【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタにおいて、
上面を有した、第１の導電型の第１の半導体（ＳＣ）領域であって、該第１の半導体（ＳＣ）領域の内部に前記第１の導電型のベース領域、第２の反対の導電型のエミッタ領域、前記エミッタ領域から側方に分離される前記第１の導電型のベースコンタクト領域、および前記ベースコンタクト領域から側方に分離される前記第２の導電型のコレクタコンタクト領域を有する、第１の半導体（ＳＣ）領域と、
前記コレクタコンタクト領域に結合される前記第２の導電型のコレクタ領域と、
前記コレクタ領域から側方に離間されるとともに少なくとも部分的に前記エミッタ領域の下に位置する前記第２の導電型のフローティングコレクタ領域と
を備える、バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記フローティングコレクタ領域の中央部分は、前記エミッタ領域の下に位置するとともに、前記エミッタ領域から前記ベース領域の第１の部分によって垂直方向に分離される、
請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記フローティングコレクタ領域の前記中央部分は、前記エミッタ領域の直下のロケーションから前記コレクタ領域に向かって０よりも大きい第１の距離だけ側方に伸張する、
請求項２に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項４】
前記第１の距離は、少なくとも約０．１マイクロメートルである、
請求項３に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項５】
前記コレクタ領域および前記フローティングコレクタ領域は、前記ベース領域に連通する前記第１の半導体領域のさらなる部分によって側方に離間分離され、
前記第１の半導体領域（２５）の前記さらなる部分は、第１の横幅を有する、
請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項６】
前記第１の横幅は、少なくとも約０．１マイクロメートルである、
請求項５に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項７】
前記コレクタ領域の中央部分は、前記ベースコンタクト領域から前記ベース領域の第２の部分によって垂直方向に分離される、
請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項８】
前記ベース領域の前記第２の部分は、前記ベースコンタクト領域から前記コレクタ領域の上側部分に向かって少なくとも約０．２５マイクロメートルの第２の距離だけ伸張する、
請求項７に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項９】
前記フローティングコレクタ領域は、前記第１の半導体領域の第１の下位部分によって実質的に包囲される、
請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項１０】
前記コレクタ領域は、前記第１の半導体領域の第２の下位部分によって実質的に側方で包囲される、
請求項９に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項１１】
前記バイポーラトランジスタは、前記第１の半導体領域の下に位置する絶縁層をさらに備える、
請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項１２】
前記バイポーラトランジスタはさらに、前記上面に隣接するとともに前記エミッタ領域、前記ベースコンタクト領域、および前記コレクタコンタクト領域を側方で分離する側方絶縁構造を備える、
請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項１３】
バイポーラトランジスタを形成するための方法において、
第１の導電型の第１の半導体領域を有する基板を設ける工程と、
前記第１の半導体領域内に、第２の反対の導電型の互いに離間したコレクタ領域およびフローティングコレクタ領域を形成する工程と、
前記第１の半導体領域内に、前記フローティングコレクタ領域から垂直方向に分離されるとともに少なくとも部分的に前記フローティングコレクタ領域の上に重なる、前記第２の導電型のエミッタ領域を形成するとともに、前記コレクタ領域に結合されるとともに前記エミッタ領域から側方に分離される前記第２の導電型のコレクタコンタクト領域を形成する工程と、
前記第１の半導体領域内に、前記コレクタ領域から垂直方向に分離されるとともに前記エミッタ領域から側方に分離される前記第１の導電型のベースコンタクト領域を形成する工程と
を備える、方法。
【請求項１４】
前記側方に分離されるエミッタ領域およびベースコンタクト領域を形成することは、第１の側方絶縁構造を使用して実行され、
前記側方に分離されるベースコンタクト領域およびコレクタコンタクト領域を形成することは、第２の側方絶縁構造を使用して実行される、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記側方に分離されるエミッタ領域、ベースコンタクト領域、およびコレクタ領域を形成する工程は、前記第１の側方絶縁構造および前記第２の側方絶縁構造を、（ｉ）両方をシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域として、または（ｉｉ）両方をＳＣ金属合金遮断（ＳＣ−ＭＡＢ）領域として、または（ｉｉｉ）前記第１の側方絶縁構造がＳＴＩ領域である場合は前記第２の側方絶縁構造がＳＣ−ＭＡＢ領域であり、もしくは、前記第１の側方絶縁構造がＳＣ−ＭＡＢ領域である場合には前記第２の側方絶縁構造がＳＴＩ領域（２９１）である、それらの組み合わせとして、形成することを含んでなる、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記エミッタ領域と前記フローティングコレクタ領域との間にある前記第１の半導体領域の第１の部分と、前記コレクタ領域の一部にわたって側方に伸張する第２の部分と、前記コレクタ領域と前記フローティングコレクタ領域との間の別の部分とを有する前記第１の導電型のベース領域を形成する工程をさらに備える、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記ベース領域を形成する工程は、いずれかの順序で、前記第１の半導体領域のより狭い部分に前記第１の導電型の不純物をドープすることと、前記第１の半導体領域の部分に前記第２の導電型の不純物をドープすることによって前記コレクタ領域およびフローティングコレクタ領域を形成することとを含んでなる、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
バイポーラトランジスタにおいて、
上面を有した第１の導電型の第１の半導体（ＳＣ）領域であって、該第１の半導体（ＳＣ）領域の内部にエミッタ領域、ベースコンタクト領域およびコレクタコンタクト領域を有する第１の半導体（ＳＣ）領域と、
前記エミッタ領域の下に位置するが、前記第１の半導体領域の第１の部分によって前記エミッタ領域から垂直方向に分離される、前記第１の半導体領域内の第２の反対の導電型の第２の半導体領域であって、前記第２の半導体領域は、前記ベースコンタクト領域に向かって側方に伸張するが前記ベースコンタクト領域には届かない中央部分を有する、第２の半導体領域と、
前記第１の半導体領域内の前記第２の導電型の第３の半導体領域と
を備え、
前記第２の半導体領域は、前記コレクタコンタクト領域の下に位置するとともに前記コレクタコンタクト領域にオーミック結合される第１の部分、および前記第３の半導体領域の前記第１の部分にオーミック結合されるとともに、少なくとも前記ベースコンタクト領域にオーミック結合される前記第１の半導体領域の第２の部分によって部分的に前記上面から分離される第２の部分を有し、
前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域の第３の部分によって前記第２の半導体領域から側方に分離される、バイポーラトランジスタ。
【請求項１９】
前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域の第１の下位部分によって実質的に包囲される、
請求項１８に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項２０】
前記第２の半導体領域は、前記第１の半導体領域の第２の下位部分によって実質的に側方で包囲される、
請求項１８に記載のバイポーラトランジスタ。