【事件の表示】
　特願２０１２−５２４８７３「高圧化学蒸着装置、方法、およびそれにより製造される組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月１７日国際公開、ＷＯ２０１１／０１９９２０、平成２５年　１月１７日国内公表、特表２０１３−５０２０７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年８月１２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年８月１２日，米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　７月２５日　審査請求
平成２６年　４月１８日　拒絶理由通知
平成２６年　８月　７日　意見書・手続補正
平成２７年　１月２２日　拒絶査定
平成２７年　５月２５日　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年５月２５日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「第１のＩＩＩ族窒化物合金を含む第１のエピタキシャル層と，
　前記第１のエピタキシャル層の上にあり接触する第２のＩＩＩ族窒化物合金を含む第２のエピタキシャル層と
を備え，
　前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する合金であり，
　前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，少なくとも５ｂａｒの超大気圧，および前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度では分解しない合金である
熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「第１のＩＩＩ族窒化物合金を含む第１のエピタキシャル層と，
　前記第１のエピタキシャル層の上にあり接触
し，Ｉｎ
１−ｘ
Ｇａ
ｘ
Ｎ，Ｉｎ
１−ｘ
Ａｌ
ｘ
Ｎ，またはＩｎ
１−ｘ−ｙ
Ａｌ
ｘ
Ｇａ
ｙ
Ｎ（ｘ及びｙは０．６５未満である。）を含有する
を備える熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造であって，
　前記第
２
１
　前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，少なくとも５ｂａｒの超大気圧，および前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度では分解しない合金であ
り，
　前記熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造は，超大気圧化学蒸着により形成されるものである，
熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造。」
（３）補正事項
　本件補正は，補正前請求項１の「第２のＩＩＩ族窒化物合金」について「
Ｉｎ
１−ｘ
Ｇａ
ｘ
Ｎ，Ｉｎ
１−ｘ
Ａｌ
ｘ
Ｎ，またはＩｎ
１−ｘ−ｙ
Ａｌ
ｘ
Ｇａ
ｙ
Ｎ（ｘ及びｙは０．６５未満である。）を含有する
２
１
前記熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造は，超大気圧化学蒸着により形成されるものである
２　新規事項の追加の有無について
（１）本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「当初明細書等」という。）の明細書段落００１６には「熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造組成物は，第１のＩＩＩ族窒化物合金からなる第１のエピタキシャル層を含む。本明細書で使用するとき，用語『ＩＩＩ族窒化物合金』は，Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ，Ｉｎ１−ｘＡｌｘＮ，Ｉｎ１−ｘ−ｙＡｌｘＧａｙＮ，ＡｌＮ，ＧａＮ，またはＩｎＮの任意の１つを表す。組成物はさらに，前記第１の層の上にあり接触する第２のＩＩＩ族窒化物合金からなる第２のエピタキシャル層を含む。本明細書で使用するとき，用語『上にあり接触する』とは，第１の層が第２の層に覆われており，または組み込まれており，両方の層が互いに接触することを表す。
第１のＩＩＩ族窒化物合金は，第２のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する合金である。さらに，第１のＩＩＩ族窒化物合金は，超大気圧，および第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度では，運動力学的にも熱力学的にも安定である（すなわち分解しない）。
（２）ところが，補正事項１により「前記第
２
１
　そして，「前記第
２
１
２
１
１
２
１
　すると，補正事項１により「超大気圧」で堆積を行う意義は失われ，技術的思想が変容したことになる。
　してみると，補正事項１は，当初明細書等に記載されていた本願原理に適合しない新たな技術的事項を導入するものであり，新規事項を追加する補正にあたる。
　なお，当初明細書等には第１のＩＩＩ族窒化物合金と第２のＩＩＩ族窒化物合金の組み合わせについて種々の記載があるが，その中にたまたま補正後請求項１の「前記第２のＩＩＩ族窒化物合金は，前記第１のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する」関係になる物があったとしても，それは本願原理に適合するものではなく，技術的意義がある「技術的事項」として記載されていなかったものである。よって，そのようなものを根拠に補正をすることは「技術的事項」でなかったものを「技術的事項」として導入するものであり，新規事項を追加する補正にあたる。
（３）以上のとおりであるから，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものではなく，特許法第１７条の２第３項の規定に違反してされたものである。
３　補正の目的の適否について
（１）補正事項１により「第１のＩＩＩ族窒化物合金」と「第２のＩＩＩ族窒化物合金」の関係が，補正前請求項１の「前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する合金」から相反する「前記第
２
１
　してみると，補正事項１は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく，請求項の削除又は明瞭でない記載の釈明にもあたらない。
　請求人は「明らかな誤記の訂正に該当する」旨主張するので，以下，補正事項１が誤記の訂正を目的とするものかどうか検討する。
　「誤記の訂正」とは，「本来その意であることが明細書，特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな字句・語句の誤りを，その意味内容の字句・語句に正すこと」である。
　本件補正前後を通じて明細書段落００１６に記載されているのは，本願原理であり，本件補正前請求項１の記載も本願原理に沿ったものであったところ，これと相反する「前記第２のＩＩＩ族窒化物合金は，前記第１のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する合金」が本来の意であることが明らかとは到底いえない。
　その他，本件補正前の明細書，特許請求の範囲又は図面を検討しても，前記本来の意が明らかであるとする根拠は見いだせない。
（２）以上のとおりであるから，補正事項１は，適法な目的のためにされたものではなく，特許法第１７条の２第５項の規定に違反してされたものである。
４　独立特許要件の適否について
　念のため，本件補正の目的が「特許請求の範囲の減縮」（特許法第１７条の２第５項第２号）にあたるとして，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明について
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「第１のＩＩＩ族窒化物合金を含む第１のエピタキシャル層と，
　前記第１のエピタキシャル層の上にあり接触し，Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ，Ｉｎ１−ｘＡｌｘＮ，またはＩｎ１−ｘ−ｙＡｌｘＧａｙＮ（ｘ及びｙは０．６５未満である。）を含有する第２のＩＩＩ族窒化物合金を含む第２のエピタキシャル層と
を備える熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造であって，
　前記第２のＩＩＩ族窒化物合金は，前記第１のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する合金であり，
　前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，少なくとも５ｂａｒの超大気圧，および前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度では分解しない合金であり，
　前記熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造は，超大気圧化学蒸着により形成されるものである，
熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造。」
（２）実施可能要件について
　本願明細書段落００１６には本願原理（前記２（１）参照。）が記載されており，この本願原理を前提として本願明細書段落００４２には「いくつかの実施形態では，この方法はさらに，反応領域内で超大気圧を維持するステップを含む。いくつかの実施形態では，ＩＩＩ族窒化物合金のエピタキシャル層の成長は，反応領域内で２〜１００ｂａｒの間の超大気圧で行われてもよい。別の実施形態では，ＩＩＩ族窒化物合金のエピタキシャル層の成長は，反応領域内で２〜３０ｂａｒの間の超大気圧で行われてもよい。」と記載されている。
　しかし，本願補正発明は本願原理には適合せず，なぜ大気圧でなく「超大気圧」で半導体ヘテロ構造をなす第２のＩＩＩ族窒化物合金を堆積させると「熱力学的に安定」になるのか，当業者に理解できないのであるから，どのような気圧下で堆積させれば本願補正発明に係る半導体ヘテロ構造が得られるのか不明であり，物の発明について「その物を作れる」ように記載されているとは認められない。
　したがって，本願補正発明について，発明の詳細な説明が当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されておらず，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（３）明確性要件について
　ア　当審の判断について
　特許請求の範囲の記載は，これに基づいて特許性等が判断されるだけでなく，これに基づいて特許発明の技術的範囲が定められるのであるから，ある具体的なものが請求項に係る発明の範囲に入るか否かを当業者が理解できるように記載されていることが必要である。
　そこで，本願補正発明を特定する請求項１の記載を見てみると，「前記第１のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度」及び「前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度」について，堆積する温度は堆積時の条件により異なるのが技術常識であるから，これを一義的に定めることができず，その結果請求項１の「第２のＩＩＩ族窒化物合金」及び「第１のＩＩＩ族窒化物合金」に，ある合金が含まれるのか否かが理解できないから，請求項１の記載において，本願補正発明が明確でない。
　イ　請求人の主張について
　この点について，請求人は意見書及び審判請求書で次のように主張するので，以下検討する。
（ア）請求人の主張「請求項１において規定された関係は，熱力学的な圧力（Pressure）−温度（Temperature）−合金材料（material Alloy）の関係（以下，「ＰＴＡ関係」）を包含する。請求項１において，合金材料の種類はＩＩＩ族窒化物合金に特定されているので，当業者であれば，請求項１におけるＰＴＡ関係から，最低温度と，少なくとも５ｂａｒの超大気圧で第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度とを推定することは可能。」について
　請求人の言う「包含する」とは，他に何を含むのか不明瞭であるが，この主張を善解して，平衡状態におけるＰＴＡ関係は一義的に定まるから，合金材料が特定されている以上，温度も一義的に定まるというものであるとしても，請求項１の記載では，平衡状態であることは特定されていないし，「圧力」についても特定できないから，「温度」を一義的に定めることはできない。
　例えば本願明細書０００４及び図１に示されるように，平衡状態でかつ「圧力」が窒素の分圧であることまで特定して初めてＰＴＡ関係が一義的に定まる。平衡状態とは合金材料が分解して材料ガスが発生する反応と材料ガスが堆積して合金材料が生成される反応の速度が等しいということであるから，この際に，ＰＴＡ関係は材料ガスに依存することは明らかである。
　なお，本願明細書には「圧力」を「反応器圧力」とするＰＴＡ関係も記載されている（本願明細書段落００７１及び図１０）から，本願明細書を参酌したとしても，「圧力」を平衡状態での窒素分圧に一義的に定めることもできない。
（イ）請求人の主張「本願発明１において，第１のＩＩＩ族窒化物合金が少なくとも５ｂａｒの超大気圧では分解しない合金であると特定することにより，当業者であれば，本願発明１に係る熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造が，超大気圧化学蒸着（ＨＰＣＶＤ）でのみ生成するものであることは当然に理解でき，この点をより明確にするために，新請求項１においては，『超大気圧化学蒸着により形成されるものである』とした。」について
　請求人の主張に係る請求項１の限定により「前記第１のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度」及び「前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度」が超大気圧化学蒸着でのみ堆積した場合の温度であると読むことはできないが，たとえそう読んだとしても，「超大気圧化学蒸着」に限定しただけでは「圧力」について特定していないから，前記（ア）のとおり，ＰＴＡ関係によって「温度」を一義的に特定することはできない。
　ウ　小括
　よって，請求項１の記載において，本願補正発明が明確であるとはいえず，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定した要件を満たしていない。
（４）まとめ
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び同条第５項又は同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年５月２５日にされた手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２６年８月７日付け手続補正による補正がされた特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「第１のＩＩＩ族窒化物合金を含む第１のエピタキシャル層と，
　前記第１のエピタキシャル層の上にあり接触する第２のＩＩＩ族窒化物合金を含む第２のエピタキシャル層と
を備え，
　前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度において，大気圧で分解する合金であり，
　前記第１のＩＩＩ族窒化物合金は，少なくとも５ｂａｒの超大気圧，および前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度では分解しない合金である
熱力学的に安定な半導体ヘテロ構造。」
２　明確性要件について
　請求項１には「前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が大気圧で堆積する最低温度」及び「前記第２のＩＩＩ族窒化物合金が堆積する温度」が記載されており，前記第２の４（３）と同様の理由で，本願発明は明確でない。
　請求項１を引用する請求項２ないし４０についても同様である。
　
第４　結言 
　したがって，本願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。