【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に向けて純水を含有する液滴状の第１処理液を吐出する第１処理液吐出部と、
前記液滴状の第１処理液で処理した前記基板の表面に向けて、前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる第２処理液を吐出する第２処理液吐出部と
を有することを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
前記第２処理液吐出部は、前記液滴状の第１処理液で処理した直後の前記基板の表面に向けて前記第２処理液を吐出することを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
【請求項３】
前記基板の表面に向けてＳＣ−１液を吐出するためのＳＣ−１吐出部を有し、
前記第１処理液吐出部は、前記基板の表面に向けて前記ＳＣ−１吐出部からＳＣ−１液を吐出した後に液滴状の第１処理液を吐出することを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
【請求項４】
前記第１処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第２処理液としてＳＣ−１液を用いることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項５】
前記基板として表面にシリコン窒化膜が形成された基板を用いることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項６】
前記液滴状の第１処理液で処理した前記基板の表面に向けて、前記基板に帯電した電荷を放出させる第３処理液を吐出する第３処理液吐出部を有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項７】
前記第３処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第２処理液としてＳＣ−１液を用いることを特徴とする請求項６に記載の基板液処理装置。
【請求項８】
基板の表面に向けて純水を含有する液滴状の第１処理液を吐出する第１処理液吐出部と、
前記基板の表面に第２処理液を吐出する第２処理液吐出部と、
を有する基板液処理装置を用いた基板液処理方法において、
前記純水を含有する液滴状の第１処理液で基板の表面を処理し、その後、前記第２処理液吐出部から前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる前記第２処理液を前記基板の表面に吐出することにより前記基板の表面を処理することを特徴とする基板液処理方法。
【請求項９】
前記液滴状の第１処理液で前記基板の表面を処理した直後に前記第２処理液で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項８に記載の基板液処理方法。
【請求項１０】
前記液滴状の第１処理液で前記基板の表面を処理する前にＳＣ−１液で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項８に記載の基板液処理方法。
【請求項１１】
前記第１処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第２処理液としてＳＣ−１液を用いることを特徴とする請求項８〜請求項１０のいずれかに記載の基板液処理方法。
【請求項１２】
前記基板として表面にシリコン窒化膜が形成された基板を用いることを特徴とする請求項８〜請求項１１のいずれかに記載の基板液処理方法。
【請求項１３】
液滴状の第１処理液で基板の表面を処理した後に、前記基板に帯電した電荷を放出させる第３処理液で前記基板の表面を処理し、その後、前記第２処理液で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれかに記載の基板液処理方法。
【請求項１４】
前記第３処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第２処理液としてＳＣ−１液を用いることを特徴とする請求項１３に記載の基板液処理方法。
【請求項１５】
前記第１処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、
前記液滴状の第１処理液で前記基板の表面を処理する前にＳＣ−１液で前記基板の表面を処理し、
さらに、液滴状の第１処理液による前記基板の表面の処理及び前記第２処理液による前記基板の表面の処理の終了後に、二酸化炭素が添加された純水で前記基板の表面を処理することを特徴とする請求項１４に記載の基板液処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記基板の表面に向けてＳＣ−１液を吐出するためのＳＣ−１吐出部を有し、前記第１処理液吐出部は、前記基板の表面に向けて前記ＳＣ−１吐出部からＳＣ−１液を吐出した後に液滴状の第１処理液を吐出することにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、基板の表面に向けて純水を含有する液滴状の第１処理液を吐出する第１処理液吐出部と、前記基板の表面に第２処理液を吐出する第２処理液吐出部とを有する基板液処理装置を用いた基板液処理方法において、前記純水を含有する液滴状の第１処理液で基板の表面を処理し、その後、前記第２処理液吐出部から前記基板の表面のゼータ電位を負に反転させる前記第２処理液を前記基板の表面に吐出することにより前記基板の表面を処理することにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、液滴状の第１処理液で基板の表面を処理した後に、前記基板に帯電した電荷を放出させる第３処理液で前記基板の表面を処理し、その後、前記第２処理液で前記基板の表面を処理することにした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記第３処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記第２処理液としてＳＣ−１液を用いることにした。
また、前記第１処理液として二酸化炭素が添加された純水を用い、前記液滴状の第１処理液で前記基板の表面を処理する前にＳＣ−１液で前記基板の表面を処理し、さらに、液滴状の第１処理液による前記基板の表面の処理及び前記第２処理液による前記基板の表面の処理の終了後に、二酸化炭素が添加された純水で前記基板の表面を処理することにした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ゼータ電位反転処理工程では、第２処理液（ＳＣ−１液）がアルカリ性であるため、基板３の表面にシリコン窒化膜等が形成されていると、図９（ａ）及び（ｄ）に模式的に示すように、基板３の表面のゼータ電位はプラスからマイナスへと反転する。その際に、ゼータ電位は、直ちに反転するのではなく、徐々に反転する。そのため、ゼータ電位反転処理工程の初期段階では、基板３の表面はプラス側に帯電している。しかし、ゼータ電位反転工程では、基板３の表面にＳＣ−１液の液膜46が比較的厚く形成されているため、雰囲気中のパーティクル43が基板３の表面に付着せずに、ＳＣ−１液とともに基板３の外方へ排出される。その後、基板３の表面がマイナス側に帯電するため、マイナス側に帯電するパーティクル43は、基板３の表面で反発し合い、基板３の表面に付着したパーティクル43を剥離することができる。これにより、基板３の表面にパーティクル43が付着するのを抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
以上に説明したように、上記基板液処理装置１（基板液処理装置１で実行する基板液処理方法）では、純水を含有する液滴状の第１処理液（ここでは、酸性の処理液：たとえば二酸化炭素等の帯電防止剤が添加された純水）で基板３の表面を処理（液滴処理工程）し、その後、基板３の表面のゼータ電位を負に反転させる第２処理液（ここでは、アルカリ性の処理液：たとえばＳＣ−１液）で基板３の表面を処理（ゼータ電位反転処理工程）する。これにより、上記基板液処理装置１（基板液処理方法）では、付着したパーティクルを除去することができ、基板３の処理を良好に行うことができる。さらに、上記基板液処理装置１（基板液処理方法）では、液滴処理工程の後の処理において基板３の表面に処理液の液膜46が比較的厚く形成されているため、雰囲気中のパーティクル43が基板３の表面に付着せずに、基板３の外方へ排出される。