンブリに関する。マスクは、イオンが第１上流マイクロチャネルプレートに当たることによって第２下流マイクロチャネルプレートから出現する電子雲におけるすべての電子が２つの集電アノードのうちの１つに当たるだけになるように、２つのマイクロチャネルプレートの間に設置される。マイクロチャネルプレート間の分離は、好ましくは５０μｍ以下である。
【００５２】
好ましくは、集電アノードの電子検出面積は等しくない。先の実施形態ほどではないが、好ましい実施形態によると、２つ以上の集電アノードは実質的に同じ面積を有してもよい。マスクの形状およびサイズは、好ましくは、第１マイクロチャネルプレートの入力面に入射したイオンによる第２マイクロチャネルプレートからの電子雲が出現しないように、２つの集電アノードの境界を少なくともマスクする。これにより、電子の一部だけが一方の集電アノードに当たる。好ましい実施形態において、マスクは絶縁体を含む。
【００５３】
好ましい実施形態において、好ましくは、イオン検出器における集電アノードの１つ以上は、イオンをカウントするために増幅器、弁別器および高速イベントカウンタとともに使用される。
【００５４】
好ましくは、上記好ましいイオン検出器は、時間−デジタル変換器（ＴＤＣ）を内蔵する飛行時間質量分析計において使用され、イオンを検出し、その到着時間を記録する。好ましくは、上記好ましいイオン検出器は、定量化用途および／または質量測定用途に対してダイナミックレンジが拡大される。
【００５５】
本発明の種々の実施形態を、例示のためだけの他の構成とともに、あくまで例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【００５６】
図１は、１対のマイクロチャネルプレートおよび単一の集電アノードを備える公知のイオン検出器を示す。
【００５７】
図２は、１対のマイクロチャネルプレート、および第２の最後部のマイクロチャネルプレートから出射された二次電子の異なる部分を捕集するように配置された２つの異なるサイズの集電アノードを備える別の公知のイオン検出器を示す。
【００５８】
図３は、図２の構成をより詳細に示し、上記の公知構成において、イオン検出器に到達するイオンが、第２マイクロチャネルプレートから出射され両集電アノードにまたがって当たる二次電子雲を生じさせることを示す。
【００５９】
図４Ａは、イオンが第１マイクロチャネルプレートに到達することによって活性化された第１マイクロチャネルプレートにおけるチャネルを示す。
【００６０】
図４Ｂは、第１マイクロチャネルプレートから出射された電子雲によって第２マイクロチャネルプレートにおいて活性化された対応するチャネルを示す。
【００６１】
図５は、マスクが第２マイクロチャネルプレートの後面に設置された構成を示す。
【００６２】
図６Ａは、図５に示す構成において、第１マイクロチャネルプレートに到達したイオンによって第２マイクロチャネルプレートから電子雲が出射される様子をより詳細に示す。
【００６３】
図６Ｂは、図５に示す構成において、第１マイクロチャネルプレートの異なる位置に到達したイオンによって第２マイクロチャネルプレートに二次電子が生成されるが、マスクによって阻止されるのでその二次電子の一部しか第２マイクロチャネルプレートから出射されない様子を詳細に示す。
【００６４】
図７は、マスクを第１マイクロチャネルプレートの前面に設置する構成を示す。
【００６５】
図８は、マスクを２つのマイクロチャネルプレート間に設置する本発明の好ましい実施形態を示す。
【００６６】
図９は、図８に示すような好ましい実施形態にかかるマスクが、二次電子雲が第２マイクロチャネルプレートから出射され２つの集電アノードに当たるか、強度がばらつき得ることを防止する様子をより詳細に示す。
【００６７】
公知のマイクロチャネルプレートイオン検出器を図１に示す。このようなイオン検出器は、飛行時間質量分析計に組み込まれ得る。イオン１は、重なり合った２つのマイクロチャネルプレート２ａ、２ｂの入力面（前面）に入射するように配置される。二次電子は、第１マイクロチャネルプレート２ａから出射され、その後、第１マイクロチャネルプレートの下流に配置された第２マイクロチャネルプレート２ｂによって増幅される。
【００６８】
二次電子のパルスまたは二次電子の雲は、第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射（出現）し、単一の集電アノード３に当たる。次いで集電アノード３に受け取られた二次電子のパルスは増幅され、その後、位置４で集電アノード３に接続された時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）を使用して記録される。
【００６９】
特に、図１は、１０個のイオンがイオン検出器に実質的に同時に到達する時間上の一例を示す。しかし、１０個のイオンがイオン検出器に到達するが、単一の集電アノード３に接続された時間−デジタル変換器は単一のイベント（イオン到達イベント）を記録するだけである。
【００７０】
このため、２つの集電アノードを備える改良イオン検出器が知られている。図２は、等しくない面積を有する２つの独立した集電アノード５、６を備えるそのような公知のイオン検出器を示す。図２の特定の例において、第１の大きい方の集電アノード５は、第１マイクロチャネルプレート２ａの入力面に到達するイオンの９０％から生じる電子パルスを捕集する。したがって、第１マイクロチャネルプレート２ａに到達するイオン１の９０％は大きい方の集電アノード５に当たる電子雲を生成するとともに、第１マイクロチャネルプレートに到達するイオン１の１０％だけが小さい方の第２集電アノード６に当たる電子雲を生成する。
【００７１】
第１時間−デジタル変換器５’は大きい方の集電アノード５に接続されるように示されており、１回のイオン到達イベントを記録するだけである。しかし、第２時間−デジタル変換器６’は小さい方の集電アノード６に接続されるように示されており、１回のイオン到達イベントをさらに記録する。
【００７２】
多数回の測定にわたり、第１時間−デジタル変換器５’は常に１回のイベントを記録するが、第２時間−デジタル変換器６’は１回のイベントを記録したり、しなかったりする。
【００７３】
第１時間−デジタル変換器５’からの出力が、例えば飽和の様相を示すことによってエラーであると認識される場合、第２時間−デジタル変換器６’によって記録される信号を使用してイオン検出器に到達する総信号を推定してもよい（２つの集電アノード５、６の捕集部分の比が既知の場合）。したがって、２つの異なるサイズの集電アノード５、６を使用することで、イオン検出器のダイナミックレンジを拡大することができる。
【００７４】
図３は、図２に示すような公知のイオン検出器の詳細を示す。特に、図３は、第１および第２マイクロチャネルプレート２ａ、２ｂから出射される電子雲を示す。図３は、第１マイクロチャネルプレート２ａから出射された電子雲が広がり、第２マイクロチャネルプレート２ｂの入力（入射）面により大きな占有面積を有する様子を示す。図３はまた、第２マイクロチャネルプレート２ｂの出射面から出射された電子雲が同様に広がり、第１集電アノード５および／または第２集電アノード６に当たり得る様子を示す。
【００７５】
マイクロチャネルプレートの出射面から距離Ｓの位置にあるそのマイクロプレートの単一チャネルから生じる電子雲の直径Ｄｃは以下によって与えられる。
【００７６】
【数１】
2007535104.tif 000003
【００７７】
ここで、
【００７８】
【数２】
2007535104.tif 000004
【００７９】
およびＥは、マイクロチャネルプレートを離れる電子の平均出口エネルギーであり、Ｓはマイクロチャネルプレートの出射面からの距離、Ｖｂは距離Ｓに沿った電圧距離、ｄは単一マイクロチャネルプレートチャネルの直径、およびｐはマイクロチャネルプレートの出口においてマイクロチャネルプレートチャネル中へ電極材料を貫入させる深さである（エンドスポイリング）。
【００８０】
図３に示す構成をさらに示すために、重なり合った２つのマイクロチャネルプレートが考えられ得る。２つのマイクロチャネルプレートは、個々のチャネル直径ｄが１０μｍ、エンドスポイリングが１０μｍ、チャネルピッチが１２μｍ、およびプレート間の間隙が２５μｍであるようなシェヴロン（山形）構成に配置されることが考えられ得る。マイクロチャネルプレート動作プレートバイアスをプレート当たり１０００Ｖと仮定し、マイクロチャネルプレートを離れる電子の平均エネルギーＥが約３５ｅＶであると決定してもよい。
【００８１】
図３に示す第１マイクロチャネルプレート２ａの入力面に到達する１つのイオンに対して、その結果の第１マイクロチャネルプレート２ａから出る電子雲は、第２マイクロチャネルプレート２ｂの入力面に当たる際には約６０μｍの直径に広がっている。これは、第２マイクロチャネルプレート２ｂの約２３チャネルを照射することに対応する。これを図４Ａおよび４Ｂにさらに示す。
【００８２】
図４Ａは、イオンの到達によって活性化されている単一チャネル（斜線部分）を有する第１マイクロチャネルプレート２ａを示す。図４Ｂは、第２マイクロチャネルプレート２ｂおよび第１マイクロチャネルプレート２ａから出射し発散した二次電子によって活性化されたチャネル（斜線部分）を示し、第２マイクロチャネルプレート２ｂではより多くの数のチャネルを示している。
【００８３】
第２マイクロチャネルプレート２ｂの出口面と第１および第２集電アノード５、６との間の間隙を０．５ｍｍにとり、第２マイクロチャネルプレート２ｂの出口面と第１および第２集電アノード５、６との間のバイアス電圧を１００Vに設定すると、第２マイクロチャネルプレートの各チャネルからの電子雲の直径は約０．６ｍｍとなる。したがって、第２マイクロチャネルプレート２ｂの２３チャネル群から現れる電子雲の総直径は約０．７ｍｍとなる。実際には、電子間に空間電荷斥力があるので電子雲の総直径はさらに大きい可能性がある。
【００８４】
図３に戻って参照すると、図示の従来構成では、第１マイクロチャネルプレート２ａ上に入射するイオンの１つが第１および第２集電アノード５、６の両方に共有される電子雲７を生成することが分かる。したがって、イオン検出器に到達する単一のイオンが集電アノード５、６の両方に当たる二次電子を発生し得ることが分かる。その結果、このイオンは、全くカウントされないこともあれば、１または２回とカウントされることもある。いずれになるかは、マイクロチャネルプレート電子増倍管における各イオンに対する電子増幅率、イオンの位置、および増幅器および弁別器の設定に大きく左右される。
【００８５】
図５は、第２マイクロチャネルプレート２ｂの後面上にマスク８を設置する効果を示す。マスク８は、第２マイクロチャネルプレート２ｂに対して２つの集電アノード５、６間の境界領域を遮るように配置されるように示される。マスク８は、電子雲が第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射しないように、かつ第１および第２集電アノード５、６によって共有されないようにするためのものである。図５に示す構成は、電子雲が２つの集電アノード５、６にまたがって共有されることを防止するのに効果的であり得るが、以下により詳細に説明するように別の問題を有する。
【００８６】
図６Ａは、第１マイクロチャネルプレート２ａ上のある位置に当たるイオンがマスク８によって実質的に影響されない電子雲（電子雲の強度が１００％）を生成し得る様子を示す。図６Ｂは、イオンが第１マイクロチャネルプレート２ａ上の異なる位置に当たる場合を示す。図６Ｂに示すように、マスクはある状況において第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射された電子雲の強度を低減し得る。すなわち、第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射された電子雲の強度は１００％よりずっと小さいことがある。
【００８７】
図６Ｂから分かるように、マスク８は電子が第２マイクロチャネルプレート２ｂから離れ、集電アノード５、６の１つに到達することを部分的に阻止する。したがって、マスク８を第２マイクロチャネルプレート２ｂの後面上に配置することは、ある状況では、第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射された電子雲の強度が弱すぎてイオン検出器にイオン到達イベントを記録させることができないことがあるため、イオンがカウントされたり、されなかったりするという問題を起こす。
【００８８】
図７は、マスク９を第１マイクロチャネルプレート２ａの前面に設置する構成を示す。この構成によれば、マスク９は、第２マイクロチャネルプレートから出射され第１および第２衝突アノード５、６の両方に入射する電子雲を生じさせるイオンを阻止するように配置される。しかし、この構成には多くの問題があり得る。図７に示すようなイオン検出器に到達し、第１マイクロチャネルプレート２ａに近づくイオンは、マスク９の端縁に当たって二次電子を生成し、次いでその二次電子が増幅および検出され、得られる質量スペクトルにゴーストピークを生じさせ得る。
【００８９】
また、図７に示すようなイオン検出器が後段加速イオン検出器として使用されれば、マスク９が電界のまたは電界へ歪みを導入するという別の問題がある。このため、イオンが偏向し、異なる時間にイオン検出器に到達し得る。このため、得られる質量スペクトルにおいて質量ピークが拡大され得る。
【００９０】
マスク９を第１マイクロチャネルプレート２ａの前に設置すると、イオンが当たって、電荷を保持する絶縁物質によって被膜されるという問題も生じる。したがって、この場合、飛行経路およびイオン到達時間が乱され得る。
【００９１】
さらに、マスク９にイオンが当たると二次原子およびイオンのスパッタリングが起こり、次いでその一部がイオン検出器によって検出され、得られる質量スペクトルにゴーストピークを生じさせ得るという問題もある。
【００９２】
図８は、本発明の好ましい実施形態を示し、少なくとも好ましい実施においては、従来のイオン検出器または上記の他の構成にともなう問題が実質的に生じない。本好ましい実施形態によれば、イオン検出アセンブリは少なくとも２つのマイクロチャネルプレート２ａ、２ｂ、ならびに好ましくは、少なくとも第１集電アノード５および第２集電アノード６を備える。第１および第２集電アノード５、６は好ましくは共面であるが、このことは不可欠ではない。
【００９３】
本好ましい実施形態によれば、マスク１０は好ましくは第１および第２マイクロチャネルプレート２ａ、２ｂの間に据えられる、または別の方法で配置される。マスク１０は、第１マイクロチャネルプレート２ａの後面または第２マイクロチャネルプレート２ｂの前面に装着してもよい。特に好ましい実施形態によれば、マスクは第１マイクロチャネルプレート２ａと第２マイクロチャネルプレート２ｂとの間に挟まれる。
【００９４】
マスク１０の形状、サイズ、および位置は、好ましくは第１および第２集電アノード５、６の間の境界に整列するように設定される。好ましくは、イオンが到達した結果第１マイクロチャネルプレート２ａから現れる電子雲であって、第１および第２集電アノード５、６に共有される第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射される電子雲を発生させる電子雲が、第２マイクロチャネルプレート２ｂに達することを、マスク１０によって実質的に防止する。このように、好ましくは、第１および第２集電アノード５、６間で電子が共有される問題は実質的に解消されるか、または少なくとも著しく低減される。
【００９５】
また、図８に示すような好ましい実施形態は、好ましくは、第２マイクロチャネルプレート２ｂから出射された電子雲の強度が著しくばらつき得るという問題を実質的に解決する。図９は図８に示すような好ましい実施形態にかかるイオン検出器の一部を拡大した図である。マスク１０は、２つの集電アノードに共有されるイオン検出器に到達したイオンによる電子雲を防止するために配置されるように示される。また、マスク１０は、二次電子の低減部分だけが特定の集電アノードに到達してイオン到達イベントがカウントされないという状況を生じさせないという格別の効果を有する。
【００９６】
また、上記好ましい実施形態によれば、マスク１０はイオン検出器の第１マイクロチャネルプレート２ａの入力面に設置されないのが有利である。したがって、マスク１０はイオン衝突に曝されないので、図７の構成を参照して説明したようなイオン衝突に関連する望ましくない結果も全く生じない。
【００９７】
上記好ましい実施形態によれば、好ましくは、マスク１０の厚さは、第２マイクロチャネルプレート２ｂの入力面に入射する電子雲の直径が不必要に広がらないようになるべく小さくされる。例えば、マスク１０の厚さは２５μｍ以下にするとよい。好ましくは、マスク厚が２５μｍの場合、プレート間の間隙はあまり増加されない。
【００９８】
好ましくは、上記好ましい実施形態のイオン検出器は、１つ以上の集電アノードを有するＡＤＣおよびＴＤＣ検出器の組み合わせを使用するシステムに適用可能である。
【００９９】
本発明の１つの実施形態として、イオン検出器が２つより多い重なり合ったマイクロチャネルプレートからなることが考えられる。また、マイクロチャネルプレート２ａ、２ｂが同じサイズであってもよく、異なるサイズであってもよいことが考えられる。２つより多いマイクロチャネルプレートを用いる場合、好ましくは、マスク１０の好ましい位置は先頭の２つのマイクロチャネルプレートの間である。
【０１００】
ある実施形態によれば、大きい方の集電アノード５はその内部に円形穴を有してもよく、その穴にそれより小さい円形の集電アノード６を突出させるか、または別の方法で設置してもよい。あるいは、矩形のスロットを大きい方の集電アノード５に設け、それを介してそれより小さい矩形の集電アノード６を突出させるか、または別の方法で設置してもよい。また、小さい方の集電アノード６を大きい方の集電アノード５と同じ平面上に設置しないなどの種々の別の実施形態が考えられる。
【０１０１】
さらなる実施形態によれば、複数のより小さな集電アノードを採用してもよい。これらの複数のより小さな集電アノードは面積および／または形状が等しくてもよい。あるいは、これらの複数のより小さな集電アノードは面積および／または形状が等しくなくてもよい。
【０１０２】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明してきたが、特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更を形態および細部において行うことができることが当業者に理解される。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】１対のマイクロチャネルプレートおよび単一の集電アノードを備える公知のイオン検出器を示す。
【図２】１対のマイクロチャネルプレート、および第２の最後部のマイクロチャネルプレートから出射された二次電子の異なる部分を捕集するように配置された２つの異なるサイズの集電アノードを備える別の公知のイオン検出器を示す。
【図３】図２の構成をより詳細に示し、上記の公知構成において、イオン検出器に到達するイオンが、第２マイクロチャネルプレートから出射され両集電アノードにまたがって当たる二次電子雲を生じさせることを示す。
【図４Ａ】イオンが第１マイクロチャネルプレートに到達することによって活性化された第１マイクロチャネルプレートにおけるチャネルを示す。
【図４Ｂ】第１マイクロチャネルプレートから出射された電子雲によって第２マイクロチャネルプレートにおいて活性化された対応するチャネルを示す。
【図５】マスクが第２マイクロチャネルプレートの後面に設置された構成を示す。
【図６Ａ】図５に示す構成において、第１マイクロチャネルプレートに到達したイオンによって第２マイクロチャネルプレートから電子雲が出射される様子をより詳細に示す。
【図６Ｂ】図５に示す構成において、第１マイクロチャネルプレートの異なる位置に到達したイオンによって第２マイクロチャネルプレートに二次電子が生成されるが、マスクによって阻止されるのでその二次電子の一部しか第２マイクロチャネルプレートから出射されない様子を詳細に示す。
【図７】マスクを第１マイクロチャネルプレートの前面に設置する構成を示す。
【図８】マスクを２つのマイクロチャネルプレート間に設置する本発明の好ましい実施形態を示す。
【図９】図８に示すような好ましい実施形態にかかるマスクが、二次電子雲が第２マイクロチャネルプレートから出射され２つの集電アノードに当たるか、強度がばらつき得ることを防止する様子をより詳細に示す。
【符号の説明】
【０１０４】
１  イオン
２ａ  第１マイクロチャネルプレート
２ｂ  第２マイクロチャネルプレート
５  第１集電アノード
５’  第１時間−デジタル変換器
６  第２集電アノード
６’  第２時間−デジタル変換器
７  電子雲
８、９、１０  マスク
【図１】
2007535104.tif 000005
【図２】
2007535104.tif 000006
【図３】
2007535104.tif 000007
【図４Ａ】
2007535104.tif 000008
【図４Ｂ】
2007535104.tif 000009
【図５】
2007535104.tif 000010
【図６Ａ】
2007535104.tif 000011
【図６Ｂ】
2007535104.tif 000012
【図７】
2007535104.tif 000013
【図８】
2007535104.tif 000014
【図９】
2007535104.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、
第２マイクロチャネルプレートデバイスと、
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドと、
少なくとも、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの下流に配置される、第１の活性電子検出面積またはサイズを有する第１集電アノードおよび第２の異なる活性電子検出面積またはサイズを有する第２の別の集電アノードと
を含むイオン検出器。
【請求項２】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスが、１つ、２つ、または２つよりも多いマイクロチャネルプレートを含む請求項１に記載のイオン検出器。
【請求項３】
前記第２マイクロチャネルプレートデバイスが、１つ、２つ、または２つよりも多いマイクロチャネルプレートを含む請求項１または２に記載のイオン検出器。
【請求項４】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスから出射される電子を阻止、減衰、少なくとも部分的に減衰、または発散するように配置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項５】
前記マスクまたはシールドが、電子が前記第１マイクロチャネルプレートデバイスから出射されるかまたは出現すること、および／または前記第２マイクロチャネルプレートデバイスに当たるかまたは到達することを実質的に防止する、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項６】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイス上の所定の場所または位置において前記第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達する少なくともいくつかのイオンが、（ａ）その後、二次電子雲が前記第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射されることを実質的に防止するか、または（ｂ）その後、二次電子雲が前記第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射され、実質的に前記第１集電アノードに当たるか、または前記第２集電アノードに当たるが、前記第２マイクロチャネルプレートデバイスから出射された前記二次電子雲は前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードの両方に同時には実質的に当たらないようにする、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項７】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスに到達したイオンが、（ｉ）前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードの両方に同時に当たる二次電子雲を実質的に生成しないように配置されるか、または（ｉｉ）前記第１集電アノードまたは前記第２集電アノードのいずれかに当たるが、前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードの両方に同時には当たらない二次電子雲を生じさせるように配置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項８】
前記マスクまたはシールドが、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜５μｍ、（ｉｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｖ）１０〜１５μｍ、（ｖ）１５〜２０μｍ、（ｖｉ）２０〜２５μｍ、（ｖｉｉ）２５〜３０μｍ、（ｖｉｉｉ）３０〜３５μｍ、（ｉｘ）３５〜４０μｍ、（ｘ）４０〜４５μｍ、（ｘｉ）４５〜５０μｍ、（ｘｉｉ）５０〜５５μｍ、（ｘｉｉｉ）５５〜６０μｍ、（ｘｉｖ）６０〜６５μｍ、（ｘｖ）６５〜７０μｍ、（ｘｖｉ）７０〜７５μｍ、（ｘｖｉｉ）７５〜８０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５μｍ、（ｘｉｘ）８５〜９０μｍ、（ｘｘ）９０〜９５μｍ、（ｘｘｉ）９５〜１００μｍ、および（ｘｘｉｉ）＞１００μｍからなる群から選択される厚さを有する、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項９】
前記マスクまたはシールドが、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面に装着されるか、または別の方法で設置され、かつ前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面に装着されるか、または別の方法で設置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１０】
前記マスクまたはシールドが、（ｉ）金属、（ｉｉ）プラスチック、（ｉｉｉ）セラミック、（ｉｖ）導体、（ｖ）絶縁体、（ｖｉ）半導体、（ｖｉｉ）薄膜、（ｖｉｉｉ）有機層、（ｉｘ）無機層、（ｘ）ポリイミド層、（ｘｉ）熱可塑性層、および（ｘｉｉ）カプトン（登録商標）からなる群から選択される材料を含む、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１１】
前記第１マイクロチャネルプレートデバイスの後面と前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの前面との間の分離が、（ｉ）＜１μｍ、（ｉｉ）１〜５μｍ、（ｉｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｖ）１０〜１５μｍ、（ｖ）１５〜２０μｍ、（ｖｉ）２０〜２５μｍ、（ｖｉｉ）２５〜３０μｍ、（ｖｉｉｉ）３０〜３５μｍ、（ｉｘ）３５〜４０μｍ、（ｘ）４０〜４５μｍ、（ｘｉ）４５〜５０μｍ、（ｘｉｉ）５０〜５５μｍ、（ｘｉｉｉ）５５〜６０μｍ、（ｘｉｖ）６０〜６５μｍ、（ｘｖ）６５〜７０μｍ、（ｘｖｉ）７０〜７５μｍ、（ｘｖｉｉ）７５〜８０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８０〜８５μｍ、（ｘｉｘ）８５〜９０μｍ、（ｘｘ）９０〜９５μｍ、（ｘｘｉ）９５〜１００μｍ、および（ｘｘｉｉ）＞１００μｍからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１２】
前記第１活性電子検出面積またはサイズと前記第２活性電子検出面積またはサイズの比が、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜１．５、（ｉｉｉ）１．５〜２．０、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１５、（ｘｉｉｉ）１５〜２０、（ｘｉｖ）２０〜２５、（ｘｖ）２５〜３０、（ｘｖｉ）３０〜３５、（ｘｖｉｉ）３５〜４０、（ｘｖｉｉｉ）４０〜４５、（ｘｉｘ）４５〜５０、（ｘｘ）５０〜６０、（ｘｘｉ）６０〜７０、（ｘｘｉｉ）７０〜８０、（ｘｘｉｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｉｖ）９０〜１００、（ｘｘｖ）１００〜１５０、（ｘｘｖｉ）１５０〜２００、（ｘｘｖｉｉ）２００〜２５０、（ｘｘｖｉｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｉｘ）３００〜３５０、（ｘｘｘ）３５０〜４００、（ｘｘｘｉ）４００〜４５０、（ｘｘｘｉｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞５００からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１３】
前記第１集電アノードが、前記第２集電アノードを実質的に封ずるか、囲むか、または包む、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１４】
前記第２集電アノードが、前記第１集電アノード内にまたは前記第１集電アノードによって形成されるスロット、チャネル、スリット、アパーチャまたはウインドウ内に設置される、先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１５】
前記第１集電アノードおよび／または前記第２の集電アノードが、集電アノードのアレイを含む先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１６】
前記第１集電アノードに接続された１つ以上の時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）および／または１つ以上のアナログ−デジタル変換器（「ＡＤＣ」）をさらに備える先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１７】
前記第２集電アノードに接続された１つ以上の時間−デジタル変換器（「ＴＤＣ」）および／または１つ以上のアナログ−デジタル変換器（「ＡＤＣ」）をさらに備える先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器。
【請求項１８】
先行する請求項のいずれかに記載のイオン検出器を含む分析器。
【請求項１９】
請求項１から１７のいずれかに記載のイオン検出器を含む質量分析部。
【請求項２０】
請求項１から１７のいずれかに記載のイオン検出器を含む質量分析計。
【請求項２１】
質量分析部をさらに含む請求項２０に記載の質量分析計。
【請求項２２】
前記質量分析部が、（ｉ）直交加速飛行時間質量分析部、（ｉｉ）軸方向加速飛行時間質量分析部、（ｉｉｉ）ポール３Ｄ四重極イオントラップ質量分析部、（ｉｖ）２Ｄまたは線形四重極イオントラップ質量分析部、（ｖ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴質量分析部、（ｖｉ）磁気セクタ質量分析部、（ｖｉｉ）四重極質量分析部、および（ｖｉｉｉ）ペニングトラップ質量分析部からなる群から選択される、請求項２１に記載の質量分析計である。
【請求項２３】
（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、および（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源からなる群から選択されるイオン源をさらに備える請求項２０、２１または２２に記載の質量分析計。
【請求項２４】
イオンを検出する方法であって、
第１マイクロチャネルプレートデバイスと、第２マイクロチャネルプレートデバイスと、前記第１マイクロチャネルプレートデバイスと前記第２マイクロチャネルプレートデバイスとの中間に設置されるマスクまたはシールドとを含むイオン検出器に向けてイオンを送り出すステップと、
少なくとも第１の集電アノードと第２の別の集電アノードを使用して前記第２のマイクロチャネルプレートデバイスから出射される電子を検出するステップであって、前記第１集電アノードは第１の活性電子検出面積またはサイズを有し、前記第２集電アノードは第２の異なる活性電子検出面積またはサイズを有し、前記第１集電アノードおよび前記第２集電アノードは前記第２マイクロチャネルプレートデバイスの下流に配置されるステップとを含む方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載のイオン検出方法を含む質量分析方法。                                                                
【国際調査報告】
2007535104.tif 000016
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2007535104.tif 000018