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【手続補正書】
【提出日】平成28年9月24日(2016.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオン二次電池の正極活物質又は負極活物質として動作可能な第１の活物質の粒子と、
該第１の活物質と同じ極の活物質として動作可能な第２の活物質の粒子と、
導電性カーボンと、
を含むリチウムイオン二次電池用電極材料であって、
前記第１の活物質の粒子の平均粒径が、２μｍより大きく、１５μｍ以下であり、
前記第２の活物質の粒子の平均粒径が、０．０１〜２μｍの範囲であり、
前記導電性カーボンが、親水性固相成分を含み、
該親水性固相成分の、ラマンスペクトルから算出された、グラフェン面方向のねじれを含まない結晶子サイズＬａと、グラフェン面方向のねじれを含む結晶子サイズＬｅｑとが、
１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、
１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、
１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５
の関係を満たし、
前記親水性固相成分のラマンスペクトルにおける、１５１０ｃｍ−１付近のアモルファス成分バンドのピーク面積の、９８０〜１７８０ｃｍ−１の範囲のピーク面積に対する割合が、１３〜１９％の範囲であり、且つ、
前記導電性カーボン１００ｇあたりのフタル酸ジブチル吸油量が１００〜２００ｍＬの範囲である
ことを特徴とするリチウムイオン二次電池用電極材料。
【請求項２】
別の導電性カーボンをさらに含む、請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用電極材料。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電極材料に圧力を印加することにより形成された活物質層を有する正極及び／又は負極を備えたリチウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
したがって、本発明はまず、リチウムイオン二次電池の正極活物質又は負極活物質として動作可能な第１の活物質の粒子と、該第１の活物質と同じ極の活物質として動作可能な第２の活物質の粒子と、導電性カーボンと、を含むリチウムイオン二次電池用電極材料であって、上記第１の活物質の粒子の平均粒径が２μｍより大きく１５μｍ以下であり、上記第２の活物質の粒子の平均粒径が０．０１〜２μｍの範囲であり、上記導電性カーボンが、親水性固相成分を含み、該親水性固相成分の、ラマンスペクトルから算出された、グラフェン面方向のねじれを含まない結晶子サイズＬａと、グラフェン面方向のねじれを含む結晶子サイズＬｅｑとが、１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５の関係を満たし、上記親水性固相成分のラマンスペクトルにおける、１５１０ｃｍ−１付近のアモルファス成分バンドのピーク面積の、９８０〜１７８０ｃｍ−１の範囲のピーク面積に対する割合が、１３〜１９％の範囲であり、且つ、上記導電性カーボン１００ｇあたりのフタル酸ジブチル吸油量が１００〜２００ｍＬの範囲であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用電極材料に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
波形分離の結果得られた成分ｄ、すなわちＧバンドのピーク面積、成分ｂ、すなわちＤバンドのピーク面積、及び、成分ｆ、すなわち２Ｄバンドのピーク面積を用いて、Ｌａ及びＬｅｑが以下の式に従って算出される。
Ｌａ＝４．４×（Ｇバンドのピーク面積／Ｄバンドのピーク面積）ｎｍ
Ｌｅｑ＝８．８×（２Ｄバンドのピーク面積／Ｄバンドのピーク面積）ｎｍ
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の電極材料において必須の構成要素として使用される導電性カーボンは、高い柔軟性を有し、導電性カーボンに圧力が印加されると、カーボンの粒子が変形して糊状に広がるが、この性質は、導電性カーボンの低いストラクチャと、導電性カーボンに含まれる親水性固相成分に主に起因する。導電性カーボンのＤＢＰ吸油量は、１００〜２００ｍＬ／１００ｇである。また、親水性固相成分のラマンスペクトルから算出されたグラフェン面方向のねじれを含まない結晶子サイズＬａと、グラフェン面方向のねじれを含む結晶子サイズＬｅｑとは、１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５の関係を満たし、この親水性固相成分のラマンスペクトから算出されたアモルファス成分率は、１３〜１９％、好ましくは１４〜１８％の範囲である。上記特定範囲の導電性カーボンにおける親水性固相成分は、リチウムイオン二次電池の電極形成のために従来使用されているケッチェンブラック、アセチレンブラック等の導電性カーボンの親水性固相成分に比較して、Ｌａ及びＬｅｑの値が小さく、Ｌｅｑ／Ｌａの値を尺度として判断されるグラフェン面におけるねじれが少なく、またアモルファス成分率が高いという特徴を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
表１には、実施例１〜３及び比較例１，２の導電性カーボンについての、ＤＢＰ吸油量、Ｌａ、Ｌｅｑ、Ｌｅｑ／Ｌａ、アモルファス成分率及び電極密度の値をまとめて示す。ＤＢＰ吸油量が２００ｍＬ／１００ｇよりも大きく、親水性固相成分のＬａ、Ｌｅｑが、１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５の関係を満たさず、親水性固相成分のアモルファス成分率が１３％未満である導電性カーボンを使用した比較例１，２の電極材料では、電極密度が上がらず、言い換えると電極材料中の活物質粒子の量を増加させることができないことがわかる。
【表１】
2015079681.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電ランプに接続された共振回路部と、
直流電力を交流電力に変換し、前記共振回路部を介して前記交流電力を前記放電ランプに供給する電力変換部と、
前記放電ランプが定常点灯状態に至るまでの点灯始動期間において、第１周波数と、前記第１周波数とは異なる第２周波数と、を交互に有する前記交流電力を前記放電ランプに供給する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１周波数を、前記共振回路部の共振を起こさせる周波数よりも高い周波数から、前記共振を起こさせる周波数に向けて減少する方向に段階的に変化させ、
前記第２周波数は、前記共振を起こさせる周波数よりも高く、かつ、１００ｋＨｚ以上であることを特徴とする放電ランプ点灯装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放電ランプ点灯装置であって、
前記第２周波数は、１４５ｋＨｚ以上である、放電ランプ点灯装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の放電ランプ点灯装置であって、
前記第２周波数は、１７０ｋＨｚ以下である、放電ランプ点灯装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の放電ランプ点灯装置であって、
前記第１周波数は、１００ｋＨｚ以上である、放電ランプ点灯装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の放電ランプ点灯装置であって、
前記第２周波数は、前記第１周波数よりも高い周波数である、放電ランプ点灯装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の放電ランプ点灯装置であって、
前記共振回路部の出力電圧を検出する電圧検出部をさらに備え、
前記制御部は、前記点灯始動期間において前記第１周波数に対応する前記出力電圧が低下した場合、現在設定されている第１周波数よりも高い周波数を、次回の前記放電ランプの点灯動作において前記第１周波数として最初に設定される周波数として記憶する、放電ランプ点灯装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の放電ランプ点灯装置であって、
前記放電ランプの点灯状態を検出する点灯検出部をさらに備え、
前記制御部は、前記放電ランプの点灯が検出された場合、前記放電ランプの点灯開始から所定時間が経過するまで前記点灯始動期間を継続させる、放電ランプ点灯装置。
【請求項８】
直流電力を交流電力に変換し、共振回路部を介して前記交流電力を放電ランプに供給するステップと、
前記放電ランプが定常点灯状態に至るまでの点灯始動期間において、第１周波数と、前記第１周波数とは異なる第２周波数と、を交互に有する前記交流電力を前記放電ランプに供給するステップと、
を含み、
前記第１周波数は、前記共振回路部の共振を起こさせる周波数よりも高い周波数から、前記共振を起こさせる周波数に向けて減少する方向に段階的に変化し、
前記第２周波数は、前記共振を起こさせる周波数よりも高く、かつ、１００ｋＨｚ以上であることを特徴とする放電ランプ点灯方法。
【請求項９】
放電ランプと、
請求項１から７のいずれか一項に記載の放電ランプ点灯装置と、
を備えたプロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
ここで、上述のステップＳ１４において制御信号Ｓのクロック周波数が周波数ｆｃに設定された場合に、上述のステップＳ１１において放電ランプ１０が点灯したと判定されると（ステップＳ１１；ＹＥＳ）、制御部７６は、制御信号Ｓの周波数ｆｓを基本周波数ｆｏに設定し（ステップＳ１５）、規定の動作時間を計測する（ステップＳ１６）。そして、制御部７６は、規定の動作時間が経過したかどうかを判定する（ステップＳ１７）。もし、規定の動作時間が経過しなければ（ステップＳ１７；ＮＯ）、この規定の動作時間が経過するまで、ステップＳ１１〜Ｓ１７を繰り返す。規定の動作時間が経過すると（ステップＳ１７；ＹＥＳ）、制御部７６は、制御信号Ｓの周波数ｆｓとして電極加熱周波数ｆｈを設定する（ステップＳ１８）。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月6日(2016.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１８に示されるように、本実施の形態において、位置検知機構４０と状態検知機構７０とは互いに接続されて、単一の出力部８２を有する単一の総合検知機構８０を構成している。具体的には、本実施の形態の総合検知機構８０は、第１並列回路ＰＣ１と第２並列回路ＰＣ２と第３抵抗Ｒｃを直列に接続してなる回路を有している。これにより、総合検知機構８０は、第１可変インピーダンスと第２可変インピーダンスと第３抵抗Ｒｃの抵抗値（インピーダンス）とを合成してなる合成可変インピーダンスを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月24日(2016.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空隙を有するカーボン原料を酸化処理することにより得られる、リチウムイオン二次電池の電極のための導電性カーボンであって、
親水性固相成分を含み、
該親水性固相成分の、ラマンスペクトルから算出された、グラフェン面方向のねじれを含まない結晶子サイズＬａと、グラフェン面方向のねじれを含む結晶子サイズＬｅｑとが、
１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、
１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、
１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５
の関係を満たし、
前記親水性固相成分のラマンスペクトルにおける、１５１０ｃｍ−１付近のアモルファス成分バンドのピーク面積の、９８０〜１７８０ｃｍ−１の範囲のピーク面積に対する割合が、１３〜１９％の範囲であり、且つ、
前記導電性カーボンにおける半径１．２ｎｍの細孔の数が、前記カーボン原料における半径１．２ｎｍの細孔の数の０．４〜０．６倍である
ことを特徴とする導電性カーボン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性カーボン
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
したがって、本発明はまず、空隙を有するカーボン原料を酸化処理することにより得られる、リチウムイオン二次電池の電極のための導電性カーボンであって、親水性固相成分を含み、該親水性固相成分の、ラマンスペクトルから算出された、グラフェン面方向のねじれを含まない結晶子サイズＬａと、グラフェン面方向のねじれを含む結晶子サイズＬｅｑとが、１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５の関係を満たし、上記親水性固相成分のラマンスペクトルにおける、１５１０ｃｍ−１付近のアモルファス成分バンドのピーク面積の、９８０〜１７８０ｃｍ−１の範囲のピーク面積に対する割合が、１３〜１９％の範囲であり、且つ、上記導電性カーボンにおける半径１．２ｎｍの細孔の数が、上記カーボン原料における半径１．２ｎｍの細孔の数の０．４〜０．６倍であることを特徴とする導電性カーボンに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
波形分離の結果得られた成分ｄ、すなわちＧバンドのピーク面積、成分ｂ、すなわちＤバンドのピーク面積、及び、成分ｆ、すなわち２Ｄバンドのピーク面積を用いて、Ｌａ及びＬｅｑが以下の式に従って算出される。
Ｌａ＝４．４×（Ｇバンドのピーク面積／Ｄバンドのピーク面積）ｎｍ
Ｌｅｑ＝８．８×（２Ｄバンドのピーク面積／Ｄバンドのピーク面積）ｎｍ
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の導電性カーボンは、高い柔軟性を有し、導電性カーボンに圧力が印加されると、カーボンの粒子が変形して糊状に広がるが、この性質は、カーボン原料の強い酸化による破砕や表面官能基の反応と、導電性カーボンに含まれる親水性固相成分に主に起因する。カーボン原料の強い酸化の結果得られる導電性カーボンにおける半径１．２ｎｍの細孔の数が、カーボン原料における半径１．２ｎｍの細孔の数の０．４〜０．６倍に減少する。また、親水性固相成分のラマンスペクトルから算出されたグラフェン面方向のねじれを含まない結晶子サイズＬａと、グラフェン面方向のねじれを含む結晶子サイズＬｅｑとは、１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５の関係を満たし、この親水性固相成分のラマンスペクトから算出されたアモルファス成分率は、１３〜１９％、好ましくは１４〜１８％の範囲である。本発明の導電性カーボンにおける親水性固相成分は、リチウムイオン二次電池の電極形成のために従来使用されているケッチェンブラック、アセチレンブラック等の導電性カーボンの親水性固相成分に比較して、Ｌａ及びＬｅｑの値が小さく、Ｌｅｑ／Ｌａの値を尺度として判断されるグラフェン面におけるねじれが少なく、またアモルファス成分率が高いという特徴を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
表１には、実施例１〜３及び比較例１，２の導電性カーボンについての、得られる導電性カーボンとカーボン原料との半径１．２ｎｍの細孔の数の比、Ｌａ、Ｌｅｑ、Ｌｅｑ／Ｌａ、アモルファス成分率及び電極密度の値を、比表面積の値と共にまとめて示す。細孔数の比が０．６より大きく、親水性固相成分のＬａ、Ｌｅｑが、１．３ｎｍ≦Ｌａ≦１．５ｎｍ、且つ、１．５ｎｍ≦Ｌｅｑ≦２．３ｎｍ、且つ、１．０≦Ｌｅｑ／Ｌａ≦１．５５の関係を満たさず、親水性固相成分のアモルファス成分率が１３％未満である比較例１，２の導電性カーボンを使用しても、電極密度が上がらず、言い換えると電極材料中の活物質粒子の量を増加させることができないことがわかる。また、表１より、細孔数比の減少と共に、比表面積も大きく減少していることがわかる。
【表１】
2015079680.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月13日(2016.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造または物流現場において部品を配置する部品棚を特定する部品棚レイアウト設計装置であって、
記憶部と制御部とを備え、
前記記憶部は，各部品の出庫量の情報を含むピッキング作業実績情報と、各部品棚の距離の情報を含む部品棚間距離情報と、部品棚と割り付けられる部品及び部品棚の容量を示す部品棚レイアウト情報とを記憶し、
前記制御部は、
前記記憶部の情報を用いて各部品棚レイアウトにおけるピッキング移動距離を算出するピッキング移動距離算出部と、
前記記憶部の情報を用いて補充作業の発生頻度を算出する補充発生頻度算出部と、
複数の新たな部品棚レイアウト案を生成し、前記部品棚レイアウト情報に追加する新部品棚レイアウト生成部と、を備え、
前記ピッキング移動距離算出部と、前記補充発生頻度算出部は、現状の部品棚レイアウト及び前記新部品棚レイアウト生成部が生成した部品棚レイアウト案に関してピッキング移動距離及び補充作業の発生頻度を算出し、
前記新部品棚レイアウト生成部が生成した部品棚レイアウト案から、所定の条件を満たす部品棚レイアウト案を抽出する最適部品棚レイアウト抽出部と、
を備えることを特徴とする部品棚レイアウト設計装置。
【請求項２】
前記新部品棚レイアウト生成部は、出庫量は部品Xの方が大きく、補充量は部品Yの方が大きい関係にある２部品X，Yについて、お互いの割付部品棚を入れ替えることで、新たな部品棚レイアウト案を生成することを特徴とする請求項１に記載の部品棚レイアウト設計装置。
【請求項３】
前記新部品棚レイアウト生成部は、出庫量は部品Xの方が大きく、ピッキング開始地点からの距離はYの方が小さい関係にある２部品X，Yについて、お互いの割付部品棚を入れ替えることで、新たな部品棚レイアウト案を生成することを特徴とする請求項１に記載の部品棚レイアウト設計装置。
【請求項４】
前記最適部品棚レイアウト抽出部は、ピッキング移動距離と補充発生頻度の重み付け総和が最小となる部品棚レイアウト、ピッキング移動距離が閾値以下であり補充発生頻度が最小となる部品棚レイアウトまたは、補充発生頻度が閾値以下でありピッキング移動距離が最小となる部品棚レイアウトのいずれかを抽出することを特徴とする請求項１に記載の部品棚レイアウト設計装置。
【請求項５】
現状の部品棚レイアウトから前記最適部品棚レイアウト抽出部により抽出された部品棚レイアウト案に変更する際の部品棚と割り付けられる部品の変更点を抽出する部品棚レイアウト変更点抽出部を備えることを特徴とする請求項１に記載の部品棚レイアウト設計装置。
【請求項６】
複数の新たな部品棚レイアウト案に関して、算出されたピッキング移動距離と補充発生頻度を表示部に出力することを特徴とする請求項１に記載の部品棚レイアウト設計装置。
【請求項７】
前記ピッキング移動距離算出部は、ピッキング移動距離に基づきピッキング作業時間を算出し、前記補充発生頻度算出部は、補充作業の発生頻度に基づき補充作業時間を算出し、
前記最適部品棚レイアウト抽出部は、現状の部品棚レイアウトに比べ前記ピッキング作業時間と補充作業時間が短縮される部品棚レイアウト案を抽出することを特徴とする請求項１に記載の部品棚レイアウト設計装置。
【請求項８】
製造または物流現場において部品を配置する部品棚を特定する部品棚レイアウト設計プログラムであって、
各部品の出庫量の情報を含むピッキング作業実績情報と、各部品棚の距離の情報を含む部品棚間距離情報と、部品棚と割り付けられる部品及び部品棚の容量を示す部品棚レイアウト情報とを用いて、
各部品棚レイアウトにおけるピッキング移動距離を算出するピッキング移動距離算出する処理と、
補充作業の発生頻度を算出する処理と
複数の新たな部品棚レイアウト案を生成する処理と、
現状の部品棚レイアウト及び新たな部品棚レイアウト案に関してピッキング移動距離及び補充作業の発生頻度を算出し、
新たな部品棚レイアウト案から、所定の条件を満たす部品棚レイアウト案を抽出する処理と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項９】
前記複数の新たな部品棚レイアウト案を生成する処理において、出庫量は部品Xの方が大きく、補充量は部品Yの方が大きい関係にある２部品X，Yについて、お互いの割付部品棚を入れ替えることで、新たな部品棚レイアウト案を生成することを特徴とする請求項８に記載の部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項１０】
前記複数の新たな部品棚レイアウト案を生成する処理において、出庫量は部品Xの方が大きく、ピッキング開始地点からの距離はYの方が小さい関係にある２部品X，Yについて、お互いの割付部品棚を入れ替えることで、新たな部品棚レイアウト案を生成することを特徴とする請求項８に記載の部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項１１】
前記新たな部品棚レイアウト案から、所定の条件を満たす部品棚レイアウト案を抽出する処理において、ピッキング移動距離と補充発生頻度の重み付け総和が最小となる部品棚レイアウト、ピッキング移動距離が閾値以下であり補充発生頻度が最小となる部品棚レイアウトまたは、補充発生頻度が閾値以下でありピッキング移動距離が最小となる部品棚レイアウトのいずれかを抽出することを特徴とする請求項８に記載の部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項１２】
現状の部品棚レイアウトから前記抽出された部品棚レイアウト案に変更する際の部品棚と割り付けられる部品の変更点を抽出する処理をさらにコンピュータに実行させることを特徴とする請求項８に記載の部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項１３】
複数の新たな部品棚レイアウト案に関して、算出されたピッキング移動距離と補充発生頻度を表示部に出力する処理をさらにコンピュータに実行させることを特徴とする請求項８に記載の部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項１４】
ピッキング移動距離に基づきピッキング作業時間を算出し、補充作業の発生頻度に基づき補充作業時間を算出し、現状の部品棚レイアウトに比べ前記ピッキング作業時間と補充作業時間が短縮される部品棚レイアウト案を抽出する処理をさらにコンピュータに実行させることを特徴とする請求項８に記載の部品棚レイアウト設計プログラム。
【請求項１５】
倉庫内で商品のピッキング・補充を行うピッキング・補充方法であって、
前記倉庫内の棚に割り付けられる商品とその補充量を含むレイアウトを生成し、
前記レイアウトについて、ピッキング作業実績情報と、前記倉庫内の棚間距離情報と、を用いて、ピッキング移動距離と補充作業の発生頻度を算出し、前記算出結果が所定の条件を満たすレイアウトを抽出し、 
当該レイアウトを適用した倉庫内で、ピッキング・補充作業を行うことを特徴とするピッキング・補充方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号によって磁界を発生させる導電体が周回するループコイル部と、
前記ループコイル部を導電する電気信号の変化を検出する検出部と、を備え、
前記ループコイル部は、
検出する二輪車の前輪以外の部分に対して複数の向きから磁界を付与し、
前記二輪車の前輪に対して前記複数の向きのうちの一部のみの向きから磁界を付与する、二輪車検出装置。
【請求項２】
前記ループコイル部は、前記二輪車を検出する検出場所に対応する検出地面に平行な平行平面に沿った平面部と、前記検出地面に交差する交差平面に沿った交差部を有し、
前記平面部及び前記交差部は、前記二輪車の前輪以外の部分に対して磁界を付与し
前記平面部と前記交差部の一方は前記二輪車の前輪に対して磁界を付与し、他方は付与しない、請求項１記載の二輪車検出装置。
【請求項３】
前記ループコイル部は、１つのループにおいて前記平面部と前記交差部を有し、
前記二輪車が進行する向きに前記平面部が前記交差部よりも長いことにより前記平面部は前記二輪車の前輪に対して磁界を付与して前記交差部は付与せず、又は、
前記二輪車が進行する向きに前記交差部が前記平面部よりも長いことにより前記交差部は前記二輪車の前輪に対して磁界を付与して前記平面部は付与しない、請求項２記載の二輪車検出装置。
【請求項４】
前記ループコイル部を通電する電気信号とは異なる電気信号が通電する予備コイル部を備え、
前記予備コイル部は、前記二輪車の前輪に対して磁界を付与する、請求項１から３のいずれかに記載の二輪車検出装置。
【請求項５】
二輪車検出装置が備えるループコイル部が、検出する二輪車の前輪以外の部分に対して複数の向きから磁界を付与し、前記二輪車の前輪に対して前記複数の向きのうちの一部のみの向きから磁界を付与するステップと、
前記二輪車検出装置が備える検出部が、前記ループコイル部を導電する電気信号の変化を検出するステップを含む二輪車検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの操作を受け付ける操作部と、前記操作部で受け付けた操作に応じた動作を行う本体と、前記ユーザの出勤および退勤に関する情報を保持するサーバ装置とを含む情報処理システムであって、
ユーザを識別する識別情報を取得する取得部と、
予め登録された１以上の前記識別情報を保持する保持部と、
前記保持部に保持された１以上の前記識別情報の中に、前記取得部により取得された前記識別情報が存在する場合は、前記取得部により取得された前記識別情報で識別される前記ユーザを認証する認証部と、
前記認証部により前記ユーザが認証されたときに、前記本体が、他の前記ユーザの操作に応じた動作を行っている場合は、認証された前記ユーザの前記識別情報と、認証された時刻を示す時間情報とを関連付けた第１情報を、前記サーバ装置へ送信する制御を行う制御部と、を備える、
情報処理システム。
【請求項２】
前記サーバ装置は、
前記制御部から受信した前記第１情報に対して、出勤または退勤が選択されるのを待ち、その受信した前記第１情報に対して出勤または退勤が選択された場合、その受信した前記第１情報と、出勤または退勤を示す選択情報とを関連付けた第２情報を保持する、
請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記制御部は、前記認証部により前記ユーザが認証されたときに、前記本体が、他の前記ユーザの操作に応じた動作を行っていない場合は、出勤または退勤の選択を促す画面を示す出退勤画面を前記操作部に表示する制御を行う、
請求項１または請求項２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記制御部は、前記出退勤画面に対するユーザの操作に応じて入力された、出勤または退勤を示す選択情報を受け付けた場合、認証された前記ユーザの前記識別情報と、前記時間情報と、その受け付けた前記選択情報とを関連付けた第２情報を前記サーバ装置へ送信する制御を行う、
請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記サーバ装置は、
前記制御部から受信した前記第２情報を保持する、
請求項４に記載の情報処理システム。
【請求項６】
画像形成動作を行うため少なくとも画像読取部または画像形成部を有する前記本体と、
前記本体での画像形成を指示する操作を行う前記操作部と、を備える複合機を有し、
前記本体と前記操作部は、別々のオペレーティングシステムで互いに独立して動作し、
前記本体での画像形成動作中に、
前記操作部に接続されたＩＣカードリーダから、前記識別情報を取得しユーザを認証するとともに、
前記識別情報と、前記複合機で認証された時刻を示す時間情報とを関連付けた前記第１情報を生成する、
請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記本体が前記画像形成動作を行っている場合は、
前記操作部は、出退勤画面を表示しない、
請求項６に記載の情報処理システム。
【請求項８】
情報処理装置であって、
ユーザを識別する識別情報を取得する取得部と、
予め登録された１以上の前記識別情報を保持する保持部と、
前記保持部に保持された１以上の前記識別情報の中に、前記取得部により取得された前記識別情報が存在する場合は、前記取得部により取得された前記識別情報で識別される前記ユーザを認証する認証部と、
前記認証部により前記ユーザが認証されたときに、前記情報処理装置が、他の前記ユーザの操作に応じた動作を行っている場合は、認証された前記ユーザの前記識別情報と、認証された時刻を示す時間情報とを関連付けた第１情報を、前記ユーザの出勤および退勤に関する情報を保持するサーバ装置へ送信する制御を行う制御部と、を備える、
情報処理装置。
【請求項９】
情報処理装置が実行する情報処理方法であって、
ユーザを識別する識別情報を取得する取得ステップと、
予め登録された前記識別情報を保持する保持部に保持された１以上の前記識別情報の中に、前記取得部により取得された前記識別情報が存在する場合は、前記取得ステップにより取得された前記識別情報で識別される前記ユーザを認証する認証ステップと、
前記認証ステップにより前記ユーザが認証されたときに、前記情報処理装置が、他の前記ユーザの操作に応じた動作を行っている場合は、認証された前記ユーザの前記識別情報と、認証された時刻を示す時間情報とを関連付けた第１情報を、前記ユーザの出勤および退勤に関する情報を保持するサーバ装置へ送信する制御を行う制御ステップと、を含む、
情報処理方法。
【請求項１０】
情報処理装置を、
ユーザを識別する識別情報を取得する取得手段と、
予め登録された前記識別情報を保持する保持部に保持された１以上の前記識別情報の中に、前記取得手段により取得された前記識別情報が存在する場合は、前記取得部により取得された前記識別情報で識別される前記ユーザを認証する認証手段と、
前記認証手段により前記ユーザが認証されたときに、前記情報処理装置が、他の前記ユーザの操作に応じた動作を行っている場合は、認証された前記ユーザの前記識別情報と、認証された時刻を示す時間情報とを関連付けた第１情報を、前記ユーザの出勤および退勤に関する情報を保持するサーバ装置へ送信する制御を行う制御手段として機能させる、
プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器、電子機器の設定方法、及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ユーザの活動に関する情報を記録可能な電子機器、電子機器の設定方法及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の電子機器は、
ユーザの現在の行動に関する行動情報を取得する行動情報取得手段と、
前記行動情報取得手段により取得された現在のユーザの行動に関する前記行動情報に基づいて、前記行動情報に関連する設定を機器に施す機器設定手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの現在の行動に関する行動情報を取得する行動情報取得手段と、
前記行動情報取得手段により取得された現在のユーザの行動に関する前記行動情報に基づいて、前記行動情報に関連する設定を機器に施す機器設定手段と、
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
予め記憶された前記ユーザの第一のライフログ情報を取得するライフログ取得手段と、
前記行動情報が、前記第一のライフログ情報に基づく行動パターンと適合するか否かを判定する状況判定手段とを備え、
前記機器設定手段は、前記状況判定手段により適合すると判定された場合は、前記行動パターンに応じて、前記行動パターンに関連する設定を機器に施すことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記ライフログ取得手段は、位置情報を含んだ情報からなる前記第一のライフログ情報を取得し、
前記状況判定手段は、現在位置と前記第一のライフログ情報に含まれる位置情報とを比較することによって前記行動パターンと適合するか否かを判定することを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第一のライフログ情報は時刻情報を更に含み、
前記状況判定手段は、現在の時刻と前記第一のライフログ情報に含まれる時刻情報とを比較することによって前記行動パターンと適合するか否かを判定することを特徴とする請求項２又は３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記状況判定手段によって、現在の状況が前記第一のライフログ情報における行動パターンと適合しないと判定された場合に、現在のユーザの行動から第二のライフログ情報を検出するライフログ情報検出手段を備え、
前記機器設定手段は、前記ライフログ情報検出手段によって検出された前記第二のライフログ情報に基づいて、機器を設定することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記ライフログ取得手段は、前記第一のライフログ情報を所定のサーバから受信することで取得し、
前記状況判定手段によって、前記現在の状況が前記第一のライフログ情報における行動パターンと適合しないと判定された場合に、前記ライフログ情報検出手段によって検出された前記第二のライフログ情報を新たなライフログ情報として、前記所定のサーバに送信する送信手段とを更に備えた請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記状況判定手段は、現在の状況が前記第一のライフログ情報における行動パターンと適合しないと判定した場合に、現在の状況と類似する第三のライフログ情報における行動パターンを前記ライフログ取得手段が取得できるかを判定し、
前記機器設定手段は、前記状況判定手段によって、現在の状況と類似する前記第三のライフログ情報における行動パターンが取得できると判定された場合に、当該類似する前記第三のライフログ情報における行動パターンに合わせて機器を設定することを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
電子機器の設定方法であって、
ユーザの現在の行動に関する行動情報を取得する行動情報取得ステップと、
取得された現在のユーザの行動に関する前記行動情報に基づいて、前記行動情報に関連する設定を機器に施す機器設定ステップと、
を含むことを特徴とする電子機器の設定方法。
【請求項９】
電子機器を制御するコンピュータに、
ユーザの現在の行動に関する行動情報を取得する行動情報取得機能と、
取得された現在のユーザの行動に関する前記行動情報に基づいて、前記行動情報に関連する設定を機器に施す機器設定機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービスの利用に関する認証処理を行う認証サーバーシステムであって、
ユーザーに認証情報の入力を要求し、入力された前記認証情報を受け付けて前記認証情報を基に認証処理を行う第１の認証方式、および前記認証サーバーシステムとは異なる別の認証サーバーシステムにおいて行われた認証処理が成功したことに応じて、ユーザーに認証情報の入力を要求せずに前記認証情報を受け付けることなく認証処理を行う第２の認証方式、両方の認証方式による認証処理を行う認証手段と、
ユーザーが操作する端末に前記サービスに関連する通知を行う通知手段と、
前記認証手段により前記第１の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合は前記通知手段による通知が行われるように制御し、前記認証手段により前記第２の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合は前記通知手段による通知が行われないように制御する制御手段と、を有する認証サーバーシステム。
【請求項２】
前記認証手段は、前記別の認証サーバーシステムにおいて行われた認証処理が成功したことに応じて発行される認可情報を受け付けた場合に前記認可情報を基に前記第２の認証方式による認証処理を行い、前記端末による前記サービスの利用を許可することを特徴とする請求項１に記載の認証サーバーシステム。
【請求項３】
前記制御手段は、前記認証手段が前記認可情報を検証したことに応じて前記端末へ送信するレスポンスを取得し、前記レスポンスから前記第２の認証方式による認証処理が行われたことを特定し、前記通知手段による通知が行われないように制御することを特徴とする請求項２に記載の認証サーバーシステム。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第１の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合において、前記通知手段による通知を行わないように設定されている際は、前記通知手段による通知が行われないように制御することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の認証サーバーシステム。
【請求項５】
前記通知手段は、通知期間、通知内容、および前記通知内容が対応する認証方式とを関連づけて保存するテーブルに基づき、前記通知期間の内に前記通知内容を通知し、
前記制御手段は、前記第２の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合において、前記通知期間の内に通知すべき前記通知内容があり、かつ前記通知内容が前記第２の認証方式に対応している際は、前記通知手段による通知が行われるように制御することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の認証サーバーシステム。
【請求項６】
前記通知期間、前記通知内容を設定するための項目と、前記通知内容が前記第２の認証方式に対応することを設定するための項目とを含む通知登録画面を提供する提供手段を更に有し、
前記提供手段により提供された通知登録画面の項目に設定された情報を前記テーブルに保存することを特徴とする請求項５に記載の認証サーバーシステム。
【請求項７】
前記第２の認証方式とは、シングルサインオン認証方式であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の認証サーバーシステム。
【請求項８】
サービスの利用に関する認証処理を行う認証サーバーシステムを制御する制御方法であって、
認証手段は、ユーザーに認証情報の入力を要求し、入力された前記認証情報を受け付けて前記認証情報を基に認証処理を行う第１の認証方式、および前記認証サーバーシステムとは異なる別の認証サーバーシステムにおいて行われた認証処理が成功したことに応じて、ユーザーに認証情報の入力を要求せずに前記認証情報を受け付けることなく認証処理を行う第２の認証方式、両方の認証方式による認証処理を行い、
通知手段は、ユーザーが操作する端末に前記サービスに関連する通知を行い、
制御手段は、前記認証手段により前記第１の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合は前記通知手段による通知が行われるように制御し、前記認証手段により前記第２の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合は前記通知手段による通知が行われないように制御することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
前記認証手段は、前記別の認証サーバーシステムにおいて行われた認証処理が成功したことに応じて発行される認可情報を受け付けた場合に前記認可情報を基に前記第２の認証方式による認証処理を行い、前記端末による前記サービスの利用を許可することを特徴とする請求項８に記載の制御方法。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記認証手段が前記認可情報を検証したことに応じて前記端末へ送信するレスポンスを取得し、前記レスポンスから前記第２の認証方式による認証処理が行われたことを特定し、前記通知手段による通知が行われないように制御することを特徴とする請求項９に記載の制御方法。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記第１の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合において、前記通知手段による通知を行わないように設定されている際は、前記通知手段による通知が行われないように制御することを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１２】
前記通知手段は、通知期間、通知内容、および前記通知内容が対応する認証方式とを関連づけて保存するテーブルに基づき、前記通知期間の内に前記通知内容を通知し、
前記制御手段は、前記第２の認証方式による認証処理が行われた結果、前記端末による前記サービスの利用が許可された場合において、前記通知期間の内に通知すべき前記通知内容があり、かつ前記通知内容が前記第２の認証方式に対応している際は、前記通知手段による通知が行われるように制御することを特徴とする請求項８乃至１１の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１３】
提供手段は、前記通知期間、前記通知内容を設定するための項目と、前記通知内容が前記第２の認証方式に対応することを設定するための項目とを含む通知登録画面を提供し、前記提供手段により提供された通知登録画面の項目に設定された情報を前記テーブルに保存することを特徴とする請求項１２に記載の制御方法。
【請求項１４】
前記第２の認証方式とは、シングルサインオン認証方式であることを特徴とする請求項８乃至１３の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４の何れか１項に記載の制御方法をコンピューターに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月28日(2016.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
アンドゲートAND31の一方の入力には、インバータで論理反転された信号ｔ１が入力され、アンドゲートAND31の他方の入力には、信号ｔ２が入力されている。ここで、信号ｔ１は、インバータI34の出力信号であり、信号ｔ２は、最終段インバータI36の出力信号である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
なお、縦列接続したインバータ、すなわち、インバータI32〜I36，I311〜I313，I321〜I323は、遅延時間を与えるためのものであり、例えば、トランジスタのチャネル長を長くするなどによりトランジスタの駆動能力を低下させるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
すなわち、図６に示すように、まず、チップイネーブル信号／ＣＥを高レベル『Ｈ』から低レベル『Ｌ』(／ＣＥ＝Ｌ)にすることで、本半導体記憶装置(ＦｅＲＡＭ)が動作する。同時に、アウトプットイネーブル信号／ＯＥを『Ｈ』から『Ｌ』にして読み出しコマンドを発生し、これにより、メモリセルＭＣの容量Ｃからのデータ(格納電圧ＳＴＲ)が読み出される。続いて、ライトイネーブル信号／ＷＥを『Ｈ』から『Ｌ』にすることで、書き込みコマンドを認識する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
図８に示すように、チップイネーブル信号／ＣＥおよびアウトプットイネーブル信号／ＯＥを『Ｈ』から『Ｌ』へ立ち下げると、選択信号WL-SEL1およびWL-SEL2が順次『Ｌ』から『Ｈ』へ立ち上がる。これにより、トランスファゲートトランジスタＭ０のゲート電圧ＶＴＧは、段階的にＶ0→Ｖ21→Ｖ22へ昇圧される(図８におけるＰ21，Ｐ22参照)。これは、図６を参照して説明したのと同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
図１２は、時間判定信号生成回路の一例を示す回路図である。図１２に示されるように時間判定信号ＤＴを生成する時間判定信号生成回路１３０は、例えば、タイミング回路１０３に設けられ、複数のインバータＩ131〜Ｉ136およびアンドゲートAND130を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
インバータＩ131〜Ｉ136は、縦列接続され、初段のインバータＩ131の入力には、チップイネーブル信号／ＣＥ(コマンド)が入力され、アンドゲートAND130は、初段のインバータＩ130の出力および最終段のインバータＩ136の出力を受け取って論理積を取る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
これにより、フリップフロップFF1A，FF2Aがリセットされ、フリップフロップFF1A，FF2AのＱ出力(WL-TIM1A，WL-TIM2A)は『Ｈ』から『Ｌ』へ立ち下がり、図１０(a)の回路と同様になって、図９の処理を実行する。なお、詳細は、後に、図１７および図１８を参照して説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
ワード線デコーダモニタ回路１５０は、ワード線デコーダ１０５におけるトランスファゲートトランジスタＭ０のゲート電圧ＶＴＧの電位が下がっている虞があるために設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月13日(2016.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いてインプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント処理を行う対象の前記基板上の領域を加熱して当該領域を変形させる加熱部と、
前記インプリント処理を行う対象の前記基板上の第１領域および第２領域のうち一方の領域を前記インプリント処理を先に行う領域として決定し、他方の領域を前記インプリント処理を後に行う領域として決定する処理部と、
を含み、
前記処理部は、前記基板上の領域を目標形状に近づくように前記一方の領域を前記加熱部で変形させた場合に前記他方の領域が受ける影響が、目標形状に近づくように前記他方の領域を前記加熱部で変形させた場合に前記一方の領域が受ける影響より小さくなるように前記一方の領域と前記他方の領域とを決定する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記第１領域と前記第２領域とは、互いに隣り合うように配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記第１領域における前記第２領域側の部分の形状とそれに対応する目標形状との差と、前記第２領域における前記第１領域側の部分の形状とそれに対応する目標形状との差とに基づいて、前記一方の領域と前記他方の領域とを決定する、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記第１領域における前記第２領域側の部分に与えられる加熱量と、前記第２領域における前記第１領域側の部分に与えられる加熱量とに基づいて、前記一方の領域と前記他方の領域とを決定する、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記他方の領域に対する加熱量を前記一方の領域に対する加熱量に基づいて調整する、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
モールドを用いてインプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント処理を行う対象の前記基板上の領域を加熱して当該領域を変形させる加熱部と、
前記インプリント処理のなされた第１領域に隣り合う複数の領域のうち、前記第１領域に対する前記加熱部での加熱の影響が最も小さい領域を、前記第１領域の次に前記インプリント処理を行う第２領域として決定する処理部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項７】
前記処理部は、前記第１領域に対する前記加熱部による加熱分布に基づいて前記第２領域を決定する、ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記インプリント処理のなされた前記第１領域に隣り合う複数の領域のうち、前記第１領域に対する前記加熱部での加熱による変形量が最も小さい領域を、前記第２領域として決定する、ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項９】
モールドを用いてインプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント処理を行う対象の前記基板上の領域を加熱して当該領域を変形させる加熱部と、
前記基板上の各領域列について、前記インプリント処理を行う順番を、前記インプリント処理を行う対象の各領域の形状に基づいて、第１方向に従った順番および前記第１方向とは反対の第２方向に従った順番のうち一方に決定する処理部と、
を含む、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
前記処理部は、前記各領域の形状を評価関数によって評価し、その評価結果に基づいて、前記インプリント処理を行う順番を決定する、ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記処理部は、前記加熱部による加熱量が閾値を超える領域が１つの領域列に含まれる場合、当該領域に対する前記インプリント処理が最後に行われるように当該１つの領域列における前記インプリント処理を行う順番を変更する、ことを特徴とする請求項９又は１０に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記加熱部は、光源を含み、当該光源から射出された光を前記基板に照射することにより前記基板を加熱する、ことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いてインプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記インプリント処理を行う対象の前記基板上の領域を加熱して当該領域を変形させる加熱部と、前記インプリント処理を行う対象の前記基板上の第１領域および第２領域のうち一方の領域を前記インプリント処理を先に行う領域として決定し、他方の領域を前記インプリント処理を後に行う領域として決定する処理部と、を含み、前記処理部は、前記基板上の領域を目標形状に近づくように前記一方の領域を前記加熱部で変形させた場合に前記他方の領域が受ける影響が、目標形状に近づくように前記他方の領域を前記加熱部で変形させた場合に前記一方の領域が受ける影響より小さくなるように前記一方の領域と前記他方の領域とを決定する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示パネルのパネル面に光学フィルムを配置した画像表示装置において、
前記光学フィルムは、
直線偏光板としての機能を担う直線偏光板の光学機能層と、
逆分散特性を有し、透過光に１／４波長分の位相差を付与する位相差層と、
面内屈折率が厚み方向の屈折率よりも小さい正Ｃプレートとが積層され、
前記正Ｃプレートは、厚み方向のリタデーションＲｔｈが、
−１４０ｎｍ≦Ｒｔｈ≦−４０ｎｍを満たし、
前記画像表示パネルは、有機ＥＬパネルであり、
前記光学フィルムは、
極角６０°で全方位から測定した反射色度のｘ座標値の標準偏差（３σ）及びＹ座標値標準偏差（３σ）が、０．０３８６以下であり、
前記反射色度のｘ座標の平均値が０．２９６０以上０．３０３４以下であり、
前記反射色度のｙ座標の平均値が０．３３９１以上０．３４５３以下であること、
を特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記正Ｃプレートは、液晶化合物により形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像表示装置