Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気熱交換器及びこの空気熱交換器に外気を送風する送風機を含むヒートポンプ回路を筐体内に有すると共に前記空気熱交換器に対して外気吸い込み側に配置された外気温度センサを有するヒートポンプ給湯ユニットと、このヒートポンプ給湯ユニットに接続された給湯機タンクユニットとを備えたヒートポンプ給湯機を運転制御するヒートポンプ給湯機の制御装置であって、
前記外気温度センサにより検出された外気温度を一定時間ごとに取り込むと共に、前回取り込んだ外気温度と今回取り込んだ外気温度とを比較し、前記前回取り込んだ外気温度よりも前記今回取り込んだ外気温度が、前記一定時間内の温度変化幅の上限として予め設定された仮外気温度使用判定値よりも大きな温度変化幅で低下していた場合は、前記前回取り込んだ外気温度を仮の外気温度として使用してこの仮の外気温度を制御用外気温度とし、その他の場合は、前記今回取り込んだ外気温度を前記制御用外気温度として、前記制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を行う制御処理部を備えることを特徴とするヒートポンプ給湯機の制御装置。
【請求項２】
前記制御処理部は、前記制御用外気温度に前記仮の外気温度が設定された後は、前記制御用外気温度と今回取り込んだ外気温度とを比較し、前記今回取り込んだ外気温度が前記制御用外気温度よりも低く、かつ、その差が、予め設定された仮外気温度解除判定値以上である場合は、前記制御用外気温度を変更せずに前記仮の外気温度に設定された前記制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を継続し、その他の場合は、前記仮の外気温度の使用を解除し、前記今回取り込んだ外気温度を前記制御用外気温度として、前記制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を行うことを特徴とする請求項１に記載のヒートポンプ給湯機の制御装置。
【請求項３】
前記仮外気温度解除判定値は、前記仮の外気温度が使用されている間は、前記仮の外気温度の使用開始時からの経過時間に応じて、段階的に増大することを特徴とする請求項２に記載のヒートポンプ給湯機の制御装置。
【請求項４】
空気熱交換器及びこの空気熱交換器に外気を送風する送風機を含むヒートポンプ回路を筐体内に有すると共に前記空気熱交換器に対して外気吸い込み側に配置された外気温度センサを有するヒートポンプ給湯ユニットと、このヒートポンプ給湯ユニットに接続された給湯機タンクユニットとを備えたヒートポンプ給湯機を前記筐体内に設けられた制御処理部により運転制御するヒートポンプ給湯機の制御方法であって、
前記制御処理部が、前記外気温度センサにより検出された外気温度を一定時間ごとに取り込む第１のステップと、
前記制御処理部が、前回取り込んだ外気温度よりも今回取り込んだ外気温度が、前記一定時間内の温度変化幅の上限として予め設定された仮外気温度使用判定値よりも大きな温度変化幅で低下していた場合は、前記前回取り込んだ外気温度を仮の外気温度として使用してこの仮の外気温度を制御用外気温度とし、この制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を行う第２のステップと、
前記制御処理部が、前記前回取り込んだ外気温度よりも前記今回取り込んだ外気温度が低くない場合、または前記前回取り込んだ外気温度よりも前記今回取り込んだ外気温度が前記仮外気温度使用判定値以下の温度変化幅で低下していた場合は、前記今回取り込んだ外気温度を前記制御用外気温度とし、この制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を行う第３のステップと、
を含むことを特徴とするヒートポンプ給湯機の制御方法。
【請求項５】
前記制御処理部が、前記制御用外気温度に前記仮の外気温度が設定された後、前記制御用外気温度と今回取り込んだ外気温度とを比較する第４のステップと、
前記制御処理部が、前記第４のステップにおける比較の結果、前記今回取り込んだ外気温度が前記制御用外気温度よりも低く、かつ、その差が、予め設定された仮外気温度解除判定値以上であるという条件を満たす場合は、前記制御用外気温度を変更せずに前記仮の外気温度に設定された前記制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を継続する第５のステップと、
前記制御処理部が、前記第５のステップにおける比較の結果、前記条件を満たさない場合は、前記仮の外気温度の使用を解除し、前記今回取り込んだ外気温度を前記制御用外気温度として、前記制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を行う第６のステップと、
を含むことを特徴とする請求項４に記載のヒートポンプ給湯機の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るヒートポンプ給湯機の制御装置は、空気熱交換器及びこの空気熱交換器に外気を送風する送風機を含むヒートポンプ回路を筐体内に有すると共に前記空気熱交換器に対して外気吸い込み側に配置された外気温度センサを有するヒートポンプ給湯ユニットと、このヒートポンプ給湯ユニットに接続された給湯機タンクユニットとを備えたヒートポンプ給湯機を運転制御するヒートポンプ給湯機の制御装置であって、前記外気温度センサにより検出された外気温度を一定時間ごとに取り込むと共に、前回取り込んだ外気温度と今回取り込んだ外気温度とを比較し、前記前回取り込んだ外気温度よりも前記今回取り込んだ外気温度が、前記一定時間内の温度変化幅の上限として予め設定された仮外気温度使用判定値よりも大きな温度変化幅で低下していた場合は、前記前回取り込んだ外気温度を仮の外気温度として使用してこの仮の外気温度を制御用外気温度とし、その他の場合は、前記今回取り込んだ外気温度を前記制御用外気温度として、前記制御用外気温度を用いて前記ヒートポンプ給湯機の運転制御を行う制御処理部を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食品を収容する貯蔵室を備える冷蔵庫において、
前記貯蔵室は密閉構造を有しており、
前記貯蔵室内の二酸化炭素を増加させるための二酸化炭素増加装置を設け、
前記二酸化炭素増加装置は、前記貯蔵室に貯蔵された食品から発生する食品ガスを分解することで二酸化炭素を発生させるものであり、
さらに、前記貯蔵室内を照らす照明手段としての光線を出力する光源を備えた、
冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
原子力発電所の運転・解体に伴って発生する物の中には、放射能レベルが極めて低く健康への影響が無視できる物がある。これらの物は、放射性濃度が定められた基準値以下であることを確認にすることにより、放射性物質として扱う必要のないものとして一般社会で再生利用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月9日(2016.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの室外機及び室内機と、該室内機に接続されたリモコンと、を有する空調システムであって、
前記リモコンは少なくとも操作部及び表示部、または操作表示部を有し、
前記表示部または前記操作表示部には前記空調システムの自動制御における基準値が表示され、
前記リモコンの前記操作部または前記操作表示部にて操作が行われることで、前記空調システムの自動制御における基準値が選択されると、前記選択された基準値が前記室内機に送信されて自動制御運転が行われることを特徴とする空調システム。
【請求項２】
前記自動制御における基準値は、ユーザー名と関連付けて記憶されていることを特徴とする請求項１に記載の空調システム。
【請求項３】
少なくとも１つの室外機及び室内機を有する空調システムの該室内機に接続されたリモコンであって、
少なくとも操作部及び表示部、または操作表示部を有し、
前記表示部または前記操作表示部には前記空調システムの自動制御における複数の基準値が表示され、
前記操作部または前記操作表示部にて操作が行われることで、前記複数の基準値から前記空調システムの自動制御における基準値が選択されると、前記選択された基準値が前記室内機に送信されて自動制御運転が行われることを特徴とする空調システムのリモコン。
【請求項４】
前記操作表示部がタッチパネルであることを特徴とする請求項３に記載の空調システムのリモコン。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｕＫアルファ照射によって得られたＸ線粉末回折における１５．２から１５．６度、１６．１から１６．５度、１４．３から１４．７度、１４．６から１５．０度、及び１７．６から１８．０度のピークによって特徴づけられる形態Ｉとして特徴づけられる３−（６−（１−（２，２−ジフルオロベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソル−５−イル）シクロプロパンカルボキサミド）−３−メチルピリジン−２−イル）安息香酸の結晶。
【請求項２】
前記形態Ｉが１５．４、１６．３及び１４．５度のピークによって特徴づけられる、請求項１に記載の結晶。
【請求項３】
前記形態Ｉが１４．８度のピークによって特徴づけられる、請求項１に記載の結晶。
【請求項４】
前記形態Ｉが１７．８度のピークによって特徴づけられる、請求項１に記載の結晶。
【請求項５】
前記形態Ｉが１６．４から１６．８度のピークによって更に特徴づけられる、請求項１に記載の結晶。
【請求項６】
前記形態Ｉが１６．６度のピークによって特徴づけられる、請求項５に記載の結晶。
【請求項７】
前記形態Ｉが７．６から８．０度のピークによって更に特徴づけられる、請求項５に記載の結晶。
【請求項８】
前記形態Ｉが７．８度のピークによって特徴づけられる、請求項７に記載の結晶。
【請求項９】
前記形態Ｉが２５．８から２６．２度のピークによって更に特徴づけられる、請求項７に記載の結晶。
【請求項１０】
前記形態Ｉが２６．０度のピークによって特徴づけられる、請求項９に記載の結晶。
【請求項１１】
前記形態Ｉが２１．４から２１．８度のピークによって更に特徴づけられる、請求項９に記載の結晶。
【請求項１２】
前記形態Ｉが２１．６度のピークによって特徴づけられる、請求項１１に記載の結晶。
【請求項１３】
前記形態Ｉが２３．１から２３．５度のピークによって更に特徴づけられる、請求項１１に記載の結晶。
【請求項１４】
前記形態Ｉが２３．３度のピークによって特徴づけられる、請求項１３に記載の結晶。
【請求項１５】
前記形態Ｉが、図２に示される回折パターンによって特徴づけられ、図２についてのピークは、以下の表２：
【表２】
2015145426.tif 000001
に列挙される、請求項１に記載の結晶。
【請求項１６】
請求項１に記載の結晶と薬学的に許容される担体とを含む、薬学的組成物。
【請求項１７】
ほ乳動物における嚢胞性線維症を治療するための組成物であって、有効量の請求項１に記載の結晶を含む、組成物。
【請求項１８】
前記組成物が、追加の治療薬と組み合わせて投与されることによって特徴づけられる、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
３−（６−（１−（２，２−ジフルオロベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソル−５−イル）シクロプロパンカルボキサミド）−３−メチルピリジン−２−イル）安息香酸のＨＣｌ塩を水に有効時間懸濁又は溶解させることを含む、請求項１に記載の結晶を調製するプロセス。
【請求項２０】
前記有効時間が２から２４時間である、請求項１９に記載のプロセス。
【請求項２１】
前記有効時間が２から６時間である、請求項１９に記載のプロセス。
【請求項２２】
単斜晶系、Ｐ２１／ｎ空間群、及び以下の単位格子寸法を有する、請求項１に記載の結晶：
ａ＝４．９６２６（７）Å          α＝９０°
ｂ＝１２．２９９４（１８）Å      β＝９３．９３８（９）°
ｃ＝３３．０７５（４）Å          γ＝９０°。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気を圧縮する圧縮機と、
前記圧縮機が圧縮した圧縮空気と燃料を混合して燃焼する燃焼器と、
前記燃焼器が生成した燃焼ガスにより回転動力を得るタービンと、
前記圧縮機から抽気した空気を前記タービンのディスクキャビティに供給する冷却空気供給経路と、
前記冷却空気供給経路に設けられる開閉弁と、
前記ディスクキャビティの雰囲気温度を計測する温度計測部と、
前記温度計測部が計測した雰囲気温度に基づいて前記開閉弁の開度を調整する制御装置と、
を有するガスタービンにおいて、
前記制御装置は、前記開閉弁における第１弁開度設定値と、前記第１弁開度設定値よりも大きい第２弁開度設定値とを有し、
第１切替温度と前記第１切替温度よりも高い第２切替温度を有し、前記雰囲気温度が前記第２切替温度より高くなると前記第２弁開度設定値を適用し、前記雰囲気温度が前記第１切替温度より低くなると前記第１弁開度設定値を適用する、
ことを特徴とするガスタービン。
【請求項２】
前記制御装置は、前記第１弁開度設定値から前記第２弁開度設定値に切り替える速度を、前記第２弁開度設定値から前記第１弁開度設定値に切り替える速度より速く設定することを特徴とする請求項１に記載のガスタービン。
【請求項３】
前記制御装置は、起動後に負荷が予め設定された所定負荷に到達したら、前記第２弁開度設定値から前記第１弁開度設定値に切り替えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガスタービン。
【請求項４】
前記制御装置は、前記所定負荷に到達したら、予め設定された所定時間を経過した後、前記第２弁開度設定値から前記第１弁開度設定値に切り替えることを特徴とする請求項３に記載のガスタービン。
【請求項５】
前記所定負荷は、全負荷の少なくとも９０％以上の負荷であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のガスタービン。
【請求項６】
前記第１弁開度設定値と前記第２弁開度設定値のうちの少なくとも一方は、前記空気の温度の上昇に対して増加することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のガスタービン。
【請求項７】
空気を圧縮する圧縮機と、
前記圧縮機が圧縮した圧縮空気と燃料を混合して燃焼する燃焼器と、
前記燃焼器が生成した燃焼ガスにより回転動力を得るタービンと、
前記圧縮機から抽気した圧縮空気を前記タービンのディスクキャビティに供給する冷却空気供給経路と、
前記冷却空気供給経路に設けられる開閉弁と、
前記ディスクキャビティの雰囲気温度を計測する温度計測部と、
を有するガスタービンにおいて、
前記温度計測部が計測した雰囲気温度に基づいて前記開閉弁の開度を調整可能であり、
前記開閉弁における第１弁開度設定値と前記第１弁開度設定値よりも大きい第２弁開度設定値を設定可能であり、
第１切替温度と前記第１切替温度よりも高い第２切替温度を有し、前記雰囲気温度が前記第２切替温度より高くなると前記第２弁開度設定値を適用し、前記雰囲気温度が前記第１切替温度より低くなると前記第１弁開度設定値を適用する、
ことを特徴とするガスタービンの制御装置。
【請求項８】
空気を圧縮する圧縮機と、
前記圧縮機が圧縮した圧縮空気と燃料を混合して燃焼する燃焼器と、
前記燃焼器が生成した燃焼ガスにより回転動力を得るタービンと、
前記圧縮機から抽気した圧縮空気を前記タービンのディスクキャビティに供給する冷却空気供給経路と、
前記冷却空気供給経路に設けられる開閉弁と、が設けられ、
前記ディスクキャビティの雰囲気温度に応じて前記開閉弁の開度を調整するガスタービンの冷却方法において、
前記ディスクキャビティの雰囲気温度を計測する工程と、
前記雰囲気温度が予め設定された切替温度よりも低いときに前記開閉弁の開度として予め設定された第１弁開度設定値を適用する工程と、
第１切替温度と前記第１切替温度よりも高い第２切替温度を設定する工程と、
前記雰囲気温度が前記第２切替温度より高くなると前記第２弁開度設定値を適用し、前記雰囲気温度が前記第１切替温度より低くなると前記第１弁開度設定値を適用する工程と、
を有することを特徴とするガスタービンの冷却方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月19日(2016.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維集合体で構成される芯材と、前記芯材を被覆する外包材とを備え、前記外包材の内部が減圧密封された真空断熱材であって、
前記芯材は繊維長１．８５ｍｍ以下の繊維の重量割合が前記芯材の１１ｗｔ％以下であることを特徴とする真空断熱材。
【請求項２】
前記芯材の断熱方向に対して垂直な面に対する繊維の繊維角度の平均値が１４°以下であることを特徴とする請求項１に記載の真空断熱材。
【請求項３】
前記芯材の断熱方向に対して垂直な面に対する繊維の繊維角度の標準偏差が１２°以下であることを特徴とする請求項２に記載の真空断熱材。
【請求項４】
外箱と、前記外箱の内部に配置された内箱とを備え、前記外箱と内箱との間に請求項１〜３のいずれか一項に記載の真空断熱材を配置したことを特徴とする真空断熱材を用いた断熱箱。
【請求項５】
ガラス繊維の集合体を、荷重制御できる圧縮機構によって予め設定された圧力で厚み方向に予め設定された回数繰り返し圧縮することで、繊維長１．８５ｍｍ以下の繊維の重量割合が１１ｗｔ％以下である芯材を作成する工程と、
前記芯材を外包材へ挿入し、前記外包材の内部を予め設定された真空度に減圧する工程と、
前記外包材を減圧された状態で、開口部を密封する工程と、
を有することを特徴とする真空断熱材の製造方法。
【請求項６】
前記ガラス繊維の集合体を、前記圧縮機構によって０．０２〜０．０７ＭＰａの圧力で５０〜１０００回圧縮することを特徴とする請求項５に記載の真空断熱材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＴＳＣ比が８０％以上、且つ、コントラスト比が５００以上であって、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の光を１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素と、
前記画素が、８０ｐｐｉ以上の精細度で設けられた表示部と、
前記発光モジュールの発光強度の過渡特性の一部を所望の輝度より高くする信号を生成する機能を有する回路とを備える表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光モジュールは、
反射膜および半透過・半反射膜と、
前記反射膜と前記半透過・半反射膜との間に設けられた一対の電極と、
前記一対の電極の間に設けられた発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記発光モジュールは、
反射膜を兼ねる第１の電極と、
半透過・半反射膜を兼ねる第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記発光素子と重なるように設けられたカラーフィルタが設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記カラーフィルタは赤色を呈する光、緑色を呈する光、青色を呈する光のいずれか一を透過することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記発光モジュールと異なる発光強度の過渡特性を有する発光モジュールをさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の表示装置を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂と熱可塑性エラストマーとを含有するトナーであって、
前記トナー中において、前記熱可塑性エラストマーの一部は、前記結着樹脂と相溶しており、
前記トナー中には、前記熱可塑性エラストマーに由来する結晶性部分が存在していることを特徴とするトナー。
【請求項２】
前記結着樹脂は、ガラス転移温度が６０℃以上であり、前記熱可塑性エラストマーの軟化点が前記結着樹脂の軟化点以下であることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記熱可塑性エラストマーの融点が４０℃以上１２０℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記熱可塑性エラストマーは、破断伸度が１００％以上２０００％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
前記熱可塑性エラストマーの含有量は、前記結着樹脂１００質量部に対して、２０質量部以上、１００質量部未満であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記トナー中における前記熱可塑性エラストマーの結晶化度が１％以上５０％以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項７】
前記熱可塑性エラストマーが、ウレタン系熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項８】
前記ウレタン系熱可塑性エラストマーが、エステル型ウレタン系熱可塑性エラストマー又はエーテル型ウレタン系熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項７に記載のトナー。
【請求項９】
結着樹脂及び結晶性部分を有する熱可塑性エラストマーを有機溶媒に溶解して得られる溶解液に、水を添加して、樹脂微粒子を作製する工程、及び
得られた樹脂微粒子を水系媒体中で凝集する工程、
を経てトナーを製造するトナーの製造方法であって、
前記トナー中において、前記熱可塑性エラストマーの一部は、前記結着樹脂と相溶しており、前記トナー中には、前記熱可塑性エラストマーに由来する結晶性部分が存在していることを特徴とするトナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光学有効部と前記光学有効部に隣接して設けられた光学有効外部を有する樹脂層が形成された複合型光学素子であって、
前記樹脂層の光学有効外部の形状は、基板の外周方向に膜厚が薄くなっていく連続的な第１の形状と、前記第１の形状に隣接して基板の外周方向に膜厚が厚くなっている第２の形状とを１組の形状として、２組以上１０組以下を繰り返す形状であり、
前記膜厚が薄くなっていく連続的な第１の形状の両端部を結ぶ直線と、基板表面に近い方の端部に対向する点における基板表面の接線との角度θが２０度以上６０度以下であることを特徴とする複合型光学素子。
【請求項２】
前記樹脂層は、錫でドープした酸化インジウムの粒子を含有することを特徴とする請求項１に記載の複合型光学素子。
【請求項３】
前記樹脂層の光学有効部の厚みのばらつきは、前記光学有効部の平均の厚みの１０％未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合型光学素子。
【請求項４】
基板と、型の間に樹脂を介在させ樹脂を硬化する工程と、前記型を分離して、前記基板上に、光学有効部と前記光学有効部に隣接して設けられた光学有効外部を有する樹脂層が形成された複合型光学素子を製造する方法であって、
前記型の前記光学有効外部を形成する部分の形状は、外周方向に型厚が厚くなっていく連続的な第１の形状と、前記第１の形状に隣接して外周方向に型厚が薄くなっている第２の形状とを１組の形状として、２組以上１０組以下を繰り返す形状であり、
前記樹脂を硬化する工程で、前記型の前記型厚が厚くなっていく連続的な第１の形状の両端部を結ぶ直線と、基板表面に近い方の端部に対向する点における基板表面の接線との角度θが２０度以上６０度以下であることを特徴とする複合型光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記光学有効外部を形成する部分の形状は、同心円状であることを特徴とする請求項４に記載の複合型光学素子の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂層は、錫でドープした酸化インジウムの粒子を含有することを特徴とする請求項４又は５に記載の複合型光学素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の複合型光学素子は、基板上に、光学有効部と前記光学有効部に隣接して設けられた光学有効外部を有する樹脂層が形成された複合型光学素子であって、
前記樹脂層の光学有効外部の形状は、基板の外周方向に膜厚が薄くなっていく連続的な第１の形状と、前記第１の形状に隣接して基板の外周方向に膜厚が厚くなっている第２の形状とを１組の形状として、２組以上１０組以下を繰り返す形状であり、
前記膜厚が薄くなっていく連続的な第１の形状の両端部を結ぶ直線と、基板表面に近い方の端部に対向する点における基板表面の接線との角度θが２０度以上６０度以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の複合型光学素子の製造方法は、基板と、型の間に樹脂を介在させ樹脂を硬化する工程と、前記型を分離して、前記基板上に、光学有効部と前記光学有効部に隣接して設けられた光学有効外部を有する樹脂層が形成された複合型光学素子を製造する方法であって、前記型の前記光学有効外部を形成する部分の形状は、外周方向に型厚が厚くなっていく連続的な第１の形状と、前記第１の形状に隣接して外周方向に型厚が薄くなっている第２の形状とを１組の形状として、２組以上１０組以下を繰り返す形状であり、前記樹脂を硬化する工程で、前記型の前記型厚が厚くなっていく連続的な第１の形状の両端部を結ぶ直線と、基板表面に近い方の端部に対向する点における基板表面の接線との角度θが２０度以上６０度以下であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月5日(2016.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る情報処理装置は、被写体を撮像した際の撮像条件データを取得する撮像条件データ取得手段と、前記被写体の形状を示す形状データを取得する形状データ取得手段と、前記撮像条件データに基づいて、前記撮像された画像データが示す画像の光源を推定する際の初期値を決定する決定手段と、前記撮像条件データに基づいて、前記光源の状態を示す光源データを導出する光源データ導出手段とを備え、前記光源データ導出手段は、前記形状データ取得手段で取得された形状データおよび前記初期値を用いてレンダリングを行い、当該レンダリングで得られた画像と前記撮像された画像との誤差に基づいて、前記撮像された画像に適した光源データを導出することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像した際の撮像条件データを取得する撮像条件データ取得手段と、
前記被写体の形状を示す形状データを取得する形状データ取得手段と、
前記撮像条件データに基づいて、前記撮像された画像データが示す画像の光源を推定する際の初期値を決定する決定手段と、
前記撮像条件データに基づいて、前記光源の状態を示す光源データを導出する光源データ導出手段と
を備え、
前記光源データ導出手段は、前記形状データ取得手段で取得された形状データおよび前記初期値を用いてレンダリングを行い、当該レンダリングで得られた画像と前記撮像された画像との誤差に基づいて、前記撮像された画像に適した光源データを導出する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記光源データ導出手段は、前記レンダリングで得られた画像と前記撮像された画像との誤差が、閾値より小さくなる光源データを、前記画像に適した光源データとして導出することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記撮像条件データに対応する前記光源データは、撮像条件データと関連付けられた複数の光源データを含む光源データテーブルを参照して決定されることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記光源データテーブルに含まれる各光源データは、被写体へ入射する光の入射方向毎の輝度を示す値によって特定されることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記光源データテーブルには、各光源データの精度の評価を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記撮像された画像内の特定の領域を光源推定には用いない除外領域として決定する除外領域決定手段をさらに備え、
前記光源データ導出手段は、前記撮像された画像の全画素領域から前記除外領域を除いた画素領域を用いて、前記レンダリングで得られた画像との誤差を求め、当該求められた誤差に基づいて、前記撮像された画像に適した光源データを導出する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記撮像された画像内の被写体の形状データを用いてレンダリングして得られた画像に基づいて、前記撮像された画像内の特定の領域を、光源推定には用いない除外領域として決定する除外領域決定手段をさらに備え、
前記光源データ導出手段は、前記撮像された画像の全画素領域から前記除外領域を除いた画素領域を用いて、前記レンダリングで得られた画像との誤差を求め、当該求められた誤差に基づいて、前記撮像された画像に適した光源データを導出する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載されている情報処理装置を含むカメラ。
【請求項９】
被写体を撮像した際の撮像条件データを取得する撮像条件データ取得工程と、
前記被写体の形状を示す形状データを取得する形状データ取得工程と、
前記撮像条件データに基づいて、前記撮像された画像データが示す画像の光源を推定する際の初期値を決定する決定工程と、
前記撮像条件データに基づいて、前記光源の状態を示す光源データを導出する光源データ導出工程と
を含み、
前記光源データ導出工程では、前記形状データ取得工程で取得された形状データおよび前記初期値を用いてレンダリングを行い、当該レンダリングで得られた画像と前記撮像された画像との誤差に基づいて、前記撮像された画像に適した光源データを導出する
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載されている情報処理装置として、機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンリッチ領域内の第１のノードのセットおよび第２のノードのセットのそれぞれの位置を定義するステップと、
前記第１のノードのセットで前記エンリッチ領域に関する結合間隙流体拡散および応力解析を実施するステップと、
前記解析の結果として前記第２のノードのセットが活性化されるかどうかを判定するステップと、
前記結果をユーザに視覚的に出力するステップと
を具えたことを特徴とするコンピュータ実施方法。
【請求項２】
前記エンリッチ領域を画定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項３】
前記エンリッチ領域内の初期クラックを画定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項４】
前記エンリッチ領域内のクラック開始基準およびクラック伝播基準を定義するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項５】
前記第２のノードのセットが活性化されるかどうかを判定するステップは、
前記エンリッチ領域の特性に基づいて破壊基準を定義するステップと、
前記解析中に前記破壊基準が満たされるかどうかを判定するステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項６】
１つまたは複数の平衡方程式に対する解を計算するステップをさらに含み、前記１つまたは複数の平衡方程式は、前記解析の結果として前記第２のノードのセットが活性化されるかどうかに基づくことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項７】
エンリッチ領域内の第１のノードのセットおよび第２のノードのセットのそれぞれの位置を格納するように構成されたメモリエリアと、
前記メモリエリアに結合されたプロセッサであって、
前記第１のノードのセットで前記エンリッチ領域に関する結合間隙流体拡散および応力解析を実施し、
前記解析の結果として前記第２のノードのセットが活性化されるかどうかを判定し、  前記結果をユーザに視覚的に出力する
ように構成されたプロセッサと
を具えたことを特徴とするコンピュータ。
【請求項８】
前記プロセッサがさらに、前記エンリッチ領域を画定するように構成されたことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項９】
補助プロセッサがさらに、前記エンリッチ領域内の初期クラックを画定するように構成されたことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項１０】
前記プロセッサがさらに、前記エンリッチ領域内のクラック開始基準およびクラック伝播基準を定義するように構成されたことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項１１】
前記プロセッサがさらに、
前記エンリッチ領域の特性に基づいて破壊基準を定義し、
前記解析中に前記破壊基準が満たされるかどうかを判定する
ように構成されたことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項１２】
前記プロセッサがさらに、１つまたは複数の平衡方程式に対する解を計算するように構成され、前記１つまたは複数の平衡方程式は、前記解析の結果として前記第２のノードのセットが活性化されるかどうかに基づくことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項１３】
前記プロセッサがさらに、前記エンリッチ領域内の流体圧力場および流体フローの不連続性をモデリングするように構成されたことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項１４】
その上にコンピュータ実行可能構成要素を有する１つまたは複数の非一時的コンピュータ可読記憶媒体を備え、前記コンピュータ実行可能構成要素は、
プロセッサによって実行された場合に、エンリッチ領域内の第１のノードのセットおよび第２のノードのセットのそれぞれの位置を前記プロセッサに定義させる画定構成要素と、
解析構成要素であって、
プロセッサによって実行された場合に、前記プロセッサに、
前記第１のノードのセットで前記エンリッチ領域に関する結合間隙流体拡散および応力解析を実施させ、
前記解析の結果として前記第２のノードのセットが活性化されるかどうかを判定させ、
前記結果をユーザに視覚的に出力させる解析構成要素と
を具えたことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層と、
前記導電層上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上面と接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法の分析において、酸素の脱離量が、酸素原子に換算して１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
前記絶縁膜は、前記ソース電極と接する領域と、前記ドレイン電極と接する領域とを有し、
前記絶縁膜はコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記導電層と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記コンタクトホールの側面において、前記絶縁膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する面近傍に、窒素を含む領域を有し、
前記窒素を含む領域は、前記コンタクトホールの側面から離れるに従い、窒素濃度が連続的に減少する半導体装置。
【請求項２】
導電層及びゲート電極と、
前記導電層上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上面と接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法の分析において、酸素の脱離量が、酸素原子に換算して１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
前記ゲート絶縁膜は、前記ソース電極と接する領域と、前記ドレイン電極と接する領域とを有し、
前記ゲート絶縁膜はコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記導電層と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記コンタクトホールの側面において、前記ゲート絶縁膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する面近傍に、窒素を含む領域を有し、
前記窒素を含む領域は、前記コンタクトホールの側面から離れるに従い、窒素濃度が連続的に減少する半導体装置。
【請求項３】
導電層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に接する酸化物半導体膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記導電層まで到達するコンタクトホールを形成して前記導電層の上面を露出し、
前記コンタクトホールを形成した後、前記絶縁膜と、露出した前記導電層と、前記酸化物半導体膜と、に窒化処理を行い、
前記窒化処理後に、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上および前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、前記コンタクトホールを介して、前記導電層と接する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記窒化処理は、窒素プラズマを用いた処理である半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月13日(2016.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線の形成方法および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を含む第１の導電膜と、前記第１の導電膜上の第２の導電膜と、を有する積層膜において、
前記第２の導電膜は、タングステン、コバルト、ニッケル、スズおよびモリブデンのいずれか一種以上を含む導電膜であり、
前記第２の導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをマスクとして前記第２の導電膜の一部を除去し、
前記レジストマスクおよび一部が除去された前記第２の導電膜をマスクとして前記第１の導電膜の一部を除去することで、１５°以上４５°以下のテーパー角を有する前記第１の導電膜を形成した後、前記レジストマスクを除去し、
一部が除去された前記第２の導電膜の前記第１の導電膜と接しない領域を除去することを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜と接する領域のエッチング速度が高いことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の導電膜下に、窒素を含む絶縁膜または窒素を含む導電膜が設けられることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記レジストマスクを除去した後、一部が除去された前記第２の導電膜を除去することを特徴とする配線の形成方法。
【請求項５】
銅を含む第１の導電膜と、前記第１の導電膜上の第２の導電膜と、を有する積層膜において、
前記第２の導電膜は、タングステン、コバルト、ニッケル、スズおよびモリブデンのいずれか一種以上を含む導電膜であり、
前記第２の導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをマスクとして前記第２の導電膜の一部および前記第１の導電膜の一部を除去することで、１５°以上４５°以下のテーパー角を有する前記第１の導電膜を形成した後、前記レジストマスクを除去することでゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる半導体膜を形成し、
前記半導体膜と接する一対の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
銅を含む第１の導電膜と、前記第１の導電膜上の第２の導電膜と、を有する積層膜において、
前記第２の導電膜は、タングステン、コバルト、ニッケル、スズおよびモリブデンのいずれか一種以上を含む導電膜であり、
前記第２の導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをマスクとして前記第２の導電膜の一部を除去し、
前記レジストマスクおよび一部が除去された前記第２の導電膜をマスクとして前記第１の導電膜の一部を除去することで、１５°以上４５°以下のテーパー角を有する前記第１の導電膜を形成した後、前記レジストマスクを除去し、
一部が除去された前記第２の導電膜の前記第１の導電膜と接しない領域を除去することでゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる半導体膜を形成し、
前記半導体膜と接する一対の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜と接する領域のエッチング速度が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電膜下に、窒素を含む絶縁膜または窒素を含む導電膜が設けられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一において、
前記半導体膜は酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を一部に含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項５乃至１０のいずれか一において、
前記レジストマスクを除去した後、一部が除去された前記第２の導電膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の酸化物半導体層とを有し、
前記第１の絶縁層は、窒化シリコンを有する第１の領域と、前記第１の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第２の領域と、前記第２の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもアンモニア含有量が低く、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりもアンモニア含有量が低く、
前記第２の絶縁層は、酸素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第１の絶縁層は、窒化シリコンを有する第１の領域と、前記第１の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第２の領域と、前記第２の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもアンモニア含有量が低く、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりもアンモニア含有量が低く、
前記第２の絶縁層は、酸素を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウムとガリウムを有し、且つインジウムの含有率はガリウムの含有率よりも大きく、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウムとガリウムを有し、且つインジウムの含有率は、ガリウムの含有率以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の酸化物半導体層とを有し、
前記第１の絶縁層は、窒化シリコンを有する第１の領域と、前記第１の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第２の領域と、前記第２の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低く、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低く、
前記第２の絶縁層は、酸素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第１の絶縁層は、窒化シリコンを有する第１の領域と、前記第１の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第２の領域と、前記第２の領域上に位置し、窒化シリコンを有する第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低く、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低く、
前記第２の絶縁層は、酸素を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウムとガリウムを有し、且つインジウムの含有率はガリウムの含有率よりも大きく、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウムとガリウムを有し、且つインジウムの含有率は、ガリウムの含有率以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の領域の膜厚は、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記第２の領域の膜厚は、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、
前記第３の領域の膜厚は、２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の領域は、電子スピン共鳴法においてＮｃセンターに現れる信号に対応するスピン密度が１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続する第１の電極と、
前記第１の電極の端部の周縁を覆う第１の隔壁と、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に透光性を有する第２の電極と、
前記第１の隔壁上に第３の電極と、
前記第１の隔壁上に前記第３の電極の側面を覆う第２の隔壁と、を有し、
前記第２の隔壁は、前記第３の電極に達する開口を有し、
前記第３の電極は、前記開口を介して前記第２の電極と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の隔壁上で、且つ、前記有機化合物を含む層の端部と前記第２の隔壁の間に前記第２の電極が形成され、
前記第２の電極は、前記第１の隔壁と接する領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３の電極は、Ａｇ、Ｍｇ、ＣｕまたはＭｏから選ばれた元素、またはその元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を含む膜またはそれらの積層膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の電極上に着色層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の隔壁上に遮光膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記トランジスタの半導体層は、酸化物半導体材料であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の電極は、前記第３の電極と同一材料であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の電極と同一材料である第４の電極を有し、
前記第４の電極は、端子電極と電気的に接続され、
前記第３の電極は、前記第４の電極上に接する領域を有し、
前記第２の電極は、前記第４の電極上に接する領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のデータ保持部が設けられた第１の記憶回路と、第３及び第４のデータ保持部が設けられた第２の記憶回路と、を有し、
前記第１のデータ保持部は、第１のトランジスタを介してビット線に電気的に接続され、
前記第２のデータ保持部は、第２のトランジスタを介して反転ビット線に電気的に接続され、
前記第１及び第２のトランジスタには第１のワード線が電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、第３のトランジスタを介して前記第２のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第４のデータ保持部は、第４のトランジスタを介して前記第１のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第３及び第４のトランジスタには第２のワード線が電気的に接続され、
前記第３及び第４のデータ保持部は、それぞれキャパシタの一方の電極に電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、低電位電源線に電気的に接続され、
前記第１の記憶回路への電力の供給が停止される直前に、前記第１及び第２のデータ保持部のデータを前記第３及び第４のデータ保持部に退避させる手段と、
前記第１の記憶回路の復帰時に、前記第１及び第２のデータ保持部をプリチャージした後、前記第３及び第４のデータ保持部から前記第１及び第２のデータ保持部にデータを読み出す手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２のデータ保持部が設けられた第１の記憶回路と、第３のデータ保持部が設けられた第２の記憶回路と、を有し、
前記第１のデータ保持部は、第１のトランジスタを介してビット線に電気的に接続され、
前記第２のデータ保持部は、第２のトランジスタを介して反転ビット線に電気的に接続され、
前記第１及び第２のトランジスタには第１のワード線が電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、第３のトランジスタを介して前記第２のデータ保持部に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタには第２のワード線が電気的に接続され、
前記第３のデータ保持部は、キャパシタの一方の電極に電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、低電位電源線に電気的に接続され、
前記第１の記憶回路への電力の供給が停止される直前に、前記第２のデータ保持部のデータを前記第３のデータ保持部に退避させる手段と、
前記第１の記憶回路の復帰時に、前記第１及び第２のデータ保持部をプリチャージした後、前記第３のデータ保持部から前記第２のデータ保持部にデータを読み出す手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１及び第２のデータ保持部をプリチャージする電位は、高電位電源線の電位と低電位電源線の電位の中間値の電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記低電位電源線の電位は接地電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１及び第２のトランジスタは、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第３及び第４のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１及び第２のトランジスタ上に、前記第３及び第４のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。