【事件の表示】
　特願２０１３−　９２７５８「接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月１７日出願公開、特開２０１４−２１６４８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２５年４月２５日に出願したものであって、平成２６年１１月１７日付け拒絶理由通知に対して平成２７年１月１５日付けで手続補正がなされたが、同年２月１３日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年５月８日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２７年１月１５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１半導体素子とワイヤーボンディング接続され、かつ前記第１半導体素子が固定された被着体を準備する被着体準備工程、
　基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムを準備する工程、
　前記ダイシング・ダイボンドフィルムの前記接着フィルムと半導体ウェハとを貼り合わせる貼合せ工程、
　前記半導体ウェハ及び前記接着フィルムをダイシングして第２半導体素子を形成するダイシング工程、
　前記第２半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップするピックアップ工程、
及び
　前記第２半導体素子とともにピックアップした前記接着フィルムにより、前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を該被着体に固定する固定工程
　を含み、
　前記接着フィルムは前記第１半導体素子の厚さＴ１より厚い厚さＴを有し、前記厚さＴと前記厚さＴ１との差は４０μｍ以上２６０μｍ以下であり、
　前記接着フィルムが熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含み、
　下記式で表わされる前記接着フィルムの熱可塑性樹脂存在比は１０％以上３０％以下、
前記接着フィルムの１２０℃における溶融粘度は１００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下である半導体装置の製造方法。
　　熱可塑性樹脂存在比（％）＝｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００
　（式中、Ａは熱可塑性樹脂の重量、Ｂは熱硬化性樹脂の重量である。）」
３．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−１１８５５４号公報（平成２２年５月２７日公開、以下「引用例１」という。）には、半導体装置の製造方法に関し、図面とともに以下の技術事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。以下、同様。）
ア.「【技術分野】【０００１】本発明は、
半導体装置およびその製造方法に関する
イ.「【００１５】また、半導体装置１００は、第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０との間に充填された絶縁樹脂１３２を含む。絶縁樹脂１３２は、第２の半導体チップ１２０が第１の半導体チップ１１０からオーバハングした部分と基板１０２との間にも充填して設けられる。
絶縁樹脂１３２は、たとえば、エポキシ樹脂
を含む構成とすることができる
ウ.「【００２０】
図３は、本実施の形態における半導体装置１００の製造手順を示す工程断面図である
以下、図３を参照して半導体装置１００の製造手順を説明する。
　まず、基板１０２上にマウント材である接着剤１３０を介して第１の半導体チップ１１０を取り付ける。接着剤１３０は、たとえば、Ａｇペースト等の導電ペースト、エポキシ樹脂等の絶縁ペーストまたはダイアタッチフィルム（ＤＡＦ：Die Attach Film）等とすることができる。次いで、
第１の半導体チップ１１０の第１のボンディングパッドと基板１０２とをボンディングワイヤ１１２を介して電気的に接続する。これにより、第１の半導体チップ１１０が基板１０２上に搭載される
エ.「【００２１】つづいて、
基板１０２上に搭載された第１の半導体チップ１１０上に、第２の半導体チップ１２０を積層搭載する
オ.「【００２２】本実施の形態においては、
第２の半導体チップ１２０の裏面に、マウント材として、全面に絶縁樹脂１３２の層を貼り付けておく
絶縁樹脂１３２の層は、フィルム状に形成された構成とすることができる。たとえば、絶縁樹脂１３２の層は、両面に接着性を有するフィルム状の層とすることができる
カ.「【００２３】また、
絶縁樹脂１３２の層は、下段の第１の半導体チップ１１０の厚さ以上の膜厚を有する
絶縁樹脂１３２の層の膜厚は、ボンディングワイヤ１１２の高さを考慮して、第１の半導体チップ１１０の高さにさらに５０μｍ程度加えた膜厚以上とすることが望ましい
キ.「【００２４】このように、裏面にフィルム状の絶縁樹脂１３２が貼り付けられた第２の半導体チップ１２０を第１の半導体チップ１１０が搭載された基板１０２上に搭載し、第２の半導体チップ１２０を第１の半導体チップ１１０の方向に押圧する（図３（ａ））。絶縁樹脂１３２の層は未硬化の状態で第２の半導体チップ１２０の裏面に塗布される。第２の半導体チップ１２０を第１の半導体チップ１１０上に搭載する時に、第２の半導体チップ１２０を加熱することができる。これにより、
絶縁樹脂１３２の層が軟化（ゲル化）して、粘度が低下し、第１の半導体チップ１１０のボンディングワイヤ１１２を変形することなく、ボンディングワイヤ１１２を絶縁樹脂１３２で埋め込むことができる。この後、絶縁樹脂１３２を硬化する
これにより、第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０との間に絶縁樹脂１３２が充填され、第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０との間の領域が絶縁樹脂１３２により埋め込まれた構成とすることができる
ク．「【００２８】本実施の形態における半導体装置１００の効果を説明する。
  本実施の形態において、第２の半導体チップ１２０と第１の半導体チップ１１０との間に充填される
絶縁樹脂１３２が第２の半導体チップ１２０の第１の半導体チップ１１０からオーバハングした部分の下方にも充填されているため、簡易な手順でオーバハングした部分の封止樹脂の未充填やボイドの発生を防ぐことができる
第２の半導体チップ１２０と第１の半導体チップ１１０との配置に関わらず、封止樹脂の未充填やボイドの発生を防ぐことができる
・上記ウによれば、第１の半導体チップと基板とをボンディングワイヤを介して接続し、第１の半導体チップが基板上に搭載される。
・上記オによれば、第２の半導体チップに絶縁樹脂層が貼り付けられる。
・上記キによれば、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間の領域が絶縁樹脂により埋め込まれる。
・上記エによれば、基板上に第２の半導体チップを搭載する。
・上記オによれば、絶縁樹脂層は、接着性を有するフィルム状とする。
・上記カによれば、絶縁樹脂層は、第１の半導体チップの厚さ以上の膜厚を有する。
・上記イによれば、絶縁樹脂は、エポキシ樹脂を含む。
・上記クによれば、第２の半導体チップと第１の半導体チップとの配置に関わらず、絶縁樹脂の未充填やボイドの発生を防ぐことができる。
　したがって、上記ア〜キの記載及び図面を総合勘案すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「第１の半導体チップと基板とがボンディングワイヤを介して接続され、前記第１の半導体チップを前記基板上に搭載する工程、
　第２の半導体チップに貼り付けられた絶縁樹脂層により、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間の領域を埋め込み、前記第２の半導体チップを前記基板上に搭載する工程
　を含み、
　前記絶縁樹脂層は接着性を有するフィルム状とし、前記第１の半導体チップの厚さ以上の膜厚を有し、
　前記絶縁樹脂がエポキシ樹脂を含む半導体装置の製造方法。」
（２）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２７０１２５号公報（平成１９年１０月１８日公開、以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
ケ．「【背景技術】【０００２】近年、半導体パッケージの小型化に伴い、半導体チップと同等サイズであるＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、さらに、半導体チップを多段に積層したスタックドＣＳＰが普及している（例えば、特許文献１〜５参照。）。これらの例としては、図１に示すような配線４などに起因する凹凸を有する基板３上に半導体チップＡ１を積層したパッケージ、又は、
図２に示すような同サイズの半導体チップＡ１を２つ以上使用し、ワイヤ２などに起因する凹凸を有する半導体チップ上にさらに別の半導体チップを積層したパッケージなどがある。このようなパッケージには、凹凸を埋込み、かつ上部の半導体チップとの絶縁性を確保することが可能な接着シートが求められている
【０００３】配線、ワイヤ等に起因する凹凸の充てんには、通常、凹凸の高さより接着シート厚さを厚くすること、接着シートの溶融粘度を低減し、充てん性を改善することが求められる。これまでは、貼付温度での接着シートの流動性が貼付性に影響するものと考えられており、接着シートの流動性が適度に高いものは凹凸やワイヤの充てん性に優れると考えられていた。しかし、流動性が高い接着剤付き半導体チップをワイヤボンィング済みのチップに貼り付ける工程を種々調査したところ、確かに流動性が高い接着シートはワイヤ充てんは良好であったが、
貼り付け時に接着シートと下チップ間に気泡（ボイド）を形成し易いということがわかった。ボイドが形成されると、はんだリフロー時にボイド中に溜まった空気や水分が膨張することにより、接着シートが剥離するため、ボイドを低減することは凹凸やワイヤを充てんすることと同様に重要な課題である
貼付温度での物性（溶融粘度、硬化速度、溶融粘度の温度や時間依存性等）、あるいは接着シートの厚さを変更するだけでは、ボイドを完全に消滅することは難しかった
コ．「【発明が解決しようとする課題】【０００６】本発明の目的は、
基板の配線や、半導体チップに付設されたワイヤ等の凹凸を充てんでき、貼り付け時にボイドを生じない、室温付近でのタック強度が低く作業性、安定性に優れる、耐熱性や耐湿性を満足する接着シートを提供すること
【課題を解決するための手段】【０００７】本発明の発明者らは、室温（２５℃）、４０℃で、
特定のタック強度有する接着シートを使用することにより、貼付時のボイドを形成しないことを見出した。また、基板の配線や、半導体チップのワイヤ等の凹凸を充てん（接着シート中に凸部を埋め込む、又は接着シートで凹部を充填すること）でき
サ．「【００６２】本発明に使用する
ダイシングテープとしては
プラスチックフィルム等が挙げられる
ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いても良いし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い
樹脂組成物において特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である
シ．「【００６４】
ダイシングテープ上に接着シートを積層する
ス．「【００６６】本発明の接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、
ウエハ、接着シート及びダイシングテープを０℃〜１２０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し
セ．「【００７２】次いで、接着シート、ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハを、ダイシングカッターを用いてダイシング、さらに洗浄、乾燥することにより、接着シート付き半導体チップを得ることができる。
接着シート付き半導体チップをピックアップする
ソ．「【００７６】さらに、他の実施態様として、本発明の接着シートは、図５及び図６に示す構造で、かつ
接着シート自体がダイシングテープとしての役割を果たしても良い
このような接着シートは、ダイシングダイボンド一体型接着シートなどと呼ばれ、一つのシートでダイシングテープとしての役割と、接着シートとしての役割を果たすので、図７のように、ダイシングしてピックアップするだけで接着シート付き半導体チップを得ることができる
（３）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−１４２２４７号公報（平成１９年６月７日公開、以下「引用例３」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
タ．「【発明が解決しようとする課題】【０００５】本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、
樹脂シートを用いた半導体素子の封止方法において、樹脂シートの汎用性が高く、また得られるパッケージ端面の形状が一定であり、かつ装置の小型化が可能な方法を提供し、半導体装置の製造において、コストの低減および品質の向上を図る
チ．「【００１９】封止工程においては、樹脂シート１の封止
樹脂層３を、回路基板１０の半導体チップ搭載面の凹凸、隙間に埋め込み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させ、半導体チップ１１を完全に覆うように樹脂シート１を被せる
ツ．「【００３８】また、チップ搭載面への圧接時において、
封止樹脂層３が硬すぎると、フリップチップボンドされたデバイスでは樹脂が充分に充填されず空気溜まりが生じる虞があり、ワイヤボンディングされたデバイスではワイヤが潰れたり、断線する虞がある。一方、封止樹脂層３が軟らか過ぎると、封止樹脂が過剰に流動化し、必要とされる部分以外にまで樹脂が拡散し、デバイスの汚損、外観不良を招来する虞がある
熱硬化前の封止樹脂層３は、適度な加熱流動性を有することが求められる
テ．「【００３９】このため、熱硬化前の封止
樹脂層３の120℃における溶融粘度は、好ましくは100〜200Pa・秒
ト．「【００４１】上記封止
樹脂層３は、基本的にはバインダー成分（Ａ）と熱硬化性成分（Ｂ）とを必須成分とし、必要に応じ、その他の添加物（Ｃ）が配合される
　以下、上記成分（Ａ）〜（Ｃ）を説明する。」
ナ．「【００５８】また、封止
樹脂層３の熱応答性（加熱流動性）を制御するため
熱可塑性樹脂を配合してもよい
ニ．「【００５９】封止
樹脂層３における熱可塑性樹脂の配合割合は、バインダー成分（Ａ）と熱硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部当たり
特に好ましくは３〜３０質量部の割合で用いられる
ヌ．「【００６１】また、封止
樹脂が熱可塑性樹脂を多量に含む場合、流動性が過剰になり、所望の弾性率や溶融粘度が得られない場合がある
熱可塑性成分を配合する場合
加熱流動性を見合うように適宜に選定する
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「第１の半導体チップ」及び「基板」は、本願発明の「第１半導体素子」及び「被着体」に相当し、そして、引用発明の「基板」は、「第１の半導体チップ」とボンディングワイヤを介して接続され、かつ「前記第１の半導体チップ」が搭載されるのであるから、引用発明と本願発明とは、「第１半導体素子とワイヤーボンディング接続され、かつ前記第１半導体素子が固定された被着体を準備する」被着体準備工程を含む点で共通する。
ｂ．引用発明の「絶縁樹脂層」は、「接着性を有するフィルム状」のものであるから、本願発明の「接着フィルム」に相当し、引用発明の「第２の半導体チップ」は、本願発明の「第２半導体素子」に相当する。　そして、引用発明は、「絶縁樹脂層により」、「前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間の領域」が埋め込まれ、「前記第２の半導体チップを前記基板上に搭載する」ものであり、その際、図３（ｂ）を参照すると、第１の半導体チップを包埋しながら第２の半導体チップを基板上に搭載しているといえるから、引用発明と本願発明とは、「接着フィルムにより、前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を該被着体に固定する」固定工程を含む点で共通する。
ｃ．引用発明の「絶縁樹脂層」は、「前記第１の半導体チップの厚さ以上の膜厚を有」するものであるから、引用発明と本願発明とは、「前記接着フィルムは前記第１半導体素子の厚さＴ１より厚い厚さＴを有」する点で共通する。
ｄ．引用発明の「絶縁樹脂」は、エポキシ樹脂を含むものであるところ（上記イ）、エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であるから、引用発明と本願発明とは、「前記接着フィルムが」「熱硬化性樹脂を含」む点で共通する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
（一致点）
「第１半導体素子とワイヤーボンディング接続され、かつ前記第１半導体素子が固定された被着体を準備する被着体準備工程、　
　基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムを準備する工程、　
　前記ダイシング・ダイボンドフィルムの前記接着フィルムと半導体ウェハとを貼り合わせる貼合せ工程、　
　前記半導体ウェハ及び前記接着フィルムをダイシングして第２半導体素子を形成するダイシング工程、　
　前記第２半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップするピックアップ工程、　
及び
　前記第２半導体素子とともにピックアップした前記接着フィルムにより、前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を該被着体に固定する固定工程
　を含み、
　前記接着フィルムは前記第１半導体素子の厚さＴ１より厚い厚さＴを有し、前記厚さＴと前記厚さＴ１との差は４０μｍ以上２６０μｍ以下であり、　前記接着フィルムが熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含み（む）、
　下記式で表わされる前記接着フィルムの熱可塑性樹脂存在比は１０％以上３０％以下、　
前記接着フィルムの１２０℃における溶融粘度は１００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下である半導体装置の製造方法。
　　熱可塑性樹脂存在比（％）＝｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００
　（式中、Ａは熱可塑性樹脂の重量、Ｂは熱硬化性樹脂の重量である。）」
（相違点１）
　本願発明は、「基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムを準備する工程」「前記ダイシング・ダイボンドフィルムの前記接着フィルムと半導体ウェハとを貼り合わせる貼合せ工程」「前記半導体ウェハ及び前記接着フィルムをダイシングして第２半導体素子を形成するダイシング工程」及び「前記第２半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップするピックアップ工程」を含むのに対し、引用発明は、そのような工程の特定はされていない点。
（相違点２）
　本願発明は、「前記接着フィルムの厚さ（Ｔ）と前記第１半導体素子の厚さ（Ｔ１）との差は４０μｍ以上２６０μｍ以下であ」るのに対し、引用発明はそのような特定はされていない点。
（相違点３）
　「接着フィルム」について、本願発明は、「熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含」むものであるのに対し、引用発明は熱硬化性樹脂を含むものである点。
（相違点４）
　本願発明は、「下記式で表わされる前記接着フィルムの熱可塑性樹脂存在比は１０％以上３０％以下　熱可塑性樹脂存在比（％）＝｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００（式中、Ａは熱可塑性樹脂の重量、Ｂは熱硬化性樹脂の重量である。）」であるのに対し、引用発明はそのような特定はされていない点。
（相違点５）
　本願発明は、「前記接着フィルムの１２０℃における溶融粘度は１００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下である」のに対し、引用発明はそのような特定はされていない点。
５．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
（相違点１について）
  一般に、半導体装置の製造方法において、ウエハを半導体チップの寸法に合わせてカットして個々のチップに切り分けることは周知技術であるところ、半導体装置の製造方法に関して、引用発明および本願発明と同一の技術分野に属する上記引用例２には、ワイヤなどに起因する凹凸を有する半導体チップ上にさらに別の半導体チップを積層したパッケージにおいて、凹凸を埋込み、かつ上部の半導体チップとの絶縁性を確保することが可能な接着シートとして、基板の配線や、半導体チップに付設されたワイヤ等の凹凸を充てんでき、貼り付け時にボイドを生じないものを提供するため（上記ケ、コ）、プラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けた（上記サ）ダイシングテープ上に接着シートを積層し（上記シ）、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを貼り合わせた後、ウエハ及び接着シートを切断し（上記ス）、接着シート付き半導体チップをピックアップする（上記セ、ソ）半導体装置の製造方法が記載されており、係る半導体装置の製造方法は、プラスチックフィルム及び該プラスチックフィルム上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、前記粘着剤層上に積層された接着シートとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムを準備する工程、前記ダイシング・ダイボンドフィルムの前記接着シートとウエハとを貼り合わせる貼り合わせ工程、前記ウエハ及び前記接着シートをダイシングして半導体チップを形成するダイシング工程、前記半導体チップを前記接着シートとともにピックアップするピックアップ工程を含んでいるといえる。
　ここで、引用例２に記載された「プラスチックフィルム」「粘着剤層」「ダイシングテープ」「接着シート」「ウエハ」及び「半導体チップ」は、本願発明の「基材」「粘着剤層」「ダイシングフィルム」「接着フィルム」「半導体ウェハ」及び「（第２）半導体素子」にそれぞれ相当している。
　そうすると、引用発明において、絶縁樹脂層が貼り付けられた第２の半導体チップを引用例２に記載された上記各工程により製造すること、すなわち相違点１とすることは当業者が容易になし得たことである。
（相違点２について）
　上記引用例１には、絶縁樹脂１３２の層の膜厚は、ボンディングワイヤ１１２の高さを考慮して、第１の半導体チップ１１０の高さにさらに５０μｍ程度加えた膜厚以上とすることが望ましいこと（上記カ）、第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０との間に絶縁樹脂１３２が充填され、第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０との間の領域が第１の半導体チップの１１０のボンディングワイヤ１１２を変形することなく、ボンディングワイヤ１１２を絶縁樹脂１３２により埋め込まれた構成とすること（上記キ）、が記載されている。
　そうすると、上記引用例１の記載から、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間にボンディングワイヤを変形することなく絶縁樹脂を埋め込む場合の絶縁樹脂の層の膜厚については、第１の半導体チップに接続されているボンディングワイヤの高さを考慮して、第１の半導体チップの高さにさらに５０μｍ程度加えた膜厚以上とすることが望ましいとの技術思想を読み取ることができる。
　ここで、接着フィルムの厚さと第１半導体素子の厚さとの差について、本願明細書の段落【０１０５】には、「（第２固定工程）第２固定工程では、第２半導体素子１２とともにピックアップした包埋用接着フィルム２２により、別途被着体１上に固定しておいた第１半導体素子１１を包埋しながら前記第１半導体素子１１とは異なる第２半導体素子１２を前記被着体１に固定する（図３Ｆ参照）。包埋用接着フィルム２２は、前記第１半導体素子１１の厚さＴ１より厚い厚さＴを有している。本実施形態では、前記被着体１と前記第１半導体素子１１との電気的接続がワイヤーボンディング接続により達成されることから、前記厚さＴと前記厚さＴ１との差を４０μｍ以上２６０μｍ以下が好ましい。前記厚さＴと前記厚さＴ１との差の下限は４０μｍ以上が好ましいものの、５０μｍ以上がより好ましく、６０μｍ以上がさらに好ましい。また、前記厚さＴと前記厚さＴ１との差の上限は２６０μｍ以下が好ましいものの、２００μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましい。これにより、半導体装置全体の薄型化を図りながらも、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２との接触を防止しつつ第１半導体素子１１全体を包埋用接着フィルム２２の内部に包埋することができ、コントローラとしての第１半導体素子１１の被着体１上への固定（すなわちワイヤー長が最短となる最下段での固定）を可能にする。」と記載されているが、要するに第１の半導体素子及びボンディングワイヤーの高さを考慮して接着フィルムの厚さを設定したものであって、その技術思想は上記引用例１に記載されているものと何ら相違するものではなく、新たな技術思想を付加したものでもない。
　そうすると、接着フィルムの厚さと第１半導体素子の厚さとの差を「４０μｍ以上２６０μｍ以下」とすることは、上記引用例１に記載されている技術思想の下、単に設計上適宜設定される事項を特定したものにとどまるものであり、引用発明において、相違点２とすることは当業者が適宜なし得ることである。
（相違点３について）
　上記引用例３には、樹脂シートを用いた半導体素子の封止方法において、封止工程として、樹脂シート１の封止樹脂層３を、回路基板１０の半導体チップ搭載面の凹凸、隙間に埋め込み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させ、半導体チップ１１を完全に覆うように樹脂シート１を被せる点が記載されており（上記タ、チ、図４、図５）、その場合の樹脂は、封止樹脂層の熱応答性（加熱流動性）を制御するため、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を配合することが記載されている（上記ト、ナ）。
　ここで、本願発明の「包埋」なる用語の意味するところは、本願明細書の段落【０１０５】の「 第２固定工程では、第２半導体素子１２とともにピックアップした包埋用接着フィルム２２により、別途被着体１上に固定しておいた第１半導体素子１１を包埋しながら前記第１半導体素子１１とは異なる第２半導体素子１２を前記被着体１に固定する（図３Ｆ参照）。（中略）これにより、半導体装置全体の薄型化を図りながらも、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２との接触を防止しつつ第１半導体素子１１全体を包埋用接着フィルム２２の内部に包埋することができ、コントローラとしての第１半導体素子１１の被着体１上への固定（すなわちワイヤー長が最短となる最下段での固定）を可能にする。」との記載、および図３Ｆから、「第１半導体素子１１全体を封止用接着フィルム２２の内部に封止すること」と同義と認められる。
　そうすると、上記引用例３の封止工程も「樹脂シート１の封止樹脂層３を、回路基板１０の半導体チップ搭載面の凹凸、隙間に埋め込み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させ、半導体チップ１１を完全に覆うように樹脂シート１を被せる」ものであるから、本願発明の「包埋」する工程に相当する。
　したがって、半導体チップを包理する絶縁樹脂に関して、引用発明の絶縁樹脂に引用例３の封止樹脂を適用して、相違点３の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（相違点４について）
　上記引用例３には、半導体チップを包埋する封止樹脂として、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を配合する際に、熱可塑性樹脂の配合割合をバインダー成分と熱硬化性成分の合計１００質量部当たり、３〜３０質量部の割合（熱可塑性樹脂存在比）で用いられることが記載されている（上記ニ）。
　ここで、「接着フィルム」について、本願明細書の段落【００２８】には「接着フィルム２２は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂（後述）を含み、熱可塑性樹脂存在比が１０％以上３０％以下である。熱可塑性樹脂存在比の下限としては１５％以上が好ましい。熱可塑性樹脂存在比の上限としては２５％以下が好ましい。熱可塑性樹脂存在比を上記範囲とすることにより、接着フィルム２２に適度な粘度を付与することができる。その結果、接着フィルム２２の被着体１上の凹凸に対する追従性が良好になってボイドの取り込みを抑制することができ、また、第２半導体素子１２の周縁部からの接着フィルム２２の過度のはみ出しを抑制して周辺部材の汚染を防止することができる（図３Ｆ参照）。」と記載されていることから、熱可塑性樹脂存在比は、接着フィルムに適度な粘度を付与するためのものであって、「１０％以上３０％以下」とすることは、単に設計上適宜設定される事項を特定したものにとどまるものである。
　そうすると、引用発明の絶縁樹脂に、引用例３の封止樹脂（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を配合する際に、熱可塑性樹脂の配合割合をバインダー成分と熱硬化性成分の合計１００質量部当たり、３〜３０質量部の割合（熱可塑性樹脂存在比）で用いられた封止樹脂）を適用して、相違点４の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
（相違点５について）
　上記引用例３には、熱硬化前の封止樹脂層３の１２０℃における溶融粘度を１００〜２００Ｐａ・秒とすることが記載されている（上記テ）。
　ここで、「接着フィルム」について、本願明細書の段落【００５２】には「前記接着フィルムの１２０℃における溶融粘度は、第１半導体素子の包埋性を有する限り特に限定されないものの、その下限は１００Ｐａ・ｓ以上が好ましく、３００Ｐａ・ｓ以上がより好ましく、５００Ｐａ・ｓ以上がさらに好ましい。一方、前記溶融粘度の上限は３０００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、２０００Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、１５００Ｐａ・ｓ以下がさらに好ましい。これにより、前記接着フィルムによる第２半導体素子の被着体への固定の際に、第２半導体素子の周縁部からの接着フィルムのはみ出しを抑制しつつ、第１半導体素子の前記接着フィルムへの包埋をより容易に行うことができる。」と記載されていることから、１２０℃における溶融粘度は、第１半導体素子の包埋性を有する限りのものであって、「１００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下」とすることは、単に設計上適宜設定される事項を特定したものにとどまるものである。
　そうすると、引用発明の絶縁樹脂に、引用例３の１２０℃における溶融粘度を１００〜２００Ｐａ・秒とする封止樹脂を適用して、相違点５の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　なお、請求人は、審判請求書において、「引用例１の絶縁樹脂１３２と、引用例２の接着シート及び引用例３の封止樹脂層３は、それぞれ用途が異なるため、引用例１と異なる用途の引用例２及び引用例３の技術事項を参照することは自然ではない」旨主張している。
　しかしながら、引用例１、引用例２及び引用例３は、何れも半導体装置の製造方法において、半導体チップを包埋・封止する絶縁樹脂として、「充填性に優れ、ボイドの発生を防ぐ」という解決しようとする課題が共通するものであるから（上記ク、ケ・コ、ツ）、引用例１に引用例２及び引用例３の技術事項を適用することに特段の阻害要因は存在しない。よって請求人の主張は認められない。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用例１ないし３から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。