【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上のショット領域を露光する露光装置であって、
所定の投影領域に前記露光光を照射する投影光学系と、
前記基板を保持し移動可能な基板ステージと、
前記液浸空間が通過可能で前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域を設定するダミーショット領域設定部と、
を備える露光装置。
【請求項２】
前記ダミーショット領域設定部は、前記基板ステージの速さが変化した後に前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板ステージの速さの変化は、前記基板ステージの移動が停止することを含む請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記ダミーショット領域設定部は、前記基板ステージの移動の向きを反転させないで前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通るように前記基板ステージが移動する際に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記ダミーショット領域は、第１のダミーショット領域と、前記投影領域を前記第１のダミーショット領域が通過した後に、前記投影領域を通過する第２のダミーショット領域と、を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２のダミーショット領域は、前記ショット領域をスキャンするスキャン方向に交差する方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように設定される請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２のダミーショット領域は、前記スキャン方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように設定される請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とは、前記スキャン方向に交差する方向に並ぶように設定される請求項７記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２のダミーショット領域は、前記第１のダミーショット領域よりも前記ショット領域の近くに配置されるように設定される請求項６〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とで、スキャンの向きが逆になるように、前記スキャンの向きを設定する請求項６〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１のダミーショット領域における前記スキャンの向きが、前記第２のダミーショット領域の次にスキャンされる第１のショット領域における前記スキャンの向きと同じになるように、前記スキャンの向きを設定する請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板ステージは、前記第１のダミーショット領域が前記投影領域を通過してから、前記第２のダミーショット領域が前記投影領域に到達するまでの間に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、移動する請求項６〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記基板ステージは、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過した後に、前記ショット領域が前記投影領域を通過するように、移動する請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ショット領域と前記ダミーショット領域との配置に応じて、前記ダミーショット領域におけるスキャンの向きを設定する請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域の位置に応じた前記基板ステージが移動する経路長の違いに基づいて、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域の配置を異ならせた際の前記経路長の変化幅において、前記経路長が相対的に短くなるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１６記載の露光装置。
【請求項１８】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が前記ショット領域と並んで配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記基板上には、複数の前記ショット領域が並んで設けられ、
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が複数の前記ショット領域が並ぶ延長上に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１８記載の露光装置。
【請求項２０】
前記ダミーショット領域設定部は、前記投影領域を前記ダミーショット領域が通過する間の少なくとも一部において、前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の内側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２１】
前記ダミーショット領域は、露光されない領域を含む請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２２】
前記ダミーショット領域は、前記基板のエッジ部を含む請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記エッジ部は、前記基板のうちデバイスにならない領域を含む請求項２２記載の露光装置。
【請求項２４】
前記ダミーショット領域と前記ショット領域とで、前記基板ステージの移動条件が同じである請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２５】
前記ダミーショット領域を前記液浸空間が通る際に、前記基板に投影されるパターンが形成されたマスクが移動する請求項１〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２６】
前記ダミーショット領域設定部は、複数の前記ダミーショット領域を設定し、
複数の前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と同じ寸法である請求項１〜２５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２７】
前記ダミーショット領域設定部は、複数の前記ダミーショット領域を設定し、
前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と異なる寸法である請求項１〜２６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２８】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上の複数のショット領域を露光する露光装置であって、
露光光を射出する投影光学系と、
前記基板を保持し移動可能な基板ステージと、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記複数のショット領域と前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域とを含むショットマップ情報に基づいて、前記複数のショット領域上と前記ダミーショット領域上を前記液浸空間が通過するように前記基板ステージの移動を制御する露光装置。
【請求項２９】
前記ダミーショット領域は、前記基板上の領域を含まない請求項２８記載の露光装置。
【請求項３０】
前記ダミーショット領域に含まれる前記基板上の領域は、デバイスにならない領域である請求項２８記載の露光装置。
【請求項３１】
前記ダミーショット領域は、前記ダミーショット領域上を前記液浸空間が通過するときに前記液浸空間の液体を介して露光光が照射されない領域である請求項２８〜３０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記ダミーショット領域を含む前記ショットマップ情報に基づいて前記基板ステージを移動することにより、前記基板ステージに保持された前記基板と前記液浸空間との相対位置を制御する請求項２８〜３１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３３】
請求項１〜３２のいずれか一項記載の露光装置によって基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項３４】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上のショット領域を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
前記基板ステージを移動させることと、
前記液浸空間が通過可能で前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域を設定することと、
を含む露光方法。
【請求項３５】
前記基板ステージの速さが変化した後に、前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３４記載の露光方法。
【請求項３６】
前記基板ステージの速さの変化は、前記基板ステージの移動が停止することを含む請求項３５記載の露光方法。
【請求項３７】
前記基板ステージの移動の向きを反転させないで前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３４〜３６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項３８】
前記ダミーショット領域が、前記露光光が照射される投影領域を通るように前記基板ステージが移動する際に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３４〜３７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項３９】
前記ダミーショット領域は、第１のダミーショット領域と、前記露光光が照射される投影領域を前記第１のダミーショット領域が通過した後に、前記投影領域を通過する第２のダミーショット領域と、を含む請求項３４〜３８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４０】
前記ショット領域をスキャンするスキャン方向に交差する方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように、前記第２のダミーショット領域を設定することを含む請求項３９記載の露光方法。
【請求項４１】
前記スキャン方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように、前記第２のダミーショット領域を設定することを含む請求項４０記載の露光方法。
【請求項４２】
前記スキャン方向に交差する方向に並ぶように、前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とを設定することを含む請求項４０記載の露光方法。
【請求項４３】
前記第１のダミーショット領域よりも前記ショット領域の近くに配置されるように、前記第２のダミーショット領域を設定することを含む請求項３９〜４２のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４４】
前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とで、スキャンの向きが逆になるように、前記スキャンの向きを設定することを含む請求項３９〜４３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４５】
前記第１のダミーショット領域における前記スキャンの向きが、前記第２のダミーショット領域の次にスキャンされる第１のショット領域における前記スキャンの向きと同じになるように、前記スキャンの向きを設定することを含む請求項４４記載の露光方法。
【請求項４６】
前記第１のダミーショット領域が前記投影領域を通過してから、前記第２のダミーショット領域が前記投影領域に到達するまでの間に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記基板ステージを移動させることを含む請求項３９〜４５のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４７】
前記ダミーショット領域が、前記露光光が照射される投影領域を通過した後に、前記ショット領域が前記投影領域を通過するように、前記基板ステージを移動させることを含む請求項３４〜４６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４８】
前記ショット領域と前記ダミーショット領域との配置に応じて、前記ダミーショット領域と前記露光光が照射される投影領域との相対移動の向きを設定することを含む請求項３４〜４７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４９】
前記ダミーショット領域の位置に応じた前記基板ステージが移動する経路長の違いに基づいて、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３４〜４８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５０】
前記ダミーショット領域の配置を異ならせた際の前記経路長の変化幅において、前記経路長が相対的に短くなるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項４９記載の露光方法。
【請求項５１】
前記ダミーショット領域が前記ショット領域と並んで配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３４〜５０のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５２】
前記基板上に、複数の前記ショット領域を並べて設けることと、
前記ダミーショット領域が複数の前記ショット領域が並ぶ延長上に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することと、
を含む請求項５１記載の露光方法。
【請求項５３】
前記露光光が照射される投影領域を前記ダミーショット領域が通過する間の少なくとも一部において、前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の内側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３４〜５２のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５４】
前記ダミーショット領域は、露光されない領域を含む請求項３４〜５３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５５】
前記ダミーショット領域は、前記基板のエッジ部を含む請求項３４〜５４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５６】
前記エッジ部は、前記基板のうちデバイスにならない領域を含む請求項５５記載の露光方法。
【請求項５７】
前記ダミーショット領域と前記ショット領域とで、前記基板ステージの移動条件が同じである請求項３４〜５６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５８】
前記ダミーショット領域を前記液浸空間が通る際に、前記基板に投影されるパターンが形成されたマスクを移動させることを含む請求項３４〜５７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５９】
複数の前記ダミーショット領域を設定することを含み、
複数の前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と同じ寸法である請求項３４〜５８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６０】
複数の前記ダミーショット領域を設定することを含み、
前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と異なる寸法である請求項３４〜５９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６１】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上の複数のショット領域を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
前記基板ステージを移動させることと、
前記複数のショット領域と前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域とを含むショットマップ情報に基づいて、前記複数のショット領域上と前記ダミーショット領域上を前記液浸空間が通過するように前記基板ステージの移動を制御することと、
を含む露光方法。
【請求項６２】
請求項３４〜６１のいずれか一項記載の露光方法によって基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。