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【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮符号化された映像データを含むストリームを出力する記録ソースと、
前記記録ソースが出力するストリームを記録する記録ファイルと、
前記記録ソースと前記記録ファイルを関連付け、記録状態を管理する記録ジョブと、
前記記録ソースに関するパラメータを、ネットワークを介して接続された外部機器から送信されるコマンドによって変更する指示手段と、
前記記録ジョブの記録状態に応じて、前記記録ジョブに関連付けられている前記記録ソースに対する前記指示手段によるコマンドの受け付け可否を切り換えるよう制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記記録状態が記録中である場合は、前記指示手段によるコマンドの受け付けを不可とし、前記記録状態が記録中以外である場合は、前記指示手段によるコマンドの受け付けを可能とするよう制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記記録ソースは、前記記録装置に接続されている撮像手段と、前記撮像手段が出力する撮像画像を圧縮符号化して画像データのストリームを出力するエンコーダとを含み、
前記コマンドとは、
少なくとも異なる出力画像の解像度設定と、
使用可能な出力画像の圧縮符号化方式設定を含む前記撮像手段の複数のモードを変更するコマンドと、
少なくともエンコーダに入力される解像度設定と圧縮符号化方式設定を含むエンコーダ設定を変更するコマンドと、
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記記録ソースは、圧縮符号化された音声データ、及びテキストデータを更に含むストリームを出力し、前記記録ジョブ、或いは記録ファイルは、記録対象データとして、前記映像データ、前記音声データ、及び前記テキストデータのうち１つ以上が予め設定可能であるとき、前記制御手段は、前記記録ジョブの記録状態が記録中か否かに関わらず、前記記録ジョブに関連づけられている記録ファイルの記録対象データに含まれていない記録ソースのデータに対するパラメータを変更するするコマンドは、前記指示手段によるコマンドの受け付けを可能とするよう制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、ＬＴＥ方式のＲｅｌｅａｓｅ-１０において、２０ＭＨｚを超える広帯域通信（例えば、１００ＭＨｚの通信）を実現するために、同一の無線基地局ｅＮＢ配下の複数のＣＣ（Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  Ｃａｒｒｉｅｒ：コンポーネントキャリア）を束ねて通信を行うＣＡ（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ：キャリアアグリゲーション）、すなわち、「Ｉｎｔｒａ-ｅＮＢ  ＣＡ」が導入された（図７（ａ）参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、送信部１２は、ＲＲＣレイヤやＰＤＣＰレイヤやＲＬＣレイヤやＭＡＣレイヤや物理レイヤの任意のレイヤの信号を介して、かかる指示情報を送信するように構成されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
例えば、本実施形態に係る移動通信システムでは、送信部２３は、無線基地局ｅＮＢ＃１１に対して上りリンクパケットを送信し、無線基地局ｅＮＢ＃１に対して下りリンクパケットに対するフィードバックパケットを送信するように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析対象を経時的に撮像した分析対象動画像において、動き量の特徴を示す特徴量を時間範囲毎に算出する特徴量算出部
を具備する分析システム。
【請求項２】
請求項１に記載の分析システムであって、
前記特徴量の時間変化又は空間変化を可視化する特徴量表示部をさらに具備する
分析システム。
【請求項３】
請求項２に記載の分析システムであって、
前記特徴量表示部は、前記特徴量の時間変化を可視化して前記分析対象動画像に重畳させ、特徴量表示動画像を生成する
分析システム。
【請求項４】
請求項１から３のうちいずれか一つに記載の分析システムであって、
前記分析対象動画像の特定の範囲を算出範囲として指定する範囲指定部をさらに具備し、
前記特徴量算出部は、前記算出範囲毎に前記特徴量を算出する
をさらに具備する分析システム。
【請求項５】
請求項１から４のうちいずれか一つに記載の分析システムであって、
前記特徴量は、動きの量や方向の平均値、最大値、最小値、標準偏差、分散、変動係数、又は周波数特徴量若しくはこれらの組み合わせである
分析システム。
【請求項６】
請求項５に記載の分析システムであって、
前記周波数特徴量は、周波数解析によって得られる平均強度、ピーク周波数又は平均パワー周波数である
分析システム。
【請求項７】
請求項１から６のうちいずれか一つに記載の分析システムであって、
前記分析対象は神経細胞である
分析システム。
【請求項８】
請求項１から７のうちいずれか一つに記載の分析システムであって、
前記分析対象動画像を構成する静止画において、分析対象が存在する領域である分析対象領域を特定する分析対象領域特定部をさらに具備し、
前記特徴量算出部は、前記分析対象動画像において、前記分析対象領域について前記特徴量を算出する
分析システム。
【請求項９】
請求項８に記載の分析システムであって、
前記特徴量算出部は、前記分析対象領域において動き速度が閾値以上の領域である動き領域を利用して前記特徴量を算出する
分析システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の分析システムであって、
前記特徴量算出部は、前記分析対象領域に占める前記動き領域の割合を前記特徴量として算出する
分析システム。
【請求項１１】
請求項９に記載の分析システムであって、
前記特徴量算出部は、前記分析対象領域における動き速度の平均値を前記特徴量として算出する
分析システム。
【請求項１２】
請求項９に記載の分析システムであって、
前記特徴量算出部は、前記動き領域における動き速度の平均値を前記特徴量として算出する
分析システム。
【請求項１３】
請求項１から１２のうちいずれか一つに記載の分析システムであって、
前記特徴量算出部は、動き量の周波数解析によって得られるパワースペクトル密度の所定の周波数帯における面積を周波数特徴量として算出する
分析システム。
【請求項１４】
分析対象を経時的に撮像した分析対象動画像において、動き量の特徴を示す特徴量を時間範囲毎に算出する特徴量算出部
としてコンピュータを機能させる分析プログラム。
【請求項１５】
分析対象を経時的に撮像した分析対象動画像において、動き量の特徴を示す特徴量を時間範囲毎に算出する
分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線パターンと、
前記配線パターンを被覆して形成された反射層と、
前記反射層の表面に設けられた発光素子搭載領域と、を有し、
前記発光素子搭載領域の前記反射層の表面には、シリカ膜が一部に形成されていることを特徴とする発光素子搭載用の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線パターンと、前記配線パターンを被覆して形成された反射層と、前記反射層の表面に設けられた発光素子搭載領域と、を有し、前記発光素子搭載領域の前記反射層の表面には、シリカ膜が一部に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月28日(2016.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を主成分として含んでなる基体である金属基体と、
前記金属基体の表面の少なくとも一部の領域に形成され且つセラミックスを主成分として含んでなる絶縁材料からなる絶縁層と、
を備える放熱基板の製造方法であって、
エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により前記金属基体の表面の前記少なくとも一部の領域に前記絶縁層を形成させる成膜工程、及び
前記成膜工程において形成された前記絶縁層を３００℃以上１２００℃以下であり且つ前記金属基体の融点以下である温度において加熱することにより前記絶縁層の熱伝導率を加熱前よりも高めるアニール工程、
を含む、放熱基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記放熱基板が、
前記絶縁層の前記金属基体とは反対側の表面の少なくとも一部の領域に、導電性材料を含んでなる導体である表面導体、
を更に備え、
前記放熱基板の製造方法が、
前記表面導体を形成させる表面導体形成工程、
を更に含む、
放熱基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記表面導体形成工程が、
前記絶縁層の前記金属基体とは反対側の表面の少なくとも一部の領域に、前記導電性材料を含んでなる導体ペーストを配設する配設ステップと、
前記配設ステップにおいて配設された前記導体ペーストを焼成する焼成ステップと、
を含む、放熱基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記表面導体形成工程に含まれる前記配設ステップが前記成膜工程と前記アニール工程との間に実行され、
前記表面導体形成工程に含まれる前記焼成ステップの実行により、前記アニール工程が実行される、
放熱基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の放熱基板の製造方法であって、
前記アニール工程後の前記絶縁層の熱伝導率が４Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である、
放熱基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の放熱基板の製造方法であって、
前記セラミックスが、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、又はスピネル系化合物である、
放熱基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放熱基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的は、
金属を主成分として含んでなる基体である金属基体と、
前記金属基体の表面の少なくとも一部の領域に形成され且つセラミックスを主成分とし
て含んでなる絶縁材料からなる絶縁層と、
を備える放熱基板の製造方法であって、
エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により前記金属基体の表面の前記少なくとも一部
の領域に前記絶縁層を形成させる成膜工程、及び
前記成膜工程において形成された前記絶縁層を３００℃以上１２００℃以下であり且つ前記金属基体の融点以下である温度において加熱することにより前記絶縁層の熱伝導率を加熱前よりも高めるアニール工程、
を含む、放熱基板の製造方法によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月28日(2016.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体部と、
前記基体部の表面の少なくとも一部の領域に形成され且つセラミックスを主成分として含んでなる第１の絶縁材料からなる絶縁層と、
を備える放熱基板の製造方法であって、
前記基体部が、
セラミックスを主成分として含んでなる第２の絶縁材料からなる基材と、
前記基材を貫通するように前記基材中に埋設された、金属を主成分として含んでなる金属性物体と、
を含んでなり、
前記第１の絶縁材料の粉体を噴射して前記基体部に衝突させる噴射加工技術により前記絶縁層を形成させる成膜工程、及び
前記成膜工程の期間中及び／又は前記成膜工程の終了後に、前記噴射加工技術によって形成される前記絶縁層を３００℃以上１２００℃以下であり且つ前記金属性物体の融点以下である温度において加熱することにより前記絶縁層の熱伝導率を加熱前よりも高める加熱工程、
を含む、放熱基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記噴射加工技術がエアロゾルデポジション（ＡＤ）法である、
放熱基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２の何れか１項に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記成膜工程の期間中に実行される前記加熱工程が、前記成膜工程において前記第１の絶縁材料の粉体を搬送するための流体及び／又は前記基体部を加温して前記絶縁層を加熱することにより実行される、
放熱基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記放熱基板が、
前記絶縁層の前記基体部とは反対側の表面の少なくとも一部の領域に、導電性材料を含んでなる導体である表面導体、
を更に備え、
前記放熱基板の製造方法が、
前記表面導体を形成させる表面導体形成工程、
を更に含む、
放熱基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記表面導体形成工程が、
前記絶縁層の前記基体部とは反対側の表面の少なくとも一部の領域に、前記導電性材料を含んでなる導体ペーストを配設する配設ステップと、
前記配設ステップにおいて配設された前記導体ペーストを焼成する焼成ステップと、
を含む、放熱基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の放熱基板の製造方法であって、
前記表面導体形成工程に含まれる前記配設ステップが前記成膜工程の終了後であり且つ前記加熱工程の開始前である時点において実行され、
前記成膜工程の終了後に実行される前記加熱工程が、前記表面導体形成工程に含まれる前記焼成ステップの実行により実行される、
放熱基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の放熱基板の製造方法であって、
前記金属性物体の、前記放熱基板の主面に平行な平面による断面形状の主要部分の長手方向に直交する方向における最大長さが６ｍｍ以下である、
放熱基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の放熱基板の製造方法であって、
前記セラミックスが、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、又はスピネル系化合物である、
放熱基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放熱基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的は、
基体部と、
前記基体部の表面の少なくとも一部の領域に形成され且つセラミックスを主成分として
含んでなる第１の絶縁材料からなる絶縁層と、
を備える放熱基板の製造方法であって、
前記基体部が、
セラミックスを主成分として含んでなる第２の絶縁材料からなる基材と、
前記基材を貫通するように前記基材中に埋設された、金属を主成分として含んでなる
金属性物体と、
を含んでなり、
前記第１の絶縁材料の粉体を噴射して前記基体部に衝突させる噴射加工技術により前記
絶縁層を形成させる成膜工程、及び
前記成膜工程の期間中及び／又は前記成膜工程の終了後に、前記噴射加工技術によって形成される前記絶縁層を３００℃以上１２００℃以下であり且つ前記金属性物体の融点以下である温度において加熱することにより前記絶縁層の熱伝導率を加熱前よりも高める加熱工程、
を含む、放熱基板の製造方法によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハがプラズマエッチング処理される処理室と、前記プラズマエッチング処理中のプラズマの発光を計測する分光器と、所定のエレメントが発光する複数の波長における発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を具備する分析部と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記演算部は、指定されたエレメントが発光すべき複数の波長近傍における発光強度を前記分光器にて計測されたエッチング処理中の発光の情報に基づいて算出し、
前記算出された発光強度の大きさの波長毎の順位をさらに算出し、
前記記憶部に予め格納された波長毎の発光強度の大きさの順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が予め定められた値よりも小さい場合、前記エレメントに関連付けて前記算出された発光強度に対応する波長を抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
ウェハがプラズマエッチング処理される処理室と、前記プラズマエッチング処理中のプラズマの発光を計測する分光器と、所定のエレメントが発光する複数の波長における発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を具備する分析部と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記演算部は、指定されたエレメントが発光すべき複数の波長近傍における発光強度を前記分光器にて計測されたエッチング処理中の発光の情報に基づいて算出し、
前記算出された発光強度の大きさの波長毎の順位をさらに算出し、
発光強度の大きさに基づいて求められた波長毎の発光強度の大きさにおける前記記憶部に予め格納された順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が予め定められた値よりも小さい場合、前記エレメントに関連付けて前記算出された発光強度に対応する波長を抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、前記算出された発光強度に対してプラズマエッチング処理が行われたウェハの検査結果または測定された形状の寸法を示す情報をさらに関連付けて出力することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、複数のウェハの検査結果または測定された形状寸法を示す情報の統計処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、前記分光器にて計測された発光を示すグラフに前記抽出された波長と対応するエレメントを併せて出力することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、前記算出された発光強度に対応する波長をエレメントに加え、エッチング回数に応じて測定された発光強度の情報を関連付けて抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
ウェハがプラズマエッチング処理されるプラズマ処理装置から取得されたデータを分析し、所定のエレメントが発光する複数の波長における発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を備える分析装置において、
前記演算部は、指定されたエレメントが発光すべき複数の波長近傍における発光強度を前記プラズマ処理装置にて計測されたエッチング処理中の発光の情報に基づいて算出し、
前記算出された発光強度の大きさの波長毎の順位をさらに算出し、
前記記憶部に予め格納された波長毎の発光強度の大きさの順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が予め定められた値よりも小さい場合、前記エレメントに関連付けて前記算出された発光強度に対応する波長を抽出することを特徴とする分析装置。
【請求項８】
ウェハがプラズマエッチング処理されるプラズマ処理装置から取得されたデータを分析し、所定のエレメントが発光する複数の波長における発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を備える分析装置において、
前記演算部は、指定されたエレメントが発光すべき複数の波長近傍における発光強度を前記プラズマ処理装置にて計測されたエッチング処理中の発光の情報に基づいて算出し、
前記算出された発光強度の大きさの波長毎の順位をさらに算出し、
発光強度の大きさに基づいて求められた波長毎の発光強度の大きさにおける前記記憶部に予め格納された順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が予め定められた値よりも小さい場合、前記エレメントに関連付けて前記算出された発光強度に対応する波長を抽出することを特徴とする分析装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の分析装置において、
前記演算部は、前記算出された発光強度に対してプラズマエッチング処理が行われたウェハの検査結果または測定された形状の寸法を示す情報をさらに関連付けて出力することを特徴とする分析装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の分析装置において、
前記演算部は、複数のウェハの検査結果または測定された形状寸法を示す情報の統計処理を行うことを特徴とする分析装置。
【請求項１１】
請求項７または請求項８に記載の分析装置において、
前記演算部は、前記プラズマ処理装置にて計測された発光を示すグラフに前記抽出された波長と対応するエレメントを併せて出力することを特徴とする分析装置。
【請求項１２】
請求項７または請求項８に記載の分析装置において、
前記演算部は、前記算出された発光強度に対応する波長をエレメントに加え、エッチング回数に応じて測定された発光強度の情報を関連付けて抽出することを特徴とする分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及び分析装置
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサービスを有する通信装置であって、
前記複数のサービスのうち、外部装置に提供するサービスと外部装置に提供しないサービスとをユーザ指示に従って設定する設定手段と、
前記通信装置と外部装置との間で無線通信を実行する無線通信手段と、
前記無線通信手段を用いて前記通信装置と外部装置とを接続するための接続画面を表示する表示手段とを備え、
前記表示手段は、前記設定手段による設定の結果に基づいて、前記通信装置が外部装置に提供するサービスと、前記通信装置が外部装置に提供しないサービスとをユーザが区別できる状態で、前記接続画面を表示することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
複数のサービスを有する通信装置であって、
前記複数のサービスのうち、外部装置に提供するサービスと外部装置に提供しないサービスとをユーザ指示に従って設定する設定手段と、
前記通信装置と外部装置との間で無線通信を実行する無線通信手段と、
前記無線通信手段を用いて前記通信装置と外部装置とを接続するための接続画面を表示する表示手段とを備え、
前記接続画面には、前記設定手段による設定の結果に基づいて、前記通信装置が外部装置に提供するサービスが表示され、前記通信装置が外部装置に提供しないサービスが表示されないことを特徴とする通信装置。
【請求項３】
前記複数のサービスには、プリントサービスが少なくとも含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記複数のサービスには、ストレージサービスが少なくとも含まれることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記無線通信手段は、前記通信装置と外部装置とがアクセスポイントを介さずに無線通信を実行するダイレクト無線通信機能を備え、
前記接続画面には、前記ダイレクト無線通信機能を用いて無線接続を確立するための情報が表示されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記接続画面に表示される前記情報は、前記ダイレクト無線通信機能による無線接続を確立するための接続処理の実行をユーザが指示する接続ボタンであることを特徴とする請求項５に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信装置は、シートに印刷を実行する印刷装置であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
複数のサービスを有する通信装置の制御方法であって、
前記複数のサービスのうち、外部装置に提供するサービスと外部装置に提供しないサービスとをユーザ指示に従って設定する設定ステップと、
前記通信装置の無線通信機能を用いて前記通信装置と外部装置とを接続するための接続画面を表示する表示ステップとを有し、
前記接続画面は、前記設定ステップの設定の結果に基づいて、前記通信装置が外部装置に提供するサービスと、前記通信装置が外部装置に提供しないサービスとをユーザが区別できる状態で表示されることを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項９】
複数のサービスを有する通信装置の制御方法であって、
前記複数のサービスのうち、外部装置に提供するサービスと外部装置に提供しないサービスとをユーザ指示に従って設定する設定ステップと、
前記通信装置の無線通信機能を用いて前記通信装置と外部装置とを接続するための接続画面を表示する表示ステップとを有し、
前記接続画面には、前記設定ステップの設定の結果に基づいて、前記通信装置が外部装置に提供するサービスが表示され、前記通信装置が外部装置に提供しないサービスが表示されないことを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の通信装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した課題を解決するために、本発明が提供する通信装置は、複数のサービスを有する通信装置であって、前記複数のサービスのうち、外部装置に提供するサービスと外部装置に提供しないサービスとをユーザ指示に従って設定する設定手段と、前記通信装置と外部装置との間で無線通信を実行する無線通信手段と、前記無線通信手段を用いて前記通信装置と外部装置とを接続するための接続画面を表示する表示手段とを備え、前記表示手段は、前記設定手段による設定の結果に基づいて、前記通信装置が外部装置に提供するサービスと、前記通信装置が外部装置に提供しないサービスとをユーザが区別できる状態で、前記接続画面を表示することを特徴とする。
また、本発明が提供する通信装置は、複数のサービスを有する通信装置であって、前記複数のサービスのうち、外部装置に提供するサービスと外部装置に提供しないサービスとをユーザ指示に従って設定する設定手段と、前記通信装置と外部装置との間で無線通信を実行する無線通信手段と、前記無線通信手段を用いて前記通信装置と外部装置とを接続するための接続画面を表示する表示手段とを備え、前記接続画面には、前記設定手段による設定の結果に基づいて、前記通信装置が外部装置に提供するサービスが表示され、前記通信装置が外部装置に提供しないサービスが表示されないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月10日(2016.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを発生する電界放射型電子銃を備えた電子銃室と、
前記電子ビームを集束する磁界電子レンズ部と、
前記電子ビームを絞る電子線絞りと、
前記電子ビームの照射によりX線を発生させるX線ターゲットと、
前記電子銃室及び前記X線ターゲットを配置したライナーチューブ部と、
前記電子銃室を超高真空に排気する真空ポンプとを備え、
前記電子銃室、前記電子線絞り、前記X線ターゲット、前記ライナーチューブ部及び前記真空ポンプは一体的に真空封止されて成る真空管球部を構成し、前記真空管球部は前記磁界電子レンズ部から着脱可能な構成であることを特徴とするX線管。
【請求項２】
前記ライナーチューブ部に設けた第１の嵌合部と
前記磁界電子レンズ部に設けた第２の嵌合部とを嵌合することにより、
前記真空管球部の光学軸と前記磁界電子レンズ部の光学軸とを軸合わせする構成である
請求項１に記載のX線管。
【請求項３】
前記ライナーチューブ部は、前記ライナーチューブ部の長さ方向に複数に分割可能な構成である請求項１又は２に記載のX線管。
【請求項４】
前記磁界電子レンズ部は更に前記電子ビームを前記X線ターゲット上で走査する走査コイルを備え、
前記ライナーチューブ部は前記X線ターゲットで反射する電子線を検出する反射電子検出部を備えることにより、
前記X線ターゲットの表面の反射電子像を観察可能としている請求項１〜３のいずれか1項に記載のX線管。
【請求項５】
前記磁界電子レンズ部は前記電界放射型電子銃に最も近い側に、
上極ポールピースの内径が下極ポールピースの内径よりも大きい第1の電子レンズを備え、
磁界重畳型電子銃を構成する請求項１〜４のいずれか1項に記載のX線管。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のX線管と、
試料ステージと、
前記試料ステージを透過した試料のＸ線透過画像を検出するX線検出器とを備えたことを特徴とするX線検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明はＸ線ビームを照射するＸ線管に関し、本発明の上記目的は、電子ビームを発生する電界放射型電子銃を備えた電子銃室と、前記電子ビームを集束する磁界電子レンズ部と、前記電子ビームを絞る電子線絞りと、前記電子ビームの照射によりX線を発生させるX線ターゲットと、前記電子銃室及び前記X線ターゲットを配置したライナーチューブ部と、前記電子銃室を超真空に排気する真空ポンプとを備え、前記電子銃室、前記電子線絞り、前記X線ターゲット、前記ライナーチューブ部及び前記真空ポンプは一体的に真空封止されて成る真空管球部を構成し、前記真空管球部は前記磁界電子レンズ部から着脱可能な構成であることにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の上記目的は、前記ライナーチューブ部に設けた第１の嵌合部と前記磁界電子レンズ部に設けた第２の嵌合部とを嵌合することにより、前記真空管球部の光学軸と前記磁界電子レンズ部の光学軸とを軸合わせする構成になっていることにより、或いは前記ライナーチューブ部は、前記ライナーチューブ部の長さ方向に複数に分割可能な構成であることにより、或いは前記磁界電子レンズ部は更に前記電子ビームを前記X線ターゲット上で走査する走査コイルを備え、前記ライナーチューブ部は前記X線ターゲットで反射する電子線を検出する反射電子検出部を備えることにより、前記X線ターゲットの表面の反射電子像を観察可能としていることにより、或いは前記磁界電子レンズ部は前記電界放射型電子銃に最も近い側に、上極ポールピースの内径が下極ポールピースの内径よりも大きい第1の電子レンズを備え、磁界重畳型電子銃を構成するようになっていることにより、より効果的に達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明はＸ線検査装置に関し、本発明の上記目的は、上記いずれかのＸ線管と、試料ステージと、前記試料ステージを透過した試料のＸ線透過画像を検出するX線検出器とを設けることにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月24日(2015.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電線の端部を捩る捩り機であって、
切り込みが入れられて前記電線に沿って途中までスライドした被覆端部を把持するチャックと、
前記チャックを前記電線軸周りに回転させて電線を捩る機構と、
前記被覆端部が収容されるパイプと、
前記パイプ内を吸引して前記被覆端部を回収する吸引機構と、
を備えることを特徴とする捩り機。
【請求項２】
前記パイプが、前記チャックの中心部（把持部）に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の捩り機。
【請求項３】
前記吸引機構が、
前記パイプの、前記チャックと反対側の端部に連通して該パイプ内を負圧吸引するエアバキュームと、
前記パイプの、前記チャックの反対側の端部に配置された回収ボックスと、
を備え、
前記エアバキュームで前記パイプ内を負圧吸引することにより、前記被覆端部が前記パイプを通って前記回収ボックスに回収されることを特徴とする請求項１又は２に記載の捩り機。
【請求項４】
電線を送給する電線送給装置と、
送給された電線を任意の長さに切断する電線切断装置と、
該電線の両端部の被覆をむく皮むき装置と、
皮むきされた前記電線端部に端子を圧着する端子圧着装置と、
皮むきされた前記電線端部に半田付けする半田付け装置と、
を、備え、
前記皮むき装置及び前記半田付け装置に、請求項１、２又は３に記載の捩り機を具備することを特徴とする電線端処理装置。 
【請求項５】
電線を送給する電線送給装置と、
送給された電線を任意の長さに切断する電線切断装置と、
該電線の両端部の被覆をむく皮むき装置と、
皮むきされた前記電線端部に端子を圧着する端子圧着装置と、
皮むきされた前記電線端部に半田付けする半田付け装置と、
前記各装置を搭載するプラットフォームと、
を、備える電線端処理装置であって、
前記端子圧着装置は、各種端子の種類に対応した端子供給機構及びカシメ金型（アンビル、クリンパ）を含むアプリケータを有し、
前記半田付け装置は、皮むきされた前記電線端部を捩る、請求項１記載の捩り機を具備する捩りユニット、捩られた電線端部にフラックスを付着させるフラックスユニット、及び、フラックスの付着した電線端部に半田を付着させる半田ユニットを含む半田モジュール、並びに、前記半田モジュールを搭載する半田モジュールベースを有し、
前記プラットフォームには、前記アプリケータ又は前記半田モジュールベースのいずれかが選択的に搭載可能なモジュール搭載部が形成されていることを特徴とする電線端処理装置。 
【請求項６】
前記プラットフォームのモジュール搭載部に係合するワンタッチレバーを備え、
前記アプリケータ又は前記半田モジュールベースを前記モジュール搭載部に搭載し、
該ワンタッチレバーを、前記モジュール搭載部、及び、前記アプリケータ又は半田モジュールに係合させることにより、前記アプリケータ又は半田モジュールを前記モジュール搭載部に位置決めすることを特徴とする請求項５に記載の電線端処理装置。 
【請求項７】
前記端子圧着装置の端子供給機構及びアプリケータ、及び、前記半田モジュールに接続するケーブル類が、前記ベース上の片側に集中して束ねられていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電線端処置装置。 
【請求項８】
前記アプリケータが端子圧着後のキャリアが回収されるシュートを有し、
前記捩りユニットは、前記半田モジュールベース上の、前記キャリア回収シュートに対応する位置に配置されていることを特徴とする新請求項５、６又は７に記載の電線端処理装置。 
【請求項９】
皮むきされた電線の端部に半田付けする前記半田付け装置が、
半田液が貯留される半田槽を有し、
該半田槽の上縁の一部に切り欠きが形成されており、
前記半田は、前記切り欠きにおいて表面張力によって盛り上がった状態で前記半田槽内に貯留されており、
この盛り上がった半田に、前記電線の端部が横方向に挿入されて半田付けが行われることを特徴とする請求項４〜８いずれか1項記載の電線端処理装置。 
【請求項１０】
前記半田付け装置が、
前記皮むきされた電線の端部を、前記半田槽の切り欠きにおいて、表面張力により盛り上がった半田に対して横下方向にガイドするガイド片を備えることを特徴とする請求項９に記載の電線端処理装置。 
【請求項１１】
前記半田槽が、前記半田付け装置の本体から取り外し可能であり、
該半田槽を取り替える治具を備えることを特徴とする請求項９又は１０に記載の電線端処理装置。
【請求項１２】
電線を送給する工程と、
送給された電線を任意の長さに切断する工程と、
該電線の両端部の被覆を皮むきする工程と、
皮むきされた前記電線の一方の端部に端子を圧着する工程と、
皮むきされた前記電線の他端に半田付けする工程と、
を備える、端処理電線の製造方法であって、
請求項４〜１１のいずれか１項に記載の電線端処理装置を用いることを特徴とする端処理電線の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主表面と、外周側の側壁面と、主表面と側壁面との間の面取面とを有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
前記外周側の側壁面は、算術平均粗さ(Ra)が０．０１５μｍ以下であって、かつ粗さ断面積の負荷率曲線において、粗さ断面積の負荷率が２０〜８０％の範囲における粗さ百分率の変化量は２５％以下であり、
前記主表面の算術平均粗さ(Ra)は０．２ｎｍ以下であることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項２】
前記外周側の側壁面は、１００μｍ四方の領域において付着する異物の数が５個以下であることを特徴とする、請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
一対の主表面と、外周側の側壁面と、主表面と側壁面との間の面取面とを有する磁気ディスク用ガラス基板の元となる円環状のガラス基板であって、
前記外周側の側壁面は、算術平均粗さ(Ra)が０．０１５μｍ以下であって、かつ粗さ断面積の負荷率曲線において、粗さ断面積の負荷率が２０〜８０％の範囲における粗さ百分率の変化量は２５％以下であることを特徴とする、円環状のガラス基板。
【請求項４】
前記外周側の側壁面は、１００μｍ四方の領域において付着する異物の数が５個以下であることを特徴とする、請求項３に記載された円環状のガラス基板。
【請求項５】
請求項３又は４に記載された円環状のガラス基板を元とする磁気ディスク用ガラス基板の表面に少なくとも磁気記録層が成膜されたことを特徴とする、磁気ディスク。
【請求項６】
一対の主表面と、外周側の側壁面と、主表面と側壁面との間の面取面とを有する円環状のガラス基板に対して、研磨砥粒を含む研磨液を用いて主表面の研磨を行う研磨処理を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
当該主表面の研磨処理が行われる前記円環状のガラス基板の外周側の側壁面は、算術平均粗さ(Ra)が０．０１５μｍ以下であって、かつ粗さ断面積の負荷率曲線において、粗さ断面積の負荷率が２０〜８０％の範囲における粗さ百分率の変化量は２５％以下であることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明の第１の観点は、一対の主表面と、外周側の側壁面と、主表面と側壁面との間の面取面とを有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記外周側の側壁面は、算術平均粗さ(Ra)が０．０１５μｍ以下であって、かつ粗さ断面積の負荷率曲線において、粗さ断面積の負荷率が２０〜８０％の範囲における粗さ百分率の変化量は２５％以下であり、前記主表面の算術平均粗さ(Ra)は０．２ｎｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記磁気ディスク用ガラス基板において、前記外周側の側壁面は、１００μｍ四方の領域において付着する異物の数が５個以下であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の観点は、一対の主表面と、外周側の側壁面と、主表面と側壁面との間の面取面とを有する磁気ディスク用ガラス基板の元となる円環状のガラス基板であって、前記外周側の側壁面は、算術平均粗さ(Ra)が０．０１５μｍ以下であって、かつ粗さ断面積の負荷率曲線において、粗さ断面積の負荷率が２０〜８０％の範囲における粗さ百分率の変化量は２５％以下であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記円環状のガラス基板において、前記外周側の側壁面は、１００μｍ四方の領域において付着する異物の数が５個以下であってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第３の観点は、上記円環状のガラス基板を元とする磁気ディスク用ガラス基板の表面に少なくとも磁気記録層が成膜されたことを特徴とする磁気ディスクである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第４の観点は、外周側の一対の主表面と、側壁面と、主表面と側壁面との間の面取面とを有する円環状のガラス基板に対して、研磨砥粒を含む研磨液を用いて主表面の研磨を行う研磨処理を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、当該主表面の研磨処理が行われる前記円環状のガラス基板の外周側の側壁面は、算術平均粗さ(Ra)が０．０１５μｍ以下であって、かつ粗さ断面積の負荷率曲線において、粗さ断面積の負荷率が２０〜８０％の範囲における粗さ百分率の変化量は２５％以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料の製造装置であって、
前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整装置と、
前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練装置と、
を備え、
前記混練装置は、前記粘度調整装置で粘度が調整された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液と、投入される前記活物質とを混練する蓄電材料の製造装置。
【請求項２】
前記粘度調整装置は、超音波を付与することにより前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する、請求項１の蓄電材料の製造装置。
【請求項３】
前記粘度調整装置は、前記増粘剤の溶解液の粘度を所定の粘度範囲内に調整する、請求項１又は２の蓄電材料の製造装置。
【請求項４】
前記粘度調整装置は、所定の粘度範囲の上限値より所定値高い値に調整する、請求項１又は２の蓄電材料の製造装置。
【請求項５】
少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料製造方法であって、
前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整工程と、
前記粘度が調整された前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練工程と、
を備える蓄電材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（請求項１）本発明に係る蓄電材料の製造装置は、少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料の製造装置であって、前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整装置と、前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練装置と、を備え、前記混練装置は、前記粘度調整装置で粘度が調整された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液と、投入される前記活物質とを混練する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料の製造装置であって、
振動を付与することにより前記増粘剤を溶媒に溶解する溶解装置と、
前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練装置と、
を備え、
前記混練装置は、前記溶解装置で溶解された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液と、投入される前記活物質とを混練する、蓄電材料の製造装置。
【請求項２】
前記溶解装置は、マイクロ波を付与することにより前記増粘剤を前記溶媒に溶解する、請求項１の蓄電材料の製造装置。
【請求項３】
前記混練装置は、前記増粘剤の溶解液、前記活物質および導電助剤を混練する、請求項１又は２の蓄電材料の製造装置。
【請求項４】
前記蓄電材料の製造装置は、
前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整装置、を備え、
前記粘度調整装置は、前記溶解装置で溶解された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液の粘度を調整し、
前記混練装置は、前記粘度調整装置で粘度調整された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液と、投入される前記活物質とを混練する、請求項１−３の何れか一項の蓄電材料の製造装置。
【請求項５】
前記粘度調整装置は、超音波を付与することにより前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する、請求項４の蓄電材料の製造装置。
【請求項６】
前記粘度調整装置は、前記増粘剤の溶解液の粘度を所定の粘度範囲内に調整する、請求項４又は５の蓄電材料の製造装置。
【請求項７】
前記粘度調整装置は、前記増粘剤の溶解液の粘度を所定の粘度範囲の上限値より所定値高い値に調整する、請求項４〜６の何れか一項の蓄電材料の製造装置。
【請求項８】
少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料の製造方法であって、
振動を付与することにより前記増粘剤を溶媒に溶解する溶解工程と、
前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練工程と、
を備える蓄電材料の製造方法。
【請求項９】
前記蓄電材料の製造方法は、
前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整工程、を備える、請求項８の蓄電材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（請求項１）本発明に係る蓄電材料の製造装置は、少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料の製造装置であって、振動を付与することにより前記増粘剤を溶媒に溶解する溶解装置と、前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練装置と、を備え、前記混練装置は、前記溶解装置で溶解された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液と、投入される前記活物質とを混練する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（請求項４）また、前記蓄電材料の製造装置は、前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整装置、を備え、前記粘度調整装置は、前記溶解装置で溶解された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液の粘度を調整し、前記混練装置は、前記粘度調整装置で粘度調整された前記増粘剤の溶解液を導入し、導入した前記増粘剤の溶解液と、投入される前記活物質とを混練する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（請求項５）また、前記粘度調整装置は、超音波を付与することにより前記増粘剤の溶解液の粘度を調整するようにしてもよい。これにより、超音波による増粘剤の溶解液の粘度調整の方が、撹拌力による増粘剤の溶解液の粘度調整よりも粘度調整時間を短縮することができる。よって、超音波による粘度調整に必要な電力は、撹拌力による粘度調整に必要な電力よりも低減される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（請求項６）また、前記粘度調整装置は、前記増粘剤の溶解液の粘度を所定の粘度範囲内に調整するようにしてもよい。増粘剤の溶解液の粘度を最終的な活物質のスラリ粘度に近い所定の粘度範囲内に調整することで、活物質の粉末等との混練を行い最終的な活物質材料のスラリ粘度を得るための粘度調整時間を短縮することができる。よって、活物質がせん断力を受ける時間は短縮されるので、活物質の損傷を低くすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（請求項７）また、前記粘度調整装置は、所定の粘度範囲の上限値より所定値高い値に調整するようにしてもよい。増粘剤の溶解液の粘度が、所定の粘度範囲の上限値より所定値高い値になるように調整することで、後で溶媒を加えることにより所定の粘度範囲内に調整することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（請求項８）本発明に係る蓄電材料の製造方法は、少なくとも増粘剤および活物質を含む蓄電材料を製造する蓄電材料の製造方法であって、振動を付与することにより前記増粘剤を溶媒に溶解する溶解工程と、前記増粘剤の溶解液および前記活物質を混練する混練工程と、を備える。
本発明の蓄電材料の製造方法によれば、上述した蓄電材料の製造装置における効果と同様の効果を奏する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（請求項９）前記蓄電材料の製造方法は、前記増粘剤の溶解液の粘度を調整する粘度調整工程、を備える。
本発明の蓄電材料の製造方法によれば、上述した蓄電材料の製造装置における効果と同様の効果を奏する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の絶縁被覆で被覆された内部導体と、前記第一の絶縁被覆の外周を包囲して前記内部導体と同軸上に第二の絶縁被覆で被覆されて設けられた外部導体を備えてなる電線の前記内部導体及び前記外部導体にそれぞれ接続する端子の接続構造であって、
前記第一の絶縁被覆を剥離して前記内部導体が露出された部位に接続される第一の接続部と、前記第一の接続部から略半円筒状に伸延して前記電線の接続相手側機器の第一の端子部材と接続される第一の伸延部を有する第一の端子と、
前記第二の絶縁被覆を剥離して前記外部導体が露出された部位に接続される第二の接続部と、前記第二の接続部から略半円筒状に伸延して前記電線の接続相手側機器の第二の端子部材と接続される第二の伸延部を有する第二の端子とを備え、
前記第一の端子と前記第二の端子は、前記第一の伸延部と前記第二の伸延部が同一円筒面の周方向に位置をずらして配置されることを特徴とする電線の端子接続構造。
【請求項２】
前記第一の伸延部及び前記第一の端子部材と接触し、前記第一の伸延部と前記第一の端子部材とを通電可能な状態とする略半円筒状の第一のバネ部と、
前記第二の伸延部及び前記第二の端子部材と接触し、前記第二の伸延部と前記第二の端子部材とを通電可能な状態とする略半円筒状の第二のバネ部を備え、
前記第一のバネ部と前記第二のバネ部は、略円筒状に対向して同軸上に配されていることを特徴とする請求項１に記載の電線の端子接続構造。
【請求項３】
前記第一の端子と前記第二の端子の間に介在する絶縁部と、
前記第一の端子の外周を包囲するとともに、前記第二の端子の外周を包囲し、前記第一の端子と前記第二の端子を同軸上に離隔して収容するハウジング部材とを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電線の端子接続構造。
【請求項４】
前記第一の端子と前記第二の端子は、前記電線の伸延方向から屈曲する方向に沿って同軸上に配されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電線の端子接続構造。
【請求項５】
前記第一の端子と前記第二の端子を外部に対して密封する密封部材が備えられ、
前記密封部材は、前記屈曲する方向へ分割されてなる底部と蓋部を有し、前記底部と前記蓋部が組み付けられて一体化されることを特徴とする請求項４に記載の電線の端子接続構造。
【請求項６】
前記第一の端子と前記第二の端子を収容し、前記第一の伸延部と前記第二の伸延部が配置される前記円筒面の中心軸と同軸の内周面を有する円筒状のハウジングと、前記ハウジングの外周面に装着される環状のパッキンとを備え、
前記パッキンは、前記ハウジングの軸方向と直交する断面が円形に形成されることを特徴とする請求項１〜５に記載の電線の端子接続構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、第一の絶縁被覆で被覆された内部導体と、前記第一の絶縁被覆の外周を包囲して前記内部導体と同軸上に第二の絶縁被覆で被覆されて設けられた外部導体を備えてなる電線の前記内部導体及び前記外部導体にそれぞれ接続する端子の接続構造であって、前記第一の絶縁被覆を剥離して前記内部導体が露出された部位に接続される第一の接続部と、前記第一の接続部から略半円筒状に伸延して前記電線の接続相手側機器の第一の端子部材と接続される第一の伸延部を有する第一の端子と、前記第二の絶縁被覆を剥離して前記外部導体が露出された部位に接続される第二の接続部と、前記第二の接続部から略半円筒状に伸延して前記電線の接続相手側機器の第二の端子部材と接続される第二の伸延部を有する第二の端子とを備え、前記第一の端子と前記第二の端子は、前記第一の伸延部と前記第二の伸延部が同一円筒面の周方向に位置をずらして配置されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月8日(2016.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
スクリーン印刷法ではバインダーのシリコーン樹脂などは２液硬化タイプを使用するのでポットライフの関係で長時間使用できず、しかしコーティング品質を安定させるために大量にスラーリーを作成する必要があったため、使用効率は極めて低かった。蛍光体膜を均一に形成できるＵＳ６５７６４８８Ｂ２の電気泳動方式は理想的であったがプロセスが複雑で業界では敬遠されがちであった。
ＬＥＤチップに可能な限り薄く均一に蛍光体膜を形成させ、蛍光体の使用効率を上げることが業界では求められていた。