【事件の表示】
　特願２０１４−２３１４１３「半導体装置の製造方法、及び、半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　９日出願公開、特開２０１５−　６５４５６、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）６月１０日を国際出願日とする出願である特願２０１４−５２１７６７号（以下、「原出願」という。）の一部を、平成２６年１１月１４日に新たな出願としたものであって、同年１１月１７日付で審査請求がなされ、平成２７年１０月２９日付で拒絶理由が通知され、平成２８年１月８日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年４月２８日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年６月２２日付で拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２８年１月８日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層の周囲に形成された第１の絶縁膜と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、ここで、前記柱状半導体層のフィン状半導体層に直交する方向の幅は前記フィン状半導体層の自身に直交する方向の幅と同じであり、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と、
前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と、
前記ゲート電極と前記ゲート配線の周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜と、ここで、前記ゲート電極の外側の幅と前記ゲート配線の幅は同じであり、
前記柱状半導体層の上部に形成された第１の拡散層と、
前記フィン状半導体層の上部と前記柱状半導体層の下部に形成された第２の拡散層と、
を有し、
前記柱状半導体層の中心は、前記ゲート配線に沿って延びる中心線上に位置することを特徴とし、
　前記ゲート配線上にコンタクトを有し、
　前記ゲート電極のゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向の厚さより、前記コンタクトが接続された前記ゲート配線の前記柱状半導体層に対して反対側の前記ゲート電極の端における前記ゲート電極の前記ゲート配線が延在する方向に対して水平な方向の厚さは厚いことを特徴とする半導体装置。」
第３　査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２７年１０月２９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１
・引用文献等　１−３
　引用文献１において、ゲート電極及びゲート配線は「レジスト１１６」によって、その位置（水平方向の厚さ）が決定されるため、ゲート電極及びゲート配線の厚さは、レジストの設計をかえることで、当業者が適宜変更できることに過ぎない。
　ここで、引用文献３（図１）は、「柱状半導体層１０５ｂ」からみると、「前記ゲート電極のゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向の厚さより、前記コンタクトが接続された前記ゲート配線の前記柱状半導体層に対して反対側の前記ゲート電極の端における前記ゲート電極の前記ゲート配線が延在する方向に対して水平な方向の厚さは厚い」構造となっており、引用文献１においてこのような厚みとするようにレジストの設計をかえることは、当業者であれば当然行えることである。
　その余の点は、前記拒絶理由通知書に記載のとおりである。
　また、出願人は、平成２８年１月８日付けの意見書において、
「通常、露光装置は合わせずれがあることから、引用文献１において、柱状シリコン層１０６とゲート電極１２０ａとゲート配線１２０ｂは合わせずれが生じます。従って、引用文献１において、柱状シリコン層１０６の中心は、ゲート配線１２０ｂに沿って延びる中心線上からずれた位置に存在することになります。」
と、主張している。
　出願人の主張について検討する。
　半導体装置の製造において、合わせずれは必ず起こるものではなく、また、合わせずれを極力少なくすることは当業者が当然目指すことであるため、引用文献１において、柱状半導体層の中心とゲート配線の中心線を合わせることは、当業者が当然目標とすることであり、合わせずれが起きずに、結果として中心線に合う構造とすることも当然起こることである。
　よって、出願人の主張は採用できない。
　さらには、出願人は、同意見書において、
「「２個のマスクで、フィン状半導体層、柱状半導体層、後にゲート電極とゲート配線となる第１のダミーゲート及び第２のダミーゲートを形成することができる。」という効果をそうするものです。」
とも、主張している。
　出願人の主張について検討する。
　出願人の主張する効果は、製造方法上の効果であるが、本願の請求項１に係る発明は、「半導体装置」であるため物の発明である。
　そして、請求項１の「半導体装置」の構造自体は、上述の記載及び前記拒絶理由通知書の記載のように、当業者であれば容易に相当できるものであり、出願人の主張する効果による製造方法を経なくても、製造できるものである。
　よって、本願の請求項１に係る発明に、進歩性が肯定できる程の格段の効果が存在しているとは認められない。
　よって、出願人の主張は採用できない。
　よって、請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２、３に記載された技術に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.国際公開第２０１３／０６９１０２号
２.国際公開第２００９／１１００５０号
３.特開２０１０−２５１５８６号公報」
２　拒絶理由通知の概要
　平成２７年１０月２９日付拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（進歩性）について
・請求項　１
・引用文献等　１−３
・備考
　引用文献１（段落［００１８］−段落［００６２］、図１−図４２）には、「フィン状シリコン層１０３」（フィン状半導体層に相当）、「柱状シリコン層１０６」（柱状半導体層に相当）、「ゲート絶縁膜１１３」（ゲート絶縁膜に相当）、「金属ゲート電極１２０ａ」（ゲート電極に相当）、「金属ゲート配線１２０ｂ」（ゲート配線に相当）を有するＳＧＴが記載されている。
　引用文献１は、「金属ゲート電極１２０ａ」と「金属ゲート配線１２０ｂ」との幅が異なるが、ＳＧＴにおいてゲート電極とゲート配線の幅を等しくすることは引用文献２（段落［００８６］、図３４、図３５）、引用文献３（段落［００４３］−段落［００４５］、図１）に記載されているように周知技術であるため、引用文献１に当該周知技術を適用することは当業者が容易になし得たものである。
　また、引用文献１はゲートラストプロセスにより形成されるものであるが、「ゲート絶縁膜１１３」はダミーゲート形成前に形成されるため、ゲート電極及びゲート配線の周囲に形成されていない点で本願の請求項１に係る発明と相違する。
　ここで、引用文献２（段落［００８６］、図３４、図３５）には、ゲートラストプロセスによりＳＧＴを形成する際に、ダミーゲートを除去してからゲート絶縁膜を形成することで、ゲート電極及びゲート配線の周囲にもゲート絶縁膜を有する構成とする技術が開示されており、引用文献１に当該技術を用いることは、当業者が容易になし得たことである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.国際公開第２０１３／０６９１０２号
２.国際公開第２００９／１１００５０号（周知技術を示す文献）
３.特開２０１０−２５１５８６号公報（周知技術を示す文献）」
第４　原査定の理由についての当審の判断
１　引用文献
（１）引用例１について
ア　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第２０１３／０６９１０２号（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「[0017]
［図１］（ａ）は本発明に係る半導体装置の平面図である。
・・・　後　略　・・・」
（イ）「[0056]図３８に示すように、
金属を堆積し、コンタクト
１２８を形成する。
（ウ）「[0061]上記製造方法の結果を図１に示す。
　
基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３と、
　
フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４と
　
フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６と、
　
柱状シリコン層１０６の直径はフィン状シリコン層１０３の幅と同じであって、
　
フィン状シリコン層１０３の上部と柱状シリコン層１０６の下部に形成された拡散層１１２と、
　
柱状シリコン層１０６の上部に形成された拡散層１１０と、
　
フィン状シリコン層１０３の上部の拡散層１１２の上部に形成されたシリサイド１１８と、
　
柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３と、
　
ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａと
　
金属ゲート電極１２０ａに接続されたフィン状シリコン層１０３に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂと、
　
拡散層１１０上に形成されたコンタクト１２７とを有し、
　
拡散層１１０とコンタクト１２７とは直接接続する構造となる。
[0062]以上から、ゲート配線と基板間の寄生容量を低減し、ゲートラストプロセスであるＳＧＴの製造方法とその結果であるＳＧＴの構造が提供されうる。」
（エ）図１
イ　引用例１発明について
　上記ア（エ）から、引用例１に記載された発明は、金属ゲート電極１２０ａの外側の幅と金属ゲート配線１２０ｂの幅は異なっており、また、柱状シリコン層１０６の中心は、金属ゲート配線１２０ｂに沿って延びる中心線上に位置しており、さらに、金属ゲート電極１２０ａの金属ゲート配線１２０ｂが延在する方向に対して垂直な方向の厚さと、コンタクト１２８が接続された金属ゲート配線１２０ｂの柱状シリコン層１０６に対して反対側の金属ゲート電極１２０ａの端における金属ゲート電極１２０ａの金属ゲート配線１２０ｂが延在する方向に対して水平な方向の厚さは略等しいことがわかる。
　してみると、上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３と、
　フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４と、
　フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６と、
　柱状シリコン層１０６の直径はフィン状シリコン層１０３の幅と同じであって、
　フィン状シリコン層１０３の上部と柱状シリコン層１０６の下部に形成された拡散層１１２と、
　柱状シリコン層１０６の上部に形成された拡散層１１０と、
　フィン状シリコン層１０３の上部の拡散層１１２の上部に形成されたシリサイド１１８と、
　柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３と、
　ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａと、
　金属ゲート電極１２０ａに接続されたフィン状シリコン層１０３に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂと、
　拡散層１１０上に形成されたコンタクト１２７と、
　金属ゲート配線１２０ｂ上に形成されたコンタクト１２８とを有し、
　拡散層１１０とコンタクト１２７とは直接接続する構造となり、
　柱状シリコン層１０６の中心は、金属ゲート配線１２０ｂに沿って延びる中心線上に位置しており、
　金属ゲート電極１２０ａの外側の幅と金属ゲート配線１２０ｂの幅は異なっており、
　金属ゲート電極１２０ａの金属ゲート配線１２０ｂが延在する方向に対して垂直な方向の厚さと、コンタクト１２８が接続された金属ゲート配線１２０ｂの柱状シリコン層１０６に対して反対側の金属ゲート電極１２０ａの端における金属ゲート電極１２０ａの金属ゲート配線１２０ｂが延在する方向に対して水平な方向の厚さは略等しいことを特徴とする半導体装置。」
（２）引用例２について
　原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第２００９／１１００５０号（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　引用例２の記載について
（ア）「[0052]
図４１（ａ）は本発明を用いて形成されたＮＭＯＳ　ＳＧＴの平面図であり、図３７（ｂ）は、図３７（ａ）のカットラインＡ−Ａ'に沿った断面図である。以下に図４１を参照して、本発明を用いて形成されたＮＭＯＳ　ＳＧＴについて説明する。
Ｓｉ基板１１１上に形成されたＢＯＸ層１２０上に、平面状シリコン層１１２が形成され、平面状シリコン層１１２上に柱状シリコン層１１３が形成され、柱状シリコン層１１３の周囲にゲート絶縁膜１４５およびゲート電極１４７が形成されている。柱状シリコン層の下部の平面状シリコン層１１２には、Ｎ＋ドレイン拡散層２００が形成され、柱状シリコン層の上部にはＮ＋ソース拡散層２０１が形成されている。Ｎ＋ドレイン拡散層２００上にはコンタクト１７９が形成され、Ｎ＋ソース拡散層２０１上にはコンタクト１７８が形成され、ゲート電極１４７aより延在するゲート配線１４７ｂ上にはコンタクト１７７が形成されている。
 ＷａＷｐ+Ｗｏｘ+Ｗｇ+Ｗｓ　式（１）
ここでＷａはシリコン柱１１３の中心から平面シリコン層１１２の端までの長さ、Ｗｐはシリコン柱１１３の中心から側壁までの長さ、Ｗｏｘはゲート酸化膜１４５の厚さ、Ｗｇはゲート電極１４７の幅、Ｗｓは窒化膜サイドウォール１３３の幅である。
Ｎ＋ソース拡散層をＧＮＤ電位に接続し、Ｎ＋ドレイン拡散層をＶｃｃ電位に接続し、ゲート電極に０〜Ｖｃｃの電位を与えることにより上記ＳＧＴはトランジスタ動作を行う。また、柱状シリコン層の上部に形成されるＮ＋拡散層がＮ＋ソース拡散層であり、柱状シリコン層下部の平面状シリコン層に形成されるＮ＋拡散層がＮ＋ドレイン拡散層でもよい。
[0053]以下に本発明の
ＳＧＴを形成するための製造方法の一例を図１−図３５を参照して説明する。
・・・　中　略　・・・
[0085]図３３を参照して、
ダミーゲート電極１４１とポリシリコン層１４２をドライエッチングする。さらに、シリコン酸化膜１２４をウェットエッチングにより除去する。
[0086]図３４を参照して、
high-kゲート酸化膜１４５を成膜する。さらに、メタルゲート層１４７を成膜し、ＣＭＰで平坦化する。
（イ）図４１
イ　引用例２記載事項について
　上記ア（イ）から、引用例２に記載された発明のゲート酸化膜１４５は、ゲート電極１４７ａとゲート配線１４７ｂの周囲と底部に形成されていることがわかるとともに、ゲート電極１４７ａの幅と、ゲート配線１４７ｂの幅は同じであることがわかる。
　してみると、上記アの記載から、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ＮＭＯＳ　ＳＧＴにおいて、
　Ｓｉ基板１１１上に形成されたＢＯＸ層１２０上に、平面状シリコン層１１２が形成され、
　平面状シリコン層１１２上に柱状シリコン層１１３が形成され、
　柱状シリコン層１１３の周囲にゲート絶縁膜１４５およびゲート電極１４７が形成され、
　柱状シリコン層の下部の平面状シリコン層１１２には、Ｎ＋ドレイン拡散層２００が形成され、
　柱状シリコン層１１３の上部にはＮ＋ソース拡散層２０１が形成され、
　Ｎ＋ドレイン拡散層２００上にはコンタクト１７９が形成され、
　Ｎ＋ソース拡散層２０１上にはコンタクト１７８が形成され、
　ゲート電極１４７ａより延在するゲート配線１４７ｂ上にはコンタクト１７７が形成されており、
　ゲート酸化膜１４５は、ゲート電極１４７ａとゲート配線１４７ｂの周囲と底部に形成されており、
　ゲート電極１４７ａの幅と、ゲート配線１４７ｂの幅は同じであること。」
（３）引用例３について
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０１０−２５１５８６号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　引用例３の記載について
（ア）「【００４３】
〔実施の形態１〕
　単体ＳＧＴのゲート長Ｌｓの２倍のゲート長（２Ｌｓ）を持つトランジスタの構造を以下に示す。
　図１（ａ）は２Ｌｓのゲート長を持つＮＭＯＳＳＧＴの平面図、同図（ｂ）は、（ａ）のカットラインＡ−Ａ’に沿って切った断面図である。以下に図１を参照して、２Ｌｓのゲート長を持つ
ＮＭＯＳＳＧＴ
【００４４】
　
埋め込み酸化膜層１０１上に平面状シリコン層１０２が形成され、平面状シリコン層１０２上には柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）が形成され、柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）の下部の平面状シリコン層１０２にはＮ＋下部拡散層１０３が形成され、柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）の周囲にゲート絶縁膜１０７およびゲート電極１０８が形成されている。ゲート電極はコンタクト１１７によって配線層１２２に接続される。柱状シリコン層１０５ａの上部にはＮ＋ソース拡散層１０９ａが形成され、コンタクト１１５によってソース電極である配線層１２０に接続され、柱状シリコン層１０５ｂの上部にはＮ＋ソース拡散層１０９ｂが形成され、コンタクト１１６によってドレイン電極である配線層１２１に接続される
【００４５】
　図１のＳＧＴにおいては、柱状シリコン層１０５ａにより形成される第１のＳＧＴと柱状シリコン層１０５ｂにより形成される第２のＳＧＴが直列に接続されているため、実質的にゲート長が２ＬｓであるＳＧＴとして動作する。」
（イ）図１
イ　引用例３記載事項について
　上記ア（イ）から、引用例３に記載された発明は、コンタクト１１７ないし柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）の並んだ方向に対して垂直な方向で、ゲート電極の幅は同じであることがわかる。
　してみると、上記アの記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ＮＭＯＳＳＧＴにおいて、
　埋め込み酸化膜層１０１上に平面状シリコン層１０２が形成され、
　平面状シリコン層１０２上には柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）が形成され、
　柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）の下部の平面状シリコン層１０２にはＮ＋下部拡散層１０３が形成され、
　柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）の周囲にゲート絶縁膜１０７およびゲート電極１０８が形成され、
　ゲート電極はコンタクト１１７によって配線層１２２に接続され、
　柱状シリコン層１０５ａの上部にはＮ＋ソース拡散層１０９ａが形成され、
　コンタクト１１５によってソース電極である配線層１２０に接続され、
　柱状シリコン層１０５ｂの上部にはＮ＋ソース拡散層１０９ｂが形成され、
　コンタクト１１６によってドレイン電極である配線層１２１に接続されており、
　コンタクト１１７ないし柱状シリコン層（１０５ａ、１０５ｂ）の並んだ方向に対して垂直な方向で、ゲート電極の幅は同じであること。」
２　対比・判断
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
ア　引用例１発明の「基板１０１」、「フィン状シリコン層１０３」、「第１の絶縁膜１０４」、「柱状シリコン層１０６」、「ゲート絶縁膜１１３」、「金属ゲート電極１２０ａ」、「金属ゲート配線１２０ｂ」、「拡散層１１０」、「拡散層１１２」、および、「コンタクト１２８」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「フィン状半導体層」、「第１の絶縁膜」、「柱状半導体層」、「ゲート絶縁膜」、「ゲート電極」、「ゲート配線」、「第１の拡散層」、「第２の拡散層」、および、「コンタクト」に相当する。
イ　引用例１発明の「柱状シリコン層１０６の直径はフィン状シリコン層１０３の幅と同じであ」ることの「柱状シリコン層１０６の直径」および「フィン状シリコン層１０３の幅」は、本願発明の「前記柱状半導体層のフィン状半導体層に直交する方向の幅」および「前記フィン状半導体層の自身に直交する方向の幅」に相当するから、引用例１発明も、本願発明の「前記柱状半導体層のフィン状半導体層に直交する方向の幅は前記フィン状半導体層の自身に直交する方向の幅と同じであ」ることと同様の構成を有していると認められる。
　そうすると、本願発明１と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層の周囲に形成された第１の絶縁膜と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、ここで、前記柱状半導体層のフィン状半導体層に直交する方向の幅は前記フィン状半導体層の自身に直交する方向の幅と同じであり、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と、
前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と、
前記柱状半導体層の上部に形成された第１の拡散層と、
前記フィン状半導体層の上部と前記柱状半導体層の下部に形成された第２の拡散層と、
を有し、
前記柱状半導体層の中心は、前記ゲート配線に沿って延びる中心線上に位置することを特徴とし、
　前記ゲート配線上にコンタクトを有する半導体装置。」
［相違点１］
　本願発明の「ゲート絶縁膜」は、「前記ゲート電極と前記ゲート配線の周囲と底部に形成され」ているのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明は「前記ゲート電極の外側の幅と前記ゲート配線の幅は同じであ」るのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
［相違点３］
　本願発明は「前記ゲート電極のゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向の厚さより、前記コンタクトが接続された前記ゲート配線の前記柱状半導体層に対して反対側の前記ゲート電極の端における前記ゲート電極の前記ゲート配線が延在する方向に対して水平な方向の厚さは厚」くなっているのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
（２）当審の判断
［相違点３］について検討する。
　引用例１は、「金属ゲート電極１２０ａの金属ゲート配線１２０ｂが延在する方向に対して垂直な方向の厚さと、コンタクト１２８が接続された金属ゲート配線１２０ｂの柱状シリコン層１０６に対して反対側の金属ゲート電極１２０ａの端における金属ゲート電極１２０ａの金属ゲート配線１２０ｂが延在する方向に対して水平な方向の厚さは略等しい」から、引用例１の記載から、本願発明の「前記ゲート電極のゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向の厚さより、前記コンタクトが接続された前記ゲート配線の前記柱状半導体層に対して反対側の前記ゲート電極の端における前記ゲート電極の前記ゲート配線が延在する方向に対して水平な方向の厚さは厚」くする構成を、当業者が容易に想起することができたとは認められない。
　また、引用例２および３には、「前記ゲート電極のゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向の厚さより、前記コンタクトが接続された前記ゲート配線の前記柱状半導体層に対して反対側の前記ゲート電極の端における前記ゲート電極の前記ゲート配線が延在する方向に対して水平な方向の厚さは厚」くすることについて記載されていない。
　そうすると、引用例２および３の記載から、引用例１発明において、上記［相違点３］について、本願発明の構成を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明は、特に［相違点３］を有することによって、ゲート配線が延在する方向に対して垂直な方向のゲート電極の厚さをレジストの合わせずれ以下とすることができるという格別の効果を有するものであるから、［相違点３］に係る構成は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そうすると、本願発明は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　原査定の理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第５　結語
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。