【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
近年では、電子線やＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）を用いるリソグラフィー技術が注目されている。電子線又はＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程では、下地基板、電子線、又はＥＵＶによって及ぼされる悪影響によって、レジストパターンが裾引き形状やアンダーカット形状になり、良好な矩形形状のレジストパターンを形成することができない、パターン形状が悪いためパターン側壁ラフネス（ラインエッジラフネス、ＬＥＲ）が大きくなる、ラインワイズラフネス（ＬＷＲ）が悪くなる、レジストパターンと基板の密着性が十分でなく、パターン倒れを引き起こす、焦点深度が小さい、感度が低い、エッチング速度が低いなどの問題が生じることがある。そのため、電子線又はＥＵＶリソグラフィー工程では、従来の反射防止能を有するレジスト下層膜（反射防止膜）の代わりに、これらの悪影響を低減して、良好なレジストパターンを形成することを可能にする電子線又はＥＵＶリソグラフィー用レジスト下層膜が必要となってくる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によるデンドリマー化合物は、下記式（１）：
Ａｒ１（−Ｚ１）ｍ１ーｋ１（−Ｌ１’ｐ１−Ｌ１−Ｌ１’ｐ１−Ａ）ｋ１    （１）
［式（１）中、
Ａｒ１は、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、およびアントラセン骨格からなる群から選択される芳香族性骨格であり、
Ｚ１は、水素、炭素数１〜３の炭化水素基またはハロゲンであり、それぞれのＺ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ１は、アミド結合またはエステル結合であり、それぞれのＬ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ１’は、炭素数１〜３の炭化水素鎖、炭素数１〜３の酸素含有炭化水素鎖、および炭素数１〜３の硫黄含有炭化水素鎖からなる群から選択される２価の連結基であり、Ｌ１’は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、それぞれのＬ１’は同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１は、Ａｒ１がベンゼン骨格である場合には６、Ａｒ１がナフタレン骨格である場合には８、Ａｒ１がアントラセン骨格である場合には１０であり
ｋ１は、２以上、ｍ１以下の数であり、
ｐ１は０または１であり、それぞれのｐ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ａは、下記式（２）：
−Ａｒ２（−Ｚ２）ｍ２ーｋ２（−Ｌ２’−Ｌ２−Ｌ２’−Ｂ）ｋ２    （２）
｛式（２）中、
Ａｒ２は、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、およびアントラセン骨格からなる群から選択される芳香族性骨格であり、
Ｚ２は、水素、炭素数１〜３の炭化水素基またはハロゲンであり、それぞれのＺ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ２は、アミド結合またはエステル結合であり、それぞれのＬ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ２’は、炭素数１〜４の炭化水素鎖、炭素数１〜４の酸素含有炭化水素鎖、および炭素数１〜４の硫黄含有炭化水素鎖からなる群から選択される２価の連結基であり、Ｌ２’は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、それぞれのＬ２’は同一であっても異なっていてもよく、
ｍ２は、Ａｒ２がベンゼン骨格である場合には５、Ａｒ２がナフタレン骨格である場合には７、Ａｒ２がアントラセン骨格である場合には９であり、
ｋ２は、１以上、ｍ２以下の数であり、
ｐ２は０または１であり、それぞれのｐ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｂは、前記式（２）で表される基であるか、下記式（３Ａ）または（３Ｂ）：
−Ａｒ３（−Ｚ３）ｍ３  （３Ａ）
−Ｒ３  （３Ｂ）
（式中、
Ａｒ３は、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、およびアントラセン骨格からなる群から選択される芳香族性骨格であり、
Ｚ３は、水素、炭素数１〜４の炭化水素基、ハロゲン、カルボキシル基、およびエステル基からなる群から選択される基であり、それぞれのＺ３は同一であっても異なっていてもよく、
ｍ３は、Ａｒ３がベンゼン骨格である場合には５、Ａｒ３がナフタレン骨格である場合には７、Ａｒ３がアントラセン骨格である場合には９である）、
Ｒ３は、炭素数１〜４の炭化水素基であり、前記炭化水素基はハロゲンによって置換されていてもよい）で表される基である｝で表される基である］
で表されることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ｍ２は、Ａｒ２がベンゼン骨格である場合には５、Ａｒ２がナフタレン骨格である場合には７、Ａｒ２がアントラセン骨格である場合には９である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ｋ２は、１以上、ｍ２以下の数である。式（２）で表される基Ａは、ｋ２が２以上である場合にさらなる分岐鎖状構造を形成することができる。本発明において式（１）に示される化合物が下層膜形成用組成物に用いたときに優れた効果を奏するためには、分岐鎖状構造を有していることが必要である。しかしながら、過度に分岐鎖状構造を有すると、立体障害などによって所望の効果が得られないことがあるので、ｋ２は３以下であることが好ましく、２であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ｍ３は、Ａｒ３がベンゼン骨格である場合には５、Ａｒ３がナフタレン骨格である場合には７、Ａｒ３がアントラセン骨格である場合には９である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）：
Ａｒ１（−Ｚ１）ｍ１−ｋ１（−Ｌ１’ｐ１−Ｌ１−Ｌ１’ｐ１−Ａ）ｋ１    （１）
［式（１）中、
Ａｒ１は、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、およびアントラセン骨格からなる群から選択される芳香族性骨格であり、
Ｚ１は、水素、炭素数１〜３の炭化水素基またはハロゲンであり、それぞれのＺ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ１は、アミド結合またはエステル結合であり、それぞれのＬ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ１’は、炭素数１〜３の炭化水素鎖、炭素数１〜３の酸素含有炭化水素鎖、および炭素数１〜３の硫黄含有炭化水素鎖からなる群から選択される２価の連結基であり、Ｌ１’は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、それぞれのＬ１’は同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１は、Ａｒ１がベンゼン骨格である場合には６、Ａｒ１がナフタレン骨格である場合には８、Ａｒ１がアントラセン骨格である場合には１０であり
ｋ１は、２以上、ｍ１以下の数であり、
ｐ１は０または１であり、それぞれのｐ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ａは、下記式（２）：
−Ａｒ２（−Ｚ２）ｍ２−ｋ２（−Ｌ２’ｐ２−Ｌ２−Ｌ２’ｐ２−Ｂ）ｋ２    （２）
｛式（２）中、
Ａｒ２は、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、およびアントラセン骨格からなる群から選択される芳香族性骨格であり、
Ｚ２は、水素、炭素数１〜３の炭化水素基またはハロゲンであり、それぞれのＺ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ２は、アミド結合またはエステル結合であり、それぞれのＬ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ２’は、炭素数１〜４の炭化水素鎖、炭素数１〜４の酸素含有炭化水素鎖、および炭素数１〜４の硫黄含有炭化水素鎖からなる群から選択される２価の連結基であり、Ｌ２’は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、それぞれのＬ２’は同一であっても異なっていてもよく、
ｍ２は、Ａｒ２がベンゼン骨格である場合には５、Ａｒ２がナフタレン骨格である場合には７、Ａｒ２がアントラセン骨格である場合には９であり、
ｋ２は、１以上、ｍ２以下の数であり、
ｐ２は０または１であり、それぞれのｐ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｂは、前記式（２）で表される基であるか、下記式（３Ａ）または（３Ｂ）：
−Ａｒ３（−Ｚ３）ｍ３      （３Ａ）
−Ｒ３      （３Ｂ）
（式中、
Ａｒ３は、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、およびアントラセン骨格からなる群から選択される芳香族性骨格であり、
Ｚ３は、水素、炭素数１〜４の炭化水素基、ハロゲン、カルボキシル基、およびエステル基からなる群から選択される基であり、それぞれのＺ３は同一であっても異なっていてもよく、
ｍ３は、Ａｒ３がベンゼン骨格である場合には５、Ａｒ３がナフタレン骨格である場合には７、Ａｒ３がアントラセン骨格である場合には９である）、
Ｒ３は、炭素数１〜４の炭化水素基であり、ハロゲンによって置換されていてもよい）で表される基である｝で表される基である］
で表されることを特徴とする、デンドリマー化合物。
【請求項２】
前記ｐ１のすべてが０である、請求項１に記載のデンドリマー化合物。
【請求項３】
第１０世代以下である、請求項１または２に記載のデンドリマー化合物。
【請求項４】
前記Ａｒ１がベンゼン骨格であり、ｋ１が３である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデンドリマー化合物。
【請求項５】
前記Ｚ３がカルボキシル基、フッ素、またはヨウ素である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデンドリマー化合物。
【請求項６】
前記Ｒ３が、フッ素化されたアルキル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデンドリマー化合物。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のデンドリマー化合物、架橋剤、熱酸発生剤、および溶媒を含んでなることを特徴とする下層膜形成組成物。
【請求項８】
請求項７に記載の下層膜形成組成物を基板上に塗布し、加熱することによって形成されたことを特徴とする、下層膜の形成方法。
【請求項９】
請求項７に記載の下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成して下層膜を形成する工程、
前記下層膜上にフォトレジスト層を形成する工程、
前記下層膜と前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、および
前記露光後に現像液で現像する工程
を含んでなることを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項１０】
前記露光が電子線からＫｒＦエキシマレーザーの波長の光により行われる請求項９に記載のパターン形成方法。