Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１記憶装置に格納された第１プリミティブＩＤを提供され、前記第１プリミティブＩＤから前記第１記憶装置の固有識別子である第１メディアＩＤを演算するＩＤ演算部と、
ユーザを認証するための認証情報をセキュア鍵生成部に提供する認証情報提供部と、
前記第１メディアＩＤ及び前記認証情報を全て用いてセキュア鍵を生成するセキュア鍵生成部を含むセキュア鍵生成装置。
【請求項２】
前記第１プリミティブＩＤは、前記第１メディアＩＤ演算に用いる一つ以上の識別用データであり、前記第１メディアＩＤとは異なるデータである請求項１に記載のセキュア鍵生成装置。
【請求項３】
前記第１プリミティブＩＤは、前記第１記憶装置に備えられた第１メモリ素子の固有識別子である第１メモリＩＤを暗号化した第１暗号化メモリＩＤであり、
前記ＩＤ演算部は、前記第１暗号化メモリＩＤを前記第１メモリＩＤで復号化し、前記第１メモリＩＤから第１メモリ派生ＩＤを演算し、前記第１メモリ派生ＩＤを前記第１メディアＩＤとして使用する請求項１に記載のセキュア鍵生成装置。
【請求項４】
前記第１プリミティブＩＤは、前記第１記憶装置に備えられたコントローラの固有識別子である第１コントローラＩＤを含み、
前記ＩＤ演算部は、前記第１コントローラＩＤを用いて前記第１メディアＩＤを演算する請求項１に記載のセキュア鍵生成装置。
【請求項５】
前記第１プリミティブＩＤは、前記第１記憶装置に備えられた第１メモリ素子の固有識別子である第１メモリＩＤを暗号化した第１暗号化メモリＩＤ及び前記第１記憶装置に備えられた第１コントローラの固有識別子である第１コントローラＩＤを含み、
前記ＩＤ演算部は、前記第１暗号化メモリＩＤを前記第１メモリＩＤで復号化し、前記第１メモリＩＤから第１メモリ派生ＩＤを演算し、前記第１コントローラＩＤ及び前記第１メモリ派生ＩＤを全て用いて前記第１メディアＩＤを演算する請求項１に記載のセキュア鍵生成装置。
【請求項６】
前記認証情報提供部は、前記ユーザから前記認証情報を入力され、
前記セキュア鍵生成部は、前記第１メディアＩＤとユーザから入力された認証情報を全て用いて前記セキュア鍵を生成する請求項１に記載のセキュア鍵生成装置。
【請求項７】
記憶装置に格納されたプリミティブＩＤを提供され、プロセッサに提供する記憶装置インターフェースと、
前記プリミティブＩＤから前記記憶装置の固有識別子であるメディアＩＤを演算し、前記メディアＩＤ及びユーザを認証するための認証情報を全て用いてセキュア鍵を生成するプロセッサを含むセキュア鍵生成装置。
【請求項８】
メモリ素子の固有識別子であるメモリＩＤ及び前記メモリＩＤを暗号化した暗号化メモリＩＤを格納するメモリ素子と、
ホスト装置からユーザを認証するための認証情報を提供され、セキュア鍵生成部に提供し、前記ホスト装置からコンテンツを提供され、暗号化部に提供するホストインターフェースと、
前記メモリ素子から前記暗号化メモリＩＤを読み込み、前記暗号化メモリＩＤを復号化して前記メモリＩＤを取得し、前記メモリＩＤを用いて前記メモリ素子の他の固有識別子であるメモリ派生ＩＤを生成する派生ＩＤ演算部と、
前記認証情報及び前記前記メモリ派生ＩＤを全て用いてセキュア鍵を生成するセキュア鍵生成部と、
前記セキュア鍵を用いて前記コンテンツを暗号化して前記メモリ素子に格納する暗号化部を含む記憶装置。
【請求項９】
前記認証情報は、ＳＤカード規格（ＳＤ  Ｃａｒｄ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）コマンドのパラメータとして含まれて前記ホスト装置から提供される請求項８に記載の記憶装置。
【請求項１０】
記憶装置をセキュア鍵生成装置に電気的に接続し、
前記セキュア鍵生成装置が前記記憶装置に格納されたプリミティブＩＤを提供され、前記プリミティブＩＤから前記記憶装置の固有識別子であるメディアＩＤを演算し、
前記セキュア鍵生成装置がユーザから前記ユーザを認証するための認証情報を直接入力されるか、またはネットワークを介して接続された他の装置から前記認証情報を提供され、
前記セキュア鍵生成装置が前記メディアＩＤ及び前記認証情報を全て用いてセキュア鍵を生成することを含むセキュア鍵の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
上面図において第一領域及び第二領域を含むパターン化界面を含み、
前記第一領域及び前記第二領域には、それぞれ、複数の所定パターン構造が含まれており、
前記第一領域及び前記第二領域における前記複数の所定パターン構造は、互いに重複し、且つ、前記複数の所定パターン構造のうちの任意の二つの隣接するものは、互いに異なる、発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記複数所定パターン構造の各々は、上面図において、形状が多角形又は円形であり、また、0.5μm乃至10μmの間にある特徴サイズを有する、発光素子。
【請求項３】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記複数の所定パターン構造の配列方式は、モンテカルロ・シミュレーション(Monte-Carlo  Simulation)によるものである、発光素子。
【請求項４】
請求項１に記載の発光素子であって、
基板及びエピタキシャルスタック層を更に含み、
前記パターン化界面は、前記基板と前記エピタキシャルスタック層との間に位置する、発光素子。
【請求項５】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記パターン化界面は、微細構造を含み、前記微細構造の粗度は、前記パターン化界面の粗度よりも低い、発光素子。
【請求項６】
発光素子の製造方法であって、
基材を提供し；
重複して出現するランダムパターンを準備し、前記重複して出現するランダムパターンのうちの任意の二つの隣接するものは、互いに異なり；
前記重複して出現するランダムパターンを有するマスク層を形成し；及び
前記基材の一部を除去し、これにより、前記基材の表面に、前記重複して出現するランダムパターンを形成するステップを含む、製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の製造方法であって、
前記重複して出現するランダムパターンの配列方式は、モンテカルロ・シミュレーション(Monte-Carlo  Simulation)によるものである、製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の製造方法であって、
前記重複して出現するランダムパターンは、上面図において、異なるサイズを有する、製造方法。
【請求項９】
発光素子であって
第一領域及び第二領域を含む基板と、
前記第一領域に位置する第一組のパターン構造と、
前記第二領域に位置する第二組のパターン構造と、
を含み、
前記第一組のパターン構造及び前記第二組のパターン構造にそれぞれ含まれている複数のパターン構造、前記第一組のパターン構造のうちの前記複数のパターン構造、及び前記第二組のパターン構造のうちの前記複数のパターン構造は、互いに重複するが配列方式が異なる形状を有し、前記複数のパターン構造の配列方式は、モンテカルロ・シミュレーション(Monte-Carlo  Simulation)によるものである、発光素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光素子であって、
前記第一組のパターン構造のうちの任意の二つの隣接するパターン構造のサイズは、互いに異なる、発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔を有する載置基部と、
第１の表面及び第１の側面を有する第１の基板、並びに前記第１の表面に設けられる第１の発光ダイオード構造を有する第１の発光ダイオードチップと、
第２の表面及び第２の側面を有する第２の基板、並びに前記第２の表面に設けられる第２の発光ダイオード構造を有する第２の発光ダイオードチップと、を含み、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、前記孔に向かっている、発光装置。
【請求項２】
前記第１の発光ダイオードチップは、前記第１の発光ダイオード構造を覆う第１のエネルギー変換層をさらに含み、
前記第２の発光ダイオードチップは、前記第２の発光ダイオード構造を覆う第２のエネルギー変換層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の側面は、前記第１のエネルギー変換層により覆われておらず、
前記第２の側面は、前記第２のエネルギー変換層により覆われていない、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の発光ダイオードチップは、前記第１の表面を覆う第１のエネルギー変換層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の発光ダイオードチップは、前記第１の表面に対向する第３の表面と、前記第３の表面を覆う第２のエネルギー変換層をさらに含む、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記載置基部は、前記第１の発光ダイオードチップに連結され、且つ前記第１の基板と３０°〜１５０°の夾角をなす、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記載置基部は、前記第２の発光ダイオードチップに連結され、且つ前記第２の基板と３０°〜１５０°の夾角をなす、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の基板又は前記第２の基板は、サファイア又はガラスを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１の基板又は前記第２の基板は、２００μｍ以上の厚さを有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１の発光ダイオードチップ又は前記第２の発光ダイオードチップは、０．２ワットよりも小さいパワーを有する、請求項１に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月17日(2016.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
第一表面と、該第一表面に相対する第二表面とを有し、且つ平板状である基板と、
前記第一表面に設置されている発光ダイオードチップであって、前記発光ダイオードチップから発した光線の一部は、前記第二表面から出射する、発光ダイオードチップと、
を含み、
前記第一表面及び前記第二表面から出射する光線の色温度差異は、１５００Ｋより小さい又はそれに等しい、発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記第一表面及び前記第二表面に設置されているエネルギー変換層を更に含む、発光素子。
【請求項３】
請求項２に記載の発光素子であって、
前記第二表面に設置されている前記エネルギー変換層は、前記第一表面に平行な外表面を有する、発光素子。
【請求項４】
請求項２に記載の発光素子であって、
前記第一表面に位置し、且つ前記エネルギー変換層により覆われている接続導線を更に含む、発光素子。
【請求項５】
請求項２に記載の発光素子であって、
前記基板は側面を更に含み、該側面は前記エネルギー変換層により覆われていない、発光素子。
【請求項６】
請求項１に記載の発光素子であって、
載置ベースを更に含み、
前記載置ベースは、前記発光ダイオードチップにカップリングされ、また、前記基板と９０度ではない角度を成す、発光素子。
【請求項７】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記基板は、酸化アルミニウム又はプラスチックを含む、発光素子。
【請求項８】
請求項１に記載の発光素子であって、
第一接続導線及び第二接続導線を更に含み、
前記第一接続導線及び前記第二接続導線はともに前記第一表面に位置する、発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の発光素子であって、
前記第一接続導線は前記発光ダイオードチップの一方側に位置し、且つ前記第二接続導線は前記発光ダイオードチップの他方側に位置する、発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子顕微鏡に好適な位相板であり、前記電子顕微鏡は、電子ビームを生成するように適合され、前記電子ビームは、サンプルを通過するように作用し、前記電子ビームは、前記サンプルを通過後、非回折ビームと回折ビームに分けられるように作用し、前記サンプルは、前記非回折ビームと前記回折ビームが干渉して画像を形成するように作用する画像化面で画像化されるように作用し、前記位相板は、前記非回折ビームと前記回折ビームが焦点化するように作用する面に設けられ、前記位相板は、
電子の第１の位相シフトを生じるように作用する中心領域と、
前記中心領域を囲み、境界付ける第１の薄膜であって、前記第１の位相シフトとは異なる、電子の第２の位相シフトを生じるように作用する、第１の薄膜と、
前記第１の薄膜を囲む、前記位相板を保持するために好適なホルダー構造と、
を含み、
前記第１の位相シフトと第２の位相シフトの差が、空間周波数のある範囲について前記画像のコントラストを改善させるように作用し、
前記第１の薄膜と前記ホルダー構造の間には、少なくとも一つの別の薄膜が存在し、該別の薄膜は、前記第２の位相シフトとは異なる別の位相シフトを生じるように作用し、
空間周波数の別の範囲における、第１の位相シフトと別の位相シフトの間の差は、前記別の位相シフトが前記第2の位相シフトと等しい場合に比べて、前記画像のコントラストを改善させるように作用し、
前記第１の薄膜と前記別の薄膜は、同軸環状部として形成され、前記環状部は、前記第１の薄膜を形成する前記環状部を囲み境界付ける、前記別の薄膜を形成し、前記環状部の中心は、前記中心領域の中央と同軸であることを特徴とする位相板。
【請求項２】
請求項１に記載の位相板であり、前記中心領域は貫通孔であり、かつ前記第１の位相シフトはゼロである、位相板。
【請求項３】
請求項１に記載の位相板であり、前記第１の薄膜は、前記対応する周波数範囲のコントラスト伝達関数の絶対値｜ＣＴＦ｜が、前記最大達成ＣＴＦの最大０．５の値から前記最大達成ＣＴＦの少なくとも０．５の値まで、より好ましくは前記最大達成ＣＴＦの０．７未満から前記最大達成ＣＴＦの少なくとも０．７まで、変化するような、位相シフトを生じるように作用される、位相板。
【請求項４】
請求項１に記載の位相板であり、前記別の薄膜は、前記対応する周波数範囲の空間周波数｜ＣＴＦ｜の前記別の範囲が、最大達成ＣＴＦの最大０．５の値から前記最大達成ＣＴＦの少なくとも０．５の値まで、より好ましくは前記最大達成ＴＣＦの少なくとも０．７未満から前記最大達成ＣＴＦの少なくとも０．７まで、変化するような、位相シフトを生じるように作用される、位相板。
【請求項５】
請求項１に記載の位相板であり、前記別の薄層は、グラフェン層又はグラフェン二重層である、位相板。
【請求項６】
請求項１に記載の位相板であり、前記薄膜の少なくとも１つの厚さは、前記中心からの距離の関数として、前記得られる絶対値｜ＣＴＦ｜が、対応する周波数範囲について最大達成ＣＴＦの０．５、より好ましくは最大達成ＣＴＦの０．７、最も好ましくは最大達成ＣＴＦの０．９を超えるように調整される、位相板。
【請求項７】
請求項６に記載の位相板であり、前記ＣＴＦは、前記第１の薄膜の外端及び前記別の薄膜の内端に対応する周波数について符号を変更しない、位相板。
【請求項８】
請求項１に記載の位相板であり、前記第１の薄膜及び前記別の膜は、異なる厚さを持ち、その結果、前記第１の薄膜及び前記別の薄膜の差により生じる前記位相シフトは異なる、位相板。
【請求項９】
請求項１に記載の位相板であり、前記第１の薄膜及び前記別の薄膜は、異なる平均内部ポテンシャルを持ち、その結果、前記第１の薄膜及び前記別の薄膜の差により生じる前記位相シフトは異なる、位相板。
【請求項１０】
請求項１に記載の位相板であり、前記別の薄膜は開口部を持ち、前記第１の薄膜は前記開口部を分割するスポークにより、前記ホルダー構造に接続される、位相板。
【請求項１１】
電子のソース源と、
前記電子を焦点化する対物レンズと、
請求項１に記載の位相板と、
前記電子から画像を形成する画像化装置と
を有する、電子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加温状態を保ちながら、帯状シートを搬送するサクションローラであって、
前記帯状シートを吸着するための吸着孔が、外周面に複数穿孔されている、金属製外筒体、及び
前記金属製外筒体に内嵌され、前記吸着孔に連通する１または２以上の吸引路が外表面のローラ軸方向に凹設された溝として延設され、中空部を有する金属製内筒体
を備えていて、
前記吸引路は、前記金属製内筒体の外表面に凹設された溝であり、
前記吸引路に接続される負圧源により、前記吸引路を通じて前記吸着孔を減圧することで、前記帯状シートが前記金属製外筒体に吸着されるサクションローラ。
【請求項２】
前記サクションローラの軸方向長さは、５５０〜２０００ｍｍである請求項１に記載のサクションローラ。
【請求項３】
前記内筒体の中空部及び前記内筒体内周面、または、前記内筒部の中空部と前記内筒体内周面のうちどちらか一方に加熱源が付設されている請求項１〜２のいずれか１項に記載のサクションローラ。
【請求項４】
前記外筒体及び前記内筒体、または、前記外筒体と前記内筒体のうちどちらか一方を構成する金属は、アルミニウム、マグネシウム、銅、真鍮、ステンレスまたはその合金である請求項１〜３のいずれか１項に記載のサクションローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月30日(2016.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脳内出血状態に起因する血腫拡大又は再発性出血を治療し、患者予後を改善するための医薬の製造における薬学的組成物の使用であって、前記薬学的組成物が、
マトリックスを含む生分解性ポリマーを含む薬学的に許容される担体を含み、前記担体ポリマーが、ノンパレイル、ペレット、ストリング、シート、結晶、集塊物、微小粒子、及びナノ粒子からなる群から選択される固体構造を生成するために形成され得て、
前記固体構造が、アミノカプロン酸（ＡＭＩＣＡＲ）、トラネキサム酸、第ＶＩＩ因子、アプロチニン、抗プラスミン、フィブリン断片Ｄ、ビタミンＫ、及び４−アミノメチル安息香酸からなる群から選択される少なくとも１つの抗線溶剤を含み、
前記組成物が、
（ａ）前記マトリックス中での前記固体構造の分散、
（ｂ）流体が充満した空間内への、又は、くも膜下腔、慢性ＳＤＨの硬膜下腔、若しくは脳内の血腫、腫瘍、若しくは血管奇形の外科的排除後に残された空洞から選択される空洞内への、長期間にわたって前記抗線溶剤の実質的に一定の血中濃度をもたらす、長期間にわたっての前記抗線溶剤の段階的な放出、
によって特徴付けられ、治療活性が必要とされる部位において高濃度の薬物を提供し、かつ体の他の部位においてはより低い濃度を提供することにより、前記抗線溶剤の全身投与に関連した、血圧低下、心不整脈、浮腫、横紋筋融解症、血栓症、脳梗塞、及び心筋梗塞などの好ましくない全身性副作用の危険性を減少させることを特徴とする、使用。
【請求項２】
前記出血状態が、
ａ．外傷性脳損傷（ＴＢＩ）に起因するか、
ｂ．前記血腫の外科的排除後の再出血であるか、
ｃ．慢性硬膜下血腫（ＳＤＨ）であるか、
ｄ．脳内血腫（ＩＣＨ）であるか、
ｅ．開頭術後の再出血である、
請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記開頭術が、
（ａ）脳癌を治療するために行われるか、
（ｂ）脳内血管奇形を治療するために行われるか、
（ｃ）脳動脈瘤を治療するために行われる、
請求項２に記載の使用。
【請求項４】
前記空洞又は空間が、移植部位である、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記組成物が、前記抗線溶剤を投与後少なくとも２１日間放出する、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
前記組成物が、前記抗線溶剤を投与後約３〜５日間放出する、請求項１に記載の使用。
【請求項７】
前記担体が、
（ａ）生分解性ポリマー、
（ｂ）合成ポリマー、
（ｃ）天然ポリマー、又は、
（ｄ）非ポリマー物質、
を含む、請求項１に記載の使用。
【請求項８】
前記合成ポリマーが、
（ａ）ポリエステル、ポリエステルポリエチレングリコールポリマー、ポリアミノ由来バイオポリマー、ポリ無水物、ポリオルトエステル、ポリホスファゼン、ショ糖酢酸イソ酪酸エステル（ＳＡＩＢ）、光重合性バイオポリマー、ポリグリコール酸（ＰＧＡ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、及びポリ（ラクチド−コ−グリコリド）（ＰＬＧＡ）からなる群から選択されるか、
（ｂ）トリメチレンカーボネート、ポリ乳酸（ＰＬＡ）又はポリカプロラクトンと共に形成されるポリグリコール酸のコポリマーであるか、
（ｃ）ポリｄ，ｌ（ラクチド−ｃｏ−カプロラクトン）コポリマーであるか、
（ｄ）熱可逆性ゲルである、
請求項７に記載の使用。
【請求項９】
前記担体ポリマーが、埋め込み物（移植片）に成形される、請求項７に記載の使用。
【請求項１０】
前記担体ポリマーが、移植部位において送達及び操作されて、壁、空間、又は他の空洞の輪郭に付着及び適合し得るように、展性である、請求項７に記載の使用。
【請求項１１】
前記固体構造が、直径約１μｍ〜約１００μｍの微小粒子を含む、請求項７に記載の使用。
【請求項１２】
前記担体が、多層化多粒子系を含む、請求項１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月26日(2016.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前処理システムと、一次純水システムと、サブシステムとを備え、
該一次純水システムが、高圧型逆浸透膜分離装置と、脱気装置と、紫外線酸化装置と、イオン交換装置とをこの順で備える、
超純水製造装置。
【請求項２】
前記高圧型逆浸透膜分離装置が、膜面有効圧力２．０ＭＰａ、２５℃条件下において０．６〜１．３ｍ３／ｍ２／ｄａｙの純水透過流束を有する、請求項１に記載の超純水製造装置。
【請求項３】
前記イオン交換装置が、以下のア）〜エ）のいずれか１つの再生型イオン交換装置を有する、請求項１又は２に記載の超純水製造装置。
ア）強酸性カチオン交換樹脂が充填されたカチオン交換塔と、強塩基性アニオン交換樹脂が充填されたアニオン交換塔とを直列に接続した２床２塔式再生型イオン交換装置。
イ）強酸性カチオン交換樹脂と強塩基性アニオン交換樹脂とが別々の異なる層となるように１つの塔内に該強酸性カチオン交換樹脂と該強塩基性アニオン交換樹脂とを充填した２床１塔式再生型イオン交換装置。
ウ）強酸性カチオン交換樹脂と強塩基性アニオン交換樹脂とを均一に混合して１つの塔内に充填した混床型再生式イオン交換装置。
エ）電気再生式脱イオン装置を１段又は複数段直列に接続した再生型イオン交換装置。
【請求項４】
前記イオン交換装置が、前記ア）強酸性カチオン交換樹脂が充填されたカチオン交換塔と、強塩基性アニオン交換樹脂が充填されたアニオン交換塔とを直列に接続した２床２塔式再生型イオン交換装置である、請求項３に記載の超純水製造装置。
【請求項５】
前記イオン交換装置が、前記イ）強酸性カチオン交換樹脂と強塩基性アニオン交換樹脂とが別々の異なる層となるように１つの塔内に該強酸性カチオン交換樹脂と該強塩基性アニオン交換樹脂とを充填した２床１塔式再生型イオン交換装置である、請求項３に記載の超純水製造装置。
【請求項６】
前記イオン交換装置が、前記エ）電気再生式脱イオン装置を１段又は複数段直列に接続した再生型イオン交換装置である、請求項３に記載の超純水製造装置。
【請求項７】
原水を前処理システムによって処理した被処理水を一次純水システム及びサブシステムの順によって処理し、
該一次純水システムによる処理方法が、高圧型逆浸透膜分離装置に該被処理水を通水する工程と、該通水された被処理水中のガスを脱気する工程と、該脱気された被処理水中の有機物を紫外線酸化装置によって分解する工程と、該有機物が分解された被処理水を、イオン交換装置によって処理する工程とを含む、超純水製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月10日(2016.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程（ａ）〜（ｃ）を含む、ポリアミドの製造方法。
工程（ａ）：アミド系有機溶媒を含有しない非アミド系有機溶媒にジアミンを溶解すること。
工程（ｂ）：工程（ａ）で得られた溶液にジ酸ジクロライドを添加し、前記ジアミンと前記ジ酸ジクロライドを反応させてポリアミドを得ること。
工程（ｃ）：工程（ｂ）において、少なくとも一部の前記ジ酸ジクロライドの添加後又は添加と同時に、塩酸をトラップできるトラッピング試薬を添加すること。
【請求項２】
下記工程（ａ'）〜（ｃ'）を含む、ポリアミドの製造方法。
工程（ａ'）：１０質量％以下のアミド系有機溶媒を含有する非アミド系有機溶媒にジアミンを溶解すること。
工程（ｂ'）：工程（ａ'）で得られた溶液にジ酸ジクロライドを添加し、前記ジアミンと前記ジ酸ジクロライドを反応させてポリアミドを得ること。
工程（ｃ'）：工程（ｂ'）の前、工程（ｂ'）の開始と同時、及び工程（ｂ'）の間の少なくともいずれかに、塩酸をトラップできるトラッピング試薬を添加すること。
【請求項３】
前記非アミド系有機溶媒が、非プロトン性溶媒を含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記非アミド系有機溶媒が、ラクトン類を含む、請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記非アミド系有機溶媒が、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、又はそれらの混合物を含む、請求項１から４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
得られた前記ポリアミドを溶媒に溶解することによりポリアミド溶液を得る工程を含む、請求項１から５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
前記トラッピング試薬が、酸化プロピレンを含む、請求項１から６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
前記ジ酸ジクロライドが、
【化１】
2016037604.tif 000001
からなる群から選択される一種以上を含む、請求項１から７のいずれかに記載の製造方法。
［上記式において、ｐ＝４、ｑ＝３、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、水素、ハロゲン、ア
ルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、置換アルキルエステル、及び、それらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ1は、共有結合、ＣＨ2基、Ｃ（ＣＨ3）2基、Ｃ（ＣＦ3）2基、Ｃ（ＣＸ3）2基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ2基、Ｓ
ｉ（ＣＨ3）2基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、及びＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基又は置換アリール基である。］
【請求項９】
前記ジ酸ジクロライドが、テレフタロイルジクロライド、イソフタロイルジクロライド、２，６−ナフタロイルジクロライド、４，４'−ビフェニルジカルボニルジクロライド、及び、テトラハイドロテレフタロイルジクロライドからなる群から選択される一種以上を含む、請求項１から８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ジアミンが、
【化２】
2016037604.tif 000002
からなる群から選択される一種以上を含む、請求項１から９のいずれかに記載の製造方法。
［上記式において、ｐ＝４、ｍ＝１又は２、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、置換アルキルエステル、及び、それらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ2及びＧ3は、共有結合、ＣＨ2基、Ｃ（
ＣＨ3）2基、Ｃ（ＣＦ3）2基、Ｃ（ＣＸ3）2基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ2基、Ｓｉ（ＣＨ3）2基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン
基、及びＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基又は置換アリール基である。］
【請求項１１】
前記ジアミンが、４，４'−ジアミノ−２，２'−ビストリフルオロメチルベンジジン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フルオロ−４−アミノフェニル）フルオレン、２，２'−ビストリフルオロメトキシルベンジジン、４，４'−ジアミノ−２，２'−ビストリフルオロメチルジフェニルエーテル、ビス（４‐アミノ−２−トリフルオロメチルフェニルオキシル）ベンゼン、ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェニルオキシル）ビフェニル、３,５−ジアミノ安息香酸、及び、ビス（４−アミノフェニル）スルホン（ＤＤＳ）からなる群から選択される一種以上を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記アミド系有機溶媒が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、１−エチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルブチルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド、１−メチル−２−ピペリジノンまたはこれらの混合物である、請求項１から１１のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
下記ステップ（Ｉ）及び（ＩＩ）を含む、ディスプレイ用素子、光学用素子、照明用素子又はセンサ素子の製造方法。
（Ｉ）請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法により製造されたポリアミドの溶液を支持材へ塗布してポリアミドフィルムを形成する。
（ＩＩ）前記ポリアミドフィルムの一方の面上にディスプレイ用素子、光学用素子、照明用素子、又は、センサ素子を形成する。
ただし、前記支持材又はその表面は、ガラス又はシリコンウエハーで構成される。
【請求項１４】
さらに、形成されたディスプレイ用素子、光学用素子、照明用素子又はセンサ素子を支持材から剥離する工程を含む、請求項１３記載のディスプレイ用素子、光学用素子、照明用素子又はセンサ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示は、一又は複数の実施形態において、下記工程（ａ）〜（ｃ）を含む、ポリアミドの製造方法に関する。
工程（ａ）：アミド系有機溶媒を含有しない非アミド系有機溶媒にジアミンを溶解すること。
工程（ｂ）：工程（ａ）で得られた溶液にジ酸ジクロライドを添加し、前記ジアミンと前記ジ酸ジクロライドを反応させてポリアミドを得ること。
工程（ｃ）：工程（ｂ）において、少なくとも一部の前記ジ酸ジクロライドの添加後又は添加と同時に、塩酸をトラップできるトラッピング試薬を添加すること。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記銅合金撚線は、圧縮線材である請求項７に記載の銅合金撚線。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月15日(2016.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】実用新案登録第３１４４３９５号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
切欠き部１１は、押付け部材４の先端面から後端側へ一定長さ切取った状態になるように形成されており、係止部材１２は止めネジからなり、進退機構１３は、スペーサ１０の外周面から半径方向に設けた孔１４の内周に形成したメネジからなる。そしてメネジ１３に螺合した止めネジ１２の先端を切欠き部１１の肩１１ａに係合可能にしたことで、押付け停止機構８の構成を簡素化し、加工を容易化と省スペース化を図っている。また、止めネジ１２がスペーサから脱落するのを防ぐために、スペーサ１０の外周面に装着した環状体１５を備え、該環状体１５の止めネジ１２に対応する箇所には、止めネジ１２の外径より小さい内径の止めネジ操作用の孔１６を設けている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図６は、デコード部２６において遺伝子型から表現型に変換された染色体を例示したものである。デコード部２６は、巻取カラー３に対応する４桁の２進数からなる遺伝子において「１」の個数を合計することにより、その巻取カラー３における稼動すべき押付け部材４の個数Ｎｉｊを巻取カラー３毎に算出している。例えば、図５において個体１の一番目の巻取カラー３の遺伝子は、遺伝子型の「１０１０」であり、この遺伝子中に「１」が２個あるので、個体１の一番目の巻取カラー３における稼動すべき押付け部材４の個数は２個となり、図６では表現型の「２」となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月11日(2016.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の外部側面パネルと、前記複数の外部側面パネルの内側に前記複数の外部側面パネルとの間に間隙を介在させて配置された複数の内部側面パネルと、かご床と、天井パネルとを有し、前記複数の外部側面パネルの上端部が、それぞれ前記天井パネルに固定され、前記複数の外部側面パネルの下端部が、それぞれ前記かご床に固定された乗りかごにおいて、
前記複数の内部側面パネルの上端部は、それぞれ前記複数の外部側面パネルに固定され、前記複数の内部側面パネルの下端部は、前記かご床又は前記複数の外部側面パネルに固定されている
ことを特徴とする乗りかご。
【請求項２】
前記複数の内部側面パネルは、パネル本体と、前記パネル本体と前記複数の外部側面パネルを連結する連結部とを有し、
前記パネル本体の高さは、前記複数の外部側面パネルの高さよりも低い
ことを特徴とする請求項１に記載の乗りかご。
【請求項３】
前記複数の内部側面パネル、前記天井パネル及び前記かご床に囲まれた空間と、前記複数の内部側面パネルと前記複数の外部側面パネルとの間に形成された空間とを連通させる通気口を備え、
前記通気口は、前記連結部と前記複数の外部側面パネルによって形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の乗りかご。
【請求項４】
前記連結部は、前記パネル本体に対して着脱可能に構成されている
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の乗りかご。
【請求項５】
釣合おもりと、
複数の外部側面パネルと、前記複数の外部側面パネルの内側に前記複数の外部側面パネルとの間に間隙を介在させて配置された複数の内部側面パネルと、かご床と、天井パネルとを有し、前記複数の外部側面パネルの上端部が、それぞれ前記天井パネルに固定され、前記複数の外部側面パネルの下端部が、それぞれ前記かご床に固定された乗りかごと、
前記釣合おもり及び前記乗りかごを吊持する主ロープと、
前記主ロープが巻き掛けられ、前記主ロープを駆動して前記釣合おもり及び前記乗りかごを昇降させる巻上機を備えたエレベータ装置において、
前記乗りかごにおける前記複数の内部側面パネルの上端部は、それぞれ前記複数の外部側面パネルに固定され、前記複数の内部側面パネルの下端部は、前記かご床又は前記複数の外部側面パネルに固定されている
ことを特徴とするエレベータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の乗りかごは、複数の外部側面パネルと、複数の外部側面パネルの内側に複数の外部側面パネルとの間に間隙を介在させて配置された複数の内部側面パネルと、かご床と、天井パネルとを有している。複数の外部側面パネルの上端部は、それぞれ天井パネルに固定され、複数の外部側面パネルの下端部は、それぞれかご床に固定されている。そして、複数の内部側面パネルの上端部は、それぞれ複数の外部側面パネルに固定され、複数の内部側面パネルの下端部は、それぞれかご床又は複数の外部側面パネルに固定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＴＥ通信モードと３Ｇ通信モードにおける電波強度を測定し、電波強度の強い通信モードへ切替えて通信を行い、前記ＬＴＥ通信モードに切替えたときにＬＴＥ通信モード設定信号を出力する無線通信装置が接続され、前記いずれかの通信モードで遠隔地に設置された監視センターと通信を行うエレベーターの遠隔監視装置であって、
エレベーターが停止したときに前記無線通信装置からの前記ＬＴＥ通信モード設定信号の出力を確認するＬＴＥモード検知部と、
前記ＬＴＥモード検知部で検知した前記エレベーターの各停止階におけるＬＴＥ通信モード検知回数を記録するＬＴＥモード検知回数記録部と、
前記ＬＴＥモード検知回数記録部に記録された停止階毎のＬＴＥモード検知回数の多い停止階を特定するＬＴＥモード検知停止階判定部と、
前記監視センターに定期的にデータ送信を行うときに、前記ＬＴＥモード検知停止階判定部が特定したＬＴＥモード検知回数の多い検知回数の停止階へ前記エレベーターの乗りかごを走行させるかご呼びを作成する呼び作成部と、を備え、
前記呼び作成部により作成された前記ＬＴＥモード検知回数の多い検知回数の停止階階床に乗りかごを走行させてデータ通信を行うことを特徴とするエレベーターの遠隔監視装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレベーターの遠隔監視装置であって、
前記無線通信装置が、前記ＬＴＥ通信モードと３Ｇ通信モード時の電波強度を測定し、電波強度の強い通信モードに自動的に切り替える通信モード切替え部を含み、前記ＬＴＥ通信モードに切替えたときに当該通信モード切替え部が前記ＬＴＥ通信モード設定信号を出力することを特徴とするエレベーターの遠隔監視装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエレベーターの遠隔監視装置であって、
無線基地局と無線通信する前記遠隔監視装置に接続された前記無線通信装置を前記乗りかごの上部に設置したことを特徴とするエレベーターの遠隔監視装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月26日(2016.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の制御対象を制御するための処理を行うマイクロコンピュータと、キースイッチによる電源投入、或いは遮断があった場合に前記マイクロコンピュータに電源電圧を供給、或いは遮断するメインリレーと、前記メインリレーを駆動するメインリレー駆動手段と、前記マイクロコンピュータと前記メインリレー駆動手段の間で制御情報を送受信する通信手段を備え、前記マイクロコンピュータによって前記キースイッチの遮断時点から第一の所定時間の経過後に前記メインリレーのセルフシャットオフのための電源遮断動作を前記メインリレー駆動手段に実行させる内燃機関の制御装置において、
前記マイクロコンピュータによる前記メインリレーの前記セルフシャットオフのための電源遮断動作とは別に、前記メインリレー駆動手段は、前記セルフシャットオフのための電源遮断動作が実行できない場合に前記キースイッチの遮断時点から前記第一の所定時間より長い第二の所定時間の経過後に前記メインリレーの電源遮断動作を実行するメインリレー遮断手段を備えていることを特徴とする内燃機関の制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の内燃機関の制御装置において、
前記第一の所定時間の経過後に実施される前記メインリレーの電源遮断動作は、前記マイクロコンピュータに設けた第一タイマの時間情報と第一所定時間設定部に設定される第一所定時間情報とを比較して得られた信号を前記通信手段を介して前記メインリレー駆動手段の前記メインリレー遮断手段に送ることで実行され、
前記第二の所定時間の経過後に実施される前記メインリレーの電源遮断動作は、前記マイクロコンピュータに設けた第二所定時間設定部に設定される第二所定時間情報を前記通信手段を介して前記リレー駆動手段に送り、この送られてきた前記第二所定時間情報と前記メインリレー駆動手段に設けた第二タイマの時間情報とを比較して得られた信号を前記リレー駆動手段の前記メインリレー遮断手段に送ることで実行されることを特徴とする内燃機関の制御装置。
【請求項３】
請求項１に記載の内燃機関の制御装置において、
前記マイクロコンピュータに入力された前記キースイッチの投入、或いは遮断状態と、前記メインリレー駆動手段に入力された前記キースイッチの投入、遮断状態とを比較し、その比較結果が異なる場合は、前記メインリレー駆動手段は前記第二の所定時間後に前記メインリレーの電源遮断動作を実行しないことを特徴とした内燃機関の制御装置。
【請求項４】
請求項３に記載の内燃機関の制御装置において、
前記マイクロコンピュータに入力される前記キースイッチの投入、或いは遮断状態はマイコン側キースイッチレジスタにセットされ、前記メインリレー駆動手段に入力される前記キースイッチの投入、遮断状態はメインリレー側キースイッチレジスタにセットされ、前記マイコン側キースイッチレジスタと前記メインリレー側キースイッチレジスタのセット情報の不一致から前記メインリレー側キースイッチレジスタの異常を判断し、前記メインリレー側キースイッチレジスタが断線している場合は、前記メインリレー駆動手段は前記第二の所定時間後に前記メインリレーの電源遮断動作を実行しないことを特徴とした内燃機関の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風車翼をロータハブに対して旋回可能に取り付ける風車用旋回輪軸受装置であって、
前記ロータハブに固定された外輪と、
前記風車翼に固定された内輪と、
前記外輪と前記内輪との間に設けられた複数の転動体と、
前記外輪が前記外輪の径方向における外側へ変形しようとする際に前記外輪の外周面から伝達される力を受けるよう構成され、前記ロータハブに固定され又は前記ロータハブと一体で形成された力受け部と、
を備え、
前記力受け部には、前記外輪の径方向に沿って延在するボルト穴が形成され、
当該風車用旋回輪軸受装置は、先端が前記外輪の外周面に当接するように前記ボルト穴にねじ込まれたボルトを更に備える風車用旋回輪軸受装置。
【請求項２】
風車翼をロータハブに対して旋回可能に取り付ける風車用旋回輪軸受装置であって、
前記ロータハブに固定された外輪と、
前記風車翼に固定された内輪と、
前記外輪と前記内輪との間に設けられた複数の転動体と、
前記外輪が前記外輪の径方向における外側へ変形しようとする際に前記外輪の外周面から伝達される力を受けるよう構成され、前記ロータハブに固定され又は前記ロータハブと一体で形成された力受け部と、
前記力受け部と前記外輪の外周面との隙間を塞ぐように形成された樹脂部と、を備える風車用旋回輪軸受装置。
【請求項３】
少なくとも一つの風車翼と、
前記少なくとも一つの風車翼が取り付けられたロータハブと、
前記風車翼を前記ロータハブに対して旋回可能に取り付けるための風車用旋回輪軸受装置と、
を備え、
前記風車用旋回輪軸受装置は、請求項１又は２に記載の風車用旋回輪軸受装置である、風車ロータ。
【請求項４】
請求項３に記載の風車ロータと、
前記風車ロータの回転に伴って駆動される発電機と、
を備える風力発電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇降路内を上下方向に走行する乗かごと、前記昇降路内に立設され、前記乗かごを上下方向に案内するガイドレールと、前記乗かごに設置され、前記ガイドレールに摺接する摺動材を有するガイド部とを備えたエレベータに設けられ、前記乗かごの戸が開状態に保たれているときの前記乗かごの走行を防止する戸開走行防止装置において、
前記ガイドレールに当接して前記乗かごを制動する制動部を備え、
前記制動部を前記ガイド部に設けたことを特徴とする戸開走行防止装置。
【請求項２】
請求項１に記載の戸開走行防止装置において、
前記制動部は、前記乗かごの各階停止中に前記ガイドレールの前記摺動材の表面から突出し、前記ガイドレールに当接する当接部を有し、前記乗かごの走行中は、前記当接部を前記ガイド部の前記摺動材の表面から突出させないように保つことを特徴とする戸開走行防止装置。
【請求項３】
請求項２に記載の戸開走行防止装置において、
前記制動部の前記摺動材は、前記制動部の前記当接部の移動を許容させる貫通穴部を有することを特徴とする戸開走行防止装置。
【請求項４】
請求項２に記載の戸開走行防止装置において、
前記制動部の前記当接部の前記ガイドレールに対向する面部に、前記ガイドレールとの間の摩擦力を増強する摩擦力増強部を備えたことを特徴とする戸開走行防止装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の戸開走行防止装置において、
前記ガイドレールは、前記ガイド部の前記摺動材が摺接するレール部と、このレール部に連設され、前記昇降路内の所定部位に固定される固定部とを有し、
前記制動部の前記当接部を、前記ガイドレールの前記レール部に当接可能に設けたことを特徴とする戸開走行防止装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金抵抗膜パターンを金属酸化物基板上に堆積させ、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を設ける、高温センサの製造方法において、
ガラスセラミックにより該セラミック中間層上に自立するセラミックカバーを結合するか、又は前記セラミック中間層の全面にガラスセラミックを取り付け、
その際、前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であるか、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であることを特徴とする、高温センサの製造方法。
【請求項２】
前記自立するセラミックカバーをセラミック中間層の全面に結合することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミック、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックを前記セラミック中間層を越えて抵抗膜パターンのカソードにまで設けることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミック、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックは７５０℃を越えると導電性であるか又はイオン伝導性であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記自立するセラミックカバーを金属でドープされたガラスセラミックで結合し、前記ガラスセラミックは前記セラミック中間層を越えて抵抗膜パターンのカソードにまで設けられることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミック、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックは、温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であり、７５０℃を越えて初めて作用することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
抵抗膜のためのコンタクトフィールド（パッド）を前記セラミック中間層で覆わず、前記セラミック中間層を設けた後でかつ前記セラミックカバーを結合する前に端子線を前記コンタクトフィールドに接続することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記セラミック中間層を、ＰＶＤ（物理蒸着）、ＩＡＤ（イオンアシスト蒸着）、ＩＢＡＤ（イオンビームアシスト蒸着）、ＰＩＡＤ（プラズマイオンアシスト蒸着）、ＣＶＤ（化学蒸着）又はマグネトロンスパッタ法による薄膜法で設ける、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
エピタキシャル法によりサファイアに堆積されたＰｔ抵抗構造を、セラミック中間層で被覆し、該セラミック中間層上に、石英ガラスセラミックを結合するか、又はセラミックカバーを石英ガラスセラミックで結合する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記セラミック中間層が、Ａｌ2Ｏ3からなる薄膜として設けられる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
セラミック中間層が、パッシベーション層又は拡散バリアである、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
金属酸化物基板上にコンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターンとを備え、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を備え、かつ前記セラミック中間層の全面に取り付けられるガラスセラミックを備えている高温センサチップにおいて、前記ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であることを特徴とする、高温センサチップ。
【請求項１３】
前記ガラスセラミックは石英ガラスセラミックであることを特徴とする、請求項１２記載の高温センサチップ。
【請求項１４】
前記ガラスセラミックはセラミック中間層を越えてカソードにまで延在することを特徴とする、請求項１２または１３記載の高温センサチップ。
【請求項１５】
高温センサチップは配線された膜抵抗体であることを特徴とする、請求項１２から１４までのいずれか１項記載の高温センサチップ。
【請求項１６】
前記セラミック中間層により覆われていない抵抗膜のためのコンタクトパッドが、それぞれ端子線と接続されていることを特徴とする、請求項１５記載の高温センサチップ。
【請求項１７】
電気絶縁性表面を有する金属酸化物基板と、前記表面に配置された白金測定抵抗体とからなり、電気端子と、前記白金測定抵抗体を覆うが前記電気端子を覆っていない、前記電気絶縁性セラミック中間層とを有し、その際、前記電気絶縁性セラミック中間層はガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミックで被覆されていて、前記ガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミックは８５０℃以上で高くても１メガオーム／スクエアの抵抗率を有し、かつ温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である、請求項１２から１６までのいずれか１項記載の高温センサチップ。
【請求項１８】
前記セラミック中間層が、Ａｌ2Ｏ3又はＭｇＯ又はＴａ2Ｏ5を含む、請求項１７記載の高温センサチップ。
【請求項１９】
前記セラミック中間層が、ＰＶＤ（物理蒸着）、ＩＡＤ（イオンアシスト蒸着）、ＩＢＡＤ（イオンビームアシスト蒸着）、ＰＩＡＤ（プラズマイオンアシスト蒸着）、ＣＶＤ（化学蒸着）又はマグネトロンスパッタ法による薄膜法で設けられている、請求項１２から１８までのいずれか１項記載の高温センサチップ。
【請求項２０】
エピタキシャル法によりサファイアに堆積されたＰｔ抵抗構造を、セラミック中間層で被覆し、セラミック中間層上に、石英ガラスセラミックを結合するか、又はセラミックカバーを石英ガラスセラミックで結合する、請求項１２から１９までのいずれか１項記載の高温センサチップ。
【請求項２１】
前記セラミック中間層が、Ａｌ2Ｏ3からなる薄膜である、請求項１２から２０までのいずれか１項記載の高温センサチップ。
【請求項２２】
前記セラミック中間層が、パッシベーション層又は拡散バリアである、請求項１２から２１までのいずれか１項記載の高温センサチップ。