(57)【要約】本発明は、トランスミッタの行及びトランスミッタの列に従って分布した光トランスミッタ（４，６，８）と、トランスミッタ放射制御手段（２，１０，２０，３０，４０，４２，４４，４６，４８，５０）とから成る画像表示スクリーンに関する。制御手段は、網目状のトランスミッタに夫々結合され、ガイドラインに沿って互いに隣接するように置かれた複数の変調トランジスタ（１４，２４，３４）と、変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償する複数の補償トランジスタ（４８）とを有する。単一の補償トランジスタ（４８）は、列の変調トランジスタ（１４，２４，３４）の全ての閾値トリガ電圧を補償するために、列の変調トランジスタ（１４，２４，３４）の全てへ接続されている。前記補償トランジスタ（４８）は、同じガイドラインに沿って列の変調トランジスタ（１４，２４，３４）の延長上に形成される。本発明のスクリーンの制御方法も開示される。
2007521517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体の行及び発光体の列として配置され、発光体の配列を形成する発光体と、
該発光体の発光を制御する制御手段が形成されるシリコン基板とを有し、
前記制御手段は、
前記発光体に電力供給を行う手段と、
前記発光体の列に従って配置され、画像データを表す電圧を発光体の夫々の列へ伝送する複数のアドレス指定電極と、
前記発光体の行に従って配置され、選択信号を発光体の夫々の行へ伝送する複数の選択電極と、
前記配列の発光体に夫々結合され、１つのアドレス指定電極及び２つの電流伝送電極へ接続されるゲート電極を有し、閾値トリガ電圧より大きい又はそれに等しいそのゲート電極とその電流伝送電極のうちの１つとの間の電圧に対して前記発光体に電力供給を行うドレイン電流経路を夫々有し、前記発光体の列に結合された列に配置され、ガイドラインに従って前記基板上に配列される複数の変調トランジスタと、
夫々の変調トランジスタの端子へ接続され、当該変調トランジスタのゲート電極において電位を設定する負荷キャパシタと、
該キャパシタの電荷を調整することによって、前記変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償する複数の補償トランジスタとを有する表示スクリーンであって、
単一の補償トランジスタは、所定の列の全ての変調トランジスタへ接続され、当該列の全ての変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償し、
前記補償トランジスタは、前記同じガイドラインに従って所定の列の変調トランジスタの直線配置の延長線上に形成される、
ことを特徴とする表示スクリーン。
【請求項２】
前記制御手段は、前記アドレス指定電極のいずれか１つから前記発光体に電力供給を行う手段への電流フローを可能にする如何なる手段も有さない、ことを特徴とする請求項１記載の表示スクリーン。
【請求項３】
前記制御手段は、画像データを表す電圧を伝送するために、１つ又は夫々のアドレス指定電極へ接続された少なくとも１つの電圧発生器を有する、ことを特徴とする請求項１又は２記載の表示スクリーン。
【請求項４】
発光体の夫々の列の補償トランジスタは、２つの電流伝送電極を有し、夫々の電流伝送電極は、この同じ列のアドレス指定電極と、この同じ列の変調トランジスタとの間に直列接続されている、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項５】
夫々の補償トランジスタは、１つのゲート電極及び２つの電流伝送電極を有し、夫々の補償トランジスタのゲート電極は、前記結合された列の全ての変調トランジスタのゲート電極へ接続され、夫々の補償トランジスタの１つの電流伝送電極は、発光体の前記結合された列のアドレス指定電極へ接続され、夫々の補償トランジスタの他の電流伝送電極は、そのゲート電極へ接続される、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項６】
前記変調トランジスタ及び前記結合された補償トランジスタは、レーザビームを用いて、非結晶シリコン基板を加熱することによって得られる多結晶シリコン基板上に形成され、前記レーザビームは、第１に前記非結晶シリコン基板の第１の長方形加熱表面を熱し、第２に移動方向に動き、第３に第２の長方形加熱表面を熱し、
所定の列の発光体に結合された前記変調トランジスタ及び前記結合された補償トランジスタは、同一の加熱表面に配列され、ガイド配列ラインは、前記レーザビームの移動方向に対してほぼ垂直に伸びている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項７】
前記変調トランジスタ及び前記結合された補償トランジスタは、夫々、ドープ物質の２つの層の間にチャネルを有し、該チャネルは、それらのゲート電極へ接続され、
列の前記変調トランジスタのチャネル及び前記結合された補償トランジスタのチャネルは、前記ガイドラインに対してほぼ平行な主軸を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項８】
前記制御手段は、列の前記変調トランジスタへ接続された全ての負荷キャパシタを放電して、前記負荷キャパシタを初期化する初期化手段を有する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項９】
前記初期化手段は、１つのゲート電極及び２つの電流伝送電極を有する初期化トランジスタを有し、該初期化トランジスタの１つの電流伝送電極は、前記列の変調トランジスタのゲート電極へ接続され、前記初期化トランジスタのゲート電極は、１つの電流伝送電極と、発光体の列のアドレス指定電極とへ接続される、ことを特徴とする請求項８記載の表示スクリーン。
【請求項１０】
前記初期化手段は、ダイオードを有し、該ダイオードの陰極は、前記変調トランジスタのゲート電極へ接続され、前記ダイオードの陽極は、発光体の列のアドレス指定電極へ接続される、ことを特徴とする請求項８記載の表示スクリーン。
【請求項１１】
前記制御手段は、１つのゲート電極及び２つの電流伝送電極を有する複数の選択トランジスタを有し、夫々の選択トランジスタは、変調トランジスタへ接続された１つの電流伝送電極と、選択電極へ接続されたゲート電極と、発光体の列の補償トランジスタへ接続された１つの電流伝送電極とを有する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項１２】
前記発光体は、有機電界発光ダイオードである、ことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載の表示スクリーン。
【請求項１３】
発光体の夫々の列の夫々のアドレス指定電極へ画像データを表す電圧を印加するステップを有することを特徴とする、請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の表示スクリーンの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示スクリーンに関する。
【０００２】
特に、本発明は、薄膜トランジスタを用いる、電界発光有機物質に基づく形式のアクティブマトリクス表示スクリーンに関する。
【背景技術】
【０００３】
薄膜トランジスタは、パルスエキシマーレーザによる非結晶シリコン基板の加熱技術によって得られる多結晶シリコン基板の結晶化により作られる。薄膜トランジスタを製造するための上記技術は、非常に経済的である。
【０００４】
しかし、非結晶シリコンの結晶化は、異なる方位を有し、粒子境界により分けられた単結晶シリコン粒子の形成をもたらす。上記粒子境界は、トランジスタの閾値トリガ電圧のばらつきと、トランジスタに印加された所定の電圧に対してトランジスタを流れる電流のレベルの不均一性とを導入する。なお、スクリーンの発光体は、発光体を流れる電流に正比例する光を作るので、閾値トリガ電圧のばらつきは、スクリーンの輝度の変動をもたらす。
【０００５】
このようなばらつきを補償するよう、特に文献ＷＯ０２／０７１３７９及びＵＳ６，３５９，６０５により、電界発光有機物質に基づく形式の表示スクリーンが知られる。しかし、このようなスクリーンの補償トランジスタは、列の変調トランジスタの直線配置の延長線上には形成されない。このような形式の配置は、特に、変調トランジスタの閾値トリガ電圧と、補償トランジスタの閾値トリガ電圧とに等しい又は少なくとも近い電圧を確実にし、その結果として、スクリーンの輝度の改善された均一性を確実にする。
【０００６】
また、特に文献ＥＰ１２２０１９１により、スクリーンの発光体の夫々のアドレス指定回路において補償トランジスタを導入する技術が知られる。アドレス指定回路の夫々の補償トランジスタは、この同じ回路の変調トランジスタの隣に形成される。従って、変調トランジスタ及び同じアドレス指定回路の補償トランジスタは、それらの閾値トリガ電圧が同様の値を有し、互いを補償するように、同じ直線レーザビームによって同じ状態の下で作られる。
【０００７】
しかし、このようなスクリーンを用いると、初期化トランジスタ及び選択トランジスタが、更に形成される必要があり、結果として、スクリーンの夫々の発光体の発光を制御するために全部で４つのトランジスタが必要となる。なお、これらのトランジスタは、画素の有効な発光表面面積を著しく縮小する。更に、多数のトランジスタの形成は、経済的なプロセスではない。
【特許文献１】ＷＯ０２／０７１３７９
【特許文献２】ＵＳ６，３５９，６０５
【特許文献３】ＥＰ１２２０１９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、より簡単に作ることができ、より経済的である上記形式のスクリーンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の１つの主体は、
発光体の行及び発光体の列として配置され、発光体の配列を形成する発光体と、
該発光体の発光を制御する制御手段が形成されるシリコン基板とを有し、
前記制御手段は、
前記発光体に電力供給を行う手段と、
前記発光体の列に従って配置され、画像データを表す電圧を発光体の夫々の列へ伝送する複数のアドレス指定電極と、
前記発光体の行に従って配置され、選択信号を発光体の夫々の行へ伝送する複数の選択電極と、
前記配列の発光体に夫々結合され、１つのアドレス指定電極及び２つの電流伝送電極へ接続されるゲート電極を有し、閾値トリガ電圧より大きい又はそれに等しいそのゲート電極とその電流伝送電極のうちの１つとの間の電圧に対して前記発光体に電力供給を行うドレイン電流経路を夫々有し、前記発光体の列に結合された列に配置され、ガイドラインに従って前記基板上に配列される複数の変調トランジスタと、
夫々の変調トランジスタの端子へ接続され、当該変調トランジスタのゲート電極において電位を設定する負荷キャパシタと、
該キャパシタの電荷を調整することによって、前記変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償する複数の補償トランジスタとを有する表示スクリーンであって、
単一の補償トランジスタは、所定の列の全ての変調トランジスタへ接続され、当該列の全ての変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償し、前記補償トランジスタは、前記同じガイドラインに従って所定の列の変調トランジスタの直線配置の延長線上に形成される、ことを特徴とする表示スクリーンである。
【００１０】
本発明の１つの特徴に従って、前記制御手段は、前記アドレス指定電極のいずれか１つから前記発光体に電力供給を行う手段への電流フローを可能にする如何なる手段も有さない。
【００１１】
発光体に結合された夫々の変調トランジスタは、前記発光体に電力供給を行うよう、ドレイン電流を伝送しうる。従って、この電力供給電流は、アドレス指定電極とは異なる２つの電力供給電極の間を流れる。従って、アドレス指定電極を発光体のための電源へ接続する如何なるスイッチも必要ではない。
【００１２】
しかし、このようなスイッチは、文献ＷＯ０２／０７１３７９又は文献ＵＳ６，３５９，６０５に記述される制御手段には存在する。これらの文献に記述される制御手段では、アドレス指定電極は、画像データを表す電流ＩＤを発光体へ伝送するために用いられ、一方、本発明の場合には、それらは、電圧ＶＤを伝送するために用いられる。プログラミングが（本発明のように電圧によってではなく）電流によって実行されるので、上記接続スイッチは、プログラミング電流が夫々のアドレス指定電極と発光体に電力供給を行う回路との間を流れることを確実にするよう必要とされる。一方、この発光体に結合された変調トランジスタのゲート電圧は、例えば、既知の電流ミラーシステムによって、その設定値へと次第に安定する。
【００１３】
特定の実施例に従って、表示スクリーンは、以下の特徴のうちの１又はそれ以上を有する。
-  前記制御手段は、画像データを表す電圧ＶＤを伝送するために、１つ又は夫々のアドレス指定電極へ接続された少なくとも１つの電圧発生器を有する。
-  発光体の夫々の列の補償トランジスタは、２つの電流伝送電極を有し、夫々の電流伝送電極は、この同じ列のアドレス指定電極と、この同じ列の変調トランジスタとの間に直列接続される。
-  夫々の補償トランジスタは、１つのゲート電極及び２つの電流伝送電極を有し、夫々の補償トランジスタのゲート電極は、前記結合された列の全ての変調トランジスタのゲート電極へ接続され、夫々の補償トランジスタの１つの電流伝送電極は、発光体の前記結合された列のアドレス指定電極へ接続され、夫々の補償トランジスタの他の電流伝送電極は、そのゲート電極へ接続される。
-  前記変調トランジスタ及び前記結合された補償トランジスタは、レーザビームを用いて、非結晶シリコン基板を加熱することによって得られる多結晶シリコン基板上に形成され、前記レーザビームは、第１に前記非結晶シリコン基板の第１の長方形加熱表面を熱し、第２に移動方向に動き、第３に第２の長方形加熱表面を熱し、且つ、
-  所定の列の発光体に結合された前記変調トランジスタ及び前記結合された補償トランジスタは、同一の加熱表面に配列され、ガイド配列ラインは、前記レーザビームの移動方向に対してほぼ垂直に伸びている。
-  前記変調トランジスタ及び前記結合された補償トランジスタは、夫々、ドープ物質の２つの層の間にチャネルを有し、該チャネルは、それらのゲート電極へ接続され、列の前記変調トランジスタのチャネル及び前記結合された補償トランジスタのチャネルは、前記ガイドラインに対してほぼ平行な主軸を有する。
-  前記制御手段は、列の前記変調トランジスタへ接続された全ての負荷キャパシタを放電して、前記負荷キャパシタを初期化する初期化手段を有する。
-  前記初期化手段は、１つのゲート電極及び２つの電流伝送電極を有する初期化トランジスタを有し、該初期化トランジスタの１つの電流伝送電極は、前記列の変調トランジスタのゲート電極へ接続され、前記初期化トランジスタのゲート電極は、１つの電流伝送電極と、発光体の列のアドレス指定電極とへ接続される。
-  前記初期化手段は、ダイオードを有し、該ダイオードの陰極は、前記変調トランジスタのゲート電極へ接続され、前記ダイオードの陽極は、発光体の列のアドレス指定電極へ接続される。
-  前記制御手段は、１つのゲート電極及び２つの電流伝送電極を有する複数の選択トランジスタを有し、夫々の選択トランジスタは、変調トランジスタへ接続された１つの電流伝送電極と、選択電極へ接続されたゲート電極と、発光体の列の補償トランジスタへ接続された１つの電流伝送電極とを有する。
-  前記発光体は、有機電界発光ダイオードである。
【００１４】
本発明の他の主体は、
発光体の行及び発光体の列として配置され、発光体の配列を形成する発光体と、
該発光体の発光を制御する制御手段が形成されるシリコン基板とを有し、
前記制御手段は、
前記発光体の列に従って配置され、画像データを表す電圧を発光体の夫々の列へ伝送する複数のアドレス指定電極と、
前記発光体の行に従って配置され、選択信号を発光体の夫々の行へ伝送する複数の選択電極と、
前記配列の発光体に夫々結合され、１つのアドレス指定電極及び２つの電流伝送電極へ接続されるゲート電極を有し、閾値トリガ電圧より大きい又はそれに等しいそのゲート電極とその電流伝送電極のうちの１つとの間の電圧に対して前記発光体に電力供給を行うドレイン電流経路を夫々有し、前記発光体の列に結合された列に配置され、ガイドラインに従って前記基板上に配列される複数の変調トランジスタと、
夫々の変調トランジスタの端子へ接続され、当該変調トランジスタのゲート電極において電位を設定する負荷キャパシタと、
該キャパシタの電荷を調整することによって、前記変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償する複数の補償トランジスタとを有する表示スクリーンの駆動方法であって、
所定の列の全ての変調トランジスタへ接続され、前記同じガイドラインに従ってこの同じ列の前記変調トランジスタの直線配置の延長線上に形成される単一の補償トランジスタを形成するステップと、
前記単一の補償トランジスタによって、この同じ列の前記全ての変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償するステップと、
前記制御手段を介して、前記スクリーンの発光体を駆動する電圧に基づくステップと、を有することを特徴とする方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、図面を参照しながら一例として与えられた以下の詳細な説明を読むことで、より理解されるであろう。
【００１６】
図１は、本発明に従う表示スクリーンを部分的に表す。このスクリーンは、画像素子又は画素のグループからの光の放射を制御する手段２を有する。
【００１７】
スクリーンは、頭文字ＯＬＥＤによって知られる有機電界発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ）から形成される発光体４、６、８を有する。発光体の輝度は、それらを流れる電流に正比例する。それらは、発光体の行及び発光体の列で配置され、配列を形成する。
【００１８】
制御手段２は、発光体４、６、８へ夫々接続された複数のアドレス指定回路１０、２０、３０と、発光体の列毎に１つのアドレス指定電極４０と、発光体の行毎に１つの選択電極４２、４４、４６と、発光体の列毎に１つの補償トランジスタ４８及び１つの初期化トランジスタ５０とを有する。
【００１９】
夫々のアドレス指定電極４０は、画像データを表す電圧をそれへ印加することを特に目的とする電圧発生器へ接続されている。
【００２０】
簡単化のために、発光体の所定の列の３つの発光体と、これらの発光体をアドレス指定する制御手段２としか、図１には表されていない。
【００２１】
発光体の列の第１の発光体４は、第１のアドレス指定回路１０へ接続されている。発光体の列の第２の発光体６は、第２のアドレス指定回路２０へ接続されている。発光体の列の第３の発光体８は、第３のアドレス指定回路３０へ接続されている。この列のアドレス指定回路１０、２０、３０は、同じアドレス指定電極４０へ接続されているが、異なる選択電極へ夫々接続されている。
【００２２】
第１のアドレス指定回路１０、第２のアドレス指定回路２０及び第３のアドレス指定回路３０は同一である。それらは、同じ機能を実行するよう同じように接続された同じ電子部品を有する。説明を簡単にするために、第１のアドレス指定回路１０しか、詳細に示されない。しかし、異なるアドレス指定回路の部品間を識別するために、他のアドレス指定回路の参照符号は、第１のアドレス指定回路１０のそれらと、１０の位は異なるが、同じユニット数字を有する。
【００２３】
アドレス指定回路１０、２０、３０は、発光体に電力供給を行う電源１２、２２、３２と、電流変調トランジスタ１４、２４、３４と、負荷キャパシタ１６、２６、３６と、トランジスタから形成された選択スイッチ１８、２８、３８とを有する。
【００２４】
変調トランジスタ１４、選択スイッチ１８、補償トランジスタ４８及び初期化トランジスタ５０は、ｐ形薄膜トランジスタである。それらは、ドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極とを有する。それらのゲート電極は、ドープ物質の２つの層の間に形成されたドレインチャネルへ接続されている。それらは、それらの閾値トリガ電圧Ｖｔｈよりも大きい又はそれに等しい電圧がゲートとソースとの間に印加されると、ソースからドレインへとそれらを流れるドレイン電流と呼ばれる電流を有する。代替的には、ｎ型薄膜トランジスタが、本発明に従うスクリーンを作るために用いられても良い。その場合に、それらのドレイン電流は、ドレインからソースへと流れる。
【００２５】
変調トランジスタ１４のソースは、電源１２へ接続されている。変調トランジスタ１４のドレインは、発光体４の陽極へ接続されている。発光体４の陰極は、接地電極へ接続されている。変調トランジスタ１４のゲートは、負荷キャパシタ１６の１つの端子と、選択スイッチ１８のドレイン電極とへ接続されている。負荷キャパシタ１６の第２の端子は、電源１２へ接続されている。第１のアドレス指定回路１０、第２のアドレス指定回路２０及び第３のアドレス指定回路３０のスイッチ１８、２８及び３８のゲートは、第１の選択電極４２、第２の選択電極４４及び第３の選択電極４６へ接続されている。
【００２６】
補償トランジスタ４８は、初期化トランジスタ５０に並列に接続されており、一端でノードＢへ、他端で、列アドレス指定電極４０へ接続するためのノードＡへ接続されている。
【００２７】
トランジスタ４８のソース電極及びトランジスタ５０のドレイン電極は、発光体の列のアドレス指定電極４０へ接続されている。トランジスタ４８のドレイン電極及びトランジスタ５０のソース電極は、ノードＢで共に接続されている。
【００２８】
トランジスタ４８のゲート電極は、そのドレインへ接続されている。トランジスタ５０のゲート電極は、同じく、そのドレインへ接続されている。従って、補償トランジスタ４８は、ダイオードと等価であり、その陰極は、ノードＢへ接続されており、その陽極は、ノードＡへ接続されている。このダイオードは、ノードＡとノードＢとの間の電位差がトランジスタ４８の閾値トリガ電圧Ｖｔｈ４８よりも大きい場合に、導通する。初期化トランジスタ５０は、同じく、ダイオードと等価である。このダイオードは、トランジスタ４８と等価であるダイオードに対して逆方向に接続されている。その陰極はノードＡへ接続されている。その陽極は、ノードＢへ接続されている。このダイオードは、ノードＡとノードＢとの間の電位差がトランジスタ５０の閾値トリガ電圧Ｖｔｈ５０よりも小さい場合に、導通する。
【００２９】
トランジスタ４８のドレイン電極及びトランジスタ５０のソース電極は、ライン５２を介して、発光体の列の全てのアドレス指定回路１０、２０、３０の夫々のスイッチ１８、２８、３８へ接続されている。
【００３０】
補償トランジスタ４８のゲートは、発光体の列の全てのアドレス指定回路１０、２０、３０の変調トランジスタ１４、２４、３４のゲートへ接続される。
【００３１】
更に、補償トランジスタ４８は、それが、この列の全ての変調トランジスタ１４、２４、３４の閾値トリガ電圧を補償することができるように、発光体の列の全ての変調トランジスタ１４、２４、３４と同じ状態の下で形成される。
【００３２】
発光体の列のアドレス指定電極４０は、画像データを表すアドレス指定電圧を発光体のこの列のアドレス指定回路へ伝送するよう設計される。
【００３３】
選択電極４２、４４、４６は、特に、これらの行選択電極のうちの１つへ選択電圧を印加することによって、アドレス指定回路の列において所定のアドレス指定回路１０、２０、３０を選択するために用いられる。
【００３４】
図２は、本発明に従うスクリーンを作るために用いられるトランジスタの構成を形成するポリシリコンの形成の低温プロセスにおけるステップを示す。
【００３５】
変調トランジスタ１４、２４及び３４並びに補償トランジスタ４８は、非結晶シリコン基板を加熱して結晶化した後に得られる多結晶シリコンの同じ層に形成される。
【００３６】
非結晶シリコン基板６２の加熱ステップの間に、直線エキシマーレーザビーム６０は、ガラス基板６４の上に堆積された非結晶シリコンの薄層６２を加熱する。このパルスレーザビーム６０は、最初に、ガイドライン７２に沿って縦方向に伸びる第１の長方形表面６６を加熱し、次に、移動方向６８に動き、次に、第１の加熱表面６６の隣にあって、第１の加熱表面６６と同じ形状である第２の加熱表面７０を加熱する。
【００３７】
発光体の列の変調トランジスタと、この列の全ての変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償する補償トランジスタ４８とは、図２において点線形式で図式的に表されている。
【００３８】
同じアドレス指定電極４０によってアドレス指定される列の変調トランジスタ１４、２４、３４と、それらが接続される補償トランジスタ４８とは、加熱表面６６、７０の長い側面に対して平行、且つ、レーザビーム６０の移動方向６８に対して垂直である直線において交互に置かれるように形成される。更に、それらのトランジスタは、同じレーザビーム６０によって同時に加熱された同一の加熱表面６６に形成される。更に具体的には、変調トランジスタ１４、２４及び３４並びに補償トランジスタ４８は、それらのドレインチャネルが、レーザビームの移動方向６８に対してほぼ垂直な主軸を有するように作られる。
【００３９】
従って、それらは、補償トランジスタ４８が、発光体の列の全ての変調トランジスタ１４、２４、３４の閾値トリガ電圧を補償することができるように、同様の値を有する閾値トリガ電圧を示す。
【００４０】
図３Ａから３Ｅは、本発明に従う表示スクリーンの発光体をアドレス指定するステップを表す。
【００４１】
変調トランジスタ１４を初期化するステップＡにおいて、選択電圧ＶＳ４２は、電極４２へ印加される。スイッチ１８は閉じる。以下初期化電圧ＶＩと呼ばれる０の値を有するアドレス指定電圧ＶＤは、アドレス指定電極４０へ印加される。ノードＡの電圧は、ノードＢの電圧よりも低い。初期化トランジスタ５０は、導通となり、一方、補償トランジスタ４８は、導通を中断する。その場合に、初期化電圧は、変調トランジスタ１４のゲートと、負荷キャパシタ１６の端子とへ印加される。負荷キャパシタ１６は、図３Ｄに示すように、放電する。
【００４２】
負荷キャパシタ１６をプログラムするステップＢにおいて、画像データを表すアドレス指定電圧ＶＤ１は、アドレス指定電極４０へ印加される。この電圧は、補償トランジスタ４８によって変調され、ノードＢへ伝送される。ノードＢにおいて、トランジスタ４８によって変調された電圧の値は、ＶＤ１−Ｖｔｈ４８に等しい。ここで、Ｖｔｈ４８は、トランジスタ４８の閾値トリガ電圧である。
【００４３】
選択電圧ＶＳ４２は、依然として選択スイッチ１８のゲートへ印加されている。スイッチ１８は閉じられている。補償トランジスタ４８によって変調されたアドレス指定電圧ＶＤ１は、変調トランジスタ１４のゲートと、負荷キャパシタ１６の１つの端子へ印加される。一瞬後、変調トランジスタ１４は、動作の飽和状態となり、そのドレイン電流Ｉｄは、以下の式によって定められる：
Ｉｄ＝β×（Ｖｇｓ１４−Ｖｔｈ１４）２
ただし、Ｖｇｓ１４＝Ｖ１２−Ｖ１６及びＶ１６＝ＶＤ１−Ｖｔｈ４８
ここで、Ｉｄは、変調トランジスタ１４を流れるドレイン電流であり、
βは、任意の技術と、トランジスタのチャネルの特性との関数である定数であり、
Ｖｇｓ１４は、変調トランジスタ１４のゲートとソースとの間の電圧であり、
Ｖ１２は、電源１２からの供給電圧であり、
Ｖ１６は、負荷キャパシタ１６の両端の電圧であり、
ＶＤ１は、データアドレス指定電圧であり、
Ｖｔｈ４８は、補償トランジスタ４８の閾値トリガ電圧である。
【００４４】
変調トランジスタ１４及び補償トランジスタ４８は、同じ加熱表面上に形成されているので、それらは、同様の閾値トリガ電圧を有する。
【００４５】
Ｖｔｈ４８＝Ｖｔｈ１４
その場合に、
Ｉｄ＝β×（Ｖ１２−ＶＤ１）２
従って、変調トランジスタ１４を流れるドレイン電流Ｉｄは、その閾値トリガ電圧Ｖｔｈ１４とは無関係である。補償トランジスタ４８の閾値トリガ電圧Ｖｔｈ４８は、発光体４に結合された画素の輝度が所定のアドレス指定電圧に対して一定であるように、変調トランジスタの閾値トリガ電圧Ｖｔｈ１４を補償する。
【００４６】
中間ステップＣにおいて、選択電圧ＶＳ４４は、第２の選択電極４４へ印加される。第２のアドレス指定回路２０のスイッチ２８は閉じる。ステップＣの終了時に、選択電圧ＶＳ４２は、もはや第１のアドレス指定回路１０の選択電極４２へ印加されない。これは、スイッチ１８が開くことを意味する。負荷キャパシタ１６は、図３Ｄに表されるように、変調トランジスタ１４が変調トランジスタ１４の次の初期化ステップＶＩまで発光体４に電力供給を行い続けるよう、変調トランジスタ１４のゲートに電荷を蓄える。
【００４７】
第２のアドレス指定回路２０の負荷キャパシタ２６を初期化するステップＤにおいて、０の値を有し、初期化電圧ＶＩと呼ばれるアドレス指定電圧ＶＤは、アドレス指定電極４０へ印加される。従って、ノードＡの電圧は、ノードＢの電圧よりも低い。初期化トランジスタ５０は、導通となり、一方、補償トランジスタ４８は、導通を中断する。その場合に、アドレス指定電極４０によって伝送されて、トランジスタ５０によって変調された初期化電圧は、負荷キャパシタ２６の端子とへ印加される。負荷キャパシタ２６は放電する。
【００４８】
負荷キャパシタ２６をプログラムするステップＥにおいて、アドレス指定電圧ＶＤ２は、アドレス指定電極４０へ印加される。ノードＡの電圧は、ノードＢの電圧よりも大きくなる。補償トランジスタ４８は、再び導通し、一方、初期化トランジスタ５０は、導通を中断する。トランジスタ４８によって変調されたノードＢの電圧は、ＶＤ２−Ｖｔｈ４８に等しい。ここで、Ｖｔｈ４８は、トランジスタ４８の閾値トリガ電圧である。ノードＢの電圧は、ライン５２と、選択電極４４への選択電圧ＶＳ４４の印加により閉じられたスイッチ２８とによって変調トランジスタ２４のゲートへ伝送される。
【００４９】
変調トランジスタ２４及び補償トランジスタ４８は、ガイドライン７２に沿って同じ加熱表面上に形成されているので、トランジスタ４８の閾値電圧Ｖｔｈ４８は、トランジスタ２４の閾値電圧Ｖｔｈ２４と同じである。
【００５０】
Ｖｔｈ４８＝Ｖｔｈ２４
従って、
Ｉｄ＝β×（Ｖ２２−ＶＤ２）２
ここで、Ｖ２２は、電源２２からの供給電圧であり、
ＶＤ２は、データアドレス指定電圧である。
【００５１】
従って、補償トランジスタ４８は、第１のアドレス指定回路１０の変調トランジスタ１４、第２のアドレス指定回路２０の変調トランジスタ２４、及び所定の列の全ての変調トランジスタの夫々の閾値トリガ電圧を、それらのトランジスタがシリコンの表面の加熱によって得られ、同時に同じラインに沿って配置される場合に、補償することができる。
【００５２】
更に、負荷キャパシタを初期化するための初期化トランジスタ５０は、所定の列のアドレス指定回路の全ての負荷キャパシタ１６、２６、３６を放電する。
【００５３】
代替的に、初期化トランジスタ５０は、ダイオードによって置き換えられても良い。その陰極は、変調トランジスタのゲート電極へ接続され、その陽極は、トランジスタの当該列に結合された発光体の列のアドレス指定電極へ接続される。
【００５４】
代替的に、本発明に従うスクリーンのアドレス指定回路は、電圧駆動される。これは、画素がより速くアドレス指定されることを意味する。具体的には、電流に基づくプログラミングの時間は、電圧が変調器（変調トランジスタ）と、負荷キャパシタとに直接的に印加されるので、もはや必要ではない。更に、電圧駆動アドレス指定回路は、実施が容易であり、電流に基づくアドレス指定回路に比べて製造費用が有利である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に従う表示スクリーンの部分的な概略図である。
【図２】本発明に従う表示スクリーンに配置されたトランジスタの形成処理の間にレーザビームによって加熱されるシリコン基板を表す斜視図である。
【図３Ａ】本発明に従って制御手段によって実行されるアドレス指定方法の間に、時間と共に、第１のアドレス指定回路の第１の選択電極へ印加される選択電圧がいかに変化するかを示すグラフである。
【図３Ｂ】本発明に従って制御手段によって実行されるアドレス指定方法の間に、時間と共に、発光体の列のアドレス指定電極へ印加される電圧がいかに変化するかを示すグラフである。
【図３Ｃ】本発明に従って制御手段によって実行されるアドレス指定方法の間に、時間と共に、第２のアドレス指定回路の第２の選択電極へ印加される選択電圧がいかに変化するかを示すグラフである。
【図３Ｄ】本発明に従って制御手段によって実行されるアドレス指定方法の間に、時間と共に、第１のアドレス指定回路の負荷キャパシタによって蓄えられる電圧がいかに変化するかを示すグラフである。
【図３Ｅ】本発明に従って制御手段によって実行されるアドレス指定方法の間に、時間と共に、第２のアドレス指定回路の負荷キャパシタによって蓄えられる電圧がいかに変化するかを示すグラフである。
【図１】
2007521517.tif 000003
【図２】
2007521517.tif 000004
【図３Ａ】
2007521517.tif 000005
【図３Ｂ】
2007521517.tif 000006
【図３Ｃ】
2007521517.tif 000007
【図３Ｄ】
2007521517.tif 000008
【図３Ｅ】
2007521517.tif 000009
【国際調査報告】
2007521517.tif 000010
2007521517.tif 000011
2007521517.tif 000012
2007521517.tif 000013