【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記中間層はＮｉを含み、
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記キャリアを剥がし、極薄銅層の中間層側の表面を、以下の（Ａ）または（Ｂ）または（Ｃ）のいずれかの条件でデスミア処理液に浸漬したとき、極薄銅層表面に残存するＮｉの付着量が３００μｇ／ｄｍ2以下となるキャリア付銅箔。
（Ａ）４０ｇ／Ｌの過マンガン酸カリウム及び２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウムで構成されるデスミア処理液に２５℃、攪拌子回転数３００ｒｐｍの攪拌条件下で２０分間浸漬する、
（Ｂ）９０ｇ／Ｌの過マンガン酸カリウム及び５ｇ／Ｌの塩酸で構成されるデスミア処理液に液温４９℃、攪拌子回転数３００ｒｐｍの攪拌条件下で２０分間浸漬する、
（Ｃ）４０ｇ／Ｌの過マンガン酸ナトリウム及び２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウムで構成されるデスミア処理液に２５℃、攪拌子回転数３００ｒｐｍの攪拌条件下で２０分間浸漬する。
【請求項２】
前記極薄銅層表面に残存するＮｉの付着量が５〜２５０μｇ／ｄｍ2となる請求項１に記載のキャリア付銅箔。
【請求項３】
前記極薄銅層表面に残存するＮｉの付着量が８〜１００μｇ／ｄｍ2となる請求項２に記載のキャリア付銅箔。
【請求項４】
前記極薄銅層表面に残存するＮｉの付着量が１０〜６０μｇ／ｄｍ2となる請求項３に記載のキャリア付銅箔。
【請求項５】
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記キャリアを剥がし、極薄銅層の中間層側の表面を、以下の（Ａ）または（Ｂ）または（Ｃ）のいずれかの条件でデスミア処理液に浸漬したとき、
ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の合計原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｊ(x)とし、その他の原子濃度（％）をk（x）とすると、
前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［０．５、３．０］において、∫j(x)dx/(∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が１０.０％以下となる請求項１〜４のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
（Ａ）４０ｇ／Ｌの過マンガン酸カリウム及び２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウムで構成されるデスミア処理液に２５℃、攪拌子回転数３００ｒｐｍの攪拌条件下で２０分間浸漬する、
（Ｂ）９０ｇ／Ｌの過マンガン酸カリウム及び５ｇ／Ｌの塩酸で構成されるデスミア処理液に液温４９℃、攪拌子回転数３００ｒｐｍの攪拌条件下で２０分間浸漬する、
（Ｃ）４０ｇ／Ｌの過マンガン酸ナトリウム及び２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウムで構成されるデスミア処理液に２５℃、攪拌子回転数３００ｒｐｍの攪拌条件下で２０分間浸漬する。
【請求項６】
前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［０．５、３．０］において、∫j(x)dx/(∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が０．１〜３．０％となる請求項５に記載のキャリア付銅箔。
【請求項７】
キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記中間層はＮｉを含み、
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記キャリアを剥がしたとき、極薄銅層の中間層側の表面に残存するＮｉの付着量が５〜４００μｇ／ｄｍ2である請求項１〜６のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項８】
キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記中間層はＮｉを含み、
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記キャリアを剥がしたとき、極薄銅層の中間層側の表面に残存するＮｉの付着量が１〜４００μｇ／ｄｍ2である請求項１〜７のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項９】
前記中間層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がこの順で積層されて構成されている請求項１〜８のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１０】
前記中間層は、亜鉛を含む請求項１〜９のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１１】
前記中間層は、前記キャリア上にニッケル、ニッケル-亜鉛合金、ニッケル-リン合金、ニッケル-コバルト合金のいずれか１種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか１種の層がこの順で積層されて構成されている請求項１〜１０のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１２】
前記中間層は、前記キャリア上に、
ニッケル層またはニッケル-亜鉛合金層、及び、亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されている、又は、
ニッケル-亜鉛合金層、及び、純クロメート処理層または亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2、クロムの付着量が５〜１００μｇ／ｄｍ2、亜鉛の付着量が１〜７０μｇ／ｄｍ2である請求項１〜１０のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１３】
前記中間層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2である請求項１〜１０のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１４】
前記中間層は、前記キャリア上に少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2である請求項１〜１０のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１５】
前記中間層が有機物を厚みで２５ｎｍ以上８０ｎｍ以下含有する請求項１〜１０、１３及び１４のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１６】
前記中間層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層および、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金のいずれか１種以上を含む層の順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2であり、モリブデンが含まれる場合にはモリブデンの付着量が１０〜１０００μｇ／ｄｍ2、コバルトが含まれる場合にはコバルトの付着量が１０〜１０００μｇ／ｄｍ2である請求項１〜１０のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１７】
前記極薄銅層表面に粗化処理層を有する、又は、前記極薄銅層表面に粗化処理層を有しかつ、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である、又は、前記極薄銅層表面に粗化処理層を有しかつ、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１〜１６のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１８】
前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１〜１６のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
【請求項１９】
キャリア上に、ニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層を形成した後、クロム、クロム合金またはクロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層を形成し、少なくとも前記ニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層、または、クロム、クロム合金またはクロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層のいずれかに亜鉛が含まれている中間層を形成する工程と、前記中間層上に電解めっきにより極薄銅層を形成する工程とを含む請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２０】
キャリア上に、ニッケルおよび亜鉛を含むめっき層を形成した後、クロムを含むめっき層またはクロメート処理層またはクロムと亜鉛を含むめっき層または亜鉛クロメート処理層を形成することで中間層を形成する工程と、前記中間層上に電解めっきにより極薄銅層を形成する工程とを含む請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２１】
キャリア上に、ニッケルを含むめっき層を形成した後、クロムと亜鉛を含むめっき層または亜鉛クロメート処理層を形成することで中間層を形成する工程と、前記中間層上に電解めっきにより極薄銅層を形成する工程とを含む請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２２】
キャリア上に、ニッケルめっき層を形成した後、電解クロメートにより亜鉛クロメート処理層を形成することで中間層を形成する、又は、ニッケル-亜鉛合金めっき層を形成した後、電解クロメートにより純クロメート処理層または亜鉛クロメート処理層を形成することで中間層を形成する工程と、前記中間層上に電解めっきにより極薄銅層を形成する工程とを含む請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２３】
キャリア上に、ニッケルめっき層またはニッケルを含む合金めっき層を形成した後、少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む厚み２５ｎｍ〜８０ｎｍの有機物層を形成する、又は、少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む厚み２５ｎｍ〜８０ｎｍの有機物層を形成した後、ニッケルめっき層またはニッケルを含む合金めっき層を形成することで中間層を形成する工程と、前記中間層上に電解めっきにより極薄銅層を形成する工程を含む請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２４】
キャリア上に、ニッケルめっき層またはニッケルを含む合金めっき層を形成した後、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金のいずれか１種以上を含む層を形成することで中間層を形成する工程と、前記中間層上に電解めっきにより極薄銅層を形成する工程とを含む請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２５】
前記中間層を形成する工程において、前記キャリアの搬送速度は３０ｍ／ｍｉｎ以下である請求項１９〜２４のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。
【請求項２６】
請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
【請求項２７】
請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。
【請求項２８】
請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。