【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
ソース電極とドレイン電極との間の半導体膜に活性領域を有するヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）を備え、ゲート電極は前記活性領域の一部分の上にあり、前記活性領域の伝導チャネルを変調するように構成され、さらに、
前記ゲート電極の上の第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上の第１のゲートフィールドプレートとを備え、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極の上方にあり、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極から分離しており、前記第１のパッシベーション膜は、前記ゲート電極と前記第１のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第１のゲートフィールドプレートの上の第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上の第２のゲートフィールドプレートとを備え、前記第２のパッシベーション膜は、前記第１のゲートフィールドプレートと前記第２のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第２のゲートフィールドプレートの上のカプセル膜と、
前記カプセル膜上の第１の金属パターンとを備え、
前記第１の金属パターンは、前記ソース電極に電気的に接続されるシールドラップを含み、
前記シールドラップは、前記活性領域の大部分を被覆し、
前記第１のゲートフィールドプレートおよび前記第２のゲートフィールドプレートは各々、前記ソース電極に近接した第１の端縁と、前記ドレイン電極に近接した第２の端縁とを含み、
前記シールドラップは、前記第１のゲートフィールドプレートおよび前記第２のゲートフィールドプレートの各々の前記第１の端縁および前記第２の端縁と重なる、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の金属パターンにギャップが規定され、前記ギャップは、前記ドレイン電極に接続される前記第１の金属パターンの一部分から前記シールドラップを分離する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ギャップは前記活性領域の上に形成されない、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ドレイン電極から前記ソース電極までの距離は、前記ギャップの幅より５〜６倍大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のゲートフィールドプレートは、前記第１のパッシベーション膜上の第２の金属パターンによって規定される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のゲートフィールドプレートは、前記第２のパッシベーション膜上の第３の金属パターンによって規定される、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記シールドラップは前記活性領域の少なくとも７５％を被覆する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記シールドラップは前記活性領域全体を被覆する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記活性領域の少なくとも７５％は、前記シールドラップまたは前記第２の金属パターンによって、個々にまたは組合せて被覆される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記活性領域全体は、前記シールドラップまたは前記第２の金属パターンによって、個々にまたは組合せて被覆される、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ゲート電極は複数のパッシベーション膜の上にある、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体装置であって、
基板と、
前記基板上のバッファ層と、
前記バッファ層の活性領域にチャネルを作成するように構成された、前記バッファ層上の半導体膜と、
前記半導体膜に接触するソース電極と、
前記半導体膜に接触するドレイン電極とを備え、前記バッファ層内の前記活性領域は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にあり、さらに、
前記活性領域のチャネルを変調するように構成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の上の第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上の第１のゲートフィールドプレートとを備え、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極の上方にあり、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極から分離しており、前記第１のパッシベーション膜は、前記ゲート電極と前記第１のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第１のゲートフィールドプレートの上の第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上の第２のゲートフィールドプレートとを備え、前記第２のパッシベーション膜は、前記第１のゲートフィールドプレートと前記第２のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第２のゲートフィールドプレートの上のカプセル膜と、
前記ソース電極に電気的に接続された前記カプセル膜上のシールドラップとを備え、
前記シールドラップは、前記活性領域の大部分を被覆し、
前記第１のゲートフィールドプレートおよび前記第２のゲートフィールドプレートは各々、前記ソース電極に近接した第１の端縁と、前記ドレイン電極に近接した第２の端縁とを含み、
前記シールドラップは、前記第１のゲートフィールドプレートおよび前記第２のゲートフィールドプレートの各々の前記第１の端縁および前記第２の端縁と重なる、半導体装置。
【請求項１３】
前記パッシベーション膜と前記カプセル膜との間に配置された複数のパッシベーション膜をさらに備え、前記複数のパッシベーション膜は、部分的に前記第２のパッシベーション膜上にある、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記シールドラップは前記活性領域の少なくとも７５％を被覆する、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記シールドラップは、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ソース電極と電気接触し、
前記第１の金属パターンはさらに、前記カプセル膜上にドレイン接続を含み、前記ドレイン接続は、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ドレイン電極と電気接触する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記シールドラップと前記ドレイン接続との間の前記第１の金属パターンにギャップが規定され、前記ギャップは誘電体で充填される、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記ギャップは窒化ケイ素で充填される、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記シールドラップは、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ソース電極と電気接触し、
前記半導体装置はさらに、前記カプセル膜上にドレイン接続を含み、前記ドレイン接続は、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ドレイン電極と電気接触する、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記シールドラップと前記ドレイン接続との間にギャップが規定され、前記ギャップは誘電体で充填される、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記ギャップは窒化ケイ素で充填される、請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
半導体装置であって、
ソース電極とドレイン電極との間の半導体膜に活性領域を有するヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）を備え、ゲート電極は前記活性領域の一部分の上にあり、前記活性領域の伝導チャネルを変調するように構成され、さらに、
前記ゲート電極の上の第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上の第１のゲートフィールドプレートとを備え、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極の上方にあり、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極から分離しており、前記第１のパッシベーション膜は、前記ゲート電極と前記第１のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第１のゲートフィールドプレートの上の第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上の第２のゲートフィールドプレートとを備え、前記第２のパッシベーション膜は、前記第１のゲートフィールドプレートと前記第２のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第２のゲートフィールドプレートの上のカプセル膜と、
前記カプセル膜上の第１の金属パターンとを備え、
前記第１の金属パターンは、前記ドレイン電極に電気的に接続されるシールドラップを含み、
前記シールドラップは、前記活性領域の大部分を被覆し、
前記第１のゲートフィールドプレートおよび前記第２のゲートフィールドプレートは各々、前記ソース電極に近接した第１の端縁と、前記ドレイン電極に近接した第２の端縁とを含み、
前記シールドラップは、前記第２のゲートフィールドプレートの前記第２の端縁と重なる、半導体装置。
【請求項２２】
前記第１の金属パターンにギャップが規定され、前記ギャップは、前記ソース電極に接続される前記第１の金属パターンの一部分から前記シールドラップを分離する、請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記シールドラップは、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ドレイン電極と電気接触し、
前記第１の金属パターンはさらに、前記カプセル膜上にドレイン接続を含み、前記ドレイン接続は、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ドレイン電極と電気接触する、請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記シールドラップと前記ソース接続との間の前記第１の金属パターンにギャップが規定され、前記ギャップは誘電体で充填される、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
半導体装置であって、
基板と、
前記基板上のバッファ層と、
前記バッファ層の活性領域にチャネルを作成するように構成された、前記バッファ層上の半導体膜と、
前記半導体膜に接触するソース電極と、
前記半導体膜に接触するドレイン電極とを備え、前記バッファ層内の前記活性領域は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にあり、さらに、
前記活性領域のチャネルを変調するように構成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の上の第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上の第１のゲートフィールドプレートとを備え、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極の上方にあり、前記第１のゲートフィールドプレートは前記ゲート電極から分離しており、前記第１のパッシベーション膜は、前記ゲート電極と前記第１のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第１のゲートフィールドプレートの上の第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上の第２のゲートフィールドプレートとを備え、前記第２のパッシベーション膜は、前記第１のゲートフィールドプレートと前記第２のゲートフィールドプレートとの間に配置され、さらに、
前記第２のゲートフィールドプレートの上のカプセル膜と、
前記ドレイン電極に電気的に接続された前記カプセル膜上のシールドラップとを備え、
前記シールドラップは、前記活性領域の大部分を被覆し、
前記第１のゲートフィールドプレートおよび前記第２のゲートフィールドプレートは各々、前記ソース電極に近接した第１の端縁と、前記ドレイン電極に近接した第２の端縁とを含み、
前記シールドラップは、前記第２のゲートフィールドプレートの前記第２の端縁と重なる、半導体装置。
【請求項２６】
前記シールドラップは、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ドレイン電極と電気接触し、
前記半導体装置はさらに、前記カプセル膜上にソース接続を含み、前記ソース接続は、前記カプセル膜を通過するバイアを介して前記ソース電極と電気接触する、請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記シールドラップと前記ソース接続との間にギャップが規定され、前記ギャップは誘電体で充填される、請求項２６に記載の半導体装置。