【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む複数の発光領域と、前記発光領域の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１半導体層上に配置される第１電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２半導体層上に配置される第２電極部と、
隣接する発光領域のいずれか一方の第１半導体層と、残りの他方の第２半導体層とを電気的に連結する連結電極と、
前記発光領域のうち少なくとも一つの第２半導体層上に配置される中間パッドと
を含み、
前記発光領域は、前記連結電極により直列連結される、発光素子。
【請求項２】
第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む複数の発光領域と、前記発光領域の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１半導体層上に配置される第１電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２半導体層上に配置される第２電極部と、
隣接する発光領域のいずれか一方の第１半導体層と、残りの他方の第２半導体層とを電気的に連結する連結電極と、
前記発光領域のうち少なくとも一つの第１半導体層上に配置される中間パッドと
を含み、
前記発光領域は、前記連結電極により直列連結される、発光素子。
【請求項３】
前記中間パッドは、
前記第１電極部及び前記第２電極部が位置する発光領域を除外した残りの発光領域のうち少なくとも一つの発光領域の第２半導体層上に配置される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記中間パッドは、
前記第１電極部及び前記第２電極部が位置する発光領域を除外した残りの発光領域のうち少なくとも一つの発光領域の第１半導体層上に配置される、請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１電極部及び前記第２電極部のそれぞれは、電源が供給されるパッドを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結される、請求項１、３、及び５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記複数の発光領域及び前記境界領域上に配置される絶縁層をさらに含み、前記連結電極は、前記絶縁層上に配置される、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
同一の発光領域内に位置する前記中間パッドは、前記絶縁層上において前記連結電極と離隔して配置された、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
同一の発光領域内に位置する前記中間パッドは、前記絶縁層上において前記連結電極と一体に配置された、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記連結電極は、
前記絶縁層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第２半導体層と接触する第１部分を含む、請求項７ないし９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記連結電極は、
前記絶縁層、前記第２半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第１半導体層と接触する第２部分をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第２部分と前記第２半導体層との間、及び前記第２部分と前記活性層との間に配置される、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記連結電極の第２部分の下面は、前記活性層の下面よりも下に位置する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記発光構造物の下に配置される基板と、
前記発光領域と前記絶縁層との間に配置される伝導層とをさらに含む、請求項７ないし１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第２部分は、前記伝導層を貫通する、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記絶縁層は、前記第２部分と前記伝導層との間に配置された、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１電極部は第１電源の印加を受け、前記第２電極部及び前記中間パッドのうち少なくとも一つは第２電源の印加を受ける、請求項１、３、及び５ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１電極部及び前記中間パッドのうち一つは第１電源の印加を受け、前記第２電極部は第２電源の印加を受ける、請求項２、４、及び５ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１８】
第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む複数の発光領域と、前記発光領域の間
に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記発光領域のうちいずれか一つの第１半導体層上に配置される第１電極部と、
前記複数の発光領域のそれぞれの第２半導体層の下に配置される金属層と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２半導体層の下に配置される金属層と電気的に連結される第２電極部と、
前記金属層の相互間を電気的に絶縁させる絶縁層と、
隣接する発光領域のいずれか一方の第１半導体層と、残りの他方の第２半導体層とを電気的に連結する連結電極と、
前記発光領域のうち少なくとも一つの第１半導体層上に配置される中間パッドと
を含み、
前記発光領域は、前記連結電極により直列連結される、発光素子。
【請求項１９】
前記金属層は、
オーミック層（ｏｈｍｉｃ  ｌａｙｅｒ）及び反射層（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記中間パッドは、
前記第１電極部が位置する発光領域と、前記第２電極部と電気的に連結される発光領域とを除外した発光領域のうち少なくとも一つの発光領域の第１半導体層上に配置される、請求項１８又は１９に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記複数の発光領域及び前記境界領域上に配置されるパッシベーション層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）をさらに含み、前記連結電極は、前記パッシベーション層上に配置される、請求項１８ないし２０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２２】
前記連結電極は、
前記パッシベーション層、前記第１半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第２半導体層と接触する少なくとも一つの第１部分と、
前記パッシベーション層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第１半導体層と接触する少なくとも一つの第２部分とを含み、
前記パッシベーション層は、前記第１部分と前記第１半導体層との間、及び前記第１部分と前記活性層との間に配置される、請求項１８ないし２１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２３】
前記第２電極部は、
前記複数の発光領域のうち前記他のいずれか一つの第２半導体層の下に配置される金属
層と電気的に連結されるバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）と、
前記バリア層の下に配置される支持層とを含む、請求項１８ないし２２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２４】
前記連結電極、または中間パッドと対応して各発光領域の第２半導体層と金属層との間に配置され、垂直方向に前記連結電極または前記中間パッドと少なくとも一部がオーバーラップされる電流遮断層をさらに含む、請求項１８ないし２３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２５】
前記絶縁層は、
前記第２電極部と電気的に連結される前記他のいずれか一つの金属層を除外した金属層と前記第２電極部の相互間を電気的に絶縁させる、請求項１８ないし２４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２６】
前記連結電極は、前記第１の前記第１半導体層と点接触する、請求項１ないし２５のいずれかに記載の発光素子。