【事件の表示】
　特願２０１２−２５３１１１「高性能／高スループット複数チャンバＭＯＣＶＤ成長装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開、特開２０１３−　５８７８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年８月１８日（パリ条約による優先権主張外国受理官庁２００４年８月１８日、アメリカ合衆国）を出願日とする出願した特願２００５−２３７０２２号（以下、「原出願」という。）の一部を平成２４年１１月１９日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　
　平成２４年１２月１２日　審査請求
　平成２５年１０月２５日　拒絶理由通知
　平成２６年　４月２８日　意見書・手続補正書
　平成２６年　７月　８日　拒絶査定
　平成２６年１１月　６日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　２月２４日　上申書
　平成２７年１２月１０日　拒絶理由通知
　平成２８年　３月　３日　意見書・手続補正書
２　当審による拒絶理由通知の概要
　当審が平成２７年１２月１０日付けで通知した拒絶理由通知（以下、「当審拒絶理由通知」という。）の概要は以下のとおりである。
 理由１．この出願は、発明の詳細な説明の記載について、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 理由２．この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 理由３．この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 理由４．平成２６年１１月６日付けの手続補正書により補正された、本願の請求項１乃至６に係る発明、及び、本願の請求項１３乃至１６に係る発明は、特開平５−５５１４８号公報、国際公開０３／１００８３６号、及び、特開２００３−１０９９０７号公報に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。また、平成２６年１１月６日付けの手続補正書により補正された、本願の請求項７乃至１２に係る発明は、特開平５−５５１４８号公報、国際公開０３／１００８３６号、及び、特開２００３−１０９９０７号公報、及び、特開平１１−１１２０３０号公報に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３　本願発明の容易想到性について
（１）　本願発明
ア　平成２８年３月３日付手続補正書により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１２の記載は、次のとおりである。
「【請求項１２】
　半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバと、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバと、
　該気相堆積処理チャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバと、
　少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、該各堆積チャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、該チャンバにおける気相堆積成長中に、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバを分離するために該トランスファーチャンバと連絡しているバルブと、
　層間の不良な接着を最小限に抑えるか又は排除する環境で前記基板を保持しながら、該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバのもう一方へと基板を搬送する手段とを含む気相堆積装置。」
イ　本願の特許請求の範囲の請求項１２に記載の「半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置」との文言について、その意味内容を一義的に理解することは困難であるので、本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して、その意味内容を理解すると、上記の文言について、本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　「【００３７】
　エピタキシャル層は、選択的に、ドープ又はアンドープであることができる。例えば、化学気相堆積チャンバを、共ドープ層（例えば、Ｓｉ及びＺｎでドープされたＧａＮ）を堆積させるために用いる必要がある場合、各化学気相堆積チャンバは、好ましくは、単一のドーパントガス又はドーパントガスの組み合わせを使用するために供される。
化学気相堆積チャンバそれぞれを単一ドーパントに供することによって、得られるデバイス中の反応体メモリーは減少する
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明における上記の記載より、本願に係る発明では、化学気相堆積チャンバそれぞれを単一ドーパントに供することによって、得られるデバイス中の反応体メモリーを減少させるようにしたと認められる。
　そうすると、本願明細書の記載を参酌すれば、本願の特許請求の範囲の請求項１２に記載された「半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置」との文言は、化学気相堆積チャンバそれぞれを単一ドーパントに供することによって、得られるデバイス中の反応体メモリーを減少させるようにした気相堆積装置を含み得ると理解できる。
ウ　また、本願の特許請求の範囲の請求項１２に記載の「層間の不良な接着を最小限に抑えるか又は排除する環境で前記基板を保持しながら、該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、」との文言について、その意味内容を一義的に理解することは困難であるので、本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して、その意味内容を理解すると、上記の文言について、本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
　・「【０００９】
　・・・また、これらの方法には、
成長停止効果があるので、層間の接着が不良となる場合がある
　・「【００２１】
  ・・・ウェーハ５６を第一チャンバ２４へと搬送した後、第一チャンバ２４とトランスファーチャンバ２２との間にある分離バルブ２８を好ましくは処理中閉じる。次に、第一チャンバ２４における化学気相堆積によって、エピタキシャル層、例えばｎ型エピタキシャル層をウェーハ５６上に堆積させる。
【００２２】
　堆積させた後、第一チャンバ２４をパージして、堆積後にチャンバ２４に残留している気相堆積原料ガス及びドーパントを減少させ、次に、その被処理基板５８を、成長停止効果を最小限に抑えながら、分離バルブ２８を経由してトランスファーチャンバ２２へと搬送する。本明細書で使用している「パージする」という用語は、チャンバを排気する工程、ならびに、チャンバ中に存在しているガスを別のガスで置換する工程を含む。
成長停止効果は、Ｈ
２
、Ｎ
２
、貴ガス、又はＶ族ガスのような適当な環境を用いることによって、最小限に抑えられる
成長停止効果の最小化は、成長停止効果を最小限に抑える環境中に基板を保持することによって得られる
【００２３】
　・・・次に、第二チャンバ２６における化学気相堆積によって、エピタキシャル層、例えばｐ型エピタキシャル層を第一エピタキシャル層の上に堆積させる。
【００２４】
　堆積させた後、第二チャンバ２６をパージして、堆積後にチャンバ２６に残留している気相堆積ガス及びドーパントの存在を減少させ、次に、その得られたデバイス６０を、成長停止効果を最小限に抑えながら、分離バルブ３０を経由してトランスファーチャンバ２２へと搬送する。
成長停止効果は、Ｈ
２
、Ｎ
２
、貴ガス、又はＶ族ガスのような適当な環境を用いることによって、最小限に抑えられる
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明における上記の記載より、成長停止効果によって層間の接着が不良となるところ、本願に係る発明では、Ｈ２、Ｎ２、貴ガス、又はＶ族ガスのような成長停止効果を最小限に抑える環境中に基板を保持することによって、成長停止効果の最小化が得られ、そして、層間の接着の不良も最小化されると認められる。
　そうすると、本願明細書の記載を参酌すれば、本願の特許請求の範囲の請求項１２に記載された「層間の不良な接着を最小限に抑えるか又は排除する環境で前記基板を保持しながら、該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、」との文言は、Ｈ２、Ｎ２、貴ガス、又はＶ族ガスのような環境で基板を保持しながら、堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送することを含み得ると理解できる。
エ　以上から、本願の請求項１２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その発明特定事項である「半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置」との文言は、化学気相堆積チャンバそれぞれを単一ドーパントに供することによって、得られるデバイス中の反応体メモリーを減少させるようにした気相堆積装置を含み得ると解し、また、その発明特定事項である「層間の不良な接着を最小限に抑えるか又は排除する環境で前記基板を保持しながら、該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、」との文言は、Ｈ２、Ｎ２、貴ガス、又はＶ族ガスのような環境で基板を保持しながら、堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送することを含み得ると解したうえで、上記アの本願の特許請求の範囲の請求項１２に記載されたとおりのものと認める。
（２）　引用文献の記載と引用発明
ア　引用文献
　当審拒絶理由通知で引用された、原出願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平５−５５１４８号公報（以下、「引用文献」という。）には、図１，１１とともに以下の記載がある。 
（ア）　「【０００５】この種のマルチチャンバ型枚葉処理装置によれば、各処理チャンバが大気に開放されず、しかも
プラットフォームが常に所定の圧力または雰囲気に保たれている
（イ）　「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明のマルチチャンバ型枚葉処理方法は、第１ゲートバルブを介して大気側に開閉可能で、独立して所定の圧力または雰囲気に制御可能な出入口ポートと、この出入口ポートに第２ゲートバルブを介して接続され、独立して所定の圧力または雰囲気に制御可能なプラットフォームと、
このプラットフォームに第３ゲートバルブを介して個別に接続され、夫々独立して所定の圧力または雰囲気に制御可能な複数の処理チャンバとを備え
いずれか１つの処置チャンバにおける処理終了後に該処置チャンバとプラットフォームとを接続する第３ゲートバルブ
（ウ）　「【００１９】
図１乃至図６は、被処理材として半導体ウェハを使用し、半導体ウェハの表面に減圧エピタキシャル気相成長を行わせるのに適したマルチチャンバ型枚葉処理装置の一例を示すものである。
（エ）　「【００３３】更に、
このプラットフォーム３０は、図３に示すように、排気口３９を介して真空ポンプ４０に接続されているとともに、給気口４１を介してＨ
2 
ガスやＮ
2 
ガスを内部に導入できるよう構成されている。
【００３４】
そして、このプラットフォーム３０内の圧力および雰囲気を一定となし
（オ）　「【００７３】図１１は、
一方の処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）をＮ型エピタキシャル気相成長用に、他方の処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）をＰ型エピタキシャル気相成長用に夫々使用して、Ｐ型エピタキシャル気相成長とＮ型エピタキシャル気相成長の一連の処理を連続して行うようにした本発明に係る枚葉処理方法の第４の実施例を示すものである。
【００７４】即ち、この実施例は、処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）によるＮ型エピタキシャル成長処理と、処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）によるＰ型エピタキシャル成長処理における処理時間を互いに時間ｔだけずらす。そして、
処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）による処理が終了した後に第３ゲートバルブ５１ａを開き、
Ｎ型エピタキシャル成長が終了した半導体ウェハＷを出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に導く。
引き続いて、時間ｔだけ遅れて処理が終了した処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）の第３ゲートバルブ５１ｂを開いて、Ｎ型エピタキシャル成長が終了した半導体ウェハＷをプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させて空となった処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内に搬入し、更に出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に終了されていた未処理の半導体ウェハＷを処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）内に搬入する。 
【００７５】そして、
各受渡し後に第３ゲートバルブ５１ａ，５１ｂを順次閉じて各処理チャンバ５０ａ，５０ｂ（Ｒ１，Ｒ２）での半導体ウェハＷに対する各々の処理を行うようなされている。
（カ）　「Ｐ型エピタキシャル気相成長」が行われると「ｐ型エピタキシャル層」が堆積し、「Ｎ型エピタキシャル気相成長」が行われると「ｎ型エピタキシャル層」が堆積することは自明である。 
（キ）　上記（ア）及び（エ）より、「プラットフォーム３０」の内部は、一定のＨ２ガスやＮ2 ガスの雰囲気で保たれていると認められる。
（ク）　上記（オ）の段落【００７４】には、「処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）による処理が終了した後に第３ゲートバルブ５１ａを開き、第２ゲートバルブ３１も開いて、Ｎ型エピタキシャル成長が終了した半導体ウェハＷを出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に導く。そして、引き続いて、時間ｔだけ遅れて処理が終了した処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）の第３ゲートバルブ５１ｂを開いて、Ｎ型エピタキシャル成長（当審注．「Ｐ型エピタキシャル成長」の誤記と認める。）が終了した半導体ウェハＷをプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させて空となった処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内に搬入し、更に出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に終了されていた未処理の半導体ウェハＷを処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）内に搬入する。」との記載があることから、
プラットフォーム３０ａは、処理チャンバ５０ａと処理チャンバ５０ｂ間で半導体ウェハＷを搬送している
第３ゲートバルブ５１ａ及び第３ゲートバルブ５１ｂのそれぞれは、プラットフォーム３０ａ及び処理チャンバ５０ａと接続し、プラットフォーム３０ａ及び処理チャンバ５０ｂと接続している
（ケ）　上記（オ）の段落【００７４】には、「処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）による処理が終了した後に第３ゲートバルブ５１ａを開き」及び「処理が終了した処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）の第３ゲートバルブ５１ｂを開いて」との記載があることから、処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）による処理中に第３ゲートバルブ５１ａは閉じており、処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）による処理中に第３ゲートバルブ５１ｂは閉じていることは明らかである。よって、
第３ゲートバルブ５１ａ及び第３ゲートバルブ５１ｂは、処理チャンバがエピタキシャル気相成長中に、プラットフォーム３０から、処理チャンバ５０ａ及び５０ｂを分離している
　
イ　引用発明
　上記アより、引用文献には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　「Ｐ型エピタキシャル気相成長及びＮ型エピタキシャル気相成長を行うマルチチャンバ型枚葉処理装置であって、 
 　半導体ウェハの上でｎ型エピタキシャル層を堆積するためのＮ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａと、 
 　半導体ウェハの上でｐ型エピタキシャル層を堆積するためのＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂと、 
 　Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａとＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ間で半導体ウェハＷを搬送し、その内部が一定のＨ２ガスやＮ2 ガスの雰囲気で保たれているプラットフォーム３０と、 
　Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａとプラットフォーム３０と接続している第３ゲートバルブ５１ａ、及び、Ｐ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂとプラットフォーム３０と接続している第３ゲートバルブ５１ｂであって、Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ及びＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂがエピタキシャル気相成長中に、Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ及びＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂを、プラットフォーム３０から分離する、第３ゲートバルブ５１ａ、５１ｂと、 
 　Ｐ型エピタキシャル成長が終了した後、半導体ウェハＷをＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂからプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させて空となったＮ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ内に搬入する手段を含むマルチチャンバ型枚葉処理装置。」 
（３）　周知例の記載と周知技術
ア　当審拒絶理由通知で引用された、原出願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である国際公開０３／１００８３６号（以下、「周知例１」という。）には、図１−４とともに以下の事項（「第３頁第２２行目から第２５行目」、「第１１頁請求項１４」、及び、「第６頁第１１行目から第１６行目」）が記載されている。（当審注．なお、訳文は対応する日本出願の公表公報である特表２００５−５２７１２０号公報（特に請求項１４、及び、段落【００１３】，段落【００２１】参照）による。）
（ア）　「
The process chambers 30 comprise a hydrogen fluoride (HF) vapor clean chamber 34, a silicon nitride chemical vapor deposition (CVD) chamber 36, and an atomic layer deposition (ALD) chamber 38.
　「
処理チャンバ３０は、ＨＦ（フッ化水素）蒸気クリーンチャンバ３４、窒化シリコンＣＶＤ（化学気相成長）チャンバ３６、およびＡＬＤ（原子層成長）チャンバ３８を備える。
（イ）　「14. A method of transporting a workpiece in a semiconductor processing apparatus, comprising:  
 pumping a first chamber of the processing apparatus to achieve a first pressure in the first chamber;  
 pumping a second chamber of the processing apparatus to achieve a second pressure in the second chamber;  
 
flowing an inert gas into the first chamber
 opening a gate valve located between the first chamber and the second chamber;  
 discontinuing pumping the first chamber prior to opening the gate valve and while the gate valve is open; and  
 transferring the workpiece between the first chamber and the second chamber.」 
 （訳文）「１４．半導体処理装置内で加工物を搬送する方法であって、 
 前記処理装置の第１チャンバを排気して、前記第１チャンバ内を第１圧力にするステップと、 
 前記処理装置の第２チャンバを排気して、前記第２チャンバ内を第２圧力にするステップと、 
 
前記第１チャンバ内に不活性ガスを流すステップと
 前記第１チャンバと前記第２チャンバの間に配置したゲートバルブを開くステップと、 
 前記ゲートバルブを開く前および前記ゲートバルブが開いている間は、前記第１チャンバの排気を中断するステップと、 
 前記第１チャンバと前記第２チャンバの間で前記加工物を搬送するステップとを含むことを特徴とする加工物搬送方法。」 
 （ウ）　「Preferably, no inert gas is flowing within the process chamber 30 upon the opening of the gate valve 40 between the transfer chamber 26 and the process chamber 30. 
The process chamber 30 is typically purged of reactant and by-product gases with inert gas after processing in the chamber 30 is stopped. 
Preferably, the gate valve 40 is opened after discontinuing the flow of inert gas into the process chamber 30.
 （訳文）「好ましくは、搬送チャンバ２６と処理チャンバ３０の間のゲートバルブ４０を開いた時点から、不活性ガスが処理チャンバ３０内を流れていない。
一般に、処理チャンバ３０は、チャンバ３０内での処理を停止した後で、不活性ガスによって反応ガスおよび副産物ガスが除去される。
好ましくは、処理チャンバ３０内に不活性ガスを流すのを中断した後で、ゲートバルブ４０を開く。
イ　当審拒絶理由通知で引用された、原出願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００３−１０９９０７号公報（以下、「周知例２」という。）には、図３とともに以下の記載がある。 
（ア）　「【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する場合に、
ウェーハ等の被処理基板に酸化膜や金属膜を形成する工程で使用される基板処理装置として、枚葉式コールドウォール形ＣＶＤ装置（以下、枚葉式ＣＶＤ装置という。）がある。
（イ）　「【００１４】
処理が完了すると、前記反応室３内が不活性ガスによりガスパージされ、前記ゲート弁１７が開放され、前記基板加熱部４が降下して図示しない基板搬送ロボットより前記基板１８が搬出される。
ウ　周知技術
　上記ア及びイより、下記の事項は、原出願の優先日前、当該技術分野では周知技術と認められる。
「気相成長法によって、堆積成長後及び堆積チャンバを開ける前に、チャンバ中の気相堆積原料ガスを不活性ガス等のガスで置換すること。」
（４）　本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「エピタキシャル気相成長」は、本願発明の「気相堆積」に相当する。そして、引用発明の「マルチチャンバ型枚葉処理装置」は、Ｐ型エピタキシャル気相成長及びＮ型エピタキシャル気相成長を行うので、後述する相違点に係る構成を除き、本願発明の「気相堆積装置」に相当する。
　そうすると、本願発明の「半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置」と引用発明の「Ｐ型エピタキシャル気相成長及びＮ型エピタキシャル気相成長を行うマルチチャンバ型枚葉処理装置」とは、「半導体材料の気相堆積装置」である点で共通するといえる。
イ　引用発明の「半導体ウェハ」は、本願発明の「基板」に相当する。また、引用発明の「ｎ型エピタキシャル層を堆積するためのＮ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ」及び「ｐ型エピタキシャル層を堆積するためのＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ」は、本願発明の「ｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバ」及び「ｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバ」にそれぞれ相当する。
　そうすると、引用発明の「半導体ウェハの上でｎ型エピタキシャル層を堆積するためのＮ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａと、半導体ウェハの上でｐ型エピタキシャル層を堆積するためのＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ」は、本願発明の「基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバと、基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバ」に相当するといえる。
ウ　引用発明の「プラットフォーム３０」は、「Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａとＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ間で半導体ウェハＷを搬送」することを特定し、本願発明の「トランスファーチャンバ」は、「該気相堆積処理チャンバ間で基板を搬送する」ことを特定している。そして、上記イのとおり、引用発明の「ｎ型エピタキシャル層を堆積するためのＮ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ」及び「ｐ型エピタキシャル層を堆積するためのＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ」は、本願発明の「ｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバ」及び「ｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバ」にそれぞれ相当するといえるので、引用発明の「プラットフォーム３０」は、本願発明の「トランスファチャンバ」に相当するといえる。
　したがって、引用発明の「Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａとＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ間で半導体ウェハＷを搬送し、その内部が一定のＨ２ガスやＮ2 ガスの雰囲気で保たれているプラットフォーム３０」は、本願発明の「該気相堆積処理チャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバ」に相当するといえる。
エ　引用発明の「第３ゲートバルブ５１ａ」及び「第３ゲートバルブ５１ｂ」は、それぞれ、「Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ」及び「プラットフォーム３０」、並びに、「Ｐ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ」及び「プラットフォーム３０」と接続し、また、「第３ゲートバルブ５１ａ」及び「第３ゲートバルブ５１ｂ」により、「Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ及びＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂがエピタキシャル気相成長中に、Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ及びＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂを、プラットフォーム３０から分離する」ことを特定している。
　一方、本願発明は、「少なくとも２つのプロセス分離バルブ」のそれぞれが「該各堆積チャンバのうちの一つと連絡しており」、「該トランスファーチャンバと連絡している」を特定するとともに、「２つのプロセス分離バルブ」の両方により、「該チャンバにおける気相堆積成長中に、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバを分離する」ことを特定している。
　よって、引用発明の「第３ゲートバルブ５１ａ，５１ｂ」及び「接続」は、本願発明の「２つのプロセス分離バルブ」及び「連絡」にそれぞれ相当するといえる。
　そうすると、引用発明の「Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａとプラットフォーム３０と接続している第３ゲートバルブ５１ａ、及び、Ｐ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂとプラットフォーム３０と接続している第３ゲートバルブ５１ｂであって、Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ及びＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂがエピタキシャル気相成長中に、Ｎ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ及びＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂをプラットフォーム３０から分離する、第３ゲートバルブ５１ａ、５１ｂ」は、本願発明の「少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、該各堆積チャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、該チャンバにおける気相堆積成長中に、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバを分離するために該トランスファーチャンバと連絡しているバルブ」に相当するといえる。
オ　引用発明の「半導体ウェハＷを 処理チャンバ５０ｂからプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させて空となった処理チャンバ５０ａ内に搬入する」との構成における「半導体ウェハＷを 処理チャンバ５０ｂからプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させて」ること、及び、「プラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させて空となった処理チャンバ５０ａ内に搬入する」ことは、それぞれ本願発明の「堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送」すること、及び、「またその後で、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバのもう一方へと基板を搬送する」ことに相当する。
　そうすると、引用発明の上記構成は、本願発明の「該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバのもう一方へと基板を搬送する」に相当する。
カ　以上をまとめると、本願発明は、引用発明と一致点、相違点は次のとおりである。
（ア）　一致点
　「半導体材料の気相堆積装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバと、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの気相堆積処理チャンバと、
　該気相堆積処理チャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバと、
　少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、該各堆積チャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、該チャンバにおける気相堆積成長中に、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバを分離するために該トランスファーチャンバと連絡しているバルブと、
　該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから該堆積チャンバのもう一方へと基板を搬送する手段とを含む気相堆積装置。」
（イ）　相違点
・相違点１ 
　本願発明は、「半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置」との構成を有するのに対し、引用発明は、「Ｐ型エピタキシャル気相成長及びＮ型エピタキシャル気相成長を行うマルチチャンバ型枚葉処理装置」と特定しているものの、反応体メモリーを減少させる旨の特定はされていない点。 
  
・相違点２ 
　本願発明は、「層間の不良な接着を最小限に抑えるか又は排除する環境で前記基板を保持しながら、該堆積チャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し」ているのに対し、引用文献にはその旨の特定がされていない点。 
 
（５）　相違点の検討
ア　相違点１について
　上記（１）エのとおり、本願発明の発明特定事項である「半導体材料の気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置」との文言は、化学気相堆積チャンバそれぞれを単一ドーパントに供することによって、得られるデバイス中の反応体メモリーを減少させるようにした気相堆積装置を含み得ると解することができる。そして、引用発明における「マルチチャンバ型枚葉処理装置」も、「半導体ウェハの上でｎ型エピタキシャル層を堆積するためのＮ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ａ」と「半導体ウェハの上でｐ型エピタキシャル層を堆積するためのＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ」とを用いているから、反応体メモリーを減少させるものと認められる。
　そうすると、引用発明は相違点１に係る構成を実質的に備えていると認められる。
　以上から、相違点１は、本願発明と引用発明の実質的な相違点とは認められない。
 
イ　相違点２について
　上記（３）ウより、気相成長法によって、堆積成長後及び堆積チャンバを開ける前に、チャンバ中の気相堆積原料ガスを不活性ガス等のガスで置換することは、原出願の優先日前、当該技術分野である周知技術であるから、引用発明においても、処理チャンバ５０ａ及び処理チャンバ５０ｂにおいて処理が終了した後、それぞれに接続している第３ゲートバルブ５１ａ及第３ゲートバルブ５１ｂを開ける前に、処理チャンバ５０ａ及び５０ｂ内を不活性ガス等のガスで置換することは、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に成し得るものである。そして、不活性ガスに貴ガス等が含まれるのは自明であるから、引用発明に上記周知技術を適用すると、処理チャンバ５０ａ及び処理チャンバ５０ｂにおいて処理が終了した後、それぞれに接続している第３ゲートバルブ５１ａ及第３ゲートバルブ５１ｂを開ける前に、処理チャンバ５０ａ及び５０ｂ内を貴ガスのガスで置換することとなると認められる。
　また、引用発明において、プラットフォーム３０の内部は、一定のＨ２ガスやＮ2ガスの雰囲気で保たれている。
　そうすると、引用文献に上記周知技術を適用すると、「Ｐ型エピタキシャル成長が終了した後、半導体ウェハＷをＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂからプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させ」る際に、
半導体ウェハＷをＰ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂからプラットフォーム３０（ＰＦ）を通過させる際に、半導体ウェハＷは、Ｐ型エピタキシャル気相成長用の処理チャンバ５０ｂ内では貴ガス中に保持され、プラットフォーム３０（ＰＦ）内ではＨ
２
ガスやＮ
2
ガスの雰囲気中に保持される
  よって、相違点２は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に成し得るものである。     　
　
（６）まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１２に係る発明（本願発明）は、引用文献に記載の発明（引用発明）及び周知例１及び２にみられるような周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の拒絶理由について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。