【事件の表示】
　特願２０１２−５５２２２「多層配線基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年９月２６日出願公開、特開２０１３−１９１６４５、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２４年３月１３日の出願であって、平成２７年１１月２６日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の平成２８年１月８日に手続補正されたが、同年４月２０日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。発送日：同年４月２６日）され、これに対し、同年６月２７日に拒絶査定不服審判が請求され、その審判の請求と同時に手続補正され、その後、当審において同年１２月１６日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由１」という。）が通知され、その指定期間内の平成２９年１月１６日に手続補正され、さらに、同年３月１０日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由２」という。）が通知され、その指定期間内の同年４月５日に手続補正されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は、平成２９年４月５日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次のとおりのものである。
   
「【請求項１】
　絶縁材からなる第１絶縁層と、該第１絶縁層の前記絶縁材の硬度に比べて硬度が低い絶縁材、および少なくとも上記第１絶縁層に隣接する側の表面に粘着層を有する第２絶縁層とを積層してなる基板本体と、
　上記第２絶縁層に形成された貫通導体と、　　
　上記第１絶縁層において上記第２絶縁層に隣接する側の表面で且つ上記貫通導体の端面に接して形成された接続導体と、を備え、
　上記第１絶縁層の絶縁材と上記第２絶縁層の絶縁材との硬度差は、少なくとも１００Ｈｖ以上であり、
　上記第２絶縁層は、少なくとも前記第１絶縁層に隣接する側の表面に熱可塑性樹脂からなり且つ厚みが３μｍ以下の上記粘着層を含み、
　上記接続導体の厚みは、２μｍ以下であり、
　上記粘着層の一部には、上記接続導体の上方に押し上げられ、且つ該接続導体に対向する上記第２絶縁層の絶縁材の表面を押し上げた凸部が形成されている、
　　ことを特徴とする多層配線基板。
　【請求項２】
　前記基板本体は、第１絶縁層の絶縁材がセラミックからなり且つ前記第２絶縁層の絶縁材が樹脂からなるか、前記第１絶縁層および第２絶縁層の絶縁材の双方が互いに異なる硬度の樹脂からなるか、あるいは、前記第１絶縁層および第２絶縁層の絶縁材の双方が互いに異なる硬度のセラミックからなる、
　ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
　【請求項３】
　前記第１絶縁層の表面に形成される接続導体は、Ｔｉ薄膜層とＣｕ薄膜層、Ｃｒ薄膜層とＣｕ薄膜層、Ｔｉ薄膜層とＭｏ薄膜層、Ｃｒ薄膜層とＭｏ薄膜層、Ｃｒ薄膜層とＭｏ薄膜層とＣｕ薄膜層、あるいは、Ｔｉ薄膜層とＭｏ薄膜層とＣｕ薄膜層の何れかを積層したものからなる、
　ことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
　【請求項４】
　絶縁材および第１貫通導体を有する第１絶縁層を形成する工程と、
　上記第１絶縁層の表面に、上記第１貫通導体と接続し且つ厚みが２μｍ以下の接続導体を形成する工程と、
　第２貫通導体を備え、第１絶縁層の上記絶縁材の硬度に比べて硬度が少なくとも１００Ｈｖ以上低い絶縁材、および第１絶縁層に隣接する積層側の表面に熱可塑性樹脂からなる厚みが３μｍ以下の粘着層を有する第２絶縁層を形成する工程と、
　上記接続導体に、上記第２絶縁層の積層側の表面に露出した第２貫通導体の端面が接触するように、第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、更に加熱および圧着して、上記粘着層の一部に、上記接続導体の上方に押し上げられ、且つ該接続導体に対向する上記第２絶縁層の絶縁材の表面を押し上げた凸部を有している基板本体を形成する工程と、を備える、
　ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
　【請求項５】
　前記第１絶縁層の絶縁材がセラミックからなり、且つ前記第２絶縁層の絶縁材が樹脂からなる、
　ことを特徴とする請求項４に記載の多層配線基板の製造方法。」 
　
第３　刊行物
　１　刊行物１
　原査定に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００９−７６８７３号公報（以下「刊行物１」という、原査定では文献１として引用。）には、「多層配線基板及びその製造方法、ＩＣ検査装置用基板及びその製造方法」に関して、図面（特に、図３、図４、図１０、図１１参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
（１）「【００３３】
　以下、本発明をＩＣ検査装置用基板に具体化した一実施形態を図１〜図１１に基づき詳細に説明する。
　図１〜図３に示す本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０は、複数箇所にＩＣが形成されたシリコンウェハの電気検査を行うための装置（ＩＣ検査用治具）の一部に使用される部品である。ＩＣ検査装置用基板１０は、多層配線基板７１と、同多層配線基板７１と電気的に接続されたセラミック多層配線基板１１とを備えている。セラミック多層配線基板１１は、複数のセラミック層１４を積層してなるアルミナ（セラミック材料）の焼結体であって、平面視で略正方形状の外形を呈する板状物である。本実施形態のセラミック多層配線基板１１は、一辺の長さが６５ｍｍに設定され、かつ厚さが４．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下に設定されている。
【００３４】
　図３に示されるセラミック多層配線基板１１の内部において、セラミック層１４同士の界面には、タングステンのメタライズ層からなる複数の内層電極３１が形成されている。また、セラミック多層配線基板１１の主面１２上には、複数の主面側端子２１が略全域にわたって形成され、セラミック多層配線基板１１の裏面１３上には、複数の裏面側端子２２がほぼ全域にわたって格子状に形成されている（図１参照）。なお、本実施形態の主面側端子２１及び裏面側端子２２は、複数種の導電性金属薄膜を積層してなる構造となっている。裏面側端子２２は平面視円形状をなし、その直径は０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ程度に設定されている。そして、複数の裏面側端子２２上には、ＩＣ検査用治具の外部接続端子用のピン６２が取り付けられている。
【００３５】
　また、セラミック多層配線基板１１の内部には、セラミック多層配線基板１１の厚さ方向に延びる複数のビア孔４１が形成されている。これらのビア孔４１は断面円形状をなしており、それらの内径は１００μｍに設定されている。そして、複数のビア孔４１内には、タングステンのメタライズからなるビア導体４２が配置されている。ビア導体４２の裏面１３側に露出する端面は、裏面側端子２２と接合されている。また、ビア導体４２はセラミック多層配線基板１１の内部において内層電極３１と接合されている。従って、複数のビア導体４２によって、内層電極３１と裏面側端子２２との間が電気的に接続されている。
【００３６】
　図３に示されるように、前記多層配線基板７１は、主面７２及び裏面７３を有し、平面視で略正方形状の外径を呈する板状物である。本実施形態の多層配線基板７１は、一辺の長さが６５ｍｍに設定され、かつ厚さが１３６μｍに設定されている。なお、多層配線基板７１主面７２は、使用時において検査対象であるウェハ（図示略）側に向けて配置されるようになっている。一方、多層配線基板７１の裏面７３には、多層配線基板７１をその裏面７３側から支持するセラミック多層配線基板１１が接合されている。
【００３７】
　また、多層配線基板７１の主面７２上の中央部分には、複数の主面側端子７４が格子状に形成されている（図２参照）。なお、本実施形態の主面側端子７４は、複数種の導電性金属薄膜を積層してなる構造となっている。主面側端子７４は平面視円形状をなし、その直径は０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度に設定されている。そして図３に示されるように、複数の主面側端子７４上には、ウェハ上に形成された各ＩＣの端子群に対して当接可能な導電性金属プローブ６１が繰り返し当接しうるようになっている。
【００３８】
　図３〜図５に示されるように、多層配線基板７１は、第１層〜第４層の樹脂絶縁層８１（厚さ２５μｍ）を積層した構造を有している。各樹脂絶縁層８１は、ポリイミド（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＶＴ）からなる絶縁基材を主体として形成され、第１面８２及び第２面８３を有している。また、各樹脂絶縁層８１には、第１面８２及び第２面８３を貫通するビア孔９０が複数箇所に形成されている。これらのビア孔９０は断面円形状をなしており、それらの内径は１００μｍに設定されている。
【００３９】
　また、各樹脂絶縁層８１の第１面８２には、『導電性金属材料』である銅からなる複数の導体層８４（厚さ９μｍ）が形成されている。なお、導体層８４の一部は、ビア孔９０の開口縁からビア孔中心軸方向に突出する突出部８５となっている。ここで、ビア孔９０の開口縁からの突出部８５の突出量は、ビア孔９０の内径（１００μｍ）の１／１０程度、即ち１０μｍ程度となっている。そして、突出部８５は、多層配線基板７１の裏面７３側に曲がっている。なお、突出部８５の曲がり角度θ１（図４参照）、即ち、樹脂絶縁層８１の第１面８２と突出部８５の裏面とがなす角度は、１５°程度に設定されている。
【００４０】
　図３〜図５に示されるように、各ビア孔９０内には、『導電性金属ペースト』である銀ペースト（ハリマ化成株式会社製  ＴＨＲ−５００Ａ）の硬化物からなるビア導体９１が設けられている。なお、銀ペーストは、エポキシ樹脂内に多数の銀粒子を含有したものである（図５参照）。各ビア導体９１は、突出部８５が曲がっている方向の端面（即ち、第２面８３側の端面）と、突出部８５が曲がっている方向とは反対側の端面（即ち、第１面８２側の端面）とが平坦面となっている。また、第１層〜第３層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、その側面９２に溝部９３（図４参照）を有している。そして、第１層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端面が前記主面側端子２１に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が第１層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に電気的に接続されている。第２層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端部が第１層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が第２層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に電気的に接続されている。同様に、第３層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端部が第２層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が第３層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に電気的に接続されている。さらに、第４層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端部が第３層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が前記主面側端子７４に面接触した状態で電気的に接続されている。」
　
（２）「【００５７】
　続く積層圧着工程では、まず、平板状の下治具（図示略）上にセラミック多層配線基板１１を積層し、セラミック多層配線基板１１の主面１２上に第１層〜第４層の樹脂絶縁層８１（樹脂フィルム１６１）を順番に積層する（図１０参照）。なお、各樹脂絶縁層８１には、下治具に突設された複数の位置決めピン（図示略）が挿通される。このため、各樹脂絶縁層８１の平面方向への位置ずれが防止される。その後、セラミック多層配線基板１１と４枚の樹脂絶縁層８１とからなる積層物に、平板状の上治具（図示略）を載置する。そして次に、２０００〜３０００Ｐａ以下の真空下で加熱（３６０℃）を行いながら、１時間のあいだ積層方向（接合方向）に押圧力（５ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、セラミック多層配線基板１１及び各樹脂絶縁層８１が積層方向に沿って押圧されるとともに、熱により樹脂絶縁層８１の一部が塑性変形する。さらに、導体層８４の各突出部８５が下側（セラミック多層配線基板１１側）に曲がり、ビア導体９１が圧縮されることにより、ビア導体９１の第１面８２側の端面と導体層８４との間に生じている段差が小さくなる。その結果、セラミック多層配線基板１１及び各樹脂絶縁層８１（多層配線基板７１）が接合（熱圧着）される（図１１参照）。」
　
　上記記載事項及び図面の図示内容を総合し、本願発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「アルミナからなる複数のセラミック層１４と、ポリイミドを有する複数の樹脂絶縁層８１とを積層してなる積層体と、
　上記複数の樹脂絶縁層８１に形成されたビア導体９１と、　　
　上記複数のセラミック層１４において上記複数の樹脂絶縁層８１に隣接する側の表面で且つ上記ビア導体９１の端面に接して形成された主面側端子２１と、を備える、
　ＩＣ検査装置用基板１０。」
　
　２　刊行物２
　原査定に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００９−２７２５８３号公報（以下「刊行物２」という、原査定では文献２として引用。）には、「ポリイミド多層基板」に関して、次の事項が記載されている。
　
（１）「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　本発明は、高温高湿度下においてもポリイミドフィルムと無機基板との接着を維持でき、無機基板との線膨張係数差が小さく、ベアチップ実装時の接続信頼性が高い多層基板を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　すなわち本発明は、下記の構成によるものである。
１．  ポリイミドフィルムが熱可塑性脂層を介して無機基板に積層された多層基板において、前記熱可塑性樹脂層がフッ素樹脂及びサーモトロピック型の液晶高分子を含有し、該熱可塑性樹脂層中におけるフッ素樹脂の含有率が２０〜８０質量％、サーモトロピック型の液晶高分子の含有率が２０〜８０質量％であることを特徴とするポリイミド多層基板。
２．  （省略）
３．  （省略）
４．  （省略）
５．  （省略）
６．  無機基板が、セラミック基板及び／又はガラス基板である前記１．〜５．のいずれかに記載のポリイミド多層基板。
【発明の効果】
【０００７】
　本発明のポリイミド多層基板において、熱可塑性樹脂層がフッ素樹脂とサーモトロピック型の液晶高分子とを含むことにより、フッ素樹脂とサーモトロピック型の液晶高分子は海島型の相分離構造を取り、海成分のフッ素樹脂が接着効果と、島成分のサーモトロピック型の液晶高分子によるフッ素樹脂の補強効果により、成形加工性、接着性、および耐熱性を兼ね備えた優れた効果を発現する。
　本発明におけるポリイミドフィルムと無機基板とが、上記の特有の熱可塑性樹脂層を介して積層された構成を有する多層基板であるため、高温高湿時における層間の剥離や剥がれなどが発生しない多層基板となる。さらに多層基板そのものの温度変化に対する安定性と、多層基板間の線膨張係数の違いに基づく剥がれに対する耐久性が共に満足するものとなる。」
　
（２）「【００４６】
　本発明で用いるポリイミド多層基板の積層方法は、特に限定されるものではないが、例えば、
 (1)ポリイミドフィルム、熱可塑性樹脂、無機基板を貼り合わせたうえで、熱プレスによって溶着させる方法
 (2)共押し出しによる方法、ポリイミドフィルム上に熱可塑性樹脂を流延する方法、ポリイミドフィルムの前駆体フィルム上に熱可塑性樹脂を流延しイミド化する方法などして得た熱可塑性接着層付きポリイミドフィルムを無機基板に積層する方法
 (3)無機基板に前記の接着剤を設けた後にポリイミドフィルムを積層する方法
　などが挙げられる。」
　
第４　対比・判断   
　１　本願発明１について 
　本願発明１と引用発明とを対比すると、後者の「アルミナからなる複数のセラミック層１４」は前者の「絶縁材からなる第１絶縁層」に相当し、以下同様に、「積層体」は「基板本体」に、「ビア導体９１」は「貫通導体」に、「主面側端子２１」は「接続導体」に、「ＩＣ検査装置用基板１０」は「多層配線基板」にそれぞれ相当する。 
   
　また、後者の「ポリイミドを有する複数の樹脂絶縁層８１」と前者の「該第１絶縁層の前記絶縁材の硬度に比べて硬度が低い絶縁材、および少なくとも上記第１絶縁層に隣接する側の表面に粘着層を有する第２絶縁層」とは、「絶縁材を有する第２絶縁層」という限りで共通する。
　
　したがって、両者は、 
「絶縁材からなる第１絶縁層と、絶縁材を有する第２絶縁層とを積層してなる基板本体と、
　上記第２絶縁層に形成された貫通導体と、　　
　上記第１絶縁層において上記第２絶縁層に隣接する側の表面で且つ上記貫通導体の端面に接して形成された接続導体と、を備える、
　多層配線基板。」
　で一致し、次の点で相違する。 
       
〔相違点１〕 
　本願発明１は、第２絶縁層の絶縁材が「該第１絶縁層の前記絶縁材の硬度に比べて硬度が低」く「上記第１絶縁層の絶縁材と上記第２絶縁層の絶縁材との硬度差は、少なくとも１００Ｈｖ以上であ」るのに対し、
　引用発明は、複数のセラミック層１４がアルミナからなり、複数の樹脂絶縁層８がポリイミドを有する点。
　
〔相違点２〕 
　本願発明１は、第２絶縁層が「少なくとも上記第１絶縁層に隣接する側の表面に粘着層を有」し「上記第２絶縁層は、少なくとも前記第１絶縁層に隣接する側の表面に熱可塑性樹脂からなり且つ厚みが３μｍ以下の上記粘着層を含み、上記接続導体の厚みは、２μｍ以下であり、上記粘着層の一部には、上記接続導体の上方に押し上げられ、且つ該接続導体に対向する上記第２絶縁層の絶縁材の表面を押し上げた凸部が形成されている」のに対し、
　引用発明は、かかる構成を備えていない点。
　
　そこで、事案に鑑み、先に相違点２について検討する。
　刊行物２には、ポリイミドフィルムが熱可塑性脂層を介してセラミック基板に積層されること（段落【０００６】）や、ポリイミドフィルム上に熱可塑性樹脂を流延して得た熱可塑性接着層付きポリイミドフィルムを無機基板に積層すること（段落【００４６】）が記載されている。
　これらの記載からみて、刊行物２には、相違点２に係る本願発明１の発明特定事項のうち「第２絶縁層が『少なくとも上記第１絶縁層に隣接する側の表面に粘着層を有』」する点が記載されているといえる。
　しかしながら、刊行物２には、相違点２に係る本願発明１の発明特定事項のうち「上記第２絶縁層は、少なくとも前記第１絶縁層に隣接する側の表面に熱可塑性樹脂からなり且つ厚みが３μｍ以下の上記粘着層を含み、上記接続導体の厚みは、２μｍ以下であり、上記粘着層の一部には、上記接続導体の上方に押し上げられ、且つ該接続導体に対向する上記第２絶縁層の絶縁材の表面を押し上げた凸部が形成されている」こと（以下「発明特定事項Ａ」という。）については記載されていない。
　
　また、原査定において周知技術を示す文献として引用された刊行物３（特開２０１１−１０８９６０号公報、原査定では文献３として引用。）や、刊行物４（特開２００２−２５２２５８号公報、原査定では文献４として引用。）にも、上記発明特定事項Ａについての記載はない。
　
　本願発明１は、上記発明特定事項Ａを備えることにより、「熱硬化性樹脂の樹脂からなる前記第２絶縁層には、熱可塑性樹脂からなり且つ厚みが３μｍ以下の粘着層が含まれているので、該粘着層を活用して第１絶縁層との積層および接着（圧着）が成されている。更に、厚みが２μｍ以下の前記接続導体の頂面が第２絶縁層の樹脂層に押し込まれる押し込み量が少なく、且つ前記粘着層の一部に前記凸部を形成するに留まるため、前記クラックの発生が未然に防止され易くなっている。」（平成２８年６月２７日の手続補正により補正された明細書の段落【０００７】）との効果を奏するものである。
　
　このような効果は、引用発明及び刊行物２ないし刊行物４に記載された事項から、当業者が予測できるものではない。
　
　したがって、引用発明において、当業者が刊行物２ないし刊行物４に記載された事項を適用して、相違点２に係る本願発明１の発明特定事項Ａを容易に想到し得たとはいえない。
　よって、本願発明１は、引用発明及び刊行物２ないし刊行物４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
   
　２　本願発明４について 
　本願発明４は、「上記第１絶縁層の表面に、上記第１貫通導体と接続し且つ厚みが２μｍ以下の接続導体を形成する工程」と「第１絶縁層に隣接する積層側の表面に熱可塑性樹脂からなる厚みが３μｍ以下の粘着層を有する第２絶縁層を形成する工程」と「上記接続導体に、上記第２絶縁層の積層側の表面に露出した第２貫通導体の端面が接触するように、第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、更に加熱および圧着して、上記粘着層の一部に、上記接続導体の上方に押し上げられ、且つ該接続導体に対向する上記第２絶縁層の絶縁材の表面を押し上げた凸部を有している基板本体を形成する工程」を含む多層配線基板の製造方法であって、相違点２に係る本願発明１の発明特定事項Ａを実質的に備えているから、本願発明１と同様に、引用発明及び刊行物２ないし刊行物４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　３　本願発明２、３及び５について
　本願発明２、３及び５は、本願発明１又は４の発明特定事項を全て含むものであるから、それぞれ本願発明１又は４と同様に、引用発明及び刊行物２ないし刊行物４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、平成２８年１月８日の手続補正により補正された請求項１ないし５に係る発明について、上記刊行物１ないし４に基いて当業者が容易に発明をすることができたから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、平成２９年４月５日の手続補正により補正された請求項１は、前記発明特定事項Ａを備えるものとなっており、前記のとおり、本願発明１ないし５は、引用発明及び刊行物２ないし４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
　
第６　当審拒絶理由１，２の概要及び当審拒絶理由１，２についての判断
　当審では、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び同項第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由を通知した。
　しかしながら、平成２９年４月５日の手続補正により請求項１ないし５の記載は、前記「第２」のとおり補正されたので、これらの拒絶の理由は解消した。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１ないし５は、いずれも、引用発明及び刊行物２ないし４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。