(57)【要約】  通常、ＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ）と呼ばれているような封入された電子パッケージ内における熱放散を改善する方法が開示されている。電子パッケージは、ダイ上に製造された一つまたは複数の音響波コンポーネントを有しており、このダイは、導電性バンプにより分離された非導電性のキャリア上に配設されている。電子パッケージの上部は、ラミネートおよびハーメチックシールレイヤによって覆われている。ラミネートの一部を除去した後に電子パッケージ上に熱伝導性材料のレイヤを形成し、かつ、キャリアを貫通して一つまたは複数の熱伝導性経路を形成することにより、熱放散を改善することが可能である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
封入された電子デバイス内における熱放散を改善する方法において、
前記封入された電子デバイスは、
第１表面および該第１表面と反対側の第２表面を有するキャリアと、
前記キャリアの前記第１表面上に配設された複数の導電性バンプと、
前記キャリアの前記第２表面上に配設された複数の導電性セグメントと、
前記バンプを前記導電性セグメントに電気的に接続するために、前記キャリアの前記第１表面および前記第２表面間に形成された複数の導電性経路と、
前記導電性経路および前記バンプを介して前記導電性セグメントに電気的に接続された状態の前記バンプ上に配設されたダイと、
前記ダイ、および前記キャリアの前記第１表面の少なくとも一部上に形成されたラミネートと、
前記ラミネート、および前記キャリアの前記第１表面の別の部分を覆うハーメチックシールレイヤとを具備しており、
前記方法は、
除去された領域を形成するために、前記ダイ上における前記ラミネートの一部を除去するステップと、
熱伝導性レイヤを通して前記封入された電子デバイスの熱放散を改善するために、前記除去された領域上に前記熱伝導性レイヤを形成するステップとを有することを特徴とする、封入された電子デバイス内における熱放散を改善する方法。
【請求項２】
前記熱伝導性レイヤは、金属性レイヤを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記方法は、さらに、前記キャリアを貫通して少なくとも一つの熱伝導性経路を形成し、前記キャリアの前記第１表面上の前記ハーメチックシールレイヤを前記キャリアの前記第２表面に熱的に接続するステップを有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記熱伝導性レイヤは、さらなるハーメチックシールレイヤを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記熱伝導性レイヤは、前記除去された領域外にも延長され、前記ラミネートの残りの部分の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ダイは、一つまたは複数の音響波デバイスを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記ダイは、一つまたは複数のＦＢＡＲデバイスを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
前記ＦＢＡＲデバイスは、音響ミラーおよび基板を有しており、
前記方法は、さらに、前記音響ミラーと前記基板との間に熱伝導性の誘電体レイヤを形成するステップを有することを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
第１表面および該第１表面と反対側の第２表面を有するキャリアと、
前記キャリアの前記第１表面上に配設された複数の導電性バンプと、
前記キャリアの前記第２表面上に配設された複数の導電性セグメントと、
前記バンプを前記第２表面上の前記導電性セグメントに電気的に接続するために、前記キャリアの前記第１表面および前記第２表面間に形成された複数の導電性経路と、
第１表面および第２表面を具備するダイであって、前記ダイは、前記導電性経路および前記バンプを通して前記ダイの前記第１表面を前記キャリアの前記第２表面上の前記導電性セグメントに電気的に接続している前記バンプ上に配設されており、前記ダイの前記第２表面は、内部領域、および前記内部領域を取り囲む外部領域を有するダイと、
少なくとも、前記ダイの前記第２表面の前記外部領域上、および前記キャリアの前記第１表面の少なくとも一部上に形成されたラミネートと、
前記ラミネート、前記ダイの前記第２表面の前記内部領域、および前記キャリアの前記第１表面の別の部分を覆うハーメチックシールレイヤであって、熱伝導性レイヤを有しているハーメチックシールレイヤとを具備することを特徴とする、封入された電子デバイス。
【請求項１０】
前記ダイの前記第２表面の前記内部領域を覆う前記ハーメチックシールレイヤは、前記ラミネートを覆う前記ハーメチックシールレイヤよりも厚くなっていることを特徴とする請求項９記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記ラミネートは、前記ダイの前記第２表面と前記ハーメチックシールレイヤとの間の前記内部領域上にも形成されており、前記内部領域上に形成された前記ラミネートは、前記ダイの前記第２表面の前記外部領域を覆う前記ラミネートよりも薄くなっていることを特徴とする請求項９記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記熱伝導性レイヤは、金属性レイヤを有することを特徴とする請求項９記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記電子デバイスは、さらに、前記キャリアの前記第１表面上の前記ハーメチックシールレイヤを前記キャリアの前記第２表面に対して熱的に接続するための前記キャリアを貫通した少なくとも一つの熱伝導性経路を具備することを特徴とする請求項９記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記ダイは、一つまたは複数の音響波コンポーネントを有することを特徴とする請求項９記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記ダイは、一つまたは複数のＦＢＡＲコンポーネントを有することを特徴とする請求項９記載の電子デバイス。
【請求項１６】
前記ＦＢＡＲデバイスは、音響ミラーおよび基板を有すると共に、前記音響ミラーと前記基板との間に配設された熱伝導性の誘電体レイヤを有することを特徴とする請求項１５記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記熱伝導性の誘電体レイヤは、窒化アルミニウムレイヤを有することを特徴とする請求項１６記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、封入された電子部品に関するものであり、さらに詳しくは、ＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ：Ｃｈｉｐ−Ｓｉｚｅ  ＳＡＷ  Ｐａｃｋａｇｅ）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、ＢＡＷ（バルク音響波：Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ−Ｗａｖｅ）デバイスは、一般に、電極として機能する２つの導電性レイヤ間に挟持された圧電レイヤを具備している。このデバイスは、高周波（ＲＦ）信号が印加された際に、圧電レイヤ内において機械的な波を生成する。この（ＲＦ信号によって生成された）機械的／音響的な波の波長が圧電レイヤの厚さの約２倍である場合に、基本共振が発生する。ＢＡＷデバイスの共振周波数は、その他の要因によっても左右されるが、共振周波数の決定における主要な要因は、圧電レイヤの厚さである。圧電レイヤの厚さが減少するに伴って共振周波数が増大する。ＢＡＷデバイスは、従来、水晶振動子のシート上に製造されている。一般に、このような製造方法を使用して高共振周波数のデバイスを実現するのは困難である。不活性の基板材料上に薄膜レイヤを形成することによってＢＡＷデバイスを製造すれば、共振周波数を０．５〜１０ＧＨｚのレンジに拡張することが可能である。これらのタイプのＢＡＷデバイスは、一般に、ＦＢＡＲ（薄膜型バルク音響共振器：ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）と呼ばれている。ＦＢＡＲには、主に２つのタイプが存在している（即ち、ＢＡＷ共振器およびＳＣＦ（積層型水晶フィルタ：Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｆｉｌｔｅｒ）である）。これらの２つのタイプのデバイスの違いは、主にその構造にある。ＳＣＦは、通常、２つまたはこれを上回る数の圧電レイヤと、３つまたはこれを上回る数の電極とを具備しており、いくつかの電極がアースに接続されている（接地されている）。ＦＢＡＲは、通常、通過帯域フィルタまたは禁止帯域フィルタ（ｓｔｏｐｂａｎｄ  ｆｉｌｔｅｒ）を製造するために、その組み合わせとして使用されている。一つの直列ＦＢＡＲと一つのシャントＦＢＡＲとの組み合わせは、いわゆる、ラダーフィルタの一つのセクションを構成する。
【０００３】
ラダーフィルタの説明については、例えば、エラ（Ｅｌｌａ）に付与された米国特許第６，０８１，１７１号の明細書を参照されたい。エラの米国特許の明細書に開示されているように、ＦＢＡＲに基づいたデバイスは、一般にパッシベーションレイヤと呼ばれている一つまたは複数の保護レイヤを具備することが可能である。通常のＦＢＡＲに基づいたデバイスが図１に示されている。図１に示されるように、ＦＢＡＲデバイス１は、基板２、底部電極４、圧電レイヤ６、上部電極８、チューニングレイヤ２０、およびパッシベーションレイヤ１０を有している。ＦＢＡＲデバイス１は、さらに、音響ミラー１２を有することが可能である。この音響ミラー１２は、低音響インピーダンスの２つのレイヤ１４および１８間に挟持された高音響インピーダンスレイヤ１６を有している。この音響ミラーは、通常（但し、常にではない）、高いインピーダンスレイヤおよび低いインピーダンスレイヤのペア（偶数個のレイヤ）を有している。いくつかの音響ミラーは、「ＳｉＯ２、Ｗ、ＳｉＯ２、Ｗ」等の順番で配列されたレイヤの２つのペアから構成されている。音響ミラーの代わりに、ＦＢＡＲデバイスは、ＳｉＯ２および犠牲レイヤ（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  ｌａｙｅｒ）の一つまたは複数のメンブレインレイヤ（ｍｅｍｂｒａｎｅ  ｌａｙｅｒ）をさらに有することも可能である。基板２は、シリコン（Ｓｉ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガラス、またはセラミック材料から製造可能である。底部電極４および上部電極８は、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニオビウム（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、またはその他の導電性材料から製造可能である。圧電レイヤ６は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、または、いわゆるジルコン酸チタン酸鉛ランタン族のその他の構成要素から製造可能である。パッシベーションレイヤは、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、またはポリイミドから製造可能である。低音響インピーダンスレイヤ１４および１８は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ポリシリコン、Ａｌ、またはポリマーから製造可能である。高音響インピーダンスレイヤ１６は、Ａｕ、Ｍｏ、またはタングステン（Ｗ）、そして、いくつかのケースにおいては、いくつかのレイヤのペアを製造するためのＡｌＮ等の誘電体から製造可能である。
【０００４】
ＦＢＡＲラダーフィルタは、通常、個々のフィルタの望ましい（または、設計された）中心周波数にほぼ等しい（または、その近傍の）周波数において、直列共振器が直列共振をもたらすように設計されている。同様に、シャント（または、並列）共振器は、直列ＦＢＡＲの共振からわずかにオフセットされた周波数において並列共振をもたらす。直列共振器は、通常、その信号の透過の最大ピークを中心周波数にて有するように設計されている。この結果として、信号は、直列共振器を通して伝送される。これに対して、シャント共振器は、信号がアースに短絡されないように、その信号の透過の最小値を有するように設計されている。ＦＢＡＲは、レイヤのタイプやデバイス内において利用されているその他の材料等のその他の要因に加え、デバイスの製造に使用された圧電材料の圧電係数の関数である所定の値だけ異なる周波数において、並列共振および直列共振をもたらす。具体的には、ＦＢＡＲラダーフィルタは、例えば、共振器の圧電レイヤの形成に使用された材料のタイプやデバイス内の様々なレイヤの厚さ等の関数である帯域幅を有する通過帯域をもたらす。
【０００５】
従来は、フリップチップ技術を使用することにより、封入されたパッケージ内においてＦＢＡＲフィルタを組み立てている。フリップチップとは、ダイをパッケージキャリアに電気的に接続するための一つの方法を意味する用語である。ダイとは、基本的に、図２に示されるように、その上部に製造されたＦＢＡＲフィルタ等の一つまたは複数の能動部品を有する基板のことである。図示のように、ダイ３０は、基板２および２つの能動部品（または、チップ）１を有している。基板は、通常、シリコンウェハの一部である。パッケージキャリアとは、ＬＴＣＣ（低音焼成セラミック：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）またはＨＴＣＣ（高温焼成セラミック：Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）から製造された回路基板のことである。フリップチップパッケージを製造するプロセスにおいては、チップ１がパッケージキャリアと対向するように、ダイは下向きに配置される。ダイとパッケージキャリアとの間の電気的な接点は、ダイおよびパッケージキャリアに接合された複数のワイヤにより実現されており、さらに一般的には、ダイとパッケージキャリアとの間に、導電性の「バンプ（ｂｕｍｐｓ）」が配設されている。
【０００６】
フリップチッププロセスが図３ａ〜図３ｄに示されている。図３ａに示されるように、複数のバンプ５２によって複数のダイ３０が電気的に接続された状態で、当該複数のダイ３０をパッケージキャリア５０上に取り付ける。図３ｂに示されるように、ラミネーション材料のレイヤ４０をパッケージ上に形成することにより、ダイ３０の全体および隣接するダイ間の領域を覆う。ラミネート４０は、通常、「エスパンデックス（登録商標）接着剤無しのポリイミド（Ｅｓｐａｎｄｅｘ（登録商標）  Ａｄｈｅｓｉｖｅｌｅｓｓ  Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）」等のポリイミドから製造されている。ラミネート４０は、チップ１およびダイ３０に対して機械的な保護を提供することが可能であるが、この保護は、密封状態にはなっていない。時間の経過と共に、水蒸気がラミネート４０に浸透し、チップに損傷を与える可能性を有している。したがって、異なる材料を使用し、汚染物質からパッケージを密封するためのハーメチックシールを行う。このために、図３ｃに示されるように、隣接するダイ３０間の領域を覆うラミネート４０の部分を除去し、パッケージキャリア５０のいくつかのセクションを露出させる。図３ｄに示されているように、ラミネート４０およびパッケージキャリア５０の各セクション上に、ハーメチックシールレイヤ４２を形成する。ハーメチックシールレイヤ４２は、通常、銅またはこれに類似したものから製造されている。次いで、図４に示されるように、パッケージキャリアを切断して個別のパッケージ６０が生成されるようにする。
【０００７】
個別のパッケージ６０が図４に示されている。このパッケージは、一般に、ＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ）と呼ばれている。図４に示されるように、パッケージ内のチップ１は、複数のバンプ５２および相互接続ビア５４を介して外部の電気回路７０に電気的に接続されている。電気回路７０は、ＳＭＤ（表面実装型デバイス：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）パッドとも呼ばれており、相互接続ビア５４は、スルー接点（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｃｏｎｔａｃｔｉｎｇ）とも呼ばれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般的な（特に、高電力レベルにおける）ＦＢＡＲフィルタの場合には、フィルタチップ内における内部の熱分布が問題となる可能性がある。不均等な内部熱分布に起因し、ＦＢＡＲフィルタまたはデュープレクサの使用可能な最大電力レベルが制限されるのである。特に、ＦＢＡＲフィルタおよびデュープレクサ（ｄｕｐｌｅｘｅｒ）が封入パッケージ内に配設されている場合には、熱の放散が主要な懸念事項となる。電力に関する耐久性を向上させるために、このようなパッケージ内における熱放散を改善することが有利であり、かつ、望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
封入された電子パッケージ内における熱放散を改善することが本発明の主たる目的である。この場合に、電子パッケージは、ダイ上に製造された一つまたは複数の電子部品を有しており、このダイは、非導電性のキャリア上に配設されている。さらに、ダイは、ダイとキャリアの上部表面との間の複数の導電性バンプと、キャリアの上部表面を下部表面に接続している複数の相互接続ビアとを介して外部回路に電気的に接続されている。電子パッケージ上においては、ダイの背面を覆うラミネートおよびハーメチックシール金属レイヤを使用し、内部の電子部品を封入している。上記目的は、（１）パッケージ上を覆うラミネートの一部を低減させるかまたは除去するステップと、（２）パッケージ上に熱伝導性材料のレイヤを形成するステップであって、この熱伝導性材料は、ハーメチックシールの一部としても使用されているステップと、（３）キャリアを貫通して一つまたは複数の熱経路を形成し、キャリアの上部表面上のハーメチックシールをキャリアの下部表面上の熱伝導性要素に対して熱的に接続するステップとによって達成される。
【００１０】
したがって、本発明の第１の態様は、封入された電子デバイス内における熱放散を改善する方法を提供する。この方法において、封入された電子デバイスは、第１表面および当該第１表面と反対側の第２表面を有するキャリアと、キャリアの第１表面上に配設された複数の導電性バンプと、キャリアの第２表面上に配設された複数の導電性セグメントと、バンプを導電性セグメントに電気的に接続するために、キャリアの第１表面および第２表面間に形成された複数の導電性経路と、導電性経路およびバンプを介して導電性セグメントに電気的に接続された状態のバンプ上に配設されたダイと、当該ダイ、およびキャリアの第１表面の少なくとも一部上に形成されたラミネートと、当該ラミネート、およびキャリアの第１表面の別の部分を覆うハーメチックシールレイヤとを具備している。上記の方法は、除去された領域を形成するために、ダイ上におけるラミネートの一部を除去するステップと、熱伝導性レイヤを通して封入された電子デバイスの熱放散を改善するために、除去された領域上に熱伝導性レイヤを形成するステップとを有している。
【００１１】
本発明に係る方法は、さらに、キャリアを貫通して少なくとも一つの熱伝導性経路を形成し、キャリアの第１表面上のハーメチックシールレイヤをキャリアの第２表面に熱的に接続するステップを有している。
【００１２】
熱伝導性レイヤは、金属性レイヤと、さらなるハーメチックシールレイヤとを有することが可能である。
【００１３】
熱伝導性レイヤを、除去された領域外に延長させることにより、ラミネートの残りの部分の少なくとも一部を覆うことが可能である。
【００１４】
本発明によれば、ダイは、ＦＢＡＲデバイスを含む一つまたは複数の音響波デバイスを有している。このＦＢＡＲデバイスは、音響ミラー、基板、および音響ミラーと基板との間に配設された窒化アルミニウム等の熱伝導性の誘電体レイヤを有することが可能である。
【００１５】
本発明の第２の態様は、封入された電子デバイスを提供する。この電子デバイスは、第１表面および当該第１表面と反対側の第２表面を有するキャリアと、キャリアの第１表面上に配設された複数の導電性バンプと、キャリアの第２表面上に配設された複数の導電性セグメントと、バンプを第２表面上の導電性セグメントに電気的に接続するために、キャリアの第１表面および第２表面間に形成された複数の導電性経路と、第１表面および第２表面を具備するダイであって、このダイは、導電性経路およびバンプを通してダイの第１表面をキャリアの第２表面上の導電性セグメントに電気的に接続しているバンプ上に配設されており、ダイの第２表面は、内部領域、および当該内部領域を取り囲む外部領域を有しているダイと、少なくとも、ダイの第２表面の外部領域上、およびキャリアの第１表面の少なくとも一部上に形成されたラミネートと、当該ラミネート、ダイの第２表面の内部領域、およびキャリアの第１表面の別の部分を覆うハーメチックシールレイヤであって、熱伝導性レイヤを有しているハーメチックシールレイヤとを具備している。
【００１６】
好ましくは、ダイの第２表面の内部領域を覆うハーメチックシールレイヤは、ラミネートを覆うハーメチックシールレイヤよりも厚くなっている。
【００１７】
さらに、ダイの第２表面とハーメチックシールレイヤとの間の内部領域上にラミネートを形成することも可能であり、この場合には、内部領域上に形成されているラミネートは、ダイの第２表面の外部領域を覆うラミネートよりも薄くなっている。
【００１８】
本発明の電子デバイスは、キャリアの第１表面上のハーメチックシールレイヤをキャリアの第２表面に対して熱的に接続するためのキャリアを貫通した少なくとも一つの熱伝導性経路をさらに有することが可能である。
【００１９】
本発明に関しては、図５〜図１０との関連において以下の詳細な説明を参照することにより、明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図４に示されているＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ）等の封入されたパッケージ内においては、封入されたパッケージ内において生成される熱を、ラミネート４０およびハーメチックシールレイヤ４２を通して部分的に放散することが可能であり、かつ、キャリア５０および相互接続ビア５４を通して部分的に放散することが可能である。ラミネート４０は、通常、ポリイミドから製造されている。一般的なＣＳＳＰの場合には、ラミネートは、パッケージ内の電子部品に対して適切な機械的保護を提供するために、約４０μｍの厚さを有している。ハーメチックシールレイヤ４２は、通常、約１０μｍの銅の非常に薄いコーティングである。このハーメチックシールレイヤ自体は、適切な機械的保護を提供するために十分なものではない。また一方で、ラミネートを伴うことなしに、薄い銅のレイヤをパッケージ上に直接形成することにより、ダイ３０とパッケージキャリア５０の上部表面との間のギャップを密封することはできない。ラミネート４０が、ダイ３０からキャリア５０の上部表面への比較的滑らかな遷移を実現している。但し、ラミネート４０は、熱伝導体としての性能が乏しく、このＣＳＳＰ内のレイヤの構造は、熱除去（ｈｅａｔ  ｒｅｍｏｖａｌ）に有効なものにはなっていない。
【００２１】
本発明によれば、パッケージ６０上のラミネート４０の領域を低減させるかまたは除去することにより、熱除去を改善することが可能である。ラミネート４０が部分的に除去されるかまたは低減された後に、パッケージ６０上に、除去された領域４４が生成される。ラミネート４０は、多くの異なる方法で除去することが可能である。例えば、図５に示されるように、レーザー切削機械を使用することにより、個々のパッケージ６０内のラミネートの一部を除去することが可能である。
【００２２】
あるいは、その代わりに、図６ａに示されるように、ハーメチックシールレイヤ４２をラミネート４０上に形成する前に（図３ｃ）、パッケージ間のラミネートの領域と共に、パッケージ６０上のラミネートの一部を除去することも可能である。フリップチップ実装プロセスにおいて、ハーメチックシールレイヤ４２がラミネート４０上に形成されると、ハーメチックシールレイヤ４２の一部が、除去されたセクション（領域）４４を充填することになる。この結果として、ハーメチックシールレイヤ４２は、ダイ３０と直接的な接触状態となるか、あるいは、ラミネート材料の薄いレイヤによってダイ３０から離隔した状態となる。
【００２３】
図６ｂに示されるように、ハーメチックシールレイヤ４２をラミネート４０上に形成した後に、ハーメチックシールレイヤの一部と共に、パッケージ６０上のラミネートの領域を除去することも可能である。
【００２４】
ハーメチックシールレイヤの熱除去の機能を向上させるためには、図７に示されているように、除去されたセクション（領域）４４上に、相対的に厚いハーメチックシールレイヤ４２’を形成することが好ましい。このパッケージ上のハーメチックシールレイヤ４２’の厚さは、例えば、１００μｍであってよい。
【００２５】
また一方で、図８に示されるように、複数の熱ビア８０を形成することにより、パッケージ６０内における熱放散をさらに改善することも可能である。熱ビア８０は、キャリア５０の上部表面上のハーメチックシールレイヤ４２からキャリア５０の下部表面への熱経路を形成している。キャリア５０の下部表面上において、熱経路を、例えばＳＭＤ（表面実装型デバイス）内のアース面（接地面）に接続することが可能である。
【００２６】
ラミネート４０を覆うハーメチックシール部分（ハーメチックシールレイヤ）４２と、ダイ３０上の除去された領域４４を覆うハーメチックシール部分（ハーメチックシールレイヤ）４２’（図５〜図６ｂ、図７、および図８を参照されたい）とを同一の材料から製造することにより、除去された領域４４を生成した後に上記のハーメチックシール部を同時に形成できるようにすることも可能であることに留意されたい（図６ａを参照されたい）。あるいは、その代わりに、ハーメチックシール部分４２とハーメチックシール部分４２’とが異なっていてもよい。また一方で、ハーメチックシール部分４２’が、ハーメチックシール部分４２と重なり合っていてもよく、あるいは、図９に示されるように、パッケージ６０’の全体を覆っていてもよい。また、図１０に示されるように、さらなる熱伝導性レイヤ４３（これは、密封状態にあってもよく、そうでなくてもよい）をハーメチックシール部分４２’上に配設することにより、熱放散をさらに改善することも可能である。また一方で、除去された領域４４では、ラミネート材料の残りが十分に薄くなっており、ラミネート材料が熱障壁として機能しない限り、このラミネート材料を完全に取り除く必要はない。
【００２７】
図１１に示されるように、ＦＢＡＲデバイス内の音響ミラーと基板との間に熱分布レイヤ４５を配設することにより、ＣＳＳＰ内の熱分布をさらに改善することが可能である。レイヤ４５は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や任意の良好な熱伝導性の誘電体から製造可能である。
【００２８】
以上のように、本発明に係る好適な実施例との関連において本発明に関する説明を行ったが、当業者であれば、本発明の形態および詳細に関して以上のようなおよびその他の種々の変更、省略および変形も、本発明の範囲を逸脱することなしに、実施可能であることを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ＦＢＡＲ（薄膜型バルク音響共振器）デバイスの構成を示す概略図である。
【図２】ダイの構成を示す概略図である。
【図３ａ】フリップチップ実装プロセスにおいてキャリア上に取り付けられる複数のダイの構成を示す概略図である。
【図３ｂ】キャリアと当該キャリア上に取り付けられたダイ上に形成されるラミネートの構成を示す概略図である。
【図３ｃ】除去されるラミネートの部分を示す概略図である。
【図３ｄ】ラミネート上に形成されるハーメチックシールレイヤの構成を示す概略図である。
【図４】個別のＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ）の構成を示す概略図である。
【図５】本発明に従って除去されるＣＳＳＰ上のラミネートの構成を示す概略図である。
【図６ａ】フリップチップ実装プロセスにおいて除去されるＣＳＳＰ上のラミネートの構成を示す概略図である。
【図６ｂ】フリップチップ実装プロセスの別のステップにおいて除去されるＣＳＳＰ上のラミネートの構成を示す概略図である。
【図７】本発明に従って熱放散を改善するために変更されたＣＳＳＰ上に形成されたハーメチックシール材料の厚いレイヤを示す概略図である。
【図８】本発明に従ってＣＳＳＰのキャリア内に形成された熱経路を示す概略図である。
【図９】本発明の別の実施例を示す概略図である。
【図１０】熱放散をさらに改善するためにハーメチックシール材料上に配設された熱伝導性レイヤの構成を示す概略図である。
【図１１】本発明に従って音響ミラーと基板との間に配設された熱伝導性の誘電体レイヤを有するＦＢＡＲデバイスの構成を示す概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
2007535230.tif 000007
【図３ｄ】
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【図４】
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【図５】
2007535230.tif 000010
【図６ａ】
2007535230.tif 000011
【図６ｂ】
2007535230.tif 000012
【図７】
2007535230.tif 000013
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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