【手続補正書】
【提出日】平成28年8月25日(2016.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次プラズマ生成領域と、セミバリア構造によって前記一次プラズマ生成領域から分離された二次プラズマ生成領域とを少なくとも有するプラズマ処理チャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
一次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域の外側から前記一次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスとは異なる二次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスから一次プラズマを生成する工程と、
前記二次フィードガスから二次プラズマを生成する工程と、
前記一次プラズマと前記二次プラズマ由来の中性種とを少なくとも用いて前記基板をエッチングする工程であって、前記中性種は、前記セミバリア構造を越えて前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に移動する、工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、
前記エッチングは誘電体エッチングである、方法。
【請求項３】
請求項１の方法であって、
前記二次プラズマ生成領域内の圧力は前記一次プラズマ生成領域内の圧力より大きい、方法。
【請求項４】
請求項１の方法であって、
前記二次フィードガスは非重合性ガスである、方法。
【請求項５】
請求項１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスはＨ2を含む、方法。
【請求項６】
請求項５の方法であって、
前記一次フィードガスは、ＣＦ4、ＣxＦy、および、ＣＨxＦyの内の少なくとも１つを含み、
ｘおよびｙは整数値である、方法。
【請求項７】
請求項１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスは、Ｏ2、Ｎ2、および、ＮＦ3の内の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項８】
請求項７の方法であって、
前記一次フィードガスは、アルゴンおよびフルオロカーボン含有ガスの内の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項９】
請求項１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスは、アルゴンおよびＮ2の内の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１０】
請求項９の方法であって、
前記一次フィードガスは、アルゴン、Ｏ2、および、フルオロカーボン含有ガスの内の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスはＮ2を含む、方法。
【請求項１２】
請求項９の方法であって、
前記一次フィードガスはＣＯ2を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスはＨ2を含み、前記一次フィードガスはＮ2を含む、方法。
【請求項１４】
一次プラズマ生成領域から二次プラズマ生成領域を分離するセミバリア構造を有するプラズマ処理チャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
前記一次プラズマ生成領域内に供給された一次フィードガスから一次プラズマを生成する工程と、
前記二次プラズマ生成領域内に供給された第１の二次フィードガスから二次プラズマを生成して、前記セミバリア構造を介して前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に中性種が移動するようにする工程と、
前記二次プラズマ生成領域内に供給された第２の二次フィードガスから三次プラズマを生成して、前記セミバリア構造を介して前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に第２の種が移動するようにする工程と、
前記基板を前記一次プラズマ生成領域内の化学種に曝すことによって前記基板をエッチングする工程と、
を備え、
前記一次フィードガスは、前記プラズマ処理チャンバの外側から前記一次プラズマ生成領域に供給される、
方法。
【請求項１５】
請求項１４の方法であって、
前記エッチングは誘電体エッチングである、方法。
【請求項１６】
請求項１５の方法であって、
前記第２の二次フィードガスはＨ2を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１４の方法であって、さらに、
前記第１の二次フィードガスおよび前記第２の二次フィードガスの内の少なくとも一方の解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備える、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、
前記エッチングは脱フッ素化である、方法。
【請求項１９】
一次プラズマ生成領域と、セミバリア構造によって前記一次プラズマ生成領域から分離された二次プラズマ生成領域とを少なくとも有するプラズマ処理チャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
一次フィードガスを前記一次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスとは異なる二次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
容量結合メカニズムを用いて、前記一次フィードガスから一次プラズマを生成する工程と、
前記二次フィードガスから二次プラズマを生成する工程と、
前記一次プラズマと前記二次プラズマ由来の中性種とを少なくとも用いて前記基板をエッチングする工程であって、前記中性種は、前記セミバリア構造を越えて前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に移動する、工程と、
を備える、方法。
【請求項２０】
請求項１９の方法であって、
前記二次プラズマを生成する工程は、容量結合メカニズムを用いる、方法。
【請求項２１】
請求項１９の方法であって、
前記セミバリア構造は、１組の穴を備え、前記１組の穴に含まれる各穴は、前記各穴の中でのプラズマの形成を阻害するよう構成された高アスペクト比を有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】増強プラズマ処理システム内でのプラズマ強化エッチングの方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本発明を説明したが、本発明の範囲内で、種々の代替物、置換物、および、等価物が可能である。本明細書では様々な例を提供したが、これらの例は、例示を目的としたものであり、本発明を限定するものではない。また、発明の名称および発明の概要は、便宜上、本明細書で提供されているものであり、特許請求の範囲を解釈するために用いられるべきものではない。さらに、要約書は、非常に簡潔に書かれており、便宜上提供されているものであるため、特許請求の範囲に記載された発明全体を解釈または限定するために用いられるべきではない。「セット（組）」という用語が用いられている場合には、かかる用語は、一般的に理解される数学的な意味を持ち、０、１、または、２以上の要素を網羅するよう意図されている。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、以下に示す特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および、等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
一次プラズマ生成領域と、セミバリア構造によって前記一次プラズマ生成領域から分離された二次プラズマ生成領域とを少なくとも有するプラズマ処理チャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
一次フィードガスを前記一次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスとは異なる二次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスから一次プラズマを生成する工程と、
前記二次フィードガスから二次プラズマを生成する工程と、
前記一次プラズマと前記二次プラズマ由来の中性種とを少なくとも用いて前記基板をエッチングする工程であって、前記中性種は、前記セミバリア構造を越えて前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に移動する、工程と、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１の方法であって、
前記エッチングは誘電体エッチングである、方法。
［適用例３］
適用例１の方法であって、
前記二次プラズマ生成領域内の圧力は前記一次プラズマ生成領域内の圧力より大きい、方法。
［適用例４］
適用例１の方法であって、
前記二次フィードガスは非重合性ガスである、方法。
［適用例５］
適用例１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスはＨ2を含む、方法。
［適用例６］
適用例５の方法であって、
前記一次フィードガスは、ＣＦ4、ＣxＦy、および、ＣＨxＦyの内の少なくとも１つを含み、
ｘおよびｙは整数値である、方法。
［適用例７］
適用例１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスは、Ｏ2、Ｎ2、および、ＮＦ3の内の少なくとも１つを含む、方法。
［適用例８］
適用例７の方法であって、
前記一次フィードガスは、アルゴンおよびフルオロカーボン含有ガスの内の少なくとも１つを含む、方法。
［適用例９］
適用例１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスは、アルゴンおよびＮ2の内の少なくとも１つを含む、方法。
［適用例１０］
適用例９の方法であって、
前記一次フィードガスは、アルゴン、Ｏ2、および、フルオロカーボン含有ガスの内の少なくとも１つを含む、方法。
［適用例１１］
適用例１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスはＮ2を含む、方法。
［適用例１２］
適用例９の方法であって、
前記一次フィードガスはＣＯ2を含む、方法。
［適用例１３］
適用例１の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスの解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備え、
前記二次フィードガスはＨ2を含み、前記一次フォードガスはＮ2を含む、方法。
［適用例１４］
一次プラズマ生成領域と、セミバリア構造によって前記一次プラズマ生成領域から分離された二次プラズマ生成領域とを少なくとも有するプラズマ処理チャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
一次フィードガスを前記一次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスとは異なる二次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスから一次プラズマを生成する工程と、
前記二次フィードガスから二次プラズマを生成する工程と、
前記一次プラズマと前記二次プラズマ由来の中性種とを少なくとも用いて、前記基板をエッチングする工程であって、前記中性種は、前記バリア構造を越えて前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に移動する、工程と、
その後、前記一次プラズマ生成領域への電源をオフにすることによって、前記一次プラズマの形成を抑制する工程と、
別の二次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域内に供給して、別の二次プラズマを生成する工程と、
その後、前記別の二次プラズマからの化学種が前記バリア構造を越えて移動した後に、前記別の二次プラズマからの前記化学種を用いて前記基板にダウンストリームプラズマ処理を実行する工程と、
を備える、方法。
［適用例１５］
適用例１４の方法であって、
前記エッチングは誘電体エッチングである、方法。
［適用例１６］
適用例１５の方法であって、
前記別の二次フィードガスはＨ2を含む、方法。
［適用例１７］
適用例１４の方法であって、さらに、
前記二次フィードガスおよび前記別の二次フィードガスの内の少なくとも一方の解離に重点を置くように前記二次プラズマ生成領域のための入力パラメータを設定する工程を備える、方法。
［適用例１８］
適用例１４に記載の方法であって、
前記ダウンストリームプラズマ処理は脱フッ素化である、方法。
［適用例１９］
一次プラズマ生成領域と、セミバリア構造によって前記一次プラズマ生成領域から分離された二次プラズマ生成領域とを少なくとも有するプラズマ処理チャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
一次フィードガスを前記一次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
前記一次フィードガスとは異なる二次フィードガスを前記二次プラズマ生成領域内に供給する工程と、
容量結合メカニズムを用いて、前記一次フィードガスから一次プラズマを生成する工程と、
前記二次フィードガスから二次プラズマを生成する工程と、
前記一次プラズマと前記二次プラズマ由来の中性種とを少なくとも用いて前記基板をエッチングする工程であって、前記中性種は、前記セミバリア構造を越えて前記二次プラズマ生成領域から前記一次プラズマ生成領域に移動する、工程と、
を備える、方法。
［適用例２０］
適用例１９の方法であって、
前記二次プラズマを生成する工程は、容量結合メカニズムを用いる、方法。
［適用例２１］
適用例１９の方法であって、
前記セミバリア構造は、１組の穴を備え、前記１組の穴に含まれる各穴は、前記各穴の中でのプラズマの形成を阻害するよう構成された高アスペクト比を有する、方法。