【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に配されたエピタキシャル層であって、前記基板からの位置が遠くなるのに従って不純物濃度が低くなる不純物濃度分布を持つ第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられた前記第１導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域に、前記第２半導体領域との間でＰＮ接合を形成するように設けられた第２導電型の第３半導体領域と、を備え、
前記基板、前記第１半導体領域、前記第２半導体領域および前記第３半導体領域を含む構造体の深さ方向における前記第２半導体領域の不純物濃度分布がピークを持つ、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第２半導体領域は、前記第３半導体領域に隣接する領域である第１領域と、前記第１領域の下に設けられた第２領域と、を含み、
前記第１領域は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第２領域よりも高い、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１半導体領域の上に、前記第１半導体領域に接しつつ前記第２半導体領域と隣接するように設けられた前記第２導電型の第４半導体領域を更に備える、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第４半導体領域はエピタキシャル層である、
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
各々が光電変換部を含む複数の画素と、該複数の画素との間で信号の授受を行うユニットと、を備えており、
前記ユニットは、前記第４半導体領域に設けられている、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記ユニットは、ＭＯＳトランジスタを有しており、
前記第４半導体領域には、前記第１導電型のウェルが設けられ、
前記ＭＯＳトランジスタの前記第２導電型のソース領域及び前記第２導電型のドレイン領域は前記ウェルに設けられ、
前記ウェルと前記第４半導体領域との間には、前記第４半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第５半導体領域が設けられている、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１半導体領域の厚さは、５μｍ以上かつ５００μｍ以下の範囲内である、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２半導体領域の厚さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内である、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記基板と前記第１半導体領域との間に設けられた前記第１導電型の第６半導体領域をさらに備え、前記第６半導体領域は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第１半導体領域よりも高い、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた近赤外光の画像と可視光の画像とを重ね合わせて出力する表示部と、を備える、
ことを特徴とする撮像システム。
【請求項１１】
基板の上に、エピタキシャル成長法により、第１導電型の第１半導体領域を、前記第１導電型の不純物濃度が前記基板からの位置が遠くなるのに従って低くなるように形成する工程と、
前記第１半導体領域にイオン注入を行って、前記第１導電型の第２半導体領域を形成する工程と、
前記第２半導体領域に、前記第２半導体領域との間でＰＮ接合を形成するように、光電変換部の電荷蓄積領域となる第２導電型の第３半導体領域を形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
基板の上に、エピタキシャル成長法により、第１導電型の第１半導体領域を、前記第１導電型の不純物濃度が前記基板からの位置が遠くなるのに従って低くなるように形成する工程と、
前記第１半導体領域の上に、エピタキシャル成長法により、第２導電型の第４半導体領域を形成する工程と、
前記第４半導体領域の一部にイオン注入を行って、前記第１導電型の第２半導体領域を形成する工程と、
前記第２半導体領域に、前記第２半導体領域との間でＰＮ接合を形成するように、光電変換部の電荷蓄積領域となる前記第２導電型の第３半導体領域を形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２半導体領域は、前記光電変換部に隣接する領域である第１領域と、前記第１領域の下の第２領域と、を含んでおり、
前記第２半導体領域を形成する工程では、前記第１領域の不純物濃度が前記第２領域の不純物濃度より高くなるように前記第２半導体領域を形成する、
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１領域を形成するためのイオン注入と、前記第２領域を形成するためのイオン注入とが互いに異なる条件でなされる
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第４半導体領域の前記一部とは別の部分に、前記光電変換部からの信号を処理するユニットを形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ユニットは、ＭＯＳトランジスタを有しており、
前記第４半導体領域の前記別の部分に、前記第１導電型のウェルを形成する工程と、
前記ＭＯＳトランジスタの前記第２導電型のソース領域および前記第２導電型のドレイン領域を前記ウェルに形成する工程と、
前記ウェルと前記第１半導体領域との間の領域の不純物濃度を、前記第４半導体領域の不純物濃度よりも高くする工程と、を有する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１半導体領域を形成する工程では、前記第１半導体領域の厚さが５μｍ以上かつ５００μｍ以下の範囲内になるように前記第１半導体領域を形成する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２半導体領域を形成する工程では、前記第２半導体領域の厚さが１μｍ以上かつ１０μｍ以下の範囲内になるように前記第２半導体領域を形成する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１半導体領域を形成する工程の前に、前記基板に対して前記第１導電型の不純物を注入して前記第１導電型の第６半導体領域を形成する工程をさらに有し、
前記第６半導体領域は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第１半導体領域よりも高い、
ことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、基板の上に配されたエピタキシャル層であって、前記基板からの位置が遠くなるのに従って不純物濃度が低くなる不純物濃度分布を持つ第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の上に設けられた前記第１導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域に、前記第２半導体領域との間でＰＮ接合を形成するように設けられた第２導電型の第３半導体領域と、を備え、前記基板、前記第１半導体領域、前記第２半導体領域および前記第３半導体領域を含む構造体の深さ方向における前記第２半導体領域の不純物濃度分布がピークを持つ。