【手続補正書】
【提出日】平成28年3月23日(2016.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレート（２）、および前記ベースプレート（２）に搭載された少なくとも１対の基板（３）を備えるパワー半導体モジュール（１）であって、
各基板（３）は長方形の形状を有し、
前記基板は同一の形状と設計を有し、
複数のパワー半導体（４、５、２５）は、少なくともほぼ同じサイズであり、各基板（３）に搭載され、
前記パワー半導体（４、５、２５）は、各基板（３）の対向するエッジ（６）に沿って異なる数のパワー半導体（４、５、２５）を有して各基板（３）上に配置され、
前記基板（３）は、パワー半導体（４、５、２５）を同じく装備し、
前記少なくとも１対の基板（３）は、前記基板（３）の前記エッジ（６）が互いに向かい合うより少ない数のパワー半導体（４、５、２５）を具備して前記ベースプレート（２）上に配置されたパワー半導体モジュール（１）。
【請求項２】
前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）は前記基板（３）の長い方のエッジである
ことを特徴とする、
請求項１に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項３】
前記パワー半導体（４、５、２５）は長方形の形状を有する
ことを特徴とする、
請求項１または２に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項４】
より多い数の前記パワー半導体（４、５、２５）を備える前記基板（３）の前記エッジ（６）に配置される前記パワー半導体（４、５、２５）は、前記パワー半導体（４、５、２５）の長い方の側面のエッジ（７）が前記基板（３）のこのエッジ（６）に沿って配置され、
より少ない数の前記パワー半導体（４、５、２５）を備える前記基板（３）の前記エッジ（６）に配置される前記パワー半導体（４、５、２５）は、前記パワー半導体（４、５、２５）の短い方の側面のエッジ（８）が前記基板（３）のこのエッジ（６）に沿って配置される
ことを特徴とする、
請求項３に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項５】
前記基板（３）および前記パワー半導体（４、５、２５）は、より多い数の前記パワー半導体（４、５、２５）を備える前記基板（３）の前記エッジ（６）に配置される前記パワー半導体（４、５、２５）が実質的にこのエッジ（６）の全長に沿って伸びるように提供される
ことを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項６】
前記パワー半導体（４、５、２５）は、少なくとも１つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（insulated gate bipolar transistor）（４）および少なくとも１つのパワーダイオード（５）を備える
ことを特徴とする、
請求項１〜５のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項７】
各基板（３）上の前記パワー半導体（４、５、２５）は、３つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（４）および２つのパワーダイオード（５）を備える  ことを特徴とする、
請求項５に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項８】
１つのパワーダイオード（５）および１つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（４）が、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）の一方に沿って配置され、
１つのパワーダイオード（５）および２つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（４）が、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）の他方に沿って配置される
ことを特徴とする、
請求項６に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項９】
前記パワー半導体（４、５、２５）は逆導通絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（reverse conducting insulated gate bipolar transistor）（２５）である
ことを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項１０】
前記少なくとも１対の基板（３）は、より多い数の前記パワー半導体（４、５、２５）が提供される前記少なくとも１対の基板（３）のエッジ（６）が前記ベースプレート（２）の境界（９）の方を向いて前記ベースプレート（２）上に配置される
ことを特徴とする、
請求項１〜９のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項１１】
互いに向かい合う前記基板（３）の前記エッジ（６）間の距離が、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）の各々と前記ベースプレート（２）の前記境界（９）の間の距離より短い
ことを特徴とする、
請求項１０に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項１２】
各基板（３）は、より少ない数の前記パワー半導体（４、５、２５）が提供される前記エッジ（６）に近接して前記基板（３）の隅に配置される接続領域（１０）を有する
ことを特徴とする、
請求項１〜１１のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項１３】
各基板（３）は、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）に沿って、および前記対向するエッジ（６）を接続する前記基板（３）の一方のエッジ（１４）に沿って伸びる、Ｕ字型で提供されるコレクタ金属被覆（１５）を有し、これにより、
前記コレクタ金属被覆（１５）は前記接続領域（１０）を通って伸びる
ことを特徴とする、
請求項１２に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項１４】
各基板（３）は、前記接続領域（１０）を通り、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）に沿って配置される前記パワー半導体（４、５、２５）間の領域内に伸びる、Ｌ字型で提供されるエミッタ金属被覆（１６）を有する
ことを特徴とする、
請求項１２または１３に記載のパワー半導体モジュール（１）。
【請求項１５】
前記ベースプレート（２）は長方形の形状を有する
ことを特徴とする、
請求項１〜１４のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明について図面および前述の記載で詳細に例示し、説明したが、このような例示および記載は、例示および説明のためであると考えられるべきであり、限定的であると考えられるべきではない。本発明は、開示された実施形態に限定されるものではない。図面、開示、および添付の特許請求の範囲の研究から、特許請求される本発明を実施する際に、当業者により、開示される実施形態となるべき他の変形形態を理解し、達成することができる。特許請求の範囲では、用語「備える（comprising）」は他の要素またはステップを除外せず、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は、複数を除外しない。特定の尺度が相互に異なる従属クレームで列挙されているという事実だけで、これらの尺度の組合せを有利に使用することができないことを示すものではない。特許請求の範囲における任意の参照符号が範囲を限定すると解釈されるべきではない。
以下に、本願出願当初の特許請求の範囲に記載の発明を付記する。
［Ｃ１］
ベースプレート（２）、および前記ベースプレート（２）に搭載された少なくとも１対の基板（３）を備えるパワー半導体モジュール（１）であって、
各基板（３）は長方形の形状を有し、
複数のパワー半導体（４、５、２５）が各基板（３）に搭載され、
前記パワー半導体（４、５、２５）は、各基板（３）の対向するエッジ（６）に沿って異なる数のパワー半導体（４、５、２５）を有して各基板（３）上に配置され、
前記少なくとも１対の基板（３）は、前記基板（３）の前記エッジ（６）が互いに向かい合うより少ない数のパワー半導体（４、５、２５）を具備して前記ベースプレート（２）上に配置されたパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ２］
前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）は前記基板（３）の長い方のエッジである
ことを特徴とする、
Ｃ１に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ３］
前記パワー半導体（４、５、２５）は長方形の形状を有する
ことを特徴とする、
Ｃ１または２に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ４］
前記パワー半導体（４、５、２５）は少なくともほぼ同じサイズである
ことを特徴とする、
Ｃ１〜３のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ５］
より多い数の前記パワー半導体（４、５、２５）を備える前記基板（３）の前記エッジ（６）に配置される前記パワー半導体（４、５、２５）は、前記パワー半導体（４、５、２５）の長い方の側面のエッジ（７）が前記基板（３）のこのエッジ（６）に沿って配置され、
より少ない数の前記パワー半導体（４、５、２５）を備える前記基板（３）の前記エッジ（６）に配置される前記パワー半導体（４、５、２５）は、前記パワー半導体（４、５、２５）の短い方の側面のエッジ（８）が前記基板（３）のこのエッジ（６）に沿って配置される
ことを特徴とする、
Ｃ３に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ６］
前記基板（３）および前記パワー半導体（４、５、２５）は、より多い数の前記パワー半導体（４、５、２５）を備える前記基板（３）の前記エッジ（６）に配置される前記パワー半導体（４、５、２５）が実質的にこのエッジ（６）の全長に沿って伸びるように提供される
ことを特徴とする、
Ｃ１〜５のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ７］
前記パワー半導体（４、５、２５）は、少なくとも１つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（insulated gate bipolar transistor）（４）および少なくとも１つのパワーダイオード（５）を備える
ことを特徴とする、
Ｃ１〜６のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ８］
各基板（３）上の前記パワー半導体（４、５、２５）は、３つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（４）および２つのパワーダイオード（５）を備える  ことを特徴とする、
Ｃ６に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ９］
１つのパワーダイオード（５）および１つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（４）が、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）の一方に沿って配置され、
１つのパワーダイオード（５）および２つの絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（４）が、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）の他方に沿って配置される
ことを特徴とする、
Ｃ７に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１０］
前記パワー半導体（４、５、２５）は逆導通絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（reverse conducting insulated gate bipolar transistor）（２５）である
ことを特徴とする、
Ｃ１〜５のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１１］
前記基板（３）は同一の形状および設計を有し、前記パワー半導体（４、５、２５）を同じく装備する
ことを特徴とする、
Ｃ１〜１０のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１２］
前記少なくとも１対の基板（３）は、より多い数の前記パワー半導体（４、５、２５）が提供される前記少なくとも１対の基板（３）のエッジ（６）が前記ベースプレート（２）の境界（９）の方を向いて前記ベースプレート（２）上に配置される
ことを特徴とする、
Ｃ１〜１１のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１３］
互いに向かい合う前記基板（３）の前記エッジ（６）間の距離が、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）の各々と前記ベースプレート（２）の前記境界（９）の間の距離より短い
ことを特徴とする、
Ｃ１１に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１４］
各基板（３）は、より少ない数の前記パワー半導体（４、５、２５）が提供される前記エッジ（６）に近接して前記基板（３）の隅に配置される接続領域（１０）を有する
ことを特徴とする、
Ｃ１〜１３のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１５］
各基板（３）は、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）に沿って、および前記対向するエッジ（６）を接続する前記基板（３）の一方のエッジ（１４）に沿って伸びる、Ｕ字型で提供されるコレクタ金属被覆（１５）を有し、これにより、
前記コレクタ金属被覆（１５）は前記接続領域（１０）を通って伸びる
ことを特徴とする、
Ｃ１３に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１６］
各基板（３）は、前記接続領域（１０）を通り、前記基板（３）の前記対向するエッジ（６）に沿って配置される前記パワー半導体（４、５、２５）間の領域内に伸びる、Ｌ字型で提供されるエミッタ金属被覆（１６）を有する
ことを特徴とする、
Ｃ１３または１４に記載のパワー半導体モジュール（１）。
［Ｃ１７］
前記ベースプレート（２）は長方形の形状を有する
ことを特徴とする、
Ｃ１〜１６のいずれかに記載のパワー半導体モジュール（１）。