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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多点接触玉軸受及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
特に、本発明の多点接触玉軸受に於いては、前記内輪軌道底部が、母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５０％未満の凹曲面である。そして、この内輪軌道底部の幅方向両側縁と前記両内輪軌道側面部の幅方向内端縁とが滑らかに連続しており、これら両内輪軌道側面部に加えて前記内輪軌道底部にも仕上加工を施す事で、これら両内輪軌道側面部とこの内輪軌道底部とを平滑面とする。
尚、前記内輪軌道底部の母線形状の曲率半径は、請求項２に記載した発明の様に、前記各玉の直径の３９〜４８％とする事が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述の様な本発明の多点接触玉軸受を実施する場合に好ましくは、請求項３に記載した発明の様に、前記外輪軌道を、母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５０％よりも大きい１対の外輪軌道側面部の幅方向内端縁同士を、幅方向中央部に存在する外輪軌道底部により連続させて成る複合曲面とする。そして、前記各玉の転動面と前記外輪軌道とを、これら各玉毎に２点ずつで接触させる。
この様な請求項３に記載した発明を実施する場合に好ましくは、請求項４に記載した発明の様に、前記外輪軌道底部を、母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５０％未満の凹曲面とし、この外輪軌道底部の幅方向両側縁と前記両外輪軌道側面部の幅方向内端縁とを滑らかに連続させる。そして、これら両外輪軌道側面部に加えて前記外輪軌道底部にも仕上加工を施す事で、これら両外輪軌道側面部とこの外輪軌道底部とを平滑面とする。この外輪軌道底部の母線形状の曲率半径に関しても、前記各玉の直径の３９〜４８％とする事が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
又、本発明を実施する場合に、各部の寸法等に関しては、必要とするラジアル負荷容量、アキシアル負荷容量を確保しつつ、前記各玉の転動面の損傷を防止する面から規制する。
例えば、前記各玉の接触角に関しては、本発明を請求項３〜４に記載した４点接触玉軸受で実施する場合に、請求項５に記載した発明の様に、２０〜３０度とする事が好ましい。
又、前記内輪軌道底部の幅寸法に関しては、請求項６に記載した発明の様に、１〜２mmとする事が好ましい。尚、この場合に於ける前記各玉の直径は、例えば、変速機に使用する４点接触玉軸受であれば、４〜４０mm程度である。
又、前記両内輪軌道側面部の母線形状の曲率半径に関しては、請求項７に記載した発明の様に、前記各玉の直径の５１〜５５％とする事が好ましい。
又、本発明を４点接触玉軸受で実施する場合に、前記両内輪軌道側面部及び前記両外輪軌道側面部の母線形状の曲率半径に関しては、請求項８に記載した発明の様に、前記各玉の直径の５１〜５５％とする事が好ましい。
又、上述の様な本発明の多点接触玉軸受を造る為に、具体的には、請求項９に記載した発明の様に、前記両内輪軌道側面部に加えて前記内輪軌道底部にも、超仕上による仕上加工を施す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に内輪軌道を有する内輪と、内周面に外輪軌道を有する外輪と、これら内輪軌道と外輪軌道との間に転動自在に設けられた複数個の玉とを備え、この内輪軌道は、それぞれの母線形状の曲率半径がこれら各玉の直径の５０％よりも大きい、１対の内輪軌道側面部の幅方向内端縁同士を、幅方向中央部に存在する内輪軌道底部により連続させて成る複合曲面であり、前記各玉の転動面と前記内輪軌道とは、これら各玉毎に２点ずつで接触する多点接触玉軸受に於いて、前記内輪軌道底部が、母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５０％未満の凹曲面であり、この内輪軌道底部の幅方向両側縁と前記両内輪軌道側面部の幅方向内端縁とが滑らかに連続しており、これら両内輪軌道側面部と前記内輪軌道底部とが平滑面である事を特徴とする多点接触玉軸受。
【請求項２】
前記内輪軌道底部の母線形状の曲率半径が、前記各玉の直径の３９〜４８％である、請求項１に記載した多点接触玉軸受。
【請求項３】
前記外輪軌道が、母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５０％よりも大きい１対の外輪軌道側面部の幅方向内端縁同士を、幅方向中央部に存在する外輪軌道底部により連続させて成る複合曲面であり、前記各玉の転動面と前記外輪軌道とが、これら各玉毎に２点ずつで接触する、請求項１〜２のうちの何れか１項に記載した多点接触玉軸受。
【請求項４】
前記外輪軌道底部が、母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５０％未満の凹曲面であり、この外輪軌道底部の幅方向両側縁と前記両外輪軌道側面部の幅方向内端縁とが滑らかに連続しており、これら両外輪軌道側面部と前記外輪軌道底部とが平滑面である、請求項３に記載した多点接触玉軸受。
【請求項５】
前記各玉の接触角が２０〜３０度である、請求項３〜４のうちの何れか１項に記載した多点接触玉軸受。
【請求項６】
前記内輪軌道底部の幅寸法が１〜２mmである、請求項１〜５のうちの何れか１項に記載した多点接触玉軸受。
【請求項７】
前記両内輪軌道側面部の母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５１〜５５％である、請求項１〜６のうちの何れか１項に記載した多点接触玉軸受。
【請求項８】
前記両内輪軌道側面部及び前記両外輪軌道側面部の母線形状の曲率半径が前記各玉の直径の５１〜５５％である、請求項３〜４又はこれら請求項３〜４を引用した請求項５〜７のうちの何れか１項に記載した多点接触玉軸受。
【請求項９】
請求項１〜８のうちの何れか１項に記載した多点接触玉軸受の製造方法であって、
前記両内輪軌道側面部に加えて前記内輪軌道底部にも、超仕上による仕上加工を施す事を特徴とする多点接触玉軸受の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月9日(2016.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
波力発電システムにおいて、少なくとも、水の波に浮かぶブイと、該ブイに固定された交流の発電機（２）と、該発電機のロータを回転させて発電させる回転変換部（５）と、該回転変換部（５）を回転させる柔軟で細長い伝達体（６）と、該伝達体（６）を介して水中に懸垂された錘（７）と、水中での移動に対し抵抗となるような構造の水中移動抑制体（８）とを備え、該水中移動抑制体（８）を水底設置タイプとして、前記ブイの浮力と錘（７）の水中での重さより重くなるようにして海底等の水底に沈ませ、その自重により上下振動し難くさせてあり、上下運動する伝達体（６）のガイド（８０、８１）とを備え、伝達体（６）の一端には、錘（７）が繋がれ、伝達体（６）の他端には、水中移動抑制体（８）が繋がれ、且つ、波のうねり振動と共に前記ブイが上下振動するときに、水中移動抑制体（８）がほとんど動かないので、相対的に錘（７）が伝達体（６）と共に主に上下振動をして、伝達体（６）の上下運動が回転変換部（５）を、直接往復回転させて発電機（２）のロータに伝え、該ロータを往復回転させて発電させるようにしたこと、発電機（２）を水上に位置するように設置したこと、を特徴とする波力発電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項２に係わる波力発電システムは、波力発電システムにおいて、少なくとも、水の波に浮かぶブイと、該ブイに固定された交流の発電機（２）と、該発電機のロータを回転させて発電させる回転変換部（５）と、該回転変換部（５）を回転させる柔軟で細長い伝達体（６）と、該伝達体（６）を介して水中に懸垂された錘（７）と、水中での移動に対し抵抗となるような構造の水中移動抑制体（８）とを備え、該水中移動抑制体（８）を水底設置タイプとして、前記ブイの浮力と錘（７）の水中での重さより重くなるようにして海底等の水底に沈ませ、その自重により上下振動し難くさせてあり、上下運動する伝達体（６）のガイド（８０、８１）とを備え、伝達体（６）の一端には、錘（７）が繋がれ、伝達体（６）の他端には、水中移動抑制体（８）が繋がれ、且つ、波のうねり振動と共に前記ブイが上下振動するときに、水中移動抑制体（８）がほとんど動かないので、相対的に錘（７）が伝達体（６）と共に主に上下振動をして、伝達体（６）の上下運動が回転変換部（５）を、直接往復回転させて発電機（２）のロータに伝え、該ロータを往復回転させて発電させるようにしたこと、発電機（２）を水上に位置するように設置したこと、を特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
便器のボウル部であって光触媒層が形成されたボウル部に紫外線を照射可能な光源装置を備え、
前記光源装置が前記ボウル部の後方部に照射する紫外線の照射強度は、前記光源装置が前記ボウル部の前方部に照射する紫外線の照射強度よりも高いことを特徴とするトイレ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の発明は、便器のボウル部であって光触媒層が形成されたボウル部に紫外線を照射可能な光源装置を備え、前記光源装置が前記ボウル部の後方部に照射する紫外線の照射強度は、前記光源装置が前記ボウル部の前方部に照射する紫外線の照射強度よりも高いことを特徴とするトイレ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このトイレ装置によれば、使用者が便器を使用する前に水がボウル部の表面に噴射されるため、光触媒層の親水性によりボウル部の表面に水膜が形成される。そのため、有機物を含む汚物がボウル部の表面に付着することを抑制することができる。これにより、紫外線の照射時間を短くし、光源装置の長寿命化を実現することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このトイレ装置によれば、光触媒層の励起状態を維持し、光触媒層の親水性を維持することができる。すなわち、便器の使用後に紫外線が照射されることにより、有機物は分解され、光触媒層は励起されている。但し、便器が使用されない時間が所定時間を経過すると、光触媒層の励起状態が低下する。そのため、このトイレ装置によれば、光触媒層の励起状態を維持し、光触媒層の親水性を維持することができる。これにより、有機物を含む汚物がボウル部の表面に付着することを抑制することができる。これにより、紫外線の照射時間を短くし、光源装置の長寿命化を実現することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このトイレ装置によれば、より効率的な光源装置を実現することができる。すなわち、光触媒層の励起状態を上げる際に照射する紫外線の照射強度は、有機物を分解する際に照射する紫外線の照射強度よりも低くても十分である。そのため、このトイレ装置によれば、より効率的な光源装置を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月7日(2016.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
便器のボウル部であって光触媒層が形成されたボウル部に紫外線を照射する光源装置と、
前記便器が使用される前に前記ボウル部の表面を水で濡らすプレ機能部と、
トイレルーム内の人体の存在を検知する人体検知部と、
使用者の前記便器の洗浄の意思を検知する便器洗浄検知部と、
前記光源装置および前記プレ機能部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記人体検知部が前記トイレルーム内において前記人体の存在を検知していない場合に所定の強度の紫外線を前記光源装置から照射させる第１のモードと、
前記プレ機能部の駆動が開始してから前記便器洗浄検知部が前記意思を検知するまでの間において前記第１のモードのときの強度よりも弱い強度の紫外線を前記光源装置から照射させる第２のモードと、
を実行することを特徴とするトイレ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、便器のボウル部であって光触媒層が形成されたボウル部に紫外線を照射する光源装置と、前記便器が使用される前に前記ボウル部の表面を水で濡らすプレ機能部と、トイレルーム内の人体の存在を検知する人体検知部と、使用者の前記便器の洗浄の意思を検知する便器洗浄検知部と、前記光源装置および前記プレ機能部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記人体検知部が前記トイレルーム内において前記人体の存在を検知していない場合に所定の強度の紫外線を前記光源装置から照射させる第１のモードと、前記プレ機能部の駆動が開始してから前記便器洗浄検知部が前記意思を検知するまでの間において前記第１のモードのときの強度よりも弱い強度の紫外線を前記光源装置から照射させる第２のモードと、を実行することを特徴とするトイレ装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、消火剤を用いないで電池の発火を防止する技術として、特許文献１に記載されている試験装置では、電池の異常を検知したときに、電池の支持を解除して水槽内部に電池を水没させる構成を有している。すなわち、この試験装置は、電池の異常検知時に電池の支持を解除する支持装置と、支持装置による支持が解除されたときに電池を水没させる水槽とを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
（Ｄ）
上記第１実施形態では、液媒供給部７は、試験槽２の天壁に取り付けられたノズル７ａから液媒Ｌを二次電池１００に噴射する構成を有しているが、本発明はこれに限定されるものではない。第１実施形態の他の変形例として、例えば、  図７に示されるように、液媒供給部１４は、液媒貯留部５に貯留された液媒Ｌをポンプ１５で載置部８の空間部８ｃ内部に液媒Ｌを圧送する構成を有してもよい。すなわち、図７における液媒供給部１４は、ポンプ１５と、液媒貯留部５と載置部８の空間部８ｃとを連通する連通管１６とを有する。ポンプ１５は、連通管１６の途中に設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2015201380.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2015201380.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月30日(2016.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されている表面電極と、前記半導体基板の裏面に形成されている裏面電極を有し、前記表面電極と前記裏面電極の間をスイッチングする絶縁ゲート型半導体装置であって、
前記半導体基板が、
前記表面電極に接している第１導電型の第１領域と、
前記表面電極に接しており、前記第１領域に接している第２導電型の第２領域と、
前記第２領域によって前記第１領域から分離されている第１導電型の第３領域と、
前記表面に形成されており、前記第２領域を貫通して前記第３領域に達する複数のゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチの底面に露出する第２導電型の第４領域と、
前記第２領域の外側の領域において前記表面に形成されている第１外周トレンチと第２外周トレンチであって、前記第２領域の外側の領域に前記第１外周トレンチと前記第２外周トレンチが交互に複数個形成されており、前記各第２外周トレンチが前記各第１外周トレンチよりも深いという構成を有する第１外周トレンチと第２外周トレンチと、
前記第２領域の外側の領域において前記表面に形成されており、第１外周トレンチよりも深い第２外周トレンチと、
前記第１外周トレンチの底面に露出する第２導電型の第５領域と、
前記第２外周トレンチの底面に露出しており、前記表面側の端部が第５領域の前記裏面側の端部よりも前記裏面側に位置する第２導電型の第６領域と、
前記第３領域と繋がっており、前記第５領域を前記第６領域から分離している第１導電型の第７領域、
を有する絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板を前記表面側から平面視したときに、前記第５領域が前記第６領域に対して部分的に重複する請求項１の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項３】
前記第６領域の厚みが、前記第５領域の厚みよりも厚い請求項１または２の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項４】
前記第５領域に、第１種の第２導電型不純物が含まれており、
前記第６領域に、前記第１種の第２導電型不純物よりも前記半導体基板中における拡散係数が大きい第２種の第２導電型不純物が含まれている、
請求項３の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板が、ＳｉＣにより構成されており、
前記第５領域と前記第６領域に、カーボンとボロンが含まれており、
前記第５領域のカーボンの濃度が、前記第６領域のカーボンの濃度よりも高い、
請求項３の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項６】
前記第５領域と前記第６領域が、前記絶縁ゲート型半導体装置がオフするときに前記第２領域と前記第３領域の境界部から伸びる空乏層が到達する範囲に配置されている請求項１〜５のいずれか一項の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項の絶縁ゲート型半導体装置を製造する方法であって、
前記第１外周トレンチを形成する工程と、
前記第１外周トレンチの底面に第２導電型不純物を注入することによって、前記第５領域を形成する工程と、
前記第２外周トレンチを形成する工程と、
前記第２外周トレンチの底面に第２導電型不純物を注入することによって、前記第６領域を形成する工程、
を有する方法。
【請求項８】
前記第１外周トレンチと前記第２外周トレンチのいずれか一方のトレンチを先に形成し、
前記一方のトレンチを形成した後に、前記第５領域と前記第６領域のうちの前記一方のトレンチの底面に露出する領域を形成し、
前記一方のトレンチの底面に露出する前記領域を形成した後に、前記一方のトレンチ内に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を形成した後に、前記第１外周トレンチと前記第２外周トレンチのうちのいずれか他方のトレンチを形成し、
前記他方のトレンチを形成した後に、前記第５領域と前記第６領域のうちの前記他方のトレンチの底面に露出する領域を形成し、
前記他方のトレンチの底面に露出する前記領域を形成した後に、前記他方のトレンチ内に絶縁層を形成する、
請求項７の方法。
【請求項９】
前記第６領域を形成する前記工程を、前記第５領域を形成する前記工程よりも先に実施し、
前記第６領域を形成する前記工程において、前記第２外周トレンチの底面に第２導電型不純物を注入した後に前記半導体基板をアニールし、
前記第５領域を形成する前記工程において、前記第１外周トレンチの底面に第２導電型不純物を注入した後に前記半導体基板をアニールする、
請求項７または８の方法。
【請求項１０】
前記第６領域を形成する前記工程におけるアニールの温度が、前記第５領域を形成する前記工程におけるアニールの温度よりも高い、
請求項９の方法。
【請求項１１】
前記第５領域を形成する前記工程では、前記第１外周トレンチの底面に第１種の第２導電型不純物を注入し、
前記第６領域を形成する前記工程では、前記第２外周トレンチの底面に、前記第１種の第２導電型不純物よりも前記半導体基板中における拡散係数が大きい第２種の第２導電型不純物を注入する、
請求項７〜１０のいずれか一項の方法。
【請求項１２】
前記半導体基板が、ＳｉＣにより構成されており、
前記第５領域を形成する前記工程では、前記第１外周トレンチの底面にカーボンとボロンを注入し、
前記第６領域を形成する前記工程では、前記第２外周トレンチの底面にボロンを注入する、
請求項７〜１１のいずれか一項の方法。
【請求項１３】
前記ゲートトレンチを、前記第１外周トレンチと同時に形成する請求項７〜１２のいずれか一項の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されている表面電極と、前記半導体基板の裏面に形成されている裏面電極を有し、前記表面電極と前記裏面電極の間をスイッチングする半導体装置であって、
前記半導体基板が、
前記表面電極と接しているｎ型の第１領域と、
前記表面電極と接しており、前記第１領域と接しているｐ型の第２領域と、
前記第２領域の下側に配置されており、前記第２領域によって前記第１領域から分離されているｎ型の第３領域と、
前記表面から前記第１領域及び前記第２領域を貫通して前記第３領域に達するゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチの下端に接するｐ型の第４領域と、
前記第２領域の外側において前記表面に形成されている終端トレンチと、
前記終端トレンチの下端に接するｐ型の下端ｐ型領域と、
前記終端トレンチの外周側の側面に接しており、前記下端ｐ型領域と繋がっており、前記表面に露出しているｐ型の側面ｐ型領域と、
前記側面ｐ型領域よりも外周側に形成されており、前記表面に露出しているｐ型の複数のガードリング領域と、
前記終端トレンチよりも外周側に形成されており、前記第３領域と繋がっており、前記側面ｐ型領域を前記複数のガードリング領域から分離しており、前記複数のガードリング領域を互いから分離しているｎ型の外周ｎ型領域、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記終端トレンチの幅が、前記ゲートトレンチの幅よりも広い請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記下端ｐ型領域と前記側面ｐ型領域が、Ａｌを含有する請求項１または２の半導体装置。
【請求項４】
前記第２領域と前記終端トレンチの間の前記表面に、分離トレンチが形成されており、
前記分離トレンチの下端に接する位置に、ｐ型の第５領域が形成されており、
前記終端トレンチと前記分離トレンチの間に、前記終端トレンチの内周側の側面に接しており、前記下端ｐ型領域と繋がっており、前記表面に露出しているｐ型の第６領域が形成されており、
前記分離トレンチが、前記第２領域と前記第６領域を分離している、
請求項１〜３のいずれか一項の半導体装置。
【請求項５】
前記終端トレンチが、第１トレンチと、前記第１トレンチよりも外周側に形成されている第２トレンチと、前記第１トレンチと前記第２トレンチを接続する第３トレンチを有しており、
前記側面ｐ型領域が、前記第２トレンチの外周側の側面に接しており、
前記下端ｐ型領域が、前記第１トレンチ、前記第２トレンチ及び前記第３トレンチの下端に接する、
請求項１〜４のいずれか一項の半導体装置。
【請求項６】
前記終端トレンチの内周側の側面、底面及び外周側の側面を覆う絶縁膜をさらに有し、
内周側の側面を覆う前記絶縁膜と外周側の側面を覆う前記絶縁膜の間に、絶縁膜が充填されていない領域が形成されている、
請求項１〜５のいずれか一項の半導体装置。
【請求項７】
前記各ガードリング領域の下端が、前記下端ｐ型領域よりも上側に配置されている請求項１〜６のいずれか一項の半導体装置。
【請求項８】
前記終端トレンチの内面を覆う絶縁膜をさらに有する請求項１〜５のいずれか一項の半導体装置。
【請求項９】
前記終端トレンチが、前記第２領域に隣接しており、
前記下端ｐ型領域が、前記第２領域から分離されている、
請求項１〜３のいずれか一項の半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項の半導体装置を製造する方法であって、
半導体基板に前記終端トレンチを形成する工程と、
前記半導体基板の表面に対して傾斜する向きに沿って、前記終端トレンチの側面と底面にｐ型不純物を注入することで、前記下端ｐ型領域と前記側面ｐ型領域を形成する工程、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月15日(2016.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像が符号化された符号列を受信して復号する受信装置であって、
前記符号列がパケット化された符号化データを受信する受信部と、
受信された前記符号化データをパケット処理して元の符号列を復元する復元部と、
復元された前記元の符号列から復号対象ブロックごとに、画像間予測モードを示す予測モード情報と第１のインデックス、または、画像間予測モードを示す予測モード情報と第２のインデックスと差分動きベクトルとを復号する符号列復号部と、
最小となる復号ブロック単位で復号済ブロックの符号化情報を記録する符号化情報格納メモリと、
前記復号対象ブロックの複数の参照ブロックの符号化情報を前記符号化情報格納メモリから取得する取得部と、
前記符号列復号部により復号された予測モード情報の示す画像間予測モードが、インデックスによって特定される参照ブロックの前記符号化情報が備える動きベクトルの情報を用いる第１の画像間予測モードである場合に、第１の所定順位に基づいて前記複数の参照ブロックから符号化情報を導出して第１の候補リストを生成し、前記符号列復号部により復号された第１のインデックスをもとに、前記第１の候補リストから第１の候補を特定し、当該第１の候補の符号化情報を出力する第１のモード出力部と、
前記符号列復号部により復号された予測モード情報の示す画像間予測モードが、インデックスによって特定される参照ブロックに対応した差分動きベクトルを用いる第２の画像間予測モードである場合に、第２の所定順位に基づいて前記複数の参照ブロックから予測動きベクトルを導出して第２の候補リストを生成し、前記符号列復号部により復号された第２のインデックスをもとに、前記第２の候補リストから第２の候補を特定し、当該第２の候補の予測動きベクトルと前記符号列復号部により復号された差分動きベクトルから前記復号対象ブロックの動きベクトルを算出して出力する第２のモード出力部と、
前記第１のモード出力部または前記第２のモード出力部から出力された情報をもとに、前記符号列復号部により復号された予測モード情報の示す画像間予測モードを用いて動き補償を行い予測画像を生成する動き補償予測部と、を備え、
前記第１のモード出力部及び前記第２のモード出力部は、前記複数の参照ブロックとして、共通の複数のブロックを使用し、前記第１のモード出力部が前記第１の候補リストを生成する為の前記第１の所定順位と、前記第２のモード出力部が前記第２の候補リストを生成する為の前記第２の所定順位とが異なる、
ことを特徴とする受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の受信装置は、動画像が符号化された符号列を受信して復号する受信装置であって、前記符号列がパケット化された符号化データを受信する受信部と、受信された前記符号化データをパケット処理して元の符号列を復元する復元部と、復元された前記元の符号列から復号対象ブロックごとに、画像間予測モードを示す予測モード情報と第１のインデックス、または、画像間予測モードを示す予測モード情報と第２のインデックスと差分動きベクトルとを復号する符号列復号部と、最小となる復号ブロック単位で復号済ブロックの符号化情報を記録する符号化情報格納メモリと、前記復号対象ブロックの複数の参照ブロックの符号化情報を前記符号化情報格納メモリから取得する取得部と、前記符号列復号部により復号された予測モード情報の示す画像間予測モードが、インデックスによって特定される参照ブロックの前記符号化情報が備える動きベクトルの情報を用いる第１の画像間予測モードである場合に、第１の所定順位に基づいて前記複数の参照ブロックから符号化情報を導出して第１の候補リストを生成し、前記符号列復号部により復号された第１のインデックスをもとに、前記第１の候補リストから第１の候補を特定し、当該第１の候補の符号化情報を出力する第１のモード出力部と、前記符号列復号部により復号された予測モード情報の示す画像間予測モードが、インデックスによって特定される参照ブロックに対応した差分動きベクトルを用いる第２の画像間予測モードである場合に、第２の所定順位に基づいて前記複数の参照ブロックから予測動きベクトルを導出して第２の候補リストを生成し、前記符号列復号部により復号された第２のインデックスをもとに、前記第２の候補リストから第２の候補を特定し、当該第２の候補の予測動きベクトルと前記符号列復号部により復号された差分動きベクトルから前記復号対象ブロックの動きベクトルを算出して出力する第２のモード出力部と、前記第１のモード出力部または前記第２のモード出力部から出力された情報をもとに、前記符号列復号部により復号された予測モード情報の示す画像間予測モードを用いて動き補償を行い予測画像を生成する動き補償予測部と、を備え、前記第１のモード出力部及び前記第２のモード出力部は、前記複数の参照ブロックとして、共通の複数のブロックを使用し、前記第１のモード出力部が前記第１の候補リストを生成する為の前記第１の所定順位と、前記第２のモード出力部が前記第２の候補リストを生成する為の前記第２の所定順位とが異なる、ことを特徴とする受信装置を提供する。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を方法、装置、システム、記録媒体、コンピュータプログラムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体上の画像を形成する画像形成手段と、
前記画像を記録媒体に定着させる定着手段と、
前記画像を示す画像データを格納する格納手段と、
前記記録媒体の搬送方向に対応する第１方向において注目画素の位置を示す第１位置情報の生成と、前記第１方向に直交する第２方向における前記注目画素の位置を示す第２位置情報の生成と、前記記録媒体の搬送方向に対応する第１方向における変倍情報に基づき、前記画像を示す画像データを前記第１方向において複数のエリアに分割するための条件の設定と、を制御する制御手段と、
シード値に基づき乱数値を生成する乱数値生成手段と、
前記シード値を保持する保持手段と、を有し、
前記制御手段は、前記注目画素の第１位置情報が前画素の第１位置情報と異なり、かつ、前記注目画素のエリアがその前画素のエリアと異なる場合、前記乱数値生成手段に設定されるシード値を前記保持手段に格納し、前記注目画素の前記第１位置情報が前画素の前記第１位置情報と異なり、かつ、前記注目画素のエリアが前画素のエリアと同一である場合、前記保持手段に保持されている前記シード値を前記乱数値生成手段に設定し、前記注目画素ごとに、前記乱数値生成手段により乱数値を生成させ、この生成された乱数値、前記第２位置情報および前記第１位置情報に基づき、前記注目画素に対応する画像データを前記格納手段から読み出すことにより前記画像に対する変倍を行うことを特徴とする、
画像形成装置。
【請求項２】
前記乱数値生成手段は、複数個の２値データの記録素子を縦列接続するとともに、いずれかの記録素子間に論理演算回路を介在させて構成された擬似乱数値生成回路を有し、
前記シード値は、前記複数個の記録素子が保持する２値データの集合であり、
前記乱数値生成手段は、前記シード値に基づく一の乱数値を生成した後、前記記録素子に保持される２値データをそれぞれ所定方向に隣接する他の記録素子に移行させ、これにより変化したシード値に基づいて次の乱数値を生成することを特徴とする、
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記生成された乱数値に基づき前記第２位置情報を修正し、該修正された第２位置情報と前記第１位置情報とに対応する画像データを前記格納手段から読み出すように制御することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御手段は、拡大処理する場合は前記生成された乱数値に応じた画像データを２度読み出し、縮小処理する場合は、前記生成された乱数値に応じた画像データの読み出しを行わないように制御することを特徴とする、
請求項１、２又は３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記画像データは、前記画像の主走査方向及び副走査方向に配列された画素の集合であり、
前記画像データを複数のエリアに分割する分割手段を有し、
前記分割手段は、分割されたエリア毎に、入力された拡大率に応じて前記乱数値で定めた位置に画素を挿入し、又は入力された縮小率に応じて前記乱数値で定めた位置の画素を削除する処理を行うことを特徴とする、
請求項１乃至４いずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記乱数値生成手段が生成する乱数値によって、前記エリア内の１つの画素が特定されることを特徴とする、
請求項２乃至５いずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記乱数値生成手段が生成する乱数値のとりえる範囲は、前記エリア内の１つの画素数により定められることを特徴とする、
請求項２乃至６いずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記乱数値生成手段が生成した乱数値が、前記エリア内の画素に対応しない値である場合、当該乱数値生成手段は、新たなシード値を用いて乱数値を生成することを特徴とする、
請求項２乃至７いずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御手段は、主走査方向の画素の位置を表す主走査位置に対応する副走査方向の画素の位置を、前記シード値に基づいて生成された乱数値により決定することを特徴とする、
請求項２乃至８いずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、処理の対象となるエリアが切り替わる度に、異なるシード値を前記保持手段に保持させ、当該エリアにおける処理の開始前に、前記乱数値生成手段に当該シード値に基づく乱数値を生成させることを特徴とする、
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記第２方向における変倍情報に基づき、前記画像を示す画像データを前記第２方向において複数のエリアに分割するための条件の設定を制御し、前記注目画素の前記第１位置情報が前画素の前記第１位置情報と異なり、かつ、前記注目画素のエリアが前画素のエリアと異なる場合、前記注目画素ごとに、前記乱数値生成手段により乱数値を生成させ、この生成された乱数値をメモリに記録することを特徴とする、
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記注目画素の前記第２位置情報が前画素の前記第２位置情報と異なり、かつ、前記注目画素のエリアが前画素のエリアと同一である場合、前記メモリに記録された乱数値、及び、前記第２位置情報および前記第１位置情報に基づき、前記注目画素に対応する画像データを前記格納手段から読み出すことを特徴とする、
請求項１１に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の画像形成装置は、記録媒体上の画像を形成する画像形成手段と、前記画像を記録媒体に定着させる定着手段と、前記画像を示す画像データを格納する格納手段と、前記記録媒体の搬送方向に対応する第１方向において注目画素の位置を示す第１位置情報の生成と、前記第１方向に直交する第２方向における前記注目画素の位置を示す第２位置情報の生成と、前記記録媒体の搬送方向に対応する第１方向における変倍情報に基づき、前記画像を示す画像データを前記第１方向において複数のエリアに分割するための条件の設定と、を制御する制御手段と、シード値に基づき乱数値を生成する乱数値生成手段と、前記シード値を保持する保持手段と、を有し、前記制御手段は、前記注目画素の第１位置情報が前画素の第１位置情報と異なり、かつ、前記注目画素のエリアがその前画素のエリアと異なる場合、前記乱数値生成手段に設定されるシード値を前記保持手段に格納し、前記注目画素の前記第１位置情報が前画素の前記第１位置情報と異なり、かつ、前記注目画素のエリアが前画素のエリアと同一である場合、前記保持手段に保持されている前記シード値を前記乱数値生成手段に設定し、前記注目画素ごとに、前記乱数値生成手段により乱数値を生成させ、この生成された乱数値、前記第２位置情報および前記第１位置情報に基づき、前記注目画素に対応する画像データを前記格納手段から読み出すことにより前記画像に対する変倍を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月19日(2016.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交合接点によって電気的に接触可能な電気接点要素（１００）を製造する方法であって、
第１の電気伝導性材料（１１２）のワイヤ（１２０）に第２の電気伝導性材料のシース（１１４）を備えるステップと、
ワイヤ長手軸（１１８）に沿った方向に前記シース（１１４）を部分的に除去するステップと、
前記ワイヤ長手軸に対して横方向に前記ワイヤを細分割することにより、少なくとも１つの円筒状の半製品（１１０）を形成するステップと、
前記半製品を接点台（１０４）に固定するステップであって、その結果、前記第２の電気伝導性材料を前記接点台に接続するステップと、
前記接点要素（１００）を形成するために、溶接された半製品を再成形するステップであって、交合接点に近接可能な接点領域（１０６）が前記第１の電気伝導性材料によって形成されるステップと
を含み、
ワイヤ長手軸（１１８）に沿った方向に前記シース（１１４）を部分的に除去する前記ステップが、
軸方向に前記ワイヤの一部を削り取り、その結果、前記ワイヤの円形断面上において、１つのセグメントを除去すること
を含み、
前記半製品の前記長手軸に対して垂直な断面に関し、前記シースの部分的な除去の後のシース維持の割合は、５０％以上である、方法。
【請求項２】
ワイヤ長手軸に沿った方向に前記シースを部分的に除去する前記ステップが、
先行する削り取るステップに関して定義された半径方向の角度によってオフセットされた軸方向に前記ワイヤの一部を削り取り、その結果、前記ワイヤの前記円形断面上において、さらに少なくとも１つのセグメントが除去されること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
交合接点によって電気的に接触可能な電気接点要素（１００）を製造する方法であって、
第１の電気伝導性材料（１１２）のワイヤ（１２０）に第２の電気伝導性材料のシース（１１４）を備えるステップと、
ワイヤ長手軸（１１８）に沿った方向に前記シース（１１４）を部分的に除去するステップと、
前記ワイヤ長手軸に対して横方向に前記ワイヤを細分割することにより、少なくとも１つの円筒状の半製品（１１０）を形成するステップと、
前記半製品を接点台（１０４）に固定するステップであって、その結果、前記第２の電気伝導性材料を前記接点台に接続するステップと、
前記接点要素（１００）を形成するために、溶接された半製品を再成形するステップであって、交合接点に近接可能な接点領域（１０６）が前記第１の電気伝導性材料によって形成されるステップと
を含み、
ワイヤ長手軸に沿った方向に前記シースを部分的に除去する前記ステップが、
軸方向に前記ワイヤを分割し、その結果、前記ワイヤの円形断面を分割することを含み、
前記半製品の前記長手軸に対して垂直な断面に関し、前記シースの部分的な除去の後のシース維持の割合は、５０％以上である、方法。
【請求項４】
前記第１の伝導性材料が溶接不可である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の伝導性材料が貴金属／金属酸化物合金を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の伝導性材料が溶接可能である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の伝導性材料が単体貴金属を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記接点要素（１００）が電磁リレーのための接点である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記半製品（１１０）を前記接点台（１０４）に固定する前記ステップを溶接により行う、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記円筒状の半製品（１１０）を前記接点台に固定するステップにおいて、前記シースが除去されている領域が前記接点台からそれるように、前記半製品の円周の円筒表面が前記接点台上にくる状態で前記円筒状の半製品を固定する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
交合接点によって電気的に接触可能な電気接点要素（１００）であって、前記接点要素を請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により製造する電気接点要素。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部負荷の要求に応じて発電した電力を出力する燃料電池システムであって、
少なくとも一つの発電体を有する燃料電池と、
前記発電体における電圧を検出する電圧検出部と、
前記燃料電池の出力を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記電圧検出部が、少なくとも一つの前記発電体において、前記外部負荷の要求に対応する電圧よりも低い電圧閾値以下の電圧を検出すると、前記外部負荷の要求にかかわらず、前記燃料電池の出力電流を電流制限値まで減少させる電流制限処理を実行し、
前記電流制限処理を終了した後、前記燃料電池の出力電流の上限値を、前記電圧検出部が負電圧を検出した時の前記燃料電池の出力電流値未満に設定し、前記出力電流の上限値以下で前記燃料電池の出力電流を増加させる、
燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
燃料電池１０は、反応ガスとして水素（アノードガス）と空気（カソードガス）の供給を受けて発電する固体高分子型燃料電池である。燃料電池１０は、単セルとも呼ばれる複数の発電体１１が積層されたスタック構造を有する。各発電体１１は、電解質膜の両面に電極を配置した発電体である膜電極接合体（図示せず）と、膜電極接合体を挟持する２枚のセパレータ（図示せず）とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
Ｂ−２．変形例２：
上記実施形態おいて、発電体１１において負電圧が検出された場合に、制御部２０が電流制限処理を実行する例を示したが、負電圧が検出された場合に限定されない。発電体１１の出力電圧が、外部負荷２００からの要求出力に対応する出力電圧に比較して、著しく低い場合等、発電体１１における水素欠乏状態が想定される電圧であればよい。すなわち、発電体１１の出力電圧が、外部負荷２００からの要求出力に対応する出力電圧よりも低い所定の電圧値以下の場合に、制御部２０が電流制限処理を実行すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
Ｂ−３．変形例３：
上記実施形態の燃料電池システム１００において、電流制限処理が複数回実行された場合に、ユーザに対して、燃料電池１０の状態不良を通知する通知部を、さらに備えてもよい。通知部としては、例えば、車内警告ランプ、車内警報装置、表示画面等を用いることができる。通知部による通知としては、車内警告ランプを点灯させる、スピードパネルやナビゲーションシステム等の表示画面等に、文字を表示させる等視覚を通じた通知、車内警報装置によりビープ音を鳴らす、車内警報装置において、音声により通知する等聴覚を通じた通知等、種々の通知方法を用いることができる。これにより、ユーザによる燃料電池１０の状態不良の認識を促し、急なアクセル動作を抑制することにより、急なアクセル開度増による水素欠乏を抑制することができる。その結果、燃料電池の劣化を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
曲げ変形部２Ｃは、複数の切れ目２０Ｃが周方向において並列に並んで形成された部分である。本実施形態において、切れ目２０Ｃ各々は、長手方向に沿って形成されている。なお、切れ目２０Ｃ各々が、筒状の電磁シールド部材１Ｃの長手方向に対して斜めの方向に沿って形成されることも考えられる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素含有燃料で燃焼される発電所の蒸気発生器又は蒸気ボイラの、蒸気発生器管壁の組み立てられ設置された管壁領域又は管壁区分の管の流動容積内の酸素含量を低減することにより、管の応力腐食割れを低減するための方法において、
管壁領域又は管壁区分の管がスチールＴ２２、Ｔ２３又はＴ２４の１つで構成され、
ボイラ水若しくはボイラ水から形成される蒸気が発電所の運転時に流動する、蒸気発生器管壁の管壁領域若しくは管壁区分の管内に、蒸気発生器が初めて始動される前であり、管内を初めてボイラ水で充填する前に、この時点で、管の各流動容積内にガス状酸素として存在する大気酸素が置き換えられるように、不活性ガス若しくは不活性ガス混合物が導入されること、を特徴とする方法。
【請求項２】
管がボイラ水で充填される前に存在する空き流動容積が、不活性ガス又は不活性ガス混合物で完全に充填されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
不活性ガス又は不活性ガス混合物が、特に増加したガス圧を有するガスクッションの形態で提供されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
管が、不活性ガスクッションと流体連通するように流動接続されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
不活性ガス又は不活性ガス混合物が、通気弁の開放により導入されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
通気弁が、接続された通気ラインを介して不活性ガスクッションと流体連通するように流動接続されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
不活性ガスとして窒素ガスが使用されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
導入部においてより詳細に指定される種類の方法において、この目的は、本発明によれば、ボイラ水若しくはボイラ水から形成される蒸気が発電所の運転時に流動する、（蒸気発生器若しくは蒸気ボイラの）管壁領域若しくは管区分の管内に、ボイラ水若しくは蒸気で（蒸気発生器若しくは蒸気ボイラを）充填する前に、特に大気酸素の形態の、管の各流動容積内に存在するガス状酸素が置き換えられるように、不活性ガス若しくは不活性ガス混合物が導入されること、及び／又は、（蒸気発生器若しくは蒸気ボイラの）管の各流動容積からのボイラ水若しくは蒸気の排出中に、生じる空き流動容積が充填されるように不活性ガス若しくは不活性ガス混合物が導入されることにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月1日(2015.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の蒸気発生器伝熱管（１２，３２，８６，８８，９０）の各端部が、メッキされた各管板（１８，４４，８２）に通して案内されて、メッキ部（２０，４６，８４）と溶接されている、蒸気発生器（８０）に取り付けられた、欠陥のある管端部を有する蒸気発生器伝熱管（１２，３２，８６，８８，９０）に用いられる蒸気発生器伝熱管補修法であって、蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）を有し、該蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）の一方の端部が、環状のフランジ（３６，５２，７２）を有し、該環状のフランジ（３６，５２，７２）は、他方のスリーブ端部の方向に外側で先細りになった円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）へ移行しており、該円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）に真っ直ぐな範囲（５６，７６）が続いており、前記円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）におけるスリーブ壁の肉厚が、前記真っ直ぐな範囲（５６，７６）に比べて増大されている、蒸気発生器伝熱管補修法において、
欠陥のある管端部をフライス加工により円錐状に削り、該管端部を取り囲むように管板のメッキ部（２０，４６，８４）にもみ下げ状の凹部（１６）をフライス削りにより加工するステップと、
フライス削りにより円錐状に削られた前記管端部（１４）内に、前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）を挿入するステップであって、少なくとも前記円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）において、外側のスリーブ輪郭が、フライス削りにより円錐状に削られた前記管端部の内側輪郭に適合されているステップと、
前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）の前記真っ直ぐな範囲（５６，７６）および／または前記円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）をローラ拡開させるステップと、
ローラ拡開された前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（３４）のフランジ範囲（３６，５２，７２）を前記メッキ部（２０，４６，８４）と溶接して、シールシームを形成するステップと、
を備えることを特徴とする、蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項２】
前記溶接を、ＴＩＧ法（タングステン不活性ガス）を使用して行う、請求項１記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項３】
挿入された前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）の溶接を、既に前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）のローラ拡開の前に行う、請求項１または２記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項４】
前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）のローラ拡開を、複数の加工ステップで行う、請求項１から３までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項５】
当該蒸気発生器伝熱管補修法を、原子力設備の放射能で予め汚染された蒸気発生器（８０）において行う、請求項１から４までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項６】
前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）の前記円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）の長さが、フランジ側のスリーブ内径（１０４）の少なくとも１．５倍に相当している、請求項１から５までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項７】
前記円錐状の範囲（３８，５４，７４，１０２）における前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）のスリーブ壁の肉厚は、前記真っ直ぐな範囲（５６，７６）に向かって減じられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項８】
前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）の少なくとも外側表面の部分範囲に、薄くて粗い層（５８，７８）が設けられている、請求項１から７までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項９】
前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）は、少なくとも大部分が材料インコネル６９０（登録商標）から製作されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項１０】
前記蒸気発生器伝熱管補修スリーブ（５０，７０）は、少なくとも大部分が材料インコロイ８００（登録商標）から製作されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法。
【請求項１１】
多数の蒸気発生器伝熱管（１２，３２，８６，８８，９０）を有し、該蒸気発生器伝熱管（１２，３２，８６，８８，９０）の両端部が、メッキされた各管板（１８，４４，８２）に通して案内されて、メッキ部（２０，４６，８４）と溶接されている、蒸気発生器（８０）において、
少なくとも一方の管端部で、請求項１から１０までのいずれか１項記載の蒸気発生器伝熱管補修法が適用されていることを特徴とする、蒸気発生器。
【請求項１２】
当該蒸気発生器は、放射能で予め汚染されている、請求項１１記載の蒸気発生器。