Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明により、表面キズが多数存在する二軸延伸フィルムを用いても、本発明のアンカー層により表面キズが埋め込まれるため、金属割れを減少させることができ配線断線による不良数を低減させることが可能である。また、金属膜と二軸延伸フィルム基材との密着性をあげることができ、金属配線の耐擦性アップにより信頼性が向上した静電容量タッチパネルを提供できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以下本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。図１は、透明基材１と金属細線２との間にアンカー層３を設けた静電容量タッチパネルの構成を示した概念平面図（Ａ）および概念断面図（Ｂ）であり、透明基材１の両面に、それぞれの面に、金属細線２が縦横交差する様に金属細線を多数を平行して配列形成させた静電容量タッチパネルである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２は、アンカー層を、アンカー層（第一）３、アンカー層（第二）４と２層構成としたものである。アンカー層に保持させる、表面キズを埋める平滑性向上機能、金属膜と透明基材との密着性向上機能、硬度向上機能は、必ずしも１層に持たせる必要はなく、図２に示す様に、第一のアンカー層３、第二のアンカー層４の様に、1層もしくは機能層分離をした２層以上の複数のアンカー層を設けても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
＜透明基材＞
透明基材としては、ＰＥＴ、アクリルフィルム、ＣＯＰ（環状オレフィンポリマー）、ＣＯＣ（環状オレフィンコポリマー）、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＣ（ポリカーボネート）が使用可能であり、二軸延伸ＰＥＴフィルムが好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
二軸延伸フィルムとして１００μｍ厚みの商品名ＸＵ４８３（東レ社製）に、０．３μｍの厚さでアクリルナノ粒子を添加したアクリル樹脂を片面に塗布して第一アンカー層を形成し、蒸着法により２μｍの銅膜を、二軸延伸フィルムの片面に形成し、フォトリソ法により線幅３μｍの細線パターン（金属細線多数を平行に配列）を形成し、前記金属細線が縦横交差する様に絶縁性接着剤を介して重ね合せてなる構成の、ヘーズ値１．０の実施例１の金属配線フィルムタッチパネルを作製した。
尚、アンカー層塗布液へのアクリルナノ粒子は、粒径０．３μｍを用い、添加量を０．５質量部とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
二軸延伸フィルムとして１００μｍ厚みの商品名ＸＵ４８３（東レ社製）に、２μｍの厚さでアクリル樹脂を片面に塗布して第一アンカー層を形成し、さらに第一アンカー層上に０．５μｍの厚さでアクリルナノ粒子を添加したエステル樹脂を塗布して第二アンカー層を形成し、蒸着法により２μｍの銅膜を、二軸延伸フィルムの片面に形成し、フォトリソ法により線幅３μｍの細線パターン（金属細線多数を平行に配列）を形成し、前記金属細線が縦横交差する様に絶縁性接着剤を介して重ね合せてなる構成の、ヘーズ値１．２の実施例２の金属配線フィルムタッチパネルを作製した。
尚、第二アンカー層塗布液へのアクリルナノ粒子は、粒径０．５μｍを用い、添加量を０．５質量部とした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
実施例２の第二アンカー層を無くした以外は同一条件で、実施例３の金属配線フィルムタッチパネルを作製して、ヘーズ値１．４の実施例３の金属配線フィルムタッチパネルを作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
二軸延伸フィルムとして１００μｍ厚みの商品名ＸＵ４８３（東レ社製）に、２μｍの厚さでアクリル樹脂を片面に塗布して第一アンカー層を形成し、第一アンカー層上にさらにアクリルナノ粒子を添加したウレタン樹脂を塗布して第二アンカー層を形成し、蒸着法により２μｍの銅膜を、二軸延伸フィルムの片面に形成し、フォトリソ法により線幅２μｍの細線パターン（金属細線多数を平行に配列）を形成し、前記金属細線が縦横交差する様に絶縁性接着剤を介して重ね合せてなる構成の、ヘーズ値１．８の実施例４の金属配線フィルムタッチパネルを作製した。
尚、第二アンカー層塗布液へのアクリルナノ粒子は、粒径０．５μｍを用い、添加量を０．５質量部とした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
二軸延伸フィルムとして１００μｍ厚みの商品名ＸＵ４８３（東レ社製）に、２μｍの厚さでアクリル樹脂を両面に塗布して第一アンカー層を表裏に形成し、蒸着法により２μｍの銅膜を第一アンカー層上の両面に形成し、フォトリソ法により線幅２μｍの細線パターンを、金属細線が縦横交差する様に作製し、ヘーズ値２．５の実施例５の金属配線フィルムタッチパネルを作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月2日(2016.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の移動体と、第１ネットワークを介して複数の前記移動体を管理する管理センタと、を備え、
前記管理センタは、
前記移動体のルート検索に用いられる避難場所情報及び道路情報を記憶する第１データ部と、
前記第１ネットワークを介して前記避難場所情報及び前記道路情報を複数の前記移動体に配信する第１データ処理部と、を有し、
前記移動体は、
前記管理センタから前記第１ネットワークを介して配信される前記避難場所情報及び前記道路情報を記憶する第２データ部と、
前記第１ネットワークが途絶した場合に、複数の前記移動体が互いに情報を送受信するための第２ネットワークを介して、入出力部によって更新された前記避難場所情報又は前記道路情報を他の前記移動体と共有する第２データ処理部と、
更新された前記避難場所情報又は前記道路情報に基づいてルート検索を行い、入出力部にルート案内を表示させる誘導処理部と、を有する
避難誘導システム。
【請求項２】
前記移動体は、前記入出力部から入力される回避エリアを前記第２データ処理部に送信する第２回避エリア処理部を有し、
前記第２データ処理部は、前記第２回避エリア処理部から受信した前記回避エリアを前記誘導処理部に送信し、
前記誘導処理部は、前記第２データ処理部から受信した前記回避エリアに含まれる避難場所及びルートをルート検索の対象外として、前記入出力部にルート案内を表示させる
請求項１に記載の避難誘導システム。
【請求項３】
前記管理センタは、復旧した前記第１ネットワークを介して前記移動体から前記回避エリアを収集し、前記移動体から収集した前記回避エリアを前記第１データ部に記憶させる指示を前記第１データ処理部に行う第１回避エリア処理部を有し、
前記第１データ処理部は、復旧した前記第１ネットワークを介して、前記第１データ部から読み出した前記回避エリアを複数の前記移動体に配信し、
前記第２データ処理部は、前記管理センタから受信した前記回避エリアを前記第２データ部に記憶させる
請求項２に記載の避難誘導システム。
【請求項４】
前記道路情報には、標高情報が含まれ、
前記移動体は、前記第２データ処理部によってルート検索の対象外とされた設定標高以下である前記避難場所及びルートを危険区域として等高線に沿って前記入出力部に表示させる表示編集部を有する
請求項３に記載の避難誘導システム。
【請求項５】
前記第１データ部には、放射線量を含む放射線情報が記憶され、
前記第２データ部には、前記管理センタから配信された前記放射線情報が記憶され、
前記移動体は、前記第２データ処理部によってルート検索の対象外とされた設定放射線量以上である前記避難場所及びルートを危険区域として前記入出力部に表示させる表示編集部を有する
請求項３に記載の避難誘導システム。
【請求項６】
複数の移動体を管理する管理センタから第１ネットワークを介して配信される、ルート検索に用いられる避難場所情報及び道路情報を記憶するデータ部と、
前記第１ネットワークが途絶した場合に、複数の前記移動体が互いに情報を送受信するための第２ネットワークを介して、入出力部によって更新された前記避難場所情報又は前記道路情報を他の前記移動体と共有するデータ処理部と、
更新された前記避難場所情報又は前記道路情報に基づいてルート検索を行い、入出力部にルート案内を表示させる誘導処理部と、を備える
移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路が表示領域に形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、前記表示領域の外側に配置され前記表示領域を囲うダム剤と、
前記ダム剤が配置された領域と前記表示領域との間に配置された水分検出部とを有する表示装置。
【請求項２】
前記水分検知部が配置された領域と前記表示領域との間に別のダム剤が配置された領域を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
画素回路が表示領域に形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、前記表示領域の外側に配置され前記表示領域を囲う第１のダム剤と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、前記第１のダム剤の前記表示領域とは反対の側に配置され前記第１のダム剤を囲う第２のダム剤と、
前記第１のダム剤と前記第２のダム剤との間に配置された水分検出部とを有する表示装置。
【請求項４】
前記水分検出部は、水分を検出すると発色または発光する材料を有する請求項1から請求項３のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項５】
前記水分検出部は、水分を検出すると電気抵抗が変化する材料を有する請求項1から請求項３のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項６】
前記水分検出部は、前記第１の基板に接触する第１水分検出面と前記第２の基板に接触する第２水分検出面とを有し、前記第１水分検出面と前記第２水分検出面との間に前記第１水分検出面と前記第２水分検出面とを分離する部材が配置されている請求項１から５のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項７】
前記部材は、光を反射する性質を有する請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示領域には、有機ＥＬ素子を備えた複数の画素が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の基板と前記第２の基板とは、樹脂基板であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する方法であって、
第１導電型の半導体基板の表面から前記半導体基板に第１導電型不純物を注入する第１注入工程と、
前記第１注入工程で第１導電型不純物濃度が上昇した上昇領域の第１導電型不純物のピーク濃度の深さよりも深く、前記上昇領域の深い側の端部よりも浅い特定深さから前記表面までの第１半導体領域を溶融させ、その後、凝固させる工程と、
前記表面から、前記特定深さよりも浅い領域に第１導電型不純物を注入する第２注入工程と、
前記第２注入工程で第１導電型不純物濃度が上昇した領域を溶融させ、その後、凝固させる工程、
を有する方法。
【請求項２】
前記第１注入工程では、前記端部から前記表面までの範囲で第１導電型不純物濃度を上昇させる請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１注入工程では、チャネリング注入により第１導電型不純物を注入する請求項２の方法。
【請求項４】
半導体装置であって、
半導体基板の表面に露出する範囲に形成されている第１導電型の高濃度領域と、
前記高濃度領域より深い側に形成されており、前記高濃度領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の中濃度領域と、
前記中濃度領域より深い側に形成されており、前記中濃度領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の低濃度領域、
を有し、
前記高濃度領域の第１導電型不純物濃度のピーク値の深さから、前記第１導電型不純物濃度の前記ピーク値の深さよりも深い側の前記第１導電型不純物濃度の前記ピーク値の１／１０の第１導電型不純物濃度を有する深さまでの距離が距離Ａであり、
前記第１導電型不純物濃度の前記ピーク値の深さよりも前記距離Ａの２倍だけ浅い側の深さにおける第１導電型不純物濃度が前記第１導電型不純物濃度の前記ピーク値の１／１０以上であり、
前記中濃度領域の第２導電型不純物濃度のピーク値の深さから、前記第２導電型不純物濃度の前記ピーク値の深さよりも深い側の前記第２導電型不純物濃度の前記ピーク値の１／１０の第２導電型不純物濃度を有する深さまでの距離が距離Ｂであり、
前記第２導電型不純物濃度の前記ピーク値の深さよりも前記距離Ｂの２倍だけ浅い側の深さにおける第２導電型不純物濃度が前記第２導電型不純物濃度の前記ピーク値の１／１０以上であり、
前記中濃度領域の第１導電型不純物濃度のピーク値の深さから、前記中濃度領域の前記第１導電型不純物濃度の前記ピーク値の深さよりも深い側の前記中濃度領域の前記第１導電型不純物濃度の前記ピーク値の１／１０の第１導電型不純物濃度を有する深さまでの距離が距離Ｃであり、
距離Ｃが距離Ｂよりも大きい、
半導体装置。
【請求項５】
前記中濃度領域の第１導電型不純物濃度のピーク値の深さから深い側に向かうにしたがって、第１導電型不純物濃度が連続的に低下し、
前記連続的に低下する第１導電型不純物濃度のグラフが、第１導電型不純物濃度のプラス側に凸となるように湾曲している、
請求項４の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と当該基板を支持する支持体とを重ね合わせる重ね合わせ部と、
重ね合わされる前の上記基板および上記支持体の端面を撮像する複数の撮像手段と、
上記撮像手段によって撮像される上記基板および上記支持体を保持する保持部と、
上記撮像手段が撮像した複数の画像から、上記基板および上記支持体のそれぞれの中心位置を検出するようになっている中心位置検出部と、
中心位置を検出した後の上記基板および上記支持体を上記保持部から上記重ね合わせ部へ搬送する搬送手段と、を備えており、
上記重ね合わせ部では、上記中心位置検出部が検出した上記基板および上記支持体の互いの中心位置が重なるように、上記基板および上記支持体を重ね合わせるようになっており、
上記重ね合わせ部は、上記中心位置検出部が検出した上記基板および上記支持体の互いの中心位置が重なるように、上記重ね合わせ部に搬送された上記基板および上記支持体の少なくとも一方の面内方向の位置を調整する位置調整手段を備えていることを特徴とする重ね合わせ装置。
【請求項２】
上記撮像手段は、上記基板および上記支持体における第一の端面を撮像する第一の撮像手段と、上記基板および上記支持体における第一の端面とは異なる位置の第二の端面を撮像する第二の撮像手段とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の重ね合わせ装置。
【請求項３】
上記基板および上記支持体の少なくとも何れかには、接着層が積層されており、
上記重ね合わせ部は、上記基板と上記支持体とを、上記接着層を介して重ね合わせるようになっていることを特徴とする請求項１または２に記載の重ね合わせ装置。
【請求項４】
上記重ね合わせ部は、中心位置を検出した後の上記基板および上記支持体のうちの一方を支持する支持手段と、中心位置を検出した後の上記基板および上記支持体のうちの他方を掛止する掛止部材とを備えており、上記支持体に支持された上記基板および上記支持体のうちの一方に、掛止部材に掛止された上記基板および上記支持体のうちの他方を、上記基板および上記支持体の互いの中心位置が重なるように重ね合わせるようになっていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の重ね合わせ装置。
【請求項５】
基板と当該基板を支持する支持体とを重ね合わせる重ね合わせ方法であって、
複数の撮像手段によって、保持部に保持された重ね合わせる前の基板および支持体の端面を撮像する撮像工程と、
上記撮像工程において撮像した複数の画像から、上記基板および上記支持体のそれぞれの中心位置を検出する中心位置検出工程と、
中心位置を検出した上記基板および上記支持体を上記保持部から重ね合わせ部へ搬送する搬送工程と、
上記重ね合わせ部において、上記中心位置検出工程において検出した上記基板および上記支持体の互いの中心位置が重なるように、上記基板および上記支持体を重ね合わせる重ね合わせ工程と、を包含しており、
上記重ね合わせ工程では、上記中心位置検出工程において検出した上記基板および上記支持体の互いの中心位置が重なるように、上記重ね合わせ部に搬送された上記基板および上記支持体の少なくとも一方の面内方向の位置を調整することを特徴とする重ね合わせ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子を介してデータ信号が入力される論理回路と、
一対の電極の一方に高電源電位又は低電源電位が与えられ、他方に前記論理回路の前記入力端子の電位が与えられることにより、保持データとして前記データ信号のデータが書き込まれる容量素子と、
前記論理回路の前記入力端子と前記容量素子の一対の電極の他方との導通を制御することにより、前記保持データの書き換え、保持、及び読み出しを制御するトランジスタと、を備え、
前記トランジスタは、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１００ｚＡ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記容量素子の容量値が、前記入力端子に生じる寄生容量の容量値の１倍以上２０倍未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタは、
チャネルが形成され、シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体層を含み、
前記酸化物半導体層は、
ｃ軸が被形成面の法線ベクトル又は表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、且つａｂ面に垂直な方向から見て三角形状又は六角形状の原子配列を有し、前記ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子又は金属原子と酸素原子が層状に配列する結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
入力端子を介してデータ信号が入力される論理回路を備えるフリップフロップと、
一対の電極の一方に高電源電位又は低電源電位が与えられ、他方に前記論理回路の前記入力端子の電位が与えられることにより、保持データとして前記データ信号のデータが書き込まれる容量素子と、
前記論理回路の前記入力端子と前記容量素子の一対の電極の他方との導通を制御することにより、前記保持データの書き換え、保持、及び読み出しを制御するトランジスタと、を備え、
前記トランジスタは、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１００ｚＡ以下であり、
前記フリップフロップは、複数設けられ、
前記容量素子及びトランジスタは、複数の前記フリップフロップのうち、少なくとも２以上の前記フリップフロップに対応して複数設けられることを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項５】
請求項４において、
前記トランジスタが、
チャネルが形成され、シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体層を含み、
前記酸化物半導体層が、
ｃ軸が被形成面の法線ベクトル又は表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、且つａｂ面に垂直な方向から見て三角形状又は六角形状の原子配列を有し、前記ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子又は金属原子と酸素原子が層状に配列する結晶部を有することを特徴とするシフトレジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月7日(2016.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るモータ制御装置は、ステッピングモータ用の回転目標位置を示す複数のパルス信号からＤＣモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成手段と、前記回転目標位置情報に基づいて、前記ＤＣモータの速度制御信号を生成する速度制御手段と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステッピングモータ用の回転目標位置を示す複数のパルス信号からＤＣモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成手段と、
前記回転目標位置情報に基づいて、前記ＤＣモータの速度制御信号を生成する速度制御手段と、
を備えることを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
前記目標位置生成手段は、
前記複数のパルス信号列の内の所定のパルス信号列におけるパルス信号の数と、前記複数のパルス信号列の内の他のパルス信号列の値とに基づいて前記ＤＣモータの回転目標位置情報を生成する、
ことを特徴とする請求項１記載のモータ制御装置。
【請求項３】
前記目標位置生成手段は、
前記複数のパルス信号列の内の所定のパルス信号列におけるパルスを検出する度に、前記複数のパルス信号列の内の他のパルス信号列の値を参照して前記パルスのカウント値を増減させたものを前記ＤＣモータの回転目標位置情報として生成する、
ことを特徴とする請求項１記載のモータ制御装置。
【請求項４】
仕様が異なる前記回転目標位置信号のうち、前記回転目標位置信号の仕様に応じた回転目標位置情報を選択する選択手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１記載のモータ制御装置。
【請求項５】
前記ＤＣモータの実際の回転位置を示す実位置情報を生成する実位置生成手段と、
前記実位置情報に基づいて前記ＤＣモータの実際の回転速度を示す実速度情報を生成する実速度生成手段と、
前記回転目標位置情報と前記実位置情報とに基づいて前記ＤＣモータの前記回転目標位置と実際の前記回転位置との誤差を解消するための回転目標速度を示す目標速度情報を生成する位置制御手段と、
前記目標速度情報と前記実速度情報に基づいて前記ＤＣモータの前記回転目標速度と実際の回転速度との誤差を示す速度誤差信号を生成する速度誤差信号生成手段と、
を備え、
前記速度制御手段は、前記速度誤差信号又は前記速度誤差信号に準ずる信号に基づいて前記ＤＣモータの速度制御信号を生成する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のモータ制御装置。
【請求項６】
前記回転目標位置情報に基づいて、前記ＤＣモータの速度予測情報を生成する速度予測手段をさらに備え、
前記速度誤差信号生成手段は、前記速度予測情報と、前記目標速度情報及び前記実速度情報に基づいて前記速度誤差信号を生成する、
ことを特徴とする請求項５記載のモータ制御装置。
【請求項７】
前記速度予測手段は、
前記回転目標位置情報を微分演算して前記速度予測情報を生成する、
ことを特徴とする請求項６記載のモータ制御装置。
【請求項８】
前記速度誤差信号生成手段は、
前記速度予測情報と、前記目標速度情報及び前記実速度情報を選択的に加減算し、前記速度誤差信号を生成する、
ことを特徴とする請求項６又は７記載のモータ制御装置。
【請求項９】
前記速度誤差信号を平滑化して平滑化速度誤差信号を生成する平滑化手段をさらに備え、
前記速度制御手段は前記平滑化速度誤差信号に基づいて前記ＤＣモータの速度制御信号を生成する、
ことを備えることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項記載のモータ制御装置。
【請求項１０】
ステッピングモータ用の回転目標位置を示す複数のパルス信号からＤＣモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成手段と、
前記回転目標位置情報に基づいて、前記ＤＣモータの速度制御信号を生成する速度制御手段と、
を備えるモータ制御装置と、
前記モータ制御装置により制御される前記ＤＣモータの回転を利用して駆動され、画像処理を行うための駆動機構と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１１】
モータ制御装置におけるモータ制御方法であって、
ステッピングモータ用の回転目標位置を示す複数のパルス信号からＤＣモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成工程と、
前記回転目標位置情報に基づいて、前記ＤＣモータの速度制御信号を生成する速度制御工程と、
を含むことを特徴とするモータ制御方法。
【請求項１２】
置き換え前のモータの回転目標位置を示す複数のパルス信号から置き換え後のモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成手段と、
前記回転目標位置情報に基づいて、前記置き換え後のモータの速度制御信号を生成する速度制御手段と、
を備えることを特徴とするモータ制御装置。
【請求項１３】
前記目標位置生成手段は、
前記複数のパルス信号列の内の所定のパルス信号列におけるパルス信号の数と、前記複数のパルス信号列の内の他のパルス信号列の値とに基づいて前記置き換え後のモータの回転目標位置情報を生成する、
ことを特徴とする請求項１２記載のモータ制御装置。
【請求項１４】
前記目標位置生成手段は、
前記複数のパルス信号列の内の所定のパルス信号列におけるパルスを検出する度に、前記複数のパルス信号列の内の他のパルス信号列の値を参照して前記パルスのカウント値を増減させたものを前記置き換え後のモータの回転目標位置情報として生成する、
ことを特徴とする請求項１２記載のモータ制御装置。
【請求項１５】
置き換え前のモータの回転目標位置を示す複数のパルス信号から置き換え後のモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成手段と、
前記回転目標位置情報に基づいて、前記置き換え後のモータの速度制御信号を生成する速度制御手段と、
を備えるモータ制御装置と、
前記モータ制御装置により制御される前記置き換え後のモータの回転を利用して駆動され、画像処理を行うための駆動機構と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１６】
モータ制御装置におけるモータ制御方法であって、
置き換え前のモータの回転目標位置を示す複数のパルス信号から置き換え後のモータの回転目標位置情報を生成する目標位置生成工程と、
前記回転目標位置情報に基づいて、前記置き換え後のモータの速度制御信号を生成する速度制御工程と、
を含むことを特徴とするモータ制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化グラフェン、非水系二次電池用正極の製造方法、及び非水系二次電池用正極
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水系二次電池用正極に用いる導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンであって、
炭素に対する酸素の原子数比が０．４０５以上であることを特徴とする酸化グラフェン。
【請求項２】
非水系二次電池用正極に用いる導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンであって、
炭素に対する酸素の原子数比が０．４０５以上であり、
エポキシ基、カルボニル基、カルボキシル基、又はヒドロキシル基を有することを特徴とする酸化グラフェン。
【請求項３】
非水系二次電池用正極に用いる導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンであって、
エポキシ基、カルボニル基、カルボキシル基、又はヒドロキシル基を有することを特徴とする酸化グラフェン。
【請求項４】
非水系二次電池用正極に用いる導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンであって、
官能基として、エポキシ基、カルボニル基、カルボキシル基、又はヒドロキシル基を有し、
前記官能基中の酸素がマイナスに帯電することを特徴とする酸化グラフェン。
【請求項５】
炭素に対する酸素の原子数比が０．４０５以上である酸化グラフェンを極性溶媒からなる分散媒に分散させ、
前記分散媒に、正極活物質を添加して混練することで混合物を作製し、
前記混合物に結着剤を添加して混練することで正極ペーストを作製し、
前記正極ペーストを正極集電体に塗布し、
前記塗布した前記正極ペーストに含まれる前記分散媒を揮発させた後又は揮発させると同時に、前記酸化グラフェンを還元して、グラフェンを含む正極活物質層を前記正極集電体上に形成することを特徴とする非水系二次電池用正極の製造方法。
【請求項６】
炭素に対する酸素の原子数比が０．４０５以上である酸化グラフェンを極性溶媒からなる分散媒に分散させ、
前記分散媒に、正極活物質を添加して混練することで混合物を作製し、
前記混合物に結着剤を添加して混練することで正極ペーストを作製し、
前記正極ペーストを正極集電体に塗布し、
前記塗布した前記正極ペーストに含まれる前記分散媒を揮発させた後又は揮発させると同時に、前記酸化グラフェンを還元して、グラフェンを含む正極活物質層を前記正極集電体上に形成する非水系二次電池用正極の製造方法であって、
前記正極活物質層に含まれる炭素の結合状態は、Ｃ＝Ｃ結合の割合が３５％以上であり、かつ、Ｃ−Ｏ結合の割合が５％以上２０％以下であることを特徴とする非水系二次電池用正極の製造方法。
【請求項７】
複数の粒状の正極活物質と、
複数のグラフェンを含む導電助剤と、
結着剤と、を含む正極活物質層を有し、
前記正極活物質層に含まれる炭素の結合状態は、Ｃ＝Ｃ結合の割合が３５％以上であり、かつ、Ｃ−Ｏ結合の割合が５％以上２０％以下であることを特徴とする非水系二次電池用正極。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月5日(2016.5.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記一対の電極間に挟まれたＥＬ層を有する発光素子であって、
前記ＥＬ層は、ｎ（ｎは２以上の整数）層の発光層と、（ｎ−１）層の電荷発生層とを有し、
ｍ（ｍは１以上ｎ−１以下の整数）層目の前記電荷発生層は、ｍ層目の前記発光層と（ｍ＋１）層目の前記発光層との間に位置し、
前記発光層には各々２種類のりん光発光物質が含まれ、前記２種類のりん光発光物質のうち、
一方は４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光の最大値を有するりん光発光物質であり、
他方は５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲に発光の最大値を有するりん光発光物質であり、
前記５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲に発光の最大値を有するりん光発光物質は前記ｎ層の発光層における発光層毎に異なる物質である発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記４００ｎｍから５００ｎｍ以下の波長範囲に発光の最大値を有するりん光発光物質が前記ｎ層の発光層全てで同一の物質である発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ｎ層の発光層各々から発する発光における、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークの値は、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークの値よりも、その値が小さい発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光層は、前記一方のりん光性化合物が含まれる第１の層と、前記他方のりん光性化合物が含まれる第２の層とを各々有する発光素子。
【請求項５】
一対の電極と、
前記一対の電極間に挟まれたＥＬ層を有する発光素子であって、
前記ＥＬ層は、第１の発光層と、第２の発光層と、前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に電荷発生層と、を有し、
前記第１の発光層は、第１のりん光発光物質と、第２のりん光発光物質と、を有し、
前記第２の発光層は、第３のりん光発光物質と、第４のりん光発光物質と、を有し、
前記第１のりん光発光物質と、前記第３のりん光発光物質とは、それぞれ、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲に発光の最大値を有するりん光発光物質であり、
前記第２のりん光発光物質と、第４のりん光発光物質とは、それぞれ、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲に発光の最大値を有するりん光発光物質であり、
前記第２のりん光発光物質は、前記第４のりん光発光物質と異なる物質である発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記発光素子が発する発光のスペクトルにおける前記４００ｎｍから５００ｎｍ以下の波長範囲に存在する極大且つ最大値が、前記スペクトルにおけるその他の極大値のうち最大の値の３０％以上２００％未満である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記発光素子が白色発光を呈することを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記発光素子が発する発光のスペクトルは、４００ｎｍから５００ｎｍ、５００ｎｍから５７０ｎｍ及び５７０ｎｍから７００ｎｍにそれぞれ一つの極大が存在する発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記ｎが２又は３である発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る照明装置は、複数のＬＥＤ素子を上面に実装したモジュール基板と、凸部を有し且つ複数のＬＥＤ素子が発する熱を放散する放熱部材と、開口部を有し且つモジュール基板の下面の一部と放熱部材との間に配置された絶縁シートを有し、凸部が開口部を介してモジュール基板における複数のＬＥＤ素子が実装された領域の下面に近接するように配置されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤ素子を上面に実装したモジュール基板と、
凸部を有し且つ前記複数のＬＥＤ素子が発する熱を放散する放熱部材と、
開口部を有し且つ前記モジュール基板の下面の一部と前記放熱部材との間に配置された絶縁シートと、を有し、
前記凸部が前記開口部を介して前記モジュール基板において前記複数のＬＥＤ素子が実装された領域の下面に近接するように配置されている、
ことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記凸部は前記モジュール基板において前記複数のＬＥＤ素子が実装された領域の下面に接触している、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記モジュール基板の下面と前記凸部との間に熱伝導性樹脂層が配置されている、請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記絶縁シートが前記凸部より厚い、請求項１又は３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記絶縁シートが箱型に形成されている、請求項１〜４の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記モジュール基板には、前記複数のＬＥＤ素子を囲むダム材が設けられ、前記ＬＥＤ素子が蛍光樹脂で被覆されている、請求項１〜５の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記モジュール基板には、前記ダム材の外側の領域に点灯回路の一部分が実装され、前記点灯回路の一部分が前記蛍光樹脂で被覆されている、請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記ダム材の一部と、前記点灯回路の一部分を囲むダム材の一部が共通化している、請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記複数のＬＥＤ素子が樹脂で被覆されパッケージ化している、請求項１〜５の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記モジュール基板には、前記複数のＬＥＤ素子の点灯回路の一部分が実装されている、請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記点灯回路は、ダイオードブリッジ回路と、バイパス回路と、前記複数のＬＥＤ素子が直列接続したＬＥＤ列とを含み、
前記ダイオードブリッジ回路は商用交流電源との接続端子を備え、
前記バイパス回路は第１電流入力端子と第２電流入力端子と電流出力端子を備え、
前記ＬＥＤ列は複数の部分ＬＥＤ列から構成され、
前記部分ＬＥＤ列同士の接続部に前記バイパス回路の前記第１電流入力端子が接続し、前記第２電流入力端子に入力する電流に応じて前記第１電流入力端子に入力する電流のオンオフ制御を行われる、請求項７、８及び１０の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記バイパス回路がディプレッション型のＦＥＴを含み、前記ＦＥＴのドレインが前記第１電流入力端子に接続し、前記ＦＥＴのソースが前記第２電流入力端子に接続している、請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記モジュール基板がセラミックをベース材料としている、請求項１〜１２の何れか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記セラミックが白色である、請求項１３に記載の照明装置。
【請求項１５】
バネ接点を有し且つ前記モジュール基板を固定するホルダーを更に有し、
前記バネ接点は、前記モジュール基板の電力供給端子を押圧し且つ前記電力供給端子と外部回路との電気的接続をとる、請求項１〜１４の何れか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月1日(2016.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ツインウェル構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の互いに隣接する第１領域及び第２領域に第１導電型不純物をイオン注入する第１注入工程と、
前記半導体基板の前記第１領域を覆うとともに前記第２領域を露出する第１マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記第１マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域に前記第１導電型不純物よりも高濃度の第２導電型不純物をイオン注入する第２注入工程と、
前記第１導電型不純物と前記第２導電型不純物とを熱拡散する拡散工程と、
前記半導体基板の前記第２領域を貫通するインク供給口を形成する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板の前記第１領域の上に第１部分を有し、前記半導体基板の前記第２領域の上に前記第１部分よりも厚みが薄い第２部分を有するシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜の上に、前記シリコン酸化膜の前記第１部分の一部及び前記第２部分の一部を露出する第２マスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン酸化膜の前記第１部分及び前記第２マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域の一部に不純物をイオン注入する工程と、
前記シリコン酸化膜のうち前記第２マスクパターンから露出した部分を選択的に成長させてフィールド酸化膜を形成する工程と、
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記酸化膜形成工程は、
前記マスクパターン形成工程の前に、前記半導体基板の前記第１領域及び前記第２領域の上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記マスクパターン形成工程の後に、前記第１マスクパターンを用いて、前記シリコン酸化膜のうち前記第２領域を覆う部分の上部を除去して前記シリコン酸化膜の前記第２部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜形成工程は、
前記マスクパターン形成工程の前に、前記半導体基板の前記第１領域及び前記第２領域の上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記マスクパターン形成工程の後に、前記第１マスクパターンを用いて、前記シリコン酸化膜のうち前記第２領域を覆う部分を除去する工程と、
前記拡散工程において、前記半導体基板の前記第２領域を熱酸化して前記シリコン酸化膜の前記第２部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
ツインウェル構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の互いに隣接する第１領域及び第２領域に第１導電型不純物をイオン注入する第１注入工程と、
前記半導体基板の前記第１領域を覆うとともに前記第２領域を露出する第１マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記第１マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域に前記第１導電型不純物よりも高濃度の第２導電型不純物をイオン注入する第２注入工程と、
前記第１導電型不純物と前記第２導電型不純物とを熱拡散する拡散工程と、
前記半導体基板の前記第１領域の上に第１部分を有し、前記半導体基板の前記第２領域の上に前記第１部分よりも厚みが薄い第２部分を有するシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜の上に、前記シリコン酸化膜の前記第２部分の一部を露出する第２マスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン酸化膜の前記第１部分及び前記第２マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域の一部に不純物をイオン注入する工程と、
を有し、
前記酸化膜形成工程は、
前記マスクパターン形成工程の前に、前記半導体基板の前記第１領域及び前記第２領域の上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記マスクパターン形成工程の後に、前記第１マスクパターンを用いて、前記シリコン酸化膜のうち前記第２領域を覆う部分の上部を除去して前記シリコン酸化膜の前記第２部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項６】
ツインウェル構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の互いに隣接する第１領域及び第２領域に第１導電型不純物をイオン注入する第１注入工程と、
前記半導体基板の前記第１領域を覆うとともに前記第２領域を露出する第１マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記第１マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域に前記第１導電型不純物よりも高濃度の第２導電型不純物をイオン注入する第２注入工程と、
前記第１導電型不純物と前記第２導電型不純物とを熱拡散する拡散工程と、
前記半導体基板の前記第１領域の上に第１部分を有し、前記半導体基板の前記第２領域の上に前記第１部分よりも厚みが薄い第２部分を有するシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜の上に、前記シリコン酸化膜の前記第２部分の一部を露出する第２マスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン酸化膜の前記第１部分及び前記第２マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域の一部に不純物をイオン注入する工程と、
を有し、
前記酸化膜形成工程は、
前記マスクパターン形成工程の前に、前記半導体基板の前記第１領域及び前記第２領域の上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記マスクパターン形成工程の後に、前記第１マスクパターンを用いて、前記シリコン酸化膜のうち前記第２領域を覆う部分を除去する工程と、
前記拡散工程において、前記半導体基板の前記第２領域を熱酸化して前記シリコン酸化膜の前記第２部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記シリコン酸化膜のうち前記第２マスクパターンから露出した部分を選択的に成長させてフィールド酸化膜を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第２導電型不純物の濃度は、前記第１導電型不純物の濃度の２倍以上であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第２注入工程の後に、前記半導体基板に対して非酸化雰囲気で熱処理を行う工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の１つの実施形態に係るツインウェル構造を有する半導体装置の製造方法は、半導体基板の互いに隣接する第１領域及び第２領域に第１導電型不純物をイオン注入する第１注入工程と、前記半導体基板の前記第１領域を覆うとともに前記第２領域を露出する第１マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記第１マスクパターンを用いて、前記半導体基板の前記第２領域に前記第１導電型不純物よりも高濃度の第２導電型不純物をイオン注入する第２注入工程と、前記第１導電型不純物と前記第２導電型不純物とを熱拡散する拡散工程と、前記半導体基板の前記第２領域を貫通するインク供給口を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除去室と、
前記除去室に互いに離れて接続される第１の仕切り弁と第２の仕切り弁と、
前記第１の仕切り弁と前記第２の仕切り弁と接続される成膜室と、
前記成膜室内に設けられた蒸着源と、
前記除去室内に設けられた平行平板型のプラズマ源と、
前記プラズマ源の上部電極と下部電極の間に設けられたシャドーマスク・ステージと、
被成膜体と前記被成膜体の一部を覆うシャドーマスクを重ね合わせた状態で、前記蒸着源から成膜材料が噴出する領域を移動するシャドーマスク搬送機構と、を有し、
前記シャドーマスク搬送機構が、前記被成膜体が重ね合わされた状態の前記シャドーマスクを移動して、前記蒸着源が噴出する前記成膜材料を前記被成膜体に成膜する成膜モードと、
前記シャドーマスク・ステージが、前記上部電極側に前記シャドーマスクを支持した状態で、前記プラズマ源が前記シャドーマスクにプラズマを照射するクリーニングモードと、を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記シャドーマスク・ステージが、前記上部電極側に絶縁性の支持部材を備え、
前記支持部材が前記シャドーマスクを前記上部電極に接するように支持した状態で、前記プラズマ源が前記シャドーマスクにプラズマを照射する前記クリーニングモードを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項２において、
プラズマを照射している状態で、前記上部電極とシャドーマスク・ステージが電気的に絶縁され、且つ前記上部電極から前記下部電極までの距離Ｄ１に比べて、前記上部電極と電位が等しい部分から接地された前記シャドーマスク・ステージまでの距離Ｄ２が短く、Ｄ２がＤ１の０．５倍以下であることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項２乃至３のいずれか一において、
前記上部電極の温度調節機構を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
除去室と、
前記除去室に互いに離れて接続される第１の仕切り弁と第２の仕切り弁と、
前記第１の仕切り弁と前記第２の仕切り弁と接続される成膜室と、
前記成膜室内に設けられた蒸着源と、
前記除去室内に設けられたプラズマ源と、
前記プラズマ源が照射するプラズマに照射されるようにシャドーマスクを支持するシャドーマスク・ステージと、
被成膜体と前記被成膜体の一部を覆うシャドーマスクを重ね合わせた状態で、前記蒸着源から成膜材料が噴出する領域を移動するシャドーマスク搬送機構と、を有し、
前記シャドーマスク搬送機構が、前記被成膜体が重ね合わされた状態の前記シャドーマスクを移動して、前記蒸着源が噴出する前記成膜材料を前記被成膜体に成膜する成膜モードと、
前記シャドーマスク・ステージが、上部電極側に前記シャドーマスクを支持した状態で、前記プラズマ源が前記シャドーマスクにプラズマを照射するクリーニングモードと、を有し、
前記シャドーマスクが前記除去室内を搬送される距離が、前記シャドーマスクが前記成膜室内を搬送される距離に比べて短いことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記シャドーマスク・ステージ、前記プラズマ源を、独立して備える前記除去室を複数有することを特徴とする成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月17日(2016.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体と外部導体とを備え、電気信号を伝送するための同軸構造体が接続される多層配線基板であって、
第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の第１の面に形成される高周波信号線路であって、前記同軸構造体の前記中心導体と電気的に接続可能な接続部を有する高周波信号線路と、
前記第１の誘電体層の第２の面に形成されるグランド層と、
前記グランド層の一部を覆う第２の誘電体層とを備え、前記第２の誘電体層は、前記同軸構造体が前記多層配線基板に接続される際に該同軸構造体に対向する前記第１の誘電体層の縁部から離間した縁部を有し、前記第２の誘電体層の前記縁部は、前記第１の誘電体層の前記縁部よりも前記多層配線基板の内方に位置し、これにより前記第１の誘電体層の前記縁部と前記第２の誘電体層の前記縁部との間で前記グランド層のグランド露出部を露出させ、
前記グランド層は、前記グランド露出部において前記同軸構造体の前記外部導体と電気的に直接接続可能であり、
前記同軸構造体が前記多層配線基板に接続されるときに前記接続部の近傍で前記高周波信号線路が前記多層配線基板の外部に露出する
多層配線基板。
【請求項２】
前記グランド層の前記グランド露出部は、該グランド露出部に塗布された半田材、銀ペースト、及び導電性接着材のうちの少なくとも１つにより前記同軸構造体の前記外部導体と電気的に直接接続される、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記グランド層の前記グランド露出部は、前記同軸構造体の前記外部導体から延出する接触突起部により前記同軸構造体の前記外部導体と電気的に直接接続される、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記グランド露出部は、前記同軸構造体が接続されたときに該同軸構造体の前記中心導体の直下部分に位置する、請求項１から３のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記第２の誘電体層の表面に形成された、制御信号回路を形成するための制御信号層をさらに備えた。請求項１から４のいずれか一項に記載の多層配線基板。 
【請求項６】
前記同軸構造体は、前記多層配線基板に実装されるコネクタである、請求項１から５のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記第１の誘電体層の前記縁部は、前記同軸構造体が前記多層配線基板に接続されるときに前記同軸構造体に接触する、請求項１から６のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記高周波信号線路は、前記同軸構造体の前記中心導体と最短距離で電気的に接続可能である、請求項１から７のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記した課題を解決するため、本発明の一態様によれば、中心導体と外部導体とを備え、電気信号を伝送するための同軸構造体が接続される多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の第１の面に形成される高周波信号線路であって、前記同軸構造体の前記中心導体と電気的に接続可能な高周波信号線路と、前記第１の誘電体層の第２の面に形成されるグランド層と、前記グランド層の一部を覆う第２の誘電体層とを備えている。前記第２の誘電体層は、前記同軸構造体が前記多層配線基板に接続される際に該同軸構造体に対向する前記第１の誘電体層の縁部から離間した縁部を有する。前記第２の誘電体層の前記縁部は、前記第１の誘電体層の前記縁部よりも前記多層配線基板の内方に位置し、これにより前記第１の誘電体層の前記縁部と前記第２の誘電体層の前記縁部との間で前記グランド層のグランド露出部を露出させる。前記グランド層は、前記グランド露出部において前記同軸構造体の前記外部導体と電気的に直接接続可能であり、前記同軸構造体が前記多層配線基板に接続されるときに前記接続部の近傍で前記高周波信号線路が前記多層配線基板の外部に露出する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、第１の透光性半導体層、シリコン半導体層、および第２の透光性半導体層を有し、
前記第１の透光性半導体層は、前記一対の電極の一方と前記シリコン半導体層との間に位置し、
前記第２の透光性半導体層は、前記一対の電極の他方と前記シリコン半導体層との間に位置し、
前記第１の透光性半導体層は、ｐ型の導電型を有し、
前記シリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有し、
前記第２の透光性半導体層は、ｎ型の導電型を有し、
前記第１の透光性半導体層は、第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を主成分とする無機化合物を有し、
前記第２の透光性半導体層は、少なくともガリウムを含む酸化物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、前記シリコン半導体層は、非単結晶、非晶質、微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の透光性半導体層は、バンドギャップが２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記金属の酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、または酸化レニウムであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第２の透光性半導体層は、シリコンよりもバンドギャップが広く、且つｃ軸配向性を有する複数の結晶を有し、
前記結晶のｃ軸は、前記第２の透光性半導体層の上面に対して概略垂直な方向に揃うことを特徴とする光電変換装置。