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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月6日(2016.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコン窒化膜の成膜方法、及びシリコン窒化膜の成膜装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に収容された基板上にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法であって、
前記処理容器内にシラン系ガスと、窒素ガス及び水素ガス、又はアンモニアガスとを含む処理ガスを供給し、
前記処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って基板上にシリコン窒化膜を成膜し、
前記シリコン窒化膜の成膜中又は成膜後に、高周波電源のＯＮ／ＯＦＦを間欠的に制御することによって、前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加することを特徴とする、シリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項２】
前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理は、前記処理ガスに含まれるガスのうち少なくとも前記シラン系ガスの供給を間欠的に行い、
前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加する処理は、前記シラン系ガスの供給が行われる前記シリコン窒化膜の成膜中に、前記高周波電源をＯＮ制御し、前記シラン系ガスの供給が停止されるタイミングで、前記高周波電源をＯＦＦ制御することによって、前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加することを特徴とする、請求項１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項３】
前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理は、前記処理ガスに含まれるガスのうち少なくとも前記シラン系ガスの供給を間欠的に繰り返し、
前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加する処理は、前記シラン系ガスの供給が行われる前記シリコン窒化膜の成膜中に、前記高周波電源をＯＮ制御し、前記シラン系ガスの供給が停止されるタイミングから前記シラン系ガスの供給が再開されるタイミングまでの所定期間に、前記高周波電源をＯＦＦ制御することによって、前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加することを特徴とする、請求項１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項４】
前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加する処理は、前記所定期間のうち前記シラン系ガスの供給が再開されるタイミングで、前記高周波電源をＯＦＦ制御することを特徴とする、請求項３に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項５】
前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理は、前記処理ガスに含まれるガスのうち少なくとも前記シラン系ガスの供給を間欠的に繰り返し、
前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加する処理は、前記シラン系ガスの供給が停止されるタイミングで、前記高周波電源をＯＮ制御し、前記シラン系ガスの供給が行われる前記シリコン窒化膜の成膜中に、前記高周波電源をＯＦＦ制御することによって、前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加することを特徴とする、請求項１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項６】
前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加する処理の処理時間は、前記シリコン窒化膜の膜厚が厚くなるほど、長くなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項７】
前記処理容器内に供給される前記処理ガスにおいて、前記シラン系ガスの供給流量に対する前記窒素ガスの供給流量の比は、１〜１．５であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つに記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項８】
基板上にシリコン窒化膜を成膜する成膜装置であって、
基板を収容し処理する処理容器と、
前記処理容器内に、シラン系ガスと、窒素ガス及び水素ガス、又はアンモニアガスとを含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ励起部と、
前記基板に対してバイアス電界を印加する高周波電源と、
前記処理ガス供給部によって前記処理容器内にシラン系ガスと、窒素ガス及び水素ガス、又はアンモニアガスとを含む処理ガスを供給し、前記プラズマ励起部によって前記処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って基板上にシリコン窒化膜を成膜し、前記シリコン窒化膜の成膜中又は成膜後に、前記高周波電源のＯＮ／ＯＦＦを間欠的に制御することによって、前記シリコン窒化膜の一部に対してバイアス電界を印加する制御部と、を有することを特徴とする、シリコン窒化膜の成膜装置。
【請求項９】
前記処理ガスは、前記シリコン窒化膜を成膜するための原料ガスと、前記プラズマを生成するためのプラズマ励起用ガスとを含み、
前記処理容器の上部には、前記プラズマ励起部が設けられ、
前記処理容器の下部には、基板を載置する載置部が設けられ、
前記プラズマ励起部と前記載置部との間には、前記処理容器内を区画し、前記処理ガス供給部を構成するプラズマ励起用ガス供給構造体及び原料ガス供給構造体が設けられ、
前記プラズマ励起用ガス供給構造体には、前記プラズマ励起部側の領域に前記プラズマ励起用ガスを供給するプラズマ励起用ガス供給口と、前記プラズマ励起部側の領域で生成された前記プラズマを前記載置部側の領域に通過させる開口部とが形成され、
前記原料ガス供給構造体には、前記載置部側の領域に前記原料ガスを供給する原料ガス供給口と、前記プラズマ励起部側の領域で生成された前記プラズマを前記載置部側の領域に通過させる開口部とが形成されていることを特徴とする、請求項８に記載のシリコン窒化膜の成膜装置。
【請求項１０】
前記プラズマ励起用ガス供給構造体は、前記プラズマ励起部から３０ｍｍ以内の位置に配置されていることを特徴とする、請求項９に記載のシリコン窒化膜の成膜装置。
【請求項１１】
前記原料ガス供給口は、その内径が内側から外側に向かってテーパ状に拡大するように形成されていることを特徴とする、請求項９又は１０に記載のシリコン窒化膜の成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム二次電池内の電極に対する相対的なセパレータの位置を検出する方法であって、
正極、負極、これら電極の間に設置されたＸ線感知可能セパレータ、及び前記電極と前記セパレータとを収容する缶を含むリチウム二次電池を準備する工程であって、前記Ｘ線感知可能セパレータがＸ線検出可能成分を分散した、被覆した、または添加した微多孔膜を含み、前記Ｘ線検出可能成分が前記膜中またはセパレータ中に２〜２０重量％含み、前記Ｘ線検出可能成分が、
（ａ）金属硫酸若しくは塩、または、金属硫酸と塩との混合物と、
（ｂ）Ｘ線検出可能材料とを含む、工程、
前記リチウム二次電池にＸ線を照射する工程、
前記電極に対する相対的な前記セパレータの位置を測定する工程、並びに
前記電極に対する相対的な前記位置に基づいて前記リチウム二次電池の合否を判定する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜１０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が４重量％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｘ線検出可能材料が金属、金属酸化物、金属リン酸塩、金属炭酸塩、Ｘ線蛍光物質、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ、これら成分の金属がＺｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｃｓ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記金属硫酸塩が硫酸バリウムであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
リチウム二次電池用のＸ線感知可能電池セパレータであって、
Ｘ線検出可能成分を有する微多孔膜を含み、前記Ｘ線検出可能成分が、
（ａ）金属硫酸若しくは塩、または、金属硫酸と塩との混合物と、
（ｂ）前記微多孔膜またはセパレータ中に分散した、被覆した、または添加したＸ線検出可能材料
を含み、
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜２０重量％を含むことを特徴とするＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項８】
前記膜または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が、２〜１０重量％であることを特徴とする請求項７に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項９】
前記膜中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜５重量％であることを特徴とする請求項７に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項１０】
前記膜中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が４重量％であることを特徴とする請求項７に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項１１】
前記Ｘ線検出可能材料が金属、金属酸化物、金属リン酸塩、金属炭酸塩、Ｘ線蛍光物質、金属塩、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ、これら成分の金属がＺｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｃｓ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項１２】
Ｘ線検査に用いられるリチウム二次電池であって、
正極、負極、これら電極の間に設置されたＸ線感知可能セパレータ、及び前記電極と前記セパレータとを収容する缶を含み、前記Ｘ線感知可能セパレータは、請求項７〜１１のいずれかに記載のＸ線感知可能セパレータを含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１３】
リチウム二次電池内の電極に対する相対的なセパレータの位置を検出する方法であって、
正極、負極、これら電極の間に設置されたＸ線感知可能セパレータ、及び前記電極と前記セパレータとを収容する缶を含むリチウム二次電池を準備する工程であって、前記Ｘ線感知可能セパレータがＸ線検出可能成分を被覆した、または添加した微多孔膜を含み、前記Ｘ線検出可能成分が前記膜中または前記セパレータ中に２〜２０重量％含み、前記Ｘ線検出可能成分が硫酸バリウムであり、
前記リチウム二次電池にＸ線を照射する工程、
前記電極に対する相対的な前記セパレータの位置を測定する工程、並びに
前記電極に対する相対的な前記位置に基づいて前記リチウム二次電池の合否を判定する
工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜１０重量％であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜５重量％であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が４重量％であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
Ｘ線検出可能成分が、前記微多孔膜に被覆された請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
リチウム二次電池用のＸ線感知可能電池セパレータであって、
Ｘ線検出可能成分を有する微多孔膜を含み、前記Ｘ線検出可能成分が、以下の（ａ）および（ｂ）の少なくとも１つを含み、
（ａ）金属硫酸若しくは塩、または、金属硫酸と塩との混合物と、
（ｂ）前記微多孔膜またはセパレータ中に分散した、被覆した、または添加したＸ線検出可能材料
前記膜中またはセパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜２０重量％を含むことを特徴とするＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項１９】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が、２〜１０重量％であることを特徴とする請求項１８に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項２０】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が２〜５重量％であることを特徴とする請求項１８に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項２１】
前記膜中または前記セパレータ中の前記Ｘ線検出可能成分の比率が４重量％であることを特徴とする請求項１８に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項２２】
前記Ｘ線検出可能材料が金属、金属酸化物、金属リン酸塩、金属炭酸塩、Ｘ線蛍光物質、金属塩、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ、これら成分の金属がＺｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｃｓ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１８〜２１のいずれかに記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項２３】
Ｘ線検出可能成分が、前記微多孔膜に被覆された請求項１８に記載のＸ線感知可能電池セパレータ。
【請求項２４】
Ｘ線検査に用いられるリチウム二次電池であって、
正極、負極、これら電極の間に設置されたＸ線感知可能セパレータ、及び前記電極と前記セパレータとを収容する缶を含み、前記Ｘ線感知可能セパレータが、請求項１８〜２３のいずれかに記載のＸ線感知可能セパレータを含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＴＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）に用いられる端末と、
トリガメッセージを送信するＳＣＳ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ  Ｓｅｒｖｅｒ）と、
前記ＳＣＳが前記トリガメッセージを送信することが許可されているかどうかをチェックするＭＴＣ−ＩＷＦ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒ−Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）と
を備え、
前記チェックがパスしない場合、前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記トリガメッセージをブロックし、
前記チェックがパスする場合、前記端末は、前記トリガメッセージを受信する
ことを特徴とする通信システム。
【請求項２】
前記トリガメッセージは、ＳＣＳ  ＩＤ（識別子）を含む、
請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記ＳＣＳ  ＩＤに基づいて前記トリガメッセージの送信が許可されているか否かをチェックする
請求項２に記載の通信システム。
【請求項４】
前記トリガメッセージは、完全性及び機密性が保護されている
請求項１から３のいずれか１項に記載の通信システム。
【請求項５】
通信システムで用いられるＭＴＣ−ＩＷＦ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒ−Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）であって、
ＳＣＳ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ  Ｓｅｒｖｅｒ）からトリガメッセージを受信する手段と、
前記ＳＣＳが前記トリガメッセージを送信することが許可されているかどうかをチェックする手段と、
前記チェックがパスしない場合、前記トリガメッセージをブロックする手段と
を備えることを特徴とするＭＴＣ−ＩＷＦ。
【請求項６】
前記トリガメッセージは、ＳＣＳ  ＩＤ（識別子）を含む、
請求項５に記載のＭＴＣ−ＩＷＦ。
【請求項７】
前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記ＳＣＳ  ＩＤに基づいて前記トリガメッセージの送信が許可されているか否かをチェックする
請求項６に記載のＭＴＣ−ＩＷＦ。
【請求項８】
前記トリガメッセージは、完全性及び機密性が保護されている
請求項５から７のいずれか１項に記載のＭＴＣ−ＩＷＦ。
【請求項９】
通信システムで用いられる端末であって、
ＭＴＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）に用いられる手段と、
ＭＴＣ−ＩＷＦ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒ−Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が、ＳＣＳ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ  Ｓｅｒｖｅｒ）がトリガメッセージを送信することが許可されているかどうかをチェックし、該チェックがパスする場合、前記トリガメッセージを受信する手段と
を備え、
前記チェックがパスしない場合、前記トリガメッセージが前記ＭＴＣ−ＩＷＦによってブロックされる
ことを特徴とする端末。
【請求項１０】
前記トリガメッセージは、ＳＣＳ  ＩＤ（識別子）を含む、
請求項９に記載の端末。
【請求項１１】
前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記ＳＣＳ  ＩＤに基づいて前記トリガメッセージの送信が許可されているか否かをチェックする
請求項１０に記載の端末。
【請求項１２】
前記トリガメッセージは、完全性及び機密性が保護されている
請求項９から１１のいずれか１項に記載の端末。
【請求項１３】
通信システムのための通信方法であって、
端末がＭＴＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）に用いられ、
ＳＣＳ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ  Ｓｅｒｖｅｒ）がトリガメッセージを送信し、
ＭＴＣ−ＩＷＦ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒ−Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が、前記ＳＣＳが前記トリガメッセージを送信することが許可されているかどうかをチェックし、
前記チェックがパスしない場合、前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記トリガメッセージをブロックし、
前記チェックがパスする場合、前記端末は、前記トリガメッセージを受信する
ことを特徴とする通信方法。
【請求項１４】
前記トリガメッセージは、ＳＣＳ  ＩＤ（識別子）を含む、
請求項１３に記載の通信方法。
【請求項１５】
前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記ＳＣＳ  ＩＤに基づいて前記トリガメッセージの送信が許可されているか否かをチェックする
請求項１４に記載の通信方法。
【請求項１６】
前記トリガメッセージは、完全性及び機密性が保護されている
請求項１３から１５のいずれか１項に記載の通信方法。
【請求項１７】
通信システムで用いられる端末のための方法であって、
ＭＴＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）に用いられ、
ＭＴＣ−ＩＷＦ（Ｍａｃｈｉｎｅ−Ｔｙｐｅ−Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒ−Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が、ＳＣＳ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ  Ｓｅｒｖｅｒ）がトリガメッセージを送信することが許可されているかどうかをチェックし、該チェックがパスしない場合、前記トリガメッセージが前記ＭＴＣ−ＩＷＦによってブロックされ、一方、前記チェックがパスする場合、前記トリガメッセージを受信する
ことを特徴とする端末のための方法。
【請求項１８】
前記トリガメッセージは、ＳＣＳ  ＩＤ（識別子）を含む、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＭＴＣ−ＩＷＦは、前記ＳＣＳ  ＩＤに基づいて前記トリガメッセージの送信が許可されているか否かをチェックする
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記トリガメッセージは、完全性及び機密性が保護されている
請求項１７から１９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月7日(2016.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a1) アリールスルファターゼAを含む組成物を1800〜2500 gで遠心分離することにより、凝集物を除去する工程、
a2)工程a1)からの遠心分離の上清を0.25〜5.0マイクロメートルの範囲の孔径を有するフィルターを通すろ過に付する工程、
b) 工程a2)から得られたろ過残留物を濃縮する工程、
c) 工程b)の濃縮残留物から、少なくとも25 mg/mlのアリールスルファターゼAを含む等張性溶液を得る工程であって、ここで、濃縮された組成物中に凝集物として存在するアリールスルファターゼAの量がアリールスルファターゼAの全量の5%未満を構成する工程、及び
d) 工程c)からの前記等張性溶液を注射用製剤にする工程
を含む、アリールスルファターゼAを含む注射用医薬を製造する方法。
【請求項２】
アリールスルファターゼAが、
i) 配列番号18、19、20のいずれか一つにより定義されるアミノ酸配列；
ii) 配列番号18、19、20のいずれか一つと少なくとも90%同一であるアミノ酸配列
からなる群より選択されるアミノ酸を含む請求項1に記載の方法。
【請求項３】
工程b)が、凍結乾燥又は蒸発により行われる請求項1又は2に記載の方法。
【請求項４】
工程b)が、限外ろ過により行われる請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
【請求項５】
工程b)が、タンジェンシャルフローろ過により行われる請求項4に記載の方法。
【請求項６】
工程b)が、遠心デバイスを用いて行われる請求項4に記載の方法。
【請求項７】
アリールスルファターゼAを含む前記濃縮された組成物が、グリシン、L-セリン、スクロース、マンニトール及びTween 80からなる群より選択される1又は複数の成分をさらに含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
【請求項８】
アリールスルファターゼAを含む前記組成物が、TRIS-HCL、クエン酸Na及びNa2HPO4からなる群より選択される1又は複数の緩衝剤をさらに含む請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
【請求項９】
工程b)から得られたアリールスルファターゼAを含む前記濃縮された組成物を滅菌する工程をさらに含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
工程b)から得られたアリールスルファターゼAを含む前記濃縮された組成物を凍結乾燥する工程をさらに含む請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１１】
工程a)の前に、以下の
i) アリールスルファターゼAの組換え発現、
ii) アリールスルファターゼAの、1又は複数のクロマトグラフィー工程による精製、及び
iii) 工程ii)からの精製されたアリールスルファターゼAが存在する溶液の、配合緩衝剤への置換
の工程の1又は複数をさらに含む請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１２】
工程ii)の前記クロマトグラフィーが、アフィニティクロマトグラフィー、イオン交換クロマトグラフィー及びヒドロキシアパタイトクロマトグラフィーからなる群より選択される請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
クロマトグラフィーの前記工程が、アフィニティクロマトグラフィー、及び、イオン交換クロマトグラフィーを含む請求項11に記載の方法。
【請求項１４】
クロマトグラフィーの前記工程が、ヒドロキシアパタイトクロマトグラフィーをさらに含む請求項11に記載の方法。
【請求項１５】
i) 配列番号16及び17のいずれか一つにより定義される核酸配列；
ii) 配列番号16及び17のいずれか一つと少なくとも90%同一である核酸配列
からなる群より選択される配列を含む核酸配列を用いる組換え発現を含む請求項11に記載の方法。
【請求項１６】
工程ii)から得られたアリールスルファターゼAを含む前記組成物を希釈又はダイアフィルトレーションする工程をさらに含む請求項13又は14に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも25 mg/mlのアリールスルファターゼAを含む、異染性白質ジストロフィー治療用組成物であって、少なくとも20 U/mgアリールスルファターゼAの比活性を有する、組成物。
【請求項１８】
アリールスルファターゼAが、
i) 配列番号18、19及び20のいずれか一つにより定義されるアミノ酸配列；
ii) 配列番号18、19及び20のいずれか一つと少なくとも90%同一であるアミノ酸配列
からなる群より選択されるアミノ酸を含む請求項17に記載の組成物。
【請求項１９】
活性成分としての少なくとも25 mg/mlのアリールスルファターゼA、及び、医薬的に許容され得る賦形剤を含む、異染性白質ジストロフィーの治療用医薬組成物であって、少なくとも20 U/mgアリールスルファターゼAの比活性を有する、医薬組成物。
【請求項２０】
活性成分としての少なくとも25 mg/mlのアリールスルファターゼA、及び、医薬的に許容され得る賦形剤を含む医薬組成物の、異染性白質ジストロフィーの治療用の医薬の製造のための使用であって、組成物が少なくとも20 U/mgアリールスルファターゼAの比活性を有する、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月16日(2016.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位トランジスタを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタと、
前記複数の単位トランジスタのエミッタと電気的に接続されたバンプと、
を備える化合物半導体装置であって、
前記複数の単位トランジスタが、第１の方向に配列され、
前記バンプが、前記複数の単位トランジスタのエミッタ上に、前記第１の方向に延伸して配置され、
複数の単位トランジスタは、前記バンプの前記第１の方向に延びる中心線から前記第１の方向と垂直な第２の方向における一方の側に配置されたエミッタを有する第１の単位トランジスタと、前記バンプの前記中心線から前記第２の方向における他方の側に配置されたエミッタを有する第２の単位トランジスタとを含む、化合物半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物半導体装置であって、
前記第１及び第２の単位トランジスタのそれぞれのエミッタは、一部が前記バンプに覆われておらず残りの部分が前記バンプで覆われている、
化合物半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の化合物半導体装置であって、
複数の前記第１の単位トランジスタ及び複数の前記第２の単位トランジスタを備え、
前記第１及び第２の単位トランジスタのエミッタが、前記バンプの前記中心線から前記一方の側と前記他方の側とに一つずつ交互に配置された、
化合物半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の化合物半導体装置であって、
複数の前記第１の単位トランジスタ及び複数の前記第２の単位トランジスタを備え、
前記第１及び第２の単位トランジスタのエミッタが、前記バンプの前記中心線から前記一方の側と前記他方の側とに複数個ずつ交互に配置された、
化合物半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物半導体装置であって、
前記第１及び第２の単位トランジスタのエミッタが、前記バンプの前記中心線に重ならないように配置された、
化合物半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の化合物半導体装置であって、
前記第１の単位トランジスタのエミッタの前記第２の方向に延びる中心線が、前記第２の単位トランジスタのエミッタの前記第２の方向に延びる中心線と、前記第２の方向において重ならない、
化合物半導体装置。
【請求項７】
請求項３に記載の化合物半導体装置であって、
前記第１及び第２の単位トランジスタのそれぞれのエミッタは、一部が前記バンプに覆われておらず残りの部分が前記バンプで覆われており、
前記バンプの前記中心線と、前記第１の単位トランジスタの前記第１の方向に延びる中心線との間隔、及び、前記バンプの前記中心線と、前記第２の単位トランジスタの前記第１の方向に延びる中心線との間隔が、１０μｍ以上３０μｍ以下である、
化合物半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の化合物半導体装置であって、
前記第１及び第２の単位トランジスタのそれぞれのエミッタの前記一部の前記第２の方向の長さが０μｍ以上１２．５μｍ以下である、
化合物半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の化合物半導体装置を備える電力増幅モジュールであって、
前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、無線周波数信号を増幅する増幅素子である、
電力増幅モジュール。
【請求項１０】
請求項９に記載の電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅モジュールは、複数段の増幅器を備え、
前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、前記複数段の増幅器のうちの最終段の増幅器における前記増幅素子である、
電力増幅モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月5日(2016.5.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記一対の電極間に位置する発光層と、を有し、
前記発光層は第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、熱活性化遅延蛍光を示す物質とを少なくとも含み、
前記第１の有機化合物と第２の有機化合物とは励起錯体を形成する組み合わせである発光素子。
【請求項２】
一対の電極と、
前記一対の電極間に位置する発光層と、を有し、
前記発光層は第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、熱活性化遅延蛍光を示す物質とを少なくとも含み、
前記第１の有機化合物と第２の有機化合物とは励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記熱活性化遅延蛍光を示す物質の最も低エネルギー側の吸収帯と、
前記励起錯体の発光が重なる発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月7日(2016.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の曲率を有する曲面を含む放熱部材と、
前記曲面上に配置され、第１支持部、第２支持部、第３支持部、前記第１支持部と前記第２支持部との間を連結する第１連結部、前記第２支持部と前記第３支持部との間を連結する第２連結部を含む基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、
前記第１支持部上に配置される第１光源、前記第２支持部上に配置される第２光源、前記第３支持部上に配置される第３光源を含む光源（ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）と、を含み、
前記少なくとも二つの光源の前記基板上の付着面に対する法線が基準線となす角度が互いに異なる、
前記第１支持部、前記第２支持部、前記第３支持部は、ハード（ｈａｒｄ）な材質で構成され、前記放熱部材の曲面上に直接配置され、
前記第１連結部、前記第２連結部は、前記所定の曲率に曲げられる軟性材質で構成される、ランプユニット。
【請求項２】
前記第１支持部は第１の厚さを有し、前記第１連結部は第２の厚さを有して、
前記第１の厚さと前記第２の厚さは互いに異なる、請求項１に記載のランプユニット。
【請求項３】
前記第１支持部は、
前記第１光源と接する第１表面と、前記第１表面の背面に位置する第２表面と、を含み、
前記第１表面上には反射体が配置される、請求項１又は２に記載のランプユニット。
【請求項４】
前記第１支持部は、前記第１支持部の第１表面の何れか一つの点を過ぎて、前記第１支持部の第１表面と垂直である第１垂直線が、前記基準線に対して第１角度を有するように配置され、
前記第２支持部は、前記第２支持部の第２表面の何れか一つの点を過ぎて、前記第２支持部の第２表面と垂直である第２垂直線が、前記基準線に対して第２角度を有するように配置され、
前記第３支持部は、前記第３支持部の第３表面の何れか一つの点を過ぎて、前記第３支持部の第３表面と垂直である第３垂直線が、前記基準線に対して第３角度を有するように配置されて、
前記第１角度は、前記第２角度及び第３角度の少なくとも何れか一つと異なる、請求項１ないし３の何れか一項に記載のランプユニット。
【請求項５】
前記第２支持部の第２角度が前記第１支持部の第１角度及び前記第３支持部の第３角度より小さい時、前記第２支持部によって支持される第２光源の光の強さは、第１光源及び第３光源の光の強さより大きいか、
前記第２支持部の第２角度が、前記第１支持部の第１角度及び前記第３支持部の第３角度より大きい時、前記第２支持部によって支持される第２光源の光の強さは、第１光源及び第３光源の光の強さより小さい、請求項４に記載のランプユニット。
【請求項６】
前記第２支持部の第２角度が、前記第１支持部の第１角度及び前記第３支持部の第３角度より小さい時、前記第２支持部によって支持される第２光源の光指向角は、第１光源及び第３光源の光指向角より小さいか、
前記第２支持部の第２角度が、前記第１支持部の第１角度及び前記第３支持部の第３角度より大きい時、前記第２支持部によって支持される第２光源の光指向角は第１光源及び第３光源の光指向角より大きい、請求項４又は５に記載のランプユニット。
【請求項７】
前記第１光源から出射される光の分布領域は、前記第２光源又は第３光源から出射される光の光分布領域と一部が重畳し、
前記重畳する領域は、前記第１光源から出射される光の全体分布領域に対して２０％以下である、請求項４ないし６の何れか一項に記載のランプユニット。
【請求項８】
前記基板から一定間隔で空間を置いて配置される光学系（ｏｐｔｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ）をさらに含む、請求項４ないし７の何れか一項に記載のランプユニット。
【請求項９】
前記光学系は、一つ以上の曲率を有する曲面を含む、請求項８に記載のランプユニット。
【請求項１０】
前記第１支持部の表面の何れか１つの点を過ぎる第１垂直線は、前記光学系の第１１地点を過ぎ、
前記第２支持部の表面の何れか１つの点を過ぎる第２垂直線は、前記光学系の第１２地点を過ぎて、
前記第３支持部の表面の何れか１つの点を過ぎる第３垂直線は、前記光学系の第１３地点を過ぎる時、
前記光学系の第１１地点と前記第１支持部の表面との間の第１１距離、前記光学系の第１２地点と前記第２支持部の表面との間の第１２距離、及び前記光学系の第１３地点と前記第３支持部の表面との間の第１３距離のうち、少なくとも何れか一つは異なる、請求項８又は９に記載のランプユニット。
【請求項１１】
前記光学系の少なくとも一部には、凹凸パターンを含む、請求項８ないし１０の何れか一項に記載のランプユニット。
【請求項１２】
前記光源の光出射面の何れか一つの点を過ぎる垂直線が前記光学系の地点を過ぎる時、前記光学系の前記地点上には反射体が配置される、請求項８ないし１１の何れか一項に記載のランプユニット。
【請求項１３】
前記光源はレンズを含み、
前記レンズは、前記光源の光出射面の中心領域に対応する位置に配置される溝を含む、請求項１ないし１２の何れか一項に記載のランプユニット。
【請求項１４】
請求項１ないし１３の何れか一項に記載のランプユニットを用いた車両。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月31日(2016.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光する少なくとも一つの発光領域を含む第１領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第２領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルと、
前記ピクセル間に配置される第３領域と、
前記各ピクセルの前記発光領域にそれぞれ配置される複数の第１電極と、
少なくとも前記第１電極を覆う発光層と、
前記第１領域及び第３領域に配置された第１補助層と、
前記第１補助層上に形成され、前記第１領域及び第３領域に配置された第２電極と、
前記第２電極を覆い、前記第１領域及び前記第２領域に配置され、前記第３領域には配置されない第２補助層と、
前記第２電極上に形成され、前記第３領域に配置される第３電極と、を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記第２領域に配置されない請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第２電極の前記第１領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１補助層は、前記第２領域には配置されない請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１補助層は、前記第２領域にも配置される請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第３電極は前記第１領域および第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第１領域および第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第３電極の前記第３領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１補助層と前記第２補助層との間に介在し、前記第２領域に配置される第３補助層をさらに備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第３補助層は、前記第１領域及び前記第３領域に配置されない請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚い請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域への接着力は、前記第２電極の前記第１領域及び第３領域への接着力より弱いことを特徴とする請求項１及び３〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第３電極は前記第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第２領域への接着力は、前記第３電極の前記第３領域への接着力より弱いことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１補助層は、Ａｌｑ３、ジ−タングステンテトラ（ヘキサヒドロピリミドピリミジン）、フラーレン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＡＤＮ［９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン］、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第３補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第２電極及び第３電極は、Ｍｇを含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月25日(2016.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷転送素子及び容量素子を有し、入力信号の電圧レベルを昇圧した出力信号を出力する昇圧回路部と、
前記出力信号の電圧レベルをモニターする検出回路と、
前記検出回路で得られる前記電圧レベルに従って、前記入力信号の電圧レベルの昇圧を制御する信号を前記昇圧回路部に出力する制御回路と、を有し、
前記昇圧回路部は、前記容量素子及び前記電荷転送素子に電気的に接続されたスイッチを有し、
前記スイッチがトランジスタであり、該トランジスタが有する半導体層は、酸化物半導体である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記電荷転送素子は、ダイオード素子である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２の半導体装置を有し、電源電圧の供給が停止する期間では、前記昇圧回路部の前記容量素子及び前記電荷転送素子に電気的に接続された前記スイッチをオフにし、前記電源電圧の供給が行われる期間では、前記スイッチをオンにする、半導体装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項３において、前記スイッチは、チャネル幅あたりのオフ電流が１×１０−２２Ａ／μｍ以下のトランジスタである半導体装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項４において、前記トランジスタの半導体層は、酸化物半導体である半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変速機用潤滑剤組成物であって：
主要量の潤滑油；
ゲル浸透クロマトグラフィーにより参照としてポリスチレンを使用して測定した場合に１３００より高く２３００までのポリイソブチレン置換基の数平均分子量、および１００℃で２１００〜２７００ｃＳｔのポリイソブチレン置換基の粘度、０．２１〜０．４６のホウ素／リン比、そして０．０９〜０．１９のホウ素／窒素比、および、変速機用潤滑剤組成物に５８〜３７１ｐｐｍのホウ素を供給する量のボロンを有する４．５〜２３重量％のホウ素化およびリン酸化Ｎ−置換ポリイソブチレンスクシンイミド分散剤；および
変速機用潤滑剤組成物に対して０ｐｐｍ超から２８１ｐｐｍ以下の金属を提供し、そして変速機用潤滑剤組成物に対して０．０２〜０．１５重量パーセントの石けん分をもたらす金属含有清浄剤；
を含んでなる上記の変速機用潤滑剤組成物。
【請求項２】
変速機用潤滑剤組成物が−４０℃で１５，０００ｃＰ以下のブルックフィールド粘度を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
主要量の潤滑油が、グループＩＩの基油、グループＩＩＩの基油および／またはグループのＩＶ基油ならびにそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
変速機用潤滑剤組成物が、４．５〜７．７重量パーセントのホウ素化およびリン酸化  Ｎ−置換ポリイソブチレンスクシンイミド分散剤を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
金属含有清浄剤が、アルカリ金属またはアルカリ土類金属塩としての中性から過塩基性スルホネート、フェネートまたはカルボキシレートである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
金属含有清浄剤が直線状または分岐スルホネートである、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
さらに０．０８〜１重量パーセントの金属含有清浄剤を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
金属含有清浄剤がホウ素化されていない請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
さらに摩擦調整剤、空気排除添加剤、酸化防止剤、腐食抑制剤、泡抑制剤、シール膨張剤、粘度指数向上剤、防錆剤、極圧添加剤およびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つの成分を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
機械部分に潤滑剤組成物を供給することによる機械部分の潤滑法であって：
潤滑剤組成物で機械部分を潤滑にすることを含んでなり、潤滑剤組成物が、
主要量の潤滑油；
ゲル浸透クロマトグラフィーにより参照としてポリスチレンを使用して測定した場合に１３００より高く２３００までのポリイソブチレン置換基の数平均分子量、および１００℃で２１００〜２７００ｃＳＴのポリイソブチレン置換基の粘度、０．２１〜０．４６のホウ素／リン比、そして、０．０９〜０．１９のホウ素／窒素比、および、潤滑剤組成物に５８〜３７１ｐｐｍのホウ素を供給する量のボロンを有する４．５〜２３重量％のホウ素化およびリン酸化Ｎ−置換ポリイソブチレンスクシンイミド分散剤；および
潤滑剤組成物に対して０ｐｐｍ超から２８１ｐｐｍ以下の金属を提供し、そして潤滑剤組成物に対して０．０２〜０．１５重量パーセントの石けん分をもたらす金属含有清浄剤；
の混合物を含む上記方法。
【請求項１１】
潤滑剤組成物が−４０℃で１５，０００ｃＰ以下のブルックフィールド粘度を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
主要量の潤滑油が、グループＩＩの基油、グループＩＩＩの基油および／またはグループのＩＶ基油ならびにそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
潤滑剤組成物が、４．５〜７．７重量パーセントのホウ素化およびリン酸化  Ｎ−置換ポリイソブチレンスクシンイミド分散剤を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
金属含有清浄剤が、アルカリ金属またはアルカリ土類金属塩としての中性から過塩基性スルホネート、フェネートまたはカルボキシレートである請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
金属含有清浄剤が直線状または分岐スルホネートである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
さらに０．０８〜１重量パーセントの金属含有清浄剤を含んでなる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
金属含有清浄剤がホウ素化されていない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
潤滑剤組成物がさらに摩擦調整剤、空気排除添加剤、酸化防止剤、腐食抑制剤、泡抑制剤、シール膨張剤、粘度指数向上剤、防錆剤、極圧添加剤およびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つの成分を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月25日(2016.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射性廃棄物から、核分裂生成物のうち放射性核種を含み原子番号が共通する同位体元素の群を、同位体分離を伴わずに抽出する工程と、
加速器により生成した高エネルギー粒子を前記同位体元素の群に照射して、前記放射性核種のうち長寿命放射性核種を、半減期の短い短寿命放射性核種又は資源として再利用可能な安定核種に核変換させる工程と、を含む放射性廃棄物の処理方法であって、
前記高エネルギー粒子は中性子（ｎ）であって、
前記同位体元素の中性子分離エネルギーの偶奇性に基づいて前記長寿命放射性核種が選択的に前記核変換されるように前記中性子の照射エネルギーが設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記同位体元素の群はセレン（Ｓｅ）であって、
前記中性子（ｎ）の照射エネルギーの値は、Ｓｅ−７９の（ｎ，２ｎ）反応断面積が、Ｓｅ−８０の（ｎ，２ｎ）反応断面積よりも１０倍以上大きくなる範囲内に、設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記同位体元素の群はパラジウム（Ｐｄ）であって、
前記中性子（ｎ）の照射エネルギーの値は、Ｐｄ−１０７の（ｎ，２ｎ）反応断面積が、Ｐｄ−１０８の（ｎ，２ｎ）反応断面積よりも１０倍以上大きくなる範囲内に、設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記同位体元素の群はジルコニウム（Ｚｒ）であって、
前記中性子（ｎ）の照射エネルギーの値は、Ｚｒ−９３の（ｎ，２ｎ）反応断面積が、Ｚｒ−９４の（ｎ，２ｎ）反応断面積よりも１０倍以上大きくなる範囲内に、設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記同位体元素の群はクリプトン（Ｋｒ）であって、
前記中性子（ｎ）の照射エネルギーの値は、Ｋｒ−８５の（ｎ，２ｎ）反応断面積が、Ｋｒ−８６の（ｎ，２ｎ）反応断面積よりも１０倍以上大きくなる範囲内に、設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記同位体元素の群はサマリウム（Ｓｍ）であって、
前記中性子（ｎ）の照射エネルギーの値は、Ｓｍ−１５１の（ｎ，２ｎ）反応断面積が、Ｓｍ−１５２の（ｎ，２ｎ）反応断面積よりも１０倍以上大きくなる範囲内に、設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項７】
放射性廃棄物から、核分裂生成物のうち放射性核種を含み原子番号が共通する同位体元素の群を、同位体分離を伴わずに抽出する工程と、
加速器により生成した高エネルギー粒子を前記同位体元素の群に照射して、前記放射性核種のうち長寿命放射性核種を、半減期の短い短寿命放射性核種又は資源として再利用可能な安定核種に核変換させる工程と、を含む放射性廃棄物の処理方法であって、
前記高エネルギー粒子は中性子（ｎ）であり前記同位体元素の群はセシウム（Ｃｓ）であって、
前記中性子（ｎ）の照射エネルギーの値は、Ｃｓ−１３７の（ｎ，２ｎ）反応断面積が、Ｃｓ−１３７の（ｎ，３ｎ）反応断面積よりも１００倍以上大きくなる範囲内に、設定されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記中性子を照射させた後の前記同位体元素の群は、所定期間放置させた後に、再び前記中性子（ｎ）が、照射されることを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の放射性廃棄物の処理方法において、
前記抽出する工程の後、前記核変換させる工程の前に、
濃縮効果の偶奇性に基づいて、前記同位体元素の群を、中性子数が奇数の同位体群及び中性子数が偶数の同位体群のいずれか一方に濃縮する工程を含むことを特徴とする放射性廃棄物の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
放射性廃棄物の処理方法において、放射性廃棄物から、核分裂生成物のうち放射性核種を含み原子番号が共通する同位体元素の群を、同位体分離を伴わずに抽出する工程と、加速器により生成した高エネルギー粒子を前記同位体元素の群に照射して、前記放射性核種のうち長寿命放射性核種を、半減期の短い短寿命放射性核種又は資源として再利用可能な安定核種に核変換させる工程と、を含む放射性廃棄物の処理方法であって、前記高エネルギー粒子は中性子（ｎ）であって、前記同位体元素の中性子分離エネルギーの偶奇性に基づいて前記長寿命放射性核種が選択的に前記核変換されるように前記中性子の照射エネルギーが設定されることを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年3月1日(2016.3.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２５】
第１の工程において、多数の液滴が採取され、これにより充填プロセスの開始時に、デバイスは平坦領域で動作することになる。これには、数百〜数千滴の採取のみが必要となる。このことから、平均液滴重量を算出することができ、このようにして最初の液滴重量は、平均を有意に変化させることがない。第２の工程において、各位置で望ましい液滴質量をもたらすのに何滴の液滴が必要かの計算が実施される。第３であって最後の工程において、ジェットをオンにして実際の液滴付着動作を開始させ、平坦領域に達するまで最初の数滴を廃棄採取容器に集めてから、Ｔｓ＜Ｔｄであることを確認しながら各位置で液滴が付着される。動作はこの時点で平坦領域にあるため、一貫した液滴質量が確実に得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月24日(2016.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インビトロで培養された１以上のＮＫ細胞の細胞増殖又は細胞生存の１以上を促進する方法であって、
前記１以上のＮＫ細胞に、
(a)Ｔａｔタンパク質のタンパク質形質導入ドメイン；および
(b)前記Ｔａｔタンパク質のタンパク質形質導入ドメインと付着し、細胞生存及び増殖を促進することが可能であり、かつ細胞内で生物活性を有する、ＭＹＣタンパク質、
を含む融合タンパク質を提供するステップ；ならびに
培地中で前記１以上のＮＫ細胞を培養するステップ、
を含み、かつ
前記融合タンパク質に暴露されなかった対応する細胞と比較して、前記１以上のＮＫ細胞の前記増殖又は生存の１以上が増加している、
前記方法。
【請求項２】
前記Ｔａｔタンパク質がＨＩＶ−１  Ｔａｔタンパク質である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記Ｔａｔタンパク質が配列番号１０記載のアミノ酸配列を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記１以上のＮＫ細胞に、アポトーシスを抑制するＢｃｌ−２ファミリーメンバー、およびＴａｔタンパク質のタンパク質形質導入ドメインを含む融合タンパク質を提供するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。