【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込み電流が磁気接合を通過する時に、複数の安定な磁気状態の間でスイッチング可能である第１磁気モーメントを有する自由層と、
第２対称を有する電荷キャリヤーより第１対称を有する電荷キャリヤーをより高い確率に伝送させる対称フィルターと、
一方向に固定された第２磁気モーメントを有する被固定層と、を含み、
前記対称フィルターが前記自由層及び前記被固定層の間に介在され、
前記被固定層及び前記自由層の中の少なくとも１つが一スピンチャンネル内でフェルミ準位での前記第１対称の前記電荷キャリヤーを有し、他スピンチャンネル内でフェルミ準位での前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、面内に配置され、前記面と垂直である非ゼロ磁気モーメント要素を有し、
前記対称フィルターと、前記被固定層及び前記自由層の中の少なくとも１つと、の間に７パーセントより低い格子不整合を有する、磁気接合。
【請求項２】
前記格子不整合が４パーセントより低い、請求項１に記載の磁気接合。
【請求項３】
前記対称フィルターが、Ｇｅ、ＧａＡｓ、及びＺｎＳｅの中の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気接合。
【請求項４】
前記自由層及び前記被固定層の中の少なくとも１つが、ＭｎＧａ及びＭｎＩｎの中の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気接合。
【請求項５】
スペーサー層と、
追加的な被固定層と、をさらに含み、
前記スペーサー層が、前記自由層及び前記追加的な被固定層の間に介在され、
前記追加的な被固定層が第３磁気モーメントを有する、請求項１に記載の磁気接合。
【請求項６】
面に平行になり、前記面と垂直になる（００１）軸を有するＡｌＭｎを含み、書込み電流が磁気接合を通過する時、多数の安定な磁気状態の間でスイッチングされる第１磁気モーメントを有し、第１の多数のスピンチャンネル内でフェルミ準位での第１対称の電荷キャリヤーを有し、第１の少数のスピンチャンネルで前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、前記第１磁気モーメントは前記面と垂直になる第１非ゼロ要素を有する自由層と、
前記第１対称を有する前記電荷キャリヤーを伝送し、前記第１対称と異なる第２対称を有する前記電荷キャリヤーを減衰させ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、及びＺｎＳｅの中の少なくとも１つを含む対称フィルターと、
前記面に平行になり、前記面と垂直になる（００１）軸を有する前記ＡｌＭｎを含み、前記面と垂直である第２非ゼロ要素を有し、一方向に固定された第２磁気モーメントを有し、第２の多数のスピンチャンネル内で前記フェルミ準位での前記第１対称の電荷キャリヤーを有し、第２の少数のスピンチャンネルで前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏された被固定層と、を含み、
前記対称フィルターが、前記自由層及び前記被固定層の間に介在された、磁気メモリ素子用磁気接合。
【請求項７】
少なくとも１つの選択素子及び少なくとも１つの磁気接合を含み、前記少なくとも１つの磁気接合が、自由層、被固定層、及び前記自由層と前記被固定層との間に介在された対称フィルターを含み、前記自由層が、書込み電流が前記磁気接合を通過する時に、複数の安定な磁気状態の間でスイッチングさせる第１磁気モーメントを有し、前記対称フィルターが、第１対称を有する電荷キャリヤーを、第２対称を有する前記電荷キャリヤーより高い確率に伝送し、前記被固定層が、一方向に固定された第２磁気モーメントを有し、前記自由層及び前記被固定層の中の少なくとも１つが、第１スピンチャンネル内でフェルミ準位での前記第１対称の前記電荷キャリヤーを有し、第２スピンチャンネル内で前記フェルミ準位での前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、面内に配置され、前記面と垂直になる非ゼロ磁気モーメント要素を有し、前記対称フィルターと、前記自由層及び前記被固定層の中の少なくとも１つとが、７パーセントより低い格子不整合を有する複数の磁気格納セルと、
前記複数の磁気格納セルとカップリングされた複数のビットラインと、
前記複数の磁気格納セルとカップリングされた複数のワードラインと、を含む、磁気メモリ。
【請求項８】
面に平行になり、読出し電流が通過する時に、複数の安定な磁気状態の間でスイッチングする第１磁気モーメントを有し、前記第１磁気モーメントは前記面と垂直である第１非ゼロ要素を有する自由層と、
前記面に平行になり、一方向に固定された第２磁気モーメントを有する被固定層と、
前記自由層及び前記被固定層の間に介在された対称フィルターと、を含み、
前記第２磁気モーメントが、前記面と垂直である第２非ゼロ要素を有し、
前記自由層及び前記被固定層の中の少なくとも１つが、第１の多数のスピンチャンネル内でフェルミエネルギーでの第１対称の電荷キャリヤーを有し、第１の少数のスピンチャンネルで前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、
前記対称フィルターが、前記第１対称を有する前記電荷キャリヤーを伝送し、前記第１対称と異なる第２対称を有する電荷キャリヤーを減衰させ、
前記対称フィルターと、前記自由層及び前記被固定層の中の少なくとも１つとが、７パーセントより低い格子不整合を有する、磁気メモリ素子用磁気接合。
【請求項９】
面に平行になり、読出し電流が通過する時に、複数の安定な磁気状態の間でスイッチングする第１磁気モーメントを有し、第１の多数のスピンチャンネル内でフェルミ準位での第１対称の電荷キャリヤーを有し、第１の少数のスピンチャンネルで前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、前記第１磁気モーメントが、前記面と垂直である第１非ゼロ要素を有する自由層と、
前記第１対称を有する電荷キャリヤーを伝送し、前記第１対称と異なる第２対称を有する電荷キャリヤーを減衰させる対称フィルターと、
前記面に平行になり、一方向に固定された第２磁気モーメントを有し、第２の多数のスピンチャンネル内でフェルミ準位での前記第１対称の電荷キャリヤーを有し、第２の少数のスピンチャンネルで前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、前記第２磁気モーメントは前記面と垂直になる第２非ゼロ要素を有する被固定層と、を含み、
前記対称フィルターが前記被固定層及び前記自由層の間に介在され、
前記対称フィルターと、前記自由層及び前記被固定層の中の少なくとも１つとが７パーセントより低い格子不整合を有する、磁気メモリ素子用磁気接合。
【請求項１０】
自由層膜、被固定層膜、及び対称フィルター膜を含む磁気接合スタックを提供し、前記対称フィルター膜が、第１対称を有する電荷キャリヤーを伝送し、第２対称を有する前記電荷キャリヤーを減衰させ、前記自由層膜及び前記被固定層膜の間に介在され、前記被固定層膜及び前記自由層膜の中の少なくとも１つが、一スピンチャンネル内でフェルミ準位での前記第１対称の電荷キャリヤーを有し、他スピンチャンネル内で前記フェルミ準位での前記第１対称の電荷キャリヤーが欠乏され、面内に置き、前記面と垂直になる非ゼロ磁気モーメント要素を有し、前記対称フィルター膜と、前記自由層膜及び前記被固定層膜の中の少なくとも１つとが７パーセントより低い格子不整合を有することと、
前記自由層膜から定義された自由層、前記対称フィルター膜から定義された対称フィルター、前記被固定層膜から定義された被固定層を含み、前記自由層が第１磁気モーメントを有し、前記被固定層が第２磁気モーメントを有する磁気接合を定義することと、
特定方向に固定された前記被固定層の前記第２磁気モーメントを設定することと、を含み、
前記磁気接合が、読出し電流が前記磁気接合を通過する時に、前記第１磁気モーメントが複数の安定な磁気状態の間でスイッチングするように構成された、磁気メモリ素子用磁気接合の製造方法。