【事件の表示】
　特願２０１２−２２４９７８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月２３日出願公開、特開２０１３−１０２１４５、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２４年１０月１０日（国内優先権主張　先の出願日平成２３年１０月１４日）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　１月３１日　審査請求・手続補正
平成２７年　２月１７日　拒絶理由通知
平成２７年　３月　３日　意見書・手続補正
平成２７年　８月２１日　拒絶理由通知
平成２７年　９月２３日　意見書・手続補正
平成２８年　３月２２日　拒絶査定（以下，「原査定」という）
平成２８年　４月１２日　審判請求・手続補正
平成２８年　９月　７日　上申書
平成２８年１２月　５日　補正却下決定・拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という）
平成２８年１２年２１日　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は，平成２８年１２月２１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものと認められる。
１　本願発明１
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　ゲート電極と，
　前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と，
　前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極と，
　前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜と，を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜の端部と接する第２の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記第２の領域の外側で，前記ゲート絶縁膜と接する第３の領域を有し，
　前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し，
　前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し，
　前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有し，
　前記第３の絶縁膜は，前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く，
　前記第３の絶縁膜の密度は，２．３２ｇ／ｃｍ３以上（ただし，２．５０ｇ／ｃｍ３以上を除く）を有し，
　前記第３の絶縁膜の膜厚は，６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下を有することを特徴とする半導体装置。」
２　本願発明２
　本願の請求項２に係る発明（以下，「本願発明２」という。）は以下のとおりである。
「【請求項２】
　ゲート電極と，
　前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と，
　前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極と，
　前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜と，を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜の端部と接する第２の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記第２の領域の外側で，前記ゲート絶縁膜と接する第３の領域を有し，
　前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し，
　前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し，
　前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有し，
　前記第３の絶縁膜は，前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く，
　前記第３の絶縁膜は，温度１３０℃，相対湿度１００％，１２時間の試験後の膨潤率が４体積％以下を有し，
　前記第３の絶縁膜の膜厚は，６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下を有することを特徴とする半導体装置。」
　
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
・請求項　１，２
・引用文献等　１−５
・・・
　引用文献１には，チャネルとなる酸化物半導体上に「チャネル保護膜１３０」（第１の絶縁膜に相当）を設けることが記載されており（段落［０２４１］，図８），この上にさらに酸化珪素膜（第２の絶縁膜に相当）と窒化酸化珪素膜（第３の絶縁膜に相当）との積層構造を有する「絶縁膜１１３」を設けることに，当業者にとって特別な困難性は認められない。
　引用文献１の「チャネル保護膜１３０」は，酸化珪素，酸化窒化珪素，窒化酸化珪素等からなることが記載されており（段落［０２４２］），また，「ゲート絶縁膜１０２」も酸化珪素，酸化窒化珪素，窒化酸化珪素等からなることが記載されているため（段落［００４１］），両者を同一の材料とすることに当業者にとって特別な困難性は認められない。
　また，チャネル保護膜を，チャネルとなる酸化物半導体の端部やゲート絶縁膜上にも設けることは引用文献４（図１），引用文献５（図７）に記載されているように周知技術であるため，引用文献１の「チャネル保護膜１３０」をチャネルとなる酸化物半導体の端部やゲート絶縁膜上にも設けることは，当業者が容易になし得たことである。
　そして，バリア性を有する窒化酸化珪素膜の密度，元素比，膜厚等の性質は，所望のバリア性能に応じて当業者が適宜最適化できる設計的事項に過ぎないため，密度を２．３２ｇ／ｃｍ３以上（ただし，２．５０ｇ／ｃｍ３以上を除く）とすることや，膜厚を５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下とすることは，当業者が容易になし得たことであり，当然，その結果として，温度１３０℃，相対湿度１００％，１２時間の試験後の膨潤率が４体積％以下であるような膜を得ることも，当業者が容易になし得たことである。
　また，引用文献３（Ｔａｂｌｅ　１）には，成膜時の酸素の圧力を変化させると，得られる膜密度が変化することが記載されており，このように当業者であれば所望の特性に応じてプロセス条件を変更して様々な性質を変化できるため，上述の性質を持つ膜を得ることに，当業者にとって特別な困難性を有しているとも認められない。
・・・
　よって，請求項１，２に係る発明は，引用文献１に記載された発明，引用文献２，３に記載された技術及び引用文献４，５に記載された周知技術に基づいて，当業者であれば容易になし得たものであるから，依然として，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　特開２０１１−１３９０５０号公報
引用文献２　特開２００７−０８３４９３号公報
引用文献３　A. Brunet-Bruneau et al.，Infrared ellipsometry investigation of SiOxNy thin films on silicon，Applied Optics，１９９６年，Vol. 35, Issue 25，pp. 4998-5004
引用文献４　特開２０１１−０４９５４８号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
引用文献５　特開２０１１−１４２３１６号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
　
２　本願発明１についての判断
（１）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体を用いる半導体装置
（イ）「【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは，
酸化物半導体膜中に存在する水素，水などの不純物が，閾値電圧のシフトなどの経時劣化をトランジスタにもたらす要因である
【００１１】
第１の加熱処理により，酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物は低減されるが，完全には取り除かれてはおらず，改善の余地が残されている。これは，酸化物半導体を構成している金属と結合している水素または水酸基が原因であると考えられる。本発明では，イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて，酸化物半導体膜に酸素を添加することで，酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合，或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに，これら水素または水酸基を酸素と反応させて，水を生成する。そして，酸素の添加後に第２の加熱処理を行うことで，強固に残存していた水素または水酸基などの不純物を，水として，脱離させやすくすることができる。」
（ウ）「【００３０】
（実施の形態１）
チャネルエッチ構造のボトムゲート型のトランジスタ
【００３１】
図１（Ａ）に示すように，
基板１００上にゲート電極１０１を形成する。
・・・
【００４１】
次いで，
ゲート電極１０１上に，ゲート絶縁膜１０２を形成する。ゲート絶縁膜１０２は，プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて，酸化珪素膜，
・・・
【００４９】
次いで，ゲート絶縁膜１０２上に膜厚２ｎｍ以上２００ｎｍ以下，好ましくは膜厚３ｎｍ以上５０ｎｍ以下，さらに好ましくは膜厚３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の酸化物半導体膜１０３を形成する。
・・・
【００９７】
次いで，図２（Ａ）に示すように，
ゲート絶縁膜１０２，及び酸化物半導体膜１０８上に，ソース電極及びドレイン電極（これと同じ層で形成される配線を含む）となる導電膜を形成した後，該導電膜をパターニングすることで，ソース電極１１１，ドレイン電極１１２を形成する。
・・・
【０１０９】
なお，プラズマ処理を行った後，
図２（Ｂ）に示すように，ソース電極１１１，ドレイン電極１１２及び酸化物半導体膜１０８を覆うように絶縁膜１１３を形成する。絶縁膜１１３は，
積層された複数の絶縁膜で構成されていても良い。
上記絶縁膜１１３には，バリア性の高い材料を用いるのが望ましい。例えば，バリア性の高い絶縁膜として，窒化珪素膜，窒化酸化珪素膜，窒化アルミニウム膜，または窒化酸化アルミニウム膜などを用いることができる。複数の積層された絶縁膜を用いる場合，上記バリア性の高い絶縁膜よりも，窒素の比率が低い酸化珪素膜，酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を，酸化物半導体膜１０８に近い側に形成する。そして，窒素の比率が低い絶縁膜を間に挟んで，ソース電極１１１，ドレイン電極１１２及び酸化物半導体膜１０８と重なるように，バリア性を有する絶縁膜を形成する。バリア性を有する絶縁膜を用いることで，酸化物半導体膜１０８内，ゲート絶縁膜１０２内，或いは，酸化物半導体膜１０８と他の絶縁膜の界面とその近傍に，水分または水素などの不純物が入り込むのを防ぐことができる。また，酸化物半導体膜１０８に接するように窒素の比率が低い酸化珪素膜，酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を形成することで，バリア性の高い材料を用いた絶縁膜が直接酸化物半導体膜１０８に接するのを防ぐことができる。
【０１１０】
本実施の形態では，
スパッタ法で形成された膜厚２００ｎｍの酸化珪素膜上に，スパッタ法で形成された膜厚１００ｎｍの窒化珪素膜を積層させた構造を有する，絶縁膜１１３を形成する。
【０１１１】
なお，絶縁膜１１３を形成した後に，加熱処理を施しても良い。加熱処理は，不活性ガス雰囲気（窒素，またはヘリウム，ネオン，アルゴン等）下において，好ましくは２００℃以上４００℃以下，例えば２５０℃以上３５０℃以下で行う。本実施の形態では，例えば，窒素雰囲気下で２５０℃，１時間の加熱処理を行う。または，ソース電極１１１，ドレイン電極１１２を形成する前に，酸化物半導体膜に対して行った先の加熱処理と同様に，高温短時間のＲＴＡ処理を行っても良い。
ソース電極１１１又はドレイン電極１１２の間に設けられた酸化物半導体膜１０８の露出領域と，酸素を含む絶縁膜１１３とが接して設けられた後に，加熱処理が施されることによって，酸化物半導体膜１０８に酸素が供与されるため，酸化物半導体膜１０８の絶縁膜１１３と接する領域を選択的に酸素過剰な状態とすることができる。
【０１１２】
以上の工程でトランジスタ１１４が形成される。」
（エ）「【０２４０】
（実施の形態３）
本実施の形態では，チャネル保護構造の
ボトムゲート型のトランジスタ
実施の形態１と同一部分又は同様な機能を有する部分，及び工程は，実施の形態１と同様に行うことができるため，繰り返しの説明は省略する。
【０２４１】
実施の形態１の図１（Ｅ）に示すように，第２の加熱処理の工程まで，同様に行う。次いで，図８（Ａ）に示すように，
酸化物半導体膜１０８内のゲート電極１０１と重なる領域，すなわちチャネル形成領域と重なるように，酸化物半導体膜１０８上にチャネル保護膜１３０を形成する。
【０２４２】
チャネル保護膜１３０には，酸素を含む無機材料（酸化珪素，酸化窒化珪素，窒化酸化珪素など）を用いることができる。
【０２４３】
なお，チャネル保護膜１３０を形成した後に，加熱処理を施しても良い。加熱処理は，不活性ガス雰囲気（窒素，またはヘリウム，ネオン，アルゴン等）下において，好ましくは２００℃以上４００℃以下，例えば２５０℃以上３５０℃以下）で行う。本実施の形態では，例えば，窒素雰囲気下で２５０℃，１時間の加熱処理を行う。酸化物半導体膜１０８のチャネル形成領域となる部分と，酸素を含む絶縁膜であるチャネル保護膜１３０とが接して設けられた後に，加熱処理が施されることによって，酸化物半導体膜１０８に酸素が供与されるため，
酸化物半導体膜１０８のチャネル保護膜１３０と接する領域を選択的に酸素過剰な状態とする
【０２４４】
次いで，図８（Ｂ）に示すように，
酸化物半導体膜１０８上に，ソース電極及びドレイン電極（これと同じ層で形成される配線を含む）となる導電膜を形成した後，該導電膜をエッチング等により所望の形状に加工することで，ソース電極１３１，ドレイン電極１３２を形成する。
・・・
【０２４７】
なお，プラズマ処理を行った後，
図８（Ｃ）に示すように，ソース電極１３１，ドレイン電極１３２，チャネル保護膜１３０及び酸化物半導体膜１０８を覆うように，絶縁膜１３３を形成する。絶縁膜１３３の材料，膜厚及び構造と，作製方法については，実施の形態１に示した絶縁膜１１３についての記載を参照すれば良い。
【０２４８】
なお，絶縁膜１３３を形成した後に，加熱処理を施しても良い。加熱処理は，不活性ガス雰囲気（窒素，またはヘリウム，ネオン，アルゴン等）下において，好ましくは２００℃以上４００℃以下，例えば２５０℃以上３５０℃以下）で行う。本実施の形態では，例えば，窒素雰囲気下で２５０℃，１時間の加熱処理を行う。
【０２４９】
以上の工程でトランジスタ１４０が形成される。」
（オ）図８（ｃ）には，ゲート電極１０１と，酸化物半導体膜１０８が重なる領域を有すること，が記載されていると認められる。
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ゲート電極と，
ゲート電極上のゲート絶縁膜と，ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と，
チャネル形成領域と重なるような酸化物半導体膜上のチャネル保護膜と，
酸化物半導体膜上のソース電極と，
酸化物半導体膜上のドレイン電極と，
ソース電極，ドレイン電極，チャネル保護膜及び酸化物半導体膜を覆う絶縁膜と，
チャネル保護膜は，ゲート絶縁膜と同じ酸化珪素を用い，
絶縁膜は，酸化物半導体膜に近い側に形成した酸化珪素膜とバリア性の高い窒化酸化珪素膜の積層された絶縁膜である，
半導体装置。」
（２）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
「【００２１】
《ガスバリアフィルム》
　本発明のガスバリアフィルムは，
透明な可撓性支持体基板と，無機薄膜からなる最外ガスバリア層（Ａ）と，金属窒化物または金属炭化物からなる無機薄膜保護層（Ｄ）とをこの順で有し，且つ，前記可撓性支持体基板と前記最外ガスバリア層（Ａ）との間に，少なくとも１層の中間層（Ｂ）と，少なくとも１層の無機薄膜からなる中間ガスバリア層（Ｃ）と，を有するガスバリアフィルム
　前記無機薄膜保護層（Ｄ）が前記最外ガスバリア層（Ａ）の表面に接するように設けられており，且つ，前記無機薄膜保護層（Ｄ）の水素および酸素の含有量が，前記無機薄膜保護層（Ｄ）を構成する前記金属窒化物または金属炭化物の金属原子に対してそれぞれ２０原子％以下であることを特徴とする。
　本発明のガスバリアフィルムは，無機薄膜保護層（Ｄ）を最外ガスバリア層（Ａ）上に積層することにより，初期の高バリア性能と経時でのバリア性能の安定性とを両立させることができる。
　本発明のガスバリアフィルムは，以上のような構成とすることで４０℃・相対湿度９０％における水蒸気透過率を，０．０１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下とすることができ，更に好ましくは０．００５ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下とすることができる。
　本発明のガスバリアフィルムは，透明な可撓性支持体基板上にガスバリア層や無機薄膜保護層に加えて，吸湿性層や帯電防止層，導電層等を設けることができる。
・・・
【００２６】
（ガスバリア層）
　本発明における「無機薄膜からなる最外（中間）ガスバリア層」とは，無機材料で構成されるガス分子の透過を抑制しうる緻密な構造の薄膜である層を意味し，例えば，金属化合物からなる薄膜（金属化合物薄膜）が挙げられる。ここで，本発明において「最外ガスバリア層（Ａ）」とは，可撓性支持体基板の同じ側に設けられるガスバリア層のうち可撓性支持体基板から最も遠い部位に積層される層であり，該最外ガスバリア層（Ａ）上に無機薄膜保護層（Ｄ）が設けられる。また，中間ガスバリア層（Ｃ）とは，最外ガスバリア層と可撓性支持体基板との間に設けられるガスバリア層であり，複数層設けられていてもよい。
本明細書において，単に「ガスバリア層」と称した場合には，最外ガスバリア層（Ａ）と中間ガスバリア層（Ｃ）との両者を含むものする。
【００２７】
　前記ガスバリア層の形成については，目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも用いることができる。前記形成方法としては，例えば，スパッタリング法，真空蒸着法，イオンプレーティング法，プラズマＣＶＤ法などが適しており，具体的には特許登録第３４００３２４号公報，特開２００２−３２２５６１号公報，特開２００２−３６１７７４号公報等に記載の形成方法を採用することができる。
　前記ガスバリア層を構成する無機薄膜に含まれる成分は，前記性能を満たすものであれば特に限定されないが，例えば，Ｓｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｃｕ，ＣｅおよびＴａ等からなる群から選ばれた１種以上の金属を含む酸化物，窒化物もしくは酸化窒化物を用いることができ，好ましくはＳｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｉおよびＺｎからなる群から選ばれた少なくとも１つ以上の金属から選ばれる。特に最外ガスバリア層（Ａ）は，前記金属の窒化物または酸化窒化物で構成される無機薄膜からなることが好ましい。
 
前記ガスバリア層は，ガス分子の透過を抑制しうる緻密な構造の薄膜であるので，薄膜の膜密度が２．６ｇ／ｃｍ
3
〜７．０ｇ／ｃｍ
3
の範囲にあることが好ましく
【００２８】
　また，前記ガスバリア層の厚みに関しても特に限定されないが，厚みが厚すぎると曲げ応力によるクラックの恐れがあり，薄すぎると膜が島状に分布するため，いずれもガスバリア性が悪くなる傾向がある。このため，各ガスバリア層の厚みは，それぞれ５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく，さらに好ましくは１０ｎｍ〜１０００ｎｍであり，最も好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
　また，２層以上の中間ガスバリア層（Ｃ）は，各々が同じ組成であってもよいし，異なる組成であってもよく，特に制限はされない。
・・・
【００３０】
　また，
前記ガスバリア層として珪素酸化窒化物であるＳｉＯ
ｘ
Ｎ
ｙ
を用いる場合，密着性向上を重視するのであれば，酸素リッチの膜とすることが好ましく
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「透明な可撓性支持体基板と，無機薄膜からなる最外ガスバリア層と，金属窒化物または金属炭化物からなる無機薄膜保護層とをこの順で有し，且つ，前記可撓性支持体基板と前記最外ガスバリア層との間に，少なくとも１層の中間層と，少なくとも１層の無機薄膜からなる中間ガスバリア層と，を有するガスバリアフィルムであって，最外ガスバリア層及び中間ガスバリア層は，薄膜の膜密度が２．６ｇ／ｃｍ3〜７．０ｇ／ｃｍ3の範囲にあり，酸素リッチの珪素酸化窒化物を用いる膜とすること。」
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　ア　引用文献３
　引用文献３には，図面ともに，次の記載がある。（訳は当審で作成した。）
「2. Experimental
SiOxNy films were deposited on Si wafers at the Laboratorire Couches Minces pour l'Optique, Grenoble, France, by dual ion-beam sputtering(DIBS).
...
The composition of the films is determined by RBS(Rutherford backscattering spectrometry). Table1 indicates, for the studied set of SiOxNy films, the oxygen partial pressure during sputtering, the stoichiometry and the density of the films deduced by RBS, and the thickness and the value of the refractive index at 515nm obtained by UV-visible ellipsometry.
...
Table1. Process Parameters of Six SiOxNy Films
sample　O2pressure(SCCM)　RBS Si:O:N　Density(g/cm3)　...
1　　　　20　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　...
2　　　　15　　　　　　　　1:1.38:0.49　　2.50　　　　　...
3　　　　10　　　　　　　　1:1.12:0.71　　2.63　　　　　...
4　　　　7.5　　　　　　　　1:0.96:0.79　　2.69　　　　　...
5　　　　4　　　　　　　　　1:0.52:0.95　　7.93　　　　　...
6　　　　0　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　...」
（訳：２．実験
SiOxNy膜が，シリコンウエハーの上に，２重イオンビームスパッタリングにより，フランス，グレノーブルのＬＣＭＯ研究所において，堆積された。
・・・
膜の組成は，ラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ）により決定する。表１は，分析されたSiOxNy膜について，スパッタリング中の酸素分圧，ＲＢＳにより導かれた膜の化学量論比及び密度，厚さ，紫外光〜可視光の偏光解析法により得られた５１５ｎｍにおける屈折率の値を示す。
・・・
表１　６枚のSiOxNy膜の処理パラメータ
試料　酸素分圧（SCCM）　RBS　Si:O:N　密度(g/cm3)
（略））
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「所定の酸素分圧下の２重イオンビームスパッタリングにより，酸素リッチな密度２．６３及び２．６９g/cm3のSiOxNy膜が得られること。」
（４）周知技術
　ア　引用文献４
　引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００５０】
（実施の形態１）
本実施の形態では，半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を図１，及び図２を用いて説明する。
【００５１】
また，図１（Ａ）は画素に配置されるチャネル保護型の薄膜トランジスタ４４８の平面図であり，図１（Ｂ）は図１（Ａ）の線Ｄ１−Ｄ２における断面図及び図１（Ａ）の線Ｄ５―Ｄ６における断面図である。また，図１（Ｃ）は，図１（Ａ）の線Ｄ３−Ｄ４における断面図である。なお，図２（Ｅ）は図１（Ｂ）と同一である。
【００５２】
画素に配置される
薄膜トランジスタ４４８はチャネル保護型（チャネルストップ型ともいう）の薄膜トランジスタであり，絶縁表面を有する基板４００上に，ゲート電極層４２１ａ，ゲート絶縁層４０２，チャネル形成領域４２３を含む酸化物半導体層４４２，チャネル保護層として機能する酸化物絶縁層４２６ａ，ソース電極層４２５ａ，及びドレイン電極層４２５ｂを含む。
・・・
【００５５】
また，ゲート配線とソース配線の交差する配線交差部は，寄生容量の低減を図るため，ゲート電極層４２１ｂとソース電極層４２５ａとの間にゲート絶縁層４０２と酸化物絶縁層４２６ｂが設けられている。なお，
チャネル形成領域４２３と重なる領域の酸化物絶縁層４２６ａと，チャネル形成領域４２３と重ならない領域の酸化物絶縁層４２６ｂとを異なる符号で示しているが，同じ材料，同じ工程で形成される層である。
・・・
【００８１】
次いで，
ゲート絶縁層４０２，及び酸化物半導体層上に，スパッタ法で酸化物絶縁膜を形成した後，第３のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し，選択的にエッチングを行って酸化物絶縁層４２６ａ，４２６ｂを形成し，
【００８２】
酸化物絶縁膜は，少なくとも１ｎｍ以上の膜厚とし，スパッタリング法など，酸化物絶縁膜に水，水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。本実施の形態では，酸化物絶縁膜として膜厚３００ｎｍの酸化珪素膜をスパッタリング法を用いて成膜する。
（イ）図１（Ｂ）には，
酸化物絶縁膜４２６ｂは，酸化物半導体膜４４２の端部と接する領域を有し，該領域の外側でゲート絶縁層４０２と接すること
　イ　引用文献５
　引用文献５には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０１２８】
図７（Ｄ）に示すトランジスタ１５３は，図６に示す表示装置の画素部に適用された可視光を透過するボトムゲート型のトランジスタと同じ構成を有する。
【０１２９】
なお
，図７（Ｄ）には，
トランジスタ１５４も例示されている。
【０１３０】
トランジスタ１５４は，ゲート配線１１１ｃと同一の材料からなるゲート電極１１１ｄを有し，
酸化物半導体層１１３ｃのチャネル形成領域上に絶縁層１０７ｃを有し，絶縁層１０７ｃはチャネル保護層として機能する。
・・・
（イ）図７（ｄ）には，
トランジスタ１５４において，絶縁層１０７は，酸化物半導体層１１３ｃの端部と接する領域を有し，該領域の外側で，ゲート電極１１１ｄ上の第１の絶縁層１０２と接すること
　ウ　周知技術
　前記ア及びイより，次の技術的事項は周知技術と認められる。
「トランジスタにおいて，チャネル保護層として機能する絶縁層は，酸化物半導体層の端部と接する領域を有し，該領域の外側で，ゲート絶縁層と接すること。」
（５）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「酸化物半導体膜」は，「ゲート電極上のゲート絶縁膜上」にあり，前記（１）ア（オ）と合わせれば，本願発明１の「前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１の「チャネル形成領域と重なるような酸化物半導体膜上のチャネル保護膜」は，本願発明１の「前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜」に相当し，かつ，本願発明１の「前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し」を満たすと認められる。そして，引用発明１の「チャネル保護膜は，ゲート絶縁膜と同じ酸化珪素を用い」るから，本願発明１の「前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し」を満たすと認められる。
　ウ　引用発明１の「酸化物半導体膜上のソース電極」及び「酸化物半導体膜上のドレイン電極」は，それぞれ，本願発明１の「前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極」及び「前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極」に相当すると認められる。
　エ　引用発明１の「ソース電極，ドレイン電極，チャネル保護膜及び酸化物半導体膜を覆う絶縁膜」のうち「酸化物半導体膜に近い側に形成した酸化珪素膜」は，本願発明１の「前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜」に相当し，本願発明１の「前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し」を満たし，さらに，前記（１）ア（ウ）【０１１１】より，本願発明１の「前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し」をも満たすと認められる。
　オ　引用発明１の「バリア性の高い窒化酸化珪素膜」は「酸化物半導体膜に近い側に形成した酸化珪素膜と積層された」ものであるから，本願発明１の「前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜」に相当すると認められる。そして，本願発明１の「前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有し」を満たすと認められる。
　カ　してみると，本願発明１と引用発明１とは，下記キの点で一致しているが，下記クの点で相違すると認められる。
　キ　一致点
「ゲート電極と，
　前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と，
　前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極と，
　前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜と，を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し，
　前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し，
　前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し，
　前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有する，
　ことを特徴とする半導体装置。」
　ク　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１においては「前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜の端部と接する第２の領域を有し，前記第１の絶縁膜は，前記第２の領域の外側で，前記ゲート絶縁膜と接する第３の領域を有」するのに対し，引用発明１においては「チャネル保護膜」は酸化物半導体膜の端部と接する領域及び該領域の外側でゲート絶縁膜と接する領域を有していない点。
（イ）相違点２
　本願発明１においては「前記第３の絶縁膜は，前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く，前記第３の絶縁膜の密度は，２．３２ｇ／ｃｍ３以上（ただし，２．５０ｇ／ｃｍ３以上を除く）を有し，前記第３の絶縁膜の膜厚は，６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下を有する」（以下，「本願限定１」という。）のに対し，引用発明１においては「バリア性の高い窒化酸化珪素膜」は本願限定１を満たさない点。
（６）判断
　相違点２について検討する。半導体装置の第３の絶縁膜において本願限定１を満たすことは，引用文献１ないし５のいずれにも，開示も示唆もない。
　そして，本願発明１は本願限定１を満たすことにより，特性の変動の少ないトランジスタが得られる（本願明細書段落【０２０９】ないし【０２２４】）という，格別の有利な効果を奏するものと認められる。そして，この有利な効果についても，引用文献１ないし５のいずれにも，開示も示唆もないことから，当業者が予測できるものではない。
　してみると，相違点２に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることではない。
（７）小括
　以上のとおりであるから，本願発明１は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
３　本願発明２についての判断
（１）引用発明１ないし３及び周知技術
　前記２（１）ないし（４）のとおり，引用文献１ないし３には，それぞれ引用発明１ないし３が記載されているものと認められ，引用文献４及び５より周知技術が認められる。
（２）本願発明２と引用発明１との対比
　前記２（５）アないしオと同様であるから，本願発明２と引用発明１とは，下記アの点で一致しているが，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「ゲート電極と，
　前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と，
　前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極と，
　前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜と，を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し，
　前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し，
　前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し，
　前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有し，
ことを特徴とする半導体装置。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明２においては「前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜の端部と接する第２の領域を有し，前記第１の絶縁膜は，前記第２の領域の外側で，前記ゲート絶縁膜と接する第３の領域を有」するのに対し，引用発明１においては「チャネル保護膜」は酸化物半導体膜の端部と接する領域及び該領域の外側でゲート絶縁膜と接する領域を有していない点。
（イ）相違点２
　本願発明２においては「前記第３の絶縁膜は，前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く，前記第３の絶縁膜は，温度１３０℃，相対湿度１００％，１２時間の試験後の膨潤率が４体積％以下を有し，前記第３の絶縁膜の膜厚は，６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下を有する」（以下，「本願限定２」という。）のに対し，引用発明２においては「バリア性の高い窒化酸化珪素膜」は本願限定２を満たさない点。
（３）判断
　相違点２について検討する。半導体装置の第３の絶縁膜において本願限定２を満たすことは，引用文献１ないし５のいずれにも，開示も示唆もない。
　そして，本願発明２は本願限定２を満たすことにより，特性の変動の少ないトランジスタが得られる（本願明細書段落【０２０９】ないし【０２２４】）という，格別の有利な効果を奏するものと認められる。そして，この有利な効果についても，引用文献１ないし５のいずれにも，開示も示唆もないことから，当業者が予測できるものではない。
　してみると，相違点２に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることではない。
（４）小括
　以上のとおりであるから，本願発明２は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　まとめ
　したがって，本願の請求項１及び２に係る発明は，いずれも引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 （１）本願発明について 
　平成２８年４月１２日付けの手続補正は，本拒絶理由通知と同日付けの補正却下決定により，却下された。
　したがって，本願の請求項１及び２に係る発明（以下，まとめて「本願発明」という。）は，それぞれ平成２７年９月２３日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認める。 
 （２）「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」について 
　ア　本願発明の課題について，本願の発明の詳細な説明には次の記載がある。 
 「【発明が解決しようとする課題】 
 【０００４】 
 しかしながら，特許文献２に開示されているように，酸化物半導体を用いたトランジスタでは，酸化物半導体膜への水素原子の混入が特性に悪影響を与えることが知られている。酸化物半導体を用いたトランジスタに対する水素原子の悪影響は，非晶質シリコンを用いたトランジスタに対して水素原子が好影響を与えるのと対照的であり，かつ深刻である。　【０００５】 
 製造後のトランジスタを有する半導体装置に混入しうる，水素原子を有する物質としては，第一に大気中に大量に存在する水が挙げられる。そのため酸化物半導体を用いた半導体装置への，水の混入を低減することが要求されている。 
 【０００６】 
 そこで本発明の一態様は，酸化物半導体を用いた半導体装置に混入する，することを目的の一とする。」 
　よって，本願発明の課題は「酸化物半導体を用いた半導体装置に混入する，水素原子を有する物質，特に水を低減し，半導体装置の特性への悪影響を防ぐ」ところにあると認められる。 
　イ　そこで，前記の課題にかんがみて，半導体装置の特性との関係で発明の構成について記載されている発明の詳細な説明の個所は，段落【０２０９】ないし【０２２４】であり（以下，「本個所」という。），他にはない。 
　本個所には，第２の保護膜１１２として，厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を用いて（段落【０２１１】），酸化窒化シリコン膜の密度が２．３２ｇ／ｃｍ３以上又は膨潤率が４体積％以下のとき，特性の変動の少ないトランジスタとなる（段落【０２２３】）ことが記載されている。 
　ウ　してみると，発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」は，「保護膜として厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を用いて，酸化窒化シリコン膜の密度が２．３２ｇ／ｃｍ３以上又は膨潤率が４体積％以下のとき」と認められる。 
　エ　なお，発明の詳細な説明の段落【０１１３】には，「第２の保護膜１１２の厚さは，十分に水の混入を低減し，かつ生産性よく形成するため，５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。」と記載されているが，半導体装置の特性に与える影響が記載されていないので，この厚さの全範囲において発明の課題が解決できるかどうかは，当業者にとって不明といわざるをえない。 
 （３）判断 
　本願発明は，「第３の絶縁膜の膜厚は，５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下を有する」点で前記「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものである。 
 （４）まとめ 
　したがって，本願の請求項１及び２に記載された発明は，いずれも発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものであるから，本願の特許請求の範囲の記載はサポート要件を満たさない。 
　
２　当審拒絶理由についての判断
　平成２８年１２月２１日付け手続補正書によって，本願の特許請求の範囲は次のように補正された。（下線は補正個所を示すものとして，当審で付加した。）
「【請求項１】
　ゲート電極と，
　前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と，
　前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極と，
　前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜と，を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜の端部と接する第２の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記第２の領域の外側で，前記ゲート絶縁膜と接する第３の領域を有し，
　前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し，
　前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し，
　前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有し，
　前記第３の絶縁膜は，前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く，
　前記第３の絶縁膜の密度は，２．３２ｇ／ｃｍ３以上（ただし，２．５０ｇ／ｃｍ３以上を除く）を有し，
　前記第３の絶縁膜の膜厚は，
６００
半導体装置。
　【請求項２】
　ゲート電極と，
　前記ゲート電極と，ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と，
　前記酸化物半導体膜上の，第１の絶縁膜と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ソース電極と，
　前記酸化物半導体膜と電気的に接続する，ドレイン電極と，
　前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜上の，第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上の，第３の絶縁膜と，を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域と接する第１の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記酸化物半導体膜の端部と接する第２の領域を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記ゲート絶縁膜と同じ材料を有し，
　前記第１の絶縁膜は，前記第２の領域の外側で，前記ゲート絶縁膜と接する第３の領域を有し，
　前記第２の絶縁膜は，酸素と，シリコンとを有し，
　前記第２の絶縁膜は，加熱により，酸素を放出する機能を有し，
　前記第３の絶縁膜は，酸素と，窒素と，シリコンとを有し，
　前記第３の絶縁膜は，前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く，
　前記第３の絶縁膜は，温度１３０℃，相対湿度１００％，１２時間の試験後の膨潤率が４体積％以下を有し，
　前記第３の絶縁膜の膜厚は，
６００
半導体装置。」
　そして，本願明細書における，本願に係る発明の課題に関する記載（【０００４】ないし【０００６】），及び課題解決手段に関する記載（【０２０９】ないし【０２２４】）より，補正後の請求項１及び２に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものと認められる。
　よって，当審拒絶理由は解消した。
　
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。