【事件の表示】
　特願２０１４−５０８７８２「音響体積波で動作するＢＡＷフィルタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　８日国際公開、ＷＯ２０１２／１５０２６１、平成２６年　８月　７日国内公表、特表２０１４−５１９２３４、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１２年５月２日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　２０１１年５月４日　ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする特許出願であって，平成２６年１２月４日付けで拒絶理由通知がされ，平成２７年４月７日付けで手続補正され，同年７月２２日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年１１月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに同日付けで手続補正がされ，その後，平成２８年６月２２日付けで当審より拒絶理由通知がされ，同年１２月２７日付けで誤訳訂正がされたものである。
第２　本願発明
　本願請求項１ないし８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明８」という。）は，平成２８年１２月２７日付けの誤訳訂正で訂正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「　基板上に配設された多層構造の，音響体積波で動作するＢＡＷフィルタであって，
　前記基板上に，音響ミラー（ＳＰ），第１の電極（ＢＥ），圧電層（ＰＺ），第２の電極（ＴＥ）および，トリミング層（ＴＲ）をこの順に備えるＢＡＷ共振器が，前記多層構造の機能層によって実現され，
　前記音響ミラー（ＳＰ）は金属層を備え，
　さらに前記機能層によって，少なくとも１つのインダクタンスと少なくとも1つのコンデンサとを備えるバランが，前記ＢＡＷ共振器に隣接して形成され，
　前記インダクタンスは，前記第１の電極（ＢＥ），前記第２の電極（ＴＥ），又は前記音響ミラー（ＳＰ）の金属層を構成する前記機能層の一層又は多層により形成され，
　前記コンデンサは，前記第１の電極（ＢＥ），前記第２の電極（ＴＥ），又は前記音響ミラー（ＳＰ）の金属層を構成する前記機能層のうちの２つの異なる層の互いに重なる部分により形成されている，
　ことを特徴とするＢＡＷフィルタ。」
　なお，本願発明２ないし４及び８は，本願発明１を減縮したものであり，本願発明５ないし７は，本願発明１を引用し，かつ，製法に係る処理を付加した製造方法に係る発明であるから，実質的に本願発明１を減縮したものである。
第３　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００６−９４４５７号公報）には，「不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター」（発明の名称）に関して，図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００４】
　しかし，最近は無線通信の使用が極大化するにつれながら，ＭＭＩＣ化が容易で，超高周波（１５ＧＨｚ）において動作可能で，超軽量，超小型化可能なフィルム体積弾性共振（Ｆｉｌｍ　ｂｕｌｋ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒ，以下ＦＢＡＲという）フィルターが次世代素子として研究されている。
【０００５】
　ＦＢＡＲはシリコン（Ｓｉ，ＧａＡｓ　Ｗａｆｅｒ）基板上に圧電体であるＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）や，ＡｌＮ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｎｉｔｒｉｄｅ）をＲＦ　Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ（高周波スパッタリング）法で蒸着し圧電現象を発生させ，一定の周波数帯域で共振を発生させるものとして，上部または下部電極に入力が与えられると圧電効果によりＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）が発生し，上記ＢＡＷ周波数と入力された電気信号の周波数とが同じになると共振現象が起こる。そして，この共振現象を利用した共振器らを電気的にカップリング化してＦＢＡＲフィルター，ひいてはＦＢＡＲデュープレキサまで具現することができる。」（第３ページ）
イ　「【００１４】
　本発明は上述した従来の問題を解決するためのもので，その目的は入力信号をフィルタリングするフィルター回路と不平衡信号を平衡信号に変換するバラン回路を単一チップ上に具現しながら量産性が高い不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターを提供することにある。」（第４ページ）
ウ　「【００２３】
　図３は本発明による不平衡−平衡入出力構造ＦＢＡＲフィルターの構造を示す断面図である。
【００２４】
　上記図３によると，本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターは，Ｓｉなどで具現される基板（３０）上にフィルター回路部（３１）とバラン回路部（３２）を同時に形成するのに特徴がある。
【００２５】
　上記フィルター回路部（３１）は多数（複数）のＦＢＡＲ共振器（３１ａ）の組合から成り，上記ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）は基板（３０）の上部に下部電極層／圧電層／上部電極層が順次に積層されるサンドイッチ構造から成る。上記フィルター回路部（３１）はこうした共振器（３１ａ）を信号ラインに直列で連結される１つ以上のシリーズ（ｓｅｒｉｅｓ）共振器と信号ラインと接地ライン間に具備される１つ以上のシャント（ｓｈｕｎｔ）共振器に形成した後回路連結することにより具現されるが，この際回路結合はラダー（ｌａｄｄｅｒ）タイプ，ラティス（ｌａｔｔｉｃｅ）タイプなどから成る。こうした具体的な回路具現は通常知られている。
【００２６】
　さらに，図３には示されないが，各ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）らの下部にはエアギャップ（ａｉｒ−ｇａｐ）或いはブラッグ（ｂｒａｇｇ）反射層などのように，ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）から発生した音波が基板（３０）の他領域に伝わるのを防止する構造が含まれる。
【００２７】
　そして，上記フィルター回路部（３１）はドライフィルム或いは他ポリマーなどのような誘電物質などを通してキャップ構造でハーメチックシーリング（ｈｅｒｍｅｔｉｃ　ｓｅａｌｉｎｇ）される。より具体的に，上記キャップ構造はＦＢＡＲ共振器（３１ａ）の周辺に所定の高さで設けられた側壁（３１ｂ）と，上記ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）の上部所定高さに位置して側壁（３１ｂ）と結合され内部を密封させる上部カバー（３１ｃ）から成る。ここで，上記側壁（３１ｂ）及び上部カバー（３１ｃ）を成す物質はバラン（３２）の誘電層にも使用できる物質でさえあれば，ドライフィルムに限らず，様々なポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）などのような上記条件を満足する如何なる物質を用いてもよい。
【００２８】
　次に，上記バラン回路部（３２）は多数（複数）の金属層上に形成される受動集積素子（ＩＰＤ）（３２ａ〜３２ｄ）と上記多数金属層間に具備される多数（複数）の誘電層（３３ａ，３３ｂ）とで成る。
【００２９】
　とりわけ，上記バラン回路部（３２）は上記フィルター回路部（３１）のキャップ構造物と単一工程により形成されるよう，ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）化できるＩＰＤ（Ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅ　Ｐａｓｓｉｖｅ　Ｄｅｖｉｃｅ）バランで具現されるものとして，受動素子，例えばλ／４ストリップライン，Ｒ，Ｌ，Ｃなどが分かれて形成される複数例えば３個の金属層と，上記金属層間に具備される第１，２誘電層（３３ａ，３３ｂ）とで成る。
【００３０】
　上記バラン回路部（３２）を具現するＩＰＤバランとしては，λ／４伝送線路で形成される伝送線路タイプのマーチャントバラン（ｍａｒｃｈａｎｄ　ｂａｌｕｎ）と，多数（複数）のインダクタ及びキャパシタで具現されたｌｕｍｐｅｄ　ｅｌｅｍｅｎｔ（集中定数素子）ｔｙｐｅバラン好ましい。これらＩＰＤバランは多層セラミック基板上に具現されたＬＴＣＣ（低温度焼成多層セラミック基板）バランに比して優れた挿入損失とスリム化が可能な利点がある。一般にＩＰＤバランは高抵抗のＳｉ基板上に多層構造でＲ，Ｌ，Ｃ回路を構成して集積化した構造から成る。この際，抵抗（Ｒ）の材料にはＮｉＣｒ，キャパシタ（Ｃ）の誘電材料にはＳｉＮ，インダクタ（Ｌ）の電極材料は蒸着法或いはメッキ法により成る１〜２０μｍ厚さのＡｕ，Ｃｕなどが使用される。即ち，本発明の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいては，バラン回路部（３２）は上記フィルター回路部（３１）の側壁（３１ｂ）及び上部　カバー（３１ｃ）と同時に形成される第１，２誘電層（３３ａ，３３ｂ）の上下面にこうしたＲ，Ｌ，Ｃ回路を３層構造で形成したものである。
【００３１】
　例えば，図３に示したバラン回路部（３２）は伝送線路タイプのバラン回路で具現されたものとして，基板（３０）の上部面上に形成される第１金属層にはλ／４ストリップライン（３２ａ）が形成され，第１誘電層（３３ａ）と第２誘電層（３３ｂ）の間に位置した第２金属層にはインダクタ（３２ｂ）とキャパシター（３２ｄ）の一部が形成され，上記第２誘電層（３３ｂ）の上部面に形成される第３金属層にはλ／４ストリップライン（３２ｃ）とキャパシター（３２ｄ）の残りの部分が形成される。上記においてλ／４ストリップライン（３２ａ，３２ｃ）は素子サイズの減少のために，螺旋型或いはメアンダーライン（ｍｅａｎｄｅｒ　ｌｉｎｅ）形状で具現されることが好ましい。上記構造はバラン回路部（３２）の設計に応じて様々な形態に変形されることができる。」（第５−７ページ）
エ　「【００４１】
　先ず，基板（３０）上に上記フィルター回路部（３１）の共振器（３１ａ）及びバラン回路部（３２）の第１金属層を同時にまたは順次に形成する。次いで，上記フィルター回路部（３１）の側壁（３１ｂ）とバラン回路部（３２）の第１誘電層（３３ａ）を同一物質を利用して同一厚さで形成する。そして，第１誘電層（３３ａ）の上部にバラン回路部（３２）の第２金属層を形成する。次いで，上記フィルター回路部（３１）の上部カバー（３１ｃ）と第２誘電層（３３ｂ）を同一物質を利用して同一厚さで形成する。最後に，上記第２誘電層（３３ｂ）の上部にバラン回路部（３２）の第３金属層を形成する。以上のように，本発明のＦＢＡＲフィルターは，フィルター回路部（３１）とバラン回路部（３２）を形成する各々の工程中一部工程，即ちキャップ構造物を形成する工程と，誘電層を形成する工程とを単一工程で具現できるので，工程を簡素化させることができる。さらに，不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターを具現するにおいて，優れた量産性が立証されたＩＰＤバランを利用することにより，ＦＢＡＲフィルター自体の歩留まりを向上させることができる。」（第８ページ）
オ　「
」（第９ページ）
カ　「
」（第９ページ）
ａ．前記イ及び前記ウの【００２４】より，引用文献１には，「フィルター回路部」と「バラン回路部」とからなる「ＦＢＡＲフィルター」が記載されている。
　そして，前記アより，「ＦＢＡＲフィルター」は，ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）すなわち，音響体積波で動作することが明らかである。
ｂ．前記ウ，エ及びオ（図３）より，「ＦＢＡＲフィルター」は，基板（３０）上に配設された多層構造により構成されている。
　この多層構造について詳細に検討する。
　前記ウの【００２９】及び前記オ（図３）には，「バラン回路部」が，３つの金属層と，金属層間に形成される「第１誘電層」（３３ａ）及び「第２誘電層」（３３ｂ）とで構成されることが記載されている。また，前記エより，基板上にある金属層を「第１金属層」，「第１誘電層」（３３ａ）と「第２誘電層」（３３ｂ）との間の金属層を「第２金属層」，また，「第２誘電層」（３３ｂ）上の金属層を「第３金属層」と称することが記載されている。
　つまり，「バラン回路部」における多層構造は，下から順に，「第１金属層」，「第１誘電層」，「第２金属層」，「第２誘電層」及び「第３金属層」という構造となっているといえる。
　一方，前記ウの【００２７】，前記エ及び前記オ（図３）より，「フィルター回路部」の多層構造は，下から順に，「第１金属層」，「側壁」（３１ｂ）及び「上部カバー」（３１ｃ）という構造となっており，前記「第１金属層」を自身の「下部電極層」として兼用する「ＦＢＡＲ共振器」（３１ａ）が，「基板」と「上部カバー」の間に形成されている。
　さらに，前記ウの【００２７】及び【００３０】並びに前記エより，「第１金属層」（下部電極層），「側壁」及び「上部カバー」のそれぞれと，「第１金属層」，「第１誘電層」及び「第２誘電層」のそれぞれとは，同一物質を利用し同一工程で形成されるものであり，同一工程で形成される各層は，同一の層といい得るものである。
　そうすると，前記「ＦＢＡＲフィルター」は，全体としてみれば，基板上に配設された，第１金属層（下部電極層），第１誘電層（側壁）及び第２誘電層（上部カバー）の３層からなる多層構造を備えているといえる。
ｃ．前記ａ．及びｂ．を総合すると，引用文献１には，「基板上に配設された，第１金属層，第１誘電層及び第２誘電層の３層からなる多層構造の，音響体積波で動作するＦＢＡＲフィルター」が記載されているといえる。
ｄ．前記ウ（特に，【００２５】ないし【００２７】）及びオ（図３）より，「フィルター回路部」を構成する「ＦＢＡＲ共振器」は，基板上に，反射層，下部電極層，圧電層，上部電極層が，この順に積層されて形成されたものである。
　このうち，「下部電極層」は，前記エ及び前記オ（図３）より，「第１の多層構造」の「第１金属層」によって実現されている。
　そうすると，引用文献１には，「前記基板上に，反射層，下部電極層，圧電層，および，上部電極層をこの順に備えるＦＢＡＲ共振器が形成され，前記下部電極層が，前記多層構造の前記第１金属層によって実現され」ることが記載されているといえる。
ｅ．前記ｂ．で検討したように，「バラン回路部」は，前記「多層構造」（「第１金属層」，「第１誘電層」及び「第２誘電層」）と，「第２金属層」及び「第３金属層」とで形成されている。
　また，前記ウの【００３０】の「上記バラン回路部（３２）を具現するＩＰＤバランとしては，（…中略…）多数（複数）のインダクタ及びキャパシタで具現されたｌｕｍｐｅｄ　ｅｌｅｍｅｎｔ（集中定数素子）Ｔｙｐｅバランが好ましい。」との記載から，「バラン回路部」は，複数のインダクタと複数のキャパシタを備えるものと解される一方，前記カ（図４−１）より，バラン回路（４２２，４２３）が，１つのインダクタと１つのキャパシタを備えることが見て取れる。
　さらに，前記オ（図３）より，「バラン回路部」は，「フィルター回路部」の「ＦＢＡＲ共振器」に隣接して形成されることが見てとれる。
　そうすると，引用文献１には，「さらに前記多層構造と，第２金属層及び第３金属層とによって，少なくとも１つのインダクタと少なくとも１つのキャパシタとを備えるバラン回路部が，前記ＦＢＡＲ共振器に隣接して形成され」ることが記載されているといえる。
ｆ．前記ウの【００３１】及び前記オ（図３）より，「インダクタ」は，「第２金属層」により形成され，「キャパシタ」は，「第２金属層」と「第３金属層」とにより形成されている。なお，「キャパシタ」を，誘電体と２つの金属（層）とで構成する場合，２つの金属が互いに重なるように形成すべきことは，本願の優先日における技術常識である。
　そうすると，前記ａ．ないしｆ．の検討，前記アないしカの記載及び本願の優先日における技術常識を参酌すると，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認める。
「　基板上に配設された，第１金属層，第１誘電層及び第２誘電層の３層からなる多層構造の，音響体積波で動作するＦＢＡＲフィルターであって，
　前記基板上に，反射層，下部電極層，圧電層，および，上部電極層をこの順に備えるＦＢＡＲ共振器が形成され，前記下部電極層が，前記多層構造の前記第１金属層によって実現され，
　さらに前記多層構造と，第２金属層及び第３金属層とによって，少なくとも１つのインダクタと少なくとも１つのキャパシタとを備えるバラン回路部が，前記ＦＢＡＲ共振器に隣接して形成され，
　前記インダクタは，前記第２金属層により形成され，
　前記キャパシタは，前記第２金属層及び前記第３金属層の互いに重なる部分により形成されている，
　ことを特徴とするＢＡＷフィルター。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００２−２６８６４４号公報）には，「モノリシックＦＢＡＲデュプレクサおよびそれを作製する方法」（発明の名称）に関して，図面とともに次の事項が記載されている。
キ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜バルク音響波共振器に関する。さらに具体的には，薄膜バルク音響波共振器から作製されるバルク音響波フィルタおよびバルク音響波デュプレクサに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】図９に示されるように，薄膜バルク音響波（ＢＡＷ）共振器１０は，圧電体材料，たとえばＺｎＯまたはＡｌＮの層をベースにした共振器部分１１を含み，いくつかの共振器は音響ミラー１２を含む。図示しないが，ブリッジ型ＢＡＷ共振器と呼ばれる他の共振器は，独立した膜を含む）。これらのすべては，たとえばガラスから作られた基板１４の上に取り付けられている。ＢＡＷ共振器は，音響波を電気信号へ，またはその逆へ変換し，その電気インピーダンス周波数依存性のために電子回路におけるフィルタとして使用することができる。
【０００３】一般的には，音響ミラー型ＢＡＷ共振器の音響ミラーは，異なった音響インピーダンスの材料層の組み合わせから形成される。音響ミラーは，異なった材料層のスタックを基板上に形成するように，異なった材料の様々な層を堆積することによって，たとえばガラスの基板の上に形成される。つぎに，下部電極が音響ミラーの上に堆積され，続いて圧電体材料が下部電極の上に堆積されて，いわゆる圧電体層が形成される。最後に，上部電極が圧電体層の上に堆積される。上部電極，下部電極，および圧電体層の組み合わせは，素子の共振器セクションと呼ばれる。音響ミラーは，電極間に印加された電圧に応答して圧電体層によって作り出された音波を反射するように働き，それによって基板を圧電体層から音響的に絶縁する。図１２は，実質的に異なった周波数で帯域フィルタの一部分として動作するように作製された２つの音響ミラー型ＢＡＷ共振器の断面を示す。」（第２−３ページ）
ク　「
」（第１０ページ）
　前記キより，引用文献２には，「基板上に，音響ミラー，下部電極，圧電層，および，上部電極をこの順に備えるＢＡＷ共振器が形成され」る「ＢＡＷフィルタ」が記載されている。
　さらに，前記ク（図９）より，「音響ミラー」は，金属層（Ｗ：タングステン）を備えることが見てとれる。
　以上の検討より，引用文献２には，周知技術として，次の事項が記載されていると認める。（以下，「周知事項」という。）
「　基板上に，音響ミラー，下部電極，圧電層，および，上部電極をこの順に備えるＢＡＷ共振器が形成され，
　前記音響ミラーは，金属層を備える，
ＢＡＷフィルタ。」
第４　当審の判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
　
　引用発明における「ＦＢＡＲフィルター」は，「音響体積波で動作」する「フィルター」であって，「ＢＡＷフィルタ」の一種であることが明らかであるから，本願発明１における「ＢＡＷフィルタ」に相当する。
　また，
機能的にみれば
　引用発明における「反射層」は，音響を反射する機能を有していることは自明であるから，後述する相違点を除いて，本願発明１の「音響ミラー」に相当する。同様に，引用発明における「下部電極層」，「圧電層」及び「上部電極層」はそれぞれ，本願発明１の「第１の電極（ＢＥ）」，「圧電層（ＰＺ）」及び「第２の電極（ＴＥ）」に相当する。
　引用発明における「多層構造」を構成する「第１金属層」，「第１誘電層」及び「第２誘電層」はいずれも，導電機能ないし誘電（絶縁）機能を備えるから，「機能層」といい得るものである。
　そうすると，「ＢＡＷ共振手段」に関し，引用発明と本願発明１とは，「前記基板上に，少なくとも音響ミラー（ＳＰ），第１の電極（ＢＥ），圧電層（ＰＺ），第２の電極（ＴＥ）をこの順に備えるＢＡＷ共振手段が，前記多層構造の機能層の少なくとも一部を用いて実現され」る点において共通するといえる。
　同様に，「バラン手段」に関し，引用発明と本願発明１とは，「さらに前記機能層の少なくとも一部を用いて，少なくとも１つのインダクタンス手段と少なくとも1つのコンデンサ手段とを備えるバラン手段が，前記ＢＡＷ共振手段に隣接して形成され」る点において共通するといえる。
　さらに，「インダクタンス手段」に関し，引用発明と本願発明１とは，「前記インダクタンス手段は，金属層により形成され」る点において共通し，また，「コンデンサ手段」に関し，引用発明と本願発明１とは，「前記コンデンサ手段は，２つの異なる金属層の互いに重なる部分により形成されている」点において共通する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
［一致点］
「　基板上に配設された多層構造の，音響体積波で動作するＢＡＷフィルタであって，
　前記基板上に，少なくとも音響ミラー（ＳＰ），第１の電極（ＢＥ），圧電層（ＰＺ），第２の電極（ＴＥ）をこの順に備えるＢＡＷ共振手段が，前記多層構造の機能層の少なくとも一部を用いて実現され，
　さらに前記機能層の少なくとも一部を用いて，少なくとも１つのインダクタンス手段と少なくとも1つのコンデンサ手段とを備えるバラン手段が，前記ＢＡＷ共振手段に隣接して形成され，
　前記インダクタンス手段は，金属層により形成され，
　前記コンデンサ手段は，２つの異なる金属層の互いに重なる部分により形成されている，
　ことを特徴とするＢＡＷフィルタ。」
［相違点１］
　「ＢＡＷ共振手段」について，本願発明１は，「トリミング層（ＴＲ）」を備えるのに対し，引用発明は，「トリミング層（ＴＲ）」に相当する層を備えない点。
［相違点２］
　本願発明１は，「ＢＡＷ共振器」及び「バラン」（「インダクタ」及び「キャパシタ」を含む。）のいずれもが，「多層構造の機能層」によって実現ないし形成されるのに対し，引用発明は，「ＦＢＡＲ共振器」の「下部電極層」のみが「多層構造の機能層」といい得る「第１金属層」によって実現され，「バラン回路部」は，「多層構造」のみならず，「第２金属層」及び「第３金属層」とによって形成される点。
［相違点３］
　本願発明１は，「音響ミラー（ＳＰ）」が，「金属層」を備えるのに対し，引用発明は，「反射層」が「金属層」を備えることについて具体的な言及がない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて，まず［相違点２］について検討する。
　［相違点２］に係る本願発明１の構成は，周知事項には含まれておらず，本願の優先日における技術常識でもない。また，当該構成により，ＢＡＷ共振器とバランとを同じ１つの機能層から製造することができる（本願の明細書の段落【００１１】参照。）という顕著な効果を得ることができる。
　したがって，上記［相違点１］及び［相違点３］について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても，引用発明に基づいて，周知事項を参酌して容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２ないし８について
　本願発明２ないし８は，上記［相違点２］に係る本願発明１の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明に基づいて，周知事項ないし本願の優先日における技術常識を参酌しても容易に発明できたものとは認められない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は，
ａ．補正前の請求項１について上記引用文献１，２に基づいて，また，請求項２ないし１４について上記引用文献１，２に加えて引用文献３（特開２０１０−４３９５号公報）に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，
ｂ．補正前の請求項１ないし１４に係る発明は，バランとＢＡＷ共振器との構造上の関係が明確でなく，また，複数のＢＡＷ共振器の構造が明確でないから，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない，
というものである。
　前記ａ．に関し，平成２８年１２月２７日付け手続補正書により補正された請求項１ないし８は，上記［相違点２］に係る本願発明１の構成を有するものとなっており，上記のとおり，本願発明１ないし８は，上記引用文献１に記載された発明及び上記引用文献２に記載された周知事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
　また，前記ｂ．に関し，平成２８年１２月２７日付け手続補正書により補正された請求項１ないし８は，「バランが，前記ＢＡＷ共振器に隣接して形成され」との記載により，「バラン」と「ＢＡＷ共振器」との構造上の関係が明確となり，また，「複数のＢＡＷ共振器」が記載された補正前の請求項６が削除された結果，明確となった。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１．特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では，補正前の請求項１及び９において，「バラン」が「ＢＡＷ共振器」の内部に形成される態様を含み，そのような態様は，発明の詳細な説明には記載されていないとの拒絶の理由を通知しているが，前記手続補正書により，「バランが，前記ＢＡＷ共振器に隣接して形成され」との事項により限定された結果，この拒絶の理由は解消した。
　また，当審では，補正前の請求項４及び５において，括弧書きを参酌すれば，発明の詳細な説明に記載された，「少なくとも部分的に互いに重なって配設されている」メタライジングの組み合わせではないものを含む，との拒絶の理由を通知しているが，前記手続補正書により，補正前の請求項５が削除され，補正前の請求項４に対応する請求項３において，括弧書きを削除することにより，この拒絶の理由は解消した。
　また，当審では，補正前の請求項６を引用する請求項８に係る発明は，「コンデンサ」として作用する「ＢＡＷ共振器」と「バラン」とを「隣接して配設する」ものであるが，そのような態様は，発明の詳細な説明には記載されていないとの拒絶の理由を通知しているが，前記手続補正により，補正前の請求項６が削除されることにより，この拒絶の理由は解消した。
２．特許法第３６条第６項第２号（明確性）について
　当審では，補正前の請求項１に記載の「層層」なる語が不明確である旨の，補正前の請求項１及び９の記載において，括弧書きを参酌すれば「インダクタンス」及び「コンデンサ」の数が明確でない旨の，補正前の請求項１とこれを引用する請求項２の「インダクタンス」に係る記載が整合しない旨の，また，補正前の請求項４に記載の「メタライジング」に付された括弧書きが一貫して記載されていない旨の，拒絶の理由を通知しているが，前記手続補正書により，いずれも明確となり，これらの拒絶の理由は解消した。
　なお，本願明細書の段落【０００７】に記載の【特許文献２】として提示された独国特許第１０２００５００３８３４Ｂ４号（上記引用文献１が，日本語のファミリー文献）のＦＩＧ．４−１（ａ）（図４−１（ａ））には，１つのインダクタンスと１つのコンデンサのみでバランを構成する例が記載されていることを考慮すれば，補正後の請求項１ないし８に記載の「
少なくとも１つの
少なくとも１つの
３．特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
　当審では，電気的に接続され，かつ，間に圧電層を介して対向する２つのメタライジングが，「コンデンサ」として機能し得る理由が不明である旨の拒絶の理由を通知しているが，平成２８年１２月２７日付けの意見書において，「コンデンサ」を構成する２つのメタライジングは，電気的に接続されていない旨の釈明をしており，当該釈明は，明細書及び図面に記載された範囲のものである。
　よって，この拒絶の理由は解消した。
　また，当審では，「バラン」が「ＢＡＷ共振器」の内部に形成される場合の具体的な構造が不明である旨の拒絶の理由を通知しているが，上記手続補正書により，請求項１ないし８において，「バランが，前記ＢＡＷ共振器に隣接して形成され」との事項により限定された結果，この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし８は，当業者が引用発明に基づいて引用文献２に記載された周知事項を参酌することにより容易に発明をすることができたものではなく，また，明確である。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。