【事件の表示】
　特願２０１１−２６８９４０「磁気層構造、磁気層構造にバイアスをかける方法、および変換器」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　７月１２日出願公開、特開２０１２−１３４４８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は，平成２３年１２月８日（パリ条約による優先権主張２０１０年１２月１７日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２４年７月２７日付けで手続補正書の提出がなされ，平成２５年１２月１１日付けで拒絶理由の通知がなされ，平成２６年５月１６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ，同年１０月１６日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して平成２７年２月２３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ，当審において平成２８年６月１０日付けで拒絶理由を通知し，同年１２月１３日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされたものである。
　
２　当審による拒絶理由通知の概要
　審判合議体が平成２８年６月１０日付けで通知した拒絶理由通知における，特許法第２９条第２項の判断（本願に係る発明の容易想到性の判断）の概要は次のとおりである。
　平成２７年２月２３日付け手続補正書により補正された，本願の特許請求の範囲の請求項１ないし８，１０ないし１５の各請求項に係る発明は，引用文献１ないし３に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，また，請求項９に係る発明は，引用文献１ないし４に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，上記手続補正書により補正された，本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１５の各請求項に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　引用文献１：特開２００２−２３２０３９号公報 
　　　　引用文献２：特開２００５−３２４０５号公報 
　　　　引用文献３：特開２００７−２８７２３９号公報 
　　　　引用文献４：特表２００４−５３１０１７号公報　　　　　
３　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は，平成２８年１２月１３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「磁気層構造であって、
　ピン止め層と、
　ピン止め層の磁気配向を規定する第１の反強磁性層と、
　自由層と、
　ピン止め層の磁気配向に対してほぼ垂直な磁気配向へと自由層にバイアスをかける第２の反強磁性層と、
　第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に接触し、自由層のバイアスを所望のレベルに調整する調整層と、
　自由層の側面および調整層の側面に対向する１つ以上の側面シールドとを含み、
　調整層は、クロム、ルテニウム、タンタルおよび／またはロジウムを含み、
　側面シールドは、軟磁性材料を含む、磁気層構造。」
　　　　 　　　
４　引用文献 
（１）　引用文献１について
　当審において通知した拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献１には，下記の事項が記載されている。
　　ア　「【００２１】すなわち、本発明構成においては、上述したように自由磁性層に非磁性スペーサ層を介して第２の反強磁性層を交換結合させることによって、自由磁性層と第２の反強磁性層との交換結合エネルギーの非磁性スペーサ層の厚さの依存性を利用して、所要の安定化バイアス磁界を得ることができるようにするものである。」
　　イ　「【００３４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるＳＶ型ＧＭＲ２５の一実施形態のいわゆるボトム型ＳＶ型ＧＭＲ構成とした場合の、一例の概略断面図を示す。この例においては、基板１２上に、下地層１３を形成し、この上に、第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４とを有する積層部上に、更に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２が積層形成された構成を有する。また、この第２の反強磁性層２２上には保護層２３が形成されている。そして、第１の反強磁性層１とこれに接合する固定磁性層２との交換結合による磁化容易軸の方向と、第２の反強磁性層２２と自由磁性層４との長距離交換結合磁界による磁化容易軸の方向とは直交するように設定される。」
　　ウ　「【００４３】また、非磁性導電層３および非磁性スペーサ層２１は、導電性を有する非磁性の例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔや、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｇによって構成することができる。」
　　エ　「【００６７】また、本発明によるＳＶ型ＧＭＲ２５を、感磁部として、例えば図１５Ａで説明した構成に対応する磁気ヘッド、すなわち再生磁気ヘッド２９を構成する場合の例を、図１１Ａに示す。この例においては、ＣＩＰ構成とした場合で、図１１において、図１５と対応する部分には同一符号を付して示す。
【００６８】この磁気ヘッド２９においては、下部磁気シールド６上に、所要の厚さを有する非磁性層による下部ギャップ層７が形成され、この上に、図１で示したボトム型の本発明によるＳＶ型ＧＭＲ２５が形成され、これを挟んでその両側端に、ＳＶ型ＧＭＲ５の自由磁性層に所要の安定化バイアス磁界を、上述した第２の反強磁性層２２による安定化バイアス磁界と同方向に与えるように着磁される硬磁性層８が配置され、これら硬磁性層８上に、ＳＶ型ＧＭＲ２５の面方向にセンス電流を通電する対の電極９が配置される。そして、全面的に非磁性層による上部ギャップ層１０が形成され、この上に上部磁気シールド１１が被着形成される。
【００６９】この図１１Ａで示した例では、硬磁性層８が配置された構成を有する場合で、この場合、ＳＶ型ＧＭＲ２５の自由磁性層に対するバイアス磁界ＨB は、前述した第２の反強磁性層２２と、硬磁性層８との共働によって得るようにした場合である。したがって、この硬磁性層８を設ける場合においても、この磁界強度は、充分小さくすることができることから、その厚さを充分薄くするか、あるいは省略することができ、図１１Ａで示されるように、全体としてほぼ平坦に、したがって、上下磁気シールド１１および６間の間隔を、ＳＶ型ＧＭＲ２５の全域に渡って均一化することができる。
【００７０】このように、自由磁性層の両側端面に配置した硬磁性層８の磁界強度を小さくするか、あるいは排除することができ、しかも自由磁性層の全域に渡って、前述した第２の反強磁性層２２を配置することによって、その感度は、図１１Ｂに示すように、広域に渡って、高い、一様な感度を示し、図１５Ｂで説明した不感知領域Ｎｓを格段に減少させることができる。つまり、光学幅Ｗに、実効幅Ｗｅを近づけることができ、感度に優れたＳＶ型ＧＭＲ、および再生磁気ヘッドを構成することができる。
【００７１】図１１Ａで示した磁気ヘッド２９の例では、ＣＩＰ構成とした場合であるが、センス電流を、膜面と垂直方向に通電するＣＰＰ構成とすることもできる。この場合の一例の概略断面図を図１２に示す。この場合、例えば図１１Ａにおける電極９に代えてＳｉＯ２ やＡｌ２ Ｏ３ 等の非磁性絶縁層３０を配置し、上下ギャップ層１０および７を導電性非磁性層によって構成する。また、上下磁気シールド１１および６を導電性磁性層による磁気シールド兼電極として、これら間にセンス電流の通電を行う。図１２において、図１１Ａと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。」
　　オ　「【００７７】
【発明の効果】上述したように、本発明によるＳＶ型ＧＭＲにおいては、第１の反強磁性層によって、従前におけると同様に、固定磁性層に所定方向の磁化状態を設定するものであるが、これとは反対側において、自由磁性層と非磁性スペーサ層を介して長距離交換結合する第２の反強磁性層を設け、この第２の反強磁性層との交換結合エネルギーによって、また、自由磁性層に対してバイアス磁界を与える硬磁性層を設ける場合においては、これからの磁界との共働によって自由磁性層に、検出外部磁界が与えられない状態では、所定の向きの磁化状態を設定し、かつ検出外部磁界によっては、容易に磁化の回転を生じることができるようにする。
【００７８】そして、このように、自由磁性層に対する第２の反強磁性層の交換結合を非磁性スペーサ層を介在させた長距離交換結合としたことによって非磁性スペーサ層の材料、厚さ等の選定によって交換結合エネルギーの選定の自由度が大となり、確実に望ましいバイアス磁界を自由磁性層に与えることができる。
【００７９】そして、自由磁性層に対して長距離交換結合される第２の反強磁性層を、自由磁性層の全域に対して配置する構成とすることができることから、自由磁性層のほぼ全域において、均一に、所定方向の単一磁化状態を設定することができるものであり、このことと、硬磁性層によるバイアス磁界を小さくするとか、全廃することができることから、硬磁性層を肉薄にするとかあるいは全く排除した構成とすることができることとが相俟って、バルクハウゼンノイズの回避と、広面積に渡る高感度、感度分布の平坦化、ＳＶ型ＧＭＲの端部における不感知領域の低減を効果的に図ることができるものである。」
    カ　図１２には，ＳＶ型ＧＭＲの側面側に，硬磁性層８及び非磁性絶縁層３０を積層した構造が記載されている。
　　キ　ここで，上記の記載事項について検討する。
　　（ア）　磁気抵抗効果素子の構造
　上記ア及びイには，磁気抵抗効果素子であるＳＶ型ＧＭＲ２５の磁性層の積層構造として，「第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４とを有する積層部上に、更に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２」が積層形成され，「第１の反強磁性層１とこれに接合する固定磁性層２との交換結合による磁化容易軸の方向と、第２の反強磁性層２２と自由磁性層４との長距離交換結合磁界による磁化容易軸の方向とは直交するように設定」されることが記載されている。　
　　（イ）　非磁性スペーサ層
　上記アには，非磁性スペーサ層について，「自由磁性層に非磁性スペーサ層を介して第２の反強磁性層を交換結合させることによって、自由磁性層と第２の反強磁性層との交換結合エネルギーの非磁性スペーサ層の厚さの依存性を利用して、所要の安定化バイアス磁界を得る」ことが記載され，上記ウには，「非磁性スペーサ層２１は、導電性を有する非磁性の例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔや、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｇによって構成する」ことが記載されている。
　　（ウ）　磁気ヘッドの構成
　上記カから，図１２には，ＳＶ型ＧＭＲの側面側に，硬磁性層８及び非磁性絶縁層３０を積層した構造が記載されている。
　上記エには，図１２の磁気ヘッドは，ＣＩＰ構成の磁気ヘッドが記載された図１１Ａと対応する部分には同一符号を付したＣＰＰ構成の磁気ヘッドであること，また，該同一符号を付した部分について重複説明を削除することが記載されている。
　そして，硬磁性層８については，「硬磁性層８が配置された構成を有する場合で、この場合、ＳＶ型ＧＭＲ２５の自由磁性層に対するバイアス磁界ＨB は、前述した第２の反強磁性層２２と、硬磁性層８との共働によって得るようにした場合である。したがって、この硬磁性層８を設ける場合においても、この磁界強度は、充分小さくすることができることから、その厚さを充分薄くするか、あるいは省略することができ」ることが上記エに記載され，また，「硬磁性層によるバイアス磁界を小さくするとか、全廃することができることから、硬磁性層を肉薄にするとかあるいは全く排除した構成とすることができる」ことが上記オに記載されている。
　そうすると，引用文献１には，ＣＰＰ構成の磁気ヘッドとして，ＳＶ型ＧＭＲの側面側に，硬磁性層８及び非磁性絶縁層３０を積層した構造を設けたもの以外に，硬磁性層８によるバイアス磁界を全廃するために硬磁性層８を全く排除し，非磁性絶縁層３０のみを設けた構造が記載されているものと認められる。
　　ク　上記キの検討から，引用文献１には，下記の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１の反強磁性層と、前記第１の反強磁性層と接合する固定磁性層と、非磁性導電層と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層と、前記自由磁性層とを有する積層部上に、更に非磁性スペーサ層を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層とが積層形成された構成を有し，
　前記第１の反強磁性層とこれに接合する前記固定磁性層との交換結合による磁化容易軸の方向と、前記第２の反強磁性層と前記自由磁性層との長距離交換結合磁界による磁化容易軸の方向とは直交するように設定され，
　前記自由磁性層に前記非磁性スペーサ層を介して前記第２の反強磁性層を交換結合させることによって、前記自由磁性層と前記第２の反強磁性層との交換結合エネルギーの前記非磁性スペーサ層の厚さの依存性を利用して、所要の安定化バイアス磁界を得るものであり，
　前記非磁性スペーサ層は、導電性を有する非磁性の例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔや、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｇによって構成され，
　前記自由磁性層と前記非磁性スペーサ層の側面に非磁性絶縁層を設けた，磁気ヘッドに適用される磁性層の積層構造。」
（２）　引用文献２について
　当審において通知した拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献２には，下記の事項が記載されている。
　　ア　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
　以下、本発明の具体的実施の形態について詳細に説明する。
【００２９】
　本発明の要部は再生ヘッドに組み込まれたスピンバルブ膜構造の磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果素子の構造にある。
【００３０】
　図１は、本発明の実施の形態における再生ヘッドの要部を示す平面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図３は図１におけるＢ−Ｂ線断面図であり、図４は図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【００３１】
　図２に示されるように磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）５を構成する磁気抵抗効果膜は、非磁性層５３と、この非磁性層５３の一方の面（この実施例では図面の下方側）に形成された強磁性層５２と、非磁性層の他方の面（この実施例では図面の上方側）に形成され磁気情報である外部磁場に応答して自由に磁化の向きが変えられるように作用することのできる軟磁性層５４と、前記強磁性層５２の磁化の向きをピン止めするために強磁性層５２の片面（非磁性層５３と接する面と反対側の面）に接して形成されたピンニング層５１とを有する多層膜構造を備えている。図面で示されている好適例は、ピンニング層５１をボトム側に位置させた、いわゆる、ピンニング層ボトムタイプのスピンバル膜構成である。
【００３２】
　より具体的には、下地層２５の上にピンニング層５１、強磁性層５２、非磁性層５３、軟磁性層５４、縦バイアス磁界制御層４０および保護層５５を順次積層した構造としている。強磁性層５２は、磁化の方向が固定された層であり、通常、強磁性膜から構成される。強磁性層５２は１層のみの構成に限定されることなく強磁性膜的作用をする多層構造としてもよい。ピンニング層５１は、強磁性層５２における磁化の方向を固定するための層であり、通常、反強磁性膜から構成される。非磁性層５３は、例えばＣｕ膜等から構成される。軟磁性層５４は、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層であり、通常、軟磁性膜から構成される。軟磁性層５４は１層のみの構成に限定されることなく軟磁性膜的作用をする多層構造としてもよい。」
　　イ　「【００３７】
　縦バイアス磁界制御層４０の構成は、以下の２通りの構成に大別することができる。以下、各構成について詳細に説明する。
【００３８】
　（１）縦バイアス磁界制御層４０が、非磁性中間層４１と反強磁性層４３との積層体であって、非磁性中間層４１が軟磁性層５４の膜面と接するように配置されて構成される場合
【００３９】
　この場合、縦バイアス磁界制御層４０（特に、反強磁性層４３）は、軟磁性層５４と交換結合しており、その交換結合磁界が前記カウンタバイアス磁界を構成するように形成される。このケースにおける非磁性中間層４１は、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、およびＣｒのグループから選定され少なくとも１種を含み構成される。そして、非磁性中間層４１の厚さは、縦バイアス磁界制御層４０の反強磁性層４３と前記軟磁性層とが交換結合できる厚さとされる。具体的には使用する非磁性中間層４１の金属の種類をも考慮しつつ、例えば、１ｎｍ以下、特に、０．１〜０．５ｎｍの厚さに設定される。」　
　　ウ　上記アおよびイには，再生ヘッドに組み込まれた磁気抵抗効果素子において，「外部磁場に応答して自由に磁化の向きが変えられるように作用することのできる軟磁性層５４」に，「非磁性中間層４１と反強磁性層４３との積層体」のうち，「Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、およびＣｒのグループから選定され少なくとも１種を含」む「非磁性中間層４１が軟磁性層５４の膜面と接するように配置され」，「非磁性中間層４１の厚さは、縦バイアス磁界制御層４０の反強磁性層４３と前記軟磁性層とが交換結合できる厚さとされる」ことが記載されているので，引用文献２には，下記の事項が記載されていると認められる。
　「再生ヘッドに適用される磁気抵抗効果素子において，軟磁性層と反強磁性層の間に設けたＣｒからなる非磁性中間層の厚さを設定することで，外部磁場に応答して自由に磁化の向きが変えられる軟磁性層と反強磁性層との交換結合を調整すること。」
　　　　
（３）　引用文献３について
　当審において通知した拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献３には，下記の事項が記載されている。
　　ア　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
　以下、本発明の磁気ヘッドの素子形状を形成する具体的な手段について図３（ａ）〜図３（ｈ）を用いて説明する。
【００１２】
　ここに示す再生素子は固定層が基板側にあるbottom型であり、自由層の磁区をそろえるための積層磁区制御層を自由層の上に積層する。すなわち、図３（ａ）に示すように、下部シールド層１０上に磁気抵抗効果素子１４として、下地層２５、反強磁性層２４、固定層２３、中間層２２、自由層２１を積層する。次に、図３（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４の上にフォトリソグラフィによってマスク材３を形成する。次に、イオンビームエッチングを用いて磁気抵抗効果膜をパターン形成する。この工程ではエッチング角度θを４段階で変化させながらエッチングを行う。すなわち、図３（ｃ）のようにエッチング角度θが１５〜３０°の範囲で中間層２２までエッチングし、次に図３（ｄ）のように６０〜８０°の範囲で素子上部から中間層２２までの再付着を除去し、再び図３（ｅ）のように１５〜３０°の範囲で下地層２５までエッチングし、更に図３（ｆ）のようにエッチング角度６０〜８０°の範囲で素子側壁の再付着除去を行う。ここでエッチング角度の定義は基板法線方向に対するイオンビームの入射角度である。」
　　イ　「【００１５】
　次に図３（ｇ）に示すように、上記工程でパターン形成した磁気抵抗効果素子１４の周囲に、絶縁層１２、保護層１３を形成し、リフトオフでマスク材３とマスク材に付着した絶縁層１２、保護層１３を取り去る。この後、図３（h）に示すように上部シールド１１を形成する。
【００１６】
　保護層１３はサイドシールド層、磁区制御層やこれらの一部を兼ねていても良い。サイドシールド層とは、軟磁性体からなり、隣接トラックからの漏れ磁界を吸収する効果がある。サイドシールド層を兼ねる場合はニッケル鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなる軟磁性材料で構成し、高い空間分解能を持つ再生ヘッドを作製できる。磁区制御層を兼ねる場合はコバルトクロム白金（ＣｏＣｒＰｔ）などからなる高保磁力材料で構成し、自由層の単磁区化を容易にする機能を持つ。」
　　ウ　「【００２２】
　自由層２１は、例えばＣｏＦｅ（１ｎｍ）の上にＮｉＦｅ（２ｎｍ）が形成された２層の構造からなっている。・・・中略・・・絶縁層１２は上部シールド１１と下部シールド１０を絶縁するためのものであり、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料（約１５ｎｍ）により構成されている。」
　　エ　図３（h）には，磁気抵抗効果素子１４の側面に絶縁層１２と保護層１３を積層したものが設けられた構造が記載されている。
　　オ　上記アには，磁気ヘッドが磁気抵抗効果素子により構成されていること，上記イおよびエには，磁気抵抗効果素子１４の側面に絶縁層１２と保護層１３を積層したものが設けられること，上記イには，隣接トラックからの漏れ磁界を吸収するために，保護層１３を軟磁性体からなるサイドシールド層とすること，上記ウには，絶縁層１２は，非磁性絶縁体として知られるＡｌ２Ｏ３により構成されることが記載されているので，引用文献３には，下記の事項が記載されていると認められる。
　　
「磁気ヘッドにおいて，磁気抵抗効果素子の側面に非磁性絶縁体とサイドシールド層として機能する軟磁性体を積層したものを設け，隣接トラックの雑音を吸収すること。」
　　　　　　  
５　対比 
（１）　本願発明と引用発明との対応関係について
　　ア  引用発明の「固定磁性層」は，「第１の反強磁性層」と交換結合されて「磁化容易軸の方向」が設定されるものであるから，引用発明の「固定磁性層」および「第１の反強磁性層」は，本願発明の「ピン止め層」および「ピン止め層の磁気配向を規定する第１の反強磁性層」に相当する。
　　イ　引用発明の「信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層」は，「第２の反強磁性層」と長距離交換結合されて，自由磁性層の磁化容易軸の方向と固定磁性層の磁化容易軸の方向とは直交するように設定されることから，引用発明の「信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層」および「第２の反強磁性層」は，本願発明の「自由層」および「ピン止め層の磁気配向に対してほぼ垂直な磁気配向へと自由層にバイアスをかける第２の反強磁性層」に相当する。
　　ウ　引用発明では，「前記自由磁性層と前記第２の反強磁性層との交換結合エネルギー」が「前記非磁性スペーサ層の厚さの依存性を利用して」いることから，自由磁性層と第２の反強磁性層との長距離交換結合のレベルは，自由磁性層と第２の反強磁性層との間に介在する非磁性スペーサ層の厚さによって設定されるものと認められる。
　そうすると，引用発明の「非磁性スペーサ層」は，下記の相違点１を除いて，本願発明の「第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に接触し、自由層のバイアスを所望のレベルに調整する調整層」に相当している。
　　エ　引用発明の「磁気ヘッドに適用される磁性層の積層構造」は，「磁気層構造」の下位概念であるから，引用発明の「磁気ヘッドに適用される磁性層の積層構造」は，本願発明の「磁気層構造」に相当する。
（２）　本願発明と引用発明の一致点及び相違点について
　上記の対応関係から，本願発明と引用発明は，下記アの点で一致し，また下記イ及びウの点で相違する。
　　ア　一致点
「磁気層構造であって、
　ピン止め層と、
　ピン止め層の磁気配向を規定する第１の反強磁性層と、
　自由層と、
　ピン止め層の磁気配向に対してほぼ垂直な磁気配向へと自由層にバイアスをかける第２の反強磁性層と、
　第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に接触し、自由層のバイアスを所望のレベルに調整する調整層とを含む、磁気層構造。」
　　イ　相違点１ 
　本願発明の「調整層」は，「クロム、ルテニウム、タンタルおよび／またはロジウムを含」むものであるのに対し，引用発明の「非磁性スペーサ層」は、「導電性を有する非磁性の例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔや、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｇによって構成」されたものである点。
　　ウ　相違点２ 
　本願発明は，「自由層の側面および調整層の側面に対向する１つ以上の側面シールドとを含み」、「側面シールドは、軟磁性材料を含む」ものであるのに対し，引用発明は上記の構成を備えていない点。
６　当審の判断 
（１）　相違点１について
　上記４（２）ウのとおり，再生ヘッドに適用される磁気抵抗効果素子において，軟磁性層と反強磁性層の間に設けたＣｒからなる非磁性中間層の厚さを設定することで，外部磁場に応答して自由に磁化の向きが変えられる軟磁性層と反強磁性層との交換結合を調整することは，引用文献２に記載されている。
　そして，該「再生ヘッド」は磁気ヘッドの再生側のヘッドであり，「外部磁場に応答して自由に磁化の向きが変えられる軟磁性層」は自由層として機能するものであることを踏まえると，引用発明と引用文献２に記載された事項とは，磁気ヘッドに適用される磁性層の積層構造において，自由層と反強磁性層の間に設けた非磁性中間（スペーサ）層の厚さを設定することで，自由層と反強磁性層との交換結合を調整する点で共通しているから，引用文献２に接した当業者であれば，引用発明の「非磁性スペーサ層」として，引用文献２に記載された「Ｃｒからなる非磁性中間層」を用いることは，容易に想到し得たものである。
　そうすると，引用発明において，相違点１に係る構成とすることは，引用文献２に接した当業者であれば容易に想到し得たものである。
（２）　相違点２について
　磁気ヘッドにおいてサイドシールドを設けること自体は，引用文献を示すまでもなく周知技術であるところ，上記４（３）オのとおり，引用文献３には，「磁気ヘッドにおいて，磁気抵抗効果素子の側面に非磁性絶縁体とサイドシールド層として機能する軟磁性体を積層したものを設け，隣接トラックの雑音を吸収する」ことが記載されていると認められる。
　そして，同じ磁気ヘッドに適用される引用発明においても，隣接トラックからの雑音の影響は受けるものと認められるので，そのような雑音を吸収するために，引用発明の自由磁性層と非磁性スペーサ層の側面に設けられた非磁性絶縁層を，非磁性絶縁体とサイドシールド層として機能する軟磁性体を積層したものとすることは，引用文献３に接した当業者であれば容易に想到し得たものである。
　また，引用発明に引用文献３に記載された事項を適用する際に，軟磁性体は外部磁界を検出するための自由磁性層をシールドしなければならないので，自由磁性層含むある程度の範囲の側面に設けることは，当業者が当然に行い得るものといえる。
　そうすると，引用発明においても，相違点２の構成とすることは，引用文献３に接した当業者であれば容易に想到し得たものである。
（３）　本願発明の作用効果について　　　
　本願発明の作用効果も，引用発明，引用文献２に記載された事項，引用文献３に記載された事項，および周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　　　　
　なお，平成２８年１２月１３日付け意見書の第２頁において，審判請求人は，　
「つまり、引用文献１においては、硬磁性層の厚みを限りなくゼロにすることによりシールド間の間隔の均一化を図ることを目的としていますが、硬磁性層を軟磁性層に置き換えることまでは意図しておりません。万一、硬磁性層を軟磁性層に置き換えたとしても、軟磁性層の厚みを薄くできる訳ではないため、硬磁性層を軟磁性層に置き換えることは、引用文献１の目的と反すると考えられます。
　また引用文献３の段落００１６には、・・・中略・・・つまり、引用文献３においては、単に保護層１３は軟磁性層および硬磁性層のいずれでもよいと記載されているだけです。しかしながら、側面シールドを軟磁性層および硬磁性層のいずれにするかは、読み取り素子の構造と密接に関連しており、単純に置き換え可能なものではありません。そのため、硬磁性層を軟磁性層に置き換えることを全く意図していない引用文献１に引用文献３を組み合わせる動機付けはありません。万一、硬磁性層を軟磁性層に置き換えることがあったとしても、軟磁性材料の側面シールドを調整層の側面に対向するように配置することに想到することは当業者にとって容易ではありません。」
と主張している。
　しかしながら，上記４（１）キ（ウ）に記載したように，引用文献１には，ＣＰＰ構成の磁気ヘッドとして，ＳＶ型ＧＭＲの側面側に，硬磁性層８及び非磁性絶縁層３０を積層した構造を設けたもの以外に，硬磁性層８によるバイアス磁界を全廃するために硬磁性層８を全く排除し，非磁性絶縁層３０のみを設けた構造が記載されているものと認められるので，「硬磁性層を軟磁性層に置き換える」ことを前提とした上記審判請求人の主張は，採用することができない。
　　
７　むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用文献２に記載された事項，引用文献３に記載された事項，および周知技術に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶されるべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。