【手続補正書】
【提出日】平成28年9月13日(2016.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し、減圧して気密に維持されるチャンバと、
前記チャンバ内に基板を搬入出し、前記開口部を開閉する第１の開閉部材と、
前記開口部を前記チャンバの内部から開閉する第２の開閉部材と、
前記第２の開閉部材を開閉するための駆動部と、
前記第２の開閉部材と前記駆動部とを連結する軸である連結軸と、
前記連結軸に設けられ、前記チャンバ内と大気側を遮断するとともに、ラジカルやイオンを減衰させる軸受部材と、
を備え、
前記軸受部材は、
前記連結軸が挿入され、前記ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構と
前記減衰機構をカバーする第１のブロック状の第１の部材と、
前記連結軸に配置されて前記大気と遮断するシール部材と接触しながら前記連結軸が挿入される第２のブロック状の第２の部材と、
を有し、
前記第１の部材の一端と前記第２の部材の一端を勘合するように連結し、前記連結軸から前記ラジカルが侵入する侵入経路が形成され、前記経路が前記連結軸の延伸方向に折り返すように形成され、
前記シール部材は、その引っ張り強さが１２．１（ＭＰａ）より大きい材料であることを特徴する基板処理装置。
【請求項２】
前記減衰機構は、前記連結軸と接触する内側に凸部が形成され、該凸部の先端が前記連結軸に接触することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記減衰機構は、ラジカルトラップリングであることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記シール部材は、Ｏリングからなり、フッ素系のОリングであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記軸受部材は、
前記第２の部材の前記連結軸側の内壁と前記連結軸との間、及び、前記第１の部材の前記連結軸側の内壁との間に設けられ、前記連結軸の延伸方向に延びて前記第１の部材にあてはまる凸部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
開口部を有して減圧して気密に維持されるチャンバの前記開口部を前記チャンバの内部から開閉する第２の開閉部材と、
前記第２の開閉部材を開閉するための駆動部と、
前記第２の開閉部材と前記駆動部とを連結する軸である連結軸と、
前記連結軸に設けられ、前記チャンバ内と大気側を遮断するとともに、ラジカルやイオンを減衰させる軸受部材と、
を備え、
前記軸受部材は、
前記連結軸が挿入され、前記ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構と
前記減衰機構をカバーする第１のブロック状の第１の部材と、
前記連結軸に配置されて前記大気と遮断するシール部材と接触して、前記連結軸が挿入される第２のブロック状の第２の部材と、
を有し、
前記第１の部材の一端と前記第２の部材の一端を勘合するように連結し、前記連結軸から前記ラジカルが侵入する侵入経路が形成され、前記経路が前記連結軸の延伸方向に折り返すように形成され、
前記シール部材は、その引っ張り強さが１２．１（ＭＰａ）より大きい材料であることを特徴するシャッタ部材。
【請求項７】
前記減衰機構は、前記連結軸と接触する内側に凸部が形成され、該凸部の先端が前記連結軸に接触することを特徴とする請求項６に記載のシャッタ部材。
【請求項８】
前記減衰機構は、ラジカルトラップリングであることを特徴とする請求項６又は７に記載のシャッタ部材。
【請求項９】
前記シール部材は、Ｏリングからなり、フッ素系のОリングであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載のシャッタ部材。
【請求項１０】
前記減衰機構は、
前記第２の部材の前記連結軸側の内壁と前記連結軸との間、及び、前記第１の部材の前記連結軸側の内壁との間に設けられ、前記連結軸の延伸方向に延びて前記第１の部材にあてはまる凸部を有することを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載のシャッタ部材。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、チャンバの側壁には、半導体ウエハの搬入・搬出用の開口部が設けられ、開口部を開閉するゲートバルブが配置され、ゲートバルブの開閉により半導体ウエハの搬入・搬出が行われる。ゲートバルブはチャンバの外（大気側に）配置されているので、開口部の大気側に突出した空間が形成され、チャンバ内で生成したプラズマがその空間まで拡散して、プラズマの均一性が悪くなる。また、そのプラズマによりゲートバルブのシール部材が劣化する為、開口部をシャッタによって遮断する構成としている。また、シャッタは、例えば、シャッタの駆動部が開口部の下方に配置され、駆動部により開閉駆動される。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
開示する基板処理装置は、１つの実施態様において、開口部を有し、減圧して気密に維持されるチャンバと、前記チャンバ内に基板を搬入出し、前記開口部を開閉する第１の開閉部材と、前記開口部を前記チャンバの内部から開閉する第２の開閉部材と、前記第２の開閉部材を開閉するための駆動部と、前記第２の開閉部材と前記駆動部とを連結する軸である連結軸と、前記連結軸に設けられ、前記チャンバ内と大気側を遮断するとともに、ラジカルやイオンを減衰させる軸受部材を有する。また、開示する基板処理装置は、１つの実施態様において、前記軸受部材は、前記連結軸が挿入され、前記ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構と、前記減衰機構をカバーする第１のブロック状の第１の部材と、前記連結軸に配置され、前記大気と遮断するシール部材と接触し、前記連結軸が挿入される第２のブロック状の第２の部材とを有する。また、開示する基板処理装置は、１つの実施態様において、前記第１の部材の一端と第２の部材の一端を勘合するように連結し、前記連結軸から前記ラジカルが侵入する侵入経路が形成され、前記経路が前記連結軸の延伸方向に折り返すように形成される。また、開示する基板処理装置は、１つの実施態様において、前記シール部材は、その引っ張り強さが１２．１（ＭＰａ）より大きい材料である。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（第１の実施形態）
第１の実施形態における基板処理装置は、１つの実施形態において、開口部を有し、減圧して気密に維持されるチャンバと、チャンバ内に基板を搬入出し、開口部を開閉する第１の開閉部材と、開口部をチャンバの内部から開閉する第２の開閉部材と、第２の開閉部材を開閉するための駆動部と、第２の開閉部材と駆動部とを連結する軸である連結軸と、連結軸に設けられ、チャンバ内と大気側を遮断するとともに、ラジカルやイオンを減衰させる軸受部材と、備える。また、第１の実施形態における基板処理装置は、１つの実施形態において軸受部材は、連結軸が挿入され、ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構と減衰機構をカバーする第１のブロック状の第１の部材と、連結軸に配置されて大気と遮断するシール部材と接触し、連結軸が挿入される第２のブロック状の第２の部材とを有する。また、第１の実施形態における基板処理装置は、１つの実施形態において第１の部材の一端と第２の部材の一端を勘合するように連結し、連結部からラジカルが侵入する侵入経路が形成され、経路が連結軸の延伸方向に折り返すように形成される。また、第１の実施形態における基板処理装置は、１つの実施形態においてシール部材は、その引っ張り強さが１２．１（ＭＰａ）より大きい材料である。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第１の実施形態におけるシャッタ部材は、１つの実施形態において、開口部を有して減圧して気密に維持されるチャンバの開口部をチャンバの内部から開閉する第２の開閉部材と、第２の開閉部材を開閉するための駆動部と、第２の開閉部材と駆動部とを連結する軸である連結軸と、連結軸に設けられ、チャンバ内と大気側を遮断するとともに、ラジカルやイオンを減衰させる軸受部材と備える。また、第１の実施形態におけるシャッタ部材は、１つの実施形態において、軸受部材は、連結軸が挿入され、ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構と減衰機構をカバーする第１のブロック状の第１の部材と、連結軸に配置されて大気と遮断するシール部材と接触し、連結軸が挿入される第２のブロック状の第２の部材とを有する。第１の実施形態におけるシャッタ部材は、１つの実施形態において、第１の部材の一端と第２の部材の一端を勘合するように連結し、連結部からラジカルが侵入する侵入経路が形成され、経路が連結軸の延伸方向に折り返すように形成される。また、第１の実施形態におけるシャッタ部材は、１つの実施形態において、シール部材は、その引っ張り強さが１２．１（ＭＰａ）より大きい材料である。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、チャンバ１０の側壁には、半導体ウエハＷの搬入・搬出用の開口部５１が設けられ、開口部５１を開閉するゲートバルブ５２が配置され、ゲートバルブ５２の開閉により半導体ウエハＷの搬入・搬出が行われる。しかし、ゲートバルブ５２はチャンバ１０の外（大気側に）配置されているので、開口部５１の大気側に突出した空間が形成され、チャンバ１０内で生成したプラズマがその空間まで拡散して、プラズマの均一性が悪くなる。また、そのプラズマによりゲートバルブ５２のシール部材が劣化する為、開口部５１をシャッタ５５ａによって遮断する構成としている。また、シャッタ５５ａは、例えば、シャッタ５５ａの駆動部５５ｂが開口部５１の下方に配置され、駆動部５５ｂにより開閉駆動される。ここで、後述する減衰機構７０と第１の部材８０と第２の部材１００とは、固定されており、シャッタ５５ａに接続された連結軸５５ｃが、軸受部材５５ｄの穴を上下移動することで、シャッタ５５ａが上下に移動し、チャンバ１０が開閉する。シャッタ部材５５の詳細については後述するため、ここでは詳細な説明については省略する。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
プッシャーピン５６は、静電チャック１４およびサセプタ１３を貫通して、内側空間において突没上下動する。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図４及び図５は、第１の実施形態における軸受部材の図である。軸受部材５５ｄは、結軸５５ｃを挿入し、ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構７０と、減衰機構７０をカバーする第１のブロック状の第１の部材８０と、連結軸５５ｃに配置され、大気と遮断するシール部材９０と接触して挿入する第２のブロック状の第２の部材１００とを有する。また、軸受部材５５ｄに該当する箇所には、連結軸５５ｃにシール部材９０が設けられる。図５に示す例では、シール部材９０として、２つのＯリングが設けられる場合を例に示した。図４及び図５に示すように、軸受部材５５ｄは、連結軸５５ｃが挿入され、第１の部材８０の第１の面８１と、第２の部材１００の第１の面１０１とが接するように駆動カバー上に、例えばねじ等で固定される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、図７−１及び図７−２に示すように、減衰機構７０は、連結軸５５ｃが挿入される開口部を有し、第１の部材８０と第２の部材１００とに囲まれるように軸受部材５５ｄの内部に設けられる。具体的には、減衰機構７０の第１の面７１は、第１の部材８０と接するように設けられ、減衰機構７０の第２の面７２は、第２の部材１００と接するように設けられる。ここで、図７−２の矢印ａ及び矢印ｂに示すように、減衰機構７０の第２の面７２側には、破線７３に示す領域において、他の箇所と比較して開口部の径が広くなっており、この破線７３の領域に、第２の部材１００の凸部１０２とかみ合うことになる。また、減衰機構７０の第１の面７１側の凸部７４は、第２の部材１００の溝部１０３にはまる。すなわち、減衰機構７０は、第２の部材１００の連結軸５５ｃ側の内壁と連結軸５５ｃとの間、及び、第１の部材８０の連結軸５５ｃ側の内壁との間に設けられ、連結軸５５ｃの延伸方向に延びて第２の部材１００の溝部１０３にあてはまる凸部７４を有する。また、図７−２に示すように、減衰機構７０は、連結軸５５ｃと接触する内側に凸部７５が形成され、凸部７５の先端が連結軸５５ｃと接触する。 
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ここで、図８を用いて、減衰機構７０とシール機構９０との関係について更に詳細に説明する。図８は、第１の実施形態における減衰機構とシール機構と第１の部材と第２の部材との関係を示す断面図である。図８に示すように、第２の部材１００のシャッタ５５ａ側に第１の部材８０が設けられる。また、第１の部材８０と第２の部材１００とにより減衰機構７０がカバーされるように、減衰機構７０は、軸受部材５５ｄの内部に設けられることになる。具体的には、第１の部材８０のシャッタ５５ａ側とは反対側の開口部に減衰機構７０が設けられ、第２の部材１００が、減衰機構７０及び第１の部材８０のうち、シャッタ５５ａ側とは反対側の面を覆うように設けられる。また、上述したように、減衰機構７０は、第２の部材１００の凸部１０２及び溝部１０３と当てはまるように受けられる。言い換えと、例えば、減衰機構７０の凸部７４は、第２の部材１００の溝部１０３に位置することになる。 
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図９は、第１の実施形態におけるラジカル侵入経路について示す図である。従来は、シール部材とそのシール部材をカバーするブロック構成としたので、ラジカルやイオンをトラップできなかったため、ラジカルやイオンが接触部の経路を経由してシール部材に到達してダメージを与え、真空がリークしていた。このことを踏まえ、第１の実施形態では、上述したように、軸受部材５５ｄは、連結軸５５ｃが挿入され、ラジカルやイオンを減衰させるための減衰機構７０と、減衰機構７０をカバーする第１のブロック状の第１の部材８０と、連結軸５５ｃに配置されて大気と遮断するシール部材９０と接触して連結軸５５ｃが挿入される第２のブロック状の第２の部材１００とを有し、第１の部材８０の一端と第２の部材１００の一端を勘合するように連結し、連結部からラジカルが侵入する侵入経路が形成され、経路が連結軸５５ｃの延伸方向に折り返すように形成され、更には、シール部材９０が、その引っ張り強さが１２．１（ＭＰａ）より大きい材料で形成される。この結果、図９の矢印に示すように、チャンバ１０内に発生したラジカルが侵入する侵入経路としては、第１の部材８０と第２の部材１００との間から侵入しても、第２の部材１００の溝部１０３や１０４に設けられるグリースや、第２の部材１００の溝部１０３、凸部１０２、減衰機構７０の凸部７４などにより形成される連結軸５５ｃの延伸方向において折り返すラジカルトラップを経た上で、シール部材９０へと到達することになる。