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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月14日(2015.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハであって、
ソーストリートに隣接するダイと、
前記ダイの周縁に沿ったエッジシールであって、該エッジシールは前記ダイの最後の相互接続層内に形成される第１の導電層を含む、エッジシールと、
前記最後の相互接続層および該最後の相互接続層の上の金属堆積層から成る群のうちの１つの一部として形成されるボンドパッドと、
前記ソーストリート内のめっきブスと、
（１）前記エッジシールの上で前記エッジシールから絶縁され且つ前記金属堆積層内に形成される、および（２）前記エッジシールを貫通し且つ前記エッジシールから絶縁される、から成る群のうちの１つを含む様式によって、前記ボンドパッドおよび前記めっきブスに接続されるトレースと、
を有する半導体ウェハ。
【請求項２】
前記ボンドパッドは、該ボンドパッドの前記金属堆積層の上のめっき層をさらに有する、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
半導体ダイを形成する方法であって、
複数の相互接続層を使用して半導体ウェハ上に前記半導体ダイを形成することと、
前記複数の相互接続層を使用して前記ダイの周りにエッジシールを形成することと、
金属堆積層、および前記複数の相互接続層のうちの最後の相互接続層から成る群のうちの１つを使用して、前記ダイ上にボンドパッドを形成することと、
ソーストリート内にめっきブスを形成することであって、前記エッジシールは前記ソーストリートに隣接する、形成することと、
前記ボンドパッドを前記めっきブスに結合するために、前記金属堆積層、および前記複数の相互接続層のうちの１つから成る群のうちの１つを使用してトレースを形成することと、
を含む方法。
【請求項４】
前記ボンドパッドを電解めっきすることをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
複数の半導体ダイを有するウェハ上で半導体ダイのボンドパッドをめっきする方法であって、
複数の相互接続層を使用して前記ダイを形成することと、
ソーストリート内にめっきブスを形成することであって、前記ダイは前記ソーストリートに隣接する、形成することと、
前記ダイ上にボンドパッドを形成することと、
前記ボンドパッドを前記めっきブスに電気的に結合するためのトレースを形成することと、
前記ウェハをめっき溶液内に浸すとともに前記めっきブスに電圧を印加することによって前記ボンドパッドをめっきすることと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上にある第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上にある活性層と、
前記活性層の上にある第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層の上面に前記第２導電型半導体層より小さな屈折率を有する窒化物半導体層と、
を含み、
前記窒化物半導体層の屈折率は、前記第２導電型半導体層から遠いほど減少することを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体層の屈折率が減少する方向は、前記活性層から前記第２導電型半導体層に向う方向と同一であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記窒化物半導体層の屈折率は、前記第２導電型半導体層と近い所が遠い所より大きいことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記窒化物半導体層のＡｌの組成（ｘ）は、前記第２導電型半導体層から遠いほど増加することを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体層は、ｎ型窒化物半導体層を含むことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記窒化物半導体層の上にあって前記窒化物半導体層より小さな屈折率を有する第１透光性オーミック層をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１透光性オーミック層の上にある第２電極をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１透光性オーミック層の水平幅は前記窒化物半導体層の水平幅と実質的に同一であることを特徴とする、請求項７または８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記窒化物半導体層の上にあって前記窒化物半導体層より小さな屈折率を有する透明絶縁層をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記窒化物半導体層の上にあって前記窒化物半導体層より小さな屈折率を有する第１透光性オーミック層をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第２導電型半導体層と前記窒化物半導体層との間にある第２透光性オーミック層をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至６、請求項１０、及び請求項１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第２透光性オーミック層は、前記第２導電型半導体層の屈折率と前記窒化物半導体層の屈折率との間の値を有する屈折率を備えることを特徴とする、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第２導電型半導体層の上に形成される第２電極をさらに含み、
前記第２電極は前記第２透光性オーミック層の上に形成されることを特徴とする、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２電極は前記窒化物半導体層を貫通して前記第２透光性オーミック層と接することを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記窒化物半導体層の屈折率（ｎ）は前記活性層から前記第２導電型半導体層の方向に、２．４の屈折率から２．０の屈折率に徐々に減少することを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記窒化物半導体層は、第１窒化物半導体層、第２窒化物半導体層、第３窒化物半導体層、第４窒化物半導体層、第５窒化物半導体層、第６窒化物半導体層、第７窒化物半導体層、第８窒化物半導体層、及び第９窒化物半導体層を含み、
前記第１窒化物半導体層はＧａＮであり、
前記第９窒化物半導体層はＡｌＮであることを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１透光性オーミック層で、屈折率が２．０から１．０超過に制御されることを特徴とする、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記透明絶縁層はシリコン酸化物またはシリコン窒化物を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記窒化物半導体層は、ｐ型窒化物半導体層を含むことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記窒化物半導体層は、アンドープド窒化物半導体層を含むことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインセンサを利用してシステムオンチップの全体的なメイン温度に相応する信号をメイン温度信号として発生するステップと、
複数のサブセンサを利用して前記システムオンチップのサブブロックのサブ温度にそれぞれ比例する周波数を有するパルス信号をサブ温度信号として発生するステップと、
前記メイン温度信号及び前記サブ温度信号に基づいて前記システムオンチップの動作を制御するステップと、を有することを特徴とするシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項２】
前記メインセンサと前記サブセンサは、前記システムオンチップが集積される半導体基板に共に集積されることを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項３】
前記システムオンチップの動作を制御するステップは、
少なくとも一つの温度臨界値及び前記メイン温度信号に基づいて前記メイン温度の変化を検出するステップと、
前記検出されたメイン温度の変化及び前記サブ温度信号に基づいて前記システムオンチップの全体的な動作及び前記サブブロックの個別的な動作のうち、少なくとも一つを制御するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項４】
前記メイン温度信号をセンシング周期ごとにラッチし、前のメイン温度値及び現在のメイン温度値を保存するステップと、
前記サブ温度信号のパルスを前記センシング周期ごとにカウントし、現在のサブ温度カウント値を保存するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項５】
前記システムオンチップの動作を制御するステップは、
少なくとも一つの温度臨界値、前記前のメイン温度値、及び前記現在のメイン温度値に基づいてインタラプト信号を発生するステップと、
前記インタラプト信号及び前記現在のサブ温度カウント値に基づいて前記サブブロックのそれぞれの動作速度を調節するステップと、を含むことを特徴とする請求項４に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項６】
前記サブブロックのそれぞれの動作速度を調節するステップは、
前記インタラプト信号に応答して前記現在のサブ温度カウント値の大きさを比較するステップと、
前記現在のサブ温度カウント値の大きさの比較結果に基づいて前記サブブロックのそれぞれの動作速度を調節するステップと、を含むことを特徴とする請求項５に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項７】
前記サブブロックのそれぞれの動作速度を調節するステップは、
前記インタラプト信号に応答して前記現在のサブ温度カウント値の散布度を計算するステップと、
前記現在のサブ温度カウント値の散布度に基づいて前記サブブロックのそれぞれの動作速度を調節するステップと、を含むことを特徴とする請求項５に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項８】
前記インタラプト信号を発生するステップは、
前記前のメイン温度値が温度上昇臨界値より小さく、前記現在のメイン温度値が前記温度上昇臨界値より大きい場合に温度上昇インタラプト信号を活性化するステップと、
前記前のメイン温度値が温度下降臨界値より大きく、前記現在のメイン温度値が前記温度下降臨界値より小さい場合に温度下降インタラプト信号を活性化するステップと、を含むことを特徴とする請求項５に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項９】
温度には依存しない基準周波数を有する基準クロック信号を前記センシング周期ごとにカウントして現在の基準カウント値を保存するステップと、
前記現在のサブ温度カウント値、前記現在の基準カウント値、及び前記基準周波数に基づいて前記サブ温度にそれぞれ比例する現在のサブ温度周波数を計算するステップと、
前記現在のサブ温度周波数に基づいて現在のサブ温度値を計算するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【請求項１０】
前記メインセンサに隣接して配置される付加的なサブセンサを利用して前記メイン温度に比例する周波数を有する基準パルス信号を発生するステップと、
前記基準パルス信号のパルスを前記センシング周期ごとにカウントして現在の基準カウント値を保存するステップと、
前記現在のサブ温度カウント値、前記現在のメイン温度値、及び前記現在の基準カウント値に基づいて現在のサブ温度値を決定するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のシステムオンチップの温度管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】システムオンチップの温度管理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路に関し、より詳細には、システムオンチップの温度管理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、効率的にシステムオンチップの温度を監視して制御できる温度管理方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月14日(2015.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の表面及び裏側の第二の表面を有するシリコン基材と、
該シリコン基材を貫通する複数の伝導性ビアと、
前記第一の表面に設けられたパターン付き不純物添加エピタキシャル層と
を備えたフォトダイオード・アレイであって、前記パターン付き不純物添加エピタキシャル層と前記基材とが複数のダイオード接合を形成し、パターン付きエッチングにより該ダイオード接合のアレイが画定され、前記パターン付き不純物添加エピタキシャル層は、前記複数の伝導性ビアを覆う、前記複数の伝導性ビアとの非導電性相互接続を形成する、フォトダイオード・アレイ。
【請求項２】
前記シリコン基材は、前記第一の表面を有する高抵抗エピタキシャル層を含んでいる、請求項１に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項３】
前記シリコン基材は基材層を含んでおり、前記高抵抗エピタキシャル層は該基材層よりも高い抵抗率を有し、前記高抵抗エピタキシャル層と前記基材層とは同じ不純物添加形式を有している、請求項２に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項４】
前記複数の伝導性ビアは、不純物添加多結晶シリコン填装材を内部に含んでいる、請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項５】
前記不純物添加多結晶シリコン填装材は、前記シリコン基材と異なる不純物添加形式及び／又は、前記第一の表面の前記不純物添加エピタキシャル層と同じ不純物添加形式を有している、請求項４に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項６】
前記複数の伝導性ビアを前記シリコン基材から離隔する誘電層をさらに含んでいる請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項７】
前記誘電層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）層を含んでいる、請求項６に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項８】
前記不純物添加エピタキシャル層は、前記複数のダイオード接合と前記複数の伝導性ビアとを電気的に接続し、前記複数の伝導性ビアは前記非導電性相互接続により形成された非金属製通路を通る、請求項１乃至７のいずれかに記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項９】
前記第二の表面に設けられており、前記複数の伝導性ビアにより前記複数のダイオード接合に電気的に接続されている相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電子回路をさらに含んでいる請求項１乃至８のいずれかに記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１０】
前記基材は多層Ｎ不純物添加シリコンであり、前記不純物添加エピタキシャル層はＰ不純物添加型である、請求項１乃至９のいずれかに記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１１】
前記不純物添加エピタキシャル層はＰ＋型不純物添加層であり、
前記複数の伝導性ビアは、Ｐ＋＋型不純物添加多結晶填装材を有する不純物添加多結晶シリコン填装材を内部に含んでいる、請求項１０に記載のフォトダイオード・アレイ。
【請求項１２】
金属を有さず前記第一の表面に形成される複数のフォトダイオードを備える請求項１乃至１１のいずれかに記載のフォトダイオード・アレイと、
前記裏側の第二の表面に形成される読み出し電子回路と
を備えた検出器であって、前記複数のフォトダイオードと前記読み出し電子回路とが前記複数の伝導性ビアにより電気的に接続されている、検出器。
【請求項１３】
伝導性シリコン貫通電極法を用いてシリコン基材を予備加工するステップと、
該予備加工済みシリコン基材の表面に、複数のダイオード接合を形成するように不純物添加エピタキシャル層を堆積させるステップと、
前記ダイオード接合のアレイを画定するように、前記表面にパターンをエッチングするステップと
を備え、前記パターン付き不純物添加エピタキシャル層は、前記複数の伝導性ビアを覆う、前記複数の伝導性ビアとの非導電性相互接続を形成する、フォトダイオード・アレイを製造する方法。
【請求項１４】
前記不純物添加エピタキシャル層を備えた前記表面の裏側の前記予備加工済みシリコン基材の表面に相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電子回路を製造するステップと、非イオン注入法を用いてフォトダイオード接合を形成するステップとをさらに含んでいる請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層（ｘ値は０＜ｘ＜１の範囲を有する）と、
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層の一部をエッチングした後、前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層のエッチングされた部分から成長して形成された再成長ＧａＮ層と、を有することを特徴とするパワー素子。
【請求項２】
前記基板はｎ型ＳｉＣ基板であり、
前記再成長ＧａＮ層はｐ型物質がドーピングされたｐ−ＧａＮ層であることを特徴とする請求項１に記載のパワー素子。
【請求項３】
前記パワー素子は、
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層上に形成された第１電極と、
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層が形成された前記基板の他面に形成された第２電極を更に含むショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項２に記載のパワー素子。
【請求項４】
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層は、ｎ型物質がドーピングされたｎ型炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層であることを特徴とする請求項３に記載のパワー素子。
【請求項５】
前記第１電極は、Ｎｉ、Ａｕ、ＣｕＩｎＯ２、ＩＴＯ、Ｐｔ、及びこれらの合金からなるグループより選択され、
前記第２電極は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｌ、及びＡｕからなるグループより選択されることを特徴とする請求項３に記載のパワー素子。
【請求項６】
前記基板はｐ型ＳｉＣ基板であり、
前記再成長ＧａＮ層はｎ型物質がドーピングされたｎ−ＧａＮ層であることを特徴とする請求項１に記載のパワー素子。
【請求項７】
前記パワー素子は、
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層上に形成されたゲート電極と、
前記ｎ−ＧａＮ層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を更に含む電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項６に記載のパワー素子。
【請求項８】
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層は、ｐ型物質がドーピングされたｐ型炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層であることを特徴とする請求項７に記載のパワー素子。
【請求項９】
前記ソース電極及びドレイン電極は、Ｎｉ、Ａｕ、ＣｕＩｎＯ２、ＩＴＯ、Ｐｔ、及びこれらの合金からなるグループより選択されることを特徴とする請求項７に記載のパワー素子。
【請求項１０】
前記再成長ＧａＮ層の上面は前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層の上面と同じ平面をなすことを特徴とする請求項１に記載のパワー素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パワー素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パワー素子に関し、より詳細には、漏洩電流を減少させることのできるパワー素子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、漏洩電流を
減少させることのできるパワー素子を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記基板はｎ型ＳｉＣ基板であり、前記再成長ＧａＮ層はｐ型物質がドーピングされたｐ−ＧａＮ層であり得る。
前記パワー素子は、前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層上に形成された第１電極と、前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層が形成された前記基板の他面に形成された第２電極と、を更に含むことができる。
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層は、ｎ型物質がドーピングされたｎ型炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層であり得る。
前記第１電極は、Ｎｉ、Ａｕ、ＣｕＩｎＯ２、ＩＴＯ、Ｐｔ、及びこれらの合金からなるグループより選択され、前記第２電極は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｌ、及びＡｕからなるグループより選択され得る。
前記基板はｐ型ＳｉＣ基板であり、前記再成長ＧａＮ層はｎ型物質がドーピングされたｎ−ＧａＮ層であり得る。
前記パワー素子は、前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層上に形成されたゲート電極と、前記ｎ−ＧａＮ層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を更に含むことができる。
前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層は、ｐ型物質がドーピングされたｐ型炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層であり得る。
前記再成長ＧａＮ層の上面は前記炭化ケイ素（ＳｉｘＣ１−ｘ）層の上面と同じ平面をなし得る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサと、
複数の発光パネルと、
前記複数の発光パネルのいずれか一に、それぞれに接続された、複数のＤＣ／ＤＣコンバータと、
前記光センサが取得した照度に応じて、前記複数のＤＣ／ＤＣコンバータの出力電流を制御するための電源制御回路と、を有し、
前記電源制御回路は、前記複数の発光パネルを順に点灯させ、該複数の発光パネルの点灯により前記光センサで取得される照度のばらつきに応じて、前記複数のＤＣ／ＤＣコンバータの出力電流を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
光センサと、
複数の発光パネルと、
前記複数の発光パネルのいずれか一に、それぞれに接続された、複数のＤＣ／ＤＣコンバータと、
前記光センサが取得した照度に応じて、前記複数のＤＣ／ＤＣコンバータの出力電流を制御するための電源制御回路と、を有し、
前記電源制御回路は、外光の照度を取得し、前記外光の照度に応じて前記複数の発光パネルを順に点灯させ、該複数の発光パネルの点灯により前記光センサで取得される照度のばらつきに応じて、前記複数のＤＣ／ＤＣコンバータの出力電流を制御することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光センサは、複数設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
電源制御回路が外部環境に応じて基準電流を生成し、
前記基準電流を複数のＤＣ／ＤＣコンバータのいずれか一より、複数の発光パネルのいずれか一に供給し、
前記基準電流が供給された前記発光パネルの発光による照度を光センサが取得し、
前記電源制御回路が、前記ＤＣ／ＤＣコンバータのいずれか一より該ＤＣ／ＤＣコンバータに電気的に接続された前記発光パネルに供給する、前記光センサで取得した照度をもとに得られる補正電流を出力する制御を、順に行うことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項５】
光センサにより外光の照度を検出し、
前記外光の照度に応じて、電源制御回路が基準電流を生成し、前記基準電流が複数のＤＣ／ＤＣコンバータのいずれか一より、複数の発光パネルのいずれか一に供給し、
前記基準電流が供給された前記発光パネルの発光による照度を前記光センサが取得し、
前記電源制御回路が、前記ＤＣ／ＤＣコンバータのいずれか一より該ＤＣ／ＤＣコンバータに電気的に接続された前記発光パネルに供給する、前記光センサで取得した照度をもとに得られる補正電流を出力する制御を、順に行うことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された画素電極と、
前記画素電極上に配置され、光透過が可能に備えられた対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間に介在され、少なくとも前記対向電極に向かって光を放出する有機発光層と、
前記対向電極上に配置され、前記有機発光層から放出された光が透過する第１透光層と、
前記第１透光層上の前記有機発光層から放出された光の経路上に位置し、第１屈折率を有する第１物質と、第２屈折率を有する第２物質とを含み、前記第１屈折率は、前記第２屈折率より大きく、前記第１物質は、前記第２物質内に複数個の領域が配置された第２透光層と、を備えることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２透光層上に配置された光学部材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２物質は、粘着物質を含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２透光層は、前記第１透光層に接し、粘着物質を含む第１層と、前記第１層上に配置され、前記第１物質及び前記第２物質を含む第２層と、前記第２層上に配置され、粘着物質を含む第３層と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記対向電極と前記第１透光層との間に配置された保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１物質の屈折率は、１．５以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１物質のサイズは、０．１μｍないし５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１物質は、ジルコニウム（Ｚｒ）またはケイ素（Ｓｉ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記有機発光層と前記第２透光層との距離は、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１透光層は、無機膜と有機膜とが交互に配置された複数層を備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
（ａ）基板上に、画素電極、有機発光層及び光透過が可能に備えられた対向電極を順次に形成するステップと、
（ｂ）前記対向電極上に、前記有機発光層から放出された光が透過する第１透光層を形成するステップと、
（ｃ）前記第１透光層上の前記有機発光層から放出される光の経路上に、第１屈折率を有する第１物質と、第２屈折率を有する第２物質とを含み、前記第１屈折率は、前記第２屈折率より大きく、前記第１物質は、前記第２物質内に複数個の領域が配置された第２透光層を形成するステップと、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）ステップ後に、前記第２透光層上に光学部材を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記（ｃ）ステップで、前記第２物質は、粘着物質を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記（ｃ）ステップは、前記第２透光層に接し、粘着物質を含む第１層を形成するステップと、前記第１層上に配置され、前記第１物質及び前記第２物質を含む第２層を形成するステップと、前記第２層上に配置され、粘着物質を含む第３層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記（ａ）ステップと前記（ｂ）ステップとの間に、保護層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記（ｃ）ステップで、前記第１物質の屈折率は、１．５以上であることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記（ｃ）ステップで、前記第１物質のサイズは、０．１μｍないし５μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記（ｃ）ステップで、前記第１物質は、ジルコニウム（Ｚｒ）またはケイ素（Ｓｉ）を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記有機発光層と前記第２透光層との距離は、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記（ｂ）ステップで、無機膜と有機膜とを交互に形成して複数層を備える第１透光層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記アクチュエータは、両側の油圧室に区画され、圧油が充填されたシリンダと、前記油圧室を区画し、前記シリンダ内を往復動するピストンを有する油圧シリンダであり、前記エネルギ源は油圧ポンプであることを特徴とする請求項１に記載の変形フレームの矯正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
アクチュエータには主に油圧シリンダ（油圧ダンパ）（請求項２）と電動シリンダ（電磁ダンパ）（請求項５）が使用され、エネルギ源には前者の場合に油圧ポンプが使用され、後者の場合には電源装置が使用される。アクチュエータが油圧シリンダの場合、アクチュエータは、両側の油圧室２３、２４に区画され、圧油が充填されたシリンダと、油圧室２３、２４を区画し、シリンダ内を往復動するピストンを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月20日(2016.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライナーの外周に巻回された繊維を備えるタンクについて、巻回された前記繊維の向きである配向を検査する繊維配向検査方法であって、
（ａ）前記タンクの前記検査に用いる切断面に含まれる複数の前記繊維の断面の長径と短径との比をそれぞれ算出する工程と、
（ｂ）算出された前記比の分布を算出し、前記分布に基づいて前記タンクに巻回された前記繊維の向きの揃い具合を算出する工程と、
を備える、繊維配向検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
本発明の第１の形態は、
ライナーの外周に巻回された繊維を備えるタンクについて、巻回された前記繊維の向きである配向を検査する繊維配向検査方法であって、
（ａ）前記タンクの前記検査に用いる切断面に含まれる複数の前記繊維の断面の長径と短径との比をそれぞれ算出する工程と、
（ｂ）算出された前記比の分布を算出し、前記分布に基づいて前記タンクに巻回された前記繊維の向きの揃い具合を算出する工程と、
を備える、繊維配向検査方法である。
また、本発明は、以下の形態として実現することも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
Ｂ２：変形例２：
上述の実施形態では、算出された繊維の角度のばらつきに基づいて、繊維の配向度合いが算出されている（図２、ステップＳ４０）。これに対し、繊維の角度のばらつきを求めずに、アスペクト比のばらつきに基づいて、繊維の配向度合いが算出されてもよい。例えば、アスペクト比の最頻出値から所定のアスペクト比の範囲内に存在する繊維の数が、アスペクト比を算出した繊維の数に対して、何割であるかを算出してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潤滑油が充填される軸受室を含む軸受ハウジングと、
前記軸受室内に配置される浮動ブッシュと、
前記浮動ブッシュ内に少なくとも一部が配置される回転軸と、
前記浮動ブッシュ及び前記軸受ハウジングのうち一方に設けられた凸部と、
前記浮動ブッシュ及び前記軸受ハウジングのうち他方に設けられ、前記凸部を一の方向に往復可能に受け入れる凹部とを有し、
前記浮動ブッシュの外面及び前記軸受ハウジングの内面の各々は、前記浮動ブッシュの鉛直方向にて前記浮動ブッシュの頂部を含む上側領域と前記浮動ブッシュの底部を含む下側領域からなり、
前記浮動ブッシュの外面及び前記軸受ハウジングの内面のうち、少なくとも一方の前記上側領域及び前記下側領域は、少なくとも一部で相互に異なる形状を有する軸受装置。
【請求項２】
前記一の方向は、鉛直方向に対し傾斜しており、
前記上側領域及び前記下側領域の各々は、前記浮動ブッシュの周方向にて前記凸部の位置と該凸部の位置と反対の位置との間に位置するものである請求項１に記載の軸受装置。
【請求項３】
前記浮動ブッシュの外面は、前記上側領域の少なくとも一部に凹凸部を有する請求項１又は２に記載の軸受装置。
【請求項４】
前記軸受ハウジングの内面は、横断面視において前記上側領域を形成する上部円弧と、前記下側領域を形成する下部円弧とを含み、
前記上部円弧の曲率半径は、前記下部円弧の曲率半径よりも大である請求項１又は２に記載の軸受装置。
【請求項５】
前記凸部は、前記浮動ブッシュに設けられた回り止めピンからなり、
前記凹部は、前記軸受ハウジングに設けられたガイド溝からなり、
前記ガイド溝は、鉛直方向に対し傾斜して延びている請求項１乃至４の何れか１項に記載の軸受装置。
【請求項６】
前記回転軸の少なくとも一部及び前記浮動ブッシュは、前記回転軸の少なくとも一部と前記浮動ブッシュとの間に形成されるくさび空間に存する前記潤滑油により前記回転軸の少なくとも一部にスクイズ力が作用するように構成され、
前記ガイド溝は、前記スクイズ力が作用する方向に沿って延在するように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の軸受装置。
【請求項７】
前記浮動ブッシュの外面及び前記軸受ハウジングの内面のうち少なくとも一方の形状は、前記回転軸の少なくとも一部に作用する重力と前記スクイズ力との合力を減殺する力が前記軸受ハウジングの内面から前記浮動ブッシュに作用するように形成されている請求項６に記載の軸受装置。
【請求項８】
前記浮動ブッシュの内面は、横断面視にて複数の円弧を含む請求項１乃至７の何れか１項に記載の軸受装置。
【請求項９】
前記浮動ブッシュの内面は、前記複数の円弧として、横断面視にて曲率中心位置が相対的に異なる複数の円弧を含むことを特徴とする請求項８に記載の軸受装置。
【請求項１０】
前記浮動ブッシュの内面は、曲率中心位置が相対的に異なる２つの半円筒と、該２つの半円筒の端をつなぐ少なくとも１つの段差面とを含む請求項９に記載の軸受装置。
【請求項１１】
前記複数の円弧は、相互に等しい長さを有する請求項８乃至１０の何れか１項に記載の軸受装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月17日(2015.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池車両に搭載されている燃料タンクへ燃料を充填する燃料充填システムであって、
前記燃料タンク内の燃料の状態に関する所定の物理量の値を検出するセンサと、
前記燃料タンクの固有情報と前記センサの検出値に基づいて充填態様を決定し、当該決定した充填態様で前記燃料タンクへ燃料を充填する充填制御手段と、
燃料の充填中における前記物理量の値を前記固有情報に基づいて予測する予測手段と、
前記センサの検出値と前記予測手段の予測値とが一致しているか否かを、前記固有情報に基づいて決定した充填態様で燃料を充填している間、継続して確認する比較手段と、を備え、
前記充填制御手段は、前記比較手段によって検出値と予測値の不一致が確認された場合には、前記固有情報に基づいて決定した充填態様での燃料の充填を中止することを特徴とする燃料充填システム。
【請求項２】
前記固有情報は、燃料の充填中における前記燃料タンクの放熱特性に関するパラメータの値を含み、
前記物理量は、前記燃料タンク内の燃料の温度であることを特徴とする請求項１に記載の燃料充填システム。
【請求項３】
前記固有情報は、前記燃料タンクの容積値を含み、
前記物理量は、前記燃料タンク内の圧力であることを特徴とする請求項１に記載の燃料充填システム。
【請求項４】
前記燃料充填システムは、前記燃料電池車両と、当該燃料電池車両に燃料を充填する外部充填装置と、に分けられ、
前記固有情報は、前記燃料タンクの容積値を含み、
前記物理量は、前記燃料タンク内に充填された総燃料量であり、
前記センサは、前記外部充填装置に設けられ前記総燃料量を検出する流量計を含むことを特徴とする請求項１に記載の燃料充填システム。
【請求項５】
前記燃料充填システムは、前記燃料電池車両と、当該燃料電池車両に燃料を充填する外部充填装置と、に分けられ、
前記燃料電池車両は、前記燃料タンクと、前記センサと、前記センサの検出値に関する情報及び前記固有情報を含むデータ信号を前記外部充填装置へ送信する送信手段を備え、
前記外部充填装置は、前記充填制御手段と、前記予測手段と、前記比較手段とを備えることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の燃料充填システム。
【請求項６】
前記燃料充填システムは、前記燃料電池車両と、当該燃料電池車両に燃料を充填する外部充填装置と、に分けられ、
前記燃料電池車両は、前記燃料タンクと、前記センサと、前記予測手段と、前記比較手段とを備えることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の燃料充填システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月25日(2016.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ヒートショックプロテインは、細胞が熱や紫外線等のストレスにさらされた時に発現し、細胞を保護するタンパク質の一群であり、その分子量によりそれぞれの分子に名前がつけられており、例えばＨＳＰ６０、７０、９０はそれぞれ分子量６０、７０、９０kDaのタンパク質を指す。ヒートショックプロテインに関しては、ヒートショックプロテインおよびヒートショックプロテイン因子を産生させる酵母抽出液を含む皮膚外用剤により、紫外線、熱などの外的刺激から皮膚を保護し、損傷を受けた皮膚を修復し、改善することが報告されている（例えば、特許文献１参照）。
また、紫外線や乾燥、熱、低温などの外的環境ストレスに対して、皮膚細胞の修復や保護効果を有することにより、皮膚のバリヤー機能を向上させ、肌老化や肌あれを改善、予防する効果を有する抗皮膚ストレス用化粧料としては、海洋プランクトン、アルテミア（Ａｒｔｅｍｉａ Ｓａｌｉｎａ 和名：ホウネンエビ）の孵化直前の耐久卵から水抽出した活性エキス成分を配合した化粧料（例えば、特許文献２参照）、紅藻の含水アルコール抽出物により、ストレス蛋白質の合成を誘発できる技術が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
＜試験例２＞
（皮膚状態確認試験）
ヒートショックプロテインの皮膚に対する有用性の一つとして、紫外線照射による障害を低減する作用が知られている。そこで紫外線により損傷を生じた皮膚で観察される日焼け細胞（サンバーンセル：ｓｕｎｂｕｒｎ ｃｅｌｌ）の出現数を指標として、皮膚損傷予防作用を調べた。
ヒト新鮮皮膚組織（BIOPREDIC International社製）を用意し、皮膚表面に実施例１〜４及び比較例１〜２をそれぞれ皮膚組織表面に１ｃｍ２あたり10μｌを塗布した。その後、皮膚表面に紫外線（ＵＶＢ）を１００ｍＪ／ｃｍ&sup2;となるように照射した。組織を１０％ホルマリンで固定後、組織切片標本を作製し、ヘマトキシリン・エオジン染色した。組織切片標本の１mm長当りのサンバーンセル数を数え、無塗布部位でのサンバーンセル数を100として実施例及び比較例塗布部位のサンバーンセル出現率（％）を算出し表４に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月27日(2015.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウム、酸化ガリウムおよび酸化セリウムを含有する酸化インジウム系酸化物焼結体であって、酸化インジウム、酸化ガリウムおよび酸化セリウムの含有量が全体の９５％以上であり、Ｉｎ、ＧａおよびＣｅの原子数の合計に対する、Ｉｎの原子数比：Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３６〜０．５４、Ｇａの原子数の比：Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３０〜０．４８、Ｃｅの原子数の比：Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．１６〜０．３２であり、かつ、該酸化物焼結体中にＧａおよびＣｅが均一に分散している、酸化インジウム系酸化物焼結体。
【請求項２】
酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化セリウムに加えて、酸化スズおよび／または酸化チタンを含有する酸化インジウム系酸化物焼結体であって、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化スズおよび酸化チタンの含有量が全体の９８．５％以上であり、Ｉｎ、ＧａおよびＣｅの原子数の合計に対する、Ｉｎの原子数比：Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３０〜０．５４、Ｇａの原子数の比：Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３０〜０．５２、Ｃｅの原子数の比：Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．１６〜０．３２であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、ＳｎおよびＴｉの原子数の合計に対する、Ｓｎの原子数の比：Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ＋Ｓｎ＋Ｔｉ）が０．０４以下、Ｔｉの原子数の比：Ｔｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ＋Ｓｎ＋Ｔｉ）が０．０１以下であり、かつ、該酸化物焼結体中にＧａおよびＣｅ、ならびに、Ｓｎおよび／またはＴｉが均一に分散している、酸化インジウム系酸化物焼結体。
【請求項３】
相対密度が９５％以上である、請求項１または２に記載の酸化インジウム系酸化物焼結体。
【請求項４】
酸化インジウム粉末と、酸化ガリウム粉末と、酸化セリウム粉末とを、全体の原料粉末の９５％以上となり、かつ、Ｉｎ、ＧａおよびＣｅの原子数の合計に対する、Ｉｎの原子数比：Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３６〜０．５４、Ｇａの原子数の比：Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３０〜０．４８、Ｃｅの原子数の比：Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．１６〜０．３２となるように粉砕混合し、これらの原料粉末からなる混合粉末を含む混合スラリーを混合工程と、
前記混合スラリーを噴霧乾燥することで造粒粉末を得る造粒工程と、
前記造粒粉末を加圧成形し、成形体を得る成形工程と、
前記成形体を焼成し、酸化物焼結体を得る焼成工程と
を備える、請求項１または請求項１を引用する請求項３に記載の酸化インジウム系酸化物焼結体の製造方法。
【請求項５】
酸化インジウム粉末と、酸化ガリウム粉末と、酸化セリウム粉末と、酸化スズ粉末および／または酸化チタン粉末とを、全体の原料粉末の９８．５％以上となり、かつ、Ｉｎ、ＧａおよびＣｅの原子数の合計に対する、Ｉｎの原子数比：Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３０〜０．５４、Ｇａの原子数の比：Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．３０〜０．５２、Ｃｅの原子数の比：Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）が０．１６〜０．３２、かつ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、ＳｎおよびＴｉの原子数の合計に対する、Ｓｎの原子数の比：Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ＋Ｓｎ＋Ｔｉ）が０．０４以下、Ｔｉの原子数の比：Ｔｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ＋Ｓｎ＋Ｔｉ）が０．０１以下となるように粉砕混合し、これらの原料粉末からなる混合粉末を含む混合スラリーを得る混合工程と、
前記混合スラリーを噴霧乾燥することで造粒粉末を得る造粒工程と、
この造粒粉末を加圧成形し、成形体を得る成形工程と、
この成形体を焼成し、酸化物焼結体を得る焼成工程と
を備える、請求項２または請求項３に記載の酸化インジウム系酸化物焼結体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いた酸化インジウム系スパッタリングターゲット。
【請求項７】
請求項６に記載の酸化インジウム系スパッタリングターゲットにより得られ、屈折率が２．１以上であり、かつ、波長３８０ｎｍにおける消衰係数が４．０８×１０-2以下である、光学膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
Ｃｅは、本発明の酸化インジウム系酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いることで得られる光学膜の屈折率を向上させるために添加する元素である。Ｃｅの含有量は、Ｉｎ、ＧａおよびＣｅの原子数の合計に対するＣｅの原子数の比：Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）（以下、「Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）原子数比」という）で、０．１６〜０．３２、好ましくは０．１６〜０．３０、より好ましくは０．１８〜０．２８とする。Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）原子数比が０．１６未満では、屈折率を十分に向上させることができない。一方、Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）原子数比が０．３２を超えると、屈折率を向上させることはできるが、他の構成成分の含有量との関係で、所望の効果を得ることができなくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月4日(2016.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料（Ａ）を含有する水不溶性ポリマー（Ｂ）粒子、有機溶媒（Ｃ）、及び水を含有するインクジェット記録用水系インクであって、
有機溶媒（Ｃ）が、ジエチレングリコールイソプロピルエーテル（ｃ１）と、１−オクタノール／水分配係数がジエチレングリコールイソプロピルエーテル（ｃ１）よりも小さな値の有機溶媒（ｃ２）とを含有し、
顔料（Ａ）と、水不溶性ポリマー（Ｂ）と、ジエチレングリコールイソプロピルエーテル（ｃ１）との合計含有量が５．０質量％以上であり、
顔料（Ａ）と水不溶性ポリマー（Ｂ）との合計含有率（質量％）と、ジエチレングリコールイソプロピルエーテル（ｃ１）の含有率（質量％）を乗じた値が、１０以上、３００以下であり、
有機溶媒（ｃ２）が、下記の一般式（１）で表される化合物、及び含窒素複素環化合物から選ばれる１種以上である、インクジェット記録用水系インク。
Ｒ１−Ｏ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ      （１）
〔式中、Ｒ１は水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシ基を示し、ｎはＡＯの平均付加モル数を示し、１以上、１０以下である。〕
【請求項２】
顔料（Ａ）と水不溶性ポリマー（Ｂ）との合計含有率が、０．５質量％以上、１２．０質量％以下である、請求項１に記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項３】
ジエチレングリコールイソプロピルエーテル（ｃ１）の含有量が、１．０質量％以上、３５．０質量％以下である、請求項１又は２に記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項４】
前記有機溶媒（ｃ２）の含有量が、１．０質量％以上、４０．０質量％以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項５】
前記有機溶媒（ｃ２）の沸点が、１７０℃以上である、請求項１〜４のいずれかに記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項６】
質量比〔顔料（Ａ）／水不溶性ポリマー（Ｂ）〕が、１００／３００以上１００／２５以下である、請求項１〜５のいずれかに記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項７】
顔料（Ａ）を含有する水不溶性ポリマー（Ｂ）粒子、顔料を含有しない水不溶性ポリマー（Ｂ）粒子、有機溶媒（Ｃ）、及び水を含有する、請求項１〜６のいずれかに記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の水系インクを充填した容器を、インク飛翔手段を有するインクジェット記録装置に装着し、純水との接触時間１００ｍ秒における吸水量が０ｇ／ｍ２以上１０ｇ／ｍ２以下である記録媒体に、インクを飛翔させ印字する画像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機化合物、発光素子、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化１】
2015124207.tif 000001
（ただし、式（Ｇ１）中、Ｒ１乃至Ｒ１５はそれぞれ独立に炭素数１乃至６のアルキル基又はフェニル基を表す。また、＊の位置において、式（ｇ１）で表される骨格のα又はβが付された炭素と結合している。また、式（ｇ１）中、Ａｒはフェニル基又はビフェニル基を表す。）
【請求項２】
式（Ｇ２）で表される有機化合物。
【化２】
2015124207.tif 000002
（ただし、式（Ｇ２）中、＊の位置において、式（ｇ２）で表される骨格のα又はβが付された炭素と結合している。また、式（ｇ２）中、Ａｒはフェニル基又はビフェニル基を表す。
【請求項３】
式（Ｇ３）で表される有機化合物。
【化３】
2015124207.tif 000003
（ただし、式（Ｇ３）中、Ｒ１乃至Ｒ１５はそれぞれ独立に炭素数１乃至６のアルキル基又はフェニル基を表す。また、＊の位置において、式（ｇ３）で表される骨格のα又はβが付された炭素と結合している。）
【請求項４】
式（Ｇ４）で表される有機化合物。
【化４】
2015124207.tif 000004
（ただし、式（Ｇ４）中、＊の位置において、式（ｇ４）で表される骨格のα又はβが付された炭素と結合している。）
【請求項５】
式（１００）で表される有機化合物。
【化５】
2015124207.tif 000005
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機化合物を含む発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機化合物を正孔輸送層に含む発光素子。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項９】
請求項６又は請求項７に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項１０】
請求項６又は請求項７に記載の発光素子を照明部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた照明装置。
【請求項１１】
請求項６又は請求項７に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機化合物、発光素子、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ０）で表される有機化合物。
【化１】
2015124206.tif 000001
（但し、式（Ｇ０）中、Ｄｆｈａは置換又は無置換のジスピロ［９Ｈ−フルオレン−９，９’（１０Ｈ）−アントラセン−１０’，９’’−（９Ｈ）フルオレン］骨格を表す。また、Ｈｅｔは置換又は無置換のピリジル基、置換又は無置換のピラジニル基、置換又は無置換のピリミジニル基、置換又は無置換のキノリニル基、置換又は無置換のイソキノリニル基、置換又は無置換のキナゾリニル基、置換又は無置換のキノキサリニル基及び置換又は無置換のジベンゾキノキサリニル基のいずれか一を表し、Ｄｆｈａの２位に結合している。）
【請求項２】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化２】
2015124206.tif 000002
（但し、式（Ｇ１）中、Ｈｅｔは置換又は無置換のピリジル基、置換又は無置換のピラジニル基、置換又は無置換のピリミジニル基、置換又は無置換のキノリニル基、置換又は無置換のイソキノリニル基、置換又は無置換のキナゾリニル基、置換又は無置換のキノキサリニル基及び置換又は無置換のジベンゾキノキサリニル基のいずれか一を表す。）
【請求項３】
式（Ｇ２）〜式（Ｇ４）のいずれか一で表される有機化合物。
【化３】
2015124206.tif 000003
【請求項４】
式（１００）、式（１０３）及び式（１０７）のいずれか一で表される有機化合物。
【化４】
2015124206.tif 000004
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の有機化合物を含む発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の有機化合物を電子輸送層に含む発光素子。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項９】
請求項５又は６に記載の発光素子を照明部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた照明装置。
【請求項１０】
請求項５又は６に記載の発光素子を有する電子機器。