【事件の表示】
　特願２０１０−２８１８５４「有機発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月２２日出願公開，特開２０１２−　５９６８７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　(1) 手続の経緯
　本願は，平成２２年１２月１７日（パリ条約による優先権主張　２０１０年９月７日　韓国）の出願であって，平成２６年８月１２日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月１９日に手続補正がなされるとともに意見書が提出され，平成２７年１月２８日付けで拒絶査定がなされ，これに対して，同年６月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同時に手続補正がなされ，当審において，平成２８年４月１９日付けで拒絶の理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，同年７月２０日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたものである。
　(2) 本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は，平成２８年７月２０日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載の事項により特定されるものであるところ，請求項１に係る発明は，その特許請求の範囲に記載されたとおりの次のものであると認める。
「　第１画素，第２画素及び第３画素が行列状に配置された有機発光表示装置であって，
　前記有機発光表示装置は，
　基板，
　前記基板上に形成されているゲート線，
　前記ゲート線と絶縁して交差しているデータ線，
　前記基板上に形成されて赤色画素である前記第１画素に駆動電圧を伝達する第１駆動電源線，緑色画素である前記第２画素に駆動電圧を伝達する第２駆動電源線及び青色画素である前記第３画素に駆動電圧を伝達する第３駆動電源線を含む駆動電源線，
　前記ゲート線及びデータ線と連結しているスイッチング薄膜トランジスタ，
　前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電源線と連結している駆動トランジスタ，
　前記駆動トランジスタと連結している第１電極，
　前記第１電極上に形成されている有機発光部材，
　前記有機発光部材上に形成されている第２電極を含み，
　前記第１駆動電源線の厚さ，第２駆動電源線の厚さ及び第３駆動電源線の厚さが互いに同一であり，前記第１駆動電源線の線幅，第２駆動電源線の線幅及び第３駆動電源線の線幅は各々，第１画素の消費電流，第２画素の消費電流及び第３画素の消費電流に比例し，
　前記第３駆動電源線の線幅は，前記第１駆動電源線の線幅及び前記第２駆動電源線の線幅より大きく，
　前記第１駆動電源線の電圧降下値，前記第２駆動電源線の電圧降下値及び前記第３駆動電源線の電圧降下値は互いに同一であることを特徴とする，有機発光表示装置。」（以下，「本願発明」という。）
２　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は概ね次のとおりである。
　本件出願の請求項１ないし４に係る発明は，その優先権主張の日（以下，「優先日」という。）前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　　 　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特開２００２−１５１２７６号公報 
　引用例２：国際公開第０３／０９１９７７号 
　引用例３：特開２０１０−５４７８８号公報 
　引用例４：特開２０１０−４９０５６号公報
３　引用例の記載事項
　優先日前に頒布され，当審拒絶理由で引用例１として引用された刊行物である特開２００２−１５１２７６号公報には，次の事項が図とともに記載されている（下線は当審で付した。以下同様。）。
　(1) 「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　複数のＥＬ素子と，複数の電源供給線と，複数の引き回し配線と，外部接続端子とを有する表示装置であって，
　前記外部接続端子と前記複数の電源供給線とは前記複数の引き回し配線を介して電気的に接続されており，
　前記複数の電源供給線は，前記複数のＥＬ素子が有する画素電極に電気的に接続されており，
　前記複数のＥＬ素子を駆動させるときに前記複数の電源供給線を流れる電流の絶対値が大きいほど，前記複数の電源供給線にそれぞれ接続されている前記複数の引き回し配線の幅が大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
　請求項１において，前記複数のＥＬ素子を駆動させるときに前記複数の電源供給線を流れる電流の絶対値が大きいほど，前記複数の電源供給線の幅が大きいことを特徴とする表示装置。
・・・（中略）・・・
【請求項９】
　複数の画素と，複数の電源供給線と，複数の引き回し配線と，外部接続端子とを有する表示装置であって，
　前記複数の画素は，前記複数の電源供給線のいずれか１つと，ＥＬ素子と，スイッチング用ＴＦＴと，ＥＬ駆動用ＴＦＴとを有しており，
　前記ＥＬ素子は画素電極と，対向電極と，前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有しており，
　前記スイッチング用ＴＦＴは前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのスイッチングを制御しており，
　前記ＥＬ駆動用ＴＦＴによって，前記複数の電源供給線のいずれか１つの電位が，前記ＥＬ素子が有する画素電極に与えられ，
　前記外部接続端子と前記複数の電源供給線とは前記複数の引き回し配線を介して電気的に接続されており，
　前記ＥＬ素子を駆動させるときにおける，前記ＥＬ素子が有する前記ＥＬ層の電流密度が大きいほど，前記複数の電源供給線にそれぞれ接続されている前記複数の引き回し配線の幅が大きい
・・・（中略）・・・
【請求項１２】
　
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項において，前記ＥＬ素子を駆動させるときにおける，前記ＥＬ素子が有する前記ＥＬ層の電流密度が大きいほど，前記複数の電源供給線の幅が大きい
　(2) 「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
　
本発明は半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を基板上に作り込んで形成されたＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置
【０００２】
【従来の技術】
　近年，基板上にＴＦＴを形成する技術が大幅に進歩し，アクティブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。そして，アクティブマトリクス型表示装置の中でも特に，自発光型素子としてＥＬ素子を有したアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の研究が活発化している。ＥＬ表示装置は有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００３】
　ＥＬ表示装置は，液晶表示装置と異なり自発光型である。ＥＬ素子は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが，ＥＬ層は通常，積層構造となっている。代表的には，イーストマン・コダック・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く，現在，研究開発が進められているＥＬ表示装置は殆どこの構造を採用している。
・・・（中略）・・・
【０００８】
　図１４に，代表的なアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置（以下，ＥＬ表示装置）の構造を示す。図１４（Ａ）はＥＬ表示装置の画素部とその駆動回路の配置を示している。９０１は画素部，９０２はソース信号線駆動回路，９０３はゲート信号線駆動回路，９０５は引き出し端子である。
【図１４】
【０００９】
　画素部９０１は複数の画素９０６を有している。９０４は画素部９０１に設けられた電源供給線であり，全ての画素９０６が有するＥＬ素子の画素電極に電位を与えている。電源供給線９０４は引き回し配線９０７に接続されており，引き回し配線９０７は引き出し端子９０５を介して外部の電源に接続されている。
【００１０】
　ゲート信号線駆動回路９０３からゲート信号線９１３に入力される選択信号によって画素９０６が選択される。そしてソース信号線駆動回路９０２からソース信号線９１２に入力されるビデオ信号によって，電源供給線９０４の電位が選択された画素９０６に与えられ，画素９０６に画像の一部が表示される。
【００１１】
　図１４（Ａ）に示した画素９０６のうち，Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）にそれぞれ対応する画素の回路図を図１４（Ｂ）に示す。
【００１２】
　図１４（Ｂ）において，Ｒ用画素９０６ｒと，Ｇ用画素９０６ｇと，Ｂ用画素９０６ｂは，共通のゲート信号線９１３を有している。また，Ｒ用画素９０６ｒはＲ用ソース信号線９１２ｒを，Ｇ用画素９０６ｇはＧ用ソース信号線９１２ｇを，Ｂ用画素９０６ｂはＢ用ソース信号線９１２ｂをそれぞれ有している。
【００１３】
　Ｒ用画素９０６ｒと，Ｇ用画素９０６ｇと，Ｂ用画素９０６ｂとは，スイッチング用ＴＦＴ９１０及びＥＬ駆動用ＴＦＴ９１１をそれぞれ有している。またＲ用画素９０６ｒはＲ用ＥＬ素子９１５ｒを，Ｇ用画素９０６ｇはＧ用ＥＬ素子９１５ｇを，Ｂ用画素９０６ｂはＢ用ＥＬ素子９１５ｂをそれぞれ有している。
【００１４】
　ゲート信号線９１３に選択信号が入力されると，ゲート信号線９１３にそのゲート電極が接続されたスイッチング用ＴＦＴ９１０が全てオンの状態になる。この状態を本明細書ではゲート信号線９１３が選択されていると呼ぶ。
【００１５】
　そして，Ｒ用ソース信号線９１２ｒ，Ｇ用ソース信号線９１２ｇ及びＢ用ソース信号線９１２ｂに入力されたビデオ信号が，オンの状態のスイッチング用ＴＦＴ９１０を介して，Ｒ用ＥＬ素子９１５ｒ，Ｇ用ＥＬ素子９１５ｇ及びＢ用ＥＬ素子９１５ｂにそれぞれ入力され，ＥＬ駆動用ＴＦＴ９１１のゲート電極に入力される。
【００１６】
　ビデオ信号がＥＬ駆動用ＴＦＴ９１１のゲート電極に入力されると，Ｒ用電源供給線９１４ｒの電位がＲ用ＥＬ素子９１５ｒの画素電極に，Ｇ用電源供給線９１４ｇの電位がＧ用ＥＬ素子９１５ｇの画素電極に，Ｂ用電源供給線９１４ｂの電位がＢ用ＥＬ素子９１５ｂの画素電極にそれぞれ与えられる。その結果，Ｒ用ＥＬ素子９１５ｒ，Ｇ用ＥＬ素子９１５ｇ及びＢ用ＥＬ素子９１５ｂが発光し，Ｒ用画素９０６ｒ，Ｇ用画素９０６ｇ及びＢ用画素９０６ｂが表示を行う。
【００１７】
　ところで，ＥＬ表示装置には大きく分けて四つのカラー化表示方式があり，図１４に示したＥＬ表示装置のようにＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）に対応した三種類の有機ＥＬ材料からなるＥＬ素子を形成する方式，白色発光のＥＬ素子とカラーフィルターを組み合わせた方式，青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式，陰極（対向電極）に透明電極を使用してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式がある。
【００１８】
　そして一般的には，ＥＬ層にかかる電圧が同じであっても，ＥＬ層に用いられている有機ＥＬ材料によって，ＥＬ層の発光輝度は異なる。図１５に各色のＥＬ層の電圧−輝度特性を示す。図１５に示すように，ＥＬ層への印加電圧に対する発光輝度は，各色のＥＬ素子に用いられる有機ＥＬ材料によって異なっている。これは，有機ＥＬ材料によって，同じ印加電圧における電流密度の大きさが異なるためである。
【００１９】
　また電流密度が同じであっても，有機ＥＬ材料によって同じ電流密度における発光輝度は異なっている。
【００２０】
　そのため，一般的にＥＬ表示装置は，３色のＥＬ素子の発光輝度のバランスをそろえるために，各色の画素に対応する電源供給線の電位の高さをそれぞれ調整している。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
　引き回し配線を介して画素部に流れる電流の大きさは，画素部において白表示を行っている画素の数で決まる。なお白表示を行っている画素とは，発光している状態のＥＬ素子を有する画素を意味する。白表示を行っている画素が多いほど，引き回し配線を介して画素部に流れる電流が大きくなる。
【００２２】
　引き回し配線を流れる電流が大きくなると，引き回し配線において電位降下が起こる。そのため，白表示を行っている画素の数が多いときと少ないときとでは，多いときのほうが，１つのＥＬ素子にかかる電圧が小さくなり，画素１つあたりの発光輝度が低くなる。
【００２３】
　とくにカラー表示のＥＬ表示装置の場合，各色のＥＬ素子にかかる電圧の大きさをそれぞれ調整し，各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさを変えている。流れる電流が大きい画素ほど，該画素に対応する引き回し配線の電位降下が大きくなる。そのため，各色のＥＬ素子にかかる電圧の大きさをそれぞれ調整していても，白表示の画素が多いときと少ないときとでは，３色のＥＬ素子を流れる電流の比率が変わってしまう。
【００２４】
　よって，白表示の画素の数が変わると，３つの色にそれぞれ対応する画素の発光輝度のバランスが崩れるという事態が生じる。
【００２５】
　また，従来のＥＬ表示装置では，ＥＬ素子に流そうとする電流の大きさが各色ごとに異なっており，そのためＥＬ素子に加える電圧も異なっていた。しかしＥＬ素子と電源供給線との間にスイッチング素子として設けられたＥＬ駆動用ＴＦＴのＬＤＤ幅や，チャネル幅は全て同じであり，また全てのＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力されるデジタル信号の電圧の振幅も同じであった。このため，電源供給線にかかる電圧の高さによって，ＥＬ駆動用ＴＦＴが劣化されてしまう。またＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に入力されるデジタル信号の電圧の振幅が必要以上に大きいと，消費電力を抑えることができない。
【００２６】
　上記問題に鑑み，本発明は，高精細なカラー表示が可能なＥＬ表示装置の提供を課題とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
　本発明者らは，ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど，該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の幅を大きくした。これによって，ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど，該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の配線抵抗が小さくなる。配線抵抗が小さくなると，引き回し配線における電位降下が小さくなり，ＥＬ素子に流す電流を大きくすることが可能になる。なお実際のパネルでは，引き回し配線を配置するスペースは限られているので，各色における引き回し配線の幅の比を変えることで，各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である。
【００２８】
　上記構成によって，白表示の画素の数に関わりなく，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる。
【００２９】
　また引き回し配線だけではなく，ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど，該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する電源供給線の幅の比も大きくなるように設計すると，より一層高精細な画像を表示することが可能になる。」
　(3) 「【００３８】
【発明の実施の形態】
　図１に本発明のＥＬ表示装置の上面図を示す。図１（Ａ）はＥＬ表示装置の画素部とその駆動回路の配置を示している。１０１は画素部，１０２はソース信号線駆動回路，１０３はゲート信号線駆動回路，１０５は引き出し端子である。
【図１】
【００３９】
　画素部１０１は複数の画素１０６を有している。１０４は画素部１０１に設けられた電源供給線であり，全ての画素１０６が有するＥＬ素子の画素電極に電位を与えている。電源供給線１０４は引き回し配線１０７に接続されており，引き回し配線１０７は引き出し端子１０５を介して外部の電源に接続されている。なお引き回し配線１０７のレイアウトは図１に示した形態に限定されない。
【００４０】
　ゲート信号線駆動回路１０３からゲート信号線（図示せず）に入力される選択信号によって画素１０６が選択される。そしてソース信号線駆動回路１０２からソース信号線（図示せず）に入力されるビデオ信号によって，電源供給線１０４の電位が選択された画素１０６に与えられ，画素１０６に画像の一部が表示される。
【００４１】
　図１（Ｂ）に図１（Ａ）における引き回し配線１０７の拡大図を示す。１０７ｒはＲ用引き回し配線，１０７ｇはＧ用引き回し配線，１０７ｂはＢ用引き回し配線である。
【００４２】
　
ＥＬ素子は引き回し配線と直列に接続されていることから，ＲＧＢの各色に対応する引き回し配線を流れる電流の比は，ＲＧＢの各色に対応するＥＬ層の電流密度の比に相当する。また一般的に配線抵抗はシート抵抗と配線の長さに比例し，配線の幅に反比例する。ここでシート抵抗と配線の長さは固定している
【００４３】
　
Ｒ用の引き回し配線にかかる電圧をＶｒ，Ｇ用の引き回し配線にかかる電圧をＶｇ，Ｂ用の引き回し配線にかかる電圧をＶｂとし，Ｒ用の引き回し配線の幅をＷｒ，Ｇ用の引き回し配線の幅をＷｇ，Ｂ用の引き回し配線の幅をＷｂとし，Ｒ用のＥＬ素子の電流密度をＩｒ，Ｇ用のＥＬ素子の電流密度をＩｇ，Ｂ用のＥＬ素子の電流密度をＩｂとすると，オームの法則より以下の式１が成り立つ。なおａは定数である
【００４４】
【式１】
Ｖｒ＝ａ×Ｉｒ／Ｗｒ
Ｖｇ＝ａ×Ｉｇ／Ｗｇ
Ｖｂ＝ａ×Ｉｂ／Ｗｂ
【００４５】
　
ここで，Ｖｒ＝Ｖｇ＝Ｖｂとすると，以下の式２が導き出される
【００４６】
【式２】
Ｉｒ／Ｗｒ＝Ｉｇ／Ｗｇ＝Ｉｂ／Ｗｂ
【００４７】
　
式２より以下の式３が導き出される
【００４８】
【式３】
Ｗｒ：Ｗｇ：Ｗｂ＝Ｉｒ：Ｉｇ：Ｉｂ
【００４９】
　よって式３より，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えるためには，電流密度が大きいＥＬ素子に電気的に接続された引き回し配線の幅が，電流密度が小さいＥＬ素子に電気的に接続された引き回し配線の幅より大きくなるように設計する。望ましくは，
引き回し配線の幅の比を，式３を満たすように設計する
【００５０】
　
また引き回し配線だけではなく，ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど，該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する電源供給線の幅の比も，式３を満たすように設計する
【００５１】
　上記構成によって，
白表示の画素の数に関わりなく，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる
　(4) 「【００６６】
（実施例３）
　本実施例では，図１に示した引き回し配線１０７の幅の具体的な数値を示す。
【００６７】
　本実施例では，Ｒ，Ｇ，ＢのＥＬ素子の発光輝度がそれぞれ１００ｃｄ／ｍ2，１００ｃｄ／ｍ2，５０ｃｄ／ｍ2となるように，Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ材料の電流密度をそれぞれ７．５ｍＡ／ｃｍ2，３ｍＡ／ｃｍ2，５ｍＡ／ｃｍ2とした。
【００６８】
　上述した電流密度の値から，実施の形態で示した式３より，Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する画素の電源供給線の幅の比は，式４で表される。
【式４】
Ｗｒ：Ｗｇ：Ｗｂ≒７．５：３：５
【００６９】
　式４にしたがって引き回し配線の幅を設計すると，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることができる。
【００７０】
　なお本実施例においてＲ，Ｇ，Ｂに対応する引き回し配線の幅は式４を満たしていなくとも良い。Ｒに対応する引き回し配線の幅を一番大きくし，Ｇに対応する引き回し配線の幅を一番小さくすれば良い。
【００７１】
　上記構成によって，白表示の画素の数に関わりなく，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる。
【００７２】
　また引き回し配線だけではなく，Ｒに対応する電源供給線の幅を一番大きくし，Ｇに対応する電源供給線の幅を一番小さくすれば，より効果的にＲ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる。より好ましくは引き回し配線と同様に，電源供給線の幅も式４を満たすように設計すると，より一層，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる。
【００７３】
　なお本発明において用いられる有機ＥＬ材料の電流密度は上述した数値に限定されない。
【００７４】
　また本実施例では，デジタル信号で表示を行うＥＬ表示装置においてデジタル信号の振幅を増幅する例を示したが，本発明はこの構成に限定されない。アナログビデオ信号で表示を行うＥＬ表示装置においてアナログビデオ信号の振幅を増幅する構成も本発明に含まれる。
【００７５】
　本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。」
　(5) 「【００７６】
（実施例４）
　本発明のＥＬ表示装置は画素内にいくつのＴＦＴを設けた構造としても良い。例えば，３つ乃至６つまたはそれ以上のＴＦＴを設けても構わない。本実施例では，ＥＬ表示装置が画素内に３つのＴＦＴを設けている構成について示す。
【００７７】
　図６において，４７０２はスイッチング用ＴＦＴ，４７０１はソース信号線，４７０３はスイッチング用ＴＦＴ４７０２のゲート電極に接続されたゲート信号線，４７０４はＥＬ駆動用ＴＦＴ，４７０５はコンデンサ（省略することも可能），４７０６は電源供給線，，４７０７は電源制御用ＴＦＴ，４７０８は電源制御用ゲート信号線，４７０９はＥＬ素子とする。電源制御用ＴＦＴ４７０７の動作については特願２０００−３６４００３号を参照すると良い。
【図６】
【００７８】
　また，本実施例では電源制御用ＴＦＴ４７０７をＥＬ駆動用ＴＦＴ４７０４とＥＬ素子４７０８との間に設けているが，電源制御用ＴＦＴ４７０７とＥＬ素子４７０８との間にＥＬ駆動用ＴＦＴ４７０４が設けられた構造としても良い。また，電源制御用ＴＦＴ４７０７はＥＬ駆動用ＴＦＴ４７０４と同一構造とするか，同一の活性層で直列させて形成するのが好ましい。
【００７９】
　図７において，４８０１はソース信号線，４８０２はスイッチング用ＴＦＴ，４８０３はスイッチング用ＴＦＴ４８０２のゲート電極に接続されたゲート信号線，４８０４はＥＬ駆動用ＴＦＴ，４８０５はコンデンサ（省略することも可能），４８０６は電源供給線，４８０７は消去用ＴＦＴ，４８０８は消去用ゲート信号線，４８０９はＥＬ素子とする。消去用ＴＦＴ４８０７の動作については特願２０００−３５９０３２号を参照すると良い。
【図７】
・・・（中略）・・・
【００８１】
　本実施例は実施例１〜実施例３と自由に組み合わせて実施することが可能である。」
　(6) 「【００８２】
（実施例５）
　本実施例では，本発明のＥＬ表示装置において，同一基板上に画素部と，画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について詳細に図８〜図１１を用いて説明する。
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
・・・（中略）・・・
【０１２３】
　次いで，その上に透明導電膜を８０〜１２０nmの厚さで形成し，パターニングすることによって透明電極３６７を形成する。（図１０（Ｂ））
【０１２４】
　なお，本実施例では，透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。
【０１２５】
　また，透明電極３６７は，ドレイン配線３６５と接して重ねて形成することによってＥＬ駆動用ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が形成される。
【０１２６】
　次に，図１１に示すように，珪素を含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００[nm]の厚さに形成し，透明電極３６７に対応する位置に開口部を形成して，バンクとして機能する第３の層間絶縁膜３６８を形成する。開口部を形成する際，ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため，注意が必要である。
【０１２７】
　なお，本実施例においては，第３の層間絶縁膜として酸化珪素でなる膜を用いているが，場合によっては，ポリイミド，ポリアミド，アクリル，ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂膜を用いることもできる。
【０１２８】
　次に，図１１で示すようにＥＬ層３６９を蒸着法により形成し，更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）３７０および保護電極３７１を形成する。このときＥＬ層３６９及び陰極３７０を形成するに先立って透明電極３６７に対して熱処理を施し，水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお，本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いるが，公知の他の材料であっても良い。」
　(7) 「【０１３９】
　（実施例６）本実施例では，本発明を用いてＥＬ表示装置を作製した例について，図１６，図１７を用いて説明する。
【０１４０】
　図１６（Ａ）は本発明のＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の上面図を示している。なお本明細書においてＴＦＴ基板とは，画素部が設けられている基板を意味する。
【図１６】
【０１４１】
　基板４００１上に，画素部４００２と，ソース信号線駆動回路４００３と，第１のゲート信号線駆動回路４００４ａと，第２のゲート信号線駆動回路４００４ｂとが設けられている。
・・・（中略）・・・
【０１４２】
　４００５ａは画素部４００２に設けられた電源供給線（図示せず）に接続された引き回し配線である。４００５ｂは第１及び第２のゲート信号線駆動回路４００４ａ，４００４ｂに接続されたゲート用引き回し配線である。また４００５ｃはソース信号線駆動回路４００３に接続されたソース用引き回し配線である。
・・・（中略）・・・
【０１６３】本実施例は，実施例１〜実施例５と自由に組み合わせて実施することが可能である。」
　(8) 「【０２１５】
【発明の効果】
【０２１６】
　本発明の構成によって，白表示の画素の数に関わりなく，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる。」
　４　引用発明
　引用例１の特許請求の範囲には，【請求項９】の記載を引用して記載された【請求項１２】に係る発明が記載されている。また，引き回し配線の幅及び電源供給線の幅については，引用例１の段落【００４２】〜【００５１】において，その原理に基づく説明が記載されている。
　以上を考慮すると，引用例１には，次の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
「【請求項９】複数の画素と，複数の電源供給線と，複数の引き回し配線と，外部接続端子とを有する表示装置であって，
前記複数の画素は，前記複数の電源供給線のいずれか１つと，ＥＬ素子と，スイッチング用ＴＦＴと，ＥＬ駆動用ＴＦＴとを有しており，
前記ＥＬ素子は画素電極と，対向電極と，前記画素電極と前記対向電極の間に設けられたＥＬ層とを有しており，
前記スイッチング用ＴＦＴは前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのスイッチングを制御しており，
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴによって，前記複数の電源供給線のいずれか１つの電位が，前記ＥＬ素子が有する画素電極に与えられ，
前記外部接続端子と前記複数の電源供給線とは前記複数の引き回し配線を介して電気的に接続されており，
前記ＥＬ素子を駆動させるときにおける，前記ＥＬ素子が有する前記ＥＬ層の電流密度が大きいほど，前記複数の電源供給線にそれぞれ接続されている前記複数の引き回し配線の幅が大きく，
　さらに，
【請求項１２】前記ＥＬ素子を駆動させるときにおける，前記ＥＬ素子が有する前記ＥＬ層の電流密度が大きいほど，前記複数の電源供給線の幅が大きく，
【００４２】ＥＬ素子は引き回し配線と直列に接続されていることから，ＲＧＢの各色に対応する引き回し配線を流れる電流の比は，ＲＧＢの各色に対応するＥＬ層の電流密度の比に相当し，
　配線抵抗はシート抵抗と配線の長さに比例し，配線の幅に反比例するが，シート抵抗と配線の長さは固定し，
【００４３】Ｒ用の引き回し配線にかかる電圧をＶｒ，Ｇ用の引き回し配線にかかる電圧をＶｇ，Ｂ用の引き回し配線にかかる電圧をＶｂとし，Ｒ用の引き回し配線の幅をＷｒ，Ｇ用の引き回し配線の幅をＷｇ，Ｂ用の引き回し配線の幅をＷｂとし，Ｒ用のＥＬ素子の電流密度をＩｒ，Ｇ用のＥＬ素子の電流密度をＩｇ，Ｂ用のＥＬ素子の電流密度をＩｂとすると，オームの法則より以下の式１が成り立ち，ａは定数であり，
【００４４】
【式１】Ｖｒ＝ａ×Ｉｒ／Ｗｒ
Ｖｇ＝ａ×Ｉｇ／Ｗｇ
Ｖｂ＝ａ×Ｉｂ／Ｗｂ
【００４５】ここで，Ｖｒ＝Ｖｇ＝Ｖｂとすると，以下の式２が導き出され，
【００４６】
【式２】Ｉｒ／Ｗｒ＝Ｉｇ／Ｗｇ＝Ｉｂ／Ｗｂ
【００４７】式２より以下の式３が導き出され，
【００４８】
【式３】Ｗｒ：Ｗｇ：Ｗｂ＝Ｉｒ：Ｉｇ：Ｉｂ
【００４９】引き回し配線の幅の比を，式３を満たすように設計し，
【００５０】引き回し配線だけではなく，ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど，該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する電源供給線の幅の比も，式３を満たすように設計し，
【００５１】白表示の画素の数に関わりなく，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることが可能になる，
【０００１】半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を基板上に作り込んで形成されたＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置。」
　５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　(1) 有機発光表示装置
　引用発明は，「半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を基板上に作り込んで形成されたＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置」 であるから，引用発明の「表示装置」は，本願発明の「有機発光表示装置」に相当する。
　ここで，本願発明の「有機発光表示装置」構成のうち，次の構成については，「半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を基板上に作り込んで形成されたＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置」ならば，当然具備する構成にすぎない。
「第１画素，第２画素及び第３画素が行列状に配置された有機発光表示装置であって，
前記有機発光表示装置は，
基板，
前記基板上に形成されているゲート線，
前記ゲート線と絶縁して交差しているデータ線，
前記基板上に形成されて赤色画素である前記第１画素に駆動電圧を伝達する第１駆動電源線，緑色画素である前記第２画素に駆動電圧を伝達する第２駆動電源線及び青色画素である前記第３画素に駆動電圧を伝達する第３駆動電源線を含む駆動電源線，
　前記ゲート線及びデータ線と連結しているスイッチング薄膜トランジスタ，
　前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電源線と連結している駆動トランジスタ，
　前記駆動トランジスタと連結している第１電極，
　前記第１電極上に形成されている有機発光部材，
　前記有機発光部材上に形成されている第２電極を含む，
　有機発光表示装置。」
　すなわち，引用発明の
「『Ｒ』の『画素』」，「『Ｇ』の『画素』」，「『Ｂ』の『画素』」，「『Ｒ』用の『電源供給線』」，「『Ｇ』用の『電源供給線』」，「『Ｂ』用の『電源供給線』」，「スイッチング用ＴＦＴ」，「ＥＬ駆動用ＴＦＴ」，「画素電極」，「ＥＬ層」及び「対向電極」は，それぞれ，本願発明の
「第１画素」，「第２画素」，「第３画素」，「第１駆動電源線」，「第２駆動電源線」，「第３駆動電源線」，「スイッチング用薄膜トランジスタ」，「駆動トランジスタ」，「第１電極」，「有機発光部材」及び「第２電極」に相当する。また，引用発明が本願発明の，(A)第１画素，第２画素及び第３画素が「行列状に配置された」構成，(B)基板上に形成されているゲート線，(C)前記ゲート線と絶縁して交差しているデータ線，(D)前記基板上に形成されて赤色画素である前記第１画素に駆動電圧を伝達する第１駆動電源線，緑色画素である前記第２画素に駆動電圧を伝達する第２駆動電源線及び青色画素である前記第３画素に駆動電圧を伝達する第３駆動電源線を含む駆動電源線，(E)前記ゲート線及びデータ線と連結しているスイッチング薄膜トランジスタ，前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電源線と連結している駆動トランジスタ，(F)前記駆動トランジスタと連結している第１電極，前記第１電極上に形成されている有機発光部材，前記有機発光部材上に形成されている第２電極，に相当する構成を具備することは，技術的にみて明らかである。
　なお，(A)本願発明の第１画素，第２画素及び第３画素が「行列状に配置された」構成については，引用例１の図１から見て取れる構成であり，(B)引用発明が「基板上に形成されているゲート線」を具備する点については，段落【００４０】の記載，あるいは図６及び段落【００７７】の記載から理解できる事項であり，(C)，(E)引用発明が「前記ゲート線と絶縁して交差しているデータ線」，「前記ゲート線及びデータ線と連結しているスイッチング薄膜トランジスタ」，「前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電源線と連結している駆動トランジスタ」の構成を具備することについては，引用例１の図６及び段落【００７７】の記載から理解できる事項であり，(D)引用発明のＲ用，Ｇ用及びＢ用の「電源供給線」は，「画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する電源供給線」であるから，「前記基板上に形成されて赤色画素である前記第１画素に駆動電圧を伝達する第１駆動電源線，緑色画素である前記第２画素に駆動電圧を伝達する第２駆動電源線及び青色画素である前記第３画素に駆動電圧を伝達する第３駆動電源線を含む駆動電源線」であり，(F)引用発明が「前記駆動トランジスタと連結している第１電極」，「前記第１電極上に形成されている有機発光部材」，「前記有機発光部材上に形成されている第２電極」を具備する点については，引用例１の図１０（Ｂ）及び図１１，並びに，段落【０１２３】〜【０１２８】の記載から理解できる事項である。
   
　(2) 電源線の線幅
　引用発明は，「引き回し配線だけではなく」，「電源供給線の幅の比も，式３」，すなわち，「【式３】Ｗｒ：Ｗｇ：Ｗｂ＝Ｉｒ：Ｉｇ：Ｉｂ」「を満たすように設計し」ている。
　したがって，引用発明は，本願発明の「前記第１駆動電源線の線幅，第２駆動電源線の線幅及び第３駆動電源線の線幅は各々，第１画素の消費電流，第２画素の消費電流及び第３画素の消費電流に比例し」の要件を満たす。
　(3) 電源線の厚さ，電圧降下値
　引用発明は，「引き回し配線だけではなく」，「電源供給線の幅の比も，式３」，すなわち，「【式３】Ｗｒ：Ｗｇ：Ｗｂ＝Ｉｒ：Ｉｇ：Ｉｂ」「を満たすように設計し」ているところ，式３の前提となる式１は，「シート抵抗と配線の長さは固定し」，「オームの法則より」「成り立」つとされたものであるから，引用発明は，自然法則により，本願発明の「前記第１駆動電源線の厚さ，第２駆動電源線の厚さ及び第３駆動電源線の厚さが互いに同一であり」の要件を満たす。
　加えて，引用発明の式３は，「Ｖｒ＝Ｖｇ＝Ｖｂ」の前提で導き出されたものであるから，引用発明は，本願発明の「前記第１駆動電源線の電圧降下値，前記第２駆動電源線の電圧降下値及び前記第３駆動電源線の電圧降下値は互いに同一である」の要件も満たす。
　(4) 上記(1)ないし(3)から，本願発明と引用発明とは，
「第１画素，第２画素及び第３画素が行列状に配置された有機発光表示装置であって，
　前記有機発光表示装置は，
　基板，
　前記基板上に形成されているゲート線，
　前記ゲート線と絶縁して交差しているデータ線，
　前記基板上に形成されて赤色画素である前記第１画素に駆動電圧を伝達する第１駆動電源線，緑色画素である前記第２画素に駆動電圧を伝達する第２駆動電源線及び青色画素である前記第３画素に駆動電圧を伝達する第３駆動電源線を含む駆動電源線，
　前記ゲート線及びデータ線と連結しているスイッチング薄膜トランジスタ，
　前記前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電源線と連結している駆動トランジスタ，
　前記駆動トランジスタと連結している第１電極，
　前記第１電極上に形成されている有機発光部材，
　前記有機発光部材上に形成されている第２電極を含み，
　前記第１駆動電源線の厚さ，第２駆動電源線の厚さ及び第３駆動電源線の厚さが互いに同一であり，前記第１駆動電源線の線幅，第２駆動電源線の線幅及び第３駆動電源線の線幅は各々，第１画素の消費電流，第２画素の消費電流及び第３画素の消費電流に比例し，
　前記第１駆動電源線の電圧降下値，前記第２駆動電源線の電圧降下値及び前記第３駆動電源線の電圧降下値は互いに同一であることを特徴とする，有機発光表示装置。」
　
　との点で一致し，次の点で相違する。
相違点：
　本願発明は，「前記第３駆動電源線の線幅は，前記第１駆動電源線の線幅及び前記第２駆動電源線の線幅より大き」いのに対し，引用発明は，Ｂ用の電源供給線の線幅は，Ｒ用の電源供給線の線幅及びＧ用の電源供給線の線幅の両者より大きくされていない点。
６　判断
　(1) 上記相違点について検討する。
　用いる有機材料や素子構造等によって，有機発光部材の発光効率が変動することは，当該技術分野における技術常識である。そして，赤，緑，青のＥＬ素子のうち，特に青色のＥＬ素子の電流値を最も高くしなければならない場合があることも，当業者には広く知られているところである（例えば引用例２の第１７０頁４〜２３行，引用例３の段落【０１３６】，引用例４の段落【００２５】を参照されたい。）。
　してみれば，引用発明においても，選択した有機材料や素子構造等に応じて青色画素の消費電流を最も大きくし，それに伴い，Ｂ用の電流供給線の幅を最も大きくすることとして，上記相違点に係る本願発明の構成とすることは，当業者であれば適宜なし得たことである。
　(2) 本願発明の奏する効果は，引用発明の奏する効果及び周知技術の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　(3) なお，請求人は，平成２８年７月２０日に提出した意見書によって，以下のように主張している。
「すなわち，本願発明（請求項１）の特徴点は，今回の補正においても明確に示されましたように，
《１》「第１駆動電源線（１７２Ｒ）の厚さ，第２駆動電源線（１７２Ｇ）の厚さ及び第３駆動電源線（１７２Ｂ）の厚さが互いに同一であり，第１駆動電源線の線幅，第２駆動電源線の線幅及び第３駆動電源線の線幅は各々，第１画素の消費電流，第２画素の消費電流及び第３画素の消費電流に比例する」との点，
《２》「第３駆動電源線の線幅は，第１駆動電源線の線幅及び第２駆動電源線の線幅より大きい」との点，
《３》「第１駆動電源線（１７２Ｒ）の電圧降下値，第２駆動電源線（１７２Ｇ）の電圧降下値及び第３駆動電源線（１７２Ｂ）の電圧降下値は互いに同一である」との点，にあります。
　そして，以上の《１》《２》及び《３》の構成が有機的に組み合わされることにより，「赤色画素（Ｒ）の色座標，緑色画素（Ｇ）の色座標及び青色画素（Ｂ）の色座標の合計である白色色座標が変動することを効果的に防止できる」ものであります。
　すなわち，本願発明（請求項１）は，《１》及び《２》に示される事項とともに，《３》に示される事項を組み合わせた点に特徴を有する，具体的には「第１駆動電源線（１７２Ｒ）の電圧降下値，第２駆動電源線（１７２Ｇ）の電圧降下値及び第３駆動電源線（１７２Ｂ）の電圧降下値は互いに同一である」（明細書の関連記載：００７４，００７５，００８６，００９１，００９２）との事項《３》を，事項《１》《２》に組み合わせた点に特徴を有するものであります。
・・・（中略）・・・
　そして，以上の《１》《２》及び《３》の有機的な組み合わせにより，「赤色画素（Ｒ）の色座標，緑色画素（Ｇ）の色座標及び青色画素（Ｂ）の色座標の合計である白色色座標が変動することを有効に防止できる」との格別なる効果が奏されるものであります。
　従いまして，本願発明は，事項《３》を事項《１》《２》に組み合わせるという，引用例１〜４から導出し得ない特有な構成に基づき，格別なる効果を奏するものであり，ご指摘の特許法第２９条第２項に基づく要件違反に該当しないと思量致します。」（意見書の３頁２２行〜４頁８行）
　しかし，事項《３》は，事項《１》の構成を採用した結果，必然的に生じる結果である。また，引用発明においても，引き回し配線及び電源供給線の幅をＲＧＢの各ＥＬ素子の消費電流の比と同じものとすることにより，Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度のバランスを整えることができるのであるから（例えば段落【００７２】等を参照），「赤色画素（Ｒ）の色座標，緑色画素（Ｇ）の色座標及び青色画素（Ｂ）の色座標の合計である白色色座標が変動することを有効に防止できる」との効果は，引用発明自体が既に有している効果である。
　したがって，請求人の主張は採用することができない。
７　むすび
　本願発明は，当業者が引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。