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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開閉装置ユニットに結合した複数の回路保護装置と共に使用するための保護システムであって、
前記開閉装置ユニットからのしきい値距離に関係付けられた第１の区域内に位置する身体を検出するための第１のセンサと、
前記開閉装置ユニットからの第２のしきい値距離に関係付けられた第２の区域内の身体を検出するための第２のセンサと、
前記第１及び第２の区域内の複数の身体を表示するように位置づけられた表示装置と、
前記第１及び第２のセンサと前記表示装置とに結合するコントローラとを備え、前記コントローラは、前記複数の回路保護装置を選択的に有効にするように構成され、前記コントローラは、前記第１のセンサによる前記第１の区域内の身体の検出に応じて、前記複数の回路保護装置の第１の回路保護装置を有効にするように構成され、
前記コントローラは、前記第２のセンサによる前記第２の区域内の身体の検出に応じて前記複数の異なった保護装置の第２の回路保護装置を有効にし、前記表示装置に、前記第１の区域内の身体の検出に応じて第１の情報を表示させ、前記第２の区域内の身体の検出に応じて第２の情報を表示させるように構成される、保護システム。
【請求項２】
前記第１のセンサは、前記開閉装置ユニットへのドア又は、前記開閉装置ユニットが位置する部屋へのドアが開くときを検出するように構成されたドアセンサである、請求項１記載の保護システム。
【請求項３】
前記第１のセンサは、前記第１の区域内の身体の動きを検出するように構成された動きセンサである、請求項１または２に記載の保護システム。
【請求項４】
前記第１のセンサは、身体が前記開閉装置ユニットからの前記しきい値距離を横切るときを検出するように構成されたレーザセンサである、請求項１乃至３のいずれかに記載の保護システム。
【請求項５】
介在リレーを備え、前記第１のセンサおよび前記第２のセンサは前記介在リレーを介して前記コントローラに結合する、請求項１乃至３のいずれかに記載の保護システム。
【請求項６】
前記第１のセンサおよび前記第２のセンサは、前記介在リレーに並列に結合する、請求項５記載の保護システム。
【請求項７】
論理ゲートをさらに備え、前記第１のセンサおよび前記第２のセンサは前記論理ゲートに結合し、前記論理ゲートは前記介在リレーに結合する、請求項５記載の保護システム。
【請求項８】
前記第１のセンサは、前記開閉装置ユニットに対する身体の位置を検出するように構成され、前記第１の情報は、前記開閉装置ユニットからの身体の距離に少なくとも部分的に基づく、請求項１乃至７のいずれかに記載の保護システム。
【請求項９】
前記第１のセンサは、ドアが第１の位置または第２の位置のどちらにあるかを検出するように構成され、前記第１の情報は、前記ドアが前記第１の位置または前記第２の位置のどちらにあるかに少なくとも部分的に基づく、請求項１乃至８のいずれかに記載の保護システム。
【請求項１０】
前記コントローラは、さらに、前記表示装置に、前記回路保護装置の状態に少なくとも部分的に基づく第３の情報を表示させるように構成される。請求項１乃至９のいずれかに記載の保護システム。
【請求項１１】
開閉装置ユニットに対する身体の位置に少なくとも部分的に基づいて、身体への危険のレベルを決定する工程と、
前記検出した危険のレベルに少なくとも部分的に基づいて前記位置にある身体への情報を表示する工程とを含み、
身体への危険のレベルを決定する工程は、前記開閉装置ユニットに関連する複数の区域のうちどれに身体が位置するかを決定する工程と、第１の区域内の身体の検出に応じて第１の回路保護装置を有効にして前記開閉装置ユニットを保護し、第２の区域内の身体の検出に応じて第２の回路保護装置を有効にして前記開閉装置ユニットを保護する工程とを含み、
警告情報を表示する工程は、前記複数の区域のうち身体が位置するものに関する情報を表示する工程を備える、方法。
【請求項１２】
身体への危険のレベルを決定する工程は、少なくとも１つのセンサを利用して、前記開閉装置ユニットに対する身体の位置を検出する工程を備える、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
身体への危険のレベルを決定する工程は、前記開閉装置ユニットに関連する複数の区域のうちどれに身体が位置するかを決定する工程を備え、回路保護装置を有効にする工程は、前記複数の区域のうち身体が位置するものに基づいて、前記回路保護装置の複数の形式の保護装置のうちの異なった１つを有効にする工程を備える、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
複数の回路保護装置によって保護することができる装置からの第１のしきい値距離に関係付けられた第１の区域、および、前記装置からの第２のしきい値距離に関係付けられた第２の区域のうち１つの中の身体を検出する工程と、
前記第１の区域内の身体の検出に応じて、第１の回路保護装置を有効にする工程と、
前記第２の区域内の身体の検出に応じて、第２の回路保護装置を有効にする工程と、
前記第１及び第２の区域内の複数の身体を表示するように位置づけられた表示装置に前記第１の区域内の身体の検出に応じて第１の情報を表示させ、前記第２の区域内の身体の検出に応じて第２の情報を表示させる工程と、
を備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットプリンタであって、
印刷ゾーンに配置され、かつ印刷媒体上に複数のインクでインク画像を形成するよう構成された複数のインクジェットと、
プリンタに付随され、かつデバイス独立色空間の複数の色と複数のインクから形成される複数のインク色との間の色プロファイルマッピングであって、前記複数のインク色は所定の閾値より低いインク質量密度で形成される色のみを含む色プロファイルマッピング、を保存するよう構成されるメモリと、
前記複数のインクジェットおよび前記メモリと動作可能に接続される制御器であって、前記制御器は、前記デバイス独立色空間に対応する色画像データの複数の色を識別し、前記色プロファイルマッピングを参照して前記色画像データの前記複数の色に対応する複数のインク色を識別し、かつ、前記複数のインクジェットを、前記印刷媒体上に前記複数のインクを排出して、前記識別された複数のインク色で印刷されたインク画像を形成するよう操作し、前記印刷されたインク画像は前記所定の閾値より低いインク質量密度を有するようさらに構成される制御器と
を含むインクジェットプリンタ。
【請求項２】
前記複数のインクはシアン、マゼンタ、イエロー、およびブラックインクを含む、請求項１に記載のプリンタ。
【請求項３】
前記デバイス独立色空間はＬ＊ａ＊ｂ＊色空間である、請求項１に記載のプリンタ。
【請求項４】
前記デバイス独立色空間は赤、緑、青（ＲＧＢ）色空間である、請求項１に記載のプリ
ンタ。
【請求項５】
前記インク質量密度の前記所定の閾値は印刷媒体の表面上で０．９ｍｇ／ｃｍ２である、請求項１に記載のプリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月21日(2016.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボイスサービスに接続するように適合され、電話用のコネクタを有するゲートウェイであって、
ユーザの電話呼出を行う要求を判断するための検出回路と、
ボイスサービスへの接続を開始するように構成されたプロセッサと、
前記ユーザに、ボイスサービスが接続されているとのメッセージを伝送するメッセージングサービスモジュールと、
前記ボイスサービスに接続すると、前記電話呼出を前記ボイスサービスに転送する転送サービスモジュールと、を備える、前記ゲートウェイ。
【請求項２】
前記検出回路は、前記電話のフックが外れていることを検出する、請求項１に記載のゲートウェイ。
【請求項３】
前記コネクタに電圧を印加する電源供給部をさらに備える、請求項１または２に記載のゲートウェイ。
【請求項４】
前記メッセージングサービスモジュールは、前記電話を介してボイスメッセージを伝送するか、ディスプレイを介してテキストメッセージを伝送するか、あるいは前記ゲートウェイの音源または光源をそれぞれ介して音声信号または光信号を伝送するように構成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のゲートウェイ。
【請求項５】
前記メッセージングサービスモジュールは、前記ボイスサービスに接続すると、前記ボイスサービスに接続されているとの更なるメッセージを前記ユーザに伝送するように構成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のゲートウェイ。
【請求項６】
前記プロセッサは、前記検出回路からの信号に応答してスタンバイ状態から立ち上がるように構成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のゲートウェイ。
【請求項７】
ゲートウェイを介して電話をかけるための方法であって、
ユーザの電話呼出を行う要求を判断するステップと、
ボイスサービスへの接続を開始するステップと、
前記ボイスサービスに接続しているとのメッセージを前記ユーザに伝送するステップと、
前記ボイスサービスに接続すると、前記電話呼出を前記ボイスサービスに転送するステップと、を含む、前記方法。
【請求項８】
ユーザの電話呼出を行う要求を、前記ゲートウェイに接続された電話のフックが外れていることを検出することによって判断する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
電源供給部を用いて前記電話用のコネクタに電圧を印加するステップをさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記メッセージを、前記ユーザに、前記電話を介したボイスメッセージとして、ディスプレイを介したテキストメッセージとして、あるいは前記ゲートウェイの音源または光源をそれぞれ介した音声信号または光信号として伝送する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ボイスサービスに接続すると、前記ボイスサービスに接続されているとの更なるメッセージを、前記ユーザに伝送する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ユーザの電話呼出を行う要求を判断したことに応答して、前記ゲートウェイのプロセッサをスタンバイ状態から立ち上げるステップをさらに含む、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性体として構成された遊技球である正規遊技球を用いて遊技を行う弾球遊技機であって、
遊技者の操作に応じて遊技球を遊技領域に発射する発射装置と、
遊技球を前記発射装置に誘導する誘導手段と、
前記誘導手段に誘導される遊技球の中から、磁性体として構成された不正遊技球を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記不正遊技球を、前記発射装置に誘導される遊技球の中から取り除く除去手段と、
を備え、
前記誘導手段は、床部を流下する遊技球を前記発射装置に誘導すると共に、該遊技球に混入された前記不正遊技球を磁力により天井部に付着させる除去区間を有する誘導経路として構成されたこと、
を特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の弾球遊技機において、
前記除去区間は、
床部を流下する前記正規遊技球との衝突により前記天井部に付着した前記不正遊技球を流下させることができるよう、前記床部と前記天井部との間隔が調整されており、前記正規遊技球と共に流下する前記不正遊技球を前記天井部に付着させることで前記検出手段をなす上流側区間と、
該上流側区間の下流側に位置し、前記天井部に付着した前記不正遊技球が前記床部を流下する前記正規遊技球に接触しないよう、前記床部と前記天井部との間隔が調整されており、前記正規遊技球の流下を遮ることなく前記天井部に前記不正遊技球を付着させておくことで、前記除去手段をなす下流側区間とを有すること、
を特徴とする弾球遊技機。
【請求項３】
請求項２に記載の弾球遊技機において、
前記不正遊技球が遊技に用いられないように収容する収容部と、
磁力により外側面に前記不正遊技球を付着させることができる無端ベルトを有すると共に、該外側面が前記下流側区間の前記天井部の少なくとも一部をなし、前記下流側区間に到達した前記不正遊技球を前記外側面に付着させ、前記収容部に向けて搬送する搬送手段と、
前記無端ベルトの前記外側面に付着した前記不正遊技球を剥離させ、前記収容部に移動させる剥離手段と、
をさらに備えることを特徴とする弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような構成によれば、磁性体として構成された不正遊技球が正規遊技球に混入された場合であっても、該不正遊技球は発射装置に誘導される前に取り除かれる。このため、不正遊技球を正規遊技球に混入させ、混入させた不正遊技球の挙動を磁石等により操ることで不正な入賞を得るゴト行為を行うことができなくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の弾球遊技機は、除去区間は、床部を流下する正規遊技球との衝突により天井部に付着した不正遊技球を流下させることができるよう、床部と天井部との間隔が調整されており、正規遊技球と共に流下する不正遊技球を天井部に付着させることで検出手段をなす上流側区間と、該上流側区間の下流側に位置し、天井部に付着した不正遊技球が床部を流下する正規遊技球に接触しないよう、床部と天井部との間隔が調整されており、正規遊技球の流下を遮ることなく天井部に不正遊技球を付着させておくことで、除去手段をなす下流側区間とを有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような構成によれば、不正遊技球が検出された場合であっても、正規遊技球を発射装置に誘導して遊技領域に向けて発射することができ、パチンコ店の従業員等が不正遊技球を取り除く等の作業を行わなくても、遊技者は遊技を継続することができる。また、該作業により遊技が中断することが無いため、弾球遊技機の稼働率の低下を防ぐことができる。また、仮に不正遊技球が混入されたとしても、閉店後等の時間の余裕がある時に不正遊技球を取り除く作業を行うことができ、パチンコ店の従業員は、慌てること無く、確実に不正遊技球を取り除くことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項２に記載の弾球遊技機によれば、除去区間に到達した正規遊技球は、床部を流下して発射装置に誘導される。一方、除去区間に到達した不正遊技球は、天井部に付着した状態で上流側区間を流下すると共に、床部を流下する正規遊技球により押し出されるように下流側区間に到達し、下流側区間の天井部に付着した状態で保持される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そこで、請求項３に記載の弾球遊技機は、不正遊技球が遊技に用いられないように収容する収容部と、磁力により外側面に不正遊技球を付着させることができる無端ベルトを有すると共に、該外側面が下流側区間の天井部の少なくとも一部をなし、下流側区間に到達した不正遊技球を外側面に付着させ、収容部に向けて搬送する搬送手段と、無端ベルトの外側面に付着した不正遊技球を剥離させ、収容部に移動させる剥離手段と、をさらに備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
そこで、弾球遊技機は、予め定められた数の正規遊技球を循環的に使用して遊技を行う封入式の弾球遊技機として構成されており、誘導手段は、発射装置により遊技領域に発射された遊技球を回収すると共に、回収した遊技球を発射装置に誘導するようにしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月2日(2016.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像シーケンスに従って傾斜磁場コイルに電力を供給することで撮像領域に傾斜磁場を印加しつつ、磁気共鳴イメージングを実行する磁気共鳴イメージング装置であって、
充放電素子を含むと共に電力供給を受けることで前記充放電素子を充電し、前記磁気共鳴イメージングの実行時に前記傾斜磁場コイルに対して前記充放電素子からの放電電力を供給する充放電制御部と、
前記充放電素子の容量が閾値を下回るか否かを判定する判定部と、
を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記充放電素子の容量が前記閾値を下回ると前記判定部により判定された場合、前記撮像シーケンスの条件を制限することで、前記傾斜磁場コイルへの電力供給量を制限する条件制限部をさらに備える
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記傾斜磁場コイルに直流の電力を供給する直流電源をさらに備え、
前記充放電制御部は、前記直流電源の供給電力では前記傾斜磁場コイルの消費電力に対して不足する電力分を、前記撮像シーケンスに応じて前記充放電素子からの放電電力により補完する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
表示装置と、
前記充放電素子の容量が前記閾値を下回ると前記判定部により判定された場合に、前記充放電素子の交換推奨表示を前記表示装置に実行させる警告部と
をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
記憶装置をさらに備え、
前記判定部は、前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方に基づいて前記充放電素子の容量値を算出し、算出した容量値を測定日と共に記憶装置に記憶させる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記判定部は、前記充放電素子の容量が第１の閾値を下回るか否かと、前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値を前記充放電素子の容量が下回るか否かとを判定し、
前記充放電素子の容量が前記第２の閾値を下回る場合、前記条件制限部は、前記充放電素子の容量が前記第１の閾値を下回るが前記第２の閾値を下回らない場合よりも、前記傾斜磁場コイルへの電力供給量をさらに制限する
ことを特徴とする請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記判定部は、電源投入による磁気共鳴イメージング装置の起動開始のタイミングに同期して、前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方の測定を開始する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記判定部は、磁気共鳴イメージング装置の再起動開始のタイミングに同期して、前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方の測定を開始する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記判定部は、磁気共鳴イメージング装置によるプレスキャンの実行時に前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方を測定後、前記充放電素子の容量が閾値を下回るか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
前記判定部は、電源投入による磁気共鳴イメージング装置の起動開始のタイミングに同期して、前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方の測定を開始することを特徴とする請求項１ないし請求項９のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】
前記判定部は、磁気共鳴イメージング装置の再起動開始のタイミングに同期して、前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方の測定を開始することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１２】
前記判定部は、磁気共鳴イメージング装置によるプレスキャンの実行時に前記充放電素子の充電電圧及び充放電電流の少なくとも一方を測定後、前記充放電素子の容量が閾値を下回るか否かを判定することを特徴とする請求項１ないし請求項１１のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１３】
前記傾斜磁場コイルに直流の電力を供給する直流電源と、
前記充放電素子の蓄積電力を消費せずに前記直流電源から前記傾斜磁場コイルに電力供給する回路動作状態と、前記直流電源及び前記充放電素子から前記傾斜磁場コイルに電流供給する回路動作状態とを、前記傾斜磁場コイルの消費電力に応じて切り替える切替制御部と
をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のうちいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１４】
撮像シーケンスに従って傾斜磁場コイルに電力を供給することで撮像領域に傾斜磁場を印加し、前記傾斜磁場の印加を伴って前記撮像領域から核磁気共鳴信号を収集し、前記核磁気共鳴信号に基づいて画像データを再構成する磁気共鳴イメージング方法であって、
放電電流として前記傾斜磁場コイルに電力供給する充放電素子の容量が閾値を下回るか否かを判定するステップ
を有することを特徴とする磁気共鳴イメージング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以下、本発明の取り得る態様の数例を態様毎に説明する。
（１）本発明の一実施形態では、ＭＲＩ装置は、撮像シーケンスに従って傾斜磁場コイルに電力を供給することで撮像領域に傾斜磁場を印加しつつ、磁気共鳴イメージングを実行するものである。このＭＲＩ装置は、充放電制御部と、判定部とを備える。
充放電制御部は、充放電素子を含むと共に電力供給を受けることで充放電素子を充電し、磁気共鳴イメージングの実行時に傾斜磁場コイルに対して充放電素子からの放電電力を供給する。
判定部は、充放電素子の容量が閾値を下回るか否かを判定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）本発明の別の一実施形態では、ＭＲＩ方法は、撮像シーケンスに従って傾斜磁場コイルに電力を供給することで撮像領域に傾斜磁場を印加し、傾斜磁場の印加を伴って撮像領域からＭＲ信号を収集し、ＭＲ信号に基づいて画像データを再構成する方法である。このＭＲＩ方法は、放電電流として傾斜磁場コイルに電力供給する充放電素子の容量が閾値を下回るか否かを判定するステップ（処理）を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月11日(2016.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層とを有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と、前記第２の発光層との間に位置し、
前記第１の発光層は、三重項励起エネルギーを発光に変える第１の発光性物質と、電子輸送性を有する第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物とを含み、
前記第２の発光層は、三重項励起エネルギーを発光に変える第２の発光性物質と、前記第２の有機化合物と、電子輸送性を有する第３の有機化合物とを含み、
前記第１の有機化合物は、前記第３の有機化合物よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、
前記第１の発光性物質は、前記第２の発光性物質よりも短波長の発光を示し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物、および前記第２の有機化合物と前記第３の有機化合物は、それぞれ励起錯体を形成することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層を有し、
前記陰極と前記発光層との間に電子輸送層を有し、
前記発光層は、前記正孔輸送層に接する第１の発光層と、前記電子輸送層に接する第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、三重項励起エネルギーを発光に変える第１の発光性物質と、電子輸送性を有する第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物とを含み、
前記第２の発光層は、三重項励起エネルギーを発光に変える第２の発光性物質と、前記第２の有機化合物と、電子輸送性を有する第３の有機化合物とを含み、
前記第１の有機化合物は、前記第３の有機化合物よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、
前記第１の発光性物質は、前記第２の発光性物質よりも短波長の発光を示し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物、および前記第２の有機化合物と前記第３の有機化合物は、それぞれ励起錯体を形成することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物により形成された励起錯体は、前記第２の有機化合物と前記第３の有機化合物により形成された励起錯体よりも励起エネルギーが大きいことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の発光層において形成された励起錯体は、前記第１の有機化合物のアニオンと前記第２の有機化合物のカチオンから形成され、
前記第２の発光層において形成された励起錯体は、前記第３の有機化合物のアニオンと前記第２の有機化合物のカチオンから形成されることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の発光性物質は、燐光性化合物または熱活性化遅延蛍光材料であり、
前記第２の発光性物質は、燐光性化合物または熱活性化遅延蛍光材料であり、
前記第１の有機化合物は、π不足型複素芳香族化合物であり、
前記第３の有機化合物は、π不足型複素芳香族化合物であり、
前記第２の有機化合物は、π過剰型複素芳香族化合物または芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項８】
請求項６に記載の発光装置を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の一部とゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接する領域を有する一対の電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、膜密度が２．２６ｇ／ｃｍ３以上２．６３ｇ／ｃｍ３以下であり、
電子スピン共鳴法によって計測される信号において、ｇ値が２．００１に現れる信号のスピン密度が２×１０１５ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられ、
前記酸化物半導体膜の露出部を覆う絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、膜密度が２．２６ｇ／ｃｍ３以上２．６３ｇ／ｃｍ３以下であり、
電子スピン共鳴法によって計測される信号において、ｇ値が２．００１に現れる信号のスピン密度が２×１０１５ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記酸化物半導体膜の前記ゲート絶縁膜と接する面とは反対の面において接する領域を有する絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、膜密度が２．２６ｇ／ｃｍ３以上２．６３ｇ／ｃｍ３以下であり、
電子スピン共鳴法によって計測される信号において、ｇ値が２．００１に現れる信号のスピン密度が２×１０１５ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
第３の導電層と、
チャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の導電層は、
前記酸化物半導体層と重畳し、
前記第１の導電層は、
第１の膜厚を備えた第１の部分と、
前記第１の膜厚よりも膜厚の大きな第２の部分と、を有し、
前記第２の導電層は、
前記酸化物半導体層と重畳し、
前記第２の導電層は、
第３の膜厚を備えた第３の部分と、
前記第３の膜厚よりも膜厚の大きな第４の部分と、を有し、
前記第３の導電層は、
前記酸化物半導体層と重畳し、
前記第３の導電層は、
第５の膜厚を備えた第５の部分と、
前記第５の膜厚よりも膜厚の大きな第６の部分と、を有し、
前記酸化物半導体層は、
前記第１の部分と重畳する領域、前記第３の部分と重畳する領域、及び前記第５の部分と重畳する領域における低抵抗化元素の濃度は、それぞれ、前記チャネル形成領域における前記低抵抗化元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層がトランジスタのソースとして機能し、
前記第２の導電層が前記トランジスタのドレインとして機能し、
前記第３の導電層が前記トランジスタのゲートとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、それぞれ、平坦な上面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第５の部分は、前記第１の部分又は前記第３の部分と重畳することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電層が、第１の層及び第２の層を有し、
前記第１の層は、前記第１の部分に存在し、
前記第２の層は、前記第１の部分に存在せず、
前記第２の導電層が、第３の層及び第４の層を有し、
前記第３の層は、前記第３の部分に存在し、
前記第４の層は、前記第３の部分に存在せず、
前記第３の導電層が、第５の層及び第６の層を有し、
前記第５の層は、前記第５の部分に存在し、
前記第６の層は、前記第５の部分に存在しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記低抵抗化元素が、炭素（Ｃ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒素（Ｎ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、インジウム（Ｉｎ）、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、チタン（Ｔｉ）、及び亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月20日(2016.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
前記第１の配線上の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の、第２の配線と、第３の配線と、
前記第２の配線及び前記第３の配線上の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の、第４の配線と、第５の配線と、を有し、
前記第４の配線は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２の絶縁層の第２の開口を介して、前記第５の配線と電気的に接続され、
前記第５の配線は、前記第２の絶縁層の第３の開口を介して、前記第３の配線と電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の配線と、
前記第１の配線上の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の、第２の配線と、第３の配線と、
前記第２の配線及び前記第３の配線上の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の、第４の配線と、第５の配線と、画素電極と、を有し、
前記第４の配線は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２の絶縁層の第２の開口を介して、前記第５の配線と電気的に接続され、
前記第５の配線は、前記第２の絶縁層の第３の開口を介して、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記第４の配線の材料と共通した材料を有し、
前記画素電極は、前記第５の配線の材料と共通した材料を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の配線は、前記第４の配線、及び第５の配線と重畳しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の配線は、銅を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、窒化シリコンまたは酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の配線を形成し、
前記第１の配線上に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して、前記第１の配線と重畳する半導体層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、第２の配線と、第３の配線と、を形成し、
前記第２の配線及び前記第３の配線上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の配線上において、前記第２の絶縁層に第１の開口を形成し、前記第２の配線上において、前記第２の絶縁膜に第２の開口を形成し、かつ前記第３の配線上において、前記第２の絶縁層に第３の開口を形成し、
前記第１の開口上に、第４の配線を形成し、かつ前記第２の開口上及び前記第３の開口上に、第５の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の配線を形成し、
前記第１の配線上に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して、前記第１の配線と重畳する半導体層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、第２の配線と、第３の配線と、を形成し、
前記第２の配線及び前記第３の配線上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の配線上において、前記第２の絶縁層に第１の開口を形成し、前記第２の配線上において、前記第２の絶縁膜に第２の開口を形成し、前記第３の配線上において、前記第２の絶縁層に第３の開口を形成し、かつ前記第２の絶縁層に第４の開口を形成し、
前記第１の開口上に、第４の配線を形成し、かつ前記第２の開口上及び前記第３の開口上に、第５の配線を形成し、前記第４の開口上に画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第４の配線と、前記第５の配線とは、接続配線として機能し、
前記接続配線は、前記画素電極の材料と共通した材料を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月23日(2016.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは、導電性ポリマー層と軟磁性材料層とを積層することにより、導電性ポリマー単独、又は磁性シート単独ではノイズ抑制効果が低い低周波領域（例えば、６００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚ帯）におけるノイズ抑制効果が得られることを見出した。
すなわち、本発明は、軟磁性材料層と、少なくとも１つの導電性ポリマー層が積層されていることを特徴とする。好ましくは、軟磁性材料層の両面側にそれぞれ導電性ポリマー層が積層されている。
本発明においては、さらに金属層が積層されていることが好ましい。
本発明における導電性ポリマー層は、ポリアニリン複合体、ポリピロール複合体、ポリチオフェン複合体のいずれかを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性材料層と、少なくとも１つの導電性ポリマー層が積層されていることを特徴とするノイズ吸収積層体。
【請求項２】
軟磁性材料層の両面側にそれぞれ導電性ポリマー層が積層されている請求項１に記載のノイズ吸収積層体。
【請求項３】
さらに金属層が積層されている請求項１又は２に記載のノイズ吸収積層体。
【請求項４】
前記導電性ポリマー層は、ポリアニリン複合体、ポリピロール複合体、ポリチオフェン複合体のいずれかを含む請求項１ないし３のノイズ吸収積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素部のゲート配線及び駆動回路部の第１の配線層を形成する第１の工程と、
前記ゲート配線上及び前記第１の配線層上に、ゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート配線上及び前記第１の配線層上に、半導体層を形成する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体層上に、画素部のソース配線、ドレイン配線及び駆動回路部の第２の配線層を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上、前記半導体層上、前記ソース配線上、前記ドレイン配線上及び前記第２の配線層上に層間絶縁膜を設け、前記第１の配線層上及び前記第２の配線層上の前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、前記ドレイン配線上の前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成する第５の工程と、
前記第１の開口部において、前記第１の配線層及び前記第２の配線層を分断し、前記駆動回路部のゲート配線及びソース配線を形成する第６の工程と、を有する表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体層は、酸化物半導体を含む表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第２の開口部には、前記画素部に設けられるトランジスタに電気的に接続される画素電極が形成される表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記第１の開口部は、前記第１の配線層の下層に達する開口部と、前記第２の配線層の下層に達する開口部と、により前記第１の配線層及び前記第２の配線層を分断し、前記駆動回路部の前記ゲート配線及び前記ソース配線とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上又はシリコン層上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の酸化アルミニウム膜と、
前記第１の酸化アルミニウム膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第３の導電膜及び第４の導電膜と、
前記第３の導電膜上及び前記第４の導電膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第５の導電膜と、
前記第５の導電膜上の第２の酸化アルミニウム膜と、を有し、
前記シリコン基板又は前記シリコン層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第５の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の酸化アルミニウム膜と前記第２の酸化アルミニウム膜とによって包まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
シリコン基板上又はシリコン層上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の酸化アルミニウム膜と、
前記第１の酸化アルミニウム膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第３の導電膜及び第４の導電膜と、
前記第３の導電膜上及び前記第４の導電膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第５の導電膜と、
前記第５の導電膜上の第２の酸化アルミニウム膜と、を有し、
前記シリコン基板又は前記シリコン層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第５の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の酸化アルミニウム膜は、前記酸化物半導体膜の周辺において、前記第２の酸化アルミニウム膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月18日(2016.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分類方法であって、
コンピュータシステムにより、対象位置を含む半導体ウェハ領域の３次元（３Ｄ）マップを受け取とる段階と、
前記コンピュータシステムにより、前記マップの前記対象位置のトポグラフィックな特徴に基づいて、前記対象位置の１つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも１つの値を計算する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記対象位置は、少なくとも１つの特徴を含み、前記少なくとも１つの特徴は、欠陥、プロセス変動、及び対象となる設計を含む多数の特徴から選択され、前記方法は、前記１つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも１つの値に基づいて、前記対象位置の欠陥を自動的に分類する段階を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの値を計算する段階は、前記対象位置の１つ以上の３Ｄ形状パラメータを計算する段階と、前記対象位置の表面に対応する平面の方位を見つける段階又はパラメトリック曲面を前記３Ｄマップの前記対象位置に近似させる段階と、前記近似曲面から前記３Ｄ形状パラメータを導出する段階とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記３Ｄ形状パラメータを計算する段階は、前記対象位置の表面の曲率の評価値を見つける段階を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの値を計算する段階は、前記対象位置の１つ又はそれ以上のテクスチャパラメータを計算する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記テクスチャパラメータを計算する段階は、前記対象位置の表面にわたる勾配を計算する段階と、前記勾配に基づいて前記表面の粗さの評価値を見つける段階とを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ又はそれ以上のテクスチャパラメータを計算する段階は、前記対象位置における多数のエッジの方向の規則性を計算する段階を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
メモリと、
前記メモリに接続される処理装置と、
を備える装置であって、前記処理装置が、
対象位置を含む半導体ウェハ領域の３次元（３Ｄ）マップを受け取り、
前記マップの前記対象位置のトポログラフィックな特徴に基づいて、前記対象位置の１つ又はそれ以上の属性に関する少なくとも１つの値を計算する、
ように構成されている装置。
【請求項９】
前記対象位置が少なくとも１つの特徴を含み、前記少なくとも１つの特徴が、欠陥、プロセス変動、及び対象の設計を含む複数の特徴のグループから選択され、前記処理装置は、前記１つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも１つの値に基づいて、欠陥を自動的に分類するように更に構成されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの値は、前記対象位置の１つ又はそれ以上の３Ｄ形状パラメータを含み、前記処理装置は、該対象位置表面に対応する平面の方位を見つけることによって、又はパラメトリック曲面を前記マップの前記対象位置に近似させて、前記近似曲面から前記３Ｄ形状パラメータを導出することによって、前記３Ｄ形状パラメータを計算するように構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記３Ｄ形状パラメータは、前記対象位置の表面の曲率の評価値を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの値は、前記対象位置の１つ又はそれ以上のテクスチャパラメータを含み、前記処理装置は、前記対象位置の表面にわたる勾配を計算し、前記勾配に応答して前記表面の粗さの評価値を見つけることにより、又は前記対象位置におけるエッジの方向の規則性を計算することにより、前記テクスチャパラメータを計算するように構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
処理装置により実行される場合に、前記処理装置に、
対象位置を含む半導体ウェハ領域の３次元（３Ｄ）マップを受け取る段階と、
前記マップの前記該対象位置の１つ又はそれ以上の属性に関する値を計算する段階と、を含む操作を実行させる命令を有する非一時的コンピュータ可読記憶媒。
【請求項１４】
前記対象位置は、少なくとも１つの特徴を含み、前記少なくとも１つの特徴は、欠陥、プロセス変動、及び対象の設計を含む多数の特徴から選択され、前記処理装置は、前記１つ又はそれ以上の属性に関する前記少なくとも１つの値に基づいて、前記対象位置を自動的に分類する段階を更に含む操作を実行する、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの値は、１つ又はそれ以上の３Ｄ形状パラメータ又は前記対象位置のテクスチャパラメータを含む、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
１つの実施形態では、システムは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により取り込まれた画像から３Ｄマップを導出することにより３Ｄマップを受け取る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
プロセッサ９０２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置等の、１つ又はそれ以上の汎用処理装置を表している。特に、プロセッサ９０２は、複合命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、又は他の命令セット又は命令セットの組み合わせを実行するプロセッサとすることができる。また、プロセッサ９０２は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサ等の１つ又はそれ以上の専用処理装置とすることができる。プロセッサ９０２は、本明細書で説明する動作又はステップを遂行するための命令９２６を実行するように構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
更に、コンピュータシステム９００は、ネットワークインターフェース装置９２２を含むことができる。また、コンピュータシステム９００は、ビデオ表示ユニット（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はブラウン管（ＣＲＴ））、英数字入力装置９１２（例えば、キーボード）、カーソル制御装置（例えば、マウス）、及び信号生成装置９１６（例えば、スピーカ）を含むことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2013236087.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月10日(2016.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ワイヤ、ロープ及び／又はコードから作製するネット（２０）であって、前記ネット（２０）を、ネット片（２１〜２６）から形成し、少なくとも１つの被覆帯（２７、２８、３０、３７）を其々、好適には、縁領域（２２'）の全長に亘り取着し、前記帯は、隣接するネット片（２１〜２６）に常時接合するための接続部（２７'、３７'）を有することを特徴とするネット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水系二次電池用正極の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化グラフェンを、極性溶媒を有する分散媒に分散させ、
前記酸化グラフェンを分散させた前記分散媒に、層状岩塩型構造を有する活物質を添加して混練することで混合物を作製し、
前記混合物に結着剤を添加して混練することでペーストを作製し、前記ペーストを集電体に塗布し、
前記塗布した前記ペーストに含まれる前記分散媒を揮発させた後又は揮発させると同時に、前記酸化グラフェンを還元して、グラフェンを含む活物質を前記集電体上に形成することを特徴とする非水系二次電池用正極の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化グラフェンは、単層又は２層以上１００層以下の多層であることを特徴とする非水系二次電池用正極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月6日(2016.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光パネル、表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の副画素乃至第３の副画素を有し、
前記第１の副画素は、第１の発光素子と、前記第１の発光素子と重なる第１の光学素子と、を有し、
前記第１の副画素は、第１の色を呈する光を発する機能を有し、
前記第２の副画素は、第２の発光素子と、前記第２の発光素子と重なる第２の光学素子と、を有し、
前記第２の副画素は、第２の色を呈する光を発する機能を有し、
前記第３の副画素は、第３の発光素子と、前記第３の発光素子と重なる第３の光学素子と、を有し、
前記第３の副画素は、第３の色を呈する光を発する機能を有し、
前記第１の発光素子は、第１の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第２の発光素子は、前記第１の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第３の発光素子は、第２の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の間隙の長さは、前記第１の発光素子と前記第３の発光素子との間の間隙の長さよりも短く、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の間隙の長さは、前記第２の発光素子と前記第３の発光素子との間の間隙の長さよりも短い発光パネル。
【請求項２】
第１の副画素乃至第３の副画素を有し、
前記第１の副画素は、第１の発光素子と、前記第１の発光素子と重なる第１の光学素子と、を有し、
前記第１の副画素は、第１の色を呈する光を発する機能を有し、
前記第２の副画素は、第２の発光素子と、前記第２の発光素子と重なる第２の光学素子と、を有し、
前記第２の副画素は、第２の色を呈する光を発する機能を有し、
前記第３の副画素は、第３の発光素子と、前記第３の発光素子と重なる第３の光学素子と、を有し、
前記第３の副画素は、第３の色を呈する光を発する機能を有し、
前記第１の発光素子は、第１の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第２の発光素子は、前記第１の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第３の発光素子は、第２の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第１の発光性の有機化合物を含む層は、長軸と前記長軸と交差する短軸を具備し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とは、前記長軸方向に並んで設けられ、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の前記長軸方向における間隙の長さは、前記第１の発光素子と前記第３の発光素子との間の前記短軸方向における間隙の長さよりも短く、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の前記長軸方向における間隙の長さは、前記第２の発光素子と前記第３の発光素子との間の前記短軸方向における間隙の長さよりも短い発光パネル。
【請求項３】
請求項２において、
前記長軸方向における前記第１の発光素子の長さと、前記長軸方向における前記第２の発光素子の長さと、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の前記長軸方向における間隙の長さとの合計が、前記短軸方向における前記第１の発光素子の長さより長く、
前記合計が、前記短軸方向における前記第２の発光素子の長さより長い発光パネル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の発光素子は、前記第２の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第２の発光素子は、前記第２の発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第１の発光性の有機化合物を含む層は、前記第２の発光性の有機化合物を含む層と、前記第１の発光素子の陽極との間に位置する領域を有し、
前記第１の発光性の有機化合物を含む層は、前記第２の発光性の有機化合物を含む層と、前記第２の発光素子の陽極との間に位置する領域を有し、
前記第１の発光性の有機化合物を含む層は、前記第１の色を呈する光と前記第２の色を呈する光とを含む光を発する機能を有し、
前記第２の発光性の有機化合物を含む層は、前記第３の色を呈する光を発する機能を有する発光パネル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載された発光パネルを有する表示装置。