(57)【要約】  半導体装置（１００）が、集積回路（２０）及び第１及び第２接触面（３１，３３）を備える。これらは、垂直相互接続部（３２，３４）を用いて前記集積回路（２０）へ接続される。この集積回路（２０）は、基板の半導体層において存在する。この基板は、非有効領域（Ｂ）において存在しない。このことは、前記装置（１００）の側面（１０１）において、如何なる伝導性材料又は半導体基板の部品も剥き出しにされることはないという事実を導く。これにより、２つの金属膜加工されたホイル間における識別ラベルへの装置のラミネートにおいて、装置（１００）の側面（１０１）における不所望な接触による回路ショートのリスクは防がれる。
2007507101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び反対側の第２面を有する半導体装置であって、
−半導体層及び電気絶縁層を備え、前記装置の前記第１面において存在する基板と、
−前記半導体層の中において及び／又は上に規定され、所望のパターンに従い相互接続構造で相互接続される複数の半導体要素を具備する集積回路と、
−前記装置の前記第１面に存在する第１接触面と、
−前記装置の前記第２面において存在し、前記相互接続構造に接続される第２接触面と、
を有し、
−電気絶縁支持層が存在し、前記電気絶縁支持層が、前記第２面において前記集積回路を覆うとともに非有効領域において前記集積回路周辺に横方向に延在し、垂直相互接続部が、前記第２接触面を前記相互接続構造と前記電気絶縁支持層を介して接続するように存在し、
−前記基板の前記半導体層が、前記非有効領域において存在しないように横方向に部分的に除去され、
−前記第１接触面が、垂直相互接続部を介して前記相互接続構造へ接続される、
半導体装置。
【請求項２】
前記第１接触面への前記垂直相互接続部が、前記非有効領域において存在し、前記第１接触面が、電気伝導層において規定されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電気絶縁層が、前記非有効領域において存在するように、横方向に実質的に連続的であることを特徴とする、請求項１及び２の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記相互接続構造が、前記非有効領域において存在する第１ビアパッド及び第２ビアパッドを具備し、前記第１及び前記第２垂直相互接続部のそれぞれが、前記パッドにおいて存在することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ビアパッドが、前記基板の一部分である前記電気絶縁層において存在する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２ビアパッド及び前記第２垂直相互接続部が、延性材料を有することを特徴とする、請求項４及び５の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記支持層が、有機材料を有することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか一項に記載の半導体装置と、無線装置用アンテナとを備える識別ラベル。
【請求項９】
請求項１ないし７の何れか一項に記載の半導体装置を備える情報担体。
【請求項１０】
半導体装置を製造する方法であって、前記方法が、
−半導体層及び電気絶縁層を備える基板と、有効領域において規定される複数の半導体要素を備える集積回路とを設けるステップであって、前記半導体要素が、所要のパターンに従い相互接続構造で互いに相互接続され、前記相互接続構造が、第１ビアパッド及び第２ビアパッドを有し、前記ビアパッドが、前記有効領域の実質的に外側であり横方向にある領域において存在するように設けるステップと、
−電気絶縁材料の支持層を前記第２面に塗布し、前記支持層において前記第２ビアパッドに対応する接触窓を設けるステップと、
−電気伝導性材料を所望のパターンで前記第２面に塗布し、これにより、第２接触面と、前記接触面及び前記第２ビアパッドの間における第２垂直相互接続部とを設けるステップと、
−前記基板を前記第２面で、取り外し可能な接着手段を用いて担体に接着するステップと、
−前記第１面から前記基板を薄化し、これにより前記基板の前記絶縁層が、前記有効領域の横方向の外側にあり前記有効領域の周囲における非有効領域の少なくともある程度において剥き出しにされるステップと、
−少なくとも前記絶縁層を介して延在する第１垂直相互接続部を通じて前記第１ビアパッドへ接続される第１接触面を前記第１面において設けるステップと、
−前記斯様に得られた半導体装置を前記担体から取り除くステップと、
を有する方法。
【請求項１１】
前記酸化層が、前記半導体基板内部に埋め込まれ、前記基板が、更に、基礎層及び有効層を更に有し、前記基礎層は、薄化ステップにおいて取り除かれ、前記半導体要素が、前記有効層の表面において規定される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１垂直相互接続部が、前記集積回路の一部分として設けられる、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１面及び反対側の第２面を有する半導体装置であって、
−半導体層及び電気絶縁層を備え、前記装置の前記第１面に存在する基板と、
−前記半導体層内に又は上に規定され、相互接続構造における所望のパターンに従い相互接続される複数の半導体要素を具備する集積回路と、
−前記装置の前記第１面において存在する第１接触面と、
−前記装置の前記第２面において存在し、前記相互接続構造へ接続される第２接触面と、
を備える半導体装置に関する。
【０００２】
本発明は、斯様な半導体装置を製造する方法にも関する。
【０００３】
本発明は、斯様な半導体装置を備える識別ラベル及び情報担体に更に関する。
【背景技術】
【０００４】
斯様な半導体装置は、国際特許出願第02/075647号から既知である。前記既知の装置は、両側に電気伝導性接触面を設けられる集積回路である。前記集積回路は、従来技術によると、シリコン基板層において規定され、前記シリコン基板層の表面において電気絶縁層が存在する。この絶縁層は、通常、熱酸化膜層である。この構造は、識別ラベルにおける組立が簡素化されるという、すなわち第１面及び第２面が交換され得るという有利な点を有する。
【０００５】
前記既知の装置の不利な点は、金属ストリップにおける組立に関してあまり適していないことである。斯様な金属ストリップは、装置の第１及び第２面のうちの１つだけでなく、何れの側面も覆い得る。このことは、基板における半導体要素に関して、特に高周波数において、漏れ電流及び寄生効果を導き得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明の第１の目的は、金属ストリップにおける組立においての寄生効果にあまり敏感でない、冒頭の段落に記載の種類の半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、
−電気絶縁支持層が存在し、前記電気絶縁支持層が、前記第２面において前記集積回路を覆うとともに非有効領域において前記集積回路周辺に横方向に延在し、垂直相互接続部が、前記第２接触面を前記相互接続構造と前記電気絶縁支持層を介して接続するように存在し、
−前記半導体層が、前記非有効領域において存在しないように横方向に部分的に除去され、
−前記第１接触面が、垂直相互接続部を介して前記相互接続構造へ接続される、
ことにおいて達成される。
【０００８】
本発明の装置の集積回路は、実際にはカプセル封止内のアイランドであり、少なくともより大きい部分に関して及び垂直相互接続部を別にすれば電気的に絶縁である。このアイランド状構造及び垂直相互接続部により、半導体基板又は側面における如何なる相互接続部も、何れの金属ホイルと接触するようになるリスクはない。したがって、機能の低下又は誤作動さえ生じさせる如何なる制御不可能な及び不所望な効果も、斯様にして防がれる。
【０００９】
装置の非有効領域は、集積回路が規定される有効領域の周辺の横方向の領域である。非有効領域及び有効領域は、装置の表面領域の全体を占めるのに補完的であり得る。しかし、有効領域と非有効領域との間において中間領域が存在することを排除されない。そして非有効領域は、縁部領域である。これにより、本発明の目的である、ラミネートにおける如何なる回路のショートも防ぐことが達成される。
【００１０】
本発明の装置の有利な点は、基板の厚さが、装置の安定性を損じることなく低減され得ることである。事実、支持層は、半導体基板から支持機能を引き継ぐ。支持層が自由に選択され得るので、このことは、装置が全体として、屈曲可能であり得ることも又は完全に柔軟性を有することさえも可能にする。
【００１１】
別の有利な点は、薄化の結果として、装置が、完全に又は概ね透明であり得ることである。この特徴は、可能な安全性機能を鑑みると有利である。
【００１２】
特定のアイランドに対する基板の半導体層の制限の更なる有利な点は、個々の装置が、容易に互いに分離され得、切断されなければならない何れのセラミック材料又は金属である必要がないということである。
【００１３】
適した実施例において、第１接触面への垂直相互接続部は、非有効領域に存在し、前記第１接触面が、電気伝導層において規定される。該基板の第２面における高濃度ドープ領域としての代わりの、個別の層における第１接触面の存在は、接触面から実際の回路への抵抗を低減する。これは、更には、基板を通ずる垂直相互接続部と近隣部の半導体要素との間における不所望な相互作用のリスクも低減する。
【００１４】
好ましい実施例において、電気絶縁層は、非有効領域において存在するように、横方向に実質的に連続的である。特に、この絶縁層は、１つの側面から反対側の側面へ装置にわたって完全に延在する。斯様な連続的な存在は、装置の安定性に対して有益であるだけでなく、処理中における効率的なバリア層、特にエッチング停止層にもなる。この絶縁層が、第１面から及び第２面からの処理の両方において斯様に用いられ得ることにおいて、有効性は大きい。更に、好ましくは酸化膜である又は酸化膜を含む絶縁層は、有機層との十分な接着を確立することを可能にする。
【００１５】
本発明の半導体装置は、少なくとも２つの技術で提供され得る。第１の技術においては、単結晶半導体基板が用いられ、該単結晶半導体基板の第２面において、要素が規定され、熱酸化膜層が設けられる。半導体要素の有効領域は、基板を薄化する間、ハードマスクによって（ウェット又はドライの）エッチング手段に対して保護される。結果として、装置は、第１面においてメサを設けられる。
【００１６】
第２技術においては、埋め込まれた酸化膜層を有する基板が用いられる。斯様な基板の周知の例は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板である。ＳＯＩ基板の使用は、得られる装置が屈曲可能であるだけでなく、完全に柔軟性であることを可能にさせる。このことは、集積回路の存在が秘密に維持されることが好ましい識別ラベルに関して、特に有利である。この場合、電気絶縁層は、基板の第２面に存在し、垂直相互接続部が、該電気絶縁層を通じて延在する。酸化膜の電気絶縁層の代わりに又はこれに加えて、例えば、窒化物及び特にＬＰＣＶＤを用いて設けられる窒化物などの、パシベーション層が存在し得る。この層は、基板の除去の後に、環境からの水分を含む不純物の装置への拡散を防ぎ得る。このＳＯＩ基板の基礎層は、支持物としてのみ意味されるので、当業者にとって、この基礎層が、所望の柔軟性を与えるために除去されるべきであることは明らかである。
【００１７】
好ましい実施例において、相互接続構造は、非有効領域において存在する第１及び第２ビアパッドを設けられ、第１および第２垂直相互接続部のそれぞれが、該パッドにおいて存在する。半導体要素の有効領域の外側の垂直相互接続部を設けることにより、化学的汚染及び寄生電気相互作用が防がれ得る、又はかなり低減され得る。更に、垂直相互接続部が、実際には複数の薄く弱い層の多層スタックである有効領域の外側に構築される場合、圧力差又は熱膨張の差の結果としてのいかなる亀裂も容易に防がれる。特に、第２ビアパッドは、集積回路における他のパターンと比較して大規模な寸法を有する。この寸法は、支持層の厚さ及びこの支持層を通ずるエッチングステップの結果として、例えば、約１０×１０μｍ又はそれ以上であり得る。
【００１８】
ビアパッドが基板の一部である電気絶縁層に存在することが大いに好ましい。この存在は、安定性に関して有利である。更なる実施例において、ビアパッド及び垂直相互接続部は、Ａｌなどの延性のある材料を有し得る。電気絶縁層は、好ましくは酸化膜層を有する。
【００１９】
支持層は、有機材料を有することが好ましい。斯様な材料は、感光性であるように選択され得る。更に、該支持層は、所要の支持を提供するように例えば５〜２０μｍの範囲の大きな厚さを有するが、それにもかかわらず柔軟性に対して不利益ではない。また支持層は、低誘電定数を有し得る。このことは、第１及び第２接触面の間の寄生容量を制限する。誘電定数は、代わりに、所望のように補正されまた増加され得る。得られる寄生容量は、双極子アンテナと組み合わせて特に適している同調コンデンサとして用いられ得る。
【００２０】
更に好ましい実施例において、支持層は、装置の第１面においても同様に存在する。装置は、これにより、斯様な支持層において両方の面においてカプセル封止される。このことは、屈曲特性を鑑みると、かなりの有利な点を有する。装置は、伸びストレスに対してよりも圧縮ストレスに対してより過敏であることが分かっている。圧縮ストレスは、半導体層及び／又は相互接続構造においてマイクロクラックを生じさせ得る。支持層を第１面において同様に設けることにより、圧縮ストレスは、この支持層に緩和され得る。明らかであるように、支持層は、十分な弾性を有する。
【００２１】
本発明の装置は、更に無線送信用アンテナを組み込む識別ラベルに適切に集積化され得る。斯様な識別ラベルは、物流において又は製品のセキュリティにおいて用いる識別ラベルの他に、セキュリティペーパー並びに、銀行券、パスポート及びその他のチケットなどの斯様なペーパーを組み込む文書であり得る。従来技術において周知であるように、銀行券に存在するセキュリティスレッド(security thread)に対して銀行券において集積回路を付属することは好ましくあり得る。セキュリティスレッドは、必要な如何なる変更態様を施した、双極子アンテナとして用いられ得る。組立の容易性及び柔軟性を鑑みると、本発明の装置は、この目的に対して非常に良く適している。更に、第１及び第２接触面の間における寄生コンデンサは、所望の周波数に関する同調コンデンサとして機能するように設計され得る。
【００２２】
代替として、本発明の装置は、ＤＶＤ若しくはＣＤ、又はスマートカードなどの情報担体を含む他の機器において統合され得る。
【００２３】
本発明の装置及びアンテナ間の結合は、例えば、異方性でありしかし容量性でもある伝導接着剤を用いて、接触面がアンテナと一緒になってコンデンサ電極を形成することにおいて、共に直流結合として実現され得る。半導体装置が、組立の前に接着剤を備えられることが有利であり得る。特に適した接着剤は、加熱により接着力が増加する種類の接着剤である。
【００２４】
本発明の第２目的は、堅固な方法で、本発明の半導体装置を製造する方法を提供することである。この目的は、当該方法が、
−半導体層及び電気絶縁層を備える基板と、有効領域において規定される複数の半導体要素を備える集積回路とを設けるステップであって、前記半導体要素が、所要のパターンに従い相互接続構造で互いに相互接続され、前記相互接続構造が、第１ビアパッド及び第２ビアパッドを有し、前記ビアパッドが、前記有効領域の実質的に外側であり横方向にある領域において存在するように設けるステップと、
−電気絶縁材料の支持層を前記第２面に塗布し、前記支持層において前記第２ビアパッドに対応する接触窓を設けるステップと、
−電気伝導性材料を所望のパターンで前記第２面に塗布し、これにより、第２接触面と、前記接触面及び前記第２ビアパッドの間における第２垂直相互接続部とを設けるステップと、
−前記基板を前記第２面で、取り外し可能な接着手段を用いて担体に接着するステップと、
−前記第１面から前記基板を薄化し、これにより前記基板の前記絶縁層が、前記有効領域の横方向の外側にあり前記有効領域の周囲における非有効領域の少なくともある程度において剥き出しにされるステップと、
−少なくとも前記絶縁層を介して延在する第１垂直相互接続部を通じて前記第１ビアパッドへ接続される第１接触面を前記第１面において設けるステップと、
−前記斯様に得られた半導体装置を前記担体から取り除くステップと、
を有することにおいて達成される。
【００２５】
本発明によるこの方法は、欧州特許出願公開第1,256,983号から既知である半導体装置と類似である半導体装置を導くが、本発明による半導体装置は、底面及び表面の両方において接触部を有するという明確な有利な点を有する。
【００２６】
ＳＯＩ型の基板を用いることが特に好ましい。この場合、絶縁層が基板に埋め込まれている。基板は、更に、基礎層及び半導体層を有し、該基礎層は、薄化ステップにおいて除去され、該半導体層の中及び表面において、半導体要素が規定される。
【００２７】
第１垂直相互接続部は、集積回路の一部として又は薄化処理の終了作業の後に設けられ得る。処理の前に、例えば集積回路の一部として、この第１垂直相互接続部を設けることが好ましい。このことは、上述の方法ステップの何れにも関して、高解像度が必要ではないという有利な点を有する。
【００２８】
斯様な低解像度パターン処理は、半導体ウェハ工場においてよりも使用するのが安価である組立工場において行われ得る。所望である場合、パターン化された支持層は、同様に、装置を組立工場へ移送する前に設けられ得る。
【００２９】
従来技術において周知であるように、複数の半導体装置が単一動作で設けられることは更に有利である。キャリアからの装置の取り出しを向上化するために、ウェハの縁部において支持層が除去され、接着剤が代わりに塗布されることが好ましい。
【００３０】
本発明の方法、半導体装置および識別ラベルのこれら及び他の態様は、図面を参照にして更に説明される。
【００３１】
図面は、縮尺通りに描かれておらず、等しい参照符号は、等しい又は類似の部分を参照する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
図１ないし７は、本発明による半導体装置を製造する方法の第１実施例に関する。得られる装置は、図８に示される。
【００３３】
本発明の第１の方法において、絶縁層１１が埋められている基板１０が用いられる。埋められている層１１は、通常、酸化膜層であるが、好ましくは集積回路２０の化学的保護を向上するために窒化層を含み、該層１１は、通常エピタキシャル的に成長される半導体材料の半導体層内及び上において設けられる。埋められている層１１の反対側において、基礎層が存在する。基板１０における基礎層及び半導体層の両方の半導体材料は、この場合シリコンである。集積回路２０は、有効領域Ａにおいて複数の半導体素子（不掲載）を備える。前記要素は、（具体的には示されない）相互接続構造で所望のパターンに従い相互に接続される。前記構造は、第１ビアパッド２１及び第２ビアパッド２２を備え、該パッド２１および２２は、有効領域Ａの実質的に外側の横の位置にある領域Ｂにおいて存在する。ビアパッドは、延性を鑑みて、アルミニウムの層で設けられることが好ましい。しかし、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ又は伝導性ペーストが、代替として用いられ得る。
【００３４】
図２は、電気絶縁材料の支持層１２が第２面２において塗布された後の結果を示す。この場合において、一般的な10〜20μｍ厚みのポリイミドが用いられる。表面は、例えばスピンコートによってポリイミドを塗布する前に、きれいにされており、下塗り層が接着を向上するために備えられている。ポリイミドの塗布の後には、始めに１２５℃へ、その後２００℃へ熱される。その後、フォトレジストが塗布され、適切な放射源に露光され、現像される。現像処理は、第２ビアパッド２２を露光する接触窓１３を作成するように、ポリイミド層の構造化処理を含む。ポリイミドの支持層１２は、通常６インチウェハである基板の縁領域Ｃにおいても除去される。縁部領域Ｃにおける支持層の除去１３は、歩留まりに有益な効果を有する。
【００３５】
図３は、電気伝導層が、基板１０の第２面２において設けられた後の結果を示す。電気伝導層は、第２接触面３１とこの接触面３１及び第２ビアパッド２２の間における第２垂直相互接続部３２を有するパターンで塗布される。好ましくは、電気伝導層は、Ａｌを有する。このことは、第２ビアパッド２２に関してＡｌの使用と組み合わせることで、良好な電気接続を与え、ホイル箔の如何なる曲げ及び装置をラベルにラミネートする際における如何なる力にも耐える所要の柔軟性を有する。
【００３６】
図４は、取り外し可能な接着手段４１を用いて担体４０に接着された後の基板１０を示す。この手段４１は、この場合、ＵＶ放射を用いて照射すると解放可能になる接着層である。ここにおいて、担体４０は、透明であり、この例においては、ガラス層である。支持層、第２接触面３１及び相互接続部３２に酸化層を塗布することが好ましい。この有利な点は、同様に歩留まり向上である。所望である場合、この層は、所望のパターンに従い提供され得る。その後縁領域Ｃは、下塗りされる。その結果は、縁部Ｃにおける接着部４１及び支持部１２の間における良好な接着、及び他の領域における大幅に弱い接着になる。
【００３７】
図５は、基板１０が第１面から薄化された後の結果を示す。この薄化は、通常、グラインド処理及びＫＯＨを用いた継続エッチングによって実現される。薄化は、基板１０の基礎層が除去されるまで継続される。埋められた層１１は、ここにおいてエッチング停止層として振舞う。
【００３８】
図６は、埋められた酸化膜層が、接触窓１４を作製するようにパターン化された後の結果を示す。
【００３９】
図７は、第１垂直相互接続部３４及び第２接触面３３が作製される、更なる金属層を塗布した後の結果を示す。更なる金属層は、例えばＡｌ又はＣｕを含む。Ｃｕの場合、半導体層の如何なる汚染も防ぐために、バリア層が塗布される。担体４０の除去の後には、個々の装置１００が分離され得る。
【００４０】
図８は、第１実施例における本発明の装置１００を示す。装置１００は、第１接触面３３、第２接触面３１及び集積回路２０を備える。集積回路は、接触面３１及び３３への接続を確立する垂直相互接続部３２及び３４を具備される。装置１００は、有効領域Ａ及び非有効領域Ｂを具備される。装置１００は、支持層１２によって支持される。基板１０の半導体層は、有効領域Ａにおいてのみ存在する。この場合、基板の左側の部分のみが、有効領域におけるエピタキシャル成長半導体層であり、電気絶縁層１１である。半導体層及び非有効領域Ｂにおいて如何なる層の基礎層もないことにより、如何なる不所望の電気接触も装置１００の側面１０１を介して行われることを防がれる。支持層１２は、ここにおいて、通常約5〜15μｍ、好ましくは約10μｍを有し、接触面３１及び３３は、約0.2〜1.5μｍ、好ましくは1.0μｍの厚みを有する。
【００４１】
図９〜１４は、本発明の方法の第２実施例を示す。この方法は、第１方法におけるステップと同等のステップの数を有する。しかし、主な相違点は、基板１０である。基板１０は、この例において、如何なる埋め込まれる酸化膜層も必要としない、単結晶又は多結晶のシリコン基板である。酸化膜層１１は、基板１０の第２面に存在し、同時に、集積回路２０内の半導体要素のゲート酸化膜層として用いられる。半導体要素は、例えば、所要の濃度での選択された材料の注入ドーパントによる、既知の手法で基板１０の表面に規定される。基板１０の一部分から第１面１へ延在するウェルも埋め込まれる。このウェルの上には、酸化膜層１１がパターン化され、電気的に接続される。これは、処理の後の段階において提供されるべき第１接触面への第１垂直相互接続部３４を構成する。相互接続部３４に加えて、第１ビアパッド２１及び第２ビアパッド２２が規定される。これらのビアパッド２１及び２２は、有効領域Ａの外側において、また必ずしもそうではないが部分的に非有効領域Ｂにおいて位置され得る。
【００４２】
図１０は、柔軟支持層１２が塗布され、キュアされそして所望の方法でパターン化されて、柔軟支持層１２が縁領域Ｃから除去されるように、及び接触窓１３を第２ビアパッド２２に対して作製するようにされた後の結果を示す。
【００４３】
図１１は、電気伝導性材料が、支持層１２の上の第２面において所望のパターンで塗布された後の方の結果を示し、これにより、第２接触面３１と第２接触パッド２２への垂直相互接続部３２とを規定する。
【００４４】
図１２は、前記構造が、接着部材４１を用いて担体４０に接着された後の結果を示す。
【００４５】
図１３は、基板１０が、第１面１から薄化され、エッチマスク３３が塗布された後の結果を示す。このエッチマスクは、電気伝導性材料で作製され、後に第１接触面として機能し得る。第１接触パッド２１への接触は、ここにおいて、垂直相互接続部３４の一部分である、基板１０を介したウェルを介して行われる。このことは、基板１０、集積回路２０の要素及び垂直相互接続部３４を示す図１６において更に詳細に示され、垂直相互接続部３４は、金属トレース３４Ａと基板１０を介するウェル３４Ｂとによって形成される。
【００４６】
図１４は、基板１０が第１面からエッチングされ、この方法でメサ５０が作製された後の結果を示す。メサ５０は、更に、メサの外側に存在すると共に半導体基板１０が存在しない非有効領域Ｂを規定する。ビア３４は、メサ５０の外側に存在され得ることが認められる。この場合、ビア３４は、メサの形成の後に、電気伝導層が基板の第１面において所望のパターンに従い設けられるように形成される。
【００４７】
図１５は、有効領域Ａ及び非有効領域Ｂを有する、結果的に得られる半導体装置１００を示す。この場合、非有効領域Ｂと有効領域Ａとの間には更なる領域が存在することが注意されるべきである。装置１００は、第１及び第２接触面３１及び３３、並びに該面３１及び３３を集積回路２０へ接続する垂直相互接続部３２及び３４を備える。
【００４８】
図１７は、本発明の半導体装置１００の識別ラベル２００への集積化方法を示す。ラベル２００は、第１ホイル２１１及び第２ホイル２１２をラミネートすることによって製造される。該ホイルは、ロール３００において備えられ、ラミネート処理は、車輪３１０を介して構造化される。ホイル２１１及び２１２は、例えば双極子アンテナなどのアンテナとして動作することが可能である、複数の伝導性パターン２０１及び２０２をそれぞれ具備する。この方法において、半導体装置１００は、該ホイルの間において備えられる。接着性を向上させるために、半導体装置１００又はホイル２０１及び２０２の一方において接着剤が存在し得る。半導体装置１００は、ホイルにおいて、特定の向きに関係なく備えられる。非有効領域Ｂにおいて半導体基板１０が存在しないことにより、伝導性パターン２０１及び２０２のうちの１つのパターンが、該装置の第１接触面および第２接触面の両方と電気的接触であるリスクがなくなる、すなわち半導体基板を介した相互作用によるかなりの寄生容量が存在する。ホイル２０１及び２０２におけるパターンは、更にセキュリティスレッドとなるように設計され得る。
【００４９】
本発明の装置の更なる有利な点は、有効領域が、ラベルへのラミネート中における力に対して保護されるという点である。このラミネート処理において、大きな力が、垂直相互接続部である金属領域へ及ぼされる。しかし、これらは、有効領域Ａの外側であり、如何なる力も、支持層へ更に導かれ得る。この支持層が、装置の側面において自由表面を有するので、斯様な力を緩和させることが可能である。またＶ形第２垂直相互接続部は、ラミネート処理における圧力の負効果を低減し得る。
【００５０】
要約すると、本発明の半導体装置１００は、集積回路２０と第１及び第２接触面３１及び３３とを備える。これら第１及び第２接触面３１及び３３は、垂直相互接続部３２及び３４を用いて集積回路２０へ接続される。この集積回路２０は、基板の半導体層において存在する。この基板は、非有効領域Ｂにおいて不在である。このことは、装置１００の側面１０１において、如何なる伝導性材料も半導体基板の部品も剥き出しにされることはない事実を導く。２つの金属膜加工されたホイル間における識別ラベルへの装置のラミネートにおいて、装置１００の側面１０１における不所望な接触による回路ショートのリスクは、これにより防がれる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図２】図２は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図３】図３は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図４】図４は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図５】図５は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図６】図６は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図７】図７は、当該方法の第１実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図８】図８は、前記第１実施例における半導体装置の概略的な断面図を示す。
【図９】図９は、当該方法の第２実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図１０】図１０は、当該方法の第２実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図１１】図１１は、当該方法の第２実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図１２】図１２は、当該方法の第２実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図１３】図１３は、当該方法の第２実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図１４】図１４は、当該方法の第２実施例におけるステップのうちの１つのステップの断面図を示す。
【図１５】図１５は、前記第２実施例における半導体装置の概略的な断面図を示す。
【図１６】図１６は、図１５の詳細を示す。
【図１７】図１７は、識別ラベルにおける半導体装置の集積化の概略的断面図を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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