【事件の表示】
　特願２０１３−　２５６８１「半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月１８日出願公開、特開２０１３−１４１０００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２０年（２００８年）１月２３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００７年３月２３日，米国）を出願日とする特願２００８−０１３１３３号（以下，「原出願」という。）の一部を平成２５年２月１３日に新たな出願としたものである。
　そして，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　３月１５日　審査請求・手続補正
平成２５年　９月１９日　手続補正
平成２６年　４月２８日　拒絶理由通知
平成２６年　８月　７日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２５日　拒絶査定
平成２７年　７月１０日　審判請求・手続補正
平成２７年１２月１５日　上申書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年７月１０日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「半導体デバイスであって，
　ＩＩＩ族窒化物系の複数の活性半導体層を備える活性領域と，
　前記活性領域上に設けられたソース電極と，
　前記活性領域上に設けられたドレイン電極と，
　前記活性領域上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた乱平面構造（split-level structure）のゲート電極であって，該ゲート電極はコンタクト部分を備え，前記コンタクト部分は，前記活性領域に電気的に接触するようにされたゲート電極とを備え，
　前記ゲート電極は，拡散障壁を備え，前記拡散障壁は，前記コンタクト部分が当該拡散障壁と前記活性領域との間に置かれるように，前記コンタクト部分上に配設されている，
半導体デバイス。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「半導体デバイスであって，
　ＩＩＩ族窒化物系の複数の活性半導体層を備える活性領域と，
　前記活性領域上に設けられたソース電極と，
　前記活性領域上に設けられたドレイン電極と，
　前記活性領域上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた乱平面構造（split-level structure）
を含む
　前記ゲート電極は，拡散障壁を備え，前記拡散障壁は，前記コンタクト部分が当該拡散障壁と前記活性領域との間に置かれるように，前記コンタクト部分上に配設されて
おり，
　前記乱平面構造は，非平面の上面と非平面の下面とを含む，
（３）補正事項１
　本件補正は，補正前請求項１の「ゲート電極」について，「乱平面構造（split-level structure）
を含む
前記乱平面構造は，非平面の上面と非平面の下面とを含む
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した図１，２，４及び５の記載からみて，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項について限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（再掲）
「半導体デバイスであって，
　ＩＩＩ族窒化物系の複数の活性半導体層を備える活性領域と，
　前記活性領域上に設けられたソース電極と，
　前記活性領域上に設けられたドレイン電極と，
　前記活性領域上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた乱平面構造（split-level structure）を含むゲート電極であって，該ゲート電極はコンタクト部分を備え，前記コンタクト部分は，前記活性領域に電気的に接触するようにされたゲート電極とを備え，
　前記ゲート電極は，拡散障壁を備え，前記拡散障壁は，前記コンタクト部分が当該拡散障壁と前記活性領域との間に置かれるように，前記コンタクト部分上に配設されており，
　前記乱平面構造は，非平面の上面と非平面の下面とを含む，半導体デバイス。」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−０２２７７３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はＧａＮを主材料として含む
，マイクロ波帯で使用される高出力半導体装置に関し，
（イ）「【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は，このような課題を解決するために，
Ｇａ
ｖ
Ａｌ
１−ｖ
（但し，０≦ｖ≦１）をＩＩＩ族側元素の主成分としＮをＶ族側元素の主成分とする化合物半導体から構成された半導体層とこの半導体層に接触するショットキー接合電極とを有する半導体装置において，前記ショットキー接合電極は，前記半導体層と接触する側から第１金属層，第２金属層，第３金属層が順次積層された積層構造からなり
・・・
【０００７】
［作用］
第１金属層から第３金属層までの積層構造において，第２金属層が第１金属と第３金属の相互拡散を抑制し信頼性が向上する。また，第１金属が仕事関数が大きいため，ショットキー障壁が高く，良好なショットキー接触を有する半導体装置が得られる。
（ウ）「【０００８】
【発明の実施の形態】
以下，図面を参照しながら実施例に即くして発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施例）
図１，図２および図３を参照して本発明の第１の実施例を説明する。
図１は，この実施例によるＡｌＧａＮ／ＧａＮ系
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
アンドープのＧａＮチャネル層１３，アンドープのＡｌＧａＮ電子供給層１４の半導体層が順次形成されている。そして，ＡｌＧａＮ電子供給層１４に接してソース電極６Ｓ，ドレイン電極６Ｄが形成され，オーム性接触がとられている。さらに，ＡｌＧａＮ電子供給層１４と接してＮｉ層１７１，Ｍｏ層１７２，Ａｕ層１７３の積層構造からなるゲート電極１７が形成され，このゲート電極は，ショットキー性接触がとられている。
ＧａＮチャネル層１３のＡｌＧａＮ電子供給層１４との界面近傍には２次元電子ガスが形成される。ＨＪＦＥＴは，ゲート電極１７の電位で２次元電子ガス濃度を変調することにより，トランジスタとして動作させることができる。
・・・
【０００９】
ここで，ＡｌＧａＮとＧａＮは格子定数が異なるが，アンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層１４の膜厚３０ｎｍは，転位発生の臨界膜厚以下である。
次に，ＡｌＧａＮ層１４上には，例えば，Ｔｉ／Ａｌなどの金属を蒸着，アロイ処理することにより，ソース電極６Ｓ，ドレイン電極６Ｄをそれぞれ形成し，これら電極は，オーム性接触をとる。最後に，
ＡｌＧａＮ層１４上に，例えば，蒸着・リフトオフ法により，次に示す順および層厚で金属層を順次形成し，ショットキー接触するゲート電極１７を形成する。
【００１０】
Ｎｉ第１金属層（１７１）　　　　　　　　　　　・・・１５ｎｍ
Ｍｏ第２金属層（１７２）　　　　　　　　　　　・・・１５ｎｍ
Ａｕ第３金属層（１７３）　　　　　　　　　　・・・２００ｎｍ
【００１１】
このようにして，図１に示す半導体装置が作製される。
この実施例の特徴は，
ゲート電極１７がＮｉ層１７１，Ｍｏ層１７２，Ａｕ層１７３の積層構造からなることである。Ｍｏは融点が約２６３０℃と高いため，ＮｉとＡｕの相互拡散に対するバリヤとして働く。
（エ）図１には，
ソース電極６Ｓとドレイン電極６Ｄとの間にゲート電極１７が形成される
　イ　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＧａＮチャネル層，ＡｌＧａＮ電子供給層の半導体層が順次形成され，そして，ＡｌＧａＮ電子供給層に接してソース電極，ドレイン電極が形成され，さらに，ソース電極とドレイン電極との間に，ＡｌＧａＮ電子供給層と接してＮｉ層，Ｍｏ層，Ａｕ層の順の積層構造からなるゲート電極が形成され，このゲート電極は，ショットキー接触がとられているヘテロ接合電界効果トランジスタ。」
（３）周知例の記載及び周知技術
　ア　周知例１
　原査定に引用された，原出願の優先日前に外国において頒布された刊行物であるYunju Sun, Lester F. Eastman，Large-signal Performance of Deep Submicrometer AlGaN/AlN/GaN HEMTs With a Field-Modulating Plate，IEEE Transactions on Electron Devices，２００５年　８月，Vol. 52, No. 8，p. 1689-1692（以下，「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（訳は当審において作成した。）
（ア）「I. Introduction
Due to the wide bandgap of the material, 
the GaN-based heterojunction field-effect transistors
high frequency and high power microwave applications
（訳：１．導入
材料の広いバンドギャップにより，
ＧａＮのヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴｓ）
ＧａＮの高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）
高周波で高出力のマイクロ波への応用
（イ）「
For the gate a 0.1μm gate window opening was defined by the e-beam lithography and formed by etching through the silicon nitride using CF
4
-based reactive ion etch (RIE) plasma. Before the second step gate metallization
to fefine a Ni/Au Schottky gate with different overhang on the source and drain side, respectively, as depicted in Fig.1
the dielectric thickness, field plate extension
can be well defined and controlled independently in order to increase the breakdown drain voltage.
（訳：
ゲートのために，０．１μｍのゲート開口が，電子線ビームリソグラフィにより輪郭を定められ，ＣＦ４を主とした反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プラズマを用いた窒化シリコン層へのエッチングで形成される。２回目のゲート金属被覆
２回目の電子線ビームリソグラフィー工程により，図１に描かれるように，それぞれソース及びドレイン側へ異なる張り出しを有するＮｉ／Ａｕショットキーゲートが輪郭を定められる
破壊ドレイン電圧を高めるため，誘電体層の厚さ，フィールドプレートの延長
が独立に十分に限定され制御されることが可能である。
（ウ）図１には，
フィールドプレート延長部(Field plate extension)を有するゲートが延長部に対し乱平面となる
　イ　周知例２
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００７−５０５５０１号公報（以下，「周知例２」という。）には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【０００２】
　本発明は，トランジスタに関し，より具体的には
フィールドプレートを用いるトランジスタ
・・・
【０００５】
　
ＡｌＧａＮ／ＧａＮなどのワイドバンドギャップ半導体の製造における改良は，高周波数・高温・および大電力アプリケーションのため
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴが非常に高い電圧および大電力での動作をＲＦ，マイクロ波，およびミリ波周波数で提供できる
（イ）「【００１７】
　ＨＥＭＴおよびＭＥＳＦＥＴの両方についてのこの
フィールドプレートの配置は，フィールドプレートを有しないデバイスと比較してデバイス内のピーク電界を低減し，降伏電圧の増加およびトラッピングの低減という結果を生じさせることができる。電界の低減は，リーク電流の低減および信頼性の向上などの他の利益ももたらす。
【００１８】
　
図１および２は，本発明による窒化物ベースの基板１２を備えるＨＥＭＴ１０
・・・
【００２１】
　ＨＥＭＴ１０は，核生成層１４上に形成された高抵抗バッファ層１６をさらに備え，適切なバッファ層１６はＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）などのＩＩＩ族窒化物材料からなる。本発明による別の実施形態で，
バッファ層１６は，膜厚およそ２μｍで層の一部にＦｅがドープされたＧａＮ層からなる。
【００２２】
　バリア層１８が，バッファ層１６がバリア層１８と核生成層１４との間にはさまれるように，バッファ層上に形成されている。バッファ層１６およびバリア層１８のそれぞれは，ドープされた又はアンドープのＩＩＩ族窒化物材料からなることができる。バリア層１８は，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＡｌＮ，またはそれらの組み合わせなどの異なる材料の１つまたは複数の層からなることができる。一実施形態で，バリア層１８は，０．８ｎｍのＡｌＮおよび２２．５ｎｍのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（フォトルミネッセンスによる測定でｘ≒０．１９５）からなる。例示的構造は，特許文献１，７，８，９，および１０に示されており，それらのそれぞれは本明細書で完全に記載されたかのように参照により組み込まれる。他の窒化物ベースのＨＥＭＴ構造は，特許文献１１および１２に示されており，それらのそれぞれは本明細書で完全に記載されたかのように参照により組み込まれる。バッファ層１６およびバリア層１８は，核生成層１４の成長に用いられたのと同一の方法を用いてつくることができる。
二次元電子ガス（２ＤＥＧ）層／チャネル１７が，バッファ層１６とバリア層１８との間のヘテロ界面に形成されている。
【００２３】
　金属のソースコンタクト２０およびドレインコンタクト２２が形成され，バリア層１８を通過してオーミックコンタクトをつくる。スペーサ層２４が，ソースコンタクトとドレインコンタクトとの間のバリア層１８の表面に形成されることができる。
スペーサ層２４は，誘電体（ＳｉＮまたはＳｉＯ）
スペーサ層２４は，主にフィールドプレートをその上に堆積できるように配置され，フィールドプレートはゲート２６からドレインコンタクト２２に向かって延びている。
【００２４】
　スペーサ層２４がソースコンタクトとドレインコンタクトとの間のバリア層１８を覆う
実施形態で，
スペーサ層２４をバリア層１８までエッチングし，ゲート電極２６の底面がバリア層１８の表面上にあるようにゲート電極２６を堆積することができる。
【００２５】
　
フィールドプレート２８は，ゲート電極を形成している金属をパターニングし，ゲート２６の上部がゲート２６の端からドレイン２２に向かって距離Ｌｆ延びているフィールドプレート構造２８を形成するように，スペーサ層２４にわたり延びているようにすることによって，ゲートの一部として形成されることができる。言い換えると，スペーサ層２４上のゲート金属の一部が，フィールドプレート２８を形成する。
【００２６】
　ゲート２６が適切なレベルにバイアスされているとき，ソートコンタクト２０とドレインコンタクト２２との間を２ＤＥＧ層／チャネル１７を介して電流が流れることができる。ソートコンタクト２０およびドレインコンタクト２２は，チタン，アルミニウム，金，またはニッケルの合金を含むがこれらに制限されない異なる材料から作られることができる。ゲート２６もまた，金，ニッケル，白金，パラジウム，イリジウム，チタン，クロム，チタンとタングステンの合金，または白金シリサイドを含むがこれらに制限されない異なる材料から作られることができる。ゲート２６は，多くの異なる長さをとることができ，ゲート長の適切な範囲は０．０１から２ミクロンである。本発明による一実施形態で，好ましいゲート長（Ｌｇ）はおよそ０．５ミクロンである。いくつかの実施形態で，
フィールドプレート２８はゲート２６の延長として同一の堆積ステップで形成される。
（ウ）図２には，
ゲート２６が，その端から延びているフィールドプレート構造２８を有し，フィールドプレート構造に対し乱平面となる
　ウ　周知技術
　前記ア及びイより，次の事項（以下，「周知技術」という。）は原出願の優先日前に周知技術であったと認められる。
「高出力のマイクロ波に用いられるＧａＮのヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて，ゲートの延長部を耐圧を高めるためのフィールドプレートとし，誘電体層に開口を形成し金属層を堆積させてゲートとフィールドプレートを形成すること。」
（４）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「ヘテロ接合電界効果トランジスタ」は本願補正発明の「半導体デバイス」に相当すると認められる。
　イ　引用発明の「ＧａＮチャネル層及びＡｌＧａＮ電子供給層」は，その界面近傍に２次元電子ガスが形成され，２次元電子ガス濃度を変調することにより，トランジスタとして動作させるものである（前記（２）ア（ウ）【０００８】）ので，「活性領域」ということができ，これは本願補正発明の「ＩＩＩ族窒化物系の複数の活性半導体層を備える活性領域」に相当する。
　ウ　引用発明の「ＡｌＧａＮ電子供給層に接して」形成された「ソース電極，ドレイン電極」はそれぞれ，本願補正発明の「前記活性領域上に設けられたソース電極」及び「前記活性領域上に設けられたドレイン電極」に相当すると認められる。
　エ　引用発明の「ゲート電極」は，「ソース電極とドレイン電極との間に，ＡｌＧａＮ電子供給層と接して」形成されるから，下記相違点を除いて本願補正発明の「前記活性領域上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極」に相当すると認められる。
　オ　そして，引用発明の「Ｎｉ層」は「ゲート電極」を構成し，「ＡｌＧａＮ電子供給層と接して」，「ゲート電極は，ショットキー性接触がとられている」から，本願補正発明の「コンタクト部分」に相当し，本願補正発明における「該ゲート電極はコンタクト部分を備え，前記コンタクト部分は，前記活性領域に電気的に接触するようにされたゲート電極」を満たすものと認められる。
　カ　引用発明の「Ｍｏ層」は「ゲート電極」を構成し，ＮｉとＡｕの相互拡散に対するバリヤとして働く（前記（２）ア（ウ）【００１１】）から，「拡散障壁」ということができ，この「Ｍｏ層」はコンタクト部分に相当する「Ｎｉ層」の上にあり，「Ｎｉ層」が「Ｍｏ層」と「ＡｌＧａＮ電子供給層」の間にあるように積層されているから，本願補正発明の「前記ゲート電極は，拡散障壁を備え，前記拡散障壁は，前記コンタクト部分が当該拡散障壁と前記活性領域との間に置かれるように，前記コンタクト部分上に配設され」を満たすものと認められる。
　キ　前記アないしカを前提とすると，本願補正発明と引用発明とは下記クの点で一致し，ケの点で相違すると認められる。
　ク　一致点
「半導体デバイスであって，
　ＩＩＩ族窒化物系の複数の活性半導体層を備える活性領域と，
　前記活性領域上に設けられたソース電極と，
　前記活性領域上に設けられたドレイン電極と，
　前記活性領域上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極であって，該ゲート電極はコンタクト部分を備え，前記コンタクト部分は，前記活性領域に電気的に接触するようにされたゲート電極とを備え，
　前記ゲート電極は，拡散障壁を備え，前記拡散障壁は，前記コンタクト部分が当該拡散障壁と前記活性領域との間に置かれるように，前記コンタクト部分上に配設されている，
半導体デバイス。」
　ケ　相違点
　本願補正発明の「ゲート電極」は「乱平面構造（split-level structure）を含む」もので「前記乱平面構造は，非平面の上面と非平面の下面とを含む」ものであるのに対し，引用発明の「ゲート電極」は乱平面構造ではない点。
（５）相違点についての検討
　前記（３）で認定したように，高出力のマイクロ波に用いられるヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて，耐圧を高めるために，ゲートの延長部をフィードプレートとすることは周知技術である。そして，引用発明のヘテロ接合電界効果トランジスタも高出力のマイクロ波に用いられるもの（前記（２）ア（ア））であるから，耐圧を高めるという課題を内包していることは当業者が容易に了解するところであり，してみると，耐圧を高めるという課題を解決するために，引用発明１において周知技術を採用することは，当業者が容易になし得ることである。そして，この際に，フィールドプレートとなるゲートの延長部を製造するために，誘電体層に開口を形成し金属層を堆積するという周知技術の製法で製造すれば，金属層が誘電体層の開口に落ち込んで形成されるから，その上面と下面が非平面となることは当業者が普通に導出できることである。
　したがって，ＧａＮのヘテロ接合電界効果トランジスタである引用発明に周知技術を採用して相違点に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
（６）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明の構成及び周知技術から，当業者が予測できるものであり，格別のものではない。
（７）まとめ
　よって，本願補正発明は，引用発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
３　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年７月１０日にされた手続補正は前記第２のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「半導体デバイスであって，
　ＩＩＩ族窒化物系の複数の活性半導体層を備える活性領域と，
　前記活性領域上に設けられたソース電極と，
　前記活性領域上に設けられたドレイン電極と，
　前記活性領域上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた乱平面構造（split-level structure）のゲート電極であって，該ゲート電極はコンタクト部分を備え，前記コンタクト部分は，前記活性領域に電気的に接触するようにされたゲート電極とを備え，
　前記ゲート電極は，拡散障壁を備え，前記拡散障壁は，前記コンタクト部分が当該拡散障壁と前記活性領域との間に置かれるように，前記コンタクト部分上に配設されている，
半導体デバイス。」
２　判断
　前記第２の１（３）のとおり，本願発明は，本願補正発明の発明特定事項についての限定を取り除いたものであり，本願発明にさらに発明特定事項についての限定を付加したものに相当する本願補正発明が，前記第２の２（７）のとおり，引用発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により引用発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。