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【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脈波成分および体動ノイズ成分を含む生体信号を検出する生体信号検出部と、
体動信号を検出する体動信号検出部と、
前記生体信号から前記脈波成分および前記体動ノイズ成分を前記体動信号に基づいて分離する体動ノイズ除去部と、を備え
前記体動ノイズ除去部は、学習特性が異なる複数のフィルター部と、
前記体動信号と複数の前記フィルター部からの出力信号との相関度合いを示す相関情報を算出する相関情報算出部と、
前記相関情報に基づいて複数の前記フィルター部からの出力信号を選択する選択部と、
を備えることを特徴とする生体情報処理装置。
【請求項２】
前記学習特性は、前記体動信号の変動に対応した追従特性を制御するステップサイズを含むことを特徴とする請求項１に記載の生体情報処理装置。
【請求項３】
前記相関情報算出部は、前記フィルター部からの前記出力信号毎に、前記相関情報を前記体動信号に基づいて算出し、前記選択部は、前記相関情報の絶対値が最小となる前記フィルター部からの出力信号を選択することを特徴とする請求項１または２に記載の生体情報処理装置。
【請求項４】
前記フィルター部からの前記出力信号は、前記脈波成分を推定する推定脈波信号であることを特徴とする請求項３に記載の生体情報処理装置。
【請求項５】
前記相関情報算出部は、前記フィルター部からの前記出力信号毎と前記体動信号とに基づいて前記相関情報を算出し、前記選択部は、前記相関情報の絶対値が最大となる前記フィルター部からの出力信号を選択することを特徴とする請求項１または２に記載の生体情報処理装置。
【請求項６】
前記フィルター部からの前記出力信号は、前記体動ノイズ成分を推定する推定体動ノイズ信号であることを特徴とする請求項５に記載の生体情報処理装置。
【請求項７】
前記選択部は、選択した前記出力信号を出力した前記フィルター部の前記相関情報と、他の前記フィルター部の前記相関情報との差分が、所定の閾値を超えた場合、前記選択した前記出力信号を出力した前記フィルター部の前記学習特性を前記他のフィルターの前記学習特性に設定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の生体情報処理装置。
【請求項８】
前記体動信号は、一軸方向あるいは互いに交差する少なくとも二軸方向の加速度信号を含み、各軸からの信号を順次前記体動信号として適用することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の生体情報処理装置。
【請求項９】
前記体動信号は、前記生体信号の検出部位の押圧を示す接触圧信号を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の生体情報処理装置。
【請求項１０】
前記選択部で選択した信号に基づいて脈拍数を算出する制御部をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の生体情報処理装置。
【請求項１１】
脈波成分および体動ノイズ成分を含む生体信号を検出する生体信号検出工程と、
体動信号を検出する体動信号検出工程と、
前記生体信号から前記脈波成分および前記体動ノイズ成分を前記体動信号に基づいて分離するフィルター工程であって、学習特性が異なる複数の前記フィルター工程を用いて分離する体動ノイズ除去処理工程と、
前記体動信号と複数の前記フィルター工程からの出力信号との相関度合いを示す相関情報を算出する相関情報算出工程と、
前記相関情報に基づいて複数の前記フィルター工程からの出力信号を選択する選択工程と、
を備えることを特徴とする生体情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に対して光を出射する発光部と、
前記対象物からの光を受光する受光部と、
少なくとも前記受光部の一部を遮光する遮光用部材と、
を含み、
前記遮光用部材は、
前記発光部と前記受光部との間に設けられる遮光壁を有し、
前記遮光壁は、前記遮光用部材の第１の金属面が設けられていることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項２】
請求項１において、
前記遮光用部材は、
前記第１の金属面に交差する方向に沿って設けられる第２の金属面及び第３の金属面を有し、
前記第１の金属面の第１の端面は、前記第１の金属面を前記発光部側から見た正面視において、前記第２の金属面の端面よりも、一方側に突出し、
前記第１の金属面の前記第１の端面に対向する第２の端面は、前記正面視において、前記第３の金属面の端面よりも、前記一方とは異なる他方側に突出していることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の金属面と前記第２の金属面とは第１の隙間領域を介して隣接して設けられ、前記第１の金属面と前記第３の金属面とは第２の隙間領域を介して隣接して設けられることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記遮光用部材は、
前記第１の金属面に交差する方向に沿って設けられる第４の金属面を有し、
前記第４の金属面には、前記対象物と前記受光部の間の光路において前記対象物からの光を絞る絞り部が形成されていることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記発光部と前記受光部の間の距離をＬＤとした場合に、０．３ｍｍ＜ＬＤ＜３ｍｍであることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項６】
請求項５において、
０．３ｍｍ＜ＬＤ＜２．５ｍｍであることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記発光部、前記受光部及び遮光用部材が実装される基板を有し、
前記遮光用部材は、
前記遮光用部材を前記基板に固定するために前記基板の穴部に係止される第１、第２の突起部を有し、
前記第１、第２の突起部は、前記遮光用部材の中心線に対して非線対称な位置に設けられていることを特徴とする光検出ユニット。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の光検出ユニットを含むことを特徴とする生体情報検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学記憶媒体であって、当該光学記憶媒体が、
ポリマーマトリックスと、
ポリマーマトリックス内に配置された反応体であって、励起された増感剤からのエネルギー移動を受けた際組成物の屈折率を変化させる修飾を起こすことができる反応体と、
ポリマーマトリックス内に配置されており、強度閾値を上回る強度を有する光に曝露されると励起されるように構成され、かつ反応体へエネルギーを移動するように構成されたサブフタロシアニン（Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣ）逆可飽和吸収剤を含む非線形増感剤と
を含んでおり、Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣがサブフタロシアニン部分、リンカー部分、金属結合部分及び金属部分を含んでいて、金属部分がインジウム、鉛、亜鉛、スズ、セシウム、タリウム、アンチモン、ナトリウム、カリウム又はルビジウムの１種以上を含んでいる、光学記憶媒体。
【請求項２】
前記修飾が化学反応又は組成物の一部分の物理状態変化を含む、請求項１記載の光学記憶媒体。
【請求項３】
前記エネルギー移動が放射エネルギー移動、非放射エネルギー移動又はその任意の組合せを含む、請求項１又は請求項２記載の光学記憶媒体。
【請求項４】
前記反応体が、スチルベン誘導体、シンナメート誘導体、ジフェニルシクロプロペン（ＤＰＣＰ）誘導体又は相変化ポリマーの１種以上を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項５】
前記ポリマーマトリックスがポリマー鎖を含み、反応体が、ポリマー鎖に結合した１以上のスチルベン誘導体、シンナメート誘導体又はジフェニルシクロプロペン（ＤＰＣＰ）誘導体を含む、請求項４記載の光学記憶媒体。
【請求項６】
Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣのサブフタロシアニン部分が、サブフタロシアナトホウ素（ＩＩＩ）、２，９，１６−トリブロモサブフタロシアナトホウ素（ＩＩＩ）、２，９，１６−トリヨードサブフタロシアナトホウ素（ＩＩＩ）、トリニトロサブフタロシアナトホウ素（ＩＩＩ）、２，９，１６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルサブフタロシアナトホウ素（ＩＩＩ）、２，９，１７−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルサブフタロシアナトホウ素（ＩＩＩ）又は２，９，１６−トリヨードサブフタロシアニナトホウ素（ＩＩＩ）を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項７】
前記金属結合部分が、クラウンエーテル誘導体、ジケトン誘導体、ピリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、カリクサレン誘導体又はシクロデキストリン誘導体の１種以上を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項８】
Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣが、ジケトンリガンド、硝酸塩リガンド、アルキルリガンド、ピリジン系リガンド、ハライド対イオンの１以上を含むリガンド部分を含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項９】
当該光学記憶媒体が、光学記憶媒体上に１以上のマイクロホログラムとしてデータを保存することができ、前記マイクロホログラムが、光の強度及び位相に関する情報を保存するように構成されている、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項１０】
当該光学記憶媒体が０．０１Ｍ〜０．１Ｍの非線形増感剤濃度を有する、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項１１】
当該光学記憶媒体が０．０４Ｍの非線形増感剤濃度を有する、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項１２】
前記ポリマーマトリックスが１種以上のポリ（アルキルメタクリレート）、ポリ（アルキルアクリレート）、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ（塩化ビニリデン）又はポリ（酢酸ビニル）を含む、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項１３】
Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣ逆可飽和吸収剤が、４０５ｎｍの波長を有する光に応答するように構成されている、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項１４】
前記リンカー部分が、Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣのサブフタロシアニン部分の中心ホウ素原子にアキシアルに結合している、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の光学記憶媒体。
【請求項１５】
逆可飽和吸収剤（ＲＳＡ）色素である次式の三重項増感剤。
【化１】
2013109345.tif 000001
式中、各Ｘ1は独立にプロトン、ハライド、炭素数１〜１０のヒドロカルビル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を含み、Ｒ1は、１個以上の酸素原子を含むリンカー部分、金属結合部分及び金属部分からなるものであって、クラウンエーテル基又はジケトン基を含んでいる。
【請求項１６】
Ｒ1が次の一般式のものである、請求項１５記載の増感剤。
【化２】
2013109345.tif 000002
式中、ｎは１〜１０であり、Ｍはインジウム、鉛、亜鉛、スズ、セシウム、タリウム、アンチモン、ナトリウム、カリウム又はルビジウムを含み、Ｘ5は１以上のリガンド又は対イオンを含む。
【請求項１７】
Ｒ1が次式のものである、請求項１６記載の増感剤。
【化３】
2013109345.tif 000003
【請求項１８】
Ｒ1が次の一般式のものである、請求項１５記載の増感剤。
【化４】
2013109345.tif 000004
式中、各Ｘ6は独立にプロトン、炭素数１〜１０のヒドロカルビル基、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェノキシ基又はハライドを含み、Ｘ3は炭素数１〜１０のアルキル鎖又はアレーン構造を含み、Ｍはインジウム、鉛、亜鉛、スズ、セシウム、タリウム、アンチモン、ナトリウム、カリウム又はルビジウムを含み、Ｘ5は１以上のリガンド又は対イオンを含む。
【請求項１９】
Ｒ1が次式のものである、請求項２１記載の増感剤。
【化５】
2013109345.tif 000005
【請求項２０】
前記金属部分が、インジウム、鉛、スズ、セシウム、タリウム、アンチモン、ナトリウム、カリウム又はルビジウムの１種以上を含む、請求項１５記載の増感剤。
【請求項２１】
光学媒体上にデータを保存する方法であって、
サブフタロシアニン（Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣ）逆可飽和吸収剤（ＲＳＡ）及びポリマーマトリックス内に配置された反応体を含む光学媒体の一部分に、ある強度閾値を上回る強度を有する記録光を照射する工程であって、Ｍ−ｓｕｂ−ＰＣが、サブフタロシアニン部分と、金属結合部分と、サブフタロシアニン部分及び金属結合部分の両方と結合したリンカー部分と、金属結合部分に結合した金属部分とを含んでいる、工程と、
前記記録光によりＭ−ｓｕｂ−ＰＣ  ＲＳＡを励起三重項状態に励起して、励起されたＭ−ｓｕｂ−ＰＣ  ＲＳＡが反応体の修飾を増感させる工程、
反応体を修飾して、光学媒体の一部分の屈折率を変化させ、光学媒体上にホログラムを形成する工程であって、ホログラムが記録光の強度及び位相に関する情報を保存する工程と
を含む方法。
【請求項２２】
ホログラムに保存された情報を非破壊的に再生することができるように、記録光より低い強度の光を用いて光学媒体の一部分を調べることを含む、請求項２１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月9日(2015.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部シールド層と、
前記下部シールド層の上側に配置されたセンサー積層体であって、自由層を含むセンサー積層体と、
前記下部シールド層の上側及び前記センサー積層体のトラック幅方向の両面上に配置された層状硬質バイアス磁石であって、
前記下部シールド層の上側に配置され、前記センサー積層体の前記トラック幅方向の両面と位置合わせされた垂直異方性膜であって、磁場をその形成面に対して垂直な方向に指向させる垂直異方性膜と、
前記垂直異方性膜の上側に配置された面内異方性膜であって、磁場をその形成面の方向に指向させる面内異方性膜と、
を含む層状硬質バイアス磁石と、
前記硬質バイアス磁石及び前記センサー積層体の上側に配置された上部シールド層と、
を含む磁気ヘッド。
【請求項２】
パーセントで表した、前記面内異方性膜の厚さで割った前記垂直異方性膜の厚さとして定義される厚さ比が、約１５％〜約５０％の間である、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記厚さ比が約２０％〜約４０％の間である、請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記層状硬質バイアス磁石の厚さが約５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記面内異方性膜の異方性が前記垂直異方性膜の異方性よりも低い、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記垂直異方性膜の前記異方性は、前記面内異方性膜の前記異方性の約２倍よりも大きい、請求項５に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記センサー積層体は、ＣＰＰ（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−ｐｌａｎｅ）タイプのセンサーである、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記面内異方性膜は前記垂直異方性膜と磁気的に接続されている、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記センサー積層体の一方の面に対向する前記層状硬質バイアス磁石の表面は、前記センサー積層体に対して斜めである、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記磁気ヘッドのトラック幅は、約１５ｎｍ〜約４０ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記下部シールド層の上面から前記上部シールド層の下面までの距離（シールド間ギャップ）は、約１８ｎｍ〜約３０ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記面内異方性膜がＣｏＰｔを含む、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記層状硬質バイアス磁石の下側及び前記下部シールド層の上側に配置され、前記センサー積層体のトラック幅方向の面の少なくとも一部と位置合わせされたシード層をさらに含み、前記シード層は高Ｋｕの材料を含む、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
少なくとも１つの請求項１に記載の磁気ヘッドと、
磁気媒体と、
前記磁気媒体を前記少なくとも１つの磁気ヘッド上に通過させるドライブ機構と、
前記少なくとも１つの磁気ヘッドの動作を制御するための前記少なくとも１つの磁気ヘッドに電気的に接続されたコントローラと、
を含む、磁気データ記憶システム。
【請求項１５】
下部シールド層と、
前記下部シールド層の上側に配置されたＣＰＰ（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−ｐｌａｎｅ）センサー積層体であって、自由層を含むセンサー積層体と、
前記下部シールド層の上側及び前記センサー積層体のトラック幅方向の両面上に配置された層状硬質バイアス磁石であって、
前記下部シールド層の上側に配置され、前記センサー積層体の前記トラック幅方向の両面と位置合わせされた垂直異方性膜であって、磁場をその形成面に対して垂直な方向に指向させる垂直異方性膜と、
前記垂直異方性膜の上側に配置される面内異方性膜であって、磁場をその形成面の方向に指向させる面内異方性膜と、
を含む層状硬質バイアス磁石と、
前記硬質バイアス磁石及び前記センサー積層体の上側に配置された上部シールド層と、
を含み、
パーセントで表した、前記面内異方性膜の厚さで割った前記垂直異方性膜の厚さとして定義される厚さ比が、約２０％〜約４０％の間であり、
前記面内異方性膜の異方性が前記垂直異方性膜の異方性よりも低い、磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記面内異方性膜は前記垂直異方性膜と磁気的に接続されている、請求項１５に記載の磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記センサー積層体の一方の面に対向する前記層状硬質バイアス磁石の表面は、前記センサー積層体に対して斜めである、請求項１５に記載の磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記面内異方性膜がＣｏＰｔを含む、請求項１５に記載の磁気ヘッド。
【請求項１９】
請求項１記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、
前記下部シールド層を形成するステップ、
前記下部シールド層の上側に前記センサー積層体を形成するステップ、
前記下部シールド層の上側及び前記自由層のトラック幅方向の両面上に前記層状硬質バイアス磁石を形成するステップ、
前記硬質バイアス磁石及び前記センサー積層体の上側に前記上部シールド層を形成するステップ、
を含む方法。
【請求項２０】
前記層状硬質バイアス磁石を形成するステップが、
前記下部シールド層の上側に、前記センサー積層体の前記トラック幅方向の両面と位置合わせされた前記垂直異方性膜を形成するステップ、
前記垂直異方性膜の上側に前記面内異方性膜を形成するステップであって、前記面内異方性膜が前記垂直異方性膜と磁気的に接続される、ステップ、
を含み、
パーセントで表した、前記面内異方性膜の厚さで割った前記垂直異方性膜の厚さとして定義される厚さ比が、約２０％〜約４０％の間であり、かつ
前記面内異方性膜の異方性が前記垂直異方性膜の異方性よりも低い、
請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記プロセスにおいては、ポリビニルアルコールが共存する原料液中で珪酸塩及び／又はタングステン酸塩を酸で中和することによってハイブリッド化が起こることが原理となっているため、ステップＥを行う前にステップＧのように溶媒を除去して膜状にしておき、それを酸と接触させることで膜中の珪酸塩及び／又はタングステン酸塩を中和し、ハイブリッド化合物とすることも可能である。この場合、酸と接触させる方法としては、酸の溶液に浸漬するか、酸溶液を塗布或いは噴霧するか、酸の蒸気に曝すなどの方法がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記した各製造工程において、ステップＮで溶媒除去後に接触させるアルカリは、ジルコニウム塩又はオキシジルコニウム塩の中和が行えるものであればどのようなものでもよく、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，水酸化リチウム，アンモニア，水酸化カルシウム，水酸化ストロンチウム，水酸化バリウム，炭酸塩等が使用可能である。これらは単独でも、複数混合した状態で使用してもよい。また、アルカリと接触させる方法としては、アルカリの溶液に浸漬するか、アルカリ溶液を塗布或いは噴霧するか、アルカリの蒸気に曝すなどの方法がある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
シャットダウン後にワイヤレス装置の位置を決定する装置及び方法
以下に述べる本発明の実施形態は、（本出願の譲受人により設計された）ｉＰａｄ（登録商標）又はｉＰｈｏｎｅ（登録商標）のようなワイヤレス装置が、最初にシャットダウンされた後に、自動的にターンオン状態に戻り、それらの位置情報を送信し、そして再びターンオフすることができるようにする。本発明の１つの実施形態において、ワイヤレス装置のパワーダウンシーケンス中に（例えば、ｉＰｈｏｎｅの「ロック及びホーム」ボタンをホールドしてパワーダウンスクリーンに入った後に）ソフトウェア又はハードウェアがアクチベートし、シャットダウンセキュリティコードをエンターしてシャットダウンの前に位置セキュリティ特徴をディスエイブルするか、又はシャットダウン中にそのコードをバイパスしてそれら特徴をアクチベートするかのオプションが現れる。１つの実施形態において、指定回数の試みの後に正しいコードをエンターすることに失敗すると、ここに述べるセキュリティ特徴が自動的にアクチベートして、ワイヤレス装置をシャットダウンする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段を用いて被写体の光学像に対する撮像処理を実行し、複数の操作部材を用いてユーザの操作を受け付ける撮像装置であって、
前記撮像手段の撮像処理により得られるライブビュー画像を表示可能な表示手段と、
操作部材に対するユーザ操作を検出する検出手段と、
前記操作部材に対するユーザ操作を検出したことに応じて露光処理を開始または終了させる露光制御手段と、
前記露光制御手段が前記露光処理を終了した後に画像データを生成する生成手段と、を有し、
前記露光制御手段は、
前記検出手段により第１の操作部材に対するユーザ操作が検出された場合に前記露光処理を開始し、
前記検出手段により前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出されている間は前記露光処理を継続し、
前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第１の操作部材に対する前記ユーザ操作が検出されない場合は前記露光処理を終了し、
前記検出手段により第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された場合に前記露光処理を開始し、
前記検出手段により前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第２の操作部材に対する前記ユーザ操作が検出されない場合であっても前記露光処理を継続し、
前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第２の操作部材に対するユーザ操作が再度検出された場合は前記露光処理を終了し、
前記第１の操作部材は、前記表示手段と別体に設けられ、前記第２の操作部材は、前記表示手段と一体的に設けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記露光処理が開始された場合は前記ライブビュー画像の表示を停止することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記露光処理は、シャッターにより実行されることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記検出手段により前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出され、前記露光処理が実行されている間は、前記検出手段は前記第２の操作部材に対するユーザ操作の検出を行わないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記検出手段により前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記露光処理が実行されている間は、前記検出手段は前記第１の操作部材に対するユーザ操作の検出を行わないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記検出手段により前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後所定の期間内に前記第２の操作部材に対するユーザ操作が再度検出されなかった場合に、前記表示手段は所定のメッセージを表示することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像処理は、動画撮影処理または連写撮影処理であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像手段を用いて被写体の光学像に対する撮像処理を実行し、複数の操作部材を用いてユーザの操作を受け付ける撮像装置の制御方法であって、
表示手段により前記撮像手段の撮像処理により得られるライブビュー画像を表示する表示ステップと、
前記表示手段と別体に設けられた第１の操作部材と、前記表示手段と一体的に設けられた第２の操作部材を含む操作部材に対するユーザ操作を検出する検出ステップと、
前記操作部材に対するユーザ操作を検出したことに応じて露光処理を開始または終了させる露光制御ステップと、
前記露光処理を終了した後に画像データを生成する生成ステップと、を有し、
前記露光制御ステップでは、
第１の操作部材に対するユーザ操作が検出された場合に前記露光処理を開始し、
前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出されている間は前記露光処理を継続し、
前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出されない場合は前記露光処理を終了し、
第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された場合に前記露光処理を開始し、
前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出されない場合であっても前記露光処理を継続し、
前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第２の操作部材に対するユーザ操作が再度検出された場合は前記露光処理を終了することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータに、請求項８に記載された撮像装置の制御方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項８に記載された撮像装置の制御方法を実行させるためのプログラムを格納したコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の撮像装置は、撮像手段を用いて被写体の光学像に対する撮像処理を実行し、複数の操作部材を用いてユーザの操作を受け付ける撮像装置であって、前記撮像手段の撮像処理により得られるライブビュー画像を表示可能な表示手段と、操作部材に対するユーザ操作を検出する検出手段と、前記操作部材に対するユーザ操作を検出したことに応じて露光処理を開始または終了させる露光制御手段と、前記露光制御手段が前記露光処理を終了した後に画像データを生成する生成手段と、を有し、前記露光制御手段は、前記検出手段により第１の操作部材に対するユーザ操作が検出された場合に前記露光処理を開始し、前記検出手段により前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出されている間は前記露光処理を継続し、前記第１の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第１の操作部材に対する前記ユーザ操作が検出されない場合は前記露光処理を終了し、前記検出手段により第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された場合に前記露光処理を開始し、前記検出手段により前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第２の操作部材に対する前記ユーザ操作が検出されない場合であっても前記露光処理を継続し、前記第２の操作部材に対するユーザ操作が検出された後に前記第２の操作部材に対するユーザ操作が再度検出された場合は前記露光処理を終了し、前記第１の操作部材は、前記表示手段と別体に設けられ、前記第２の操作部材は、前記表示手段と一体的に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極集電体と、
前記負極集電体上の負極活物質層と、
前記負極活物質層上の電解質層と、
前記電解質層上の正極活物質層と、
前記正極活物質層上の正極集電体と、を有し
前記負極集電体は、１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
第１の積層体と、
前記第１の積層体上の第２の積層体とを有し、
前記第１の積層体は、
第１の負極集電体と、
前記第１の負極集電体上の第１の負極活物質層と、
前記第１の負極活物質層上の第１の電解質層と、
前記第１の電解質層上の第１の正極活物質層と、
前記第１の正極活物質層上の第１の正極集電体と、を有し、
前記第２の積層体は、
第２の負極集電体と、
前記第２の負極集電体上の第２の負極活物質層と、
前記第２の負極活物質層上の第２の電解質層と、
前記第２の電解質層上の第２の正極活物質層と、
前記第２の正極活物質層上の第２の正極集電体とを有し、
前記第１の負極集電体及び前記第２の負極集電体は、それぞれ、１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記負極集電体は、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、銅、錫、ニオブ、鉄およびチタンのいずれか一を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の負極集電体は、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、銅、錫、ニオブ、鉄およびチタンのいずれか一を有し、
前記第２の負極集電体は、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、銅、錫、ニオブ、鉄およびチタンのいずれか一を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項１又は３において、
前記電解質層は、無機固体電解質層又は有機固体電解質層を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項６】
請求項２又は４において、
前記第１の電解質層は、無機固体電解質層又は有機固体電解質層を有し、
前記第２の電解質層は、無機固体電解質層又は有機固体電解質層を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項７】
負極集電体となる金属シート上に負極活物質層となるシリコン膜を形成し、
前記負極活物質層上に電解質層を形成し、
前記電解質層上に正極活物質層を形成し、
前記正極活物質層上に正極集電体を形成する蓄電装置の作製方法であって、
熱を加えて、前記金属シートと、前記シリコン膜との反応層を形成し、
前記反応層と前記シリコン膜との界面から剥離し、
前記シリコン膜の剥離された面に、新たな負極集電体を形成し、
前記新たな負極集電体は、１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚を有することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項８】
負極集電体となる金属シート上に負極活物質層となるシリコン膜を形成し、
前記負極活物質層上に電解質層を形成し、
前記電解質層上に正極活物質層を形成し、
前記正極活物質層上に正極集電体を形成する蓄電装置の作製方法であって、
熱を加えて、前記金属シートと、前記シリコン膜との反応層を形成すると同時に、前記シリコン膜において、前記シリコンが拡散し、前記シリコンの密度が低下している低密度層を形成し、
前記低密度層の内部、前記低密度層と前記反応層との界面、又は前記低密度層と前記シリコン膜との界面から剥離し、
前記シリコン膜の剥離された面に、新たな負極集電体を形成し、
前記新たな負極集電体は、１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚を有することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月20日(2016.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が網状の第１の集電体と、
前記第１の集電体の側面に設けられた第１の活物質層と、
前記第１の活物質層の側面に設けられた固体電解質層と、
前記固体電解質層の側面に設けられた第２の活物質層と、
前記第２の活物質層の側面に設けられた第２の集電体と、を有し、
前記固体電解質層は前記第１の集電体上に設けられることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
平面形状が網状の第１の集電体と、
前記第１の集電体の側面に設けられた第１の活物質層と、
前記第１の活物質層の側面に設けられた固体電解質層と、
前記固体電解質層の側面に設けられた第２の活物質層と、
前記第２の活物質層の側面に設けられた第２の集電体と、を有し、
前記固体電解質層は前記第１の集電体上に設けられ、
前記第１の集電体の断面において、幅に対する高さの比が１よりも大きい部分を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の集電体は、金属メッシュであることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の集電体が有する開口部から光が通過することを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蓄電装置を有する電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月30日(2016.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記処理容器内の前記基板に対してアミン系ガスまたは有機ヒドラジン系ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に少なくとも前記所定元素および炭素を含む薄膜を形成する工程と、
前記薄膜形成後の前記処理容器内に窒化ガスを供給することで、前記処理容器内に付着した副生成物を改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記副生成物はアルキル基を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記副生成物はアルキルアミン塩を含む請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記アミン系ガスは、エチルアミン、メチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、およびイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも１つを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アミン系ガスは、トリエチルアミン、ジエチルアミン、モノエチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、モノメチルアミン、トリプロピルアミン、ジプロピルアミン、モノプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノイソプロピルアミン、トリブチルアミン、ジブチルアミン、モノブチルアミン、トリイソブチルアミン、ジイソブチルアミン、およびモノイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも１つを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機ヒドラジン系ガスは、メチルヒドラジン系ガスまたはエチルヒドラジン系ガスを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機ヒドラジン系ガスは、モノメチルヒドラジン、ジメチルヒドラジン、トリメチルヒドラジンからなる群より選択される少なくとも１つを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜を形成する工程では、前記基板上に、前記所定元素、炭素および窒素を含む薄膜を形成する請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記サイクルは、さらに、前記処理容器内の前記基板に対して酸化ガスを供給する工程を含み、
前記薄膜を形成する工程では、前記基板上に、前記所定元素、酸素、炭素および窒素を含む薄膜、または、前記所定元素、酸素および炭素を含む薄膜を形成する請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記副生成物を改質する工程は、前記薄膜形成後の前記基板を前記処理容器内に収容した状態で行われる請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記副生成物を改質する工程を行った後に、前記薄膜形成後の前記基板を前記処理容器内から搬出する請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記副生成物を改質する工程は、前記薄膜形成後の前記基板を前記処理容器内から搬出した後に行われる請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
処理容器内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記処理容器内の前記基板に対してアミン系ガスまたは有機ヒドラジン系ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に少なくとも前記所定元素および炭素を含む薄膜を形成する工程と、
前記薄膜形成後の前記処理容器内に窒化ガスを供給することで、前記処理容器内に付着した副生成物を改質する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項１４】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理容器内にアミン系ガスまたは有機ヒドラジン系ガスを供給するアミン系ガス供給系と、
前記処理容器内に窒化ガスを供給する窒化ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理容器内の前記基板に対して前記アミン系ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に少なくとも前記所定元素および炭素を含む薄膜を形成する処理と、前記薄膜形成後の前記処理容器内に窒化ガスを供給することで、前記処理容器内に付着した副生成物を改質する処理と、を行うように、前記原料ガス供給系、前記アミン系ガス供給系および前記窒化ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１５】
基板処理装置の処理容器内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する手順と、
前記処理容器内の前記基板に対してアミン系ガスまたは有機ヒドラジン系ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に少なくとも前記所定元素および炭素を含む薄膜を形成する手順と、
前記薄膜形成後の前記処理容器内に窒化ガスを供給することで、前記処理容器内に付着した副生成物を改質する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月19日(2016.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
プロセッサ６０２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置等の、１つ又はそれ以上の汎用処理装置を表している。特に、プロセッサ６０２は、複合命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、又は他の命令セット又は命令セットの組み合わせを実行するプロセッサとすることができる。また、プロセッサ６０２は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサ等の１つ又はそれ以上の専用処理装置とすることができる。プロセッサ６０２は、本明細書で説明する動作又はステップを遂行するための命令６２６を実行するように構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
更に、コンピュータシステム６００は、ネットワークインターフェース装置６２２を含むことができる。また、コンピュータシステム６００は、ビデオ表示ユニット（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はブラウン管（ＣＲＴ））、英数字入力装置６１２（例えば、キーボード）、カーソル制御装置６１４（例えば、マウス）、及び信号生成装置６１６（例えば、スピーカ）を含むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2013225313.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このようなプロジェクターシステムを構成するために、互いの動作を制御し、１つのシステムとして連動して動作させるようにしたプロジェクターに関する技術が種々提案されている。例えば特許文献１には、自身以外の液晶プロジェクターとの間で、液晶プロジェクター内のメモリーを互いに共有できるようにすることで、液晶プロジェクター内のメモリーの有効活用とケーブルの接続の簡素化を図る技術が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（５）本発明の第５の態様に係るプロジェクターは、第４の態様において、前記光源の点灯を制御する光源制御部を含み、前記制御部は、前記接続先がプロジェクターであると判定されたとき、前記他のプロジェクターからの光源点灯コマンドを受けて前記光源制御部により前記光源の点灯を開始させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
光源制御部１４２は、電源部１４０で生成された直流電流を交流矩形波電流に変換するインバーターや、光源ランプ１１２の電極間の絶縁破壊を行って光源ランプ１１２の始動を促すためのイグナイター等を備えている。光源制御部１４２は、制御部１２０の指示に基づいて光源１１１の点灯を制御する。具体的には、光源制御部１４２は、光源ランプ１１２を始動させて所定の電力を供給することにより光源１１１を点灯させると共に、電力の供給を停止して光源１１１を消灯させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月29日(2016.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナーを製造するためのプロセスであって、
少なくとも１つの樹脂を含むエマルションに、任意要素の着色剤および任意要素のワックスを加え、粒子を作成することと、
前記粒子を凝集させて凝集粒子を作成することと、
前記凝集粒子を融着させてトナー粒子を作成することと、
前記トナー粒子を水に分散させてトナースラリーを作成することと、
前記トナースラリーに、１種類以上の電荷制御剤を含む分散物を加えることと、
前記トナースラリーを混合しつつ、前記トナー粒子のガラス転移温度より高い温度まで加熱することと、
混合しつつ、前記トナースラリーを冷却することと、
前記トナースラリーを洗浄して前記トナー粒子を回収することとを含む、プロセス。
【請求項２】
少なくとも１つの樹脂が、スチレン、アクリレート、メタクリレート、ブタジエン、イソプレン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリル、およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、任意要素の着色剤が、染料、顔料、染料の組み合わせ、顔料の組み合わせ、染料と顔料の組み合わせを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
１種類以上の電荷制御剤が、酢酸亜鉛、酪酸亜鉛、塩素酸亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、クエン酸亜鉛、フッ化亜鉛、サリチル酸亜鉛、フッ化亜鉛四水和物、サリチル酸アルミニウム、３，５−ジ三級ブチルサリチル酸亜鉛、３，５−ジ三級ブチルサリチル酸アルミニウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記トナー粒子が、−２μＣ／ｇ〜−６０μＣ／ｇの摩擦電荷を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記トナー粒子が、−１０μＣ／ｇ〜−４５μＣ／ｇの摩擦電荷を有する、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
１種類以上の電荷制御剤を含む前記分散物を、前記粒子のバッチの合計重量の０．１〜１０重量％の量で加える、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
１種類以上の電荷制御剤を含む前記分散物を、前記粒子のバッチの合計重量の０．５〜８重量％の量で加える、請求項５に記載のプロセス。
【請求項８】
前記ガラス転移温度が７０℃より高い、請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
前記ガラス転移温度が４０℃〜６５℃である、請求項７に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記トナースラリーを１，０００ＲＰＭ〜１０，０００ＲＰＭの速度で混合する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記トナースラリーを４，０００ＲＰＭ〜７，０００ＲＰＭの速度で混合する、請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記トナースラリーを１時間まで混合しつつ、前記トナー粒子のガラス転移温度より高い温度まで加熱する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記トナー粒子を水に分散させて前記トナースラリーを作成する前に溶液中の前記トナー粒子を洗浄することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１４】
トナーを製造するためのプロセスであって、
少なくとも１つの樹脂を含むエマルションに、任意要素の着色剤および任意要素のワックスを加え、粒子を作成することと、
前記粒子を凝集させて凝集粒子を作成することと、
前記凝集粒子を融着させてトナー粒子を作成することと、
前記トナー粒子を水に分散させてトナースラリーを作成することと、
前記トナースラリーに、１種類以上の電荷制御剤を含む分散物を加えることと、
前記トナースラリーを混合しつつ、前記トナー粒子のガラス転移温度より高い温度まで加熱することと、
混合しつつ、前記トナースラリーを冷却することと、
前記トナースラリーを洗浄して前記トナー粒子を回収することと、
前記１種類以上の電荷制御剤が表面に付着したままである、回収された前記トナー粒子を乾燥することと、
を含む、プロセス。
【請求項１５】
回収された前記トナー粒子の表面において、前記１種類以上の電荷制御剤が、走査型電子顕微鏡によって可視である、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
回収された前記トナー粒子の表面において、前記１種類以上の電荷制御剤が、走査型電子顕微鏡によって倍率１０００倍〜３００００倍において可視である、請求項１４に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示モジュール、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線乃至第４の配線と、
第１の容量素子及び第２の容量素子と、
第１のスイッチ乃至第５のスイッチと、
トランジスタと、
負荷と、を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１の配線と、前記第１の容量素子の一対の電極の一方との導通を制御する機能を有するとともに、前記第１の配線と、前記第２の容量素子の一対の電極の一方との導通を制御する機能を有し、
前記第２のスイッチは、前記トランジスタのゲートと、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方との導通を制御する機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第１の容量素子の一対の電極の一方との導通を制御する機能を有するとともに、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第２の容量素子の一対の電極の一方との導通を制御する機能を有し、
前記第４のスイッチは、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第２の容量素子の一対の電極の他方との導通を制御する機能を有し、
前記第５のスイッチは、前記第３の配線と、前記第２の容量素子の一対の電極の他方との導通を制御する機能を有し、
前記トランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第２の配線と電気的に接続され、ゲートが前記第１の容量素子の一対の電極の他方と電気的に接続され、
前記負荷は、２つの端子を有し、
前記２つの端子の一方は、前記第２の容量素子の一対の電極の他方と電気的に接続され、
前記２つの端子の他方は、前記第４の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置と、
タッチパネルと、を有する表示モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の表示モジュールを有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等方的加圧処理された炭素材の表面の少なくとも一部に黒鉛質物層を有することを特徴とする非水系二次電池用複合炭素材。
【請求項２】
炭素材が天然黒鉛である請求項１に記載の非水系二次電池用複合炭素材。
【請求項３】
炭素材が球形化処理を施されたものである請求項１又は２に記載の非水系二次電池用複合炭素材。
【請求項４】
複合炭素材の体積基準平均粒径（ｄ５０）が１６．９μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水系二次電池用複合炭素材。
【請求項５】
複合炭素材の比表面積が０．１ｍ２／ｇ以上、１５ｍ２／ｇ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の非水系二次電池用複合炭素材。
【請求項６】
複合炭素材の配向比（１１０／００４）が０．２９以上０．７以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の非水系二次電池用複合炭素材。
【請求項７】
黒鉛化物の被覆率が１質量％以上４０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の非水系二次電池用複合炭素材料。
【請求項８】
集電体と、該集電体上に形成された活物質層とを備えると共に、該活物質層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の非水系二次電池複合炭素材を含有することを特徴とする、非水系二次電池用負極。
【請求項９】
正極及び負極、並びに、電解質を備えると共に、該負極が、請求項８に記載の非水系二次電池用負極であることを特徴とする、非水系二次電池。