【事件の表示】
　特願２０１５−　９２４３９「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　１日出願公開、特開２０１５−１７３２７７、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１２月２１日の出願（国内優先権主張　平成２１年１２月２５日，以下，左の日を「本願優先日」という。）である特願２０１４−１２１５５２号の一部を平成２７年４月２９日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　５月１３日　審査請求
平成２８年　２月１６日　拒絶理由通知
平成２８年　３月１６日　意見書・手続補正
平成２８年　７月２０日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年１０月　５日　審判請求・手続補正
平成２８年１２月　６日　上申書
　
第２　審判請求時の補正の適否
１　補正の内容
　平成２８年１０月５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲を補正するものであって，補正前の請求項１ないし４を削除した上で，下記補正事項１及び２のとおり補正するものである。（下線部は補正個所を示し，当審で付加した。） 
（１）補正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を次のように補正する。
・補正前
「【請求項５】
　酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，第１の酸化領域と，
　前記ドレイン電極の側面に接する，第２の酸化領域と，を有し，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有することを特徴とする半導体装置。」
・補正後
「【請求項１】
　酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，
選択的に酸化された
　前記ドレイン電極の側面に接する，
選択的に酸化された
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有することを特徴とする半導体装置。」
（２）補正事項２
　特許請求の範囲の請求項２を次のように補正する。
・補正前
「【請求項６】
　酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，第１の酸化領域と，
　前記ドレイン電極の側面に接する，第２の酸化領域と，を有し，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有し，
　前記ゲート電極は，前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に落ち込んだ領域を有することを特徴とする半導体装置。」
・補正後
「【請求項２】
　酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，
選択的に酸化された
　前記ドレイン電極の側面に接する，
選択的に酸化された
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有し，
　前記ゲート電極は，前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に落ち込んだ領域を有することを特徴とする半導体装置。」
　２　補正の適否
　補正事項１及び２は，当初明細書の段落【０１７９】より，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであるから，補正事項１及び２は，特許法１７条の２第３項の規定に適合する。
　また，補正事項１及び２は，特許請求の範囲の減縮を目的とするから，特許法１７条の２第４項の規定に適合し，同条５項２号に掲げるものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１及び２に記載された発明（以下，それぞれ「本願補正発明１」及び「本願補正発明２」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明１
　本願補正発明１は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，選択的に酸化された第１の酸化領域と，
　前記ドレイン電極の側面に接する，選択的に酸化された第２の酸化領域と，を有し，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有することを特徴とする半導体装置。」
（２）引用文献１の記載
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された，特開２００８−０８５３１２号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
半導体装置
・・・
【０００７】
　酸化亜鉛（ＺｎＯ）は室温で成膜できることに加えてそのＴＦＴ特性、例えば移動度はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を活性層とするＴＦＴ（以下「ａ−Ｓｉ　ＴＦＴ」ともいう）よりも数十倍高い。
【０００８】
　しかしながら
酸化亜鉛は酸、アルカリに弱く、フッ酸や剥離液等に容易に溶解する性質がある。そのため酸化亜鉛のエッチングは非常に困難であった。
【０００９】
　また、酸化亜鉛は電荷を蓄積し易い性質があるため、ドライエッチング装置等を用いてエッチングを行うと、プラズマによる電気的なダメージが生じ、ＴＦＴ特性が劣化する問題がある。
【００１０】
　そこで
本発明は、薬液やプラズマダメージによって、ＴＦＴを形成する酸化物半導体が劣化しない半導体装置の製造方法を提供する
（イ）「【００３１】
［実施の形態１］
　本実施の形態を，図１（Ａ）〜図１（Ｂ），図２（Ａ）〜図２（Ｄ），図３（Ａ）〜図３（Ｃ），図４（Ａ）〜図４（Ｅ），図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ），図１４を用いて説明する。
・・・
【００６４】
　またＬＡＡＰを用いず，スパッタ等を用いて
ソース電極及びドレイン電極等となるアルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）の積層膜（Ａｌ−Ｔｉ膜）
（ウ）「【０１０９】
［実施の形態３］
　本実施の形態では，
トップゲートＺｎＯ−ＴＦＴを使った液晶表示装置の例を，図５，図６（Ａ）〜図６（Ｃ）を用いて説明する。
【０１１０】
　図５に示す液晶表示装置は，薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））２０１，ゲート線（ゲート配線）２０２，データ線（データ配線）２０３，液晶素子２０４，容量素子２０５を有している。
【０１１１】
　まず基板２１１及び下地膜２１２上に，実施の形態１で述べた作製工程に基づいて，薄膜トランジスタ２０１を形成する。
【０１１２】
　
薄膜トランジスタ２０１は，実施の形態１の薄膜トランジスタ３０９に対応している。薄膜トランジスタ２０１の，島状半導体膜２１３，ソース電極またはドレイン電極の一方である電極２０６，ソース電極またはドレイン電極の他方である電極２１４，ゲート絶縁膜２１５，ゲート電極２０７
【０１１３】
　なお
島状半導体膜２１３として，
酸化物半導体膜を用いる
（エ）図６（Ａ）には，島状半導体膜２１３と，島状半導体膜２１３に接するソース電極２０６と，島状半導体膜２１３に接するドレイン電極２１４と，ゲート絶縁膜２１５を介して，島状半導体膜２１３と重なる領域を有するゲート電極２０７であって，ゲート電極２０７は，ソース電極２０６とドレイン電極２１４の間に落ち込んだ領域を有する半導体装置，が記載されていると認められる。
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「酸化物半導体膜と，酸化物半導体膜に接するソース電極と，酸化物半導体膜に接するドレイン電極と，ゲート絶縁膜を介して，酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極であって，ゲート電極は，ソース電極とドレイン電極の間に落ち込んだ領域を有し，ソース電極及びドレイン電極はＡｌ−Ｔｉ膜である半導体装置。」
（３）引用文献２の記載
　ア　引用文献２
　原査定の拒絶の理由で引用された，実願平０２−００９８６７号（実開平０３−１０１５５６号）のマイクロフィルム（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「［産業上の利用分野］
　本考案は，液晶表示デバイスなどに用いられる薄膜トランジスタに関するものである。」（１頁１３−１５行）
（イ）「［発明が解決しようとする課題］
　ところが，このような薄膜トランジスタは，ソース・ドレイン電極３ａ，３ｂを覆うゲート絶縁膜４にクラックやピンホールなどの欠陥が生じると，ソース・ドレイン電極３ａ，３ｂとゲート電極５との間でショートする。これにより薄膜トランジスタの製造上での歩留りの低下の原因となる欠点があった。
　本考案は，上記事情に鑑みてなされたもので，
ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止し，その製造上での歩留りを改善する
（ウ）「第１図は，同実施例のコプラナー型
薄膜トランジスタ
ソース・ドレイン電極１３ａ，１３ｂの表面は陽極酸化されたタンタルオキサイド（ＴａＯ）の絶縁層１３１ａ，１３１ｂを備えた
（エ）第１図には，
ソース・ドレイン電極１３ａ，１３ｂの側面を含んだ表面に絶縁層１３１ａ，１３１ｂを備える
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止し，その製造上での歩留りを改善するために，ソース・ドレイン電極の側面を含んだ表面は陽極酸化されたタンタルオキサイドの絶縁層を備えた薄膜トランジスタ。」
（４）周知技術
　ア　引用文献３
　原査定で引用された，特開２００８−０８５３１３号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【０１１９】
次にソース電極層又はドレイン電極層１１６，１１７，１１８，１１９を形成する。
ソース電極層又はドレイン電極層１１６，１１７，１１８，１１９は
Ｃｕ（銅
を用いる
　イ　引用文献４
　原査定で引用された，特開２００６−３３２６１４号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００４０】
　次に，導電層１５を形成する（図２（Ｅ））。
導電層１５に使用する材料は
銅，
一般的にはソース及びドレイン電極１６ａ，ｂに用いる導電層１５としては，金属を用いることが多い。
　ウ　周知技術
　前記ア及びイより，次の技術的事項は周知技術と認められる。
「ソース電極及びドレイン電極に銅を用いること。」
（５）引用文献５の記載
　ア　引用文献５
　本願優先日前に国内において頒布された刊行物である，特開２００８−０２８１１２号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置の製造方法に関し，特に基板上の外部端子に
アンダーバンプメタル膜を介してバンプ電極を形成する
（イ）「【００２５】
　具体的には，例えば，
半導体装置１を酸素濃度２０％の大気雰囲気中で１８０℃にて２４時間加熱することにより第２のＵＢＭ膜７Ｂを構成する銅（Ｃｕ）を酸化させる。第２のＵＢＭ膜７Ｂの酸化は，大気と銅（Ｃｕ）との界面での銅（Ｃｕ）酸化反応と第２のＵＢＭ膜７Ｂ中の酸素の熱拡散により進行するため，バンプ電極８に覆われない領域の銅（Ｃｕ）が選択的に酸化されて酸化銅（ＣｕＯ）１２に変化する。
【００２６】
　次に、図８に示すように、この
酸化銅（ＣｕＯ）１２を選択的に溶解するエッチング液に半導体装置１を浸漬して酸化銅（ＣｕＯ）１２をエッチングする（第１のエッチング工程）。
　イ　引用発明５
　前記アより，引用文献５には次の発明（以下，「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置を加熱酸化させることにより，バンプ電極に覆われない領域の銅が選択的に酸化されて酸化銅に変化し，その後酸化銅を選択的にエッチングすること。」
（６）本願補正発明１と引用発明１との対比
　引用発明１の「酸化物半導体膜」，「酸化物半導体膜に接するソース電極」，「酸化物半導体膜に接するドレイン電極」，「ゲート絶縁膜を介して，酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極」及び「半導体装置」は，それぞれ本願補正発明１の「酸化物半導体層」，「前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極」，「前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極」，「ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極」及び「半導体装置」に相当する。
　すると，本願補正発明１と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，を有することを特徴とする半導体装置。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明１は「前記ソース電極の側面に接する，選択的に酸化された第１の酸化領域と，前記ドレイン電極の側面に接する，選択的に酸化された第２の酸化領域と，を有する」のに対し，引用発明１はそうではない点。
（イ）相違点２
　本願補正発明１では「前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有する」のに対し，引用発明１では「ソース電極及びドレイン電極はＡｌ−Ｔｉ膜である」点。
（７）相違点についての検討
　相違点１について検討する。
　引用発明２は「ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止し，その製造上での歩留りを改善するために，ソース・ドレイン電極の側面を含んだ表面は陽極酸化されたタンタルオキサイド（ＴａＯ）の絶縁層を備えた薄膜トランジスタ。」であり，引用発明１においても，ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止すべきことは当然の課題であるから，引用発明２を採用することの動機付けはあるといえる。しかし，引用発明１は，酸化物半導体である「酸化亜鉛は酸、アルカリに弱く、フッ酸や剥離液等に容易に溶解する性質がある」から「薬液やプラズマダメージによって、ＴＦＴを形成する酸化物半導体が劣化しない半導体装置の製造方法を提供する」こと（前記（２）ア（ア））を目的としており，電解液に浸漬する陽極酸化を用いる引用発明２を採用すると，引用発明１の前記目的に反することになるから，阻害要因があるといえる。
　仮に，引用発明１において引用発明２を採用したとしても，それにより前記課題は解決されるから，それ以上に「側面に接する，選択的に酸化された酸化領域」とするべき動機付けがない。そして，ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止する絶縁層を設けるに際し，さらに「側面に接する，選択的に酸化された酸化領域」を設けることに関して，いずれの引用文献にも記載も示唆もない。
　なお，引用発明２における「タンタルオキサイドの絶縁層」は，陽極酸化により形成されること，及び「層」であることから，表面にあること自体は当然のことであり，表面にあることをもって「選択的」とはいえない。
　引用発明５には具体的にバンプ電極に覆われない領域の銅を選択的に犠牲酸化することが開示されているが，上述のように引用発明２を採用した上で，さらに引用発明５を採用する動機付けがないし，引用発明５はアンダーバンプメタルを犠牲酸化するもの（前記（５）ア（イ））で引用発明１と共通する課題がない。引用発明５を採用すると引用発明１の目的や課題に関係のない「バンプ電極」を形成するという余計な工程が発生し製造コストが上がることになるから，当業者にとって忌避すべきことである。
　よって，引用発明１において，相違点１に係る構成を採用することは，当業者が容易に想到するものではない。
（８）本願補正発明１についてのまとめ
　したがって，本願補正発明１は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（９）本願補正発明２
　本願補正発明２は，本件補正後の請求項２に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，選択的に酸化された第１の酸化領域と，
　前記ドレイン電極の側面に接する，選択的に酸化された第２の酸化領域と，を有し，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有し，
　前記ゲート電極は，前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に落ち込んだ領域を有することを特徴とする半導体装置。」
（１０）対比・判断
　各引用発明及び周知技術については，前記（２）ないし（５）のとおりである。
　本願補正発明２と引用発明１とを対比すると，下記相違点１及び２の点で相違するが，その余の点で一致する。
　ア　相違点１
　本願補正発明２は「前記ソース電極の側面に接する，選択的に酸化された第１の酸化領域と，前記ドレイン電極の側面に接する，選択的に酸化された第２の酸化領域と，を有する」のに対し，引用発明１はそうではない点。
　イ　相違点２
　本願補正発明２では「前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有する」のに対し，引用発明１では「ソース電極及びドレイン電極はＡｌ−Ｔｉ膜である」点。
　ウ　相違点についての検討
　相違点１について検討する。
　引用発明２は「ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止し，その製造上での歩留りを改善するために，ソース・ドレイン電極の側面を含んだ表面は陽極酸化されたタンタルオキサイド（ＴａＯ）の絶縁層を備えた薄膜トランジスタ。」であり，引用発明１においても，ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止すべきことは当然の課題であるから，引用発明２を採用することの動機付けはあるといえる。しかし，引用発明１は，酸化物半導体である「酸化亜鉛は酸、アルカリに弱く、フッ酸や剥離液等に容易に溶解する性質がある」から「薬液やプラズマダメージによって、ＴＦＴを形成する酸化物半導体が劣化しない半導体装置の製造方法を提供する」こと（前記（２）ア（ア））を目的としており，電解液に浸漬する陽極酸化を用いる引用発明２を採用すると，引用発明１の前記目的に反することになるから，阻害要因があるといえる。
　仮に，引用発明１において引用発明２を採用したとしても，それにより前記課題は解決されるから，それ以上に「側面に接する，選択的に酸化された酸化領域」とするべき動機付けがない。そして，ソース・ドレイン電極とゲート電極との間でのショートを防止する絶縁層を設けるに際し，さらに「側面に接する，選択的に酸化された酸化領域」を設けることに関して，いずれの引用文献にも記載も示唆もない。
　なお，引用発明２における「タンタルオキサイドの絶縁層」は，陽極酸化により形成されること，及び「層」であることから，表面にあること自体は当然のことであり，表面にあることをもって「選択的」とはいえない。
　引用発明５には具体的にバンプ電極に覆われない領域の銅を選択的に犠牲酸化することが開示されているが，上述のように引用発明２を採用した上で，さらに引用発明５を採用する動機付けがないし，引用発明５はアンダーバンプメタルを犠牲酸化するもの（前記（５）ア（イ））で引用発明１と共通する課題がない。引用発明５を採用すると引用発明１の目的や課題に関係のない「バンプ電極」を形成するという余計な工程が発生し製造コストが上がることになるから，当業者にとって忌避すべきことである。
　よって，引用発明１において，相違点１に係る構成を採用することは，当業者が容易に想到するものではない。
（１１）本願補正発明２についてのまとめ
　したがって，本願補正発明２は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　むすび 
　よって，補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合し，本件補正は，特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
第３　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　記　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１−６
・引用文献等　１−４
　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１．特開２００８−０８５３１２号公報
引用文献２．実願平０２−００９８６７号（実開平０３−１０１５５６号）のマイクロフィルム
引用文献３．特開２００８−０８５３１３号公報
引用文献４．特開２００６−３３２６１４号公報
　
第４　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は，平成２８年１０月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，選択的に酸化された第１の酸化領域と，
　前記ドレイン電極の側面に接する，選択的に酸化された第２の酸化領域と，を有し，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有することを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】
　酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ソース電極と，
　前記酸化物半導体層と電気的に接続された，ドレイン電極と，
　ゲート絶縁膜を介して，前記酸化物半導体層と重なる領域を有する，ゲート電極と，
　前記ソース電極の側面に接する，選択的に酸化された第１の酸化領域と，
　前記ドレイン電極の側面に接する，選択的に酸化された第２の酸化領域と，を有し，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極は，それぞれ，銅を有し，
　前記ゲート電極は，前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に落ち込んだ領域を有することを特徴とする半導体装置。」
　
第５　原査定について
　本願発明１及び２は，それぞれ本願補正発明１及び２であるから，前記第２の２のとおり，本願発明１及び２は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。すると，本願発明１及び２は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第６　結言
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり審決する。