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【手続補正書】
【提出日】平成28年10月13日(2016.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力した直流電力を増幅して高周波電力に変換し、変換した高周波電力を送信する増幅動作と、入力した高周波電力を整流して直流電力に変換する整流動作とを、共通のトランジスタ素子を使って選択的に行う電力伝送装置であり、
増幅動作時に増幅を行うと共に整流動作時に整流を行う前記トランジスタ素子と、
前記トランジスタ素子に接続され、増幅および整流動作の際に、基本波電力のインピーダンス整合と高調波電力の少なくとも一部の無効電力化とを行う共通回路と、
前記トランジスタ素子に接続され、増幅動作の際に、入力信号のインピーダンス整合を行う増幅動作時用回路と、
前記トランジスタ素子に接続され、整流動作の際に、前記トランジスタ素子内の帰還容量を利用して前記トランジスタ素子を制御して、前記トランジスタ素子のスイッチングのタイミングの調整を行う整流動作時用回路と、
増幅動作時と整流動作時の接続を切り替えるスイッチ部とを備え、
前記スイッチ部の切り替えで、前記トランジスタ素子が増幅動作を行う場合と、整流動作を行う場合に切り替えられるようにしたことを特徴とする
電力伝送装置。
【請求項２】
前記トランジスタ素子のソース端子またはエミッタ端子が接地され、
前記増幅動作時用回路は、前記トランジスタ素子のゲート端子またはベース端子側に接続され、
前記整流動作時用回路は、前記トランジスタ素子のゲート端子またはベース端子側に接続され、
前記スイッチ部は、回路スイッチと直流切り替えスイッチとを備え、
前記回路スイッチは、前記トランジスタ素子のゲート端子またはベース端子側に接続され、前記増幅動作時用回路と前記整流動作時用回路とに対して増幅動作時と整流動作時との接続を切り替えるようにし、
前記直流切り替えスイッチは、前記トランジスタ素子のドレイン端子またはコレクタ端子側に接続され、増幅動作時の直流電力投入端子、整流動作時の直流負荷出力端子に対して増幅動作時と整流動作時との接続を切り替えるようにし、
さらに、前記トランジスタ素子のゲート端子またはベース端子側に接続され、前記ゲート端子またはベース端子に対してバイアス電圧を印加するバイアス回路と、
前記トランジスタ素子のドレイン端子またはコレクタ端子側に接続された、基本波電力のインピーダンス整合と高調波電力の少なくとも一部の無効電力化とを行う電力処理回路部と、
前記トランジスタ素子のドレイン端子またはコレクタ端子側に接続された、高周波に対して高インピーダンスとなるインピーダンス回路とを備え、
前記電力処理回路部は、
高調波処理回路と、前記高調波処理回路に接続された基本波処理回路とを具備し、一方の端子が前記トランジスタ素子のドレイン端子またはコレクタ端子に接続され、もう一方の端子が、増幅動作時に高周波出力端子、整流動作時に高周波入力となる、接地された２端子対回路であり、
前記増幅動作時用回路は、一方の端子を高周波入力端子とし、もう一方の端子が前記回路スイッチに接続された、接地された２端子対回路であり、
前記整流動作時用回路は、一方が前記回路スイッチに接続され、他方が接地された１端子対回路であり、
前記インピーダンス回路は、一方の端子が前記トランジスタ素子のドレイン端子またはコレクタ端子、あるいは、前記電力処理回路部の前記トランジスタ素子のドレイン端子またはコレクタ端子と反対側に接続され、もう一方の端子が前記直流切り替えスイッチに接続された２端子回路であり、
前記トランジスタ素子のゲート端子またはベース端子に前記バイアス回路と前記回路スイッチが並列に接続されていることを特徴とする
請求項１に記載の電力伝送装置。
【請求項３】
前記回路スイッチは、分布定数線路に接続された半導体スイッチであり、
前記分布定数線路と前記半導体スイッチに直列に接続されたキャパシタにより、増幅動作時の入力インピーダンス整合および高調波処理と、整流動作時のインピーダンス調整および高調波処理を行うことを特徴とする
請求項１又は２に記載の電力伝送装置。
【請求項４】
前記増幅動作時に前記トランジスタ素子で増幅された高周波電力の電圧調整用スイッチを備え、前記電圧調整用スイッチを切り替えるタイミングによる変調で前記高周波電力に信号を乗せて伝送するようにしたことを特徴とする
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電力伝送装置。
【請求項５】
前記電力伝送装置を２組用意して、それぞれの前記電力伝送装置にアンテナを接続し、
一方の前記電力伝送装置で増幅処理を行って得た高周波電力を、一方の前記電力伝送装置に接続されたアンテナから送信し、
他方の前記電力伝送装置に接続されたアンテナで受信した高周波電力を、他方の前記電力伝送装置で整流処理を行って直流電力を得るようにし、
それぞれの前記電力伝送装置が備える前記回路スイッチの切り替えで、増幅動作を行う側と整流動作を行う側を切り替えるようにしたことを特徴とする
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電力伝送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力伝送装置
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
＜２．実施の形態の記憶素子（第１〜第１２の実施の形態）＞
続いて、実施の形態の記憶素子３の具体的構成を第１〜第１２の実施の形態として説明する。
第１〜第１２の実施の形態の記憶素子３は、基本的には図３Ｂに示した層構造と同様に、下地層１４，磁化固定層１５，トンネルバリア層１６，記憶層１７，スピンバリア層１８、電極層１９を有する。特に記憶層１７の両側に酸化物層としてのトンネルバリア層１６とスピンバリア層１８が配置されることで、強い界面磁気異方性を得る構成である。
スピンバリア層１８によっては、記憶層１７の保磁力を向上させ情報の保持特性を向上させる効果、およびスピントルクの効率を向上させる効果がある。このため高密度で低消費電力の磁気メモリを作製するためにはスピンバリア層１８は有効である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
次に図１３Ｂのように表面を研磨する。研磨は絶縁材２０が露出するまで行っても良いが、最低限第１補助マスク層２３の一部が露出すればよい。
また、研磨が終了した状態で第２補助マスク層２４が絶縁材２０と同じ高さでも良いし、第２補助マスク層２４が窪んでいても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
次に図１３Ｃのように第１補助マスク層２３のエッチングを行う。
ここでは第１補助マスク層２３のエッチング率が第２補助マスク層２４のエッチング率より大きい条件でエッチングを行うのがよい。エッチング方法はイオンミリングでも良いし、リアクティブイオンエッチングでも良いし、化学的な方法でも良い。またこれらを組み合わせても良い。エッチングのためのイオンビーム照射の角度は細い溝に十分にエッチング粒子が入り込むように、膜面に垂直に近い角度で行うのが好ましい。
さらに図１３Ｄのようにイオンビーム照射を継続し、第１電極層１９Ａのエッチングを引き続き行う。第１電極層１９Ａと第１補助マスク層２３が同じ材料あるいは同じエッチング条件でエッチングできるなら、図１３Ｃの工程と図１３Ｄの工程は同時に行えばよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
次に図１４Ｂのように第２電極層１９Ｂを形成する。第２電極層１９Ｂの形成はスパッタ法などでも良いが、細い溝に十分な充填を行うためには化学気相成長などの方法が適している。その後図１４Ｃのように表面を研磨し、平坦にする。この後必要に応じて、追加の加工や配線を形成して記憶装置を作製する。
以上により、図４Ａ、図５Ｂ、図７Ｂのような記憶素子３が、斜め方向からのエッチングを行わずに製造できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
面抵抗ＲＡが大きく、垂直保磁力Ｈｃも大きいな材料は、ＭｇＯ層（トンネルバリア層）との反応が少なく、トンネルバリア層の劣化が少ない。このため実施の形態の第１電極層１９Ａに適している。
一方、面抵抗ＲＡが小さく、垂直保磁力Ｈｃが小さいあるいは面内磁化となる材料は、ＭｇＯ層と反応し、ＭｇＯの実効的な膜厚が薄くなっているので、第２電極層１９Ｂに適している。
図１８から、第１電極層１９Ａとして適している材料はＲｕ，Ｃｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｒ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＴｉＣ，ＩＴＯで、第２電極層１９Ｂとして適している材料はＴｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙであるといえる。
また、絶縁体であるがＳｉ3Ｎ4，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3等の安定な酸化物もしく
は窒化物は、ＭｇＯトンネルバリア層を劣化させないので、第１電極層１９Ａとして用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
第１〜第１２の実施の形態としての記憶素子３は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層１７に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５を有する。また記憶層１７と磁化固定層１５の間に設けられる酸化物によるトンネルバリア層１６と、記憶層１７の、トンネルバリア層１６に接する面とは反対側の面に接して設けられる酸化物によるスピンバリア層１８とを有する。即ち記憶層１７の両面側に酸化物層（トンネルバリア層１６とスピンバリア層１８）が接している層構造である。このような層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層１７の磁化の向きが変化して記憶層１７に情報の記憶が行われる。そして所定の設定膜厚値で形成されるスピンバリア層１８内には、その一部に低抵抗領域（３０，３１，３２）が形成されている。
即ち設定膜厚値としてある程度の十分な厚みでスピンバリア層１８を形成して、界面磁気異方性エネルギーが得られるようにしつつ、一部に低抵抗領域（３０，３１，３２）を形成してスピンバリア層１８の抵抗値を下げることができる。従って、保磁特性に優れ、少ない電圧、電流で動作可能な不揮発メモリを実現できる。
また実施の形態の記憶素子３は、記憶層１７が垂直磁化膜であるため、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要となる書き込み電流量を低減することができる。
また情報保持能力である熱安定性を充分に確保することができるため、特性バランスに優れた記憶素子３を構成することができる。
これにより、動作エラーをなくして、記憶素子３の動作マージンを充分に得ることができ、記憶素子３を安定して動作させることができる。
従って、安定して動作する、信頼性の高いメモリを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
図２２は切欠き部長さ別の切欠き部間距離とビア径の関係の一例を示す図である。
ここでは、ビア１２の径Ｎｈの設計値を９０ｎｍ、上側配線１３の配線幅Ｗ１の設計値を３μｍとして、ビア１２及び上側配線１３を形成する。上側配線１３には、設計上の幅Ｋｈが９０ｎｍ、長さＬｈが２５０ｎｍで、距離Ｗｈが９０ｎｍ、１８０ｎｍ、８００ｎｍの切欠き部１３ｈを設ける。また、上側配線１３には、設計上の幅Ｋｈが９０ｎｍ、長さＬｈが５００ｎｍで、距離Ｗｈが９０ｎｍ、１８０ｎｍ、８００ｎｍの切欠き部１３ｈを設ける。更にまた、上側配線１３には、設計上の幅Ｋｈが９０ｎｍ、長さＬｈが７５０ｎｍで、距離Ｗｈが９０ｎｍ、１８０ｎｍ、８００ｎｍの切欠き部１３ｈを設ける。図２２より、切欠き部１３ｈの長さＬｈが２５０ｎｍ、５００ｎｍ、７５０ｎｍのいずれの場合も、距離Ｗｈが８００ｎｍ以下の切欠き部１３ｈを設けた場合、切欠き部１３ｈを設けない場合（図２２のビア肥大ラインｕ）に比べて、ビア１２の肥大が抑えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図２４は設計処理フローの一例を示す図である。
まず、設計データ取得部２１０により、下側配線１１（第１下側配線１１ａ及び第２下側配線１１ｂ）、ビア１２及び上側配線１３のレイアウトを示す情報を含む設計データを取得する（ステップＳ１）。ここで取得される設計データには、ビア１２として、再配置前のビア１２Ａ、ビア１２Ｂ及びビア１２Ｃのレイアウト、並びに、ビア１２Ｄ、ビア１２Ｅ及びビア１２Ｆを含むビア群のレイアウトを示す情報が含まれる。即ちこのステップＳ１では、上記図１０のようなレイアウトを示す情報を含む設計データが取得される。このような設計データは、例えば、従来の設計ルールに基づいて作成されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
次いで、この図２５の設計処理では、切欠き配置部２４０により、抽出された情報に含まれる、上側配線１３の端部のビア１２、即ちビア１２Ａ、ビア１２Ｂ、ビア１２Ｃ、ビア１２Ｄ、ビア１２Ｅ及びビア１２Ｆについて、上側配線１３の所定部位に切欠き部を配置する（ステップＳ１３）。ビア１２Ｄ、ビア１２Ｅ及びビア１２Ｆについては、上記図２４のステップＳ５で述べたようにして切欠き部１３ｄ、切欠き部１３ｅ及び切欠き部１３ｆを配置する。ビア１２Ａ、ビア１２Ｂ及びビア１２Ｃについても同様に、それらと上側配線１３との接続部の側方の所定部位に、ビア１２Ａ、ビア１２Ｂ及びビア１２Ｃ上の上側配線１３の配線幅が見かけ上１μｍ以下といった値に狭められるように、切欠き部を配置する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、第１のプロセスガスおよび中央プロセスガスである分離ガスとは、第１のガス噴出孔１１１および中央ガス噴出孔１１０から噴出させることで、第２のガス噴出孔１１２から噴出する第２のプロセスガス（ここではアンモニア）と、第３のガス噴出孔１１３から噴出する第３のプロセスガス（ここではＴＭＧ）とを分離するガスである。例えば、第２のプロセスガスおよび第３のプロセスガスと反応性に乏しいガスを用いることが望ましい。上述のように、例えば、水素であり、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスであってもかまわない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
第１の横方向ガス流路１０１、第２の横方向ガス流路１０２、第３の横方向ガス流路１０３は、板状のシャワープレート２００内に水平方向に形成された横孔である。また、第１の縦方向ガス流路１２１、第２の縦方向ガス流路１２２、第３の縦方向ガス流路１２３、中央縦方向ガス流路１２０は、板状のシャワープレート２００内に鉛直方向（縦方向または垂直方向）に形成された縦孔である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回折格子を有する波長選択手段と、前記波長選択手段に設けられ前記波長選択手段の屈折率を制御する制御電極と、前記制御電極と別の制御電極との間に利得を制御する利得電極と、を備える半導体レーザと、
前記半導体レーザを搭載し、前記半導体レーザの温度を制御する第１の温度制御装置と、
前記半導体レーザの出力波長を検知する検知手段と、
前記検知手段を搭載し、前記検知手段の温度を制御する第２の温度制御装置と、
前記制御電極、前記別の制御電極、前記利得電極、および前記第１の温度制御装置に所定の制御値を投入する第１ステップと、前記第１ステップの後、前記第１の温度制御装置の温度を制御することで、前記波長選択手段の屈折率を制御する第２ステップとを実行するコントローラと、を備える、波長可変レーザ装置。
【請求項２】
前記第２ステップにおいて、前記制御電極、前記別の制御電極、および前記利得電極の所定の制御値は、一定である、請求項１記載の波長可変レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
コントローラ４１は、サーミスタ４３の温度を参照し、温度制御装置４２の各部品の搭載面の温度を一定に保持する。コントローラ４１は、この状態で、セグメントＳＧ１およびセグメントＳＧ２に対する屈折率制御値（屈折率制御信号ＳＧ１および屈折率制御信号ＳＧ２）を半導体レーザ１００に入力する。また、半導体レーザ１００の利得制御用電極７に利得制御信号Ｇを入力することで、入力されたパラメータに基づいた波長にてレーザ発振がなされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
一例として、半導体レーザ１００ａにおいて、フロント側からリア側にかけて、反射防止膜ＡＲ、ＳＯＡ領域Ｃ、ＳＧ−ＤＢＲ領域Ｄ、利得領域Ｅ、位相調整領域Ｆ、ＳＧ−ＤＢＲ領域Ｇ、反射防止膜ＡＲがこの順に配置されている。ＳＯＡ領域Ｃは、光増幅器として機能する。ＳＧ−ＤＢＲ領域Ｄ，Ｇは、利得を有さずにサンプルドグレーティングを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ＳＧ−ＤＢＲ領域ＤおよびＳＧ−ＤＢＲ領域Ｇは、基板１上に、下クラッド層２、屈折率可変領域３２、上クラッド層４、コンタクト層５および屈折率制御用電極８が積層された構造を有する。利得領域Ｅは、基板１上に、下クラッド層２、利得領域３１、上クラッド層４、コンタクト層５および利得制御用電極７が積層された構造を有する。ＳＯＡ領域Ｃは、基板１上に、下クラッド層２、光増幅層１３、コンタクト層５、および電極１４が積層された構造を有する。位相調整領域Ｆは、基板１上に、下クラッド層２、光導波層１５、コンタクト層５、および電極１６が積層された構造を有する。ＳＯＡ領域Ｃの基板１、下クラッド層２、光増幅層１３、上クラッド層４の端面には、ＡＲ膜１１が形成されている。すなわち、ＡＲ膜１１は、半導体レーザ１００ａのフロント側端面に形成されている。ＳＧ−ＤＢＲ領域Ｇの基板１、下クラッド層２、屈折率可変領域３２、および上クラッド層４の端面には、ＡＲ膜１２が形成されている。すなわち、ＡＲ膜１１は、半導体レーザ１００ａのリア側端面に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そして、加熱部１６は、回転軸１８の内部に貫通する支持軸２２に固定される支持台２４上に固定して設けられる。加熱部１６には、図示しない電流導入端子と電極により、電力が供給される。この支持台２４には半導体ウェハＷを環状ホルダー１２から脱着させるための、例えば突き上げピン（図示せず）が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月9日(2016.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のショットを有する基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記基板上の前記複数のショットに含まれるサンプルショットの表面の高さを検出する検出系と、
前記検出系により検出された前記サンプルショットにおける前記表面の高さの値からオフセット値を減算して第１の表面高さ情報を求め、該第１の表面高さ情報から、前記オフセット値を算出するときに生じた誤差量を減算して第２の表面高さ情報を求める制御部と、
を有することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項２】
前記サンプルショットは、それぞれ前記検出系が計測対象とする複数の計測点を有し、
前記誤差量は、隣り合う２つの前記サンプルショットについて、一方の前記サンプルショットに含まれる第１の計測点と、該第１の計測点に最も近い他方の前記サンプルショットに含まれる第２の計測点との計測値差と、前記第１の計測点と前記第２の計測点との間の距離とから求められる値である、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成装置。
【請求項３】
前記複数の計測点は、それぞれの前記サンプルショットにて同一箇所となるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成装置。
【請求項４】
前記サンプルショットは、それぞれ前記検出系が計測対象とする複数の計測点を有し、
前記誤差量は、ある１つの前記サンプルショットに含まれる２つの計測点の間の計測値差と距離とから求められる値である、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成装置。
【請求項５】
前記２つの計測点は、前記サンプルショットに含まれる前記複数の計測点のうち、前記距離が最も長くなるものであることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記誤差量を隣り合う２つの前記サンプルショットを用いて求めるか、またはある１つの前記サンプルショットを用いて求めるかについて、前記サンプルショットの配置またはサイズに基づいて選択することを特徴とする請求項２または４に記載のパターン形成装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記誤差量を、前記距離が前記サンプルショットのサイズよりも小さいと判断した場合には、隣り合う２つの前記サンプルショットを用いて求め、
前記距離が前記サンプルショットのサイズよりも大きい、または同一と判断した場合には、ある１つの前記サンプルショットを用いて求める、
ことを特徴とする請求項６に記載のパターン形成装置。
【請求項８】
前記複数の計測点は、前記サンプルショットの状態に合わせて設定されることを特徴とする請求項２または４に記載のパターン形成装置。
【請求項９】
前記オフセット値は、前記検出系の計測誤差により発生する値であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１０】
前記オフセット値は、前記検出系により検出された前記サンプルショットにおける凹凸パターンの形状に起因した値であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１１】
複数のショットを有する基板上に、パターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基板上の前記複数のショットに含まれるサンプルショットにおける表面の高さの値からオフセット値を減算して第１の表面高さ情報を求める工程と、
前記第１の表面高さ情報から、前記オフセット値を算出するときに生じた誤差量を減算して第２の表面高さ情報を求める工程と、
前記第２の表面高さ情報を用いて、前記基板上に前記パターンを転写する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のパターン形成装置、または請求項１１に記載のパターン形成方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
リソグラフィ装置は、半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造工程に含まれるリソグラフィ工程において、原版（レチクル、モールドなど）を用いて基板（表面にレジスト層が形成されたウエハなど）にパターンを形成する装置（パターン形成装置）である。近年、リソグラフィ工程において形成されるパターンの微細化が進み、解像力が向上していることに伴い、基板の表面位置検出（フォーカス計測）のさらなる高精度化が要求されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、複数のショットを有する基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、基板上の複数のショットに含まれるサンプルショットの表面の高さを検出する検出系と、検出系により検出されたサンプルショットにおける表面の高さの値からオフセット値を減算して第１の表面高さ情報を求め、第１の表面高さ情報から、オフセット値を算出するときに生じた誤差量を減算して第２の表面高さ情報を求める制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、上記のいずれの実施形態もリソグラフィ装置（パターン形成装置）として、レチクルのパターンを基板上に投影してパターンを転写する露光装置について説明したが、これに限られない。リソグラフィ装置として、電子線（荷電粒子線）を用いて基板にパターンを転写（描画）する電子線露光装置であってもよい。また、リソグラフィ装置として、型に形成されたパターンを基板上に供給されたインプリント材と接触させることでパターンを転写するインプリント装置であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月15日(2016.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏に第一主面と第二主面をそれぞれ有する板状構造体と、
前記第一主面上に形成された、前記板状構造体とは異なる材料からなる異材料膜と、
前記異材料膜上に配置された、前記第一主面側の電極パターン／導電性薄膜と、
前記第二主面上に直接または他の膜を介して間接的に配置された、前記第二主面側の電極パターン／導電性薄膜と、
前記板状構造体の内部を通って、前記第一主面側の前記電極パターン／導電性薄膜と前記第二主面側の前記電極パターン／導電性薄膜を電気的に接続する貫通電極として機能する導電体とを備え、
前記板状構造体の内部には、前記板状構造体の厚さ方向にほぼ同軸に連続して形成された第一穴及び第二穴が形成されており、
前記第一穴は前記第二主面側の前記電極パターン／導電性薄膜から前記第一穴と前記第二穴の接続部まで延在しており、
前記第二穴は前記接続部から前記第一主面側の前記電極パターン／導電性薄膜まで延在していると共に、前記第一主面に平行な面内における前記第二穴の断面積が、前記接続部よりも前記第一主面側の前記電極パターン／導電性薄膜の方が大きくなるように形成されており、
前記第一穴及び前記第二穴は、全体として漏斗状の形状を有しており、
前記貫通電極としての前記導電体は、前記第一穴及び前記第二穴の内壁に沿って配置されていることを特徴とする貫通電極構造。
【請求項２】
前記第二穴が擂り鉢状の形状を有している請求項１に記載の貫通電極構造。
【請求項３】
前記第二穴が擂り鉢状の形状を有し、前記第一穴が略柱状の形状を有している請求項１に記載の貫通電極構造。
【請求項４】
前記接続部が、前記板状構造体の内部において前記第一主面に近い領域に位置している請求項１〜３のいずれかに記載の貫通電極構造。
【請求項５】
前記第一穴及び前記第二穴の内壁に沿って配置された前記導電体が、前記第一穴及び前記第二穴の全体を充填している請求項１〜４のいずれかに記載の貫通電極構造。
【請求項６】
前記第一穴及び前記第二穴の内壁に沿って配置された前記導電体が、前記第一穴及び前記第二穴の全体を充填しておらず、前記導電体の内側に空洞が存在している請求項１〜４のいずれかに記載の貫通電極構造。
【請求項７】
請求書１〜６のいずれかに記載の貫通電極構造を製造する方法であって、
前記第一主面上に前記異材料膜を有する前記板状構造体を準備し、
前記異材料膜を選択的に除去して前記異材料膜に開口を形成し、
前記異材料膜に形成された前記開口をマスクとして前記板状構造体を選択的にエッチングして、前記異材料膜と前記板状構造体の内部に前記第一穴を形成し、
前記第一穴とほぼ同軸となるように前記第一穴より広い範囲にわたって前記異材料膜と前記板状構造体を選択的に除去し、もって前記第一穴と連続的に接続され、且つ、前記第一主面に平行な面内における断面積が前記第一穴より大きい前記第二穴を形成し、
前記第一穴及び前記第二穴の内壁に沿って、前記貫通電極として機能する前記導電体を配置することを特徴とする貫通電極構造の製造方法。
【請求項８】
前記異材料膜の前記開口が、レーザ光を前記異材料膜に選択的に照射することによって形成され、
前記第一穴が、前記板状構造体を反応性イオンエッチングで選択的に除去することによって形成され、
前記第二穴が、レーザ光を前記異材料膜と前記板状構造体を選択的に照射することによって形成される請求項７に記載の貫通電極構造の製造方法。
【請求項９】
前記接続部が前記板状構造体の内部において前記第一主面に近い領域に位置するように、前記第二穴の深さが設定される請求項７または８に記載の貫通電極構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第二穴を形成する際に、前記レーザ光が、前記第二穴が擂り鉢状となるように前記異材料膜と前記板状構造体に選択的に照射される請求項７〜９のいずれかに記載の貫通電極構造の製造方法。
【請求項１１】
前記第一穴を形成する際に、前記第一穴が略柱状となるように前記板状構造体がエッチングされ、
前記第二穴を形成する際に、前記第二穴が擂り鉢状となるように前記異材料膜と前記板状構造体に前記レーザ光が照射される請求項７〜９のいずれかに記載の貫通電極構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】漏斗状の貫通電極を有する貫通電極構造及びその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
消弧性気体を充填した容器内に、固定接触子と、該固定接触子に接離する可動接触子と、該可動接触子に連結されたアルミニウム製のパッファシリンダと、該パッファシリンダの内壁面と相対的に移動すると共に、前記消弧性気体を吸引又は噴出するピストンとを備え、前記ピストンが移動することに伴い噴出する前記消弧性気体を、前記固定接触子と可動接触子の開離によって発生するアークに吹き付けて消滅させるようにしたパッファ型ガス遮断器であって、
前記パッファシリンダは、請求項３乃至６のいずれか１項に記載のパッファシリンダであることを特徴とするパッファ型ガス遮断器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月9日(2016.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの製造方法であって、
基板の上に設けられた第１絶縁体層と、前記第１絶縁体層と前記基板との間に位置し、前記第１絶縁体層とは異なる材料からなる第２絶縁体層と、前記第２絶縁体層と前記基板との間に位置し、前記第２絶縁体層とは異なる材料からなる第３絶縁体層と、を含む積層構造を有する絶縁体膜に孔を形成する工程を備え、
前記孔を形成する工程は、
プラズマエッチングにより前記第１絶縁体層の一部を除去することで、前記第１絶縁体層を貫通する開口を形成する段階と、
プラズマエッチングにより前記第２絶縁体層の一部を除去することで、前記第２絶縁体層を貫通する開口を形成する段階と、
プラズマエッチングにより前記第３絶縁体層の一部を除去することで、前記第３絶縁体層を貫通する開口を形成する段階と、
を有し、
前記第２絶縁体層の厚みが前記第１絶縁体層の厚みおよび前記第３絶縁体層の厚みより小さく、
前記第１絶縁体層の前記プラズマエッチングでは、前記第１絶縁体層をエッチングするための第１成分を含む第１種ガスを用い、
前記第２絶縁体層の前記プラズマエッチングでは、前記第１成分とは異なる第２成分と、前記第２成分よりもデポジット性が高く、前記第２成分よりもエッチング性が低い第３成分と、を含む第２種ガスを用い、
前記第３絶縁体層の一部を除去する前記プラズマエッチングでは、前記第２種ガスとは異なるガスを用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１成分は、前記第２成分よりもデポジット性が高い、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１種ガスを用いたプラズマエッチングによる前記第１絶縁体層のエッチングレートをＲ１１、前記第１種ガスを用いたプラズマエッチングによる前記第２絶縁体層のエッチングレートをＲ１２、前記第２種ガスを用いたプラズマエッチングによる前記第１絶縁体層のエッチングレートをＲ２１、前記第２種ガスを用いたプラズマエッチングによる前記第２絶縁体層のエッチングレートをＲ２２として、下記の（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）の少なくともいずれかを満足する、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
（ｉ）Ｒ１１＞Ｒ１２、かつ、Ｒ２２＞Ｒ２１
（ｉｉ）Ｒ１１／Ｒ１２＞Ｒ２２／Ｒ２１
（ｉｉｉ）Ｒ１１＞Ｒ２２
【請求項４】
前記基板の上には、銅を含む第１導電体層と、前記第１導電体層よりも前記基板から離れて位置し、銅を含む第２導電体層と、が設けられており、前記第１絶縁体層は、前記第１導電体層と前記第２導電体層との間に位置している請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁体膜は、前記第３絶縁体層と前記基板との間に位置する第４絶縁体層を有し、
前記孔を形成する工程は、
前記第４絶縁体層と前記基板との間に位置する所定の層が前記孔の底を構成するように、第３種ガスを用いたプラズマエッチングにより前記第４絶縁体層の一部を除去することで、前記第４絶縁体層を貫通する開口を形成する段階を有し、
前記第３種ガスを用いたプラズマエッチングによる前記第４絶縁体層のエッチングレートをＲ３３、前記第３種ガスを用いたプラズマエッチングによる前記所定の層のエッチングレートをＲ３０として、Ｒ３３＞Ｒ３０を満足する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記所定の層は前記第２絶縁体層とは異なる材料で構成され、前記第３種ガスは、前記第４絶縁体層のエッチング用の、前記第１種ガスの前記第１成分とは組成の異なる成分を含む、請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第２成分は前記第１種ガスには含まれない、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第２絶縁体層は炭化シリコン層である、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
電子デバイスの製造方法であって、
基板の上に設けられた第１の酸化シリコン層と、前記第１の酸化シリコン層と前記基板との間に位置する炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層と前記基板との間に位置する第２の酸化シリコン層と、を含む積層構造を有する絶縁体膜に孔を形成する工程を備え、
前記孔を形成する工程は、
Ｃ４Ｆ８およびＣＨＦ３の少なくとも一方を含むガスを用いたプラズマエッチングにより前記第１の酸化シリコン層の一部を除去することで、前記第１の酸化シリコン層を貫通する開口を形成する段階と、
ＣＦ４およびＣＨ２Ｆ２を含むガスを用いたプラズマエッチングにより炭化シリコン層の一部を除去することで、前記炭化シリコン層を貫通する開口を形成する段階と、
Ｃ４Ｆ８およびＣＨＦ３の少なくとも一方を含むガスを用いたプラズマエッチングにより前記第２の酸化シリコン層の一部を除去することで、前記第２の酸化シリコン層を貫通する開口を形成する段階と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記ＣＦ４に対する前記ＣＨ２Ｆ２の流量比は、０．７以上１．３以下である、請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記炭化シリコン層のプラズマエッチングに用いられる前記ガスは、さらにＡｒとＯ２を含み、前記第１の酸化シリコン層のプラズマエッチングに用いられる前記ガス、および、前記第２の酸化シリコン層のプラズマエッチングに用いられる前記ガスは、Ｃ４Ｆ８およびＣＨＦ３の両方を含む請求項９または１０に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記炭化シリコン層のプラズマエッチングにおいて、
ＲＦ電力は１００Ｗ以上４０００Ｗ以下であり、プロセスガスの全圧は１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下であり、前記Ａｒの流量は５０ｓｃｃｍ以上１０００ｓｃｃｍ以下であり、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２および０２の流量は５ｓｃｃｍ以上５０ｓｃｃｍ以下である、請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁体膜は、前記第２の酸化シリコン層と前記基板との間に位置する第３の酸化シリコン層を有し、
前記孔を形成する工程は、
前記第２の酸化シリコン層と前記基板との間に位置する窒化シリコン層が前記孔の底を構成するように、Ｃ４Ｆ６を含むガスを用いたプラズマエッチングにより第３の酸化シリコン層の一部を除去することで、第３の酸化シリコン層を貫通する開口を形成する段階を有する、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記孔は前記基板に向かって径が小さくなる、順テーパー形状を有する、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記孔を誘電体材料で埋める工程を有する、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記孔を導電性の材料で埋める工程をさらに備える、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記孔を形成する工程の後、前記基板の上にマイクロレンズアレイを形成する工程をさらに備える、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月8日(2016.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この発明の手術用ドレープに受液パウチ２を取り付けるには、図３、図４に示すように、受液パウチ２の縁部を２本の襞部３に鉗子６等によって挟み込む。別の取り付け方としては、襞部３に孔をあけて布鉗子で挟むか、紐で縛るか、襞部３に面ファスナーや粘着テープを取り付けておくこと等が考えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
襞部３は、受液パウチ２を取り付ける箇所として説明したが、例えば、電気メスのコードや排液チューブ等を取り付ける箇所としても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月11日(2016.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図柄が表示された複数のリールと、
複数の役の中から、第１の図柄組み合わせ又は前記第１の図柄組み合わせとは異なる第２の図柄組み合わせのいずれかが表示可能となる第１の特定役を当選役として決定することが可能となる役決定手段と、
前記複数のリールの各々に対応付けられており、前記リールを停止させるために遊技者が操作可能な複数のストップスイッチと、を備え、
前記役決定手段の決定結果が前記第１の特定役となる場合において、
前記複数のストップスイッチが所定の操作順序で操作されたことで第１の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、
前記複数のストップスイッチのうち、少なくとも一のストップスイッチが特定のタイミングで操作されたことで前記第２の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、
前記所定の操作順序で操作するように促す第一の報知と、
前記特定のタイミングで操作するように促す第二の報知と、を備え、
前記第一の報知と前記第二の報知とを遊技者が選択可能な報知切替手段をさらに備え、
前記報知切替手段により、遊技者が一の報知を選択した状況下で、
前記役決定手段の決定結果が前記第１の特定役となる場合において、
前記第一の報知を促す選択がなされている場合は、前記第一の報知を実行し、
前記第二の報知を促す選択がなされている場合は、前記第二の報知を実行し、
前記第１の特定役に当選している状況下で、
前記所定の操作順序で操作を行うと、第１の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、
前記所定の操作順序とは異なる特定の操作順序で操作を行うと、第１の図柄組み合わせが表示されたときよりも遊技者にとって不利となる図柄組み合わせが表示される場合があり、
前記所定のタイミングで操作を行うと、第２の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、
前記所定のタイミングとは異なる特定のタイミングで操作を行うと、前記第２の図柄組み合わせが表示されたときよりも遊技者にとって不利となる図柄組み合わせが表示される場合がある
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明に係る遊技機は、複数の図柄が表示された複数のリールと、複数の役の中から、第１の図柄組み合わせ又は前記第１の図柄組み合わせとは異なる第２の図柄組み合わせのいずれかが表示可能となる第１の特定役を当選役として決定することが可能となる役決定手段と、前記複数のリールの各々に対応付けられており、前記リールを停止させるために遊技者が操作可能な複数のストップスイッチと、を備え、前記役決定手段の決定結果が前記第１の特定役となる場合において、前記複数のストップスイッチが所定の操作順序で操作されたことで第１の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、前記複数のストップスイッチのうち、少なくとも一のストップスイッチが特定のタイミングで操作されたことで前記第２の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、前記所定の操作順序で操作するように促す第一の報知と、前記特定のタイミングで操作するように促す第二の報知と、を備え、前記第一の報知と前記第二の報知とを遊技者が選択可能な報知切替手段をさらに備え、前記報知切替手段により、遊技者が一の報知を選択した状況下で、前記役決定手段の決定結果が前記第１の特定役となる場合において、前記第一の報知を促す選択がなされている場合は、前記第一の報知を実行し、前記第二の報知を促す選択がなされている場合は、前記第二の報知を実行し、前記第１の特定役に当選している状況下で、前記所定の操作順序で操作を行うと、第１の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、前記所定の操作順序とは異なる特定の操作順序で操作を行うと、第１の図柄組み合わせが表示されたときよりも遊技者にとって不利となる図柄組み合わせが表示される場合があり、前記所定のタイミングで操作を行うと、第２の図柄組み合わせに対応する図柄が表示可能であり、前記所定のタイミングとは異なる特定のタイミングで操作を行うと、前記第２の図柄組み合わせが表示されたときよりも遊技者にとって不利となる図柄組み合わせが表示される場合があることを特徴とする。
また、本発明に係る遊技機の変形例は、複数の図柄が表示された複数のリールを変動表示させる変動表示手段と、第１の特定役、第２の特定役及び特定小役を含む複数の役であって、各々に前記図柄の組み合わせが対応付けられた役の中から当選役を決定する役決定手段と、変動表示されている前記複数のリールの各々を停止させるための操作を受け付ける複数の停止手段と、前記第１の特定役、又は、前記第２の特定役が前記役決定手段により決定した場合に、決定された当該遊技以降も決定された旨の情報を記憶することが可能な当選役記憶手段と、前記当選役記憶手段により前記第１の特定役が記憶されているときに、前記役決定手段により前記特定小役が決定された遊技において前記停止手段が所定の操作態様で操作されると、前記変動表示手段の表示領域に第１の図柄の組み合わせを停止させ、前記当選役記憶手段により前記第２の特定役が記憶されているときに、前記役決定手段により前記特定小役が決定された遊技において前記停止手段が所定の操作態様で操作されると、前記表示領域に前記第１の図柄の組み合わせとは異なる第２の図柄の組み合わせを停止させる変動表示制御手段と、所定の条件を満たし、前記役決定手段により前記特定小役が決定されたときに、前記停止手段の前記操作態様を報知する演出制御手段と、を備え、前記演出制御手段で報知される前記操作態様は一の操作態様と他の操作態様であり、前記演出制御手段は、前記所定の条件に応じて当該報知態様を選択するように構成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、このような本発明に係る遊技機の変形例において、前記役決定手段により前記第１の特定役が決定されているときの前記特定小役に対する前記所定の操作態様は、前記表示領域に所定の図柄が表示されているときの前記停止手段の操作とし、前記役決定手段により前記第２の特定役が決定されているときの前記特定小役に対する前記所定の操作態様は、前記停止手段の操作順序とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定演出を実行する特定演出実行手段と、
前記特定演出の開始からの時間を計測する計測手段とを備える遊技機において、
前記特定演出よりも優先される特定状態が設定され、
前記特定状態以外の状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始されるとともに、前記特定演出が導出され、
前記特定状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測の開始が待機されるとともに、前記特定演出の導出が待機され、前記特定状態の終了後に、前記計測手段による計測が開始され、かつ、前記特定演出が導出され得るように構成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記特定演出の導出が待機されている状態であることを教示可能に構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
遊技者を特定する場合に使用される遊技者特定情報を記憶可能な遊技者特定情報記憶手段を備え、
前記遊技者特定情報記憶手段に前記遊技者特定情報が記憶されている場合に、前記特定状態の設定が可能に構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記特定演出が導出されている期間内において、特定条件が達成されたことを検知する達成検知手段と、
前記特定条件が達成された情報を記憶する達成情報記憶手段と、
前記達成情報記憶手段の記憶情報を遊技機の外部に出力可能な情報出力手段とを備え、
前記情報出力手段から出力される前記達成情報記憶手段の記憶情報は、待機状態を挟んで導出された前記特定演出において前記特定条件が達成された情報と、前記待機状態を挟むことなく導出された前記特定演出において前記特定条件が達成された情報との区別がつくように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】
遊技者が操作可能な操作手段を備え、
前記操作手段への操作により、前記特定状態の設定が可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
遊技者にとって有利な特別遊技状態を発生させるか否かの当否抽選を行い、前記当否抽選の結果に基づいて前記特別遊技状態を発生させる主制御手段と、
識別情報を変動表示可能な可変表示手段と、
前記可変表示手段において、前記識別情報を変動表示させ、所定時間後、前記当否抽選の結果に基づいて前記識別情報を停止表示させる表示制御手段とを備える遊技機において、
所定の契機を検知する契機検知手段と、
前記契機検知手段の検知が行われた場合に、前記当否抽選に関する当否関連情報を取得する情報取得手段と、
前記情報取得手段で取得された前記当否関連情報を記憶可能な記憶領域を複数有する保留記憶手段とを備え、
前記可変表示手段における識別情報の変動表示中において、前記契機検知手段の検知が行われた場合には、当該検知に対応する前記識別情報の変動表示が、実行中の前記識別情報の変動表示後に行われる構成であって、
前記保留記憶手段の前記記憶領域に記憶されている前記当否関連情報の内容に関する示唆を導出可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の遊技機は、
特定演出を実行する特定演出実行手段と、
前記特定演出の開始からの時間を計測する計測手段とを備える遊技機において、
前記特定演出よりも優先される特定状態が設定され、
前記特定状態以外の状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始されるとともに、前記特定演出が導出され、
前記特定状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測の開始が待機されるとともに、前記特定演出の導出が待機され、前記特定状態の終了後に、前記計測手段による計測が開始され、かつ、前記特定演出が導出され得るように構成されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定演出を実行する特定演出実行手段と、
前記特定演出の開始からの時間を計測する計測手段とを備える遊技機において、
前記特定演出よりも優先される特定状態が設定され、
前記特定状態以外の状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始されるとともに、前記特定演出が導出され、
前記特定状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始される一方で、前記特定演出が導出されないことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技を進行させる場合に遊技者に操作される操作手段を備え、
前記操作手段に対する操作が一定期間行われなかった場合に専用の待機状態に移行する構成において、
前記待機状態が前記特定状態として構成され、
前記待機状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始される一方で、前記特定演出が導出されないことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記計測手段による計測が開始され、かつ、前記特定演出が導出されない状態において、前記操作手段の操作が行われた場合に、前記計測手段による計測が継続されるとともに、前記特定演出が導出されることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記特定演出の態様は、前記特定演出を開始するタイミングとなった場合に開始された前記計測手段による計測時間と対応付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の遊技機は、
特定演出を実行する特定演出実行手段と、
前記特定演出の開始からの時間を計測する計測手段とを備える遊技機において、
前記特定演出よりも優先される特定状態が設定され、
前記特定状態以外の状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始されるとともに、前記特定演出が導出され、
前記特定状態で前記特定演出を開始するタイミングとなった場合には、前記計測手段による計測が開始される一方で、前記特定演出が導出されないことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入力されたデータを複数の記憶デバイスのいずれかに記憶させる機能を有するアレイコントローラであって、
前記複数の記憶デバイスのうち、いずれかに前記データを記憶させるかを指定する機能を有するプロセッサと、
前記データを記憶し、前記データを前記複数の記憶デバイスのいずれかに出力する機能を有するキャッシュメモリと、を有し、
前記キャッシュメモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とするアレイコントローラ。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、温度が２５℃において１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とするアレイコントローラ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記記憶デバイスは、ハードディスクであることを特徴とするアレイコントローラ。
【請求項４】
複数の記憶デバイスと、
外部から入力されたデータを前記複数の記憶デバイスのいずれかに記憶させる機能を有するアレイコントローラと、を有し、
前記アレイコントローラは、前記複数の記憶デバイスのうち、いずれかに前記データを記憶させるかを指定する機能を有するプロセッサと、前記データを記憶し、前記データを前記複数の記憶デバイスのいずれかに出力する機能を有するキャッシュメモリと、を有し、
前記キャッシュメモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とするストレージシステム。
【請求項５】
複数の記憶デバイスと、
外部から入力されたデータを前記複数の記憶デバイスのいずれかに記憶させる機能を有するアレイコントローラと、
前記データを記憶し、前記データを前記複数の記憶デバイスのいずれかに出力する機能を有するキャッシュメモリと、を有し、
前記アレイコントローラは、前記複数の記憶デバイスのうち、いずれかに前記データを記憶させるかを指定する機能を有するプロセッサを有し、
前記キャッシュメモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とするストレージシステム。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、温度が２５℃において１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とするストレージシステム。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記記憶デバイスは、ハードディスクであることを特徴とするストレージシステム。