【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る放射線撮像装置（放射線撮像装置１）の全体のブロック構成を表すものである。放射線撮像装置１は、入射する放射線Ｒrad（例えば
α線，β線，γ線，Ｘ線等）に基づいて被写体の情報を読み取る（被写体を撮像する）ものである。この放射線撮像装置１は、画素部１１を備えると共に、この画素部１１の駆動回路として、行走査部１３、Ａ／Ｄ変換部１４、列走査部１５およびシステム制御部１６を備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
このようにして読み出された信号電荷は、信号線Ｌsigを介して複数（ここでは４つ）の画素列ごとに、Ａ／Ｄ変換部１４内の列選択部１７へ入力される。列選択部１７では、まず、各信号線Ｌsigから入力される信号電荷毎に、チャージアンプ１７２等からなるチャージアンプ回路１７１においてＱ−Ｖ変換（信号電荷から信号電圧への変換）を行う。次いで、変換された信号電圧（チャージアンプ１７２からの出力電圧Ｖca）毎に、Ｓ／Ｈ回路１７３およびマルチプレクサ回路１７４を介してＡ／Ｄコンバータ１７５においてＡ／Ｄ変換を行い、デジタル信号からなる出力データＤout（撮像信号）を生成する。このようにして、各列選択部１７から出力データＤoutが順番に出力され、外部へ伝送される（または図示しない内部メモリーへ入力される）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
但し、本変形例では、画素２０Ｂが、２つのトランジスタ２２を有している。これら２つのトランジスタ２２は、互いに直列に接続されている（一方のソースまたはドレインと他方のソースまたはドレインとが電気的に接続されている）。また、各トランジスタ２２における各一方のゲートが読み出し制御線Ｌread１に接続され、各他方のゲートが読み出し制御線Ｌread２に接続されている。このように１つの画素２０Ｂに２つのトランジスタ２２を設けることにより、オフリークを低減させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
尚、本開示は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層を含む半導体層と、
前記半導体層に対向配置された第１ゲート電極と、
前記半導体層と前記第１ゲート電極との間に設けられ、第１のシリコン酸化物膜を含む第１のゲート絶縁膜と、
前記半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記第１のゲート絶縁膜とは異なる層に設けられた第２のシリコン酸化物膜と
を有し、
前記第１のゲート絶縁膜の前記第１のシリコン酸化物膜は、前記第２のシリコン酸化物膜よりも膜密度の小さい多孔質膜である
放射線撮像装置。
（２）
前記トランジスタは、
前記半導体層を間にして前記第１ゲート電極と対向配置された第２ゲート電極と、
前記半導体層と前記第２ゲート電極との間に設けられ、第３のシリコン酸化物膜を含む第２のゲート絶縁膜と
を更に有する
上記（１）に記載の放射線撮像装置。
（３）
前記トランジスタは、前記第２ゲート電極上に、前記第２のゲート絶縁膜、前記半導体層、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有し、
前記第３のシリコン酸化物膜が前記第２のシリコン酸化物膜に相当する
上記（２）に記載の放射線撮像装置。
（４）
前記トランジスタは、前記第２ゲート電極上に、前記第２のゲート絶縁膜、前記半導体層、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有し、
前記トランジスタの前記第１ゲート電極上に、前記第２のシリコン酸化物膜を含む第１の層間絶縁膜を備え、
前記第１および第３のシリコン酸化物膜の両方が前記多孔質膜である
上記（２）に記載の放射線撮像装置。
（５）
前記多孔質膜の膜密度は、２．５５ｇ／ｃｍ3以下である
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の放射線撮像装置。
（６）
前記第１のシリコン酸化物膜は、前記半導体層に隣接して形成されている
上記（１）〜（５）のいずれかに記載の放射線撮像装置。
（７）
前記トランジスタは、前記第２ゲート電極上に、前記第２のゲート絶縁膜、前記半導体層、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有し、
前記トランジスタの前記第１ゲート電極上に設けられ、前記第２のシリコン酸化物膜を含む第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆って設けられた第２の層間絶縁膜と
を更に備え、
前記第２の層間絶縁膜は前記多孔質膜となっている
上記（１）〜（６）のいずれかに記載の放射線撮像装置。
（８）
前記トランジスタは、前記半導体層上に、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有する
上記（１）に記載の放射線撮像装置。
（９）
前記トランジスタは、前記第１ゲート電極上に、前記第１のゲート絶縁膜および前記半導体層をこの順に有する
上記（１）に記載の放射線撮像装置。
（１０）
前記半導体層は、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非結晶シリコンまたは酸化物半導体を含む
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の放射線撮像装置。
（１１）
前記半導体層は、低温多結晶シリコンを含む
上記（１０）に記載の放射線撮像装置。
（１２）
前記複数の画素がそれぞれ光電変換素子を有し、
前記複数の画素の光入射側に、前記放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の放射線撮像装置。
（１３）
前記光電変換素子が、ＰＩＮ型のフォトダイオードまたはＭＩＳ型センサからなる
上記（１２）に記載の放射線撮像装置。
（１４）
前記複数の画素はそれぞれ、前記放射線を吸収して前記信号電荷を発生させるものである
上記（１）〜（１１）のいずれかにに記載の放射線撮像装置。
（１５）
前記放射線はＸ線である
上記（１）〜（１４）のいずれかに記載の放射線撮像装置。
（１６）
放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記放射線撮像装置は、
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層を含む半導体層と、
前記半導体層に対向配置された第１ゲート電極と、
前記半導体層と前記第１ゲート電極との間に設けられ、第１のシリコン酸化物膜を含む第１のゲート絶縁膜と、
前記半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記第１のゲート絶縁膜とは異なる層に設けられた第２のシリコン酸化物膜と
を有し、
前記第１のゲート絶縁膜の前記第１のシリコン酸化物膜は、前記第２のシリコン酸化物膜よりも膜密度の小さい多孔質膜である
放射線撮像表示システム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層を含む半導体層と、
前記半導体層に対向配置された第１ゲート電極と、
前記半導体層と前記第１ゲート電極との間に設けられ、第１のシリコン酸化物膜を含む第１のゲート絶縁膜と、
前記半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記第１のゲート絶縁膜とは異なる層に設けられた第２のシリコン酸化物膜と
を有し、
前記第１のゲート絶縁膜の前記第１のシリコン酸化物膜は、前記第２のシリコン酸化物膜よりも膜密度の小さい多孔質膜である
放射線撮像装置。
【請求項２】
前記トランジスタは、
前記半導体層を間にして前記第１ゲート電極と対向配置された第２ゲート電極と、
前記半導体層と前記第２ゲート電極との間に設けられ、第３のシリコン酸化物膜を含む第２のゲート絶縁膜と
を更に有する
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記トランジスタは、前記第２ゲート電極上に、前記第２のゲート絶縁膜、前記半導体層、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有し、
前記第３のシリコン酸化物膜が前記第２のシリコン酸化物膜に相当する
請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記トランジスタは、前記第２ゲート電極上に、前記第２のゲート絶縁膜、前記半導体層、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有し、
前記トランジスタの前記第１ゲート電極上に、前記第２のシリコン酸化物膜を含む第１の層間絶縁膜を備え、
前記第１および第３のシリコン酸化物膜の両方が前記多孔質膜である
請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記多孔質膜の膜密度は、２．５５ｇ／ｃｍ3以下である
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記第１のシリコン酸化物膜は、前記半導体層に隣接して形成されている
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記トランジスタは、前記第２ゲート電極上に、前記第２のゲート絶縁膜、前記半導体層、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有し、
前記トランジスタの前記第１ゲート電極上に設けられ、前記第２のシリコン酸化物膜を含む第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆って設けられた第２の層間絶縁膜と
を更に備え、
前記第２の層間絶縁膜は前記多孔質膜となっている
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記トランジスタは、前記半導体層上に、前記第１のゲート絶縁膜および前記第１ゲート電極をこの順に有する
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記トランジスタは、前記第１ゲート電極上に、前記第１のゲート絶縁膜および前記半導体層をこの順に有する
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記半導体層は、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非結晶シリコンまたは酸化物半導体を含む
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記半導体層は、低温多結晶シリコンを含む
請求項１０に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
前記複数の画素がそれぞれ光電変換素子を有し、
前記複数の画素の光入射側に、前記放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１３】
前記光電変換素子が、ＰＩＮ型のフォトダイオードまたはＭＩＳ型センサからなる
請求項１２に記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】
前記複数の画素はそれぞれ、前記放射線を吸収して前記信号電荷を発生させるものである
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】
前記放射線はＸ線である
請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１６】
放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記放射線撮像装置は、
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層を含む半導体層と、
前記半導体層に対向配置された第１ゲート電極と、
前記半導体層と前記第１ゲート電極との間に設けられ、第１のシリコン酸化物膜を含む第１のゲート絶縁膜と、
前記半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記第１のゲート絶縁膜とは異なる層に設けられた第２のシリコン酸化物膜と
を有し、
前記第１のゲート絶縁膜の前記第１のシリコン酸化物膜は、前記第２のシリコン酸化物膜よりも膜密度の小さい多孔質膜である
放射線撮像表示システム。