【手続補正書】
【提出日】平成28年3月8日(2016.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】信号処理装置及び表示装置の作製方法、駆動回路、信号処理装置、表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラッチ回路、シフトレジスタ回路および切り替え回路を有する回路層を備える信号処理装置の作製方法であり、
絶縁表面を有する単結晶半導体基板の一方の面に水素イオンおよび希ガスイオンのいずれか一方あるいは両方を照射して、前記単結晶半導体基板の所定の深さに脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面に、表面に剥離層を形成した第１の仮固定基板を、前記単結晶半導体基板の一方の面と前記第１の仮固定基板の前記剥離層が接するように貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板に対して加熱処理を行い、
前記第１の仮固定基板から前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記脆化領域を境界として前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体薄膜および前記剥離層を前記第１の仮固定基板上に形成し、
前記第１の仮固定基板上に、少なくとも前記ラッチ回路が備えるトランジスタとして用いる、前記単結晶半導体薄膜の一部である単結晶半導体膜を活性層として用いたトランジスタ、を含む第１の回路層を形成し、
前記第１の回路層上に、少なくとも前記シフトレジスタおよび前記切り替え回路が備えるトランジスタとして用いる、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタ、を含む第２の回路層を形成することで、前記剥離層を挟んで前記第１の仮固定基板上に前記回路層を形成し、
前記回路層上に、仮固定材料を用いて第２の仮固定基板を貼り合わせ、
前記第１の仮固定基板から前記第２の仮固定基板を分離することにより、前記剥離層を境界として前記第１の仮固定基板から分離した前記回路層を前記第２の仮固定基板上に形成し、
前記回路層の、前記第２の仮固定基板が貼り合わされていない面に、被接合物の形状に沿って変形できる、或いは応力付加に応じて変形できる可撓性を有した絶縁性の樹脂材料あるいは絶縁表面を有する金属材料により構成されたベース基板を、接合材料を用いて貼り合わせ、
前記仮固定材料を境界として前記ベース基板から前記第２の仮固定基板を分離することにより、前記ベース基板上に前記回路層を形成することを特徴とする、信号処理装置の作製方法。
【請求項２】
ラッチ回路、シフトレジスタ回路および切り替え回路を有する回路層を備える信号処理装置の作製方法であり、
絶縁表面を有する単結晶半導体基板の一方の面に水素イオンおよび希ガスイオンのいずれか一方あるいは両方を照射して、前記単結晶半導体基板の所定の深さに脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面上に剥離層を形成し、
前記剥離層に第１の仮固定基板を貼り合わせた状態で前記単結晶半導体基板に対して加熱処理を行い、
前記第１の仮固定基板から前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記脆化領域を境界として前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体薄膜および前記剥離層を前記第１の仮固定基板上に形成し、
前記第１の仮固定基板上に、少なくとも前記ラッチ回路が備えるトランジスタとして用いる、前記単結晶半導体薄膜の一部である単結晶半導体膜を活性層として用いたトランジスタ、を含む第１の回路層を形成し、
前記第１の回路層上に、少なくとも前記シフトレジスタおよび前記切り替え回路が備えるトランジスタとして用いる、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタ、を含む第２の回路層を形成することで、前記剥離層を挟んで前記第１の仮固定基板上に回路層を形成し、
前記回路層上に、仮固定材料を用いて第２の仮固定基板を貼り合わせ、
前記第１の仮固定基板から前記第２の仮固定基板を分離することにより、前記剥離層を境界として前記第１の仮固定基板から分離した前記回路層を前記第２の仮固定基板上に形成し、
前記回路層の、前記第２の仮固定基板が貼り合わされていない面に、被接合物の形状に沿って変形できる、或いは応力付加に応じて変形できる可撓性を有した絶縁性の樹脂材料あるいは絶縁表面を有する金属材料により構成されたベース基板を、接合材料を用いて貼り合わせ、
前記仮固定材料を境界として前記ベース基板から前記第２の仮固定基板を分離することにより、前記ベース基板上に前記回路層を形成することを特徴とする、信号処理装置の作製方法。
【請求項３】
前記第１の仮固定基板としてシリコン基板、ゲルマニウム基板、シリコンゲルマニウム基板、炭化シリコン基板、ガリウムヒ素またはインジウムリン基板を用いる、請求項１または請求項２に記載の信号処理装置の作製方法。
【請求項４】
前記剥離層に対して平坦化処理を行う、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の信号処理装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の方法を用いて信号処理装置を形成し、
封止材料により貼り合わされた画素部を備える基板と対向基板間に、表示素子層を有する表示基板に、導電性材料を用いて前記信号処理装置を接合することにより、前記画素部と前記回路層を電気的に接続する、表示装置の作製方法。
【請求項６】
前記画素部を備える前記基板として、表面の一部に凹部が設けられた基板を用い、
前記凹部において、前記導電性材料を用いて前記回路層と前記画素部を電気的に接続する、請求項５に記載の表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の方法を用いて作製した前記信号処理装置が備える前記ベース基板を前記対向基板として用いる、請求項５または請求項６に記載の表示装置の作製方法。
【請求項８】
前記表示基板が備える前記基板として、被接合物の形状に沿って変形できる、或いは応力付加に応じて変形できる可撓性を有した絶縁性の樹脂材料あるいは絶縁表面を有する金属材料により構成された基板を用いる、請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の表示装置の作製方法。
【請求項９】
データの保持に用いるラッチ回路と、
前記ラッチ回路の動作状態を決定する信号を出力するシフトレジスタ回路と、
前記ラッチ回路から出力される信号を外部に出力するか否かを決定する切り替え回路を備え、
前記ラッチ回路は、第１の入力端子、第２の入力端子、出力端子、容量素子、および活性層として酸化物半導体膜を用いたトランジスタを備え、
前記トランジスタのゲートは、前記第１の入力端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースおよびドレインの一方は、前記第２の入力端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記容量素子の一方の電極および前記出力端子と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は固定電位が供給される配線に電気的に接続され、
前記トランジスタをオフ状態とした場合に、前記トランジスタのソースおよびドレインの他方、前記容量素子の一方の電極および前記出力端子に電気的に接続されたノードにおいてデータを保持し、
前記シフトレジスタ回路および前記切り替え回路が備えるトランジスタは、活性層として単結晶半導体膜を用いたトランジスタである駆動回路。
【請求項１０】
前記単結晶半導体膜が、単結晶半導体基板の一部である、請求項１に記載の駆動回路。
【請求項１１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に、請求項９あるいは請求項１０に記載の前記駆動回路を備える回路層を有し、
前記ベース基板は、被接合物の形状に沿って変形できる、或いは応力付加に応じて変形できる可撓性を有した絶縁性の樹脂材料あるいは絶縁表面を有する金属材料であり、
前記回路層は、単結晶半導体膜を活性層として用いたトランジスタが形成された第１の層と、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタが形成された第２の層を少なくとも備える信号処理装置。
【請求項１２】
前記単結晶半導体膜が、単結晶半導体基板の一部である、請求項１１に記載の信号処理装置。
【請求項１３】
請求項１１あるいは請求項１２に記載の、前記回路層を備える前記信号処理装置と、封止材料により貼り合わされた画素部を備える基板と対向基板間に、表示素子層を有する表示基板を有し、
前記信号処理装置が備える前記回路層と前記表示基板が備える前記画素部が電気的に接続され、
前記信号処理装置が前記画素部の走査線駆動回路または信号線駆動回路のいずれか或いは両方として機能する表示装置。
【請求項１４】
前記基板が、被接合物の形状に沿って変形できる、或いは応力付加に応じて変形できる可撓性を有した絶縁性の樹脂材料あるいは絶縁表面を有する金属材料である請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記基板が、一部に凹部を有し、
前記信号処理装置が、前記基板の前記凹部に設けられ、
前記回路層と前記画素部が電気的に接続された、請求項１３または請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
信号処理装置が備える前記ベース基板と前記表示基板が備える前記基板の表面位置が同一または略同一となるように、前記基板の前記凹部内に前記信号処理装置が実装された、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記表示基板が備える前記画素部が、前記信号処理装置が備える前記ベース基板により覆われた、請求項１３乃至請求項１６のいずれか一項に記載の表示装置。