【事件の表示】
　特願２０１５−　１１５８８「表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月２６日出願公開、特開２０１６−　９６５２９、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年１月２３日（パリ条約による優先権主張２０１４年１１月１３日　韓国）の出願であって、平成２７年８月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１５日付けで意見書が提出され、平成２８年１月８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年５月１３日付けで拒絶査定されたところ、同年９月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年５月１３日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１、２、４−８、１０、１１に係る発明は、以下の引用文献１、２に基づいて、また、本願請求項３、９に係る発明は、以下の引用文献１−３に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開平１１−０４１０５５号公報
２．特開平６−２４４２３５号公報
３．特開２００１−１８９４２１号公報
第３　本願発明
　審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえないから、本願請求項１−１１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１１」という。）は、平成２８年９月１６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１１に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明と認める。
「　【請求項１】
　基板上に形成される第１の金属層と、
　前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
　前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、
　前記絶縁層は、前記基板上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設され、
　前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成されて前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドをさらに有し、
　前記第２の金属層は、前記パッドと同じ金属物質により形成され、
　前記第１の金属層及び前記櫛形電極（ＩＤＴ）は第１の同一形成層から成り、前記第２の金属層及び前記パッドは第２の同一形成層から成ることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
　　【請求項２】
　前記第１の金属層は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）と同じ物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
　　【請求項３】
　前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
　　【請求項４】
　前記第２の金属層は、前記第１の金属層とは異なる金属物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
　　【請求項５】
　前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることを特徴とする請求項４に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
　　【請求項６】
　基板上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）と、
　前記基板上に形成される第１の金属層と、
　前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
　前記絶縁層の上部に形成されて前記第１の金属層と全部又は一部が重なり合う第２の金属層と、
　前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドと、を有し、
　前記パッドは、前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成され、
　前記第２の金属層は、前記パッドと同じ金属物質により形成され、
　前記第１の金属層及び前記櫛形電極（ＩＤＴ）は第１の同一形成層から成り、前記第２の金属層及び前記パッドは第２の同一形成層から成ることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。
　　【請求項７】
　基板の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタの第１の金属層を形成するステップと、
　前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に絶縁層を形成するステップと、
　前記絶縁層の上部にパッド及び第２の金属層を形成するステップと、
を含み、
　前記第２の金属層は、前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合い、前記パッドとは重なり合わないように形成され、
　前記パッド及び前記第２の金属層は、同じ金属物質により形成され、
　前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は同時に形成され、前記パッド及び前記第２の金属層は同時に形成されることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
　　【請求項８】
　前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、同じ金属物質により形成されることを特徴とする請求項７に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
　　【請求項９】
　前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成されることを特徴とする請求項８に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
　　【請求項１０】
　前記パッド及び前記第２の金属層を形成する金属物質は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層を形成する金属物質とは異なることを特徴とする請求項７に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
　　【請求項１１】
　前記パッド及び前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることを特徴とする請求項７に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。」
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開平１１−０４１０５５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等に用いられる弾性表面波（ＳＡＷ）チップに形成されるＳＡＷフィルタに係り、特に、そのＳＡＷフィルタの薄膜構造に関するものである。
・・・・・・
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、チップ内のＳＡＷフィルタに薄膜コンデンサを組み込み、特性の向上、小形化及びコストの低減化を図ることができる弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。」
イ．「【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＳＡＷフィルタの構成図、図２は図１のＡ−Ａ′断面図、図３は図１のＢ−Ｂ′断面図、図４は図１のＣ−Ｃ′断面図である。これらの図において、１０は圧電基板、１１はＩＤＴ、１２はＧＮＤ導体パターン膜電極、１３は入力導体パターン膜、１４はＧＮＤ導体パターン膜、１５は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜、１６は入力導体パターン膜電極である。
【００１１】この実施例のＳＡＷフィルタは、圧電基板１０上に形成されるＩＤＴ１１と、このＩＤＴ１１上に形成される薄膜酸化シリコン膜１５と、前記ＩＤＴ１１の一方に接続される入力導体パターン膜１３と、この入力導体パターン膜１３に接続されるとともに、前記薄膜酸化シリコン膜１５の上部に接続される入力導体パターン膜電極１６と、前記ＩＤＴ１１のもう一方に接続されるＧＮＤ導体パターン膜１４と、このＧＮＤ導体パターン膜１４に接続されるとともに、前記薄膜酸化シリコン膜１６の下部であって、前記入力導体パターン膜電極１６と少なくとも一部が対向するように配置されるＧＮＤ導体パターン膜電極１４（当審注：「ＧＮＤ導体パターン膜電極
１２
【００１２】ここで、ＧＮＤ導体パターン膜電極１２と入力導体パターン膜電極１６とによって挟まれる対向部分には薄膜コンデンサ形成部１７が構成される。ここで、入力導体パターン膜１３、ＧＮＤ導体パターン膜電極１２、ＩＤＴ１１、ＧＮＤ導体パターン膜電極１６は、それぞれ薄膜Ａｌで形成され、入力導体パターン膜電極１６は薄膜Ａｕで形成される。
【００１３】また、上記薄膜コンデンサ形成部１７の容量は、対向する入力導体パターン膜電極１６とＧＮＤ導体パターン膜電極１２との対向面積又は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜１５の膜厚で調整することができる。このように、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜１５は、ＩＤＴ１１を覆い、また、薄膜コンデンサ形成のためＧＮＤ導体パターン膜電極１６を覆うように形成される。また、入力導体パターン膜１３、ＧＮＤ導体パターン膜１４はこれに必要な範囲で覆われる。」
ウ．図１−図４として以下の図面が記載されている。
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「　圧電基板１０上に形成されるＧＮＤ導体パターン膜電極１２と、
　前記ＧＮＤ導体パターン膜電極１２上に形成される薄膜酸化シリコン膜１５と、
　前記薄膜酸化シリコン膜１５に前記ＧＮＤ導体パターン膜電極１２と少なくとも一部が対向するように配置される入力導体パターン膜電極１６とを有し、
　前記圧電基板１０上に形成されるＩＤＴ１１上に前記薄膜酸化シリコン膜１５が延在する、
ＳＡＷフィルタ用薄膜コンデンサ。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平６−２４４２３５号公報）の段落【０００１】、段落【００１０】−段落【００１６】及び図１の記載からみて、当該引用文献２には、「複数のアルミ配線を有する半導体集積回路における入出力用パッドの配置と構造に関し、出力パッドを半導体集積回路の上部に前記複数のアルミ配線の内の一つのアルミ配線により構成する。」という技術的事項（以下、「引用技術」という。）が記載されていると認められる。
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１を引用発明と対比すると、次のことがいえる。
　引用発明における「圧電基板１０」、「ＧＮＤ導体パターン膜電極１２」、「薄膜酸化シリコン膜１５」、及び「ＩＤＴ１１」は、それぞれ本願発明１における「基板」、「第１の金属層」、「絶縁層」、及び「櫛形電極（ＩＤＴ）」に相当する。
　引用発明における「入力導体パターン膜電極１６」は、「前記ＧＮＤ導体パターン膜電極１２と少なくとも一部が対向するように配置される」から、本願発明における「絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される」「第２の金属層」に相当する。
　引用発明の「ＳＡＷフィルタ用薄膜コンデンサ」は、後述する点で相違するものの、本願発明の「表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ」に対応する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「　基板上に形成される第１の金属層と、
　前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
　前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、
　前記絶縁層は、前記基板上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設されることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。」
（相違点）本願発明１は、
「　前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成されて前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドをさらに有し、
　前記第２の金属層は、前記パッドと同じ金属物質により形成され、
　前記第１の金属層及び前記櫛形電極（ＩＤＴ）は第１の同一形成層から成り、前記第２の金属層及び前記パッドは第２の同一形成層から成る」のに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
　上述したように「複数のアルミ配線を有する半導体集積回路における入出力用パッドの配置と構造に関し、出力パッドを半導体集積回路の上部に前記複数のアルミ配線の内の一つのアルミ配線により構成する。」との技術（引用技術）が公知である。しかしながら、引用技術に係る半導体集積回路は、半導体基板上に拡散層や絶縁層などを積層した構造を有するのに対して、引用発明は積層構造は有するもののＳＡＷフィルタに係るものであり、基板として圧電基板を用い、ＩＤＴにより発生する表面波の圧電基板上の伝搬を利用するものである。そうしてみると、引用発明に係るＳＡＷフィルタは、半導体集積回路と基板の素材や動作原理が異なり、また圧電基板上の表面波を取り扱うため、これに影響を与えないような構造が必要であることなどを考慮すると、このような構造上の違いに配慮することなく、積層構造を有する点では類似する半導体集積回路に係る引用技術を、ＳＡＷフィルタに係る引用発明に即座に適用可能ということはできない。
　また、当該引用技術を引用発明に適用して「薄膜酸化シリコン膜１５」（本願発明の「絶縁層」に相当。）上にアルミ配線により出力パッドを設けたとしても、当該アルミ配線と「入力導体パターン膜電極１６」（本願発明の「第２の金属層」に相当。）を同一形成層から構成することに関し、引用技術及び引用発明には記載も示唆もされていないことから、当該アルミ配線と入力導体パターン膜電極１６を同一形成層から構成することは、当業者が容易に想到できたということはできない。
　したがって、本願発明１は、引用発明及び引用技術から容易に発明をすることができたものとはいえない。
２．本願発明２−５について
　本願発明２−５も、上記相違点と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明６について
　本願発明６は、「表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ」に係る発明であり、本願発明１に係る「表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ」と同一の構成を含むものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４．本願発明７−１１について
　本願発明７は、本願発明６の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法に係る発明であるから、相違点に係る構成を製造することが容易とはいえない以上、これを製造する方法も引用発明及び引用技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　また、本願発明８−１１も本願発明７の「表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明７と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
　上記「第５　対比・判断」で検討したように、引用発明に引用技術を適用することはできず、仮に適用できたとしても、審判請求時の補正により、本願発明１−６は「前記第１の金属層及び前記櫛形電極（ＩＤＴ）は第１の同一形成層から成り、前記第２の金属層及び前記パッドは第２の同一形成層から成る」という事項を、本願発明７−１１は「前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は同時に形成され、前記パッド及び前記第２の金属層は同時に形成される」という事項を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−３に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。