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　特願２０１２−５０５９５９「ＬＥＤ基板処理」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２８日国際公開、ＷＯ２０１０／１２３７７２、平成２４年１０月１１日国内公表、特表２０１２−５２４４００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２２年（２０１０年）４月１６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年４月２０日，米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　４月１５日　審査請求・手続補正
平成２６年　３月２０日　拒絶理由通知
平成２６年　７月　４日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２７日　拒絶査定
平成２７年　７月　３日　審判請求
平成２８年　６月　９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２８年　９月　９日　意見書・手続補正
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項５に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項５に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項５】
　処理チャンバと，
　処理チャンバの内部に配置された半導体基板を支持し，処理の間，前記半導体基板を回転するように構成された基板支持アセンブリと，
　発光ダイオードアセンブリを含む光学的アセンブリと，
　前記発光ダイオードアセンブリと前記基板支持アセンブリとの間に位置した，光学的拡散器を備えた半導体基板を熱的に処理するためのシステムであって，前記発光ダイオードアセンブリが，それぞれが１ミリ秒から１秒未満の範囲の持続期間を有する複数の光のパルスを放出するように構成された，劈開されていない基板上に形成された発光ダイオードのアレイを備え，前記発光ダイオードのアレイが，少なくとも２００℃まで半導体基板の上面全体を急速且つ実質的に均一に加熱するパターンに配列された，半導体基板を熱的に処理するためのシステム。」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　当審拒絶理由に引用された，本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００８／０１６１１６号（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「技術分野
　【０００１】
　本発明は，
半導体ウエハ等の被処理体に対してＬＥＤからの光を照射することにより，被処理体にアニールを行うアニール装置およびアニール方法
【背景技術】
　【０００２】
　半導体デバイスの製造において，被処理基板である半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）に対して，成膜処理，酸化拡散処理，改質処理，アニール処理等の各種熱処理が施される。そして，昨今における半導体デバイスに対する高速化や高集積化等の要求にともない，熱処理を行う際に，とりわけ
イオンインプランテーション後のアニール処理を行う際には拡散を最小限に抑えるため，被処理体をより高速で昇降温させることが指向されている。このような高速昇降温が可能なアニール装置として，ＬＥＤ（発光ダイオード）を熱源として用いた装置が提案されている（例えば，特表２００５−５３６０４５号公報）。ＬＥＤによる加熱は，加熱源の黒体輻射ではなく，電子とホールとの再結合による電磁輻射を利用している。したがって，ウエハ等をＬＥＤによって加熱する場合には，ウエハ等の降温速度を速くすることができる。
（イ）「【発明を実施するための形態】
　【００１７】
　以下，添付図面を参照しながら本発明の一実施形態について説明する。以下の実施の形態においては，
表面に不純物が注入されたウエハをアニールするためのアニール装置
【００１８】
　アニール装置１００は，気密に構成され，ウエハＷが搬入される
処理容器１を有している。
ウエハＷを水平に支持する支持部材３が設けられている。
・・・
　【００２２】
　
加熱源７ａ，７ｂは
多数のＬＥＤ素子３３と，を有するＬＥＤアレイ３４を複数含んでいる。
ウエハＷが表裏面から加熱されてアニール処理される。各ＬＥＤアレイ３４は，平面視において例えば六角形状をなし，例えば図３に示すように配置される。
・・・
　【００２７】
　ＬＥＤ素子３３は，上述したようにＧａＡｓ系材料から構成される。ＬＥＤ素子３３を形成するＧａＡｓ系材料としては，ＧａＡｓ，ＧａＡｓＡｌが例示される。これらの材料は，放射光の中心波長が９５０〜９７０ｎｍ程度の近赤外領域であり，その放射光帯域の幅は５０ｎｍ程度と狭い。アニール対象をシリコン製のウエハＷとした場合，アニール対象の放射（吸収）特性は図５に示すようなものとなる。ＧａＡｓ系材料の放射波長である９５０〜９７０ｎｍ付近では放射率（吸収率）が０．６５程度であって，放射率の値は温度によらずほぼ一定である。一方，従来ＬＥＤ素子として多用されてきたＧａＮは，放射光の中心波長が３６０〜５２０ｎｍ程度の紫外〜青色領域である。そして，ＧａＮからなるＬＥＤ素子の放射波長におけるシリコンの放射率（吸収率）は０．６程度である。したがって，ＧａＡｓ系材料で構成されたＬＥＤ素子３３から射出される光の方が，ＧａＮ系材料で構成されたＬＥＤ素子からの光よりも，高い吸収率でシリコン製のウエハＷに吸収される。
・・・
 【００２９】
　図７として示されたグラフにおいて，ＧａＡｓ系材料から構成されたＬＥＤ素子の電流−光出力特性と，ＧａＮ系材料から構成されたＬＥＤ素子の電流−光出力特性と，が比較されている。このグラフにも示されているように，ＧａＮ系材料から構成されたＬＥＤ素子においては，駆動電流が定格電流（５０ｍＡ）の１．５倍程度を超えると，光出力が飽和する。一方，ＧａＡｓ系材料から構成されたＬＥＤ素子においては，駆動電流が定格電流（５０ｍＡ）を大きく超えても，電流に比例して光出力が増加していく。つまり，ＧａＡｓ系材料から構成されたＬＥＤ素子３３については，駆動電流を増加させれば，結合層，量子井戸の容量の分は光出力を増加させることができる。ただし，ＬＥＤ素子自体の発熱による発光量の低下が存在するため，室温では大きな光出力増加は得られない。しかしながら，上述したように冷却媒体２１および放熱部材２９ａ，２９ｂを用いてＬＥＤ素子３３を冷却することにより，ＧａＡｓ系材料から構成されたＬＥＤ素子３３から大きな光出力を得ることができるようになる。ＬＥＤ素子３３を冷却する場合，発熱による発光量の低下を有効に抑制して十分な光出力を得るためには，冷却媒体２１による冷却温度は０℃以下であることが好ましい。また，
ＧａＡｓ系材料から構成されたＬＥＤ素子３３には，パルスモードによる動作が規定されており，その場合の電流値は１Ａ（室温）である。したがって，このように冷却媒体２１および放熱部材２９ａ，２９ｂによりＬＥＤ素子３３を冷却しつつ，定格電流の２０倍に相当する１Ａの電流を連続モードでＬＥＤ素子３３へ供給することによって，定格電流をＬＥＤ素子３３に供給した場合と比較して２０倍の光出力をＬＥＤ素子３３から得ることができるようになる。
（ウ）「【００３３】
　次に，
以上のようなアニール装置１００を用いて実行され得るアニール方法
まず，ゲートバルブ２５を開にして搬入出口２４からウエハＷを搬入し，支持部材３上に載置する。
・・・
　【００３５】
　また，
給電装置１０から加熱源７ａ，７ｂのＬＥＤ素子３３に所定の電流を供給してＬＥＤ素子３３を点灯させる。
ウエハＷを急速加熱することができ，従来よりも高速加熱が要求されるアニールに対しても十分に適用可能となる。
（エ）図１には，
処理容器１の内部に支持部材３が設けられている
加熱源７ａのＬＥＤアレイ３４の配置された幅がウエハＷの幅とほぼ等しいこと
加熱源７ａのＬＥＤアレイ３４の配置された面がウエハＷの表面と実質的に平行であること
（オ）図３には，
ＬＥＤアレイ３４が平面上に均一に配置されている加熱源７ａ
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「処理容器と，処理容器の内部に設けられた半導体ウエハを水平に支持する支持部材と，半導体ウエハに対してＬＥＤ素子からの光を表面に照射し高速で昇降温させ，多数のＬＥＤ素子を有するＬＥＤアレイを複数含んでいる加熱源とを備えた，半導体ウエハをアニールするアニール装置。」
（３）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２
　当審拒絶理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００８−０１６５４５号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体ウエハ等に対してＬＥＤからの光を照射することによりアニールを行うアニール装置およびアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体デバイスの製造においては，被処理基板である半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）に対して，成膜処理，酸化拡散処理，改質処理，アニール処理等の各種熱処理が存在するが，半導体デバイスの高速化，高集積化の要求にともない，特にイオンインプランテーション後のアニールは，拡散を最小限に抑えるために，より高速での昇降温が指向されている。このような高速昇降温が可能なアニール装置としてＬＥＤ（発光ダイオード）を熱源として用いたものが提案されている（例えば特許文献１）。」
（イ）「【００１７】
　以下，添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ここでは，
表面に不純物が注入されたウエハをアニールするためのアニール装置
　図１は，本発明の一実施形態に係るアニール装置の概略構成を示す断面図である。このアニール装置１００は，気密に構成され，ウエハＷが搬入されるチャンバー（処理容器）１を有している。
・・・
【００２２】
　
ＬＥＤ素子１５としては，射出される光の波長が紫外光〜近赤外光の範囲，好ましくは０．３６〜１．０μｍの範囲である。このような０．３６〜１．０μｍの範囲の光を射出する材料としてはＧａＮ，ＧａＡｓ等が例示される。
・・・
【００３４】
　そして，ＤＣ−ＤＣコンバータ５３を制御して電気二重層コンデンサモジュール５２から放電させ，各ゾーンの光源１８を構成するＬＥＤ素子１５に所定の電流を供給してＬＥＤ素子１５を点灯させる。この際の
ＬＥＤ素子１５の光エネルギーにより，ウエハＷを１００〜１０００℃／ｓｅｃ程度の加熱速度で急速に加熱することができる。例えば，複数の光源１８に配置されている多数のＬＥＤ素子１５を１秒間点灯することにより，１０００℃程度の高温まで急速に加熱することができる。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「多数のＬＥＤ素子を１秒間点灯することにより，１０００℃程度の高温まで急速に加熱することができる，ウエハをアニールするためのアニール装置。」
（４）周知技術１
　ア　周知例１
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−２３５４８９号公報（以下，「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置の製造技術に関し，特に，
ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）を採用した半導体ウエハの熱処理工程に適用して有効な技術に関する。
（イ）「【００１９】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１である枚葉式ＲＴＰ装置を用いた熱処理方法を図１〜図３を用いて説明する。図１は，熱処理の過程を示す工程図，図２は，熱処理時の半導体ウエハの温度および回転数の時間変化を示すグラフ図，図３は，熱処理の昇温過程およびメイン処理過程における半導体ウエハの反りを示す模式図である。本実施の形態１では，熱処理は昇温過程，所定温度を所定時間保持するメイン処理過程および降温過程とからなり，メイン処理の温度を１０００℃，時間を２０秒とした。
【００２０】
図示は省略するが，
枚葉式ＲＴＰ装置には，加熱源として約１μｍをピークとした赤外線領域に分布する波長を有するハロゲンランプが備わっており，ハロゲンランプのランプパワーの設定条件を変えることによって，半導体ウエハ１Ｗの温度を調整することができる。また枚葉式ＲＴＰ装置は，半導体ウエハ１Ｗの面内温度の均一性を向上するために，熱処理中に半導体ウエハ１Ｗを回転させる機能を備えている。
【００２１】
まず，半
導体ウエハ１Ｗを枚葉式ＲＴＰ装置のチャンバ内に挿入し，ステージ２３上に載置した後（図１の工程１０１），半導体ウエハ１Ｗを相対的に低い回転数，例えば１００ｒｐｍ以下（図２では１００ｒｐｍ）で回転させる（図１の工程１０２）。
　イ　周知技術１
　前記アより，次の発明（以下，「周知技術１」という。）は本願の優先日前に周知技術であったと認められる。
「半導体ウエハの熱処理装置において，半導体ウエハの面内温度の均一性を向上するために，熱処理中に半導体ウエハを回転させる機能を備えたステージ。」
（５）周知技術２
　ア　周知例２
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−３１８１７１号公報（以下，「周知例２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体基板を熱処理する方法および
半導体基板の熱処理装置に関する。
（イ）「【００１３】
　本発明に従った実施の形態による半導体基板の熱処理装置は，半導体基板に注入された不純物を活性化させるために該半導体基板を熱処理する
半導体基板の熱処理装置であって，前記半導体基板へ光を放射し，前記半導体基板を熱処理する光源と，前記光源と前記半導体基板との間に設けられ，前記光源からの光エネルギーが前記半導体基板内において局所的に集中することを防止する光拡散板とを備えている。
　イ　周知例３
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−２９６６２５号公報（以下，「周知例３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，
半導体ウェハー
に閃光を照射することによって，
基板温度を昇温させる熱処理装置
（イ）「【００２１】
＜１．熱処理装置の構成＞
図１および図２は本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。こ
の熱処理装置は，キセノンフラッシュランプからの閃光によって半導体ウェハー等の基板の熱処理を行う装置である。
【００２２】
この熱処理装置は，透光板６１，底板６２および一対の側板６３，６４からなり，その内部に半導体ウェハーＷを収納して熱処理するためのチャンバー６５を備える。
・・・
【００２４】
チャンバー６５は光源５の下方に設けられている。光源５は，複数（本実施形態においては２７本）のキセノンフラッシュランプ６９（以下，単に「フラッシュランプ６９」とも称する）と，リフレクタ７１とを備える。複数のフラッシュランプ６９は，それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり，それぞれの長手方向が水平方向に沿うようにして互いに平行に列設されている。リフレクタ７１は，複数のフラッシュランプ６９の上方にそれらの全体を被うように配設されている。
【００２５】
このキセノンフラッシュランプ６９は，その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と，該ガラス管の外局部に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから，通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら，トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には，コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ，そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ６９においては，予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから，連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。本実施形態では，熱処理装置にフラッシュランプ６９から出射される光の強度を計測する機構（図１および図２では図示の便宜上省略）を設けているのであるがそれについてはさらに後述する。
【００２６】
光源５と透光板６１との間には，光拡散板７２が配設されている。
【００２７】
フラッシュランプ６９から放射された光の一部は直接に光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。また，フラッシュランプ６９から放射された光の他の一部は一旦リフレクタ７１によって反射されてから光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。
　ウ　周知技術２
　前記ア及びイより，次の発明（以下，「周知技術２」という。）は，本願の優先日前に周知技術であったと認められる。
「半導体基板の熱処理装置において，光源からの光エネルギーが半導体基板内において局所的に集中することを防止するために，光源と半導体基板との間に光拡散板を備えること。」
（６）周知技術３
　ア　周知例４
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−２６４９０３号公報（以下，「周知例４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００６９】この後、以上のようにして
レーザー構造が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板５１をバー状に劈開して両共振器端面を形成した
このバーを劈開してチップ化し、パッケージングを行う。
（イ）「【００７５】また、ｎ型ＧａＡｓ基板５１は、大面積のものが容易に入手可能であることから、二次元集積化ディスプレイの実現が可能である。すなわち、図８に示すように、
十分に大面積のｎ型ＧａＡｓ基板５１上に、ＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長された低結晶欠陥密度のｎ型バッファ層を介して、ＭＢＥ法によりｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層およびｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を順次エピタキシャル成長させ、さらにその上に例えば透明電極からなるｐ側電極を形成して全面に面発光型の発光ダイオード構造を形成した後、これをリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングにより個々の発光ダイオードに分割し、発光ダイオードアレイを形成する。
　イ　周知技術３
　前記アより，次の発明（以下，「周知技術３」という。）は，本願の優先日前に周知技術であったと認められる。
「基板上にエピタキシャル成長させて形成した発光ダイオードアレイにおいて，基板を劈開しないこと。」
（７）本願発明と引用発明１との対比
　引用発明１の「処理容器」，「半導体ウエハ」，「ＬＥＤアレイ」は，それぞれ本願発明の「処理チャンバ」，「半導体基板」，「発光ダイオードアセンブリ」に相当すると認められる。
　引用発明１の「処理容器の内部に設けられた半導体ウエハを水平に支持する支持部材」は，下記相違点を除いて，本願発明の「処理チャンバの内部に配置された半導体基板を支持するように構成された基板支持アセンブリ」に相当すると認められる。
　引用発明１の「加熱源」は，「ＬＥＤ素子を有するＬＥＤアレイを複数含む」から，下記相違点を除いて，本願発明の「発光ダイオードアセンブリを含む光学的アセンブリ」に相当すると認められる。
　引用発明１の「半導体ウエハをアニールするアニール装置」は，下記相違点を除いて，本願発明の「半導体基板を熱的に処理するためのシステム」に相当すると認められる。
　引用発明１は，「半導体ウエハに対してＬＥＤ素子からの光を表面に照射」するから，半導体ウエハの上面を照射するものと認められ，かつ，「高速で昇降温させ」るから急速に加熱するものと認められる。そして，引用文献１の「加熱源のＬＥＤアレイの配置された幅が半導体ウエハの幅とほぼ等しいこと」（前記（２）ア（エ）参照。）及び「ＬＥＤアレイが平面上に均一に配置されていること」（前記（２）ア（オ）参照。）の記載から引用発明１のＬＥＤアレイは半導体ウエハの上面全体を実質的に均一に加熱するパターンに配列されているものと認められ，すると，引用発明１と本願発明とは「発光ダイオードアセンブリが，発光ダイオードのアレイを備え，前記発光ダイオードのアレイが，半導体基板の上面全体を急速且つ実質的に均一に加熱するパターンに配列された」点で共通している。
　すると，本願発明と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「処理チャンバと，
　処理チャンバの内部に配置された半導体基板を支持するように構成された基板支持アセンブリと，
　発光ダイオードアセンブリを含む光学的アセンブリと，
　半導体基板を熱的に処理するためのシステムであって，前記発光ダイオードアセンブリが，発光ダイオードのアレイを備え，前記発光ダイオードのアレイが，半導体基板の上面全体を急速且つ実質的に均一に加熱するパターンに配列された，半導体基板を熱的に処理するためのシステム。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明の「基板支持アセンブリ」が「処理の間，前記半導体基板を回転するように構成され」ているのに対し，引用発明１の「支持部材」は，半導体ウエハを回転するように構成されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明の「半導体基板を熱的に処理するためのシステム」が「前記発光ダイオードアセンブリと前記基板支持アセンブリとの間に位置した，光学的拡散器を備え」るのに対し，引用発明１の「アニール装置」は「光学的拡散器」を備えない点。
（ウ）相違点３
　本願発明の「発光ダイオードのアレイ」が「それぞれが１ミリ秒から１秒未満の範囲の持続期間を有する複数の光のパルスを放出」するのに対し，引用発明１においては「ＬＥＤ素子からの光」が時間的にどのように放出されるのか開示されていない点。
（エ）相違点４
　本願発明の「発光ダイオードのアレイ」が「劈開されていない基板上に形成され」ているのに対し，引用発明１の「ＬＥＤアレイ」が「劈開されていない基板」上に形成されることが開示されていない点。
（オ）相違点５
　本願発明は「少なくとも２００℃まで加熱」するのに対し，引用発明１においては加熱温度が開示されていない点。
（４）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　周知技術１に示されるように「半導体ウエハの熱処理装置において，熱処理中に半導体ウエハを回転させる機能を備えたステージ」は周知技術であって，引用発明１のアニール装置において半導体ウエハの均一性の高い加熱をするために，周知技術１を採用することにより相違点１に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
　周知技術２に示されるように「半導体基板の熱処理装置において，光源と半導体基板との間に備えた光拡散板」は周知技術であるところ，発光ダイオードは指向性を有するものであるから，発光ダイオードのアレイにより実質的に均一に加熱している引用発明１のアニール装置においても光源からの光エネルギーが半導体基板内において局所的に集中することを防止し均一性の高い加熱をする必要があるために，周知技術２を採用することにより相違点２に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
　ウ　相違点３について
　引用文献１には「ＧａＡｓ系材料から構成されたＬＥＤ素子にはパルスモードによる動作が規定されて」いるが，「ＬＥＤ素子を冷却」する場合は「連続モード」でＬＥＤ素子を動作させることが記載されている（前記（２）ア（イ）段落００２９）から，当業者にとっては，ＬＥＤ素子を冷却せずに簡素な構成でＬＥＤを動作させるには，連続モードではなく，複数のパルスからなる「パルスモード」で動作させなければならないことが読み取れる。してみると，構成を簡素化することは当業者が一般的に考えることであるから，前記記載に接した当業者にとっては，引用発明１においてＬＥＤ素子を「パルスモード」で動作させることが示唆されていると認められる。
　そして，引用発明１において，前記示唆に従い，複数のパルスを発光させる際に，パルスの回数やパルスの時間幅を設計することは，ＬＥＤ素子の耐熱性能や加熱の目標温度を考慮して当業者が適宜設計できることにすぎない。例えば，引用文献２には「多数のＬＥＤ素子を１秒間点灯する」ことで１０００℃に加熱してウエハをアニールすることが開示されているから，これをパルスモードで発光させるにあたり，１秒間を数回のパルスに分割し，したがって，１秒未満の持続期間とすることは，当業者が容易に設計できることである。
　エ　相違点４について
　周知技術３に示されるように「基板上にエピタキシャル成長させて形成した発光ダイオードアレイにおいて，基板を劈開しないこと。」は周知技術であって，引用発明１のＬＥＤアレイを周知技術３により形成した発光ダイオードアレイとすることは，当業者が容易になし得ることである。
　オ　相違点５について
　引用発明１には具体的な加熱温度は開示されていないが，「表面に不純物が注入されたウエハをアニールするためのアニール装置」（前記（２）ア（イ）参照。）であって，引用文献２には「表面に不純物が注入されたウエハをアニールする」ために，「１０００℃程度まで」加熱することが開示されているから，表面に不純物が注入されたウエハをアニールするために加熱温度を１０００℃程度を含む「少なくとも２００℃」とすることは，当業者が容易になし得ることである。
（５）本願発明の効果について
　本願発明の効果は，引用発明１，２の構成及び周知技術１ないし３から当業者が容易に予測しうるものであり，格別のものとはいえない。
　なお，「１ミリ秒と１秒との間基板を処理することは，基板を処理するためにかかる時間をさらに短縮し，基板を処理する半導体装置のスループットを増加させる。」（本願明細書段落００１８）という効果は，「
それぞれが
複数の光のパルス
（７）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１，２記載の発明及び周知技術１ないし３に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　結言
　したがって，本願の請求項５に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。