【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック体であって、
ホスト材料および第一の濃度のドーパントを含有し、前記第一の濃度が、ルミネセンスを生じさせるために有効である、第一の領域と、
前記ホスト材料および第二の濃度の前記ドーパントを含有し、前記第二の濃度が前記第一の濃度より低い、第二の領域とを含み； 
前記第一の領域が、前記第二の領域の平均粒度より大きい平均粒度を有するものであり；ならびに
前記セラミック体が、４５５ｎｍの波長を有する放射線に曝露されたとき、少なくとも０．８０の内部量子効率（ＩＱＥ）を呈示するものであるセラミック体。
【請求項２】
前記ホスト材料が、式Ａ３Ｂ５Ｏ１２（式中、
Ａは、Ｙ、Ｌｕ、Ｃａ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｇｄおよびこれらの組み合わせからなる群より選択され；ならびに
Ｂは、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される）
によって表される、請求項１に記載のセラミック体。
【請求項３】
前記ホスト材料が、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、（Ｙ，Ｔｂ）３Ａｌ５Ｏ１２、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｌｕ２ＣａＭｇ２Ｓｉ３Ｏ１２、Ｌｕ２ＣａＡｌ４ＳｉＯ１２、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＳｒＧａ２Ｓ４、ＣａＡｌＳｉＮ３、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８、およびＣａＳｉＡｌＯＮから選択される、請求項１または２に記載のセラミック体。
【請求項４】
前記ホスト材料が、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項５】
前記ドーパントが、希土類金属である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項６】
前記ドーパントが、Ｃｅ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｅｕおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項７】
前記ドーパントがＣｅである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項８】
前記第一の領域が、５μｍから１００μｍの平均粒度を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項９】
前記第二の領域が、３０μｍ未満の平均粒度を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１０】
前記第二のドーパント濃度が、０．２ａｔ％以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１１】
前記第一の濃度のドーパントの、前記第二の濃度のドーパントに対する比が、４：１から１：１の範囲内である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１２】
前記第一の領域が、前記セラミック体の中心コアを含有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１３】
前記第二の領域が、前記セラミック体の外周部分を含有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１４】
前記第一の領域が、前記第二の領域に隣接する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１５】
前記セラミック体が、前記ホスト材料と第三の濃度の前記ドーパントとを含有する第三の領域をさらに含み、前記第三の濃度が、前記第一の濃度より低く、前記第一の領域が、前記第三の領域の平均粒度より大きい平均粒度を有し、および前記第一の領域が、前記第二の領域と第三の領域の間にある、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１６】
前記第二の領域が、前記セラミック体の第一の表面を含み；
前記第三の領域が、前記セラミック体の第二の表面を含み；
前記第一および第二の表面が、前記セラミック体の反対側にある、
請求項１５に記載のセラミック体。
【請求項１７】
前記第一、第二および第三の領域が、別々の層である、請求項１５〜１６のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１８】
前記第三の領域が、３０μｍ未満の平均粒度を有する、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項１９】
前記第三のドーパント濃度が、０．２ａｔ％以下である、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項２０】
前記第一の濃度のドーパントの、前記第三の濃度のドーパントに対する比が、４：１から１：１の範囲内である、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載のセラミック体。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載のセラミック体の形成方法であって、
組立体を形成する工程を含み、前記組立体を形成する工程が、
ホスト材料、ホスト材料前駆体またはこれらの組み合わせを含有する第一のノンドープ層を用意する工程であって、前記第一のノンドープ層が４０μｍから８００μｍの範囲内の厚みを有するものである工程；
前記第一のノンドープ層上にドープ層を堆積させる工程であって、前記ドープ層が、１０μｍから４００μｍの範囲内の厚みを有し、およびホスト材料、ホスト材料前駆体またはこれらの組み合わせと、ドーパントとを含有するものである工程；および
前記組立体を焼結して、第一の領域と第二の領域とを含む前記セラミック体を形成する工程であって、前記第一の領域の平均粒度が前記第二の領域の平均粒度より大きく、
前記第一の領域が、ルミネセンスを生じさせるために有効である第一の濃度のドーパントを含有し、および前記第二の領域が、前記第一のドーパント濃度より低い第二の濃度のドーパントを含有するものである工程
を含む方法。
【請求項２２】
前記ドープ層の上に第二のノンドープ層を堆積させる工程をさらに含み、前記第二のノンドープ層が、前記ホスト材料、前記ホスト材料前駆体またはこれらの組み合わせを含有し、ならびに前記第一および第二のノンドープ層が、各々独立して、４０μｍから４００μｍの範囲内の厚みを有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記組立体が、減圧下で焼結される、請求項２１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記減圧が、１００Ｔｏｒｒ以下である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記組立体を焼結する工程が、１０００℃から１９５０℃の範囲内の温度での少なくとも２時間の前記組立体の加熱を含む、請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記温度が、１３００℃から１８００℃の範囲内である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記組立体が、前記温度で少なくとも５時間加熱される、請求項２５〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記組立体が、前記温度で６０時間以下加熱される、請求項２５〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記ドープ層が、４０μｍから８０μｍの範囲内の厚みを有する、請求項２１〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記第一のノンドープ層の厚みが、前記第二のノンドープ層の厚みとほぼ同じであり；ならびに
前記第一のノンドープ層の厚みおよび前記第二のノンドープ層の厚みの各々が、前記ドープ層の厚みより厚い、
請求項２２〜２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
前記組立体が、１００μｍから１ｍｍの範囲内の全厚を有する、請求項２１〜３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
前記ドープ層が、０．１ａｔ％から５ａｔ％のドーパントを含有する、請求項２１〜３１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
照明装置であって、
青色放射線を放射するように構成されている光源と、
請求項１〜２０のいずれか一項に記載のセラミック体
とを含み、
前記セラミック体が、前記青色放射線の少なくとも一部分を受けるように構成されているものである、照明装置。