【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装パッケージであって、
少なくとも１つの半導体装置であって、複数の接続パッドが形成されている基板をその各々が備える、少なくとも１つの半導体装置と、
前記少なくとも１つの半導体装置を包み、外部回路への前記表面実装パッケージの実装を提供するように構成された、パッケージング及び相互接続システムであって、
前記少なくとも１つの半導体装置の第１面に重ねられている誘電層であって、前記誘電層は、これらを貫通して形成された複数のビアホールを含む、誘電層と、
前記少なくとも１つの半導体装置の前記複数の接続パッドに電気的に結合されるように、前記誘電層を貫通して形成された前記ビアホールを通じて延在する金属相互接続構造と、
前記金属相互接続構造上に形成されて平板状構造を備える金属化層と、
前記表面実装パッケージから前記外部回路への接続を提供するように構成された、ゲート、ソース、及びドレイン接続タブと、
前記第１面の反対側の前記少なくとも１つの半導体装置の第２面上に位置する両面セラミック基板であって、前記表面実装パッケージが接合されたときに前記外部回路から前記少なくとも１つの半導体装置の裏面ドレインを電気的に絶縁するように構成されており、更に前記少なくとも１つの半導体装置から熱を取り出すように構成されている、両面セラミック基板と、
を備えるパッケージング及び相互接続システムと、
を備え、
前記パッケージング及び相互接続システムは、上面および底面を有し、
前記底面は、前記外部回路に取り付け可能な平坦な表面を有し、
前記両面セラミック基板は、前記パッケージング及び相互接続システムの平坦な底面の第１の部分を形成し、
前記ゲート、ソース、及びドレイン接続タブは、前記パッケージング及び相互接続システムの平坦な底面の第２の部分を形成する、
表面実装パッケージ。
【請求項２】
前記ゲート、ソース、及びドレイン接続タブは、半田パッドを含む、請求項１に記載の表面実装パッケージ。
【請求項３】
前記ゲート、ソース、及びドレイン接続タブは、前記両面セラミック基板と一緒に、前記表面実装パッケージの前記平坦な底面を形成する、請求項２に記載の表面実装パッケージ。
【請求項４】
前記ゲート、ソース、及びドレイン接続タブは、前記金属相互接続構造及び前記少なくとも１つの半導体装置に電気的に結合されている、請求項１に記載の表面実装パッケージ。
【請求項５】
前記ＰＯＬパッケージング及び相互接続システムは、
前記金属化層上に塗布された誘電最上層、又は
前記金属化層上に塗布された上面両面セラミック基板、
のうちの１つを更に備える、請求項１に記載の表面実装パッケージ。
【請求項６】
前記誘電最上層及び前記上面両面セラミック基板のうちの前記１つは、接触式冷却器の取り付けを適合させるために、前記表面実装パッケージのための平坦な上面を呈するように構成されており、これによって、前記表面実装パッケージの両面冷却を提供する、請求項５に記載の表面実装パッケージ。
【請求項７】
前記両面セラミック基板は、その上面及び底面に銅シートが塗布されたセラミック絶縁タイルを含む直接接合銅（ＤＢＣ）構造を備える、請求項１に記載の表面実装パッケージ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの半導体装置は、パワー半導体装置を含む、請求項１に記載の表面実装パッケージ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの半導体装置は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣダイオードのうちの少なくとも１つを備える、請求項８に記載の表面実装パッケージ。
【請求項１０】
前記パッケージング及び相互接続システムは、前記表面実装パッケージ内のインダクタンスループを低減するために、前記表面実装パッケージに、及びその内部に平坦な接続を提供するように構成されている、請求項１に記載の表面実装パッケージ。
【請求項１１】
外部回路に実装されるように構成された上面及び底面を含む表面実装モジュールにおいて、
１つ以上のパワー半導体装置と、
前記１つ以上のパワー半導体装置を包み、前記外部回路への前記表面実装モジュールの実装を提供するように構成された、パワーオーバレイ（ＰＯＬ）パッケージング及び相互接続システムであって、
前記１つ以上のパワー半導体装置の活性面に重ねられた誘電層と、
前記誘電層上に形成され、前記１つ以上のパワー半導体装置に電気的に結合されるように、前記誘電層に形成された開口部を通じて下方に延在する、金属化相互接続構造と、
前記外部回路への接続を提供するために前記表面実装モジュールの前記底面に形成された複数の接続タブであって、平坦な半田付け可能タブを含む、複数の接続タブと、
前記複数の接続タブに隣接して位置する両面セラミック基板であって、前記１つ以上のパワー半導体装置から熱を取り出して前記表面実装モジュールから追い出しながら、前記１つ以上のパワー半導体装置の裏面ドレインを前記外部回路から空間的に分離して電気的に絶縁するように構成されている、両面セラミック基板と、
を備えるパッケージング及び相互接続システムと、
を備え、
前記金属化相互接続構造、前記複数の接続タブ、及び前記両面セラミック基板は、前記表面実装モジュールのための複数の平面相互接続を形成し、
前記複数の平面相互接続は、前記表面実装モジュールの平坦な上面と、前記表面実装モジュールの平坦な底面とを有する、
表面実装モジュール。
【請求項１２】
前記複数の接続タブは、前記両面セラミック基板と一緒になって前記表面実装モジュールの前記平坦な底面を形成する、ゲート、ソース、及びドレイン接続タブを備える、請求項１１に記載の表面実装モジュール。
【請求項１３】
前記金属化相互接続構造は、前記表面実装モジュールへの接触式冷却器の取り付けを適合させるように構成された、前記平坦な上面を備える、請求項１１に記載の表面実装モジュール。
【請求項１４】
前記パワーオーバレイ（ＰＯＬ）パッケージング及び相互接続システムは、前記金属化相互接続構造上に塗布された誘電最上層及び上面両面セラミック基板を更に備える、請求項１１に記載の表面実装モジュール。
【請求項１５】
前記両面セラミック基板は、
セラミックタイルと、
前記セラミックタイルの対向面の各面に取り付けられた銅シートと、
を含む、直接接合銅（ＤＢＣ）構造を備える、請求項１１に記載の表面実装モジュール。
【請求項１６】
表面実装パッケージにおいて、
１つ以上のパワー半導体装置と、
外部回路への前記表面実装パッケージの実装を提供するために前記少なくとも１つの半導体装置を包むパワーオーバレイ（ＰＯＬ）パッケージング及び相互接続システムと、
を備え、
前記ＰＯＬパッケージング及び相互接続システムは、前記１つ以上のパワー半導体装置と、前記ＰＯＬパッケージング及び相互接続システムの内部接続と、前記外部回路との間の複数の平面相互接続を形成し、
前記複数の平面相互接続は、前記表面実装パッケージの平坦な第１面と、前記表面実装パッケージの編端な第２面とを有し、
前記ＰＯＬパッケージング及び相互接続システムは、前記１つ以上のパワー半導体装置から熱を取り出して前記表面実装パッケージから追い出しながら、前記表面実装パッケージが前記外部回路に実装されたときに前記１つ以上のパワー半導体装置の裏面ドレインを前記外部回路から電気的に絶縁するように構成されている、
表面実装パッケージ。
【請求項１７】
前記ＰＯＬパッケージング及び相互接続システムは、
前記１つ以上のパワー半導体装置の第１面に重ねられて接着層によってこれに接合されている誘電層であって、前記誘電層及び接着層は、これらを貫通して形成された複数のビアホールを含む、誘電層と、
前記１つ以上のパワー半導体装置の複数の接続パッドに電気的に結合されるように、前記誘電層及び接着層を貫通して形成されたビアホールを通じて延在する金属相互接続構造と、
前記金属相互接続構造上に形成されて平板状構造を備える金属化層と、
前記第１面の反対側の前記少なくとも１つの半導体装置の第２面上に位置する両面セラミック基板であって、前記表面実装パッケージが接合されたときに前記外部回路から前記少なくとも１つのパワー半導体装置のドレインを電気的に絶縁するように構成されており、更に前記少なくとも１つの半導体装置から熱を取り出すように構成されている、両面セラミック基板と、
を備える、請求項１６に記載の表面実装パッケージ。
【請求項１８】
前記ＰＯＬパッケージング及び相互接続システムは、前記金属化層上に塗布された上面両面セラミック基板を更に備え、
前記上面両面セラミック基板は、前記表面実装パッケージの前記第１面を形成して、前記前記表面実装パッケージの平坦を両面冷却する、
請求項１７に記載の表面実装パッケージ。