【事件の表示】
　特願２０１３−　４９１２６「ガス流分布が改善された熱反応器」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月２４日出願公開、特開２０１３−２１９３４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２０年（２００８年）１２月１８日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００７年１２月２０日，米国）とする特願２０１０−５３９８２０号の一部を平成２５年３月１２日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　４月１０日　審査請求・手続補正
平成２６年　３月２０日　拒絶理由通知
平成２６年　７月　８日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２４日　拒絶査定
平成２７年　７月　２日　審判請求・手続補正
平成２７年１２月１１日　上申書
平成２８年　６月　９日　拒絶理由通知
平成２８年　９月１２日　意見書・手続補正
平成２８年１０月　４日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２９年　１月１１日　意見書・手続補正
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項８に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２９年１月１１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項８に記載された，次のとおりのものと認める。
「【請求項８】
　基板を処理する方法において，
　処理空間を画定する基部リングを有する処理チャンバを提供するステップであって，前記基部リングが前記基部リングの対向する両側に形成された入口ポートおよび出口ポート，および前記処理空間内に設けられた基板支持体を有するステップと，
　前記基板を処理空間内の前記基板支持体上に位置決めするステップと，
　前記基板の中心軸の周りで，前記基板を連続して回転させるステップと，
　前記入口ポートから前記出口ポートへ処理ガスの第１のガス流を提供するステップであって，前記第１のガス流が，前記入口ポートの幅に沿って均等に分布された複数の注入孔から誘導され，前記第１のガス流が，前記入口ポート内に配置された入口カートリッジによって提供され，前記入口カートリッジが細長い流れチャネルを有し，前記細長い流れチャネルが，前記細長い流れチャネルの対向する両端に形成された２つの入力ポートに接続され，前記細長い流れチャネルに沿って，複数の出力孔が均等に分布するステップと，
　前記処理チャンバの前記入口ポートと前記出口ポートの間の側面を貫通するように形成された側面ポートから前記処理空間へ，処理ガスの第２のガス流を提供するステップであって，前記側面ポート付近の前記基板の縁部の回転方向が，前記第１のガス流の方向とほぼ反対となっているステップと，
　フランジにより前記基部リングの前記出口ポートに結合された排出アセンブリを使用して，前記処理空間からガス流をポンプで吸い出すステップであって，前記排出アセンブリが，前記処理空間から前記第１のガス流の方向に拡張する排出空間を画定し，前記排出空間が前記フランジにより前記出口ポートに結合される広い端部および真空ポンプに結合された狭い端部を有するテーパ形状を有するステップとを含む方法。」
（２）引用文献１の記載
　ア　引用文献１
　当審拒絶理由で引用された特表２００７−５１５０５９号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は，急速熱処理装置に関するものであり，特に，急速熱処理装置のそれぞれの構成要素に対する改善及び，それぞれの構成要素に冷却システムが独立的に採用された急速熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　
ウエハを熱処理する装備の代表例として，急速熱処理装置（ＲＴＰ）があり，急速熱処理装備は，急速熱アニール，急速熱洗浄，急速熱化学蒸着，急速熱酸化，急速熱窒化処理を遂行するために使用される。
（イ）「【００１５】
　ところで，円形チャンバに適当な円形形態のガスノズルの設計は，非常に複雑である。すなわち，図２のようにチャンバの上層部，中層部，下層部の断面積が異なるので，波の波動の形態のようにガスの流れが発生しないように製造しなければならない。そのためには，多くの費用と時間を必要とするので，実に難しいことである。したがって，このような効果を得るために，
ウエハを回転させる方法を選択している。
ウエハ面での均一なガスの流れを得ることができる。
（ウ）「【課題を解決するための手段】
【００１９】
　前記技術的課題を達成するための本発明による急速熱処理装置は，一側壁にはプロセスガス噴射口（processing gas injection port）があり，前記一側壁の反対側の側壁には，プロセスガス排気口（processing gas exhaust port）があるチャンバ，前記チャンバ内部に設けられてウエハを加熱する熱源装置，前記熱源装置の下側に位置するように前記チャンバに設けられる石英窓，前記石英窓の下側に位置するように，前記チャンバに設けられるエッジリング（Edge Ring）支持台，前記エッジリング支持台の上部に設けられ，
上面にウエハが安着されるエッジリング
（エ）「【００３１】
　図３は，本発明の実施例による急速熱処理装置の概略図で，図４は，図３による急速熱処理装置のa−b線による断面図，図５は，図３による急速熱処理装置のc-d 線による断面図，図６は，図３による急速熱処理装置のe-e 線による断面図，図７は，図４による急速熱処理装置の'A' 部分の拡大図，図８は，図３による急速熱処理装置のf-f 線による断面図と，図９は，図４による急速熱処理装置の'B'部分の拡大図である。
【００３２】
　図３ないし図５を参照すれば，本発明の実施例による急速熱処理装置は，
プロセスガス噴射口（１２３）及び排気口（１３０）が形成されたチャンバ（１００）
エッジリング（４００）
【００３３】
　図３を参照すれば，チャンバ（１００）の内面（１１０）は，互いに離隔されており，同じ半径と中心を有する複数の弧（１１１）と，弧と弧を連結する直線（１１２）からなる多重線形態の横断面を有する。この時，弧（１１１）の中心角は，弧（１１１）と直線（１１２）の接点での弧（１１１）と直線（１１２）をなす角度が鈍角となるようにする。本実施例では中心角が１５〜５０度の４個の弧（１１１）が左右及び前後対向するようにし，４個の直線（１１２）が斜線方向に対向するようにした。弧（１１１）及び直線（１１２）の個数と，弧（１１１）の中心角は，多様の変形が可能であることはいうまでもない。したがって，本発明の実施例によるチャンバによれば，従来の円形チャンバと四角チャンバの長所を維持しながら短所を克服できる。
【００３４】
　図３，図４及び６を参照すれば，
プロセスガス噴射口（１２３）は，チャンバの一側壁に設けられ，その一側壁の反対側の側壁にプロセスガス排気口（１３０）が形成される。ウエハが安着された高さでプロセスガス（processing gas）が流れる
【００３５】
　この時，
プロセスガスの均一な噴射のためにプロセスガス噴射口（１２３）は，プロセスガス噴射ノズル（１２１）と連結する噴射管（１２２）に横方向に一列になるように形成される。したがって，プロセスガス噴射ノズル（１２１）から噴射されたプロセスガスは，噴射管（１２２）内に流入されて，噴射圧力が低くなり，その状態で複数の噴射口（１２３）を介して噴射されるので，プロセスガスがウエハの全面にわたって均一に分布される。
二つの排気口（１３０）が一列に形成される。
（オ）「【００４０】
　図３，図４，図５及び図９を参照すれば，
エッジリング支持台（３００）は，
，チャンバに設けられる回転機構部（３１０）と，
連結され
（カ）図３には，
チャンバ１００の処理空間内にエッジリング４００を有すること
（キ）図６には，
チャンバ壁により画定された，略八角形状の「処理空間」とその右側直線状の「入口ポート」と左側２つの屈曲点を有する折れ線状の「出口ポート」があること，チャンバ壁は処理空間を囲んでいること，プロセスガス噴射口１２３から入口ポートを通って処理空間内にプロセスガスが導入され，処理空間内から出口ポートを通ってプロセス排気口１３０へプロセスガスが排出されること，噴射管１２２の長さは入口ポートの幅に等しいこと，フランジによりチャンバ壁に結合される排気口１３０がテーパ形状を有すること，
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ウエハを熱処理する方法において，チャンバ壁により画定された，処理空間とその対向する両側にある入口ポートと出口ポートを有するチャンバを提供するステップであって，チャンバの処理空間内にエッジリングを有するステップと，ウエハを処理空間内に設けられたエッジリングに安着するステップと，ウエハを回転させるステップと，プロセスガス噴射口から入口ポートを通って処理空間内にプロセスガスが導入され，処理空間内から出口ポートを通ってプロセスガス排気口へプロセスガスが排出されるステップであって，プロセスガスの均一な噴射のためにプロセスガス噴射口は，入口ポートの幅の長さの噴射管に横方向に一列になるように形成され，プロセスガスは，噴射管内に流入されて，噴射圧力が低くなり，その状態で複数の噴射口を介して噴射されるステップと，フランジによりチャンバ壁に結合される排気口がテーパ形状を有するステップとを含む方法。」
（３）引用文献２の記載
　ア　引用文献２
　当審拒絶理由で引用された特開２００３−１０９９９３号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【００１５】また，スリットバルブインサート３０の通路２２上側の壁部内には，パージガスが供給されるガス室２４が設けられている。通路２２とガス室２４との間に形成された壁部３２には，通路２２とガス室２４とを連通する複数の孔２６が形成されている。図１は，図４のＩ−Ｉ線に沿っての断面図である。図示するように，
通路２２とガス室２４とを連通する複数の孔２６は，すべて同径であり，通路２２が延びる方向に対して横方向に沿ってほぼ等間隔で１列に配置されている。ガス室２４の壁面のうち孔２６の列が延びる方向において対向する１対の壁面３８及び４０内には，パージガスのガス供給部２８がそれぞれ設けられている。
【００１６】このように，
孔２６の列が延びる方向において両側に設けられたガス供給部２８からガス室２４内にパージガスが供給されるため，それぞれのパージガスの流れがミキシングされガス室２４内のガス圧がほぼ均一となる。したがって，図１の一点鎖線により概念的に示すように，それぞれの孔２６から噴き出すパージガスの流量が同等となる。
（イ）図１には，ガス室２４内に
細長いガス流
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ほぼ等間隔で一列に配置された孔の列が延びる方向において両側に設けられたガス供給部からガス室内にガスが供給され細長いガス流が形成され，それぞれの孔から吹き出すガスの流量が同等となること。」
（４）引用文献３の記載
　ア　引用文献３
　当審拒絶理由で引用された特開２０００−３４９０３０号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は，化学気相反応によって半導体基板上に薄膜を形成する，あるいは基板表面をエッチングするなどして，その基板を高品質化したり，あるいは基板上に集積回路の形成を行なう気相反応処理技術に係り，特に，
熱化学気相成長法によってシリコンウェーハ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長するに際し
（イ）「【0021】
チャンバー7の図でA側面にはガス導入口4‐a,4‐b,4‐cが配置され，同入口から例えば，キャリアガスである水素(H
2
)と原料ガスであるトリクロロシラン(SiHCl
3
)の混合ガスが吹出される。前記ガスは，加熱されたシリコンウェーハ1の上の空間で反応し，基板表面にシリコンのエピタキシャル膜が成長する。基板上を流れたガスは排気口13を通って反応チャンバー7の外に排出される。
（ウ）「【0033】
【実施例】実施例1
図1〜図3に示す前述の構成例1において，サセプター3は図示されていない回転機構により，
載置されたシリコンウェーハ1と共に，回転され，シリコンウェーハ1の表面に成長したエピ膜の厚みが均一化されるようになっている。
（エ）「【0046】実施例2
図5に示す構成例3の反応装置において，
【0047】この
エピ装置では，付加的なガス導入口9の原料ガス(SiHCl
3
/H
2
)の流量を制御する流量制御装置11‐a,11‐cと，キャリアガス(H
2
)の流量を制御する流量制御装置12‐a,12‐cが備え付けられている。
・・・
【0051】付加的な導入口9から吹出すガス流量を増加し過ぎるとウェーハ面全体の膜厚分布が乱され，導入口4‐a,4‐b,4‐cのガス流量設定の調整が煩雑になる場合が生じる。このような場合には流量制御装置11‐a,11‐cの設定を下げ，導入口9から吹出すガス流量を下げ，流量制御装置12‐a,12‐cの設定を上げ導入口9から吹出すガスの原料ガス濃度を高めることによって
ウェーハ全面の分布を乱すことなく，選択的にウェーハ11の端部の膜厚分布のみ調整することが可能となった。
（オ）図５には，
チャンバー７の側面にガス導入口が配置され，シリコンウェハ１を介して反対側の側面に排出口１３が配置され，ガス導入口と排出口の間の側面に付加的なガス導入口９を設け，一方の付加的なガス導入口９付近のシリコンウェハの回転方向が，ガス導入口から排出口へのガス流の方向とほぼ反対となっていること，
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「チャンバーの側面にガス導入口が配置され，シリコンウェハを介して反対側の側面に排出口が配置され，ガス導入口と排出口の間の側面に付加的なガス導入口を設け，一方の付加的なガス導入口付近のシリコンウェハの回転方向が，ガス導入口から排出口へのガス流の方向とほぼ反対となっていること。」
（５）引用文献４の記載
　ア　引用文献４
　当審拒絶理由で引用された特開平０２−０４３３６６号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「多重反射法により，Ｓｉ膜面の堆積を行なった。第１図の十字チャンバー１０の中央に，試料台２を固定する。十字チャンバー１０は２個の角チャンバー（２５０ｍｍ×２５０ｍｍ×４５０ｍｍ）を組合せたものである。
チャンバー１０の一つのコーナーに反応性ガス状物の板状気流４を発生するノズル室１を，その反対のコーナーに真空ポンプ吸気口３を取付けて，板状気流４を形成した。
真空排気口
（イ）第１図には，
テーパ形状の真空排気口の狭い端部に真空ポンプ吸気口３を取り付けること
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「板状気流を形成するために，テーパ形状の真空排気口の狭い端部に真空ポンプ吸気口を取り付けること。」
（６）本願発明と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「ウエハを熱処理する方法」は，下記相違点を除いて本願発明の「基板を処理する方法」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１の「チャンバ壁」は処理空間を囲んでいる（前記（２）ア（キ））から本願発明の「基部リング」に相当し，引用発明１の「エッジリング」はウエハを安着するから本願発明の「基板支持体」に相当し，すると，引用発明１の「チャンバ壁により画定された，処理空間とその対向する両側にある入口ポートと出口ポートを有するチャンバを提供するステップであって，チャンバの処理空間内にエッジリングを有するステップ」は，本願発明の「処理空間を画定する基部リングを有する処理チャンバを提供するステップであって，前記基部リングが前記基部リングの対向する両側に形成された入口ポートおよび出口ポート，および前記処理空間内に設けられた基板支持体を有するステップ」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明１の「ウエハを処理空間内に設けられたエッジリングに安着するステップ」は，本願発明の「前記基板を処理空間内の前記基板支持体上に位置決めするステップ」に相当すると認められる。
　エ　引用発明１の「ウエハを回転させるステップ」は，本願発明の「前記基板の中心軸の周りで，前記基板を連続して回転させるステップ」に相当すると認められる。
　オ　引用発明１の「プロセスガス噴射口」，「プロセスガス」及び「噴射管」は，それぞれ本願発明の「注入孔（出力孔）」，「処理ガス」及び「入口カートリッジ」に相当し，すると，引用発明１の「プロセスガス噴射口から入口ポートを通って処理空間内にプロセスガスが導入され，処理空間内から出口ポートを通ってプロセスガス排気口へプロセスガスが排出されるステップであって，プロセスガスの均一な噴射のためにプロセスガス噴射口は，入口ポートの幅の長さの噴射管に横方向に一列になるように形成され，プロセスガスは，噴射管内に流入されて，噴射圧力が低くなり，その状態で複数の噴射口を介して噴射されるステップ」は，下記相違点１を除いて，本願発明の「前記入口ポートから前記出口ポートへ処理ガスの第１のガス流を提供するステップであって，前記第１のガス流が，前記入口ポートの幅に沿って均等に分布された複数の注入孔から誘導され，前記第１のガス流が，前記入口ポート内に配置された入口カートリッジによって提供され，前記入口カートリッジが細長い流れチャネルを有し，前記細長い流れチャネルに沿って，複数の出力孔が均等に分布するステップ」に相当すると認められる。
　カ　そして，本願発明と引用発明１とは，下記キの点で一致し，下記クの点で相違すると認められる。
　キ　一致点
「基板を処理する方法において，
　処理空間を画定する基部リングを有する処理チャンバを提供するステップであって，前記基部リングが前記基部リングの対向する両側に形成された入口ポートおよび出口ポート，および前記処理空間内に設けられた基板支持体を有するステップと，
　前記基板を処理空間内の前記基板支持体上に位置決めするステップと，
　前記基板の中心軸の周りで，前記基板を連続して回転させるステップと，
　前記入口ポートから前記出口ポートへ処理ガスの第１のガス流を提供するステップであって，前記第１のガス流が，前記入口ポートの幅に沿って均等に分布された複数の注入孔から誘導され，前記第１のガス流が，前記入口ポート内に配置された入口カートリッジによって提供され，前記入口カートリッジが細長い流れチャネルを有し，前記細長い流れチャネルに沿って，複数の出力孔が均等に分布するステップと，
　を含む方法。」
　ク　相違点
（ア）相違点１
　本願発明は「細長い流れチャネルが，前記細長い流れチャネルの対向する両端に形成された２つの入力ポートに接続され」るが，引用発明１の噴射管がその両端に形成された２つの入力ポートに接続されるか不明である点。
（イ）相違点２
　本願発明は「前記処理チャンバの前記入口ポートと前記出口ポートの間の側面を貫通するように形成された側面ポートから前記処理空間へ，処理ガスの第２のガス流を提供するステップであって，前記側面ポート付近の前記基板の縁部の回転方向が，前記第１のガス流の方向とほぼ反対となっているステップ」を含むのに対し，引用発明１はこのステップを含まない点。
（ウ）相違点３
　本願発明は「フランジにより前記基部リングの前記出口ポートに結合された排出アセンブリを使用して，前記処理空間からガス流をポンプで吸い出すステップであって，前記排出アセンブリが，前記処理空間から前記第１のガス流の方向に拡張する排出空間を画定し，前記排出空間が前記フランジにより前記出口ポートに結合される広い端部および真空ポンプに結合された狭い端部を有するテーパ形状を有するステップ」を含むのに対し，引用発明１の「フランジによりチャンバ壁に結合される排気口がテーパ形状を有するステップ」における排出口が真空ポンプに結合されるか不明である点。
（７）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用発明２には「ほぼ等間隔で一列に配置された孔の列が延びる方向において両側に設けられたガス供給部からガス室内にガスが供給され細長いガス流が形成され」ることで「それぞれの孔から吹き出すガスの流量が同等となること」が開示されており，引用発明１においてガス圧をほぼ均一にするために，引用発明２を採用することで，相違点１に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
　引用発明３にはガス流の均一化が求められるチャンバにおいて，「ガス導入口と排出口の間の側面に付加的なガス導入口を設け，一方の付加的なガス導入口付近のシリコンウェハの回転方向が，ガス導入口から排出口へのガス流の方向とほぼ反対となっていること」が開示されているので，実質的にガス流を均一とする引用発明１において，引用発明３を採用することは，当業者が容易に想到することであり，その際に，引用発明１においてはチャンバの側面がチャンバ壁により画定されているから，これを貫通することで付加的なガスを導入するようにすることは，当業者が容易に設計できることである。
　ウ　相違点３について
　引用発明４には「板状気流を形成するために，テーパ形状の真空排気口の狭い端部に真空ポンプ吸気口を取り付けること」が開示されており，引用発明１においてプロセスガスを均一な板状気流とするために，引用発明４を採用することで相違点３に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
（８）本願発明の効果について
　本願発明の効果は，引用発明１ないし４の構成から当業者が予測できるものであり，格別のものではない。
（９）まとめ
　よって，本願発明は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　結言
　以上のとおり，本願の請求項８に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。