【手続補正書】
【提出日】平成27年12月29日(2015.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、
該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第１ステップと、
該第１ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第２ステップとを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理し、
前記前段ステップは、
前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、該処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該所定基板を処理するステップと、
該ステップでの処理後に得られる活性種含有処理液を回収するステップと、
回収された前記活性種含有処理液を活性種含有溶液として貯液機構に貯めおくステップとを有し、
該貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液を前記第１ステップにて使用する基板処理方法。
【請求項２】
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収ステップと、
該処理液回収ステップにより回収された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として戻す処理液戻しステップと、
前記基板処理機構において使用される活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、
該判定ステップにより前記活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効でないと判定されたときに、前記基板処理機構にて使用されていた前記活性種含有処理液を新たな活性種含有溶液として新たな処理液と混合し、新たな活性種含有処理液を生成する第３ステップと、
該第３ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第４ステップとを有する請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
基板処理機構において処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理方法であって、
シリコン製基板のエッチング処理の活性化に寄与する前記活性種としての亜硝酸（HNO2）を含む亜硝酸含有溶液を生成する前段ステップと、
該前段ステップにて生成された前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成する第１ステップと、
前記第１ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第２ステップとを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸（HNO2）を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理し、
前記前段ステップは、
前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、該エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸（HNO2）を生じさせつつ当該所定シリコン製基板を処理するステップと、
該ステップでの処理後に得られる活性種含有エッチング処理液を回収するステップと、
回収された前記活性種含有エッチング処理液を亜硝酸含有溶液として貯液機構に貯めおくステップとを有し、
該貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液を前記第１ステップにて使用する基板処理方法。
【請求項４】
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の前記活性種含有エッチング処理液を回収するエッチング処理液回収ステップと、
該エッチング処理液回収ステップにより回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記エッチング処理液として戻すエッチング処理液戻しステップと、
前記基板処理機構において使用される活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理する前記エッチング処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、
該判定ステップにより前記活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理する前記エッチング処理液として有効でないと判定されたときに、前記基板処理機構において使用されていた前記活性種含有エッチング処理液を新たな活性種含有溶液として新たなエッチング処理液と混合し、新たな活性種含有エッチング処理液を生成する第３ステップと、
該第３ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記エッチング処理液として供給する第４ステップとを有する請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記所定シリコン製基板は、表面が粗面化されたシリコン製基板または表面が酸化膜で覆われたシリコン製基板である請求項３または４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する処理液生成機構と、
該処理液生成機構にて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理し、更に、
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
該処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を、活性種含有溶液として前記貯液機構に供給するポンプとを有する基板処理システム。
【請求項７】
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を、前記基板処理機構に供給すべき活性種含有処理液として、前記処理液供給機構に戻す処理液戻し機構と、
前記基板処理機構において使用される活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、
該判定手段により前記活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効でないと判定されたときに、前記処理液供給機構から前記基板処理機構に供給すべきであった前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構とを有し、
前記活性種含有処理液が活性種含有溶液として前記貯液機構に貯めおかれる請求項６記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる前記活性種含有処理液を貯めおく供給タンクを有し、
前記処理液供給機構は、前記供給タンクに貯めおかれた前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する機構を有し、
前記処理液戻し機構は、回収された前記活性種含有処理液を前記供給タンクに戻す機構を有し、
前記移送機構は、前記供給タンクから前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る機構を有する請求項７記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、該処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該所定基板を処理した後の活性種含有処理液を前記処理液回収機構が回収し、前記貯液機構が、前記ポンプにより供給される前記回収された活性種含有処理液を予め前記活性種含有溶液として貯めておく請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１０】
処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理機構と、
シリコン製基板の処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸（HNO2）を含む亜硝酸含有溶液を貯めおきく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成する処理液生成機構と、
前記処理液生成機構により生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸（HNO2）を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理し、更に、
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を、亜硝酸含有溶液として前記貯液機構に供給するポンプとを有する基板処理システム。
【請求項１１】
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を、前記基板処理機構に供給すべき活性種含有エッチング処理液として、前記処理液供給機構に戻す処理液戻し機構と、
前記基板処理機構において使用される活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、
該判定手段により前記活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液として有効でないと判定されたときに、前記処理液供給機構から前記基板処理機構に供給すべきであった前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構とを有し、
前記活性種含有エッチング処理液が前記亜硝酸含有溶液として前記貯液機構に貯めおかれる請求項１０記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液とを混合してなる前記活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有し、
前記処理液供給機構は、前記供給タンクに貯めおかれた前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する機構を有し、
前記処理液戻し機構は、回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す機構を有し、
前記移送機構は、前記供給タンクから前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る機構を有する請求項１１記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、該エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸（HNO2）を生じさせつつ当該所定シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を前記処理液回収機構が回収し、前記貯液機構が、前記ポンプにより供給される前記回収された活性種含有エッチング処理液を予め前記亜硝酸含有溶液として貯めおく請求項１０乃至１２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記所定シリコン製基板は、表面が粗面化されたシリコン製基板または表面が酸化膜で覆われたシリコン製基板である請求項１３記載の基板処理システム。