【事件の表示】
　特願２０１２−５２４５１８「原盤の製造方法、配向膜の製造方法、位相差板の製造方法および表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月１９日国際公開，ＷＯ２０１２／００８３２６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１１年７月５日（優先権主張平成２２年７月１２日）を国際出願日とする出願であって，平成２７年４月２８日付けで拒絶理由が通知され，同年７月６日に意見書及び手続補正書が提出され，同年１２月７日付けで拒絶理由が通知されたが，請求人からの応答はなく，平成２８年４月１１日付けで拒絶査定がなされたものである。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，同年７月１９日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２９年６月２日付けで拒絶理由が通知され，同年８月７日に意見書及び手続補正書が提出された。
２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は，平成２９年８月７日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ，請求項１の記載は次のとおりである。
「フェムト秒レーザを用いて，０．１２Ｊ／ｃｍ２以下のフルエンスを有する直線偏光のレーザ光を基材表面に照射すると共に走査することにより，前記レーザ光の波長の半分以下のピッチの凹凸を有するパターンを描画する原盤の製造方法であって，
　前記凹凸を，前記レーザ光の偏光方向と平行な方向に延在させ，
　前記フルエンスの下限は，０．０４Ｊ／ｃｍ２であり，
　前記原盤は，ＳＵＳまたはＮｉＰからなり，
　前記レーザ光の繰り返し周波数が，１０００Ｈｚ以上である，製造方法。」（以下，当該請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
３　当審において通知された拒絶理由の概要
　当審において平成２９年６月２日付けで通知された拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）は，概略，本願の各請求項（平成２９年８月７日提出の手続補正書による補正前の各請求項）に係る発明は，引用文献１（国際公開第２０１０／０３２５４０号）に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願は特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
４　引用例
（１）引用文献１
　ア　引用文献１の記載
　引用文献１（国際公開第２０１０／０３２５４０号）は，本願の優先権主張の日（以下，「本願優先日」という。）より前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となったものであって，当該引用文献１には次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「技術分野
［０００１］　本発明は，液晶材料を用いた位相差板およびその製造方法，並びにこのような位相差板を用いた表示装置に関する。
背景技術
［０００２］　近年，
３次元表示が可能なディスプレイの
位相差板
［０００３］　例えば，特許文献１，２では，液晶材料や位相差材料を，フォトレジストなどを用いて部分的にパターニングすることにより，上記のような位相差板を作製する手法が開示されている。ところが，このような手法では，プロセスステップ数が多く，低コストで製造しにくいという問題があった。そこで，特許文献３には，光配向膜を用いてパターニングを行うことにより位相差板を作製する手法が開示されている。具体的には，基板上に光配向膜を形成したのち，この光配向膜を，偏光紫外線を用いてパターニングする。こののち，パターニングした光配向膜上に，重合性を有する液晶材料（以下，液晶性モノマーという）を塗布し，液晶分子を所望の方向に配向させる。こののち，紫外線を照射して液晶性モノマーを重合させることにより，位相差板を作製する。また，液晶ディスプレイにおいては，ポリイミド配向膜にラビング処理を施すことによりパターニングを行う手法がよく用いられている。
・・・（中略）・・・
［０００４］　しかしながら，上記特許文献３の光配向膜を用いる手法や，ポリイミド配向膜にラビング処理を施す手法では，配向膜において光吸収や色づきが生じて透過率が低下し，利用効率が低下してしまうという問題があった。また，光配向膜による手法では，パターニングの際に偏光紫外線を用いて部分照射を行う必要があるため，プロセスステップ数が多くなるという問題があった。
［０００５］　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，簡易な工程で製造することができると共に，光利用効率の低下を抑制することが可能な位相差板およびその製造方法並びに表示装置を提供することにある。
・・・（中略）・・・
［００１０］　本発明の位相差板の製造方法は，基板の表面に，特定の方向に延在する複数の溝を形成する工程と，複数の溝を形成した基板の表面に接して，重合性を有する液晶材料を塗布する工程と，液晶材料を重合させる工程とを含むものである。
［００１１］　本発明の位相差板の製造方法では，複数の溝を形成した基板の表面に，重合性を有する液晶材料を塗布することにより，液晶分子は，溝の形状により溝の延在方向に基づいて配向する。その後，上記液晶材料を重合させることにより，液晶分子の配向状態が固定される。
・・・（中略）・・・
［００１３］　本発明の位相差板および位相差板の製造方法によれば，複数の溝を有する基板表面に接して
位相差層
重合性液晶材料を配向させている
（イ）　「図面の簡単な説明
［００１４］・・・（中略）・・・
［図３０］変形例１０に係る型の製造に際して用いる超短パルスレーザのビームスポットの強度分布を表す図である。
［図３１］図３０のビームスポットのスキャン手順の一例を表す図である。
・・・（中略）・・・
［図３３］変形例１０に係る型の製造に際して用いる装置の一例を表す図である。」
（ウ）　「発明を実施するための形態
［００１５］　以下，本発明の実施の形態について，図面を参照して詳細に説明する。・・・（中略）・・・
［００１６］　位相差板１０の構成
・・・（中略）・・・位相差板１０では，基板１１の表面に溝領域１１Ａ，１１Ｂがパターニングされており，この基板１１の表面に接して位相差層１２が形成されている。
・・・（中略）・・・
［００１９］　
溝領域１１Ａ，１１Ｂは，基板１１の表面において，例えばストライプ状に，交互に配列している。
溝領域１１Ａは，複数の溝１１１ａが配列したものであり，これら複数の溝１１１ａは，互いに同一の方向ｄ１に沿って延在している。溝領域１１Ｂは，複数の溝１１１ｂが配列したものであり，これら複数の溝１１１ｂが互いに同一の方向ｄ２に沿って延在している。
［００２６］位相差板１０の製造方法
　次いで，上記位相差板１０の製造方法について説明する。最初に，
熱転写法により基板１１を製造する
２Ｐ成型法
により基板１１を製造する
・・・（中略）・・・
［００２９］　図７は，２Ｐ成型法により基板１１を製造する装置の一例を表したものである。２Ｐ成型法では，例えば，基材上に紫外線や電子線で硬化する樹脂材料を塗布して樹脂層を形成し，形成した樹脂層の上から溝領域の反転パターンを有する型を押し当てる。この後，紫外線や電子線などのエネルギー線を照射して樹脂層を硬化させることにより，型のパターンを樹脂層の表面に転写するようにしている。・・・（中略）・・・
［００８８］（変形例１０）
　変形例１０に係る位相差板の製造方法では，図２１に示した型２１０のパターン領域２１０Ａ，２１０Ｂを，例えば，ＳＵＳ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅなどの金属等に，
パルス幅が１ピコ秒（１０
−１２
秒）以下の超短パルスレーザ，いわゆるフェムト秒レーザ
［００８９］　このとき，レーザ波長，繰り返し周波数，パルス幅，ビームスポット形状，偏光，サンプルへ照射するレーザ強度，レーザの走査速度等を適宜設定することにより，所望の凹凸を有するパターン領域２１０Ａ，２１０Ｂを形成することができる。また，レーザ光の偏光を直線偏光とし，その偏光方向角度を凸（凹）部の延在方向ｄ１，ｄ２とそれぞれ直交する方向に設定する。
［００９０］　レーザ加工に用いるレーザの波長は，例えば８００ｎｍである。ただし，レーザ加工に用いるレーザの波長は，４００ｎｍや２６６ｎｍなどでもかまわない。繰り返し周波数は，加工時間を考慮すると大きいほうが好ましいが，繰り返し周波数が１０００Ｈｚや２０００Ｈｚであっても加工は可能である。パルス幅は短い方が好ましく，２００フェムト秒（１０−１５秒）〜１ピコ秒（１０−１２秒）程度であることが好ましい。型へ照射されるレーザのビームスポットは，四角形形状であることが好ましい。ビームスポットの整形は，例えば，アパーチャーやシリンドリカルレンズ等によって行うことが可能である（図３３，図３４参照）。
［００９１］　また，ビームスポットの強度分布は，例えば，図３０に示すように，なるべく均一であることが好ましい。これは，型に形成する凹凸の深さなどの面内分布をなるべく均一化するためである。
ビームスポットのサイズを，
Ｌｘ，Ｌｙとし，レーザの走査方向をｙ方向
［００９２］　型２１０の作製手法の詳細について説明する。図３３および図３４は，レーザ加工の際に用いる光学配置の一例を表したものである。図３３は平板の型を作製する場合の光学配置の一例を表したものであり，図３４はロール状の型を作製する場合の光学配置の一例を表したものである。
［００９３］　レーザ本体４００は，サイバーレーザー株式会社製のＩＦＲＩＴ（商品名）である。
レーザ波長は８００ｎｍ，繰り返し周波数は１０００Ｈｚ，パルス幅は２２０ｆｓである。レーザ本体４００は，垂直方向に直線偏光したレーザ光を射出する
［００９４］　平板３５０を加工する時には，
リニアステージ４４０を等速で移動
［００９５］　また，例えば，図３６に示すように，パターン領域２１０Ａとパターン領域２１０Ｂとを交互に走査してもよい。このような走査方法を用いた場合には，パターン領域２１０Ａからパターン領域２１０Ｂに加工が移る際と，パターン領域２１０Ｂからパターン領域２１０Ａに加工が移る際に，偏光の方向を変えるために波長板４１０の角度を変える必要がある。
［００９６］　ロール３３０を加工する際には，リニアステージ４４０を移動させる代わりに，ロール３３０を回転させればよい。ロール３３０を加工する際のレーザ光の走査手順は，平板３５０を加工する際のレーザ光の走査手順と同様である。
［００９７］　続いて，実際に加工した型のレーザ光の条件について述べる。
［００９８］（１）パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの幅がそれぞれ，５３０μｍである場合
　
型の材料としてＳＵＳ３０４を用い，ビームサイズＬｘを５３０μｍとし，ビームサイズＬｙを３０μｍとし，パワーを１５６ｍＷとし，ステージ速度を３ｍｍ／ｓとした。パターン領域２１０Ａを走査する際には，レーザの偏光方向をｄ１の方向にし，パターン領域２１０Ｂを走査する際には，レーザの偏光方向をｄ２の方向とした。ｄ１方向は，パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの延在方向に対して−４５°とし，ｄ２方向は，パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの延在方向に対して＋４５°とした。
［００９９］　
これにより，＋４５°方向に凹（凸）の延在方向を有する５３０μｍ幅のパターン領域２１０Ａと，−４５°方向に凹（凸）の延在方向を有する５３０μｍ幅のパターン領域２１０Ｂとが交互に配列された型を作製することができた
［０１００］（２）パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの幅がそれぞれ，２７０μｍである場合
　型の材料としてＳＵＳ３０４を用い，ビームサイズＬｘを２７０μｍとし，ビームサイズＬｙを２２０μｍとし，パワーを２００ｍＷとし，ステージ速度を６ｍｍ／ｓとした。パターン領域２１０Ａを走査する際には，レーザの偏光方向をｄ１の方向にし，パターン領域２１０Ｂを走査する際には，レーザの偏光方向をｄ２の方向とした。ｄ１方向は，パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの延在方向に対して−４５°とし，ｄ２方向は，パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの延在方向に対して＋４５°とした。
［０１０１］　これにより，＋４５°方向に凹（凸）の延在方向を有する２７０μｍ幅のパターン領域２１０Ａと，−４５°方向に凹（凸）の延在方向を有する２７０μｍ幅のパターン領域２１０Ｂとが交互に配列された型を作製することができた。
［０１０２］　
以上の手法にて作製した型の凹凸は，その周期構造のピッチが約７００ｎｍ，深さが５０〜２５０ｎｍ程度であった
［０１０３］　なお，このフェムト秒レーザを用いて作製した型２１０を用いて転写を行う工程以外の工程は，上記実施の形態と同様である。以下，本変形例の作用・効果について，一般的なリソグラフィを用いた場合と比較しつつ説明する。
・・・（中略）・・・
［０１０６］　これに対し，本変形例では，型２１０のパターン領域２１０Ａ，２１０Ｂをフェムト秒レーザを用いて，そのビームスポット形状を制御して描画することにより，一度の照射でパターン領域２１０Ａ，２１０Ｂをそれぞれ一括して形成することができる。また，フェムト秒レーザを用いた場合には，偏光方向に直交する方向に沿って延在するように凸（凹）部が形成されるため，偏光の制御によって容易に位相差板の溝方向を設定することができる。よって，製造プロセスの簡易化に有利となる。また，型の大面積化にも対応し易くなる。」
（エ）　「［０１３３］（実施例２）
　また，実施例２として，変形例１０で説明したフェムト秒レーザを利用して形成した型２１０を用いて位相差板６０を作製した。このとき，
型２１０としては，鏡面加工された厚み１ｍｍのＳＵＳ
・・・（中略）・・・
［０１３８］　得られた位相差板６２，６３を偏光顕微鏡観察した結果，両者とも液晶分子は溝方向ｄ１，ｄ２に沿って配向しており，その位相差は共に１３２ｎｍであった。また，偏光顕微鏡にλ／４板を挿入して，作成した位相差パターンを観察した結果，共にサンプルを回転させるとシャッター機能を有していた。」
（オ）　「［図３０］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［図３１］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・
［図３３］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」
　イ　引用文献１に記載された発明
　前記ア（ア）ないし（オ）を含む引用文献１の全記載から，「変形例１０」における型２１０の製造方法に関する発明を把握できるところ，当該発明の構成は次のとおりである。
「３次元表示が可能なディスプレイの位相差板における位相差層の重合性液晶材料を配向させるための基板１１であり，その表面に，複数の溝１１１ａが互いに同一の方向に沿って延在する溝領域１１Ａと，複数の溝１１１ｂが互いに同一の方向でかつ前記溝１１１ａの延在方向とは直交する方向に沿って延在する溝領域１１Ｂとが，ストライプ状に交互に配列されている基板１１を，熱転写法や２Ｐ成型法により製造する際に用いられる型２１０の製造方法であって，
　前記型２１０の材料であるＳＵＳ３０４を搭載したリニアステージ４４０をｙ方向に３ｍｍ／ｓで移動させながら，レーザ波長が８００ｎｍで，繰り返し周波数が１０００Ｈｚで，パルス幅が２２０ｆｓの垂直方向に直線偏光したレーザ光を射出するレーザ本体４００を用いて，パワーが１５６ｍＷで，ビームサイズ（Ｌｘ×Ｌｙ）が５３０μｍ×３０μｍで，ｙ方向に対して−４５°方向に直線偏光したレーザ光を前記ＳＵＳ３０４に照射することで，当該ＳＵＳ３０４の表面に，＋４５°方向に延在方向を有する凹凸が形成された５３０μｍ幅のパターン領域２１０Ａを形成する第１工程と，
　前記ＳＵＳ３０４に照射するレーザ光の偏光方向をｙ方向に対して＋４５°方向にする以外は，前記第１工程と同様にして，前記ＳＵＳ３０４の表面であって前記パターン領域２１０Ａとｘ方向に隣接する位置に，−４５°方向に延在方向を有する凹凸が形成された５３０μｍ幅のパターン領域２１０Ｂを形成する第２工程と，
を有し，
　前記第１工程及び第２工程により形成される前記パターン領域２１０Ａ，２１０Ｂの凹凸は，周期構造のピッチが約７００ｎｍであり，深さが５０〜２５０ｎｍ程度である，
　型２１０の製造方法。」（以下，「引用発明」という。）
（２）　周知の技術的事項
　ア　特開２００３−２１１４００号公報の記載
　当審拒絶理由において周知例である引用文献２として引用された特開２００３−２１１４００号公報（以下，当審拒絶理由と同様，「引用文献２」という。）は，本願優先日より前に頒布された刊行物であって，当該引用文献２には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「【０００２】
【従来の技術】・・・（中略）・・・
【０００４】一方，精密加工を行うための手段としてレーザー加工が用いられているが，レーザー加工の中で，近年，
パルス幅が１ピコ秒（１０
−１２
秒）以下の超短パルスレーザー（フェムト秒レーザー）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】・・・（中略）・・・また，レーザー加工においてもレーザー波長と同程度のレベルの微細構造までの研究がなされているだけである。本発明者らは，超短パルスレーザーを低フルーエンスで固体材料表面に照射したときにレーザー波長より小さいサイズの微細構造が形成される現象を知得した。そこで，本発明では，こうした知見に基づき超短パルスレーザーを用いてレーザー波長よりも小さいサイズの微細構造を形成する微細加工方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る微細加工方法は，
所定波長の超短パルスレーザーを低フルーエンスで偏光制御して固体材料表面に照射することで，前記所定波長より小さいサイズの微細構造を形成する
前記微細構造のサイズは，前記所定波長の１／１０〜３／５のサイズ
【０００９】ここで，
「フルーエンス」（ｆｌｕｅｎｃｅ）とは，レーザーの１パルス当りの出力エネルギーを照射断面積で割って求めたエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ
２
）である
「低フルーエンス」とは
レーザーを材料表面に照射することで材料表面が蒸散する現象が生じるエネルギー密度の最小値（アブレーション閾値）近傍のフルーエンスを指している。この範囲ではレーザーの照射による熱影響がほとんどない。アブレーション閾値及び低フルーエンスの範囲は材料によって異なる。低フルーエンスの範囲は主にその材料の融点の違いにより異なり，通常アブレーション閾値の５倍程度を上限とする範囲で，材料によっては１０倍程度の範囲まで熱影響がほとんど生じない場合もある。低フルーエンスの一例として，銅のレーザー加工では，アブレーション閾値が０．１４Ｊ／ｃｍ
２
で，０．４６Ｊ／ｃｍ
２
までレーザー照射による熱の影響がほとんど生じないと
（イ）　「【００１９】
【実施例】図１に記載の微細加工装置を用いて，窒化物系セラミックス（ＴｉＮ）膜，アモルファスカーボン（ＤＬＣ）膜及びステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）の材料を試料として，その表面に微細加工を行った。
＜実施例１＞ステンレス鋼基板上に形成した窒化物系セラミックス（ＴｉＮ）からなる硬質膜（膜厚約２μｍ，硬度約Ｈｖ２１００）に対して，図１の微細加工装置を用いて波長８００ｎｍでパルス幅４０ｆｓのレーザーを直線偏光（横（ｐ）偏光及び縦（ｓ）偏光）させ
フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ
２
・・・（中略）・・・
＜実施例９〜１２＞材料としてステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基板を用い，それぞれ実施例１〜４と同一の条件で照射した。
・・・（中略）・・・
【００２４】・・・（中略）・・・表１は，各実施例で形成された突起部のサイズと波長との比を示しており，・・・（中略）・・・
【００２５】
【表１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」
　イ　引用文献３の記載
　当審拒絶理由において周知例である引用文献３として引用した「Shuji Sakabe外４名，”Mechanism for self-formation of periodic grating structures on a metal surface by a femtosecond laser pulse”，PHYSICAL REVIEW B 79.033409(2009)，米国，The American Physical Society，２００９年，033409-1ないし033409-4ページ（ＵＲＬ：https://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/dspace/bitstream/2433/145968/1/PhysRevB.79.033409.pdf にて入手可能）」（以下，当審拒絶理由と同様，「引用文献３」という。）は，本願優先日より前に頒布された刊行物であって，当該引用文献３には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項の認定に特に関係する箇所を示す。また，注釈番号の表示は省略した。）
（ア）　「One of the authors has reported experimental results of the ablation rates and the observation of self-formed periodic grating structures for metals irradiated with a femtosecond-pulse laser. A brief description of the experiment is provided. The metal sample is a mechanically polished copper plate, and 
optical pulses of a laser with an 800 nm wavelength and with pulse durations of 70 and 100 fs are irradiated on the copper plate in normal direction through a f=100 mm lens
The grating structures self-formed under the influence of the femtosecond-pulse laser irradiation are characterized by the following features:
the interspaces are shorter than the laser wavelength (0.85λ), 
the interspaces depend on the laser energy fluence,
the interspaces become shorter in a discontinuous manner near the ablation threshold as the laser energy fluence decreases,
（日本語訳）
「著者の一人は，フェムト秒パルスレーザーで照射した金属のアブレーション率の実験結果と自己形成周期格子構造の観察を報告している。実験の簡単な説明が提供されている。金属試料は機械研磨された銅板であり，
波長８００ｎｍ，パルス持続時間７０及び１００ｆｓのレーザーパルスが，ｆ＝１００ｍｍレンズを通して銅板に法線方向に照射される
フェムト秒パルスレーザ照射の影響下で自己形成された格子構造は
間隙がレーザ波長（＜０．８５λ）より短く
間隙がレーザエネルギーフルエンスに依存し
レーザエネルギーフルエンスが減少するにつれて，間隙がアブレーション閾値付近で不連続に短くなり，
（イ）　「　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
FIG. 1.(a) The dependence of the ablation rate on the energy fluence of the laser pulse (・・・（中略）・・・) (pulse duration 70 fs). (b) The dependence of the interspaces the grating structures produced by femtosecond laser pulses on the laser flux and (inset) the SEM pictures of the laser-ablated surface (・・・（中略）・・・) (pulse duration 100 fs).」（０３３４０９−２ページ左欄冒頭）
（日本語訳（イメージは省略する。））
「図１（ａ）レーザーパルスのエネルギーフルエンス（・・・（中略）・・・）（パルス持続時間７０ｆｓ）に対するアブレーション率の依存性。　（ｂ）フェムト秒レーザパルスによって生成された格子構造のレーザ光束への依存性とレーザ切除表面の（挿入）ＳＥＭ写真（・・・（中略）・・・）（パルス持続時間１００ｆｓ）。」
　ウ　引用文献２及び３から把握される周知の技術的事項
　前記ア及びイで摘記した引用文献２及び３の記載から，次の技術的事項が，本願優先日より前に周知であったと認められる。
「フェムト秒レーザを照射して対象物に周期的な凹凸構造を形成する場合，用いるフェムト秒レーザのフルーエンスの値が，アブレーション閾値を下限とし，当該アブレーション閾値の通常５倍程度を上限とする範囲では，熱影響がほとんど生じない加工が可能であり，かつ，前記範囲のフルーエンスのフェムト秒レーザを用いることで，形成される凹凸構造のピッチを，レーザ光の波長の１／１０ないし３／５とすることができること，及び，前記範囲の下限及び上限は対象物の材料に応じて決まること。」（以下，「周知事項」という。）
５　対比
（１）　引用発明の「『レーザ本体４００』が射出する『パルス幅が２２０ｆｓ』の『レーザ光』」，「型２１０の材料であるＳＵＳ３０４」，「『＋４５°方向に延在方向を有する凹凸が形成された』『パターン領域２１０Ａ』，『−４５°方向に延在方向を有する凹凸が形成された』『パターン領域２１０Ｂ』」及び「型２１０」は，本願発明の「フェムト秒レーザ」，「基材」，「凹凸を有するパターン」及び「原盤」に，それぞれ相当する。
（２）　引用発明が用いているレーザ光は，パルス幅が２２０ｆｓであるから，「フェムト秒レーザ」である。
　また，引用発明において，ＳＵＳ３０４に照射される直線偏光したレーザ光のフルエンスは約０．９８Ｊ／ｃｍ２（≒（１５６×１０−３Ｗ）／｛１０００Ｈｚ×（５３０×１０−４ｃｍ）×（３０×１０−４ｃｍ）｝）である。
　さらに，引用発明は，「型２１０の材料であるＳＵＳ３０４」（本願発明の「基材」に相当する。以下，「５　対比」欄において，「」で囲まれた引用発明の構成に付した（）中の文言は，当該引用発明の構成に相当する本願発明の発明特定事項を指す。）を搭載したリニアステージ４４０をｙ方向に３ｍｍ／ｓで移動させながら，レーザ波長が８００ｎｍで，繰り返し周波数が１０００Ｈｚで，パルス幅が２２０ｆｓの垂直方向に直線偏光した「レーザ光」（フェムト秒レーザ）を射出するレーザ本体４００を用いて，パワーが１５６ｍＷで，ビームサイズ（Ｌｘ×Ｌｙ）が５３０μｍ×３０μｍで，ｙ方向に対して−４５°又は＋４５°方向に直線偏光したレーザ光を前記「ＳＵＳ３０４」（基材）に照射することで，当該ＳＵＳ３０４の表面に，「＋４５°又は−４５°方向に延在方向を有する凹凸が形成された５３０μｍ幅のパターン領域２１０Ａ又はパターン領域２１０Ｂ」（パターン）を形成する「型２１０」（原盤）の製造方法であるところ，「ＳＵＳ３０４」（基材）を搭載したリニアステージ４４０をｙ方向に３ｍｍ／ｓで移動させることは，「走査する」ことに相当し，引用発明において形成される約７００ｎｍという凹凸の周期構造のピッチは，レーザ波長８００ｎｍに対して，約０．８８倍であって，本願発明において描画される凹凸のピッチと，「レーザ光の波長より小さい」点で共通する。
　したがって，引用発明は，「フェムト秒レーザを用いて，直線偏光のレーザ光を基材表面に照射すると共に走査することにより，前記レーザ光の波長より小さいピッチの凹凸を有するパターンを描画する原盤の製造方法」である点で，本願発明と共通する。
（３）　引用発明においては，ｙ方向に対して−４５°方向に直線偏光したレーザ光により＋４５°方向に延在方向を有するパターン領域２１０Ａの凹凸が形成され，ｙ方向に対して＋４５°方向に直線偏光したレーザ光により−４５°方向に延在方向を有するパターン領域２１０Ｂの凹凸が形成されるから，形成される凹凸の延在方向はレーザ光の偏光方向と直交する方向である。
（４）　引用発明において，「型２１０」（原盤）の材料として用いているのは「ＳＵＳ３０４」であるから，引用発明は，「原盤は，ＳＵＳまたはＮｉＰからな」るという本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
（５）　引用発明において，レーザ光の繰り返し周波数は１０００Ｈｚであるから，引用発明は，「レーザ光の繰り返し周波数が，１０００Ｈｚ以上である」という本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
（６）　前記（１）ないし（５）に照らせば，本願発明と引用発明は，
「フェムト秒レーザを用いて，直線偏光のレーザ光を基材表面に照射すると共に走査することにより，前記レーザ光の波長より小さいピッチの凹凸を有するパターンを描画する原盤の製造方法であって，
　前記原盤は，ＳＵＳまたはＮｉＰからなり，
　前記レーザ光の繰り返し周波数が，１０００Ｈｚ以上である，製造方法。」
である点で一致し，次の点で一応相違する。
相違点１：
　本願発明では，基材表面に照射されるレーザー光のフルエンスが，０．１２Ｊ／ｃｍ２以下で，０．０４Ｊ／ｃｍ２を下限としており，描画されるパターンの凹凸のピッチが，レーザ光の波長の半分以下であるのに対して，
　引用発明では，型２１０の材料であるＳＵＳ３０４に照射されるレーザ光のフルエンスは，約０．９８Ｊ／ｃｍ２であり，形成される周期構造のピッチは，レーザ光の波長の約０．８８倍であって，いずれも本願発明の範囲にはない点。
相違点２：
　本願発明では，形成される凹凸がレーザ光の偏光方向と平行な方向に延在しているのに対して，
　引用発明では，形成される凹凸の延在方向はレーザ光の偏光方向と直交する方向である点。
６　判断
（１）相違点１について
　引用発明は，３次元表示が可能なディスプレイの位相差板における位相差層の重合性液晶材料を配向させるための基板１１を，熱転写法や２Ｐ成型法により製造する際に用いられる型２１０の製造方法であるところ，例えば，当審拒絶理由において引用文献４として引用した特開昭６０−６０６２４号公報（２ページ右下欄１７行ないし３ページ左上欄２行や，３ページ右下欄１７ないし末行等）等にみられるように，液晶の配向度合いを上げるためには，配向膜における凹凸のピッチは小さいほうが好ましいことが，本願優先日より前に技術常識であったと認められるから，引用発明において，レーザ光を照射することにより形成されるパターン領域２１０Ａ，Ｂの凹凸の周期構造のピッチを小さくして，位相差板における位相差層の重合性液晶材料の配向度を上げることは，前記技術常識を熟知する当業者にとって自明の技術的課題である。
　一方で，前記４（２）ウで「周知事項」として認定したように，フェムト秒レーザを照射して対象物に周期的な凹凸構造を形成する場合，用いるフェムト秒レーザのフルーエンスの値が，アブレーション閾値を下限とし，当該アブレーション閾値の通常５倍程度を上限とする範囲では，熱影響がほとんど生じない加工（以下，便宜上「非熱加工」といい，当該非熱加工が可能なフルエンスの範囲を「非熱加工範囲」という。）が可能であり，かつ，前記範囲のフルーエンスのフェムト秒レーザを用いることで，形成される凹凸構造のピッチを，レーザ光の波長の１／１０ないし３／５程度とすることができること，及び，前記範囲の下限及び上限は対象物の材料に応じて決まることが，本願優先日より前に周知であったと認められるから，引用発明において，位相差板における位相差層の重合性液晶材料の配向度を上げるべく，ＳＵＳ３０４に照射するレーザ光のフルエンスを，ＳＵＳ３０４における「非熱加工範囲」内の適宜の値に設定して，形成されるパターン領域２１０Ａ，Ｂの凹凸の周期構造のピッチを，レーザ光の波長の約０．８８倍という値から，１／１０ないし３／５という範囲内の適宜の値にまで小さくすることは，当業者が容易になし得たことというほかない。
　しかるに，形成される凹凸構造のピッチをどの程度まで小さいものとするのか，ひいては「非熱加工範囲」のうちのどのような値にフルエンスを設定するのかは，当業者にとって単なる数値の最適化にすぎない。（なお，引用文献３のＦＩＧ．１（ｂ）には，材質が銅ではあるものの，フルエンスが概ね０．０４Ｊ／ｃｍ２から０．１０Ｊ／ｃｍ２を少し超える値までの範囲で，形成される周期構造の間隔がレーザ光の波長８００ｎｍの半分以下（約２５０ないし３５０ｎｍ程度）になることが示されているから，ＳＵＳ３０４を対象とする「０．０４ないし０．１２Ｊ／ｃｍ２」というフルエンスの数値範囲が技術常識からは予想できないような特別な数値範囲であるとはいえない。）
　したがって，引用発明におけるＳＵＳ３０４に照射されるレーザ光のフルエンスを「０．０４ないし０．１２Ｊ／ｃｍ２」の範囲内に設定し，形成される凹凸の構造のピッチをレーザ光の波長の１／２以下とすること，すなわち，引用発明を，相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，技術常識や周知事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである。
（２）相違点２について
　本願明細書の【００５７】の記載（平成２７年７月６日提出の手続補正書により補正されている。）によれば，「０．０４ないし０．１２Ｊ／ｃｍ２」という数値範囲内のフルエンスのレーザ光をＳＵＳに照射した場合には，それにより形成された凹凸は，レーザ光の偏光方向と平行な方向に延在しているのであるから，前記（１）で述べた構成の変更を行った引用発明において，形成される凹凸の延在方向はレーザ光の偏光方向と平行な方向となるものと認められる。
　したがって，相違点２に係る本願発明の発明特定事項は，相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものに変更した引用発明が，当然に具備することとなる構成である。
（３）効果について
　本願発明が有する効果は，当業者が予測できた程度のものである。
　なお，形成される凹凸の延在方向がレーザ光の偏光方向と平行な方向となる点については，例えば，当審拒絶理由において引用文献５として引用した特開２００８−８００号公報（【００１６】，【００２８】等）にみられるように，フェムト秒レーザにより形成される微細構造の溝の方向はレーザの偏光方向と直交する方向か平行な方向のいずれかとなり，そのいずれとなるのかは，微細構造の材料とレーザ照射強度によって決まることが，本願優先日より前に知られていたと認められるから，当業者にとって予測できないものではない。
７　むすび
　本願の請求項１に係る発明は，引用発明，技術常識及び周知事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。