【事件の表示】
　特願２０１３−　４８１３２「半導体デバイスおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月　６日出願公開，特開２０１３−１１０４４３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，平成２２年１０月２９日（パリ条約による優先権主張２００９年１０月２９日，アメリカ合衆国，２０１０年７月２９日，アメリカ合衆国）に出願した特願２０１０−２４３３４２号（以下「もとの出願」という。）の一部を平成２５年３月１１日に新たな特許出願としたものであって，平成２６年３月６日付けの拒絶理由の通知に対して，同年６月１８日に意見書と手続補正書が提出されたが，同年１１月１２日付けで拒絶査定され，平成２７年３月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２８年５月２６日付けで，前記平成２７年３月１８日付けの手続補正を却下するとともに同日付けで当審から拒絶理由を通知し，これに対して，平成２８年８月３１日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　そして，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，前記平成２８年８月３１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】
　複数の誘電体層および導電層を含む基板と，
　前記複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続しており，約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクトと，
　前記金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層と，
　前記第１パッシベーション層を貫通して延伸し，前記金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッドと，
　前記コンタクトパッドおよび前記第１パッシベーション層上に設けられた第２パッシベーション層であって，前記第２パッシベーション層は前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触することと，を備える半導体デバイスにおいて，
前記金属コンタクトは，前記コンタクトパッドに対して縦方向に整列されることを特徴とする半導体デバイス。」 
　なお，請求項１には，「前記金属コンタクトパッドおよび前記第１パッシベーション層上に設けられた第２パッシベーション層であって，前記第２パッシベーション層は前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触すること」と記載されているが，当該記載箇所よりも前には，「コンタクトパッド」との記載は存在するが，「前記金属コンタクトパッド」の「前記」に対応する「金属コンタクトパッド」との記載は存在せず，しかも，平成２８年８月３１日に提出された意見書における，「（カ）について，関連する記載は，他の適切な記載（第２パッシベーション層を前記コンタクトパッドおよび前記第１パッシベーション層上に形成するステップであって，前記第２パッシベーション層は前記コンタクトパッドの上面を露出するとともに，前記第１パッシベーション層と接触する）により置き換えました。よって，これに関連する拒絶理由は解消したものと考えます。」との主張を踏まえると，前記「金属コンタクトパッド」は，「コンタクトパッド」の誤記と認められる。
　したがって，本願発明１を上記のように認定した。
 　 
　２　引用例の記載と引用発明 
（１）当審の拒絶理由で引用した，もとの出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−２９６６２１号公報（以下「引用例１」という。）には，「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図１１とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（１ａ）「【請求項１】　
半導体基板上に設けられた配線層
配線層上に設けられた保護膜
保護膜上に設けられた電極パッド
配線層と前記保護膜との間に，前記配線層を構成する元素と異なる異種元素を含む酸化防止層を有する
　＜途中省略＞
【請求項６】　請求項１乃至５いずれかに記載の半導体装置において，
前記保護膜がＴｉ層またはＴｉＮ層を含む
　＜途中省略＞
【請求項８】　
半導体基板上に配線層を形成する工程
前記配線層上に保護膜を形成する工程
前記配線層の表面に，前記保護膜を構成する元素であって，前記配線層を構成する元素と異なる異種元素を熱拡散させ，前記配線層と前記保護膜との間に酸化防止層を形成する工程
前記
保護膜上に電極パッドを設ける工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
　＜途中省略＞
【請求項１４】　請求項８乃至１３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において，
保護膜を形成する前記工程は，Ｔｉ層またはＴｉＮ層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　
本発明は，電極パッドを有する半導体装置およびその製造方法に関する
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスにおいて，半導体基板上にパターニングされた配線構造のうち，最上層の配線に，外部との電気的接続を確保するための接続用の電極パッドが形成されることがある
（１ｃ）「【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
このように，従来の半導体装置では，良品／不良品選別のプロセスにおける基板の上面方向からの衝撃に対する耐性が充分でなかった。また，衝撃により銅配線が露出した際に，露出した表面の腐食の抑制された半導体装置が求められていた。
【００１７】
　
本発明は
半導体装置の上面方向からの耐衝撃性を向上させる技術を提供することにある
本発明の別の目的は，良品／不良品選別過程で電極パッドの表面にプローブを突き当てた際の配線層の上層に生じる亀裂を抑制する技術を提供することにある
（１ｄ）「【００２３】
本発明に係る製造方法は，配線層上に保護膜を形成する工程を含むため，プローブを突き当てた際の耐衝撃性に優れた半導体装置を得ることができる
（１ｅ）「【００２９】
本発明の半導体装置において，前記保護膜がＴｉ層またはＴｉＮ層である構成とすることができる。また，本発明の半導体装置の製造方法において，保護膜を形成する前記工程は，Ｔｉ層またはＴｉＮ層を形成する工程を含んでもよい。
保護膜がＴｉ層またはＴｉＮ層を含むことにより，保護層の機械的強度が確保される
（１ｆ）「【００３２】
（第一の実施形態）
図１は，本実施形態に係るパッド構造を示す図である
図１に示したように
パッド構造１２４では，めっき法により成膜されたＣｕ配線１１２の上部にＴｉ膜１１６およびＴｉＮ膜１１５がこの順に形成されたＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５を有している
【００３３】
なお，本明細書では，積層された保護膜は，「上層／下層」のように表す。たとえば，ＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５では，Ｔｉ膜１１６が下層となり，ＴｉＮ膜１１５が上層となる。
【００３４】
また，
パッド構造１２４では，Ｃｕ配線１１２の上面に，Ｔｉ−Ｃｕ層１１３が形成されている
【００３５】
Ｃｕ配線１１２およびＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５の厚さは所定の厚さに設計することができるが，
たとえば，Ｃｕ配線１１２の厚さを１．６μｍ程度，Ｔｉ膜１１６の厚さを５０ｎｍ程度，ＴｉＮ膜１１５の厚さを２００ｎｍ程度とすることができる
こうすれば，Ｃｕ配線１１２表面に好適にＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成されるとともに，ＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５に好適な機械強度が確保される
【００３６】
また，
Ｔｉ−Ｃｕ層１１３は，ＣｕとＴｉとの合金であってもよいし，ＴｉとＣｕとを含む化合物であってもよい。また，めっき法により形成されたＣｕ配線１１２の表面のグレインのバウンダリーにＴｉが拡散した形態であってもよい
Ｔｉ−Ｃｕ層１１３中のＴｉとＣｕの割合は，Ｃｕの酸化が抑制される範囲で任意に選択することができる
好ましくは，固溶限以下の範囲とする
【００３７】
パッド構造１２４では，パッド金属膜１１７の材料として，たとえばＡｌ−Ｃｕ合金を用いることができる
【００３８】
Ａｌ−Ｃｕ合金を用いる場合，ＡｌとＣｕの比率はたとえばＡｌ／Ｃｕ＝５０／５０〜９８／２（重量比）程度とすることができる。また，パッド金属膜１１７の厚さは，たとえば１μｍ〜２μｍ程度とすることができる。
【００３９】
また，パッド構造１２４において，
層間絶縁膜１１４の材料としては，たとえばシリコン酸化膜や，シリコン酸窒化膜，シリコン窒化膜，各種低誘電率絶縁膜等を用いることができる
（１ｇ）「【００４０】
次に，
図１のパッド構造の製造方法について図２を参照して説明する
図２は，本実施形態に係るパッド構造の製造方法を示す図である
【００４１】
まず，
シリコン基板１１０上に，配線層及び層間絶縁膜等が積層した多層膜１１１を形成する
最上層の層間絶縁膜上にＣｕ配線１１２を形成する
ＳｉＯＮ及びＳｉＯ
2
を含む２層構造の層間絶縁膜１１４を形成する
パッドビアフォトリソグラフィーおよびパッドビアエッチング工程を経て，パッドビアを開口するビアホール１２２を形成する
【００４２】
次に，
層間絶縁膜１１４上にＴｉ膜１１６，ＴｉＮ膜１１５，パッド金属膜１１７およびＴｉＮ膜１２１を順次形成する
パッド金属膜１１７のフォトリソグラフィーを行い，エッチングによりハンダボールの搭載に適した大きさのパッド電極となるようにパターニングし，パッド電極を形成する
【００４３】
つづいて，
不活性ガス雰囲気中で熱アニールを行う。この工程により，Ｔｉ膜１１６中のＴｉがＣｕ配線１１２との界面からＣｕ配線１１２中に熱拡散する。このため，Ｃｕ配線１１２の表面に，Ｔｉの共存するＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成される
【００４４】
このように，後述する電極パッドの形成に通常用いられる加熱条件を上回る条件でアニールすることにより，Ｔｉ−Ｃｕ層１１３が確実に形成される。通常行われるボンディング時の加熱では，充分なアニール効果は得られないため，このようなＴｉ−Ｃｕ層１１３を安定的に得ることは困難である。
【００４５】
パッド構造１２４においては，図２（ｃ）のアニールのステップでＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成される。このアニールに特有の効果によりＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成され，Ｃｕ配線１１２の腐食が確実に防止される。また，Ｃｕ配線１１２の表面が腐食しないため，プローブを突き当てた際に，Ｃｕ配線１１２の上層に損傷が生じた際にも，ハンダボール１２０と露出したＣｕ配線１１２との間の密着性が向上する。
【００４６】
アニールに次いで，カバー膜を形成した後，カバーフォトリソグラフィーを経てカバースルーホールを形成する。すなわち，
パッド金属膜１１７を覆うようにポリイミド膜１１８を形成した後，ポリイミド膜１１８をパターニングして開口部１１９を設け，パッド金属膜１１７の一部を露出させる
開口部１１９底部のＴｉＮ膜１２１を，ドライエッチングによって除き，アミン系有機溶剤を用いて，パッド金属膜１１７の表面の酸化膜をとりのぞき，図２（ｄ）に示したパッド電極構造を得る
（１ｈ）「【００６３】
また，ＴｉＮ膜１２１は，硬い，もしくは，弾性率の高い金属膜であればよく，ＴａＮ，Ｔａ，ＷＮ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷなどの膜を用いてもよい。さらに，
ポリイミド膜１１８に代わり，たとえばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いてもよい
（１ｉ）「【００６５】
【実施例】
（実施例）
本実施例では，
ウェハ上
厚さ１．６μｍの銅膜
【００６６】
得られた構造体を，Ｈ2雰囲気中，４００℃，３０分の条件でアニールした。」
（１ｊ）図１は，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施形態に係るパッド構造を示す図であって，上記摘記（１ｆ）の記載を参酌すれば，同図から，Ｃｕ配線１１２が，Ｔｉ膜１１６およびＴｉＮ膜１１５がこの順に形成されたＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５及びパッド金属膜１１７並びにＴｉＮ膜１２１からなる部材に対して，縦方向に整列していることを見て取ることができる。　
・引用発明１
　上記記載に照らして，引用例１には，図２を参照して説明される図１に示される，以下の発明（以下「引例発明１」という。）が開示されているといえる。
「めっき法により成膜された，厚さを１．６μｍ程度のＣｕ配線１１２の上部に，Ｔｉ膜１１６およびＴｉＮ膜１１５がこの順に形成されたＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５，及び，パッド金属膜１１７を有し，前記Ｃｕ配線１１２が，前記Ｔｉ膜１１６および前記ＴｉＮ膜１１５がこの順に形成された前記ＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５及び前記パッド金属膜１１７並びにＴｉＮ膜１２１からなる部材に対して，縦方向に整列しているているパッド構造であって，
（ｉ）シリコン基板１１０上に，配線層及び層間絶縁膜等が積層した多層膜１１１を形成する工程と，
（ii）最上層の層間絶縁膜上にＣｕ配線１１２を形成する工程と，
（iii）ＳｉＯＮ及びＳｉＯ2を含む２層構造の層間絶縁膜１１４を形成する工程と，
（iv）パッドビアフォトリソグラフィーおよびパッドビアエッチング工程を経て，前記層間絶縁膜１１４に，パッドビアを開口するビアホール１２２を形成する工程と，
（ｖ）前記層間絶縁膜１１４上にＴｉ膜１１６，ＴｉＮ膜１１５，パッド金属膜１１７およびＴｉＮ膜１２１を順次形成する工程と，
（vi）パッド金属膜１１７のフォトリソグラフィーを行い，エッチングによりハンダボールの搭載に適した大きさのパッド電極となるようにパターニングし，パッド電極を形成する工程と，
（vii）不活性ガス雰囲気中で熱アニールを行う工程であって，この工程により，Ｔｉ膜１１６中のＴｉがＣｕ配線１１２との界面からＣｕ配線１１２中に熱拡散して，Ｃｕ配線１１２の表面に，Ｔｉの共存するＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成される工程と，
（viii）前記パッド金属膜１１７を覆うようにポリイミド膜１１８を形成した後，ポリイミド膜１１８をパターニングして開口部１１９を設け，パッド金属膜１１７の一部を露出させ，その後，開口部１１９底部のＴｉＮ膜１２１を，ドライエッチングによって除き，アミン系有機溶剤を用いて，パッド金属膜１１７の表面の酸化膜をとり除く工程と
を含む方法によって作製されたパッド電極構造。」
（２）当審の拒絶理由で引用した，もとの出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−１６５１４号公報（以下「引用例２」という。）には，「半導体装置の製造方法および半導体装置」（発明の名称）に関して，図１ないし図１９とともに以下の記載がある。
（２ａ）「【００２７】
　（実施の形態１）
　
本発明の実施の形態１による電極層に接続する半田バンプ電極を有する半導体装置の製造方法
【００２８】
　まず，図１に示すように，
シリコン単結晶からなる半導体基板（円形の薄い板状に加工した半導体ウエハ）１の主面に所望する半導体素子を形成する
　＜途中省略＞
【００３０】
　次に，
半導体基板１上に絶縁膜１０を形成した後，レジストパターンをマスクとしたエッチングにより絶縁膜１０を加工して接続孔１１を形成する。この接続孔１１はｎ型半導体領域８またはｐ型半導体領域９上などの必要部分に形成する。続いて接続孔１１の内部に，例えばＷ（タングステン）を主導体とするプラグ１２を形成した後，プラグ１２に接続する第１層目の配線Ｍ１を形成する
さらに上層の第２層目の配線Ｍ２から第６層目の配線Ｍ６を形成する
配線Ｍ６は，例えばＡｌを主導体とし，半導体基板１上に堆積されたＡｌ膜をレジストパターンをマスクとしたエッチングにより加工することにより形成される。配線Ｍ６の厚さは，例えば１μｍである
【００３１】
　次に，
第６層目の配線Ｍ６上に窒化シリコン膜１３ａを形成し，窒化シリコン膜１３ａ上に酸化シリコン膜１３ｂを形成する
これら窒化シリコン膜１３ａおよび酸化シリコン膜１３ｂは，外部からの水分や不純物の侵入防止およびα線の透過の抑制を行うパッシベーション膜１４として機能する
続いてレジストパターンをマスクとしたエッチングにより酸化シリコン膜１３ｂおよび窒化シリコン膜１３ａを順次加工して，第６層目の配線Ｍ６の一部であるボンディングパッド部Ｍ６ａを露出させる第１の開口部Ｃ１を形成する
【００３２】
　次に，
パッシベーション膜１４上に開口部Ｃ１より大きめの開口を有するレジストパターンを形成し，第１の開口部Ｃ１を介してボンディングパッド部Ｍ６ａに接続する第１の金属膜１５を半導体基板１上に形成した後，第１の金属膜１５上に第２の金属膜１６を形成する
第１の金属膜１５および第２の金属膜１６の積層膜からなるＵＢＭ（電極層）１７
【００３３】
　次に，図３に示すように，
無電解メッキ法により，ＵＢＭ１７の上層を構成する第２の金属膜１６の表面（上面および側面）に選択的にＡｕシード層１８を形成する
【００３４】
　次に，図４に示すように，
半導体基板１上に樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜を塗布した後，リソグラフィ法により加工して，ＵＢＭ１７の上面であって，半田バンプ電極が形成される領域のＡｕシード層１８を露出させる第２の開口部Ｃ２を形成する
（２ｂ）図４は，引用例２の特許請求の範囲に記載された発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程中の要部断面図であって，上記摘記（２ａ）の記載を参酌すれば，同図から，ボンディングパッド部Ｍ６ａが，第１の金属膜１５及び第２の金属膜からなるＵＢＭ（電極層）１７並びにＡｕシード層１８に対して，縦方向に整列していることを見て取ることができる。
　・引用発明２
　上記記載に照らして，引用例２には，以下の発明（以下「引例発明２」という。）が開示されているといえる。
「（ｉ）シリコン単結晶からなる半導体基板（円形の薄い板状に加工した半導体ウエハ）１の主面に所望する半導体素子を形成する工程と，
（ii）前記半導体基板１上に絶縁膜１０を形成した後，レジストパターンをマスクとしたエッチングにより絶縁膜１０を加工して接続孔１１を形成し，続いて前記接続孔１１の内部に，例えばＷ（タングステン）を主導体とするプラグ１２を形成した後，プラグ１２に接続する第１層目の配線Ｍ１を形成する工程と，
（iii）さらに上層の第２層目の配線Ｍ２から第６層目の配線Ｍ６を形成する工程であって，前記配線Ｍ６は，例えばＡｌを主導体とし，半導体基板１上に堆積されたＡｌ膜をレジストパターンをマスクとしたエッチングにより加工することにより形成され，当該配線Ｍ６の厚さは，例えば１μｍである工程と，
（iv）第６層目の前記配線Ｍ６上に，外部からの水分や不純物の侵入防止およびα線の透過の抑制を行うパッシベーション膜１４として機能する窒化シリコン膜１３ａ及び酸化シリコン膜１３ｂからなる層を形成する工程と，
（ｖ）レジストパターンをマスクとしたエッチングにより前記酸化シリコン膜１３ｂおよび前記窒化シリコン膜１３ａを順次加工して，第６層目の前記配線Ｍ６の一部であるボンディングパッド部Ｍ６ａを露出させる第１の開口部Ｃ１を形成する工程と，
（vi）前記パッシベーション膜１４上に開口部Ｃ１より大きめの開口を有するレジストパターンを形成し，第１の開口部Ｃ１を介してボンディングパッド部Ｍ６ａに接続する第１の金属膜１５を半導体基板１上に形成した後，第１の金属膜１５上に第２の金属膜１６を形成して，前記第１の金属膜１５および前記第２の金属膜１６の積層膜からなるＵＢＭ（電極層）１７を形成する工程と，
（vii）無電解メッキ法により，ＵＢＭ１７の上層を構成する第２の金属膜１６の表面（上面および側面）に選択的にＡｕシード層１８を形成する工程と，
（viii）前記半導体基板１上に樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜を塗布した後，リソグラフィ法により加工して，ＵＢＭ１７の上面であって，半田バンプ電極が形成される領域のＡｕシード層１８を露出させる第２の開口部Ｃ２を形成する工程を含む製造方法によって作製された半導体装置であって，
　前記ボンディングパッド部Ｍ６ａが，前記第１の金属膜１５及び前記第２の金属膜からなる前記ＵＢＭ（電極層）１７並びに前記Ａｕシード層１８に対して，縦方向に整列している半導体装置。」
（３）当審の拒絶理由で引用した，もとの出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−３２６００号公報（以下「引用例３」という。）には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，図１ないし図１１とともに以下の記載がある。
（３ａ）「【０００３】
　例えば，非特許文献１（K.Kikuchi，et al.，“A Package-process-oriented tilevel 5-μm-thick Cu Wiring Technology with Pulse Periodic Reverse Electroplating and Photosensitive Resin”，Proceeding of the IEEE 2003 International Interconnect Technology Conference（United States of America），June 2003，p.189-191）には，
厚さ０．５μｍ程度のアルミニウム配線からなる微細配線構造部の上に，厚さ５μｍの銅で形成された巨大配線からなる巨大配線構造部を設けた技術が開示されている
非特許文献１には，これにより，配線抵抗による電圧降下を通常のＬＳＩ配線と比較して１／５に低減できると記載されている
（３ｂ）「【００５０】
　
配線層１５及び１７は，微細配線構造部１２の配線層２８の２倍以上の厚さを持っている
第２配線層１５の厚さ及び第３配線層１７の厚さは，例えば３乃至１２μｍであり，好ましくは５乃至１０μｍである
配線層１５，１７の厚さが３μｍ未満の場合，配線抵抗が高くなり，半導体装置の電気特性が悪化してしまうという欠点がある
（３ｃ）「【００６２】
　また，配線を伝搬する応力は，第２巨大配線構造部１３ｂの配線２３内で減衰し，更に第１巨大配線構造部１３ａの絶縁層１４及び配線層１５内で減衰し緩和される。更に，巨大配線構造部１３における配線層１５及び配線層１７の厚さを微細配線構造部１２の配線層２８の２倍以上として，絶縁層１４及び絶縁層１６の変形による配線層１５及び配線層１７の破断を防止することができるとともに，配線２１及び配線２３の配線抵抗を小さくすることができる。
配線層１５及び配線層１７の厚さが配線層２８の厚さの２倍未満である場合，配線層１５及び配線層１７が破断し易くなり，また配線抵抗が大きくなるという欠点がある
配線層１５及び配線層１７の厚さが大きくなると，それに対応して絶縁層１４及び絶縁層１６の１層当たりの厚さも大きくなるため，応力を緩和する効果が高まる
これにより，微細配線構造部１２への応力の伝搬を効果的に低減することができ，実装時の信頼性の高い半導体装置を実現できる
従って，巨大配線構造部を使用して，駆動電流が大きく高周波で動作する信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる
　３　引用発明１を主引例とした進歩性の判断
（１）対比 
　本願発明１と引用発明１とを対比する。 
　ア　引用発明１の「（ｉ）シリコン基板１１０上に，配線層及び層間絶縁膜等が積層した多層膜１１１を形成する工程」における，「シリコン基板１１０」，「配線層」及び「層間絶縁膜」は，それぞれ，本願発明１の「基板」，「導電層」及び「誘電体層」に相当する。
　そして，引用発明１は，「配線層及び層間絶縁膜等が積層した多層膜１１１を形成する」ものであるから，前記「配線層及び層間絶縁膜」は，複数であると解される。
　したがって，本願発明１と，引用発明１は，「複数の誘電体層および導電層を含む基板」を備える点で一致する。
　イ　引用発明１の「１．６μｍ程度」の「厚さ」は，約１５，０００Åより大きい厚さに該当する。
　そして，引用発明１の「（vii）不活性ガス雰囲気中で熱アニールを行う工程であって，この工程により，Ｔｉ膜１１６中のＴｉがＣｕ配線１１２との界面からＣｕ配線１１２中に熱拡散して，Ｃｕ配線１１２の表面に，Ｔｉの共存するＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成される工程」を経た後の「表面にＴｉの共存するＴｉ−Ｃｕ層１１３が形成されたＣｕ配線」が，金属コンタクトの一種であることは明らかである。
　したがって，本願発明１と，引用発明１は，「約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト」を備える点で一致する。
　ウ　引用発明１の「ＳｉＯＮ及びＳｉＯ2を含む２層構造の層間絶縁膜１１４」は，本願発明１の「金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層」に相当する。
　
　エ　本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２１】
　しかしながら，当業者なら認識するであろうが，
コンタクトパッド２０３を形成する上述のプロセスは，１つの材料および形成方法にすぎない
他の好適な材料，例えば
多層構造
が用いられ得る
　すなわち，本願発明１の「コンタクトパッド」として，多層構造が用いられ得ることが理解できる。
　そうすると，引用発明１の，「（ｖ）前記層間絶縁膜１１４上にＴｉ膜１１６，ＴｉＮ膜１１５，パッド金属膜１１７およびＴｉＮ膜１２１を順次形成する工程」，「（vi）パッド金属膜１１７のフォトリソグラフィーを行い，エッチングによりハンダボールの搭載に適した大きさのパッド電極となるようにパターニングし，パッド電極を形成する工程」及び「（viii）前記パッド金属膜１１７を覆うようにポリイミド膜１１８を形成した後，ポリイミド膜１１８をパターニングして開口部１１９を設け，パッド金属膜１１７の一部を露出させ，その後，開口部１１９底部のＴｉＮ膜１２１を，ドライエッチングによって除き」の工程を経た後の，「ハンダボールの搭載に適した大きさのパッド電極となるようにパターニング」された「Ｔｉ膜１１６，ＴｉＮ膜１１５，パッド金属膜１１７およびＴｉＮ膜１２１」からなる構造体は，本願発明１の「前記第１パッシベーション層を貫通して延伸し，前記金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッド」に相当するといえる。
　オ　引用発明１の「前記パッド金属膜１１７を覆うように」形成された「ポリイミド膜１１８」と，本願発明１の「第２パッシベーション層」は，いずれも，コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた「層」であって，前記「層」は前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触する「層」である点で一致する。
　カ　引用発明１の「パッド電極構造」と，本願発明１の「半導体デバイス」は，いずれも構造体である点で一致する。
　キ　以上をまとめると，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「複数の誘電体層および導電層を含む基板と，
　約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクトと，
　前記金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層と，
　前記第１パッシベーション層を貫通して延伸し，前記金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッドと，
　前記コンタクトパッドおよび前記第１パッシベーション層上に設けられた層であって，前記層は前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触することと，を備える構造体において，
前記金属コンタクトは，前記コンタクトパッドに対して縦方向に整列される構造体。」 
 　 
＜相違点＞ 
・相違点１：本願発明１の「金属コンタクト」が，「複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続」しているのに対して，引用発明１の「Ｃｕ配線１１２」が，「配線層及び層間絶縁膜等が積層した多層膜１１１」のうちの最上層の配線層と電気的に接続しているか明記されていない点。
・相違点２：コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた「層」であって，前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触する「層」が，本願発明１では，「パッシベーション層」であるのに対して，引例発明１では，「ポリイミド膜」である点。
・相違点３：本願発明１が，「半導体デバイス」に係る発明であるのに対して，引用発明１が，「パッド構造」に係る発明である点。
（２）判断
・相違点１について
　層間絶縁膜を介して隣接して積層された配線層を，電気的に接続する構造は周知である。
　したがって，引用発明１において，「Ｃｕ配線１１２」を，「配線層及び層間絶縁膜等が積層した多層膜１１１」のうちの最上層の配線層と電気的に接続することは，当業者が適宜なし得たことである。
・相違点２について
　本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２２】
　図３は，第２パッシベーション層２０１上の第３パッシベーション層３０１，バンプ下地金属（UBM）３０２，およびマスク３０３の形成を示している。
第３パッシベーション層３０１は，ウエハ１００が遭遇する可能性のある次のプロセスおよび他の環境の間に，第２パッシベーション層２０１およびコンタクトパッド２０３を物理的損傷および環境的損傷から保護するために，第２パッシベーション層２０１およびコンタクトパッド２０３上に形成することができる
　すなわち，本願発明１の「パッシベーション層」は，「保護層」という程度の意味で用いられている用語であると理解される。
　そして，引用発明１の「ポリイミド膜」は，保護層の一種といえる。
　したがって，相違点２は，実質的なものとは認められない。
　
　なお，仮に，本願の発明の詳細な説明の【００１６】の「第１パッシベーション層１０７は，最上層の第２導電層１１５上に形成され得，酸化物または窒化ケイ素などの誘電体材料を含み得るが，他の好適な誘電体，例えば，高k誘電体，またはこれらの材料の任意の組み合わせが代替的に用いられてもよい。」との記載に基づいて，「パッシベーション層」を，「酸化物または窒化ケイ素など」に限定して解したとしても，引用文献１の上記摘記（１ｈ）の「さらに，ポリイミド膜１１８に代わり，たとえばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いてもよい。」との記載に基づいて，引用発明１の「ポリイミド膜」を，「シリコン酸化膜やシリコン窒化膜」に変更することは当業者が適宜なし得たことである。
　
・相違点３について
　引用文献１の上記摘記（１ｂ）の「本発明は，電極パッドを有する半導体装置およびその製造方法に関する。」との記載に基づいて，引用発明１を，「半導体装置」に適用することは当業者が容易に想到し得たことである。
（３）審判請求人の主張について
　審判請求の理由において，請求人は，「一方，審査官殿は，引用例１は，図１を参照して，金属コンタクト１１２，第１保護層１１４，コネクタ１２０，コンタクトパッド１１７／１１６／１１５，および第２保護層１１８を開示すると認定されました（参考図２：引用例１，図１）。 しかしながら，引用例１は，本願発明の『第２保護層がコンタクトパッドの上面に接続する』との限定は，開示していません。引用例１では，第２保護層（１１８）とコンタクトパッド（１１７／１１６／１１５）は，ＴｉＮ層（１２１）により分離されておりますが，ＴｉＮ層（１２１）は，コネクタ（１２０）と金属コンタクト（１１２）を電気的に接続するために利用されておらず，コンタクトパッドとして構成されないものです。したがって，請求項１，３および５，ならびにそれらの従属請求項２，４〜５，および６〜７は，引用例１に対して，特許されるべきと思料いたします。」と主張する。
　しかしながら，上記「３（１）エ」で検討したように，本願発明１の「コンタクトパッド」として，多層構造が用いられ得ることが理解できるから，引用発明１の「Ｔｉ膜１１６，ＴｉＮ膜１１５，パッド金属膜１１７およびＴｉＮ膜１２１」からなる構造体は，本願発明１の「前記第１パッシベーション層を貫通して延伸し，前記金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッド」に相当すると認められる。
　また，仮に，ＴｉＮ層（１２１）が，「コネクタ（１２０）と金属コンタクト（１１２）を電気的に接続するために利用されておらず，コンタクトパッドとして構成されないもの」と解したとしても，ＴｉＮ層（１２１）は，引用発明１において，必須の構成要素ではないから，引用発明１において，前記ＴｉＮ層（１２１）を省略することは当業者が適宜なし得たことである。
　この点について，請求人は，平成２８年８月３１日に提出した意見書において，「ＴｉＮ膜１２１は，保護膜であります（引用例１の請求項１参照）。なお，ＴｉＮ膜１２１は，引用例１の必須要素であり，当業者は，引用例１に基づいてこれを容易に省略することはできないと考えます。」と主張する。
　しかしながら，引用文献１の請求項１において必須の構成要素として特定される「配線層上に設けられた保護膜」は，引用発明１の「Ｔｉ膜１１６およびＴｉＮ膜１１５がこの順に形成されたＴｉＮ／Ｔｉ膜１２５」（あるいは，「Ｔｉ膜１２５」）であって，「ＴｉＮ膜１２１」ではないから，請求人の前記主張は前提を誤っており採用することはできない。
（４）効果について
　請求人は，平成２８年８月３１日に提出した意見書において，「本願発明の半導体デバイスは，その補正された明細書及び特許請求の範囲からも明らかなとおり，『複数の誘電体層および導電層を含む基板』を有する点，『複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続しており，約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト』を有する点，『金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層』を有する点，『第１パッシベーション層を貫通して延伸し，金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッド』を有する点，『コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた第２パッシベーション層は，コンタクトパッドの上面を露出し，第１パッシベーション層と接触する』点，及び『金属コンタクトは，コンタクトパッドに対して縦方向に整列される』点において，引用例１−７に対して新規であり，このような新規な構成を有するため，金属コンタクトは，基板に含まれる誘電体層により良い緩衝を与えることができ，誘電体層が他の物体によって損傷，剥離，又は亀裂を生じることなく，より粗野な処理，運送，および使用を可能にする，という格別なる効果を奏するものであります。」と格別の効果を主張する。
　しかしながら，請求人が，「このような新規な構成」と主張する構成は，上記で検討したように，いずれも引用発明１が備える構成であるから，これらの構成を備える引用発明１もまた同様に，本願発明１と同様の効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１が，引用発明１と比較して，格別の効果を奏するものであると認めることはできないから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
（５）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明１において，上記相違点１ないし３に係る本願発明１の構成を採用することは，引用例１に接した当業者であれば周知技術に基づいて容易になし得たことである。
　したがって，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 
　４　引用発明２を主引例とした進歩性の判断
（１）対比 
　本願発明１と引用発明２とを対比する。 
　ア　引用発明２の「シリコン単結晶からなる半導体基板（円形の薄い板状に加工した半導体ウエハ）１」，「第１層目の配線Ｍ１」及び「絶縁膜１０」は，それぞれ，本願発明１の「基板」，「導電層」及び「誘電体層」に相当する。
　そして，引用発明２は，「（iii）さらに上層の第２層目の配線Ｍ２・・・を形成する工程」を含むのであるから，引用発明２は，「複数の誘電体層および導電層」を含むといえる。
　したがって，本願発明１と，引用発明２は，「複数の誘電体層および導電層を含む基板」を備える点で一致する。
　イ　引用発明２の「第６層目の前記配線Ｍ６の一部であるボンディングパッド部Ｍ６ａ」は，金属コンタクトの一種であるといえる。
　したがって，本願発明１と，引用発明２は，「所定の厚さを有する金属コンタクト」を備える点で一致する。
　ウ　引用発明２の「ＳｉＯＮ及びＳｉＯ2を含む２層構造の層間絶縁膜１１４」は，本願発明１の「金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層」に相当する。
　
　エ　本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２１】
　しかしながら，当業者なら認識するであろうが，
コンタクトパッド２０３を形成する上述のプロセスは，１つの材料および形成方法にすぎない
他の好適な材料，例えば
多層構造
が用いられ得る
　すなわち，本願発明１の「コンタクトパッド」として，多層構造が用いられ得ることが理解できる。
　そうすると，引用発明２の，「第１の開口部Ｃ１を介してボンディングパッド部Ｍ６ａに接続する第１の金属膜１５を半導体基板１上に形成した後，第１の金属膜１５上に第２の金属膜１６を形成して，前記第１の金属膜１５および前記第２の金属膜１６の積層膜からなるＵＢＭ（電極層）１７を形成する工程」と，「無電解メッキ法により，ＵＢＭ１７の上層を構成する第２の金属膜１６の表面（上面および側面）に選択的にＡｕシード層１８を形成する工程」とを経ることで形成された，「第１の金属膜１５および前記第２の金属膜１６の積層膜からなるＵＢＭ（電極層）１７」と，前記第２の金属膜１６の表面（上面および側面）に選択的に形成された「Ａｕシード層１８」とからなる構造体は，本願発明１の「前記第１パッシベーション層を貫通して延伸し，前記金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッド」に相当する。
　オ　引用発明２の「樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜」と，本願発明１の「第２パッシベーション層」は，いずれも，コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた「層」であって，前記「層」は前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触する「層」である点で一致する。
　カ　以上をまとめると，本願発明１と引用発明２の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「複数の誘電体層および導電層を含む基板と，
　前記複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続しており，所定の厚さを有する金属コンタクトと，
　前記金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層と，
　前記第１パッシベーション層を貫通して延伸し，前記金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッドと，
　前記コンタクトパッドおよび前記第１パッシベーション層上に設けられた層であって，前記層は前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触することと，を備える半導体デバイスにおいて，
前記金属コンタクトは，前記コンタクトパッドに対して縦方向に整列される半導体デバイス。」 
 　 
＜相違点＞ 
・相違点１：本願発明１の「金属コンタクト」が，「約１５，０００Åより大きい厚さを有する」のに対して，引用発明２の「第６層目の前記配線Ｍ６の一部であるボンディングパッド部Ｍ６ａ」の厚さが，「例えば１μｍ」である点。
・相違点２：コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた「層」であって，前記コンタクトパッドの上面を露出し，前記第１パッシベーション層と接触する「層」が，本願発明１では，「パッシベーション層」であるのに対して，引例発明２では，「樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜」である点。
（２）判断
・相違点１について
　半導体装置の配線設計において，配線層の厚さは設計事項であって，当該厚さを，許容される電圧降下の程度，配線の破断の可能性，配線形成のプロセス上の制約等の条件によって適宜定めることは，当業者において周知慣用の手順といえる。
　そして，引用例３の上記摘記（３ａ）ないし（３ｃ）には，配線抵抗を低く抑えることで半導体装置の電気特性を良好なものとするために，配線層１７の厚さを，「例えば３乃至１２μｍ」とすること，すなわち，本願発明１で規定する「約１５，０００Åより大きい厚さ」に含まれる厚さとすることが記載されている。
　してみれば，引用発明２において，「例えば１μｍ」と特定されている，「第６層目の前記配線Ｍ６の一部であるボンディングパッド部Ｍ６ａ」の厚さを，引用発明２が適用される「半導体装置」に求められる電気的特性に応じて，より大きい厚さである，「約１５，０００Åより大きい厚さ」に含まれる値とすることは当業者が容易になし得たことである。
・相違点２について
　本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２２】
　図３は，第２パッシベーション層２０１上の第３パッシベーション層３０１，バンプ下地金属（UBM）３０２，およびマスク３０３の形成を示している。
第３パッシベーション層３０１は，ウエハ１００が遭遇する可能性のある次のプロセスおよび他の環境の間に，第２パッシベーション層２０１およびコンタクトパッド２０３を物理的損傷および環境的損傷から保護するために，第２パッシベーション層２０１およびコンタクトパッド２０３上に形成することができる
　すなわち，本願発明１の「パッシベーション層」は，「保護層」という程度の意味で用いられている用語であると理解される。
　そして，引用発明２の「樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜」は，保護層の一種といえる。
　したがって，相違点２は，実質的なものとは認められない。
　
　なお，仮に，本願の発明の詳細な説明の【００１６】の「第１パッシベーション層１０７は，最上層の第２導電層１１５上に形成され得，酸化物または窒化ケイ素などの誘電体材料を含み得るが，他の好適な誘電体，例えば，高k誘電体，またはこれらの材料の任意の組み合わせが代替的に用いられてもよい。」との記載に基づいて，「パッシベーション層」を，「酸化物または窒化ケイ素など」に限定して解したとしても，引用文献１の上記摘記（１ｈ）の「さらに，ポリイミド膜１１８に代わり，たとえばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いてもよい。」との記載に基づいて，引用発明２の「樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜」を，「シリコン酸化膜やシリコン窒化膜」に変更することは当業者が容易になし得たことである。
　
（３）審判請求人の主張について
　請求人は，平成２８年８月３１日に提出した意見書において，「引用例２において，参考図２を参照して，第２パッシベーション層１９は，縦方向に整列された金属コンタクトＭ６ａおよびコネクタ２０と接続するコンタクトパッド１５＋１６の上面とは接触していないと考えます。」と主張する。
　しかしながら，上記「４（１）エ」で検討したように，本願発明１の「コンタクトパッド」として，多層構造が用いられ得ることが理解できるから，引用発明２の「『第１の金属膜１５および前記第２の金属膜１６の積層膜からなるＵＢＭ（電極層）１７』と，前記第２の金属膜１６の表面（上面および側面）に選択的に形成された『Ａｕシード層１８』とからなる構造体」が，本願発明１の「コンタクトパッド」に相当するものと認められる。
　そして，引用例２の図４等からも明らかなように，引用発明２の「樹脂膜１９，例えばポリイミド樹脂膜」は，前記「『第１の金属膜１５および前記第２の金属膜１６の積層膜からなるＵＢＭ（電極層）１７』と，前記第２の金属膜１６の表面（上面および側面）に選択的に形成された『Ａｕシード層１８』とからなる構造体」の上面と接触している。
　したがって，請求人の前記主張は採用することはできない。
（４）効果について
　請求人は，平成２８年８月３１日に提出した意見書において，「本願発明の半導体デバイスは，その補正された明細書及び特許請求の範囲からも明らかなとおり，『複数の誘電体層および導電層を含む基板』を有する点，『複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続しており，約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト』を有する点，『金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層』を有する点，『第１パッシベーション層を貫通して延伸し，金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッド』を有する点，『コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた第２パッシベーション層は，コンタクトパッドの上面を露出し，第１パッシベーション層と接触する』点，及び『金属コンタクトは，コンタクトパッドに対して縦方向に整列される』点において，引用例１−７に対して新規であり，このような新規な構成を有するため，金属コンタクトは，基板に含まれる誘電体層により良い緩衝を与えることができ，誘電体層が他の物体によって損傷，剥離，又は亀裂を生じることなく，より粗野な処理，運送，および使用を可能にする，という格別なる効果を奏するものであります。」と格別の効果を主張する。
　しかしながら，請求人が，「このような新規な構成」と主張する構成のうち，「複数の誘電体層および導電層を含む基板」を有する点，「金属コンタクト上に設けられた第１パッシベーション層」を有する点，「第１パッシベーション層を貫通して延伸し，金属コンタクトと電気的に接触するコンタクトパッド」を有する点，「コンタクトパッドおよび第１パッシベーション層上に設けられた第２パッシベーション層は，コンタクトパッドの上面を露出し，第１パッシベーション層と接触する」点，及び「金属コンタクトは，コンタクトパッドに対して縦方向に整列される」点は，上記で検討したように，いずれも引用発明２が備える構成であり，さらに，「複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続しており，約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト」を有する相違点に係る効果は，引用例３の上記摘記（３ｃ）の「配線層１５及び配線層１７の厚さが大きくなると，それに対応して絶縁層１４及び絶縁層１６の１層当たりの厚さも大きくなるため，応力を緩和する効果が高まる。これにより，微細配線構造部１２への応力の伝搬を効果的に低減することができ，実装時の信頼性の高い半導体装置を実現できる。」等の記載から当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　したがって，本願発明１の効果は，当業者が予測する範囲内のものと認められるから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
（５）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明２において，上記相違点１ないし２に係る本願発明１の構成を採用することは，引用例２及び引用例３に接した当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって，本願発明１は，引用例２に記載された発明，引用例２に記載された事項及び引用例３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　５　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。