【事件の表示】
　特願２０１３−５２８１９６「半導体コンタクトの形成方法及び関連する半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月１２日国際公開、ＷＯ２０１２／０４７３４２、平成２５年１０月１０日国内公表、特表２０１３−５３８４５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年（平成２３年）７月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年９月１０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年５月８日付けで審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２６年７月２２日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月２８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年６月４日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年１０月８日付けで審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、当審において平成２８年７月２９日付けで補正の却下の決定がなされるとともに拒絶理由が通知され、同年１１月１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２８年１１月１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし１０に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「コンタクトを有する半導体デバイスを形成する方法であって、
　第１絶縁体層を設け、
　少なくとも１つのコンタクト窓を規定するように前記第１絶縁体層をパターニングし、
　前記第１絶縁体層の上に直接かつ前記少なくとも１つのコンタクト窓内に、前記少なくとも１つのコンタクト窓を少なくとも部分的に埋めるように、第２の絶縁体層を設け、前記第２の絶縁体層は、少なくとも２つの絶縁層、すなわち、前記第１絶縁体層の上であって前記少なくとも１つのコンタクト窓内の前記第２の絶縁体層の第１の層と、前記第２の絶縁体層の前記第１の層の上の前記第２の絶縁体層の第２の層とを含み、
　前記第２絶縁体層の前記第１の層及び前記第２の層の第１の部分をエッチングして、前記第２絶縁体層の第２の部分が前記少なくとも１つのコンタクト窓に残り、前記少なくとも１つのコンタクト窓の寸法とは異なる寸法を有する、改変されたコンタクト窓を少なくとも１つ形成し、前記第２の絶縁体層の前記第２の層は、前記第２の絶縁体層の前記第１の層によって前記コンタクト窓の床部から離間されている、前記第２絶縁体層の前記第１層は、前記第２絶縁体層の前記第２層より早いエッチレートを有する、ことを含む方法。」
第３　当審の判断
１．引用例について
（１）引用例１について
　当審の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平５−２８３３５７号公報（以下，「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
半導体装置及びその製造方法に係り、特に微細なコンタクトホールを開口した半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に伴い、リソグラフィ技術の限界以下の微細なコンタクトホールを形成する要求が高まっている。
従来の微細なコンタクトホールを形成した半導体装置の製造方法を図７及び図８を用いて説明する。まず、ＧａＡｓ基板２上に不純物拡散層であるｎ−ＧａＡｓ層を形成し、その上に層間膜として厚さ３００ｎｍのシリコン酸化膜６を形成する。次に、全面にレジスト１０を塗布してパターニングし、シリコン酸化膜６をエッチングして幅０．５μｍのコンタクトホールを開口する（図７（ａ））。
（イ）「【０００３】次に、
全面に厚さ１００ｎｍのシリコン酸化膜１２を形成する（図７（ｂ））。シリコン酸化膜１２を基板垂直方向にエッチバックし、シリコン酸化膜６上のシリコン酸化膜１２及び、コンタクトホール内壁面以外のシリコン酸化膜１２を除去して、コンタクトホール内壁面に側壁膜１４を形成する（図８）。こうすることにより、側壁膜１４の厚さ（０．１μｍ）分だけコンタクトホールの幅を狭くすることができる
　上記（ア）（イ）の記載を参照すると、次のことがいえる。
（あ）上記（ア）の記載から、引用例１に記載された発明は、微細なコンタクトホールを形成した半導体装置の製造方法に関する発明であることがわかる。また、ＧａＡｓ基板２上にｎ−ＧａＡｓ層を形成し、その上にシリコン酸化膜６を形成し、シリコン酸化膜６をエッチングしてコンタクトホールを開口していると認められる。
（い）上記（イ）の記載から、引用例１に記載された発明は、全面にシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２をエッチバックし、シリコン酸化膜６上のシリコン酸化膜１２及び、コンタクトホール内壁以外のシリコン酸化膜１２を除去して、コンタクトホール内壁面に側壁膜１４を形成することで、側壁膜の分だけコンタクトホールの幅を狭くしていると認められる。
　上記（あ）（い）の事項を踏まえると、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「微細なコンタクトホールを形成した半導体装置の製造方法であって、
　ＧａＡｓ基板２上にｎ−ＧａＡｓ層を形成し、その上にシリコン酸化膜６を形成し、
　シリコン酸化膜６をエッチングしてコンタクトホールを開口し
　全面にシリコン酸化膜１２を形成し、
　シリコン酸化膜１２をエッチバックし、シリコン酸化膜６上のシリコン酸化膜１２及び、コンタクトホール内壁以外のシリコン酸化膜１２をを除去して、コンタクトホール内壁面に側壁膜１４を形成することで、側壁膜の分だけコンタクトホールの幅を狭くしている、
　半導体装置の製造方法」
（２）引用例２の記載について
　当審の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−２８８９５２号公報（以下，「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
電界効果トランジスタとその製造方法に関し、中でも化合物半導体等からなるＨＥＭＴの構造とその製造方法に関するものである。
（イ）「【００２０】
図２は、本発明の第１の実施の形態例を示す工程断面図（２）である。
シリコン窒化膜５と金属薄膜４とを部分的にエッチング除去して、開口部ａを形成する。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すとおり、
シリコン酸化膜７をＣＶＤ法等で３０ｎｍ程度形成する。
その後、基板を例えばＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌ　：　ＲＴＡ）法等により、７００〜７３０℃で１分程度アニールする。
・・・　中　略　・・・
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すとおり、
全面を異方性のドライエッチング等によって全面エッチングし、上記開口部ａ内にサイドウォール８を形成し、開口部ａを更に縮小した開口部ｂを形成する。
開口部ｂの幅は、サイドウォールの幅を変化させることで制御することが可能である。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すとおり、開口部ｂに合わせてゲート電極９を、例えば公知のリフトオフ法等により形成し、ソース電極１０及びドレイン電極１１と共に電界効果トランジスタが形成される。
【００３１】
本実施の形態例では、ゲート電極９はＴ字形状をしており、下部の柱状部分はサイドウォール８で囲まれているので、空隙がなく耐リーク特性や耐腐食性に優れている。ゲート長は、フォトリソグラフィ法の限界寸法以下にまで短縮可能である。」
（ウ）「【００３２】
（第２の実施の形態例）
図４は、本発明の第２の実施の形態例を示す工程断面図である。本実施の形態例では、第１の実施の形態例の図２（ａ）に至るまでの工程が同一であり説明が重複するので、図２（ａ）において、開口部ａが形成された後の工程を、図４（ａ）から説明する。
【００３３】
まず、図４（ａ）において、
基板上にシリコン酸化膜１２をＣＶＤ法等で３０ｎｍ程度形成し、更にシリコン窒化膜１３をＣＶＤ法等で３０ｎｍ程度形成したところを示している。
【００３４】
この後、図４（ｂ）に示すとおり、
シリコン酸化膜１２よりもシリコン窒化膜１３のエッチングが早く進行するエッチング方法を用いて全面をエッチングし、少なくとも開口部ａ内のシリコン酸化膜１２の側壁にシリコン窒化膜からなるサイドウォール１４を形成する。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示すとおり、
フッ素系のウエットエッチングによって、シリコン酸化膜１２を除去する。この工程において、シリコン窒化膜５と同じくシリコン窒化膜からなるサイドウォール１４は、フッ素系のウエットエッチングでは、殆どエッチングされないため残る。
【００３６】
また、
段差部では、シリコン酸化膜１２のアスペクト比が局所的に大きいために、シリコン酸化膜もサイドウォール１５として残る。
【００３７】
この工程で開口部ａは、図示したとおり、開口部ｃまで狭まる。そして、開口部ｃの底部にバリア層３が露出する。
【００３８】
また、第１の実施の形態例同様に
サイドウォール１４及び１５によって、フォトリソグラフィ法の限界寸法以下にまで、開口部ｃを狭めることが可能である。また、開口部ｃの幅は、サイドウォール１４及び１５の幅によって制御が可能である。
（エ）図２
（オ）図４
（え）上記（ア），（イ），（エ）の記載によれば、引用例２には、次の事項（以下、「引用例２第１実施形態」という。）が記載されていると認められる。
「ＨＥＭＴの製造方法であって、
　開口部ａを有する基板上に、シリコン酸化膜７を形成し、
　シリコン酸化膜７をエッチングすることにより、
　開口部ａにシリコン酸化膜からなるサイドウォール８を形成し、
　開口部ｂの幅を、サイドウォール８の幅を変化させることにより制御可能である、
　開口部ｂの製造方法。」
（お）上記（ア）〜（ウ），（オ）の記載によれば、引用例２には、次の事項（以下、「引用例２第２実施形態」という。）が記載されていると認められる。
「ＨＥＭＴの製造方法であって、
　開口部ａを有する基板上に、シリコン酸化膜１２およびシリコン窒化膜１３を形成し、
　シリコン窒化膜１３およびシリコン酸化膜をエッチングすることにより、
　開口部ａにシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜からなるサイドウォール１５，１４を形成し、
　サイドウォール１４は、サイドウォール１５によって、開口部ｃの底部と離間されており、
　サイドウォール１４，１５によって開口部ｃを狭めることが可能であって、
　サイドウォール１４，１５の幅によって、開口部ｃの幅を制御するものであって、
　フッ素系のウェットエッチングによって、シリコン酸化膜を除去する際、シリコン窒化膜はほとんどエッチングされない、
　開口部ｃの製造方法。」
２．対比
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「コンタクト」「半導体装置」「シリコン酸化膜６」「コンタクトホール」「シリコン酸化膜１２」は、本願発明の「コンタクト」「半導体デバイス」「第１絶縁体層」「コンタクト窓」「第２の絶縁体層」に相当する。
（イ）引用例１発明は「シリコン酸化膜６をエッチングしてコンタクトホールを開口」することは、本願発明の「少なくとも１つのコンタクト窓を規定するように前記第１絶縁体層をパターニング」することに相当する。
（ウ）引用例１発明の「全面にシリコン酸化膜１２を形成」することは、本願発明の「前記第１絶縁体層の上に直接かつ前記少なくとも１つのコンタクト窓内に、前記少なくとも１つのコンタクト窓を少なくとも部分的に埋めるように、第２の絶縁体層を設け」ることに相当する。
（エ）引用例１発明の「シリコン酸化膜１２をエッチバックし、シリコン酸化膜６上のシリコン酸化膜１２及び、コンタクトホール内壁以外のシリコン酸化膜１２をを除去して、コンタクトホール内壁面に側壁膜１４を形成する」ことは、この「コンタクトホール内壁面に側壁膜１４を形成することで、側壁膜の分だけコンタクトホールの幅を狭くしている」から、本願発明の「前記第２絶縁体層の」「第１の部分をエッチングして、前記第２絶縁体層の第２の部分が前記少なくとも１つのコンタクト窓に残り、前記少なくとも１つのコンタクト窓の寸法とは異なる寸法を有する、改変されたコンタクト窓を少なくとも１つ形成」することに相当する。
　以上（ア）〜（エ）のことから、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「コンタクトを有する半導体デバイスを形成する方法であって、
　第１絶縁体層を設け、
　少なくとも１つのコンタクト窓を規定するように前記第１絶縁体層をパターニングし、
　前記第１絶縁体層の上に直接かつ前記少なくとも１つのコンタクト窓内に、前記少なくとも１つのコンタクト窓を少なくとも部分的に埋めるように、第２の絶縁体層を設け、
　前記第２絶縁体層の第１の部分をエッチングして、前記第２絶縁体層の第２の部分が前記少なくとも１つのコンタクト窓に残り、前記少なくとも１つのコンタクト窓の寸法とは異なる寸法を有する、改変されたコンタクト窓を少なくとも１つ形成する、
ことを含む方法。」
［相違点１］
　本願発明の「前記第２の絶縁体層」は、「少なくとも２つの絶縁層、すなわち、前記第１絶縁体層の上であって前記少なくとも１つのコンタクト窓内の前記第２の絶縁体層の第１の層と、前記第２の絶縁体層の前記第１の層の上の前記第２の絶縁体層の第２の層とを含」んでおり、また、「前記第２絶縁体層の前記第１層は、前記第２絶縁体層の前記第２層より早いエッチレートを有する」のに対して、引用例１発明は、そのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明は「前記第２絶縁体層の前記第１の層及び前記第２の層の第１の部分をエッチング」しているのに対して、引用例１発明は、「前記第２絶縁体層の」「第１の部分をエッチング」しているものの、「前記第１の層及び前記第２の層」のエッチングは行っていない点。
［相違点３］
　本願発明は「前記第２の絶縁体層の前記第２の層は、前記第２の絶縁体層の前記第１の層によって前記コンタクト窓の床部から離間されている」のに対して、引用例１発明は、そのような構成を有していない点。
３．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）［相違点１］および［相違点２］について
　引用例２に記載されているように、開口部（本願発明の「コンタクトホール」に相当する。）を狭める際に、引用例２第１実施形態として記載されているように、「シリコン酸化膜７」（引用例１発明の「シリコン酸化膜１２」に対応する。）を形成し、エッチングすることにより、開口部にシリコン酸化膜からなる「サイドウォール８」（引用例１発明の「コンタクトホール内壁面に側壁膜１４」に対応する。）を形成し、サイドウォール８の幅を変化させることにより、開口部の幅を制御することと、引用例２第２実施形態として記載されているように、「シリコン酸化膜１２」（本願発明の「第２の絶縁体層の第１の層」に相当する。）および「シリコン窒化膜１３」（本願発明の「第２の絶縁体層の第２の層」に相当する。）を形成し、これらの膜をエッチングすることにより、開口部にシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜からなる「サイドウォール１５，１４」を形成し、「サイドウォール１５，１４」によって開口部を狭めること、また、「サイドウォール１５，１４」によって開口部の幅を制御することは、当業者が適宜選択する公知技術である。
　そして、引用例１発明において「コンタクトホール」の幅を制御するために、引用例２第２実施形態を採用し、引用例１発明の「シリコン酸化膜１２」を「シリコン酸化膜」および「シリコン窒化膜」からなるものとし、本願発明の「少なくとも２つの絶縁層、すなわち、前記第１絶縁体層の上であって前記少なくとも１つのコンタクト窓内の前記第２の絶縁体層の第１の層と、前記第２の絶縁体層の前記第１の層の上の前記第２の絶縁体層の第２の層とを含」むものとすることは、当業者が適宜為し得たものである。
　その際に、引用例１発明において、「前記第２絶縁体層の」「第１の部分をエッチング」するときに、本願発明と同様に、「前記第２絶縁体層の前記第１の層及び前記第２の層の第１の部分をエッチング」することは、当然行われると認められる。
　さらに、引用例２第２実施形態に、「フッ素系のウェットエッチングによって、シリコン酸化膜を除去する際、シリコン窒化膜はほとんどエッチングされない」とあるように、フッ素系のウエットエッチングに対して、「シリコン酸化膜」は「シリコン窒化膜」に比べ早くエッチングされるから、引用例１発明の「シリコン酸化膜１２」を、「シリコン酸化膜」および「シリコン窒化膜」からなるものとした際に、本願発明の「前記第２絶縁体層の前記第１層は、前記第２絶縁体層の前記第２層より早いエッチレートを有する」と同様の関係を有すると認められる。
（２）［相違点３］について
　引用例２第２実施形態において、サイドウォール１４（本願発明の「前記第２の絶縁体層の前記第２の層」に相当する。）は、サイドウォール１５（本願発明の「前記第２の絶縁体層の前記第１の層」に相当する。）によって、開口部ｃの底部（本願発明の「前記コンタクト窓の床部」に相当する。）と離間されており、引用例１発明の「シリコン酸化膜１２」に代えて引用例２記載の引用例２第２実施形態を採用し、「シリコン酸化膜」および「シリコン窒化膜」からなるものとした際に、本願発明の「前記第２の絶縁体層の前記第２の層は、前記第２の絶縁体層の前記第１の層によって前記コンタクト窓の床部から離間され」る構成となることは、明らかである。
（３）小括
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用例１発明及び公知の技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　よって、本願発明は、引用例１発明及び引用例２記載の公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１および２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。