【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対方向を向く表面および裏面、上記表面に形成された第１表面電極および第２表面電極、上記裏面に形成された裏面電極、を有する半導体素子と、
上記裏面電極が導通接続されるダイパッド部および上記ダイパッド部とは反対側を向く主裏面端子部を有する主リードと、
第１ワイヤを介して上記第１表面電極に接続される第１ワイヤボンディング部および上記第１ワイヤボンディング部とは反対側を向く第１副裏面端子部を有する第１副リードと、
第２ワイヤを介して上記第２表面電極に接続される第２ワイヤボンディング部および上記第２ワイヤボンディング部とは反対側を向く第２副裏面端子部を有する第２副リードと、
上記半導体素子と上記主リード、上記第１副リードおよび上記第２副リードの一部ずつとを覆うとともに、上記主裏面端子部、上記第１副裏面端子部および上記第２副裏面端子部を同じ側に露出させる樹脂パッケージと、を備えており、
上記主リードは、上記ダイパッド部から上記主裏面端子部にわたる主全厚部と、この主全厚部の上記ダイパッド部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する主ひさし部と、を有しており、
上記ダイパッド部および上記半導体素子は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方に重なり、
上記第１表面電極および上記第２表面電極の少なくともいずれか、は上記主ひさし部に重なり、
上記第１ワイヤは、上記第１ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第１表面電極に対して第１バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有し、
上記第２ワイヤは、上記第２ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第２表面電極に対して第２バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有する、
ことを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記第１表面電極がゲート電極であり、上記第２表面電極がソース電極であり、上記裏面電極がドレイン電極であるとともに、上記半導体素子がトランジスタとして構成されており、
上記第１表面電極が、上記第２表面電極よりも上記第１副リードおよび上記第２副リードに対して離間している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記第１表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部と重なり、上記第２表面電極は、厚さ方向視において上記主ひさし部に重なる、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記第１表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記第１ワイヤの上記第１バンプおよび上記第１ワイヤの上記セカンドボンディング部は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記主ひさし部は、上記主全厚部から上記第１副リードおよび上記第２副リードに向かって突出する主前方部を有する、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
上記主ひさし部は、上記主前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する主側方部を有する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記主リードは、上記主側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主側方連結部を有する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記主ひさし部は、上記主前方部とは反対側に突出する主後方部を有する、請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記主リードは、上記主後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主後方連結部を有する、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記主全厚部のすべてが、上記主ひさし部に囲まれている、請求項３ないし請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記ダイパッド部には、主表面めっき層が形成されている、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記主表面めっき層は、上記主ひさし部のすべてに重なる、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記第１副リードは、上記第１ワイヤボンディング部から上記第１副裏面端子部にわたる第１副全厚部と、この第１副全厚部の上記第１ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第１副ひさし部と、を有している、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記第１副ひさし部は、上記第１副全厚部から上記主リードに向かって突出する第１副前方部を有する、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記第１副ひさし部は、上記第１副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第１副側方部を有する、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
上記第１副リードは、上記第１副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第１副側方連結部を有する、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
上記第１副ひさし部は、上記第１副前方部とは反対側に突出する第１副後方部を有する、請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
上記第１副リードは、上記第１副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第１副後方連結部を有する、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
上記第１副全厚部のすべてが、上記第１副ひさし部に囲まれている、請求項１４ないし請求項１９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２１】
上記第１ワイヤボンディング部には、第１副表面めっき層が形成されている、請求項１４ないし請求項２０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２２】
上記第１副表面めっき層は、上記第１副ひさし部のすべてに重なる、請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
上記第２副リードは、上記第２ワイヤボンディング部から上記第２副裏面端子部にわたる第２副全厚部と、この第２副全厚部の上記第２ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第２副ひさし部と、を有している、請求項１ないし請求項２２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２４】
上記第２副ひさし部は、上記第２副全厚部から上記主リードに向かって突出する第２副前方部を有する、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
上記第２副ひさし部は、上記第２副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第２副側方部を有する、請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項２６】
上記第２副リードは、上記第２副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第２副側方連結部を有する、請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２７】
上記第２副ひさし部は、上記第２副前方部とは反対側に突出する第２副後方部を有する、請求項２４ないし請求項２６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２８】
上記第２副リードは、上記第２副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第２副後方連結部を有する、請求項２７に記載の半導体装置。
【請求項２９】
上記第２副全厚部のすべてが、上記第２副ひさし部に囲まれている、請求項２３ないし請求項２８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項３０】
上記第２ワイヤボンディング部には、第２副表面めっき層が形成されている、請求項２１ないし請求項２９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項３１】
上記第２副表面めっき層は、上記第２副ひさし部のすべてに重なる、請求項３０に記載の半導体装置。
【請求項３２】
上記半導体素子は、互いに積層された半導体層、半導体と金属との共晶層および上記裏面電極を構成する金属単体層を有しており、上記金属単体層が上記ダイパッド部に直接接合されている、請求項１ないし請求項３１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項３３】
上記共晶層は、ＳｉとＡｕとの共晶からなる、請求項３２に記載の半導体装置。
【請求項３４】
上記金属単体層は、上記共晶層よりも薄い、請求項３２または請求項３３に記載の半導体装置。