【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１の画素と、
前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを含み、
前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含み、
前記第２絶縁層に第１開口が設けられ、
前記第１画素電極は、前記第１開口において前記第１絶縁層上に設けられ、
前記第３絶縁層に前記第１開口を含む第２開口が設けられ、
前記第２画素電極は、前記第２開口において、前記第１画素電極と隣り合って前記第２絶縁層上に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された第１の画素と、
前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを含み、
前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含み、
前記第２絶縁層に第１開口が設けられ、
前記第１画素電極は、前記第１開口において前記第１絶縁層上に設けられ、
前記第３絶縁層が前記第１開口の一部を覆うことにより、前記第３絶縁層に前記第１画素電極上に開口する第２開口が設けられ、
前記第２画素電極は、前記第１開口において前記第３絶縁層上に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記第２の画素に隣り合う第３の画素を有し、
前記第３の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第３画素電極と、前記機能層とを含み、
前記第３画素電極は、前記第３絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２画素電極と前記第３画素電極との間の領域の前記絶縁層の膜厚は、前記反射層と前記第２画素電極との間の前記絶縁層の膜厚と同じであることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第３絶縁層は、前記第３画素電極に対応した位置に島状に設けられてなることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２画素電極と前記第３画素電極との間の領域の前記絶縁層の膜厚は、前記反射層と前記第３画素電極との間の前記絶縁層の膜厚と同じであることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第３絶縁層は、前記第３画素電極に対応した位置から前記第２画素電極に対応した位置に亘って島状に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成された第１の画素と、
前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを含み、
前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含む、電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の画素及び前記第２の画素に亘って前記第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１画素電極に対応した位置に第１開口を有する前記第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を覆い、前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対応した位置に第２開口を有する前記第３絶縁層を形成する工程と、
前記第１開口において前記第１絶縁層上に前記第１画素電極を形成すると共に、前記第２開口において前記第２絶縁層上に前記第２画素電極を形成する工程と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極とに接する前記機能層を形成する工程と、
前記機能層を覆う前記対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成された第１の画素と、
前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを含み、
前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含む、電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の画素及び前記第２の画素に亘って前記第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対応した位置に第１開口を有する前記第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を覆い、前記第１画素電極に対応した位置に第２開口を有する前記第３絶縁層を形成する工程と、
前記第２開口において前記第１絶縁層上に前記第１画素電極を形成すると共に、前記第１開口において前記第２絶縁層上に前記第２画素電極を形成する工程と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極とに接する前記機能層を形成する工程と、
前記機能層を覆う前記対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の画素に隣り合う第３の画素をさらに有し、
前記第３の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第３画素電極と、前記機能層とを含み、
前記第３画素電極は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を形成する工程で、前記第３絶縁層上に形成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３絶縁層を形成する工程では、前記第３画素電極に対応した位置に島状に前記第３絶縁層を形成することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３絶縁層を形成する工程では、前記第３画素電極に対応した位置から前記第２画素電極に対応した位置に亘って島状に前記第３絶縁層を形成することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて形成された電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられ、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、
前記基板と前記対向電極との間に設けられ、光反射性を有する反射層と、
前記対向電極と前記反射層との間に設けられた発光層と、
前記反射層と前記発光層との間に設けられた第１画素電極と、
前記反射層と前記発光層との間における、前記第１画素電極と隣り合う位置に設けられた第２画素電極と、
前記反射層と前記発光層との間に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記発光層との間に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層と前記発光層との間に設けられた第３絶縁層と、を有し、
前記第２絶縁層は、前記第１画素電極と重なる位置に第１開口が設けられ、
前記第３絶縁層は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と重なる位置に第２開口が設けられ、
前記第１絶縁層は、前記第１開口と前記第２開口とが重なる位置において、前記第１画素電極と前記反射層との間に位置し、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、前記第２開口と重なる位置において、前記第２電極と前記反射層との間に位置することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられ、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、
前記基板と前記対向電極との間に設けられ、光反射性を有する反射層と、
前記対向電極と前記反射層との間に設けられた発光層と、
前記反射層と前記発光層との間に設けられた第１画素電極と、
前記反射層と前記発光層との間における、前記第１画素電極と隣り合う位置に設けられた第２画素電極と、
前記反射層と前記発光層との間に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記発光層との間に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層と前記発光層との間に設けられた第３絶縁層と、を有し、
前記第２絶縁層は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と重なる位置に第１開口が設けられ、
前記第３絶縁層は、前記第１画素電極と重なる位置に第２開口が設けられ、
前記第１絶縁層は、前記第２開口と重なる位置において、前記第１画素電極と前記反射層との間に位置し、
前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層は、前記第１開口と前記第２開口とが重なる位置において、前記第２電極と前記反射層との間に位置することを特徴とする電気光学装置。