【事件の表示】
　特願２０１２−５５７２４５「周期的な酸化およびエッチングのための装置と方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月１５日国際公開、ＷＯ２０１１／１１２８０２、平成２５年　６月１３日国内公表、特表２０１３−５２２８８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年３月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年３月１０日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年１０月２５日　　翻訳文の提出
　平成２６年　３月１０日　　審査請求、手続補正書の提出
　平成２６年１２月１６日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　４月２２日　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２７年１０月　５日　　拒絶査定（起案日）
　平成２８年　２月１０日　　審判請求、手続補正書の提出
　
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年２月１０日に提出された手続補正書によりなされた手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正の概要
平成２８年２月１０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、本願の特許請求の範囲を補正するものであって、その概要は、独立請求項である請求項１、請求項８及び請求項１１を、以下のとおりに補正するものである。
＜本件補正前＞
「　【請求項１】
　基板を処理する装置であって、
　基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、
　前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システムと、
　前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、少なくとも１つの不活性ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源と、
　前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源と、
　前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源と
を備える装置。」
「　【請求項８】
　基板上に材料層を成形する方法であって、
　（ａ）処理チャンバ内で材料層の表面を処理して酸化物または窒化物含有層を形成するステップと、
　（ｂ）前記酸化物または窒化物含有層の形成を終了するステップと、
　（ｃ）（ａ）と同じ処理チャンバ内でエッチングプロセスによって前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップと、
　（ｄ）前記材料層が所望の形状に形成されるまで、前記同じ処理チャンバ内で（ａ）から（ｃ）を繰り返すステップと
を含む方法。」
「　【請求項１１】
　材料層に周期的な酸化およびエッチングのプロセスを実行する装置であって、
　内部に処理領域を画定する複数の壁を有し、前記処理領域内に材料層を有する基板を保持する基板支持体を含む処理チャンバと、
　前記処理チャンバと流体連通して、酸素含有ガス、不活性ガス、およびエッチングガスを前記処理チャンバ内へ供給する酸素含有ガス供給、不活性ガス供給、およびエッチングガス供給と、
　前記処理チャンバおよび前記エッチングガスと流体連通して、前記チャンバから遠隔でエッチングプラズマを形成し、導管と流体連通して、前記エッチングプラズマを前記チャンバ内へ送達する遠隔プラズマ源と、
　前記チャンバ内の前記基板を、１００℃を上回る第１の温度まで加熱する加熱システムと、
　前記チャンバ内の前記基板を前記第１の温度未満の第２の温度まで冷却する冷却システムと、
　前記第１の温度と前記第２の温度との間で前記チャンバ内の前記基板を循環させる制御システムと
を備える装置。」
＜本件補正後＞
「　【請求項１】
　基板を処理する装置であって、
　基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、
　前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システムと、
　前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、少なくとも１つの不活性ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源であって、前記少なくとも１つのエッチングガスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含むガス源と、
　前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源と、
　前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで１０秒未満で急速に加熱する熱源とを備える装置。」
「　【請求項８】
　基板上に材料層を成形する方法であって、
　（ａ）処理チャンバ内で材料層の表面を２００℃〜１０００℃の範囲内である第２の温度で処理して酸化物または窒化物含有層を形成するステップと、
　（ｂ）前記酸化物または窒化物含有層の形成を終了するステップと、
　（ｃ）（ａ）と同じ処理チャンバ内で５０℃を下回る第１の温度でのエッチングプロセスによって前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップであって、前記エッチングプロセスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む除去するステップと、
　（ｄ）前記材料層が所望の形状に形成されるまで、前記同じ処理チャンバ内で（ａ）から（ｃ）を繰り返すステップであって、前記第１の温度から前記第２の温度への温度の変化が１０秒未満で起こる繰り返すステップと
を含む方法。」
「　【請求項１１】
　材料層に周期的な酸化およびエッチングのプロセスを実行する装置であって、
　内部に処理領域を画定する複数の壁を有し、前記処理領域内に材料層を有する基板を保持する基板支持体を含む処理チャンバと、
　前記処理チャンバと流体連通して、酸素含有ガス、不活性ガス、およびエッチングガスを前記処理チャンバ内へ供給する酸素含有ガス供給、不活性ガス供給、およびエッチングガス供給と、
　前記処理チャンバおよび前記エッチングガスと流体連通して、前記チャンバから遠隔でエッチングプラズマを形成し、導管と流体連通して、前記エッチングプラズマを前記チャンバ内へ送達する遠隔プラズマ源であって、前記エッチングプラズマがアンモニア、三フッ化窒素およびキャリアガスの混合物を含み、前記混合物は０．０５体積％〜２０体積％がアンモニアおよび三フッ化窒素である遠隔プラズマ源と、
　前記チャンバ内の前記基板を、１００℃を上回る第１の温度まで加熱する加熱システムと、
　前記チャンバ内の前記基板を前記第１の温度未満の第２の温度まで冷却する冷却システムと、
　前記第１の温度と前記第２の温度との間で前記チャンバ内の前記基板を循環させる制御システムであって、前記加熱システムが前記基板を前記第２の温度から前記第１の温度への温度へ１０秒未満で急速に加熱する制御システムと
を備える装置。」
（２）補正事項
　請求項１についての補正事項を整理すると次のとおりとなる。
　ア　補正事項１
　本件補正前の「少なくとも１つのエッチングガス」について、本件補正後は「前記少なくとも１つのエッチングガス」は「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む」と補正する。
　イ　補正事項２
　本件補正前の「前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源」を、本件補正後は「前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで１０秒未満で急速に加熱する熱源」と補正する。
　
　請求項８についての補正事項を整理すると次のとおりとなる。
　ウ　補正事項３
　本件補正前の「材料層の表面を処理して酸化物または窒化物含有層を形成する」を、本件補正後は「材料層の表面を２００℃〜１０００℃の範囲内である第２の温度で処理して酸化物または窒化物含有層を形成する」と補正する。
　エ　補正事項４
　本件補正前の「エッチングプロセス」を、本件補正後は「５０℃を下回る第１の温度でのエッチングプロセス」と補正する。
　オ　補正事項５
　本件補正前の「エッチングプロセスによって前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップ」を、本件補正後は「エッチングプロセスによって前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップであって、前記エッチングプロセスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む除去するステップ」と補正する。
　カ　補正事項６
　本件補正前の「繰り返すステップ」について、本件補正後は「繰り返すステップであって、前記第１の温度から前記第２の温度への温度の変化が１０秒未満で起こる繰り返すステップ」と補正する。
　請求項１１についての補正事項を整理すると次のとおりとなる。
　キ　補正事項７
　本件補正前の「エッチングプラズマ」について、本件補正後は「前記エッチングプラズマがアンモニア、三フッ化窒素およびキャリアガスの混合物を含み、前記混合物は０．０５体積％〜２０体積％がアンモニアおよび三フッ化窒素である」と補正する。
　ケ　補正事項８
　本件補正前の「加熱システム」について、本件補正後は「前記加熱システムが前記基板を前記第２の温度から前記第１の温度への温度へ１０秒未満で急速に加熱する」と補正する。
　
２　新規事項の追加の有無
　特許法第１８４条の４第１項の規定により提出された翻訳文は、同法第１８４条の６第２項の規定により、本願に係る国際出願日における願書に添付して提出した明細書、特許請求の範囲又は図面とみなされるところ、平成２４年１０月２５日付けで提出された翻訳文は、本願の願書に最初に添付して提出した明細書、特許請求の範囲又は図面の翻訳文（以下「翻訳文」という。）であると認められる。
　以下、補正事項１ないし補正事項８が、翻訳文に記載した事項の範囲内でなされたかどうか検討する。
（１）補正事項１について
　補正事項１は、翻訳文における、段落【０１７３】の「処理チャンバ１８００内で実行される、アンモニア（ＮＨ３）および三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス混合物を使用して酸化物層を除去する例示的な乾式エッチングプロセスについて、次に説明する。」、段落【０２３５】の「特定の変形形態では、エッチングガスはフッ素含有ガスを含む。１つの特定の変形形態では、エッチングガスは、アンモニア（ＮＨ３）、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、および無水フッ化水素（ＨＦ）の１つまたは複数を含む。」等の記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項１は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（２）補正事項２について
　補正事項２は、翻訳文における、段落【００７０】の「熱制御システムは、基板温度を摂氏約３０度（凝固を容易にする）から少なくとも摂氏約１００度（昇華を容易にする）まで急速（たとえば、約１秒未満、または最高約１０秒、もしくは最高約１００秒）に変化させるのに適している。」、段落【０１０８】の「ＲＴＰ装置１５００は、摂氏２５〜１００度／秒の速度でウエハまたは基板１５２０の温度を傾斜させることが可能」という記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項２は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（３）補正事項３について
　補正事項３は、翻訳文における、段落【００１１】の「酸化プロセスは、約２００℃〜８００℃、より具体的には約３００℃〜５００℃の温度で実行され」、段落【０２１６】の「適した酸化ガスは、酸素、オゾン、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、またはＮ２Ｏ、ＮＯ、もしくはＮＯ２などの酸化窒素種の１つまたは複数を含むことができる。酸化ガスは、適当に低い圧力でチャンバ内へ導入される。次いでチャンバは、材料表面上に酸化物層が成長するように、適当な温度まで加熱される。１つまたは複数の実施形態では、チャンバ温度は、約２００℃〜約８００℃の範囲内で加熱される。特定の実施形態では、チャンバは、約３００℃〜約４００℃の範囲内で加熱される。」、段落【０２２１】〜【０２２２】の「基板を第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源とを備える装置を提供」し、「別の変形形態では、第２の温度は、約２００℃〜１０００℃の範囲内である。」という記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項３は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（４）補正事項４について
　補正事項４は、翻訳文における、特許請求の範囲の請求項５における「約５０℃を下回る温度で前記エッチングプロセスの少なくとも一部分を実行する」、段落【００１１】の「エッチングプロセスは、約５０℃未満、具体的には約４０℃未満、より具体的には約２５℃〜３５℃の範囲内で実行される処理と、それに続いて約１００℃を超過し、たとえば約１００℃〜約２００℃の範囲内の温度で実行されるステップとを含む。」、段落【０１２９】の「エッチングは、約３０℃±５℃でＮＨ３／ＮＦ３反応を使用して直流プラズマを用いて行われる。昇華反応は、基板を１ミリトル〜約１０トルの範囲内の圧力で少なくとも約１分間、少なくとも約１００℃まで加熱することによって実現することができる。」等の記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項４は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（５）補正事項５について
　本件補正後の請求項８の「エッチングプロセスによって前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップであって、前記エッチングプロセスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む除去するステップ」という記載、特に「前記エッチングプロセスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む」という記載は、必ずしも明確でない。しかしながら、技術常識を参酌すれば、本件補正後の請求項８の前記記載は、「エッチングプロセスによって前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップ」が、「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物」をエッチャントとして用いる「前記エッチングプロセス」によって「前記酸化物または窒化物含有層の少なくとも一部を除去するステップ」であるという意味であると解される。そして、この理解は、以下のとおり、翻訳文の記載とも整合している。
　翻訳文には、段落【００２４】に「１つの非限定的で例示的な乾式エッチングプロセスは、遠隔プラズマによるアンモニア（ＮＨ３）もしくは三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、または無水フッ化水素（ＨＦ）ガス混合物を含むことができ、この混合物を低温（たとえば、約３０℃）のＳｉＯ２上で凝固させ、反応させて化合物を形成し、この化合物を適度な温度（たとえば、１００℃超）で昇華させてＳｉＯ２をエッチングする。」、段落【０１７３】に「処理チャンバ１８００内で実行される、アンモニア（ＮＨ３）および三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス混合物を使用して酸化物層を除去する例示的な乾式エッチングプロセス」、段落【０１７９】に「プラズマエネルギーは、アンモニアガスおよび三フッ化窒素ガスを解離して反応種にし、これらの反応種を組み合わせて、反応性の高いフッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）化合物および／またはフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を気相で形成する。これらの分子は、開口１８５６、１８６３、および１８６１を流れて、基板上の材料層の酸化物層と反応する。」、段落【０１８５】に「チャンバ１８００内の１つの非限定的で例示的な乾式エッチングプロセスは、アンモニア（ＮＨ３）もしくは三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、または無水フッ化水素（ＨＦ）ガス混合物を遠隔プラズマでプラズマ体積１８４９内へ供給することを含むことができ、この混合物を低温（たとえば、約３０℃）のＳｉＯ２上で凝固させ、反応させて化合物を形成し、その後、この化合物を適度な温度（たとえば、１００℃超）のチャンバ１８００内で昇華させてＳｉＯ２をエッチングする。」、段落【０２１５】には「チャンバ２１００内の１つの非限定的で例示的なエッチングプロセスは、アンモニア（ＮＨ３）もしくは三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、または無水フッ化水素（ＨＦ）ガス混合物を遠隔プラズマ源２１９２へ供給することを含むことができ、この混合物を低温（たとえば、約３０℃）のＳｉＯ２上で凝固させ、反応させて化合物を形成し、その後、この化合物を適度な温度（たとえば、１００℃超）のチャンバ２１００内で昇華させてＳｉＯ２をエッチングする。」と記載されている。
　ここで、翻訳文には、「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物」用いてエッチングできるのは「酸化物層」または「ＳｉＯ２」であることが記載されているだけであって、「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物」を用いて「窒化物含有層の少なくとも一部」をエッチングすることは、記載されていない。
　しかしながら、「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物」を用いて「窒化物含有層」を「除去」することは、以下に示す第２の４（６）イ（イ）〜（オ）において指摘するように周知・慣用の技術であり、翻訳文に記載されているのと同然な、当業者には自明な事項であると認められる。
　そうすると、補正事項５は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（６）補正事項６について
　本件補正後の請求項８の「繰り返すステップであって、前記第１の温度から前記第２の温度への温度の変化が１０秒未満で起こる繰り返すステップ」という記載は、「繰り返すステップ」において「前記第１の温度から前記第２の温度への温度の変化が１０秒未満で起こる」ということを意味すると認められる。
　そうすると、補正事項２についての検討と同じ理由により、補正事項６は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（７）補正事項７について
　翻訳文には、補正事項１の検討で指摘した記載に加え、段落【０１７６】の「ガス混合物には、パージガスまたはキャリアガスを追加することもできる。……いくつかの実施形態では、全体的なガス混合物は、約０．０５体積％〜約２０体積％がアンモニアおよび三フッ化窒素であり、残りはキャリアガスである。」と記載されている。
　したがって、補正事項７は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（８）補正事項８について
　補正事項２についての検討と同じ理由により、補正事項８は、翻訳文の記載に基づいていると認められる。
（９）新規事項の追加の有無のまとめ
　以上のとおり、補正事項１ないし補正事項８は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、本件補正は特許法第１７条の２第３項の規定に適合している。
３　補正の目的等について
（１）補正事項１について
　補正事項１の補正は、本願補正前の「少なくとも１つのエッチングガス」が「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項１の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（２）補正事項２について
　補正事項２の補正は、本件補正前の「前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源」が「前記基板」を「第２の温度まで１０秒未満で急速に加熱する熱源」であることを限定するものである。
　したがって、補正事項２の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（３）補正事項３について
　補正事項３の補正は、本件補正前の「材料層の表面」の「処理」が、「材料層の表面を２００℃〜１０００℃の範囲内である第２の温度で処理」するものであることを限定するものである。
　したがって、補正事項３の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（４）補正事項４について
　補正事項４の補正は、本件補正前の「エッチングプロセス」が、「５０℃を下回る第１の温度でのエッチングプロセス」であることを限定するものである。
　したがって、補正事項４の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（５）補正事項５について
　補正事項５の補正は、本件補正前の「エッチングプロセス」が、「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項５の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（６）補正事項６について
　補正事項６の補正は、本件補正前の「繰り返すステップ」において「前記第１の温度から前記第２の温度への温度の変化が１０秒未満で起こる」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項６の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（７）補正事項７について
　補正事項７の補正は、本件補正前の「エッチングプラズマ」が、「アンモニア、三フッ化窒素およびキャリアガスの混合物を含み、前記混合物は０．０５体積％〜２０体積％がアンモニアおよび三フッ化窒素である」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項７の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（８）補正事項８について
　補正事項８の補正は、本件補正前の「加熱システム」が、「前記基板を前記第２の温度から前記第１の温度への温度へ１０秒未満で急速に加熱する」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項８の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の減縮を目的とするものと認められる。
（９）発明の特別な技術的特徴について
　なお、補正事項１ないし２の補正が請求項１に係る発明の特別な技術的特徴を変更しないこと、補正事項３ないし６の補正が請求項８に係る発明の特別な技術的特徴を変更しないこと、補正事項７ないし８の補正が請求項１１に係る発明の特別な技術的特徴を変更しないことは、いずれも明らかである。
（１０）検討のまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項ないし第５項に規定する要件を満たす。
　
４　独立特許要件について
（１）検討の前提
　以上のとおり、補正事項１ないし補正事項８の本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的としている。
　そこで、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正が、いわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かを、請求項１に係る発明について検討する。
　
（２）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
「基板を処理する装置であって、
　基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、
　前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システムと、
　前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、少なくとも１つの不活性ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源であって、前記少なくとも１つのエッチングガスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含むガス源と、
　前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源と、
　前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで１０秒未満で急速に加熱する熱源とを備える装置。」
　
（３）引用例１の記載事項及び引用発明
　ア　引用例１の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００３−３０９１０８号公報（以下「引用例１」という。）には、「エッチング方法」（発明の名称）について、図１〜図１２とともに、次の事項が記載されている（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライプロセスにおいてもシリコン窒化膜（エッチングマスク）のパターンの間口を広くすることができるエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板上に形成された素子を電気的に分離する技術に、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）がある。ＳＴＩは、一般的に、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２膜をマスクとしてＳｉにトレンチを形成し、その中にＳｉＯ２を埋込み、最後にＣＭＰ（Chemical and Mechanical Polishing）によって平坦化することによって形成される。
【０００３】ＳＴＩでは、トレンチの形成において反応性イオンエッチング（Reaction IonEtching；ＲＩＥ）等のドライエッチングが用いられているが、半導体装置の微細化に伴い、結晶欠陥（ラディエーションダメージなど）や形状不良（ＲＩＥダメージ、ライナＳｉＯ２膜の不均一性、埋込みＳｉＯ２のボイドやシームなど）に起因する電気的リークの問題が生じる。このような不具合を防止するために、最近では、熱リン酸等のウェットプロセス（ウェットエッチング）によるプルバックによって、改善しようとしている。ここで、プルバックとは、後の工程において障害となるＳｉ３Ｎ４等のエッチングマスクの一部（ＳＴＩについてはＳｉＯ２埋込みの際の障害となるトレンチ近傍の部分）を除去する（後退させる）ことをいう。」
　（イ）「【００２５】
【発明の実施の形態】
少なくとも表面にシリコン（図２の２）及びシリコン窒化膜（図２の４）が露出する半導体基板（図２の１）
酸化工程により酸化された前記半導体基板を少なくともＯ
２
ガス及びＣＨ
２
Ｆ
２
ガスを含む反応ガスを用いてプラズマエッチングするエッチング工程
　（ウ）「【００２９】次に、実施例１に係るエッチング方法で用いる装置について説明する。実施例１では、図４のようなアッシング装置（アッシャ）を用いる。このアッシング装置１０は、
ガス供給源（図示せず）と流路として接続するプラズマ生成室１２
プラズマ生成室１２下のチャンバ１５内の反応ガス出口にイオントラップ用のグリッド１３を備えており
チャンバ１５内のグリッド１３下方には、半導体基板１が搭載されるとともに高周波誘導、ヒータ等の加熱手段によって加熱されるサセプタ１４を有する
【００３０】次に、実施例１のエッチング方法について説明する。ここでのエッチングは、ＳＴＩ形成工程におけるトレンチエッチングからトレンチ埋込みの間に行なわれるものである。図１（Ｆ）に示したトレンチ６が形成された
半導体基板１を図４に示したアッシング装置１０のサセプタ１４にセットして、以下の酸化工程及びプルバック工程を行なう
【００３１】まず、酸化工程を行なう。
酸化工程では、Ｏ
２
ガスのみを反応ガスとしてプラズマ放電によって励起された活性種Ｏ
＊
を半導体基板１に吹き付ける。これにより、シリコン窒化膜４の露出面（側壁面を含む）だったところから深さ３〜３０Å（０．３〜３ｎｍ）程度までには等方的に酸素成分が注入（酸化）され
【００３２】
【表１】（当審注：表１の記載内容は省略）
【００３３】次に、
プルバック工程（エッチング工程）
酸化工程で用いた同一チャンバ内で半導体基板の位置を変えることなく
Ｏ
２
−ＣＨ
２
Ｆ
２
系でのＯ
２
リッチ（Ｏ
２
ガスの流量が全ガス流量の８５〜９５％以上）な条件
プラズマエッチング（等方性エッチング）する
【００３４】これにより、後のＳｉＯ２埋込み工程において障害となるシリコン窒化膜４（エッチングマスク）の一部（特にトレンチ６近傍の側壁部分を含む）を選択的に除去（後退）させることができる。つまり、実質的にシリコン窒化膜４のみが等方的に後退したような形状（間口が広がったような形状）が得られる（図２（Ｃ）参照）。また、前記酸化工程を行なった後にプルバック工程を行なうと、前記酸化工程を行なわないでプルバック工程を行なう場合に比べ、エッチング速度を安定化させ、エッチングの選択比、エッチング量の均一性、制御性を向上させることができる。
【００３５】ここで、Ｓｉ３Ｎ４エッチング速度＞Ｓｉエッチング速度＞ＳｉＯ２エッチング速度であるため、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２の選択比は５以上得られる。
【００３６】なお、実施例１におけるプルバック工程の処理条件は表２に示す通りである。ここで、表２における選択比ＡはＳｉ３Ｎ４／Ｓｉの選択比、選択比ＢはＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２の選択比である。
【００３７】
【表２】（当審注：表２の記載内容は省略）
【００３８】ここで、プルバック工程によるプルバック量（シリコン窒化膜４の水平方向の後退量；図２（Ｃ）の幅Ｘ参照）について説明すると、ＳｉＯＮ膜４ａが膜厚１０Åである場合に、表２の処理条件でプルバック工程を行なうと、プルバック量＝４０（Å／ｍｉｎ）×２（ｍｉｎ）−１０Å＝７０Å程度となる。なお、ＳｉＯＮ／ＳｉＯ２の選択比は、ＳｉＯＮの組成が非化学量論的なため一定にならないが、ほぼ１と近似できる。
【００３９】プルバック工程の後、半導体基板を洗浄し（図３（Ａ）参照）、トレンチの内壁を酸化させ（図３（Ｂ）参照）、ＣＶＤによりＳｉＯ２９をトレンチに埋め込み（図３（Ｃ）参照）、シリコン窒化膜４をＣＭＰストッパとしてシリコン基板２が露出するまでＣＭＰにより半導体基板の表面が平坦化され、ＳＴＩ構造が得られる（図３（Ｄ）参照）。これにより、トレンチへの埋め込みが良好となり、ボイド等の発生を抑えることができる。」
　（エ）「【００４３】
シリコン窒化膜のエッチング
プラズマ励起反応によりＯ
２
ガスから活性種Ｏ
＊
、ＣＨ
２
Ｆ
２
ガスから活性種Ｆ
＊
がそれぞれ発生する
　（オ）「【００５１】次に、実施例２について図面を用いて説明する。図６は、本発明の実施例２に係るエッチング方法に用いるアッシング装置の構成を示した模式図である。
【００５２】実施例２で用いる半導体基板（酸化工程直前のもの）は、図１（Ｆ）の半導体基板１と同様である。また、実施例２で用いるアッシング装置２０の構成は、図４のアッシング装置におけるサセプタの代わりに加熱手段によって加熱されていない保持台２４を用い、
保持台２４に搭載された半導体基板１をその保持台側（裏面側）から３０〜２５０℃程度に加熱するランプ２６を備え
その他のコイル２１、プラズマ生成室２２、グリッド２３、チャンバ２５については図４のものと同様である
酸化工程の際にランプ２６をＯＮにして半導体基板１を２５０℃程度に加熱できる
プルバック工程の際にランプ２６をＯＦＦにして半導体基板１を３０℃程度にする
【００５３】次に、実施例２の工程について説明すると、半導体基板１をアッシング装置２０にセットし、
酸化工程を行ない、その後プルバック工程を行なう
【００５４】なお、実施例２における酸化工程の処理温度は２５０℃程度としているが、２００〜３５０℃程度であればよい。２００℃より低いと酸化工程の所要時間の短縮があまり見込まれず、３５０℃より高いと所要時間が短すぎ制御するのが難しくなったり、冷却に時間がかかりすぎたりするデメリットが考えられる。」
　（カ）「【００６１】次に、実施例５について説明する。実施例５のエッチング方法では、実施例１における酸化工程及びプルバック工程の繰り返し回数を調整する。各工程の処理条件は表１及び表２を参照されたい。なお、半導体基板は、図１（Ｆ）の半導体基板１と同様である。また、実施例７で用いるアッシング装置は、図４のアッシング装置１０と同様である。
【００６２】実施例５によれば、プルバック量（シリコン窒化膜のパターンの間口の大きさ）を広げる調整が可能である。例えば、酸化工程及びプルバック工程を３回繰り返すと、酸化工程及びプルバック工程の１回あたりのプルバック量が７０Å（７ｎｍ）である場合、７０Å×３回で２１０Å（２１ｎｍ）程度プルバックすることができる。なお、酸化工程及びプルバック工程の繰り返しは、エッチング装置の処理シーケンスにより繰り返すことが可能であり、ステップ毎に異なるエッチング装置若しくはチャンバ（反応室）を使用する必要はない。」
　（キ）引用例１の段落【００３２】に記載された表１には、「酸化工程の処理条件（実施例１）」における「サセプタ設定温度」は「３０〜５０℃」であること、「全圧（Ｏ２の圧力）」が「５００ｍＴｏｒｒ」であること、が記載されている。
　また、段落【００３７】に記載された表２には、「プルバック工程の処理条件（実施例１）」における「サセプタ設定温度」は「３０〜５０℃」であること、「Ｏ２の流量」は「９００ｓｃｃｍ」であり、「ＣＨ２Ｆ２の流量」は「７５ｓｃｃｍ」であること、が記載されている。
　イ　引用発明
　上記（オ）の「保持台２４に搭載された半導体基板１をその保持台側（裏面側）から３０〜２５０℃程度に加熱するランプ２６を備え、その他のコイル２１、プラズマ生成室２２、グリッド２３、チャンバ２５については図４のものと同様である」及び「酸化工程では、表１におけるサセプタ設定温度及び処理時間以外の他の処理条件を適用し、アッシング装置のランプ２６をＯＮにして処理温度を２５０℃程度にして行う。プルバック工程では、表２におけるサセプタ設定温度以外の他の処理条件を適用し、アッシング装置のランプ２６をＯＦＦにして処理温度を３０℃程度にして行う。」という記載によれば、引用例１の実施例２に係るアッシング装置２０は、実施例１に係るアッシング装置１０と比較すると、半導体基板１の支持手段と加熱手段が異なるとともに、当該アッシング装置で行う酸化工程におけるサセプタ設定温度及び処理時間とプルバック工程におけるサセプタ設定温度が異なるものの、その他の構成は同じであると認められる。
　そうすると、上記の（ア）〜（キ）から、引用例１には、実施例２に係るエッチング方法で用いるアッシング装置２０に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「少なくとも表面にシリコン及びシリコン窒化膜が露出する半導体基板１に酸化工程及びプルバック工程（エッチング工程）を行なうためのアッシング装置であって、
　前記半導体基板１が搭載される保持台２４を内部に有するチャンバ２５と、
　前記半導体基板１を前記保持台２４側（裏面側）から加熱し、前記酸化工程の際にＯＮにして前記半導体基板１を２５０℃程度に加熱し、前記プルバック工程の際にＯＦＦにして前記半導体基板１を３０℃程度にするランプ２６と、
　流路として接続されるプラズマ生成室２２のガス供給源であって、前記酸化工程ではＯ２ガスのみを反応ガスとして供給し、前記プルバック工程ではＯ２ガス及びＣＨ２Ｆ２ガスを反応ガスとして供給する前記ガス供給源と、
　前記チャンバ２５内の反応ガス出口に設けられるイオントラップ用のグリッド２３の上に設けられ、プラズマ放電によるプラズマ励起反応により、前記Ｏ２ガスから活性種Ｏ＊を、前記ＣＨ２Ｆ２ガスから活性種Ｆ＊をそれぞれ発生させるための前記プラズマ生成室２２と、
を備え、前記保持台２４にセットした半導体基板１の前記酸化工程を行ない、その後前記プルバック工程を行なうアッシング装置。」
（４）引用例２の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００８−１５９８９２号公報（以下「引用例２」という。）には、「パターン形成方法、および半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、図１〜図１２とともに、次の事項が記載されている。
　ア　「【００４０】
　
このプラズマ処理装置１００は
プラズマ酸化処理に好適に利用可能なもの
　プラズマ処理装置１００によりシリコン表面の酸化処理を行う際には、まず、ゲートバルブ２６を開にして搬入出口２５から初期パターン３００が形成されたウエハＷをチャンバー１内に搬入し、サセプタ２上に載置する。
【００４１】
　そして、
ガス供給系１６のＡｒガス供給源１７およびＯ
２
ガス供給源１８から、ＡｒガスおよびＯ
２
ガスを所定の流量でガス導入部材１５を介してチャンバー１内に導入し
処理ガス中の酸素の割合を調節することにより、プラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルの量を制御することができる。従って、シリコン表面に例えば初期パターン３００による凹凸が存在していても、凹部の奥に到達する酸素イオンや酸素ラジカルの量を調節できる
　処理ガスの流量は、Ａｒガス：５００〜１００００ｍＬ／ｍｉｎ、Ｏ２ガス：５〜１００ｍＬ／ｍｉｎの範囲から、全ガス流量に対する酸素の割合が上記値となるように選択することができる。」
　イ　「【００５５】
　以上のような大気圧プラズマエッチング装置１０１では、載置台６２と電極７２ａ，７２ｂとの距離Ｌ１を例えば５ｍｍに設定し、載置台６２に載置された
ウエハＷに形成されたシリコン酸化膜を、高密度のプラズマＰにより選択的にエッチングして除去する
【００５６】
　大気圧プラズマエッチング装置１０１を用いるエッチング条件は以下の通りである。
処理ガスとしては、例えばＨｅ、ＮＦ
３
、Ｈ
２
Ｏ（Ｈｅバブリングによる）を用いる
大気圧プラズマ処理では、上記以外のガスとして、例えばＡｒガスとＮＦ
３
とＮＨ
３
またはＮＦ
３
とＮ
２
とＨ
２
ガスを含むガス系を用いることができる
（５）対比
　ア　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「少なくとも表面にシリコン及びシリコン窒化膜が露出する半導体基板１」は補正発明の「基板」に相当し、引用発明の「酸化工程及びプルバック工程を行なう」ことは補正発明の「処理する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「少なくとも表面にシリコン及びシリコン窒化膜が露出する半導体基板１に酸化工程及びプルバック工程（エッチング工程）を行なうためのアッシング装置」は、補正発明の「基板を処理する装置」に相当する。
　（イ）引用発明の「前記半導体基板１が搭載される保持台２４」は、補正発明の「基板を支持する基板支持体」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記半導体基板１が搭載される保持台２４を内部に有するチャンバ２５」は、補正発明の「基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバ」に相当する。
　（ウ）引用発明は「前記半導体基板１を前記保持台２４側（裏面側）から加熱し、前記酸化工程の際にＯＮにして前記半導体基板１を２５０℃程度に加熱し、前記プルバック工程の際にＯＦＦにして前記半導体基板１を３０℃程度にするランプ２６」を有している。
　そうすると、引用発明は、「前記酸化工程の際」には「ランプ２６」を「ＯＮ」制御して「保持台２４」上の「半導体基板１を２５０℃程度に加熱」するとともに、「前記プルバック工程の際」には前記「ランプ２６」を「ＯＦＦ」制御して前記「半導体基板１を３０℃程度にする」、温度制御手段を有すると認められる。
　そして、この温度制御手段は、補正発明の「前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システム」に相当する。
　また、引用発明において、「酸化工程の際」の「前記半導体基板１」の「加熱」温度である「２５０℃程度」は、「前記プルバック工程」における「前記半導体基板１」温度である「３０℃程度」を上回る温度である。
　したがって、引用発明の前記「酸化工程の際にＯＮにして前記半導体基板１を２５０℃程度に加熱」する「ランプ２６」と、補正発明の「前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで１０秒未満で急速に加熱する熱源」とは、「前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度」まで「加熱する熱源」である点で共通する。
　（エ）引用発明の「アッシング装置」は、「ガス供給源」から供給された「Ｏ２ガス及びＣＨ２Ｆ２ガス」から、「流路として接続されるプラズマ生成室２２」において「プラズマ放電によるプラズマ励起反応」により「活性種Ｏ＊」及び「活性種Ｆ＊」を発生させ、これらの「活性種」により「チャンバ２５」の「内部」において「半導体基板１」に対する「酸化工程及びプルバック工程」を行うものである。
　そうすると、引用発明の「チャンバ２５」と「流路として接続されるプラズマ生成室２２」は流体連通しており、「ガス供給源」と前記「チャンバ２５」も、「プラズマ生成室２２」を「流路」として流体連通しているものと認められる。
　そして、前記「ガス供給源」から供給された「Ｏ２ガス」と「ＣＨ２Ｆ２ガス」は、「プラズマ生成室２２」において「プラズマ放電によるプラズマ励起反応」により反応性の高いプラズマ状態の「活性種」に「励起」されて「チャンバ２５」の「内部」に送り込まれるものである。
　ここで、引用発明の「Ｏ２ガス」は酸素含有ガスに他ならず、また、引用発明の「Ｏ２ガス及びＣＨ２Ｆ２ガス」は「プルバック工程（エッチング工程）」において「反応ガスとして供給」されるからエッチングガスであると認められる。
　したがって、引用発明の「流路として接続されるプラズマ生成室２２のガス供給源であって、前記酸化工程ではＯ２ガスのみを反応ガスとして供給し、前記プルバック工程ではＯ２ガス及びＣＨ２Ｆ２ガスを反応ガスとして供給する前記ガス供給源」と、補正発明の「前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、少なくとも１つの不活性ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源であって、前記少なくとも１つのエッチングガスがアンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含むガス源」とは、「前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス」および「少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源」である点で共通する。
　また、引用発明の「前記チャンバ２５内の反応ガス出口に設けられるイオントラップ用のグリッド２３の上に設けられ、プラズマ放電によるプラズマ励起反応により、前記Ｏ２ガスから活性種Ｏ＊を、前記ＣＨ２Ｆ２ガスから活性種Ｆ＊をそれぞれ発生させるための前記プラズマ生成室２２」は、補正発明の「前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源」に相当する。
　イ　一致点と相違点
　以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違している。
（一致点）
「基板を処理する装置であって、
　基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、
　前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システムと、
　前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源と、
　前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源と、
　前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源とを備える装置。」
　
（相違点）
　（相違点１）
　補正発明の「ガス源」は「少なくとも１つの不活性ガス」も送達するのに対して、引用発明の「ガス供給源」は「反応ガス」は供給するものの、「不活性ガス」を供給することは特定されていない点。
　（相違点２）
　補正発明の前記「少なくとも１つのエッチングガス」は「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物を含む」のに対して、引用発明は、このような特定を有していない点。
　（相違点３）
　補正発明の「熱源」は、前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで「１０秒未満で急速に」加熱するのに対して、引用発明において「ランプ２６」を「ＯＮにして前記半導体基板１を２５０℃程度に加熱」するときの昇温速度は不明である点。
（６）各相違点についての当審の判断
　ア　相違点１について
　（ア）プラズマ処理装置の処理ガスに窒素やアルゴン等の不活性ガスを含有させることは、第２の４（４）より、引用例２にみられるように当該技術分野では周知の技術（以下「周知技術１」という。）である。
　したがって、引用発明において、「ガス供給源」が供給するガスとして「反応ガス」に加えて不活性ガスも供給することは、周知技術１を参酌すれば、当業者であれば適宜になし得たものと認められる。
　イ　相違点２について
　（ア）引用例１には、第２の４（３）ア（ウ）で摘記したとおり、「【００３３】次に、プルバック工程（エッチング工程）を行なう。プルバック工程では、酸化工程で用いた同一チャンバ内で半導体基板の位置を変えることなく引き続きＯ２−ＣＨ２Ｆ２系でのＯ２リッチ（Ｏ２ガスの流量が全ガス流量の８５〜９５％以上）な条件で、プラズマエッチング（等方性エッチング）する。」、「【００３４】これにより、後のＳｉＯ２埋込み工程において障害となるシリコン窒化膜４（エッチングマスク）の一部（特にトレンチ６近傍の側壁部分を含む）を選択的に除去（後退）させることができる。」と記載されている。
　すなわち、引用発明において「プルバック工程（エッチング工程）」で「反応ガス」として用いる「Ｏ２ガス及びＣＨ２Ｆ２ガス」は、プラズマエッチングによりシリコン窒化膜を選択的に除去するためのエッチングガスである。
　（イ）そして、シリコン窒化膜を選択的にプラズマエッチングするための反応ガスとして、アンモニアと三フッ化窒素との混合物が含まれたガスを使用することは、以下に挙げる周知例１ないし周知例３にみられるように、プラズマエッチング技術において周知・慣用の技術（以下「周知技術２」という。）である。
　したがって、第２の４（３）ア（ウ）で摘記したとおりシリコン窒化膜４のみをプラズマエッチングするための工程である引用発明の「プルバック工程」において、供給する「反応ガス」として、「Ｏ２ガス及びＣＨ２Ｆ２ガス」に代えて、アンモニアと三フッ化窒素との混合物が含まれたガスを供給することは、単なる周知技術への転換にすぎないと認められ、周知技術２を参酌すれば、当業者であれば適宜になし得たものと認められる。
　（ウ）周知例１
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００９−５０６５３１号公報には、「磁気デバイスおよびその形成方法」（発明の名称）について、図１〜図６とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【００４７】
　次いで、第２のエッチング材料を使用して第２エッチングを実行し、エッチングを継続する。第２エッチング材料については、主として下層６１０および誘電体層６０６を選択的にエッチングし、残りの層（例えば、上層６１２）が実質的には作用を受けないように選ばれることが好ましい。例えば、第２エッチングで使用するのに適したエッチング材料としては、
窒化シリコンを選択的にエッチングし、二酸化シリコンはほんのわずかしかエッチングしないＣＨ
３
Ｆ／Ｏ
２
が挙げられるが、これに限定されない。あるいは、第２エッチングには、ＮＦ
３
／Ｏ
２
／ＮＨ
３
を用いてもよく、これは、極めて高い選択性（例えば、約１００対１よりも顕著な比）で窒化シリコンを選択し、二酸化シリコンは選択しない
このことは、例えば、Ｙｉｎｇ  Ｗａｎｇ  ａｎｄ  Ｌｅｒｏｙ  Ｌｕｏによる論文、「Ｕｌｔｒａｈｉｇｈ−Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｅｔｃｈ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ」，「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＪＶＳＴ）  Ａ」，１６巻，３号，ｐ．１５８２−１５８７（１９９８年５月）に記載されている
　（エ）周知例２
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２６４５１０号公報には、「シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置」（発明の名称）について、図１〜図９とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【００１５】上記構成の
ＣＤＥ装置において、ガス導入口１から導入された反応ガスがプラズマ化されて活性種（イオン、ラジカル）が生成され
寿命の長いラジカルのみが輸送管３を通過して前記処理室５の内部に導入され、半導体ウエハー６と反応してＣＤＥが行われる
ｂ　「【００４５】以上詳述したように、
フッ素を含むガスと、酸素ガスと、水素原子を含むガスとで構成される混合ガスを用いたＣＤＥにより、シリコン窒化膜をシリコンに対して選択的にエッチング除去する
【００４６】また、上記各実施例では、
Ｆ
＊
を生成するための原料ガスとして
ＮＦ
３
Ｆを含むガスならいずれでもよい
Ｈを含むガスとして
ＮＨ
３
のようにＨを含むガスならいずれでもよい
　（オ）周知例３
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００９−１５２５５０号公報には、「少なくとも１つの誘電体層を形成するための方法およびシステム」（発明の名称）について、図１〜図４とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【００２５】
　[0032]
誘電体層１２５、たとえば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）層の一部分を取り除く
エッチングプロセス１３０では、三フッ化窒素（ＮＦ
３
）
などのフッ素含有前駆体
アンモニア（ＮＨ
３
）
などの水素含有前駆体とを使用することができる
【００２６】
　[0033]一部の実施形態において、図２Ａのステップ２１０に記載されているように
プラズマを生成するための外部プラズマ発生器に、ＮＦ
３
、Ｈ
２
およびＨｅを提供する
【００２７】
　ＮＦ３＋Ｈ２→ＮＨｘＦｙ（またはＮＨｘＦｙ・ＨＦ）＋ＨＦ＋Ｆ
　[0034]次いで、
窒化ケイ素層の一部分をエッチングするためのエッチングチャンバに、プラズマを導入する
化ケイ素と相互作用して
副生成物、たとえば（ＮＨ
４
）
２
ＳｉＦ
６
を形成する
【００２８】
　ＮＨｘＦｙ・ＨＦ＋ＳｉＮ→（ＮＨ４）２ＳｉＦ６＋Ｎ２＋ＮＨ３　
　[0035]次いで、図２Ａのステップ２３０に記載されているように、
副生成物、（ＮＨ
４
）
２
ＳｉＦ
６
に熱プロセスを施して副生成物を分解するおよび／または昇華させる
副生成物の分解および／または昇華は、下記式のように表すことができる
【００２９】
　（ＮＨ４）２ＳｉＦ６→ＳｉＦ４＋ＮＨ３＋ＨＦ」
　ウ　相違点３について
　（ア）引用発明は、「酸化工程の際にＯＮにして前記半導体基板１を２５０℃程度に加熱」する加熱手段として「ランプ２６」を用いている。
　ここで、半導体の製造技術において、ランプを、基板を急速に加熱するための加熱手段として用いることは慣用手段であるから、引用例１には、「酸化工程の際」に「前記半導体基板１」を急速に「加熱」することが示唆されているといえる。
　（イ）そして、半導体の製造技術において、酸化工程を実行するために、ランプ加熱によって、半導体基板を、１００℃未満の温度を上回る温度にまで、１０秒未満で急速に加熱することは、以下に挙げる周知例４及び周知例５にみられるように、周知技術（以下「周知技術３」という。）である。
　したがって、引用発明において「ランプ２６」を「ＯＮにして前記半導体基板１を２５０℃程度に加熱」するとき、１０秒未満で急速に加熱することは、周知技術３を参酌すれば、当業者が適宜になし得たものと認められる。
　（ウ）周知例４
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２５０４８８号公報には、「プラズマ処理装置及びその方法」（発明の名称）について、図１〜図６とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【００６２】この後、
上側及び下側のハロゲンランプ６０を駆動して、半導体ウエハ１の温度を常温から５００℃まで、毎分９０℃以上の平均昇温速度にて５秒間で昇温させる
導体ウエハ１を急速昇温させることができる
【００６３】
この直後に
半導体ウエハ１上に供給された酸素ガスとヘリウムガスをプラズマ励起させ、半導体ウエハ１の表面をプラズマ酸化させる
　（エ）周知例５
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００３−５３２２９０号公報には、「シリコン／金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置」（発明の名称）について、図１〜図４Ｄとともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【０００６】
　本発明は、シリコン／金属複合電極の選択的酸化における新規な方法について説明する。本発明において、複合電極を有する基板は、反応チャンバ内に配置される。本発明の実施例において、複合電極は、下側ポリシリコン膜と、ポリシリコン膜上に形成されたタングステンナイトライドバリア層と、タングステンナイトライドバリア上に配置されたタングステン膜とを有している。その後、Ｎ２等の不活性ガスが反応チャンバ内に供給され、反応チャンバ内に不活性環境が形成される。
その後、基板の温度が１００℃を下回る温度から８００℃を越える第２の高い酸化温度まで上昇される
酸化温度に達すると
Ｈ
２
ガス及びＯ
2
ガスは、タングステン膜又はタングステンナイトライドバリアを酸化することなく電極の下側シリコン部分を選択的に酸化することができるＨ
２
／Ｈ
２
Ｏ環境を形成するような割合で反応チャンバ内に供給される
ｂ　「【０００８】
　図１及び図２は、
本発明の選択的酸化プロセスを実行するために使用できる急速熱加熱装置１００を示している
放射エネルギアセンブリ１８は、例えばシルバニアＥＹＴランプ等の複数のタングステンハロゲンランプ１９を有している
ｃ　「【００１４】
　
急速熱加熱装置１００は、ウェーハ６１又は基板の温度を２５〜１００℃／秒の割合で上昇させることができる枚葉式の反応チャンバである
酸化プロセス中におけるウェーハの温度がチャンバの側壁１４の温度を上回る少なくとも４００℃となる
　エ　審判請求書における主張に対して
　（ア）審判請求人は、審判請求書において、「新請求項１の発明では、エッチング用混合物にさらすことで形成された膜を昇華させることができる温度まで急速に上げることができるようになっています。」、「一方で、引用文献１−５に記載の発明は、上述のような発明特定事項を開示していませんし、本願の新請求項１に記載の発明が有する作用効果を奏するものではありません。」と主張している。
　（イ）しかしながら、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１には、「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物」にさらされて形成される「膜」についての記載が存在しないばかりでなく、「エッチングガス」は如何なるエッチングを行うためのガスであるかさえも記載されていない。
　したがって、審判請求人の上記主張は、本件補正後の特許請求の範囲の記載に基づくものではない。
　（ウ）なお、第２の４（６）イ（オ）で摘記したとおり、窒化ケイ素層を「アンモニアおよび三フッ化窒素の混合物」にさらすことでＳｉ含有副生成物を形成し、当該副生成物に熱プロセスを施して分解／昇華させることで、前記窒化ケイ素層の一部分を取り除くことは、周知例３に記載されている。
　したがって、審判請求人の上記主張が、仮に本件補正後の特許請求の範囲の記載に基づくものであるとしても、上記主張の効果は、周知技術２を参酌すれば、当業者が引用発明から予期し得たものと認められる。
　（エ）以上のとおりであるから、審判請求人の主張は採用することができない。
（７）独立特許要件の検討のまとめ
　以上から、引用発明を相違点１ないし相違点３に係る構成とすることは、周知技術１ないし周知技術３を参酌すれば、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、補正発明の効果も、周知技術１ないし周知技術３を参酌すれば、当業者が引用発明から予期し得たものと認められる。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　小括
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２８年２月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２７年４月２２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、再掲すると、次のとおりのものである。
「基板を処理する装置であって、
　基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、
　前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システムと、
　前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、少なくとも１つの不活性ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源と、
　前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源と、
　前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源と
を備える装置。」
　
２　引用例１及び引用発明
　引用例１の記載事項は、第２の４（３）アで摘記したとおりである。
　また、引用発明は、第２の４（３）イで認定したとおりのものである。
　
３　引用例２
　引用例２の記載事項は、第２の４（４）アで摘記したとおりである。
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、第２の４（５）アでの検討から、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違している。
（一致点）
「基板を処理する装置であって、
　基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、
　前記基板支持体上に支持された基板の温度を１００℃未満の第１の温度に制御する温度制御システムと、
　前記チャンバと流体連通して、少なくとも１つの酸素含有ガス、および少なくとも１つのエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源と、
　前記処理チャンバと流体連通して、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも１つを付勢して、酸素含有ガスを含む酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも１つを形成するプラズマ源と、
　前記基板を前記第１の温度を上回る第２の温度まで加熱する熱源と
を備える装置。」
（相違点）
　本願発明の「ガス源」は「少なくとも１つの不活性ガス」も送達するのに対して、引用発明の「ガス供給源」は「反応ガス」は供給するものの、「不活性ガス」を供給することは特定されていない点。
４　判断
　そうすると、第２の４（６）アにおいて検討したとおり、引用発明を相違点に係る構成とすることは、周知技術１を参酌すれば、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、本願発明の効果も、周知技術１を参酌すれば、引用発明から当業者が予期し得たものと認められる。
　したがって、本願発明は、周知技術１を参酌すれば、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　結言
　以上のとおりであるから、本願発明は、周知技術１を参酌すれば、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。