【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を前記基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、
前記基板を保持し、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、
前記基板上のショット領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｓとし、前記複数の荷電粒子光学系による前記基板上の複数の描画領域それぞれの前記第１方向における幅をＳＷとし、かつ前記複数の描画領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｃとするとき、ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β（α、βは自然数）との関係式を満たすように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板上のショット領域の前記第１方向における設計上の配列ピッチをＰｓとして、前記決定を行う、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記関係式を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系の少なくとも１つにおいて前記描画に使用する荷電粒子線の偏向量を決定する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記関係式を満たすように、前記複数の荷電粒子光学系による前記複数の荷電粒子線の投影倍率を決定する、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記決定に係る前記幅ＳＷをそれぞれ有する前記ショット領域の複数の部分領域のそれぞれに関して描画データを生成する生成部を有する、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記生成部は、前記描画データを格納する格納部を含む、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記基板に形成されたショット領域およびその中の部位の少なくとも一方の位置に関する情報に基づいて前記描画に使用する荷電粒子線が偏向されるように、前記複数の荷電粒子光学系を制御する、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記基板に形成されたマークを検出する検出器を有し、
前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項７に記載の描画装置。
【請求項９】
前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれは、前記第１方向および前記第２方向に沿って配列された複数の荷電粒子線を前記基板に照射し、かつ前記第２方向に沿って配列された複数の荷電粒子線を前記基板上の目標部位に対して多重に照射する、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を前記基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、
前記基板を保持し、前記基板上の複数のストライプ領域のそれぞれに描画を行うために、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、
前記第１方向において、基板上の２つのショット領域の間の境界が前記複数のストライプ領域のうちの２つの領域の境界に一致するように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項１１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を前記基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、
前記基板を保持し、前記基板上の複数のストライプ領域のそれぞれに描画を行うために、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、
前記第１方向において、前記複数のストライプ領域のうちの領域が前記基板上の互いに隣接する２つのショット領域に及ばないように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１３】
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持し、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージとを用いて、荷電粒子線で前記基板に描画を行う描画方法であって、
前記基板上のショット領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｓとし、前記複数の荷電粒子光学系による前記基板上の複数の描画領域それぞれの前記第１方向における幅をＳＷとし、かつ前記複数の描画領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｃとするとき、ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β（α、βは自然数）との関係式を満たすように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行うことを特徴とする描画方法。
【請求項１４】
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持し、前記基板上の複数のストライプ領域のそれぞれに描画を行うために、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージとを用いて、荷電粒子線で前記基板に描画を行う描画方法であって、
前記第１方向において、前記基板上の２つのショット領域の間の境界が前記複数のストライプ領域のうちの２つの領域の境界に一致するように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行うことを特徴とする描画方法。
【請求項１５】
第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持し、前記基板上の複数のストライプ領域のそれぞれに描画を行うために、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージとを用いて、荷電粒子線で前記基板に描画を行う描画方法であって、
前記第１方向において、前記複数のストライプ領域のうちの領域が前記基板上の互いに隣接する２つのショット領域に及ばないように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行うことを特徴とする描画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】描画装置、描画方法、および物品の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、描画方法、および物品の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置に係り、該描画装置は、第１方向に沿って配置され、それぞれが複数の荷電粒子線を前記基板に照射する複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持し、前記第１方向とは直交する第２方向に沿って前記複数の荷電粒子光学系に対して移動するステージと、前記基板上のショット領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｓとし、前記複数の荷電粒子光学系による前記基板上の複数の描画領域それぞれの前記第１方向における幅をＳＷとし、かつ前記複数の描画領域の前記第１方向における配列ピッチをＰｃとするとき、ＳＷ＝Ｐｃ／α＝Ｐｓ／β（α、βは自然数）との関係式を満たすように、前記複数の荷電粒子線のうち前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれが前記描画に使用する荷電粒子線の決定を行う制御部と、を有することを特徴とする。