【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７８０６１８号発明「窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認めない。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要  
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７８０６１８号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。  
 　  
第２　手続の経緯  
１　設定登録の経緯  
　本件特許は、平成５年１１月６日に出願され、平成９年１０月２０日に明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明について手続補正がなされ、平成１０年５月１５日にその設定登録がなされたものである。  
 　 　 　 　 　　  
２　本件審判の経緯 　  
平成２５年　６月２８日　審判請求  
平成２５年　９月２０日　審判事件答弁書提出（被請求人）  
平成２５年　９月２０日　訂正請求書提出（被請求人）  
平成２５年１１月２９日　審判事件弁駁書提出（請求人）  
平成２６年　４月２８日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）  
平成２６年　４月２８日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人） 
平成２６年　５月１３日　口頭審理 
平成２６年　６月２７日　上申書（請求人） 
　 　  
第３　訂正請求についての当審の判断  
１　訂正請求の内容  
　平成２５年９月２０日付けの訂正請求による訂正（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の明細書（以下「本件特許明細書」という。）についてするものであり、その訂正の内容は、次のとおりである（下線は、平成２５年９月２０日付けの訂正請求書に添付した明細書のとおりである。）。  
（１）　訂正事項１　 
　特許請求の範囲の請求項１において、 
「前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、」 
とあるのを、 
「前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から
窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通しない深さで
と訂正する。 
　
（２）　訂正事項２ 
 　特許請求の範囲の請求項１において、 
「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、」 
とあるのを、 
「第一の割り溝の一部
領域
、
であって、かつ前記線状にエッチングされた部分とは別の平面
と訂正する。 
　
（３）　訂正事項３
　発明の詳細な説明の段落【０００７】において、
「　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化物半導体チップの製造方法は、サファイア基板上に窒化物半導体を積層したウエハーから窒化物半導体チップを製造する方法を改良したものである。本発明の製造方法は、ウエハーの窒化物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする。」
とあるのを、
「　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化物半導体チップの製造方法は、サファイア基板上に窒化物半導体を積層したウエハーから窒化物半導体チップを製造する方法を改良したものである。本発明の製造方法は、ウエハーの窒化物半導体層側から
窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通しない深さで
領域
、
であって、かつ前記線状にエッチングされた部分とは別の平面
と訂正する。
　
２　訂正請求に関する被請求人の主張の概要
（１）　訂正事項１について
ア　訂正事項１は、第一の割り溝の深さを特定していなかった、ないしは明確にしていなかったところ、第一の割り溝の深さを、窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通しない深さに、限定ないし明確にするものであるから、特許請求の範囲の減縮ないしは明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものにも該当しない（訂正請求書４頁１１行ないし５頁２行）。 
 　 
イ　訂正事項１は、願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の【００１６】、【００１８】、【００１９】の記載、及び願書に添付した図面（以下「本件図面」という。）の図１、図４に基づくものである。 
（ア）　【００１６】にて説明されている図１及び図４には、エッチングにより線状に形成される第一の割り溝（図１における符号１１）の深さを、窒化ガリウム系化合物半導体層（図１及び図４において、符号２及び３で表される層を合わせた層）を貫通しないような深さとすることが記載されている。 
 　 
（イ）　実施例１について、【００１８】の記載によれば、厚さ６μｍの窒化ガリウム系化合物半導体層を構成していることは明らかで、【００１９】には、第一の割り溝の深さを２μｍとすることが記載されているから、第一の割り溝の深さが窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通していないことは明らかである。 
 　 
（ウ）　以上のとおりであるから、訂正事項１は、本件明細書または本件図面に記載した事項の範囲内の訂正である（訂正請求書５頁３行ないし７頁１６行）。 
 　 
（２）　訂正事項２について
ア　訂正事項２は、線状に形成される第一の割り溝と電極が形成できる平面との関係を特定または明確にしていなかったところ、電極が形成できる平面が第一の割り溝の一部領域に形成されること、および電極が形成できる平面が線状にエッチングされた部分とは別の平面であることを特定事項として追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮ないしは明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものにも該当しない（訂正請求書７頁２１行ないし８頁１５行）。 
 　 
イ　訂正事項２は、本件明細書の【００１６】及び本件図面の図４に基づくものである。
　図４には、【００１６】に「図４は、図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であり、第一の割り溝１１の形状を示していると同時に、チップ形状も示している。
　この図では、ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており、この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」と記載のとおり、ｐ型層３を所定の線幅Ｗ１でエッチングして形成された、第一の割り溝と共に、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状が示されている。 
　さらに、図４には、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状が、線幅Ｗ１の第一の割り溝の一部領域に、線幅Ｗ１の第一の割り溝とへ別の平面を形成していることが示されている。このように、本件明細書及び本件図面には、第一の割り溝の一部領域に、電極が形成できる平面であって、かつ前記線状にエッチングされた部分とは別の平面を形成する工程が記載されている（訂正請求書８頁１６行ないし９頁下から６行）。 
　以上のとおりであるから、訂正事項２は、本件明細書または本件図面に記載した事項の範囲内の訂正である（訂正請求書９頁下から５行ないし３行）。
 　
ウ　口頭審理陳述要領書の主張
（ア）　訂正後の請求項１に「第一の割り溝を所望のチップ形状で
線状にエッチングにより形成すると共に、
を形成する
　
（イ）　訂正事項２に係る訂正の目的は、第一の割り溝と電極が形成できる平面との水平方向の位置関係を特定ないし明確化することにある。すなわち、電極が形成できる平面が第一の割り溝の一部領域に形成されること、及び電極が形成できる平面が線状にエッチングされた部分とは別の平面、すなわち水平方向に見て異なる位置を占める平面であることを特定事項として追加することにより、電極が形成できる平面が線状にエッチングされた部分の（水平方向に見た）平面の一部分に完全に取り込まれてしまうような位置関係にないことを明らかにしようとしたものである（口頭審理陳述要領書１１頁下から６行ないし１２頁５行）。
　
（ウ）　訂正事項２にいう「前記線状にエッチングされた部分とは別の平面」の意義は、「水平方向に見て別の平面」の意味であるところ、両者が水平方向に見て別の平面を成す例は、本件明細書の段落【００１６】及び図４に明記されているから、訂正事項２に係る訂正は、本件明細書及び本件図面に記載された事項の範囲内のものである（口頭審理陳述要領書１２頁１４行ないし１９行）。
　
（３）　訂正事項３について 
　訂正事項３は、訂正事項１及び訂正事項２に係る訂正との整合を図るため、本件明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものにも該当しない（訂正請求書１０頁７行ないし１２頁５行）。 
 　 
３　訂正請求に関する請求人の主張の概要  
　本件訂正のうち、訂正事項２にかかる訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であり、本件明細書又は本件図面に記載した事項の範囲内の訂正ではない（弁駁書５頁下から４行ないし末行）。 
　
（１）　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であること 
　訂正前は、「線状にエッチングにより形成」された一部に「電極が形成できる平面を形成」していたのに、本件訂正により、「線状にエッチングされた部分とは別の平面を形成」することになっており、「電極を形成できる平面」の位置が変わってしまっている。　
　第一の割り溝の線幅がＷ１であることを、被請求人自らが認めており、訂正前の「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程」というものは、線幅Ｗ１の第一の割り溝の一部に電極が形成されることを意味している。他方で、訂正後は、電極を形成する平面は、線幅Ｗ１の第一の割り溝とは別の平面である。 
　したがって、訂正事項２が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であることは明らかである（弁駁書６頁１行ないし７頁１１行）。 
 　 
（２）　本件明細書又は本件図面に記載した事項の範囲内の訂正ではないこと 
　本件明細書の【００１６】及び本件図面の図４には、線幅Ｗ１の第一の割り溝とは別の領域に（一部領域ではない）、電極が形成できる平面であって、かつ前記線状にエッチングされた部分とは別の平面を形成する工程が記載されているにすぎない。「第一の割り溝の一部領域」に「電極が形成できる平面」は、図４にも【００１６】にも記載されていない。 
　よって、訂正事項２は、本件明細書又は本件図面に記載した事項の範囲内の訂正ではない（弁駁書７頁１２行ないし８頁５行）。 
 　 
４　訂正請求に関する当審の判断 
（１）　被請求人は、訂正事項２に係る訂正の根拠として、本件特許明細書の段落【００１６】及び図４を挙げている。 
ア　【００１６】は次のものである。 
「【００１６】図４は、図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であり、第一の割り溝１１の形状を示していると同時に、チップ形状も示している。この図では、ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており、この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」 
 　 
イ　図４は次のものである。
　
ウ　【００１６】で言及されている図１は、次のものである。 
 　 
エ　【００１６】の記載によれば、図４は「図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図」であり、本件明細書の「【００１２】【作用】本発明の製造方法の作用を図面を元に説明する。図１ないし図４は本発明の製造方法の一工程を説明する図である。図１はサファイア基板１の上にｎ型窒化物半導体層２（ｎ型層）と、ｐ型窒化物半導体層３（ｐ型層）とを積層したウエハーの模式断面図である。」との記載によれば、図１は、「ｎ型層とｐ型層とを積層したウエハーの断面図」である。 
　訂正請求書８頁１６行以下の記載（上記２（２）イ参照。）によれば、被請求人は、「電極が形成できる平面」とは、「『ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状』の『部分』」であると主張しているものと認められるところ、平面図である図４を見ても、平面に垂直な方向から見た位置関係は把握できないから、「線幅Ｗ１の第１の割り溝」と、「『ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状』の『部分』」と解される「電極が形成できる平面」とが、同じ面にあるのか、または別の面にあるのかを把握できない。 
　また、断面図である図１を見ると、線幅Ｗ１の第１の割り溝１１は示されているが、「ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状の部分」は示されていないから、両者が同じ面にあるのか、または別の面にあるのかを把握できない。 
　よって、被請求人が訂正事項２に係る訂正の根拠とする本件特許明細書の記載及び図面からは、「電極が形成できる平面」（ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状の部分）が、「『所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成』された『第１の割り溝』の『線状にエッチングされた部分』」のなす平面とは別の平面であるか否か判断できない。
 　 
（２）　一方、本件明細書には、被請求人が「電極が形成できる平面」であると主張する「ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状の部分」が示された図４について、【００１６】以外に次のア及びイの記載がある。
ア　「【００１２】【作用】本発明の製造方法の作用を図面を元に説明する。図１ないし図４は本発明の製造方法の一工程を説明する図である。・・・この図では、第一の割り溝はｐ型層３をエッチングして、ｎ型層２を露出するように形成しており・・・」
　
イ　「【００１９】次にこのｐ型ＧａＮ層の上に、フォトリソグラフィー技術によりＳｉＯ2よりなるマスクをかけた後、エッチングを行い、図４に示す形状で第一の割り溝を形成する。」
　
ウ　上記ア及びイの記載によれば、「第１の割り溝」と「電極が形成できる平面」（ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状の部分）とは、マスクを介してｐ型ＧａＮ層をｎ型層２が露出するまでエッチングして形成されるのであるから、ｐ型ＧａＮ層上面から同じ深さにエッチングされた、同じ面上に形成されるものと解される。 
　してみると、上記記載を訂正事項２に係る訂正の根拠としても、「電極が形成できる平面」は、「『所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成』された『第１の割り溝』の『線状にエッチングされた部分』」のなす平面と同じ平面であって、別の平面ではないといえる。
　　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、訂正事項２に係る訂正は、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正とは認められない。
　よって、訂正事項２を含む本件訂正は、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので認められない。
　
第４　本件発明  
　上記のとおり、本件訂正は認められないので、本件特許の請求項１ないし４に係る発明（以下、それぞれを、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）は、本件特許明細書の各請求項に記載された、次のとおりのものと認められる。  
「　【請求項１】　サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、
　前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、
　前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と、
　前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法。
　　【請求項２】　前記第二の割り溝を形成する前に、前記ウエハーのサファイア基板側を研磨して、サファイア基板の厚さを２００μｍ以下に調整する工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
　　【請求項３】　前記第二の割り溝を形成する工程において、第一の割り溝の底部と第二の割り溝の底部との距離を２００μｍ以下に調整することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
　　【請求項４】　前記第二の割り溝をスクライブにより形成することを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。」
　
第５　請求人の主張の概要
　請求人の主張の概要は、次のとおりである。
１　無効理由
（１）　無効理由１ 
　本件発明１ないし本件発明４は、本件特許出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平５−１２９６５８号公報）に記載された発明と同一、または甲第１号証に記載された発明及び周知技術等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、または特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　  
　よって、本件発明１ないし本件発明４についての特許は、同法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。
（審判請求書２頁１５行ないし２０行）  
 　 　  
（２）　無効理由２
　本件発明１ないし本件発明４は、本件特許出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（実開平５−５９８６１号公報）に記載された発明及び周知技術等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件発明１ないし本件発明４についての特許は、同法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。
（審判請求書２頁２１行ないし３頁３行）
 　 　 
（３）　無効理由３ 
　本件特許の請求項１〜４に記載されている事項は、平成９年１０月２０日付けの手続補正書により新たに加えられた新規事項であるため、本件特許は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してなされたものであり、同法第１２３条第１項第１号に該当するから無効とすべきである。
（審判請求書３頁３行ないし７行） 
 　 
２　甲号証  
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。  
甲第１号証：特開平５−１２９６５８号公報
甲第２号証：実開平５−５９８６１号公報  
甲第３号証：特開昭６２−１０５４４６号公報
甲第４号証：特開昭５３−１１５１９１号公報
甲第５号証：特開平５−１６６９２３号公報
甲第６号証：異議の決定（平成１１年異議第７３２２１号）
（以上、審判請求書に添付して提出。） 
 　　 
甲第７号証：「集積回路技術のすべて」
甲第８号証：「固体発光素子とその応用」
甲第９号証：「Definition of scribe line」と題するウエブサイト
甲第１０号証：特開昭５８−６０５５８号公報
甲第１１号証：特開平２−１４４９３２号公報  
甲第１２号証：特開昭６２−１４４４１号公報
甲第１３号証：特開平４−５６２５０号公報
甲第１４号証：平成１２年４月３０日付意見書
　　　　　　　（平成１１年異議第７３２２１号のもの）
甲第１５号証：特開平３−２１８６２５号公報
　　　　　　　（平成１１年異議第７３２２１号の乙２）
甲第１６号証：Fabrication of Properties of GaN P-N Junction LED 
　　　　　　　（平成１１年異議第７３２２１号の乙３）
甲第１７号証：実開平６−３８２６５号公報
　　　　　　　（平成１１年異議第７３２２１号の乙４）
（以上、審判事件弁駁書に添付して提出。）  
 
甲第１８号証：「レーザ微細加工のプロセスと実用例」
　　　　　　　（東京地裁平成２５年（ワ）第７４７８号の甲第１９号証）
甲第１９号証：「ＬＥＤ革新のための最新技術と展望」
　　　　　　　（東京地裁平成２５年（ワ）第７４７８号の甲第２０号証）
（以上、上申書に添付して提出。）
　
３　請求人の主張の要点  
　請求人の主張の要点は、以下のとおりである。
　ただし、上記第４のとおり、本件訂正は認められないので、本件訂正が認められたことを前提とする主張は省いた。   
（１）　無効理由１について 
ア　審判請求書の主張（審判請求書５頁１行ないし１３頁１３行） 
（ア）　甲第１号証には、その【０００１】、【００１７】、【００３１】〜【００３３】、図１１〜図１３の記載によれば、次の発明（以下「甲１発明」という。）が開示されている。
「サファイア基板１上に、ＡｌＮから成るバッファ層２、ＧａＮから成る高キャリヤ濃度ｎ＋層３、ＧａＮから成る低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、ＧａＮから成るｉ層５の多層構造のウエーハから窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（発光ダイオード１０ｂ）を作製する方法において、
　前記ウエーハに対して太い刃物（例えば、250μm厚）を用いたダイシングによりｉ層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、高キャリヤ濃度ｎ＋層３、バッファ層２、サファイア基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れるとともに、ハーフカットの切り込み部分に電極を形成する面を形成し、
　細い刃物（例えば、150μm厚）を用いたダイシングにより、格子状に第２の電極８が形成された切り込みが入れられている部分において、サファイア基板１を格子状に切断する
　ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　
（イ）　本件発明１では、第一の割り溝をエッチングにより形成するのに対して、甲１発明では、第一の割り溝に相当する切れ込みをダイシングにより形成する点で、一応相違する可能性がある。
　しかしながら、甲第１号証の【００２３】〜【００２５】、図６及び図８には、甲１発明と異なる他の実施例において、第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り込み」を、ダイシングにより形成するのではなく、反応性エッチングにより形成することが記載されている。
　したがって、上記可能性がある点は相違点ではなく、本件発明１は、甲１発明と同一である。
　仮に相違点であるとしても、甲１発明において、第２の電極８が形成された「切り込み」を、ダイシングにより形成するのではなく、反応性イオンエッチングにより形成することは、当業者にとって極めて容易である（当審注：「当業者が上記他の実施例についての記載に基づいて容易に想到し得る。」との主旨と解される。）。
　
（ウ）　さらに、本件発明１における「分離」と、甲１発明における「ダイシング」による「切断」とが相違点であるとしても、本件特許出願当時、半導体素子において、基板側に細い溝を形成してチップを分離することは周知技術（甲第３〜５号証）であるから、甲１発明において、サファイア基板側から細い溝を形成して、チップを分離することは極めて容易である。
　
イ　上申書の主張
（ア）　相違点１について（上申書６頁６行ないし１５行）
　甲１発明において、第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り込み」を、ダイシングにより形成するのではなく、反応性イオンエッチングにより形成することも、甲１に記載されているに等しいといえる。・・・そうすると、甲１発明では、エッチングにより線状に形成された部分と同一の平面に電極が形成できるように露出させている以上、・・・相違点ではなく一致点である。
　
（イ）　相違点２について（上申書６頁下から５行ないし末行）
　甲１には、サファイア基板側から第二の割り溝を形成することも、「ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成し、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する」ことも記載されている。
　
（２）　無効理由２について 
ア　審判請求書の主張（審判請求書１５頁１４行ないし２２頁１９行）
（ア）　甲第２号証には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が開示されている。
「サファイア基板１上にｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製する方法において、
　前記ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングすると共に、ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し、
　前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致する位置で、エッチング部の線幅よりも細い線幅で、
　前記エッチング部に沿って、ダイシングソーで前記ウエハーをチップ状にカットする
　ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　
（イ）　本件発明１では、第二の割り溝をウエハーのサファイア基板側から形成する工程を具備するのに対し、甲２発明では、かかる工程があるか不明である点で相違する。
　上記（１）ア（ウ）のとおり、本件特許出願当時、半導体素子において、基板側に細い溝を形成してチップを分離することは、周知技術（甲第１、３〜５号証）であった。
　そして、甲第５号証に記載されているとおり、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ウエハーの基板側からスクライブすることは行われていた。
　そうすると、甲２発明において、ウエハーの半導体層側に形成された溝に一致させるように、基板側に細い溝を形成してチップを分離する上記周知技術を適用し、サファイア基板側に溝（例えば、上述の甲第５号証に記載されている基板側をスクライブすること）を形成して、チップを分離することは極めて容易である。
　
イ　上申書の主張
（ア）　相違点１について（上申書２２頁下から３行ないし末行）
　被請求人は、甲２の図９のエッチング溝を円弧状のエッチング部であると誤導しようとしているが、下図の赤矢印のエッチング溝が、スクライブラインであることは明らかである。
　
（イ）　相違点２について（上申書２５頁１８行ないし２０行）
　甲２段落【００２０】の「ダイシングソーでカット」という記載から、当然に「フルカット」と理解するものではなく、ハーフカットしたうえで割ることも理解できる。
　
（３）　無効理由３について 
ア　審判請求書の主張（審判請求書２４頁２２行ないし２６頁下から３行）
　本件特許出願については、平成９年１０月２０日付けの手続補正書により、請求項１〜４に記載された発明に、「前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、」という構成が追加された。
　しかしながら、以下の（ア）及び（イ）のとおり、出願当初の明細書（以下「当初明細書」という。）には、該構成は記載されていなかった。
（ア）　当初明細書には、第一の割り溝は、エッチングにより、所定のチップ形状になるように線状に形成されると記載されており（段落【０００８】及び【００１２】）、まず、ｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝を形成し、さらに、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることが記載されているにすぎない（段落【００１６】）。すなわち、線状の第一の割り溝を形成するという工程の後に、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることが記載されているに過ぎないのである。すなわち、当初明細書には、線状の第一の割り溝を形成するという工程と共に、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることは記載されていない。
　
（イ）　当初明細書の段落【００１６】には、図４について、「ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており、この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」と記載されているように、線状の第一の割り溝とは別に、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることが記載され、第一の割り溝ではない、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することが記載されているのみである。したがって、当初明細書には、「第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程」は記載されていなかったのである。
 　 
イ　上申書の主張（上申書３７頁１１行ないし１３行）
　当初明細書の【００１６】に、「形成方法」について、「さらに」という記載がある以上、第一の割り溝１１の形成と、切り欠いた部分の形成とが別工程であることは明らかである。
　
第６　被請求人の主張の概要  
　被請求人の主張の概要は、次のものである。
「本件訂正は認められるべきである。
　本件訂正が認められないとしても、無効理由１ないし３は成り立たない。」（調書記載のとおり。）
 　 
２　乙号証  
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。 
乙第１号証：日本経済新聞、１９９３年１２月１日
乙第２号証：富士ハイテック株式会社、ウエブページ写し
　　　　　　（http://fuji-hitech.jp/prod/diamond/diamond01.html） 
乙第３号証：株式会社ディスコ、ビトリファイドボンドブレード
　　　　　　ＶＴ０７／１２シリーズカタログ
乙第４号証：特開２００９−４３９１３号公報
乙第５号証：「発光ダイオードとその応用」、西澤潤一監修、スタンレー
　　　　　　電気技術研究所編、産業図書株式会社、昭和６３年４月１４
　　　　　　日発行、６６−６９頁 
乙第６号証：特開昭６２−２７２５８３号公報
乙第７号証：特開２００５−４７１９４号公報
（以上、審判事件答弁書に添付して提出。）  
 　  
３　被請求人の主張の要点  
　被請求人は、審判事件答弁書において、もっぱら訂正が認められることを前提とした主張をなし、口頭審理陳述要領書において、もっぱら訂正が認められないことを前提とした主張をなしている。
　しかしながら、上記第４のとおり、本件訂正は認められない
　そこで、口頭審理陳述要領書の主張を中心にまとめると、被請求人の主張の要点は、以下のとおりである。  
（１）　無効理由１について 
ア　甲第３〜５号証のいずれにも、電極形成用の平面をエッチングにより形成すると同時に形成した第一の割り溝と、基板裏面に形成した第二の割り溝とに沿ってチップを分離することは記載も示唆もされていない。
　したがって、甲１発明に甲第３〜５号証を組み合わせても、本件発明を容易に想到し得ない。
（口頭審理陳述要領書２０頁７行ないし１２行。審判事件答弁書１２頁２０行ないし２３行にも同様の記載がある。）。
　
イ　甲１の図１２（ｂ）に示されるとおり、半導体層２〜５の側面は、あくまで「側面」であって、「平面」には該当しないから、甲１発明は、第一の割り溝の一部領域に電極が形成できる「平面」を形成するものではない。
（口頭審理陳述要領書２３頁下から７行ないし下から４行。審判事件答弁書１５頁下から５行ないし下から３行にも同様の記載がある。）
　
ウ　ダイサーはＡｌなどの金属である電極８とサファイア基板１の両方を同時に切断できるが、同じことを、へき開や「割れ」を利用して結晶を分離する方法であるスクライバーで行うことはできない。サファイア基板は割ることができるが、金属は展延性があるため「割る」ことができない。
（口頭審理陳述要領書２８頁下から１２ないし下から３行。審判事件答弁書２０頁下から５行ないし２１頁１行にも同様の記載がある。）
  　 　 
 （２）　無効理由２について 
ア　甲第２号証には、ペレットチェックのためにｐ型層をチップ形状にエッチングすることが開示されているに過ぎず、甲第３〜５号証にも通常のダイサーとスクライバーによるチップ化技術が開示されているに過ぎないから、本件発明による教示なしに、甲第２号証と甲第３〜５号証とを組み合わせて半導体層側からはエッチングによる第一の割り溝を電極形成平面と共に形成し、サファイア基板からはスクライバーなどによって第二の割り溝を形成し、第一の割り溝と第二の割り溝に沿ってチップ分離を行うという発想に至ることが当業者に容易であったとは言えない。
（口頭審理陳述要領書３０頁下から５行ないし３１頁３行。審判事件答弁書２３頁４行ないし１１行にも同様の記載がある。）
　
イ　甲２発明に甲第３〜５号証記載の技術を組み合わせたとしても、本件発明の重要な特徴である、第一の割り溝の線幅Ｗ１を第二の割り溝の線幅Ｗ２よりも広くするという特徴は導かれず、それによって割断線の僅かな曲がりによる動作不良の発生を抑制するという技術思想は、当業者と謂えども容易に想到し得るものではない。
（口頭審理陳述要領書３１頁４行ないし８行。審判事件答弁書２３頁１２行ないし１６行にも同様の記載がある。）
　
 （３）　無効理由３について 
ア　ｐ型層３をエッチングするに際し、エッチングマスク形状を適宜選択することにより、線状部分と半弧状に切り欠いた部分を同時にエッチングすることは容易に実施できる。さらに、これらの部分を別個に形成しなければならない事情は、当初明細書等において見当たらない。
（口頭審理陳述要領書５０頁下から２行ないし５１頁７行。審判事件答弁書４３頁下から９行ないし末行にも同様の記載がある。）
　
イ　請求人は、当初の明細書の【００１６】における「さらに」という表現が時間の推移を含む語であり、その前後に記載されている第一の割り溝の形成と、ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることとが、同時にではなく、別個の工程としてこの順に行われると誤解している。
　当初明細書の【００１６】は「図４は、図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であり、
第一の割り溝１１の形状を示していると同時に
（口頭審理陳述要領書５１頁１１行ないし５２頁７行。審判事件答弁書４４頁４行ないし末行にも同様の記載がある。）
　
ウ　当初明細書の【００１６】及び図４に記載されているように、線状の第一の割り溝とは別の平面として電極形成平面を形成することも、「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」ことに該当する。そして、当該記載は、当初明細書から変更されていない。
（口頭審理陳述要領書５２頁下から１行ないし５３頁３行。審判事件答弁書４５頁下から４行ないし４６頁５行にも同様の記載がある。）
　
第７　無効理由３についての当審の判断 
　事案にかんがみ、まず、無効理由３について検討する。 
１　当初明細書の【００１２】及び【００１９】の記載によれば、第１の割り溝１と電極が形成できる平面を、マスクを介してｐ型ＧａＮ層をｎ型層２が露出するまでエッチングして形成する手順が記載されている（上記「第３　４　（１）　イ」参照。）。
　
２　同【００１２】で言及されている図４を見ると、ｎ型層２が、ｐ型層３で覆われずに露出した部分は、線幅Ｗ１の線状部分と、該線状部分につながった半弧状部分からなっている。この、第１の割り溝１１に対応する線状部分と、電極が形成できる平面に対応する半弧状部分がつながった形状の開口を有する１つのマスクを用意すれば、１回のエッチングで、第１の割り溝１１と電極が形成できる平面とを、半導体層の同じ深さにある１つの平面上に形成できるところ、敢えて、第１の割り溝１１用のマスクと電極が形成できる平面用のマスクの２つのマスクを用意し、第１の割り溝１１を形成するエッチングと電極が形成できる平面を形成するエッチングの、２回のエッチングを行ったり、これら２つのエッチングで半導体層をエッチングする深さを変えて、異なる深さの２つの平面上に第１の割り溝１１と電極が形成できる平面とを形成する積極的な動機は認められない。
　
３　上記２によれば、上記１の手順は、「第１の割り溝１１に対応する線状部分と、電極が形成できる平面に対応する半弧状部分がつながった形状の開口を有する１つのマスクを介して、ｐ型ＧａＮ層をｎ型層２が露出するまで所定の深さまでエッチングして、第一の割り溝に対応する線状部分をエッチングにより形成すると同時に、前記第一の割り溝に対応する線状部分につながる、電極が形成できる平面に対応する半弧状部分を、前記エッチングにて形成する工程」であるか、少なくとも、該工程であってもよいものと認められる。
　該工程は、平成９年１０月２０日付けの手続補正書により、本件特許明細書の請求項１の記載に新たに加えられた事項である「前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程」に含まれるといえる。
　
４　請求人の主張について
（１）　当初明細書には、「第一の割り溝を所望のチップ形状で線上にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程」が記載されていなかったとの主張について、「第一の割り溝を線状に形成」（当初明細書段落【００１２】）」の「線状」との用語は、「第一の割り溝」の形状が、一定幅で一方向に延びる完全な「線」（矩形）の形状であることを指すのではなく、概ね線形の「溝」といえる形状であって、「線」以外の形状の部分、例えば「半弧状部分」を含む形状であってもよいことを指すと解することもできる。
　また、当初明細書の「【００１６】・・・ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており」との記載が、
ア　「『ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成』する工程の後に続けて、『ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状と』する工程を実施すること。」
　を指すのか、
イ　「『ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成』する工程において、同時に『ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状と』する手順も実施すること。」
　を指すのかは、かならずしも明らかでないところ、当初明細書には、上記イを行う実施形態が記載されていることは、上記３のとおりである。
　よって、請求人の上記「第５　３　（３）　ア」の主張は採用できない。
　
（２）　「さらに」なる語の一般的な意味だけからは、当初明細書の【００１６】の記載が、上記（１）のアを指すものと決めることはできない。
　よって、請求人の上記「第５　３　（３）　イ」の主張は採用できない。
　
５　上記１ないし４によれば、該事項を付加する補正は、当初明細書に記載された事項の範囲内のものであって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　よって、本件発明１ないし本件発明４についての特許は、同法第１２３条第１項第１号に該当せず、請求人の主張する無効理由３によって無効とされるべきものではない。
　 　 
第８　無効理由１についての当審の判断  
１　甲第１号証の記載事項及び甲１発明の認定
（１）　甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、次のア及びイの記載がある。
ア　「【請求項１】　ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌXＧａ1-XＮ；０≦Ｘ＜１）から成るｎ層と、前記ｎ層に接合するｐ型不純物を添加した半絶縁性のｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌXＧａ1-XＮ；０≦Ｘ＜１）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｉ層の表面に形成された透明導電膜から成る第１の電極と、
　前記ｉ層の側から前記ｎ層に接続するように形成された第２の電極と
　から成り前記ｉ層の側から外部に発光させることを特徴とする半導体発光素子。」
　
イ　「【００３２】又、図１１に示すように、発光ダイオード１０ｂを、チップの中央に透明導電膜から成る第１の電極７を形成し、その周辺にｎ+ 層３に接続された第２の電極８を形成することで製造しても良い。この時、第２の電極８の最下層であるＡｌ層を反射膜とすることができるので、発光効率を向上させることができる。
【００３３】このような発光ダイオード１０ｂは、図１２、図１３に示す工程で製造することができる。図１２の(a) に示すように、サファイヤ基板１上に、上述した製造方法により、順次、ＡｌＮから成るバッファ層２、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３、低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、ｉ層５を製造した。次に、図１２の(b) に示すように、図１２の(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物（例えば、250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れた。
【００３４】次に、図７及び図８に示したのと同じ工程により、ＩＴＯから成る第１の電極７と、第２の電極８のＡｌ層８ａを、図１３の(c) に示すように形成した。さらに、図９に示す工程により、取出電極９のＮｉ層９ｂ、Ａｕ層９ｃ及び第２の電極８のＮｉ層８ｂ、Ａｕ層８ｃを形成した。
【００３５】次に、図１３(d) に示すように、細い刃物（例えば、150μm 厚）を用いたダイシングにより、格子状に第２の電極８が形成されてた切り込みが入れられている部分において、サファイヤ基板１を格子状に切断した。このようにして、図１１に示す構造の発光ダイオード１０ｂを製造することができる。」
　
　上記記載における【００３５】の「格子状に第２の電極８が形成されてた」は、「格子状に第２の電極８が形成された」の誤記と認める。
　
ウ　上記イの記載で言及されている図１１ないし図１３は、次のものである。
【図１２】
【図１３】
　
（２）　甲１発明の認定
ア　上記（１）アによれば、上記（１）イにおける「高キャリヤ濃度ｎ＋層３」、「低キャリヤ濃度ｎ層４ａ」及び「ｉ層５」は、ＧａＮ系半導体から成ると解される。
　
イ　上記（１）イの【００３４】及び【００３５】の記載及び上記（１）ウの図１３(c)によれば、上記（１）の【００３３】にいう「『太い刃物（例えば、250μm 厚）を用いたダイシング』による『ｉ層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで』の『所謂ハーフカット』による『格子状』の『切り込み』」には、最初にＡｌ層８ａが形成され、次にＮｉ層８ｂが形成されて該切り込みが埋まり、次に該Ｎｉ層８ｂ上にＡｕ層８ｃが形成されると認められる。
　上記（１）イの【００３５】の記載及び上記（１）ウの図１３(d)によれば、同【００３５】にいう「第２の電極８が形成された切り込みが入れられている部分」すなわち該切り込みがＡｌ層８ａとＮｉ層８ｂで埋められた上にＡｕ層８ｃが形成された部分が、細い刃物（例えば、150μm 厚）を用いダイシングにより切断されると認められる。
　
ウ　上記（１）及び上記ア及びイによれば、甲第１号証には、次の発明(以下、新たに「甲１発明」という。)が記載されていると認められる。
「サファイア基板１上に、ＡｌＮから成るバッファ層２、ＧａＮ系半導体から成る高キャリヤ濃度ｎ＋層３、ＧａＮ系半導体から成る低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、ＧａＮ系半導体から成るｉ層５の多層構造のウエーハから窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（発光ダイオード１０ｂ）を作製する方法において、
　太い刃物（例えば、250μm 厚）を用いたダイシングにより、前記ｉ層５から前記低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、前記高キャリヤ濃度ｎ＋層３、前記バッファ層２、前記サファイア基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れ、
　前記切り込みに、最初にＡｌ層８ａを形成し、次にＮｉ層８ｂを形成して前記切り込みを埋め、次に前記Ｎｉ層８ｂ上にＡｕ層８ｃをして、前記Ａｌ層８ａと前記Ｎｉ層８ｂと前記Ａｕ層８ｃとからなる第２の電極８を形成し、
　前記第２の電極８が形成されて埋められた、前記切り込みが入れられていた部分において、細い刃物（例えば、150μm 厚）を用いたダイシングにより、前記サファイア基板１を格子状に切断する、
　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　
２　本件発明１と甲１発明との対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
（１）　甲１発明の「サファイア基板１」、「ＡｌＮから成るバッファ層２、ＧａＮ系半導体から成る高キャリヤ濃度ｎ＋層３、ＧａＮ系半導体から成る低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、ＧａＮ系半導体から成るｉ層５の多層構造のウエーハ」、「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（発光ダイオード１０ｂ）を作製する方法」及び「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法」は、それぞれ、本件発明１の「サファイア基板」、「窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー」、「窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法」及び「窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法」に相当する。
　
（２）　甲１発明の「太い刃物（例えば、250μm 厚）を用いたダイシングにより、ｉ層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ、高キャリヤ濃度ｎ＋層３、バッファ層２、サファイア基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れ、前記切り込みに、最初にＡｌ層８ａを形成し、次にＮｉ層８ｂを形成して前記切り込みを埋め、次に前記Ｎｉ層８ｂ上にＡｕ層８ｃをして、前記Ａｌ層８ａと前記Ｎｉ層８ｂと前記Ａｕ層８ｃとからなる第２の電極８を形成し、前記第２の電極８が形成されて埋められた、前記切り込みが入れられていた部分において、細い刃物（例えば、150μm 厚）を用いたダイシングにより、前記サファイア基板１を格子状に切断する」工程は、「ウエハーをチップ状に分離する工程」である点で、本件発明１の「ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程」と共通している。
　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、
　前記ウエハーをチップ状に分離する工程を備えた、
　窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法。」
　
＜相違点＞
　「ウエハーをチップ状に分離する工程」について、本件発明１は、「ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程」と特定されているのに対して、甲１発明は、該特定を有しない点。
　
３　相違点についての判断
　上記＜相違点＞について検討する。　
（１）　甲１発明において、「『ハーフカット』による『切り込み』」は、その後金属で埋められて第２の電極８を形成するのであるから、その形状から「溝」とはいえても、ウエハーを割るために用いられる「割り溝」ではない。
　
（２）　甲１発明において、ダイシングによりサファイア基板１を切断してウエハーをチップ状に分離する工程を、スクライブ等で割ることによりウエハーをチップ状に分離する工程に置き換える積極的な動機は見出せない。
　また、金属は展延性があるから、甲１発明の、金属からなる「第２の電極８」は、サファイア基板と一緒に割っても分離し難いものと認められるから、上記置き換えを行うことは考えにくい。
　
（３）　甲１発明の「切り込み」は、「ダイシングにより、サファイア基板１を格子状に切断する」前の段階で、「Ａｌ層８ａとＮｉ層８ｂとＡｕ層８ｃとからなる第２の電極８」で埋められており、仮に「切り込み」を「第一の割り溝」とみたとしても、「切り込み」には電極が形成済みであり、「第一の割り溝の一部に電極を形成する面」といえるものが存在しない。
　
（４）　上記（１）ないし（３）によれば、甲１発明が本件発明１の上記＜相違点＞に係る構成を備えたものである、または、甲１発明において、本件発明１の上記＜相違点＞に係る構成を備えることを、当業者が甲第１号証の記載及び周知技術に基づいて容易に想到し得た、とは認められない。
　したがって、本件発明１は、甲１発明と同一であるとも、甲１発明、甲第１号証の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。 　  
 　  
４　本件発明２ないし本件発明４について  
　本件発明２ないし本件発明４は、それぞれ、本件発明１が記載された請求項１を引用する請求項２ないし請求項４に記載された発明であり、本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、甲１発明と同一であるとも、甲１発明、甲第１号証の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない以上、本件発明２ないし本件発明４が、甲１発明と同一であるとも、甲１発明及び甲第１号証の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。 
　 
５　無効理由１についてのまとめ  
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし本件発明４についての特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、かつ同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものでもないので、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。 
　  　 
第９　無効理由２についての当審の判断  
１　甲第２号証の記載事項及び甲２発明の認定
（１）　甲第２号証の記載事項
　甲第２号証には、次のアないしウの記載がある。
ア　「【請求項１】　絶縁性基板の上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体がｎ型およびｐ型、あるいはｎ型およびｉ型に積層され、ｎ型層およびｐ型層、あるいはｎ型層およびｉ型層にそれぞれ電極が設けられた構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子において、
前記ｐ型層あるいはｉ型層の窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされてｎ型層を露出しており、さらにｐ型層あるいはｉ型層表面に、その層と電気的に接続された線状の電極が設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項２】前記ｐ型層は円弧状にエッチングされていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。」　
　
イ　「【００１０】
　本考案の一実施例を示す窒化ガリウム系化合物半導体素子の平面図を図１に表す。この窒化ガリウム系化合物半導体素子はサファイア基板１上にｎ型層２、およびｐ型層４を順に積層した後、エッチングによりｐ型層３の一部を取り除き、ｎ型層２を露出させ、ｎ型層２の上部とｐ型層３の上部とに電極を蒸着により設けたものである。しかもｐ型層３を円弧状にエッチングすることにより、ｐ型層の面積を無駄なく確保しており、さらにｐ型層３の表面にｐ型層３と電気的に接触した線状電極６を設けることにより、電流がｐ型層に均一に広がる様になっている。」
　
ウ　「【００１５】
  　【実施例】
　以下、一実施例に基づき、図面を参照しながら本考案を詳説する。
　サファイア基板１上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）−アンモニアを用いＭＯＣＶＤ法により、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層２、および厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＮ層３を順に積層した。その断面図を図４に示す。
　　　【００１６】
　次にｐ型層３の上にプラズマＣＶＤ法を用い、保護膜としてＳｉＯ2膜を厚さ１μｍで形成した。その断面図を図５に示す。
　　　【００１７】
　ＳｉＯ2層を形成した後、さらに フォトリソグラフィーによりポジ型フォトレジストを形成し、露光してパターニングを施した。その断面図を図６に示す。
　　　【００１８】
　次に、フォトレジストのパターニングが終了したウエハーをフッ酸に浸漬し、ＳｉＯ2層をフォトレジストと同様のパターンにエッチングした。ウエハーを水洗した後、アセトンで洗浄することによりフォトレジストを剥離した。その断面図を図７に示す。
　　　【００１９】
　パターニングの施されたＳｉＯ2層が現れたウエハーのｐ型層３をドライエッチングした。その断面図を図８に示す。
　　　【００２０】
　残留するＳｉＯ2層を、前述のフッ酸溶液に浸漬することによって除去した後、蒸着およびリフトオフ法により、図９に示すように、ｐ型電極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け、ペレットチェックをウエハー状態で行った後、ダイシングソーでカットして本考案の青色発光素子を得た。なお、ｐ型電極５および線状電極６はフォトレジストをｐ型層上に形成した後、蒸着によって同時に形成した。」
　
エ　上記イで言及されている図１は、次のものである。
　
オ　上記ウで言及されている図９は、次のものである。
　
カ　上記ウには、「図９に示すように、ｐ型電極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け」とあるものの、図９には、ｐ型電極５、線状電極６及びｎ型電極４が示されていない。しかし、図２には、ｐ型電極５、線状電極６及びｎ型電極４が示されている。そこで、以下に図２を掲げる。
　
（２）　甲２発明の認定
ア　請求人は、甲第２号証には、以下の発明（甲２発明）が記載されていると主張する（上記「第５　３　（２）　ア　（ア）」参照。）　
「サファイア基板１上にｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製する方法において、
　前記ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングすると共に、ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し、
　前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致する位置で、エッチング部の線幅よりも細い線幅で、
　前記エッチング部に沿って、ダイシングソーで前記ウエハーをチップ状にカットする
　ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　
　これに対して、審判答弁書の２１頁１５行ないし２２頁下から２行の記載等で、被請求人は、甲２発明の認定について、「甲２発明における『ウエハーのエッチング部の線と合致する位置で、エッチング部の線幅よりも細い線幅で、前記エッチング部に沿って、ダイシングソーで前記ウエハーをチップ状にカットする』との構成のうち、『ウエハーのエッチング部の線と合致する位置で、エッチング部の線幅よりも細い線幅で』との構成は甲第２号証に記載されておらず、甲第２号証の記載から当業者に自明な事項でもない。」旨を主張する。
　そこで、まず、被請求人の上記主張について以下検討する。
　　
イ　甲第２号証における、エッチング後のダイシングに関する記載は、【００２０】の以下の（ア）の記載のみである。
（ア）　「図９に示すように、ｐ型電極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け、ペレットチェックをウエハー状態で行った後、ダイシングソーでカットして本考案の青色発光素子を得た。」
　
（イ）　上記（ア）の記載からは、図９に示された発光素子の、エッチングにより形成された、ｐ型層３からｎ型層２に至る凹部の幅と、ダイシングの幅の大小関係は不明である。
　また、図９における点線が、ダイシングの位置を示すものか否かは不明であるから、図９を見ても、ダイシングの位置が、ウエハーのエッチング部の線と合致する位置にあるか否かは把握できない。
　上記によれば、被請求人の上記主張は妥当なものと認められる。
　
ウ　上記イで検討したとおり、図９における点線が、ダイシングの位置を示すものか否かは不明であるが、図１、図２及び図９を合わせて見れば、図９に示されたウエハーは、エッチング部の位置で、エッチング部に沿って、ダイシングソーでチップ状にカットされて、図１及び図２に示される半導体チップになるものと解される。
　また、請求人と被請求人は、エッチング部のどの位置で（図９の点線の位置か溝の中央寄りか）ダイシングされるかについては争っているが、エッチング部の位置で、エッチング部に沿って、ダイシングされる点は争っていないと認められる。
　
エ　上記ウに鑑み、上記（１）の記載を含む甲第２号証には、請求人のいう甲２発明のダイシングの位置と線幅についての認定を改めた次の発明（以下、新たに「甲２発明」という。）が記載されていると認める。
「サファイア基板１上に、ｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製する方法において、
　前記ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングすると共に、ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し、
　前記ウエハーの前記エッチング部の位置で、
　前記エッチング部に沿って、ダイシングソーで前記ウエハーをチップ状にカットする、
　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　
２　本件発明１と甲２発明との対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
（１）　甲２発明の「サファイア基板１」は、本件発明２の「サファイア基板」に相当し、以下、同様に、
　「ｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハー」は、「窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー」に相当し、
　「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法」は、「窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法」に相当し、
　「ウエハーをチップ状にカットする」は、「ウエハーをチップ状に分離する」に相当する。
　
（２）　甲２発明の「ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングすると共に、ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し」との事項は、線状の凹部が溝といえることから、「ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、該溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」点で、本件発明１の「ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」と共通している。
　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、本件発明１と甲２発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点’＞で相違する。
＜一致点＞
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、
　前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、該溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、
　前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備する窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法。」
　
＜相違点’＞
　本件発明１は、「ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に、第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と、前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備する」と特定されるのに対して、甲２発明は、該特定を有しない点。
　
３　相違点’についての判断
　上記＜相違点’＞について検討する。
（１）　甲第２号証には、サファイア基板１の厚さについての記載はない。サファイア基板１が厚ければ、スクライブ溝を形成して割ることはできないか、割れたとしても、サファイア基板１の厚さ方向に対して斜めに割れた際に、ｎ型層２及びｐ型層３を積層した部分に割れ面が達して該部分を損傷するおそれがある。
　してみると、甲２発明における「ウエーハのエッチング部」は、ウエハーのサファイア基板１側から「ウエーハのエッチング部」と合致する位置で（第二の）割り溝を形成し、「ウエーハのエッチング部」及び前記（第二の）割り溝に沿って、ウエハーをチップ状に分離するための「（第一の）割り溝」として用いることができるものであるかは、定かでない。
　また、上記損傷するおそれがあることは、甲２発明における「ダイシング」を２つの割り溝を用いる分離に置き換えることの阻害要因といえる。
　
（２）　半導体発光素子をスクライブで分離することが記載された刊行物として請求人が提示した甲第３〜５号証のうち、半導体発光素子が窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であるものは、甲第５号証のみである。
ア　甲第５号証には、次の（ア）ないし（エ）の記載がある。
（ア）　「【請求項１】　サファイア基板上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表されるＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、
　前記サファイア基板の厚さを１００〜２５０μｍとし、さらに、前記ウエハーの基板側、もしくは窒化ガリウム系化合物半導体層側、またはその両側をスクライブして切断することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。」
　
（イ）　「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らはその結晶型が六方晶系でへき開性がないため、ダイサーでしかチップ状に切断できなかった窒化ガリウム型化合物半導体ウエハーでも、基板の厚さを最適化することにより、スクライバーで簡単に切断できることを見いだし本発明を成すに至った。」
　
（ウ）　「【００１０】基板を１００μｍ〜２５０μｍにするには研磨器を用いて研磨することにより実現できる。研磨して基板を薄くする時期は窒化ガリウム層を成長させる前でもよいし、成長させた後でもよい。」
　
（エ）　「【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の切断方法によると、へき開性を有していないため従来、ダイサーでしか切断できなかった窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを歩留良く切断できる。また、ダイサーで切断するのと比較して、ダイサーは刃の回転によりウエハーを削り取って切断するのに対し、スクライバーはウエハー表面、裏面等から傷をつけて、その箇所から押し割るだけであるので作業工程の時間が短くて済み、しかもスクライバーの刃はダイサーの刃に比較して非常に細いため、切断した際に削り取る体積が少なくて済むことにより、小さいサイズのチップを得る場合、単位面積あたりの収率も向上する。」
　
（オ）　上記（ア）ないし（エ）の記載によれば、甲第５号証には、へき開性を有していないため、従来ダイサーでしか切断できなかった窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを、基板の厚さを研磨して薄くすることで、スクライブにより切断する発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
イ　甲２発明の「『ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングすると共に、ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し』た『前記ウエハーのエッチング部』」は、「ウエハーがチップに分離される際の境界」及び「電極を形成する面」として機能するものであって、そもそもウエハーをチップに分離するための「割り溝」ではない。
　よって、当業者が、甲２発明に甲５発明を適用し、甲２発明における「ウエハーのエッチング部の位置で、前記エッチング部に沿って、、ダイシングソーでウエハーをチップ状にカットする」手順を、「サファイア基板を研磨してスクライブにより切断できる厚さまで薄くした上で、ウエハーのエッチング部の位置で、前記エッチング部に沿って、スクライブにより前記ウエハーをチップ状にカットする」手順に置き換えるを想到し得たとしても、甲２発明における「ウエハーのエッチング部」を「第一の割り溝」とした上で、「ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成し、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する」ことまで想到し得たとはいい難い。
　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、甲１発明において、本件発明１の上記＜相違点’＞に係る構成を備えることを、当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
　よって、本件発明１は、当業者が甲２発明及び周知技術に基づいて容易に発明することができたものとは認められない。
　
４　本件発明２ないし本件発明４について  
　本件発明２ないし本件発明４は、それぞれ、本件発明１が記載された請求項１を引用する請求項２ないし請求項４に記載された発明であり、本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない以上、本件発明２ないし本件発明４が、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないことは明らかである。 
　 
５　無効理由２についてのまとめ  
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし本件発明４についての特許は
、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではないので、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。
　 　  
第１０　むすび  
 　以上のとおり、請求人が主張する無効理由によっては、本件発明１ないし本件発明４についての特許を無効とすることはできない。  
 　 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。