【事件の表示】
　特願２０１２−１０４２２６「炭化珪素半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月１４日出願公開、特開２０１３−２３２５５９、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年４月２７日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　３月２９日　審査請求
平成２７年　９月１８日　拒絶理由通知
平成２７年１１月３０日　意見書・補正書
平成２８年　６月１０日　拒絶理由通知
平成２８年　８月１５日　意見書・補正書
平成２８年１１月３０日　拒絶査定（以下、「原査定」という。）
平成２９年　３月　３日　審判請求
平成２９年　６月２８日　拒絶理由通知（以下、「当審拒絶理由通知」という。）
平成２９年　９月　４日　意見書・補正書
第２　本願発明
　本願請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」，「本願発明２」という。）は、平成２９年９月４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１、２記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、２は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　結晶型が４Ｈ−ＳｉＣの炭化珪素基板の第一の主面にエピタキシャル層を成長させる工程と、
　前記炭化珪素基板の前記エピタキシャル層とは反対側の第二の主面に金属膜を形成する工程と、
　前記第二の主面に金属膜を形成する工程の前に、前記第二の主面にイオン種濃度１×１０18ａｔｍｓ／ｃｍ3〜１×１０20ａｔｍｓ／ｃｍ3でイオン注入を行い活性化させる工程と、
　１５００℃〜１８００℃の活性化熱処理を行い、３Ｃ−ＳｉＣと４Ｈ−ＳｉＣの混晶状態を形成させる工程と、を含み、
　前記イオン注入は窒素がドーピングされた前記炭化珪素基板に、リンを加熱を行わずに５００ｎｍまでボックスプロファイルの濃度となるよう３０ｋｅＶ〜３５０ｋｅＶの範囲で全面に注入し、前記炭化珪素基板の前記第二の主面と、当該第二の主面にオーミック電極として形成される前記金属膜の間に、前記炭化珪素基板よりバンドギャップの小さい３Ｃ−ＳｉＣを含む層が熱処理により形成されるオーミック電極形成によってオーミック電極と合金化され、合金化されずに残る３Ｃ−ＳｉＣと４Ｈ−ＳｉＣの混晶状態の層が５０ｎｍ〜２００ｎｍである、
　ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
　前記第二の主面の表面の前記炭化珪素基板中の３Ｃ−ＳｉＣの比率が１０％〜９０％であることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。」
第３　原査定の概要及び原査定についての判断
１　原査定の概要
（サポート要件）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　請求項１、２に係る発明について検討する。
　出願人は意見書において、「今般の補正により、本願発明の請求項１について、「前記第二の主に金属膜を形成する工程の前に、前記第二の主面にイオン注入を行い活性化させる工程と、を含み、前記イオン注入は窒素がドーピングされた前記炭化珪素基板に、リンを加熱を行わずに５００ｎｍまでボックスプロファイルの濃度となるよう３０ｋｅＶ〜３５０ｋｅＶの範囲で全面に注入し、前記炭化珪素基板の前記第二の主面と、当該第二の主面にオーミック電極として形成される前記金属膜の間に、前記炭化珪素基板よりバンドギャップの小さい３Ｃ−ＳｉＣを含む層が熱処理により形成されるオーミック電極形成によってオーミック電極と合金化され、合金化されずに残る３Ｃ−ＳｉＣの層が５０ｎｍ〜２００ｎｍである」構成であることを明確にしました。上記構成によれば、合金化されずに残る３Ｃ−ＳｉＣの層が５０ｎｍ〜２００ｎｍであることが明確となり、かつこの膜厚を得るための各種数値等の条件が明確になったものと存じます。」と主張している。
　以下、出願人の主張について検討する。
　平成２８年６月１０日付け拒絶理由通知書の理由３（サポート要件）で述べたように、本願明細書の段落［００１９］等には、３Ｃ−ＳｉＣの層厚は、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍと記載されている。
　しかしながら、段落［００２７］−［００３７］の第一の実施例には、３Ｃ−ＳｉＣについて、３Ｃ−ＳｉＣが面積比で２０％存在していることが記載されているのみであり、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚について記載も示唆もない。
　すなわち、前記拒絶理由通知書で述べたように、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚が５０ｎｍ〜２００ｎｍの場合に課題を解決できるかどうか、依然として不明である。
　よって、出願人の主張は採用できない。
　請求項２については、旧請求項２と同様であるから、平成２８年６月１０日付け拒絶理由通知書を参照されたい。
　したがって、請求項１、２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、特許法第３６条第６項第１号に適合しないので特許を受けることができない。
２　原査定に対する当審の判断
　原査定においては、請求項１に係る発明の「３Ｃ−ＳｉＣの層厚」について明細書に記載も示唆もされていないことから、特許法第３６条第６項第１号の要件に違反し、特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、発明の詳細な説明の段落【００２５】、【００４１】には、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚が「５０ｎｍ〜２００ｎｍ」であることは記載されており、この記載箇所が（第一の実施例）ではないものの、実施例を包括的に説明している（実施の形態）に記載されており、（第一の実施例）において、特段、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚を変更する事情がない以上、（第一の実施例）においても、同様の膜厚であると解するのが妥当である。
　とすれば、請求項１、２に係る発明に対する発明について本願明細書の記載は十分な説明がなされているので、特許法第３６条第６項第１号のサポート要件は満たしている。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第４　当審拒絶理由について
　当審では、明細書について、以下の点で当業者が十分な実施可能な程度の開示がなされていないことから、特許法第３６条第４項１号の拒絶理由がなされた。
（１）低温処理を目的とする発明において高温熱処理を加えている点。
（２）合金化されずに残る炭化珪素側の３Ｃ−ＳｉＣの層の厚さの測定方法に関する記載が無い点。
　以下、各点について検討する。
（１）について
　平成２９年９月４日付けの意見書において、請求項１に係る発明は、「第二の主面に金属膜を形成する工程の前に、前記第二の主面にイオン種濃度１×１０18ａｔｍｓ／ｃｍ3〜１×１０20ａｔｍｓ／ｃｍ3でイオン注入を行い活性化させる工程と、１５００℃〜１８００℃の活性化熱処理を行い、３Ｃ−ＳｉＣと４Ｈ−ＳｉＣの混晶状態を形成させる工程」と２つの工程が存在する点について説明がなされた。この説明から、高温による熱処理が行われる工程は、イオン注入とは異なる「３Ｃ−ＳｉＣと４Ｈ−ＳｉＣの混晶状態を形成させる工程」であり、本願発明は、これまで高温処理であることが通常であった「イオン注入を行う工程」を低温処理で行うという本願の特徴について、当業者が十分な実施可能な程度の開示がなされた。
　（２）について
　平成２９年９月４日付けの意見書において、参考文献１（「ＩＮＶＥＳＴＩＧＡＴＩＯＮ　ＯＦ　４Ｈ　ＡＮＤ　６Ｈ−ＳｉＣ　ＴＨＩＮ　ＦＩＬＭＳ　ＡＮＤ　ＳＣＨＯＴＴＫＹ　ＤＩＯＤＥＳ　ＵＳＩＮＧ　ＤＥＰＴＨ−ＤＥＰＥＮＤＥＮＴ　ＣＡＴＨＯＤＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ　ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ」、Ｔｈｅ　Ｏｈｉｏ　Ｓｔａｔｅ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　２００６）の表紙、および７３頁、７４頁を示し、４Ｈ−ＳｉＣ中の３Ｃ−ＳｉＣの断面状態をＴＥＭで評価できることを示した。同文献の、７３頁、７４頁の「ＦＩＧ．１９（ａ），（ｂ）」には、層状になっている４Ｈ−ＳｉＣ中の３Ｃ−ＳｉＣの断面状態を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で評価しており、２μｍの厚さと２μｍの厚さの中で３Ｃ−ＳｉＣと４Ｈ−ＳｉＣの複数の層が示されており、ＴＥＭにより３Ｃ−ＳｉＣと４Ｈ−ＳｉＣの混晶状態について、当業者が十分に実施可能な程度の開示がなされた。
　したがって、本願明細書の内容について意見書により説明がなされた結果、当審の拒絶の理由は解消した。
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明１、２は、原査定及び当審の理由によっては、拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。