【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
基板１０ａは、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。基板１０ａは、その一主面に有機発光素子１Ａが配列形成される支持体である。基板１０ａの構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて基板１０ａを構成してもよい。基板１０ａには、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では封止基板２０から光が取り出されるため、基板１０ａは、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２０には基板１０ａと同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により基板１０ａを構成してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ＴＦＴ１１は、例えば、上記サンプリング用トランジスタ３４Ａまたは駆動用トランジスタ３４Ｂに対応するトランジスタであり、有機発光素子１Ａの能動素子として機能するものである。ＴＦＴ１１の構成は、逆スタガ構造（ボトムゲート型）であっても、スタガ構造（トップゲート型）であってもよいが、ここでは、ボトムゲート型のＴＦＴ１１について説明する。ＴＦＴ１１は、例えば、基板１０ａ上の選択的な領域にゲート電極１１０を有し、このゲート電極１１０と基板１０ａとを覆うように基板１０ａの全面にわたってゲート絶縁膜１１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１１上には、半導体層１１２が形成されている。この半導体層１１２は、チャネルを形成する活性層として機能するものであり、例えば非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコンまたは酸化物半導体等により構成されている。この半導体層１１２上には、貫通孔（コンタクトホールＨ１）を有する層間絶縁膜１１３が形成されており、層間絶縁膜１１３上には、そのコンタクトホールＨ１を埋め込むように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極１１４が配設されている。このＴＦＴ１１は、駆動基板１０において、平坦化膜１０ｂにより被覆されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
平坦化膜１０ｂは、ＴＦＴ１１が形成された基板１０ａの表面を平坦化するためのものであり、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より平坦化膜１０ｂを構成するようにしてもよい。平坦化膜１０ｂは、コンタクトホールＨ２を有し、このコンタクトホールＨ２を通じてＴＦＴ１１（ソース・ドレイン電極１１４）と、後述の第１電極１２とが電気的に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
平坦化膜１０ｂ上には、有機発光素子１Ａが設けられている。この有機発光素子１Ａは、平坦化膜１０ｂ（駆動基板１０）に近い位置から、第１電極１２、有機層（後述の図４の有機層１５）および第２電極１６をこの順に有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第１電極１２は、平坦化膜１０ｂ上に例えば有機発光素子１Ａ毎に分離して設けられている。この第１電極１２は例えばアノード電極としての機能および反射層としての機能を兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１２としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ〜３００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１２は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極１２に用いるようにしてもよい。第１電極１２には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層１５（特に、後述の正孔注入層１５１）を選択することにより、第１電極１２として用いることが可能となる。光透過性の高い導電材料により第１電極１２を構成し、基板１０ａと第１電極１２との間に反射層を設けるようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
正孔輸送層１５２は、発光層１５３への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５２は、例えばα−ＮＰＤにより構成されている。正孔輸送層１５２の厚みは、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
補助電極１３は、例えば、平坦化膜１０ｂ上に、第１電極１２と同層に設けられている（図１）。補助電極１３上にも画素間絶縁膜１４が設けられており、補助電極１３は画素間絶縁膜１４により第１電極１２と電気的に絶縁されている。画素間絶縁膜１４には補助電極１３の表面を露出させる開口Ｓ２が設けられており、この開口Ｓ２で補助電極１３と有機発光素子１Ａの形成領域から延在した電子輸送層１５４とが接している。開口Ｓ２では、電子輸送層１５４を間にして補助電極１３に第２電極１６が積層されている。上述のように、これにより、電子輸送層１５４を介して補助電極１３と第２電極１６とが電気的に接続される。開口Ｓ２の側壁は例えば、補助電極１３の表面に対して略垂直に設けられており、電子輸送層１５４および第２電極１６は、画素間絶縁膜１４上から、この開口Ｓ２の側壁に沿って連続して設けられている。開口Ｓ２は、例えば格子形状の補助電極１３の交差部に対向する位置に複数配置されている（図６）。開口Ｓ２は、どのように配置してもよく、例えば、Ｘ方向またはＹ方向のどちらか一方、あるいは両方に延在させて設けるようにしてもよい（図示せず）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
まず、駆動基板１０を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、基板１０ａの全面にわたって平坦化膜１０ｂを、例えばスピンコート法またはスリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜１０ｂを、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜１０ｂにコンタクトホールＨ２を形成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
赤色発光層２５３Ｒは、電界をかけることにより、第１電極１２から正孔注入層２５１および正孔輸送層２５２を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層２５４および発光分離層２５５を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。発光分離層２５５を介して赤色発光層２５３Ｒに電子が注入されることにより、発光分離層２５５への電子の供給量が減少する。この赤色発光層２５３Ｒは、例えば、赤色発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料および両電荷輸送材料のうちの少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも、燐光性のものでもよい。赤色発光層２５３Ｒには、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものを用いることができる。発光分離層２５５は、例えば化１に示した４，４'−ビス[Ｎ−(１−ナフチル)−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル等により構成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
まず、図１５Ａに示したように、補助電極１３上に成形薄膜１２０を形成する。成形薄膜１２０は、開口Ｓ３の傾斜面１４Ｂを形成するために設ける。この成形薄膜１２０は、例えば、駆動基板１０上の全面にスパッタ法を用いてアルミニウム等の金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いたウェットエッチングにより順テーパ形状を有するようにパターニングして形成する。これにより、傾斜面１２０Ｂを有する成形薄膜１２０が補助電極１３上に選択的に形成される。成形薄膜１２０の断面は台形状である。傾斜面１２０Ｂは、傾斜面１４Ｂと略同位置に、略同程度の傾斜を有するように形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
一方、蒸着源に対して開口Ｓ３を広げる方向の傾斜面１４Ａには、これに沿って有機層２５が成膜される。しかし、有機層２５のうち、駆動基板１０に対して蒸着源を平行に配置して成膜する層（正孔注入層２５１，正孔輸送層２５２，発光層２５３および発光分離層２５５）は、蒸着材料が傾斜面１４Ａから開口Ｓ３の底面（補助電極１３の表面）に回り込むことができないため、補助電極１３上には成膜されない（図１７Ａ）。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
表示装置２では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３の側壁に傾斜面１４Ｂが設けられているので、蒸着マスク（図７Ｂの蒸着マスクＭ）を用いずに電子輸送層２５４以外の有機層２５（正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２、発光層２５３および発光分離層２５５）を形成することができる。これにより、歩留まりを向上させることが可能となる。以下、これについて説明する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
これに対し、表示装置２では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３の側壁に傾斜面１４Ｂが設けられている。これにより、有機層２５は開口Ｓ３の上端ｅ近傍で分断される。有機層２５のうち、蒸着源を駆動基板１０に対して平行に配置して成膜すると、開口Ｓ３の底面にも成膜されない（正孔注入層２５１，正孔輸送層２５２，発光層２５３および発光分離層２５５）。即ち、蒸着方向を調整することにより、補助電極１３上には電子輸送層２５４以外の有機層２５が成膜されない。従って、蒸着マスクを用いることなく、電子輸送層２５４以外の有機層２５が補助電極１３に付着するのを防ぐことができる。よって、歩留まりを向上させることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
また、開口Ｓ３の底面から傾斜面１４Ａの間で、第２電極１６が切断される虞があるが、導電性の電子輸送層２５４が第２電極１６と共に、開口Ｓ３の底面から傾斜面１４Ａを覆っている。これにより、仮に第２電極１６の一部が切断されていても、電子輸送層２５４により補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続が維持される。よって、補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続の安定性を向上させることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
補助電極７１には、電子輸送層２５４が接する部分（接続部７１Ａ）が設けられている。この接続部７１Ａに電子輸送層２５４および第２電極１６が成膜されることにより、電子輸送層２５４を介して補助電極７１と第２電極１６とが電気的に接続されるようになっている。この接続部７１Ａは、補助電極７１のうち、柱状部材７３から拡幅し、かつ、遮蔽部材７２により覆われている領域である。このような接続部７１Ａには、カバレッジの低い有機層２５は成膜されにくい。上記第２の実施の形態で説明したのと同様にして、電子輸送層２５４および第２電極１６を斜め蒸着により形成することで、接続部７１Ａにも電子輸送層２５４および第２電極１６が成膜される。補助電極７１は、例えば上記表示装置１の補助電極１３と同様の材料により構成されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
遮蔽部材７２の平面形状の面積は、補助電極７１の平面形状の面積以下であることが好ましい。遮蔽部材７２の平面形状の面積が、補助電極７１の平面形状の面積よりも大きいと、接続部３１Ａに電子輸送層２５４が成膜されにくくなるためである。このような遮蔽部材７２および柱状部材７３は、低抵抗の金属材料により構成することが好ましい。例えば、補助電極７１をチタン（Ｔｉ）により構成するとき、柱状部材７３をアルミニウム（Ａｌ）、遮蔽部材７２をチタンによりそれぞれ構成する。これらの金属膜を順に例えばスパッタ法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより補助電極７１および遮蔽部材７２を形成する。補助電極７１および遮蔽部材７２よりも、幅の小さい柱状部材７３は、例えば、補助電極７１および遮蔽部材７２のパターニング後に、弱アルカリ性溶液等を用いて選択的にエッチングすることにより形成する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
［モジュール］
上記表示装置１は、例えば図２１に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１０または封止基板２０の一辺に、封止基板２０または駆動基板１０から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１、電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３およびライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２の配線を延長して外部接続端子を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015103438.tif 000001
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2015103438.tif 000002
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ａ】
2015103438.tif 000003
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｂ】
2015103438.tif 000004
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｃ】
2015103438.tif 000005
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ａ】
2015103438.tif 000006
【手続補正２４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｂ】
2015103438.tif 000007
【手続補正２５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９Ａ】
2015103438.tif 000008
【手続補正２６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９Ｂ】
2015103438.tif 000009
【手続補正２７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2015103438.tif 000010
【手続補正２８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2015103438.tif 000011
【手続補正２９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2015103438.tif 000012
【手続補正３０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2015103438.tif 000013
【手続補正３１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６Ｂ】
2015103438.tif 000014
【手続補正３２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2015103438.tif 000015