【事件の表示】
　特願２０１５−５０１６７６「一体的強磁性材料を有する磁場センサ集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月２６日国際公開、ＷＯ２０１３／１４１９８１、平成２７年　５月１８日国内公表、特表２０１５−５１４２０７、請求項の数（１８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　出願の経緯
　本願は、２０１３年２月１３日（パリ条約に基づく優先権主張　２０１２年３月２０日（以下、「最先の優先日」という。）、米国、２０１３年１月２４日、米国）を国際出願とする出願であって、平成２６年１０月２９日付けで、翻訳文が提出され、平成２８年１月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年４月２０日付けで手続補正がなされたが、平成２８年８月１０日付けで拒絶査定がなされ（送達日：平成２８年８月１５日）、平成２８年１１月１５日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされ、平成２９年４月１１日付けで上申書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年８月１０日付け拒絶査定）の概要は、次のとおりである。
１　この出願の請求項１−８、１３−１６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２　この出願の請求項１−１８に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
刊行物１：米国特許出願公開第２０１２／００１３３３３号明細書
第３　本件補正について
　本件補正は、請求項１、１３における、リードフレームの第２の部分を封入する点について「前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入」との限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、本件補正後の請求項１−１８に係る発明は独立特許要件を満たすものである。
　さらに、本件補正は、特許法第１７条の２第３項、第４項の要件に違反していない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の要件に違反しているものとはいえない。
第４　本願発明
　本願の請求項１−１８に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１８」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１８に記載された事項により特定される、以下のとおりの発明である。
「　【請求項１】
　第１の表面および第２の対向する表面を有するリードフレームと、
　磁場感知素子が中に配設された第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイと、
　前記ダイおよび前記リードフレームの第１の部分を封入する非導電性モールド材料であって、前記リードフレームの第２の部分が前記非導電性モールド材料を超えて延び、前記非導電性モールド材料によって封入されない、非導電性モールド材料と、
　前記非導電性モールド材料の一部分に固定された強磁性モールド材料であって、前記リードフレームの近位の第１の端部から、前記リードフレームから遠位の第２の端部までテーパにされ、前記リードフレームの前記第２の部分が前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入し、さらに前記第２の部分に固定され、前記第２の部分と直接接触し、前記リードフレームの前記第２の部分は前記強磁性モールド材料を係合するための固定機構を提供する、強磁性モールド材料と備える
、磁場センサ。
　　【請求項２】
　前記強磁性モールド材料が、バイアス磁石を形成するために硬質の強磁性材料を含む、請求項１に記載の磁場センサ。
　　【請求項３】
　前記硬質の強磁性材料が、フェライト、ＳｍＣｏ合金、ＮｄＦｅＢ合金、硬質の磁気粒子を備えた熱可塑性ポリマー、または硬質の磁気粒子を備えた熱硬化性ポリマーの少なく
とも一つを含む、請求項２に記載の磁場センサ。
　　【請求項４】
　前記強磁性モールド材料が、集中器を形成するために軟質の強磁性材料を含む、請求項１に記載の磁場センサ。
　　【請求項５】
　前記軟質の強磁性材料が、ＮｉＦｅ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、鋼、またはフェライトの少なくとも一つを含む、請求項４に記載の磁場センサ。
　　【請求項６】
　前記強磁性モールド材料が、前記強磁性モールド材料の前記第１の端部の近傍から前記強磁性モールド材料の前記第２の端部まで延びる不連続の中央領域を有する、請求項１に記載の磁場センサ。
　　【請求項７】
　前記強磁性モールド材料が、ほぼＤ字形状、Ｏ字形状、Ｕ字形状、またはＣ字形状の構造を形成する、請求項６に記載の磁場センサ。
　　【請求項８】
　前記非導電性モールド材料が、前記強磁性モールド材料の前記中央領域内に延びる突起部を含む、請求項６に記載の磁場センサ。
　　【請求項９】
　前記突起部が、前記強磁性モールド材料の前記第１の端部の近傍から前記強磁性モールド材料の前記第２の端部まで延びる、請求項８に記載の磁場センサ。
　　【請求項１０】
　前記突起部が、前記強磁性モールド材料の前記第１の端部の近傍から延びて前記強磁性モールド材料の前記第２の端部の手前で終端し、前記強磁性モールド材料は前記突起部を覆う、請求項９に記載の磁場センサ。
　　【請求項１１】
　前記強磁性モールド材料の前記中央領域内に配設されそこに固定された第３のモールド材料であって、軟質の強磁性材料からなる、第３のモールド材料をさらに含む、請求項６に記載の磁場センサ。
　　【請求項１２】
　熱硬化性接着剤をさらに含み、前記強磁性モールド材料が、前記熱硬化性接着剤を用いて前記非導電性モールド材料の一部分に固定される、請求項１に記載の磁場センサ。
　　【請求項１３】
　第１の表面および第２の対向する表面を有するリードフレームと、
　磁場感知素子が中に配設された第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイと、
　前記ダイおよび前記リードフレームの第１の部分を封入する非導電性モールド材料であって、前記リードフレームの第２の部分が前記非導電性モールド材料を超えて延び、前記非導電性モールド材料によって封入されない、非導電性モールド材料と、
　前記非導電性モールド材料の一部分に固定され、前記リードフレームの前記第２の部分が前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入し、前記第２の部分に固定され、前記第２の部分と直接接触する強磁性モールド材料であって、前記リードフレームの近位の第１の端部から、前記リードフレームから遠位の第２の端部まで延びる不連続の中央領域を含む、強磁性モールド材料とを備える、
磁場センサ。
　　【請求項１４】
　前記強磁性モールド材料が、硬質の強磁性材料である、請求項１３に記載の磁場センサ。
　　【請求項１５】
　前記硬質の強磁性材料が、フェライト、ＳｍＣｏ合金、ＮｄＦｅＢ合金、硬質の磁気粒子を備えた熱可塑性ポリマー、または硬質の磁気粒子を備えた熱硬化性ポリマーの少なくとも一つを含む、請求項１４に記載の磁場センサ。
　　【請求項１６】
　前記非導電性モールド材料が、前記強磁性モールド材料の前記不連続の中央領域内に延びる突起部を含む、請求項１３に記載の磁場センサ。
　　【請求項１７】
　前記突起部が、前記強磁性モールド材料の前記第１の端部の近傍から前記強磁性モールド材料の前記第２の端部まで延びる、請求項１６に記載の磁場センサ。
　　【請求項１８】
　前記強磁性モールド材料の前記中央領域内に配設されそこに固定された第３のモールド材料であって、軟質の強磁性材料からなる、第３のモールド材料をさらに含む、請求項１４に記載の磁場センサ。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である、米国特許出願公開第２０１２／００１３３３３号明細書には、図面とともに次の事項が記載されている（なお、当審訳は、パテントファミリーである、特表２０１２−５１１１５２号公報を参考にした。また、訳文には、便宜のため、当該公表公報に付された段落番号をそのまま記載した。以下の引用では、公表公報に付された段落番号にて記載箇所を特定する。なお、下線は、当審で付与したものである。）。
「[0003] This invention relates generally to 
magnetic field sensors
【０００１】
  本発明は、一般に
磁場センサ
「[0046] Referring now to FIGS. 2-2C, in which like elements of FIGS. 1-1C are shown having like reference designations, but wherein a molded capsule 16' is different than the molded capsule 16 of FIGS. 1-1C, a magnetic field sensor 26 ( FIG. 2C ) is fabricated in a way similar to the magnetic field sensor 24 of FIG. 1C. The different molded capsule 16' has a region, which, unlike the molded capsule 16 of FIGS. 1-1C, forms an insulating layer 16d' proximate to the second opposing surface 12bb of the die attach pad 12b between the magnet 22 and the second opposing surface 12bb of the die attach pad 12b. The insulating layer 16d' can have a predetermined thickness to separate the magnet 22 from the second surface 12bb of the die attach pad 12b by a predetermined distance.
[0047] 
The lead frame 12 includes leads 12a', 
【００４１】
  次に、図１〜図１Ｃの同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示されるが、モールドされたカプセル１６’は図１〜図１Ｃのモールドされたカプセル１６とは異なる図２〜図２Ｃを参照すると、磁場センサ２６（図２Ｃ）は、図１Ｃの磁場センサ２４と同様の方法で製造される。異なるモールドされたカプセル１６’は、図１〜図１Ｃのモールドされたカプセル１６とは違って、磁石２２とダイ付パッド１２ｂの第２の対向する表面１２ｂｂとの間に、ダイ付パッド１２ｂの第２の対向する表面１２ｂｂに隣接して絶縁層１６ｄ’を形成する領域を有する。絶縁層１６ｄ’は、磁石２２をダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂから所定の距離だけ離隔するために、所定の厚さを有することができる。
【００４２】
  
リードフレーム１２は、
リード線１２ａ’を含む。
「[0049] Referring now to FIG. 3, in which like elements of FIG. 1 are shown having like reference designations, another method of fabricating a magnetic field sensor includes attaching the magnetic field sensor circuit die 10, i.e., a magnetic field sensing element, to the first surface 12ba of the die attach pad 12b of the lead frame 12. The die attach pad 12b has the first surface 12ba and the second opposing surface 12bb. The method can also include coupling the magnetic field sensor circuit die 10 to the leads 12a of the lead frame 12 with the wire bonds 14 or the like.
[0050] Referring now to FIG. 3A, in which like elements of FIG. 3 are shown having like reference designations, the method further includes forming a molded capsule 50 enclosing the magnetic field sensor circuit die 10. The molded capsule 50 can be made of a variety of materials, for example, E670C mold compound from the Sumitomo Corporation, HYSOL(R) MG52F mold compound from the Henkel Loctite Corporation, or PLASKON(R) CK-6100 mold compound from Cookson Electronics. In some embodiments, the molded capsule 50 can be formed in a one step molding process. 
The molded capsule 50 covers the second surface  12bb of the die attach pad 12b forming an insulating layer 50 a over the second surface 12 bb of the die attach pad 12 b.
[0051] Referring now to FIG. 3B, in which like elements of FIGS. 3 and 3A are shown having like reference designations, a magnet 52 can be placed over the insulating layer 50a. In some embodiments, an adhesive layer 54 is disposed between the magnet 52 and the insulating layer 50a. The adhesive layer can be cured after the magnet 52 is disposed thereon. The insulating layer 50 a can have a predetermined thickness to separate the magnet 52 from the second surface 12bb of the die attach pad 12b by a predetermined distance.
[0052] Referring now to FIG. 3C, in which like elements of FIGS. 3-3B are shown having like reference designations, a molded enclosure 56 is formed surrounding at least the magnet 52. In some embodiments, the molded enclosure 56 can also surround or partially surround the molded capsule 50 .
[0054] In some embodiments, the magnet 52 has a magnetic field oriented approximately perpendicular to the first and second surfaces 12ba, 12bb, respectively of the die attach pad  12b. In these embodiments, 
the magnetic field sensor circuit die 10 comprises a magnetic field sensing element,
[0055] The above-described method above results in 
a magnetic field sensor 58 having the lead frame 12 with the die attach pad 12b, the die attach pad 12b having the first and second opposing surfaces 12ba, 12bb, respectively. The magnetic field sensor circuit die 10 is proximate to the first surface 12ba of the die attach pad 12b. The molded capsule 50  encloses the magnetic field sensor circuit die 10 and forms an insulating layer 50 a over the second surface 12bb of the die attach pad 12b. The magnet 52 is proximate to the second surface 12bb of the die attach pad 12b. The molded enclosure 56 surrounds at least the magnet 52 .
[0056] 
In some other embodiments,
the magnet 52 can be omitted. In these embodiments, the material of the molded enclosure 56 can be filled either with magnetic particles to form a permanent magnet or with soft magnetic particles to form a flux concentrator.
[0057] Referring now to FIG. 4, in which like elements of FIGS. 3-3C are shown having like reference designations, a lead frame strip 60 includes a plurality of lead frames 62a- 62f, each of which can be cut from the lead frame strip at a later time. Each one of the lead frames 62a - 62f can be the same as or similar to the lead frame 12 shown in FIGS. 1- 1C, 2- 2C and 3- 3C. Each one of the lead frames 62a- 62f is shown at a different step in a manufacturing process.
[0058] The lead frames 62a- 62f has the magnetic field sensor circuit die 10, i.e. the magnetic field sensing element, disposed over a first surface a die attach pad (not visible) of the lead frames 62a- 62f. In these views, the magnetic field sensor circuit die 10 is over top of the die attach pad.」（当審注：丸記号のＲを、「(R)」と表記した。）（当審訳：
【００４４】
  次に、図１の同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示される図３を参照すると、磁場センサを製造する別の方法は、磁場センサ回路ダイ１０、すなわち磁場感知素子をリードフレーム１２のダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａに取り付けるステップを含む。ダイ付パッド１２ｂは、第１の表面１２ｂａおよび第２の対向する表面１２ｂｂを有する。また、方法は、磁場センサ回路ダイ１０を、リードフレーム１２のリード線１２ａと、ワイヤボンド１４などで結合するステップを含むことができる。
【００４５】
  次に、図３の同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示される図３Ａを参照すると、方法は、磁場センサ回路ダイ１０を包含するモールドされたカプセル５０を形成するステップをさらに含む。モールドされたカプセル５０は、多様な材料、例えば、Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＥ６７０Ｃモールド化合物、Ｈｅｎｋｅｌ  Ｌｏｃｔｉｔｅ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＨＹＳＯＬ（登録商標）  ＭＧ５２Ｆモールド化合物、またはＣｏｏｋｓｏｎ  ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓのＰＬＡＳＫＯＮ（登録商標）  ＣＫ−６１００モールド化合物、で製造できる。いくつかの実施形態では、モールドされたカプセル５０は、１ステップのモールド工程で形成できる。
モールドされたカプセル５０は、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂを覆い、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂを覆う絶縁層５０ａを形成する。
【００４６】
  次に、図３および図３Ａの同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示される図３Ｂを参照すると、磁石５２が、絶縁層５０ａの上に設置されてよい。いくつかの実施形態では、接着剤層５４が、磁石５２と絶縁層５０ａとの間に配置される。接着剤層は、磁石５２が接着剤層の上に配置された後、硬化されてよい。絶縁層５０ａは、磁石５２をダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂから所定の距離だけ離隔するために、所定の厚さを有することができる。
【００４７】
  次に、図３〜図３Ｂの同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示される図３Ｃを参照すると、モールドされたエンクロージャ５６が、少なくとも磁石５２を取り囲んで形成される。いくつかの実施形態では、モールドされたエンクロージャ５６がまた、モールドされたカプセル５０を取り囲むかまたは部分的に取り囲むことができる。
【００４８】
  いくつかの実施形態では、磁石５２は、ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａおよび第２の表面１２ｂｂそれぞれにほぼ垂直に向けられた磁場を有する。これらの実施形態では、
磁場センサ回路ダイ１０は、
磁場感知素子
を備える。
【００４９】
  いくつかの他の実施形態では、磁石５２は、ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａおよび第２の表面１２ｂｂそれぞれにほぼ平行に向けられた磁場を有する。これらの実施形態では、磁場センサ回路ダイ１０は、同様に、ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａおよび第２の表面１２ｂｂにほぼ平行な最大応答軸を有する磁場感知素子、例えば異方性磁気抵抗素子または巨大磁気抵抗素子を備える。
【００５０】
  上で説明された方法は、
ダイ付パッド１２ｂを備えるリードフレーム１２を有する磁場センサ５８
ダイ付パッド１２ｂは、第１の表面１２ｂａおよび第２の対向する表面１２ｂｂそれぞれを有する。磁場センサ回路ダイ１０は、ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａに隣接する。モールドされたカプセル５０は、磁場センサ回路ダイ１０を包含し、絶縁層５０ａをダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂの上に形成する。磁石５２は、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂに隣接する。モールドされたエンクロージャ５６は、少なくとも磁石５２を取り囲む。
【００５１】
  図１Ｃと併せて上で説明された実施形態に類似する、
いくつかの他の実施形態では、磁石５２が省略されてよい。これらの実施形態では、モールドされたエンクロージャ５６の材料が、永久磁石を形成するために磁性の粒子で満たされてよく、または磁束集中器を形成するために軟性で磁性の粒子で満たされてよい。
【００５２】
  次に、図３〜図３Ｃの同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示される図４を参照すると、リードフレームストリップ６０は、複数のリードフレーム６２ａ〜６２ｆを含み、リードフレーム６２ａ〜６２ｆのそれぞれは、後で、リードフレームストリップから切断できる。リードフレーム６２ａ〜６２ｆのそれぞれは、図１〜図１Ｃ、図２〜図２Ｃおよび図３〜図３Ｃ、に示されたリードフレーム１２と同じかまたは類似してよい。リードフレーム６２ａ〜６２ｆのそれぞれは、製造工程の異なるステップにおいて示される。
【００５３】
  リードフレーム６２ａ〜６２ｆは、リードフレーム６２ａ〜６２ｆのダイ付パッド（不可視）の第１の表面の上に配置された、磁場センサ回路ダイ１０、すなわち磁場感知素子を有する。これらの図では、磁場センサ回路ダイ１０は、ダイ付パッドの上面の上に存在する。）
　上記記載事項及び図面（ＦＩＧ．３Ｃ）の記載より、次のア、イの技術的事項を読み取ることができる。
ア　段落【００５０】には「磁石５２は、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂに隣接する。モールドされたエンクロージャ５６は、少なくとも磁石５２を取り囲む。」構成が記載されている。そして、該構成を、段落【００５１】における「いくつかの他の実施形態では、磁石５２が省略されてよい。これらの実施形態では、モールドされたエンクロージャ５６の材料が、永久磁石を形成するために磁性の粒子で満たされてよく、または磁束集中器を形成するために軟性で磁性の粒子で満たされてよい。」との記載に従って読み替えることにより、「モールドされたエンクロージャ５６は、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂに隣接し、モールドされたエンクロージャ５６の材料が、永久磁石を形成するために磁性の粒子で満たされてよく、または磁束集中器を形成するために軟性で磁性の粒子で満たされてよい。」との構成を読み取ることができる。
イ　ＦＩＧ．３Ｃより、リードフレーム１２が、リード線１２ａ’を含み（段落【００４２】参照）、リードフレーム１２（ダイ付パッド１２ｂを備える部分）及びリード線１２ａ’のそれぞれが、モールドされたカプセル５０の外側に延び、モールドされたエンクロージャ５６を貫通して外部に突出している構成を読み取ることができる。
ウ  ＦＩＧ．３Ｃより、モールドされたエンクロージャ５６が、モールドされたカプセル５０に近い側から遠い側の端部にかけて、テーパにされている構成を読み取ることができる。
　以上より、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。という。）が記載されているものと認められる。
「ダイ付パッド１２ｂを備えるリードフレーム１２を有する磁場センサ５８であって、ダイ付パッド１２ｂは、第１の表面１２ｂａおよび第２の対向する表面１２ｂｂそれぞれを有し（段落【００５０】より）、 磁場センサ回路ダイ１０は、磁場感知素子を備え（段落【００４８】より）、磁場センサ回路ダイ１０は、ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａに隣接し、モールドされたカプセル５０は、磁場センサ回路ダイ１０を包含し、絶縁層５０ａをダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂの上に形成し（段落【００５０】より）、つまり、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂを覆い（段落【００４５】より）、モールドされたエンクロージャ５６は、ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂに隣接し、モールドされたエンクロージャ５６の材料が、永久磁石を形成するために磁性の粒子で満たされてよく、または磁束集中器を形成するために軟性で磁性の粒子で満たされてよい（上記「ア」より）、
　リードフレーム１２が、リード線１２ａ’を含み、リードフレーム１２（ダイ付パッド１２ｂを備える部分）及びリード線１２ａ’のそれぞれが、モールドされたカプセル５０の外側に延び、モールドされたエンクロージャ５６を貫通して外部に突出しており（上記「イ」より）、
　モールドされたエンクロージャ５６が、モールドされたカプセル５０に近い側から遠い側の端部にかけて、テーパにされている（上記「ウ」より）、
　磁場センサ５８（段落【０００１】より）。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「ダイ付パッド１２ｂ」は、「第１の表面１２ｂａおよび第２の対向する表面１２ｂｂそれぞれを有し」ているから、本願発明１における「第１の表面および第２の対向する表面を有するリードフレーム」に相当する。
イ　引用発明における「磁場センサ回路ダイ１０」は、「磁場感知素子を備え」、「ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａに隣接し」ているから、「磁場センサ回路ダイ１０」が、磁場感知素子を有し、第１の表面と、ダイ付パッド１２ｂの第１の表面１２ｂａに対向する表面とを有していることは、明らかである。
　よって、引用発明における「磁場センサ回路ダイ１０」と、本願発明１における「磁場感知素子が中に配設された第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイ」とは、「磁場感知素子を有し、第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイ」の点で共通する。
ウ　引用発明における「モールドされたカプセル５０」は、「絶縁層５０ａをダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂの上に形成し」ているから、非導電性であることは明らかである。
　そして、引用発明における「モールドされたカプセル５０」は、「磁場センサ回路ダイ１０を包含し」、「ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂを覆」っており、「リードフレーム１２が、リード線１２ａ’を含み、リードフレーム１２（ダイ付パッド１２ｂを備える部分）及びリード線１２ａ’のそれぞれが、モールドされたカプセル５０の外側に延び」ているから、本願発明１における「前記ダイおよび前記リードフレームの第１の部分を封入する非導電性モールド材料であって、前記リードフレームの第２の部分が前記非導電性モールド材料を超えて延び、前記非導電性モールド材料によって封入されない、非導電性モールド材料」に相当する。
エ　引用例の段落【００４８】には、「いくつかの実施形態では、接着剤層５４が、磁石５２と絶縁層５０ａとの間に配置される。」と記載されているから、磁石５２を省略し、「モールドされたエンクロージャ５６の材料が、永久磁石を形成するために磁性の粒子で満たされてよく、または磁束集中器を形成するために軟性で磁性の粒子で満たされてよ」い（上記「第５」「１．引用文献１について」「ア」参照。）ものとした引用発明においては、モールドされたエンクロージャ５６と絶縁層５０ａとは、接着剤層５４等により、固定されているものといえる。
　すると、引用発明における「モールドされたエンクロージャ５６」は、「ダイ付パッド１２ｂの第２の表面１２ｂｂに隣接し、モールドされたエンクロージャ５６の材料が、永久磁石を形成するために磁性の粒子で満たされてよく、または磁束集中器を形成するために軟性で磁性の粒子で満たされてよ」く、「リードフレーム１２（リード線１２ａ’を除く）及びリード線１２ａ’のそれぞれ」は、「モールドされたエンクロージャ５６を貫通して外部に突出しており」、「モールドされたエンクロージャ５６が、モールドされたカプセル５０に近い側から遠い側の端部にかけて、テーパにされている」から、本願発明１における「前記非導電性モールド材料の一部分に固定された強磁性モールド材料であって、前記リードフレームの近位の第１の端部から、前記リードフレームから遠位の第２の端部までテーパにされ、前記リードフレームの前記第２の部分が前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入し、さらに前記第２の部分に固定され、前記第２の部分と直接接触し、前記リードフレームの前記第２の部分は前記強磁性モールド材料を係合するための固定機構を提供する、強磁性モールド材料」とは、「前記非導電性モールド材料の一部分に固定された強磁性モールド材料であって、前記リードフレームの近位の第１の端部から、前記リードフレームから遠位の第２の端部までテーパにされている、強磁性モールド材料」の点で共通する。
オ　引用発明における「磁場センサ５８」が、次の相違点は除いて、本願発明１における「磁場センサ」に相当する。
　従って、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「第１の表面および第２の対向する表面を有するリードフレームと、
　磁場感知素子を有し、第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイと、
　前記ダイおよび前記リードフレームの第１の部分を封入する非導電性モールド材料であって、前記リードフレームの第２の部分が前記非導電性モールド材料を超えて延び、前記非導電性モールド材料によって封入されない、非導電性モールド材料と、
　前記非導電性モールド材料の一部分に固定された強磁性モールド材料であって、前記リードフレームの近位の第１の端部から、前記リードフレームから遠位の第２の端部までテーパにされている、強磁性モールド材料と備える、
　磁場センサ。」
（相違点１）
　本願発明１では、ダイが「半導体ダイ」であって、「磁場感知素子が中に配設された第１の表面」を有しているのに対し、引用発明では、「磁場センサ回路ダイ１０」であって、「磁場感知素子を備え」ているものの、「磁場センサ回路ダイ１０」が半導体ダイであるか、また、磁場感知素子がどこに配設されているのか、明らかでない点。
（相違点２）
　本願発明１では、「強磁性モールド材料」が「前記リードフレームの前記第２の部分が前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入し、さらに前記第２の部分に固定され、前記第２の部分と直接接触し、前記リードフレームの前記第２の部分は前記強磁性モールド材料を係合するための固定機構を提供する」のに対し、引用発明では、「リードフレーム１２が、リード線１２ａ’を含み、リードフレーム１２（ダイ付パッド１２ｂを備える部分）及びリード線１２ａ’のそれぞれが」、「モールドされたエンクロージャ５６を貫通して外部に突出して」いる点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み、上記相違点２について検討すると、引用例１には、段落【００５２】に「次に、図３〜図３Ｃの同じ要素が同じ参照記号表示を有するように示される図４を参照すると、リードフレームストリップ６０は、複数のリードフレーム６２ａ〜６２ｆを含み、リードフレーム６２ａ〜６２ｆのそれぞれは、後で、リードフレームストリップから切断できる。」と記載されている。
　また、図４は、次のとおりである。
　すると、引用例１において、リードフレーム１２は、モールドされたエンクロージャ５６を形成した後で、リードフレームストリップから切断されて形成されたものであるから、引用発明１において、モールドされたエンクロージャ５６が、リードフレーム１２の所定の部分を、モールドされたエンクロージャ５６を貫通させず、モールドされたエンクロージャ５６内で終端するように、完全に封入し、さらに前記所定の部分に固定され、前記所定の部分と直接接触し、前記リードフレーム１２の前記所定の部分は前記強磁性モールド材料を係合するための固定機構を提供するようにすることは、当業者であっても、容易に想到し得ないことである。
　
　よって、本願発明１は、上記相違点１について検討するまでもなく、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２　本願発明１３について
　本願発明１３も、本願発明１の「強磁性モールド材料」が「前記リードフレームの前記第２の部分が前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入し、さらに前記第２の部分に固定され、前記第２の部分と直接接触し、前記リードフレームの前記第２の部分は前記強磁性モールド材料を係合するための固定機構を提供する」ことと同様の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願発明２〜１２、１４〜１８について
　本願発明２〜１２は、本願発明１に所定の限定を付した発明であるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本願発明１４〜１８は、本願発明１３に所定の限定を付した発明であるから、本願発明１３と同様の理由により、当業者であっても、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第７　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第１項第３号）について
　本件補正により、本件補正後の請求項１に係る発明は、少なくとも上記「第６」「１」「（１）対比」に記載した「（相違点２）」の点で、引用発明と実質的に相違しているから、原査定において引用された刊行物１に記載された発明ではない。
　また、本件補正後の請求項１３に係る発明も、少なくとも上記「第６」「１」「（１）対比」に記載した「（相違点２）」と同様の点で、引用発明と実質的に相違しているから、原査定において引用された刊行物１に記載された発明ではない。
　さらに、本件補正後の請求項２−８、１４−１８に係る発明は、本件補正後の請求項１、１３に係る発明に所定の限定を付した発明であるから、同様に、原査定において引用された刊行物１に記載された発明ではない。
　従って、原査定の理由１を維持することはできない。
２　理由２（特許法第２９条第２項）について
　本件補正により、本件補正後の請求項１に係る発明は、「強磁性モールド材料」が「前記リードフレームの前記第２の部分が前記強磁性モールド材料内で終端するように、前記リードフレームの前記第２の部分を完全に封入し、さらに前記第２の部分に固定され、前記第２の部分と直接接触し、前記リードフレームの前記第２の部分は前記強磁性モールド材料を係合するための固定機構を提供する」という事項を有するものとなっており、原査定において引用された刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本件補正後の請求項１３に係る発明も、前記事項と同様の事項を有するので、同様に、原査定において引用された刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　さらに、本件補正後の請求項２−８、１４−１８に係る発明は、本件補正後の請求項１、１３に係る発明に所定の限定を付した発明であるから、同様に、原査定において引用された刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　従って、原査定の理由２を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に、本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。