【手続補正書】
【提出日】平成28年5月26日(2016.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換装置の製造方法において、
半導体基板の第１の部分に配される活性領域を規定し、第１の領域および第２の領域を含み、絶縁体を含んで構成される分離部を前記半導体基板の第２の部分に形成する工程と、
前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極と、を形成する工程と、
前記分離部の前記第１の領域を覆う第１のレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、少なくとも前記分離部の前記第２の領域の下に第２導電型の第５の半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の領域は、前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に位置することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
熱処理を行うことにより前記分離部を形成する工程と、
前記分離部を形成すべき前記第２の部分を露出する第２のレジストパターンをマスクにしてイオン注入を行うことにより第２導電型の第６の半導体領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は、シリコンからなり、
前記分離部を形成する工程は、前記熱処理によってシリコン酸化膜を形成する工程を有する請求項３に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記第６の半導体領域を形成する工程の後に、前記分離部を形成する工程を有する請求項３又は４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
更に、前記分離部の前記第２の領域を露出し、前記分離部の前記第１の領域を覆う第３のレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うことにより、第２導電型の第７の半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記第７の半導体領域を形成する工程におけるイオン注入の加速エネルギーは、前記第５の半導体領域を形成する工程におけるイオン注入の加速エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とが形成された後に、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域とを形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域を形成する工程は、
前記第１の半導体領域が形成される部分を露出する第１の開口と、前記第２の半導体領域が形成される部分を露出する第２の開口と、前記活性領域に位置し、前記第１の開口と前記第２の開口の間に設けられた壁部を有する第４のレジストパターンを形成する工程と、
前記第４のレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行う工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記第１の半導体領域と、前記第２の半導体領域と、が形成された後に、
前記第１の半導体領域の上に第２導電型の第８の半導体領域を形成する工程と、前記第２の半導体領域の上に第２導電型の第９の半導体領域を形成する工程を有し、
前記第８の半導体領域を形成する工程と前記第９の半導体領域を形成する工程は、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域が形成された部分を露出する開口と、第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間を露出する開口を有する第５のレジストパターンを形成する工程と、前記第５のレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行う工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域の組に対して１つのマイクロレンズを形成する工程と更に有する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法で形成された光電変換装置。
【請求項１３】
半導体基板に配された活性領域と、
前記活性領域を規定し、第１の領域および第２の領域を含み、絶縁体を含んで構成される分離部と、
前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、
前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、
前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、
前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、
前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極を有し、
前記第１の領域における前記半導体基板内の第２導電型の不純物濃度は、前記第２の領域における前記半導体基板内の第２導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
前記分離部の下に第２導電型の第５の半導体領域を有し、
前記第５の半導体領域は、前記第２の領域に設けられ、前記第１の領域に設けられていないことを特徴とする請求項１３に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理部を有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本開示の光電変換装置の製造方法は、半導体基板の第１の部分に配される活性領域を規定し、第１の領域および第２の領域を含み、絶縁体を含んで構成される分離部を前記半導体基板の第２の部分に形成する工程と、前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極と、を形成する工程と、前記分離部の前記第１の領域を覆う第１のレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、少なくとも前記分離部の前記第２の領域の下に第２導電型の第５の半導体領域を形成する工程と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示の光電変換装置は、半導体基板に配された活性領域と、前記活性領域を規定し、第１の領域および第２の領域を含み、絶縁体を含んで構成される分離部と、前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間から前記第１の領域に重なるように延在し、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極を有し、前記第１の領域における前記半導体基板内の第２導電型の不純物濃度は、前記第２の領域における前記半導体基板内の第２導電型の不純物濃度よりも低い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような本開示の光電変換装置の製造方法は、活性領域２２０と分離部が設けられた半導体基板を準備する工程と、第２導電型の第５の半導体領域２５２を形成する工程を有する。そして、第５の半導体領域２５２は、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、分離部５０６の下に位置する。ここで、第５の半導体領域２５２を形成する工程は、半導体基板の第１の領域を覆う第１のレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行う。