【手続補正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置製造用の位相シフトマスクブランクにおいて、
透明基板と、
該透明基板上に形成された位相シフト膜と
を備え、
前記位相シフト膜は、金属とケイ素と、窒素及び／又は酸素のいずれか一つの元素を含む金属シリサイド系材料層を少なくとも一層有する単層膜若しくは積層膜からなり、
前記位相シフト膜は、
波長３６５ｎｍにおける透過率が、３．５％以上８％以下の範囲であり、
波長３６５ｎｍにおける位相差が、１６０度以上２００度以下の範囲であり、
波長３６５ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の範囲における透過率の、波長に依存する変化量が、５．５％以内である
ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項２】
前記位相シフト膜は、
波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における透過率の、波長に依存する変化量が、２０％以内であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項３】
前記位相シフト膜は、
波長３６５ｎｍにおいて付与される位相差と、波長４３６ｎｍにおいて付与される位相差の差が、３０度以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項４】
前記位相シフト膜は、
波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における反射率が、５％以上４５％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項５】
前記位相シフト膜は、波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における反射率の、波長に依存する変化量が、５％以内であることを特徴とする請求項４記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
前記位相シフト膜は、少なくとも一層の金属シリサイド系材料層と、少なくとも一層のクロム系材料層とから構成されることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項７】
前記金属シリサイド系材料層は、金属シリサイドの窒化物、金属シリサイドの酸化物、金属シリサイドの酸化窒化物、金属シリサイドの炭化窒化物、金属シリサイドの酸化炭化物、及び、金属シリサイドの酸化炭化窒化物のうち少なくとも一種の材料から構成されることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項８】
前記クロム系材料層は、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの炭化物、クロムの酸化窒化物、クロムの炭化窒化物、クロムの酸化炭化物、及び、クロムの酸化炭化窒化物のうち少なくとも一種の材料から構成されることを特徴とする請求項６記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項９】
前記金属シリサイド系材料層の膜厚は、前記クロム系材料層の膜厚より大きいことを特徴とする請求項６記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１０】
前記位相シフト膜上に形成された遮光膜を備えることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１１】
表示装置製造用の位相シフトマスクにおいて、
透明基板と、
該透明基板上に形成された位相シフト膜パターンと
を備え、
前記位相シフト膜パターンは、金属とケイ素と、窒素及び／又は酸素のいずれか一つの元素を含む金属シリサイド系材料層を少なくとも一層有する単層膜若しくは積層膜からなり、
前記位相シフト膜パターンは、
波長３６５ｎｍにおける透過率が、３．５％以上８％以下の範囲であり、
波長３６５ｎｍにおける位相差が、１６０度以上２００度以下の範囲であり、
波長３６５ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の範囲における透過率の、波長に依存する変化量が、５．５％以内である
ことを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項１２】
前記位相シフト膜パターンは、
波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における透過率の、波長に依存する変化量が、２０％以内であることを特徴とする請求項１１記載の位相シフトマスク。
【請求項１３】
前記位相シフト膜パターンは、
波長３６５ｎｍにおいて付与される位相差と、波長４３６ｎｍにおいて付与される位相差の差が、３０度以下であることを特徴とする請求項１１又は１２記載の位相シフトマスク。
【請求項１４】
前記位相シフト膜パターンは、
波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における反射率が、１５％以上３０％以下で
あることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一に記載の位相シフトマスク。
【請求項１５】
前記位相シフト膜パターンは、
波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における反射率の、波長に依存する変化量が、５％以内であることを特徴とする請求項１４記載の位相シフトマスク。
【請求項１６】
前記位相シフト膜パターン上に形成された遮光膜パターンを備えることを特徴とする請求項１１乃至１５のうちいずれか一に記載の位相シフトマスク。
【請求項１７】
前記位相シフト膜パターンの下に形成された遮光膜パターンを備えることを特徴とする請求項１１乃至１６のうちいずれか一に記載の位相シフトマスク。
【請求項１８】
表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法において、
請求項１乃至９のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜上に、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記位相シフト膜をウェットエッチングして位相シフト膜パターンを形成する位相シフト膜パターン形成工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１９】
表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法において、
請求項１０記載の位相シフトマスクブランクの遮光膜上に、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をウェットエッチングして遮光膜パターンを形成する遮光膜パターン形成工程と、
前記遮光膜パターンをマスクにして位相シフト膜をウェットエッチングして位相シフト膜パターンを形成する位相シフト膜パターン形成工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２０】
表示装置の製造方法において、
基板上にレジスト膜が形成されたレジスト膜付き基板に対して、請求項１１乃至１７のうちいずれか一に記載の位相シフトマスク、又は、請求項１８又は１９記載の位相シフトマスクの製造方法によって得られた位相シフトマスクを、前記レジスト膜に対向して配置する位相シフトマスク配置工程と、
ｉ線、ｈ線及びｇ線を含む複合露光光を前記位相シフトマスクに照射して、前記レジスト膜を露光するレジスト膜露光工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（構成５）前記位相シフト膜は、波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における反射率の、波長に依存する変化量が、５％以内であることを特徴とする構成４記載の位相シフトマスクブランク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
その後、透明基板２をクロムからなるスパッタターゲットが配置されたインライン型スパッタリング装置（図示せず）に導入し、透明基板２の主表面上にクロム酸化炭化窒化物（ＣｒＯＣＮ）からなるクロム系材料層（膜厚１１７ｎｍ）を成膜して位相シフトマスクブランク１を得た。
尚、クロム系材料層は、クロムターゲット付近に、アルゴン（Ａｒ）ガスと二酸化炭素（ＣＯ２）ガスと窒素（Ｎ２）ガスを含む混合ガス（Ａｒ：４６ｓｃｃｍ、ＣＯ２：３５ｓｃｃｍ、Ｎ２：４６ｓｃｃｍ）を導入し、スパッタパワー８．０ｋｗ、透明基板２の搬送速度を約４００ｍｍ／分として反応性スパッタリングにより、透明基板２上に成膜した。所望の膜厚１１７ｎｍを得るために同条件で複数回積層した。