(57)【要約】  本発明は、導電性のマイクロティップを含むデータ記録装置、ならびにそのような装置の製造方法に関する。本発明によれば、マイクロティップ（１）は、記録媒体（３）と電気接触させられるように企図される１つの端部（２）を含む。さらに、マイクロティップ（１）は、実質的に一定の断面を有する縦方向の導電性のコア（４）を含む。さらに、マイクロティップ（１）は、非導電性の材料の外装（５）によって取り囲まれて、それによりコア（４）の自由端と外装（５）の自由端が、マイクロティップ（１）の端部（２）において同じ水準になる。外装（５）の断面は、例えば、切頭円錐形の部分を形成するように、マイクロティップ（１）の端部（２）に向かって小さくなることが可能である。コア（４）は、カーボン・ナノチューブを含むことが可能である。さらに、多数のマイクロティップ（１）が、ネットワークの形態で配置されることが可能であり端部２が実質的に平坦な共通面を生じている。本発明の方法は、研磨ステップを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体（３）と電気接触させられるように設計された端部（２）を有する少なくとも１つの導電性のマイクロティップ（１）を含むデータ記録装置であって、前記マイクロティップ（１）が、実質的に一定の断面を有する縦方向の導電性のコア（４）を含み、
前記マイクロティップ（１）は、非導電性の材料で作られた外装（５）によって取り囲まれ、それにより前記コア（４）の自由端と、外装（５）の自由端が、前記マイクロティップの前記端部（２）において同一のレベルになることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記外装（５）は、絶縁材料で作られていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記外装（５）は、低い導電性を有する材料で作られていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記外装（５）は、前記マイクロティップ（１）の前記端部（２）の方向で小さくなる断面を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記外装（５）は、切頭円錐形の部分を含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記コア（４）は、カーボン・ナノチューブ（１７）によって形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
格子として配置され、前記端部（２）が実質的に平坦な共通面を生じさせる、多数のマイクロティップ（１）を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記記録媒体（３）も含む防塵チップ（７）に組み込まれ、前記チップ（７）の外部に配置された複数の電気接点（８）によってメモリ読み取り装置と通信するように設計されることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記コア（４）は、導電性のトラック（１２）によって基板（６）にしっかりと取り付けられることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記基板（６）は、前記導電性のトラック（１２）より実質的に低い導電性を有することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
研磨ステップを含み、それにより前記コア（４）の前記自由端と前記外装（５）の前記自由端が、前記マイクロティップ（１）の前記端部（２）において同一のレベルになることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のデータ記録装置の製造のための方法。
【請求項１２】
前記研磨ステップは、機械化学平坦化によって実行されることを特徴とする請求項１１に記載の製造のための方法。
【請求項１３】
前記研磨ステップの前に、
基板（６）上に導電性の材料の層（９）を堆積させること、
マイクロティップ（１）のコア（４）を形成するように設計された少なくとも１つの柱（１０）を形成するように、マスクを介して前記導電性の材料をエッチングすること、
少なくとも前記基板（６）の上に、前記外装（５）を構成するように設計された前記非導電性の材料の層（１１）を堆積させることを含み、
そして、前記研磨ステップの後に、前記非導電性の材料をエッチングして、前記外装（５）を横方向で画定するようにすることを含むことを特徴とする請求項１１および１２のいずれか一項に記載の製造のための方法。
【請求項１４】
前記研磨ステップの前に、
前記外装（５）を構成するように設計された非導電性の材料の層（１３）を、基板（６）の上に堆積させること、
前記層（１３）に貫通穴（１４）をエッチングすること、
各穴（１４）の少なくとも壁および底部の上に材料（１６）を堆積させること、
各穴（１４）の底部から、異方性エッチングによって前記材料（１６）を取り除くこと、
前記穴（１４）の前記コア（４）を形成するように設計された前記材料を堆積させることを含み、
そして、前記研磨ステップの後に、前記外装（５）を横方向で画定するように前記層（１３）をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項１１および１２のいずれか一項に記載の製造のための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体と電気接触させられるように設計された端部を有する少なくとも１つの導電性のマイクロティップ（ｍｉｃｒｏｔｉｐ）を含むデータ記録装置に関し、マイクロティップは、実質的に一定の断面（substantially constant cross-section）を有する縦方向の導電性のコアを含む。
【背景技術】
【０００２】
マイクロティップによるメモリ・ドット(Memory dot)書き込み技術およびメモリ・ドット読み取り技術は、非常に大きいデータ記憶密度が得られることを可能にする。
【０００３】
いくつかの技術は、導電性のマイクロティップの使用に基づき、例えば、記録媒体の局所電気固有抵抗（ｌｏｃａｌ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｒｅｓｉｓｉｔｉｖｉｔｙ）マッピングを実行する。データを書き込む、または読み取るのに、マイクロティップは、記録媒体と接触させられるか、または媒体に接近させられる。マイクロティップの端部で徐々に進行する摩耗が、記録装置の性能の低下を生じさせる可能性があり、マイクロティップの破壊をもたらすことがある。
【０００４】
数々のタイプの記録媒体が、マイクロティップによる電流の注入から書き込まれるデータおよび／または読み取られるデータを記憶するために提案されている。マイクロティップと記録媒体の間の電気接触面は、得られる読み取り分解能および書き込み密度を支配する主要なパラメータの１つである。一般に、マイクロティップの頂点のための小さな曲率半径が、求められている。徐々に進行する摩耗は、マイクロティップと記録媒体の間の電気接触面を広くする可能性があり、このため、マイクロティップの頂点の曲率半径を損ない、マイクロティップの電気特性を変えて、所望される分解能を失う可能性がある。
【０００５】
ほとんどの導電性のマイクロティップは、非常に小さい曲率半径を有するマイクロティップ頂点が得られることを可能にするシリコン技術に基づく。例えば、１つの技術は、非常に高濃度でドープされた（ｖｅｒｙ  ｈｉｇｈｌｙ  ｄｏｐｅｄ）、したがって、導電性のシリコンの層をまず、作成することに存する。層には、次いで、異方性エッチングが行われて、マイクロティップが鋭利にされる。別の技術は、ドープされていないシリコンマイクロティップをまず、作成すること、およびそのマイクロティップを、さらに特に硬質の材料である窒化物または炭化物など導電性の材料の層で被覆することに存する。ある技術では、ダイヤモンドの硬さを利用して、マイクロティップを保護する。したがって、マイクロティップは、ダイヤモンドの層によって被覆され、このことは、複雑な製造工程を必要として、高い費用をもたらす。
【０００６】
これらの装置は、角錐形の、円錐形の、または切頭円錐形のマイクロティップを含む。これらのマイクロティップは、比較的堅固であるが、マイクロティップの電気特性は、摩耗プロセスに応じて変化する。
【０００７】
一部のデバイスは、一定の断面のマイクロティップを含み、このことは、摩耗プロセスとは独立の電気特性が得られることを可能にする。しかし、このようなマイクロティップは非常に脆弱である。
【０００８】
さらに、マイクロティップ格子(microtip lattices)の場合には、マイクロティップの長さの統計的なばらつきを考慮に入れるように、各マイクロティップは、すべてのマイクロティップが記録媒体と同時に接触させられることを可能にする可撓性の要素、例えば、カンチレバ（cantilever）によって支持される。しかし、カンチレバの製造は、装置の製造工程に複雑なステップを追加する。
【０００９】
文献ＷＯ０３／０６０９２３が、カンチレバマイクロティップ格子を含むデータ記録装置を説明している。各マイクロティップは、ナノチューブが挿入されたマイクロティップの材料から突き出たナノチューブを含む。カンチレバ材料は、ポリマーまたは誘電材料、金属またはポリシリコンを含むことが可能である。先端部とカンチレバは、リソグラフィ、ドライエッチング、またはウェットエッチングによって画定されることが可能である。ナノチューブは、一定の断面を有し、マイクロティップ材料の断面は、マイクロティップの端部の方向で小さくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の一目的は、これらの欠点を直すことであり、詳細には、摩耗プロセス(wear process)とは独立の電気特性を示しながら、少なくとも１つの堅固なマイクロティップを含む装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、この目的は、添付の特許請求の範囲によって達せられ、詳細には、マイクロティップが、非導電性の材料で作られた外装(sheath)によって取り囲まれ、それによりコアの自由端と外装の自由端が、マイクロティップの端部において同一のレベルになるという事実によって達せられる。
【００１２】
また、本発明の目的は、研磨ステップを含み、それによりコアの自由端と、外装の自由端が、マイクロティップの端部において同一レベルになる、本発明によるデータ記録装置の製造のための方法を提供することでもある。
【００１３】
その他の利点および特徴は、非限定的な実施例として与えられ、添付の図面に示される、本発明の特定の諸実施形態の以下の説明から、より明確に明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１では、データ記録装置が、記録媒体３と電気接触させられるように設計された１つの端部２を有する切頭円錐形(truncated-cone-shaped)のマイクロティップ１を含む。マイクロティップ１は、実質的に一定の断面を有し、非導電性の材料で作られた外装５によって取り囲まれた、縦方向の導電性のコア４を含む。外装５は、例えば、マイクロティップ１の端部２の方向で小さくなる断面を有する。例えば、外装５は、切頭円錐形の部分、または角錐部分(pyramidal part)を有することが可能である。図１に示される特定の実施形態において、外装５は、マイクロティップ１の端部２に、記録媒体３と平行な平坦部（ｐｌａｔｅａｕ）を有し、コア４は、円形の断面を有し、導電性のトラック１２によって基板６にしっかりと取り付けられている。図１は、摩耗していない装置を示す。
【００１５】
いくつかのマイクロティップ１が、導電性のトラック１２によって、同一の基板６上に配置される場合、基板は、絶縁性であるように選択されることが可能であり、これにより、マイクロティップ１が、互いに電気的に絶縁されることが可能になる。単一のマイクロティップ１の場合には、基板６は、導電性であるように選択されることが可能であり、導電性トラック１２は、必要ない。
【００１６】
図２では、図１のデータ記録装置が、摩耗後に示されている。このため、マイクロティップ１の一部分が、端部２の徐々に進行する摩耗(progressive abrasion)によって取り除かれている。
【００１７】
図３および図４は、記録媒体を示さずに、図１および図２による切頭円錐形のマイクロティップ１の端部２をそれぞれ示す。図４に示された端部２の外装５は、摩耗しており、したがって、図３に示された、摩耗していない端部２の外装５の外径より大きい外径を示す。コア４の直径は、図３と図４で等しい。
【００１８】
導電性のコア４の断面は、実質的に一定であり、マイクロティップ１の端部２と記録媒体３の間の電気接触面(electric contact surface)は、研磨プロセス・ステップとは独立である。マイクロティップ１の端部２と記録媒体３の間の機械的接触領域は、外装５の横方向の寸法によって規定される。したがって、機械的接触領域は電気接触面より大きい。したがって、接触力は、摩耗プロセス中、ますます広くなる領域にわたって分散され、その結果、摩耗が進むにつれて、接触圧力は、ますます低くなり、摩耗プロセスの速度は、低下して、特に、いくつかのマイクロティップが存在する場合において、互いに全く同一の形状をとる面が存在することになる。
【００１９】
外装５は、絶縁材料、例えば、シリカによって、または、低い導電性を有する材料によって、例えば、半導体材料によって形成され、それにより外装５の抵抗が、コア４の抵抗より実質的に大きくなることが可能である。例えば、外装５の材料の導電性は、コア４の材料の導電性の１０分の１の低さであることが可能である。
【００２０】
特定の実施形態では、コア４は、カーボン・ナノチューブによって形成される。例えば、カーボン・ナノチューブは、シリコン基板上に堆積させられた金属トラック(metallic track)を使用して成長させられることが可能であり、金属トラックは、通常、触媒、例えば、遷移金属を含む。例えば、プラズマ増速化学蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用して、垂直に揃えられたカーボン・ナノチューブを成長させるための方法が、Ｍ．Ｃｈｈｏｗａｌｌａらによる「Ｇｒｏｗｔｈ  ｐｒｏｃｅｓ  ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ  ｏｆ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ」（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．９０，Ｎｏ．１０，２００１年１１月１５日）という文献で説明されている。この方法では、金属トラックは、焼結によって細分化されて、基板上にナノメートルの（ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃ）金属粒子を形成するようになる。化学蒸着中、カーボン・ナノチューブは、それぞれのナノメートルの金属粒子の下で成長する。
【００２１】
図５に示された記録装置は、１次元格子または２次元格子として配置された多数のマイクロティップ１を含む。マイクロティップ１の複数の端部２は、実質的に平坦な共通面を生じさせる。デバイスの製造のために使用される方法のタイプに依存して、複数の端部２は、平坦な面、またはわずかに凹んだ面、例えば、球面または柱面を生じさせることができる。複数のマイクロティップ１は、導電性のトラック１２上にそれぞれ配置されて、基板６によって電気的に絶縁され、基板６の材料は、導電性のトラック１２の材料より実質的に低い導電性、例えば、１０分の１の導電性を有する。
【００２２】
図６は、防塵チップ７に組み込まれ、記録媒体３を構成するメモリ・ディスクも含む記録装置を示す。チップ７は、チップ７外部に配置された複数の電気接点８によって、メモリ読み取り装置と通信するように設計される。このため、マイクロティップ１によって形成される読み取りヘッドを含む交換可能なメモリが得られる。また、読み取り装置は、読み取りヘッドと記録媒体３の相対的な動きを確実にするアクチュエータ群も含む。例えば、モータが、メモリ・ディスクを駆動することが可能であり、径方向平行移動ユニット(radial translation unit)が、ディスク上の選択されたメモリ・ドット・ラインに沿って読み取りヘッドを動かすことが可能である。平行移動ユニットの動きの大きさ（ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）は、例えば、２つの隣接するマイクロティップ１の間の直線ピッチ以上である、例えば、１０μｍから１００μｍまでの範囲内に含まれる。
【００２３】
マイクロティップ１と記録媒体３の間の空間は、低い導電性を有する滑材によって、例えば、グラファイト、シリコーン（silicone）、または液体によって充たされることが可能であり、これは、マイクロティップ１と記録媒体３の間の電気伝導を確実にする。滑材の導電性は、隣接するマイクロティップ１の間で短絡を生じさせないために十分に低くなければならない（Ｚ−ＤＯＬタイプ、グラファイト・タイプ、またはシリコーン・タイプの滑材）。
【００２４】
本発明によるデータ記録装置を製造するための方法は、構成材料である、マイクロティップ１のコア４と外装５それぞれの組み立ての後、研磨ステップを含み、コア４の自由端と、外装５の自由端が、マイクロティップ１の端部２において同一のレベルにあるようにする。研磨ステップは、好ましくは、機械化学平坦化（ｍｅｃｈａｎｏ−ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）によって実行される。研磨前の本体の長さの統計的ばらつきのために、本体４および外装５を構成するすべての材料は、例えば、組立て品の厚さが、例えば、本体４の平均の長さの半分に相当するまで、研磨されることが可能である。
【００２５】
図５によるデータ記録装置の製造のための方法は、図７から図１１に示されるステップを含む。
【００２６】
第１のステップは、図７に示されるとおり、基板６の上に導電性の材料の層９を堆積させることに存する。導電性の材料は、多結晶シリコン、炭素、または金属であることが可能であり、基板６は、例えば、シリカで被覆されたシリコンから作られている。層９の堆積は、スパッタリングまたは化学蒸着などの従来の工程によって実行されることが可能である。
【００２７】
基板６には、任意の光リソグラフィおよびエッチングのプロセスによってエッチングされた、例えば、銅で作られた、金属層の堆積によって、導電性のトラック１２が、あらかじめ設けられている。本体４は、以下のステップで、これらの導電性のトラック１２の上に堆積させられる。
【００２８】
第２のステップは、図８に示されるとおり、マイクロティップ１のコア４をそれぞれが構成するように設計された複数の柱(pillar)１０を形成するように、マスクを介して層９の導電性の材料にエッチングすることに存する。
【００２９】
次いで、図９に示される第３のステップで、外装５を形成するように設計された非導電性の材料の層１１が、柱１０を備えた基板６の上に堆積させられる。異なる堆積方法は、選択される非導電性の材料に依存する。このため、炭素（ＤＬＣ）タイプのようなダイヤモンドの炭素の層は、メタンまたは一酸化炭素から化学蒸着によって堆積させられることが可能であり、Ｓｉ３Ｎ４の層は、スパッタリングによって実現されることが可能であり、ＳｉＯ２の層は、ソル−ゲル(sol-gel)・タイプのプロセスによって得られるシリカのスピンコーティングによって得られることが可能である。図９に示される非導電性の材料の層１１の堆積の厚さは、柱１０が、層１１の中に完全に埋没させられるように選択される。しかし、また、厚さが、柱１０の高さを超えない層１１を堆積させることもまた可能である。
【００３０】
次いで、第４のステップは、図１０に示されるとおり、前述のように、研磨を実行し、それにより研磨の終りに、複数の柱１０の自由端、および複数の外装５の自由端が、各マイクロティップ１の端部２において同一のレベルになることに存する。
【００３１】
図１１に示される第５のステップで、層１１の非導電性の材料は、外装５が横方向で画定されるようにエッチングされる。したがって、マイクロティップ１の端部２と記録媒体３の間の機械的接触領域は、小さくされることが可能であり、したがって、摩擦力が小さくされる。層１１は、複数の本体４の間で、２つの本体４の間の距離より小さい所定の幅の間隙で、層１１の厚さに必ずしも対応しない所定の深さにわたってエッチングされる。このように、図１１に示される各マイクロティップの外装５は、そのマイクロティップの端部２において一定の断面を得るのに対して、基板６近くで、層１１は、複数の柱１０の間の空間を完全に被覆する。エッチングは、化学的手段によって、またはイオン衝撃によって実行されることが可能である。また、エッチング・ステップは、リソグラフィ・マスク（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｍａｓｋｉｎｇ）も含む。
【００３２】
単一のマイクロティップ、または任意の２次元、もしくは１次元のマイクロティップ格子が、前述された方法と同様の方法によって達せられることが可能である。
【００３３】
図７から図１１に示される方法では、本体４は、外装５より先に作成されるのに対して、別の実施形態では、外装５は、本体４より先に作成される。すべての場合で、リソグラフィ・プロセスまたは自己組織化プロセス(self-organization process)が実施されて、本体４が画定されることが可能である。
【００３４】
例えば、導電性の材料のエッチングによって（図８）、またはカーボン・ナノチューブの場合には局所的成長によって、コア４が先に製造される場合には、このようにして得られたコア４の直径は、小さくされなければならないことがあり、これは、等方性の反応性エッチングによって行われることが可能である。外装５の堆積（図９）が、次に、例えば、アモルファス・グラファイトの場合には、物理蒸着(physical vapor deposition)によって、シリカ、窒化物、またはダイヤモンド様の炭素の場合には、化学蒸着(chemical vapor deposition)によって、またはソル−ゲル・タイプの方法、例えば、ディップコーティングによって実行されることが可能である。
【００３５】
図１２から図１６は、コア４より先に外装５が作成される製造方法を示す。マイクロティップ１は、例えば、導電性の層１２と、平坦化層１５とを含む基板６上で実現される。外装５を構成するように設計された材料の層１３が、任意の方法によって、例えば、前述された方法の１つによって堆積させられる。次いで、図１２に示されるとおり、貫通穴１４が、層１３にエッチングされる。このように得られた穴１４のサイズを小さくするため、材料１６が、外装５の前面部の上、穴１４の壁の上、および各穴１４の底部の上に堆積させられる。異方性エッチングが、次いで、材料１６が、各穴１４の底部から、ならびに外装５の前面部から取り除かれることを可能にする（図１３）。
【００３６】
コアが、次いで、タングステンなどの導電性の材料の、任意の想定可能な堆積方法によって、あるいは、各穴１４の底部からのカーボン・ナノチューブ１７の成長のための、ニッケルなどの触媒の堆積によって、図１４に示されるとおり、作成される。触媒の堆積による場合には、穴は、導電性の材料の、例えば、タングステン、銅、またはニッケルの電着によって、追加の材料１８で充たされる。次いで、図１５に示されるとおり、スタック(stack)の前面部の研磨が、カーボン・ナノチューブ群１７によって形成された複数の本体４の一様な長さが得られることを可能にする。次いで、外装５が、所定の深さにわたって、例えば、図１６に示されるとおり、外装５の深さ全体にわたって、または、図１１に示されるとおり、中間の深さにわたってエッチングされる。
【００３７】
本発明による方法は、複数の端部２が実質的に平坦な共通面を形成するマイクロティップ格子１が、得られることを可能にし、このことは、すべてのマイクロティップ１が、カンチレバなどの、可撓性の要素が、複数のマイクロティップ２の長さの違いを補償するのを必要とすることなしに、記録媒体３と同時に接触させられることを可能にする。
【００３８】
マイクロティップ格子は、ＩＢＭコーポレーションのｍｉｌｌｉｐｅｄｅ（登録商標）との類似による（ｂｙ  ｓｉｍｉｌｉｔｕｄｅ  ｗｉｔｈ）２次元マトリックスとして、または回転ディスクの形態のメモリとともに使用するためのアレイとして使用されることが可能である。回転ディスクの場合には、記録媒体３は、例えばプラスチックで作製されることが可能である。
【００３９】
本発明は、示された諸実施形態に限定されない。詳細には、外装５は、任意の形態の外壁を有することが可能である。例えば、壁は、円柱形の断面、または正方形の断面を有することが可能である。また、本発明によるマイクロティップ１は、例えば、マイクロティップが作成された後にエッチングによって得られる、カンチレバ上に配置されることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】摩耗していないマイクロティップを含む、本発明によるデータ記録装置の特定の実施形態の断面を示す図である。
【図２】摩耗したマイクロティップを含む、本発明によるデータ記録装置の特定の実施形態の断面を示す図である。
【図３】図１の装置のマイクロティップの端部を、線Ａ−Ａに沿った断面で示す図である。
【図４】図２の装置のマイクロティップの端部を、線Ｂ−Ｂに沿った断面で示す図である。
【図５】マイクロティップ格子を含む、本発明によるデータ記録装置の特定の実施形態を示す図である。
【図６】記録媒体も含む、チップに組み込まれた、本発明による装置の特定の実施形態を示す図である。
【図７】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の特定の実施形態を示す図である。
【図８】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の特定の実施形態を示す図である。
【図９】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の特定の実施形態を示す図である。
【図１０】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の特定の実施形態を示す図である。
【図１１】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の特定の実施形態を示す図である。
【図１２】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の、別の特定の実施形態を示す図である。
【図１３】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の、別の特定の実施形態を示す図である。
【図１４】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の、別の特定の実施形態を示す図である。
【図１５】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の、別の特定の実施形態を示す図である。
【図１６】本発明によるデータ記録装置の製造のための方法の、別の特定の実施形態を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
2007511027.tif 000019
2007511027.tif 000020
2007511027.tif 000021
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