【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタを介して第２の電源線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタは、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタと比較して、オフ電流が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタは、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタと比較して、オフ電流が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタは、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタと比較して、オフ電流が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタを介して第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタは、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタと比較して、オフ電流が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタを介して第２の電源線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１乃至第４のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタを介して第１の電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタを介して前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、互いに異なる導電型であり、
前記第３のトランジスタ又は前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有することを特徴とする半導体装置。