Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月11日(2016.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合層状構造（６０）を形成する方法であって、
第１構造（１０）及び第２構造（２０）を供給し、
第１構造（１０）及び第２構造（２０）のうちの少なくとも一つに過酸化亜鉛（３０）を含む第１層を形成し、
第１構造（１０）及び第２構造（２０）のうちの少なくとも一つに亜鉛金属（４０）を含む第２層を形成し、
第１構造及び第２構造の間で第１層が第２層に接触するように第１構造（１０）及び第２構造（２０）を接触させ、
接触した第１構造及び第２構造を処理して、亜鉛金属（４０）を酸化させ、
接触した第１構造及び第２構造の間に酸化亜鉛（５０）を含む第３層を形成する
ことを含む方法。
【請求項２】
前記接触した構造を処理することは、前記接触した層を１００〜４００℃の範囲の温度で加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接触した構造を処理することは、前記接触した層を５〜８０ｐｓｉの範囲で加圧することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化亜鉛は、前記亜鉛金属の酸化によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記酸化は、前記過酸化亜鉛によって供給される酸素によって起こる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化は、前記接触した層に供給される酸素ガスによって起こる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１構造及び第２構造のうちの少なくとも一つはウェハを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
接合層状構造（６０）であって、
第１構造（１０）及び第２構造（２０）と、
前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）との間で前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）の両方と接触する酸化亜鉛（５０）を含む層
を含む層状構造（６０）。
【請求項９】
前記酸化亜鉛（５０）は、亜鉛金属（４０）の酸化によって前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）のうちの少なくとも一つに形成される、請求項８に記載の層状構造。
【請求項１０】
前記酸化亜鉛（５０）は、前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）を１００〜４００℃の範囲の温度に晒すことによって形成される、請求項８に記載の層状構造。
【請求項１１】
前記酸化亜鉛（５０）は、５〜８０ｐｓｉの範囲で加圧することによって、前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）と接触させることにより形成される、請求項８に記載の層状構造。
【請求項１２】
前記酸化亜鉛（５０）は、過酸化亜鉛（３０）により前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）のうちの少なくとも一つに形成される、請求項８から１１のいずれか１項に記載の層状構造。
【請求項１３】
前記酸化亜鉛（５０）は、前記第１構造（１０）及び第２構造（２０）に供給される酸素ガスによって形成される、請求項８に記載の層状構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜の評価方法、酸化物半導体膜及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム、ガリウム、スズ、ハフニウムおよび亜鉛のいずれかを含む酸化物半導体膜の評価方法であって、
前記酸化物半導体膜に、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射してキャリアを生成させ、
前記キャリアの一部が再結合する際の発光のエネルギーと前記発光の強度のプロットし、
前記プロットをガウス関数で表される第１カーブおよび第２カーブで近似し、
前記第１カーブの極大値は１．６ｅＶ以上１．８ｅＶ以下であり、前記第２カーブの極大値は１．７ｅＶ以上２．４ｅＶ以下であり、
前記第２カーブの面積を前記第１カーブの面積および前記第２カーブの面積の和で除した値が０．１以上１未満であるか否かによって評価することを特徴とする酸化物半導体膜の評価方法。
【請求項２】
インジウム、ガリウム、スズ、ハフニウムおよび亜鉛のいずれかを含む酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光が照射されることで、キャリアが生成され、前記キャリアの一部が再結合する際に発光し、前記発光のエネルギーと前記発光の強度のプロットがガウス関数で近似される第１カーブおよび第２カーブを含み、前記第１カーブの極大値は１．６ｅＶ以上１．８ｅＶ以下であり、前記第２カーブの極大値は１．７ｅＶ以上２．４ｅＶ以下であり、前記第２カーブの面積を前記第１カーブの面積および前記第２カーブの面積の和で除した値が０．１以上１未満であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重ねて設けられたゲート電極と、
を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、スズ、ハフニウムおよび亜鉛のいずれかを含み、
前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光が照射されることで、キャリアが生成され、前記キャリアの一部が再結合する際に発光し、前記発光のエネルギーと前記発光の強度のプロットがガウス関数で近似される第１カーブおよび第２カーブを含み、前記第１カーブの極大値は１．６ｅＶ以上１．８ｅＶ以下であり、前記第２カーブの極大値は１．７ｅＶ以上２．４ｅＶ以下であり、前記第２カーブの面積を前記第１カーブの面積および前記第２カーブの面積の和で除した値が０．１以上１未満であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送電装置と、
受電装置と、を有し、
前記送電装置は、複数の送電部と、電源部と、を有し、
前記電源部は、複数の送電部と電気的に接続され、
前記受電装置は、受電部と、負荷部と、を有し、
前記負荷部は、前記受電部と電気的に接続され、
前記複数の送電部は、それぞれ、
前記電源部から電力供給される、送電用コイルと、
前記送電用コイルと非接触で配置され、電磁誘導により電磁気的に結合している、送電側共鳴用コイルと、
前記送電側共鳴用コイルから反射される反射電力を検波器へ入力する、方向結合器と、
前記反射電力の値を基準電力の値により判定する、検波器と、
前記検波器の出力が入力される、スイッチと、を有し、
前記受電部は、
前記負荷部に電力を供給する、受電用コイルと、
前記受電用コイルと非接触で配置され、電磁誘導により電磁気的に結合する、受電側共鳴用コイルと、を有し、
前記送電側共鳴用コイルの共振周波数は、前記スイッチのオンオフにより第１の共振周波数又は第２の共振周波数に切り替わり、
前記受電側共鳴用コイルの共振周波数は、前記第１の共振周波数及び前記第２の共振周波数のいずれかであることを特徴とする給電システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記送電部は、前記送電側共鳴用コイル及び前記スイッチと電気的に接続する送電側共振周波数調整用キャパシタを有し、
前記受電部は、前記受電側共鳴用コイルと電気的に接続する受電側共振周波数調整用キャパシタを有することを特徴とする給電システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の送電部は、第１の送電部と、第２の送電部とを有し、
前記第１の送電部が有する前記送電側共鳴用コイルは、第１の共振周波数を有し、
前記第２の送電部が有する前記送電側共鳴用コイルは、第２の共振周波数を有し、
前記第１の共振周波数を有する受電側共鳴用コイルを有する受電装置にのみ、給電を行うことを特徴とする給電システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記スイッチは、酸化物半導体を用いた半導体素子を有することを特徴とする給電システム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記電源部と、第２のスイッチを介して、電気的に接続された方向性結合器を有することを特徴とする給電システム。
【請求項６】
送電部において送電側共鳴用コイルを第１の共振周波数に設定する第１のステップと、
送電用コイルにおいて電源部より供給された電力を前記送電側共鳴用コイルに送電する第２のステップと、
前記送電側共鳴用コイルにおいて受電装置へ送電する第３のステップと、
前記第３のステップにおいて前記送電側共鳴用コイルによって反射された反射電力を、方向性結合器を介して検波器へ入力する第４のステップと、
前記検波器において前記反射電力を基準電力によって判別する第５のステップと、を有し、
前記第５のステップにおいて前記反射電力が前記基準電力より小さいと判別された場合、前記受電装置への送電を継続し、
前記第５のステップにおいて前記反射電力が前記基準電力より大きいと判別された場合、前記送電側共鳴用コイルを第２の共振周波数として、前記受電装置への送電を停止することを特徴とする給電方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記送電側共鳴用コイルを第２の共振周波数として、前記受電装置への送電を停止した場合、一定時間経過後、前記第１のステップ乃至前記第５のステップを繰り返すことを特徴とする給電方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記検波器から入力される信号によって制御されるスイッチを用いて、前記送電側共鳴用コイルの共振周波数を、前記第１の共振周波数又は前記第２の共振周波数とすることができることを特徴とする給電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサーモジュールを使用している電子回路内のコンデンサーモジュールの動作寿命を改善する方法であって、
同じ構成の２以上のコンデンサーモジュールを用意するステップと、
前記電子回路内の前記コンデンサーモジュールのそれぞれが交互に同じ第１の所定期間の時間、動作するように制御するステップと、を備え、
前記制御するステップは、前記電子回路がターンオンする毎に、常に前記コンデンサーモジュールの１つである第１のコンデンサーモジュールを起動して前記第１の所定期間の半分の時間、動作させることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のコンデンサーモジュールの動作後、前記コンデンサーモジュールの１つである第２のコンデンサーモジュールから始めて、前記コンデンサーモジュールの各々を前記第１の所定期間の時間、前記電子回路内で交互に動作させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
それぞれのコンデンサーモジュールと、前記コンデンサーモジュールの１つである動作準備完了しているコンデンサーモジュールとを、前記それぞれのコンデンサーモジュールの動作が停止される前に、第２の所定期間の時間、前記電子回路内で同時に動作させるステップを備えている請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コンデンサーモジュールは、電解コンデンサーモジュールである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
電子回路内で使用されるコンデンサー制御回路構造であって、
同じ構成の２以上のコンデンサーモジュールと、
前記コンデンサーモジュールのそれぞれと動作接続されている１以上のスイッチ装置と、
同じ第１の所定期間の時間、前記コンデンサーモジュールのそれぞれとの前記１以上のスイッチ装置の前記動作接続を交互に制御し、前記第１の所定期間の時間、前記電子回路内で動作するように前記コンデンサーモジュールのそれぞれを起動するコンデンサーモジュールコントローラと、を備え、
前記コンデンサーモジュールコントローラは、前記電子回路がターンオンする毎に、常に前記コンデンサーモジュールの１つである第１のコンデンサーモジュールを起動して前記第１の所定期間の半分の時間、動作させることを特徴とするコンデンサー制御回路構造。
【請求項６】
前記コンデンサーモジュールコントローラが適切に機能することを確実にするために、前記コンデンサーモジュールコントローラの前段に配された電圧レギュレータをさらに備える請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造。
【請求項７】
前記コンデンサーモジュールコントローラは、前記コンデンサーモジュールの各々を交互に制御して、前記第１の所定期間の時間、前記電子回路内で動作するようにプログラムされたマイクロコントローラとして構成されている請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造。
【請求項８】
前記第１の所定期間の半分が経過した後、前記コンデンサーモジュールコントローラは、前記コンデンサーモジュールの１つである第２のコンデンサーモジュールから始めて、前記第１の所定期間の時間、前記電子回路内で交互に動作するように前記各コンデンサーモジュールを交互に制御する請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造。
【請求項９】
前記コンデンサーモジュールコントローラは、それぞれのコンデンサーモジュールと、コンデンサーモジュールの１つである動作準備完了しているコンデンサーモジュールとを、前記それぞれのコンデンサーモジュールの動作が停止される前に、第２の所定期間の時間、前記電子回路内で同時に動作可能とするように構成されている請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造。
【請求項１０】
前記スイッチ装置は、前記それぞれのコンデンサーモジュール用のトランジスターとして構成可能であり、それによって、前記コンデンサーモジュールコントローラは、前記それぞれのコンデンサーモジュールの動作を可能にするために前記トランジスターの接続を制御することができる請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造。
【請求項１１】
請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造を備えたＬＥＤランプ用の駆動回路。
【請求項１２】
前記コンデンサーモジュールコントローラがプログラマブルカウンター又はマイクロコントローラ（ＭＣＵ）として構成されている請求項５に記載のコンデンサー制御回路構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月14日(2016.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信制御部と、
電源制御部と、を有し
前記電源制御部は、前記通信制御部への電源電圧の供給を制御する機能を有し、
前記通信制御部は、記憶部を有し、
前記記憶部は、
半導体層を有する第１のトランジスタと
前記第１のトランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体層を有する第２のトランジスタと、を有することを特徴とする受電装置。
【請求項２】
通信制御部と、
電源制御部と、
クロック生成部と、
蓄電装置と、を有し
前記電源制御部は、前記通信制御部への電源電圧の供給を制御する機能を有し、
前記クロック生成部は、受電信号からクロック信号を生成する機能を有し、
前記蓄電装置は、前記受電信号から電力を蓄電する機能を有し、
前記通信制御部は、記憶部を有し、
前記記憶部は、
半導体層を有する第１のトランジスタと
前記第１のトランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体層を有する第２のトランジスタと、を有することを特徴とする受電装置。
【請求項３】
通信制御部と、
電源制御部と、
クロック生成部と、
蓄電装置と、
受電部と、を有し
前記電源制御部は、前記通信制御部への電源電圧の供給を制御する機能を有し、
前記受電部は、無線給電により電力を受電し、受電信号として出力する機能を有し、
前記クロック生成部は、前記受電信号からクロック信号を生成する機能を有し、
前記蓄電装置は、前記受電信号から電力を蓄電する機能を有し、
前記通信制御部は、記憶部を有し、
前記記憶部は、
半導体層を有する第１のトランジスタと
前記第１のトランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体層を有する第２のトランジスタと、を有することを特徴とする受電装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記蓄電装置は、二次電池を有することを特徴とする受電装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、８５℃において１×１０−１９Ａ以下であることを特徴とする受電装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有することを特徴とする受電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性被覆で被覆されたデマッチング層を含む音響素子のアレイと、
集積回路と、
前記音響素子を前記集積回路に電気的に接続するための導体素子を含むインターポーザであって、前記導体素子は前記集積回路に電気的に接続されているインターポーザと、
前記音響素子と前記インターポーザの導体素子との間に係合されたはんだとを含み、前記インターポーザの導体素子が前記はんだを通して前記音響素子に電気的に接続されるように、前記導電性被覆が前記デマッチング層と前記はんだとの間の電気的な接続を促進する、超音波振動子。
【請求項２】
前記はんだが第１のはんだ層であり、前記超音波振動子がさらに、前記集積回路と前記インターポーザの導体素子との間に係合された第２のはんだ層を含み、前記インターポーザの導体素子が前記はんだを通して前記集積回路に電気的に接続される、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項３】
前記インターポーザが、フレックス回路またはフレックスケーブルの少なくとも１つを含む、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項４】
前記音響素子のアレイが、１次元（１Ｄ）アレイ、１．５Ｄアレイ、１．７５Ｄアレイ、または２次元（２Ｄ）アレイの１つである、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項５】
前記はんだが個々のはんだ素子を含み、それぞれの個々のはんだ素子が前記音響素子のアレイの少なくとも２つの音響素子に係合されている、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項６】
前記音響素子のアレイ、前記インターポーザ、および前記集積回路が層に配置され、前記インターポーザが前記層内の前記集積回路と前記音響素子のアレイとの間を延びる、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項７】
前記はんだが信号の送信および受信を伝えるように構成されている、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項８】
前記インターポーザの導体素子が、電気的ビア、電気的トレース、または電気接点パッドの少なくとも１つを含む、請求項１記載の超音波振動子。
【請求項９】
前記はんだが第１のはんだ層であり、前記集積回路が電気接点を含み、前記超音波振動子がさらに、前記インターポーザの導体素子と前記集積回路の電気接点との間に係合された第２のはんだ層を含み、前記集積回路の電気接点が前記第２のはんだ層を通して前記インターポーザの導体素子に電気的に接続される、請求項１記載の超音波振動子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
暗号化鍵生成部１４２はＩＤ演算部１４１が生成したメディアＩＤ及び前記ランダムナンバーから提供されたランダムナンバーを用いて暗号化鍵を生成することができる。例えば、暗号化鍵生成部１４２はＣＭＡＣ（Ｃｉｐｈｅｒ−ｂａｓｅｄ  Ｍｅｓｓａｇｅ  Ａｕｔｈｅｎｔｉｃａｔｉｏｎ  Ｃｏｄｅ）アルゴリズムに前記固有識別子及び前記ランダムナンバーを入力して前記暗号化鍵を生成することができる。暗号化コンテンツを復号化するための復号化鍵を生成する際にも前記ランダムナンバーが必要であるため、前記ランダムナンバーは前記暗号化コンテンツと共に記憶装置２００に格納され得る。暗号化鍵生成部１４２が前記メディアＩＤ及びコンテンツの固有識別子を用いて暗号化鍵を生成する実施例については図１０を参照して詳細に説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
次に、図２０を参照してコンテンツ記録装置１００が記憶装置２００からコントローラ２０８の識別子を提供される（Ｓ２０）ことについて説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置に備えられた第１パート及び第２パートそれぞれを識別するための第１プリミティブＩＤ及び第２プリミティブＩＤを前記記憶装置から提供される記憶装置インターフェースと、
前記第１プリミティブＩＤ及び第２プリミティブＩＤのうちの少なくとも１つを用いて前記記憶装置の固有識別子であるメディアＩＤを生成し、前記メディアＩＤを用いて生成した暗号化鍵でコンテンツを暗号化するプロセッサと
を含み、
前記記憶装置インターフェースは、前記プロセッサによって暗号化したコンテンツを前記記憶装置に提供するコンテンツ記録装置。
【請求項２】
前記第１プリミティブＩＤは、前記記憶装置に備えられたコントローラの固有識別子であるコントローラＩＤであり、
前記第２プリミティブＩＤは、前記記憶装置に備えられたメモリ装置の固有識別子であるメモリＩＤを暗号化した暗号化メモリＩＤである請求項１に記載のコンテンツ記録装置。
【請求項３】
前記記憶装置インターフェースは、前記暗号化鍵の生成に用いるランダムナンバー及び前記コンテンツのＩＤのうちの一つを前記記憶装置にさらに提供する請求項１に記載のコンテンツ記録装置。
【請求項４】
メディアＩＤを用いて生成した復号化鍵で復号化する暗号化コンテンツ及びプリミティブＩＤを格納するメモリ装置と、
前記メモリ装置を制御するコントローラと、
を含み、
前記プリミティブＩＤは、前記コントローラの固有識別子であるコントローラＩＤ及び前記メモリ装置の固有識別子であるメモリＩＤを暗号化した暗号化メモリＩＤを含み、
前記メディアＩＤは、前記メモリ装置及び前記コントローラを含む記憶装置の固有識別子であり、前記メモリＩＤを用いて生成したメモリ派生ＩＤ及び前記コントローラＩＤを用いて生成される記憶装置。
【請求項５】
前記メモリ装置は、前記復号化鍵の生成に用いるランダムナンバー及び前記コンテンツのＩＤのうちの一つをさらに格納する請求項４に記載の記憶装置。
【請求項６】
記憶装置から前記記憶装置に格納された暗号化コンテンツと前記記憶装置に備えられた第１パート及び第２パートそれぞれを識別するための第１プリミティブＩＤ及び第２プリミティブＩＤを提供される記憶装置インターフェースと、
前記第１プリミティブＩＤ及び第２プリミティブＩＤを用いて前記記憶装置の固有識別子であるメディアＩＤを生成し、前記メディアＩＤを用いて生成した復号化鍵で前記暗号化コンテンツを復号化して再生するプロセッサと、
を含むコンテンツ再生装置。
【請求項７】
前記第２プリミティブＩＤは、前記記憶装置に備えられたメモリ装置の固有識別子であるメモリＩＤを暗号化した暗号化メモリＩＤであり、
前記プロセッサは、前記暗号化メモリＩＤを用いて前記コンテンツ再生装置と前記記憶装置との間の第１認証のための第２認証情報を生成する請求項６に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項８】
前記記憶装置インターフェースは、前記記憶装置から前記記憶装置に格納されたランダムナンバー及び前記コンテンツのＩＤのうちの一つをさらに提供され
前記プロセッサは、前記メディアＩＤ及び前記ランダムナンバーをＣＭＡＣアルゴリズムに入力して前記復号化鍵を生成する請求項６に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項９】
第１端末からコンテンツ及びメモリＩＤを用いて生成したメモリ派生ＩＤを提供される受信部であって、前記メモリＩＤは、前記第１端末に接続された記憶装置に備えられたメモリ装置の固有な識別子である、受信部と、
格納部と、
前記メモリ派生ＩＤを用いて前記コンテンツを暗号化し、暗号化したコンテンツを前記格納部に格納する暗号化部と、
前記格納部に格納された前記暗号化したコンテンツを第２端末に送信する送信部と、
を含み、
前記第１端末と前記第２端末は一つの端末グループに属するコンテンツ記憶サーバ。
【請求項１０】
前記コンテンツ記憶サーバは、前記暗号化したコンテンツを、前記メモリ派生ＩＤを用いて復号化し、復号化したコンテンツを前記送信部に提供した後に削除する復号化部をさらに含み、
前記送信部は、前記第２端末に前記復号化したコンテンツを送信する請求項９に記載のコンテンツ記憶サーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチメディアデータを送信機から受信機に通信する方法であって、
前記送信機において、レートレス符号化器によって前記マルチメディアデータを符号化して、次数分布を用いて符号化データを生成するステップと、
前記符号化データを、通信路を介して前記受信機に送信するステップであって、前記通信路は雑音を受けているものと、
前記受信機において、復号化器によって前記通信路の出力を復号化するステップであって、前記復号化器はレートレス復号化器であり、前記復号化器はランダム確率伝搬復号化器であり、
前記符号化データを受信している間に、前記受信機から前記送信機に、該受信機における前記復号化器のインプロセス復号化ステータスのフィードバックを最適なフィードバックタイミングで送信するステップと、
前記送信機において、前記次数分布が時間経過に従って変動するように、前記フィードバックに基づいて前記次数分布を更新するステップと、
前記次数分布の与えられた前記復号化器に基づいて信念メッセージを求めるステップと、
等価なリップルサイズを求めるために、前記信念メッセージのエントロピーを解析するステップと、
正規化された最小二乗最適化を用いて、前記等価なリップルサイズを有する前記次数分布を最適化するステップと、
前記次数分布が最適な次数分布に収束するまで、前記信念メッセージを求めるステップ、前記エントロピーを解析するステップ、前記最適化するステップを反復するステップと、
を含む、マルチメディアデータを送信機から受信機に通信する方法。
【請求項２】
前記更新するステップが、
前記フィードバックを受ける前に第１の次数分布を求めるステップと、
前記フィードバックを受けた後に第２の次数分布を求めるステップと、
を含み、
前記第１および第２の次数分布は最小二乗最適化を使用して求められ、さらに
理論的解放確率を上げる前記第１または第２の次数分布により前記次数分布を更新するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記等価なリップルサイズは、前記変更されたランダムウォークモデルによって設計され、該ランダムウォークモデルは、高次多項式の動きを用い、結果として消失通信路の場合に区分的平方根リップルとなり、前記通信路の場合に曲がった平方根リップルとなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記符号化データは、入力シンボル及び出力シンボルを含み、前記方法は、
偶数個の誤りメッセージの失敗確率、及び近傍に含まれる奇数個の誤りメッセージの成功確率を求めることによってトラッピング回避を実行するステップであって、特定の出力シンボル内に含まれる全ての入力シンボルは、該出力シンボルの近傍であるものを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のフィードバックのための最適なフィードバックタイミングは、予測オーバーヘッドを評価することによって最適化される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フィードバックは、実際のリップルサイズが１になったときに行われ、予測解放が最小二乗最適化の制約項に加えられて、これらのタイミングにおける復号化失敗が回避される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ランダム選択する前記レートレス復号化器を、前記フィードバックにおける優先度情報を考慮するように不均一ランダムエッジ選択に変更するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
フィードバック機会の数を、ネットワークパラメーターとして選択するステップをさら含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記次数分布は、オフラインで最適化される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記次数分布は、モンテカルロシミュレーションを用いてオンラインで最適化される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記フィードバックは、前記受信機におけるインプロセス復号化の確率伝搬メッセージを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記復号化器のリップルサイズが１である時に前記最適なフィードバックタイミングが求められる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記復号化によって、区分的平方根関数に従って前記リップルのサイズが低減する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記リップルの初期サイズは１０である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
最適なフィードバックタイミングを復号化の時間に対する割合として求めるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記復号化器はレートレス確率伝搬復号化器である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
情報フィードバックを用いてマルチメディアデータの通信を行うネットワークであって、
レートレス符号化器によって前記マルチメディアデータを符号化して、次数分布に従って符号化データを生成するように構成された送信機と、
復号化器を用いて前記送信機から通信路を介して受信した前記符号化データを復号化するように構成された受信機であって、前記受信機は、前記符号化データを受信している間に、最適なフィードバックタイミングで復号化ステータスをフィードバックし、前記送信機が該フィードバックに基づいて前記次数分布を更新することを可能するものと、
を備え、
前記復号化器は、
前記次数分布の与えられた前記復号化器に基づいて信念メッセージを求め、
等価なリップルサイズを求めるために、前記信念メッセージのエントロピーを解析し、
正規化された最小二乗最適化を用いて、前記等価なリップルサイズを有する前記次数分布を最適化し、
前記次数分布が最適な次数分布に収束するまで、前記信念メッセージを求めるステップ、前記エントロピーを解析するステップ、前記最適化するステップを反復する、
ように構成されたランダム確率伝搬復号化器である、
情報フィードバックを用いてマルチメディアデータの通信を行うためのネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月30日(2016.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンク群と、
コンフィギュレーションメモリと、
論理回路部と、を有し、
前記バンク群では、外部から供給されるタイムスケジュールに基づいて、コンフィギュレーションデータが格納され、
前記コンフィギュレーションメモリでは、既に保持されているコンフィギュレーションデータが、前記バンク群に格納されているコンフィギュレーションデータに書き換えされ、
前記論理回路部では、前記コンフィギュレーションメモリが保持するコンフィギュレーションデータに基づいて、機能回路の再構成が行われ、
前記バンク群におけるコンフィギュレーションデータの格納と、前記機能回路の再構成とが独立且つ併行して行われることを特徴とするプログラマブルＬＳＩ。
【請求項２】
前記バンク群は、マトリクス状に配設された複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、
入力ワード線と、
出力ワード線と、
基準電位線と、
ゲートが前記入力ワード線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記入力ビット線に電気的に接続されている第１のトランジスタと、
ゲートが前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記基準電位線に電気的に接続されている第２のトランジスタと、
ゲートが前記出力ワード線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記出力ビット線に電気的に接続されている第３のトランジスタと、を有することを特徴とする請求項１に記載のプログラマブルＬＳＩ。
【請求項３】
前記バンク群は、マトリクス状に配設された複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、
入力ワード線と、
出力ワード線と、
基準電位線と、
ゲートが前記入力ワード線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記入力ビット線に電気的に接続されている第１のトランジスタと、
ゲートが前記出力ワード線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記基準電位線に電気的に接続されている第２のトランジスタと、
ゲートが前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記出力ビット線に電気的に接続されている第３のトランジスタと、を有することを特徴とする請求項１に記載のプログラマブルＬＳＩ。
【請求項４】
前記メモリセルは、
一方の電極が前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が接地されているキャパシタを有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のプログラマブルＬＳＩ。
【請求項５】
前記第１のトランジスタは、チャネルとして酸化物半導体層を有することを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のプログラマブルＬＳＩ。
【請求項６】
前記メモリセルは、多値のデータを格納することが可能であることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載のプログラマブルＬＳＩ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器であって、
ソフトウエアを実行することにより、ユーザにより前記電子機器の機能が設定された場合に、前記機能を設定するためのコマンドを発行する制御手段と、
前記制御手段により発行されたコマンドに応じて、前記機能に係る処理を実行する実行手段と、
無効な機能に関する情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶された情報に基づいて、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることを検出する検出手段とを備え、
前記制御手段は、前記検出手段により、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることが検出された場合に、前記実行手段が前記ユーザにより設定された機能に係る処理を実行しないように制御することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記実行手段から前記コマンドを読み出して、前記検出手段に転送する転送手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記検出手段は、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のための複数のコマンドがそれぞれ、無効な機能を設定するためのコマンドであるか否かを判別することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記制御手段により前記コマンドが発行されたことに応じて、前記制御手段により発行されたコマンドを前記検出手段に転送する転送手段を備え、前記検出手段は、前記転送手段により転送された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることを検出することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項５】
前記検出手段は、前記制御手段により発行されたコマンドと、前記記憶手段に記憶された情報とを比較することにより、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが前記無効な機能を設定するためのコマンドであるか否かを判別することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記制御手段は、一つの前記機能を設定するための複数のコマンドを発行し、前記検出手段は、前記一つの機能を設定するために前記制御手段から発行された複数のコマンドと、複数の前記無効な機能に関する情報とを比較することにより、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが前記無効な機能を設定するためのコマンドであるか否かを判別することを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記記憶手段は、複数の前記無効な機能に関する情報がそれぞれ有効となっているか否かを判別するための付加情報を記憶し、前記検出手段は、前記付加情報により無効であることが示される機能に関する情報に基づいて、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることを検出することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項８】
前記記憶手段は、前記無効な機能に関する情報と前記コマンドに含まれるデータとの大小関係の条件に関する情報を記憶し、前記検出手段は、前記制御手段により発行されたコマンドに含まれる前記データと前記記憶手段に記憶された前記無効な機能に関する情報との比較の結果と、前記大小関係の条件とに基づいて、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが前記無効な機能を設定するためのコマンドであるか否かを判別することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項９】
前記制御手段により発行されたコマンドと、前記記憶手段に記憶された前記無効な機能に関する情報はそれぞれ複数ビットのデータであり、前記記憶手段は、前記複数ビットの一部をマスクする情報を記憶し、前記検出手段は、前記制御手段により発行されたコマンドにおける前記一部以外のビットと、前記記憶手段に記憶された前記無効な機能に関する情報とを比較することにより、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが前記無効な機能を設定するためのコマンドであるか否かを判別することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記ソフトウエアを実行することにより、前記無効な機能を示す情報を前記記憶手段に記憶することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記ソフトウエアを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたソフトウエアを更新する更新手段とを備え、
前記制御手段は、前記メモリに記憶された、前記更新されたソフトウエアに従って動作し、
前記記憶手段に記憶された、前記無効な機能に関する情報は、前記更新手段による前記ソフトウエアの更新により変更されないことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項１２】
撮像装置であって、
ソフトウエアを実行することにより、ユーザにより前記撮像装置の機能が設定された場合に、前記機能を設定するためのコマンドを発行する制御手段と、
前記制御手段により発行されたコマンドに応じて、前記機能に係る処理を実行する実行手段と、
無効な機能に関する情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶された情報に基づいて、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることを検出する検出手段とを備え、
前記制御手段は、前記検出手段により、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることが検出された場合に、前記実行手段が前記ユーザにより設定された機能に係る処理を実行しないように制御することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電子機器は、ソフトウエアを実行することにより、ユーザにより前記電子機器の機能が設定された場合に、前記機能を設定するためのコマンドを発行する制御手段と、前記制御手段により発行されたコマンドに応じて、前記機能に係る処理を実行する実行手段と、無効な機能に関する情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段により記憶された情報に基づいて、前記制御手段により発行された、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることを検出する検出手段とを備え、前記制御手段は、前記検出手段により、前記ユーザが設定した機能のためのコマンドが、前記無効な機能を設定するためのコマンドであることが検出された場合に、前記実行手段が前記ユーザにより設定された機能に係る処理を実行しないように制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来技術のビデオ生成ソフトウェアに関する問題は、ユーザによる入力が制限されているため、結果として表現の多様性が制限されてしまうことにある。
その対極にあるのは、映画用のコンピュータ生成アニメーションにおいて用いられるものなど、マニュアルビデオおよび画像の編集および生成ソフトウェアである。かかるソフトウェアによって、ユーザは、任意のタイプのビデオまたは画像を生成することが可能になるが、それは、一般に複雑で時間がかかり、したがって一般ユーザには適していない。
従来技術に関する先行技術文献として以下を開示する。
【特許文献１】国際公開第２００３／０７３３２２Ａ１号パンフレット
【特許文献２】米国特許出願公開第２００８／０３０６９５１号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月12日(2016.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷蔵室及び野菜室を有する冷蔵庫本体と、
この冷蔵庫本体に設けられ前記冷蔵室及び野菜室を冷却するための冷却器と、
この冷却器により生成された冷気を前記冷蔵室及び野菜室内に循環供給するための送風ファンと、
前記野菜室から前記冷蔵室につながる吸込みダクトと、
脱臭除菌成分を発生する静電霧化装置とを備え、
前記静電霧化装置により発生した脱臭除菌成分を、前記冷却器を通さずに前記野菜室に供給すると共に、
前記冷蔵室には、前記送風ファンを回転させることにより、前記脱臭除菌成分を前記吸込みダクトを介して供給し、
前記冷蔵室及び野菜室内の貯蔵物の鮮度を保持することを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
通常の冷却運転中よりも前記冷蔵室又は野菜室の温度の上昇が見込まれる制御状態で、前記静電霧化装置により発生した脱臭除菌成分を、前記冷蔵室及び野菜室に供給することを特徴とする請求項１記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記静電霧化装置による前記冷蔵室及び野菜室に対する脱臭除菌成分の供給がオン・オフされることを特徴とする請求項１又は２記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、冷蔵庫本体に静電霧化装置を備えたものにあって、静電霧化装置により発生した脱臭除菌成分を効果的に冷蔵室及び野菜室に供給することができる冷蔵庫を提供するにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の冷蔵庫は、冷蔵室及び野菜室を有する冷蔵庫本体と、この冷蔵庫本体に設けられ前記冷蔵室及び野菜室を冷却するための冷却器と、この冷却器により生成された冷気を前記冷蔵室及び野菜室内に循環供給するための送風ファンと、前記野菜室から前記冷蔵室につながる吸込みダクトと、脱臭除菌成分を発生する静電霧化装置とを備え、前記静電霧化装置により発生した脱臭除菌成分を、前記冷却器を通さずに前記野菜室に供給すると共に、前記冷蔵室には、前記送風ファンを回転させることにより、前記脱臭除菌成分を前記吸込みダクトを介して供給し、前記冷蔵室及び野菜室内の貯蔵物の鮮度を保持するところに特徴を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明においては、静電霧化装置によって、冷蔵室及び野菜室内にミストを供給することができ、冷蔵室及び野菜室内の除菌や脱臭、貯蔵物の鮮度保持などを図ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の冷蔵庫によれば、冷蔵庫本体にミスト放出手段を備えたものにあって、冷蔵庫本体に静電霧化装置を備えたものにあって、静電霧化装置により発生した脱臭除菌成分を効果的に冷蔵室及び野菜室に供給することができるという優れた効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月20日(2016.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内箱と外箱との間に設けられた断熱パネルが前記内箱と前記外箱との少なくとも一方に接着された断熱箱体と、
放電電極に電圧を印加して前記断熱箱体の内部でナノメータサイズのピーク粒径を有し活性種を含む帯電微粒子水を発生させる発生装置と、
前記断熱パネルは、芯材と、前記芯材を収容して内部が減圧密封される袋体とを備え、前記袋体が、金属層を含み、
前記帯電微粒子水が前記内箱の隙間から前記断熱パネルに到達することを防止する防止手段とを備えることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前記防止手段は、前記隙間を覆う被覆部材であることを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記防止手段は、前記隙間から前記断熱パネルへ至る経路内を冷却する冷却手段又は、前記隙間から前記断熱パネルへ至る経路内を加熱する加熱手段であることを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記断熱パネルは、前記内板及び前記外板の両方に接着されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記断熱パネルが、真空断熱パネルであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本実施形態の冷蔵庫は、内箱と外箱との間に設けられた断熱パネルが前記内箱と外箱との少なくとも一方に接着された断熱箱体と、放電電極に電圧を印加して前記断熱箱体の内部でナノメータサイズのピーク粒径を有し活性種を含む帯電微粒子水を発生させる発生装置と、前記断熱パネルは、芯材と、前記芯材を収容して内部が減圧密封される袋体とを備
え、前記袋体が、金属層を含み、前記帯電微粒子水が前記内箱の隙間から前記断熱パネルに到達することを防止する防止手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンのロータディスクに設けられたタービン翼を固定するための翼溝部をフェイズドアレイ法により検査するためのタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法において、
それぞれ超音波を発信可能な複数の振動子を含むフェイズドアレイ探触子を、前記複数の振動子が前記ロータディスクの周方向に沿って並んだ並列状態で前記ロータディスクの端面に配置する配置工程と、
前記並列状態にある前記複数の振動子から、前記複数の振動子の各々の超音波発信時期を第１の発信パターンで制御した状態で超音波を発信させ、該超音波の反射波を受信する第１の送受信工程と、
前記並列状態にある前記複数の振動子から、前記複数の振動子の各々の超音波発信時期を前記第１の発信パターンとは異なる第２の発信パターンで制御した状態で超音波を発信させ、該超音波の反射波を受信する第２の送受信工程と、
を備え、
前記タービンのロータディスクに設けられたタービン翼を固定するための翼溝部は、前記ロータディスクの軸方向から逸れて円弧状に延びている
ことを特徴とするタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法。
【請求項２】
前記複数の振動子の各々は、超音波を発信可能な発信面を有し、
前記発信面は、前記複数の振動子の配列方向よりも該配列方向と交差する方向に長く、且つ、該発信面から発信された超音波が１つの焦点に収束するように、前記配列方向と交差する方向にて中央部が凹んだ凹面形状を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法。
【請求項３】
前記探触子を前記ロータディスクの半径方向に沿って移動させる半径方向移動工程を更に備え、
前記半径方向移動工程の前及び後に、前記第１の送受信工程及び前記第２の送受信工程を実行する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法。
【請求項４】
前記翼溝部の大きさ又は形状に応じて、前記フェイズドアレイ探触子に含まれる前記複数の振動子の数を調整する調整工程を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法。
【請求項５】
前記複数の振動子の各々は前記超音波の反射波を受信可能である
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法。
【請求項６】
前記超音波の反射波を受信するための複数の受信用振動子を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷方法に用いられる、タービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷装置において、
前記複数の振動子を含む前記フェイズドアレイ探触子と、
前記フェイズドアレイ探触子を、前記複数の振動子が前記ロータディスクの半径方向に並んだ状態で支持するように構成され、且つ、前記フェイズドアレイ探触子を前記ロータディスクの周方向に沿って移動可能に支持するように構成された探触子支持装置と、
を備えることを特徴とするタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷装置。
【請求項８】
前記ロータディスクを回転可能に支持するロータディスク支持装置を更に備え、
前記探触子支持装置は、
走行可能な台車と、
前記台車に搭載された伸縮可能な支柱と、
前記支柱によって鉛直面内で回動可能に支持された伸縮可能なアームとを含み、
前記フェイズドアレイ探触子は、前記アーム及び支柱を介して前記台車により支持されている
ことを特徴とする請求項７に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷装置。
【請求項９】
前記フェイズドアレイ探触子と前記アームの先端との間に設けられ、前記フェイズドアレイ探触子を回動可能に支持する枠体と、
前記枠体と前記フェイズドアレイ探触子との間に設けられ、前記フェイズドアレイ探触子を前記ロータディスクの端面に向かって押し付けるための弾性部材とを更に備える
ことを特徴とする請求項８に記載のタービンロータディスクの翼溝部の超音波探傷装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方が開放されたＵ字形状を有する電流路と、
前記電流路のＵ字形状の対称軸を挟んで配設され、前記電流路を流れる電流による磁気を検出する一対の磁電変換素子とを備え、
前記一対の磁電変換素子を直列接続し、前記一対の磁電変換素子の接続点から信号を取り出し可能なハーフブリッジ回路が形成され、
前記一対の磁電変換素子の感度軸が前記対称軸と直交する同一の方向を向いており、
前記一対の磁電変換素子の感度影響軸が前記対称軸と平行な同一の方向を向いていることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記磁電変換素子は、ハードバイアス層を備えた磁気抵抗素子であり、前記磁電変換素子の前記感度影響軸は、前記ハードバイアス層からのバイアス磁界の方向を向いていることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記ハーフブリッジ回路を２つ有しており、前記２つのハーフブリッジ回路を並列に接続してフルブリッジ回路が形成され、
一方のハーフブリッジ回路の一対の磁電変換素子の感度軸と他方のハーフブリッジ回路の一対の磁電変換素子の感度軸とが逆方向を向いていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記磁電変換素子に対して前記感度軸方向から入る外部磁界を遮蔽する磁気シールド部材を備えたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電流センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この課題を解決するために、本発明の電流センサは、一方が開放されたＵ字形状を有する電流路と、前記電流路のＵ字形状の対称軸を挟んで配設され、前記電流路を流れる電流による磁気を検出する一対の磁電変換素子とを備え、前記一対の磁電変換素子を直列接続し、前記一対の磁電変換素子の接続点から信号を取り出し可能なハーフブリッジ回路が形成され、前記一対の磁電変換素子の感度軸が前記対称軸と直交する同一の方向を向いており、前記一対の磁電変換素子の感度影響軸が前記対称軸と平行な同一の方向を向いていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地震や嵐などで、送電線が破損するような、外部要因に依る突然の負荷遮断時、炉心のクールダウンまでの間、発電機の電力を海水に浸かった抵抗器に流す、原子力発電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空焚き事故で、燃料棒が溶融して落下する場合、緊急用制御棒上に落下する様にした、原子力発電装置。
【請求項２】
緊急用制御棒は、溶融して落下する、液体化した燃料棒が細分化される様にした、請求項１の装置
【請求項３】
緊急用制御棒は、溶融して落下する、液体化した燃料棒が細分化される様に、上端を尖らせた、請求項１の装置