Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地図と、属性が割り当てられた設定画像と、を一の表示画面内に表示する表示手段と、
前記設定画像を選択する画像選択操作を受け付ける第１受付手段と、
前記画像選択操作を受け付けた後、前記地図内の地点を選択する地点選択操作を受け付ける第２受付手段と、
前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定する決定手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置において、
前記第２受付手段は、一の前記設定画像を選択する前記画像選択操作である第１画像選択操作を受け付けてから他の前記設定画像を選択する他の前記画像選択操作を受け付けるまでの間に実行された一又は複数の前記画像選択操作を受け付け、
前記決定手段は、前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記第１画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の情報処理装置において、
前記第１受付手段及び前記第２受付手段は、前記表示画面の表面に設けられたタッチ式入力手段を備え、
前記第２受付手段は、前記画像選択操作により選択された前記設定画像の前記表示画面内の位置から前記地点選択操作により選択される前記地点の当該表示画面内の位置までの前記タッチ式入力手段を用いたドラッグアンドドロップ操作として、前記地点選択操作を受け付けることを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記表示手段は、前記地点選択操作が有効に実行され得る前記地図の縮尺として予め設定された閾値縮尺又は当該閾値縮尺より大きい縮尺の前記地図が表示されている場合のみ、前記設定画像を表示することを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
情報処理装置において実行される情報処理方法において、
地図と、属性が割り当てられた設定画像と、を一の表示画面内に表示する表示工程と、
前記設定画像を選択する画像選択操作を受け付ける第１受付工程と、
前記画像選択操作を受け付けた後、前記地図内の地点を選択する地点選択操作を受け付ける第２受付工程と、
前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定する決定工程と、
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項６】
情報処理装置に含まれるコンピュータを、
地図と、属性が割り当てられた設定画像と、を一の表示画面内に表示する表示手段、
前記設定画像を選択する画像選択操作を受け付ける第１受付手段、
前記画像選択操作を受け付けた後、前記地図内の地点を選択する地点選択操作を受け付ける第２受付手段、及び、
前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定する決定手段、
として機能させることを特徴とする情報処理用プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、地図と、属性が割り当てられた設定画像と、を一の表示画面内に表示する表示手段と、前記設定画像を選択する画像選択操作を受け付ける第１受付手段と、前記画像選択操作を受け付けた後、前記地図内の地点を選択する地点選択操作を受け付ける第２受付手段と、前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定する決定手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、情報処理装置において実行される情報処理方法において、地図と、属性が割り当てられた設定画像と、を一の表示画面内に表示する表示工程と、前記設定画像を選択する画像選択操作を受け付ける第１受付工程と、前記画像選択操作を受け付けた後、前記地図内の地点を選択する地点選択操作を受け付ける第２受付工程と、前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定する決定工程と、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項６に記載の発明は、情報処理装置に含まれるコンピュータを、地図と、属性が割り当てられた設定画像と、を一の表示画面内に表示する表示手段、前記設定画像を選択する画像選択操作を受け付ける第１受付手段、前記画像選択操作を受け付けた後、前記地図内の地点を選択する地点選択操作を受け付ける第２受付手段、及び、前記地点選択操作により選択された前記地点の属性を、前記画像選択操作により選択された前記設定画像に割り当てられている前記属性に決定する決定手段、として機能させる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
剥離基材と、
前記剥離基材の上に、接着層を介して設けられた導体層と、を備え、
前記導体層は、導体部と複数の独立したパターン開口部とを備えており、
一つの前記パターン開口部、および前記一つのパターン開口部の外縁から前記一つのパターン開口部に最近接する他のパターン開口部の外縁であって前記一つのパターン開口部と隣接する側の外縁までの導体部を含む局所領域において、前記局所領域を通過する帯状の仮想線として、前記仮想線の面内における前記導体部の比率が最大となるよう位置取りされた第一仮想線または前記仮想線の面内における前記導体部の比率が最小となるよう位置取りされた第二仮想線を仮定したとき、
前記第一仮想線の伸長方向または前記第二仮想線の伸長方向と前記複数のパターン開口部の中心位置の並び方向とが非平行となるよう前記パターン開口部が設けられていることを特徴とするプリント配線板用導体シート。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、
前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層と、を備え、
前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層が有する厚さが前記遮光体が有する厚さよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１層および前記第２層は、無機材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成され、
前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料のうち前記第１層よりも高い屈折率を有する材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２層の上に配置されたカラーフィルタ層を更に備え、
前記複数の円形開口のそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記カラーフィルタ層の上に配置された複数のマイクロレンズを更に備え、
前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数の光電変換部が配置された領域は、有効画素領域およびオプティカルブラック画素領域を含み、
前記遮光体は、前記オプティカルブラック画素領域に配置された光電変換部を遮光するように配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２層の上面は、前記第２層によって複数の両凸レンズが構成されるように複数の凸面領域を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、
前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
前記第１層を覆う第２層と、を備え、
前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、
前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成され、
前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料で構成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、
前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
前記第１層を覆う第２層と、を備え、
前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出しており、前記複数の光電変換部のそれぞれ光を集光させる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層と、を備え、前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末状のＬｉＣｏＯ２を含む形成材料を圧縮して成形し、９００℃以上ＬｉＣｏＯ２の融点未満の温度条件で熱処理する工程を有する活物質成形体の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理を、酸素分圧０．１Ｐａ以上１０１ｋＰａ以下の酸素含有雰囲気下で行う請求項１に記載の活物質成形体の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理を、大気雰囲気下で行う請求項２に記載の活物質成形体の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理を、９００℃以上９２０℃以下の温度条件で行う請求項１から３のいずれかに１項記載の活物質成形体の製造方法。
【請求項５】
活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下である粉末状のＬｉｘＣｏＯ２（ただし、０＜ｘ＜１）の焼結体を有する活物質成形体。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載された活物質成形体の製造方法により製造された活物質成形体および請求項５に記載された活物質成形体からなる群から選ばれるいずれか１つの活物質成形体において、前記活物質成形体が有する細孔の内部を含む前記活物質成形体の表面に、無機固体電解質の形成材料を含む液状体を塗布し熱処理して、固体電解質層を形成する工程と、
前記固体電解質層から露出する前記活物質成形体に集電体を接合する工程と、を有するリチウム電池の製造方法。
【請求項７】
前記活物質成形体は、水蒸気圧１５ｈＰａ以下の雰囲気において、製造後７週間以下の期間保管されたものである請求項６に記載のリチウム電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ素子からの光を第１の方向に向けて出力する第１のアレイ光源部と、
複数の半導体レーザ素子からの光を第１の方向と反対の第２の方向に向けて出力する第２のアレイ光源部と、
前記第１のアレイ光源部と第２のアレイ光源部との間に配置され、第１および第２のアレイ光源部から出力されたレーザ光を第３の方向に向けて反射するアレイミラー部とを有し、
前記アレイミラー部は、前記第１のアレイ光源部の行方向の光を第３の方向に反射する第１の反射ミラーが複数形成された第１のアレイ部材と、前記第２のアレイ光源部の行方向の光を第３の方向に反射する第２の反射ミラーが複数形成された第２のアレイ部材とを有し、
前記第１のアレイ部材と前記第２のアレイ部材とが交差するように積層される、アレイ光源。
【請求項２】
第１の反射ミラーの各々および第２の反射ミラーの各々は、反射面の角度に調整するための調整機構を含む、請求項１に記載のアレイ光源。
【請求項３】
前記調整機構は、前記反射面の位置を固定するための接着性のある材料を含む、請求項２に記載のアレイ光源。
【請求項４】
第１のアレイ部材は、第１の反射ミラーの裏面に、第２のアレイ光源部からの光を反射する反射ミラーを備え、第２のアレイ部材は、第２の反射ミラーの裏面に、第１のアレイ光源部からの光を反射する反射ミラーを備える、請求項１に記載のアレイ光源。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、
チャンバ容器と、
前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、
前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、
前記支持部は、前記ヒートシールドの前記熱による変形に伴い伸縮することによって前記ヒートシールドの熱変形の応力を吸収する吸収部を含む、チャンバ。
【請求項２】
請求項１に記載のチャンバであって、
前記吸収部は、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴う前記応力を弾性変形によって吸収する弾性体を含む、チャンバ。
【請求項３】
請求項２に記載のチャンバであって、
前記弾性体は板バネである、チャンバ。
【請求項４】
請求項１に記載のチャンバであって、
前記吸収部は、
溝が形成されているレールと、
前記溝の内面に接触し、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴い前記溝に沿って前記レールに対して相対的に移動する接触部と、を含む、チャンバ。
【請求項５】
請求項４に記載のチャンバであって、
前記接触部は、前記溝の内面に点接触している球面を含む、チャンバ。
【請求項６】
ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、
チャンバ容器と、
前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、
前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、
前記ヒートシールドは、筒状であって、前記レーザ光の入射側から前記極端紫外光の出力側に延び、
前記ヒートシールドは、前記ヒートシールドの一方の端から他方の端まで延び、前記ヒートシールドの熱変形に伴い伸縮するスロットを含む、チャンバ。
【請求項７】
請求項６に記載のチャンバであって、
前記スロットは、前記ヒートシールドの内面から外面まで貫通するスリットである、チャンバ。
【請求項８】
請求項７に記載のチャンバであって、
前記ヒートシールドは、前記ヒートシールドの前記一方の端から前記他方の端まで延び、前記ヒートシールドの前記熱変形に伴い伸縮する複数のスリット、を含み、
前記ヒートシールドは、前記複数のスリットによって複数の部分に分離され、
前記分離された複数の部分のそれぞれが、異なる支持部により前記チャンバ容器に取り付けられている、チャンバ。
【請求項９】
請求項６に記載のチャンバであって、
前記スロットは溝穴であり、
前記溝穴の底の薄肉部は、前記ヒートシールドの前記熱変形による応力により伸縮する、チャンバ。
【請求項１０】
請求項１に記載のチャンバと、
前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置によって所定の領域に供給されるターゲット物質にレーザ光を集光してターゲット物質をプラズマ化するレーザ光集光光学系と、
前記プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、を含む極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
請求項６に記載のチャンバと、
前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置によって所定の領域に供給されるターゲット物質にレーザ光を集光してターゲット物質をプラズマ化するレーザ光集光光学系と、
前記プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、を含む極端紫外光生成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の他の態様は、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置、に使用されるチャンバであって、チャンバ容器と、前記チャンバ容器内において、前記ターゲット物質がプラズマ化される所定領域と前記チャンバ容器との間に配置され、前記ターゲット物質のプラズマ化によって前記所定領域で発生する熱を吸収するヒートシールドと、前記ヒートシールドを前記チャンバ容器に取り付ける支持部と、を含み、前記ヒートシールドは、筒状であって、前記レーザ光の入射側から前記極端紫外光の出力側に延び、前記ヒートシールドは、前記ヒートシールドの一方の端から他方の端まで延び、前記ヒートシールドの熱変形に伴い伸縮するスロットを含んでいてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月12日(2016.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板上に半導体光学素子をチップ・マウントするマウント工程と、
前記マウント工程の後、ボンディングワイヤーにより前記半導体光学素子をワイヤーボンドするボンディング工程と、
前記ボンディング工程の後、透光性接着剤を介して、前記半導体光学素子の光学機能面に透光性光学部材を接着する部材接着工程と、
前記部材接着工程の後、前記透光性光学部材の表面が露出するように、前記透光性光学部材、前記半導体光学素子および前記ボンディングワイヤーを非透光性の封止樹脂で封止する封止工程と、を備え、
前記半導体光学素子および前記透光性光学部材は矩形に形成され、且つ前記透光性光学部材が前記半導体光学素子より小さく形成されており、
前記部材接着工程は、前記透光性接着剤を、前記光学機能面の１の辺側にはみ出して塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後、前記透光性光学部材を１の辺を前記光学機能面の１の辺に合致させてマウントする接着工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記透光性光学部材が、特定波長の光をカットするフィルターであることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記半導体光学素子が、受光素子および発光素子のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
光学機能面を有し、基板上にマウントされた半導体光学素子と、
前記光学機能面に透光性接着剤を介して接着された透光性光学部材と、
前記透光性光学部材の表面が露出するように、前記透光性光学部材および前記半導体光学素子を封止した非透光性の封止樹脂と、を備え、
前記透光性光学部材は、前記半導体光学素子より小さく、且つ１の辺が前記光学機能面の１の辺に合致させて配設され、
前記透光性接着剤は、前記光学機能面の１の辺側にはみ出していることを特徴とする半導体デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の半導体デバイスの製造方法は、パッケージ基板上に半導体光学素子をチップ・マウントするマウント工程と、マウント工程の後、ボンディングワイヤーにより半導体光学素子をワイヤーボンドするボンディング工程と、ボンディング工程の後、透光性接着剤を介して、半導体光学素子の光学機能面に透光性光学部材を接着する部材接着工程と、部材接着工程の後、透光性光学部材の表面が露出するように、透光性光学部材、半導体光学素子およびボンディングワイヤーを非透光性の封止樹脂で封止する封止工程と、を備え、半導体光学素子および透光性光学部材は矩形に形成され、且つ透光性光学部材が半導体光学素子より小さく形成されており、部材接着工程は、透光性接着剤を、光学機能面の１の辺側にはみ出して塗布する塗布工程と、塗布工程の後、透光性光学部材を１の辺を光学機能面の１の辺に合致させてマウントする接着工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体デバイスは、光学機能面を有し、基板上にマウントされた半導体光学素子と、光学機能面に透光性接着剤を介して接着された透光性光学部材と、透光性光学部材の表面が露出するように、透光性光学部材および半導体光学素子を封止した非透光性の封止樹脂と、を備え、透光性光学部材は、半導体光学素子より小さく、且つ１の辺が光学機能面の１の辺に合致させて配設され、透光性接着剤は、光学機能面の１の辺側にはみ出していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月24日(2016.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、所定面に沿って移動する移動体の位置を計測する計測システムであって、片持ち梁状の第１アーム部材の自由端に設けられ、前記移動体に設けられた計測面に光を照射し、かつ前記計測面からの光を受光する計測用光学系と、前記第１アーム部材と前記第１アーム部材より短い第２アーム部材との相対的な変位を測定する変位センサと、を備え、前記計測用光学系を介して計測された計測結果と、前記変位センサの測定結果とに基づいて、前記移動体の位置を計測する計測システムが、提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これによれば、片持ち梁状の第１アーム部材に曲げ応力が作用し、計測用光学系が設けられたその自由端が微小変位しても、それに伴う計測誤差を生ずることなく高精度で移動体の位置を計測することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、エネルギビームにより物体を露光して該物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記物体を保持して、所定面に沿って移動する移動体と、前記移動体に設けられた計測面に光を照射し、かつ前記計測面からの光を受光する計測用光学系が自由端に設けられた片持ち梁状の第１アーム部材と、前記第１アーム部材より短い第２アーム部材と、前記第２アーム部材と前記第１アーム部材との相対的な変位を測定する変位センサと、前記計測用光学系を介して計測された計測結果と、前記変位センサの測定結果とに基づいて、前記移動体を駆動する制御系と、を備える露光装置が、提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
これによれば、計測用光学系を介して計測された計測結果と、前記変位センサの測定結果とに基づいて移動体が駆動されるので、移動体が保持する物体を高精度に露光することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定面に沿って移動する移動体の位置を計測する計測システムであって、
片持ち梁状の第１アーム部材の自由端に設けられ、前記移動体に設けられた計測面に光を照射し、かつ前記計測面からの光を受光する計測用光学系と、
前記第１アーム部材と前記第１アーム部材より短い第２アーム部材との相対的な変位を測定する変位センサと、を備え、
前記計測用光学系を介して計測された計測結果と、前記変位センサの測定結果とに基づいて、前記移動体の位置を計測する計測システム。
【請求項２】
前記第２アーム部材は、自由端を有する片持ち梁状に形成され、
前記変位センサは、前記第２アーム部材の自由端に設けられる請求項１に記載の計測システム。
【請求項３】
前記変位センサは、前記第１アーム部材の長手方向と交差する方向に関する変位を測定する請求項１又は２に記載の計測システム。
【請求項４】
前記変位センサの測定結果を用いて前記第１アーム部材の前記自由端の変位を算出する請求項１〜３のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項５】
前記変位センサは、前記第１アーム部材の固定端と自由端との間における胴部の変位を測定し、
前記第１アーム部材における前記胴部と前記自由端との変位関係と、前記変位センサの測定結果とを用いて、前記第１アーム部材の前記自由端の変位を算出する請求項４に記載の計測システム。
【請求項６】
前記変位センサは、前記第１アーム部材に光を照射し、その反射光を受光する光学センサである請求項１〜５のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項７】
前記計測面は、前記移動体の下面側に設けられ、
前記計測面には、グレーティングが形成される請求項１〜６のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項８】
前記計測用光学系を介して、前記移動体の位置情報を求め、
前記移動体の位置情報を前記変位センサの測定結果で補正して、前記移動体の位置を計測する請求項１〜７のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項９】
エネルギビームにより物体を露光して該物体上にパターンを形成する露光装置であって、
前記物体を保持して、所定面に沿って移動する移動体と、
前記移動体に設けられた計測面に光を照射し、かつ前記計測面からの光を受光する計測用光学系が自由端に設けられた片持ち梁状の第１アーム部材と、
前記第１アーム部材より短い第２アーム部材と、
前記第２アーム部材と前記第１アーム部材との相対的な変位を測定する変位センサと、
前記計測用光学系を介して計測された計測結果と、前記変位センサの測定結果とに基づいて、前記移動体を駆動する制御系と、
を備える露光装置。
【請求項１０】
前記第２アーム部材は、自由端を有する片持ち梁状に形成され、
前記変位センサは、前記第２アーム部材の自由端に設けられる請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記変位センサは、前記第１アーム部材の長手方向に交差する方向に関する変位を測定する請求項９又は１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２アーム部材の自由端は、前記第１アーム部材の中央より自由端側に配置される請求項１０又は１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記変位センサは、前記第１アーム部材の固定端と自由端との間における胴部の変位を測定する請求項９〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２アーム部材は、前記第１アーム部材の固定端近傍に固定される請求項９〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２アーム部材は、前記第１アーム部材の内部に配置される請求項９〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２アーム部材は、非磁性体により構成される請求項９〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記計測面には、グレーティングが形成される請求項９〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記移動体は、前記所定面に平行な一軸方向に延びる空間を有し、
前記第１アーム部材の前記自由端は、前記空間内に配置される請求項９〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
請求項９〜１７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項２において、
前記モジュール検査装置は、
該モジュール検査装置を操作するための操作盤を設置するためのフレームを備え、
該フレームの上に前記搬送室が設置されており、
該フレームには、該モジュール検査装置を自由に移動させるようにキャスターと、該モジュール検査装置を動かないように固定するアジャスターフットを備え、
前記キャスターは、高さ調整ができる機能を有していることを特徴とする真空処理装置のモジュール検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッダと、
前記ヘッダ上に設けられ、上面を有しこの上面に高周波グランドパッドが備えられた高周波アンプと、
前記ヘッダ上に設けられ、上面を有するサブマウントと、
前記サブマウントの上面に設けられ、前記サブマウントの上面よりも小さな平面寸法を有する半導体受光素子と、
を備え、
前記サブマウントの上面は、前記半導体受光素子がボンディングされた第１電極パッドと、前記第１電極パッドの隣に設けられた第２電極パッドを有し、
前記高周波グランドパッドと前記第２電極パッドとがワイヤで接続されたことを特徴とする半導体受光装置。
【請求項２】
前記ヘッダの上面に垂直な方向を高さ方向とした場合に、前記ヘッダの上面と前記高周波グランドパッドの上面との間の高さの差を第１の差とし、前記高周波グランドパッドの上面と前記第２電極パッドとの間の高さを第２の差とし、前記第２の差は前記第１の差よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体受光装置。
【請求項３】
前記高周波アンプと前記サブマウントが接するように、前記高周波アンプと前記サブマウントは前記ヘッダ上に隣接して配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体受光装置。  
【請求項４】
前記ヘッダは、凹部を備え、
前記凹部は、底面および前記底面を囲む側面を備え、前記底面と前記側面とが成す角度が９０度を超えるように前記底面と前記側面とが連結しており、
前記底面上に、前記高周波アンプおよび前記サブマウントが設けられており、
前記ヘッダの上面の平面視において、前記凹部の外周の縁と前記高周波グランドパッド上において前記ワイヤが接続された接続点との間の距離を第１距離とし、前記接続点と前記第２電極パッド上において前記ワイヤが接続された接続点との間の距離を第２距離とし、前記第２距離は前記第１距離よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
【請求項５】
前記ヘッダは表面に金メッキが施されており、
前記高周波アンプおよび前記サブマウントの少なくとも一方は、銀およびバインダー樹脂を含む銀ペーストにより、前記ヘッダ上にボンディングされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
【請求項６】
前記第２電極パッドの平面形状は、前記サブマウントの上面の平面視で、折れ曲がり部と凸部の少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
【請求項７】
前記第２電極パッドは、導電体パターン部と抵抗パターン部とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ヘッダ２０に対し、銀ペースト５０でサブマウントＳＢや高周波アンプＡＭＰを接合している。ここで、銀ペーストの種類によっては、ヘッダ２０の表面の金メッキを伝わって樹脂成分が染み出し、ワイヤボンドの接合性に影響を及ぼすおそれがある。この点、本実施の形態によれば、サブマウントＳＢ上に高周波グランド用のワイヤ５３を接続してグランド接続を行うので、高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢの上面や側面には金メッキがない。よって、銀ペーストを使用してもワイヤボンド性の劣化を懸念しなくともよいという利点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
サブマウントＳＢ上の電極パターンを、インピーダンスが変わる程度に長方形もしくはさらに複雑なパターンにしてもよい。形状を変えることでインピーダンスを調整することができるからである。その結果、ワイヤ５３やワイヤ５５等のワイヤが接続される各電極パッドのインピーダンスを所望量に調節することができる。
例えば、図１６のように、平面視で、折れ曲がり部２０８ｃを備える電極パッド２０８を設けても良い。電極パッド２０８は、長さＬＢ方向に伸びる第１部分２０８ａと、長さＬＡ方向に伸びる第２部分２０８ｂとを備え、これらの部分が折れ曲がり部２０８ｃにおいて角度９０度で連結されている。また、電極パッド６７に代えて電極パッド２１０が一回り小さく形成されている。
また、図１７に示すように、平面視で、凹型の電極パッド２１２を設けても良い。電極パッド２１２は、サブマウントＳＢの図面左側端に配置された長さＬＢ方向に伸びる第１部分２１２ａと、サブマウントＳＢの高周波アンプＡＭＰ側と反対側の端に配置された長さＬＡ方向に伸びる第２部分２１２ｂと、サブマウントＳＢの図面右側端に配置された長さＬＢ方向に伸びる第３部分２１２ｅと、を備えている。第３部分２１２ｅは、第１部分２１２ａと比べて、ＬＢ方向の長さが短く、かつＬＡ方向の幅が太い。これらの３つの部分が折れ曲がり部２１２ｃおよび２１２ｄを介してそれぞれ角度９０度で連結されている。この凹部の凹んだ位置に入り込むように電極パッド２１４が形成されており、電極パッド２１４はちょうど電極パッド２１２で囲まれるようにサブマウントＳＢの中央付近に配置された主部２１４ａを備えている。この主部２１４ａに半導体受光素子ＡＰＤがボンディングされている。また、電極パッド２１４は第３部分２１２ｅ側に突き出た凸部２１４ｂを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、
前記ｎ型窒化物半導体層は、ＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）を含み、含有されるＣ濃度が１×１０１７／ｃｍ３以下であり、
前記ｐ型窒化物半導体層に含有されるｐ型不純物の濃度が、前記ｎ型窒化物半導体層に含有されるＣ濃度よりも高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
主たる発光波長が３７５ｎｍ以下の紫外光発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
黄色の可視光波長の発光強度が、前記主たる発光波長の発光強度に対して強度比が０．１％以下であることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
サファイア基板を有し、
前記ｎ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層、及び前記発光層は、前記サファイア基板のＣ面上に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
サファイア基板を準備する工程（ａ）と、
前記サファイア基板のＣ面上に、ｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層とを形成する工程（ｂ）とを有し、
前記工程（ｂ）において、
前記ｎ型窒化物半導体層は、ＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）を含み、含有されるＣ濃度が１×１０１７／ｃｍ３以下であり、
前記ｐ型窒化物半導体層に含有されるｐ型不純物の濃度が、前記ｎ型窒化物半導体層に含有されるＣ濃度よりも高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、Ｖ族の材料と、III族の材料の流量比であるＶ／III比を２０００以上に設定した状況で前記ｎ型窒化物半導体層を成長させることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子及びその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出部を有するカソードアレイと、
それぞれが、前記複数の電子放出部のそれぞれに対応して配列され、前記電子放出部から放出された電子の照射により放射線を発生する複数のターゲットと、前記複数のターゲットを連結する連結部と、を有するアノードアレイと、
を備える放射線発生装置であって、
前記連結部は、前記複数のターゲットに対応して配置された遮蔽部材と、前記遮蔽部材よりも熱伝導率が高い伝熱部材と、を備え、
前記伝熱部材は、前記複数のターゲットが配列に沿って連続であることを特徴とする放射線発生装置。
【請求項２】
前記遮蔽部材は、前記伝熱部材より高い比重を有することを特徴とする請求項１に記載の放射線発生装置。
【請求項３】
前記伝熱部材は、前記配列の長さ以上の長さを有し、前記配列の長さを規定する方向において連続体で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線発生装置。
【請求項４】
前記ターゲットは、前記電子放出部から放出された電子の照射により放射線を発生するターゲット層と前記ターゲット層を支持する基材とからなり、前記伝熱部材は、前記基材と接続する接続部を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項５】
前記接続部は、前記基材の側面と、前記伝熱部材と、ろう材とにより構成されることを特徴とする請求項４に記載の放射線発生装置。
【請求項６】
前記基材は、前記伝熱部材より高い熱伝導率を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項７】
前記基材が、ダイアモンドからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項８】
前記ターゲットは透過型ターゲットであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項９】
前記配列は、一次元配列であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１０】
前記遮蔽部材は、タングステンを主成分として含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１１】
前記伝熱部材は、銅、銀のいずれか、またはその合金を主成分として含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１２】
前記伝熱部材は銅からなり、前記遮蔽部材はタングステンからなることを特徴とする請求項１１に記載の放射線発生装置。
【請求項１３】
前記ろう材は、銀ろうであることを特徴とする請求項５に記載の放射線発生装置。
【請求項１４】
前記複数の電子放出部と前記複数のターゲット層とを、その内部または内面に収納する外囲器を、さらに備えることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１５】
前記アノードアレイは、前記外囲器に接続されていることを特徴とする請求項１４に記載の放射線発生装置。
【請求項１６】
前記アノードアレイは、前記外囲器の開口部に接続され、前記外囲器の部分を構成していることを特徴とする請求項１４または１５に記載の放射線発生装置。
【請求項１７】
前記放射線発生装置は、前記アノードアレイと前記カソードアレイとの、それぞれに対して、陽極電位と陰極電位を規定する駆動回路をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１８】
前記伝熱部材は、前記遮蔽部材の外周に接しているとともに、前記遮蔽部材を囲んでいることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１９】
前記伝熱部材は、前記ターゲットに対する前記電子放出部の側と、前記ターゲットに対する前記電子放出部の反対側と、に位置していることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の放射線発生装置と、
前記放射線発生装置から放出され、被検部材を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御する制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の放射線発生装置は、複数の電子放出部を有するカソードアレイと、
それぞれが、前記複数の電子放出部のそれぞれに対応して配列され、前記電子放出部から放出された電子の照射により放射線を発生する複数のターゲットと、前記複数のターゲットを連結する連結部と、を有するアノードアレイと、を備える放射線発生装置であって、
前記連結部は、前記複数のターゲットに対応して配置された遮蔽部材と、前記遮蔽部材よりも熱伝導率が高い伝熱部材と、を備え、前記伝熱部材は、前記複数のターゲットが配列に沿って連続であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ヨーク２３は、磁性材料からなる板材を略Ｌ字形に折り曲げたものである。水平部の中央部分には貫通孔２３ａが形成されている。貫通孔２３ａには、前記鉄心２０の上端部が挿通して加締られる。この加締状態で、ヨーク２３の水平部がスプール２１に巻回したコイル２２に沿って下端側へと延びる。ヨーク２３の垂直部の下端両側は側方及び下方側へと突出する圧入部３１となっている。圧入部３１は、ベース１のガイド部１６に形成したガイド溝１７に圧入され、ベース１に対してヨーク２３すなわち電磁石１８を位置決めする。また、垂直部の外面には上下２箇所に加締用の突起２３ｂが形成されている。これら突起２３ｂを利用して、ヨーク２３にヒンジバネ３２が加締固定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図７に示すように、可動接触片３９は、導電性及び弾性を有する金属材料を板状に形成したものである。可動接触片３９は、圧入部４６と、圧入部４６の両側から上方側へとそれぞれ延びる一対の本体部４７とで構成されている。圧入部４６には、幅方向に所定間隔で、板厚方向に膨出する一対の突起４８が形成されている（図７では、突起４８を形成するための凹部側のみが図示されている。）。圧入部４６の両端部はさらに側方へと延び、その側縁からは係止爪４９が突出している。また、圧入部４６の下縁中央部には、さらに下方へと延びる圧入片５０が形成されている。本体部４７は、圧入部４６の近傍部分で屈曲されて延びている。本体部４７の上端部には貫通孔が形成され、そこには可動接点５１がそれぞれ加締固定されている。また、本体部４７の上端部には、固定接触片側に向かって斜め上方へと屈曲する延在部５２が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図９に示すように、ケース４は、合成樹脂材料を成形加工して底面が開口する箱体形状としたものである。ケース４のその下端側開口部をベース１の外側面に嵌合することにより、ベース１に対して固定され、ベース１に装着した各部品を覆う。５９は、一対の接点開閉部分を分離する分離壁である。６０は、電磁継電器の完成後に除去されて内外を連通するガス抜き孔を形成するための突起である。但し、この突起６０は除去することなく、そのままの封止状態で使用することもある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
すなわち、可動接触片６０の本体部４７には、可動接点５１の下方部分に、ガイド穴６１が形成されている。ガイド穴６１は、本体部４７の中心線に沿うスリット部６１ａと、スリット部６１ａの下端部に連続する幅広部６１ｂとで構成されている。一方、補助部材６２には、各付勢部５４の上端中央部から前記ガイド穴６１にガイドされるガイド突部６３が突出している。ガイド突部６３は、スリット部６１ａよりも幅狭の連結部６３ａと、連結部６３ａの先端に設けた幅広の係止部６３ｂとで構成されている。係止部６３ｂは、幅広部６１ｂに挿通可能で、スリット部６１ａよりも幅広に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月29日(2016.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源に直列接続されてオンオフ制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と直列に接続されて前記スイッチング素子のオン時に前記直流電源から電流が流れるインダクタンス要素と、
前記スイッチング素子のオン時に前記インダクタンス要素に蓄積されたエネルギーを前記スイッチング素子のオフ時に半導体発光素子に放出する回生ダイオードと、
前記スイッチング素子と直列に接続した検出抵抗を備え、前記検出抵抗の端子間電圧を検出することで前記スイッチング素子に流れる電流を検出する検出手段と、
第１端子に前記検出手段により検出された検出値を受け且つ第２端子に閾値を受け前記検出値が前記閾値に達すると出力を切り替えるコンパレータを含み、前記コンパレータの出力に応じて前記スイッチング素子をオフさせると共に、前記インダクタンス要素のエネルギー放出が完了したときに前記スイッチング素子をオンさせる制御手段と、
前記閾値を決定する電圧を変更可能な可変抵抗素子と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子の点灯装置。
【請求項２】
前記可変抵抗素子は、予め定められた温度特性で前記半導体発光素子に供給する出力電流を調整するように温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の点灯装置。
【請求項３】
前記可変抵抗素子は、抵抗値が可変な回路素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の点灯装置。
【請求項４】
前記制御手段が、
入力電圧を受ける第３端子と、
制御電源電圧を第１入力として受け、自身の出力を第２入力として帰還的に受けるエラーアンプと、
前記入力電圧および前記エラーアンプの出力を受けて出力電圧を生成し、前記出力電圧を前記コンパレータの前記第２端子に前記閾値として与える乗算回路と、
を含み、
前記可変抵抗素子と直列に接続する分圧抵抗をさらに備え、
前記可変抵抗素子は、前記分圧抵抗とともに前記制御電源電圧を分圧することで前記入力電圧を生成し、
前記入力電圧が、前記閾値を決定する電圧であり、
前記乗算回路における前記入力電圧と前記出力電圧の入出力特性が線形領域と飽和領域とを有し、前記可変抵抗素子の抵抗値可変幅は、少なくとも前記入出力特性における動作点を前記線形領域に位置させる範囲で前記入力電圧を可変生成するように予め定められたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光素子の点灯装置。
【請求項５】
前記第２入力が、前記エラーアンプが飽和するクランプ電圧であることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子の点灯装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体発光素子の点灯装置と、
前記半導体発光素子の点灯装置から電流を供給される半導体発光素子と、
を備えることを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の発明は、半導体発光素子の点灯装置であって、
直流電源に直列接続されてオンオフ制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と直列に接続されて前記スイッチング素子のオン時に前記直流電源から電流が流れるインダクタンス要素と、
前記スイッチング素子のオン時に前記インダクタンス要素に蓄積されたエネルギーを前記スイッチング素子のオフ時に半導体発光素子に放出する回生ダイオードと、
前記スイッチング素子と直列に接続した検出抵抗を備え、前記検出抵抗の端子間電圧を検出することで前記スイッチング素子に流れる電流を検出する検出手段と、
第１端子に前記検出手段により検出された検出値を受け且つ第２端子に閾値を受け前記検出値が前記閾値に達すると出力を切り替えるコンパレータを含み、前記コンパレータの出力に応じて前記スイッチング素子をオフさせると共に、前記インダクタンス要素のエネルギー放出が完了したときに前記スイッチング素子をオンさせる制御手段と、
前記閾値を決定する電圧を変更可能な可変抵抗素子と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
制御集積回路ＩＣ１の４番ピン（ＣＳ）はチョッパ電流検出端子であり、その電圧が、
ＩＣ内部のＲＮＦとＣＮＦで構成されるノイズフィルタを介して、コンパレータＣＰ１の
＋入力端子に印加される。コンパレータＣＰ１の−入力端子には乗算回路５２から出力される閾値電圧Ｖｔｈｃｓが印加されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月20日(2016.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、エネルギー効率とコストの両立を狙い、軽量で安価なアルミニウム電線への要請が強まってきている。この電線は上記の特性をもっているが、電機機器と接続する場合、電気機器内部の配線は多くの場合銅であるので、銅とアルミを接続する手段が必要であり、このため、銅合金の端子にて接続されることが多い。この端子接続には半田付けによる方法や超音波による方法やヒュージングによる方法やレーザによる方法など、様々な方法が提案されている。その中でも半田付けは多数本のアルミ線を接続する場合、接続部分全体を強固に接続できるので接合の信頼性が高く優れた方法である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかしながら、一般的に、アルミ電線を銅合金端子に接続する場合、銅合金端子は熱伝導率が低いので、半田付けで端子を加熱しても、端子内部のアルミニウム素線が所要の必要温度にならなく、フラックスや、溶融半田が端子の内側全体に導入されにくいという問題がある。結果として半田中にボイドができたり、半田付けされない箇所ができたりしやすく電気的接合の信頼性が低くなるという問題があった。ボイドは、放電、電食発生、電気抵抗の増大、通電時の発熱等の原因ともなり、好ましくない。さらに、ボイドは、内部に空気や水分が介在する可能性が高く、このような介在により、熱伝導しにくくなり、接合の確実性がより低くなる。一方、ボイドを小さくし、熱伝導をよくするために、大きい力で端子と電線端部とを、かしめ圧縮すると、電線に損傷を与えるおそれがあり、また断線の原因ともなりえる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、第３、第４電極１５ａ，１５ｂ間は、凹部１１ｅが無い端子片１１ｂの部分を、電線端部１２ａを挟んだ状態で両側から押圧するので、電線端部１２ａの第２端部１２ａ２側には十分に電流が流れて加熱される一方、凹部１１ｅ内は温度が高くならずに済むと共に、徐々にその熱が伝わるようになる。そして、この熱で凹部１１ｅに溜まっているフラックスも徐々に蒸発し、第２端部１２ａ２から第１端部１２ａ１へ導入される半田は電線端部内部へ十分に導入されて半田付けされる。この場合、凹部１１ｅがあり、かつ、その凹部１１ｅの側壁面１１ｇもなだらかで、そのうえ、第３電極１５ａの縁部１５ａ１にテーパが付けられているので、電線端部１２ａには熱による損傷が少なく、また、過大な応力が作用せずに済むから機械的な損傷も少なくて済む。