(57)【要約】  第１のエッチングプロセスによってエッチングできるばね金属層上の導体を有するタイプの一体型リードヘッドサスペンションたわみ部の製造方法である。本方法には、ばね金属層の主面上において、誘電体材料の１つまたは複数のフライングリード領域にギャップを有するパターン層を形成することと、誘電体材料上、および各フライングリード領域のギャップにおける露出したばね金属の上を始めとして、たわみ部上に１つまたは複数の導電性リードを形成することと、が含まれる。少なくとも導電性リードのフライングリード部は、第１のエッチングプロセスに耐性がある導電性材料から形成される。本方法にはまた、ばね金属層のフライングリード領域をエッチングし、フライングリード領域におけるばね金属層の一部を除去し、かつ導電性リードのフライングリード部を露出することが含まれる。
2007537562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドを受け入れるように構成されたタイプで、かつ第１のエッチングプロセスによってエッチングできるばね金属層上に導体を有するタイプの一体型リードヘッドサスペンションたわみ部を製造する方法において、
（１）前記ばね金属層の主面に誘電体材料のパターン層を形成するステップであって、前記パターン層が、前記ばね金属層が露出されている１つまたは複数のフライングリード領域においてギャップを有するステップと、
（２）前記たわみ部上に１つまたは複数の導電性リードを形成するステップであって、
前記誘電体材料層上に主リード部を形成することと、
前記１つまたは複数のフライングリード領域のそれぞれでのギャップの上にフライングリード部を形成することと、
を含み、
前記導電性リードの少なくとも前記フライングリード部が、前記第１のエッチングプロセスに耐性がある導電性材料から形成されるステップと、
（３）前記ばね金属層のフライングリード領域をエッチングして、前記フライングリード領域の前記ばね金属層の一部を除去し、かつ前記導電性リードの前記フライングリード部を露出させるステップと、
を備えて成る、方法。
【請求項２】
誘電体材料のカバー層を前記たわみ部に施して、前記１つまたは複数の導電性リードの少なくとも一部を覆うステップをさらに備えて成る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
カバー層を施すステップが、前記フライングリード領域をエッチングするステップの前に実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
１つまたは複数の導電性リードを形成するステップが、前記導電性リードを前記たわみ部上にめっきすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
１つまたは複数の導電性リードを形成するステップが、単一のめっき動作において、前記主リード部および前記フライングリード部をめっきすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
１つまたは複数の導電性リードをめっきするステップが、単一の導電性材料から前記主リード部および前記フライングリード部をめっきすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記導電性リードをめっきするステップが、前記主リード部をめっきするために用いられる材料と異なる材料を、前記フライングリード部にめっきすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記導電性リードをめっきするステップが、銀層を前記主リード部上にめっきすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導電性リードをめっきするステップが、銅層を前記主リード部上にめっきすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記導電性リードをめっきするステップが、ニッケル層を前記主リード部上にめっきすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性リードをめっきするステップが、金層を前記主リード部上にめっきすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電性リードをめっきするステップが、複数の層を前記主リード部上にめっきすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電性リードをめっきするステップが、導電性材料の複数の層を前記フライングリード部上にめっきすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
前記導電性リードをめっきするステップが、ニッケル層を前記フライングリード部上にめっきすることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性リードをめっきするステップが、金層を前記フライングリード部上にめっきすることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記フライングリード部をめっきするステップが、前記フライングリード部を前記主リード部の一部の上にめっきすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
前記フライングリード部をめっきするステップが、前記主リード部より大きな幅を有する前記フライングリード部を、前記フライングリード部がめっきされている前記主リード部の一部に重なるようにめっきすることをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記フライングリード部を形成するステップが、補強構造を前記フライングリード部上に形成して、前記フライングリード領域の前記導電性リードを補強することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記補強構造を形成するステップが、導電性材料の１つまたは複数の層を前記フライングリード部上にめっきすることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
導電性材料の１つまたは複数の層をめっきするステップが、前記フライングリード部上にニッケルをめっきすることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
導電性材料の１つまたは複数の層をめっきするステップが、前記フライングリード部上に金をめっきすることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記ばね金属層の前記フライングリード領域をエッチングするステップが、前記ばね金属層をエッチングして、前記フライングリード領域の前記導電性リードを補強するばね金属島を画定することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
補強構造を形成するステップが、１つまたは複数の導電性材料層を前記ばね金属島上にめっきすることを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記誘電体層に開口部を形成して、前記ばね金属層の一部を露出させることをさらに含む、請求項２２に記載の方法であって、前記１つまたは複数の導電性リードをめっきするステップが、導電性材料を前記開口部の中にめっきし、前記導電性リードと前記ばね金属層との間にアンカーを設けることを含む方法。
【請求項２５】
前記ばね金属層の前記フライングリード領域をエッチングするステップが、前記ばね金属層をエッチングして、アンカーの回りのばね金属島を画定することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
誘電体材料のパターン層を形成するステップの前に、導電性材料のグランド層を前記ばね金属層の一部の上に形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記グランド層を形成するステップが、前記グランド層を前記ばね金属層上にめっきすることを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記グランド層をめっきするステップが、銀、銅、ニッケル、アルミニウムおよび金を備えて成る群から選択される材料をめっきすることを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記グランド層をめっきするステップが、前記ばね金属層上に銅合金をめっきすることを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記グランド層をめっきするステップが、前記ばね金属層上に銀をめっきすることを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
１つまたは複数の導電性リードを形成するステップが、前記グランド層と電気連通する少なくとも１つの導電性リードを形成することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３２】
前記誘電体材料層を施すステップが、前記誘電体材料層をグランド層の少なくとも一部の上に施すことを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３３】
誘電体材料のパターン層を前記ばね金属層の主面に形成するステップが、前記１つまたは複数のギャップに隣接するテーパーエッジを形成することを含み、１つまたは複数の導電性リードを形成するステップが、前記１つまたは複数の導電性リードを、前記テーパーエッジ上および前記フライングリード領域の前記ばね金属層上に形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
主リード部を形成するステップが、前記導電性リードに電気的アクセスをもたらす導電性パッドを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３５】
前記導電性パッドを形成するステップが、導電性材料の１つまたは複数の層を、前記主リード部の一部の上に形成することを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
導電性材料の１つまたは複数の層を形成するステップが、前記主リード部より大きな幅を有する層を、前記導電性パッドが形成されている前記主リード部の一部に重なるように形成することを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記ばね金属層をエッチングし、前記ばね金属層を通って前記導電性パッドの一部へのアクセスを可能にすることをさらに備えて成る、請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】
前記導電性パッドを形成するステップが、前記磁気ヘッドへの電気接続を受け入れるように構成されたヘッド接合パッドを形成することを備えて成る、請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
導電性パッドを形成するステップが、テストパッドを形成することを備えて成る、請求項３４に記載の方法。
【請求項４０】
ばね金属層を有し、かつ磁気ヘッドを受け入れるように構成されたタイプの一体型リードヘッドサスペンションたわみ部において、
第１のばね主面から第２の主面まで形成された開口部を有するばね金属層と、
前記ばね金属層の前記第１の主面に沿って延在する誘電体材料のパターン層と、
前記たわみ部の前記主面に沿って延在する導電性リードであって、前記開口部の上側に延在するフライングリード領域を含む導電性リードと、
前記フライングリード領域の前記導電性リードに取り付けられたばね金属島であって、前記島の少なくとも一部を囲む導電性材料を有するばね金属島と、
を備えて構成される一体型リードヘッドサスペンションたわみ部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、磁気ディスクドライブヘッドサスペンションに関する。特に、本発明は、貴金属導体を備えたたわみ部、およびたわみ部を製造するためのアディティブ法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サスペンション要素に導電性トレースを製造するためのアディティブ法は、当該技術分野において公知である。松本等に対して発行された特許文献１は、銅トレースを備えたサスペンションを製造するためのアディティブ法を開示している。大川等に対して発行された特許文献２は、トレースへのバックサイドアクセスを含むアディティブ法を開示している。これらの特許のそれぞれは、腐食の影響を受けやすい材料で作製されたトレースを開示している。さらに、これらを参照することによって教示される製造方法は、非効率的で広範囲な取り扱いを必要とするプロセスにつながり、かつサスペンション要素を損傷に弱くし、かつ低い歩留まりに帰着する多数のステップを必要とする。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５，６６６，７１７号明細書
【特許文献２】米国特許第６，３９９，８９９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、効率的で費用効果的であり、かつ耐腐食性の導体を備えたサスペンションを結果としてもたらすプロセスが引き続き必要とされている。さらに、耐腐食性であり、かつ取り扱いまたは再加工から生じる可能性がある損傷に強い高品質の導電性トレースの必要性が依然としてある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、磁気ヘッドを受け入れるように構成され、かつばね金属層上に導体を有するタイプの一体型リードヘッドサスペンションたわみ部を製造するアディティブ法に関する。誘電体材料の層が、ばね金属層の一部に施され、１つまたは複数の導体が、フライングリード領域の誘電体材料におけるギャップを横切ることを含めて、たわみ部上に形成される。導体は、導電性材料をたわみ部上にめっきすることによって形成することができる。導体には、フライングリード部および主部を含むことができる。フライングリード部は、主リード部と同じ材料で同時に作製することができる。代替として、フライングリード部は、別個のプロセスにおいて、異なる材料で形成することができる。ばね金属層は、たわみ部のフライングリード領域でエッチングすることができる。少なくともフライングリード領域に形成された導電性リードの部分は、導電性リードのフライングリード部が残存してエッチングプロセスによってさらされるように、エッチングプロセスに耐性がある。導電性リードの一部は、エッチングプロセスの前に施すことが可能な誘電体材料のカバー層で覆ってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１は、ディスクドライブで用いるように構成されたヘッドサスペンションアセンブリ８の図であるが、このアセンブリ８には、本発明の一実施形態に従い、貴金属または準貴金属を含みかつアディティブ法によって製造された導電性リード４０のアレイを有するサスペンション要素またはたわみ部１０が含まれる。ヘッドサスペンション８には、たわみ部１０が取り付けられるロードビーム３０が含まれるが、このロードビーム３０は、アクチュエータアーム（図示せず）にヘッドサスペンションアセンブリ８を搭載するように構成されたアクチュエータアーム搭載領域３８を近位端３１に有する。
【０００７】
たわみ部１０を、図２に、より詳細に示す。たわみ部１０には、一般に平坦なばね金属層２０が含まれるが、このばね金属層２０は、たわみ部の遠位端２６に位置するジンバル領域１４、たわみ部をロードビーム３０に搭載するための搭載領域１６、およびたわみ部の近位端２８における、搭載領域から延在するテール領域１８を有する。ばね金属層２０は、典型的には、ステンレス鋼または別の適切な材料で作製される。たわみ部１０のジンバル領域１４には、磁気ヘッド（図示せず）を支持し、かつばね金属層２０を通して形成されたチャネル１９によって画定されるタング２２が含まれる。搭載領域１６は、ロードビーム３０と係合するように構成され、ロードビームとの取り付け（典型的には溶接による）を容易にする様々なタブ、開口部およびオフセット部（図示せず）を含んでもよい。たわみ部１０のばね金属層２０は、本発明の範囲から逸脱せずに、様々な形状およびサイズを呈することができる。
【０００８】
たわみ部１０は、いわゆる一体型リードまたは無線構造であり、ばね金属層２０の主面２１に施される導電性トレースまたはリード４０を含む。導電性リード４０によって、たわみ部１０のジンバル領域１４に搭載される磁気ヘッド（図示せず）と外部回路（図示せずとの）との間の電気通信が提供され、この外部回路が、たわみ部の近位端２８近くのテール領域１８における導電性リードに取り付けられる。各導電性リード４０には、たわみ部１０のジンバル領域１４に配置されたヘッド接合パッド部４４が含まれる。導電性リード４０のヘッド接合パッド部４４は、磁気ヘッド（図示せず）を導電性リードに接合するハンダボールまたは金ボールなどの取り付け機構を受け入れるように構成されている。
【０００９】
さらに、各導電性リード４０には、主導体部５２が含まれるが、この主導体部５２は、導電性リードの一部または全てに沿って延在する。導電性リード４０にはまた、フライングリード領域５０、およびたわみ部１０のテール領域１８に位置するテストパッド部４６が含まれる。フライングリード領域５０によって、（図４に示すように）第１の主面２１および反対側の第２の主面２３の両方から、導電性リード４０へのアクセスが可能になる。テストパッド部４６によって、テスト目的で、導電性リード４０へのアクセスが提供される。
【００１０】
たわみ部１０の概略図を、図３および４に示す。導電性リード４０は、たわみ部１０におけるばね金属層２０の第１の主面２１に沿って施されている。たわみ部１０には、複数の導電性リード４０と共に、誘電体層２４およびカバー層３６が含まれるが、これらの両方とも、感光性ポリイミドなどの誘電体材料で作製されている。一実施形態では、導電性リード４０の全体が、金で作製されている。金の導電性リードによって、銅などの一般に用いられる金属には見出されない耐腐食性がもたらされる。カバー層３６は、導電性リード４０の大部分にわたって施されるが、フライングリード領域５０の大部分の上、またはテストパッド部４６およびヘッド接合部４４の上には延在しない。カバー層３６によって、カバー層が覆う導電性リード４０の部分に対する保護が提供される。
【００１１】
図４は、導電性リード４０の１つにおけるフライングリード領域５０およびテストパッド部４６を含むたわみ部１０の一部の概略側面図を示す。誘電体層２４は、ばね金属層２０に隣接して施され、ばね金属層を導電性リード４０から電気的に絶縁する。誘電体層２４は、開口部の第１のエッジ４１および第２のエッジ４３のそれぞれにおいて、ばね金属層２０における開口部４２の一部の上側に延在する。開口部４２の上側に延在する誘電体層２４の部分は、ばね金属層２０の方へ先細りになるテーパーエッジ２５を有する。
【００１２】
さらに、クロムまたは他の適切な材料などの導電性材料のシード層３４が、誘電体層２４と導電性リード４０との間に位置して、テーパーエッジ２５を備えた誘電体層の部分を含むように、誘電体層２４に施される。誘電体材料２４は、導電性リード４０の下のエリアを越えて、ばね金属層２０の実質的な部分の上に施すことができるが、シード層３４については、誘電体層２４と導電性リード４０との間のエリアに制限して、互いに電気的に絶縁されるように意図されている導電性リード４０間でシード層３４が電気通信を提供するのを防ぐのが好ましい。
【００１３】
導電性リード４０は、フライングリード領域５０およびテストパッド部４６と共に示されている。概略図は、テストパッド部４６を示し、ヘッド接合部を示していないが、ヘッド接合部は、テストパッド部と同様または同一の構造を有し、同様または同一のプロセスで形成される。導電性リード４０のフライングリード領域５０は、開口部の第１のエッジ４１および第２のエッジ４３のそれぞれから開口部４２の上側に延在するテーパーエッジ２５に沿って延在し、ばね金属層２０の中に形成された開口部４２を横切って延在する。図示の実施形態において、フライングリード領域５０は、開口部４２を横切って延在するが、しかし開口部４２の中へと延びるのではない。図示の実施形態において、主導体部５２は、フライングリード領域５０およびテストパッド部４６を始めとして、導電性リード４０の全体に沿って延在する。
【００１４】
たわみ部１０の別の特徴は、タング２２に配置された１つまたは複数のスタンドオフ２９である。スタンドオフ２９は、たわみ部１０のばね金属層２０から離れるように延在し、、磁気ヘッドスライダ（図示せず）がたわみ部１０に取り付けられるときに、それを支持し位置付ける。スタンドオフ２９には、誘電体層２４、導電性リード４０に似た導電性材料およびカバー層３６を含む、たわみ部１０の他のところに施されるのと同じ材料層を含むことができるが、他の材料を用いてもよい。スタンドオフ２９は、ヘッド接合部４４と同じ厚さにして、ヘッド接合部への磁気ヘッド（図示せず）の取り付けを容易にするのが好ましい。図３に示す実施形態において、３つの矩形スタンドオフ２９が、タング２２の周囲に沿って配置されている。しかしながら、スタンドオフの数、形状および位置は、本発明の範囲から逸脱せずに変えることができる。
【００１５】
カバー層３６は、フライングリード領域５０およびテストパッド部４６以外の位置で、誘電体層２４および導電性リード４０の上に施され、フライングリード領域５０およびテストパッド部４６のエリアでは、導電性リード４０を露出したままにしている。したがって、図示の実施形態では、フライングリード領域５０は、第１の主面２１および第２の対向面２３の両方で露出している。フライングリード領域５０は、金で作製されるのが好ましく、導電性リード４０の他の部分とほぼ同じ厚さを有するが、導電性リードのフライングリード領域は、導電性リードの他の部分より幅が広くてもよい。
【００１６】
本発明の別の実施形態によるたわみ部１１０の概略図を、図５および６に示す。たわみ部１１０には、フライングリード領域を強化するために、フライングリード領域１５０に施された導電性材料の追加層を有する導電性リード１４０が含まれる。導電性リード１４０の強化フライングリード領域１５０によって、外部導体と導電性リードのフライングリード領域との間の接続の改善が促進される。導電性リード１４０には、全導電性リードのそれぞれにわたって延在する、金で作製された主導体部１５２であって、たわみ部１０に関連して図示した主導体部５２に似た主導体部１５２が含まれる。さらに、図示した実施形態のフライングリード領域１５０には、フライングリード領域１５０における主導体部１５２上に施された金の第１のフライングリード導電層１５４が含まれる。さらに、第２のフライングリード導電層１５６が、第１のフライングリード導電層１５４上に施される。層１５６は、フライングリード領域１５０の強度を増加するために、ニッケルで作製するのが好ましい。なおさらに、第３のフライングリード導電層１５８が、第２の層１５６上に施される。第３の層１５８は、金で形成されるのが好ましい。金は、電気導体用途において、超音波溶接するのに好ましい材料であり、フライングリード領域１５０における金の外面によって、有利なことに、両側とも、超音波溶接された導体を受け入れることが可能になる。フライングリード領域１５０に強度の増加をもたらすことによって、外部導体（図示せず）とフライングリード領域との間の接続の改善が可能になり、フライングリード領域における導電性リード１４０を損傷せずに、再加工のために外部導体を取り外すことが容易になる。フライングリード領域１５０を除いて、たわみ部１１０は、たわみ部１０と同様にすることができ、「１ＸＸ」シリーズでは、同様の特徴が識別される。たとえば、ばね金属層１２０は、ばね金属層２０と同様かまたは同一にすることができる。
【００１７】
本発明のさらに別の実施形態によるたわみ部２１０の概略図を、図７および８に示す。たわみ部２１０には、異なる材料で形成された多数の導電層を有する主導体部２５２が含まれる。さらに、フライングリード領域２５０には、導体２４０を強化する多数の材料層が含まれるが、しかし主導体部は、フライングリード領域の中へは延びない。したがって、フライングリード領域は、異なる材料から形成し、かつ主導体部が施された後で施すことができる。導体２４０の主導体部２５２は、シード層２３４に施された、好ましくは銀を含む第１の導電層２４７、および第１の導電層２４７に施された、好ましくは金を含む第２の導電層２４９を有する。銀の第１の導電層２４７は、導電性リード２４０の主導体部２５２を介して導電率の増加をもたらす。金の第２の導電層２４９は、第１の層２４７のために追加的な防食を提供する。さらに、金の第２の導電層２４９は、必要ならば他の導体が接合され得る許容可能な接合材料である。第１の導電層２４７は銀で作製するのが好ましいが、本発明の範囲から逸脱せずに、銅を始めとする他の材料で作製することができる。
【００１８】
フライングリード領域２５０の導体２４０には、金の第１のフライングリード導電層２５４が含まれる。第１の層２５４は、第１の端部２６０からたわみ部に施され、主導体部２５２の一部の上に施されて、開口部の第１のエッジ２４１および第２のエッジ２４３のそれぞれから開口部２４２の上側に延在するテーパーエッジ２２５に沿って延在する。フライングリード領域２５０の第１の層２５４は、ばね金属層２２０の中に形成された開口部２４２横切って延在するが、しかしその中へは延びない。第１の層２５４は、第２の端部２６２を有し、第１の端部２６０からは開口部２４２の反対側で、主導体部２５２上に施される。図９〜１０を簡単に参照すると、フライングリード領域２５０の第１の層２５４が、主導体部２５２の第２の層２４９に施される位置では、第１の層２５４は、追加的な製造プロセス中に発生する可能性があるあらゆるずれを見越して、主導体部より幅が広い。
【００１９】
フライングリード領域２５０の導体２４０にはまた、好ましくはニッケルの第２のフライングリード導電層２５６および金の第３のフライングリード導電層２５８が含まれる。第１の層２５４上に施される第２の層２５６によって、フライングリード領域２５０に追加的強度がもたらされる。第２の層２５６に施される第３の層２５８は、導電性リード（図示せず）が超音波溶接され得る適切な材料を提供する。第２のフライングリード導電層２５６および第３のフライングリード導電層２５８は、第１のフライングリード導電層２５４とほぼ同じ幅であり、したがって、同様に、フライングリード領域の第１の端部２６０および第２の端部２６２における主導体部２５２より幅が広い。カバー層２３６は、主導体部２５２に重なる部分を含めて、導電性リード２４０の第３のフライングリード導電層２５８の一部の上に施される。上述の特定の相違を除いて、たわみ部２１０はたわみ部１１０と同様にすることができ、「２ＸＸ」シリーズでは、同様の特徴が識別される。特に、テストパッド部２４６は、テストパッド部１４６と同様かまたは同一である。
【００２０】
本発明のさらに別の実施形態によるたわみ部３１０の概略図を、図１１および１２に示す。たわみ部２１０と同様に、たわみ部３１０には、追加的強度をもたらす多数の材料層を有するフライングリード領域３５０と、フライングリード領域の中へは延びない主導体部３５２と、を備えた導体３４０が含まれる。さらに、たわみ部３１０には、追加的強度をもたらす多数の導電層を備えたテストパッド部３４６が含まれる。同様に、ヘッド接合パッド部３４４にもまた、多数の導電層を含むことができる。
【００２１】
導電性リード３４０には、銀で形成された主導体部３５２を含むのが好ましい。なぜなら、有利なことに、銀は導電率の改善をもたらすからである。上記の実施形態における主導体部２５２の第１の導電層２４７と同様に、主導体部３５２は、本発明の範囲から逸脱せずに、銅で作製することができる。さらに、導電性リード３４０には、金の第１のテストパッド導電層３６４と、ニッケルの第２のテストパッド導電層３６６と、金の第３のテストパッド導電層３６８とを有するテストパッド部３４６が含まれる。たわみ部２１０のフライングリード領域２５０と同様に、テストパッド部３４６には、重なり合う連結部３７６が含まれるが、この連結部３７６において、テストパッド部３４６は、テストパッド部と連結する主導体部３５２の一部の上に施され、かつこの部分より幅が広い。同様に、カバー層３３６が、テストパッド部３４６の一部の上に施され、その結果、テストパッド部の一部だけが露出される。さらに、テストパッド部３４６の下に位置するばね金属層３２０、誘電体層３２４、およびシード層３３４の一部を除去して、たわみ部３１０の第２の主面３２３からテストパッド部へのアクセスを可能にしてもよい。ここで説明する特徴の特定の相違を除いて、たわみ部３１０は、たわみ部２１０とほぼ同様にすることができ、「３ＸＸ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。
【００２２】
本発明の別の実施形態に従って、図１３は、たわみ部４１０の一部の側面図を示すが、この部分には、誘電体層４２４とばね金属層４２０との間にグランドプレーン４７０が配置された導電性リード４４０が含まれる。グランドプレーン４７０は、導電性リード４４０とばね金属層４２０との間に有利に配置され、ばね金属層４２０の任意の部分に沿って選択的に施すことができる。グランドプレーン４７０は、誘電体層４２４とばね金属層４２０との間に効果的に包まれ、その結果、それは追加的な保護を少しも必要としない。グランドプレーン４７０は、導電性材料で形成され、銀で形成されるのが好ましくが、銅、ニッケル、アルミニウム、金、またはこれらの材料の合金で形成することも可能である。代替実施形態（図示せず）では、導電性リード４４０の一部を、介在する少しの誘電体材料もなしに、グランドプレーン４７０に直接隣接して配置してもよい。したがって、この代替実施形態において、グランドプレーンに接している導電性リードは、グランドプレーンを通してばね金属層に接地される。グランドプレーン４７０の厚さは、ばね金属層４２０の上で変わることができる。グランドプレーン４７０を含むことを除いて、たわみ部４１０は、たわみ部１０と同様かまたはほぼ同じにすることができ、「４ＸＸ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。本実施形態で説明したグランドプレーンの特徴は、本発明の範囲から逸脱せずに、任意の他の実施形態に含むことができる。
【００２３】
図１４は、本発明のさらに別の実施形態によるたわみ部５１０の一部の側面図である。たわみ部５１０には、ばね金属層５２０と電気通信する導電性リード５４０が含まれる。導電性リード５４０は、好ましくは金の第１の導電層５５４と共に示されている。導電性リード５４０の第１の導電層５５４の少なくとも一部が、誘電体層５２４におけるギャップ５１７に沿ってばね金属層５２０に施され、かつばね金属層５２０と電気通信する。導電性リード５４０の第１の導電層５５４における他の部分は、たわみ部５１０における部分にわたって誘電体層５２４に施され配置されてもよい。図示の実施形態における導電性リード５４０には、ニッケルで作製され、かつ第１の導電層５５４上に施された第２の導電層５５６が含まれる。さらに、導電性リード５４０には、金で作製され、かつ第２の導電層５５６上に施された第３の導電層５５８が含まれる。本実施形態に示す接地の特徴は、本発明の範囲から逸脱せずに、前記他の実施形態と組み合わせることができる。
【００２４】
前述の実施形態は、例示目的のために説明した。これらの前の実施形態において前記導電性リードには、本発明の範囲から逸脱せずに、説明した導電性リードの変形例を含むことができる。たとえば、上記の実施形態のいずれかにおけるフライングリード領域、主導体部、テストパッド部、およびヘッド接合パッド部を共に組み合わせて本発明の新しい実施形態を形成することが、本発明の範囲から逸脱せずに可能である。さらに、材料の他の配置を、上で概説した部分のそれぞれの内で用いてもよい。一例として、導電性リードの主導体部は、銅またはニッケルを含んでもよい。さらに、上記の実施形態の導電性リードが、外部導体とたわみ部に搭載された磁気ヘッドとの間の電気通信を提供するように構成されているが、他の導電性リードを、他の回路において電気通信を提供するように構成することが、本発明の範囲から逸脱せずに可能である。
【００２５】
たわみ部１１０、２１０および３１０に関連して上記したように、フライングリード領域は、ニッケルなど異なる材料の多数の層を含んで、強い導電性リードをフライングリード領域に作り出すことができる。代替として、導電性リードのフライングリード領域は、追加的強度をもたらす他の構造で補強することができる。図１５Ａ〜Ｃは、本発明の別の実施形態に従い、フライングリード領域５０ａにおける付属の補強部材８２ａを備えた導電性リード４０ａを有するたわみ部１０ａの一部を示す。図１５Ａは、フライングリード領域５０ａにおける１つの導電性リード４０ａの長手方向軸に沿った、たわみ部ｌ０ａの断面図を示す。誘電体層２４ａは、前述の実施形態よりさらに遠くまで、ばね金属２０ａの開口部４２ａの上側に延在している。導電性リード４０ａは、カバー層３６ａによって覆われていない開口部４２ａの第１のエッジ４１ａおよび第２のエッジ４３ａそれぞれの上の誘電体層２４ａに沿って施される。
【００２６】
補強部材８２ａにはばね金属島７２ａが含まれるが、このばね金属島７２ａは、フライングリード領域５０ａにおける導電性リード４０ａのそれぞれに取り付けられ、かつそれが取り付けられている導電性リード４０ａとほぼ同じ幅である。絶縁されたばね金属部７２ａは、たわみ部１０ａのばね金属層２０ａと平坦であってもよいが、それらは、ばね金属層と物理的に一体化されてはいない。ばね金属島７２ａは、ばね金属島７２ａの各端部上の誘電体層２４ａの一部に向かって延在し、、かつそれに取り付けられている。
【００２７】
導電性材料の第１の導電性補強層８４ａが、カバー３６ａによって覆われていない導電性リード４０ａそれぞれの部分に施され、かつそれを囲む。さらに、第１の補強層８４ａは、ばね金属島７２ａに施されて、それを囲む。一実施形態において、第１の補強層８４ａには、導電性リード４０ａに追加的強度をもたらすニッケルが含まれる。各導電性リード４０ａにはまた、第１の補強層８４ａに施され、かつそれを囲む第２の補強層８６ａが含まれる。一実施形態において、第２の補強層８６ａには、金が含まれる。図１５Ｃに示すように、誘電体層２４ａは、導電性リード４０ａの一部とばね金属島７２ａとの間に配置され、かつ補強部材８２ａの各端部において第１の導電層８４ａおよび第２の層８６ａを分離する。フライングリード領域５０ａにおいて導電性リード４０ａに追加される補強を除いて、たわみ部１０ａは、たわみ部１０と同じかまたはほぼ同一であり、「ＸＸａ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。
【００２８】
図１６Ａ〜Ｃは、本発明の別の実施形態に従って、フライングリード領域５０ｂにおける付属の補強部材８２ｂを備えた導電性リード４０ｂを有するたわみ部１０ｂを示す。図１６Ａは、各導電性リードに補強をもたらす絶縁されたばね金属部７２ｂおよび７３ｂを有する補強部材８２ｂを示すフライングリード領域５０ｂにおける１つの導電性リード４０ｂの長手方向軸に沿った、たわみ部１０ｂの断面図を示す。導電性リード４０ｂは、カバー層３６ｂによって覆われていない開口部４２ｂの第１のエッジ４１ｂおよび第２のエッジ４３ｂそれぞれの上の誘電体層２４ｂに沿って施される。
【００２９】
補強部材８２ｂにはばね金属島７２ｂが含まれるが、このばね金属島７２ｂは、フライングリード領域５０ｂにおける導電性リード４０ｂのそれぞれに取り付けられ、かつそれが取り付けられている導電性リード４０ｂとほぼ同じ幅である。絶縁されたばね金属部７２ｂは、たわみ部１０ｂのばね金属層２０ｂと平坦であってもよいが、それらは、ばね金属層と物理的に一体化されてはいない。ばね金属島７２ｂは、ばね金属島７２ｂの各端部上の誘電体層２４ｂの一部に向かって延在し、、それに取り付けられている。
【００３０】
導電性材料の第１の導電性補強層８４ｂが、カバー３６ｂによって覆われていない導電性リード４０ｂそれぞれの部分に施され、かつそれを囲む。さらに、第１の補強層８４ｂは、ばね金属島７２ｂに施され、かつそれを囲む。一実施形態において、第１の補強層８４ｂには、導電性リード４０ｂに追加的強度をもたらすニッケルが含まれる。
【００３１】
各導電性リード４０ｂにはまた、第１の補強層８４ｂに施されて、それを囲む第２の補強層８６ｂが含まれる。図示の実施形態において、第２の補強層８６ｂには金が含まれる。図１６Ｃに示すように、誘電体層２４ｂは、導電性リード４０ｂの一部とばね金属島７２ｂとの間に配置され、かつ補強部材８２ｂの各端部において第１の導電層８４ｂおよび第２の層８６ｂを分離する。
【００３２】
さらに、誘電体層２４ｂは、開口部４２ｂの上側に延在する誘電体層２４ｂの両側の上に、誘電体層２４ｂを通って形成された開口部８８ｂを有する。ばね金属島７３ｂが、開口部８８ｂのそれぞれの下で、導電層に取り付けられている。導電性リード４０ｂは、開口部８８ｂのそれぞれの中へと延び、ばね金属島７３ｂに電気的および機械的に接続され、導電層２４ｂを通って導電性リード４０ｂをばね金属島に固定し、それによって、フライングリード領域５０ｂに追加的強度をもたらす。フライングリード領域５０ｂにおける導電性リード４０ｂに追加される補強部材を除いて、たわみ部ｌ０ｂは、たわみ部１０と同様かまたはほぼ同一であり、「ＸＸｂ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。
【００３３】
図１５Ａ〜Ｃおよび１６Ａ〜Ｃに関連して上記した補強部材には、たわみ部１０と同様のたわみ部における導電性リードに取り付けられたばね金属島が含まれる。たわみ部１０には、好ましくは金で作製された導電性リード４０が含まれるが、代替として、フライングリード領域５０ａおよび５０ｂにおける部分を始めとして、導電性リード４０ａおよび４０ｂの全てまたは一部は、銅などの他の材料で作製してもよい。ばね金属島は、フライングリード領域に強度をもたらすが、しかしまた、他の場合には、以下で説明するような製造プロセス中に、銅などの材料で作製された導電性リードの完全性を損なう可能性があるエッチングプロセスから、導電性リードを保護する。
【００３４】
図１７Ａ〜Ｃは、フライングリード領域５０ｃにおける付属の補強部材で８２ｃを備えた導電性リード４０ｃを有するたわみ部１０ｃのさらに別の実施形態を示す。図１７Ａは、絶縁されたばね金属部７３ｃおよび各導電性リードのために補強をもたらす導電性補強材料層を有する補強部材８２ｃを示すフライングリード領域５０ｃにおける１つの導電性リード４０ｃの長手方向軸に沿った、たわみ部１０ｃの断面図を示す。
【００３５】
導電性材料の第１の導電性補強層８４ｃが、カバー３６ｃによって覆われていない導電性リード４０ｃそれぞれの部分に施されて、それを囲む。一実施形態において、第１の補強層８４ｃには、導電性リード４０ｃに追加的強度をもたらすニッケルが含まれる。各導電性リード４０ｃにはまた、第１の補強層８４ｃに施され、かつそれを囲む第２の補強層８６ｃが含まれる。図示の実施形態において、第２の補強層８６ｃには金が含まれる。図１７Ｃに示すように、誘電体層２４ｃは、補強部材８２ｃの各端部近くで第１の導電層８４ｂの一部および第２の層８６ｃを分離する。
【００３６】
さらに、誘電体層２４ｃは、開口部４２ｃの上側に延在する誘電体層２４ｃの両側の上に、誘電体層２４ｃを通って形成された開口部８８ｃを有する。ばね金属島７３ｃが、開口部８８ｃのそれぞれの下で、導電層に取り付けられている。導電性リード４０ｃは、開口部８８ｃのそれぞれの中へと延び、ばね金属島７３ｃに電気的および機械的に接続され、導電層２４ｃを通って導電性リード４０ｃをばね金属島に固定し、それによって、フライングリード領域５０ｃに追加的強度をもたらす。フライングリード領域における導電性リード４０ｃに追加される補強を除いて、たわみ部ｌ０ｃは、たわみ部１０と同様かまたはほぼ同一であり、「ＸＸｃ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。
【００３７】
図１８ＡおよびＢは、フライングリード領域５０ｄにおける付属補強部材８２ｄを備えた導電性リード４０ｄを有するたわみ部１０ｄのさらに別の代替実施形態を示す。図１８Ａは、各導電性リードに補強をもたらす導電性補強材料層を有する補強部材８２ｄを示すフライングリード領域５０ｄにおける１つの導電性リード４０ｄの長手方向軸に沿った、たわみ部１０ｄの断面図を示す。たわみ部１０ｄは、開口部４２ｄを有するばね金属層２０ｄを有する。誘電体層２４ｄの一部は、ばね金属層２０ｄにおける開口部４２ｄの近位端４１ｄおよび遠位端４３ｄを越えて延在する。カバー層３６ｄは、誘電体層２４ｄのエッジを越えて延在し、、開口部４２ｄの上に延在する導電性リード４０ａの一部を覆う。
【００３８】
導電性材料の第１の導電性補強層８４ｄが、カバー３６ｄによって覆われていない導電性リード４０ｄそれぞれの部分に施されて、それを囲む。一実施形態において、第１の補強層８４ｄには、導電性リード４０ｄに追加的強度をもたらすニッケルが含まれる。各導電性リード４０ｄにはまた、第１の補強層８４ｄに施され、かつそれを囲む第２の補強層８６ｄが含まれる。図示の実施形態において、第２の補強層８６ｄには金が含まれる。フライングリード領域における導電性リード４０ｄに追加される補強を除いて、たわみ部ｌ０ｄは、たわみ部１０と同様かまたはほぼ同一であり、「ＸＸｄ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。
【００３９】
図１９Ａ〜Ｃは、フライングリード領域５０ｅにおける付属の補強部材８２ｅを備えた導電性リード４０ｅを有するたわみ部１０ｅのさらに別の代替実施形態を示すが、フライングリード領域５０ｅは、フライングリード領域５０ｅにおける導電性リード４０ｅに引き起こされる可能性がある応力を減じるために、カバー３６ｅに補強導電性材料および構成物を含む。図１９Ａは、各導電性リードに補強をもたらす導電性補強材料層を有する補強部材８２ｅを示すフライングリード領域５０ｅにおける１つの導電性リード４０ｅの長手方向軸に沿った、たわみ部１０ｅの断面図を示す。たわみ部１０ｅは、導電性リード４０ｅが上側に延在している開口部４２ｅを備えたばね金属層２０ｅを有する。誘電体層２４ｅは、ばね金属層２０ｅにおける開口部４２ｅの近位端４１ｅおよび遠位端４３ｅを越えて延在している。誘電体層２４ｅに施される導電性リード４０ｅの一部は、フライングリード領域５０ｅそれぞれの両側において、カバー層３６ｅの外へ延び、カバー層３６ｅによって覆われていない。
【００４０】
導電性材料の第１の導電性補強層８４ｅが、カバー３６ｅによって覆われていない、フライングリード領域５０ｅにおける導電性リード４０ｅそれぞれの部分に施されて、それを囲む。一実施形態において、第１の補強層８４ｅには、導電性リード４０ｅに追加的強度をもたらすニッケルが含まれる。各導電性リード４０ｅにはまた、第１の補強層８４ｅに施され、かつそれを囲む第２の補強層８６ｅが含まれる。図示の実施形態において、第２の補強層８６ｅには金が含まれる。
【００４１】
さらに、たわみ部ｌ０ｅの第１の主面２ｌｅから取られた図である図１９Ｃに示すように、カバー層３６ｅには、開口部４２ｅの両側においてカバー層３６ｅに形成されたノッチ９８ｅが含まれ、これらのノッチ９８ｅの中へと、材料の第１の層８４ｅおよび第２の層８６ｅが延在している。ノッチ９８ｅは、第１の層８４ｅおよび第２の層８６ｅを通して補強部材８２ｅから応力を吸収する。補強部材８２ｅに関連してここで説明した相違を除いて、たわみ部ｌ０ｅは、たわみ部１０とほぼ同様であり、「ＸＸｅ」シリーズにおいて、同様の特徴が識別される。
【００４２】
前記実施形態は、耐腐食性で強いフライングリード領域を有し、かつ１つまたは複数の位置でたわみ部を通って導電性リードへのアクセスを可能にする、たわみ部における導電性リードについて説明している。図２０は、図３に示すようなたわみ部１０のばね金属層２０上に導電性リード４０を製造するためのアディティブ法６１０の一実施形態のためのフローチャートにおけるステップを概説する。図２１Ａ〜Ｌは、図２０のアディティブ法の連続ステップ後のたわみ部１０を示す。図２１Ａは、誘電体層２４を形成する感光性ポリイミド材料をばね金属層２０上に施すステップ６１２後のたわみ部１０を示す。フォトリソグラフィプロセスを用いて、ばね金属層２０上にポリイミド材料を施してパターン化することができる。誘電体層２４は、ばね金属層２０の大部分の上に延在することができるが、誘電体層は、開口部４２（図３に示すような）が最終的に形成される、ばね金属層２０の部分２７の上にギャップを有するようにパターン化される。誘電体層２４の厚さは部分２７の近くで減少し、誘電体層にテーパーエッジ２５を形成するようにする。誘電体層２４は、ばね金属層２０の残りのほとんどに施してもよいが、誘電体層２４は、たわみ部１０に形成される導電性リード４０からばね金属層２０を絶縁することが望ましいエリアに施す必要があるだけである。
【００４３】
図２１Ｂは、シード層３４をたわみ部１０上に施す次のステップ６１４の後のたわみ部１０を示す。シード層３４は、真空蒸着プロセスまたはシード層材料をたわみ部の表面上にスパッタする他の公知のプロセスを用いることによって、たわみ部１０上に施すことができる。シード層３４は、次のめっきプロセス中に電気基準として用いられる。誘電体層２４は部分２７上に施されないが、シード層３４は部分２７上に施されることに留意されたい。
【００４４】
図２１Ｃ〜Ｅを参照すると、次のステップは、たわみ部１０上に導電性リード４０をめっきするステップ６１６である。導電性リード４０をたわみ部１０のどこに追加するのが望ましく、どこに追加するのが望ましくないかを画定するために、導電性リード４０をめっきする前に、レジスト材料９０のマスクが、フォトリソグラフィプロセスを用いて第１の主面２１上に施されてパターン化される。一旦レジスト材料９０のマスクが施されてパターン化されたならば、金の導電性リード４０は、レジスト材料９０がないエリアにおける第１の主面２１に沿って、たわみ部１０にめっきされる。従来の電気めっきまたは無電解めっきプロセスを、この目的に用いることができる。導電性リード４０がたわみ部１０上にめっきされた後、レジスト材料９０は、たわみ部１０から除去される。
【００４５】
図２１Ｆは、導電性リード４０によって覆われていないシード層３４の部分をたわみ部１０から除去する次のステップ６１８を示す。シード層３４は、化学エッチングプロセスまたは他の公知のプロセスによって除去することができ、第１の主面２１を覆う導電性リード４０および誘電体層２４は残される。図２１Ｇを参照すると、次のステップは、カバー層３６をたわみ部１０上に施すステップ６２０である。カバー層３６は、主に、導電性リード４０の部分および第１の主面２１の周辺エリアの上に施され、フライングリード領域５０、テストパッド部４６、およびヘッド接合パッド部（図示せず）の一部または全ては、カバー層によるカバレッジがないままにされる。カバー層３６は、誘電体層２４に用いられる材料と同様かまたは同一である感光性ポリイミドが好ましく、同様のフォトリソグラフィプロセスを用いて施される。
【００４６】
図２１Ｈは、たわみ部１０の第２の主面２３の一部からばね金属層２０およびシード層３４をエッチングで取り去り、第２の主面から導電性リード４０へのアクセスを可能にする開口部４２を作成する次のステップ６２２の結果を示す。フォトリソグラフィ、塩化第二鉄ベースのエッチングまたは他の公知のプロセスを用いて、ステップ６２２を実行することができる。代替として、追加的なばね層除去を実行して、第２の主面２３からテストパッド部４６および／またはヘッド接合パッド部（図示せず）へのアクセスを可能にする開口部（図示せず）を作成してもよい。
【００４７】
図２１Ｉ〜Ｌは、たわみ部１０の第２の主面２３の一部からばね金属層２０およびシード層３４をエッチングで取り去るステップ６２２を示す。図２１Ｉは、図２１Ｇのフライングリード領域５０に沿った、たわみ部１０の、すなわち開口部４２を作成する前の断面図である。４つの導電性リード４０が、シード層３４の上に配置されて示されているが、その全てが、ばね金属層２０の上方に位置している。図２１Ｊにおいて、レジスト材料９２のマスクが、フォトリソグラフィプロセスを用いて、第１の主面２１および第２の主面２３上に施されてパターン化される。マスクによって、開口部４２を作成することが望ましい、第２の主面２３の部分が画定される。レジスト材料９２は、ばね金属層２０に開口部４２を作成するために用いられる腐食液に強く、フォトリソグラフィプロセスを用いて、施されパターン化されるのが好ましい。
【００４８】
一旦レジスト材料９２が施されてパターン化されたならば、たわみ部１０は、腐食液（図示せず）にさらされて、図２１Ｋに示すような開口部４２を形成する。一実施形態において、腐食液はまた、新しく作成された開口部４２の上側に延在する導電性リード４０に施されたシード層３４を除去する。腐食液は金と反応しないので、導電性リード４０リードは、エッチングプロセスによって影響されない。開口部４２の上側に延在する導電性リード４０は、図６に示すようなたわみ部１１０など、他の実施形態においてもっぱら金で作製されているが、フライングリード領域の導電層は、金以外の材料で作製されている。これらの他の実施形態において、たわみ部１１０の主導体部１５２および第１のフライングリード導電層１５４の組み合わせなど、ばね金属に隣接している金層は、他の層を保護するために、導電性リードとレジスト材料との間の毛細管現象を防ぐほど十分に厚いことが重要である。金はエッチングに耐性があるが、ニッケルまたは銅などの他の材料は、ばね金属層１２０に開口部１４２を作成するプロセス中に用いられる腐食液の影響を受けやすいので、保護されなければならず、さもなければエッチングされる。図２１Ｌを参照すると、エッチングプロセス後に、レジスト材料９２は除去され、ばね金属層２０の中に形成された開口部４２の上側に延在する導体４０を備えたフライングリード領域５０が残される。
【００４９】
たわみ部１０のばね金属層２０をエッチングするステップ６２２は、ばね金属層２０を貫いて開口部４２を作成することとして上で説明されているが、他のパターンを用いてレジスト材料９２を施すことにより、形成される開口部が、たわみ部１０の開口部４０とは異なってもよいことを理解されたい。たとえば、図１５Ａ、１６Ａおよび１７Ａに示すように、たわみ部１０ａ、１０ｂおよび１０ｃ各々の開口部４２ａ、４２ｂおよび４２ｃは、ばね金属島７２ａ、７２ｂ、７３ｂ、７３ｃおよび他の同様の構成を画定するようにエッチングされてもよい。
【００５０】
図２２および２３Ａ〜Ｋは、図５および６に示すたわみ部１１０のばね金属層１２０上に導電性リード１４０を製造するためのアディティブ法７１０の別の実施形態におけるステップを示す。図２３Ａに示す一ステップは、ばね金属層１２０上に感光性ポリイミド材料を施して、誘電体層１２４を形成するステップ７１２である。ポリイミド材料を施してパターン化するために、フォトリソグラフィプロセスが用いられる。誘電体層１２４は、ばね金属層１２０の大部分の上に延在することができるが、誘電体層は、開口部１４２（図５に示すような）が最終的に形成される、ばね金属層１２０の部分１２７の上にギャップを有するようにパターン化される。誘電体層１２４の厚さは、典型的には部分１２７の近くで減少し、誘電体層にテーパーエッジ１２５を形成するようにする。誘電体層１２４は、ばね金属層１２０の残りのほとんどに施してもよいが、誘電体層１２４は、たわみ部１１０に形成される導電性リード１４０からばね金属層１２０を絶縁することが望ましいエリアに施す必要があるだけである。
【００５１】
図２３Ｂに示す次のステップは、たわみ部１１０上にシード層１３４を施すステップ７１４である。シード層１３４は、真空蒸着プロセスまたはシード層材料をたわみ部の表面上にスパッタする他の公知のプロセスを用いることによって、たわみ部１１０に施すことができる。シード層１３４は、次のめっきプロセス中に電気基準として用いられる。誘電体層１２４は部分１２７の上に施されないが、シード層１３４は部分１２７上に施されることに留意されたい。
【００５２】
図２３Ｃ〜Ｅに示す次の別のステップは、たわみ部１１０のシード層１３４上に導電性リード１４０の主導体部１５２をめっきするステップ７１６である。主導体部１５２をたわみ部１１０のどこに追加するのが望ましく、どこに追加するのが望ましくないかを画定するために、主導体部１５２をめっきする前に、レジスト材料１９０のマスクが、フォトリソグラフィプロセスを用いて第１の主面１２１上に施されてパターン化される。
【００５３】
一旦レジスト材料１９０が施されてパターン化されたならば、導電性リード１４０の金の主導体部１５２は、レジスト材料１９０がないエリアにおける第１の主面１２１に沿ってたわみ部１１０にめっきされる。前述の実施形態におけるように、電気めっきプロセスを用いて、主導体部１５２をめっきすることができる。主導体部１５２がたわみ部１１０上にめっきされた後、レジスト材料１９０は、たわみ部１１０から除去される。
【００５４】
図２３Ｆ〜Ｈに示す次のさらに別のステップは、フライングリード領域１５０上に第２のめっき動作を実行するステップ７１７である。第２のめっき動作を実行する前に、第２のめっき動作においてめっきを受けるように意図されていないたわみ部における部分を覆うために、たわみ部１１０の第１の主面１２１における部分が、レジスト材料１９０のマスクで覆われる。一旦レジスト材料１９０のマスクが施されたならば、第２のめっき動作は、電気めっきまたは無電解めっきプロセスを用いて、フライングリード領域１５０の導電性リード１４０上で実行される。一実施形態において、金の第１のフライングリード導電層１５４が、第２のプロセスの一部としてたわみ部１１０上にめっきされる。次のめっき工程において、ニッケルの第２のフライングリード導電層１５６が、第１の層１５４上に施される。次のさらに別のめっき動作において、金の第３のフライングリード導電層１５８が、第２の層１５６に施される。第１のフライングリード導電層１５４、第２のフライングリード導電層１５６および第３のフライングリード導電層１５８を、それぞれ、金、ニッケルおよび金として説明しているが、銀、銅、金合金を含む様々な合金を始めとして、他の材料または材料の組み合わせを用いてフライングリード領域を形成してもよい。しかしながら、たわみ部１１０の主面１２１および１２３に沿ってアクセス可能な、フライングリード領域１５０の導電性リード１４０における部分は、金で形成するのが好ましい。第２のめっき動作が完了した後、レジスト材料１９０は、上記したプロセスを用いてたわみ部１１０から除去され、たわみ部は、図２３Ｈに示すように残される。
【００５５】
図２３Ｉは、導電性リード１４０によって覆われていないシード層１３４の部分を、たわみ部１１０から除去する次のステップ７１８を示す。シード層１５０は、エッチングまたは他の公知のプロセスで除去され、導電性リード１４０および誘電体層１２４は、第１の主面１２１を覆ったままにされる。
【００５６】
図２３Ｊを参照すると、次のステップは、カバー層１３６をたわみ部１１０上に施すステップ７２０である。カバー層１３６は、主に導電性リード１４０の主導体部１５２および第１の主面１２１の周辺エリアの上に施され、フライングリード領域１５０、テストパッド部１４６、およびヘッド接合パッド部（図示せず）は、カバー層によるカバレッジがないままにされる。主導体部１５２の一部もまた、本発明の範囲から逸脱せずに、カバー層１３６によって覆われないようにすることが可能である。カバー層１３６は、方法６１０のステップ６２０に関連して上記したように施される。
【００５７】
図２３Ｋは、たわみ部１１０の第２の主面１２３の一部から、ばね金属層１２０およびシード層１３４をエッチングで取り去る次のステップ７２２の結果を示す。ステップ７２２は、第２の主面１２３から導電性リード１４０のフライングリード領域１５０へのアクセスを可能にする開口部１４２を作成する。代替として、追加のエッチングを実行して、テストパッド部１４６、ヘッド接合パッド部（図示せず）またはその両方に対して、第２の主面１２３からのアクセスを可能にする開口部（図示せず）を作成してもよい。上記で確認したタイプのエッチングおよびフォトリソグラフィプロセスを用いて、開口部１４２を形成することができる。第１のフライングリード導電層１５４の厚さは、腐食液が、腐食液に強くない可能性がある第２のフライングリード導電層１５６の完全性を損なうのを防ぐために重要であることに留意されたい。
【００５８】
図２４および２５Ａ〜Ｋは、上記の図７および８に示すように、たわみ部２１０上に導電性リード２４０を製造するためのアディティブ法８１０の別の実施形態におけるステップを示す。図２５Ａに示す一ステップは、感光性ポリイミド材料を施して、ばね金属層２２０上に誘電体層２２４を形成するステップ８１２である。従来のフォトリソグラフィプロセスは、ポリイミド材料を施してパターン化するために用いられ、ポリイミド材料を施すことを含む。誘電体層２２４の厚さは、部分２２７の近くで減少し、誘電体層にテーパーエッジ２２５を形成するようにする。誘電体層２２４は、ばね金属層２２０の残りのほとんどに施してもよいが、誘電体層２２４は、たわみ部２１０に形成される導電性リード２４０からばね金属層２２０を絶縁することが望ましいエリアに施す必要があるだけである。
【００５９】
図２５Ｂに示す次のステップは、たわみ部２１０上にシード層２３４を施すステップ８１４である。シード層２３４は、真空蒸着またはシード層材料をたわみ部の表面上にスパッタする他の公知のプロセスを用いることによって、たわみ部２１０に施すことができる。シード層２３４は、次のめっきプロセス中に電気基準として用いられる。誘電体層２２４は部分２２７の上に施されないが、シード層２３４は部分２２７上に施されることに留意されたい。
【００６０】
図２５Ｃ〜Ｅは、たわみ部２１０のシード層２３４上に導電性リード２４０の主導体部２５２をめっきするステップ８１６を示す。主導体部２５２をめっきする前に、前記方法を用いてレジスト材料２９０を第１の主面２２１における部分に施し、保護された部分および露出した部分のマスクを作成する。保護された部分は、次のめっきプロセス中に、次の導電性材料の堆積から保護されるエリアに重なる。露出した部分は、次の導電性材料の堆積のためのエリアに重なる。レジスト材料は、前の実施形態においてフライングリード領域がめっきされたエリアに施され、それによって、主導体部２５２がフライングリード領域２５０の中へ延びるのを防ぐことに留意されたい。
【００６１】
一旦レジスト材料２９０が施されたならば、導電性リード２４０の主導体部２５２が、主面２２１上にめっきされる。本実施形態において、主導体部２５２には、銅を始めとする他の材料を用いてもよいが、好ましくは銀で作製され、かつシード層２３４に施される第１の導電層２４７が含まれる。第１の導電層２４７がめっきされた後、第２のめっき動作が実行されて、金の第２の導電層２４９を第１の層２４７上にめっきする。めっき動作が完了した後、図に２５Ｅ示すように、レジスト材料２９０は、たわみ部２１０の第１の主面２２１から除去され、導電性リード２４０の主導体部２５２が残される。
【００６２】
図２５Ｆ〜Ｈに示す次のさらに別のステップは、導電性リード２４０上で第２のめっき動作を実行するステップ８１７である。主面のどの部分が次のめっき動作のために露出されるかを画定するために、第２のめっき動作を実行する前に、レジスト材料２９０のマスクが、フォトリソグラフィプロセスを用いて、たわみ部２１０の第１の主面２２１に施される。
【００６３】
一旦レジスト材料２９０が施されたならば、第２のめっき動作は、前記で確認したタイプのめっきプロセスを用いて、フライングリード領域２５０における導電性リード２４０上で実行される。一実施形態において、金の第１のフライングリード導電層２５４が、第１の端部２６０と第２の端部２６２との間の経路に沿ってめっきされる。第１のフライングリード導電層２５４は、レジスト材料２９０によって覆われていない、主導体部２５２の第２の層２４９の部分の上に、主導体部２５２から外に延在している誘電体層２２４の部分の上に、テーパーエッジ２２５に沿って、およびばね金属層２２０の部分２２７を横切ってめっきされる。続くめっき動作において、ニッケルの第２のフライングリード導電層２５６が、第１のフライングリード導電層２５４上に施される。次のさらに別のめっきプロセスにおいて、金の第３のフライングリード導電層２５８が、第２のフライングリード導電層２５６に施される。図９および１０で図示したように、フライングリード導電層２５４、２５６および２５８が、第２のめっきプロセス中のずれを見越しておくように主導体部２５２に重なることに留意されたい。
【００６４】
第２のめっき動作において追加される第１のフライングリード導電層２５４、第２のフライングリード導電層２５６および第３のフライングリード導電層２５８を、それぞれ、金、ニッケルおよび金として説明しているが、銀、銅、および様々な合金を始めとして、他の材料または材料の組み合わせを用いてフライングリード領域における導電性リード２４０を形成してもよい。しかしながら、たわみ部２１０の主面２２１および２２３に沿ってアクセス可能な、フライングリード領域２５０の導電性リード２４０における部分は金で形成され、導体（図示せず）を超音波溶接できる所望の表面を有利に提供するのが好ましい。第２のめっき動作が完了した後、レジスト材料２９０は、前記プロセスを用いて、たわみ部２１０から除去される。
【００６５】
図２５Ｉは、完成した導電性リード２４０によって覆われていないシード層２３４における部分を、たわみ部２１０から除去する次のステップ８１８を示す。シード層２５０は、エッチングまたは他の公知のプロセスによって除去され、導電性リード２４０および誘電体層２２４は、第１の主面２２１を覆ったままにされる。
【００６６】
図２５Ｊを参照すると、次のステップは、カバー層２３６をたわみ部２１０上に施すステップ８２０である。カバー層２３６は、主に導電性リード２４０の主導体部２５２および第１の主面２２１の周辺エリアの上に施され、フライングリード領域２５０における導電性リード２４０の一部、テストパッド部２４６、およびヘッド接合パッド部（図示せず）は、カバー層によるカバレッジがないままにされる。主導体部２５２の一部もまた、本発明の範囲から逸脱せずに、カバー層２３６によって覆われないようにすることが可能である。カバー層２３６は、方法６１０のステップ６２０に関連して前記したように施される。
【００６７】
図２５Ｋは、たわみ部２１０の第２の主面２２３の一部からばね金属層２２０およびシード層２３４をエッチングする次のステップ８２２の結果を示す。ステップ８２２は、第２の主面２２３からフライングリード領域２５０へのアクセスを可能にする開口部２４２を作成する。代替として、追加のエッチングを実行して、テストパッド部２４６およびヘッド接合パッド部（図示せず）に対して、第２の主面２２３からのアクセスを可能にする開口部（図示せず）を作成してもよい。開口部２４２は、図２１Ｉ〜Ｌに関連して前記で識別したものと同様のフォトリソグラフィおよびエッチングプロセスによって形成することができる。第１のフライングリード導電層２５４は、エッチング材料が、腐食液に耐性がない可能性がある第２のフライングリード導電層２５６に吸い上げられて、導電層２５６の完全性を損なうのを防ぐように十分に厚くすべきであることに、留意されたい。
【００６８】
図２６および２７Ａ〜Ｋは、前記の図１１および１２に示すようにたわみ部３１０上に導電性リード３４０を製造するためのアディティブ法９１０の別の実施形態におけるステップを示す。図２５Ａに示す一ステップは、上記のタイプのフォトリソグラフィプロセスを用いて、ばね金属層３２０の一部の上に誘電体層３２４を形成するステップ９１２である。誘電体層３２４の厚さは、誘電体層３２４が施されていないばね金属層３２０の部分３２７の近くで減少し、誘電体層にテーパーエッジ３２５を形成するようにする。誘電体層３２４は、ばね金属層３２０の残りのほとんどに施してもよいが、誘電体層３２４は、たわみ部３１０に形成される導電性リード３４０からばね金属層３２０を絶縁することが望ましいエリアに施す必要があるだけである。
【００６９】
図２７Ｂに示す次のステップは、たわみ部３１０上にシード層３３４を施すステップ９１４である。シード層３３４は、真空蒸着プロセスまたはシード層材料をたわみ部の表面上にスパッタする他の公知のプロセスを用いることによって、たわみ部３１０に施すことができる。シード層３３４は、次のめっきプロセス中に電気基準として用いられる。誘電体層３２４は部分３２７上に施されないが、シード層３３４は部分３２７上に施されることに留意されたい。
【００７０】
図２７Ｃ〜Ｅは、たわみ部３１０のシード層３３４上に導電性リード３４０の主導体部３５２をめっきするステップ９１６を示す。主導体部３５２をめっきする前に、上記のタイプの方法を用いて、レジスト材料３９０を第１の主面３２１の一部に施し、保護された部分および露出した部分のマスクを作成する。保護された部分は、次のめっきプロセス中に、次の導電性材料の堆積から保護されるエリアに重なる。露出した部分は、次の導電性材料の堆積のためのエリアに重なる。レジスト材料が、前の実施形態においてフライングリード領域がめっきされたエリアに施され、それによって、主導体部３５２がフライングリード領域３５０の中へ延びるのを防ぐことに留意されたい。
【００７１】
一旦レジスト材料３９０が施されたならば、銀で作製されるのが好ましいが、銅を始めとする他の材料でも作製できる、導電性リード３４０の主導体部３５２が、主面３２１上にめっきされる。めっき動作が完了した後、図に２７Ｅ示すように、レジスト材料３９０は、たわみ部３１０の第１の主面３２１から除去され、導電性リード３４０の主導体部３５２が残される。
【００７２】
図２７Ｆ〜Ｈに示す次のさらに別のステップは、導電性リード３４０上で第２のめっき動作を実行するステップ９１７である。主面のどの部分が次のめっき動作のために露出されるかを画定するために、第２のめっき動作を実行する前に、レジスト材料３９０のマスクが、フォトリソグラフィプロセスを用いて、たわみ部３１０の第１の主面３２１に施される。
【００７３】
一旦レジスト材料３９０が施されたならば、第２のめっき動作は、上記で確認したタイプのプロセスを用いて、フライングリード領域３５０の導電性リード３４０、ならびにテストパッド部３４６の一部および／またはヘッド接合パッド部（図示せず）上で実行される。本実施形態では、たわみ部３１０の第１の主面３２１に前に施された主導体部３５２などの材料によって作成された輪郭に続いて、フライングリード領域３５０における金の第１のフライングリード導電層３５４が、第１の端部３６０から第２の端部３６２への経路に沿ってめっきされる。次のめっき動作において、ニッケルの第２のフライングリード導電層３５６が、第１のフライングリード導電層３５４上に施される。次のさらに別のめっきプロセスにおいて、金の第３のフライングリード導電層３５８が、第２のフライングリード導電層３５６に施される。前に説明した実施形態に関連して図９および１０に図示したように、フライングリード導電層３５４、３５６および３５８が、第２のめっきプロセス中のずれを見越しておくように主導体部３５２に重なることに留意されたい。
【００７４】
第２のめっき動作において追加される第１のフライングリード導電層３５４、第２のフライングリード導電層３５６および第３のフライングリード導電層３５８を、それぞれ、金、ニッケルおよび金として説明しているが、銀、銅、および様々な合金を始めとして、他の材料または材料の組み合わせを用いてもよい。しかしながら、たわみ部３１０の主面３２１および３２３に沿ってアクセス可能な、フライングリード領域３５０の導電性リード３４０における部分は金で形成され、導体（図示せず）を超音波溶接できる所望の表面を有利に提供するのが好ましい。第２のめっき動作が完了した後、レジスト材料３９０は、前記したタイプのプロセスを用いて、たわみ部３１０から除去される。
【００７５】
図２７Ｉは、完成した導電性リード３４０によって覆われていないシード層３３４の部分を、たわみ部３１０から除去する次のステップ９１８を示す。シード層３５０は、エッチングまたは他の公知のプロセスによって除去され、導電性リード３４０および誘電体層３２４は、たわみ部３１０の第１の主面３２１を覆ったままにされる。
【００７６】
図２７Ｊを参照すると、次のステップは、たわみ部３１０上にカバー層３３６を施すステップ９２０である。カバー層３３６は、主に導電性リード３４０の主導体部３５２および第１の主面３２１の周辺エリアの上に施され、フライングリード領域３５０の一部、テストパッド部３４６およびヘッド接合パッド部（図示せず）は、カバー層によるカバレッジがないままにされる。主導体部２５２の一部もまた、本発明の範囲から逸脱せずに、カバー層３３６によって覆われないようにすることが可能である。カバー層３３６は、方法６１０のステップ６２０に関連して上記したように施される。
【００７７】
図２５Ｋは、たわみ部３１０の第２の主面３２３の一部からばね金属層３２０およびシード層３３４をエッチングで取り去る次のステップ９２２の結果を示す。ステップ９２２は、第２の主面３２３からフライングリード領域３５０へのアクセスを可能にする開口部３４２を作成する。代替として、追加のエッチングを実行して、テストパッド部３４６および／またはヘッド接合パッド部（図示せず）に対して、第２の主面３２３からのアクセスを可能にする開口部（図示せず）を作成してもよい。開口部３４２は、図２１Ｉ〜Ｌに関連して上記で確認したものと同様のフォトリソグラフィおよびエッチングプロセスを用いて形成することができる。第１のフライングリード導電層３５４は、エッチング材料が、腐食液に強くない可能性がある第２のフライングリード導電層３５６に吸い上げられて、導電層３５６の完全性を損なうのを防ぐように十分に厚くすべきであることに、留意されたい。
【００７８】
代替として、上記の製造方法のそれぞれには、図１４に示すグランドプレーン４７０などの導電性材料のグランドプレーンをたわみ部に追加するステップを含むことができる。たとえば各方法において、誘電体材料をばね金属層上に施すステップの前に、導電性材料の層を、ばね金属層に直接施すことができる。図２８Ａ〜Ｃを参照すると、このプロセスには、グランドプレーン４７０を施すことが望ましくない、たわみ部４１０のばね金属層４２０における第１の主面４２１および第２の主面４２３のエリア上に、上記のタイプのフォトリソグラフィプロセスを用いて、マスクレジスト材料４９６を施すことが含まれる。レジスト材料４９６が適切に硬化した後、グランドプレーン層４７０が、ばね金属層４２０に施される。グランドプレーン層を施すプロセスが完了した後、レジスト材料４９６は除去され、多数の代替実施形態において上記したように導電性リードの残りの層を追加するために、次のステップが行なわれる。
【００７９】
本発明によって多くの利点が提供される。非腐食性またはほぼ非腐食性の金属を用いることによって、より堅牢で、腐食を防ぐコーティングにそれほど依存しない改善されたたわみ部が準備される。金および銀などの貴金属または準貴金属は、他の材料より耐食性がある。金の表面を備えたフライングリードは、フレックス回路などの外部の導電性リードをフライングリードに取り付けるための超音波接合を受け入れることができる。さらに、本発明の強化リードは、損傷を受けずに再加工するのに適している。なおさらに、フライングリードが第２の動作で施される実施形態において、主導体部の端部上にフライングリードを延ばすことによって、プロセスは、より堅固な導電性リードをもたらす。なぜなら、ずれの可能性が最小限にされるからである。
【００８０】
さらに、前記たわみ部のばね金属層上に導電性アセンブリを製造するプロセスによって、歩留まりの改善、より強いフライングリード、および導電性リードの様々な部分のために材料を選択する際のより大きな柔軟性を始めとする重要な利点および効率が提供される。たとえば、フライングリードおよび他の機構の下のばね鋼層を除去するステップの前に、製造ステップのほとんどを実行することによって、位置関係的に安定した材料上に材料を追加することが可能になる。これは、ステンレス鋼のエッチング後に実行されるプロセスと比較して、優れたレジストレーションにつながる。さらに、液体材料（それらは後で硬化する）を施して、連続材料上に誘電体層またはカバー層を形成するステップは、より均一なコーティングを結果としてもたらす。なおさらに、エッチングプロセスの後にたわみ部の取り扱いを避けるのが望ましい。なぜなら、その部分が、脆弱かつ柔らかくなるからである。ポストエッチングステップの低減は、取り扱いによる損傷の低減およびより高い歩留まりにつながる。
【００８１】
好ましい実施形態に関連して本発明を説明したが、当業者は、本発明の趣旨および範囲から逸脱せずに、形態および詳細において変更を行なうことができることを理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の一実施形態による、貴金属導電性リードを備えたたわみ部を有するディスクドライブヘッドサスペンションアセンブリの図である。
【図２】図１に示すたわみ部の図である。
【図３】図２に示すたわみ部の細目にわたる概略図である。
【図４】図３に示すたわみ部の一部の詳細な断面側面図であり、導電性リードのうちの１つのフライングリード領域およびテストパッド部を示す。
【図５】本発明によるたわみ部の別の実施形態の概略図である。
【図６】図５に示すたわみ部の一部の詳細な断面図であり、導電性リードのうちの１つの多層フライングリード領域およびテストパッド部を示す。
【図７】本発明によるたわみ部の別の実施形態の概略図である。
【図８】図７に示すたわみ部の一部の詳細な断面図であり、導電性リードのうちの１つの多層フライングリード領域およびテストパッド部を示す。
【図９】図７に示すたわみ部の主導体部の一部およびフライングリード領域の交差部の側面図である。
【図１０】フライングリード領域を横切って取られた、図７に示すたわみ部における導電性リードの一部の交差部の断面図である。
【図１１】本発明によるたわみ部のさらに別の実施形態の概略図である。
【図１２】図１１に示すたわみ部の一部の詳細な断面図であり、多層フライングリード領域、アクセス機構および主導体部を有する導電性リードを示す。
【図１３】導電性リードの一部の下に配置されたグランドプレーンを有する、本発明のさらに別の実施形態によるたわみ部の一部の断面側面図である。
【図１４】本発明の別の実施形態によるたわみ部の一部の詳細な断面図であり、ばね金属層に接地された導電性リードを示す。
【図１５Ａ−Ｃ】付属補強部材を備えたフライングリード領域を有する、図３および４に示すたわみ部の代替実施形態の断面側面図である。
【図１６Ａ−Ｃ】代替補強部材を備えたフライングリード領域を有する、図３および４に示すたわみ部の別の代替実施形態の断面側面図である。
【図１７Ａ−Ｃ】代替補強部材を備えたフライングリード領域を有する、図３および４に示すたわみ部のさらに別の代替実施形態の断面側面図である。
【図１８Ａ−Ｂ】代替補強部材を備えたフライングリード領域を有する、図３および４に示すたわみ部のさらに別の代替実施形態の断面側面図である。
【図１９Ａ−Ｂ】代替補強部材を備えたフライングリード領域を有する、図３および４に示すたわみ部のさらに別の代替実施形態の断面側面図である。
【図１９Ｃ】図１９Ａに示すたわみ部におけるフライングリード領域の上面図である。
【図２０】本発明の一実施形態に従い、図３および４に示すたわみ部上に導電性リードを製造するアディティブ法のステップを概説するフローチャートである。
【図２１Ａ−Ｌ】たわみ部構造の側面図であり、図２０のフローチャートによる製造プロセスの連続ステップにおいてその構造を示す。
【図２２】本発明の別の実施形態に従い、図５および６に示すたわみ部上に導電性リードを製造するステップを概説するフローチャートである。
【図２３Ａ−Ｋ】たわみ部構造の側面図であり、図２２のフローチャートによる製造プロセスの連続ステップにおいてその構造を示す。
【図２４】本発明の一実施形態に従い、図５および６に示すたわみ部上に導電性リードを製造するステップを概説するフローチャートである。
【図２５Ａ−Ｋ】たわみ部構造の側面図であり、図２４のフローチャートによる製造プロセスの連続ステップにおいてその構造を示す。
【図２６】本発明の別の実施形態に従い、図５および６に示すたわみ部上に導電性リードを製造するステップを概説するフローチャートである。
【図２７Ａ−Ｋ】たわみ部構造の側面図であり、図２６のフローチャートによる製造プロセスの連続ステップにおいてその構造を示す。
【図２８Ａ−Ｃ】たわみ部構造の側面図であり、図１３のグランドプレーンを施す製造プロセスの連続ステップにおいてその構造を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007537562.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７ａ】
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【図１７Ｂ】
2007537562.tif 000024
【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
2007537562.tif 000029
【図１９Ｃ】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
2007537562.tif 000032
【図２１Ｂ】
2007537562.tif 000033
【図２１Ｃ】
2007537562.tif 000034
【図２１Ｄ】
2007537562.tif 000035
【図２１Ｅ】
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【図２１Ｆ】
2007537562.tif 000037
【図２１Ｇ】
2007537562.tif 000038
【図２１Ｈ】
2007537562.tif 000039
【図２１Ｉ】
2007537562.tif 000040
【図２１Ｊ】
2007537562.tif 000041
【図２１Ｋ】
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【図２１Ｌ】
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【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図２３Ｅ】
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【図２３Ｆ】
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【図２３Ｇ】
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【図２３Ｈ】
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【図２３Ｉ】
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【図２３Ｊ】
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【図２３Ｋ】
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【図２４】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２５Ｃ】
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【図２５Ｄ】
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【図２５Ｅ】
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【図２５Ｆ】
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【図２５Ｇ】
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【図２５Ｈ】
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【図２５Ｉ】
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【図２５Ｊ】
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【図２５Ｋ】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２７Ｃ】
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【図２７Ｄ】
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【図２７Ｅ】
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【図２７Ｆ】
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【図２７Ｇ】
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【図２７Ｈ】
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【図２７Ｉ】
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【図２７Ｊ】
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【図２７Ｋ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【国際調査報告】
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