【事件の表示】
　特願２０１３−５５１８７２「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月　４日国際公開、ＷＯ２０１３／１００１５５、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　手続の経緯　
　本願は，平成２４年１２月２８日を国際出願日とする出願（国内優先権主張　平成２３年１２月２８日）であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　６月１１日　審査請求・手続補正
平成２６年１２月２６日　拒絶理由通知
平成２７年　３月　９日　意見書・手続補正
平成２７年　３月２６日　拒絶査定（以下，「原査定」という）
平成２７年　６月２９日　審判請求・手続補正
平成２８年　８月　８日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という）
平成２８年１０月１１日　意見書・手続補正
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は，平成２８年１０月１１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものと認められる。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「半導体基板にプロトン注入によるドナー層を形成する半導体装置の製造方法において，
　結晶欠陥を発生させる結晶欠陥形成工程と，
　前記プロトン注入および第１熱処理を行い，前記ドナー層を形成するドナー層形成工程と，
　を含み，
　前記プロトン注入は異なる加速エネルギーで複数回行い，
　前記結晶欠陥形成工程では，前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する，
　前記結晶欠陥形成工程では，前記プロトン注入の前に，電子線照射により前記結晶欠陥を発生させる，
　かつ，前記結晶欠陥形成工程では，前記電子線照射の後，前記プロトン注入の前に，前記結晶欠陥の量を調節するための予備の第２熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
３　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１，４−１４
・引用文献等１−４
　引用文献１には「ＦＺウェハー１０にプロトンを照射する際（図８の断面図８１０参照），アルミアブソーバを用いて飛程がＦＺウェハー１０の裏面（エミッタ電極５が形成されていない面）側から１３０μｍとなるように１回目の照射をおこなった後，アルミアブソーバを用いて飛程が表面から５０μｍとなるように２回目の照射をおこなう点である。」［００９８］と，プロトン注入を異なる飛程で複数回行うことが記載されている。
　そして，飛程を異ならせるために，加速エネルギーを異ならせる技術は周知で有り（引用文献４の［０１０８］，［０１１２］），引用文献１記載の製造方法において，飛程を異ならせるために，プロトン注入を異なる加速エネルギーで複数回行うことは，当業者が容易に想到し得ることと認める。
　引用文献２には電子線照射後に３００℃で熱処理を行うことでライフタイムキラーを導入すること（第３頁左欄２４〜３１行）が記載されている。また，プロトンのシャロウドナー化のための熱処理が３５０℃から６００℃の範囲であり（第３頁左欄１６〜２０行），プロトン照射後に行う電子線照射に伴う熱処理温度が３００℃程度であること（第３頁左欄３０〜３１行）が記載されている。
　引用文献３（図２）には，プロトン注入より前に，主面を研削することが記載されている。
　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１.特開２００８−２１１１４８号公報
引用文献２.特開平９−２３２３３２号公報
引用文献３.特開２００９−１７６８９２号公報
引用文献４.国際公開第２０１１／０５２７８７号
　
４　原査定の理由の判断
（１）引用文献１の記載事項
　ア　引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，
半導体装置およびその製造方法に関し
（イ）「【００１３】
　ここで，
キャリアのライフタイム制御は，Ｎ
-
ドリフト層１８０１に，熱平衡密度以上のフレンケル欠陥を導入することによっておこなわれる。フレンケル欠陥は，シリコンパワーデバイスにおいては，電子線の照射，
プロトン原子核などの荷電粒子の照射，
によって形成することができる。
（ウ）「【００７６】
（実施の形態２）
　実施の形態２では，図１に示す半導体装置の製造方法の変形例について説明する
。図８および図９は，図１に示す半導体装置の他の製造プロセス
フィールドストップ層３をプロトンのドナー化現象を用いて形成した点
【００７７】
　まず，図８の断面図８００に示すように，ＦＺウェハー１０の一方の主面に，Ｐベース層２，エミッタ電極５，ゲート絶縁膜６およびゲート電極７からなるＭＯＳゲート構造，Ｎ+エミッタ領域８を形成する。つぎに，ＦＺウェハー１０の表面側（ＭＯＳゲート構造が形成されている側）に，Ａｌ−Ｓｉを５μｍスパッタリングにて成膜し，フォトエッチングしてエミッタ電極５を形成する。
【００７８】
　つぎに，断面図８１０に示すように，
ＦＺウェハー１０に対して裏面側（ＭＯＳゲート構造が形成されていない側）からプロトンを照射する。
×印は，プロトンの照射によりＦＺウェハー１０内に生じた結晶欠陥１２を示す。
【００７９】
　
つぎに，
エミッタ電極５の側からＦＺウェハー１０に，電子線を照射する。このとき，電子線の線量は，たとえば４０ｋＧｙである。この電子線照射によって，ＦＺウェハー１０（図１のＮ
-
ドリフト層１およびフィールドストップ層３となる領域）にフレンケル欠陥が導入される。その後，断面図８３０に示すように，ＦＺウェハー１０に，たとえば３５０℃，１時間程度の熱処理をおこなう。この処理によって，フィールドストップ層３が形成される。
（エ）「【００９８】
　図１２に示す半導体装置は，たとえば，
図８および図９に示したプロセスとほぼ同様のプロセスで製造することができる。図８および図９に示したプロセスと異なる点は，ＦＺウェハー１０にプロトンを照射する際（図８の断面図８１０参照），アルミアブソーバを用いて飛程がＦＺウェハー１０の裏面（エミッタ電極５が形成されていない面）側から１３０μｍとなるように１回目の照射をおこなった後，アルミアブソーバを用いて飛程が表面から５０μｍとなるように２回目の照射をおこなう点である。
【００９９】
　
２回目のプロトン照射をおこなった段階で，ＦＺウェハー１０には，ドナー化したブロードバッファ層を中心にＮ
-
ドリフト層１の５０％以上の領域でフレンケル欠陥が導入される。この後，図８の説明と同様に，たとえば４０ｋＧｙの線量で電子線を照射した後に，熱処理をおこなって欠陥を導入する。
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法において，ＦＺウェハーに対してプロトンを照射する際，アルミアブソーバを用いて飛程が１３０μｍとなるように１回目の照射を行った後，アルミアブソーバを用いて飛程が表面から５０μｍとなるように２回目の照射を行い，２回目のプロトン照射を行った段階で，ＦＺウェハーには，ドナー化したブロードバッファ層を中心にフレンケル欠陥が導入され，この後，ＦＺウェハーに電子線を照射し，その後ＦＺウェハーに熱処理を行って欠陥を導入する。」
（２）引用文献２の記載事項
　ア　引用文献２
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【発明の属する技術分野】この発明は，縦型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などの
半導体装置に関する
（イ）「また
プロトン照射はソース電極１１および層間絶縁膜１２を形成した後，表面層全域に行う。
照射後３５０℃から６００℃の範囲（好ましくは３５０℃から４５０℃の範囲）で熱処理し，プロトンを照射して形成された格子欠陥をシャロウドナー化すること
電子線照射の場合は熱処理温度が３００℃程度であるためプロトン照射の後で行う。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法において，プロトン照射後に熱処理し，格子欠陥をシャロウドナー化すること。」
（３）引用文献３の記載事項
　ア　引用文献３
　引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，高速・低損失であるだけでなく，ソフトリカバリー特性をも兼ね備えたダイオードまたはＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等の
半導体装置およびその製造方法に関する。
（イ）「【００５４】
　次に，実施の形態１にかかる
半導体装置の製造プロセス
【００５５】
　次いで，図２−２に示すように，
ＦＺウェハ１０の裏面に対して研削やウェットエッチングをおこない，ＦＺウェハ１０を所定の厚さにする。
【００５６】
　
次いで，図２−３に示すように，研削やウェットエッチングがおこなわれた面に対して，プロトン（Ｈ
+
）を照射する。
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法において，ＦＺウェハの研削やウェットエッチングがおこなわれた面に対して，プロトン（Ｈ+）を照射する。」
（４）引用文献４の記載事項
　ア　引用文献４
　引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「技術分野
【０００１】この発明は，高速・低損失であるだけでなく，ソフトリカバリー特性をも兼ね備えたダイオードまたはＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等の半導体装置および
半導体装置の製造方法に関する。
（イ）「【０１０８】次いで，
ＦＺウエハ１０の他方の主面側（後にコレクタ電極２５を形成する側）の表面から，サイクロトロンにより加速されたプロトンＨ
+
１１を照射する（図９（ｃ））。
プロトンＨ
+
１１の飛程が４１０μｍになるよう調整する。この飛程は，静電加速器を用いて，加速電圧にて飛程調整を実施しても良く，
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法において，ＦＺウエハの表面からプロトンを照射する際に，加速電圧にて飛程調整を実施する。」
（５）本願発明と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「半導体装置の製造方法」は，「ＦＺウェハーに対してプロトンを照射」し，「プロトンのドナー化を行う」から，下記相違点を除いて，本願発明の「半導体基板にプロトン注入によるドナー層を形成する半導体装置の製造方法」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１の「ＦＺウェハーに電子線を照射し，その後ＦＺウェハーに熱処理」を行うことは，「欠陥を導入する」ものであるから，下記相違点を除いて，本願発明の「結晶欠陥を発生させる結晶欠陥形成工程」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明１の「熱処理」は，フィールドストップ層が形成されるもの（前記（１）ア（ウ）【００７９】）であり，フィールドストップ層はプロトンのドナー化現象を用いて形成される（前記（１）ア（ウ）【００７６】）から，「プロトンの照射」と相まってドナー層を形成すると認められるから，引用発明１の「プロトンを照射」及び「熱処理」は，本願発明の「前記プロトン注入および第１熱処理を行い，前記ドナー層を形成するドナー層形成工程」に相当すると認められる。
　エ　すると，本願発明と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致するが，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「半導体基板にプロトン注入によるドナー層を形成する半導体装置の製造方法において，
　結晶欠陥を発生させる結晶欠陥形成工程と，
　前記プロトン注入および第１熱処理を行い，前記ドナー層を形成するドナー層形成工程と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願発明は「前記プロトン注入は異なる加速エネルギーで複数回行」うのに対し，引用発明１は，「アルミアブソーバを用いて飛程が１３０μｍとなるように１回目の照射を行った後，アルミアブソーバを用いて飛程が表面から５０μｍとなるように２回目の照射を行」うもので，「異なる加速エネルギーで」行うものではない点。
　ｂ　相違点２
　本願発明においては，「前記結晶欠陥形成工程では，前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する，前記結晶欠陥形成工程では，前記プロトン注入の前に，電子線照射により前記結晶欠陥を発生させる，かつ，前記結晶欠陥形成工程では，前記電子線照射の後，前記プロトン注入の前に，前記結晶欠陥の量を調節するための予備の第２熱処理を行う」のに対し，引用発明１においては，プロトン照射の後に電子線を照射するものであり，「電子線照射の後，前記プロトン注入の前に」，前記結晶欠陥の量を調節するための予備の第２熱処理を行う余地はなく，「結晶欠陥形成工程では，前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する」ことも開示されていない点。
（６）相違点についての判断
　相違点２について検討する。
　「電子線照射の後，プロトン注入」を行うことは，引用文献１ないし４に記載も示唆もない。
　引用文献１においてはプロトン照射によりフレンケル欠陥が生じることが記載されており（前記（１）ア（イ）），これを前提とした上でプロトン照射の後に電子線を照射するものである（前記（１）ア（ウ）【００７８】，【００７９】）から，この２つの工程の順序を入れ替えれば，欠陥生成について前提条件が変わってしまうことは明らかである。してみると，そのような入れ替えは想定されていないというべきであり，相違点２に係る構成を採用することには，阻害要因がある。
（７）小括
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明は，引用発明１ないし４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（８）請求項２ないし１０について
　本願の請求項２ないし１０に係る発明は，本願発明の発明特定事項をすべて含みさらに別の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明が前記（７）のとおり，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２ないし１０に係る発明も同様の理由で，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（９）まとめ
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
５　当審拒絶理由の概要
（１）当審拒絶理由１
　本願発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （以下，「当審拒絶理由１」という。）
　　　　　　　記　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
引用文献Ａ　特開２０１１−１５９６５４号公報 
引用文献１　特開２００８−２１１１４８号公報 
引用文献４　国際公開第２０１１／０５２７８７号 
・備考 
 本願発明と引用文献Ａ（段落００１３−００１５参照）に記載された発明（以下，「引用発明Ａ」という。）とを対比する。引用発明Ａの「ライフタイム調整のために電子線照射を４０ｋＧｙ照射する」工程は，本願発明の「結晶欠陥形成工程」に相当する。そして，引用発明Ａにおいては，電子線照射した後に水素イオン（「プロトン」）を注入するから，そこでドナー生成が増大していると認められ，引用発明Ａにおいて電子線照射の照射量を４０ｋＧｙに設定していることは，ドナー生成が増大した上で最終的に適切な大きさのドナー領域が形成されるために設定されているのであるから，本願発明の「前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する」ことに相当すると認められる。 
　すると，本願発明と引用発明Ａとを対比すると，本願発明では，「前記プロトン注入は異なる加速エネルギーで複数回行」うのに対し，引用発明Ａでは水素イオンの注入を異なる加速エネルギーで複数回行うことは開示されていない点で相違すると認められる。 
　そこで，前記相違点について検討する。引用文献１（段落００９８）には，半導体装置の製造方法において，プロトンを照射する際に，アルミアブソーバを用いて異なる飛程で複数回照射することが記載されており，引用発明Ａにおいて，所望のドーピングプロファイルを得るために，引用文献１に記載された発明を採用することは，当業者が容易になし得ることである。その際に，引用文献４（[0108]）に記載されているように，飛程を加速電圧で調整することは周知技術であるから，アルミアブソーバを用いる代わりに加速電圧を異ならしめることにより，前記複数回の照射を実現することは当業者が容易になし得る設計変更である。 
（２）当審拒絶理由２
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 （以下，「当審拒絶理由２」という。）
　　　　　　　　　　　　　　　記 
　本願発明の課題は「結晶欠陥量を適正にしてドナー生成率を上げ，電気的特性を向上させる」ところにあり（本願明細書段落００１１−００１２），この解決手段として，本願明細書段落００２８には，「電子線照射１１後に，結晶欠陥１２の量を調整するための予備加熱（第２熱処理）」を行うことが記載されている。 
　しかし，本願発明の解決手段である「ドナー生成率を上げるように，電子線照射後に，予備加熱すること」が請求項１に反映されていない。 
　請求項１を引用して記載した請求項２ないし１３についても同様である。 
（３）当審拒絶理由３
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 （以下，「当審拒絶理由３」という。）
　　　　　　　　　　　　　　　記 
 ・請求項１３について 
　請求項１３は，「半導体装置」という物の発明であるが，「請求項１〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法」との記載は，製造方法の発明を引用する場合に該当するため，当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。 
　ここで，物の発明に係る特許請求の範囲にその物を製造方法が記載されている場合において，当該特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情（以下「不可能・非実際的事情」という）が存在するときに限られると解するのが相当である（最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第１２０４号，平成２４年（受）第２６５８号）。 
　しかしながら，本願明細書等には不可能・非実際的事情について何ら記載がなく，当業者にとって不可能・非実際的事情が明らかであるとも言えない。 
　したがって，請求項１３に係る発明は明確でない。 
　
６　当審拒絶理由の判断
（１）本件補正について
　平成２８年１０月１１日付け手続補正書によって，本願の特許請求の範囲は次のように補正（以下，「本件補正」という。）された。（下線は補正個所を示すものとして，当審で付加した。）
「【請求項１】
　半導体基板にプロトン注入によるドナー層を形成する半導体装置の製造方法において，
　結晶欠陥を発生させる結晶欠陥形成工程と，
　前記プロトン注入および第１熱処理を行い，前記ドナー層を形成するドナー層形成工程と，
　を含み，
　前記プロトン注入は異なる加速エネルギーで複数回行い，
　前記結晶欠陥形成工程では，前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する，
　前記結晶欠陥形成工程では，前記プロトン注入の前に，
電子線照射により
　
かつ，前記結晶欠陥形成工程では，前記電子線照射の後，前記プロトン注入の前に，前記結晶欠陥の量を調節するための予備の第２熱処理を行う
　【請求項２】
　複数回の前記プロトン注入は，それぞれ，前記プロトン注入ごとに設定された所定の平均飛程に基づいて算出された異なる前記加速エネルギーで行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】
　前記結晶欠陥形成工程では，前記第１熱処理中に所定量の前記結晶欠陥が残留するように前記結晶欠陥を発生させることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項４】
　前記第１熱処理中に前記半導体基板の内部に残留する前記結晶欠陥が前記ドナー層の生成に寄与することを特徴とする請求項１〜
３
　【請求項５】
　前記第１熱処理の条件が，３５０℃以上５５０℃以下の温度で，１時間以上１０時間以下の処理時間であることを特徴とする請求項１〜
４
　【請求項６】
　前記プロトン注入よりも前に，前記半導体基板の一方の主面を研削する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜
５
　【請求項７】
　前記プロトン注入は，前記半導体基板の研削面側から行うことを特徴とする請求項
６
　【請求項８】
　少なくとも１回の前記プロトン注入の飛程が１５μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜
７
　【請求項９】
　前記ドナー層が，ダイオードまたは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのｎ型フィールドストップ層であることを特徴とする請求項１〜
８
　【請求項１０】
　前記第１熱処理後に行う工程の処理温度が，前記第１熱処理の温度より低いことを特徴とする請求項１〜
９
（２）当審拒絶理由１について
　ア　引用文献Ａの記載事項
（ア）引用文献Ａ
　引用文献Ａには，図面とともに，次の記載がある。
　ａ「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以降，ＩＧＢＴと略記することもある）と，該ＩＧＢＴに逆並列接続されるダイオードとが同一半導体基板上に併設される
逆導通形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以降，ＲＣ−ＩＧＢＴと略記することもある）およびその製造方法の改良に関する。
　ｂ「【００１３】
　この実施例１のＲＣ−ＩＧＢＴ１００は，前述のように，裏面から見ると，面積の小さいセル状に区分されるＩＧＢＴ部４０とＦＷＤ部５０とが相互に隣接する構造にされるが，表面からはＩＧＢＴ部４０とＦＷＤ部５０とを区別できないようにＩＧＢＴ部とＦＷＤの主要活性部には共通の金属電極が被着されて一体化，共通化されている。
　また，セル状に区分される前記ＩＧＢＴ部４０とＦＷＤ部５０はそれぞれ異なる位置に第１ｎ＋ＦＳ領域３３ａおよび第２ｎ＋ＦＳ領域３３ｂを備える。つまり，ＩＧＢＴ部４０の第１ｎ＋ＦＳ領域３３ａは，前記段差の凹部３１底部よりも深い位置のｎ−ドリフト層９内にｐ＋コレクタ領域２０と同じ程度の幅で配置される。一方，ＦＷＤ部５０の第２ｎ＋ＦＳ領域３３ｂは，ｎ＋カソード領域２１よりは深い部分であるが，前記段差の凸部３２の中に配置される。
　段差の凸部の側壁部分には，絶縁膜３４で被覆されることが望ましいが，この絶縁膜３４は無くても，本発明の効果は得られる。
　次に，本発明の
ＲＣ−ＩＧＢＴ１００にかかる実施例１について，定格電圧１２００Ｖ，定格電流７５Ａ，チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍの場合について製造方法を説明する。シリコン半導体基板（以降，Ｓｉ基板）は，
【００１４】
　その後，
ＭＯＳゲート構造３０側（表面側）からライフタイム調整のために電子線照射を４０ｋＧｙ照射する。
　続いて，裏面側にＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ　Ｅｔｈｙｌ　Ｏｒｔｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜（図示せず）を１μｍの厚さに形成する。レジストを塗布後，リソグラフィによる所要のパターニング（露光，現像）を行い，ＴＥＯＳ膜に異方性ドライエッチングを施して，段差形成のため，開口部のみＴＥＯＳ膜を除去し，幅１μｍの開口パターンを形成する。ここで露光は，両面アライナーを用いて表面とアライメントしてもいいし，片面アライナーのみで表面とのアライメントをしなくても動作に問題はない。
　次に，裏面側のみレジストを剥離後，ＴＥＯＳ膜パターンをマスクにして裏面側から異方性ドライエッチングによりＳｉ基板をエッチングする。この段階で，ＴＥＯＳ膜の開口部に段差となる凹部３１がトレンチ状に複数周期的パターンで形成され，ＴＥＯＳ膜でマスクされエッチングされない領域は，段差の凸部３２となる。
【００１５】
　
さらに続いて，裏面側からＩＧＢＴ部第１ｎ
＋
ＦＳ領域３３ａとｐ
＋
コレクタ領域２０との形成のため，水素イオンを１ＭｅＶ，１×１０
１４
／ｃｍ
２
，続いてボロンイオンを５０ｋｅＶ，１×１０
１４
／ｃｍ
２
注入する。
　その後，ドライエッチングでＴＥＯＳ膜を除去する。続いて，ＹＡＧ２ωレーザーを２台の装置を使ってダブルパルスで計２Ｊ／ｃｍ２，遅延時間３００ｎｓにて，裏面の最表層を焦点としてレーザー光を照射する。その後同じ条件で，焦点のみ凹部３１底部に合わせて，再度レーザーを照射してｐ＋コレクタ領域２０とｎ＋カソード領域２１のために，それぞれイオン注入領域を活性化する。その後再びＴＥＯＳ膜を０．０１μｍの厚さに形成する。その後，異方性ドライエッチングにより，段差の凸部３２と凹部３１の底部のみＴＥＯＳ膜を除去し，凹部の側壁にはＴＥＯＳ膜が絶縁膜３４として残るようにする。その後表面の保護用レジスト膜も剥離し，
３８０℃１時間にて，熱処理を行う。この熱処理は，水素イオンの注入による結晶欠陥を回復させてドナー領域（第１ｎ
＋
ＦＳ領域３３ａ）およびｎ
＋
カソード領域２１を形成するものである。
。後は，裏面にＡｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕを，それぞれ１μｍ／０．０７μｍ／１μｍ／０．３μｍの厚さで形成して共通の電極であるコレクタ電極３５またはカソード電極とする。」
（イ）引用発明Ａ
　前記（ア）より，引用文献Ａには次の発明（以下，「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「逆導通形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法において，シリコン半導体基板の表面側からライフタイム調整のために電子線照射を４０ｋＧｙ照射し，その後裏面側から水素イオンを注入し，その後熱処理を行ってドナー領域を形成する。」
　イ　引用発明１及び４
　前記４（１）及び同（４）のとおり，引用文献１及び４には，それぞれ引用発明１及び４が記載されていると認められる。
　ウ　本願発明と引用発明Ａとの対比
（ア）引用発明Ａの「逆導通形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法」は，「シリコン半導体基板の」「裏面側から水素イオン（プロトン）を注入し，その後熱処理を行ってドナー領域を形成する」から，下記相違点を除いて，本願発明の「半導体基板にプロトン注入によるドナー層を形成する半導体装置の製造方法」に相当すると認められる。
（イ）引用発明Ａの「シリコン半導体基板の表面側からライフタイム調整のために電子線照射を４０ｋＧｙ照射」は，フレンケル欠陥を形成する（前記４（１）ア（イ））から，本願発明の「結晶欠陥を発生させる結晶欠陥形成工程」に相当すると認められる。
（ウ）引用発明Ａの「裏面側から水素イオンを注入し，その後熱処理を行ってドナー領域を形成」は，本願発明の「前記プロトン注入および第１熱処理を行い，前記ドナー層を形成するドナー層形成工程」に相当すると認められる。
（エ）引用発明Ａにおいては，電子線照射した後に水素イオンを注入するから，そこでドナー生成が増大していると認められ，引用発明Ａにおいて電子線照射の照射量を４０ｋＧｙに設定していることは，ドナー生成が増大した上で最終的に適切な大きさのドナー領域が形成されるために設定されているのであるから，本願発明の「前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する」ことに相当すると認められる。
（オ）引用発明Ａにおいては，「電子線照射し，その後水素イオンを注入」するから，前記（イ）より，本願発明の「前記結晶欠陥形成工程では，前記プロトン注入の前に，電子線照射により前記結晶欠陥を発生させる」を満たすと認められる。
（カ）してみると，本願発明と引用発明Ａとは，下記ａの点で一致し，下記ｂの点で相違すると認められる。
　ａ　一致点
「半導体基板にプロトン注入によるドナー層を形成する半導体装置の製造方法において，
　結晶欠陥を発生させる結晶欠陥形成工程と，
　前記プロトン注入および第１熱処理を行い，前記ドナー層を形成するドナー層形成工程と，
　を含み，
　前記結晶欠陥形成工程では，前記ドナー層形成工程でのドナー生成率が増大するように前記結晶欠陥の量を調節する，
　前記結晶欠陥形成工程では，前記プロトン注入の前に，電子線照射により前記結晶欠陥を発生させる，
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
（ａ）相違点１
　本願発明は「前記プロトン注入は異なる加速エネルギーで複数回行」うのに対し，引用発明Ａでは水素イオンの注入を異なる加速エネルギーで複数回行うことは開示されていない点。
（ｂ）相違点２
　本願発明は「前記結晶欠陥形成工程では，前記電子線照射の後，前記プロトン注入の前に，前記結晶欠陥の量を調節するための予備の第２熱処理を行う」のに対し，引用発明Ａは「予備の第２熱処理」を行わない点。
　エ　相違点についての判断
　相違点２について検討する。
　「結晶欠陥形成工程では，前記電子線照射の後，前記プロトン注入の前に，前記結晶欠陥の量を調節するための予備の第２熱処理を行う」ことについて，引用文献１及び４のいずれにも記載も示唆もない。
　本願発明の課題である「結晶欠陥量を適正にしてドナー生成率を上げ，電気的特性を向上させること」（本願明細書段落００１１−００１２）について引用文献Ａ，１及び４のいずれにも記載も示唆もなく，前記課題に対応した相違点２に係る構成を採用する動機づけに欠けるというべきである。
　よって，相違点２に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得るとはいえない。
　オ　小括
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明は，引用発明Ａ，１及び４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　カ　請求項２ないし１０について
　本願の請求項２ないし１０に係る発明は，本願発明の発明特定事項をすべて含みさらに別の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明が前記オのとおり，引用文献Ａ，１及び４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２ないし１０に係る発明も同様の理由で，引用文献Ａ，１及び４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）当審拒絶理由２について
　本件補正により，補正後の請求項１ないし１０の記載は，発明の詳細な説明（本願明細書段落００１１，００１２，００２８）の記載と整合するものとなった。
（４）当審拒絶理由３について
　本件補正により，補正前の請求項１３は削除された。
（５）まとめ
　したがって，当審拒絶理由はすべて解消した。
　
７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。