【事件の表示】
　特願２０１３−５００９８９「ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月３０日国際公開、ＷＯ２０１２／１１４９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件は、平成２４年２月１６日（特許法第４１条に基づく国内優先権主張　平成２３年２月２４日）を国際出願日とする出願であって、平成２７年４月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２４日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年９月３０日付け（送達　同年１０月６日）で拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされ、これに対して、同年１２月１日に拒絶査定不服審判請求ががなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　平成２７年１２月１日になされた手続補正（以下、「本件補正」という。）について
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前（平成２７年６月２４日付け手続補正書によるもの）の、
「【請求項１】
　ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　前記吸収層の膜厚が、４６ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であり、かつ、１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下、かつ、極小値となる膜厚に対して、±２．０％の範囲内となるように設定されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項２】
　ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、４６ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であり、かつ、
　前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下、かつ、極小値となる合計膜厚に対して、±２．０％の範囲内となるように設定されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項３】
　前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）および窒素（Ｎ）を主成分とする請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項４】
　前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）および酸素（Ｏ）を主成分とする請求項２または３に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項５】
　前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
　前記保護層が、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ2およびＣｒ化合物の群から選ばれる少なくとも１種で形成される請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。」
とあったものを、補正後の、
「【請求項１】
　ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　
前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）および窒素（Ｎ）を主成分とし、
　前記吸収層の膜厚が、４６ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であり、かつ、１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下、かつ、極小値となる膜厚に対して、±２．０％の範囲内となるように設定されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項２】
　ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　
前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）および窒素（Ｎ）を主成分とし、
　
前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）および酸素（Ｏ）を主成分とし、
　前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、４６ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であり、かつ、
　前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下、かつ、極小値となる合計膜厚に対して、±２．０％の範囲内となるように設定されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項３】
　
前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
　
前記保護層が、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ
2
およびＣｒ化合物の群から選ばれる少なくとも１種で形成される請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
に補正するものであって、補正前の請求項１を引用する請求項３及び補正前の請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を、それぞれ、新たに、請求項１及び請求項２とするとともに、補正前の請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５及び補正前の請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項５を合わせて新たに、請求項１または請求項２を引用する請求項３とするものである（下線は請求人が付したとおりである。）。
　
（２）補正の目的
　すると、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は適法なものであると認められる。
　
３　本願発明
　上記２のとおり、本件補正は適法なものであると認められるから、本願の請求項に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、上記２（１）において本件補正後のものとして記載したとおりのものと認める（以下、「本願発明」という。）。
　
４　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００５−２６８２５５号公報（以下、「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体製造プロセス中の、波長１０〜１５ｎｍ程度のいわゆる
ＥＵＶ
露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用マスク
を作製するためのブランク
【０００４】
　ＥＵＶ露光では、上述のように波長が短いため、物質の屈折率がほとんど真空の値に近く、材料間の光吸収の差も小さい。このため、ＥＵＶ領域では従来の透過型の屈折光学系が組めず、反射光学系となり、従ってマスクも
反射型マスク
　
イ　「【発明の効果】
【００１７】
　本願のＥＵＶマスクブランク及びマスクでは、吸収膜の膜厚がわずかにばらついても、ＯＤ値の変化が小さく、結果として、多層膜反射部と吸収膜との反射率の比で表せるコントラストにバラツキが無くなり、パターン転写に必要な十分な強度の反射光が安定して得られる。
【００１８】
　更に、本発明のパターン転写方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度良いパターン露光が長期間可能となり、その結果、電子デバイス等のパターンの製造を、高い歩留まりで行う事が出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
　以下本発明を実施するための形態について説明する。
【００２０】
　図３は、本願発明のマスクに係る吸収膜と緩衝膜の組み合せを変えて、吸収膜膜厚に対してＯＤ値を計算して求めた、膜厚とコントラストの特性の例である。横軸が吸収膜の膜厚（単位Å）、縦軸がＯＤ値である。
吸収膜として
ＴａＮ
を用い
ＥＵＶ光は波長１３．５ｎｍ
とし
【００２１】
　図３から分かるように、ＥＵＶ露光は波長が短く、反射光を使った露光であるために、膜材料や緩衝膜膜厚に依らず、ＯＤ値は周期的に変化しており、吸収膜の膜厚のわずかな誤差や面内ばらつきによる影響を受け易い。
この影響を低減する第一の方法は、吸収膜膜厚を図でＯＤ値が極値になるような膜厚付近に設定することである。その際、ＯＤ値は大きい方が膜厚を薄くできるので、
ＯＤ値の極大値
吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう、膜厚を設定
吸収膜の膜厚
ＯＤ極値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚の範囲内になるように
【００２４】
　図４は吸収膜の上層膜としてのＳｉの膜厚を変えてＯＤ値を計算した例である。
吸収膜の下層膜はＴａＮの８００Å厚
とし
【００２５】
　図４を図３と比べると分かるように、図４では膜厚変化に対するＯＤ値の変化幅が小さい。従って膜厚むらに対して安定したＯＤ値が得られ、線幅精度の向上につながる。・・・
【００３２】
　本発明のＥＵＶマスクブランクやマスクは、基本的には従来どおりのマスク作製プロセスに準拠して作製できる。図１は本発明のＥＵＶマスクの例を断面で示した説明図である。すなわち、Ｓｉウェハーやガラス
基板１上に
多層膜２
および
キャッピング層３を
積層し
高反射領域と
その上に低反射領域と
緩衝膜４
吸収膜と
露光光に対する反射率が極小値付近となるような膜厚に設定
【００３４】
　このように作製したＥＵＶマスクは、吸収膜の膜厚がわずかにばらついても、ＯＤ値の変化が小さく、結果として、多層膜反射部と吸収膜との反射率の比で表せるコントラストにバラツキが無くなり、パターン転写に必要な十分な強度の反射光が安定して得られる。」
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板上に、多層膜及びキャッピング層を積層した高反射領域と、その上に、緩衝膜及び露光光に対する反射率が極小値付近となるような膜厚に設定した吸収膜を積層した低反射領域とからなる、ＥＵＶ露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランクであって、
　前記吸収膜としてＴａＮを用い、
　前記吸収膜の下層膜はＴａＮの８００Å厚とし、
　ＥＵＶ光は波長１３．５ｎｍとし、
　前記吸収膜の膜厚を、ＯＤ値の極大値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚の範囲内になるようにして、前記吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう膜厚を設定した、
　ＥＵＶ露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランク。」
　
５　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「多層膜」及び「ＥＵＶ露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランク」は、本願発明の「反射層」及び「ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「基板上に、多層膜及びキャッピング層を積層した高反射領域と、その上に、緩衝膜及び」「吸収膜を積層した低反射領域とからなる、ＥＵＶ露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランク」は、本願発明の「ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成された」「ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク」に相当する。
　
ウ　引用発明の「ＴａＮの８００Å厚」である「吸収膜の下層膜」は、本願発明の「タンタル（Ｔａ）および窒素（Ｎ）を主成分とし」「膜厚が、４６ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であ」る「吸収層」に相当する。
　
エ　引用発明の「吸収膜の膜厚」は、「ＥＵＶ光は波長１３．５ｎｍとし」、「ＯＤ値の極大値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚の範囲内になるようにして、前記吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう膜厚を設定した」ものであるところ、引用文献によれば、「ＯＤ値が極大ということは、ＯＤ値の定義式より、吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう、膜厚を設定することである」（上記「４」「（１）」「イ」　段落【００２１】）から、１３．５ｎｍの波長における反射率が極小値になるよう設定され、かつ、極小値となる膜厚に対して、ＯＤ値の極大値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚の範囲内になるように設定されているものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「ＥＵＶ光は波長１３．５ｎｍとし」、「ＯＤ値の極大値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚の範囲内になるようにして、前記吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう膜厚を設定した」「吸収膜の膜厚」は、本願発明の「１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下、かつ、極小値となる膜厚に対して、±２．０％の範囲内となるように設定されている」「吸収層の膜厚」と、「１３．５ｎｍの波長における反射率が極小値となる膜厚、かつ、極小値となる膜厚に対して、所定の範囲内となるように設定されている」点で一致する。
　
オ　上記アないしエによれば、両者は
「ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）および窒素（Ｎ）を主成分とし、
　前記吸収層の膜厚が、４６ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であり、かつ、１３．５ｎｍの波長における反射率が極小値となる膜厚、かつ、極小値となる膜厚に対して、所定の範囲内となるように設定されているＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。」
である点で一致し、下記各点で相違する。
　
（ア）本願発明の「吸収層の膜厚」は、「１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下」「となる膜厚」であるのに対して、引用発明は「１３．５ｎｍの波長における反射率が極小値となる膜厚」である点（以下、「相違点１」という。）。
　
（イ）反射率が極小値となる膜厚に対する吸収層（膜）の膜厚の範囲が、本願発明は「±２．０％」の範囲内であるのに対して、引用発明は「ＯＤ値の極大値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚」の範囲内である点（以下、「相違点２」という。）。
　
（２）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用発明の「ＥＵＶ光は波長１３．５ｎｍ」であるところ、ＥＵＶ光源が波長１３．５ｎｍのみの波長で発光するものではなく、所定の波長幅を持って発光するものであることは本願優先日当時の技術常識であるから、引用発明の「１３．５ｎｍの波長における反射率」は、実質的には、１３．５ｎｍ付近の所定の範囲の波長域における反射率であるところ、これを１３．５ｎｍ付近の所定の範囲の波長域における平均光線反射率とし、その所定の範囲を「１３．３〜１３．７ｎｍの波長域」とすることは、当業者が適宜設定できる事項にすぎない。
　さらに、「吸収層（膜）」の機能に照らして当該反射率は小さいほどよく、適宜の上限を定めることは発明を実施するに際して当然のことであるところ、これを４％と定めることも、また、当業者が適宜設定できる事項にすぎない。
　そして、本願明細書をみても、「４．０％以下」について、本願明細書の段落【０００８】に、「一方、近年、パターン転写特性に関して、特定の波長（１３．５ｎｍ）における光線反射率ではなく、特定範囲の波長域（１３．３〜１３．７ｎｍ）における平均光線反射率の方が、パターン特性に影響を与えることがわかってきている。上記の波長域における
平均光線反射率が４．０％以下であれば、パターン特性には問題ないことが予測されている。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　反射率が極小値となる膜厚に対する吸収層（膜）の膜厚の範囲を、「ＯＤ値の極大値から１割程度減少したＯＤ値に対応する膜厚」の範囲内と定めること、すなわち、ＯＤ値の極大値の±１割（±１０％）程度の範囲に対応する膜厚とすることに代えて、膜厚自体の所定％の範囲内と定めることは、当業者が適宜変更できる設計的事項にすぎない。
　また、その範囲を±２．０％とすることも、また、当業者が適宜変更できるものである。
　そして、本願明細書をみても、「±２．０％」について、本願明細書の段落【００３９】に、「１３．３〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が極小値となる膜厚に対して、±２．０％の範囲内となるように、吸収層の膜厚、あるいは、吸収層および低反射層の合計膜厚を設定する。・・・当該範囲における
平均光線反射率の変化は最大でも０．３％
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。