【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ある態様において、ケイ素含有膜を堆積するための組成物であって、式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有する少なくとも１種のビスアミノアルコキシシランを含む上記組成物が提供される。式Ｉを有する例示的ビスアミノアルコキシシラン前駆体化合物としては、特に限定されないが、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）メトキシメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）エトキシメチルシラン、ビス（ｃｉｓ−２，６−ジメチルピペリジノ）メトキシメチルシラン、及びビス（ｃｉｓ−２，６−ジメチルピペリジノ）エトキシメチルシランが挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
別の態様において、ケイ素含有膜を基材の少なくとも１つの表面上に形成する方法であって：
反応装置中に基材を提供する工程と；及び
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシランを含む少なくとも１種の前駆体を使用する堆積法により、ケイ素含有膜を少なくとも１つの前記表面上に形成する工程と、を含む上記方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
別の態様において、原子層堆積法又はサイクリック化学蒸着法を用いて、酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成する方法であって：
ａ．反応装置中に基材を提供する工程と；
ｂ．式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を、反応装置に導入する工程と；
ｃ．反応装置をパージガスでパージする工程と；
ｄ．酸素源を反応装置中に導入する工程と；
ｅ．反応装置をパージガスでパージする工程と；そして
所望の厚さの膜が得られるまで、工程ｂ〜ｅを繰り返す工程、とを含む上記方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらなる態様において、ＣＶＤ法を使用して、酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸化ケイ素膜を、基材の少なくとも表面上に形成する方法であって：
ａ．反応装置中に基材を提供する工程と；
ｂ．式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を、反応装置に導入する工程と；
ｃ．酸素源を提供して、酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸化ケイ素膜を、少なくとも１つの表面上に堆積させる工程、とを含む上記方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
別の態様において、原子層堆積法又はサイクリック化学蒸着法を介して、酸化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜又は炭酸窒化ケイ素膜を形成する方法であって：
ａ．反応装置中に基材を提供する工程と；
ｂ．式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を、反応装置に導入する工程と；
ｃ．反応装置をパージガスでパージする工程と；
ｄ．窒素含有源を反応装置中に導入する工程と；
ｅ．反応装置をパージガスでパージする工程と；そして
所望の厚さの窒化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜又は炭酸窒化ケイ素膜が得られるまで、工程ｂ〜ｅを繰り返すことを含む、上記方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらなる態様において、ＣＶＤ法を使用して、窒化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜を、基材の少なくとも表面上に形成する方法であって：
ａ．反応装置中に基材を提供する工程と；
ｂ．式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を、反応装置に導入する工程と；
ｃ．窒素含有源を提供する工程、とを含み、
ここで、少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と窒素含有源は反応して、ケイ素と窒素の両方を含む膜を、少なくとも１つの表面上に堆積させる、上記方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに別の態様において、ケイ素含有膜の堆積のための組成物であって：
以下の式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を含む、上記組成物が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ある実施態様において、以下の式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を使用する堆積法が、本明細書に記載される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
式Ｉのある具体的な実施態様において、Ｒ2とＲ4は両方とも水素原子であり、Ｒ3とＲ5は、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、例えばｔｅｒｔ−ブチル又はｔｅｒｔ−ペンチル基から独立して選択される。特定の理論に拘束されるつもりはないが、分岐アルキル基の立体障害が良好な熱安定性を与えると考えられる。本明細書において用語「安定な」は、本明細書に記載の前駆体が、６ヵ月以上、１年以上、２年以上、又は保存可能を示す他の期間保存された後に、０．５重量（ｗｔ）％以上、１重量％以上、２重量％以上、５重量％以上、又は１０重量％以上変化していないことを意味する。例えば、前駆体の濃度は、本明細書に記載のように安定であると見なされるためには、１年間保存後に、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）又は他の分析法に基づいて、その初期パーセントの１０％超の組成変化をしてはならない。前駆体の良好な熱安定性および組成安定性は、蒸着チャンバーへの一貫した前駆体供給及び一貫した蒸着パラメータを確保するのに重要である。さらに、良好な熱安定性はまた、保存及び取り扱い中の置換基又はリガンド交換の確率を低下させる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本明細書に開示される方法の別の実施態様において、ケイ素含有膜は、
ＡＬＤ反応装置中に基材を提供する工程と；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を、ＡＬＤ反応装置に導入する工程と；
少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体を基材上に化学吸着する工程と；
反応しなかった少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体をパージガスを使用してパージする工程と；
窒素含有源を、加熱された基材上の少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体に提供して、吸着された少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と反応させる工程と；そして
任意選択で、反応しなかった窒素含有源をパージする工程と、
を含むＡＬＤ堆積法を使用して、形成される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本明細書に開示される方法の別の実施態様において、ケイ素含有膜は、
反応装置中に基材を提供する工程と；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を、反応装置に導入する工程と；
少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体を基材上に化学吸着する工程と；
反応しなかった少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体をパージガスを使用してパージする工程と；
加熱された基材上の少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体に、窒素含有源を提供して、吸着された少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と反応させる工程と；そして
任意選択で、反応しなかった酸素源をパージする工程と、
を含むＡＬＤ堆積法を使用して、形成される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本明細書に記載の方法のさらなる実施態様において、ケイ素含有膜及び酸素含有膜は、熱ＣＶＤプロセスを使用して堆積される。この実施態様において、本方法は、
１つ以上の基材を、周囲温度〜約７００℃の範囲の温度に加熱され、１０Ｔｏｒｒ以下の圧力に維持されている反応装置中に入れる工程と；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を導入する工程と；
酸素源を反応装置に提供して、少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして１つ以上の基材上に膜を堆積させる工程と、を含む。ＣＶＤ法のある実施態様において、反応装置は、導入工程中、１００ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力に維持される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本明細書に記載の方法のさらなる実施態様において、ケイ素含有膜及び窒化物含有膜は、熱ＣＶＤプロセスを使用して堆積される。この実施態様において、本方法は、
周囲温度〜約７００℃の範囲の温度に加熱され、１０Ｔｏｒｒ以下の圧力に維持されている反応装置中に、１つ以上の基材を入れる工程と；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体を導入する工程と；
窒素含有源を反応装置に提供して、少なくとも１種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして１つ以上の基材上にケイ素含有膜を堆積させる工程と、を含む。ＣＶＤ法のある実施態様において、反応装置は、導入工程中、１００ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力に維持される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ある具体的な実施態様において、流動性化学蒸着法は、
表面特徴を有する基材を、−２０℃〜約４００℃の範囲の温度に維持されている反応装置中に入れる工程と；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体と窒素源とを、反応装置に導入する工程であって、前記少なくとも１つの化合物は窒素源と反応して、表面特徴の少なくとも一部の上に窒化物含有膜を形成する工程と；
前記基材を前記酸素源を用いて、約１００℃〜約１０００℃の範囲の１つ以上の温度で処理して、前記表面特徴の少なくとも一部の上に膜を形成させる工程と、を含む。別の実施態様において、前記膜は酸素源に曝露され、その間、約１００℃〜約１０００℃の範囲の温度で紫外線照射にさらされる。この方法の工程は、表面特徴が高品質酸化ケイ素膜で充填されるまで繰り返すことができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
ある具体的な実施態様において、流動性化学蒸着法で酸窒化ケイ素及び炭素ドープ酸窒化ケイ素から選択される膜を堆積させる方法は、
表面特徴を有する基材を、−２０℃〜約４００℃の範囲の温度で維持されている反応装置中に入れる工程と；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体と窒素源とを、反応装置中に導入する工程であって、前記少なくとも１種の化合物が窒素源と反応して、表面特徴の少なくとも一部の上に窒化物含有膜を形成する工程と；
基材を窒素源で処理して酸窒化ケイ素膜又は炭素ドープ酸窒化ケイ素膜を形成させて、表面特徴の少なくとも一部を被覆する工程と、を含む。任意選択で、膜は、約１００℃〜約１０００℃の範囲の温度で紫外線照射にさらして、生じる膜を高密度化することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物。
【請求項２】
Ｒ1はメチル基であり；Ｒ2及びＲ4はそれぞれ水素原子であり；Ｒ3及びＲ5はそれぞれｔｅｒｔ−ブチル及びｔｅｒｔ−ペンチルから選択されるＣ3〜Ｃ10分岐アルキル基であり；そして、Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ3線状アルキル基及びＣ3〜Ｃ5分岐アルキル基から選択される、請求項１に記載のビスアミノアルコキシシラン化合物。
【請求項３】
ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）メトキシメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）エトキシメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）イソプロポキシメチルシラン、ビス（ｃｉｓ−２，６−ジメチルピペリジノ）メトキシメチルシラン、及びビス（ｃｉｓ−２，６−ジメチルピペリジノ）エトキシメチルシランからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のビスアミノアルコキシシラン化合物。
【請求項４】
基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成する方法であって、
反応装置中に基材を提供する工程；並びに
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシランを含む、少なくとも１種の前駆体を使用する堆積法により、ケイ素含有膜を前記少なくとも１つの表面上に形成する工程を含む、方法。
【請求項５】
前記堆積法は、サイクリック化学蒸着（ＣＣＶＤ）、熱化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、高密度ＰＥＣＶＤ、光子支援ＣＶＤ、プラズマ光子支援（ＰＰＥＣＶＤ）、低温化学蒸着、化学支援蒸着、熱フィラメント化学蒸着、液体ポリマー前駆体のＣＶＤ、低エネルギーＣＶＤ（ＬＥＣＶＤ）、及び流動性化学蒸着からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積法は、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、及びプラズマ強化サイクリックＣＶＤ（ＰＥＣＣＶＤ）法からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積法は流動性化学蒸着（ＦＣＶＤ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
流動性化学蒸着法で、表面特徴を有する基材の少なくとも一部の上にケイ素含有膜を堆積させる方法であって、
表面特徴を有する基材を、−２０℃〜約４００℃の範囲の１つ以上の温度に維持されている反応装置中に入れる工程；
式Ｉ：
Ｒ1Ｓｉ（ＮＲ2Ｒ3）（ＮＲ4Ｒ5）ＯＲ6      Ｉ
（式中、Ｒ1は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ4〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ3及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；Ｒ6は、Ｃ1〜Ｃ10線状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分岐アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、及びＣ4〜Ｃ10芳香族炭化水素基から選択され；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ3、Ｒ4とＲ5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ；及び任意選択で、式Ｉ中のＲ2とＲ4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる）を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも１種の前駆体と窒素源とを反応装置に導入する工程であって、少なくとも１つの化合物は窒素源と反応して、表面特徴の少なくとも一部の上に窒化物含有膜を形成する工程；
酸素源、窒素含有源、又はこれらの両方から選択される供給源を導入して、基材上のビスアミノアルコキシシラン化合物と反応させて、前記表面特徴の少なくとも一部の上に流動性膜を形成させる工程；
前記流動性膜を酸素源を用いて、約１００℃〜約１０００℃の範囲の１つ以上の温度で処理して、前記表面特徴の少なくとも一部の上に、固体のケイ素及び酸素含有膜を形成させる工程を含む、方法。
【請求項９】
前記流動性膜を約１００℃〜約１０００℃の範囲の１つ以上の温度で紫外線照射にさらすことをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸素源は、水、酸素プラズマ、オゾン、及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記窒素含有源は、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、窒素と水素とを含むプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、及び有機アミンプラズマからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記工程は、前記表面特徴が固体のケイ素及び酸素含有膜で実質的に充填されるまで繰り返される、請求項８に記載の方法。