【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全偶数ラインに対応する第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすることと；
全奇数ラインに対応する第２のサンプルを生成するため前記１回目より短い２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることと；
第１の関数に基づいて規定される第１の可変重み付け係数を前記第１のサンプルに適用することと；
第２の関数に基づいて規定される第２の可変重み付け係数を前記第２のサンプルに適用することと；
重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを次式に従って合成することと；
ＳＣＯＭＢＩＮＥＤ（ｉ，ｊ）＝ＳＬＯＮＧ（ｉ，ｊ）＊Ｍ（ｉ，ｊ）＋ｎ＊ＳＳＨＯＲＴ（ｉ，ｊ）＊（１−Ｍ（ｉ，ｊ））
但し、ＳＣＯＭＢＩＮＥＤは、（ｉ，ｊ）に位置する画素セルについて、ＳＳＨＯＲＴによって示された前記第１のサンプルと、ＳＬＯＮＧによって示された前記第２のサンプルの合成を示し、ｎは、前記１回目と前記２回目との間の露光時間の差に依存するスカラ値を示し、Ｍ（ｉ，ｊ）は前記第２の可変重み付け係数を示す、
を備え、
重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを合成することはＡ／Ｄ変換器を介して変換され、メモリに記憶される前記全偶数ラインを読み出すことと、前記Ａ／Ｄ変換器を介して変換される前記全偶数ラインを読み出すことと、前記全奇数ラインの変換値と合成するために前記全偶数ラインの変換値を前記メモリから検索することとを備える、方法。
【請求項２】
Ｍ（ｉ，ｊ）の値は、０と１を含む０と１の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記２回目は、時間的に前記１回目の後である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の画素セル信号と前記第２の画素セル信号は、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）画像センサと電荷結合素子（ＣＣＤ）画像センサのうちの１つによって生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
全偶数ラインに対応する第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすること及び全奇数ラインに対応する第２のサンプルを生成するため前記１回目より短い２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることとは、
前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つ上の機械シャッターを開き、前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つを露光することと；
１回目に、前記露光に基づいて展開された第１のサンプルを記憶領域へ転送することと；
前記記憶領域から前記第１のサンプルを読み出すことと；
時間的に前記１回目の後である２回目に前記機械シャッターを閉じることと；
第２のサンプルを前記記憶領域へ転送することと；
前記記憶領域から前記第２のサンプルを読み出すことと；
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすること及び第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることとは、
前記１回目が前記２回目と実質的に同時に終了するように、前記１回目と前記２回目を合わせることと、
複数の偶数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルを生成するため前記１回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つの前記複数の偶数番号のラインを露光すること及び複数の奇数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルを生成するため前記２回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つの前記複数の奇数番号のラインを露光することと、
前記複数の偶数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の奇数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第１のサンプルを生成することと、
前記複数の奇数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の偶数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第２のサンプルを生成することと、
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすること及び第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることとは、
画素セルをリセットし、前記画素セルを露光することと、
１回目に、前記露光に基づいて展開された第１のサンプルをキャパシタへ転送することと、
２回目に、前記露光に基づいて展開された第２のサンプルを読み出すことと、
前記第２のサンプルが読み出された後で、前記第１のサンプルを読み出すことと、
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
複数の画素セルと、
全偶数ラインに対応する第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号を、前記複数の画素セルのうちの少なくとも１つから、サンプリングし、
全奇数ラインに対応する第２のサンプルを生成するため前記１回目より短い２回目に第２の画素セル信号を、前記複数の画素セルのうちの少なくとも１つから、サンプリングするコントローラと、
を備える画像センサと；
第１の関数に基づいて規定される第１の可変重み付け係数を前記第１のサンプルに適用し、
第２の関数に基づいて規定される第２の可変重み付け係数を前記第２のサンプルに適用し、
重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを次式に従って合成する、プロセッサと；
ＳＣＯＭＢＩＮＥＤ（ｉ，ｊ）＝ＳＬＯＮＧ（ｉ，ｊ）＊Ｍ（ｉ，ｊ）＋ｎ＊ＳＳＨＯＲＴ（ｉ，ｊ）＊（１−Ｍ（ｉ，ｊ））
但し、ＳＣＯＭＢＩＮＥＤは、（ｉ，ｊ）に位置する画素セルについて、ＳＳＨＯＲＴによって示された前記第１のサンプルとＳＬＯＮＧによって示された前記第２のサンプルの合成を示し、ｎは、前記１回目と前記２回目との間の露光時間の差に依存するスカラ値を示し、Ｍ（ｉ，ｊ）は前記第２の可変重み付け係数を示す、
を備え、
前記プロセッサは、Ａ／Ｄ変換器を介して変換され、メモリに記憶される前記全偶数ラインを読み出し、前記Ａ／Ｄ変換器を介して変換される前記全偶数ラインを読み出し、前記全奇数ラインの変換値と合成するために前記全偶数ラインの変換値を前記メモリから検索することによって重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルをセンサ上で合成する、システム。
【請求項９】
Ｍ（ｉ，ｊ）の値は、０と１を含む０と１の間である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記２回目は、時間的に前記１回目の後である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１の画素セル信号と前記第２の画素セル信号は、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）画像センサと電荷結合素子（ＣＣＤ）画像センサのうちの１つによって生成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記コントローラは少なくとも、
前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つ上の機械シャッターを開き、前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つを露光することと；
１回目に前記露光に基づいて展開された第１のサンプルを記憶領域へ転送することと；
前記記憶領域から前記第１のサンプルを読み出すことと；
時間的に前記１回目の後である２回目に前記機械シャッターを閉じることと；
第２のサンプルを前記記憶領域へ転送することと；
前記記憶領域から前記第２のサンプルを読み出すことと；
によって、全偶数ラインに対応する第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングし、全奇数ラインに対応する第２のサンプルを生成するため前記１回目より短い２回目に第２の画素セル信号をサンプリングする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記コントローラは少なくとも、
前記１回目が前記２回目と実質的に同時に終了するように、前記１回目と前記２回目を合わせることと；
複数の偶数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルを生成するため前記１回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つの前記複数の偶数番号のラインを露光すること及び複数の奇数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルを生成するため前記２回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つの前記複数の奇数番号のラインを露光することと；
前記複数の偶数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の奇数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第１のサンプルを生成することと；
前記複数の奇数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の偶数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第２のサンプルを生成することと；
によって、第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングし、第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コントローラは少なくとも、
画素セルをリセットし、前記画素セルを露光することと；
１回目に、前記露光に基づいて展開された第１のサンプルをキャパシタへ転送することと；
２回目に、前記露光に基づいて展開された第２のサンプルを読み出すことと；
前記第２のサンプルが読み出された後で、前記第１のサンプルを読み出すことと；
によって、第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングし、第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
全偶数ラインに対応する第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングするための手段と；
全奇数ラインに対応する第２のサンプルを生成するため前記１回目より短い２回目に第２の画素セル信号をサンプリングするための手段と；
第１の関数に基づいて規定される第１の可変重み付け係数を前記第１のサンプルに適用するための手段と；
第２の関数に基づいて規定される第２の可変重み付け係数を前記第２のサンプルに適用するための手段と；
重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを次式に従って合成するための手段と；
ＳＣＯＭＢＩＮＥＤ（ｉ，ｊ）＝ＳＬＯＮＧ（ｉ，ｊ）＊Ｍ（ｉ，ｊ）＋ｎ＊ＳＳＨＯＲＴ（ｉ，ｊ）＊（１−Ｍ（ｉ，ｊ））
但し、ＳＣＯＭＢＩＮＥＤは、（ｉ，ｊ）に位置する画素セルについて、ＳＳＨＯＲＴによって示された前記第１のサンプルとＳＬＯＮＧによって示された前記第２のサンプルとの合成を示し、ｎは、前記１回目と前記２回目との間の露光時間の差に依存するスカラ値を示し、Ｍ（ｉ，ｊ）は前記第２の可変重み付け係数を示す、
を備え、
重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを合成するための手段はＡ／Ｄ変換器を介して変換され、メモリに記憶される前記全偶数ラインを読み出す手段と、前記Ａ／Ｄ変換器を介して変換される前記全偶数ラインを読み出す手段と、前記全奇数ラインの変換値と合成するために前記全偶数ラインの変換値を前記メモリから検索する手段とを備える、システム。
【請求項１６】
Ｍ（ｉ，ｊ）の値は、０と１を含む０と１の間である、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記２回目は、時間的に前記１回目の後である、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第１の画素セル信号と前記第２の画素セル信号は、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）画像センサと電荷結合素子（ＣＣＤ）画像センサのうちの１つによって生成される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１９】
第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングするための手段と第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングするための手段は、
前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つ上の機械シャッターを開き、前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つを露光するための手段と；
１回目に前記露光に基づいて展開された第１のサンプルを記憶領域へ転送するための手段と；
前記記憶領域から前記第１のサンプルを読み出すための手段と；
時間的に前記１回目の後である２回目に前記機械シャッターを閉じるための手段と、
第２のサンプルを前記記憶領域へ転送するための手段と；
前記記憶領域から前記第２のサンプルを読み出すための手段と；
を備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングするための手段と第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングするための手段は、
前記１回目が前記２回目と実質的に同時に終了するように、前記１回目と前記２回目を合わせるための手段と、
複数の偶数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルを生成するため前記１回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つの前記複数の偶数番号のラインを露光し、複数の奇数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルを生成するため前記２回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つの前記複数の奇数番号のラインを露光するための手段と、
前記複数の偶数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の奇数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第１のサンプルを生成するための手段と、
前記複数の奇数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の偶数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第２のサンプルを生成するための手段と、
を備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングするための手段と第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングするための手段は、
画素セルをリセットし、前記画素セルを露光するための手段と、
１回目に、前記露光に基づいて展開された第１のサンプルをキャパシタへ転送するための手段と、
２回目に、前記露光に基づいて展開された第２のサンプルを読み出すための手段と、
前記第２のサンプルが読み出された後で、前記第１のサンプルを読み出すための手段と、
を備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
１つ以上のプロセッサによって実行されるとき、前記１つ以上のプロセッサに、
全偶数ラインに対応する第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすることと；
全奇数ラインに対応する第２のサンプルを生成するため前記１回目より短い２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることと；
第１の関数に基づいて規定される第１の可変重み付け係数を前記第１のサンプルに適用することと；
第２の関数に基づいて規定される第２の可変重み付け係数を前記第２のサンプルに適用することと；
重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを次式に従って合成することと；
ＳＣＯＭＢＩＮＥＤ（ｉ，ｊ）＝ＳＬＯＮＧ（ｉ，ｊ）＊Ｍ（ｉ，ｊ）＋ｎ＊ＳＳＨＯＲＴ（ｉ，ｊ）＊（１−Ｍ（ｉ，ｊ））
但し、ＳＣＯＭＢＩＮＥＤは、（ｉ，ｊ）に位置する画素セルについて、ＳＳＨＯＲＴによって示された前記第１のサンプルと、ＳＬＯＮＧによって示された前記第２のサンプルの合成を示し、ｎは、前記１回目と前記２回目との間の露光時間の差に依存するスカラ値を示し、Ｍ（ｉ，ｊ）は、前記第２の可変重み付け係数を示す、
を実行させる命令を備え、
前記１つ以上のプロセッサに、重み付けられた前記第１のサンプルと重み付けられた前記第２のサンプルを合成することを実行させる前記命令は、前記１つ以上のプロセッサに、Ａ／Ｄ変換器を介して変換され、メモリに記憶される前記全偶数ラインを読み出すことと、前記Ａ／Ｄ変換器を介して変換される前記全偶数ラインを読み出すことと、前記全奇数ラインの変換値と合成するために前記全偶数ラインの変換値を前記メモリから検索することとを実行させる命令を備える、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２３】
Ｍ（ｉ，ｊ）の値は、０と１を含む０と１の間である、請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２４】
前記２回目は、時間的に前記１回目の後である、請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２５】
前記第１の画素セル信号と前記第２の画素セル信号は、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）画像センサと電荷結合素子（ＣＣＤ）画像センサのうちの１つによって生成される、請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２６】
前記１つ以上のプロセッサに、第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすること及び第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることを実行させる命令は、前記１つ以上のプロセッサに、
前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つ上の機械シャッターを開き、前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つを露光することと；
１回目に前記露光に基づいて展開された第１のサンプルを記憶領域へ転送することと；
前記記憶領域から前記第１のサンプルを読み出すことと；
時間的に前記１回目の後である２回目に前記機械シャッターを閉じることと；
第２のサンプルを前記記憶領域へ転送することと；
前記記憶領域から前記第２のサンプルを読み出すことと；
を実行させる命令を備える、請求項２５に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２７】
前記１つ以上のプロセッサに、第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすること及び第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることを実行させる命令は、前記１つ以上のプロセッサに、
前記１回目が前記２回目と実質的に同時に終了するように、前記１回目と前記２回目を合わせることと、
複数の偶数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルを生成するため前記１回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの１つの前記複数の偶数番号のラインを露光し、複数の奇数番号のラインの各々において複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルを生成するため前記２回目に前記ＣＣＤ画像センサと前記ＣＭＯＳ画像センサのうちの前記１つの前記複数の奇数番号のラインを露光することと、
前記複数の偶数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第１のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の奇数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第１のサンプルを生成することと、
前記複数の奇数番号のラインの各々における複数の空間位置の各々について前記第２のサンプルをダウンサンプリングすること及びアップサンプリングすることのうちの１つによって、前記複数の偶数番号のラインの各々において前記複数の空間位置の各々についての前記第２のサンプルを生成することと、
を実行させる命令を備える、
請求項２６に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２８】
前記１つ以上のプロセッサに、第１のサンプルを生成するため１回目に第１の画素セル信号をサンプリングすること及び第２のサンプルを生成するため２回目に第２の画素セル信号をサンプリングすることを実行させる命令は、前記１つ以上のプロセッサに、
画素セルをリセットし、前記画素セルを露光することと、
１回目に、前記露光に基づいて展開された第１のサンプルをキャパシタへ転送することと、
２回目に、前記露光に基づいて展開された第２のサンプルを読み出すことと、
前記第２のサンプルが読み出された後で、前記第１のサンプルを読み出すことと、
を実行させる命令を備える、
請求項２６に記載のコンピュータ可読記憶媒体。