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　特願２０１４−５５１１１８「ピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　６月１２日国際公開、ＷＯ２０１４／０８８０２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・拒絶理由の概要
　
特許出願：　平成２５年１２月４日
（優先権主張平成２４年１２月６日を伴う国際出願）
拒絶理由通知：　平成２７年９月２５日（発送日：同年同月２９日）
拒絶査定：　平成２８年２月８日（送達日：同年同月１６日）
拒絶査定不服審判の請求：　平成２８年５月２日 
手続補正：　平成２８年５月２日 （以下、「本件補正」という。）
拒絶理由通知：　平成２８年７月１１日
（以下、「拒絶理由２」という。発送日：同年同月１９日）
　
　そして、拒絶理由２の概要は、本願の請求項１ないし５に係る発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１０−７１８５０号公報（発明の名称：加速度センサ素子、加速度センサ装置及び加速度センサ素子の製造方法、出願人：京セラ株式会社、公開日：平成２２年４月２日、以下、「引用例１」という。）に記載された発明などに基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、本件補正によって補正された明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項３に係る発明は次のとおりである。 
　
「厚み１μｍ以上のＳｉで構成され、検出量に応じて変位する変位部を備え、前記変位部の内部に不純物の拡散によるピエゾ抵抗素子が形成されたピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサにおいて、
　表面Ｓｉ膜とＳｉＯ２層とＳｉ基板とからなるＳＯＩ基板を含んで構成されており、
　前記変位部は、前記ＳＯＩ基板における前記表面Ｓｉ膜側の表面である第１面を有し、
　前記ピエゾ抵抗素子は前記第１面から０．５μｍより深く、前記変位部の厚み寸法の１／２の深さより浅い位置に不純物濃度のピークがあることを特徴とするピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサ。」（以下「本願発明」という。）
　
　
第３　引用例記載の事項・引用発明
１　引用例１には、次の事項（ａ）ないし（ｃ）が図面とともに記載されている。（下線は当審による。以下同様。）
　
（ａ）
「【０００１】
  本発明は、加速度センサ素子、加速度センサ装置及び加速度センサ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
  ピエゾ抵抗効果を利用して加速度を検出する加速度センサ装置が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１の加速度センサ装置は、重り部と、重り部を支持する梁部と、梁部を支持する固定部と、梁部に設けられたピエゾ抵抗素子とを有している。加速度センサ装置に加速度に比例した外力が加えられると、重り部が固定部に対して変位するとともに梁部に曲げ変形が生じる。そして、梁部とともに曲げ変形が生じたピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を検出することにより、加速度が検出される。」
　
（ｂ）
「【００２２】
  孔部７は例えば、円柱状に形成されておりその開口部７ａの直径φおよび深さｄは主として接着剤８との関係を考慮して設定される。具体的には、接着剤８を基板１の主面１Ａ（図３）に塗布した際の接着用部材の塗布面（基板１との接触面）の面積を予め測定しておき、その面積よりも小さくなるように開口部７ａの直径φが設定される。一方、孔部７の深さｄは、基板１の主面１Ａに塗布した際の接着剤８の高さを予め測定しておき、その高さよりも大きくなるように設定される。また、接着剤８にスペーサ部材１７（図３（ｂ））が含有されている場合には開口部７ａの直径φを、スペーサ部材１７の直径サイズより５倍以上大きくすることが好ましい。これにより余分な接着剤８が孔部７に入りやすくなる。さらにセンサ素子２０をウエハ状態から個片に切り出すときの耐衝撃性を考慮すると開口部７ａの淵（孔部７の内壁面）から固定部１３の外周面までの距離は１００μｍ以上にしておくことが好ましい。また
センサ素子２０をＳＯＩ基板により作製する
【００２３】
  なお、孔部７の形状は円柱状に限らず、例えば四角柱や三角柱など任意の形状が可能である。
【００２４】
  このような固定部１３と重り部１１との間には図４に示すように梁部１２が設けられている。梁部１２は、一方端が重り部１１の各辺の上面側中央部に連結され、他方端が固定部１３の内周における各辺の上面側中央部に連結されており、本実施形態におけるセンサ素子２０では、４本の梁部１２が設けられている。
【００２５】
 
 梁部１２は可撓性を有し、センサ素子２０に加速度が加わると重り部１１が動き、重り部１１の動きに伴って梁部１２が撓むようになっている。梁部１２は、
厚みが５μｍ〜２０μｍに設定されている。
　
（ｃ）
「【００３３】
  ＜センサ素子の製造方法＞
  図６は、センサ素子２０の製造方法を説明する断面図である。
【００３４】
  （工程Ａ；抵抗素子１５の形成）
  図６（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板２７に対して表面加工を行う。
ＳＯＩ基板２７は、絶縁層２４と、絶縁層２４の一方側に積層された半導体層２５と、絶縁層２４の他方側に積層された支持層２６とを有するものである。絶縁層２４は、例えばＳｉＯ２により形成されている。半導体層２５は、例えばシリコンにより形成されている。支持層２６は、例えば、シリコン等の半導体により形成されている。
【００３５】
  具体的には、
半導体層２５にイオン注入法により不純物を注入することでピエゾ抵抗からなる抵抗素子１５を形成する。
【００３６】
  （工程Ｂ；重り部１１、梁部１２及び固定部１３の形成）
  次に、図６（ｂ）に示すように、従来周知の
半導体微細加工技術
によりＳＯＩ基板２７の半導体層２５側と支持層２６側から加工を施すことにより、重り部１１、梁部１２及び固定部１３を形成する。
【００３７】
  具体的には、まず、重り部１１と固定部１３とを区切る溝部に対応する領域において半導体層２５を除去する。次に、上記の溝部及び凹部１１ａに対応する領域において支持層２６を除去する。さらに、上記の溝部に対応する領域において絶縁層２４を除去する。以上のようにして、半導体層２５、絶縁層２４及び支持層２６を貫通する溝部が形成され、当該溝部によりＳＯＩ基板２７が内周側と外周側とに区切られ、重り部１１と固定部１３とが形成される。また、溝部の間欠部分（溝部が途切れる部分）における
半導体層２５により梁部１２が形成される。
　
　上記記載（ａ）ないし（ｃ）、及び図面の第４〜６図の記載から、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「シリコンにより形成されている半導体層２５により形成される、厚みが５μｍ〜２０μｍに設定されている梁部１２であって、可撓性を有し、センサ素子２０に加速度が加わると重り部１１が動き、重り部１１の動きに伴って梁部１２が撓むようになっている、梁部１２が形成されており、半導体層２５にイオン注入法により不純物を注入することでピエゾ抵抗からなる抵抗素子１５が形成され、半導体微細加工技術によりＳＯＩ基板２７の半導体層２５側と支持層２６側から加工を施すことにより、重り部１１、梁部１２及び固定部１３を形成する、センサ素子２０であって、
　ＳｉＯ２により形成されている絶縁層２４と、シリコンにより形成されている半導体層２５と、シリコン等の半導体により形成されている支持層２６とを有するＳＯＩ基板により作製されている、センサ素子２０。」（以下「引用発明１」という。）
２　拒絶理由２において引用文献３として示された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−１３１０３５号公報（以下、「引用例３」という。）には、「ピエゾ抵抗素子の製造方法」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）ないし（ｂ）が図面とともに記載されている。
　
（ａ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば圧力センサやフローセンサなどの力学量センサに利用される
ピエゾ抵抗素子を製造する方法
【０００２】
【従来の技術】ピエゾ抵抗素子を作製する方法としては、・・・基板（例えばシリコン単結晶基板）に、
拡散法あるいはイオン注入法によって不純物を添加することによって、
基板２１の表面に抵抗層２２を形成する方法
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】・・・
抵抗層２２が基板表面に位置するため、外部電界の影響（表面電界効果）を受け、抵抗値が変動するという問題
　
（ｂ）
「【０００９】
【実施例】本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。図１は本発明方法の実施例の手順を説明する図である。
　・・・
【００１３】ここで、以上の(a) 〜(g) 工程により作製したデバイスのキャリア濃度分布を測定したところ、図２に示すように、基板表面層の導電型（ｎ型）は残したままの状態（低濃度）で、その
表面から深さ約 1.8μｍの位置をピークとする高濃度の抵抗層（ｐ型）が得られる
　
　上記記載（ａ）ないし（ｂ）、及び図面の第１〜２図の記載から、引用例３には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「拡散法あるいはイオン注入法によって不純物を添加することによって、基板２１の表面に抵抗層２２を形成する、ピエゾ抵抗素子を製造する方法において、
　抵抗層２２が基板表面に位置するため、外部電界の影響（表面電界効果）を受け、抵抗値が変動するという問題に対し、
　表面から深さ約 1.8μｍの位置をピークとする高濃度の抵抗層（ｐ型）が得られるようにした、ピエゾ抵抗素子を製造する方法。」（以下「引用発明２」という。）
　
第４　対比
　本願発明と引用発明１とを、主たる構成要件毎に、順次対比する。　
　まず、引用発明１における「シリコンにより形成されている半導体層２５により形成される、厚みが５μｍ〜２０μｍに設定されている梁部１２であって、可撓性を有し、センサ素子２０に加速度が加わると重り部１１が動き、重り部１１の動きに伴って梁部１２が撓むようになっている、梁部１２」は、本願発明における「厚み１μｍ以上のＳｉで構成され、検出量に応じて変位する変位部」に相当する。
　次に、引用発明１においては、「梁部１２」が「半導体層２５」により形成され、その「半導体層２５」に「イオン注入法により不純物を注入することでピエゾ抵抗からなる抵抗素子１５が形成され」ているのであるから、「梁部１２」の内部に「不純物を注入すること」による「ピエゾ抵抗からなる抵抗素子１５が形成され」ており、これは本願発明において「前記変位部の内部に不純物の拡散によるピエゾ抵抗素子が形成された」ことに相当する。また、引用発明１の「センサ素子２０」は、「半導体微細加工技術によりＳＯＩ基板２７の半導体層２５側と支持層２６側から加工を施すことにより、重り部１１、梁部１２及び固定部１３を形成する」ものであるから、いわゆるＭＥＭＳセンサに該当する。したがって、引用発明１における「半導体層２５にイオン注入法により不純物を注入することでピエゾ抵抗からなる抵抗素子１５が形成され、半導体微細加工技術によりＳＯＩ基板２７の半導体層２５側と支持層２６側から加工を施すことにより、重り部１１、梁部１２及び固定部１３を形成する、センサ素子２０」は、本願発明における「前記変位部の内部に不純物の拡散によるピエゾ抵抗素子が形成されたピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサ」に相当する。
　さらに、引用発明１における「ＳｉＯ２により形成されている絶縁層２４と、シリコンにより形成されている半導体層２５と、シリコン等の半導体により形成されている支持層２６とを有するＳＯＩ基板」は、本願発明における「表面Ｓｉ膜とＳｉＯ２層とＳｉ基板とからなるＳＯＩ基板」に相当する。
　また、引用発明１の「梁部１２」（本願発明の「変位部」に相当。）は、「半導体層２５」（本願発明の「ＳＯＩ基板における」「表面Ｓｉ膜」に相当。）により形成されているものであるから、「半導体層２５」側の表面である第１面を有していることは明らかであり、これは本願発明において「前記変位部は、前記ＳＯＩ基板における前記表面Ｓｉ膜側の表面である第１面を有し」ていることに相当するといえる。
　
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
　
（一致点）
「厚み１μｍ以上のＳｉで構成され、検出量に応じて変位する変位部を備え、前記変位部の内部に不純物の拡散によるピエゾ抵抗素子が形成されたピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサにおいて、
　表面Ｓｉ膜とＳｉＯ２層とＳｉ基板とからなるＳＯＩ基板を含んで構成されており、
　前記変位部は、前記ＳＯＩ基板における前記表面Ｓｉ膜側の表面である第１面を有する、
　ピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサ。」　
　
（相違点）
　本願発明においては「前記ピエゾ抵抗素子は前記第１面から０．５μｍより深く、前記変位部の厚み寸法の１／２の深さより浅い位置に不純物濃度のピークがあることを特徴とする」とされているのに対し、引用発明においてはそのような特定は無い点。
　
  　
第５　判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明２は、「イオン注入法によって不純物を添加することによって、基板２１の表面に抵抗層２２を形成する、ピエゾ抵抗素子を製造する方法」であるから、引用発明１のセンサ素子の製造方法と同様なものといえる。
　そして、引用発明２は、そのように製造されたピエゾ抵抗素子において、抵抗層が基板表面に位置すると外部電界の影響（表面電界効果）を受け、抵抗値が変動するということを課題とし、その対策として「表面から深さ約 1.8μｍの位置をピークとする高濃度の抵抗層（ｐ型）が得られるようにした」ものである。
　ここで、上記課題が同様な製造方法により製造される引用発明１のセンサ素子においても共通して存在することは明らかであり、その課題を解消するために引用発明２を採用することは、当業者が容易になし得たものである。
　また、引用発明２を採用する場合、その課題が外部電界の影響（表面電界効果）に対応するものであることを考慮すれば、表面からの深さ約 1.8μｍという値は、抵抗層を形成する梁部（基板）の厚みによらず確保される必要がある深さの値であることは明らかである。
　そうすると、「厚みが５μｍ〜２０μｍに設定されている梁部１２」を有する引用発明１に対して引用発明２のピエゾ抵抗素子を製造する方法を適用することにより得られる構成は、表面からの深さが０．５μｍより深い、約 1.8μｍの位置をピークとする高濃度の抵抗層（ｐ型）であって、該深さは梁部１２の厚みの１／２である２．５μｍ〜１０μｍより浅い位置となり、これは本願発明の上記相違点に係る構成に相当するものである。
　したがって、本願発明は引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明し得たものである。
　
　
第６　むすび
　本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。