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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出力を生成するための照明装置であって、
基板と、
前記基板上に配置され、ソース波長帯域を有する放射線を放射するように構成された光源と、
波長変換器に入る前記光源からの前記放射線のある量を、前記ソース波長帯域よりも広い第１の波長帯域を有する変換光に変換するための当該波長変換器と、
前記波長変換器に入る前記光源から放射された前記放射線が、透過調節器を通して実質的に伝送されるようにするために、前記光源と前記波長変換器との間に形成された当該透過調節器であって、当該透過調節器が、透過率を有し、前記波長変換器に入る前記光源からの前記放射線の量を制御するために、前記透過率が調節可能であり、当該透過調節器が、第１の透過層と第２の透過層との間に配置されている、当該透過調節器と、
前記光源を駆動するように構成され、前記透過調節器の前記透過率を示す電気信号を前記透過調節器に対して生成するように構成された回路と、
前記第１の透過層と前記第２の透過層との間に挟まれており、前記透過調節器の周囲を取り囲んでいる周縁封止材と
を含む照明装置。
【請求項２】
前記光源及び前記波長変換器は、前記光源から放射された前記放射線の一部が前記波長変換器を通して伝送されることなく外部的に伝送されるように配置されている、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記透過調節器は、前記第１の透過層と前記第２の透過層との間に挟まれている、請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記透過調節器は、前記周縁封止材、前記第１の透過層、及び前記第２の透過層の間に形成された単一の一体型キャビティの中に形成されている、請求項１に記載の照明装置。
【請求項５】
前記第１の透過層は、実質的に平坦な内側表面を備え、前記実質的に平坦な内部表面の約８０パーセントを上回る部分が、前記単一の一体型キャビティに直接接触している、請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記照明装置は、出力方向を有し、
前記波長変換器は、前記出力方向に対して実質的に直交するように配置された変換器表面を有し、
前記透過調節器は、前記出力方向に対して実質的に直交するように配置された調節器表面を有している、請求項１に記載の照明装置。
【請求項７】
前記変換器表面は、前記調節器表面とほぼ等しい大きさであり、又は前記調節器表面よりも小さい、請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記回路は、前記回路の電気信号が、前記透過調節器の透過率に線形に比例するように、前記透過調節器を制御するように構成されている、請求項１に記載の照明装置。
【請求項９】
前記透過調節器は、エレクトロ・クロミック・ゲル材料を含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項１０】
光出力を生成するための照明装置であって、
ソース波長帯域を有する光を放射するように構成された光源と、
前記光を、前記ソース波長帯域よりも広い第１の波長帯域を有する第１の変換光に変換するように構成された第１の波長変換器と、
前記光を、前記ソース波長帯域よりも広い第２の波長帯域を有する第２の変換光に変換するように構成された第２の波長変換器と、
前記光源に光学的に結合され、前記第１の波長変換器に入る前記光源からの光の第１の量を制御するための第１の透過減衰器と、
前記光源に光学的に結合され、前記第２の波長変換器に入る前記光源からの光の第２の量を制御するための第２の透過減衰器と
を含む、照明装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２の透過減衰器に電気的に結合された回路をさらに含む、請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記回路は、前記第１及び第２の透過減衰器をそれぞれ通過する光の前記第１及び第２の量を調節することにより、前記光出力の色度を調節するように構成されている、請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記第１の透過減衰器と第２の透過減衰器を実質的に分離するアイソレータをさらに含む、請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記第１及び第２の透過減衰器が間に配置された第１及び第２の透過層と、
前記第１及び第２の透過減衰器の周囲を取り囲む封止材であって、前記第１及び第２の透過減衰器が、当該封止材、前記第１の透過層、及び前記第２の透過層の間において実質的に封止されるようにする当該封止材と
をさらに含む、請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記第１の透過減衰器に電気的に結合され、前記第１の透過減衰器の透過率を制御する第１の減衰器制御回路と、
前記第２の透過減衰器に電気的に結合され、前記第２の透過減衰器の透過率を制御する第２の減衰器制御回路と
をさらに含む、請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１６】
出力方向に向けて光出力を生成するための照明器具であって、
本体と、
ソース波長帯域を有する光を放射するように構成された光源と、
前記光源に近接して配置された前記本体の第１の開口部であって、前記光源からの光が当該第１の開口部を通して前記出力方向に向けて伝送されることを可能にする当該第１の開口部と、
前記第１の波長変換器に入る前記光源からの前記光のある量を前記ソース波長帯域よりも広い第１の波長帯域を有する第１の変換光に変換するように構成された第１の波長変換器であって、第１の開口部の少なくとも１つの実質的部分を出る光が、当該第１の波長変換器を通して伝送されるようにするために、前記第１の開口部の少なくとも１つの実質的部分を覆うように構成された当該第１の波長変換器と、
前記光源に光学的に結合され、前記第１の波長変換器に入る前記光源からの光の量を制御する第１の透過調節器であって、当該第１の透過調節器が、第１の状態にあるときに、前記光源によって放射された光を遮断し、第２の状態にあるときに、前記光源によって放射された光が、その内部を通過することを可能にする、当該第１の透過調節器と
を含む照明器具。
【請求項１７】
前記光の別の量を、前記ソース波長帯域よりも広い第２の波長帯域を有する第２の変換光に変換するように構成された第２の波長変換器と、
前記光源に光学的に結合され、前記第２の波長変換器に入る前記光源からの光の前記別の量を制御する第２の透過調節器であって、当該第２の透過調節器が、第１の状態にあるときに、前記光源によって放射された光を遮断し、第２の状態にあるときに、前記光源によって放射された光が、その内部を通過することを可能にする、当該第２の透過調節器と
をさらに含む、請求項１６に記載の照明器具。
【請求項１８】
前記第２の波長変換器は、前記第１の波長変換器に隣接する前記第１の開口部の少なくとも１つの別の部分を覆うように形成されている、請求項１７に記載の照明器具。
【請求項１９】
第２の開口部をさらに含み、前記第２の波長変換器は、前記第２の開口部を出る光が前記第２の波長変換器を通して伝送されるように、前記第２の開口部の少なくとも１つの実質的部分を覆うように構成されている、請求項１７に記載の照明器具。
【請求項２０】
前記第１の透過調節器を前記第１の状態と前記第２の状態との間で切り替えるように、前記第１の透過調節器に電気的に結合された回路をさらに含む、請求項１６に記載の照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月7日(2016.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
上記絶縁基板に形成され、第１の回路を構成する第１及び第２の電極と、
上記絶縁基板に形成され、第２の回路を構成する第３〜第５の電極と、
上記第１及び第２の電極間にわたって搭載された第１の可溶導体と、
上記第３及び第４の電極間に接続された発熱体と、
上記第４及び第５の電極間にわたって搭載された第２の可溶導体とを備えた遮断素子。
【請求項２】
上記第３〜第５の電極間に電流を流し上記発熱体が発熱した熱により、上記第１の可溶導体を溶断させた後に、上記第２の可溶導体を溶断させる請求項１記載の遮断素子。
【請求項３】
上記第１の可溶導体は、上記第２の可溶導体よりも、上記発熱体の発熱中心に近い位置に搭載されている請求項１又は２に記載の遮断素子。
【請求項４】
上記第１の可溶導体の断面積は、上記第２の可溶導体の断面積よりも小さい請求項１〜３のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項５】
上記第１の可溶導体の長さは、上記第２の可溶導体の長さよりも長い請求項１〜４のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項６】
上記第１の可溶導体の融点が、上記第２の可溶導体の融点よりも低い請求項１〜５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項７】
上記絶縁基板の上記第１〜第５の電極が形成されている面の表面に絶縁層を備え、
上記発熱体は、上記絶縁基板と上記絶縁層の間、又は上記絶縁層の内部に形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項８】
上記発熱体は、上記絶縁基板の上記表面と反対側の面に形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項９】
上記発熱体は、上記絶縁基板の内部に形成されている請求項請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１０】
上記発熱体は、上記第１及び第２の電極が重畳する請求項６〜９のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１１】
上記発熱体は、上記第４及び第５の電極が重畳する請求項１０記載の遮断素子。
【請求項１２】
上記絶縁基板の上記第１〜第５の電極が形成されている面の表面に絶縁層を備え、
上記発熱体は、上記絶縁基板と上記絶縁層の間に形成されるとともに、上記第１及び第２の電極、並びに上記第４及び第５の電極と並んで形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１３】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダである請求項１〜１２のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１４】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属と高融点金属とを含有し、
上記低融点金属が上記発熱体からの加熱により溶融し、上記高融点金属を溶食する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１５】
上記低融点金属はハンダであり、
上記高融点金属は、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｇ若しくはＣｕを主成分とする合金である請求項１４記載の遮断素子。
【請求項１６】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、内層が高融点金属であり、外層が低融点金属の被覆構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１７】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、内層が低融点金属であり、外層が高融点金属の被覆構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１８】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属と、高融点金属とが積層された積層構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項１９】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属と、高融点金属とが交互に積層された４層以上の多層構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項２０】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、内層を構成する低融点金属の表面に形成された高融点金属に、開口部が設けられている請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項２１】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、多数の開口部を有する高融点金属層と、上記高融点金属層上に形成された低融点金属層とを有し、上記開口部に低融点金属が充填されている請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項２２】
上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属の体積が、高融点金属の体積よりも多い請求項１〜１２、１４〜２１のいずれか１項に記載の遮断素子。
【請求項２３】
第１の可溶導体を有する第１の回路と、
上記第１の回路と電気的に独立して形成され、発熱体と、上記発熱体の一端と接続された第２の可溶導体とを有する第２の回路とを備えた遮断素子回路。
【請求項２４】
上記第２の回路に電流を流し上記発熱体が発熱した熱により、上記第１の可溶導体を溶断させて上記第１の回路を遮断した後に、上記第２の可溶導体を溶断させる請求項２３記載の遮断素子回路。
【請求項２５】
上記第２の回路は、上記発熱体及び上記第２の可溶導体が電源及びスイッチ素子に接続され、上記スイッチ素子を駆動させることにより電流が流れる請求項２３又は２４に記載の遮断素子回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述した課題を解決するために、本発明に係る遮断素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に形成され、第１の回路を構成する第１及び第２の電極と、上記絶縁基板に形成され、第２の回路を構成する第３〜第５の電極と、上記第１及び第２の電極間にわたって搭載された第１の可溶導体と、上記第３及び第４の電極間に接続された発熱体と、上記第４及び第５の電極間にわたって搭載された第２の可溶導体とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る遮断素子回路は、第１の可溶導体を有する第１の回路と、上記第１の回路と電気的に独立して形成され、発熱体と、上記発熱体の一端と接続された第２の可溶導体とを有する第２の回路とを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月16日(2016.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
有機結合剤を主に含有し、
前記非晶質合金は、組成式が｛Ｆｅａ（ＳｉｘＢｙＰｚ）１−ａ｝１００−ｂＬｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＝ｚ＝１を満たすものであり、
１０ＧＨｚにおける複素比透磁率μ’’が７以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項２】
鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
有機結合剤を主に含有し、
前記非晶質合金は、組成式が（Ｆｅ１−ａＴＭａ）１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚＰｗＢｘＬｙＳｉｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは０≦ａ≦０．９８原子％、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たすものであり、
１０ＧＨｚにおける複素比透磁率μ’’が７以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項３】
前記複素比透磁率μ’’の極大値が６ＧＨｚ以上、１０ＧＨｚ以下にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁干渉抑制体。
【請求項４】
非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有する成形シートを、
前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項５】
前記扁平状の軟磁性粒子は、体積平均粒径（Ｄ５０）が１０μｍ以上、６０μｍ以下であり、
厚さｔの平均値が０．５μｍ以上、１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項６】
前記扁平状の軟磁性粒子は、
１２．０×１０−６以上、３８．０×１０−６以下の飽和磁歪λｓを有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項７】
前記扁平状の軟磁性粒子は、
１７．０×１０−６以上、２８．０×１０−６以下の飽和磁歪λｓを有することを特徴とする請求項６に記載の電磁干渉抑制体。
【請求項８】
前記扁平状の軟磁性粒子の飽和磁束密度が１．２テスラ以上、１．６テスラ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項９】
前記有機結合剤は、アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項１０】
さらに絶縁粒子を備え、
前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子が付着していることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項１１】
さらに軟磁性粒子小片を備え、
前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子を介して前記軟磁性粒子小片が付着していることを特徴とする請求項１０に記載の電磁干渉抑制体。
【請求項１２】
前記絶縁粒子の１０％累積体積平均粒径（Ｄ１０）が１ｎｍ以上、かつ９０％累積体積平均粒径（Ｄ９０）が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０か請求項１１のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項１３】
前記軟磁性粒子小片の断面における長軸の長さＬ１と、前記軟磁性粒子の断面における長軸の長さＬ２の比（Ｌ１／Ｌ２）の平均値は、１／２より小さいことを特徴とする請求項１１か請求項１２のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項１４】
前記軟磁性粒子の断面において、前記軟磁性粒子に付着した前記絶縁粒子は、１個以上、３０個未満であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
【請求項１５】
組成式が｛Ｆｅａ（ＳｉｘＢｙＰｚ）１−ａ｝１００−ｂＬｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＝ｚ＝１を満たすか、
または組成式が（Ｆｅ１−ａＴＭａ）１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚＰｗＢｘＬｙＳｉｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚは０≦ａ≦０．９８、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たし、
飽和磁歪λｓが１７．０×１０−６以上、２８．０×１０−６以下となる非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかである有機結合剤を主に含有するシートを成形し、
前記シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理を行うことを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記扁平状の軟磁性粒子は、１７．０×１０−６以上、２８．０×１０−６以下の飽和磁歪λｓを有することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月2日(2016.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面と前面とを有し、前記前面に前記上面から前記下面にわたって凹部が溝状に形成された樹脂成形体と、前記樹脂成形体に埋設されたリードとを備えた基体と、
発光素子チップと前記発光素子チップから出射される光を透過する透光性部材と発光領域を所定の範囲に制限する反射層を側面に有する発光素子とを備え、
前記発光素子は、前記凹部の底面に設けられ、
前記反射層が前記凹部の側壁から離れて位置する発光装置。
【請求項２】
前記凹部の側壁が傾斜しており、前記底面より開口側が広くなった請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子の外形形状は、四角柱体である請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記透光性部材は、前記発光素子チップの発光面上に設けられた波長変換層と、前記波長変換層上に設けられた透光性基板とを含み、発光素子チップの側面と前記波長変換層の側面とが前記反射層に覆われている請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記透光性基板の側面がさらに前記反射層に覆われている請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記リードは、２つの端面の間に４つの側面を有する柱形状であり、前記４つの側面のうちの１つの側面の一部を前記凹部の底面に露出させ、前記１つの側面に直交する側面の一部を外部接続面とした請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記リードの切断面が前記４つの側面と直交している請求項６に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッドキャパシタの電極に用いられる炭素材料であって、以下の条件：
（１）不活性雰囲気下において８５０℃で熱処理したときの揮発分が、３質量％以上７質量％以下である；および
（２）酸性官能基量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上である、ここで当該酸性官能基の少なくとも一部には窒素原子を含んでいる；
を満たす、炭素材料。
【請求項２】
前記酸性官能基量が０．７ｍｍｏｌ／ｇ以下である、請求項１に記載の炭素材料。
【請求項３】
窒素吸着法により測定されるＢＥＴ比表面積が１００ｍ２／ｇ以下である、請求項１または２に記載の炭素材料。
【請求項４】
窒素吸着法により測定されるＢＥＴ比表面積が１０００ｍ２／ｇ以上である、請求項１または２に記載の炭素材料。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１つに記載の炭素材料の製造方法であって、
炭素源物質と窒素含有基付与剤とを混合して前記炭素源物質の表面に窒素原子を含む酸性官能基を付与した後、熱処理して前記酸性官能基を前記炭素源物質の表面に固定化する、炭素材料の製造方法。
【請求項６】
前記窒素含有基付与剤は硝酸水溶液である、請求項５に記載の炭素材料の製造方法。
【請求項７】
正極と、負極と、非水電解液とを備えるハイブリッドキャパシタであって、
前記正極または前記負極は、請求項１〜４の何れか１つに記載の炭素材料を備える、ハイブリッドキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体から情報を取得する情報通信装置を制御するプログラムであって、
前記情報通信装置のコンピュータに対して、
前記被写体を撮影し、前記被写体の輝度変化から情報を取得する可視光通信ステップと、
前記被写体を撮影する通常撮影ステップと、
前記被写体の画像を表示する表示ステップとを実行させ、
前記表示ステップでは、前記可視光通信ステップで前記被写体の撮影を行う期間、前記通常撮影ステップで撮影した画像を表示する、
プログラム。
【請求項２】
前記可視光通信ステップと、前記通常撮影ステップとを交互に実行させる、
請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記表示ステップでは、前記期間の前に、前記通常撮影ステップで撮影した画像を表示する、
請求項１または２に記載のプログラム。
【請求項４】
前記可視光通信ステップの撮影期間は、前記通常撮影ステップの撮影期間よりも短い、
請求項１から３のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項５】
前記情報は、端末の位置情報であり、
前記表示ステップでは、前記位置情報に基づいて、前記端末のディスプレイにＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ  Ｒｅａｌｉｔｙ）表示を行う
請求項１から４のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項６】
前記表示ステップでは、前記期間における、前記端末の移動、または、向きの変化を推定し、前記通常撮影ステップで撮影した画像を拡大または縮小する、
請求項５に記載のプログラム。
【請求項７】
被写体から情報を取得する情報通信装置であって、
前記被写体を撮影し、前記被写体の輝度変化から情報を取得する可視光通信部と、
前記被写体を撮影する通常撮影部と、
前記被写体の画像を表示する表示部とを含み、
前記表示部は、前記可視光通信部で前記被写体の撮影を行う期間、前記通常撮影部で撮影した画像を表示する、
情報通信装置。
【請求項８】
被写体から情報を取得する情報通信方法であって、
前記被写体を撮影し、前記被写体の輝度変化から情報を取得する可視光通信ステップと、
前記被写体を撮影する通常撮影ステップと、
前記被写体の画像を表示する表示ステップとを含み、
前記表示ステップでは、前記可視光通信ステップで前記被写体の撮影を行う期間、前記通常撮影ステップで撮影した画像を表示する、
情報通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一形態に係るプログラムは、被写体から情報を取得する情報通信装置を制御するプログラムであって、前記情報通信装置のコンピュータに対して、前記被写体を撮影し、前記被写体の輝度変化から情報を取得する可視光通信ステップと、前記被写体を撮影する通常撮影ステップと、前記被写体の画像を表示する表示ステップとを実行させ、前記表示ステップでは、前記可視光通信ステップで前記被写体の撮影を行う期間、前記通常撮影ステップで撮影した画像を表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信対象の信号を変調して送信する情報通信方法であって、
送信対象の信号を変調することによって、輝度変化のパターンを決定する決定ステップと、
発光体が、決定された前記パターンにしたがって輝度変化することによって前記送信対象の信号を送信する送信ステップとを含み、
前記信号は、複数の大ブロックからなり、前記複数の大ブロックのそれぞれは、第１のデータと、前記第１のデータに対するプリアンブルとを含み、前記第１のデータは、複数の小ブロックからなり、前記複数の小ブロックのそれぞれは、第２のデータと、前記第２のデータに対するプリアンブルとを含む
情報通信方法。
【請求項２】
前記複数の大ブロックのそれぞれは、前記第１のデータと、前記第１のデータに対するプリアンブルと、前記第１のデータに対するチェック信号とを含み、
前記小ブロックは、前記第２のデータと、前記第２のデータに対するプリアンブルと、前記第２のデータに対するチェック信号とを含む、
請求項１に記載の情報通信方法。
【請求項３】
前記情報通信方法は、さらに、
送信対象の第１の信号を変調することによって、輝度変化の第１のパターンを決定する第１の決定ステップと、
送信対象の第２の信号を変調することによって、輝度変化の第２のパターンを決定する第２の決定ステップと、
前記発光体が、決定された前記第１のパターンにしたがった輝度変化と、決定された前記第２のパターンにしたがった輝度変化とを、交互に行うことによって、前記第１および第２の信号を送信する複数パターン送信ステップとを含む
請求項１または２に記載の情報通信方法。
【請求項４】
前記情報通信方法は、さらに、
複数の前記発光体のそれぞれに対して、送信対象の信号を変調することによって、輝度変化のパターンを決定する複数パターン決定ステップと、
前記発光体ごとに、決定された前記パターンにしたがって輝度変化することによって前記送信対象の信号を送信する信号送信ステップとを含み、
前記信号送信ステップでは、互いに周波数が異なる信号を送信する
請求項１〜３の何れか１項に記載の情報通信方法。
【請求項５】
前記情報通信方法は、さらに、
複数の前記発光体のそれぞれに対して、送信対象の信号を変調することによって、輝度変化のパターンを決定する複数パターン決定ステップと、
前記発光体ごとに、決定された前記パターンにしたがって輝度変化することによって前記送信対象の信号を送信する信号送信ステップとを含み、
前記信号送信ステップでは、互いにプロトコルが異なる信号を送信する
請求項１〜３の何れか１項に記載の情報通信方法。
【請求項６】
前記複数の大ブロックのうち、異なるデータを有する第１の大ブロック、第２の大ブロックを送信する場合、
前記第１の大ブロック、前記第２の大ブロックに続き、前記第２の大ブロックを再度送信する、
請求項１〜５の何れか１項に記載の情報通信方法。
【請求項７】
前記第１の大ブロック、前記第２の大ブロックに続き、前記第２の大ブロックを再度送信した後、前記第１の大ブロックを再度送信する、
請求項６に記載の情報通信方法。
【請求項８】
送信対象の信号を変調して送信する情報通信装置であって、
送信対象の信号を変調することによって、輝度変化のパターンを決定する決定手段と、
発光体が、決定された前記パターンにしたがって輝度変化することによって前記送信対象の信号を送信する送信手段とを備え、
前記信号は、複数の大ブロックからなり、前記複数の大ブロックのそれぞれは、第１のデータと、前記第１のデータに対するプリアンブルとを含み、前記第１のデータは、複数の小ブロックからなり、前記複数の小ブロックのそれぞれは、第２のデータと、前記第２のデータに対するプリアンブルとを含む
情報通信装置。
【請求項９】
送信対象の信号を変調して送信する情報通信装置を制御するプログラムであって、
送信対象の信号を変調することによって、輝度変化のパターンを決定する決定ステップと、
発光体が、決定された前記パターンにしたがって輝度変化することによって前記送信対象の信号を送信する送信ステップとを、前記情報通信装置のコンピュータに実行させ、
前記信号は、複数の大ブロックからなり、前記複数の大ブロックのそれぞれは、第１のデータと、前記第１のデータに対するプリアンブルとを含み、前記第１のデータは、複数の小ブロックからなり、前記複数の小ブロックのそれぞれは、第２のデータと、前記第２のデータに対するプリアンブルとを含む
プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月12日(2016.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系と撮像手段から取得される複数の視点画像の画素データを処理する画像処理装置であって、
前記複数の視点画像の中で、所定の基線長に対応する視点画像対から被写体領域を検出する検出手段と、
前記所定の基線長と前記検出手段によって検出された前記被写体領域とに基づいて、前記複数の視点画像の画素データにおいて被写体情報の存在する範囲を推定する推定手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記所定の基線長として、前記複数の視点画像の中で、最長の基線長に対応する前記視点画像対から前記被写体領域を検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記推定手段は、少なくとも被写体との距離、前記撮影光学系の焦点距離、最長の基線長、前記撮像手段の前面に配置された瞳分割手段のピッチに基づいて像ずれ量を算出し、前記像ずれ量と前記検出手段によって検出された前記被写体領域とに基づいて前記を推定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記撮影光学系のケラレ形状に従って、前記検出手段は、前記視点画像対を選択することを特徴とした請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記推定手段により推定された被写体の範囲に従って、前記画素データのデータ量を削減する削減手段を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記削減手段は、前記被写体情報の存在する撮像手段上の範囲においては、前記画素データの加算を行なわず、範囲外においては前記画素データの加算を行うことで前記画素データのデータ量を削減することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記削減手段は、前記被写体情報の存在する撮像手段上の範囲において前記画素データの加算を行なうとともに、範囲外においても前記画素データの加算を行うことで前記画素データのデータ量を削減し、加算する前記画素データの数は、前記範囲外より範囲内のほうが少ないことを特徴とする請求項５または６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記推定手段により推定された被写体の範囲に従って、前記画素データのデータ量を削減する削減手段を有し、
前記削減手段は、前記被写体情報の存在する撮像手段上の範囲においては、前記画素データの加算を行なわず、範囲外においては前記画素データの加算を行うことで前記画素データのデータ量を削減し、
前記瞳分割手段はマイクロレンズの二次元配列であり、前記撮像手段は、前記マイクロレンズを共有する複数の分割画素の二次元配列を有し、前記削減手段は、前記画素データの加算を、前記マイクロレンズを共有する複数の分割画素の画素データに対して行うことを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記推定手段により推定された被写体の範囲に従って、前記画素データのデータ量を削減する削減手段を有し、
前記削減手段は、前記被写体情報の存在する撮像手段上の範囲において前記画素データの加算を行なうとともに、範囲外においても前記画素データの加算を行うことで前記画素データのデータ量を削減し、加算する前記画素データの数は、前記範囲外より範囲内のほうが少なく、
前記瞳分割手段はマイクロレンズの二次元配列であり、前記撮像手段は、前記マイクロレンズを共有する複数の分割画素の二次元配列を有し、前記削減手段は、前記画素データの加算を、前記マイクロレンズを共有する複数の分割画素の画素データに対して行うことを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記推定手段により推定された被写体の範囲に従って、前記画素データのデータ量を削減する削減手段を有し、
前記削減手段は、前記被写体情報の存在する撮像手段上の範囲においては、前記画素データの加算を行なわず、範囲外においては前記画素データの加算を行うことで前記画素データのデータ量を削減し、
前記瞳分割手段はマイクロレンズの二次元配列であり、前記撮像手段は、前記マイクロレンズを共有する複数の分割画素の二次元配列を有し、前記削減手段は、前記複数の分割画素の加算読み出しを行うことで前記画素データの加算を行うことを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記推定手段により推定された被写体の範囲に従って、前記画素データのデータ量を削減する削減手段を有し、
前記削減手段は、前記被写体情報の存在する撮像手段上の範囲において前記画素データの加算を行なうとともに、範囲外においても前記画素データの加算を行うことで前記画素データのデータ量を削減し、加算する前記画素データの数は、前記範囲外より範囲内のほうが少なく、
前記瞳分割手段はマイクロレンズの二次元配列であり、前記撮像手段は、前記マイクロレンズを共有する複数の分割画素の二次元配列を有し、前記削減手段は、前記複数の分割画素の加算読み出しを行うことで前記画素データの加算を行うことを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記画素データに対してリフォーカス処理を行う際に、前記画素データのデータ量が前記削減手段により削減された領域と削減されていない領域の境界付近にフィルタ処理を行うフィルタ手段を備えることを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記検出手段は、人物の顔を認識することにより前記被写体領域を検出することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
撮影光学系と撮像手段から取得される複数の視点画像の画素データを処理する画像処理装置の制御方法であって、
前記複数の視点画像の中で、所定の基線長に対応する視点画像対から被写体領域を検出する検出ステップと、
前記所定の基線長と前記検出ステップにおいて検出された前記被写体領域とに基づいて、前記複数の視点画像の画素データにおいて被写体情報の存在する範囲を推定する推定ステップと、
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載された画像処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１６】
コンピュータを、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるプログラム。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
実施形態の一観点によれば、撮影光学系と撮像手段から取得される複数の視点画像の画素データを処理する画像処理装置であって、前記複数の視点画像の中で、所定の基線長に対応する視点画像対から被写体領域を検出する検出手段と、前記所定の基線長と前記検出手段によって検出された前記被写体領域とに基づいて、前記複数の視点画像の画素データにおいて被写体情報の存在する範囲を推定する推定手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月2日(2016.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の画像を読み取る画像取得部と、
前記原稿を搬送する第１搬送部と、
前記原稿の搬送方向において前記第１搬送部の下流側で前記原稿を搬送する第２搬送部と、
前記画像取得部と前記第１搬送部と前記第２搬送部とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記原稿が前記第１搬送部から外れて前記第２搬送部によって搬送される所定タイミングに、原稿の搬送速度に追従して、前記画像取得部における画像の読み取りタイミングを変更することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
原稿を搬送する搬送部と、
搬送されている前記原稿の画像を読み取る画像取得部と、
前記画像取得部と前記搬送部とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記搬送部によって前記原稿が搬送される途中で、前記画像取得部が時間あたりに読み取る画素数を増加させることを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の画像読取装置であって、
前記制御部は、前記画像取得部における画像の読み取り周期を短くするかまたは読み取り速度を早めることを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の画像読取装置であって、
前記制御部は、前記画像取得部において、画像の読み取り周期を短くするかまたは読み取り速度を早めて所定の時間に画像を読み取った後、画像の読み取り周期を長くするかまたは読み取り速度を遅くして画像を読み取ることを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の画像読取装置であって、
前記原稿の有無を検知する検知部をさらに備え、
前記制御部は、前記検知部を用いて、前記所定タイミングを検出することを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】
請求項５に記載の画像読取装置であって、
複数の原稿を１枚の前記原稿に分離する分離部を備え、
前記検知部は、前記原稿の搬送方向において前記分離部より下流に備えられ、前記原稿が２枚以上重なって搬送される重送状態を検知することを特徴とする画像読取装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の画像読取装置であって、
前記検知部は、超音波を用いて検知する超音波センサーであることを特徴とする画像読取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に配置されたチャネル領域を含む半導体層と、
前記チャネル領域と対向して配置されたゲート電極と、
前記半導体層よりも導電率が高い第1の材料で形成され、前記ソース領域に接続されているソース配線と、
前記半導体層よりも導電率が高い第2の材料で形成され、前記ドレイン領域に接続されているドレイン配線と、
前記半導体層よりも導電率が高い第3の材料で形成され、前記ソース配線および前記ドレイン配線の間に配置されているデカップリング配線と、
を有し、前記ゲート電極の電圧に応じて、第1の期間に前記ソース領域および前記ドレイン領域は導通状態となり、前記第1の期間と異なる第2の期間に前記ソース領域および前記ドレイン領域は非導通状態となり、
前記デカップリング配線の電圧は、前記第2の期間の少なくとも一部の期間において、一定であることを特徴とするスイッチ回路。
【請求項２】
前記ソース配線または前記ドレイン配線の電圧は、前記第2の期間において変化することを特徴とする請求項1に記載のスイッチ回路。
【請求項３】
前記第1の材料、前記第2の材料、前記第3の材料は同一の材料であることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ回路。
【請求項４】
前記デカップリング配線は、前記ゲート電極に接続され、前記ゲート電極にゲート電圧を供給することを特徴とする請求項1に記載のスイッチ回路。
【請求項５】
前記半導体層を平面的に見た場合に前記デカップリング配線は、前記ゲート電極に重ならないように配置されていることを特徴とする請求項1または請求項3に記載のスイッチ回路。
【請求項６】
請求項1に記載のスイッチ回路と、
入力端子と、出力端子と、容量と、
を有し、
前記ソース配線および前記ドレイン配線の一方が前記入力端子に接続され、
前記ソース配線および前記ドレイン配線の他方が前記出力端子に接続され、
前記出力端子および所定の一定電圧の間に前記容量が接続されていることを特徴とするサンプルホールド回路。
【請求項７】
前記ソース配線および前記ドレイン配線のうち前記入力端子に接続された前記一方と前記デカップリング配線との間で形成される第1の寄生容量よりも、前記ソース配線および前記ドレイン配線のうち前記出力端子に接続された前記他方と前記デカップリング配線との間で形成される第2の寄生容量の方が小さいことを特徴とする請求項6に記載のサンプルホールド回路。
【請求項８】
入射される光量に応じて画素信号を出力する複数の画素が行列状に配置された撮像部と、
前記画素信号に応じたアナログ信号をサンプルおよびホールドする請求項6に記載のサンプルホールド回路と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、ソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に配置されたチャネル領域を含む半導体層と、前記チャネル領域と対向して配置されたゲート電極と、前記半導体層よりも導電率が高い第1の材料で形成され、前記ソース領域に接続されているソース配線と、前記半導体層よりも導電率が高い第2の材料で形成され、前記ドレイン領域に接続されているドレイン配線と、前記半導体層よりも導電率が高い第3の材料で形成され、前記ソース配線および前記ドレイン配線の間に配置されているデカップリング配線と、を有し、前記ゲート電極の電圧に応じて、第1の期間に前記ソース領域および前記ドレイン領域は導通状態となり、前記第1の期間と異なる第2の期間に前記ソース領域および前記ドレイン領域は非導通状態となり、前記デカップリング配線の電圧は、前記第2の期間の少なくとも一部の期間において、一定であることを特徴とするスイッチ回路である。
また、本発明のスイッチ回路において、前記ソース配線または前記ドレイン配線の電圧は、前記第2の期間において変化することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上の第１の二酸化シリコン層上に、同一のシリコン層を領域に分けてイオン注入によって形成された第１の導電型を有する第１の電極と、第１のキャリア増倍層と、第２の導電型を有する第２の電極とを備え、
前記第１のキャリア増倍層の上に細線形状の第１の受光層を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極は前記第１のキャリア増倍層を介して電気的に接続されており、
前記第１のキャリア増倍層と前記第１の受光層は電気的に接続されていることを特徴とする受光素子。
【請求項２】
請求項１記載の受光素子において、
前記二酸化シリコン層上に第１の電界緩和層を更に備え、
前記第１の電極と前記第１のキャリア増倍層が前記第１の電界緩和層を介して電気的に接続されており、
第２の受光層は前記第１のキャリア増倍層に替えて、前記第１の電界緩和層上に設けられていることを特徴とする受光素子。
【請求項３】
前記細線形状の第１の受光層上には、第２の二酸化シリコン膜、および窒化シリコン膜が形成されていることを特徴とする請求項１、または請求項２記載の受光素子。
【請求項４】
請求項１記載の受光素子において、
前記二酸化シリコン層上に第１の電界緩和層、第２のキャリア増倍層を更に備え、
前記第１の電極と前記第２の電極が、前記第２のキャリア増倍層、前記第１の電界緩和層、および前記第１のキャリア増倍層を介して電気的に接続されており、
第３の受光層は前記第１のキャリア増倍層に替えて、前記第２のキャリア増倍層上に設けられていることを特徴とする受光素子。
【請求項５】
前記第３の受光層の上には第２の二酸化シリコン膜が形成され、前記第３の受光層の両側面に前記第１の電界緩和層と同じ極性を持つ不純物が低濃度にイオン注入され、その上に窒化シリコン膜が形成されていることを特徴とする請求項４記載の受光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかの請求項に記載の受光素子において、
前記第１乃至３の受光層は、ゲルマニウム、またはシリコンとゲルマニウムの混晶、またはゲルマニウムとスズの混晶で構成されていることを特徴とする受光素子。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかの請求項に記載の受光素子において、
前記第１の電極は、シリコン層にｐ型不純物をイオン注入することによって形成され、
前記第２の電極は、シリコン層にｎ型不純物をイオン注入することによって形成されていることを特徴とする受光素子。
【請求項８】
請求項２乃至５のいずれかの請求項に記載の受光素子において、
前記第１の電界緩和層はシリコンにｐ型不純物をイオン注入することにより構成されていることを特徴とする受光素子。
【請求項９】
請求項８記載の受光素子において、
前記第１の電界緩和層は前記第１の電極と同じ導電型であり、導電性が前記第１の電極より低いことを特徴とする受光素子。
【請求項１０】
シリコン基板上の二酸化シリコン層上に形成されたシリコン層をフォトリソグラフィーを用いたレジストパターニングにより領域に分け、ｐ型不純物をイオン注入して第１の電極を、及びｎ型不純物をイオン注入して第２の電極をそれぞれ形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に挟まれたアンドープのキャリア増倍層の上に細線形状のゲルマニウム層を選択エピタキシャル成長により形成し、
二酸化シリコン層を堆積した後、前記第１の電極と前記第２の電極の上の所望の領域の二酸化シリコン層を除去して、該領域にそれぞれ金属材料で形成された電極を形成することを特徴とする受光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の受光素子の製造方法において、
前記シリコン基板上の二酸化シリコン層上に形成されたシリコン層をフォトリソグラフィーを用いたレジストパターニングにより領域に分け、前記第１の電極と前記キャリア増倍層の間に、ＢＦ2イオンをイオン注入して電界緩和層を更に形成し、
前記キャリア増倍層に替えて前記電界緩和層の上に細線形状のゲルマニウム層を選択エピタキシャル成長により形成することを特徴とする受光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の受光素子の製造方法において、
前記ゲルマニウム層の上に堆積した二酸化シリコン層の上に、窒化シリコン層を堆積し、
前記窒化シリコン層を、前記ゲルマニウム層が形成された領域を覆う部分のみを残して、ドライエッチングにより除去することを特徴とする受光素子の製造方法。
【請求項１３】
シリコン基板上の二酸化シリコン層上に形成されたシリコン層上にシリコン・ゲルマニウム層を堆積させて、第１および第２のキャリア増倍層を形成する領域上のシリコン・ゲルマニウム層のみを残す加工をして、自己整合ハードマスクを構成し、
フォトリソグラフィーを用いたレジストパターニングにより前記シリコン層を領域に分け、ｐ型不純物をイオン注入して第１の電極を、ｐ型不純物をイオン注入して電界緩和層を、及びｎ型不純物をイオン注入して第２の電極をそれぞれ形成し、
二酸化シリコン層を堆積した後、前記第１のキャリア増倍層の上のシリコン・ゲルマニウム層、及び二酸化シリコン層をウェットエッチングにより除去し、
前記第１のキャリア増倍層の上に細線形状のゲルマニウム層を選択エピタキシャル成長により形成し、
表面の二酸化シリコン層、および前記第２のキャリア増倍層上のシリコン・ゲルマニウム層をウェットエッチングにより除去し、
二酸化シリコン層を堆積した後、前記第１の電極と前記第２の電極の上の所望の領域の二酸化シリコン層を除去して、該領域にそれぞれ金属材料で形成された電極を形成することを特徴とする受光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の受光素子の製造方法において、
前記ゲルマニウム層の両側面に、斜めイオン注入によって前記電界緩和層と同じ極性を持つ不純物を低濃度ドーピングされたゲルマニウム層を更に形成し、
前記ゲルマニウム層の上に堆積した二酸化シリコン層の上に、窒化シリコン層を堆積し、
前記窒化シリコン層を、前記ゲルマニウム層が形成された領域を覆う部分のみを残して、ドライエッチングにより除去することを特徴とする受光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１３のいずれかの請求項に記載の受光素子の製造方法において、
シリコン基板上の二酸化シリコン層上に形成されたシリコン層を領域に分けて形成する前記第１、第２の電極、及び前記第１の電界緩和層には、少なくとも二酸化シリコン層と接続する領域には結晶シリコン層が残るようにイオン注入することを特徴とする受光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
レジスト供給領域１１Ｂ（レジスト膜１４）は、この複数の単位領域Ｐ全体を囲むように形成される。金属膜１２Ａのドライエッチング加工を行う際には、このレジスト供給領域１１Ｂから側壁保護膜１４Ｐ（図５）が生成する。これにより、配線１２のサイドエッチングが抑えられる。また、上記第２の実施の形態と同様に、パターン形成領域１１Ａが形成された単位領域Ｐの外側にレジスト供給領域１１Ｂを形成するので、レジスト供給領域１１Ｂの金属膜１２Ａを除去する工程が不要となる。