(57)【要約】  新しいヘリカル記録スキャナアーキテクチャおよび変換方法は、それらの公称位置決めによる変換素子（または変換素子の組）の配置における位置的誤差にも拘らずヘリカルトラックに一定のトラックピッチを与える。新しいスキャナ（８５）はスキャナの回転軸に対して平行な垂直方向を有する回転可能なスキャナである。第１および第２の変換素子は共にスキャナ上に装着され、このスキャナを含むテープドライブ（３０）はまた、スキャナの回転中に情報が変換素子によってヘリカルトラックにおいて変換されるような態様で回転可能なスキャナ近傍に磁気テープ（３１）を移送するための移送システムを含む。変換素子の幅と垂直方向に対する変換素子の公称位置決めとは、第１の変換素子および第２の変換素子によって変換されたトラックが、公称位置決めと第１の変換素子および第２の変換素子のうちの少なくとも１つの実際の位置決めとの間の誤差にも拘らず所望のピッチを有するように選択される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘリカルスキャンテープレコーダであって、
スキャナの回転軸に対して平行な垂直方向を有する回転可能なスキャナと、
前記スキャナ上に装着された第１の変換素子と、
前記スキャナ上に装着された第２の変換素子と、
前記スキャナの回転中に情報が前記変換素子によってヘリカルトラックにおいて変換されるような態様で、前記回転可能なスキャナ近傍に磁気テープを移送するための移送システムとを含み、
前記変換素子の幅と前記垂直方向に対する前記変換素子の公称位置決めとが選択され、これにより、前記第１の変換素子および前記第２の変換素子によって変換されたトラックは、公称位置決めと、前記第１の変換素子および前記第２の変換素子のうちの少なくとも１つの実際の位置決めとの間の誤差にもかかわらず、所望のピッチを有する、ヘリカルスキャンテープレコーダ。
【請求項２】
前記第１の変換素子および前記第２の変換素子によって変換されるトラックの所望のピッチがＰであり、前記第１の変換素子の幅がＰであり、前記第２の変換素子の幅が２Ｐであり、前記変換素子の公称位置決めは、前記第１の変換素子の基準点が、前記第２の変換素子上の対応する基準点から実質的に１．５Ｐに等しい距離だけ垂直方向に離されるようなものである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の変換素子および前記第２の変換素子によって変換されるトラックの所望のピッチがＰであり、前記第１の変換素子の幅がＰであり、前記第２の変換素子の幅が２Ｐであり、前記変換素子の公称位置決めは、前記第１の変換素子上の基準点が、前記第２の変換素子の先の経路よりも名目上１／２Ｐだけ低いテープ上の経路を前記第１の変換素子が移動することを引起す距離だけ垂直方向に離されるようなものである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の変換素子は複数の変換素子の第１の組に属し、前記第２の変換素子は複数の変換素子の第２の組に属し、前記変換素子の第１の組および前記変換素子の第２の組は、前記第１の変換素子および前記第２の変換素子によって変換されたすべてのトラックが、前記変換素子の組を分離する物理的距離における誤差にかかわらず所望のピッチを有するように前記スキャナ上に装着される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の変換素子は第１のモジュール上に装着され、前記第２の変換素子は第２のモジュール上に装着され、前記第１のモジュールおよび前記第２のモジュールは、前記第１の変換素子および前記第２の変換素子によって変換されたすべてのトラックが、前記モジュールを分離する物理的距離における誤差にかかわらず所望のピッチを有するように前記スキャナ上に装着される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のモジュールはさらに第３の変換素子を含み、前記第２のモジュールはさらに第４の変換素子を含み、前記モジュールは、前記第１の変換素子および前記第３の変換素子が前記スキャナの回転の第１の角度位相中にそれぞれのトラックを変換し、かつ、前記第２の変換素子および前記第４の変換素子が、前記スキャナの回転の第２の角度位相中に、予め変換されたトラックに部分的に重なるそれぞれのトラックを変換するように前記スキャナ上に装着され、前記テープ上のトラックはさまざまなアジマス配向に従って交互になる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のモジュールの前記変換素子は第１のアジマス配向を有し、前記第２のモジュールの前記変換素子は、前記第１のアジマス配向とは異なる第２のアジマス配向を有する
、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記モジュールは、前記第２の変換素子が、前記第１の変換素子によって変換されたトラックと、前記第３の変換素子によって変換されたトラックとに部分的に重なるトラックを変換するように前記スキャナ上に装着される、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記モジュールは、前記第２の変換素子が、好ましくは前記第１の変換素子によって変換されたトラックよりも距離Ｈだけ下に存在するトラックを変換するように前記スキャナ上に装着され、この場合、Ｈ＝３Ｐ＋１／２（Ｐ−Ｗ１）であり、Ｐは前記トラックの公称ピッチであり、Ｗ１は前記第１の変換素子の幅である、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記第４の変換素子は、好ましくは前記第２の変換素子によって変換されたトラックよりも距離２Ｐだけ高いトラックを変換する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の角度位相は、本質的に１８０°だけ前記第２の角度位相からオフセットされている、請求項５に記載の装置。
【請求項１２】
前記所望のピッチはＰであり、前記第１の変換素子は、有効幅、Wwide＞１．０Ｐを有する前記第１の変換素子を備えた第１のモジュールを含み、前記第２の変換ヘッドは、有効幅、Wnarrow＝１．０Ｐを有する前記第２の変換素子を備えた第２のモジュールを含み、前記第２のモジュールは前記第１のモジュールを追従する前記テープを走査し、前記第１のモジュールに対する前記第２のモジュールの垂直位置に対する公称位置決めは、前記テープ上において、前記第２のモジュールの最底部の変換素子の下端が前記第１のモジュールによって予め記録された最底部のトラックの下端よりも距離Ｈだけ低い経路を追従するように選択され、前記距離Ｈの値は以下のうちの１つであり、
Wwideが１．０Ｐよりも大きいが２．０Ｐ未満である場合、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５（３Ｐ−Wwide）であり；
Wwideが２．０Ｐ以上である場合、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５Ｐであり、
ｉは非負整数である、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
ヘリカルスキャンテープレコーダであって、
回転可能なスキャナと、
第１のトラックパターンのトラックを変換するのに用いるために前記スキャナ上に装着された変換素子の第１のグループとを含み、前記第１のトラックパターンの前記トラックは第１のパターンの公称トラックピッチを有し、前記ヘリカルスキャンテープレコーダはさらに、
第２のトラックパターンのトラックを変換するのに用いるために前記スキャナ上に装着された変換素子の第２のグループを含み、前記第２のトラックパターンの前記トラックは第２のパターンの公称トラックピッチを有し、前記ヘリカルスキャンテープレコーダはさらに、
前記スキャナの回転中に、利用される変換素子のグループによって情報が変換されるような態様で、前記回転可能なスキャナ近傍に磁気テープを移送するための移送システムを含み、前記利用されるグループは前記第１のグループおよび前記第２のグループのうちの１つである、ヘリカルスキャンテープレコーダ。
【請求項１４】
前記変換素子は前記スキャナ上の所定の公称位置に位置しており、これにより、どのグループが前記利用されるグループとして選択されるかにかかわらず、前記利用されるグループによって変換されたトラックは、前記利用されるグループの前記変換素子を分離する物理的距離における誤差にかかわらず一定のトラックピッチを有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のグループおよび前記第２のグループは各々、第１のアジマス角配向変換素子と第２のアジマス角配向変換素子とを含み、前記第１のグループおよび前記第２のグループは各々、交互のアジマストラックパターンを変換する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第１のパターンの公称トラックピッチに実質的に等しい有効な変換幅Ｐ1を有し、前記第１のグループの第２のアジマス角配向変換素子は、前記第１のパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ1）の２倍に実質的に等しい有効な変換幅を有し、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチに実質的に等しい有効な変換幅Ｐ2を有し、前記第２のグループの第２のアジマス角配向変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）の２倍に実質的に等しい有効な変換幅を有し、
前記所定の公称位置は、変換動作中に、
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子が前記第１のグループの前記第２のアジマス角配向変換素子によって変換された先のトラックよりも第１の所定の距離だけ下を移動し、前記第１の所定の距離が２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1であり、さらに、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子が前記第２のグループの前記第２のアジマス角配向変換素子によって変換された先のトラックよりも第２の所定の距離だけ下を移動し、前記第２の所定の距離が２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2であるようなものであり、
ｉは非負整数である、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１のアジマス角配向は正のアジマス角配向であり、前記第２のアジマス角配向は負のアジマス角配向である、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第１のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい前記第１のグループの前記第２のアジマス角配向変換素子に対する垂直分離を有し、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい前記第１のグループの前記第２のアジマス角配向変換素子に対する垂直分離を有する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１のグループは前記第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子を有し、前記第２のグループは前記第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子を含み、共通の変換素子は前記第１のグループおよび前記第２のグループに属し、前記共通の変換素子は第２のアジマス角配向変換素子である、請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第１のパターンの公称トラックピッチに実質的に等しい有効な変換幅Ｐ1を有し、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチに実質的に等しい有効な変換幅Ｐ2を有し、
前記共通の変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）に実質的に等しい有効な変換幅を有し、
前記所定の公称位置は、変換動作中に、
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子が、前記第１のグループの前記共通の変換素子によって変換された先のトラックよりも第１の所定の距離だけ下を移動し、前記第１の所定の距離が２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1であり、さらに、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子が、前記共通の変換素子によって変換された先のトラックよりも第２の所定の距離だけ下を移動し、前記第２の所定の距離が２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2であるようなものであり、
ｉは非負整数である、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記第１のアジマス角配向は正のアジマス角配向であり、前記第２のアジマス角配向は負のアジマス角配向である、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第１のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい前記共通の変換素子に対する垂直分離を有し、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい前記共通の変換素子に対する垂直分離を有する、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は前記第１のパターンの公称トラックピッチに実質的に等しい有効な変換幅Ｐ1を有し、
前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチの２倍に実質的に等しい有効な変換幅２Ｐ2を有し、
前記共通の変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチＰ2に実質的に等しい有効な変換幅を有し、
前記所定の公称位置は、変換動作中に、
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子が、前記第１のグループの前記共通の変換素子によって変換された先のトラックよりも第１の所定の距離だけ下を移動し、前記第１の所定の距離が２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1であり、さらに、
前記第２のグループの前記共通の変換素子が、前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子によって変換された先のトラックよりも第２の所定の距離だけ下を移動し、前記第２の所定の距離が２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2であるようなものであり、
ｉは非負整数である、請求項１９に記載の装置。
【請求項２４】
前記第１のアジマス角配向は正のアジマス角配向であり、前記第２のアジマス角配向は負のアジマス角配向である、請求項２０に記載の装置。
【請求項２５】
前記第１のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子は前記第１のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい前記共通の変換素子に対する垂直分離を有し、
前記第２のグループの前記共通の変換素子は、前記第２のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい前記第２のグループの前記第１のアジマス角配向変換素子に対する垂直分離を有する、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
前記第１のパターンの公称トラックピッチは前記第２のパターンの公称トラックピッチの約２分の１である、請求項２３に記載の装置。
【請求項２７】
ヘリカルスキャンテープレコーダであって、
複数の変換素子が上に装着された回転可能なスキャナを含み、前記変換素子のうちの少なくとも１つは第１のアジマス配向を有し、前記変換素子のうちの少なくとももう１つは第２のアジマス配向を有し、前記ヘリカルスキャンテープレコーダはさらに、
前記スキャナの回転中に情報が前記変換素子によってヘリカルトラックにおいて変換されるような態様で前記回転可能なスキャナ近傍に磁気テープを移送するための移送システムを含み、
前記変換素子は、前記トラックが、
（１）  前記第１のアジマス配向を有する複数のトラックの後に前記第２のアジマス配向を有する複数のトラックが続くような時間的な順序で、
（２）  前記トラックがアジマス配向において第１のアジマス配向と第２のアジマス配向とを交互に繰返す前記テープ上の空間的な順序で、変換されるように配置される、ヘリ
カルスキャンテープレコーダ。
【請求項２８】
Ｎ個の変換素子は前記第１のアジマス配向を有し、Ｎ個の変換素子は前記第２のアジマス配向を有し、前記変換素子は、前記トラックが以下の順序、すなわち、Ｎ個の第１のアジマス配向トラック、Ｎ個の第２のアジマス配向トラック；Ｎ個の第１のアジマス配向トラック；Ｎ個の第２のアジマス配向トラック等のような時間的順序で書込まれるように配置され、Ｎが２以上の整数である、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記第１のアジマス配向は正のアジマス配向であり、前記第２のアジマス配向は負のアジマス配向である、請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
磁気テープ媒体に対してヘリカルトラックを変換する方法であって、
複数の変換素子が上に装着されたスキャナを回転させるステップを含み、前記変換素子のうちの少なくとも１つは第１のアジマス配向を有し、前記変換素子のうちの少なくとももう１つは第２のアジマス配向を有し、前記方法はさらに、
前記スキャナの回転中に情報が前記変換素子によってヘリカルトラックにおいて変換されるような態様で前記回転可能なスキャナ近傍に磁気テープを移送するステップと、
前記第１のアジマス配向を有する複数のトラックの後に前記第２のアジマス配向を有する複数のトラックが続く時間的な順序で前記トラックを変換するステップとを含み、前記トラックは、前記トラックがアジマス配向において第１のアジマス配向と第２のアジマス配向とを交互に繰返す空間的な順序で前記テープ上に位置する、方法。
【請求項３１】
Ｎ個の変換素子は前記第１のアジマス配向を有し、Ｎ個の変換素子は前記第２のアジマス配向を有し、Ｎ個の第１のアジマス配向トラック、Ｎ個の第２のアジマス配向トラック；Ｎ個の第１のアジマス配向トラック；Ｎ個の第２のアジマス配向トラック等のような時間的順序で前記トラックを変換するステップをさらに含み、Ｎが２以上の整数である、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記第１のアジマス配向は正のアジマス配向であり、前記第２のアジマス配向は負のアジマス配向である、請求項３０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
背景
この出願は、２００１年４月２５日に出願された米国仮特許出願第６０／２８６，０１２号の優先権および利益を主張した２００２年４月２５日に出願された米国特許出願第１０／１３１，４９９号の一部係属出願であり、これらはともにその全体が引用によりこの明細書中に援用されている。
【０００２】
発明の分野
この発明は磁気記録に関し、特に、磁気テープ上で交互にアジマス（azimuth）記録されたトラックパターンを記録／再生する装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
関連技術および他の考慮事項
磁気テープドライブを用いてテープに磁気記録する際に、スキャナ［典型的には、１つ以上の書込素子および１つ以上の読取素子を備えたドラムまたはロータ］とテープとの間の相対運動により、情報の複数のトラックがテープに対して変換される。磁気テープは、典型的には、テープドライブに搭載されたカートリッジに収容される。テープは、カートリッジ供給リールとカートリッジ巻取りリールとの間に延在する。テープドライブは、典型的には、リールを回転させることにより、たとえば磁気テープを直線的に移送または走行させるように、カートリッジ供給リールを回転させるための供給リールモータとカートリッジ巻取りリールを回転させるための巻取りリールモータとを有する。
【０００４】
ヘリカルスキャン構成では、磁気テープは、テープの走行経路の一部にわたってスキャナに少なくとも部分的に巻付けられるように移送される。変換素子（たとえば書込素子および読取素子）は、テープ移送方向に対してある角度に向けられた一連の不連続なストライプ状にデータをテープに物理的に記録するかまたはそれを再生するようドラム上に位置決めされる。典型的には、変換素子のうち１つ以上は、しばしばモジュールまたはヘッドもしくはヘッドユニットと呼ばれる構造上に位置している。このモジュール構造はスキャナの周辺に装着される。データは、１つ以上の読取変換素子による読取中に、後の回復を可能とするのに十分な参照情報を与えるために、テープに記録される前にフォーマットされる。
【０００５】
ヘリカルスキャン装置（たとえば、ヘリカルスキャンテープドライブ）の例が以下の非網羅的かつ例示的な米国特許のリストにおいて説明されるが、そのすべてが全体として引用によりこの明細書中に援用される。すなわち、米国特許第５，０６５，２６１号；米国特許第５，０６８，７５７号；米国特許第５，１４２，４２２号；米国特許第５，１９１，４９１号；米国特許第５，５３５，０６８号；米国特許第５，６０２，６９４号；米国特許第５，６８０，２６９号；米国特許第５，６８９，３８２号；米国特許第５，７２６，８２６号；米国特許第５，７３１，９２１号；米国特許第５，７３４，５１８号；米国特許第５，９５３，１７７号；米国特許第５，９７３，８７５号；米国特許第５，９７８，１６５号；米国特許第６，１４４，５１８号；および米国特許第５６，２８８，８６４号である。
【０００６】
（大多数ではないが）いくつかのヘリカルスキャンドライブにおいては、トラックは交互のアジマストラックパターンを有するよう変換される。すなわち、トラックは、時間および空間の両方に関して連続して部分的に重なるように記録されるが、「＋」アジマスト
ラックの後に「−」アジマストラックが続き、この後に「＋」アジマストラックが続き、この後に「−」アジマストラックが続く、等々となる。交互のアジマストラックパターンは、１９７０年代半ば以来、アナログ（たとえば、ＶＨＳ、Betamaxなど）およびデジタルの両方のヘリカルテープ記録フォーマットで日常的に用いられてきた。デジタルのヘリカルテープ記録フォーマットの例には、ＤＤＳ、Ｄ−２、ＤＣＴ、Ｄ−３、８５０Ｘおよびマンモス（Mammoth）（登録商標）がある。
【０００７】
いくつかの既存のヘリカルテープドライブ（たとえば、ＤＤＳまたはＶＨＳ）上では、同様の（有効な）幅を持つ２つの書込素子が回転ドラム上において１８０°離して装着され、各書込素子のエッジ（その後、次のトラックが部分的に重ならないエッジ）が名目上共平面となるように（ドラムの回転軸に対して平行な方向に）垂直に設定される。図１Ａには、書込素子ＷＡおよびＷＢを備えたこのような回転ドラムの上面図が示され、図１Ｂには、書込素子ＷＡおよびＷＢの垂直位置が示される。この構成では、次の各書込素子の通過は、名目上、先の書込素子の通過よりも１Ｐの距離だけ高い（ここで、Ｐは公称の所望のトラックピッチまたは幅に等しい）。書込まれた公称トラックピッチは直線テープ速度に対して比例的に変化するので、異なる直線テープ速度および／またはドラム回転速度でフォーマット動作点を選択することにより、同じドラムを用いて異なる公称トラックピッチを持つフォーマットを生じさせることができる。図１Ａおよび図１Ｂのテープドライブ構成に対し、図２Ａは、テープドライブを低速の直線テープ速度で作動させる場合に小さなトラックピッチＰsmallがいかにもたらされるかを示し、図２Ｂは、テープドライブを高速の直線テープ速度で作動させる場合に大きなトラックピッチＰlargeがいかにもたらされるかを示す。
【０００８】
しかしながら、この既存の方法では、２つの書込素子（たとえば、素子ＷＡおよび素子ＷＢ）間の垂直高さに誤差があれば、結果として、記録されたトラックのうちの一方が公称トラックピッチよりも大きくなり、もう一方の記録されたトラックが公称トラックピッチよりも小さくなる（または、垂直誤差の方向に応じて、この逆になる）。図３は、ＷＡ（＋アジマス）書込素子のエッジがＷＢ（−アジマス）書込素子のエッジと完全に共平面にはなく、ＷＡ（＋アジマス）書込素子のエッジがＷＢ（−アジマス）書込素子のエッジよりも誤差Δだけわずかに低い例における、スキャナ上の書込素子ＷＡおよびＷＢの垂直なヘッド位置を示す。したがって、図４に図示のとおり、ＷＡヘッドによって書込まれたトラックはすべて（次のＷＢトラックが部分的に重なった後に）Ｐ＋Δ幅となり、ＷＢヘッドによって書込まれたトラックはすべて（次のＷＡトラックが部分的に重なった後に）Ｐ−Δ幅となる。
【０００９】
図５は、このシーケンシャルな（先行技術の）記録方法を用いる特定のヘリカルスキャナアーキテクチャの例を示す。Mammoth（登録商標）−２ヘリカルスキャンドライブにおいて商業的に実現されたこのアーキテクチャにおいては、回転可能なドラムまたは「スキャナ」の周辺に装着された４つの書込素子（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４）が、素子を２つずつ含む２つのローカルモジュールにグループ分けされる（第１のモジュールは素子Ｗ１、Ｗ２を備え、第２のモジュールは素子Ｗ３、Ｗ４を備える）。２つのモジュールは１８０°離されている。記録されたトラック長がドラムの約１８０°の回転に対応するので、４つの書込変換素子に対する信号は２つの信号チャネルだけで効率的に供給され得る。それぞれの書込変換素子Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３およびＷ４に対する信号のタイミングは図５Ａに示されるとおりである。
【００１０】
図６は、Mammoth（登録商標）−２ヘリカルスキャンテープドライブのための磁気テープ面の図を示し、記録されたトラックの時間と位置の関係の「シーケンシャルな」性質を示すのに役立つ。図６においては、Ｗ１変換素子（＋アジマス）は、ちょうどトラック（Track）１ｉの書込を終えつつある。Ｗ２変換素子（−アジマス）はＷ１変換素子を密接
に追従しているが、部分的に重なった状態でトラック２ｉを書込む。スキャナ上では、Ｗ１変換素子の底部からＷ２変換素子の底部までの垂直高さは、Ｗ２変換素子が図６に示されるＷ１変換素子の経路よりも距離「Ｐ」だけ高いテープ上の経路を追従するように名目上調整される。Ｗ３変換素子（＋アジマス）は、トラック３ｉとなるものの始めの部分である。Ｗ１変換素子の底部からＷ３の変換素子の底部までの垂直高さは、Ｗ３変換素子がＷ１変換素子の経路よりも距離「２Ｐ」だけ高いテープ上の経路を追従するように名目上調整される。Ｗ４変換素子（−アジマス）はＷ３変換素子を密接に追従することとなるが、部分的に重なった状態でトラック４ｉを書込む。Ｗ３変換素子の底部からＷ４変換素子の底部までの垂直高さは、Ｗ４変換素子が図６に示されるＷ３変換素子よりも距離「Ｐ」だけ高い経路を追従するように名目上調整される。
【００１１】
このプロセス（＋アジマス書込の後に−アジマス書込が続き、この後に＋アジマス書込が続き、この後に−アジマス書込が続く、等々）を繰返すことにより、一連の交互のアジマストラックを含む記録がなされる。この場合、各トラックは公称幅Ｐを有する。
【００１２】
上述の方策に伴う１つの問題は、Ｗ１／Ｗ２ヘッドモジュールとＷ３／Ｗ４ヘッドモジュールとの位置関係を維持するのが難しいことである。というのも、特に、これらのモジュールが比較的大きな物理的距離だけ離されているからである。Ｗ１／Ｗ２ヘッドモジュールとＷ３／Ｗ４ヘッドモジュールとの間に誤差「Δ」がある場合、記録されたトラックパターンは図７に示されるように深刻な影響を被る。この例においては、Ｗ１変換素子からＷ３変換素子までの垂直高さは、Ｗ３変換素子がＷ１変換素子経路から２Ｐではなく２Ｐ−Δの経路を追従するようなものとなる。結果として、すべてのトラック２の幅はＰ−Δに減じられ、すべてのトラック４の幅はＰ＋Δに増やされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、必要とされるものおよびこの発明の目的は、ヘリカルスキャンドライブ装置およびこれを作動させる方法であり、これにより、変換素子の垂直分離における変動もしくは誤差（または、変換素子がモジュールにグループ分けされる場合にはモジュールの垂直分離における変動もしくは誤差）にかかわらず、適切なピッチのトラックが変換されることとなる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
概要
新しいヘリカル記録スキャナアーキテクチャおよび変換方法は、変換素子（または変換素子の組）の公称位置決めによってその配置に位置的な誤差が生じるにもかかわらず、ヘリカルトラックに一定のピッチを与える。新しいスキャナは、スキャナの回転軸に対して平行な垂直方向を有する回転可能なスキャナであり、第１および第２の変換素子はともにスキャナ上に装着される。スキャナを含むテープドライブはまた、スキャナの回転中に情報が変換素子によってヘリカルトラックにおいて変換されるような態様で、回転可能なスキャナ近傍に磁気テープを移送するための移送システムを含む。変換素子の幅と、垂直方向に対する変換素子の公称位置決めとは、第１の変換素子および第２の変換素子によって変換されたトラックが公称位置決めと第１の変換素子および第２の変換素子のうちの少なくとも１つの実際の位置決めとの間の誤差にもかかわらず、所望の幅を有するように選択される。
【００１５】
変換素子はモジュールまたはユニットに含まれ得るかまたはその上に装着され得、そういうものとして、（組を含む１つ以上の変換素子を備えた）変換素子の「組」を含み得る。新しいスキャナアーキテクチャは、一般的に、１組当り１つの変換素子を有する実施例と、１組当りＮ個の変換素子（たとえば、１組または１モジュール当りＮ個の書込ギャッ
プ（たとえば、書込変換素子））を有する実施例とに適用可能である（Ｎは０より大きな整数である）。
【００１６】
モジュール（組）の公称位置決めを指定し、このため変換素子のためのものである一般式が提供されるが、これは、公称位置決めと実際の位置決めとの間の誤差にも拘らず、一定のトラックピッチを保証する。この式は、所望のトラックピッチがＰであり、第１の変換素子が、Ｗnarrow＝１．０Ｐの有効幅を有する第１の変換素子を備えた第１のモジュール上に装着されるかまたは当該第１のモジュールを含み、第２の変換ヘッドが、Ｗwide＞１．０Ｐの有効幅を有する第２の変換素子を備えた第２のモジュールの上に装着されるかまたは当該第２のモジュールを含み、かつ、第１のモジュールが第２のモジュールを追従するテープを走査するものと想定する。一般式に従うと、第２のモジュールに対する第１のモジュールの垂直方向に対する公称位置決めは、テープ上において、第１のモジュールにおける最底部の変換素子の下端が、第２のモジュールによって予め記録された最底部のトラックの下端よりも距離Ｈだけ低い経路を追従するように選択される。距離Ｈの値は、Ｗwideが１．０Ｐよりも大きいが２．０Ｐ未満である場合、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５（３Ｐ−Ｗwide）であり、Ｈの値は、Ｗwideが２．０Ｐ以上である場合、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５Ｐである（ｉは、Ｈについての両方の式においては非負整数である）。
【００１７】
第１の変換素子の幅がＰであり、第２の変換素子の幅が２Ｐである一実施例においては、変換素子の公称位置決めは、第１の変換素子上の基準点（たとえば、底部のエッジ）が、第２の変換素子の先の経路よりも名目上１／２Ｐだけ低いテープ上の経路を第１の変換素子が移動することを引起す距離だけ垂直方向に離されるようなものである。第１の変換素子および第２の変換素子がスキャナを中心に１８０°だけ角度を付けて離される場合、変換素子の公称位置決めは、第１の変換素子上の基準点が、第２の変換素子上の対応する基準点から実質的に１．５Ｐに等しい距離だけ垂直方向に離されるようなものとなる。
【００１８】
新しいスキャナアーキテクチャを用いることにより、第１の変換素子および第２の変換素子によって変換されるすべてのトラックが、変換素子の組を分離する物理的な距離における誤差（または、変換素子がモジュールまたは組上に装着される場合には、モジュールを分離する物理的な距離における誤差）にもかかわらず、所望の幅を有することが確実となる。
【００１９】
新しいスキャナアーキテクチャおよび変換方法においては、同じアジマスのＮ個の書込ギャップ（たとえば、書込変換素子）を有するヘッドモジュールまたは「組」について、この場合Ｎは２以上であるが、トラックが新しい時間的順序で書込まれる。すなわち、第１のアジマス配向を有するＮ個のトラックの後に、第２のアジマス配向を有するＮ個のトラックが続き、この後に第１のアジマス配向を有するＮ個のトラックが続く、等である。さらに、テープ上のトラックの空間的順序は、当該トラックが、アジマス配向において第１のアジマス配向と第２のアジマス配向とを交互に繰返す順序になる。アジマスが同じであり時間的に連続した変換されたトラックの数は、用いられる変換素子の数に依存する。４つの変換素子が用いられる例においては、当該変換素子のうちの２つが第１のアジマス配向（たとえば、正の（「＋」）アジマス配向）を有し、当該変換素子のうちのもう２つが第２のアジマス配向（たとえば、負の（「−」）アジマス配向）を有しており、すなわちＮ＝２であるが、変換の時間的順序は、正の（「＋」）アジマストラックの後に別の正の（「＋」）アジマストラックが続き、この後に負の（「−」）アジマストラックが続き、この後に別の負の（「−」）アジマストラックが続く（そして、このパターンが繰返される）。さらに、テープ上のトラックの空間的順序もやはり、＋、−、＋、−、＋、等である。
【００２０】
トラック変換の新しい時間的順序は、第１のモジュールが第３の変換素子をさらに含み
、第２のモジュールが第４の変換素子をさらに含む例示的なスキャナによって示されるが、当該モジュールは、第１の変換素子および第３の変換素子がスキャナの回転の第１の角度位相中にそれぞれのトラックを変換し、第２の変換素子および第４の変換素子が、スキャナの回転の第２の角度位相中に、予め変換されたトラックに部分的に重なるそれぞれのトラックを変換し、テープ上のトラックが異なるアジマス配向に従って交互になるように、スキャナ上の装着されている。この実施例においては、第１のモジュールの変換素子は第１のアジマス配向を有し、第２のモジュールの変換素子は第１のアジマス配向とは異なる第２のアジマス配向を有する。モジュールは、第２の変換素子が、第１の変換素子によって変換されたトラックと第３の変換素子によって変換されたトラックとに部分的に重なるトラックを変換するようにスキャナ上に装着される。
【００２１】
アーキテクチャおよび変換方法は、異なるトラックピッチの大きさ、たとえばＰ1およびＰ2をもつ２つの異なるトラックパターンを書込むことのできるヘリカルスキャンドライブに適用可能である。ここで、Ｐ1はＰ2未満である。たとえば、第１のトラックピッチＰ1を有するトラックは、第１の記録フォーマットまたは第１のタイプのテープ技術に従って動作するテープドライブによって変換され得るが、第２のトラックピッチＰ2を有するトラックは、第２の記録フォーマットまたは第２の種類のテープ技術に従って動作するテープドライブによって変換され得る。
【００２２】
選択的なデュアルトラックピッチアーキテクチャおよび変換方法においては、変換素子の第１のグループは、第１のトラックパターンのトラック（第１のパターンの公称トラックピッチＰ1を有する第１のトラックパターンのトラック）を変換するのに用いるためにスキャナ上に装着され、変換素子の第２のグループは、第２のトラックパターンのトラック（第２のパターンの公称トラックピッチＰ2を有する第２のトラックパターンのトラック）を変換するのに用いるためにスキャナ上に装着される。一般的な構造を用いた一定した態様では、変換素子は、スキャナ上の所定の公称位置に位置しており、これにより、どのグループが利用されるグループとして選択されるかにかかわらず、利用されるグループによって変換されたトラックは、利用されるグループの変換素子を分離する物理的な距離における誤差にかかわらず（たとえば、公称位置決めと、利用されるグループの変換素子の実際の位置決めとの間の誤差にかかわらず）、一定のピッチトラックを有する。
【００２３】
選択的なデュアルトラックピッチアーキテクチャおよび変換方法においては、変換素子の第１および第２のグループは各々、第１のアジマス角配向変換素子（たとえば、正のアジマス角配向変換素子）と、第２のアジマス角配向変換素子（たとえば、負のアジマス角配向変換素子）とを含む。第１のグループまたは第２のグループのどちらが用いられるかにかかわらず、交互のアジマストラックパターンが変換される。好ましくは、第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第１のパターンの公称トラックピッチ（Ｐ1）に実質的に等しい有効な変換幅を有し、第１のグループの第２のアジマス角配向変換素子は、第１のパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ1）の２倍に実質的に等しい有効な変換幅を有する。第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチ（Ｐ2）に実質的に等しい有効な変換幅を有し、第２のグループの第２のアジマス角配向変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチ（Ｐ2）の２倍に実質的に等しい有効な変換幅を有する。
【００２４】
デュアルトラックピッチ走査アーキテクチャおよび方法についての第１の実施例においては、所定の公称位置は、変換動作中、（１）第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子が第１のグループの第２のアジマス角配向変換素子によって変換された先のトラックよりも第１の所定の距離だけ下を移動し、第１の所定の距離は第１のパターンの公称トラックピッチＰ1に関連し、たとえば２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1（ｉ＝０、１、２、…）であり、（２）第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子は第２のグループの第２のアジ
マス角配向変換素子によって変換された先のトラックよりも第２の所定の距離だけ下を移動し、第２の所定の距離は第２のパターンの公称トラックピッチＰ2に関連し、たとえば２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2（ｉ＝０、１、２、…）であるようなものである。たとえば、例示された一実現例においては、第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第１のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい第１のグループの第２のアジマス角配向変換素子に対して垂直分離を有し、第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチの１．５倍に等しい第１のグループの第２のアジマス角配向変換素子に対して垂直分離を有する。
【００２５】
デュアルトラックピッチ走査アーキテクチャおよび方法についての第２および第３の実施例においては、第１のグループは第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子を含み、第２のグループは、第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子と、第１のグループおよび第２のグループに属する共通の変換素子とを含み、当該共通の変換素子は第２のアジマス角配向変換素子である。
【００２６】
デュアルトラックピッチ走査アーキテクチャおよび方法についての第２の実施例においては、第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第１のパターンの公称トラックピッチ（Ｐ1）に実質的に等しい有効な変換幅を有し、第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチ（Ｐ2）に実質的に等しい有効な変換幅を有し、第２のアジマス角配向を有する共通の変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチ（２*Ｐ2）の２倍に実質的に等しい有効な変換幅を有し、所定の公称位置は、変換動作中、（１）第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子が共通の変換素子によって変換された先のトラックよりも第１の所定の距離だけ下を移動し、第１の所定の距離が２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1（ｉ＝０、１、２…）であり、（２）第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子が、共通の変換素子によって変換された先のトラックよりも第２の所定の距離だけ下を移動し、第２の所定の距離が２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2（ｉ＝０、１、２…）であるようなものである。
【００２７】
（Ｐ2が２*Ｐ1にほぼ等しい場合の）デュアルトラックピッチ走査アーキテクチャおよび方法についての第３の実施例においては、第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第１のパターンの公称トラックピッチ（Ｐ1）に実質的に等しい有効な変換幅を有し、第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）の２倍に実質的に等しい有効な変換幅を有し、第２のアジマス角配向を有する共通の変換素子は、第２のパターンの公称トラックピッチに実質的に等しい有効な変換幅を有し（Ｐ2＝ほぼ２Ｐ1）、所定の公称位置は、変換動作中、（１）第１のグループの第１のアジマス角配向変換素子が第１のグループの共通の変換素子によって変換された先のトラックよりも第１の所定の距離だけ下を移動し、第１の所定の距離が２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1（ｉ＝０、１、２…）であり、（２）共通の変換素子が第２のグループの第１のアジマス角配向変換素子によって変換された先のトラックよりも第２の所定の距離だけ下を移動し、第２の所定の距離が２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2（ｉ＝０、１、２…）であるようなものである。
【００２８】
この発明の上述および他の目的、特徴および利点は、添付の図面に図示される好ましい実施例についての以下のより詳細な説明から明らかとなるだろう。添付の図面においては、参照符号はさまざまな図を通じて同じ部分を指す。添付の図面は必ずしも一定の縮尺には従っておらず、この発明の原理を説明するために強調がなされている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図面の詳細な説明
以下の説明においては、限定ではなく説明の目的で、特定のアーキテクチャ、インター
フェイス、技術などの具体的な詳細が、この発明を完全に理解できるようにするために述べられている。しかしながら、この発明がこれらの特定の詳細から逸脱した他の実施例でも実施され得ることが当業者には明らかとなるだろう。他の例においては、不必要な詳述でこの発明の説明を不明瞭にしないようにするために、周知の装置、回路および方法についての詳細な説明が省かれている。さらに、個々の機能ブロックが図面のいくつかに図示される。当該機能が、個々のハードウェア回路、適切にプログラミングされたデジタルマイクロプロセッサもしくは汎用コンピュータに関連して機能するソフトウェア、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、および／または、１つ以上のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）を用いて実現され得ることを当業者は認識するだろう。
【００３０】
この発明は、その局面のうちの１つにおいては、新しいヘリカルヘッド／スキャナ物理およびタイミングアーキテクチャを提供するが、これにより、テープ上に交互にアジマス（＋、−、＋、−、…）記録されたトラックパターンが生成され、有効な電気信号構造がもたらされるが、記録されたトラックパターンは、スキャナまたは回転ドラム上に位置決めされた遠く離された変換素子間または変換素子の組（モジュール）間における高さ誤差によって悪影響を受けない。新しいスキャナアーキテクチャおよび変換方法においては、同じアジマスのＮ個の書込ギャップ（たとえば書込変換素子）を有するヘッドモジュールまたは「組」について、この場合Ｎは２以上であるが、トラックは新しい時間的順序で書込まれる。すなわち、第１のアジマス配向を有するＮ個のトラックの後に、第２のアジマス配向を有するＮ個のトラックが続き、この後に第１のアジマス配向を有するＮ個のトラックが続く、等である。テープ上のトラックの空間的順序は、トラックが、アジマス配向において第１のアジマス配向と第２のアジマス配向とを交互に繰返す順序になる。アジマスが同じであり時間的に連続した変換されたトラックの数は、用いられる変換素子の数に依存する。４つの変換素子が用いられる例においては、当該変換素子のうちの２つが第１のアジマス配向（たとえば、正の（「＋」）アジマス配向）を有し、当該変換素子のうちの２つが第２のアジマス配向（たとえば、負の（「−」）アジマス配向）を有するが、変換の時間的順序としては、正の（「＋」）アジマストラックの後に別の正の（「＋」）アジマストラックが続き、この後に負の（「−」）アジマストラックが続き、この後に別の負の（「−」）アジマストラックが続く（そして、このパターンが繰返される）。テープ上のトラックの空間的順序もやはり、＋、−、＋、−、＋、等である。
【００３１】
図８は、２つの正の（「＋」）アジマス書込変換素子、Ｗ１およびＷ３が１つのヘッドセットにあり、２つの負の（「−」）アジマス変換素子、Ｗ２、Ｗ４が別のヘッドセットにある回転ドラムＤまたは「スキャナ」を特徴とする新しいスキャナアーキテクチャの例を示す。各セットはまた、モジュールとして参照されるが、たとえば、変換素子Ｗ１およびＷ３は第１の組または第１のモジュール（モジュールＭ+）にあり、変換素子Ｗ２およびＷ４は第２の組または第２のモジュール（モジュールＭ-）にある。図９においては、変換素子Ｗ１およびＷ３の公称幅は２Ｐよりもわずかに小さく図示されているが、２Ｐ以上の大きさであってもよい。変換素子Ｗ２およびＷ４の公称幅は、図９に図示のとおり、Ｐである。Ｐは、変換素子Ｗ１〜Ｗ４によって変換されトラックピッチとしても公知であるトラックの所望の幅である。図示されているが実施例を限定するものではない一例においては、Ｐの大きさは約３μｍ〜１０μｍの範囲であり得る。
【００３２】
いくつかの実施例において所望される場合、４つの書込変換素子に対する信号は、図８Ａのタイミング図に図示のとおり、２つの信号チャネル（たとえば、チャネルＡおよびチャネルＢ）のみによって効率的に供給され得る。このような実施例においては、チャネルＡはモジュールＭ+（たとえば、書込変換素子Ｗ１、Ｗ３）のために用いられ、チャネルＢはモジュールＭ-（書込変換素子Ｗ２、Ｗ４）のために用いられる。
【００３３】
移送システムは、スキャナの回転中に情報が変換素子のうちの少なくとも１つによって
変換されるような態様で回転可能なスキャナまたはドラムＤ近傍に磁気テープＴを移送する。当該移送システムは多数の実現例のいずれにも従い得るが、その実施例を限定しないいくつかの例が以下に説明される。たとえば、回転は、第１のモジュールＭ+の変換素子が情報を変換するためにテープと接触する第１の角度位相または半分の回転を有し得、第２のモジュールＭ-の変換素子が情報を変換するためにテープと接触する第２の角度位相または半分の回転を有し得る。このような例においては、好ましくは（ただし必ずしもそうではないが）、第１の角度位相は、第２の角度位相から本質的に１８０°オフセットされる。
【００３４】
図９は、たとえば図８の実施例について、記録されたトラックに対する時間と位置との関係の新しいシーケンスを説明する磁気テープ面Ｔの図を示す。図９においては、Ｗ１変換素子（＋アジマス）はトラック１（ｉ）の書込みを終えつつある。Ｗ３変換素子（＋アジマス）はトラック３（ｉ）の書込みをすでに終えている。スキャナ上では、スキャナ上のＷ１変換素子の底部からＷ３変換素子の底部までの垂直高さは、Ｗ３変換素子が図９に図示されるＷ１変換素子の底部よりも距離「２Ｐ」だけ高いテープ上の経路を追従するように名目上調整される。Ｗ２変換素子（−アジマス）は、トラック２（ｉ−１）になるもののちょうど始めの部分である。Ｗ１変換素子の底部からＷ２変換素子の底部までの垂直高さは、Ｗ２変換素子がＷ１変換素子の経路よりも距離「Ｈ」だけ低いテープ上の経路を追従するように、スキャナ上で名目上調整される。この場合、Ｈは式１によって規定される。
【００３５】
式１：  Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５（３Ｐ−Ｗwide）；ｉ＝１。
【００３６】
Ｗ４変換素子（−アジマス）は、トラック４（ｉ−１）の書込みをすでに始めている。Ｗ４変換素子の底部からＷ２変換素子の底部までの垂直高さは、Ｗ４変換素子が図９に図示のとおりＷ２変換素子よりも距離「２Ｐ」だけ高い経路を追従するように、スキャナ上で名目上調整される。
【００３７】
この新しいプロセス（＋アジマス書込の後に＋アジマス書込（またはＮ＋書込）が続き、この後に−アジマス書込が続き、この後に−アジマス書込（またはＮ−書込）が続く、等）を繰返すことにより、各々が公称幅Ｐを有する一連の交互のアジマストラックを含む記録がなお、もたらされる。この新しい方策では、Ｗ１／Ｗ３ヘッドモジュールＭ+とＷ２／Ｗ４ヘッドモジュールＭ-との間の位置関係を維持するのが依然として難しくなるかもしれない（というのも、これらは、従来どおり、比較的大きな物理的距離だけ離されているからである）。しかしながら、Ｗ１／Ｗ３ヘッドモジュールＭ+とＷ２／Ｗ４ヘッドモジュールＭ-との間の物理的距離に誤差（「Δ」）がある場合、記録されたトラックパターンは、図１０に図示のとおり、モジュールを垂直に配置する際の誤差による影響を受けない。
【００３８】
図１０においては、Ｗ１変換素子からＷ２変換素子までの垂直高さは、Ｗ２変換素子が、Ｗ１変換素子経路からの経路Ｈではなく経路Ｈ＋Δを不正確に追従するようなものである。しかしながら、この不正確な変換素子の装着は最終的な記録されたパターンに影響を及ぼさず、すべての記録されたトラックの幅は依然としてＰとなる。したがって、新しいスキャナアーキテクチャにおいては、変換素子の幅（たとえば、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３およびＷ４）ならびに垂直方向に対する変換素子の公称位置決めは、変換素子によって変換されたトラックが、公称位置決めと、遠く離された変換素子の組の実際の位置決めとの間の誤差にもかかわらず、均一な所望の幅（すなわち、図１０の実施例における幅Ｐ）を有するように選択される。
【００３９】
図１１、図１１Ａ、図１２および図１３は、Ｗ２変換素子がＷ４変換素子の下ではなく
Ｗ４変換素子の上に位置決めされている代替的な実施例を示す。
【００４０】
上記は、一例としてヘリカルなフォーマットを用いて説明されており、この場合、直線テープ運動はスキャナ変換素子運動と同じ（一般的な）方向である（たとえば、Mammoth−２、８５０Ｘ、ＤＤＳ、ＶＨＳ）が、同様の態様で、上記は、直線テープ運動がスキャナ変換素子運動の方向とは逆の（一般的な）方向に移動するヘリカルなテープフォーマットにも適用可能である（たとえば、Ｄ−２またはAmpex  ＤＣＴ）。
【００４１】
図１４は、この発明のスキャナ構成の実施例を展開することのできる非限定的で典型的なテープドライブの例を示す。図１４は、ホストコンピュータ２２を接続するＳＣＳＩバス２０と、ＳＣＳＩターゲット記憶装置の第１の実施例、特にテープドライブ３０とを示す。図示された実施例においては、一例のテープドライブ３０は、テープ３１への／からの情報を変換する一般的なヘリカルスキャンテープドライブとして示される。テープドライブ３０は、ＳＣＳＩバス２０に接続されたＳＣＳＩコントローラ３２を含む。データバス３４はＳＣＳＩコントローラ３２をバッファマネージャ３６に接続する。ＳＣＳＩコントローラ３２およびバッファマネージャはともに、バスシステム４０によってプロセッサ５０に接続される。プロセッサ５０はまた、プログラムメモリ５１と、データメモリ、特にＲＡＭ５２とに接続される。
【００４２】
バッファマネージャ３６は、たとえば、バッファメモリ５６におけるユーザデータの記憶とバッファメモリ５６からのユーザデータの検索との両方を制御する。ユーザデータはテープ３１に記録するためのホスト２２からのデータであるか、またはテープ３１からホスト２２に向けられたデータである。バッファマネージャ３６はまた、２つのフォーマッタ／エンコーダ６０Ａ、６０Ｂと、２つのデフォーマッタ／デコーダ６２Ａ、６２Ｂに接続される。フォーマッタ／エンコーダ６０Ａは第１の書込チャネル７０Ａ（書込チャネルＡとしても既知である）に接続され、フォーマッタ／エンコーダ６０Ｂは第２の書込チャネル７０Ｂ（書込チャネルＢとしても既知である）に接続される。デフォーマッタ／デコーダ６２Ａは第１の読取チャネル７２Ａ（読取チャネルＡとしても既知である）に接続され、デフォーマッタ／デコーダ６２Ｂは第２の読取チャネル７２Ｂ（読取チャネルＢとしても既知である）に接続される。
【００４３】
書込チャネル７０Ａは書込変換素子Ｗ１およびＷ２に接続され、書込チャネル７０Ｂは書込変換素子Ｗ３およびＷ４に接続される。同様に、読取チャネル７２Ａは読取変換素子Ｒ１およびＲ２に接続され、読取チャネル７２Ｂは読取変換素子Ｒ３およびＲ４に接続される。一般的な基準は、（読取であれ書込であれ）いずれのチャネルも、モジュールによって共有され得るように、どの時点においてもアクティブであるいずれかのモジュールからの１つの変換素子しか持たないことである。したがって、書込チャネル７０Ａが変換素子Ｗ１およびＷ４に接続され、書込チャネルＢがＷ３およびＷ２に接続されることも可能となるだろう。同じ基準が読取変換素子に適用されるが、たとえば、読取チャネル７２Ａは読取変換素子Ｒ１およびＲ２に接続され得、読取チャネル７２Ｂは読取変換素子Ｒ３およびＲ４に接続され得る。代替的には、読取チャネル７２Ａは読取変換素子Ｒ１およびＲ４に接続され得、読取チャネル７２Ｂは読取変換素子Ｒ３およびＲ２に変換される。
【００４４】
こうして、書込変換素子Ｗ１、Ｗ３およびＷ２、Ｗ４ならびに読取変換素子Ｒ１、Ｒ３およびＲ２、Ｒ４はスキャナ８５、たとえば回転可能なドラムまたはローラの周辺面上に装着される。テープ３１は、テープ３１が供給リール９０から巻取りリール９２へと矢印８７で示される方向に移送されると上述の変換素子がテープ３１上のヘリカルなストライプ８６を追従するように、スキャナ８５に巻付けられる。供給リール９０および巻取りリール９２は、典型的には、図示されていないカートリッジまたはカセットに収容され、そこから、スキャナ８５に巻付けられた部分を含むテープ３１がテープ経路に引出される。
【００４５】
一実施例においては、供給リール９０および巻取りリール９２は、テープ３１を方向８７に移送するようそれぞれのリールモータ９４および９６によって駆動される。リールモータ９４および９６は、最終的にはプロセッサ５０によって制御される移送コントローラ９８によって駆動される。リールモータ９４および９６を含むこの第２の種類のテープドライブのテープ移送機構の動作および制御は、たとえば米国特許第５，６８０，２６９号を参照することにより当業者に理解されるが、引用によりこの明細書中に援用される。代替的または付加的には、移送システムは、テープ３１に運動を与えるキャプスタンを含み得る。
【００４６】
書込変換素子および読取変換素子に加えて、スキャナ８５には、また、図示されていない或る電子機器が上に装着されていてもよい。スキャナに取付けられた電子機器は、２００１年１月１８日に出願され「ヘリカルスキャンテープドライブのための位相ベースの時間領域トラッキング（“Phase Based Time Domain Tracking for Helical Scan Tape Drive”）」と題された米国特許出願連続番号第０９／７６１，６５８号と、２０００年１月２７日に出願され「電源回路およびその較正方法（“Power Supply Circuit and Method of Calibration therefor”）」と題された米国特許出願連続番号第０９／４９２，３４５号とを参照すると理解されるが、これらがともに全体として、引用によりこの明細書中に援用される。
【００４７】
このように、上記は、新しいヘリカル変換素子／スキャナ物理およびタイミングアーキテクチャを説明するが、これにより、テープ上に交互にアジマス（＋、−、＋、−…）記録されたトラックパターンが生成され、有効な電気信号構造がもたらされるが、記録されたトラックパターンは、遠く離された書込素子間の垂直な高さ誤差によって悪影響を受けない。ここまで、この概念は、各々が２つの書込変換素子を備えた２つの書込ヘッドモジュール（すなわち、合計で４つの書込変換素子）について説明してきた。しかしながら、垂直な分離誤差にもかかわらず一定のトラックピッチを維持する概念は、各々が１つの書込変換素子を備えた２つの書込ヘッドモジュール（すなわち、合計で２つの書込変換素子）に適用されてもよい。こうして、この明細書中に用いられる「組」または「モジュール」という語は、書込素子または書込変換素子を１つしか持たない組またはモジュールを明白に包含する（が、これに限定されない）ことが理解されるべきである。
【００４８】
たとえば、図１５Ａは、第１の書込素子ＷＡを備えた第１の組と、第２の書込素子ＷＢを備えた第２の組とを有するドラムを示す。第１の書込素子ＷＡはまた、より小さな有効幅の書込素子として既知であり、第２の書込素子ＷＢはより大きな有効幅の書込素子として既知である。テープ上で変換されたパターンに対して、ＷＡ素子は、テープ上における先のＷＢ変換素子の走査よりも距離１／２Ｐだけ下を通るよう、名目上垂直に位置決めされる。ドラムの軸を中心にしたＷＡ素子とＷＢ素子との角度が１８０°である場合、ＷＢ素子からＷＡ素子までの公称垂直距離は、図１５Ｂに図示のとおり１．５Ｐとなるだろう。さらに、ＷＡとＷＢの如何なる角度関係においても、対応する公称の垂直高さの差は、ＷＡ素子が、先のＷＢ素子が通るよりも名目上１／２Ｐだけ下を通るように選択され得る。１８０°の角度分離に対する図１５Ａおよび図１５Ｂの構造についての垂直高さの差は１．５Ｐであるが、別の角度分離距離については別の値（たとえば、Ｐについての別の倍数）であり得る。
【００４９】
図１５Ａおよび図１５Ｂの実施例のドラムについての公称トラックパターンが図１６Ａに示される。図１５Ａおよび図１５Ｂの実施例においては、先の実施例と同様に、ＷＢ素子に対するＷＡ素子の公称垂直分離と、ＷＢ素子に対するＷＡ素子の実際の垂直分離との間にわずかな誤差（Δ）が存在する場合、記録されたトラックの幅（ピッチ）に影響はない。実際には、記録されたすべてのトラックの幅（ピッチ）は、図１６Ｂに図示のとおり
、Ｐのままである。
【００５０】
図８Ａ、図９および図１０の実施例は、各々が２つの変換素子を有するヘッドセットを説明したが、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１６Ａおよび図１６Ｂの実施例は、各々が１つの変換素子を有するヘッドセットを説明した。これらの２つの実施例は、さらに他の実施例を包含する一般的なドライブ構造に含まれている。一般的なドライブ構造は以下の特徴（１）〜（５）によって説明される。
【００５１】
特徴（１）：各ヘッドモジュールまたは「組」が、同じアジマスの「Ｎ」個の書込ギャップ（たとえば書込変換素子）を有する（ここで、Ｎは任意の正の整数１、２、３…である）；
特徴（２）：テープを走査する第１のヘッドモジュールは、２Ｐの間隔を空けられた「広い」書込ギャップを有し（Ｐはトラックの所望の幅またはピッチである）、この場合、（テープに対するヘッド運動の方向への）各書込ギャップの有効幅は「Ｗwide」であり、Ｗwide＞１．０Ｐである。
【００５２】
特徴（３）：第１のヘッドモジュールのすぐ後を追従してテープを走査する第２のヘッドモジュールは、同様に２Ｐの間隔を空けられた「狭い」書込ギャップを有し、この場合、（テープに対するヘッド運動の方向への）各書込ギャップの有効幅は「Ｗnarrow」であり、Ｗnarrow＝１．０Ｐである。
【００５３】
特徴（４）：どちらのヘッドモジュールもどちらかのアジマスを有し得る。
【００５４】
特徴（５）：第１の（広い）ヘッドモジュールに対する第２の（狭い）ヘッドモジュールの垂直高さは、（テープ面上において）第２の（狭い）ヘッドモジュールにおける最底部の書込ギャップの下端が、第１の（広い）ヘッドモジュールによって予め書込まれた最底部のトラックの下端よりも、Wwideの値と任意の数「ｉ」（ここで、ｉは任意の非負整数０、１、２、３…である）とに依存した距離Ｈだけ低い経路を追従するように設定される。Wwideが１．０Ｐよりも大きいが２．０Ｐ未満である場合、Ｈは式２によって与えられる。Wwideが２．０Ｐ以上である場合、Ｈは式３によって与えられる。
【００５５】
式２：Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５（３Ｐ−Wwide）
式３：Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５Ｐ
テープ上のパターンが２Ｐの距離で繰返されるので、（Ｎに拘らず）２つのヘッドモジュール間の相対的な垂直分離は任意の「作動位置」から２Ｐだけ増やされ得るが、これはさらに、別の「作動位置」となるだろう。変数「ｉ」は整数カウンタであり、当該整数カウンタは、WnarrowモジュールがWwideモジュールからその可能な限り小さな分離された位置（ｉ＝０）よりも下に幾つの２Ｐ分だけシフトされるかを記録する。
【００５６】
図１７は、新しいスキャナアーキテクチャのさまざまな実施例によって生成されたトラックパターンの９つの異なる例を示す。図１７の実施例はすべて、Wwide＝２．０Ｐを有する。各々の実施例は、Ｎの値とｉの値との異なる組合せを反映する。図１７の第１の列はＮ＝１（たとえば、１組当り１つの変換素子）を有する３つの実施例を示し、第１の列の第１の行の実施例はｉの値が０で、Ｈ＝０．５Ｐであり、第１の列の第２の行の実施例はｉの値が１で、Ｈ＝２．５Ｐであり、第１の列の第３の行の実施例はｉの値が２で、Ｈ＝４．５Ｐである。
【００５７】
図１７の第２の列はＮ＝２（たとえば、１組当り２つの変換素子）を有する３つの実施例を示し、第２の列の第１の行の実施例はｉの値が０で、Ｈ＝０．５Ｐであり、第２の列の第２の行の実施例はｉの値が１で、Ｈ＝２．５Ｐであり、第２の列の第３の行の実施例
はｉの値が２で、Ｈ＝４．５Ｐである。図１７の第３の列はＮ＝３（たとえば、１組当り３つの変換素子）を有する３つの実施例を示し、第３の列の第１の行の実施例はｉの値が０で、Ｈ＝０．５Ｐであり、第３の列の第２の行の実施例はｉの値が１で、Ｈ＝２．５Ｐであり、第３の列の第３の行の実施例はｉの値が２で、Ｈ＝４．５Ｐである。
【００５８】
図１７の実施例はWwide＝２．０Ｐで示されるが、上述の特徴によって説明される一般的な構造がWwide＝２．０Ｐに限定されないことが理解されるべきである。実際には、図１８Ａ〜図１８Ｃは、一般的な構造がさらなる実施例に適用可能であることを示す。特に、図１８Ａ〜図１８Ｃは、Ｎ＝２、ｉ＝１であり、Wwideの３つの異なる幅を持つ例を示す。具体的には、図１８Ａは、Wwide＜２Ｐの場合、Ｎ＝２、ｉ＝１である例を示す。図１８Ｂは、Wwide＝２Ｐの場合、Ｎ＝２、ｉ＝１である例を示す。図１８Ｃは、Wwide＞２Ｐの場合、Ｎ＝２、ｉ＝１である例を示す。図１８Ａの実施例においては、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５（３Ｐ−Wwide）＝３．５Ｐ−０．５Wwideである（というのも、Wwide＜２Ｐで、ｉ＝１であるからである）。図１８Ｂの実施例においては、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５Ｐ＝２．５Ｐである（というのも、Wwide＝２Ｐで、ｉ＝１であるからである）。図１８Ｃの実施例においては、Ｈ＝２Ｐｉ＋０．５Ｐ＝２．５Ｐである（というのも、Wwide＞２Ｐで、ｉ＝１であるからである）。
【００５９】
異なるトラックパターンの変換
この明細書中において後に説明されるさらに他の実施例においては、上述の概念は、異なるトラックピッチ（幅）の大きさ、たとえばＰ1およびＰ2（ここで、Ｐ1はＰ2未満である）を有する２つの異なるトラックパターンのいずれかを選択的に変換することのできるヘリカルスキャンドライブに当てはめられるかまたはこれに適用される。第１のトラックピッチのトラックを有するトラックパターンを書込むか、または第２のトラックピッチのトラックを有するトラックパターンを書込むことのできるドライブは、この明細書中において、選択的なデュアルトラック幅走査アーキテクチャおよび／または方法と言われるものを実現する。
【００６０】
図１９Ａおよび図１９Ｂの回転ドラムアセンブリは４つの書込素子（ＷＡ、ＷＢ、ＷＣおよびＷＤ）を有する。後に説明されるように、書込素子ＷＡおよびＷＢは、第１の所望のトラックパターンを有するトラック（すなわち、公称トラックピッチＰ1を有するトラック）を変換するのに用いることができる。書込素子ＷＡは＋アジマス素子であり、書込素子ＷＢは−アジマス素子である。代替的には、書込素子ＷＣおよびＷＤは、第２の所望のトラックパターンを有するトラック（すなわち、公称トラックピッチＰ2を有するトラック）を変換するのに用いることができる。書込素子ＷＣは＋アジマス素子であり、書込素子ＷＤは−アジマス素子である。
【００６１】
非限定的な例として、ＷＡおよびＷＣ書込素子は、（有利には）同じ薄膜ヘッド構造において製造されるように図１９Ａに図示されるが、ＷＢおよびＷＤ書込素子は第２の薄膜ヘッド構造にある。書込変換素子または書込素子を複合セットまたはモジュールに組合せることは必須ではない。というのも、各々の書込素子は（先に説明された態様で）図１９Ｃに図示のとおりそれ自体の独立した変換素子構造を有し得るからである（この場合、ＷＡ−ＷＢおよびＷＣ−ＷＤはともに、効率的な上流の１チャネルの動作のために直径に沿っている）。
【００６２】
図１９Ｃに示される書込素子は、角度θに拘らず、図１９Ａに示されるのと同じ垂直関係を有するだろう。より一般的には、こうして図１９Ａおよび図１９Ｂの場合をも含めて、各々の書込素子はそれ自体の独立した変換素子構造を有し得、以下の４つの条件（条件１９−１〜１９−４）が満たされる限り、そのもう一方に対して如何なる相対角度をもなし得る。
【００６３】
条件１９−１：ＷＡは「＋」アジマス書込素子であり、その有効な書込幅は、第１の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（Ｐ1）に等しくなるよう設定される。ＷＢ書込素子に対するＷＡ素子の角度的な垂直位置は、書込動作中、ＷＡがテープ面上における先のＷＢ素子が通るよりも２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1（ｉ＝０、１、２、…）だけ下を通るように選択される。
【００６４】
条件１９−２：ＷＢは「−」アジマス書込素子であり、その有効幅は、第１の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ1）の約２倍に等しくなるよう設定される。
【００６５】
条件１９−３：ＷＣは「＋」アジマス書込素子であり、その有効な書込幅は、第２の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（Ｐ2）に等しくなるよう設定される。ＷＤ書込素子に対するＷＣ素子の角度的な垂直位置は、書込動作中、ＷＣが、テープ面上における先のＷＤ素子が通るよりも２Ｐ2ｉ＋０．５Ｐ2（ｉ＝０、１、２、…）だけ下を通るように選択される。
【００６６】
条件１９−４：ＷＤは「−」アジマス書込素子であり、その有効幅は、第２の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）の約２倍に等しくなるよう設定される。
【００６７】
各々の所望のトラックパターンを書込むのに４つの書込素子のうち２つだけが用いられる。たとえば、図２０に示されるヘリカルスキャンドライブの第１の動作モードでは、公称トラックピッチＰ1の第１の交互のアジマストラックパターンを書込むのに書込素子ＷＡおよびＷＢが用いられ、書込素子ＷＣおよびＷＤは用いられない。図２１に示される第２の動作モードでは、公称トラックピッチＰ2の第２の交互のアジマストラックパターンを書込むのに書込素子ＷＣおよびＷＤが用いられ、書込素子ＷＡおよびＷＢは用いられない。図２０のトラックパターンおよび図２１のトラックパターンはともに、異なる変換素子で書込まれているが、各パターンを記録する２つの書込素子間の公称の所望の高さに垂直な高さ誤差、Δがある場合にトラックパターンが影響を受けないという利点から恩恵を受ける。
【００６８】
図２２Ａおよび図２２Ｂの実施例に示されるように、４つの書込素子ではなく３つの書込素子だけを用いて同じ結果を達成することができる。図２２Ａおよび図２２Ｂの実施例においては、回転ドラムアセンブリは３つの書込素子、すなわちＷＡ、ＷＢおよびＷＥを有する。後に説明されるように、書込素子ＷＡおよびＷＢは、第１の所望のトラックパターンを有するトラック（すなわち、公称トラックピッチＰ1を有するトラック）を変換するのに用いられてもよい。書込素子ＷＡは＋アジマス素子であり、書込素子ＷＢは−アジマス素子である。代替的には、書込素子ＷＢおよびＷＥは、第２の所望のトラックパターンを有するトラック（すなわち、公称トラックピッチＰ2を有するトラック）を変換するのに用いられてもよい。書込素子ＷＥは＋アジマス素子であり、書込素子ＷＢは−アジマス素子である。
【００６９】
ＷＡおよびＷＥ書込素子は、（有利には）同じ薄膜変換素子構造において（ＷＡ−ＷＢおよびＷＥ−ＷＢに対するほぼ直径に沿った関係で）製造されるように図示されるが、これらは、以下に列挙された条件が満たされる限り、この発明の要件ではない（すなわち、各々の書込素子はそれ自体の独立したヘッド構造を有し得、如何なる相対角度をもなし得る）。
【００７０】
垂直高さの距離の誤差にも拘らず一定のトラックピッチを維持するための、図２２Ａおよび図２２Ｂの実施例についての動作の条件は、以下の条件２０−１〜２０−３である。
【００７１】
条件２０−１：ＷＡは「＋」アジマス書込素子であり、その有効な書込幅は、第１の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（Ｐ1）に等しくなるよう設定される。ＷＢ書込素子に対するＷＡ素子の角度的な垂直位置は、書込動作中、ＷＡが、テープ面上での先のＷＢ素子が通るよりも２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1（ｉ＝０、１、２、…）だけ下を通るように選択される。
【００７２】
条件２０−２：ＷＢは「−」アジマス書込素子であり、その有効幅は、第２の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）の約２倍に等しくなるよう設定される。
【００７３】
条件２０−３：ＷＥは「＋」アジマス書込素子であり、その有効な書込幅は、第２の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（Ｐ2）に等しくなるよう設定される。ＷＢ書込素子に対するＷＥ素子の角度的な垂直位置は、書込動作中、ＷＥが、テープ面上での先のＷＢ素子が通るよりも２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ2（ｉ＝０、１、２、…）だけ下を通るように選択される。
【００７４】
図２２Ａおよび図２２Ｂの実施例においては、各々の所望のトラックパターンを書込むのに３つの書込素子のうち２つだけが用いられる。たとえば、図２３に示されるヘリカルスキャンドライブの第１の動作モードでは、公称トラックピッチＰ1の第１の交互のアジマストラックパターンを書込むのに書込素子ＷＡおよびＷＢが用いられ、書込素子ＷＥは用いられない。図２４に示される第２の動作モードでは、公称トラックピッチＰ2の第２の交互のアジマストラックパターンを書込むのに書込素子ＷＢおよびＷＥが用いられ、書込素子ＷＡは用いられない。図２３のトラックパターンおよび図２４のトラックパターンは共に、異なる変換素子で書込まれているが、各パターンを記録する書込素子間の公称の所望の高さに垂直な高さ誤差、Δがある場合にトラックパターンが影響を受けないという利点から恩恵を受ける。
【００７５】
第１の所望のトラックピッチの大きさ、すなわちＰ１が第２の所望のトラックピッチの大きさＰ２の約１／２である場合、僅かに構成の異なる３つの書込素子を用いて同じ結果を達成することができる（たとえば、図２２Ａおよび図２２Ｂの実施例の代替的な構成）。この構成は、回転ドラムアセンブリが３つの書込素子ＷＡ、ＷＢおよびＷＦを有している図２５Ａおよび図２５Ｂの実施例に示される。図２５Ａおよび図２５Ｂの実施例においては、書込素子ＷＡおよび書込素子ＷＦは、（有利には）同じ薄膜ヘッド構造において（ＷＡ−ＷＢおよびＷＦ−ＷＢに対するほぼ直径に沿った関係で）製造されるように図示されるが、これらはまた、この発明の要件ではない（すなわち、各々の書込素子はそれ自体の独立した変換素子構造を有し得、如何なる相対角度をもなし得る）。図２５Ａおよび図２５Ｂの実施例について垂直な高さ誤差を論じるのに重要なことは、条件２３−１〜２３−３が満たされることである。
【００７６】
条件２３−１：ＷＡは「＋」アジマス書込素子であり、その有効な書込幅は、第１の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（Ｐ1）に等しくなるよう設定される。ＷＢ書込素子に対するＷＡ素子の角度的な垂直位置は、書込動作中、ＷＡが、テープ面上での先のＷＢ素子が通るよりも２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ1（ｉ＝０、１、２、３、…）だけ下を通るように選択される。
【００７７】
条件２３−２：ＷＢは「−」アジマス書込素子であり、その有効幅は、第２の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）に等しくなるよう設定される。これは２Ｐ1にもほぼ等しい。
【００７８】
条件２３−３：ＷＦは「＋」アジマス書込素子であり、その有効な書込幅は、第２の所望のトラックパターンの公称トラックピッチ（２Ｐ2）の約２倍に等しくなるよう設定さ
れる。ＷＢ書込素子に対するＷＦ素子の角度的な垂直位置は、書込動作中、ＷＢが、テープ面上での先のＷＦ素子が通るよりも２Ｐ1ｉ＋０．５Ｐ2（ｉ＝０、１、２、３、…）だけ下を通るように選択される。
【００７９】
図２５Ａおよび図２５Ｂの実施例においては、また、各々の所望のトラックパターンを書込むのに３つの書込素子のうちの２つだけが用いられる。たとえば、図２６に示されるヘリカルスキャンドライブの第１の動作モードでは、公称トラックピッチＰ1の第１の交互のアジマストラックパターンを書込むのに書込素子ＷＡおよびＷＢが用いられ、書込素子ＷＦは用いられない。図２７に示される第２の動作モードでは、公称トラックピッチＰ2の第２の交互のアジマストラックパターンを書込むのに書込素子ＷＢおよびＷＦが用いられ、書込素子ＷＡは用いられない。図２６のトラックパターンおよび図２７のトラックパターンは共に、異なる変換素子で書込まれているが、各パターンを記録する書込素子間の公称の所望の高さに垂直な高さ誤差、Δがある場合にトラックパターンが影響を受けないといった利点から恩恵を受ける。
【００８０】
スキャナ構造以外に、デュアルトラック幅走査アーキテクチャおよび方法を実現するドライブがさまざまな方法で構成され得る。図２８Ａ〜図２８Ｄは、図１９Ａ、図１９Ｂおよび図１９Ｃの実施例のスキャナのためのドライブの４つの構成例の基本的な構成要素を示す。その実施例のスキャナは４つの書込変換素子、すなわち書込変換素子ＷＡ、ＷＢ、ＷＣおよびＷＤを有するが、ヘッドＷＡおよびＷＢは、Ｐ1の公称幅を有する第１のトラックパターンのトラックを変換するのに用いられ、ヘッドＷＣおよびＷＤは、Ｐ2の公称幅を有する第２のトラックパターンのトラックを変換するのに用いられる。図２８Ａのテープドライブは多くの点で（上述の）図１４のテープドライブに類似しているが、各トラックパターンのための別個の書込部分と、各トラックパターンのための別個の読取部分とを有する。この明細書中で用いられるように、「書込部分」は、本質的に、バッファ５６に記憶され書込変換素子によって書込まれるべきデータのデータルートまたはデータ経路を含むが、「読取部分」は、本質的に、読取変換素子から得られバッファ５６に向けられるデータのデータルートまたはデータ経路を含む。
【００８１】
このように、図２８Ａは、（変換素子ＷＡおよびＷＢによって書込まれた）第１のトラックパターンに対する書込部分１００Ａ1と、（変換素子ＷＣおよびＷＤによって書込まれた）第２のトラックパターンに対する書込部分１００Ａ2とを示す。各々の書込部分は、各々の書込変換素子に対するフォーマッタ６０と書込チャネル７０とを有する。たとえば、書込部分１００Ａ1は、書込変換素子ＷＡに対するフォーマッタ６０−１WAおよび書込チャネル７０−１WA、ならびに書込変換素子ＷＢに対するフォーマッタ６０−１WBおよび書込チャネル７０−１WBを有する。同様に、書込部分１００Ａ2は、書込変換素子ＷＣに対するフォーマッタ６０−２WCおよび書込チャネル７０−２WC、ならびに書込変換素子ＷＤに対するフォーマッタ６０−２WDおよび書込チャネル７０−２WDを有する。図２８Ａの実施例のための読取部分は簡略にするために図示されていないが、本質的に類似した構造が、書込部分と同様に読取部分に存在し、書込チャネルの代わりに読取チャネルを備え、フォーマッタ／エンコーダの代わりにデフォーマッタ／デコーダを備えることが理解されるだろう。
【００８２】
こうして、図２８Ａの実現例は、バッファマネージャ３６とスキャナ８５との間に２つの平行なデータルートを含むドライブを示すが、そこには、各トラックパターンのデータのための異なるデータルートが存在する。当然、上述のとおり、２つのデータルートはともに同時にアクティブではなく、たとえば、１つの書込部分だけが、任意の所与のテープを変換する間に利用される。
【００８３】
平行なルート実現例の変形例が図２８Ｂに示される。図２８Ｂの変形例においては、同
じ書込部分の変換素子はともに、共通のフォーマッタ／エンコーダおよび共通の書込チャネルを共有するが、データは、スキャナの角度的な回転位相に従って２つの変換素子間でスイッチ１０２の動作によって切換えられる。たとえば、図２８Ｂの書込部分１００Ｂ1においては、スキャナ８５の第１の１８０°の回転中に、フォーマッタ／エンコーダ６０−１および書込チャネル７０−１からのデータがスイッチ１０２1によって変換素子ＷＡに与えられ、その後、スキャナ８５の第２の１８０°の回転中に、フォーマッタ／エンコーダ６０−１および書込チャネル７０−１からのデータがスイッチ１０２1によって変換素子ＷＢに与えられる。第２のトラックパターンを書込むのにドライブが代わりに用いられると、第２のトラックパターン書込部分１００Ｂ2に類似の動作が発生する。図２８Ａの実施例におけるように、読取部分は、図２８Ｂには示されないが、それにもかかわらず、両方のトラックパターンのために存在している。
【００８４】
図２８Ｃは、ドライブが書込部分１００Ｃを１つしか持たない別の実現例を示す。書込部分１００Ｃは２つのフォーマッタ／エンコーダ６０Ｃ−１および６０Ｃ−２、ならびに２つの書込チャネル７０Ｃ−１および７０Ｃ−２を有する。書込部分１００Ｃは、第１のトラックパターンを書込むモードと、第２のトラックパターンを書込むモードとの両方において用いられる。言い換えれば、書込部分１００Ｃは特定のトラックパターンモード専用ではない。書込部分１００Ｃはさらに２つのスイッチ１０４1および１０４2を含むが、これらの２つのスイッチ１０４1および１０４2は、ドライブが第１のトラックパターンモードに従って動作する場合の第１のトラックパターンのための書込変換素子と、ドライブが第２のトラックパターンモードに従って動作する場合の第２のトラックパターンのための書込変換素子との間で、書込まれるべきデータを切換える。さらに、図１９Ａ、図１９Ｂおよび図１９Ｃの実施例を用いると、第１のトラックパターンモードでは、スイッチ１０４1は、書込チャネル７０Ｃ−１からのデータが変換素子ＷＡに与えられるように動作し、スイッチ１０４2は、書込チャネル７０Ｃ−１からのデータが変換素子ＷＢに与えられるように動作する。一方、第２のトラックパターンモードでは、スイッチ１０４1は、書込チャネル７０Ｃ−１からのデータが変換素子ＷＣに加えられるように動作し、スイッチ１０４2は、書込チャネル７０Ｃ−１からのデータが変換素子ＷＤに加えられるように動作する。
【００８５】
図２８Ｄは、ドライブが１つの書込部分、すなわち書込部分１００Ｄしか持たない別の実現例を示す。書込部分１００Ｄは、１つのフォーマッタ／デコーダ６０Ｄと１つの書込チャネル７０Ｄとを含む。書込チャネル７０Ｄは、書込まれるべきデータをモードスイッチ１０４Ｄに加えるよう接続される。第１のトラックパターンモードの場合、モードスイッチ１０４Ｄはデータを第１のモードのチャネルスイッチ１０２Ｄ1に加える。次いで、第１のモードのチャネルスイッチ１０２Ｄ１は、図２８Ｂに関連して上述されるのと類似の態様で、スキャナの角度的な回転位相に従って２つの変換素子ＷＡとＷＢとの間でデータを選択的に切換える。第２のトラックパターンモードの場合、モードスイッチ１０４Ｄは第２のモードのチャネルスイッチ１０２Ｄ2にデータを加える。次いで、第２のモードのチャネルスイッチ１０２Ｄ2は、同様にスキャナの角度的な回転位相に従って、図２８Ｂに関連して上述されるのと同様の態様で、２つの変換素子ＷＣとＷＤとの間でデータを選択的に切換える。
【００８６】
有利には、この明細書中に記載される磁気記録装置および方法は、テープ上において交互にアジマス記録されたトラックパターンを記録／再生し、効率的な電気信号構造をもたらすが、記録されたトラックパターンは、書込変換素子の間または書込変換素子の独立した組の間における高さ誤差によって悪影響を受けない。この明細書中に記載されるアーキテクチャおよび技術は、公称トラックピッチ（すなわちトラック幅）が３〜１０ミクロンであるとき特に有効である。公称位置決めと実際の位置決めとの間の誤差は公称トラックピッチのほぼ１／２ほどの大きさであり得るが、たとえば、Ｐ＝６ミクロンのパターン上
では、書込モジュール間の垂直な位置決めの誤差は２〜２．５ミクロンほどであり得る。
【００８７】
最も実用的で好ましい実施例であると現在考えられているものに関連してこの発明が記載されてきたが、この発明が開示された実施例に限定されるべきではなく、逆に、添付の特許請求の範囲の精神および範囲内に含まれるさまざまな変形例および同等の構成例を包含することを意図するものであることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１Ａ】２つの書込素子を備えた先行技術の回転ドラムの一部を示す上部概略図である。
【図１Ｂ】図１Ａの回転ドラムの書込素子の理想的な垂直位置を示す概略図である。
【図２Ａ】磁気テープが低速の直線テープ速度で移送されている図１Ａの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換される磁気テープのセグメントを示す概略図である。
【図２Ｂ】磁気テープが高速の直線テープ速度で移送されている図１Ａの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換される磁気テープのセグメントを示す概略図である。
【図３】図１Ａと同様の回転ドラムの書込素子の垂直位置において生じ得る誤差を示す概略図である。
【図４】図１Ａの回転ドラムを有し、その書込素子の垂直位置に誤差のあるヘリカルスキャンドライブによって変換された磁気テープのセグメントを示す概略図である。
【図５】２つのローカルモジュールにグループ分けされた４つの書込変換素子を有し、先行技術のシーケンシャルな記録方法を用いる先行技術のヘリカルスキャナアーキテクチャの例を示す概略図である。
【図５Ａ】図５のようなアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブのための信号を示す概略図である。
【図６】図５のようなアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブのための磁気テープ面を示す概略図である。
【図７】先行技術のテープドライブによって生成され、ヘッドモジュール間の位置の誤差を有するトラックパターンを示す概略図である。
【図８】一実施例に従った新しいスキャナアーキテクチャの具体例を示す概略図である。
【図８Ａ】図８のようなアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブのための信号を示す概略図である。
【図９】図８の新しいスキャナアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブのための磁気テープ面を示す概略図である。
【図１０】図８の新しいスキャナアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブによって生成されたトラックパターンと、ヘッドモジュール間の位置の誤差とを示す概略図である。
【図１１】新しいスキャナアーキテクチャの別の具体的な実施例を示す概略図である。
【図１１Ａ】図１１のようなアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブのための信号を示す概略図である。
【図１２】図１１の新しいスキャナアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブのための磁気テープ面を示す概略図である。
【図１３】図１１の新しいスキャナアーキテクチャを有するヘリカルスキャンテープドライブによって生成されたトラックパターンと、ヘッドモジュール間の位置の誤差とを示す概略図である。
【図１４】新しいスキャナアーキテクチャの実現例に好適なヘリカルスキャンドライブの例を示す概略図である。
【図１５Ａ】別の実施例に従った回転ドラムの一部を示す上部概略図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａの回転ドラムの書込素子の垂直位置を示す概略図である。
【図１６Ａ】図１５Ａおよび図１５Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された公称トラックパターンを示す磁気テープのセグメントを示す概略図である。
【図１６Ｂ】書込素子の垂直な位置決めにおける誤差を有する図１５Ａおよび図１５Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換されたトラックパターンを示す磁気テープのセグメントを示す概略図である。
【図１７】新しいスキャナアーキテクチャのさまざまな実施例によって生成されたトラックパターンについての対応する９つの異なる例を備えた、磁気テープの９つのセグメントを示す概略図である。
【図１８Ａ】新しいスキャナアーキテクチャの他のさまざまな実施例によって生成されたトラックパターンについての対応する３つの異なる例を備えた、磁気テープの３つのセグメントを示す概略図である。
【図１８Ｂ】新しいスキャナアーキテクチャの他のさまざまな実施例によって生成されたトラックパターンについての対応する３つの異なる例を備えた、磁気テープの３つのセグメントを示す概略図である。
【図１８Ｃ】新しいスキャナアーキテクチャの他のさまざまな実施例によって生成されたトラックパターンについての対応する３つの異なる例を備えた、磁気テープの３つのセグメントを示す概略図である。
【図１９Ａ】別の実施例に従った回転ドラムの一部を示す上部概略図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａの回転ドラムの書込素子の垂直位置を示す概略図である。
【図１９Ｃ】図１９Ａおよび図１９Ｂの実施例に従っているが、書込素子が、組合されたヘッド構造ではなくそれら自体の独立したヘッド構造を有している回転ドラムの一部を示す上部概略図である。
【図２０】図１９Ａおよび図１９Ｂの回転ドラムまたは図１９Ｃおよび図１９Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された第１のモードのトラックパターンを示す磁気テープのセグメントの概略図である。
【図２１】図１９Ａおよび図１９Ｂの回転ドラムまたは図１９Ｃおよび図１９Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された第２のモードのトラックパターンを示す磁気テープのセグメントの概略図である。
【図２２Ａ】別の実施例に従った回転ドラムの一部を示す上部概略図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａの回転ドラムの書込素子の垂直位置を示す概略図である。
【図２３】図２２Ａおよび図２２Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された第１のモードのトラックパターンを示す磁気テープのセグメントの概略図である。
【図２４】図２２Ａおよび図２２Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された第２のモードのトラックパターンを示す磁気テープのセグメントの概略図である。
【図２５Ａ】別の実施例に従った回転ドラムの一部を示す上部概略図である。
【図２５Ｂ】図２５Ａの回転ドラムの書込素子の垂直位置を示す概略図である。
【図２６】図２５Ａおよび図２５Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された第１のモードのトラックパターンを示す磁気テープのセグメントの概略図である。
【図２７】図２５Ａおよび図２５Ｂの回転ドラムを有するヘリカルスキャンドライブによって変換された第２のモードのトラックパターンを示す磁気テープのセグメントの概略図である。
【図２８Ａ】デュアルトラック幅走査アーキテクチャおよび方法を用いるドライブのさまざまな実現例を示す概略図である。
【図２８Ｂ】デュアルトラック幅走査アーキテクチャおよび方法を用いるドライブのさまざまな実現例を示す概略図である。
【図２８Ｃ】デュアルトラック幅走査アーキテクチャおよび方法を用いるドライブのさまざまな実現例を示す概略図である。
【図２８Ｄ】デュアルトラック幅走査アーキテクチャおよび方法を用いるドライブのさまざまな実現例を示す概略図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図８Ａ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１１Ａ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【図２８Ｄ】
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【国際調査報告】
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