【事件の表示】
　特願２０１３−２５５６１２「基板処理構成部品からの残留物の除去」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月２９日出願公開、特開２０１４−　９９６１９、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１０月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１０月１９日、米国）に国際出願した特願２００９−５３３３３４号の一部を平成２４年５月３１日に新たな特許出願とした特願２０１２−１２４６１２号の、さらにその一部を平成２５年１２月１１日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年１２月１２日　　　手続補正書の提出
　平成２６年１１月１３日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　５月１８日　　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２８年　１月２７日　　　拒絶査定（起案日）
　平成２８年　６月　１日　　　審判請求
　平成２９年　３月２４日　　　当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２９年　９月２６日　　　意見書及び補正書の提出
第２　原査定の概要
　１　拒絶理由通知
　平成２８年１月２７日付けの拒絶査定（以下、「原査定」という。）の根拠となった平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知の概要は次のとおりである。
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　……（中略）……
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・理由　１
・請求項　１，６
・引用文献等　１〜３
・備考
　引用文献１（第【0014】，【0016】，【0045】段落の記載および図5を参照。）には，基板処理構成部品の表面から接着剤を洗浄等により完全に除去することが記載されている。
　そして，引用文献２（第【0022】-【0024】，【0043】段落の記載および図1を参照。）には，接着剤が付着している部材表面にレーザのパルスビームを照射し接着剤を除去する技術が開示されており，引用文献３（第【0042】，【0017】段落の記載を参照。）に記載されているように，接着剤層にレーザ光を照射してアブレ-ションを起こすことにより剥離する技術は周知技術である。
　引用文献１に記載された構成において，接着剤を除去する手段として引用文献２および３に記載された技術を採用して本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
・理由　１
・請求項　２，５
・引用文献等　１〜４
・備考
　引用文献４の第【0029】段落に記載されているように，ポリマーコーティングをレーザーにより除去することはすでに知られた技術である。また，除去した後に新たにポリマー層を形成することは当業者が必要に応じて行う設計事項である。
・理由　１
・請求項　３
・引用文献等　１〜３
・備考
　スクライブする工程は当業者にとって周知技術であり，スクライブする工程を付加することは当業者が必要に応じて設ける設計事項である。
・理由　１
・請求項　４
・引用文献等　１〜３，５
・備考
　引用文献５（第【0008】，【0022】-【0064】段落の記載および図１，２，７を参照。）には，ウエハ保持部材をリングフレームと粘着シートと両面テープにより構成することが開示されている。
　……（中略）……
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開平１１−２９７８０５号公報
２.特開平０７−０７４１３５号公報
３.特開２００３−２０３８８６号公報
４.特表２００６−５１９４００号公報
５.特開２００４−１９３２３７号公報」
　２　拒絶査定
　原査定の概要は次のとおりである。
「この出願については、平成２６年１１月１３日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項 １
・引用文献等 １−５
　出願人は、意見書において、引用文献１から５のいずれも、補正後の請求項１に記載の「前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させると共に、前記表面をテクスチャ加工して（ｉ）複数の周期的に離間された溝、及び、（ｉｉ）複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させるステップ」について何ら開示ないし示唆していない旨，主張している。
　しかし、引用文献３（特に段落[0009]-[0014]を参照されたい。）には，クリーニングと表面の粗面化をレーザの照射によって同時に行うことが開示されており，引用文献４（特に段落[0013]を参照されたい。）には，レーザを用いて接着剤を溶断すると同時に溝状に削り取ることが開示されている。このように，構成部品の表面上の不必要な物質をレーザにより除去すると共にレーザービームを走査して溝などテクスチャを形成することは周知技術である。この際にどのようテクスチャを形成するかは当業者が実施に当たり適宜設計する設計事項である。
　そして，引用文献１（特に段落[0014],[0016],[0045]を参照されたい。）には，セラミック絶縁板および電極層から接着剤を完全に除去することが記載されており，この接着剤を除去する手段として引用文献２（特に段落[0022]-[0024],[0043]を参照されたい。）に記載されたレーザにより接着剤を除去する周知技術を適用し，さらに引用文献３，４に記載されたレーザにより不必要な物質を除去すると共にテクスチャ加工を行う周知技術を採用して本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　なお，出願人は意見書において，引用文献のいずれも、基板処理オペレーションにおいて用いられる構成部品の表面のフレーキングおよびピーリングにより残留物を汚染するという問題を認識してそれについて取り組んだものではない旨，主張しているが，構成部品の表面のフレーキングおよびピーリングにより残留物を汚染することは特許請求の範囲には記載されておらず、その主張は採用できない。
　さらに，出願人は意見書において，引用文献のいずれも、残留物の付着を改善するために上記の構成部品にテクスチャ加工特徴部を形成するレーザアブレーション（又はいずれかの他の技術）の利用について何ら開示ないし示唆していない旨，主張している。しかし，引用文献５の段落[0013]に記載されているように装置表面に凹凸を形成したことにより塵埃の捕集効率を向上させることは周知技術であり，当該凹凸をどのような手段で形成するかは当業者が実施に当たり適宜選択する設計事項と認められ，周知技術のレーザアブレーションにより形成することは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　したがって，本願発明は引用文献１〜５に基づいて当業者が容易に発明し得たものと認められる。
・請求項 ２
・引用文献等 １−６
　引用文献６の第【0029】段落に記載されているように，ポリマーコーティング
をレーザーにより除去することはすでに知られた技術である。
・請求項 ３
・引用文献等 １−５
　基板処理構成部品のうち，どの構成部品に対してアブレーションするかは，当業者が適宜選択する設計事項である。
・請求項 ４
・引用文献等 １−５
　どのような特性のレーザを用いてアブレーションするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項である。
＜引用文献等一覧＞
１.特開平１１−２９７８０５号公報
２.特開平０７−０７４１３５号公報（周知技術を示す文献）
３.特開２００３−０３１９５３号公報（新たに引用された文献）（周知技術を示す文献）
４.特開２００１−０７６５６９号公報（新たに引用された文献）（周知技術を示す文献）
５.特開２０００−１３８２７５号公報（新たに引用された文献）（周知技術を示す文献）
６．特表２００６−５１９４００号公報」
第３　当審拒絶理由通知の概要
　平成２９年３月２４日付けで当審より通知した拒絶理由通知の概要は次のとおりである。
「１．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
  
（１）請求項２に、「前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程を備える」と記載されている。
　しかしながら、本願明細書には、段落【００３８】に「アクリル接着剤残留物」という記載は存在するものの、「アクリルコーティングをアブレーションする」ことは記載されておらず、さらに、「コーティング」が「アクリル」樹脂から形成されることも何ら記載されていない。
　したがって、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
  
（２）請求項４に、「（i）前記ビームが、約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２のワット数を提供すること」、「（v）前記ビームが、約１００ワット〜約５０００ワットの出力領域を有すること」、「のうちの少なくとも１つを有する」とそれぞれ記載されている。
　これに対して、本願明細書には、段落【００３７】に「適切なレーザ４００は、約１００〜約５０００ワットの範囲にある出力レベルを有するレーザについては、例えば、９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２の出力密度を提供する。」と記載されている。
　したがって、
　ア　本願明細書において、「９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２」であるのは、レーザの「出力密度」であって、「ワット数」ではない。
　イ　本願明細書において、「約１００ワット〜約５０００ワット」であるのは、レーザの「出力レベル」であって、「出力領域」ではない。
　ウ　本願明細書に記載された「出力密度」は、「９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２」の範囲内にあり、請求項４の上記の記載にように、「ワット数」の下限が「約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２」とみなせる値をとり、上限が「約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２」とみなせる値をとることは、記載されていない。すなわち、請求項４の上記の記載は、本願明細書に記載された「出力密度」の範囲を、本願明細書に記載されていない範囲にまで拡張するものである。
　エ　本願明細書には、「約１００〜約５０００ワットの範囲にある出力レベルを有するレーザ」については「９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２の出力密度を提供する」ことが記載されているのであって、請求項４の上記の記載にように、「（i）前記ビームが、約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２のワット数を提供すること」と「（v）前記ビームが、約１００ワット〜約５０００ワットの出力領域を有すること」の「うちの少なくとも１つを有する」こと、すなわち、前記「（i）」の条件と前記「（v）」の条件のどちらか一方が満たされれば足りることは、記載されていない。
　以上から、請求項４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
  
  
２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
（１）請求項２に、「前記基板処理構成部品がアクリル残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程を備える」と記載されている。
　しかしながら、上記記載では、
　ア　「アクリル残留物」と「前記接着剤残留物」とは、同じものを指すのか、異なるものを指すのか、不明である。（同じものを指すのであれば、用語を統一されたい。）
　イ　「前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする」という記載から、「アクリルコーティング」は「ポリマーコーティング」とは別の物を指すと認められる。そうすると、前記「アクリルコーティング」と、「基板処理構成部品」、「アクリル残留物」ないしは「前記接着剤残留物」との位置関係が、同項、及び、同項が引用する請求項１の記載からでは不明である。
　以上から、請求項２に係る発明は明確でない。
  
（２）請求項４の「（i）前記ビームが、約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２のワット数を提供すること」及び「（v）前記ビームが、約１００ワット〜約５０００ワットの出力領域を有すること」の記載は、「約」が付加されていることで、請求項４に係る発明の技術的範囲を不明りょうにするものである。
　よって、請求項４に係る発明は明確でない。」
第４　本願発明
　本願の請求項１−４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は、平成２９年９月２６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。
「　【請求項１】
　基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする（ablating）方法であって、
　（ａ）前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させると共に、前記表面をテクスチャ加工して（ｉ）複数の周期的に離間された溝、及び、（ｉｉ）複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させるステップを含む方法。
　　【請求項２】
　前記基板処理構成部品がアクリル接着剤からなる前記接着剤残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングをアブレーションする工程を備える、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記基板処理構成部品が保持リングまたはガス分配板を備える、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記レーザビームが、以下の特性、
　（i）前記ビームが、１００ワット〜５０００ワットの範囲にある出力レベルを有するとともに、９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２の出力密度を提供すること、
　（ii）前記ビームがパルス波ビームであること、
　（iii）前記ビームが連続波ビームであること、
　（iv）前記ビームが、ＣＯ２レーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ｅｒ：Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、高出力ダイオードレーザまたは他の固体レーザによって生成されること、
のうちの少なくとも１つを有する、請求項１に記載の方法。」
第５　引用された文献及び引用発明
　１　引用文献１について
　（１）引用文献１の記載事項
　原査定で引用され、原査定の根拠となった平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開平１１−２９７８０５号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤」（発明の名称）について、図１〜図７とともに次の事項が記載されている（下線は参考のため当審において付したもの。以下同様である。）。
　　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の導電体または半導体を静電気力で吸着固定するための静電チャック装置および静電チャック用積層シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハを加工する工程においては、半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するためにチャック装置が使用される
静電チャック装置
　　イ　「【００３８】次に、本発明に係る静電チャック装置の他の実施形態について図２を用いて説明する。
この静電チャック装置は、円盤形をなす金属基盤１０、絶縁性および応力緩和性に優れた第１接着剤層３０、円板状をなすセラミック絶縁板３２、第２接着剤層３６、および絶縁性フィルム３８が順に形成されたものであり
【００３９】図５はこの実施形態のより具体的な構成を示すものであり、この実施形態の装置にも、図４の実施形態と同様、ウエハを昇降するための貫通孔２４、および電極層３４に給電するための要素２５〜２８が形成されている。電極層３４の平面形状も図３に示した電極層２０と同様でよいが、限定はされない。前記実施形態と同様にガス通路（図示略）が形成されていてもよい。
【００４０】電極層３４の材質は前記実施形態と同様でよい。電極層３４は打ち抜き形成された金属箔でもよいし、導電性ペーストを焼成して形成した導電体であってもよいし、セラミック絶縁板３２の上面に蒸着および／またはメッキされた金属蒸着膜または金属メッキ膜であってもよい。特に、銀、白金、パラジウム、モリブデン、マグネシウム、タングステンおよびこれらの合金は、ペースト状または粉末状で扱えるため加工性、印刷容易性に優れ好ましく、その中でもパラジウム合金は導電性および加工性が良好である。電極層３４が厚い場合には、
セラミック絶縁板３２の上面に電極層３４のパターンを有する凹部を形成した上で、その内部に電極層３４が形成される
【００４１】電極層３４の厚さは限定はされないが、この実施形態では比較的厚くてもよく、０．０５〜２ｍｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５〜１ｍｍとされる。電極層３４が非常に薄い場合には、セラミック絶縁板３２の表面に凹部を形成せず、表面に電極層３４を直接形成してもよい。
【００４２】
絶縁性フィルム３８および第２接着剤層３６は、絶縁性フィルム３８が損耗した場合に、セラミック絶縁板３２および電極層３４から剥がして交換される積層シート３５を構成している
【００４３】セラミック絶縁板３２の材質も前記実施形態のセラミック絶縁板１６と同様でよい。セラミック絶縁板３２の厚さは限定はされないが、被吸着面の熱を逃がしつつ十分な耐久性を確保する観点から、０．５〜８ｍｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは０．５〜４ｍｍ、最適には０．５〜１ｍｍである。
【００４４】金属基盤１０、第１接着剤層３０、セラミック絶縁板３２、第２接着剤層３６、絶縁性フィルム３８には、ウエハ吸着面に開口する複数のガス通路（図示略）が形成されていてもよい。第１接着剤層３０および第２接着剤層３６を形成するための接着剤は、先の実施形態と同様でよい。第１接着剤層３０および第２接着剤層３６の厚さは限定されないが、第１接着剤層３０の厚さは２０〜２００μｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜１５０μｍであり、最適には８０〜１２０μｍとされる。
第２接着剤層３６の厚さは５〜１００μｍであることが好ましく
【００４５】本実施形態の静電チャック装置では、前記実施形態と同様の効果が得られる上、
第２接着剤層３６が薄いために、積層シート３５を剥がして新たな積層シート３５を張る際に、セラミック絶縁板３２および電極層３４から接着剤を洗浄等により完全に除去することが容易である
　　ウ　「【００４６】次に、この実施形態の静電チャック装置の製造方法について説明する。まず、セラミック絶縁板３２の一面を研削加工し、電極層３４のパターンをなす一定深さの凹部を形成する。次に、この凹部内に電極層３４を形成する。そのためには、予め打ち抜き加工等により形成した板状の電極層３４を凹部にはめ込んで接着してもよいし、蒸着やメッキ法により電極層３４を凹部内に形成してもよいが、より効率的に形成するには、白金パラジウムや銀等の金属微粉末を含有する導電性ペースト等を研削部にスクリーン印刷等で塗布した後、加熱硬化および必要に応じて数１００℃での焼成を行い、電極層３４を形成する。必要に応じては、電極層３４を形成した面を研磨加工等により平滑にする。セラミック絶縁板３２を製造する時点で、焼成前のセラミック絶縁板に所定のパターン形状を有する凹部を形成し、導電性ペーストを印刷あるいは、塗布した後、焼成して製造してもよい。
【００４７】次に、セラミック絶縁板３２の下面を第１接着剤層３０を介して金属基盤１０に接着する。セラミック絶縁板３２および金属基盤１０には、予め厚さ方向に貫通孔２５が形成されていることが望ましく、電極層３４に給電部材２７を接続したうえ、絶縁体２８により貫通孔２５を封止する。次に、セラミック絶縁板３２および電極層３４の上面に、積層シート３５の半硬化状態にある第２接着剤層３６を接着し、加熱処理により第２接着剤層３６を硬化させる。
【００４８】
ウエハＷの処理により絶縁性フィルム３８が疲労した場合、積層シート３５をセラミック絶縁板３２から剥がし、新しい積層シート３５を接着する
第２接着剤層３６は薄いのでセラミック絶縁板３２からの剥離が容易であり、セラミック絶縁板３２上に一部が残ったとしても少量であるから除去は容易である
　（２）引用発明
　したがって、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウエハを加工する工程において前記半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために使用される静電チャック装置の洗浄方法であって、
　前記静電チャック装置は、円盤形をなす金属基盤１０、絶縁性及び応力緩和性に優れた第１接着剤層３０、円板状をなすセラミック絶縁板３２、前記セラミック絶縁板３２の上面の凹部内に形成された電極層３４、厚さが５〜１００μｍである第２接着剤層３６、及び、絶縁性フィルム３８が順に形成されたものであり、
　前記絶縁性フィルム３８および前記第２接着剤層３６は、前記半導体ウエハの処理により前記絶縁性フィルム３８が損耗した場合に、前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４から剥がして交換される積層シート３５を構成しており、
　前記第２接着剤層３６は、薄いために、使用した積層シート３５を剥がして新たな積層シート３５を張る際に前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４から洗浄等により完全に除去することを特徴とする静電チャック装置の洗浄方法。」
　２　引用文献２について
　（１）引用文献２の記載事項
　原査定で引用され、原査定の根拠となった平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開平７−７４１３５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「基板表面のドライ・クリーニング方法」（発明の名称）について、図１〜図５とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
半導体、金属、セラミックス、磁性体あるいは光学素子などの表面（以下、これらを総称して単に「基板表面」と称す。
　　イ　「【００２２】こうして、条件設定された状態で、基板Ａの表面にＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１０から出力される
ＫｒＦエキシマ・レーザのパルス・ビームが照射されると、基板Ａ表面の除去対象物たる付着物が、ＫｒＦエキシマ・レーザによるレーザ光分解、レーザ・アブレーションあるいはレーザ・パルスの衝撃による基板表面の振動などの総合作用によって分解されて、基板Ａ表面から除去されることになり、基板Ａ表面をクリーニングすることができる
【００２３】以下に、上記のようなドライ・クリーニング・システムによるクリーニング効果を詳細に説明する。
【００２４】図２（ａ）は、
磁気ヘッド・スライダー（フェライト基板）表面に、数ミクロンの厚さの有機接着剤が付着している
ＫｒＦエキシマ・レーザのパルス・ビームを６０ｍＪ／ｃｍ
２
の光強度で２５００パルス照射すると、図２（ｂ）に示すように、磁気ヘッド・スライダー表面の有機接着剤が完全に除去された
【００２５】そして、図２（ｂ）の状態をオージェ電子分光法を使用して表面分析した結果、磁気ヘッド・スライダー表面が完全にクリーンになったことが証明された。
【００２６】なお、６０ｍＪ／ｃｍ２の光強度のパルス・ビームを照射することによるフェライト基板の温度上昇は小さいものと考えられ、基板への熱によるダメージは少ないと考えられる。」
　　ウ　「【００４３】従って、本発明の基板表面のドライ・クリーニング方法によれば、
（１）大気中において、基板表面の付着物を除去できる。
（２）トリクロルエチレンやフロンなどの人体ならびに環境に影響を及ぼす有機溶剤を使用せずに、ドライ・プロセスによって、有機物質の排出と騒音のない環境保護に優れた無公害の基板表面のクリーニングを達成できる。
（３）基板に短波長パルス・レーザを照射することによるクリーニングであるため、高速なクリーニングを実現することができ、しかも有機溶剤を使用しないため廃液処理を行う必要がなく、クリーニング作業の簡便化を図ることができ、大規模処理に適している。
（４）半導体、金属、セラミックス、磁性体、光学素子などの表面クリーニングに幅広く用いることができる。
（５）基板表面の汚れのある部位のみを選択して、短波長パルス・レーザを照射できるため効率が良い。
などの効果を得ることができる。」
　３　引用文献３について
　（１）引用文献３の記載事項
　原査定において「周知技術を示す文献」として新たに引用された刊行物である特開２００３−３１９５３号公報（以下、「引用文献３」という。）には、「ビルドアップ基板の製造方法」（発明の名称）について、図１〜図２とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【０００２】
【従来の技術】ビルドアップ法は、バイアホールを介して接続された多層プリント配線板を製造することができ、配線を著しく高密度化することができるという利点がある。」
　　イ　「【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、環境に良好でビルドアップ基板を安価に得ることができるビルドアップ基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明は、絶縁層上にブラインドホールが形成されたプリント基板の前記ブラインドホール内のクリーニングと絶縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に行うことを特徴とする。」
　　ウ　「【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１１】本発明に係るビルドアップ基板の製造工程は、従来の製造方法と図１（ａ）〜（ｃ）までは同じである。
【００１２】デスミヤ処理方法図１（ｄ）において、本発明方法では溶液を使用せず、図２に示す装置を用いて、
レーザ発振器１１から発振されたレーザ光をシリンドリカルレンズ１２及びマスク１３を通してミラー１４で反射させ、投影レンズ１５で集束させて被加工物であるプリント配線板１７上に照射する。プリント配線板１７は移動テーブル１８上に置かれ、一定の速度で移動することにより、ブラインドビァホールの底面の残渣物６の除去と絶縁樹脂層３の表面の粗面化を行う
【００１３】ＫｒＦレーザを用いてラインビーム巾２０ｃｍ×１ｍｍ、周波数２００Ｈｚ、出力２００ｍｊ／ｃｍ２、移動速度３ｃｍ／秒で加工したところ、
ブラインドビァホールの底面の残渣物６の完全除去と絶縁樹脂層３の表面の粗さがデスミヤ処理と同様な粗さ２μｍを得ることができ、後工程の銅メッキも良好な密着性を得ることができた
　４　引用文献４について
　（１）引用文献４の記載事項
　原査定において「周知技術を示す文献」として新たに引用された刊行物である特開２００１−７６５６９号公報（以下、「引用文献４」という。）には、「メンブレン回路の製造方法」（発明の名称）について、図１〜図２とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【００１１】また、本発明の第２のメンブレン回路の製造方法によれば、
メンブレン回路の導電パターンが形成された絶縁フィルム上に面実装電子部品を実装し
面実装電子部品のリード電極と導電パターンとを導電性接着剤の塗布により接着固定後、レーザビームの照射によって導電性接着剤の外形形状を整える
導電性接着剤塗布で滲み等が発生しても、はみ出た部分を除去して導電性接着剤間の短絡を防止する
【００１２】上記第１及び第２のメンブレン回路の製造方法におけるレーザビームを照射する工程は、レーザビームが絶縁フィルムの一部を溝状に削り取る工程であるので、溶かされた絶縁フィルムの一部と導電性ペーストのバインダ成分とが融着し、絶縁フィルムと導電パターンとの密着性を向上させることができる。
【００１３】更に、
レーザで導電パターン又は導電性接着剤を溶断すると同時に絶縁フィルムの一部を溝状に削り取ることにより、隣接配線回路間にスリットを形成する
　　イ　「【００１７】図３は、レーザ照射のパワーを高めて絶縁フィルムの一部を溝状に削り取ったときの電極シートの断面の一部を拡大した図である。図３に示すように、絶縁フィルム１の上面には、下から順にAgペーストからなるAg回路16とCペーストからなるC回路17とが配置され、電極シート18を形成している。この電極シート18の一部には、C回路17より
上側からレーザ光31が照射され、半スリット部19aができている
Ag回路16のバインダ成分と絶縁フィルム１の一部とが融着して密着性が向上している
レーザ光31により絶縁フィルム１の一部表面が擂鉢状に溶かされ削られているので、Ag回路16のAgイオンが動かなければならない物理的な距離は増え、２個の金属間に電圧が印加されているときに導電性がある通路に沿って一方から他方の金属に向かい金属イオンが移動するというマイグレーションが起こりにくくなり、耐マイグレーション性が向上する
　５　引用文献５について
　（１）引用文献５の記載事項
　原査定において「周知技術を示す文献」として新たに引用された刊行物である特開２０００−１３８２７５号公報（以下、「引用文献５」という。）には、「半導体製造装置」（発明の名称）について、図１〜図５とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【００１３】請求項６に記載の半導体製造装置は、前記帯電体の表面に凹凸を形成したことを特徴としている。請求項６に記載の半導体製造装置によれば、
表面に形成された凹凸により帯電体の表面積が増えることから塵埃の補集効率を向上させる
　　イ　「【００２７】受渡室２６Ｌに（スパッタリング処理前の）半導体基板１２を送り出した後は、受渡室２６Ｌとバッファチャンバ２８との接合面に設けた開閉弁を閉じ、既に閉じられている受渡室２６Ｌとトランスファチャンバ３４との接合面に設けた開閉弁とで受渡室２６Ｌにおける閉空間を形成する。そして閉空間を形成した後は、
受渡室２６Ｌの開閉弁付近に配置したポリフッ化エチレンシート４２に直流電源４６より印加させ、前記ポリフッ化エチレンシート４２を帯電させる
バッファチャンバ２８側より真空度の高いトランスファチャンバ３４側の接合面に設けた開閉弁を開くことにより、両者の間には圧力差による気流が発生する。そしてこの気流により、半導体基板１２の表面に存在する塵埃や、本製造装置１０の内部に堆積していた塵埃が本製造装置１０内で舞い上がるが、前述の通り開閉弁の周囲に配置されるポリフッ化エチレンシート４２は直流電源４６からの印加により帯電していることから、本製造装置１０内で舞い上がった塵埃は、ポリフッ化エチレンシート４２に吸着され集塵される
　　ウ　「【００３０】なお本実施の形態で説明したポリフッ化エチレンシート４２は、
表面積を多くして塵埃の補集効率を高めたいことから、当該ポリフッ化エチレンシート４２の表面に凹凸を形成するようにしてもよく、その製造方法は、平坦なポリフッ化エチレンの表面にガラスビーズや、粒径が数十ミクロンから数百ミクロン程度のアルミナまたはＳｉＣを多数打ち付けるようにすればよい
　６　引用文献６について
　（１）引用文献６の記載事項
　原査定で引用され、原査定の根拠となった平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特表２００６−５１９４００号公報（以下、「引用文献６」という。）には、「クロマトフォーカシングと多重化キャピラリーゲル電気泳動とを用いる二次元タンパク質分離」（発明の名称）について、図１〜図３とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【００１３】
　これらのMCGE用途のすべてに共通しているのは、
化学種を同定する手段としてのキャピラリーチューブ中における化学種の移動度の測定である
光ディテクターは、チューブを透過する光を検出する。UV吸収性サンプル成分がキャピラリーチューブの照射部分を通過するときに、光ディテクターは低透過光を検出する(吸光を示す)
　　イ　「【００２９】
　キャピラリーチューブ24は、Polymicro Technologies, Inc., Phoenix, AZをはじめとするいくつかの供給元により市販されている。
キャピラリーチューブ24は、好ましくは、機械的に安定になるようにポリイミドのようなポリマーでコーティングされる
エキシマーレーザーを用いて、ポリマーコーティングを除去することができる
　７　引用文献７について
　（１）引用文献７の記載事項
　原査定で引用されなかったが、原査定の根拠となった平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２００３−２０３８８６号公報（以下、「引用文献７」という。）には、「素子の分離方法及び素子の転写方法」（発明の名称）について、図１〜図２１とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【００１７】以上のような本発明に係る素子の分離方法では、素子形成基板の素子分離溝が形成された側と反対側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結部を残した状態に研削し、その後、連結部を除去して素子を分離する。したがって、連結部の存在により、素子分離のプロセスにおいて素子形成基板の主面方向の応力に起因する不具合の発生が防止される。」
　　イ　「【００４２】また、上記においては、接着・剥離層が剥離層３と接着層４との２層からなる場合について説明したが、本発明においては接着・剥離層は、剥離層３と接着層４との２層からなるものに限定されず、接着・剥離層は例えば接着剤層単層からなるものであってもよい。すなわち、図７に示すように
シリコン基板１上に接着・剥離層として接着剤層１０が形成され、当該接着材層１０によりシリコン基板１が石英基板５に接着された構成
接着・剥離層である接着材層１０にレーザー光を照射すると接着材層１０がレーザー光を吸収してアブレーションを起こすことにより剥離可能となる
レーザー光を照射することによりアブレーションを起こしやすい材料を用いる。このような接着剤としては、例えばエポキシ系の接着剤を用いる
　８　引用文献８について
　（１）引用文献８の記載事項
　原査定で引用されなかったが、原査定の根拠となった平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２００４−１９３２３７号公報（以下、「引用文献８」という。）には、「粘着シートを具備するウェハー保持部材，及び粘着シートの剥離方法」（発明の名称）について、図１〜図９とともに次の事項が記載されている。
　　ア　「【０００２】
【従来の技術】
近年においては，半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する方法として，先ダイシング方法が知られている。この先ダイシング方法は，半導体ウェハを表面（回路形成面）側からハーフカットした後に，裏面研削を行って個々の半導体チップに分割する方法であり，従来における半導体ウェハの裏面研削後にウェハを切断する方法とは，逆の順番で行われる。
【０００３】
この先ダイシング方法では，半導体ウェハの裏面研削工程において，
半導体ウェハの表面（回路形成面）側に第１の粘着シート（例えば，グラインダ用粘着シート）を貼付けて裏面研削を行う
　……（中略）……
【０００６】
かかる問題を解決するため，本発明者らは，通常状態では徴粘着性を有し，かつ真空吸引すると吸着力が増大するという特性を有するエラストマー樹脂シート（例えばシリコーンシート）を第２の粘着シートとして採用することを提案している（特願２００２−０２０９４９参照）。即ち，真空吸引により吸着力が増大する性質を利用して半導体チップの粘着シートを好適に貼り替えることができ，及び
エラストマー樹脂シート（例えばシリコーンシート）の微粘着性を利用して半導体チップを容易にピックアップする
【０００７】
上記シリコーンシートは，通常，円形又は方形のリングフレーム（ウェハーリング）に貼り付けられて，ウェハー保持部材として使用される。この
シリコーンシートは，上記のように通常状態では粘着性が弱いので，接着剤又は両面テープを使用してリングフレームに貼り付けられている
【０００８】
また，
上記シリコーンシートは繰り返して使用されるので，例えばシリコーンシートの消耗や破損等が生じた場合に初めて，新品のシリコーンシートと交換される。このとき，消耗したシリコーンシートをリングフレームから剥離すると，リングフレームの表面に両面テープの接着剤（糊）が残存するので，かかる接着剤を洗浄除去してから，新品のシリコーンシートがリングフレームに貼り付けられる
　　イ　「【００２２】
（第１の実施の形態）
まず，図１に基づいて，第１の実施の形態にかかる粘着シートを具備するウェハー保持部材の構成について説明する。なお，図１は，第１の実施の形態にかかる粘着シートを具備するウェハー保持部材の構成を示す断面図である。
【００２３】
本実施形態にかかる粘着シートを具備する
ウェハー保持部材１００は，図１に示すように，リングフレーム１６０と，エラストマー樹脂からなる（第２の）粘着シート１２０と，リングフレーム１６０と第２の粘着シート１２０とを貼り合わせる両面テープ１４０と，から構成される
両面テープ１４０の少なくとも一面には，従来と異なり，所定のエネルギーが付与されると粘着力が低下する性質を有する接着剤が使用されている
　　ウ　「【００３４】
本実施形態にかかる接着剤層においては，少なくとも第２の接着剤層１４６，１４６’，１４６”は，所定のエネルギーが付与されると粘着力が低下する性質を有する接着剤により形成されている。このような所定のエネルギーが付与されると粘着力が低下する性質を有する接着剤として，様々な種類の接着剤が挙げられるが，以下では，例えば，紫外線硬化型接着剤，紫外線発泡型接着剤，熱発泡型接着剤を採用した例を挙げて説明する。
【００３５】
（１）紫外線硬化型の接着剤
紫外線硬化型の接着剤１４６は，例えばアルキル（メタ）アクリレートを主成分とした組成物に光重合開始剤を加えたものであり，
紫外線を照射すると硬化して粘着力が低下する性質を有する。かかる紫外線硬化型の接着剤を両面テープの接着剤層に使用すれば，紫外線を照射するだけでリングフレームとの粘着力を低下させることができる。したがって，リングフレームに接着剤を残存させずに，粘着シートを剥離できるので，有機溶剤を使用した接着剤の洗浄除去工程を省略することができる
【００３６】
（２）紫外線発泡型の接着剤
紫外線発泡型の接着剤１４６’に紫外線を照射すると，接着剤に含有される発泡剤が分解して気体が発生し，半導体チップと接着剤層との界面に気泡による凹凸が生じる。このため，半導体チップと接着剤層との接合面積が減少するので，接着剤層の粘着力が低下する
【００３７】
（３）熱発泡型の接着剤
熱発泡型の接着剤１４６”を加熱すると，接着剤に含有する発泡剤が熱分解して気体を発生し，半導体チップと接着剤層との界面に気泡による凹凸が生じる。このため，半導体チップと接着剤層との接合面積が減少するので，接着剤層の粘着力が低下する
　　エ　「【００５７】
本実施形態においては，
両面テープの接着剤層に所定のエネルギーを付与するだけで粘着力が低下するので，接着剤を残留させることなく，粘着シートをリングフレームから剥離することができる。したがって，リングフレームを有機溶剤で洗浄する必要がなく作業者の安全衛生が向上する
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
　（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明は「静電チャック装置の洗浄方法」であるが、詳細には、「前記絶縁性フィルム３８および前記第２接着剤層３６」からなる「積層シート３５」を、「前記半導体ウエハの処理により前記絶縁性フィルム３８が損耗した場合」に「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４から剥がして新たな積層シート３５を張」り、その際に、「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３」の上に残留した「前記第２接着剤層３６」を「洗浄等により完全に除去する」方法であると認められる。
　そして、「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３」は、引用発明の「半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために使用される静電チャック装置」を構成する部品の一つであるから、本願発明１の「基板処理構成部品」に相当する。
　そうすると、引用発明の「前記半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために使用される静電チャック装置の洗浄方法」は、以下の相違点を除き、本願発明１の「基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする（ablating）方法」に相当する。
　　イ　引用発明の「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４」から「前記第２接着剤層３６」を「完全に除去する」ための具体的方法は、「洗浄等」である。
　これに対して、本願発明１の「アブレーション」すなわち洗浄の具体的方法は、「レーザビームを走査させ」て行う「前記接着剤残留物」の「アブレーション」である。
　ここで、本願発明１は、「レーザビームを走査させ」て「前記表面」の「テクスチャ加工」も行っている。この、本願発明１が「レーザビームを走査させ」て行う、「前記接着剤残留物」の「アブレーション」と、「前記表面」の「テクスチャ加工」について、本願明細書には、段落【００４４】に「残留接着剤のレーザアブレーションの後、構成部品をレーザビーム４１０によってさらにアブレーションして表面に特徴部をスクライブすることで、レーザテクスチャ加工表面をもたらすこともできる。」と、段落【００４５】に「レーザテクスチャ加工表面７２４にしっかりと付着していることによって……残留物３６１の付着の改善により、より長い期間連続してチャンバを使用することが可能となり、その後、構成部品７２０からはがれ落ちるまたは剥離することがある残留物３６１を除去するために構成部品７２０を洗浄することが必要となる。」と記載されている。
　したがって、本願明細書には、「レーザビームを走査させ」て行う「前記接着剤残留物」の「アブレーション」と、「レーザビームを走査させ」て行う「前記表面」の「テクスチャ加工」は、異なるタイミングで独立して行うことしか記載されていない。
　そうすると、本願発明１の「前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させると共に、前記表面をテクスチャ加工して（ｉ）複数の周期的に離間された溝、及び、（ｉｉ）複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させるステップ」という構成は、「前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させる」ことと、「前記表面をテクスチャ加工して（ｉ）複数の周期的に離間された溝、及び、（ｉｉ）複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させる」ことと、分けて検討するべきであると認められる。
　　ウ　以上から、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする（ablating）方法」
（相違点）
　本願発明１は「（ａ）前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させる」のに対し、引用発明は「使用した積層シート３５を剥がして新たな積層シート３５を張る際」に残留した「前記第２接着剤層３６」を「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４から洗浄等により完全に除去する」点。
　（相違点２）本願発明１は「前記表面をテクスチャ加工して（ｉ）複数の周期的に離間された溝、及び、（ｉｉ）複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させる」のに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　（２）相違点についての判断
　　ア　事案に鑑みて、相違点２について検討する。
　引用文献１には、「静電チャック装置の洗浄」については、第５の１（１）イで摘記したように、段落【００４５】の「第２接着剤層３６が薄いために、積層シート３５を剥がして新たな積層シート３５を張る際に、セラミック絶縁板３２および電極層３４から接着剤を洗浄等により完全に除去することが容易である」ことしか記載されていない。
　一方、前記セラミック絶縁板３２または前記電極層３４の加工について、引用文献１には、第５の１（１）ウで摘記したように、段落【００４６】に「セラミック絶縁板３２の一面を研削加工し、電極層３４のパターンをなす一定深さの凹部を形成する」こと、「予め打ち抜き加工等により形成した板状の電極層３４を凹部にはめ込んで接着」すること、「電極層３４を形成した面を研磨加工等により平滑にする」こと、「セラミック絶縁板３２を製造する時点で、焼成前のセラミック絶縁板に所定のパターン形状を有する凹部を形成」することが記載されているが、当該加工は「研削加工」、「打ち抜き加工」及び「研磨加工」という機械的な加工方法であり、「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４」をレーザビームの走査により加工することは、引用文献１には記載も示唆もされていない。
　　イ　一方、原査定においては、「構成部品の表面上の不必要な物質をレーザにより除去すると共にレーザービームを走査して溝などテクスチャを形成することは周知技術である」ことを示すために「周知技術を示す文献」として、引用文献３と引用文献４が引用されている。
　しかし、前記テクスチャを形成するためのレーザービームの走査対象は、引用文献３にあっては第５の３（１）ウで摘記したように「プリント配線板１７」であり、引用文献４にあっては第５の４（１）アで摘記したように「メンブレン回路の導電パターンが形成された絶縁フィルム」である。
　したがって、引用文献３及び引用文献４に記載されたレーザビームの走査対象は、回路基板であって、当該回路基板を処理する基板処理装置の構成部品ではない。
　　ウ　そうすると、基板処理装置である「静電チャック装置」の「洗浄方法」ないしは「静電チャック装置」の構成部品の機械的な加工に係る引用文献１に記載の技術と、レーザビームの走査による回路基板の加工に係る引用文献３及び引用文献４に記載の技術とは、対象部品の技術分野が異なる。
　そして、引用文献１には、「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４」をレーザビームの走査により加工することは記載も示唆もされていないから、「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４」の加工を、機械的な加工に代えてレーザビームの走査により行うことの動機付けとなる記載はない。
　したがって、対象部品の技術分野が異なる引用文献３及び引用文献４に記載された「レーザービームを走査して溝などテクスチャを形成する」という工程を、引用発明にさらに追加することを、動機付けなく当業者が想起したとは認められない。
　　エ　そして、「基板処理構成部品の表面」の「一部にわたってレーザビームを走査させる」ことで「前記表面をテクスチャ加工して（ｉ）複数の周期的に離間された溝、及び、（ｉｉ）複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成する」ことは、引用文献２、及び、引用文献５ないし引用文献８にも記載されていない。
　　オ　これに対して、本願発明１は、相違点２に係る構成を備えることで、審判請求書の３（３）で審判請求人が主張するように、「構成部品７２０のレーザテクスチャ加工表面７２４は、構成部品表面上に堆積するプロセス残留物を通常もたらす基板処理チャンバ３０６内のガスまたはプラズマにさらされる、構成部品７２０の表面でもよい。レーザテクスチャ加工表面７２４は、処理チャンバ３０６の内部環境に表面特徴部を提示する。処理チャンバ３０６上には、残留物３６１が集まり付着し、複数回の基板処理サイクルにおいてテクスチャ加工表面に相当量の残留物３６１が堆積された後でさえも依然としてしっかりと固着したままでも可能である。レーザテクスチャ加工表面７２４にしっかりと付着していることによって、残留物３６１が構成部品７２０からはがれ落ち、チャンバ３０６内で処理されている基板３０４を汚染することを実質的に防ぐ。」という、本願明細書の段落【００４５】に記載された格別の効果を奏するものである。
　　カ　ところで、第５の５（１）ア〜ウで摘記したように、半導体製造装置の構成部品の表面に凹凸を形成して前記構成部品の表面積を増やすことで塵埃の補集効率を向上させることは、公知の技術である。
　しかしながら、引用発明の「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４」は、「前記絶縁性フィルム３８および前記第２接着剤層３６」からなる「積層シート３５」で被覆された状態で「前記絶縁性フィルム３８が損耗」するまで「半導体ウエハを加工する工程」で使用されるものである。
　したがって、仮に「前記セラミック絶縁板３２及び前記電極層３４」の表面を「テクスチャ加工」したとしても、「半導体ウエハを加工する工程」の処理残留物が当該「テクスチャ加工」表面に付着して処理対象物を汚染から防ぐという前記本願明細書の段落【００４５】に記載された効果を、引用発明が奏することはない。
　　キ　以上から、相違点１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献２ないし引用文献８に記載された技術を参照したとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし本願発明４について
　本願発明２ないし本願発明４は、本願発明１の記載を引用する発明であり、本願発明１をさらに限定した発明である。
　したがって、本願発明１と同じ理由により、本願発明２ないし本願発明４は、引用文献２ないし引用文献８に記載された技術を参照したとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　平成２９年９月２６日に提出された手続補正書により補正された請求項１は、相違点２に係る構成を備えており、上記のとおり、本願発明１ないし４は、原査定ないし平成２６年１１月１３日付けの拒絶理由通知で引用された引用文献２ないし引用文献８に記載された技術を参照したとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとすることはできない。
　したがって、もはや原査定を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由について
　１　理由１（１）について
　平成２９年９月２６日に提出された手続補正書によって、本願の請求項２における、補正前の「前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程」という記載が、「前記ポリマーコーティングをアブレーションする工程」という記載に補正された。
　この補正された本願の請求項２の記載は、本願明細書の記載と整合するものである。
　よって、平成２９年３月２４日付け当審拒絶理由の理由１（１）は解消した。
　２　理由１（２）について
　平成２９年９月２６日付けに提出された手続補正書によって、本願の請求項４における、補正前の「（i）前記ビームが、約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２のワット数を提供すること」及び「（v）前記ビームが、約１００ワット〜約５０００ワットの出力領域を有すること」という記載が、「（i）前記ビームが、１００ワット〜５０００ワットの範囲にある出力レベルを有するとともに、９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２の出力密度を提供すること」という記載に補正された。
　この補正された本願の請求項４の記載は、本願明細書の記載と整合するものである。
　よって、平成２９年３月２４日付け当審拒絶理由の理由１（２）は解消した。
　３　理由２（１）について
　平成２９年９月２６日付けに提出された手続補正書によって、本願の請求項２における、補正前の「前記基板処理構成部品がアクリル残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程を備える」という記載が、「前記基板処理構成部品がアクリル接着剤からなる前記接着剤残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングをアブレーションする工程を備える」という記載に補正された。
　この補正された本願の請求項２の記載は明確である。
　よって、平成２９年３月２４日付け当審拒絶理由の理由２（１）は解消した。
　４　理由２（２）について
　平成２９年９月２６日付けに提出された手続補正書によって、本願の請求項４における、補正前の「前記ビームが、約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２のワット数を提供する」という記載が、「前記ビームが、１００ワット〜５０００ワットの範囲にある出力レベルを有する」という記載に補正された。
　この補正された本願の請求項４の記載は明確である。
　よって、平成２９年３月２４日付け当審拒絶理由の理由２（２）は解消した。
　５　小括
　以上から、当審拒絶理由によっては、もはや本願を拒絶することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり、本願発明１−４は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし引用文献８に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。