【手続補正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起されることにより、回転する磁気記録媒体上にＡＢＳから記録磁界を発生する磁気記録ポールと、
電磁放射線源と、
前記電磁放射線源からの電磁放射線の方向付けをする導波路と、
第１の層、第２の層および第３の層を有し、かつ、誘電体充填層を介して前記導波路に隣接して配置された平面プラズモンジェネレータと、
前記平面プラズモンジェネレータの前記第１の層における前記ＡＢＳに露出した端部に設けられたペグと
を備え、
前記第１の層は、前記誘電体充填層を介して前記導波路と隣接し、前記導波路における光モードとエバネセント結合することにより表面プラズモンモードを励起させ、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に位置し、前記第１の層における不要なプラズモンモードを抑制すると共にヒートシンクとして振る舞い、
前記第３の層は、前記第２の層に接するとともに前記導波路と対向する前記磁気記録ポールの一側面と隣接し、
前記表面プラズモンモードの一部である近接場を、前記ペグが対向する前記磁気記録媒体の表面上における前記ペグを取り囲む領域に閉じ込め、前記近接場が前記磁気記録媒体上の前記領域へエネルギーを遷移させることで前記磁気記録媒体上の領域を加熱し磁気情報の書込を行う
熱アシスト磁気記録（ＴＡＭＲ）ヘッド。
【請求項２】
前記磁気記録ポールに沿って並び、追加のヒートシンクとして機能するブロックをさらに備えた
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３】
ＡＢＳに露出した端部に、−Ｙ方向へ突出したスティッチトポールチップを有し、かつ励起されることにより、回転する磁気記録媒体上に前記ＡＢＳから記録磁界を発生する磁気記録ポールと、
電磁放射線源と、
前記電磁放射線源からの電磁放射線の方向付けをする導波路と、
第１の層、第２の層および第３の層を有し、かつ誘電体充填層を介して前記導波路に隣接して配置された平面プラズモンジェネレータと、
前記平面プラズモンジェネレータの前記第１の層における前記ＡＢＳに露出した端部に設けられたペグと
を備え、
前記第１の層は、前記誘電体充填層を介して前記導波路と隣接し、前記導波路における光モードとエバネセント結合することにより表面プラズモンモードを励起させ、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に位置し、前記第１の層における不要なプラズモンモードを抑制すると共にヒートシンクとして振る舞い、
前記第３の層は、前記第２の層に接するとともに前記導波路と対向する前記磁気記録ポールの一側面と隣接し、かつ、Ｚ軸方向において前記スティッチトポールチップの周囲を部分的に覆い、ＡＢＳから遠ざかるように延在し、
前記スティッチトポールチップのＡＢＳ端は露出され、
前記表面プラズモンモードの一部である近接場を、前記ペグが対向する前記磁気記録媒体の表面上における前記ペグを取り囲む領域に閉じ込め、前記近接場が前記磁気記録媒体上の前記領域へエネルギーを遷移させることで前記磁気記録媒体上の領域を加熱し磁気情報の書込を行う
熱アシスト磁気記録（ＴＡＭＲ）ヘッド。
【請求項４】
前記第２の層の端部は前記ＡＢＳから後退した位置にあり、前記ＡＢＳにおいて前記ペグと前記スティッチトポールチップとの間に誘電性材料で満たされたスペースが形成されている
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記第２の層の端部は前記ＡＢＳに露出している
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記第１の層における層面に平行な平面は、頂角が１５°以上６０°以下の三角形状を有している
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記第１の層は、０．６μｍ以上１．５μｍ以下の長さを有し、
前記誘電体充填層は、２５ｎｍの幅を有する
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記第１の層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記ペグは、前記平面プラズモンジェネレータから独立した素子であり、または前記第１の層の端部と接続されて一体となっている
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
前記ペグは、前記第１の層の端部から前記ＡＢＳへ突き出した拡張部分である
請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
前記ペグは、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の長さを有する
請求項９記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
前記ペグは、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の幅を有する
請求項９記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
前記誘電体充填層は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記平面プラズモンジェネレータの全体の厚さは、１００ｎｍ以上である
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
前記第１の層と前記導波路との間の前記誘電体充填層は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮまたはＴａ2 Ｏ5 のうちの少なくとも１種を含む光学誘電材料からなる
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
前記第１の層と前記導波路との間の前記誘電体充填層は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮまたはＴａ2 Ｏ5 のうちの少なくとも１種を含む光学誘電材料からなる
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１７】
前記第２の層の端部と前記ＡＢＳとの間の前記スペースは、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮまたはＴａ2 Ｏ5 のうちの少なくとも１種を含む光学誘電材料によって充填されている
請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１８】
前記導波路および前記平面プラズモンジェネレータは、前記磁気記録ポールのリーディングエッジと対向して配置されている
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１９】
前記導波路および前記平面プラズモンジェネレータは、前記磁気記録ポールのトレーリングエッジと対向して配置されている
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２０】
電磁放射線源と、
前記電磁放射線源からの電磁放射線の方向付けをする導波路と、
自らの内部に閉じ込められてＡＢＳへ向けて伝播する表面プラズモンモードと前記電磁放射線が結合するように、前記導波路にギャップを介して隣接して配置された平面積層構造として形成された平面プラズモンジェネレータと、
前記平面積層構造における前記ＡＢＳに露出した端部に設けられたペグと
を有し、
前記平面積層構造は、
前記ギャップを介して前記導波路と隣接する第１の層と、
前記第１の層の上に設けられ、前記第１の層における不要なプラズモンモードを抑制すると共にヒートシンクとして振る舞う第２の層と
を有し、
前記第１の層における層面に平行な平面は、頂角が１５°以上６０°以下の三角形状を有し、
前記表面プラズモンモードの一部である近接場は、前記ペグと対向する磁気記録媒体の表面上における前記ペグを取り囲む領域に閉じ込め、前記近接場が前記磁気記録媒体上の前記領域へエネルギーを遷移させることで前記磁気記録媒体上の領域を加熱し磁気情報の書込を行う
熱アシスト磁気記録（ＴＡＭＲ）ヘッド。
【請求項２１】
前記第１の層は、０．６μｍ以上１．５μｍ以下の長さを有し、
前記ギャップは、２５ｎｍの幅を有する
請求項２０記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２２】
前記第１の層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する
請求項２０記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２３】
前記平面積層構造の全体の厚さは、１００ｎｍ以上である
請求項２２記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２４】
前記ペグは、前記平面プラズモンジェネレータから独立した素子であり、または前記第１の層の端部と接続されて一体となっている
請求項２０記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２５】
前記ペグは、前記第１の層の端部から前記ＡＢＳへ突き出した延長部分である
請求項２４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２６】
前記ペグは、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の長さを有する
請求項２４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２７】
前記スティッチトポールチップは、前記ＡＢＳにおいて三角形状の断面を有し、頂点部分が前記ペグの方を指して、磁極がさらに集中するようになっている
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２８】
前記磁気記録ポールに沿って並び、追加のヒートシンクとして機能するブロックをさらに備えた
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２９】
前記ペグは、前記平面プラズモンジェネレータから独立した素子であり、または前記第１の層の端部と接続されて一体となっている
請求項１記載の平面プラズモンジェネレータ。
【請求項３０】
前記ペグは、前記第１の層の端部から前記ＡＢＳへ突き出した延長部分である
請求項２９記載の平面プラズモンジェネレータ。
【請求項３１】
前記ペグは、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の長さを有する
請求項２９記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３２】
前記ペグは、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の幅を有する
請求項２９記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３３】
前記第２の層の端部は前記ＡＢＳから後退した位置にあり、前記ＡＢＳにおいて前記ペグと前記スティッチトポールチップとの間に誘電性材料で満たされたスペースが形成され、
前記第２の層の端部と前記ＡＢＳとの間の前記スペースは、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮまたはＴａ2 Ｏ5 のうちの少なくとも１種を含む光学誘電材料によって充填されている
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３４】
前記導波路および前記平面プラズモンジェネレータは、前記磁気記録ポールのリーディングエッジと対向して配置されている
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３５】
前記導波路および前記平面プラズモンジェネレータは、前記磁気記録ポールのトレーリングエッジと対向して配置されている
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。