【事件の表示】
　特願２０１３−５３２７０２「太陽光発電装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月１２日国際公開、ＷＯ２０１２／０４６９３６、平成２５年１０月１７日国内公表、特表２０１３−５３９２４３、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年（２０１１年）４月２７日（パリ条約による優先権主張　２０１０年１０月５日、韓国）の出願であって、平成２６年５月１日付けで手続補正がされ、同年１１月２０日付け（発送同年１２月２日）で拒絶理由通知がされ、平成２７年３月２日付けで手続補正がなされるとともに意見書が提出され、同年８月１４日付け（発送同年同月２５日）で拒絶理由通知（最後）がされ、同年１１月２５日付けで手続補正がなされるとともに意見書が提出されたが、平成２８年４月２７日付け（送達同年５月１０日）で前記平成２７年１１月２５日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がされ、これに対し、同年９月１２日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされた後、当審において、平成２９年２月１４日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年５月１９日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願請求項１及び２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は、平成２９年５月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１及び２は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板上に、絶縁体であってシリコンオキサイドを含む複数個のセパレーターを形成させるステップと、
　前記セパレーターにより区切られた基板上の一方の領域に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１裏面電極を、前記セパレーターにより区切られた基板上の他方の領域に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２裏面電極を、それぞれ形成させるステップと、
　前記第１裏面電極の上に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１光吸収部を、前記第２裏面電極の上に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２光吸収部を、それぞれ形成させるステップと、
　前記セパレーターの上面と、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面とが実質的に同一平面に配置されるように、前記セパレーターの上部を切断するステップと、を含み、
　前記セパレーターの上面の粗さは、前記セパレーターの側面の粗さより大きく、
　前記セパレーターは、幅が１０μｍ〜２００μｍであって、
　前記裏面電極はモリブデンを含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２】
　前記光吸収部の上に複数個のウィンドウを配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置の製造方法。」
　
第３　刊行物の記載及び引用発明
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１０−９８０６５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００１６】
　図１に示すように、集積型光発電素子Ｉ０の絶縁部１５は、少なくとも裏面電極層１１を絶縁分離することが可能な程度の高さ及び幅を有している。本実施の形態では、絶縁部１５は、裏面電極層１１と発電層１２とを絶縁分離し、さらに透明電極層１３の一部に達する程度の高さを有している。
　絶縁部１５の高さ及び幅は特に限定されないが、本実施の形態では、絶縁部１５の高さは、通常、１μｍ〜２０μｍ、好ましくは８μｍ〜１２μｍである。また、
絶縁部１５の幅は、通常、３０μｍ〜１２０μｍ
　また、絶縁部１５の形状は、少なくとも裏面電極層１１を絶縁分離することが可能な程度の形状を有していれば特に限定されない。図１に示すように、本実施の形態では、絶縁部１５は断面形状が台形を有する凸形状となるように形成されている。この場合、裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３とは、基板１０上に凸形状の絶縁部１５が形成された部分で段差を生じるように分割されていると言える。
【００１７】
　次に、集積型光発電素子Ｉ０の構成要素について説明する。
　基板１０を構成する材料としては、例えば、ステンレス等の金属フィルム、有機フィルム、ガラス等が挙げられる。基板１０の大きさは特に限定されないが、本実施の形態では縦×横が１０ｃｍ×１０ｃｍであり、厚さは、０．５ｍｍである。
　
裏面電極層１１を構成する材料としては、金属が好ましく、
Ｍｏ
　
イ　「【００２２】
　
絶縁部１５を構成する材料は、
　ここで絶縁性ペーストとしては、例えば、
ガラス粉末と紫外線硬化樹脂等の有機バインダと溶剤を加えてなるガラスペースト
【００２３】
　ガラスペーストにおける
ガラス粉末としては、
ＳｉＯ
２
−ＢａＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
系、ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系、ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
−Ａｌ２Ｏ
３
系、ＳｉＯ
２
−Ａｌ
２
Ｏ
３
−アルカリ金属酸化物系
が挙げられ
　
ウ　「【００２５】
　次に、集積型光発電素子の製造方法について説明する。
　図２は、
集積型光発電素子
製造方法
　先ず、図２（ａ）に示すように、前述した材料からなる
基板１０を用意
次に、
基板１０上に所定の間隔を設けて絶縁性ペーストを塗布し、複数の絶縁部１５を形成
　絶縁性ペーストを塗布する方法は特に限定されないが、本実施の形態ではスクリーン印刷法を採用している。基板１０上に塗布された絶縁性ペーストを硬化させる条件は特に限定されないが、本実施の形態では、５００℃、１０分間である。
【００２６】
　
次に、
複数の絶縁部１５が形成された基板１０上に絶縁部１５により絶縁分離されるように複数の裏面電極層１１を成膜し
、成膜された裏面電極層１１上に発電層１２を成膜し
、成膜された発電層１２上に透明電極層１３を成膜
　尚、図２（ｃ）に示すように、本実施の形態では、
各絶縁部１５の上に成膜操作により成膜された裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３を構成する材料からなる薄膜積層体が形成され
【００２８】
　
続いて、
連続的に成膜された発電層１２と透明電極層１３の一部をパターニングにより除去し、発電層１２と透明電極層１３とを複数の分割溝１６によって分割すると共に、裏面電極層１１の一部を露出させ
　本実施の形態では、パターニング工程は、例えば、金属刃、カッターナイフ、金属針又はニードル等を用いて発電層１２と透明電極層１３との一部を短冊状に切り分けるメカニカルスクライブ法を採用している。
　尚、本実施の形態では、図２（ｄ）に示すように、分割溝１６の横側に分割溝１６と平行になるように第２の分割溝１７を設けている。
【００２９】
　
次に、
パターニング工程により分割された透明電極層１３の表面の一部に導電性材料を含む導電性ペーストを塗布し、透明電極層１３の端部及び分割された発電層１２の端部を覆い、且つ前述したパターニング工程により露出した隣接する他のセルの裏面電極層１１の一部と当該透明電極層１３とを電気的に接続する導電部１４を形成し
、導電性ペーストを硬化させることにより、直列に接続された複数の単位セル素子
からなる集積型光発電素子
を得る
　
エ　図２は次のものである。
　図２
　
（２）上記（１）によれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板１０を用意し、次に、基板１０上に所定の間隔を設けて絶縁性ペーストを塗布し、複数の絶縁部１５を形成し、
　次に、複数の絶縁部１５が形成された基板１０上に絶縁部１５により絶縁分離されるように複数の裏面電極層１１を成膜し、成膜された裏面電極層１１上に発電層１２を成膜し、成膜された発電層１２上に透明電極層１３を成膜し、
　各絶縁部１５の上に成膜操作により成膜された裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３を構成する材料からなる薄膜積層体が形成され、
　続いて、連続的に成膜された発電層１２と透明電極層１３の一部をパターニングにより除去し、発電層１２と透明電極層１３とを複数の分割溝１６によって分割すると共に、裏面電極層１１の一部を露出させ、
　次に、パターニング工程により分割された透明電極層１３の表面の一部に導電性材料を含む導電性ペーストを塗布し、透明電極層１３の端部及び分割された発電層１２の端部を覆い、且つ前述したパターニング工程により露出した隣接する他のセルの裏面電極層１１の一部と当該透明電極層１３とを電気的に接続する導電部１４を形成し、導電性ペーストを硬化させることにより、直列に接続された複数の単位セル素子からなる集積型光発電素子を得るものであり、
　前記絶縁部１５の幅は３０μｍ〜１２０μｍであり、
　前記絶縁部１５を構成する材料は、ガラス粉末と紫外線硬化樹脂等の有機バインダと溶剤を加えてなるガラスペーストであって、ガラス粉末としては、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−アルカリ金属酸化物系が挙げられ、
　前記裏面電極層１１を構成する材料としては、Ｍｏが好ましい、集積型光発電素子の製造方法。」
　
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平６−１３２５５２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００２０】本発明において、
下部電極層１０２としては、金属層
が用いられ
材質としては、
Ｍｏ
が用いられ
　
イ　「（実施例１）導電性基板上に集積した非晶質シリコン光起電力素子を作製する場合を図１、３を参照しつつ説明する。尚、本実施例では、導電性基板１００にはステンレスフィルムからなるステンレス基板を、絶縁体層１０１には珪酸を主成分とするセラミック層とポリイミド層を、下部電極層１０２には銀と酸化亜鉛を、下部電極層１０２の局所に形成する導電体層１０３にはエポキシ系銀ペーストから形成した導電体層を、半導体層１０４にはｐ／ｉ／ｎ／ｐ／ｉ／ｎ構成の非晶質シリコン層を、透明電極層１０５にはＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）を、集電電極１０６には銀ペーストから形成した電極を、また照射エネルギーにはＹＡＧレーザーを、それぞれ使用した。
【００３１】次に、実施例の
光起電力素子の作製手順
洗浄した厚さ０．２ｍｍのステンレス基板からなる導電性基板１００
し
【００３２】
次に、膜厚５０００オングストロームの銀をスパッタ法により蒸着し、エポキシ系銀ペーストをスクリーン印刷で塗付し、またこれを２００℃で熱処理して、導電体層１０３を形成し
更に、膜厚２０００オングストロームの酸化亜鉛をスパッタ法により蒸着し、またＺｎＯ／Ａｇの一部をＹＡＧレーザで除去して、複数個の分離した下部電極層１０２を形成し
更に、プラズマＣＤＶ法により、ＳｉＨ
4
とＰＨ
3
とＨ
2
からｎ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ
4
とＨ
2
からｉ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ
4
とＢＦ
3
とＨ
2
からｐ型微結晶μｃ−Ｓｉ層をそれぞれ形成し、ｎ層膜厚１５０オングストローム／ｉ層膜厚４０００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストローム／ｎ層膜厚１００オングストローム／ｉ層膜厚８００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストロームの積層構成である、光電変換層１０４を形成し
【００３３】
更に、透明電極層１０５として、ＩＴＯ膜厚７００オングストロームをＯ
2
雰囲気下でＩｎ−Ｓｎを抵抗加熱法で蒸着することによって形成し
【００３４】またＩＴＯのエッチング剤（ＦｅＣｌ3，ポリビニルアルコール）含有ペーストのスクリーン印刷により、
ＩＴＯ層の一部を除去して、サブセル分離部分を形成し
ポリエステル系銀ペーストをスクリーン印刷機で格子状に印刷した後、１２５℃で熱処理をして、集電電極１０６を形成し
【００３５】
次いで、サブセルの直列化すべき箇所にＹＡＧレーザー光を照射し、集電電極１０６と下部電極上の導電体層１０３電極との接合をとり、集積化した非晶質シリコン光起電力素子を得た
【００３６】上記方法で得られた光起電力素子は、接着層にＥＶＡを使用し、またＥＴＦＥ（エチレン−４フッ化エチレン共重合体）フィルムをラミネートして、表面被覆層１０８を形成した（図３（ｆ）参照）。そして、サブセル１３個を直列化した光起電力素子の１００ｍｍＷ／ｃｍ2開放電圧Ｖｏｃは２．２Ｖであり、このためこれらのサブセルは短絡することなく直列化されていることが判った。
【００３７】尚、ＹＡＧレーザーはＱスイッチパルスレーザーであり、周波数４ＫＨｚ、平均レーザーパワーは金属電極のパターニングでは０．４ワット、集電電極と下部電極上の導電体層との接合では０．９ワットであった。走査は１００ｍｍ／ｓｅｃの速度で行った。
【００３８】また上記構成において集電電極１０６は、光起電力素子サブセルの幅が狭く、即ち透明電極層１０５の幅が狭くて透明電極層１０５の抵抗値が問題にならない場合には、なくても良い。但しこの場合には、直列するために接合する部分は、透明電極層１０５と下部電極上の導電体層１０３である。
（比較例）実施例１において、導電体層１０３のない構成の光起電力素子を作製した。そして得られたサブセル１３個を直列化して光起電力素子を製造した。得られた光起電力素子の１００ｍｍＷ／ｃｍ2開放電圧Ｖｏｃは２．１Ｖであり、直列接続したにも拘らず、直列段数の開放電圧は得られなかった。
（実施例２）図４の構造を備えた光起電力素子を作製した。即ち、実施例１において
ステンレス基板にセラミックス層を形成することなしに、ポリイミド樹脂をコーティングし
その後、下部電極層１０２を分離する箇所に、顔料を含有した耐熱性樹脂からなる短絡防止用絶縁体層１０９をポリイミド樹脂を使用し部分的にディスペンサーで塗付し
　
ウ　図４は次のものである。
　図４
　
（２）上記（１）によれば、引用文献２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「洗浄した厚さ０．２ｍｍのステンレス基板からなる導電性基板１００にセラミックス層を形成することなしに、ポリイミド樹脂をコーティングし、その後、下部電極層１０２を分離する箇所に、顔料を含有した耐熱性樹脂からなる短絡防止用絶縁体層１０９をポリイミド樹脂を使用し部分的にディスペンサーで塗付し、
　次に、膜厚５０００オングストロームの銀をスパッタ法により蒸着し、エポキシ系銀ペーストをスクリーン印刷で塗付し、またこれを２００℃で熱処理して、導電体層１０３を形成し、
　更に、膜厚２０００オングストロームの酸化亜鉛をスパッタ法により蒸着し、またＺｎＯ／Ａｇの一部をＹＡＧレーザで除去して、複数個の分離した下部電極層１０２を形成し、
　更に、プラズマＣＤＶ法により、ＳｉＨ4とＰＨ3とＨ2からｎ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＨ2からｉ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結晶μｃ−Ｓｉ層をそれぞれ形成し、ｎ層膜厚１５０オングストローム／ｉ層膜厚４０００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストローム／ｎ層膜厚１００オングストローム／ｉ層膜厚８００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストロームの積層構成である、光電変換層１０４を形成し、
　更に、透明電極層１０５として、ＩＴＯ膜厚７００オングストロームをＯ2雰囲気下でＩｎ−Ｓｎを抵抗加熱法で蒸着することによって形成し、
　ＩＴＯ層の一部を除去して、サブセル分離部分を形成し、ポリエステル系銀ペーストをスクリーン印刷機で格子状に印刷した後、１２５℃で熱処理をして、集電電極１０６を形成し、
　次いで、サブセルの直列化すべき箇所にＹＡＧレーザー光を照射し、集電電極１０６と下部電極上の導電体層１０３電極との接合をとり、集積化した非晶質シリコン光起電力素子を得た、
　前記下部電極層１０２としては、金属層が用いられ、材質としては、Ｍｏが用いられる、光起電力素子の作製手順。」
　
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（米国特許出願公開第２００１／００３７８２３号明細書）には、次の事項が記載されている（訳は当審が付した。）。
「［0091］ Although it is not essential to the process according to the invention, as a rule it is preferred to provide the thin film solar cell sheet with a permanent carrier. For, otherwise the thin film will be so thin that its fragility makes for difficult handling. When employed, the permanent carrier is applied over the back electrode.」
（［００９１］本発明では、製造工程上不可欠ではないが、パーマネントキャリアを薄膜太陽電池シートに提供することはより好ましい。なぜなら、さもなければ当該薄膜は非常に薄くてもろいため扱いが困難になる。採用される場合は、パーマネントキャリアは裏面電極の上に適用される。）
　
４　引用文献４について
ア　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（実願平１−６１７８７号（実開平３−１５４８号）のマイクロフィルム）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「そして、透光性基板（１１）上に形成されている突部（１１ａ）は、上記積層体の隣接間隔部に位置するようになっている。
　斯る構成によれば、上記積層体の隣接間隔部に対応する部分の入射光は、突部（１１ａ）を経てｉ型層（１４）に入射されて有効に利用され、出力の向上が図れる。」（６頁７〜１３行）
　
イ　第２図は次のものである。
　
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特表２００９−５３２８８４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００３８】
　[0043]その後、図４Ｅにおいて、フォトレジストを除去し、金属層４０６まで下にエッチングが行われ、導電性段差４２４が残る。金属層４０６までの下への多段階エッチングは、前の実施形態のようにこのエッチングについても行われ得る。次に、薄い（例えば、０.１μｍ厚）絶縁体４３０が適用される。これは、ポリマー膜、二酸化シリコン又は窒化シリコンのようなＣＶＤ誘電体、又は多くの他の膜のいずれでもあり得る。ＭＯＳＦＥＴプロセスにおいてゲートの側面を被覆するために用いられるスペーサプロセスと同様に、絶縁体は、ウエット又はドライエッチングプロセスを用いて最上部からエッチングされる。これにより、図４Ｆに示されるように、垂直の壁の上に絶縁体残渣が残り、絶縁が得られる。」
　
イ　「【００４５】
　[0050]その後、更に前の実施形態と同様に、図５Ｅにおいて、フォトレジストを除去し、半導体層５０２を通ってエッチングを行い、導電性段差５２４が残る。次に、薄い絶縁体５３０を適用する。これは、ポリマー膜、二酸化シリコン又は窒化シリコンのようなＣＶＤ誘電体、又は多くの他の膜のいずれでもあり得る。ＭＯＳＦＥＴプロセスにおいてゲートの側面を被覆するために用いられるスペーサプロセスと同様に、ウエット又はドライエッチングプロセスを用いて最上部から絶縁体をエッチングする。これにより、図５Ｆに示されるように、垂直壁上に絶縁体残渣５３０が残り、絶縁が得られる。その後、更に図５Ｆに示されるように、ＺｎＯのようなＴＣＯの０.７μｍ層５０８が堆積される。」
　
ウ　図４Ｆ及び図５Ｆは次のものである。
　図４Ｆ
　図５Ｆ
　
第４　対比・判断
１　本願発明１及び２と引用発明１の対比
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明１における「『基板１０を用意し、次に、基板１０上に所定の間隔を設けて絶縁性ペーストを塗布し、複数の絶縁部１５を形成し』及び『前記絶縁部１５を構成する材料は、ガラス粉末と紫外線硬化樹脂等の有機バインダと溶剤を加えてなるガラスペーストであって、ガラス粉末としては、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−アルカリ金属酸化物系が挙げられ』」、「次に、複数の絶縁部１５が形成された基板１０上に絶縁部１５により絶縁分離されるように複数の裏面電極層１１を成膜し」、「成膜された裏面電極層１１上に発電層１２を成膜し、成膜された発電層１２上に透明電極層１３を成膜し」、「前記絶縁部１５の幅は３０μｍ〜１２０μｍであり」、「前記裏面電極層１１を構成する材料としては、Ｍｏが好ましい」及び「集積型光発電素子の製造方法」は、本願発明１における「基板上に、絶縁体であってシリコンオキサイドを含む複数個のセパレーターを形成させるステップ」、「前記セパレーターにより区切られた基板上の一方の領域に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１裏面電極を、前記セパレーターにより区切られた基板上の他方の領域に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２裏面電極を、それぞれ形成させるステップ」、「前記第１裏面電極の上に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１光吸収部を、前記第２裏面電極の上に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２光吸収部を、それぞれ形成させるステップ」、「前記絶縁部１５の幅は、３０μｍ〜１２０μｍであり」、「裏面電極はモリブデンを含む」及び「太陽光発電装置の製造方法」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「基板上に、絶縁体であってシリコンオキサイドを含む複数個のセパレーターを形成させるステップと、
　前記セパレーターにより区切られた基板上の一方の領域に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１裏面電極を、前記セパレーターにより区切られた基板上の他方の領域に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２裏面電極を、それぞれ形成させるステップと、
　前記第１裏面電極の上に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１光吸収部を、前記第２裏面電極の上に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２光吸収部を、それぞれ形成させるステップと、
　前記セパレーターは、幅が３０μｍ〜１２０μｍであって、
　前記裏面電極はモリブデンを含む、太陽光発電装置の製造方法。」
　
（相違点１）
　本願発明１は「前記セパレーターの上面と、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面とが実質的に同一平面に配置されるように、前記セパレーターの上部を切断するステップと、を含」むのに対し、引用発明１はそのようなステップを備えていない点。
　
（相違点２）
　本願発明１は「、前記セパレーターの上面の粗さは、前記セパレーターの側面の粗さより大き」いという構成を備えるのに対し、引用発明１はそのような構成を備えていない点。
　
イ　相違点についての判断
　上記相違点１について検討すると、引用文献１には、引用発明１における、「各絶縁部１５の上に成膜操作により成膜された裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３を構成する材料からなる薄膜積層体が形成され」た後、これを絶縁部１５の上面と発電層１２の上面が実質的に同一平面に配置されるように、前記絶縁部１５の上部を切断することの記載はなく、またこのようにすることの示唆もない。
　そして、引用文献１の発明の詳細な説明には、「裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３とは、基板１０上に凸形状の絶縁部１５が形成された部分で段差を生じるように分割されている」（上記「第３」「１」「（１）」「ア」の段落【００１６】）と記載され、絶縁部１５の上面と発電層１２の上面が実質的に同一平面に配置されるように、前記絶縁部１５の上部を切断することは想定し得ないから、そのような構成を採用することに動機付けがなく、引用文献２ないし５の記載を踏まえても、上記相違点１に係る本願発明１の構成は、当業者であっても引用発明１に基づいて容易に想到し得たとはいえない。
　したがって、相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明１に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
（２）本願発明２について
　本願発明２も、本願発明１の「前記セパレーターの上面と、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面とが実質的に同一平面に配置されるように、前記セパレーターの上部を切断するステップと、を含み、前記セパレーターの上面の粗さは、前記セパレーターの側面の粗さより大き」いという構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用発明１及び引用文献２〜５の記載に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
２　本願発明１及び２と引用発明２の対比
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明２とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明における「洗浄した厚さ０．２ｍｍのステンレス基板からなる導電性基板１００にセラミックス層を形成することなしに、ポリイミド樹脂をコーティングし、その後、下部電極層１０２を分離する箇所に、顔料を含有した耐熱性樹脂からなる短絡防止用絶縁体層１０９をポリイミド樹脂を使用し部分的にディスペンサーで塗付し」、「次に、膜厚５０００オングストロームの銀をスパッタ法により蒸着し、エポキシ系銀ペーストをスクリーン印刷で塗付し、またこれを２００℃で熱処理して、導電体層１０３を形成し、
　更に、膜厚２０００オングストロームの酸化亜鉛をスパッタ法により蒸着し、またＺｎＯ／Ａｇの一部をＹＡＧレーザで除去して、複数個の分離した下部電極層１０２を形成し」、「更に、プラズマＣＤＶ法により、ＳｉＨ4とＰＨ3とＨ2からｎ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＨ2からｉ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結晶μｃ−Ｓｉ層をそれぞれ形成し、ｎ層膜厚１５０オングストローム／ｉ層膜厚４０００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストローム／ｎ層膜厚１００オングストローム／ｉ層膜厚８００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストロームの積層構成である、光電変換層１０４を形成し」、「前記下部電極層１０２としては、金属層が用いられ、材質としては、Ｍｏが用いられる」及び「光起電力素子の作製手順」は、本願発明１における「基板上に、絶縁体である複数個のセパレーターを形成させるステップ」、「前記セパレーターにより区切られた基板上の一方の領域に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１裏面電極を、前記セパレーターにより区切られた基板上の他方の領域に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２裏面電極を、それぞれ形成させるステップ」、「前記第１裏面電極の上に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１光吸収部を、前記第２裏面電極の上に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２光吸収部を、それぞれ形成させるステップ」、「裏面電極はモリブデンを含む」及び「太陽光発電装置の製造方法」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、本願発明１と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「基板上に、絶縁体である複数個のセパレーターを形成させるステップと、
　前記セパレーターにより区切られた基板上の一方の領域に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１裏面電極を、前記セパレーターにより区切られた基板上の他方の領域に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２裏面電極を、それぞれ形成させるステップと、
　前記第１裏面電極の上に、前記セパレーターの一方の側面に接して第１光吸収部を、前記第２裏面電極の上に、前記セパレーターの他方の側面に接して第２光吸収部を、それぞれ形成させるステップと、
　前記裏面電極はモリブデンを含む、太陽光発電装置の製造方法。」
　
（相違点３）
　本願発明１の「セパレーター」は、「シリコンオキサイドを含む」のに対して、引用発明２の「ポリイミド樹脂」からなる「短絡防止用絶縁体層１０９」はシリコンオキサイドを含むとは特定されない点。
　
（相違点４）
　本願発明１は「前記セパレーターの上面と、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面とが実質的に同一平面に配置されるように、前記セパレーターの上部を切断するステップと、を含」むのに対し、引用発明２はそのようなステップを備えていない点。
　
（相違点５）
　本願発明１は「、前記セパレーターの上面の粗さは、前記セパレーターの側面の粗さより大き」いという構成を備えるのに対し、引用発明２はそのような構成を備えていない点。
　
（相違点６）
　本願発明１は「前記セパレーターは、幅が１０μｍ〜２００μｍであ」ると特定されるのに対し、引用発明２はそのように特定されないない点。
　
イ　相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点４について検討すると、引用文献２には、引用発２における、「短絡防止用絶縁体層１０９」の上に「膜厚５０００オングストロームの銀をスパッタ法により蒸着し、エポキシ系銀ペーストをスクリーン印刷で塗付し、またこれを２００℃で熱処理して、導電体層１０３を形成し」、「更に、膜厚２０００オングストロームの酸化亜鉛をスパッタ法により蒸着し、またＺｎＯ／Ａｇの一部をＹＡＧレーザで除去して、複数個の分離した下部電極層１０２を形成し」、「更に、プラズマＣＤＶ法により、ＳｉＨ4とＰＨ3とＨ2からｎ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＨ2からｉ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結晶μｃ−Ｓｉ層をそれぞれ形成し、ｎ層膜厚１５０オングストローム／ｉ層膜厚４０００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストローム／ｎ層膜厚１００オングストローム／ｉ層膜厚８００オングストローム／ｐ層膜厚１００オングストロームの積層構成である、光電変換層１０４を形成し」した後、これを短絡防止用絶縁体層１０９の上面と光電変換層１０４の上面が実質的に同一平面に配置されるように、前記短絡防止用絶縁体層１０９の上部を切断することの記載はなく、またこのようにすることの示唆もない。
　そして、引用文献１の図４（上記「第３」「２」「（１）」「７」）を見ても、短絡防止用絶縁体層１０９の上面と光電変換層１０４の上面が実質的に同一平面に配置されるように、前記短絡防止用絶縁体層１０９の上部を切断することは想定し得ないから、そのような構成を採用することに動機付けがなく、引用文献１、３ないし５の記載を踏まえても、相違点４に係る本願発明１の構成は、当業者であっても引用発明２に基づいて容易に想到し得たとはいえない。
　したがって、相違点２、３及び５を検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明２及び引用文献１、３〜５の記載に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
（２）本願発明２について
　本願発明２も、本願発明１の「前記セパレーターの上面と、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面とが実質的に同一平面に配置されるように、前記セパレーターの上部を切断するステップと、を含み」という構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用発明２及び引用文献１、３〜５の記載に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１ないし９について上記引用文献１ないし５に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、平成２９年５月１９日付け手続補正により補正された請求項１ないし９は、「前記セパレーターの上面と、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面とが実質的に同一平面に配置されるように、前記セパレーターの上部を切断するステップと、を含み」という構成を有するものとなっており、上記のとおり、本願発明１ないし９は、上記引用発明１、２及び引用文献３ないし５に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
　
第６　当審拒絶理由について
　当審では、本願請求項１及び２について、
（１）本願請求項１及び２の、「前記セパレーターの上面の粗さは、前記セパレーターの側面の粗さより大きく」との発明特定事項は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　また、本件明細書等は、当業者が、本願請求項１及び２に係る発明において上記の特定事項を実施するために必要な事項を記載したものとはいえず、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（２）本願請求項１及び２の、「前記セパレーターの上面は、前記第１光吸収部及び前記第２光吸収部の上面と同一平面に配置され」るとの発明特定事項は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　また、本件明細書等は、当業者が、本願請求項１及び２に係る発明において上記の特定事項を実施するために必要な事項を記載したものとはいえず、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（３）本願請求項１及び２の、「前記セパレーターは、側面が前記第１光吸収部の側面及び前記第２光吸収部の側面に直接接触し」との発明特定事項について、本件明細書等は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（４）本願請求項１及び２の、「前記セパレーターは、・・・絶縁体であるシリコンオキサイドを含み」との発明特定事項について、「絶縁体であるシリコンオキサイドを含み」と特定するにとどまり、「絶縁体であるシリコンオキサイドを含」むセパレーターの他の組成（主要組成）が何であるのか特定しないから、本願発明の解決すべき課題を解決できない導電性のセパレータを含むため、本願請求項１及び２は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　との拒絶の理由を通知しているが、平成２９年５月１９日付けの手続補正で補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１及び２は、当業者が引用発明１、２及び引用文献３ないし５の記載に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。