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【手続補正書】
【提出日】平成28年5月31日(2016.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性絶縁層を有する絶縁電線であって、該絶縁層中に耐熱性粒子を含有し、該耐熱性粒子が上記絶縁層の表面から０.５μmの層厚部分に密集していることを特徴とする耐熱性絶縁電線。
【請求項２】
上記絶縁層の表面から０.５μmの層厚部分に含まれる耐熱性粒子の量が、該絶縁層の中央部分に含まれる耐熱性粒子の量の２倍以上である請求項１に記載する耐熱性絶縁電線。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載する上記絶縁層の形成に用いる電着液であって、樹脂粒子が分散した懸濁液に耐熱性粒子を分散させてなり、粘度１００cP以下であって濁度１mg/L以上であることを特徴とする絶縁層形成用電着液。
【請求項４】
上記樹脂粒子の含有量が１〜３０質量％であって、該樹脂粒子１００質量部に対して上記耐熱性粒子が１〜１００質量部含有されている請求項３に記載する絶縁層形成用電着液。
【請求項５】
上記樹脂粒子の平均粒子径が１μm以下であり、上記耐熱性粒子の平均粒子径が５００nm以下である請求項３または請求項４に記載する絶縁層形成用電着液。
【請求項６】
上記絶縁層の耐軟化温度上昇率が１.２以上の絶縁層を形成する請求項３〜請求項５の何れかに記載する絶縁層形成用電着液。
【請求項７】
上記樹脂粒子がアクリル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、またはポリアミドイミド樹脂である請求項３〜請求項６の何れかに記載する絶縁層形成用電着液。
【請求項８】
上記耐熱性粒子が金属酸化物微粒子またはシリカ微粒子の少なくとも一種である請求項３〜請求項７の何れかに記載する絶縁層形成用電着液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は以下の構成を有する耐熱性絶縁電線とその電着液に関する。
〔１〕耐熱性絶縁層を有する絶縁電線であって、該絶縁層中に耐熱性粒子を含有し、該耐熱性粒子が上記絶縁層の表面から０.５μmの層厚部分に密集していることを特徴とする耐熱性絶縁電線。
〔２〕上記絶縁層の表面から０.５μmの層厚部分に含まれる耐熱性粒子の量が、該絶縁層の中央部分に含まれる耐熱性粒子の量の２倍以上である上記[１]に記載する耐熱性絶縁電線。
〔３〕上記[１]または上記[２]に記載する上記絶縁層の形成に用いる電着液であって、樹脂粒子が分散した懸濁液に耐熱性粒子を分散させてなり、粘度１００cP以下であって濁度１mg/L以上であることを特徴とする絶縁層形成用電着液。
〔４〕上記樹脂粒子の含有量が１〜３０質量％であって、該樹脂粒子１００質量部に対して上記耐熱性粒子が１〜１００質量部含有されている上記[３]に記載する絶縁層形成用電着液。
〔５〕上記樹脂粒子の平均粒子径が１μm以下であり、上記耐熱性粒子の平均粒子径が５００nm以下である上記[３]または上記[４]に記載する絶縁層形成用電着液。
〔６〕上記絶縁層の耐軟化温度上昇率が１.２以上の絶縁層を形成する上記[３]〜上記[５]の何れかに記載する絶縁層形成用電着液。
〔７〕上記樹脂粒子がアクリル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、またはポリアミドイミド樹脂である上記[３]〜上記[６]の何れかに記載する絶縁層形成用電着液。
〔８〕上記耐熱性粒子が金属酸化物微粒子またはシリカ微粒子の少なくとも一種である上記[３]〜上記[７]の何れかに記載する絶縁層形成用電着液。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２リード電極を有する基板と、
前記基板の上部に配置されてキャビティを有するモールド部材と、
前記キャビティの内に配置され、前記第１及び第２リード電極のうち、少なくとも１つの上に配置された発光チップと、
前記第１及び第２リード電極のうちのいずれか１つと前記発光チップとを電気的に連結する連結部材と、
前記キャビティに配置された樹脂部材と、
前記第１及び第２リード電極の間に前記モールド部材と前記樹脂部材と異なる材質を有する間隙部と、
前記モールド部材と前記基板との間に配置された接着フィルムと、を含み、
前記接着フィルムは、前記モールド部材の底面の幅と異なる幅を有し、
前記モールド部材及び前記接着フィルムは、前記第１及び第２リード電極に接触することを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記接着フィルムは、前記モールド部材の下面の幅より狭い幅を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記接着フィルムは前記モールド部材の下面と対応する領域の一部がオープンされたオープン領域を含み、前記接着フィルムのオープン領域には前記モールド部材の突起が配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１及び第２リード電極の内に前記モールド部材の突起と対応する領域に配置された溝を含み、前記突起は前記第１及び第２リード電極の溝に結合されることを特徴とする、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記モールド部材は前記キャビティの底に前記発光チップに隣接した延長部を含むことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記延長部は前記キャビティの底で前記発光チップが配置された第１オープン領域と、前記発光チップと連結された連結部材が配置された第２オープン領域とを含むことを特徴とする、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１及び第２リード電極は、前記モールド部材の下面と対応し、前記第１及び第２リード電極の上面より低く凹なリセス領域を含み、前記接着フィルムは前記リセス領域に配置されることを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記接着フィルムは前記第１及び第２リード電極と前記モールド部材との間に配置され、前記キャビティの底から離隔することを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記モールド部材は前記接着フィルムより外側に配置された外側部を含むことを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記モールド部材は前記接着フィルムと前記キャビティとの間に配置された内側部を含むことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記接着フィルムは前記キャビティの側壁より内側に突出することを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記接着フィルムは前記モールド部材の外側壁より外側に突出することを特徴とする、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記モールド部材は前記樹脂部材の材質と異なる樹脂材質を含むことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記モールド部材はエポキシ系列の樹脂材質を含み、前記樹脂部材はシリコン系列の樹脂材質を含むことを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記接着フィルムは、ＰＭＭＡ（polymethyl methacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphtha late）樹脂のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
複数の結合孔を有する複数のリード電極を含む基板と、
キャビティを有し、前記基板の上部に配置され、前記複数のリード電極の複数の結合孔と
結合されたモールド部材と、
前記キャビティの内に配置され、前記複数のリード電極のうち、少なくとも１つの上に配置された発光チップと、
前記複数のリード電極のうちのいずれか１つと前記発光チップとを電気的に連結する連結部材と、
前記キャビティに配置された樹脂部材と、
前記複数のリード電極の間に前記モールド部材及び前記樹脂部材と異なる材質を有する間隙部と、
前記モールド部材と前記基板との間に配置された接着部材と、を含み、
前記接着フィルムは、前記モールド部材の底面の幅と異なる幅を有し、
前記モールド部材及び前記接着部材は、前記複数のリード電極に接触することを特徴とする、発光素子。
【請求項１７】
前記モールド部材は前記複数の結合孔の一部に結合される複数の突起を含み、前記複数の突起は前記結合孔の深さより低い高さを有することを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記モールド部材の突起は前記複数のリード電極の下面から離隔することを特徴とする、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記複数のリード電極は前記間隙部に対応する領域がリセスされた領域を含むことを特徴とする、請求項１６乃至１８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記接着部材は前記モールド部材と同一な材質であることを特徴とする、請求項１６乃至１９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード素子であって、
周辺領域と、該周辺領域により囲まれる中心領域とを有する基板と、
前記周辺領域に設けられる複数の発光ダイオードユニットと、
を含み、
前記中心領域には発光ダイオードユニットが存在しない、発光ダイオード素子。
【請求項２】
前記複数の発光ダイオードユニットにより囲まれる二つの電極パッドを更に含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項３】
前記基板は透明基板である、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項４】
前記複数の発光ダイオードユニットの各々の間の距離は３５μｍより大きい、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項５】
前記基板と前記複数の発光ダイオードユニットとの間に形成される接着層を更に含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項６】
前記基板は複合基板である、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項７】
前記基板は、第一辺及び第二辺を含み、
前記第二辺は、前記第一辺に接続され、且つ、前記第一辺の方向と異なる方向に延長し、
前記第一辺に沿って設置される発光ダイオードユニットの総数は、前記第二辺に沿って設置される発光ダイオードユニットの総数と同じである、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項８】
前記複数の発光ダイオードユニットのうちの一つは、側辺を有し、前記側辺は、前記基板の前記第一辺又は前記第二辺に平行である、
請求項７に記載の発光ダイオード素子。
【請求項９】
透明基板を更に含み、
複数の発光ダイオードが前記透明基板に設けられ、且つ、前記透明基板は前記基板に結合される、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１０】
前記透明基板と前記基板との間に設けられる接着層を更に含む、
請求項９に記載の発光ダイオード素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オカラ酵素処理物を酵母菌で発酵させてなるオカラ酵素処理発酵物を含有し、前記オカラ酵素処理物がオカラを細胞壁分解酵素で処理してなることを特徴とするダイエット組成物。
【請求項２】
オカラ酵素処理物を酵母菌で発酵させてなるオカラ酵素処理発酵物を含有し、前記オカラ酵素処理物がオカラを細胞壁分解酵素で処理してなることを特徴とする整腸組成物。
【請求項３】
オカラ酵素処理物を酵母菌で発酵させてなるオカラ酵素処理発酵物を含有し、前記オカラ酵素処理物がオカラを細胞壁分解酵素で処理してなることを特徴とする二糖類水解酵素活性阻害組成物。
【請求項４】
オカラを細胞壁分解酵素で処理してオカラ酵素処理物を調製し、前記オカラ酵素処理物における液体中に可溶化したアラビノースを選択的に得ることを特徴とするアラビノースの選択的製造方法。
【請求項５】
オカラ酵素処理物を酵母菌で発酵させる発酵工程を更に含む請求項４に記載のアラビノースの選択的製造方法。
【請求項６】
オカラ酵素処理物を酵母菌で発酵させてなるオカラ酵素処理発酵物を含有し、前記オカラ酵素処理物がオカラを細胞壁分解酵素で処理してなることを特徴とする抗酸化組成物。
【請求項７】
オカラを細胞壁分解酵素で処理してなるオカラ酵素処理物を含有することを特徴とする抗酸化組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歯列矯正ブラケット、歯列矯正アーチワイヤー、歯列矯正工具、およびそれらの個別コンポーネントからなる群から選択される歯列矯正治療で使用するための歯列矯正器具であって、パラジウムベース合金、鉄ベース合金、およびニッケルベース合金からなる群から選択される金属ガラスから作られる歯列矯正器具。
【請求項２】
前記歯列矯正器具は、アーチワイヤーを歯に結合するための歯列矯正ブラケットであり、前記歯列矯正ブラケットは
アーチワイヤースロットを備えるブラケット本体部であって、金属ガラスから作られるブラケット本体部と、
金属ガラスから作られると共に前記ブラケット本体部に動作可能に結合される可動部材であって、前記アーチワイヤーが前記アーチワイヤースロット内に挿入可能な開放位置と前記可動部材が前記アーチワイヤーを前記アーチワイヤースロット内に保持する閉鎖位置との間で移動可能である可動部材と、
前記可動部材を前記ブラケット本体部に結合するピンと、
を備える、請求項1に記載の歯列矯正器具。
【請求項３】
前記可動部材は、板のような形状である結紮スライドであり、前記結紮スライドは、前記結紮スライドが前記閉鎖位置にあるときに前記アーチワイヤースロットの上に延在するアーチワイヤースロット被覆部を備え、前記アーチワイヤースロット被覆部の厚さは約0.003インチ(0.076mm)から約0.009インチ(0.229mm)までの範囲内である、請求項2に記載の歯列矯正器具。
【請求項４】
前記被覆部の近心側から遠心側までを測定したときの前記被覆部の幅の、前記被覆部の前記厚さに対するアスペクト比は、約11から22までである、請求項3に記載の歯列矯正器具。
【請求項５】
前記可動部材は、板のような形状である結紮スライドであって、前記結紮スライドは、前記結紮スライドが前記閉鎖位置にあるときに前記アーチワイヤースロットの上に延在するアーチワイヤースロット被覆部を備え、前記ブラケットの全高を前記アーチワイヤースロットの唇側から舌側までの寸法で割り算したときの商が約2.68未満である、請求項2に記載の歯列矯正器具。
【請求項６】
前記全高を前記唇側から舌側までの寸法で割り算したときの商が約2未満である、請求項5に記載の歯列矯正器具。
【請求項７】
前記全高を前記唇側から舌側までの寸法で割り算したときの商が約1.43から約2.14までである、請求項5に記載の歯列矯正器具。
【請求項８】
歯列矯正器具を製作する方法であって、
室温で金属ガラスを生産するのに十分な速度で鋳型内の金属または合金を冷却する段階を含み、前記鋳型は、キャビティを、歯列矯正ブラケット、アーチワイヤー、歯列矯正工具、およびそれらの個別コンポーネントからなる群から選択された歯列矯正器具の形状に画成し、前記金属ガラスが、パラジウムベース合金、鉄ベース合金、およびニッケルベース合金からなる群から選択される、方法。
【請求項９】
前記金属または合金を冷却する前に、
前記金属または合金を溶融する段階と、
前記溶融金属または溶融合金を前記キャビティ内に注ぎ込む段階とをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
冷却する前に、
バルク形態の金属ガラスを前記金属ガラスの溶融温度より低い高温まで加熱して前記バルク形態の粘度を下げる段階と、
前記高温下にある間に、前記バルク形態を、歯列矯正ブラケット、アーチワイヤー、歯列矯正工具、およびそれらの個別コンポーネントからなる群から選択された歯列矯正器具の形状に変形させる段階とをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記鋳型は、キャビティをブラケット本体部または可動部材の形状に画成する、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
前記可動部材は、約0.003インチ(0.076mm)から約0.009インチ(0.229mm)までのアーチワイヤースロット被覆部を有する結紮スライドである、請求項8に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロービーム及びハイビームを発生し、全体に水平な長手方向軸（Ｚ）を有するヘッドライト（１、１１）であって、
ヘッドライトを出るビームが通過する透過性のレンズ（２）、
ロービーム源（７）からのロービームを受け、受けたロービームを反射させてレンズ（２）方向に差し向ける凹型のリフレクタ（３）、
レンズ（２）に隣り合って長手方向に配置され、反射された前記ロービームの一部を遮蔽し、反射するロービームに明／暗エッジを形成するカットオフ縁部（４、５、６３）、
カットオフ縁部（４、５、６３）の縁部に近位配置され、ハイビーム源（８）からのハイビームを直接受け、受けたハイビームを反射させてレンズ（２）方向に差し向ける固定式ミラー（５）、
を含み、
前記カットオフ縁部（４、５、６３）が固定式ミラー（５）の上縁部により形成され、  前記反射されたハイビームが明／暗エッジを有さないヘッドライト（１、１１）。
【請求項２】
ロービーム及びハイビームを発生し、全体に水平な長手方向軸（Ｚ）を有するヘッドライト（１、１１）であって、
ヘッドライトを出るビームが通過する透過性のレンズ（２）、
ロービーム源（７）からのロービームを受け、受けたロービームを反射させてレンズ（２）方向に差し向ける凹型のリフレクタ（３）、
レンズ（２）に隣り合って長手方向に配置され、反射された前記ロービームの一部を遮蔽し、反射するロービームに明／暗エッジを形成するカットオフ縁部（４、５、６３）、
カットオフ縁部（４、５、６３）の縁部に近位配置され、ハイビーム源（８）からのハイビームを直接受け、受けたハイビームを反射させてレンズ（２）方向に差し向ける固定式ミラー（５）、
を含み、
前記カットオフ縁部（４、５、６３）が光バッフル（４）の上縁部により形成され、光バッフル（４）が長手方向軸（Ｚ）と全体に直交配置され且つ固定式ミラー（５）から水平に横方向に伸延され、
前記反射されたハイビームが明／暗エッジを有さないヘッドライト（１、１１）。
【請求項３】
カットオフ縁部（４）が遮光部材（１６）の前縁部（６３）により形成され、遮光部材（１６）が、ロービーム源（７）からの光が固定式ミラー（５）の下縁部より下方に進まないように位置決めされる請求項１に記載のヘッドライト（１１）。
【請求項４】
カットオフ縁部（４）が、ロービームＬＥＤアレイ（７）及びハイビームＬＥＤアレイ（８）の少なくとも一方と熱的に連通するヒートシンク（２００）の横方向縁部により形成される請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項５】
カットオフ縁部（４）が、その水平の横方向縁部（４１、４２、６１、６２）位置で、凹型のリフレクタ（３）から離間し且つレンズ（２）側の方向に屈曲される請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項６】
全体に水平で且つ長手方向軸（Ｚ）に近位配置した遮光部材（１００）を更に含み、
凹型のリフレクタ（３）が遮光部材（１００）の上方へと上向きに伸延され、
ロービームが凹型のリフレクタ（３）と遮光部材（１００）との間でレンズ（２）方向に反射される請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項７】
遮光部材（１００）と、凹型のリフレクタ（３）とが、レンズ（２）に向けて開放する容積部を形成し、
前記容積部の開口がレンズ（２）の上半分と全体に一致する請求項６に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項８】
凹型のリフレクタ（３）が楕円の上半分の一部を含み、
遮光部材（１００）が平坦であり且つ前記楕円を二等分して前記楕円の上半分の境界部を形成する請求項６に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項９】
遮光部材（１００）が、反射性表面を含む第２リフレクタ（６）を形成する請求項６に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１０】
遮光部材（１００）がヒートシンク（２００）の角部を含む請求項６に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１１】
凹型のリフレクタ（３）が、長手方向軸（Ｚ）に沿って第１焦点（Ｆ１）及び第２焦点（Ｆ２）を有し、
ロービームが第１焦点（Ｆ１）に近位して発生し、
固定式ミラー（５）が第２焦点（Ｆ２）に近位配置される請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１２】
ロービーム源（７）がロービームＬＥＤアレイであり、
ハイビーム源（８）がハイビームＬＥＤアレイであり、
ハイビーム源（８）がロービーム源（７）とレンズ（２）との間に配置される請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１３】
レンズ（２）が、凹型のリフレクタ（３）に面する全体に平坦な側面（２１）と、凹型のリフレクタ（３）から遠い側に面する突状の面（２２）とを有する請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１４】
レンズ（２）が、固定式ミラー（５）に近位配置した焦点を有する請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１５】
前記固定式ミラー(５)が平坦である請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１６】
単一の前記固定式ミラー(５)が前記ハイビーム源(８)からの光を反射する請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１７】
前記レンズ(２)が、単一の前記レンズを含む請求項１に記載のヘッドライト（１、１１）。
【請求項１８】
前記レンズ(２)が単一の処方を有する請求項１に記載のヘッドライト(１)。
【請求項１９】
前記レンズ(２)が唯一の焦点を有する請求項１に記載のヘッドライト(１)。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月1日(2016.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査顕微鏡を使用して試料の画像を迅速に形成する方法であって、
画素の第１のセットからなる前記試料の第１のエリアの最初の走査または最初の走査セットを実行して、前記画素の第１のセット中のそれぞれの前記画素の第１のグレー・レベル値を決定するステップと、
前記画素の第１のセット中の前記画素の前記第１のグレー・レベル値を解析して、前記第１のエリア内の対象の構造体を表す第１の領域を識別するステップであり、前記第１の領域が、前記画素の第１のセットの画素数よりも少ない数の画素を含むステップと、
前記第１の領域の追加の走査を、前記走査顕微鏡を用いて実行して、前記第１の領域の画素についてのみ第２のグレー・レベル値を決定するステップであり、前記第２のグレー・レベル値が、前記第１のグレー・レベル値を決定するのに使用した走査の回数よりも多くの回数の走査を統合することによって決定され、それによって、前記第１の領域内の画素のグレー・レベル測定値の正確さを向上させ、一方で、前記追加の走査に含める画素を減らすステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記画素の第１のセット中の前記画素の前記第１のグレー・レベル値を解析して第１の領域を識別するステップが、前記画素の前記第１のグレー・レベル値をしきい値と比較するステップを含み、前記しきい値が、前記画素の前記第１のグレー・レベル値を決定するのに使用した統合された走査の回数に依存する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記画素の第１のセット中の前記画素の前記第１のグレー・レベル値を解析して第１の領域を識別するステップが、前記画素の前記第１のグレー・レベル値をしきい値と比較するステップを含み、前記しきい値が、隣接する画素のグレー・レベルに依存する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
追加の走査を実行するステップが、前記第２のセット中の前記画素の前記第２のグレー・レベル値を解析して、前記エリア内の前記対象の構造体を表す第２の領域を識別するステップを含み、前記第２の領域が、前記第１のセットのサブセットであり、前記画素の第１のセットよりも少ない数の画素を含み、追加の走査を実行するステップがさらに、前記第２の領域の追加の走査を実行して、前記第２の領域の画素についてのみ第３のグレー・レベル値を決定するステップを含み、前記第３のグレー・レベル値が、前記第２のグレー・レベル値を決定するのに使用した走査の回数よりも多い回数の走査を統合することによって決定される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のエリアを含む材料の層を前記試料から除去することによって第２のエリアを露出させるステップと、
前記第２のエリアの第２の領域を走査するステップであり、前記第２の領域が、前記第２のエリア内の画素のサブセットを含み、前記第１の領域によって決定されるステップと
をさらに含む、請求項１から４のいずれかに一項に記載の方法。
【請求項６】
材料を漸進的に除去して新たな表面を露出させるステップと、
新たな表面が露出するたびに、それぞれの新たな表面の限定された領域を走査するステップであり、前記限定された領域が、以前の走査における画素のグレー・レベルによって決定されるステップと
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記しきい値が、近隣の画素のグレー・レベルおよび以前の表面の同じ位置の画素のグレー・レベルによって決定される、請求項１、４または５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
走査ビームを使用して画像を形成する方法であって、
ある視野の中の試料の表面を走査して、前記視野の中の画素値を決定するステップと、
前記画素値を解析して、対象の特徴部分を表す画素のサブセットを決定するステップと、
前記対象の特徴部分の画像を生成するために、前記走査ビームを使用して、画素の前記サブセットだけに対して追加の走査を実行するステップであって、前記試料の次の表面を露出するために前記試料から材料の層を除去することと、走査される前記次の表面の前記画素が以前に走査された表面の前記対応する画素のグレー・レベルによって決定され、前記走査ビームを使用して前記次の表面を走査することとを含むステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記画素値を解析するステップが、画素のグレー・レベルをしきい値と比較するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記しきい値が、前記画素値を決定するのに使用した走査の回数に依存する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記しきい値が、隣接する画素のグレー・レベルに依存する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記試料の次の表面を露出するために前記試料から材料の層を除去することと、走査される前記次の表面の前記画素が以前に走査された表面の前記対応する画素のグレー・レベルによって決定され、前記走査ビームを使用して前記次の表面を走査することとを繰り返して、３次元画像を形成する、請求項５−１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
走査荷電粒子ビーム・システムであって、
荷電粒子源と、
荷電粒子ビームで試料を走査する偏向器と、
前記荷電粒子ビームを前記試料の表面に集束させるレンズと、
前記荷電粒子と前記試料の衝突に反応した前記試料からの放出を検出する検出器と、
前記走査荷電粒子ビーム・アセンブリの動作を制御するコンピュータと、
請求項１に記載の方法を実行するための命令を記憶したコンピュータ可読記憶装置と
を備える走査荷電粒子ビーム・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、少なくとも前記ゲート電極の一部と重畳する領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上の保護絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、チャネル形成領域である第２の領域及び第３の領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域の上面において前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接し、前記第２の領域の上面において前記保護絶縁膜と接し、前記第３の領域の上面及び側面において前記保護絶縁膜と接し、
前記第２の領域は、前記第１の領域における最大膜厚より小さい膜厚で概略均一な膜厚を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の領域と前記第２の領域の間の距離は、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の距離の０．０５９倍以上０．５倍未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体膜は、前記第３の領域においてテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記保護絶縁膜は、少なくとも酸素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱材料（２０２）の層であって、前記断熱材料（２０２）内部に複数の伝導素子空洞（２０４）を備える断熱材料（２０２）の層、および、
前記断熱材料（２０２）の前記複数の伝導素子空洞（２０４）内部に配設される複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）であって、各々の熱スイッチ型伝導素子（２０６）がしきい値温度に応答して変形するように構成される複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）
を備える熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項２】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が配列で配置構成される、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項３】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が相互に熱結合されず、前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が、前記断熱材料（２０２）の伝導素子空洞（２０４）内部に固着されずに入れ子にされている、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項４】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）がバイメタル材料を含む、請求項３に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項５】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が形状記憶合金を含む、請求項３に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項６】
前記しきい値温度に応答して変形するように構成されることが、温度が前記しきい値温度を超えて上昇する際に第１の状態から第２の状態へ変形するように、かつ、前記温度が前記しきい値温度を超えて下降する際に前記第２の状態から前記第１の状態へ戻るように構成されることを含む、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項７】
前記しきい値温度に応答して変形するように構成されることが、温度が前記しきい値温度を超えて下降する際に第１の状態から第２の状態へ変形するように、かつ、前記温度が前記しきい値温度を超えて上昇する際に前記第２の状態から前記第１の状態へ戻るように構成されることを含む、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項８】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が、相互に熱結合されて伝導素子（２０６）の熱スイッチ型シートを生成し、前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が、前記断熱材料（２０２）の伝導素子空洞（２０４）内部に入れ子にされている、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項９】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）がバイメタル材料を含む、請求項８に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１０】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が形状記憶合金を含む、請求項８に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１１】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が、第１のしきい値温度に応答して変形するように構成される熱スイッチ型伝導素子（２０６）の第１の部分集合、および、前記第１のしきい値温度と異なる第２のしきい値温度に応答して変形するように構成される熱スイッチ型伝導素子（２０６）の第２の部分集合を備える、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１２】
前記熱放散スイッチ（１０６）が、断熱材料（２０２）および前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）を備える連続的な表面領域を有する表面実装構成にしたがって構成され、前記連続的な表面領域が断熱材料（２０２）の前記層の周辺部により境界が画される、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１３】
前記熱放散スイッチ（１０６）が、断熱材料（２０２）の前記層の周辺部により外側縁部で境界がなされ、非スイッチ型領域により内側縁部で境界がなされる表面領域を有する縁部実装構成にしたがって構成される、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１４】
前記しきい値温度に応答した前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の変形が、断熱材料（２０２）の前記層の下表面より低く前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）を延在させて、前記熱放散スイッチの対向側面上に位置設定される熱源（１０２）とヒートシンク（１０４）との間の熱流経路を生成するように、前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が構成される、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１５】
前記しきい値温度に応答した前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の変形が、断熱材料（２０２）の前記層の下表面より低い状態から前記熱スイッチ型伝導素子を引き上げて、前記熱放散スイッチの対向側面上に位置設定される熱源（１０２）とヒートシンク（１０４）との間の熱流経路を遮断するように、前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が構成される、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１６】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が、前記しきい値温度に応答して変形されるとき、実質的に平坦な接触表面を備える、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１７】
熱スイッチ型伝導素子（２０６）と熱源（１０２）との間の位置に配設される熱スイッチ型伝導素子（２０６）の少なくとも１つの補助層であって、前記しきい値温度と異なる２次的なしきい値温度に応答して変形するように構成される少なくとも１つの補助層をさらに備える、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１８】
熱スイッチ型伝導素子（２０６）の空洞内部に配設される熱伝導材料（２０２）の伝導プラグであって、前記しきい値温度に応答した前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の変形が、断熱材料（２０２）の前記層の下表面より低く前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）を延在させて、前記熱放散スイッチの対向側面上に位置設定される、熱源（１０２）からの前記伝導プラグを通るヒートシンク（１０４）への熱流経路を生成するような伝導プラグをさらに備える、請求項１に記載の熱放散スイッチ（１０６）。
【請求項１９】
熱源（１０２）から熱を除去する方法であって、
複数の伝導素子空洞（２０４）を有する断熱材料（２０２）の層を前記熱源（１０２）とヒートシンク（１０４）との間に設けること、
しきい値温度に応答して変形するように構成される複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）を前記複数の伝導素子空洞（２０４）内部に設けること、および、
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）の変形が前記熱源（１０２）から前記ヒートシンク（１０４）への熱流経路を生成または消去するように、前記しきい値温度に前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）をさらすこと
を含む方法。
【請求項２０】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が相互に熱結合されず、前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が、前記断熱材料（２０２）の伝導素子空洞（２０４）内部に固着されずに入れ子にされている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が、相互に熱結合されて伝導素子の熱スイッチ型シート（５０２）を生成し、前記熱スイッチ型伝導素子（２０６）の各々が、前記断熱材料（２０２）の伝導素子空洞（２０４）内部に入れ子にされている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）がバイメタル材料を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数の熱スイッチ型伝導素子（２０６）が形状記憶合金を含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスと、前記電子デバイスに電気的に接続された内部端子および前記内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される外部端子を有する容器と、を備える電子部品の製造方法であって、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、内部端子および前記内部端子に電気的に連続した外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、
電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する蓋体の前記中央領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記周辺領域と前記枠体とを接着する第３工程と、を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとして、αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＣを満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
αＬ＜αＦを満たす、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
αＬ＜αＢを満たす、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
電子デバイスと、前記電子デバイスと電気的に接続された内部端子および前記内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される外部端子を有する容器と、空間を挟んで前記電子デバイスに対向する中央領域を囲む周辺領域を有する蓋体と、を備える電子部品の製造方法であって、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、内部端子および前記内部端子に電気的に連続した外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、
前記第１工程の後、電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、
前記第２工程の後、中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する蓋体の前記中央領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記周辺領域と前記枠体とを接着する第３工程と、を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとして、
（ａ）  αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＦ＜αＣ
または
（ｂ）  αＦ＜αＢ＜αＣかつαＦ＜αＬ＜αＣ
を満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
αＢとαＬの差が１０．２ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
αＣが２５ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記電子デバイスの熱膨張率をαＤとして、αＤ＜αＢかつαＤ＜αＬかつαＤ＜αＦを満たす、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記枠体は金属であり、前記基体はセラミックである、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第１工程は、前記基体の前記周辺領域と前記枠体との間に前記接着剤が介在した状態で前記基体および前記枠体を加熱する段階と、前記接着剤が固化した後に前記基体および前記枠体を冷却する段階と、を含む、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記状態において前記枠体は反りを有しており、前記冷却する段階において前記枠体の反りが小さくなる、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記蓋体の前記周辺領域と前記枠体とを、光硬化型樹脂を用いて接着した後、前記光硬化型樹脂を熱硬化する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記基体の前記中央領域に前記電子デバイスを、熱硬化型樹脂を用いて接着する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記電子デバイスは撮像デバイスである、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法により製造された電子部品をリフローはんだ付けにより配線部材に固着する、電子モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記配線部材はリジッド基板である、請求項１４に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項１６】
電子デバイスに電気的に接続される内部端子および前記内部端子と電気的に連続し、配線部材に固着される外部端子を有する実装部材であって、
前記電子デバイスが配置される中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体と、
前記基体の前記中央領域に対応した開口を有し、前記基体の前記周辺領域に接着された枠体と、を備え、
前記枠体の熱膨張率が前記基体の熱膨張率よりも高いことを特徴とする実装部材。
【請求項１７】
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体と、
前記基体の前記中央領域に対応した開口を有し、前記基体の前記周辺領域に接着された枠体と、
内部端子と、
前記内部端子と電気的に連続し、配線部材に固着される外部端子と、
前記基体の前記中央領域に固定され、前記内部端子と電気的に接続された電子デバイスと、
前記電子デバイスに対向する中央領域および前記中央領域を囲み前記枠体に接着された周辺領域を有する蓋体と、を備え、
前記枠体の熱膨張率が前記基体の熱膨張率よりも高く、前記電子デバイスの熱膨張率が、前記基体の前記熱膨張率、前記枠体の前記熱膨張率、および、前記蓋体の熱膨張率よりも低いことを特徴とする電子部品。
【請求項１８】
前記蓋体の熱膨張率が前記基体の前記熱膨張率および前記枠体の前記熱膨張率の少なくとも一方よりも低い、請求項１７に記載の電子部品。
【請求項１９】
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体と、
前記基体の前記中央領域に対応した開口を有し、前記基体の前記周辺領域に接着された枠体と、
内部端子と、
前記内部端子と電気的に連続した外部端子と、
前記基体の前記中央領域に固定され、前記内部端子と電気的に接続された電子デバイスと、
前記電子デバイスに対向する中央領域および前記中央領域を囲み前記枠体に接着された周辺領域を有する蓋体と、
前記外部端子が固着された配線部材と、を備え、
前記枠体の熱膨張率が前記基体の熱膨張率よりも高く、
前記電子デバイスの熱膨張率が、前記基体の前記熱膨張率、前記枠体の前記熱膨張率、および、前記蓋体の熱膨張率よりも低く、
前記基体の前記熱膨張率、前記枠体の前記熱膨張率、および、前記蓋体の前記熱膨張率が前記配線部材の熱膨張率よりも低いことを特徴とする電子モジュール。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電子モジュールと、前記電子モジュールを格納する筐体と、を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、
前記容器は、
前記電子デバイスが固定された基体と、
前記電子デバイスに対向する蓋体と、
前記蓋体と前記基体の間の空間を囲む枠体と、
を含み、
前記基体には、前記電子デバイスと電気的に接続された端子が配された第１段部と、前記第１段部よりも前記容器の外縁側に位置し、前記第１段部に対して段差部を介して出張った第２段部と、が設けられており、
前記枠体は接合材を介して前記第２段部に接着されおり、前記枠体の内縁が前記段差部よりも前記容器の前記外縁側に位置していることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記基体と前記枠体とを接着する前記接合材が、前記基体と前記枠体との間に位置する部分と、前記第２段部のうち前記内縁よりも前記段差部側の領域の上に位置する部分とを有する請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記基体の外縁が前記枠体の外縁よりも前記内縁側に位置している請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記内縁と前記段差部との距離は、前記第１段部と前記第２段部との距離以上である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記基体は、前記第１段部に対して窪んだ第３段部を有し、前記電子デバイスは、前記第３段部に接着されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第２段部は、前記電子デバイスの前記蓋体との対向面よりも前記蓋体から離れて位置する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記枠体は、前記基体と前記蓋体の間から前記容器の外縁側に延在した拡張部を有し、前記拡張部には貫通穴が設けられている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記基体と前記蓋体と前記枠体は、互いに異なる材料からなる請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記基体の材料はセラミックであり、前記枠体の材料は金属であり、前記蓋体は可視光に対して透明である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記枠体の表面粗さが、前記基体および前記蓋体の少なくとも一方の表面粗さよりも大きい請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記枠体と前記蓋体の間には球状の粒子が介在している請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子部品と、前記電子部品が固着された配線部材とを備える電子機器。
【請求項１３】
電子デバイスの実装部材であって、
前記電子デバイスが固定される基体と、
前記基体に接着された枠体と、
を備え、
前記基体には、前記電子デバイスと電気的に接続される端子が配された第１段部と、前記第１段部よりも前記実装部材の外縁側に位置し、前記第１段部に対して段差部を介して出張った第２段部と、が設けられており、
前記枠体は接合材を介して前記第２段部に接着され、前記枠体の内縁が前記段差部よりも前記実装部材の前記外縁側に位置していることを特徴とする実装部材。
【請求項１４】
前記基体の前記外縁が前記枠体の外縁よりも前記内縁側に位置し、前記基体と前記枠体とを接着する前記接合材が、前記基体と前記枠体との間に位置する部分と、前記第２段部のうち前記内縁よりも前記段差部側の領域の上に位置する部分とを有する請求項１３に記載の実装部材。
【請求項１５】
前記基体は、前記第１段部に対して窪んだ第３段部を有する請求項１３または１４に記載の実装部材。
【請求項１６】
電子デバイスの実装部材の製造方法であって、
電子デバイスが配置される基体と、枠体とを用意する工程と、
前記基体と前記枠体とを接着剤を用いて接着する工程と、
を有し、
前記基体には、前記電子デバイスと電気的に接続される端子が配された第１段部と、前記第１段部よりも前記基体の外縁側に位置し、前記第１段部に対して段差部を介して出張った第２段部と、が設けられており、
前記接着する工程において、前記枠体の内縁が、前記段差部よりも前記基体の前記外縁側に位置するように、前記枠体を前記第２段部に接着することを特徴とする実装部材の製造方法。
【請求項１７】
前記接着する工程において、前記接着剤を前記枠体に塗布する請求項１６に記載の実装部材の製造方法。
【請求項１８】
電子部品の製造方法であって、
請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の実装部材に前記枠体の内縁の内側を介して電子デバイスを実装する工程と、
前記電子デバイスに対向する蓋体と前記枠体とを接着剤を用いて接着する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記接着する工程において、前記接着剤を前記蓋体に塗布する請求項１８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子部品をリフローはんだ付けによって配線部材へ固着する工程を有する電子機器の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源線と、
上面方向から見て、前記電源線と機能回路を挟んで対向する位置に設けられた第１の配線と、を有するスタンダードセルであって、
前記機能回路は、
第１のトランジスタと、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁膜と、
第２のトランジスタと、
前記第１の絶縁層上の第１の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第２の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第３の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第５の導電層と、
前記第２の絶縁層上の容量素子と、を有するスタンダードセルであって、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層に設けられた開口部において前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられた開口部において前記第１の導電層に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第３の絶縁層に設けられた開口部において前記第４の導電層に電気的に接続され、
前記第３の導電層は前記第３の絶縁膜を挟んで前記前記容量素子と重なる領域を有し、
前記容量素子は前記第３の絶縁膜に設けられた開口部において前記第２の導電層及び前記第４の導電層と電気的に接続され、
前記第５の導電層は前記第２のトランジスタのバックゲートとしての機能を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と異なる位置に設けられていることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項２】
電源線と、
上面方向から見て、前記電源線と機能回路を挟んで対向する位置に設けられた第１の配線と、を有するスタンダードセルであって、
前記機能回路は、
第１のトランジスタと、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁膜と、
第２のトランジスタと、
前記第１の絶縁層上の第１の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第２の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第３の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第５の導電層と、
第６の導電層と、
前記第１の絶縁層上の第７の導電層と、
前記第２の絶縁層上の第８の導電層と、
前記第３の絶縁層上の第９の導電層と、
前記第４の絶縁層上の第１０の導電層と、
前記第２の絶縁層上の容量素子と、を有するスタンダードセルであって、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層に設けられた開口部において前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられた開口部において前記第１の導電層に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第３の絶縁層に設けられた開口部において前記第４の導電層に電気的に接続され、
前記第３の導電層は前記第３の絶縁膜を挟んで前記前記容量素子と重なる領域を有し、
前記容量素子は前記第３の絶縁膜に設けられた開口部において前記第２の導電層及び前記第４の導電層と電気的に接続され、
前記第５の導電層は前記第２のトランジスタのバックゲートとしての機能を有し、
前記第７の導電層は前記第１の絶縁層に設けられた開口部において前記第６の導電層と電気的に接続され、
前記第８の導電層は前記第２の絶縁層に設けられた開口部において前記第７の導電層と電気的に接続され、
前記第９の導電層は前記第３の絶縁層に設けられた開口部において前記第８の導電層と電気的に接続され、
前記第１０の導電層は前記第４の絶縁層に設けられた開口部において前記第９の導電層と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と異なる位置に設けられていることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項３】
請求項２において、
前記第４の絶縁層上の第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁層上の第１１の導電層と、をさらに有し、
前記第１１の導電層は前記第５の絶縁層に設けられた開口部において前記第１０の導電層と電気的に接続されていることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを含むことを特徴とするスタンダードセル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を含み、オフ電流はチャネル幅１μｍあたり１００ｚＡ以下であることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のスタンダードセルを１つ以上含む半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置を用いた電子機器。