Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月27日(2015.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場の中に置かれた被検体に高周波磁場および傾斜磁場を印加して、前記被検体から発生する核磁気共鳴信号を検出する撮像部と、前記撮像部の動作を制御する制御部と、前記核磁気共鳴信号に対して演算を行い、画像を生成する画像処理部と、を備える磁気共鳴イメージング装置であって、
前記制御部は、所定の予備撮像と、本撮像とを前記撮像部に実行させ、
前記画像処理部は、
前記予備撮像により取得した核磁気共鳴信号から、前記静磁場の不均一に起因する位相成分の周波数帯域を求める周波数帯域算出部と、
前記本撮像により取得された核磁気共鳴信号、および、前記本撮像により取得された核磁気共鳴信号から再構成した画像、のうちの少なくとも一方から前記周波数帯域の位相成分を除去する静磁場不均一除去部と
を含むことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記予備撮像は、部位を画像化するための核磁気共鳴信号をエコータイムをずらして２組取得するものであり、
前記周波数帯域算出部は、
前記予備撮像により取得した２組の核磁気共鳴信号から、前記部位における前記２組の核磁気共鳴信号の位相差の分布を表す位相画像を生成する位相画像生成部と、
前記位相画像をフーリエ変換して得た位相データの周波数分布を求め、前記周波数分布に基づいて前記位相データを高周波位相データと低周波位相データとに分離する閾値周波数を求め、前記閾値周波数以下の範囲を前記周波数帯域とする閾値周波数算出部と
を含むことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記閾値周波数算出部は、前記位相差の周波数分布について、判別分析法、加重平均、加算平均、および、Pタイル法のうち少なくとも一つの処理を用いて、前記閾値周波数を求めることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記周波数帯域の位相成分を除去するフィルタを生成し、前記本撮像で得た核磁気共鳴信号または前記本撮像で得た核磁気共鳴信号から生成した画像、に前記フィルタを適用することにより、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記閾値周波数以下の前記低周波位相データを逆フーリエ変換して低周波位相画像を生成し、前記低周波位相画像からフィルタを生成し、前記フィルタを、前記本撮像で得た核磁気共鳴信号または前記本撮像で得た核磁気共鳴信号から生成した画像に適用することにより、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記低周波位相画像の画素値を逆数にした画像をフーリエ変換したデータを前記フィルタとして用い、前記フィルタを前記本撮像で得た核磁気共鳴信号に掛け合わせることにより、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記低周波位相画像を前記フィルタとし、前記本撮像で得た核磁気共鳴信号から生成した画像の画素値を前記低周波位相画像の画素値で除算することにより、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記閾値周波数より大きい周波数帯域を透過する高周波透過フィルタを生成し、前記本撮像で得た核磁気共鳴信号に適用することにより、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記高周波透過フィルタをフーリエ変換した低周波位相除去フィルタを前記本撮像で得た核磁気共鳴信号に掛けることにより、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記閾値周波数より小さい周波数帯域を透過する低周波透過フィルタを生成し、前記本撮像で得た核磁気共鳴信号に適用することにより、前記周波数帯域の核磁気共鳴信号を得て、これを前記本撮像で得た核磁気共鳴信号から除去することにより、前記周波数帯域の位相成分が除去された信号を得ることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場不均一除去部は、前記低周波透過フィルタをフーリエ変換した高周波位相除去フィルタを、前記本撮像で得た核磁気共鳴信号に掛けることにより、前記周波数帯域の核磁気共鳴信号を得ることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１２】
静磁場の中に置かれた被検体に所定の予備撮像を実施して得た核磁気共鳴信号から、前記静磁場の不均一に起因する位相成分の周波数帯域を求め、
前記静磁場の中に置かれた前記被検体に所定の本撮像を実施して得た核磁気共鳴信号から生成した画像から、前記周波数帯域の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記核磁気共鳴信号から画像を生成する画像処理部と、
前記静磁場の不均一に起因する前記画像の位相成分を除去する静磁場不均一除去部と、
撮像条件に応じてフィルタのカットオフ周波数を変更する周波数帯域算出部と、
を有し、
前記静磁場不均一除去部は、前記カットオフ周波数より低い周波数帯域を透過し、高い周波数帯域を遮断する低周波域透過フィルタを作成し、該作成した低周波域透過フィルタを前記核磁気共鳴信号に施して得た低周波画像を、静磁場不均一除去フィルタとして、前記画像に施して、前記静磁場の不均一に起因する前記画像の位相成分を除去することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記撮像条件はＥＴＬとＩＥＴの少なくとも一方であり、
前記静磁場不均一除去部は、前記ＥＴＬとＩＥＴの少なくとも一方の値に応じて前記カットオフ周波数を変更することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記撮像条件は撮像対象とする対象組織であり、
前記静磁場不均一除去部は、前記対象組織として、微小出血又は微小出血と腫瘍の選択に応じて、前記カットオフ周波数の変更を行うことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月8日(2016.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブシステムのそれぞれについて第１の期間中の電力の割振りを決定するように構成されたシステムコントローラと、
前記システムコントローラに通信可能に結合されたサブシステムコントローラであって、あるデバイスに関連付けられて、
前記システムコントローラから前記デバイスのための電力の割振りを示す電力割振りデータを受け取り、
前記デバイスを動作させるための要求を示す動作要求データを受け取り、
前記電力割振りデータ、前記動作要求データ、および前記デバイスに関連するコスト−効用関数に基づいて、第２の期間の前記デバイスの動作をモデル化して、デバイスのモデル化された動作を生成し、かつ
前記第２の期間の前に、前記システムコントローラに、前記第２の期間中の前記デバイスのモデル化された動作に関連する予測電力需要データを伝える
ように構成されている前記サブシステムコントローラと
を備えているシステム。
【請求項２】
前記デバイスは、電源デバイス、負荷デバイス、およびそれらの組合せのうちの１つを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記サブシステムコントローラは、複数のデバイスに関連付けられており、かつ対応するコスト−効用関数を使用して複数のデバイスのそれぞれの動作を制御する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記システムコントローラは、劣勾配最適化プロセスを使用して電力の割振りを決定し、かつ前記デバイスに関連する前記コスト−効用関数に基づいて、現在の動作状態から前記動作要求データによって示される所望の動作状態までの最低コストの経路を推定するように構成された最短経路アルゴリズムを使用して前記デバイスの前記予測電力需要データを決定し、前記最低コストの経路のコストが、少なくとも部分的には前記電力割振りデータに基づいて推定される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記システムコントローラおよび前記サブシステムコントローラは航空機の配電システムに含まれており、前記第２の期間は前記第１の期間の後に発生する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記システムコントローラは、前記第１の期間中にすべての負荷によって消費される全電力についての上方電力需要制約、１つまたは複数の負荷のそれぞれに関連する下方電力需要限界、ならびに１つまたは複数の電源のそれぞれに関連する上方電力出力境界に従う複数のサブシステムに電力を割り振るようにさらに構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記複数のサブシステムのそれぞれは、前記第１の期間中に予め定義された制約内でその動作が任意選択であるスケジュール可能ユニットに対応しており、前記システムコントローラは、前記第１の期間中にその動作が任意選択ではない１つまたは複数の非スケジュール可能ユニットについて前記第１の期間中の電力の割振りを決定するようにさらに構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記非スケジュール可能ユニットは飛行安全システムを含み、前記スケジュール可能ユニットはコンビニエンスシステムを含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
それぞれが少なくとも１つの対応するデバイスに関連付けられている複数のサブシステムのそれぞれについて電力の割振りを決定することと、
前記複数のサブシステムの特定のサブシステムのための電力の割振りを示す電力割振りデータを生成することと、
前記特定のサブシステムのデバイスを動作させるための要求を示す動作要求データを受け取ることと、
前記電力割振りデータ、前記動作要求データ、および前記デバイスに関連するコスト−効用関数に基づいて前記デバイスの動作をモデル化し、デバイスのモデル化された動作を生成することと、
前記デバイスのモデル化された動作に関連する予測電力需要データを識別するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記複数のサブシステムのそれぞれについての電力の割振りを、前記予測電力需要データに応答して更新することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
生成されると予測される全電力を、１つまたは複数の電源デバイスに基づいて決定することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
消費されると予測される全電力が、生成されると予測される全電力に等しいかどうかを、前記予測電力需要データに基づいて決定することと、
前記消費されると予測される全電力が前記生成されると予測される全電力に等しくないとき、供給される電力の量を増大するように電源デバイスを開始するか、または負荷デバイスへの電力の割振りを低減することと
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記動作要求データが、前記デバイスに関連する動作設定点を示すユーザ入力を介して受け取られる、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2014064454.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月31日(2016.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧変換回路を有する電源回路と、
レジスタを有するＣＰＵコアと、を有し、
前記電圧変換回路は、第１のクロック信号に従って電位を生成する機能を有し、
前記レジスタは、セレクタと、第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、を有し、
前記第１の記憶回路は、第２のクロック信号に従ってデータを保持する機能を有し、
前記第２の記憶回路は、前記第１の記憶回路から出力されたデータを保持する機能を有し、
前記電圧変換回路は、第１のトランジスタを有し、
前記第２の記憶回路は、第２のトランジスタと、第１の容量とを有し、
前記セレクタの出力端子は、前記第１の記憶回路の入力端子と電気的に接続され、
前記セレクタの入力端子は、前記第２の記憶回路の出力端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのバックゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量と電気的に接続され、
前記電圧変換回路によって生成された電位は、前記第２のトランジスタのバックゲートに供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電圧変換回路と、第２の電圧変換回路とを有する電源回路と、
レジスタを有するＣＰＵコアと、を有し、
前記第１の電圧変換回路は、第１のクロック信号に従って第１の電位を生成する機能を有し、
前記第２の電圧変換回路は、第３のクロック信号に従って第２の電位を生成する機能を有し、
前記レジスタは、第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、を有し、
前記第１の記憶回路は、第２のクロック信号に従ってデータを保持する機能を有し、
前記第２の記憶回路は、前記第１の記憶回路から出力されたデータを保持する機能を有し、
前記第１の電圧変換回路は、第１のトランジスタを有し、
前記第２の電圧変換回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第２の記憶回路は、第２のトランジスタと、第１の容量とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのバックゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのバックゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのバックゲートに、前記第１の電位又は前記第２の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の電圧変換回路と、第２の電圧変換回路とを有する電源回路と、
レジスタを有するＣＰＵコアと、
オシレータとを有し、
前記第１の電圧変換回路は、第１の電位を生成する機能を有し、
前記第２の電圧変換回路は、第２の電位を生成する機能を有し、
前記ＣＰＵコアは、前記オシレータを停止させるか否かを制御する機能を有し、
前記オシレータは、前記電源回路にクロック信号を出力する機能を有し、
前記レジスタは、第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、を有し、
前記第１の記憶回路は、前記ＣＰＵへ電源電位が供給されている間、データを保持する機能を有し、
前記第２の記憶回路は、前記ＣＰＵへの前記電源電位の供給が停止している間、データを保持する機能を有し、
前記第１の電圧変換回路は、第１のトランジスタを有し、
前記第２の電圧変換回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第２の記憶回路は、第２のトランジスタと、第１の容量とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのバックゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのバックゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量と電気的に接続され、
前記ＣＰＵは、前記第１の電位又は前記第２の電位を前記第２のトランジスタのバックゲートに供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月28日(2016.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に、一の方向に延長された第１トレンチゲートおよび第２トレンチゲートと、
前記基板内に形成され、前記第１トレンチゲートと第２トレンチゲートとをそれぞれ互いに連結する第３トレンチゲートおよび第４トレンチゲートと、
前記基板内に、前記第１トレンチゲート、第２トレンチゲート、第３トレンチゲート、および第４トレンチゲートによって定義された第１領域と、
前記基板内に定義された第２領域と第３領域とを含み、
前記第１領域は、前記第１トレンチゲート、第２トレンチゲート、第３トレンチゲート、および第４トレンチゲートによって囲まれ、第１高電圧半導体素子を有し、
前記第１高電圧半導体素子は、第１導電型のボディと、前記ボディ内に形成され、前記第１導電型と異なる第２導電型のエミッタとを含み、
前記第２領域は、前記第１領域と面接触し、
前記第３領域は、前記第１領域と点接触し、
前記第２領域と第３領域は、前記第１導電型のフローティングウェルを有する半導体装置。
【請求項２】
前記ボディは前記第１トレンチゲートより浅く形成され、
前記フローティングウェルは前記ボディより深く形成された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記フローティングウェルは前記第１トレンチゲートより深く形成される請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２領域の前記一の方向の長さは、前記第１領域の前記一の方向の長さより長い請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基板内に形成され、前記一の方向に長く延長された第５トレンチゲートおよび第６トレンチゲートと、
前記基板内において、前記第５トレンチゲートと前記第６トレンチゲートとの間に形成された第２高電圧半導体素子をさらに含み、
前記第１トレンチゲート、前記第２トレンチゲート、前記第５トレンチゲート、及び前記第６トレンチゲートの順に配置される請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１トレンチゲートと前記第２トレンチゲートとの間の長さは、前記第２トレンチゲートと前記第５トレンチゲートとの間の長さより短い請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２トレンチゲートと第５トレンチゲートとの間に、前記第３領域と、前記第２領域の一部とが配置され、
前記第３領域と、前記第２領域の前記一部とは互いに連結された請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板内に、前記第１トレンチゲートと前記第２トレンチゲートとの間に形成された第３高電圧半導体素子をさらに含み、
前記第１高電圧半導体素子と前記第３高電圧半導体素子との間には前記第２領域の一部が配置される請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３トレンチゲートと前記第４トレンチゲートは前記第１トレンチゲートと前記第２トレンチゲートを横切る請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記エミッタは前記第１領域の２カ所に形成される請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者による複数種類の入力操作が可能な操作手段と、
該操作手段の操作が有効な有効期間と、
前記操作手段の入力操作による入力情報を記憶する入力情報記憶手段と、
所定の演出制御を実行すると共に、予め定められて記憶され且つ前記操作手段による前記複数種類の入力操作の組み合わせでなる記憶情報と、該記憶情報と前記入力情報記憶手段が記憶した前記入力情報が一致するか否かを判定する入力情報判定手段と、を具備してなる演出制御手段と、を備え、
前記有効期間中における所定時期の到来前であって、且つ、前記入力情報判定手段により一致しないと判定される入力操作が為されると、入力情報を最初から再入力させるためにリセットするリセット期間を設け、
前記演出制御手段は、
前記入力操作が不正解であった旨の報知及び前記再入力を促す報知を実行する再入力促進報知手段と、
前記入力情報の入力操作が完了し且つ前記入力情報判定手段により全ての入力情報が記憶情報と一致すると判定されたことにより特別演出を実行する特別演出制御手段と、を更に備えたこと
を特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１記載の弾球遊技機は、
遊技者による複数種類の入力操作が可能な操作手段と、
該操作手段の操作が有効な有効期間と、
前記操作手段の入力操作による入力情報を記憶する入力情報記憶手段と、
所定の演出制御を実行すると共に、予め定められて記憶され且つ前記操作手段による前記複数種類の入力操作の組み合わせでなる記憶情報と、該記憶情報と前記入力情報記憶手段が記憶した前記入力情報が一致するか否かを判定する入力情報判定手段と、を具備してなる演出制御手段と、を備え、
前記有効期間中における所定時期の到来前であって、且つ、前記入力情報判定手段により一致しないと判定される入力操作が為されると、入力情報を最初から再入力させるためにリセットするリセット期間を設け、
前記演出制御手段は、
前記入力操作が不正解であった旨の報知及び前記再入力を促す報知を実行する再入力促進報知手段と、
前記入力情報の入力操作が完了し且つ前記入力情報判定手段により全ての入力情報が記憶情報と一致すると判定されたことにより特別演出を実行する特別演出制御手段と、を更に備えたこと
を特徴とする遊技機である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１記載の遊技機によれば、本願発明の構成では、リセット期間を、有効期間中における所定時期の到来前であって、且つ、前記入力情報判定手段により一致しないと判定される入力操作が為されると、入力情報を最初から再入力させるためにリセットする期間とし、有効期間中における所定時期が到来したことでリセットして最初から全ての入力情報の再入力を完了させるのに必要な入力時間が不足すると想定される状態でのリセットは実行せず、逆に有効期間中における所定時期の到来前であって再入力を完了させる可能性のある状態ではリセットを実行する。このため、画一的に常時リセットされることで再入力を完了させる時間が不足してしまうことによる遊技者の不満が生まれず、入力処理（入力操作）の失敗した時期に対して、多様に対応することによって、入力処理の利便性を向上させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、記憶情報を全て認知している遊技者が、ケアレスミスにより最初から再入力するとしても、入力を完了させる可能性を有するが、上記記憶情報を認知しない遊技者が当て推量で入力しても、有効期間中における所定時期の到来前では失敗の度にリセットされて最初に戻されてしまうため入力完了は困難となり、記憶情報を認知している遊技者を、認知していない遊技者よりも優遇することで、記憶情報を入手して認知した遊技者の興趣を向上させることが出来る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次粒子径が７０ｎｍ以下であることを特徴とする、Ｂａ２Ｔａ２Ｏ７粒子。
【請求項２】
拡散反射スペクトルにより測定される波長８００ｎｍにおける光吸収率が、０．２５以下であることを特徴とする、請求項１に記載のＢａ２Ｔａ２Ｏ７粒子。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＢａ２Ｔａ２Ｏ７粒子の製造方法であって、
タンタル化合物と、バリウム化合物と、疎水性錯化剤を混合し水に溶解させた金属含有前駆体を含む水溶液に、水分散型有機ポリマー粒子を添加し、
乾燥および焼成することを特徴とする、Ｂａ２Ｔａ２Ｏ７粒子の製造方法。
【請求項４】
前記水溶液が、親水性錯化剤を含むことを特徴とする、
請求項３に記載のＢａ２Ｔａ２Ｏ７粒子の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載のＢａ２Ｔａ２Ｏ７粒子の製造方法において、
前記焼成の温度が、７００℃以上１１００℃以下であることを特徴とする、
Ｂａ２Ｔａ２Ｏ７粒子の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のＢａ２Ｔａ２Ｏ７粒子を、窒化処理することを含む、
ＢａＴａＯ２Ｎ粒子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のＢａＴａＯ２Ｎ粒子からなる、水分解用光触媒。
【請求項８】
請求項６に記載のＢａＴａＯ２Ｎ粒子からなる、誘電体材料。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００℃以上２５０℃以下の融点を有する低融点金属又は低融点合金からなる電極板の少なくとも一方の主面の一辺近傍に、該一辺の長さ以上の長さを有し、上記電極板の融点よりも高い融点を有する金属又は合金からなる保持部材が面接触により取り付けられていることを特徴とする陽極。
【請求項２】
上記保持部材は、上記電極板を保持する電極板保持部材と、上記電極板と上記電極板保持部材とを電気的に接続し、板状に形成された導電接続部材とを有し、
上記電極板と上記電極板保持部材とが接続された接続部分の側面を２枚の導電接続部材で挟み込み、上記電極板と上記電極板保持部材と２枚の上記導電接続部材とが一体となるように貫通させたボルトをかしめることで上記電極板と上記電極板保持部材とが上記導電接続部材を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の陽極。
【請求項３】
上記電極板は、上記ボルトが貫通する部分が貫通孔又は溝部からなることを特徴とする請求項２に記載の陽極。
【請求項４】
上記電極板は、厚みが２ｍｍ以上、１５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項５】
上記低融点金属は、インジウム又はスズであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項６】
上記保持部材は、銅で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項７】
上記保持部材の表面を電解の電解液で腐食されない金属で被覆することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項８】
１００℃以上２５０℃以下の融点を有する低融点金属又は低融点合金を鋳型の中で冷却固化し、固化した低融点金属又は低融点合金を上記鋳型から取出して電極板を得て、得られた上記電極板の少なくとも一方の主面の一辺近傍に、該一辺の長さ以上の長さを有し、上記電極板の融点よりも高い融点を有する金属又は合金からなる保持部材を面接触するように取り付けて陽極を製造することを特徴とする陽極の製造方法。
【請求項９】
上記鋳型中の低融点金属又は低融点合金が溶融した状態で、上記一辺近傍に棒を差し込み、差し込んだ該棒部分が貫通孔となるように上記電極板を形成し、
上記保持部材を構成し、上記電極板を保持する電極板保持部材の端部に貫通孔を形成し、
上記電極板及び上記電極板保持部材の貫通孔に対向する位置に貫通孔が形成された板状であって、上記保持部材を構成し、上記電極板と上記電極板保持部材とを電気的に接続する２枚の導電接続部材で上記電極板と上記電極板保持部材とが接続される接続部分の側面を挟み、
上記電極板の貫通孔と上記電極板保持部材の貫通孔と上記２枚の導電接続部材の貫通孔とにボルトを貫通させてかしめ、上記電極板と上記電極板保持部材と上記２枚の導電接続部材とを一体にし、上記導電接続部材で上記電極板保持部材と上記電極板を電気的に接続することを特徴とする請求項８に記載の陽極の製造方法。
【請求項１０】
上記鋳型は、グラファイトカーボンで形成されていることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の陽極の製造方法。
【請求項１１】
上記棒は、ポリテトラフルオロエチレンで形成されていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の陽極の製造方法。
【請求項１２】
内壁から突出した凸部を有する上記鋳型を用い、該凸部部分によって形成された溝部を外周部に有する上記電極板を形成し、
上記保持部材を構成し、上記電極板を保持する電極板保持部材の端部に貫通孔を形成し、
上記電極板の溝部及び上記電極板保持部材の貫通孔に対向する位置に貫通孔が形成された板状であって、上記保持部材を構成し、上記電極板と上記電極板保持部材とを電気的に接続する２枚の導電接続部材で上記電極板と上記電極板保持部材とが接続される接続部分の側面を挟み、
上記電極板の溝部と上記電極板保持部材の貫通孔と上記２枚の導電接続部材の貫通孔とにボルトを貫通させてかしめ、上記電極板と上記電極板保持部材と上記２枚の導電接続部材とを一体にし、上記導電接続部材で上記電極板保持部材と上記電極板を電気的に接続することを特徴とする請求項８に記載の陽極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３に示す電極板２を用いた場合であっても、図１に示す場合と同様に電極板２と保持部材３とを接続することができる。突き合わせた電極板２と電極板保持部材４の両主面を２枚の導電接続部材６で挟み込み、電極板２の溝部７ａと２枚の導電接続部材６、及び電極板保持部材４と２枚の導電接続部材６のそれぞれにボルト５を貫通させ、ボルト５と図示しないナットとを締結する。２枚の導電接続部材６で電極板２を挟み込むことによって、溝状に形成した溝部７ａであっても電極板保持部材４から電極板２が落下せずに取り付けることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
溝部７ａが形成された電極板２は、鋳型１５に溝部７ａを形成する凸部１５ｂが形成されているため、鋳型１５内で低融点金属又は低融点合金を溶融させ、冷却固化させる、又は溶融した低融点金属又は低融点合金を流し込み、金属を冷却固化させるだけで製造することができる。これにより、溝部７ａが形成された電極板２は、貫通孔７が形成された電極板２よりも容易に且つ効率的に製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
溝部７ａを形成した電極板２を用いる場合は、先に電極板保持部材４及び導電接続部材６の貫通孔８、９にボルト５を貫通させて、ボルト５とナットを緩めに締結しておき、その後、電極板２の溝部７ａにボルト５が嵌るように差し込んだ後にボルト５とナットをしっかりと締め付けて、電極板２と保持部材３とを一体化した陽極１を得ても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)で表される化合物を含有し、一般式(II)で表される化合物を2種以上含有するが、一般式(II)で表される化合物中n1が0である化合物を1種又は2種以上含有し、一般式(II)で表される化合物中n1が1である化合物を1種又は2種以上含有し、さらに、一般式(III)で表される化合物を含有し、液晶組成物の回転粘度（γ１）が１５０以下である誘電率異方性が負の液晶組成物。
【化１】
2014208852.tif 000001
（式中R1及びR2はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、n1は０又は１を表す。）
【化２】
2014208852.tif 000002
（式中R3及びR4はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、A1は1,4-シクロヘキシレン基又はテトラヒドロピラン−2,5−ジイル基を表す。）
【請求項２】
式(I)で表される化合物を３〜３５質量％含有する請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
一般式(II)で表される化合物を２０〜４０質量％含有する請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項４】
一般式(II-1)
【化３】
2014208852.tif 000003
（式中R1は一般式（II）におけるR1と同じ意味を表す。）で表される化合物を1種以上含有し、
一般式(II-2)
【化４】
2014208852.tif 000004
（式中R1は一般式（II）におけるR1と同じ意味を表す。）で表される化合物を1種以上含有する請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
一般式(IV)
【化５】
2014208852.tif 000005
（式中R5及びR6はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよい。）で表される化合物を含有する請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項６】
請求項１記載の式(I)で表される化合物を５〜３５質量％含有し、請求項４記載の一般式(II-1)で表される化合物を３〜３０質量％含有し、請求項４記載の一般式(II-2)で表される化合物を５〜２５質量％含有し、請求項１記載の一般式(III)で表される化合物を３〜２５質量％含有し、請求項５記載の一般式(IV)で表される化合物を２〜３０質量％含有する液晶組成物。
【請求項７】
式(V)
【化６】
2014208852.tif 000006
（式中R7及びR8はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
A2は1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン−2,5−ジイル基を表すが、A2が1,4-フェニレン基を表す場合、該1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Z1は単結合、−OCH2−、−OCF2−、−CH2O−、又は−CF2O−を表し、
nは0又は1を表し、
X1〜X6はそれぞれ独立して水素原子、又はフッ素原子を表すが、X1〜X6の少なくとも１つはフッ素原子を表す。）で表される化合物を含有する請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項８】
請求項１記載の式(I)で表される化合物を５〜３５質量％含有し、請求項４記載の一般式(II-1)で表される化合物を３〜３０質量％含有し、請求項４記載の一般式(II-2)で表される化合物を５〜２５質量％含有し、請求項１記載の一般式(III)で表される化合物を３〜２５質量％含有し、請求項５記載の一般式(IV)で表される化合物を２〜３０質量％含有し、請求項８記載の一般式(V)で表される化合物を２〜３０質量％含有する液晶組成物。
【請求項９】
反応性モノマーを含有する請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項１１】
請求項９に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一成分として、一般式（Ｉ）
【化１】
2014208842.tif 000001
(式中、R１は炭素原子数２から２４の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−で置換されてよく、Ｍ１はトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物を一種又は二種以上含有し、
第二成分として、一般式（ＩＩ）
【化２】
2014208842.tif 000002
(式中、Ｒ２１〜Ｒ２２はお互い独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、アルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、Ｘ２１〜Ｘ２４はお互い独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、少なくとも１個以上はフッ素原子を表し、ｎ２１は０を表す。)で表される化合物を二種以上含有し、該一般式（ＩＩ）で表される化合物として、一般式（ＩＩ−ｃ）及び一般式（ＩＩ−ｄ）
【化３】
2014208842.tif 000003
で表される化合物を含有する２５℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０以下であることを特徴とするネマチック液晶組成物。
【請求項２】
第三成分として、一般式（ＩＩＩ）
【化４】
2014208842.tif 000004
（式中、Ｒ３１〜Ｒ３２はお互い独立しては炭素原子数１から１０のアルキル基、アルコキシ基、又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、Ｍ３１はトランス−１，４−シクロへキシレン基を表し、該トランス−１，４−シクロへキシレン基中の１つ又は２つの−ＣＨ２−は酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよく、該フェニレン基中の１つ又は２つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｌ３１は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＨ２Ｏ−を表し、ｎ３１は０又は１を表す。）
で表される化合物を一種又は二種以上含有する請求項１記載のネマチック液晶組成物。
【請求項３】
更に、一般式（ＩＶ−ａ）から一般式（ＩＶ−ｄ）
【化５】
2014208842.tif 000005
（式中、Ｒ４１〜Ｒ４８はお互い独立しては炭素原子数１から１０のアルキル基、アルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有する請求項１又は２のいずれか一項に記載の液晶組成物。
【請求項４】
一般式（Ｉ）において、R１が炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基又は分岐炭アルキル基を表し、Ｍ１はトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す請求項１から３のいずれか一項に記載のネマチック液晶組成物。
【請求項５】
一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が０．００１質量％から１質量％であり、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量が５質量％から３０質量％である請求項１から４のいずれか一項に記載のネマチック液晶組成物。
【請求項６】
一般式（Ｖ）
【化６】
2014208842.tif 000006
（式中、Ｘ５１及びＸ５２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ１及びＳｐ２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−
（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、
Ｚ５１は−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−（式中、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｍ５１は１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表される重合性化合物を含有する請求項１から５のいずれか一項に記載のネマチック液晶組成物。
【請求項７】
透明導電性材料からなる共通電極を具備した第一の基板と、透明導電性材料からなる画素電極と各画素に具備した画素電極を制御する薄膜トランジスターを具備した第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶組成物を有し、該液晶組成物中の液晶分子の電圧無印加時の配向が前記基板に対して略垂直である液晶表示素子であって、該液晶組成物として請求項１から６のいずれか一項に記載のネマチック液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項８】
請求項６に記載の重合性化合物を含有するネマチック液晶組成物を用い、電圧印加下あるいは電圧無印加下で該液晶組成物中に含有する重合性化合物を重合させて作製した高分子安定化モード液晶表示素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）処理室内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記処理室内を排気する工程と、
（ｃ）前記基板に対して、反応ガスを供給する工程と、
（ｄ）前記処理室内を排気する工程と、
を順に行い、前記基板上に第１の膜を形成した後、
（ｅ）前記基板に対して、前記原料ガスを供給する工程と、
（ｆ）前記処理室内を排気する工程と、
を交互に複数回行う工程Ａと、
（ｇ）前記基板に対して、前記反応ガスを供給する工程と、
（ｈ）前記処理室内を排気する工程と、
を交互に複数回行う工程Ｂと、
を有し、工程Ａと工程Ｂとを交互に複数回行い、前記第１の膜の上に第２の膜を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）は、それぞれ少なくとも真空排気と不活性ガス供給によるガスパージのいずれか一方を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ｆ）では、前記処理室内を排気するとともに、原料ガスを（ｅ）より少ない流量で供給する請求項１もしくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
１回の工程Ａの中で、最後に行う（ｆ）の前記原料ガスの供給流量を、最初に行う（ｆ）の前記原料ガスの供給流量より多くする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ｈ）では、前記処理室内を排気するとともに、反応ガスを(ｇ)より少ない流量で供給する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
１回の工程Ｂの中で、最後に行う（ｈ）の前記反応ガスの供給流量を、最初に行う（ｈ）の前記原料ガスの供給流量より多くする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、表面にパターンが形成されたパターンウエハである請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
（ａ）処理室内に収容した基板に対して、原料ガスを供給する処理と、（ｂ）前記処理室内を排気する処理と、（ｃ）前記基板に対して、反応ガスを供給する処理と、（ｄ）前記処理室内を排気する処理と、を順に行い、前記基板上に第１の膜を形成した後、（ｅ）前記基板に対して、前記原料ガスを供給する処理と、（ｆ）前記処理室内を排気する処理と、を交互に複数回行う工程Ａと、（ｇ）前記基板に対して、前記反応ガスを供給する処理と、（ｈ）前記処理室内を排気する処理と、を交互に複数回行う工程Ｂと、を有し、工程Ａと工程Ｂとを交互に複数回行い、前記第１の膜の上に第２の膜を形成するよう前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および排気系を制御するよう構成される制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項９】
（ａ）基板処理装置の処理室内の基板に対して、原料ガスを供給する手順と、
（ｂ）前記処理室内を排気する手順と、
（ｃ）前記基板に対して、反応ガスを供給する手順と、
（ｄ）前記処理室内を排気する手順と、
を順に行い、前記基板上に第１の膜を形成した後、
（ｅ）前記基板に対して、前記原料ガスを供給する手順と、
（ｆ）前記処理室内を排気する手順と、
を交互に複数回行う手順Ａと、
（ｇ）前記基板に対して、前記反応ガスを供給する手順と、
（ｈ）前記処理室内を排気する手順と、
を交互に複数回行う手順Ｂと、
を有し、手順Ａと手順Ｂとを交互に複数回行い、前記第１の膜の上に第２の膜を形成する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴と、前記貫通穴の途中で直交交差または斜交交差する穴である一対の交差穴とを有する工作物の、前記貫通穴と前記一対の交差穴の交差部の稜線に発生したバリ取りと、前記稜線を面取りする、バリ取りと面取り加工方法であって、
前記貫通穴または前記一対の交差穴を塞ぐ中実部を有する一対の流路閉鎖具を、前記貫通穴または前記一対の交差穴に挿入し、前記稜線から所定の距離に位置決めする第１工程と、
前記一対の流路閉鎖具で塞がれていない前記貫通穴の一端または前記一対の交差穴の一方に注入口を接続する第２工程と、
前記注入口に液体と硬質粒子の混合物である加工液を供給して、前記貫通穴に加工液を注入し、前記稜線に発生したバリ取りと、前記稜線を面取りする第３工程の各工程を含むバリ取りと面取り加工方法。
【請求項２】
液体と硬質粒子を混合した加工液を貯留するタンクと、前記タンク内の前記加工液を吐出するポンプと、前記ポンプから供給された前記加工液を注入する注入口と、貫通穴と、前記貫通穴に直交交差または斜交交差する穴である一対の交差穴とを有する工作物を保持する保持台を備え、
前記貫通穴の一端または前記一対の交差穴の一方へ、前記注入口から前記加工液を注入し、前記貫通穴と前記交差穴の交差する稜線に発生したバリのバリ取りと、前記稜線を面取りする、バリ取りと面取り加工装置において、
前記貫通穴または前記一対の交差穴を塞ぐ中実部を有する一対の流路閉鎖具と、
前記一対の流路閉鎖具を、前記貫通穴または前記一対の交差穴に挿入し所定の位置に位置決めする挿入手段と、
前記加工液を前記注入口に供給し、前記一対の流路閉鎖具を前記稜線から所定の距離に位置決めするように、前記ポンプと、前記挿入手段を制御する制御装置を備えるバリ取りと面取り加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するための請求項１に係る発明の特徴は、貫通穴と、前記貫通穴の途中で直交交差または斜交交差する穴である一対の交差穴とを有する工作物の、前記貫通穴と前記一対の交差穴の交差部の稜線に発生したバリ取りと、前記稜線を面取りする、バリ取りと面取り加工方法であって、
前記貫通穴または前記一対の交差穴を塞ぐ中実部を有する一対の流路閉鎖具を、前記貫通穴または前記一対の交差穴に挿入し、前記稜線から所定の距離に位置決めする第１工程と、
前記一対の流路閉鎖具で塞がれていない前記貫通穴の一端または前記一対の交差穴の一方に注入口を接続する第２工程と、
前記注入口に液体と硬質粒子の混合物である加工液を供給して、前記貫通穴に加工液を注入し、前記稜線に発生したバリ取りと、前記稜線を面取りする第３工程の各工程を含むことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に係る発明の特徴は、液体と硬質粒子を混合した加工液を貯留するタンクと、前記タンク内の前記加工液を吐出するポンプと、前記ポンプから供給された前記加工液を注入する注入口と、貫通穴と、前記貫通穴に直交交差または斜交交差する穴である一対の交差穴とを有する工作物を保持する保持台を備え、
前記貫通穴の一端または前記一対の交差穴の一方へ、前記注入口から前記加工液を注入し、前記貫通穴と前記交差穴の交差する稜線に発生したバリのバリ取りと、前記稜線を面取りする、バリ取りと面取り加工装置において、
前記貫通穴または前記一対の交差穴を塞ぐ中実部を有する一対の流路閉鎖具と、
前記一対の流路閉鎖具を、前記貫通穴または前記一対の交差穴に挿入し所定の位置に位置決めする挿入手段と、
前記加工液を前記注入口に供給し、前記一対の流路閉鎖具を前記稜線から所定の距離に位置決めするように、前記ポンプと、前記挿入手段を制御する制御装置を備えることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項1に係る発明によれば、流路閉鎖具により交差する穴の稜線の近傍の加工液の流速を速くすることが可能で、稜線部に発生するバリの除去や、稜線部の面取りを効率よく行い、他の部位の除去を少なくできるバリ取りと面取り加工方法を実現できる。また一対の稜線に対し、バリの除去や、面取りが行える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に係る発明によれば、流路閉鎖具により交差する穴の稜線の近傍の加工液の流速を速くすることが可能で、交差する穴の稜線に発生するバリの除去や、稜線の面取りを効率よく行い、穴の他の部位の除去を少なくできるバリ取りと面取り加工装置を実現できる。また一対の稜線に対し、バリの除去や、面取りが行える。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者に由来する生体試料から、肥満細胞の脱顆粒により放出され得るマーカー物質を検出することを含む、
前記マーカー物質の検出量に基づいて、被験者が未熟児網膜症であるか否かを判定することのために、あるいは、未熟児網膜症の治療又は予防が必要か否かを判定することのためにデータを提供する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法により未熟児網膜症の治療又は予防が必要であると判断された患者に投与するための、肥満細胞に由来するトリプターゼインヒビター及び肥満細胞スタビライザーからなる群より選択された少なくとも１種の化合物を有効成分とする未熟児網膜症の治療又は予防剤。
【請求項３】
肥満細胞を、肥満細胞の脱顆粒により放出され得るマーカー物質の放出誘導処理に供すること、
前記マーカー物質放出誘導処理に供された肥満細胞に、候補物質を接触させること、
接触後の肥満細胞から放出された前記マーカー物質の検出を行うこと、並びに、
前記マーカー物質の検出量に基づいて、前記候補物質が前記マーカー物質の放出阻害活性を有するか否かを判定し、前記マーカー物質の放出阻害活性を有すると判定された候補物質を、未熟児網膜症の治療又は予防効果を発揮しうる目的物質としてスクリーニングすること、
を含む、請求項２記載の治療又は予防剤のスクリーニング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプ本体と、
筒状に形成されて前記ポンプ本体に内装されるバレルと、
前記バレルの周壁部を貫通し、少なくとも前記バレル内の燃料を前記バレルの外に排出させる通油孔と、
前記バレルに摺動自在に内設されて前記バレル内の燃料を加圧すると共に、前記通油孔における前記バレルの内周面に開口した開口部の開閉を行うプランジャと、
前記通油孔内を流れる燃料を整流すると共に、前記バレル内の燃料の前記通油孔からの排出時に前記開口部を前記プランジャで開く場合における開き始め側に偏心して前記通油孔に内設されるデフレクタと、
を備え、
前記通油孔は、前記デフレクタの周囲で、かつ、前記デフレクタの前記バレル側の先端部よりも燃料の流れ方向下流側に複数の後流側孔部が画成されていることを特徴とする燃料噴射ポンプ。
【請求項２】
前記通油孔は、前記バレルの径方向に伸び、かつ、当該通油孔を通る直線に対して傾斜する向きで前記バレルの周壁部を貫通することを特徴とする請求項１に記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項３】
前記後流側孔部は、前記開口部を前記プランジャで開く場合における開き始め側に位置する前記後流側孔部よりも、開き終わり側に位置する前記後流側孔部の方が、前記通油孔を流れる燃料の流れ方向に見た場合における開口面積が大きくなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の燃料噴射ポンプ。