【手続補正書】
【提出日】平成28年1月6日(2016.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような背面接続型の受光素子モジュールとしては、多数の細長い線状電極が、素子の端部でバス（母線）電極あるいは電流取り出し電極へとまとめて接続され、電流取り出し電極に対して、素子間接続体を用いて受光素子が相互接続されたものがある（特許文献１）。このような受光素子モジュールでは、多数の細長い線状電極で発電電流を素子の端部まで集電し、この端部から素子間接続体を通じて隣接する素子へ電流が流れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
特許文献３では、素子上には電流取り出し電極やバス電極を形成することなく、素子間接続体として金属パターンが形成された樹脂フィルムを用いており、モジュール化の際に素子間接続体と受光素子の電極の位置あわせをおこなう必要があった。このため特許文献３のモジュール構造では、正電極と負電極の間の短絡を防ぐために必要な間隔は、素子電極の位置精度のみではなく、素子と樹脂フィルムとの間の位置あわせ精度にも依存する。例えば、高精度の位置あわせのために素子にアライメントマークをいれる場合、アライメントマーク形成する工程を導入する必要があり、アライメントマークが銀電極で形成される場合はその分だけ銀が必要になり、また、高精度の位置あわせ機構を有する分だけ装置コストもかかる。これ以外にもアライメントマーク部で光電変換効率が低下する場合もある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、背面側に極性の異なる第１及び第２の電極を有する背面接続型の受光素子と、前記第１の電極に選択的に接続されるとともに、前記第２の電極には絶縁層を介して配置され、前記第２の電極の一部を除いて、前記受光素子の前記背面側の全体を覆う板状の本体部と、前記受光素子のうち前記第２の電極のうち前記本体部に覆われていない部分に接続される素子間接続部と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】図１は、実施の形態１による受光素子モジュールを受光面側から見た平面図である。
【図２】図２は、実施の形態１による受光素子モジュールを裏面側から見た平面図である。
【図３】図３は、実施の形態１で用いられる受光素子モジュールを構成する受光素子及び素子間接続体との位置関係を模式的に示す斜視図であり、素子間接続体を接続する前の状態で素子と素子間接続体に接続された受光素子を裏面側から見た状態を示す図である。
【図４】図４（ａ）は、実施の形態１で用いられる背面接続型の受光素子を裏面側から見た平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
【図５】図５（ａ）は、実施の形態１の受光素子と接着層との位置関係の一例を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
【図６】図６は、実施の形態１で用いられる素子間接続体の第１層を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）は、実施の形態１で用いられる背面接続型の受光素子と素子間接続体の第１層の位置関係を示す平面図、図７（ｂ）は、実施の形態１で用いられる背面接続型の受光素子と素子間接続体の第１層の位置関係の変形例を示す平面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施の形態１の受光素子モジュールに用いられる素子間接続体を示す平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＥ−Ｆ断面図、図８（ｃ）は、図８（ａ）のＥ’−Ｆ’断面図、図８（ｄ）は、図８（ａ）のＧ−Ｈ断面図である。
【図９】図９（ａ）は、実施の形態１の受光素子への素子間接続体の接続工程を示す工程断面図、図９（ｂ）は、実施の形態１の受光素子への素子間接続体の接続工程を示す工程断面図、図９（ｃ）は、実施の形態１の受光素子への素子間接続体の接続工程を示す工程断面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態１の受光素子モジュールの構成を示す断面図であり、図１及び図２のＣ−Ｄ断面図である。
【図１１】図１１は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示すフローチャートである。
【図１２】図１２（ａ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図、図１２（ｂ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図、図１２（ｃ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図である。
【図１３】図１３（ａ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図、図１３（ｂ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図、図１４（ｂ）は、実施の形態１の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図である。
【図１５】図１５は、実施の形態２による受光素子モジュールを受光面側から見た平面図である。
【図１６】図１６（ａ）は、実施の形態２による受光素子モジュールを裏面側から見た平面図、図１６（ｂ）は、実施の形態２による受光素子モジュールを裏面側から見た要部拡大平面図である。
【図１７】図１７は、実施の形態２で用いられる受光素子モジュールを構成する受光素子及び素子間接続体との位置関係を模式的に示す斜視図であり、素子間接続体を接続する前の状態で素子と素子間接続体に接続された受光素子を裏面側から見た状態を示す図である。
【図１８】図１８は、実施の形態２で用いられる素子間接続体の接続部を示す斜視図である。
【図１９】図１９（ａ）は、実施の形態２で用いられる素子間接続体の本体部を示す平面図、図１９（ｂ）は、実施の形態２で用いられる素子間接続体の本体部を示す要部拡大平面図、図１９（ｃ）は、実施の形態２で用いられる素子間接続体の本体部を示す要部拡大断面図である。
【図２０】図２０（ａ）は、実施の形態２で用いられる背面接続型の受光素子と素子間接続体の本体部との位置関係を示す平面図、図２０（ｂ）は、実施の形態２の受光素子と素子間接続体の構成を示す断面図であり、図１６（ａ）のＥ−Ｆ断面図である。
【図２１】図２１（ａ）は、実施の形態２の受光素子モジュールの構成を示す断面図であり、図１６（ａ）のＣ2−Ｄ2断面図、図２１（ｂ）は、実施の形態２の受光素子モジュールの構成を示す断面図であり、図１６（ａ）のＣ3−Ｄ3断面図である。
【図２２】図２２は、実施の形態３による受光素子モジュールを受光面側から見た平面図である。
【図２３】図２３は、実施の形態３による受光素子モジュールを裏面側から見た平面図である。
【図２４】図２４（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの素子間接続体を示す図、図２４（ｂ）は、図２３及び図２４（ａ）のＯ1部分の拡大図、図２４（ｃ）は、実施の形態３による受光素子モジュールのストリングの折り返し部の素子間接続体を示す図、図２４（ｄ）は、図２３及び図２４（ｃ）のＯ2部分の拡大図、図２４（ｅ）は、図２４（ａ）及び図２４（ｃ）の断面図である。
【図２５】図２５（ａ）は、実施の形態３で用いられる受光素子を示す平面図、図２５（ｂ）は、受光素子の電極形成のためのコンタクト位置を示す図である。
【図２６】図２６は、実施の形態３の素子基板上の電極と絶縁層との接触形状の一例を示す平面図であり、できあがりの接続体付き受光素子を裏面（非受光面）側から素子間接続体を透過して見た場合の透視図である。
【図２７】図２７（ａ）は、実施の形態３の受光素子モジュールに用いられる素子間接続体を示す平面図、図２７（ｂ）は、受光素子上に接着層を形成して素子間接続体を接続した状態を示す図である。
【図２８】図２８は、素子間接続体付き受光素子モジュールを示す図である。
【図２９】図２９は、受光素子と素子間接続体との接続の状態を示す断面図である。
【図３０】図３０（ａ）は、実施の形態３の受光素子モジュールを示す断面図であり、図２３のＣ2−Ｄ2断面図、図３０（ｂ）は、実施の形態３の受光素子モジュールを示す断面図であり、図２３のＣ3−Ｄ3断面図である。
【図３１】図３１は、実施の形態３の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図３２】図３２は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図３３】図３３（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図、図３３（ｂ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図、図３３（ｃ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図である。
【図３４】図３４（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図、図３４（ｂ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図、図３４（ｃ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図である。
【図３５】図３５（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図、図３５（ｂ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図である。
【図３６】図３６（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図、図３６（ｂ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図である。
【図３７】図３７は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例１の素子間接続体付き受光素子を示す平面図である。
【図３８】図３８は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例１の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図３９】図３９は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例２の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図４０】図４０は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例３の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図４１】図４１は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例４の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図４２】図４２（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例５の素子間接続体付き受光素子を示す断面図で、図４２（ｂ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例５の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図４３】図４３（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例６の素子間接続体付き受光素子を示す平面図、図４３（ｂ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例６の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図４４】図４４は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例６の素子間接続体付き受光素子を示す断面図である。
【図４５】図４５（ａ）は、実施の形態３による受光素子モジュールの変形例７の受光素子を示す断面図、図４５（ｂ）は、基板内に形成された導電層の位置と素子間接続体の位置関係を示す図であり、図４５（ａ）の断面に直交する点状電極を含む面を示す図である。
【図４６】図４６（ａ）は、実施の形態４による素子間接続体の本体部を表面（素子電極と接続される面）側から見た平面図、図４６（ｂ）は、実施の形態４による素子間接続体の本体部を裏面側から見た平面図である。
【図４７】図４７は、素子間接続体の断面図である。
【図４８】図４８は、本実施の形態４の素子間接続体付き受光素子の断面図である。
【図４９】図４９（ａ）は、素子間接続体と接続される点状電極を通る部分で切断した本実施の形態４にかかる受光素子モジュールの断面図、図４９（ｂ）は、もう一方の極性の素子電極を通る部分で切断した本実施の形態４にかかる受光素子モジュールの断面図である。
【図５０】図５０（ａ）は、電気接続体を形成した後の本実施の形態４にかかる素子間接続体の平面図、図５０（ｂ）は、実施の形態４にかかる素子間接続体付き受光素子の断面図、図５０（ｃ）は、実施の形態４にかかる素子間接続体付き受光素子の断面図である。
【図５１】図５１は、実施の形態４にかかる素子間接続体付き受光素子の変形例を示す図である。
【図５２】図５２（ａ）は、実施の形態５による素子間接続体を表面（素子基板と接続される面）側から見た平面図、図５２（ｂ）は、実施の形態５による素子間接続体の断面図であり、図５３のＡ−ＢおよびＣ−Ｄを通る断面を模式的に示す図である。
【図５３】図５３は、実施の形態５による素子間接続体の一部及び線状電極の一部との位置関係を示す斜視図である。
【図５４】図５４は、実施の形態５による素子間接続体付き受光素子の平面図である。
【図５５】図５５は、実施の形態５による素子間接続体を受光素子に重ね合わせる工程を示す図である。
【図５６】図５６は、実施の形態５による素子間接続体の変形例を示す斜視図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、電気接続体２１としては、具体的には錫・銀はんだや導電性接着剤、導電性テープなどを用いることができる。この電気接続体２１は、各電極間が接続される部分にだけ形成されており、素子間接続体３０と電流取り出し電極１３，１５及び線状電極１２との重ね合わせ部分に主に形成されている（図５（ａ）及び図５（ｂ））。その一方で、素子間接続体３０の素子側の全面、あるいは両面の全面を覆っていてもよいが、その場合、電気接続体２１は、光の反射率がなるべく高い材料であることが好ましい。なお、錫・銀はんだとは、錫および銀を含有するはんだをいうものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
このようにして形成された受光素子１０の裏面電極には図６に示すような素子間接続体３０の素子裏部分（本体部）３２Ａが接続され、図７（ａ）に示す裏面を有する素子間接続体付き受光素子になる。また、変形例としては、図７（ｂ）に示すように、図２、図３、図７（ａ）に示した例と異なり、素子電極である線状電極１２，電流取り出し電極１３が素子裏部分（本体部）３２Ａ及び接着層２６に隠れて受光素子１０の表面にでていない状態になるようにしてもよい。このような構造では、図７（ｂ）のように線状電極１２，電流取り出し電極１３が素子裏部分（本体部）３２Ａの金属や接着層２６からなる樹脂で覆われている方が外部からの水分の侵入などが少なくなり、信頼性や耐久性が向上するため好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
素子間接続体３０の素子裏部分（本体部）３２Ａに可撓性をもたせるために、その厚みは薄く、導電性が低い。このため受光素子１０から受光素子１０へと電流が流れる際に抵抗損失により光電変換効率が低下する。そこで、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す素子間接続体３０の素子裏部分（本体部）３２Ａの非受光面側に外側部分３２Ｂを接続することによって、外側部分３２Ｂが導電体として働き、素子のモジュール化時の光電変換効率の低下を抑制することができる。本実施の形態１では、素子間接続体３０の素子裏部分（本体部）３２Ａは、図８（ａ）〜図８（ｄ）に示すような素子間接続体３０の外側部分３２Ｂと電気接続体３３を通じて導通する。この際、素子間接続体３０の素子裏部分（本体部）３２Ａと素子間接続体３０の外側部分３２Ｂの間に接着層を設けて接続を強化しても良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
素子間接続体３０は図８（ａ）〜図８（ｄ）に示すように、素子間を接続する素子間接続部３１と、受光素子１０と同程度の大きさでかつ同等の形状を有し、受光素子１０の裏面側に接続される平面状の導電体部分からなる外側部分３２Ｂとは一体的に構成されており、素子電極と直接接続される素子間接続体３０の素子裏部分（本体部）３２Ａと外側部分３２Ｂとが電気接続体２１を経由して主面同士で接続されることにより受光素子１０の裏面側に形成されている線状電極１２，電流取り出し電極１３と素子間接続部３１とが電気的に接続される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
同様の形状として、これとは別に、受光素子モジュール１の端部の受光素子１０ａ及び１０ｄ用の素子間接続体３０ｅとして、図６と同様の形状で厚みが０．２ｍｍ程度の銅のシートを作製しておき、これにたとえば幅を３ｍｍ程度、厚さ０．２ｍｍ程度、長さを１６０ｍｍ程度とした帯状の銅線で作られた電流引き出し線３８を予め接続しておく。ここで、電流引き出し線３８と素子間接続体３０ｅとの間は、あとの工程で電気接続体２１，３３を接続する際の加熱により剥離することがないように、２００℃程度の高温に耐えることができる、たとえば錫・銀はんだなどを用いて接続することが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
この後、２列のストリングから構成される受光素子配列の表面側上には、受光素子配列より若干大きい程度の大きさのシート状のエチレンビニルアセテート樹脂などの封止材２２とガラスなどの受光面側主面材２３を配置し、裏面側上には受光素子配列より若干大きい程度の大きさのシート状のエチレンビニルアセテート樹脂などの封止材２２と耐候性のポリエチレンテレフタラート樹脂とアルミニウムを張り合わせたシートなどからなる裏面側主面材２５（バックシート）を配置した積層体を構成する。そして、この積層体を加熱真空ラミネータによって減圧下で１００〜１５０℃の温度で２０分程度加熱することによって、受光素子配列が受光面側主面材２３と裏面側主面材２５によって封止される（ステップＳ３）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
また実施の形態１による受光素子モジュール１では、図６及び図８（ａ）〜図８（ｄ）に示す平板状の素子間接続体３０が、受光素子１０の正極と接続される一方で負極とは接着層２６によって絶縁されるため、従来のように素子間の位置あわせをおこなう必要がない。本実施の形態１の方法は、受光素子１０単位で部分毎に接続していき後で１つのモジュールにまとめることができるため、生産性が高い。また位置ずれが生じた場合にも、位置ずれが生じた素子を再度配置し直せばよいため作業性が高い。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
図１５は、実施の形態２による受光素子モジュールを受光面側から見た平面図であり、図１６（ａ）は、実施の形態２による受光素子モジュールを裏面側から見た平面図である。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＯ0部分の拡大図である。図１７は、実施の形態２の受光素子モジュールを構成する受光素子及び素子間接続体との位置関係を模式的に示す斜視図であり、素子間接続体を接続する前の状態で素子と素子間接続体に接続された受光素子を裏面側から見た状態を示すものである。図１８は素子間接続部１３１を示す斜視図である。図１９（ａ）は、実施の形態２で用いられる素子間接続部を示す平面図、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の要部拡大図、図１９（ｃ）は、図１９（ｂ）のＩ−Ｊ断面図である。図２０（ａ）は、実施の形態２の受光素子と素子間接続体の本体部（特に接着層）との位置関係の一例を示す平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＸ方向断面に相当する図であるが、素子間接続部が装着された状態を示している。つまり図２０（ｂ）は、図１６（ａ）のＥ−Ｆ断面図に相当する。図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、実施の形態２の受光素子モジュールを示す断面図であり、図１６（ａ）のＣ2−Ｄ2断面図及びＣ3−Ｄ3断面図である。本実施の形態においても、図１５、図１６、図２０（ａ）、図２１（ａ）〜図２１（ｂ）では、見易さのため素子封止材、フレーム、ジャンクションボックス、及び図１５、図１６では受光面と裏面に用いられるモジュール主面材の図示を省略している。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
図２０（ａ）に示すように、素子間接続体１３０の凸部１３２Ｒ１は受光素子１０上の一方の極性の線状電極１２と位置が合うように受光素子と位置を合わせて接続される。また、本実施の形態２における素子間接続体１３０においては、形成された凸部１３２Ｒ１のＸ方向の幅（Ｕ２４）が図２０（ａ）に示すように受光素子基板上に形成された一方の極性の隣接する集電電極１４間の間隔に比べて小さく（Ｕ２３>Ｕ２４）形成されている。Ｘ２１は線状電極１２のピッチ、Ｘ２２は凸部１３２Ｒ１のピッチを示す。そして、素子間接続体１３０の凸部１３２Ｒ１が素子電極の方向へ付き出した構造となり、素子上の線状電極１２と凸部１３２Ｒ１が接続され、この凸部１３２Ｒ１は集電電極１４の間に位置する構造となっている。これをＸ方向に平行な面で切り取った断面図として図示すると、素子間接続体１３０、接着層２６、基板上に形成される素子電極との間の層構成は図１９に示すようになる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
受光素子の構造及び製造工程については前記実施の形態１と同様である。また受光素子モジュールの製造工程についても前記実施の形態１と同様であるが、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に図１６（ａ）のＣ2−Ｄ2断面図及びＣ3−Ｄ3断面図を示すとおりである。図２１（ａ）は、フィンガー状の素子間接続部１３１の存在する断面であり、図２１（ｂ）は、フィンガー状の素子間接続部１３１の存在しない断面である。そして、実施の形態１と同様、２列のストリングからなる受光素子配列の表面側と裏面側には、シート状の封止材２２が配置され、この封止材２２を介して、表面（受光面）側には受光面側主面材２３が接着され、裏面側には、裏面側主面材２５が接着されている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
また、受光面側主面材２３と裏面側主面材２５で挟まれた構造を金属などによるフレームで支持がなされ、電流引き出し線３８が封止材２２と裏面側主面材２５の切れ目から接続箱を介して裏面に取り出された構造となり、受光素子モジュール１を構成している。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
図２７（ｂ）のようにその裏面側に素子間接続体が装着された状態の受光素子を本実施の形態３においては素子間接続体付き受光素子と呼び、素子間接続体がついていない状態の素子を受光素子と呼ぶ。受光素子３１０は、ストリング上の位置によって３１０ａ〜３１０ｆということもある。本実施の形態３では、素子間接続体２３０を、別体形成された素子間接続部２３１と表面に凹凸を有する単層構造の本体部２３２とで構成した点、受光素子３１０の素子電極がドット状電極である点が、前記実施の形態１，２と大きく異なる点である。５１は素子間接続部２３１と本体部２３２との接続部を構成するめっき層であり、２６は絶縁性樹脂からなる接着層である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
図２５（ａ）に示されるように、受光素子３１０の主面である裏面側の一部領域には、点状電極１２Ｄとは別の極性の集電電極１４と電流取り出し電極１５とが裏面電極として形成されている。集電電極１４は、半導体基板からなる素子基板１１の裏面側の広域を覆うようにして設けられ、電流を電流取り出し電極１５まで集める機能を有する。集電電極１４は、たとえばアルミニウム、銀、銅を主成分とする材料及びそれらを積層したものによって構成することができる。この集電電極１４の全ての部分が素子基板１１に直に接触している必要はなく、ドーパントが拡散されて形成される受光素子では、集電電極１４の一部分が受光素子を構成する素子基板１１と点状に接触していることが望ましい。このような点状電極１２Ｄ及び集電電極１４と、受光素子基板との接触部分を構成する開口部であるコンタクト孔１２ｈ，１４ｈのパターンとしては例えば図２５（ｂ）のようにドット状にすることができる。点状電極１２Ｄ及び集電電極１４が、このコンタクト孔１２ｈ，１４ｈを介して受光素子基板にコンタクトするように形成される。ヘテロ接合によって形成される受光素子の場合では、電極は半導体基板とは直に接触せず、コンタクト孔１２ｈ，１４ｈに露呈する透光性導電膜やアモルファスシリコンなどを介して導通が取られる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
このような素子電極の電極間ピッチの場合、素子間接続体が薄く可撓性が高いため、集電電極１４の部分で素子側に素子間接続体が曲がることにより、素子間接続体２３０の本体部２３２と集電電極１４とが短絡する可能性がある。また、一般的に、素子基板自体も表面に凹凸やうねり（Waviness）、反り、厚み分布等を有し、また、印刷等によって形成された素子電極自体の高さばらつきを有する。これらの素子の製造プロセスに起因して、２ｍｍ程度以内に隣接する素子電極間で１０マイクロメートル程度の高低差が生じ、集電電極１４と素子間接続体２３０の本体部２３２が短絡する可能性がある。短絡が生じない電極間の高低差としては、素子電極間の間隔、素子間接続体の平坦性や剛性、およびモジュールの封止材の厚みに依るが、この高低差が大きい方が精密な位置あわせを行うことなく素子間接続体２３０の本体部２３２と集電電極１４とが短絡するのを防ぐことができる。電極間の短絡を防ぐためには、素子間接続体の厚みを厚くする、あるいは点状電極１２Ｄと集電電極１４との高低差を大きくし、または、素子電極間の隙間を狭くする等のことが必要となる。支持体や電気接続体も含めた素子間接続体の厚みが１００マイクロメートル程度以上となれば素子間接続体自体は急激な角度を持つ屈曲やたわみは生じにくいため、点状電極１２Ｄと集電電極１４との高低差と点状電極１２Ｄ間の隙間（Ｘ３１−Ｕ３１）との比としては、点状電極１２Ｄと集電電極１４の高低差÷電極間隙間距離≧０．００５として素子間接続体２３０の本体部２３２と集電電極１４との短絡を抑制する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
その一方で、支持体や電気接続体を含めた素子間接続体２３０の本体部２３２の厚みが１００マイクロメートル程度以下の場合、素子間接続体自体は急激な角度を持つ屈曲やたわみは生じるため、点状電極１２Ｄと集電電極１４との高低差と点状電極１２Ｄ間の隙間（Ｘ３１−Ｕ３１）との比としては、点状電極１２Ｄと集電電極１４の高低差÷電極間隙間距離≧０．０１
として素子間接続体２３０の本体部２３２と集電電極１４との短絡を抑制することが好ましい。Ｙ方向についても同様で、点状電極１２Ｄとそれ以外の素子基板との高低差と点状電極１２Ｄ間の電極距離との比が上記と同様になるようにすることが好ましい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
本実施の形態３では、素子間接続体２３０の本体部２３２の厚みを、３０マイクロメートル、集電電極１４の基板からの高さを１０マイクロメートル、幅を６００マイクロメートル、点状電極１２Ｄの基板からの高さを４０マイクロメートル、直径(Ｘ方向幅)Ｕ３１および(Ｙ方向幅)Ｖ３１を１００マイクロメートル、素子上電極の電極間隙間距離（Ｙ３１−Ｖ３１）を０．２ｍｍ、点状電極１２Ｄ間の電極ピッチＸ３１を１ｍｍとする。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
また、その一方で、実施の形態１の図９（ａ）〜９（ｃ）、実施の形態２の図２０（ｂ）のように素子電極の正極と負極間に高低差がない場合でも、集電電極１４部分にあらかじめ樹脂やセラミック等を配置し、可撓性を有する素子間接続体を用いて集電電極１４の部分で素子間接続体２３０の本体部２３２を素子基板から浮かせることにより素子間接続体２３０の本体部２３２と集電電極１４とが短絡するのを防ぐことができるため、必ずしも高低差を形成していなくても良い。これらの両方を同時に実施しても良く、素子電極間に高低差を設けると共に、素子間接続体２３０の本体部２３２を集電電極１４の部分で素子基板から浮かせても良い。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
これらの電極間に高低差を設ける方法としては、一方の電極のみにはんだペーストを印刷することができ、さらにより大きな高低差を設ける場合ははんだボールを接続することもできる。このようなものとしては、例えば点状電極１２Ｄ部分にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだボールあるいははんだバンプ等を形成することができる。例えば、直径１００マイクロメートル程度の点状電極１２Ｄ部分に直径３００マイクロメートル程度のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだボールを形成した場合、集電電極１４に対して点状電極１２Ｄは２００〜３００マイクロメートル程度の高低差を保持することができる。これにより、一方の素子電極に対して素子間接続体を接続することが容易になる。電気接続体２１あるいは素子電極自体を、このような低融点金属を溶融させる方法以外にも金属含有樹脂含有等による導電性樹脂を用いたり、Ｓｎ等の光電解めっきで負極のみに形成することにより、一方の極性の電極を高くして、高低差を増大させても良い。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
つまり、点状電極１２Ｄを構成する第１の電極に対して、負極を接続し、受光素子をめっき槽に浸漬し、光電解めっきを行うことにより、点状電極１２Ｄ上にのみ選択的にＳｎ層などのめっき層が形成され、第２の電極よりも厚くすることができる。かかる構成により、同一平面上に正極と負極(第１および第２の電極)がある中で、負極のみを選択的に高くすることができるため、素子間接続体との接続に際し位置あわせが不要である。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
このように、素子の集電電極１４の長手方向（Ｙ方向に平行な方向）で凸部２３２Ｒ１間の間隔Ｖ３２が狭くなるように素子間接続体２３０の素子裏部分（本体部）に凸部２３２Ｒ１を形成することによって、素子の集電電極１４と直交する方向（図２７（ａ）中のＸ方向）のみに大まかな位置あわせをおこなうだけで素子間接続体２３０の素子裏部分（本体部）の凸部２３２Ｒ１を素子の点状電極１２Ｄと接続させることができる。これにより、素子と素子間接続体との間での位置あわせ方法にアライメントマーク等が不要で、素子間接続体２３０に素子基板端部を突き当てることによる端部検出方法でも良くなるため、位置あわせ精度を向上させるためのコストがいらなくなる。また、素子間接続体２３０の本体部２３２の凹部２３２Ｒ２では素子の集電電極１４と素子間接続体２３０の本体部２３２との高さ方向の間隔を広く取ることができるようになり、集電電極１４と素子間接続体２３０の本体部２３２との間の絶縁性を高めることが出来る。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
また、負極側の電極が点状電極などの形状で、線状に連続的につながっていない場合は、Ｙ方向の素子間接続体２３０の本体部２３２の凸部２３２Ｒ１の間隔Ｕ３２は、点状電極１２Ｄ自体の幅（大きさ）Ｕ３１以下になるように間隔を狭めることにより、点状電極１２Ｄが凹部２３２Ｒ２に侵入して短絡することを防止できる。このための凸部２３２Ｒ１間の間隔Ｕ３２としては、点状電極１２Ｄの大きさＵ３１よりも狭く、０．０１〜０．１ｍｍ程度以下であることが必要となる。Ｙ方向についても同様である。ただし、受光素子３１０と素子間接続体２３０の本体部２３２との間で精密に位置あわせをおこなったうえで接続する場合は間隔を拡げても良い。このように凹部２３２Ｒ２の大きさとして、その凹部２３２Ｒ２の平面内のＸ方向とＹ方向の大きさを点状電極１２Ｄのそれぞれの方向の電極幅Ｕ３１、Ｖ３１よりも小さくすることによって、構造的に点状電極１２Ｄ部分に対しては凸部２３２Ｒ１を接触しやすく、他方の集電電極１４及び電流取り出し電極１５の部分に対しては、距離を空けて接触しにくくすることができる。また、凸部２３２Ｒ１を構成する面としては曲面あるいは平坦面とすることができるが、平坦であることが好ましい。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
素子間接続体２３０の本体部２３２は、素子間を接続する素子間接続体２３０の素子間接続部２３１が接続されるため、素子間を接続する素子間接続体２３０の素子間接続部２３１が接続される部分として、素子間接続体２３０の本体部２３２と素子間接続部２３１との接続部５１を有する。具体的な接続部５１の材質としては、例えば錫などのはんだ付け性のよい金属を電気めっきなどを用いて形成することができる。素子間接続体２３０の基体の材質としては銅やアルミニウムなどを用いることができるが、例えば素子間接続体２３０の本体部２３２の素材を銅とすることで、素子間接続部２３１との間のはんだの濡れ性が向上するため、接続部５１は必ずしも必要ではなくなる。この場合、図２７（ａ），２７（ｂ）とは異なり素子間接続体２３０の本体部２３２から素子間接続体２３０の素子間接続部２３１との接続部５１を形成しなくてもよい。また、素子電極のパターンについても凸部となる電極は必ずしも点状電極である必要はなく、実施の形態１の図４（ａ）及び図４（ｂ）と同様にグリッド状でも良く、また電流取り出し電極１３を有していても良い。また、接着層は裏面全面にある必要はなく例えば、素子間接続体２３０の素子裏部分（本体部）２３２の端の部分のみ形成されていても、また、素子裏面側に形成されていなくても良い。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
図２２及び図２３に示される２列のストリングからなる受光素子配列の表面側と裏面側には、シート状のエチレンビニルアセテート樹脂シートなどの封止材２２が形成される。そして、この封止材２２を介して、表面側にはガラスなどの受光面側主面材２３が接着され、裏面側には、耐候性のポリエチレンテレフタラート樹脂シートなどの裏面側主面材２５が接着されている。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
なお、図２２及び図２３では、図示を省略しているが、受光面側主面材２３と裏面側主面材２５で挟まれた構造をフレームで支持し、電流引き出し線３８が封止材２２と裏面側主面材２５の切れ目から接続箱を介して裏面に取り出された構造となり、受光素子モジュール１を構成している。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
（受光素子の製造方法）
完成後の素子間接続体２３０の本体部２３２付き受光素子のより詳細な、断面図を図３１に示す。図３１を参照して受光素子の製造方法について簡単に説明する。まず、１００面でスライスされた素子基板１１としてｎ型単結晶シリコン基板を用意する。はじめにＫＯＨ水溶液などのアルカリ溶液中で素子基板１１の表面を１０μｍ程度溶解させた後、硫酸と過酸化水素混合溶液、ついで、塩酸と過酸化水素水の混合溶液に素子基板１１を浸漬して洗浄する。この後、基板をＰＯＣｌ3雰囲気中で８００〜９００℃程度に加熱して、その素子基板１１表面にリンを拡散させる。表面に形成されたリンガラスをフッ酸溶液中で除去する。ついで、化学的気相堆積（ＣＶＤ）法により、基板の片面にシリコン酸化膜を成膜する。シリコン酸化膜の原料としてはシランやＴＥＯＳ（Tetra  Ethyl  Ortho  Silicate）などを用いることができる。これに続き、プラズマ支援ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜の上にシリコン窒化膜を堆積する。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
（ラミネート工程）
この後、２列のストリングから構成される受光素子配列の表面側上には、受光素子配列より若干大きい程度の大きさのシート状のエチレンビニルアセテート樹脂などの封止材２２とガラスなどの受光面側主面材２３を配置し、受光素子配列裏面側上には受光素子配列より若干大きい程度の大きさのシート状のエチレンビニルアセテート樹脂などの封止材２２と耐候性のポリエチレンテレフタラート樹脂とアルミニウムを張り合わせたシートなどからなる裏面側主面材２５（バックシート）を配置した積層体を構成する。そして、この積層体を加熱真空ラミネータによって減圧下で１００〜１５０℃の温度で２０分程度加熱することによって、受光素子配列が受光面側主面材２３と裏面側主面材２５によって封止される（ステップＳ３０６）。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４３】
また、本実施の形態３による受光素子モジュール１においては、一方の素子電極である点状電極１２Ｄが他の極となる素子電極に対して張り出す構造を有するため、モジュール化時における高精度な位置あわせをおこなうことなく、素子間接続体２３０の本体部２３２であるアルミ箔を点状電極１２Ｄにのみ接続することができるという利点を有する。また、接着層２６も素子間接続体２３０の本体部２３２を受光素子３１０と接続した後から形成するため、位置あわせが不要であるという利点を有する。また、接着層２６が絶縁層として機能するため、電極間の絶縁性に優れた素子間接続体付き受光素子及び受光素子モジュールを得ることができる。これにより、特許文献２に示した受光素子モジュールでは必要であった素子間接続体と素子基板との間の細かな位置あわせが不要となり、位置あわせ精度に依存することなく素子電極の電極ピッチを狭くすることができる。従って、内部抵抗が小さく、キャリア収集効率が高く、光電変換効率に優れた接続体付き受光素子及び受光素子モジュールを得ることができる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６７】
なお、凹凸部の形成に関して、基材が箔などで、剛性が低く、凸部５３２Ｒ１，凹部５３２Ｒ２をプレス加工形成した形状を保持するのが困難な場合は、後の工程となる受光素子と素子間接続体とを接続する際に凹凸の型を有する治具などを用いて凹凸部を保持させた状態で受光素子と素子間接続体とを接続して形成しても良い。また、図３８の素子間接続体の構造を形成する工程と同様にして図３９に示す素子間接続体の素子裏部分となる本体部５３２を作成することができる。具体的には、図３９に示した構造を形成する際、基材全体をめっき槽に浸漬するかわりに図３８の凸部５３２Ｒ１が突出する部分のみをめっき槽に浸漬するように変更し、そのあと絶縁層２６ｂを有機溶剤などで除去し、基材の端部のみの表面に錫めっきして接続部５１を形成することにより図３９に示す素子間接続体の本体部５３２を作成することができる。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７３】
例えば鉄、あるいはステンレス、もしくはコバールなどを基材の材料とし、基材金属を反射層５２として用いても良いが、さらに反射率を向上させるために反射層５２としてアルミニウムを用いる場合について説明する。まず、あらかじめ受光素子と同程度の大きさに切り抜かれた金属箔あるいは板上に図３７の接続領域５３と同じパターンとなるように樹脂マスクを形成する。この樹脂マスク上に、３０〜５０ｎｍ程度の厚みのアルミニウムを蒸着して反射層５２を形成する。こののち、樹脂マスクを有機溶剤などによって除去して、反射層５２を形成する。この反射層５２が形成された金属箔あるいは接続部５１の端部をニッケルなどの金属イオンを含有するめっき槽中に浸漬して電気めっきあるいは無電解めっきなどにより表面にニッケル層を形成する。こののち、錫イオンが溶けた浴のなかに浸漬して電気めっきすることにより金属基材の表面に錫層を形成し、素子間接続体の素子間接続部（ここでは図示せず）との接続部５１に、はんだ性がよい金属被膜を形成する。この後、凸部８３２Ｒ１を凹部８３２Ｒ２に対して突出するように、必要に応じてプレス加工して素子間接続体の素子裏部分である本体部８３２に凸部８３２Ｒ１を形成する。この状態で、凸部側の面をニッケルめっき槽に浸漬して電解めっきあるいは無電解めっきをおこなったあとに更に錫イオンを含むめっき槽でめっきすることにより、凸部８３２Ｒ１に受光素子との接続領域５３を形成することができる。同様にして、素子間接続体の素子裏部分である本体部８３２の端部のみをめっき槽に浸けて素子間接続体の素子間接続部（図示せず）との接続部５１を形成することができる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８０】
一般的に、光電変換素子は半導体の光電効果を利用する。しかし、半導体は導電性が低いため、半導体基板内を電流がながれる距離が長いと抵抗損失が増大し、また、少数キャリアが移動する距離が長いと光生成キャリアの失活により電流の低下が生じるため、一般的な光電変換素子は、金属や透光性導電膜を半導体基板上に形成することによって面内方向の導電性を確保する構造となっている。このため、金属電極はある間隔で離間しながら、半導体基板面内全体に広く分布する構造となる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８２】
このように異なる２つの極性の電極が一つの面のみに離間しながら広く分布する必要がある場合、その配線は複雑になる。そこで、特許文献１のように櫛歯状の電極を対向させた素子電極で集電する構造や特許文献２のように素子電極を多層化する方法が考案されてきた。しかし、素子電極を半導体基板に対して抵抗が小さくなるように形成するためには、例えば金属を蒸着した後に５−３０分の２００−４００℃程度の加熱処理や、ガラスフリットを含有するペーストを印刷した後で５００−９００℃程度の加熱処理を行う等の、高温の熱処理が必要であった。この際、特許文献１あるいは特許文献２で記されるようなパッシベーション膜等を介して素子基板上に直に金属電極を有する半導体素子においては、金属材料がパッシベーション膜を突き抜けてあるいは偶然形成されたピンホール等を通して半導体素子基板に到達する。この場合、金属が再結合中心として働き、金属が存在する領域の半導体内の導電率が小さいほど半導体内での再結合の影響が増大し、光電変換素子の光電変換効率が低下するという問題があった。半導体内部に導電率がある程度以上高い領域が存在する場合、オージェ再結合等の原因となり、素子の光電変換効率が低下するため、導電率が高い領域の面積を制限した場合に、上記のように金属が再結合中心として強く働く。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面側に極性の異なる第１及び第２の電極を有する背面接続型の受光素子と、
前記第１の電極に選択的に接続されるとともに、前記第２の電極には絶縁層を介して配置され、前記第２の電極の一部を除いて、前記受光素子の前記背面側の全体を覆う板状の本体部と、
前記受光素子の前記第２の電極のうち前記本体部に覆われていない部分に接続される素子間接続部と、
を備えた受光素子モジュール。
【請求項２】
複数の前記受光素子を備え、前記素子間接続部は、一端を前記本体部に接続され、他端を、隣接する前記受光素子の前記第２の電極に接続される、請求項１に記載の受光素子モジュール。
【請求項３】
前記本体部は、金属板で構成され、前記受光素子の前記第１の電極とは、接続部に対してのみ選択的に形成された電気接続体を介して接合された請求項１または２に記載の受光素子モジュール。
【請求項４】
前記本体部は、金属板で構成され、前記受光素子の前記第１の電極とは、はんだ層を介して接合された請求項１または２に記載の受光素子モジュール。
【請求項５】
前記本体部の前記受光素子の側の表面の、前記受光素子の前記第１の電極との接続点以外の部分は、受光素子を透過する光に対する光反射体で構成された請求項１から４のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項６】
前記本体部は、前記受光素子と対向する面が、前記第２の電極に相当する領域で、前記受光素子に対して凹部を構成してなる請求項１から５のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項７】
前記本体部と前記素子間接続部は、一体的に形成された請求項１から６のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項８】
前記本体部と前記素子間接続部は、別体に形成された請求項１から６のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項９】
前記第１および第２の電極と前記素子間接続体との接続部にのみ、選択的に電気接続体が形成される請求項１から８のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１０】
前記受光素子上の前記第１の電極が前記第２の電極に比べて、前記素子間接続体の前記本体部側に向かって突出している請求項１から９のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１１】
前記素子間接続体の本体部は、凹凸構造を有し、前記第１の電極に対して凸部で接続される請求項１から１０のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１２】
前記第２の電極の延在方向と垂直をなす方向において、前記素子間接続体の本体部の凹凸構造の、受光面側に対しての凹部の幅が、前記第１の電極の幅よりも狭い請求項１１に記載の受光素子モジュール。
【請求項１３】
前記本体部は、前記受光素子と対向する面の前記第２の電極に相当する領域に絶縁層を有する請求項１から１２のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１４】
前記本体部と前記受光素子の間に反射性粒子を含む絶縁性樹脂が充填された請求項１から１３のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１５】
前記本体部は、前記受光素子側に配される素子裏部分と、さらにその裏面の外側に配される外側部分との２層構造体で構成された請求項１から１４のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１６】
複数の前記受光素子が前記素子間接続体で接続されてストリングを構成しており、
ストリング端部の受光素子が、ストリング内部の受光素子と相似形の電極パターンを有する受光素子モジュールであって、
ストリング端部の受光素子の素子電極が、ストリング内部の受光素子の素子電極に対して、素子基板面の頂点が形作る多角形の外角のうち少なくともひとつの外角の分だけ回転して配置される請求項１から１５のいずれか１項に記載の受光素子モジュール。
【請求項１７】
背面側に極性の異なる第１及び第２の電極を有する受光素子を形成する工程と、
前記第１の電極に選択的に接続されるとともに、前記第２の電極には絶縁層を介して配置され、前記第２の電極の一部を除いて、前記受光素子の前記背面側の全体を覆う板状の本体部と、
前記本体部に接続され、隣接する前記受光素子の第２の電極のうち前記本体部に覆われていない部分に接続される素子間接続部とを備えた素子間接続体を、前記受光素子に装着し、前記第１の電極と前記本体部、前記第２の電極と前記素子間接続部とを電気的に接続する工程とを含む受光素子モジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記素子間接続体は、前記本体部と前記素子間接続部とが、別体で形成されており、
前記第１の電極に、素子間接続体の本体部を接続する工程と、
前記本体部の接続された前記受光素子の光電変換効率を測定して前記受光素子を仕分ける工程と、
仕分けられた前記受光素子の前記素子間接続部を、隣接する前記受光素子の前記本体部に接続し、複数の前記受光素子の素子間を接続する工程とを含む請求項１７に記載の受光素子モジュールの製造方法。
【請求項１９】
前記受光素子の前記第１の電極の少なくとも一つを負電極に接続し、光電解めっきを行うことにより、前記第１の電極上に選択的にめっき層を形成する工程を含む請求項１８に記載の受光素子モジュールの製造方法。
【請求項２０】
前記受光素子の前記第１および第２の電極の接合部を除く領域を絶縁層で被覆する工程と、
前記受光素子の一部あるいは全部をはんだ槽に浸漬することによって前記接合部にはんだ層を形成する工程を含む請求項１７から１９のいずれか１項に記載の受光素子モジュールの製造方法。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2015019049.tif 000001
【手続補正３８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2015019049.tif 000002
【手続補正３９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2015019049.tif 000003
【手続補正４０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
2015019049.tif 000004
【手続補正４１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
2015019049.tif 000005
【手続補正４２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４５】
2015019049.tif 000006
【手続補正４３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４８】
2015019049.tif 000007
【手続補正４４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５３】
2015019049.tif 000008
【手続補正４５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５４】
2015019049.tif 000009