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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像に含まれるブロックの輝度値に基づく評価値を取得する第１の取得手段と、
前記第１の取得手段によって取得された前記評価値が所定の条件を満たすブロックの数を示す計数情報を取得する第２の取得手段と、
前記第２の取得手段によって取得された前記計数情報に基づいて、前記所定の条件を満たすブロック以外のブロックを符号化するために用いられる量子化パラメータを設定する設定手段と
を有することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記評価値は、視覚特性に基づく評価値である
ことを特徴とする、請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記評価値は、前記ブロックの輝度の複雑度に基づく評価値である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記ブロックの輝度の複雑度は、前記ブロックを分割したサブブロックに属する画素の輝度値と当該サブブロックの輝度の平均値との差分の大きさの合計値である、当該サブブロックの複雑度に基づいて決定された値である
ことを特徴とする請求項３に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記ブロックの輝度の複雑度は、前記ブロックに含まれるサブブロックの複雑度のうち、最小値である
ことを特徴とする請求項４に記載の画像符号化装置。
【請求項６】
前記第１の取得手段は、前記ブロックの輝度の平均値に基づく評価値を取得する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項７】
前記第２の取得手段は、画質の劣化の度合いに係る前記所定の条件を満たすブロックの数を示す計数情報を取得する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項８】
前記所定の条件は、前記ブロックの輝度の平均値が第１の所定値より大きく、且つ、前記ブロックの輝度の複雑度が第２の所定値より大きいことである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項９】
前記設定手段は、前記計数情報に基づいて、前記所定の条件を満たすブロック数が所定の値より多い場合に、前記所定の条件以外のブロックの量子化パラメータを、前記所定の条件を満たすブロックの数が前記所定の値より少ない場合の前記所定の条件を満たさないブロックの量子化パラメータよりも小さくなるように設定する
ことを特徴とする請求項８に記載の画像符号化装置。
【請求項１０】
前記設定手段は、前記計数情報に基づいて、前記所定の条件を満たすブロックの量子化パラメータを、前記所定の条件を満たさないブロックの量子化パラメータよりも大きくなるように設定する
ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の画像符号化装置。
【請求項１１】
前記第１の取得手段は、前記ブロックの第１の評価値と第２の評価値とを取得し、
前記第１の評価値及び前記第２の評価値の値が大きいほど前記ブロックを符号化した場合に画質の劣化が目立ち難いことを示し、
前記所定の条件は、前記ブロックの前記第１の評価値が第１の閾値より大きい値であって、前記ブロックの前記第２の評価値が第２の閾値より大きい値であるブロックである
ことを特徴とする請求項８乃至請求項１０の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１２】
前記第１の取得手段は、前記ブロックの視覚特性に関する評価値を取得する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１３】
前記設定手段は、前記所定の条件を満たすブロックの量子化パラメータを予め設定された値とする
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１４】
前記第１の取得手段によって取得される前記評価値は、前記ブロックの複雑度又は平均値の少なくとも何れかに関する情報である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１３の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１５】
前記第１の取得手段によって取得される前記評価値は、前記ブロックの色相に関する情報又は物体検出に関する情報の少なくとも何れかに関する情報である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１４の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１６】
前記第１の取得手段によって取得される前記評価値は、前記ブロックを分割したサブブロックの評価値に基づいて算出された値である
ことを特徴とする、請求項１乃至請求項１５の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１７】
前記第１の取得手段によって取得される前記評価値は、前記ブロックに属するサブブロックの複雑度のうち、最も小さい値を前記ブロックの評価値である
ことを特徴とする請求項１６に記載の画像符号化装置。
【請求項１８】
前記計数情報を計数する計数手段
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１７の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項１９】
前記設定手段によって設定された量子化パラメータを用いて前記ブロックを符号化する符号化手段
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１８の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項２０】
前記所定の条件は、前記評価値が、画質劣化が目立ちにくいことに対応する評価値であることである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１９の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項２１】
前記ブロックは、前記評価値に基づいて複数のクラスに分類され、
前記所定の条件を満たすかは、前記複数のクラスの内の所定のクラスに分類されているかで判断される
ことを特徴とする請求項１乃至請求項２０の何れか一項に記載の画像符号化装置。
【請求項２２】
画像に含まれるブロックの輝度値に基づく評価値を取得する第１の取得工程と、
前記第１の取得工程によって取得された前記評価値が所定の条件を満たすブロックの数を示す計数情報を取得する第２の取得工程と、
前記第２の取得工程によって取得された前記計数情報に基づいて、前記所定の条件を満たすブロック以外のブロックを符号化するために用いられる量子化パラメータを設定する設定工程と
を有することを特徴とする画像符号化方法。
【請求項２３】
コンピュータを、請求項１乃至請求項２１の何れか一項に記載の画像符号化装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の画像符号化装置は、下記の構成を有する。即ち、画像に含まれるブロックの輝度値に基づく評価値を取得する第１の取得手段と、前記第１の取得手段によって取得された前記評価値が所定の条件を満たすブロックの数を示す計数情報を取得する第２の取得手段と、前記第２の取得手段によって取得された前記計数情報に基づいて、前記所定の条件を満たすブロック以外のブロックを符号化するために用いられる量子化パラメータを設定する設定手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月28日(2016.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像作品の撮影カット毎の構図および撮影時間を示す撮影テンプレートが映像作品のテーマ毎に記憶される撮影テンプレート記憶手段と、
前記撮影テンプレート記憶手段に記憶された前記テーマ毎の撮影テンプレートのうち何れかが選択されると、当該撮影テンプレートの各撮影カットの一覧を表示し、撮影を開始する撮影カットの選択を受け付ける撮影カット選択手段と、
前記撮影カット選択手段で撮影カットが選択されると、前記撮影テンプレートに規定された前記構図を案内するガイド情報を画面内に配置した撮影画面を表示し、前記撮影テンプレートに規定された前記撮影時間の間、前記撮影カットの撮影を行う撮影カット撮影手段と、
前記撮影カット撮影手段によって撮影された前記各撮影カットの映像を統合し、映像作品を作成する映像作品作成手段と、
を有し、
前記撮影カット撮影手段は、前記画面内に配置される前記ガイド情報として、被写体の位置を案内するガイド枠を前記画面内に表示し、前記撮影カットの撮影をしている間、前記ガイド枠を前記画面内に表示した状態で前記撮影カットの撮影を行う、
映像処理装置。
【請求項２】
前記撮影カット撮影手段は、前記撮影カット選択手段で撮影カットが選択されると、前記ガイド情報と撮影開始ボタンとを画面内に配置した撮影スタンバイ画面を更に表示し、前記撮影開始ボタンが押されると、前記撮影カットの撮影を開始し、前記撮影テンプレートに規定された前記撮影カット毎の撮影時間の間、前記撮影カットの撮影を行う、
請求項１に記載の映像処理装置。
【請求項３】
前記撮影カット撮影手段は、前記撮影カットの撮影をしている間、前記ガイド枠を撮影画面内に表示し、撮影者の指示を受け付けるためのボタンを前記撮影画面内に表示しないで、前記撮影時間を経過すると前記撮影カットの撮影を終了する、
請求項１に記載の映像処理装置。
【請求項４】
前記撮影カット撮影手段は、前記ガイド情報として、撮影のガイド内容を示す説明情報を前記画面内に更に表示し、前記撮影カットの撮影をしている間、前記説明情報を前記画面内に表示した状態で前記撮影カットの撮影を行う、
請求項１に記載の映像処理装置。
【請求項５】
前記撮影テンプレート記憶手段は、複数の前記撮影テンプレートが撮影カテゴリ毎に記憶されている、請求項１に記載の映像処理装置。
【請求項６】
映像作品の撮影カット毎の構図および撮影時間を示す撮影テンプレートが映像作品のテーマ毎に記憶される撮影テンプレート記憶手段に記憶された前記テーマ毎の撮影テンプレートのうち何れかが選択されると、当該撮影テンプレートの各撮影カットの一覧を表示し、撮影を開始する撮影カットの選択を受け付けることと、
前記撮影カットが選択されると、前記撮影テンプレートに規定された前記構図を案内するガイド情報を画面内に配置した撮影画面を表示し、前記撮影テンプレートに規定された前記撮影時間の間、前記撮影カットの撮影を行うことと、
撮影された前記各撮影カットの映像を統合し、映像作品を作成することと、
を有し、
前記撮影カットの撮影を行うことは、前記画面内に配置される前記ガイド情報として、被写体の位置を案内するガイド枠を前記画面内に表示し、前記撮影カットの撮影をしている間、前記ガイド枠を前記画面内に表示した状態で前記撮影カットの撮影を行う、
映像処理方法。
【請求項７】
コンピュータに、
映像作品の撮影カット毎の構図および撮影時間を示す撮影テンプレートが映像作品のテーマ毎に記憶される撮影テンプレート記憶手段に記憶された前記テーマ毎の撮影テンプレートのうち何れかが選択されると、当該撮影テンプレートの各撮影カットの一覧を表示し、撮影を開始する撮影カットの選択を受け付けることと、
前記撮影カットが選択されると、前記撮影テンプレートに規定された前記構図を案内するガイド情報を画面内に配置した撮影画面を表示し、前記撮影テンプレートに規定された前記撮影時間の間、前記撮影カットの撮影を行うことと、
撮影された前記各撮影カットの映像を統合し、映像作品を作成することと、
を実行させる、
プログラムであって、
前記撮影カットの撮影を行うことは、前記画面内に配置される前記ガイド情報として、被写体の位置を案内するガイド枠を前記画面内に表示し、前記撮影カットの撮影をしている間、前記ガイド枠を前記画面内に表示した状態で前記撮影カットの撮影を行う、
プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像処理装置、映像処理方法およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、映像処理装置、映像処理方法およびプログラムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記接続部は、前記第１のアドレスが動的に変更可能なアドレスであり、かつ、前記判定部によって前記第１のアドレスが攻撃対象であると判定された場合、前記第１の無線アクセス方式による接続を切断するとともに、前記第１のアドレスとは異なる第２のアドレスを前記無線通信装置に割り当て、前記第２のアドレスに応じた第２の無線アクセス方式により、前記第２のアドレスが割り当てられた前記無線通信装置と無線通信可能に接続し、
前記制御部は、前記転送部を制御して、前記第２のアドレスを宛先とする第２のパケットを受信して、前記第２のアドレスが割り当てられた前記無線通信装置に転送することを特徴とする請求項３に記載の転送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
攻撃パターンとなるパケットの特徴情報を記憶する記憶部と、
前記転送部を制御して、前記第１のパケットのうち、前記特徴情報を参照して前記攻撃パターンに該当すると判断されなかった前記第１のパケットを、前記第１のアドレスが割り当てられた前記無線通信装置に転送する制御部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の転送装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記制御部は、前記第１のパケットのうち、前記攻撃パターンに該当すると判断された前記第１のパケットを廃棄することを特徴とする請求項８に記載の転送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【非特許文献１】Ｍ．  Ｎａｋａｍｕｒａ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  Ｖｏｌ．１４１，  Ｎｏ．１２，  ３５７６  （１９９４）
【非特許文献２】照射損傷  石野栞、東京大学出版会（１９７９）  ｐ１７８−１８３
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月31日(2016.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドを備えた配線基板と、
前記パッドに対向するピラー端子を備え、前記配線基板上に実装された半導体チップと、
前記パッドと前記ピラー端子とを接合する接合部と、を有し、
前記接合部は、前記ピラー端子の端面と、前記ピラー端子の側面の一部と、前記パッドの端面と、を接合し、
前記接合部と前記ピラー端子との界面には金属間化合物層が形成され、
前記ピラー端子の側面の前記接合部と接合されてない領域には、酸化膜が形成されている半導体パッケージ。
【請求項２】
第１ピラー端子を備えた配線基板と、
前記第１ピラー端子に対向する第２ピラー端子を備え、前記配線基板上に実装された半導体チップと、
前記第１ピラー端子と前記第２ピラー端子とを接合する接合部と、を有し、
前記接合部は、前記第１ピラー端子の端面と、前記第２ピラー端子の端面と、前記第１ピラー端子の側面の一部又は前記第２ピラー端子の側面の一部の少なくとも一方と、を接合し、
前記接合部と前記第１ピラー端子との界面、及び前記接合部と前記第２ピラー端子との界面には金属間化合物層が形成され、
前記第１ピラー端子の側面の前記接合部と接合されてない領域、及び前記第２ピラー端子の側面の前記接合部と接合されてない領域には、夫々酸化膜が形成されている半導体パッケージ。
【請求項３】
前記接合部と前記ピラー端子との界面全体に前記金属間化合物層が形成されている請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記ピラー端子は銅又は銅合金からなり、前記接合部は錫を含み、前記金属間化合物層は銅と錫の金属間化合物からなる請求項１又は３記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記接合部と前記第１ピラー端子との界面全体、及び前記接合部と前記第２ピラー端子との界面全体には、夫々前記金属間化合物層が形成されている請求項２記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第１ピラー端子及び前記第２ピラー端子は銅又は銅合金からなり、前記接合部は錫を含み、前記金属間化合物層は銅と錫の金属間化合物からなる請求項２又は５記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
パッドを備えた配線基板と、ピラー端子を備えた半導体チップと、を準備する工程と、
前記ピラー端子の側面の一部に、酸化膜を除去する活性成分を付着させる工程と、
前記パッドと前記ピラー端子とを接合する接合部を形成する工程と、を有し、
前記接合部を形成する工程では、前記接合部は、前記ピラー端子の端面と、前記ピラー端子の側面の一部と、前記パッドの端面と、を接合し、前記接合部と前記ピラー端子との界面には金属間化合物層が形成される半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
第１ピラー端子を備えた配線基板と、第２ピラー端子を備えた半導体チップと、を準備する工程と、
前記第１ピラー端子又は前記第２ピラー端子のうち一方のピラー端子の側面の一部に、酸化膜を除去する活性成分を付着させる工程と、
前記一方のピラー端子と他方のピラー端子とを接合する接合部を形成する工程と、を有し、
前記接合部を形成する工程では、前記接合部は、前記一方のピラー端子の端面と、前記他方のピラー端子の端面と、前記一方のピラー端子の側面の一部と、を接合し、前記接合部と前記一方のピラー端子との界面、及び前記接合部と前記他方のピラー端子との界面には金属間化合物層が形成される半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記活性成分を付着させる工程では、前記第１ピラー端子の側面の一部及び前記第２ピラー端子の側面の一部に、酸化膜を除去する活性成分を付着させ、
前記接合部を形成する工程では、前記接合部は、前記一方のピラー端子の端面と、前記他方のピラー端子の端面と、前記一方のピラー端子の側面の一部と、前記他方のピラー端子の側面の一部と、を接合し、前記接合部と前記一方のピラー端子との界面、及び前記接合部と前記他方のピラー端子との界面には金属間化合物層が形成される請求項８載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記活性成分を付着させる工程は、
前記パッド上に接合部となる導電材を形成する工程と、
前記導電材に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に活性成分を形成する工程と、
前記ピラー端子の端部を前記活性成分を介して前記導電材側に押圧し、前記ピラー端子の側面の一部及び端面に前記活性成分を付着させる工程と、を含む請求項７記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記活性成分を付着させる工程は、
前記他方のピラー端子に導電材を形成する工程と、
前記導電材に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に活性成分を形成する工程と、
前記一方のピラー端子の端部を前記活性成分を介して前記導電材側に押圧し、前記一方のピラー端子の側面の一部に前記活性成分を付着させる工程と、を含む請求項８記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記ピラー端子は銅又は銅合金からなり、前記接合部は錫を含み、前記金属間化合物層は銅と錫の金属間化合物からなる請求項７又は１０記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記第１ピラー端子及び前記第２ピラー端子は銅又は銅合金からなり、前記接合部は錫を含み、前記金属間化合物層は銅と錫の金属間化合物からなる請求項８、９、又は１１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記活性成分を付着させる工程は、活性成分を付着させたいピラー端子を前記活性成分に浸漬させる工程である請求項７乃至１３の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本半導体パッケージは、パッドを備えた配線基板と、前記パッドに対向するピラー端子を備え、前記配線基板上に実装された半導体チップと、前記パッドと前記ピラー端子とを接合する接合部と、を有し、前記接合部は、前記ピラー端子の端面と、前記ピラー端子の側面の一部と、前記パッドの端面と、を接合し、前記接合部と前記ピラー端子との界面には金属間化合物層が形成され、前記ピラー端子の側面の前記接合部と接合されてない領域には、酸化膜が形成されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
曲線保護部３４は、Ｃ地点を含む曲線部２４を被覆し、曲線部２４の形状に対応して円弧状（Ｃ字状）に曲がった中空部材である。曲線保護部３４は、Ｃ地点における径方向の厚さＷＣが、Ｂ地点における径方向の厚さＷＢよりも小さく、Ｄ地点における径方向の厚さＷＤよりも大きくなるように形成される。また、曲線保護部３４は、Ｂ地点からＤ地点に向かって径方向の厚さが徐々に小さくなる形状を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015115172.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ室の内部に設けられ、当該プラズマ室内に高周波を放射するアンテナの表面を保護するアンテナカバーであって、
前記アンテナカバーは、当該アンテナカバーの外表面における電位の空間依存性が低減されるように、前記アンテナの表面に直交する方向のうち少なくとも一方向におけるアンテナカバーの厚さが、当該表面上の位置に応じて異なることを特徴とするアンテナカバー。
【請求項２】
前記少なくとも一方向の厚さが、前記アンテナが延びる方向に沿って変化することを特徴とする請求項１に記載のアンテナカバー。
【請求項３】
前記アンテナは、当該アンテナの両端に設けられ、コンデンサを介して高周波電源に接続される第１端子および第２端子を備え、前記第１端子は、前記第２端子と比べて容量の小さいコンデンサに接続されており、
前記第１端子側における前記少なくとも一方向の厚さは、前記第２端子側における前記少なくとも一方向の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載のアンテナカバー。
【請求項４】
前記アンテナは、前記第１端子を有する第１直線部と、前記第２端子を有する第２直線部と、前記第１直線部と前記第２直線部を接続する曲線部と、により構成されるＵ字形状を有しており、
前記アンテナカバーは、前記第１直線部の表面を保護する第１直線保護部と、前記第２直線部の表面を保護する第２直線保護部と、前記曲線部の表面を保護する曲線保護部と、を備え、
前記第１直線保護部における前記少なくとも一方向の厚さは、前記第２直線保護部における前記少なくとも一方向の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載のアンテナカバー。
【請求項５】
前記曲線保護部における前記少なくとも一方向の厚さは、前記第１直線保護部における前記少なくとも一方向の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項４に記載のアンテナカバー。
【請求項６】
前記曲線保護部における前記少なくとも一方向の厚さは、前記第２直線保護部における前記少なくとも一方向の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項４または５に記載のアンテナカバー。
【請求項７】
前記アンテナのＵ字形状が作る面に交差する方向を上下方向とした場合に、当該アンテナの表面のうち、少なくとも上半分または下半分を被覆することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載のアンテナカバー。
【請求項８】
前記プラズマ室内を前記上下方向に二分するように仕切る区画部をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のアンテナカバー。
【請求項９】
石英（ＳｉＯ２）により構成されることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のアンテナカバー。
【請求項１０】
プラズマ室と、
前記プラズマ室の内部に磁場を印加する磁石と、
前記プラズマ室の内部に設けられ、当該プラズマ室内に高周波を放射するアンテナと、
前記アンテナの表面を保護するアンテナカバーと、
を備え、
前記アンテナカバーは、当該アンテナカバーの外表面における電位の空間依存性が低減されるように、前記アンテナの表面に直交する方向のうち少なくとも一方向におけるアンテナカバーの厚さが、当該表面上の位置に応じて異なることを特徴とするプラズマ発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（ケイ素相）
ケイ素相は、ケイ素からなる単相であり、他の金属元素及び成分を包含しないものである。
ケイ素相は、その結晶子の大きさが１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下とされてなる。
ケイ素の含有量は、合金粒子に対して、４０重量％以上８５重量％以下であり、好ましくは、下限値が５０重量％以上、より好ましくは５５重量％以上であり、上限値が８０重量％以下、より好ましくは７５重量％以下である。
合金粒子全体に含まれるケイ素（すべての形態）の重量を１００としたときに、ケイ素からなる単相部分（ケイ素相）のケイ素の割合が２０重量％以上７０重量％以下であり、好ましくは下限値が３０重量％以上であり上限値が５０重量％以下であり、これに対して、金属相に含まれるケイ素の割合が３０重量％以上８０％以下であり、好ましくは下限値が５０重量％以上であり上限値が７０重量％以下である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（合金粒子）
本発明の好ましい態様によれば、合金粒子に含まれるすべての相の結晶子の大きさが、Ｘ線回折測定により、３０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下とされてよい。
Ｘ線回折測定は、例えば、Ｂｒｕｋｅ社製のＸ線回折装置により線源の波長が１．５４０６ÅであるＣｕＫα線を用いて２θ＝１０〜８９．５度の範囲で測定することができる。また、ケイ素単相および金属相のピークの半価幅からＳｃｈｅｒｒｅｒの式を用いて結晶子サイズを求めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月2日(2016.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画における所定の時間の部分領域を記録する記録装置であって、
前記所定の時間の開始時間において静止画を表示するとともに、入力装置の第一の入力に応じて前記部分領域の枠を設定し、当該静止画に前記枠を重ねて表示し、
前記入力装置の第二の入力開始とともに前記静止画に続く前記動画を再生するとともに、前記部分領域の時間及び位置情報の記録を開始し、
前記入力装置の前記第二の入力が継続されている間、前記動画の再生を継続するとともに、前記入力装置の位置情報の更新に応じて前記部分領域の時間及び位置情報の記録を継続し、
前記第二の入力の終了もしくは前記動画の終了とともに、前記部分領域の時間及び位置情報の記録を終了する
ことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記入力装置はマウスであり、前記第二の入力開始は前記マウスのボタンを押す操作であり、前記第二の入力の継続は前記マウスのドラッグであり、前記第二の入力の終了は前記マウスのクリックの解放であることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記入力装置はタッチパネルであり、前記第二の入力開始は前記タッチパネルの画面をタッチする操作であり、前記第二の入力の継続は前記画面上でのドラッグであり、前記第二の入力の終了は前記タッチパネルへのタッチが開放であることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
前記第二の入力の終了とともに、前記動画の再生を停止して静止画を表示するとともに前記枠を当該静止画に重ねて表示することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
前記位置情報として、前記部分領域の前記動画の画像全域に対する相対位置を示す位置情報を記録することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項６】
前記位置情報として、前記画像全域に係る、画角、四隅のうち少なくとも一つの隅、外輪又は前記画像全域内に固定された基準位置に対する、前記部分領域の相対位置を示す位置情報を、記録することを特徴とする請求項５に記載の記録装置。
【請求項７】
前記部分領域の移動が行われている期間中には、前記位置情報を各時刻について記録し、前記部分領域の移動が行われない期間中には、前記位置情報を各時刻について記録しないことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項８】
前記動画内の複数のオブジェクトに各々対応するものとして複数のリンク先識別情報を入力可能に構成されており、
前記複数のリンク先識別情報に対応付けて、前記位置情報として複数の位置情報を記録することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項９】
複数種類の操作の別により、複数のリンク先に係る複数のリンク先識別情報を入力可能に、又はこれに代えて若しくは加えて、複数種類の操作の別により、前記リンク先に係る複数の表示形態の別を選別可能としつつ前記リンク先識別情報を入力可能に、構成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項１０】
前記枠を、所定種類の指定操作に応じて、前記動画の画面内で伸縮自在であり且つ所定形状を有する枠により指定可能に構成されており、前記枠を示す枠マークを、前記画面内で移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項１１】
前記画面内に表示された矩形の四隅を伸縮させることで前記枠を指定可能に構成されており、前記矩形の枠を示す枠マークを、前記画面内で移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、動画コンテンツを視聴者側にて再生表示中に所望のリンク先へ飛ばさせる仕組みを、広告主等のコンテンツの提供者側にて構築可能に構成されたリンク先指定用インタフェース装置を含む記録装置、及びそのような装置で作ったリンク先指定用のデータを利用して動画コンテンツを再生表示中に視聴者側にて所望のリンク先へ飛ばすことが可能に構成された視聴者用インタフェース装置、並びに、コンピュータをそのような装置として夫々機能させるコンピュータプログラムの技術分野に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、例えば、上述の技術的問題点に鑑みてなされたものであり、広告主、広告代理店、放送局等のコンテンツ提供者側にて、動画コンテンツ中に存在する任意のオブジェクトに対応して、所望のリンク先を簡単に指定することを可能ならしめる、リンク先指定用インタフェース装置を含む記録装置を提供することを一の課題とする。本発明は、例えば、そのような装置により作成されたリンク先指定用のデータを用いて、動画コンテンツを再生中の視聴者側にて、所望のリンク先へ飛ばすことが可能な視聴者用インタフェース装置を提供することを他の課題とする。本発明は、コンピュータを、そのようなインタフェース装置として夫々機能させることが可能なコンピュータプログラムを提供することを更に他の課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の記録装置は上記課題を解決するために、動画における所定の時間の部分領域を記録する記録装置であって、前記所定の時間の開始時間において静止画を表示するとともに、入力装置の第一の入力に応じて前記部分領域の枠を設定し、当該静止画に前記枠を重ねて表示し、前記入力装置の第二の入力開始とともに前記静止画に続く前記動画を再生するとともに、前記部分領域の時間及び位置情報の記録を開始し、前記入力装置の前記第二の入力が継続されている間、前記動画の再生を継続するとともに、前記入力装置の位置情報の更新に応じて前記部分領域の時間及び位置情報の記録を継続し、前記第二の入力の終了もしくは前記動画の終了とともに、前記部分領域の時間及び位置情報の記録を終了する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の記録装置によれば、当該装置のユーザ側（即ち、コンテンツ提供者側の者）で、任意の動画コンテンツに対し、所望のリンク先を指定する作業を容易に行える。特に、リンク先を簡単に指定、変更、追加等できることが強く望まれる環境下でも、結果的に任意のオブジェクトに対応して、所望のリンク先を簡単に指定、設定、変更、追加等することが可能となる。しかも、部分領域の移動開始から移動終了時までに、当該装置のユーザ（即ち、例えばマウスやタッチパネルを含んでなる「入力装置」の操作者）が行う操作が、より一層簡易化され、全体としても、より簡単かつ迅速に、部分領域の移動操作を実行可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
トランジスタ３は、ゲートと、トランジスタ１のドレインに接続されたソースと、ドレインとを有するゲート接地トランジスタである。負荷４がトランジスタ３のドレインに接続されている。トランジスタ３のドレインから、ＤＣカット用の容量１５を介して信号が出力される。トランジスタ１，３はシリコンのＭＯＳＦＥＴである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015115929.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2015115929.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2015115929.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置であって、
操作を受け付ける操作部と、
前記操作部の向きを検出する第１の検出部と、
前記操作部が受け付ける操作の入力を、前記操作部の向きが第１の状態の場合には、第１の規則に基づいて出力に変換し、前記操作部の向きが前記第１の状態とは異なる第２の状態の場合には、前記第１の規則とは異なる第２の規則に基づいて前記出力に変換する入出力変換部と、
前記情報処理装置の位置と向きとの少なくとも一方である装置状態を検出する第２の検出部と、
前記入出力変換部からの前記出力と前記装置状態とに基づいて、前記情報処理装置の制御処理を行なう制御処理部と、を備える、情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記第１の検出部は、前記操作部に配置され、前記操作部の加速度を用いて前記操作部の向きを検出する、情報処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の情報処理装置であって、
前記第１の状態と前記第２の状態とは、前記操作部の向きと重力方向との関係に基づいて決定される、情報処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の情報処理装置であって、
前記第１の状態は、前記操作部の向きと前記重力方向とによって形成される操作角度が４５度以下の状態であり、
前記第２の状態は、前記操作角度が４５度よりも大きい状態である、情報処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の情報処理装置であって、
前記第２の状態は、前記操作角度が４５度よりも大きく１３５度以下である第３の状態と、前記操作角度が１３５度よりも大きい第４の状態と、を含み、
前記入出力変換部は、前記操作部が受け付ける操作の入力を、前記第３の状態の場合には、前記第１の規則と異なる第３の規則に基づいて前記出力に変換し、前記第４の状態の場合には、前記第１の規則と前記第３の規則とも異なる第４の規則に基づいて前記出力に変換する、情報処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の情報処理装置であって、さらに、
使用者の頭部に装着された状態において、画像データに基づいて画像光を形成し、前記画像光を虚像として使用者に視認させる画像表示部を備え、
前記装置状態は、前記操作部または前記画像表示部の位置と向きとの少なくとも一方であり、
前記制御処理部は、前記制御処理として、前記画像表示部によって形成される前記画像光を制御する、情報処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の情報処理装置であって、
前記第２の検出部は、前記画像表示部に配置され、前記画像表示部の位置と向きとの少なくとも一方を検出し、
前記制御処理部は、前記制御処理として、前記画像表示部に形成される前記画像光の位置を設定する、情報処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記第１の検出部は、前記操作部の向きを、０．５秒間に１回よりも少ない頻度で検出する、情報処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記制御処理部は、オペレーティングシステムを含み、
前記入出力変換部は、デバイスドライバーまたはミドルウェアである、情報処理装置。
【請求項１０】
操作を受け付ける操作部と、前記操作部の向きを検出する第１の検出部と、情報処理装置の位置と向きとの少なくとも一方である装置状態を検出する第２の検出部と、を備える、情報処理装置の制御方法であって、
前記操作部が受け付ける操作の入力を、前記操作部の向きが第１の状態の場合には、第１の規則に基づいて出力に変換し、前記操作部の向きが前記第１の状態とは異なる第２の状態の場合には、前記第１の規則とは異なる第２の規則に基づいて出力に変換する入出力工程と、
前記入出力工程において変換された前記出力と前記装置状態とに基づいて、前記情報処理装置の制御処理を行なう工程と、を備える、制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報検知用センサ手段と、前記センサ手段の出力に基づいて情報を計測し、
該情報を外部に通信する通信手段を含む計測通信ユニットと、該計測通信ユ
ニットと物理的に結合されたメモリブロックを含む電池ユニットとから成り、
通信量に応じた電池寿命が設定されたこと特徴とする計測情報の無線通信端
末。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサーと、
前記イメージセンサーから取り込まれたＲＡＷデータから第１の色域の画像データを生成する現像処理部と、
前記生成された第１の色域の画像データを圧縮符号化する圧縮符号化部と
を有する撮像装置と、
前記撮像装置と伝送路を通じて接続可能な画像処理装置であって、
前記伝送路を通じて伝送され、前記圧縮符号化された画像データを伸張復号して前記第１の色域の画像データを復元する伸張復号部と、
前記復元された第１の色域の画像データを、選択可能な複数の種類の色域のなかから選択される一の色域である第２の色域の画像データに変換する色域変換部と
を有する画像処理装置と
を具備し、
前記第１の色域が、前記選択可能な複数の種類の色域を包含する色域である
画像処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理システムであって、
前記複数の種類の色域のなかの一の色域が他の色域を包含するものであり、前記第１の色域が前記一の色域である
画像処理システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像処理システムであって、
前記撮像装置は、前記第１の色域の情報を含むメタデータを前記伝送路を用いて前記画像処理装置に伝送するように構成される第１のコントローラをさらに有し、
前記画像処理装置は、前記受信したメタデータに含まれる前記第１の色域の情報と、前記第２の色域の情報をもとに、前記色域変換部の変換マトリクスを設定するように構成された第２のコントローラをさらに有する
画像処理システム。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像処理システムであって、
前記一の色域が、Ｓ−Ｇａｍｕｔ３である
画像処理システム。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像処理システムであって、
前記一の色域が、Ｓ−Ｇａｍｕｔ３を包含し、かつこのＳ−Ｇａｍｕｔ３より広い色域である
画像処理システム。
【請求項６】
撮像装置が、
イメージセンサーから取り込まれたＲＡＷデータから第１の色域の画像データを生成し、
前記生成された第１の色域の画像データを圧縮符号化し、伝送路を通じて接続された画像処理装置に伝送し、前記第１の色域は、前記画像処理装置において選択可能な複数の種類の色域を包含する色域とされ、
前記画像処理装置は、
前記圧縮符号化された画像データを伸張復号して前記第１の色域の画像データを復元し、
前記復元された第１の色域の画像データを、選択可能な複数の種類の色域のなかから選択される一の色域である第２の色域の画像データに変換する
画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーカス距離の二次元マップを用いて該二次元マップ上の所定位置のフォーカス距離情報を取得する情報取得部と、
上記情報取得部で取得されたフォーカス距離情報に基づいてフォーカス制御を行うフォーカス制御部を備える
フォーカス制御装置。
【請求項２】
上記フォーカス距離の二次元マップは、撮像画面上の複数位置のフォーカス距離情報を持ち、
上記情報取得部は、上記二次元マップを用いて、上記撮像画面上に設定されるカットアウト位置に対応したフォーカス距離情報を取得する
請求項１に記載のフォーカス制御装置。
【請求項３】
撮像画面上の複数の位置のフォーカス距離に基づいて上記二次元マップを生成するマップ生成部をさらに備える
請求項２に記載のフォーカス制御装置。
【請求項４】
上記フォーカス距離の二次元マップは、撮像範囲内の複数のカメラポジションのフォーカス距離情報を持ち、
上記情報取得部は、上記二次元マップを用いて、現在のカメラポジションに対応したフォーカス距離情報を取得する
請求項１に記載のフォーカス制御装置。
【請求項５】
上記情報取得部には、上記現在のカメラポジションの情報が、カメラ装置が固定される三脚が備えるポテンショメータから与えられる
請求項４に記載のフォーカス制御装置。
【請求項６】
複数のカメラポジションのフォーカス距離に基づいて上記二次元マップを生成するマップ生成部をさらに備える
請求項４または５に記載のフォーカス制御装置。
【請求項７】
上記情報取得部で取得されたフォーカス距離情報に対してフォーカス距離の上乗せ調整を行う上乗せ調整部をさらに備え、
上記フォーカス制御部は、上記上乗せ調整部で調整されたフォーカス距離情報に基づいてフォーカス制御を行う
請求項１から６のいずれかに記載のフォーカス制御装置。
【請求項８】
上記上乗せ調整部で上乗せされたフォーカス距離の上乗せ量の絶対値を上記二次元マップ上の上記所定位置の移動量が大きくなるほど大きく減じる上乗せ量制御部をさらに備える
請求項７に記載のフォーカス制御装置。
【請求項９】
上記上乗せ調整部で上乗せされる上乗せ量の状態をビューファインダに表示する表示制御部をさらに備える
請求項７または８に記載のフォーカス制御装置。
【請求項１０】
フォーカス自動制御モードに設定するモード設定部をさらに備え、
上記フォーカス制御部は、上記フォーカス自動制御モードに設定されているとき、上記情報取得部で取得されたフォーカス距離情報に基づいてフォーカス制御を行う
請求項１から９のいずれかに記載のフォーカス制御装置。
【請求項１１】
フォーカス距離の二次元マップを用いて該二次元マップ上の所定位置のフォーカス距離情報を取得し、
フォーカス制御部により、上記取得されたフォーカス距離情報に基づいてフォーカス制御を行う
フォーカス制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
カメラ装置１００は、三脚１５０に固定されている。この三脚１５０により、カメラポジション、つまりカメラ装置１００の水平角（パン）と仰俯角（ティルト）を変更できる。図５（ａ）は、三脚１５０による水平角の変更範囲の一例を示している。図５（ｂ）は、三脚１５０による仰俯角の変更範囲の一例を示している。この水平角、仰俯角の変更範囲がカメラの撮像範囲となる。三脚１５０は、ポテンショメータ１５１を備えており、カメラポジション（水平角と仰俯角）の情報を、ケーブル１５２を通じて、カメラ装置１００のカメラＣＰＵ１０１に送る。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ｐ型半導体層、発光層及びｎ型半導体層を含む半導体層を有してなる半導体発光素子であって、
前記半導体層の一部上面に接触して形成され、電流供給線と連結される電流供給部を含む第一電極と、
前記電流供給部の非形成領域の鉛直下方の一部領域に形成され、前記半導体層の一部底面に接触し、前記発光層からの射出光を反射させる材料で形成された第二電極と、
前記電流供給部の鉛直下方を含む領域に形成され、前記半導体層の一部底面に接触する第一電流遮断層とを有し、
前記第一電流遮断層と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗が、前記第二電極と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗よりも高く、
前記基板面に平行な方向に関して前記第一電流遮断層の形成箇所よりも前記電流供給部から遠い位置において、前記第一電極の形成領域の鉛直下方を含む領域に形成され、前記半導体層の一部底面に接触する第二電流遮断層を有し、
前記第二電流遮断層と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗が、前記第二電極と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗よりも高く、前記第一電流遮断層と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗よりも低いことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記基板の上層に形成された導電層を有し、
前記第二電極、前記第一電流遮断層、及び前記第二電流遮断層の底面が前記導電層の上面に接触していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第一電流遮断層及び前記第二電流遮断層は、前記発光層からの射出光を反射させる材料で構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第一電流遮断層及び前記第二電流遮断層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、又はＰｔを含有する金属材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記導電層は、最上層に前記発光層からの射出光を反射させる材料で形成された反射層を有し、
前記第一電流遮断層及び前記第二電流遮断層は、前記発光層からの射出光を透過させる材料で構成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第一電流遮断層及び前記第二電流遮断層がＩＴＯを含有する材料で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記基板面に平行な方向に関し、前記電流供給部の幅をｄ、前記第一電流遮断層の幅をＤとしたとき、
１．１ｄ≦Ｄ≦３ｄ
の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に前記半導体層を形成する工程（ａ）と、
前記半導体層の第一面上の所定の領域に前記第二電極を形成するための材料膜を成膜した後、コンタクトアニールを施して前記第二電極を形成する工程（ｂ１）と、
前記工程（ｂ１）の実行後、前記半導体層の前記第一面上であって前記第二電極が形成されていない所定の領域に前記第一電流遮断層を形成するための材料膜を成膜した後、前記工程（ｂ１）よりも低温度でコンタクトアニール処理を行って前記第一電流遮断層を形成する工程（ｂ２）と、
前記工程（ｂ２）の実行後、前記半導体層の前記第一面とは反対側の第二面上に前記第一電極を形成する工程（ｃ）と、
前記第一電極上において、前記基板の面に垂直な方向に関して前記第一電流遮断層に対向する領域の一部に前記電流供給線を連結して前記電流供給部を形成する工程（ｄ）とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ａ）及び（ｂ１）の実行後、前記半導体層の前記第一面上であって前記第二電極が形成されていない所定の領域に前記第二電流遮断層を形成するための材料膜を成膜した後、前記工程（ｂ１）よりは低温度且つ前記工程（ｂ２）よりは高温度でコンタクトアニール処理を行って前記第二電流遮断層を形成する工程（ｂ３）を有し、
前記工程（ｂ２）は、前記工程（ｂ３）の実行後、前記半導体層の前記第一面上であって前記第二電極及び前記第二電流遮断層が形成されていない箇所に前記第一電流遮断層を形成するための材料膜を成膜した後、前記工程（ｂ１）及び前記工程（ｂ３）よりも低温度でコンタクトアニール処理を行って前記第一電流遮断層を形成する工程であることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｂ１）、前記工程（ｂ２）、及び前記工程（ｂ３）で成膜される材料膜が同一の金属材料で構成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｂ１）で成膜される材料膜が金属材料であり、前記工程（ｂ２）及び前記工程（ｂ３）で成膜される材料膜がＩＴＯであり、
前記工程（ｂ２）の実行後、前記第二電極、前記第一電流遮断層、及び前記第二電流遮断層に跨るように、金属材料膜を成膜後、前記工程（ｂ２）と同等以下の温度でコンタクトアニール処理を行って反射層を形成する工程（ｂ４）を有し、
前記工程（ｂ４）の実行後に、前記工程（ｃ）を実行することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に前記半導体層を形成する工程（ａ）と、
前記半導体層の第一面上の所定の領域に、最上層にＰｔを含む多層構造を有する材料膜を成膜した後、コンタクトアニールを施して前記第二電極を形成する工程（ｂ１）と、
前記工程（ｂ１）の実行後、前記半導体層の前記第一面上であって前記第二電極が形成されていない箇所に、Ｐｔの膜厚を前記工程（ｂ１）よりも薄膜として、最上層にＰｔを含む多層構造を有する前記材料膜を成膜した後、コンタクトアニール処理を行って前記第一電流遮断層を形成する工程（ｂ２）と、
前記工程（ｂ２）の実行後、前記半導体層の前記第一面とは反対側の第二面上に前記第一電極を形成する工程（ｃ）と、
前記第一電極上において、前記基板の面に垂直な方向に関して前記第一電流遮断層に対向する領域の一部に前記電流供給線を連結して前記電流供給部を形成する工程（ｄ）とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ａ）及び（ｂ１）の実行後、前記半導体層の前記第一面上であって前記第二電極が形成されていない所定の領域に、Ｐｔの膜厚を前記工程（ｂ１）より薄膜で且つ前記工程（ｂ２）より厚膜として前記材料膜を成膜した後、コンタクトアニール処理を行って前記第二電流遮断層を形成する工程（ｂ３）を有し、
前記工程（ｂ２）は、前記工程（ｂ３）の実行後、前記半導体層の前記第一面上であって前記第二電極及び前記第二電流遮断層が形成されていない箇所に、Ｐｔの膜厚を前記工程（ｂ１）及び前記工程（ｂ３）よりも薄膜として前記材料膜を成膜した後、コンタクトアニール処理を行って前記第一電流遮断層を形成する工程であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
そのほかに、本実施形態の配線基板１００では、コア基板１０の外周端部の全周にわたって金属膜５０が形成されているため、外周端部の強度が高められている。また、金属膜５０は第１と第２の配線層４１，４２から電気的に独立しているため、金属膜５０を介した短絡や漏電、電気信号へのノイズの混入が発生してしまうことが抑制されている。