Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
掘削流体の通路を有する掘削ロッドの下方部に、スイベルを回転自在または回転不可に設け、該スイベルに掘削翼を垂直方向回動可能に設け、該掘削翼には、先端方向に向かう単数または複数の噴射ノズルを設け、掘削ロッドの掘削流体の通路より供給される掘削流体を、スイベルを介し掘削翼の噴射ノズルより噴射可能とし、該噴射ノズルからの掘削流体の噴射にもとづく反力で掘削翼を水平方向および垂直方向に回動可能にしたことを特徴とする地盤改良装置。
【請求項２】
前記スイベルには、パイプが垂直方向回動可能に設けられ、該パイプに噴射ノズルと連通して掘削翼が固設され、垂直方向回動可能となっていることを特徴とする請求項１記載の地盤改良装置。
【請求項３】
前記掘削翼には、スイベルに連通する長さを異にする複数のノズル通路が並列して設けられ、該ノズル通路の先端が噴射ノズルとなっていることを特徴とする請求項１又は２記載の地盤改良装置。
【請求項４】
前記複数のノズル通路の内で最も長いノズル通路の先端が前記掘削翼の水平回動方向の後方へ向けて曲がっていることを特徴とする、請求項３に記載の地盤改良装置。
【請求項５】
前記複数のノズル通路の内で最も長いノズル通路の先端の噴射ノズルから噴射される掘削流体を前記掘削翼の水平回動方向の後方へ向けて偏向させる噴射液方向転換板が前記掘削翼に設けられていることを特徴とする、請求項３に記載の地盤改良装置。
【請求項６】
前記掘削翼が前記掘削ロッドの対称位置に二つ配設されていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の地盤改良装置。
【請求項７】
掘削ロッドに対して掘削翼を取り付けてある地盤改良装置を用い、前記掘削翼に設けた噴射ノズルからの掘削流体の噴射に基づく反力によって前記掘削翼を前記掘削ロッドに対して開いた拡翼状態で前記掘削ロッドを中心として回転させながら、且つ、前記掘削ロッドを移動させながら、前記噴射ノズルから噴射される掘削流体によって地盤を改良する、地盤改良方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】地盤改良装置及び地盤改良方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、地盤中の切削領域に掘削流体を注入撹拌することにより地盤改良体を築造する地盤改良装置及び地盤改良方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、かかる従来の課題を解決せんと提案するものであり、その目的とするところは、削孔作業中に削孔とモニターヘッド部等との間隙に介在する泥水や固化材液によって、噴射ノズルから噴出される固化材液の勢いが妨げられる（噴射ロス）のをできるだけ抑えながら、しかも大型で高価な外部動力装置を用いずに、削孔壁面を迅速かつ効率的に掘削することができる地盤改良装置及び地盤改良方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記目的達成のために、本発明の請求項１にかかる地盤改良装置は、掘削流体の通路を有する掘削ロッドの下方部に、スイベルを回転自在または回転不可に設け、該スイベルに掘削翼を垂直方向回動可能に設け、該掘削翼には、先端方向に向かう単数または複数の噴射ノズルを設け、掘削ロッドの掘削流体の通路より供給される掘削流体を、スイベルを介し掘削翼の噴射ノズルより噴射可能とし、該噴射ノズルからの掘削流体の噴射にもとづく反力で掘削翼を水平方向および垂直方向に回動可能にしたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の請求項３に係る地盤改良装置は、前記掘削翼には、スイベルに連通する長さを異にする複数のノズル通路が並列して設けられ、該ノズル通路の先端が噴射ノズルとなっていることを特徴とする。
さらに、本発明の請求項４に係る地盤改良装置は、前記複数のノズル通路の内で最も長いノズル通路の先端が前記掘削翼の水平回動方向の後方へ向けて曲がっていることを特徴とする。
本発明の請求項５に係る地盤改良装置は、前記複数のノズル通路の内で最も長いノズル通路の先端の噴射ノズルから噴射される掘削流体を前記掘削翼の水平回動方向の後方へ向けて偏向させる噴射液方向転換板が前記掘削翼に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項６に係る地盤改良装置は、前記掘削翼が前記掘削ロッドの対称位置に二つ配設されていることを特徴とする。
本発明の請求項７に係る地盤改良方法は、掘削ロッドに対して掘削翼を取り付けてある地盤改良装置を用い、前記掘削翼に設けた噴射ノズルからの掘削流体の噴射に基づく反力によって前記掘削翼を前記掘削ロッドに対して開いた拡翼状態で前記掘削ロッドを中心として回転させながら、且つ、前記掘削ロッドを移動させながら、前記噴射ノズルから噴射される掘削流体によって地盤を改良することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月11日(2016.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱壁により箱状に構成され、内部に貯蔵室を形成する断熱箱体と、
前記断熱壁の内部に設けられ、真空断熱パネルからなる第１の断熱部材と、
前記断熱壁の内部に設けられ、前記第１の断熱部材よりも断熱性能が低い第２の断熱部材と、
前記断熱箱体内部のコーナー部に設けられる断熱部と、
を備え、
前記第１の断熱部材は、前記コーナー部を形成する前記断熱壁の内部において、前記コーナー部の断熱部の一部を覆うように配置されており、
前記コーナー部の断熱部の内部に、前記コーナー部に沿って延びる部材が設けられている冷蔵庫。
【請求項２】
前記第１の断熱部材は、前記コーナー部に沿って延びる部材を覆うように配置されている請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記第１の断熱部材の板厚は、前記第２の断熱部材の板厚よりも大きい請求項１または２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記コーナー部の断熱部は、前記断熱壁に対し傾斜している請求項１から３の何れか１項に記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記コーナー部の断熱部は、前記コーナー部が延びる方向に直交する断面が三角形状である請求項１から４の何れか１項に記載の冷蔵庫。
【請求項６】
前記コーナー部に沿って延びる部材は、複数本の電線を束ねたものである請求項１から５の何れか１項に記載の冷蔵庫。
【請求項７】
前記コーナー部に沿って延びる部材は、前記コーナー部の断熱部から前記貯蔵室側に導かれており、他の電線と接続する接続部を有する請求項１から６の何れか１項に記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、冷蔵庫の断熱部材を断熱効果に優れる真空断熱パネルから構成し、その断熱部材を箱状の内箱の外面に接着して構成することが提案されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、断熱効果を良好にする冷蔵庫を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本実施形態の冷蔵庫は、断熱壁により箱状に構成され、内部に貯蔵室を形成する断熱箱体と、前記断熱壁の内部に設けられ、真空断熱パネルからなる第１の断熱部材と、前記断熱壁の内部に設けられ、前記第１の断熱部材よりも断熱性能が低い第２の断熱部材と、前記断熱箱体内部のコーナー部に設けられる断熱部と、を備え、前記第１の断熱部材は、前記コーナー部を形成する前記断熱壁の内部において、前記コーナー部の断熱部の一部を覆うように配置されており、前記コーナー部の断熱部の内部に、前記コーナー部に沿って延びる部材が設けられていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
前記光電変換部の受光面の上に配された受光面電極と、
前記光電変換部の裏面の上に配された裏面電極と、
を備え、
前記裏面電極は、前記裏面の少なくとも一部を覆う金属膜と、前記金属膜の上に配された電気的接続用電極とを含み、
前記電気的接続用電極は、第一の方向に沿って配列されており、かつ、第二の方向に沿って延びる複数の線状電極である、太陽電池。
【請求項２】
前記第一の方向と前記第二の方向とは、直交している、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記電気的接続用電極は、前記複数の線状電極と交差しており、かつ、前記第一の方向に沿って延びる複数の第二の線状電極を更に備える、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記電気的接続用電極の前記複数の線状電極は、前記第一の方向に沿って配列されたＶ字状の複数の電極である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記電気的接続用電極の前記複数の線状電極は、マトリクス状に配列された複数の線状電極である、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記電気的接続用電極は、前記複数の線状電極の端部と接続されている複数の第二の線状電極を更に備えたジグザグ状の電極である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記裏面は、テクスチャ構造を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記金属膜は、前記金属膜の前記裏面とは反対側の表面に前記テクスチャ構造に対応した形状の凹凸が存するような厚みを有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記金属膜の厚みは、０．１μｍ〜５μｍの範囲内にある、請求項１〜８のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記電気的接続用電極は、前記金属膜よりも厚い、請求項１〜９のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記電気的接続用電極の厚みは、５μｍ〜２０μｍの範囲内にある、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記電気的接続用電極は、前記裏面の一の方向における一方側端部から他方側端部にまで至る、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記金属膜は、前記裏面の上に配された第１のＡｇ膜と、前記第１のＡｇ膜の上に配されたＡｌ膜またはＣｕ膜と、前記Ａｌ膜またはＣｕ膜の上に配された第２のＡｇ膜とを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１４】
前記電気的接続用電極と前記金属膜との界面および前記電気的接続用電極の周辺部との少なくとも一方に配された樹脂層を有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１５】
前記裏面電極は、前記金属膜と前記裏面との間に配された透光性導電膜をさらに含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項１６】
複数の太陽電池と、前記複数の太陽電池を電気的に接続している配線材とを備える太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池は、光電変換部と、前記光電変換部の受光面の上に配された受光面電極と、前記光電変換部の裏面の上に配された裏面電極とを有し、
前記裏面電極は、前記裏面の少なくとも一部を覆う金属膜と、前記金属膜の上に配されており、前記配線材と電気的に接続されている電気的接続用電極とを含み、
前記電気的接続用電極は、前記配線材の長手方向である第一の方向に沿って配列されており、かつ、第二の方向に沿って延びる複数の線状電極である、太陽電池モジュール。
【請求項１７】
前記複数の線状電極は、全体が前記配線材の下方に位置する、請求項１６に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１８】
前記複数の線状電極は、端部が前記配線材の外側に位置する、請求項１６に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１９】
前記電気的接続用電極は、前記複数の線状電極と交差しており、かつ、前記第一の方向に沿って延びる複数の第二の線状電極を更に備える、請求項１６または１８に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２０】
前記電気的接続用電極の前記複数の線状電極は、前記第一の方向に沿って配列されたＶ字状の複数の電極である、請求項１６または１８に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２１】
前記電気的接続用電極の前記複数の線状電極は、マトリクス状に配列された複数の線状電極である、請求項１６または１８に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２２】
前記電気的接続用電極は、前記複数の線状電極の端部と接続されている複数の第二の線状電極を更に備えたジグザグ状の電極である、請求項１６または１８に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトと、
前記オブジェクトよりも前方にて、前記オブジェクトの正面像に重畳される映像を表示する表示部を備えた携帯端末を、前記表示部を下向きにして支持する支持手段と、
前記オブジェクトよりも前方にて、上端部よりも下端部が前方に位置するように傾斜して配置される透明板と、
を有し、
前記オブジェクトの正面像は、前記表示部に表示される前記映像と対応する輪郭を有し、
前記透明板は、前記映像を反射して、前記透明板を介して透視される前記オブジェクトに前記映像を重畳して表示する映像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示部が表示する前記映像の大きさは、前記オブジェクトの正面像の大きさに対応する映像表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記透明板は、複数の透明薄板を積層して構成される映像表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記透明板は着色されている映像表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、箱体を更に有し、
前記箱体の底壁に前記オブジェクトが載置され、
前記箱体の背面壁は前記オブジェクトの裏側に配置され、
前記箱体には、前記底壁と対向する上部開口と、前記背面壁と対向する正面開口とが設けられる映像表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記箱体は、前記背面壁と対向する正面壁をさらに有し、
前記正面壁は、前記正面開口の両側に配置されて前記正面開口の開口幅を規定する２つの側縁壁を有する映像表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記正面壁は、前記底壁から起立して前記正面開口の下端を規定する下縁壁をさらに有する映像表示装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記両側壁、前記背面壁、前記正面壁のうち少なくとも2つの壁面が前記支持手段として機能する映像表示装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、
前記箱体及びオブジェクトの一方は、前記透明板の角度の位置決めをする設置部を有する映像表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記オブジェクトは、
前記設置部と、
前記設置部の幅方向の両端にて上方に突出して前記透明板を前記幅方向にて位置決めする２つのサイドストッパーと、
を含む映像表示装置。
【請求項１１】
請求項５乃至１０のいずれか１項において、
前記箱体の前記上部開口及び前記正面開口を塞ぐための蓋体をさらに有する映像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、映像表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の映像表示装置は、オブジェクトと、前記オブジェクトよりも前方にて、前記オブジェクトの正面像に重畳される映像を表示する表示部を備えた携帯端末を、前記表示部を下向きにして支持する支持手段と、前記オブジェクトよりも前方にて、上端部よりも下端部が前方に位置するように傾斜して配置される透明板と、を有し、前記オブジェクトの正面像は、前記表示部に表示される前記映像と対応する輪郭を有し、前記透明板は、前記映像を反射して、前記透明板を介して透視される前記オブジェクトに前記映像を重畳して表示する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の映像表示装置において、前記表示部が表示する前記映像の大きさは、前記オブジェクトの正面像の大きさに対応することが好ましい。また、本発明の映像表示装置において、前記透明板が複数の透明薄板を積層して構成されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の映像表示装置において、前記オブジェクトの上面に、前記携帯端末を位置決めするためのマーカーが配置されていることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の映像表示装置において、箱体を更に有し、前記箱体の底壁に前記オブジェクトが載置され、前記箱体の背面壁は前記オブジェクトの裏側に配置され、前記箱体には、前記底壁と対向する上部開口と、前記背面壁と対向する正面開口とが設けられることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の映像表示装置において、前記正面壁は、前記底壁から起立して前記正面開口の下端を規定する下縁壁をさらに有することが好ましい。また、本発明の映像表示装置において、前記両側壁、前記背面壁、前記正面壁のうち少なくとも２つの壁面が前記支持手段として機能することが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の映像表示装置において、前記箱体及びオブジェクトの一方は、前記透明板の角度の位置決めをする設置部を有することが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の映像表示装置において、前記オブジェクトは、前記設置部と、前記設置部の幅方向の両端にて上方に突出して前記透明板を前記幅方向にて位置決めする２つのサイドストッパーと、を含むことが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の包装容器は、前記箱体を有する映像表示装置と、前記箱体の前記上部開口及び前記正面開口を塞ぐ蓋体とを有する包装容器である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間のＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記第１の電極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第２の発光層は、前記第１の発光層と前記第２の電極との間に設けられ、
前記第１の発光層は、蛍光発光物質と、ホスト材料と、を有し、
前記第２の発光層は、物質と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成することができる組み合わせであり、
前記物質は、三重項励起エネルギーを発光に変換することができ、
前記第１の発光層からの発光スペクトルは、前記第２の発光層からの発光スペクトルよりも短波長領域に存在する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記励起錯体の三重項励起エネルギーは、前記第１の有機化合物の三重項励起エネルギー及び前記第２の有機化合物の三重項励起エネルギーよりも小さい発光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記励起錯体から前記物質へのエネルギーの授受がある発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記ホスト材料の一重項励起準位が前記蛍光発光物質の一重項励起準位よりも大きく、
前記ホスト材料の三重項励起準位が前記蛍光発光物質の三重項励起準位よりも小さい発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段と、を備えた発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光素子を照明部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた照明装置。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光素子を有する電子機器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
さらに、本発明には、本発明に開示されるアミノ酸配列に対し少なくとも５０％の同一性を保持するアミノ酸配列、又はその断片及び同等の機能を持つアミノ酸配列が開示されている。一つの実施形態では、該アミノ酸配列は、本発明に提供される配列番号１又は２のアミノ酸配列に対し少なくとも７５％の同一性を保持する。好ましくは少なくとも８５％の同一性、より好ましくは少なくとも９０％の同一性、更に好ましくは少なくとも９５％の同一性、特に好ましくは少なくとも９７％の同一性、最も好ましくは少なくとも９９％の同一性を保持する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１に示されるアミノ酸配列またはそれに対し少なくとも９７％の同一性を保持するアミノ酸配列を有する重鎖と、配列番号２に示されるアミノ酸配列またはそれに対し少なくとも９７％の同一性を保持するアミノ酸配列を有する軽鎖と、を含み、
前記の重鎖可変領域の相補性決定領域ＣＤＲ−Ｈ１は配列番号３に示されるアミノ酸配列であり、ＣＤＲ−Ｈ２は配列番号４に示されるアミノ酸配列であり、ＣＤＲ−Ｈ３は配列番号５に示されるアミノ酸配列であり、
前記の軽鎖可変領域の相補性決定領域ＣＤＲ−Ｌ１は配列番号６に示されるアミノ酸配列であり、ＣＤＲ−Ｌ２は配列番号７に示されるアミノ酸配列であり、ＣＤＲ−Ｌ３は配列番号８に示されるアミノ酸配列である、
抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体
（但し、
配列番号１に示されるアミノ酸配列を有する重鎖と、配列番号２に示されるアミノ酸配列を有する軽鎖との組み合わせ、
配列番号２７に示されるアミノ酸配列を有する重鎖と、配列番号２に示されるアミノ酸配列を有する軽鎖との組み合わせ、
配列番号２８に示されるアミノ酸配列を有する重鎖と、配列番号３２に示されるアミノ酸配列を有する軽鎖との組み合わせ、
配列番号１に示されるアミノ酸配列を有する重鎖と、配列番号３１に示されるアミノ酸配列を有する軽鎖との組み合わせ、又は、
配列番号２７に示されるアミノ酸配列を有する重鎖と、配列番号３２に示されるアミノ酸配列を有する軽鎖との組み合わせ
を含む、単離された抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体を除く。）。
【請求項２】
前記重鎖および／または軽鎖が、それぞれ配列番号１および／または配列番号２に対し、１〜５個のアミノ酸残基の挿入、欠失または保守的置換により修飾されてなる、請求項１に記載の抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体。
【請求項３】
前記アミノ酸残基の挿入、欠失または保守的置換が、
フレームワーク領域ＦＲ−Ｈ１における、第１６位のアミノ酸ＡのＥによる置換、第１７位のアミノ酸ＳのＴによる置換、及び、第２０位のアミノ酸ＩのＶによる置換（配列番号１１）；
フレームワーク領域ＦＲ−Ｈ２における、第３位のアミノ酸ＫのＲによる置換、及び、第９位のアミノ酸ＧのＳによる置換（配列番号１２）；
フレームワーク領域ＦＲ−Ｈ３における、第３位のアミノ酸ＴのＶによる置換、第７位のアミノ酸ＥのＤによる置換、第１０位のアミノ酸ＶのＴによる置換、第１４位のアミノ酸ＦのＹによる置換、第１９位のアミノ酸ＳのＴによる置換、及び、第２７位のアミノ酸ＴのＶによる置換（配列番号１３）、
フレームワーク領域ＦＲ−Ｌ１における、第１１位のアミノ酸ＬのＭによる置換、第１８位のアミノ酸ＲのＥによる置換、及び、第２１位のアミノ酸ＭのＩによる置換（配列番号１４）；
フレームワーク領域ＦＲ−Ｌ２における、第１３位のアミノ酸ＷのＬによる置換（配列番号１５）；並びに、
フレームワーク領域ＦＲ−Ｌ３における、第４位のアミノ酸ＳのＡによる置換、第２２位のアミノ酸ＬのＶによる置換、及び、第２７位のアミノ酸ＡのＦによる置換（配列番号１６）、
から選択される、請求項２に記載の抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体をコードする核酸。
【請求項５】
請求項４に記載の核酸を含むベクター。
【請求項６】
発現を容易にするために核酸に操作可能に連結されるプロモーターをさらに含む請求項５に記載のベクター。
【請求項７】
請求項５または６に記載のベクターを含む宿主細胞。
【請求項８】
ｈＴＮＦαの診断性解析のための医薬の製造における、請求項１〜３のいずれかに記載の抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体の使用。
【請求項９】
ｈＴＮＦα関連疾患の治療のための医薬の製造における、請求項１〜３のいずれかに記載の抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体の使用。
【請求項１０】
前記ｈＴＮＦα関連疾患が、膿血症、自己免疫病、悪性腫瘍、肺機能障害、移植による拒絶反応、細菌性髄膜炎、脳マラリア、エイズ及びエイズ関連症候群（ＡＲＣ）、移植後のサイトメガロウイルス感染症である、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれかに記載の抗腫瘍壊死因子ヒト化モノクローナル抗体を含む医薬組成物であり、抗ｈＴＮＦαヒト化抗体および薬学的に許容される賦形剤を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月13日(2016.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニタゾキサニドおよびチゾキサニドから選択されるチアゾリド化合物を含有する、センダイウイルス、コロナウイルス、ライノウイルス、呼吸器合胞体ウイルス、ヘルペスウイルス、ロタウイルス、アデノウイルス、またはラブドウイルスから選択されるウイルスによって引き起こされるウイルス感染症治療用医薬組成物。
【請求項２】
前記チアゾリド化合物がチゾキサニドである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記チアゾリド化合物がニタゾキサニドである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記ウイルスがセンダイウイルス、コロナウイルス、ライノウイルス、ヘルペスウイルス、ロタウイルス、およびアデノウイルスから選択される、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記ウイルスがセンダイウイルスである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記ウイルスがコロナウイルスである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記ウイルスが呼吸器合胞体ウイルスである、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記ウイルスがヘルペスウイルスである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記ウイルスがロタウイルスである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記ウイルスがアデノウイルスである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記ウイルスがラブドウイルスである、請求項２に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＡＰＩ及び少なくとも１つのコフォーマーを含む組成物であって、
前記少なくとも１つのコフォーマーは分子錯体コフォーマー及び／又は追加のコフォーマーであり、
前記ＡＰＩと前記分子錯体コフォーマーが分子錯体を形成し、
前記ＡＰＩはビスホスホン酸であり、前記少なくとも１つのコフォーマーはナトリウム、アンモニウム、アンモニア、リジン、ニコチンアミド、アデニン、及びグリシンからなる群から選択され、
前記分子錯体は、
ａ）８．１、１３．３、２１．５、２４．６及び２５．６±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、ゾレドロン酸ナトリウム、及び水の分子錯体、
ｂ）１１．０、１４．６、１５．４、１９．９、及び２９．４±０．２°２θに強いピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸アンモニウム塩と水の分子錯体、
ｃ）１２．２、１３．０、１４．１、１７．１、及び１９．３±０．２°２θに強いピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン２アンモニア水の分子錯体、
ｄ）９．０、１４．４、１８．１、２６．０、及び２９．６±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、Ｌ-リジン、及び水の分子錯体、
ｅ）９．６、１０．７、１４．３、２１．４、２３．５±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、Ｌ-リジン、及び水の分子錯体、
ｆ）８．３、１１．８、１２．３、１５．８、及び２０．８±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、ＤＬ-リジン、及び水の分子錯体、
ｇ）９．１、１４．７、１８．０、２１．２、及び２６．０±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、ＤＬ-リジン、及び水の分子錯体、
ｈ）９．７、１０．８、１４．４、１８．９、２１．４±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、ＤＬ-リジン、及び水の分子錯体、
ｉ）８．８、９．７、１７．６、２３．１、及び２６．５±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、ゾレドロン、ＤＬ-リジン、エタノール、及び水の分子錯体、
ｊ）１３．６、１５．９、１９．７、２７．９、及び２９．５±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、アデニン、及び水の分子錯体、
ｋ）１３．１、１５．２、２１．０、２３．９、及び２６．５±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸、ニコチンアミド、及び水の分子錯体、及び
ｌ）１０．２、１７．８、１９．９、２２．９、及び２８．１±０．２°２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる結晶質ゾレドロン酸とグリシンの分子錯体、
からなる群から選択される結晶質分子錯体である、組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物と、医薬的に許容し得る賦形剤とを含む医薬組成物。
【請求項３】
前記コフォーマーは、
ａ）前記ＡＰＩの腸管透過性を増大させる、
ｂ）前記ＡＰＩのＣｍａｘを増大させる、
ｃ）前記ＡＰＩの水溶性を増大させる、
ｄ）周囲条件で前記ＡＰＩの安定性を増大させる、及び／又は
ｅ）前記ＡＰＩの経口バイオアベイラビリティを増大させる、
請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記医薬組成物は経口投薬形態である、請求項２又は３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
1回の投与量に少なくとも２５０ｍｇの前記コフォーマーが含まれる、請求項２から４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記コフォーマーがリジン又はグリシンである、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
ビスホスホン酸の経口バイオアベイラビリティ又は透過性を向上させる方法であって、
請求項２に記載の医薬組成物を形成するために、前記ビスホスホン酸をナトリウム、アンモニウム、アンモニア、リジン、ニコチンアミド、アデニン、及びグリシンからなる群から選択されるコフォーマーと結合させるステップを含む、方法。
【請求項８】
ビスホスホン酸を要する疾病状態の治療に使用する、請求項２から６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記疾病状態は、骨粗鬆症、高カルシウム血症、癌関連骨転移、パジェット病、又はアジュバント癌療法若しくはネオアジュバント癌療法に関連する、請求項８に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月11日(2015.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記親水性モノマーが、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレート、ヒドロキシブチルアクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、プロピレングリコールメタクリレート、プロピレングリコールアクリレート、ジプロピレングリコールメタクリレート、ジプロピレングリコールアクリレート、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、グリセリルメタクリレート、グリセリルアクリレート、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルメチルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニル−２−メチルカプロラクタム、Ｎ−ビニル−３，５−ジメチルカプロラクタム又はこれらの何れか２種以上の混合物から選択される請求項９に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月10日(2016.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形体から熔融ガラスをオーバーフローさせてガラスシートを成形する成形工程と、
成形された前記ガラスシートを下方に引き延ばしながら冷却する冷却工程と、
冷却された前記ガラスシートを切断してガラス基板を得る切断工程と、
を備え、
前記成形体から離れた前記ガラスシートが徐冷点近傍になるまで冷却される空間の少なくとも一部において、前記ガラスシートの幅方向の中央領域の表面と対向する冷却速度制御部材が設けられ、
前記冷却速度制御部材を挟んで前記ガラスシートの反対側にある後方冷却空間は、前記ガラスシートの進行方向に沿って配置されている複数の冷却室から構成され、
前記冷却室の少なくとも一部は、冷却器によって冷却され、
前記冷却工程では、前記ガラスシートは、前記冷却室に接する前記冷却速度制御部材と対向しながら前記進行方向に沿って移動することで、段階的または連続的に冷却され、
前記冷却器の少なくとも一部は、
前記冷却室と、前記進行方向に沿って前記冷却室に隣接する空間との間の熱移動を抑制する断熱板と、
液体冷媒が内部を流れることで前記冷却室を冷却する冷媒管と、
を有し、
前記冷媒管は、前記断熱板の長手方向において複数回往復するように配置され、かつ、往復する前記冷媒管の列からなる平面である管平面を形成し、
前記管平面は、前記断熱板の下面と平行な平面である、
ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記冷却工程は、
前記ガラスシートの前記中央領域の温度が徐冷点になるまで、第１平均冷却速度で前記ガラスシートが冷却される第１冷却工程と、
前記ガラスシートの前記中央領域の温度が、徐冷点から、歪点より５０℃低い温度になるまで、第２平均冷却速度で前記ガラスシートが冷却される第２冷却工程と、
を有し、
前記第１平均冷却速度は、前記第２平均冷却速度より大きい、
請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記冷却工程では、前記冷却速度制御部材によって、前記進行方向における前記ガラスシートの冷却速度が制御される、
請求項１または２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記成形体から離れた前記ガラスシートが冷却される空間において、前記ガラスシートの幅方向の端部を冷却する端部冷却装置が設けられ、
前記冷却工程では、前記端部冷却装置によって、前記ガラスシートの前記端部が、前記ガラスシートの前記中央領域よりも大きい速度で冷却されるように、前記ガラスシートが冷却される、
請求項１から３のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記冷却速度制御部材の、前記ガラスシートの対向面とは反対側の面には、前記ガラスシートの幅方向に沿って保温部材が設置され、
前記冷却工程では、前記保温部材によって、前記ガラスシートの幅方向の厚みおよび／または反りが制御される、
請求項１から４のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記冷却工程では、前記ガラスシートの前記中央領域の温度が軟化点近傍になるまでの空間の少なくとも一部において、前記保温部材の寸法の変更によって、前記ガラスシートの幅方向の板厚分布に応じて、前記ガラスシートの厚みが制御される、
請求項５に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記冷却工程では、前記ガラスシートの厚みが制御された後、前記保温部材の寸法の変更によって、前記ガラスシートの前記中央領域から前記端部に向かって、前記ガラスシートの温度が段階的または連続的に下がるような温度プロファイルが形成されて、平面度が所定の範囲内となるように前記ガラスシートの反りが制御される、
請求項６に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項８】
成形体から熔融ガラスをオーバーフローさせてガラスシートを成形するための成形部と、
成形された前記ガラスシートを下方に引き延ばしながら冷却するための冷却部と、
冷却された前記ガラスシートを切断してガラス基板を得るための切断部と、
を備え、
前記成形体から離れた前記ガラスシートが徐冷点近傍になるまで冷却される空間の少なくとも一部において、前記ガラスシートの幅方向の中央領域の表面と対向する冷却速度制御部材が設けられ、
前記冷却速度制御部材を挟んで前記ガラスシートの反対側にある後方冷却空間を冷却するための冷却器を有し、
前記冷却器は、
前記空間を複数の冷却室に分割し、かつ、隣接する前記冷却室の間の熱移動を抑制する断熱板と、
液体冷媒が内部を流れることで前記冷却室を冷却する冷媒管と、
を備え、
前記冷媒管は、前記断熱板の長手方向において複数回往復するように配置され、かつ、往復する前記冷媒管の列からなる平面である管平面を形成し、
前記管平面は、前記断熱板の下面と平行な平面である、
ガラス基板の製造装置。
【請求項９】
前記冷媒管は、その外径以上の間隔を空けて複数回往復するように配置され、
前記断熱板は、前記冷却室の壁面の内の一面を構成し、かつ、前記管平面に平行に、および、前記管平面に接しながら、前記冷媒管の列の上に、その自重を預けて設置される、
請求項８に記載のガラス基板の製造装置。
【請求項１０】
前記冷却器は、その両端部が支持された状態における、長手方向の中央部の自重によるたわみ量が、長手方向の長さに関わらず２０ｍｍ以下であるような剛性を有する、
請求項８または９に記載のガラス基板の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のタイプのドーピングを有する結晶シリコン基板（１）と、アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３、８）とを有するヘテロジャンクション太陽電池であって、結晶酸化シリコン薄膜（１１）を少なくとも１つ備え、前記結晶酸化シリコン薄膜（１１）は、前記基板（１）と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３、８）との間であって、前記基板（１）のピラミッド状の凹凸化した面（１ａ、１ｂ）の上に直接配置されており、
前記基板（１）は結晶面（１００）を有するシリコン基板である、
ことを特徴とする電池。
【請求項２】
前記結晶酸化シリコン薄膜（１１）は、０．１から２ナノメートルの間にあって、典型的には約０．５ナノメートルの膜厚を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項３】
真性アモルファスシリコン又は微量ドーピングされたアモルファスシリコンの薄層（２、７）は、前記結晶酸化シリコン薄膜（１１）と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３、８）との間に挿入され、  前記結晶酸化シリコン薄膜（１１）は、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３、８）に直接接している、
ことを特徴とする請求項１から２のいずれか１つに記載の電池。
【請求項４】
前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（８）は、前記結晶シリコン基板（１）と同じタイプのドーピングを有する、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の電池。
【請求項５】
前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３）は、前記結晶シリコン基板（１）と反対のタイプのドーピングを有する、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の電池。
【請求項６】
結晶酸化シリコン付加薄膜（１２）を備え、前記結晶酸化シリコン付加薄膜（１２）は、前記基板（１）とアモルファス又は微結晶のシリコンの付加層（８）との間であって前記基板（１）の他の面（１ｂ）の上に直接配置され、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの付加層（８）は、前記結晶シリコン基板（１）と同じタイプのドーピングを有し、  真性アモルファスシリコン又は微量ドーピングされたアモルファスシリコンの付加薄層（７）は、前記結晶酸化シリコン付加薄膜（１２）と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの付加層（８）との間に挿入され、  前記結晶酸化シリコン付加薄膜（１２）は、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの付加層（８）に直接接している、ことを特徴とする請求項５に記載の電池。
【請求項７】
アモルファス酸化シリコンの層は、前記結晶酸化シリコン薄膜と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３，８）との間であって、前記結晶酸化シリコン薄膜（１１、１２）の上に直接配置される、ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の電池。
【請求項８】
前記基板（１）は結晶面（１００）を有するシリコン基板であり、  前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層（３、８）を形成する前に、前記基板（１）の表面をラジカル表面酸化によりピラミッド状に凹凸化することにより前記結晶酸化シリコン薄膜（１１、１２）を形成する、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記ラジカル表面酸化は、酸素、及び／又は、オゾン、及び／又は、水から得られた酸素化ラジカルを用いて行われ、
前記基板（１）の表面の前記表面酸化はプラズマにより支援される、
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記基板（１）の表面の前記表面酸化は、前記表面に紫外線を照射することにより支援され、  前記酸化ラジカルは少なくとも酸素から得られ、前記紫外線は１６０ｎｍから４００ｎｍの間の波長を有する、
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化オペレーションの間においては、温度及び圧力はそれぞれ室温及び大気圧であることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記基板（１）の表面の前記ラジカル表面酸化に続いて、ラジカル表面酸化の間に前記薄膜（１１、１２）の表面の上に形成されたアモルファス中にある酸化シリコンの一部を除去するためのストリッピングステップを行う、ことを特徴とする請求項８から１１のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】太陽電池素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
＜実施例３＞
炭酸カルシウム（レアメタリック製、純度９９．９９％、体積平均粒子径１．８μｍ）４ｇ、α−テルピネオール６ｇの溶液を調製し、遊星型ボールミルにて粉砕した。この溶液と１２質量％のエチルセルロースを溶解したα−テルピネオール１０ｇを混合し、マスク形成用組成物３を調製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面上に、アルカリ土類金属又はアルカリ金属を含有する金属化合物を含有するマスク形成用組成物を付与し、加熱処理してマスク層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記マスク層が形成されていない領域に拡散層を形成する工程と、
を含んで、太陽電池用基板を製造し、
更に、前記拡散層上に、電極を形成する工程を有し、
前記マスク形成用組成物中における前記アルカリ土類金属又はアルカリ金属を含有する金属化合物の含有比率が、２質量％以上５０質量％以下である、太陽電池素子の製造方法。
【請求項２】
前記太陽電池用基板が、半導体基板の受光面及び該受光面に対して反対面である裏面に電極を有する両面電極型太陽電池用基板であり、
半導体基板の裏面に、前記マスク層を形成する工程と、
前記受光面に、ｎ型拡散層を形成する工程と、
前記裏面の前記マスク層を除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項３】
前記太陽電池用基板が、半導体基板の受光面に対して反対面である裏面にのみ電極を有する裏面電極型太陽電池用基板であり、
半導体基板の受光面の全面及び裏面の一部に、第一の前記マスク層を形成する工程と、
前記裏面における前記第一のマスク層が形成されていない領域に、ｐ型拡散層を形成する工程と、
前記受光面及び前記裏面の前記第一のマスク層を除去する工程と、
前記裏面上の前記ｐ型拡散層が形成される領域とは異なる領域に、第二の前記マスク層を形成する工程と、
前記受光面及び前記裏面の前記第二のマスク層が形成されていない領域に、ｎ型拡散層を形成する工程と、
前記裏面の前記第二のマスク層を除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項４】
前記太陽電池用基板が、半導体基板の両面で受光が可能な両面受光型太陽電池用基板であり、
半導体基板の一方の面である第一面の全面に、第一の前記マスク層を形成する工程と、
前記半導体基板の他方の面である第二面に、ｐ型拡散層を形成する工程と、
前記第一面の前記第一のマスク層を除去する工程と、
前記半導体基板の前記第二面の全面に、第二の前記マスク層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第一面に、ｎ型拡散層を形成する工程と、
前記第二面の前記第二のマスク層を除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項５】
前記マスク層を除去する工程では、前記マスク層を酸水溶液によって除去する、請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項６】
前記アルカリ土類金属又はアルカリ金属を含有する金属化合物が、金属元素として、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、リチウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、ストロンチウム、バリウム、およびラジウムからなる群より選択される１種以上を含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項７】
前記マスク層を形成する工程では、前記アルカリ土類金属又はアルカリ金属を含有する金属化合物と分散媒と有機バインダとを含有するマスク形成用組成物を、半導体基板に付与及び加熱処理して前記マスク層を形成する、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項８】
前記マスク形成用組成物の不揮発成分中、前記アルカリ土類金属又はアルカリ金属を含有する金属化合物の含有率が５質量％以上１００質量％未満である、請求項７に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項９】
前記マスク層が、前記マスク形成用組成物をインクジェット、ディスペンサー又はスクリーン印刷のいずれかの方法により半導体基板に付与し形成される、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ｎ型拡散層が、オキシ塩化リンを含むガスを用いて形成される、請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ｎ型拡散層が、リン化合物を含む組成物を半導体基板に付与し加熱処理して形成される、請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１２】
前記リン化合物がリン原子を含むガラス粉末である、請求項１１に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ｐ型拡散層が、臭化ホウ素を含むガスを用いて形成される請求項３又は請求項４に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ｐ型拡散層が、ホウ素化合物を含む組成物を半導体基板に付与し加熱処理して形成される、請求項３又は請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ホウ素化合物がホウ素原子を含むガラス粉末である、請求項１４に記載の太陽電池素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
アルカリ可溶性樹脂としては、光硬化性と熱硬化性の両方の特性を持つアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂にアクリル酸を付加させてエポキシアクリレート化した樹脂の２級の水酸基に酸無水物を付加させた樹脂が挙げられる。多官能アクリルモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌ  Ｐｒｏｐａｎｅ  Ｔｒｉａｃｒｙｌａｔｅ）、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（Ｄｉ−ｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ  Ｈｅｘａａｃｒｙｌａｔｅ）、ペンタエリスリトールトリアクリレート（Ｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ  Ｔｒｉａｃｒｙｌａｔｅ）等が挙げられる。光重合開始剤としては、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（２−Ｍｅｔｈｙｌ−１−（４−Ｍｅｔｈｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）−２−Ｍｏｒｐｈｏｌｉｎｏｐｒｏｐａｎ−１−ｏｎｅ）等が挙げられる。エポキシ樹脂は、硬化剤として用いられる。アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸と反応させることで架橋させ、耐熱性や耐薬品性の特性の向上を図っているが、カルボン酸とエポキシは常温でも反応が進むために、保存安定性が悪く、アルカリ現像型ソルダーレジストは一般的に使用前に混合する２液性の形態をとっている場合が多い。無機フィラーとしては、例えば、タルク、シリカ、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化亜鉛等が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
（実施例１２）
工程（Ｃ３）及び（Ｃ６）において、密着露光方式にて露光を行った以外は、実施例９と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、表面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）及び（Ｃ６）において、密着露光時のエア抜きを十分行うことにより、非酸素雰囲気下で露光を行ったため、第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２表面が粗面化せず、結果として、第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の厚さは減少しなかった。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
当該モジュールへの攻撃を検出するための手段と、
攻撃が検出されたときに、不揮発性メモリのセル（１１０、５１０）への書き込み動作を指令するために、プログラミング電圧（ＵＰ）の印加可能なチャージポンプ（１２０）に充電することができる指令手段（１３０）と、
通常の動作の際に電力が供給され、攻撃が検出されたときにのみ前記チャージポンプ（１２０）へと電力を供給するように構成されたコンデンサ（１４０）とを備えており、
前記コンデンサ（１４０）が、攻撃が検出されたときに前記指令手段（１３０）にも電力を供給することを特徴とするモジュール（１００、５００、６００）。
【請求項２】
前記指令手段（１３０）が、フリップフロップ（１３２）及びＮＯＴゲート（１３４）を備えており、前記フリップフロップの出力が、通常の動作においては第１のレベルにあり、攻撃が検出されたときに第２のレベルにあり、前記第２のレベルが、前記書き込み動作の継続時間の全体において高のままであることを特徴とする請求項１に記載のモジュール（１００、５００、６００）。
【請求項３】
前記セル（１１０）が、ワン・タイム・プログラマブル（ＯＴＰ）セルであることを特徴とする請求項１又は２に記載のモジュール（１００）。
【請求項４】
前記セル（５１０）が、ＥＥＰＲＯＭメモリのセルであることを特徴とする請求項１又は２に記載のモジュール（５００、６００）。
【請求項５】
制御信号（ＳＣ）を含んでおり、
前記制御信号（ＳＣ）のレベル（ＮＨ、ＮＢ）が前記セル（５１０）の書き込み又はブランク状態を表わし、
前記制御信号（ＳＣ）が、攻撃が検出されたときに当該モジュール（５００）の重要信号（ＳＩＶ）を維持するために使用されることを特徴とする請求項４に記載のモジュール（５００）。
【請求項６】
前記重要信号（ＳＩＶ）が、リセット信号、クロック信号、又は当該モジュール（５００）の外部の機器に接続された入力／出力信号の中から選択されることを特徴とする請求項５に記載のモジュール（５００）。
【請求項７】
制御信号（ＳＣ）を含んでおり、
前記制御信号（ＳＣ）のレベル（ＮＨ、ＮＢ）が前記セル（５１０）の書き込み又はブランク状態を表わし、
前記制御信号（ＳＣ）が、当該モジュールの重要部品（１５０）への電力の供給を制御するスイッチ（Ｔ３）に対する指令に使用されることを特徴とする請求項４に記載のモジュール（６００）。
【請求項８】
前記スイッチ（Ｔ３）が、ＰＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項７に記載のモジュール（６００）。
【請求項９】
前記重要部品が、プロセッサ（１５０）であることを特徴とする請求項７に記載のモジュール（６００）。
【請求項１０】
ISO 7816規格によるマイクロ回路カードで構成される請求項１に記載のモジュール（１００、５００、６００）。