(57)【要約】  本発明は、それぞれが少なくとも１つの回路を有する複数のチップを製作する方法に関する。この方法は、以降の連続するステップ、即ち、基板と一体化された半導体材料層上にチップを製作することと、チップを有する前記層を基板から支持体に移転させることと、所定の切断パターンに従って前記層を切り離すことによって個々のチップを形成することと、を備える。本発明は、この方法がさらに、層を支持体上に移転させることの前に、支持体上に、切断パターンに一致する弱化パターンを形成することも含むことを特徴とする。本発明は、関連する支持体を製作する方法と前記支持体にも関する。
2007535158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各チップが少なくとも１つの回路を有する複数のチップを製作する方法であって、
基板と一体化された半導体材料層上に諸チップを製作するステップと、
前記諸チップを有する前記層を前記基板から支持体へ移転させるステップと、
所定の切断パターンに従って前記層を切断することにより個々の諸チップを形成するステップと、を連続して備え、
前記層を前記支持体に移転させることの前に、前記支持体に、前記切断パターンに一致する弱化パターンを形成することをも備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記弱化パターンが、前記諸チップを受け取ることを意図された支持体領域を所望の相互関係に従って画定するように前記支持体に配設されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記弱化パターンが、前記それぞれの諸チップを個々に受け取ることを意図された支持体領域を画定するように、前記支持体に配設されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記弱化パターンを形成することが、前記支持体の厚さの中に線のネットワークをエッチングすることを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチングが化学的エッチングであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチングが機械的エッチングであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチングが、前記支持体の前記厚さの中を部分的にスクライブすることであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチングが、前記支持体の異方性エッチングであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記異方性エッチングが、前記支持体に鋭い断面をもたらすことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記支持体が、その両面のうち一方の面にだけ弱化パターンを含むことを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記弱化パターンを含む前記支持体の前記面が、前記移転される層に面する側に配設されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記弱化パターンを含む前記支持体の前記面が、前記移転される層から見て外方に向く側に配設されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記層の切断中に、前記支持体も前記弱化パターンに従って切断されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記諸チップを有する前記層を移転させることの前に、個々のタイル間の境界が前記弱化パターンに一致する状態で個々のタイルを組み立てることによって、前記支持体を形成することを備えることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記タイルが、前記個々のタイルの間に配設される接着剤を使用して組み立てられ、前記接着剤が前記タイル間の一時的な接合を確保することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記支持体が、プラスチック、ガラス、ポリマー、または金属から形成されることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記層が、前記諸チップを含む前記層を前記弱化パターンに従って破断させることによって切断されることを特徴とする、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記破断中に、前記諸チップを含む前記層だけが分断され、前記支持体が単一のまとまった要素として残ることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記諸チップを含む前記層を切断することに関連して、前記タイル間の前記一時的な接合が解かれることを特徴とする、請求項１５との組み合わせにおける請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記一時的な接合が、前記タイル間に配設された前記接着剤を溶解することによって解かれることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記接着剤が可逆性接着剤、ワックス、またはポリマーであることを特徴とする、請求項１９または２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記破断中に、前記支持体と前記チップを含む前記層とが同時に分断されることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数のチップのうちの前記諸チップが同時に製作されることを特徴とする、請求項１から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記層の前記基板から支持体への前記移転が、スマートカット（Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標））タイプの方法を使用して実行されることを特徴とする、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記層の前記基板から支持体への前記移転が、ＢＳＯＩ（登録商標）またはＢＥＳＯＩ（登録商標）タイプの方法を使用して実行されることを特徴とする、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記支持体が、複数の個々のタイルを備え、前記タイル間の前記境界が、前記弱化パターンに一致することを特徴とする、請求項１から２５に記載の諸チップを製作する方法を実行するための支持体の製作方法。
【請求項２７】
前記弱化パターンが、支持体を選択的にアタックして少なくとも１つの面で前記支持体の前記厚さの中にトレンチのネットワークを製作することによって形成されることを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記弱化パターンが、前記タイル間に一時的な接合をもたらす接着剤を配設することによって製作され、前記接合が前記層の切断中に解かれることを意図されたものであることを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記支持体が、それぞれが個々のタイルに対応する、平行に配設されたバーまたはワイヤを、接着剤を使用して組み立てて、前記組み立てられたバーまたはワイヤを、前記バーまたはワイヤの長手方向に実質的に垂直な平面内で切断することによって製作されることを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記バーまたはワイヤの断面が、前記諸チップの輪郭に実質的に一致することを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記タイルの材料が、光学的に透明であることを特徴とする、請求項２６から３０のいずれか一項に記載の方法によって得られる支持体。
【請求項３２】
前記タイルの前記材料が、電気絶縁性であることを特徴とする、請求項２６から３０のいずれか一項に記載の方法によって得られる支持体。
【請求項３３】
前記タイルの前記材料が導電性であることを特徴とする、請求項２６から３０のいずれか一項に記載の方法によって得られる支持体。
【請求項３４】
前記タイルの前記材料が熱伝導性であることを特徴とする、請求項２６から３０のいずれか一項に記載の方法によって得られる支持体。
【請求項３５】
前記タイル材料の前記熱伝導率が、１５０Ｗ／ｍ・℃よりも大きいことを特徴とする、請求項３４に記載の支持体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、シリコンなどの半導体材料の薄い層上の電子、オプトロニック、および／またはオプトエレクトロニク・タイプの回路の製作に関する。
【０００２】
より正確には、第１の側面では、本発明は、各チップが少なくとも１つの回路を有する、複数のチップを製作する方法に関する。
【０００３】
第２の側面では、本発明は、前記チップ製作方法が実施されることを可能にする、支持体を製作する方法にも関する。
【背景技術】
【０００４】
一般に、「切断」という用語は、個々のチップを互いに分離させることにおける作業を意味する。
【０００５】
「チップ」という用語は、１つまたは複数の回路を有するモジュールを意味する。
【０００６】
「回路」という用語は、いかなるタイプの超小型、オプトエレクトロニック、オプトロニック、および／またはオプトエレクトロニック回路をも意味する。
【０００７】
ここでは、「層」という用語は、好ましくは、厚さが例えば０．１マイクロメートル（μｍ）〜１０μｍ程度でよい、薄い層を意味する。
【０００８】
最後に、このようにして製作される回路は一般に、薄い層上に複数の同一の回路を形成する反復方式で製作され、その方式により、複数の同一のチップが一致する方式で形成されることが可能になる。
【０００９】
一般に、チップを製作する方法はこれまでに知られている。
【００１０】
既知の方法の第１のタイプは、半導体材料（例えば、シリコンまたはＩＩＩ−Ｖ族材料）の分厚い基板の表面部分に直接、チップを製作することにあることが思い出されよう。
【００１１】
チップが形成された後、チップを互いに分離させるために、基板がその全体の厚さを貫いて切断される。
【００１２】
切断は、基板をスクライブすることによって実施される。
【００１３】
スクライブする際、一般に、けがき線がまずスクライブされ、その後基板はスクライブされた線に沿って分断される。
【００１４】
こうしたタイプの方法に伴う１つの制限は、チップが薄い基板上に製作され得ないことである。
【００１５】
チップが形成される分厚い基板は、比較的厚く（少なくとも１００μｍ程度、例えば直径２００ミリメートル（ｍｍ）の基板の場合、７２５μｍ）、そうした厚さは、いくつかの用途には厚すぎてしまうことがある。
【００１６】
分厚い基板が適切でない、そうした用途の非限定的な例は次のとおりである。
【００１７】
発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むチップの製作。このチップが上に形成される基板が厚すぎると、例えば基板が光の一部を吸収する際に、回路の光学的挙動に影響を及ぼす恐れがあるためである。
【００１８】
ある程度の機械的可撓性を有することが必要とされるチップの、硬くてもろい材料である単結晶シリコン・タイプの基板からの製作。したがって、必要とされる可撓性をこのチップに与えるには、基板は、使用される分厚い基板よりも薄くなければならない。
【００１９】
明らかに、上述されたタイプの分厚い基板の背面を、チップが上に形成される表面層の方へと薄くすることが可能である（基板の背面は、ここでは、チップを有する面である基板の「前面」とは反対の面として定義される）。
【００２０】
例として、前記薄化は、基板の背面の化学的エッチングによって、または前記背面を機械的にアタックすることによって実施されることができる。
【００２１】
しかし、許容可能な機械的強度を保持するため、基板はある程度（５０μｍ程度）の厚さを保持しなければならないので、基板の薄化は必然的に制限される。
【００２２】
さらに、チップが薄い層を使用して形成されることが必要な、上述されたものなどの用途は、前記薄化の後も、アクセスすることが依然として難しい。
【００２３】
したがって、前記第１のタイプの既知の方法に関連する制限があることが分かる。
【００２４】
チップをスクライブすることには、問題（スクライブされた基板のはく離）が付随する恐れがあり、それがそうしたタイプの方法へさらなる制限をもたらすことにも留意されたい。
【００２５】
基板上にチップを製作する第２のタイプの方法も既知である。
【００２６】
この第２のタイプの方法では、以降のステップが実施される。
【００２７】
基板と一体化された半導体材料層上にチップを製作すること。
【００２８】
チップを有する前記層を基板から支持体へ移転させること。
【００２９】
所定の切断パターンに従って前記層を切断することによって、個々のチップを形成すること。
【００３０】
「移転」という用語は、本説明では、ドナー・ウエーハ（「トップ」と呼ぶことができる）とレシーバ・ウエーハ（ｒｅｃｅｉｖｅｒ  ｗａｆｅｒ）（「ベース」と呼ぶことができる）との間の接合と、接合後のトップ・ウエーハからの余分な材料の除去と、を示唆する作業として解釈されものであると規定される。
【００３１】
より正確には、「移転」を定義するために参照されるこの「接合」は、極めて粗さの少ない（一般に数オングストロームまたは、数十オングストローム程度の）、２つの表面間の分子付着に基づく接合である。
【００３２】
スマートカット（Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（商標））法は、移転方法の一例である。
【００３３】
「所定のパターン」という用語が、所望の切断線を画定するように製作されたパターンを意味することも、言及しておくべきである。
【００３４】
したがって、チップが半導体材料層内に形成されてから、前記層が受取側の支持体へ移転される。
【００３５】
半導体材料層は、「薄い」、すなわち０．１μｍ〜１０μｍ程度の厚さの層とすることができる。
【００３６】
所定のパターンは一般に、正方形または長方形の区画のグリッドに一致し、このグリッドの線がチップの境界を画定する。
【００３７】
切断は一般に、薄い層を、また任意選択でそれと同時に、その層が一体化された支持体もスクライブすることによって実施される。
【００３８】
この薄い層は、それ自体は既知のどんなタイプの技術を使用して支持体へ移転されてもよい。
【００３９】
特に前記移転は、支持体に移転されるべき薄い層と、この薄い層が始めに一体化されている基板との間に設けられた弱いゾーンを割ることによってなされ得ることが知られている。
【００４０】
この弱いゾーンは、上述のようにチップを製作する前に形成されてもよく、後でもよい。
【００４１】
チップ製作におけるいくつかのステップだけが、弱いゾーンを形成する前に実施され、チップを製作するための他のステップが、弱いゾーンを形成した後に実施されることも可能である。
【００４２】
この弱いゾーンは、スマートカット（Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標））技術の場合と同様に、例えば、１つまたは複数の原子種および／またはイオン種を注入することによって製作されることができる。
【００４３】
この弱いゾーンは、弱いゾーンを画定する共通の境界面をもたらす２つの層（これらは広く「分離可能」基板と呼ばれる）の間の接合エネルギーを制御することによって得られることもでき、その場合には、層は、弱化された境界面の高さのところに応力（特に機械的な、かつ／または熱の）を印加することによって移転されることができる。
【００４４】
例えば、すなわち弱いゾーンは、基板の２つの層の間に多孔質のゾーンを製作することによって、またはその２つの層の間に可逆的接合をもたらすことによって形成されることができる。他の方法が想定されてもよい。
【００４５】
厚い基板を支持体上に移転させ、次いで移転された基板を、その背面で薄くする（ＢＳＯＩ（登録商標）またはＢＥＳＯＩ（登録商標）タイプの技術）ことも知られているということも言及しておくべきである。これにより、支持体上に移転された薄い層がもたらされる。
【００４６】
薄い層とその層の回路とを支持体へ移転させた後、この層は切断されて、個々のチップが形成される。
【００４７】
こうしたタイプの既知の方法では、厚さが大幅に低減された層上にチップを製作することができる。
【００４８】
この方法では、チップが中に製作された基板の材料（薄い層の材料）とは異なる材料で、所望の性質と特定の特性とを有することができる材料製の支持体上に、チップが形成されることを可能にすることもできる。
【００４９】
しかし、スクライブに関する上述の欠点（特にはく離）は残る。
【００５０】
前記欠点は、厚さが薄い層をスクライブする際に、より顕著である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００５１】
本発明は、上述の第２のタイプの方法を完全なものにすることを目的とし、特にスクライブに関連する欠点を克服することを目的とする。
【００５２】
本発明の全体的な目的は、上述の既知の方法を改善することである。この点において、本発明は特定の利点を享受することが示される。
【課題を解決するための手段】
【００５３】
これらの目的を達成するために、第１の側面では、本発明は、各チップが少なくとも１つの回路を有する複数のチップを製作する方法であって、
基板と一体化された半導体材料層上に諸チップを製作するステップと、
前記諸チップを有する前記層を前記基板から支持体へ移転させるステップと、
所定の切断パターンに従って前記層を切断することにより個々の諸チップを形成するステップと、を連続して備え、
前記層を前記支持体に移転させることの前に、前記支持体に、前記切断パターンに一致する弱化パターンを形成することをも備えることを特徴とする方法を提供する。
【００５４】
この方法の非限定的ではあるが好ましい諸側面は、次のとおりである。
【００５５】
前記弱化パターンが、前記諸チップを受け取ることを意図された支持体領域を所望の相互関係に従って画定するように、前記支持体に配設される。
【００５６】
前記弱化パターンが、それぞれの諸チップを個々に受け取ることを意図された支持体領域を画定するように、前記支持体に配設される。
【００５７】
弱化パターンを形成することが、前記支持体の厚さの中にトレンチのネットワークをエッチングすることを含む。
【００５８】
エッチングが化学的エッチングである。
【００５９】
エッチングが機械的エッチングである。
【００６０】
エッチングが前記支持体の厚さの中を部分的にスクライブすることによるものである。
【００６１】
エッチングが前記支持体の異方性エッチングである。
【００６２】
前記異方性エッチングが、前記支持体に鋭い断面をもたらす。
【００６３】
前記支持体が、その両面のうち一方の面にだけ弱化パターンを含む。
【００６４】
弱化パターンを含む支持体面が、移転される層の側に配設される。
【００６５】
前記弱化パターンを含む前記支持体の前記面が、前記移転される層から見て外方に向く側に配設される。
【００６６】
層の切断中に、前記支持体も前記弱化パターンに従って切断される。
【００６７】
この方法は、諸チップを有する前記層を移転させることの前に、個々のタイルの間の境界が前記弱化パターンに一致する状態で個々のタイルを組み立てることによって、前記支持体を形成することを含む。
【００６８】
これらのタイルは、個々のタイルの間に配設される接着剤を使用して組み立てられ、この接着剤がこれらのタイル間の一時的な接合を確保する。
【００６９】
前記支持体はプラスチック、ガラス、ポリマー、または金属から形成される。
【００７０】
前記層は、諸チップを含む前記層を弱化パターンに従って破断させることによって切断される。
【００７１】
前記破断中に、諸チップを含む前記層だけが分断され、前記支持体は単一のまとまった要素として残る。
【００７２】
諸チップを含む層を切断することに関連して、これらのタイル間の前記一時的な接合が解かれる。
【００７３】
前記一時的な接合は、これらのタイル間に配設された前記接着剤を溶解することによって解かれる。
【００７４】
前記接着剤は、可逆性接着剤、ワックス、またはポリマーである。
【００７５】
前記破断中に、支持体と諸チップを含む前記層とが、同時に分断される。
【００７６】
前記複数のチップのうちの前記諸チップが、同時に製作される。
【００７７】
前記層の基板から支持体への前記移転は、スマートカット（Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標））タイプの方法を使用して実行される。
【００７８】
前記層の基板から支持体への前記移転は、ＢＳＯＩ（登録商標）またはＢＥＳＯＩ（登録商標）タイプの方法を使用して実行される。
【００７９】
第２の側面では、本発明は、チップを製作する上述したタイプの方法を実行するための支持体を製作する方法であって、この支持体が複数の個々のタイルを含み、それらのタイル間の境界が前記弱化パターンに一致することを特徴とする方法も提案する。
【００８０】
この方法の非限定的ではあるが好ましい諸側面は、次のとおりである。
【００８１】
前記弱化パターンが、支持体を選択的にアタックして少なくとも１つの面で前記支持体の前記厚さの中にトレンチのネットワークを製作することによって形成される
前記弱化パターンが、前記タイル間に一時的な接合をもたらす接着剤を配設することによって製作され、前記接合は層の切断中に解かれることを意図されたものである。
【００８２】
前記支持体は、それぞれが個々のタイルに対応する、平行に配設されたバーまたはワイヤを、接着剤を使用して組み立てて、前記組み立てられたバーまたはワイヤを、前記バーまたはワイヤの長手方向に実質的に垂直な平面内で切断することによって製作される。
【００８３】
前記バーまたはワイヤの断面は、チップの輪郭に実質的に一致する。
【００８４】
最後に、この第２の側面によれば、本発明は、支持体の光学的透明性、導電性、および／または熱伝導性の特性を得るために選択された材料で製作される支持体も含む。
【００８５】
この支持体の、好ましく非限定の側面は次のとおりである。
【００８６】
前記タイルの前記材料が光学的に透明である。
【００８７】
前記タイルの前記材料が電気絶縁性である。
【００８８】
前記タイルの前記材料が導電性である。
【００８９】
前記タイルの前記材料が熱伝導性である。
【００９０】
前記タイル材料の前記熱伝導率が、１５０ワット／メートル℃（Ｗ／ｍ・℃）より大きい。
【００９１】
本発明の他の側面、目的、利点は、添付の図面を参照して行われる以降の説明から、より明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９２】
これらの添付図は、概略的に表したものであり、図面上の様々な要素（特に、層の厚さ、チップの数および間隔などについて）は原寸に比例しない。
【００９３】
図１は、本発明の文脈で使用されることのできる、支持体１０の上面図である。
【００９４】
支持体１０は、この支持体に移転されるべき、予め形成されたチップを有する層の表面に相当する表面を覆う。
【００９５】
支持体１０は、シリコンなどの半導体材料から製作される。
【００９６】
支持体１０を他の何らかの材料、例えばガラス、プラスチック、または所望の特性を有するポリマー、あるいは金属から製作することも可能である。
【００９７】
支持体の表面は、領域１１０を画定する複数の線１００を有することに留意されたい。
【００９８】
これらの線１００とこれらの領域１１０とは、支持体の同じ面（弱化された面と呼ばれる）上に配置される。
【００９９】
一変形形態では、支持体の両面上に、領域１１０を画定する線１００と同じタイプの線を設けることが可能である。この場合、支持体の両面が「弱化」される。この実現性については以下にさらに説明される。
【０１００】
線１００は、以下に説明されるように、支持体の弱い線、および／またはチップの切断を案内するための弱い線に一致する。
【０１０１】
いずれにしても、線１００は弱化パターンを形成し、このパターンの役割は以下で説明される。
【０１０２】
より正確には、各領域１１０は、支持体上に移転されるべき半導体材料層の１つまたは複数のチップと一致するように画定される。
【０１０３】
さらに、弱化パターンは、支持体に移転されるべき層内の前記チップ用の切断パターンに一致する。
【０１０４】
線１００は、支持体１０上で、支持体の厚さの中にトレンチのネットワークをエッチングすることによって形成されることができる。
【０１０５】
前記エッチングは特に、適切なマスクを使用して、支持体の線１００に一致する部分だけを露出させたままにすることによって実施される、化学的エッチングとされることができる。
【０１０６】
線１００が製作されることを可能にする支持体は、機械的なタイプのエッチングによってエッチングされてもよい。
【０１０７】
トレンチは、所望の切断パターンに従って、支持体の厚さの中を部分的にスクライブすることによって得られてもよい。
【０１０８】
支持体の弱化された面は、チップが上に予め形成された移転される層と接触するための支持体面になることができることに留意されたい。
【０１０９】
一変形形態では、支持体の弱化された面が、移転される層を受け取るための支持体の面とは反対の面になることも可能である。
【０１１０】
上述のように、支持体の両面が弱化パターンに関連付けられることを確実にすることも可能である。この場合、これらの２つのパターンは、異なる寸法を有する領域１１０を画定するのに異なってもよく、かつ／または支持体の表面上に別々に位置決めされてもよい。
【０１１１】
先に述べたように、弱い線１００は、トレンチでよい。
【０１１２】
それとは対照的に、これらの線は、支持体１０の表面から突出した断面から構成されてもよい。
【０１１３】
これらの線は、支持体の異方性エッチング（一定の結晶方向に促進されるアタックのため、一般にＶ字型の断面のトレンチを製作することのできるエッチング）によって形成されることができる。
【０１１４】
支持体は、領域１１０に一致する異なる個々の要素から形成されてもよい。
【０１１５】
図２ａは、個々の領域１１０が、支持体を構成する上述されたものなどの材料のタイルである支持体１０の、弱化された表面の一部を示す。
【０１１６】
タイル１１０は、線１００を構成する接着剤によって互いに接続される。
【０１１７】
接着剤は、例えば、可逆性接着剤、ワックス、ポリマー、または溶解されることのできるどんな接着剤でもよい。
【０１１８】
図２ｂは、図２ａに示される支持体の一実施形態を示す。
【０１１９】
この図では、それらの位置決めが領域１１０の所望の位置決めに一致するように互いに平行に配設されている複数のバーまたはワイヤ１１１が示されている。
【０１２０】
各バーまたはワイヤ１１１の断面が、対応する領域１１０に所望の輪郭に一致する（ここに示されているものの場合、バーは正方形の断面である）。
【０１２１】
バーまたはワイヤ１１１がこのようにして位置決めされた後、それらを互いに一体化させるために、それらの間に接着剤が導入される。
【０１２２】
次いで、得られた組立体は、バーの軸に対して横方向の切断方向に切断される。
【０１２３】
これにより、複数の「ウエーハ」がもたらされ、その各々が図１に概略的に示されたタイプの支持体に一致する。
【０１２４】
本発明を実施する方式が、図３ａ〜図３ｃを参照して以下に説明される。
【０１２５】
図３ａは、複数のチップ２００の回路がその表面領域内に形成された基板２０を示す。前記回路は、これより前のチップ形成ステップ中に、同時に形成される。
【０１２６】
チップは、基板２０の表面上に、先に述べたように、基板２０から得られた層を受け取るための支持体の領域１１０の配列に一致する所望の配列で配設される。
【０１２７】
基板２０から得られた層は、次いで支持体上に移転される。
【０１２８】
この層は、本説明の意味において、「薄い」、すなわち０．１μｍ〜１０μｍ程度の厚さの層となることができる。
【０１２９】
基板２０は、例えばシリコンから製作されることができる。
【０１３０】
基板上にチップが形成された後、次いで前記基板が、基板２０のチップ２００に相互に関係付けるようにその領域１１０が配設された支持体１０上に組み立てられる。
【０１３１】
「組立て」の達成は、基板２０と支持体１０との間の密接な接触によってもたらされ、それにより前記２つの要素の間の機械的接合が確保される。
【０１３２】
組立体は、特に接着接合によって製作されることもできる。
【０１３３】
支持体の接触面および／または基板の接触面は、前記組立ての前にきれいにされることができる。
【０１３４】
好ましい一実装形態では、支持体の各領域１１０は、基板２０のチップ２００に個々に一致する。この場合、各チップは、組立て中に支持体の領域１１０に面する。
【０１３５】
支持体の領域１１０と基板２０のチップまたはチップ群との間に、任意の所望のタイプの相互関係を設けることも可能である（いくつかのチップ群をいくつかの領域に割り当てることなど）。
【０１３６】
基板２０が支持体１０と組み立てられている間、支持体１０と接触させられる基板２０の面が、チップ２００を有する面である。
【０１３７】
支持体１０の弱化された面が基板２０に面することも、基板２０とは反対に向けられることもできることを思い出されたい。
【０１３８】
こうして、図３ｂに示すような中間構造体が形成される（図では、支持体１０はハッチ線で示されている）。
【０１３９】
この図は、支持体の弱化された面の線１００も概略的に示す（線１００は、この場合、チップ２００に個々に対応する領域を画定している）。
【０１４０】
図３ｃから分かるように、次いで基板２０の材料が除去され、それにより支持体１０と接触している所望の厚さの層２１だけが保持される。
【０１４１】
例として、この厚さは、０．１μｍ〜数μｍ程度になることができる。
【０１４２】
層２１は、その厚さの中にチップ２００を含む。
【０１４３】
材料は、基板２０の背面をアタックすることによって除去されることができる。
【０１４４】
前記アタックは、化学的な、かつ／または機械的なアタックでよい。
【０１４５】
前記材料の除去は、基板の厚さの中に予め形成された弱いゾーンのところで基板２０を分離することによって実施することも可能である。
【０１４６】
この場合、弱いゾーンは、支持体１０と基板２０とを一緒に組み立てる前に形成されていることが好ましい。
【０１４７】
この弱いゾーンは特に、基板の厚さの中に１つまたは複数の原子種および／またはイオン種を注入することによって形成されることができる。本発明のこの実装形態では、スマートカット（Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標））タイプの方法が使用される。
【０１４８】
材料の除去を伴う他のどんなタイプの移転が想定されてもよい（例えば、基板２０の多孔質の領域によってもたらされる弱いゾーンを有する分離可能なタイプの基板２０の形成、あるいは基板２０の２つの層の間の接合エネルギーを制御することによるもの、あるいはＢＳＯＩ（登録商標）またはＢＥＳＯＩ（登録商標）タイプの移転技術を使用することによるもの）。
【０１４９】
本発明の一変形形態では、基板２０と支持体１０とを（例えば接合することによって）一緒に組み立てる前に、支持体１０と接触させられる基板２０の表面がマーキングされる。
【０１５０】
前記「マーキング」は、所定の切断パターンに（部分的にまたは完全に）一致するパターンを使用して、基板２０の表面をアタックすることに相当する。
【０１５１】
マーキングは、基板表面を非常に薄くスクライブすることによって実施されることができる。前記スクライブは、極めて浅く、非常に薄いけがき線を製作することによって、基板表面の連続性を分断するためのものにすぎない。
【０１５２】
前記マーキングはさらに、後段の切断中のはく離を防止する。
【０１５３】
マーキングは、切断中にチップが分離されることも可能にし、そのことがチップを保護する一助となる。
【０１５４】
支持体１０とチップ２００とを有する薄い層２１を含む構造体がこのようにして形成されると、次いで前記チップはばらばらに切断される。
【０１５５】
前記切断を実施するために、層２１をスクライブする必要はない。
【０１５６】
本発明では、切断は、層２１を線１００のところで単に破断することによって実現されることができ、それにより領域１１０が分離され（したがって、支持体の領域１１０とチップまたはチップ群とがどのように相互に関係付けられているかによって、様々なチップ２００または様々なチップ群が関連付けられた層２１の対応する領域が分離され）る。
【０１５７】
前記破断は、層２１上と層２１が関連付けられた支持体１０上とに同時に応力をかけることによって実現されることができる。
【０１５８】
一例として、図４に概略的に示されるように、層２１上で、層の表面に垂直な同じ方向に圧縮応力をかけ、支持体の線１００のどちらの側（矢印Ｆ１）にも同じ方向に作用を及ぼすことが可能である。
【０１５９】
この場合、層と支持体とは、前記線１００のところ（矢印Ｆ２）で安定に保たれることができる。
【０１６０】
したがって、曲げ応力が線１００のところでかけられる。
【０１６１】
この応力が、層２１を線１００のところで破断させる。
【０１６２】
層２１自体の表面上で、チップ２００の間に弱い線を形成することも可能である。
【０１６３】
破断中には、
支持体１０の対応する領域は一体化したまま、様々なチップ２００を切断して分離させるために、層２１のみを分断すること、または、
チップを切り離すために層２１だけを分断するのではなく、支持体自体も分断し、したがって様々な領域１１０を分離することが可能である。
【０１６４】
上述の第１の場合には、層２１が破断されている間に、支持体が分断せずに変形することができるように、支持体がある程度の可撓性を有することを確実にすることが有利となり得る。
【０１６５】
特にそうした可撓性は、図２ａと図２ｂとに示されるような異なる支持体領域１１０の間で、接着剤の機械的性質を用いて実現されることができる。この場合、接着剤は、領域１１０を一体化した状態に保ちながら、これらの領域の間である程度の変形を可能にするものが選択される。
【０１６６】
そうした場合には、
所望の相互関係に従って領域１１０に個々に関連付けられた複数のチップを得るために、支持体の領域１１０を第２の段階で分離すること、または、
支持体の一部分に関連付けられていない単体のチップを得るために、支持体からチップを実質的に分離することが可能である。例えば、チップと支持体とのこうした分離は、層２１と支持体１０との間の境界面で、接合を分断することによって実現されることができる（すなわち、接合は可逆的な方式で形成されたものである）。
【０１６７】
上述の第２の場合には、図２ａに示されるように、支持体が異なるタイルによって形成されることも可能である。タイル間の接着剤は、この場合、
破断応力の下で分断される、または、
破断中に（例えば接着剤を溶解することによって）除去されることができる。
【０１６８】
いずれにしても、第２の場合には、接着剤は領域１１０を一時的に接合するにすぎない。
【０１６９】
この方法の最後に、（チップと支持体の領域１１０とがどのように相互に関係付けられているかによって）複数の分離した個々のチップ２００（またはチップ群）が得られる。
【０１７０】
支持体の材料を、支持体が所望の特性を有するように選択することが可能である。
【０１７１】
前記材料が、光学的に透明であることも可能である（例えば、水晶またはガラスの支持体）。
【０１７２】
導電体を材料として選択することも可能であり（すなわち、抵抗率が一般に１オーム・平方センチメートル（Ω・ｃｍ２）未満の材料、例えば銅などの材料が使用されることができる）、またはそれとは対照的に、絶縁体を選択することも可能である（すなわち、一般に１Ω・ｃｍ２より大きい抵抗率を有する、例えばガラスやプラスチックなどの材料が使用されることができる）。
【０１７３】
同じように、材料として熱導体（例えば銅、ダイヤモンドなど）、または絶縁体（例えばガラスまたはプラスチックなど）を選択することも可能である。
【０１７４】
伝導性材料の場合には、熱伝導率がシリコンの伝導率に一致する値である１５０Ｗ／ｍ・℃より大きな材料が一般に使用される。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明の文脈で使用されることができる、支持体を示す概略図である。
【図２ａ】本発明の一実装形態において使用されることができる、支持体の表面を示す部分概略図である。
【図２ｂ】図２ａの支持体などの支持体を製作するための、可能な製作ステップを示す図である。
【図３ａ】本発明の文脈で使用されることができる、１つのステップを示す概略図である。
【図３ｂ】本発明の文脈で使用されることができる、別のステップを示す概略図である。
【図３ｃ】本発明の文脈で使用されることができる、別のステップを示す概略図である。
【図４】チップを有する層と関連付けられた支持体との、１つの弱化パターンの線のところでの破断を示す概略図である。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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