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【手続補正書】
【提出日】平成28年5月19日(2016.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
これに対し、上記文献に記載されたような構成の腕時計タイプの電子機器において、機器本体の裏面側に設けられた裏蓋カバーは腕にフィットさせることのみを目的に構成されていて、機器本体の裏面に密着しており、この裏蓋カバーによる断熱や放熱等については何ら考慮されていなかった。このため、この裏蓋カバーが設けられていることで機器本体の裏面からの放熱が阻害されて、機器本体の外面の温度が下がり難いものとなっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明が解決しようとする課題は、良好に機器本体内の熱を放熱させることができる人体装着型電子機器を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、人体に対して着脱可能に装着される機器本体と、前記機器本体に取り付けられたカバー部材と、を備え、前記機器本体は内部に電子部品が設けられた筺体を有し、前記筺体の外面は、前記機器本体が人体に装着されたときに人体に対向する側となる裏面を有し、前記カバー部材は、樹脂部材により形成され、一端が前記筺体に支持されて前記裏面に対して回転して、前記裏面に対して閉じて該裏面を覆っている閉状態と、前記裏面に対して開いて該裏面を外部に露出している開状態と、に移動可能に設けられ、前記カバー部材が前記開状態にされているとき、前記電子機器の発熱による熱が前記裏面から放熱されることを特徴とする人体装着型電子機器である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、人体に着脱可能に装着される機器本体の裏面に対して開閉可能に設けられ、樹脂材料により形成されたカバー部材を有し、該カバー部材が機器本体の裏面に対して開いている開状態では機器本体の裏面を外部に開放させることができるので、機器本体内の熱を速やかに放熱させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人体に対して着脱可能に装着される機器本体と、
前記機器本体に取り付けられたカバー部材と、
を備え、
前記機器本体は内部に電子部品が設けられた筺体を有し、
前記筺体の外面は、前記機器本体が人体に装着されたときに人体に対向する側となる裏面を有し、
前記カバー部材は、樹脂部材により形成され、一端が前記筺体に支持されて前記裏面に対して回転して、前記裏面に対して閉じて該裏面を覆っている閉状態と、前記裏面に対して開いて該裏面を外部に露出している開状態と、に移動可能に設けられ、
前記カバー部材が前記開状態にされているとき、前記電子機器の発熱による熱が前記裏面から放熱されることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の人体装着型電子機器において、
前記機器本体は、前記裏面に、外部機器と電気的に接続される接続端子部を有し、
前記カバー部材は、前記閉状態において前記接続端子部を覆い、前記開状態において前記接続端子部を露出することを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の人体装着型電子機器において、
前記閉状態で前記カバー部材が前記裏面を覆っているときに、前記裏面と前記カバー部材の前記裏面に対向する側の面との間に空気層が形成されることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項４】
請求項３に記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材は、前記閉状態で前記裏面を覆っているときに前記裏面に対向する側となる面に設けられた凹部状の断熱空間部を有し、
前記空気層は、前記閉状態で前記カバー部材が前記裏面を覆っているときに、前記断熱空間部内に形成されることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材は、前記閉状態で前記カバー部材が前記裏面を覆っているときに前記裏面に対向する側となる面に突出して設けられた突起部を有し、
前記空気層は、前記閉状態で前記カバー部材が前記裏面を覆っているときに、前記突起部を介して対向する前記裏面と前記カバー部材の前記裏面に対向する側の面との間の空間内に形成されることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材を形成している軟質の合成樹脂は、ウレタン樹脂またはシリコーン樹脂であることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材は、前記閉状態で、前記機器本体が人体に装着されるときに人体に対向する側となる対向面が、当該機器本体を装着する人体の装着面の形状に対応した湾曲形状をなしていることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項８】
請求項７に記載の人体装着型電子機器において、
前記裏面の前記閉状態で前記カバー部材で覆われる領域は平坦であり、
前記カバー部材は、前記裏面の一の方向に沿った両端側の厚みが厚く、前記裏面の中間部に向うに従って、前記一の方向に沿って徐々に厚みが薄くなる形状に形成されていることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材を前記閉状態に位置規制する位置規制部を備えていることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材は、前記機器本体の前記筐体に軸部材を介して回転可能に取り付けられていることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の人体装着型電子機器において、
前記カバー部材は、２つのカバー片に分割され、該各カバー片は、前記機器本体に前記軸部材を介して回転可能に取り付けられていることを特徴とする人体装着型電子機器。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の人体装着型電子機器において、
前記機器本体を前記人体に着脱自在に装着するバンド部材を備え、
前記バンド部材は、前記軸部材に回転可能に取り付けられていることを特徴とする人体装着型電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月8日(2016.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主部に電気的に接続された複数の枝部を夫々有する第１電極部及び第２電極部からなるアンテナ電極を光伝導基板の一の面上に有し、レーザ光が照射されることで電磁波を発生又は検出する光伝導素子と、
前記レーザ光を前記光伝導素子に照射する照射部と、
を備え、
前記第１電極部の複数の枝部各々と、前記第２電極部の複数の枝部各々とは、前記一の面上の枝部配置領域において間隔をあけて交互に配置され、
前記照射部は、前記レーザ光を前記枝部配置領域の一部に照射する
ことを特徴とする電磁波装置。
【請求項２】
前記第１電極部及び前記第２電極部各々の主部は、前記一の面上において一の方向に延び、前記第１電極部の複数の枝部各々と、前記第２電極部の複数の枝部各々とは、前記一の方向に交わる他の方向に延びる
ことを特徴とする請求項１に記載の電磁波装置。
【請求項３】
前記光伝導基板の前記一の面の反対側の他の面上には、球面状レンズが積層されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁波装置。
【請求項４】
前記第１電極部の複数の枝部及び前記第２電極部の複数の枝部の各々は、前記一の面上において蛇行しながら前記他の方向に延びていることを特徴とする請求項２に記載の電磁波装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電磁波装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えばテラヘルツ時間領域分光法（Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ  Ｔｉｍｅ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定対象物の特性を分析するテラヘルツ波計測装置等に用いられる電磁波装置の技術分野に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、光伝導アンテナの配置位置が多少ずれたとしても、テラヘルツ波の検出強度の低下を防止することができる電磁波装置を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電磁波装置は、上記課題を解決するために、主部に電気的に接続された複数の枝部を夫々有する第１電極部及び第２電極部からなるアンテナ電極を光伝導基板の一の面上に有し、レーザ光が照射されることで電磁波を発生又は検出する光伝導素子と、前記レーザ光を前記光伝導素子に照射する照射部と、を備え、前記第１電極部の複数の枝部各々と、前記第２電極部の複数の枝部各々とは、前記一の面上の枝部配置領域において間隔をあけて交互に配置され、前記照射部は、前記レーザ光を前記枝部配置領域の一部に照射する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の電磁波装置としてのテラヘルツ波光伝導素子に係る実施形態について説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電磁波装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月11日(2016.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出素子を含むセンサ本体部、及び前記センサ本体部から引き出された複数のリード線を有するセンサと、
前記センサ本体部を収容する収容部を有する収容部材と、
前記センサ本体部に接することなく前記収容部材の少なくとも一部を含んで成形されたモールド樹脂からなるモールド成形体とを備え、
前記収容部材には、前記センサ本体部を外部に臨ませる開口が前記収容部に形成され、
前記モールド成形体は、前記開口を覆っていない、
検出装置。
【請求項２】
前記収容部材は、前記リード線を保持する保持部を有し、
前記センサは、前記リード線が前記保持部に保持されることにより、前記センサ本体部が前記収容部の収容空間内に支持された、
請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記センサ本体は、前記収容部材に接することなく支持されている
請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
検出素子を含むセンサ本体部、及び前記センサ本体部から引き出された複数のリード線を有するセンサのうち、少なくとも前記センサ本体部を収容部材の収容部に収容する第１工程と、
前記センサ本体部に溶融樹脂を接触させることなく前記収容部材の少なくとも一部を含んでモールド樹脂を成形する第２工程とを有し、
前記収容部材の前記収容部に、前記センサ本体部を外部に臨ませる開口を形成し、
前記開口を覆うことなく前記モールド樹脂を成形する、
検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記収容部材に、前記リード線を保持する保持部を形成し、
前記リード線を前記保持部に保持することにより、前記センサ本体部を前記収容部の収容空間内に支持した、
請求項４に記載の検出装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力映像に対して所定の形状を有する補正用映像に含まれ、当該補正用映像において所定の初期位置にある少なくとも６つの補正点の位置を、ユーザーの指示に応じて移動する移動手段と、
前記移動手段により移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて、前記入力映像と前記補正用映像との間の座標の対応関係を導出する導出手段と、
前記導出手段により導出された前記対応関係に基づいて、前記入力映像に補正処理を施す処理手段と
を有するプロジェクター。
【請求項２】
前記導出手段は、前記少なくとも６つの補正点のうち２つの補正点により分割される部分のそれぞれについて射影変換係数を算出し、当該算出された射影変換係数を用いて前記対応関係を導出する
ことを特徴とする請求項１に記載のプロジェクター。
【請求項３】
前記導出手段は、前記移動手段により移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて前記対応関係を導出する仮導出手段と、前記仮導出手段によって導出された前記対応関係を調整する調整手段とを有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のプロジェクター。
【請求項４】
前記調整手段は、前記映像の外形を一定に保ったまま、前記対応関係を調整する
ことを特徴とする請求項３に記載のプロジェクター。
【請求項５】
前記調整手段は、前記調整として、前記少なくとも６つの補正点のうち所定の補正点の座標に対し、前記パラメーターの加算または減算をする
ことを特徴とする請求項３または４に記載のプロジェクター。
【請求項６】
入力映像に対して所定の形状を有する補正用映像に含まれ、当該補正用映像において所定の初期位置にある少なくとも６つの補正点の位置を、ユーザーの指示に応じて移動するステップと、
前記移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて、前記入力映像と前記補正用映像との間の座標の対応関係を導出するステップと、
導出された前記対応関係に基づいて、前記入力映像に補正処理を施すステップと
を有する映像補正方法。
【請求項７】
コンピューターに、
入力映像に対して所定の形状を有する補正用映像に含まれ、当該補正用映像において所定の初期位置にある少なくとも６つの補正点の位置を、ユーザーの指示に応じて移動するステップと、
前記移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて、前記入力映像と前記補正用映像との間の座標の対応関係を導出するステップと、
導出された前記対応関係に基づいて、前記入力映像に補正処理を施すステップと
を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、入力映像に対して所定の形状を有する補正用映像に含まれ、当該補正用映像において所定の初期位置にある少なくとも６つの補正点の位置を、ユーザーの指示に応じて移動する移動手段と、前記移動手段により移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて、前記入力映像と前記補正用映像との間の座標の対応関係を導出する導出手段と、前記導出手段により導出された前記対応関係に基づいて、前記入力映像に補正処理を施す処理手段とを有するプロジェクターを提供する。
このプロジェクターによれば、補正用映像においてどの点を補正点として用いるかを指定することなく、歪み補正をすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記導出手段は、前記移動手段により移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて前記対応関係を導出する仮導出手段と、前記仮導出手段によって導出された前記対応関係を調整する調整手段とを有してもよい。
このプロジェクターによれば、仮導出手段により導出された対応関係を調整することにより、歪み補正をすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、入力映像に対して所定の形状を有する補正用映像に含まれ、当該補正用映像において所定の初期位置にある少なくとも６つの補正点の位置を、ユーザーの指示に応じて移動するステップと、前記移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて、前記入力映像と前記補正用映像との間の座標の対応関係を導出するステップと、導出された前記対応関係に基づいて、前記入力映像に補正処理を施すステップとを有する映像補正方法を提供する。
この映像補正方法によれば、補正用映像においてどの点を補正点として用いるかを指定することなく、歪み補正をすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、本発明は、コンピューターに、入力映像に対して所定の形状を有する補正用映像に含まれ、当該補正用映像において所定の初期位置にある少なくとも６つの補正点の位置を、ユーザーの指示に応じて移動するステップと、前記移動された前記少なくとも６つの補正点の座標を用いて、前記入力映像と前記補正用映像との間の座標の対応関係を導出するステップと、導出された前記対応関係に基づいて、前記入力映像に補正処理を施すステップとを実行させるためのプログラムを提供する。
このプログラムによれば、補正用映像においてどの点を補正点として用いるかを指定することなく、歪み補正をすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部の一端側から延出している第１の振動腕および第２の振動腕と、
前記基部の前記一端側から前記振動腕の延出方向に沿って延出しており、前記延出方向に直交する幅方向において前記第１の振動腕と前記第２の振動腕との間に配置されている支持腕と、
前記基部の前記一端とは反対の他端側であって、前記第１の振動腕の前記支持腕側の側面の延長線と交差する所から前記第２の振動腕の前記支持腕側の側面の延長線と交差する所までの範囲内であり、かつ前記支持腕の幅の中心を通り前記支持腕の前記延出方向に沿っている第１中心線を境にした両脇にそれぞれ設けられている突起と、
を備えていることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項２】
前記突起は、前記第１の振動腕と前記支持部との間の中心を通り前記延出方向に沿っている第２中心線から、前記第２の振動腕と前記支持部との間の中心を通り前記延出方向に沿っている第３中心線までの範囲内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の屈曲振動片。
【請求項３】
前記基部の前記他端は、前記支持腕の前記延出方向とは反対方向に向かうに従い幅方向の長さが漸減している縮幅部を有しており、
前記突起は、前記支持腕の前記第１中心線から前記他端の端までの距離をＬとし、
前記支持腕の前記中心線から前記突起までの距離をＸとしたとき、
０％＜Ｘ／Ｌ≦３７％を満たす範囲内に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の屈曲振動片。
【請求項４】
前記突起は、前記支持腕の第１中心線から前記他端の端までの距離をＬとし、
前記支持腕の中心線から前記突起までの距離をＸとしたとき、
０％＜Ｘ／Ｌ≦４０％を満たす範囲内に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の屈曲振動片。
【請求項５】
前記突起は、前記支持腕の前記第１中心線に対して線対称の位置に設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の屈曲振動片。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の屈曲振動片を備えていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の屈曲振動片を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の屈曲振動片を備えていることを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信元情報と名称とを対応づけて登録したアドレス帳を記憶する記憶手段と、
画像データと前記画像データの送信元情報とを受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した前記画像データの送信元情報に対応づけられている、前記アドレス帳に登録されている名称を取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した名称を用いたファイル名を、前記受信手段で受信した前記画像データに設定する設定手段と、
前記設定手段でファイル名が設定された前記画像データを転送する転送手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記受信手段で受信した前記画像データの送信元情報が前記アドレス帳に登録されていない場合に、前記設定手段は、デフォルト名称を用いたファイル名を前記画像データに設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記受信手段は、前記画像データをＦＡＸ受信し、
前記送信元情報は、ＦＡＸ番号であることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
画像データに設定されるファイル名の設定規則をユーザが選択可能なファイル名設定画面を表示し、当該表示した設定画面におけるユーザによる選択に基づいて、前記ファイル名の設定規則を指定する指定手段を更に備え、
前記設定手段は、前記指定手段で指定された設定規則に基づいて、前記取得手段で取得した名称を用いたファイル名を、前記受信手段で受信した前記画像データに設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記転送手段は、ネットワーク上のファイルサーバに前記画像データを保存するために、前記設定手段でファイル名が設定された前記画像データを前記ファイルサーバに転送することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項７】
画像データと前記画像データの送信元情報とを受信する受信工程と、
前記受信工程で受信した前記画像データの送信元情報に対応づけられている、アドレス帳に登録されている名称を取得する取得工程と、
前記取得工程で取得した名称を用いたファイル名を、前記受信手段で受信した前記画像データに設定する設定工程と、
前記設定工程でファイル名が設定された前記画像データを転送する転送工程と、
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の画像処理装置は、送信元情報と名称とを対応づけて登録したアドレス帳を記憶する記憶手段と、画像データと前記画像データの送信元情報とを受信する受信手段と、前記受信手段で受信した前記画像データの送信元情報に対応づけられている、前記アドレス帳に登録されている名称を取得する取得手段と、前記取得手段で取得した名称を用いたファイル名を、前記受信手段で受信した前記画像データに設定する設定手段と、前記設定手段でファイル名が設定された前記画像データを転送する転送手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
理論容量が８００ｍＡｈ／ｇ以上の負極活物質微粒子と、
電子伝導度が１．０×１０３Ｓ／ｃｍ以上の導電性微粒子と、
無機固体電解質微粒子と、
を含み、
前記負極活物質微粒子及び前記導電性微粒子が、完全に独立して存在する状態、前記負極活物質微粒子の周の一部と前記導電性微粒子の周の一部とが物理的に接触している状態、又は前記負極活物質微粒子の周の一部と前記導電性微粒子の周の一部とが融着している状態であり、
前記負極活物質微粒子及び前記導電性微粒子の重量比が、下記関係を満たす負極合材。
０．５≦導電性微粒子／（負極活物質微粒子＋導電性微粒子）
【請求項２】
前記負極活物質微粒子及び前記導電性微粒子が、前記負極活物質微粒子の周の一部と前記導電性微粒子の周の一部とが物理的に接触している状態である請求項１に記載の負極合材。
【請求項３】
前記負極活物質微粒子が、シリコン微粒子、スズ微粒子、シリコンを含む合金の微粒子、及びスズを含む合金の微粒子のいずれかである請求項１又は２に記載の負極合材。
【請求項４】
前記導電性微粒子が、カーボン微粒子である請求項１〜３のいずれかに記載の負極合材。
【請求項５】
前記導電性微粒子が、黒鉛微粒子である請求項１〜３のいずれかに記載の負極合材。
【請求項６】
前記無機固体電解質微粒子が、硫化物系固体電解質微粒子である請求項１〜５のいずれかに記載の負極合材。
【請求項７】
前記無機固体電解質微粒子が、Ｌｉ、Ｐ及びＳを含む硫化物系固体電解質である請求項１〜６のいずれかに記載の負極合材。
【請求項８】
前記無機固体電解質微粒子が、下記式（１）に示す組成を満たすリチウムイオン伝導性無機固体電解質微粒子である、請求項１〜７のいずれかに記載の負極合材。
ＬａＭｂＰｃＳｄＸｅ…（１）
（式中、Ｌはアルカリ金属を示し、ＭはＢ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｐｂ及びＢｉから選択させる１以上の元素を示す。
ＸはＩ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＦから選択される１以上のハロゲン元素を示す。
ａ〜ｅは、それぞれ０＜ａ≦１２、０≦ｂ≦０．２、ｃ＝１、０＜ｄ≦９、０＜ｅ≦９を満たす。）
【請求項９】
前記負極活物質微粒子、導電性微粒子及び無機固体電解質微粒子の重量比が、（負極活物質＋導電性微粒子）：無機固体電解質微粒子＝９５：５〜３０：７０を満たす請求項１〜８のいずれかに記載の負極合材。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の負極合材を含む電池。
【請求項１１】
理論容量が８００ｍＡｈ／ｇ以上の負極活物質微粒子と、
電子伝導度が１．０×１０３Ｓ／ｃｍ以上の導電性微粒子と、
無機固体電解質微粒子と、を含み、
前記負極活物質微粒子及び前記導電性微粒子の重量比が、下記関係を満たす材料を混合する、負極合材の製造方法。
０．５≦導電性微粒子／（負極活物質微粒子＋導電性微粒子）
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月30日(2016.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＤＦ（Application Dedicated File）が生成されているＮＡＡ（Network Access Application）毎に，ＮＡＡのＡＩＤ（Application ID）を含むエントリ情報が記述され，かつ，有効になっているＮＡＡの前記エントリ情報が示される管理テーブルを記憶したメモリを備え，
ＮＡＡの名前を管理するＥＦ（Elementary File）であるＥＦ＿ＤＩＲの読み取り命令を端末から受信し，前記読み取り命令に基づいて，該管理テーブルにおいて有効になっている前記エントリ情報を外部へ出力することを
特徴とするｅＵＩＣＣ(Embedded UICC)。
【請求項２】
前記ＡＤＦの閉塞状態を解除する命令を端末から受信すると，この命令で指定されたＡＤＦの閉塞状態を解除し，かつ,このＡＤＦに対応する前記エントリ情報を有効にし，
前記ＡＤＦを閉塞状態にする命令を端末から受信すると，この命令で指定されたＡＤＦを閉塞状態にし，かつ,このＡＤＦに対応する前記エントリ情報を無効にすることを特徴とする，請求項１に記載したｅＵＩＣＣ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題を解決する第１の発明は，ＡＤＦ（Application Dedicated File）が生成されているＮＡＡ（Network Access Application）毎に，ＮＡＡのＡＩＤ（Application ID）を含むエントリ情報が記述され，かつ，有効になっているＮＡＡの前記エントリ情報が示される管理テーブルを記憶したメモリを備え，ＮＡＡの名前を管理するＥＦ（Elementary File）であるＥＦ＿ＤＩＲの読み取り命令を端末から受信し，前記読み取り命令に基づいて，該管理テーブルにおいて有効になっている前記エントリ情報を外部へ出力することを特徴とするｅＵＩＣＣ(Embedded UICC)である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に，第２の発明は，前記ＡＤＦの閉塞状態を解除する命令を端末から受信すると，この命令で指定されたＡＤＦの閉塞状態を解除し，かつ,このＡＤＦに対応する前記エントリ情報を有効にし，前記ＡＤＦを閉塞状態にする命令を端末から受信すると，この命令で指定されたＡＤＦを閉塞状態にし，かつ,このＡＤＦに対応する前記エントリ情報を無効にすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転子鉄心に永久磁石を軸方向に沿い挿入して構成した回転子を備えた磁石埋込型電動機において、
前記回転子鉄心の外周縁よりも内周側の周縁に沿う複数箇所に、前記回転子の半径方向に対して交差する方向に沿い伸びて配置された第１の永久磁石と、
前記回転子の周方向に関して隣接する前記第１永久磁石の間の各位置に、前記回転子の半径方向に伸びてｑ軸上に配置された第２の永久磁石と、
複数の前記第１永久磁石よりも外周側の各位置に、前記回転子の半径方向に対して交差する方向に沿い伸びて配置された磁気的空隙と、
前記第１の永久磁石の周方向の両側面に隣接する部分に配置した空隙と、
を有することを特徴とする磁石埋込型電動機。
【請求項２】
請求項１において、
前記磁気的空隙は第３の永久磁石であることを特徴とする磁石埋込型電動機。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の永久磁石の磁化方向は、前記回転子の半径方向と平行であり、しかも、周方向に隣接する第１の永久磁石では磁化方向が互いに逆方向になっており、
前記第２の永久磁石の磁化方向は、前記回転子の半径方向と交差する方向になっており、しかも、周方向に隣接する第２の永久磁石では磁化方向が互いに逆方向になっており、
前記回転子の各磁極では、前記第１の永久磁石の外周側の面の極性と、前記第２の永久磁石のうち当該磁極側の面の極性が一致しており、
前記第３の永久磁石の外周側の面の極性は、当該第３の永久磁石よりも内周側に配置している前記第１の永久磁石の外周側の面の極性と一致している、
ことを特徴とする磁石埋込型電動機。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第３の永久磁石の周方向の両側面に隣接する部分に、空隙を配置したことを特徴とする磁石埋込型電動機。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の何れか一項において、
前記回転子鉄心には、前記第２の永久磁石のうち半径方向の外周側の面から、回転子鉄心の外周面に至る、鉄心開放部が形成されていることを特徴とする磁石埋込型電動機。
【請求項６】
請求項４または請求項５の何れか一項において、
前記回転子に形成される磁極の周方向角度の半分の角度をθ１、
前記第３の永久磁石の周方向の両側面に隣接する部分に配置した空隙と、前記第２の永久磁石との間で、磁束が通る磁路の角度をθ２としたときに、
角度比θ２／θ１が０．２７〜０．３６となっていることを特徴とする磁石埋込型電動機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記課題を解決する本発明の構成は、
回転子鉄心に永久磁石を軸方向に沿い挿入して構成した回転子を備えた磁石埋込型電動機において、
前記回転子鉄心の外周縁よりも内周側の周縁に沿う複数箇所に、前記回転子の半径方向に対して交差する方向に沿い伸びて配置された第１の永久磁石と、
前記回転子の周方向に関して隣接する前記第１永久磁石の間の各位置に、前記回転子の半径方向に伸びてｑ軸上に配置された第２の永久磁石と、
複数の前記第１永久磁石よりも外周側の各位置に、前記回転子の半径方向に対して交差する方向に沿い伸びて配置された磁気的空隙と、
前記第１の永久磁石の周方向の両側面に隣接する部分に配置した空隙と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（第１の効果）
回転子鉄心１０２において、内周側の永久磁石１１１よりもの外周側の部分に、永久磁石１３１と磁石挿入穴１３０及び空隙１３２が、ｄ軸に交差する状態で配置されている。これら永久磁石１３１と磁石挿入穴１３０及び空隙１３２は、磁気抵抗が大きいため、ｄ軸磁束が小さくなってｄ軸インダクタンスＬｄが小さくなり、ｄ軸インダクタンスＬｄとｑ軸インダクタンスＬｑとの差が大きくなり、リラクタンストルクが大きくなる。
またリラクタンストルクが大きくなるため、高回転領域ではマグネットトルクによる出力低下をリラクタンストルクで補うことができるようになり、一定出力での可変速範囲が広くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
この実施例２の回転子１００Ａでは、磁石挿入孔１１０ａと磁石挿入孔１１０ｂとの間に回転子鉄心１０２が存在するため、回転子１００Ａの機械的強度を上げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた圧電体層とを備え、
前記圧電体層は、ビスマスと、アルミニウム、シリコン、クロム及びマンガンから選択される１つの元素とを含むバッファー層と、前記バッファー層上に設けられたビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物層とからなることを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
前記バッファー層は、ビスマスとアルミニウムを含み、
前記圧電体層は、結晶が（１１１）面に優先配向していることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
【請求項３】
前記バッファー層は、ビスマスとシリコンを含み、
前記圧電体層は、結晶が（１１０）面に優先配向していることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
【請求項４】
前記バッファー層は、ビスマスとマンガンを含み、
前記圧電体層は、結晶が（１００）面に優先配向していることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
【請求項５】
前記バッファー層は、ビスマスとクロムを含み、
前記圧電体層は、結晶が任意の方向に強配向していることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
【請求項６】
前記バッファー層は、１０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の圧電素子。
【請求項７】
前記バッファー層は、島状に設けられていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の圧電素子。
【請求項８】
前記複合酸化物層は、さらにマンガンを含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の圧電素子。
【請求項９】
ノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドであって、
請求項１〜８の何れか一項に記載の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項１１】
請求項１〜８の何れか一項に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜８の何れか一項に記載の圧電素子を具備することを特徴とするフィルター。
【請求項１３】
請求項１〜８の何れか一項に記載の圧電素子を具備することを特徴とするセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス、フィルター及びセンサー
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の態様は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた圧電体層とを備え、前記圧電体層は、ビスマスと、アルミニウム、シリコン、クロム及びマンガンから選択される１つの元素とを含むバッファー層と、前記バッファー層上に設けられたビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物層とからなることを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、ビスマスと、アルミニウム、シリコン、クロム及びマンガンから選択される１つの元素とを含むバッファー層と、複合酸化物層との積層構造の圧電体層とすることにより、クラックの発生が抑制され、結晶性及び圧電特性に優れた圧電体層を有する圧電素子とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の他の態様は、ノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドであって、前記何れかの態様に記載の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、クラックの発生が抑制され、結晶性及び圧電特性に優れた圧電体層を有する液体噴射ヘッドとすることができる。
本発明の他の態様は、前記何れかの態様に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、クラックの発生が抑制され、結晶性及び圧電特性に優れた圧電体層を有する液体噴射ヘッドを具備する液体噴射装置とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の他の態様は、前記何れかの態様に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス、フィルター、又はセンサーにある。かかる態様では、クラックの発生が抑制され、結晶性及び圧電特性に優れた圧電体層を有する超音波デバイス、フィルター、又はセンサーとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
複数の電極と、
当該複数の電極に接続される複数のリード線を有する基板と、
長辺と短辺及び角部を具備する方形であって、前記複数の電極と接続される複数のバンプを有して前記基板に実装される半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子間に浸透し、前記半導体素子周囲の前記基板上に伸張されてなるアンダーフィルと、
前記基板上で前記複数のリード線を覆うオーバーコートと、
を有し、
前記複数のリード線のうち少なくとも、前記半導体素子の前記長辺に沿い前記角部に最
も近く配設された前記バンプに対応する前記電極に接続されるリード線は、少なくとも２つ連続する複数の屈曲部を有し、同じ方向に屈曲して形成され、平面視で前記半導体素子の前記短辺側へ配線されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも２つ連続する前記複数の屈曲部は、平面視で前記半導体素子の内側に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記アンダーフィルは、アンダーフィル材が前記半導体素子の一つの長辺に沿って滴下
されることにより形成され、
前記複数のリード線のうち少なくとも、前記半導体素子のアンダーフィル材滴下側の前
記長辺と対向する長辺の角部に最も近いリード線は、少なくとも２つ連続する前記複数の屈曲部を有し、
前記複数のリード線のうち、前記アンダーフィル材滴下側の長辺の、前記半導体素子の角部に最も近いリード線には、少なくとも２つ連続する前記複数の屈曲部を有しないことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体装置であって、
複数の電極と、
当該複数の電極に接続される複数のリード線を有する基板と、
長辺と短辺及び角部を具備する方形であって、前記複数の電極と接続される複数のバンプを有して前記基板に実装される半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子間に浸透し更に前記半導体素子周囲の前記基板上に伸張され
てなるアンダーフィルと、
前記基板上で前記複数のリード線を覆うオーバーコートと、
を有し、
前記複数のリード線のうち少なくとも、前記半導体素子の前記長辺に沿い前記角部に最
も近く配設された前記バンプに対応する前記電極に接続されるリード線は、湾曲部を有し、
湾曲後に平面視で前記半導体素子の前記短辺側へ配線されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記湾曲部は、平面視で前記半導体素子の内側に位置することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アンダーフィルは、アンダーフィル材が前記半導体素子の一つの長辺に沿って滴下
されることにより形成され、
前記複数のリード線のうち少なくとも、前記半導体素子のアンダーフィル材滴下側の前
記長辺と対向する長辺の角部に最も近いリード線は、前記湾曲部を有し、
前記複数のリード線のうち、前記アンダーフィル材滴下側の長辺の、前記半導体素子の角部に最も近いリード線には、前記湾曲部を有しないことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記基板上に隙間領域を有し、前記複数のリード線のうち少なくとも、前記半導体素子の前記長辺に沿い前記角部に最も近く配設された前記バンプに対応する前記電極に接続されるリード線は、前記隙間領域を避けて配線されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記角部に隣接する前記アンダーフィルの伸張量は、前記長辺及び前記短辺に隣接するアンダーフィルの伸張量より小さいことを特徴とする１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数のリード線のうち前記半導体素子の少なくとも前記角部に最も近く配設された
リード線が、当該リード線と同じ電位線若しくは同じ信号線であるリード線と接合し、接
合後一つのリード線として配線されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子がダミーバンプを有し、前記複数のリード線のうち少なくとも前記角部
に最も近く配設されたリード線が、前記基板上を平面視で前記ダミーバンプと正規の前記
バンプに間を引き回されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導
体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器及び前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部を有するプラズマ処理装置を用いて、ポリシリコン層の上に形成されたタングステン層を、マスク層を介してエッチングし、前記タングステン層を所定のパターンにパターニングするプラズマ処理方法であって、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の上面から前記タングステン層の下面に至る前までエッチングする第１の工程と、
酸素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を処理する第２の工程と、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の下面に至るまでエッチングする第３の工程と、を含むプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記マスク層は、ＳｉＮ層、シリコン酸化層、及びアモルファスシリコン層が積層されたハードマスクである、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記ポリシリコン層と前記タングステン層との間にバリアメタル層が形成され、
前記第３の工程では、前記バリアメタル層を更にエッチングする請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理装置が、前記処理容器内に配置される第１電極と、前記第１電極に対して対向して配置される第２電極と、前記第２電極に第１周波数の電力を供給する第１電源部と、前記第２電極に第２周波数の電力を供給する第２電源部と、を備え、
前記第２の工程では、前記第２電源部から前記第２電極へ電力が供給されない請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記第２の工程では、前記第１の工程及び前記第３の工程よりも前記処理空間の圧力が高い請求項１〜４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記第２の工程では、前記第１の工程及び前記第３の工程よりも処理時間が短い請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記酸素含有ガスが、Ｏ２ガス又はＯ３ガスである請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記フッ素含有ガスが、ＮＦ３ガス、ＣＦ４ガス又はＳＦ６ガスである請求項１〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
プラズマ処理装置の処理容器内で、ポリシリコン層、タングステン層、及び、パターンを有するマスク層を含む被処理体をプラズマ処理し、前記マスク層を介して前記タングステン層をエッチングして、前記タングステン層を所定のパターンにパターニングするプラズマ処理方法であって、
前記被処理体を前記処理容器内へ準備する工程と、
フッ素含有ガスを含む第１の処理ガスを前記処理容器へ供給し、前記第１の処理ガスのプラズマを発生させて、前記マスク層の前記パターンを転写するように前記タングステン層を前記タングステン層の上面から前記タングステン層の下面に至る前までエッチングして、該エッチングを終了する第１の工程と、
酸素含有ガスを含む第２の処理ガスを前記処理容器へ供給し、前記第２の処理ガスのプラズマを発生させて、前記タングステン層の表面を酸化処理する第２の工程と、
前記第１の処理ガスを前記処理容器へ供給し、前記第１の処理ガスのプラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の下面に至るまでエッチングする第３の工程と、を含むプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記マスク層は、ＳｉＮ層、シリコン酸化層、及びアモルファスシリコン層が積層されたハードマスクである、請求項９に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記ポリシリコン層と前記タングステン層との間にバリアメタル層が形成され、
前記第３の工程では、前記バリアメタル層を更にエッチングする請求項９又は１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記プラズマ処理装置が、前記処理容器内に配置される第１電極と、前記第１電極に対して対向して配置される第２電極と、前記第２電極に第１周波数の電力を供給する第１電源部と、前記第１電極に第２周波数の電力を供給する第２電源部と、を備え、
前記第２の工程では、前記第２電源部から前記第２電極へ電力が供給されない請求項９〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記第２の工程では、前記第１の工程及び前記第３の工程よりも前記処理容器内の圧力が高い請求項９〜１２の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１４】
前記第２の工程では、前記第１の工程及び前記第３の工程よりも処理時間が短い請求項９〜１３の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１５】
ポリシリコン層の上に形成されたタングステン層を、マスク層を介してエッチングし、前記タングステン層を所定のパターンにパターニングするプラズマ処理装置であって、
プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、
前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の上面から前記タングステン層の下面に至る前までエッチングし、
酸素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を処理し、
フッ素含有ガスを含む処理ガスを前記処理容器へ供給し、プラズマを発生させて、前記タングステン層を前記タングステン層の下面に至るまでエッチングする、プラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器、有機化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光層と、を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、
前記第１の有機化合物は電子輸送性を有する物質であり、
前記第２の有機化合物は正孔輸送性を有する物質であり、
前記第２の有機化合物は、トリアリールアミン骨格を有し、前記トリアリールアミン骨格の３つのアリール基のうち、少なくとも一つがｐ−ビフェニル骨格を含む基であり、
前記第１の有機化合物と、前記第２に有機化合物とが形成する励起錯体からの発光を発する発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光層と、を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、
前記第１の有機化合物は電子輸送性を有する物質であり、
前記第２の有機化合物は正孔輸送性を有する物質であり、
前記第２の有機化合物は、トリアリールアミン骨格を有し、前記トリアリールアミン骨格の３つのアリール基のうち、少なくとも一つがフルオレン骨格を含む基であり、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とが形成する励起錯体からの発光を発する発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光素子における発光が、遅延蛍光成分を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【請求項８】
下記式（１００）で表される有機化合物。
【化１】
2014192214.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗動ステージと、第１方向に前記粗動ステージから間隔をおいて配置された微動ステージと、前記粗動ステージおよび前記微動ステージの一方に配置された第１のコアと前記粗動ステージおよび前記微動ステージの他方に配置された第２のコアとを含み前記第１方向に直交する第２方向に前記微動ステージを加減速する電磁アクチュエータと、前記電磁アクチュエータを制御する制御部と、を備えたステージ装置であって、
前記制御部は、前記微動ステージの前記粗動ステージに対する前記第１方向における相対位置に応じて前記電磁アクチュエータの前記第２方向における推力の指令値を補正する、ことを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記第１のコアの前記第１方向の長さと前記第２のコアの前記第１方向の長さとの差の絶対値は、前記相対位置の変化する範囲の大きさよりも小さい、ことを特徴とする、請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記相対位置と前記指令値の補正量との関係を示す情報に基づいて前記指令値を補正する、ことを特徴とする、請求項１または２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記微動ステージを前記第２方向に位置決めするリニアモータをさらに備え、
前記情報は、前記相対位置を変化させながら前記微動ステージを前記第２方向に沿って駆動させたときの前記リニアモータの前記第２方向における推力の指令値を用いて生成される、ことを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記情報は、前記相対位置を変化させながら前記微動ステージを前記第２方向に沿って駆動させたときの前記微動ステージの制御偏差を用いて生成される、ことを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記第１のコアはＥコアであり、前記第２のコアはＩコアであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
原版のパターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記原版および前記基版の少なくともいずれかを保持する請求項１ないし６のいずれか１項に記載のステージ装置を備える、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項８】
請求項７に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された基板を現像する工程と、
を含む、ことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、粗動ステージと、第１方向に前記粗動ステージから間隔をおいて配置された微動ステージと、前記粗動ステージおよび前記微動ステージの一方に配置された第１のコアと前記粗動ステージおよび前記微動ステージの他方に配置された第２のコアとを含み前記第１方向に直交する第２方向に前記微動ステージを加減速する電磁アクチュエータと、前記電磁アクチュエータを制御する制御部と、を備えたステージ装置であって、前記制御部は、前記微動ステージの前記粗動ステージに対する前記第１方向における相対位置に応じて前記電磁アクチュエータの前記第２方向における推力の指令値を補正する、ことを特徴とする。