【手続補正書】
【提出日】平成28年8月16日(2016.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウム系主成分及び副成分を含み、
焼結後の微細構造において、
Ｃａ含量が２．５ｍｏｌ％未満の第１の結晶粒、及びＣａ含量が２．５〜１３．５ｍｏｌ％の第２の結晶粒を含む、誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記誘電体磁器組成物の焼結後のＸＲＤ分析において、ＢａＴｉＯ３の（１１０）ピークを１．００に換算したとき、前記ＢａＴｉＯ３の（１１０）ピークに対する、３０．５度付近のパイロクロア（Ｐｙｒｏｃｈｌｏｒｅ）相（ＲＥ２Ｔｉ２Ｏ７、ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｔｂのうち一つ以上）のピークの比が０．０２以下を満たす、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記主成分は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（ｘ≦０．０２）で表される第１の主成分、及び（Ｂａ１−ｙＣａｙ）ＴｉＯ３（０．０４≦ｙ≦０．１２）で表される第２の主成分を含み、第１の主成分のモル比を１−ｚ、第２の主成分のモル比をｚとしたとき、０．３≦ｚ≦０．８である、請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記副成分は、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む原子価可変アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１の副成分、
Ｍｇを含む原子価固定アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第２の副成分、
Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ及びＴｂのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３の副成分、
Ｂａ及びＣａのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第４の副成分、
ＣａＺｒＯ３を含む第５の副成分、及び
Ｓｉ元素の酸化物、Ｓｉ元素の炭酸塩及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第６の副成分のうち少なくとも一つ以上を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記副成分は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む原子価可変アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１の副成分を含み、
前記第１の副成分に含まれたＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上の原子価可変アクセプタ元素の総含量は前記主成分１００モル部に対して０．１〜２．０モル部である、請求項４に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
前記副成分は、Ｍｇを含む原子価固定アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第２の副成分を含み、
前記第２の副成分に含まれたＭｇを含む原子価固定アクセプタ元素の含量は主成分１００モル部に対して２．０モル部以下である、請求項４または５に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
前記副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ及びＴｂのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３の副成分を含み、
前記第３の副成分に含まれたＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ及びＴｂのうち一つ以上の元素の総含量は前記主成分１００モル部に対して０．２〜５．０モル部である、請求項４から６のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項８】
前記副成分は、Ｂａ及びＣａのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第４の副成分を含み、
前記第４の副成分に含まれたＢａ及びＣａのうち一つ以上の元素の総含量は前記主成分１００モル部に対して０．７２〜７．６８モル部である、請求項４から７のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項９】
前記副成分は、ＣａＺｒＯ３を含む第５の副成分を含み、
前記ＣａＺｒＯ３の含量は前記主成分１００モル部に対して３モル部以下である、請求項４から８のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１０】
前記副成分は、Ｓｉ元素の酸化物、Ｓｉ元素の炭酸塩及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第６の副成分を含み、
前記第６の副成分に含まれたＳｉ元素の含量は前記主成分１００モル部に対して０．５〜３．０モル部である、請求項４から９のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１１】
前記副成分は、
Ｂａ及びＣａのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第４の副成分と、
Ｓｉ元素の酸化物、Ｓｉ元素の炭酸塩及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第６の副成分と、
を含み、
前記第４の副成分に含まれたＢａ及びＣａのうち一つ以上の元素の総含量をｘ、前記第６の副成分に含まれたＳｉ元素の含量をｙとしたとき、ｘ／ｙが１．４４〜２．５６である、請求項４から１０のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の誘電体磁器組成物の焼結体である、誘電体材料。
【請求項１３】
誘電体層と内部電極が交互に積層されたセラミック本体と、
前記セラミック本体の外部面に形成され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、
を含み、
前記誘電体層の微細構造において、Ｃａ含量が２．５ｍｏｌ％未満の第１の結晶粒、及びＣａ含量が２．５〜１３．５ｍｏｌ％の第２の結晶粒を含む、積層セラミックキャパシタ。
【請求項１４】
前記誘電体層のＸＲＤ分析において、ＢａＴｉＯ３の（１１０）ピークを１．００に換算したとき、前記ＢａＴｉＯ３の（１１０）ピークに対する、３０．５度付近のパイロクロア（Ｐｙｒｏｃｈｌｏｒｅ）相（ＲＥ２Ｔｉ２Ｏ７、ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｔｂのうち一つ以上）のピークの比が０．０２以下を満たす、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１５】
前記誘電体層は、チタン酸バリウム系主成分及び副成分を含む誘電体磁器組成物で形成され、
前記主成分は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（ｘ≦０．０２）で表される第１の主成分、及び（Ｂａ１−ｙＣａｙ）ＴｉＯ３（０．０４≦ｙ≦０．１２）で表される第２の主成分を含み、第１の主成分のモル比を１−ｚ、第２の主成分のモル比をｚとしたとき、０．３≦ｚ≦０．８である、請求項１３または１４に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１６】
前記誘電体層は、チタン酸バリウム系主成分及び副成分を含む誘電体磁器組成物で形成され、
前記副成分は、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む原子価可変アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１の副成分、
Ｍｇを含む原子価固定アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第２の副成分、
Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ及びＴｂのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３の副成分、
Ｂａ及びＣａのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第４の副成分、
ＣａＺｒＯ３を含む第５の副成分、及び
Ｓｉ元素の酸化物、Ｓｉ元素の炭酸塩及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第６の副成分のうち少なくとも一つ以上を含む、請求項１３から１５のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１７】
前記副成分は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む原子価可変アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１の副成分を含み、
前記第１の副成分に含まれたＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上の原子価可変アクセプタ元素の総含量は前記主成分１００モル部に対して０．１〜２．０モル部である、請求項１６に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１８】
前記副成分は、Ｍｇを含む原子価固定アクセプタ元素の、酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第２の副成分を含み、
前記第２の副成分に含まれたＭｇを含む原子価固定アクセプタ元素の含量は主成分１００モル部に対して２．０モル部以下である、請求項１６または１７に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１９】
前記副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ及びＴｂのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３の副成分を含み、
前記第３の副成分に含まれたＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ及びＴｂのうち一つ以上の元素の総含量は前記主成分１００モル部に対して０．２〜５．０モル部である、請求項１６から１８のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項２０】
前記副成分は、Ｂａ及びＣａのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第４の副成分を含み、
前記第４の副成分に含まれたＢａ及びＣａのうち一つ以上の元素の総含量は前記主成分１００モル部に対して０．７２〜７．６８モル部である、請求項１６から１９のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項２１】
前記副成分は、ＣａＺｒＯ３を含む第５の副成分を含み、
前記ＣａＺｒＯ３の含量は前記主成分１００モル部に対して３モル部以下である、請求項１６から２０のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項２２】
前記副成分は、Ｓｉ元素の酸化物、Ｓｉ元素の炭酸塩及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第６の副成分を含み、
前記第６の副成分に含まれたＳｉ元素の含量は前記主成分１００モル部に対して０．５〜３．０モル部である、請求項１６から２１のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項２３】
前記副成分は、
Ｂａ及びＣａのうち一つ以上の元素の、酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第４の副成分と、
Ｓｉ元素の酸化物、Ｓｉ元素の炭酸塩及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第６の副成分と、
を含み、
前記第４の副成分に含まれたＢａ及びＣａのうち一つ以上の元素の総含量をｘ、前記第６の副成分に含まれたＳｉ元素の含量をｙとしたとき、ｘ／ｙが１．４４〜２．５６である、請求項１６から２２のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項２４】
焼結後の微細構造において、前記第２の結晶粒の断面積比が全断面積１００％に対して３０％〜８０％である、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項２５】
前記誘電体層の微細構造において、前記第２の結晶粒の断面積比が全断面積１００％に対して３０％〜８０％である、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項２６】
前記請求項１から１１及び２４のいずれか一項に記載の誘電体磁器組成物の焼結体である誘電体材料を含む、積層セラミックキャパシタ。