Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の取引に係る情報処理を行う複数の情報処理装置のうち一部又は全部と協働して取引に係る処理を行う取引装置において、
上記情報処理装置に、取引に係る情報処理を依頼するための電文を生成する取引電文生成手段と、
上記取引電文生成手段が生成した電文の内容を解析して、複数の上記情報処理装置から一部又は全部の上記情報処理装置を、当該電文の送信先として決定する送信先決定手段と、
上記取引電文生成手段が生成した電文を、そのまま又は加工して、上記送信先決定手段が決定した送信先の上記情報処理装置に送信する電文送信処理手段と
を有することを特徴とする取引装置。
【請求項２】
上記電文送信処理手段は、上記取引電文生成手段が生成した電文の仕様が上記送信先決定手段が決定した送信先の上記情報処理装置で対応する電文の仕様と異なる場合には、上記取引電文生成手段が生成した電文を送信先の上記情報処理装置で対応する仕様の電文に変換して送出することを特徴とする請求項１に記載の取引装置。
【請求項３】
上記電文送信処理手段は、上記取引電文生成手段が生成した電文の仕様が、上記送信先決定手段が決定した送信先の上記情報処理装置で対応する電文の仕様と一致する場合には、上記取引電文生成手段が生成した電文をそのまま上記情報処理装置に送信することを特徴とする請求項２に記載の取引装置。
【請求項４】
上記情報処理装置に、当該取引装置の状態を報告するための電文を生成する装置状態電文生成手段をさらに備え、
上記電文送信処理手段は、上記情報処理装置のそれぞれに対して、上記装置状態電文生成手段が生成した電文のうち当該情報処理装置で必要とするデータを抽出し、その抽出したデータを含む電文を生成して当該情報処理装置に送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の取引装置。
【請求項５】
上記電文送信処理手段は、上記情報処理装置のそれぞれに対して、上記抽出したデータに基づく電文を生成する際に、当該情報処理装置で対応する仕様の電文を生成することを特徴とする請求項４に記載の取引装置。
【請求項６】
外部の取引に係る情報処理を行う複数の情報処理装置のうち一部又は全部と協働して取引に係る処理を行う取引装置が行う取引方法において、
該取引装置は、取引電文生成手段、送信先決定手段、及び電文送信処理手段を有し、
上記取引電文生成手段は、上記情報処理装置に、取引に係る情報処理を依頼するための電文を生成し、
上記送信先決定手段は、上記取引電文生成手段が生成した電文の内容を解析して、複数の上記情報処理装置から一部又は全部の上記情報処理装置を、当該電文の送信先として決定し、
上記電文送信処理手段は、上記取引電文生成手段が生成した電文を、そのまま又は加工して、上記送信先決定手段が決定した送信先の上記情報処理装置に送信する
ことを特徴とする取引方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
まず、顧客により操作表示部２０（タッチパネルディスプレイ２１（図２参照））に対する操作に応じて、制御部１０（取引処理部１１）で入金取引が開始され（Ｓ１０１）、さらに、顧客によりカード情報読取部４０（カード挿入排出口４０１）にキャッシュカードが挿入されたものとする（Ｓ１０２）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
そして、通信部１２により、上述のステップＳ１０６で確認された計数結果に基づく入金取引に係る情報処理（トランザクション処理）を依頼する電文が生成され（Ｓ１０７）、振分通信部１３に送信（供給）される（Ｓ１０８）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
そして、振分通信部１３により当該電文がそのまま通信部１２に送信（供給）され、通信部１２で当該電文が受信されたものとする（Ｓ１１５）。
次に、取引処理部１１により、通信部１２が受信した電文（取引完了の結果を示す電文）が確認され、取引完了に伴う処理（例えば、カード情報読取部４０（カード挿入排出口４０１）からのカードの排出やレシート印字部５０（レシート排出口５０１）からのレシート排出等）が実行される（Ｓ１１６）。
図５は、現金自動取引装置１で、出金取引が行われる場合のフローについて示したシーケンス図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
図９（ａ）に示すように、通信部１２が生成した電文仕様Ａの出金取引に係る電文には、カード情報、暗証番号、取引種別（取引種別判別部）、金額の順序で各フィールドのデータが配置されている。なお、電文仕様Ａの取引種別では、入金取引の場合「０１」、出金取引の場合は「０２」が設定されるものとする。したがって、図９（ａ）では取引種別に「０２」が設定されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
そして、ここでは、ホストコンピュータ２−１は主として入金取引に係る処理を行い、ホストコンピュータ２−２は主として出金取引に係る処理を行うものとしている。そのため、通信振分変換部１４Ｂは、ホストコンピュータ２−１向けには、有高送信処理の電文として、入金枚数のフィールドのデータが設定された電文仕様Ａの電文（図１２（ｂ）の電文）を生成して送信するものとする。また、信振分け変換部１４Ｂは、ホストコンピュータ２−２向けには、有高送信処理の電文として、出金可能枚数のフィールドのデータが設定された電文仕様Ｂの電文（図１２（ｃ）の電文）を生成して送信するものとする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2015088026.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2015088026.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2015088026.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2015088026.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2015088026.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非同期の双方向通信を行う通信経路を介して通信する印刷制御装置と、
印刷を行う印刷部、前記通信経路を介して前記印刷制御装置との間の通信を制御する通信制御部、前記印刷部を制御する印刷制御部を有する印刷装置と、を備え、
前記印刷制御装置は、前記通信経路を介して前記印刷装置へデータをプッシュ送信し、
前記印刷装置は前記通信経路を介して前記通信制御部により前記データを受信し、前記印刷制御部は前記印刷部を制御して前記データを印刷させる印刷制御システム。
【請求項２】
前記非同期の双方向通信は、ＷｅｂＳｏｃｋｅｔ通信であり、前記印刷制御装置と前記印刷装置の関係は、サーバーとクライアントの関係である請求項１に記載の印刷制御システム。
【請求項３】
前記印刷装置は、前記印刷制御装置のアドレスを示すアドレス情報を記憶する記憶部を有し、
前記印刷装置の前記通信制御部は、前記記憶部が記憶する前記アドレス情報に基づいて前記印刷制御装置との間で前記通信経路を介する通信を確立する請求項１又は２に記載の印刷制御システム。
【請求項４】
前記通信制御部は、前記印刷装置の電源投入時に前記通信経路を介する通信の確立を行う請求項３に記載の印刷制御システム。
【請求項５】
前記印刷装置の前記記憶部は、前記印刷装置の識別情報を記憶し、
前記通信制御部は、前記通信経路を介する通信の確立時に、前記印刷装置の識別情報を前記印刷制御装置へ送信する請求項３又は４に記載の印刷制御システム。
【請求項６】
印刷制御装置と非同期の双方向通信を行う通信経路を介して通信を制御する通信制御部と、
印刷を行う印刷部と、
前記通信経路を介して前記通信制御部により受信したデータに基づいて、前記印刷部を制御して前記データを印刷させる印刷制御部と、を備え、
前記通信制御部は、前記印刷制御装置がプッシュ送信した前記データを受信する印刷装置。
【請求項７】
前記非同期の双方向通信は、ＷｅｂＳｏｃｋｅｔ通信であり、前記印刷制御装置と前記印刷装置の関係は、サーバーとクライアントの関係である請求項６に記載の印刷装置。
【請求項８】
前記データを送信する前記印刷制御装置のアドレス情報を記憶する記憶部を有し、
前記通信制御部は、前記記憶部が記憶する前記アドレス情報に基づいて前記印刷制御装置との間で前記通信経路を介する通信を確立する請求項６又は７に記載の印刷装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月7日(2016.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
固定側導体に設置された固定接触子及び該固定接触子に対して閉極又は開極し、可動側導体に支持されている可動電極に設置された可動接触子から成る遮断部と、前記可動接触子が動作するために駆動力を発生させるリニアモータと、前記リニアモータの可動子の位置を検出する位置検出装置と、前記固定接触子と可動接触子との接触状態を検出する接触状態検出装置と、該接触状態検出装置で検出された前記固定接触子と可動接触子との接触状態及び前記位置検出装置で検出された前記リニアモータの可動子の位置情報に基づいて、前記リニアモータに供給される電圧及び/又は位相を制御することで前記可動接触子の可動範囲を設定する制御装置を備えていることを特徴とする開閉装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
固定側導体に設置された固定接触子及び該固定接触子に対して閉極又は開極し、可動側導体に支持されている可動電極に設置された可動接触子から成る遮断部と、前記可動接触子が動作するために駆動力を発生させるリニアモータと、前記リニアモータの可動子の位置を検出する位置検出装置と、前記固定接触子と可動接触子との接触状態を検出する接触状態検出装置と、該接触状態検出装置で検出された前記固定接触子と可動接触子との接触状態及び前記位置検出装置で検出された前記リニアモータの可動子の位置情報に基づいて、前記リニアモータに供給される電圧及び/又は位相を制御することで前記リニアモータの可動子に働く推力の大きさ及び/又は向きを可変し、前記可動接触子の駆動速度及び停止位置を制御して前記可動接触子の可動範囲を設定する制御装置を備えていることを特徴とする開閉装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の開閉装置は、上記目的を解決するために、固定側導体に設置された固定接触子及び該固定接触子に対して閉極又は開極し、可動側導体に支持されている可動電極に設置された可動接触子から成る遮断部と、前記可動接触子が動作するために駆動力を発生させるリニアモータと、前記リニアモータの可動子の位置を検出する位置検出装置と、前記固定接触子と可動接触子との接触状態を検出する接触状態検出装置と、該接触状態検出装置で検出された前記固定接触子と可動接触子との接触状態及び前記位置検出装置で検出された前記リニアモータの可動子の位置情報に基づいて、前記リニアモータに供給される電圧及び/又は位相を制御することで前記可動接触子の可動範囲を設定する制御装置を備えていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の開閉装置は、上記目的を解決するために、固定側導体に設置された固定接触子及び該固定接触子に対して閉極又は開極し、可動側導体に支持されている可動電極に設置された可動接触子から成る遮断部と、前記可動接触子が動作するために駆動力を発生させるリニアモータと、前記リニアモータの可動子の位置を検出する位置検出装置と、前記固定接触子と可動接触子との接触状態を検出する接触状態検出装置と、該接触状態検出装置で検出された前記固定接触子と可動接触子との接触状態及び前記位置検出装置で検出された前記リニアモータの可動子の位置情報に基づいて、前記リニアモータに供給される電流及び/又は位相を制御することで前記リニアモータの可動子に働く推力の大きさ及び/又は向きを可変し、前記可動接触子の駆動速度及び停止位置を制御して前記可動接触子の可動範囲を設定する制御装置を備えていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオン伝導性を有する複数の粒子と、
前記複数の粒子の各々に接すると共に、前記複数の粒子の各々の間に介在し、下記（ａ）及び（ｂ）を含む基質と、を有し、前記複数の粒子の各々が下記（ｂ）を含む分散剤により表面修飾されてなる固体電解質。
（ａ）リチウム原子
（ｂ）ホウ素、第３周期以下の１４族元素および第３周期以下の１５族元素からなる群から選ばれる１以上の元素の酸化物
【請求項２】
前記複数の粒子の各々が前記基質で被覆されている請求項１に記載の固体電解質。
【請求項３】
前記複数の粒子の各々の間が前記基質で充填されている請求項１または２に記載の固体電解質。
【請求項４】
前記基質が、前記リチウム原子と酸化ケイ素とを含む請求項１から３のいずれか１項に記載の固体電解質。
【請求項５】
前記複数の粒子が、少なくともリチウム原子を含む立方晶ペロブスカイト型の結晶質を形成材料とする請求項１から４のいずれか１項に記載の固体電解質。
【請求項６】
リチウムイオン伝導性を有する複数の粒子の各々の表面を、ホウ素、第３周期以下の１４族元素および第３周期以下の１５族元素からなる群から選ばれる元素を含む分散剤で表面修飾する工程と、
リチウム化合物を含む溶液に表面修飾された前記複数の粒子を分散させる工程と、
得られた分散液から溶媒を除去してゲル化させる工程と、
得られたゲルを熱処理する工程と、を有する固体電解質の製造方法。
【請求項７】
前記溶液が、シリコーン化合物またはポリリン酸を含む請求項６に記載の固体電解質の製造方法。
【請求項８】
正極と負極と、前記正極および前記負極に挟持された固体電解質層と、を有し、
前記固体電解質層は、請求項１から５のいずれか１項に記載の固体電解質を形成材料とするリチウムイオン電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、リチウムイオン伝導性を有する複数の粒子と、前記複数の粒子の各々に接すると共に、前記複数の粒子の各々の間に介在し、下記（ａ）及び（ｂ）を含む基質と、を有し、前記複数の粒子の各々が下記（ｂ）を含む分散剤により表面修飾されてなる固体電解質を提供する。
（ａ）リチウム原子
（ｂ）ホウ素、第３周期以下の１４族元素および第３周期以下の１５族元素からなる群から選ばれる１以上の元素の酸化物
本発明の一態様は、リチウムイオン伝導性を有する複数の粒子と、前記粒子に接して前記粒子の間に介在し、下記（ａ）（ｂ）を含む非晶質を形成材料とする基質と、を有する固体電解質。（ａ）リチウム原子（ｂ）ホウ素、第３周期以下の１４族元素および第３周期以下の１５族元素からなる群から選ばれる１以上の元素の酸化物を提供する。
この構成によれば、粒子間をリチウムイオン伝導性を有し軟化点温度および融点が低い基質で接続することで、粒界抵抗を低減させ、高い総イオン伝導率を示す固体電解質を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に試料が収納されたカセットが乗せられる複数のカセット台が前面側に配置された大気搬送室を有する大気圧側ブロックと、
前記大気搬送室の後方でこれに連結されて配置された少なくとも一つのロック室及び前記ロック室に連結された複数の真空搬送室およびこれら複数の真空搬送室の各々と連結され前記試料が内部で処理される一つの真空処理室およびこの真空処理室と前記複数の真空搬送室の各々との間に配置されこれらの間を開閉する複数のバルブを有する真空側ブロックと、を備え、
処理前の前記試料が前記ロック室から前記複数の真空搬送室のうちの一つを通して前記真空処理室に搬送され、処理後の前記試料が前記複数の真空搬送室の別の一つを通して前記ロック室に戻されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記複数のバルブは、排他的に開閉されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の真空処理装置であって、
前記真空処理室には上下動可能なステージと前記ステージで封止して内部を仕切ることが可能な壁が設置されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
処理する試料が挿入されたカセットを載せるためのカセット台が前面側に配置された大気搬送室を有する大気圧側ブロックと、前記大気搬送室の後方でこれに接続されたロック室および前記ロック室に接続された真空搬送室および前記真空搬送室に接続された真空処理室を有する真空側ブロックと、を有する真空処理装置において、
前記真空搬送室は、前記試料を前記ロック室から前記真空処理室に搬送する際に通過する第一領域と、前記真空処理室で処理した後、前記試料を前記ロック室に搬送する際に通過する第二領域とを有し、前記第一領域と第二領域とは互いに分離されており、バルブの開閉により互いに独立して前記真空処理室に接続されるものであることを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の真空処理装置において、
前記第一領域と前記第二領域は、前記真空搬送室内で縦方向に積層されて配置されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の真空処理装置において、
前記第一領域には第一真空搬送ロボットが、前記第二領域には第二真空搬送ロボットが配置されており、
前記第一真空搬送ロボットと前記第二真空搬送ロボットとは互いに独立して制御可能であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の真空処理装置において、
前記第一真空搬送ロボットは、前記試料を前記真空処理室へ搬送する搬入専用ロボットであり、
前記第二真空搬送ロボットは、前記試料を真空処理室から搬送する搬出専用ロボットであることを特徴とする真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成と処理手順を採用する。
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、例えば、内側に試料が収納されたカセットが乗せられる複数のカセット台が前面側に配置された大気搬送室を有する大気圧側ブロックと、
前記大気搬送室の後方でこれに連結されて配置された少なくとも一つのロック室及び前記ロック室に連結された複数の真空搬送室およびこれら複数の真空搬送室の各々と連結され前記試料が内部で処理される一つの真空処理室およびこの真空処理室と前記複数の真空搬送室の各々との間に配置されこれらの間を開閉する複数のバルブを有する真空側ブロックと、を備え、
処理前の前記試料が前記ロック室から前記複数の真空搬送室のうちの一つを通して前記真空処理室に搬送され、処理後の前記試料が前記複数の真空搬送室の別の一つを通して前記ロック室に戻されることを特徴とする真空処理装置とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、処理する試料が挿入されたカセットを載せるためのカセット台が前面側に配置された大気搬送室を有する大気圧側ブロックと、前記大気搬送室の後方でこれに接続されたロック室および前記ロック室に接続された真空搬送室および前記真空搬送室に接続された真空処理室を有する真空側ブロックと、を有する真空処理装置において、
前記真空搬送室は、前記試料を前記ロック室から前記真空処理室に搬送する際に通過する第一領域と、前記真空処理室で処理した後、前記試料を前記ロック室に搬送する際に通過する第二領域とを有し、前記第一領域と第二領域とは互いに分離されており、バルブの開閉により互いに独立して前記真空処理室に接続されるものであることを特徴とする真空処理装置とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス変調されたプラズマにより試料をプラズマエッチングする半導体製造方法において、
パルス変調用パルスのオン時間を前記パルス変調されたプラズマにより生成されたイオンの電流密度が定常時の値に達するのに必要な時間より短くすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造方法において、
前記パルス変調用パルスのオン時間を０．２ｍＳ以下とするとともに前記パルス変調用パルスのデューティー比を２０％以下とすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造方法において、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内に磁場を生成し、
前記試料上の前記磁場の磁束密度を１００Ｇ以下とすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体製造方法において、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内に磁場を生成し、
前記磁場を生成する複数のコイルに流すそれぞれの電流の極性を逆にすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体製造方法において、
前記磁場を生成する複数のコイルに流すそれぞれの電流の極性を逆にすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体製造方法において、
前記パルス変調されたプラズマは、電子サイクロトロン共鳴により生成され、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内に磁場を生成し、
前記磁場を生成するコイルに流す電流を前記サイクロトロン共鳴が発生する箇所から前記試料までの距離が１５０ｍｍ以上となるような値とすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体製造方法において、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内の圧力を５Ｐａ以上とすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の半導体製造方法において、
前記試料が載置される試料台に供給する高周波電力を０Ｗとすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項９】
プラズマにより試料をプラズマエッチングする半導体製造方法において、
連続プラズマを用い前記試料が載置される試料台に供給する高周波電力を１Ｗ以上として前記試料をプラズマエッチングするイオンアシストエッチング工程と、
パルス変調されたプラズマを用い前記試料台に供給する高周波電力を０Ｗとして前記試料をプラズマエッチングするケミカルドライエッチング工程とを有し、
前記イオンアシストエッチング工程と前記ケミカルドライエッチング工程は、前記試料がプラズマエッチングされる同一のプラズマ処理室内で連続して行われることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体製造方法において、
前記イオンアシストエッチング工程と前記ケミカルドライエッチング工程との間に前記プラズマ処理室内を真空排気する真空排気工程と前記試料に堆積した堆積膜を除去する堆積膜除去工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体製造方法において、
前記堆積膜除去工程と前記ケミカルドライエッチング工程は、パルス変調されたプラズマを継続しながら連続して行われることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の半導体製造方法において、
前記パルス変調されたプラズマを生成するためのガスにＫｒガスまたはＸｅガスを混合し、
前記混合されたガスに占める前記Ｋｒガスまたは前記Ｘｅガスの割合を１０％以下とすることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１３】
パルス変調された高周波電源により生成され、イオンとラジカルを含むプラズマにより試料をプラズマエッチングする半導体製造方法において、
同一のプラズマ処理室に配置された試料に対し、前記イオンの入射数と前記ラジカルの入射数の比が相対的に大きな第一のプラズマ処理工程と
前記イオンの入射数と前記ラジカルの入射数の比が相対的に小さな第二のプラズマ処理工程と、を有することを特徴とする半導体製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路の温度を駆動条件として含む波長可変レーザの制御方法であって、
メモリから、第１波長でレーザ発振させるための前記波長可変レーザの第１駆動条件を取得する第１ステップと、
前記第１駆動条件と、前記第１波長と前記第１波長とは異なる第２波長との波長差分とを参照して、前記第２波長で前記波長可変レーザを駆動するための第２駆動条件を算出する第２ステップと、
前記第２ステップによって得られた第２駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する第３ステップと、を含み、
前記第２ステップにおいては、前記第２波長が前記第１波長よりも長波長側である場合には、前記光導波路の温度が、前記第１駆動条件において示される前記光導波路の温度よりも常に高い条件において、前記第２駆動条件を算出し、前記第２波長が前記第１波長よりも短波長側である場合には、前記光導波路の温度が、前記第１駆動条件において示される前記光導波路の温度よりも常に低い条件において、前記第２駆動条件を算出する、波長可変レーザの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと蓋体とによって設けられた内部空間に電子部品を収納する電子デバイスの製造方法であって、
前記ベースと溶接される側の面に溝が設けられ、前記溝の開口面積が、前記蓋体の外周側の開口面積より前記内部空間側の開口面積の方が大きい前記蓋体、および前記ベースを用意する工程と、
前記内部空間と外部とが前記溝を介して連通した状態を維持しつつ、前記ベースと前記蓋体とを溶接する第１溶接工程と、
前記溝を閉塞する第２溶接工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１溶接工程は、平面視で前記蓋体の前記溝が設けられた部分を含む外周に電流を流し、前記ベースと前記蓋体とを溶接することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２溶接工程は、前記溝の前記外周側の開口にエネルギー線を照射して、前記溝を閉塞することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
平面視で、前記溝の前記内部空間側の先端が、前記内部空間と重なっていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１溶接工程と前記第２溶接工程との間に、前記溝から前記内部空間の排気を行う
工程を備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記溝の開口面積は、前記外周側から前記内部空間側に向かって連続的に大きくなって
いることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記溝の開口面積は、前記外周側から前記内部空間側に向かって段階的に大きくなって
いることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記溝は、前記外周側の深さより前記内部空間側の深さの方が深いことを特徴とする請
求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記溝は、前記外周側の幅より前記内部空間側の幅の方が広いことを特徴とする請求項
１ないし請求項８のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
ベースと溶接されることによって内部空間が形成される蓋体であって、
前記ベースと溶接される側の面に溝が設けられ、
前記溝は、前記蓋体の外周側の開口面積より前記内部空間側の開口面積の方が大きく、且つ、平面視で前記内部空間側の先端が前記内部空間と重なることを特徴とする蓋体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子デバイスの製造方法、および蓋体
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（第２の変形例）
次に、本実施の形態に係るパワーモジュール１の第２の変形例について説明する。図４は、本変形例における絶縁基板８およびパターン層９の構造を示している。図４を参照して、本変形例では、パターン層９の外周形状を成す矩形状における対向する二つの角部を切り欠いた部分である切欠部２２ａ，２２ｄが形成されている。そして、切欠部２２ａ，２２ｄの各々に位置決め用ワイヤボンディング部２０ａ，２０ｄ（図２）が位置することにより、絶縁基板８がベース板３に対して位置決めされるようになっている。これにより、パターン層９の形状がより簡略化されて生産性がさらに向上する。また上記矩形状において対向する二つの角部（最も離れた二つの角部）に切欠部２２ａ，２２ｄを形成することにより、ベース板３に対する絶縁基板８の位置決め精度をより向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（第３の変形例）
次に、本実施の形態に係るパワーモジュール１の第３の変形例について説明する。図５は、本変形例における絶縁基板８およびパターン層９の構造を示している。図５を参照して、本変形例では、パターン層９の外周形状を成す矩形状における対向する二つの角部を切り欠いた切欠部２２ａ，２２ｄに加えて、上記二つの角部と異なる一つの角部を切り欠いた部分である切欠部２２ｃがさらに形成されている。そして、切欠部２２ａ，２２ｃ，２２ｄの各々に位置決め用ワイヤボンディング部２０ａ，２０ｃ，２０ｄ（図２）が位置することにより、絶縁基板８がベース板３に対して位置決めされるようになっている。これにより、絶縁基板８がベース板３に対して傾くことが抑制され、ベース板３に対する絶縁基板８の位置決め精度がさらに向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月4日(2016.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過去に行われた工程である複数の実績工程について、複数の工程間の工期が重複している期間である工程干渉期間を算出するとともに、これから行われる工程である計画工程について、前記工程干渉期間を算出する工程干渉算出部と、
前記複数の実績工程について、前記実績工程で作業される部品に関する作業を行う際に必要な空間である作業空間が干渉している空間である干渉体積を算出するとともに、前記計画工程について、前記干渉体積を算出する作業空間干渉算出部と、
前記実績工程及び前記計画工程のそれぞれについて、処理対象となっている工程の標準的な工数に対する余裕の度合いである工期余裕度を算出する工期余裕度算出部と、
前記実績工程における干渉体積に関する情報と、前記実績工程における工程干渉期間に関する情報と、前記実績工程における工期余裕度とを基に、前記複数の実績工程のグルーピングを行うグルーピング部と、
前記グルーピングの結果、生成された前記実績工程のグループと、前記計画工程との関係を、前記計画工程の前記工程干渉期間と、前記干渉体積と、前記工期余裕度とを基に算出し、前記関係に基づいて、前記計画工程に関する遅延のリスクである遅延リスクを算出する遅延リスク算出部と、
前記算出された遅延リスクに関する情報を表示部に表示する表示処理部と、
を有することを特徴とする工程計画支援装置。
【請求項２】
前記グルーピング部は、前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度を座標軸とするパラメータ空間において、前記複数の実績工程をクラスタリングすることで、前記グルーピングを行い、
前記遅延リスク算出部は、前記クラスタリングの結果生成される前記実績工程のクラスタの代表点と、前記パラメータ空間における前記計画工程との距離に基づいて、前記遅延リスクを算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の工程計画支援装置。
【請求項３】
前記グルーピング部は、前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度を座標軸とするパラメータ空間において、前記実績工程を前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度に基づいて、前記パラメータ空間にプロットし、前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度に基づいて、前記パラメータ空間を分割することで、前記実績工程をグルーピングし、
前記遅延リスク算出部は、前記分割されたパラメータ空間におけるブロック毎に前記遅延リスクを算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の工程計画支援装置。
【請求項４】
前記表示処理部は、
前記遅延リスクが所定の値以上である計画工程に関する情報を、前記表示部に強調表示する
ことを特徴とする請求項１に記載の工程計画支援装置。
【請求項５】
前記工程干渉算出部による処理が終了した後に、前記工程干渉算出部によって、工期に干渉があると判定された工程について、前記作業空間干渉算出部による処理が行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の工程計画支援装置。
【請求項６】
工程計画の支援を行う工程計画支援装置が、
過去に行われた工程である複数の実績工程について、複数の工程間の工期が重複している期間である工程干渉期間を算出するとともに、これから行われる工程である計画工程について、前記工程干渉期間を算出し、
前記複数の実績工程について、前記実績工程で作業される部品に関する作業を行う際に必要な空間である作業空間が干渉している空間である干渉体積を算出するとともに、前記計画工程について、前記干渉体積を算出し、
前記実績工程及び前記計画工程のそれぞれについて、処理対象となっている工程の標準的な工数に対する余裕の度合いである工期余裕度を算出し、
前記実績工程における干渉体積に関する情報と、前記実績工程における工程干渉期間に関する情報と、前記実績工程における工期余裕度とを基に、前記複数の実績工程のグルーピングを行い、
前記グルーピングの結果、生成された前記実績工程のグループと、前記計画工程との関係を、前記計画工程の前記工程干渉期間と、前記干渉体積と、前記工期余裕度とを基に算出し、前記関係に基づいて、前記計画工程に関する遅延のリスクである遅延リスクを算出し、
前記算出された遅延リスクに関する情報を表示部に表示する
ことを特徴とする工程計画支援方法。
【請求項７】
前記工程計画支援装置が、
前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度を座標軸とするパラメータ空間において、前記複数の実績工程をクラスタリングすることで、前記グルーピングを行い、
前記クラスタリングの結果生成される前記実績工程のクラスタの代表点と、前記パラメータ空間における前記計画工程との距離に基づいて、前記遅延リスクを算出する
ことを特徴とする請求項６に記載の工程計画支援方法。
【請求項８】
前記工程計画支援装置が、
前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度を座標軸とするパラメータ空間において、前記実績工程を前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度に基づいて、前記パラメータ空間にプロットし、前記干渉体積、前記工程干渉期間及び前記工期余裕度に基づいて、前記パラメータ空間を分割することで、前記実績工程をグルーピングし、
前記分割されたパラメータ空間におけるブロック毎に前記遅延リスクを算出する
ことを特徴とする請求項６に記載の工程計画支援方法。
【請求項９】
前記工程計画支援装置が、
前記遅延リスクが所定の値以上である計画工程に関する情報を、前記表示部に強調表示する
ことを特徴とする請求項６に記載の工程計画支援方法。
【請求項１０】
前記工程計画支援装置が、
前記工程干渉期間の算出後に、工期に干渉があると判定された工程について、前記干渉体積の算出を行う
ことを特徴とする請求項６に記載の工程計画支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業員が携帯する携帯通信用端末機及びモバイルプリンタを備え、
前記携帯通信用端末機は、前記作業員がその日に実施する検針作業に用いる顧客情報を受信して記憶し、
前記モバイルプリンタは、前記携帯通信用端末機が記憶した顧客情報を用いて前記作業員がその日に実施した検針作業の結果を出力し、
前記携帯通信用端末機は、前記モバイルプリンタが検針の結果を出力した場合に、記憶した顧客情報を消去する、
検針システム。
【請求項２】
複合型検査器を備え、
前記複合型検査器は、水道メータに取り付けられたＩＣタグを読み取り、読み取った情報を、前記携帯通信用端末機が記憶した顧客情報と照合する、
請求項１の検針システム。
【請求項３】
前記ＩＣタグは、前記水道メータの在庫管理に用いられるものである、
請求項２の検針システム。
【請求項４】
複合型検査器を備え、
前記複合型検査器は、水道メータの指針値を撮像し、
前記モバイルプリンタは、前記検針作業の結果として、前記複合型検査器が撮像した画像から読み取った指針値を出力する、
請求項１乃至３いずれかの検針システム。
【請求項５】
前記携帯通信用端末機は、前記複合型検査器が撮像した画像から指針値が読み取れない場合に、前記水道メータの指針値を前記作業員に入力させ、
前記モバイルプリンタは、前記検針作業の結果として、前記携帯通信用端末機が入力した指針値を出力する、
請求項４の検針システム。
【請求項６】
前記モバイルプリンタは、前記検針作業の結果として、前記指針値を調定した値を出力する、
請求項４又は５の検針システム。
【請求項７】
複合型検査器を備え、
前記複合型検査器は、前記水道メータに伝搬された振動音を採取し、前記振動音の採取を開始してから第一の採取時間が経過するよりも前に、前記振動音が継続しているか否かを判定し、前記振動音が継続していないと判定した場合、前記第一の採取時間が経過した時点で前記振動音の採取を終了し、前記振動音が継続していると判定した場合、前記第一の採取時間よりも長い第二の採取時間が経過するまで前記振動音の採取を継続する、
請求項１乃至６いずれかの検針システム。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかの検針システムを用いた、検針方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
知的財産権に関する外部データを入力する外部データ入力部と、
前記入力した外部データが有する複数の項目のうち、知的財産権の管理情報に入力値が登録されていない項目については、前記外部データにおける入力値である外部入力値を前記管理情報に登録し、前記管理情報に既に入力値が登録されている項目については、外部入力値と前記管理情報における既存の入力値とを照合し、照合の結果に応じて外部入力値の扱いを制御する外部更新制御部と
を有する知的財産権管理システム。
【請求項２】
前記外部更新制御部は、前記照合の結果が不一致であった不一致項目についての照合ログを、ユーザが使用する計算機であるユーザ計算機に表示し、前記ユーザから更新を許可するか否かを受け付け、前記不一致項目に対応する外部入力値を既存の入力値に上書きする、
請求項１記載の知的財産権管理システム。
【請求項３】
項目毎に、照合の結果が不一致であった場合に前記ユーザによる更新が可能か否かを表す第１フラグが関連付けられており、
前記外部更新制御部は、前記ユーザによる更新が可能でないことを意味する前記第１フラグに関連付けられている不一致項目については、前記ユーザから更新を許可するか否かを受け付けず、その不一致項目に対応した外部入力値を既存の入力値に上書きしない、
請求項２記載の知的財産権管理システム。
【請求項４】
項目毎に、照合の結果が不一致であった場合の前記ユーザに対するメッセージの種類を表す第２フラグが関連付けられており、
前記外部更新制御部は、不一致項目についての照合ログの表示として、その不一致項目に対応した第２フラグに該当する種類のメッセージを表示する、
請求項２又は３記載の知的財産権管理システム。
【請求項５】
前記外部更新制御部は、不一致項目に対応する外部入力値及び既存の入力値が日付の場合、その外部入力値の日付が既存の入力値の日付よりも後であれば、前記ユーザから更新を許可するか否かを受け付けること無しに、その外部入力値を既存の入力値に上書きする、
請求項２乃至４のうちのいずれか１項に記載の知的財産権管理システム。
【請求項６】
前記外部更新制御部は、前記照合の結果が不一致であった不一致項目についての照合ログを出力する
請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の知的財産権管理システム。
【請求項７】
コンピュータにより、知的財産権に関する外部データを入力し、
コンピュータにより、前記入力した外部データが有する複数の項目のうち、知的財産権の管理情報に入力値が登録されていない項目については、前記外部データにおける入力値である外部入力値を前記管理情報に登録し、前記管理情報に既に入力値が登録されている項目については、外部入力値と前記管理情報における既存の入力値とを照合し、照合の結果に応じて外部入力値の扱いを制御する、
知的財産権管理方法。
【請求項８】
知的財産権に関する外部データを入力し、
前記入力した外部データが有する複数の項目のうち、知的財産権の管理情報に入力値が登録されていない項目については、前記外部データにおける入力値である外部入力値を前記管理情報に登録し、前記管理情報に既に入力値が登録されている項目については、外部入力値と前記管理情報における既存の入力値とを照合し、照合の結果に応じて外部入力値の扱いを制御する、
ことをコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
割り当てられた演算を行い、電力供給の遮断状態から復帰する際にリセット動作を行う複数の回路ブロックを有する情報処理装置であって、
少なくとも1つの回路ブロックを含む電源ドメインに対する電力供給を制御する電力制御手段と、
前記電力制御手段により電力供給が再開される回路ブロックのリセット動作を制御する初期化制御手段と、を有し、
前記初期化制御手段は、前記リセット動作による前記情報処理装置の消費電力が所定の消費電力以下となるように、前記回路ブロックが前記リセット動作に要するクロックサイクル数に基づき、前記回路ブロックのリセット動作時のリセット動作パラメータを設定することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記初期化制御手段は、前記リセット動作パラメータと回路ブロックのリセット動作時のダイナミック電力の関係を示すパラメータテーブル情報に基づいて、前記リセット動作パラメータを設定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記初期化制御手段は、
前記クロックサイクル数の大きい順に、前記回路ブロックのリセット動作の優先順位を決定する優先順位決定手段と、
前記回路ブロックのリセット動作時の前記消費電力が前記所定の消費電力以下となるように、前記回路ブロックのリセット動作パラメータを前記優先順位に応じて設定する動作パラメータ設定手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記動作パラメータ設定手段は、前記優先順位に応じて、前記所定の消費電力から前記回路ブロックに対して割り当て可能な消費電力の範囲内で前記リセット動作にかかる時間が最短となる前記リセット動作パラメータを設定することを特徴とする請求項3に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記動作パラメータ設定手段は、前記所定の消費電力から割り当て可能な消費電力では前記リセット動作が不能である前記回路ブロックについて、前記リセット動作を行わせない前記リセット動作パラメータを設定することを特徴とする請求項３又は４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記動作パラメータ設定手段は、前記回路ブロックごとに、
前記リセット動作パラメータの候補を、所定の選定対象群から選定する選定手段と、
前記リセット動作パラメータの候補でリセット動作を行った場合の前記消費電力を予測する予測手段と、
前記予測された消費電力が前記所定の消費電力以下である場合に、前記リセット動作パラメータの候補を前記リセット動作パラメータとして設定する設定手段と、を有し、
前記選定手段は、前記予測された消費電力が前記所定の消費電力を超えた場合に、前記予測された消費電力が前記所定の消費電力以下となるまで、前記リセット動作パラメータの候補の選定を繰り返すことを特徴とする請求項３乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
さらに、前記回路ブロックのリセット動作を行う前の前記消費電力を検出する電力検出手段を有し、
前記予測手段は、前記検出された消費電力と、前記リセット動作により増加する消費電力との加算により前記予測を行うこと特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
さらに、前記情報処理装置の温度を検出する温度検出手段を有し、
前記予測手段は、前記リセット動作により増加する消費電力を、前記温度に基づくリーク電力と前記リセット動作パラメータに基づくダイナミック電力の加算により算出することを特徴とする請求項7に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記初期化制御手段はさらに、
前記リセット動作対象の複数の回路ブロックを指定する指示を受信する受信手段と、
前記リセット動作対象の各回路ブロックのリセット動作の完了を検出する検出手段と、を有し、
前記初期化制御手段は、前記指定されたリセット動作対象の複数の回路ブロックの全てについてリセット動作の完了が検出されるまで、前記リセット動作が未完了の回路ブロックに対する前記リセット動作パラメータの設定を継続することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記リセット動作パラメータは動作周波数であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記リセット動作パラメータは動作電圧であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
さらに、前記パラメータテーブル情報を予め保持する保持手段を有することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
さらに、前記回路ブロックごとの前記クロックサイクル数を予め保持するクロックサイクル数保持手段を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
割り当てられた演算を行い、電力供給の遮断状態から復帰する際にリセット動作を行う複数の回路ブロックを有し、少なくとも1つの回路ブロックを含む電源ドメインに対する電力供給を制御可能な情報処理装置の制御方法であって、
前記リセット動作時の前記情報処理装置の消費電力が所定の消費電力以下となるように、電力供給が再開される回路ブロックがリセット動作に要するクロックサイクル数に基づき、前記回路ブロックのリセット動作時のリセット動作パラメータを設定することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１５】
コンピュータ装置で実行されることにより、該コンピュータ装置を請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ可読の記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明に係る情報処理装置は以下の構成を備える。すなわち、割り当てられた演算を行い、電力供給の遮断状態から復帰する際にリセット動作を行う複数の回路ブロックを有する情報処理装置であって、少なくとも1つの回路ブロックを含む電源ドメインに対する電力供給を制御する電力制御手段と、前記電力制御手段により電力供給が再開される回路ブロックのリセット動作を制御する初期化制御手段と、を有し、前記初期化制御手段は、前記リセット動作による前記情報処理装置の消費電力が所定の消費電力以下となるように、前記回路ブロックが前記リセット動作に要するクロックサイクル数に基づき、前記回路ブロックのリセット動作時のリセット動作パラメータを設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が入力部に電気的に接続された第一スイッチと、第一容量第一電極と第一容量第二電極とを有する第一容量素子と、第二容量第一電極と第二容量第二電極とを有する第二容量素子と、論理部と、を備え、
前記第一スイッチの他端と前記第一容量第一電極と前記第二容量第二電極と前記論理部の入力とが電気的に接続され（第一ノードと称する）、
前記論理部の出力と前記第二容量第一電極とが電気的に接続される（第二ノードと称する）事を特徴とする記憶回路。
【請求項２】
前記論理部はバッファー回路を有する事を特徴とする請求項１に記載の記憶回路。
【請求項３】
第二スイッチを備え、
前記第二スイッチの一端は前記第一ノードに電気的に接続され、
前記第二スイッチの他端は前記第二ノードに電気的に接続される事を特徴とする請求項１又は２に記載の記憶回路。
【請求項４】
前記第二スイッチがオフ状態にある期間に前記第一スイッチはオン状態とされる事を特徴とする請求項３に記載の記憶回路。
【請求項５】
前記第一スイッチがオフ状態にある期間に前記第二スイッチはオン状態とされる事を特徴とする請求項３又は４に記載の記憶回路。
【請求項６】
信号線と、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の記憶回路を備え、
前記記憶回路は、前記信号線に供給する画像信号を記憶する事を特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の記憶回路を備えた事を特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体記憶装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月10日(2016.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラントを構成する設備の起動状態を最適化変数として定義し、前記設備の設備運転モード情報に含まれる運転モードを目的関数として設定し、前記設備の起動に要するエネルギーを加えた前記設備のエネルギー需給一致式及び前記設備運転モード情報で指定された制約を制約条件として設定する最適化パラメータ設定部、
前記最適化パラメータ設定部により設定された、前記最適化変数、前記目的関数および前記制約条件の最適化パラメータを基に、混合整数計画法による最適化演算を実行する最適運転計画立案部、および、
前記設備の前記起動状態に対応させて、前記最適運転計画立案部の演算結果を前記設備の起動に要する時間と共にガイダンス表示として出力する運転計画表示部を有することを特徴とするプラント最適運転計画立案装置。
【請求項２】
前記設備の起動に要するエネルギーを、前記設備の過去の運転実績である帳票データから算出することを特徴とする請求項１のプラント最適運転計画立案装置。
【請求項３】
プラント最適運転計画立案装置における最適運転計画立案方法であって、前記プラント最適運転計画立案装置は、
プラントを構成する設備の起動状態を最適化変数として定義し、前記設備の設備運転モード情報に含まれる運転モードを目的関数として設定し、前記設備の起動に要するエネルギーを加えた前記設備のエネルギー需給一致式及び前記設備運転モード情報で指定された制約を制約条件として設定し、
前記最適化変数、前記目的関数および前記制約条件の最適化パラメータを基に、混合整数計画法による最適化演算を実行し、
前記設備の前記起動に対応させて、前記最適化演算の結果を前記設備の起動停止に要する時間と共にガイダンス表示として出力することを特徴とするプラント最適運転計画立案方法。
【請求項４】
前記プラント最適運転計画立案装置は、
前記設備の起動に要するエネルギーを、前記設備の過去の運転実績である帳票データから算出することを特徴とする請求項３のプラント最適運転計画立案方法。