Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、所定の環境で自発分極を示す誘電体膜、及び第２電極がこの順に積層された熱検知素子と、
前記誘電体膜での前記自発分極の変化により流れる緩和電流量を算出する部分と、
前記緩和電流量の温度依存性に基づいて熱を検知する部分と、
を備えることを特徴とする赤外線センサー。
【請求項２】
さらに電源を備え、
前記誘電体膜は、安定状態である反強誘電相と準安定状態である強誘電相との間で相転移する性質を有し、
前記電源は、前記誘電体膜において、前記反強誘電相から前記強誘電相へと相転移させる電圧を所定時間前記熱検知素子に印加するように構成され、
前記緩和電流量は、前記電源による電圧印加停止後、前記誘電体膜における前記強誘電相から前記反強誘電相への相転移に伴う前記自発分極の変化により流れる電流量である
ことを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサー。
【請求項３】
前記誘電体膜は、前記緩和電流を算出する際に前記自発分極が徐々に変化するように構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の赤外線センサー。
【請求項４】
前記誘電体膜は（１１１）面に優先配向していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の赤外線センサー。
【請求項５】
第１電極、誘電体膜、及び第２電極がこの順に積層された熱検知素子であって、
前記誘電体膜は、反強誘電性を示し、かつ所定の測定環境で自発分極を有することを特徴とする熱検知素子。
【請求項６】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間に設けられた所定の環境で自発分極を示す誘電体膜と、を有する熱検知素子を用いた熱検知方法であって、
前記誘電体膜に電圧を印加する工程と、
前記誘電体膜への電圧印加を停止する工程と、
前記電圧印加を停止した後に、前記誘電体膜の自発分極によって流れる電流量を算出し、前記電流量の温度依存性に基づいて熱を検知する工程と、
を有することを特徴とする熱検知素子を用いた熱検知方法。
【請求項７】
前記誘電体膜は、安定状態である反強誘電相と準安定状態である強誘電相との間で相転移する性質を有し、
前記電圧を印加する工程は、前記誘電体膜において前記反強誘電相から前記強誘電相へと相転移させる電圧を前記熱検知素子に印加し、
前記熱を検知する工程は、前記電圧印加停止後、前記誘電体膜における前記強誘電相から前記反強誘電相への相転移に伴う前記自発分極の変化により流れる緩和電流量を算出し、前記緩和電流量の温度依存性に基づいて熱を検知する
ことを特徴とする請求項６に記載の熱検知素子を用いた熱検知方法。
【請求項８】
前記熱を検知する工程は、算出される前記電流量を基準値と比較して得た差分を用いて、熱を検知することを特徴とする請求項６又は７に記載の熱検知素子を用いた熱検知方法。
【請求項９】
前記基準値は、赤外線を遮断した状態で前記熱検知素子により生じる電流量、又は赤外線に基づく抵抗変化を生じない参照用の熱検知素子により生じる電流量であることを特徴とする請求項８に記載の熱検知素子を用いた熱検知方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の態様は、第１電極、所定の環境で自発分極を示す誘電体膜、及び第２電極がこの順に積層された熱検知素子と、前記誘電体膜での前記自発分極の変化により流れる緩和電流量を算出する部分と、前記緩和電流量の温度依存性に基づいて熱を検知する部分と、を備えることを特徴とする赤外線センサーにある。
かかる態様では所定の環境において自発分極を有する誘電体膜を用い、赤外線センサーの感度を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記赤外線センサーは、さらに電源を備え、前記誘電体膜は、安定状態である反強誘電相と準安定状態である強誘電相との間で相転移する性質を有し、前記電源は、前記誘電体膜において、前記反強誘電相から前記強誘電相へと相転移させる電圧を所定時間前記熱検知素子に印加するように構成され、前記緩和電流量は、前記電源による電圧印加停止後、前記誘電体膜における前記強誘電相から前記反強誘電相への相転移に伴う前記自発分極の変化により流れる電流量であることが好ましい。
これによれば、簡易な構成で赤外線センサーの上記電流量の温度依存性に基づいた熱検知を実現できる。
また、前記誘電体膜は、前記緩和電流を算出する際に前記自発分極が徐々に変化するように構成されることが好ましい。
これによれば、自発分極によって流れる電流の速度を低下させることができ、電流量を精度よく算出できるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の他の態様は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間に設けられた所定の環境で自発分極を示す誘電体膜と、を有する熱検知素子を用いた熱検知方法であって、前記誘電体膜に電圧を印加する工程と、前記誘電体膜への電圧印加を停止する工程と、前記電圧印加を停止した後に、前記誘電体膜の自発分極によって流れる電流量を算出し、前記電流量の温度依存性に基づいて熱を検知する工程と、を有することを特徴とする熱検知素子を用いた熱検知方法にある。
かかる態様では、所定の環境において自発分極を有する誘電体膜を用い、赤外線センサーの感度を向上させることができる。
また、前記誘電体膜は、安定状態である反強誘電相と準安定状態である強誘電相との間で相転移する性質を有し、前記電圧を印加する工程は、前記誘電体膜において前記反強誘電相から前記強誘電相へと相転移させる電圧を前記熱検知素子に印加し、前記熱を検知する工程は、前記電圧印加停止後、前記誘電体膜における前記強誘電相から前記反強誘電相への相転移に伴う前記自発分極の変化により流れる緩和電流量を算出し、前記緩和電流量の温度依存性に基づいて熱を検知することが好ましい。これによれば、電圧印加停止後、誘電体膜における強誘電相から反強誘電相への相転移に伴う自発分極の変化により流れる緩和電流量から感度よく熱を検知することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記熱を検出する工程は、算出される前記電流量を基準値と比較して得た差分を用いて、熱を検知することが好ましい。これによれば、得られた差分の温度依存性に基づいて、熱検知素子の熱検知を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画像に対して付与されたキーワードを取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得されるキーワードを、前記第１の画像とは異なる第２の画像に付与する付与手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記第１の画像に対して付与された複数のキーワードのうちの第１のキーワードが選択される場合、前記複数のキーワードのうちの、前記第１のキーワードとは異なる第２のキーワードを取得し、
前記付与手段は、前記第１のキーワードと前記第２のキーワードとを前記第２の画像に付与する、
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記第１の画像に対して付与された複数のキーワードのうちの第１のキーワードが選択される場合、前記複数のキーワードの入力順序に基づいて、前記第２のキーワードを取得する、
ことを特徴とする請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１のキーワードは、前記第２の画像に対するドラッグ操作に基づいて選択される
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理装置
【請求項５】
前記複数のキーワードを前記入力順序に基づいて構造化する構造化手段
を有することを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記構造化手段によって構造化された複数のキーワードを前記入力順序に基づいて提示する第１の提示手段
を備えることを特徴とする請求項５記載の情報処理装置。
【請求項７】
ユーザに入力された第３のキーワードが前記複数のキーワードに含まれる場合、前記構造化手段によって構造化された前記複数のキーワードを画像に付与するキーワードとして推奨するために提示する第２の提示手段
を有することを特徴とする請求項５又は６に項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記構造化手段は、キーワード入力順に上位から下位のノードを形成する木構造として前記複数のキーワードを構造化する
ことを特徴とする請求項５乃至７の何れか１項に情報処理装置。
【請求項９】
前記付与手段は、前記複数のキーワードのうち、前記第１のキーワードより前記入力順序が遅い又は早いキーワードを前記第２の画像に付与する
ことを特徴とする請求項２乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
第１の画像に対して付与されたキーワードを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得されるキーワードを、前記第１の画像とは異なる第２の画像に付与する付与工程と
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述の課題を解決するために本願発明の情報処理装置は、第１の画像に対して付与されたキーワードを取得する取得手段と、前記取得手段によって取得されるキーワードを、前記第１の画像とは異なる第２の画像に付与する付与手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画像に対して付与するキーワードが入力される入力手段と、
前記入力手段に入力された複数のキーワードの入力順序に基づいて、当該複数のキーワードを構造化する構造化手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記構造化された複数のキーワードを、前記第１の画像とは異なる第２の画像に付与する付与手段
を有することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記付与手段は、前記複数のキーワードうち、前記入力順序に基づいて決定される一部を前記第２の画像に対して付与する
ことを特徴する請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記構造化手段によって構造化された複数のキーワードを前記入力順序に基づいて提示する第１の提示手段
を有することを特徴とする請求項１乃至３何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
ユーザに入力された第１のキーワードが前記複数のキーワードに含まれる場合、前記構造化手段によって構造化された前記複数のキーワードを提示する第２の提示手段
を有することを特徴とする請求項１乃至４何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記構造化手段は、キーワード入力順に上位から下位のノードを形成する木構造として前記複数のキーワードを構造化する
ことを特徴とする請求項１乃至５何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記入力手段にて入力された前記複数のキーワードの入力順序を取得する取得手段
を有することを特徴とする請求項１乃至６何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
情報処理装置の制御方法であって、
第１の画像に対して付与するキーワードが入力される入力工程と、
前記入力工程において入力された複数のキーワードの入力順序に基づいて、当該複数のキーワードを構造化する構造化工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の課題を解決するために本願発明の情報処理装置は、第１の画像に対して付与するキーワードが入力される入力手段と、前記入力手段にて入力された複数のキーワードの入力順序に基づいて、当該複数のキーワードを構造化する構造化手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理装置の制御方法、及び、プログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像形成装置の稼働状況を管理する情報処理装置の制御に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月22日(2016.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔画像を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定手段と、
前記領域設定手段によって設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定手段と、
前記目の色の種別に基づいて、前記目領域に係る補正パラメータを設定するパラメータ設定手段と、
前記補正パラメータに基づいて前記目領域の輝度が補正された輝度画像を生成する生成手段と、
前記生成手段によって生成された輝度画像の目領域から、前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出手段と、
を有することを特徴とする視線検出装置。
【請求項２】
前記補正パラメータは、輝度補正に関する補正係数であり、前記生成手段は、前記補正係数に基づいて前記目領域を輝度補正することにより前記輝度画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の視線検出装置。
【請求項３】
前記補正パラメータは、カラー画像から輝度画像への変換係数であり、前記生成手段は、前記変換係数に基づいて前記目領域の輝度画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の視線検出装置。
【請求項４】
顔画像を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定手段と、
前記領域設定手段によって設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定手段と、
複数の視線検出器の中から前記目の色の種別に対応する１つの視線検出器を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された視線検出器を用いて前記目領域から前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出手段と、
を有することを特徴とする視線検出装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記目領域の平均輝度値または輝度値の総和を算出することによって目の種別を判定することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の視線検出装置。
【請求項６】
前記判定手段は、輝度値、もしくはカラーに関するヒストグラムを使用して目の種別を判定することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の視線検出装置。
【請求項７】
前記視線検出手段は、前記目領域から特徴を抽出することにより、前記顔が所定の方向を向いていることに関する尤度、もしくは、所定の軸を基準とした角度を算出することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の視線検出装置。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の視線検出装置と、
前記取得手段が取得すべき顔画像を含む被写体を撮像する撮像手段と、
前記視線検出手段によって顔の視線が検出された顔画像を記録媒体に記録する記録手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
前記視線検出手段によって検出された視線が撮影条件を満たすか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段により前記撮影条件を満たさないと判断された場合に、前記記録手段による前記顔画像の記録を抑止する制御手段と、
を有することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
顔画像を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定工程において設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定工程と、
前記目の色の種別に基づいて、前記目領域に係る補正パラメータを設定するパラメータ設定工程と、
前記補正パラメータに基づいて前記目領域の輝度が補正された輝度画像を生成する生成工程と、
前記生成工程において生成された輝度画像の目領域から、前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出工程と、
を有することを特徴とする視線検出方法。
【請求項１１】
顔画像を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定工程において設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定工程と、
複数の視線検出器の中から前記目の色の種別に対応する１つの視線検出器を選択する選択工程と、
前記選択工程において選択された視線検出器を用いて前記目領域から前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出工程と、
を有することを特徴とする視線検出方法。
【請求項１２】
顔画像を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定工程において設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定工程と、
前記目の色の種別に基づいて、前記目領域に係る補正パラメータを設定するパラメータ設定工程と、
前記補正パラメータに基づいて前記目領域の輝度が補正された輝度画像を生成する生成工程と、
前記生成工程において生成された輝度画像の目領域から、前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１３】
顔画像を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定工程において設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定工程と、
複数の視線検出器の中から前記目の色の種別に対応する１つの視線検出器を選択する選択工程と、
前記選択工程において選択された視線検出器を用いて前記目領域から前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の視線検出装置は、顔画像を取得する取得手段と、前記取得手段によって取得された顔画像に対して目領域を設定する領域設定手段と、前記領域設定手段によって設定された目領域について、目の色の種別を判定する判定手段と、前記目の色の種別に基づいて、前記目領域に係る補正パラメータを設定するパラメータ設定手段と、前記補正パラメータに基づいて前記目領域の輝度が補正された輝度画像を生成する生成手段と、前記生成手段によって生成された輝度画像の目領域から、前記顔画像に係る顔の視線を検出する視線検出手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原画像データに対してダウンサンプリング処理を繰り返し行って、画素数が夫々異なる複数の階層の画像データを生成する画像処理装置であって、
入力された画像データにおける有効画素領域外の無効画素領域に余分画素を生成する処理を施す余分画素生成手段と、
前記余分画素を含む画像データに対して、所定タップ数に応じたフィルタ処理及びダウンサンプリング処理を施すサンプリング処理手段と、
を備え、 
前記余分画素生成手段は、
第２の階層の画像データを生成する処理において、前記第２の階層よりも上位階層である第１の階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素を複製して余分画素を生成することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記余分画素生成手段は、
上位階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素と同じ画素数の余分画素を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記余分画素生成手段は、
所定の階層以下においてのみ、上位階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素を複製して余分画素を生成することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記原画像データの有効画素領域の端部の画素を余分画素として用いて最初のダウンサンプリング処理を行うことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
原画像データに対してダウンサンプリング処理を繰り返し行って、画素数が夫々異なる複数の階層の画像データを生成する画像処理装置であって、
入力された画像データにおける有効画素領域外の無効画素領域に余分画素を生成する処理を施す余分画素生成手段と、
前記余分画素を含む画像データに対して、所定タップ数に応じたフィルタ処理及びダウンサンプリング処理を施すサンプリング処理手段と、
を備え、
前記余分画素生成手段は、
第２の階層の画像データを生成する処理において、前記第２の階層よりも上位階層である第１の階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素と、前記入力された画像データの有効画素領域の端部の画素とを重み付け加算して余分画素を生成することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
前記重み付けは、下位階層の画像データを生成する処理ほど、前記第１の階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素に対する重みを小さくすることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
原画像データに対してダウンサンプリング処理を繰り返し行って、画素数が夫々異なる複数の階層の画像データを生成する画像処理方法であって、
入力された画像データにおける有効画素領域外の無効画素領域に余分画素を生成する処理を施す工程と、
前記余分画素を含む画像データに対して、所定タップ数に応じたフィルタ処理及びダウンサンプリング処理を施すサンプリング処理工程と、
を含み、 
第２の階層の画像データを生成する処理において、前記第２の階層よりも上位階層である第１の階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素を複製して余分画素を生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
原画像データに対してダウンサンプリング処理を繰り返し行って、画素数が夫々異なる複数の階層の画像データを生成する画像処理方法であって、
入力された画像データに対して、前記画像データの有効画素領域に含まれる画素と前記有効画素領域に含まれない余分画素とを用いて、所定タップ数に応じたフィルタ処理及びダウンサンプリング処理を施すサンプリング処理工程を含み、
第２の階層の画像データを生成する処理で用いられる余分画素の画素値は、前記第２の階層よりも上位階層である第１の階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素の画素値と同値であることを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、及び、画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置、及び、画像処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、
原画像データに対してダウンサンプリング処理を繰り返し行って、画素数が夫々異なる複数の階層の画像データを生成する画像処理装置であって、
入力された画像データにおける有効画素領域外の無効画素領域に余分画素を生成する処理を施す余分画素生成手段と、
前記余分画素を含む画像データに対して、所定タップ数に応じたフィルタ処理及びダウンサンプリング処理を施すサンプリング処理手段と、
を備え、
前記余分画素生成手段は、
第２の階層の画像データを生成する処理において、前記第２の階層よりも上位階層である第１の階層の画像データを生成する処理において用いられた余分画素を複製して余分画素を生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の演算処理装置に接続される演算処理装置において、
自装置が管理する第１のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第２のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、
前記演算処理部を動作状態又は非動作状態に設定する設定部と、前記第１のデータと前記第２のデータとを保持するキャッシュメモリとを有し、前記設定部が前記演算処理部を動作状態に設定した場合、前記第２のデータが前記キャッシュメモリから追い出されたときに、前記追い出されたデータと前記追い出されたデータを前記他の演算処理装置のキャッシュメモリに記憶する契機となる要求とを、前記他の演算処理装置に送信する制御部と、
を有することを特徴とする演算処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記設定部が前記演算処理部を動作状態に設定している場合、前記他の演算処理装置に対して、データを前記制御部を有する演算処理装置に送信するよう要求するとともに前記他の演算処理装置のキャッシュメモリから前記データを破棄するよう要求することを特徴とする請求項１に記載の演算処理装置。
【請求項３】
他の演算処理装置に接続される演算処理装置において、
自装置が管理する第３のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第４のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、
前記演算処理部を動作状態又は非動作状態に設定する設定部と、前記第３のデータと前記第４のデータとを保持するキャッシュメモリとを有し、前記設定部が前記演算処理部を非動作状態に設定した場合、前記他の演算処理装置から前記第３のデータとライトバック通知又はフラッシュバック通知とを受信したときに、前記第３のデータを前記キャッシュメモリに記憶する制御部と、
を有することを特徴とする演算処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記設定部が前記演算処理部を非動作状態に設定している場合、前記他の演算処理装置から前記キャッシュメモリに記憶されたデータのデータ取得要求を受信したときに、前記要求されたデータを前記他の演算処理装置に送信するとともに前記キャッシュメモリから前記データを破棄することを特徴とする請求項３に記載の演算処理装置。
【請求項５】
他の演算処理装置と、前記他の演算処理装置に接続される演算処理装置とを有する情報処理装置において、
前記演算処理装置は、
自装置が管理する第５のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第６のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、
前記演算処理部を動作状態又は非動作状態に設定する設定部と、前記第５のデータと前記第６のデータとを保持するキャッシュメモリとを有し、前記設定部が前記演算処理部を動作状態に設定した場合、前記第６のデータが前記キャッシュメモリから追い出されたときに、前記追い出されたデータと前記追い出されたデータを前記他の演算処理装置のキャッシュメモリに記憶する契機となる要求とを、前記他の演算処理装置に送信する制御部と、
を有する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
他の演算処理装置と、前記他の演算処理装置に接続される演算処理装置とを有する情報処理装置において、前記演算処理装置は、
自装置が管理する第７のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第８のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、
前記演算処理部を動作状態又は非動作状態に設定する設定部と、前記第７のデータと前記第８のデータとを保持するキャッシュメモリとを有し、前記設定部が前記演算処理部を非動作状態に設定した場合、前記他の演算処理装置から前記第７のデータとライトバック通知又はフラッシュバック通知とを受信したときに、前記第７のデータを前記キャッシュメモリに記憶する制御部と、
を有する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
設定部により演算処理部が動作状態に設定されている演算処理装置と設定部により演算処理部が非動作状態に設定されている演算処理装置とを含むグループが形成され、
前記グループ外の演算処理装置は、前記グループ内の演算処理装置にアクセスする際に、前記演算処理部が動作状態に設定されている演算処理装置にアクセスし、前記演算処理部が非動作状態に設定されている演算処理装置にアクセスしない
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
他の演算処理装置と、前記他の演算処理装置に接続されるとともに、自装置が管理する第９のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した取得した第１０のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、前記第９のデータと前記第１０のデータとを保持するキャッシュメモリとを含む演算処理装置と、を有する情報処理装置の制御方法において、
前記演算処理装置が有する設定部が、前記演算処理部を動作状態に設定し、
前記演算処理装置が有する制御部が、前記第１０のデータが前記キャッシュメモリから追い出されたときに、前記追い出されたデータと前記追い出されたデータを前記他の演算処理装置のキャッシュメモリに記憶する契機となる要求とを、前記他の演算処理装置に送信する
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
他の演算処理装置と、前記他の演算処理装置に接続されるとともに、自装置が管理する第１１のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した取得した第１２のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、前記第１１のデータと前記第１２のデータとを保持するキャッシュメモリとを含む演算処理装置と、を有する情報
処理装置の制御方法において、
前記演算処理装置が有する設定部が、前記演算処理部を非動作状態に設定し、
前記演算処理装置が有する制御部が、前記他の演算処理装置から前記第１１のデータとライトバック通知又はフラッシュバック通知とを受信したときに、前記第１１のデータを前記キャッシュメモリに記憶する
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の演算処理装置に接続される演算処理装置において、
自装置が管理する第１のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第２のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、
前記第１のデータと第３のデータとを記憶するメインメモリと、
前記演算処理部を動作状態又は非動作状態に設定する設定部と、前記第１のデータと前記第２のデータと前記第３のデータとを保持するキャッシュメモリとを有し、前記設定部が前記演算処理部を非動作状態に設定した場合、前記他の演算処理装置から前記第３のデータが要求された結果、前記キャッシュメモリにキャッシュミスが発生したとき、要求された前記第３のデータを前記メインメモリから読み出して前記キャッシュメモリに保持するとともに、読み出した前記第３のデータを前記他の演算処理装置に送信する制御部と、を有することを特徴とする演算処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記他の演算処理装置から、前記第３のデータを更新したデータである更新データとライトバック通知とを受信した場合、前記更新データを前記キャッシュメモリに記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の演算処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記他の演算処理装置から、前記第３のデータを更新したデータである更新データとライトバック通知とを受信した場合、前記更新データを前記キャッシュメモリに記憶するが、前記更新データを前記メインメモリに登録させない
ことを特徴とする請求項２に記載の演算処理装置。
【請求項４】
他の演算処理装置と、前記他の演算処理装置に接続される演算処理装置とを有する情報処理装置において、
前記演算処理装置は、
自装置が管理する第４のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第５のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、
前記第４のデータと第６のデータとを記憶するメインメモリと、
前記演算処理部を動作状態又は非動作状態に設定する設定部と、前記第４のデータと
前記第５のデータと前記第６のデータとを保持するキャッシュメモリとを有し、前記設定部が前記演算処理部を非動作状態に設定した場合、前記他の演算処理装置から前記第６のデータが要求された結果、前記キャッシュメモリにキャッシュミスが発生したとき、要求された前記第６のデータを前記メインメモリから読み出して前記キャッシュメモリに保持するとともに、読み出した前記第６のデータを前記他の演算処理装置に送信する制御部と、
を有する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
他の演算処理装置と、前記他の演算処理装置に接続されるとともに、自装置が管理する第７のデータと前記他の演算処理装置が管理する前記他の演算処理装置から取得した第８のデータとを用いて演算処理を行う演算処理部と、前記第７のデータと第９のデータとを記憶するメインメモリと、前記第７のデータと前記第８のデータと前記第９のデータとを保持するキャッシュメモリとを含む演算処理装置とを有する情報処理装置の制御方法において、
前記演算処理装置が有する設定部が、前記演算処理部を非動作状態に設定し、
前記設定部が前記演算処理部を非動作状態に設定した後、前記他の演算処理装置が、前記第９のデータを要求し、
前記第９のデータが要求された結果、前記キャッシュメモリ部にキャッシュミスが発生した場合、前記演算処理装置が有する制御部が、要求された前記第９のデータを前記メインメモリから読み出して前記キャッシュメモリに保持し、
前記制御部が、読み出した前記第９のデータを前記他の演算処理装置に送信する
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
続いて、ステップＳ２３では、傾斜算出部２１ｃにより算出された判別対象画像Ｄ２の傾き角に基づいて、判別対象画像回転部２１ｄが判別対象画像Ｄ２の傾きを調整する（図４（ｃ）及び図４（ｄ）を参照）。続いて、ステップＳ２４では、判別対象画像伸縮部２１ｅが、判別対象画像Ｄ２のサイズを拡大若しくは縮小させることにより、基準画像Ｄ６〜Ｄ８のサイズに近づける（図４（ａ），図４（ｂ）及び図４（ｄ）を参照）。なお、このとき、画素補間部２１ｆが、判別対象画像Ｄ２に含まれる画素について補間処理を行うとよい。続いて、ステップＳ２５では、判定部２３が、判別対象画像伸縮部２１ｅにおいて生成された照合画像Ｄ５と基準画像Ｄ６〜Ｄ８との比較を行うことにより、紙幣Ｂの種別および真偽を判別する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014186649.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに通信可能に結合されたプロセッサと、前記メモリに格納され、安全システムをモデル化するよう構成され、信頼性尺度を得るよう各々が構成された複数のサブシステムモデルを含むモデルライブラリと、
フォールトトレランス入力と、
保守整備ポリシー入力と、
前記プロセッサにより実行され、前記複数のサブシステムモデル、前記フォールトトレランス入力、及び前記保守整備ポリシー入力のユーザ定義セットを使用して装置のシステムリスクを取得するよう構成された動的リスク計算エンジン（ＤＲＣＥ）と、
を備え、
前記システムリスクが、平均要求時作動失敗確率（ＰＦＤ）を含み、
前記ＤＲＣＥは、平均ＰＦＤのＮステップ前の推定値がリスク低減要因（ＲＲＦ）を上回か否かを判断し、上回る場合に、証明試験を命令するように構成され、
前記証明試験が、バルブ、バックアップシステム、装置構成要素、又はこれらの組み合わせを自動的に作動させ、証明試験スケジュールを出力するよう構成される、
た、システム。
【請求項２】
前記複数のサブシステムモデルの各々が、複数の状態及び状態遷移を使用して前記信頼性尺度をモデル化するよう構成されたＮ個のうちのＸ個（ＸｏｏＮ）Ｍａｒｋｏｖモデルを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記フォールトトレランス入力がリスク低減要因（ＲＲＦ）を含み、前記安全システムがシステム計装機能（ＳＩＦ）を含む、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記保守整備ポリシー入力が、オンライン診断入力、出力診断入力、証明試験モデル入力、完全改修入力、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記証明試験が、部分証明試験又は完全証明試験を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記ＤＲＣＥが、前記証明試験を監視して、前記システムリスクを更新するよう構成されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記ＤＲＣＥが、アラーム、部分証明試験、完全証明試験、稼働事象、保守整備事象、又はこれらの組み合わせを用いて信頼性クレジットを得るよう構成され、該信頼性クレジットを用いて前記システムリスクを更新する、請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記装置が、ガスタービンシステム、蒸気タービンシステム、風力タービンシステム、原子力システム、燃焼エンジン、電動モータ、空気圧式モータ、液圧エンジン、デバイス、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記システムリスクが、保守整備動作、稼働動作、経済的動作、環境動作、又はこれらの組み合わせの取得のため最適化システムへの入力として提供されるよう構成される、請求項１乃至８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
複数のサブシステムモデルを含み、その各々が信頼性尺度を得るよう構成されたモデルライブラリに基づいてシステムについての複数の状態確率をプロセッサが予測するステップと、
システムの要求時作動失敗確率（ＰＦＤ）をプロセッサがコンピュータ計算するステップと、
前記システムのＰＦＤに基づいて平均ＰＦＤをプロセッサが取得するステップと、
前記平均ＰＦＤのＮステップ前の推定値がリスク低減要因（ＲＲＦ）を上回る場合に、バルブ、バックアップシステム、装置構成要素、又はこれらの組み合わせを自動的に作動させる証明試験をプロセッサが命令するステップと、
証明試験スケジュールをプロセッサが出力するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
機械システムを制御し、該機械システムからの入力を受け取るよう構成されたコントローラを備えたシステムであって、前記コントローラが、
複数のサブシステムを含み且つその各々が信頼性尺度を得るよう構成されたモデルライブラリに基づいてシステムについての複数の状態確率を予測し、
システムの要求時作動失敗確率（ＰＦＤ）をコンピュータ計算し、
前記システムのＰＦＤに基づいて平均ＰＦＤを取得し、
前記平均ＰＦＤのＮステップ前の推定値がリスク低減要因（ＲＲＦ）を上回る場合に、バルブ、バックアップシステム、装置構成要素、又はこれらの組み合わせを自動的に作動させる証明試験を命令し、
証明試験スケジュールを出力する、
よう構成された非一時的機械可読命令を含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像内の物体を分類するための方法であって、
外観分類器を前記画像に適用するステップであって、前記物体の候補と、該候補と関連付けられた統計とを求め、前記外観分類器は一組の窓を用い、前記候補は選択された窓内にあるものと、
コンテキスト分類器を、前記画像の前記選択された窓にのみ適用して、前記画像内の前記物体の識別情報及びロケーションを求めるものと、
を含み、前記ステップはプロセッサにおいて実行され、
前記コンテキスト分類器は、物体コンテキスト特徴及びグローバルコンテキスト特徴を用い、
前記物体コンテキスト特徴は、前記候補のサイズを全ての候補のサイズの平均で除算したものと、スコアを平均スコアで除算したものと、該スコアを最大スコアで除算したものと、ロケーションを全ての候補の平均ロケーションで除算したものと、全ての他の候補からの平均距離を、候補ペアワイズ距離の平均で除算したものとを含む、前記候補間の相対情報を符号化する、
画像内の物体を分類するための方法。
【請求項２】
前記統計は、前記候補と関連付けられたロケーション、サイズ、スコアを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記外観分類器は、前記分類の誤検出誤り率を低減させる情報を出力する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記外観分類器及び前記コンテキスト分類器は、前記物体の様々なクラスについてトレーニングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一組の窓は、複数のスケール、回転、及び平行移動用のものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記グローバルコンテキスト特徴は、前記候補を含むシーン内の構造に関する情報を符号化する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記外観分類器及び前記コンテキスト分類器はサポートベクターマシンを用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記外観分類器は勾配のヒストグラムを用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記外観分類器はハールライク特徴を用いる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月13日(2016.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状で鋼製の複数の処理物を縦列状態で収納する処理物収納空間を内部に備える筒状に形成されたセラミックチューブが、一端側を処理物挿入口とし、かつ、他端側を処理物排出口とする形態で、炉本体の内部に水平方向に沿う姿勢で配置され、
前記セラミックチューブを外部より加熱する加熱手段が、前記炉本体に装備され、
前記処理物を前記処理物収納空間に前記処理物挿入口を通して押し込み供給する処理物供給部が、前記処理物挿入口に対向する状態で配設されたセラミックチューブ式加熱炉であって、
酸化抑制ガス供給部から供給される酸化抑制ガスを前記処理物収納空間に前記処理物排出口を通して供給するガス供給体が、前記セラミックチューブにおける前記処理物排出口を形成する端部に密着させる状態で設けられ、
前記ガス供給体に、前記酸化抑制ガスが内部を通流する多孔状のガス通流体が、前記処理物収納空間からの輻射熱にて加熱される状態で設けられているセラミックチューブ式加熱炉。
【請求項２】
前記ガス通流体が、炭化ケイ素にて形成されている請求項１記載のセラミックチューブ式加熱炉。
【請求項３】
前記ガス供給体が、前記処理物収納空間の内部から前記処理物排出口を通して排出される処理物を外部に通過させる処理物通路を開く通路開状態と前記処理物通路を閉じる通路閉状態とに切換え自在に構成されている請求項１又は２記載のセラミックチューブ式加熱炉。
【請求項４】
前記ガス供給体が、横倒れ姿勢の筒状で、かつ、前記処理物排出口から前記処理物の長さよりも大きく離間した位置に前記ガス通流体を備えるように構成され、
前記ガス供給体の底部における前記ガス通流体よりも前記処理物排出口に近接する処理物排出口側部分に、前記処理物通路を形成するための開口部が形成され、
前記ガス供給体が、前記開口部を蓋体によって開閉することにより、前記通路開状態と前記通路閉状態とに切換えられるように構成されている請求項３記載のセラミックチューブ式加熱炉。
【請求項５】
前記酸化抑制ガスが、窒素ガスである請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックチューブ式加熱炉。
【請求項６】
前記酸化抑制ガスが、窒素ガスに、微量の燃料ガスと部分燃焼用空気とを混合させた混合ガスである請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックチューブ式加熱炉。
【請求項７】
前記セラミックチューブが、前記処理物供給部の存在側に熱膨張すべく、前記処理物排出口の存在側部分が固定された状態で設けられ、
前記処理物供給部と前記セラミックチューブにおける前記処理物挿入口を形成する端部との間に、前記処理物供給部からの前記処理物を前記処理物挿入口に案内する筒状の補助案内部が設けられ、
前記補助案内部が、前記処理物供給部に隣接する箇所に設置される入口側筒体と、その入口側筒体と前記セラミックチューブの端部との間に設置されるコイルスプリングとから構成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載のセラミックチューブ式加熱炉。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の成分（Ａ）及び成分（Ｂ）を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物。
成分（Ａ）：下記（ａ１）〜（ａ３）の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体
（ａ１）エチレン・α−オレフィン共重合体中のコモノマーによる分岐数（Ｎ）と、ビニルおよびビニリデンの合計数（Ｖ）が下記式（１）の関係を満たし、かつ、ビニルおよびビニリデンの個数は、それぞれ０．０５以上である。
式（１）：Ｎ×Ｖ≧１０
（ただし、ＮおよびＶは、ＮＭＲで測定した主鎖、側鎖の合計１０００個の炭素数あたりの数である。）
（ａ２）ＭＦＲ（１９０℃、２１．１８Ｎ荷重）が０．１〜１００ｇ／１０分
（ａ３）密度が０．８６０〜０．９２０ｇ／ｃｍ３
成分（Ｂ）：有機過酸化物
【請求項２】
成分（Ｂ）の含有量が、成分（Ａ）１００重量部に対して、０．２〜５重量部であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項３】
さらに、下記の成分（Ｃ）を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
成分（Ｃ）：ヒンダードアミン系光安定化剤
【請求項４】
成分（Ｃ）の含有量が、成分（Ａ）１００重量部に対して、０．０１〜２．５重量部であることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項５】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体中のビニルおよびビニリデンの合計数（Ｖ）が０．１７以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池封止材用樹脂組成物からなる太陽電池封止材。
【請求項７】
請求項６に記載の太陽電池封止材を用いた太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ１）で表される化合物（ただし、式（Ｄ３）〜（Ｄ５）で表される化合物を除く）。
【化１】
2014209611.tif 000001
（式中、Ａ１は、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１００のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリール基と置換もしくは無置換のヘテロアリール基を含む炭素数６乃至１００の基のいずれかを表す。Ｒ１乃至Ｒ５は、各々独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５乃至７の単環式飽和炭化水素、置換もしくは無置換の炭素数７乃至１０の多環式飽和炭化水素、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。）
【化２】
2014209611.tif 000002
【化３】
2014209611.tif 000003
【化４】
2014209611.tif 000004
【請求項２】
下記式（Ｇ２）で表される化合物。
【化５】
2014209611.tif 000005
（式中、Ｈｔｕｎｉは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、のいずれかを表す。αは、置換もしくは無置換のフェニレン基を表し、ｎは０乃至４の整数を表す。Ｒ１乃至Ｒ５は、各々独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５乃至７の単環式飽和炭化水素、置換もしくは無置換の炭素数７乃至１０の多環式飽和炭化水素、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項３】
請求項２において、前記ｎが２である化合物。
【請求項４】
式（Ｇ４）で表される化合物。
【化６】
2014209611.tif 000006
（式中、Ｈｔｕｎｉは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基のいずれかを表す。Ｒ１乃至Ｒ５は、各々独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５乃至７の単環式飽和炭化水素、置換もしくは無置換の炭素数７乃至１０の多環式飽和炭化水素、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記Ｈｔｕｎｉが下記式（Ｈｔ−１）乃至（Ｈｔ−６）で表される基のいずれかである化合物。
【化７】
2014209611.tif 000007
（式中、Ｒ６乃至Ｒ１５は、各々独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、のいずれかを表す。Ａｒ１は炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項６】
式（１００）、（１１５）、（２００）、（３００）のいずれかで表される化合物。
【化８】
2014209611.tif 000008
【化９】
2014209611.tif 000009
【化１０】
2014209611.tif 000010
【化１１】
2014209611.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月11日(2016.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水；
式（Ｉ）：
【化１７】
2014209623.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン；及び式（ＩＩ）：
【化１８】
2014209623.tif 000002
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び、場合によりｐＨ調整剤を含み；
ここで、研磨組成物が少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、
シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物。
【請求項２】
化学機械研磨組成物が、１ppm未満のポリマーを含む、請求項１記載の化学機械研磨組成物。
【請求項３】
さらに炭酸イオン及びリン酸イオンの少なくとも一種を含む、請求項１記載の化学機械研磨組成物。
【請求項４】
さらにハロゲン化物イオンを含む、請求項３記載の化学機械研磨組成物。
【請求項５】
水を提供する工程；
式（Ｉ）：
【化１９】
2014209623.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン源を提供する工程；及び式（ＩＩ）：
【化２０】
2014209623.tif 000004
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源を提供する工程；
場合により、ｐＨ調整剤を提供する工程；そして
水、式（Ｉ）で示されるカチオン源、式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源及び任意のｐＨ調整剤を組み合わせる工程を含み；
ここで、化学機械研磨組成物がｐＨ８〜１２を示す、
請求項１記載の化学機械研磨組成物を製造する方法。
【請求項６】
式（Ｉ）で示されるカチオン源が、炭酸グアニジン及びリン酸グアニジンからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源が、ピペラジン二塩酸塩水和物である、請求項５記載の方法。
【請求項８】
式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源が、ピペラジン二塩酸塩水和物である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
シリコンウェーハを提供する工程；
請求項１記載の化学機械研磨組成物を提供する工程；
化学機械研磨パッドを提供する工程；
研磨機を提供する工程；
研磨機にシリコンウェーハ及び化学機械研磨パッドを設置する工程；
０．５kPa以上のダウンフォースで化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面に動的接触を生じさせる工程；及び
化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面又はその近傍で化学機械研磨パッド上に化学機械研磨組成物を分配する工程を含み、
ここで、化学機械研磨組成物がｐＨ８〜１１である、
シリコンウェーハの研磨方法。
【請求項１０】
化学機械研磨組成物が、毎分６３回転のプラテン速度、毎分５７回転のキャリア速度、２００ml／minの化学機械研磨組成物の流速、及び２７．５８kPa（４psi）のダウンフォースで、化学機械研磨パッドがポリウレタンを含浸させた不織布のポリエステルフェルトパッドを含む２００mmの研磨機において、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、請求項９記載の方法。