(57)【要約】  基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと、燐含有プロセスガスと、酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。【選択図】      図４
2007519242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法において、
上記基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、
上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、
上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップと、
上記シリコン含有プロセスガスと、上記燐含有プロセスガスと、上記酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層として上記ギャップに堆積するステップであって、該適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、上記適合層の堆積全体にわたり上記基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む前記ステップと、
その後、上記Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップであって、上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を上記バルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、上記バルク層の堆積全体にわたり上記基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む前記ステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
その後、上記基板において上記Ｐドープの酸化シリコン膜の上にメタルラインをパターン化するステップと、
上記バルク層の堆積直後の時点から、上記基板に上記メタルラインをパターン化した後の時点まで、上記基板の温度を上記Ｐドープの酸化シリコン膜のリフロー温度未満に維持するステップと、
を備えた請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記バルク層の堆積直後の時点から、上記基板に上記メタルラインをパターン化した後の時点まで、上記基板の温度を上記Ｐドープの酸化シリコン膜のリフロー温度未満に維持する上記ステップは、上記基板のどの部分もアニールしない、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記基板はケイ化ニッケルのコネクタを含み、また、上記Ｐドープの酸化シリコン膜はプリメタル誘電体層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法において、
上記基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、
上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、
上記シリコン含有プロセスガスと上記酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層として上記ギャップに堆積するステップであって、上記適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、上記適合層の堆積全体にわたり上記基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む前記ステップと、
その後、上記酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップであって、上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を上記バルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、上記バルク層の堆積全体にわたり上記基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む前記ステップと、
その後、Ｐドープの酸化シリコン膜を含むキャップ層を堆積しながら、該キャップ層の堆積全体にわたり上記基板を約５００℃未満に維持するステップと、
を備えた方法。
【請求項６】
その後、上記基板において上記Ｐドープの酸化シリコン膜の上にメタルラインをパターン化するステップと、
上記バルク層の堆積直後の時点から、上記基板に上記メタルラインをパターン化した後の時点まで、上記基板の温度を上記酸化シリコン膜又は上記Ｐドープの酸化シリコン膜のいずれかのリフロー温度未満に維持するステップと、
を備えた請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記バルク層の堆積直後の時点から、上記基板に上記メタルラインをパターン化した後の時点まで、上記基板の温度を上記酸化シリコン膜又は上記Ｐドープの酸化シリコン膜のいずれかのリフロー温度未満に維持する上記ステップは、上記基板のどの部分もアニールしない、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
半導体基板を処理する方法において、
上記基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、
上記チャンバに酸化剤プロセスガス流を供給するステップと、
上記シリコン含有プロセスガスと上記酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせて、上記基板上に酸化シリコン層を形成するステップと、
上記チャンバに流れ込む（シリコン含有プロセスガス）：（酸化ガス）の比を時間と共に変化させて、上記基板上の酸化シリコンの堆積率を変更するステップと、
半導体基板の処理全体にわたり上記基板を上記酸化シリコン層のリフロー温度以下に維持するステップと、
を備えた方法。
【請求項９】
半導体基板の処理全体にわたり上記基板を上記酸化シリコン層のリフロー温度以下に維持する上記ステップは、上記基板をアニールしない、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記酸化シリコン層はプリメタル誘電体層を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
上記基板は隣接表面間にギャップを含み、該ギャップには酸化シリコンが堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
上記基板はケイ化ニッケルを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
ある時間周期中に上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップであって、シリコン含有プロセスガス流は、上記時間周期中の少なくとも一部分に与えられるようなステップを更に備えた、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
上記シリコン含有プロセスガスはＴＥＯＳを含み、また、上記燐含有プロセスガスはＴＥＰｏを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
その後、燐含有プロセスガスの後続流を上記チャンバに供給するステップを更に備えた、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
上記燐含有プロセスガスの後続流を上記チャンバに供給する間に、上記チャンバの圧力を約２００トール乃至約７６０トールの範囲の圧力に調整するステップを更に備えた、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
上記燐含有プロセスガスの後続流を上記チャンバに供給する間に、上記燐含有プロセスガスからプラズマを形成するステップを更に備えた、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
上記プラズマは、約１０１１イオン／ｃｍ３より高い密度を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
半導体基板を処理する方法において、
上記基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、
上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、
上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップと、
上記シリコン含有プロセスガスと、上記酸化プロセスガスと、上記燐含有ガスとの間に反応を生じさせて、上記基板にＰドープ酸化シリコン層を形成するステップと、
上記チャンバに流れ込む（シリコン含有ガス）：（酸化ガス）：（燐含有ガス）の比を時間と共に変化させて、上記基板上の酸化シリコンの堆積率を変更するステップと、
を備えた方法。
【請求項２０】
上記基板を上記Ｐドープの酸化シリコン層のリフロー温度以下に維持するステップを更に備えた、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
上記基板は隣接表面間にギャップを含み、該ギャップには酸化シリコンが堆積される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
上記Ｐドープの酸化シリコン層はプリメタル誘電体層を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
上記基板はケイ化ニッケルを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
上記シリコン含有プロセスガスはＴＥＯＳを含み、また、上記燐含有プロセスガスはＴＥＰｏを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
その後、燐含有プロセスガスの後続流を上記チャンバに供給するステップを更に備えた、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
上記燐含有プロセスガスの後続流を上記チャンバに供給する間に、上記チャンバの圧力を約２００トール乃至約７６０トールの範囲の圧力に調整するステップを更に備えた、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
上記燐含有プロセスガスの後続流を上記チャンバに供給する間に、上記燐含有プロセスガスからプラズマを形成するステップを更に備えた、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
上記プラズマは、約１０１１イオン／ｃｍ３より高い密度を有する、請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願への相互残照】
【０００１】
[0001]本出願は、全ての目的で参考としてここに全開示を援用する２００２年９月１９日に出願されたＫ．イングル氏等による「METHOD USING TEOS RAMP-UP DURING TEOS/OZONE CVD FOR IMPROVED GAPFILL」と題する出願中の共通に譲渡された米国特許出願第１０／２４７，６７２号の一部継続出願で、その利益を請求するものである。
【発明の背景】
【０００２】
[0002]集積回路の製造シーケンスは、多数のパターン化プロセスをしばしば含む。これらのパターン化プロセスは、パターン化されたメタル層又はポリシリコン層のような導体の層を画成することもできるし、或いはトレンチのような分離構造体を画成することもできる。多くの場合に、トレンチには、絶縁材料又は誘電体材料が充填される。この絶縁材料は、多数の機能を果たし得る。例えば、ある用途では、この材料は、ＩＣのある領域を別の領域から電気的に分離すると共に、トレンチの表面を電気的に不動態化するという両方の役割を果たす。また、この材料は、通常、半導体構造体の次の層を作るためのベースにもなる。
【０００３】
[0003]半導体設計が進歩するにつれて、半導体デバイスの特徴部のサイズが急激に減少した。多くの回路は、現在、差し渡しが１ミクロン未満のトレースやトレンチのような特徴部を有する。特徴部のサイズの減少は、他の利益の中でも、より高いデバイス密度、ウェハ当たりより多くのチップ、より複雑な回路、より低い動作電力消費、及びより低いコストを許容したが、この小さな幾何学形状は、また、新たな問題を引き起こすか、又は大きな幾何学形状に対していったんは解決された問題を再発させた。
【０００４】
[0004]サブミクロンデバイスによりもたらされる一形式の製造上の難題は、例えば、狭いトレンチをボイドのないように完全に充填する能力である。トレンチに酸化シリコンを充填するために、最初に、酸化シリコンの層が、パターン化された基板に堆積される。トレンチが広くて浅い場合には、トレンチを完全に充填することが比較的容易である。トレンチがより狭くなり、そのアスペクト比（トレンチの高さとトレンチの巾の比）が大きくなるにつれて、トレンチの開口が「ピンチオフ(pinch off)」する見込みが高くなる。
【０００５】
[0005]トレンチがピンチオフすると、トレンチ内にボイドを捕えることがある。ピンチオフから生じるボイドは、ウェハ当たりの良品チップの収率及びデバイスの信頼性を下げ得るので、望ましくない。ある条件の下では、リフロープロセス中に、例えば、堆積された酸化シリコンがドープされて高い温度の粘性の流れを経験する場合には、ボイドが充填される。しかしながら、トレンチが浅くなるにつれて、リフロープロセス中にボイドが充填されない見込みが高くなる。更に、多数の形式の用途では、非ドープの酸化シリコンの堆積が要求され、これは、高い温度でもリフローが困難である。
【０００６】
[0006]この問題に対して考えられる１つの解決策は、酸化物層を高い温度でアニールすることである。この解決策は、過去には成功したが、ある状況においてはもはや適用できない。進歩した半導体設計に使用されるケイ化ニッケルのような新規な材料は、熱履歴(thermal budget)が低く、従って、ある温度／時間巾範囲のアニールを実現不能にする。
【０００７】
[0007]それ故、狭いギャップにボイドのないように誘電体材料を充填できることが望まれる。また、熱履歴を越えずにこれを行うことも望まれる。
【発明の簡単な概要】
【０００８】
[0008]従って、本発明の実施形態は、基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法を提供する。この方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと燐含有プロセスガスと酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることによりＰドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。この適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。この膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。ある実施形態では、この方法は、基板においてＰドープの酸化シリコン層の上にメタルラインをパターン化するステップと、バルク層の堆積直後の時点から、基板にメタルラインをパターン化した後の時点まで、基板の温度をＰドープの酸化シリコン層のリフロー温度未満に維持するステップとを備えている。
【０００９】
[0009]他の実施形態において、基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。この適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階を含む。また、この方法は、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階も含む。また、この方法は、酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。この膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜を含むキャップ層を堆積しながら、このキャップ層の堆積全体にわたり基板を約５００℃未満に維持するステップも備えている。
【００１０】
[0010]更に別の実施形態では、半導体基板を処理するための方法が提供される。この方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、チャンバに酸化剤プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせて、基板上に酸化シリコン層を形成するステップも備えている。更に、この方法は、チャンバに流れ込む（シリコン含有プロセスガス）：（酸化ガス）の比を時間と共に変化させて、基板上の酸化シリコンの堆積率を変更するステップも備えている。このプロセス中に、基板の温度は、酸化シリコン層のリフロー温度以下に維持される。
【００１１】
[0011]ある実施形態では、酸化シリコン層は、プリメタル誘電体層でよい。基板は、ケイ化ニッケルを含んでもよい。この方法は、ある時間周期中にチャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップを備えてもよい。シリコン含有プロセスガス流は、この時間周期中に少なくとも一部分供給される。シリコン含有プロセスガスは、ＴＥＯＳを含んでもよく、そして燐含有プロセスガスは、ＴＥＰｏを含んでもよい。
【００１２】
[0012]ある実施形態では、この方法は、その後、燐含有プロセスガスの後続流をチャンバに供給するステップも含む。また、この方法は、燐含有プロセスガスの後続流をチャンバに供給しながら、チャンバの圧力を約２００トールから約７６０トールの範囲内の圧力に調整するステップを備えてもよい。また、この方法は、燐含有プロセスガスの後続流をチャンバに供給しながら、燐含有プロセスガスからプラズマを形成するステップを含んでもよい。このプラズマは、約１０１１イオン／ｃｍ３より高い密度を有してもよい。
【００１３】
[0013]更に別の実施形態において、半導体基板を処理する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと酸化プロセスガスと燐含有ガスとの間に反応を生じさせて、基板にＰドープ酸化シリコン層を形成するステップも備えている。また、この方法は、チャンバに流れ込む（シリコン含有ガス）：（酸化ガス）：（燐含有ガス）の比を時間と共に変化させて、基板上の酸化シリコンの堆積率を変更するステップも備えている。このプロセス中に、基板の温度は、５００℃以下に維持される。
【００１４】
[0014]ある実施形態では、Ｐドープの酸化シリコン層は、プリメタル誘電体層を含む。基板は、ケイ化ニッケルを含んでもよい。シリコン含有プロセスガスは、ＴＥＯＳを含んでもよく、燐含有プロセスガスは、ＴＥＰｏを含んでもよい。
【００１５】
[0015]更に別の実施形態では、この方法は、その後に、燐含有プロセスガスの後続流をチャンバに供給するステップも備えている。また、この方法は、燐含有プロセスガスの後続流をチャンバに供給しながら、チャンバの圧力を約２００トールから約７６０トールの範囲内の圧力に調整するステップを備えてもよい。また、この方法は、燐含有プロセスガスの後続流をチャンバに供給しながら、燐含有プロセスガスからプラズマを形成するステップを含んでもよい。このプラズマは、約１０１１イオン／ｃｍ３より高い密度を有してもよい。
【００１６】
[0016]多数の図面全体にわたり同じ参照番号を使用して同様のコンポーネントを示した添付図面及び以下の詳細な説明から本発明の特徴及び効果が更に理解されよう。
【発明の詳細な説明】
【００１７】
[0025]本発明の実施形態は、プリメタル誘電体（ＰＭＤ）層を形成するのに特に適した酸化シリコンの化学蒸着に関係した方法、装置及びデバイスを提供する。一実施形態において、非ドープの酸化シリコン（非ドープのシリケートガラス「ＵＳＧ」とも称される）適合層を形成し、その後、Ｐドープの酸化シリコン（Ｐドープのシリケートガラス「ＰＳＧ」とも称される）キャップ層を形成するためのプロセスが使用される。第１の化学気相堆積（ＣＶＤ）段階中に、シリコン含有ガス及び酸化ガスを流しながら、両者の比を変化させ、良好なギャップ充填特性と共に高度な適合特徴を示す酸化シリコンを形成する。次いで、後続ＣＶＤ段階にＰＳＧが形成される。他の実施形態では、（シリコン含有プロセスガス）：（燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を変化させることでＰＳＧ適合層が形成される。このような実施形態では、ＰＳＧキャップ層が含まれなくてもよい。しかしながら、両方の実施形態では、層がアニールプロセスを必要とせず、従って、熱履歴を越えるおそれのあるステップを回避する。本発明の態様は、従来のプロセスの制限を参照することで最も良く理解されよう。
【００１８】
Ｉ．はじめに
[0026]図１は、従来のプロセスを利用して堆積された酸化シリコン１０２で充填されたトレンチ１００の実施例を示す簡単な断面図である。図１に示すように、トレンチ１００の持ち上がった縁に酸化物材料が堆積される率が高いことで、トレンチにピンチオフが生じると共に、特徴部内に望ましからぬボイド又はピンホール欠陥１０４が形成する。ボイド１０４は、酸化物充填トレンチの一貫した誘電体強度に依存する半導体デバイスの動作に悪影響を及ぼし得る。
【００１９】
[0027]酸化物充填トレンチ１００は、ＰＭＤ構造体の一部分を形成してもよい。慣習的に、大気中より低い化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスにおいて形成されたホウ素及び燐ドープのシリケートガラス（ＢＰＳＧ）がＰＭＤとして使用されている。しかしながら、このような膜は、通常、ガラス遷移温度を越えて酸化物を取り出してそれをリフローするのを許容し、従って、ほとんどの場合にボイドを除去する高温アニールを必要とする。ケイ化ニッケルのような近代的な材料の使用は、高温アニールプロセスには適合できない。というのは、集積回路にそれらが含まれると、回路が製造される基板が５００℃より高い温度を受けないことが必要になるからである。
【００２０】
[0028]図１とは対照的に、図２は、本発明の一実施形態によるプロセスを使用して形成された酸化物層２０２を有するトレンチ構造体２００の簡単な断面図である。ある実施形態では、酸化物充填されたトレンチは、ＰＭＤ構造体の一部分である。酸化物層は、適合層２０４及びキャップ層２０６を含むことができる。適合層２０４は、非ドープ酸化物を含んでもよいし又はＰドープ酸化物を含んでもよい。ある実施形態では、適合層２０４は、以下に詳細に述べるように、（シリコン含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を変化させることにより形成されてもよい。ある実施形態では、適合層は、（シリコン含有プロセスガス）：（燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を変化させることにより形成される。キャップ層２０６は、ＰＳＧをゲッタリング層として含むことができる。ＰＳＧは、以下に述べるように、ＳＡＣＶＤ  ＰＳＧプロセス、プラズマエンハンストＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）ＰＳＧプロセス、高密度ＣＶＤ（ＨＤＣＶＤ）ＰＳＧプロセス、又は同様のプロセスにおいて形成されてもよい。ＰＭＤに関する特定の実施形態では、適合層２０４がＰドープ酸化物を含み、キャップ層は含まれない。
【００２１】
[0029]図２の酸化物充填トレンチ２００は、従来のプロセスを使用して形成される同様の特徴部に関連したボイドも弱いシームも含まない。更に、酸化物充填トレンチ２００は、熱履歴を妥協することなく形成される。
【００２２】
II．堆積プロセスの実施例
[0030]本発明の実施形態を一般的に説明したが、本発明の実施形態による第１の堆積プロセス３００を示した図３に注目する。このプロセス３００は、ＰＭＤ又は他の層を堆積するのに使用できる。このプロセスは、ＣＶＤチャンバで行うことができ、その一実施例を以下に説明する。プロセス３００は、適合層の堆積３０２と、キャップ層の堆積３０４とを備えている。ある実施形態では、ブロック３０５において、メタルラインがキャップ層の上にパターン化される。
【００２３】
[0031]特定の実施形態では、シリコン含有プロセスガスは、テトラエチルオーソシリケート（ＴＥＯＳ）で構成されるが、ＳｉＨ４、Ｓ２Ｈ６、Ｓ３Ｈ８、等の他のシリコン含有プロセスガスが使用されてもよい。また、特定の実施形態では、酸化プロセスガスは、オゾン（Ｏ３）で構成されるが、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２のような酸化ガスが使用されてもよい。更に、本発明の、この実施形態は、ＵＳＧを使用するギャップ充填について説明するが、別の実施形態では、図４を参照して説明するように、膜がドープされてもよいことが明らかであろう。
【００２４】
[0032]適合層の堆積３０２は、前記で取り上げた米国特許出願第１０／２４７，６７２号に詳細に述べられたプロセスに基づいて実行することができる。このプロセスは、シリコン含有プロセスガスを流すこと（３０６）及び酸化プロセスガスを流すこと（３０８）を含む。（シリコン含有ガス）：（酸化剤含有ガス）の比を変化させ（３１０）、これにより、適合層が堆積される率、おそらくは、適合層の組成を変化させる。例えば、プロセスの始めに、混合物におけるシリコン含有ガスの濃度が低く、膜厚みの増加につれて高くされてもよい。このような実施例では、適合層の堆積３０２は、混合物におけるシリコン含有ガスの濃度が低い段階中に適合層を堆積し、次いで、混合物におけるシリコン含有ガスの濃度がより高い段階中にバルク層を堆積することを含んでもよい。
【００２５】
[0033]基板の温度が調整され（３１２）、ある場合には、熱履歴を越えないようにその度数及び時間巾の両方が調整される。温度の調整３１２は、適合層の堆積３０２、キャップ層の堆積３０４及び／又はメタルラインのパターン化３０５の間に行うことができる。ある実施形態では、これは、基板の処理全体にわたり温度を約５００℃より低く維持することを含む。また、ある実施形態では、これは、基板の層をアニールすることを含まない。
【００２６】
[0034]キャップ層の堆積３０４は、元の場所(in situ)で行うことができる。例えば、適合層の堆積３０２をＣＶＤチャンバで行う場合には、キャップ層の堆積３０４をその直後に同じチャンバ内で行ってもよい。或いは又、キャップ層の堆積３０４は、多チャンバシステムの別のチャンバでキャップ層を形成するか、又は異なるチャンバシステムでそれを形成することにより、異なる場所(ex situ)で行われてもよい。キャップ層の堆積３０４は、燐含有ガスを流すこと（３１４）を含む。ある実施形態では、燐含有ガスは、トリエチルホスフェート（ＴＥＰｏ）又はＰＨ３で構成される。また、キャップ層の堆積３０４は、適合層の堆積３０２について上述したように、シリコン含有プロセスガス及び酸化プロセスガスを流すことを含んでもよい。
【００２７】
[0035]また、キャップ層の堆積３０４は、堆積環境の圧力を調整すること（３１６）、及び／又はその環境にプラズマを形成すること（３１８）を含んでもよい。ある実施形態では、プラズマ環境は、１０１１イオン／ｃｍ３より大きなイオン強度を有するものとして定義された高密度プラズマ環境である。キャップ層の堆積中の燐濃度は、ある実施形態では、約７重量％乃至約９重量％の範囲でよく、他の実施形態では、約３．５重量％乃至４重量％の範囲でよい。他の実施形態では、燐濃度が約１重量％乃至約１０重量％の範囲である。上述したように、キャップ層の堆積は、基板の温度の調整３２０を含んでもよい。
【００２８】
[0036]図４は、本発明の実施形態による第２の堆積プロセス４００を示す。このプロセスは、例えば、基板にＰＳＧ  ＰＭＤ層を堆積するのに使用できる。このプロセスは、適合層の堆積４０２を含み、また、キャップ層の堆積４０４を含んでもよい。また、このプロセスは、メタルラインのパターン化４０５を含んでもよい。
【００２９】
[0037]適合層の堆積４０２は、シリコン含有プロセスガスの供給４０６、酸化プロセスガスの供給４０８、及び燐含有プロセスガスの供給４１０を含む。シリコン含有プロセスガスは、テトラエチルオーソシリケート（ＴＥＯＳ）、或いはＳｉＨ４、Ｓ２Ｈ６、Ｓ３Ｈ８、等の他のシリコン含有ガスで構成することができる。また、酸化プロセスガスは、オゾン（Ｏ３）、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２等で構成することができる。特定の実施形態では、燐含有ガスは、ＴＥＰｏで構成される。この実施形態は、Ｐドープの適合層を堆積することに係るが、付加的なドーパントが使用されてもよい。例えば、ＳｉＦ４の流れを使用して膜をフッ素処理してもよいし、ＰＨ３の流れを使用して膜を燐処理してもよいし、Ｂ２Ｈ６の流れを使用して膜をホウ素処理してもよいし、Ｎ２の流れを使用して膜を窒素処理してもよいし、等々である。
【００３０】
[0038]適合層の堆積３０２について詳細に説明したように、３つのガスの比を変化させて（４１２）、堆積率を調整することができ、これは、例えば、プロセスの始めに酸化プロセスガスを高い濃度に維持し、次いで、膜厚みが増加するにつれて酸化プロセスガスの濃度を下げることにより行うことができる。これは、酸化プロセスガスの流量を減少し、及び／又は他のガスの流量を増加することで達成できる。シリコン含有ガス及び／又はドーパントガスの濃度も同様に調整できる。
【００３１】
[0039]また、温度は、熱履歴を越えないようにその度数及び時間巾の両方を調整できる（４１４）。上述したように、温度の調整４１４は、適合層の堆積４０２、キャップ層の堆積４０４、及び／又はメタルラインのパターン化４０５の間に行うことができる。ある実施形態では、これは、基板の処理全体にわたり温度を約５００℃より低く維持することを含む。また、ある実施形態では、これは、基板の層をアニールすることを含まない。必要に応じて、キャップ層の堆積４０４は、図３のキャップ層の堆積３０４について上述したように行われ、これは、燐含有ガスを供給すること（４１６）、圧力を調整すること（４１８）、ある実施形態では、プラズマを発生すること（４２０）、及び温度を調整すること（４２２）を含む。
【００３２】
[0040]堆積ステップ３０２、３０４、４０２、４０４は、ＳＡＣＶＤプロセスを含んでもよい。このようなプロセスでは、温度プロフィールを熱履歴内に留めるように調整できるが、ギャップ充填プロセスは、温度の高い方が成功性が高い傾向にあることに注意されたい。高アスペクト比の狭いギャップでは、上述したように、且つ前記で取り上げた米国特許出願第１０／２４７，６７２号に詳細に述べられたように、低い濃度のシリコン含有プロセスガスで始めて、（シリコン含有プロセスガス）：（酸化ガス）の比を変化させることで、より高い成功性が達成される。このプロセスは、基板にわたってガスを均一に分布させることにより、更に助けとなり得る。混合物におけるシリコン含有プロセスガス濃度が増加するにつれて、ガスを基板の表面により近く分配することができる。この技術及びこれを実施するための装置は、２００２年１月２５日に出願された「GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD」と題する出願中の共通に譲渡された米国特許出願第１０／０５７，２８０号、及び／又は２００３年９月２９日に出願された「GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD」と題する出願中の共通に譲渡された米国特許出願第１０／６７４，５６９号に詳細に述べられており、その各々の全開示を参考としてここに援用する。プロセスガスの比を変化させることと、ウェハからの距離を変えてガスを分配することとを組み合わせることで、ほとんどの場合にアニールを必要としない良好なギャップ充填を形成する。
【００３３】
[0041]上述したプロセスの別の実施形態は、より多数の又はより少数の動作を含んでもよい。更に、別の実施形態における動作は、この開示に鑑み当業者に明らかなように、必ずしも図示された順序で実行されない。
【００３４】
III．堆積システムの実施例
[0042]本発明の実施形態による方法を詳細に説明したが、本発明の実施形態によるＣＶＤシステム５１０の簡単な図である図５Ａに注目する。このシステムは、熱プロセス、ＳＡＣＶＤプロセス、及び他のプロセス、例えば、リフロー、ドライブイン、洗浄、エッチング、及びゲッタリングプロセスを実行するのに適している。また、チャンバから基板を除去せずに、単一基板又はウェハ上で多ステップのプロセスを実行することもできる。システムの主要コンポーネントは、とりわけ、ガス配送システム５８９からプロセスガス及び他のガスを受け入れる真空チャンバ５１５と、真空システム５８８と、リモートマイクロ波プラズマシステム５５５と、制御システム５５３とを備えている。本発明を理解するために、これら及び他のコンポーネントを以下に説明する。
【００３５】
[0043]ＣＶＤ装置５１０は、ガス反応エリア５１６をもつ真空チャンバ５１５を収容するエンクロージャーアッセンブリ５１２を備えている。ガス分配プレート５２０がガス反応エリア５１６の上に設けられ、これは、反応ガス及び他のガス、例えば、パージガスを、このガス分配プレート５２０の穿孔ホールを通して、垂直可動ヒータ５２５（ウェハ支持ペデスタルとも称される）に載せられたウェハ（図示せず）へ付与する。ヒータ５２５は、例えば、ウェハをロード又はアンロードすることのできる下方位置と、ガス分配プレート５２０に接近し、破線５１３で示した処理位置、或いはエッチング又は洗浄プロセス等の他の目的のための他の位置との間で制御可能に移動することができる。中央のボード（図示せず）は、ウェハの位置に関する情報を与えるためのセンサを含む。
【００３６】
[0044]ある実施形態では、ガス分配プレート５２０は、前記で取り上げた米国特許出願第１０／０５７，２８０号又は第１０／６７４，５６９号のいずれかに記載された形態でよい。これらのプレートは、基板におけるガス分配の均一性を改善するもので、ガス濃度比を変化させる堆積プロセスに特に効果的である。ある実施例では、これらプレートは、垂直可動ヒータ５２５（又は可動ウェハ支持ペデスタル）と一緒に作用して、その比が一方向に甚だしくスキューしたときには（例えば、シリコン含有ガスの濃度が酸化剤含有ガスの濃度に比して小さいときには）堆積ガスが基板からより離れて解放され、また、濃度が変化するにつれて（例えば、混合物におけるシリコン含有ガスの濃度がより高いときには）基板により接近して解放されるようにする。他の実施例では、ガス分配プレートのオリフィスが、より均一なガス混合を与えるように設計される。
【００３７】
[0045]ヒータ５２５は、セラミックで包囲された電気抵抗加熱素子（図示せず）を備えている。セラミックは、加熱素子を潜在的に腐食性のチャンバ環境から保護すると共に、ヒータが約８００℃までの温度に到達するのを許容する。ある実施形態では、真空チャンバ５１５に露出されるヒータ５２５の全面が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３又はアルミナ）或いは窒化アルミニウムのようなセラミック材料で作られる。
【００３８】
[0046]反応ガス及び担体ガスは、供給管路５４３を通してガス混合ボックス（ガス混合ブロックとも称される）５２７へ供給され、ここで、それらガスが一緒に混合されてガス分配プレート５２０へ配送されるのが好ましい。ガス混合ボックス５２７は、プロセスガス供給管路５４３及び洗浄／エッチングガスコンジット５４７に結合された二重入力混合ブロックであるのが好ましい。バルブ５２８は、ガスコンジット５４７からガス混合ブロック５２７へのガス又はプラズマを導入又は密閉するように動作する。ガスコンジット５４７は、入力ガスを受け入れるための入口５５７を有する一体的リモートマイクロ波プラズマシステム５５５からのガスを受け入れる。堆積プロセス中に、プレート５２０に供給されるガスは、ウェハ面に向けて通気され（矢印５２１で示すように）、そこで、通常は、層流でウェハ面を横切って半径方向に均一に分配することができる。
【００３９】
[0047]パージガスは、プレート５２０から、及び／又はエンクロージャーアッセンブリ５１２の底壁を通る入口ポート又は管（図示せず）から、真空チャンバ５１５へ配送することができる。パージガスは、入口ポートからヒータ５２５を越えて上方に環状ポンピングチャンネル５４０へと流れる。次いで、排気システムは、（矢印５２２で示すように）ガスを環状ポンピングチャンネル５４０へ、次いで、排気管路５６０を経て、真空ポンプ（図示せず）を含む真空システム５８８へと排気する。排気ガス及びそれに随伴する粒子は、スロットルバルブシステム５６３により制御される割合で、環状ポンピングチャンネル５４０から排気管路５６０を通して引き出される。
【００４０】
[0048]リモートマイクロ波プラズマシステム５５５は、チャンバの洗浄又は処理ウェハから自然酸化物又は残留物をエッチングする等の選択された用途に対してプラズマを発生することができる。入力管路５５７を経て供給された先駆物質からリモートプラズマシステム５５５に発生されたプラズマ種子が、コンジット５４７を経て送られて、プレート５２０を通して真空チャンバ５１５へ分散される。洗浄用途のための先駆ガスは、フッ素、塩素、及び他の反応性元素を含むことができる。また、リモートマイクロ波プラズマシステム５５５は、このリモートマイクロ波プラズマシステム５５５に使用するための適切な堆積先駆ガスを選択することにより、プラズマエンハンストＣＶＤ膜を堆積するように適応されてもよい。
【００４１】
[0049]システムコントローラ５５３は、堆積システムの活動及び運転パラメータを制御する。プロセッサ５５０は、このプロセッサ５５０に結合されたメモリ５７０に記憶されたコンピュータプログラムのようなシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、メモリ５７０は、ハードディスクドライブでよいが、もちろん、メモリ５７０は、他の種類のメモリ、例えば、リードオンリメモリ又はフラッシュメモリでもよい。ハードディスクドライブ（例えば、メモリ５７０）に加えて、好ましい実施形態におけるＣＶＤ装置５１０は、フロッピーディスクドライブ及びカードラック（図示せず）を備えている。
【００４２】
[0050]プロセッサ５５０は、ここに開示する方法に基づいて装置を運転するようにプログラムされたシステム制御ソフトウェアに従って動作する。例えば、命令のセットが、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、マイクロ波電力レベル、サセプタ位置、及び特定プロセスの他のパラメータを指令してもよい。例えば、フロッピーディスクを含む他のメモリに記憶されたもののような他のコンピュータプログラム、或いはディスクドライブ又は他の適当なドライブに挿入される別のコンピュータプログラム製品を使用して、ＣＶＤシステム５１０を種々の装置へと構成するようにプロセッサ５５０を動作することもできる。
【００４３】
[0051]プロセッサ５５０は、単一ボードコンピュータ、アナログ及びデジタル入力／出力ボード、インターフェイスボード、及びステッパモータコントローラボードを収容するカードラック（図示せず）を有している。ＣＶＤシステム５１０の種々の部分は、ボード、カードケージ、及びコネクタの寸法及び形式を定義するベルサ・モジュラー・ヨーロピアン（ＶＭＥ）規格に合致する。また、ＶＥＭ規格は、１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバスを有するバス構造も定義する。
【００４４】
[0052]図５Ｂは、ＣＶＤ装置のチャンバ５３０に対するユーザインターフェイスの簡単な図である。ＣＶＤ装置５１０は、多チャンバシステムの１つのチャンバを含む。ウェハは、１つのチャンバから更なる処理のために別のチャンバに移送することができる。ある場合には、ウェハは、真空又は選択されたガスのもとで移送される。ユーザとプロセッサとの間のインターフェイスは、ＣＲＴモニタ５７３ａ及びライトペン５７３ｂによる。メインフレームユニット５７５は、ＣＶＤ装置５１０のための電気的、配管及び他のサポート機能を与える。ＣＶＤ装置のここに示す実施形態に適合するメインフレームユニットは、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズインクからＰＲＥＣＩＳＩＯＮ５０００ＴＭ、ＣＥＮＴＵＲＡ５２００ＴＭ、及びＰＲＯＤＵＣＥＲ  ＳＥＴＭシステムとして現在商業的に入手できるものである。
【００４５】
[0053]ある実施形態では、２つのモニタ５７３ａが使用され、その一方は、オペレータのためにクリーンルームの壁５７１に装着され、他方は、修理技師のために壁５７２の後方に装着される。両モニタ５７３ａは、同じ情報を同時に表示するが、ライトペン５７３ｂは、１つしかイネーブルされない。ライトペン５７３ｂは、ＣＲＴディスプレイにより放射された光を、ペンの尖端の光センサで検出する。特定のスクリーン又はファンクションを選択するために、オペレータは、ディスプレイスクリーンの指定エリアにタッチし、ペン５７３ｂのボタンを押す。タッチされたエリアがそのハイライトカラーを変化させるか、又は新たなメニュー又はスクリーンが表示され、ライトペンとディスプレイスクリーンとの間の通信を確認する。もちろん、ライトペン５７３ｂに代わって又はそれに加えて、キーボード、マウス、或いは他のポインティング又は通信装置のような他の装置を使用して、ユーザがプロセッサと通信するのを許容してもよい。
【００４６】
[0054]図５Ｃは、クリーンルームに置かれたガス供給パネルに対するＣＶＤ装置５１０の一実施形態の一般的概要を示す。上述したように、ＣＶＤシステム５１０は、ヒータ５２５を伴うチャンバ５１５と、入口管５４３及びコンジット５４７からの入力を伴うガス混合ボックス５２７と、入力管路５５７を伴うリモートマイクロ波プラズマシステム５５５とを備えている。上述したように、ガス混合ボックス５２７は、堆積ガス（１つ又は複数）及びクリーンガス（１つ又は複数）又は他のガス（１つ又は複数）を混合して、入口管５４３を通して処理チャンバ５１５へ注入するためのものである。
【００４７】
[0055]リモートマイクロ波プラズマシステム５５５は、チャンバ５１５の下に一体的に置かれて装着され、コンジット５７４が、チャンバ５１５に沿って、チャンバ５１５の上に置かれたゲートバルブ５２８及びガス混合ボックス５２７へと達している。マイクロ波ジェネレータ５１１及びオゾン装置(ozonator)５５１は、クリーンルームから離れたところに置かれる。ガス供給パネル５８０からの供給管路５８３及び５８５は、ガス供給管路５４３に反応性ガスを与える。ガス供給パネル５８０は、選択された用途のためのプロセスガスを供給するガス又は液体ソース５９０からの管路を備えている。ガス供給パネル５８０は、選択されたガスを、ガス混合ボックス５２７へ流す前に混合する混合システム５９３を有する。ある実施形態では、ガス混合システム５９３は、テトラエチルオーソシリケート（ＴＥＯＳ）、トリエチルボレート（ＴＥＢ）、及びトリエチルホスフェート（ＴＥＰＯ）のような反応液体を蒸発するための液体注入システムを備えている。液体からの蒸気は、通常、ヘリウムのような担体ガスと合成される。プロセスガスの供給管路は、（ｉ）管路５８５又は管路５５７へのプロセスガス流を自動的に又は手動で遮断するのに使用できる遮断バルブ５９５と、（ii）供給管路を通るガス又は液体の流れを測定する液体流量計（ＬＦＭ）５０１又は他の形式のコントローラとを含むことができる。
【００４８】
[0056]一例として、ＴＥＯＳをシリコン源として含む混合物を、酸化シリコン膜を形成するための堆積プロセスにおいてガス混合システム５９３に使用することができる。ＴＥＰＯは、従来のボイラー型又はバブラー型ホットボックスにより蒸発させることのできる液体源である。しかしながら、ガス混合システムに導入される反応液体の量について大きな制御性を与えるので、液体注入システムが好ましい。液体は、通常、ガス混合ブロック及びチャンバへの加熱ガス配送管路５８５へ配送される前に、微細スプレー又は霧として担体ガス流へ注入される。酸素（Ｏ２）又はオゾン（Ｏ３）のような１つ以上のソースが、別のガス配送管路５８３を通してチャンバに流れ、チャンバ付近又はチャンバ内で加熱ガス配送管路５８５からの反応ガスと合成される。もちろん、ドーパント、シリコン及び酸素の他のソースも使用できることが理解される。
【００４９】
IV．半導体構造の実施例
[0057]図６は、本発明の一実施形態による集積回路７００の簡単な断面図である。図７に示すように、集積回路７００は、ＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタ７０３及び７０６を備え、これらは、酸化物充填トレンチの分離構造体７２０により互いに分離され且つ電気的に分離される。或いは又、フィールド酸化物の分離を使用してデバイスを分離することもできるし、分離技術を組み合せて使用することもできる。トランジスタ７０３及び７０６の各々は、ソース領域７１２、ゲート領域７１５、及びドレイン領域７１８を備えている。
【００５０】
[0058]プリメタル誘電体（ＰＭＤ）層７２１は、トランジスタ７０３及び７０６をメタル層７４０から分離し、このメタル層７４０とトランジスタとの間の接続は、コンタクト７２４によりなされる。プリメタル誘電体層７２１は、単一層で構成されてもよいし、多数の層で構成されてもよい。メタル層７４０は、集積回路７００に含まれる４つのメタル層７４０、７４２、７４４及び７４６の１つである。各メタル層は、中間の誘電体層７２７、７２８及び７２９により、隣接メタル層から分離される。隣接メタル層は、選択された開口において、ビア７２６により接続される。平坦化された不動態化層７３０がメタル層７４６の上に堆積される。
【００５１】
[0059]本発明の実施形態により堆積される酸化シリコン層は、集積回路７００に示された１つ以上の誘電体層を形成するのに使用できる。例えば、酸化シリコン層は、トレンチ分離構造体７２０を形成するのに使用できる。また、本発明により堆積される酸化シリコン層は、ＰＭＤ層７２１、又はその上に横たわる相互接続構造体の上位層中間誘電体層７２７−７２９を形成するのにも使用できる。
【００５２】
[0060]また、本発明の実施形態により堆積される酸化シリコン層は、ある集積回路に含まれるダマシン層に使用することもできる。ダマシン層では、ブランケット層を基板上に堆積して、基板まで選択的にエッチングし、次いで、メタルを充填し、エッチバック又は研磨を行って、メタルコンタクト７２４を形成する。メタル層が堆積された後に、第２のブランケット堆積を実行して選択的にエッチングする。次いで、エッチングされたエリアにメタルを充填し、エッチバック又は研磨を行って、ビア７２６を形成する。
【００５３】
[0061]簡単な集積回路７００は、単に例示の目的に過ぎないことを理解されたい。当業者であれば、マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、メモリデバイス等の他の集積回路を製造するように本発明の方法を実施することができよう。
【００５４】
[0062]多数の実施形態について以上に説明したが、本発明の精神から逸脱せずに、種々の変更や、別の構造や、その等効物を使用できることが当業者に明らかであろう。例えば、本発明の実施形態は、ＰＭＤ層を堆積することについて説明したが、他の実施形態は、他の層を堆積することに向けられてもよい。更に、本発明を不必要に不明瞭にしないために、多数の良く知られたプロセス及び要素については説明しなかった。従って、以上の説明は、本発明の範囲を何ら限定するものではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲により限定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来の堆積技術を使用して酸化物が充填されたトレンチを示す簡単な断面図である。
【図２】本発明の実施形態による酸化物充填トレンチの簡単な断面図である。
【図３】本発明の実施形態による第１堆積プロセスを示す図である。
【図４】本発明の実施形態による第２堆積プロセスを示す図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態によるＣＶＤ装置の簡単な図である。
【図５Ｂ】多チャンバシステムの堆積チャンバに対するＣＶＤシステムのユーザインターフェイスを簡単に示す図である。
【図５Ｃ】堆積チャンバに対するガスパネルと供給管路を簡単に示す図である。
【図６】本発明の実施形態による集積回路の一部分の簡単な断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１００…トレンチ、１０２…酸化シリコン、１０４…ボイド、２００…トレンチ構造体、２０２…酸化物層、２０４…適合層、２０６…キャップ層、５１０…ＣＶＤシステム、５１２…エンクロージャーアッセンブリ、５１５…真空チャンバ、５１６…ガス反応エリア、５２０…ガス分配プレート、５２５…ヒータ、５２７…ガス混合ボックス、５２８…バルブ、５３０…ＣＶＤ装置チャンバ、５４０…環状ポンピングチャンネル、５４３…プロセスガス供給管路、５４７…洗浄／エッチングガスコンジット、５５０…プロセッサ、５５３…制御システム、５５５…リモートマイクロ波プラズマシステム、５６３…スロットルバルブシステム、５７０…メモリ、５７３ａ…ＣＲＴモニタ、５７３ｂ…ライトペン、５７５…メインフレームユニット、５８０…ガス供給パネル、５８８…真空システム、５８９…ガス配送システム、７００…集積回路、７０３、７０６…トランジスタ、７２０…酸化物充填トレンチ分離構造体、７２１…プリメタル誘電体（ＰＭＤ）層、７２４…コンタクト、７４０、７４２、７４４、７４６…メタル層、７３０…平坦化された不動態化層
【図１】
2007519242.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2007519242.tif 000008
【図５Ｃ】
2007519242.tif 000009
【図６】
2007519242.tif 000010
【国際調査報告】
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2007519242.tif 000012
2007519242.tif 000013