【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型基板と、
前記ｐ型基板の中に形成されるＮＰＮ双方向性トランジスタを形成するように構成される、第１のｎ型ウェル領域、第２のｎ型ウェル領域、および第１のｐ型ウェル領域と、
前記第１のｎ型ウェル領域の中に配置される第１のｐ型活性領域、および前記第２のｎ型ウェル領域の中に配置される第２のｐ型活性領域と、
前記ＮＰＮ双方向性トランジスタを包囲するｐ型タブであって、前記ｐ型タブは、前記第１のｎ型ウェル領域、前記第２のｎ型ウェル領域および前記第１のｐ型ウェル領域と物理的に接触する、ｐ型タブと、
前記ｐ型タブを包囲するｎ型タブと、
前記ｎ型タブを包囲するｐ型エピタキシャル領域と
を備え、
前記第１のｎ型ウェル領域、前記ｐ型タブ、および前記ｎ型タブは、第１の寄生ＮＰＮバイポーラトランジスタを形成するように構成され、
前記ｐ型エピタキシャル領域、前記ｎ型タブ、および前記ｐ型タブは、寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタを形成するように構成される、
装置。
【請求項２】
前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタを形成するように構成され、前記ｎ型タブは、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの基部を形成するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの前記エミッタおよび前記基部は、前記ｐ型エピタキシャル領域の中に形成される第１の抵抗器を通して接続される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの前記ｐ型エピタキシャル領域および前記ｎ型タブはさらに、前記ｐ型基板上に形成される第２の抵抗器を通して電気的に接続され、前記第２の抵抗器および前記第１の抵抗器は、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの前記エミッタと前記基部との間で直列に電気的に接続される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記ｐ型エピタキシャル領域、前記ｎ型タブ、前記ｐ型タブ、および前記第１のｎ型ウェル領域は、第１の寄生ＰＮＰＮシリコン制御整流器を形成するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ｐ型タブは、前記ｐ型基板の中に配置されるｐ型深ウェル層と、前記第１のｎ型ウェル領域の第１の側面に隣接する第２のｐ型ウェル領域と、前記第２のｎ型ウェル領域の第１の側面に隣接する第３のｐ型ウェル領域とを備え、前記ｐ型深ウェル層、前記第２のｐ型ウェル領域、および前記第３のｐ型ウェル領域は、連続して電気的に接続される、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記ｐ型タブは、電気的に浮動しているように構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第２のｎ型領域、前記ｐ型タブ、および前記ｎ型タブは、第２の寄生ＮＰＮバイポーラトランジスタを形成するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ｐ型エピタキシャル領域および前記ｎ型タブ、前記ｐ型タブ、および前記第２のｎ型ウェル領域は、第２の寄生ＰＮＰＮシリコン制御整流器を形成するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ｎ型タブは、前記ｐ型基板の中に配置されるｎ型埋め込み層と、前記ｐ型タブの第１の側面に隣接する第３のｎ型ウェル領域と、前記ｐ型タブの第２の側面に隣接する第４のｎ型ウェル領域とを備える、請求項３に記載の装置。
【請求項１１】
前記第３のｎ型ウェル領域の第１の側面に隣接する第４のｐ型ウェル領域と、前記第４のｎ型ウェル領域の第１の側面に隣接する第５のｐ型ウェル領域とをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第４のｎ型ウェル領域および前記第５のｐ型ウェル領域に隣接する前記ｐ型基板上に形成される、第２の抵抗器をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のｎ型ウェル領域の中に配置される第１のｎ型活性領域と、前記第２のｎ型ウェル領域の中に配置される第２のｎ型活性領域とをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
第１のパッドおよび第２のパッドをさらに備え、前記第１のパッドは、前記第１のｎ型活性領域および前記第１のｐ型活性領域に電気的に接続され、前記第２のパッドは、前記第２のｎ型活性領域および前記第２のｐ型活性領域に電気的に接続される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
基板電位において前記ｐ型基板に電気的に接続される第３のｐ型活性領域の間の第１の電気的接続と、前記基板電位における第１のまたは第２のパッドのうちの１つと前記ｐ型基板との間の第２の電気的接続とをさらに備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の電気的接続は、第１の抵抗を有し、前記第２の電気的接続は、第２の抵抗を有し、前記第１の抵抗は、前記第２の抵抗よりも高い、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第３のｐ型活性領域は、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの前記エミッタに電気的に接続される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
ｐ型基板と、
前記ｐ型基板の中に形成されるＮＰＮ双方向性トランジスタを形成するように構成される、第１のｎ型ウェル領域、第２のｎ型ウェル領域、および第１のｐ型ウェル領域と、
前記ＮＰＮ双方向性トランジスタを包囲するｐ型タブであって、前記ｐ型タブは、前記第１のｎ型ウェル領域、前記第２のｎ型ウェル領域および前記第１のｐ型ウェル領域と物理的に接触する、ｐ型タブと、
前記ｐ型タブを包囲するｎ型タブと、
前記ｎ型タブを包囲するｐ型エピタキシャル領域と
を備え、
前記第１のｎ型ウェル領域、前記ｐ型タブ、および前記ｎ型タブは、第１の寄生ＮＰＮバイポーラトランジスタを形成するように構成され、
前記ｐ型エピタキシャル領域、前記ｎ型タブ、および前記ｐ型タブは、寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタを形成するように構成され、
前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタを形成するように構成され、前記ｎ型タブは、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの基部を形成するように構成され、
前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの前記エミッタおよび前記基部は、前記ｐ型エピタキシャル領域の中に形成される第１の抵抗器を通して接続され、
前記ｎ型タブは、前記ｐ型基板の中に配置されるｎ型埋め込み層と、前記ｐ型タブの第１の側面に隣接する第３のｎ型ウェル領域と、前記ｐ型タブの第２の側面に隣接する第４のｎ型ウェル領域とを備え、
前記ＮＰＮ双方向性トランジスタは、環状構成で配列され、前記第１のｐ型ウェルは、前記第１のｎ型ウェルを同心円状に包囲し、前記第２のｎ型ウェルは、前記第１のｐ型ウェルを同心円状に包囲する、
装置。
【請求項１９】
前記ｐ型タブの第３のｐ型ウェルは、前記ＮＰＮ双方向性トランジスタを包囲し、前記ｎ型タブの前記第４のｎ型ウェルは、前記第３のｐ型ウェルを包囲し、前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記第４のｎ型ウェルを包囲する、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記ｐ型基板に電気的に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
前記第５のｐ型ウェル領域の第１の側面に隣接する第５のｎ型ウェル領域と、前記第５のｎ型ウェル領域の第１の側面に隣接する第６のｐ型ウェル領域とをさらに備え、前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記第５のｐ型ウェル領域、前記第５のｎ型ウェル領域、および前記第６のｐ型ウェル領域のそれぞれより下側に配置される、請求項１１に記載の装置。
【請求項２２】
前記第１の抵抗器は、少なくとも部分的に前記ｐ型エピタキシャル領域に由来する、第１の抵抗器の抵抗を有する、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記第１の抵抗器は、前記第５のｐ型ウェル領域および前記第６のｐ型ウェル領域にさらに由来する、第１の抵抗を有する、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
ｐ型基板と、
前記ｐ型基板の中の第１のｎ型ウェル領域、第２のｎ型ウェル領域、および第１のｐ型ウェル領域であって、前記第１のｎ型ウェル領域、前記第２のｎ型ウェル領域、および前記第１のｐ型ウェル領域は、前記ｐ型基板の中にＮＰＮ双方向性トランジスタを形成するように構成される、第１のｎ型ウェル領域、第２のｎ型ウェル領域、および第１のｐ型ウェル領域と、
前記ＮＰＮ双方向性トランジスタを包囲するｐ型タブであって、前記ｐ型タブは、前記第１のｎ型ウェル領域、前記第２のｎ型ウェル領域および前記第１のｐ型ウェル領域と物理的に接触する、ｐ型タブと、
前記ｐ型タブを包囲するｎ型タブと、
前記ｎ型タブを包囲するｐ型エピタキシャル領域と、
前記第１のｎ型ウェル領域の中に配置される第１のｐ型活性領域であって、前記第１のｐ型活性領域、前記第１のｎ型ウェル領域、および前記ｐ型タブは、第１のＰＮＰバイポーラトランジスタを形成するように構成される、第１のｐ型活性領域と、
前記第２のｎ型ウェル領域の中に配置される第２のｐ型活性領域であって、前記第２のｐ型活性領域、前記第２のｎ型ウェル領域、および前記ｐ型タブは、第２のＰＮＰバイポーラトランジスタを形成するように構成される、第２のｐ型活性領域と
を備え、
前記ｐ型エピタキシャル領域、前記ｎ型タブ、および前記ｐ型タブは、寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタを形成する、
装置。
【請求項２５】
前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記ｐ型基板に電気的に接続される、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記ＮＰＮ双方向性トランジスタ、前記第１のＰＮＰバイポーラトランジスタ、および前記第２のＰＮＰバイポーラトランジスタは、第１のバイポーラＰＮＰＮＰ双方向性構造を形成する、請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタを形成するように構成され、前記ｎ型タブは、前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの基部を含むように構成される、請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタおよび基部は、前記ｐ型エピタキシャル領域の第１の抵抗器を通して接続される、請求項２４に記載の装置。
【請求項２９】
前記寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタの前記ｐ型エピタキシャル領域および前記ｎ型タブはさらに、前記ｐ型基板上に形成される第２の抵抗器を通して電気的に接続され、前記第２の抵抗器および前記第１の抵抗器は、前記エミッタと前記基部との間で直列に電気的に接続される、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記ｐ型タブは、電気的に浮動しているように構成される、請求項２４に記載の装置。
【請求項３１】
前記ｎ型タブは、前記ｐ型基板の中に配置されるｎ型埋め込み層と、前記ｐ型タブの第１の側面に隣接する第３のｎ型ウェル領域と、前記ｐ型タブの第２の側面に隣接する第４のｎ型ウェル領域とを備える、請求項２４に記載の装置。
【請求項３２】
前記ＮＰＮ双方向性トランジスタは、環状構成で配列され、前記第１のｐ型ウェルは、前記第１のｎ型ウェルを同心円状に包囲し、前記第２のｎ型ウェルは、前記第１のｐ型ウェルを同心円状に包囲する、請求項２４に記載の装置。
【請求項３３】
前記ｐ型タブの第３のｐ型ウェルは、前記ＮＰＮ双方向性トランジスタを包囲し、前記ｎ型タブの第４のｎ型ウェルは、前記第３のｐ型ウェルを包囲し、前記ｐ型エピタキシャル領域は、前記第４のｎ型ウェルを包囲する、請求項３２に記載の装置。