Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月29日(2016.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を発生するフィラメントと、
前記フィラメントからの電子を集光する電子光学系と、
Ｘ線を発生するターゲットであって、前記ターゲットの内部で発生するＸ線を射出する射出面を含み、前記射出面の表面形状は曲面であるターゲットと、を備え、
前記電子光学系により集光される電子により発生するＸ線の発生領域から、前記ターゲットの射出面までの距離が測定物の測定領域に対する放射方向で一定となる、Ｘ線源。
【請求項２】
前記ターゲットの材質、および前記電子光学系の加速電圧に基づいて、前記ターゲット内部でのＸ線発生領域の位置が定まり、前記定まるＸ線の発生領域の位置に基づいて前記ターゲットの形状が定まる請求項１に記載のＸ線源。
【請求項３】
前記ターゲット内部でのＸ線発生領域の大きさに基づいて、前記ターゲットの形状が定まる、請求項１又は２に記載のＸ線源。
【請求項４】
前記発生領域はＸ線を発生する重心を含み、
前記重心から前記ターゲットの表面までの距離が、前記放射方向で一定となる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項５】
前記重心は、前記発生領域のうちＸ線の発生が最も多い部分である、請求項４に記載のＸ線源。
【請求項６】
前記射出面の表面形状は球面である、請求項１〜５の何れか１項に記載のＸ線源。
【請求項７】
前記球面の半径は、０．１μｍ〜１０μｍである、請求項６に記載のＸ線源。
【請求項８】
前記ターゲットへの電子の入射面の表面形状は平面である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項９】
前記ターゲットを保持するベース基板を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項１０】
前記ベース基板は、Ｘ線を透過する材料で形成される、請求項９に記載のＸ線源。
【請求項１１】
前記ターゲットは、前記ベース基板に形成された凹部に保持される、請求項９又は１０に記載のＸ線源。
【請求項１２】
前記ターゲットと前記凹部との境界は曲面である、請求項１１に記載のＸ線源。
【請求項１３】
前記ベース基板は、複数の前記ターゲットを保持する、請求項９〜１２のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項１４】
前記ベース基板は、平面方向と交差する方向の回転軸を有し、
前記ターゲットは、前記回転軸を中心とする周回方向に配置される請求項９〜１３のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項１５】
前記ターゲットの射出面から電子が入射し、前記ターゲット内部のＸ線の発生領域から発生するＸ線が前記射出面から射出する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載のＸ線源と、
前記Ｘ線源から射出され、測定物を通過したＸ線の少なくとも一部を検出する検出装置と、を備えた、Ｘ線装置。
【請求項１７】
前記測定領域は、前記Ｘ線の発生領域と、測定物を通過するＸ線を検出領域とにより規定される、請求項１６に記載のＸ線装置。
【請求項１８】
構造物の形状に関する設計情報を作製する設計工程と、
前記設計情報に基づいて前記構造物を作成する成形工程と、
作製された前記構造物の形状を請求項１６又は１７に記載のＸ線装置を用いて計測する工程と、
前記計測工程で得られた形状情報と、前記設計情報とを比較する検査工程と、を有する、構造物の製造方法。
【請求項１９】
前記検査工程の比較結果に基づいて実行され、前記構造物の再加工を実施するリペア工程を有する、請求項１８に記載の構造物の製造方法。
【請求項２０】
前記リペア工程は、前記成形工程を再実行する工程である、請求項１９に記載の構造物の製造方法。
【請求項２１】
構造物の形状に関する設計情報を作製する設計装置と、
前記設計情報に基づいて前記構造物を作製する成形装置と、
作製された前記構造物の形状を測定する請求項１６又は１７に記載のＸ線装置と、
前記Ｘ線装置によって得られた前記構造物の形状に関する形状情報と前記設計情報とを比較する検査装置と、を含む、構造物製造システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｘ線源、Ｘ線装置、構造物の製造方法、及び構造物製造システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、Ｘ線源、Ｘ線装置、構造物の製造方法、及び構造物製造システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第２の態様によれば、電子を発生するフィラメントと、フィラメントからの電子を集光する電子光学系と、Ｘ線を発生するターゲットであって、ターゲットの内部で発生するＸ線を射出する射出面を含み、射出面の表面形状は曲面であるターゲットを備え、電子光学系により集光される電子により発生するＸ線の発生領域から、ターゲットの射出面までの距離が測定物の測定領域に対する放射方向で一定となる、Ｘ線源が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
フィラメント３９から出射した電子は、アノード４４によって加速されるとともに、電子光学系４１によって収束（集光）されて進行する。電子光学系４１から射出された電子の少なくとも一部は、＋Ｚ軸方向に進行する。電子の照射方向（進行方向）は、Ｚ軸方向である。電子の進行方向は、偏向装置４３によって調整される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月21日(2016.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ａ）：Ｌｉ1+uＮｉaＣｏbＭｎcＭdＯ2（−０．０５≦ｕ≦０．１５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．３≦ａ≦０．８、０．１≦ｂ≦０．４、０．１≦ｃ≦０．４、０≦ｄ≦０．１、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗから選択される１種以上の元素）で表され、層状構造を有する六方晶系リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子からなり、平均粒径が３．０μｍ〜８．０μｍの範囲にあり、粒度分布の広がりを示す指標である〔（ｄ９０−ｄ１０）／ＭＶ〕が０．６０以下、かつ、〔ｄ９０／ＭＶ〕が１．３００以下である非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法であって、
晶析反応により、一般式（Ｂ）：ＮｉaＣｏbＭｎcＭd（ＯＨ）2+α（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．３≦ａ≦０．８、０．１≦ｂ≦０．４、０．１≦ｃ≦０．４、０≦ｄ≦０．１、０≦α≦０．５、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗから選択される１種以上の元素）で表され、平均粒径が３．０μｍ〜７．０μｍの範囲にあり、粒度分布の広がりを示す指標である〔（ｄ９０−ｄ１０）／ＭＶ〕が０．５５以下であるニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を得る晶析工程と、
前記ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子をスラリー化し、これにリチウム化合物を加えて湿式混合し、混合スラリーを得る混合工程と、
前記混合スラリーを乾燥し、ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子とリチウム化合物からなる混合粉末を得る乾燥工程と、
前記混合粉末を酸化性雰囲気中、８００℃〜１０００℃で焼成し、リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子を得る焼成工程と、
前記リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子を水洗する水洗工程と
を備え、
前記晶析工程が、
液温２５℃基準で測定するｐＨ値が１２．０以上、アンモニウムイオン濃度が３ｇ／Ｌ〜２５ｇ／Ｌとなるように調整した反応前水溶液に、ニッケル、コバルトおよびマンガンを含有する複数の金属化合物を溶解させた混合水溶液、アルカリ溶液およびアンモニウムイオン供給体を含む水溶液を供給して反応水溶液を形成し、核生成を行う核生成工程と、
前記核生成工程後に、前記混合水溶液、アルカリ溶液およびアンモニウムイオン供給体を含む水溶液の供給を停止し、液温２５℃基準で測定するｐＨ値を１１．０〜１２．０に調整し、この状態で静置した後、該ｐＨ値を１１．０〜１２．０に保持しながら、再度、前記混合水溶液、アルカリ溶液およびアンモニウムイオン供給体を含む水溶液を供給することにより、前記核生成工程で得られた核を成長させる粒子成長工程と、
を備える、非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項２】
前記晶析工程で得られたニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を濾過し、水洗し、脱水する水洗工程をさらに備える、請求項１に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項３】
前記ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子の水洗工程において、該ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を、濾材上に固定することなく洗浄可能な装置で水洗する、請求項２に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項４】
前記混合工程において、前記リチウム化合物を湿式粉砕することにより、リチウム化合物スラリーとしてから、前記ニッケルコバルトマンガン複合水酸化物粒子を含むスラリーと湿式混合する、請求項１〜３のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
前記リチウム化合物として、炭酸リチウムを用いる、請求項４に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項６】
前記炭酸リチウムの平均粒径が１０μｍ以下である、請求項５に記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項７】
前記乾燥工程において、前記混合スラリーの乾燥を、高周波誘電加熱またはマイクロ波加熱により行う、請求項１〜６のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項８】
前記焼成工程において、酸化性雰囲気における酸素濃度を１８容量％〜１００容量％とする、請求項１〜７のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項９】
前記焼成工程の前に、前記混合粉末を３５０℃〜７８０℃の温度で仮焼する仮焼工程をさらに備える、請求項１〜８のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項１０】
前記リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子の水洗工程において、リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子を、該リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子に対する質量比で０．５〜１．０の水に投入してスラリーとし、水洗した後、該スラリーを濾過および乾燥する、請求項１〜９のいずれかに記載の非水電解質二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項１１】
一般式（Ａ）：Ｌｉ1+uＮｉaＣｏbＭｎcＭdＯ2（−０．０５≦ｕ≦０．１５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．３≦ａ≦０．８、０．１≦ｂ≦０．４、０．１≦ｃ≦０．４、０≦ｄ≦０．１、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗから選択される１種以上の元素）で表され、層状構造を有する六方晶系リチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物粒子からなり、平均粒径が３．０μｍ〜８．０μｍの範囲にあり、粒度分布の広がりを示す指標である〔（ｄ９０−ｄ１０）／ＭＶ〕が０．６０以下、かつ、〔ｄ９０／ＭＶ〕が１．３００以下である非水電解質二次電池用正極活物。
【請求項１２】
正極と、負極と、セパレータと、非水電解質とを備え、前記正極の正極材料として、請求項１１に記載の非水電解質二次電池用正極活物質が用いられている、非水電解質二次電池。
【請求項１３】
初期放電容量が１６０．０ｍＡｈ／ｇ以上、正極抵抗比が１．００以下、かつ、５００サイクル後の容量維持率が８５％以上である、請求項１２に記載の非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込み磁極先端部を有する書込み磁極コアを備える装置であって、前記書込み磁極先端部は、空気軸受面（ＡＢＳ）に対して第１の角度で方向付けられた先端面と、前記ＡＢＳから延び、前記ＡＢＳに対して第２の角度で方向付けられた第１のベベル面と、前記ＡＢＳから延び、前記ＡＢＳに対して第３の角度で方向付けられた第２のベベル面と、前記書込み磁極コアと接触している第１のベベル層とを備え、
前記第１のベベル層は、前記書込み磁極コアとは異なる材料を備え、かつ前記ＡＢＳに対して第４の角度で方向付けられた第３のベベル面と有しており、
前記第１、第２、第３および第４の角度は、互いに異なっており、互いに非直交である、装置。
【請求項２】
前記第１のベベル面は、前記先端面と接触し、前記先端面から延びている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２のベベル面は、前記先端面と接触し、前記先端面から延びている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
書込み磁極先端部を有する書込み磁極コアを備える書込み素子であって、前記書込み磁極先端部は、空気軸受面（ＡＢＳ）に対して第１の角度で方向付けられた先端面と、前記書込み磁極先端部の前縁において前記ＡＢＳから延び、前記ＡＢＳに対して第２の角度で方向付けられた第１のベベル面と、前記書込み磁極先端部の後縁において前記ＡＢＳから延び、前記ＡＢＳに対して第３の角度で方向付けられた第２のベベル面と、前記書込み磁極コアと接触している第１のベベル層とを備え、
前記第１のベベル層は、前記書込み磁極コアとは異なる材料を備え、かつ前記ＡＢＳに対して第４の角度で方向付けられた第３のベベル面と有しており、
前記第１、第２、第３および第４の角度は、互いに異なっており、互いに非直交である、書込み素子。 
【請求項５】
装置であって、書込み磁極コアと、第１のベベル層と、第２のベベル層と、第３のベベル層と、第４のベベル層とを備え、
前記書込み磁極コアは、第１の材料を備え、かつ空気軸受面（ＡＢＳ）に位置する先端面を有しており、前記書込み磁極コアは、前記ＡＢＳに対して異なる第１および第２の角度で前記先端面からそれぞれ延びている第１および第２のベベル面を有しており、
前記第１のベベル層は、第２の材料を備え、前記書込み磁極コアに接触しており、かつ前記ＡＢＳに対して第３の角度で方向付けられた第３のベベル面を有しており、
前記第２のベベル層は、第３の材料を備え、前記書込み磁極コアに接触しており、かつ前記ＡＢＳに対して第４の角度で方向付けられた第４のベベル面を有しており、
前記第３のベベル層は、第４の材料を備え、前記書込み磁極コアから離れており、前記第１のベベル層に接触しており、かつ前記ＡＢＳに対して第５の角度で方向付けられた第５のベベル面を有しており、
前記第４のベベル層は、第５の材料を備え、前記書込み磁極コアから離れており、前記第２のベベル層に接触しており、かつ前記ＡＢＳに対して第６の角度で方向付けられた第６のベベル面を有しており、前記第１の材料は、前記第２、第３、第４および第５の材料とは異なっている、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月3日(2016.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る電子機器は、第１の配線部と第２の配線部とが同じ面に設けられた基板と、導電性を有し、前記第１の配線部の一部と前記第２の配線部の一部とを覆うように配置されるドーム形状の弾性部材と、絶縁材料で形成され、前記弾性部材と前記第１の配線部と前記第２の配線部とを覆うように前記基板に貼り付けられるシート部材と、前記弾性部材を弾性変形させる操作部材とを備え、前記操作部材の操作によって前記弾性部材を弾性変形させることにより前記弾性部材によって前記第１の配線部と前記第２の配線部とが電気的に接続される電子機器であって、前記基板において前記第１の配線部および前記第２の配線部が設けられている面に、接地電位となるグランド配線部が更に設けられ、前記グランド配線部の少なくとも一部が前記シート部材の周縁部から露出していることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係るデジタルカメラの外観斜視図である。
【図２】図１のデジタルカメラの分解斜視図である。
【図３】図１のデジタルカメラが備える第２のメタルドームシートの構造を示す図である。
【図４】図１のデジタルカメラが備える第１のメタルドームシートの構造を示す図である。
【図５】図１のデジタルカメラが備える１のメタルドームシートと電源ボタンの配置と構造を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線部と第２の配線部とが同じ面に設けられた基板と、導電性を有し、前記第１の配線部の一部と前記第２の配線部の一部とを覆うように配置されるドーム形状の弾性部材と、絶縁材料で形成され、前記弾性部材と前記第１の配線部と前記第２の配線部とを覆うように前記基板に貼り付けられるシート部材と、前記弾性部材を弾性変形させる操作部材とを備え、前記操作部材の操作によって前記弾性部材を弾性変形させることにより前記弾性部材によって前記第１の配線部と前記第２の配線部とが電気的に接続される電子機器であって、
前記基板において前記第１の配線部および前記第２の配線部が設けられている面に、接地電位となるグランド配線部が更に設けられ、
前記グランド配線部の少なくとも一部が前記シート部材の周縁部から露出していることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記シート部材は、前記弾性部材の周縁部から前記シート部材の通気開口に至る、空気を逃がすための経路を有し、
前記シート部材の前記通気開口は、前記シート部材の周縁部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記グランド配線部のうち前記シート部材の周縁部から露出する露出部は、前記シート部材の前記通気開口の近傍において前記空気を逃がすための経路に沿って、露出する領域が広くなっていることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記弾性部材は、平面視で、矩形の対向する２辺の一部が切り欠かれた弓状の辺を有する略長円形の形状を有し、
前記空気を逃がすための経路は、前記弾性部材の弓状の一方の辺に対応する周縁領域から前記シート部材の前記通気開口まで延在するように形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記弾性部材の周縁部のうち、前記空気を逃がすための経路が延出する前記弾性部材の弓状の一方の辺に対応する領域と対向する領域において、前記第１の配線部と前記第２の配線部の少なくとも一方から信号線が引き出されていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記第２の配線部は、前記弾性部材の弓状の２辺に対応する部分が切り欠かれた形状を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記シート部材は、粘着シートを介して前記基板に貼り付けられ、
前記空気を逃がすための経路は、前記粘着シートを部分的に除去することにより形成されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記シート部材は、前記粘着シートにより前記基板に貼り付けられるスペーサシートを更に備え、
前記空気を逃がすための経路は、前記粘着シートと前記スペーサシートを部分的に除去することにより形成されていることを特徴とする請求項７記載の電子機器。
【請求項９】
前記第１の配線部は信号線に、前記第２の配線部はグランドにそれぞれ割り当てられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
第１の配線部と第２の配線部とが同じ面に設けられた基板と、導電性を有し、前記第１の配線部の一部と前記第２の配線部の一部とを覆うように配置されるドーム形状の弾性部材と、絶縁材料で形成され、前記弾性部材と前記第１の配線部と前記第２の配線部とを覆うように前記基板に貼り付けられるシート部材とを備え、前記弾性部材を弾性変形させることにより前記弾性部材によって前記第１の配線部と前記第２の配線部とが前記弾性部材を介して電気的に接続されるメタルドームスイッチであって、
前記基板において前記第１の配線部および前記第２の配線部が設けられている面に、接地電位となるグランド配線部が形成され、
前記グランド配線部の少なくとも一部が前記シート部材の周縁部から露出していることを特徴とするメタルドームスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータのそれぞれを、複数の伝送路のうちのいずれかの伝送路に関連付けて、送信部に、当該伝送路を介して当該データを外部機器へ送信させる送信処理部と、
前記複数の伝送路それぞれの伝送品位を示す伝送品位情報を取得する伝送品位情報取得部と、
を備え、
前記送信処理部は、前記複数のデータ間の重みを示す順位情報と、取得した前記伝送品位情報とに基づき、前記データと前記伝送路との間の関連付けを制御する、
送信装置。
【請求項２】
前記データと前記伝送路との間の関連付けに基づき、前記送信処理部と前記複数の伝送路との間の接続関係を切り替えるスイッチを備える、請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
前記スイッチは、前記重みの大きいデータが前記伝送品位の高い伝送路を介して送信されるように前記接続関係の切り替えが制御される、請求項２に記載の送信装置。
【請求項４】
前記複数のデータのうち前記重みのより大きいデータが、前記複数の伝送路のうち前記伝送品位がより高い伝送路に関連付けられる、請求項３に記載の送信装置。
【請求項５】
前記スイッチは、複数の伝送路のうち少なくとも一部の伝送路の前記伝送品位が閾値を下回る場合に、当該一部の伝送路以外の他の伝送路を介して前記複数のデータが送信されるように、前記接続関係の切り替えが制御される、請求項２〜４のいずれか一項に記載の送信装置。
【請求項６】
前記複数の伝送路の数は、前記複数のデータの数よりも多い、請求項５に記載の送信装置。
【請求項７】
前記スイッチは、前記一部の伝送路の前記伝送品位が閾値を下回る場合に、前記他の伝送路それぞれの伝送品位情報に基づき、前記接続関係の切り替えが制御される、請求項５に記載の送信装置。
【請求項８】
前記重みは、前記複数のデータの優先順位を示す順位情報である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の送信装置。
【請求項９】
前記複数のデータと前記複数の伝送路との間の関連付けを示す制御情報を、前記外部機器に通知する通知部を備えた、請求項１〜８のいずれか一項に記載の送信装置。
【請求項１０】
前記順位情報を取得する順位情報取得部を備え、
取得された当該順位情報に基づき、前記複数のデータと前記複数の伝送路とが関連付けられる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の送信装置。
【請求項１１】
前記順位情報を記憶する記憶部を備え、
前記記憶部に記憶された当該順位情報に基づき、前記複数のデータと前記複数の伝送路とが関連付けられる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の送信装置。
【請求項１２】
複数の伝送路を介して外部機器から複数のデータを受信する受信処理部と、
前記複数の伝送路それぞれについて、当該伝送路を介して受信した前記データを基に、当該伝送路の伝送品位を判定する伝送品位判定部と、
前記外部機器が、前記複数のデータと前記複数の伝送路とを関連付けるために、当該複数の伝送路それぞれの前記伝送品位の判定結果を当該外部機器に通知する通知部と、
を備えた、受信装置。
【請求項１３】
前記複数のデータと前記複数の伝送路との間の関連付けを示す制御情報を、前記外部機器から取得する制御情報取得部と、
取得した前記制御情報に基づき、前記受信処理部と前記複数の伝送路との間の接続関係を切り替えるスイッチと、
を備えた、請求項１２に記載の受信装置。
【請求項１４】
前記伝送品位判定部は、前記複数の伝送路それぞれについて、当該伝送路を介して受信した前記データのエラー率を測定し、当該測定の結果に基づき前記伝送品位を判定する、請求項１２または１３に記載の受信装置。
【請求項１５】
前記複数の伝送路うち少なくとも一部の前記伝送品位が、前記複数のデータを送信するために要する前記伝送品位を下回る場合に、報知情報を報知する報知部を備えた、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の受信装置。
【請求項１６】
前記報知部は、前記複数の伝送路のうち、前記伝送品位が閾値を下回る伝送路の数が所定数を超えた場合に、前記報知情報を報知する、請求項１５に記載の受信装置。
【請求項１７】
前記複数の伝送路うち少なくとも一部の伝送レートが、前記複数のデータを送信するために要する伝送レートを下回る場合に、報知情報を報知する報知部を備えた、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の受信装置。
【請求項１８】
プロセッサに、複数のデータのそれぞれを、複数の伝送路のうちのいずれかの伝送路に関連付けさせて、送信部に、当該伝送路を介して当該データを外部機器へ送信させることと、
前記複数の伝送路それぞれの伝送品位を示す伝送品位情報を取得することと、
を含み、
前記データと前記伝送路との間の関連付けは、前記複数のデータ間の重みを示す順位情報と、取得された前記伝送品位情報とに基づき制御される、
送信方法。
【請求項１９】
複数の伝送路を介して外部機器から複数のデータを受信することと、
プロセッサに、前記複数の伝送路それぞれについて、当該伝送路を介して受信した前記データを基に、当該伝送路の伝送品位を判定させることと、
前記外部機器が、前記複数のデータと前記複数の伝送路とを関連付けるために、当該複数の伝送路それぞれの前記伝送品位の判定結果を当該外部機器に通知することと、
を含む、受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板と第２の半導体基板が互いに積層された撮像素子であって、
画素信号を生成する光電変換手段と、
前記画素信号を一時的に保持する信号保持手段と、
前記画素信号を出力する信号出力手段と、
前記光電変換手段から前記信号保持手段に前記画素信号を転送する第１の転送手段と、
前記信号保持手段から前記信号出力手段に前記画素信号を転送する第２の転送手段とを有し、
前記第１の半導体基板に前記光電変換手段および前記信号出力手段を設け、前記第２の半導体基板に前記信号保持手段を設けたことを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
前記信号保持手段は、電荷結合素子で構成されることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記信号保持手段は、複数の信号保持領域で構成されることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記第１の半導体基板に前記第１の転送手段と前記第２の転送手段が設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像素子。
【請求項５】
第１の半導体基板と第２の半導体基板が互いに積層され、画素信号を生成する光電変換手段と、前記画素信号を一時的に保持する信号保持手段と、前記画素信号を出力する信号出力手段と、前記光電変換手段から前記信号保持手段に前記画素信号を転送する第１の転送手段と、前記信号保持手段から前記信号出力手段に前記画素信号を転送する第２の転送手段とを有し、前記第１の半導体基板に前記光電変換手段および前記信号出力手段を設け、前記第２の半導体基板に前記信号保持手段を設けた撮像素子と、
前記撮像素子から出力された画像信号に所定の画像処理を施す画像処理手段と、
前記撮像素子および前記画像処理手段の動作を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記信号保持手段は、電荷結合素子で構成されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記信号保持手段は、複数の信号保持領域で構成されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１の半導体基板に前記第１の転送手段と前記第２の転送手段が設けられることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
第１の半導体基板と第２の半導体基板が互いに積層され、画素信号を生成する光電変換手段と、前記画素信号を一時的に保持する信号保持手段と、前記画素信号を出力する信号出力手段と、前記光電変換手段から前記信号保持手段に前記画素信号を転送する第１の転送手段と、前記信号保持手段から前記信号出力手段に前記画素信号を転送する第２の転送手段とを有し、前記第１の半導体基板に前記光電変換手段および前記信号出力手段を設け、前記第２の半導体基板に前記信号保持手段を設けた撮像素子と、
前記撮像素子から出力された画像信号に所定の画像処理を施す画像処理手段と、
音声通信を行なう音声通信手段と、
前記撮像素子、前記画像処理手段、および前記音声通信手段の動作を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする携帯電話機。
【請求項１０】
前記信号保持手段は、電荷結合素子で構成されることを特徴とする請求項９に記載の携帯電話機。
【請求項１１】
前記信号保持手段は、複数の信号保持領域で構成されることを特徴とする請求項９に記載の携帯電話機。
【請求項１２】
前記第１の半導体基板に前記第１の転送手段と前記第２の転送手段が設けられることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の携帯電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像素子、撮像装置、携帯電話機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像素子、撮像装置、携帯電話機に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、画質を維持しながら多彩な撮影を行うことのできる撮像素子および撮像装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係わる撮像素子は、第１の半導体基板と第２の半導体基板が互いに積層された撮像素子であって、画素信号を生成する光電変換手段と、前記画素信号を一時的に保持する信号保持手段と、前記画素信号を出力する信号出力手段と、前記光電変換手段から前記信号保持手段に前記画素信号を転送する第１の転送手段と、前記信号保持手段から前記信号出力手段に前記画素信号を転送する第２の転送手段とを有し、前記第１の半導体基板に前記光電変換手段および前記信号出力手段を設け、前記第２の半導体基板に前記信号保持手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、画質を維持しながら多彩な撮影を行うことのできる撮像素子および撮像装置を提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月5日(2016.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置であって、
符号化動画像を復号した復号動画像の画面サイズを変換する変換手段と、
前記画面サイズが変換された復号動画像を再符号化するためのブロックサイズを決定する決定手段と、
前記決定されたブロックサイズに従って、前記画面サイズが変換された復号動画像を符号化する符号化手段と
を備え、
前記決定手段は、
前記画面サイズが変換された復号動画像を第１のサイズのブロックの第１の画像領域に分割し、
前記復号動画像における第１の参照領域に含まれる前記符号化動画像を生成するための符号化処理に用いられた前ブロックサイズに基づき、前記第１の参照領域が前記第１のサイズよりも小さい前記前ブロックサイズを含む場合に、前記第１の画像領域を前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズを有する第２の画像領域に分割することにより、前記第１の画像領域における前記再符号化のためのブロックサイズを決定し、
前記第１の参照領域は、前記第１の画像領域のそれぞれに対応し、かつ、前記復号動画像及び前記画面サイズが変換された復号動画像の画面サイズの比率に応じたサイズであって前記第１のサイズよりも大きいサイズを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記第２の画像領域のそれぞれに対応し、かつ、前記復号動画像における前記比率に応じた前記第２のサイズよりも大きいサイズを有する第２の参照領域における前記前ブロックサイズに基づき、前記第２の画像領域における前記再符号化のためのブロックサイズを更に決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記第２のサイズが、前記ブロックサイズが取り得る最小のブロックサイズである場合、該第２のサイズを前記再符号化のためのブロックサイズに決定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記符号化手段は、前記復号動画像を直交変換する直交変換手段を含み、
前記決定手段は、前記第２の参照領域に含まれる前記前ブロックサイズの全てが前記第２のサイズである場合、前記第２の画像領域を前記第２のサイズよりも小さい第３のサイズに分割し、前記第３のサイズを前記直交変換のためのブロックサイズに決定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記直交変換するための第３のサイズは、ＨＥＶＣ規格で定義される４ｘ４画素の画像サイズであることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記再符号化するためのブロックサイズは、ＨＥＶＣ規格で定義される符号化単位の６４ｘ６４画素、３２ｘ３２画素、１６ｘ１６画素、及び、８ｘ８画素の画像サイズを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像処理装置の制御方法であって、
変換手段が、符号化動画像を復号した復号動画像の画面サイズを変換する変換工程と、
決定手段が前記画面サイズが変換された復号動画像を再符号化するためのブロックサイズを決定する決定工程と、
符号化手段が前記決定されたブロックサイズに従って、前記画面サイズが変換された復号動画像を符号化する符号化工程と
を備え、
前記決定工程では、
前記画面サイズが変換された復号動画像が第１のサイズのブロックの第１の画像領域に分割され、
前記復号動画像における第１の参照領域に含まれる前記符号化動画像を生成するための符号化処理に用いられた前ブロックサイズに基づき、前記第１の参照領域が前記第１のサイズよりも小さい前記前ブロックサイズを含む場合に、前記第１の画像領域を前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズを有する第２の画像領域に分割することにより、前記第１の画像領域における前記再符号化のためのブロックサイズが決定され、
前記第１の参照領域は、前記第１の画像領域のそれぞれに対応し、かつ、前記復号動画像及び前記画面サイズが変換された復号動画像の画面サイズの比率に応じたサイズであって前記第１のサイズよりも大きいサイズを有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
符号化装置であって、
符号化動画像を復号した復号動画像の画面サイズを変換する変換手段と、
前記画面サイズが変換された復号動画像を再符号化するためのブロックサイズを決定する決定手段と、
前記決定されたブロックサイズに従って、前記画面サイズが変換された復号動画像を符号化する符号化手段と
を備え、
前記決定手段は、
前記画面サイズが変換された復号動画像を第１のサイズのブロックの第１の画像領域に分割し、
前記復号動画像における第１の参照領域に含まれる前記符号化動画像を生成するための符号化処理に用いられた前ブロックサイズに基づき、前記第１の参照領域が前記第１のサイズよりも小さい前記前ブロックサイズを含む場合に、前記第１の画像領域を前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズを有する第２の画像領域に分割することにより、前記第１の画像領域における前記再符号化のためのブロックサイズを決定し、
前記第１の参照領域は、前記第１の画像領域のそれぞれに対応し、かつ、前記復号動画像及び前記画面サイズが変換された復号動画像の画面サイズの比率に応じたサイズであって前記第１のサイズよりも大きいサイズを有することを特徴とする符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及びその制御方法、符号化装置、並びに、コンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は画像処理装置及びその制御方法、符号化装置、並びに、コンピュータプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の課題を解決するための本発明は、画像処理装置であって、
符号化動画像を復号した復号動画像の画面サイズを変換する変換手段と、
前記画面サイズが変換された復号動画像を再符号化するためのブロックサイズを決定する決定手段と、
前記決定されたブロックサイズに従って、前記画面サイズが変換された復号動画像を符号化する符号化手段とを備え、
前記決定手段は、
前記画面サイズが変換された復号動画像を第１のサイズのブロックの第１の画像領域に分割し、
前記復号動画像における第１の参照領域に含まれる前記符号化動画像を生成するための符号化処理に用いられた前ブロックサイズに基づき、前記第１の参照領域が前記第１のサイズよりも小さい前記前ブロックサイズを含む場合に、前記第１の画像領域を前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズを有する第２の画像領域に分割することにより、前記第１の画像領域における前記再符号化のためのブロックサイズを決定し、
前記第１の参照領域は、前記第１の画像領域のそれぞれに対応し、かつ、前記復号動画像及び前記画面サイズが変換された復号動画像の画面サイズの比率に応じたサイズであって前記第１のサイズよりも大きいサイズを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月22日(2016.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
相手装置と直接接続する第１の通信手段と、
他の装置を介して前記相手装置と接続し、前記第１の通信手段による接続を確立するための通信の少なくとも一部を実行する第２の通信手段と、
第１の通信モードよりも前記第１の通信手段の消費電力が少ない第２の通信モードで動作している際に、前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したと判定された場合、前記第２の通信モードから前記第１の通信モードへ移行して、前記第１の通信手段による前記相手装置との通信を継続するように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記第２の通信モードから前記第１の通信モードへ移行した場合、前記相手装置へ所定の通知を行う通知手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記第２の通信手段によって、前記相手装置へ所定の信号を送信し、当該所定の信号に対する応答信号を前記相手装置から受信したかに基づいて、前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第２の通信手段は、周期的に、前記相手装置へ前記所定の信号を送信する、
ことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記応答信号は、ＩＣＭＰ  Ｅｃｈｏ  Ｒｅｐｌｙである、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記第２の通信手段によって、前記相手装置から所定の信号を受信したかに基づいて、前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項７】
前記所定の信号は、ＩＣＭＰ  Ｅｃｈｏ  Ｒｅｑｕｅｓｔである、
ことを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記判定手段は、周期的に、前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記第２の通信モードである場合に、前記第２の通信手段に対する電力の供給を制限する制限手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記制限手段は、前記判定手段による判定のための信号の送信または受信のための期間は、前記第２の通信手段に対する電力の供給の制限を行わない、
ことを特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記第１の通信手段による通信に失敗した場合、前記第２の通信手段を介して前記相手装置と通信を継続する、
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記第２の通信手段による通信に失敗した場合、アドホックネットワークを介して前記相手装置と通信する第３の通信手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記アドホックネットワークは、前記通信装置または前記相手装置のいずれかが生成した無線ネットワークである、
ことを特徴とする請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１４】
通信装置の制御方法であって、
前記通信装置は、相手装置と直接接続する第１の通信手段と、他の装置を介して前記相手装置と接続し、前記第１の通信手段による接続を確立するための通信の少なくとも一部を実行する第２の通信手段とを有し、
前記方法は、
第１の通信モードよりも前記第１の通信手段の消費電力が少ない第２の通信モードで動作している際に、前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したと判定された場合、前記第２の通信モードから前記第１の通信モードへ移行して、前記第１の通信手段による前記相手装置との通信を継続するように制御する制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１５】
コンピュータを請求項１から１３のいずれか１項に記載の通信装置として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明による通信装置は、相手装置と直接接続する第１の通信手段と、他の装置を介して前記相手装置と接続し、前記第１の通信手段による接続を確立するための通信の少なくとも一部を実行する第２の通信手段と、第１の通信モードよりも前記第１の通信手段の消費電力が少ない第２の通信モードで動作している際に、前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により前記相手装置と前記他の装置との通信が失敗したと判定された場合、前記第２の通信モードから前記第１の通信モードへ移行して、前記第１の通信手段による前記相手装置との通信を継続するように制御する制御手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子と、
前記光電変換素子から転送された前記電荷の量に応じた電圧を生成する浮遊拡散層と、
前記生成された電圧を初期化する浮遊拡散層リセットトランジスタと、
前記電圧をデジタル信号に変換する変換処理を行う変換部と、
前記電圧が初期化された後の所定のタイミングにおいて前記光電変換素子に蓄積された前記電荷の量を初期化する光電変換素子リセットトランジスタと、
前記変換処理に要する時間より短い露光時間が前記所定のタイミングから経過したときに前記光電変換素子から前記浮遊拡散層への前記転送を行う転送トランジスタと
を具備する撮像素子。
【請求項２】
前記光電変換素子、前記浮遊拡散層、前記浮遊拡散層リセットトランジスタ、前記光電変換素子トランジスタおよび前記転送トランジスタをそれぞれが備える複数の画素からなる画素アレイ部を具備し、
前記画素アレイ部は、複数の領域に区分され、
前記変換部は、前記変換したデジタル信号を前記領域ごとに出力する
請求項１記載の撮像素子。
【請求項３】
前記初期化された電圧から変換されたデジタル信号をノイズ成分として保持するノイズ成分保持部を前記複数の領域のそれぞれに設けた保持部と、
前記転送が行われると前記電圧から変換された前記デジタル信号に対して前記保持されたノイズ成分を除去するノイズ除去処理を行うノイズ除去部と
をさらに具備し、
前記光電変換素子リセットトランジスタは、前記所定のタイミングに前記複数の領域の全てにおいて前記電荷の量を初期化し、
前記転送トランジスタは、前記露光時間が前記所定のタイミングから経過したときに前記複数の領域の全てにおいて前記転送を行い、
前記変換部は、前記初期化された電圧と前記転送が行われたときの前記電圧のそれぞれに対して前記変換処理を行って前記デジタル信号に変換する
請求項２記載の撮像素子。
【請求項４】
前記初期化された電圧から変換されたデジタル信号を前記複数の領域のいずれかのノイズ成分として保持するノイズ成分保持部と、
前記転送が行われると前記電圧から変換された前記デジタル信号に対して前記保持されたノイズ成分を除去するノイズ除去処理を行うノイズ除去部と
をさらに具備し、
前記光電変換素子リセットトランジスタは、前記複数の領域のいずれかにおいて前記電荷の量を初期化し、
前記転送トランジスタは、前記複数の領域のいずれかにおいて前記転送を行う
請求項２または３に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記変換部が配置された変換部配置基板と、
前記光電変換素子、前記浮遊拡散層リセットトランジスタ、前記光電変換素子トランジスタおよび前記転送トランジスタが配置され、前記変換部配置基板に積層された画素配置基板と
をさらに具備する請求項１記載の撮像素子。
【請求項６】
放射線が入射されると光を生成するシンチレータと、
前記生成された光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子と、
前記光電変換素子から転送された前記電荷の量に応じた電圧を生成する浮遊拡散層と、
前記生成された電圧を初期化する浮遊拡散層リセットトランジスタと、
前記電圧をデジタル信号に変換する変換処理を行う変換部と、
前記電圧が初期化された後の所定のタイミングにおいて前記光電変換素子に蓄積された前記電荷の量を初期化する光電変換素子リセットトランジスタと、
前記変換処理に要する時間より短い露光時間が前記所定のタイミングから経過したときに前記光電変換素子から前記浮遊拡散層への前記転送を行う転送トランジスタと、
前記ノイズが除去されたデジタル信号に基づいて露光時間内に放射線が入射されたか否かを検出する放射線検出部と
を具備する放射線検出装置。
【請求項７】
前記光電変換素子、前記浮遊拡散層、前記浮遊拡散層リセットトランジスタ、前記変換部、前記光電変換素子トランジスタおよび前記転送トランジスタをそれぞれが備える複数の画素が配置された撮像素子を複数具備し、
前記検出部は、前記撮像素子ごとに前記放射線が入射されたか否かを検出する
請求項６記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記放射線検出部は、一定期間内の前記放射線の検出数から前記放射線の検出頻度を求め、
前記光電変換素子トランジスタは、前記放射線の検出頻度が所定頻度より高い場合には前記電圧が初期化された後の前記所定のタイミングにおいて前記電荷の量を初期化させ、前記所定頻度が前記検出頻度より高い場合には前記電圧が初期化される前に前記電荷の量を初期化させる
請求項６または７に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記転送トランジスタは、前記放射線の検出頻度が所定頻度より高い場合には前記変換処理に要する時間より短い露光時間が前記所定のタイミングから経過したときに前記転送を行い、前記所定頻度が前記検出頻度より高い場合には少なくとも前記変換処理に要する時間が前記所定のタイミングから経過したときに前記転送を行う
請求項８記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子から転送された前記電荷の量に応じた電圧を生成する浮遊拡散層において生成された前記電圧を浮遊拡散層リセットトランジスタが初期化する浮遊拡散層リセット手順と、
変換部が、前記電圧をデジタル信号に変換する変換処理を行う変換手順と、
光電変換素子リセットトランジスタが、前記電圧が初期化された後の所定のタイミングにおいて前記光電変換素子に蓄積された前記電荷の量を初期化する光電変換素子リセット手順と、
転送トランジスタが、前記変換処理に要する時間より短い露光時間が前記所定のタイミングから経過したときに前記光電変換素子から前記浮遊拡散層への前記転送を行う転送手順と
を具備する撮像素子の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルの一部となる配線と、を備えた構造体を複数個積層した積層体と、
前記積層体の表面を被覆する絶縁膜と、を有し、
隣接する前記構造体の前記配線同士を直列に接続して螺旋状のコイルを形成したコイル基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層上に前記配線を被覆して形成された第２の絶縁層を有する請求項１記載のコイル基板。
【請求項３】
前記配線の端面の一部は前記積層体の外壁面から露出し、前記外壁面から露出する前記端面は前記絶縁膜で被覆されている請求項１又は２記載のコイル基板。
【請求項４】
前記積層体を貫通する貫通孔が形成され、前記配線の端面の一部は前記貫通孔の内壁面から露出し、前記内壁面から露出する前記端面は前記絶縁膜で被覆されている請求項１乃至３の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項５】
１つの前記構造体に形成される前記配線は、コイルの１巻き以下である請求項１乃至４の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項６】
前記配線の端部に前記配線と一体に形成された接続部が設けられている構造体を含み、
前記接続部の一部は前記絶縁膜から露出している請求項１乃至５の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項記載のコイル基板となる複数の領域が配列されたコイル基板。
【請求項８】
第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルの一部となる配線と、を備えた構造体を複数個積層した積層体と、
前記積層体の表面を被覆する絶縁膜と、を有し、
隣接する前記構造体の前記配線同士を直列に接続して螺旋状のコイルを形成し、
前記配線の端部に前記配線と一体に形成された接続部が設けられている構造体を含み、
前記接続部の一部が前記絶縁膜から露出しているコイル基板と、
前記接続部の一部を除いて前記コイル基板を被覆する磁性体と、
前記磁性体の外側に形成され、前記接続部の一部と電気的に接続された電極と、を有するインダクタ。
【請求項９】
前記磁性体は、前記コイル基板を貫通する貫通孔内に充填されている請求項８記載のインダクタ。
【請求項１０】
前記磁性体は、前記磁性体を含む絶縁樹脂である請求項８又は９記載のインダクタ。
【請求項１１】
第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された金属層と、を備えた構造体を複数個作製する工程と、
隣接する前記構造体の前記金属層同士を接続しながら夫々の前記構造体を積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を成形して、夫々の前記構造体の金属層をコイルの一部を構成する形状の配線に同時に加工し、前記配線同士が直列に接続された螺旋状のコイルを形成する工程と、を有するコイル基板の製造方法。
【請求項１２】
前記構造体を複数個作製する工程では、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された金属層と、前記第１の絶縁層上に前記金属層を被覆して形成された第２の絶縁層と、を備えた構造体を作製する請求項１１記載のコイル基板の製造方法。
【請求項１３】
複数個の前記構造体を作製する工程は、
第１基板上に第１構造体を作製する工程と、
第２基板上に第２構造体を形成する工程と、を含み、
前記積層体を形成する工程は、
前記第１構造体と前記第２構造体とを対向配置し、前記第１基板と前記第２基板が外側になるように積層する工程と、
前記第１構造体の金属層と前記第２構造体の金属層とを直列に接続する工程と、を含む、請求項１１又は１２記載のコイル基板の製造方法。
【請求項１４】
前記積層体の成形をプレス加工により行う請求項１１乃至１３の何れか一項記載のコイル基板の製造方法。
【請求項１５】
前記積層体の成形をレーザ加工により行う請求項１１乃至１３の何れか一項記載のコイル基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
光送信回路２２は、入力バッファ回路４１およびＬＤＤ（Laser Diode Driver：レーザダイオード駆動回路）４２を有して構成され、信号処理回路２１から供給される差動電圧信号を電流信号に変換して、その変換した信号を光通信用光源２３に供給する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このように、ＬＤＤ４２は、上述したような多くの電流が発生することを回避し、平均消費電流Ｉｂ分の電流だけを消費することができるように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
光送信回路２１３は、Ｎ個の送信機２２１−１乃至２２１−Ｎを備えており、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎに光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎがそれぞれ接続されている。送信機２２１−１乃至２２１−Ｎは、入力バッファ回路４１およびＬＤＤ４２をそれぞれ備えており、信号処理部２１２から供給される差動電圧信号に従って、光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎに電流信号を並列的に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
このように構成される光送信装置２１１において、低消費電力で、並列的に光送信することができる。なお、図１９の光送信回路２１３は、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎおよび光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎを備えて構成されているが、例えば、光送信回路２１３としては、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎだけを備える構成とし、光送信回路２１３に対して光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎが接続されるようにしてもよい。また、光送信回路２１３が、信号処理部２１２および送信機２２１−１乃至２２１−Ｎを備える構成としてもよい。また、光送信回路２１３が、信号処理部２１２、送信機２２１−１乃至２２１−Ｎ、および光通信用光源２２２−１乃至２２２−Ｎを備える構成としてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
信号強度測定部３３１は、受光素子３１４からトランスインピーダンスアンプ３３２に供給されるシングルエンドの電流信号の強度を測定する。