Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
水素イオン濃度の変化による理論上の電圧変化は、理論的にはネルンストの式と呼ばれる式から求めることができる。例えば、２５℃において、電圧変化は、おおよそ５９ｍＶ／ｐＨである。この変化（変動）が、ＩＳＦＥＴのゲート電圧に変化を与え、ＩＳＦＥＴの出力電流が変化する。実際には、水素イオン濃度の変動に対する電圧変動は、理論値より低く、ｐＨあたり数１０ｍＶ程度となる。上記ＤＮＡの伸長反応によって発生する水素イオン濃度の変化は、反応を起させるＤＮＡ鎖の数と反応を起させる空間の大きさや試薬にもよるが、ｐＨの変化では０．１程度である。そのため、ＩＳＦＥＴの出力信号の変化は極めて小さい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
これを解決するために、ＩＳＦＥＴの高感度化が検討されている。この例として特許文献２に記載されている技術がある。特許文献２においては、多数のＩＳＦＥＴが、アレイ状に配置されており、その図７５Ｆには、水素イオンの濃度変化を検出する単位セルが、７５Ｆ１として示されている。この単位セル７５Ｆ１は、高感度化の機能を備えている。図７５Ｆにおいて、ＩＳＦＥＴとして示されている部分が、ＩＳＦＥＴの回路表現であり、ＩＳＦＥＴは、イオン感応膜（部分）７５Ｆ６と、これがゲートに接続されたＭＯＳＦＥＴ（トランジスタ）７５Ｆ２とから構成されている。同図において、７５Ｆ３はバイアス電流を与えるＭＯＳＦＥＴであり、７５Ｆ４は出力信号線７５Ｆ７（Ｃｏｌｕｍｎ  Ｂｕｓ）と接続するためのＭＯＳＦＥＴである。また、同図において、Ｒｏｗ  Ｓｅｌｅｃｔは、単位セル７５Ｆ１を選択する信号線である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
更に、ＭＯＳＦＥＴＭ１の他方の電極（ドレイン電極またはソース電極）は、ＭＯＳＦＥＴＭＳのソース電極（ノードＮ１）に接続され、ＭＯＳＦＥＴＭ１の一方の電極（ソース電極またはドレイン電極）は、回路の接地電圧Ｖｓに接続されている。言い換えるならば、バイアス電圧ＶＢｉａｓと回路の接地電圧Ｖｓとの間で、ＭＯＳＦＥＴＭＳ（ＩＳＦＥＴ）とＭＯＳＦＥＴＭ１とは直列に接続されている。ＭＯＳＦＥＴＭ１が、ＩＳＦＥＴ内のＭＯＳＦＥＴＭＳと直列に接続されていることにより、このＭＯＳＦＥＴＭ１をオン状態としたとき、ＭＯＳＦＥＴＭＳのソース電極（ノードＮ１）は、回路の接地電圧Ｖｓとなる。これにより、ＭＯＳＦＥＴＭＳは、バイアス電圧ＶＢｉａｓとノードＮ１との間に電流を流すチャンネルを形成することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
以下に述べる動作によれば、セル毎にＭＯＳＦＥＴＭＳ（ＩＳＦＥＴ）のしきい値電圧の変化の大きさを変えることができる。これによって、例えば製造時の電荷蓄積によって、各セルのＭＯＳＦＥＴＭＳが異なるしきい値電圧、つまりオフセットを持ってしまったり、或いは、動作を続けている内に異なってきたりしても、同じしきい値電圧に揃えることが可能となる。これによって、それぞれ、ＩＳＦＥＴを含み、増幅機能を備えた複数のセルから、高感度なアレイとしての信号を得ることができる。例を挙げて後で説明するが、ひとつの測定の過程で、例えば試薬の温度が変えられる。この温度を変える前にしきい値電圧を変化させて、温度を変えた後の信号をより高感度に得ることもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
先ず、図４に示した動作の制御においては、全てのセルのしきい値電圧を一括に変更するために、選択回路３０５に対して、全ての読み出し信号線ＷＲ１、ＷＲ２と全てのオフセットキャンセル信号線ＷＣ１、ＷＣ２をロウレベルにすることを指示する。また、このとき、制御回路３１５は、制御電圧ＶＢおよびＶＲを形成するＶＲ・ＶＢ形成回路６００に対して、図４に示した電圧ＶＲ、ＶＢを形成させ、フローセル２００に設けられた参照電極２０２および半導体基板２０８へ印加させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
この実施の形態においては、ＭＯＳＦＥＴＭＳのしきい値電圧を変更する際には、そのＭＯＳＦＥＴＭＳを含むセル（例えばＣ１１）に対応する読み出し信号線（例えばＷＲ１）をハイレベルにし、残りの読み出し信号線ＷＲ２をロウレベルにする。また、このとき、オフセットキャンセル信号線ＷＣ１をハイレベルにし、オフセットキャンセル信号線ＷＣ２をロウレベルにする。これにより、例えば１列のセルに対してしきい値電圧の変更を行う。このときには、他の列のセルに対して、バイアス電圧ＶＢｉａｓがＭＯＳＦＥＴＭＳに印加されるのを防ぐことが可能となる。また、セルの信号を読み出す際には、オフセットキャンセル信号線ＷＣ１、ＷＣ２をロウレベルとし、読み出すセルに対応した読み出し信号線ＷＲ（例えば、ＷＲ１）をハイレベルにし、残りの読み出し信号線ＷＲ２をロウレベルにする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2015072240.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極およびアノード電極で挟まれる半導体結晶を用いてなる半導体放射線検出器であって、
前記半導体結晶は、不純物としての鉛の濃度が０．１ｐｐｍ未満であり、かつＸ線回折における（１１０）ロッキングカーブの、試料傾斜角スキャンにおける半値全幅が１．６ｄeｇ以下、試料面内回転角スキャンにおける半値全幅が３．５ｄeｇ以下、Ｘ線入射角スキャンにおける半値全幅が１．３ｄeｇ以下である臭化タリウムの単結晶で構成されていることを特徴とする半導体放射線検出器。
【請求項２】
カソード電極およびアノード電極で挟まれる半導体結晶を用いてなる半導体放射線検出器であって、
前記半導体結晶は、不純物としての鉛の濃度がグロー放電質量分析（ＧＤＭＳ）による鉛濃度の検出限界以下であり、かつＸ線回折における（１１０）ロッキングカーブの、試料傾斜角スキャンにおける半値全幅が１．６ｄeｇ以下、試料面内回転角スキャンにおける半値全幅が３．５ｄeｇ以下、Ｘ線入射角スキャンにおける半値全幅が１．３ｄeｇ以下である臭化タリウムの単結晶で構成されていることを特徴とする半導体放射線検出器。
【請求項３】
カソード電極およびアノード電極で挟まれる半導体結晶を用いてなる半導体放射線検出器であって、
前記半導体結晶は、不純物としての鉛の濃度が０．０ｐｐｍであり、かつＸ線回折における（１１０）ロッキングカーブの、試料傾斜角スキャンにおける半値全幅が１．６ｄeｇ以下、試料面内回転角スキャンにおける半値全幅が３．５ｄeｇ以下、Ｘ線入射角スキャンにおける半値全幅が１．３ｄeｇ以下である臭化タリウムの単結晶で構成されていることを特徴とする半導体放射線検出器。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体放射線検出器において、
前記カソード電極および前記アノード電極を金、白金、パラジウムのうちの少なくとも一つ以上の金属で構成したことを特徴とする半導体放射線検出器。
【請求項５】
カソード電極およびアノード電極で挟まれる半導体結晶を用いてなる半導体検出器の製造方法であって、
前記半導体結晶として、不純物としての鉛の濃度が０．１ｐｐｍ未満であり、かつＸ線回折における（１１０）ロッキングカーブの、試料傾斜角スキャンにおける半値全幅が１．６ｄeｇ以下、試料面内回転角スキャンにおける半値全幅が３．５ｄeｇ以下、Ｘ線入射角スキャンにおける半値全幅が１．３ｄeｇ以下である臭化タリウムの単結晶を選択することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
カソード電極およびアノード電極で挟まれる半導体結晶を用いてなる半導体検出器の製造方法であって、
前記半導体結晶として、不純物としての鉛の濃度がグロー放電質量分析（ＧＤＭＳ）による鉛濃度の検出限界以下であり、かつＸ線回折における（１１０）ロッキングカーブの、試料傾斜角スキャンにおける半値全幅が１．６ｄeｇ以下、試料面内回転角スキャンにおける半値全幅が３．５ｄeｇ以下、Ｘ線入射角スキャンにおける半値全幅が１．３ｄeｇ以下である臭化タリウムの単結晶を選択することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
カソード電極およびアノード電極で挟まれる半導体結晶を用いてなる半導体検出器の製造方法であって、
前記半導体結晶として、不純物としての鉛の濃度が０．０ｐｐｍであり、かつＸ線回折における（１１０）ロッキングカーブの、試料傾斜角スキャンにおける半値全幅が１．６ｄeｇ以下、試料面内回転角スキャンにおける半値全幅が３．５ｄeｇ以下、Ｘ線入射角スキャンにおける半値全幅が１．３ｄeｇ以下である臭化タリウムの単結晶を選択することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７の何れか１項に記載の半導体放射線検出器の製造方法であって、
前記半導体結晶を作製する場合に、前記半導体結晶の原材料となるインゴットを育成した時の結晶成長面に平行に切断してカソード電極およびアノード電極を被着する面を形成することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
複数の前記半導体放射線検出器が取り付けられるとともに、被検体を支持するベッドが挿入される計測領域を取り囲み、前記計測領域の周囲に配置された基板と、
前記基板の前記複数の半導体放射線検出器から出力された放射線検出信号を基に得られた情報を用いて画像を生成する画像情報作成装置とを備え、
前記半導体放射線検出器が、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体放射線検出器であることを特徴とする核医学診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁体と、前記電気絶縁体に接合された金属筺体と、前記電気絶縁体内に配置された電極および前記電気絶縁体に取り付けられた電極のいずれかの電極と、この電極に接続された電位信号を伝える芯線とを備えた腐食電位センサであって、
前記電気絶縁体と前記金属筺体の接合部に面する位置およびこの接合部に到達する前記電気絶縁体と前記金属筺体の間に形成された隙間に面する位置のいずれかに、吸水反応物を配置したことを特徴とする腐食電位センサ。
【請求項２】
前記吸水反応物が、前記電気絶縁体に取り付けられた前記電極と前記電気絶縁体の接合部に到達する前記電極と前記電気絶縁体の間に形成された隙間に面する位置に配置された請求項１に記載の腐食電位センサ。
【請求項３】
前記吸水反応物は吸水することによって体積が増加する物質である請求項１または２に記載の腐食電位センサ。
【請求項４】
前記吸水反応物がＭｇＯおよびベントナイトのいずれかである請求項３に記載の腐食電位センサ。
【請求項５】
前記金属筺体内に配置された水浸入経路形成部材を前記電気絶縁体の端面に取り付け、前記吸水反応物を、前記金属筺体の内面と水浸入経路形成部材の間に配置している請求項１に記載の腐食電位センサ。
【請求項６】
前記水浸入経路形成部材として前記電気絶縁体を用いる請求項５に記載の腐食電位センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月29日(2016.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同期元データベースにおいてトランザクション処理されたデータを同期先データベースに同期する方法であって、
トランザクション処理された前記データの一部の第１のデータを同期対象のデータとして前記同期元データベースに要求する要求ステップと、
少なくとも前記第１のデータを前記同期元データベースから受信する受信ステップと、
前記同期元データベースにおいて前記第１のデータを処理したトランザクションで処理された、前記第１のデータと異なる第２のデータよりも前記第１のデータを優先して第１の同期処理を実行する第１の同期処理ステップと、
前記第２のデータについて同期先データベースに対して第２の同期処理を実行する第２の同期処理ステップと、を有することを特徴とするデータ同期方法。
【請求項２】
前記要求ステップにおいて、前記同期元データベースに同期対象のデータとして、前記第１のデータおよび前記第２のデータを要求し、
前記受信ステップにおいて、前記第１のデータおよび前記第２のデータを前記同期元データベースから受信し、
前記受信ステップの後、前記第１の同期処理ステップの前に、前記第２のデータを前記同期先の記憶手段に記憶する記憶ステップをさらに有し、
前記第２の同期処理ステップにおいて、前記記憶ステップにおいて前記記憶手段に記憶した前記第２のデータによって前記同期処理を実行することを特徴とする請求項１に記載のデータ同期方法。
【請求項３】
前記第１の同期処理が揮発性メモリに格納されているデータを対象にデータを同期し、
前記第２の同期処理が不揮発性メモリに格納されているデータを対象にデータを同期することを特徴とする請求項１または２に記載のデータ同期方法。
【請求項４】
前記同期先データベースにおいて前記第１の同期処理のみが実行された後に、前記第１の同期処理で同期されたデータへの更新要求を監視する第１の監視ステップをさらに有し、
前記第１の同期処理で同期されたデータへの更新要求が発生したら直ちに、前記第２の同期処理を実行することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のデータ同期方法。
【請求項５】
前記同期先データベースにおいて前記第１の同期処理のみが実行された後に、前記第２の同期処理で同期されるデータへのアクセス要求を監視する第２の監視ステップをさらに有し、
前記第２の同期処理で同期されるデータへのアクセス要求が発生したら直ちに、前記第２の同期処理を実行することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のデータ同期方法。
【請求項６】
前記同期先データベースにおいて前記第１の同期処理のみが実行された後に、前記第２の同期処理で同期されるデータであって、かつ前記第１の同期処理で同期されたデータに対応するデータへの第２のアプリケーションからのアクセス要求を監視する第３の監視ステップと、
前記第３の監視ステップにおいて前記アクセス要求が発生したら直ちに、前記第２のアプリケーションのためにキャッシュメモリを確保して、前記第１の同期処理で同期されたデータを複製し、前記第２のアプリケーションに前記複製したデータへアクセスさせるステップと、
複製元データまたはその複製データのいずれかに対して不整合を生じさせるような更新処理が行われるかを監視し、不整合を生じさせるような更新処理が行われる場合に第２の同期処理を実行するステップをさらに有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のデータ同期方法。
【請求項７】
同期元データベースにおいてトランザクション処理されたデータを受け取り同期先データベースに同期するデータ同期装置であって、
前記同期元データベースに同期対象のデータとして、トランザクション処理された前記データの一部の第１のデータを要求する同期処理管理手段を有し、
前記同期処理管理手段が、
少なくとも前記第１のデータを前記同期元データベースから受信し、
前記同期元データベースにおいて前記第１のデータを処理したトランザクションで処理された、前記第１のデータと異なる第２のデータよりも前記第１のデータを優先して第１の同期処理を実行し、
前記第２のデータについて同期先データベースに対して第２の同期処理を実行することを特徴とするデータ同期装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のデータ同期方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かかる課題を解決するため、本発明のデータ同期方法は、
同期元データベースにおいてトランザクション処理されたデータを同期先データベースに同期する方法であって、
トランザクション処理された前記データの一部の第１のデータを同期対象のデータとして前記同期元データベースに要求する要求ステップと、
少なくとも前記第１のデータを前記同期元データベースから受信する受信ステップと、
前記同期元データベースにおいて前記第１のデータを処理したトランザクションで処理された、前記第１のデータと異なる第２のデータよりも前記第１のデータを優先して第１の同期処理を実行する第１の同期処理ステップと、
前記第２のデータについて同期先データベースに対して第２の同期処理を実行する第２の同期処理ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月1日(2016.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して、発生事象の情報を収集、分類、登録して、データの分析、表示を行う早期状況把握装置において、
情報発信者が端末装置より発信する情報を収集し、当該情報に含まれる内容を要約して、前記要約を当該情報に付与してデータベースに登録し、
前記収集した情報について、情報発信者、情報の内容を分析して信頼度を算出し、
危機的事象発生時には、比較的信頼度の低い情報の活用量を増やして、ユーザに情報を表示し、
情報の空白を示す地域に存在する現場ユーザに、情報空白地域の情報収集を指示し、
前記現場ユーザより報告を受けた情報を収集、分類、分析、表示及び情報収集の指示を繰り返して、表示情報の信頼度を高めることを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項２】
前記収集した情報に含まれる内容を要約する項目としては、少なくとも取得時刻、発信者、位置情報、分類タグ、画像または映像へのリンク先、および信頼度であることを特徴とする請求項１に記載の早期状況把握方法。
【請求項３】
請求項１に記載の早期状況把握方法において、
前記収集した情報の信頼度の計算方法は、前記情報発信者が前記発信した情報について、当該情報発信者が公的ユーザとして登録されているか否か、発信者の内容が実名であるか仮称であるか、又は当該情報の発信よりも以前に同一発信者が発信した１つ以上の情報の信頼度に応じて、当該情報の信頼度を算出することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項４】
請求項１に記載の早期状況把握方法において、
前記収集した情報の信頼度の計算方法は、前記情報発信者が前記発信した情報について、当該情報発信者がオリジナルで作成した情報は、他の情報発信者が発信した情報を部分的、若しくは全て含む情報よりも、高い信頼度を付与することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項５】
請求項２に記載の早期状況把握方法において、
前記収集した情報の信頼度の計算方法は、前記情報発信者が前記発信した情報について、前記データベースを参照して、当該情報に付与された要約の位置情報を基準として、一定の地理的範囲内に、同一の要約の分類タグを付与された情報の登録数に応じて、当該情報の信頼度の値を高くすることを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項６】
請求項２に記載の早期状況把握方法において、
前記収集した情報について、データ分類処理により作成された前記要約の結果と、および算出された信頼度に基づいて、前記データベースへの登録を行わない、若しくは前記データベースから当該情報を削除することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項７】
請求項１に記載の早期状況把握方法において、
前記早期状況把握装置が、一定の地理的範囲内の地域において、前記データベースに登録した情報数と、当該地域の人口数と、当該地域で想定される被害とを比較して、前記情報数が想定される情報数よりも少ない場合に、情報空白地域として抽出することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項８】
請求項２に記載の早期状況把握方法において、
前記早期状況把握装置は、前記データベースに登録された情報について、一定時間以上経過した古い情報を表示しない、または、前記データベースに登録された情報数に応じて、ある地域に類似の分類タグを持つ情報数が少ない場合はそれらの情報を表示せず、ある一定数以上存在する場合に当該地域に分類タグを表示する、または、前記データベースに登録された情報について、ある地域に類似の分類タグを持つ１つ以上の情報に付与された信頼度の合計が一定値以上存在する場合に当該地域に分類タグを表示することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項９】
請求項２、または請求項７に記載の早期状況把握方法において、
前記早期状況把握装置は、前記収集され前記データベースに登録された情報について、当該情報に含まれる位置情報が示す地域の中で前記信頼度の高い情報数が少ない地域、または前記情報空白地域に存在する端末装置に対して、情報収集を依頼するための情報を配信することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項１０】
請求項２に記載の早期状況把握方法において、
前記早期状況把握装置が、前記データベースに登録された前記信頼度が低い情報について、当該情報と類似の分類タグが付与され、かつ一定地理的範囲内の位置情報を持ち、かつ信頼度の高い情報を抽出して比較し、当該情報の内容が誤った内容である場合は、それを訂正する情報を配信することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれかの請求項に記載の早期状況把握方法において、
前記早期状況把握装置は、前記データベースに登録された情報数、前記付与された要約、前記付与された信頼度に基づき、情報収集範囲、頻度の情報収集ルール、または分類、表示、分析に使用するルール情報を変更することを特徴とする早期状況把握方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれかの請求項に記載の早期状況把握装置が実行する早期状況把握方法において、
前記早期状況把握装置は、ネットワークを介して当該早期状況把握装置の機能および情報をサービスとして利用するサービス利用者端末、および現場ユーザ端末と接続され、並びに当該早期状況把握装置を操作してサービス利用者に情報を提供するサービス事業者端末と接続され、
前記早期状況把握装置は、前記サービス利用者端末からのアクセスに対して登録情報に基づいてユーザ認証を行ってサービスを開始し、
前記サービス利用者端末から収集・分類・分析・検索の依頼を受付けて、収集分類データに基づく各種画面データを提供し、
前記サービス利用者端末から現場ユーザ端末へ指示配信依頼を受付けて、現場ユーザ端末へ指示情報を配信して、現場情報を収集することを特徴とする早期状況把握支援サービス方法。
【請求項１３】
ネットワークを介して、発生事象の情報を収集して、分類ルールに基づき、収集データの中に含まれるキーワードから分類タグを付与して、収集分類データベースに登録するデータ収集部と、
収集分類データベースに格納されたデータについて、分析ルールに基づき、データ量が急激に増加または新たに発生、あるいは減少した事象や地域、地図データに含まれる人口分布データ、ハザードマップと比較して収集されたデータ量が少ない、あるいは多い地域、並びに過去の災害時に格納されたデータと比較してデータ量の差分が大きい事象や地域を監視・抽出して、その結果を分析結果データベースに格納するインテリジェンス導出部と、
収集分類データベースや分析結果データベースに格納されたデータを、位置情報に基づき地図データ上にマッピングして、ユーザインタフェースを介して表示する情報表示部と、
収集分類データベースや分析結果データベースに格納されたデータを、ユーザ端末などで表示・利用できる形式にデータ変換を行い、ユーザ端末などへデータを配信する情報配信部と、
データ収集ルール、収集データと付与する分類タグの関係を記載した分類ルール、分析アルゴリズムを記載した分析ルールを、ユーザの入力に基づき作成し、並びに収集分類データベース、分析結果データベースに格納されたデータに基づき、収集ルール、分類ルール、分析ルールを自動的に更新、あるいはユーザの入力に基づき更新するルール管理部とを有することを特徴とする早期状況把握装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月19日(2016.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保全対象に関連するデータを用いて保全対象の設備不良を予測する対話型設備不良予測方法であって、
保全対象に関連するデータ項目間の関連性を分析、表示し、
表示されたデータ項目中で、保全担当者による重要関連データ項目の選択を受け付けて第１群のデータ項目として記録し、
前記第１群のデータ項目の任意数の組合せをそれぞれ用いて不良予測を行い、該第１群のデータ項目の中で最も優れた予測精度を与えるデータ項目組合せである組合せの第１固定化部を求め、
前記重要関連データ項目として選択されなかった残りのデータ項目からの組合せを前記第１固定化部に追加して不良予測を行って、良不良が未知の設備の不良予測に使用するデータ項目組合せを決定することを特徴とする対話型設備不良予測方法。
【請求項２】
請求項１に記載の対話型設備不良予測方法において、
前記良不良が未知の設備の不良予測に使用するデータ項目組合せを決定するステップは、前記表示されたデータ項目中の第２群のデータ項目からの組合せを前記第１固定化部に加えて不良予測を行い、その段階で最も優れた予測精度を与えるデータ項目組合せをデータ項目組合せの第２固定化部とする第１のサブステップと、残りの第３群のデータ項目からの組合せを前記第２固定化部に加えて不良予測を行う第２のサブステップを含み、
前記第１のサブステップ、第２のサブステップを通して最も優れた予測精度を与えるデータ項目の組合せを前記良不良が未知の設備の不良予測に使用するデータ項目組合せと決定することを特徴とする対話型設備不良予測方法。
【請求項３】
請求項２に記載の対話型設備不良予測方法において、
前記第２群のデータ項目は、前記データ項目間の関連性の分析により前記重要関連データ項目との関連性が低いと分析されたデータ項目であることを特徴とする対話型設備不良予測方法。
【請求項４】
請求項２に記載の対話型設備不良予測方法において、
前記第２群のデータ項目は、前記重要関連データ項目の中から前記第１固定化部として採用されたデータ項目に対して、関連性が低いと分析されたデータ項目であることを特徴とする対話型設備不良予測方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の対話型設備不良予測方法において、
前記データ項目間の関連性は、データ項目間の相関係数を指標として分析されることを特徴とする対話型設備不良予測方法。
【請求項６】
請求項３または４に記載の対話型設備不良予測方法において、
データ項目間の関連性は、データ項目間の相関係数を指標として分析され、
データ項目間の関連性が低いとは、データ項目間の相関係数があらかじめ定められた値より小さいことである対話型設備不良予測方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の対話型設備不良予測方法において、
データ項目の組合せを用いた不良予測とは、該保全対象に関連するデータ項目の中で、
設備の不良に関するデータ項目を目的変数とし、該データ項目の複数の組合せを目的変数として、判別分析を行うことであることを特徴とする対話型設備不良予測方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月4日(2016.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パッドを有する配線基板と、
前記接続パッドに接合部材を介して電気的に接続された接続端子を有する半導体チップと、を有し、
前記接合部材は、
前記接続パッドとの界面に設けられ、Ｃｕ３Ｓｎ又はＮｉ３Ｓｎ４の金属間化合物からなる第１金属間化合物層と、
前記接続端子との界面に設けられ、Ｃｕ３Ｓｎ又はＮｉ３Ｓｎ４の金属間化合物からなる第２金属間化合物層と、
前記第１金属間化合物層と前記第２金属間化合物層との間に設けられ、Ｃｕ６Ｓｎ５又は（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の金属間化合物からなる第３金属間化合物層と、
Ｂｉ単体からなり、前記第３金属間化合物層内に点在して設けられた複数の金属と、を有し、
前記各金属の表面全面は、前記第３金属間化合物層に被覆され、
前記複数の金属は、前記第３金属間化合物層内で層状に形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
接続パッドを有する配線基板と、
前記接続パッドに接合部材を介して電気的に接続された接続端子を有する半導体チップと、を有し、
前記接合部材は、
前記接続パッドとの界面に設けられ、Ｃｕ３Ｓｎ又はＮｉ３Ｓｎ４の金属間化合物からなる第１金属間化合物層と、
前記接続端子との界面に設けられ、Ｃｕ３Ｓｎ又はＮｉ３Ｓｎ４の金属間化合物からなる第２金属間化合物層と、
前記第１金属間化合物層と前記第２金属間化合物層との間に設けられ、Ｃｕ６Ｓｎ５又は（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の金属間化合物からなる第３金属間化合物層と、を有し、
前記第３金属間化合物層は、前記第３金属間化合物層が海部分を構成し、Ｂｉ単体が島部分を構成する海島構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記接合部材には、Ｓｎ単体が含まれていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接続端子は、柱状の金属ポストであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接続端子は、銅又は銅合金からなる柱状の金属ポストと、前記金属ポストの第１面を被覆し、ニッケル又はニッケル合金からなる金属層とを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板は、
最外層の配線パターンと、
前記配線パターンの少なくとも一部を前記接続パッドとして露出する開口部を有するソルダレジスト層と、
を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一観点によれば、接続パッドを有する配線基板と、前記接続パッドに接合部材を介して電気的に接続される接続端子を有する半導体チップと、を有し、前記接合部材は、前記接続パッドとの界面に設けられ、Ｃｕ３Ｓｎ又はＮｉ３Ｓｎ４の金属間化合物からなる第１金属間化合物層と、前記接続端子との界面に設けられ、Ｃｕ３Ｓｎ又はＮｉ３Ｓｎ４の金属間化合物からなる第２金属間化合物層と、前記第１金属間化合物層と前記第２金属間化合物層との間に設けられ、Ｃｕ６Ｓｎ５又は（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の金属間化合物からなる第３金属間化合物層と、Ｂｉ単体からなり、前記第３金属間化合物層内に点在して設けられた複数の金属と、を有し、前記各金属の表面全面は、前記第３金属間化合物層に被覆され、前記複数の金属は、前記第３金属間化合物層内で層状に形成されていない。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
第１ヒータを備えたステージに、電極端子を備えた半導体装置を載せるステップと、
内面に設けられたコンタクトピンと、前記コンタクトピンを加熱する第２ヒータと、を備えたカバーを準備するステップと、
前記ステージの上に載せられた半導体装置を前記カバーで覆いつつ前記電極端子に前記コンタクトピンを接触させるステップと、
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに通電して前記半導体装置および前記コンタクトピンを加熱し、前記コンタクトピンを介して前記半導体装置の電気的測定を行うステップと、
を備えることを特徴とする半導体装置の検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかる半導体装置の検査方法は、
第１ヒータを備えたステージに半導体装置を載せるステップと、
内面に設けられたコンタクトピンと、前記コンタクトピンを加熱する第２ヒータと、を備えたカバーを準備するステップと、
前記ステージの上に載せられた半導体装置を前記カバーで覆い、前記電極端子に前記コンタクトピンを接触させるステップと、
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに通電して前記半導体装置および前記コンタクトピンを加熱し、前記コンタクトピンを介して前記半導体装置の電気的測定を行うステップと、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月26日(2016.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナを有し、車両に搭載される車載器と、前記車載器との間で無線通信を行う携帯機とを備える車両用近距離無線通信システムであって、
前記車載器は、車内に設けられた車内アンテナとしての第１アンテナと、車外に設けられた車外アンテナとしての第２アンテナとを有し、前記第１アンテナから前記携帯機を呼び出す呼出信号と共に、第１バーストを送信し、前記第２アンテナから前記第１バーストに続けて、第２バーストを送信し、
前記携帯機は、前記車載器から送信された信号を受信し、受信した信号に含まれる前記第１バースト及び前記第２バーストからそれぞれ受信信号強度を計測し、計測した各受信信号強度と所定の閾値との閾値判定の結果に基づいて、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行う際、（１）前記第１バーストから計測した第１受信信号強度が所定の第１閾値を超えない場合、または、（２）前記第１受信信号強度が前記第１閾値を超えて、かつ、前記第２バーストから計測した第２受信信号強度が所定の第２閾値を超える場合、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行わない、
車両用近距離無線通信システム。
【請求項２】
前記車載器は、前記第２アンテナとは異なる車外アンテナである第３アンテナを更に有し、（３）前記第１受信信号強度が前記第１閾値を超えて、かつ、前記第２受信信号強度が所定の第２閾値を超えず、かつ、前記第３バーストから計測した第３受信信号強度が前記第２閾値を超える場合に、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行わない、
請求項１に記載の車両用近距離無線通信システム。
【請求項３】
前記第２アンテナと前記第３アンテナの一方は、車外運転席側ドアハンドルアンテナであり、他方は車外助手席側ドアハンドルアンテナである、
請求項２に記載の車両用近距離無線通信システム。
【請求項４】
前記携帯機は、当該携帯機をスリープ状態に遷移することで、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行わない、
請求項１に記載の車両用近距離無線通信システム。
【請求項５】
前記車載器は、少なくとも（４）前記第１受信信号強度が前記第１閾値を超えて、かつ、前記第２受信信号強度及び前記第３受信信号強度がいずれも前記第２閾値を超えない場合に、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行う、
請求項２に記載の車両用近距離無線通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の車両用近距離無線通信システムは、複数のアンテナを有し、車両に搭載される車載器と、前記車載器との間で無線通信を行う携帯機とを備える車両用近距離無線通信システムであって、前記車載器は、車内に設けられた車内アンテナとしての第１アンテナと、車外に設けられた車外アンテナとしての第２アンテナとを有し、前記第１アンテナから前記携帯機を呼び出す呼出信号と共に、第１バーストを送信し、前記第２アンテナから前記第１バーストに続けて、第２バーストを送信し、前記携帯機は、前記車載器から送信された信号を受信し、受信した信号に含まれる前記第１バースト及び前記第２バーストからそれぞれ受信信号強度を計測し、計測した各受信信号強度と所定の閾値との閾値判定の結果に基づいて、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行う際、（１）前記第１バーストから計測した第１受信信号強度が所定の第１閾値を超えない場合、または、（２）前記第１受信信号強度が前記第１閾値を超えて、かつ、前記第２バーストから計測した第２受信信号強度が所定の第２閾値を超える場合、前記呼出信号に対する前記車載器への応答を行わない。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ズーム操作および合焦操作を行う光学装置であって、
手動でズームレンズを駆動可能なズーム操作部と、
合焦レンズを駆動可能な合焦レンズ駆動部と、
前記ズーム操作部が操作されたときに前記合焦レンズ駆動部が前記合焦レンズを駆動する第１の制御状態と、前記ズーム操作部が操作されたときに前記合焦レンズ駆動部が前記合焦レンズを駆動しないように制御する第２の制御状態と、を選択する選択部と、を有することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記合焦レンズが所定の範囲内に位置していることを判別する合焦レンズ位置判別部と、を更に有し、
前記選択部は、前記合焦レンズ位置判別部が前記合焦レンズが前記所定の範囲内に位置していると判別したときは前記第２の制御状態を選択し、前記合焦レンズ位置判別部が前記合焦レンズが前記所定の範囲外に位置していると判別したときは前記第１の制御状態を選択することを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記所定の範囲は、前記合焦レンズの焦点距離に応じて定められる範囲であることを特徴とする請求項２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記第２の制御状態が選択されているとき、前記合焦レンズは、前記ズーム操作部の操作による前記ズームレンズの駆動に伴い、第１の軌跡に沿って駆動されることを特徴とする請求項２または３に記載の光学装置。
【請求項５】
前記ズーム操作部の操作によって前記第１の軌跡が前記所定の範囲外となるとき、前記合焦レンズは、第２の軌跡に沿って駆動されることを特徴とする請求項４に記載の光学装置。
【請求項６】
前記第２の軌跡は、前記合焦レンズの合焦可能範囲の限界位置を規定していることを特徴とする請求項５に記載の光学装置。
【請求項７】
前記ズームレンズが広角端または望遠端に位置しているとき、前記合焦レンズ駆動部は、前記合焦レンズを合焦可能範囲の限界位置に保持することを特徴とする請求項５または６に記載の光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の光学装置と、
前記光学装置を着脱可能とする撮像装置と、を有することを特徴とするカメラシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての光学装置は、ズーム操作および合焦操作を行う光学装置であって、手動でズームレンズを駆動可能なズーム操作部と、合焦レンズを駆動可能な合焦レンズ駆動部と、前記ズーム操作部が操作されたときに前記合焦レンズ駆動部が前記合焦レンズを駆動する第１の制御状態と、前記ズーム操作部が操作されたときに前記合焦レンズ駆動部が前記合焦レンズを駆動しないように制御する第２の制御状態と、を選択する選択部と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
フォーカス駆動モータ１０９は、中央演算手段１２０に設けられた合焦レンズ駆動手段（合焦レンズ駆動部）１２１および合焦レンズ保持手段１２２により駆動制御されている。合焦レンズ駆動手段１２１は、フォーカス駆動モータ１０９を駆動制御することで、第３レンズ群１０６を光軸方向に駆動可能としている。合焦レンズ保持手段１２２は、フォーカス駆動モータ１０９の回転を止め、第３レンズ群１０６を現在の位置に保持する。すなわち、合焦レンズ保持手段１２２は、合焦レンズ駆動手段１２１が第３レンズ群１０６を駆動しないように制御する。選択手段（選択部）１２３は、合焦レンズ駆動手段１２１の制御信号あるいは合焦レンズ保持手段１２２の制御信号のいずれかを選択してフォーカス駆動モータ１０９に入力する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板に発光素子が実装されて構成された発光部と、
前記発光部から放出される熱を前記発光部以外の対象に伝達する放熱部と、
前記発光部と前記放熱部とを接合する接合部と
を備え、
前記接合部は、
前記プリント基板を構成する基材自身の前記放熱部との接触面により構成され、前記発光部の発光に伴う前記発光部自身及び前記放熱部の少なくとも一方の最高到達温度より高く且つ前記発光素子の前記プリント基板への実装温度より低いガラス転移温度を有する樹脂素材を含んでいる
発光ユニット。
【請求項２】
前記樹脂素材は、
電気絶縁性を有する絶縁体である
請求項１記載の発光ユニット。
【請求項３】
前記樹脂素材のガラス転移温度は、
１１０℃以上、２２０℃以下である
請求項１又は請求項２記載の発光ユニット。
【請求項４】
前記樹脂素材の厚寸は、
５０μｍ以上、５ｍｍ以下である
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項５】
前記発光部、前記放熱部及び前記接合部を内包する外管を備え、
前記放熱部は、前記外管内に接着されたアルミ製のヒートシンクである
請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項６】
前記発光部、前記放熱部及び前記接合部を内包する外管を備え、
前記放熱部は、前記外管の一部である
請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項７】
前記プリント基板を構成する前記基材の前記発光素子側の表面に、前記発光素子の発光天面を覆わないように反射部材が配置されている
請求項１〜請求項６の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項８】
前記反射部材は
全反射の特性を有する
請求項７記載の発光ユニット。
【請求項９】
前記プリント基板は
ＦＰＣ又はリジッド基板である
請求項１〜請求項８の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項１０】
前記プリント基板の配線パターンを形成する金属は銅又はアルミである
請求項１〜請求項９の何れか一項に記載の発光ユニット。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０の何れか一項に記載の発光ユニットを備えた
照明ランプ。
【請求項１２】
請求項１１記載の照明ランプを備えた
照明装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１０の何れか一項に記載の発光ユニットの製造方法であって、
前記プリント基板の前記基材に前記発光素子を実装して前記発光部を組立てる工程と、
組立てられた前記発光部を、前記プリント基板の前記基材が前記放熱部に接触するようにして載置する工程と、
組立てられた前記発光部を前記放熱部に載置した状態で、前記基材のガラス転移温度以上の温度で加熱する工程と、
を有する
発光ユニットの製造方法。
【請求項１４】
前記加熱する工程の後に行われ、全体を冷却する工程と、
前記冷却する工程の後に行われ、前記プリント基板を構成する前記基材の前記発光素子側の表面に、前記発光素子の発光天面を覆わないように反射部材を配置する工程と、
を有する
請求項１３記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項１５】
前記プリント基板は、ＦＰＣ又はリジッド基板である
請求項１３又は請求項１４記載の発光ユニットの製造方法。
【請求項１６】
前記プリント基板の配線パターンを形成する金属は銅又はアルミである
請求項１３〜請求項１５の何れか一項に記載の発光ユニットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月19日(2016.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録済の記録媒体を保管可能な第１保管部と、
複数の未記録の記録媒体を保管可能な第２保管部と、
前記記録媒体を各部に搬送可能な記録媒体搬送部と、
前記記録媒体搬送部により前記第１保管部から搬送された前記記録済の記録媒体のデータを読み出すとともに、前記記録媒体搬送部により前記第２保管部から搬送された前記未記録の記録媒体に前記データを書き込むデータ読み書き部と、
前記データ読み書き部で読み出されたデータを保管するデータ保管部と、
前記データ保管部に保管されたデータの種別に基づいて前記データを分類するデータ処理部と、を備えることを特徴とする記録媒体処理装置。
【請求項２】
少なくとも前記データの種別情報を表示可能な表示部を有し、
前記表示部は、デフォルトとして前記データの種別を表示することを特徴とする請求項１に記載の記録媒体処理装置。
【請求項３】
少なくとも作業指示を入力可能な入力部と、
外部にホスト装置が接続されているか否かを検知する接続検知部と、を有し、
前記表示部は、前記接続検知部により検知された前記ホスト装置の接続情報を表示可能であり、
前記入力部は、前記ホスト装置を用いるか否かを選択可能であることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体処理装置。
【請求項４】
前記表示部は、前記入力部を兼ねたタッチパネル方式であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の記録媒体処理装置。
【請求項５】
前記データ処理部は、前記分類されたデータを分類整理データとして前記データ保管部に保管させ、
前記データ読み取り部は、前記記録媒体搬送部により前記第２保管部から搬送された前記未記録の記録媒体に、前記分類整理データを書き込むことを特徴とする請求項１に記載の記録媒体処理装置。
【請求項６】
複数の記録済の記録媒体を保管可能な第１保管部と、複数の未記録の記録媒体を保管可能な第２保管部と、前記記録媒体を各部に搬送可能な記録媒体搬送部と、前記記録媒体搬送部により前記第１保管部から搬送された前記記録済の記録媒体のデータを読み出すとともに、前記記録媒体搬送部により前記第２保管部から搬送された前記未記録の記録媒体に前記データを書き込むデータ読み書き部と、作業指示を入力可能な入力部を兼ねる前記データの種別情報を表示可能な表示部と、を備える記録媒体処理装置の制御方法であって、
前記データ読み書き部で前記記録済の記録媒体の前記データを読み取るデータ読み取り工程と、
前記データ読み取り工程で読み取られた前記データを、前記データの種別に基づいて分類するデータ処理工程と、
前記表示部で表示される前記データの種別情報に基づいて分類済の前記データを前記未記録の記録媒体に書き込むデータ書き込み工程と、を備えることを特徴とする記録媒体処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光層と、
前記有機発光層の上側に形成される上部電極と、
前記有機発光層の下側に形成される反射層と、を備えた複数の有機ＥＬ素子を有し、前記有機発光層の前記上部電極が形成される側に画像を表示する有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記反射層は、
複数の第１の平面と、
前記第１の平面よりも下側に形成される複数の第２の平面と、
前記第１の平面と前記第２の平面の間に形成されて、前記第２の平面となす角が３５度以上５５度以下である斜面とを有し、
且つ前記第１の平面と前記斜面と前記第２の平面とで構成される複数の凹部を備え、
前記複数の有機ＥＬ素子の内の少なくとも２つ以上は、第１方向に並び、
前記第１の平面は、前記凹部の上面に相当する前記第１方向の第１の幅を有し、
前記第２の平面は、前記凹部の下面に相当する前記第１方向の第２の幅を有し、
前記第１の幅は、前記斜面の前記第１方向の幅に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさであり、
前記第２の幅は、前記斜面の前記第１方向の幅に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさである、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１の幅は、前記第１の平面と前記第２の平面との間の、前記凹部の深さ方向の距離に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさである、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記斜面と前記第２の平面とのなす前記角は、４０度以上５０度以下となる、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機発光層の下側に形成される下部電極と前記反射層の間には絶縁層が形成されて、
前記絶縁層は、前記複数の凹部によって生じる段差を平坦化するように形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子における前記上部電極と前記有機発光層は、前記反射層の前記複数の凹部が配置される位置で凹むように形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１項に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記第２の幅は、前記第１の平面と前記第２の平面との間の、前記凹部の深さ方向の距離に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさである、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか１項に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の有機ＥＬ素子が形成された第１の基板と、前記第１の基板上の前記複数の有機ＥＬ素子を封止する第２の基板とを有し、
前記複数の有機ＥＬ素子における前記有機発光層は白色に発光し、
前記第２の基板には、カラーフィルタが形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６の何れか１項に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の有機ＥＬ素子が形成された第１の基板と、前記第１の基板上の前記複数の有機ＥＬ素子を封止する第２の基板とを有し、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、中空層が形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
有機発光層と、
前記有機発光層の上側に配置される上部電極と、
前記有機発光層の下側に配置される反射層と、を備え、第１方向に並ぶ複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記反射層は、複数の第１の平面と、前記第１の平面よりも下側に形成される複数の第２の平面と、前記第１の平面と前記第２の平面の間に位置する斜面とで構成される複数の凹部を備え、
前記第１の平面は、前記凹部の上面に相当する前記第１方向の第１の幅を有し、
前記第２の平面は、前記凹部の下面に相当する前記第１方向の第２の幅を有し、
前記第１の幅は、前記斜面の前記第１方向の幅に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさであり、
前記第２の幅は、前記斜面の前記第１方向の幅に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさである、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１の幅は、前記第１の平面と前記第２の平面との間の、前記凹部の深さ方向の距離に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさである、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記第２の幅は、前記第１の平面と前記第２の平面との間の、前記凹部の深さ方向の距離に対して１．５倍以上２．５倍以下の大きさである、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月21日(2016.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板を有し、表示領域とその外側の非表示領域とに区画されて、前記表示領域の前記樹脂基板上に薄膜トランジスタとエレクトロルミネッセンス発光素子が形成された第１基板と、
前記第１基板の前記表示領域の上面に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板の前記非表示領域上に圧着されたＩＣチップと、
を備え、
前記第１基板は、
前記樹脂基板と前記ＩＣチップとの間に、平面視形状が前記ＩＣチップよりも大きく、前記樹脂基板よりも硬度の高い少なくとも１つの支持基板を有し、
前記ＩＣチップは、
平面視で前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つが設けられた領域の内側に位置することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記少なくとも１つの支持基板が、平面視で前記表示領域の外側に位置することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示装置において、
前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つが金属からなる金属支持基板であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置において、
前記金属支持基板が前記薄膜トランジスタの配線と同層に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つが絶縁材料からなる絶縁支持基板である、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つがポリシリコンで形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記少なくとも１つの支持基板は、絶縁材料からなる絶縁支持基板と金属からなる金属支持基板とを含み、
前記絶縁支持基板は、前記金属指示基板よりも前記樹脂基板の側に形成され、
前記絶縁支持基板と前記金属指示基板との間には絶縁膜が形成されている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置において、
前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
基礎基板上に表示領域とその外側の非表示領域とに区画された樹脂基板を形成する工程と、
前記樹脂基板上に前記樹脂基板よりも硬度が高い少なくとも１つの支持基板を形成する工程と、
前記樹脂基板の前記表示領域上に、薄膜トランジスタとエレクトロルミネッセンス発光素子とを形成する工程と、
前記表示領域に対向するように対向基板を配置する工程と、
前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つの前記非表示領域上に、平面視形状が前記少なくとも１つの支持基板のうちの前記一つよりも小さいＩＣチップを、平面視で前記少なくとも１つの支持基板のうちの前記一つが設けられた領域よりも内側に位置するように圧着する工程と、
前記基礎基板を前記樹脂基板から剥離する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の表示装置の製造方法において、
前記少なくとも１つの支持基板を形成する工程において、
前記少なくとも１つの支持基板を、平面視で前記表示領域の外側に位置するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の表示装置の製造方法において、
金属により、前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つである金属支持基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示装置の製造方法において、
前記金属支持基板を、前記薄膜トランジスタの配線と同層に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
ポリシリコンにより、前記少なくとも１つの支持基板のうちの一つである絶縁支持基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記少なくとも１つの支持基板は、絶縁材料からなる絶縁支持基板と金属からなる金属支持基板とを含み、
前記絶縁支持基板は、前記金属指示基板よりも前記樹脂基板の側に形成され、
前記絶縁支持基板と前記金属指示基板との間には、絶縁膜が形成されている、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。