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【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料の主極層と、
磁性材料の第２層と、
磁性材料の主極層と第２層との間に配置された非磁性材料の第１ギャップ層と、
磁性材料の主極層と第２層との間に配置された非磁性材料の第２ギャップ層とを含み、
非磁性材料の第２ギャップ層は、磁性材料の第２層に直接隣接して配置されている、装置。
【請求項２】
磁性材料の第２層は、前方シールドを形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
非磁性材料の第１ギャップ層は、磁性材料の主極層に隣接して配置され、
非磁性材料の第２ギャップ層は、非磁性材料の第１ギャップ層の上に配置され、
装置はさらに、
非磁性材料の第２ギャップ層と磁性材料の第２層との間に直接配置された非磁性材料の第３ギャップ層を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
非磁性材料の第１ギャップ層は、磁性材料の主極層に直接隣接して配置されたルテニウムを含み、
非磁性材料の第２ギャップ層は、磁性材料の第２層に直接隣接して配置されたルテニウムを含み、
装置はさらに、
非磁性材料の第１ギャップ層と非磁性材料の第２ギャップ層との間に直接配置されたＡｌ2Ｏ3の層を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
磁性材料の主極層を堆積させるステップと、
非磁性材料の第１ギャップ層を堆積させるステップと、
非磁性材料の第２ギャップ層を堆積させるステップと、
非磁性材料の第２ギャップ層が磁性材料の主極層と磁性材料の第２層との間に配置されるように、磁性材料の第２層を、非磁性材料の第２ギャップ層に直接隣接して堆積させるステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電率膜が形成された基板に対して、第１金属元素とハロゲン元素とを含む第１原料と、前記第１金属元素とは異なる第２金属元素とアミンとを含む第２原料とを交互に供給して前記高誘電率膜の上に複合金属窒化膜を形成する工程と、
前記基板に対して、第３金属元素を含む第３原料と、窒素を含む第４原料とを交互に供給して前記複合金属窒化膜の上に金属窒化膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複合金属窒化膜に含まれる前記第１金属元素と前記第２金属元素の組成比を調整することにより、前記複合金属窒化膜の仕事関数を調整する請求項１に記載の半導体装置の製造方法法。
【請求項３】
前記複合金属窒化膜を形成する工程における前記基板を加熱する温度と、前記第１原料と前記第２原料を供給する時間を制御することにより、前記第１金属元素と前記第２金属元素の組成比を調整する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記複合金属窒化膜を形成する工程と、前記金属窒化膜を形成する工程とは、同じ処理室内で行う請求項１もしくは２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１金属元素、前記第２金属元素、前記第３金属元素は、それぞれ、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｏからなる群より選択された少なくとも一つの元素を含む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２原料は、アミンの配位子にエチル、メチル、エチルメチルまたはシクロペンタ系のいずれかを有する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１金属元素と前記第３金属元素は同一の金属元素である請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
高誘電率膜が形成された基板に対して、第１金属元素とハロゲン元素とを含む第１原料と、前記第１金属元素とは異なる第２金属元素とアミンとを含む第２原料とを交互に供給して前記高誘電率膜の上に複合金属窒化膜を形成する手順と、
前記基板に対して、第３金属元素を含む第３原料と、窒素を含む第４原料とを交互に供給して前記複合金属窒化膜の上に金属窒化膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項９】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に第１金属元素とハロゲン元素とを含む第１原料を供給する第１原料供給系と、
前記処理室に前記第１金属元素とは異なる第２金属元素とアミンとを含む第２原料を供給する第２原料供給系と、
前記処理室に第３金属元素を含む第３原料を供給する第３原料供給系と、
前記処理室に窒素を含む第４原料を供給する第４原料供給系と、
前記第１原料供給系、前記第２原料供給系、前記第３原料供給系、前記第４原料供給系を制御して、前記処理室に収容された高誘電率膜が形成された基板に対して、前記第１原料と前記第２原料とを交互に供給して前記高誘電率膜の上に複合金属窒化膜を形成する処理と、前記基板に対して、前記第３原料と前記第４原料とを交互に供給して前記複合金属窒化膜の上に金属窒化膜を形成する処理と、行うように構成された制御部と、
を有する基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理室であって、処理ガスが導入される処理ガス導入領域と不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域とに分割される処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板を同心円状に載置する載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転駆動部と、
前記処理ガス導入領域に処理ガスを導入し、前記不活性ガス導入領域に不活性ガスを導入するガス導入部と、
前記載置面と対向する第１の面に第１の排気孔を有し、前記処理ガス導入領域において前記基板載置台の径方向に延びるように設けられた第１の排気配管と、
前記第１の面と対向する第２の面に第２の排気孔を有し、前記処理ガス導入領域において前記基板載置台の外周部に設けられた第２の排気配管と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の排気配管は、前記処理ガス導入領域の周方向における両端部に設けられた請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の排気孔と同方向の第３の排気孔を有し、前記不活性ガス導入領域において前記基板載置台の外周部に設けられた第３の排気配管を有する請求項１又は請求項３記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理ガス導入領域に導入された処理ガスは、前記第１の排気孔と前記第２の排気孔から排気され、前記不活性ガス導入領域に導入された不活性ガスは、前記第３の排気孔から排気される請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理室は分割構造体により分割されている請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
処理ガスが導入される処理ガス導入領域と不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域とに分割された処理室へ基板を搬入し、複数の基板を同心円状に載置する載置面を有する基板載置台に基板を載置する基板載置工程と、
前記処理ガス導入領域に処理ガスを導入し、前記不活性ガス導入領域に不活性ガスを導入するとともに、前記処理ガス導入領域において前記基板載置台の径方向に延びるように設けられた第１の排気配管に前記載置面と対向するように設けられた第１の排気孔と、前記処理ガス導入領域において前記基板載置台の外周部に設けられた第２の排気配管に前記載置面と同じ向きになるように設けられた第２の排気孔とから前記導入した処理ガスを排気し、前記基板載置台に載置された基板を処理する基板処理工程と、
前記基板処理工程の後、前記処理室から基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に複数の光電変換部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に、前記複数の光電変換部における各光電変換部に対応し、それぞれが互いに接している複数のカラーフィルタ層を形成する工程と、
前記複数のカラーフィルタ層の上に、ハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層の上に、第１の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに対して加熱処理を行って、前記第１の開口部よりも幅が小さい第２の開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクをマスクとした第１のエッチングを行って、前記ハードマスク層における前記各カラーフィルタ層の境界部分の上方領域に開口を形成して、ハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクをマスクとした第２のエッチングを行って、前記複数のカラーフィルタ層の間に開口を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数のカラーフィルタ層の間に開口を形成する工程の後に、前記複数のカラーフィルタ層の間の開口を封止する封止層を形成して、エアーギャップを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のエッチングによって、前記複数のカラーフィルタ層の間に開口が形成されるとともに、前記エッチングマスクが除去されることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記ハードマスクと前記封止層は、同一材料、或いは、同一の屈折率を持つ材料であることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスクと前記封止層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、或いは、シリコン酸窒化物の材料からなることを特徴とする請求項２または４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数のカラーフィルタ層と前記ハードマスクとの間に、平坦化層を形成する工程を更に有し、
前記第２のエッチングによって、更に、前記平坦化層における前記複数のカラーフィルタ層の間の上方領域に開口が形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングマスクは、前記ハードマスクの上面上に形成されており、
前記エッチングマスクの端部の傾斜面における接線と前記ハードマスクの上面における接線との成す角度が、７６°以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上面に複数の光電変換部が設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方に、前記複数の光電変換部における各光電変換部に対応し、それぞれが互いに接している複数のカラーフィルタ層を形成する工程と、前記複数のカラーフィルタ層の上に、ハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層の上に、第１の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに対して加熱処理を行って、前記第１の開口部よりも幅が小さい第２の開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクをマスクとした第１のエッチングを行って、前記ハードマスク層における前記各カラーフィルタ層の境界部分の上方領域に開口を形成して、ハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをマスクとした第２のエッチングを行って、前記複数のカラーフィルタ層の間に開口を形成する工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層と、前記第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層の間に存在するｎ（ｎは自然数）層のＧａ原子またはＺｎ原子が周期的に配列する第１の領域と、
第２の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層と、前記第２の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層の間に存在するｍ（ｍはｎ以外の自然数）層のＧａ原子またはＺｎ原子が周期的に配列する第２の領域と、を有することを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、前記第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層と垂直方向に隣接し、
前記第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層の１つと前記第２の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層の１つとが共有されていることを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、前記第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層と平行方向に隣接し、
前記第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層の１つと前記第２の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層の１つとが共有されていることを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層は被形成面に対して平行であることを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の一対のＩｎ原子が周期的に配列する層は被形成面に対して平行であることを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項における金属酸化物膜と、
ゲート電極と、
前記金属酸化物膜と前記ゲート電極との間にゲート絶縁層と、
前記金属酸化物膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月1日(2016.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下面のみ酸化絶縁された金属または半導体で、上面に発光素子を備えた複数の基板を、それぞれ離間して配置する第一の工程と、
前記複数の基板の側面の全ての面を覆うように白色の絶縁性樹脂を充填し、該絶縁性樹脂を硬化して絶縁性樹脂層を形成し、前記複数の基板を接続する第二の工程と、
前記絶縁性樹脂層の上端と接すると共に前記発光素子を覆うように、接続された前記複数の基板の上に透光性樹脂を充填し、該透光性樹脂を硬化して透光性樹脂層を形成する第三の工程と、
前記絶縁性樹脂層と前記透光性樹脂層が同一面を形成するように、前記絶縁性樹脂層と前記透光性樹脂層を切断して半導体発光デバイスを個片化する第四の工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
【請求項２】
上下面が酸化絶縁された金属または半導体からなる基板と、
前記基板の上面に実装された発光素子と、
前記発光素子の発光面を覆う透光性樹脂層と、を備えた半導体発光デバイスにおいて、
基板の全ての側面を絶縁性樹脂層で覆っていることを特徴とする半導体発光デバイス。
【請求項３】
前記絶縁性樹脂層の上端は前記発光素子の下面よりも下に位置し、
前記基板上面と対向する前記透光性樹脂層の下面は、前記絶縁性樹脂層の上端と接することを特徴とする請求項２に記載の半導体発光デバイス。
【請求項４】
前記絶縁性樹脂層は、さらに白色顔料を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体発光デバイス。
【請求項５】
前記絶縁性樹脂層は、さらに蛍光体を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体発光デバイス。
【請求項６】
前記基板は、下面の端部に嵌合部をさらに形成したことを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の半導体発光デバイス。
【請求項７】
前記基板は、上面にさらにセラミックインク層が配置されていることを特徴とする請求項２から６のいずれかに記載の半導体発光デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光デバイス及び発光デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発光デバイス及び発光デバイスの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決すべく本出願において開示される発明の概要は以下のとおりである。
（１）上下面のみ酸化絶縁された金属または半導体で、上面に発光素子を備えた複数の基板を、それぞれ離間して配置する第一の工程と、複数の基板の側面の全ての面を覆うように白色の絶縁性樹脂を充填し、絶縁性樹脂を硬化して絶縁性樹脂層を形成し、複数の基板を接続する第二の工程と、絶縁性樹脂層の上端と接すると共に発光素子を覆うように、接続された複数の基板の上に透光性樹脂を充填し、透光性樹脂を硬化して透光性樹脂層を形成する第三の工程と、絶縁性樹脂層と透光性樹脂層が同一面を形成するように、絶縁性樹脂層と透光性樹脂層を切断して半導体発光デバイスを個片化する第四の工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
（２）上下面が酸化絶縁された金属または半導体からなる基板と、基板の上面に実装された発光素子と、発光素子の発光面を覆う透光性樹脂層と、を備えた半導体発光デバイスにおいて、基板の全ての側面を絶縁性樹脂層で覆っていることを特徴とする半導体発光デバイス。
（３）（２）において、絶縁性樹脂層の上端は発光素子の下面よりも下に位置し、基板上面と対向する透光性樹脂層の下面は、絶縁性樹脂層の上端と接することを特徴とする半導体発光デバイス。
（４）（２）又は（３）において、絶縁性樹脂層は、さらに白色顔料を含むことを特徴とする半導体発光デバイス。
（５）（２）又は（３）において、絶縁性樹脂層は、さらに蛍光体を含むことを特徴とする半導体発光デバイス。
（６）（２）から（５）において、基板は、下面の端部に嵌合部をさらに形成したことを特徴とする半導体発光デバイス。
（７）（２）から（６）において、基板は、上面にさらにセラミックインク層が配置されていることを特徴とする半導体発光デバイス。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記（１）乃至（７）によれば、半導体発光デバイスにおいて、基板側面を容易に絶縁でき、基板側面の金属表面に由来する静電耐圧低下を防止することができる。また、バリも絶縁性樹脂層によって覆い尽くすことが出来るため、バリが指に刺さる等の怪我の防止もできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
特に上記（４）によれば、絶縁性樹脂層が白色であることによって光をロスなく上面へ反射することができるため、絶縁性樹脂層を伝って光が基板底面側へ誘導されることを防ぐことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、特に上記（５）によれば、絶縁性樹脂層に含まれる蛍光体の効果によって、色味の変更や補正が可能であるとともに、絶縁性樹脂層を伝って光が基板底面側へ誘導されることを防ぐことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、特に上記（６）によれば、切断面の面積を少なくなり、また、半導体発光デバイスが実装された部材と酸化絶縁されていない金属表面との距離が離れるため、直接伝導に対する危険をさらに低減することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、特に上記（７）によれば、セラミックインク層が基板上に配置されていることによって、より光の反射率が高まることで、さらに光をロスなく上面へ反射できることで、光の利用効率をさらに高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物を有する基板を準備し、
前記基板に電磁波を照射し、
前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板を準備し、
前記基板上に酸化物絶縁膜を形成し、
前記基板および前記酸化物絶縁膜に電磁波を照射し、
前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物を有する基板を準備し、
前記基板上に酸化物絶縁膜を形成し、
前記基板および前記酸化物絶縁膜に電磁波を照射し、
前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記酸化物絶縁膜として、酸化シリコンを含む絶縁膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記電磁波として、Ｘ線を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記基板として、酸化シリコンを含む基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の基板と、
前記基板上に形成される第二導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表面の一部に形成される第一導電型の第一導電型層と、
前記エピタキシャル層の表面に前記第一導電型層と離間して形成される第二導電型の第二導電型層と、
前記基板の表面に前記第一導電型層と向かい合う領域を含んで形成される第二導電型の埋め込み層と、
平面視で前記第一導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記埋め込み層の内側まで形成される第１の分離トレンチと、
平面視で前記埋め込み層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第２の分離トレンチと、
平面視で前記第二導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第３の分離トレンチと、
前記基板と前記埋め込み層との境界をＰＮ接合面として形成されるツェナーダイオードと、
前記第一導電型層と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第１のＰＮダイオードと、
平面視で前記第３の分離トレンチに囲まれる領域に前記基板と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第２のＰＮダイオードとを有し、
前記ツェナーダイオードのＰＮ接合面の面積が前記第１のＰＮダイオードのＰＮ接合面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板と前記埋め込み層との境界部分を含んで形成される空乏層を更に有し、
前記第１の分離トレンチは前記埋め込み層内の前記空乏層の非形成領域まで形成され、
前記第２の分離トレンチは平面視で前記空乏層を更に囲んで形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第一導電型の基板と、
前記基板上に形成される第一導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表面の一部に形成される第一導電型の第一導電型層と、
前記エピタキシャル層の表面に前記第一導電型層と離間して形成される第二導電型の第二導電型層と、
前記基板の表面に前記第一導電型層と向かい合う領域を含んで形成される第二導電型の埋め込み層と、
平面視で前記第一導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記埋め込み層の内側まで形成される第１の分離トレンチと、
平面視で前記埋め込み層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第２の分離トレンチと、
平面視で前記第二導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第３の分離トレンチと、
前記基板と前記埋め込み層との境界をＰＮ接合面として形成されるツェナーダイオードと、
平面視で前記第１の分離トレンチに囲まれる領域に前記埋め込み層と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第１のＰＮダイオードと、
前記第二導電型層と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第２のＰＮダイオードとを有し、
前記ツェナーダイオードのＰＮ接合面の面積が前記第１のＰＮダイオードのＰＮ接合面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記基板と前記埋め込み層との境界部分を含んで形成される空乏層を更に有し、
前記第１の分離トレンチは前記埋め込み層内の前記空乏層の非形成領域まで形成され、
前記第２の分離トレンチは平面視で前記空乏層を更に囲んで形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の分離トレンチを複数有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第一導電型層と前記第二導電型層との間において、前記第２の分離トレンチと前記第３の分離トレンチとが共有化されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、第一導電型の基板と、前記基板上に形成される第二導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面の一部に形成される第一導電型の第一導電型層と、前記エピタキシャル層の表面に前記第一導電型層と離間して形成される第二導電型の第二導電型層と、前記基板の表面に前記第一導電型層と向かい合う領域を含んで形成される第二導電型の埋め込み層と、平面視で前記第一導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記埋め込み層の内側まで形成される第１の分離トレンチと、平面視で前記埋め込み層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第２の分離トレンチと、平面視で前記第二導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第３の分離トレンチと、前記基板と前記埋め込み層との境界をＰＮ接合面として形成されるツェナーダイオードと、前記第一導電型層と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第１のＰＮダイオードと、平面視で前記第３の分離トレンチに囲まれる領域に前記基板と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第２のＰＮダイオードとを有し、前記ツェナーダイオードのＰＮ接合面の面積が前記第１のＰＮダイオードのＰＮ接合面の面積より大きいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
または、本発明の半導体装置は、第一導電型の基板と、前記基板上に形成される第一導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面の一部に形成される第一導電型の第一導電型層と、前記エピタキシャル層の表面に前記第一導電型層と離間して形成される第二導電型の第二導電型層と、前記基板の表面に前記第一導電型層と向かい合う領域を含んで形成される第二導電型の埋め込み層と、平面視で前記第一導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記埋め込み層の内側まで形成される第１の分離トレンチと、平面視で前記埋め込み層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第２の分離トレンチと、平面視で前記第二導電型層を囲み、前記エピタキシャル層から前記基板にわたって形成される第３の分離トレンチと、前記基板と前記埋め込み層との境界をＰＮ接合面として形成されるツェナーダイオードと、平面視で前記第１の分離トレンチに囲まれる領域に前記埋め込み層と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第１のＰＮダイオードと、前記第二導電型層と前記エピタキシャル層との境界をＰＮ接合面として形成される第２のＰＮダイオードとを有し、前記ツェナーダイオードのＰＮ接合面の面積が前記第１のＰＮダイオードのＰＮ接合面の面積大きいことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本構成では、分離用トレンチが第二導電型の埋め込み層を突き抜けないため、ツェナーダイオードの面積は第二導電型の埋込み層の面積だけで決まり、分離用トレンチの配置には依存しない。従ってツェナーダイオードの面積を小さくすることなく、ＰＮダイオードの接合容量を小さくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１金属層と、該第１金属層の金属と異なる金属からなる第２金属層及び前記第１金属層がこの順に積層されたクラッド材と、
該クラッド材を貫通する貫通部を有し、
前記クラッド材の全表面がめっき膜で被覆されており、
一方の前記第１金属層の端面が、前記第２金属層及び他方の前記第１金属層の端面よりも突出し、
前記第２金属層の端面が、前記一方の第１金属層の前記第２金属層側の縁部から、前記他方の第１金属層の前記第２金属層側の縁部に一致するように傾斜し、
前記他方の第１金属層の端面が、前記一方の第１金属層の全端面よりも内側に位置するリードフレーム。
【請求項２】
前記第１金属層が前記第２金属層よりも熱膨張係数が大きい特性を有する請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記第１金属層が前記第２金属層よりもエッチング液に対する溶解性が大きい特性を有する請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記エッチング液が塩化第二鉄又は塩化第二銅の溶液である請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記第２金属層側に位置する前記他方の第１金属層の縁部が、前記第２金属層とは反対側に位置する前記他方の第１金属層の縁部よりも外側に位置する請求項１〜４のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記第１金属層が銅又は銅合金であり、前記第２金属層が鉄又は鉄合金である請求項１〜５のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【請求項７】
同一面側に一対の電極を有する発光素子と、
互いに離間しかつ対向して配置され、前記発光素子の一対の電極に接合部材を介して電気的に接続されたリード部を含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載のリードフレームと、
前記リードフレームを固定し、前記互いに離間しかつ対向して配置されたリード部の間において、前記リードフレームの厚み方向の全端面を被覆する樹脂部材とを含む発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延びる可撓性の基板と、
前記基板上に配置される複数の発光素子と、
前記基板上において前記長手方向に延び、前記長手方向に沿って並べられる２つの封止部材と、
前記基板上において前記長手方向に延び、前記長手方向に直交する短手方向において前記２つの封止部材それぞれの側方に連なるように配置される樹脂部材と、
を備え、
前記２つの封止部材のそれぞれは、前記複数の発光素子のうち１以上の発光素子を封止し、
前記樹脂部材は、透光性を有する、
発光装置。
【請求項２】
前記樹脂部材は、前記複数の発光素子のうち１以上の発光素子を封止する、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記基板は、可撓性を有する基体と、前記基体上に設けられる複数の配線部と、を有し、
前記複数の配線部の間に形成される溝部は、前記基板の平面視において、前記２つの封止部材及び前記樹脂部材の少なくとも一方と交差し、
前記溝部は、前記短手方向に沿って延びる、
請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記２つの封止部材及び前記樹脂部材のそれぞれは、前記複数の発光素子のうち２以上の発光素子を封止する、
請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記基板の主面の１ｃｍ２当たりにおける前記基板と前記複数の発光素子と前記２つの封止部材と前記樹脂部材の重量の和は、０．１ｇ以下である、
請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記基板の主面の１ｃｍ２当たりにおける前記複数の発光素子の数の和は、０．０５個以上１０個以下である、
請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
色温度５０００Ｋにおける前記複数の発光素子の明るさは、９００ｌｍ以上である、
請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記基板は、可撓性の基体と、前記基体の主面上に形成される複数の配線部と、前記複数の配線部上に形成され、前記複数の配線部それぞれの一部が露出する複数の開口を有する被覆膜と、を有し、
前記複数の配線部は、前記基体の５０％以上を覆っている、
請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記長手方向における前記基板の長さは、前記短手方向における前記基板の幅の５倍以上２００倍以下である、
請求項１乃至８のいずれかに記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月27日(2016.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
うま味成分とＤ−アミノ酸またはその塩とを飲食品中で共存させることを特徴とする、飲食品のうま味の味質改善方法。
【請求項２】
うま味成分がＬ−グルタミン酸もしくはその塩、および／または核酸系うま味成分である、請求項１に記載の味質改善方法。
【請求項３】
Ｄ−アミノ酸が、Ｄ−プロリン、Ｄ−グルタミン酸、およびＤ−アスパラギン酸からなる群から選択される１種または２種以上である、請求項１または２に記載の味質改善方法。
【請求項４】
うま味の味質改善が、うま味の持続性向上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の味質改善方法。
【請求項５】
うま味成分とＤ−アミノ酸またはその塩とを共存させることを特徴とする、うま味成分のうま味の味質改善方法。
【請求項６】
Ｄ−アミノ酸またはその塩を有効成分とする、うま味の味質改善剤。
【請求項７】
うま味成分とＤ−アミノ酸またはその塩とを飲食品中で共存させる工程を含む、うま味の味質が改善された飲食品の製造方法。
【請求項８】
Ｌ−グルタミン酸もしくはその塩、および／または核酸系うま味成分と、Ｄ−アミノ酸またはその塩とを含有させてなる、うま味製剤。
【請求項９】
Ｄ−アミノ酸またはその塩を含有させてなる、うま味の味質が改善された、うま味を有する飲食品。
【請求項１０】
請求項８記載のうま味製剤を含有させてなる、うま味の味質が改善された、飲食品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飼育水をろ過工程を通じて循環浄化する方法であって、ろ過工程は上部に砂以外の生物付着担体を充填厚２００ｍｍ以上で充填した生物付着担体層と、下部に砂を充填厚４００ｍｍ以上充填した砂層とを有し、且つ、前記生物付着担体層の充填厚と砂層の充填厚の合計を６００ｍｍ〜１２００ｍｍとした複層ろ過層に、飼育水を下降流でろ過速度２０ｍ／時以上で通水することを含む方法。
【請求項２】
飼育水を循環浄化するための装置であって、飼育水をろ過速度２０ｍ／時以上の下降流で通水するための複層ろ過層を備え、複層ろ過層は充填厚２００ｍｍ以上の上部の砂以外の生物付着担体層と充填厚４００ｍｍ以上の下部の砂層とを有し、且つ、前記生物付着担体層の充填厚と砂層の充填厚の合計が６００ｍｍ〜１２００ｍｍである装置。
【請求項３】
砂層の充填厚に対する生物付着担体層の充填厚の比が０．２〜０．７を満たす請求項２に記載の装置。
【請求項４】
水槽と請求項２又は３に記載の装置とを備え、水槽から排出される飼育水が前記装置の複層ろ過層に流入し、前記装置から排出されるろ過水が水槽に送り返されるように両者が接続されている飼育水の循環浄化システム。
【請求項５】
水槽から排出される飼育水が曝気槽を介して前記装置の複層ろ過層に流入するように構成されている請求項４に記載の飼育水の循環浄化システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月21日(2016.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導線（１２）の導通を検出する手段と、該検出により第１光信号を、光伝送路（１１）に送出する手段と、前記導線（１２）を導通させる手段と、を備える相手方（２）を接続し、
前記導線（１２）の導通を検出する手段と、
該検出により第２光信号を、前記光伝送路（１１）に送出する手段と、
前記導線（１２）を導通させる手段と、を備える装置（２）であって、
三本または四本の前記導線（１２）の各々が接続する各端子部と、前記光伝送路（１１）を支持させるフェルール（１０５）と、を有するコネクタ（１０）を両端末にと、該導線（１２）と、前記光伝送路（１１）と、を備えるケーブル（１）の、
前記コネクタ（１０）の一方を接続するコネクタ受け（２０）を備え、
該コネクタ（１０）の他方が接続する前記相手方（２）と接続することを特徴とする装置（２）。
【請求項２】
自己の接続を、導線（１２）により検出する手段と、該検出により第１光信号を、光伝送路（１１）に送出する手段と、相手方（２）の接続を、前記導線（１２）により自己に通知する手段と、を備える前記相手方（２）の接続を、
前記導線（１２）により検出する手段と、
該検出により第２光信号を、前記光伝送路（１１）に送出する手段と、
自己の接続を、前記導線（１２）により前記相手方（２）に通知する手段と、を備える装置（２）であって、
三本または四本の前記導線（１２）の各々が接続する各端子部と、前記光伝送路（１１）を支持させるフェルール（１０５）と、を有するコネクタ（１０）を両端末にと、該導線（１２）と、前記光伝送路（１１）と、を備えるケーブル（１）の、
前記コネクタ（１０）の一方を接続するコネクタ受け（２０）を備え、
該コネクタ（１０）の他方が接続する前記相手方（２）と接続することを特徴とする装置（２）。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置（２）に用いることを特徴とするケーブル（１）。
【請求項４】
請求項１または２に記載の装置（２）に用いることを特徴とするコネクタ（１０）。
【請求項５】
請求項１または２に記載の装置（２）に用いることを特徴とするコネクタ受け（２０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明の装置は、導線（１２）の導通を検出する手段と、該検出により第１光信号を、光伝送路（１１）に送出する手段と、前記導線（１２）を導通させる手段と、を備える相手方（２）を接続し、前記導線（１２）の導通を検出する手段と、該検出により第２光信号を、前記光伝送路（１１）に送出する手段と、前記導線（１２）を導通させる手段と、を備える装置（２）であって、三本または四本の前記導線（１２）の各々が接続する各端子部と、前記光伝送路（１１）を支持させるフェルール（１０５）と、を有するコネクタ（１０）を両端末にと、該導線（１２）と、前記光伝送路（１１）と、を備えるケーブル（１）の、前記コネクタ（１０）の一方を接続するコネクタ受け（２０）を備え、該コネクタ（１０）の他方が接続する前記相手方（２）と接続することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月4日(2016.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受電端子と、
光を投射する投射部と、
前記受電端子への電力の供給が開始された際に、コンテンツを切り替え、切り替え後のコンテンツに係る画像の光を前記投射部により投射させる制御部と、を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２】
コンテンツには、再生後、時間の経過に応じて投写される画像が変化する時間変化コンテンツが含まれ、
前記制御部は、
時間変化コンテンツに係るコンテンツを再生中に、その再生を停止する場合、停止位置を記憶し、
前記受電端子への電力の供給の開始に応じて、当該コンテンツに切り替える場合、記憶した停止位置から当該コンテンツの再生を開始して、当該コンテンツに係る画像の光を前記投射部により投射させることを特徴とする請求項１に記載のプロジェクター。
【請求項３】
コンテンツには、再生後、所定の条件で再生が終了する再生終了コンテンツが含まれ、
前記制御部は、
前記受電端子へ電力が継続して供給されている間に、再生終了コンテンツに係るコンテンツの再生が終了した場合、コンテンツを切り替え、切り替え後のコンテンツに係る画像の光を前記投射部により投射させることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロジェクター。
【請求項４】
前記制御部は、
前記受電端子への電力の供給の停止後、所定の期間内に前記受電端子への電力の供給が開始された場合に、コンテンツの切り替えを実行することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のプロジェクター。
【請求項５】
受電端子と、光を投射する投射部と、を備えるプロジェクターの制御方法であって、
前記受電端子への電力の供給が開始された際に、コンテンツを切り替え、切り替え後のコンテンツに係る画像の光を前記投射部により投射させることを特徴とするプロジェクターの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の対象に対する視差を示す視差量を含む視差画像を取得する画像取得部と、
前記画像取得部により取得された前記視差画像に含まれる前記視差量が予め定められた範囲にあるか否かを判断する視差量判断部と、
前記視差量判断部により前記視差量が前記範囲にないと判断された場合に、アオリを用いて撮像すべき旨を警告する警告部と
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記視差画像を生成した撮像装置でアオリが可能であるか否かを判断する光学系判断部をさらに備え、
前記警告部は、前記光学系判断部によりアオリが可能であると判断された場合に警告し、可能であると判断されなかった場合に警告しない、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
同一の対象に対する視差を示す視差量を含む視差画像を取得する画像取得部と、
前記画像取得部により取得された前記視差画像に含まれる前記視差量が予め定められた範囲にあるか否かを判断する視差量判断部と、
前記視差量判断部により前記視差量が前記範囲にないと判断された場合に、アオリを用いて撮像するように、前記視差画像を撮像した撮像部における撮像素子の駆動部または撮影レンズの駆動部を駆動する駆動信号を出力する警告部と
を備える画像処理装置。
【請求項４】
前記視差量判断部は、前記範囲にない視差量を有する部分の、前記視差画像上における位置を特定し、
前記警告部は、前記視差量判断部により特定された前記位置に基づいて、アオリの方向を出力する請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像上の位置とアオリの方向とが対応付けられた対応テーブルを格納する格納部をさらに備え、
前記警告部は、前記対応テーブルを参照することにより、前記視差量判断部により特定された前記位置に基づいて、アオリの方向を特定する請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置と、
入射光を電気信号に光電変換する、二次元的に配列された複数の光電変換素子、および、前記入射光の断面領域内の部分領域からの光を、対応する前記複数の光電変換素子にそれぞれ入射させる開口を設けた遮光部を有し、前記対象を撮影して前記視差画像を生成する撮影部と
を備える撮像装置。
【請求項７】
同一の対象に対する視差を示す視差量を含む視差画像を取得する画像取得段階と、
前記画像取得段階により取得された前記視差画像に含まれる前記視差量が予め定められた範囲にあるか否かを判断する視差量判断段階と、
前記視差量判断段階により前記視差量が前記範囲にないと判断された場合に、アオリを用いて撮像すべき旨を警告する警告段階と
を備える画像処理方法。
【請求項８】
同一の対象に対する視差を示す視差量を含む視差画像を取得する画像取得機能、
前記画像取得機能により取得された前記視差画像に含まれる前記視差量が予め定められた範囲にあるか否かを判断する視差量判断機能、および、
前記視差量判断機能により前記視差量が前記範囲にないと判断された場合に、アオリを用いて撮像すべき旨を警告する警告機能
をコンピュータに実現させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月22日(2016.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記電圧発生装置の前記出力電圧の極性は、負荷を駆動する他の電圧発生装置の出力電圧の極性と異なっており、
前記電圧発生装置から出力電圧を供給していた状態から前記電圧発生装置からの出力電圧の供給を停止させる期間、または、前記電圧発生装置からの出力電圧の供給を停止させている期間に、前記他の電圧発生装置が前記負荷に出力電圧を供給することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電圧発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部機器と接続可能な複数の接続端子が第１方向に並べて配置された第１接続端子群と、
前記第１接続端子群と前記第１方向とは異なる第２方向に隣接し、外部機器と接続可能な複数の接続端子が前記第１方向に並べて配置された第２接続端子群と、
を備え、
前記第１接続端子群に含まれる接続端子は、前記第２接続端子群に含まれる接続端子と、前記第２方向に重ならないように配置されることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第２方向は、前記第１方向に垂直な方向であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１接続端子群および前記第２接続端子群に含まれる各接続端子の中心間の前記第１方向における距離は、各接続端子の前記第１方向における幅の１／４以上、かつ、各接続端子の前記第１方向における幅の１／２以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１接続端子群が配置される端子面と、前記第２接続端子群が配置される端子面は、同一平面上にないことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記第１接続端子群が配置される端子面と、前記第２接続端子群が配置される端子面との距離は、各接続端子の高さの半分以上であることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
各接続端子は、ネジ止めするためのロック機構を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第１接続端子群に含まれる複数の接続端子と、前記第２接続端子群に含まれる複数の接続端子と、は、同一の入力インターフェース規格に対応する接続端子であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記第１方向は、前記第１接続端子群の長手方向であり、
前記第２方向は、前記第１接続端子群の短手方向であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子機器と、
各接続端子に入力された画像信号に基づいて、画面に画像を表示する表示パネルと、
を備え、
前記第１接続端子群が配置される端子面と、前記第２接続端子群が配置される端子面は、前記表示パネルの前記画面に垂直な面であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子機器と、
各接続端子に入力された画像信号に基づいて、画面に画像を表示する表示パネルと、
を備え、
前記第１接続端子群が配置される端子面と、前記第２接続端子群が配置される端子面は、前記表示パネルの背面側に設けられた前記表示パネルの前記画面と平行な面であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記表示パネルは、各接続端子に対応する前記画面の領域に、各接続端子に入力された画像信号に基づく画像を表示するものであって、
各接続端子が配置される位置と、各接続端子に対応する前記画面の領域の位置とが対応していることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る電子機器は、外部機器と接続可能な複数の接続端子が第１方向に並べて配置された第１接続端子群と、前記第１接続端子群と前記第１方向と異なる第２方向に隣接し、前記外部機器と接続可能な複数の接続端子が前記第１方向に並べて配置された第２接続端子群と、を備え、前記第１接続端子群に含まれる接続端子は、前記第２接続端子群に含まれる接続端子と、前記第２方向に重ならないように配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月15日(2016.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマで発生するイオンによりシリコン基板を第一の面からエッチングして凹部を形成する、シリコン基板のエッチング方法であって、
前記シリコン基板に形成された未貫通孔の開口内に保護膜を形成する工程（１）と、前記開口の底部に形成された保護膜部分をイオンによりエッチングする工程（２）と、前記開口の底部に露出したシリコン基板部分をイオンによりエッチングする工程（３）と、をこの順で繰り返すことにより、前記凹部を形成する工程を含み、
前記工程（２）において、前記保護膜部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
【請求項２】
前記工程（２）において、前記希ガスの導入およびイオン化の次に、前記保護膜部分のエッチングを行う請求項１に記載のシリコン基板のエッチング方法。
【請求項３】
前記工程（２）において、前記希ガスの導入およびイオン化と、前記保護膜部分のエッチングとを交互に行う請求項１又は２に記載のシリコン基板のエッチング方法。
【請求項４】
高周波電源によって前記希ガスに放電することによって、前記希ガスをプラズマ化させてイオン化する請求項１乃至３のいずれかに記載のシリコン基板のエッチング方法。
【請求項５】
前記保護膜部分をエッチングする際、基板電極のバイアスがパルス化されている請求項１乃至４のいずれかに記載のシリコン基板のエッチング方法。
【請求項６】
前記第一の面と反対側の面である第二の面の上にエッチングストップ層が形成されており、前記エッチングストップ層に達すまでエッチングを行う請求項１乃至５のいずれかに記載のシリコン基板のエッチング方法。
【請求項７】
プラズマで発生するイオンによりシリコン基板を第一の面からエッチングして凹部を形成する、シリコン基板のエッチング方法であって、
前記シリコン基板に形成された未貫通孔の開口内に保護膜を形成する工程（１）と、前記開口の底部に形成された保護膜部分をイオンによりエッチングする工程（２）と、前記開口の底部に露出したシリコン基板部分をイオンによりエッチングする工程（３）と、をこの順で繰り返すことにより、前記凹部を形成する工程を含み、
前記工程（３）において、前記シリコン基板部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
【請求項８】
前記工程（３）において、前記希ガスの導入およびイオン化の次に、前記シリコン基板部分のエッチングを行う請求項７に記載のシリコン基板のエッチング方法。
【請求項９】
前記工程（３）において、前記希ガスの導入およびイオン化と、前記シリコン基板部分のエッチングとを交互に行う請求項７又は８に記載のシリコン基板のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、プラズマで発生するイオンによりシリコン基板を第一の面からエッチングして凹部を形成する、シリコン基板のエッチング方法であって、前記シリコン基板に形成された未貫通孔の開口内に保護膜を形成する工程（１）と、前記開口の底部に形成された保護膜部分をイオンによりエッチングする工程（２）と、前記開口の底部に露出したシリコン基板部分をイオンによりエッチングする工程（３）と、をこの順で繰り返すことにより、前記凹部を形成する工程を含み、
前記工程（２）において、前記保護膜部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化する、
あるいは、
前記工程（３）において、前記シリコン基板部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化する、
ことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以下において、実施例１及び実施例３は、参考例１及び参考例２と読み替えるものとする。
（実施例１）
以下、本発明の実施例１について説明する