Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユーザが操作する複数の端末装置に通信ネットワークを介して接続され、当該ユ
ーザに対して複数のデジタルコンテンツを提供可能なシステムであって、
前記ユーザによる前記デジタルコンテンツの利用履歴に関する利用履歴情報を少なくと
も記憶する情報記憶装置と、
所定のプログラムを実行可能な１又は複数のプロセッサと、を備え、
前記所定のプログラムは、
端末装置からの要求に応答し、当該端末装置を操作するユーザに対応する前記利用履歴
情報を当該端末装置に送信する利用履歴情報送信モジュールと、
当該送信した前記利用履歴情報に前記利用履歴として含まれるデジタルコンテンツのう
ち前記ユーザによって選択されたデジタルコンテンツを特定可能なコンテンツ特定情報を
含む投稿情報を前記端末装置から受信する投稿情報受信モジュールと、
当該受信した投稿情報を前記情報記憶装置に記憶させる投稿情報登録モジュールと、
端末装置からの要求に応答し、前記情報記憶装置に記憶されている投稿情報を当該端末
装置に送信する投稿情報送信モジュールと、を備える、
システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、半導体装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の整流回路を介して供給される第１の昇圧信号または第２の整流回路を介して供給される第２の昇圧信号若しくは選択信号が供給される常閉接点を介して供給される低電源電位を供給することができる選択回路と、
前記選択回路に前記第１の昇圧信号を供給することができる第１の昇圧信号回路と、
前記選択回路に前記第２の昇圧信号を供給することができる第２の昇圧信号回路と、を有し、
前記第１の昇圧信号回路は、前記選択信号を昇圧して、前記第１の昇圧信号を生成することができるブートストラップ回路を備え、
前記第２の昇圧信号回路は、前記選択信号を昇圧して前記第２の昇圧信号を生成することができるレベルシフタ回路と、クロック信号が供給され高電源電位を昇圧して供給することができるチャージポンプ回路を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の昇圧信号回路は、
前記選択信号の反転信号を供給することができる第１のインバータ回路と、
前記選択信号が供給される前記ブートストラップ回路と、
前記ブートストラップ回路から供給される電位および低電源電位並びに前記反転信号が供給される第２のインバータ回路と、を備える請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
データ信号を供給することができる信号線と、
第１の電極が前記信号線と電気的に接続され、ゲートが前記第１の昇圧信号または前記第２の昇圧信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第２の電極が記憶回路と電気的に接続される選択トランジスタと、を有し、
前記記憶回路は、前記選択トランジスタの前記第２の電極から供給される前記データ信号を記憶する、請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記選択トランジスタが、チャネルが形成される酸化物半導体層を備える請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記高電源電位および前記低電源電位を前記第１の昇圧信号回路、前記第２の昇圧信号回路および前記選択回路に供給する第１のステップと、
前記クロック信号を前記チャージポンプ回路に供給する第２のステップと、
前記選択信号を、前記第１の昇圧信号回路、前記第２の昇圧信号回路および前記選択回路に前記第１の昇圧信号の電位が前記第２の昇圧信号の電位より高くなる期間に供給する第３のステップと、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化剤ガスと燃料ガスとを供給して発電反応を生じる燃料電池セルと、前記燃料電池セルを内包するケーシングと、前記ケーシングを内包するように配設された断熱材と、前記ケーシング及び前記断熱材を内包する筐体と、を備えた燃料電池システムにおいて、
前記ケーシングの天面を覆う前記断熱材はヒュームドシリカを含有する断熱材であり、
前記筐体の天面には、外気と連通し、前記筐体の内部の水分を前記筐体の外部に放出する開口が設けられており、
前記筐体の天面と前記ケーシングの天面を覆う前記断熱材との間には、水分が流動する水分流動空間が配設されていることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記水分流動空間は、前記筐体の天面と前記ケーシングの天面を覆う前記断熱材とに挟まれた全域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項３】
前記水分流動空間には、前記水分流動空間内に蓄えられた水分を前記開口に誘引する誘引部材が配設されていることを特徴とする請求項２に記載された燃料電池システム。
【請求項４】
前記開口は、前記ケーシングの天面の直上方に配置されていることを特徴とする請求項３に記載された燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第一の発明においては、酸化剤ガスと燃料ガスとを供給して発電反応を生じる燃料電池セルと、燃料電池セルを内包するケーシングと、ケーシングを内包するように配設された断熱材と、ケーシング及び断熱材を内包する筐体と、を備えた燃料電池システムにおいて、ケーシングの天面を覆う断熱材はヒュームドシリカを含有する断熱材であり、筐体の天面には、外気と連通し、筐体の内部の水分を筐体の外部に放出する開口が設けられており、筐体の天面と前記ケーシングの天面を覆う断熱材との間には、水分が流動する水分流動空間が配設されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明においてより好ましくは、結露水回収部は、排水口に入り込むように配置された、結露水が排水口から排出されることを促進する結露水排出促進部を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化剤ガスと燃料ガスとを供給して発電反応を生じる燃料電池セルと、前記燃料電池セルを内包するケーシングと、前記ケーシングを内包するように配設された断熱材と、前記ケーシング及び前記断熱材を内包する筐体と、を備えた燃料電池システムにおいて、
前記断熱材はヒュームドシリカを含有する断熱材であり、
前記断熱材の外表面は、前記断熱材の内部を通過する蒸気は透過するとともに、外側からの水は透過させない撥水性のフィルターで覆われており、
前記筐体と前記フィルターとの間で生じた結露水の落下を受けるトレーを有し、
前記トレーは前記ケーシングの底面側を載せるよう配置され、かつ、結露水を溜めるよう結露水の落下する範囲よりも広い範囲を囲う隔壁と、前記隔壁の内側の範囲に設けられ、結露水を排出する排水口と、を備え、
前記トレーと底面側の前記フィルターとの間には、前記排水口を含み、結露水の落下が生じる範囲に渡って配置された、毛細管現象を生じさせる結露水回収部が配置され、
前記結露水回収部は前記トレーの隔壁に乗り上げるように配置されていることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記結露水回収部は、前記排水口に入り込むように配置された、結露水が前記排水口から排出されることを促進する結露水排出促進部を有することを特徴とする請求項１記載の燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第一の発明においては、酸化剤ガスと燃料ガスとを供給して発電反応を生じる燃料電池セルと、燃料電池セルを内包するケーシングと、ケーシングを内包するように配設された断熱材と、ケーシング及び断熱材を内包する筐体と、を備えた燃料電池システムにおいて、断熱材はヒュームドシリカを含有する断熱材であり、断熱材の外表面は、断熱材の内部を通過する蒸気は透過するとともに、外側からの水は透過させない撥水性のフィルターで覆われており、筐体とフィルターとの間で生じた結露水の落下を受けるトレーを有し、トレーはケーシングの底面側を載せるよう配置され、かつ、結露水を溜めるよう結露水の落下する範囲よりも広い範囲を囲う隔壁と、隔壁の内側の範囲に設けられ、結露水を排出する排水口と、を備え、トレーと底面側の前記フィルターとの間には、排水口を含み、結露水の落下が生じる範囲に渡って配置された、毛細管現象を生じさせる結露水回収部が配置され、結露水回収部はトレーの隔壁に乗り上げるように配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明においてより好ましくは、結露水回収部は、排水口に入り込むように配置された、結露水が排水口から排出されることを促進する結露水排出促進部を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月10日(2016.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
使用者によって操作される操作部と、
前記操作部の操作によって押されるプッシュスイッチを備えたスイッチ装置であって、
前記操作部と前記プッシュスイッチの間に配置され、前記操作部の操作に伴って弾性変形する弾性部材と、
前記プッシュスイッチを支持する支持面を有し、
前記プッシュスイッチは前記弾性部材と接触する接触面を有し、
前記弾性部材は、前記プッシュスイッチの接触面と接触する接触部と、
前記接触部を取り囲むように設けられた第１の部分と、
前記第１の部分を取り囲むように設けられ、前記第１の部分よりも変形しにくい第２の部分と、を有することを特徴とするスイッチ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１反射膜と、第１画素電極と、第１発光層と、第１対向電極と、を有し、前記第１反射膜と前記第１対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、
第２反射膜と、第２画素電極と、第２発光層と、第２対向電極と、を有し、前記第２反射膜と前記第２対向電極との間で第２色の光を共振させる第２画素と、
を含む有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１反射膜の表面位置と前記第２反射膜の表面位置とが異なるように前記第１反射膜及び前記第２反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記第１反射膜及び前記第２反射膜を連続して覆うように、前駆体絶縁層を形成した後、前記前駆体絶縁層の上面を平坦化処理することで、平坦面である第１面を有する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の前記第１面の上に前記第１画素電極及び前記第２画素電極を形成する画素電極形成工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射膜形成工程の前に、第２絶縁層の上に、第３絶縁層を形成する工程と、
前記反射膜形成工程の前に、前記第３絶縁層をエッチングすることで、第１画素領域の前記第３絶縁層を除去する工程と、
を含み、
前記反射膜形成工程では、
前記第２絶縁層の上に前記第１反射膜を形成し、前記第３絶縁層の上に前記第２反射膜を形成し、
前記第１絶縁層を形成する工程では、
前記第１画素と前記第２画素において、それぞれ異なる膜厚を有し、かつ、平坦面である前記第１面を有する前記第１絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層は、前記第３絶縁層よりも前記エッチングにより除去される速度が遅いことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１反射膜と前記第２反射膜は、一体的に形成される、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第１絶縁層を形成する工程において、
前記前駆体絶縁層を形成する工程は、前記第１反射膜及び前記第２反射膜の上に第４絶縁層を形成する工程と、前記第４絶縁層の上に第５絶縁層を形成する工程と、
を含み、
前記平坦化処理工程では、
前記第５絶縁膜を化学機械研磨処理することで、第２画素領域の前記第５絶縁層を除去する工程と、
を含み、
前記第４絶縁層は、前記第５絶縁層よりも前記化学機械研磨処理により除去される速度が遅いことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第４絶縁層は窒化珪素であり、前記第５絶縁層は酸化珪素である、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第２絶縁層は窒化珪素であり、前記第３絶縁層は酸化珪素である、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
第１反射膜と、第１画素電極と、第１発光層と、第１対向電極と、を有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、
第２反射膜と、第２画素電極と、第２発光層と、前記対向電極と、を有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で第２色の光を共振させる第２画素と、
を含む有機ＥＬ装置であって、
前記第１反射膜の表面位置は、前記第２反射膜の表面位置と異なるように配置されており、
前記第１画素電極と前記第１反射膜との間、及び前記第２画素電極と前記第２反射膜との間に、平坦面である第１面を有する絶縁層を備え、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極は、前記第１面の上に設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機ＥＬ装置の製造方法、および有機ＥＬ装置
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ガスと酸化剤ガスとを利用して発電反応する固体酸化物型の燃料電池セルを複数有する固体酸化物型燃料電池装置であって、
上記燃料電池セルの発電反応に利用されなかった残余ガスを燃焼させる燃焼部と、
上記燃焼部で生じた燃焼ガスの熱を利用して、供給された原燃料を燃料ガスに改質する、上記燃焼部の上方に設けられた改質器と、
上記燃料電池セル、上記燃焼部及び上記改質器を内部に備えた発電室と、
上記改質器の天面よりも上方に位置する上記発電室の内壁面に設けられ、上記発電室内の燃焼ガスを排出する開口部と、を有する固体酸化物型燃料電池装置において、
上記改質器は、上面視において長手方向と短手方向とを有する矩形形状であり、
上記改質器は、上記燃焼部から上記開口部に向かう燃焼ガスが、上記改質器の上記長手方向に位置する側面から上記改質器の天面に回り込むことを妨げるよう、上記改質器の上記長手方向に位置する側面から上記発電室の天面に向かって延びる遮蔽部を有することを特徴とする固体酸化物型燃料電池装置。
【請求項２】
上記遮蔽部を上記改質器の側面のうち上記改質器の長手方向を覆う一対の側面それぞれに設け、
上記開口部は、一対の上記遮蔽部の間に対応する上記発電室の天面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物型燃料電池装置。
【請求項３】
上記開口部は、上記改質器の天面において長手方向の中央を含む範囲に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の固体酸化物型燃料電池装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明は、燃料ガスと酸化剤ガスとを利用して発電反応する固体酸化物型の燃料電池セルを複数有する固体酸化物型燃料電池装置であって、燃料電池セルの発電反応に利用されなかった残余ガスを燃焼させる燃焼部と、燃焼部で生じた燃焼ガスの熱を利用して、供給された原燃料を燃料ガスに改質する、燃焼部の上方に設けられた改質器と、燃料電池セル、燃焼部及び上記改質器を内部に備えた発電室と、改質器の天面よりも上方に位置する発電室の内壁面に設けられ、発電室内の燃焼ガスを排出する開口部と、を有する固体酸化物型燃料電池装置において、改質器は、上面視において長手方向と短手方向とを有する矩形形状であり、改質器は、燃焼部から開口部に向かう燃焼ガスが、改質器の長手方向に位置する側面から改質器の天面に回り込むことを妨げるよう、改質器の長手方向に位置する側面から発電室の天面に向かって延びる遮蔽部を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このように構成された本発明においては、改質器は、開口部に向けて集約されながら流れる燃焼ガスにより、改質反応に利用される熱が偏って加えられることを軽減することができる。すなわち、燃焼部から開口部に向かう上記燃焼ガスが、改質器の側面から天面に回り込むことを妨げるよう、改質器の側面から発電室の天面に向かって延びる遮蔽部を有することにより、改質器の底面、側面及び天面から加えられる偏った熱量のうち、天面から加えられる偏った熱について、遮蔽部によって燃焼ガスの改質器の側面から天面への回り込みを防ぐことで、天面に燃焼ガスが回り込まなくなり、天面からの加熱を抑制することができる。そのため、偏って加熱される部位の熱量が軽減され、偏って加熱される高温部位と他の低温部位との差が少なくなり、改質触媒の偏った劣化による燃料電池の耐久性低下を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明において、好ましくは、遮蔽部を改質器の側面のうち改質器の長手方向を覆う一対の側面それぞれに設け、開口部は、一対の遮蔽部の間に対応する発電室の天面に設けられている。
このように構成された本発明によれば、遮蔽部を改質器の側面のうち改質器の長手方向を覆う一対の側面それぞれに設け、開口部を、遮蔽部の間に対応する発電室の壁面の位置に配設されていることにより、燃焼部から開口部に流れる燃焼ガスが、直接開口部に流れ込み難くなり、代わりに改質器の側面のうち改質器の長手方向以外の側面、例えば長手方向の両端に位置する短手方向の両側面から遮蔽部の間に燃料ガスが流れ込みやすくなる。燃料電池では一般的に燃料電池セルが密集する中央部分が高温になりやすく、その影響を受けて改質器の長手方向の両端は、中央部分に比べて温度が低くなるため、この温度が低い長手方向の両端部分から高温の燃焼ガスが流れ込むことによって、温度が低い長手方向の両端部分が加熱され、中央部分との温度差が軽減される。すると、改質触媒の偏った劣化による燃料電池の耐久性低下を一層抑制することができる。
本発明において、好ましくは、開口部は、改質器の天面において長手方向の中央を含む範囲に設けられている。このように構成された本発明においては、開口部はさらに、改質器の長手方向中央を含む範囲に設けられているため、燃焼ガスが遮蔽部の間に改質器の長手方向の両端側から流れ込んだ後、長手方向の中央付近で衝突し、開口部に流入するようになる。改質器の長手方向両端側から流入するときの流速は衝突を起こす中央付近の流速よりも速く、温度の低い改質器の長手方向両端側での熱交換が効率よく行えることに加えて、改質器の長手方向中央付近では燃焼ガスが衝突することによって流速が落ち、温度の高い改質器の長手方向中央付近での熱交換効率が低下する。これによって、改質触媒の偏った劣化による燃料電池の耐久性低下をより一層抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通気用の開口部を有する筐体に取り付け可能な通気部材であって、
前記筐体の内部空間と外部空間との間の通気経路が形成されたベース部と、前記ベース部から延びているとともに前記開口部に嵌められる脚部とを有する支持体と、
前記通気経路を閉じるように前記支持体上に配置された通気膜と、
前記脚部の根元部分に設けられた樹脂製の部材であって、JIS K 6262に準拠して、試験温度１００℃、試験時間１００時間の条件で測定した圧縮永久ひずみが１０％以下であるシール部材と、を含む、通気部材。
【請求項２】
前記シール部材は、前記開口部の周囲かつ前記支持体と前記筐体との間の隙間に装着されたＯリングである、請求項１に記載の通気部材。
【請求項３】
前記シール部材は、ＥＰＤＭ（エチレン−プロピレン−ジエンゴム）により形成されている、請求項１または２に記載の通気部材。
【請求項４】
前記シール部材は、シリコーン樹脂により形成されている、請求項１または２に記載の通気部材。
【請求項５】
前記通気膜が配置されている側から前記支持体を覆うカバー部材をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の通気部材。
【請求項６】
前記カバー部材は、
平面視で前記通気膜の全体を覆う天井部と、
前記天井部の周縁から前記支持体に向かって延びる保護壁部と、
前記保護壁部に形成され、前記天井部と前記支持体の外周部との間の空間と、前記外部空間とを連通する開口と、を有している、請求項５に記載の通気部材。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極層、固体電解質層、及び負極層をこの順に含み、
前記正極層と前記固体電解質層の境界、及び前記固体電解質層と前記負極層の境界のうち少なくとも１つが微粒子を含む全固体電池。
【請求項２】
前記微粒子の平均粒径が１０μｍ以上である、請求項１に記載の全固体電池。
【請求項３】
前記微粒子の平均粒径が、前記境界を形成する前記正極層、前記固体電解質層又は前記負極層を構成する粉末の平均粒径よりも大きい、請求項１又は２に記載の全固体電池。
【請求項４】
前記微粒子が固体電解質を含む請求項１〜３のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項５】
前記微粒子が硫化物系固体電解質を含む請求項１〜４のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項６】
前記微粒子がＬｉ、Ｐ及びＳを含むリチウムイオン伝導性無機固体電解質である請求項１〜５のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項７】
前記微粒子の平均粒径が１０〜１００μｍである請求項１〜６のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項８】
前記正極層が正極活物質と固体電解質を含む請求項１〜７のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項９】
前記負極層が負極活物質と固体電解質を含む請求項１〜８のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項１０】
前記固体電解質層が硫化物系固体電解質を含む請求項１〜９のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項１１】
前記固体電解質層がＬｉ、Ｐ及びＳを含むリチウムイオン伝導性無機固体電解質を含む請求項１〜１０のいずれかに記載の全固体電池。
【請求項１２】
固体電解質層の表面に微粒子を散布する工程、及び前記微粒子を散布した面に、正極層もしくは負極層を積層する工程を含む、又は
正極層もしくは負極層の表面に微粒子を散布する工程、及び前記微粒子を散布した面に、固体電解質層を積層する工程を含む、
全固体電池の製造方法。
【請求項１３】
前記微粒子の平均粒径が１０μｍ以上である、請求項１２に記載の全固体電池の製造方法。
【請求項１４】
前記微粒子の平均粒径が、前記境界を形成する前記正極層、前記固体電解質層又は前記負極層を構成する粉末の平均粒径よりも大きい、請求項１２又は１３に記載の全固体電池の製造方法。
【請求項１５】
前記微粒子がＬｉ、Ｐ及びＳを含むリチウムイオン伝導性無機固体電解質であり、
前記固体電解質層がＬｉ、Ｐ及びＳを含むリチウムイオン伝導性無機固体電解質からなり、
前記正極層が正極活物質及び固体電解質を含み、
前記負極層が負極活物質及び固体電解質を含む、
請求項１２〜１４のいずれかに記載の全固体電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
カートリッジ情報には、例えば、テープ色情報、テープ光沢情報、テープ模様情報、テープ初期長情報、テープ長情報、テープ幅情報、テープ材質情報、テープ厚さ情報、カット特性情報、リボン色情報、リボン初期長情報、リボン長情報、印刷条件情報、メディア分類情報などが含まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
カートリッジ情報表示領域２６は、テープ残量等を表示するための領域である。タッチパネル７は、カートリッジ情報表示領域２６に、取得されたテープ長情報に基づいて、テープ長さを「３ｍ４７ｃｍ」と表示すると共に、テープ初期長に対するテープ残量の比率を示す棒グラフを表示する。同様に、タッチパネル７は、カートリッジ情報表示領域２６に、取得されたリボン長情報に基づいて、リボン長さを「３ｍ６５ｃｍ」と表示すると共に、リボン初期長に対するインクリボン残量の比率を示す棒グラフを表示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
次に、第２カートリッジがテープ印刷装置３に装着された場合における、編集画面２４に表示について説明する。第２カートリッジには、第１カートリッジと略同様のテープ状部材６およびインクリボンが収容されているが、テープ状部材６の印刷面の色が、「灰色」である点、テープ状部材６の印刷面の光沢が「光沢有り」である点、テープ状部材６の材質が「ＰＥＴフィルム」である点、カット特性が「適」である点、インクリボンの色が「黒色」である点で相違している（図３参照）。このため、第２カートリッジの情報記録部１１に記録されているカートリッジ情報についても、第１カートリッジの場合と略同様であるが、テープ色情報が「Ｒ＝１６０，Ｇ＝１６０，Ｂ＝１７２，色空間＝ｓＲＧＢ」である点、テープ光沢情報が、「Ｒ＝２２０，Ｇ＝２２０，Ｂ＝２３６」である点、テープ材質情報が「ＰＥＴフィルム」である点、カット特性が「適」である点、リボン色情報がＲ＝５，Ｇ＝０，Ｂ＝０である点で相違している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
減圧室２６内の反応ガスが所定の圧力以下であり、反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による第１リテーナ５６を介しての弁棒８０に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリング１４０によるピストン１００に対する弾発付勢力よりも小さいときには、ピストン１００が変位することはない。この場合、反応ガスは、減圧室２６から導出経路に向かい、出口ポート３０から、ガス出口側継手１３２内の出口流路１３４を流通して減圧弁１０の外部に導出される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
これに対し、減圧室２６内の反応ガスが十分に高圧であり、このために減圧室２６に到達した反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による第１リテーナ５６を介しての弁棒８０に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリング１４０によるピストン１００に対する弾発付勢力を上回ると、ピストン１００が上方に変位する。上記したようにピストン１００には係止部材１０６を介して弁棒８０が連結されているため、弁棒８０もピストン１００に追従して上方に変位する。この際、弁棒８０の側周壁が、主には第２挿通孔５８の内周壁に摺接する。また、第１コイルスプリング６０が伸張する一方で、第２コイルスプリング１４０が収縮する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
減圧室２６に進入した反応ガスが導出流路２８、出口ポート３０及び出口流路１３４を介して減圧弁１０の外部に導出されると、減圧室２６内の圧力（換言すれば、ピストン１００に対する押圧力）が低下する。そして、第２コイルスプリング１４０による弾発付勢力が、減圧室２６内の反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による弁棒８０に対する弾発付勢力の合計を上回ると、ピストン１００が下方に変位する。これに追従し、該ピストン１００に連結された弁棒８０も下方に変位するとともに、第１コイルスプリング６０が収縮する。さらに、第２コイルスプリング１４０が伸張する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
弁棒とピストンの連結箇所は、前記摺接部位の高さ方向中腹に位置することが好ましい。この場合、弁棒が、ピストンを傾けるような力の影響を一層受け難くなり、このために弁棒とピストンとの間で芯ズレが生じることが一層困難となるからである。結局、弁棒の耐久性の一層の向上を図ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記摺接部位に、前記ボディの内壁に対して弾発的に摺接するシール部材を設けるときには、このシール部材を、ピストンの重心を通る位置に配置することが好ましい。この場合、ピストンの重心にシール部材の中心が位置することになる。従って、ピストンが一層傾き難くなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
減圧室２６内の反応ガスが所定の圧力以下であり、反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による第１リテーナ５６を介しての弁棒８０に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリング１４０によるピストン１００に対する弾発付勢力よりも小さいときには、ピストン１００が変位することはない。この場合、反応ガスは、減圧室２６から導出経路に向かい、出口ポート３０から、ガス出口側継手１３２内の出口流路１３４を流通して減圧弁１０の外部に導出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
これに対し、減圧室２６内の反応ガスが十分に高圧であり、このために減圧室２６に到達した反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による第１リテーナ５６を介しての弁棒８０に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリング１４０によるピストン１００に対する弾発付勢力を上回ると、ピストン１００が上方に変位する。上記したようにピストン１００には係止部材１０６を介して弁棒８０が連結されているため、弁棒８０もピストン１００に追従して上方に変位する。この際、弁棒８０の側周壁が、主には第２挿通孔５８の内周壁に摺接する。また、第１コイルスプリング６０が伸張する一方で、第２コイルスプリング１４０が収縮する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
減圧室２６に進入した反応ガスが導出流路２８、出口ポート３０及び出口流路１３４を介して減圧弁１０の外部に導出されると、減圧室２６内の圧力（換言すれば、ピストン１００に対する押圧力）が低下する。そして、第２コイルスプリング１４０による弾発付勢力が、減圧室２６内の反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による弁棒８０に対する弾発付勢力の合計を上回ると、ピストン１００が下方に変位する。これに追従し、該ピストン１００に連結された弁棒８０も下方に変位するとともに、第１コイルスプリング６０が収縮する。さらに、第２コイルスプリング１４０が伸張する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を導入するための導入流路と、
前記導入流路に連通する弁室と、
前記弁室に設けられて弁体部が着座又は離間する弁座と、
前記弁体部が設けられた弁棒が通される弁孔と、
前記弁孔を介して前記弁室に連通する減圧室と、
前記流体を前記減圧室から導出するための導出流路と、
が形成されたボディを備え、
前記ボディに、前記弁棒に連結されて前記減圧室内の圧力の変化に応じて変位するピストンが収容され、
さらに、前記弁棒を前記弁座側に指向して弾発付勢する第１弾発部材と、前記ピストンを前記弁座側に指向して弾発付勢する第２弾発部材とを有し、
前記弁棒は、前記ピストンの内部で該ピストンに連結され、
前記弁棒と前記ピストンの連結箇所は、前記ピストンの側壁の一部位であるとともに前記ボディの内壁に対して摺接する摺接部位の内方であり、且つ該ピストンの変位方向に対して直交する方向の前記ピストンの中心に位置することを特徴とする減圧弁。
【請求項２】
請求項１記載の減圧弁において、前記弁棒と前記ピストンの連結箇所は、前記摺接部位の高さ方向中腹に位置することを特徴とする減圧弁。
【請求項３】
請求項１又は２記載の減圧弁において、前記弁棒と前記ピストンの連結箇所は、前記ピストンの重心に位置することを特徴とする減圧弁。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の減圧弁において、前記摺接部位の変位方向両端部に、前記ボディの内壁に対して摺接するリング体が配設されていることを特徴とする減圧弁。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の減圧弁において、前記摺接部位に、前記ボディの内壁に対して弾発的に摺接するシール部材が設けられ、
前記シール部材は、前記ピストンの重心を通る位置に配置されていることを特徴とする減圧弁。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような構成において、高圧の流体が連通路を介して出力室に導入される。この流体によるピストンに対する押圧力と、第１コイルスプリングによる弁体に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリングによるピストンに対する弾発付勢力を上回ると、第２コイルスプリングがさらに圧縮される方向にピストンが変位する。その結果、弁体が弁座に着座して（連通路を閉塞して）減圧弁が閉止状態となる。これにより、過度に高圧の流体が減圧弁から導出されることが回避される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一方、この閉止後に出力室から流体が導出されて該出力室内の圧力が低減すると、ピストンが、第２コイルスプリングによる弾発付勢力の作用下に、流体によるピストンに対する押圧力と、第１コイルスプリングによる弁体に対する弾発付勢力とに抗して変位する。その結果、弁体が弁座から離間して（連通路を開放して）減圧弁が開放状態となるとともに、第２コイルスプリングが元の圧縮状態に戻る。この場合、入力室に進入した流体は、出力室を介して減圧弁の外部に導出される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、本発明においていう「樹脂」には、樹脂単体のみならず、樹脂を主成分（概ね７０重量％以上）とするものが含まれる。すなわち、樹脂は、固体潤滑剤等が添加されたものであってもよい。この種の樹脂の好適な具体例としては、二硫化モリブデンが添加されたポリアミド樹脂（ナイロン−６６やナイロン−６等）が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
減圧室２６内の反応ガスが所定の圧力以下であり、反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による第１リテーナ５６を介しての弁棒８０に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリング１４０によるピストン１００に対する弾発付勢力よりも小さいときには、ピストン１００が変位することはない。この場合、反応ガスは、減圧室２６から導出経路に向かい、出口ポート３０から、ガス出口側継手１３２内の出口流路１３４を流通して減圧弁１０の外部に導出される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
これに対し、減圧室２６内の反応ガスが十分に高圧であり、このために減圧室２６に到達した反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による第１リテーナ５６を介しての弁棒８０に対する弾発付勢力の合計が、第２コイルスプリング１４０によるピストン１００に対する弾発付勢力を上回ると、ピストン１００が上方に変位する。上記したようにピストン１００には係止部材１０６を介して弁棒８０が連結されているため、弁棒８０もピストン１００に追従して上方に変位する。この際、弁棒８０の側周壁が、主には第２挿通孔５８の内周壁に摺接する。また、第１コイルスプリング６０が伸張する一方で、第２コイルスプリング１４０が収縮する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
減圧室２６に進入した反応ガスが導出流路２８、出口ポート３０及び出口流路１３４を介して減圧弁１０の外部に導出されると、減圧室２６内の圧力（換言すれば、ピストン１００に対する押圧力）が低下する。そして、第２コイルスプリング１４０による弾発付勢力が、減圧室２６内の反応ガスのピストン１００に対する押圧力と、第１コイルスプリング６０による弁棒８０に対する弾発付勢力の合計を上回ると、ピストン１００が下方に変位する。これに追従し、該ピストン１００に連結された弁棒８０も下方に変位するとともに、第１コイルスプリング６０が収縮する。さらに、第２コイルスプリング１４０が伸張する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
例えば、第１リング体１２８及び第２リング体１３０は、樹脂単体からなるものに特に限定されるものではなく、潤滑成分を含んだ樹脂からなるものであってもよい。そのようなものの好適な例としては、二硫化モリブデンや炭素等の固体潤滑剤が分散された樹脂、炭素繊維を含んだ樹脂が挙げられる。一層具体的には、二硫化モリブデンが添加されたポリアミド樹脂（ナイロン−６６又はナイロン−６等）が例示される。第１リング体１２８及び第２リング体１３０は、樹脂以外の素材、例えば、ゴムであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面及び他方の面で表示が可能な表示装置であって、
第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜の上方の、第１の発光素子、第２の発光素子、第１の受光素子及び第２の受光素子と、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子の上方の第２の遮光膜と、を有し、
前記第１の発光素子は、前記第１の遮光膜と重なり、
前記第１の受光素子は、前記第１の遮光膜と重なり、
前記第２の発光素子は、前記第２の遮光膜と重なり、
前記第２の受光素子は、前記第２の遮光膜と重なり、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子は、それぞれ独立に発光し、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子を、同一平面上に有し、
前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子を、同一平面上に有する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子は、
一導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域とは逆の導電型の第２の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の端部を覆う第１の遮光性の導電層と、
前記第２の半導体領域の端部を覆う第２の遮光性の導電層と、を有し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域を、同一平面上に有する表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子は、
第１の電極と、
前記第１の電極上の発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上の第２の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁と、を有し、
前記隔壁は、第３の遮光膜を有し、
前記第１の受光素子は、前記第３の遮光膜と重ならない表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の発光素子の上方の、第１の着色層と、
前記第２の発光素子の下方の、第２の着色層と、を有し、
前記第１の発光素子は、前記第１の着色層と重なり、
前記第２の発光素子は、前記第２の着色層と重なる表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
透光膜のみが積層された透光領域を有する表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
可撓性を有する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力座標点及びスカラー値を受け、前記入力座標点のスカラー倍算値を得るスカラー倍算装置であって、
前記入力座標点及びＫＢビットの前記スカラー値を受け、該スカラー値をビット列に沿って均等にｎ分割して得られる第１〜第ｎのスカラービット列を用いて前記スカラー倍算値を得るスカラー倍算処理を行うスカラー倍演算部と、
前記第１〜第ｎのスカラービット列のビット情報の組合せに対応した複数の演算パラメータを有する演算テーブルを格納した演算テーブル記憶部とを備え、
前記スカラー倍演算部は、前記演算テーブルを参照することにより、前記第１〜第ｎのスカラービット列に対しビット単位に同時に前記スカラー倍算処理を実行することを特徴とする、
スカラー倍算装置。
【請求項２】
請求項１記載のスカラー倍算装置であって、
前記第１〜第ｎのスカラービット列はＫＢビットのスカラー値を上位からＤ（ＫＢ／ｎ）ビット毎に分割されたビット列であり、
前記複数の演算パラメータは、前記第１〜第（ｎ−１）のスカラービット列それぞれの分割対象外の下位のビット列に対しオフセット演算することにより、第１〜第ｎのスカラービット列のビット情報による複数の組合せ内容に対応した、前記入力座標点における複数の事前倍算値である、
スカラー倍算装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のスカラー倍算装置であって、
前記スカラー倍演算部は、前記スカラー値の分割数ｎをさらに受け、
ＫＢビットの前記スカラー値をｎ分割して得られる前記第１〜第ｎのスカラービット列のビット情報の組合せに対応した前記複数の演算パラメータを算出し、該複数のパラメータを有する前記演算テーブルを前記演算テーブル記憶部に格納する演算テーブル作成部を有する、
スカラー倍算装置。
【請求項４】
入力座標点及びＫＢビットのスカラー値を受け、スカラー倍算値を得るスカラー倍算方法であって、
(a) 前記入力座標点及び前記スカラー値のビット数ＫＢに基づき、該スカラー値をビット列に沿って均等に分割して得られる第１〜第ｎのスカラービット列のビット情報の組合せに対応した複数の演算パラメータを算出して、該複数の演算パラメータを有する演算テーブルを求めるステップと、
(b) 前記演算テーブルを参照して、前記第１〜第ｎのスカラービット列に対しビット単位に同時にスカラー倍算処理を実行することにより、前記入力座標点の前記スカラー倍算値を得るステップとを備える、
スカラー倍算方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に係る請求項１記載のスカラー倍算装置は、入力座標点及びスカラー値を受け、前記入力座標点のスカラー倍算値を得るスカラー倍算装置であって、前記入力座標点及びＫＢビットの前記スカラー値を受け、該スカラー値をビット列に沿って均等にｎ分割して得られる第１〜第ｎのスカラービット列を用いて前記スカラー倍算値を得るスカラー倍算処理を行うスカラー倍演算部と、前記第１〜第ｎのスカラービット列のビット情報の組合せに対応した複数の演算パラメータを有する演算テーブルを格納した演算テーブル記憶部とを備え、前記スカラー倍演算部は、前記演算テーブルを参照することにより、前記第１〜第ｎのスカラービット列に対しビット単位に同時に前記スカラー倍算処理を実行することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明に係る請求項４記載のスカラー倍算方法は、入力座標点及びＫＢビットのスカラー値を受け、スカラー倍算値を得るスカラー倍算方法であって、(a) 前記入力座標点及び前記スカラー値のビット数ＫＢに基づき、該スカラー値をビット列に沿って均等に分割して得られる第１〜第ｎのスカラービット列のビット情報の組合せに対応した複数の演算パラメータを算出して、該複数の演算パラメータを有する演算テーブルを求めるステップと、(b) 前記演算テーブルを参照して、前記第１〜第ｎのスカラービット列に対しビット単位に同時にスカラー倍算処理を実行することにより、前記入力座標点の前記スカラー倍算値を得るステップとを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
スカラー倍演算部３は入力座標点Ｐ及びＫＢビットのスカラー値ｋを受け、スカラー値ｋをビット列に沿って均等にｎ分割して得られる分割スカラー値ｋ１〜ｋｎ（第１〜第ｎのスカラービット列）を用いてスカラー倍算値ｋ×Ｐを得るスカラー倍算処理を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
第１基板と、
前記第１基板と対向する位置に配置された第２基板と、
前記第１，第２基板間の距離を一定範囲に保持するスペーサ材と、
前記スペーサ材と同じ材料により形成され、かつ、前記第１基板の額縁領域のコーナー部において当該第１基板のマザー基板からの切断ラインの交差部分の周辺領域に形成された切断マークと、
前記第１，第２基板の表示領域を囲むシール材と、
前記スペーサ材と同じ材料により形成され、前記切断ラインに沿って、かつ、前記第１基板において前記切断マークに対して予め定められた間隔をあけて形成された切断補助パターンとを備え、
前記シール材は、前記第１，第２基板の額縁領域のコーナー部において液晶の注入口を形成する２つの突出部を有するように分割され、当該２つの突出部の先端がそれぞれ前記切断マークと前記切断補助パターンに当接するように形成された、液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項３から請求項５のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記切断マークまたは前記切断補助パターンは、前記スペーサ材と同時に形成された、液晶表示装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する位置に配置された第２基板と、前記第１，第２基板の額縁領域のコーナー部に形成されたトランスファ材と、前記第１，第２基板間の距離を一定範囲に保持するスペーサ材と、前記スペーサ材と同じ材料により形成され、かつ、前記第１基板において当該第１基板のマザー基板からの切断ラインと前記トランスファ材との間に形成された切断マークとを備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記切断マークまたは前記切断補助パターンは、前記スペーサ材と同時に形成されたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ＣＦ基板９は、透明基板である厚み０．１ｍｍ程度の極薄ガラスにより形成されたガラス基板５１を備えている。さらに、ＣＦ基板９は、ガラス基板５１の一方の面に液晶を配向させる配向膜５２と、配向膜５２の上部に配置されＴＦＴ基板８上の画素電極４３との間に電界を生じ液晶を駆動する共通電極５３と、共通電極５３の上部に設けられるそれぞれのカラーフィルタ５４間を遮光するため、或いは表示領域３０に対応する領域外側に配置される額縁領域３１を遮光するために設けられる遮光層であるブラックマトリクス（Black Matrix：ＢＭ）５５などを備えている。また、ガラス基板５１の他方の面には、２画面ディスプレイとして、視野方向を２方向に分離する遮光層である視差バリア５６が配置されており、視差バリア５６においては、画素内に配置されるＢＭ５５の開口部とずれた位置にスリット状の開口部が形成され、視野方向を分離し制限している。さらに、視差バリア５６よりも外側（上側）には、偏光板６５が配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
マザーＴＦＴ基板とマザーＣＦ基板１９の製造方法については一般的な方法を用いてもよいため、簡単に説明する。先ず、マザーＴＦＴ基板については、公知の製造方法を利用して、ガラス基板４１の一方の面に、成膜、フォトリソグラフィー法によるパターニング、エッチング等のパターン形成工程を繰り返し用いてＴＦＴ４４および画素電極４３、ゲート配線４６およびソース配線４７などの配線層、さらに信号端子４８、トランスファ電極を形成することにより製造される。