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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも繊維を含む原料を空気中で粗砕して細片にする粗砕部と、
少なくとも前記細片を空気中で解繊する解繊部と、
前記解繊部で解繊された解繊物を用いてシートを成形する成形部と、を備えたシート製造装置であって、
前記解繊部で単位時間あたりに解繊処理される量である解繊処理量は、前記粗砕部で単位時間あたりに粗砕処理される量である粗砕処理量よりも大きいもしくは同じであることを特徴とするシート製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載のシート製造装置において、
前記解繊物を、複数の開口を通過する通過物と、通過しない残留物とに選別する選別部と、
前記残留物を前記解繊部に搬送する第１の搬送路と、を有し、
前記第１の搬送路を単位時間あたりに通過する通過量と前記粗砕処理量との和よりも前記解繊処理量の方が大きいもしくは同じであることを特徴とするシート製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載のシート製造装置において、
前記シートを切断する切断部と、
前記切断部で切断した際に発生する端材を搬送する第２の搬送路と、を有し、
前記第２の搬送路を単位時間あたりに通過する通過量と前記粗砕処理量との和よりも前記解繊処理量の方が大きいもしくは同じであることを特徴とするシート製造装置。
【請求項４】
少なくとも繊維を含む原料を空気中で粗砕して細片にする粗砕部と、
前記細片を空気中で解繊する解繊部と、を備える原料解繊装置であって、
前記解繊部で単位時間あたりに処理される解繊処理量は、前記粗砕部で単位時間あたりに処理される粗砕処理量よりも大きいもしくは同じであることを特徴とする原料解繊装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月10日(2016.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用者が所持する認証装置との認証が成功した場合に車両において予め設定された車両制御を実施する車両制御装置であって、
前記認証装置として、
使用者が所持する認証装置との認証が成功した場合に車両において予め設定された車両制御を実施する車両制御装置（１０）と、前記認証装置として機能する携帯機（４０ａ）と、の両方に対して通信可能に構成された通信装置（４０ｂ）であって、
前記認証装置としての機能を備え、
前記車両制御装置との認証を行う際に、前記携帯機との無線通信を行う対携帯機通信手段（Ｓ２３０、Ｓ９２０）と、
前記携帯機との無線通信が成立した場合に、前記車両制御装置との認証を実施する認証手段（Ｓ２５０、Ｓ９４０）と、
を備えた通信装置と通信可能に構成され、
当該車両制御装置は、
前記通信装置との通信状態を監視する通信監視手段（Ｓ７７０、Ｓ７８０）と、
前記通信装置との通信が遮断された状態となると、前記車両制御の継続を禁止する制御禁止手段（Ｓ７９０）と、
を備えたことを特徴とする車両制御装置。
【請求項２】
使用者が所持する認証装置との認証が成功した場合に車両において予め設定された車両制御を実施する車両制御装置（１０）と、前記認証装置として機能する携帯機（４０ａ）と、の両方に対して通信可能に構成された通信装置（４０ｂ）であって、
当該通信装置は前記認証装置として機能し、
前記車両制御装置との認証を行う際に、前記携帯機との無線通信を行う対携帯機通信手段（Ｓ２３０、Ｓ９２０）と、
前記携帯機との無線通信が成立した場合に、前記車両制御装置との認証を実施する認証手段（Ｓ２５０、Ｓ９４０）と、
設備側に配置された他の通信装置と通信し、設備に応じた通信可能距離を設定する通信距離設定部（Ｓ４１０〜Ｓ４５０）と、
を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項３】
請求項２に記載の通信装置において、
前記対携帯機通信手段は、前記携帯機との無線通信を行うことで前記車両制御装置との認証に必要な認証情報を前記携帯機から取得し、
前記認証手段は、前記携帯機から取得した認証情報を用いて前記車両制御装置との認証を実施すること
を特徴とする通信装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の通信装置において、
当該通信装置と前記携帯機とを近接させることで通信可能となる第１の通信手法を用いて前記携帯機と通信を行うための通信情報を交換する通信情報交換手段（Ｓ２１０）、
を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項５】
請求項２〜請求項４の何れか１項に記載の通信装置において、
第２の通信手法を用いて前記車両制御装置との認証を開始する旨の開始信号を取得する開始信号取得手段（Ｓ２２０）、
を備え、
前記対携帯機通信手段は、前記開始信号を受信すると前記第２の通信手法とは異なる第３の通信手法を用いて前記携帯機との無線通信を行うこと
を特徴とする通信装置。
【請求項６】
請求項５に記載の通信装置において、
前記対携帯機通信手段は、前記開始信号を前記携帯機に送信すること
を特徴とする通信装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の通信装置において、
前記第２の通信手法としてＬＦ（low frequency）通信を利用し、前記第３の通信手法としてＲＦ（radio frequency）通信を利用すること
を特徴とする通信装置。
【請求項８】
使用者が所持する認証装置との認証が成功した場合に車両において予め設定された車両制御を実施する車両制御装置（１０）と、前記認証装置として機能する携帯機（４０ａ）と、前記車両制御装置および前記携帯機の両方に対して通信可能に構成された通信装置（４０ｂ）と、を備えた車両制御システム（１）であって、
前記通信装置は、請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の通信装置として構成されており、
前記車両制御装置は、請求項１に記載の車両制御装置として構成されていること
を特徴とする車両制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｒ含有水溶液とＴｉ含有水溶液をそれぞれ調製する工程Ａ１と、
前記Ｓｒ含有水溶液と、前記Ｔｉ含有水溶液とを混合して混合溶液を調製する工程Ｂ１と、
該混合溶液中に塩基性化合物を加えて前記混合溶液を塩基性に調整して反応液を調製する工程Ｃ１と、
該反応液を３５０℃以上の亜臨界反応又は超臨界反応させる工程Ｄ１と、
該工程Ｄ１を実施する前に、金属元素を含まない有機塩基性化合物と、カルボキシル基を有する両親媒性化合物とを前記Ｓｒ含有水溶液，前記Ｔｉ含有水溶液，前記混合溶液，又は前記反応液に加える工程Ｅ１とを有し、
該工程Ｄ１で用いる前記反応液のｐＨが１０超であるチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｄ１を実施する前に塩基性物質又酸性物質を前記Ｓｒ含有水溶液，前記Ｔｉ含有水溶液，前記混合溶液，又は前記反応液に加える工程Ｆ１を有する請求項１記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｄ１で用いる前記反応液のｐＨが１１以上である請求項１記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項４】
Ｓｒ含有水溶液とＴｉ含有水溶液をそれぞれ調製する工程Ａ１と、
前記Ｓｒ含有水溶液と、前記Ｔｉ含有水溶液とを混合して混合溶液を調製する工程（Ｂ１）と、
該混合溶液中に塩基性化合物を加えて前記混合溶液を塩基性に調整して反応液を調製する工程Ｃ１と、
該反応液を亜臨界反応又は超臨界反応させる工程Ｄ１と、
該工程Ｄ１を実施する前に、金属元素を含まない有機塩基性化合物と、カルボキシル基を有する両親媒性化合物とを前記Ｓｒ含有水溶液，前記Ｔｉ含有水溶液，前記混合溶液，又は前記反応液に加える工程Ｅ１とを有し、
前記工程Ｃ１において、前記塩基性化合物の電離度が０．８以上であり、
前記工程Ｄ１で用いる前記反応液の前記塩基性化合物の濃度が０．６０mol/l以上であるチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｄ１で用いる前記反応液の前記塩基性化合物の濃度が０．７０mol/l以上である請求項４記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項６】
前記両親媒性化合物が炭素数２以上２０以下の有機酸である請求項１〜５いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項７】
前記両親媒性化合物が炭素数１０以上２０以下の有機酸である請求項６記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項８】
前記両親媒性化合物が、オレイン酸，デカン酸，ラウリン酸，ウンデセン酸，リノール酸、及びリノレン酸のうち少なくとも１種である請求項７記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項９】
前記有機塩基性化合物が、アミン化合物，アンモニア，ヒドラジン，及びこれらの誘導体のうち少なくとも１種である請求項１〜８いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１０】
前記有機塩基性化合物が、ヒドラジン，ヒドラジン１水和物，オレイルアミン，及びヒドラジン誘導体のうち少なくとも１種である請求項９記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記両親媒性化合物が、オレイン酸であり、前記有機塩基性化合物が、ヒドラジンである請求項１〜８いずれか記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１２】
前記工程Ｄ１で用いる前記反応液中において、前記Ｔｉのモル数Ｘと、前記両親媒性化合物のモル数Ｙと、前記有機塩基性化合物のモル数Ｚが、
０＜Ｙ／Ｘ≦６及び０≦Ｚ／Ｘ≦８を満足する
請求項１〜１１いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１３】
前記Ｘと前記Ｙと前記Ｚが、１≦Ｙ／Ｘ≦４を更に満足する請求項１２記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｘと前記Ｙと前記Ｚが、０≦Ｚ／Ｘ≦４を更に満足する請求項１３記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１５】
前記工程Ｄ１で用いる前記反応液中において、Ｔｉ成分の濃度が０．１ｍｍｏｌ／Ｌ以上２０ｍｏｌ／Ｌ以下である請求項１〜１４いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１６】
前記工程Ｂ１において、ＳｒとＴｉのモル比Ｓｒ／Ｔｉが１以上となるように前記混合溶液を調製する請求項１〜１５いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１７】
前記工程Ｂ１において、Ｔｉ成分の主成分としてルチル型ＴｉＯ２を含んでいない前記Ｔｉ含有水溶液を用いる請求項１〜１６いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム粒子の製造方法。
【請求項１８】
前記工程Ａ１において、前記Ｓｒ含有水溶液が、ストロンチウムの酢酸塩、又は水酸化物もしくは硝酸塩を水に溶解させてなるものである請求項１〜１７いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項１９】
前記工程Ｄ１で用いる前記反応液は、Ｔｉ（ＯＨ）４及び／又はＨＴｉＯ３−イオンをＴｉ成分の主成分として含んでなる請求項１〜１８いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項２０】
前記工程Ａ１において、前記Ｔｉ含有水溶液として四塩化チタン水溶液を調製する請求項１〜１９いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項２１】
前記工程Ｃ１において、前記塩基性化合物が、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである請求項１〜２０いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項２２】
前記工程Ｃ１において、前記調整中に発生する固形物を粉砕する請求項１〜２１いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項２３】
前記工程Ｄ１において、前記亜臨界反応又は前記超臨界反応における反応温度の保持時間が１０分以内である請求項1〜２２いずれか1項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法。
【請求項２４】
請求項1〜２３いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子の製造方法により製造されてなり、形状が立方体若しくは直方体であるチタン酸ストロンチウム微粒子。
【請求項２５】
前記立方体若しくは直方体の表面に露出されている結晶面は、８５％以上が｛１００｝面である請求項２４記載のチタン酸ストロンチウム微粒子。
【請求項２６】
前記立方体若しくは直方体の１辺の長さが、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項２４又は２５いずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム微粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
これに対し、ｎ型のＳｉＣ半導体基板の表面上にＡｌを蒸着して２００ｎｍ程度の厚みで成膜し、このＡｌ膜にレーザー光の光パルスを照射して、ＳｉＣ基板にｐ型の不純物ドープ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照。）。特許文献１に記載の発明においては、室温、約６．７×１０−５Ｐａの低圧状態で、１Ｊ／ｃｍ２程度のエネルギー密度の光パルス（ＫｒＦエキシマレーザー、波長２４８ｎｍ）を、照射時間２０ｎｓで、４発（４ショット）照射して、不純物元素のＡｌを、ｎ型のＳｉＣ半導体基板の表面に４×１０２０ｃｍ−３レベルの濃度で導入する。しかし、特許文献１の技術を用いても、表面から５０ｎｍ〜１００ｎｍレベルの深さにおいては、Ａｌの導入濃度は１×１０１６ｃｍ−３レベルに留まる。この１×１０１６ｃｍ−３レベルの値が特許文献１の技術における導入濃度の最下限値である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ある照射フルエンスでドーピングを行うことが可能な最大膜厚ｘｍａｘは、ドーピングを行うことが可能なＡｌ／ＳｉＣ界面での最低温度をＴｌｉｍｉｔ（ｘ＝ｘｍａｘ）とすると下式が得られる。
【数１】
2016157911.tif 000001
式（２）より
【数２】
2016157911.tif 000002
を得る。ここでＡｌの熱伝導率はｋ＝２．３×１０２Ｗ／ｍＫ，比熱はρ＝０．９０Ｊ／ｇＫ、密度はＣ＝２．７ｇ／ｃｍ３であるので、熱拡散係数Ｄは、
Ｄ＝ｋ／ρＣ≒０．９５ｃｍ２／ｓ      …（４）
と求められる。よってレーザーパルス照射直後の熱拡散長αは、パルス幅が約５０ｎｓであるので、
【数３】
2016157911.tif 000003
と求められる。また（３）、（５）式より
【数４】
2016157911.tif 000004
を得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２中の膜厚上限直線Ｌの右側には、丸印（○）をデータ点とする３個のプロットａ１〜ａ３、三角印（△）をデータ点とする１個のプロットａ４及びプラス（＋）をデータ点とする１個のプロットｃ１が含まれている。３個の○印のプロットａ１〜ａ３のうち図中右側の２個のプロットａ１，ａ２の場合、エネルギー密度Ｆはいずれも４．０Ｊ／ｃｍ２程度であり、膜厚ｔｆはそれぞれ２４０ｎｍ程度と４８０ｎｍ程度である。また３個のプロットａ１〜ａ３のうち図中左側の○印のプロットａ３及び△印のプロットａ４の場合、エネルギー密度Ｆはいずれも３．７Ｊ／ｃｍ２程度であり、膜厚ｔｆはそれぞれ２４０ｎｍ程度と１２０ｎｍ程度である。また＋印のプロットｃ１の場合、エネルギー密度Ｆは４．０Ｊ／ｃｍ２程度であり、膜厚ｔｆは１２０ｎｍ程度である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
そして図２中の４個のプロットａ１〜ａ４のように、光パルスのエネルギー密度Ｆの値と不純物源膜４の膜厚ｔｆの値との組み合わせ（Ｆ，ｔｆ）が式（７）を満たすものであれば、１ショットで、対象物２の表面に不純物元素を高濃度、且つ、表面から深く導入することが可能となる。更に下限厚さｔｆｍｉｎ以上である３個のプロットａ１〜ａ３では、光パルス照射後に対象物２の表面に不純物源膜４が少なくとも一原子層相当の膜厚分残存させて、対象物２の表面に電極を設けて半導体素子を形成した際に所望のダイオード特性を得られるように、表面の欠陥を許容範囲に抑えることができる。一方、下限厚さｔｆｍｉｎ＝２４０ｎｍ未満である○印のプロットａ４及び＋印のプロットｃ１の場合、ドーピングできても表面の欠陥の程度が大きくなり、電気特性が劣化する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このとき、照射する光パルスのエネルギー密度Ｆは、４．０Ｊ／ｃｍ２と高エネルギー状態であるので、光パルスが照射された不純物源膜４の照射領域では、Ａｌが飛躍的に活性化して溶融し、エピ層２２との界面ではＡｌがエピ層２２の内部に導入される。また不純物源膜４のレーザー光６側の表面には、アブレーションによるプルーム２４が生じ、照射領域の周囲にＡｌが飛散すると共に照射領域周辺には溶融流動領域が生じる。その結果、図７に示すように、照射領域Ｓでは不純物源膜４の膜厚ｔｆが減じると共に、照射領域Ｓと非照射領域との境界近傍の領域の一部には、溶融流動によりＡｌの一部が盛り上がる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
光パルスの照射後、照射領域Ｓの不純物源膜４の内部では、高エネルギーの光パルスの照射により、対象物２の上面の一部もアブレーションし、対象物２の表面欠陥をなす陥凹部Ｍ（段差）が、多様な深さをなして複数形成されるが、先行して行われたステップＳ２及びＳ３の処理により、照射領域Ｓに形成される陥凹部Ｍの分布状態及び最大深さｄが制御されている。陥凹部Ｍのエピ層２２の表面からの最大深さｄは、１２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また陥凹部Ｍの内側には、陥凹部Ｍを介してエピ層２２の表面に固着し、且つ、上方に突出する複数の突起部３が、多様な高さをなして形成される。突起部３のエピ層２２の表面からの最大高さｈは、１２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。また光パルスの照射領域Ｓには、光パルス照射後に不純物導入領域２ａの表面に少なくとも一原子層相当の厚さが残るように、不純物源膜４の一部が、複数の突起部３を覆うように一定の厚みで堆積して残留している。そのため、図８（ａ）のＳＥＭ画像の上面図に示すように、図中に略正方形状で示されるショットの輪郭線の内側には、残留したＡｌ薄膜の淡い金属光沢が表れている。またショットの輪郭線の外側には、光パルス照射後にＡｌのアブレーションによって照射領域の周囲に溶融流動したＡｌ等により、黒みがかった色調で表れている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に沿って離隔して配置される複数の溝を有するベース部と、
前記ベース部とは異なる屈折率を持つ充填材料を前記複数の溝内に充填した複数の充填部と、
前記複数の充填部の前記一方の面側の端面形状により形成される１以上の凹部に所定の充填材料を充填した空洞充填部と、を備え、
前記ベース部と前記複数の充填部との屈折率差、前記ベース部と前記空洞充填部との屈折率差、および前記複数の充填部と前記空洞充填部との屈折率差の少なくとも一つは、０．１以上であり、
前記ベース部と前記複数の充填部との屈折率差、前記ベース部と前記空洞充填部との屈折率差、および前記複数の充填部と前記空洞充填部との屈折率差はいずれも、０．２以下である採光フィルム。
【請求項２】
前記空洞充填部に充填される前記所定の充填材料は、前記複数の充填部と同じ屈折率を持つ請求項１に記載の採光フィルム。
【請求項３】
前記空洞充填部に充填される前記所定の充填材料は、前記複数の充填部に充填される材料である請求項２に記載の採光フィルム。
【請求項４】
前記空洞充填部に充填される前記所定の充填材料は、前記ベース部の形成材料である請求項１に記載の採光フィルム。
【請求項５】
前記空洞充填部は、前記１以上の凹部の開口面の高さ以上の高さになるように前記１以上の凹部内に充填される請求項１乃至４のいずれかに記載の採光フィルム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の採光フィルムにおける前記空洞充填部が配置される前記一方の面側に接着層を介して配置される透明基材と、
前記接着層の前記空洞充填部とは反対側の面に接着層を介して配置される透明基材と、を備える採光具。
【請求項７】
一方の面に沿って離隔して配置される複数の溝を有するベース部における、前記複数の溝内に複数の充填部を形成し、前記複数の充填部の前記一方の面側の端面形状により形成される１以上の凹部の周囲及び凹部内に所定の充填材料を塗布する際に、前記ベース部と前記複数の充填部との屈折率差、前記ベース部と前記空洞充填部との屈折率差、および前記複数の充填部と前記空洞充填部との屈折率差の少なくとも一つを、０．１以上とし、かつ前記ベース部と前記複数の充填部との屈折率差、前記ベース部と前記空洞充填部との屈折率差、および前記複数の充填部と前記空洞充填部との屈折率差をいずれも０．２以下とする工程と、
前記ベース部の前記一方の面側の余分な前記所定の充填材料を掻き取る工程と、
前記１以上の凹部に充填された前記所定の充填材料を硬化させる工程を、凹部が埋まるまで少なくとも１回以上実施し、前記凹部へ充填材料を充填する工程と、を備える採光フィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月19日(2016.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現実風景に重畳して仮想情報を表示させるために必要な空間的な情報を与えるためのマーカを前記現実風景に投影する投影装置と、
前記マーカ投影光が投影された前記現実風景を撮影して現実画像を取得する撮影部と、
情報処理装置とを具備し、
前記情報処理装置が、
前記撮像された現実画像から前記マーカ投影光の画像をマーカ画像として抽出するマーカ検出部と、
前記仮想情報として表示する画像情報を送受信する送受信器と、
前記マーカ検出部により抽出された前記マーカ画像から前記空間的な情報を取得し、この空間的な情報と前記画像情報をもとに前記現実風景に重畳して表示させる前記仮想情報の画像を生成する画像生成部と
を具備する情報処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理システムであって、
前記第１の情報が、前記現実風景に投影されたマーカ投影光の座標系に前記現実風景に重畳して表示させる前記仮想情報の画像の座標系を一致させるために必要な情報である
情報処理システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の情報処理システムであって、
前記情報処理装置は、
他の情報処理システムとの間で前記送受信器を用いて前記画像情報を送受信するように構成された
情報処理システム。
【請求項４】
請求項３に記載の情報処理システムであって、
前記情報処理装置は、
サーバ装置から前記画像情報を取得し、前記送受信器を用いて前記他の情報処理システムに前記画像情報を供給するように構成された
情報処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理システム
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ発光体一個に、緑（青）；黄；赤の三個の光源（素子）を内蔵した構造のＬＥＤ発光体を複数個使用して交通信号機のライトの表示体とした、そのライトの形状を３個の円（緑又は青；黄；赤）が縦ないし横に絡み連なった形状にし、ライトをコンパクトにした、その幅は、限りなく一つの円に近くなるものから三個の円が離れる寸前まで幅広いものまであるようにした、ライトの配列は、縦の配列の場合は、下から上に緑（青）；黄；赤の順に並べた、その順に光色するようにした、横の配列の場合、左から右に緑又は青：黄：赤の順にし、その順にライトが光色するようにした交通信号機。
【請求項２】
請求項１のライトが、赤又、黄の表示の円において、緑（青）の任意の方向矢印を加えた、その方向矢印の形状は曲線の形にした、その矢印は、円の中心軸を基点に指示方向へ曲線を描いて示した、その方向矢印は、円内の一部分を共有して円外に突き出して示した交通信号機。
【請求項３】
請求項２の緑（青）の方向矢印は、ライトが赤の表示の円において、任意の時に、下方から指示方向に、順次小刻みに形成しながら点灯するようにするとともに、又消灯するときは下方から任意の時に、順次小刻みに消灯していくようにもした交通信号機。
【請求項４】
請求請２の方向矢印が予告信号として、ライトが赤の円が表示している時間に、任意の時に任意の時間、方向矢印を点滅にした交通信号機。
【請求項５】
交通信号機のライトの光を光明コントロール機器により明暗を自動的に調整する交通信号機。
【請求項６】
交通信号機において、ライトの緑（青）、黄、赤の間隔を開けて示し、黄光又は、赤光になった任意の時に、方向矢印を、その円の下方から、その円の中を通り、中心軸の起点から任意の方向へ、曲線を描き示し、その先端を、その円の外に出して示す交通信号機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】上記指摘したような本発明の実施するための形態の若干例を添付図面などを利用しながら説明する、図１は、交通信号機の全体図である、そのライトを詳細に説明する、発光ダイオード（ＬＥＤ）１個の中に、緑（青）素子１８、黄素子１９、赤素子２０三つの光源（素子）を内臓した、その下方の部分に電極マイナス側のカソード（Ｋ）緑（青）の素子に連結する足１５、カソード（Ｋ）黄の素子に連結する足１６、カソード（Ｋ）赤の素子に連結する足１７と、電極プラス側のアノード（Ａ）に連結する足１４を設けた（図２）参照、図３には、そのＬＥＤの回路図を示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】図４では、電源（バッテリー）と制御機器でＬＥＤを駆動させる配線図である、制御機器からの配線２５から（Ｋ）緑；青１５の足へ、配線２６から（Ｋ）黄１６の足へ、配線２７から（Ｋ）赤１７の足へ配線を接続した、それを通電させると緑（青）、黄、赤と順次点灯して繰り返えす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】図１３で、ライトの三個の円が、縦にからみ連なった形状の円が、限りなく一つの円に近づくところから、三個の円が離れる寸前まで幅広いことを示した、図１４では、信号機のライトの三個の円を、外枠１０の中に、赤ライト枠１１、黄ライト枠１２、緑（青）ライト枠１３と限りなく一つの円に近くなることを示した、又図１５では、三個のライトの円が離れる前の寸前までを示した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】図５０では、夜は月の光などは、受光版２８で受けた光は弱いため、それゆえ、ライトの光は昼よりは、強く光って見える、それで、夜はライトの光を制限して光らせる、光の調整を光明コントロール機器２９で自動調整する、図５１では、ライトの緑（青）、黄、赤の間隔を開けて示し、黄光又は、赤光になった任意円の外から、その円の中を通り、中心軸の起点から任意の方向へ曲線を描き示し、又その先端を、その円の外に出して示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４９】
2016157406.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５０】
2016157406.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５１
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図５１】
2016157406.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気発生システムの制御システムであって、
遅れ熱回収蒸気発生装置（ラグＨＲＳＧ）の二次ボイラの内部のドラムレベルと前記ドラムレベルの変化量のうちの少なくとも１つを検出するように構成された少なくとも１つのセンサと、
前記少なくとも１つのセンサに結合された制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記ラグＨＲＳＧの一次ボイラに対する流体圧力設定点を決定し、
先導熱回収蒸気発生装置（リードＨＲＳＧ）の一次ボイラからの流体流を、蒸気タービンエンジンの第１段に作動可能に結合された第１の導管内に運び、
前記リードＨＲＳＧの二次ボイラからの流体流を、蒸気タービンエンジンの第２段に作動可能に結合された第２の導管内に運び、
前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラから前記第１の導管内に流体流を加え、
前記ラグＨＲＳＧの前記二次ボイラから前記第２の導管内に流体流を加え、
検出された前記ドラムレベルと前記ドラムレベルの変化量のうちの少なくとも１つを入力として用いて、前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラに対する調節された流体圧力設定点を計算し、
前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラ内の流体圧力を、前記調節された流体圧力設定点と概ね等しくなるように維持する
ように構成される、
制御システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つのセンサは、前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラおよび前記二次ボイラと前記リードＨＲＳＧの前記一次ボイラおよび前記二次ボイラのそれぞれの少なくとも１つの作動状態を検知するようにさらに構成されている、請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
前記制御装置は、
前記リードＨＲＳＧの一次ボイラに対する流体圧力設定点を決定し、
検出された前記ラグＨＲＳＧの前記二次ボイラの前記ドラムレベルと前記ドラムレベルの変化量のうちの少なくとも１つを入力として用いて、前記リードＨＲＳＧの前記一次ボイラに対する調節された流体圧力設定点を計算し、
前記リードＨＲＳＧの前記一次ボイラ内の流体圧力を、前記調節された流体圧力設定点と概ね等しくなるように維持する
ようにさらに構成される、
請求項１または２に記載の制御システム。
【請求項４】
前記少なくとも１つのセンサは、前記蒸気タービンエンジンに対する流体流の負荷割合を検出するようにさらに構成されている、請求項１から３のいずれかに記載の制御システム。
【請求項５】
前記制御装置は、蒸気発生システム内の流体流を調節するために、少なくとも１つの制御バルブに少なくとも１つの信号を介して少なくとも１つの制御パラメータを送信することにより、前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラ内の前記流体圧力を維持するようにさらに構成されている、請求項１から４のいずれかに記載の制御システム。
【請求項６】
前記ラグＨＲＳＧの高圧区域が、前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラを含み、
前記リードＨＲＳＧの高圧区域が、前記リードＨＲＳＧの前記一次ボイラを含み、
前記ラグＨＲＳＧの中間圧区域が、前記ラグＨＲＳＧの前記二次ボイラを含み、
前記リードＨＲＳＧの中間圧区域が、前記リードＨＲＳＧの前記二次ボイラを含む、
請求項１から５のいずれかに記載の制御システム。
【請求項７】
第１の導管に作動可能に結合された一次ボイラと、第２の導管に作動可能に結合された二次ボイラとを有する先導熱回収蒸気発生装置（リードＨＲＳＧ）であって、前記第１の導管は蒸気タービンエンジンの第１段に作動可能に結合し、前記第２の導管は蒸気タービンエンジンの第２段に作動可能に結合する、リードＨＲＳＧと、
前記第１の導管に作動可能に結合された一次ボイラと、前記第２の導管に作動可能に結合された二次ボイラとを有する遅れ熱回収蒸気発生装置（タグＨＲＳＧ）と、
前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラおよび前記二次ボイラと前記リードＨＲＳＧの前記一次ボイラおよび前記二次ボイラのそれぞれに結合された制御システムと、
を備え、
前記制御システムが、
前記ラグＨＲＳＧの二次ボイラの内部のドラムレベルと前記ドラムレベルの変化量のうちの少なくとも１つを検出するように構成された少なくとも１つのセンサと、
前記少なくとも１つのセンサに結合された制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記ラグＨＲＳＧの一次ボイラに対する流体圧力設定点を決定し、
前記リードＨＲＳＧの一次ボイラからの流体流を前記第１の導管内に運び、
前記リードＨＲＳＧの二次ボイラからの流体流を前記第２の導管内に運び、
前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラから前記第１の導管内に流体流を加え、
前記ラグＨＲＳＧの前記二次ボイラから前記第２の導管内に流体流を加え、
検出された前記ドラムレベルと前記ドラムレベルの変化量のうちの少なくとも１つを入力として用いて、前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラに対する調節された流体圧力設定点を計算し、
前記ラグＨＲＳＧの前記一次ボイラ内の流体圧力を、前記調節された流体圧力設定点と概ね等しくなるように維持する
ように構成される、
蒸気発生システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月16日(2015.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１記憶装置と、
第１コントローラと、
ＣＰＵと、
第２コントローラと、を有し、
前記第１記憶装置は、前記第１記憶装置に記憶されている画像情報を出力する機能を有し、
前記第１コントローラは、前記第１記憶装置から出力された前記画像情報を用いて画像信号を生成する機能と、前記画像信号を駆動回路に供給する機能と、を有し、
前記ＣＰＵは、前記第１記憶装置、前記第１コントローラ、及び前記第２コントローラの動作を制御する機能を有し、
前記第２コントローラは、電源電圧の前記ＣＰＵへの供給の有無を選択する機能を有し、
前記駆動回路は、画素部への前記画像信号の入力を行う機能を有し、
前記ＣＰＵは、第２記憶装置を有し、
前記第２記憶装置は、前記電源電圧が前記ＣＰＵに供給されている期間内にデータを保持する機能を有する揮発性の第１記憶回路と、前記電源電圧が前記ＣＰＵに供給されていない期間内に前記データを保持する機能を有する第２記憶回路と、を複数組有し、
前記第２記憶回路は、前記データに従った量の電荷を蓄積する機能を有する記憶部と、前記記憶部に蓄積された前記電荷を保持する機能を有するトランジスタと、を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域にバンドギャップがシリコンよりも広い半導体を有する半導体装置。
【請求項２】
第１記憶装置と、
第１コントローラと、
ＣＰＵと、
第２コントローラと、を有し、
前記第１記憶装置は、前記第１記憶装置に記憶されている画像情報を出力する機能を有し、
前記第１コントローラは、前記第１記憶装置から出力された前記画像情報を用いて画像信号を生成する機能と、前記画像信号を駆動回路に供給する機能と、を有し、
前記ＣＰＵは、前記第１記憶装置、前記第１コントローラ、及び前記第２コントローラの動作を制御する機能を有し、
前記第２コントローラは、電源電圧及び駆動信号の前記ＣＰＵへの供給の有無を選択する機能を有し、
前記駆動回路は、画素部への前記画像信号の入力を行う機能を有し、
前記ＣＰＵは、第２記憶装置を有し、
前記第２記憶装置は、前記電源電圧及び前記駆動信号が前記ＣＰＵに供給されている期間内にデータを保持する機能を有する揮発性の第１記憶回路と、前記電源電圧及び前記駆動信号が前記ＣＰＵに供給されていない期間内に前記データを保持する機能を有する第２記憶回路と、を複数組有し、
前記第２記憶回路は、前記データに従った量の電荷を蓄積する機能を有する記憶部と、前記記憶部に蓄積された前記電荷を保持する機能を有するトランジスタと、を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域にバンドギャップがシリコンよりも広い半導体を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１記憶回路は、互いに、他の出力端子が自らの入力端子に接続されることで、前記データを保持する一対の論理素子を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記半導体は、酸化物半導体である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のパルス出力回路と、反転パルス出力回路と、を有し、
反転パルス出力回路は、第１乃至第８のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、走査線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲート及び前記第６のトランジスタのゲートは、前記第１のパルス出力回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート及び前記第７のトランジスタのゲートは、前記第２のパルス出力回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、クロック信号を供給する機能を有する配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のパルス出力回路の出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、第９及び第１０のトランジスタと、有機ＥＬ素子と、を有し、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記有機ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第１０トランジスタのゲートは、前記走査線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月19日(2015.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、ウレタン樹脂、および式（２）で示される化合物で表面処理された酸化亜鉛粒子を含有し、
該酸化亜鉛粒子の質量に対する該式（２）で示される化合物の質量の割合（質量％）をＡとし、該酸化亜鉛粒子の比表面積（ｍ２／ｇ）をＢとしたとき、表面処理量Ａ／Ｂが、０．０１０以上０．０５０以下であり、かつ、Ｂが、１４ｍ２／ｇ以上２５ｍ２／ｇ以下であることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2013137527.tif 000001
（式（２）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、炭素数が１〜３のアルキル基を示す。Ｒ３は、炭素数が１〜３のアルキル基、または炭素数が１〜３のアルコキシ基を示す。Ｒ４は、下記式（Ｒ４−１）、（Ｒ４−２）及び（Ｒ４−３）から選択されるいずれかを示す。Ｒ５は、水素原子、フェニル基、または炭素数１〜３のアルキル基を示す。）
【化２】
2013137527.tif 000002
（式（Ｒ４−１）、（Ｒ４−２）及び（Ｒ４−３）中、ｍは、１から３の整数である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキレン基を示す。）
【請求項２】
前記式（２）で示される化合物の表面処理量Ａ／Ｂが、０．０２５以上０．０５０以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記式（２）におけるＲ３が、炭素数が１〜３のアルキル基である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記下引き層が、さらに、架橋ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子を含有する請求項１から３いずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記下引き層が、さらに、ヒドロキシ基を有するベンゾフェノン化合物、および、ヒドロキシ基を有するアントラキノン化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
下引き層用塗布液の塗膜を形成する工程、および該塗膜を加熱乾燥させることにより前記下引き層を形成する工程を有し、
該下引き層用塗布液が、イソシアネート基を有する化合物、ポリオール樹脂、および前記式（２）で示される化合物で表面処理された酸化亜鉛粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の電子写真感光体は、支持体と、下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体であって、該下引き層が、ウレタン樹脂、および式（２）で示される化合物で表面処理された酸化亜鉛粒子を含有し、
該酸化亜鉛粒子の質量に対する該式（２）で示される化合物の質量の割合（質量％）をＡとし、該酸化亜鉛粒子の比表面積（ｍ２／ｇ）をＢとしたとき、表面処理量Ａ／Ｂが、０．０１０以上０．０５０以下であり、かつ、Ｂが、１４ｍ２／ｇ以上２５ｍ２／ｇ以下であることを特徴とする。
Ｂが１４ｍ２／ｇより小さいと、下引き層の抵抗が低くなりやすく、繰り返し時の明部電位が変動しやすくなる。Ｂが２５ｍ２／ｇより大きいと、下引き層にひび割れ等の膜欠陥が発生しやすくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
式（２）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、炭素数が１〜３のアルキル基を示す。Ｒ３は、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。Ｒ４は、下記式（Ｒ４−１）、（Ｒ４−２）及び（Ｒ４−３）から選択されるいずれかを示す。Ｒ５は、水素原子、フェニル基、または炭素数１〜３のアルキル基を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース又はドレインの一方にデータ信号の電位が与えられ、ゲートにゲート信号の電位が与えられるスイッチトランジスタと、
ソース又はドレインの一方に第１の電源電位が与えられ、ゲートが前記スイッチトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第１の駆動トランジスタと、
アノード又はカソードの一方に第２の電源電位が与えられるエレクトロルミネセンス素子と、
ソース又はドレインの一方が前記第１の駆動トランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記ソース又はドレインの他方が前記エレクトロルミネセンス素子のアノード又はカソードの他方に電気的に接続され、ゲートに第３の電源電位が与えられる第２の駆動トランジスタと、を有し、
前記第２の駆動トランジスタは、前記第１の駆動トランジスタと同じ導電型であり、
前記第２の駆動トランジスタは、前記第１の駆動トランジスタのドレイン電流に応じて飽和領域で動作し、
前記第１の駆動トランジスタが線形領域で動作する場合、飽和領域における前記第２の駆動トランジスタのドレイン電流の最大値をＩｄｍａｘとしたとき、前記Ｉｄｍａｘが下記数式（１）を満たす表示装置。
【数１】
2013137525.tif 000001
（ただし、数式（１）中、Ｌ１は前記第１の駆動トランジスタのチャネル長、Ｌ２は前記第２の駆動トランジスタのチャネル長、Ｗは前記第１の駆動トランジスタのチャネル幅、μは前記第１の駆動トランジスタの電界効果移動度、Ｖｇは前記第１の駆動トランジスタのゲートとソースの間の電圧、Ｖｔｈは前記第１の駆動トランジスタの閾値電圧、Ｃｏｘは前記第１の駆動トランジスタと前記第２の駆動トランジスタのゲート容量の和をそれぞれ表す。）
【請求項２】
Ｘ行Ｙ列（Ｘ及びＹは２以上の自然数）に配列された複数の画素回路と、
第１乃至第Ｙのデータ信号線と、
第１乃至第Ｘのゲート信号線と、
第１の電源線と、
第２の電源線と、
第３の電源線と、を有し、
前記複数の画素回路のそれぞれは、
ソース又はドレインの一方が前記第１乃至第Ｙのデータ信号線の一つに電気的に接続され、ゲートが第１乃至第Ｘのゲート信号線の一つに電気的に接続されるスイッチトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１の電源線に電気的に接続され、ゲートが前記スイッチトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第１の駆動トランジスタと、
一対の電極の一方が前記第１の駆動トランジスタのゲートに電気的に接続される容量素子と、
アノード又はカソードの一方が前記第２の電源線に電気的に接続されるエレクトロルミネセンス素子と、
ソース又はドレインの一方が前記第１の駆動トランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記ソース又はドレインの他方が前記エレクトロルミネセンス素子のアノード又はカソードの他方に電気的に接続され、ゲートが前記第３の電源線に電気的に接続される第２の駆動トランジスタと、を有し、
前記第２の駆動トランジスタは、前記第１の駆動トランジスタと同じ導電型であり、
前記第２の駆動トランジスタは、前記第１の駆動トランジスタのドレイン電流に応じて飽和領域で動作し、
前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、前記第１の駆動トランジスタが線形領域で動作する場合、飽和領域における前記第２の駆動トランジスタのドレイン電流の最大値をＩｄｍａｘとしたとき、前記Ｉｄｍａｘが下記数式（１）を満たす表示装置。
【数２】
2013137525.tif 000002
（ただし、数式（１）中、Ｌ１は前記第１の駆動トランジスタのチャネル長、Ｌ２は前記第２の駆動トランジスタのチャネル長、Ｗは前記第１の駆動トランジスタのチャネル幅、μは前記第１の駆動トランジスタの電界効果移動度、Ｖｇは前記第１の駆動トランジスタのゲートとソースの間の電圧、Ｖｔｈは前記第１の駆動トランジスタの閾値電圧、Ｃｏｘは前記第１の駆動トランジスタのゲート容量と前記第２の駆動トランジスタのゲート容量の和をそれぞれ表す。）
【請求項３】
水平解像度が８００ｐｐｉ以上である請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の駆動トランジスタ及び前記第２の駆動トランジスタのそれぞれがチャネル形成領域を有する半導体層を含み、
前記半導体層が単結晶シリコン層である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置を用いて構成されるパネルを筐体に備える電子機器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）パターン形成される１以上の層を含む基体を提供し；
（ｂ）フォトレジスト組成物の層を前記パターン形成される１以上の層上に適用し；
（ｃ）フォトレジスト組成物層を化学線でパターン様式で露光し；
（ｄ）露光したフォトレジスト組成物層を露光後べークプロセスにおいて加熱し；並びに
（ｅ）露光後ベークされたフォトレジスト組成物層を有機溶媒現像剤で現像し、それによりフォトレジストパターンを形成する；
ことを含み、
前記フォトレジスト組成物が下記一般式（Ｉ）：
【化１】
2013137513.tif 000001
（式中、Ｒ１は水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基を表し；ａは１〜３の整数を表し；並びにｂは０または１を表す）
の単位を含むポリマーを含み、ただし前記ポリマーが、下記式Ｍ−１、Ｍ−２、Ｍ−３およびＭ−４で表されるモノマーを重合してなるポリマーである場合を除く、
【化２】
2013137513.tif 000002
ネガティブトーン現像によってフォトリソグラフィパターンを形成する方法。
【請求項２】
前記ポリマーが酸不安定基を有する単位をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマーがラクトン基を含む単位をさらに含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）において、ａが１を表す請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）において、ｂが１を表す請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ１が水素を表す請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
Ｒ１がメチルを表す請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ポリ（Ｃ３〜Ｃ７アルキルメタクリラート）である第２のポリマーを前記フォトレジスト組成物がさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記現像剤が２−ヘプタノンを含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記現像剤が酢酸ｎ−ブチルを含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
フォトレジスト組成物製造
実施例１３
メチル−２−ヒドロキシイソブチラートに溶解させられたＰＡＧ  Ａ（以下に示される）の２重量％溶液１１．２ｇが１．３２３ｇのポリマーＡに添加された。ＰＧＭＥＡ中に溶解させられたドデシルジエタノールアミンの１重量％溶液２．１０５ｇがこの混合物に添加された。次いで、ＰＧＭＥＡ中のＰ（ｎＢＭＡ２５／ｉＢＭＡ７５）の１重量％溶液０．６４ｇが添加され、次いで２０．７８２ｇのＰＧＭＥＡ、１．４５２ｇのガンマバレロラクトンおよび１２．４９８ｇのメチル−２−ヒドロキシイソブチラートを添加した。得られた混合物はローラー上で６時間にわたってロールされ、次いで０．２ミクロン孔サイズを有するテフロン（登録商標）フィルタを通してろ過された。
【化１０】
2013137513.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項９】
一次ファンブレード列（４６）および前記一次ファンブレード列（４６）から軸方向後方に離隔された二次ファンブレード列（５０）を含むアンダクテッドファン区域（４４）を備えるアンダクテッド逆回転ファンエンジンであって、前記二次ファンブレード列（５０）が複数のエーロフォイル（７２）を含み、
各エーロフォイルが、
翼根部（７６）および該翼根部（７６）から半径方向外側に延在するように構成される、前縁先端を形成する先端部分（８８）と、
前縁（８４）、および前記前縁（８４）から翼弦方向下流に離隔された後縁（８６）で一体に結合される負圧面（８３）および正圧面（８１）と、
翼弦長（９４）を有し、翼弦方向に前記エーロフォイル（７２）の前記前縁（８４）と前記後縁（８６）との間に延在し、翼幅方向に前記翼根部（７６）と前記先端部分（８８）との間の前記エーロフォイル（７２）の長さに沿って離隔された複数の翼弦区域（９６）と、
先端形状（１００）と
を備え、
前記先端形状（１００）は、
前記前縁先端から前記後縁に向けて且つ少なくとも前記翼弦長（９４）の部分に沿って延在する一次下降斜面（１０４）を有する一次部分（１０２）と、
前記一次部分（１０２）から前記後縁（８６）に向かって前記翼弦長（９４）の少なくとも部分に沿って延在する二次下降斜面（１０８）を有する少なくとも１つの追加部分（１０６）と
を画定し、
前記一次下降斜面（１０４）が前記下降斜面（１０８）よりも大きく、
前記先端形状（１００）が、前記エーロフォイル（７２）の前記先端部分（８８）近傍の非常に不安定な圧力を低減するように構成される、アンダクテッド逆回転ファンエンジン。
【請求項２】
一次下降斜面（１０４）を有する前記一次部分（１０２）が前記前縁（８４）から前記先端部分（８８）で、翼弦方向に前記エーロフォイル（６２）の前記翼弦長（９４）の少なくとも２５％延在する、請求項１記載のアンダクテッド逆回転ファンエンジン。
【請求項３】
一次下降斜面（１０４）を有する前記一次部分（１０２）が前記前縁（８４）から前記先端部分（８８）で、翼弦方向に前記エーロフォイル（６２）の翼弦長（９４）の２５％未満延在する、請求項１記載のアンダクテッド逆回転ファンエンジン。
【請求項４】
前記エーロフォイル（６２）が、ダクテッドファンブレードまたはアンダクテッドファンブレード、ロータブレード、風力タービンブレード、あるいは航空機空気力学的表面の１つである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアンダクテッド逆回転ファンエンジン。
【請求項５】
ディスク（４４）と、
前記ディスク（４４）に結合された複数のアンダクテッドファンブレード（４６，５０）と
を備えるファン組立体であって、
前記複数のアンダクテッドファンブレード（４６，５０）のそれぞれが、
翼根部（７６）、前縁先端を形成する先端部分（８８）、ならびに前縁（８４）で、および前記前縁（８４）から翼弦方向下流に離隔された後縁（８６）で一体に結合される負圧面（８３）および正圧面（８１）を備えるエーロフォイル（７２）と、
翼弦長（９４）を有し、翼弦方向に前記エーロフォイル（７２）の前記前縁（８４）と前記後縁（８６）との間に延在し、翼幅方向に前記翼根部（７６）と前記先端部分（８８）との間の前記エーロフォイル（７２）の長さに沿って離隔された複数の翼弦区域（９６）と、
先端形状（１００）と
を備え、
前記先端形状（１００）は、
前記前縁先端から前記後縁に向けて且つ少なくとも前記翼弦長（９４）の部分に沿って延在する一次下降斜面（１０４）を有する一次部分（１０２）と、
前記一次部分（１０２）から前記後縁（８６）に向かって前記翼弦長（９４）の少なくとも部分に沿って延在する二次下降斜面（１０８）を有する少なくとも１つの追加部分（１０６）と
を画定し、
前記一次下降斜面（１０４）が前記下降斜面（１０８）よりも大きく、
前記先端形状（１００）が、前記エーロフォイル（７２）の前記先端部分（９９）近傍の非常に不安定な圧力を低減するように構成される、ファン組立体。
【請求項６】
前記エーロフォイル（７２）が、突風／先端渦相互作用に関連する騒音を低減するよう促進するように構成される、請求項５記載のファン組立体。