【手続補正書】
【提出日】平成28年6月15日(2016.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有する基板を準備する第１工程と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に、配線層及び該配線層を内包する層間絶縁膜を含む構造を形成する第２工程と、
前記周辺領域の上方に位置する前記構造の一部の上に第１の配線パターンを形成する第３工程と、
前記第１の配線パターンと前記構造とを覆う保護膜であって、第１の上面と、該第１の上面よりも高く且つ該第１の上面よりも前記画素領域から離れて位置する第２の上面とを有する保護膜を、前記第１の上面と前記第２の上面との間の段差が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように、形成する第４工程と、
前記保護膜の前記第２の上面の上に、第２の配線パターンを、該第２の配線パターンの端が前記段差よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第５工程と、
前記保護膜の上または上方かつ前記画素領域の上方に光学系を形成する第６工程と、を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第５工程の後には、前記構造の上面は、少なくとも前記画素領域の上から前記第１の配線パターンの端まで平坦になっている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有する基板を準備する第１工程と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に、配線層及び該配線層を内包する層間絶縁膜を含む構造を形成する第２工程と、
前記周辺領域の上方に位置する前記構造の一部の上に第１の配線パターンを形成する第３工程と、
前記構造および前記第１の配線パターンを覆うように第２保護膜を形成し、該第２保護膜の上かつ前記第１の配線パターンの上方に、保護膜を、該保護膜の端が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第４工程と、
前記保護膜の上に、第２の配線パターンを、該第２の配線パターンの端が前記保護膜の端よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第５工程と、
前記保護膜の上または上方かつ前記画素領域の上方に光学系を形成する第６工程と、を有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第５工程の後かつ前記第６工程の前に、前記第２保護膜のうち前記画素領域の上の第１の部分を除去する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第４工程は、前記第２保護膜の上に、前記第２保護膜とは異なる材料の絶縁部材を形成した後に当該絶縁部材をエッチングして、前記第２保護膜の上かつ前記第１の配線パターンの上方に前記保護膜を形成する工程を含み、当該工程におけるエッチングは、前記第２保護膜のエッチングレートが前記絶縁部材のエッチングレートよりも低い条件で行われる
ことを特徴とする請求項３または４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第５工程の後かつ前記第６工程の前に、前記第２保護膜のうちの露出している第２の部分をエッチングにより除去する工程をさらに有し、当該工程におけるエッチングは、前記第２保護膜のエッチングレートが前記絶縁部材のエッチングレートよりも高い条件で行われる
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程の後かつ前記第３工程の前に、前記構造における最上の層間絶縁膜のうちの前記画素領域の上の第３の部分を除去する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記構造は、前記構造における最上の層間絶縁膜の下にエッチングストッパを有しており、前記第３の部分を除去する工程は、前記エッチングストッパの上面が露出するように行う
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第５工程の後かつ前記第６工程の前に、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンと前記保護膜とを覆うパッシベーション膜を形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第４工程の後において、前記第１の配線パターンはエッチングマスクとして用いられない
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の部分は、前記構造における前記最上の層間絶縁膜のうち、前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域に近い一部である
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記周辺領域は前記画素領域を取り囲んでおり、
前記第５工程の後、互いに高さが異なる複数の上面によって形成された複数の段差が、リセスが形成されるように前記周辺領域の上方に位置し、
前記第６工程では、前記光学系は前記リセスの中に形成される
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第６工程は、スピンコーティングを行う工程を含む
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記光学系は、前記複数の画素に対応する複数のマイクロレンズを含む
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
複数の画素が形成された画素領域とその周辺領域とを有する基板と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配され、配線層及び該配線層を内包する層間絶縁膜を含む構造と、
前記周辺領域の上方に位置する前記構造の一部の上に配された第１の配線パターンと、
前記第１の配線パターンと前記構造とを覆う保護膜であって、第１の上面と、該第１の上面よりも高く且つ該第１の上面よりも前記画素領域から離れて位置する第２の上面とを有し、前記第１の上面と前記第２の上面との間の段差が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように配された保護膜と、
前記保護膜の前記第２の上面の上に配された第２の配線パターンであって、その端が前記段差よりも前記画素領域から離れて位置する第２の配線パターンと、
前記保護膜の上または上方かつ前記画素領域の上方に配された光学系と、を備える
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１６】
複数の画素が形成された画素領域とその周辺領域とを有する基板と、
前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に配され、配線層及び該配線層を内包する層間絶縁膜を含む構造と、
前記周辺領域の上方に位置する前記構造の一部の上に配された第１の配線パターンと、
前記第１の配線パターンの上方に配された保護膜であって、その端が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように配された保護膜と、
前記第１の配線パターンと前記保護膜との間に、前記構造および前記第１の配線パターンを覆うように配された第２保護膜と、
前記保護膜の上に配され、前記保護膜の端よりも前記画素領域から離れて位置する第２の配線パターンと、
前記構造の上かつ前記画素領域の上に配され、前記複数の画素に対応するように設けられた光学系と、を備える
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の固体撮像装置と、
固体撮像装置からの信号を処理する処理部と、を備える
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置の製造方法にかかり、前記固体撮像装置の製造方法は、複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有する基板を準備する第１工程と、前記基板の前記画素領域及び前記周辺領域の上に、配線層及び該配線層を内包する層間絶縁膜を含む構造を形成する第２工程と、前記周辺領域の上方に位置する前記構造の一部の上に第１の配線パターンを形成する第３工程と、前記第１の配線パターンと前記構造とを覆う保護膜であって、第１の上面と、該第１の上面よりも高く且つ該第１の上面よりも前記画素領域から離れて位置する第２の上面とを有する保護膜を、前記第１の上面と前記第２の上面との間の段差が前記第１の配線パターンの端よりも前記画素領域から離れて位置するように、形成する第４工程と、前記保護膜の前記第２の上面の上に、第２の配線パターンを、該第２の配線パターンの端が前記段差よりも前記画素領域から離れて位置するように形成する第５工程と、前記保護膜の上または上方かつ前記画素領域の上方に光学系を形成する第６工程と、を有することを特徴とする。