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【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に積層された絶縁膜上に、窓を有するレジストを形成する工程と、
前記窓内の前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜に、前記窓よりも幅が大きく、前記半導体層が露出する開口を形成する工程と、
前記レジストの前記窓を介して前記絶縁膜の前記開口内に露出した前記半導体層全面に接して金を含まない金属層を形成する工程と、
前記レジストの前記窓を介して前記絶縁膜の前記開口内に金を含む電極層を形成する工程と、
前記電極層を形成した後、前記電極層の表面を含む領域にプラズマ処理をなす工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属層の形成は、前記電極層の形成よりも等方性の高い成膜方法によってなされることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属層の形成はスパッタ法によってなされ、前記電極層の形成は蒸着法によってなされることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体層上に電極が設けられた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性の低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化シリコン、酸化シリコン、及び酸窒化シリコンの何れかからなる絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面に対して酸化又は窒化の処理を行う工程と、
前記酸化又は窒化の処理を行った後、前記絶縁膜の表面に接してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して電子ビームを照射して露光を行う工程と、を具備し、
前記酸化又は窒化の処理を行う工程は、前記絶縁膜の表面をオゾン雰囲気、酸素プラズマ、又は窒素プラズマに曝すことで行う、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜は、窒素に対するシリコンの組成比が０．７６以上の窒化シリコンを含む、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記オゾン雰囲気に曝すことによる前記酸化の処理は、オゾン濃度１０％〜１００％、圧力０．１ｔｏｒｒ〜１０ｔｏｒｒ、温度１５０℃〜３５０℃、処理時間１分〜５分の条件で実施される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸素プラズマに曝すことによる前記酸化の処理は、酸素濃度３％〜１００％、圧力０．０３ｔｏｒｒ〜５ｔｏｒｒ、ＲＦ電力５０Ｗ〜８００Ｗ、温度２５℃〜３５０℃、処理時間１分〜１０分の条件で実施される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記窒素プラズマに曝すことによる前記窒化の処理は、窒素濃度１００％、圧力０．０３ｔｏｒｒ〜５ｔｏｒｒ、ＲＦ電力５０Ｗ〜８００Ｗ、温度２５℃〜３５０℃、処理時間１分〜１０分の条件で実施される、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記電子ビームを照射して露光を行う工程は、加速電圧２５ｋＶ〜５０ｋＶ、電流値０．０１ｎＡ〜０．５ｎＡ、ドーズ量２μＣ／ｃｍ２〜５０μＣ／ｃｍ２の条件で実施される、請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられた渦巻き状の配線と、
隣接する前記配線間に設けられた絶縁層と、を有し、
前記配線は、第１配線と、前記第１配線に積層され前記第１配線よりも厚い第２配線と、を備え、
前記第１配線の側面と前記絶縁層との間には間隙が形成され、
前記第２配線は、前記間隙を充填して前記第１配線を被覆し、両側面が前記絶縁層と接し、
前記第２配線の上面は、前記絶縁層から露出しているコイル基板。
【請求項２】
前記第２配線の上面及び前記絶縁層の上面は、絶縁性の保護層で被覆されている請求項１記載のコイル基板。
【請求項３】
前記配線の幅方向の断面形状が矩形状である請求項１又は２記載のコイル基板。
【請求項４】
前記基板の他方の面に設けられた渦巻き状の他の配線と、
隣接する前記他の配線間に設けられた他の絶縁層と、を有し、
前記他の配線は、第３配線と、前記第３配線に積層され前記第３配線よりも厚い第４配線と、を備え、
前記第３配線の側面と前記他の絶縁層との間には間隙が形成され、
前記第４配線は、前記間隙を充填して前記第３配線を被覆し、両側面が前記他の絶縁層と接しており、
前記第１配線と前記第３配線とは、前記基板を貫通する貫通電極により電気的に接続されている請求項１乃至３の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項５】
前記配線の端部には、前記配線と一体に形成された接続部が設けられている請求項１乃至４の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項記載のコイル基板となる複数の領域が基板上に配列されたコイル基板。
【請求項７】
基板、前記基板の一方の面に設けられた渦巻き状の配線、隣接する前記配線間に設けられた絶縁層、及び前記配線の端部に前記配線と一体に形成された接続部、を有し、
前記配線は、第１配線と、前記第１配線に積層され前記第１配線よりも厚い第２配線と、を備え、
前記第１配線の側面と前記絶縁層との間には間隙が形成され、
前記第２配線は、前記間隙を充填して前記第１配線を被覆し、両側面が前記絶縁層と接し、
前記第２配線の上面は、前記絶縁層から露出しているコイル基板と、
前記接続部の一部を除いて前記コイル基板を被覆する磁性体と、
前記磁性体の外側に形成され、前記接続部の一部と電気的に接続された電極と、を有するインダクタ。
【請求項８】
前記第２配線の上面及び前記絶縁層の上面は、絶縁性の保護層で被覆されている請求項７記載のインダクタ。
【請求項９】
前記磁性体は、前記基板を貫通する貫通孔内に充填されている請求項７又は８記載のインダクタ。
【請求項１０】
前記磁性体は、磁性体フィラーを含む絶縁樹脂である請求項７乃至９の何れか一項記載のインダクタ。
【請求項１１】
基板の一方の面に、第１配線と、前記第１配線に積層され前記第１配線よりも厚い第２配線と、を備えた渦巻き状の配線を形成する工程を有し、
前記配線を形成する工程は、
前記基板の一方の面に渦巻き状の第１配線を形成する工程と、
前記第１配線の側面との間に間隙が形成されるように、前記基板の一方の面に絶縁層を形成する工程と、
前記間隙を充填して前記第１配線を被覆し、両側面が前記絶縁層と接し上面が前記絶縁層から露出する第２配線を形成する工程と、を有するコイル基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層から露出する前記第２配線の上面、及び前記絶縁層の上面を、絶縁性の保護層で被覆する工程を有する請求項１１記載のコイル基板の製造方法。
【請求項１３】
コイル基板となる複数の領域が前記基板上に配列され、
各領域について前記配線を形成する工程を実行する請求項１１又は１２記載のコイル基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本コイル基板は、基板と、前記基板の一方の面に設けられた渦巻き状の配線と、隣接する前記配線間に設けられた絶縁層と、を有し、前記配線は、第１配線と、前記第１配線に積層され前記第１配線よりも厚い第２配線と、を備え、前記第１配線の側面と前記絶縁層との間には間隙が形成され、前記第２配線は、前記間隙を充填して前記第１配線を被覆し、両側面が前記絶縁層と接し、前記第２配線の上面は、前記絶縁層から露出していることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルの一部となる配線と、前記第１の絶縁層上に前記配線を被覆して形成された第２の絶縁層と、を備えた構造体を複数個積層し、
隣接する前記構造体の前記配線同士を直列に接続して螺旋状のコイルを形成したコイル基板。
【請求項２】
１つの前記構造体に形成される前記配線は、コイルの１巻き以下である請求項１記載のコイル基板。
【請求項３】
コイルの１巻きの半周に相当する配線を備えた一の構造体と、
前記一の構造体に隣接して積層され、１巻きの残りの半周に相当する配線を備えた他の構造体と、を含み、
前記１巻きの半周に相当する配線と、前記１巻きの残りの半周に相当する配線とを、ビア配線を介して直列に接続して１巻きの配線を形成した単位構造体を有する請求項１又は２記載のコイル基板。
【請求項４】
前記単位構造体を複数個積層し、
隣接する前記単位構造体の前記配線同士を直列に接続した請求項３記載のコイル基板。
【請求項５】
前記配線の端部に、前記配線と一体に形成された接続部が設けられている構造体を含む請求項１乃至４の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項記載のコイル基板となる複数の領域が配列されたコイル基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが絶縁樹脂である請求項１乃至６の何れか一項記載のコイル基板。
【請求項８】
第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルの一部となる配線と、前記第１の絶縁層上に前記配線を被覆して形成された第２の絶縁層と、を備えた構造体を複数個積層し、
前記配線の端部に、前記配線と一体に形成された接続部が設けられている構造体を含み、
隣接する前記構造体の前記配線同士を直列に接続して螺旋状のコイルを形成したコイル基板と、
前記接続部の一部を除いて前記コイル基板を被覆する磁性体と、
前記磁性体の外側に形成され、前記接続部の一部と電気的に接続された電極と、を有するインダクタ。
【請求項９】
前記磁性体は、前記コイル基板を貫通する貫通孔内に充填されている請求項８記載のインダクタ。
【請求項１０】
前記磁性体は、磁性体フィラーを含む絶縁樹脂である請求項８又は９記載のインダクタ。
【請求項１１】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが絶縁樹脂である請求項８乃至１０の何れか一項記載のインダクタ。
【請求項１２】
第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルの一部となる配線と、前記第１の絶縁層上に前記配線を被覆して形成された第２の絶縁層と、を備えた構造体を複数個作製する工程と、
隣接する前記構造体の前記配線同士を直列に接続しながら夫々の前記構造体を順次積層し、螺旋状のコイルを形成する工程と、を有するコイル基板の製造方法。
【請求項１３】
前記構造体を複数個作製する工程は、
第１基板上に第１構造体を作製する工程と、
第２基板上に第２構造体を形成する工程と、を含み、
前記螺旋状のコイルを形成する工程は、
前記第１構造体と前記第２構造体とを対向配置し、前記第１基板と前記第２基板が外側になるように積層する工程と、
前記第２基板を除去する工程と、
前記第１構造体の配線と前記第２構造体の配線とを直列に接続する工程と、を含む、請求項１２記載のコイル基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが絶縁樹脂である請求項１２又は１３記載のコイル基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本コイル基板は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルの一部となる配線と、前記第１の絶縁層上に前記配線を被覆して形成された第２の絶縁層と、を備えた構造体を複数個積層し、隣接する前記構造体の前記配線同士を直列に接続して螺旋状のコイルを形成したことを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月4日(2016.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、処理室にガスを供給するガス供給手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマを生成するための高周波電源と、被処理体を戴置するためのステージ電極と、前記被処理体に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電源と、エッチング処理手段と、クリーニング放電手段とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記ステージ電極の前記被処理体の戴置面を構成する材料がAl2O3を主成分とする材料であり、
前記エッチング処理手段による前記被処理体に対する所定のプラズマ処理において、エッチング処理用のガスとしてBCl3を用い、
前記クリーニング放電手段による、N枚目の被処理体への所定のプラズマ処理とN＋１枚目の被処理体への所定の処理の間に行うクリーニング放電において、
クリーニングガスとしてO2を用いた放電により、前記エッチング処理用のガスに含まれる還元性の元素であるBと反応して揮発性の反応成生物B-ClデポからClを選択的に除去する第１のクリーニング放電と、
クリーニングガスとしてSF6またはCxFyガスを用いた放電により、前記還元性の元素Bを除去する第２のクリーニング放電の少なくとも２つのクリーニング放電を行う
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のクリーニング放電によりフッ化、または、金属状態となった前記ステージ電極の表面のAlをAl2O3に戻すため、前記クリーニング放電手段により、前記第２のクリーニング放電に続いて、クリーニングガスとして酸素を主体とする処理ガスを用いて第３のクリーニングを行う
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
処理室と、処理室にガスを供給するガス供給手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマを生成するための高周波電源と、被処理体を戴置するためのステージ電極と、前記被処理体に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電源と、エッチング処理手段と、クリーニング放電手段とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記ステージ電極の前記被処理体の戴置面を構成する材料がAl2O3を主成分とする材料であり、
前記エッチング処理手段による前記被処理体に対する所定のプラズマ処理において、還元性の元素と、前記ステージ電極の前記被処理体の戴置面を構成する材料のうちの金属元素が金属状態であるとき、反応して揮発性の反応成生物を形成しやすい元素を含む処理ガスを用い、
N枚目の被処理体への所定のプラズマ処理とN＋１枚目の被処理体への所定の処理の間に行う、前記クリーニング放電手段によるクリーニング放電において、
チャンバー内壁に付着している元素のうち、前記還元性の元素と反応して、不揮発性の反応成生物を形成する元素を含む処理ガスを用いた放電により、前記金属元素と反応して揮発性の反応成生物を形成する元素を選択的に除去する第１のクリーニング放電と、
前記還元性の元素と反応して揮発性の反応成生物を形成する元素を含む処理ガスを用いた放電により、前記還元性の元素を除去する第２のクリーニング放電の少なくとも２つのクリーニング放電を行う
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記還元性の元素と、前記ステージ電極の前記被処理体の戴置面を構成する材料のうちの金属元素が金属状態であるとき反応して揮発性の反応成生物を形成しやすい元素を含む処理ガスがBCl3であり、
前記第１のクリーニング放電における、前記還元性の元素と反応して前記不揮発性の反応成生物を形成する元素を含む処理ガスが、O2またはN2ガスを含む処理ガスであり、
前記第２のクリーニング放電おいて、還元性の元素と反応して揮発性の反応成生物を形成する元素を含む処理ガスが、SF6またはCxFyガスを含む処理ガスである
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記クリーニング放電手段によるクリーニング放電において、前記第２のクリーニング放電に続いて、前記第２のクリーニング放電によりフッ化、または、金属状態となった前記ステージ電極の表面のAlをAl2O3に戻すため、前記クリーニング放電手段によりクリーニングガスとして酸素を主体とする処理ガスを用いて第３のクリーニングを行う
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
プラズマ処理装置による被処理体のプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理室と、処理室にガスを供給するガス供給手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマを生成するための高周波電源と、被処理体を戴置するためのステージ電極と、前記被処理体に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電源と、エッチング処理手段と、クリーニング放電手段とを備えており、
前記ステージ電極の前記被処理体の戴置面を構成する材料がAl2O3を主成分とする材料であり、
前記被処理体に対する所定のプラズマ処理において、エッチング処理用のガスとしてBCl3を用い、
N枚目の被処理体への所定のプラズマ処理とN＋１枚目の被処理体への所定の処理の間に行うクリーニング放電において、
クリーニングガスとしてO2を用いた放電により、前記エッチング処理用のガスに含まれる還元性の元素であるBと反応して揮発性の反応成生物B-ClデポからClを選択的に除去する第１のクリーニング放電と、
クリーニングガスとしてSF6またはCxFyガスを用いた放電により、前記還元性の元素Bを除去する第２のクリーニング放電の少なくとも２つのクリーニング放電を行う
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２のクリーニング放電に続いて、前記第２のクリーニング放電によりフッ化、または、金属状態となった前記ステージ電極の表面のAlをAl2O3に戻すため、クリーニングガスとして酸素を主体とする処理ガスを用いて第３のクリーニングを行う
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の代表的なものの一例を示せば以下の通りである。プラズマ処理装置は、処理室と、処理室にガスを供給するガス供給手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマを生成するための高周波電源と、被処理体を戴置するためのステージ電極と、前記被処理体に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電源と、エッチング処理手段と、クリーニング放電手段とを備えたプラズマ処理装置であって、前記ステージ電極の前記被処理体の戴置面を構成する材料がAl2O3を主成分とする材料であり、前記エッチング処理手段による前記被処理体に対する所定のプラズマ処理において、エッチング処理用のガスとしてBCl3を用い、前記クリーニング放電手段による、N枚目の被処理体への所定のプラズマ処理とN＋１枚目の被処理体への所定の処理の間に行うクリーニング放電において、
クリーニングガスとしてO2を用いた放電により、前記エッチング処理用のガスに含まれる還元性の元素であるBと反応して揮発性の反応成生物B-ClデポからClを選択的に除去する第１のクリーニング放電と、クリーニングガスとしてSF6またはCxFyガスを用いた放電により、前記還元性の元素Bを除去する第２のクリーニング放電の少なくとも２つのクリーニング放電を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月7日(2016.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
交流電力系統と電力変換器が変換用変圧器を介して接続され、前記変換用変圧器と接続される直列変圧器及び前記変換用変圧器の励磁電流を検出する電流検出器を備え、
前記直列変圧器は、前記変換用変圧器の一次巻線及び二次巻線のそれぞれに直列に接続された巻線と、該巻線に接続されると共に、前記電流検出器に接続された検出用巻線とを有し、前記変換用変圧器の一次巻線及び二次巻線の巻数比と、この変換用変圧器の一次巻線及び二次巻線のそれぞれに直列に接続された前記直列変圧器のそれぞれの巻線の巻数比とを等しく構成したことを特徴とする変換用変圧器の励磁電流検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月23日(2016.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層に位置する第１導電型の第１拡散層と、
前記第１拡散層及び前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して位置するゲート電極と、
前記ゲート電極のチャネル長方向の一方側に位置し、前記第１拡散層内に位置するソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層と、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側に位置し、前記半導体層に位置するソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層と、
前記第２拡散層内に位置し、前記第１拡散層と電気的に接続された複数の第１導電型の第４拡散層と、
前記半導体層、前記第１拡散層及び前記ゲート電極上に位置する絶縁膜と、
前記絶縁膜に位置し、前記第２拡散層及び前記第４拡散層上に位置する複数の第１のコンタクトホールと、
前記絶縁膜に位置し、前記第３拡散層上に位置する複数の第２のコンタクトホールと、
を具備し、
前記複数の第４拡散層は前記ゲート電極に沿って位置しており、前記複数の第４拡散層の相互間に前記第２拡散層が位置しており、
前記複数の第１のコンタクトホールは前記ゲート電極に沿って位置しており、
前記複数の第２のコンタクトホールは前記ゲート電極に沿って位置しており、
前記複数の第４拡散層のピッチは、前記複数の第１のコンタクトホールのピッチより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の第４拡散層は前記ゲート電極に沿って一列に位置しており、
前記複数の第１のコンタクトホールは前記ゲート電極に沿って一列に位置しており、
前記複数の第２のコンタクトホールは前記ゲート電極に沿って一列に位置しており、
前記複数の第１コンタクトホールのピッチは、前記複数の第２コンタクトホールのピッチと同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記複数の第１のコンタクトホールは、前記第２拡散層と重なり且つ前記第４拡散層と重ならないコンタクトホールと、前記第４拡散層と重なり且つ前記第２拡散層と重ならないコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数の第１のコンタクトホールは、前記第２拡散層と重なり且つ前記第４拡散層と重なるコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記複数の第４拡散層の少なくとも一つは、前記複数の第１のコンタクトホールのいずれにも重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２において、
前記複数の第１のコンタクトホールは、前記第２拡散層とコンタクトをとるコンタクトホールと、前記第４拡散層とコンタクトをとるコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記複数の第１のコンタクトホールは、前記第２拡散層及び前記第４拡散層の両方とコンタクトをとるコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記複数の第４拡散層の少なくとも一つは、前記複数の第１のコンタクトホールのいずれともコンタクトをとらないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｗｅｂサーバにより提供される操作画面を表示可能な情報処理装置であって、
前記操作画面を介して入力された指示に従って前記Ｗｅｂサーバにリクエストを送信するリクエスト手段と、
前記Ｗｅｂサーバから、前記リクエスト手段によるリクエストに対する処理要求を受信し、前記情報処理装置及び前記情報処理装置とは異なる他の情報処理装置に前記処理要求に基づく処理を行わせる制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記処理要求に含まれる属性に基づいて、前記情報処理装置及び前記他の情報処理装置に前記処理要求に基づく処理を行わせるか否かを判定する判定手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記情報処理装置による前記処理の結果と、前記他の情報処理装置による前記処理の結果を前記Ｗｅｂサーバに通知する通知手段を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
外部装置から処理要求を受信し、前記情報処理装置が備えている各種機能に当該受信した処理要求に基づく処理を行わせるサービスプロバイダを更に備え、
前記制御手段は、前記処理要求に基づく処理を前記情報処理装置に行わせる際は、前記サービスプロバイダに向けて処理要求を送信して前記処理を行わせ、前記処理要求に基づく処理を前記他の情報処理装置に行わせる際は、前記他の情報処理装置が備えるサービスプロバイダに向けて処理要求を送信して前記他の情報処理装置に前記処理を行わせることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記処理要求は、用紙に画像を印刷するプリント処理の要求であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記処理要求に含まれる印刷部数の設定に基づいて、前記情報処理装置に行わせるプリント処理の印刷部数と前記他の情報処理装置に行わせるプリント処理の印刷部数を制御することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
Ｗｅｂサーバにより提供される操作画面を表示するためのＷｅｂブラウザを更に有し、
前記Ｗｅｂブラウザは、ＨＴＴＰのＧＥＴコマンドにより前記Ｗｅｂサーバに操作画面の情報を要求し、前記操作画面を介して入力された指示に従って前記ＷｅｂサーバにＨＴＴＰのＰＯＳＴコマンドを送信し、前記ＨＴＴＰのＰＯＳＴコマンドに対するＨＴＴＰレスポンスとして前記処理要求を受信することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記情報処理装置と前記他の情報処理装置は同一のＬＡＮ内のネットワークに接続されており、前記Ｗｅｂサーバは、前記ＬＡＮ内のネットワークとインターネットを介して通信可能なネットワークに接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
Ｗｅｂサーバにより提供される操作画面を表示可能な情報処理装置を制御する制御方法であって、
リクエスト手段が、前記操作画面を介して入力された指示に従って前記Ｗｅｂサーバにリクエストを送信するリクエスト工程と、
制御手段が、前記Ｗｅｂサーバから、前記リクエスト工程によるリクエストに対する処理要求を受信し、前記情報処理装置及び前記情報処理装置とは異なる他の情報処理装置に前記処理要求に基づく処理を行わせる制御工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理装置の制御方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、Ｗｅｂサーバに接続され、当該Ｗｅｂサーバにより提供される操作画面を表示するＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置、情報処理装置の制御方法、及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る情報処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
Ｗｅｂサーバにより提供される操作画面を表示可能な情報処理装置であって、
前記操作画面を介して入力された指示に従って前記Ｗｅｂサーバにリクエストを送信するリクエスト手段と、
前記Ｗｅｂサーバから、前記リクエスト手段によるリクエストに対する処理要求を受信し、前記情報処理装置及び前記情報処理装置とは異なる他の情報処理装置に前記処理要求に基づく処理を行わせる制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
無線接続された無線端末と通信する、複数のアクセスポイントと、
前記複数のアクセスポイントと通信するアクセス制御装置と、を含み、
前記複数のアクセスポイントそれぞれは、
自身のカバレッジに含まれる無線端末を示す第１の情報と、前記カバレッジ内において無線接続された無線端末を示す第２の情報と、を保持し、
前記第１の情報及び第２の情報の更新情報を前記アクセス制御装置に送信し、
前記アクセス制御装置は、
前記複数のアクセスポイントと前記複数のアクセスポイントのカバレッジに含まれる無線端末との対応関係を示す第３の情報と、前記複数のアクセスポイントと前記複数のアクセスポイントに無線接続された無線端末との対応関係を示す第４の情報と、を保持し、
前記複数のアクセスポイントから受信した前記更新情報に基づいて、前記第３の情報及び第４の情報を更新し、
前記複数のアクセスポイントが無線端末とポーリング通信を行うポーリング期間を開始する開始基準時刻を決定し、
前記更新された第３の情報及び第４の情報に基づいて、前記ポーリング期間において、前記複数のアクセスポイントが前記無線端末とポーリング通信を行うタイミングを示すスケジューリング設定情報を作成し、
前記複数のアクセスポイントそれぞれに、前記開始基準時刻と前記スケジューリング設定情報において前記複数のアクセスポイントそれぞれに対応する部分とを含むポーリング期間開始信号を、送信し、
前記複数のアクセスポイントは、受信した前記ポーリング期間開始信号に基づいて、前記無線端末とポーリング通信を行う、無線伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１に記載の無線伝送システムであって、
前記スケジューリング設定情報は、前記ポーリング期間において、前記複数のアクセスポイントそれぞれに対して、無線接続している全ての無線端末とポーリング通信を行う包括的ポーリング区間を規定し、
前記アクセス制御装置は、前記複数のアクセスポイントそれぞれから、前記包括的ポーリング区間において通信エラーが発生した無線端末の数を示す、包括的ポーリング区間終了通知を受信し、
前記アクセス制御装置は、前記複数のアクセスポイントの全てから前記包括的ポーリング区間終了通知を受信すると、第２のスケジューリング設定情報を生成し、
前記第２のスケジューリング設定情報は、前記ポーリング期間において、前記複数のアクセスポイントそれぞれに対して、前記包括的ポーリング区間において通信エラーが発生した無線端末とのポーリング通信を行う選択的ポーリング区間を規定し、
前記アクセス制御装置は、前記選択的ポーリング区間を前記包括的ポーリング区間終了通知が示す前記無線端末の数に基づいて決定し、
前記アクセス制御装置は、前記複数のアクセスポイントそれぞれに、前記第２のスケジューリング設定情報において前記複数のアクセスポイントそれぞれに対応する部分を含む選択的ポーリング区間開始信号を、送信し、
前記複数のアクセスポイントそれぞれは、受信した前記選択的ポーリング区間開始信号に基づいて、前記無線端末と選択的ポーリング通信を行う、無線伝送システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
無線接続された無線端末と通信する複数のアクセスポイントを制御する方法であって、
前記複数のアクセスポイントそれぞれは、自身のカバレッジに含まれる無線端末を示す第１の情報と、前記カバレッジ内において無線接続された無線端末を示す第２の情報と、を保持し、
前記方法は、
前記第１の情報及び第２の情報更新の更新情報を、前記複数のアクセスポイントから受信し、
前記複数のアクセスポイントと前記複数のアクセスポイントのカバレッジに含まれる無線端末との対応関係を示す第３の情報と、前記複数のアクセスポイントと前記複数のアクセスポイントに無線接続された無線端末との対応関係を示す第４の情報とを、前記複数のアクセスポイントから受信した前記更新情報に基づいて更新し、
前記複数のアクセスポイントが無線端末とポーリング通信を行うポーリング期間を開始する開始基準時刻を決定し、
前記更新された第３の情報及び第４の情報に基づいて、前記ポーリング期間において、前記複数のアクセスポイントそれぞれが前記無線端末とポーリング通信を行うタイミングを示すスケジューリング設定情報を作成し、
前記開始基準時刻と前記スケジューリング設定情報とを含むポーリング期間開始信号を、前記複数のアクセスポイントそれぞれに送信する、ことを特徴とする方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明は、例えば、以下のような構成を採用する。無線接続された無線端末と通信する、複数のアクセスポイントと、前記複数のアクセスポイントと通信するアクセス制御装置と、を含み、前記複数のアクセスポイントそれぞれは、自身のカバレッジに含まれる無線端末を示す第１の情報と、前記カバレッジ内において無線接続された無線端末を示す第２の情報と、を保持し、前記第１の情報及び第２の情報の更新情報を前記アクセス制御装置に送信し、前記アクセス制御装置は、前記複数のアクセスポイントと前記複数のアクセスポイントのカバレッジに含まれる無線端末との対応関係を示す第３の情報と、前記複数のアクセスポイントと前記複数のアクセスポイントに無線接続された無線端末との対応関係を示す第４の情報と、を保持し、前記複数のアクセスポイントから受信した前記更新情報に基づいて、前記第３の情報及び第４の情報を更新し、前記複数のアクセスポイントが無線端末とポーリング通信を行うポーリング期間を開始する開始基準時刻を決定し、前記更新された第３の情報及び第４の情報に基づいて、前記ポーリング期間において、前記複数のアクセスポイントが前記無線端末とポーリング通信を行うタイミングを示すスケジューリング設定情報を作成し、前記複数のアクセスポイントそれぞれに、前記開始基準時刻と前記スケジューリング設定情報において前記複数のアクセスポイントそれぞれに対応する部分とを含むポーリング期間開始信号を、送信し、前記複数のアクセスポイントは、受信した前記ポーリング期間開始信号に基づいて、前記無線端末とポーリング通信を行う、無線伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部機器へ電力を無線給電するための送電部と、前記外部機器との通信を行う通信部を制御する制御装置であって、
前記送電部による無線給電を行うための第１の領域と、前記第１の領域より広い前記通信部による通信を行うための第２の領域とに対する、前記外部機器の位置の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定の結果、前記外部機器が前記第２の領域内でかつ前記第１の領域内にある場合、前記送電部による給電を実行させる制御手段と、
前記制御手段により実行された給電が終了した場合に、当該実行された給電に基づく課金情報を、前記通信部を介して前記外部機器へ送信する送信手段と
を備えることを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記送信手段は、前記外部機器が前記第２の領域内でかつ前記第１の領域内にある第１の状態から、前記第２の領域内でかつ前記第１の領域外にある第２の状態に遷移したと前記判定手段により判定されたことを前記給電の終了の条件として、前記課金情報を前記外部機器へ送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記送信手段は、前記外部機器における満充電もしくは前記外部機器からの所定の通知を前記給電の終了の条件として、前記課金情報を前記外部機器へ送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
前記通信部を介して、前記課金情報を前記外部機器へ送信することが失敗した場合は、前記送信手段は、代替の通信部を介して、前記課金情報を前記外部機器へ送信する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記代替の通信部との通信を行うために必要な通信設定情報を取得する取得手段を更に備え、
前記送信手段は、前記通信設定情報に従って、前記代替の通信部を介して、前記課金情報を前記外部機器へ送信する
ことを特徴とする請求項４に記載の制御装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記取得手段で前記通信設定情報を取得できない場合、前記送電部の無線給電可能領域が狭くなるように制御する
ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記送信手段は、前記制御手段による給電による前記外部機器への充電量と、前記給電中での前記外部機器の電力消費量とに基づく電力量に対する課金額を前記課金情報として生成する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項８】
前記送信手段は、前記外部機器が前記第２の領域内でかつ前記第１の領域内にある状態において前記制御手段による給電を停止している期間での前記外部機器の電力減少量を取得することによって、当該状態における給電中での前記外部機器の電力消費量を計算する
ことを特徴とする請求項７に記載の制御装置。
【請求項９】
前記送信手段は、当該制御装置が提供する機能に対し、更に、課金対象の機能利用に対する課金を含む前記課金情報を送信する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記給電が終了した場合に、前記課金情報の送信とは異なる他の処理のための通信に前記通信部を現時点において利用している場合、前記他の処理のための通信をキャンセルして、前記課金情報の送信に切り替える
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記給電中に、前記外部機器から充電終了の通知がある場合、前記送電部による給電を停止する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記外部機器の充電状態が満充電であると判定した場合に、前記送電部による給電を停止することを指示する停止設定情報に従って、前記送電部による給電を停止する
ことを特徴とする請求項１１に記載の制御装置。
【請求項１３】
前記通信部はＮＦＣ通信により外部機器との通信を行う
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１４】
前記第１の領域は、前記送電部の無線給電可能領域であり、前記第２の領域は、前記通信部の通信可能領域である
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１５】
外部機器へ電力を無線給電するための送電部と、前記外部機器との通信を行う通信部を制御する制御方法であって、
前記送電部による無線給電を行うための第１の領域と、前記第１の領域より広い前記通信部による通信を行うための第２の領域とに対する、前記外部機器の位置の状態を判定する判定工程と、
前記判定工程の判定の結果、前記外部機器が前記第２の領域内でかつ前記第１の領域内にある場合、前記送電部による給電を実行させる制御工程と、
前記制御工程において実行された給電が終了した場合に、当該実行された給電に基づく課金情報を、前記通信部を介して前記外部機器へ送信する送信工程と
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項１６】
コンピュータを請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の制御装置における各手段として機能させるための、または請求項１５に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスカバリー信号の送信周期を示す送信構成情報と、ユーザ端末における間欠受信周期を示す間欠受信情報とを、受信する受信部と、
前記送信周期と前記間欠受信周期とに基づいて、前記間欠受信周期で繰り返されるオン期間に関わらず、セルの検出及び／又は測定に用いられる検出期間を設定する設定部と、を具備することを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記送信構成情報は、前記ディスカバリー信号の送信期間の開始オフセットを更に示し、
前記設定部は、前記送信周期と前記開始オフセットとに基づいて決定されるタイミングに、前記ディスカバリー信号の送信期間を設定することを特徴とする請求項１に記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記間欠受信情報は、前記オン期間の開始オフセットを更に示し、
前記設定部は、前記間欠受信周期と前記開始オフセットとに基づいて決定されるタイミングに、前記オン期間を設定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のユーザ端末。
【請求項４】
前記受信部は、前記送信構成情報と前記間欠受信情報とを上位レイヤシグナリングにより受信することを特徴とする請求項１から請求項３に記載のユーザ端末。
【請求項５】
前記送信周期は、ＰＳＳ（Primary  Synchronization  Signal）、ＳＳＳ（Secondary  Synchronization  Signal）、ＣＲＳ（Cell-specific  Reference  Signal）の少なくとも一つの送信周期よりも長いことを特徴とする請求項１から請求項４に記載のユーザ端末。
【請求項６】
前記ディスカバリー信号は、ＣＳＩ−ＲＳ（Channel  State  Information-Reference  Signal）に基づいて構成されることを特徴とする請求項１から請求項５に記載のユーザ端末。
【請求項７】
ディスカバリー信号の送信周期を示す送信構成情報と、前記ユーザ端末における間欠受信周期を示す間欠受信情報とを、生成する生成部と、
前記送信構成情報と前記間欠受信情報とを、ユーザ端末に送信する送信部と、を具備し、
前記ユーザ端末においてセルの検出及び／又は測定に用いられる検出期間が、前記送信周期と前記間欠受信周期とに基づいて、前記間欠受信周期で繰り返されるオン期間に関わらず設定されることを特徴とする無線基地局。
【請求項８】
無線基地局において、ディスカバリー信号の送信周期を示す送信構成情報と、ユーザ端末における間欠受信周期を示す間欠受信情報とを、前記ユーザ端末に通知する工程と、
前記ユーザ端末において、前記送信周期と前記間欠受信周期とに基づいて、前記間欠受信周期で繰り返されるオン期間に関わらず、セルの検出及び／又は測定に用いられる検出期間を設定する工程と、を有することを特徴とする通信制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の通信制御方法は、無線基地局において、ディスカバリー信号の送信周期を示す送信構成情報と、ユーザ端末における間欠受信周期を示す間欠受信情報とを、前記ユーザ端末に通知する工程と、前記ユーザ端末において、前記送信周期と前記間欠受信周期とに基づいて、前記間欠受信周期で繰り返されるオン期間に関わらず、セルの検出及び／又は測定に用いられる検出期間を設定する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラと、
前記カメラを制御して被写体の上半身を撮影し、写真画像を生成する撮影手段と、
前記撮影手段で生成された前記写真画像をトリミングして、第１の写真画像と第２の写真画像とを生成するトリミング手段を備え、
前記第１の写真画像における前記被写体よりも上方の領域は、前記第２の写真画像における前記領域よりも大きい、写真撮影遊戯機。
【請求項２】
請求項１に記載の写真撮影遊戯機であって、さらに、
前記撮影手段による撮影時に、前記カメラで撮影した前記被写体の映像を示すライブ画像を表示するライブ画像表示手段を備え、
前記ライブ画像表示手段は、前記被写体の映像に対し、前記第１の写真画像に対応するトリミングを行うことにより得られる画像を前記ライブ画像として表示し、前記ライブ画像において、前記領域に対応する位置の表示領域に所定の画像を重ねて表示する、写真撮影遊戯機。
【請求項３】
請求項１から２のいずれか一項に記載の写真撮影遊戯機であって、さらに、
前記第１の写真画像及び前記第２の写真画像のうち、少なくとも前記第１の写真画像に対して編集画像の入力を受け付ける編集手段を備える、写真撮影遊戯機。
【請求項４】
カメラを備えた写真撮影遊戯機のコンピュータに、
前記カメラを制御して被写体の上半身を撮影し、写真画像を生成する撮影ステップと、
前記撮影手段で生成された前記写真画像をトリミングして、第１の写真画像と第２の写真画像とを生成するトリミングステップと、を実行させ、
前記第１の写真画像における前記被写体より上方の領域は、前記第２の写真画像における前記領域よりも大きい、制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配された画素アレイと、
前記画素アレイの各列に対応して設けられた列信号処理部と、を有し、
前記列信号処理部は、
容量素子を備え、前記画素から出力された信号を、前記容量素子を用いて保持するサンプルホールド部と、
前記サンプルホールド部に保持された信号をバッファするバッファ部と、
前記サンプルホールド部が前記信号を保持した状態で、前記バッファ部によってバッファされた信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部と、
前記複数の列信号処理部のうちの一部である、第１の列信号処理部と第２の列信号処理部の各々に含まれる前記容量素子を互いに接続する接続部とを有すること
を特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記容量素子の一方のノードに固定電圧が与えられ、前記容量素子の他方のノードに前記画素から出力された信号が与えられ、
前記接続部は、前記第１の列信号処理部と前記第２の列信号処理部の各々の前記容量素子の前記他方のノードを互いに接続することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記サンプルホールド部が、前記容量素子を複数備えることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記ＡＤ変換部は、固定電圧を基準に動作する比較部であって、参照信号と前記バッファ部によってバッファされた信号とを比較する比較部を有し、
前記容量素子に与えられる固定電圧と、前記比較部に与えられる固定電圧とは、互いに異なる配線を介して供給されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記ＡＤ変換部は、参照信号と前記バッファ部によってバッファされた信号とを比較する比較部を有し、
前記容量素子は、前記比較部と同一の半導体基板上の互いに異なるウェル領域に形成されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記容量素子は、前記画素アレイと同一の半導体基板上の互いに異なるウェル領域に形成されること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記画素から出力された信号を増幅して、前記サンプルホールド部に供給する増幅器を備え、
前記容量素子は、前記増幅器と同一の半導体基板上の互いに異なるウェル領域に形成されること
を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記画素から出力された信号を増幅して、前記サンプルホールド部に供給する増幅器を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記バッファ部が、１を超える増幅率を設定できる増幅器であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記バッファ部が、差動増幅器と、入力容量と、帰還容量とを含み、
前記差動増幅器の反転入力端子は、前記入力容量を介して前記サンプルホールド部と接続されるとともに、前記帰還容量を介して前記差動増幅器の出力端子と接続されること
を特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記画素から信号を出力する動作と並行して、
前記ＡＤ変換部は、前記バッファ部によってバッファされた信号をデジタル信号に変換すること
を特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記サンプルホールド部が複数の容量素子を備え、
前記バッファ部によってバッファされた、前記複数の容量素子のうちの一個に保持された信号を、前記ＡＤ変換部がデジタル信号に変換する動作と、
前記画素から出力された信号を、前記複数の容量素子のうちの別の容量素子に保持させる動作と、を並行して実行すること
を特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記複数の画素に像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたこと
を特徴とする撮像システム。
【請求項１４】
前記撮像システムは複数の駆動モードで動作し、
前記バッファ部は、前記駆動モードに応じて、複数の増幅率を切り替えて設定できる増幅器であること
を特徴とする請求項１３に記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る光電変換装置は、複数の画素が行列状に配された画素アレイと、前記画素アレイの各列に対応して設けられた列信号処理部と、を有し、前記列信号処理部は、容量素子を備え、前記画素から出力された信号を、前記容量素子を用いて保持するサンプルホールド部と、前記サンプルホールド部に保持された信号をバッファするバッファ部と、前記サンプルホールド部が前記信号を保持した状態で、前記バッファ部によってバッファされた信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部と、前記複数の列信号処理部のうちの一部である、第１の列信号処理部と第２の列信号処理部の各々に含まれる前記容量素子を互いに接続する接続部とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の周波数を有する第１のクロック信号に基づいて、変調された周波数を有する第２のクロック信号を生成する変調回路と、
所定の周期毎に前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号との位相差を所定の範囲内にすると共に、前記所定の周期において前記第２のクロック信号の周波数を変化させるように、前記変調回路を制御する制御回路と、
初期状態において設定された第１の初期値に基づいて前記第１のクロック信号に同期するライトアドレスを生成するライトアドレスカウンターと、
初期状態において設定された第２の初期値に基づいて前記第２のクロック信号に同期するリードアドレスを生成するリードアドレスカウンターと、
前記第１のクロック信号に同期して、前記ライトアドレスによって指定されたセルにデータが書き込まれると共に、前記第２のクロック信号に同期して、前記リードアドレスによって指定されたセルからデータが読み出されるメモリーと、
を具備し、前記ライトアドレスカウンターと前記リードアドレスカウンターとの内の一方が、前記所定の時間毎に、前記ライトアドレスと前記リードアドレスとの間隔が初期状態となるように同期化される、半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記第１又は第２のクロック信号のパルスをカウントすることにより、前記所定の周期毎にアクティブとなるタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路を具備し、
前記制御回路は、前記タイミング信号がアクティブとなる際に前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号との位相差を所定の範囲内にすると共に、前記所定の周期において前記第２のクロック信号の周波数を変化させ、
前記ライトアドレスカウンターは、前記第１の初期値を前記第１のクロック信号に同期してインクリメントすることにより得られる第１のカウント値に基づいて、ライトアドレスを生成し、
前記リードアドレスカウンターは、前記第２の初期値を前記第２のクロック信号に同期してインクリメントすることにより得られる第２のカウント値に基づいて、リードアドレスを生成し、
前記ライトアドレスカウンターと前記リードアドレスカウンターとの内の一方は、前記タイミング信号によって同期化される、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記ライトアドレスカウンターが、前記所定の周期毎に同期化されたときに、前記リードアドレスの値に基づいて前記第１のカウント値を設定し、その後、前記第１のカウント値を前記第１のクロック信号に同期してインクリメントすることにより、ライトアドレスを生成する、請求項１または２記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記リードアドレスカウンターが、前記所定の周期毎に同期化されたときに、前記ライトアドレスの値に基づいて前記第２のカウント値を設定し、その後、前記第２のカウント値を前記第２のクロック信号に同期してインクリメントすることにより、リードアドレスを生成する、請求項１または２記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記変調回路が、
前記第１のクロック信号に基づいて、複数の異なる位相を有する多相クロック信号を出力する遅延回路と、
選択信号に従って前記多相クロック信号の内の１つを選択することにより、前記第２のクロック信号を生成する選択回路と、
を含み、前記制御回路が、前記所定の周期毎に前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号との位相差を所定の範囲内にすると共に、前記所定の周期において前記第２のクロック信号の周波数を変化させるように、前記選択信号を生成する、請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記第２のクロック信号の生成が停止したときに内部リセット信号をアクティブにするクロック停止検出回路をさらに具備し、
前記タイミング信号生成回路が、前記内部リセット信号によってリセットされる、
請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体集積回路装置を具備する電子機器。
【請求項８】
一定の周波数を有する第１のクロック信号に基づいて、変調された周波数を有する第２のクロック信号を生成するステップと、
所定の周期毎に前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号との位相差を所定の範囲内にすると共に、前記所定の周期において前記第２のクロック信号の周波数を変化させるステップと、
初期状態において設定された第１の初期値に基づいて前記第１のクロック信号に同期するライトアドレスを生成するステップと、
初期状態において設定された第２の初期値に基づいて前記第２のクロック信号に同期するリードアドレスを生成するステップと、
前記所定の周期毎に、前記ライトアドレスと前記リードアドレスとの間隔が初期状態となるように同期化するステップと、
メモリーにおいて、前記第１のクロック信号に同期して、前記ライトアドレスによって指定されたセルにデータを書き込むと共に、前記第２のクロック信号に同期して、前記リードアドレスによって指定されたセルからデータを読み出すステップと、
を具備するメモリー制御方法。