【事件の表示】
　特願２０１１−２３３９７０「耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月１７日出願公開，特開２０１２−　９４８７０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成２３年１０月２５日（パリ条約による優先権主張２０１０年１０月２６日，欧州特許庁）の出願であって，平成２３年１２月２２日付けで翻訳文の提出がなされ，平成２６年５月１日付けで審査請求がなされ，平成２７年２月１６日付けで拒絶理由の通知がなされ，同年５月２１日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ，同年７月１日付けで拒絶理由の通知がなされ，同年１０月５日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ，同年１２月２８日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して平成２８年４月２８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ，同年９月１日付けで上申書の提出がなされたものである。
第２　補正の却下の決定　　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２８年４月２８日付けの手続補正書による補正を却下する。
［理由］　　　
１　補正の内容 
　平成２８年４月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１乃至９を，補正後の特許請求の範囲の請求項１乃至９に補正するものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。（注：補正箇所に当審で下線を付した。）
（１）補正前の請求項１
「磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備える，熱アシストスイッチング書き込み操作に適した磁気メモリ素子であって，前記磁気トンネル接合が，固定磁化を有する第１の強磁性層と，所定の高温しきい値で自由に整列され得る磁化を有する第２の強磁性層と，前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え，
　前記電流線が，前記書き込み操作中に前記磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合されている当該磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合は，前記加熱電流が前記磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された少なくとも１つの加熱要素（２６，２６）と，前記少なくとも１つの加熱要素と直列の１つの熱障壁（３０）とをさらに備え，
　前記熱障壁が，前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも１つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合されていること，及び
　前記少なくとも１つの加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有することを特徴とする磁気メモリ素子。」
（２）補正後の請求項１
「磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備える，熱アシストスイッチング書き込み操作に適した磁気メモリ素子であって，前記磁気トンネル接合が，固定磁化を有する第１の強磁性層と，所定の高温しきい値で自由に整列され得る磁化を有する第２の強磁性層と，前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え，
　前記電流線が，前記書き込み操作中に前記磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合されている当該磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合は，前記加熱電流が前記磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された
２つの
２５
２つの
２つの
　前記
２つの
２つの
　
前記加熱電流の通電時に前記磁気トンネル接合にわたる電圧
０．６３倍
である係数だけ減少する
（３）補正事項　
　本件補正では，本件補正前の請求項１は本件補正後の請求項１に対応し，本件補正前の請求項１と本件補正後の請求項１を比較すると，本件補正後の請求項１に係る本件補正には，以下の補正事項が含まれる。
　ア　補正事項１
　補正前の請求項１の「少なくとも１つの加熱要素（２６，２６）」を，「２つの加熱要素（２５，２６）」とする補正。
　イ　補正事項２
　補正前の請求項１の「少なくとも１つの加熱要素と直列の１つの熱障壁（３０）」を，「前記２つの加熱要素と直列の２つの熱障壁（３０）」とする補正。
　ウ　補正事項３
　補正前の請求項１の「前記熱障壁が，前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも１つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合されている」を，「前記２つの熱障壁が，前記磁気トンネル接合内部で前記２つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合されている」とする補正。
　エ　補正事項４
　補正前の請求項１の「前記少なくとも１つの加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有する」を，「前記加熱電流の通電時に前記磁気トンネル接合にわたる電圧が，０．６３倍より大きく且つ０．９５倍以下である係数だけ減少する」とする補正。
２　補正の適否
（１）補正事項４について
　補正事項４により補正された部分は，本願において，特許法第３６条の２第６項の規定により明細書，特許請求の範囲及び図面とみなされた，平成２３年１２月２２日に提出された外国語書面の翻訳文（以下「当初明細書等」という）に記載されているものと認められるから，補正事項４は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって，補正事項４は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。　
　また，補正事項４が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　しかしながら，補正事項４は，「前記少なくとも１つの加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有する」から，「前記加熱電流の通電時に前記磁気トンネル接合にわたる電圧が，０．６３倍より大きく且つ０．９５倍以下である係数だけ減少する」へ変えるものであるが，補正後の「電圧が，０．６３倍より大きく且つ０．９５倍以下である係数だけ減少する」は電圧について規定する事項であり，補正前の「加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有する」は抵抗面積積について規定する事項であるため，両者はそもそも概念的に異なり，補正後に記載された事項が補正前に記載された事項より下位概念のものとは認められない。
　そうすると，補正事項４は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮（第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて，その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的とするものとは認められない。
　さらに，当初明細書等の段落【００４０】には，
「第１の加熱要素２５は，その厚さ，その組成，及び生成条件に応じて，ＲＡＭＴＪの０〜１．５倍の抵抗面積積ＲＡＨＥを有することができる。」
ことが記載されているので，補正前の「前記少なくとも１つの加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有する」の記載自体が不明りょうであるとはいえないので，補正事項４において補正前の記載を補正後の記載に補正することは，明りょうでない記載の釈明に該当しない。
　そして補正事項４は，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる「第３６条第５項に規定する請求項の削除」，及び特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものでもない。
　以上から，補正事項４は，特許法第１７条の２第５項の第１号乃至第４号に掲げるいずれを目的としたものにも該当しない。
（２）むすび
　したがって，補正事項４を含む本件補正は，特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず，同法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから，他の補正事項について検討するまでもなく，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
１　本願発明
　平成２８年４月２８日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願に係る発明は，平成２７年１０月５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明(以下「本願発明」という。）は，上記第２の１（１）の「補正前の請求項１」の箇所に記載したとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
「磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備える，熱アシストスイッチング書き込み操作に適した磁気メモリ素子であって，前記磁気トンネル接合が，固定磁化を有する第１の強磁性層と，所定の高温しきい値で自由に整列され得る磁化を有する第２の強磁性層と，前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え，
　前記電流線が，前記書き込み操作中に前記磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合されている当該磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合は，前記加熱電流が前記磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された少なくとも１つの加熱要素（２６，２６）と，前記少なくとも１つの加熱要素と直列の１つの熱障壁（３０）とをさらに備え，
　前記熱障壁が，前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも１つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合されていること，及び
　前記少なくとも１つの加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有することを特徴とする磁気メモリ素子。」
　　　　 　　　
２　引用文献と引用発明及び引用文献記載事項 
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−２６６３０１号公報（以下「引用文献１」という。）には，下記の事項が記載されている。
　Ａ　「【００１８】
　
本発明では，スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る
【課題を解決するための手段】
【００１９】
  
本発明に依る磁気記憶装置及びその動作方法
磁化自由層近傍に発熱層が設けられてなる磁気抵抗効果素子を備えてなる
・・・中略・・・
【００２１】
（１）
　本発明の磁気記憶装置及びその動作方法に於いては，磁気抵抗効果素子が１層以上の強磁性層と，非磁性層で構成される磁化自由層と，積層フェリピン構造（ＳＡＦ：Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  ａｎｔｉ  ｆｅｒｒｏ  ｍａｇｎｅｔ）の磁化固定層とを備え，また，磁化固定層と磁化自由層の間には，ＴＭＲ型では絶縁層を，そして，ＧＭＲ型では非磁性層をそれぞれ介在させてあり，
そして，磁化自由層近傍に発熱層を配設し，磁化自由層と発熱層は，非磁性の熱伝導率の高い金属層で接続し，印加電流によって生じた熱を効率良く磁化自由層に伝導する
【００２２】
　また，
発熱層とビット線とを低熱伝導率の金属層で接続することで，発熱を配線部に伝導しない構成にする
　Ｂ　「【００２６】
　
書き込み時
発熱層に於ける発熱を促す為のストレス電流パルス印加
ストレス電流パルスによって磁化自由層近傍の温度を上昇させ，磁化自由層に於ける磁化反転磁界Ｈ
Ｃ
 ，及び書き込み電流Ｉ
Ｃ
 （＝Ｊ
Ｃ
 ＊Ａ）を低下させて書込みを容易にする
書込み電流パルスで十分発熱が行われる設定では、ストレス電流パルスを使用しなくても良い（書き込みパルス単独）
　Ｃ　「【実施例１】
【００３０】
　図１は本発明の磁気記憶装置に於けるＧＭＲ型磁気抵抗効果素子の一例を表す為の要部説明図であり，図に於いて，４Ａは磁化固定層（ピンド層），４Ｂは非磁性金属層，４Ｃは磁化自由層（フリー層），４Ｄは高熱伝導層，４Ｅは発熱層，４Ｆは上部電極，１０は下部電極，ＷＬはワード線，ＢＬはビット線をそれぞれ示している。
【００３１】
　ここで，下部電極１０は厚さ５０ｎｍのＣｕ膜で構成され，その上に形成された磁化固定層４ＡはＰｔＭｎ１５ｎｍ／ＣｏＦｅ４ｎｍ／Ｒｕ０．８ｎｍ／ＣｏＦｅ４ｎｍを積層して成り，非磁性金属層４ＢはＣｕ６ｎｍ，自由磁化層３４はＣｏＦｅＢ２ｎｍ，高熱伝導層４Ｄは熱伝導良好なＣｕ２ｎｍ，発熱層４ＥはＮｉＣｒ１０ｎｍ，
上部電極４Ｆは低熱伝導金属である
【００３２】
　図１に見られる下部電極１０から上部電極１３に至る各層は，全面に積層された段階で通常のリソグラフィ技術に於けるレジストプロセス及びドライエッチング法を適用することに依り，磁気抵抗効果素子パターンの寸法，即ち，１００×２００ｎｍに加工し，その後，例えばＣＶＤ法を適用することに依り，例えばＳｉＯ２ からなる層間絶縁膜で埋め込み，通常のリソグラフィ技術に於けるレジストプロセス及びドライエッチング法を適用することに依り，前記層間絶縁膜に電極コンタクトホールを形成してから第２の配線ＢＬを形成し，大容量メモリに対応する磁気抵抗効果素子が得られる。」
　Ｄ　「【実施例２】
【００３３】
　図２は図１に見られるＧＭＲ型磁気抵抗効果素子とＭＯＳトランジスタとを組み合わせた磁気記憶装置を表す要部切断側面図であり，図１１及び図１２に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００３４】
　図に於いて，１はシリコン基板，３はビット線，４は磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ型），５はワード線（ゲート電極），６はソース／ドレイン領域，７Ａ及び７Ｂは層間絶縁膜，８Ａ及び８Ｂはコンタクトプラグ，９は接地線，１０は下部電極，１１は層間絶縁膜，１２は素子分離領域，１３はキャップ層，１４は層間絶縁膜をそれぞれ示している。
・・・中略・・・
【００４６】
図８参照
（９）
　リソグラフィ技術に於けるレジストプロセス，スパッタリング法，リフトオフ法を適用することに依り，層間絶縁膜７Ｂ上にコンタクトプラグ８Ｂを介してソース領域或いはドレイン領域と導電接続された厚さ５０ｎｍのＣｕからなる下部電極１０を形成する。
【００４７】
（１０）
　
スパッタリング法を適用することに依り
固定磁化層４Ａを形成
【００４８】
（１１）
　
スパッタリング法を適用することに依り
トンネル酸化膜４Ｂを形成
【００４９】
（１２）
　
スパッタリング法を適用することに依り
自由磁化層４Ｃとする
【００５０】
（１３）
　次いで，
スパッタリング法を適用することに依り
発熱層４Ｅ
形成
【００５１】
（１４）
　フォトリソグラフィ法，及び，ドライエッチング法を適用することに依り，キャップ層１３，上部電極４Ｆ，
発熱層４Ｅ
磁化自由層４Ｃ，トンネル酸化膜４Ｂ，磁化固定層４Ａを異方性エッチングする
１２７ｎｍ×２６０ｎｍのサイズをもつ磁気抵抗効果素子４
形成
　Ｅ　図１には，
磁気抵抗効果素子として，下部電極１０，磁化固定層４Ａ，トンネル酸化膜４Ｂ，磁化自由層４Ｃ，高熱伝導層４Ｄ，発熱層４Ｅ，上部電極４Ｆの順に積層した構成
　Ｆ　図２には，図１の磁気抵抗効果素子とＭＯＳトランジスタとを組み合わせた磁気記憶装置として，
磁気抵抗効果素子上に，キャップ層，ビット線の順に積層
　
（２）引用発明
　ここで，上記（１）の記載事項について下記の点を検討する。
　ア　磁気抵抗効果素子のタイプについて
　上記Ａには，本発明がスピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）に係るものであり，磁化自由層近傍に発熱層を設けた磁気抵抗効果素子を備えたものであることが記載されている。
　また，上記Ｂには，ストレス電流パルスを印加して発熱層を発熱させて磁化自由層近傍の温度を上昇させ，磁化自由層に於ける磁化反転磁界ＨＣ ，及び書き込み電流ＩＣ（＝ＪＣ＊Ａ）を低下させて書込みを容易にするが，書込み電流パルスで十分発熱が行われる設定では，書込み電流パルスで発熱層を発熱して書き込みを容易にすることが記載されている。
　よって，引用文献１には，「書込み電流パルスによって発熱層を発熱させて磁化自由層近傍の温度を上昇させ，磁化自由層に於ける磁化反転磁界ＨＣ，及び書き込み電流ＩＣを低下させて書込みを容易にする，スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭの磁気抵抗効果素子」が記載されていると認められる。
　イ　磁気抵抗効果素子の構成について
　上記Ｅから，引用文献１の図１には，「磁気抵抗効果素子」が，「下部電極１０，磁化固定層４Ａ，トンネル酸化膜４Ｂ，磁化自由層４Ｃ，高熱伝導層４Ｄ，発熱層４Ｅ，上部電極４Ｆが順に積層」された構成が記載されている。
　ウ　発熱層の熱を伝えない構成について
　上記Ａには，書込み時に発熱層を発熱させること，磁化自由層と発熱層は，非磁性の熱伝導率の高い金属層で接続し，印加電流によって生じた熱を効率よく磁化自由層に伝導する構成とし，発熱層とビット線とを低熱伝導率の金属層で接続するすることで，発熱を配線部に伝導しない構成とすることが記載され，上記Ｃには，上部電極４Ｆが低熱伝導金属であることが記載されている。
　よって，引用文献１には，「発熱層で生じた熱は，磁化自由層に伝導するが，低熱伝導金属である上部電極４Ｆによりビット線には伝導しない」構成が記載されていると認められる。
　エ　磁気抵抗効果素子とビット線の接続について
　上記Ｆから，引用文献１の図２には，「キャップ層を介してビット線が接続された磁気抵抗効果素子」の構成が記載されている。
　オ　上記ア乃至エの記載から，引用文献１には，下記の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「書込み電流パルスによって発熱層を発熱させて磁化自由層近傍の温度を上昇させ，磁化自由層に於ける磁化反転磁界ＨＣ，及び書き込み電流ＩＣを低下させて書込みを容易にする，スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭの磁気抵抗効果素子であって，　
　磁気抵抗効果素子は，下部電極，磁化固定層，トンネル酸化膜，磁化自由層，高熱伝導層，発熱層，上部電極が順に積層された構成であり，
　発熱層で生じた熱は，磁化自由層に伝導するが，低熱伝導金属である上部電極によりビット線には伝導しない，
　キャップ層を介してビット線が接続された磁気抵抗効果素子。」
（３）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２００９／１１５５０５号（以下「引用文献２」という。），下記の事項が記載されている。
　なお，便宜的に原文（フランス語）の「accent aigu（アクサンテギュ）」は「e」のように表記し，「accent grave（アクサングラーブ）」は「e`」のように表記し，「accent circonflexe（アクサンシルコンフレクス）」は「e^」のように表記し，ｏｅの合字は「
oe
　ア　「[0049] Dans l'objectif vise par la presente invention, si l'on ne souhaite pas affecter la resistance propre de la barriere tunnel 42, en revanche, on vise a` augmenter la resistance de la couche de stockage et/ou de la couche de reference.
[0050] Pour ce faire, et selon l'invention, on depose au sein et / ou a` la surface de la couche ferromagnetique 43 constitutive de la couche de reference, et/ou de la couche ferromagnetique 40 constitutive de la couche de stockage, voire a` l'interface entre les couches 40 et 43 avec les couches antiferromagnetiques 41 et 44 auxquelles elles sont respectivement couplees, une tre`s fine couche 48 d'un oxyde ou de nitrure metallique, typiquement mais de manie`re non limitative constitue d'oxyde (nitrure) de tantale, d'aluminium, de cobalt, de zirconium, de zinc ou de magnesium.
[0051] Cette couche 48 presente preferentiellement une epaisseur subnanometrique, c'est-a`-dire au maximum egale a` 1 nanome`tre, de telle sorte a` ne pas affecter les proprietes magnetiques de la couche magnetique a` laquelle elle est associee. 
[0052] Ce depo^t peut e^tre realise par pulverisation cathodique d'une couche subnanometrique de metal qui est oxydee de manie`re subsequente par oxydation naturelle ou par plasma. Alternativement, la couche metallique peut e^tre nitruree par depo^t de la couche metallique dans une atmosphe`re partielle d'azote. Alternativement, l'oxyde peut e^tre depose directement par pulverisation dans un plasma reactif.
[0053] Dans un mode de realisation de l'invention, au moins une couche mince 48 a` forte resistivite electrique est deposee sur l'une des faces de la couche ferromagnetique 43 constitutive de la couche de reference, et/ou de la couche ferromagnetique 40 constitutive de la couche de stockage. Par exemple, dans le cas de la jonction 31 comportant une couche antiferromagnetique 41 piegeant la couche de stockage 40 et une couche antiferromagnetique 44 piegeant la couche de reference 43, la couche mince 48 est deposee a` l'interface entre la couche de stockage 40 et antiferromagnetique 41 et/ou a` l'interface entre la couche de reference 43 et antiferromagnetique 44.」
（日本語訳「[0049] しかしながら，本発明が求める目的において，トンネル障壁４２の特有の抵抗が，影響され得ない場合には，記憶層および／または基準層の抵抗を増加させることを目的とする。
[0050]　この目的のために，本発明によれば，限定するわけではないが，典型的には，タンタル，アルミニウム，コバルト，ジルコニウム，亜鉛，または酸化マグネシウム（窒化物）で構成された金属酸化物または窒化物の薄層４８が，基準層を構成する強磁性層４３および／もしくは記憶層を構成する記憶層４０の中および／もしくは表面上に，またはさらには層４０および４３がそれぞれ結合された反強磁性層４１および４４と層４０および４３との間の界面に，堆積される。
[0051]　好ましくは，この層４８は，それが結合される磁性層の磁気特性に影響しないように，サブナノメートルの厚さ，すなわちせいぜい１ナノメートルに等しい厚さを有する。
[0052]　この堆積は，サブナノメートルの金属層の陰極スパッタリングによって達成できるが，この金属層は，続いて，自然酸化またはプラズマによって酸化される。代替として，金属層は，部分的な窒素雰囲気において金属層の堆積によって窒化することができる。代替として，酸化物は，反応性プラズマにおいてスパッタリングによって直接堆積することができる。
[0053]　本発明の一実施形態において，高電気抵抗率を備えた少なくとも１つの薄層４８が，基準層を構成する強磁性層４３および／または記憶層を構成する記憶層４０の表面の一つの上に堆積される。例えば，記憶層４０をピニングする反強磁性層４１および基準層４３をピニングする反強磁性層４４を備える接合部３１の場合には，薄層４８は，記憶層４０と反強磁性層４１との間の界面，および／または基準層４３と反強磁性層４４との間の界面に堆積される。」)
　イ　「[0056] Le placement de la ou des couches minces resistives 48 au sein de la couche ferromagnetique 40, ou encore dans la couche antiferromagnetique d'echange 41, est avantageux puisqu'il favorise l'elevation de temperature a` proximite de la couche ferromagnetique 40 qui doit e^tre chauffee au-dela` de sa temperature de blocage. 」
（日本語訳「[0056]　１つまたは複数の薄い抵抗層４８を，強磁性層４０または同様に反強磁性交換層４１内に配置することは，有利である。なぜなら，それは，自身のブロッキング温度を超えて加熱される必要のある強磁性層４０近くで温度上昇を促進するからである。」）
　ウ　「[0061] Typiquement, la resistance des couches d'oxyde metallique a` base d'aluminium ou de tantale est comprise entre 0,5 et 5 Ω/μm2 dependant de l'epaisseur et des conditions de realisation. 
[0062] Si l'on conside`re un produit resistance fois la surface de la couche d'oxyde metallique de 5Ω/μm2, et de la jonction tunnel de 50 Ω/μm2, le gain en tension est d'environ 5 % pour chacune des couches d'oxyde metallique introduites dans la structure.
[0063] Si l'on met en 
oe
[0064] Pour un produit RA voisin de 20 Ω/μm2, le gain en tension peut me^me e^tre superieur, typiquement 10 % pour une seule couche d'oxyde metallique a` 50 % pour l'introduction d'une telle couche d'oxyde metallique dans une couche de stockage constituee de 10 bicouches (couche magnetique + couche amorphe).
[0065] Les memoires magnetiques MRAM ainsi obtenues presentent une endurance fortement amelioree dans la mesure ou` le stress induit par la phase d'ecriture est fortement reduit, et ou` la tension appliquee a` la jonction tunnel magnetique lors de la phase de lecture est faible, typiquement inferieure a` 200 mV.
[0066] Dans le cas de la configuration des memoires magnetiques a` ecriture assistee thermiquement (TA-MRAM), et plus particulie`rement dans le cadre des memoires magnetiques a` ecriture par injection de courant polarisee en spin assistee thermiquement TA-STT-MRAM, essentielles pour aboutir a` des caracteristiques dimensionnelles inferieures ou egales a` 90 nanometres, un courant important doit traverser ladite jonction tunnel magnetique. La solution proposee par l'invention mettant en 
oe
oe
（日本語訳「[0061]　典型的には，アルミニウムまたはタンタルに基づく１つまたは複数の金属酸化物層４８の抵抗は，厚さおよび実行条件に依存して，０．５〜５Ω／μｍ２に含まれる。典型的には，１つまたは複数の金属酸化物層４８の抵抗は，半導電性層４２の抵抗のほぼ１０分の１の低さである。
[0062]　５Ω／μｍ２の金属酸化物層の，および５０Ω／μｍ２のトンネル接合部の抵抗×表面積の積を考えると，電圧利得は，構造に導入された金属酸化物層のそれぞれに対して約５％である。
[0063]　本発明に従っていくつかの金属酸化物層が導入された，記憶層用の多重スタック構造が用いられる場合には，電気的ストレスにおける減少幅は，３０％達することができる。
[0064]　約２０Ω／μｍ２に近い積ＲＡ（抵抗×面積）に対して，電圧利得は，さらに大きくすることができ，典型的には，単一の金属酸化物層に対する１０％から，１０の二重層（磁性層＋非晶質層）で構成された記憶層におけるかかる金属酸化物層の導入に対する５０％である。
[0065]　このようにして得られたＭＲＡＭ磁気メモリは，書き込み段階によって誘発されるストレスがかなり低減され，読み出し段階中に磁気トンネル接合部に印加される電圧が低く，典型的には２００ｍＶ未満であるので，非常に改善された耐久性を有する。
[0066]　特に９０ナノメートル以下の寸法特性を達成するためには不可欠な，熱支援磁気ランダムアクセスメモリ（ＴＡ−ＭＲＡＭ）構成の場合，および特にスピン偏極電流の注入による
熱支援磁気メモリ（スピン移動トルクＭＲＡＭまたはＳＴＴ−ＭＲＡＭ）
　エ　上記ア乃至ウから，引用文献２には，次の事項が記載されていると認められる。
「スピン偏極電流の注入による熱支援磁気メモリにおいて，５０Ω／μｍ２のトンネル接合部の抵抗に対して，記憶層の表面上に堆積し記憶層の温度上昇を促進する金属酸化物層の抵抗を５Ω／μｍ２とすることで，書き込み段階によって誘発されるストレスを低減すること。」
３　対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
　ア　引用発明の「磁化固定層」は，本願発明の「固定磁化を有する第１の強磁性層」に相当する。
　イ　引用発明は，「磁化自由層近傍の温度を上昇させ，磁化自由層に於ける磁化反転磁界ＨＣ，及び書き込み電流ＩＣを低下させて書込みを容易にする」ので，引用発明の「磁化自由層」は，本願発明の「所定の高温しきい値で自由に整列され得る磁化を有する第２の強磁性層」に相当する。
　ウ　引用発明の「トンネル酸化膜」は，磁化固定層と磁化自由層の間に積層されるものであり，上記ア及びイの記載事項から，本願発明の「前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁」に相当する。
　エ　上記ア乃至ウの記載事項から，引用発明の「磁気抵抗効果素子」は，本願発明の「固定磁化を有する第１の強磁性層と，所定の高温しきい値で自由に整列され得る磁化を有する第２の強磁性層と，前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え」た「磁気トンネル接合」に相当する。
　オ　引用発明では，磁気抵抗効果素子には「キャップ層を介してビット線が接続され」ているので，引用発明の「ビット線」は，本願発明の「磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線」に相当する。
　カ　引用発明の「発熱層を発熱させて磁化自由層近傍の温度を上昇させ，磁化自由層に於ける磁化反転磁界ＨＣ，及び書き込み電流ＩＣを低下させて書込みを容易にする」ことは，本願発明の「熱アシストスイッチング書き込み操作に適した」に相当している。
　キ　引用発明の「キャップ層を介してビット線が接続された磁気抵抗効果素子」が，磁気メモリ素子を構成することは明らかである。
　ク　上記オ乃至キの記載事項から，引用発明の「キャップ層を介してビット線が接続された磁気抵抗効果素子」は，本願発明の「磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備える，熱アシストスイッチング書き込み操作に適した磁気メモリ素子」に相当している。
　ケ　スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭの磁気抵抗効果素子では，書き込み時に磁化固定層，トンネル酸化膜，磁化自由層に書き込みのための電流（書込み電流パルス）を流す必要があり，そのための電流は磁気抵抗効果素子に接続されたビット線を経由して流れることは明らかである。そして，引用発明の「書込み電流パルス」は書き込みだけでなく発熱層の発熱も行うものである。
　そうすると，引用発明の「ビット線」は，発熱層を発熱させる電流である「書込み電流パルス」を流すように構成されているから，本願発明の「電流線」と同様に「前記書き込み操作中に前記磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合されている」といえる。
　コ　引用発明の「磁気抵抗効果素子」は，下部電極，磁化固定層，トンネル酸化膜，磁化自由層，高熱伝導層，発熱層，上部電極が順に積層されており，そのうち「発熱層」は書込み電流パルスによって発熱させられるものなので「加熱要素」と呼び得るものであり，また「上部電極」は低熱伝導金属で構成されてビット線に熱を伝導しないものなので「熱障壁」と呼び得るものである。
　よって，引用発明の「磁気抵抗効果素子」も，本願発明の「前記加熱電流が前記磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された少なくとも１つの加熱要素（２６，２６）と，前記少なくとも１つの加熱要素と直列の１つの熱障壁（３０）」とをさらに備えたものといえる。
　サ　引用発明の「上部電極」は低熱伝導金属で構成されているので，磁気抵抗効果素子の内部の発熱層で生じた熱をビット線には伝導しないようにして熱を閉じ込める働きをしているものと認められる。
　よって，引用発明の「上部電極」も，本願発明の「熱障壁」と同様に「前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも１つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合されている」といえる。
　
（２）本願発明と引用発明の一致点及び相違点について
　上記の対応関係から，本願発明と引用発明は，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備える，熱アシストスイッチング書き込み操作に適した磁気メモリ素子であって，前記磁気トンネル接合が，固定磁化を有する第１の強磁性層と，所定の高温しきい値で自由に整列され得る磁化を有する第２の強磁性層と，前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え，
　前記電流線が，前記書き込み操作中に前記磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合されている当該磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合は，前記加熱電流が前記磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された少なくとも１つの加熱要素（２６，２６）と，前記少なくとも１つの加熱要素と直列の１つの熱障壁（３０）とをさらに備え，
　前記熱障壁が，前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも１つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合されていることを特徴とする磁気メモリ素子。」
　イ　相違点
　本願発明は，「加熱要素」について，「前記少なくとも１つの加熱要素が，前記トンネル障壁の抵抗面積積の０倍より大きく且つ０．９５倍以下の抵抗面積積を有する」ことを限定しているのに対し，引用発明は，「発熱層」の抵抗面積積について限定していない点。
４　当審の判断 
（１）相違点について
　ＭＲＡＭでは，大容量化の要求に対する磁気抵抗効果素子の縮小化により書込み電流の増加が問題となっており，これに対処するため，なんらかの発熱層を磁化自由層の近傍に配置することで書き込み時の磁化自由層の温度を上昇させて書き込み電流を減少させる熱アシスト法が，引用文献１及び引用文献２に記載されているように周知技術となっている。
　また，上記２の（３）から，引用文献２には，
「スピン偏極電流の注入による熱支援磁気メモリにおいて，５０Ω／μｍ２のトンネル接合部の抵抗に対して，記憶層の表面上に堆積し記憶層の温度上昇を促進する金属酸化物層の抵抗を５Ω／μｍ２とすることで，書き込み段階によって誘発されるストレスを低減すること。」
が記載されているので，引用文献２に接した当業者であれば，引用発明のトンネル酸化膜の抵抗を５０Ω／μｍ２，発熱層の抵抗を５Ω／μｍ２とすることは適宜成し得たものである。
　そして，引用文献１の段落【００４７】乃至【００５１】には，スパッタリング法を適用して磁化固定層，トンネル酸化膜，磁化自由層，発熱層等を形成後，それらの層を異方性エッチングして，１２７ｎｍ×２６０ｎｍのサイズをもつ磁気抵抗効果素子を形成することが記載されているので，引用発明では，トンネル酸化膜と発熱層とは面積が等しいものとなり，引用発明のトンネル酸化膜の抵抗を５０Ω／μｍ２，発熱層の抵抗を５Ω／μｍ２とした場合には，発熱層の抵抗面積積はトンネル酸化膜の抵抗面積積の０．１倍になる。
　そうすると，引用発明に引用文献２に記載された事項を適用して発熱層及びトンネル酸化膜の抵抗値を設定して相違点に係る構成とすることは，当業者が容易に成し得たものといえる。
（２）作用効果について
　そして，引用文献２には，「書き込み段階によって誘発されるストレスを低減すること」が記載されているので，本願発明の作用効果は，引用発明，引用文献１に記載された事項，引用文献２に記載された事項，及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５　むすび
　以上のとおり，本願発明は，当業者が引用発明，引用文献１に記載された事項，引用文献２に記載された事項，及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶されるべきものである。