(57)【要約】【課題】アジポニトリルの製造の間における二度のヒドロシアン化の触媒循環の接続が可能である、１，３−ブタジエンの二度のヒドロシアン化によるアジポニトリルの一体化された製造方法を提供する。【解決手段】第１の処理工程で、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で１，３−ブタジエンを３−ペンテンニトリルへヒドロシアン化し、  第２の処理工程で、少なくとも１種類のルイス酸を添加した少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で３−ペンテンニトリルをアジポニトリルへヒドロシアン化することによる、１，３−ブタジエンを触媒でヒドロシアン化するアジポニトリルの製造方法であって、  特定の処理工程の少なくとも一部で用いられる少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を他の処理工程へ移す方法。【選択図】なし
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理工程で、１，３−ブタジエンを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化して３−ペンテンニトリルとし、
第２の処理工程で、３−ペンテンニトリルを少なくとも１種類のルイス酸を添加した少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化してアジポニトリルとする、
１，３−ブタジエンを触媒でヒドロシアン化するアジポニトリルの製造方法であって、
特定の処理工程の少なくとも一部で用いた少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、それぞれ他の処理工程へ移す方法。
【請求項２】
以下の処理工程：
（ａ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化して、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、２−メチル−３−ブテンニトリル、メチルグルタロニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１を得る工程、
（ｂ）少なくとも１種類のニッケル（０）触媒をヒドロシアン化流１から除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１、ならびに３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流２を得る工程、
（ｃ）触媒流１中の少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、新たな配位子を添加してニッケル触媒の還元合成により再生して触媒流２を得る工程、
（ｄ）少なくとも１種類のルイス酸、少なくとも一部が触媒流２から生じる前記ニッケル（０）触媒および前記ルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化し、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、アジポニトリルおよび少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３を得る工程、
（ｅ）ヒドロシアン化流３から少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、有機溶媒を用いる抽出によって除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流３、およびアジポニトリルを含む生成物流を得、触媒流３の少なくとも一部が処理工程（ａ）へ再利用することができる工程、
を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
以下の処理工程：
（ａ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化して、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、メチルグルタロニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１を得る工程、
（ａ’）ヒドロシアン化流１中に含まれる２−メチル−３−ブテンニトリルを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で３−ペンテンニトリルに異性化し、２−メチル−３−ブテンニトリルが減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１を得る工程、
（ｂ）少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を異性化流１から除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１、ならびに３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流２を得る工程、
（ｃ）触媒流１中の少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、新たな配位子を添加してニッケル触媒の還元合成により再生して触媒流２を得る工程、
（ｄ）少なくとも１種類のルイス酸、少なくとも一部が触媒流２から生じる前記ニッケル（０）触媒および前記ルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化し、アジポニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒および少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３を得る工程、
（ｅ）ヒドロシアン化流２から少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、有機溶媒を用いる抽出によって除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流３、およびアジポニトリルを含む生成物流を得、触媒流３の少なくとも一部が処理工程（ａ）へ再利用することができる工程、
を特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
さらなる処理工程（ｆ）において、ヒドロシアン化流２を分離し、３−ペンテンニトリルリッチ流４および２−メチル−ブテンニトリルリッチ流５を得る請求項３に記載の方法。
【請求項５】
３−ペンテンニトリルリッチ流４を処理工程（ｄ）へ導入する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５を処理工程（ａ’）へ導入する請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
新たなルイス酸ならびに新たなニッケル（０）触媒および／または還元再生されたニッケル（０）触媒が用いた場合に、最初の実施において、処理の順序が処理工程（ｄ）で始まる請求項２〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
処理工程（ｄ）においてヒドロシアン化された３−ペンテンニトリルが、ヒドロシアン化流１または異性化流１から生じる請求項２〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
触媒流２のごく一部が処理工程（ｄ）におけるヒドロシアン化に使用され、触媒流２の残部がバイパス流１として処理工程（ｅ）へ直接、導入される請求項２〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
触媒流２のごく一部が処理工程（ｄ）におけるヒドロシアン化に使用され、触媒流２の残部がバイパス流１’として処理工程（ａ’）へ直接、導入される請求項３〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
触媒流３のごく一部が処理工程（ａ）におけるヒドロシアン化に使用され、触媒流３の残部がバイパス流２として処理工程（ａ’）へ直接、導入される請求項３〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
新たなニッケル（０）触媒および／または還元再生されたニッケル（０）触媒が処理工程（ｃ）へ供給される、請求項２〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
連続的に実施される、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３−ブタジエンを触媒でヒドロシアン化することによるアジポニトリルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アジポニトリルは、１，３−ブタジエンの二重のヒドロシアン化によって得られる、ナイロン製造において重要な出発物質である。最初のヒドロシアン化において、１，３−ブタジエンはヒドロシアン化されて３−ペンテンニトリルとなり、得られる副生成物は主に２−メチル−３−ブテンニトリル、２−ペンテンニトリル、Ｃ9ニトリル類およびメチルグルタロニトリルである。２回目の、それに続くヒドロシアン化では、３−ペンテンニトリルをシアン化水素と反応させてアジポニトリルを得る。双方のヒドロシアン化は、ニッケル（０）リン錯体で触媒される。さらに、ルイス酸、例えばＺｎＣｌ2、ＦｅＣｌ2、Ｅｔ2ＡｌＣｌ、Ｅｔ3Ａｌ2Ｃｌ3またはＥｔＡｌＣｌ2を、３−ペンテンニトリルの２回目のヒドロシアン化に加える。
【０００３】
アジポニトリルを調製するための既存の方法は、個別のヒドロシアン化で用いた触媒を、通常、特定のヒドロシアン化へ再利用する。しかし、１，３−ブタジエンをヒドロシアン化することおよびそれに続いて得られた３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化することによってアジポニトリルを調製するための既存の方法は、２回のヒドロシアン化で用いられる触媒回路間に何の関連も示さない。しかしながら、これは、プロセス経済学的な理由で有利である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明の目的は、アジポニトリルの製造の間における二度のヒドロシアン化の触媒循環の接続が可能である、１，３−ブタジエンの二度のヒドロシアン化によるアジポニトリルの一体化された製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本目的の達成は、第１の処理工程で、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で１，３−ブタジエンを３−ペンテンニトリルにヒドロシアン化し、第２の処理工程で、少なくとも１種類のルイス酸を添加した少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化してアジポニトリルを得ることによる、１，３−ブタジエンを触媒でヒドロシアン化することによるアジポニトリルの製造方法から始まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の方法は、特定の処理工程の少なくとも一部で用いた少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を他の処理工程へ移すことを有する。
【０００７】
上記の触媒流の接続によって、経済的に実現可能なアジポニトリルの製造を可能にする。
【０００８】
本発明の特に好ましい実施形態では、本発明の方法は、以下の処理工程：
（ａ）触媒として少なくとも１種類のニッケル（０）錯体で１，３−ブタジエンをヒドロシアン化して、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、メチルグルタロニトリル、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１を得る工程、
（ｂ）少なくとも１種類のニッケル（０）触媒をヒドロシアン化流１から除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１、ならびに３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリルおよびＣ9ニトリル類を含むヒドロシアン化流２を得る工程、
（ｃ）触媒流１中の少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、新たな配位子を添加してニッケル触媒の還元合成によって再生して触媒流２を得る工程、
（ｄ）少なくとも１種類のルイス酸、少なくとも一部が触媒流２から生じるニッケル（０）触媒およびルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化し、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、アジポニトリルおよび少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３を得る工程、
（ｅ）ヒドロシアン化流３から少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、有機溶媒を用いる抽出によって除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流３、およびアジポニトリルを含む生成物流を得、触媒流３を少なくとも一部が処理工程（ａ）へ再利用することができる工程、
を特徴とする。
【０００９】
本発明において、２−ペンテンニトリルとは、２−ペンテンニトリルの異性体をも意味する。
【００１０】
本発明において、２−メチル−２−ブテンニトリルとは、２−メチル−２−ブテンニトリルの異性体をも意味する。
【００１１】
処理工程（ａ）は、少なくとも１種類の触媒での１，３−ブタジエンのシアン化水素との反応を含む。用いられる触媒は、均一に溶解された触媒が好ましい。均一に溶解されたニッケル（０）触媒の使用が特に好ましい。
【００１２】
特に好ましく用いられるニッケル（０）触媒錯体は、リン配位子で安定化されているのが好ましい。
【００１３】
リン配位子および／または遊離リン配位子を含むＮｉ（０）錯体は、均一に溶解されたニッケル（０）錯体であるのが好ましい。
【００１４】
ニッケル（０）錯体のリン配位子および遊離リン配位子は、単座または二座のホスフィン類、ホスフィット類、ホスフィニット類およびホスホニット類から選択されるのが好ましい。
【００１５】
これらのリン配位子は、好ましくは、式Ｉ：
【００１６】
【化１】
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を有する。
【００１７】
本発明において、化合物Ｉは、単一の化合物または上述の式の異なる化合物からなる混合物である。
【００１８】
本発明によれば、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3は、各々独立に酸素または単結合である。Ｘ1基、Ｘ2基およびＸ3基が全て単結合である場合、化合物Ｉは、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の定義が本明細書に特定されている式Ｐ（Ｒ1Ｒ2Ｒ3）のホスフィンである。
【００１９】
Ｘ1基、Ｘ2基およびＸ3基のうちの２個が単結合であって１個が酸素である場合、化合物Ｉは、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の定義が本明細書に特定されている式Ｐ（ＯＲ1）（Ｒ2）（Ｒ3）またはＰ（Ｒ1）（ＯＲ2）（Ｒ3）またはＰ（Ｒ1）（Ｒ2）（ＯＲ3）のホスフィニットである。
【００２０】
Ｘ1基、Ｘ2基およびＸ3基のうちの１個が単結合であって２個が酸素である場合、化合物Ｉは、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の定義が本明細書に特定されている式Ｐ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（Ｒ3）またはＰ（Ｒ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）またはＰ（ＯＲ1）（Ｒ2）（ＯＲ3）のホスホニットである。
【００２１】
好ましい実施形態では、化合物Ｉが有利にＲ1、Ｒ2およびＲ3の定義が本明細書に特定されている式Ｐ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）のホスフィットであり、したがってＸ1基、Ｘ2基およびＸ3基は全て酸素である。
【００２２】
本発明によれば、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は各々独立に同一または異なる有機基である。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立に、好ましくは１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、アリール基、例えばフェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、１−ナフチル、２−ナフチル、または、好ましくは１〜２０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基、例えば１，１’−ビフェノール、１，１’−ビナフトールである。Ｒ1基、Ｒ2基およびＲ3基は、互いに直接、すなわち全く中心のリン原子を介さずに、結合してもよい。好ましくは、互いに直接結合していないＲ1基、Ｒ2基およびＲ3基である。
【００２３】
好ましい実施形態では、Ｒ1基、Ｒ2基およびＲ3基は、フェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリルおよびｐ−トリルからなる群より選択される基である。特に好ましい実施形態では、Ｒ1基、Ｒ2基およびＲ3基のうち最大２個までがフェニル基である。
【００２４】
もう１つの好ましい実施形態では、Ｒ1基、Ｒ2基およびＲ3基のうち最大２個までがｏ−トリル基である。
【００２５】
用いられる特に好ましい化合物Ｉは、式Ｉａ：
【００２６】
【化２】
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【００２７】
（式中、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは各々が自然数であり、次の条件が適用される：
ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝３および  ｗ、ｚ≦２）
の化合物である。
【００２８】
このような化合物Ｉの例は、（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）2Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（フェニル−０−）2Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）2Ｐ、（ｐ−トリル−Ｏ−）2（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）2（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）2（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−０−）（フェニル−０−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−０−）（フェニル−Ｏ）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｐ−トリル−Ｏ−）3Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−０−）2Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）2Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）2（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）2（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）3Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）2Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）2（ｍ−トリル−Ｏ−）Ｐまたはこのような化合物の混合物である。
【００２９】
（ｍ−トリル−Ｏ−）3Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）2（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）2Ｐおよび（ｐ−トリル−Ｏ−）3Ｐを含む混合物は、例えば、粗油状物質の蒸留加工によって得られたｍ−クレゾールおよびｐ−クレゾールを、特にモル比２：１で含む混合物を三ハロゲン化リン、例えば三塩化リンと反応させることによって得ることができる。
【００３０】
別の、同様に好ましい実施形態では、リン配位子は、ドイツ国特許第ＤＥ−Ａ  １９９  ５３  ０５８号に詳細に記載される、式Ｉｂのホスフィットである。：
【００３１】
【化３】
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【００３２】
（式中、
Ｒ1：リン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位にＣ1〜Ｃ18−アルキル置換基を有する、またはリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位に芳香族置換基を有する、またはリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位に縮合した芳香族基を有する芳香族基、
Ｒ2：リン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｍ位にＣ1〜Ｃ18−アルキル置換基を有する、またはリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｍ位に芳香族置換基を有する、またはリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｍ位に縮合した芳香族基を有する芳香族基（該芳香族基はリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位に水素原子を有する）、
Ｒ3：リン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位にＣ1〜Ｃ18−アルキル置換基を有する、またはリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位に芳香族置換基を有する、芳香族基（該芳香族基はリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位に水素原子を有する）、
Ｒ4：リン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位、ｍ位およびｐ位にＲ1、Ｒ2およびＲ3に定義されたもの以外の置換基を有する芳香族基（該芳香族基はリン原子と芳香族基とを結合させる酸素原子に対するｏ位に水素原子を有する）
ｘ：１または２、
ｙ、ｚ、ｐ：それぞれ独立して０、１または２（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３））
式Ｉｂの好ましいホスフィットは、ＤＥ−Ａ  １９９  ５３  ０５８から得ることができる。Ｒ1基は、有利には、ｏ−トリル基、ｏ−エチルフェニル基、ｏ−ｎ−プロピルフェニル基、ｏ−イソプロピルフェニル基、ｏ−ｎ−ブチルフェニル基、ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、（ｏ−フェニル）フェニル基または１−ナフチル基であってよい。
【００３３】
好ましいＲ2基は、ｍ−トリル基、ｍ−エチルフェニル基、ｍ−ｎ−プロピルフェニル基、ｍ−イソプロピルフェニル基、ｍ−ｎ−ブチルフェニル基、ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、（ｍ−フェニル）フェニル基または２−ナフチル基である。
【００３４】
有利なＲ3基は、ｐ−トリル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｎ−プロピルフェニル基、ｐ−イソプロピルフェニル基、ｐ−ｎ−ブチルフェニル基、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基または（ｐ−フェニル）フェニル基である。
【００３５】
Ｒ4基は、フェニルであるのが好ましい。ｐはゼロであるのが好ましい。化合物Ｉｂにおける指数ｘ、ｙ、ｚおよびｐに関しては以下ものが挙げられる。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
好ましい式Ｉｂのホスフィットは、ｐがゼロであり、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が各々独立にｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリルおよびｐ−トリルから選択され、Ｒ4がフェニルである。
【００３８】
特に好ましい式Ｉｂのホスフィットは、Ｒ1がｏ−イソプロピルフェニル基であり、Ｒ2がｍ−トリル基であり、Ｒ3がｐ−トリル基であるもの（指数は上記表に明記されている）；また、Ｒ1がｏ−トリル基であり、Ｒ2がｍ−トリル基であり、Ｒ3がｐ−トリル基であるもの（指数は表に明記されている）；さらに、Ｒ1が１−ナフチル基であり、Ｒ2がｍ−トリル基であり、Ｒ3がｐ−トリル基であるもの（指数は表に明記されている）；また、Ｒ1がｏ−トリル基であり、Ｒ2が２−ナフチル基であり、Ｒ3がｐ−トリル基であるもの（指数は表に明記されている）；そして最後にＲ1がｏ−イソプロピルフェニル基であり、Ｒ2が２−ナフチル基であり、Ｒ3がｐ−トリル基であるもの（指数は表に明記されている）；ならびにまたこれらのホスフィットの混合物である。
【００３９】
式Ｉｂのホスフィットは、
ａ）三ハロゲン化リンを、Ｒ1ＯＨ、Ｒ2ＯＨ、Ｒ3ＯＨおよびＲ4ＯＨまたはその混合物からなる群より選択されるアルコールと反応させてジハロホスホラスモノエステル（ｄｉｈａｌｏｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  ｍｏｎｏｅｓｔｅｒ）を得る工程、
ｂ）前記ジハロホスホラスモノエステルを、Ｒ1ＯＨ、Ｒ2ＯＨ、Ｒ3ＯＨおよびＲ4ＯＨまたはその混合物からなる群より選択されるアルコールと反応させてモノハロホスホラスジエステル（ｍｏｎｏｈａｌｏｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  ｄｉｅｓｔｅｒ）を得る工程、および
ｃ）前記モノハロホスホラスジエステルを、Ｒ1ＯＨ、Ｒ2ＯＨ、Ｒ3ＯＨおよびＲ4ＯＨまたはその混合物からなる群より選択されるアルコールと反応させて式Ｉｂのホスフィットを得る工程によって、得られる。
【００４０】
反応は、３つの別個の工程で実施してよい。同様に、３つの工程のうちの２つを組合せてもよい（すなわち、ａ）とｂ）またはｂ）とｃ））。あるいは、ａ）、ｂ）およびｃ）の全ての工程を一緒に組合せてもよい。
【００４１】
適したパラメータおよびＲ1ＯＨ、Ｒ2ＯＨ、Ｒ3ＯＨおよびＲ4ＯＨまたはその混合物からなる群より選択されるアルコールの量は、いくつかの簡単な予備実験によって容易に決定できる。
【００４２】
有用な三ハロゲン化リンは、基本的に全ての三ハロゲン化リン類であって、それに用いられるハロゲン化物がＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、特にＣｌ、およびその混合物であるものが好ましい。また、三ハロゲン化リンとして、同一にまたは異なってハロゲン置換された種々のホスフィンの混合物を使用することも可能である。ＰＣｌ3が特に好ましい。ホスフィットＩｂの調製における反応条件および加工のための反応条件のさらなる詳細は、ドイツ国特許第ＤＥ−Ａ  １９９  ５３  ０５８号から得ることができる。
【００４３】
また、ホスフィットＩｂは、配位子として、異なるホスフィットＩｂの混合物の形態で用いてもよい。このような混合物は、例えば、ホスフィットＩｂの調製の際に得てもよい。
【００４４】
しかし、多座配位の、特に二座配位のリン配位子が好ましい。従って、用いられる配位子は、式ＩＩを有するのが好ましい。
【００４５】
【化４】
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【００４６】
（式中、
Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23は、各々独立に酸素または単結合であり、
Ｒ11、Ｒ12は、各々独立に同一または異なる、分離するまたは架橋した有機基であり、
Ｒ21、Ｒ22は、各々独立に同一または異なる、分離するまたは架橋した有機基であり、
Ｙは、架橋基である）。
【００４７】
本発明において、化合物ＩＩは単一の化合物であるかまたは上述の式の異なる化合物の混合物である。
【００４８】
好ましい実施形態では、Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23は、各々酸素であってよい。このような場合、架橋基Ｙはホスフィット基と結合する。
【００４９】
もう１つの好ましい実施形態では、Ｘ11、Ｘ12およびＸ13に囲まれたリン原子がホスホニットの中心の原子であるようにするために、Ｘ11およびＸ12が各々酸素であり、かつＸ13が単結合であるか、またはＸ11およびＸ13が各々酸素であり、かつＸ12が単結合であってよい。このような場合、Ｘ21、Ｘ22およびＸ23に囲まれたリン原子がホスフィット、ホスホニット、ホスフィニットまたはホスフィン、好ましくはホスホニットの中心の原子であるようにするために、Ｘ21、Ｘ22およびＸ23が各々酸素であるか、またはＸ21およびＸ22が各々酸素であり、かつＸ23が単結合であるか、またはＸ21およびＸ23が各々酸素であり、かつＸ22が単結合であるか、またはＸ23が酸素であり、かつＸ21およびＸ22が各々単結合であるか、またはＸ21が酸素であり、かつＸ22およびＸ23が各々単結合であるか、またはＸ21、Ｘ22およびＸ23が各々単結合であってよい。
【００５０】
もう１つの好ましい実施形態では、Ｘ11、Ｘ12およびＸ13に囲まれたリン原子がホスホニットの中心の原子であるようにするために、Ｘ13が酸素であり、かつＸ11およびＸ12が各々単結合であるか、またはＸ11が酸素であり、かつＸ12およびＸ13が各々単結合であってよい。このような場合、Ｘ21、Ｘ22およびＸ23に囲まれたリン原子がホスフィット、ホスフィニットまたはホスフィン、好ましくはホスホニットの中心の原子であるようにするために、Ｘ21、Ｘ22およびＸ23が各々酸素であるか、またはＸ23が酸素であり、かつＸ21およびＸ22が各々単結合であるか、またはＸ21が酸素であり、かつＸ22およびＸ23が各々単結合であるか、またはＸ21、Ｘ22およびＸ23が単結合であってよい。
【００５１】
もう１つの好ましい実施形態では、Ｘ11、Ｘ12およびＸ13に囲まれたリン原子がホスフィンの中心の原子であるようにするためにＸ11、Ｘ12およびＸ13は各々単結合であってよい。このような場合、Ｘ21、Ｘ22およびＸ23に囲まれたリン原子がホスフィットまたはホスフィン、好ましくはホスフィンの中心の原子であるようにするために、Ｘ21、Ｘ22およびＸ23が各々酸素であるか、またはＸ21、Ｘ22およびＸ23が各々単結合であってよい。
【００５２】
架橋基Ｙは、好ましくは例えば、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ハロゲン、例えばフッ素、塩素、臭素、ハロゲン化アルキル、例えばトリフルオロメチル、アリール、例えばフェニルによって置換されているアリール基であるのが好ましく、または芳香族基に６〜２０個の炭素原子を有する、置換されていない基、特にピロカテコール、ビス（フェノール）またはビス（ナフトール）であるのが好ましい。
【００５３】
Ｒ11およびＲ12基は、各々独立に同一または異なる有機基であってよい。有利なＲ11およびＲ12基は、非置換であるか、あるいはＣ1−Ｃ4−アルキル、ハロゲン、例えばフッ素、塩素、臭素、ハロゲン化アルキル、例えばトリフルオロメチル、アリール、例えばフェニル、または非置換アリール基でモノ置換またはポリ置換されている、アリール基、好ましくは６〜１０個の炭素原子を有するアリール基である。
【００５４】
Ｒ21およびＲ22基は、各々独立に同一または異なる有機基であってよい。有利なＲ21およびＲ22基は、非置換であるか、あるいはＣ1−Ｃ4−アルキル、ハロゲン、例えばフッ素、塩素、臭素、ハロゲン化アルキル、例えばトリフルオロメチル、アリール、例えばフェニル、または非置換アリール基でモノ置換またはポリ置換されている、アリール基、好ましくは６〜１０個の炭素原子を有するアリール基である。
【００５５】
Ｒ11およびＲ12基は、各々が分離しているか、または架橋していてよい。Ｒ21およびＲ22基も、各々分離しているか、または架橋していてよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ21およびＲ22基は、記載されるように各々が分離しているか、２個が架橋し２個が分離しているか、または４個全てが架橋していてよい。
【００５６】
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，７２３，６４１号に明記される式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶおよびＶの化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，５１２，６９６号に明記される式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩおよびＶＩＩの化合物、特にその実施例１〜３１で用いられる化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，８２１，３７８号に明記される式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶおよびＸＶの化合物、特にその実施例１〜７３で用いられる化合物である。
【００５７】
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，５１２，６９５号に明記される式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、ＶおよびＶＩの化合物、特にその実施例１〜６で用いられる化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，９８１，７７２号に明記される式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩおよびＸＩＶ、特にその実施例１〜６６で用いられる化合物である。
【００５８】
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第６，１２７，５６７号に明記される化合物およびその実施例１〜２９で用いられる化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第６，０２０，５１６号に明記される式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸおよびＸの化合物、特にその実施例１〜３３で用いられる化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，９５９，１３５号に明記される化合物、およびその実施例１〜１３で用いられる化合物である。
【００５９】
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，８４７，１９１号に明記される式Ｉ、ＩＩおよびＩＩＩの化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、米国特許第５，５２３，４５３号に明記される化合物、特にその式１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０および２１で説明されている化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ＷＯ  ０１／１４３９２号に明記される化合物、好ましくは、その式Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶ、ＸＶＩ、ＸＶＩＩ、ＸＸＩ、ＸＸＩＩ、ＸＸＩＩＩで説明されている化合物である。
【００６０】
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ＷＯ  ９８／２７０５４号に明記される化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ＷＯ  ９９／１３９８３号に明記される化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ＷＯ  ９９／６４１５５号に明記される化合物である、
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ドイツ国特許出願第ＤＥ  １００  ３８０  ３７号に明記される化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ドイツ国特許出願第ＤＥ  １００  ４６０  ２５号に明記される化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ドイツ国特許出願第ＤＥ  １０１  ５０２  ８５号に明記される化合物である。
【００６１】
特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ドイツ国特許出願第ＤＥ  １０１  ５０２  ８６号に明記される化合物である。特に好ましい実施形態では、有用な化合物は、ドイツ国特許出願第ＤＥ  １０２  ０７１  ６５号に明記される化合物である。本発明のさらに特に好ましい実施形態では、有用なリンキレート配位子は、米国特許第２００３／０１００４４２  Ａ１号に明記されるリンキレート配位子である。
【００６２】
本発明のさらに特に好ましい実施形態では、有用なリンキレート配位子は、優先日は早いが本願の優先日の時点で公開されていない２００３年１０月３０日付けのドイツ国特許出願参照番号第ＤＥ  １０３  ５０  ９９９．２に明記されるリンキレート配位子である。
【００６３】
記載される化合物Ｉ、Ｉａ、ＩｂおよびＩＩならびにその調製はそれ自体が既知である。用いられるリン配位子は、化合物Ｉ、Ｉａ、ＩｂおよびＩＩの少なくとも２種類を含んでなる混合物であってもよい。
【００６４】
本発明の方法の特に好ましい実施形態では、ニッケル（０）錯体のリン配位子および／または遊離リン配位子は、トリトリルホスフィット、二座配位リンキレート配位子および式１ｂ：
【００６５】
【化５】
2007519663.tif 000008
【００６６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立にｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリルおよびｐ−トリルから選択され、Ｒ4はフェニルであり；ｘは１または２であり、かつｙ、ｚ、ｐは各々独立に０、１または２である（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３））のホスフィット；およびその混合物から選択される。
【００６７】
ヒドロシアン化は、溶媒の存在下または不在下で実施することができる。溶媒を用いる場合、溶媒は所与の反応温度および所与の反応圧力で液体であり、不飽和化合物および少なくとも１種類の触媒に対して不活性であるべきである。概して、用いる溶媒は、炭化水素類、例えばベンゼンまたはキシレン、あるいはニトリル類、例えばアセトニトリルまたはベンゾニトリルである。しかし、溶媒として配位子を用いることが好ましい。複数の、例えば２種類または３種類の溶媒を用いることも可能である。
【００６８】
処理工程（ａ）で用いる触媒は、例えば、触媒の還元合成によって調製できる。この目的のため、ニッケル（ＩＩ）源を、例えば、米国特許第６，１２７，５６７号およびそこに引用されている参照文献、ならびにまたＢＡＳＦ社に帰属するドイツ国特許出願第ＤＥ  １０３  ５１  ０００．１号、同ＤＥ  １０３  ５１  ００２．８号および同ＤＥ  １０３  ５１  ００３．６号に記載される既知の方法によって、配位子と反応させてニッケル（０）錯体を得る。
【００６９】
本発明の方法の処理工程（ａ）は、当業者に既知の任意の適した装置で実施してよい。この反応に有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ  Ｅｄ．Ｖｏｌ．２０，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ  １９９６、１０４０〜１０５５頁に記載される、この目的のために慣用される装置、例えば攪拌槽反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、気泡塔反応器または管型反応器であり、いずれの場合にも適切であれば装置を用いて反応の熱を取り除いてよい。反応は、複数の、例えば２つまたは３つの装置で実施してよい。
【００７０】
本発明の方法の好ましい実施形態では、有利な反応装置は、逆混合特性を有する反応装置または反応装置の電池が逆混合特性を有する反応装置であることが見出されている。特に有利な逆混合特性を有する反応装置の電池は、シアン化水素の計量に関して直交流型で動作する電池であることが見出されている。
【００７１】
反応はバッチ式、連続式、または半回分式運転で実施してよい。
【００７２】
ヒドロシアン化を連続的に１またはそれ以上の攪拌処理工程で実施することが好ましい。複数の処理工程を用いる場合、連続して接続されている処理工程が好ましい。その場合、生成物は１つの処理工程から直接次の処理工程へ移される。シアン化水素は直接第１の処理工程へ供給されるか、または個別の処理工程間で供給されうる。
【００７３】
本発明の方法を半回分式運転で実施する場合、反応装置に最初に触媒成分および１，３−ブタジエンを充填し、シアン化水素を反応時間の間に計量して反応混合物中に入れるのが好ましい。
【００７４】
ヒドロシアン化反応は、装置に全ての反応物質を充填することによって実施してよい。しかし、装置には少なくとも１種類の触媒、１，３−ブタジエンおよび、適切であれば、溶媒を充填するのが好ましい。ガス状のシアン化水素は、反応混合物の表面上に浮くか、反応混合物を流過するのが好ましい。装置を充填するさらなる手順は、装置に少なくとも１種類の触媒、シアン化水素および、適切であれば溶媒を注ぎ、徐々に１，３−ブタジエンを反応混合物中に計量して入れることである。あるいは、反応物質を反応装置へ導入し、反応混合物を反応温度まで上げ、その時点でシアン化水素を液状の混合物に添加することも可能である。さらに、反応温度まで加熱する前にシアン化水素を添加してもよい。反応は、温度、環境、反応時間などに関して、従来のヒドロシアン化条件下で実施される。
【００７５】
反応は、好ましくは、０．１〜５００ＭＰａ、より好ましくは０．５〜５０ＭＰａ、特に１〜５ＭＰａの圧力で実施する。反応は、好ましくは２７３〜４７３Ｋ、より好ましくは３１３〜４２３Ｋ、特に３３３〜３９３Ｋの温度で実施する。液体反応装置相の有利な平均滞留時間は、反応装置毎に０．００１〜１００時間、好ましくは０．０５〜２０時間、より好ましくは０．１〜５時間の範囲であることが見出されている。
【００７６】
一実施形態では、反応は、ガス相および、適切であれば、固体の懸濁した相の存在下で、液相中で行われる。出発物質、シアン化水素および１，３−ブタジエンは、各々液体またはガス形態で計量してよい。
【００７７】
さらなる実施形態では、反応は、液相中で実施してよく、この場合の反応装置中の圧力は全ての供給原料、例えば１，３−ブタジエン、シアン化水素および少なくとも１種類の触媒が液体の形態で計量され、反応混合中の液相に存在するような圧力である。固体懸濁相は、反応混合物中に存在してよく、また、例えば、とりわけニッケル（ＩＩ）化合物を含んでなる触媒系の分解生成物からなる少なくとも１種類の触媒とともに計量されうる。
【００７８】
処理工程（ａ）において、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、メチルグルタロニトリル、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含むヒドロシアン化流１が得られる。このヒドロシアン化流１は、少なくとも１種類の触媒を１〜８０質量％、より好ましくは１０〜５０質量％、１，３−ブタジエンを０．１〜５０質量％、より好ましくは１〜２５質量％、トランス−３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリルおよびまたさらにペンテンニトリル異性体を含んでなるペンテンニトリル類を１〜８０質量％、より好ましくは１０〜５０質量％、ならびにシアン化水素を０．１重量ｐｐｍ〜１０質量％、より好ましくは１０重量ｐｐｍ〜１質量％、ならびにメチルグルタロニトリルを５質量％未満、より好ましくは４質量％未満含むのが好ましい。Ｃ9ニトリル類の量は少ないのが好ましい。
【００７９】
３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、２−ペンテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、メチルグルタロニトリルおよび少なくとも１種類の触媒を含むヒドロシアン化流１はその後処理工程（ｂ）へ移される。
【００８０】
この処理工程（ｂ）において、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒がヒドロシアン化流１から除去される。このことにより少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１が得られる。さらに、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、２−メチル−３−ブテンニトリルおよびメチルグルタロニトリルを含むヒドロシアン化流２が得られる。少なくとも１種類のニッケル（０）触媒の除去は、蒸留によって達成されるのが好ましい。
【００８１】
少なくとも１種類のニッケル（０）触媒のヒドロシアン化流１からの蒸留による除去は、当業者に既知の任意の適した装置で実施してよい。蒸留に適した装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ  Ｅｄ．Ｖｏｌ．２０，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ  １９９６、３３４〜３３８頁に記載される、例えば多孔板塔、泡鐘塔、垂直分割型蒸留塔として動作する規則充填物または不規則充填物を有する塔である。この蒸留装置は、いずれの場合にも適した蒸発用の装置、例えば液膜流下型蒸発装置、薄膜型蒸発装置、多相ヘリカルチューブ蒸発装置（ｍｕｌｔｉｐｈａｓｅ  ｈｅｌｉｃａｌ  ｔｕｂｅ  ｅｖａｐｏｒａｔｏｒｓ）、自然循環型蒸発装置または強制循環型フラッシュ蒸発装置を備えているのが好ましく、また蒸気流を凝縮するための装置も備えているのが好ましい。蒸留は、複数の、例えば２種類または３種類の装置で実施してよい。蒸留は、供給流の部分的な蒸発の場合には１つの工程で達成されうる。蒸留装置の底部温度が１４０℃より低い、好ましくは１３０℃より低い、より好ましくは１２０℃より低い実施形態が特に好ましい。さらに好ましい実施形態は、蒸留装置の底部における平均滞留時間の合計が多くて１０時間、より好ましくは多くて５時間、特に多くて１時間である。上に詳述した２つの特徴を同時に満たす実施形態が特に好ましい。この実施形態は特に穏やかに触媒を扱うことを特徴とする。
【００８２】
次に、処理工程（ｂ）において触媒流１中から取り出された少なくとも１種類のニッケル（０）触媒は、適当であれば新たな配位子およびさらなるルイス酸を添加して、その後処理工程（ｃ）においてニッケル触媒の還元合成によって再生される。
【００８３】
少なくとも１種類のニッケル（０）触媒の再利用は、当業者に既知の適した装置で実施してよい。適した装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ  Ｅｄ．Ｖｏｌ．２０，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ  １９９６、１０４０〜１０５５頁に記載される、この目的のために慣用される装置、例えば攪拌槽反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、気泡塔反応器または管型反応器である。反応は、複数の、例えば２つまたは３つの装置で実施してよい。
【００８４】
ニッケル触媒の還元合成の好ましい実施形態は、優先日は早いが本願の優先日の時点で公開されていない、ＢＡＳＦ社に帰属する、標題「Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎｉｃｋｅｌ（０）−ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  ｌｉｇａｎｄ  ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ」のドイツ国特許出願第ＤＥ  １０３  ５１  ０００．１号に記載されている。これによると、少なくとも１種類のリン配位子の存在下でニッケル（ＩＩ）−エーテル付加物を還元することによってニッケル（０）触媒を調製する。この目的のために用いられるニッケル（ＩＩ）−エーテル付加物は、ハロゲン化ニッケルを水に溶解し、エーテルおよび有機ニトリルと混合し、適当であれば攪拌し、その後水および適当であればエーテルを除去することによって調製するのが好ましい。ニッケル（ＩＩ）−エーテル付加物は、無水であるのが好ましく、好ましい実施形態では、ハロゲン化ニッケルを含む。有用なハロゲン化ニッケルは、塩化ニッケル、臭化ニッケルおよびヨウ化ニッケルである。塩化ニッケルが好ましい。用いられるニッケル（ＩＩ）−エーテル付加物は、酸素を含有するエーテル、硫黄を含有するエーテルまたは混合した酸素と硫黄を含有するエーテルを含むのが好ましい。これは、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ブチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテルおよびトリエチレングリコールジアルキルエーテルからなる群より選択されるのが好ましい。用いられるエチレングリコールジアルキルエーテルは、エチレングリコールジメチルエーテル（１，２−ジメトキシエタン、グリム）およびエチレングリコールジエチルエーテルであるのが好ましい。用いられるジエチレングリコールジアルキルエーテルは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）であるのが好ましい。用いられるトリエチレングリコールジアルキルエーテルは、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグリム）であるのが好ましい。ニッケル（０）錯体を調製するために用いられる還元剤は、ニッケルよりも電気的に陽性の金属、アルキル金属類、電流、錯体水素化物および水素からなる群より選択されるのが好ましい。
【００８５】
さらなる実施形態では、ニッケル（０）触媒を、優先日は早いが本願の優先日の時点で公開されていない、ＢＡＳＦ社に帰属する、標題「Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎｉｃｋｅｌ（０）−ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  ｌｉｇａｎｄ  ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ」のドイツ国特許出願第ＤＥ  １０３  ５１  ００２．８号に記載されている方法によって調製する。これによると、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケルまたはその混合物を含むニッケル（ＩＩ）源を少なくとも１種類のリン配位子の存在下で還元することによってニッケル（０）錯体を調製する。ニッケル（ＩＩ）源は、先に特別に乾燥させずに用いるのが好ましい。調製は、好ましくは、有機ニトリル類、芳香族もしくは脂肪族炭化水素類またはその混合物からなる群より選択される溶媒中で達成されるのが好ましい。用いられる還元剤は、ニッケルよりも電気的に陽性の金属であるのが好ましい。同様に、アルキル金属類、電流、錯体水素化物または水素を用いることも可能である。
【００８６】
さらに、本発明の方法で用いられるニッケル（０）触媒もまた、優先日は早いが本願の優先日の時点で公開されていない、ＢＡＳＦ社に帰属する、標題「Ｕｓｅ  ｏｆ  ａｚｅｏｔｒｏｐｉｃａｌｌｙ  ｄｒｉｅｄ  ｎｉｃｋｅｌ（ＩＩ）  ｈａｌｉｄｅｓ」のドイツ国特許出願第ＤＥ  １０３  ５１  ００３．６号に記載されている方法によって調製してもよい。これによると、少なくとも１種類のリン配位子の存在下で、それが既に水を含む場合は共沸蒸留によって乾燥させた水溶性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）を還元することによって、ニッケル（０）錯体を調製する。ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）は、塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）およびヨウ化ニッケル（ＩＩ）からなる群より選択されるのが好ましい。共沸蒸留によって乾燥させたハロゲン化ニッケル（ＩＩ）は、対応する水溶性ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）から水を除去する方法によって調製するのが好ましく、その方法では、混合物を、その沸点が水の沸点よりも高く（その希釈液が下記の蒸留の圧力条件下で水と共沸しない場合）、水の沸点では液状で存在するか、または下記の蒸留の圧力および温度条件下で水と共沸またはヘテロ共沸する希釈液と混合し、それからこの混合物から水または前記共沸または前記ヘテロ共沸を除去して水溶性ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）および希釈液を含んでなる混合物を蒸留して、ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）および前記希釈液を含んでなる無水の混合物が得る。この混合物は一部の例では懸濁液である。この混合物は、水の残留量が１０００重量ｐｐｍ未満、より好ましくは、５００重量ｐｐｍ未満、特に１００重量ｐｐｍ未満であることを特徴とする。用いられる希釈液は、少なくとも１種類のニトリル基、好ましくはペンテンニトリルを含む有機希釈液であるのが好ましい。対応するニッケル（０）錯体の調製のための還元は、ニッケルよりも電気的に陽性の金属によって達成するのが好ましい。あるいは、アルキル金属類、電流、金属水素化物および水素を用いることも可能である。
【００８７】
上記の特許出願第ＤＥ  １０３  ５１  ０００．１号、同ＤＥ  １０３  ５１  ００２．８号および同ＤＥ  １０３  ５１  ００３．６号に記載の方法で用いられる配位子は既にヒドロシアン化反応で触媒溶液として用いられている配位子溶液中に存在してもよく、従ってニッケル（０）においては減少している。
【００８８】
本発明において、ルイス酸とは、単一のルイス酸または複数の、例えば２種類、３種類もしくは４種類のルイス酸の混合物を指す。
【００８９】
有用なルイス酸は、陽イオンがスカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、亜鉛、ホウ素、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、カドミウム、レニウムおよび錫からなる群より選択される無機金属化合物または有機金属化合物である。例としては、例えば、米国特許第６，１２７，５６７号，同第６，１７１，９９６号および同第６，３８０，４２１号に記載のように、ＺｎＢｒ2、Ｚｎｌ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳＯ4、ＣｕＣｌ2、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（Ｏ3ＳＣＦ3）2、ＣｏＣｌ2、Ｃｏｌ2、Ｆｅｌ2、ＦｅＣｌ3、ＦｅＣｌ2、ＦｅＣｌ2（ＴＨＦ）2、ＴｉＣｌ4（ＴＨＦ）2、ＴｉＣｌ4、ＴｉＣｌ3、ＣｌＴｉ（Ｏ−イソプロピル）3、ＭｎＣｌ2、ＳｃＣｌ3、ＡｌＣｌ3、（Ｃ8Ｈ17）ＡｌＣｌ2、（Ｃ8Ｈ17）2ＡｌＣｌ、（ｉ−Ｃ4Ｈ9）2ＡｌＣｌ、（Ｃ6Ｈ5）2ＡｌＣｌ、（Ｃ6Ｈ5）ＡｌＣｌ2、ＲｅＣｌ5、ＺｒＣｌ4、ＮｂＣｌ5、ＶＣｌ3、ＣｒＣｌ2、ＭｏＣｌ5、ＹＣｌ3、ＣｄＣｌ2、ＬａＣｌ3、Ｅｒ（Ｏ3ＳＣＦ3）3、Ｙｂ（Ｏ2ＣＣＦ3）3、ＳｍＣｌ3、Ｂ（Ｃ6Ｈ5）3、ＴａＣｌ5が挙げられる。また、ＺｎＣｌ2、Ｃｏｌ2およびＳｎＣｌ2などの金属塩、ならびに例えば米国特許第３，４９６，２１７号，同第３，４９６，２１８号および同第４，７７４，３５３号に記載のＲがアルキル基またはアリール基である、ＲＡｌＣｌ2、Ｒ2ＡｌＣｌ、ＲＳｎＯ3ＳＣＦ3およびＲ3Ｂなどの有機金属化合物も有用である。米国特許第３，７７３，８０９号によれば、用いられるプロモーターもまた、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、エルビウム、ゲルマニウム、錫、バナジウム、ニオブ、スカンジウム、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、パラジウム、トリウム、鉄およびコバルト、好ましくは、亜鉛、カドミウム、チタン、錫、クロム、鉄およびコバルトからなる群より選択される陽イオンの形態の金属であってよく、化合物の陰イオン部分は、フッ化物、塩化物、臭化物およびヨウ化物などのハロゲン化物、２〜７個の炭素原子を有する低級脂肪酸の陰イオン、ＨＰＯ32-、Ｈ3ＰＯ2-、ＣＦ3ＣＯＯ-、Ｃ7Ｈ15ＯＳＯ2-またはＳＯ42-からなる群より選択してよい。米国特許第３，７７３，８０９号に開示されるさらに適したプロモーターは、水素化ホウ素、有機水素化ホウ素および式Ｒ3ＢおよびＢ（ＯＲ）3のホウ酸エステル（式中、Ｒは、水素、６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、１〜７個の炭素原子を有するアルキル基で置換されているアリール基および１〜７個の炭素原子を有するアルキル基でシアノ置換されているアリール基、有利にはトリフェニルホウ素からなる群より選択される）である。さらに、米国特許第４，８７４，８８４号に記載のように、触媒系の活性を高めるために、ルイス酸の相乗的に活性のある組み合わせを用いることも可能である。適したプロモーターは、例えば、ＣｄＣｌ2、ＦｅＣｌ2、ＺｎＣｌ2、Ｂ（Ｃ6Ｈ5）3および（Ｃ6Ｈ5）3ＳｎＸ（ＸはＣＦ3ＳＯ3である）、ＣＨ3Ｃ6Ｈ4ＳＯ3または（Ｃ6Ｈ5）3ＢＣＮからなる群より選択してよく、プロモーターとニッケルの特定される好ましい比は、約１：１６〜約５０：１である。
【００９０】
本発明において、ルイス酸という語には、米国特許第３，４９６，２１７号、同第３，４９６，２１８号、同第４，７７４，３５３号、同第４，８７４，８８４号、同第６，１２７，５６７号、同第６，１７１，９９６号および同第６，３８０，４２１号に明記されるプロモーターも含む。
【００９１】
前記のうちで特に好ましいルイス酸は、特に金属塩、より好ましくは、金属ハロゲン化物、例えばフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、特に塩化物であり、そのなかで特に好ましくは、順に亜鉛塩化物、鉄（ＩＩ）塩化物および鉄（ＩＩＩ）塩化物である。
【００９２】
本発明の方法の好ましい実施形態では、その後の処理工程（ｄ）において、ルイス酸、少なくとも一部が触媒流２から生じるニッケル（０）触媒およびルイス酸の存在下でニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化する。これにより、ヒドロシアン化流３が得られる。これには少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、アジポニトリルおよび少なくとも１種類のルイス酸が含まれる。
【００９３】
３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化の有利な条件は、米国特許第６，１２７，５６７号および同第５，６９３，８４３号から得られ、本主題に関するその内容は参照により本発明に組み込まれる。
【００９４】
処理工程（ｄ）は、当業者に既知の任意の適した装置で実施してよい。従ってこの反応に有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ  Ｅｄ．Ｖｏｌ．２０，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ  １９９６、１０４０〜１０５５頁に記載される、慣用されている装置、例えば攪拌槽反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、気泡塔反応器または管型反応器であり、いずれの場合にも適切であれば装置を用いて反応の熱を取り除いてよい。反応は、複数の、例えば２つまたは３つの装置で実施してよい。
【００９５】
本発明の方法の好ましい実施形態では、有利な反応装置は、逆混合特性を有する反応装置または反応装置の電池が逆混合特性を有する反応装置であることが見出されている。特に有利な逆混合特性を有する反応装置の電池は、シアン化水素の計量に関して直交流型で動作する電池であることが見出されている。
【００９６】
適当であれば、触媒流２のごく一部を処理工程（ｄ）のヒドロシアン化に使用することも可能である。次に残りの部分をバイパス流１として直接処理工程（ｅ）へ導く。
【００９７】
その後の処理工程（ｅ）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒をヒドロシアン化流３から除去するのが好ましい。これは有機溶媒での抽出によって達成されるのが好ましい。これにより、少なくとも１種類のニッケル触媒を含む触媒流３およびアジポニトリルを含む生成物流が得られる。
【００９８】
処理工程（ｅ）は、当業者に既知の任意の適した装置で実施してよい。処理工程（ｅ）の抽出は、向流抽出塔、ミキサーセトラーユニットまたはミキサーセトラーユニットと抽出塔の組合せで行われるのが好ましい。特に分散体として金属薄板の充填物を装備した向流抽出塔の使用が特に好ましい。ヒドロシアン化の廃液は固体を含んでいるため、これは意外である。本発明に基づいて、ヒドロシアン化工程（ａ）および／または（ｄ）で形成されたニッケル（ＩＩ）シアン化物を含有する固体は、予想に反して、抽出における条件下で付着物をもたらす傾向がなく、塔内部にそれとわかる沈降物を全く生じないことが見出された。
【００９９】
さらに特に好ましい実施形態では、向流抽出は、区画された攪拌抽出塔で行われる。
【０１００】
好ましい実施形態では、抽出剤を分散相として用い、ヒドロシアン化流３を連続する相として用いる。
【０１０１】
抽出では、抽出する混合物の容積に対する供給される抽出剤の容積の比として計算された０．１〜１０の相比を使用する。好ましい実施形態では、０．４〜２．５の相比で抽出を操作する。好ましい実施形態では、０．７５〜１．５の相比で抽出を操作する。
【０１０２】
処理工程（ｅ）における絶対圧力は、好ましくは０．１〜１０ｂａｒ、より好ましくは０．５〜５ｂａｒ、特に１．０〜２．５ｂａｒである。抽出は、−１５〜１２０℃、より好ましくは０〜６０℃、特に２５〜４５℃の温度で実施するのが好ましい。
【０１０３】
本発明の好ましい実施形態では、抽出剤は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、異性体のＣ６−、Ｃ７−、Ｃ８−、Ｃ９−環状脂肪族、異性体のＣ６−、Ｃ７−、６８−、Ｃ９−イソ脂肪族、シス−、トランス−デカヒドロナフタレンおよびその混合物からなる群より選択される。
【０１０４】
特に好ましい実施形態では、用いられる抽出剤は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンまたはその混合物である。実質的にルイス酸は触媒相に入らない。ここでの実質的とは、ルイス酸を含む特に好ましいキレート配位子錯体であっても、触媒相中のルイス酸の残留濃度は、抽出後の触媒相を基にして、好ましくは３質量％未満、より好ましくは２質量％未満、特に０．５質量％未満であり、抽出の際に非極性の触媒相内に引き込むことができることを意味する。
【０１０５】
用いられる抽出剤は、無水であるのが好ましく、無水とは、本発明において、抽出剤が水を１００ｐｐｍ未満、好ましくは５０ｐｐｍ未満、特に１０ｐｐｍ未満含むことを意味する。抽出剤は当業者に既知の適した方法、例えば、吸着または共沸蒸留によって乾燥してよい。
【０１０６】
抽出剤は、個別の処理工程で共沸蒸留によって乾燥させるのが好ましい。これは、ヘテロ共沸蒸留として蒸留によって達成されるのが好ましい。この処理工程における絶対圧力は、好ましくは０．０１〜１０．０ｂａｒ、より好ましくは０．０５〜５．０ｂａｒ、特に０．１〜１．０ｂａｒである。蒸留は、蒸留装置の底部の温度が好ましくは４０〜２５０℃、より好ましくは５０〜１８０℃、特に６０〜１５０℃であるような方法で実施する。蒸留は、蒸留装置の塔頂部の温度が好ましくは蒸留０〜２００℃、より好ましくは５〜１００℃、特に２０〜５０℃であるような方法で実施する。本発明の方法の好ましい実施形態では、上述の温度範囲が蒸留装置の塔頂部および底部で維持される。抽出剤の共沸蒸留は、内部を分割するものとして特に泡鐘塔、金属薄板の規則充填物、繊維の規則充填物、不規則充填物からなるデュアルフロートレイもしくはベッドを有する蒸留塔内で、適当であれば、場合によって中間抜き出し（ｓｉｄｅ  ｄｒａｗｓ）、有機相を塔へ還流として別々に再利用するための装置を含む、水を除去するための上部コンデンサーの液体抜き出し部の相分離装置、およびまた共沸蒸留に適したさらなる装置を備えた垂直分割型蒸留塔内で達成されるのが好ましい。
【０１０７】
本発明の方法において、処理工程（ｅ）で得られたニッケル（０）触媒、および触媒流３中に存在するニッケル（０）触媒が少なくとも一部が処理工程（ａ）へ再利用されることがさらに好ましい。１，３−ブタジエンのヒドロシアン化の際に残留するルイス酸はメチルグルタロニトリル副生成物の不均衡な形成をもたらすため、ここで、処理工程（ｅ）のルイス酸をニッケル（０）触媒から実質的に完全に除去することが有利である。これは、処理全体の選択感度を低下させるであろう。
【０１０８】
本発明の方法のための新たな触媒または還元によって再生された触媒は、最初に３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化に使用することが有利である。この工程でルイス酸が必要とされ、またルイス酸は触媒の還元合成の副生成物として、例えば、ハロゲン化ニッケルまたはハロゲン化ニッケル−溶媒付加物（好ましくは、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケルからなる群より選択され、より好ましくは塩化ニッケル）および還元金属（好ましくは亜鉛および鉄からなる群より選択される）の混合物から形成されるためである。この件に関して、ＢＡＳＦ社に帰属する上述のドイツ国特許出願第ＤＥ  １０３  ５１  ０００．１号、同第ＤＥ  １０３  ５１  ００２．８号および同第ＤＥ  １０３  ５１  ００３．６号が参照される。
【０１０９】
従って、新たなルイス酸および新たなニッケル（０）触媒および／または還元によって再生されたニッケル（０）触媒を用いる最初の実施において、処理手順は処理工程（ｄ）から開始されるのが特に好ましい。
【０１１０】
処理工程（ｄ）でヒドロシアン化される３−ペンテンニトリルはヒドロシアン化流１から生じるのが特に好ましい。
【０１１１】
本発明の方法のさらに好ましい実施形態では、処理工程（ａ）から生じるヒドロシアン化流１を処理工程（ｂ）の前にさらに異性化工程（ａ’）に付す。この工程では、１，３−ブタジエンのヒドロシアン化で望まれない副生成物として形成され、ヒドロシアン化流１中に存在する２−メチル−３−ブテンニトリルを、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で３−ペンテンニトリルへ異性化する。これは、２−メチル−３−ブテンニトリルの減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１を生じる。このようにして得られた３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１をその後ヒドロシアン化流１の代わりに処理工程（ｂ）で用いる。
【０１１２】
２−メチル−３−ブテンニトリルの異性化に用いられるニッケル（０）触媒は、上記のように、１，３−ブタジエンのヒドロシアン化または３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化のためのニッケル（０）触媒であってよい。
【０１１３】
本発明によれば、
ａ）少なくともニッケル（Ｏ）
ｂ）適当であれば、ニッケル（０）を配位子として錯体を形成し、三価リンを含む化合物
ｃ）適当であれば、１種類のルイス酸
を含む系の存在下で異性化を実施する。
【０１１４】
Ｎｉ（０）を含有する触媒系の調製は、それ自体が既知であり、本発明の目的のため、それ自体が既知である方法によって達成してよい。
【０１１５】
さらに、この系は、少なくとも１個の三価のリン原子を有するニッケル（０）の配位子として適した化合物、またはこのような化合物の混合物をさらに含む。この化合物は、本願においてヒドロシアン化触媒の記述の中で既に論じられている。
【０１１６】
さらに、この系は、適当であれば、既に記載されている１種類のルイス酸を含む。
【０１１７】
本発明によれば、異性化によって直鎖状のペンテンニトリルがもたらされる。
【０１１８】
本発明において、直鎖状のペンテンニトリルとは、単一のこのような異性体または２種類、３種類、４種類もしくは５種類の異なるこのような異性体の混合物を指す。
【０１１９】
直鎖状のペンテンニトリルは、シス−２−ペンテンニトリル、トランス−２−ペンテンニトリル、シス−３−ペンテンニトリル、トランス−３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリルまたはその混合物、好ましくは、シス−３−ペンテンニトリル、トランス−３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリルまたはその混合物、特にシス−３−ペンテンニトリル、トランス−３−ペンテンニトリルまたはその混合物であってよく、これらは、いずれの場合にも個別でも混合物でも、本発明において３−ペンテンニトリルと呼ばれる。
【０１２０】
異性化は、液体希釈液、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、デカヒドロナフタレンなどの炭化水素、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、グリコールジメチルエーテル、アニソールなどのエーテル、例えば、酢酸エチル、メチルベンゾエートなどのエステル、または例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリルの液体希釈液、あるいはこのような希釈液の混合物の存在下で実施してよい。好ましい実施形態では、異性化は、このような液体希釈液の不在下で達成される。
【０１２１】
さらに、本発明の方法の全ての処理工程は、非酸化性雰囲気下で、例えば窒素からなる保護ガス雰囲気下、またはアルゴンなどの希ガス雰囲気下で実施すると有利であることが見出されている。
【０１２２】
本発明によれば、２−メチル−３−ブテンニトリルおよび直鎖状ペンテンニトリルの混合物は適当であれば、異性化の間に反応混合物から回収される。回収された物質は蒸留によるものが有利であろう。
【０１２３】
好ましい実施形態では、２−メチル−３−ブテンニトリルおよび直鎖状のペンテンニトリルを含む流れ、好ましくは２−メチル−３−ブテンニトリルおよび直鎖状のペンテンニトリルからなる流れを、連続的にまたは準連続的に、好ましくは連続的に回収する。また、連続的にまたは準連続的に、好ましくは連続的に、２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流１を供給することも可能である。
【０１２４】
好ましい実施形態では、供給流は、１０〜１００質量％、好ましくは５０〜７５質量％の範囲の含有量で２−メチル−３−ブテンニトリルを含んでよい。
【０１２５】
好ましい実施形態では、回収された流れは、５〜８０質量％、好ましくは２０〜６０質量％の含有量で２−メチル−３−ブテンニトリル、および２０〜９５質量％、好ましくは４０〜８０質量％の含有量で直鎖状のペンテンニトリルを含む（ただし、２−メチル−３−ブテンニトリルおよび直鎖状のペンテンニトリルの含有量の合計は多くて１００質量％である）。
【０１２６】
蒸留に有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，３ｔｈ  Ｅｄ．Ｖｏｌ．７，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ  １９７９、８７０〜８８１頁に記載される、この目的のために慣用される装置、例えば多孔板塔、泡鐘塔、規則充填物または規則充填物を有する塔である。
【０１２７】
反応装置から分離工程を経ずに直接回収することも同様に可能である。
【０１２８】
２−メチル−３−ブテンニトリルと直鎖状のペンテンニトリルのモル比に関して回収された流れの濃度を、蒸留中の温度、圧力および還流比による技術的に簡単な方法で供給流の組成に応じて調整することもできる。
【０１２９】
第１の実施形態では、異性化は、例えば、ＢＡＳＦ社に帰属する標題「Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｌｉｎｅａｒ  ｐｅｎｔｅｎｅｎｉｔｒｉｌｅ」ドイツ国特許出願（Ｂ０３／０４３６）に記載される、そのために設計された装置接続によって達成される。
【０１３０】
さらなる実施形態では、異性化は、処理工程（ｂ）の１またはそれ以上の蒸留装置において達成される。
【０１３１】
反応槽としての蒸留装置の場合は下部の領域である、異性化帯域の温度は、好ましくは少なくとも１０℃、より好ましくは少なくとも６０℃、特に少なくとも１００℃、殊に少なくとも１１０℃であってよい。
【０１３２】
反応槽としての蒸留装置の場合は下部の領域である、異性化帯域の温度は、好ましくは多くて２００℃、より好ましくは多くて１５０℃、特に多くて１４０℃、殊に多くて１３０℃であってよい。
【０１３３】
反応槽としての蒸留装置の場合は下部の領域である、異性化帯域の圧力は、好ましくは少なくとも５ｍｂａｒ、より好ましくは少なくとも２００ｍｂａｒ、特に少なくとも５００ｍｂａｒ、殊に少なくとも６００ｍｂａｒであってよい。
【０１３４】
反応槽としての蒸留装置の場合は下部の領域である、異性化帯域の圧力は、好ましくは多くて５０００ｍｂａｒ、より好ましくは多くて４０００ｍｂａｒ、特に多くて３０００ｍｂａｒであってよい。
【０１３５】
同様に、前記圧力は、ニトリル流の分圧として、不活性のガス例えば窒素またはアルゴンを導入することによって達成してよい（ストリッピング効果）。
【０１３６】
本発明の方法において２−メチル−３−ブテンニトリルが異性化される処理工程（ａ’）を実施すると、２−メチル−３−ブテンニトリルの減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１をこの異性化で得ることができる。この異性化流１から少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を取り除くと少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１’が得られる。さらに、３−ペンテンニトリルおよび２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流２’が得られる。
【０１３７】
この分離はこの処理工程（ｂ）で達成されることが好ましく、そのため触媒流１’と触媒流１、およびまたヒドロシアン化流２’とヒドロシアン化流２は同一である。
【０１３８】
このヒドロシアン化流２は、適当であればその後処理工程（ｆ）で分離して３−ペンテンニトリルリッチ流４および２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５を得てもよい。
【０１３９】
好ましくは多くて１質量％、より好ましくは多くて０．５質量％、特に多くて０．３質量％、の２−メチル−３−ブテンニトリルを含む、３−ペンテンニトリルリッチ流４は、処理工程（ｄ）へ導入するのが好ましい。さらに、２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５を、２−メチル−３−ブテンニトリルが再び異性化される処理工程（ａ’）へ再利用されるのが好ましい。
【０１４０】
触媒流２のごく一部を処理工程（ｄ）におけるヒドロシアン化に使用し、触媒流２の残りの部分をバイパス流１’として直接、処理工程（ａ’）へ移すことが可能である。本発明の方法のさらなる実施形態では、従って上記の随意的な処理工程（ａ’）および（ｆ）は、
−ヒドロシアン化流１が直接処理工程（ｂ）へ導入され、かつ
−処理工程（ａ’）における異性化に必要なニッケル（０）触媒をバイパス流１’として処理工程（ｃ）から得る、
場合に通過する。
【０１４１】
あるいは、触媒流３のごく一部を処理工程（ａ）におけるヒドロシアン化に使用し、触媒流３の残りの部分をバイパス流２’として直接、処理工程（ａ’）へ移すことが可能である。本発明の方法のさらなる実施形態では、従って上記の随意的な処理工程（ａ’）および（ｆ）は、
−ヒドロシアン化流１が直接処理工程（ｂ）へ導入され、かつ
−処理工程（ａ’）における異性化に必要なニッケル（０）触媒をバイパス流２として処理工程（ｅ）から得る、
場合に通過する。
【０１４２】
さらに、新たなニッケル（０）触媒または還元によって再生したニッケル（０）触媒を、本発明の方法の処理工程（ｃ）で供給することが好ましい。
【０１４３】
本発明の方法は連続的に実施されるのが特に好ましい。
【０１４４】
上記の触媒回路を閉鎖すると、再生前のニッケル（０）の損失は好ましくは元の値の３０〜８０％の間、より好ましくは３０〜７０％、特に４０〜６０％となる。このことは、触媒の再利用が常に３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化のために十分なルイス酸、好ましくは０．４〜８モル等量／ニッケル、より好ましくは０．４〜４モル等量／ニッケル、特に０．４〜１モル等量／ニッケルを形成することを裏付ける。
【０１４５】
本発明を、図１〜４を参照して詳細に説明する。
【０１４６】
図１は処理工程（ａ）からのヒドロシアン化流１が異性化に付されない、本発明の方法の好ましい実施形態を示す。
【０１４７】
処理工程（ａ）では、最初にシアン化水素での１，３−ブタジエンのヒドロシアン化が行われる。この処理工程（ａ）の結果ヒドロシアン化流１が生じ、触媒除去のための処理工程（ｂ）へ導入される。この処理工程（ｂ）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒をヒドロシアン化流１から除去して触媒流１が得られる。この触媒流１は少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む。さらに、処理工程（ｂ）においてヒドロシアン化流２が得られ、それには３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリルおよびＣ9ニトリル類が含まれる。触媒流２はその後処理工程（ｃ）へ移される。ここで、触媒流１中の少なくとも１種類のニッケル（０）触媒が還元によって再生される。この結果触媒流２が生じ、これはその後３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化する処理工程（処理工程（ｄ））へ移される。このヒドロシアン化から、ヒドロシアン化流３が得られ、触媒を除去する処理工程（ｅ）へ移される。これにより、１，３−ブタジエンをヒドロシアン化する処理工程（ａ）へ再利用される触媒流が得られる。さらに、処理工程（ｅ）において生成物流が得られ、それにはアジポニトリルが含まれる。
【０１４８】
図２は２−メチル−３−ブテンニトリルを３−ペンテンニトリルへ異性化する、本発明の方法の一実施形態を示す。
【０１４９】
処理工程（ａ）では、１，３−ブタジエンが少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化される。この結果、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、メチルグルタロニトリルおよび少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含むヒドロシアン化流１が得られる。このヒドロシアン化流は、その後、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で２−メチル−３−ブテンニトリルが３−ペンテンニトリルへ異性化される処理工程（ａ’）へ移される。これにより、２−メチル−３−ブテンニトリルの減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１が得られる。この異性化流１は、その後処理工程（ｂ）へ移される。この処理工程（ｂ）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒が異性化流１から取り除かれて少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１が得られる。さらにこの処理工程で３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流２が得られる。その後、触媒流１は処理工程（ｃ）に移され、還元によって再生される。これにより一部が処理工程（ｄ）に移される触媒流２が得られる。処理工程（ｄ）に移されない触媒流はバイパス流１として処理工程（ｄ）から生じるヒドロシアン化流３へ加えられる。処理工程（ｄ）では、３−ペンテンニトリルが触媒流２中に存在するルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化される。処理工程（ｄ）から、アジポニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒および少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３が結果として生じる。このヒドロシアン化流はその後処理工程（ｅ）に移されて少なくとも１種類のニッケル（０）触媒が除去される。この除去は、有機溶媒での抽出によって達成される。触媒流３が得られ、一部は処理工程（ａ）へ再利用される。再利用されない触媒流３の一部はバイパス流２として直接ヒドロシアン化流１へ送られる。処理工程（ｅ）では、アジポニトリルを含む生成物流が最後に得られる。さらに、処理工程（ｂ）で得られたヒドロシアン化流２は処理工程（ｆ）で２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５および３−ペンテンニトリルリッチ流４に分離される。流れ４は処理工程（ｄ）へ導入され、流れ５は処理工程（ａ’）へ導入される。
【０１５０】
図３は２−メチル−３−ブテンニトリルを３−ペンテンニトリルへ異性化する、本発明の方法の一実施形態を示す。
【０１５１】
処理工程（ａ）では、１，３−ブタジエンが少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化される。この結果、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、メチルグルタロニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１が得られる。このヒドロシアン化流はその後処理工程（ｂ）へ移される。この処理工程（ｂ）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒がヒドロシアン化流１から取り除かれて少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１が得られる。さらに、この処理でヒドロシアン化流２が得られ、これには３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルが含まれる。この得られたヒドロシアン化流２はその後処理工程（ｆ）で２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５と３−ペンテンニトリルリッチ流４に分離される。流れ４は処理工程（ｄ）へ導入され、流れ５は異性化工程（ａ’）へ導入される。この処理工程（ａ’）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で２−メチル−３−ブテンニトリルの３−ペンテンニトリルへの異性化が起こる。これにより、２−メチル−３−ブテンニトリルの減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１が得られる。この異性化流１はその後処理工程（ｂ）へ移される。処理工程（ａ’）での異性化に必要なニッケル（０）触媒は、バイパス流１’として下記の処理工程（ｃ）から得られる。処理工程（ｂ）で得られた触媒流は処理工程（ｃ）に移されて、還元再生される。これにより、一部が処理工程（ｄ）へ移される触媒流２が得られる。処理工程（ｄ）へ移されない触媒流２の一部は、上記のように、バイパス流１’として処理工程（ａ’）に加えられる。処理工程（ｄ）では、触媒流２中に存在するルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で３−ペンテンニトリルがヒドロシアン化される。処理工程（ｄ）から、アジポニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒および少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３が結果として生じる。このヒドロシアン化流３はその後処理工程（ｅ）に移されて少なくとも１種類のニッケル（０）触媒が除去される。この除去は、有機溶媒での抽出によって達成される。触媒流３が得られ、処理工程（ａ）へ再利用される。
【０１５２】
図４は２−メチル−３−ブテンニトリルを３−ペンテンニトリルへ異性化する本発明の方法の一実施形態を示す。
【０１５３】
処理工程（ａ）では、１，３−ブタジエンが少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化される。この結果、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、メチルグルタロニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１が得られる。このヒドロシアン化流はその後処理工程（ｂ）へ移される。この処理工程（ｂ）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒がヒドロシアン化流１から取り除かれて少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１が得られる。さらに、この工程でヒドロシアン化流２が得られ、これには３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルが含まれる。この得られたヒドロシアン化流２はその後処理工程（ｆ）で２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５と３−ペンテンニトリルリッチ流４に分離される。流れ４は処理工程（ｄ）へ導入され、流れ５は異性化工程（ａ’）へ導入される。この処理工程（ａ’）では、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で２−メチル−３−ブテンニトリルの３−ペンテンニトリルへの異性化が起こる。これにより、２−メチル−３−ブテンニトリルの減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１が得られる。この異性化流１はその後処理工程（ｂ）へ移される。処理工程（ａ’）での異性化に必要なニッケル（０）触媒は、バイパス流２として下記の処理工程（ｃ）から得られる。処理工程（ｂ）で得られた触媒流は処理工程（ｃ）に移されて、還元によって再生される。これにより、一部が処理工程（ｄ）へ移される触媒流２が得られる。処理工程（ｄ）へ移されない触媒流の一部は、バイパス流１として処理工程（ｄ）から生じるシアン化流３に加えられる。処理工程（ｄ）では、触媒流２中に存在するルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で３−ペンテンニトリルがヒドロシアン化される。処理工程（ｄ）から、アジポニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒および少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３が結果として生じる。このヒドロシアン化流３はその後処理工程（ｅ）に移されて少なくとも１種類のニッケル（０）触媒が除去される。この除去は、有機溶媒での抽出によって達成される。触媒流３が得られ、一部が処理工程（ａ）へ再利用される。再利用されない触媒流３の一部は、既に述べたようにバイパス流２として直接処理工程（ａ’）へ送られる。
［実施例］
【０１５４】
略語：
３ＰＮ    直鎖状のペンテンニトリル異性体（トランス−３−、シス−３−、トランス−２−、シス−２−、４−ペンテンニトリル）
Ｃ５廃ニトリル類    バレロニトリル、Ｅ−およびＺ−２−メチル−２−ブテンニトリル
ＡＤＮ        アジポニトリル
ＭＧＮ        ２−メチルグルタロ−および２−エチルスクシノニトリルの合計
２Ｍ３ＢＮ    ２−メチル−３−ブテンニトリル
Ｐ            リン
Ｎｉ（０）    酸化状態が０のニッケル
ＢＤ          １，３−ブタジエン
ＢＵ          １−ブテン、シス−およびトランス−２−ブテンの合計
Ｃ２ＢＵ      シス−２−ブテン
ＨＣＮ        シアン化水素
ＬＬ          式１のキレート配位子
ＮｉＬＬ      キレート配位子ＬＬのＮｉ（０）錯体
ＴＢＰ        ｔｅｒｔ−ブチルピロカテコール
全てのデータおよび濃度は質量％で示される。
【０１５５】
Ｃ５およびＣ６ニトリル類、ＢＤならびにＢＵの濃度は内部標準（ベンゾニトリル）を用いるＧＣによって決定される；ＨＣＮはＮａＯＨでの吸収およびその後のシアン化物の滴定によって定量される。Ｎｉ（０）は、サイクリックボルタンメトリーによって測定され、Ｐは原子吸収分光法によって測定される。
【実施例１】
【０１５６】
実施例１では、ニッケル（０）錯体に基づく単一の触媒系とキレート配位子１を、双方ともブタジエンのアジポニトリルへのヒドロシアン化に用いる。
【０１５７】
【化６】
2007519663.tif 000009
【０１５８】
配位子１（ＬＬ）をＮｉ（０）に対して過剰に用い、ＮｉＬＬと遊離ＬＬが存在するようにする。２回目のヒドロシアン化では、ＺｎＣｌ2がさらに必要とされる。７つの処理工程の触媒サイクルを下に記載する。
【０１５９】
工程（１）において、ノズル、インパルス変換管（ｉｍｐｕｌｓｅ  ｅｘｃｈａｎｇｅ  ｔｕｂｅ）、外部のポンプ循環系および反応のエネルギーを取り除くためそのポンプ循環系内に配置された熱交換器を具備する容量２５ｌのループ反応装置Ｒ１へ以下の流れを導き、３６７Ｋまで加熱する。
ａ）蒸留により水を含まない、安定化していない液体シアン化水素５．７ｋｇ／ｈ（流れ１）、
ｂ）工程（２）に記載のとおり得られた再利用流５から得られたＢＤ含量約９０％のＢＤとＢＵの混合物１５．８ｋｇ／ｈ（流れ６）に、さらに水およびＴＢＰ安定剤を除去するためにアルミナと接触させることにより処理しておいたＣ２ＢＵを０．２５％含有する市販のＢＤ  １１．５ｋｇ／ｈ（流れ２）を加えたもの、
ｃ）Ｋ２の塔底部の支流３として本実施例の工程（２）に記載のように得られたニッケル（０）触媒溶液５．４ｋｇ／ｈ。
【０１６０】
反応装置Ｒ１から流出する流れ４（２７ｋｇ／ｈ）は、８０．４％のＢＤの変換に相当する、合計１６．２％のＢＤとＢＵ、およびまた３５．０％の３ＰＮ、２９．８％の２Ｍ３ＢＮおよび少量のＣ５廃ニトリルを含む。さらに、Ｎｉ（０）分析は０．４％を示し、Ｐ分析は１．２％を示した。ＡＤＮは１．０％程度まで存在し、さらにＭＧＮが１．０％程度まで存在する。
【０１６１】
工程（２）において、精留部（ｒｅｃｔｉｆｙｉｎｇ  ｓｅｃｔｉｏｎ）および回収部（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ  ｓｅｃｔｉｏｎ）で作動し、液膜流下型蒸発装置、および分割された底部を具備し、ならびにまた塔内部に理論段数１０を生じる規則充填物を有する蒸留塔Ｋ１へ、流れ４が供給される。塔Ｋ１は、塔頂部にて、規則充填物を備え、全回収カップ（ｔｏｔａｌ  ｃｏｌｌｅｃｔｉｎｇ  ｃｕｐ）を有する塔部、ポンプ式循環系および外部の熱交換器からなる直接コンデンサーで動作する。塔Ｋ１は、塔頂部の絶対圧力２．０ｂａｒ、塔頂部温度２８８Ｋおよび塔底部抜き出し温度３６３Ｋで動作する。
【０１６２】
塔Ｋ１の塔頂を経由して、流れ５が得られ、上記のように再生流６として新たなＢＤ流２とともに計量されて反応装置Ｒ１に入る。塔Ｋ１の塔頂部での還流比は、流れ５が約１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮを含むように調整される。
【０１６３】
塔Ｋ１の塔頂を経由して、３．１％のＢＤ、５．４％のＢＵ、３８．０％の３ＰＮおよび３２．８％の２Ｍ３ＢＮを含み、またさらに触媒成分（分析値：Ｎｉ（０）  ０．４％、Ｐ  １．３％）を含む２４．９ｋｇ／ｈの流れ７が得られる。ＢＵは供給と比較してＢＤに対して明確に濃縮されている。
【０１６４】
塔Ｋ１の底部には、下流の塔Ｋ２で生成される流れ９が（２．２ｋｇ／ｈ）さらに供給される。
【０１６５】
工程（２）の中で、流れ７は、ストリッピングの状態（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ  ｍｏｄｅ）で動作し、液膜流下型蒸発装置、上部コンデンサーと後部コンデンサー、および理論段数１０を生じる規則充填物含む塔内部を具備する蒸留塔Ｋ２へ導入される。この塔は塔頂部の絶対圧力１５０ｍｂａｒ、塔頂部温度３２９Ｋおよび塔底部抜き出し温度３７３Ｋで動作する。この塔の蒸気流は３０８Ｋで一部濃縮され、２６３Ｋで後部コンデンサーで処理される。従ってＢＤ流８は２Ｍ３ＢＮが減少し、他のペンテンニトリル類（２．３ｋｇ／ｈ）は、コンプレッサーＶ１中で絶対圧力１．２ｂａｒまで圧縮される（ＢＤは３４．３％、ＢＵは５９．１％、残りはＣ５ニトリル類）。圧縮されたガス流は２７９Ｋで濃縮されて、主として流れ９（上記参照）、およびガス流１０（４１．５ｌ（ＳＴＰ）／ｈ、ＢＵ  ５６．２％を含有）となり、また廃棄される。流れ９は、液体の形態で再利用されて塔Ｋ１の底部へ入る。
【０１６６】
塔Ｋ２では、流れ１１がガス状の中間抜き出しの形で得られ（２４．９ｋｇ／ｈ）、約１００ｐｐｍのＢＤ、３２．２％の２Ｍ３ＢＮおよび６３．４％の３ＰＮ、ならびにまた３．４％のＣ５廃ニトリル類が含まれる。中間抜き出しの場所は、成分２Ｍ３ＢＮが、底部を経由して得られた流れ１３中の３ＰＮに関して、回収部での中間抜き出しよりも減少しているように選択される（塔頂から約４理論段下方）。この流れの加工は、例えば、ドイツ国特許出願第ＤＥ−Ａ−１０２  ００４  ００４  ６７１号の実施例１中の流れ１１に関して記載されている。
【０１６７】
塔Ｋ２の底部に、２１．９ｋｇ／ｈの触媒流１２が導入される（その調製は下の工程（７）に記載されている）。
【０１６８】
塔Ｋ２では、触媒流１３が得られ、２．１％のＮｉ（０）、６．０％のＰ、約１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮおよび１６．７％の３ＰＮ、ならびにさらに、約１．０％の廃Ｃ５ニトリル類およびその２５％がＭＧＮである６．８％のＣ６ジニトリル類が含まれる。流れ１３は、上記のように、反応装置Ｒ１へ再利用される支流３（５．４ｋｇ／ｈ）に分かれる。残りの部分は（流れ１４）（１４．１Ｋｇ／ｈ）、工程（３）での再生へ投入される。
【０１６９】
工程（３）では、攪拌槽Ｒ３（５０ｌ、ジャケット付きガラス容器）において、１５．７ｋｇ／ｈのＮｉＣｌ2懸濁液（流れ１７；ペンテンニトリル中３．５質量％；ポンピングにより循環；貯蔵槽のポンプ循環系から回収された；例えば、ドイツ国特許出願第ＤＥ−Ａ−１０３  ５１  ００２号の実施例６に記載のように調製される）を供給することによる酸化還元反応でさらなるＮｉ（０）が生成され、Ｚｎ粉末は固体である（平均粒子径１１μｍ、サイロからテフロン（登録商標）スクリューによって測定；流れ１６；０．３ｋｇ／ｈ）。このＮｉ（０）は、流れ１５（０．２ｋｇ／ｈ）からのＬＬとそのままで錯体を形成する。この反応中でさらに化学量的に形成されるのが、相当する量のＺｎＣｌ2である。反応装置は８０℃まで加熱される。容器は窒素で覆われる。
【０１７０】
工程（４）では、工程（３）から出る流れ１８が、ジェットノズル、インパルス変換管、外部のポンプ循環系および反応の熱を取り除くための熱交換器を具備する容量２５０ｌのループ反応装置Ｒ３へ供給される。さらに、以下の流れ：
ａ）蒸留により水を含まない、安定化していない液体シアン化水素１０．０ｋｇ／ｈ（流れ２０）、
ｂ）８３．３％の３ＰＮおよび残りのＣ５廃ニトリル類を含有するペンテンニトリル５６．５ｋｇ／ｈ（流れ１９）
が計量される。
【０１７１】
反応装置Ｒ３から流出した流れ２１は（９６．７ｋｇ／ｈ）、３６．０％の３ＰＮ、ならびにまた５４％のペンテンニトリルの変換に相当する３９．４％のＡＤＮおよび２．５％のＭＧＮを含む。
【０１７２】
工程（５）では、外部に仮の循環フラッシュ蒸発装置および上部コンデンサーを備えた、ポンプ循環槽Ｂ２内での一工程蒸留に流れ２３が供給される。槽Ｂ２は、上部の絶対圧力２５ｍｂａｒ、濃縮温度３１３Ｋおよび底部引き出し温度３４３Ｋで動作する。
【０１７３】
槽Ｂ２の上部を経由して、７７．４％の３ＰＮおよび２１．９％の廃Ｃ５ニトリル類を含む流れ２２が得られる（３２．５  ｋｇ／ｈ）；残留物はＣ６ジニトリル類である。流れ２５はその後、例えば、ドイツ国特許第ＤＥ−Ａ−１０２  ００４  ００４  ６８３号、実施例２の流れ４に関する記載のように加工される。
【０１７４】
槽Ｂ２の底部を経由して、含量１５．１％の３ＰＮおよび含量３．９％のＣ５廃ニトリル類を含む６４．４ｋｇ／ｈの流れ２３が得られる。Ｃ６ジニトリル含量はＡＤＮが５９．０％およびＭＧＮが３．６％である。さらに、流れ２３は、触媒錯体と遊離配位子（Ｎｉ（０）  ０．５％、Ｐ  １３％）、ＺｎＣｌ2（Ｃｌ分析値０．５％）、およびまた、少量の触媒分解生成物を含む。
【０１７５】
工程（６）では、流れ２３を向流抽出塔Ｋ３の上端に導入し、抽出剤として９２．８％のメチルシクロヘキサンを含有する９６．２Ｋｇ／ｈの流れ２４、およびまたその調製が下に記載される種々のペンテンニトリル異性体で抽出する。抽出の上部で得られた流れ２６は８３．３％程度までの抽出剤からなり、さらに、４．０％の３ＰＮ、０．７％のＡＤＮおよび触媒成分の他に、ニッケル（０）錯体と遊離配位子を含んでいる、そのため０．３％のＮｉ（０）および０．９％のＰが測定される。亜鉛塩化物は、流れ２５中の、抽出塔の下部引き出しに完全に残ったままである。流れ２５はその後、例えば、ドイツ国特許第ＤＥ−Ａ−１０２  ００４  ００４  ６８３号、実施例２の流れ７に関する記載のように、存在する無変化のペンテンニトリルおよびＭＣＨを回収するため、および純粋なＡＤＮ生成物を単離するために加工される。
【０１７６】
工程（７）では、流れ２６は、液膜流下型蒸発装置、分割された底部および上部コンデンサー、ならびにまた理論段数１２を生じる規則充填物を有する塔内部を具備する蒸留塔Ｋ４へ導入される。塔は、塔頂部の絶対圧力１００ｍｂａｒ、塔頂部の温度３０８Ｋおよび塔底部抜き出し温度３５３Ｋで動作する。塔底部では、流れ１９のペンテンニトリルと全く同字方法で調製されたペンテンニトリル（１１．７ｋｇ／ｈ；流れ３０）が供給される。さらに、流れ２５の加工から得たＭＣＨが再利用され（９．６ｋｇ／ｈ、８８．８％のＭＣＨ、９．５％の３ＰＮ、残りはＣ５ニトリル類）、塔Ｋ４へ流れ２９として供給される。
【０１７７】
塔Ｋ４の塔頂部を経由して、抽出剤が回収され、水濃度１０ｐｐｍ以下まで乾燥させた純粋なＭＣＨからなる少量の補充流２８とともに流れ２６として抽出塔Ｋ３へ再利用される。
【０１７８】
塔Ｋ４の底部では、抽出された触媒が、ペンテンニトリル中の溶液として流れ１２で得られ（２１．９  ｋｇ／ｈ）、それが工程（２）においてＫ２へ供給されることは既に記載されている。この流れは、４３．９％の３ＰＮ、３．５％のＣ５廃ニトリル類、３．３％のＡＤＮおよび０．３％のＭＧＮを含む。Ｎｉ（０）量は１．４％であると測定され、Ｐ量は３．９％であると測定された。流れ１２中のＭＣＨ量は、塔Ｋ４内で１０重量ｐｐｍに調整される。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】処理工程（ａ）からのヒドロシアン化流１が異性化に付されない本発明の方法の好ましい実施形態のフローチャートである。
【図２】２−メチル−３−ブテンニトリルを３−ペンテンニトリルへ異性化する本発明の方法の一実施形態のフローチャートである。
【図３】２−メチル−３−ブテンニトリルを３−ペンテンニトリルへ異性化する本発明の方法の一実施形態のフローチャートである。
【図４】２−メチル−３−ブテンニトリルを３−ペンテンニトリルへ異性化する本発明の方法の一実施形態のフローチャートである。
【符号の説明】
【０１８０】
２    触媒流、
４    ３−ペンテンニトリルリッチ流、
５    ２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流。
【図１】
2007519663.tif 000010
【図２】
2007519663.tif 000011
【図３】
2007519663.tif 000012
【図４】
2007519663.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理工程で、１，３−ブタジエンを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化して３−ペンテンニトリルとし、
第２の処理工程で、３−ペンテンニトリルを少なくとも１種類のルイス酸を添加した少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化してアジポニトリルとする、
１，３−ブタジエンを触媒でヒドロシアン化するアジポニトリルの製造方法であって、
（ａ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化して、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、２−メチル−３−ブテンニトリル、メチルグルタロニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１を得る工程、
（ｂ）少なくとも１種類のニッケル（０）触媒をヒドロシアン化流１から除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１、ならびに３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流２を得る工程、
（ｃ）触媒流１中の少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、新たな配位子を添加してニッケル触媒の還元合成により再生して触媒流２を得る工程、
（ｄ）少なくとも１種類のルイス酸、少なくとも一部が触媒流２から生じる前記ニッケル（０）触媒および前記ルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化し、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、アジポニトリルおよび少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３を得る工程、
（ｅ）ヒドロシアン化流３から少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、有機溶媒を用いる抽出によって除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流３、およびアジポニトリルを含む生成物流を得、触媒流３の少なくとも一部が処理工程（ａ）へ再利用することができる工程、
において特定の工程の少なくとも一部で用いた少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、それぞれ別の処理工程へ移す方法。
【請求項２】
以下の処理工程：
（ａ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒でヒドロシアン化して、３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類、メチルグルタロニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒、無変化の１，３−ブタジエンおよび無変化のシアン化水素の残留物を含む、ヒドロシアン化流１を得る工程、
（ａ’）ヒドロシアン化流１中に含まれる２−メチル−３−ブテンニトリルを少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で３−ペンテンニトリルに異性化し、２−メチル−３−ブテンニトリルが減少した、かつ３−ペンテンニトリルを多く含む異性化流１を得る工程、
（ｂ）少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を異性化流１から除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流１、ならびに３−ペンテンニトリル、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ9ニトリル類および２−メチル−３−ブテンニトリルを含むヒドロシアン化流２を得る工程、
（ｃ）触媒流１中の少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、新たな配位子を添加してニッケル触媒の還元合成により再生して触媒流２を得る工程、
（ｄ）少なくとも１種類のルイス酸、少なくとも一部が触媒流２から生じる前記ニッケル（０）触媒および前記ルイス酸の存在下、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒で、３−ペンテンニトリルをヒドロシアン化し、アジポニトリル、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒および少なくとも１種類のルイス酸を含むヒドロシアン化流３を得る工程、
（ｅ）ヒドロシアン化流２から少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を、有機溶媒を用いる抽出によって除去して、少なくとも１種類のニッケル（０）触媒を含む触媒流３、およびアジポニトリルを含む生成物流を得、触媒流３の少なくとも一部が処理工程（ａ）へ再利用することができる工程、
を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらなる処理工程（ｆ）において、ヒドロシアン化流２を分離し、３−ペンテンニトリルリッチ流４および２−メチル−ブテンニトリルリッチ流５を得る請求項２に記載の方法。
【請求項４】
３−ペンテンニトリルリッチ流４を処理工程（ｄ）へ導入する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
２−メチル−３−ブテンニトリルリッチ流５を処理工程（ａ’）へ導入する請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
新たなルイス酸ならびに新たなニッケル（０）触媒および／または還元再生されたニッケル（０）触媒を用いた場合に、最初の実施において、処理の順序が処理工程（ｄ）で始まる請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
処理工程（ｄ）においてヒドロシアン化された３−ペンテンニトリルが、ヒドロシアン化流１または異性化流１から生じる請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
触媒流２のごく一部が処理工程（ｄ）におけるヒドロシアン化に使用され、触媒流２の残部がバイパス流１として処理工程（ｅ）へ直接、導入される請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
触媒流２のごく一部が処理工程（ｄ）におけるヒドロシアン化に使用され、触媒流２の残部がバイパス流１’として処理工程（ａ’）へ直接、導入される請求項２〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
触媒流３のごく一部が処理工程（ａ）におけるヒドロシアン化に使用され、触媒流３の残部がバイパス流２として処理工程（ａ’）へ直接、導入される請求項２〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
新たなニッケル（０）触媒および／または還元再生されたニッケル（０）触媒が処理工程（ｃ）へ供給される、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
連続的に実施される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【国際調査報告】
2007519663.tif 000014
2007519663.tif 000015
2007519663.tif 000016
2007519663.tif 000017
2007519663.tif 000018
2007519663.tif 000019
2007519663.tif 000020
2007519663.tif 000021