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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の輝度を検出する測光手段と、
第１の露出で測光した結果に基づいて、異なる露出で複数枚の画像を撮像する露出ブラケット撮影を実施するか判定する判定手段と、
前記露出ブラケット撮影を実施する際の前記第１の露出とは異なる露出変更量を算出する算出手段と、
前記第１の露出とは異なる第２の露出で測光した結果に基づいて前記算出された露出変更量を補正する補正手段と、
前記算出手段により算出された露出変更量もしくは前記補正手段により補正された露出変更量で画像を撮影する撮影制御手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記算出手段は、適正露出に対してアンダー側もしくはオーバー側の露出変更量を算出し、
前記判定手段は、前記アンダー側もしくはオーバー側の露出変更量が第１の閾値以上である場合に前記露出ブラケット撮影を実施すると判定し、前記アンダー側もしくはオーバー側の露出変更量が前記第１の閾値未満である場合には、前記露出ブラケット撮影を実施しないと判定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記判定手段により露出ブラケット撮影を実施すると判定された場合、前記撮影制御手段は、前記適正露出の画像を少なくとも１枚撮影し、露出アンダーもしくは露出オーバーの画像を少なくとも１枚撮影することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記判定手段により露出ブラケット撮影を実施しないと判定された場合、前記撮影制御手段は、前記適正露出の画像を少なくとも１枚撮影することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記測光手段により測光した画像の輝度ヒストグラムを生成する生成手段を更に備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記生成手段は、前記測光手段により測光した画像を複数のブロックに分割し、各ブロックの輝度値を用いて画像の輝度ヒストグラムを生成することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記判定手段は、前記輝度ヒストグラムの低輝度側および高輝度側のピーク値に基づいて前記露出ブラケット撮影を実施するか判定することを特徴とする請求項５または６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記補正手段は、前記輝度ヒストグラムの低輝度側および高輝度側のピーク値を用いて露出変更量を補正するための補正値を算出し、
前記アンダー側もしくはオーバー側の露出変更量が第２の閾値以上である場合には、前記補正値を算出すると判定し、前記アンダー側もしくはオーバー側の露出変更量が前記第２の閾値未満である場合には、前記補正値を算出しないと判定することを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記算出手段は、前記露出ブラケット撮影において、前記輝度ヒストグラムの低輝度側あるいは高輝度側のピーク値が所定の輝度値に近づくような露出変更量を算出することを特徴とする請求項７または８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記算出手段は、前記露出ブラケット撮影において、前記輝度ヒストグラムの低輝度領域あるいは高輝度領域の平均輝度値が所定の輝度値に近づくような露出変更量を算出することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項１１】
装置本体の動きもしくは画像中の被写体の動きを検出する検出手段を更に有し、
前記補正手段は、前記装置本体の動きもしくは画像中の被写体に動きがない場合にのみ前記補正値を算出することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記測光手段が測光する画像を表示する表示手段を更に有し、
前記表示手段は、前記第２の露出で撮像された画像を表示しないことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
被写体の画像を撮像する撮像装置の制御方法であって、
被写体の輝度を検出する測光工程と、
第１の露出で測光した結果に基づいて、異なる露出で複数枚の画像を撮像する露出ブラケット撮影を実施するか判定する判定工程と、
前記露出ブラケット撮影を実施する際の前記第１の露出とは異なる露出変更量を算出する算出工程と、
前記第１の露出とは異なる第２の露出で測光した結果に基づいて前記算出された露出変更量を補正する補正工程と、
前記算出工程により算出された露出変更量もしくは前記補正工程により補正された露出変更量で画像を撮影する撮影制御工程と、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１５】
コンピュータに、請求項１３に記載の制御方法を実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の撮像装置は、被写体の輝度を検出する測光手段と、第１の露出で測光した結果に基づいて、異なる露出で複数枚の画像を撮像する露出ブラケット撮影を実施するか判定する判定手段と、前記露出ブラケット撮影を実施する際の前記第１の露出とは異なる露出変更量を算出する算出手段と、前記第１の露出とは異なる第２の露出で測光した結果に基づいて前記算出された露出変更量を補正する補正手段と、前記算出手段により算出された露出変更量もしくは前記補正手段により補正された露出変更量で画像を撮影する撮影制御手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン列が形成された回転体を備えるロータリーエンコーダの出力を用いてアクチュエータの駆動を制御する制御装置であって、
前記パターン列の配置誤差を補正するための補正情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている前記補正情報を用いて前記ロータリーエンコーダの出力を補正し、補正後の前記ロータリーエンコーダの出力に基づいて前記アクチュエータの駆動を制御する制御手段を有することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記補正情報は、前記アクチュエータが定速で駆動するように制御されているときに前記ロータリーエンコーダの出力を検出することにより取得された情報であることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記ロータリーエンコーダの出力と前記補正情報のそれぞれのデータ列の類似性が最も高くなるように前記ロータリーエンコーダの出力と前記補正情報を対応させることを特徴とする請求項１または２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記回転体のパターン列は、周期的なパターンと、非周期的なパターンと、を含み、
前記制御手段は、前記非周期的なパターンに対応する特定の回転位置を基準位置として前記ロータリーエンコーダの出力と前記補正情報を対応させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記非周期的なパターンに対する前記ロータリーエンコーダの出力は、前記周期的なパターンに対する前記ロータリーエンコーダの出力に対して、パルス幅、周期、振幅およびデューティ比の少なくとも一つが異なることを特徴とする請求項４に記載の制御装置。
【請求項６】
前記パターン列は磁気パターン列であり、前記非周期的なパターンは磁気強度または磁極間隔を異ならせることにより形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記パターン列は複数の光透過スリットから構成され、前記非周期的なパターンは光透過スリットの透過光量または透過間隔を異ならせることにより形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の制御装置。
【請求項８】
前記記憶手段に記憶される補正情報は、制御装置のリセット時または電源投入時に取得された情報であることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項９】
前記ロータリーエンコーダを更に有することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１０】
被駆動部材を駆動するアクチュエータと、
前記アクチュエータの駆動を制御する、請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の制御装置と、
を有することを特徴とする装置。
【請求項１１】
パターン列が形成された回転体を備えるロータリーエンコーダの出力を用いてアクチュエータの駆動を制御するアクチュエータの制御方法であって、
前記パターン列の配置誤差を補正するための補正情報を用いて前記ロータリーエンコーダの出力を補正するステップと、
補正後の前記ロータリーエンコーダの出力に基づいて前記アクチュエータの駆動を制御するステップを有することを特徴とするアクチュエータの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の制御装置は、パターン列が形成された回転体を備えるロータリーエンコーダの出力を用いてアクチュエータの駆動を制御する制御装置であって、前記パターン列の配置誤差を補正するための補正情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されている前記補正情報を用いて前記ロータリーエンコーダの出力を補正し、補正後の前記ロータリーエンコーダの出力に基づいて前記アクチュエータの駆動を制御する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
各々が、ビット長Ｍの複数のデータを格納可能であり、入力されたビット長Ｌ（ただし、Ｌ＞Ｍ）の検索キーのうち予め定めるＮ個（ただし、Ｎ＝Ｌ−Ｍ）の特定ビットを除くビット長Ｍの非特定ビット列と一致する格納データを第１の検索方式で検索する複数の第１の検索部と、
ビット長Ｌの複数のデータを格納可能であり、前記検索キーと一致する格納データを前記第１の検索方式と異なる第２の検索方式で検索する第２の検索部と、
前記複数の第１の検索部および前記第２の検索部の各々の検索結果に基づいて、いずれか１つの検索部の検索結果を選択する選択回路とを備えた検索システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
各前記第１の検索部は、Ｍ個のメモリ空間を有する記憶部を含み、
第ｉ番目（ただし、１≦ｉ≦Ｍ）のメモリ空間には、ビット数ｉのアドレスが割り当てられ、
アドレスサイズの大きいメモリ空間ほど優先順位が高く、
各前記第１の検索部において、各格納データの有効ビット部分をアドレスとして特定される前記メモリ空間の記憶領域には、各格納データに対応するコードが記憶され、
各前記第１の検索部は、さらに、
前記ビット長Ｍの非特定ビット列の最上位ビット側から、連続するｊ個（ただし、１≦ｊ≦Ｍ）のビットを抽出することによって、前記Ｍ個のメモリ空間にそれぞれ対応するＭ個の読出アドレスを生成するアドレス生成部と、
前記Ｍ個の読出アドレスによって前記Ｍ個のメモリ空間からそれぞれ読み出された読出データが、前記コードを含む有効な読出データであるか否かを判定する判定部と、
前記判定部によって有効と判定された読出データのうち、最も前記優先順位の高いメモリ空間から読み出された読出データに含まれるコードを選択して出力する選択部とを含む、請求項４または５に記載の検索システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
各前記第１の検索部は、Ｍ個のメモリ空間およびレジスタを有する記憶部を含み、
第ｉ番目（ただし、１≦ｉ≦Ｍ）のメモリ空間には、ビット数ｉのアドレスが割り当てられ、
アドレスサイズの大きいメモリ空間ほど優先順位が高く、
各前記第１の検索部において、各格納データの有効ビット部分をアドレスとして特定される前記メモリ空間の記憶領域には、各格納データに対応するコードが記憶され、
前記レジスタには、いずれの前記格納データも前記ビット長Ｍの非特定ビット列に一致しなかったときに出力するためのコードが記憶され、
前記レジスタは、前記Ｍ個のメモリ空間のいずれよりも優先順位が低く、
各前記第１の検索部は、さらに、
前記ビット長Ｍの非特定ビット列の最上位ビット側から、連続するｊ個（ただし、１≦ｊ≦Ｍ）のビットを抽出することによって、前記Ｍ個のメモリ空間にそれぞれ対応するＭ個の読出アドレスを生成するアドレス生成部と、
前記Ｍ個の読出アドレスによって前記Ｍ個のメモリ空間からそれぞれ読み出された読出データおよび前記レジスタから読み出された読出データが、前記コードを含む有効な読出データであるか否かを判定する判定部と、
前記判定部によって有効と判定された読出データのうち、最も前記優先順位の高いメモリ空間または前記レジスタから読み出された読出データに含まれるコードを選択して出力する選択部とを含む、請求項４または５に記載の検索システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
使用中、前記投影システムに対して前記基板テーブルを位置決めするための位置決めデバイスであって、前記基板テーブルに設置された第１位置決め部材と、前記基板テーブルを位置決めするために前記第１位置決め部材と協働する、サポート構造に設置された第２位置決め部材と、を備える位置決めデバイスと、
光軸の方向における前記基板テーブルの底面の位置を測定する位置測定システムと、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記位置で前記基板テーブルの底面に垂直力を加えるアクチュエータをさらに備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記位置は、前記投影システムの光軸上の実質的に固定された水平位置である、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記位置測定システムは、干渉計ベースの測定システムを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記アクチュエータは振動絶縁フレームに設置される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記アクチュエータは前記サポート構造に設置される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記アクチュエータは、前記第２位置決め部材又は前記第１位置決め部材に設置される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記アクチュエータは、前記サポート構造に対して実質的に固定された水平位置を当該アクチュエータが維持するように、前記第２位置決め部材に変位可能に設置される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記アクチュエータは、前記サポート構造に対して実質的に固定された位置を有する振動絶縁フレームに設置される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記アクチュエータは、前記基板の前記ターゲット部分の下での前記基板テーブルの底面に対する測定ビームの投影を可能にする中心開口を備える、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記第１位置決め部材は、前記基板テーブルを位置決めするさらなる位置決めデバイスを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記位置測定システムは、容量測定システム及びエンコーダベースの測定システムの少なくとも１つを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記エンコーダベースの測定システムは、前記基板テーブルの底面に設置された格子を備える、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記位置測定システムは、前記投影システムに対する前記基板テーブルの水平位置を測定する、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記位置測定システムは、
９０°未満の入射角で前記基板テーブルの底面に測定ビームを送信する送信器と、
反射した前記測定ビームを受信するセンサと、を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記送信器及び前記センサは前記サポート構造に設置される、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記送信機及び前記センサは、前記投影システムを支持するメトロロジフレームに設置される、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記アクチュエータはローレンツアクチュエータを備える、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記基板テーブルの底面への前記垂直力は、当該リソグラフィ装置のベアリングを介して伝達される、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記ベアリングは、予めロードされたエアベアリングである、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月2日(2016.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１コンタクト構造を有する第１素子を第２コンタクト構造を有する第２素子と集積する方法であって、
銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属から前記第１および第２コンタクト構造を形成することと、
少なくとも前記第１コンタクト構造に対して露出されたビアを、完全に前記第１素子内に形成することと、ここにおいて、前記第１コンタクト構造および前記第２コンタクト構造のいずれも、間隔または開口を有しない、
少なくとも前記第１コンタクト構造と接続された導電性材料を前記ビア内に形成することと、
前記第１コンタクト構造が前記第２コンタクト構造に直接接続されるように、前記第１素子を前記第２素子に接着し、
前記第１および第２コンタクト構造の間の圧力を上げるために４００℃未満の温度で前記第１および第２素子を熱すること、を具備する方法。
【請求項２】
３５０℃未満の温度で加熱すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１および第２コンタクト構造の少なくとも一方から自然酸化物を除去すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および２素子の表面とそれぞれ同一平面にある上面を有するように前記第１および第２コンタクト構造を形成すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および第２素子のそれぞれの表面より２０ｎｍ以下低い上面を有するように前記第１および第２コンタクト構造を形成すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２素子のそれぞれの表面より１０ｎｍ低い上面を有するように前記第１および第２コンタクト構造を形成すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１素子の上面より低い上面を有するように前記第１コンタクト構造を形成することと、
前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有するように前記第２コンタクト構造を形成すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１および第２コンタクト構造にそれぞれ隣接する前記第１および第２素子の少なくとも一方の表面をエッチングすること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１および第２コンタクト構造の少なくとも一方の上に金属材料の層を形成すること、
を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ニッケル材料から前記第１コンタクト構造を形成すること、
前記ニッケル材料上に５〜５０ｎｍの厚さまで金の層を形成すること、
を具備する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
銅、タングステン、ニッケル、金、またはその合金から選択された金属から形成された第１コンタクト構造を有する第１素子と、
銅、タングステン、ニッケル、金またはその合金から選択された金属から形成された第２コンタクト構造を有する第２素子と、
完全に前記第１素子内に形成された第１ビアと、
前記第１コンタクト構造に接続された前記第１ビア内に形成された第１導電性材料と、
を具備し、
前記第１素子は、前記第１コンタクト構造が前記第２コンタクト構造に直接接続されるように、前記第２素子に接着された前記第１ビアを有し、
前記第１ビアは、前記第１素子が前記第２素子に接着される前に前記第１素子内に形成され、
前記第１及び第２コンタクト構造は、前記第１素子が前記第２素子に接着された後に４００℃未満の温度で加熱され、
前記第２のコンタクト構造の周辺が、接着後、前記第１および第２コンタクト構造の位置合わせずれ及び大きさと形状の不一致が合わさるように、前記第１のコンタクト構造の周辺内にある、
集積構造。
【請求項１２】
３５０℃未満の温度で加熱された前記第１および第２コンタクト構造、
を具備する請求項１１に記載の構造。
【請求項１３】
自然酸化物を除去された前記第１および第２コンタクト構造、
を具備する請求項１１に記載の構造。
【請求項１４】
前記第１および第２素子の表面とそれぞれ同一平面にある上面を有する前記第１および第２コンタクト構造、
を具備する、請求項１１に記載の構造。
【請求項１５】
前記第１および第２素子のそれぞれの表面より２０ｎｍ以下低い上面を有する前記第１および第２コンタクト構造、
を具備する請求項１１に記載の構造。
【請求項１６】
前記第１および第２素子のそれぞれの表面より１０ｎｍ低い上面を有する前記第１および第２コンタクト構造、
を具備する、請求項１１に記載の構造。
【請求項１７】
前記第１素子の上面より低い上面を有する前記第１コンタクト構造と、
前記第１コンタクト構造の平面面積より小さい平面面積を有する前記第２コンタクト構造と、
を具備する、請求項１１に記載の構造。
【請求項１８】
前記第１および第２コンタクト構造にそれぞれ隣接する前記第１および第２素子の少なくとも一方の表面はエッチングされた表面を具備する、
請求項１１に記載の構造。
【請求項１９】
前記第１および第２コンタクト構造の少なくとも一方の上に形成された金属材料の層を具備する、
請求項１１に記載の構造。
【請求項２０】
ニッケル材料から形成された前記第１コンタクト構造と、
前記ニッケル材料の上に形成された５〜５０ｎｍの厚さの金の層と、
を具備する、請求項１９の構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
複数のコンタクト構造１２３が１つのコンタクト構造１２２の全体を覆うことなく１つのコンタクト構造１２２と接触している場合、先行する実施形態に関して説明されている１つのマスキング工程に続いて、図１９Ａに示されている構造が製造され得る。ここでは、金属のシード層９０が、コンタクト構造１２２、１２３の両方に対する電気的な配線を形成する。または、特にコンタクト構造１２３がコンタクト構造１２２の全体を覆っている場合、金属のシード層９０は、コンタクト構造１２３のみと接触し得る。図１９Ａに示されている構造は、さらに処理されて、この実施形態において先に記載し且つ図１９Ｂに示されているように、図１８に示されている表面１１３と同様の表面が形成され得る。図１９Ｂでは、コンタクト構造５９はコンタクト構造１２２と同様であり、平坦化された材料５８は表面１１３のコンタクト１２２以外の部分と同様である。次に、露出されているコンタクト構造１２３を有するさらなるダイが、露出されているコンタクト構造１２３を有するダイ１１４乃至１１６を露出されているコンタクト構造１２２へ接着するのと同様に、露出されているコンタクト５９を有する表面に接着および接続される。図１９Ｃは、開口または間隔を有しないで、コンタクト１２４で充填されたビアを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部に設置される窓枠と、窓枠にスライド開閉可能に配置される障子と、上枠に配置されるレール間上カバーとを有し、
レール間上カバーは、障子の上面に向けて傾斜しながら垂下するヒレ片を有する
ことを特徴とする断熱サッシ。
【請求項２】
開口部に設置される窓枠と、窓枠にスライド開閉可能に配置される障子と、上枠に配置されるレール間上カバーとを有し、
レール間上カバーは、障子の上面に向けて傾斜した状態に維持される別体のヒレ片を有する
ことを特徴とする断熱サッシ。
【請求項３】
開口部に設置される窓枠と、窓枠にスライド開閉可能に配置される障子と、上枠に配置されるレール間上カバーとを有し、
レール間上カバーは、見込み方向の一部分に、下方に向けて突出して障子の上面に近接または当接する中空の突出部を有する
ことを特徴とする断熱サッシ。
【請求項４】
レール間上カバーは、上枠との間に空隙を形成して配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の断熱サッシ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本願の請求項１に係る発明の断熱サッシは、開口部に設置される窓枠と、窓枠にスライド開閉可能に配置される障子と、上枠に配置されるレール間上カバーとを有し、レール間上カバーは、障子の上面に向けて傾斜しながら垂下するヒレ片を有することを特徴とする。
本願の請求項２に係る発明の断熱サッシは、開口部に設置される窓枠と、窓枠にスライド開閉可能に配置される障子と、上枠に配置されるレール間上カバーとを有し、レール間上カバーは、障子の上面に向けて傾斜した状態に維持される別体のヒレ片を有することを特徴とする。
本願の請求項３に係る発明の断熱サッシは、開口部に設置される窓枠と、窓枠にスライド開閉可能に配置される障子と、上枠に配置されるレール間上カバーとを有し、レール間上カバーは、見込み方向の一部分に、下方に向けて突出して障子の上面に近接または当接する中空の突出部を有することを特徴とする。
本願の請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれかの断熱サッシにおいて、さらにレール間上カバーは、上枠との間に空隙を形成して配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願の請求項１乃至４に係る発明の断熱サッシによれば、案内レールからの輻射熱等により冷熱の伝達された空気の室内空間への対流を抑制することができる。そして、突出部は変形復元自在に設けられているので、障子の建て込み作業時に障子が突出部に接触しても突出部は変形し、建て込みが終了すれば復元して所定の形状を維持できるので、突出部を上枠もしくは障子の上框により近接させることができ、該空間から室内空間への空気の流れを確実に抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧ノズルから所定圧力で原料混合液を高圧噴射して粒子を微粒化する高圧噴射処理装置におけるモニタリング方法であって、前記高圧噴射処理装置にＡＥセンサを取り付けて、前記高圧噴射の際に前記高圧ノズル内で生じる周波数が０．２ＭＨｚ以上のキャビテーションによるＡＥ信号を検出し、検出された前記信号のレベルに基づいて前記粒子の微粒化度合いの判定を行うことを特徴とする高圧噴射処理装置のモニタリング方法。
【請求項２】
前記ＡＥセンサは、０．２〜１０ＭＨｚの間に共振周波数がある共振型ＡＥセンサであることを特徴とする請求項１記載の高圧噴射処理装置のモニタリング方法。
【請求項３】
前記原料混合液を高圧噴射する作業を複数回繰り返す作業において、前記信号のレベルを所定時間内の実効値で評価し、高圧噴射処理の前後での前記実効値の変化量が設定範囲内となったときに前記粒子が微粒化されたと判定することを特徴とする請求項１または２記載の高圧噴射処理装置のモニタリング方法。
【請求項４】
高圧ノズルから所定圧力で原料混合液を高圧噴射して粒子を微粒化する高圧噴射処理装置におけるモニタリング機器であって、前記高圧噴射処理装置に取り付けるＡＥセンサと当該ＡＥセンサからのＡＥ信号を処理して判定する信号処理判定手段を備え、前記高圧噴射処理装置に前記ＡＥセンサを取り付けて、前記高圧噴射の際に前記高圧ノズル内で生じる周波数が０．２ＭＨｚ以上のＡＥ信号を検出し、検出された前記信号のレベルに基づいて前記信号処理判定手段が前記粒子の微粒化度合いの判定を行うことを特徴とする高圧噴射処理装置のモニタリング機器。
【請求項５】
前記ＡＥセンサは、０．２〜１０ＭＨｚの間に共振周波数がある共振型ＡＥセンサであることを特徴とする請求項４記載の高圧噴射処理装置のモニタリング機器。
【請求項６】
前記原料混合液を高圧噴射する作業を複数回繰り返す作業において、前記ＡＥ信号のレベルを所定時間内の実効値で評価し、高圧噴射処理の前後での前記実効値の変化量が設定範囲内となったときに前記粒子が微粒化されたと判定することを特徴とする請求項４または５記載の高圧噴射処理装置のモニタリング機器。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか一項記載の高圧噴射処理装置のモニタリング機器を備え、前記原料混合液を高圧噴射する作業を複数回繰り返す作業において、前記モニタリング機器の信号処理判定手段によって前記粒子が微粒化されたと判定されるまで高圧噴射処理を繰り返す構成であることを特徴とする高圧噴射処理装置。
【請求項８】
高圧ノズルから所定圧力で原料混合液を高圧噴射して粒子を微粒化する高圧噴射処理装置におけるモニタリング方法であって、前記高圧噴射処理装置にＡＥセンサを取り付けて、前記高圧噴射の際に前記高圧ノズル内で生じる周波数が０．２ＭＨｚ以上のキャビテーションによるＡＥ信号を検出し、検出された前記信号のレベルに基づいて前記高圧ノズルのモニタリングを行うことを特徴とする高圧噴射処理装置のモニタリング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図２において、符号５００は高圧シリンダー部、符号４００は高圧ノズル、符号Ｄ１はノズル径、符号Ｌ１はノズル長さである。実施例で使用した装置では、高圧ノズル４００のノズル径Ｄ１は、例えば、０．１ｍｍであった。また、高圧ノズル４００のノズル長さＬ１は、例えば、１．０ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図２において、高圧ノズル４００内の液体の流速は、ノズル径Ｄ１とＡＥセンサ９の信号発生時間から求めることができる。まず噴射物が流体であるの水溶液のみ場合を考える。ここで高圧ノズル４００の長さＬ１を５．０ｍｍとし、圧力はその長さに比例して減少すると仮定する。キャビテーション数σｃから流体のキャビテーション状態を推測すると、σｃが１より小さい場合、キャビテーションが発生している状態になる。計算の結果、高圧ノズル４００の出口から１．６ｍｍ内側からキャビテーションが起こることが概算された。これは、時間に換算すると３．８４μｓｅｃ以内で発生していなければならない。周波数で表すと０．２６ＭＨｚ以上の高周波信号が、水による高圧ノズル４００内部でのキャビテーションによる信号ＡＥｓをモニターしていることになる。また、高圧ノズル４００の出口付近では、σｃは０．６以下になっており、そこではスーパーキャビーションの状態、すなわち、ノズルの側面には気泡が多く、強い撹拌効果が得られる状態になる。
一方、高圧ノズル４００から低圧チャンバーに入った領域では、その減圧雰囲気では気泡の収縮速度が落ち崩壊エネルギーも急激に減少する。この領域では、強いキャビテーション崩壊による微粒化の作用は得られない。ここでは、発生した大きな気泡の一部は完全に収縮するものと、高速な乱流で形が歪になり一部が分解した小さな気泡ができる。その過程は、流速がゼロ近くに減少するまでしばらく続き最終的には消滅する。このため、高圧ノズル４００の内部で発生している高エネルギーのキャビテーションは短時間で消滅するが、低圧のチャンバー内の乱流により新たに低圧キャビテーションが発生することになる。この影響で低周波のＡＥ信号は噴射終了後も尾を引いたようにしばらく発生し続けることになる。なお、前記チャンバーは、図４と図５に、符号４０で示される構成要素である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月10日(2016.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
歪ゲージ式以外の圧力センサの従来例として、ダイアフラムを有する容量型圧力感知素子がハウジングに収納され、容量型圧力感知素子の上に条件付け電子回路が配置された静電容量式圧力センサ（特許文献２）がある。
特許文献２の従来例では、圧力感知素子は、セラミックベースと、このセラミックベースに設けられ被測定流体の圧力により変位するダイアフラムとを有する。セラミックベースのダイアフラムとは反対側の面に条件付け電子回路が設けられている。条件付け電子回路は、コネクタハウジングに搭載された感知装置端子に電気的に接続される。
歪みゲージ式以外の圧力センサの他の従来例として、可変コンデンサがハウジングに収納された静電容量式圧力センサ（特許文献３）がある。
特許文献３の従来例では、可変コンデンサは、ハウジングに収納された剛固な基板と、この基板に設けられた可撓性のダイアフラムとを有し、基板に信号調整回路が設けられている。ハウジングにはコネクタが設けられ、このコネクタに装着されたコネクタ端子は、信号調整回路に電気的に接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図３にはコネクタ３の概要が示されている。
図１から図３において、コネクタ３は、係止部１３Ａに保持されるリング状の基部３１と、この基部３１に一体形成されターミナル端子４を支持する本体部３２とを備えた合成樹脂製部品である。
基部３１の本体部３２とは反対側の端部３Ａの外周部には係止部１３Ａを係止するための肩部３１Ａが形成されている。基部３１の肩部３１Ａより開口端側は凹部３１Ｂとされている。凹部３１Ｂとスリーブ部１３の内周との間には、Ｏリングからなるシール部材３３が設けられている。
基部３１の内周のうち軸芯を挟んで互いに反対側に位置する部分に係止用突起３１Ｃが形成されている。係止用突起３１Ｃは、平面視で矩形状に形成されている（図４参照）。
本体部３２は、ターミナル端子４がインサート成形される板部３２Ａと、板部３２Ａの外周縁部に一体形成された筒部３２Ｂとを有する。
基部３１の内周には、モジュール本体２０の角部に係合し板部３２Ａへの移動を規制する段部が形成されている（図２参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
さらに、前記各実施形態ではハウジング１を金属製部材から形成したが、本発明では、合成樹脂部材から継手を形成するものであってもよい。
また、電子部品２５を、平面２１Ａを挟んでパッド２４とは反対側に配置したが、これに限定されるものではない。例えば、センサモジュール２の平面２１Ａが大きな面積であれば、電子部品２５をパッド２４と隣接させるものであってもよい。
さらに、前記各実施形態では、物理量測定装置として圧力センサを例示して説明したが、本発明では、これに限定されることはなく、例えば、差圧センサや温度センサにも適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月9日(2016.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定ガス（Ｇ）が導入される被測定ガス室（１０１）と、
酸素イオン伝導性を有する固体電解質（２Ｘ）、及び該固体電解質（２Ｘ）上に設けられた一対の電極（２１，２５又は２１Ａ，２１Ｂ）を有するポンプセル（４１）と、
酸素イオン伝導性を有する固体電解質（２Ｙ）、及び該固体電解質（２Ｙ）上に設けられた一対の電極（２２，２５）を有するセンサセル（４２）と、
上記ポンプセル（４１）に電圧を印加して、上記被測定ガス室（１０１）における被測定ガス（Ｇ）中の酸素の濃度を調整するポンプセル制御部（６１）と、
上記センサセル（４２）に電圧を印加して、上記ポンプセル（４１）によって酸素濃度が調整された後の、上記被測定ガス室（１０１）における被測定ガス（Ｇ）中の特定ガスの濃度を検出するためのセンサセル検出部（６２）と、を備え、
上記ポンプセル制御部（６１）は、ガス濃度の検出を行う前のセンサ始動時において、上記センサセル（４２）の上記一対の電極（２２，２５）のうち、上記被測定ガス室（１０１）に配置されるセンサ電極（２２）に吸蔵された酸素を除去するために、上記センサセルの出力電流がプラス側からマイナス側に変化するよう、上記ポンプセル（４１）に除去用電圧（Ｖ２）を印加して、上記被測定ガス室（１０１）内に存在する物質を分解して還元ガスを発生させるよう構成されている、ガス濃度検出装置。
【請求項２】
上記除去用電圧（Ｖ２）は、上記ガス濃度検出装置のガス濃度検出時に上記ポンプセル（４１）に印加する通常電圧（Ｖ１）よりも高く設定されており、
上記ポンプセル制御部（６１）は、上記除去用電圧（Ｖ２）を上記ポンプセル（４１）に所定時間印加した後には、上記通常電圧（Ｖ１）を上記ポンプセル（４１）に印加するよう構成されている、請求項１に記載のガス濃度検出装置。
【請求項３】
上記還元ガスは、上記ポンプセル制御部（６１）によって上記被測定ガス（Ｇ）中に存在する水が分解されたときに発生する水素である、請求項１又は２に記載のガス濃度検出装置。
【請求項４】
上記センサ電極（２２）は、白金及びロジウムを含有しており、
上記ポンプセル制御部（６１）は、上記還元ガスによって上記センサ電極（２２）におけるロジウムに吸蔵された酸素を除去するよう構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガス濃度検出装置。
【請求項５】
上記除去用電圧（Ｖ２）は、０．５〜２Ｖの大きさである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガス濃度検出装置。
【請求項６】
上記除去用電圧（Ｖ２）が上記ポンプセル（４１）に印加される上記所定時間は、５〜３０秒である、請求項２に記載のガス濃度検出装置。
【請求項７】
上記固体電解質（２Ｘ，２Ｙ）に対して上記被測定ガス室（１０１）が対向する側とは反対側には、基準ガス（Ａ）が導入される基準ガス室（１０２）が設けられており、
上記ポンプセル（４１）における上記一対の電極（２１，２５）のうちの一つ（２５）と、上記センサセル（４２）における上記一対の電極（２２，２５）のうちの一つ（２５）とは、上記基準ガス室（１０２）に配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガス濃度検出装置。
【請求項８】
上記被測定ガス（Ｇ）は、内燃機関から排出される、水を含む排ガスであり、
上記センサセル検出部（６２）によって検出する上記被測定ガス（Ｇ）中の特定ガスは、窒素酸化物であり、
上記除去用電圧（Ｖ２）は、上記被測定ガス（Ｇ）中に含まれる水から水素を発生させるための大きさに設定されている、請求項１に記載のガス濃度検出装置。
【請求項９】
上記ポンプセル（４１）の上記固体電解質（２Ｘ）と上記センサセル（４２）の上記固体電解質（２Ｙ）とは、同じ固体電解質体（２）の一部としてそれぞれ形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載のガス濃度検出装置。
【請求項１０】
上記ポンプセル（４１）における上記一対の電極（２１，２５）のうちの一つ（２１）が配置される上記被測定ガス室（１０１）の部分の上記被測定ガス（Ｇ）が流れる方向に直交する流路断面積と、上記センサセル（４２）における上記センサ電極（２２）が配置される上記被測定ガス室（１０１）の部分の上記被測定ガス（Ｇ）が流れる方向に直交する流路断面積とは、同じである又は連続的に変化している、請求項１〜９のいずれか一項に記載のガス濃度検出装置。
【請求項１１】
酸素イオン伝導性を有する固体電解質（２Ｚ）、及び該固体電解質（２Ｚ）上に設けられた一対の電極（２３，２５）を有するモニタセル（４３）と、
該モニタセル（４３）に電圧を印加して、上記ポンプセル（４１）によって酸素濃度が調整された後の、上記被測定ガス室（１０１）における被測定ガス（Ｇ）中の酸素の濃度を検出するためのモニタセル検出部（６３）と、
上記センサセル検出部（６２）の出力から上記モニタセル検出部（６３）の出力を減算することにより、被測定ガス（Ｇ）中の特定ガスの濃度を算出する算出部（６６１）と、を備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のガス濃度検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様は、被測定ガスが導入される被測定ガス室と、
酸素イオン伝導性を有する固体電解質、及び該固体電解質上に設けられた一対の電極を有するポンプセルと、
酸素イオン伝導性を有する固体電解質、及び該固体電解質上に設けられた一対の電極を有するセンサセルと、
上記ポンプセルに電圧を印加して、上記被測定ガス室における被測定ガス中の酸素の濃度を調整するポンプセル制御部と、
上記センサセルに電圧を印加して、上記ポンプセルによって酸素濃度が調整された後の、上記被測定ガス室における被測定ガス中の特定ガスの濃度を検出するためのセンサセル検出部と、を備え、
上記ポンプセル制御部は、ガス濃度の検出を行う前のセンサ始動時において、上記センサセルの上記一対の電極のうち、上記被測定ガス室に配置されるセンサ電極に吸蔵された酸素を除去するために、上記センサセルの出力電流がプラス側からマイナス側に変化するよう、上記ポンプセルに除去用電圧を印加して、上記被測定ガス室内に存在する物質を分解して還元ガスを発生させるよう構成されている、ガス濃度検出装置にある。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、上記実施形態では、電源側リレー７、負荷側リレー８を、それぞれ逆相電源供給のスイッチ、正相電源供給のスイッチとして用いる構成としたが、切替回路９の結線を入れ替えることにより、実施形態の場合とは反対に、電源側リレー７を正相電源供給のスイッチに、負荷側リレー８を逆相電源供給の電源スイッチとして用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ｃ接点型リレー１１ａおよび１２ａは、電源ライン３ａを切断して電源側および負荷側に対応するように配置されている。切替回路１３は、電源ライン３ｂ、３ｃに対応する部分の結線構成は、切替回路９と同じである。電源ライン３ａに対応する部分の結線構成は、ｃ接点型リレー１１ａおよび１２ａにおいて、一方の常開接点ａと他方の常閉接点ｂとを互いに接続している。
なお、第１実施形態と同様に、上記構成において、負荷側リレー１２は正相電源供給用の電源スイッチとして機能し、電源側リレー１１は、逆相電源供給用の電源スイッチとして機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一方、上記の制御内容のうち、制御部６により三相電動機２に逆相電源供給を行うことを判断した場合には、図示はしていないが、電源側リレー１１をオンさせるべく、リレーコイル１１ｄにオン信号を出力して制御する。この場合には、電源側リレー１２のｃ接点型リレー１２ａ、１２ｂ、１２ｃは同時にオンし、それぞれの可動接点ｃは常開接点ａと導通する状態に変化する。三相電源１の電源ラインＬ１は三相電動機２の端子Ｒに接続され、電源ラインＬ２およびＬ３は、切替回路１３で交差して三相電動機２の端子Ｔ、端子Ｓに接続される。これにより、三相電源１が電源ラインＬ２、Ｌ３の接続状態とは逆相で三相電動機２に接続され、三相電動機２は逆相で給電される。三相電動機２は、三相電源１が正規の状態で接続されたこととなり、正規の回転方向に回転し、ファンによる送風動作を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。また、電源側リレー１１および負荷側リレー１２のそれぞれに電源ライン３ａに対応してｃ接点型リレー１１ａ、１２ａを設けているので、三相電動機２への通電をおこなわない場合には、三相電動機２への電源ラインをすべてオフ状態とすることができる。これにより、例えば三相電動機２を外付けで配置する場合でも、停止中に電源ラインＬ１〜Ｌ３のいずれからも三相電源１が印加される状態を無くすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、上記実施形態においても、電源側リレー１１、負荷側リレー１２を、それぞれ逆相電源供給のスイッチ、正相電源供給のスイッチとして用いる構成としたが、切替回路１３の結線を入れ替えることにより、実施形態の場合とは反対に、電源側リレー１１を正相電源供給のスイッチに、負荷側リレー１２を逆相電源供給の電源スイッチとして用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に集積用凹部を有する回転ドラムと、該回転ドラムの外周面に向けて成形体材料を飛散状態にて供給するダクトとを有し、前記回転ドラムの内部からの吸引によって生じた空気流により前記集積用凹部に前記成形体材料を積繊して、吸収体を成型する吸収体の製造装置であって、
前記集積用凹部は、第１領域と、該第１領域よりも深さの深い第２領域とを有し、
前記ダクトの内部において、前記回転ドラムの回転方向下流側に該ダクトの天面から垂れ下がる垂下板により仕切られた空間内に、表面が前記成形体材料に接触するように配置されて、積繊させた過剰量の前記成形体材料を掻き取るスカッフィングロールと、該スカッフィングロールよりも前記回転ドラムの前記回転方向下流側に配置されて、外気を取り込むダクト開口部とを備え、
前記ダクトの内部は、前記垂下板よりも前記回転ドラムの回転方向上流側であって、飛散状態の前記成形体材料を前記集積用凹部からあふれるように過剰に積繊させる積繊領域と、前記垂下板よりも前記回転ドラムの前記回転方向下流側であって、積繊させた過剰量の該成形体材料を前記スカッフィングロールにて掻き取り、掻き取った該成形体材料を前記集積用凹部に再積繊させる再積繊領域とに、前記垂下板によって分断されており、該スカッフィングロールにて掻き取った該成形体材料は該再積繊領域内において再積繊される吸収体の製造装置。
【請求項２】
飛散状態の前記成形体材料を前記集積用凹部に積繊させた状態において、前記スカッフィングロール及び前記ダクトの天面の間の前記ダクト開口部から取り込まれた外気の流速が、前記スカッフィングロール及び前記回転ドラムの間の前記ダクト開口部から取り込まれた外気の流速よりも速い請求項１に記載の吸収体の製造装置。
【請求項３】
前記ダクト開口部は、その開口面積を調整して、取り込む外気の量を調整する外気量調整手段を有する請求項１又は２に記載の吸収体の製造装置。
【請求項４】
前記回転ドラムは、その内部に仕切られた複数の空間を有し、各該空間の吸引力を調整する吸引力調整手段を有する請求項１〜３の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項５】
前記ダクト開口部は、前記ダクトにおける前記回転ドラムの前記回転方向最下流に位置する出口に形成されている請求項１〜４の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項６】
前記垂下板よりも前記回転ドラムの前記回転方向上流側の前記ダクトの内部において、前記回転ドラムの周方向に沿う両側部に配置された一対の仕切り板を備え、
飛散状態の前記成形体材料を前記一対の仕切り板にて前記集積用凹部における該一対の仕切り板どうしの間に対応する領域に前記集積用凹部からあふれるように過剰に積繊させ、積繊させた過剰量の該成形体材料を前記スカッフィングロールにて掻き取り、前記仕切られた空間内で掻き取った該成形体材料を前記集積用凹部における過剰に積繊させた部分の両側部に再積繊する請求項１〜５の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項７】
前記第２領域の底面、及び前記第１領域の底面は、それぞれ、吸引孔を多数有する多孔性部材で構成されており、
前記集積用凹部における前記多孔性部材の内面側に、吸引力を調整する調整体が、該多孔性部材の内面に重ねて配置されており、
前記調整体は、該調整体を厚み方向に貫通する複数の開口部を有し、該開口部の一部は、前記集積用凹部の前記多孔性部材から相対的に遠い方の開口部が相対的に近い方の開口部に比して開口面積が小さい請求項１〜６の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項８】
前記第２領域の前記多孔性部材の内面側に、吸引力を調整する調整体が配置されておらず、前記多孔性部材の前記吸引孔は、外面側の開口面積と内面側の開口面積が同じである請求項７に記載の吸収体の製造装置。
【請求項９】
前記垂下板よりも前記回転ドラムの前記回転方向上流側の前記ダクトの内部において、前記回転ドラムの周方向に沿う両側部に配置された一対の仕切り板を備え、
前記一対の仕切り板は、前記回転ドラムに向かって、互いの間隔が漸次狭くなるように傾斜しており、
前記一対の仕切り板の前記回転ドラム側の端部どうしの間隔が、前記第２領域の幅と一致している請求項１〜８の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項１０】
前記ダクト開口部は、前記ダクトの高さ方向に関して、該ダクトの天面側の位置に設けられている請求項１〜９の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項１１】
前記ダクト開口部は、前記スカッフィングロールの回転軸よりも、前記回転ドラムの上方に設けられる請求項１〜１０の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【請求項１２】
前記垂下板は、前記ダクトの全幅に亘って該ダクトの天面から前記回転ドラムの周方向の上流側に向かって凸の円弧状に形成されている請求項１〜１１の何れか１項に記載の吸収体の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月3日(2015.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の操作によって遊技媒体が打ち込まれる遊技領域と、
遊技状態に応じた演出画面を表示する表示装置と、
前記遊技領域内の所定位置に配置された第一可動体と、
該第一可動体を遊技者によって視認され難い通常位置と前記演出画面の前面に出現して遊技者によって視認される出現位置との間で移動させる第一駆動機構と、
前記第一可動体とは異なる位置に配置された第二可動体と、
前記出現位置に接近した所定位置であって遊技者によって前記第二可動体が視認される第一位置と、前記出現位置に対して該第一位置よりも離れた所定位置であって遊技者によって視認され難い第二位置との間で前記第二可動体を移動させる第二駆動機構と、
を備え、
前記第一可動体が前記通常位置から前記出現位置に移動したことが遊技者によって視認されながら前記第二可動体が前記第二位置から前記第一位置に移動した際、
該第一可動体と該第二可動体とが一体となった演出態様として認識可能にされるものの、当該第一可動体と当該第二可動体とは互いに接触しないように配置され、
前記第一可動体と前記第二可動体とが前記演出画面の前面にあるものの、当該演出画面の一部は該第一可動体及び該第二可動体によって遮られることなく遊技者によって視認可能であり、
さらに、前記第一可動体が前記出現位置に移動された際には、前記演出態様を変化させ得る態様変化手段と、を備える
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第一可動体が所定軸周りに回転可能とされ、
前記第一駆動機構は、前記第一可動体が前記出現位置にあるときに、該第一可動体を回転駆動させる
ことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記遊技媒体が遊技球である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明は、遊技者の操作によって遊技媒体が打ち込まれる遊技領域と、遊技状態に応じた演出画面を表示する表示装置と、前記遊技領域内の所定位置に配置された第一可動体と、該第一可動体を遊技者によって視認され難い通常位置と前記演出画面の前面に出現して遊技者によって視認される出現位置との間で移動させる第一駆動機構と、前記第一可動体とは異なる位置に配置された第二可動体と、前記出現位置に接近した所定位置であって遊技者によって前記第二可動体が視認される第一位置と、前記出現位置に対して該第一位置よりも離れた所定位置であって遊技者によって視認され難い第二位置との間で前記第二可動体を移動させる第二駆動機構と、を備え、前記第一可動体が前記通常位置から前記出現位置に移動したことが遊技者によって視認されながら前記第二可動体が前記第二位置から前記第一位置に移動した際、該第一可動体と該第二可動体とが一体となった演出態様として認識可能にされるものの、当該第一可動体と当該第二可動体とは互いに接触しないように配置され、前記第一可動体と前記第二可動体とが前記演出画面の前面にあるものの、当該演出画面の一部は該第一可動体及び該第二可動体によって遮られることなく遊技者によって視認可能であり、さらに、前記第一可動体が前記出現位置に移動された際には、前記演出態様を変化させ得る態様変化手段と、を備えることを特徴とする遊技機である。
さらに、本発明の態様を例示すると次のとおりである。
手段１：遊技機において、
「遊技者の操作によって遊技媒体が打ち込まれる遊技領域と、
正面視で該遊技領域内の所定位置に配置され、透光性を有すると共に所定形状に形成された装飾体ベース、及び該装飾体ベースの所定位置に揺動可能に支持され透光性を有すると共に多面体状に形成された複数の揺動部材、を備えた可動装飾体と、
該可動装飾体を前記遊技領域内へ遊技媒体が打ち込まれることで変化する遊技状態に応じて移動させる駆動機構と
を具備する」ものであることを特徴とする。