(57)【要約】  本発明は、基板に具備された流体システムと、該流体システムに接続したと流体入口と、前記流体システムに接続したと流体出口とを備えたオンチップラボに関するものである。前述の基板は流体システムを含む平面層（５３）と電子スプレーノズル（６５）とを備え、該電子スプレーノズルは基板（５１，５２）のこれ以外の部分から突き出ている。さらに、電子スプレーノズルは、一端が流体システムに接続された一端と上述の流体出口を形成する他端とを有するチャンネル（６４）を備え、前記チャンネルは少なくとも一つの電極を形成する導電性手段（５９）を備える。
2007519914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体（５１，８１，１００，１４１，１７０）と、少なくとも一つの流体ネットワークと、該流体ネットワーに連結された少なくとも一つの流体入口オリフィス及び前記流体ネットワークに連結された少なくとも一つの出口流体オリフィスと、前記支持体と一体にされかつ前記流体ネットワーク及び電子噴霧ノズル（６５，９５，１２５，１５５，１９５）が作製された薄層（５３，８３，１１１，１４３，１８１）とを備えたオンチップラボであって、前記電子噴霧ノズルは支持体に対して突き出しておりかつチャンネル（６４，９４，１２４，１５４，１９４）を備えており、該チャンネルの一端部は流体ネットワークに接続され、他端部は前記流体出口オリフィスを形成するものであり、前記チャンネルは少なくとも１つの電極を形成する導電性手段（５９，８９，１２９，１６５，２０５）にフィットされるものであるオンチップラボにおいて、薄層（１１１，１８１）が支持体（１００，１７０）上で直接シーリングによって固定された層であることを特徴とするオンチップラボ。
【請求項２】
支持体（１００）が半導体材料であるときは、導電性手段（１２９）は前記支持体のドープ部であることを特徴とする請求項１に記載のオンチップラボ。
【請求項３】
支持体は導電性材料であることを特徴とする請求項１に記載のオンチップラボ。
【請求項４】
前記流体ネットワークを密閉して覆うカバー（１３１，２０１）を備え、該カバーは流体入口オリフィスにおいて流体アクセス手段（１３３，２０３）を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のオンチップラボ。
【請求項５】
前記流体ネットワークを密閉して覆うカバー（２０１）を備え、該カバーは流体入口オリフィスにおいて流体アクセス手段（２０３）を備え、また、前記導電性手段（２０５）を備えることを特徴とする請求項１に記載のオンチップラボ。
【請求項６】
前記カバーは導電性材料から成ることを特徴とする請求項５に記載のオンチップラボ。
【請求項７】
前記カバーは半導体材料であり、前記導電性手段が前記キャップのドーピング部を備えた請求項５に記載のオンチップラボ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コプレーナマイクロ流体ネットワーク及び電子噴霧ノーズに関するものである。特に、質量分析計を備えたオンチップラボの結合に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この１０年、異なるマイクロ流体装置を質量分析計に結合する多くの方法が開発されてきた。実際、分光器や蛍光等の光学的検出法は、タンパク質（プロテイン）若しくはペプチドのようなバイオ分子の検出、特にプロテオミクスの分野に係る検出には適していない。この限界は、試料を準備する感度又は必要性（蛍光マーキング）のいずれかであり、酵素消化後のタンパク質を特定する場合に、得られたペプチドは原理的に知られていないという問題を有する。従って、質量分析計は非常に良好な感度（フェムトmol／μl）を有する分析された試料の性質の情報（質量／電荷比による強度スペクトル）を与えるものとして、また、分子の複雑な混合を分析することができるものとして保持されている。このため、試料の前処理は分析から上流で行われることが必要なことがよくある。例えば、この前処理は、化学及び／又は生物組成物を分離することからなり、この前及び／又は後に種（スピーシーズ）の濃縮を行う。
【０００３】
最小時間の分析と共にこの連続的な前処理を実施し、使用する試薬の容量を最小にするために、マイクロ流体の分野での最近の進歩を利用することが可能である。例として、酵素消化用（Lian Ji Jinによる“A microchip-based proteolytic digestion system driven by electroosmotic pumping”、Lab Chip, 2003年, 3, 11-18）、キャピラリ電気泳動用（B. Zhang et al., “Microfabricated Devices for Capillary Electrophoresis-Electrospray Mass Spectroscopy”, Anal. Chem., 第71巻第15号、1999年、3259-3264）、又は、２次元分離用（J.D.Ramsey, “High-efficiency Two-dimensional Separations of Protein Digests on Microfluidic Devices”, Ana. Chem., 2003年, 75, 3758-3764、N．Gottschlichらによる“Two- dimensional electrochromatography/Capillary Electrophoresis on a Microchip”, Ana. Chem., 2001年, 73, 2669-2764）のマイクロ流体がすでに提示されている。
【０００４】
マイクロ流体／質量分析計との結合は例えば試料を電子噴霧又は電子スプレーによってイオン化する手法（電子スプレーイオン化（ESI））に基づいてもよい。大気圧で強磁場に置いておいて、マイクロ流体チップから離れる前処理済み液体試料をイオン気体へ、又は分析用の質量分析器（ＳＭ）に入る多数の荷電小滴へ噴霧される。この噴霧は、離脱液体と周囲の気体との間に形成された界面の変形（液体／気体メニスカス）を必要とし、液体《小滴》は、《テイラーコーン》と呼ばれる円錐形を仮定している。このコーンの体積（ボリューム）は、特に最後の前処理段階が試料から化学組成物を分離することであるときに、所望ではない離脱液体についてのデッドボリューム（化学組成物が混合する幾何学的空間）を形成する。これは、このコーンの寸法を最小化することが常に考えられ、これがすなわち、マイクロ流体チップの出口チャンネルの内径及び外径の低減を要求するからである。
【０００５】
従来、質量分析計による分析中に、試料は《ＥＳＩ装置外で》前処理され、端部が電気的に導電性がある（例えば、ニュー・オブジェクティブ（New Objective）社製の《ピコティップ（PicoTip）エミッター》中空針に手で（ピペットを用いて）配置する。電場をピコティップの導電性部分とＳＭの入口との間に挿入される。これらを用いてテイラーコーンがピコティップの出口に形成され、試料が中性化される。ピコティップの《指向性》の円筒型ジオメトリは小さなテイラーコーンを形成するのに理想的であるが、その寸法の最小化の限界（通常、外径360μmで内径10μm）使用される製造手法（引っ張り工程）を用いた良好な再現性を得る際の限界、及び、使用の際の脆さは、他の種類の噴霧装置を作製する努力を行う主要な理由である。
【０００６】
これらの装置を例えば、シリコンプレーナ技術等のマイクロ技術（厚さに対して非常に大きな横方向の寸法を有する基板上の異なる材料のエッチング、機械加工、薄膜堆積及びフォトリソグラフィ）を用いて開発したときは、これらは《電子スプレーノズル》と呼ばれることがある（Taiらによる“MEMS electrospray nozzle for mass spectroscopy”,国際公開パンフレットWO98/35376））。このような具現化の利益は二重である。
【０００７】
他方、マイクロ技術を用いると、ＥＳＩインターフェースはティップ（針）型構造を画定することによって作製されるが、それ自体が興味の対象である（テイラーコーンの体積の限界まで）小さく、より再現性が強く、より脆くない構造である（国際公開パンフレットWO00/30167）。
【０００８】
他方、マイクロ技術を用いると、流体ネットワークを試料の前処理及びＥＳＩ型の界面と共に備える装置を作製してもよい。上述の利点（出力デッドボリュームの減少、再現性、ＥＳＩインターフェースの堅固さ（ロバストネス））に加えて、集積される前処理装置に関するもの（分析と共に連続前処理プロトコル、全体分析回数の低減、試薬の容量の最小化）から利益を得る。
【０００９】
しかしながら、このような集積は３つの主要な技術設計的な問題を有する：
−第１に、装置作製技術は前処理流体ネットワーク（リザーバ、マイクロチャンネル、リアクター…）の技術、及び、ＥＳＩインターフェース（ティップジオメトリ、最小出口寸法…）の技術と互換性を有するべきであり、これは、両方の集積型のものに共通な技術的連続性を求めて、同じ支持体又は同じ支持体のセット上に完全な装置を生成するためである。
−第２に、前処理流体ネットワーク及び独立にとられるＥＳＩインターフェースに存在する新たなデッドボリュームを追加しないように、考案されるべきである。
−最後に、システムにデッドボリュームを追加することなく、噴霧電極とのＥＳＩインターフェースを備えるべきである。この噴霧電極は、ティップ構造（M. Svederbergらによる“Sheathless Electrospray from Polymer Microchips”, Anal. Chem., 2003年, 75, 3934-3940）の外にすなわち、出口チャンネルの内に、又は、装置の出口近傍のいずれかに局在化してもよい。第１の場合では、電場は、ティップの端部とＳＭの入口との間に配置した空気（又は他の気体）部において、装置の外に専ら形成する。第２の場合は、電場は、電極とティップとの間に配置する液体セグメントにおいて、装置内にも存在する。外部電極を設置するために、主要な困難はそれに十分な堅固さを備えることがよく報告されている（R. B. Coleらによる“Electrospray ionization mass spectroscopy: fundamentals, instrumentation and applications”, John Wiley & Sons社：ニューヨーク、1997年 ）。この目的で作製された導電性コーティングは強電場の作用下であまりにも急速に劣化することがよくある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
1997年頃、ラムゼー（R.S.Ramsey）及びラムゼー（J.M.Ramsey）（“Generating Electrospray from Microchip Devices Using Electroosmotic Pumping”, Anal. Chem., 1997年, 69, 1174-1178）はガラスマイクロ流体チップを提案した。これの流体の流れは電気浸透ポンピングによって生成され、その出口チャンネルはプレーナジオメトリを有するコンポーネントのセクション（一部）に開放されている。過圧印加上流の助けの下で、12nlのサンプル小滴はチップの出口で形成され、強電場の作用下でこの小滴はテーラーコーンを形成し、噴霧される。このサンプルアプローチはかなりの液体デッドボリューム（12nl）問題、ここでは装置の感度限界を有する。
【００１１】
最近、ヘイコ（K. Huikko）ら（“Poly(dimethylsiloxane) electrospray devices fabricated with diamond-like-carbon poly(dimethylsiloxane) coated SU-8 masters”, Lab Chip, 2003年, 67-72）はポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）チップを提案した。これは、試料を噴霧するためにSMの反対に配置された開口チャネルも有する。発明者は小さなテイラーコーンすなわち、出口にデッドボリュームの境界があるものを得るためにPDMSの疎水性を利用する。にもかかわらず、提案した装置はいかなる噴霧電極をも集積しない。テストは、ＥＳＩチャンネルの入口リザーバに浸漬しているプラチナワイヤーを用いることによって行った；これは良好な解決策ではあり得ない、すなわち、前処理流体ネットワークに可能な集積のために、いかなるデッドボリュームを追加することがない。さらに、ＰＤＭＳ技術は、1ミクロンのオーダーの特徴的な寸法を有する複雑なマイクロ流体ネットワークの設計を許さない限定的な技術を残している。これは、試料の前処理（濃縮、分離…）に対して要求されるマイクロ流体自体のパターンについて強い限界を課す。
【００１２】
スベダバーグ（M. Svederberg）ら（“Sheathless Electrospray from Polymer Microchips”, Anal. Chem., 2003年, 75, 3934-3940）は、電子スプレーノズル（２次元又は３次元ティップ）作製のための非常に興味深いポリマー装置を提案しているが、機械加工技術によって得られた出口チャンネル（幅100μm×高さ70μm）の寸法は小さなデッドボリュームを有する装置を作るために非常に小さい。ピコティップの外径が10μmに過ぎないことを思い出されたい。さらに、ポリマー材料の使用は、出口チャンネルの内壁又は可能な試料前処理マイクロ流体ネットワークの生物学的機能化のために可能な化学物質について強い制限が課される。これまで、このような機能化のほとんどはシリコン上又はガラス上で行われた。さらに、提案された製造技術は集合的でなく、噴霧電極はＥＳＩチップの外側部上に形成される。
【００１３】
ゴブリ（V. Gobry）ら（“Microfabricated polymer injector for direct mass spectroscopy coupling”, Proteomics, 2002年, 2, 405-412）、コメオカ（J. Komeoka）ら（“An electronspray ionization source for integration with microfluidic”, Anal. CHem. 2002年, 74, 5897-5901）、ウェン（J. Wen）ら（Electropheresis 2000年, 21, 191-197）も、安定なテイラーコーンを形成するため、及び、デッドボリュームを制限するために適した２次元ジオメトリを有するポリマー材料で電子スプレーノズルを作製することを提案している。使用される技術は噴霧電極の集積を提案していない。テストは装置の入口リザーバに浸漬する金ワイヤーによって行った。
【００１４】
他のアプローチは、市販のピコティップを受けることができるように分離したチャネルの出口を採用することからなる（タチバナ（Y. Tachibana）らによる“Robust and simple interface for microchip electrophoresis-mass spectroscopy”, J. of Chromatography, 1011(2003年), 181-192）。これには、両単体（entity）をアセンブルする結合の役割をする金属及び／又はプラスチック部の使用が必要である。この種のアセンブリは大きなデッドボリュームを有し、寸法の非再現性及び使用における大きな脆弱性を有する市販のピコティップを用いるという問題を解決しない。
【００１５】
カリフォルニア工科大学のチームからの２つの文献について述べる：タイ（Tai）ら“MEMS electrospray nozzle for mass spectroscopy”, 国際出願公開WO98/35376、及び、タイ（Tai）ら“Polymer-based electrospray nozzle for mass spectroscopy”, 国際出願公開WO00/30167である。上流フィルタを備えた電子スプレーノズルを作製するクレームされた技術は、中空構造が第１の場合は窒化シリコンで作製され、第２の場合はパリレンで作製されてもよいものを作ることができる表面技術である。このような表面技術は、その名に示されている通り、犠牲膜（燐酸シリケートガラス（ＰＳＧ））の使用に基づいており、技術的連続の端部までは保持されていない。化学的エッチングによって実施されるこの層の除去が中空構造を決定する。ジオメトリの観点から、これらの技術が対象（ノズルのティップ形状）になるが、噴霧電極の集積を提案していない。発明者は、小さなデッドボリュームを有する完全な流体系（前処理及び電子スプレーノズル）を得るために非常に小さい系をテストするために、入口リザーバに浸漬する白金ワイヤを用いて標準的なやり方を用いる。
【００１６】
最後に、モーン（J. E. Moon）らは、米国特許第6,464,866号明細書において、２つの基板であって好適にはシリコンからなるものからマイクロ技術を用いて作製された化学分析系が液体クロマトグラフィシステム及び電子スプレー装置を備えたものをクレームしている。この文献に開示された装置は、使用される基板の面に直交する電子スプレーノズルのティップを含む。従って、この装置は方向の変化によってデッドボリュームを防止しない。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、異なる試料処理を可能とし、ＥＳＩ型質量分析器と良好な界面を有するマイクロ流体装置であって：
−前処理流体ネットワーク技術（リザーバ、マイクロチャンネル、リアクター…）及び出口でＥＳＩインターフェース技術と互換性があり、これにより、両方の集積型の単体に共通な技術的連続性を求めて、同じ支持体又は同じ支持体のセット上に完全な装置を生成する。
−いかなるデッドボリュームもない集積設計
−出口チャンネルの内側及び装置の出口近傍における噴霧電極の集積
【００１８】
従って、本発明の目的は、支持体と、少なくとも一つの流体ネットワークと、該流体ネットワーに連結された少なくとも一つの入口流体オリフィス及び前記流体ネットワークに連結された少なくとも一つの出口流体オリフィスと、前記支持体と一体の薄層とを備えたオンチップラボであって、流体ネットワーク及び電子噴霧ノズルが作製され、電子噴霧ノズルは支持体に対して突き出しかつチャンネルを備えており、その一端部は流体ネットワークに接続され、他の端部は前記流体出口オリフィスを形成し、チャンネルは少なくとも１つの電極を形成する導電性手段にフィットされるものであるオンチップラボにおいて、薄層が支持体上で直接シーリングによって固定された層であることを特徴とする。
【００１９】
支持体の裏面すなわち、薄層を支持しない面は不活性であるのが好都合である。これは装置の作動に含まれない。特に、これは、電気的接続部を有さない。
【００２０】
支持体が半導体材料であるならば、導電性手段は前記支持体のドーピング部であってもよい。支持体は導電性材料から成ってもよい。
【００２１】
本ラボは流体ネットワークを密閉的に覆うカバーを備えてもよく、このカバーは流体入口オリフィスにおいて流体アクセス手段を備えている。
【００２２】
他の構成では、オンチップラボは流体ネットワークを密閉的に覆うカバーを備えてもよく、このカバーは流体入口オリフィスにおいて流体アクセス手段を備え、かつ、前記導電性手段を備えている。
【００２３】
カバーは導電性材料から成ってもよい。これが半導体材料であってもよく、導電性手段は前記支持体のドーピング部を備えてもよい。
【００２４】
カバーを用いることによって、流体ネットワークを密封することも可能である。
【００２５】
従って、導電性手段は支持体及びカバーの両方に配置してもよく、導電性材料の支持体若しくはカバーと共に形成され、又は、支持体若しくはカバー上に堆積された金属トラックと共に形成されてもよい。また、導電性手段は、半導体材料の支持体若しくはカバーのドープ部であってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は、添付図面を参照して、非限定的な例として挙げた以下の詳細な説明を読むことによってよりよく理解され、特徴が明らかになるだろう。
【００２７】
図１は、本発明によるオンチップラボ１を示す。この装置は長さ18mm、幅5mmを有する。
【００２８】
流体ネットワーク
最初に、タンパク質含有量を同定するために複合生物試料を準備するための流体ネットワークについて説明する。この流体ネットワークは、リザーバ及びチャネルの一群と、酵素消化リアクターと、前濃縮リアクターと、液体電子クロマトグラフィによる分離用リアクターとからなる。これらの全リアクターの基本的な構造は、多くの矩形若しくは六角形セクションパッドを備えた深いキャビティである。この種の構造はCOMOSS（“Collocated MOnolith Support Structures”）として知られている。この分野の参考文献としてビンヒー（Bing He）らによる文献“Fabrication of nanocolumns for liquid chromatography”（Anal. Chem. 1998年, 70, 3790-3797）がある。これらの全リアクターについて、これらのCOMOSS構造によって得られる大きな表面／体積（ボリューム）比をとるという利点がある。この比は移動相の分子（例えば、酵素消化リアクター用のタンパク質）と静止相の分子（例えば、酵素消化リアクター用のトリプシン）との出会いの確率を増大する。
【００２９】
バッファを有する流体ネットワークを完全にプリ充填した後、生物試料（タンパク質）をリザーバＲ１に堆積し、次いで、リザーバＲ１からリザーバＲ２へ酵素消化リアクター２を介して電気浸透によってポンピングされた。大きな体積を有するリザーバを、プロトコルの連続する２つの段階の間にバッファの交換を備えるために流体ネットワークの異なるリアクター間に配置する。Ｒ１は重炭酸アンモニウム([NH4HCO3]=25mM；ｐH=7.8)を含み、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は水／アセトニトリル  ＡＣＮ／ギ酸ＴＦＡ（95%；5%；0.1%）混合物を含み、Ｒ５は水／アセトニトリル／ギ酸（20%；80%；0.1%）混合物を含む。リザーバＲ２において回復した消化物は分離前に濃縮されなければならない。このため、これは電気浸透によってリザーバ（Ｒ３）（リボン瓶）へポンピングされる。酵素消化の結果であるペプチドの全体が小体積の前濃縮リアクター３によって《捕捉》され、ここで濃縮される。《コイル》型（長さ2cm）構造においてＲ４のバッファをＲ５のバッファと混合することによって形成されたアセトニトリル勾配は選択的に、前処理リアクター３の静止相（例えば、C18）との親和性によってペプチドを選択的に“フック（留め）をはずす”。後者は、前処理リアクター３より密なクロマトグラフィカラム５によって再び《捕捉》される。ＣＡＮとの混合を向上させることによって、クロマトグラフィカラム５からこれらのペプチドを選択的に“フック（留め）をはずし”、これらを、液体が図示していない質量分析器の入口へ噴霧されるチップ１の出口６へ運び去る。
【００３０】
（図示していない）所定のタンパク質に親和性を有するリアクターを、このリアクターを介して運ばれる多タンパク質混合物における後者を感知するのに用いられてもよい。このため、上述のものと同じ流体原理に従って作動するリザーバ／親和性  リアクター／濃縮リアクターは、上述のような流体ネットワークから上流に集積されてもよい。親和性リアクターは抗体を用いて機能化し、溶出バッファは、多タンパク質複合体において《捕捉》することが望まれるタンパク質と（抗体に関して）競合するタンパク質から成ってもよい。
【００３１】
［上流親和力リアクター］
COMOSS構造を用いるのは、複合生物試料において、特に、タンパク質、タンパク質ファミリー、又は多タンパク質複合体を感知することが意図されている。この段階で用いられるツールは抗体であってもよいが、例えば、求められているタンパク質と特に相互作用を有する小分子であってもよい。
【００３２】
［酵素消化リアクター］
図２に示した酵素消化リアクターのCOMOSS構造は、約5mmのチャンネルのネットワークを画定する10μmの六角形セクションパッド群から形成される。それの有効幅は一定の640μmであるが、実際の幅ｂは892μmである。リアクターの活性部の長さｃは15mmである。図２を参照すると読みとれるように、他のジオメトリの特性を以下の表に記載する。
【表１】
2007519914.tif 000003
【００３３】
この構造を用いると、リアクターに酵素特性を備えるため、又は、これらをエンハンスするために、数ミクロンのシリカの（例えば、トリプシンで）機能化された《ビーズ》（例えば、セロテック・フランス（Serotec France）社から販売されているバングラボ（Bangs Laboratories）からのビード）を任意に組織化することができる。
【００３４】
例として、パッド上に移植された酵素はトリプシンでもよい。使用されるプロトコルは仏国特許出願公開第2 818 662号に記載されているものである。
【００３５】
図２Ａは、図２の符号１１で示したリアクターのエリアの詳細を示すものである。六角形セクションパッドは、チャンネルネットワーク１３を画定されるものと理解される。符号１４は使用されるシリカビードを示す。
【００３６】
［前濃縮リアクター］
図３で示す前濃縮リアクターのCOMOSS構造は、10μm矩形セクションを有するパッド群から成り、これによってチャンネルネットワークが約2μmで画定される。有効幅ｄは一定（160μm）であるが、実際の幅ｅは310μmである。リアクターの活性部の長さｆは15mmである。図３を参照すると読みとれるように、他のジオメトリの特性を以下の表に記載する。
【表２】
2007519914.tif 000004
【００３７】
この構造を用いると、リアクターに親和特性を備えるため、又は、これらをエンハンスするために（例えば、Ｃ１８移植）、機能化されたシリカ《ビーズ》を組織化することができてもよい。
【００３８】
図３Ａは、図３の符号２１で示したリアクターのエリアの詳細を示すものである。六角形セクションパッド２２は、チャンネルネットワーク２３を画定されるものと理解される。符号１４は使用されるシリカビードを示す。
【００３９】
［液体電気クロマトグラフィによる分離用リアクター］
図４で示す分離リアクターのCOMOSS構造は10μm矩形セクションを有するパッド群から成り、これによって約2μmのチャンネルネットワークが画定される。有効幅ｇは一定（160μm）であるが、実際の幅ｈは310μmである。リアクターの活性部の長さｉは12mmである。図４を参照すると読みとれるように、他のジオメトリの特性を以下の表に記載する。
【表３】
2007519914.tif 000005
【００４０】
スペースを得るために、リアクターは図１に示すように、それぞれ12mmの長さの３つの部分でなってもよい。
【００４１】
この構造を用いると、リアクターに親和特性を備えるため、又は、これらをエンハンスするために（例えば、Ｃ１８移植）、機能化されたシリカ《ビーズ》が組織化することができてもよい。
【００４２】
図４Ａは、図３の符号３１で示したリアクターのエリアの詳細を示すものである。矩形セクションパッド２２は、チャンネルネットワーク３３を画定されるものと理解される。
【００４３】
ＥＳＩインターフェース
図５は、図１の符号６で示したチップの出口の拡大図である。出口チャンネル４０はプレーナ型であり、流体ネットワークに対して直交する軸に沿っている。言い換えると、出口チャンネル４０は、作製のために用いられる異なる基板の面に平行のままである。この構成によって、これらの基板の面に平行な部分を被覆した後、一又は二以上の基板の厚さの一部若しくは全パスによって生ずるデッドボリュームを回避する。前に強調したように、これによっていかなるターンも回避され、特に事前に分離された試料を運ぶために根本的なものである。
【００４４】
出口チャンネル４０のセクションは、後者の（基板の面に）側部上で好適に作用することによって採用されてもよく、デッドボリュームを防止する《緩やかな制限》を達成する可能性を提供する。図５では、これらのリマークはクロマトグラフィリアクター５のチャンネルの出口と出口チャンネル４０との間の《連結部》４１の存在によって示しているこのような制限は、ＥＳＩインターフェース型の構造に対する《大きな》寸法（例えば、《大きな》体積、《大きな》寸法、《大きな》親和性能力）を有する流体構造に連結するのに絶対的に必要であり、このために、前に強調したたように、1μmから数μmのオーダーの寸法を達成することによって出口面を最小化することが望ましい。
【００４５】
装置の端部では、出口チャンネル４０はティップ型構造４２に開放し、環境と共に外に流れる液体によって示されるように、この構造は外側断面積が変化するものであり、小さな内側断面積と外側断面積を有するその端部によって、これによって液体の表面／気体及び液体／固体の界面は制限されるが、広い断面積を有する端部による使用中は堅固さを保持する。
【００４６】
出口チャンネルの内側に電極４３を備え、電気的ポテンシャルをこの電極と共に装置の出口に現れる液体に課されるが、これは、試料を霧状にし、及び／又は、電気浸透ポンピングに加わるのに必要である。
【００４７】
これらのコンポーネントの全体は堅固なので、流体ネットワークに連結するためにデッドボリュームなしで、完全なプレーナＥＳＩインターフェースを提供し、かつ、これを用いて良好な安定性を有するテイラーコーンを形成してもよい。
【００４８】
本発明による電気噴霧構造を備えたマイクロ流体装置の異なる実施形態を記載する。好適な実施形態、第５実施形態だけを詳細に説明する。
【００４９】
明瞭さのために、これらの記載はチップ（装置）のスケールで行うが、種々の技術的システムを複数の装置（例えば、円形100mm基板）を含む基板上に形成する。
【００５０】
これらの記載では、流体ネットワークは単純化し、入口リザーバ、入口チャンネル、マイクロリアクター、及び、ティップ型構造に開放し、一定断面積を有する出口チャンネルだけにしている。当業者であれば、例えば、前述のように、所望の流体ネットワークを構成する。
【００５１】
［第１実施形態］
この実施形態を図６Ａ−図６Ｄに示す。これは単一基板ＳＯＩだけを用いている。このような基板は《ソイテック（Soitec）》社から販売されている。電極、導電性トラック及び電気的コンタクト連結部をシリコンの局所化（場所限定）ドーピングを有する単一段階で作製する。
【００５２】
図６Ａは、厚さ4μmの酸化シリコン層５２と厚さ25μmのシリコン薄層５３とを支持する厚さ500μmのシリコン支持体５１を備えた基板ＳＯＩ５０を示す。薄層５３は、エリア５４及び５５を用いて形成された第１導電性回路と、エリア５６及び５７を用いて形成された第２導電性回路とを提供するために局所的にドーピングする。
【００５３】
シリコン薄層５３のドーピングは、この層の厚さの全体を覆うフォトレジストマスクを介して実施される。
【００５４】
図６Ｂは、薄層５３内の流体ネットワークの具現化を示している。流体ネットワークは《深堀り反応性イオンエッチング（Deep Reactive Ion Etching）》（ＤＲＩＥ）によって得られる。
【００５５】
流体ネットワークの所定の領域（特に、噴霧電極を作製するために出口に近いもの）の底部にドープシリコントラック（5μm）の一部を維持するために、シリコン薄層５３のエッチングを流体ネットワーク形成しようとしている一部（20μm）に限定する。できあがった流体ネットワークは、入口リザーバ６１，入口チャンネル６２，マイクロリアクター６３，及び出口チャンネル６４を備えている。ティップ型構造では、ここに画定された出口チャンネルは２つの側壁及び水平な壁（グランド）を示す。ドープ領域（エリア）５５の端部は入口リザーバ６１の底部に局在しており、ドープ領域（エリア）５７の端部は出口リザーバ６４の一部の底部に局在している点は留意されたい。
【００５６】
このステップは、流体ネットワークと出口チャンネルとの精密な連続性を可能とするものなので重要なステップである。これによって、《ゼロデッドボリューム》接続技術が作製可能である。これは他の全実施形態においても同様である。
【００５７】
図６Ｃはティップのクリアランスを示す。これは、図の右側に位置する酸化物層５２の部分を化学的にエッチングすることによって得られる。
【００５８】
このエッチング後、ティップ型構造６５は開放され、支持体５１上に突出部を形成する。出口チャンネル６４は常に底部６６を含むことは理解されたい。
【００５９】
次に、流体ネットワークを電気的に絶縁するステップを実行する。これは、シリコン薄層５３の厚さ3μmを越えた熱参加によって得られる。シリコン支持体５１は酸化されるべきではないが、さもなければ、ティップ型構造６５は突き出なくなってしまう。
【００６０】
この熱酸化ステップは、外部から流体ネットワークに存在する液体を電気的に絶縁するために必要となる。この電気的絶縁は例えば、電気浸透ポンピングを用いるとき、又は、電気泳動若しくは電気化学的反応による分離が流体ネットワークに生ずるときに必要になる。
【００６１】
次のステップは電気的コンタクトをクリア（明確）にすることである。電極（端部５８及び５９）とコンタクト接続部（領域５４及び領域５６）をクリアにするために、前に作製した熱ＳｉＯ２層（3μm）を局所的にエッチングすることを要する。このステップは、ペサック（Pessac）からノバラス（NovaLase）（ジロンド、フランス）によって提案されたレーザーエッチング技術によって実施されてもよい。
【００６２】
本発明のオンチップラボを得るために、支持体５１は、ティップ型構造６５をクリアにするために図６Ｄに示すように劈開する。
【００６３】
［第２実施形態：第１実施形態で示した装置の構造化されたパイレックス（登録商標）カバーを有する蓋］
この実施形態では、第１実施形態で得られた装置（図７Ａを参照）は、最後の劈開段階を行う前に、カバープレート７１上を密封する。カバープレート７１は突出端部７２を含み、プレート７１はティップ型構造６５をカバーしない。これは、装置７０の入口リザーバ７１と流体連通することが意図されているスルーホール７３を含む。カバープレート７１はパイレックス（登録商標）基板、例えば、コーニング７７４０の下で得られるものであってもよい。  
【００６４】
一旦密封が得られると、３つの劈開を行う。プレート７１の第１の劈開、装置７０の支持体５の劈開を行うと、電気噴霧ノズルを開放する。プレート７１の第２の劈開により、コンタクト接続部５４及び５５を開放してもよい。
【００６５】
［第３実施形態（第１実施形態の代替）］
この実施形態を図８Ａ−図８Ｄに示す。これは単一のＳＯＩ基板を用いるだけである。電極、導電性トラック及び／又はｙび電気的接続部は金属（アルミニウム、白金、金等）“リフトオフ”を用いる単一のステップである。
【００６６】
図８Ａは、厚さ500μmのシリコン支持体８１を備え、厚さ1μmのシリコン酸化物膜８２と厚さ25μmのシリコン薄層８３とを支持する厚さ500μmのシリコン支持体８１を備えたＳＯＩ基板８０を示す。
【００６７】
図８Ｂは、薄層８３内の流体ネットワークの作製を示す。流体層はＤＲＩＥエッチングによって得られる。
【００６８】
上部シリコン層８３のエッチングは：
−出口チャンネルでの、特にティップ型構造に開放する出口チャンネルの一部でシリコンの《グランド》を保持するために部分的に（第１実施形態及び第２実施形態として示したように）、
−又は、ティップ型構造において《スリット》型出口チャンネルを作製するために全部（図８Ｂ）、である。
【００６９】
さらに、後の場合では、大きな深さを有する流体ネットワークを作製するために、エッチングは任意に酸化物層８２を介して、シリコン支持体８１まで続ける。
【００７０】
得られた流体ネットワークは、入口リザーバ９１、入口チャンネル９２、マイクロリアクター９３，及び出口チャンネル９４を備えている。薄層８３のエッチングもティップ型構造９５を画定する。
【００７１】
次いで、ティップ型構造９５は、層８３のエッチングによって露出された酸化物層８２の一部、及び、ティップ型構造９５の下にある部分（図８Ｃ参照）の化学的エッチングによってクリアにする。
【００７２】
次いで、流体ネットワークを電気的に絶縁するステップを実行する。これは、シリコン薄層８３の厚さ3μm全体を熱酸化することによって実施される。
【００７３】
コンタクト接続部８４及び８６、（入口リザーバの底部にある）電極８８、（電気噴霧ノズルのチャンネルにおける）電極８９を、金属を除去することによって作製し、導電性トラック８５及び８７は各電極を対応するコンタクト接続部に接続する（図８Ｄ参照）。次いで支持体８１はティップ型構造９５をクリアにするために劈開してもよい。
【００７４】
［第４実施形態（第２実施形態の代替）］
これは、第２実施形態の代替であって、にＳＯＩ基板の使用を２つのシリコン基板の使用に置き換えたものである。
【００７５】
図９Ａは面１０２を有するシリコン基板１００であって、その上に２つの導電性回路が局所的ドーピングによって作製されたものを示す。第１の導電性回路を領域１０４及び１０５を用いて作製し、第２の導電性回路を領域１０６及び１０７を用いて作製する。
【００７６】
次いで、ティップ型構造を提供し、基板の劈開を行うためのリセス１０１を得るために（図９Ｂ参照）基板１００を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、又は、面１０２からＫＯＨによって化学的エッチングにさらす。
【００７７】
次いで、他のシリコン基板１１０を、それを基板の面１０２上に直接密封することによって固定する（図９Ｃ参照）。
【００７８】
次いで、基板１１０を薄層１１１が得られるまで薄化する（図９Ｄ参照）。
【００７９】
次いで、流体ネットワークを図９Ｅに示すように作製する。このステップ中に、薄層１１１をＤＲＩＥエッチングに部分的に、又は、全体にさらす。流体ネットワークは、入口リザーバ１２１、入口チャンネル１２２、マイクロリアクター１２３，及び出口チャンネル１２４を備えている。薄層１１１のエッチングもティップ型構造１２５を画定する。
【００８０】
前の実施形態では、次いで流体ネットワークを電気的に絶縁するステップを実行する。これは熱酸化により得られる。
【００８１】
次のステップは、コンタクト接続部１０４及び１０６（図９Ｆ参照）をクリアにする目的を有する。このため、薄層１１１及び熱酸化物を局所的にエッチングすることが必要である。このステップはレーザーエッチング技術によって実施してもよい。これを用いて、入口リザーバ１２１の底部及び出口チャンネル１２４の底部にそれぞれ局在した電極１２８及び１２９もクリアにしてもよい。
【００８２】
図９Ｇは、薄層１１１上でカバープレート１３１を直接密封しているところを示している。カバープレート１３１は突出端部１３２を有し、これによってプレート１３１はティップ型構造１２５をカバーしない。これは、入口リザーバ１２１との流体連通を行うためのスルーホール１３３も含む。
【００８３】
一旦密封が得られると、ティップ型構造１２５及びコンタクト接続部１０４及び１０６をクリアにする工程を行う。プレート１３１の第１の劈開と、基板１００の劈開を行うと、電気噴霧ノズルは開放される。プレート１３１の第２の劈開により、コンタクト接続部１０４及び１０５を開放してもよい。
【００８４】
［第５実施形態］：
この実施形態は、カバーとしてＳＯＩ基板とパイレックス（登録商標）基板（《コーニング》7740）を用いる。電極、導電性トラック及び電気的コンタクト連結部を金属（アルミニウム、白金、金…）を堆積することによって、かつ、パイレックス（登録商標）カバーの底面上でのフォトリソグラフィによって作製し、これらは《はめ込み模様（インレッド）》である。
【００８５】
図１０Ａは、厚さ1μmの酸化シリコン層１４２と厚さ25μmのシリコン薄層１４３とを支持する厚さ500μmのシリコン支持体１４１を備えた基板ＳＯＩ１４０を示す。
【００８６】
図１０Ｂは、薄層１４３をＤＲＩＥエッチングするステップの後に得られた装置を示す。流体ネットワークはエッチングによって作製してもよい。後者は、入口リザーバ１５１、入口チャンネル１５２、マイクロリアクター１５３，及び出口チャンネル１５４を備えている。薄層１４３のエッチングを、酸化物層１４２が露出するまで基板１４０の２つの端部上で実施する。これによりティップ型構造１５５が画定することができる。
【００８７】
このエッチングステップはマイクロ技術では標準的なものである。これは、湿気の高い雰囲気において1050℃のオーブンで生成された膜厚5,000Åを有する酸化シリコンマスクを用いる。次いで、1.3μmのフォトレジスト《シプリー（Shipley）Ｓ 1813 SP15》層を《ＳＶＧ》トラック（接着促進剤：HMDS蒸気）上全体に広げる。１Ｘのパターンを日光に照らし、次いで《ＳＶＧ》トラック上で《シプリー（Shipley）Ｓ 1813 SP15》を用いて現像する。次いで、酸化物マスクを、例えば、《ネクストラル（Nextral）330》によって、CHF3／O2混合物の下で反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってエッチングしてもよい。次いで、樹脂をポシストリップ（Posistrip）又は発煙HNO3を用いて（いわゆるストリッピング法によって）除去する。次いで、シリコンを例えば、《アラカテル（Alacatel）ICP 601E》、を用いて110℃でSF6／O2混合物の下でＤＲＩＥエッチングを行う。最後に、酸化物マスクをディウェッティングが生ずるまで10％HFを用いてはがす。
【００８８】
次いで、ティップ型構造を、酸化物層１４２を化学的にエッチングすることによってクリアにする。この化学エッチングは、ＢＯＥ（“Buffer Oxide Etchant”：HF/NH4F）と呼ばれる浴において実施してもよい。突出ティップ型構造を示す図１０Ｃに示した装置が得られた。この図は、基板１４０の他の端部上で予め露出された酸化物を、基板１４１の端部１４４を露出するためにエッチング中に除去されたことを示している。
【００８９】
前述の実施形態について、流体ネットワークの電気的絶縁は熱酸化によって得られる。この酸化は湿気の高い雰囲気下において1150℃のオーブンで行われる。
【００９０】
図１０Ｄは、薄層１４３上におけるカバープレート１６１の直接密封を示す。カバープレート１６１はプレート１６１はティップ型構造１５５をカバーしないように、突出端部１６２を有する。これは、入口リザーバ１６１との流体連通を行うためのスルーホール１６３も含む。カバープレート１６１はパイレックス（登録商標）基板であってもよい。図１０Ｄは、プレート１６１が、薄層１４３と接触するようになる面上に金属トラック１６４を含み、このトラックはその内部端部１６５が出口チャンネル１５４用の電極として用いられ、かつ、その外部端部１６６が電気的コンタクト接続部として用いられるように配置している。
【００９１】
この直接密封ステップは400℃で実行した。これは基板の適当な準備を必要とする。すなわち；
−コロイダルシリカの懸濁液を含むKOH／1%HFの溶液を用いてパイレックス（登録商標）を研磨し、その後、標準的なRCVA SC1クリーニング（70℃でNH4OH/H2O2/H2O 1/4/20）を行う、
−酸化されたシリコン基板をカロ酸（140℃でH2SO4/H2O2 2/1）でクリーニングし、その後、標準的なRCVA SC1クリーニング（70℃でNH4OH/H2O2/H2O 1/4/20）を行う。
【００９２】
パイレックス（登録商標）カバーの構造化は、以下の技術的なステップに従って行う：
・ カットアウト（切り欠き）リセス及び《金属トラックのためのボックス》用にエッチングを実施する段階（ステップ）：
−Cr/Au/Cr/Au（50Å／3,000Å／50Å／3,000Å）コーティングし、
−《SVG》トラック上全体に、厚さ1.3μmのフォトレジスト《シプリー（Shipley）Ｓ 1813 SP15》を広げ、
−１Ｘ及び“カットアウトリセス”パターンに日光を浴びせ、
−《シプリー（Shipley）MIF 319》現像剤を用いて《SVG》トラック上で現像し、
−Au KI/I2エッチングし、
−“Crエッチ”と呼ばれる溶液を用いてCrエッチングし、
−ポシストリップ（Posistrip）又は発煙HNO3を用いたストリッピングによって樹脂を除去し、
−《SVG》トラック上全体に、厚さ1.3μmのフォトレジスト《シプリー（Shipley）Ｓ 1813 SP15》を広げ、
−１Ｘ及び“カットアウトリセス”パターンに日光を浴びせ、
−《シプリー（Shipley）MIF 319》現像剤を用いて《SVG》トラック上で現像し、
−Au KI/I2エッチングし、
−“Crエッチ”と呼ばれる溶液を用いてCrエッチングし、
−10%HFを用いて25μmにわたってガラスエッチングし、
−ポシストリップ（Posistrip）又は発煙HNO3を用いたストリッピングによって樹脂を除去する。
【００９３】
《はめ込み模様（インレッド）》金属ストリップを作製する段階：
−フルシートAu KI/I2エッチングをし、
−“Crエッチ”溶液を用いてフルシートCrエッチングをし、
−10%HFを用いて5000Å全体にわたってガラスエッチングし、
−Au KI/I2を用いてストリッピングし、
−“Crエッチ” 溶液を用いてCrストリッピングし、
−Cr/Au  50Å／3,000Åコーティングし、
−金及びガラスが同一平面になるまで研磨し、
−300℃でPECVDによってSiO2を堆積し《STS 多重化（マルチプレックス）》、
−中性気体の下でオーブン内で酸化物を緻密化する。
【００９４】
コンタクトを開ける段階：
−《SVG》トラック上全体に、厚さ1.3μmのフォトレジスト《シプリー（Shipley）Ｓ 1813 SP15》を広げ、
−１Ｘパターンに日光を浴びせ、
−《シプリー（Shipley）MIF 319》現像剤を用いて《SVG》トラック上で現像し、
−《ネクストラル330》CHF3/O2気体を用いたRIE法を用いたSiO2エッチングをし、
−ポシストリップ（Posistrip）又は発煙HNO3を用いた“ストリッピング”によって樹脂を除去する。
【００９５】
一旦、密封（気密）が得られると、支持体１４１の劈開を伴って、ティップ型構造１５５及びコンタクト接続部１６６をクリアにする（図１０Ｅ参照）。第１の劈開を行って、電気噴霧ノズルは開放される。第２の劈開を行って、コンタクト接続部は開放される。
【００９６】
［第６実施形態（第５実施形態の代替）］：
この実施形態は第５実施形態の代替であって、SOI基板の使用を２つのシリコン基板の使用に置き換えたものである。
【００９７】
図１１Ａは、ティップ型構造を提供し、基板の劈開を行うためのリセス１７１を有する第１のシリコン基板１７０を示す。リセスはＲＩＥ、ＤＲＩＥ又はＫＯＨによって得られる。
【００９８】
図１１Ｂは、第２のシリコン基板１８１を基板１７０のエッチング面上に固定されたものを示す。この取付は直接密閉（シーリング）によって得られる。
【００９９】
図１１Ｃは、第２の基板を、シリコン薄層１８１を得るために薄化したものを示す。
【０１００】
次いで、流体ネットワークは図１１Ｄに示したように得られる。この段階中、薄層１８１をＤＲＩＥエッチングにさらす。流体ネットワークは、入口リザーバ１９１、入口チャンネル１９２、マイクロリアクター１９３，及び出口チャンネル１９４を備えている。薄層１８１のエッチングもティップ型構造１９５を画定し、基板１７０の端部１８４の露出を可能にする。
【０１０１】
次いで流体ネットワークを電気的に絶縁する段階を実施する。これは熱酸化によって得られる。
【０１０２】
図１１Ｅは、薄層１８１上のカバープレート２０１の直接密閉を示す。カバープレート２０１は、プレート２０１がティップ型構造１９５をカバーしないように突出端部２０２を含む。これは、入口リザーバ１９１との流体連通を行うためのスルーホール２０３も含む。カバープレート２０１はパイレックス（登録商標）基板であってもよい。図１１Ｅは、プレート２０１は薄層１８１と接触するようになる面上に金属トラック２０４を含み、このトラックはその内部端部２０５が出口チャンネル１９４用の電極として用いられ、かつ、その外部端部２０６が電気的コンタクト接続部として用いられるように配置している。
【０１０３】
一旦、密閉が仕上がると（図１１Ｆ参照）、基板１７０を劈開することによってティップ型構造１９５及びコンタクト接続部２０６をクリアを行う。第１の劈開によって、電気噴霧ノズルが開放される。第２の劈開によって、電気噴霧ノズルが開放される。
【０１０４】
［電気浸透ポンピング用の回路］
マイクロ流体の異なるリアクターにおいて電気浸透ポンピングを外部から課すために、ボイロンのメサトロニックSA（イザーレ、フランス）によって製造されたティップを有するカードを用いることが可能である。このカードは、高圧（10kV）に耐え、同時に装置の異なるリザーバに浸漬する白金ティップ群を備えた電子回路である。従って、異なる電気的ポテンシャルを、異なる流れを作り出すために装置の異なる点で課してもよい。
【０１０５】
［本発明の利用］
図１２は、Ｎ個のマイクロ流体装置を備えた単体を有するために、一群の《流体ネットワーク及び電気噴霧ノズル》装置２１１が円形基板２１０上にどのような分布するかを示すものである。
【０１０６】
この構成では、流体ネットワークは、円形基板２１０の半径方向に沿って放射線状にパターン化されており、一連の連続する分析を質量分析器２１２で行うために、後者を手動で若しくは自動で回転させるだけでよい。このため、基板の支持体は回転軸上に取り付けてもよい。試料の準備は予め、Ｎ個の装置上に平行に行ってもよい。
【０１０７】
［工業的用途］
本発明の可能な用途は、検出方法として、インターフェースとして“電子スプレーイオン化”（ESI）技術を有する質量分析器として用いられるものに関するもの全般に及ぶ。
【０１０８】
例として、試料の分析において生物セクター及び製薬産業におけるものが挙げられる：
−遺伝子分析
−プロテオミクス（タンパク質の識別）
−薬の開発
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明によるオンチップラボを示す図である。
【図２】図１のオンチップラボで用いられる酵素消化リアクターのCOMOSS構造を示す図である。
【図２Ａ】図２の詳細を示す図である。
【図３】図１のオンチップラボで用いられる前濃縮リアクターのCOMOSS構造を示す図である。
【図３Ａ】図３の詳細を示す図である。
【図４】図１のオンチップラボで用いられるクロマトグラフィリアクターのCOMOSS構造を示す図である。
【図４Ａ】図４の詳細を示す図である。
【図５】ＥＳＩインターフェースを示す図１の詳細の拡大図である。
【図６Ａ】本発明によるオンチップラボの第１実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】本発明によるオンチップラボの第１実施形態を示す図である。
【図６Ｃ】本発明によるオンチップラボの第１実施形態を示す図である。
【図６Ｄ】本発明によるオンチップラボの第１実施形態を示す図である。
【図７Ａ】本発明によるオンチップラボの第２実施形態を示す図である。
【図７Ｂ】本発明によるオンチップラボの第２実施形態を示す図である。
【図８Ａ】本発明によるオンチップラボの第３実施形態を示す図である。
【図８Ｂ】本発明によるオンチップラボの第３実施形態を示す図である。
【図８Ｃ】本発明によるオンチップラボの第３実施形態を示す図である。
【図８Ｄ】本発明によるオンチップラボの第３実施形態を示す図である。
【図９Ａ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｂ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｃ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｄ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｅ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｆ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｇ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図９Ｈ】本発明によるオンチップラボの第４実施形態を示す図である。
【図１０Ａ】本発明によるオンチップラボの第５実施形態を示す図である。
【図１０Ｂ】本発明によるオンチップラボの第５実施形態を示す図である。
【図１０Ｃ】本発明によるオンチップラボの第５実施形態を示す図である。
【図１０Ｄ】本発明によるオンチップラボの第５実施形態を示す図である。
【図１０Ｅ】本発明によるオンチップラボの第５実施形態を示す図である。
【図１１Ａ】本発明によるオンチップラボの第６実施形態を示す図である。
【図１１Ｂ】本発明によるオンチップラボの第６実施形態を示す図である。
【図１１Ｃ】本発明によるオンチップラボの第６実施形態を示す図である。
【図１１Ｄ】本発明によるオンチップラボの第６実施形態を示す図である。
【図１１Ｅ】本発明によるオンチップラボの第６実施形態を示す図である。
【図１１Ｆ】本発明によるオンチップラボの第６実施形態を示す図である。
【図１２】本発明による複数の装置を備えた基板の正面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
支持体  ５１，８１，１００，１４１，１７０
薄層  ５３，８３，１１１，１４３，１８１
導電性手段  ５９，８９，１２９，１６５，２０５
チャンネル  ６４，９４，１２４，１５４，１９４
電子噴霧ノズル  ６５，９５，１２５，１５５，１９５
カバー  １３１，２０１
流体アクセス手段  １３３，２０３
【図１】
2007519914.tif 000006
【図２】
2007519914.tif 000007
【図２Ａ】
2007519914.tif 000008
【図３】
2007519914.tif 000009
【図３Ａ】
2007519914.tif 000010
【図４】
2007519914.tif 000011
【図４Ａ】
2007519914.tif 000012
【図５】
2007519914.tif 000013
【図６Ａ】
2007519914.tif 000014
【図６Ｂ】
2007519914.tif 000015
【図６Ｃ】
2007519914.tif 000016
【図６Ｄ】
2007519914.tif 000017
【図７Ａ】
2007519914.tif 000018
【図７Ｂ】
2007519914.tif 000019
【図８Ａ】
2007519914.tif 000020
【図８Ｂ】
2007519914.tif 000021
【図８Ｃ】
2007519914.tif 000022
【図８Ｄ】
2007519914.tif 000023
【図９Ａ】
2007519914.tif 000024
【図９Ｂ】
2007519914.tif 000025
【図９Ｃ】
2007519914.tif 000026
【図９Ｄ】
2007519914.tif 000027
【図９Ｅ】
2007519914.tif 000028
【図９Ｆ】
2007519914.tif 000029
【図９Ｇ】
2007519914.tif 000030
【図９Ｈ】
2007519914.tif 000031
【図１０Ａ】
2007519914.tif 000032
【図１０Ｂ】
2007519914.tif 000033
【図１０Ｃ】
2007519914.tif 000034
【図１０Ｄ】
2007519914.tif 000035
【図１０Ｅ】
2007519914.tif 000036
【図１１Ａ】
2007519914.tif 000037
【図１１Ｂ】
2007519914.tif 000038
【図１１Ｃ】
2007519914.tif 000039
【図１１Ｄ】
2007519914.tif 000040
【図１１Ｅ】
2007519914.tif 000041
【図１１Ｆ】
2007519914.tif 000042
【図１２】
2007519914.tif 000043
【国際調査報告】
2007519914.tif 000044
2007519914.tif 000045
2007519914.tif 000046
2007519914.tif 000047
2007519914.tif 000048
2007519914.tif 000049