(57)【要約】  ゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素、具体的には、波長λ＜２００ｎｍのための位相遅れ要素の製造方法において、当該位相遅れ要素は複屈折性結晶材料から形成される。平面加工された側面（３）を備える仮キャリアプレート（１）が作製される。その後、異方性結晶プレート（２）が作製され、仮キャリアプレート（１）が、接続手段／接続層（６）を用いて当該異方性結晶プレート（２）に接続される。異方性結晶プレート（２）の大部分が残存層を除いて分離され、異方性結晶プレート（２）の厚さは、更なる製造および研磨による方法を用いて最終的な厚さに加工される。製造および研磨による方法を用いて作製された第２最終キャリアプレート（８）が、異方性結晶プレート（２）に直接接続される。最後に、仮キャリアプレート（１）が異方性結晶プレート（２）から分離あるいは取外しされる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素、具体的には、λ＜２００ｎｍを満たす波長λのための位相遅れ要素の製造方法であって、該位相遅れ要素は複屈折性結晶材料で形成され、
ａ）平面加工領域（３）が設けられた仮キャリアプレート（１）を作製するステップと、
ｂ）異方性結晶プレート（２）を作製するステップと、
ｃ）前記仮キャリアプレート（１）を前記異方性結晶プレート（２）に接続層（６）を用いて接続するステップと、
ｄ）前記異方性結晶プレート（２）の大部分を、残存層を除いて分離するステップと、
ｅ）前記異方性結晶プレート（２）の厚さを更なる製造および研磨による方法を用いて最終的な厚さにするステップと、
ｆ）製造および研磨による方法を用いて作製された第２最終キャリアプレート（８）を前記異方性結晶プレート（２）に接続するステップと、
ｇ）最後に、前記仮キャリアプレート（１）を前記異方性結晶プレート（２）から分離あるいは取外しするステップと、を備えた製造方法。
【請求項２】
前記仮キャリアプレート（１）が、結晶質あるいは非結晶質の材料で作製されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記異方性結晶プレート（２）の２つの外面（４，５）が、平面かつ平行な外面として形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記仮キャリアプレート（１）が、接合により前記異方性結晶プレート（２）に接続されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記異方性結晶プレート（２）の加工可能領域（５’）の前処理が、ラッピングによって行われ、当該ラッピングの後、前記加工可能領域（５’）が最終的な厚さまで研磨されることを特徴とする請求項１，３あるいは４に記載の方法。
【請求項６】
前記加工可能領域（５’）の前処理として、複数のラッピングのステップが行われることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
各ラッピングステップの間に、深部損傷を防ぐためにエッチング方法が用いられることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
接着層（９）が前記第２最終キャリアプレート（８）に付着されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＳｉＯ2あるいはＡＬ2Ｏ3層（９）が前記第２最終キャリアプレート（８）に付着されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
反射防止コーティング層（１０）が、前記第２最終キャリアプレート（８）の前記接着層（９）が接着されていない側面に付着されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２最終キャリアプレート（８）が、リンギング（１３）を用いて前記異方性結晶プレート（２）に接続されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記仮キャリアプレート（１）が、熱の影響下で前記異方性結晶プレート（２）から分離されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
レジスト層（１２）が前記異方性結晶プレート（２）の端部領域に塗布されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素、具体的には、半導体リソグラフィのための照射対象物に用いられるための位相遅れ要素であって、異方性結晶を備える結晶プレート（２）に直接接続された等方性キャリアプレート（８）を備えることを特徴とする位相遅れ要素。
【請求項１５】
λ＜２００ｎｍを満たす波長λでの使用を特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【請求項１６】
前記等方性キャリアプレート（８）が、結晶質のＣａＦ2あるいは非結晶質のＳｉＯ2で形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【請求項１７】
前記異方性結晶を備える結晶プレート（２）がＭｇＦ2，ＳｉＯ2あるいはＬａＦ3で形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【請求項１８】
前記等方性キャリアプレート（８）が、前記異方性結晶を備える結晶プレート（２）に接続されていない側面に、反射防止コーティング層（１０）を有することを特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【請求項１９】
前記異方性結晶を備える結晶プレート（２）の端部領域に、レジスト層（１２）が備えられていることを特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【請求項２０】
接着層（９）が、前記等方性キャリアプレート（８）と前記異方性結晶を備える結晶プレート（２）との間に備えられていることを特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【請求項２１】
結晶厚さの少なくとも１００，０００倍、具体的には少なくとも２５０，０００倍の結晶径あるいは最長の長さが獲得されたことを特徴とする請求項１４に記載の位相遅れ要素。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、ゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素、特にλ＜２００ｎｍを満たす波長のための、複屈折性結晶質材料で形成された位相遅れ要素の製造方法に関する。更に、本発明はゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素に関する。
【０００２】
位相遅れ要素は、所定の方法で光の偏光状態を修正するために用いることが可能な部品である。ゼロ次の位相遅れ要素、つまりλ／４要素およびλ／２要素、はλ＜２００ｎｍを満たす波長を用いた半導体リソグラフィに必要とされる。偏光光学スプリッタを用いたセントラルシャドーイングなしの半導体リソグラフィのためのミラーレンズ対象物あるいは照射対象物は、対応する位相遅れ要素が利用可能である場合にのみ最大の透過率を獲得する。このような位相遅れ要素は、ゼロ次あるいは低次のときにのみ最小の角度依存の位相遅れ変化を獲得可能であるため、ゼロ次あるいは低次である必要がある。
【０００３】
一般的な先行技術には、このような位相遅れ要素の製造に関して３つの解決方法が開示されている。
第１の可能性は以下の通りである。まず、等方性のプレートが圧力、張力、純粋なあるいは同様な機械的な影響変数にさらされる。すなわち機械的なひずみを受け、そしてその結果、結晶格子に存在する元の原子層が、機械的影響によって空間的に変位される。格子における前記原子層の変位により、プレートは異方性になる。当該異方性は所望の大きさ、具体的にはλ／４ゼロ次、の位相遅れを発生させうる。
【０００４】
【数１】
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【０００５】
という条件によれば（ここで、Δｎはｎoおよびｎeの間の偏差（但し、ｎoは常光線の屈折率、ｎeは異常光線の屈折率）である。Ｋはλの次数を示し、通常は０．２５である。ｄはプレートの厚さであり、λは波長である。）、例えば、λ＝１５７ｎｍ、Ｋ＝１／４、およびｄ＝１０ｍｍの場合、Δｎの値はΔｎ＝３．９・１０-6μｍとなり、非常に小さい。
【０００６】
位相遅れプレートを製造するための次の可能性は、λ／４位相遅れ要素を製造するために、波長λ＝１９３ｎｍおよびλ１５７ｎｍにおいて存在する固有の複屈折性を用いることにある。すでに存在するレンズ要素を用いてこれらの波長をうまく統合することができない場合は、このようなレンズ要素には、ＣａＦ2（フッ化カルシウム）あるいはＢａＦ2（フッ化バリウム）で形成された特別なプレートを用いる必要がある。このような方法の不利な点は、これらのプレートがλ＝１５７ｎｍにおいても不必要に厚くなってしまい、好ましい要素ではないという点である。
【０００７】
さらに、一般的な先行技術には、第３の可能性が開示されている。当該第３の可能性においては、複屈折性の結晶、例えばＭｇＦ2（フッ化マグネシウム）あるいはＳｉＯ2（二酸化ケイ素）の使用が好まれる。位相遅れ要素を製造するための第１の可能性におけるひずみを付与された状態のプレートと比較して、結晶ＭｇＦ2あるいはＳｉＯ2の複屈折性は、非常に高い。よって、この場合には、ゼロ次位相遅れ要素のためにｃｍ範囲の厚さではなく、わずか数μｍの厚さのプレートが獲得され、異方性の結晶の厚さは薄いフィルムの厚さを有する。位相遅れ要素の特定の最小サイズ、例えば７０×１６０ｍｍの形式あるいは直径１８０ｍｍ、が要求されるため、リソグラフィーにおいて、このような薄いフィルムを製造することあるいは取扱うことは困難である。任意の非常に小さな外的妨害、例えば空気の移動、によってもこの薄いフィルムは破損され、使用不可能になってしまう。
【０００８】
従って、本発明の目的は、薄く、取扱い可能で、安定した大型のあるいは大きな直径の位相遅れ要素が獲得される、λ＜２００ｎｍの範囲の波長のための、ゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素の製造方法を提供することである。
【０００９】
本発明によると、当該目的は請求項１の位相遅れ要素の製造方法を用いることによって達成される。
本発明によると、仮キャリアプレートが異方性結晶プレートに接続される。その後、異方性結晶プレートの大部分が残存層を除いて分離され、製造および研磨による方法を用いて最終の厚さまで加工される。その後の工程において、第２最終キャリアプレートが異方性結晶プレートに直接接続され、その後、仮キャリアプレートが異方性結晶プレートから分離あるいは取外しされる。このような方法によって、非常に小さな周囲の影響によって動作不能とならないような、大型あるいは大きな直径の薄い位相遅れ要素の製造が可能となる。ゼロ次を有するということは、角度依存の位相遅れ変化が最小にとどまるということである。
【００１０】
更に、仮キャリアプレートは異方性結晶プレートに接合により接続することが好ましい。この場合、接合剤あるいは接続材は、硬化可能で、確実に接続を行い、特定の条件下で接続を解放することが可能なものである必要があるということは、特に重要である。
【００１１】
本発明の有利な改良点として、第２最終キャリアプレートは、リンギングを用いて異方性結晶プレートに接続されてもよい。ＭｇＦ2で形成されたλ／４プレートを最終第２キャリアプレートにリンギングし、好ましくは１５７ｎｍリソグラフィの要件を満たすこのタイプの薄い位相遅れ要素を製造することは十分に可能である。
【００１２】
本発明の位相遅れ要素は請求項１５に明記されている。
本発明のこのような位相遅れ要素の利点は、具体的には、半導体リソグラフィのための、非常に高い光伝導率を有し、波長λ＜２００ｎｍで作動される照射対象物において、当該位相遅れ要素を用いるために、該位相遅れ要素は、非常に薄く、大きな直径を有し、波長λ＜２００ｎｍで用いられたときに光を透過するように製造可能であるという点である。従来使用されていた樹脂およびフィルムは、このタイプの光を透過しない、あるいは光の影響で使用不可能になるため、このような波長には用いることが不可能である。
【００１３】
本発明の実施例が、実質的には図を参照して、以下により詳細に説明される。
以下の方法は、結晶性のゼロ次あるいは低次の位相遅れ要素の製造に用いられる。図１に示すように、補助プレートの役目をする仮キャリアプレート１が、例えばＣａＦ2（フッ化カルシウム）などの結晶性で等方性の材料、あるいはＳｉＯ2（二酸化ケイ素）などの非結晶性の材料で作製される。該仮キャリアプレート１においては、深紫外線領域において結晶において起きる応力複屈折や固有の寄与ができる限りないようにする必要がある。従って、例えば６３３ｎｍで計測を実行することが推奨される。仮キャリアプレート１には、非常に良好に平面に加工され、十分に研磨された側面あるいは領域３が備えられる。
【００１４】
例えばＳｉＯ2、ＭｇＦ2（フッ化マグネシウム）あるいはＬａＦ3（フッ化ランタン）などを備えた異方性結晶で作製された結晶プレート２（以下、「結晶プレート２」という）が作製される。当該結晶プレート２は複屈折性を有する必要がある。異方性結晶プレート２の外面４および５は、非常に良好に平面に加工され、非常に良好な平面平行度を有する。結晶プレート２は、配向性がひとつの結晶光軸によって示される一軸結晶である。該結晶光軸は、平面４あるいは５に対して垂直ではなく、むしろプレートの平面に理想的には沿っている、すなわち、外面４および５に対して平行である。二つの外面４および５の一方はミクロ粗さ、清浄度および領域への適合性に関して、１９３ｎｍ〜１５７ｎｍのリソグラフィのための一般的かつ通常の仕様を満たしている。本実施例においては、外面４がマイクロリソグラフィーのための要件を満たしている。外面４は、深部損傷が全くないものである必要がある。
【００１５】
次に、仮キャリアプレート１および異方性結晶プレート２は、接続層６を用いて、好ましくは外面４と領域３との間の接続ギャップ６’に配置される接合剤を用いて、互いに接続される。図１では仮キャリアプレート１がすでに結晶プレート２に接続されている状態が示されている。接続層６の接続手段として、好ましくは熱セメントが用いられる。この場合、接続手段としては、硬化し、安定した接続状態に保つ能力を有し、後に仮キャリアプレート１および結晶プレート２から剥離可能な接続手段を用いることが重要である。接続は、平行な接続ギャップ６’のできる限りの範囲において行われる必要がある。同様に、接続手段としての熱セメントのより大きな荷重負担能力を獲得するために、接続ギャップ６’はできる限り薄く保たれる必要がある。しかし実際には、接続ギャップ６’を仮キャリアプレート１および結晶プレート２に対して完全に平行にすることは求められていない。以下に説明されるこの先の工程によって、このことが不利になることはない。
【００１６】
最初の前加工だけが済まされた仮キャリアプレート１の外面７は、結晶プレート２の外面５に対してできる限り平面かつ平行に加工され、平面領域として十分に研磨される。よって、２つの面４および５は幾何学的に平面かつ平行なプレートを形成するし、面４は接続層６に接続され、同様に外面７に対して平面かつ平行になる。例えばダイアモンド含浸ワイヤーソーなどの分離方法を用いて、異方性結晶プレート２の大部分が、数ミリの層を除いて分離あるいは除去される。この場合、接続層６に残った結晶プレート２の厚さは約１〜２ｍｍであることが好ましい。
【００１７】
図２には、図１に図示されているような仮キャリアプレート１の結晶プレート２への接続が示されているが、ここでは結晶プレート２の大部分が分離されている。結晶プレート２の分離された部分は位相遅れ要素の製造に再利用することが可能である。このことは、比較的高価で、希少で、高品質の結晶からできるだけ多くの位相遅れ要素が製造可能であるという点において有利である。
【００１８】
異方性結晶プレート２の新たに加工可能なあるいは新たに設けられた面５’は、更なる製造方法および研磨方法により（例えば粗い砥粒を用いて仮キャリアプレート１の外面７に対して平行に非常に軽くラッピングすることにより）、前処理される。平行度を常時監視しながら、複屈折性結晶プレート２の厚さは更に縮小され、加工可能な面５’は最終的な厚さまで研磨される。複数のラッピング工程を行うことによって、厚さが縮小するに伴い、ラッピングの粒度は継続的に減少される。このようなラッピング処理によって、結晶プレート２の深部損傷はある程度小さく抑えられる。
【００１９】
深部損傷は図３ａにより明確に図示されているが、該深部損傷が数μｍの厚さを有する結晶プレート２の残存層に達していてはいけない。深部損傷を取除くために、単一あるいは複合エッチングを行うことが可能である。従って、例えばフッ酸（ＨＦ）を用いたエッチング工程を挿入することは、非常に有利である。エッチングは、各ラッピング工程間に行われ、生じている亀裂や結晶プレート２に深く突き通った亀裂をエッチング除去する。このような亀裂によって圧縮応力が集積するが、集積した圧縮応力は、該エッチングにおいてフッ酸を用いて解放される。よって、結晶プレート２にかかる圧縮応力は解放される。深部エッチング工程の間、接続層６を有する結晶プレート２のエッジ領域は、軟ロウのようなフッ酸に耐性のあるペーストによってさらに保護される。
【００２０】
図３ｂにおいて、結晶プレート２の外面５’は、上述のエッチング工程によって、深部損傷が除去された状態にある。例えば最終的な厚さが４μｍの異方性結晶プレート２は、最終的には深部損傷のない状態にある必要がある。そのため、仮キャリアプレート１の対向する外面７の場合と同様に、比較的多量に結晶プレート２を研磨する必要がある。結晶プレート２の最終的な厚さは、λ／４プレートあるいはλ／２プレートが必要であるかによって異なる。また、結晶プレート２の最終的な厚さは、用いられる波長λ、およびΔｎによって異なる。ここで、Δｎは、ｎoとｎeとの偏差を表す。なお、ｎoは屈折性結晶２の等方性屈折率を表し、ｎeは屈折性結晶２の異方性屈折率を表す。研磨は必ずしもピッチを用いて行う必要はない。合成ポリッシングキャリアを用いることも特に有利な方法であり可能である。これは合成ポリッシングキャリアは接続層６に堆積しないからである。ＳｉＯ2には、ポリッシングキャリアとしてデスモパンを用いることが可能である。ＭｇＦ2には、同様にデスモパンを、あるいは他の中硬度のピッチを用いることが可能である。例えば磁性流体研磨（ＭＲＦ）（磁界中において粘度が上昇する液体によって外面５’が研磨される）などの最新の方法によっても一定の除去が可能である。この場合に特に有利な点は、広範囲に及ぶ接触がなされないため、非常に小さな機械的力のみが薄い結晶プレート２あるいは外面５’に及ぶという点である。「ロボット研磨」法もここで用いることが可能であり、研磨には小さな研磨ホイールが用いられる。
【００２１】
例えば機械的リニアエンコーダを用いて、仮キャリアプレート１と接続層６と結晶プレート２とを備えるプレート全体の厚さを、各ステップ後に慎重に計測および記録することによって、結晶プレートの厚さが、まず第一に、単に機械的に監視される。厚さの測定時に一定の温度調節が行われていれば、１０分の数μｍの精度が獲得可能である。
【００２２】
正確かつ付加的な監視は、仮キャリアプレート１と接続層６と複屈折性結晶プレート２とを備えるパッケージ全体の複屈折性を決定する方法によって可能となる。このような方法では、通常、プレート全体を通過する光の２つの要素の位相が測定される。この場合、位相補償器あるいは他のλ／４プレートが基準として用いられる。また干渉計を用いることも可能であり、該干渉計は異なる偏光方向に作用し、異なる偏光方向における位相を測定あるいは決定する。
【００２３】
図４は第２最終キャリアプレート８を示す。該第２最終キャリアプレート８は製造および研磨による方法によって作製される。該第２最終キャリアプレート８は、結晶の場合および動作波長における固有の複屈折性の不可避な割合を除いて、できる限り等方的なプレートである。付加的な層を取付ける前に、位相の大きさおよび方向から最終キャリアプレート８における位相差を広範囲に決定することは好都合である。最終キャリアプレート８から得られた測定結果は、仮キャリアプレート１と接続層６と異方性結晶プレート２とを備えるパッケージ全体の測定結果から減算される。よって、複屈折性結晶プレート２の位相遅れ値が残る。例えば６３２．８ｎｍあるいは５４３ｎｍの波長λを有するＨｅ−Ｎｅレーザによる可視光線が選択された場合、例えば位相遅れを求めるのに、最終キャリアプレート８の幾何学的な厚さが、その材料、例えばＭｇＦ2、ＳｉＯ2あるいはＬａＦ3に依存するものとして計算される。具体的には、λ＝１５７ｎｍ、およびλ＝１９３ｎｍの場合におけるｎoおよびｎeの屈折率プロファイルは、結晶プレート２の波長でのｎoとｎeの偏差を決定するのに用いられる。効果的な位相差は以下の式から計算される。
【００２４】
【数２】
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【００２５】
ここで、Ｋはλの次数を表し、通常０．２５である。Δｎはｎoとｎeとの偏差である。ｄは厚さ、λは波長である。λ＝１５７ｎｍの波長で最終キャリアプレート８としてＣａＦ2を用いた場合、ＣａＦ2固有の複屈折性がベクトル的に付加されなければならない。最終キャリアプレート８と結晶プレート２とを備えるプレート全体は、結果的に約λ／４の所定の位相遅れを獲得することになる。
【００２６】
結晶ＭｇＦ2あるいはＬａＦ3に関して所望の位相遅れを獲得した後に、酸化接着層９（例えばＳｉＯ2あるいはＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）層）が第２の最終キャリアプレート８に取付けあるいは蒸着される。これは二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの結晶には不要である。ＳｉＯ2は接着層９がなくても永久的に締着可能だからである。特にＭｇＦ2あるいはその他のフッ素含有基材は、接着層９がなしではほとんど締着できないであろう。
【００２７】
波長λ＝１９３ｎｍでは、好ましくは、ガラス質の二酸化ケイ素が最終キャリアプレート８として用いられてもよい。波長λ＝１５７ｎｍでは、最終キャリアプレート８はフッ化カルシウム（ＣａＦ2）で形成されてもよい。各有用な波長に対する低応力反射防止コーティング層１０が、最終キャリアプレート８の、接着層９が設けられていない側面に装着されている。ＣａＦ2から成る最終キャリアプレート８には、例えばＡｌ2Ｏ3あるいはＳｉＯ2から成る接着層が同様に推奨される。複屈折性結晶プレート２に接続されるために加工された最終キャリアプレート８は、互いに平坦かつ平行に加工された外面を有する。
【００２８】
次に、高い清浄度の作業条件下で、汚れなどを除去された第２最終キャリアプレート８は、図５に図示のように、好ましくはリンギング１３によって、異方性結晶プレート２に接続される。このように作製された総合体１１は、非常に緩やかに加熱される。機械的に敏感な結晶のみが備えられているため、具体的には波長λ＝１５７ｎｍにおいては、仮キャリアプレート１と最終キャリアプレート８とがそれぞれ同一の膨張性を有すると有利である。つまり、２つのキャリアプレート１および８は、例えばフッ化カルシウムを備えるということである。しかし、２つのキャリアプレート１および８が同一の材料を備えていなくてもよい。非結晶質の二酸化ケイ素の透過率が、波長λ＝１９３ｎｍでの透過率と同様の形で、波長λ＝１５７ｎｍにおいてさらに向上可能である場合、仮キャリアプレート１および最終キャリアプレート８はそれぞれ非結晶質の二酸化ケイ素も備えていてもよい。
【００２９】
熱の影響下において、つまり、接続層６の軟化温度に達した後、仮キャリアプレート１と、リンギング１３によって第２の最終キャリアプレート８に接続された異方性結晶プレート２とが慎重に互いに対して剪断され、最終的に互いから分離あるいは取外しされる。この場合、最小の力の付加で剪断を行うのに十分な高い温度がそれぞれ選択される。仮キャリアプレート１の異方性結晶プレート２からの分離は、好ましくは均等に温度調節がされた加熱炉の中で、剪断力を監視しつつ行われる。結晶に有害であり、例えば空気の移動によって生じる温度差は、加熱炉の外で起きると予想される。結晶プレート２の大部分を分離させたときと同じように、仮キャリアプレート１は汚れなどを除去した後、再利用することが可能である。リンギングされた複屈折性の結晶プレート２を有する最終キャリアプレート８は、加熱炉の中で慎重に室温まで冷却される。この場合、ＣａＦ2には緩やかな冷却率で冷却されるよう、特に注意が払われる必要がある。
【００３０】
その後、レジスト層１２、具体的には約１〜２ｍｍの厚さの二成分レジストが、図６に図示されるように結晶プレート２の端部領域に塗布される。該レジスト層１２はアセトンあるいはアルコールに耐性があることが好ましい。その後、結晶プレート２の面４は無水浄化される。この浄化は高純度のアセトンを用いて手動で行われる。この浄化（クリーニング）の後、位相遅れ要素の製造は完了する。しかしながら、小さな端部領域が残る。位相遅れ要素が照射対象において用いられた時に、リンギング１３が液体によって侵食されることのないのよう、この端部領域は好ましくない紫外線から保護される必要がある。放射線防護１４は、当該領域を好ましくない紫外線から保護する。
【００３１】
有機物質を許容できない場合は、リソグラフィ照射対象において内部のガス放出が起きることが懸念されるため、結晶プレート２の端部領域は除去される。そのため、乾式工程によって、例えば、ゆっくり動いている無拘束で細かな粒度の麻の研磨ベルトを当てることによって、面取りが行われる。
【００３２】
既述の方法によって製造された位相遅れ要素は、結晶厚さの少なくとも１００，０００倍、具体的には少なくとも２５０，０００倍の結晶径あるいは最長の長さを獲得する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】結晶プレートに接続した仮キャリアプレートを示す図である。
【図２】結晶プレートに接続した図１のキャリアプレートであって、大部分が分離された結晶プレートに接続したキャリアプレートを示す図である。
【図３ａ−３ｂ】図２に見られる結晶プレートに接続したキャリアプレートで、結晶プレートに深部損傷が示された図と、結晶プレートから深部損傷が除去された後の図である。
【図４】接着層及び反射防止コーティング層が備えられた第２最終キャリアプレートを示す図である。
【図５】仮キャリアプレートと、図４に示された最終キャリアプレートに接続した結晶プレートを示す図である。
【図６】完成した位相遅れ要素を示す図である。
【図１】
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【図２】
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2007515657.tif 000007
【図４】
2007515657.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2007515657.tif 000012
2007515657.tif 000013