【事件の表示】
　特願２０１２−４１９３９「積層セラミックコンデンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年９月９日出願公開、特開２０１３−１７９１６０、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年２月２８日の出願であって、平成２７年８月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２８日付けで手続補正がなされたが、平成２８年２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月１９日に拒絶査定不服の審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年４月１９日付けの手続補正の適否
１．補正の内容
　平成２８年４月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、下記（１）に示す補正前の特許請求の範囲の記載を下記（２）に示す特許請求の範囲の記載へ補正するものである。なお、下記（２）における下線は、審判請求人が補正箇所を明示するために付したものである。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
「　【請求項１】
　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、平均粒径０．３μｍ以上０．６μｍ以下の複数の誘電体結晶粒子を有し、前記誘電体結晶粒子は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｚ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ここで、ｘは０．０１≦ｘ≦０．１、ｙが０．０１≦ｙ≦０．１、ｚが０．９９０＜ｚ≦１．０１０）からなるペロブスカイト構造を有する固溶体で形成される主成分を有し、前記複数の誘電体粒子のうち、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子が、個数比率にして２０％〜５０％であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。　　
　　【請求項２】
　前記Ｚｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子が、個数比率にして２０％以上４０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
「　【請求項１】
　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、平均粒径０．３μｍ以上０．６μｍ以下の複数の誘電体結晶粒子を有し、前記誘電体結晶粒子は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｚ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ここで、ｘは０．０１≦ｘ≦０．１、ｙが
０．０５
４０％
２．補正の適否
（１）補正の目的要件、新規事項の有無、特別な技術的特徴の変更の有無について
　本件補正による請求項１についての補正は、請求項１に記載された「誘電体結晶粒子」の組成に関して、「ｙ」の値を、「０．０１≦ｙ≦０．０５」の範囲を除く範囲、すなわち、「０．０５＜ｙ≦０．１」に限定するとともに、「複数の誘電体粒子のうち、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子」の個数比率の値を、補正前の請求項２に記載の「２０％〜４０％」に限定するものであって、補正前の請求項１に係る発明と補正後の請求項１に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正による請求項２についての補正は、上述の請求項１についての補正に伴って、補正前の請求項２を削除するものであるから、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、上記のいずれの補正についても、特許法第１７条の２第３項及び第４項に違反するところはない。
（２）独立特許要件について
　本件補正による請求項１についての補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正後の請求項１に係る発明が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
ア．本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、本件補正後の請求項１に記載されたとおりのものである（上記１．（２）参照。）。
イ．引用発明
（ア）国際公開第２００６／０１８９２８号
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００６／０１８９２８号には、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
ａ．「［0029］　また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、
複数の誘電体層を積層したセラミック積層体からなるセラミック焼結体と、該セラミック焼結体の内部に並列状に埋設された複数の内部電極と、前記セラミック焼結体の外表面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサ
ｂ．「［0037］　すなわち、本発明の
誘電体セラミックは、（Ｂａ
1-x-y
Ｓｒ
ｘ
Ｃａ
ｙ
）
ｍ
(Ｔｉ
1-z
Ｚｒ
ｚ
)Ｏ
３
からなるペロブスカイト型結晶構造（一般式ＡＢＯ
３
）の複合酸化物を主成分とし
［0038］　また、
主成分組成の各モル比ｘ、ｙ、ｚ、ｍ
［0039］
０≦ｘ≦０．０５
　
０≦ｙ≦０．０８
　
０≦ｚ≦０．０５
　
０．９９０≦ｍ
　１００．２≦（１００ｍ＋ａ）≦１０２　…（５）
　０．０５≦ｂ≦０．５　…（６）
　０．０５≦ｃ≦２、０　…（７）
　０．０５≦ｄ≦１．３　…（８）
　０．１≦ｅ≦１．０　…（９）
　０．０２≦ｆ≦０．１５　…（１０）
　０．２≦ｇ≦２　…（１１）」
ｃ．「実施例１
［0103］　まず、セラミック素原料としてＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＴｉＯ２、及びＺｒＯ２を用意し、主成分が表１及び表２に示すような組成を有するようにこれらセラミック素原料を秤量し、該秤量物をＰＳＺの内有されたボールミルに投入して２４時間湿式で混合粉砕した。次いで、１１００〜１１８０℃の温度で熱処理を施し、
主成分である（Ｂａ
1-x-y
Ｓｒ
ｘ
Ｃａ
ｙ
）
ｍ
(Ｔｉ
1-z
Ｚｒ
ｚ
)Ｏ
３
を作製した
［0104］　尚、本実施例では、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３に含有されるＳｒ成分及びＺｒ成分の特性への影響を評価するため、Ｓｒ成分及びＺｒ成分を意図的に混入させた。
［0105］　次いで、これら各主成分原料粉末について走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で画像解析し、３００個の粒子の平均粒径を測定したところ、表１及び表２に示すように、０．２〜０．５μｍであった。
［0106］　次に、添加成分素材として、ＢａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＭｎＣＯ３、ＣｕＯ、Ｖ２Ｏ５、ＳｉＯ２を用意し、さらに希土類酸化物（Ｒ２Ｏ３）としてのＬａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、及びＹ２Ｏ３を用意した。
［0107］　次に、
各添加成分のモル量が主成分１００モルに対して表１及び表２のようになるように各添加成分素材を秤量し、これら秤量物を主成分と共にボールミルに投入し、２４時間湿式で混合粉砕し、その後、蒸発乾燥処理を施し、実施例１〜３８及び比較例１〜２３の配合物を作製した。
［0108］　次いで、実施例１〜３８及び比較例１〜２３の各配合物をポリビニルブチラール系バインダや有機溶剤としてのエチルアルコールと共にボールミルに投入して湿式混合し、セラミックスラリーを作製し、さらにドクターブレード法等によりセラミックスラリーに成形加工を施し、矩形状のセラミックグリーンシートを作製した。
［0109］　そして、Ｎｉを主成分とした導電性ペーストを前記セラミックグリーンシートにスクリーン印刷し、該セラミックグリーンシートの表面に導電膜を形成した。
［0110］　次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持・圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製した。そしてこの後、窒素雰囲気下、温度３００℃で脱バインダ処理を行い、さらに、
酸素分圧が１０
-10
ＭＰａに制御されたＨ
２
−Ｎ
２
−Ｈ
２
Ｏガスからなる還元性雰囲気中で、温度１２００℃で２時間焼成処理を施し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を作製した
［0111］　その後、Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯ系ガラス成分を含有したＣｕペーストをセラミック焼結体の両端面に塗布し、窒素雰囲気下、温度８００℃で焼付処理を施し、外部電極を形成し、実施例１〜３７及び比較例１〜２３の積層セラミックコンデンサを作製した。
［0113］　尚、各積層セラミックコンデンサは、外形寸法が、縦１．２ｍｍ、横２．０ｍｍ、厚み１．０ｍｍ、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは１μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の積層枚数は１００であり、１層あたりの対向電極面積は１．４×１０-6ｍ2であった。
［0113］　次いで、
実施例及び比較例の各３００個について、焼成後の平均粒径をＳＥＭで画像解析して算出した
［0114］　表
１は実施例１〜３８の主成分組成及び添加成分のモル量及び焼成後の平均粒径を示し
ｄ．「［0148］　これに対し表１及び表３から明らかなように
実施例１〜３８は、０≦ｘ≦０．０５、０≦ｙ≦０．０８、０≦ｚ≦０．０５、０．９９０≦ｍ、１００．２≦（１００ｍ＋ａ）≦１０２、０．０５≦ｂ≦０．５、０．０５≦ｃ≦２、０．０５≦ｄ≦１．３、０．１≦ｅ≦１．０、０．０２≦ｆ≦０．１５、０．２≦ｇ≦２であり、しかも平均粒径が０．２１〜０．４５μｍの範囲にあるので、比誘電率ε
r
は３０００以上、容量変化率（ΔＣ／Ｃ
２５
）maxはＸ７Ｒ特性を満足し、ＤＣ破壊電界強度は１００ｋＶ／ｍｍ以上、ＣＲ積は１４０Ω・Ｆ以上、高温負荷寿命は１２５℃の高温で１０ｋＶ／ｍｍの電圧を印加しても１０００時間以上の耐久性を有し、誘電特性、温度特性、耐電圧、絶縁性、信頼性の優れた積層セラミックコンデンサを得ることのできることが分かった
また、図１の記載からみて、
ｅ．誘電体層と内部電極は交互に積層されている。
　したがって、上記ａないしｅの記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「誘電体層と内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、平均粒径が０．２１〜０．４５μｍの範囲にあり、（Ｂａ1-x-yＳｒｘＣａｙ）ｍ(Ｔｉ1-zＺｒｚ)Ｏ３（ここで、ｘは０≦ｘ≦０．０５、ｙが０≦ｙ≦０．０８、ｚが０≦ｚ≦０．０５、ｍが０．９９０≦ｍ）からなるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を有する積層セラミックコンデンサ。」
（イ）特開２００８−２０７９７２号公報
　平成２８年６月２９日付け前置報告書において提示された特開２００８−２０７９７２号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
ａ．「【００１２】
　図１に示すように、本発明の一実施形態に係る
積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。
ｂ．「【００１４】
　誘電体層２は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。　
　本発明の
誘電体磁器組成物は、（Ｂａ
１−ｘ
Ｃａ
ｘ
）
ａ
（Ｔｉ
１−ｙ
Ｚｒ
ｙ
）Ｏ
２＋ａ
で表される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、副成分として、ＭｇＯ、ＭｎＯ、希土類酸化物（Ｒｅ
２
Ｏ
３
）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物および（Ｂａ
１−ｚ
Ｃａ
ｚ
）ＳｉＯ
３
を含有している
　【００１５】
　
上記主成分の組成式中、ｘは、０を超えて０．０６以下にすることが好ましい。さらに、好ましくは０．０１〜０．０５である。また、ｙは、０．０２〜０．０８にすることが好ましい。さらに、好ましくは０．０４〜０．０８である。また、ａは、０．９９８〜１．００５にすることが好ましい。さらに好ましくは１．０００〜１．００５である
ｃ．「【００２９】
　
誘電体層２に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層２の厚さなどに応じて、例えば０．１〜１．０μｍの範囲から適宜決定すればよく、好ましくは０．１〜０．５μｍである。
ｄ．「【００５１】
　また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
　【００５２】
　
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０
−９
〜１０
−４
Ｐａとすることが好ましい。
　【００５３】
　また、
焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３００℃である
　【００５４】
　これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、
焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ
２
とＨ
２
との混合ガスを加湿して用いることが好ましい
　【００５５】
　還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。
　【００５６】
　
アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０
−３
Ｐａ以上、特に１０
−２
〜１０Ｐａとすることが好ましい。
　【００５７】
　
アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。
ｅ．「【００７２】
　誘電体原料を定法により調製した。
調製した誘電体原料の組成を表１に示す。試料番号１〜１３では、主成分である（Ｂａ
１−ｘ
Ｃａ
ｘ
）
ａ
（Ｔｉ
１−ｙ
Ｚｒ
ｙ
）Ｏ
２＋ａ
の組成（ｘ，ｙ，ａ）を変化させた。
また、【表１】の記載によると、
ｆ．試料番号８の主成分の組成比は、ｘ＝０．０４０、ｙ＝０．０７０、ａ＝１．０００である。
　したがって、上記ａないしｆの記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、平均結晶粒径が０．１〜０．５μｍの複数の誘電体粒子を有し、前記誘電体粒子は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ２＋ａ（ここで、ｘは０＜ｘ≦０．０６、ｙが０.０２≦ｙ≦０．０８、ａが０．９９８≦ａ≦１．００５）からなる主成分を有する積層セラミックコンデンサ。」
ウ．対比
　本願補正発明と引用発明２とを対比する。
　引用発明２における「誘電体粒子」「平均結晶粒径」は、本願補正発明における「誘電体結晶粒子」「平均粒径」にそれぞれ相当するとともに、引用発明２の平均粒径（平均結晶粒径）の数値範囲は、本願補正発明の数値範囲と重複する範囲を有している。
　また、引用発明２の誘電体層の主成分である「（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ２＋ａ」における組成比「ｘ」「ｙ」「ａ」は、本願補正発明の誘電体層の主成分である「（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｚ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３」における組成比「ｘ」「ｙ」「ｚ」にそれぞれ対応するとともに、引用発明２のそれらの数値範囲は、本願補正発明のそれらの数値範囲と重複する範囲を有している。
　そうすると、本願補正発明と引用発明２は、以下の点で相違し、その余の点で一致する。
［相違点１］
　本願補正発明においては、誘電体層が有する誘電体結晶粒子のうち、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子が、個数比率にして２０％〜４０％であるのに対して、引用発明２においては、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子の個数比率について特定されていない点。
［相違点２］
　本願補正発明においては、誘電体層の主成分が、ペロブスカイト構造を有するのに対して、引用発明２においては、主成分の結晶構造については明示されていない点。
　また、本願補正発明と引用発明１とを対比すると、上記相違点１と同様に、引用発明１においても、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子の個数比率について特定されていない点に加えて、以下の点においても相違する。
［相違点３］
　本願補正発明の誘電体層の主成分である「（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｚ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３」における「ｙ」の数値範囲が「０．０５＜ｙ≦０．１」であるのに対して、引用発明１においては、当該「ｙ」に対応する「ｚ」の数値範囲は「０≦ｚ≦０．０５」である点。
エ．判断
　上記相違点１について検討する。
　本願の明細書には以下の記載がなされている。
（ア）「【００２７】
　この濃度差は、例えば後述する焼成時に、保持時間を変更することで特定の範囲にすることができる。その他、主成分の原料粉体や組成の選択、アニール時の雰囲気や保持時間等を組み合わせることによっても、濃度差を持たせることができる。」
（イ）「【００５６】
　また、上述の実施形態では、Ｚｒに濃度差を持たせるにあたり、焼成時の保持時間を変更する方法を一例として挙げたが、この他にもたとえば、製造方法の異なる（すなわち反応性が異なる）主成分を選択したり、主成分の組成比や原料粉末の粒径、アニール条件等を変更したりすることでもＺｒの濃度差を所定の比率に制御することができる。また、上記複数の条件を組み合わせることにより制御してもよい。」
（ウ）「【００７３】
　表１において、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｚ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３の組成比ｘ、ｙ、ｚが本発明の範囲外となり、粒子内にＺｒの濃度差を有する誘電体粒子の比率が少ない比較例１、２、５、６に示した試料は、実施例に示した試料と比較して、粒径ばらつきが大きいことが確認された。この場合、誘電体層の薄層化が困難になる。また、比較例３は比誘電率と信頼性が、比較例４は信頼性が劣ることが確認された。ＢＣＴＺの組成比ｘ、ｙ、ｚが本発明の範囲内であり、粒子内にＺｒの濃度差を有する誘電体粒子の比率が２０％以上である実施例１〜７は、誘電体結晶粒径が０．３μｍ以上０．６μｍ以下となり、比誘電率、信頼性ともに優れることが確認できた。」
（エ）「【００７４】
　表２において、所定のＢＣＴＺ組成比において、粒子内にＺｒの濃度差を有する誘電体粒子の比率が本発明の範囲外となる比較例７、８は、粒径ばらつきが大きく、誘電体層の薄層化が困難になることが考えられ、信頼性も劣ることが確認された。粒子内にＺｒの濃度差を有する誘電体粒子の比率が２０％以上である実施例８〜１６は、誘電体結晶粒径が０．３μｍ以上０．６μｍ以下となり、比誘電率、信頼性ともに優れることが確認できた。実施例の中では、粒子内にＺｒの濃度差を有する誘電体粒子の比率が５０％となる実施例１６は、その他の実施例と比較すると、比誘電率および信頼性の両方がやや低下する傾向がみられた。」
　上記（ア）及び（イ）の記載からみて、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子の個数比率は、主成分の組成比ｘ、ｙ、ｚの値のみで定まるのではなく、主成分の製造方法、原料粉末の粒径、焼成条件、アニール条件、あるいはそれらの組み合わせによって変動するものである。
　例えば、上記（ウ）及び（エ）並びに【表２】（特に、比較例７及び８）の記載を参照すると、主成分の組成比ｘ、ｙ、ｚの値が本願補正発明の範囲内であっても、焼成温度が明細書に記載の「好ましくは１０００〜１３００℃、より好ましくは１１４０〜１２００℃」の範囲外となることで、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子の個数比率は本願補正発明の範囲外となる。
　したがって、主成分の組成比のみが同じであるからといって、粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子の個数比率は同じであるということはできず、また、主成分の組成比のみから当該個数比率を特定することもできない。
　これに対して、引用文献２には、原料粉末の粒径、焼成条件、アニール条件についての大まかな数値範囲は記載されているものの、実施例の欄（段落【００６５】ないし【００７４】）には、焼成条件やアニール条件についての具体的な数値は何ら記載されていない。例えば、主成分の組成比ｘ、ｙ、ｚの値が本願補正発明の範囲内に入る唯一の例である試料番号８について、焼成条件やアニール条件について具体的な数値は記載されていない。さらに、上記試料番号８について、誘電体結晶粒子の平均粒径についても具体的な数値は記載されておらず、本願補正発明の数値範囲である「０．３μｍ以上０．６μｍ以下」であるのか否かも不明である（なお、引用文献２には、「誘電体層２に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層２の厚さなどに応じて、例えば０．１〜１．０μｍの範囲から適宜決定すればよく、好ましくは０．１〜０．５μｍである。」（段落【００２９】）と記載されており、本願補正発明の範囲外である０．１μｍ以上０．３μｍ未満の平均結晶粒径も含んでいる。）。
　したがって、引用文献２には、焼成条件やアニール条件等についての具体的な数値が記載されていないから、引用発明２における「粒内にＺｒの濃度差を有する誘電体結晶粒子の個数比率」を特定することはできない。また、引用文献２には、誘電体結晶粒子内にＺｒの濃度差を持たせることによって、薄層化に対応可能で、高い比誘電率と信頼性を有する積層セラミックコンデンサが得られるという技術思想は記載も示唆もされていないから、本願補正発明は引用発明２から容易に想到し得たものではない。
　以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、本願補正発明は、引用文献２に記載された発明（引用発明２）であるとはいえず、かつ、引用文献２に記載された発明（引用発明２）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　また、引用発明１については、上記相違点３として説示したように、本願補正発明の主成分の組成比「ｙ」に対応する引用発明１の「ｚ」の数値範囲は、本件補正によって本願補正発明の範囲外となった。したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明（引用発明１）であるとはいえず、かつ、引用文献１に記載された発明（引用発明１）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本件補正後の請求項１に係る発明である本願補正発明は、上記「第２」の「２．」の「（２）独立特許要件について」で説示したとおり、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１に記載された発明（引用発明１）であるということはできず、かつ、引用文献１に記載された発明（引用発明１）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。