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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記制御装置は、前記反力推定手段で求めた反力の推定値に基づき、前記（ハ）において前記中央位置を前記目標値に追従させる際の柔軟性を規定するコンプライアンス制御手段を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載した包装品のリーク検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
外乱オブザーバ４０には、アクチュエータ２０と等価的な逆モデル４１が組み込まれている。このアクチュエータ２０の逆モデル４１は、アクチュエータ２０に入力される指令値（電流値）をトルク（力）単位の第１信号に変換するとともに、上記の応答速度値をさらに微分した第２信号に変換し、これら各信号を比較してアクチュエータ２０が受ける外乱の推定値に関する第３信号を出力する。
すなわち、アクチュエータ２０に指令値が与えられたときの公称トルク値である第１信号と、外力による変位成分を含む位置信号に基づく第２信号との間には、外力による変位成分に対応した偏差が生じるため、この偏差に見合う第３信号が外乱の推定値信号としてアクチュエータ２０の逆モデル４１から出力される。
この外乱の推定値に関する第３信号は、ローパスフィルタ４３によって低周波帯域の成分のみ取り出され、これが外乱の推定値として出力される。この外力の推定値を、図示しないトルク（力）電流変換器により電流値に変換すれば、外乱オブザーバ４０を利用してアクチュエータ２０をフィードバック制御することができる。
なお、外乱オブザーバ４０は、図２に示した構成のものに限定されないことは勿論である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
制御装置１０は、さらに押付部材を下降させるようにアクチュエータ２０の駆動を続け（ステップＳ５）、押付部材があらかじめ設定した下降端まで到達したとき、アクチュエータ２０の駆動を停止して、押付部材を下降端に一定時間だけ配置しておく（ステップＳ６）。その後、アクチュエータ２０を駆動して押付部材を上昇させ（ステップＳ７）、押付部材が上昇端（待機位置）まで移動したとき、アクチュエータ２０の駆動を停止して、押付部材を上昇端に配置する（ステップＳ８）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014134485.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月28日(2015.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の電極層と、
前記第１の電極層上に重なる第２の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に発光性の有機化合物を含む層と、
前記第２の電極層の上面に接する第１の補助配線と、を備え、
前記第１の電極層は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して反射性を有し、
前記第１の電極層の上面は、前記絶縁表面と垂直な方向からみて前記第１の補助配線と重なる領域に凸形状を有し、
前記第２の電極層は、前記発光に対して透光性を有し、且つ厚さが３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属又は合金からなる層であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の電極層と、
前記第１の電極層上に重なる第２の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に発光性の有機化合物を含む層と、
前記第２の電極層の上面に接する第１の補助配線と、を備え、
前記第１の電極層は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して反射性を有し、
前記絶縁表面上に、前記絶縁表面と垂直な方向からみて前記第１の補助配線と重なる第２の補助配線を備え、
前記第１の電極層は、前記第２の補助配線の上面を覆い、且つ当該上面に接して設けられ、
前記第１の電極層の上面は、前記第２の補助配線の形状を反映した凸形状を有し、
前記第２の電極層は、前記発光に対して透光性を有し、且つ厚さが３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の金属又は合金からなる層であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の補助配線は、前記絶縁表面と垂直な方向からみて、２次元格子状に配置され、前記第１の補助配線に囲まれる形状が円、または多角形であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指令部と、
第１のコンポーネントと、
第２のコンポーネントと、を有し、
前記第１のコンポーネントは、第１の電源線、第１の負荷、及び第１のスイッチを有し、
前記第２のコンポーネントは、第２の電源線、第２の負荷、及び第２のスイッチを有し、
前記第１のスイッチは、前記第１の電源線と前記第１の負荷との間の導通状態を切り替える機能を有し、
前記第２のスイッチは、前記第２の電源線と前記第２の負荷との間の導通状態を切り替える機能を有し、
前記指令部は、前記第１のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、前記第２のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、を有し、
前記第１のスイッチまたは前記第２のスイッチは、チャネル形成領域に、バンドギャップがシリコンよりも広い半導体を含むトランジスタを有する電力供給システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電源線は前記第２の電源線に電気的に接続されている電力供給システム。
【請求項３】
センサ回路を有する請求項１または請求項２に記載の電力供給システムであって、
前記センサ回路は、前記第１の負荷の利用環境または周囲環境の変化を監視する機能を有し、
前記指令部は、前記センサ回路の出力に応じて前記第１のスイッチのオンまたはオフを制御する機能を有する電力供給システム。
【請求項４】
請求項３において、
前記センサ回路は、光センサ、磁気センサ、マイクロフォン、歪みゲージ、圧力センサ、ガスセンサ、または温度センサを有する電力供給システム。
【請求項５】
第１の指令部と、
第２の指令部と、
第３の指令部と、
第１のコンポーネントと、
第２のコンポーネントと、
第３のコンポーネントと、
第４のコンポーネントと、を有し、
前記第１のコンポーネントは、第１の電源線、第１の負荷、及び第１のスイッチを有し、
前記第２のコンポーネントは、第２の電源線、第２の負荷、及び第２のスイッチを有し、
前記第３のコンポーネントは、第３の電源線、第３の負荷、及び第３のスイッチを有し、
前記第４のコンポーネントは、第４の電源線、第４の負荷、及び第４のスイッチを有し、
前記第１のスイッチは、前記第１の電源線と前記第１の負荷との間の導通状態を切り替える機能を有し、
前記第２のスイッチは、前記第２の電源線と前記第２の負荷との間の導通状態を切り替える機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記第３の電源線と前記第３の負荷との間の導通状態を切り替える機能を有し、
前記第４のスイッチは、前記第４の電源線と前記第４の負荷との間の導通状態を切り替える機能を有し、
前記第１の指令部は、前記第１のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、前記第２のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、前記第３のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、前記第４のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、を有し、
前記第２の指令部は、前記第１のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、前記第２のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、を有し、
前記第３の指令部は、前記第３のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、前記第４のスイッチのオンまたはオフを制御する機能と、を有し、
前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチ、または前記第４のスイッチは、チャネル形成領域に、バンドギャップがシリコンよりも広い半導体を含むトランジスタを有する電力供給システム。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の電源線は前記第２の電源線に電気的に接続されている電力供給システム。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１の電源線は前記第３の電源線に電気的に接続されている電力供給システム。
【請求項８】
センサ回路を有する請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の電力供給システムであって、
前記センサ回路は、前記第１の負荷の利用環境または周囲環境の変化を監視する機能を有し、
前記第１の指令部または前記第２の指令部は、前記センサ回路の出力に応じて前記第１のスイッチのオンまたはオフを制御する機能を有する電力供給システム。
【請求項９】
請求項８において、
前記センサ回路は、光センサ、磁気センサ、マイクロフォン、歪みゲージ、圧力センサ、ガスセンサ、または温度センサを有する電力供給システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月23日(2015.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、有効質量が電子に比べて少なくとも５倍以上の重い正孔を持つ酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層と、前記酸化物半導体層と接するドレイン電極層とを有するトランジスタを備え、
前記トランジスタのオフ電流密度は、チャネル幅１μｍあたり、１００ｚＡ／μｍ以下である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタのチャネル長は５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上４ｅＶ以下である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記トランジスタのチャネル形成領域におけるキャリア密度は、１０−１０／ｃｍ３以上１０１７／ｃｍ３未満とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、ｃ軸配向している結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、少なくともインジウムを含み、ガリウム、錫、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、ゲルマニウムから選ばれる一または複数含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層はタングステンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層が持つ正孔の有効質量は、１以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層が持つ正孔の有効質量は、１０以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置される少なくとも一つの光源、及び前記光源を埋め込むように前記基板上に配置される導光層を含む光源モジュールと、
前記光源モジュールを収納するハウジングと、を含み、
前記光源は、
キャビティを有する本体と、
前記キャビティに露出する一端、及び前記本体を貫通して前記本体の一面に露出する他端を含む第１のリードフレームと、
前記本体の前記一面の一側に露出する一端、前記本体の前記一面の他の一側に露出する他端、及び前記キャビティに露出する中間部を含む第２のリードフレームと、
第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含み、前記第１のリードフレーム上に配置される少なくとも一つの発光チップと、を含み、
前記第１のリードフレームの他端は、前記第２のリードフレームの一端と他端との間に位置し、前記第２のリードフレームの中間部は、前記第２のリードフレームの一端と前記第２のリードフレームの他端とを連結する発光ランプ。
【請求項２】
前記第１のリードフレームは、
前記キャビティに露出し、前記少なくとも一つの発光チップが配置される第１の上面部と、
前記第１の上面部の第１の側部から折り曲げられ、前記本体の前記一面に露出する第１の側面部と、を含む、請求項１に記載の発光ランプ。
【請求項３】
前記第１のリードフレームは、前記第１の上面部と前記第１の側面部との境界部分に隣接して少なくとも一つの貫通ホールを有する、請求項２に記載の発光ランプ。
【請求項４】
前記第１のリードフレームは、前記第１の上面部と第１の側面部とを互いに連結する各連結部分を含み、前記各連結部分間には前記貫通ホールが位置する、請求項２又は３に記載の発光ランプ。
【請求項５】
前記各連結部分のうち前記発光チップに整列される第１の連結部分の第１の方向の長さは、前記発光チップに整列されない第２の連結部分の第１の方向の長さより大きく、前記第１の方向はｘｙｚ座標系でｘ軸方向である、請求項４に記載の発光ランプ。
【請求項６】
前記第２のリードフレームは、
前記第１の上面部の少なくとも一つの側部の周囲に配置され、前記本体の前記キャビティに露出する第２の上面部と、
前記第２の上面部から折り曲げられ、前記本体の前記一面の前記一側及び前記他側のそれぞれに露出する第２の側面部と、を含む、請求項２〜５のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項７】
前記光源モジュールは、
前記基板の下面上に配置される放熱部材をさらに含む、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項８】
前記基板は、少なくとも一つのビアホールを有する、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項９】
前記光源モジュールは、
前記基板と前記導光層との間に配置される反射シートをさらに含む、請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項１０】
前記光源モジュールは、
前記反射シート上に配置される反射パターンをさらに含む、請求項９に記載の発光ランプ。
【請求項１１】
前記光源モジュールは、
前記導光層上に配置され、前記導光層から出射される光を分散する第１の光学シートをさらに含む、請求項１〜１０のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項１２】
前記光源モジュールは、
前記第１の光学シート上に配置され、前記光源から出射される光を遮断又は反射する光学パターンをさらに含む、請求項１１に記載の発光ランプ。
【請求項１３】
前記光源モジュールは、
前記第１の光学シートと、前記光学パターン上に配置される第２の光学シートと、をさらに含む、請求項１２に記載の発光ランプ。
【請求項１４】
前記光源モジュールは、
前記第２の光学シート上に配置される拡散板をさらに含む、請求項１３に記載の発光ランプ。
【請求項１５】
前記拡散板上に配置される多数のレンズをさらに含む、請求項１４に記載の発光ランプ。
【請求項１６】
前記導光層は、
オリゴマーを含む紫外線硬化樹脂からなる、請求項１〜１５のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項１７】
前記紫外線硬化樹脂は、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリブタジエンアクリレート、及びシリコンアクリレートのうち少なくとも一つを含む、請求項１６に記載の発光ランプ。
【請求項１８】
前記導光層は、
ポリエステルポリオール樹脂、アクリルポリオール樹脂、炭化水素系又は／及びエステル系の溶剤のうち少なくとも一つを含む熱硬化樹脂からなる、請求項１〜１５のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項１９】
前記導光層は、
シリコン、シリカ、グラスバブル、ＰＭＭＡ、ウレタン、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｌ２Ｏ３、アクリルから選ばれる少なくともいずれか一つで構成される光を拡散させるための拡散物質をさらに含む、請求項１〜１８のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項２０】
前記光源モジュールは、
前記基板に配置され、外部との電気的連結のための少なくとも一つのコネクターをさらに含む、請求項１〜１９のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項２１】
前記光源モジュールは、
外部との締結のために前記基板に形成される締結固定部をさらに含む、請求項２０に記載の発光ランプ。
【請求項２２】
前記基板は、回路パターン及び絶縁層を含み、軟性を有する基板である、請求項１〜２１のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項２３】
前記発光チップは、６００nm〜６９０nmの波長範囲を有する赤色光を発光する、請求項１〜２２のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項２４】
前記光源は側面型の発光素子パッケージである、請求項１〜２３のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【請求項２５】
前記光源モジュールは面光源である、請求項１〜２４のうちいずれか１項に記載の発光ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材とを接触させ、前記型と前記インプリント材との接触領域を広げる工程と、
前記接触領域の広がりに応じてアライメントマークを検出する検出器の位置を変化させることにより、前記基板上の互いに異なる場所に形成された複数の前記アライメントマークを順次検出する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記アライメントマークを順次検出する工程にて検出した検出結果に基づいて、前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板との位置合わせする工程の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記型と前記インプリント材との前記接触領域の広がりに応じて変化した前記検出器の位置で検出された複数のアライメントマークの検出結果を統計処理して前記基板上のショット領域の形状に対する前記型に形成されたパターンの形状の補正量を算出し、前記補正量に基づいて前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記アライメントマークの検出は、前記型と前記インプリント材との前記接触領域の広がりに応じて前記アライメントマークを順次検出し、前記検出器の位置を変化させる際に、前に検出された前記アライメントマークの位置から最も近くに存在する前記アライメントマークを検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記アライメントマークの検出は、前記型と前記インプリント材との前記接触領域の広がりに応じて前記アライメントマークを順次検出し、前記検出器の位置を変化させる際に、前記型と前記インプリント材との前記接触領域が広がる順に前記アライメントマークを検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記型と前記インプリント材の接触が完了する前に前記検出器が検出した前記アライメントマークに基づいて、前記型と前記インプリント材の接触が完了する前に、前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板との位置合わせする工程の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記複数のアライメントマークを検出するごとに、順次、前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板との位置合わせする工程の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記型と前記インプリント材との前記接触領域を、前記基板上のショット領域の全体を観察することで判断する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記型と前記インプリント材との前記接触領域を広げる工程での前記型と前記インプリント材との接触の開始から完了までの時間に基づいて、前記検出器を変化させる位置を、前記接触領域を広げる工程の前に予め決定する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の複数の領域を前記基板上の前記インプリント材に順次、接触させる工程と、
前記接触させる工程にて、前記型の複数の領域のうち、先に接触する領域に形成されたアライメントマークを検出器が検出した後、前記検出器の位置を変化させ、前記型の複数の領域のうち、後に接触する領域に形成されたアライメントマークを検出する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
前記先に接触する領域は前記基板上のショット領域の中心を含む領域であり、前記後に接触する領域は前記ショット領域の一番外側の領域であることを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記接触させる工程で前記型を前記インプリント材に接触させている際に、前記検出器の位置を変化させることを特徴とする請求項１０または１１に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のアライメントマークを検出する検出器と、
前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる際、前記検出器の位置を、前記型と前記インプリント材との接触する接触領域の広がりに応じて変化させながら、複数の前記アライメントマークを検出させる制御部と、
を備えるインプリント装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の物品の製造方法であって、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程をさらに含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、型とインプリント材とを接触させ、型とインプリント材との接触領域を広げる工程と、接触領域の広がりに応じてアライメントマークを検出する検出器の位置を変化させることにより、基板上の互いに異なる場所に形成された複数のアライメントマークを順次検出する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板上のショット領域に形成されたアライメントマークを検出する検出器の位置を変更する工程と、
前記型と前記ショット領域上の前記インプリント材とを接触させる工程と、
前記検出器の位置を変更する工程にて前記検出器の位置の変更が完了した後、前記検出器を用いて前記アライメントマークを検出する工程と、を含み、
前記接触させる工程は、前記検出器の位置の変更が完了する前に開始されることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記接触させる工程は、前記インプリント材のパターンが形成された他のショット領域に対して前記アライメントマークを検出した検出結果に基づいて開始されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記インプリント方法は、前記基板上に形成された複数のショット領域に前記インプリント材のパターンの形成を繰り返し、
前記検出器の位置を変更する工程は、前記基板上にパターンを形成するショット領域よりも前のショット領域にパターンを形成したときの前記検出器の位置から変更することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記アライメントマークを検出する検出器に、位置が変更される前記検出器と、位置が変更されない前記検出器とがある場合に、
前記位置が変更されない前記検出器が、前記アライメントマークを検出した後に、前記型を前記インプリント材に接触させる工程を開始し、
前記位置が変更される前記検出器の位置の変更が完了した後、変更された前記検出器が前記アライメントマークを検出する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記接触させる工程が完了した後に、前記インプリント材を硬化させる工程と、
前記型と前記インプリント材とを引き離す工程と、
前記型に形成されたパターンの形状と前記ショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板とを位置合わせする工程の少なくとも一方が完了した後、前記引き離す工程の前に、次にパターンを形成するショット領域に形成されたアライメントマークを検出する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板上にインプリント材を供給する工程と、
前記基板上のショット領域に形成されたアライメントマークを検出する検出器の位置を変更する工程と、
前記型と前記ショット領域上の前記インプリント材とを接触させる工程と、
前記検出器の位置を変更する工程にて前記検出器の位置の変更が完了した後、前記検出器を用いて前記アライメントマークを検出する工程と、を含み、
前記検出器の位置を変更する工程が行われている際に、前記インプリント材を供給する工程が行われることを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上に形成されたアライメントマークを検出する検出器と、
制御部を備え、
前記制御部は前記検出器の位置を変更させ、前記位置の変更が完了する前に、前記基板上のインプリント材と前記型を接触させる
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のインプリント方法、または請求項７に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の物品の製造方法であって、前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程をさらに含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、基板上のショット領域に形成されたアライメントマークを検出する検出器の位置を変更する工程と、型とショット領域上のインプリント材とを接触させる工程と、検出器の位置を変更する工程にて検出器の位置の変更が完了した後、検出器を用いてアライメントマークを検出する工程と、を含み、接触させる工程は、検出器の位置の変更が完了する前に開始されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月6日(2016.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の端部と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜上に、前記酸化物半導体膜に含まれる酸素が脱離する温度よりも低い温度で、第２の絶縁膜を形成し、
酸素を含む雰囲気下にて、前記第２の絶縁膜をプラズマに曝して、前記第２の絶縁膜から前記酸化物半導体膜に酸素を供給し、
前記第２の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記導電膜を、エッチングして、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の端部と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜上に、前記酸化物半導体膜に含まれる酸素が脱離する温度よりも低い温度で、第２の絶縁膜を形成し、
酸素を含む雰囲気下にて、前記第２の絶縁膜をプラズマに曝し、
前記第２の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記導電膜を、エッチングして、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、基板上に形成され、
前記基板を２００℃以上４００℃以下に加熱して、前記酸化物半導体膜上に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、珪素と、窒素と、酸素とを有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記酸化物半導体膜にホウ素、窒素、フッ素、アルミニウム、リン、ヒ素、インジウム、スズ、アンチモン及び希ガス元素から選ばれた一種以上の元素を導入する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端部と、前記第１の端部とは反対側にある第２の端部と、を有するゲート電極と、
前記ゲート電極に接する領域を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上方に設けられ、第３の端部と、前記第３の端部とは反対側にある第４の端部と、を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、第１の部分と、第２の部分と、第３の部分と、第４の部分と、を有する第１の電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された第２の電極と、
を有し、
前記第１の部分は、前記第３の部分を介して前記第２の部分と電気的に接続され、
前記第３の部分は、前記第４の部分と電気的に接続され、
前記第１の部分と、前記第２の部分と、前記第３の部分とは、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記第４の部分は、前記第３の端部と重なる領域を越えて延びて設けられた領域を有し、
前記第４の部分は、前記第１の端部と重なる領域を越えて延びて設けられた領域を有し、
前記第１の端部は、前記第３の端部よりも外側にあり、
前記第２の電極は、前記第１の部分と前記第２の部分との間に配置された領域を有し、
前記第２の電極は、前記第２の端部と重なる領域を越えて延びて設けられた領域を有し、
前記第２の電極は、前記第４の端部と重なる領域を越えて延びて設けられた領域を有し、
前記第２の端部は、前記第４の端部よりも内側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の部分と、前記第２の部分とは、前記第４の端部と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の部分は、前記第４の端部と重なる領域を越えて延びて設けられた領域を有し、
前記第２の部分は、前記第４の端部と重なる領域を越えて延びて設けられた領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、上面が円形の形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、上面が円形の一部の形状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有するパッケージ本体；
前記キャビティに露出する一端、及び前記パッケージ本体を貫通して前記パッケージ本体の一面に露出する他端を含む第１のリードフレーム；
前記パッケージ本体の前記一面の一側に露出する一端、前記パッケージ本体の前記一面の他の一側に露出する他端、及び前記キャビティに露出する中間部を含む第２のリードフレーム；及び
第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含み、前記第１のリードフレーム上に配置される少なくとも一つの発光チップ；を含み、
前記第１のリードフレームの前記他端は、前記第２のリードフレームの前記一端と前記他端との間に配置される発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第２のリードフレームの前記中間部は、前記第２のリードフレームの前記一端及び前記他端を互いに電気的に連結する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１のリードフレームは、
前記キャビティに露出する第１の上面部；及び
前記第１の上面部の第１の側部から折り曲げられ、前記パッケージ本体の前記一面に露出する第１の側面部；を含み、
前記少なくとも一つの発光チップは前記第１の上面部上に配置される、請求項１〜２のうちいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１の上面部及び前記第１の側面部のうち少なくとも一つに少なくとも一つの第１の貫通ホールが設けられる、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１のリードフレームは、前記第１の上面部と前記第１の側面部との境界部分に隣接して少なくとも一つの第１の貫通ホールを有する、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１のリードフレームは、前記第１の上面部と第１の側面部とを互いに連結する各連結部分を含み、前記各連結部分の間には前記第１の貫通ホールが位置し、前記各連結部分のうち少なくとも一つの長さは残りの長さと互いに異なる、請求項４〜５のうちいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記各連結部分のうち前記発光チップに整列される第１の連結部分の第１の方向の長さは、前記発光チップに整列されない第２の連結部分の第１の方向の長さより大きく、前記第１の方向はｘｙｚ座標系でｘ軸方向である、請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１の側面部は、
前記各連結部分を含む上端部、及び前記上端部の下側に位置する下端部に区分され、
前記下端部は前記上端部から側方向に突出する、請求項６〜７のうちいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第２の連結部分と前記第１の連結部分の第１の方向の長さの比は１：１．２〜１．８である、請求項６〜８のうちいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１の貫通ホールの第１の方向の長さと前記第１の側面部の前記上端部の第１の方向の長さとの比は１：３．８〜６．３で、前記第１の方向はｘｙｚ座標系でｘ軸方向である、請求項８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記各連結部分のうち少なくとも一つには、前記第１の貫通ホールより直径が小さい第２の貫通ホールが設けられる、請求項６〜１０のうちいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記第２のリードフレームは、
前記第１の上面部の少なくとも一つの側部周囲に配置され、前記パッケージ本体の前記キャビティに露出する第２の上面部；及び
前記第２の上面部から折り曲げられ、前記パッケージ本体の前記一面の前記一側及び前記他の一側のそれぞれに露出する第２の側面部；を含む、請求項３〜１１のうちいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第１の上面部の第２の側部には、少なくとも一つの溝部が設けられ、前記第１の上面部の第１の側部と第２の側部は互いに向き合う側部である、請求項１２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記第２の上面部には、前記溝部に相応する少なくとも一つの突出部が設けられる、請求項１３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記第２の上面部は、
前記第１の上面部の前記第１の側部を除いた残りの側部に対応して配置される第１の部分乃至第３の部分を含む、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記第２の側面部は、
前記第２の上面部の前記第１の部分から折り曲げられる第１の部分；及び
前記第２の上面部の前記第３の部分から折り曲げられる第２の部分；を含み、
前記第１の部分と前記第２の部分は、前記第１の側面部を基準として対称的である、請求項１５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
前記発光チップは、
前記第１の半導体層の上部に配置される第１の電極層；
前記第２の半導体層の下部に配置される反射層；及び
前記反射層の下部に配置される第２の電極層；をさらに含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記少なくとも一つの第１の貫通ホールには、前記パッケージ本体の一部が充填される、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記発光チップは、６００ｎｍ〜６９０ｎｍの波長範囲を有する赤色光を発光する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の絶縁層と、
前記絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極と、
前記酸化物半導体層上のドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、第１配線と電気的に接続され、
前記第１配線は、複数の第１の導電層と複数の第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料を有し、前記絶縁層上に位置し、
前記第２の導電層は、前記ゲート電極と同じ材料を有し、前記絶縁層の下に位置し、
前記ゲート電極は銅を含み、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記絶縁層が有するコンタクトホールを介して、互いに接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の絶縁層と、
前記絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極と、
前記酸化物半導体層上のドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、第１配線と電気的に接続され、
前記第１配線は、第１の導電層と複数の第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料を有し、前記絶縁層上に位置し、
前記第２の導電層は、前記ゲート電極と同じ材料を有し、前記絶縁層の下に位置し、
前記ゲート電極は銅を含み、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記絶縁層が有するコンタクトホールを介して、互いに接続し、
前記第２の導電層は、それぞれ、前記第１の導電層と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の導電層は、銅を含む層と、銅よりも融点が高い金属元素を含む層の積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の導電層は、銅を含む層と、銅よりも融点が高い金属元素の窒化物を含む層の積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記絶縁層は、窒化シリコンまたは酸化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有する第１の結晶部と、
前記第１の結晶部において、前記第１の結晶部のｃ軸に垂直な面におけるインジウム及び酸素を含む第１の結晶配列部と、
前記酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有する第２の結晶部と、
前記第２の結晶部において、前記第２の結晶部のｃ軸に垂直な面におけるインジウム及び酸素を含む第２の結晶配列部と、を有し、
前記第１の結晶部と前記第２の結晶部間で、それぞれａ軸及びｂ軸の向きが異なり、
前記第１の結晶配列部及び前記第２の結晶配列部の長さがそれぞれ１．５ｎｍより長いことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
酸化物半導体膜において、
前記酸化物半導体膜表面近傍の第１の領域と、
前記酸化物半導体膜被形成面近傍の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における、前記酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有するすべての結晶部が占める割合は、前記第２の領域における、前記酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有するすべての結晶部が占める割合より高く、
前記結晶部において、前記結晶部のｃ軸に垂直な面におけるインジウム及び酸素を含む結晶配列部を有し、
前記結晶配列部の長さが１．５ｎｍより長いことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の結晶配列部及び前記第２の結晶配列部の長さがそれぞれ２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項４】
請求項２において、
前記結晶配列部の長さが２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜はガリウムを含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項における酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたことを特徴とするトランジスタ。
【請求項７】
請求項６に記載のトランジスタを含む回路を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の半導体層を形成し、
前記一対の半導体層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記一対の半導体層のうち前記ゲート電極と重ならない領域を低抵抗化する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に一対の半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層及び前記一対の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記一対の半導体層のうち前記ゲート電極と重ならない領域を低抵抗化する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記低抵抗化する処理として、前記一対の半導体層中でキャリアを生成する不純物を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記一対の半導体層は、シリコン、ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、または酸化スズを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層の上面と接する領域及び前記ゲート電極層の側面と接する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して、前記ゲート電極層の側面に設けられた第２の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低く、且つ、前記第１の絶縁層において、前記ゲート絶縁層の上面と接する領域の膜厚は、前記ゲート電極層の側面と接する領域の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層の上面と接する領域及び前記ゲート電極層の側面と接する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して、前記ゲート電極層の側面に設けられた第２の絶縁層と、
前記ゲート電極層上に接して設けられ、側面において前記第１の絶縁層と接する領域を有する第３の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低く、且つ、前記第１の絶縁層において、前記ゲート絶縁層の上面と接する領域の膜厚は、前記ゲート電極層の側面と接する領域の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層と接する領域を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層の端部と、前記第１の絶縁層の端部とは、概略一致する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層の端部と、前記第２の絶縁層の端部とは、概略一致する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と接する領域の膜厚は、前記ゲート絶縁層と接する領域の膜厚よりも小さい半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも水素に対する透過性が低い半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の絶縁層として、酸化アルミニウム膜を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、第１乃至第３の発光層を有し、
前記第１の発光層は、第１のりん光性化合物と、第１のホスト材料とを有し、
前記第２の発光層は、第２のりん光性化合物と、第２のホスト材料とを有し、
前記第３の発光層は、第３のりん光性化合物と、第３のホスト材料とを有し、
前記第１のりん光性化合物は、青色発光を呈し、
前記第２のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数は、４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍの波長範囲にピークを有し、
前記第２のりん光性化合物は、前記第１のりん光性化合物よりも長波長の発光を呈し、
前記第３のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数は、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲にピークを有し、
前記第３のりん光性化合物は、前記第２のりん光性化合物よりも長波長の発光を呈し、
λは、波長を表し、
ε（λ）は、モル吸光係数を表す発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に、第１乃至第３の発光層を有し、
前記第１の発光層は、第１のりん光性化合物と、第１のホスト材料とを有し、
前記第２の発光層は、第２のりん光性化合物と、第２のホスト材料とを有し、
前記第３の発光層は、第３のりん光性化合物と、第３のホスト材料とを有し、
前記第１のりん光性化合物は、青色発光を呈し、
前記第２のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数は、４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍの波長範囲にピークを有し、
前記第２のりん光性化合物は、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲に発光スペクトルのピークを有し、
前記第３のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数は、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲にピークを有し、
前記第３のりん光性化合物は、前記第２のりん光性化合物よりも長波長の発光を呈し、
λは、波長を表し、
ε（λ）は、モル吸光係数を表す発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に、第１乃至第３の発光層を有し、
前記第１の発光層は、第１のりん光性化合物と、第１のホスト材料とを有し、
前記第２の発光層は、第２のりん光性化合物と、第２のホスト材料とを有し、
前記第３の発光層は、第３のりん光性化合物と、第３のホスト材料とを有し、
前記第１のりん光性化合物は、４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍの波長範囲に発光スペクトルのピークを有し、
前記第２のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数は、４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍの波長範囲にピークを有し、
前記第２のりん光性化合物は、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲に発光スペクトルのピークを有し、
前記第３のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数は、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍの波長範囲にピークを有し、
λは、波長を表し、
ε（λ）は、モル吸光係数を表す発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３にのいずれか一において、
前記第３のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数のピークは、前記第２のりん光性化合物のε（λ）λ４で表される関数のピークよりも高い発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の発光層は、前記第２の発光層に接しており、
前記第２の発光層は、前記第３の発光層に接している発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月21日(2016.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に透明導電層を有する透明導電性基材の前記透明導電層に貼り合せて用いる粘着剤層付偏光フィルムであって、
前記粘着剤層付偏光フィルムは、偏光フィルム、及び透明導電層用粘着剤層を有し、かつ、前記透明導電層用粘着剤層は、（メタ）アクリル系ポリマー及びオリゴマー型のエポキシ基含有シランカップリング剤を含む粘着剤組成物から形成されたものであることを特徴とする粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項２】
前記オリゴマー型のエポキシ基含有シランカップリング剤が、分子内に２個以上のアルコキシシリル基を有することを特徴とする請求項１に記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項３】
前記オリゴマー型のエポキシ基含有シランカップリング剤の配合量が、前記（メタ）アクリル系ポリマー１００重量部に対して、０．０１〜３重量部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項４】
前記オリゴマー型のエポキシ基含有シランカップリング剤のエポキシ当量が、３００ｇ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の粘着剤層付偏光フィルム、及び透明基材上に透明導電層を有する透明導電性基材を備える液晶セルを含む画像表示装置であって、
前記粘着剤層付偏光フィルムの粘着剤層が、前記液晶セルの前記透明導電層に貼り合わされていることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月21日(2016.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に透明導電層を有する透明導電性基材の前記透明導電層に貼り合せて用いる粘着剤層付偏光フィルムであって、
前記粘着剤層付偏光フィルムは、偏光フィルム、及び透明導電層用粘着剤層を有し、かつ、前記透明導電層用粘着剤層は、（メタ）アクリル系ポリマー及びエポキシ当量２５０〜６００ｇ／ｍｏｌであるオリゴマー型のエポキシ基含有シランカップリング剤を含む粘着剤組成物から形成されたものであることを特徴とする粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項２】
前記シランカップリング剤が、分子内に２個以上のアルコキシシリル基を有することを特徴とする請求項１に記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項３】
前記シランカップリング剤の配合量が、前記（メタ）アクリル系ポリマー１００重量部に対して、０．０１〜３重量部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項４】
前記（メタ）アクリル系ポリマーが、アルキル（メタ）アクリレート、並びにカルボキシル基含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマー、及びアミド基含有モノマーからなる群から選択される２種類以上のモノマーをモノマー単位として含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項５】
前記（メタ）アクリル系ポリマーが、アルキル（メタ）アクリレート、カルボキシル基含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマー、及びアミド基含有モノマーをモノマー単位として含むことを特徴とする請求項４に記載の粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の粘着剤層付偏光フィルム、及び透明基材上に透明導電層を有する透明導電性基材を備える液晶セルを含む画像表示装置であって、
前記粘着剤層付偏光フィルムの粘着剤層が、前記液晶セルの前記透明導電層に貼り合わされていることを特徴とする画像表示装置。