【手続補正書】
【提出日】平成28年5月27日(2016.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート端子を有するトランジスタと、
前記ゲート端子に接続され、高周波（ＲＦ）信号のスイッチングを助けるよう第１状態と第２状態の間で前記トランジスタをスイッチするための制御電圧を受ける制御端子と、
前記ゲート端子と前記制御端子の間に接続されるゲート抵抗と、
前記ゲート端子と前記制御端子の間に前記ゲート抵抗と並列に接続される一以上のダイオードと、を備える回路。
【請求項２】
前記一以上のダイオードに接続され、前記トランジスタが前記第１状態のときに前記一以上のダイオードを前記ゲート抵抗と並列に選択的に接続させるスイッチをさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記トランジスタは第１トランジスタであり、前記ゲート端子は第１ゲート端子であり、前記スイッチは、一定のバイアス電圧を受ける第２ゲート端子を有する第２トランジスタを含む、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記一定のバイアス電圧は、前記第１トランジスタが前記第１状態のときの前記制御電圧の値に等しい値を有する、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記制御電圧は、第１制御電圧であり、
当該回路は、前記第２トランジスタの前記第２ゲート端子に接続されるゲート回路であって、前記第１制御電圧および前記第１制御電圧と相補的な第２制御電圧に基づいて前記一定のバイアス電圧を生成するゲート回路をさらに含む、請求項４に記載の回路。
【請求項６】
前記制御電圧は、前記トランジスタが前記第２状態のときに約０Ｖの値を有し、前記トランジスタが前記第１状態のときに負の電圧値を有し、
前記トランジスタは、前記第１状態の間にオフとなり、前記第２状態の間にオンとなる、請求項５に記載の回路。
【請求項７】
前記トランジスタは、窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタである請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記トランジスタは、ＲＦ信号の伝送路に直列に接続される直列トランジスタであり、前記ゲート抵抗および前記一以上のダイオードは、第１バイアス回路に含まれており、
当該回路は、
前記伝送路に分岐して接続され、ゲート端子を有する分岐トランジスタと、
前記分岐トランジスタの前記ゲート端子に接続される第２バイアス回路と、を含む、請求項７に記載の回路。
【請求項９】
前記一以上のダイオードは、前記ゲート端子と前記制御端子の間に互いに直列に接続される複数のダイオードを含む、請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
ゲート端子を有するトランジスタと、
前記ゲート端子に接続され、高周波（ＲＦ）信号のスイッチングを助けるよう前記トランジスタをオンまたはオフにするための制御電圧を受ける制御端子と、
前記ゲート端子と前記制御端子の間に接続されるバイアス回路であって、前記ゲート端子と前記制御端子の間に接続されるゲート抵抗を含み、前記トランジスタがオフのときに、前記ゲート抵抗の近くで、一以上のダイオードを通る、前記ゲート端子と前記制御端子の間の導電経路を選択的に与えるバイアス回路と、を備えるＲＦスイッチング装置。
【請求項１１】
前記トランジスタは第１トランジスタであり、前記ゲート端子は第１ゲート端子であり、前記バイアス回路は、前記一以上のダイオードに接続される第２トランジスタであって、前記トランジスタがオフのときに前記一以上のダイオードを前記ゲート抵抗と並列に選択的に接続させる第２トランジスタを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２トランジスタの第２ゲート端子は、前記第１トランジスタがオフのときの前記制御電圧の値に等しい値を有する一定のバイアス電圧を受ける、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記制御電圧は、第１制御電圧であり、
前記装置は、前記第２トランジスタの前記第２ゲート端子に接続されるゲート回路であって、前記第１制御電圧および前記第１制御電圧と相補的な第２制御電圧に基づいて前記一定のバイアス電圧を生成するゲート回路をさらに含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記制御電圧は、前記トランジスタがオンのときに約０Ｖの値を有し、前記トランジスタがオフのときに負の電圧値を有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記トランジスタは、ＲＦ信号の伝送路に直列に接続される直列トランジスタであり、前記ゲート抵抗および前記一以上のダイオードは、第１バイアス回路に含まれており、
前記装置は、
前記伝送路に分岐して接続され、ゲート端子を有する分岐トランジスタと、
前記分岐トランジスタの前記ゲート端子に接続される第２バイアス回路と、を含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記一以上のダイオードは、前記ゲート端子と前記制御端子の間に互いに直列に接続される複数のダイオードを含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
高周波（ＲＦ）信号を受けるための入力ポートと、
出力ポートと、
前記入力ポートと前記出力ポートの間に直列に接続される直列トランジスタであって、前記直列トランジスタがオンであるときに前記ＲＦ信号を前記出力ポートへ選択的に通過させる直列トランジスタと、
前記直列トランジスタのゲート端子に接続され、前記直列トランジスタをオンまたはオフにするための直列制御電圧を受ける直列制御端子と、
前記直列トランジスタの前記ゲート端子に接続される直列バイアス回路とを備え、
前記直列バイアス回路は、
前記直列トランジスタのゲート端子と前記直列制御端子の間に接続される直列ゲート抵抗と、
前記直列トランジスタのゲート端子と前記直列制御端子の間に前記直列ゲート抵抗と並列に接続される一以上のダイオードと、
前記直列トランジスタのゲート端子と前記直列制御端子の間に前記一以上のダイオードと直列に接続され、前記直列制御電圧に応答して前記一以上のダイオードを前記直列ゲート抵抗と並列に選択的に導電的に接続させるスイッチと、を含むシステム。
【請求項１８】
前記入力ポートと前記出力ポートの間の伝送路に分岐して接続される分岐トランジスタと、
前記分岐トランジスタのゲート端子に接続され、前記分岐トランジスタをオンまたはオフにするための分岐制御電圧を受ける分岐制御端子であって、前記分岐制御電圧が前記直列制御電圧と相補的である分岐制御端子と、
前記分岐トランジスタの前記ゲート端子に接続される分岐バイアス回路と、をさらに備え、
前記分岐バイアス回路は、
前記分岐トランジスタの前記ゲート端子と前記分岐制御端子の間に接続される分岐ゲート抵抗と、
前記分岐トランジスタの前記ゲート端子と前記分岐制御端子の間に前記分岐ゲート抵抗と並列に接続される一以上のダイオードと、
前記分岐トランジスタの前記ゲート端子と前記分岐制御端子の間に前記一以上のダイオードと直列に接続され、前記分岐制御電圧に応答して前記分岐バイアス回路の前記一以上のダイオードを前記分岐制御端子に選択的に導電的に接続させるスイッチと、を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記直列バイアス回路および前記分岐バイアス回路のスイッチは、トランジスタを含み、
前記システムは、前記スイッチのそれぞれのトランジスタのゲート端子に接続される個別のゲート回路を含み、
前記個別のゲート回路は、
前記直列制御電圧および前記分岐制御電圧を受け、
前記スイッチのトランジスタのゲート端子に、前記直列制御電圧の値および前記分岐制御電圧の値の小さい方と等しい値を有する一定のバイアス電圧を通過させる、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記一以上のダイオードは、前記直列トランジスタと前記直列制御端子の間に互いに直列に接続される複数のダイオードを含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記直列トランジスタは、窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタである、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
ユーザ機器が無線通信ネットワークを通じた伝送用の前記ＲＦ信号をスイッチする請求項１７に記載のシステムを含む、請求項２１に記載のシステム。