【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過型電子顕微鏡法用の試料薄片を集束イオン・ビームを使用して形成する方法であって、
関心の特徴部分と不必要な多くの材料とを含むバルク材料塊に向かって、前記不必要な多くの材料をミリングによって除去するために、高エネルギーの集束イオン・ビーム（１７０６）を導くステップと、
前記高エネルギーの集束イオン・ビームを用いて前記不必要な多くの材料をミリングによって除去して、完成後の試料薄片（１０１０）の所望の厚さよりも厚く、１つまたは複数の面（１０５１Ａ、１０５１Ｂ）が損傷層を含む未完成の試料薄片（１００２）を形成するステップと、
前記未完成の試料薄片の露出した１つまたは複数の面に向かって低エネルギーの集束イオン・ビームを導くステップと、
前記未完成の試料薄片の前記露出した１つまたは複数の面を、前記低エネルギーの集束イオン・ビームを用いてミリングして、前記損傷層の少なくとも一部分を除去し、それによって前記関心の特徴部分の少なくとも一部分を含む完成した前記試料薄片を形成するステップと、を含み、
前記薄片（１０４、７１８）に向かって前記低エネルギーの集束イオン・ビーム（７５２）を導く前に、前記未完成の試料薄片（１０４）の露出した１つまたは複数の面（２０４ａ、２０４ｂ）に向かって前記低エネルギーの集束イオン・ビームを導く前の指定されたある時点において、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を評価し、
前記低エネルギーの集束イオン・ビームを導くステップが、前記低エネルギーの集束イオン・ビームを、所定のパターン・ミリング時間の間導いて、前記低エネルギーの集束イオン・ビームから、指定された面積当たりのイオン・ドーズ量を送達するステップを含むこと
を特徴とする方法。
【請求項２】
前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を評価する前記ステップが、前記低エネルギーの集束イオン・ビームのビーム電流を測定するステップ、および較正されたビーム電流を決定するステップをさらに含む、または、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を評価する前記ステップが、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を実験的に測定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記面積当たりのイオン・ドーズ量が、前記較正されたビーム電流、パターンをミリングする領域の面積、および前記低エネルギーの集束イオン・ビームが使用する前記所定のパターン・ミリング時間に依存する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記高エネルギーの集束イオン・ビームの入射エネルギーが、好ましくは８キロ電子ボルト（ｋｅＶ）よりも大きく、より好ましくは３０キロ電子ボルト（ｋｅＶ）以上である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記低エネルギーの集束イオン・ビームの入射エネルギーが、好ましくは８キロ電子ボルト（ｋｅＶ）よりも小さく、より好ましくは２キロ電子ボルト（ｋｅＶ）から５ｋｅＶの間である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記集束イオン・ビームが、前記薄片の平面に対して平行でないある角度で導かれる、または、前記集束イオン・ビームが、前記薄片の平面に対して零度でないある入射角で導かれる、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記基板が好ましくは単結晶材料を含み、より好ましくはシリコンを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記未完成の試料薄片をミリングする前記ステップの前に、前記集束イオン・ビームもしくは前記試料またはその両方を、試料表面に垂直な軸を軸にして回転させる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
１つまたは複数の薄片からなる第１のセットを形成するステップであり、前記セットの薄片がそれぞれ、前記低エネルギーの集束イオン・ビームによって送達された面積当たりの指定された第１のイオン・ドーズ量を受け取るステップと、
薄片の前記第１のセットをミリングする工程後のある時点または薄片の前記第１のセットをミリングする工程中のある時点において、薄片の前記第１のセットの１つまたは複数の特性を測定するステップと、
薄片の前記第１のセットの測定された前記１つまたは複数の特性を記録するステップと、
前記低エネルギーの集束イオン・ビーム用の面積当たりの指定された第２のイオン・ドーズ量を、意図された薄片の特性と薄片の前記第１のセットの測定された前記１つまたは複数の特性との差に基づいて計算するステップと、
１つまたは複数の薄片からなる第２のセットを第２のパターン・ミリング時間を使用して形成して、前記低エネルギーの集束イオン・ビーム用の前記面積当たりの指定された第２のイオン・ドーズ量を送達するステップと
をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
透過型電子顕微鏡法用の試料薄片を形成するシステムであって、
集束イオン・ビーム・カラムと、
試料ステージと、
前記試料ステージ上または前記試料ステージ内に配置された試料（１００２）と、
プログラム可能なコントローラと
を備え、前記コントローラによって、前記システムが、自動的に、
関心の特徴部分と不必要な多くの材料とを含むバルク材料塊に向かって、前記不必要な多くの材料をミリングによって除去するために、高エネルギーの集束イオン・ビーム（１７０６）を導き、
前記高エネルギーの集束イオン・ビームを用いて前記不必要な多くの材料をミリングによって除去して、完成した試料薄片（１０１０）の所望の厚さよりも厚く、露出した１つまたは複数の面（１０５１Ａ、１０５１Ｂ）が損傷層を含む未完成の試料薄片（１００２）を形成し、
前記未完成の試料薄片の露出した１つまたは複数の面に向かって低エネルギーの集束イオン・ビームを導き、
前記未完成の試料薄片の前記露出した１つまたは複数の面を、前記低エネルギーの集束イオン・ビームを用いてミリングして、前記損傷層の少なくとも一部分を除去し、それによって前記関心の特徴部分の少なくとも一部分を含む完成した前記試料薄片を形成し、
前記薄片（１０４、７１８）に向かって前記低エネルギーの集束イオン・ビーム（７５２）を導く前に、前記コントローラ（７３８）によって、前記システム（７０２）が、自動的に、前記未完成の試料薄片の露出した１つまたは複数の面に向かって前記低エネルギーの集束イオン・ビームを導く前の指定されたある時点において、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を評価し、
前記コントローラによって、前記システムが自動的に、前記薄片に向かって前記低エネルギーの集束イオン・ビームを導くことが、前記コントローラによって、前記システムが自動的に、前記薄片に向かって前記低エネルギーの集束イオン・ビームを、所定のパターン・ミリング時間の間導いて、前記低エネルギーの集束イオン・ビームから、指定された面積当たりのイオン・ドーズ量を送達することを含む
システム。
【請求項１１】
前記低エネルギーの集束イオン・ビームのビーム電流を測定し、較正されたビーム電流を決定することによって、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を評価する、または、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を実験的に測定することによって、前記低エネルギーの集束イオン・ビームの材料除去速度を評価する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記面積当たりのイオン・ドーズ量が、前記較正されたビーム電流、パターンをミリングする領域の面積、および前記低エネルギーの集束イオン・ビームが使用する前記所定のパターン・ミリング時間に依存する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記高エネルギーの集束イオン・ビームの入射エネルギーが８キロ電子ボルト（ｋｅＶ）よりも大きい、請求項１０から１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記低エネルギーの集束イオン・ビームの入射エネルギーが、好ましくは８キロ電子ボルト（ｋｅＶ）よりも小さく、より好ましくは２キロ電子ボルト（ｋｅＶ）から５ｋｅＶの間である、請求項１０から１３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１５】
前記プログラム可能なコントローラによって、前記システムがさらに、自動的に、
１つまたは複数の薄片からなる第１のセットを形成し、前記セットの薄片がそれぞれ、前記低エネルギーの集束イオン・ビームによって送達された面積当たりの指定された第１のイオン・ドーズ量を受け取り、
薄片の前記第１のセットをミリングする工程後のある時点または薄片の前記第１のセットをミリングする工程中のある時点において、薄片の前記第１のセットの１つまたは複数の特性を測定し、
薄片の前記第１のセットの測定された前記１つまたは複数の特性を記録し、
前記低エネルギーの集束イオン・ビーム用の面積当たりの指定された第２のイオン・ドーズ量を、意図された薄片の特性と薄片の前記第１のセットの測定された前記１つまたは複数の特性との差に基づいて計算し、
１つまたは複数の薄片からなる第２のセットを第２のパターン・ミリング時間を使用して形成して、前記低エネルギーの集束イオン・ビーム用の前記面積当たりの指定された第２のイオン・ドーズ量を送達する、
請求項１０から１４のいずれか一項に記載のシステム。