Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のキー領域を有する変形可能なシート状の操作部材と、
複数の第１の電極線と、前記複数の第１の電極線に対向して配置され前記複数の第１の電極線と交差する複数の第２の電極線とを有し、前記複数のキー領域各々との距離の変化を静電的に検出することが可能な電極基板と、
前記電極基板と前記操作部材との間を接続する複数の構造体と、前記複数の構造体の間に個々のキー領域に対応して形成された第１の空間部と、前記複数の構造体の間に所定の複数のキー領域に共通に形成された第２の空間部とを有する支持体と
を具備する入力装置。
【請求項２】
請求項１に記載の入力装置であって、
前記電極基板は、前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線との交差領域に各々形成され、前記複数のキー領域各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部をさらに有し、
前記複数の構造体は、前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線との非交差領域に各々配置される
入力装置。
【請求項３】
請求項２に記載の入力装置であって、
前記複数の検出部は、前記所定の複数のキー領域に対する入力操作を検出可能な所定の複数の検出部を有し、
前記所定の複数の検出部は、前記所定の複数のキー領域よりも多い個数で前記第２の空間部に配置される
入力装置。
【請求項４】
請求項２に記載の入力装置であって、
前記複数の検出部は、前記所定の複数のキー領域に対する入力操作を検出可能な所定の複数の検出部を有し、
前記所定の複数の検出部は、前記所定の複数のキー領域とは異なる配列ピッチで前記第２の空間部に配置される
入力装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の入力装置であって、
前記支持体は、前記複数の第１の空間部と前記第２の空間部とを外気に連通させることが可能な通孔部をさらに有する
入力装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の入力装置であって、
前記操作部材は、前記複数のキー領域に対する入力操作を受けて前記電極基板側へ部分的に変形可能な導体層をさらに有する
入力装置。
【請求項７】
請求項２に記載の入力装置であって、
前記電極基板に電気的に接続され、前記複数の検出部の出力に基づいて前記複数のキー領域各々に対する入力操作に関する情報を生成することが可能な制御部をさらに具備する
入力装置。
【請求項８】
請求項７に記載の入力装置であって、
前記制御部は、
前記複数のキー領域のレイアウトが相互に異なる複数種の操作部材のキーレイアウト情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶されたキーレイアウト情報と前記複数の検出部の出力とに基づいて、前記所定の複数のキー領域に対する入力判定を実行する演算部とを有する
入力装置。
【請求項９】
請求項８に記載の入力装置であって、
前記演算部は、前記複数の検出部のうち少なくとも１つの検出部の容量変化量に応じて異なる制御信号を生成する
入力装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の入力装置であって、
前記演算部は、前記複数の検出部のうち少なくとも１つの検出部の容量変化量が所定値以上の場合に制御信号を生成する
入力装置。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１つに記載の入力装置であって、
前記制御部は、前記複数の第１の電極線および前記複数の第２の電極線の容量変化に基づいて前記操作部材に近接する操作対象の位置に関する情報を生成することが可能に構成される
入力装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の入力装置であって、
前記複数のキー領域を照明する照明光を発光することが可能な光源をさらに具備し、
前記操作部材は、前記照明光を透過可能な透光性材料で構成される
入力装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の入力装置であって、
前記操作部材は、
ユーザによる入力操作を受ける第１の表面と、
前記支持体と対向する第２の表面と、
前記第１の表面と前記第２の表面との間に形成され、側面を有する導光部と、
前記第２の表面に形成され前記複数のキー領域に向けて前記照明光を拡散する拡散部とを有し、
前記光源は、前記導光部の前記側面に配置される。
入力装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の入力装置であって、
前記拡散部は、前記第２の表面に形成された凹凸部で構成される
入力装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の入力装置であって、
前記拡散部は、前記第２の表面と前記複数の構造体との接合部で構成される
入力装置。
【請求項１６】
請求項１２に記載の入力装置であって、
前記電極基板は、前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線とを支持し、前記照明光を透過可能な透光性材料で構成され、側面を有する基材をさらに有し、
前記複数の構造体は、前記照明光を透過可能な透光性材料で構成され、
前記光源は、前記基材の前記側面に配置される
入力装置。
【請求項１７】
請求項１２に記載の入力装置であって、
前記電極基板は、前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線とを支持し、前記照明光を透過可能な透光性材料で構成された基材をさらに有し、
前記複数の構造体は、前記照明光を透過可能な透光性材料で構成され、
前記光源は、前記電極基板を挟んで前記操作部材と対向する面状光源で構成される
入力装置。
【請求項１８】
複数のキー領域を有する変形可能なシート状の操作部材と、
複数の第１の電極線と、前記複数の第１の電極線に対向して配置され前記複数の第１の電極線と交差する複数の第２の電極線とを有し、前記複数のキー領域各々との距離の変化を静電的に検出することが可能な電極基板と、
前記電極基板と前記操作部材との間を接続する複数の構造体と、前記複数の構造体の間に個々のキー領域に対応して形成された第１の空間部と、前記複数の構造体の間に所定の複数のキー領域に共通に形成された第２の空間部とを有する支持体と、
前記電極基板に電気的に接続され、前記複数の検出部の出力に基づいて前記複数の操作部材各々に対する入力操作に関する情報を生成することが可能な制御部を有するコントローラと
を具備する電子機器。
【請求項１９】
複数の第１の電極線を有する第１の配線基板と、
前記第１の配線基板に対向して配置され、前記複数の第１の電極線との交差領域に検出部を形成する複数の第２の電極線を有する第２の配線基板と、
前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線との非交差領域に配置された複数の構造体と、前記複数の構造体の間に形成され少なくとも１つの前記検出部を収容する第１の凹部と、前記複数の構造体の間に形成され２以上の前記検出部を収容する第２の凹部とを有し、前記第１の配線基板の上に配置された支持体と
を具備するセンサシート。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の情報処理装置は、
複数ページからなるプレゼンテーション資料を記憶する記憶部と、
前記プレゼンテーション資料に基づくプレゼンテーション中に前記プレゼンテーション資料の各ページが表示部に表示された表示順番及び表示時間を記憶するログ記憶部と、
前記ログ記憶部に記憶された表示順番と表示時間が所定のパターンのページがあるか否かを判定する判定部と、
前記判定部により前記所定のパターンであると判定されたページを移動又は複製する最適化部と、
を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数ページからなるプレゼンテーション資料を記憶する記憶部と、
前記プレゼンテーション資料に基づくプレゼンテーション中に前記プレゼンテーション資料の各ページが表示部に表示された表示順番及び表示時間を記憶するログ記憶部と、
前記ログ記憶部に記憶された表示順番と表示時間が所定のパターンのページがあるか否かを判定する判定部と、
前記判定部により前記所定のパターンであると判定されたページを移動又は複製する最適化部と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記所定のパターンのページには、ページ番号に基づく表示順番で表示されたときの表示時間が予め定められた基準時間以下であり、後にページ番号を遡って再度表示が行われた第１パターンのページが含まれ、
前記最適化部は、前記第１パターンであると判定されたページを後に再度表示が行われたときの表示順番の位置に移動させる請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記所定のパターンのページには、ページ番号に基づく表示順番で表示されたときの表示時間が予め定められた基準時間以上であり、後に所定番号以上離れたページからページ番号を遡って再度表示が行われた第２パターンのページが含まれ、
前記最適化部は、前記第２パターンであると判定されたページの複製を後に再度表示が行われた表示順番の位置に追加する請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示部は、その表示画面上にタッチパネルを有し、
前記ログ記憶部は、更に、前記プレゼンテーション中に音声入力部から入力された音声と、前記タッチパネルによりタップ操作が検出された回数とをページ毎に記憶し、
前記ログ記憶部に記憶されている前記プレゼンテーション資料の各ページの表示時間、タップ回数、及び入力された音声の音量に基づいて、前記各ページの重要度を算出する重要度算出部を備え、
前記最適化部は、更に、重要度算出部により算出された重要度が予め定められた閾値以下のページを削除するか又は前記プレゼンテーション資料の付加情報のページに移動させる請求項１〜３の何れか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記タッチパネルは、第１の検出方式で前記表示画面上のタップ操作を検出する第１のタッチパネルと、前記第１の検出方式とは異なる第２の検出方式で前記表示画面上のタップ操作を検出する第２のタッチパネルを有し、
前記ログ記憶部は、前記第１のタッチパネルによってタップ操作が検出された回数と、前記第２のタッチパネルによってタップ操作が検出された回数とをそれぞれ記憶し、
前記重要度算出部は、前記第１のタッチパネルによってタップ操作が検出されたか第２のタッチパネルによってタップ操作が検出されたかによってタップ回数の重みを変更して前記重要度の算出を行う請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記プレゼンテーション資料の各ページを前記重要度の高い順に並べて前記表示部に表示させる表示制御部を備える請求項４又は５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記ログ記憶部は、更に、前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて前記タッチパネルによりタップ操作が検出された位置の座標情報を記憶し、
前記ログ記憶部に記憶されている前記プレゼンテーション資料の各ページにおいてタップ操作が検出された位置の座標情報に基づいて、前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて最も多くタップ操作が検出された領域を判定する領域判定部を備え、
前記表示制御部は、更に、前記領域判定部により前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて最も多くのタップ操作が検出されたと判定された領域を強調表示する請求項４〜６の何れか一項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記タッチパネルは、第１の検出方式で前記表示画面上のタップ操作を検出する第１のタッチパネルと、前記第１の検出方式とは異なる第２の検出方式で前記表示画面上のタップ操作を検出する第２のタッチパネルを有し、
前記ログ記憶部は、更に、前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて、前記第１のタッチパネルによってタップ操作が検出された位置の座標情報と、前記第２のタッチパネルによってタップ操作が検出された位置の座標情報と、をそれぞれ記憶し、
前記領域判定部は、前記第１のタッチパネルによってタップ操作が検出された位置の座標情報に基づいて、前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて前記第１のタッチパネルにより最も多くタップ操作が検出された領域を判定し、前記第２のタッチパネルによってタップ操作が検出された位置の座標情報に基づいて、前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて前記第２のタッチパネルにより最も多くタップ操作が検出された領域を判定し、
前記表示制御部は、前記プレゼンテーション資料の各ページにおいて、前記領域判定部により、前記第１のタッチパネルにより最も多くのタップ操作が検出されたと判定された領域と、第２のタッチパネルにより最も多くのタップ操作が検出されたと判定された領域のそれぞれを異なる態様で強調表示する請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
複数画像からなるプレゼンテーション資料を記憶する記憶部と、
前記プレゼンテーション資料に基づくプレゼンテーション中に前記プレゼンテーション資料の各画像が表示部に表示された表示順番及び表示時間を記憶するログ記憶部と、
前記ログ記憶部に記憶された表示順番と表示時間が所定のパターンの画像があるか否かを判定する判定部と、
前記判定部により前記所定のパターンであると判定された画像を移動又は複製する最適化部と、
を備える情報処理装置。
【請求項１０】
プレゼンテーション資料に基づくプレゼンテーション中に前記プレゼンテーション資料の各ページが表示された表示順番及び表示時間を記憶する工程と、
前記記憶された表示順番と表示時間が所定のパターンのページがあるか否かを判定する工程と、
前記所定のパターンであると判定されたページを移動又は複製する工程と、
を含むプレゼンテーション資料最適化方法。
【請求項１１】
コンピュータを、
複数ページからなるプレゼンテーション資料を記憶する記憶部、
前記プレゼンテーション資料を表示するための表示部、
前記プレゼンテーション資料に基づくプレゼンテーション中に前記プレゼンテーション資料の各ページが前記表示部に表示された表示順番及び表示時間を記憶するログ記憶部、
前記ログ記憶部に記憶された表示順番と表示時間が所定のパターンのページがあるか否かを判定する判定部、
前記判定部により前記所定のパターンであると判定されたページを移動又は複製する最適化部、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月9日(2016.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体をコイル径方向の外周から内周に向かって複数回巻付けて段を形成したあとコイル軸方向に段上りして、コイル径方向の内周から外周に向かって複数回巻付けて次の段を形成し、これを繰り返して所望の巻数まで巻回して形成したコイルであって、
前記導体の一部をコイル外周から離間して延設され、前記タップリード線が取り付けられるタップ引出し部を複数有しており、
第一の段は、導体をコイル径方向の外周から内周に向かって複数回巻付けられた状態で形成されており、
前記第一の段の上に配置される第二の段は、前記コイル径方向の内周から外周に向かって複数回巻付けられた状態で形成されており、
前記引出し部は、前記第二の段に前記コイルの最外周に配置され、
前記第一の段は前記第二の段よりも、前記導体が１ターン以上少なく巻かれている
ことを特徴とするコイル。
【請求項２】
請求項１に記載のコイルであって、
前記引出し部のうち、第一の引出し部は、第二の引出し部よりも引出す距離が長く、さらに、前記第二の引出し部と絶縁距離以上離されて配置されている
ことを特徴とするコイル。
【請求項３】
請求項１に記載のコイルであって、
前記引出し部のうち、第一の引出し部と、第二の引出し部とは、それぞれ互い違いに配置される
ことを特徴とするコイル。
【請求項４】
請求項１に記載のコイルであって、
複数の前記引出し部の引き出す距離を交互に長短を繰り返して配置し、それぞれ絶縁距離以上離した
ことを特徴とするコイル。
【請求項５】
複数のタップと、該タップと同数でありタップと導体とを接続するタップリード線を有するコイルを備えた静止誘導機器であって、
前記コイルは、
前記導体の一部をコイル外周から離間して延設され、前記タップリード線が取り付けられるタップ引出し部を複数有しており、
第一の段は、導体をコイル径方向の外周から内周に向かって複数回巻付けられた状態で形成されており、
前記第一の段の上に配置される第二の段は、前記コイル径方向の内周から外周に向かって複数回巻付けられた状態で形成されており、
前記引出し部は、前記第二の段に前記コイルの最外周に配置され、
前記第一の段は前記第二の段よりも、前記導体が１ターン以上少なく巻かれている
ことを特徴とする静止誘導機器。
【請求項６】
請求項５に記載の静止誘導機器であって、
前記引出し部のうち、第一の引出し部は、第二の引出し部よりも引出す距離が長く、さらに、前記第二の引出し部と絶縁距離以上離されて配置されている
ことを特徴とする静止誘導機器。
【請求項７】
請求項５に記載の静止誘導機器であって、
前記引出し部のうち、第一の引出し部と、第二の引出し部とは、それぞれ互い違いに配置される
ことを特徴とする静止誘導機器。
【請求項８】
請求項５に記載の静止誘導機器であって、
複数の前記引出し部の引き出す距離を交互に長短を繰り返して配置し、それぞれ絶縁距離以上離した
ことを特徴とする静止誘導機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を介して、基板のショット領域に原版のパターンを転写する露光装置であって、
前記基板上に形成された複数のマークのうち第１マークを前記投影光学系を介して検出することにより、前記第１マークの前記基板上における位置を計測する第１計測部と、
前記第１計測部による前記第１マークの検出と並行して前記複数のマークのうち前記第１マークとは異なる第２マークを前記投影光学系を介さずに検出することにより、前記第２マークの前記基板上における位置を計測する第２計測部と、
前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する制御部と、
を有し、
前記第２計測部は、前記第１計測部と前記第２計測部との距離を示す情報および前記第２マークの検出結果を用いて前記第２マークの前記基板上における位置を計測し、
前記制御部は、前記第１計測部により計測された前記第１マークの位置と前記第２計測部により計測された前記第２マークの位置とから得られる前記ショット領域の形状情報に基づいて、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１計測部と前記第２計測部は、１つの前記ショット領域における前記第１マークと前記第２マークとを並行してそれぞれ検出する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２計測部は、前記投影光学系と前記基板との間において前記第２マークを検出する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１計測部と前記第２計測部とに前記複数のマークのうち同一のマークを検出させることにより当該同一のマークの前記基板上における位置をそれぞれ計測させ、前記第１計測部と前記第２計測部とによる計測結果に基づいて前記距離を示す情報を得る、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板を保持する基板ステージを制御して、前記第１計測部と前記第２計測部とに前記複数のマークのうち同一のマークを検出させ、その際における前記基板ステージの移動量を前記距離を示す情報として設定する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２計測部は、前記基板の被露光面と平行な方向に移動可能である、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１計測部は、前記基板にパターンを転写するために用いられる光の波長とは異なる波長を有する光を用いて前記第１マークを検出する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、投影光学系を介して、基板のショット領域に原版のパターンを転写する露光装置であって、前記基板上に形成された複数のマークのうち第１マークを前記投影光学系を介して検出することにより、前記第１マークの前記基板上における位置を計測する第１計測部と、前記第１計測部による前記第１マークの検出と並行して前記複数のマークのうち前記第１マークとは異なる第２マークを前記投影光学系を介さずに検出することにより、前記第２マークの前記基板上における位置を計測する第２計測部と、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する制御部と、を有し、前記第２計測部は、前記第１計測部と前記第２計測部との距離を示す情報および前記第２マークの検出結果を用いて前記第２マークの前記基板上における位置を計測し、前記制御部は、前記第１計測部により計測された前記第１マークの位置と前記第２計測部により計測された前記第２マークの位置とから得られる前記ショット領域の形状情報に基づいて、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下に、第１実施形態の露光装置１００における装置構成とアライメント方法について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００を示す図である。第１実施形態の露光装置１００は、照明光学系１と、アライメント計測部２（第１計測部）と、マスクステージ３ｂと、投影光学系４と、基板ステージ５ｂと、定盤６と、制御部８とを含みうる。また、第１実施形態の露光装置１００は、投影光学系４と基板５ａ（基板ステージ５ｂ）との間に配置されたオフアクシス計測部９１および９２（第２計測部）を含む。ここで、第１実施形態の露光装置１００において、オフアクシス計測部９１および９２以外の構成は、上述した従来の露光装置３００と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、第１実施形態の露光装置１００においても、従来の露光装置と同様に、アライメント計測部２には、基板５ａを露光する際に用いられる光の波長とは異なる波長を有する光（非露光光）が用いられる。第１実施形態のオフアクシス計測部９１および９２においても、基板５ａを露光する際に用いられる光の波長とは異なる波長を有する光（非露光光）が用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質セラミックス基板を用意する工程と、
前記多孔質セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上又は前記金属膜上に形成されたメッキシード層上に貴金属でない金属メッキ層を形成する工程と、
前記金属メッキ層を部分的に除去する工程と、
セ氏６００度以下の温度で焼成することにより、前記金属膜を酸化により透明かつ絶縁性を有する金属酸化物層へと変化させ、前記金属メッキ層はその内部が酸化されず、導電性を維持する工程と、
を有する光学素子用基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物層は、実質的に、前記セラミックス基板の全面を覆う請求項１記載の光学素子用基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜は、チタン、タングステン、アルミニウム又はこれらの混合物膜である請求項１又は２記載の光学素子用基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属メッキ層は銅メッキにより形成される請求項１乃至３のいずれかに記載の光学素子用基板の製造方法。
【請求項５】
前記多孔質セラミックス基板は、多孔質アルミナセラミックス基板である請求項１乃至４のいずれかに記載の光学素子用基板の製造方法。
【請求項６】
多孔質セラミックス基板を用意する工程と、
前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上又は前記金属膜上に形成されたメッキシード層上に貴金属でない金属メッキ層を形成する工程と、
前記金属メッキ層を部分的に除去する工程と、
セ氏６００度以下の温度で焼成することにより、前記金属膜を酸化により透明かつ絶縁性を有する金属酸化物層へと変化させ、前記金属メッキ層はその内部が酸化されず、導電性を維持する工程と、
フリップチップ実装により前記金属メッキ層に光学素子を接続する工程と、
を有する光学素子パッケージの製造方法。
【請求項７】
多孔質セラミックス基板と、
前記多孔質セラミックス基板上に形成された、透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に貴金属でない金属により形成され、その内部が酸化されず、導電性を維持する配線パターンと、
を有する光学素子用基板。
【請求項８】
請求項７に記載の光学素子用基板と、
フリップチップ実装により前記配線パターンに接続された光学素子と、
を有する光学素子パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１）多孔質セラミックス基板を用意する工程と、前記多孔質セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属膜を形成する工程と、前記金属膜上又は前記金属膜上に形成されたメッキシード層上に貴金属でない金属メッキ層を形成する工程と、前記金属メッキ層を部分的に除去する工程と、セ氏６００度以下の温度で焼成することにより、前記金属膜を酸化により透明かつ絶縁性を有する金属酸化物層へと変化させ、前記金属メッキ層はその内部が酸化されず、導電性を維持する工程と、を有する光学素子用基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（６）多孔質セラミックス基板を用意する工程と、前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属膜を形成する工程と、前記金属膜上又は前記金属膜上に形成されたメッキシード層上に貴金属でない金属メッキ層を形成する工程と、前記金属メッキ層を部分的に除去する工程と、セ氏６００度以下の温度で焼成することにより、前記金属膜を酸化により透明かつ絶縁性を有する金属酸化物層へと変化させ、前記金属メッキ層はその内部が酸化されず、導電性を維持する工程と、フリップチップ実装により前記金属メッキ層に光学素子を接続する工程と、を有する光学素子パッケージの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（７）多孔質セラミックス基板と、前記多孔質セラミックス基板上に形成された、透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に貴金属でない金属により形成され、その内部が酸化されず、導電性を維持する配線パターンと、を有する光学素子用基板。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
そして、金属メッキ層１２１及びメッキシード層１２０をエッチングし部分的に除去し、図３Ｄに示すように配線パターン１２を得る。このとき、メッキシード層１２０は金属膜１３上に形成されており、多孔質セラミックス基板１０の凹部に入り込まないため、エッチング不良による残存は生じにくい。また、この工程で金属膜１３をも同時にエッチングしても差し支えはないが、多孔質セラミックス基板１０は表面に多数の凹凸を有するため、完全にエッチングをすることは難しく、エッチング不良による残存が生じやすい。なお、前述の通り、メッキシード層１２０を省略している場合には、この工程では金属メッキ層１２１のみ又は金属メッキ層１２１と金属膜１３を部分的に除去することとなる。本実施形態では、銅に対する選択エッチングを行っているため、金属メッキ層１２１及びメッキシード層１２０に対するエッチングのみが行われ、金属膜１３はエッチングされることなく残存する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板を用意する工程と、
前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有する金属膜を形成する工
程と、
前記金属膜上に、導電ペーストによりパターンを形成する工程と、
前記セラミックス基板を焼成することにより、前記金属膜を酸化させるとともに、前記導電ペーストを焼結して配線パターンを得る工程と、
を有する光学素子用基板の製造方法。
【請求項２】
セラミックス基板を用意する工程と、
前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有する金属膜を形成する工
程と、
前記金属膜上に、導電ペーストによりパターンを形成する工程と、
前記セラミックス基板を焼成することにより、前記金属膜を酸化させるとともに、前記導電ペーストを焼結して配線パターンを得る工程と、
フリップチップ実装により前記配線パターンに光学素子を接続する工程と、
を有する光学素子パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その課題は、高反射率を維持し、なおかつ、セラミックス基板とその上に導電ペーストにより形成された配線パターンとの密着性の高い光学素子用基板を得ること、及び、セラミックス基板上にフリップチップ実装により光学素子を実装した信頼性の高い光学素子パッケージを得ることである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（１）セラミックス基板を用意する工程と、前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有する金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に、導電ペーストによりパターンを形成する工程と、前記セラミックス基板を焼成することにより、前記金属膜を酸化させるとともに、前記導電ペーストを焼結して配線パターンを得る工程と、を有する光学素子用基板の製造方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（２）セラミックス基板を用意する工程と、前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有する金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に、導電ペーストによりパターンを形成する工程と、前記セラミックス基板を焼成することにより、前記金属膜を酸化させるとともに、前記導電ペーストを焼結して配線パターンを得る工程と、フリップチップ実装により前記配線パターンに光学素子を接続する工程と、を有する光学素子パッケージの製造方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記（１）の側面によれば、高反射率を維持し、なおかつ、セラミックス基板とその上
に導電ペーストにより形成された配線パターンとの密着性の高い光学素子用基板が製造できる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記（２）の側面によれば、セラミックス基板上にフリップチップ実装により光学素子
を実装した信頼性の高い光学素子パッケージが製造できる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学素子用基板及び光学素子パッケージの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム酸化物からなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を充填する複数の線状導体を備えたコア層と、
前記コア層の一方の面に形成された第１配線層と、
前記コア層の他方の面に形成された第２配線層と、
前記コア層の一方の面の前記第１配線層が形成されていない領域に形成された、前記第１配線層と同一層厚の第１絶縁層と、を有し、
前記第１配線層と前記第２配線層とは、平面視において重複する位置に形成され、前記線状導体を介して電気的に接続され、
前記板状体の他方の面側の端面は、前記板状体の他方の面に対して窪んだ位置にあり、
前記板状体の他方の面側の端面と前記貫通孔の内壁面により、前記板状体の他方の面に凹部が形成され、
前記第２配線層の一部は、前記凹部内に形成されている配線基板。
【請求項２】
前記板状体の一方の面側の端面が前記第１配線層と接している前記線状導体の前記板状体の他方の面側の端面は、必ず前記第２配線層と接している請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記板状体の一方の面側の端面が、前記板状体の一方の面に対して窪んだ位置にある線状導体を有する請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層が形成されている領域の前記板状体には、前記板状体を厚さ方向に貫通し、内部が空洞とされた複数の貫通孔が形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１配線層及び前記第１絶縁層の各々の上面を覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面に形成され、前記第２絶縁層に形成された貫通孔を介して前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層と、を有し、
前記第２絶縁層の層厚は、前記第１配線層の層厚以下とされている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記コア層の他方の面の前記第２配線層が形成されていない領域に形成された、前記第２配線層と同一層厚の第３絶縁層と、
前記第２配線層及び前記第３絶縁層の各々の下面を覆う第４絶縁層と、
前記第４絶縁層の下面に形成され、前記第４絶縁層に形成された貫通孔を介して前記第２配線層と電気的に接続された第４配線層と、を有し、
前記第４絶縁層の層厚は、前記第２配線層の層厚以下とされている請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１配線層及び前記第２配線層の各々は、信号配線と、前記信号配線を平面視において囲むように形成されたベタ配線と、を含み、
前記第１配線層に含まれるベタ配線は、互いに絶縁された２以上の領域に分割されており、
前記第２配線層に含まれるベタ配線は、互いに絶縁された２以上の領域に分割されている請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記コア層の一方の面側に形成された最外の配線層は、半導体チップを搭載するためのパッドとなる部分を有する請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項９】
前記コア層の他方の面側に形成された最外の配線層は、半導体チップを搭載するためのパッドとなる部分を有する請求項８記載の配線基板。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の配線基板において、
少なくとも前記コア層の一方の面側に半導体チップが搭載され、
前記半導体チップは、前記コア層の一方の面側の前記最外の配線層の前記パッドとなる部分に形成されたバンプを介して前記配線基板と電気的に接続されている半導体パッケージ。
【請求項１１】
アルミニウム酸化物からなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を充填する複数の線状導体を備えたコア層を作製する工程と、
前記コア層の一方の面に第１配線層の形成領域を露出する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を含めた前記コア層の一方の面の全体を覆う金属層を形成する工程と、
前記線状導体の前記板状体の他方の面側の端面を前記板状体の他方の面に対して窪んだ位置にする工程と、
前記金属層及び前記金属層と電気的に接続された前記線状導体を給電経路とする電解めっき法により、前記コア層の他方の面の前記開口部と平面視において重複する位置に第２配線層を形成する工程と、
前記レジスト層の上面が露出するまで前記金属層を研磨し、前記金属層から前記第１配線層を形成すると共に、前記レジスト層から第１絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記第１絶縁層は、前記コア層の一方の面の前記第１配線層が形成されていない領域に、前記第１配線層と同一層厚となるように形成され、
前記窪んだ位置にする工程では、前記線状導体の前記板状体の他方の面側の端面と前記貫通孔の内壁面により、前記板状体の他方の面に凹部が形成され、
前記第２配線層を形成する工程では、前記第２配線層の一部は、前記凹部内に形成される配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１配線層及び前記第１絶縁層の各々の上面を覆う第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上面に、前記第２絶縁層に形成された貫通孔を介して前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層を形成する工程と、を有し、
前記第２絶縁層の層厚は、前記第１配線層の層厚以下となるように形成される請求項１１記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本配線基板は、アルミニウム酸化物からなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を充填する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面に形成された第１配線層と、前記コア層の他方の面に形成された第２配線層と、前記コア層の一方の面の前記第１配線層が形成されていない領域に形成された、前記第１配線層と同一層厚の第１絶縁層と、を有し、前記第１配線層と前記第２配線層とは、平面視において重複する位置に形成され、前記線状導体を介して電気的に接続され、前記板状体の他方の面側の端面は、前記板状体の他方の面に対して窪んだ位置にあり、前記板状体の他方の面側の端面と前記貫通孔の内壁面により、前記板状体の他方の面に凹部が形成され、前記第２配線層の一部は、前記凹部内に形成されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心に円孔が形成され、Ａ面とＢ面からなる一対の主表面と、側壁面および主表面と側壁面との間に形成された面取面からなる外周端面および内周端面とを有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
前記ガラス基板の主表面の中心を基準として周方向に３０度ごとに外周端面に測定点を設け、Ａ面とＢ面それぞれについて、隣り合う前記測定点間における側壁面と面取面との間の部分の形状の曲率半径の差の平均値を求め、Ａ面における平均値とＢ面における平均値との差分を絶対値で求めたものをΔＲとしたときに、ΔＲが０．００３ｍｍ以下であることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項２】
隣接する測定点間の前記曲率半径の差が０．０１ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
隣接する測定点間の前記曲率半径の差が０．００５ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項２に記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項４】
前記ガラス基板の中心を基準として周方向に３０度ごとに測定点を設け、前記主表面と前記面取面との間の部分の形状の前記測定点における曲率半径を第２曲率半径としてもとめたときに、隣接する測定点間の前記第２曲率半径の差が０．００４ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
前記ガラス基板の板厚は、０．６３５ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項６】
前記磁気ディスクは、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクである、請求項１〜５のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性膜を有する、磁気ディスク。
【請求項８】
中心に円孔が形成され、Ａ面とＢ面からなる一対の主表面と、側壁面および主表面と側壁面との間に形成された面取面からなる外周端面および内周端面とを有する円環状のガラス素板であって、
前記ガラス素板の主表面の中心を基準として周方向に３０度ごとに外周端面に測定点を設け、Ａ面とＢ面それぞれについて、隣り合う前記測定点間における側壁面と面取面との間の部分の形状の曲率半径の差の平均値を求め、Ａ面における平均値とＢ面における平均値との差分を絶対値で求めたものをΔＲとしたときに、ΔＲが０．００３ｍｍ以下であることを特徴とする、
円環状のガラス素板。
【請求項９】
隣接する測定点間の前記曲率半径の差が０．０１ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項８に記載された円環状のガラス素板。
【請求項１０】
隣接する測定点間の前記曲率半径の差が０．００５ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項９に記載された円環状のガラス素板。
【請求項１１】
前記ガラス素板の中心を基準として周方向に３０度ごとに測定点を設け、前記主表面と前記面取面との間の部分の形状の前記測定点における曲率半径を第２曲率半径としてもとめたときに、隣接する測定点間の前記第２曲率半径の差が０．００４ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項８〜１０のいずれかに記載された円環状のガラス素板。
【請求項１２】
前記ガラス素板の板厚は、０．６３５ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項８〜１１のいずれかに記載された円環状のガラス素板。
【請求項１３】
磁気ディスク用ガラス基板の素板として使用される、請求項８〜１２のいずれかに記載された円環状のガラス素板。
【請求項１４】
前記磁気ディスクは、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクである、請求項１３に記載された円環状のガラス素板。
【請求項１５】
中心に円孔が形成され、一対の主表面と、側壁面および主表面と側壁面との間に形成された面取面からなる外周端面および内周端面とを有するドーナツ型の円環状のガラス素板であって、
外周端面において、前記ガラス素板の中心を基準として周方向に３０度ごとに測定点を設け、前記側壁面と前記面取面との間の部分の形状の前記測定点における曲率半径をもとめたときに、隣接する測定点間の前記曲率半径の差が０．０１ｍｍ以下であることを特徴とする、
円環状のガラス素板。
【請求項１６】
隣接する測定点間の前記曲率半径の差が０．００５ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項１５に記載された円環状のガラス素板。
【請求項１７】
前記ガラス素板の中心を基準として周方向に３０度ごとに測定点を設け、前記主表面と前記面取面との間の部分の形状の前記測定点における曲率半径を第２曲率半径としてもとめたときに、隣接する測定点間の前記第２曲率半径の差が０．００４ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項１５または１６に記載された円環状のガラス素板。
【請求項１８】
前記ガラス素板の板厚は、０．６３５ｍｍ以下であることを特徴とする、
請求項１５〜１７のいずれかに記載された円環状のガラス素板。
【請求項１９】
磁気ディスク用ガラス基板の素板として使用される、請求項１５〜１８のいずれかに記載された円環状のガラス素板。
【請求項２０】
前記磁気ディスクは、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクである、請求項１９に記載された円環状のガラス素板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１Ｃを参照して、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板Ｇの外周側の端部の形状について説明する。図１Ｃにおいて、主表面１１ｐ、側壁面１１ｗ、および、面取面１１ｃの直線部を、それぞれＬｐ、Ｌｗ、およびＬｃと表記している。また、図１Ｃにおいて、主表面１１ｐの直線部Ｌｐと、面取面１１ｃの直線部Ｌｃとの交点をＰ１１とし、側壁面１１ｗの直線部Ｌｗと、面取面１１ｃの直線部Ｌｃとの交点をＰ１２とし、主表面１１ｐの直線部Ｌｐと、側壁面１１ｗの直線部Ｌｗとの交点をＰ１３とする。
主表面１１ｐの直線部Ｌｐと面取面１１ｃの直線部Ｌｃとのなす角（面取り角度；θ１）は、例えば４０〜７０度とすることが好ましい。側壁面１１ｗの直線部Ｌｗと面取面１１ｃの直線部Ｌｃとのなす角（面取り角度；θ２）は、例えば２０〜５０度とすることが好ましい。また、点Ｐ１１と点Ｐ１３の間の距離Ｄ１は０．０５〜０．２０ｍｍ、点Ｐ１２と点Ｐ１３の間の距離Ｄ２は０．１０〜０．３０ｍｍとすることが好ましい。上述の範囲内の形状とすることで、ガラス基板の製造完了後の検査工程、成膜工程、ＨＤＤの組み立て工程などにおいて外周端部を把持したときでも、外周端部がカケたり、基板が落下したりする不具合を防止することができる。
尚、図１Ｃを参照して磁気ディスク用ガラス基板Ｇの外周側の一方の主表面に近い端部の形状について説明したが、他の端部（つまり、外周側の他方の主表面に近い端部や、内周側の端部）についても同様である。
以下の説明では適宜、外周側の側壁面１１ｗおよび面取面１１ｃ，１２ｃを総称して外周端面といい、図示しない内周側の側壁面および面取面を総称して内周端面という。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の記憶素子を有し、
前記記憶素子の一は、第１及び第２のデータ保持部が設けられた第１の記憶回路と、第３及び第４のデータ保持部が設けられた第２の記憶回路と、を有し、
前記第１のデータ保持部は、第１のトランジスタを介してビット線に電気的に接続され、
前記第２のデータ保持部は、第２のトランジスタを介して反転ビット線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１のワード線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、第３のトランジスタを介して前記第２のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第４のデータ保持部は、第４のトランジスタを介して前記第１のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、第２のワード線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第２のワード線に電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、第１のキャパシタの一方の電極に電気的に接続され、
前記第４のデータ保持部は、第２のキャパシタの一方の電極に電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの他方の電極は、低電位電源線に電気的に接続され、
前記第２のキャパシタの他方の電極は、低電位電源線に電気的に接続され、
前記第１の記憶回路への電力の供給が停止される直前に前記第３及び第４のトランジスタをオフする手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
マトリクス状に配置された複数の記憶素子を有し、
前記記憶素子の一は、第１及び第２のデータ保持部が設けられた第１の記憶回路と、第３及び第４のデータ保持部が設けられた第２の記憶回路と、を有し、
前記第１のデータ保持部は、第１のトランジスタを介してビット線に電気的に接続され、
前記第２のデータ保持部は、第２のトランジスタを介して反転ビット線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１のワード線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、第３のトランジスタを介して前記第２のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第４のデータ保持部は、第４のトランジスタを介して前記第１のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、第２のワード線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第２のワード線に電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、第１のキャパシタの一方の電極と、第１の読み出し回路と、に電気的に接続され、
前記第４のデータ保持部は、第２のキャパシタの一方の電極と、第２の読み出し回路と、に電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの他方の電極は、低電位電源線に電気的に接続され、
前記第２のキャパシタの他方の電極は、低電位電源線に電気的に接続され、
前記第１の記憶素子への電力の供給が停止される直前に前記第３及び第４のトランジスタをオフする手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、シリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタ上に、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電灯に駆動電流を供給して前記放電灯を点灯させる駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御手段と、
前記放電灯の電極間電圧を検出する検出部と、を備え、
前記制御手段は、前記放電灯の点灯後であって定常駆動区間前の立ち上げ駆動区間において、検出された前記電極間電圧に基づく前記電極間電圧の変化量に応じて前記駆動電流を変化させることを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放電灯駆動装置であって、
前記制御手段は、前記電極間電圧の変化量が所定の閾値よりも大きい場合、前記駆動電流を低下させることを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項３】
請求項２に記載の放電灯駆動装置であって、
前記制御手段は、
前記立ち上げ区間において、前記放電灯の点灯開始から前記立ち上げ区間の前の始動区間において前記放電灯に供給される駆動電流よりも大きい設定電流を供給して、前記検出部により前記電極間電圧を検出し、
前記電極間電圧の変化量が前記所定の閾値よりも大きい場合、前記設定電流の電流値以下の第１駆動電流を前記放電灯に供給することを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項４】
請求項３に記載の放電灯駆動装置であって、
前記第１駆動電流は、前記定常駆動区間において前記放電灯に供給される駆動電流の電流値以上であることを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の放電灯駆動装置であって、
前記制御手段は、前記電極間電圧の変化量が所定の閾値以下の場合、前記駆動電流を増大させることを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項６】
請求項５に記載の放電灯駆動装置であって、
前記制御手段は、
前記立ち上げ区間において、前記放電灯の点灯開始から前記立ち上げ区間の前の始動区間において前記放電灯に供給される駆動電流よりも大きい設定電流を供給して、前記検出部により前記電極間電圧を検出し、
前記電極間電圧の変化量が前記所定の閾値以下の場合、前記設定電流の電流値以上の第２駆動電流を前記放電灯に供給することを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項７】
請求項６に記載の放電灯駆動装置であって、
前記第２駆動電流は、前記定常駆動区間において前記放電灯に供給される駆動電流の電流値より大きいことを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の放電灯駆動装置であって、
前記制御手段は、前記電極間電圧の変化量が前記所定の閾値以下であり、かつ前記放電灯の累積点灯時間が所定時間よりも長い場合、前記設定電流の電流値以上であり前記第２駆動電流の電流値よりも小さい第３駆動電流を前記放電灯に供給することを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項９】
請求項６または７に記載の放電灯駆動装置であって、
前記定常駆動区間において前記検出部により検出された電極間電圧を記憶する記憶手段を備え、
前記制御手段は、前記電極間電圧の変化量が前記所定の閾値以下であり、かつ前記記憶手段に記憶されている前回点灯時の前記定常駆動区間における電極間電圧が所定電圧よりも大きい場合、前記設定電流の電流値以上であり前記第２駆動電流の電流値よりも小さい第３駆動電流を前記放電灯に供給することを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項１０】
放電灯と、
前記請求項１から９のいずれかに記載の放電灯駆動装置と、
前記放電灯からの光を画像信号に基づいて変調する光変調装置と、
前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学系と、を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１１】
放電灯に駆動電流を供給して前記放電灯を点灯させる放電灯の駆動方法であって、
前記放電灯の点灯後であって定常駆動区間前の立ち上げ駆動区間において、前記放電灯の電極間電圧を検出するステップと、
前記立ち上げ駆動区間において、検出された前記電極間電圧に基づく前記電極間電圧の変化に応じて前記駆動電流を変化させるステップと、
を備えることを特徴とする放電灯駆動方法。