(57)【要約】  半導体デバイス（１０）は、複数の導体パッド部を備えた半導体ダイ（１６）、複数の導体パッド（２０〜２６）、封入材バリア（１８）及び封入材（３０）を含む。複数の導体パッドは、導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッド部と電気的に接触する。封入材バリア（１８）は、半導体ダイの外周に配置される。封入材バリアの高さは、複数の導体パッドのうち最も高い導体パッドと同じかそれ以上の高さである。封入材バリアは、導体パッド部と同じ半導体ダイの表面と物理的に接触する。封入材（３０）は、半導体ダイと封入材バリアの一方の側面とを取り囲む。デバイスの封入時に、封入材は、封入材バリアにより、暫定基部支持層に支持されながら、複数の導体パッドのいずれとも物理的な接触が回避されている。
2007535811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
互いに対向する第一表面及び第二表面を有し、第一表面が複数の導体パッド部を有する半導体ダイと、
複数の導体パッドであって、各導体パッドは実質的に同じ所定の高さを有し、かつ第一端及び第二端を有し、各導体パッドの第一端が複数の導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッド部と電気的に接触する導体パッドと、
複数の導体パッドの周囲に配置される封入材バリアであって、前記封入材バリアは複数の導体パッドと実質的に同じ所定の高さを有し、前記封入材バリアは第一表面及びそれと対向する第二表面を有し、第一表面が前記半導体ダイの第一表面と物理的に接触する封入材バリアと、
第一表面及び第二表面を有する第一層であって、第一層の第一表面は前記封入材バリアの第二表面及び各導体パッドの第二端と直接、物理的に接触する第一層と、
第一層と直接、物理的に接触する第二層と、
前記半導体ダイの第二表面を取り囲み、前記封入材バリアにより、複数の導体パッドのいずれとも物理的な接触が回避される封入材とを備え、
第一層及び第二層は、前記封入材の硬化後に前記半導体ダイから離間可能である半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、
前記封入材バリアは、更に、複数の導体パッドを分離する空隙内の膨張ガスを放出するため少なくとも一つの通気口を備える半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、
前記封入材バリアは、複数の導体パッドと同じ材料からなる半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、
前記封入材バリアは、複数の導体パッドと異なる材料からなる半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体デバイスは、更に、
前記半導体ダイ上に提供された回路を備え、
前記回路は、電磁妨害、アンテナ又はインダクタを隔離するために電気シールドの一つとして封入材バリアを用いる半導体デバイス。
【請求項６】
請求項５記載の半導体デバイスにおいて、
前記回路は、前記封入材バリアに対して電気的に接続される半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１記載の半導体デバイスは、更に、
前記半導体ダイ上に提供された回路を備え、
前記封入材バリアを用いて前記回路内の電気機能を実行するため、前記回路は、前記封入材バリアに対して電気的に接続される半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１記載の半導体デバイスは、更に、
複数の導体パッドと前記半導体ダイの第一表面との間に介装された保護層を備え、前記封入材バリアの一部が前記保護層と物理的に接触する半導体デバイス。
【請求項９】
封入時に半導体ダイを保護する方法であって、
前記半導体ダイの一側面上に複数の導体パッド部を提供するステップと、
複数の導体パッド部内に複数の導体パッドを形成するステップであって、各導体パッドは実質的に同じ所定の高さを有し、かつ第一端及び第二端を有し、各導体パッドの第一端が複数の導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッド部と電気的に接触するステップと、
複数の導体パッドの周囲に封入材バリアを提供するステップであって、前記封入材バリアは第一表面及び第二表面を有し、前記封入材バリアは複数の導体パッドと実質的に同じ所定の高さであり、前記封入材バリアは前記半導体ダイの第一表面と物理的に接触するステップと、
第一表面及び第二表面を有する第一層を提供するステップであって、第一層の第一表面が前記封入材バリアの第二表面と直接、物理的に接触するステップと、
第一層と直接、物理的に接触する第二層を提供するステップと、
前記半導体ダイの第二表面を封入し、かつ前記封入材バリアにより、封入材を複数の導体パッドのいずれとも物理的に接触しないようにするステップと、
前記封入材の硬化後、前記半導体ダイから第一層及び第二層を除去するステップと
を備える方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法は、更に、
複数の導体パッドを分離する空隙内の膨張ガスを放出するため、封入材バリアに少なくとも一つの通気口を提供するステップを備える方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法は、更に、
前記半導体ダイ上に回路を提供するステップであって、電磁妨害、アンテナ又はインダクタを隔離するために回路用電気シールドの一つとして封入材バリアを用いるステップを備える方法。
【請求項１２】
請求項９記載の方法は、更に、
前記半導体ダイ上に回路を提供するステップであって、前記回路内で電気機能を実行するため、前記封入材バリアを使用して、同回路を封入材バリアに電気的に接続するステップを備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスに係り、より詳しくは、半導体デバイスの保護特定領域に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセス中に、半導体の活性領域への成形材料の流出を阻止することが望まれることが多い。つまり、半導体デバイスを製造する封入プロセス中に、半導体ダイ（例えば、樹脂）の封入に用いられる成形材料が、成形材料の望まれない半導体の活性領域に流出してしまうことがある。
【０００３】
現行の流出防止手段として、溝や堰堤を利用して基板やリードフレームリード上への成形材料の流出を阻止する方法がある。しかしながら、例えば、溝や堰堤の深さが成形材料を堰き止めるのに十分でなければ、この手段により、ダイ表面への成形材料の流出を必ずしも防止することはできない。他の流出防止手段は、露出したパッドパッケージの露出パッド上への樹脂の流出を防止する高いクランプ力を利用する。高いクランプ力は、状況によっては有用であるものの、この方法の使用は、信頼性及び収量の点で予測できない場合がある。半導体ダイの活性領域内に流出した成形材料を処理する別の方法として、表面処理を施して活性領域上での濡れを防止したり、余分な成形材料を取り除いたりすることがある。表面処理により余分な成形材料が抑止され、又は除去され易くなるものの、使用される過剰な化学物質が、半導体ダイの活性領域に悪影響を及ぼすことが多い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本明細書には、半導体ダイの活性領域に成形材料が浸透することを防止できる改良された封入材漏れ防止技術が開示されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態において、半導体デバイスは、半導体ダイ、複数の導体パッド、封入材バリア、第一層、第二層及び封入材を含む。半導体ダイは、互いに対向する第一表面及び第二表面を有する。半導体ダイの第一表面は、複数の導体パッド部を有する。各導体パッドは、実質的に同じ所定の高さを有し、第一端及び第二端を有する。各導体パッドの第一端は、複数の導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッド部と電気的に接触する。封入材バリアは、複数の導体パッドの周囲に配置され、複数の導体パッドと実質的に同じ所定の高さを有する。封入材バリアは、半導体ダイの第一表面と物理的に接触する。第一層は、第一表面及び第二表面を有し、第一層の第一表面は、各導体パッドの第二端と直接、物理的に接触する。第二層は、第一層と直接、物理的に接触する。封入材は、半導体ダイの第二表面を取り囲み、封入材バリアにより、複数の導体パッドのいずれとも物理的な接触が回避される。封入材の硬化後、第一層及び第二層は半導体から離間可能である。一実施形態において、封入材バリアは、複数の導体パッドと同じ材料からなる。更に別の実施形態において、封入材バリアは、複数の導体パッドと異なる材料からなる。
【０００６】
一実施形態において、半導体デバイスは、半導体ダイ、複数の導体パッド、封入材バリア、除去される第一層、除去される第二層及び封入材を含む。半導体ダイは、複数の導体パッド部を有する。複数の導体パッドは、複数の導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッド部と電気的に接触する。封入材バリアは、半導体ダイの外周に配置される。封入材バリアの高さは、複数の導体パッド部のうち最も高い導体パッド部と実質的に同じである。封入材バリアは、導体パッド部と同じ半導体ダイの表面と物理的に接触する。除去される第一層は、第一表面及び第二表面を有する。第一層の第一表面は、各導体パッドと直接、物理的に接触する。除去される第二層は、除去される第一層と直接、物理的に接触する。封入材は、半導体ダイを取り囲むが、封入材バリアにより、複数の導体パッドのいずれとも物理的な接触が回避される。封入材の硬化後、第一層及び第二層は、半導体ダイから除去される。
【０００７】
一実施形態において、半導体デバイスは、半導体ダイ、複数の導体パッド、封入材バリア及び封入材を含む。半導体ダイは、複数の導体パッド部を有する。複数の導体パッドは、複数の導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッドと電気的に接触する。封入材バリアは、半導体ダイの外周に配置される。封入材バリアの高さは、複数の導体パッドのうち最も高い導体パッドと同じか、それよりも高い。封入材バリアは、導体パッド部と同じ半導体ダイの表面と物理的に接触する。封入材は、半導体ダイと、封入材バリアの一側面とを取り囲む。封入材は、暫定基部支持層により支持されている間は、デバイスの封入時に、封入材バリアにより複数の導体パッドのいずれとも物理的な接触が回避される。
【０００８】
本発明の更に別の実施形態は、封入中に半導体ダイを保護する方法に関する。複数の導体パッド部が、半導体ダイの一方の側面に配置される。複数の導体パッドは、複数の導体パッド部の中に形成される。各導体パッドは、実質的に同じ所定の高さを有し、かつ第一端及び第二端を有する。各導体パッドの第一端は、複数の導体パッド部のうち所定の対応する別の導体パッド部と電気的に接触する。封入材バリアは、複数の導体パッドの周囲に備えられる。封入材バリアは、複数の導体パッドと実質的に同じ所定の高さを有する。封入材バリアは、半導体ダイの第一表面と物理的に接触する。第一表面及び第二表面を有する第一層が備えられている。第一層の第一表面は、各導体パッドの第二端と直接、物理的に接触する。第一層と直接、物理的に接触する第二層が備えられている。半導体ダイの第二表面は封入され、封入材は、封入材バリアにより、複数の導体パッドのいずれとも物理的な接触が回避される。封入材の硬化後、第一層及び第二層は、半導体ダイから除去される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、一例として示され、添付の図面に制限されない。図面中、同じ部材番号は、同様の構成要素を示す。
当業者にとって、図面中の構成要素は、簡略化及び明確化のために図示され、必ずしも実寸に基づいて図示されていないことは明らかである。例えば、図中の幾つかの構成要素の寸法は、本発明の実施形態を理解し易くするため、他の構成要素よりも誇張されている。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に従う半導体デバイス１０を示す。半導体デバイス１０は、基層１２、接着層１４、半導体ダイ１６、封入材バリア１８、導体パッド２０、導体パッド２１、導体パッド２２、導体パッド２３、導体パッド２４、導体パッド２５、導体パッド２６、活性化表面２８及び封入材３０を含む。
【００１１】
本発明の一実施形態において、接着層１４は、任意の接着性材料から形成される。一実施形態において、接着層１４は、導体パッド２０〜２６と接触する接着面を有するテープである。更に別の実施形態において、接着層１４は、シリコーンやアクリル性材料である。実施形態によっては、例えば、接着層１４が接着テープである場合、接着層１４を除去してもよい。
【００１２】
本発明の一実施形態において、封入材３０は、例えば、絶縁材料として作用する熱硬化性成形化合物や充填熱可塑性樹脂等、成形可能な任意の非導電性材料からなる。本発明の別の実施形態において、封入材３０は、例えば、金属充填材を含む熱硬化性エポキシや金属性充填材を含む熱可塑性物質等、成形可能な任意の導電性材料からなる。金属性充填材は、例えば、銀、銅、導電性被覆ポリマ球及び導電性ナノ粒子等、任意の適切な導電性材料からなる。金属性充填材は粒状をなす。一実施形態において、封入材バリア１８は、アルミニウム、銅、アルミニウム合金、銅合金等の金属からなる。別の実施形態において、封入材バリア１８は、ポリイミドや他の有機塩基不導体化材料からなる。
【００１３】
半導体製造プロセス中、導体パッド２０〜２６及び封入材バリア１８は、例えば、付加的なめっき技術や、サブトラクティブエッチング技術等、一般的な金属化技術を用いて半導体ダイ１６の活性領域２８上に形成される。本実施形態において、活性領域２８は、複数の導体パッド２０〜２６と、導体パッド２０〜２６間に位置する対応空隙（隙間）とを含む。本発明の別の実施形態は、図１に示されるものより多いか、或いは少ない数の導体パッドを含む。一実施形態において、活性領域２８は、封入材バリア１８外の半導体ダイ１６の一部を除く。別の実施形態において、活性領域２８は、他の封入バリア内の半導体ダイ１６の他の部分を含む。一実施形態において、半導体ダイ１６の活性領域２８は、接着層１４に接着される。更に、接着層１４は、接着層１４及び基層１２がいずれも除去されるように、基層１２に対して接着される。
【００１４】
説明を簡単にするため、半導体１６は、幾つかの部分、つまり、上部１７、側部１３、側部１５、底部１１、底部９及び底面２９に区分されている。半導体ダイ１６の上部１７、側部１３、側部１５、底部１１及び底部９は、封入材３０を用いて封入材バリア１８の高さまで封入される。封入材３０は、例えば、分注、射出やトランスファ成形、スクリーン印刷や押出しコーティング等、任意の適切な封入法を用いて供給される。封入材バリア１８は、接着層１４と接触している場合、活性領域２８上への封入材３０の流出を防ぐバリアとして機能する。一実施形態において、封入後に、接着層１４及び基層１２が除去され、導体パッド２０〜２６は、封入材３０を有さない伝導体として利用することができる。
【００１５】
前述したように、封入バリア１８の使用により、半導体ダイ１６の活性領域２８への封入材３０の流出や浸透が回避される。一実施形態において、封入材３０を有さない半導体ダイ１６の一又は複数の領域（活性化性や非活性化性）が封入バリア１８によって取り囲まれるように、封入バリア１８を、半導体ダイ１６上の幾つかの位置に配置してもよい。例えば、一実施形態において、封入バリア１８がリング状をなすように、封入バリア１８を、半導体デバイス１６の周囲に配置してもよい。それ以外にも、封入バリア１８は、リング状とは別の形状であってもよい。例えば、一実施形態において、封入バリア１８は、封入材３０を有さない導体パッドの周囲に螺旋状をなすように配置してもよい。
【００１６】
封入バリア１８の高さは、半導体デバイス１０により使用される導体パッド２０〜２６の高さに応じて変更される。一実施形態において、封入材バリア１８は、導体パッド２０〜２６のうち最も高い導体パッドと同じ高さを少なくとも有している必要がある。つまり、導体パッド２０〜２６の高さを変更してもよいが、少なくとも封入バリア１８が最も高い導体パッドと同じ高さを有している限り、封入バリア１８により、封入材３０は、同封入材バリア１８を越えて浸透することはない。
【００１７】
封入バリア１８は、半導体製造プロセス中の種々のタイミングで形成してもよい。封入バリア１８を形成するタイミングは、半導体デバイス１０の製造に用いられる金属化工程、パネル化工程等に応じて変更される。例えば、封入材バリア１８は、半導体ダイ１６に加えられる再分配金属を用いて形成してもよい。
【００１８】
図２は、図１に示す半導体デバイス１０の底面図である。この実施形態において、封入材バリア１８は、導体パッド２０〜２６等の導体パッドを取り囲む半導体ダイ１６の外縁に沿って配置されている。封入材バリア１８により、図１の封入材３０が図１の活性領域２８内に流出することが抑止される。
【００１９】
図３は、本発明の一実施形態に従う半導体デバイス３２を示す。半導体デバイス３２は、図１の説明で先に記載した製造プロセスに従って製造してもよい。封入バリア３６は、半導体ダイ３４上に配置される。封入バリア３６は、導体パッド３８等の導体パッドを取り囲む。一実施形態において、封入バリア３６は、螺旋状をなしており、ダイ表面から測定して、導体パッド３８等の導体パッドの最大高さと実質的に同じ高さを有する。封入バリア３６は、図１及び図２に示す封入材３０の活性領域３５への流入を回避しつつ、膨張ガスを活性領域３５から放出させる通気口３３を備えている。
【００２０】
図４は、本発明の一実施形態に従う半導体デバイス４０を示す。半導体デバイス４０は、半導体ダイ４２、導体パッド５５等の複数の導体パッド、封入バリア４４、活性領域５７、通気口４９、通気口５１、通気口５６及び通気口５９を含む。一実施形態において、半導体デバイス４０は、例えば、通気部４８、通気部５４、通気部５８及び通気部５０等の幾つかの通気の変更例を含む。各通気部４８、５４及び５８は、例示目的のため点線で図４に示されており、隠れた下部構造については図示されていない。各通気部は、図１及び図２の封入材３０の活性領域５７への流入を阻止しつつ、膨張ガスの活性領域５７からの流出を可能にしている。一実施形態において、封入バリア４５は、通気口５６を備える封入バリア４４の一部と平行に配置される。更に別の実施形態において、封入バリア４７は、活性領域５７内に配置され、通気口５１を備える封入バリア４４の一部と平行に配置される。一実施形態において、通気部４８は、その開口に適合する封入バリア４４の部分を備えた細長い止め金状をなしている。通気部の更に別の実施形態として、図示されるか、図示されない通気部の形状が採用される。
【００２１】
図５は、本発明の一実施形態に従う半導体デバイス６０を示す。一実施形態において、半導体デバイス６０は、基層６２、接着層６４、半導体ダイ６６、封入材バリア８０、導体パッド７１、導体パッド７２、導体パッド７３、導体パッド７４、導体パッド７５、導体パッド７６及び導体パッド７７を含む。半導体デバイス６０は、更に、活性領域６７及び保護層を含み、その保護層は、保護層部分１０１、保護層部分１０２、保護層部分１０３、保護層部分１０４、保護層部分１０５、保護層部分１０６、保護層部分１０７、保護層部分１０８及び保護層部分１０９を有している。また、半導体デバイス６０は、封入材８６及び空隙８４を含む。
【００２２】
図５に示す半導体デバイス６０の一実施形態において、接着層６４は、任意の接着性材料から形成してもよい。一実施形態において、接着層６４は、導体パッド７１〜７７と接触する接着面を備えたテープである。別の実施形態において、接着層６４は、エポキシ性材料から形成してもよい。実施形態によっては、例えば、接着層６４が接着テープである場合、接着層６４を除去してもよい。
【００２３】
本発明の幾つかの実施形態において、封入材８６は、例えば、絶縁材料として作用する熱硬化性成形化合物や充填熱可塑性樹脂等、成形可能な任意の非電気伝導性材料からなる。本発明の別の実施形態において、封入材３０は、例えば、金属性充填材を含む熱硬化性エポキシや金属性充填材を含む熱可塑性物質等、成形可能な任意の導電性材料からなる。金属性充填材は、例えば、銀、銅、導電性被覆ポリマ球及び導電性ナノ粒子等、任意の適切な導電性材料からなる。金属性充填材は、粒子状であってもよい。一実施形態において、封入材バリア８０は、アルミニウム、銅、アルミニウム合金、銅合金等の金属から形成してもよい。更に別の実施形態において、封入材バリア８０は、ポリイミドや他の有機塩基不導体化材料からなる。
【００２４】
半導体デバイス６０を参照すれば、製造プロセス中、部分１０１〜１０９からなる保護層は、半導体ダイ６６上に形成される。一実施形態において、導体パッド７１〜７７及び封入材バリア８０は、本技術分野で知られた種々の金属化技術のいずれかを用いて半導体ダイ６６の活性領域６７に形成される。一実施形態において、部分１０１〜１０９からなる保護層は、導体パッド７１〜７７と半導体ダイ６６の底面６８との間に介装される。空隙８４は、導体パッド７１〜７７を取り囲む。空隙８４は、封入材バリア８０内において、接着層６４と部分１０１〜１０９からなる保護層との間に封入される。本発明の別の実施形態は、活性領域６７に、数に多少の差はあるが導体パッドを含む。例示の実施形態において、活性領域６７は、封入材バリア８０外の半導体ダイ６６の部分を除く半導体ダイ６６の底部として考えてもよい。また、別の実施形態において、活性領域６７は、封入材バリア８０内に半導体ダイ６６の他の部分を含む。一実施形態において、半導体ダイ６６の活性領域６７は、接着層６４に対して接着される。更に、接着層６４は、接着層６４及び基層６２が取り外されるように同基層６２に対して接着される。
【００２５】
説明を簡単にするため、半導体６０は、幾つかの部分、つまり、上部８７、側部８８、側部８９、部分底部８３及び部分底部８５に区分される。半導体ダイ６６の上部８７、側部８８、側部８９、部分底部８３及び部分底部８５は、封入材８６を用いて、封入材バリア８０の高さにまで封入される。封入材８６は、例えば、射出成形やトランスファ成形等、任意の適切な封入法を用いて供給される。例えば、分注成形、スクリーン印刷や押出しコーティング等の他の封入法を交互に使用してもよい。一実施形態において、封入材バリア８０がバリアとして機能することにより、封入材８６の活性領域６７への流出が抑止される。図５の実施形態において、封入材バリア８０の一方の部分がダイ表面６８と直接接触する一方で、封入材バリア８０の他方の部分が部分１０１〜１０９からなる保護層と接着層６４との間に完全に配置されるように、同封入材バリア８０が部分１０１〜１０９を有する保護層の縁部と重なることに注目すべきである。次に、導体パッド７１〜７７を、封入材８６を有さない導体パッドとして利用するため、接着層６４及び基層６２を取り除いてもよい。
【００２６】
図６は、本発明の一実施形態に従う半導体デバイス６０を示す。図６に示す一実施形態において、図５の封入材バリア８０は、封入材バリア８２に置き換えられており、その部分全体は、部分１０１〜１０９を有する保護層と接着層６４との間に完全に配置され、その結果、シールが形成される。図５の半導体デバイス６０の説明を図６の半導体デバイス６０の説明に適用し、更に詳細な説明を省略する。
【００２７】
図７は、本発明の一実施形態に従う半導体デバイス９０の底面図を示す。半導体デバイス９０は、半導体ダイ９５、回路９４、活性領域９８、封入バリア９２及び伝導体９６を含む。回路９４は、半導体ダイ９５の任意の領域に配置してもよく、任意のサイズであってもよい。例示のように、図７が必ずしも実寸に基づいて図示されていないことを理解すべきである。一実施形態において、導電体９６は、回路９４と封入バリア９２との間で導電性の接続を提供する。更に、封入バリア９２は、図１及び図２に示す封入材３０の活性領域９８への流出を抑止する機能だけでなく、電気信号を伝播又は遮断する伝導体としての機能も果たす。一実施形態において、封入材バリア９２は、電磁妨害を隔離するため、回路９４の電気シールドとして使用される。更に別の実施形態として、封入材バリア９２は、回路９４に対して電気的に接続されており、回路内の電気機能を実行するように使用される。例えば、一実施形態において、封入材バリア９２は、アンテナとして使用される。更に別の実施形態において、封入材バリア９２は、インダクタの電気機能を実行する。
【００２８】
前述した明細書において、特定の実施形態を参照して本発明を説明してきた。しかし、当業者にとって、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更や変形を行えることは明らかである。従って、明細書及び図面は、制限的なものではなく、例示的なものとみなすべきであり、このような変更は、すべて本発明の範囲内に含まれる。
【００２９】
有益性、他の利点及び問題の解決策を特定の実施形態について上述してきた。しかし、有益性、利点、問題の解決策及び任意の有益性、利点又は解決策をもたらしたり、より顕著にしたりする任意の構成要素は、本請求項のいずれか又は全てに重要な、必要な、又は本質的な特徴や構成要素と解釈すべきではない。本明細書に使用される“備える”“備えている”又はそれらの変形例は、列挙された構成要素を備える工程、方法、個物又は装置がそれら構成要素のみを含むのではなく、明確には列挙されず、上記の工程、方法、個物又は装置に固有の他の構成要素を含むように、包括的な含有物を網羅することを意図している。本明細書に使用される“一つ”又は“一つの”は一つ以上として定義される。本明細書に使用される複数は二つ以上として定義される。本明細書に使用される用語の更に別のとは、少なくとも第二、又はそれ以上として定義される。本明細書に使用される及び／又とは、備える（つまり、オープンランゲージ）として定義される。本明細書に使用される接続されるとは、必ずしも直接的ではなく、必ずしも機械的ではないが接続されるとして定義される。本明細書に使用される実質的にとは、少なくとも所定の状態や値に近似する（例えば、好ましくは、その１０％内）として定義される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態に従う半導体デバイスの断面図。
【図２】図１の２−２線に沿った半導体デバイスの断面図。
【図３】本発明の一実施形態に従う半導体デバイスの底面図。
【図４】本発明の別の実施形態に従う半導体デバイスの底面図。
【図５】本発明の一実施形態に従う半導体デバイスの断面図。
【図６】本発明の別の実施形態に従う半導体デバイスの断面図。
【図７】本発明の更に別の実施形態に従う半導体デバイスの底面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007535811.tif 000009
【国際調査報告】
2007535811.tif 000010