Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月6日(2016.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】実公平７−２８１４４
【特許文献２】実用新案登録第２５４９７４１号
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献２に開示の棒状物繰出し容器にあっては、棒状物ホルダの挟持片を
筒状キャップの開口先端部から外方へ突出できるようになっている。そして、
挟持片は、開口先端部から突出した際に外方へ反るように予め賦形されており、
挟持片が棒状物を開放し易くはなっている。しかし、粘性を有している棒状物
にあっては、棒状物の周面が挟持片に強固に付着するため、棒状物を簡単に棒
状物ホルダから取り外すことができない。また、棒状物ホルダは、通常、内筒
内に収まって棒状物を挟持した状態となっていることから、経時劣化により挟
持片の外方へ反る力が低下する。したがって、挟持片を筒状キャップの開口先
端部から外方へ突出させても、挟持片が充分に外方へ反らないおそれがある。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁体と該壁体上に位置して該壁体に固定された屋根体とを備えた居住用構造体、及び上記居住用構造体と一体化される枠体と車輪とを備えた支持構造体
を具備し、自動車により目的地へ牽引され、目的地において定置されて使用されるトレーラーハウスにおいて、
上記枠体は長方形状であり、
上記支持構造体には、上記枠体を補強する直線状の補強部材が、複数個所定間隔をおいて、上記枠体の対向する２つの長辺を連結するように且つ上記枠体の短辺と平行に設けられており、
上記補強部材の一部が矩形状の耐力部材を介して２つの上記長辺に連結されて、該矩形状の耐力部材内部に上記居住用構造体における床面を構成する部材を配置して、上記居住用構造体における床面の少なくとも一部が下方向に広がり居住空間が広くされている
ことを特徴とするトレーラーハウス。
【請求項２】
上記耐力部材は、矩形状に形成された枠部分を具備し、
上記枠部分の１辺は、他の補強部材よりも長さが短くなされた、上記補強部材の一つに、該補強部材の一つの端部を当接させて連結され、該補強部材の一つは該耐力部材を介して上記長辺に連結されており、
上記枠部分における上記の１辺以外の辺は、それぞれ上記補強部材又は上記長辺に沿って固定されている
ことを特徴とする請求項１記載のトレーラーハウス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本実施形態のトレーラーハウス１０１は、図５〜７に示すように、車輪２８の上端が枠体２１の下方に位置するように配置されており、通常のトレーラーハウスと同様の床面位置となされている。
そして、本実施形態のトレーラーハウスにおいては、補強部材２２のうち１つが矩形状の耐力部材１２０を介して２つの上記長辺に連結されている。そして耐力部材１２０内部に居住用構造体における床面を構成する部材として浴室の床面ユニットを配置して、居住用構造体１０における床面の少なくとも一部である浴室床面を下方向に広げて居住空間を広くしている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月15日(2016.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に充填された液体の減少につれて縮小変形可能な第一容器から、該液体を前記第一容器の下方に設置された第二容器と、この第二容器のさらに下方に設置された第三容器とに順に供給するように構成された液体供給装置であって、
前記第二容器内の頂部付近と前記第三容器内とをストレートに連通するとともに、該第三容器内での開放端において空気又は液体の逆流時に供給時よりもライン抵抗を大きくするボルテックスダイオードを設けた連通管と、
先端付近に形成した開口と該開口に連通する通路とを有する棒状部材を前記第一容器に相対移動させて挿入することにより、該棒状部材を介して前記液体を第二容器に供給したときに、前記連通管のボルテックスダイオードを介して前記第二容器から前記第三容器内に排出された空気又は液体を該第三容器の頂部付近から排出する排出管と、
前記第二容器内の液体を該第二容器の底部付近から先下がりで排出する排液管と
を備えたことを特徴とする液体供給装置。
【請求項２】
前記第一容器はキャップ付きとするとともに、その第一容器に入った液体を、前記棒状部材を含む連通路を介して前記第二容器に送り出すように構成されており、
前記第一容器を所定位置にセットした状態で、前記キャップに前記棒状部材の少なくとも前記先端付近を挿入したときに、前記連通路を開放させることにより、前記連通路を介して前記液体を前記第二容器に供給可能とする一方、
前記連通路を閉止させたときに、前記キャップから前記棒状部材の少なくとも前記先端付近を引き抜き可能とするように構成したことを特徴とする請求項１記載の液体供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月12日(2016.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両用ドアと、該車両用ドアの内部でドアガラスの昇降を案内し該ドアガラスの下降時には該ドアガラスを収容する樹脂製の長尺状のドアサッシュと、該ドアサッシュの内部に組付けられ前記ドアガラスの縁に接する弾性を有するガラスランと、を備えた車両用ドア構造であって、
前記ドアサッシュは、
前記ガラスランに車内側、車外側からそれぞれ接する内側壁、外側壁と、
前記内側壁と外側壁とを繋ぎ該内側壁および外側壁とともに前記ガラスランを囲う連結壁と、
前記内側壁、外側壁および連結壁から外部へ立設し該各壁を囲う立壁部と、
前記立壁部から車内側に延長され前記車両用ドアを構成するドアインナパネルに固定される固定部とを備えることを特徴とする車両用ドア構造。
【請求項２】
前記ドアサッシュは、前記立壁部に設けられ該ドアサッシュの長手方向に突出したフランジをさらに備え、
前記フランジは、前記内側壁、外側壁および連結壁の少なくとも１つに当接していることを特徴とする請求項１に記載の車両用ドア構造。
【請求項３】
前記内側壁および外側壁は、前記ガラスランと係合する爪部をそれぞれ有し、
前記立壁部は、前記爪部付近に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の車両用ドア構造。
【請求項４】
当該車両用ドア構造は、前記車両用ドアの内部に配置されキーシリンダによって該車両用ドアをロックするドアロック機構をさらに備え、
前記立壁部は、車両上方から見て前記ドアロック機構を覆っていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の車両用ドア構造。
【請求項５】
当該車両用ドア構造は、前記車両用ドアを構成するドアアウタパネルに取付けられたドアハンドルによって該車両用ドアを開閉するドア開閉機構をさらに備え、
前記ドア開閉機構は、車両前後方向に延びる回転軸と、前記車両用ドアを開放するとき該回転軸の周りを回転し車内側に接近する第１軌跡を描くウエイトとを有し、
前記フランジは、第１軌跡よりも車内側にずれた第２軌跡上に位置し、前記ウエイトが第２軌跡を描くとき該ウエイトに当接することを特徴とする請求項２に記載の車両用ドア構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２は、図１の車両用ドア構造１００の要部を拡大して示す図である。図２（ａ）は、図１の一点鎖線で囲んだ領域Ｃを拡大して示している。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。ドアサッシュ１１０は、図２（ｂ）のＤ−Ｄ断面に示すように、その内部にガラスラン１１２が組付けられている。ガラスラン１１２は、弾性を有する部材であり、窓枠１０４に昇降可能に配置されたドアガラス１１４の縁に接している。なおガラスラン１１２およびドアガラス１１４は、図２（ａ）では図示を省略している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３は、図１の車両用ドア構造１００の内部を拡大して示す図である。図中では、上記ドアアウタパネル１０６を省略し、ドアサッシュ１１０の固定部１４２に固定点１４２ａで固定されたドアインナパネル１４６を示している。図４は、図３の車両用ドア構造１００のＡ矢視図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図６は、図５の車両用ドア構造１００のＥ−Ｅ線に沿った端面を示す図である。ドア開閉機構１５２の上記ウエイト１６２は、通常時、すなわち乗員がドアハンドル１０８を把持して車両用ドア１０２を開放するとき、回転軸１６０の周りを回転し、図中一点鎖線で示す第１軌跡Ｆを描く。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月9日(2016.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の方法で２−メルカプトベンゾチアゾール類が２−メルカプトベンゾチアゾールを用いて合成して得られた白色粉末状結晶を成分分析した結果、理論値と略一致する  Ａｕ：５４．１％（計算値：５４．２３％）、Ｃ：２３．１％（計算値：２３．１５％）、Ｎ：３．８％（計算値：３．８６％）、Ｓ：１７．５％（計算値：１７．６６％）であった。また、全シアン濃度の測定結果は０．００％であり、検出されなかった。したがって、本発明のノンシアン金化合物は、上記一般式（２）で表される結晶であることを確認した。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を集光レンズを介して絶縁基板に集光照射することにより、前記絶縁基板を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する工程を有し、
前記集光レンズと前記絶縁基板との間の媒質が空気であり、
前記集光レンズの焦点距離ｆと、前記集光レンズに対する前記レーザ光の入射ビーム径ｄとから下記式（１）を用いて算出される集光半角θが下記式（２）を満たす、貫通孔形成方法。
（ｄ／２）／ｆ＝ｔａｎθ・・・（１）
０．１６≦ｓｉｎθ≦０．２２・・・（２）
【請求項２】
レーザ光を集光レンズを介して絶縁基板に集光照射することにより、前記絶縁基板を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する工程を有し、
前記レーザ光を出射するレーザ光源として、炭酸ガスレーザを用い、
前記集光レンズと前記絶縁基板との間の媒質が空気であり、
前記集光レンズの焦点距離ｆと、前記集光レンズに対する前記レーザ光の入射ビーム径ｄとから下記式（１）を用いて算出される集光半角θが下記式（２）を満たす、貫通孔形成方法。
（ｄ／２）／ｆ＝ｔａｎθ・・・（１）
０．１６≦ｓｉｎθ≦０．２２・・・（２）
【請求項３】
前記集光レンズに入射する前記レーザ光は、断面円形の平行光である、請求項１または２に記載の貫通孔形成方法。
【請求項４】
前記集光レンズの焦点と、前記絶縁基板における前記レーザ光の照射面との、前記照射面に対し垂直方向における距離が０．１ｍｍ以内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の貫通孔形成方法。
【請求項５】
前記貫通孔は、前記絶縁基板における前記レーザ光の照射面に第１開口縁を有し、前記絶縁基板における前記照射面とは反対側の面に第２開口縁を有し、
前記第２開口縁は前記第１開口縁よりも小さく、
前記貫通孔の板厚方向任意の位置で、前記貫通孔の直径（Φ１）と、前記第１開口縁および前記第２開口縁を側面に含む円錐台の直径（Φ２）との比（Φ１／Φ２）が０．７〜１．１である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の貫通孔形成方法。
【請求項６】
前記レーザ光をアパーチャーを介して前記集光レンズに入射させる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の貫通孔形成方法。
【請求項７】
前記レーザ光の偏光を直線偏光から円偏光に変換し、円偏光の前記レーザ光を前記絶縁基板に照射する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の貫通孔形成方法。
【請求項８】
前記絶縁基板はガラス基板を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の貫通孔形成方法。
【請求項９】
レーザ光を集光レンズを介して絶縁基板に集光照射することにより、前記絶縁基板を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成装置であって、
前記レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源からの前記レーザ光を前記絶縁基板に集光照射する光学系とを有し、
前記光学系は、前記集光レンズを含み、
前記集光レンズと前記絶縁基板との間の媒質が空気であり、
前記集光レンズの焦点距離ｆと、前記集光レンズに対する前記レーザ光の入射ビーム径ｄとから下記式（１）を用いて算出される集光半角θが下記式（２）を満たす、貫通孔形成装置。
（ｄ／２）／ｆ＝ｔａｎθ・・・（１）
０．１６≦ｓｉｎθ≦０．２２・・・（２）
【請求項１０】
レーザ光を集光レンズを介して絶縁基板に集光照射することにより、前記絶縁基板を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成装置であって、
前記レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源からの前記レーザ光を前記絶縁基板に集光照射する光学系とを有し、
前記光学系は、前記集光レンズを含み、
前記レーザ光源が炭酸ガスレーザであり、
前記集光レンズと前記絶縁基板との間の媒質が空気であり、
前記集光レンズの焦点距離ｆと、前記集光レンズに対する前記レーザ光の入射ビーム径ｄとから下記式（１）を用いて算出される集光半角θが下記式（２）を満たす、貫通孔形成装置。
（ｄ／２）／ｆ＝ｔａｎθ・・・（１）
０．１６≦ｓｉｎθ≦０．２２・・・（２）
【請求項１１】
前記集光レンズに入射する前記レーザ光は、断面円形の平行光である、請求項９または１０に記載の貫通孔形成装置。
【請求項１２】
前記集光レンズの焦点と、前記絶縁基板における前記レーザ光の照射面との、前記照射面に対し垂直方向における距離が０．１ｍｍ以内である、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の貫通孔形成装置。
【請求項１３】
前記光学系は、前記集光レンズに入射する前に前記レーザ光の断面形状を整えるアパーチャーを有する、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の貫通孔形成装置。
【請求項１４】
前記光学系は、前記レーザ光の偏光を直線偏光から円偏光に変換する波長板を有する、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の貫通孔形成装置。
【請求項１５】
前記波長板は１／４波長板である、請求項１４に記載の貫通孔形成装置。
【請求項１６】
前記絶縁基板はガラス基板を含む、請求項９〜１５のいずれか１項に記載の貫通孔形成装置。
【請求項１７】
レーザ光を集光レンズを介してガラス基板に集光照射することにより、前記ガラス基板を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する工程を有し、
前記集光レンズと前記ガラス基板との間の媒質が空気であり、
前記集光レンズの焦点距離ｆと、前記集光レンズに対する前記レーザ光の入射ビーム径ｄとから下記式（１）を用いて算出される集光半角θが下記式（２）を満たす、貫通孔を有するガラス基板の製造方法。
（ｄ／２）／ｆ＝ｔａｎθ・・・（１）
０．１６≦ｓｉｎθ≦０．２２・・・（２）
【請求項１８】
レーザ光を集光レンズを介してガラス基板に集光照射することにより、前記ガラス基板を板厚方向に貫通する貫通孔を形成する工程を有し、
前記レーザ光を出射するレーザ光源として、炭酸ガスレーザを用い、
前記集光レンズと前記ガラス基板との間の媒質が空気であり、
前記集光レンズの焦点距離ｆと、前記集光レンズに対する前記レーザ光の入射ビーム径ｄとから下記式（１）を用いて算出される集光半角θが下記式（２）を満たす、貫通孔を有するガラス基板の製造方法。
（ｄ／２）／ｆ＝ｔａｎθ・・・（１）
０．１６≦ｓｉｎθ≦０．２２・・・（２）
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月20日(2016.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽熱を集熱して１次熱媒体である溶融塩を加熱する太陽熱集熱装置と、
前記太陽熱集熱装置へ供給する溶融塩を蓄える低温タンクと、前記太陽熱集熱装置で加熱された高温の溶融塩を蓄える高温タンクと、前記高温タンクから供給された高温の溶融塩を加熱媒体として２次熱媒体を加熱する２次熱媒体加熱器とを有する太陽熱蓄熱／放熱装置と、
大気から吸引した空気を所定の圧力まで昇圧して前記２次熱媒体である圧縮空気を生成する圧縮機と、前記２次熱媒体加熱器で加熱された圧縮空気を導入して発電機を駆動する高温空気タービンとを有する圧縮機／高温タービン発電装置とを備えた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽熱発電システムにおいて、
前記圧縮機／高温タービン発電装置は、大気から吸引した空気を昇圧する第１圧縮機と、前記第１圧縮機が吐出した圧縮空気を冷却する中間冷却器と、前記中間冷却器で冷却した圧縮空気を吸引して所定の圧力まで昇圧する第２圧縮機とを備えた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の太陽熱発電システムにおいて、
前記２次熱媒体加熱器の２次熱媒体側の流路の上流側に設けられ、前記高温空気タービンからの排気を加熱媒体として前記圧縮空気を加熱する再生器を更に備えた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項４】
請求項１に記載の太陽熱発電システムにおいて、
大気から吸引した空気を昇圧する前記圧縮機の空気吸い込み側に、吸い込み空気中の水蒸気を除去し乾燥する乾燥機を設けた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項５】
請求項２に記載の太陽熱発電システムにおいて、
大気から吸引した空気を昇圧する前記第１圧縮機の空気吸い込み側に、吸い込み空気中の水蒸気を除去し乾燥する乾燥機を設けた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項６】
請求項１に記載の太陽熱発電システムにおいて、
大気から吸引した空気を昇圧する前記圧縮機の空気吸い込み側に、吸い込み空気中の二酸化炭素を除去する二酸化炭素除去装置を設けた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項７】
請求項２に記載の太陽熱発電システムにおいて、
大気から吸引した空気を昇圧する前記第１圧縮機の空気吸い込み側に、吸い込み空気中の二酸化炭素を除去する二酸化炭素除去装置を設けた
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項８】
請求項１に記載の太陽熱発電システムにおいて、
前記圧縮機を駆動する電動機と、前記電動機へ動力を供給するインバータとを供え、
前記電動機は前記インバータにより回転数制御される
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【請求項９】
請求項２に記載の太陽熱発電システムにおいて、
前記第１圧縮機を駆動する第１電動機と、前記第１電動機へ動力を供給する第１インバータと、前記第２圧縮機を駆動する第２電動機と、前記第２電動機へ動力を供給する第２インバータとを供え、
前記第１電動機及び前記第２電動機は前記第１インバータ及び前記第２インバータによりそれぞれ回転数制御される
ことを特徴とする太陽熱発電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５質量％懸濁液を９０℃まで達温させた後に３０℃まで放冷したときの平均粒子径が８μｍ以下であって、ブラベンダーアミログラフ測定法による２５質量％糊液の最高粘度が２０００ＢＵ以下である、リン酸架橋米澱粉。
【請求項２】
請求項１に記載のリン酸架橋米澱粉を飲食物に０．５〜３０質量％含有させることを特徴とする、飲食物を白濁させる方法。
【請求項３】
請求項１に記載のリン酸架橋米澱粉からなる飲食物用白濁化剤。
【請求項４】
請求項１のリン酸架橋米澱粉を含有させる飲食品の製造方法。
【請求項５】
飲品食品が、麺、グミキャンディー、杏仁豆腐、餅、ごま豆腐、ドレッシング、ソース、スープ、チョコレート及びフラワーペーストのうちのいずれかである、請求項４に記載の飲食品の製造方法。
【請求項６】
飲食品が、油脂肪、カロリー若しくはタンパク質のうち少なくとも一以上を低減した飲食品、又は、加工澱粉及び糖質を主成分とする飲食品のいずれかである、請求項４又は５に記載の飲食品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に型を用いて樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
パターンが形成されている第２の面が在る側とは反対側に在る前記型の第１の面を複数の吸着力発生部を含む吸着部により引きつけることで前記型を保持する保持部と、
前記複数の吸着力発生部による吸着力をそれぞれ調整する吸着力調整部と、
前記型のパターン領域の形状を、前記基板の基板側パターン領域の形状に近づけるように前記型の側面に力を加える形状補正部と、を備え、
前記第１の面は第１の領域と、該第１の領域よりも前記型の側面から前記型の中心に近い第２の領域とを含み、
前記吸着力調整部は、前記形状補正部により前記型に力を加えるに際し、前記第１の領域での吸着力が前記第２の領域での吸着力よりも小さくなるように、前記複数の吸着力発生部による前記吸着力を調整することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記型の端部側に位置する領域であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記吸着力発生部は吸引口を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記吸着力調整部は、前記第１の領域に向かい合う吸引口の吸着圧を大気圧にすることを特徴とする請求項３のインプリント装置。
【請求項５】
前記形状補正部により前記型の一方の軸方向に与える力の量が、他方の軸方向に与える量よりも大きい場合、
前記他方の軸方向に前記パターン領域を横切るように伸びる領域は、前記第２領域として形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記吸着力調整部は、接触している前記型と前記基板上の樹脂とを離す前に、前記第１の領域での吸着力を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項７】
物品の製造方法であって、
インプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含み、
前記インプリント装置は、前記基板上に型を用いて前記パターンを形成するインプリント装置であって、
パターンが形成されている第２の面が在る側とは反対側に在る前記型の第１の面を複数の吸着力発生部を含む吸着部により引きつけることで前記型を保持する保持部と、
前記複数の吸着力発生部による吸着力をそれぞれ調整する吸着力調整部と、
前記型のパターン領域の形状を、前記基板の基板側パターン領域の形状に近づけるように前記型の側面に力を加える形状補正部と、を備え、
前記第１の面は第１の領域と、該第１の領域よりも前記型の側面から前記型の中心に近い第２の領域とを含み、
前記吸着力調整部は、前記形状補正部により前記型に力を加えるに際し、前記第１の領域での吸着力が前記第２の領域での吸着力よりも小さくなるように、前記複数の吸着力発生部による前記吸着力を調整することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項８】
型に形成されたパターンを基板上の樹脂に転写するインプリント方法であって、
パターンが形成されている第２の面が在る側とは反対側に在る前記型の第１の面を吸着保持する工程と、
前記型の側面に力を加えることで前記パターンが形成される前記型のパターン領域を変形させる工程と、
変形させた前記型のパターン領域と前記基板上の樹脂とを接触させた状態で、前記基板上の樹脂を硬化させる工程と、
前記接触している前記型と前記樹脂とを離す離型工程と、を備え、
前記第１の面は第１の領域と、該第１の領域よりも前記型の側面から前記型の中心に近い第２の領域とを含み、
前記型のパターン領域を変形させる工程において、前記第１の領域での吸着力が前記第２の領域での吸着力よりも小さくなるように調整することを特徴とするインプリント方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に型を用いて樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、パターンが形成されている第２の面が在る側とは反対側に在る前記型の第１の面を複数の吸着力発生部を含む吸着部により引きつけることで型を保持する保持部と、複数の吸着力発生部による吸着力をそれぞれ調整する吸着力調整部と、型のパターン領域の形状を、基板の基板側パターン領域の形状に近づけるように型の側面に力を加える形状補正部と、を備え、第１の面は第１の領域と、該第１の領域よりも型の側面から型の中心に近い第２の領域とを含み、吸着力調整部は、形状補正部により型に力を加えるに際し、前記第１の領域での吸着力が第２の領域での吸着力よりも小さくなるように、複数の吸着力発生部による吸着力を調整することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月17日(2015.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜上の、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜の上面の一部、及び前記ゲート電極層の側面を覆う領域を有する第１の側壁絶縁層と、
前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う領域を有する第２の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域、及び前記第２の側壁絶縁層の側面に接する領域を有するソース電極層と、
前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域、及び前記第２の側壁絶縁層の側面に接する領域を有するドレイン電極層と、
前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の層間絶縁膜と、を有し、
前記第１の側壁絶縁層は、側面に凹部を有し、
前記第１の側壁絶縁層は、酸化アルミニウムを含み、
前記酸化物半導体膜において、前記ゲート電極層と重ならない領域は、ドーパントを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の側壁絶縁層は、酸化窒化シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極層と前記層間絶縁膜との間に、窒化物絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第１の酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体膜にドーパントを導入し、
前記絶縁膜上及び前記ゲート電極層上に、酸化アルミニウム膜を形成し、
前記酸化アルミニウム膜上に、第２の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第２の酸化物絶縁膜をエッチングして、前記酸化アルミニウム膜を介して前記ゲート電極層の側面を覆う領域を有する酸化物絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記酸化物絶縁層をマスクとして、前記酸化アルミニウム膜をエッチングして第１の側壁絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜上、前記絶縁膜上、前記ゲート電極層上、及び前記第１の側壁絶縁層上に第３の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第３の酸化物絶縁膜及び前記絶縁膜をエッチングして、前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う領域を有する第２の側壁絶縁層及びゲート絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上、前記ゲート絶縁膜上、前記ゲート電極層上、前記第１の側壁絶縁層上、及び前記第２の側壁絶縁層上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記導電膜を、前記ゲート電極層が露出するまで化学的機械研磨法により部分的に除去して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化アルミニウム膜をエッチングする工程において、前記酸化物絶縁層は消失することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化アルミニウム膜を、スパッタリング法を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第３の酸化物絶縁膜を、化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜を形成する前に、前記第１の酸化物絶縁膜表面に平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項において、
前記酸化アルミニウム膜を形成した後に、前記酸化アルミニウム膜の形成温度以上で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１トランジスタ、第２トランジスタ、及びキャパシタを含むメモリセルを有し、
前記第１トランジスタは、第１半導体と、前記第１半導体の上に接する第１ゲート絶縁層と、前記第１ゲート絶縁層に接して前記第１半導体と重なる第１ゲート電極と、前記第１半導体の前記第１ゲート電極と重なる領域を挟むように設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記第２トランジスタは、前記第１ゲート電極に重なるように配置され前記第１ゲート電極に電気的に接続した第２半導体層と、前記第２半導体層の側面に接する第２ゲート絶縁層と、前記第２ゲート絶縁層に接して前記第２半導体層の側面の少なくとも一部を覆うように形成された第２ゲート電極と、を有し、
前記キャパシタは、前記第１ゲート電極の側面に接する容量層と、前記容量層に接して前記第１ゲート電極の側面の少なくとも一部を覆うように形成された第１容量電極と、を有する半導体記憶装置。
【請求項２】
第１トランジスタ、第２トランジスタ、及びキャパシタを含むメモリセルを有し、
前記第１トランジスタは、第１半導体と、前記第１半導体の上に接する第１ゲート絶縁層と、前記第１ゲート絶縁層に接して前記第１半導体と重なる第１ゲート電極と、前記第１半導体の前記第１ゲート電極と重なる領域を挟むように設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記第２トランジスタは、前記第１ゲート電極に重なるように配置され前記第１ゲート電極に電気的に接続した第２半導体層と、前記第２半導体層の側面に接する第２ゲート絶縁層と、前記第２ゲート絶縁層に接して前記第２半導体層の側面の少なくとも一部を覆うように形成された第２ゲート電極と、を有し、
前記キャパシタは、前記第１ゲート電極と前記第２半導体層とを電気的に接続する第２容量電極と、前記第２容量電極に接する容量層と、前記容量層に接し前記第２容量電極の側面の少なくとも一部を覆うように形成された第１容量電極と、を有する半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第２半導体層が、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体材料で構成されている請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第２半導体層が、酸化物半導体で構成されている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する保持部材を装着した基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を搬送する様に構成された基板搬送部と、前記基板保持具に装着された前記保持部材の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板搬送部を制御する搬送制御部とを具備する基板処理装置。
【請求項２】
基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程を少なくとも有する基板移載方法であって、前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定工程を有し、前記判定工程の判定結果に応じて前記基板保持具に基板を移載する基板移載方法。
【請求項３】
基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定工程を有し、前記判定工程の判定結果に応じて前記基板保持具に基板を移載する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
保持部材の状態を検知する検知部に波形データを取得させ、判定部に前記波形データより前記保持部材の下端と上端を示すデータを取得させると共に、取得した各波形データと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較させることで前記保持部材の状態を判定させ、判定により異常が検知された際に処理を中断させる基板処理装置の保持部材状態検知プログラム。
【請求項５】
基板を載置する保持部材と、前記保持部材を装着して基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に装着された前記保持部材と前記保持部材に載置された基板の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された検知データと、予め正常な状態の前記保持部材のみを検知して取得した基準となる第１マスターデータ及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して基板の状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板保持具への基板の移載を行う基板搬送部と、を具備する基板処理装置。
【請求項６】
基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程と、前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータ及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態及び該保持部材に載置された基板の状態を判定する判定工程を有し、前記判定工程の判定結果に応じて前記基板保持具に基板を移載する基板移載方法。
【請求項７】
基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程と、前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータ及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して前記保持部材の状態及び該保持部材に載置された基板の状態を判定する判定工程を有し、前記判定工程の判定結果に応じて前記基板保持具に基板を移載する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する手順と、
前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータとを比較して前記保持部材の状態を判定する第１判定手順と、
該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して前記保持部材に載置された基板の状態を判定する手順と、
を有する状態検知プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメサと、前記複数のメサの周囲に位置する複数のダミーメサと、を有する面発光レーザ素子であって、
前記複数のメサは、配線が接続される電極を有し、
前記配線の一部は、前記ダミーメサの上面及び側面と該ダミーメサの周囲の底面にわたり形成されているものであることを特徴とする面発光レーザアレイ素子。
【請求項２】
２つの前記ダミーメサの間において、２本の配線が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項３】
前記配線における前記ダミーメサの周囲の底面にわたり形成されている配線の領域において、
前記配線の領域における配線の幅が、前記ダミーメサの周囲に広がる方向に、他の領域よりも広く形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項４】
前記複数のメサは、２次元アレイ状に形成されているものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項５】
前記メサ及び前記ダミーメサは、略同一形状で形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項６】
前記メサの形状は、４角形であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項７】
前記電極は、前記メサの上面に形成される上部電極であり、前記上部電極と前記配線は、同一の金属膜からなるものであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項８】
前記ダミーメサの周囲の底面に形成された配線の幅は、前記ダミーメサの上面に形成された配線の幅よりも広いことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項９】
複数のメサを有する面発光レーザ素子であって、
前記複数のメサのうち少なくとも１つのメサは、配線が接続される電極を有し、
前記配線の一部は、前記少なくとも１つのメサとは異なるメサの上面及び側面と該異なるメサの周囲の底面にわたり形成されているものであることを特徴とする面発光レーザアレイ素子。
【請求項１０】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１から９のいずれかに記載の面発光レーザアレイ素子を有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向部と、
前記光偏向部により偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、
を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項１１】
像担持体と、
前記像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項１０に記載の光走査装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は、複数のメサと、前記複数のメサの周囲に位置する複数のダミーメサと、を有する面発光レーザ素子であって、前記複数のメサは、配線が接続される電極を有し、前記配線の一部は、前記ダミーメサの上面及び側面と該ダミーメサの周囲の底面にわたり形成されているものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にあり、前記ゲート電極と重畳する半導体膜と、
前記半導体膜上の絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にあり、前記ゲート電極と重畳する半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にあり、前記半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にあり、前記半導体膜と重畳するゲート電極と、
前記ゲート電極上の絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体膜と、
前記半導体膜と重畳するゲート電極と、
前記半導体膜および前記ゲート電極の間に位置するゲート絶縁膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記結晶性絶縁膜は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、ＺｒおよびＴａのいずれか一種以上を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化アルミニウム膜の密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上４．１ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体膜は、酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップグリッパ（１６）およびダイエジェクタ（１）を用いて金属箔（４）から半導体チップ（５）を剥離する方法であって、前記ダイエジェクタ（１）は、直線状支持エッジを有する内側のプレート（８Ａ）、および、Ｌ字型支持エッジを有する外側のプレート（８Ｂ、８Ｃ）を備え、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）は、カバープレート（３）の中央の穴を突き出ており、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）の支持エッジ（１９）は、最初の位置で、前記金属箔（４）が載る支持平面を形成し、
前記方法は：
Ａ）前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）を持ち上げるステップであって、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）の前記支持エッジ（１９）は前記カバープレート（３）の表面（１２）の上方に高さＨ１を占めるステップ；
Ｂ）前記外側のプレート（８Ｃ）の最も外側の１対を下げるステップ；
Ｃ）まだ下げられていない前記プレートを持ち上げるステップであって、その結果、まだ下げられていない前記プレートの前記支持エッジ（１９）が、前記カバープレート（３）の前記表面（１２）の上方に、高さＨ１よりも大きい高さＨ２を占めるステップ； 
Ｄ）まだ下げられていない前記プレートを特定の順序でずらして下げ、少なくとも１つまたはいくつかの前記プレートが下げられていないステップ；
Ｅ）チップグリッパ（１６）を半導体チップ（５）の上方に配置するステップ；
Ｆ）最後の３つのプレートを下げる前に、前記半導体チップ（５）に接触するまで前記チップグリッパ（１６）を下げるステップ；
Ｇ）すべてのプレートが下げられるまで、まだ下げられていないプレートを下げるステップ；からなり、
ステップＦおよびステップＧの前に、ステップＡからステップＤが順番に行われる、方法。
【請求項２】
２つの追加の外側のプレートが、外側から２番目となる第２の１対の外側のプレート（８Ｂ）を形成するように配置され、ステップＢの後に、前記第２の１対の外側のプレート（８Ｂ）を下げるステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップＤの後に、まだ下げられていないプレートを下げ、その結果、まだ下げられていないプレートの前記支持エッジがカバープレートの表面の上部に、高さＨ２よりも小さい高さＨ３を占めるステップを有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）はキャリア（９）に固定され、前記キャリア（９）は、前記カバープレート（３）の前記表面（１２）に対して垂直に移動可能であり、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）は前記キャリア（９）に対して持ち上げ可能、かつ下げることが可能であり、前記キャリア（９）は、前記最初の位置で所定の位置ｚ０に配置され、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）は、前記キャリア（９）に対して持ち上げられ、その結果、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）の支持エッジ（１９）は、前記金属箔（４）が載る支持平面を形成し、
ステップＡで、前記キャリア（９）は、所定の距離Δｚ１だけ持ち上げられ、
ステップＣで、前記キャリア（９）は、所定の距離Δｚ２だけ持ち上げられることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）はキャリア（９）に固定され、前記キャリア（９）は、前記カバープレート（３）の前記表面（１２）に対して垂直に移動可能であり、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）は前記キャリア（９）に対して持ち上げ可能、かつ下げることが可能であり、前記キャリア（９）は、前記最初の位置で所定の位置ｚ０に配置され、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）は、前記キャリア（９）に対して持ち上げられ、その結果、前記プレート（８Ａ、８Ｂ、８Ｃ）の支持エッジ（１９）は、前記金属箔（４）が載る支持平面を形成し、
ステップＡで、前記キャリア（９）は、所定の距離Δｚ１だけ持ち上げられ、
ステップＣで、前記キャリア（９）は、所定の距離Δｚ２だけ持ち上げられ、および、
ステップＤで、前記キャリア（９）は、所定の距離Δｚ３だけ下げられることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次の半導体チップを金属箔４から剥離するために、金属箔４はダイエジェクタ１に対して移動させられ、その結果、剥離されるべき半導体チップ５は、カバープレート３の孔６の上方に位置する。さらに、すべてのプレート８がキャリア９に対して持ち上げられ、その結果、すべてのプレート８の支持エッジ１９は、同一平面内に位置し、キャリア９は所定の位置ｚ０に持って行かれ、この位置で、支持エッジ１９は、カバープレート３の表面１２と同一平面にある。この最初の位置で、金属箔４は、プレート８の支持エッジ１９の上に載っている。半導体チップ５を金属箔４から剥離する方法は：
Ａ）チャンバ２に真空を供給するステップであって、その結果、金属箔４はカバープレート３に向けて引っ張られるステップ；
Ｂ）キャリア９を所定の距離Δｚ１だけ持ち上げるステップであって、その結果、プレート８の支持エッジ１９は、カバープレート３の表面１２の上方で高さＨ１を占めるステップ；
Ｃ）Ｌ字型支持エッジを有する最も外側の１対のプレート８Ｃを下げるステップ；
Ｄ）任意選択で、Ｌ字型支持エッジを有する内部の１対のプレート８Ｂを下げるステップ；
Ｅ）キャリア９を所定の距離Δｚ２だけ持ち上げるステップであって、その結果、まだ下げられていないプレートの支持エッジが、カバープレート３の表面１２の上方で高さＨ２＞Ｈ１を占めるステップ；
Ｆ）まだ下げられていないプレート８を所定の順序でずらして下げ、少なくとも１つまたはいくつかの（好ましくは３つの）プレート８Ａが下げられないステップ；
Ｇ）任意選択で、キャリア９を所定の距離Δｚ３だけ下げるステップであって、その結果、まだ下げられていないプレートの支持エッジが、カバープレート３の表面１２の上方で高さＨ３＜Ｈ２を占めるステップ；
Ｈ）まだ下げられていないプレート８Ａをずらして下げるステップ；
Ｉ）半導体チップ５と共にチップグリッパ１６を離すステップ；
Ｊ）チップグリッパ１６は、半導体チップ５の上方に配置され、遅くとも最後の３つのプレート８Ａを下げる前に半導体チップに接触し、かつ半導体チップ５をしっかりと保持するまで、下げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂；
必要に応じて蝋；および
必要に応じて着色剤
を含むトナー粒子；ならびに
少なくとも部分的にトナー粒子表面を被膜する表面添加剤
を含むトナー組成物であって、前記表面添加剤は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）表面処理シリカ、表面処理されていないゾル−ゲルシリカ、およびポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）表面処理シリカの混合物を含み、
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカ対前記ＰＤＭＳ表面処理シリカの重量比は、１：２から１：１４までの範囲内であり、
前記表面添加剤は、３００から６００ｎｍまでの体積平均直径を有する有機スペーサーを更に含む、トナー組成物。
【請求項２】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカが５から５０ｎｍまでの平均粒子径を有する、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項３】
前記ゾル−ゲルシリカが１００から１５０ｎｍまでの平均粒子径を有する、請求項１または２に記載のトナー組成物。
【請求項４】
前記ＰＤＭＳ表面処理シリカが５から５０ｎｍまでの平均粒子径を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項５】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカ対前記ゾル−ゲルシリカの重量比が、３：１から４：１の範囲内である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項６】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカ対前記ゾル−ゲルシリカ対前記ＰＤＭＳシリカの重量比は、１：０．５：３である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項７】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカと前記ゾル−ゲルシリカと前記ＰＤＭＳシリカとの前記混合物は、前記トナー組成物中に、前記トナー組成物の総重量に基づいて３．０から５．０重量％までの量で存在する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項８】
前記トナー組成物が、直鎖炭素との組合せで分枝鎖炭素を有する変性パラフィン蝋を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項９】
前記トナー粒子が、０．９４０から０．９９９までの真円度を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項１０】
前記トナー粒子が、３から１５μｍまでの体積平均直径を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のトナー組成物。
【請求項１１】
トナー組成物を製造する方法であって、前記方法は、以下：
樹脂含有エマルジョン；
必要に応じて蝋；
必要に応じて着色剤；
必要に応じて界面活性剤；
必要に応じて凝集剤；
必要に応じてキレート剤；および
１種以上の必要に応じた添加剤
を共に混合することによって、スラリーを形成すること；
前記スラリーを加熱し、前記スラリー内に凝集粒子を形成すること；
ｐＨを調整することにより、前記粒子の凝集を凍結すること；
前記スラリー中の前記凝集粒子を加熱し、前記粒子をトナー粒子に合体させること；
前記トナー粒子を洗浄しそして乾燥させること；ならびに
前記トナー粒子を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）表面処理シリカ、表面処理されていないゾル−ゲルシリカ、およびポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）表面処理シリカの混合物を含む表面添加剤で被膜すること
を含み、
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカ対前記ＰＤＭＳ表面処理シリカの重量比は、１：２から１：１４までの範囲内であり、
前記表面添加剤は、３００から６００ｎｍまでの体積平均直径を有する有機スペーサーを更に含む、方法。
【請求項１２】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカは、５から５０ｎｍまでの平均粒子径を有し、そして前記ゾル−ゲルシリカは、１００から１５０ｎｍまでの平均粒子径を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカ対前記ゾル−ゲルシリカの重量比が、３：１から４：１の範囲内である、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカ対前記ゾル−ゲルシリカ対前記ＰＤＭＳ表面処理シリカの重量比は、１．０：０．５：３．０である、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカと前記ゾル−ゲルシリカと前記ＰＤＭＳ表面処理シリカとの前記混合物は、前記トナー組成物中に、前記トナー組成物の総重量に基づいて３．０から５．０重量％までの量で存在する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＨＭＤＳ表面処理シリカと前記ゾル−ゲルシリカと前記ＰＤＭＳ表面処理シリカと前記有機スペーサーとの混合物は、前記トナー組成物中に、前記トナー組成物の総重量に基づいて３．８から５．８重量％までの量で存在する、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナー組成物及びその製造方法