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　特願２０１１−１９５６２５「電磁結合構造を有する多層伝送線路板，該多層伝送線路板を有する電磁結合モジュール，アンテナモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開，特開２０１３−　５８８８７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯，本願発明
　本願は，平成２３年９月８日の出願であって，平成２７年６月２９日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年９月２４日付けで拒絶査定不服審判が請求され，更に当審において，平成２８年５月２７日付けで拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，同年７月２６日付けで手続補正がされたものである。
　本願の請求項１に係る発明は，平成２８年７月２６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下，「本願発明」という。）
「マイクロ波帯域で使用されるアンテナモジュールであって，
　２つの導体層の間に誘電体層と導体層とを交互に挟んで少なくとも２つの誘電体層と少なくとも１つの導体層とが積層された積層体であって，前記少なくとも１つの導体層の端部は電気的に開放されている積層体と，前記積層体上下にさらに誘電体を挟み込んで積層した２つの外側導体層を有し，一方の外側導体層には伝送線路とマイクロストリップアンテナを有し，もう一方の外側導体層には伝送線路と半導体チップを実装するパターンと，これに実装されるマイクロ波回路を形成した半導体チップと，を備え，前記積層体を貫通するように孔が設けられ，前記孔内に管状の金属膜を形成することにより，前記積層体表面の導体層同士を電気的に接続することで，外側導体層同士が電磁結合され，前記半導体チップとマイクロストリップアンテナとを接続したことを特徴とするアンテナモジュール。」
第２　引用発明と周知事項
１　引用発明
　当審拒絶理由で引用した特開平６−２９１５３６号公報（以下，「引用例」という。）には，「スロット結合型マイクロストリップアンテナ及び平面回路装置」の発明に関し以下の事項及び図面が記載されている。
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，概ね１ＧＨｚ以上のマイクロ波帯，準ミリ波帯又はミリ波帯の信号を送受信するスロット結合型マイクロストリップアンテナ，並びに上記信号を伝送する平面回路装置に関するものである。」（２頁１欄）
　
イ　「【００２０】この第１の実施例のスロット結合型マイクロストリップアンテナにおいては，図２５及び図２６の従来例における２つの誘電体基板２０，２３間に挟設される接地導体板１１に代えて，互いに対向する２つの接地導体板１１，１４を設け，当該２つの接地導体板１１，１４間に２つの誘電体層２１，２２を充填し，ここで，誘電体層２１，２２間に別のマイクロストリップ導体１２が挟設形成され，さらに，接地導体板１１に形成したスロットと対向するように接地導体板１４にスロットを形成し，当該２つのスロット間の部分の誘電体層２１，２２を除去して上記２つのスロット間を厚さ方向に貫通するスロット３０を形成し，形成したスロット３０の内面全面に，２つの接地導体板１１，１４を接続する接地導体１３を形成して，導体部分が接地された貫通スロット３１を形成したことを特徴とする。
【００２１】図１乃至図６において，裏面に給電線路用マイクロストリップ導体１５が形成された誘電体基板２３上に，接地導体板１４が形成される。当該接地導体板１４上に誘電体層２２が形成された後，誘電体基板２３の中央部から離れたところに別の線路のストリップ導体１２が形成される。次いで，ストリップ導体１２が形成された誘電体層２２上に誘電体層２１が形成された後，接地導体板１１が形成される。さらに，誘電体基板２３の中央部に接地導体板１１から誘電体層２１，２２を介して接地導体板１４まで厚さ方向に貫通し，平面形状が矩形形状のスロット３０がマイクロストリップ導体１５の長手方向に直交するように形成された後，当該スロット３０の内面全面に，２つの接地導体板１１，１４間を接続するスロット接地導体１３を形成して，貫通スロット３１が形成される。そして，接地導体板１１上に誘電体基板２０が形成された後，誘電体基板２０の中央部に矩形形状の放射導体１０が形成される。
【００２２】ここで，貫通スロット３１は放射導体１０の中央部の直下に位置する。マイクロストリップ導体１５と接地導体板１４とによって給電用マイクロストリップ線路を構成する一方，ストリップ導体１２とそれを挟設する２つの接地導体板１１，１４とによってトリプレート構造の別のストリップ線路を構成する。
【００２３】以上のように構成されたスロット結合型マイクロストリップアンテナにおいては，放射導体１０とマイクロストリップ導体１５とが貫通スロット３１を介して電磁的に接続されているので，上記給電用マイクロストリップアンテナ線路に送信すべきマイクロ波信号を入力することによって，マイクロストリップ導体１５から貫通スロット３１を介して放射導体１０を励振することができる。また，放射導体１０への給電線路と，ストリップ導体１２を含むストリップ線路とは，接地導体板１１，１４と貫通スロット３１によって電磁的に遮蔽されているので，当該スロット結合型マイクロストリップアンテナにおいて，放射導体１０への給電線路と完全に遮蔽された別のストリップ線路を設けることができる。」（４頁５〜６欄）
　
ウ　「【００３４】＜第４の実施例＞図２０は本発明に係る第４の実施例であるスロット結合型マイクロストリップアンテナの（図２１乃至図２４のＤ−Ｄ’線についての）縦断面図であり，図２１は図２０のスロット結合型マイクロストリップアンテナの平面図であり，図２２は図２０のスロット結合型マイクロストリップアンテナにおいてストリップ導体１２が形成された誘電体層２２から下側を見たときの平面図であり，図２３は図２０のスロット結合型マイクロストリップアンテナにおいて接地導体板１４から下側を見たときの平面図であり，図２４は図２０のスロット結合型マイクロストリップアンテナにおいて下側の裏面から上側を見たときの平面図である。図２０乃至図２４において，図１乃至図１９と同一のものについては同一の符号を付している。
【００３５】この第４の実施例は，第１の実施例に比較して，誘電体基板２３の裏面上に，ＲＦ／ＩＦ周波数変換回路を備えたＭＭＩＣ部４０が形成され，誘電体層２２上に形成された局部発振信号伝送用ストリップ導体１２と立体的に直交するようにストリップ導体１２とマイクロストリップ導体１５ｑとを電磁的に結合するための矩形形状のスロット３１ｉを接地導体板１４に形成する一方，誘電体基板２３の裏面上に当該スロット３１ｉと立体的に直交するように局部発振信号伝送用ストリップ導体１５ｑがＭＭＩＣ部４０に接続されるように形成されることを特徴としている。ここで，スロット３１ｉと直交するストリップ導体１２の先端及びマイクロストリップ導体１５ｑの先端はスロット３１ｉを介する結合度を高くするためにその線幅よりも広くされる。
【００３６】以上のように構成された第４の実施例において，上記ストリップ導体１４を含むストリップ線路に局部発振信号を入力することにより，当該局部発振信号はストリップ導体１４からスロット３１ｉを介してマイクロストリップ導体１５ｑに入力され，さらにＭＭＩＣ部４１に入力される。このように，局部発振信号を伝送するストリップ導体１２とＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体１５ｐとは立体的に交差しているのにもかかわらず接地導体板１１，１４と貫通スロット３１とを用いて電磁的遮蔽することができるので，局部発振信号とＲＦ信号との間のアイソレーションを高くすることができる。」（５頁８欄〜６頁９欄）
エ　以下の図面が記載されている。
　上記引用例の記載及び図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると，特に第４の実施例である図２０ないし図２４に記載された「スロット結合型マイクロストリップアンテナ」に関連して，以下の事項が記載されていると認められる。
ａ　上記アより，前記「スロット結合型マイクロストリップアンテナ」は，「概ね１ＧＨｚ以上のマイクロ波帯の信号を送受信する」ものであるから，「マイクロ波帯域で使用されるスロット結合型マイクロストリップアンテナ」といえる。
ｂ　上記イの【００２０】と図２０より，２つの接地導体板（１１，１４）の間に２つの誘電体層（２１，２２）と１つのストリップ導体（１２）とが積層された構造を有し，該構造を「積層体」と称することは任意である。
　そうすると，前記「スロット結合型マイクロストリップアンテナ」は，「２つの接地導体板の間に２つの誘電体層と１つのストリップ導体とが積層された積層体」を有するといえる。
ｃ　上記イの【００２１】，上記ウの【００３６】と図２０より，前記積層体の上下にさらにそれぞれ誘電体基板（２０，２３）を挟み込んで積層した放射導体（１０）及びＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体（１５ｐ）を有し，前記マイクロストリップ導体（１５ｐ）にＭＭＩＣ部（４０）が接続されているといえ，前記積層された放射導体（１０）及びマイクロストリップ導体（１５ｐ）をそれぞれ前記積層体からみて「一方の外側導体層」及び「もう一方の外側導体層」と称することは任意である。
　そうすると，前記「スロット結合型マイクロストリップアンテナ」は，「前記積層体の上下にさらにそれぞれ誘電体基板を挟み込んで積層した２つの外側導体層を有し，一方の外側導体層は放射導体であり，もう一方の外側導体層はＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体であり，前記マイクロストリップ導体に接続されたＭＭＩＣ部」を有するといえる。
ｄ　上記イの【００２０】と図２０より，前記積層体を貫通するようにスロット（３０）が設けられ，前記スロットの内面全面に接地導体（１３）を形成することにより，前記積層体表面の接地導体板（１１，１４）を電気的に接続する貫通スロット（３１）が形成されて，放射導体（１０）とマイクロストリップ導体（１５ｐ）とが貫通スロット（３１）を介して電磁的に接続されている。
　前記ｃの事項も考慮すると，前記「スロット結合型マイクロストリップアンテナ」は，「前記積層体を貫通するようにスロットが設けられ，前記スロットの内面全面に接地導体を形成することにより，前記積層体表面の接地導体板同士を電気的に接続することで，前記外側導体層同士が電磁的に接続され，前記ＭＭＩＣ部と前記放射導体とを接続した」構成を備えているといえる。
ｅ　上記ｂの「ストリップ導体（１２）」についてさらに検討すると，図２２より，端部（左端）を有することが見て取れる。そして，上記ウの【００３５】より，前記端部は，接地導体板（１４）に形成された矩形形状のスロット（３１ｉ，図２３）を介してマイクロストリップ導体（１５ｑ，図２４）と電磁的に結合しているものと理解できる。
　そうすると，前記「ストリップ導体の端部は電磁的に結合されている」ということができる。
　したがって，上記引用例には，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が開示されていると認める。
　
「マイクロ波帯域で使用されるスロット結合型マイクロストリップアンテナであって，
　２つの接地導体板の間に２つの誘電体層と１つのストリップ導体とが積層された積層体であって，前記ストリップ導体の端部は電磁的に結合されている積層体と，前記積層体の上下にさらにそれぞれ誘電体基板を挟み込んで積層した２つの外側導体層を有し，一方の外側導体層は放射導体であり，もう一方の外側導体層はＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体であり，前記マイクロストリップ導体に接続されたＭＭＩＣ部と，を備え，前記積層体を貫通するようにスロットが設けられ，前記スロットの内面全面に接地導体を形成することにより，前記積層体表面の接地導体板同士を電気的に接続することで，前記外側導体層同士が電磁的に接続され，前記ＭＭＩＣ部と前記放射導体とを接続したスロット結合型マイクロストリップアンテナ。」
２　周知事項１
　当審拒絶理由で引用した特開２００９−３８６９６号公報（以下，「周知例１」という。）には，以下の事項及び図面が記載されている。（下線は当審で付与した。この項は以下同じ。）
「【００１６】（略）
  また，板状の基体２５０の第２の面２５２（図１でｘｙ平面に平行なｚ軸の負側の面）に，第２グランド層２２２ｇが形成され，その上に第２誘電体層２１２が形成され，
その上に第２スロット結合ストリップ導体２３２及びそれと接続した平面アンテナ２３２Ａが形成されている。
  また，板状の基体２５０には，凹部Ｃｖが形成されていない部分で，第１の面２５１から第２の面２５２まで貫通する導波管Ｗｇが形成されており，導波管Ｗｇ内面は導体膜２６０ｇで被覆されている。」
　図１（上図）及び図２（下図）は以下のとおりである。
　また，当審拒絶理由で引用した特開平３−５５９０４号公報（以下，「周知例２」という。）には，以下の事項及び図面が記載されている。
「上述したとおり，円形パッチ１どうしを給電線路２で接続している。この給電線路２に給電するためのスロット３とスロット３を給電するための導体４がそれぞれ別の基板上に形成されている。」（３頁右上欄１９行〜左下欄３行）
　上記周知例１及び２に記載されているように，次の事項（以下，「周知事項１」という。）は周知である。
「スロット結合型マイクロストリップアンテナにおいて，スロットと結合するストリップ導体とマイクロストリップアンテナとを接続すること。」
３　周知事項２
　上記周知例１には，上記「２　周知事項１」の項中の図１及び図２とともに，以下の事項が記載されている。
　
「【００１８】
  図１の集積回路チップ１００と筐体部２００と実装基板３００とを組み合わせ，電気的に接続することで図２のアンテナ付き集積回路パッケージ１０００が構成できる。即ち，図１で示した向きで，集積回路チップ１００を筐体部２００の凹部Ｃｖに固定し，
筐体部側の２つのマイクロストリップ線路のフィンガー部Ｆ０及びＦ１を加工して集積回路チップ１００の２つのマイクロストリップ線路と接続する。図２ではこれらのうち，チップストリップ導体１３０と筐体ストリップ導体２３０のバンプＢ１２ａによる接続部分と，スロット接続チップストリップ導体１３１と第１スロット結合ストリップ導体２３１のバンプＢ１２ｂによる接続部分とを明示し，グランド側であるチップグランド層１２０ｇ及び１２１ｇと，第１グランド層２２０ｇ及び２２１ｇの接合については破線のみとして詳細は省略した。
　また，当審拒絶理由で引用した特開２００３−１７９０９号公報（以下，「周知例３」という。）には，以下の図面が記載されている。
　上記図１１において，半導体素子３０は，高周波伝送線路６にバンプ３１を介して接続されている。
　上記周知例１及び３に記載されているように，次の事項（以下，「周知事項２」という。）は周知である。
「スロット結合型マイクロストリップアンテナ回路において，伝送線路に半導体チップを実装するパターンを備えること。」
第３　対比・判断
（１）対比
請求項１に係る発明と引用発明とを技術常識を考慮して対比する。 
  
 ａ　引用発明の「マイクロ波帯域で使用されるスロット結合型マイクロストリップアンテナ」は，本願発明の「マイクロ波帯域で使用されるアンテナモジュール」に相当する。
 ｂ　引用発明の「接地導体板」，「誘電体層」は，それぞれ本願発明の「導体層」，「誘電体層」に相当する。また，引用発明の「ストリップ導体」は，一般的には線状の導体箔で形成されたものであり，「導体層」ということができる。 
　そうすると，引用発明の「２つの接地導体板の間に２つの誘電体層と１つのストリップ導体とが積層された積層体」と，本願発明の「２つの導体層の間に誘電体層と導体層とを交互に挟んで少なくとも２つの誘電体層と少なくとも１つの導体層とが積層された積層体」は，「２つの導体層の間に誘電体層と導体層とを交互に挟んで２つの誘電体層と１つの導体層とが積層された積層体」で共通する。 
ｃ　本願発明の「前記少なくとも１つの導体層の端部は電気的に開放されている積層体」に関して，「端部は電気的に開放されている」の技術的意味について検討する。
　請求項１には，導体同士の接続態様に関して，「前記積層体を貫通するように孔が設けられ，前記孔内に管状の金属膜を形成することにより，前記積層体表面の導体層同士を
電気的に接続
　そうすると，引用発明の「前記ストリップ導体の端部は電磁的に結合されている」は，上記「第２　１　引用発明」の項中の上記ｅで検討したとおり，前記ストリップ導体の端部がスロットを介してマイクロストリップ導体と電磁的に結合することに対応したものであるから，前記ストリップ導体の端部には他の導体が直接接続されていないことが明らかであり，結局「前記ストリップ導体の端部は電気的に開放されている」といいうるものである。
　よって，引用発明の「前記ストリップ導体の端部は電磁気的に結合されている積層体」と本願発明の「前記少なくとも１つの導体層の端部は電気的に開放されている積層体」は，「前記導体層の端部は電気的に開放されている積層体」といえる点で共通する。
ｄ　引用発明の「前記積層体上下にさらに誘電体基板を挟み込んで積層した２つの外側導体層を有し」という構成は，本願発明の「前記積層体上下にさらに誘電体を挟み込んで積層した２つの外側導体層を有し」という構成に相当する。
ｅ　引用発明の「一方の外側導体層は放射導体であり」について，「放射導体」が「アンテナ」を意味することが明らかであり，「スロット結合型マイクロストリップアンテナ」の「アンテナ」といえるから，前記「放射導体」を「マイクロストリップアンテナ」ということができる。そうすると，本願発明の「一方の外側導体層は放射導体であり」という構成と本願発明の「一方の外側導体層には伝送線路とマイクロストリップアンテナを有し」という構成は，以下の相違点１を除き「一方の外側導体層にはマイクロストリップアンテナを有し」という構成で共通する。
 
ｆ　引用発明の「マイクロストリップ導体」は，「ＲＦ信号を伝送する」ものであるから，「伝送線路」ということができる。また，引用発明の「ＭＭＩＣ部」は，「モノリシック・マイクロ波集積回路部」のことであるから，本願発明の「マイクロ波回路を形成した半導体チップ」に相当する。そうすると，引用発明の「もう一方の外側導体層はＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体であり，該マイクロストリップ導体に接続されたＭＭＩＣ部と，を備え」と，本願発明の「もう一方の外側導体層には伝送線路と半導体チップを実装するパターンと，これに実装されるマイクロ波回路を形成した半導体チップと，を備え」という構成は，以下の相違点２を除き「もう一方の外側導体層には伝送線路と，実装されるマイクロ波回路を形成した半導体チップと，を備え」という構成である点で共通する。 
ｇ　引用発明の「スロット」及び「接地導体」は，それぞれ本願発明の「孔」及び「金属膜」に相当する。また，引用発明のスロットの内面全面に形成された接地導体は，「管状」といえる。そうすると，引用発明の「前記積層体を貫通するようにスロットが設けられ，前記スロットの内面全面に接地導体を形成することにより，前記積層体表面の接地導体板同士を電気的に接続することで，外側導体層同士が電磁的に接続され，前記ＭＭＩＣ部と前記放射導体とを接続した」構成は，本願発明の「前記積層体を貫通するように孔が設けられ，前記孔内に管状の金属膜を形成することにより，前記積層体表面の導体層同士を電気的に接続することで，外側導体層同士が電磁結合され，前記半導体チップとマイクロストリップアンテナとを接続した」構成に相当する。 
  
　前記ａないしｇより，本願発明と引用発明は，以下の点で相違し，その余の点で一致する。 
 　 
（一致点） 
「マイクロ波帯域で使用されるアンテナモジュールであって，
　２つの導体層の間に誘電体層と導体層とを交互に挟んで２つの誘電体層と１つの導体層とが積層された積層体であって，前記導体層の端部は電気的に開放されている積層体と，前記積層体上下にさらに誘電体を挟み込んで積層した２つの外側導体層を有し，一方の外側導体層にはマイクロストリップアンテナを有し，もう一方の外側導体層には伝送線路と，実装されるマイクロ波回路を形成した半導体チップと，を備え，前記積層体を貫通するように孔が設けられ，前記孔内に管状の金属膜を形成することにより，前記積層体表面の導体層同士を電気的に接続することで，外側導体層同士が電磁結合され，前記半導体チップとマイクロストリップアンテナとを接続したアンテナモジュール。」 
 　 
（相違点１）
　一致点である「一方の外側導体層」に関し，本願発明は「一方の外側導体層には伝送線路とマイクロストリップアンテナを有し」という構成であるのに対し，引用発明は「一方の外側導体層は放射導体であり」という構成である点。 
 　 
（相違点２）
　一致点である「もう一方の外側導体層」に関し，本願発明は「もう一方の外側導体層には伝送線路と半導体チップを実装するパターンと，これに実装されるマイクロ波回路を形成した半導体チップと，を備え」という構成であるのに対し，引用発明は「もう一方の外側導体層はＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体であり，前記マイクロストリップ導体に接続されたＭＭＩＣ部と，を備え」という構成であり，前記ＭＭＩＣ部の実装の態様について具体的に記載されていない点。
  
（２）判断
　まず，上記相違点１について検討する。
　上記「第２　２　周知事項１」の項で述べたとおり，「スロット結合型マイクロストリップアンテナにおいて，スロットと結合するストリップ導体とマイクロストリップアンテナとを接続すること。」（周知事項１）は周知であり，当該周知事項１を引用発明に適用する上での阻害要因は見当たらないから，当該周知事項１を勘案して，引用発明の「一方の外側導体層はマイクロストリップアンテナであり」という構成を請求項１に係る発明のような「一方の外側導体層には伝送線路とマイクロストリップアンテナを有し」という構成に変更する程度のことは当業者であれば適宜なし得ることである。 
  
　ついで，上記相違点２について検討する。
　上記「第２　３　周知事項２」の項で述べたとおり，「スロット結合型マイクロストリップアンテナ回路において，半導体チップを実装するパターンを備えること。」（周知事項２）は周知であり，当該周知事項２を引用発明に適用する上での阻害要因は見当たらないから，当該周知事項２を勘案して，引用発明の「もう一方の外側導体層はＲＦ信号を伝送するマイクロストリップ導体であり，前記マイクロストリップ導体に接続されたＭＭＩＣ部と，を備え」という構成を本願発明のような「もう一方の外側導体層には伝送線路と半導体チップを実装するパターンと，これに実装されるマイクロ波回路を形成した半導体チップと，を備え」という構成に変更する程度のことは当業者であれば適宜なし得ることである。 
  
　よって，請求項１に係る発明は，引用発明に基づいて周知事項１，２を勘案することにより当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　また，本願発明が奏する効果も，引用発明と周知事項１，２から当業者が予測できる範囲内のものである。
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて周知事項１，２を勘案することにより，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，その余の請求項について審理するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。