【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成され、平面視において多角形の各辺に沿って形成された素子分離トレンチと、
前記基板に形成され、前記素子分離トレンチのいずれの辺とも異なる方向に延びている第１トレンチと、
前記基板のうち前記第１トレンチの端部に位置する部分に形成された第１の第１導電型領域と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記基板は第２導電型であり、
前記第１トレンチは、前記素子分離トレンチで囲まれた領域の内側に位置しており、
さらに、前記基板に埋め込まれた第１導電型の第１埋込層を備え、
前記第１トレンチの底面は、前記第１埋込層に達するか、または前記第１埋込層よりも下に位置しており、
前記第１の第１導電型領域は前記第１埋込層に接続している半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記基板のうち前記素子分離トレンチの内側に位置する領域に形成されたトランジスタを備える半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記基板のうち前記トランジスタのドレイン領域とゲート電極の間の領域に埋め込まれた埋込絶縁膜を備える半導体装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記基板のうち前記素子分離トレンチの内側に位置する領域に形成され、前記基板よりも不純物濃度が高い第１の第２導電型領域と、
前記第１の第１導電型領域に電気的に接続する第１コンタクトと、
前記第１の第２導電型領域に電気的に接続する第２コンタクトと、
を備える半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
複数の前記第１トレンチが、前記素子分離トレンチの少なくとも一部に沿って配置されており、
前記複数の第１トレンチ毎に前記第１の第１導電型領域が形成されている半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記多角形は矩形であり、
前記複数の第１トレンチは、前記矩形のうちたがいに対向する第１辺及び第２辺に沿って配置されており、
前記第１辺に沿った前記第１トレンチは、第１の方向に延在しており、
前記第２辺に沿った前記第１トレンチは、第１の方向とは異なる第２の方向に延在しており、
前記第１の第１導電型領域は、前記第１トレンチの２つの端部のうち前記素子分離トレンチに近いほうの端部に形成されている半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第２の方向は、前記第１の方向と直交する半導体装置。
【請求項９】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第１の第１導電型領域は、前記第１トレンチの２つの端部のそれぞれに形成されている半導体装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１の第１導電型領域は、前記基板のうち前記第１トレンチの一方の端部に位置する部分に形成されており、
前記第１埋込層の上に形成され、前記第１埋込層に接する第２導電型の第２埋込層と、
前記基板のうち前記第１トレンチの他方の端部に位置する部分に形成され、前記第２埋込層に接続している第２の第２導電型領域と、
前記第１の第１導電型領域に電気的に接続する第１コンタクトと、
前記第２の第２導電型領域に電気的に接続する第３コンタクトと、
を備える半導体装置。
【請求項１１】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１埋込層の上に形成され、前記第１埋込層に接する第２導電型の第２埋込層と、
前記基板のうち前記第１トレンチの前記端部に位置する部分に形成された第２の第２導電型領域と、
を備え、
前記第１トレンチが延在する方向において、前記第１の第１導電型領域と前記第２の第２導電型領域は並んでおり、
前記第２の第２導電型領域は、前記第２埋込層に接続しており、
さらに、
前記第１の第１導電型領域に電気的に接続する第１コンタクトと、
前記第２の第２導電型領域に電気的に接続する第３コンタクトと、
を備える半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記多角形は矩形であり、
前記第１トレンチは、前記素子分離トレンチの各辺に対して３０°以上６０°以下の角度で延在している半導体装置。
【請求項１３】
基板と、
前記基板に形成され、平面視において第１方向に延びている第１トレンチと、
前記基板に形成され、平面視において前記第１方向とは異なる第２方向に延びている第２トレンチと、
前記基板のうち前記第１トレンチの端部に位置する部分に形成された第１導電型領域と、
前記基板のうち前記第２トレンチの端部に位置する部分に形成された第２導電型領域と、
を備える半導体装置。
【請求項１４】
基板と、
前記基板に形成され、平面視において第１方向に延びているトレンチと、
前記基板のうち前記トレンチの一方の端部に位置する部分に形成された第１導電型領域と、
前記基板のうち前記トレンチの他方の端部に位置する部分に形成された第２導電型領域と、
を備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、ゲート電極ＧＥ１とドレインＤＲＮ１の間には、ＳＴＩ構造の埋込絶縁膜ＳＴＩが形成されている。上記したオフセット領域ＮＯＦ１１は埋込絶縁膜ＳＴＩの下面の前面に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３（ａ）及び（ｂ）は、図２の変形例に係るトランジスタＴＲ３の構成を示す図であり、それぞれ図２（ａ）及び（ｂ）に対応している。本実施形態に係るトランジスタＴＲ３は、ｐチャネル型のトランジスタであり、図２におけるｎ型ウェルＷＬ１１、ｎ型ウェルＷＬ１２、オフセット領域ＮＯＦ１１、高濃度領域ＨＩＮＰＬ１２，ＨＩＮＰＬ１３，ＨＩＮＰＬ２１が、図２とは逆の導電型になっている。なお、図３では、分かりやすくするために、図２と同一の符号を付している。そして、図２におけるｐ型ウェルＷＬ２１に対応するウェルが、ｐ型ウェルＷＬ１１と一体になっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
高濃度領域ＨＩＮＰＬ２２は矩形である。そして、高濃度領域ＨＩＮＰＬ２２から第１導電型領域ＩＮＰＬ１１までの最短距離Ｌが、半数以上の第１導電型領域ＩＮＰＬ１１（好ましくはすべての第１導電型領域ＩＮＰＬ１１）において同一となるように、複数の第１トレンチＤＴＲ１が配置されているのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
まず、図１６に示すように、ダイオードＤＤのカソードは埋込絶縁膜ＢＩＮＳＬ１ではなく、エピタキシャル層ＥＰＩの表層に形成された低濃度のｎ型ウェルＬＷＬ１１およびｎ型ウェルＷＬ１３である。ｎ型ウェルＷＬ１３の表層に一部には、ｎ型の高濃度領域ＨＩＮＰＬ１４が形成されている。高濃度領域ＨＩＮＰＬ１４は、コンタクトＣＯＮ１５を介してカソード電極ＩＮＣ１２に接続している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
（第８の実施形態）
図２１及び図２２は、第８の実施形態に係る半導体装置ＳＤが有するダイオードＤＤの断面図である。図２３は、ダイオードＤＤの平面図である。そして、図２１は図２３のＥ−Ｅ´断面図であり、図２２は図２３のＦ−Ｆ´断面図である。本図に示すダイオードＤＤは、第１導電型領域ＩＮＰＬ１１および第２導電型領域ＩＮＰＬ２１が第１トレンチＤＴＲ１の同一端部側に形成されている点を除いて、第７の実施形態に係るダイオードＤＤと同様の構成である。