【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表される有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ただし、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、−ＳＯ２ＮＨ２及び−ＣＯＮＨ２からなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位（ａ３）を有する重合体を含有するレジスト組成物は除く。
【化１】
2015212830.tif 000001
上記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
Ｘ１及びＸ２は、各々独立にポリマー主鎖を構成する重合単位構造を表す。
Ｒａ１は、（ｎ＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。Ｒａ１は、脂環を構成する原子団としてエステル結合を含有しない。
Ｒａ２は、（ｐ×２＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２は、各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｂ１及びＲｂ２は、各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
ｎ及びｐは、各々独立に１以上の整数を表す。
ｍは０〜２の整数を表す。
ｏは０又は１を表す。
Ｙ１は下記群（ａ−Ｉ）〜（ｃ−Ｉ）から選択される（ｍ＋１）価の極性基を表す。
Ｙ２は下記群（ｂ−ＩＩ）及び（ｃ−ＩＩ）から選択される（ｏ＋２）価の極性基を表す。
群（ａ−Ｉ）：カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基（−ＮＯ２）及びアルデヒド基（−ＣＨＯ）よりなる１価の極性基の群
群（ｂ−Ｉ）：ケト基（−ＣＯ−）、カーボネート基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）、カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）及びスルホネート基（−ＳＯ２−Ｏ−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−Ｉ）：スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化２】
2015212830.tif 000002
下記式で表されるスルホンイミド基
【化３】
2015212830.tif 000003
よりなる３価の極性基の群
ただし、Ｙ１がケト基のとき、Ｒｂ１がアルコキシ基となることはない。
群（ｂ−ＩＩ）：カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）及びスルホニル基（−ＳＯ２−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−ＩＩ）：アミノ基（−Ｎ＜）、アミド基（−ＣＯ−Ｎ＜）、スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化４】
2015212830.tif 000004
下記式で表されるスルホンイミド基
【化５】
2015212830.tif 000005
よりなる３価の極性基の群
【化６】
2015212830.tif 000006
上記一般式中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。
Ｌは、各々独立に、２価の連結基を表す。
Ｃｙは、環状の有機基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子を含んだ基である。
ｘは、１〜２０の整数を表す。
ｙは、０〜１０の整数を表す。
ｚは、０〜１０の整数を表す。
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＸ１及びＸ２が、各々独立に（メタ）アクリレートに由来する重合単位構造である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における脂環式炭化水素基Ｒａ１又はＲａ２が炭素数７以上の多環式炭化水素基である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）におけるＹ１がカルボキシル基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２５〜７０モル％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記樹脂（Ｐ）が、更に、下記一般式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも１種を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化７】
2015212830.tif 000007
上記一般式（ＩＩＩ）中、
Ｒ０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ１〜Ｒ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式（ＩＶ）中、
Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ１〜Ｒｙ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
Ｚは、（ｎ’＋１）価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。Ｚは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有していてもよい。
Ｌ４及びＬ５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｎ’は１〜３の整数を表す。
ｎ’が２又は３のとき、複数のＬ５、複数のＲｙ１、複数のＲｙ２、及び、複数のＲｙ３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
【請求項７】
前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される繰り返し単位の含有量の総和が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、請求項６に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
酸の作用により脱離する基を有する下記一般式（Ｆ）で表される含窒素有機化合物を更に含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化８】
2015212830.tif 000008
一般式（Ｆ）において、Ｒａは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、ｎ＝２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に結合して、２価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Ｒｂは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、−Ｃ（Ｒｂ）（Ｒｂ）（Ｒｂ）において、１つ以上のＲｂが水素原子のとき、残りのＲｂの少なくとも１つはシクロプロピル基又は１−アルコキシアルキル基である。
少なくとも２つのＲｂは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
ｎは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数をそれぞれ表し、ｎ＋ｍ＝３である。
【請求項９】
活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１０】
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
【請求項１２】
（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。
ただし、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、−ＳＯ２ＮＨ２及び−ＣＯＮＨ２からなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位（ａ３）を有する重合体を含有するレジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法は除く。
【化９】
2015212830.tif 000009
上記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
Ｘ１及びＸ２は、各々独立にポリマー主鎖を構成する重合単位構造を表す。
Ｒａ１は、（ｎ＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。Ｒａ１は、脂環を構成する原子団としてエステル結合を含有しない。
Ｒａ２は、（ｐ×２＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２は、各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｂ１及びＲｂ２は、各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
ｎ及びｐは、各々独立に１以上の整数を表す。
ｍは０〜２の整数を表す。
ｏは０又は１を表す。
Ｙ１は下記群（ａ−Ｉ）〜（ｃ−Ｉ）から選択される（ｍ＋１）価の極性基を表す。
Ｙ２は下記群（ｂ−ＩＩ）及び（ｃ−ＩＩ）から選択される（ｏ＋２）価の極性基を表す。
群（ａ−Ｉ）：ニトロ基（−ＮＯ２）及びアルデヒド基（−ＣＨＯ）よりなる１価の極性基の群
群（ｂ−Ｉ）：ケト基（−ＣＯ−）、カーボネート基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）、カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）及びスルホネート基（−ＳＯ２−Ｏ−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−Ｉ）：スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化１０】
2015212830.tif 000010
下記式で表されるスルホンイミド基
【化１１】
2015212830.tif 000011
よりなる３価の極性基の群
ただし、Ｙ１がケト基のとき、Ｒｂ１がアルコキシ基となることはない。
群（ｂ−ＩＩ）：カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）及びスルホニル基（−ＳＯ２−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−ＩＩ）：アミノ基（−Ｎ＜）、アミド基（−ＣＯ−Ｎ＜）、スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化１２】
2015212830.tif 000012
下記式で表されるスルホンイミド基
【化１３】
2015212830.tif 000013
よりなる３価の極性基の群
【請求項１３】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＸ１及びＸ２が、各々独立に（メタ）アクリレートに由来する重合単位構造である、請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における脂環式炭化水素基Ｒａ１又はＲａ２が炭素数７以上の多環式炭化水素基である、請求項１２又は１３に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２５〜７０モル％である、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
前記樹脂（Ｐ）が、更に、下記一般式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも１種を含有する、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１４】
2015212830.tif 000014
上記一般式（ＩＩＩ）中、
Ｒ０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ１〜Ｒ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式（ＩＶ）中、
Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ１〜Ｒｙ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
Ｚは、（ｎ’＋１）価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。Ｚは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有していてもよい。
Ｌ４及びＬ５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｎ’は１〜３の整数を表す。
ｎ’が２又は３のとき、複数のＬ５、複数のＲｙ１、複数のＲｙ２、及び、複数のＲｙ３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
【請求項１７】
前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される繰り返し単位の含有量の総和が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、請求項１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１８】
前記化合物（Ｂ）が、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表される有機酸を発生する化合物である、請求項１２〜１７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１５】
2015212830.tif 000015
上記一般式中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。
Ｌは、各々独立に、２価の連結基を表す。
Ｃｙは、環状の有機基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子を含んだ基である。
ｘは、１〜２０の整数を表す。
ｙは、０〜１０の整数を表す。
ｚは、０〜１０の整数を表す。
【請求項１９】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸の作用により脱離する基を有する下記一般式（Ｆ）で表される含窒素有機化合物を更に含有する、請求項１２〜１８のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１６】
2015212830.tif 000016
一般式（Ｆ）において、Ｒａは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、ｎ＝２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に結合して、２価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Ｒｂは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、−Ｃ（Ｒｂ）（Ｒｂ）（Ｒｂ）において、１つ以上のＲｂが水素原子のとき、残りのＲｂの少なくとも１つはシクロプロピル基又は１−アルコキシアルキル基である。
少なくとも２つのＲｂは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
ｎは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数をそれぞれ表し、ｎ＋ｍ＝３である。
【請求項２０】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１２〜１９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項２１】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１２〜２０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項２２】
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項１２〜２１のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項２３】
露光が液浸露光である、請求項１２〜２２のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項２４】
請求項１２〜２３のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記課題が解決される。
＜１＞
下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表される有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ただし、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、−ＳＯ２ＮＨ２及び−ＣＯＮＨ２からなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位（ａ３）を有する重合体を含有するレジスト組成物は除く。
【化１】
2015212830.tif 000017
上記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
Ｘ１及びＸ２は、各々独立にポリマー主鎖を構成する重合単位構造を表す。
Ｒａ１は、（ｎ＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。Ｒａ１は、脂環を構成する原子団としてエステル結合を含有しない。
Ｒａ２は、（ｐ×２＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２は、各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｂ１及びＲｂ２は、各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
ｎ及びｐは、各々独立に１以上の整数を表す。
ｍは０〜２の整数を表す。
ｏは０又は１を表す。
Ｙ１は下記群（ａ−Ｉ）〜（ｃ−Ｉ）から選択される（ｍ＋１）価の極性基を表す。
Ｙ２は下記群（ｂ−ＩＩ）及び（ｃ−ＩＩ）から選択される（ｏ＋２）価の極性基を表す。
群（ａ−Ｉ）：カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基（−ＮＯ２）及びアルデヒド基（−ＣＨＯ）よりなる１価の極性基の群
群（ｂ−Ｉ）：ケト基（−ＣＯ−）、カーボネート基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）、カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）及びスルホネート基（−ＳＯ２−Ｏ−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−Ｉ）：スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化２】
2015212830.tif 000018
下記式で表されるスルホンイミド基
【化３】
2015212830.tif 000019
よりなる３価の極性基の群
ただし、Ｙ１がケト基のとき、Ｒｂ１がアルコキシ基となることはない。
群（ｂ−ＩＩ）：カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）及びスルホニル基（−ＳＯ２−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−ＩＩ）：アミノ基（−Ｎ＜）、アミド基（−ＣＯ−Ｎ＜）、スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化４】
2015212830.tif 000020
下記式で表されるスルホンイミド基
【化５】
2015212830.tif 000021
よりなる３価の極性基の群
【化６】
2015212830.tif 000022
上記一般式中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。
Ｌは、各々独立に、２価の連結基を表す。
Ｃｙは、環状の有機基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子を含んだ基である。
ｘは、１〜２０の整数を表す。
ｙは、０〜１０の整数を表す。
ｚは、０〜１０の整数を表す。
＜２＞
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＸ１及びＸ２が、各々独立に（メタ）アクリレートに由来する重合単位構造である、＜１＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜３＞
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における脂環式炭化水素基Ｒａ１又はＲａ２が炭素数７以上の多環式炭化水素基である、＜１＞又は＜２＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜４＞
前記一般式（Ｉ）におけるＹ１がカルボキシル基である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜５＞
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２５〜７０モル％である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜６＞
前記樹脂（Ｐ）が、更に、下記一般式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも１種を含有する、＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化７】
2015212830.tif 000023
上記一般式（ＩＩＩ）中、
Ｒ０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ１〜Ｒ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式（ＩＶ）中、
Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ１〜Ｒｙ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
Ｚは、（ｎ’＋１）価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。Ｚは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有していてもよい。
Ｌ４及びＬ５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｎ’は１〜３の整数を表す。
ｎ’が２又は３のとき、複数のＬ５、複数のＲｙ１、複数のＲｙ２、及び、複数のＲｙ３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
＜７＞
前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される繰り返し単位の含有量の総和が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、＜６＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜８＞
酸の作用により脱離する基を有する下記一般式（Ｆ）で表される含窒素有機化合物を更に含有する、＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化８】
2015212830.tif 000024
一般式（Ｆ）において、Ｒａは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、ｎ＝２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に結合して、２価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Ｒｂは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、−Ｃ（Ｒｂ）（Ｒｂ）（Ｒｂ）において、１つ以上のＲｂが水素原子のとき、残りのＲｂの少なくとも１つはシクロプロピル基又は１−アルコキシアルキル基である。
少なくとも２つのＲｂは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
ｎは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数をそれぞれ表し、ｎ＋ｍ＝３である。
＜９＞
活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１０＞
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１１＞
＜１＞〜＜１０＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
＜１２＞
（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。
ただし、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、−ＳＯ２ＮＨ２及び−ＣＯＮＨ２からなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位（ａ３）を有する重合体を含有するレジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法は除く。
【化９】
2015212830.tif 000025
上記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
Ｘ１及びＸ２は、各々独立にポリマー主鎖を構成する重合単位構造を表す。
Ｒａ１は、（ｎ＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。Ｒａ１は、脂環を構成する原子団としてエステル結合を含有しない。
Ｒａ２は、（ｐ×２＋１）価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２は、各々独立に単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｂ１及びＲｂ２は、各々独立に水素原子又は１価の有機基を表す。
ｎ及びｐは、各々独立に１以上の整数を表す。
ｍは０〜２の整数を表す。
ｏは０又は１を表す。
Ｙ１は下記群（ａ−Ｉ）〜（ｃ−Ｉ）から選択される（ｍ＋１）価の極性基を表す。
Ｙ２は下記群（ｂ−ＩＩ）及び（ｃ−ＩＩ）から選択される（ｏ＋２）価の極性基を表す。
群（ａ−Ｉ）：ニトロ基（−ＮＯ２）及びアルデヒド基（−ＣＨＯ）よりなる１価の極性基の群
群（ｂ−Ｉ）：ケト基（−ＣＯ−）、カーボネート基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）、カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）及びスルホネート基（−ＳＯ２−Ｏ−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−Ｉ）：スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化１０】
2015212830.tif 000026
下記式で表されるスルホンイミド基
【化１１】
2015212830.tif 000027
よりなる３価の極性基の群
ただし、Ｙ１がケト基のとき、Ｒｂ１がアルコキシ基となることはない。
群（ｂ−ＩＩ）：カルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）及びスルホニル基（−ＳＯ２−）よりなる２価の極性基の群
群（ｃ−ＩＩ）：アミノ基（−Ｎ＜）、アミド基（−ＣＯ−Ｎ＜）、スルホンアミド基（−ＳＯ２−Ｎ＜）、下記式で表されるイミド基、及び
【化１２】
2015212830.tif 000028
下記式で表されるスルホンイミド基
【化１３】
2015212830.tif 000029
よりなる３価の極性基の群
＜１３＞
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）におけるＸ１及びＸ２が、各々独立に（メタ）アクリレートに由来する重合単位構造である、＜１２＞に記載のパターン形成方法。
＜１４＞
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）における脂環式炭化水素基Ｒａ１又はＲａ２が炭素数７以上の多環式炭化水素基である、＜１２＞又は＜１３＞に記載のパターン形成方法。
＜１５＞
前記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２５〜７０モル％である、＜１２＞〜＜１４＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜１６＞
前記樹脂（Ｐ）が、更に、下記一般式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも１種を含有する、＜１２＞〜＜１５＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１４】
2015212830.tif 000030
上記一般式（ＩＩＩ）中、
Ｒ０は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ１〜Ｒ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
上記一般式（ＩＶ）中、
Ｘａは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ１〜Ｒｙ３は、各々独立に、鎖状アルキル基を表す。
Ｚは、（ｎ’＋１）価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。Ｚは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有していてもよい。
Ｌ４及びＬ５は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
ｎ’は１〜３の整数を表す。
ｎ’が２又は３のとき、複数のＬ５、複数のＲｙ１、複数のＲｙ２、及び、複数のＲｙ３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。
＜１７＞
前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される繰り返し単位の含有量の総和が、前記樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以上である、＜１６＞に記載のパターン形成方法。
＜１８＞
前記化合物（Ｂ）が、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表される有機酸を発生する化合物である、＜１２＞〜＜１７＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１５】
2015212830.tif 000031
上記一般式中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。
Ｌは、各々独立に、２価の連結基を表す。
Ｃｙは、環状の有機基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子を含んだ基である。
ｘは、１〜２０の整数を表す。
ｙは、０〜１０の整数を表す。
ｚは、０〜１０の整数を表す。
＜１９＞
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸の作用により脱離する基を有する下記一般式（Ｆ）で表される含窒素有機化合物を更に含有する、＜１２＞〜＜１８＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１６】
2015212830.tif 000032
一般式（Ｆ）において、Ｒａは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、ｎ＝２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に結合して、２価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Ｒｂは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、−Ｃ（Ｒｂ）（Ｒｂ）（Ｒｂ）において、１つ以上のＲｂが水素原子のとき、残りのＲｂの少なくとも１つはシクロプロピル基又は１−アルコキシアルキル基である。
少なくとも２つのＲｂは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
ｎは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数をそれぞれ表し、ｎ＋ｍ＝３である。
＜２０＞
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、＜１２＞〜＜１９＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜２１＞
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、＜１２＞〜＜２０＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜２２＞
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、＜１２＞〜＜２１＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜２３＞
露光が液浸露光である、＜１２＞〜＜２２＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜２４＞
＜１２＞〜＜２３＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
本発明は、上記＜１＞〜＜２４＞に係る発明であるが、以下、それ以外の事項（例えば、下記〔１〕〜〔２１〕）についても記載している。
〔１〕
（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。