【手続補正書】
【提出日】平成28年9月8日(2016.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、該半導体素子に電気的に接続される半導体素子上金属パッド及び金属配線を有し、該金属配線が貫通電極及びソルダーバンプに電気的に接続される半導体装置であって、
前記半導体素子が載置された第一絶縁層と、前記半導体素子上に形成された第二絶縁層と、該第二絶縁層上に形成された第三絶縁層とを有し、
前記金属配線が、前記第二絶縁層の上面で前記半導体素子上金属パッドを介して前記半導体素子に電気的に接続され、前記第二絶縁層の上面から前記第二絶縁層を貫通して前記第二絶縁層の下面で前記貫通電極に電気的に接続されたものであり、
前記第一絶縁層と前記半導体素子の間に半導体素子下金属配線が配置され、該半導体素子下金属配線が、前記第二絶縁層の下面で前記金属配線と電気的に接続されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第一絶縁層が光硬化性ドライフィルム又は光硬化性レジスト塗布膜によって形成されたものであり、前記第二絶縁層が前記光硬化性ドライフィルムによって形成されたものであり、前記第三絶縁層が前記光硬化性ドライフィルム又は光硬化性レジスト塗布膜によって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の高さが２０〜１００μｍであり、前記第一絶縁層の膜厚が１〜２０μｍであり、前記第二絶縁層の膜厚が５〜１００μｍであり、前記第三絶縁層の膜厚が５〜１００μｍであり、前記半導体装置の厚さが５０〜３００μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記光硬化性ドライフィルムが、
（Ａ）下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシリコーン骨格含有高分子化合物、
【化１】
2015195240.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。ｍは１〜１００の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数、かつａ、ｂ、ｃ、ｄは同時に０になることがない。ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。さらに、Ｘは下記一般式（２）で示される有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される有機基である。）
【化２】
2015195240.tif 000002
（式中、Ｚは
【化３】
2015195240.tif 000003
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。Ｒ５及びＲ６はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
【化４】
2015195240.tif 000004
（式中、Ｖは
【化５】
2015195240.tif 000005
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。Ｒ７及びＲ８はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）
（Ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物から選ばれる１種又は２種以上の架橋剤、
（Ｃ）波長１９０〜５００ｎｍの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、及び
（Ｄ）溶剤、
を含有してなる化学増幅型ネガ型レジスト組成物材料からなる光硬化性樹脂層を有する光硬化性ドライフィルムであることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置がフリップチップ化されて複数積層されたものであることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の積層型半導体装置が電気回路を有する基板上に載置され、絶縁封止樹脂層で封止されたものであることを特徴とする封止後積層型半導体装置。
【請求項７】
半導体装置の製造方法であって、
（１）サポート基板に仮接着剤を塗布し、該仮接着剤上にレジスト組成物材料を光硬化性樹脂層として用いた膜厚１〜２０μｍの第一絶縁層を形成する工程と、
（２）前記第一絶縁層に対してマスクを介したリソグラフィーによってパターニングを行って貫通電極となるホールパターンを形成後、ベークすることで前記第一絶縁層を硬化させる工程と、
（３）前記第一絶縁層にスパッタリングによるシード層形成を行い、その後前記貫通電極となるホールパターンをメッキによって埋め、貫通電極と接続される金属配線を形成するとともに、半導体素子下金属配線を形成する工程と、
（４）上部表面に電極パッドが露出した高さ２０〜１００μｍの半導体素子を、前記半導体素子下金属配線を形成した硬化後の第一絶縁層上へダイボンディング剤を用いてダイボンディングする工程と、
（５）膜厚５〜１００μｍである光硬化性樹脂層が支持フィルムと保護フィルムで挟まれた構造を有し、該光硬化性樹脂層がレジスト組成物材料からなる光硬化性ドライフィルムを準備する工程と、
（６）前記第一絶縁層上へダイボンディングされた半導体素子を覆うように前記光硬化性ドライフィルムの光硬化性樹脂層をラミネートすることで第二絶縁層を形成する工程と、
（７）前記第二絶縁層に対して、マスクを介したリソグラフィーによってパターニングを行い、前記電極パッド上の開口と、前記貫通電極と接続される金属配線上に前記第二絶縁層を貫通する金属配線を形成するための開口と、前記貫通電極を形成するための開口を同時に形成した後、ベークすることで前記第二絶縁層を硬化させる工程と、
（８）硬化後、スパッタリングによるシード層形成を行い、その後前記電極パッド上の開口と、前記第二絶縁層を貫通する金属配線を形成するための開口と、前記貫通電極を形成するための開口をメッキによって埋めて、半導体素子上金属パッドと、前記第二絶縁層を貫通する金属配線と、貫通電極とを形成するとともに、前記メッキによって形成された前記半導体素子上金属パッドと前記第二絶縁層を貫通する金属配線をメッキによる金属配線によってつなぐ工程と、
（９）金属配線の形成後、前記光硬化性ドライフィルムの光硬化性樹脂層をラミネートする又は前記光硬化性ドライフィルムに用いたレジスト組成物材料をスピンコートすることで第三絶縁層を形成する工程と、
（１０）前記第三絶縁層に対して、マスクを介したリソグラフィーによってパターニングを行い、前記貫通電極上部に開口を形成した後、ベークすることで前記第三絶縁層を硬化させる工程と、
（１１）硬化後、前記貫通電極上部の開口にソルダーバンプを形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（５）で準備される光硬化性ドライフィルムを
（Ａ）下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシリコーン骨格含有高分子化合物、
【化６】
2015195240.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。ｍは１〜１００の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数、かつａ、ｂ、ｃ、ｄは同時に０になることがない。但し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。更に、Ｘは下記一般式（２）で示される有機基、Ｙは下記一般式（３）で示される有機基である。）
【化７】
2015195240.tif 000007
（式中、Ｚは
【化８】
2015195240.tif 000008
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。Ｒ５及びＲ６はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
【化９】
2015195240.tif 000009
（式中、Ｖは
【化１０】
2015195240.tif 000010
のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。Ｒ７及びＲ８はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）
（Ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物から選ばれる１種又は２種以上の架橋剤、
（Ｃ）波長１９０〜５００ｎｍの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、及び
（Ｄ）溶剤、
を含有してなる化学増幅型ネガ型レジスト組成物材料からなる光硬化性樹脂層を有する光硬化性ドライフィルムとすることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（６）において、前記第二絶縁層を機械的にプレスする工程を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（１１）において、前記貫通電極上部の開口にメッキによって貫通電極上金属パッドを形成する工程と、
前記貫通電極上金属パッド上にソルダーボールを形成し、ソルダーバンプとする工程、
を有することを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（８）のメッキによる前記貫通電極の形成において、ＳｎＡｇによるメッキを行う工程を含み、
前記工程（１０）において、前記貫通電極上部に開口を形成するようにパターニングを行うことで、前記メッキされたＳｎＡｇを露出させる工程と、
前記工程（１１）において、前記メッキされたＳｎＡｇを溶融することで前記貫通電極上部の開口において電極を隆起させてソルダーバンプを形成する工程、
を有することを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（１１）の後に、前記工程（１）で第一絶縁層と仮接着したサポート基板を除去する工程と、
前記基板を除去した後、ダイシングすることで個片化する工程、
を有することを特徴とする請求項７から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の製造方法でダイシングによって個片化された半導体装置の複数を、絶縁樹脂層を挟んで、前記ソルダーバンプによって電気的に接合し、積層することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の製造方法で製造した積層型半導体装置を、電気回路を有した基板に載置する工程と、
前記基板に載置された積層型半導体装置を絶縁封止樹脂層で封止する工程、
を有することを特徴とする封止後積層型半導体装置の製造方法。