(57)【要約】  本明細書に記載されているはんだ材料およびドーパントは、少なくとも１種のはんだ材料、少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含む。ドープされたはんだ材料を形成する方法は、ａ）少なくとも１種のはんだ材料を準備すること、ｂ）少なくとも１種のリン系ドーパントを準備すること、ｃ）少なくとも１種の銅系ドーパントを準備すること、およびｄ）前記少なくとも１種のはんだ材料、前記少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントをブレンドして、ドープされたはんだ材料を形成することを含む。本明細書には、層状の材料も記載されており、それは、ａ）表面または基板、ｂ）電気的相互接続、ｃ）本明細書に記載されているものなどの少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含むはんだ材料、およびｄ）半導体ダイまたは半導体パッケージを含む。本明細書に記載されているはんだ材料および／または層状材料を含む、電子コンポーネントおよび半導体コンポーネントも企図されている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のはんだ材料、
少なくとも１種のリン系ドーパント、および
少なくとも１種の銅系ドーパントを含む、ドープされたはんだ材料。
【請求項２】
少なくとも１種のはんだ材料が、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、銀被覆アルミニウムまたはこれらの組合せを含む請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項３】
少なくとも１種のはんだ材料が、鉛−錫合金、インジウム錫（ＩｎＳｎ）化合物および合金、インジウム銀（ＩｎＡｇ）化合物および合金、インジウム系化合物、錫銀銅化合物および合金（ＳｎＡｇＣｕ）、錫ビスマス化合物および合金（ＳｎＢｉ）、アルミニウム系化合物および合金ならびにこれらの組合せを含む請求項２に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項４】
鉛−錫合金が、鉛（３７％）−錫（６３％）共晶合金を含む請求項３に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項５】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして約１００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項６】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして約７０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項５に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項７】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして約６０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項６に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項８】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として約８００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項９】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として約６００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項８に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１０】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として約５００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項９に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１１】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜１００ｐｐｍおよび銅として約２５〜８００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１２】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜７０ｐｐｍおよび銅として約２５〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１３】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約２０〜６０ｐｐｍおよび銅として約４０〜６００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１４】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約３０〜６０ｐｐｍおよび銅として約３００〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１５】
少なくとも１種のはんだ材料を準備し、
少なくとも１種のリン系ドーパントを準備し、
少なくとも１種の銅系ドーパントを準備し、および
前記少なくとも１種のはんだ材料、前記少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントをブレンドしてドープされたはんだ材料を形成することからなる、ドープされたはんだ材料を形成する方法。
【請求項１６】
少なくとも１種のはんだ材料が、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、銀被覆アルミニウムまたはこれらの組合せを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１種のはんだ材料が、鉛−錫合金、インジウム錫（ＩｎＳｎ）化合物および合金、インジウム銀（ＩｎＡｇ）化合物および合金、インジウム系化合物、錫銀銅化合物および合金（ＳｎＡｇＣｕ）、錫ビスマス化合物および合金（ＳｎＢｉ）、アルミニウム系化合物および合金ならびにこれらの組合せを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
鉛−錫合金が、鉛（３７％）−錫（６３％）共晶合金を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして１００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして７０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして６０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として８００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として６００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として５００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜１００ｐｐｍおよび銅として約２５〜８００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜７０ｐｐｍおよび銅として約２５〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約２０〜６０ｐｐｍおよび銅として約４０〜６００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約３０〜６０ｐｐｍおよび銅として約３００〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２９】
表面または基板、
電気的相互接続、
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含むはんだ材料、および
半導体ダイまたはパッケージを含む層状化された材料。
【請求項３０】
請求項１に記載のドープされたはんだ材料を含む電子コンポーネント。
【請求項３１】
請求項１に記載のドープされたはんだ材料を含む半導体コンポーネント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、電子コンポーネント、半導体コンポーネントおよびその他の関連する層状材料用途における熱的相互接続系、熱的界面系および界面材料である。
【背景技術】
【０００２】
電子コンポーネントは、絶えず増加しつつある消費者向けおよび市販の電子製品で使用される。これらの消費者向けおよび市販製品の一部の例は、テレビジョン、パーソナルコンピューター、インターネットサーバー、携帯電話、ページャー、電子手帳、ポータブルラジオ、カーステレオ、リモートコントロールである。これらの消費者向けおよび市販電子製品の需要が増すにつれて、同じくこれらの製品が、消費者や企業にとって、より小型、より機能的、かつより携帯しやすくなることも要求されている。
【０００３】
これらの製品の寸法が小さくなると、製品を構成するコンポーネントもより小型化しなければならない。こうした寸法を縮小すなわち小型化する必要のあるコンポーネントの一部の例は、プリント回路、配線板、抵抗器、配線、キーボード、タッチパッド、およびチップパッケージである。
【０００４】
したがって、より小型の電子コンポーネントに対する要求に応じられるように、コンポーネントの小型化を可能にする、組み立て用のよりよい材料、中間材料、機械および方法があるかどうか判断するために、コンポーネントが分析、精査されている。組み立て用のよりよい材料、機械および方法があるかどうかを判断する方法の一部は、コンポーネントの組み立て集成用の製作装置および製作方法が、どのように機能するかを詳細に調べることである。
【０００５】
電子的相互接続を必要とするコンポーネントには、２つのコンポーネント間に電子的相互接続をもたらすことが可能な球、ボール、粉末、予備成形品またはその他のはんだ系構成材料が利用される。ＢＧＡ球の場合は、パッケージとプリント回路板（ボード）の間の電気的相互接続および／または半導体ダイとパッケージやボードの間の電気的相互接続を、この球が形成する。球がボード、パッケージまたはダイに接触する場所は、ボンドパッドと呼ばれる。はんだがリフローしている間の、ボンドパッド金属と球の相互作用は、接合部の品質を決定する可能性があり、相互作用または反応が少ないと、ボンドパッドのところで不良になりやすい接合部になってしまう。ボンドパッド金属の反応または相互作用が多すぎると、脆性の金属間化合物または金属間化合物の形成に由来する望ましくない生成物が過剰に形成されることによって、同じ問題を生じる可能性がある。
【０００６】
本明細書に示したはんだの問題点を、修正および／または軽減するいくつかの手法がある。たとえば、日本特許ＪＰ０７１９５１８９Ａでは、ＢＧＡ球中のドーパントとしてビスマス、銅およびアンチモニーを同時に使用して接合部の完全性を改善している。リンは添加してもしなくてもよいが、この特許での結果は、リンの添加が良好には機能しなかったことを示している。リンは、他の成分と比較して高い重量パーセントで添加した。銅の濃度は１００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲であった。
【０００７】
Ｃ．Ｅ．Ｈｏらの「Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  Ｃｕ  Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ  ｏｎ  ｔｈｅ  ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ｂｅｔｗｅｅｎ  Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ  ｓｏｌｄｅｒｓ  ａｎｄ  Ｎｉ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．３１，Ｎｏ  ６，５８４頁、２００２年ならびにＣ．Ｒ．ＫａｏおよびＣ．Ｅ．Ｈｏの中国特許第１４９０９６１号（２００１年３月２３日）では、ＥＮＩＧボンドパッド上のＳｎ−Ｐｂ共晶の性能改善に対する、銅添加の効果を研究している。２０００ｐｐｍ未満のＣｕを含む組成は研究されていない。
【０００８】
Ｊｅｏｎらの「Ｓｔｕｄｉｅｓ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ−Ｓｏｌｄｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ａｎｄ  Ｔｈｅｉｒ  Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｎ  Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｊｏｉｎｔ  Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，５２０〜５２８頁、Ｖｏｌ．３１，Ｎｏ  ５、２００２年およびＪｅｏｎらの「Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｓｎ３．５Ａｇ  ａｎｄ  Ｓｎ４．０Ａｇ０．５Ｃｕ  ａｎｄ  Ｓｎ０．７Ｃｕ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉ−Ｐ  ＵＢＭｓ」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ＩＥＥＥ、１２０３頁、２００３年は、金属間化合物の成長は純粋なニッケルのボンドパッド上の方が、無電解ニッケルのボンドパッド上よりも速いことを考察している。０．５％（５０００ｐｐｍ）以上の濃度での銅の利点も、両方の論文で研究され考察されている。
【０００９】
Ｚｈａｎｇらの「Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ／ＵｎｄｅｒＢｕｍｐ  Ｍｅｔａｌｌｉｚａｉｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ｉｎ  Ｆｌｉｐ−Ｔｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅｓ  ｄｕｒｉｎｇ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｒｅｆｌｏｗ  Ｃｙｃｌｅｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ３，１２３〜１３０頁、２００３年は、金属間化合物の消耗速度の低下に対して、リンからの影響はないことを示している（これはＪｅｏｎ論文とは相反する）。Ｓｈｉｎｇ  Ｙｅｈの「Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄｏｐｅｄ  Ｅｕｔｅｃｔｉｃ  Ｔｉｎ−Ｌｅａｄ  Ｂｕｍｐ  ｆｏｒ  Ｐｏｗｅｒ  Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ＩＥＥＥ，３３８頁、２００３年は、１％の銅添加がニッケル層の消耗を減少させたと指摘している。
【００１０】
Ｎｉｅｄｒｉｃｈの特許および特許出願（欧州特許出願第０４００３６３Ａ１号、欧州特許０４００３６３Ｂ１号および米国特許第５０１１６５８号）は、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎはんだ中でドーパントとして使用された銅が、銅のボンドパッドまたはコネクターの消耗を最小限にすることを示している（すなわち、ニッケルのバリア層は使用されていない）。はんだ中の銅は、銅コネクターの固溶を減少させることが見出された。Ｎｉｅｄｒｉｃｈは、銅を使用して、銅金属間化合物または（Ｃｕ，Ｎｉ）Ｓｎ金属間化合物を形成させることによって、ニッケルバリア層の相互作用を抑制している。Ｎｉｅｄｒｉｃｈの特許は、それらの銅の使用において、銅を０．５重量％より多い量ではんだに添加して、精密はんだ作業中に鉄チップをはんだ付けする銅の固溶を最小限に抑える米国特許第２６７１８４４号に非常に類似している。
【００１１】
Ｏｚａｋｉの発行済み米国特許第４９３８９２４号は、２０００〜４０００ｐｐｍの銅添加が、Ｓｎ−３６Ｐｂ−２Ａｇ合金の濡れと接合の長期信頼性を改善すると指摘した。日本特許第６０１６６１９１Ａ号「Ｓｏｌｄｅｒ  Ａｌｌｏｙ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｔｏ  Ｆａｔｉｇｕｅ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ」は、耐疲労性を改善するために３００〜５０００ｐｐｍの銅を添加したＳｎＢｉＰｂ合金を開示している。
【００１２】
発行済み米国特許第６３０７１６０号は、無電解ニッケル／浸漬金（ＥＮＩＧ）ボンドパッド上のＳｎＰｂ共晶合金の接合強度を改善するための、少なくとも２％のインジウムの使用を教示している。
【００１３】
発行済み米国特許第４６９５４２８号「はんだ組成物」は、配管接続に使用する無鉛はんだ組成物を開示している。使用されている銅濃度は１０００ｐｐｍを超えており、液相線、固相線、流動性およびはんだ表面仕上げの改善のために合金化添加物としてその他の元素も数種類添加されている。
【００１４】
発行済み米国特許第２３０３１９３Ａ号は、はんだのクリープ抵抗性を改善するための、ＣｄおよびＳｂに加えて、０．１〜１．５％のＣｕ（１０００〜１５０００ｐｐｍ  Ｃｕ）の添加を教示している。この参照文献は、特に「示した量より少ない銅では、通常の鉛−錫合金を超えて大幅に耐久性を改善するには実質的に十分ではない」とはっきり述べている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
したがって、引き続き必要なことは、ａ）はんだ材料を開発し、かつはんだ全体としての特性に対して有害な作用を持たず、しかもニッケルバリア層の消耗を遅くし、それ故に、リフロー中およびリフロー後の熱エージングの間中ずっと結合の完全さが維持されるように、リンに富んだ層の成長を遅くする、はんだ用ドーパントを開発すること、ｂ）製造コストを最小限に抑え、電気的接続を組み込んだ製品の品質を最大限に高めつつ、顧客の仕様を満たす電気的接続を設計し製造すること、ならびにｃ）電気的相互接続およびそれらの相互接続を含むコンポーネントを製造する信頼性のある方法を開発することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本明細書に記載するはんだ材料およびドーパントは、少なくとも１種のはんだ材料、少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含む。ドープされたはんだ材料を形成する方法は、ａ）少なくとも１種のはんだ材料を準備すること、ｂ）少なくとも１種のリン系ドーパントを準備すること、ｃ）少なくとも１種の銅系ドーパントを準備すること、およびｄ）前記少なくとも１種のはんだ材料、前記少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントをブレンドしてドープされたはんだ材料を形成することを含む。
【００１７】
本明細書には、層状の材料も記載され、それは、ａ）表面または基板、ｂ）電気的相互接続、ｃ）本明細書に記載されるものなどの少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含むはんだ材料、およびｄ）半導体ダイまたは半導体パッケージを含む。本明細書に記載されるはんだ材料および／または層状材料を含む、電子コンポーネントおよび半導体コンポーネントも企図される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
先に記載した参照文献とは違って、ドープされたはんだ材料およびはんだ用ドーパントが開発され、本明細書に記載されている。それらは、はんだ全体としての特性に対して有害な作用を持たず、しかもニッケルバリア層の消耗を遅くし、それ故に、リフロー中およびリフロー後の熱エージングの間中ずっと結合の完全さが維持されるように、リンに富んだ層の成長を遅くする。このはんだ用ドーパントは、ａ）製造コストを最小限に抑え、電気的接続を組み込んだ製品の品質を最大限に高めつつ、顧客の仕様を満たす電気的接続を設計し製造すること、ならびにｂ）電気的相互接続およびそれらの相互接続を含むコンポーネントを製造する信頼性のある方法を開発することという２つの目標を満たす。
【００１９】
ＢＧＡ球などの電気的相互接続が通常結合される基板、パッケージまたはボード上にメタライゼーションされるものは、普通は銅である。銅はほとんどのはんだの主成分（錫）と急速に反応してＣｕ−Ｓｎ金属間化合物を形成し、これは急速に成長して界面からの剥離または破断を起こす可能性がある。この破断は、はんだ接合部の強度および完全性を低下させる。
【００２０】
ボンドパッドの消耗を減少させるために、ＳｎとＣｕの直接接触を防止するバリア層が利用される。これらの追加された層は、ボンドパッド金属またはアンダーバンプ金属（ＵＢＭ）と呼ばれることが多い。ＢＧＡ球に対するボンドパッド金属には、通常、銅に対するバリア層を備えるためにはニッケルメッキを、また、はんだ性を維持するためには金の薄い被膜の使用を必要としてきた。ニッケルは、Ｓｎと相互作用して金属間化合物を形成するが、金属間化合物の成長速度は、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物の成長速度より大幅に遅い。歴史的には、電解ニッケルメッキが使われてきた。この種のメッキでは、ニッケル付着物はかなり純粋であり、リンなどの望ましくない元素の共着はわずかである。
【００２１】
製造コストを低下させるために、新しい種類のメッキすなわち無電解ニッケル（ＥＮ）に続いて浸漬金（ＩＧ）が実施されている。無電解ニッケルの付着浴は、通常、次亜リン酸塩（Ｈ２ＰＯ２−）溶液の使用を必要とし、それがＥＮ被膜中に７〜１５原子％レベルのリンの共着をもたらす。この追加されたリンが、ＩＧメッキ、およびリフローまたはそれに続く熱サイクルの間に問題を起こす可能性がある。より低いリン含有量の被膜はＩＧメッキの間の耐腐食性が乏しいので、ユーザーはより高いリン付着量を目指す必要がある。
【００２２】
はんだリフローの間に、薄いＩＧ被膜はほとんど瞬間的に固溶する。次に、はんだ中の錫がＥＮ被膜中のニッケルと反応してＮｉ−Ｓｎ金属間化合物が形成される。リンはこの金属間化合物の形成には関与せず、それゆえ高温で金属間化合物が成長するにつれて、リンがますます金属間化合物の界面に排斥される。このリンは、リンに富む薄いＮｉ−Ｐ層に蓄積してそれがはんだ接合部を弱くする、あるいは結晶性のＮｉ−Ｐとなって蓄積してこれもはんだ接合部を弱くするという可能性がある。はんだ接合部の破損は、このリンに富む層を通じて生じる。この種の破損は、破損によって露出するリンに富む層が、黒っぽい外観を有することがあるので、当業界では「ブラックパッド」として知られている。金属間化合物は、接合部が高温にさらされると、固体の状態でも急速に成長しうるので、はんだリフローの直後には良好に見えた接合部を熱エージングさせたものにさえ、これらの破損が生じる。
【００２３】
本明細書で企図されているはんだ材料およびドーパントは、少なくとも１種のはんだ材料、少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含む。本明細書に記載するドープされたはんだ材料を形成する方法は、ａ）少なくとも１種のはんだ材料を準備すること、ｂ）少なくとも１種のリン系ドーパントを準備すること、ｃ）少なくとも１種の銅系ドーパントを準備すること、およびｄ）前記少なくとも１種のはんだ材料、前記少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントをブレンドして、ドープされたはんだ材料を形成することを含む。企図された実施形態では、はんだ合金または、はんだ材料に添加される銅およびリンのドーパントは、無電解ニッケル（ＥＮ）でメッキされたバリア層の消耗を軽減する。ドーパントは、同じく本出願人が所有し、その全体を参照により本明細書に組み入れる、発行済み米国特許第６５７９４７９号に記載されたものなどの方法によって、粉末、ペースト、インゴット、ワイヤー、予備成形物またはＢＧＡ球を製造するために使用することができる、はんだ合金に添加される。
【００２４】
本明細書では、層状の材料も企図されており、それは、ａ）表面または基板、ｂ）電気的相互接続、ｃ）本明細書に記載されるものなどのリン系ドーパントおよび銅系ドーパントを含むはんだ材料、およびｄ）半導体ダイまたは半導体パッケージを含む。企図されている表面は、プリント回路板または適当な電子コンポーネントを含む。本明細書に記載されているはんだ材料および／または層状材料を含む、電子コンポーネントおよび半導体コンポーネントも企図されている。
【００２５】
本明細書に記載の企図されている実施形態は、引用されている参照文献と、添加される合金化添加物の濃度およびはんだに対する添加物としてリンを使用することが異なっており、しかも驚くほど有効だということである。先に本明細書で引用したＪｅｏｎの文献など、金属間化合物層の消耗を軽減するための、はんだ中の高濃度の銅は、複数の文献に示されている。本発明で利用する濃度は、２．５分の１から１０分の１未満である。Ｈｏの研究は、銅組成が０．２％（２０００ｐｐｍ）未満の場合には、異なる金属間化合物がニッケル／はんだ界面に形成されることを示している。本発明で主題として提示している濃度での銅とリンの組合せは、どこにも言及されていない。ニッケルの消耗を軽減する機序は、それぞれの元素について異なる。
【００２６】
また、先に本明細書で記載したＮｉｅｄｒｉｃｈの特許は、ニッケルとバリア層の相互作用を、銅金属間化合物または（Ｃｕ，Ｎｉ）Ｓｎ金属間化合物の形成によって、抑制するために銅を使用している。Ｎｉｅｄｒｉｃｈの特許は、それらの銅の使用において、銅を、０．５重量％を超える量ではんだに添加して、精密はんだ作業中に鉄チップをはんだ付けする銅の固溶を最小限に抑える米国特許第２６７１８４４号に、非常に類似している。これらの銅添加は共に、本明細書で企図されている量よりも大幅に多いことが必要である。同じことがＯｚａｋｉの特許についても真実であり、そこでも銅の添加は本明細書で企図されている量よりも大幅に多い。
【００２７】
はんだ材料は、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、銀被覆アルミニウムまたはこれらの組合せなど、どの適当なはんだ材料、合金または金属でもよい。好ましいはんだ材料は、鉛（３７％）−錫（６３％）共晶合金を含む鉛−錫合金、インジウム錫（ＩｎＳｎ）化合物および合金、インジウム銀（ＩｎＡｇ）化合物および合金、インジウム系化合物、錫銀銅化合物（これはすでに銅を含む）および合金（ＳｎＡｇＣｕ）、錫ビスマス化合物および合金（ＳｎＢｉ）、アルミニウム系化合物および合金、ならびにこれらの組合せを含む。本明細書で使用する「金属」という用語は、元素の周期律表のｄ−ブロックおよびｆ−ブロックにある元素ならびに金属様の性質を有するケイ素およびゲルマニウムなどの元素を含む。本明細書で使用する「ｄ−ブロック」という語句は、元素の核を取り囲む３ｄ、４ｄ、５ｄ、および６ｄ軌道を満たす電子を有する原素を意味する。本明細書で使用する「ｆ−ブロック」は、元素の原子核を取り囲む４ｆおよび５ｆ軌道を満たす電子を有する原素を意味し、ランタニドおよびアクチニドを含む。好ましい金属は、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、ならびに銀被覆アルミニウムなどを含む。「金属」という用語は、合金、金属／金属複合材料、金属セラミック複合材料、金属ポリマー複合材料、ならびに他の金属複合材料をも含む。本明細書で使用する「化合物」という用語は、一定の組成を有する物質であって、化学的処理で原子に分解することが可能なものを意味する。
【００２８】
企図されているドーパントは、少なくとも１種のリン系化合物／ドーパントおよび少なくとも１種の銅系化合物／ドーパントを含む。本明細書で企図されているドーパント濃度は、リンについては約１００ｐｐｍよりも低く、銅については約８００ｐｐｍよりも低い。一部の実施形態では、企図されているドーパント濃度は、リンについては約１０〜１００ｐｐｍ、銅は約２５〜８００ｐｐｍである。一部の実施形態では、ドーパント濃度は、リンについては１０〜７０ｐｐｍ、銅は約２５〜５００ｐｐｍであると企図されている。他の実施形態では、ドーパント濃度は、リンについては約２０〜６０ｐｐｍ、銅は約４０〜６００ｐｐｍであると企図されている。さらに他の実施形態では、ドーパント濃度は、リンについては約３０〜６０ｐｐｍ、銅は約３００〜５００ｐｐｍであると企図されている。
【００２９】
ドーパント材料は、鋳込みの間にはんだ主成分に直接添加することもありうる。少量のドーパントを使用する場合は、ドーパント濃度をよりよく管理できるように、マスター合金を作り、それをドープされていないはんだで希釈することが好ましいことがある。
【００３０】
少なくとも１種のはんだ材料、少なくとも１種のリン系化合物／ドーパントおよび／または少なくとも１種の銅系化合物／ドーパントは、任意の適当な方法で準備すればよく、
ａ）少なくとも１種のはんだ材料、少なくとも１種のリン系化合物／ドーパント、および／または少なくとも１種の銅系化合物／ドーパントを購入すること、供給者、ｂ）少なくとも１種のはんだ材料の少なくとも一部分、少なくとも１種のリン系化合物／ドーパントおよび／または少なくとも１種の銅系化合物／ドーパントを調製または製造すること、他の供給源から提供される化学製品を使用する社内供給者、および／またはｃ）少なくとも１種のはんだ材料、少なくとも１種のリン系化合物／ドーパント、および／または少なくとも１種のリン系化合物／ドーパントを調製または製造すること、社内でまたは同所で製造または提供される化学製品を使用する社内供給者が含まれる。
【００３１】
本明細書に記載するはんだ材料、球およびその他の関連材料は、はんだペースト、ポリマーはんだならびにその他のはんだを主成分とする製剤および材料の製造にも使用することができ、そのような製品の例は、下記のＨｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．の発行済みおよび審査中の出願で、同じく本出願人が所有するもので見られ、これらの全体を本明細書に組み込む。米国特許出願第０９／８５１１０３号、第６０／３５７７５４号、第６０／３７２５２５号、第６０／３９６２９４号、第０９／５４３６２８号およびＰＣＴ審査中出願第ＰＣＴ／ＵＳ０２／１４６１３号ならびにすべての関連する継続出願、分割出願、一部継続出願および外国出願。本明細書に記載するはんだ材料、塗布組成物およびその他の関連する材料は、コンポーネントとしてまたは電子製品、電子コンポーネントおよび半導体コンポーネントの組み立てのためにも使用することができる。企図された実施形態では、本明細書に記載する合金は、ＢＧＡ球を製造するために使用することができ、バンプ付きまたはボール付きのダイなどのＢＧＡ球を含む電子組み立て品、パッケージまたは基板で利用することができ、また陽極、ワイヤー、ペーストとして使用することができ、あるいは浴の形態でも使用することができる。
【００３２】
また企図された実施形態では、ドープされていない球と類似の方法で、球をパッケージ／基板またはダイに付けてリフローする。ドーパントは、ＥＮ被膜の消耗を遅くし、完全性の高い（強度の高い）接合部となる。
【００３３】
電子製品は、産業でまたはその他の消費者がすぐに使えるという意味で「完成させる」ことができる。完成した消費者製品の例は、テレビジョン、コンピューター、携帯電話、ページャー、電子手帳、ポータブルラジオ、カーステレオ、およびリモートコントロールである。同様に企図されているものは、サーキットボード、チップパッケージ、およびキーボードなどの「中間製品」であり、完成品中で利用される可能性がある。
【００３４】
電子製品はまた、概念モデルから最終的なスケールアップ／モックアップ（実物大模型）に至る、開発のあらゆる段階でのプロトタイプコンポーネントをも含む。プロトタイプは、完成品で意図されている実際のコンポーネントをすべて含むこともあれば含まないこともあり、プロトタイプは、複合材料で組み立てられた一部のコンポーネントを有することがあり、初期の試験中に、それが他のコンポーネントに及ぼす初期効果を打ち消すためである。
【００３５】
本明細書で使用する「電子コンポーネント」という用語は、ある所望の電気的作用を得るために回路中で使用することができる、あらゆるデバイスまたは部品を意味する。本明細書で企図されている電子コンポーネントは、能動的コンポーネントと受動的コンポーネントに分類することを含めて、多くの異なる方法で分類することができる。能動的コンポーネントは、増幅、発振、または信号制御など、何らかのダイナミック（動的）な機能を果たしうる電子コンポーネントであり、普通は作動に電源を必要とする。例は、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、および集積回路である。受動的コンポーネントは作動がスタティック（静的）な電子コンポーネントであり、すなわち通常は増幅または発振の能力はなく、特有の作動には電源を必要としない。例は、通常の抵抗器、キャパシタ、インダクタ、ダイオード、整流器およびヒューズである。
【００３６】
本明細書で企図されている電子コンポーネントは、導電体、半導体、絶縁体に分類することもできる。ここで、導電体は、電荷キャリヤ（電子など）が電流の場合のように原子の間を容易に動くことが可能なコンポーネントである。導電体コンポーネントの例は、金属を含む回路トレースおよびバイアスである。絶縁体は、その機能が、他のコンポーネントと電気的に分離するために使用する材料など電流の伝導にきわめて抵抗性である材料の能力と実質的に関連するコンポーネントである。半導体は、導電体と絶縁体の中間の自然抵抗性をもって電流を伝導する材料の能力と実質的に関連する機能を有するコンポーネントである。半導体コンポーネントの例は、トランジスタ、ダイオード、一部のレーザー、整流器、サイリスタ、および光センサーである。
【００３７】
本明細書で企図されている電子コンポーネントは、電源と電力消費体に分類することもできる。電源コンポーネントは、通常、他のコンポーネントに電力を与えるために使用され、バッテリー、キャパシタ、コイル、および燃料電池を含む。本明細書で使用する「バッテリー」は、有効な量の電力を化学反応によって発生するデバイスである。同様に、再充電可能な電池すなわち二次電池は、有効な量の電気エネルギーを化学反応によって貯蔵するデバイスである。電力消費コンポーネントは、抵抗器、トランジスタ、ＩＣ、センサー、および類似のものを含む。
【００３８】
本明細書で企図されている電子コンポーネントは、さらに、個別か、集積されているかで分類することもできる。個別のコンポーネントは１つの特定の電気的性質を回路中の１カ所に集中して提供するデバイスである。例としては、抵抗器、キャパシタ、ダイオードおよびトランジスタがある。集積コンポーネントは、コンポーネントの組合せであり、複数の電気的性質を回路中の１カ所に提供することができる。例は、ＩＣ、すなわち集積回路であり、その中には複数のコンポーネントおよび接続トレースが組合せられており、論理回路のように複数または複雑な機能を果たす。
【００３９】
本明細書では下記の量の銅ドーパントおよびリンドーパントでドープされたＳｎ３７Ｐｂを含む４つの実施例を示す。
【実施例１】
【００４０】
銅およびリン４０ｐｐｍ±１０ｐｐｍ
【実施例２】
【００４１】
銅５００ｐｐｍ±１０ｐｐｍ、リン３０ｐｐｍ±１０ｐｐｍ
【実施例３】
【００４２】
銅２００ｐｐｍ±１０ｐｐｍ、リン３０ｐｐｍ±１０ｐｐｍ
【実施例４】
【００４３】
銅２００ｐｐｍ±３０ｐｐｍ、リン１５ｐｐｍ±５ｐｐｍ
【実施例５】
【００４４】
ドープなし、Ｓｎ−３７Ｐｂ  合金（対照）
【００４５】
【表１】
2007533457.tif 000002
【００４６】
データは、どの合金ドーパントも、ドープされていない材料（実施例５）から、大きな融点の低下を生じないことを示している。すべての合金について、裸の銅に対する濡れ性は良好であった。ＥＮＩＧボンドパッド金属にはんだ付けされたボールをせん断するのに要した全エネルギーは、ドープされた球の方が大きく、また破断の様式が、ドープされていない材料の脆性破断から、ドープ濃度の増加にしたがって、より望ましい延性破断へと変わった。
【００４７】
このように、電子相互接続として利用されるドープされたはんだ材料およびはんだドーパントの、具体的な実施形態および用途が開示された。しかし、当業者には、それらのすでに記載されたものの他に、さらに多くの変形形態が、本明細書で述べた発明の概念から逸脱することなく、可能であることは明らかなはずである。さらに、本明細書の解釈に当たっては、すべての用語は、文脈と一貫して可能な限り最も広く解釈するべきである。特に、「含む」および「含んでいる」という用語は、排他的ではない意味合いで元素、コンポーネント、またはステップ（段階）に言及しており、言及された元素、コンポーネント、またはステップは、明示的に言及されてはいないその他の元素、コンポーネント、またはステップと共に存在し、または利用され、または組み合わされることができることを示しているものと解釈するべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のはんだ材料、
少なくとも１種のリン系ドーパント、および
少なくとも１種の銅系ドーパントを含む、ドープされたはんだ材料。
【請求項２】
少なくとも１種のはんだ材料が、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、銀被覆アルミニウムまたはこれらの組合せを含む請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項３】
少なくとも１種のはんだ材料が、鉛−錫合金、インジウム錫（ＩｎＳｎ）化合物および合金、インジウム銀（ＩｎＡｇ）化合物および合金、インジウム系化合物、錫銀銅化合物および合金（ＳｎＡｇＣｕ）、錫ビスマス化合物および合金（ＳｎＢｉ）、アルミニウム系化合物および合金ならびにこれらの組合せを含む請求項２に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項４】
鉛−錫合金が、鉛（３７％）−錫（６３％）共晶合金を含む請求項３に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項５】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして約１００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項６】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして約７０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項５に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項７】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして約６０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項６に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項８】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として約８００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項９】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として約６００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項８に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１０】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として約５００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項９に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１１】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜１００ｐｐｍおよび銅として約２５〜８００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１２】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜７０ｐｐｍおよび銅として約２５〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１３】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約２０〜６０ｐｐｍおよび銅として約４０〜６００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１４】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約３０〜６０ｐｐｍおよび銅として約３００〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項１５】
少なくとも１種のはんだ材料を準備し、
少なくとも１種のリン系ドーパントを準備し、
少なくとも１種の銅系ドーパントを準備し、および
前記少なくとも１種のはんだ材料、前記少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントをブレンドしてドープされたはんだ材料を形成することからなる、ドープされたはんだ材料を形成する方法。
【請求項１６】
少なくとも１種のはんだ材料が、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、銀被覆アルミニウムまたはこれらの組合せを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１種のはんだ材料が、鉛−錫合金、インジウム錫（ＩｎＳｎ）化合物および合金、インジウム銀（ＩｎＡｇ）化合物および合金、インジウム系化合物、錫銀銅化合物および合金（ＳｎＡｇＣｕ）、錫ビスマス化合物および合金（ＳｎＢｉ）、アルミニウム系化合物および合金ならびにこれらの組合せを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
鉛−錫合金が、鉛（３７％）−錫（６３％）共晶合金を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして１００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして７０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１種のリン系ドーパントが、リンとして６０ｐｐｍ未満の量で存在する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として８００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として６００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも１種の銅系ドーパントが、銅として５００ｐｐｍ未満の量で存在する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜１００ｐｐｍおよび銅として約２５〜８００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約１０〜７０ｐｐｍおよび銅として約２５〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約２０〜６０ｐｐｍおよび銅として約４０〜６００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントが、リンとして約３０〜６０ｐｐｍおよび銅として約３００〜５００ｐｐｍの量で存在する請求項１５に記載の方法。
【請求項２９】
表面または基板、
電気的相互接続、
少なくとも１種のリン系ドーパントおよび少なくとも１種の銅系ドーパントを含むはんだ材料、および
半導体ダイまたはパッケージを含む層状化された材料。
【請求項３０】
請求項１に記載のドープされたはんだ材料を含む電子コンポーネント。
【請求項３１】
請求項１に記載のドープされたはんだ材料を含む半導体コンポーネント。
【請求項３２】
少なくとも１種のはんだ材料、および
少なくとも１つのドーパント材料を含み、前記ドーパントは前記材料中に１０００ｐｐｍ未満の量で存在し、および実質的に鉛を含有しない、鉛を含有しないはんだ組成物。
【請求項３３】
Ａｇを約２重量％〜約１８重量％の量で、Ｂｉを約９８重量％〜約８２重量％の量で、亜鉛、ニッケル、ゲルマニウムまたはこれらの組合せの少なくとも１つを約１０００ｐｐｍ以下の量で含む合金を含み、前記合金が約２６２．５℃以上の固相線および約５００℃以下の液相線を有する請求項３２に記載の鉛を含有しないはんだ組成物。
【請求項３４】
亜鉛、ニッケル、ゲルマニウム、銅、カルシウムまたはこれらの組合せの少なくとも１つが約５００ｐｐｍの量で存在する請求項３３に記載の組成物。
【請求項３５】
さらに、合金の主成分の少なくとも１つの酸素親和性よりも高い酸素親和性を有する１つの化学元素を含む請求項３２に記載の組成物。
【請求項３６】
化学元素が、リンである請求項３５に記載の組成物。
【請求項３７】
化学元素が、約１０００ｐｐｍ以下の濃度で存在する請求項３５に記載の組成物。
【請求項３８】
合金が、ワイヤー、リボン、予備成形物、陽極、球、ペースト、および蒸発スラグの少なくとも１つに成形される請求項３２に記載の組成物。
【請求項３９】
さらに、ニッケル、銅、金、銀またはこれらの組合せと錯体または化合物を形成する化学元素を含む請求項３２に記載の組成物。
【請求項４０】
化学元素が、リンまたはゲルマニウムである請求項３９に記載の組成物。
【請求項４１】
化学元素が、約１０００ｐｐｍ以下の濃度で存在する請求項４０に記載の組成物。
【請求項４２】
請求項３２に記載の組成物を含む材料を介して表面に連結された半導体ダイを含む電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のはんだ材料、
少なくとも１種のリン系ドーパント、および
少なくとも１種の銅系ドーパントを含む、ドープされたはんだ材料。
【請求項２】
少なくとも１種のはんだ材料が、インジウム、鉛、銀、銅、アルミニウム、錫、ビスマス、ガリウムおよびこれらの合金、銀被覆銅、銀被覆アルミニウムまたはこれらの組合せを含む請求項１に記載のドープされたはんだ材料。
【請求項３】
少なくとも１種のはんだ材料を準備し、
少なくとも１種のリン系ドーパントを準備し、
少なくとも１種の銅系ドーパントを準備し、および
前記少なくとも１種のはんだ材料、前記少なくとも１種のリン系ドーパントおよび前記少なくとも１種の銅系ドーパントをブレンドしてドープされたはんだ材料を形成することからなる、ドープされたはんだ材料を形成する方法。
【請求項４】
少なくとも１種のはんだ材料、および
少なくとも１つのドーパント材料を含み、前記ドーパントは材料中に１０００ｐｐｍ未満の量で存在し、および実質的に鉛を含有しない、鉛を含有しないはんだ組成物。
【請求項５】
Ａｇを約２重量％〜約１８重量％の量で、Ｂｉを約９８重量％〜約８２重量％の量で、亜鉛、ニッケル、ゲルマニウムまたはこれらの組合せの少なくとも１つを約１０００ｐｐｍ以下の量で含む合金を含み、前記合金が約２６２．５℃以上の固相線および約５００℃以下の液相線を有する請求項４に記載の鉛を含有しないはんだ組成物。
【請求項６】
さらに、合金の主成分の少なくとも１つの酸素親和性よりも高い酸素親和性を有する１つの化学元素を含む請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
化学元素が、１０００ｐｐｍ以下の濃度で存在する請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
さらに、ニッケル、銅、金、銀、またはこれらの組合せと金属間錯体または化合物を形成する化学元素を含む請求項４に記載の組成物。
【国際調査報告】
2007533457.tif 000003