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【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気タービンにおける排気流路の内部に設けられる複数のノズルベーンと前記排気流路に隣接するリンク室内に設けられて前記複数のノズルベーンを連結するリンク機構とからなる可変ノズル機構を有するターボチャージャと、
内燃機関の排気通路における前記排気タービンより排気下流側に設けられて排気を浄化する排気浄化装置と、
前記排気タービンより排気上流側において前記排気浄化装置の機能回復を図るべく前記内燃機関の排気に燃料を添加する燃料添加装置と、
前記リンク室を加熱する加熱部と、
前記加熱部による加熱を実行する期間が前記燃料添加装置による燃料の添加を実行する期間の少なくとも一部に重複する態様で、前記加熱部による加熱を開始するとともに同加熱を停止する制御部と
を備え、
前記ターボチャージャは、前記内燃機関の吸気通路に設けられたコンプレッサと前記排気タービンとそれらコンプレッサ及び排気タービンを連結するセンターハウジングとを有し、
前記リンク室は前記排気タービンと前記センターハウジングとの間に設けられ、
前記センターハウジングは、その内部に、水が循環するハウジング水路が設けられ、
前記加熱部は、前記ハウジング水路に高温の水を導入することにより、前記リンク室を加熱するものである機関システムの制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の機関システムの制御装置において、
前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始するタイミングを、前記燃料添加装置による燃料添加を開始するタイミングより前のタイミングにする
ことを特徴とする機関システムの制御装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の機関システムの制御装置において、
前記制御部は、前記加熱部による加熱を停止するタイミングを、前記燃料添加装置による燃料添加を停止するタイミングと同時あるいは同タイミングよりも後のタイミングにする
ことを特徴とする機関システムの制御装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の機関システムの制御装置において、
前記排気タービンは、その内部に、水が循環するタービン水路が設けられ、
前記制御装置は、前記タービン水路の排出口と前記ハウジング水路の導入口とを連通する連通路、及び、前記連通路に設けられた流路切替弁を備え、
前記制御部は、前記流路切替弁の作動制御を通じて、前記タービン水路の排出口から前記ハウジング水路の導入口への前記連通路を介した水の流入を許容することによって前記加熱部による加熱を実行し、前記タービン水路の排出口から前記ハウジング水路の導入口への前記連通路を介した水の流入を禁止することによって前記加熱部による加熱を停止する
ことを特徴とする機関システムの制御装置。
【請求項５】
請求項４に記載の機関システムの制御装置において、
当該制御装置は、前記タービン水路の導入口と前記ハウジング水路の導入口とを並列接続する導入路、及び、前記タービン水路の排出口と前記ハウジング水路の排出口とを並列接続する排出路を備え、
前記制御部は、前記ハウジング水路と前記タービン水路とを直列接続することによって前記加熱部による加熱を実行し、前記ハウジング水路と前記タービン水路とを並列接続することによって前記加熱部による加熱を停止する
ことを特徴とする機関システムの制御装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の機関システムの制御装置において、
前記制御部は、前記燃料添加装置による燃料添加の実行時であっても、前記内燃機関の排気温度が所定温度以上であるときには、前記加熱部による加熱を禁止する
ことを特徴とする機関システムの制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
ここで、下記表４に示した乾燥ペレットの見掛け密度、乾燥ペレットに含まれる全鉄の量、乾燥ペレットを還元溶融するために必要な時間（以下、反応時間と呼ぶことがある）、粒状金属鉄の歩留まりに基づいて、下記式により粒状金属鉄の生産性を算出した。算出結果を下記表４に示す。
生産性＝（Ａ×Ｂ×Ｄ）／Ｃ
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月8日(2016.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの外部に配置された磁場形成部と、
前記チャンバの内部において陰極として機能する処理対象のワークと対向し、かつ、前記チャンバを挟んで前記磁場形成部と対向する位置に配置され、第１の支持部材により前記チャンバに支持されている板状の陽極であって、前記第１の支持部材が挿入される第１の穴が形成されている陽極と、
を備え、
前記第１の穴に前記第１の支持部材が挿入された状態において、前記第１の穴には、前記陽極における前記ワークと対向する対向面と平行な方向に前記第１の支持部材と隣接する空隙が形成されている、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、
前記対向面にスリットが形成されている、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記陽極には、前記スリットと前記第１の穴との間に、前記陽極を前記チャンバに固定するための第２の支持部材が挿入される第２の穴が形成されており、
前記第２の穴に前記第２の支持部材が挿入された状態において、前記第２の穴には、前記第１の支持部材が挿入された状態における前記第１の穴に形成されている空隙よりも小さな空隙が形成されている、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記第１の穴に形成されている前記空隙は、前記第１の穴に挿入された前記第１の支持部材に対して、前記対向面の中央部から外周縁に向かう方向と平行な方向に隣接して配置されている、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記陽極と前記チャンバとの間、および前記チャンバと前記磁場形成部との間に空隙が形成されている、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマＣＶＤ装置において、さらに、
前記陽極と前記チャンバとの間の前記空隙に、前記陽極に接して配置されているヒーターを備える、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記磁場形成部は、前記チャンバと対向して配置されている永久磁石を有する、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記永久磁石は、ネオジム磁石である、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記第１の支持部材の挿入方向に見た前記第１の穴の形状は、前記対向面と平行な方向に沿って延伸している形状である、プラズマＣＶＤ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（３）上記形態のプラズマＣＶＤ装置において、前記陽極には、前記スリットと前記第１の穴との間に、前記陽極を前記チャンバに固定するための第２の支持部材が挿入される第２の穴が形成されており、前記第２の穴に前記第２の支持部材が挿入された状態において、前記第２の穴には、前記第１の支持部材が挿入された状態における前記第１の穴に形成されている空隙よりも小さな空隙が形成されていてもよい。この形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、第２の穴に挿入される第２の支持部材により、チャンバに対する陽極の位置ずれを抑制できる。また、スリットと第１の穴との間に第２の支持部材が配置されているので、第２の支持部材よりもスリット側における膨張した体積の少なくとも一部をスリットによって吸収すると共に、第２の支持部材よりも第１の穴側における膨張した体積の少なくとも一部を第１の穴によって吸収することができる。このため、ワークに向かう方向およびその反対方向への陽極の膨張をより抑制できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（６）上記形態のプラズマＣＶＤ装置において、さらに、前記陽極と前記チャンバとの間の前記空隙に、前記陽極に接して配置されているヒーターを備えてもよい。この形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、ヒーターを利用して陽極の温度を制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】２軸延伸ポリエステルフィルム、これを用いた包装袋
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の局面は、２軸延伸ポリエステルの層を表面に含む積層体からなるフィルムであって、２軸延伸ポリエステルの層の一部の領域に、表面が平坦でない微細構造が形成されているフィルムである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の他の局面は、２軸延伸ポリエステルの層を両表面にそれぞれ含み、各２軸延伸ポリエステルの層の間に熱可塑性樹脂層を含む積層体からなるフィルムであって、各２軸延伸ポリエステルの層の一部の領域に、表面が平坦でない微細構造が形成されているフィルムである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の他の局面は、２軸延伸ポリエステルの層を一表面側に含み、２軸延伸ポリエステルの層の他の表面側に熱可塑性樹脂層を含む積層体からなるフィルムであって、２軸延伸ポリエステルの層の一部の領域に、表面が平坦でない微細構造が形成されているフィルムである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の他の局面は、１以上の上述のフィルムを含み、フィルムの一部の領域どうしがヒートシールされている包装袋である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２軸延伸ポリエステルの層を表面に含む積層体からなるフィルムであって、前記２軸延伸ポリエステルの層の一部の領域に、表面が平坦でない微細構造が形成されているフィルム。
【請求項２】
前記積層体は、レーザー光を反射するアルミニウム層を含む、請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
２軸延伸ポリエステルの層を両表面にそれぞれ含み、各前記２軸配向ポリエステルの層の間に熱可塑性樹脂層を含む積層体からなるフィルムであって、各前記２軸延伸ポリエステルの層の一部の領域に、表面が平坦でない微細構造が形成されているフィルム。
【請求項４】
２軸延伸ポリエステルの層を一表面側に含み、前記２軸配向ポリエステルの層の他の表面側に熱可塑性樹脂層を含む積層体からなるフィルムであって、前記２軸延伸ポリエステルの層の一部の領域に、表面が平坦でない微細構造が形成されているフィルム。
【請求項５】
前記微細構造として、連続線状、断続線状及び点状の少なくとも１つの凸形状または凹形状が複数形成されている、請求項１〜４のいずれかに記載のフィルム。
【請求項６】
前記微細構造の形成された領域の光の反射率は、他の領域の光の反射率よりも大きい、請求項１〜５のいずれかに記載のフィルム。
【請求項７】
前記微細構造の形成された領域において、前記２軸延伸ポリエステルの層の表面の分子配向性が、他の領域に比べて、少なくとも部分的に低下または消失している、請求項１〜６のいずれかに記載のフィルム。
【請求項８】
１以上の請求項１〜７に記載のフィルムを含み、前記フィルムの前記一部の領域どうしがヒートシールされている包装袋。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非開裂リンカーによって、治療薬剤に連結された標的部位を含む、細胞外薬物複合体であって、前記治療薬剤は細胞外治療標的に作用し、前記標的部位は前記細胞外治療標的とは異なる細胞外標的に結合する、細胞外薬物複合体。
【請求項２】
前記標的部位は、抗体、エピトープ結合ペプチド、またはアプタマーからなる群から選択される、請求項１に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項３】
前記標的部位が抗体である、請求項２に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項４】
前記抗体は、内在化しない、請求項３に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項５】
前記治療薬剤は、強心配糖体である、請求項３に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項６】
前記非開裂リンカーは、５０〜５００オングストロームの長さを有する、請求項１に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項７】
前記非開裂リンカーは、２００オングストローム以下の長さである、請求項６に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項８】
薬学的に許容されるビヒクル、ベクター、希釈剤、および／または賦形剤と、治療的有効量の請求項１に記載の細胞外薬物複合体と、を含む、薬学的組成物。
【請求項９】
疾患を治療するための組成物であって、治療的有効量の請求項１に記載の細胞外薬物複合体を含む、組成物。
【請求項１０】
前記疾患は、ウイルス感染、癌、腫瘍転移、細胞アポトーシス障害、変性疾患、組織虚血、ウイルス、細菌、または真菌性の感染性疾患、炎症障害、および病理的血管新生からなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記抗体は、ＦＸＹＤ５に、特異的に結合する、請求項３に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１２】
前記薬物は、Ｎａ／Ｋ−ＡＴＰａｓｅイオンポンプのαサブユニットに作用する、請求項３に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１３】
前記薬物は、Ｎａ／Ｋ−ＡＴＰａｓｅのαサブユニットに作用する、請求項１１に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１４】
前記強心配糖体は、ＣＥＮ０８−１７８（３−Ｏ−ジギトキシゲニン−Ｌ−リボシド）、ＣＥＮ０８−１９３（３−Ｏ−イソジギトキシゲニン−Ｌ−キシロシド）、ＣＥＮ０８−２４３（（３Ｓ）−３−Ｎ−メトキシアミノ−シラレニン−Ｌ−ネオ−４−アミノ−４−デオキシキシロシド）、ＣＥＮ０８−２４４（（３Ｓ）−３−Ｎ−メトキシアミノ−シラレニン−Ｌ−ネオ−４−アミノ−４−デオキシリボシド）、ＣＥＮ０９−１０６、またはＣＥＮ０９−１０７からなる群から選択される、請求項５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１５】
非開裂ＰＥＧリンカーを介して強心配糖体に共有結合的に連結されたＦＸＹＤ５に特異的に結合する、抗体を含む、細胞外薬物複合体であって、前記抗体は内在化せず、かつ前記強心配糖体は細胞外標的に作用する、細胞外薬物複合体。
【請求項１６】
前記強心配糖体は、Ｎａ／Ｋ−ＡＴＰａｓｅイオンポンプのαサブユニットに作用する、請求項１５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１７】
前記強心配糖体は、Ｎａ／Ｋ−ＡＴＰａｓｅのαサブユニットに作用する、請求項１５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１８】
前記強心配糖体は、ＣＥＮ０９−１０６またはＣＥＮ０９−１０７を含む、請求項１５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項１９】
前記非開裂ＰＥＧリンカーは、ＰＥＧ２〜ＰＥＧ４４を含む、請求項１５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項２０】
前記非開裂ＰＥＧリンカーは、ＰＥＧ２４を含む、請求項１５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項２１】
前記非開裂ＰＥＧリンカーは、５０〜５００オングストロームの長さを有する、請求項１５に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項２２】
前記非開裂ＰＥＧリンカーは、２００オングストローム以下の長さである、請求項２１に記載の細胞外薬物複合体。
【請求項２３】
抗体当たりの平均負荷は、約４〜約６個の強心配糖体分子である、請求項１５〜２２のいずれか１項に記載の細胞外薬物複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャイニーズハムスター卵巣細胞培養物において産生されるヒト酸α−グルコシダーゼを含む、ＩＩ型糖原病を有するヒトの治療、またはＩＩ型糖原病に関連する心筋症を有するヒトの治療のための医薬であって、
ここにおいて、前記ヒトは内因性酸α−グルコシダーゼに対して交差反応性免疫反応性物質（CRIM）−陰性であり、そして
ここにおいて、前記ヒト酸α−グルコシダーゼは、免疫抑制療法若しくは免疫治療法と組み合わせて投与される、
前記医薬。
【請求項２】
チャイニーズハムスター卵巣細胞培養物において産生されるヒト酸α−グルコシダーゼを含む、ＩＩ型糖原病を有するヒトの治療、またはＩＩ型糖原病に関連する心筋症を有するヒトの治療のための医薬であって、
ここにおいて、前記治療は、治療されるヒトが内因性酸α−グルコシダーゼに対して交差反応性免疫反応性物質（CRIM）−陰性であるか、を決定することを含む、
前記医薬。
【請求項３】
チャイニーズハムスター卵巣細胞培養物において産生されるヒト酸α−グルコシダーゼを含む、ＩＩ型糖原病を有するヒトの治療、またはＩＩ型糖原病に関連する心筋症を有するヒトの治療のための医薬であって、
ここにおいて、前記治療は、治療されるヒトが内因性酸α−グルコシダーゼに対して交差反応性免疫反応性物質（CRIM）−陰性であるか、を決定することを含み、
ここにおいて、前記ヒト酸α−グルコシダーゼは、免疫抑制療法若しくは免疫治療法と組み合わせて投与される、
前記医薬。
【請求項４】
ＩＩ型糖原病が、幼児ＩＩ型糖原病、若年性ＩＩ型糖原病、または成人発症ＩＩ型糖原病である、請求項１−３のいずれか１項に記載の医薬。
【請求項５】
ＩＩ型糖原病が、幼児ＩＩ型糖原病である、請求項１−３のいずれか１項に記載の医薬。
【請求項６】
ヒト酸α−グルコシダーゼが、体重の１キログラム当たり１５ｍｇ未満の酸α−グルコシダーゼの投与に適した形態で提供される、請求項１−４のいずれか１項に記載の医薬。
【請求項７】
ヒト酸α−グルコシダーゼが、体重の１キログラム当たり１〜１０ｍｇの酸α−グルコシダーゼの投与に適した形態で提供される、請求項６記載の医薬。
【請求項８】
ヒト酸α−グルコシダーゼが、チャイニーズハムスター卵巣細胞培養物において産生される組換えヒト酸α−グルコシダーゼの前駆体である、請求項１−７いずれか記載の医薬。
【請求項９】
毎月、月に２回、毎週、週に２回または毎日である規則的な間隔で投与される、請求項１−８いずれか記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月1日(2016.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
低圧冷媒を中間圧冷媒となるまで圧縮して吐出する低段側圧縮機（１）と、
前記低段側圧縮機（１）から吐出された前記中間圧冷媒を高圧冷媒となるまで圧縮して吐出する高段側圧縮機（２）と、
前記高段側圧縮機（２）から吐出された前記高圧冷媒を室外空気と熱交換させて放熱させる凝縮器（３）と、
前記凝縮器（３）から流出した放熱後の前記高圧冷媒を減圧させて前記高段側圧縮機（２）の吸入側に導く副膨張弁（５）と、
前記凝縮器（３）から流出した放熱後の前記高圧冷媒を前記低圧冷媒となるまで減圧膨張させる主膨張弁（９）と、
前記主膨張弁（９）にて減圧された前記低圧冷媒を冷却対象空間となる室内に送風される送風空気と熱交換させて蒸発させ、前記低段側圧縮機（１）の吸入側へ流入させる蒸発器（１０）と、
前記凝縮器（３）に前記室外空気を送風する凝縮器ファン（３ｆ）と、
前記蒸発器（１０）に前記室内を冷却するための空気を送風する蒸発器ファン（１０ｆ）と、
前記低段側圧縮機（１）と、前記高段側圧縮機（２）と、前記凝縮器ファン（３ｆ）と、前記副膨張弁（５）とを制御する制御装置（７）と、を備える二段昇圧式冷凍サイクル装置であって、
前記制御装置（７）は、冷凍能力の要求が小さいときは、ＣＯＰを向上させるために前記低段側圧縮機（１）と前記高段側圧縮機（２）とのうち、一方の圧縮機の冷媒吐出能力に基づいて、他方の圧縮機の冷媒吐出能力を決定する運転モードであるＣＯＰ向上運転モードで、前記低段側圧縮機（１）と前記高段側圧縮機（２）とを制御し、
一方、前記冷凍能力の要求が大きいときは、前記低段側圧縮機（１）の冷媒吐出量を増大させてから前記高段側圧縮機（２）の冷媒吐出量を増大させるという順で前記冷媒吐出量を制御する大能力運転モードで、前記低段側圧縮機（１）と前記高段側圧縮機（２）とを制御し、
前記大能力運転モードでは、前記低段側圧縮機（１）の冷媒吐出量の増大、前記高段側圧縮機（２）の冷媒吐出量の増大を制約するそれぞれの制約条件に入った場合に、それぞれの前記制約条件を脱出してからそれぞれの前記冷媒吐出量を増大させることを特徴とする二段昇圧式冷凍サイクル装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
大能力運転モードとは、低段側圧縮機（１）の冷媒吐出量を増大させてから高段側圧縮機（２）冷媒吐出量を増大させるという順で冷媒の冷媒吐出量を増大させる運転モードである。大能力運転モードでは、低段側圧縮機（１）の冷媒吐出量の増大、高段側圧縮機（２）の冷媒吐出量の増大を制約するそれぞれの制約条件に入った場合に、それぞれの制約条件を脱出してからそれぞれの冷媒吐出量を増大させる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月14日(2016.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉ）    少なくとも１つのエポキシ樹脂Ａと、加熱により活性化される、エポキシ樹脂用の少なくとも１つの硬化剤Ｂとを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物である、少なくとも一つの硬化性構造用接着剤、及び
ｉｉ）  少なくとも一つの化学的に架橋されたエラストマー、を含み、
前記化学的に架橋されたエラストマーは貫入ポリマーネットワークとして前記構造用接着剤中に存在すること、並びに
前記架橋されたエラストマーは、
・少なくとも１つの天然ゴム又は合成ゴム、及び少なくとも１つのゴムのための架橋剤；及び
・少なくとも１つのポリイソシアネート、及び少なくとも１つのポリオール、
からなる群から選択されたエラストマーから形成されていることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記架橋されたエラストマーは、
・少なくとも１つの天然ゴム又は合成ゴム、及び少なくとも１つのゴムのための架橋剤であるエラストマーから形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記架橋されたエラストマーは、
・少なくとも１つのポリイソシアネート、及び少なくとも１つのポリオールであるエラストマーから形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
・エポキシ樹脂Ａを少なくとも１つの硬化剤Ｂと混合する段階、
・以下から選択されるエラストマーを添加し、かつ混合する段階
少なくとも１つの天然ゴム又は合成ゴム、及び少なくとも１つのゴムのための架橋剤；及び
少なくとも１つのポリイソシアネート、及び少なくとも１つのポリオール、
・前記エポキシ樹脂Ａと前記エラストマーとを貫入ポリマーネットワークにする段階、
を含む、請求項１に記載の組成物を製造する方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物を含む、成形された物品（３）。
【請求項６】
請求項５に記載の成形された物品（３）が取り付けられる支持体（５）を含む構造用部品のキャビティを補強する補強要素。
【請求項７】
支持体（５）が金属で覆われたプラスチックから作られることを特徴とする、請求項６に記載の補強要素。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月30日(2016.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
（実施例２〜６、比較例１〜８）
実施例１のＣ−１−１を表１に記載の各溶剤に変更し、また、添加量を表１に従って変更した以外は実施例１と同様にして、硬化性組成物を得た。
（実施例７）
実施例２のＢ−１及びＢ−２を、それぞれＢ−３に変更した以外は実施例２と同様にして、硬化性組成物を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
（比較例９）
実施例４において、テルソルブＴＨＡ−９０の添加量を１５部に変更し、更に、ハイソウプＥＤＥの添加量を６５部に変更した以外は実施例４と同様にして硬化性組成物を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
（比較例１０）
実施例４において、テルソルブＴＨＡ−９０の添加量を９０部に変更し、更に、ハイソルブＥＤＥを添加しなかった以外は実施例４と同様にして硬化性組成物を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１９】
【表１】
2016056341.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２４】
＜耐薬品性評価＞
１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板（商品名：ＸＧ、コーニング社製）上に、硬化性組成物を乾燥膜厚１００ｎｍとなるようにスピン塗布し、９０℃のオーブンで１００秒乾燥（プリベーク）した。その後、全面に超高圧水銀灯を用いて１５０ｍＪ／ｃｍ2の露光（照度は２４ｍＷ／ｃｍ2）をし、その後オーブンにて２００℃で３０分加熱した。
次いで、Ｎ−メチルピロリドン２５℃に２分浸漬させ、浸漬前後の膜厚を測定し、膜の残存率を測定した。評価基準を以下に示す。
５：残存率が８０％未満
４：残存率が８０％以上９０％未満
３：残存率が９０％以上９５％未満
２：残存率が９５％以上９８％未満
１：残存率が９８％以上１００％以下
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２７】
【表２】
2016056341.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３６】
（実施例２２〜２６、２９、３０、比較例１１〜１３）
実施例２１のＣ−１、Ｃ−２を表３に記載の各溶剤に変更し、また、添加量を表３に従って変更した以外は実施例２１と同様にして、硬化性組成物を得た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３９】
＜酸化ジルコニウム分散液の調製＞
実施例２１に記載の酸化チタン分散液２の、酸化チタンを下記の酸化ジルコニウム（ＵＰＥ−１００（第一稀元素（株））に変更した以外は、酸化チタン分散液２と同様に分散処理を行って酸化ジルコニウム分散液を得た。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４１】
【表３】
2016056341.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４２】
【表４】
2016056341.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月7日(2016.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる問題に鑑みて為されたものであって、その一の局面によれば、ターボファンエンジンの軸の周りに、アウタケーシングとインナケーシングとの間に画定されて、低圧コンプレッサからの圧縮気をバイパスする、バイパスダクトに設置されるフェアリングは、前記バイパスダクトの入口において前記インナケーシングから後方に延び、前記アウタケーシングの内面に沿う前方部と、前記前方部から連続して後方に延び、後方に向けて流路の面積を増大するべく前記内面から離れる方向に湾曲した後方部であって、その全体が湾曲している後方部と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは、前記後方部は円弧に沿って湾曲している。また好ましくは、前記後方部は前記円弧を前記軸の周りに回転した円環面に沿う湾曲部を含む。さらに好ましくは、前記後方部は前記軸に平行な後端において終端となる。あるいは、前記後方部は前記バイパスダクトの後端にまで延長されて前記インナケーシングに連結し、以って前記インナケーシングの外面上の構造を覆う。また好ましくは、前記後端における流路面積の前記入口における流路面積に対する比は１．５ないし２．０である。あるいは好ましくは、前記前端から前記後端までの長さは、前記バイパスダクトの全長の０．２５〜０．５倍である。またターボファンエンジンは、かかるフェアリングを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターボファンエンジンの軸の周りに、アウタケーシングとインナケーシングとの間に画定されて、低圧コンプレッサからの圧縮気をバイパスする、バイパスダクトに設置されるフェアリングであって、
前記バイパスダクトの入口において前記インナケーシングから後方に延び、前記アウタケーシングの内面に沿う前方部と、
前記前方部から連続して後方に延び、後方に向けて流路の面積を増大するべく前記内面から離れる方向に湾曲した後方部であって、その全体が湾曲している後方部と、
を備えたフェアリング。
【請求項２】
請求項１のフェアリングであって、前記後方部は円弧に沿って湾曲している、フェアリング。
【請求項３】
請求項１または２のフェアリングであって、前記後方部は前記円弧を前記軸の周りに回転した円環面に沿う、フェアリング。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか１項のフェアリングであって、前記後方部は前記軸に平行な後端において終端となる、フェアリング。
【請求項５】
請求項１ないし３の何れか１項のフェアリングであって、前記後方部が延長されて前記インナケーシングに連結し、以って前記インナケーシングの外面上の構造を覆う、フェアリング。
【請求項６】
請求項４のフェアリングであって、前記後端における流路面積の前記入口における流路面積に対する比は１．５ないし２．０である、フェアリング。
【請求項７】
請求項４のフェアリングであって、前記前端から前記後端までの長さは、前記バイパスダクトの全長の０．２５〜０．５倍である、フェアリング。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか１項のフェアリングを備えたターボファンエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光を発生する発光ダイオードと、
前記第１光を吸収して前記第１光と異なる波長を有する第２光を発生する蛍光体と、
前記蛍光体の表面に具備される少なくとも１つのコアシェル粒子と、を含み、
前記コアシェル粒子は、
前記第１光及び前記第２光の中で少なくとも１つの光成分を吸収して表面プラズモン共鳴（ｓｕｒｆａｃｅ  ｐｌａｓｍｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を誘導する金属粒子と、
前記金属粒子の表面にコーティングされる絶縁層と、を含み、
前記コアシェル粒子は前記蛍光体の前記表面に複数備えられ、前記蛍光体の前記表面は前記多数のコアシェル粒子によってカバーされることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの光成分を除外した残りの光成分は前記金属粒子の前記表面で散乱され、前記散乱された残りの光成分が前記コアシェル粒子に隣接する他のコアシェル粒子へ提供されて前記表面プラズモン共鳴が発生する頻度が増加することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記金属粒子は金、白金、銀、パラジウム、カドミウム、コバルト、ルテニウム、銅、インジウム、ニッケル、及び鉄の中でいずれか１つ又はこれらを少なくとも１つ含む合金を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
光を受信して映像を表示する表示パネルと、
前記光を発生するＬＥＤパッケージと、を含み、
前記光は前記ＬＥＤパッケージから発生する第１光及び第２光を含み、
前記ＬＥＤパッケージは、
前記第１光を発生する発光ダイオードと、
前記第１光を吸収して前記第１光と異なる波長を有する前記第２光を発生する蛍光体と、
前記蛍光体の表面に具備される少なくとも１つのコアシェル粒子と、を含み、
前記コアシェル粒子は、
前記第１光及び前記第２光の中で少なくとも１つの光成分を吸収して表面プラズモン共鳴（ｓｕｒｆａｃｅ  ｐｌａｓｍｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を誘導する金属粒子と、
前記金属粒子の表面にコーティングされる絶縁層と、を含む表示装置。
【請求項５】
前記コアシェル粒子は前記蛍光体の前記表面に複数備えられ、前記蛍光体の前記表面は前記多数のコアシェル粒子によってカバーされることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの光成分を除外した残りの光成分は前記金属粒子の前記表面で散乱され、前記散乱された残りの光成分が前記コアシェル粒子に隣接する他のコアシェル粒子へ提供されて前記表面プラズモン共鳴が発生する頻度が増加することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は光透過性を有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は窒化物及び酸化物の中の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記酸化物はチタニウム酸化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、イットリウム酸化物、及びマグネシウム酸化物の中で少なくともいずれか１つを含み、前記窒化物はシリコンナイトライド及びアルミニウムナイトライドの中で少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記金属粒子は金、白金、銀、パラジウム、カドミウム、コバルト、ルテニウム、銅、インジウム、ニッケル、及び鉄の中でいずれか１つ又はこれらを少なくとも１つ含む合金を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月21日(2016.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理装置において、
複数の磁気入力／チャンネル領域と、
少なくとも１つの磁気センサー領域と、
前記少なくとも１つの磁気センサー領域に連結された少なくとも１つのセンサーと、を含み、
前記複数の磁気入力／チャンネル領域の各々は第１方向に磁気的にバイアスされ、
前記複数の磁気入力／チャンネル領域は‘ＦｅｘＣｏｙＮｉｚＭ１ｑ１Ｍ２ｑ２’を含む合金を含み、‘ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｑ１＋ｑ２＝１’であり、ｘは０以上であり、ｙは０以上であり、ｚは０以上であり、ｑ１は０以上であり、ｑ２は０以上であり、Ｍ１は非磁性体であり、Ｍ２は非磁性体であり、
前記少なくとも１つの磁気センサー領域は前記第１方向と異なる第２方向に磁気的にバイアスされて、前記論理装置が中止状態である場合に前記複数の磁気入力／チャンネル領域に少なくとも１つの磁壁が存在し、
前記少なくとも１つのセンサーは前記少なくとも１つの磁気センサー領域の磁気状態に基づいて信号を出力し、
前記複数の磁気入力／チャンネル領域及び前記少なくとも１つの磁気センサー領域は、前記複数の磁気入力／チャンネル領域の少なくとも一部へ提供される論理信号に応答して前記少なくとも１つの磁壁が前記少なくとも１つの磁気センサー領域に移動するように構成されている論理装置。
【請求項２】
前記Ｍ１はＢ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｒｂ、Ｍｎ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｈ、Ｇａ、及び／又はＳｂを含む物質の群から選択される請求項１に記載の論理装置。
【請求項３】
前記Ｍ２はＢ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｒｂ、Ｍｎ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｈ、Ｇａ、及び／又はＳｂを含む物質の群から選択される請求項１に記載の論理装置。
【請求項４】
前記複数の磁気入力／チャンネル領域の各々は第１入力／チャンネルレイヤー、第２入力／チャンネルレイヤー、及び前記第１入力／チャンネルレイヤーと前記第２入力／チャンネルレイヤーとの間の挿入レイヤーを含む請求項１に記載の論理装置。
【請求項５】
前記第１入力／レイヤー及び前記第２入力／チャンネルレイヤーは前記合金を含む請求項４に記載の論理装置。
【請求項６】
前記複数の磁気入力／チャンネル領域の各々はシードレイヤー及びキャッピングレイヤーをさらに含み、
前記第１入力／チャンネルレイヤー、前記第２入力／チャンネルレイヤー、及び前記挿入レイヤーは前記シードレイヤー及び前記キャッピングレイヤーの間に存在する請求項４に記載の論理装置。
【請求項７】
前記シードレイヤー及び前記キャッピングレイヤーの各々は酸化物及び窒化物のうち少なくとも１つを含む請求項６に記載の論理装置。
【請求項８】
前記シードレイヤー及び前記キャッピングレイヤーの各々はＭｇＯ、ＮｉＯ、アルミニウム酸化物、シリコン酸化物、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＲｕＯ２、及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）のうち少なくとも１つを含む請求項６に記載の論理装置。
【請求項９】
前記キャッピングレイヤーは導電性を有する請求項６に記載の論理装置。
【請求項１０】
論理装置を提供する方法において、
複数の磁気入力／チャンネル領域を提供する段階と、
少なくとも１つの磁気センサー領域を提供する段階と、
前記少なくとも１つの磁気センサー領域と連結された少なくとも１つのセンサーを提供する段階と、を含み、
前記複数の磁気入力／チャンネル領域の各々は第１方向に磁気的にバイアスされ、
前記複数の磁気入力／チャンネル領域は‘ＦｅｘＣｏｙＮｉｚＭ１ｑ１Ｍ２ｑ２’を含む合金を含み、‘ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｑ１＋ｑ２＝１’であり、ｘは０以上であり、ｙは０以上であり、ｚは０以上であり、ｑ１は０以上であり、ｑ２は０以上であり、Ｍ１は非磁性体であり、Ｍ２は非磁性体であり、
前記少なくとも１つの磁気センサー領域は前記第１方向と異なる第２方向に磁気的にバイアスされて、前記論理装置が中止状態である場合に前記複数の磁気入力／チャンネル領域に少なくとも１つの磁壁が存在し、
前記少なくとも１つのセンサーは前記少なくとも１つの磁気センサー領域の磁気状態に基づいて信号を出力し、
前記複数の磁気入力／チャンネル領域及び前記少なくとも１つの磁気センサー領域は、前記複数の磁気入力／チャンネル領域の少なくとも一部へ提供される論理信号に応答して前記少なくとも１つの磁壁が前記少なくとも１つの磁気センサー領域に移動するように構成される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導マグネット（１４）向けの電流リードアセンブリ（１０）であって、
貫通孔（２０）を有する真空チェンバ（１２）と、
前記真空チェンバ（１２）の内部に配され、マグネットリード（３４）を有する超伝導マグネット（１４）と、
前記真空チェンバ（１２）の内部において前記貫通孔（２０）の下側に配された電流接触子（３２）と、
前記マグネットリードに結合された一端と前記電流接触子に結合された他端とを有する熱コネクタと、
前記真空チェンバ（１２）の内壁に結合され、前記電流接触子（３２）を前記貫通孔（２０）の下側に支持するための断熱支持構造（３８）と、
前記貫通孔（２０）を介して前記真空チェンバ（１２）に密封的に挿通され、格納式接触子（１７）を有する格納式電流リード（１８）と、
前記真空チェンバ（１２）及び前記格納式電流リード（１８）に結合され、前記断熱支持構造（３８）の内部において外界温度での前記電流接触子（３２）と前記格納式接触子（１７）との接触を生じさせるためのアクチュエータアセンブリ（２６）と、
を備える電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項２】
前記アクチュエータアセンブリ（２６）は、マグネットランプ動作が完了すると、前記格納式電流リード（１８）の前記格納式接触子（１７）を前記電流接触子（３２）から分離する、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項３】
前記熱コネクタ（３６）は、前記格納式接触子（１７）と前記電流接触子（３２）の接触に由来する前記マグネットリード（３４）への熱伝導を最小限にするように構成されている、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項４】
前記熱コネクタ（３６）は可撓性である、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項５】
前記熱コネクタ（３６）は可撓性の銅ケーブルである、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項６】
前記格納式接触子（１７）、熱コネクタ（３６）及び電流接触子（３２）は熱伝導材料を含む、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項７】
前記熱伝導材料は銅である、請求項６に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項８】
前記格納式接触子（１７）は格納式電流リード（１８）と一体である、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項９】
前記断熱支持構造（３８）は熱遮断材料を含む、請求項１に記載の電流リードアセンブリ（１０）。
【請求項１０】
前記熱遮断材料はガラス繊維である、請求項９に記載の電流リードアセンブリ。
【請求項１１】
前記断熱支持構造は前記格納式接触子の断熱を提供する、請求項１に記載の電流リードアセンブリ。
【請求項１２】
前記断熱支持構造は、前記格納式接触子の外界温度を維持する、請求項１１に記載の電流リードアセンブリ。
【請求項１３】
前記格納式電流リードの一端は電源に結合されており、５００アンペアから少なくとも１０００アンペアの範囲の電流が、前記格納式接触子と前記電流接触子との接続を介して前記超伝導マグネットに供給される、請求項１に記載の電流リードアセンブリ。
【請求項１４】
超伝導マグネット向けの電流リードアセンブリを製造する方法であって、
内部容積を囲むハウジングと貫通孔とを有する真空チェンバを用意するステップと、
前記真空チェンバ内に、マグネットリードを有する超伝導マグネットを備えるステップと、
前記真空チェンバの内部の前記貫通孔の下側に電流接触子を配するステップと、
前記マグネットリードと前記電流接触子との間に熱コネクタを取り付けるステップと、
前記電流接触子（３２）を前記貫通孔（２０）の下側に支持するために、前記真空チェンバの内壁に断熱支持構造を取り付けるステップと、
格納式接触子（１７）を有する格納式電流リードが、前記貫通孔（２０）を介して前記真空チェンバ（１２）に密封的に挿通されるように、前記格納式電流リードを配するステップと、
前記真空チェンバの外側の外界温度での前記格納式接触子と前記電流接触子との接触を生じさせるために、アクチュエータアセンブリを、前記真空チェンバおよび前記格納式電流リードに接続するステップと、
を有する方法。
【請求項１５】
前記アクチュエータアセンブリは、起動モードが完了すると、前記電流接触子から前記格納式電流リードの前記格納式接触子を分離する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記格納式接触子と前記電流接触子との接触に由来する前記マグネットリードへの熱伝導を最小限にするための前記熱コネクタを選択するステップを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記格納式接触子を前記真空チェンバの前記内部容積から熱的に分離するステップを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
真空空間を囲むとともに貫通孔を有する真空チェンバと、
真空チェンバの内部に配され、マグネットリードを有する超伝導マグネットと、
前記真空チェンバの内部において前記貫通孔の下側に配された電流接触子と、
前記マグネットリードに結合された一端と前記電流接触子に結合された他端とを有する熱コネクタと、
前記真空チェンバ（１２）の内壁に結合され、前記電流接触子（３２）を前記貫通孔（２０）の下側に支持するための断熱支持構造（３８）と、
前記貫通孔（２０）を介して前記真空チェンバ（１２）に密封的に挿通され、格納式接触子（１７）を有する格納式電流リードと、
前記真空チェンバおよび前記格納式電流リード（１８）に結合され、外界温度での前記格納式接触子と前記電流接触子との接触を生じさせるためのアクチュエータアセンブリ（２６）と、
を有する磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム。
【請求項１９】
前記アクチュエータアセンブリは、起動モードが完了すると、前記格納式電流リードの前記格納式接触子を前記電流接触子から分離する、請求項１８に記載のＭＲＩシステム。
【請求項２０】
前記熱コネクタは、前記格納式接触子と前記電流接触子との接触に由来する前記マグネットリードへの熱伝導を最小限にするように構成されている、請求項１８に記載のＭＲＩシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月22日(2016.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸と、
前記回転軸が挿入されるホールを含むローターと、
前記ローターの外側に配置されるステータと、
前記ローターと前記ステータを収容するハウジングと、
前記回転軸を回転可能に支持し、前記回転軸と結合する内輪と前記ハウジングに固定される外輪を含む軸受と、
前記軸受の前記内輪と接触する出力クラッチと、を含むことを特徴とするモーター。
【請求項２】
前記出力クラッチは、
前記軸受の前記内輪と面接触し、前記回転軸と圧入結合される焼結部材と、
前記焼結部材を中心に配置して成形されるクラッチ部材と、を含む、請求項１に記載のモーター。
【請求項３】
前記焼結部材は、前記軸受の前記内輪と対応する径を有する端部を含む、請求項２に記載のモーター。
【請求項４】
前記焼結部材の前記端部は、前記軸受の前記内輪と面接触する、請求項３に記載のモーター。
【請求項５】
前記焼結部材の前記端部は、前記軸受の前記内輪と少なくとも一所以上で点接触される、請求項３または４に記載のモーター。
【請求項６】
前記焼結部材の前記端部は、少なくとも一対以上の突起を含む、請求項３乃至５のいずれか一項に記載のモーター。
【請求項７】
前記突起は、前記出力クラッチの中心を基準に対称となるように配置される、請求項６に記載のモーター。
【請求項８】
前記突起は、それぞれの高さが同一に形成される、請求項６または７に記載のモーター。
【請求項９】
前記クラッチ部材は、前記焼結部材をコアに配置し、インサート射出成形される、請求項２に記載のモーター。
【請求項１０】
前記回転軸は、前記軸受の前記内輪と対向する面に面接触される係止突起を含む、請求項１に記載のモーター。
【請求項１１】
前記係止突起と焼結部材の先端との距離は、前記軸受の前記内輪の高さと対応する、請求項１０に記載のモーター。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月7日(2016.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる極性の電源が印加される複数のコイルが巻線されるステーターコアに結合されたインシュレーター本体と、
前記インシュレーター本体と一体に構成され、インシュレーター本体の円周方向に突出されたターミナルハウジング結合部と、
モータに電源を供給できるように、前記ターミナルハウジング結合部に脱着できるように結合されるターミナルハウジングと、
前記ターミナルハウジング結合部に前記ターミナルハウジングを位置固定する固定ユニットと、
前記ターミナルハウジング結合部に対する前記ターミナルハウジングの回転角度を規制する規制ユニットと、を含み、
前記固定ユニットは、前記ターミナルハウジングに具備されたサイドガイドプレートと、
前記ターミナルハウジング結合部に具備された係止部材と、を含み、
前記規制ユニットは、前記係止部材に対応する位置に形成された係止部を含むことを特徴とする、モータ。
【請求項２】
前記サイドガイドプレートは、
前記ターミナルハウジングの両先端に突設される、請求項１に記載のモータ。
【請求項３】
前記係止部は、
一部の区間に弧状の内周面を有する通孔と、
前記係止部の通孔から所定角度に延長される規制溝と、
を含む、請求項１または２に記載のモータ。
【請求項４】
前記係止部は、
前記係止部材と対応する形状に形成され、前記係止部材にスナップフィット結合される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のモータ。
【請求項５】
前記係止部は、前記係止部材よりも大きい、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のモータ。
【請求項６】
前記係止部材は、
前記ターミナルハウジング結合部の前記サイドガイドプレートに対向するように突出する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のモータ。
【請求項７】
前記係止部材は、
係止突起と、
前記係止突起の一側端部上に形成された進入部と、
前記係止突起の一側方向に延長されて前記規制溝に結合される規制突起と、
を含む、請求項３乃至６のいずれか一項に記載のモータ。
【請求項８】
前記係止突起は、
前記係止部と接触する面が弧状である、請求項７に記載のモータ。 
【請求項９】
前記規制突起は、直線状で形成される、請求項７または８に記載のモータ。
【請求項１０】
前記規制溝は、前記係止部材の中心から前記ターミナルハウジングの挿入方向に垂直な面を基準に１５乃至２５度の角度を有する、請求項３乃至９のいずれか一項に記載のモータ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセルをカバーする第１の基地局装置と、第２のセルをカバーする第２の基地局装置と接続する移動端末装置であって、
前記第１のセルと前記第２のセルでそれぞれ送信する上り共有データチャネルに対して、所定のＲＮＴＩを用いたスクランブル系列によりスクランブルを行うスクランブル部と、
スクランブルされた上り共有データチャネルを第１の基地局装置及び／又は第２の基地局装置に送信する送信部とを備え、
前記第１のセルで送信する上り共有データチャネルのスクランブルに利用する第１のＲＮＴＩと、前記第２のセルで送信する上り共有データチャネルのスクランブルに利用する第２のＲＮＴＩがそれぞれ独立に設定されることを特徴とする移動端末装置。
【請求項２】
前記スクランブル部は、複数の第２のセルで送信する上り共有データチャネルのスクランブルに共通のＲＮＴＩを適用することを特徴とする請求項１に記載の移動端末装置。
【請求項３】
前記スクランブル部は、仮想セルＩＤを利用して上り共有データチャネルのスクランブルを行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の移動端末装置。
【請求項４】
前記第１のセルと第２のセルにおいて、異なる無線パラメータを適用して上り共有データチャネルが割当てられることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の移動端末装置。
【請求項５】
前記無線パラメータは、送信時間間隔、折り返し遅延時間、サイクリックプレフィクス長、サブキャリア間隔及びリソースブロック幅の少なくとも一であることを特徴とする請求項４に記載の移動端末装置。
【請求項６】
前記第２のセルと比較して、前記第１のセルに対してＴＴＩ長及び折り返し遅延時間が長く設定されることを特徴とする請求項５に記載の移動端末装置。
【請求項７】
前記第２のセルと比較して、前記第１のセルに対してサブキャリア間隔が小さく設定されることを特徴とする請求項５に記載の移動端末装置。
【請求項８】
第１のセルを形成する他の基地局装置と接続するユーザ端末に対して、第２のセルを形成して接続する基地局装置であって、
前記第２のセルで送信する下り共有データチャネルに対して、所定のＲＮＴＩを用いたスクランブル系列によりスクランブルを行うスクランブル部と、
スクランブルされた下り共有データチャネルを移動端末装置に送信する送信部とを備え、
前記第２のセルで送信する下り共有データチャネルのスクランブルに利用するＲＮＴＩを、前記第１のセルで送信する下り共有データチャネルのスクランブルに利用する第１のＲＮＴＩとは独立に設定することを特徴とする基地局装置。
【請求項９】
前記送信部は、前記第２のセルにおいて前記第１のセルと異なる無線パラメータを適用して下り共有データチャネルの送信を行うことを特徴とする請求項８に記載の基地局装置。
【請求項１０】
前記無線パラメータは、送信時間間隔、折り返し遅延時間、サイクリックプレフィクス長、サブキャリア間隔及びリソースブロック幅の少なくとも一であることを特徴とする請求項９に記載の基地局装置。
【請求項１１】
前記第２のセルにおいて、前記第１のセルよりＴＴＩ長及び折り返し遅延時間が短く設定されることを特徴とする請求項１０に記載の基地局装置。
【請求項１２】
前記第２のセルにおいて、前記第１のセルよりサブキャリア間隔が大きく設定されることを特徴とする請求項１０に記載の基地局装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】移動端末装置及び基地局装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の移動端末装置は、第１のセルをカバーする第１の基地局装置と、第２のセルをカバーする第２の基地局装置と接続する移動端末装置であって、前記第１のセルと前記第２のセルでそれぞれ送信する上り共有データチャネルに対して、所定のＲＮＴＩを用いたスクランブル系列によりスクランブルを行うスクランブル部と、スクランブルされた上り共有データチャネルを第１の基地局装置及び／又は第２の基地局装置に送信する送信部とを備え、前記第１のセルで送信する上り共有データチャネルのスクランブルに利用する第１のＲＮＴＩと、前記第２のセルで送信する上り共有データチャネルのスクランブルに利用する第２のＲＮＴＩがそれぞれ独立に設定されることを特徴とする。