(57)【要約】【課題】簡便に製造することができ、しかも基板上のパターン膜上に形成された薄膜にクラックが入ることを抑制することができる素子配置基板を提供する。【解決手段】基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板であって、上記パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、上記順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下である。【選択図】なし
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板であって、
該パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、該順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下であることを特徴とする素子配置基板。
【請求項２】
前記パターン膜は、配線、電極、絶縁層及び機能膜からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の素子配置基板。
【請求項３】
前記パターン膜の少なくとも一つは、平均膜厚が２０００Å以上であることを特徴とする請求項１記載の素子配置基板。
【請求項４】
前記パターン膜の少なくとも一つは、レジストの薄膜により構成されたガイドパターン内に液状材料を塗布して形成されてなることを特徴とする請求項１記載の素子配置基板。
【請求項５】
前記パターン膜の少なくとも一つは、無機材料の薄膜により被覆されていることを特徴とする請求項１記載の素子配置基板。
【請求項６】
前記無機材料の薄膜は、真空蒸着法又は化学蒸着法により形成されたものであることを特徴とする請求項５記載の素子配置基板。
【請求項７】
基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板を形成する製造方法であって、
該素子配置基板の製造方法は、レジストの撥水薄膜により該パターン膜を形成するための１以上のガイドパターンを形成する工程、及び、該ガイドパターン内に液状材料を塗布してパターン膜を形成する工程を含むことを特徴とする素子配置基板の製造方法。
【請求項８】
前記パターン膜は、配線、電極、絶縁層及び機能膜からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジストの撥水薄膜は、フッ素ガスを用いたプラズマ処理により、レジストの薄膜に撥水性を付与してなるものであることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レジストの撥水薄膜は、撥水性を有するレジストにより形成されたものであることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項１１】
前記レジストは、樹脂固形分を１０質量％以上含むものであることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項１２】
前記レジストは、樹脂固形分を３０質量％以下含むものであることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項１３】
前記レジストの撥水薄膜は、平均膜厚が５０Å以上、３０００Å以下であることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項１４】
前記パターン膜の形成工程は、インクジェット法により行われることを特徴とする請求項７記載の素子配置基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれかに記載の素子配置基板、又は、請求項７〜１４のいずれかに記載の素子配置基板の製造方法により製造されてなる素子配置基板により構成されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にパターン化された配線、電極、絶縁層、機能膜等が形成される素子配置基板、その製造方法及び素子配置基板を用いた表示装置に関する。より詳しくは、基板上に配線、電極、絶縁層、機能膜、半導体、抵抗体、フィルタ等の素子が形成された基板であって、これら素子の全て又は一部がインクジェット（液滴吐出）装置を用いて形成される素子配置基板、その製造方法、及び、該素子配置基板により構成され、液晶表示装置として好適な表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線形成の方法として、近年、インクジェット法等の液状材料を塗布する方法が注目されている。例えばインクジェット法によって配線を形成する場合を例に取ると、通常、配線パターンに沿って形成されたガイド（バンクともいう）内にインクジェット装置を用いて配線形成材料、例えば金属微粒子を含む金属コロイド溶液を吐出し、その後焼成して金属配線パターンを形成することにより行われる。このようなインクジェット装置を用いた配線形成は、製造効率や配線の基本性能の面で有利である。すなわち、インクジェット法による配線形成の利点としては、スパッタ、エッチング等のための装置が不要で投資削減効果があること、廃棄材料を削減できること、配線の厚膜化による低抵抗配線の形成が真空雰囲気を利用した成膜方法よりも容易であること等が挙げられる。このようにして製造される配線基板は、各種電子デバイスにおいて適用が検討され、例えば、表示装置用基板等にも広く検討されている。
【０００３】
液状材料を塗布する方法以外の従来の配線形成方法としては、例えば、図１２に示されるような金属層を堆積させるスパッタ法、フォトリソグラフィと金属層のエッチングとを行う方法が挙げられるが、製造効率や配線の基本性能の面でインクジェット法における利点を有するものではない。また、このような配線形成においては、エッチング条件によりテーパ形状の制御を行うことになるが、膜厚が厚くなった場合、テーパ形状の制御が困難であり、また逆テーパ形状となった場合、上層に形成される膜、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学蒸着）膜にクラックが入る。
【０００４】
インクジェット法による配線形成方法に関し、基板上に形成されたガイドで囲まれた領域をパターニングし、その領域に配線形成材料をインクジェット法により充填する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。このような従来のガイド及びインクジェット法においては、例えば、図１３に示されるように、ガイド１３を形成した後に、金属コロイド溶液をガイド１３間に選択塗布し、熱処理することにより配線４が形成されることになる。しかしながら、樹脂材料からなるガイド１３と金属配線４との間にクラックが発生し、またクラックを防ぐためにガイド１３を取り除くと配線断面形状が逆テーパ形状となりやすい。すなわち、ガイド１３のテーパ形状が転写され、逆テーパ形状となる。更に、通常ではガイド１３の厚さが１μm（＝１００００Å）以上あるため、その除去が困難である。
【０００５】
また別の配線形成方法として、基板表面に自己組織化特性を有する有機分子膜を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成するとともに、導電性微粒子を分散させた液体を親液部に選択的に塗布した後、熱処理によって導電膜に変換することにより、親液部のみに導電膜を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。このような従来の自己組織化膜パターニング及びインクジェット法においては、例えば、図１４に示されるように、自己組織化膜（単分子膜）１４のパターニング後に、配線形成材料、例えば上述の金属コロイド溶液を選択塗布し、熱処理することにより配線４が形成されることになる。しかしながら、自己組織化膜（単分子膜）１４のパターニングが困難で生産性が著しく低くなる。したがって、インクジェット装置を用いた配線形成においては、生産性が高くなるようにしたうえで、クラック等の不具合の発生を抑制することにより、インクジェットによる利点を充分に生かして素子配置基板を得るための工夫の余地があった。また、このような工夫の余地は、液状材料を塗布する方法全般において共通するものであった。
【特許文献１】特再表ＷＯ９９／４８３３９号公報（第１、２頁）
【特許文献２】特開２００２−１６４６３５号公報（第１、２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、簡便に製造することができ、しかも基板上のパターン膜上に形成された薄膜にクラックが入ることを抑制することができる素子配置基板、その製造方法、及び、該素子配置基板により構成される表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、基板上に配線パターン等のパターン膜を有する素子配置基板について種々検討したところ、パターン膜の膜厚を厚くした場合にその断面形状に起因してパターン膜上に形成された薄膜層にクラックが発生しやすいことに先ず着目した。そして、パターン膜の断面形状を上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成されるものとするとともに、該順又は略垂直テーパ形状部の平均厚さを５０Å以上、３０００Å以下とすると、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。また、本発明者等は、レジストの撥水薄膜により基板上にパターン膜のガイドを形成し、該パターンのガイドに液状材料をインクジェット法等により塗布してパターン膜を形成すると、このような断面形状のパターン膜を高い生産性で形成させることができ、素子配置基板の製造効率やパターン膜の基本性能の面等で有利であることについても見いだした。すなわち、本発明においては、例えば金属配線の形成を例に取ると、図１１に示されるような超薄膜樹脂（撥水薄膜）パターニング及びインクジェット法によれば、超薄膜樹脂２のパターニングをした後に、金属コロイド溶液３を選択塗布し、熱処理することにより配線４が形成されることになる。このようにすれば、（１）超薄膜樹脂としてレジストを使用することで、パターニング（配線パターンの形成）が容易となり、生産性が高くなること、（２）レジストにより形成される超薄膜樹脂膜（撥水薄膜）が１５００Å程度と薄く、少なくとも膜表面に撥水性を有するため、金属残渣がレジスト上に残りにくくなる結果、配線形成後の除去（剥離）が容易となること、（３）形成される配線の断面形状が図１１−ｃに示されるような上に凸の略平凸レンズ形状となるため、数千Å以上（例えば５０００Å）の高さの配線であっても、配線上に形成されるＣＶＤ膜等の薄膜にクラック等が入ることが抑制されることになる。本発明により、特に配線膜厚を厚くした場合、従来の技術において起こりうる不具合を全て解決するための配線構造及び製造方法を提供することができる。
【０００８】
すなわち本発明は、基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板であって、上記パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、該順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下である素子配置基板である。
以下に本発明を詳述する。なお、本願明細書における「以上」、「以下」は、当該数値を含むものである。
【０００９】
本発明の素子配置基板は、基板上にパターン化された膜（パターン膜）を備えるものである。なお、本発明の素子配置基板には、種類の異なるパターン膜が２以上設けられていてもよい。上記パターン膜としては特に限定されないが、素子を構成するものであることが好ましく、配線、電極、絶縁層及び機能膜からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましく、中でも、配線であることが特に好ましい。上記機能膜としては、その電気的・光学的・機械的・熱的・化学的・生体的性質等を利用して何らかの機能を発現することができるものであれば特に限定されず、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）における発光層、正孔注入層等の有機層等が挙げられる。パターン膜の長さや平面形状等は特に限定されるものではない。
【００１０】
なお、本発明の素子配置基板の構成としては、基板及びパターン膜を必須の構成要素として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。また、素子配置基板は、素子として配線を有する場合には、配線基板ともいう。
【００１１】
上記パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、上記順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下である。なお、通常では、これら半楕円形状部と順又は略垂直テーパ形状部とは、パターン膜形成の際に一体的に形成されるものであり、パターン膜形成の際に土台となる基板側を下部として、その形状のみによって区別されるものである。このような本発明においては、パターン膜の断面上部を半楕円形状部とし、断面下部の順又は略垂直テーパ形状部を薄くし、すなわちパターン膜の断面形状を、上に凸の略平凸レンズ形状とすることにより、パターン膜の膜厚が厚くされた場合であっても、パターン膜の上に形成されるＣＶＤ膜等の薄膜にクラック等が入ることが抑制されることになる。順又は略垂直テーパ形状部の平均厚さは、通常できるだけ薄くされることが好ましいが、５０Å未満であると、パターン膜を形成する際のガイド材の厚さを５０Å未満にする必要があり、ガイド材としてレジスト膜を用いることができなくなるので、素子配置基板の製造効率が低下してしまう。一方、３０００Åを超えると、クラック等を抑制する本発明の作用効果を充分に発揮させることができなくなってしまう。好ましい下限は、５００Åであり、好ましい上限は、２０００Åである。また、レジストの薄膜は、レジストの耐熱性等の材料特性にもよるが、配線形成後に除去されてもよく、除去されなくてもよいが、除去されることが好ましい。本発明において、半楕円形状部は、本発明の作用効果を奏することとなる限り、実質的に半楕円形状であると評価することができる断面形状であればよく、具体的には、中央部が最頂部となり両端部に向かって傾斜する断面形状を有するものが好適である。また、順又は略垂直テーパ形状部は、パターン幅が上方に向かって小さくなる、いわゆる順テーパ形状の断面形状、又は、配線幅が上方に向かってほぼ一定である、いわゆる略垂直テーパ形状の断面形状であればよいが、略垂直テーパ形状部は、本発明の作用効果を奏することとなる限り、パターン幅が上方に向かって大きくなる、いわゆる逆テーパ形状の断面形状であってもよい。
【００１２】
上記パターン膜の少なくとも一つは、平均膜厚が２０００Å以上であることが好ましい。これにより、基本性能に優れるパターン膜（配線構造）とすることができ、このようなパターン膜においてクラック等が入らないという本発明の作用効果を充分に発揮することができる。より好ましい下限は、３０００Å、好ましい上限は、６０００Åである。なお、上記平均膜厚は、パターン断面形状の膜厚が最も大きくなる箇所の平均値である。
【００１３】
上記パターン膜の少なくとも一つは、レジストの薄膜により構成されたガイドパターン内に液状材料を塗布して形成されてなることが好ましい。これにより、パターン膜の形成、及び、形成後のガイドパターンを構成するレジストの薄膜の除去（剥離）を簡便に行うことができるので、素子配置基板の製造効率の面で有利な効果を奏することが可能となる。レジストとしては、通常では感光性樹脂を含む樹脂組成物が用いられることになり、例えば、基板上に塗布されて成膜され、フォトリソグラフィ法を用いて所望のパターンにパターニングできるものが用いられる。また、レジストの薄膜は、撥水性を有する撥水薄膜であることが好ましく、具体的には、配線パターン形成用のレジスト薄膜（ガイド材）の場合、金属コロイド溶液に対し、５０°以上の接触角を示すことが好ましい。なお、上記金属コロイド溶液の溶媒（分散媒）としては、具体的には、インクジェット法を用いて配線を形成する場合には、アルコール類、カルビトール系の溶媒（分散媒）等が用いられ、その他ディップ（ＤＩＰ）法、スピンコート法、ダイコート法等を用いて配線を形成する場合には、上記溶媒（分散媒）に加え、水系の溶媒（分散媒）等が用いられてもよい。なお、配線形成材料に限られず、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のような酸化物導電体や、絶縁層のパターンを形成する材料の溶媒（分散媒）としても、上記の溶媒（分散媒）を用いることが可能であるので、電極パターンや絶縁層パターンの形成に用いられる場合においても、上記の溶媒（分散媒）を含有する溶液に対し、５０°以上の接触角を示すことが好ましい。溶媒（分散媒）として上記の溶媒（分散媒）が用いられる場合レジストの撥水薄膜としては、（１）撥水性を有する撥水レジストにより形成されたもの、（２）撥水性を有しないレジストで形成された薄膜に対し、フッ素系のガスを用いたプラズマ処理により撥水性を付与したもの等が好適である。このようなパターン膜の形成方法が用いられる場合、パターン膜の断面下部の形状は、ガイドパターンを構成するレジストの薄膜の反転形状となり、その厚さは、レジストの薄膜の膜厚とほぼ同じになる。レジストの薄膜は、平均膜厚が３０００Å以下であることが好ましい。３０００Åを超えると、クラック等を抑制する本発明の作用効果を充分に発揮させることができなくなるおそれがある。より好ましい下限は、５００Å、好ましい上限は、２０００Åである。パターン膜の液状材料をガイドパターン内に塗布する方法としては、インクジェット法、スピンコート法、ドクターブレード法等が挙げられ、中でも、インクジェット法が好適に用いられる。
【００１４】
上記パターン膜の少なくとも一つは、無機材料の薄膜により被覆されていることが好ましい。このように無機材料で被覆し、パターン膜の形成部分を多層構造とすることで、パターン膜上層の薄膜にクラック等が入らないという本発明の作用効果を充分に発揮させることができるとともに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を設置して、本発明の素子配置基板を液晶表示装置のアクティブマトリクス基板等に適用することが可能となる。無機材料の薄膜としては、真空蒸着法又は化学蒸着法により形成されたものであることが好ましい。このような場合に、本発明の作用効果をより充分に発揮させることができる。具体的には、例えば、ゲート絶縁膜、半導体層（ａ−Ｓｉ）、コンタクト層（ｎ＋形ａ−Ｓｉ）、絶縁保護膜（パッシベーション膜）等の薄膜トランジスタを構成する層等が挙げられる。無機薄膜の平均膜厚は、通常３０００Å〜５０００Åである。
【００１５】
本発明はまた、基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板を形成する製造方法であって、上記素子配置基板の製造方法は、レジストの撥水薄膜により該パターン膜を形成するための１以上のガイドパターンを形成する工程、及び、該ガイドパターン内に液状材料を塗布してパターン膜を形成する工程を含む素子配置基板の製造方法でもある。また、上記パターン膜としては特に限定されないが、配線、電極、絶縁層及び機能膜からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、中でも、配線であることが特に好ましい。これにより、素子配置基板を作製するに際し、配線、電極、絶縁層、機能膜等のパターン膜の形成、及び、その形成後、レジストの撥水薄膜の除去（剥離）を簡便に行うことができるので、素子配置基板の製造効率の面で有利な効果を奏することが可能であり、しかもレジストの撥水薄膜を充分に薄くすることにより、パターン膜膜厚を厚くした場合であっても、配線上に形成されるＣＶＤ膜等の薄膜にクラック等が入ることを抑制することが可能となる。
【００１６】
本発明において、上記レジストの撥水薄膜としては、フッ素ガスを用いたプラズマ処理により、（撥水性を有しない）レジストの薄膜に撥水性を付与してなるもの、又は、撥水性を有するレジスト（撥水レジスト）により形成されたものであることが生産性の面から好ましく、配線パターン形成用のレジスト薄膜（ガイド材）の場合、金属コロイド溶液に対し、５０°以上の接触角を示すことが好ましい。また、配線パターン形成用のレジスト薄膜に限らず、その他のレジスト薄膜（ガイド材）についても、同様の溶媒（分散媒）を含有する溶液に対し、５０°以上の接触角を示すことが好ましい。プラズマ処理に用いるフッ素ガスとしては、フッ素原子を含むガスであれば特に限定されないが、ＣＦ４、ＳＦ６等のガス又はこれらをＮ２、Ｈｅ等で希釈したガスが好適に用いられる。
【００１７】
上記レジストは、樹脂固形分を１０質量％以上含むものであることが好ましい。１０質量％未満であると、形成した撥水薄膜にピンホール等の不良が発生するおそれがある。また、上記レジストは、樹脂固形分を３０質量％以下含むものであることが好ましい。３０質量％を超えると、レジストの粘度が上がるため、厚い側で好適な３０００Å程度の撥水薄膜を形成することができなくなるおそれがある。樹脂固形分を１０質量％以上、３０質量％以下含むレジストは、膜厚が５０Å以上、３０００Å以下の撥水薄膜を形成するのに好適である。なお、撥水性を有するレジストの樹脂固形分のより好ましい下限は、１５質量％であり、より好ましい上限は、２５質量％である。
【００１８】
上記レジストの撥水薄膜は、平均膜厚が５０Å以上、３０００Å以下であることが好ましい。これにより、クラック等を抑制する本発明の作用効果を充分に発揮させることができる。より好ましい下限は、５００Åであり、より好ましい上限は、２０００Åである。
【００１９】
また上記パターン膜の形成工程は、インクジェット法により行われることが好ましい。これにより、素子配置基板の製造効率やパターン膜の基本性能の面等で有利な効果を奏することができる。
【００２０】
本発明の素子配置基板の製造方法における一実施形態について、配線パターンの一部の断面概念図を図１１に示す。この図１１では、超薄膜樹脂膜（レジストの撥水薄膜）２のパターニング工程（図１１−ａ参照）の後に、金属コロイド溶液３を樹脂膜２の間に選択塗布し、熱処理する工程（図１１−ｂ参照）を行うことにより断面形状が上に凸の略平凸レンズ形状となった配線４（図１１−ｃ参照）を形成することが示されている。
【００２１】
上記製造方法において、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ配線基板を作製するプロセスフローの概略としては、通常では（１）プロセス前基板洗浄、（２）ゲート配線形成、（３）ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、更に半導体層を形成、（４）ソース・ドレイン配線形成、（５）保護膜（パッシベーション膜）を形成し、更に感光性樹脂膜を形成、（６）絵素電極形成、（７）基板最終検査の各工程が行われることになる。このようなプロセスフローのゲート配線、ソース・ドレイン配線形成工程において、上記配線形成方法を用いて配線を形成する。そのときの配線パターンの形成に本発明におけるレジストの撥水薄膜をガイド材として用いることになる。
【００２２】
このようなプロセスフローの一例を説明すると、上記（２）ゲート配線形成工程において、プロセス前基板洗浄工程で洗浄した基板上にレジストの撥水薄膜を形成し、フォトリソグラフィ法等によりガイドパターンを形成させた後に、インクジェット法等の塗布方法により、ガイドパターンに液状の配線材料を充填し、これを焼成等してゲート電極・配線を形成する。このとき、補助容量配線（Ｃｓ配線）を同時に形成する。配線形成後、レジストの撥水薄膜（ガイドパターン）を除去（剥離）する。上記（３）ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、更に半導体層を形成する工程において、ＳｉＮｘ等のゲート絶縁膜、ａ−Ｓｉ等の半導体層、ｎ＋形ａ−Ｓｉ等のコンタクト層を順に成膜し、更に半導体層、コンタクト層を所望のパターンにパターニングする。上記（４）ソース・ドレイン配線形成工程において、ゲート配線形成工程と同様の方法で、コンタクト層上にソース電極・配線、及び、ドレイン電極・配線を形成する。上記（５）保護膜（パッシベーション膜）を形成し、更に感光性樹脂膜を形成する工程において、非表示領域にＳｉＮｘ等の膜を形成する。上記（６）絵素電極形成工程において、表示領域に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の絵素電極を形成する。上記（７）基板最終検査において、配線のパターン欠陥の有無等が検査される。
【００２３】
本発明は更に、本発明の素子配置基板、又は、本発明の素子配置基板の製造方法により製造されてなる素子配置基板により構成されてなる表示装置でもある。表示装置は、素子配置基板の配線に電気信号を供給する等の方法により、表示の制御を行うことができるものであれば、特に限定されるものではない。このような表示装置としては、液晶表示装置、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置等が挙げられ、中でも、液晶表示装置であることが好ましい。これにより、製造効率、歩留り、信頼性等の面で有利な効果を奏することができる。
【００２４】
次に、素子配置基板を構成する基板、ガイドパターンに塗布される液状材料、塗布条件について説明する。
【００２５】
基板としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板等を用いることができ、また、基板表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜等が配線の下地層として形成されていてもよい。
【００２６】
液状材料のうち、配線、電極材料としては、例えば、銀、銅、金、パラジウム、ニッケル又はそれらの合金を溶媒（分散媒）中に分散させた液体材料、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる導電性微粒子を溶媒（分散媒）中に分散させた液体材料、塗布後に還元等の化学反応によって金属が生成される液体材料、導電性高分子やこれを溶媒（分散媒）中に分散させた液体材料が挙げられる。また、絶縁層材料としては、例えば、ゾルゲル材料や、ゾルゲル材料中に金属微粒子、酸化物微粒子を分散させた液体材料が挙げられる。更に、機能膜材料としては、例えば、有機ＥＬ用材料、有機ＥＬ層へのキャリア注入に使用されるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）等の有機半導体材料が挙げられる。これらの中でも、インクジェット法による塗布に適した特性を有するものが好ましい。
塗布条件は、所望のパターン膜の膜厚、液状材料の組成・特性、基板の材質等に応じて適宜調整され、特に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の素子配置基板は、上述の構成からなり、パターン膜の断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成されることから、順又は略垂直テーパ形状部を薄く形成することにより、パターン膜の膜厚が厚くされた場合であっても、パターン膜上に形成されるＣＶＤ膜等の薄膜にクラック等が入ることを抑制することができる。このような本発明の素子配置基板は、液晶表示装置等の表示装置におけるＴＦＴアレイ配線基板等に好適に適用され、製造効率、歩留り、信頼性等の面で有利な効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
図１は、本発明の配線（パターン膜）形成方法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である。図２−ａは、図１で作製されたゲート配線上にゲート絶縁膜／半導体層／コンタクト層を成膜させたときの断面模式図であり、図２−ｂは、図１で作製されたゲート配線を用いたＴＦＴ素子を有する絵素部の平面模式図であり、図２−ｃは、図２−ｂ中のＡ−Ａ’線で切断した断面を示す断面模式図である。
【００３０】
本発明の配線形成方法によるゲート配線形成フローでは、まず透明基板１上に撥水性を有するネガ型の感光性樹脂（レジスト）２（樹脂固形分２５質量％）を平均膜厚７００Å以上、１５００Å以下で成膜させた後（図１−ａ参照）、フォトリソグラフィ法を用いて感光性樹脂２を所望のパターン（樹脂幅３０μm、開口幅３０μm）にパターニングする（図１−ｂ参照）。次に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はそれらの合金を含むコロイド溶液３をインクジェット法、スピンコート法、ディップ法等を用いて感光性樹脂２が形成されていない領域に充填する（図１−ｃ参照）。そして、３００℃で約１時間焼成し、平均膜厚３０００Åの金属配線４を形成させた後、感光性樹脂２を取り除き、ゲート配線４の形成が完了する（図１−ｄ参照）。本実施例により形成されたゲート配線４は、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、順又は略垂直テーパ形状部の平均厚さが７００Å以上、１５００Å以下となる。
【００３１】
続いて、得られたゲート配線４上には、ゲート絶縁膜５（平均膜厚３５００Å）、半導体層６（平均膜厚１５００Å）、コンタクト層７（平均膜厚１０００Å）が順に成膜され（図２−ａ参照）、更に半導体層６、コンタクト層７は、所望のパターンにパターニングされる（図２−ｂ、２−ｃ参照）。図２−ａに示すように、このとき、本実施形態では、ステップカバレッジ（段差部被覆性）よく成膜されることとなる。その後、ソース電極・配線８、ドレイン電極・配線９、チャネル部、絵素電極１０、パッシベーション膜１１等を形成することで、ＴＦＴ素子が作製される（図２−ｂ、２−ｃ参照）。
【００３２】
（実施例２）
図３は、本発明の配線（パターン膜）形成方法をソース・ドレイン配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である。図４−ａは、図３で作製されたソース・ドレイン配線を用いたＴＦＴ素子を有する絵素部の平面模式図であり、図４−ｂは、図４−ａ中のＢ−Ｂ’線で切断した断面を示す断面模式図である。
【００３３】
本実施例では、まず透明基板１上にゲート配線４を形成した後、ゲート絶縁膜５、半導体層６、コンタクト層７を成膜し、更に半導体層６、コンタクト層７をフォトリソグラフィ法により所望のパターンにパターニングすることで、ソース・ドレイン配線形成前の基板を作製した。続いて、本発明の配線形成方法によるソース・ドレイン配線形成フローでは、コンタクト層７上に撥水性を有するネガ型の感光性樹脂（レジスト）２（樹脂固形分２５質量％）を平均膜厚７００Å以上、１５００Å以下で成膜させた後（図３−ａ参照）、フォトリソグラフィ法を用いて感光性樹脂２を所望のパターン（樹脂幅１０μm、開口幅１０μm）にパターニングする（図３−ｂ参照）。次に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はそれらの合金を含むコロイド溶液３をインクジェット法、スピンコート法、ディップ法等を用いて感光性樹脂２が形成されていない領域に充填する（図３−ｃ参照）。そして、３００℃で約１時間焼成し、平均膜厚３０００Åの金属配線８、９を形成させた（図３−ｄ参照）後、感光性樹脂２及びその下に位置するコンタクト層７を取り除き、ソース電極・配線８、ドレイン電極・配線９の形成が完了する（図３−ｅ参照）。その後、チャネル部、絵素電極１０、パッシベーション膜１１等を形成することで、ＴＦＴ素子が作製される（図４−ａ、４−ｂ参照）。本実施例により形成されたソース電極・配線８、ドレイン電極・配線９は、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、順又は略垂直テーパ形状部の平均厚さが７００Å以上、１５００Å以下となる。
【００３４】
なお、実施例１、２では、感光性樹脂２の材料としてネガ型の感光性材料を用いたが、ポジ型の感光性材料を用いてもよい。また、感光性樹脂２の材料として撥水性を有する感光性材料を用いたが、撥水性を有しない感光性材料を用いて成膜した後、形成した薄膜に対し、フッ素系のガス（ＣＦ４、ＳＦ６等のガス又はこれらをＮ２、Ｈｅ等で希釈したガス）を用いてプラズマ処理を施すことにより、撥水性を有する感光性樹脂２を形成してもよい。プラズマ処理としては、真空排気系のドライエッチング装置を用いる方法（導入ガス流量：ＣＦ４／Ｈ２＝１５０〜３００／０〜５００ｓｃｃｍ、処理圧力：５０〜１５０ｍＴｏｒｒ、処理電力：２００〜３００Ｗ、処理時間：６０〜１２０ｓｅｃ、温度：４０℃）や、大気圧プラズマ装置を用いる方法（導入ガス流量：ＣＦ４／Ｎ２＝５．０〜１５ｓｌｍ／２０〜５０ｓｌｍ、処理電力：３００〜８００Ｗ、基板搬送速度：０．５〜３ｍ／ｍｉｎ、処理温度：２５〜３５℃）等により行うことができる。
【００３５】
なお、ポジ型の感光性樹脂２によりパターン形成した薄膜に対し、フッ素系のガスを用いたプラズマ処理を行うことで撥液性を付与した場合においても、実施例１、２と同様の作用効果を得ることができた。
【００３６】
（実験例１）
本実験例は、感光性樹脂（レジスト）の平均膜厚（配線の下部の高さ）と配線（パターン膜）上の薄膜のクラックの発生状況との相関を確認することを目的とするものである。
本実験例では、基板上に様々な膜厚で形成した感光性樹脂の薄膜（薄膜レジスト）の間に、配線を平均膜厚３０００Åで形成した後、無機材料を平均膜厚３０００〜３５００Åで配線上に成膜し、無機材料の薄膜（上層無機膜）におけるクラックの発生状況を評価した。
以下に、本実験例の詳細について説明する。
【００３７】
まず、スピンコート法を用いて、撥水性を有するネガ型の感光性樹脂（樹脂固形分１０〜３０質量％）を透明基板上に塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングした。なお、実験用サンプルは、感光性樹脂の薄膜（薄膜レジスト）の膜厚や形成パターンを変更して複数作製した。このとき、感光性樹脂の薄膜（薄膜レジスト）の平均膜厚については、溶剤による塗布液の希釈やスピン回転数の調整を行うことによって下記表１に示す様々な平均膜厚に調整した。また、薄膜レジストの形成パターンについては、薄膜レジスト間の間隔Ｓ（配線形成幅に対応）と薄膜レジストの幅Ｌとを、Ｌ／Ｓ＝１０／１０、２０／２０、３０／３０、５０／５０、１００／１００（単位：μｍ）に変更して各種サンプルを作製した。
【００３８】
次に、インクジェット法を用いて、銀（Ａｇ）を含むコロイド溶液（溶媒にはカルビトール系の溶剤を使用）を透明基板上の薄膜レジスト間に充填した後、３００℃で約１時間の焼成を行うことにより、薄膜レジスト間に平均膜厚３０００Åの配線を形成した。続いて、配線に隣接する薄膜レジストを透明基板及び配線から剥離した。残された配線は、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、下部の順又は略垂直テーパ形状部の高さは、剥離した薄膜レジストの膜厚とほぼ同じになっていた。また、配線の幅は、パターニングした薄膜レジスト間の間隔とほぼ同じになっていた。
最後に、配線上に無機材料ＳｉＮｘの薄膜を平均膜厚３０００〜３５００Åで成膜し、そのクラック発生状況を調べた。その結果を下記表１に示す。
【００３９】
【表１】
2007533117.tif 000003
【００４０】
表１に示すように、薄膜レジストの膜厚（配線下部の高さ）を５０Å未満に設定した場合には、薄膜レジストをそのような膜厚で成膜すること自体が困難であった。従って、配線の形成も困難となったため、無機材料の薄膜におけるクラックの発生を評価する意味がなかった。また、膜厚を５０Å以上、３０００Å以下に設定した場合には、無機材料の薄膜にクラックは発生せず、薄膜レジストの成膜や剥離についても、特に問題なく行うことができた。更に、膜厚を３５００Å以上に設定した場合には、透明基板からの薄膜レジストの剥離が困難になるとともに、無機材料の薄膜にクラックの発生も見られた。
これらの結果は、薄膜レジストの膜厚に依存するものであり、薄膜レジストの間隔（配線幅）には無関係であった。
【００４１】
（実験例２）
本実験例は、配線（パターン膜）の平均膜厚に対する配線上の薄膜のクラック発生状況及び配線の形成状態の相関を確認することを目的とするものである。
本実験例では、基板上の薄膜レジスト（平均膜厚１５００Å又は３０００Å）の間に、配線を様々な平均膜厚（１５００〜１００００Å）で形成した後、無機材料ＳｉＮｘを平均膜厚３０００〜３５００Åで配線上に形成し、無機材料の薄膜におけるクラック発生状況を評価した。その結果を下記表２に示す。
なお、薄膜レジスト及び配線の形成等については、実験例１と同様の方法で行った。
【００４２】
【表２】
2007533117.tif 000004
【００４３】
表２に示すように、感光性樹脂の平均膜厚を１５００Åに固定して行った場合において、配線の平均膜厚を１５００Åに設定した場合には、無機材料の薄膜にクラックの発生は見られなかったが、配線の抵抗が高かった。また、配線の平均膜厚を２０００Å以上、６０００Å以下に設定した場合には、無機材料の薄膜にクラックの発生は見られず、配線の抵抗も充分に小さかった。更に、配線の平均膜厚を８０００Å以上に設定した場合では、感光性樹脂上に金属コロイド溶液が乗り上げて広がってしまい、配線を形成することができなかった。そのため、無機材料の薄膜におけるクラックの発生を評価することができなかった。
【００４４】
これらの結果もまた、感光性樹脂の膜厚に依存するものであり、感光性樹脂の間隔（配線幅）には無関係であった。
更に、表２に示すように、感光性樹脂の平均膜厚を３０００Åに固定して行った場合においても、同様の結果が得られた。
【００４５】
（比較例１）
図５は、従来のスパッタ法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である。
従来のスパッタ法によるゲート配線形成フローでは、まず透明基板１上にスパッタ法を用いて金属膜１２を平均膜厚５０００Åで成膜させた後（図５−ａ参照）、フォトリソグラフィ法を用いて感光性樹脂２を所望のパターンに形成する（図５−ｂ参照）。次に、金属膜１２を感光性樹脂２のパターン形状にエッチングし、金属配線４を形成させる（図５−ｃ参照）。そして、感光性樹脂２を取り除き、ゲート配線４の形成が完了する（図５−ｄ参照）。
【００４６】
しかしながら、比較例１の配線形成フローでは、図６−ａに示すように、特に配線膜厚が厚くなると、配線のテーパ形状の制御が困難となって、ゲート配線４の断面形状が逆テーパ形状となりやすく、このようなゲート配線４上にゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７を成膜させた場合、ステップカバレッジが悪く、図６−ｂに示すように、ゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７にクラックが発生しやすくなる。これに対して、実施例１、２では、配線膜厚が厚くなっても、配線の上部形状が、上に凸の略平凸レンズ形状であるため、上に配置される膜のステップカバレッジがよい。
【００４７】
（比較例２）
図７は、従来のガイド材を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である。
従来のガイド材を用いたインクジェット法によるゲート配線形成フローでは、まずフォトリソグラフィ法等により、透明基板１上に感光性樹脂等からなるガイド材１３を所望のパターンに形成させた後、フッ素系のガスを用いたプラズマ処理にてガイド材１３に撥水性を付与し（図７−ａ参照）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はそれらの合金を含むコロイド溶液３をインクジェット法、スピンコート法、ディップ法等を用いてガイド材１３が形成されていない領域に充填する（図７−ｂ参照）。そして、３００℃で約１時間焼成し、平均膜厚３０００Åの金属配線４を形成させた（図７−ｃ参照）後、ガイド材１３を取り除き、ゲート配線４の形成が完了する。
【００４８】
しかしながら、比較例２の配線形成フローでは、図８−ａに示すように、ガイド材１３の断面形状が順テーパ形状であることから、図８−ｂに示すように、ゲート配線４の断面形状が逆テーパ形状となりやすく、ガイド材１３を取り除いた場合、このようなゲート配線４上にゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７を成膜させると、ステップカバレッジが悪く、図８−ｃに示すように、ゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７にクラックが発生しやすくなる。また、ガイド材１３は、通常では１μｍ以上の平均膜厚を有し、取り除くのが容易ではない。これに対して、実施例１、２では、感光性樹脂２の薄膜を取り除いても段差部分の膜厚が低いため、ステップカバレッジがよく、また、平均膜厚が１５００Å以下と薄いことから、容易に取り除くことができる。
【００４９】
一方、ガイド材１３を取り除かなかった場合、図９−ａに示すように、焼成後のゲート配線４とガイド材１３との間に空隙が生じやすいため、このようなゲート配線４上にゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７を成膜させると、ステップカバレッジが悪く、図９−ｂに示すように、ゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７にクラックが発生しやすくなる。また、ガイド材１３に有機樹脂を用いた場合には、ゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７の成膜時に出ガスが発生し、膜質を悪化させてしまう。これに対して、実施例１、２では、感光性樹脂２の薄膜は取り除かれるため、上層としてゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７を成膜する際に、クラックは入りにくく、かつゲート絶縁膜５／半導体層６／コンタクト層７の成膜時に出ガスが発生しない。
【００５０】
（比較例３）
図１０は、従来の単分子膜を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である。
従来の単分子膜を用いたインクジェット法によるゲート配線形成フローでは、まず透明基板１上に単分子膜１４を成膜させた後（図１０−ａ参照）、光エネルギーにより単分子膜１４を所望のパターンにパターニングする（図１０−ｂ参照）。次に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はそれらの合金を含むコロイド溶液３をインクジェット法、スピンコート法、ディップ法等を用いて単分子膜１４が形成されていない領域に充填する（図１０−ｃ参照）。
そして、３００℃で約１時間焼成し、平均膜厚３０００Åの金属配線４を形成させた（図１０−ｄ参照）後、単分子膜１４を取り除き、ゲート配線４の形成が完了する。
【００５１】
しかしながら、単分子膜１４のパターニングが困難であり、通常では、エキシマーレーザー等により波長１７０〜２５４ｎｍの紫外線を数十ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで照射する必要があり、生産性が非常に悪い。これに対して、実施例１、２では、感光性樹脂２の薄膜を使用しているため、青色付近の波長領域の光によりパターニングを容易に行うことができるので、生産性が高くなっている。
【００５２】
なお、本願は、２００４年４月３０日に出願された日本国特許出願第２００４−１３６１７３号、及び、２００４年１２月１３日に出願された日本国特許出願第２００４−３６０３９９号を基礎として、合衆国法典３５巻第１１９条に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１−ａ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（感光性樹脂成膜時）。
【図１−ｂ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（感光性樹脂パターニング時）。
【図１−ｃ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（コロイド溶液充填時）。
【図１−ｄ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（ＴＦＴのチャネル部加工時）。
【図２−ａ】図１で作製されたゲート配線上にゲート絶縁膜／半導体層／コンタクト層を成膜させたときの断面模式図である。
【図２−ｂ】図１で作製されたゲート配線を用いたＴＦＴ素子を有する絵素部の平面模式図である。
【図２−ｃ】図２−ｂ中のＡ−Ａ’線で切断した断面を示す断面模式図である。
【図３−ａ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をソース・ドレイン配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（感光性樹脂成膜時）。
【図３−ｂ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をソース・ドレイン配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（感光性樹脂パターニング時）。
【図３−ｃ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をソース・ドレイン配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（コロイド溶液充填時）。
【図３−ｄ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をソース・ドレイン配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（金属配線形成時）。
【図３−ｅ】本発明の配線（パターン膜）形成方法をソース・ドレイン配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（ＴＦＴのチャネル部加工時）。
【図４−ａ】図３で作製されたソース・ドレイン配線を用いたＴＦＴ素子を有する絵素部の平面模式図である。
【図４−ｂ】図４−ａ中のＢ−Ｂ’線で切断した断面を示す断面模式図である。
【図５−ａ】従来のスパッタ法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（金属膜成膜時）。
【図５−ｂ】従来のスパッタ法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（感光性樹脂パターン形成時）。
【図５−ｃ】従来のスパッタ法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（金属配線エッチング時）。
【図５−ｄ】従来のスパッタ法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（感光性樹脂除去時）。
【図６−ａ】従来のスパッタ法によりゲート配線を形成した場合の断面模式図である（比較例１）。
【図６−ｂ】従来のスパッタ法によりゲート配線を形成した場合において、ゲート配線の上層でクラックが発生する様子を説明するための断面模式図である（比較例１）。
【図７−ａ】従来のガイド材を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（ガイド材パターン形成時）。
【図７−ｂ】従来のガイド材を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（コロイド溶液充填時）。
【図７−ｃ】従来のガイド材を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（金属配線形成時）。
【図８−ａ】従来のガイド材を用いたインクジェット法によりゲート配線を形成した場合の断面模式図である（比較例２）。
【図８−ｂ】従来のガイド材を用いたインクジェット法によりゲート配線を形成し、ガイド材を除去した場合の断面模式図である（比較例２）。
【図８−ｃ】従来のガイド材を用いたインクジェット法によりゲート配線を形成し、ガイド材を除去した場合において、ゲート配線の上層でクラックが発生する様子を説明するための断面模式図である（比較例２）。
【図９−ａ】従来のガイド材を用いたインクジェット法によりゲート配線を形成し、ガイド材を除去しなかった場合の断面模式図である（比較例２）。
【図９−ｂ】従来のガイド材を用いたインクジェット法によりゲート配線を形成し、ガイド材を除去しなかった場合において、ゲート配線の上層でクラックが発生する様子を説明するための断面模式図である（比較例２）。
【図１０−ａ】従来の単分子膜を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（単分子膜成膜時）。
【図１０−ｂ】従来の単分子膜を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（単分子膜パターニング時）。
【図１０−ｃ】従来の単分子膜を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（コロイド溶液充填時）。
【図１０−ｄ】従来の単分子膜を用いたインクジェット法をゲート配線の形成に適用した場合の配線形成フローの一例を示す断面模式図である（金属配線形成時）。
【図１１−ａ】本発明の素子配置基板の製造方法における一実施形態について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（超薄膜樹脂膜のパターニング工程）。
【図１１−ｂ】本発明の素子配置基板の製造方法における一実施形態について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（金属コロイド溶液の選択塗布・熱処理工程）。
【図１１−ｃ】本発明の素子配置基板の製造方法における一実施形態について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（配線形成時）。
【図１２−ａ】従来のスパッタ及びフォトリソグラフィ法の一例について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（感光性樹脂パターン形成時）。
【図１２−ｂ】従来のスパッタ及びフォトリソグラフィ法の一例について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（金属配線エッチング時）。
【図１３−ａ】従来のガイド及びインクジェット法の一例について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（ガイド材パターン形成時）。
【図１３−ｂ】従来のガイド及びインクジェット法の一例について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（金属配線形成時）。
【図１４−ａ】従来の自己組織化膜パターニング及びインクジェット法の一例について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（単分子膜パターン形成時）。
【図１４−ｂ】従来の自己組織化膜パターニング及びインクジェット法の一例について、配線パターンの一部を示す断面概念図である（金属配線形成時）。
【符号の説明】
【００５４】
１：透明基板
２：感光性樹脂（超薄膜樹脂膜、撥水薄膜）
３：金属コロイド溶液（焼成前）
４：ゲート配線（金属配線）
５：ゲート絶縁膜
６：半導体層
７：コンタクト層
８：ソース電極・配線（金属配線）
９：ドレイン電極・配線（金属配線）
１０：絵素電極
１１：パッシベーション膜
１２：金属膜
１３：ガイド材（バンク材）
１４：単分子膜
【図１−ａ】
2007533117.tif 000005
【図１−ｂ】
2007533117.tif 000006
【図１−ｃ】
2007533117.tif 000007
【図１−ｄ】
2007533117.tif 000008
【図２−ａ】
2007533117.tif 000009
【図２−ｂ】
2007533117.tif 000010
【図２−ｃ】
2007533117.tif 000011
【図３−ａ】
2007533117.tif 000012
【図３−ｂ】
2007533117.tif 000013
【図３−ｃ】
2007533117.tif 000014
【図３−ｄ】
2007533117.tif 000015
【図３−ｅ】
2007533117.tif 000016
【図４−ａ】
2007533117.tif 000017
【図４−ｂ】
2007533117.tif 000018
【図５−ａ】
2007533117.tif 000019
【図５−ｂ】
2007533117.tif 000020
【図５−ｃ】
2007533117.tif 000021
【図５−ｄ】
2007533117.tif 000022
【図６−ａ】
2007533117.tif 000023
【図６−ｂ】
2007533117.tif 000024
【図７−ａ】
2007533117.tif 000025
【図７−ｂ】
2007533117.tif 000026
【図７−ｃ】
2007533117.tif 000027
【図８−ａ】
2007533117.tif 000028
【図８−ｂ】
2007533117.tif 000029
【図８−ｃ】
2007533117.tif 000030
【図９−ａ】
2007533117.tif 000031
【図９−ｂ】
2007533117.tif 000032
【図１０−ａ】
2007533117.tif 000033
【図１０−ｂ】
2007533117.tif 000034
【図１０−ｃ】
2007533117.tif 000035
【図１０−ｄ】
2007533117.tif 000036
【図１１−ａ】
2007533117.tif 000037
【図１１−ｂ】
2007533117.tif 000038
【図１１−ｃ】
2007533117.tif 000039
【図１２−ａ】
2007533117.tif 000040
【図１２−ｂ】
2007533117.tif 000041
【図１３−ａ】
2007533117.tif 000042
【図１３−ｂ】
2007533117.tif 000043
【図１４−ａ】
2007533117.tif 000044
【図１４−ｂ】
2007533117.tif 000045
【国際調査報告】
2007533117.tif 000046