【事件の表示】
　特願２０１４−５４３６４５「パターン付ロール及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　２日国際公開、ＷＯ２０１５／０４５６９３、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　本願は、２０１４年８月２２日（優先権主張２０１３年９月３０日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年６月３０日付けで拒絶の理由が通知され、平成２７年８月２５日に手続補正がされ、平成２７年１２月２８日付け（発送日：平成２８年１月５日）で拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、平成２８年３月２４日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正され、平成２８年１１月７日付けで拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由１」という。）が通知され、平成２８年１２月２２日に手続補正がされ、平成２９年３月２１日付けで拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由２」という。）が通知され、平成２９年５月１２日に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２７年１２月２８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１−１１に係る発明は、以下の刊行物Ａ−Ｃに基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
刊行物一覧
Ａ．国際公開第２００７／１３５９０１号
Ｂ．特開２０１３−１１８３９０号公報
Ｃ．特開２０１２−２５６０７８号公報
第３　当審拒絶理由１の概要
　当審拒絶理由１の概要は次のとおりである。
１．請求項１−４について
　請求項１−４に係る発明は「パターン付きロール」という物の発明であるが、当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。
　しかし、出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情が存在するとはいえず、請求項１−４に係る発明は明確でないから、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２．請求項５−８について
　本願請求項５−８に係る発明は、以下の刊行物１−３に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
刊行物一覧
１．国際公開第２００７／１３５９０１号（拒絶査定時の刊行物Ａ）
２．特開２０１３−１１８３９０号公報（拒絶査定時の刊行物Ｂ）
３．特開２０１２−２５６０７８号公報（拒絶査定時の刊行物Ｃ）
第４　本願発明
　本願請求項１−４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は、平成２９年５月１２日に手続補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１−４は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基材を準備する工程と、該基材の表面にＤＬＣ被覆膜を形成する工程と、該ＤＬＣ被覆膜にパルスレーザを照射してレーザアブレーションを行い、前記ＤＬＣ被覆膜を前記レーザアブレーションにより剥離せしめることにより該基材の表面は削られることなく該基材の表面にＤＬＣパターンを形成する工程と、を含み、前記パルスレーザとしてナノ秒以下のパルス幅を有するレーザを用いることを特徴とし、エッチングを行うことのないパターン付ロールの製造方法。
【請求項２】
　前記ＤＬＣ被覆膜が形成される基材が、ニッケル、タングステン、クロム、チタン、銀、ステンレス鋼、鉄、銅、アルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種の材料からなることを特徴とする請求項１記載のパターン付ロールの製造方法。
【請求項３】
　前記基材が、ゴム又はクッション性を有する樹脂からなるクッション層を備えることを特徴とする請求項１又は２記載のパターン付ロールの製造方法。
【請求項４】
　前記ＤＬＣ被覆膜の厚さが、０．１μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載のパターン付ロールの製造方法。」
第５　刊行物、引用発明等
１．刊行物１について
　当審拒絶理由１に引用された刊行物１には、図１−２とともに、以下の事項が記載されている。
（１）「［００１８］　本発明方法を図１及び図２を用いて説明する。図１（ａ）において、符号１０は版母材で、鉄、アルミニウム又は炭素繊維強化樹（ＣＦＲＰ）等からなる中空ロールが用いられる（図２のステップ１００）。該版母材１０の表面には銅メッキ処理によって銅メッキ層１２が形成される（図２のステップ１０２）。前記銅メッキ層の厚さとしては５０〜２００μｍが好ましい。 
［００１９］　次に、グラビアセルがいまだ形成されていない銅メッキ層１２の上に密着層１３を形成し（図２のステップ１０３）、該密着層１３の上にＤＬＣ被膜層１４を形成する（図２のステップ１０４）。密着層の形成方法は特に限定されないが、ＤＬＣ被膜層の形成方法と同種の方法を用いることにより、同一の装置が使用可能となり、好適である。ＤＬＣ被膜層の形成方法としては、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法を用いることができる。」
（２）「［００３０］　次に、図１（ｂ）に示す如ぐＤＬＣ被膜層１４にレーザー１６によってレーザーアブレーションを直接行うことによりＤＬＣ被膜層１４及び密着層１３のグラビアセル形成部分１８の除去を行う（図２のステップ１０６）。レーザーアブレーションの方法としては、従来公知のＹＡＧレーザー装置によるレーザーアブレーションが好適に用いられる。しかし、ＹＡＧレーザー以外のレーザーによってもレーザーアブレーションが可能であることは勿論である。
［００３１］　次に、ＤＬＣ被膜層１４及び密着層１３が除去されたグラビアセル形成部分１８の銅メッキ層１２の除去によってグラビアセル２０を形成する（図２のステップ１０８）。銅メッキ層１２の除去によってグラビアセル２０を形成する方法としては、従来公知のエッチング法や電子彫刻法の他に、レーザーアブレーションを用いた方法も採用できる。前記グラビアセルの深度は５〜１５０μｍが好ましい。 
［００３２］このようにして、図１（ｃ）に示すような本発明のグラビア製版ロール２２が得られる。」
（３）「［００３８］　このようにして形成されたＤＬＣ被膜層に対して、公知のＹＡＧレーザー装置によるレーザーアブレーションによってＤＬＣ被膜層のグラビアセル形成部分の除去を行った。次に、該ＤＬＣ被膜層が除去されたグラビアセル形成部分の銅メッキ層をエッチングにより除去し、グラビアセルを形成した。このようにして、グラビアセルの深度を１０μｍ (実施例１)、１８μｍ（実施例２）、３０μｍ（実施例）とした３本のグラビア製版ロールを製造した。上記エッチングは、銅濃度６０ｇ／Ｌ、塩酸濃度３５ｇ／Ｌ、温度３７℃、時間７０秒の条件でスプレー方式によって行った。」
（４）上記記載事項（２）の「［００３０］　次に、図１（ｂ）に示す如くＤＬＣ被膜層１４にレーザー１６によってレーザーアブレーションを直接行うことによりＤＬＣ被膜層１４及び密着層１３のグラビアセル形成部分１８の除去を行う（図２のステップ１０６）。」との記載に照らせば、図１（ｂ）に記載された段階の工程においては、レーザーアブレーションにより銅メッキ層１２の表面は削られることはないことが見て取れる。
　したがって、上記記載事項及び図示内容を総合し、本願発明１の記載振りに則って整理すると、上記刊行物１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
  
 ［引用発明］ 
 「版母材１０の表面に銅メッキ処理によって銅メッキ層１２を形成する工程と、該銅メッキ層１２の上にＤＬＣ被膜層１４を形成する工程と、該ＤＬＣ被膜層１４にレーザーを照射してレーザーアブレーションを行い、該ＤＬＣ被膜層１４を前記レーザーアブレーションにより除去することにより該銅メッキ層１２の表面は削られることなく該銅メッキ層１２の上にグラビアセル２０を形成しない部分のＤＬＣ被膜層１４を形成する工程と、銅メッキ層１２をエッチングしてグラビアセル２０を形成する工程とを含むグラビア製版ロールの製造方法。」 
２．刊行物２について
　当審拒絶理由１に引用された刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「【００３８】
　本発明の好ましい実施形態において、上部導電層の機構を選択的にパターニングするために、好ましくはエキシマーレーザーからナノ秒レーザービーム（１ｎ、５ｎｓまたは１０ｎｓを超えるパルス幅を有する）の単一のショットを使用して、少なくとも１つの有機層の最上部に電子デバイスの上部導電層をパターニングする方法が提供される。単一のレーザーパルスを使用することによって、基本的にすべてのレーザーエネルギーが上部導電層の材料に吸収されることが確実となり、ならびに、下位有機層および／または導電層がさらされる残りのレーザー放射が、後者をアブレーションしたり、後者に損傷を与えたり、後者を劣化させたりするのに不十分なものとなることが確実となる。この加工では、活性下位機構に損傷を与えることなく（例えば、性能における相当な劣化および／または下位層の厚さの例えば１０％の損失）、デバイスの上部層を選択的にパターニングすることが可能である。」
３．刊行物３について
　当審拒絶理由１に引用された刊行物３には、以下の事項が記載されている。
　「【００７１】
＜参考例１−１＞
《メッキ層の形成》
　ＪＩＳ Ｇ ４８０４（１９９９年）に記載のＳＵＭ２３Ｌからなる直径８ｍｍの導電性支持体表面に、厚さ２０μｍの無電解ニッケルメッキ層を以下の条件で形成し、その後、１５０℃、３０分間の加熱処理を施して導電性支持体１−Ａを得た。
−メッキ条件−
・メッキ液（ニムデン  ＮＫＹ：上村工業社製）
・メッキ浴温度：９０℃
・メッキ浴ｐＨ：４．８
・メッキ時間：３０分
【００７２】
《弾性層の形成》
　下記組成の混合物をオープンロールで混練りし、導電性支持体１−Ａの表面にプレス成形機を用いて弾性層を形成した後、加硫し、直径１４ｍｍの導電性弾性ロール１−Ａを得た。」
４．その他の刊行物について（周知例として。）
　刊行物４：特開２００５−５２５０７号公報
　刊行物５：特開２００６−２６０７２４号公報
　刊行物６：特開２００５−１４４５２８号公報
（１）刊行物４について
　本願の優先日前に頒布された刊行物４には、以下の事項が記載されている。
「【００７３】
　６）上述の実施例においては、エッチング工程でプラズマエッチングによりＤＬＣ被膜を除去したが、レーザエッチングによりＤＬＣ被膜を除去してもよい。例えば、フェムト秒レーザ(レーザの波長が８７０ｎｍ,パルス幅がフェムト秒),紫外線レーザ(レーザの波長が紫外線領域。例えば、パルス幅が２０〜１００ｎｍであって、波長が３５３ｎｍのＴＨＧ−ＹＡＧレーザ,波長が２６５ｎｍのＦＨＧ−ＹＡＧレーザなどの固体レーザ),エキシマレーザ(波長が３０８ｎｍ若しくは２４８ｎｍ,パルス幅が２０〜３０ｎｍ)などのレーザによりＤＬＣ被膜を除去してもよい。特に、複数のレーザによりＤＬＣ被膜に複数の方向からレーザを照射して油溜を形成することでエッチング工程を大幅に短時間化することができる。または、レーザを１つ設けレーザと摺動部品との相対位置を移動させることで油溜を形成するようにすることで、設備投資を削減することができる。」
（２）刊行物５について
　本願の優先日前に頒布された刊行物５には、以下の事項が記載されている。
「【００２３】
［フェムト秒レーザによる加工］
　テクスチャ付コンタクト試験を行うにあたって、DLCパッドを加工する方法として、フェムト秒レーザ(光源Ti:Sapphire、波長800nm、パルス幅120fs)による加工を行った。フェムト秒レーザ加工を選らんだ理由としては、フェムト秒レーザはレーザ波長程度の非常に微細な周期的微細加工が可能であり、レーザ照射によるアブレーション現象が熱伝導機構よりも高速で起こるため周りの材料を変質させない特徴があり、ナノスケールのテクスチャ加工に優れているからである。フェムト秒レーザ加工の実験系を図2に、加工条件を表1に示す。
【表１】
【００２４】
　表１に示すように、スライダＢに対して６０μJ／pulse、スライダＣに対して５０μJ／pulse、スライダＤに対して３．３μJ／pulseで、それぞれレーザを照射した。
　なお、別の実験で、膜厚２００ナノメートルのＤＬＣ薄膜コーティング層に対して、エネルギ9.4μJ/shot, ショット数1000ショットで微細突起を形成できることを確認済である。
　加工においては2種類の加工方法を用いて、3種類のテクスチャ付スライダを作成した。すなわち、加工時において2枚の集光レンズ(f＝50、100mm)によりレーザスポットを楕円形に変形させた後、f=150mmのレンズで集光させ、パッド上をある一定速度でスキャンさせてパッド全体にテクスチャを付ける方法と(スライダ B、C)、1枚のレンズのみでパッド全体を覆うようにレーザを集光し、パッドを固定したままレーザを照射し、一度にパッド全体にテクスチャを付ける方法の2種類である(スライダ D)。2種類の方法を用いた理由は、テクスチャ高さの高いものを作成する場合にはスキャンさせる方法で良いが、低いものを作成する場合、この方法では突起の占める面積割合が小さくなりすぎる傾向があった。そこで、静止させて作成する方法を試みた結果、多少改善される傾向が見られたためである。図3に突起の形状を示す。スライダ Aはテクスチャが付けられていないものである。本来、フェムト秒レーザ加工を行うと、微細な周期構造となるはずであるが、図３（ｂ）〜（ｄ）、表２に示すように、DLCパッドの表面には無数の突起ができていた（スライダB,C,D）。
【表２】」
（３）刊行物６について
　本願の優先日前に頒布された刊行物６には、以下の事項が記載されている。
「【００６９】
　７）上述のプレス金型の製造方法においては、集束イオンビーム法によって凹部１０を形成したが、フェムト秒レーザ, エキシマレーザ, 紫外線レーザなどによるレーザエッチングによってＤＬＣ被膜又は金型部材の所望の領域を除去して凹部を形成してもよい。また、凹部の開口面積が大きい場合には、プラズマエッチングなどのエッチングによりＤＬＣ被膜の一部を除去して凹部を形成してもよい。尚、プラズマエッチングの場合、ＤＬＣ被膜を残す部分を覆うマスクを行う必要があるが、ビームやレーザーによる場合はマスクをする必要がない。」
　上記刊行物４−６の記載事項から、ＤＬＣをレーザーアブレーションする際に用いるレーザーを、ナノ秒以下のパルス幅を有するパルスレーザーとすることは、本願の優先日前に周知の技術手段であったと認められる。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明の「ＤＬＣ被膜層１４」は本願発明１の「ＤＬＣ被覆膜」に相当し、以下同様に、「上」は「表面」に、「除去」は「剥離」に、「グラビアセル２０を形成しない部分のＤＬＣ被膜層１４」は「ＤＬＣパターン」に、「グラビア製版ロール」は「パターン付きロール」に、それぞれ相当する。 
  
　そして、本願の明細書の「また、前記基材とＤＬＣ被覆膜との間に密着性向上のためにＴｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｓｉ，ＳｉＣ，ＳｉＯ２等の中間層を形成してもよい。」（段落【００１３】）との記載及び「上記形成したニッケルメッキ層を基材としてその基材の表面にＤＬＣ被覆膜をＣＶＤ法で形成した。雰囲気アルゴン／水素ガス雰囲気、原料ガスにヘキサメチルジシロキサン、成膜温度８０−１２０℃、成膜時間６０分で膜厚０．１μｍの中間層を成膜した。次に、原料ガスにトルエン、成膜温度８０−１２０℃、成膜時間１８０分で膜厚２．７μｍのＤＬＣ被覆膜を成膜した。」（段落【００３７】）との記載に照らせば、引用発明の「銅メッキ層１２」は本願発明１の「基材」に相当し、引用発明の「版母材１０の表面に銅メッキ処理によって銅メッキ層１２を形成する」ことは本願発明１の「基材を準備する」ことに相当するといえる。 
  
　また、引用発明の「レーザー」と本願発明１の「パルスレーザ」とは、「レーザ」という限りで共通する。 
  
　したがって、本願発明１と引用発明とは、次の一致点並びに相違点１及び相違点２を有する。 
  
［一致点］ 
「基材を準備する工程と、該基材の表面にＤＬＣ被覆膜を形成する工程と、該ＤＬＣ被覆膜にレーザを照射してレーザアブレーションを行い、前記ＤＬＣ被覆膜を前記レーザアブレーションにより剥離せしめることにより該基材の表面は削られることなく該基材の表面にＤＬＣパターンを形成する工程と、を含むパターン付ロールの製造方法。」 
 
［相違点１］
　本願発明１は、「レーザ」が「パルスレーザ」であり、「パルスレーザとしてナノ秒以下のパルス幅を有するレーザを用いる」のに対し、引用発明はこのようなレーザを用いない点。
［相違点２］ 
　本願発明１は、「エッチングを行うことのないパターン付ロールの製造方法。」であるのに対し、引用発明は「銅メッキ層１２をエッチングしてグラビアセル２０を形成する工程とを含むグラビア製版ロールの製造方法。」である点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点１及び相違点２について検討する。
［相違点１について］
　上記第５の４．のとおり、ＤＬＣをレーザーアブレーションする際に用いるレーザーを、ナノ秒以下のパルス幅を有するパルスレーザーとすることは、本願の優先日前に周知の技術手段である。
　そして、完成品でのＤＬＣの用途が異なったとしても、製造段階でのＤＬＣの物性には共通する点が多くあるから、引用発明のＤＬＣをレーザーアブレーションする際に用いるレーザーについて、上記周知の技術手段の、ナノ秒以下のパルス幅を有するパルスレーザーが使用可能であることは、当業者が予測し得たことと認められる。
［相違点２について］
　本願発明１はエッチングを行わないことを発明特定事項とするのに対し、引用発明はエッチングする工程を含むものであるから、引用発明において相違点２における本願発明１の発明特定事項のようにすることが容易であるとはいえない。
 
　なお、刊行物１に「従来公知のエッチング法や電子彫刻法の他に、レーザーアブレーションを用いた方法も採用できる。」（段落［００３１］）と記載されており、「電子彫刻法」と「レーザーアブレーションを用いた方法」とが、「エッチングを行うことのない」方法に該当する。
　しかしながら、電子彫刻法はマスクパターンの縁を維持しつつ彫刻する手法ではなく、「グラビアセル２０を形成しない部分のＤＬＣ被膜層１４」を維持しつつ銅メッキ層１２だけを彫刻するような電子彫刻法が従来周知であるとはいえない。よって、引用発明において「エッチング」を「電子彫刻法」に置き換える事は、当業者にとって容易ではない。
　また、引用発明における「エッチング」を「レーザーアブレーション」に置き換える場合、引用発明の「該ＤＬＣ被膜層１４を前記レーザーアブレーションにより除去することにより該銅メッキ層１２の表面は削られることなく」との特定事項と矛盾することとなる。そうであれば、引用発明において「エッチング」を「レーザーアブレーション」に置き換えることには阻害要因があるといえる。
　この他にも、刊行物１−６には、「エッチング」を代替できる加工方法に関する記載や、エッチングが省略できるといった趣旨の記載はない。
　したがって、本願発明１における上記相違点２に係る構成は、刊行物１−６に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到し得たとは認められない。
　したがって、本願発明１は、引用発明及び刊行物１−６に記載された事項に基いて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２−４について
　本願発明２−４は本願発明１を減縮した発明であって、本願発明１の上記相違点２に係る構成と同一の構成を備えるものであり、本願発明１と同様の理由によって、当業者であっても、引用発明及び刊行物１−６に記載され他事項に基いて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　平成２９年５月１２日の手続補正により、本願発明１−４は、「エッチングを行うことのない」という技術的事項を有するものとなった。当該「エッチングを行うことのない」という事項は、原査定における引用文献Ａ−Ｃ（当審拒絶理由における引用文献１−３）には記載されておらず、本願優先日前における周知技術でもないので、本願発明１−４は、当業者であっても、原査定における引用文献Ａ−Ｃに基いて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由２について
（特許法第３６条第６項第１号について）
　当審では、請求項１の文言上、パターン付ロールの製造方法に、エッチングの工程を含むことを排除していない記載振りとなっており、発明の詳細な説明に記載したものでないとの拒絶の理由を通知したが、平成２９年５月１２日の手続補正により、「エッチングを行うことのないパターン付ロールの製造方法。」と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。 
第９　むすび
　以上のとおり、本願発明１−４は、当業者が引用発明及び刊行物１−６に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。