【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２領域を含む基板表面上に互いに離隔された複数の導電パターンと、
前記第１領域における前記導電パターンのうち隣接する前記導電パターンの間で前記基板表面上に配置される残余パターンと、
前記基板表面上において、前記第２領域における前記導電パターンのうち隣接する前記導電パターンの間に配置され各々のギャップ領域によって互いに離隔される支持パターンと、
前記第２領域における前記導電パターンの各々の表面上及び前記支持パターンの表面上に配置されるキャッピング膜であって、前記表面上における前記キャッピング膜の表面が平坦でない、キャッピング膜と、を含み、
前記第２領域における前記導電パターンのうち隣接する前記導電パターンが、前記基板表面から、前記導電パターンの間の前記支持パターンの上部面より上まで延長され、
前記支持パターンが、前記基板表面から前記残余パターンの上部面より上まで延長される、集積回路装置。
【請求項２】
前記各々のギャップ領域が、前記キャッピング膜、前記支持パターンの各々の側壁、及び前記導電パターンのうち隣接する前記導電パターンの各々の側壁によって画定される、請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記キャッピング膜が、前記導電パターンのうち隣接する前記導電パターンの各々の側壁の上に延長され、前記支持パターンの各々の側壁の上にキャッピング膜が無い、請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記支持パターンの上部面と前記キャッピング膜との間及び／又は前記導電パターンの各々の側壁と前記キャッピング膜との間に配置される１つ以上の保護膜をさらに含む、請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記１つ以上の保護膜が、互いに異なる物質の第１及び第２保護膜を含み、
前記支持パターンと前記導電パターンとの各々の側壁が前記第１保護膜によって覆われず、前記第２保護膜によって覆われる、請求項４に記載の集積回路装置。
【請求項６】
前記第２領域における前記導電パターンのうち隣接する導電パターン間の間隔が、前記第１領域における前記導電パターンのうち隣接する導電パターン間の間隔より広い、請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項７】
前記キャッピング膜の表面が、前記第１領域において実質的に平坦である、請求項６に記載の集積回路装置。
【請求項８】
前記各々のギャップ領域が第１ギャップ領域を含み、
前記残余パターンが、前記第１領域における前記キャッピング膜から第２ギャップ領域だけ離隔される、請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項９】
前記支持パターンが、その上に配置された炭化水素を含む犠牲材料に対してアッシング選択性を有する炭素含有膜を含む、請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項１０】
第１領域と第２領域とを含む基板と、
前記基板上に配置される複数の導電パターンであって、前記第１領域における前記導電パターンが第１の距離で離隔され、前記第２領域における前記導電パターンが前記第１の距離より大きい第２の距離で離隔される、導電パターンと、
前記第１領域における前記導電パターン間に配置された残余パターンと、
前記第２領域において前記導電パターンの間に配置され、前記第２領域の前記導電パターンの側壁から離隔された、支持パターンと、
前記導電パターン及び前記支持パターンの上に配置され、前記第１領域における前記導電パターン間の第１のエアーギャップ領域及び前記支持パターンと前記第２領域において前記支持パターンと隣接する前記導電パターンとの間の第２のエアーギャップ領域を画定するキャッピング膜と、を含み、
前記支持パターンが前記導電パターンの上部面より低い上部面を有し、
前記残余パターンの上部面が、前記第１のエアーギャップ領域によって前記キャッピング膜から離隔され、前記支持パターンの上部面より低い、半導体装置。
【請求項１１】
前記支持パターンの側面が傾斜している、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記支持パターンの下部の端部と、隣接する前記導電パターンとの距離が、前記支持パターンの上部の端部と、隣接する前記導電パターンとの距離より狭い、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２領域における前記エアーギャップ領域が、前記支持パターンの側面と前記導電パターンの側面との間に配置される、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記残余パターンが、前記支持パターンと同一の物質からなり、前記同一の物質が炭素を含む、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記導電パターンと前記キャッピング膜との間に配置される第１保護膜と、
前記導電パターンの側面を覆う第２保護膜と、をさらに含む、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１保護膜が、前記第２保護膜と異なる物質である、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１保護膜が、タンタル、ルテニウム、コバルト、マンガン、チタン、タングステン、ニッケル、及びアルミニウムを含むグループから選択される少なくとも１つの金属、前記少なくとも１つの金属の酸化膜、窒化膜、又は酸窒化物を含み、
前記第２保護膜が、窒化シリコンＳｉＮ、窒化炭化シリコンＳｉＣＮ、及び窒化ホウ素ＢＮを含むグループから選択される少なくとも１つの物質を含む請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第２保護膜が延長されて前記第１保護膜の上部面と前記キャッピング膜との間に介在され、前記導電パターンの間の前記基板を覆う、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第２領域における前記第２保護膜が前記支持パターンの側面を覆い、前記支持パターンの上部面と前記キャッピング膜との間に介在される、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記第２保護膜が前記残余パターンの側面と上部面を覆う、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記第２領域において前記支持パターンに隣接する導電パターンの間隔が１００ｎｍ以上である、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記キャッピング膜が前記第２領域における前記導電パターンの上部側壁の一部を覆う、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記導電パターンの側壁を覆う保護膜をさらに含み、
前記キャッピング膜が、前記第２領域における前記保護膜の上部側壁の一部を覆う、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記支持パターンが、その上に配置された炭化水素を含む犠牲材料に対してアッシング選択性を有する炭素含有膜を含む、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項２５】
第１領域と第２領域とを含む基板上に配置された複数の導電パターンであって、前記第１領域における前記導電パターンが第１の距離で離隔され、前記第２領域における前記導電パターンが前記第１の距離より大きい第２の距離で離隔される、導電パターンと、
前記第１領域において互いに隣接する前記導電パターン間に配置された残余パターンと、
前記第２領域において互いに隣接する前記導電パターンの間に配置された支持パターンであって、前記支持パターン及び前記残余パターンが炭素含有絶縁性材料を含む、支持パターンと、
前記導電パターンの上部面及び前記支持パターンの上部面の上に配置され、前記第１領域における互いに隣接する前記導電パターン間の第１のエアーギャップ及び前記支持パターンと前記第２領域における前記導電パターンとの間の第２のエアーギャップを画定するキャッピング膜と、を含み、
前記第１のエアーギャップが前記残余パターンを前記キャッピング膜から離隔し、
前記支持パターンと前記第２領域における前記導電パターンとの間の距離が、前記第１の距離より小さく、
前記残余パターンの上部面が、前記支持パターンの上部面より低い、半導体装置。