Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、
前記半導体層の裏面に設けられた第２導電型の第１半導体層と、前記第２導電型の第１半導体層を貫通する複数の第１導電型の第１半導体領域とを備え、
前記第１導電型の第１半導体層のおもて面には、選択的に設けられた複数の第２導電型の第１半導体領域と、
前記第２導電型の第１半導体領域の各々のおもて面に選択的に設けられた第１導電型の第２半導体領域と、
前記各々の第２導電型の第１半導体領域と前記第１導電型の第２半導体領域とに接する第１の主電極と、  
前記各々の第２導電型の第１半導体領域の、前記各々の第１導電型の第２半導体領域と前記第１導電型の第１半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第２導電型の第１半導体層と前記複数の第１導電型の第１半導体領域との裏面に接する第２の主電極とを備えた半導体装置において、  
各半導体層と各半導体領域がワイドギャップ半導体から構成されており
前記複数の第１導電型の第１半導体領域間の距離Ｗｐ(ＷＢ)を、
Ｓｉ半導体で構成した同耐圧でほぼ同一構成の前記半導体装置の前記距離Ｗｐ(Ｓｉ)を上限としこれよりも小さく、
前記ワイドギャップ半導体のｐｎ接合のビルトイン電圧Ｖｂｉ(ＷＢ)とワイドギャップ半導体装置の特性オン抵抗ＲｏｎＳ(ＷＢ)との積を、前記Ｓｉ半導体装置のｐｎ接合のビルトイン電圧Ｖｂｉ(Ｓｉ)とＳｉ半導体装置の特性オン抵抗ＲｏｎＳ(Ｓｉ)との積で割算した値に前記短絡部間距離Ｗｐ(Ｓｉ)を乗じた値を下限とする範囲より選択したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１の半導体装置において、
前記第１導電型の第１半導体層と、前記第２導電型の第１半導体層および前記複数の第１導電型の第１半導体領域（短絡部）との間に第１導電型の第２半導体層を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１および２の半導体装置において、前記複数の第１導電型の第１半導体領域間の距離Ｗｐ(ＷＢ)のうち、少なくとも一つの距離Ｗｐ(ＷＢ) を下限よりも十分大きな値とし、それ以外のＷｐ(ＷＢ)を前記範囲の下限に近い小さい値としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３の半導体装置において、セル内に複数の前記第１導電型の第１半導体領域を有し、その幅Ｗｎ(ＷＢ)と前記第１導電型の第１半導体領域間の距離Ｗｐ(ＷＢ)との比率Ｗｎ(ＷＢ)／Ｗｐ(ＷＢ)を０．２〜５．０にしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１導電型の第１半導体層と、
前記半導体層の裏面に設けられた第２導電型の第１半導体層と、前記第２導電型の第１半導体層を貫通する複数の第１導電型の第１半導体領域とを備え、
前記第１導電型の第１半導体層のおもて面には、選択的に設けられた複数の第２導電型の第１半導体領域と、
前記第２導電型の第１半導体領域の各々のおもて面に選択的に設けられた第１導電型の第２半導体領域と、
前記各々の第２導電型の第１半導体領域と前記第１導電型の第２半導体領域とに接する第１の主電極と、  
前記各々の第２導電型の第１半導体領域の、前記各々の第１導電型の第２半導体領域と前記第１導電型の第１半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第２導電型の第１半導体層と前記複数の第１導電型の第１半導体領域との裏面に接する第２の主電極とを備えた半導体装置であり、各半導体層と各半導体領域がワイドギャップ半導体から構成されている半導体装置において、
少なくとも初動時には、前記第１の主電極と前記第２の主電極間に順方向電圧を印加し且つ前記制御電極にも低い電圧を印加して順方向バイアス状態にし、前記複数の第１導電型の第１半導体領域を介して多数キャリアによる順方向電流を流し、この電流により半導体装置を４０℃以上に昇温させた後に、前記第２導電型の第１半導体層から前記第１導電型の第１半導体層に少数キャリアが注入されるように前記第１の主電極と前記第２の主電極間の電圧および前記制御電極の電圧、もしくはいづれか一方の電圧をより高い電圧に制御することを特徴とする半導体装置の動作方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ワイドギャップ半導体逆導通ＩＧＢＴには上記のように積層欠陥に起因し通常のオン電圧劣化が発生するとともに、スナップバック現象に起因し急速オン電圧劣化が発生する。
従って、この発明の動作方法により、少なくともワイドギャップ半導体逆導通ＩＧＢＴがオンする前に所定の低いゲート電圧でＭＯＳＦＥＴ部をオンさせて前記短絡部を介して多数キャリアによる順方向電流を流し、この積層欠陥の増大を招かない多数キャリア電流により半導体装置を所定温度まで昇温させ、その後にゲート電圧を高くしてコレクタ層から少数キャリアを注入させ、逆導通ＩＧＢＴをオンさせる。
これにより、すでに存在する積層欠陥の拡大のみならず、スナップバック現象によりコレクタ層からバッファー層やドリフト層に大量の少数キャリアが短時間に急激に注入されることによる積層欠陥の急速拡大も、温度上昇により積層欠陥の少数キャリアトラップ現象を抑制できるので通常のオン電圧劣化のみならず急速オン電圧劣化も抑制できる。
ワイドギャップ半導体逆導通ＩＧＢＴは一旦オンすると自己発熱で温度が上昇してゆくので、通常のオン電圧劣化や急速オン電圧劣化の影響は抑制される。しかし、初動時にはワイドギャップ半導体逆導通ＩＧＢＴの温度は周囲温度と同程度に低くなっている。この状態でオンさせると既に存在する積層欠陥が更に拡大しオン電圧劣化を促進し信頼性が損なわれる。
従って、少なくともワイドギャップ半導体逆導通ＩＧＢＴの初動時には、この発明の動作方法により、逆導通ＩＧＢＴをオンさせる前に積層欠陥の少数キャリアトラップ現象を抑制できる所定温度まで昇温させものである。これにより、初動時にもオン電圧の劣化の影響を大幅に抑制でき信頼性を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月13日(2016.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１開口、第２開口及び第３開口を備える絶縁膜と、
第１方向に配列された第１開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、第１有機発光膜を備える複数の第１ラインと、
前記第１方向に配列された第２開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１有機発光膜と異なる第２有機発光膜を備える複数の第２ラインと、
前記第１方向に配列された第３開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１及び第２有機発光膜と異なる第３有機発光膜を備える複数の第３ラインと、を備え、
互いに隣接して位置する前記第１ラインと第２ラインは、前記絶縁膜上で一部が互いに重畳しているが、前記第１ラインないし第３ラインは、隣接した他のラインの開口において重畳していないことを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
互いに隣接して位置する前記第２ラインと第３ラインは、前記絶縁膜上で一部が互いに重畳していることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記第１開口と、これに隣接した第２開口との間隔、または前記第１開口と、これに隣接した第３開口との間隔は、前記第２開口と、これに隣接した第３開口との間隔と異なることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記第１開口と、これに隣接した第２開口との間隔、または前記第１開口と、これに隣接した第３開口との間隔は、前記第２開口と、これに隣接した第３開口との間隔より大きいことを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記第１開口ないし第３開口のうち、少なくとも二つの開口の大きさが相異なることを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか一項に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記第３開口は、前記第１開口または前記第２開口より大きいことを特徴とする請求項５に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、第４開口をさらに備え、
前記第１方向に配列された第４開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１有機発光膜ないし第３有機発光膜と異なる第４有機発光膜を備える複数の第４ラインをさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか一項に記載の平板表示装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成され、第１開口、第２開口及び第３開口を備える絶縁膜と、
第１方向に配列された第１開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、第１有機発光膜を備える複数の第１ラインと、
前記第１方向に配列された第２開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１有機発光膜と異なる第２有機発光膜を備える複数の第２ラインと、
前記第１方向に配列された第３開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１及び第２有機発光膜と異なる第３有機発光膜を備える複数の第３ラインと、を備え、
前記第１ラインないし第３ラインは、隣接した他のラインの開口において重畳しておらず、
前記第１開口と、これに隣接した第２開口との間隔、または前記第１開口と、これに隣接した第３開口との間隔は、前記第２開口と、これに隣接した第３開口との間隔と異なることを特徴とする平板表示装置。
【請求項９】
前記第１開口と、これに隣接した第２開口との間隔、または前記第１開口と、これに隣接した第３開口との間隔は、前記第２開口と、これに隣接した第３開口との間隔より大きいことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記第１開口ないし第３開口のうち、少なくとも二つの開口の大きさが相異なることを特徴とする請求項８または９に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記第３開口は、前記第１開口または前記第２開口より大きいことを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記絶縁膜は、第４開口をさらに備え、
前記第１方向に配列された第４開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１有機発光膜ないし第３有機発光膜と異なる第４有機発光膜を備える複数の第４ラインをさらに備えることを特徴とする請求項８または９に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上に形成され、第１開口、第２開口及び第３開口を備える絶縁膜と、
第１方向に配列された第１開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、第１有機発光膜を備える複数の第１ラインと、
前記第１方向に配列された第２開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１有機発光膜と異なる第２有機発光膜を備える複数の第２ラインと、
前記第１方向に配列された第３開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１及び第２有機発光膜と異なる第３有機発光膜を備える複数の第３ラインと、を備え、
前記第１ラインないし第３ラインは、隣接した他のラインの開口において重畳しておらず、
前記第１開口と、これに隣接した第２開口との間隔、前記第１開口と、これに隣接した第３開口との間隔、及び前記第２開口と、これに隣接した第３開口との間隔は、前記第１方向に直角な第２方向に配列された第１開口、第２開口及び第３開口の幅より大きいことを特徴とする平板表示装置。
【請求項１４】
前記第１開口ないし第３開口のうち、少なくとも二つの開口の大きさが相異なることを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
前記第３開口は、前記第１開口または前記第２開口より大きいことを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
前記絶縁膜は、第４開口をさらに備え、
前記第１方向に配列された第４開口を覆うように、前記絶縁膜上に形成され、前記第１有機発光膜ないし第３有機発光膜と異なる第４有機発光膜を備える複数の第４ラインをさらに備えることを特徴とする請求項１３ないし１５のうちいずれか一項に記載の平板表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するとともに、保持した基板を回転させるステージと、
加圧されたガスが通るガス流路と、処理液が通る処理液流路と、それぞれの流路に連通されるとともに、加圧されたガスおよび処理液を混合することにより形成される液滴化された処理液を含む混合流体を噴射するノズルとを有する混合流体形成装置と、
混合流体形成装置をステージに対して相対的に移動させる移動装置とを備え、
パターン化されたレジストおよびレジスト上に成膜された金属層を表面に有する基板が、ステージ上において、回転された状態にて保持されており、
ステージ上にて回転された状態の基板の表面に対して、ノズルから混合流体を噴射することにより、レジストおよび金属層を剥離して、基板の表面にパターン化された金属層を形成し、
枚葉式であるとともに、
金属層がパターン化された基板の表面に残存する不純物を除去する表面洗浄処理を、混合流体の噴射を行うチャンバとは別のチャンバで行う、リフトオフ装置。
【請求項２】
混合流体の噴射前に、混合流体の噴射を行うチャンバにて、基板を有機溶剤に浸漬させて膨潤させる、請求項１に記載のリフトオフ装置。
【請求項３】
基板の表面に対して混合流体を噴射して、混合流体を基板上の金属層に衝突させることにより、金属層にダメージを与えて、レジストおよび金属層を剥離する、請求項１又は２に記載のリフトオフ装置。
【請求項４】
パターン化されたレジストおよびレジスト上に成膜された金属層を表面に有する基板を、回転させた状態にて保持する工程と、
加圧されたガスと処理液とを混合することにより液滴化された処理液を含む混合流体を形成する工程と、
回転された状態の基板の表面に対して混合流体を噴射することにより、レジストおよび金属層を剥離して、基板の表面にパターン化された金属層を形成する工程と、を有し、
枚葉式であるとともに、
金属層がパターン化された基板の表面に残存する不純物を除去する表面洗浄処理を、混合流体の噴射を行うチャンバとは別のチャンバで行う、リフトオフ方法。
【請求項５】
混合流体の噴射前に、混合流体の噴射を行うチャンバにて、基板を有機溶剤に浸漬させて膨潤させる、請求項４に記載のリフトオフ方法。
【請求項６】
金属層を形成する工程において、基板の表面に対して混合流体を噴射して、混合流体を基板上の金属層に衝突させることにより、金属層にダメージを与えて、レジストおよび金属層を剥離する、請求項４又は５に記載のリフトオフ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物由来のアモルファスポリエステル樹脂と、結晶性ポリエステル樹脂と、着色剤とを含む混合物から構成されるトナー。
【請求項２】
前記生物由来のアモルファスポリエステル樹脂が、ロジンジオールと有機二酸との反応生成物を含有し、この反応生成物が前記トナーの固形分の４０〜８０重量％の量で存在するか、または、
前記生物由来のアモルファスポリエステル樹脂が、ロジンジオールとジカルボン酸との反応生成物である、
請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記反応生成物が、ロジンジオールと、イソフタル酸、テレフタル酸、無水ドデシルコハク酸、ドデシルコハク酸、コハク酸からなる群から選択されるジカルボン酸と、１，２−エタンジオール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、プロポキシル化ビスフェノ−ルＡ、エトキシル化ビスフェノ−ルＡおよび水素化ビスフェノ−ルＡからなる群から選択される任意要素のジオールとの反応生成物であり、
前記トナーが、コアと、コアの上にあるシェルとで構成される、請求項２に記載のトナー。
【請求項４】
前記生物由来のアモルファスポリエステル樹脂が、ロジンジオールと、ジカルボン酸と、場合により有機ジオールとの反応生成物であり、前記生物由来のアモルファスポリエステル樹脂が、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定する場合、４０℃〜８０℃のガラス転移温度を有する、請求項１に記載のトナー。
【請求項５】
触媒存在下、ロジン酸とグリセリンカーボネートとを反応させることを含む、ロジンジオールを調製するプロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナーおよびプロセス
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気ベアリング面に配置される前端部および前記空気ベアリング面の反対側にある後端部を有するセンサ積層であって、前記前端部と前記後端部との間の距離はセンサ積層ストライプの高さを画定する、センサ積層と、
前記空気ベアリング面の反対側に後端部を有し、前記センサ積層に隣接して形成された、ハードバイアス構造であって、前記ハードバイアス構造の前記空気ベアリング面と前記後端部との間の距離はハードバイアスの長さを画定し、前記ハードバイアスの長さは前記センサストライプの高さを超える、ハードバイアス構造と、
前記センサ積層の前記後端部の後方に形成された二層の絶縁構造であって、ミリングに抵抗性を示す材料の層と、前記センサ積層のイオンミリングレートとほぼ同じイオンミリングレートを有する材料の層と、を含む二層の絶縁構造と、
を備えた、磁気読み取りセンサ。
【請求項２】
前記ハードバイアス構造は、垂直後端部および前記センサ積層に隣接する垂直内端部を有する、請求項１に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項３】
前記ハードバイアス構造の前記後端部と前記ハードバイアス構造の前記内端部は、実質的に直角をなす接合部で接触する、請求項１に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項４】
これでＯＫ  ＵＳ登録のクレーム５と同じになっている。
前記ハードバイアス構造は、０〜２５０ｎｍの距離だけ前記センサ積層の前記後端部を超えて延在する、請求項１に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項５】
前記ハードバイアス構造は、薄い非磁性の電気的に絶縁された層によって、前記センサ積層から分離される、請求項１に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項６】
前記ハードバイアス構造はおよび前記センサ積層は、磁気シールド上に形成され、前記ハードバイアス構造は、第１の薄い絶縁層によって、前記センサ積層からおよび前記磁気シールドから分離され、前記ハードバイアス構造が前記センサ積層の前記後端部を超えて延在する領域においてのみ、前記ハードバイアス構造と前記磁気シールドとの間に配置された第２の絶縁層をさらに備えた、請求項１に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項７】
前記第１の絶縁層はアルミナを含む、請求項６に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項８】
前記第２の絶縁層はアルミナを含む、請求項６に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項９】
前記第１および第２の絶縁層は両方ともアルミナを含む、請求項６に記載の磁気読み取りセンサ。
【請求項１０】
前記第１および第２の絶縁層は両方とも、前記ハードバイアス構造が前記センサ積層を超えて延在する領域において、前記ハードバイアス構造と前記磁気シールドとの間に配置され、前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記磁気シールドとの間に位置する、請求項６に記載の磁気読み取りセンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
層９０２、９０４、９０６を蒸着させた後、化学機械研磨プロセスを実行して、構造を平坦化する。化学機械研磨プロセスを実行すると、マスク６０２のすべてまたは一部を除去することができ、さらに、ケミカルリフトオフなどの別のプロセスを使用すると、いかなる残りのマスク６０２も除去することができる。次いで、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用して、いかなる残りのＣＭＰ停止層も除去することができる。これにより、図１０に示されるような構造状態にする。図１０で図示されるように、上記のＣＭＰおよびＲＩＥプロセスは、上表面が同一平面上にある層９０２、９０４、５０４を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人物が含まれる画像の画像データが入力される第１入力部と、
前記入力部で入力された画像データに基づいて、前記人物が見ていた商品のうち購入されなかった商品を特定する特定部と、を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記特定部は、前記画像データに基づいて前記人物が見ていた商品を検出し、検出した商品のうち購入されなかった商品を特定する情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の情報処理装置において、
前記特定部は、前記人物が見ていた商品と前記人物が購入した商品とに基づいて、購入されなかった商品を特定する情報処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記人物が購入した商品のデータが入力される第２入力部を備え、
前記特定部は、前記画像データと、前記第２入力部により入力された商品のデータとに基づいて、購入されなかった商品を特定する情報処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記特定部により特定された商品のデータを記録する記録部を備える情報処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の情報処理装置において、
前記記録部は、前記人物が購入した商品のデータを記録する情報処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記特定部は、前記画像データに基づいて、前記人物の視線を検出することで前記人物が見ていた商品を検出し、検出した商品のうち購入されなかった商品を特定する情報処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の情報処理装置において、
前記画像データに基づいて、前記人物の視線を検出する第１検出部を備え、
前記特定部は、前記第１検出部により検出された視線から前記人物が見ていた商品を認識する情報処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記特定部は、前記画像データに基づいて、商品を見ている人物を検出し、検出した人物が見ていた商品のうち購入されなかった商品を特定する情報処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報処理装置において、
前記画像データに基づいて、前記人物を検出する第２検出部を備え、
前記特定部は、前記第２検出部により検出された人物が見ていた商品のうち購入されなかった商品を特定する情報処理装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記画像データに基づいて、前記人物が商品を見ていた時間を計測する計測部を備える情報処理装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記特定部により特定された商品の情報を出力する出力部を備える情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、購入者側に有益な情報を提供する情報処理装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の情報処理装置は、人物が含まれる画像の画像データが入力される第１入力部と、前記入力部で入力された画像データに基づいて、前記人物が見ていた商品のうち購入されなかった商品を特定する特定部とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる伝播領域を有する複数の基地局と、
表示部を有し、前記複数の基地局のいずれかと無線通信を行う電子札と、
前記電子札が取り付けられた被管理対象を、前記電子札および前記電子札の通信相手の基地局と対応付けて管理する電子札制御装置と、
により構成される電子札システムに使用される電子札制御装置であって、
前記電子札に表示させるための表示用情報を、前記電子札の通信相手の基地局を介して前記電子札に送信する、
電子札制御装置。
【請求項２】
表示装置に、前記電子札が取り付けられた被管理対象を示す情報を、前記電子札を示す情報および前記電子札の通信相手の基地局を示す情報と対応付けて表示させる、
請求項１に記載の電子札制御装置。
【請求項３】
前記基地局が前記電子札との通信が確認できなくなった場合に、前記表示装置に警告表示を行う、
請求項２に記載の電子札制御装置。
【請求項４】
互いに異なる伝播領域を有する複数の基地局と、
表示部を有し、前記複数の基地局のいずれかと無線通信を行う電子札と、
前記電子札が取り付けられた被管理対象を、前記電子札および前記電子札の通信相手の基地局と対応付けて管理し、特定の基地局に対応する表示用情報を生成する電子札制御装置と、
により構成される電子札システムに使用される電子札であって、
前記電子札制御装置から送信された前記表示用情報を、前記特定の基地局を通じてのみ受信して前記表示部に表示する、
電子札。
【請求項５】
前記基地局との通信が確認できなくなった場合に警告表示を行う、
請求項４に記載の電子札。
【請求項６】
互いに異なる伝播領域を有する複数の基地局と、
表示部を有し、前記複数の基地局のいずれかと無線通信を行う電子札と、
前記電子札が取り付けられた被管理対象を、前記電子札および前記電子札の通信相手の基地局と対応付けて管理し、特定の基地局に対応する表示用情報を生成する電子札制御装置と、
により構成される電子札システムに使用される基地局であって、
自局が前記特定の基地局である場合にのみ、前記電子札制御装置から前記表示用情報を受信して通信相手の電子札に送信する、
基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陳列する商品の販売主以外の前記商品の広告主が提供する広告を、システム（２４）に要求して、前記システム（２４）から前記広告を受信する第１手段と、
前記広告および前記商品の店頭販売価格を記憶させる記憶手段（２１４）と、
前記記憶手段（２１４）から取得した前記広告および前記店頭販売価格を表示させる表示手段（２１５）を備えることを特徴とする電子棚札（２１）。
【請求項２】
制御部（２１１）を、請求項１に記載の電子棚札（２１）の前記第１手段として機能させるための制御プログラム。
【請求項３】
システム（２４）は、
陳列する商品の販売主以外の前記商品の広告主が提供する広告を要求して、前記広告を受信する第１手段と、
前記広告および前記商品の店頭販売価格を記憶させる記憶手段（２１４）と、
前記記憶手段（２１４）から取得した前記広告および前記店頭販売価格を表示させる表示手段（２１５）を備える電子棚札（２１）から、前記広告の要求に応じて前記広告を応答することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明の電子棚札において、陳列する商品の販売主以外の前記商品の広告主が提供する広告を、システム（２４）に要求して、前記システム（２４）から前記広告を受信する第１手段と、前記広告および前記商品の店頭販売価格を記憶させる記憶手段（２１４）と、前記記憶手段（２１４）から取得した前記広告および前記店頭販売価格を表示させる表示手段（２１５）を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、請求項１〜３は、電子棚札に、商品の店頭販売価格に関する情報以外の商品の販売主以外の商品の広告主が提供する広告もが表示させることができる。
本発明の電子棚札は、陳列する商品を識別する商品識別情報と電子棚札を識別する電子棚札識別情報とを対応づけた対応情報を必要とせず、１つの商品に対して複数の電子棚札を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
嵌合する一対のコネクタハウジングの内の一方のコネクタハウジングには、コネクタハウジング相互の嵌合完了時に他方のコネクタハウジング上のロック用係合部と係合してコネクタハウジング相互の嵌合状態をロックするロックアームと、該ロックアームに一体に形成されて前記ロックアームをロック解除方向に撓み変位させることが可能なロック解除アームと、を備えるコネクタのロック構造であって、
前記ロック解除アームは、前記ロックアームの上方に配備されたことを特徴とするコネクタのロック構造。
【請求項２】
前記ロック解除アームは、前記ロックアームの直上に配備されたことを特徴とする請求項１に記載のコネクタのロック構造。
【請求項３】
前記ロック解除アームの先端部の上面部には、先端に向かって前記ロック解除アームの肉厚を低減させるテーパ部が形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載のコネクタのロック構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（２）  前記ロック解除アームは、前記ロックアームの直上に配備されたことを特徴とする上記（１）に記載のコネクタのロック構造。
（３）  前記ロック解除アームの先端部の上面部には、先端に向かって前記ロック解除アームの肉厚を低減させるテーパ部が形成されたことを特徴とする上記（１）又は（２）に記載のコネクタのロック構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記（３）の構成によれば、結合されているコネクタハウジング相互を離脱させるために、ロック解除アームを操作して、ロックアームをロック解除方向に撓み変位させた場合、ロック解除アームの先端側がロックアームと一体にロック解除方向に移動する。その際、ロック解除アームの先端側の上面部には、先端に向かって肉厚を低減させるテーパ部が装備されているため、ロック解除アームの先端側のロック解除方向への実質的な突出長の増加を軽減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月29日(2016.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定基板上にポリイミド層を形成し、
前記ポリイミド層上に半導体素子を形成し、
前記半導体素子を形成後に、線状レーザー光を照射することにより、前記固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
固定基板上にポリイミド層を形成し、
前記ポリイミド層上に、ＴＦＴを有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子を形成後に、線状レーザー光を照射することにより、前記固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
固定基板上にポリイミド層を形成し、
前記ポリイミド層上に半導体素子及びＥＬ素子を形成し、
前記半導体素子及び前記ＥＬ素子を形成後に、線状レーザー光を照射することにより、前記固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
固定基板上にポリイミド層を形成し、
前記ポリイミド層上に、ＴＦＴを有する半導体素子及びＥＬ素子を形成し、
前記半導体素子及び前記ＥＬ素子を形成後に、線状レーザー光を照射することにより、前記固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月10日(2016.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に酸素含有膜が形成された基板に対して第１の原料と第１の窒化剤とを供給して、前記酸素含有膜上に初期膜を形成する工程と、
前記初期膜をプラズマ窒化することで、前記初期膜を第１の窒化膜へ改質する工程と、
前記基板に対して第２の原料と第２の窒化剤とを供給して、前記第１の窒化膜上に第２の窒化膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記初期膜は、酸素を含む窒化膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の窒化膜は、前記第１の窒化膜の厚さ以上の厚さとなるように形成される請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の窒化膜は、前記第１の窒化膜よりも、厚くなるように形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記初期膜を形成する工程では、前記基板に対して前記第１の原料を供給する工程と、前記基板に対して前記第１の窒化剤を供給する工程と、を非同時に行う第１のサイクルを第１の所定回数行う請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の窒化膜を形成する工程では、前記基板に対して第２の原料を供給する工程と、前記基板に対して前記第２の窒化剤を供給する工程と、を非同時に行う第２のサイクルを第２の所定回数行う請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の所定回数を、前記第１の所定回数よりも多くする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記初期膜の厚さを、０．８ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記初期膜の厚さを、１．０ｎｍ以上１．２ｎｍ以下とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の窒化膜の表面をプラズマ窒化する工程をさらに有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記初期膜を形成する前に、前記酸素含有膜の表面をプラズマ窒化する工程をさらに有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記プラズマ窒化を行う際は、プラズマ励起させた前記第１の窒化剤または前記第２の窒化剤を前記基板に対して供給する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の原料は、前記第２の原料と、同一の分子構造を有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の窒化剤は、前記第２の窒化剤と、同一の分子構造を有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して第１の原料、第２の原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して第１の窒化剤、第２の窒化剤を供給する窒化剤供給系と、
前記第１の窒化剤または前記第２の窒化剤をプラズマ励起させるプラズマ励起部と、
前記処理室内に、表面に酸素含有膜が形成された基板を収容した状態で、前記基板に対して前記第１の原料と前記第１の窒化剤とを供給して、前記酸素含有膜上に初期膜を形成する処理と、プラズマ励起させた前記第１の窒化剤または前記第２の窒化剤を前記基板に対して供給し、前記初期膜をプラズマ窒化することで、前記初期膜を第１の窒化膜へ改質する処理と、前記基板に対して前記第２の原料と前記第２の窒化剤とを供給して、前記第１の窒化膜上に第２の窒化膜を形成する処理と、を行わせるように、前記原料供給系、前記窒化剤供給系、および前記プラズマ励起部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１６】
基板処理装置の処理室内において、表面に酸素含有膜が形成された基板に対して第１の原料と第１の窒化剤とを供給して、前記酸素含有膜上に初期膜を形成する手順と、
前記処理室内において、前記初期膜をプラズマ窒化することで、前記初期膜を第１の窒化膜へ改質する手順と、
前記処理室内において、前記基板に対して第２の原料と第２の窒化剤とを供給して、前記第１の窒化膜上に第２の窒化膜を形成する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月27日(2016.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器の開口部の一端にすくい取り部を備えたすくい取り搬出用具であって、
前記開口部に隣接する側面のうちの一つの面に対して間を有する逆流防止板を前記容器内に備えたことを特徴とする、すくい取り搬出用具。
【請求項２】
前面に開口部を備え、底面前縁部に形成した鋭利なすくい取り部を備えた容器状の収容器を形成し、前記収容器の底面内側と両側面内側に固着し、上面との間隔を２〜１０ｃｍ保ち、底面から直角〜奥方に３０度傾斜し起立した１枚乃至複数枚の逆流防止板と、収容器両側面外側の前方中央付近の軸支点に連結され回動可能な取っ手と、を具備することを特徴とする、すくい取り搬出用具。
【請求項３】
固着の逆流防止板に替え、１乃至複数枚の逆流防止板と底面と両側面と背面よりなる逆流防止ユニットを構成し、収容器開口部より挿入ができ収容器から取り外し可能としたことを特徴とする、請求項２に記載のすくい取り搬出用具。
【請求項４】
収容器両側面外側の後方下部に軸支点を備え、その軸支点に軸支され回転可能な一対の車輪を具備することを特徴とする、請求項２乃至３に記載のすくい取り搬出用具。
【請求項５】
すくい取り搬出用具の収容器両側面外側前方下部に一対の軸支点を備え、その軸支点に連結され回動可能なハンドル、を具備し、前記ハンドル手元のレバーからの遠隔操作により前記ハンドルの角度が任意に固定または自由にできる角度固定機構を具備することを特徴とする、請求項２乃至４に記載のすくい取り搬出用具。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする非水溶性色素化合物。
【化１】
2013166930.tif 000001
（一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、２−エチルヘキシル基を表す。Ｒ３は、アルキル基、アリール基またはアミノ基を表す。Ｒ４は、水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボン酸エステル基またはカルボン酸アミド基を表す。Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基またはアシル基を表す、若しくは、Ｒ５及びＲ６が互いに結合し、環を形成する。Ａはカルボニル基またはスルホニル基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＡがカルボニル基であり、かつ、Ｒ４がシアノ基であることを特徴とする請求項１に記載の非水溶性色素化合物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の非水溶性色素化合物を含有することを特徴とするインク。
【請求項４】
基材と、該基材上に請求項１または２に記載の非水溶性色素化合物を含有する色材層とを有することを特徴とする感熱転写記録用シート。
【請求項５】
請求項１または２に記載の非水溶性色素化合物を含有することを特徴とするカラーフィルター用レジスト組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、２−エチルヘキシル基を表す。Ｒ３は、アルキル基、アリール基またはアミノ基を表す。Ｒ４は、水素原子、シアノ基、カルバモイル基、カルボン酸エステル基またはカルボン酸アミド基を表す。Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基またはアシル基を表す、若しくは、Ｒ５及びＲ６が互いに結合し、環を形成する。Ａはカルボニル基またはスルホニル基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
特許文献３には、低硫黄含有量のガソリンの製造方法であって、ジオレフィンの選択的水素化のための工程と、場合による、ガソリン中に存在する軽質硫黄含有生成物の分子量を増加させることを目的とした、少なくとも１回の工程とを含む、方法が記載されている。この引用特許には、ガソリンを２つのフラクション：軽質ガソリンおよび重質ガソリンに分離することが記載されており、この引用特許は、低硫黄ガソリンを製造するために用いられ得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
場合によっては、軽質ガソリン留分のオリゴマー化は、ＦＣＣから、または他の追加の源、例えばコーキング装置から、ビスブレーキングから、メタノールをオレフィンに転換することから、またはアルコールをオレフィンに転換するための任意の他の方法から、水蒸気分解から、さらにはフィッシャー・トロプシュ（Fischer-Tropsch）合成装置から、またはパラフィンの脱水素から単独でまたは混合物として得られたＣ３およびＣ４留分の全てあるいは一部との混合物として行われてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（メタクリル酸メチル）ブロックおよびポリ（メタクリル酸（トリメチルシリル）メチル）ブロックを有するブロックコポリマーを含み、
前記ブロックコポリマーが１〜１，０００ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量（ＭＮ）を示し、かつ
前記ブロックコポリマーが１〜２の多分散度（ＰＤ）を示す、
コポリマー組成物。
【請求項２】
前記ブロックコポリマーが１０〜１００ｎｍのフィルムピッチ（Ｌ０）を示す、請求項１に記載のコポリマー組成物。
【請求項３】
前記ブロックコポリマーが２０〜４０ｎｍのフィルムピッチ（Ｌ０）を示す、請求項１に記載のコポリマー組成物。
【請求項４】
前記ブロックコポリマーがポリ（メタクリル酸メチル）−ｂ−ポリ（メタクリル酸（トリメチルシリル）メチル）ジブロックコポリマーである、請求項１に記載のコポリマー組成物。
【請求項５】
前記ジブロックコポリマーが０．６９〜０．８３のポリ（メタクリル酸メチル）重量分率（ＷｆＰＭＭＡ）を有する、請求項４に記載のコポリマー組成物。
【請求項６】
前記ジブロックコポリマーが０．３９〜０．６９未満のポリ（メタクリル酸メチル）重量分率（ＷｆＰＭＭＡ）を有する、請求項４に記載のコポリマー組成物。
【請求項７】
前記ジブロックコポリマーが０．２３〜０．３９未満のポリ（メタクリル酸メチル）重量分率（ＷｆＰＭＭＡ）を有する、請求項４に記載のコポリマー組成物。
【請求項８】
溶媒をさらに含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）およびトルエンからなる群から選択される、請求項１に記載のコポリマー組成物。
【請求項９】
添加剤をさらに含み、前記添加剤が追加のポリマー、界面活性剤、酸化防止剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、クエンチャー、硬化剤、接着促進剤、溶解速度調節剤、光硬化剤、光増感剤、酸増幅剤、可塑剤、配向制御剤および架橋剤からなる群から選択される、請求項１に記載のコポリマー組成物。
【請求項１０】
基体を提供し；
請求項１のコポリマー組成物を提供し；
前記コポリマー組成物のフィルムを前記基体に適用し；
前記フィルムをアニールし；
前記アニールされたフィルムから前記ポリ（メタクリル酸メチル）を除去し、かつアニ
ールされたフィルム中の前記メタクリル酸（トリメチルシリル）メチルをＳｉＯｘに変換
するように前記アニールされたフィルムを処理する；
ことを含む、基体上にパターン化ＳｉＯｘフィルムを形成する方法。
【請求項１１】
前記コポリマー組成物の前記フィルムを前記基体に適用後、前記フィルムをアニールする前に、前記フィルムをベークすることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．６５〜０．８７のポリスチレン容積分率ＶｆＢＣＰ１−ＰＳを有し、および下記式
【数１】
2013166933.tif 000001
（ここでχＮＢＣＰ１は２２５℃でのＢＣＰ１のフロリー−ハギンス相互作用パラメータχＢＣＰ１とＢＣＰ１の重合度ＮＢＣＰ１との積である）が当てはまる、秩序化ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（メタクリル酸メチル）ジブロックコポリマーＢＣＰ１を５０重量％を超えて９９重量％以下（固形分基準）で、並びに
０．６〜０．８のポリスチレン容積分率ＶｆＢＣＰ２−ＰＳを有し、および下記式
【数２】
2013166933.tif 000002
（ここでχＮＢＣＰ２は２２５℃でのＢＣＰ２のフロリー−ハギンス相互作用パラメータχＢＣＰ２とＢＣＰ２の重合度ＮＢＣＰ２との積である）が当てはまる、非秩序化ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（メタクリル酸メチル）ジブロックコポリマーＢＣＰ２を１重量％以上で５０重量％未満（固形分基準）で含み、
ＢＣＰ１の数平均分子量ＭＮ−ＢＣＰ１が３０〜５００ｋｇ／ｍｏｌであり、
ＢＣＰ２の数平均分子量ＭＮ−ＢＣＰ２が０．１〜５００未満ｋｇ／ｍｏｌであり、
下記方程式
【数３】
2013166933.tif 000003
を満たし、および
ＭＮ−ＢＣＰ１＞ＭＮ−ＢＣＰ２である、
ジブロックコポリマーブレンド。
【請求項２】
前記ＢＣＰ１が３０〜５００ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量ＭＮ−ＢＣＰ１、１〜２の多分散度ＰＤＢＣＰ１を示す、請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【請求項３】
前記ＢＣＰ２が０．１〜５００未満ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量ＭＮ−ＢＣＰ２、１〜２の多分散度ＰＤＢＣＰ２を示す、請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【請求項４】
前記ＢＣＰ１が３０〜５００ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量ＭＮ−ＢＣＰ１、１〜２の多分散度ＰＤＢＣＰ１を示し、並びに
前記ＢＣＰ２が０．１〜５００未満ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量ＭＮ−ＢＣＰ２、１〜２の多分散度ＰＤＢＣＰ２を示す、請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【請求項５】
さらに溶媒を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）およびトルエンからなる群から選択される請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【請求項６】
さらに添加剤を含み、前記添加剤が追加のポリマー、界面活性剤、酸化防止剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、クエンチャー、硬化剤、接着促進剤、溶解速度調節剤、光硬化剤、光増感剤、酸増幅剤、可塑剤、配向制御剤、および架橋剤からなる群から選択される請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【請求項７】
配向制御剤をさらに含む請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【請求項８】
表面を有する基体を提供し；
請求項１のジブロックコポリマーブレンドを提供し；
前記基体の前記表面に前記ジブロックコポリマーブレンドのフィルムを適用し；
場合によっては、前記フィルムをベークし；
５ｐｐｍ未満しかＯ２を含まない酸素非含有雰囲気中で前記フィルムをアニールし；
ポリ（メタクリル酸メチル）を除去するように前記アニールされたフィルムを処理して、生成物フィルムに複数の垂直なシリンダ状孔を提供し、前記垂直なシリンダ状孔のそれぞれが前記基体の前記表面に対して垂直な対称軸を示す；
ことを含む方法。
【請求項９】
前記生成物フィルムが０．９５以上〜１の垂直なシリンダ状孔配向度Ｄｐｅｒｐを示す請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ジブロックコポリマーブレンドが固形分基準で７５〜８５重量％のＢＣＰ１、および固形分基準で１５〜２５重量％のＢＣＰ２である請求項１に記載のジブロックコポリマーブレンド。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンドワイヤ（２３０）を用いてインゴット（３０２、３０４、３０６、３０８）を切断するダイヤモンドワイヤソーデバイス（１００）であって、前記ダイヤモンドワイヤソーが、前記インゴットに対して前記ダイヤモンドワイヤを動かすように適合され、前記ダイヤモンドワイヤソーデバイスが、
前記ダイヤモンドワイヤ（２３０）に交流信号を印加するように構成されたダイヤモンドワイヤ欠陥検出システム（１）を備える、ダイヤモンドワイヤソーデバイス（１００）。
【請求項２】
前記交流信号が方形波信号（８００、８１０、９００、９１０）である、請求項１に記載のダイヤモンドワイヤソーデバイス。
【請求項３】
前記交流信号が１〜１００Ｈｚを有する、請求項１または２に記載のダイヤモンドワイヤソーデバイス。
【請求項４】
前記ダイヤモンドワイヤにおける電気パラメータを測定する信号測定ユニット（６００）をさらに備える、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のダイヤモンドワイヤソーデバイス。
【請求項５】
前記信号測定ユニット（６００）と動作可能に接続された分析モジュールをさらに備え、前記分析モジュールが、前記測定された信号を分析するように適合される、請求項３に記載のダイヤモンドワイヤソーデバイス。
【請求項６】
測定された信号が異常な状態を示すことに応答して、印加される交流電圧の絶対値を増大させるように適合された電圧増大モジュールをさらに備える、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のダイヤモンドワイヤソーデバイス。
【請求項７】
前記ダイヤモンドワイヤソーデバイスの動作中に前記ダイヤモンドワイヤの方へ水性冷却材を誘導する入り口をさらに含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のダイヤモンドワイヤソーデバイス。
【請求項８】
インゴットを切断するダイヤモンドワイヤソーデバイスを動作させる方法であって、前記ダイヤモンドワイヤソーデバイスがダイヤモンドワイヤを含み、前記方法が、
ａ）前記ダイヤモンドワイヤに交流信号を印加するステップと、
ｂ）前記ダイヤモンドワイヤの応答信号を測定するステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記印加される交流信号が方形波の交流信号である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ダイヤモンドワイヤソーデバイスの動作中に前記ダイヤモンドワイヤの方へ水性冷却材を誘導するステップをさらに含む、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ダイヤモンドワイヤに交流信号を印加するステップが、前記ダイヤモンドワイヤにおける前記信号を前記信号の実質上一定の絶対値で制御するステップを含む、請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ａ）前記測定された信号を分析するステップと、
ｂ）測定された信号が異常な状態を示す場合、前記印加される信号を増大させるステップと
をさらに含む、請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記測定された信号が選択可能な閾値を下回る場合、前記印加される信号が増大される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ａ）選択可能な時間間隔を待機するステップと、
ｂ）前記測定された信号が、前記印加される信号の前記増大に応答して前記閾値を上回らない場合、前記ダイヤモンドワイヤソーデバイスの動作を停止させるステップと
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ダイヤモンドワイヤソーデバイスにダイヤモンドワイヤ欠陥検出システムを後付けする方法であって、前記ダイヤモンドワイヤソーデバイスがダイヤモンドワイヤを含み、前記方法が、
ａ）前記ダイヤモンドワイヤに交流信号を印加するように構成された前記ダイヤモンドワイヤ欠陥検出システムを提供するステップと、
ｂ）前記ダイヤモンドワイヤ欠陥検出システムを前記ダイヤモンドワイヤに導電接触させるステップとを含む、方法。