【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する第１放熱体と、
前記第１の主面上に接続されているパワー半導体素子と、
前記第１の主面上に形成されている第１凸状構造体と、
前記第１放熱体の前記第１の主面、前記パワー半導体素子、および前記第１凸状構造体を封止する封止体とを備え、
前記第１凸状構造体は、前記第１の主面から突出するように形成され、かつ、前記第１の主面側の根元部の幅より前記第１の主面と交差する方向において前記第１の主面から離れた先端部の幅が広く、
前記封止体の一部は、前記第１凸状構造体の前記根元部と接するように配置されている、パワー半導体モジュール。
【請求項２】
前記第１凸状構造体はメッキにより複数形成されている、請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
前記第１凸状構造体は、前記第１の主面に対して傾斜している傾斜面を有している、請求項１または請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
前記第１凸状構造体の前記先端部の平面形状は格子状である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
前記第１放熱体の前記第１の主面上にメッキ膜が形成されており、
前記メッキ膜上に前記第１凸状構造体が形成されている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
前記第１凸状構造体および前記第１の主面を覆うようにメッキ膜が形成されている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
前記第１放熱体はセラミック基板と、前記セラミック基板を挟むように形成されている第１電極および第２電極とを含み、
前記第１の主面は前記第１電極によって構成されており、前記第２の主面は前記第２電極によって構成されている、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項８】
前記第１放熱体の前記第２の主面と接続されている第２放熱体と、
前記第２の主面上に形成されている第２凸状構造体とをさらに備え、
前記第１放熱体と前記第２放熱体とははんだを介して接続されており、
前記第２凸状構造体は前記はんだに覆われている、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項９】
前記第２の主面において前記パワー半導体素子と重なる領域における、前記第２凸状構造体が形成されている領域の占有面積比率は、前記パワー半導体素子と重ならない領域であるその他の領域における前記第２凸状構造体が形成されている領域の占有面積比率より高い、請求項８に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１０】
前記第２凸状構造体は、前記第２放熱体と接触している、請求項８または請求項９に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１１】
前記パワー半導体素子と電気的に接続されているフレームと、
前記フレームの表面上に形成されている第３凸状構造体とをさらに備え、
前記フレームは一部が前記封止体の外部まで延びるように形成されている、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１２】
前記第１凸状構造体を構成する材料は、銅、銀、パラジウム、ロジウム、白金、金、亜鉛、ニッケル、およびクロムからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１３】
第１の主面と、前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する第１放熱体を準備する工程と、
前記第１の主面上に、第１凸状構造体を形成する工程と、
前記第１の主面上に、パワー半導体素子を固定する工程と、
前記第１放熱体の前記第１の主面、前記パワー半導体素子、および前記第１凸状構造体を封止する工程とを備え、
前記第１凸状構造体を形成する工程では、前記第１の主面上において前記第１凸状構造体を形成すべき領域に開口部を有し前記第１凸状構造体を形成しない領域を覆うマスクパターンを形成した後、前記第１凸状構造体を構成する材料を前記開口部の内側に充填して、前記第１凸状構造体を前記マスクパターンの厚みよりも厚く形成する、パワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記第１凸状構造体を形成する工程において、前記マスクパターンの前記開口部は、前記開口部の幅が前記第１の主面に近づくにつれて大きくなるようにテーパー状に形成される、請求項１３に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１５】
第１の主面と、前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する第１放熱体を準備する工程と、
前記第１の主面上に、第１凸状構造体を形成する工程と、
前記第１の主面上に、パワー半導体素子を固定する工程と、
前記第１放熱体の前記第１の主面、前記パワー半導体素子、および前記第１凸状構造体を封止する工程とを備え、
前記第１凸状構造体を形成する工程は、前記第１の主面上において前記第１凸状構造体を形成すべき領域に開口部を有し、前記第１凸状構造体を形成しない領域を覆うマスクパターンを形成する工程と、前記第１凸状構造体を構成する材料を前記開口部の内側に充填する工程とを含み、
前記マスクパターンを形成する工程では、前記マスクパターンの前記開口部は、前記開口部の幅が前記第１の主面に近づくにつれて大きくなるようにテーパー状に形成される、パワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記第１凸状構造体を形成する工程において、前記第１凸状構造体はメッキにより形成される、請求項１３〜請求項１５のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記第１凸状構造体を形成する工程では、前記マスクパターンの前記開口部の平面形状が格子状に形成されている、請求項１３〜請求項１６のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記第１凸状構造体を形成する工程では、前記第１の主面上にメッキ膜が形成された後、前記第１凸状構造体が形成される、請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１９】
前記第１凸状構造体を形成する工程では、前記第１の主面上に前記第１凸状構造体が形成された後、前記第１の主面上にメッキ膜が形成される、請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２０】
前記第１放熱体を準備する工程において、セラミック基板を挟むように第１電極および第２電極を形成することにより、前記第１電極により構成されている前記第１の主面と前記第２電極により構成されている前記第２の主面とを有する前記第１放熱体が準備される、請求項１３〜請求項１９のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２１】
前記第１凸状構造体を形成する工程は、前記第１放熱体の前記第２の主面上に第２凸状構造体を形成する工程をさらに含み、
前記第１放熱体の前記第２の主面と第２放熱体とを接続する工程をさらに備え、
前記接続する工程では、前記第２凸状構造体を覆うように供給されたはんだを介して、前記第１放熱体と前記第２放熱体とが接続される、請求項１３〜請求項２０のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記第２凸状構造体を形成する工程では、前記第２の主面において前記パワー半導体素子と重なる領域に対する、前記第２凸状構造体が形成されている領域の面積比率が、その他の領域に対する前記第２凸状構造体が形成されている領域の面積比率より高くなるように形成される、請求項２１に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２３】
前記第２凸状構造体を形成する工程において、前記第２凸状構造体は、前記接続する工程において前記第１放熱体と前記第２放熱体とが接続された時に前記第２放熱体と接触するように形成される、請求項２１または請求項２２に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２４】
前記パワー半導体素子を固定する工程は、前記パワー半導体素子と電気的に接続されるフレーム上に第３凸状構造体を形成する工程と、前記パワー半導体素子に対して前記フレームを固定する工程とを含む、請求項１３〜請求項２３のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２５】
前記第１凸状構造体を形成する工程では、前記第１凸状構造体を構成する材料として銅、銀、パラジウム、ロジウム、白金、金、亜鉛、ニッケル、およびクロムからなる群から選択される少なくとも１つがメッキされる、請求項１３〜請求項２４のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。