Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月29日(2016.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に形成され、第１の幅の第１領域及び前記第１の幅よりも太い第２の幅の第２領域を有し、第１方向に伸びる第１の活性領域と、
前記基板内に形成され、前記第１の活性領域の前記第２領域と並行して伸びる第２の活性領域と、
前記基板に形成され、前記第１の活性領域及び前記第２の活性領域のそれぞれを画定する素子分離絶縁膜と、を備え、
前記第１の活性領域の前記第２領域又は前記第２の活性領域は、平面視で前記第１方向と交わる第２方向に向かって凹む凹形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板上に形成され、前記第１の活性領域の前記第２領域及び前記第２の活性領域を跨ぐ複数のゲート電極を備え、
前記複数のゲート電極の間における前記第１の活性領域の前記第２領域又は前記第２の活性領域は、前記凹形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のゲート電極は、複数の駆動トランジスタのゲート電極及び複数の負荷トランジスタのゲート電極を含み、
前記複数の駆動トランジスタの前記ゲート電極の間における前記第１の活性領域の前記第２領域又は前記複数の負荷トランジスタの前記ゲート電極の間における前記第２の活性領域は、前記凹形状を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の活性領域の前記第２領域上には接地電圧を印加する接地コンタクトが形成され、
前記第２の活性領域上には電源電圧を印加する電源コンタクトが形成されていることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の活性領域及び前記第２の活性領域に形成されたエピタキシャル層を有することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の基板と、前記第１の基板内に形成され、第１の幅の第１領域及び前記第１の幅よ
りも太い第２の幅の第２領域を有し、第１方向に伸びる第１の活性領域と、前記第１の基板内に形成され、前記第１の活性領域の前記第２領域と並行して伸びる第２の活性領域と、前記第１の基板に形成され、前記第１の活性領域及び前記第２の活性領域のそれぞれを画定する第１の素子分離絶縁膜と、前記第１の活性領域及び前記第２の活性領域に形成されたエピタキシャル層と、を有する第１の半導体装置と、
第２の基板と、前記第２の基板内に形成され、第３の幅の第３領域及び前記第３の幅よりも太い第４の幅の第４領域を有し、第３方向に伸びる第３の活性領域と、前記第２の基板内に形成され、前記第３の活性領域の前記第３領域と並行して伸びる第４の活性領域と、前記第２の基板に形成され、前記第３の活性領域及び前記第４の活性領域のそれぞれを画定する第２の素子分離絶縁膜と、を有する第２の半導体装置と、
を備え、
前記第１の活性領域の前記第２領域又は前記第２の活性領域は、平面視で前記第１方向と交わる第２方向に向かって凹む凹形状を有することを特徴とする半導体装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、フォトレジスト膜６２をマスクとしてイオン注入を行い、半導体基板２におけるＮＭＯＳトランジスタ形成領域に、埋め込みＮウェル３３を形成する。例えば、以下の条件でイオン注入を行うことにより、半導体基板２に埋め込みＮウェル３３を形成してもよい。
・イオン種：リンイオン（Ｐ＋），加速エネルギー：７００ｋｅＶ，ドーズ量：１．５×１０１３ｃｍ−２
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次いで、例えば、薬液を用いたウェット処理又はアッシングにより、フォトレジスト膜６２を除去する。次に、例えば、弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、シリコン酸化膜６１を除去する。次に、図７に示す工程において、フォトリソグラフィにより、半導体基板２におけるＮＭＯＳトランジスタ形成領域を露出し、他を覆うフォトレジスト膜６３を形成する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次いで、図１４Ａ〜図１４Ｃに示す工程において、フォトリソグラフィにより、半導体基板２におけるＮＭＯＳトランジスタ形成領域を露出し、他を覆うフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次に、フォトレジスト膜及びゲート電極１１Ａ、１１Ｂ、１２Ａ、１２Ｂをマスクとして、イオン注入を行う。イオン注入を選択的に行うことにより、半導体基板２におけるＮＭＯＳトランジスタ形成領域に、Ｎ型エクステンション領域３５を形
成する。例えば、以下の条件でイオン注入を行うことにより、半導体基板２にＮ型エクステンション領域３５を形成してもよい。
・イオン種：砒素イオン，加速エネルギー：１．５ｋｅＶ，ドーズ量：１．０×１０１５ｃｍ−２
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
次いで、フォトリソグラフィにより、半導体基板２におけるＰＭＯＳトランジスタ形成領域を露出し、他を覆うフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次に、フォトレジスト膜及びゲート電極１３Ａ〜１３Ｄをマスクとして、イオン注入を行う。イオン注入を選択的に行うことにより、半導体基板２におけるＰＭＯＳトランジスタ形成領域に、Ｐ型エクステンション領域４４を形成する。例えば、以下の条件でイオン注入を行うことにより、半導体基板２にＰ型エクステンション領域４４を形成してもよい。
・イオン種：ボロンイオン，加速エネルギー：０．５ｋｅＶ，ドーズ量：３．２×１０１４ｃｍ−２
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
半導体基板２０２は、例えば、シリコン基板である。半導体基板２０２は、「第２の基板」の一例である。図１９に示すように、半導体基板２０２内には、活性領域２０３〜２０６が形成されている。また、半導体基板２０２には、素子分離絶縁膜２０７が形成されている。素子分離絶縁膜２０７は、「第２の素子分離絶縁膜」の一例である。活性領域２０３〜２０６は、素子分離絶縁膜２０７によって画定されている。例えば、半導体基板２０２に形成された溝に酸化膜を埋め込むことによって、半導体基板２０２に素子分離絶縁膜２０７が形成される。活性領域２０３、２０４は、第３方向Ｖに向かって伸びている。活性領域２０３は、「第３の活性領域」の一例である。活性領域２０４は、「第４の活性領域」の一例である。第３方向Ｖは、半導体基板２０２の平面方向であって、ゲート電極２１１Ａ、２１１Ｂ、２１２Ａ、２１２Ｂと交わる方向である。すなわち、第３方向Ｖは、ゲート電極２１１Ａ、２１１Ｂ、２１２Ａ、２１２Ｂのゲート長方向である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
そして、加熱部１６は、回転軸１８の内部に貫通する支持軸２２に固定される支持台２４上に固定して設けられる。加熱部１６には、図示しない電流導入端子と電極により、電力が供給される。この支持台２４には半導体ウェハＷを支持部１２から脱着させるための、例えば突き上げピン（図示せず）が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
さらに、第１のプロセスガスを反応室１０に噴出する第１のガス噴出孔１１１と、第２のプロセスガスを反応室１０に噴出する第２のガス噴出孔１１２との間に設けられる第３のガス噴出孔１１３から分離ガス（第３の混合ガスまたは第３のプロセスガス）は、第１の分離ガスである水素ガスと、第２の分離ガスである窒素ガスとの混合ガス（第３の混合ガス）である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乳酸イオン及び酢酸イオンを含む水溶液である、茹卵用保存剤。
【請求項２】
該乳酸イオンの濃度が０．０７重量％以上であり、且つ、該酢酸イオンの濃度が０．０３重量％以上である、請求項１に記載の茹卵用保存剤。
【請求項３】
該乳酸イオンと該酢酸イオンとの重量濃度比（乳酸イオン：酢酸イオン）が、１：０．０５〜１：２である、請求項１又は２に記載の茹卵用保存剤。
【請求項４】
該水溶液中に茹卵が浸漬している、請求項１〜３のいずれかに記載の茹卵用保存剤。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の茹卵用保存剤中に茹卵が浸漬している、食品。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載の茹卵用保存剤に茹卵を浸漬させることを含む、食品の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法により得られる、食品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ陽極と陰極との間に発光層を含む有機材料層を挟持し互いに異なる発光色で発光する複数種類の有機電界発光素子が形成された有機ＥＬ表示装置であって、
前記各有機電界発光素子の前記発光層は、前記発光色ごとに設けられた複数の色別発光層の積層体であり、当該有機電界発光素子の発光色より波長が長い発光色の前記色別発光層における材料の変質により当該色別発光層の発光機能を喪失していること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数の有機電界発光素子のうちの一における前記積層体の、その色別発光体のそれぞれの種、及び積層順序は、前記複数の有機電界発光素子のうちの他の一における前記積層体の、その色別発光体のそれぞれの種、及び積層順序と実質的に等しいこと、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数種類の有機電界発光素子は、互いに共通に成膜された前記有機材料層を有すること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数の色別発光層それぞれのホスト材料は、前記発光色の波長が短いものほど高いガラス転移温度を有し、当該ホスト材料が前記変質を生じていること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
それぞれ陽極と陰極との間に発光層を含む有機材料層を挟持し互いに異なる発光色で発光する複数種類の有機電界発光素子が形成された有機ＥＬ表示装置であって、
前記各有機電界発光素子の前記発光層は、前記発光色ごとに設けられた複数の色別発光層の積層体であり、
前記複数の有機電界発光素子のうちの一における前記積層体の、その色別発光体のそれぞれの種、及び積層順序は、前記複数の有機電界発光素子のうちの他の一における前記積層体の、その色別発光体のそれぞれの種、及び積層順序と実質的に等しいこと、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数の有機電界発光素子のうちの一において、当該有機電界発光素子の発光色より波長が長い発光色の前記色別発光層における材料の変質により当該色別発光層の発光機能を喪失していること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数種類の有機電界発光素子は、互いに共通に成膜された前記有機材料層を有する
こと、を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数の色別発光層それぞれのホスト材料は、前記発光色の波長が短いものほど高いガラス転移温度を有し、当該ホスト材料が前記変質を生じていること、を特徴とする有機
ＥＬ表示装置。
【請求項９】
有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記有機ＥＬ表示装置は、それぞれ陽極と陰極との間に発光層を含む有機材料層を挟持し互いに異なる発光色で発光する複数種類の有機電界発光素子が形成され、
前記各有機電界発光素子の前記発光層は、前記発光色ごとに設けられた複数の色別発光層の積層体であり、
前記製造方法は、
基板上に前記発光色ごとの前記色別発光層を順次積層して前記発光層の前記積層体を形成する工程と、
前記積層体の形成後に、最も波長が長いもの以外の各発光色の前記有機電界発光素子において前記発光層にレーザアニールを行い、当該発光色の前記色別発光層の前記ガラス転移温度より低く、かつ当該発光色に次いで波長が長い発光色の前記色別発光層の前記ガラス転移温度より高い温度に加熱して、当該有機電界発光素子の発光色より波長が長い発光色の前記色別発光層における前記ホスト材料の変質を生じさせる工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月27日(2016.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し正極電極と負極電極とを有する発電要素が収納された電池缶と、前記電池缶の開口を封口する電池蓋と、前記電池蓋に設けられた正極外部端子及び負極外部端子とを有し、前記電池缶の幅広面を対面させて配列された複数の角形二次電池と、
隣接する前記角形二次電池の同極性の前記正・負極外部端子同士または異極性の前記正・負極外部端子間に架橋されて前記正・負極外部端子に接合されるバスバーとを備え、
前記正極外部端子および前記負極外部端子は前記バスバーが載置される上面を有するベース部と、該ベース部より上方に突出し、側面に前記バスバーの当接面を有する突出部を有し、
前記バスバーは、一端及び他端に前記突出部と当接する当接面を有し、該当接面のいずれか一方は前記ベース部に対して垂直でかつ前記幅広面に対して傾斜しており、
前記バスバーの当接面は前記突出部の当接面と平行であり、当接面同士の境界部で接合されている、組電池。
【請求項２】
請求項１に記載の組電池において、
前記正極外部端子または前記負極外部端子のいずれか一方の前記突出部の側面は、前記ベース部に対して垂直でかつ前記幅広面に対して傾斜した傾斜面を有し、当該傾斜面は前記突出部の当接面と共に先細の先端部を形成する、組電池。
【請求項３】
請求項２に記載の組電池において、
前記正極外部端子または前記負極外部端子の前記突出部の側面は、それぞれ前記先細の先端部を有し、
前記角形二次電池の各々の設けられた正・負極外部端子の前記ベース部は、それぞれの前記突出部の前記先細の先端部同士が対峙するように配置されている、組電池。
【請求項４】
請求項２に記載の組電池において、
前記正極外部端子及び前記負極外部端子の前記突出部の側面は、それぞれ前記先細の先端部を有し、
前記角形二次電池の各々の設けられた正・負極外部端子の前記ベース部は、それぞれの前記突出部の前記先細の先端部が互いに反対側を向くように配置されている、組電池。
【請求項５】
請求項２に記載の組電池において、
前記突出部の当接面と前記傾斜面は、前記電池缶の前記幅広面に平行な線に対し線対称である、組電池。
【請求項６】
請求項２に記載の組電池において、
前記突出部の当接面と前記傾斜面は、前記電池缶の前記幅広面に平行な線に対し非対称である、組電池。
【請求項７】
請求項２に記載の組電池において、
前記正極外部端子または前記負極外部端子の他方の前記突出部の側面は、前記電池缶の前記幅広面に対してほぼ平行な突合せ用側面を有する、組電池。
【請求項８】
請求項３に記載の組電池において、
前記正極外部端子と前記負極外部端子の前記突出部のそれぞれは、前記正極外部端子の突出部の中心と前記負極外部端子の突出部の中心とを結ぶ直線に対し線対称である、組電池。
【請求項９】
請求項４に記載の組電池において、  前記正極外部端子と前記負極外部端子の前記突出部のそれぞれは、前記正極外部端子の突出部の中心と前記負極外部端子の突出部の中心とを結ぶ直線に対し線対称である、組電池。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の組電池において、
前記バスバーは、クラッド材により形成されており、前記正極外部端子に溶接される材料と前記負極外部端子に溶接される材料とは異なる材料である、組電池。
【請求項１１】
請求項１０に記載の組電池において、
前記バスバーはアルミニウム系金属と銅系金属のクラッド材により形成され、前記正極外部端子はアルミニウ系金属により形成され、前記負極外部端子は銅系金属により形成されている、組電池。
【請求項１２】
開口部および一対の幅広面を有する電池缶と、
正極電極および負極電極を有し前記電池缶内に収納された発電要素と、
前記正極電極に接続された正極外部端子と、前記負極電極に接続された負極外部端子とが設けられ、前記電池缶の前記開口部を封口する蓋とを備え、
前記正極外部端子および前記負極外部端子の少なくとも一方は、前記幅広面に対して傾斜する第１の傾斜面を有する第１の突出部と、バスバーが載置される上面を有する第１のベース部とを備え、
前記正極外部端子および前記負極外部端子の他方は、側面を有する第２の突出部と、前記バスバーが載置される上面を有する第２のベース部とを備え、
前記第１の突出部の前記第１の傾斜面と、前記第２の突出部の前記側面はバスバーが接合される面である、角形二次電池。
【請求項１３】
請求項１２に記載の角形二次電池において、
前記第１の突出部は、前記第１の傾斜面と対向する第２の傾斜面を有し、前記第２の傾斜面は、前記第１の傾斜面と共に先細の先端部を形成し、前記第２の突出部は、第３の傾斜面、前記第３の傾斜面と対向配置され、前記第３の傾斜面と共に先細の先端部を形成する第４の傾斜面を有する、角形二次電池。
【請求項１４】
請求項１３に記載の角形二次電池において、
前記第１の突出部と前記第２の突出部のそれぞれは、前記第１の突出部の中心と前記第２の突出部の中心とを結ぶ直線に対して線対称である、角形二次電池。
【請求項１５】
請求項１３に記載の角形二次電池において、
前記第１の突出部と前記第２の突出部のそれぞれは、前記第１の突出部の中心と前記第２の突出部の中心とを結ぶ直線に対して非対称である、角形二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の組電池は、開口部を有し正極電極と負極電極とを有する発電要素が収納された電池缶と、電池缶の開口を封口する電池蓋と、電池蓋に設けられた正極外部端子及び負極外部端子とを有し、電池缶の幅広面を対面させて配列された複数の角形二次電池と、隣接する角形二次電池の同極性の正・負極外部端子同士または異極性の正・負極外部端子間に架橋されて正・負極外部端子に接合されるバスバーとを備え、正極外部端子および負極外部端子はバスバーが載置される上面を有するベース部と、該ベース部より上方に突出し、側面にバスバーの当接面を有する突出部を有し、バスバーは、一端及び他端に突出部と当接する当接面を有し、該当接面のいずれか一方はベース部に対して垂直で幅広面に対して傾斜しており、バスバーの当接面は突出部の当接面と平行であり、当接面同士の境界部で接合されている。
本発明の角形二次電池は、開口部および一対の幅広面を有する電池缶と、正極電極および負極電極を有し電池缶内に収納された発電要素と、正極電極に接続された正極外部端子と、負極電極に接続された負極外部端子とが設けられ、電池缶の開口部を封口する蓋とを備え、正極外部端子および負極外部端子の少なくとも一方は、幅広面に対して傾斜する第１の傾斜面を有する第１の突出部と、バスバーが載置される上面を有する第１のベース部とを備え、正極外部端子および負極外部端子の他方は、第２の突出部と、バスバーが載置される上面を有する第２のベース部とを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子表示装置及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発光素子表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、各画素に配置された自発光体である発光素子に発光させて表示を行う発光素子表示装置及びその製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、水分侵入による表示不良を抑制し、長
期間品質を維持することのできる発光素子表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面上に形成され、発光領域をそれぞれ有する画素がマトリクス状に配置されると共に、有機絶縁材料からなる有機絶縁層を有する表示領域と、
前記表示領域の周囲にあり、金属配線もしくは薄膜トランジスタを用いた回路が配置され、前記有機絶縁層を有する周辺回路領域と、
前記表示領域と前記周辺回路領域との間に形成された遮断領域と、を備え、
前記遮断領域は、
前記表示領域を覆い、前記発光領域を発光させるための２つの電極のうちの一方であり、前記表示領域から連続して形成された電極層を有し、前記電極層から基材である絶縁基板までが無機材料の層のみで構成される第１遮断領域と、
前記第１遮断領域を構成する複数の層及び有機層のみで構成される第２遮断領域と、を有する発光素子表示装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面上に形成され、発光領域をそれぞれ有する画素がマトリクス状に配置されると共に、有機絶縁材料からなる有機絶縁層を有する表示領域と、
前記表示領域の周囲にあり、金属配線もしくは薄膜トランジスタを用いた回路が配置され、前記有機絶縁層を有する周辺回路領域と、
前記表示領域と前記周辺回路領域との間に形成された遮断領域と、
前記表示領域を覆うと共に、前記表示領域から前記遮断領域にかけて連続的に形成された電極層と、
前記表示領域を覆うと共に、前記電極層と前記有機絶縁層との間に設けられた有機層と、
を備え、
前記遮断領域において、前記有機絶縁層は開口部を有し、
前記表示領域における前記有機絶縁層と、前記周辺回路領域における前記有機絶縁層とは、前記開口部を介して不連続であり、
前記有機層は、前記遮断領域に重畳する領域であって、前記電極層の端部よりも前記表示領域に近い側に端部を有する、発光素子表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の発光素子表示装置であって、
前記有機層は、前記発光領域を有する発光素子に含まれる発光層を含む少なくとも一層である、ことを特徴とする発光素子表示装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の発光素子表示装置であって、
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層のいずれかを含んでいる、ことを特徴とする発光素子表示装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の発光素子表示装置であって、
前記遮断領域は、前記電極層と前記絶縁表面との間で、断面視で見て、無機材料の積層のみで形成された領域を含んでいる、ことを特徴とする発光素子表示装置。
【請求項６】
請求項１又は請求項２に記載の発光素子表示装置であって、
前記遮断領域における、前記電極層と前記絶縁表面との間の距離は、前記表示領域における、前記電極層と前記絶縁表面との間の距離よりも短い、ことを特徴とする発光素子表示装置。
【請求項７】
絶縁基板上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）を含む回路を表示領域及び表示領域の周囲の周辺回路領域に形成するＴＦＴ回路形成工程と、
前記表示領域内の各画素において前記回路と電気的に接続された電極、及び前記電極の周囲に形成される有機絶縁膜を形成する電極・有機絶縁膜形成工程と、
前記周辺回路領域を覆い、前記周辺回路領域のみに接するマスク領域を有する蒸着マスクを用いて発光有機層を蒸着する発光有機層形成工程と、
少なくとも前記発光有機層を覆い、前記絶縁基板の全面を封止するための封止膜を形成する封止膜形成工程と、を有する発光素子表示装置製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発光素子表示装置製造方法であって、
前記発光有機層形成工程において、前記蒸着マスクの内側端が遮断領域内に配置されて
いる、ことを特徴とする発光素子表示装置製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
そこで、上記知見された前駆体の差異を定量的に評価するため、それぞれの前駆体の色相を測定し、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２１に準拠した日本塗料工業会が発行する塗料用標準色（ＪＰＭＡ  Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｐａｉｎｔ  Ｃｏｌｏｒｓ）２０１１年度Ｆ版と比較した。色相の測定には、コニカミノルタ社製カラーリーダーＣＲ１０を用いた。この測定方法によれば、明度を表すｄＬ＊の値は、白い方が大きくなり、黒い方が小さくなる。また、色相を表すｄａ＊の値は、赤色が強い方が大きくなり、緑色が強い方（赤色が弱い方）が小さくなる。また、色相を表すｄｂ＊の値は、黄色が強い方が大きくなり、青色が強い方（黄色が弱い方）が小さくなる。
１００℃乾燥品の色相は、標準色Ｆ０５−２０Ｂと比べて、赤色方向に標準色Ｆ０５−４０Ｄに至る範囲内にあり、また、標準色ＦＮ−１０と比べて、白色方向に標準色ＦＮ−２５に至る範囲内にあることがわかった。中でも、標準色Ｆ０５−２０Ｂが呈する色相との色差が最も小さいものと認められた。
一方、８０℃乾燥品の色相は、標準色Ｆ１９−５０Ｆと比べて、白色方向に標準色Ｆ１９−７０Ｆに至る範囲内にあり、また、標準色Ｆ０９−８０Ｄと比べて、黒色方向に標準色Ｆ０９−６０Ｈに至る範囲内にあることがわかった。中でも、標準色Ｆ１９−５０Ｆが呈する色相との色差が最も小さいものと認められた。
以上の知見から、炭酸塩前駆体の色相は、標準色Ｆ０５−２０Ｂに比べて、ｄＬ，ｄａ及びｄｂの全てにおいて＋方向であるものが好ましく、ｄＬが＋５以上、ｄａが＋２以上、ｄｂが＋５以上であることがより好ましいといえる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
負極材料としては、限定されるものではなく、リチウムイオンを吸蔵・放出できる形態のものであればどれを選択してもよい。例えば、Ｌｉ［Ｌｉ１／３Ｔｉ５／３］Ｏ４に代表されるスピネル型結晶構造を有するチタン酸リチウム等のチタン系材料、ＳｉやＳｂ，Ｓｎ系などの合金系材料リチウム金属、リチウム合金（リチウム−シリコン、リチウム−アルミニウム，リチウム−鉛，リチウム−スズ，リチウム−アルミニウム−スズ，リチウム−ガリウム，及びウッド合金等のリチウム金属含有合金）、リチウム複合酸化物（リチウム−チタン）、酸化珪素の他、リチウムを吸蔵・放出可能な合金、炭素材料（例えばグラファイト、ハードカーボン、低温焼成炭素、非晶質カーボン等）等が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
非水電解質に用いる電解質塩としては、例えば、ＬｉＣｌＯ4，ＬｉＢＦ4，ＬｉＡｓＦ6，ＬｉＰＦ6，ＬｉＳＣＮ，ＬｉＢｒ，ＬｉＩ，Ｌｉ2ＳＯ4，Ｌｉ2Ｂ10Ｃｌ10，ＮａＣｌＯ4，ＮａＩ，ＮａＳＣＮ，ＮａＢｒ，ＫＣｌＯ4，ＫＳＣＮ等のリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）またはカリウム（Ｋ）の１種を含む無機イオン塩、ＬｉＣＦ3ＳＯ3，ＬｉＮ（ＣＦ3ＳＯ2）2，ＬｉＮ（Ｃ2Ｆ5ＳＯ2）2，ＬｉＮ（ＣＦ3ＳＯ2）（Ｃ4Ｆ9ＳＯ2），ＬｉＣ（ＣＦ3ＳＯ2）3，ＬｉＣ（Ｃ2Ｆ5ＳＯ2）3，（ＣＨ3）4ＮＢＦ4，（ＣＨ3）4ＮＢｒ，（Ｃ2Ｈ5）4ＮＣｌＯ4，（Ｃ2Ｈ5）4ＮＩ，（Ｃ3Ｈ7）4ＮＢｒ，（ｎ−Ｃ4Ｈ9）4ＮＣｌＯ4，（ｎ−Ｃ4Ｈ9）4ＮＩ，（Ｃ2Ｈ5）4Ｎ−ｍａｌｅａｔｅ，（Ｃ2Ｈ5）4Ｎ−ｂｅｎｚｏａｔｅ，（Ｃ2Ｈ5）4Ｎ−ｐｈｔｈａｌａｔｅ、ステアリルスルホン酸リチウム、オクチルスルホン酸リチウム、ドデシルベンゼンスルホン酸リチウム等の有機イオン塩等が挙げられ、これらのイオン性化合物を単独、あるいは２種類以上混合して用いることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像生成用の画素である撮像画素と焦点検出用の画素である位相差画素を含む複数の画素が行列状に２次元配置された画素アレイ部を備え、
前記撮像画素に形成されているマイクロレンズと遮光層との間の所定層は、前記位相差画素に形成されている前記所定層の屈折率よりも高い屈折率を有する
固体撮像装置。
【請求項２】
前記撮像画素の前記所定層と前記位相差画素の前記所定層の屈折率差は0.2以上である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記所定層は、前記遮光層の上側のカラーフィルタ層と、前記マイクロレンズとの間に配置されている
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素の前記所定層と前記マイクロレンズとの間には、前記撮像画素の前記所定層よりも屈折率の低い層がさらに配置されている
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記所定層は、前記マイクロレンズの下側のカラーフィルタ層と前記遮光層との間に配置されている
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記所定層は、カラーフィルタ層である
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記位相差画素の前記所定層は、透明なカラーフィルタ層である
請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記撮像画素の前記所定層は、カラーフィルタ層であり、
前記位相差画素の前記所定層は、前記マイクロレンズと同一材料で形成されている
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記位相差画素の前記所定層は、前記遮光層の上部を平坦化する平坦化膜と同一材料で形成されている
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記位相差画素の前記遮光層の開口形状は、矩形の画素領域の四隅近傍の領域を狭めた形状である
請求項１乃至９のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記位相差画素の前記遮光層の開口形状は、多角形形状である
請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記位相差画素の前記遮光層の開口形状は、半円形状である
請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記遮光層の開口幅が異なる複数の前記位相差画素が存在する
請求項１乃至１２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記遮光層の開口方向が異なる複数の前記位相差画素が存在する
請求項１乃至１３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
画像生成用の画素である撮像画素と焦点検出用の画素である位相差画素を含む複数の画素を形成する際に、前記撮像画素のマイクロレンズと遮光層との間の所定層を、前記位相差画素の前記所定層の屈折率よりも高い屈折率を有する材料で形成する
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
画像生成用の画素である撮像画素と焦点検出用の画素である位相差画素を含む複数の画素が行列状に２次元配置された画素アレイ部を備え、
前記撮像画素に形成されているマイクロレンズと遮光層との間の所定層は、前記位相差画素に形成されている前記所定層の屈折率よりも高い屈折率を有する
固体撮像装置
を備える電子機器。
【請求項１７】
画像生成用の画素である撮像画素と焦点検出用の画素である位相差画素を含む複数の画素が行列状に２次元配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差画素の前記遮光層の開口形状が、矩形の画素領域の四隅近傍の領域を遮光する形状である
固体撮像装置
を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
金属端子をさらに備え、
前記金属端子の一端と前記半導体素子上面の前記電極とは前記貫通穴を通して電気的に接合されており、
前記金属端子の他端は前記金属パターンと接合しており、
前記金属端子と前記絶縁基板が平面視重なる領域において、前記金属端子と前記絶縁基板上面とが接触していることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月22日(2016.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電素子で発電した電力を負荷装置に供給する自立電源システムにおいて、
前記発電素子の発電効率を制御する発電制御回路と、
前記発電素子で発電した電力を充電する蓄電素子群と、
該蓄電素子群の充電動作と放電動作を制御する充電制御回路とを備え、
前記蓄電素子群は、前記発電制御回路と前記充電制御回路に電力を供給する１次蓄電素子と、前記負荷装置に電力を供給する２次蓄電素子を有し、
前記発電素子で発電した電力は前記１次蓄電素子に優先して充電された後、該１次蓄電素子から前記２次蓄電素子に充電されることを特徴とする自立電源システム。
【請求項２】
請求項１に記載の自立電源システムにおいて、
前記１次蓄電素子の容量値は、前記２次蓄電素子の容量値よりも小さいことを特徴とする自立電源システム。
【請求項３】
請求項２に記載の自立電源システムにおいて、
前記２次蓄電素子は、前記負荷装置の複数の負荷ブロックに電力を供給する複数の蓄電素子を有することを特徴とする自立電源システム。
【請求項４】
請求項３に記載の自立電源システムにおいて、
前記複数の蓄電素子は、前記複数の負荷ブロックの優先度に応じて充電する順序に優先度を設けたことを特徴とする自立電源システム。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれかに記載の自立電源システムにおいて、
前記蓄電素子群は、さらに、前記１次蓄電素子と前記２次蓄電素子が充電された後、前記１次蓄電素子から充電される３次蓄電素子を有し、
前記発電素子が発電しない場合、前記３次蓄電素子から前記１次蓄電素子と前記２次蓄電素子に電力を供給することを特徴とする自立電源システム。
【請求項６】
請求項２ないし５のいずれかに記載の自立電源システムにおいて、
前記充電制御回路は、前記蓄電素子群に含まれる各蓄電素子の電圧を閾値と比較して放電可否状態を判定し、放電不可と判定した蓄電素子に対し、予め設定した各蓄電素子の優先度に従って充電を行うことを特徴とする自立電源システム。
【請求項７】
請求項３に記載の自立電源システムにおいて、
前記２次蓄電素子に含まれる前記複数の蓄電素子の間では、相互に充電を行わないことを特徴とする自立電源システム。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の自立電源システムにおいて、
前記発電素子は、環境光、振動、熱、電波の少なくとも１つの環境エネルギーを収集し電気エネルギーに変換する素子であることを特徴とする自立電源システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に形成された再帰性反射体と、
前記再帰性反射体上に前記画素毎に形成された複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記画素を区分する画素分離膜と、
を備え、
前記画素分離膜は、隣接する前記画素同士の境界と前記再帰性反射体の外周との間の領域に対応する領域に形成されている、
ことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記再帰性反射体は、平面視形状が正三角形である複数の再帰性反射構造が互いに隣接してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記再帰性反射体が、平面視の大きさが互いに異なる複数の前記再帰性反射構造により構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
薄膜トランジスタが、前記再帰性反射体の下に前記画素毎に形成され、
前記薄膜トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス素子とを接続するコンタクトホールが前記画素毎に形成され、
前記コンタクトホールが、平面視で前記画素分離膜の内側に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素分離膜が、平面視で前記境界から前記画素の中央に向けて突出する部分である台座基礎部を前記画素毎に有し、
前記コンタクトホールが平面視で前記台座基礎部内に位置し、
二以上の前記コンタクトホール同士が平面視で前記境界を挟んで互いに隣接するように配置されることにより、前記境界を挟んで互いに隣接する複数の前記台座基礎部を有する台座部が構成される、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
平面視形状の異なる複数の前記画素から構成される画素セットが複数形成されている、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記再帰性反射体の平面視形状が六角形であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記再帰性反射体の前記外周に接し、前記外周から前記再帰性反射体とは反対の側に延びる反射膜を備え、
前記画素分離膜は、前記反射膜と重畳していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射膜は、前記再帰性反射体よりも平坦であり、且つ再帰反射性を有さない領域を有し、
前記画素分離膜は、前記領域と重畳していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に位置し且つ発光層を備える有機層と、を有する複数の画素と、
互いに分離して配置されている複数の再帰性反射体と、
前記複数の画素を区分する画素分離膜と、
を備え、
前記複数の再帰性反射体の各々は、前記複数の画素の各々に備えられ、且つ絶縁膜を介して前記下部電極と対向し、
前記下部電極は、前記複数の再帰性反射体の一つと前記有機層との間に位置し、
前記画素分離膜は、前記複数の画素のうち隣接する画素同士の境界と前記複数の再帰性反射体の各々の外周との間の領域に位置している、
ことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の再帰性反射体の各々の前記外周に接し、前記外周から前記複数の再帰性反射体の各々とは反対の側に延びる反射膜を備え、
前記画素分離膜は、前記反射膜と重畳していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射膜は、前記複数の再帰性反射体よりも平坦であり、且つ再帰反射性を有さない領域を有し、
前記画素分離膜は、前記領域と重畳していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2015015114.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の筐体と、
前記筐体の一端側に接続される口金部と、
前記筐体の他端側に設けられる光源と、
前記筐体に収容され、前記口金部を経由して供給される商用電力を前記光源の駆動に利用される駆動電力に変換して前記光源に供給する点灯回路と、
前記筐体の外側に設けられ、前記筐体の外周面積よりも面積が小さい握持部材と、
を備えた
ことを特徴とする照明ランプ。
【請求項２】
前記握持部材は、
起毛した繊維が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の照明ランプ。
【請求項３】
前記筐体は、
外周面から突出している複数のフィン部を有し、
前記フィン部は、
前記筐体の前記一端側から前記他端側にかけて形成され、
前記握持部材は、
少なくとも前記フィン部の外側面に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の照明ランプ。
【請求項４】
前記筐体は、
一端側が前記口金部に接続され、樹脂で構成された第１の筐体と、
一端側が前記第１の筐体の他端側に接続され、他端側に前記光源が設けられ、金属で構成された第２の筐体とを有し、
前記第１の筐体は、
外周面から突出している複数の第１のフィン部が形成され、
前記第２の筐体は、
外周面から突出している複数の第２のフィン部が形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の照明ランプ。
【請求項５】
前記第２のフィン部よりも前記第１のフィン部の方が、前記筐体の径の中心からの距離が大きくなるように突出形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の照明ランプ。
【請求項６】
前記第１のフィン部及び前記第２のフィン部のうちの少なくとも一方に前記握持部材が設けられている
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の照明ランプ。
【請求項７】
前記筐体には、
前記第１のフィン部及び前記第２のフィン部が、前記筐体の外側面の周方向に交互に設けられている
ことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の照明ランプ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の照明ランプを備えた
ことを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上面発光型の表示装置における第１電極、あるいは又、下面発光型の表示装置における第２電極（これらの電極を、便宜上、『光反射電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（光反射材料）として、光反射電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。光反射電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い光反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、光反射電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例８、実施例１０において、第１基板１１はシリコン基板から構成されており、第２基板３４は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。一方、後述する実施例９において、第１基板１１及び第２基板３４は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
表４から、光吸収層５４を設けることで、外光光量割合の値が充分に低下していることが判る。また、外光光量割合の値の、切頭円錐形の第１部材５１の斜面の傾斜角度（θ）に対する依存性（実施例５Ｂ参照）、光吸収層５４を構成する材料の屈折率ｎ2’に対する依存性（実施例５Ｃ参照）は認められないことが判った。更には、構造間距離を、０μｍから４μｍにすると（実施例５Ｄ参照）、非発光領域を占める第２部材５２の面積、更には、光吸収層５４の面積が増加し、外光光量割合の値は大幅に低下することが判った。また、光吸収層５４を、第２部材５２の下部に設けても（例えば、実施例５Ａ参照）、第２部材５２の中間部に設けても（実施例５Ｅ参照）、第２部材５２の頂部に設けても（実施例５Ｆ及び実施例５Ｇ参照）、更には、光吸収層５４が第２部材５２の全体を占めている構成としても（実施例５Ｈ参照）、充分な外光光量割合の値を得ることができることが判った。更には、実施例５Ａにおいて、光吸収層５４の厚さを、それぞれ、（５／６）μｍ、（５／１２）μｍとしても、実施例５Ａと同程度の外光光量割合の値が得られた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
実施例６も、実施例１〜実施例４の変形であるが、本開示の第３の形態の有機ＥＬ表示装置に関する。実施例６の有機ＥＬ表示装置にあっては、模式的な一部断面図を図６に示すように、実施例１〜実施例４の有機ＥＬ表示装置とは異なり、光反射膜７１が形成されておらず、その代わりに、第１部材５１を構成する材料の屈折率ｎ1、光吸収層５４を含む第２部材５２を構成する材料の平均屈折率ｎ2-aveに関して、
１．１≦ｎ1≦１．８
好ましくは、
１．２≦ｎ1≦１．６
を満足し、且つ、
ｎ1−ｎ2-ave≧０．２
好ましくは、
ｎ1−ｎ2-ave≧０．３
を満足している。また、光吸収層５４を除く第２部材５２を構成する材料の屈折率ｎ2、光吸収層５４を構成する材料の屈折率ｎ2’に関して、
ｎ1−ｎ2≧０．２
好ましくは、
ｎ1−ｎ2≧０．３
を満足し、
ｎ1−ｎ2’≧０．２
好ましくは、
ｎ1−ｎ2’≧０．３
を満足している。実施例６の有機ＥＬ表示装置にあっては、第１部材５１と対向する第２部材５２の表面において（即ち、第１部材５１と第２部材５２との界面において）、第１部材５１を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される。第１部材５１と対向する第２部材５２の表面（あるいは第１部材５１と第２部材５２の界面）を、光反射部７３と呼ぶ。尚、より具体的には、第１部材５１と第２部材５２との間に有機層２３及び第２電極２２が形成されているので、第２部材５２と有機層２３との界面において、第１部材５１を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
より具体的には、第２基板３５の第１面３５Ａから内部に亙り、発光層２３Ａから第２電極２２を介して出射され、第２基板３５に入射した光の一部を反射して、第２基板３５の第２面３５Ｂから出射する光反射部材（光反射膜）７４が形成されている。図１１に模式的な配置図を示すように、複数の発光素子１０の配列はストライプ配列であり、１つの発光素子１０に対して複数の光反射部材７４が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外壁を備えたケースと、
前記ケースにおける前記外壁で囲まれた内部空間に設けられた半導体素子と、
前記内部空間または前記外壁自体に形成した外壁内空間に設けられ、前記半導体素子の電極と電気的に接続する第１導電体と、
前記内部空間または前記外壁内空間に前記第１導電体とともに設けられ、前記第１導電体に離間しつつ対向し、グランドと接続すべき第２導電体と、
を備え、
前記電極への印加電圧が前記半導体素子の破壊電圧未満の所定電圧を超えると、前記第１導電体と前記第２導電体との間で気体放電が生ずることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１導電体と前記第２導電体の少なくとも一方は、互いに対向する部分に尖鋭部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電体および前記第２導電体が対向する前記内部空間または前記外壁内空間に、窒素、ネオン、アルゴン、ヘリウム、および水素からなる群から選択した１つのガス、又は前記群から選択した２つ以上のガスの混合ガスが封入されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電体および前記第２導電体が対向する前記内部空間または前記外壁内空間に、アルゴンガスが封入されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電体および前記第２導電体が対向する前記内部空間または前記外壁内空間に、ネオンとアルゴンの混合ガスが封入されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記外壁は、底部、側壁部、および天井部からなり、
前記底部に前記半導体素子が固定され、
前記外壁内空間が前記側壁部に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
表面を前記外壁内空間に露出させつつ前記側壁部を貫通するリードを備え、
前記リードは前記半導体素子の電極と電気的に接続しており、
前記リードに前記第１導電体が設けられ、
前記底部が、前記外壁内空間内で前記第１導電体と対向するように前記外壁内空間に露出しかつグランドと接続すべき導電板であり、
前記導電板が前記第２導電体であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
試験すべき半導体装置を置くステージと、
前記ステージ上の前記半導体装置の周囲に設けられた壁部と、
前記壁部を貫通して前記ステージ上の前記半導体装置が有する端子に接続する電圧印加端子と、
を備え、
前記ステージおよび前記壁部で囲まれた封止空間、前記ステージ内部に設けられた封止空間、および前記壁部内に設けられた封止空間のうち少なくとも１つの封止空間が設けられており、
前記電圧印加端子に接続され、前記少なくとも１つの封止空間内に露出する第１導電体と、
前記少なくとも１つの封止空間内で前記第１導電体と対向し、グランドに接続する第２導電体と、
を備えることを特徴とする半導体装置の試験用治具。
【請求項９】
前記第１導電体と前記第２導電体の少なくとも一方は、互いに対向する部分に尖鋭部を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の試験用治具。
【請求項１０】
前記第１導電体および前記第２導電体が対向する空間の内部に、窒素、ネオン、アルゴン、ヘリウム、および水素からなる群から選択した１つのガス、又は前記群から選択した２つ以上のガスの混合ガスが封入されたことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置の試験用治具。