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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検物の形状を計測する計測装置であって、
パターン光を射出する射出部と、
前記射出部から射出された前記パターン光を前記被検物に照射する光学系と、
前記光学系から射出された光を偏向する偏向素子と、
前記偏向素子により偏向された前記パターン光が照射された前記被検物を前記光学系および前記偏向素子を介して撮像する撮像部と、
前記撮像部により撮像された前記被検物の画像に基づいて前記被検物の形状を決定する処理部と、
を含み、
前記偏向素子に入射する入射光が前記偏向素子を透過することで偏向される方向が前記入射光の偏光状態によって異なる、ことを特徴とする計測装置。
【請求項２】
前記偏向素子は偏光プリズムを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項３】
前記偏向素子は、偏光回折格子を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項４】
前記光学系は、前記被検物の表面で反射された前記パターン光のうち、前記光学系の光軸と平行な方向に反射された光を通過させる開口絞りを含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項５】
前記射出部から射出された前記パターン光を前記光学系に導くとともに、前記被検物の表面で反射され、前記光学系を通過した前記パターン光を前記撮像部に導く偏光ビームスプリッタを更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項６】
前記光学系の光軸と平行な方向に前記偏向素子を駆動する第１駆動部を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項７】
前記光学系の光軸周りに前記偏向素子を回転させる第２駆動部を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項８】
前記射出部は、光源と、前記光源から射出された光を前記パターン光に変換する変換素子とを含む、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項９】
前記変換素子は、光透過部分と遮光部分とが交互に配置されたパターンを有するマスク、液晶素子およびデジタルミラーデバイスのうち少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項８に記載の計測装置。
【請求項１０】
前記偏向素子の光射出側に配置された波長板を含む、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１１】
前記偏光状態は偏光方位である、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の計測装置を用いて被検物の形状を計測する工程と、
前記工程における計測結果に基づいて前記被検物を加工する工程と、
を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測装置は、被検物の形状を計測する計測装置であって、パターン光を射出する射出部と、前記射出部から射出された前記パターン光を前記被検物に照射する光学系と、前記光学系から射出された光を偏向する偏向素子と、前記偏向素子により偏向された前記パターン光が照射された前記被検物を前記光学系および前記偏向素子を介して撮像する撮像部と、前記撮像部により撮像された前記被検物の画像に基づいて前記被検物の形状を決定する処理部と、を含み、前記偏向素子に入射する入射光が前記偏向素子を透過することで偏向される方向が前記入射光の偏光状態によって異なる、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
被検物６の表面で光軸方向に反射され、λ／４波長板５ｂを透過したパターン光１４ｂは、偏光プリズム５ａを透過した後、Ｘ方向の偏光方位を有するパターン光１４ｃ１とＹ方向の偏光方位を有するパターン光１４ｃ２とに分離される。そして、Ｘ方向の偏光方位を有するパターン光１４ｃ１は、偏光プリズム５ａで偏向されずに光軸方向に進むため、光学系４の開口絞り９で遮断されずに偏光ビームスプリッタ３を透過して撮像部７に入射する。一方で、Ｙ方向の偏光方位を有するパターン光１４ｃ２は、偏光プリズム５ａで偏向されて光軸方向と異なる方向に進むため、光学系４の開口絞り９で遮断されて撮像部７に入射しない。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
色むら補正実行部１４は、ガンマ補正実行部１３から入力された画像データに対し、１フレームの中央部と周辺部（周縁部）との間の色の差、すなわち色むらを補償するように、補正を行う。
色むら補正実行部１４には、ＳＲＡＭ等の記憶素子により構成され、複数のＬＵＴを記憶する色むら補正ＬＵＴ保存部１５が接続される。本実施形態の色むら補正実行部１４は、入力された画像データのフレーム内の全ての画素について、各画素の位置に対応する補正を行う。色むら補正実行部１４が使用するＬＵＴは、フレーム内の画素の位置毎に階調を補正するデータを含み、より具体的には、フレームの画素の座標および階調値に対応付けて補正後の階調値を定義するデータを、座標ごと、および階調値ごとに含んでいる。このＬＵＴは全ての座標および階調値に対応するデータを含まなくてもよく、例えば、フレームの座標と階調値の所定数の代表点に対応するデータを含むＬＵＴであってもよい。この場合、色むら補正実行部１４は、代表点についてはＬＵＴのデータに従って補正し、代表点の間に位置する画素の階調値については線形補間や曲線補間などの補間演算を行って補正後の階調値を求め、補正すればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図２は、ガンマ補正ＬＵＴ保存部１２および色むら補正ＬＵＴ保存部１５の説明図であり、図２（Ａ）はガンマ補正ＬＵＴ保存部１２がＬＵＴを記憶した状態を模式的に示し、図２（Ｂ）は色むら補正ＬＵＴ保存部１５がＬＵＴを記憶した状態を模式的に示す。
ガンマ補正ＬＵＴ保存部１２には、ガンマ補正ＬＵＴ１２Ａが記憶される。ガンマ補正ＬＵＴ１２Ａは、変調部３２が備える液晶ライトバルブの色特性に合わせて、投射画像Ｐの色が、本来の画像データＤ１の表示色となるように補正するためのデータを含む。ガンマ補正ＬＵＴ保存部１２は、図２（Ａ）に示すように少なくとも１つのガンマ補正ＬＵＴ１２Ａを記憶する。ガンマ補正実行部１３は、ガンマ補正ＬＵＴ１２Ａを用いて、画像補正部１１から入力された画像データの多階調化や再割り当ての処理を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ガンマ補正目標演算部４１は、目標色空間（例えば、ｓＲＧＢ）と、データＤ１１に含まれる色特性とに基づいて、ガンマ補正ＬＵＴ１２Ａを作成する際のターゲットＸＹＺ値を求める。
色むら補正目標演算部４３は、図１に示したように、面測定装置３から入力されるデータＤ１１に含まれる色特性のデータに基づき、色むら補正のターゲットＸＹＺ値を求める。色むら補正目標演算部４３は、光源３１の輝度と、色均一性を優先するか明るさを優先するかに応じて、それぞれ、ターゲットＸＹＺ値を求める。例えば、光源３１を減光しない場合の色むら補正ＬＵＴ１５Ａを作成する場合、色均一性を優先する色むら補正ＬＵＴ１５Ｂを作成する場合、および、明るさを優先する色むら補正ＬＵＴ１５Ｃを作成する場合の各々についてターゲットＸＹＺ値を求める。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
色均一性を優先する補正を行うよう指定されていない場合（ステップＳ１３；Ｎｏ）、画像処理部１０は、光源輝度決定部１７により画像データＤ１を解析する（ステップＳ１５）。ここで、画像処理部１０は、画像データＤ１にグレイ軸の色（無彩色）およびグレイ軸に近い色が多いか否かを判定する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６では、例えば、１フレームの各画素のＲＧＢ階調値に基づき、無彩色および無彩色に近い色の画素の割合を、予め設定された閾値と比較することで判定が行われる。
グレイ軸の色（無彩色）およびグレイ軸に近い色が多い場合（ステップＳ１６；Ｙｅｓ）、画像処理部１０は後述するステップＳ２２に移行する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に、色むら補正目標演算部４３は、フレームの周縁部における目標白色点を算出する（ステップＳＴ５１２）。ステップＳＴ５１２で、色むら補正目標演算部４３は、輝度１００％の場合に対応した色むら補正ＬＵＴ１５Ａには、図３の色域Ｃ２内かつグレイ軸Ｌ*上で最も明るい点を目標白色点として設定する。また、色均一性を優先する色むら補正ＬＵＴ１５Ｂを作成する場合、色域Ｃ１２内かつグレイ軸Ｌ*上で最も明るい点を目標白色点として設定する。
また、色むら補正目標演算部４３は、明るさ優先の色むら補正ＬＵＴ１５Ｃを作成する場合、色域Ｃ１２内かつグレイ軸Ｌ*上で最も明るい点を目標白色点として設定した後、目標白色点を色域Ｃ１２内かつ許容範囲Ｅ２内で移動させる。そして、色域Ｃ１２内でより明るい点があれば、その点を目標白色点に再設定する。ここで、再設定する目標白色点の明度が、ステップＳＴ５１１で設定したフレーム中央部の目標白色点よりも高い場合、色むら補正目標演算部４３は、目標白色点を再度設定する。ここで、色むら補正目標演算部４３は、ステップＳＴ５１１で設定した目標白色点と同じ明度で、この目標白色点に近く色域Ｃ１２内の点を探索し、目標白色点とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月2日(2016.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部および前記基部に接続された振動腕を有する振動片と、
前記振動腕に設けられ、前記振動腕を駆動させる信号が入力可能な駆動入力電極と、
前記振動腕に設けられ、前記振動腕の駆動に基づく信号を出力可能な駆動出力電極と、
前記振動腕に設けられ、コリオリ力による前記振動腕の屈曲に基づく信号を出力可能な検出出力電極と、
前記振動片の周囲に設けられた支持部と、
前記基部と、前記支持部と、を連結する第１連結部および第２連結部と、
前記第１連結部に設けられ、前記駆動入力電極に接続された第１配線と、
前記第２連結部に設けられ、前記検出出力電極に接続された第２配線と、
を含む、振動素子製造用基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記振動腕に設けられ、固定された電位が入力可能な検出基準電極と、
前記第１連結部に設けられ、前記検出基準電極に接続された第３配線と、
を含む、振動素子製造用基板。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記振動片は、
前記基部から、第１軸に沿って互いに反対方向に延出する第１連結腕および第２連結腕を有し、
前記振動腕は、
前記第１連結腕から、前記第１軸と直交する第２軸に沿って互いに反対方向に延出する第１駆動振動腕および第２駆動振動腕と、
前記第２連結腕から、前記第２軸に沿って互いに反対方向に延出する第３駆動振動腕および第４駆動振動腕と、
前記基部から、前記第２軸に沿って互いに反対方向に延出する第１検出振動腕および第２検出振動腕と、
を有し、
前記駆動入力電極および前記駆動出力電極は、前記第１駆動振動腕、前記第２駆動振動
腕、前記第３駆動振動腕、および前記第４駆動振動腕に設けられ、
前記検出出力電極は、前記第１検出振動腕および前記第２検出振動腕に設けられている、振動素子製造用基板。
【請求項４】
基板をパターニングして、基部および前記基部に接続された振動腕を有する振動片と、前記振動片の周囲に位置する支持部と、前記基部と前記支持部とを連結する第１連結部および第２連結部と、を形成する工程と、
前記振動腕に、前記振動腕を駆動させる信号が入力可能な駆動入力電極と、前記振動腕の駆動に基づく信号を出力可能な駆動出力電極と、コリオリ力による前記振動腕の屈曲に基づく信号を出力可能な検出出力電極と、を形成し、前記第１連結部に、前記駆動入力電極に接続される第１配線を形成し、前記第２連結部に、前記検出出力電極に接続される第２配線を形成する工程と、
前記駆動入力電極と前記駆動出力電極に電圧を印加して前記振動腕を振動させて測定した周波数に基づいて前記振動腕の振動の周波数を調整する工程と、
を含む、振動素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１連結部および前記第２連結部を切断する工程を含む、振動素子の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記第１配線および前記第２配線を形成する工程は、
前記支持部に、前記第１配線に接続される第１パッド、および前記第２配線に接続される第２パッドを形成する工程を有する、振動素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の振動素子製造用基板を用いて製造された振動素子と、
前記駆動入力電極に前記振動腕を駆動させる信号を出力し、かつ前記駆動出力電極から出力される信号が入力される駆動回路と、
前記検出出力電極から出力される信号に基づいて、物理量を検出する検出回路と、
を含む、物理量検出装置。
【請求項８】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の振動素子製造用基板を用いて製造された振動素子を含む、電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の振動素子製造用基板を用いて製造された振動素子を含む、移動体。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動素子製造用基板、振動素子の製造方法、物理量検出装置、電子機器、および移動体
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒を軸方向と平行に二分割した半割部材を上下に配置したすべり軸受であって、
前記下側の半割部材の軸方向端部に、円周方向に細溝を設け、
前記細溝の軸方向外側の周縁部の前記半割部材の外周面からの高さを円周方向に対して変化させ、前記周縁部の前記半割部材の外周面からの高さの勾配は前記細溝の円周方向長さの中央を中心軸として非対称となるように形成した
ことを特徴とするすべり軸受。
【請求項２】
前記周縁部の高さの勾配は、回転方向上流側端部から周縁部の高さが最低となる点までの勾配よりも、回転方向下流側端部から周縁部の高さが最低となる点までの勾配の方が小さくなるように構成した
ことを特徴とする請求項１に記載のすべり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、請求項１においては、円筒を軸方向と平行に二分割した半割部材を上下に配置したすべり軸受であって、前記下側の半割部材の軸方向端部に、円周方向に細溝を設け、前記細溝の軸方向外側の周縁部の前記半割部材の外周面からの高さを円周方向に対して変化させ、前記周縁部の前記半割部材の外周面からの高さの勾配は前記細溝の円周方向長さの中央を中心軸として非対称となるように形成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、請求項２においては、前記周縁部の高さの勾配は、回転方向上流側端部から周縁部の高さが最低となる点までの勾配よりも、回転方向下流側端部から周縁部の高さが最低となる点までの勾配の方が小さくなるように構成したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月31日(2016.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのハイパースペクトル画像からハイパースペクトルシグネチャを除去する方法であって、
少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャを選択するステップと、
前記少なくとも１つのハイパースペクトル画像と、前記選択された少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャ内の各ピクセルとの間の非類似値を判定するステップと、
前記少なくとも１つのハイパースペクトル画像と、前記選択された少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャ内の所与のピクセルのシグネチャとの間の前記非類似値が所定の閾値未満である場合は、前記所与のピクセルのシグネチャの値をゼロに設定してシグネチャを減算したハイパースペクトル画像を生成するステップと、
前記選択、減算、及び設定ステップを繰り返して付加的なハイパースペクトルシグネチャを除去するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのハイパースペクトル画像内の各ピクセルと前記選択された少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャとの間の、マンハッタン距離を計算するステップ、ユークリッド距離を計算するステップ、チェビシェフ距離を計算するステップ、マハラノビス距離を計算するステップ、スペクトル角度マッパ（ＳＡＭ）を計算するステップ、スペクトル情報発散（ＳＩＤ）を計算するステップ、ゼロ平均差分領域（ＺＭＤＡ）を計算するステップ、及びバタチャリヤ距離を計算するステップのうち１つを、前記判定ステップが含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャが背景画像であり、
前記シグネチャ減算されたハイパースペクトル画像を表示するステップを更に含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ハイパースペクトルシグネチャを選択する前記ステップが、前記ハイパースペクトルシグネチャをハイパースペクトルシグネチャのデータベースから選択するステップを更に含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャを選択する前記ステップが、前記少なくとも１つのハイパースペクトル画像内に含まれるハイパースペクトルシグネチャから前記少なくとも１つのハイパースペクトルシグネチャを選択するステップを更に含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記選択ステップを手動的または自動的に行う、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記シグネチャ減算されたハイパースペクトル画像を保存するステップを更に含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月5日(2016.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、前記トランジスタ上の有機樹脂膜とを有する第１の基板を、減圧雰囲気下で加熱処理する工程と、
前記第１の基板、又は第２の基板のいずれか一方にシール材を塗布する工程と、
前記第１の基板と、前記第２の基板とを、前記シール材を挟んで対向させて貼り合わせる工程と、
前記シール材を硬化させる工程とを有し、
前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、大気開放せずに露点−６０℃以下の雰囲気にて連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
トランジスタと、前記トランジスタ上の有機樹脂膜とを有する第１の基板を、減圧雰囲気下で加熱処理する工程と、
前記第１の基板、又は第２の基板のいずれか一方に枠状にシール材を塗布し、前記枠内に液晶を滴下し、
前記第１の基板と、前記第２の基板とを、前記シール材を挟んで対向させて貼り合わせる工程と、
前記シール材を硬化させる工程とを有し、
前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、大気開放せずに露点−６０℃以下の雰囲気にて連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
トランジスタと、前記トランジスタ上の有機樹脂膜と、発光素子とを有する第１の基板を、減圧雰囲気下で加熱処理する工程と、
前記第１の基板、又は第２の基板のいずれか一方にシール材を塗布する工程と、
前記第１の基板と、前記第２の基板とを、前記シール材と挟んで対向させて貼り合わせる工程と、
前記シール材を硬化させる工程とを有し
前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、大気開放せずに露点−６０℃以下の雰囲気にて連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前に、前記第２の基板を減圧雰囲気下で加熱処理する工程を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、不活性ガス雰囲気下にて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板の貼り合わせは、減圧雰囲気下で行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月3日(2016.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に複数配列された画素と、前記画素に電気的に接続された信号配線と、を基板の上に有する検出装置であって、
前記画素は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に応じた電気信号を出力する増幅用薄膜トランジスタと、前記増幅用薄膜トランジスタによって出力された電気信号を保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電気信号を前記信号配線に転送する転送用薄膜トランジスタと、を含むことを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記容量素子は、前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタと前記基板との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記容量素子の容量値は、前記変換素子の容量値の３〜１０倍で、且つ、前記信号配線の寄生容量の容量値の１／３０〜１／１０であることを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタは、多結晶シリコンの薄膜トランジスタであり、
前記容量素子は、前記基板の上に配置された第１導電層と、前記第１導電層の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上に配置された第２導電層と、を含み、
前記絶縁層の材料は、窒化シリコンであることを特徴とする請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記増幅用薄膜トランジスタ及び前記転送用薄膜トランジスタと前記容量素子との間に配置されたパッシベーション層及び層間絶縁層を更に含み、
前記パッシベーション層及び前記層間絶縁層の材料は、窒化シリコンであり、
前記層間絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項４に記載の検出装置。
【請求項６】
前記層間絶縁層の膜厚は、前記絶縁層の膜厚６〜２０倍であることを特徴とする請求項５に記載の検出装置。
【請求項７】
前記変換素子の一方の電極に電気的に接続された電極電源配線と、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された動作電源配線と、前記転送用薄膜トランジスタのゲートに接続された転送用駆動配線と、を更に含み、
前記増幅用薄膜トランジスタのゲートは、前記変換素子の他方の電極に電気的に接続されており、
前記第１導電層は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続されており、前記第２導電層は、前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されており、
前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記信号配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項８】
前記変換素子の一方の電極に電気的に接続された電極電源配線と、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された動作電源配線と、前記転送用薄膜トランジスタのゲートに接続された転送用駆動配線と、を更に含み、
前記増幅用薄膜トランジスタのゲートは、前記変換素子の他方の電極に電気的に接続されており、
前記第１導電層は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方、及び、前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されており、前記第２導電層は、所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続されており、
前記転送用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記信号配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続された電源回路を更に含み、
前記電源回路は、前記所定の電位が供給され得る配線に供給する電位を変更することが可能な構成であることを特徴とする請求項８に記載の検出装置。
【請求項１０】
前記画素は、前記増幅用薄膜トランジスタのゲートをリセットするリセット用薄膜トランジスタと、前記画素を選択する選択用薄膜トランジスタと、前記容量素子をリセットする容量リセット用薄膜トランジスタと、を更に含み、
前記リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、リセット電源配線に電気的に接続されており、前記リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記増幅用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記選択用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記増幅用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続されており、前記選択用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１導電層に電気的に接続されており、
前記容量リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、所定の電位が供給され得る配線に電気的に接続されており、前記容量リセット用薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記第１導電層及び前記第２導電層は、光透過性導電材料で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の検出装置
【請求項１２】
前記選択用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続された選択用駆動配線と、前記リセット用薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続されたリセット用駆動配線と、前記転送用駆動配線と前記選択用駆動配線に電気的に接続された駆動回路と、前記信号配線に電気的に接続された読出回路と、前記駆動回路及び前記読出回路を制御する制御回路と、更に含み、
前記読出回路は、前記信号配線をリセットするリセットスイッチと、前記信号配線に電気的に接続された演算増幅器と、前記演算増幅器に電気的に接続されたサンプルホールド回路と、を含み、
前記サンプルホールド回路は、信号用のサンプルホールド回路と、ノイズ用のサンプルホールド回路と、を含み、
前記制御回路は、前記信号配線を前記リセットスイッチがリセットした後で、前記転送用薄膜トランジスタが導通状態とされている間に、前記ノイズ用のサンプルホールド回路が前記演算増幅器の出力を保持し、前記ノイズ用のサンプルホールド回路が前記演算増幅器の出力を保持した後に前記転送用薄膜トランジスタが導通状態とされ、前記転送用薄膜トランジスタが導通状態とされた後に前記信号用のサンプルホールド回路が前記演算増幅器の出力を保持するように、前記駆動回路及び前記読出回路を制御することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記容量リセット用薄膜トランジスタのゲートは前記選択用駆動配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の検出装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を化学機械研磨する方法であって、
研磨ステーションにおいて前記基板上の層を研磨することと、
研磨の間前記研磨ステーションにおいてインシトゥモニタシステムにより前記層をモニタすることであり、前記インシトゥモニタシステムが細長い領域をモニタし、測定信号を発生する、モニタすることと、
前記細長い領域の一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算することと、
前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生することと、
前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方と
を含む方法。
【請求項２】
基板を化学機械研磨する方法であって、
研磨ステーションにおいて前記基板上の層を研磨することと、
研磨の間前記研磨ステーションにおいてインシトゥモニタシステムにより前記層をモニタすることであり、前記インシトゥモニタシステムが、異方性センサを含み、測定信号を発生する、モニタすることと、
前記異方性センサの一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算することと、
前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生することと、
前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方と
を含む方法。
【請求項３】
基板を保持するためのキャリアと、
研磨表面用の支持体と、
センサを有するインシトゥモニタシステムであり、細長い領域をモニタし、測定信号を発生するように構成されるインシトゥモニタシステムと、
前記センサと前記基板との間に相対運動を発生させるためのモータと、
前記インシトゥモニタシステムから前記測定信号を受け取り、前記細長い領域の一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算し、前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生し、前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方を行うように構成されたコントローラと
を備える研磨システム。
【請求項４】
前記角度は、前記細長い領域が前記基板の前記エッジに隣接するときの前記角度を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記コントローラが、前記信号のエッジ部分を検出するように構成されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記コントローラが、前記エッジ部分を圧縮または伸長することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記圧縮または伸長することの圧縮比が前記角度の関数である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記角度の前記関数は、前記角度が増加するとともに前記圧縮比が増加するようなものである、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記コントローラが、前記信号に利得係数を乗算することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項３に記載のシステム。
【請求項１０】
前記利得係数は、前記角度が増加するにつれて前記利得係数が減少するような前記角度の関数である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記インシトゥモニタシステムが、細長い磁心を有する渦電流モニタシステムを含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項１２】
基板を保持するためのキャリアと、
研磨表面用の支持体と、
測定信号を発生するように構成された異方性センサを有するインシトゥモニタシステムと、
前記異方性センサと前記基板との間に相対運動を発生させるためのモータと、
前記インシトゥモニタシステムから前記測定信号を受け取り、前記異方性センサの一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算し、前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生し、前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方を行うように構成されたコントローラと
を備える研磨システム。
【請求項１３】
前記角度は、細長い領域が前記基板の前記エッジに隣接するときの前記角度を含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コントローラが、前記信号のエッジ部分を検出するように構成されている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記コントローラが、前記エッジ部分を圧縮または伸長することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記圧縮または伸長することの圧縮比が前記角度の関数である、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記角度の前記関数は、前記角度が増加するとともに前記圧縮比が増加するようなものである、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記コントローラが、前記信号に利得係数を乗算することよって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記利得係数は、前記角度が増加するにつれて前記利得係数が減少するような前記角度の関数である、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記インシトゥモニタシステムが、細長い磁心を有する渦電流モニタシステムを含む、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
いくつかの実施態様では、磁心１６４は、一次軸に垂直な面にＥ形状断面を有する。磁心１６４は、後部部分１７０と、後部部分１７０から延びる３つの突起部１７２ａ〜１７２ｃとを含むことができる。突起部は、一次軸および二次軸の両方に垂直な第３の軸に沿って後部部分１７０から離れるように延びる。加えて、突起部１７２ａ〜１７２ｃは、実質的に直線的であり、互いに平行に一次軸に沿って延びる。突起部は、二次軸において互いに離間される。各突起部は、二次軸に沿った幅Ｗ１を超える一次軸に沿った長さＬｔを有することができる。２つの外側突起部１７２ａ、１７２ｃは、中央突起部１７２ｂの反対側にある。外側突起部１７２ａ、１７２ｃは中央突起部１７２ｂから等距離とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
エッジ再構成アルゴリズムに送り込まれる各強度測定値は、計算された角度αを伴ってよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に離隔して配置された複数個の発光セルと、
前記複数個の発光セルのうち隣接する二つの発光セルを電気的に接続する複数個の導電型連結層と、を含み、
前記複数個の発光セルのそれぞれは、
第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極と、
前記発光構造物の一部がエッチングされて前記第１導電型半導体層が露出したエッチング領域と、を含み、
前記発光構造物は、前記第２電極と隣接し、前記第２電極と並んでいる第１側面、及び前記第１側面と対向し、前記エッチング領域と接する第２側面を含み、
上部から見た前記第１側面と前記第２側面との間の幅がＷであるとき、前記第２電極は、前記発光構造物の第１側面からＷ／５乃至Ｗ／２の間の距離に位置する、発光素子。
【請求項２】
前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置され、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、前記第１方向に配置された、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置され、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、前記第１方向と異なる第２方向に配置された、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置された第１部分、及び前記第１方向と異なる第２方向に配置された第２部分を含み、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、一端が前記第２部分と重なる、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第２電極の前記第１部分の長さは、前記第２電極の前記第２部分の長さよりも大きい、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記導電型連結層は、前記隣接する二つの発光セルのうち一方の発光セルの第１電極と、前記隣接する二つの発光セルのうち他方の発光セルの第２電極とを連結する、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記導電型連結層は、前記隣接する二つの発光セルの間に複数個存在する、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記複数個の発光セルのそれぞれの側面に位置する絶縁層を含み、前記絶縁層は、隣接する発光セルの間及び／または前記導電型連結層と前記発光セルとの間を電気的に遮断する、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２部分は、少なくとも一部が前記Ｗ／５乃至Ｗ／２の間の距離の範囲を外れて位置する、請求項４乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記発光セルの上部に位置する前記導電型連結層の幅が、隣接する前記発光セルの間に位置する前記導電型連結層の幅よりも小さい、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
一つの発光セルの第１電極は、前記一つの発光セルのエッジに位置し、前記一つの発光セルに隣接する他の発光セルの第２電極は、前記一つの発光セルの第１電極と互いに異なる線上に位置する、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１方向に配置された導電型連結層と接する前記発光セルの第１電極は、折曲部を含む、請求項２乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１電極は前記エッチング領域に配置される、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記第２の半導体層の一部を露出させる第３の半導体層と、
前記第３の半導体層を通して露出された前記第２の半導体層上のゲート電極と、
前記第３の半導体層上において前記ゲート電極を挟んで互いに離れて設けられたソース電極及びドレイン電極と、
を備え、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の第３の半導体層に電気的分離領域が設けられている、電力半導体素子。
【請求項２】
前記電気的分離領域が前記ドレイン電極に隣接している、請求項１に記載の電力半導体素子。
【請求項３】
前記電気的分離領域は、前記第３の半導体層から前記第２の半導体層の一部まで延びている、請求項１又は２に記載の電力半導体素子。
【請求項４】
前記電気的分離領域に注入されるイオンは、前記第３の半導体層の導電型と異なるタイプの導電型を有する、請求項１乃至３に記載の電力半導体素子。
【請求項５】
前記第２の半導体層と接する前記第１の半導体層の界面にチャンネル層が設けられており、前記電気的分離領域は前記チャンネル層と離れている、請求項１乃至４のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項６】
前記電気的分離領域は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｆｅ又はＡｒのいずれか１種を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項７】
前記ゲート電極は前記第２の半導体層に接する、請求項１乃至６のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項８】
前記ゲート電極は、前記第２の半導体層に連結された部分の幅が、前記第２の半導体層に連結された部分と反対側の部分の幅よりも狭い、請求項１乃至７のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項９】
前記第３の半導体層により露出された前記第２の半導体層の幅は、前記ゲート電極の長さに対応する、請求項１乃至８のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項１０】
前記第２の半導体層はリセス部を有し、前記ゲート電極は、前記リセス部に設けられている、請求項１乃至９のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項１１】
前記第２の半導体層に設けられた電気的分離領域の厚さは、前記第２の半導体層全体の膜厚よりも小さい、請求項３又は５に記載の電力半導体素子。
【請求項１２】
前記リセス部は、前記第３の半導体層により露出された第２の半導体層の領域に対応する、請求項１０に記載の電力半導体素子。
【請求項１３】
前記第３の半導体層の上部にパシベーション層が設けられている、請求項１乃至１２のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項１４】
ソース電極、ドレイン電極、及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のゲート電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の下部に設けられており、且つ前記ゲート電極の長さに対応する幅を有するオープン領域を有している第３の半導体層と、
前記第３の半導体層の下部に設けられており、前記オープン領域を通して前記ゲート電極と連結された第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の下部に設けられた第１の半導体層と、
を備え、
前記第３の半導体層は、前記ゲート電極に隣接した第１の領域、前記ドレイン電極に隣接した第２の領域、及び前記第１の領域と前記第２の領域との間の第３の領域を有し、前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域とを電気的に分離させる、電力半導体素子。
【請求項１５】
前記第３の領域は、前記第３の半導体層の導電型と異なるタイプの導電型を有するイオンが注入された電気的分離領域である、請求項１４に記載の電力半導体素子。
【請求項１６】
前記第３の領域が前記ドレイン電極に隣接して設けられている、請求項１４又は１５に記載の電力半導体素子。
【請求項１７】
前記第３の領域は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｆｅ又はＡｒのいずれか１種を含む、請求項１４乃至１６のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項１８】
前記第１の半導体層の下部に基板をさらに備え、該基板と前記第１の半導体層との間に遷移層が配置されている、請求項１４乃至１７のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項１９】
前記第２の半導体層はリセス部を有し、前記ゲート電極は、前記リセス部に設けられている、請求項１４乃至１８のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記第２の半導体層の一部を露出させる第３の半導体層と、
前記第３の半導体層を通して露出された前記第２の半導体層上に設けられたゲート電極と、
前記第３の半導体層上において前記ゲート電極を挟んで互いに離れて設けられたソース電極及びドレイン電極と、
を備え、
前記第３の半導体層は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間において、前記ゲート電極に隣接した部分と前記ドレイン電極に隣接した部分とが電気的に分離されている、電力半導体素子。
【請求項２１】
前記第３の半導体層によって露出された前記第２の半導体層の幅は、前記ゲート電極の長さよりも大きくなっている、請求項１乃至２０のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項２２】
前記第２の半導体層と接する前記第１の半導体層の界面にチャンネル層が設けられており、
前記第２の半導体層の少なくとも一部は、前記電気的分離領域と前記チャンネル層との間に配置されている、請求項１乃至２１のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項２３】
前記電気的分離領域は、前記第２の半導体層の厚さの最大７０％まで前記第２の半導体層の内部に延びて配置されている、請求項１乃至２２のいずれかに記載の電力半導体素子。
【請求項２４】
前記ゲート電極と前記第２の半導体層との間に配置されたゲート絶縁膜をさらに備えている、請求項１乃至２３のいずれかに記載の電力半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第１の発光層は、三重項励起エネルギーを発光に変える第１の発光性物質と、電子輸送性を有する第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、を有し、
前記第２の発光層は、三重項励起エネルギーを発光に変える第２の発光性物質と、前記第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第３の有機化合物と、を有し、
前記第２の有機化合物は、前記第３の有機化合物よりも最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低く、
前記第１の発光性物質は、前記第２の発光性物質よりも短波長の発光を示し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、第１の励起錯体を形成し、
前記第１の有機化合物と前記第３の有機化合物とは、第２の励起錯体を形成する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の励起錯体は、前記第２の励起錯体よりも励起エネルギーが大きい発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の励起錯体は、前記第１の有機化合物のアニオンと前記第２の有機化合物のカチオンから形成され、
前記第２の励起錯体は、前記第１の有機化合物のアニオンと前記第３の有機化合物のカチオンから形成される発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の発光性物質は、燐光性化合物または熱活性化遅延蛍光材料であり、
前記第２の発光性物質は、燐光性化合物または熱活性化遅延蛍光材料であり、
前記第１の有機化合物は、π不足型複素芳香族化合物であり、
前記第２の有機化合物は、π過剰型複素芳香族化合物または芳香族アミン化合物であり、
前記第３の有機化合物は、π過剰型複素芳香族化合物または芳香族アミン化合物である発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項７】
請求項５に記載の発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極材料
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒状の活物質を有し、
前記粒状の活物質の表面の一部に、複数のＣ−Ｏ−Ｍ結合（ただし、Ｃは前記粒状の活物質の表面の一部を構成する炭素原子を表し、Ｏは酸素原子を表し、Ｍはシリコン原子または金属原子を表す。）を有する網状構造が設けられていることを特徴とする電極材料。
【請求項２】
粒状の第１の活物質と、粒状の第２の活物質と、を有し、
前記第１の活物質は、前記第２の活物質と接する第１の領域を有し、
前記第１の活物質の表面のうち、前記第１の領域以外の第２の領域に、複数のＣ−Ｏ−Ｍ結合（ただし、Ｃは前記粒状の活物質の表面の一部を構成する炭素原子を表し、Ｏは酸素原子を表し、Ｍはシリコン原子または金属原子を表す。）を有する網状構造が設けられていることを特徴とする電極材料。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記網状構造の上に酸化物層を有し、
前記酸化物層は、前記Ｍと結合している酸素原子を有することを特徴とする電極材料。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月25日(2016.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記複数個のホールの各々は、前記第２面から前記第１面へと向かって拡がる円錐台形状又は多角錐台形状をなすことを特徴とする請求項２に記載のバックライトユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2014096347.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月2日(2016.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステーター及びローターが備えられるモーターにおいて、
ステーター及びローターが内部に設けられる第１ハウジングと、
前記第１ハウジングの下側に結合する第２ハウジングと、
前記第１ハウジングの外面と前記第２ハウジングの内面との間に所定間隔で離隔されて形成された冷媒流路と、
前記第１ハウジングに備えられて、前記冷媒流路と連通されて、前記冷媒流路に冷媒を流入させる第１パイプ、及び前記冷媒流路から冷媒を排出させる第２パイプと、
前記冷媒をジグザグに流動させるために前記冷媒流路に備えられる複数の流路形成突起と、
を含むことを特徴とする、モーター。
【請求項２】
前記第１ハウジングは、ステーター及びローターが設けられる内筒部と、前記内筒部と一定距離離隔される外筒部と、前記内筒部と外筒部を連結する複数のリーブ部材で区切られて形成される複数の空間部と、を含み、
前記第２ハウジングは、その円周面に前記複数の流路形成突起が形成され、前記空間部に位置するようになったことを特徴とする、請求項１に記載のモーター。
【請求項３】
前記第１ハウジングに備えられた前記複数の空間部は、互いに同じ間隔で形成されることを特徴とする、請求項２に記載のモーター。
【請求項４】
前記第１ハウジングに備えられた前記複数の空間部は、前記第１ハウジングの周りに沿って全体的に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のモーター。
【請求項５】
前記流路形成突起は、多角形状で用意されることを特徴とする、請求項１に記載のモーター。
【請求項６】
前記流路形成突起は、二等辺三角形形状で用意されることを特徴とする、請求項１に記載のモーター。
【請求項７】
前記第１ハウジングは、放熱性が優れた金属材質で形成されることを特徴とする、請求項１に記載のモーター。
【請求項８】
前記冷媒流路を形成する前記内筒部と外筒部との間の離隔距離の厚さが、前記内筒部と第２ハウジングが対向する面の厚さより大きく形成されることを特徴とする、請求項２に記載のモーター。
【請求項９】
前記第１ハウジングは、前記冷媒流路の内側面を形成する円筒形状の挿入筒部を含み、前記第２ハウジングは、前記冷媒流路の外側面を形成する内側筒部を含み、
前記流路形成突起は、前記第１ハウジングの前記挿入筒部の外周面及び前記第２ハウジングの前記内側筒部の内周面のうち少なくともいずれか一つの面に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のモーター。
【請求項１０】
前記流路形成突起は、
前記挿入筒部の外周面に一定間隔を持って形成される第１流路形成突起、及び
前記内側筒部の内周面に一定間隔を持って形成される第２流路形成突起を含むことを特徴とする、請求項９に記載のモーター。
【請求項１１】
前記第１及び第２流路形成突起は、互いに対応する形状で形成されることを特徴とする、請求項１０に記載のモーター。
【請求項１２】
前記流路形成突起は、多角形状で用意されることを特徴とする、請求項９に記載のモーター。
【請求項１３】
前記流路形成突起は、二等辺三角形形状で用意されることを特徴とする、請求項９に記載のモーター。
【請求項１４】
前記第１ハウジングは、金属材質で形成されることを特徴とする、請求項９に記載のモーター。