(57)【要約】  本発明は半導体ウェーハ等の基板洗浄設備に係り、設備はローディング／アンローディング部、整列部、洗浄部及びインターフェイス部を有する。ウェーハは整列部で水平から垂直に又はこの逆に方向転換される。洗浄部がウェーハの薬液処理、リンス及び乾燥工程等を実行する。洗浄部は積層配置された複数の処理室を有し、各処理室には上述した工程実行処理槽と移送ロボットが配置される。インターフェイス部には各処理室間でウェーハを移送する移送槽が配置される。ウェーハが処理室間移動時大気に露出しないように移送部内部は脱イオン水で満たされる。ローディング／アンローディングから取り出されたウェーハは整列部で水平から垂直に方向転換後、第１処理室に移送され工程が実行される。以後移送槽により他の第２処理室に移送され、残りの工程実行後、再び整列部で垂直から水平に方向転換される。すなわち、ウェーハはループ状に移送されつつ工程が実行される。
2007507103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄する設備において、
基板について洗浄工程を実行する少なくとも一つの処理槽と
移送ロボットが配置された複数の処理室を有する洗浄部と、を含み、
少なくとも処理室は積層されていることを特徴とする多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２】
前記の処理槽の各々は薬液処理工程、リンス工程、及び乾燥工程でグループ付けられた工程のうち選択された少なくともいずれか一つの工程が実行されることを特徴とする、
請求項１に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項３】
各々の前記処理室は、
複数の処理槽が配置される処理部と、
前記処理槽間に基板を移送する移送ロボットが設置される移送部と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項４】
前記処理室のうち乾燥工程が実行される処理槽が設置された処理室において、
前記移送ロボットは、
湿った状態の基板を移送する第１ロボットと、
乾いた状態の基板を移送する第２ロボットと、
を含むことを特徴とする、請求項３に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項５】
各々の前記処理室にはカセットが一時的に止まるバッファ部が配置されることを特徴とする、請求項２に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項６】
各々の前記処理室は、
前記処理室内に清浄な気体を送風するファンフィルタユニットと、
前記処理槽の周辺のフュームが排気される第１排気部と、
前記移送部の周辺の粒子を強制排気する第２排気部と、
を含むことを特徴とする、請求項３に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項７】
前記第２排気部は、
前記第２移送部の底面と連結される排気管と、
前記排気管の通路を開閉するダンパと、
前記排気管を通じて排気される量を調節する排気ファンと、
を含むことを特徴とする、請求項６に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項８】
前記設備は前記処理室間の基板の移送が行われるインターフェイス部をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項９】
前記インターフェイス部は
基板が大気に露出されないように基板を収容する移送槽と、
前記移送槽を上下に移動させる移送槽移送部と、
を含むことを特徴とする、請求項８に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１０】
前記移送槽は内部に洗浄液を供給するノズルをさらに含み、
前記基板は前記移送槽内で洗浄液に入れた状態で前記処理室間に移送されることを特徴とする、請求項９に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１１】
前記移送槽は内部に洗浄液を供給する洗浄液供給管をさらに含み、
前記基板は前記移送槽内で洗浄液に入れた状態で前記処理室間に移送されることを特徴とする、請求項９に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１２】
前記洗浄液は脱イオン水であることを特徴とする、請求項１０に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１３】
基板は前記移送槽内に収容される際、前記移送槽内でリンス工程が実行されることを特徴とする、請求項１１に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１４】
前記移送槽移送部は、
最下層に配置される処理室から最上層に配置される処理室に該当される高さまで延長され、ガイドレールが設置されたフレームと、
前記移送槽が装着され、前記ガイドレールに沿って上下移動できるように結合するスライドと、
前記スライドを移動させる駆動部と、
を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１５】
前記移送槽は、
基板が収容される内槽と、
前記内槽に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記内槽の外側壁を囲むように設置され、前記内槽からあふれて流れる洗浄液が収容される外槽と、
を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１６】
前記基板が前記移送槽に収容される際、前記移送槽でリンス工程が実行されることを特徴とする、請求項１５に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１７】
前記洗浄液供給部は前記内槽の側面、または底面と連結される洗浄液供給管を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１８】
前記洗浄液供給部は前記内槽の開放された上部に向いて洗浄液を噴射するノズルを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項１９】
前記インターフェイス部には前記移送槽の外側に落ちる洗浄液を前記移送槽の内部にまたは、前記移送槽の外壁がら離隔された外部に案内する案内板が設置されることを特徴とする、請求項１８に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２０】
前記案内板はその一端が前記内槽の内壁の内側まで延長され、他端が前記外槽の外壁の外側まで延長されることを特徴とする、請求項１９に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２１】
前記ノズルは前記インターフェイス部の一定位置に固定設置されて、
前記案内板は前記ノズルより低い位置に、そして洗浄液か満たされる際、前記移送槽の位置より高い位置で前記インターフェイス部内に装着されることを特徴とする、請求項２０に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２２】
前記インターフェイス部は前記案内板を前記移送槽内に洗浄液供給する際、洗浄液の流れを案内する案内状態と前記移送槽の移動を干渉しないようにする非干渉状態に移動させる案内板移動部をさらに含むことを特徴とする、請求項１９に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２３】
前記移送槽は洗浄液が排出する通路である排出バルブを含み、
前記排出バルブは弾性部材を使って外部から力が与えられない際、その出口が遮断された状態で支持されることを特徴とする、請求項１０に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２４】
前記排出バルブは、
ボディーと、
前記ボディー内で前記ボディーの底面と対向するように配置されて、前記ボディーの底面に形成された前記出口を開閉する遮断板と、
前記遮断板を押さえるように前記ボディー内に設置されるスプリングと、
を含むことを特徴とする、請求項２３に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２５】
前記インターフェイス部は前記排出バルブを開閉する開閉器をさらに含み、
前記開閉器は、
ロッドと、
前記ロッドの少なくとも一部が挿入される空間を有し、流体が流入または流出される通路として機能する第１開口と第２開口が形成されたボディーと、
前記ロッドと結合し、前記第１開口または第２開口を通じて流入される流体によって前記第１開口と前記第２開口が形成された位置の間で移動される分離板と、を含み、
前記分離板の移動と共に前記ロッドが前記遮断板を押して上げることによって、前記排出バルブか開放されることを特徴とする、請求項２４に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２６】
前記開閉器は前記排出バルブで乾燥ガスを噴射して前記排出バルブを乾燥するガス噴射部をさらに含み、
前記ガス噴射部は、
前記分離板と前記ロッドとを貫通するようにホールとして形成された噴射ラインと、
前記排出バルブが閉まるように前記ロッドが移動された状態で前記噴射ラインに乾燥ガスを供給するように前記ボディーに形成された流入口と、
を含むことを特徴とする、請求項２５に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２７】
前記設備は、
カセットが収容されるローディング／アンローディングと、
前記ローディング／アンローディング部と前記洗浄部との間に配置され、水平状態から垂直状態に、または、垂直状態から水平状態に基板の位置を転換する整列部と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２８】
前記ローディング／アンローディングは、
前記設備に／から  ローディング／アンローディングされるカセットが置かれるイン／アウトポートと、
前記イン／アウトポートと前記洗浄部との間に配置され、カセットを一時的に保管するストッカと、を含み、
前記ストッカは、
カセットか置かれる棚と、
前記カセットを移送するロボットと、
を含むことを特徴とする、請求項２７に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項２９】
前記整列部は基板を水平状態から垂直に位置転換する整列装置を少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項２７に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項３０】
前記整列装置は、
カセットに／から基板を引入／引出する少なくとも一つの水平返送ロボットと、
前記水平返送ロボットによって返送された基板を収納し、回転可能な位置転換装置と、を含むことを特徴とする、請求項２９に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項３１】
前記整列装置は前記位置転換装置から基板を分離して前記基板を前記洗浄部に移送するプッシャをさらに含むことを特徴とする、請求項３０に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項３２】
前記基板は前記整列部、前記処理室のうち一つである第１処理室、前記インターフェイス部、前記処理室のうちの他の一つである第２処理室、及び前記整列部に沿って順にループ形状で移送されながら洗浄工程が実行されることを特徴とする、請求項２７に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項３３】
前記第１処理室と前記第２処理室で前記洗浄槽は工程が進行される順に一列に配置されることを特徴とする、請求項３２に記載の多層構造を有する基板洗浄設備。
【請求項３４】
ローディング／アンローディング部に置かれたカセットから基板が互い層に区画された少なくとも二つの処理室を有する洗浄部に移送される段階と、
前記処理室のうち一つである第１処理室で基板について洗浄工程のうち一部工程が実行される段階と、
前記基板が前記処理室のうち他の一つである第２処理室に移送される段階と、
前記第２処理室で前記基板について洗浄工程のうち一部工程が実行される段階と、
前記基板がローディング／アンローディング部に置かれているカセットに収納される段階と、を含むことを特徴とする多層構造を有する洗浄設備での基板洗浄方法。
【請求項３５】
前記第1処理室と前記第２処理室で前記洗浄槽は工程が進行される順に一列に配置されて、前記基板はループ形状で移送されることを特徴とする、請求項３４に記載の多層構造を有する洗浄設備で基板洗浄方法。
【請求項３６】
前記基板が前記第１処理室から前記第２処理室への移送の際、大気に露出されない状態で移送されることを特徴とする、請求項３５に記載の多層構造を有する洗浄設備での基板洗浄方法。
【請求項３７】
前記第１処理室から前記第２処理室に基板を移送する段階は、
前記第１処理室で一部の工程が完了した基板が前記第１処理室と前記第２処理室の１側に配置されるインターフェイス部の移送槽内に置かれる段階と、
前記移送槽が上下方向に移送される段階と、
前記基板が前記移送槽から取り出されて、前記第２処理室に移送される段階と、を含むことを特徴とする、請求項３６に記載の多層構造を有する基板洗浄設備で基板を洗浄する方法。
【請求項３８】
前記移送槽が前記第１処理室から前記第２処理室に移送される際、前記移送槽の内部は脱イオン水が満たされること特徴とする、請求項３７に記載の多層構造を有する基板洗浄設備で基板を洗浄する方法。
【請求項３９】
前記方法は、
前記第１処理室で工程が実行される前に水平状態から垂直状態に前記基板の位置を転換する段階と、
前記第２処理室で工程が完了した後、垂直状態から水平状態に前記基板の位置を転換する段階と、をさらに含むことを特徴とする、請求項３７に記載の多層構造を有する基板洗浄設備で基板を洗浄する方法。
【請求項４０】
前記方法は、
前記移送槽内で前記処理室間の基板の移送が行われる間、前記移送槽でリンス工程が実行される段階をさらに含むことを特徴とする、請求項３７に記載の基板洗浄設備で基板を洗浄する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子製造に使われる設備及び方法に係り、さらに詳細には半導体ウェーハのような基板を洗浄する設備及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハを直接回路で製造する際、製造工程の中に発生する残留物質（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）、小さい粒子(ｓｍａｌｌ  ｐａｒｔｉｃｌｅｓ)，汚染物（ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔｓ）などを除くために半導体ウェーハを洗浄する工程が要求される。半導体ウェーハの洗浄工程は薬液処理工程、リンス工程、及び乾燥工程と分けることができる。薬液処理工程はウェーハ上の汚染物質を化学的反応によってエッチングまたは剥離させる工程であり、リンス工程は薬液処理された半導体ウェーハを脱イオン水で洗滌する工程であり、乾燥工程は最後にウェーハを乾燥する工程である。上述の工程を進行するために多様な処理槽が使用される。すなわち、ウェーハ上の有機物を除くためにＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２Ｏの混合溶液が使われる処置槽、ウェーハ上の無機物を除くために洗浄液としてＨＣＬ、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２Ｏ、の混合溶液が使われる処理槽、及び自然酸化膜、または無機汚染物質を除去するために希釈されたＨＦが使われる処理槽、リンス工程が実行される処理槽、乾燥工程が実行される処理槽などがある。
【０００３】
一般的に使われる洗浄装置は上述の処理槽が一例に配置される洗浄部を有し、洗浄部の両端には各々の工程が進行されるウェーハが収容されるカセットが置かれるローディング部と、洗浄が完了したウェーハが収容されるカセットが置かれるアンローディング部が配置される。また、洗浄部内には上述の処理槽間のウェーハを移送する移送ロボットが配置され、洗浄部と並んでいる方向に洗浄部の側面には空いているカセットをローディング部からアンローディングに移送させるカセット移送部が提供される。
【０００４】
しかし上述の洗浄装置の場合、多数台の処理槽だけでなく、ローディング部とアンローディングが各々提供されるべきであるので、設備が占める面積が非常に大きくなる問題があり、ウェーハの広さが大口径化されることによって、処理槽の広さもこれに比例して増大するから、上述の問題はさらに深刻になる。また、ローディング部とアンローディング部との間に空いているカセットを移送するカセット移送部が提供されるべきであるから、設備の構成が複雑になる。
【特許文献１】韓国公開特許２０００-４４８４８号
【特許文献２】韓国公開特許２００３-８０３５５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は少ない面積で効果的に工程を実行することができる洗浄設備及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を解決するために、本発明の洗浄装置は複数の処理室を有する洗浄部を有する。前記処理室は互いに積層されるように配置され、各々の前記処理室には少なくとも一つの処理槽と移送ロボットとが配置される。前記処理槽の各々は薬液処理工程、リンス工程、及び乾燥工程からなる工程の中から選択された少なくともいずれか一工程が実行される。各々の前記処理室は複数の処理槽が配置される処理部と前記処理槽の間に基板を移送する移送ロボットが設置される移送部とを含む。前記処理室の中乾燥工程が実行される処理槽が設置された処理室で前記移送ロボットは湿った状態の基板を移送する第１ロボットと乾いた状態の基板を移送する第２ロボットとを含む。また、各々の前記処理室にはカセットが一時的に止まるバッハァ部が配置されることができる。各々の前記処理室は前記処理室のに清浄な気体を送風するファンフィルタユニット、前記処理槽周辺のフューム（ｆｕｍｅ）が排気される第１排気部、及び前記移送部の周辺の粒子を強制排気する第２排気部を含む。前記第２排気部は前記第２移送部の底面と連結される排気管、前記排気管の通路を開閉するダンパ、及び前記排気管を通じて排気される量を調節する排気ファンを含む。
【０００７】
前記設備には前記処理室間の基板の移送が行われるインターフェイス部が提供される。前記インターフェイス部は、基板が大気に露出しないように基板を収容する移送槽と前記移送槽を上下に移動させる移送槽移送部と、を含む。一例によると、前記移送槽は内部に洗浄液を供給するノズルを含み、前記基板は前記移送槽内で洗浄液に入った状態で前記処理室の間に移送される。また、前記移送槽の内部に洗浄液を供給する洗浄液供給管をさらに提供することができ、前記洗浄液では脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）を使うことができる。また、基板が前記移送槽内に収容される際、前記移送槽内でリンス工程を実行することもできる。前記移送槽移送槽部は最下層に配置される処理室から最上層に配置される処理室に該当する高さまで延長され、ガイドレールが設置されたフレーム、前記移送槽が装着され、前記ガイドレールに沿って上下に移動できるように結合するスライド、及び前記スライドを移動させる駆動部を含む。
【０００８】
一例によると、前記移送槽は基板が収容される内槽、前記内槽に洗浄液を供給する洗浄液供給部、及び前記内槽の外側壁を囲むように設置され、前記内槽からあふれて流れる洗浄液が収容される外槽を含む。前記洗浄液供給部は前記内槽の側面または底面と連結される洗浄液供給管または前記内槽の開放された上部に向いて洗浄液を噴射するノズルを含む。また、前記基板が前記移送槽に収容される際、前記移送槽でリンス工程を実行することができる。
【０００９】
前記インターフェイス部には案内板が設置されて前記移送槽の外壁に落ちる洗浄液を前記移送槽の内部または、前記移送槽の外壁から離隔された外部に案内できる。前記案内板はその一端が前記内槽の内壁の内まで伸びて、他端は前記外層の外壁の外まで伸びる幅を有することか望ましい。一例によると、前記ノズルは前記インターフェイス部の一定位置に固定設置され、前記案内板は前記ノズルより低い位置に、そして洗浄液が満たされる際前記移送槽の位置より高い位置で前記インターフェイス部の内壁に装着することができる。前記案内板は案内板移動部によって前記移送槽内に洗浄液供給の際、洗浄液の流れを案内する案内状態と前記移送槽の移動を干渉しないようにする非干渉の状態に移送することができる。
【００１０】
前記移送槽には洗浄液が排出する通路である排出バルブが提供され、前記排出バルブは弾性部材を使って外部から力が与えられない際、その出口が遮断された状態で維持することが望ましい。一例によると、前記排出バルブはボディー、前記ボディー内で前記ボディーの底面と対向するように配置されて前記の体の底面に形成された前記出口を開閉する遮断板、及び前記遮断板を押さえるように前記ボディー内に設置されるスプリングを含む。前記インターフェイス部では前記排出バルブを開閉する開閉器をさらに提供することができる。一例によると、前記開閉器はロッド、前記ロッドの少なくとも一部が挿入される空間を有し、流体が流入または、流出される通路として機能する第１開口と第２開口が形成されたボディー、及び前記ロッドと結合して、前記第１開口または、第２開口を通じて流入される流体によって前記第１開口と前記第２開口が形成された位置の間で移動される分離板を含む。前記分離板の移動と共に前記ロッドが前記遮断板を押し上げることによって前記排出バルブが開放される。
【００１１】
前記開閉器には前記排出バルブに乾燥ガスを噴射して前記排出バルブを乾燥するガス噴射部を提供することができる。一例によると、前記ガス噴射部は前記分離板と前記ロッドとを貫通するようにホールとして形成された噴射ラインと前記排出バルブを閉めるように前記ロッドが移動された状態で前記噴射ラインに乾燥ガスを供給するように前記ボディーに形成された流入口を含む。
【００１２】
または、前記設備はカセットが収容されるローディング／アンローディング部と前記ローディング／アンローディング部と前記洗浄部との間に配置されて、水平の状態から垂直の状態にまたは、垂直の状態から水平の状態に基板の位置を転換する整列部と、を含むことができる。前記ローディング／アンローディング部は前記設備に／からローディング／アンローディングされるカセットが置かれるイン／アウトポートと、前記イン／アウトポートと前記洗浄部と、の間に配置され、カセットを一時的に保管するストッカを有することができ、前記ストッカはカセットが置かれる棚と、前記カセットを移送するロボットと、を含むことができる。
【００１３】
前記の整列部は基板を水平の状態から垂直の状態に位置転換する整列装置を少なくとも一つ含む。前記整列装置はカセットに／から基板を引き入れ／引き出す少なくとも一つの水平返送ロボット、前記水平返送ロボットによって返送された基板を収納して、回転可能な位置転換装置、及び前記位置転換装置から基板を分離して前記基板を前記洗浄部に移送するプッシャを含む。
【００１４】
一例によると、前記基板は前記整列部、前記処理室の中の一つである第１処理室と前記インターフェイス部、前記処理室の中の他の一つである第２処理室、及び前記整列部に添って順にループの形状に移送されて洗浄工程が実行される。前記第１処理室と前記第２処理室で前記洗浄槽は工程が進行される順に一列に配置されることが望ましい。
【００１５】
本発明の基板洗浄方法は、ローディング／アンローディング部に置かれたカセットから基板が互いに層で区画された少なくとも二つの処理室を有する洗浄部に移送される段階と、前記処理室の一つである第１処理室で基板について洗浄工程の一部の工程が実行される段階と、前記基板が前記処理室の他の一つである第２処理室に移送される段階と、前記第２処理室で前記基板について洗浄工程の一部の工程が実行される段階と、前記基板がローディング／アンローディング部に置かれたカセットに収納される段階と、を含む。
【００１６】
前記第１処理室と前記第２処理室で前記洗浄槽工程が進行される順に一列に配置され、前記基板はループになすように移送されることが望ましい。また、前記基板が前記第１処理室から前記第２処理室に移送する際、大気に露出しない状態で移送されることが望ましい。
【００１７】
前記第１処理室から前記第２処理室に基板を移送する段階は、前記第１処理室で一部工程が完了した基板が前記第１処理室と第２処理室の一側に配置されるインターフェイス部の移送槽内に置かれる段階と、前記移送槽が上下方向に移送される段階と、前記基板が前記移送槽から取り出されて前記第２処理室に移送される段階と、を含む。前記処理室間の基板の移送は洗浄液が収容された移送槽内に基板が入っている状態で行われることが望ましい。また、前記方法は前記移送槽内で前記処理室間の基板の移送が行われる間に前記移送槽でリンス工程が実行される段階をさらに含む。
【００１８】
また、前記方法は前記第１処理室で工程を実行する前に水平状態から垂直状態に前記基板の位置を転換する段階と、前記第２処理室で工程が完了した後、垂直状態から水平状態に前記基板の位置を転換する段階と、を含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、洗浄設備の洗浄部は互いに積層される複数の処理室を有するから大型化されている洗浄設備の設置面積を減らせる。
【００２０】
また、本発明によると、ウェーハがループ形状で移送されながら工程が実行されるから洗浄部の一側にだけローディング／アンローディング部及び整列部が提供され、したがって、洗浄部の両側にローディング／アンローディング及び整列部が提供される一般的な設備に比べて設置面積を減らせる。
【００２１】
また、本発明によると、洗浄部で処理室間のウェーハの移送が大気に露出しない状態で行われるから工程中にウェーハ上に自然酸化膜が形成されることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態を添付の図１乃至図２１を参照してより詳細に説明する。本発明の一実施形態はいろいろな形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する一実施形態によって限定されない。本実施形態は当業界で平均な知識を持つ者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
【００２３】
図１は本発明の洗浄設備１の構造を概略的に示す外観図である。図１を参照すると、洗浄設備１はローディング／アンローディング部１０、整列部２０、洗浄部３０、及びインターフェイス部４０を含む。ローディング／アンローディング部１０、整列部２０、洗浄部３０、及びインターフェイス部４０は順に一列に配置することができる。ローディング／アンローディング部１０には工程を実行するウェーハが収納されたカセットＣ及び工程が完了したウェーハが収納されるカセットＣが置かれ、整列部２０ではローディング／アンローディング部１０または洗浄部３０から取り出されたウェーハの位置転換が行われる。洗浄部３０は複数の処理室１３０，１４０を有し、この処理室１３０、１４０は積層されるように配置される。洗浄部３０はウェーハについて薬液処理工程、リンス工程、及び乾燥工程などを実行して、インターフェイス部４０は処理室間のウェーハを移送する。
【００２４】
図２は図１の設備１の内部の構造を概略的に示す図面であり、図３と図４は各々の洗浄部３０の第１処理室１３０と第２処理室１４０の平面図である。ローディング／アンローディング部１０はイン／アウトポート(ＩＮ／ＯＵＴ  ｐｏｒｔ)１１２とストッカ（ｓｔｏｃｋｅｒ）１１６を含む。ウェーハが収容されたカセットＣは外部から自動搬送装置(ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｇｕｉｄｅｄ  ｖｅｈｉｃｌｅまたはｒａｉｌ  ｇｕｉｄｅｄ  ｖｅｈｉｃｌｅ)によってイン／アウトポート１１２に置かれている。カセットＣでは密閉型コンテナであるＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）が使われることもでき、カセットＣには２５枚のウェーハが水平の状態で収納される。ストッカ１１６はイン／アウトポート１１２の側面に配置され、カセットＣが保管される。ストッカ１１６内にはカセットＣが置かれる複数の棚１１６ａとストッカ１１６内でカセットＣを移送するロボット１１６ｂが配置される。
【００２５】
整列部２０は下部に位置する第１整列室１２０ａ及びこれと層に区画された上部に位置する第２整列室１２０ｂを有する。ウェーハは第１整列室１２０ａで洗浄工程が実行されるに適するように水平状態から垂直状態に位置転換され、洗浄工程が完了したウェーハは第２整列室１２０ｂでカセットＣに収納されるに適するように垂直状態から水平状態に位置転換される。第１整列室１２０ａと第２整列室１２０ｂには各々のカセットＣのドアを開放するドアオープナー１２８ａ、１２８ｂを設置することもできる。選択的に整列部１２０は一つの整列室だけ具備できる。
【００２６】
各々の整列室１２０ａ、１２０ｂには整列装置が提供される。整列装置は水平返送ロボット１２２ａ、１２２ｂ、位置転換装置１２４ａ、１２４ｂ、及びプッシャ１２６ａ、１２６ｂを有する。水平返送ロボット１２２ａはカセットＣからウェーハを取り出して位置転換装置１２４ａに移動させる。位置転換装置１２４ａは水平返送ロボット１２２ａから移送されたウェーハが挿入されるスロットが形成されたフレームを含み、フレームは９０°回転可能な構造を有する。フレーム内に収納されたウェーハはフレームの回転と共に水平状態から垂直状態に位置転換される。垂直状態に位置転換されたウェーハはプッシャ１２６によってフレームから取り出されて、後にロボット(図３の１３８)によって洗浄部３０に移送される。また、位置転換装置１２４ａのフレームには５０個のスロットが形成され、これらスロットの間隔はカセットに形成されたスロットの間隔の１／２に該当することができ、位置転換装置１２４ａは一度に５０枚のウェーハを収納することができ、洗浄工程は５０枚のウェーハに対して同時に進行することができる。一つのカセットから取り出されたウェーハが位置転換装置１２４ａに収納されたら、位置転換装置１２４ａは上述のカセットの間隔の１／２の距離だけ直線移動されて、その後に別の一つであるカセットから取り出されたウェーハの位置転換装置１２４ａに収納することもできる。
【００２７】
上述の例では第１整列室１２０ａでカセットから洗浄部３０に移送される前にウェーハが整列される過程を説明した。第２整列室１２０ｂでウェーハは第１整列室１２０ａと逆に移動されて垂直状態から水平状態に位置転換された後カセットに収納される。上述した整列部には特許文献１及び２に開示された整列装置が提供することもできる。
【００２８】
洗浄部３０はウェーハについて洗浄工程を実行する。洗浄部３０は上述のとおりに積層された処理室を有する。本実施形態で洗浄部３０は下部に配置される第１処理室１３０と、上部に配置される第２処理室１４０と、を有する場合を例として挙げる。しかし、これと異なり、洗浄部３０は積層されて作られた３つ以上の処理室を備えることができる。
【００２９】
第１処理室１３０には処理部１３４と移送路１３８が提供される。処理部１３４にはバッファ部１３４ａと複数の処理槽１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄ、１３４ｅが一列に配置されて、移送路１３８には少なくとも一つの移送ロボット１３８ａ、１３８ｂが配置される。移送路１３８は処理槽１３４ｅ、１３４ｄ、１３４ｃ、１３４ｂに沿って長さ方向に長く形成され、その両端は各々の整列部２０とインターフェイス部４０まで延長される。移送ロボット１３８ａ、１３８ｂ移送路を従って移動されながら第１整列室１２０ａから第１処理室１３０に、第１処理室１３０の内から、そして第１処理室１３０からインターフェイス部４０にウェーハを移送する。第１処理室１３０の内からウェーハは複数の処理槽１３４ｂ，１３４ｃ，１３４ｄ、１３４ｅ全体でまたは、選択された処理槽の内で工程が実行される。
【００３０】
第２処理室１４０には処理部１４４と移送路１４８とが配置されて、第１処理室１３０と同一にバッファ部１４４ａと複数の処理槽１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｄ、１４４ｅが処理部１４４に配置されて、移送ロボット１４８ａ、１４８ｂが移送路１４８に配置される。移送ロボット１４８ａ、１４８ｂはインターフェイス部４０から第２処理室１４０に、第２処理室１０４の内から、そして第２処理室１４０から第２整列室１２０ｂにウェーハを移送する。第２処理室１４０内でウェーハは複数の処理槽１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｄ、１４４ｅの全体でまたは選択された処理槽内で工程が実行される。
【００３１】
第１処理室１３０と第２処理室１４０に配置される各々の処理槽は化学薬液を使用してウェーハを洗浄する薬液処理槽、脱イオン水などを利用してウェーハを洗滌するリンス槽、及びウェーハを乾燥する乾燥槽からなるグループの中で選択されたいずれか一つでありうる。
【００３２】
第１処理室１３０で処理槽１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄ、１３４ｅは第１処理室１２０ａと隣接する一側からインターフェイス部４０と隣接する他側に近接するほどウェーハについて工程を実行する順に配置されて、第２処理室１４０で、処理槽１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｄ、１４４ｅはインターフェイス部４０と隣接する位置から第２整列室１２０ｂと隣接する位置に近接するほど、ウェーハについて工程を実行する順に配置されることが望ましい。これは工程進行の際、ウェーハの移送経路を最小化する。
【００３３】
第２処理室１４０内の移送路１４０で配置された移送ロボットは第１ロボット１４８ａと第２ロボット１４８ｂと有する。第１ロボット１４８ａが湿った状態のウェーハだけを移送して、第２ロボット１４８ｂは乾燥された状態のウェーハだけを移送するのが望ましい。これは第１ロボット１４８ａが乾燥された状態のウェーハを移送する場合、第１ロボット１４８ａに付着された水気によって乾燥された状態のウェーハが汚染されることを防ぐことができる。すなわち、第１処理槽で処理槽１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄ、１３４ｅが順に第１薬液槽、リンス槽、第２薬液槽、及びリンス槽からなり、第２処理室１４０で処理槽１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｄ、１４４ｅが第３薬液槽、第４薬液槽、リンス槽、乾燥槽からなり、ウェーハが第１処理室、インターフェイス部、及び第２処理室に順に移送されながら工程が進行する場合、第２処理室１４０で第１ロボット１４８ａはインターフェイス部４０、第３薬液槽１４４ｅ、第４薬液槽１４４ｄ、リンス槽１４４ｃ、乾燥槽１４４ｂの間にウェーハを移送して、第２ロボット１４８ｂ、乾燥槽１４４ｂ、バッファ部、１４４ａ、及び第２整列室１２０ｂの間にウェーハを移送できる。
【００３４】
第１処理室１３０の上部と第２処理室１４０の上部には各々ファンフィルタユニット（ｆａｎ  ｆｉｌｔｅｒ  ｕｎｉｔ）１８０ａ、１８０ｂが設置されて処理室１３０，１４０の内の湿度、粒子、温度などを含む環境を制御する。図５は設備でファンフィルタユニット１８０ａ，１８０ｂと排気部１８２，１８４が図示された図面である。ファンフィルタユニット１８０ａ、１８０ｂによって清浄な空気が処理室１３０，１４０内の下に送風される、各々の処理室１３０，１４０には第１排気部と第２排気部が提供される。第１排気部１８２は処理槽の周辺のフューム（ｆｕｍｅ）などの汚染空気が排気される部分であり、処理槽の後面に配置されて、第２排気部１８４はロボット駆動の際発生する粒子などが排気される部分であり、移送路１４８の底面に形成される。ファンフィルタユニット１８０ａ、１８０ｂから供給される空気量は第１排気部１８２の排気量に応じて制御部１８１によって調節される。
【００３５】
第１処理室１３０で第１移送路１３８の周辺の空気は第１移送路１３８の下に配置された第２排気路を通じて自然排気されるが、第２処理室１４０で第２移送路１４８の周辺の空気は第２移送路１４８の下に配置された第２排気路を通じて強制排気することができる。第２処理室１４０の第２排気部１８４は第２移送路１４８の下部の底に形成される排気部１８５と連結された排気管１８８、排気管１８８の通路の開放率を調節するダンパ１８６、及び排気量調節のための排気ファン１８９を有する。ダクト１８８は前記第１処理室１３０の上端に位置するファンフィルタユニット１８０ａの間に設置されることもできる。
【００３６】
インターフェイス４０はウェーハの移送が行われる空間を提供する。ウェーハが処理室２３０、１４０間移動される際、大気に露出されたら、ウェーハに望ましくない自然酸化膜が形成される。したがって、インターフェイス部４０でウェーハの移送は大気の露出されない状態で行われる。図６は、インターフェイス部４０の内部構造を概略的に示す正面図である。図６を参照したら、インターフェイス部４０には移送槽２００、移送槽移動部３００、及びノズル４００が提供される。移送槽２００はウェーハを収容する空間を提供して、移送槽移動部３００は移送槽２００をインターフェイス部４０内で上下に移動させる。ノズル４００は移送槽２００の内に脱イオン水のような洗浄液を供給して、ウェーハは脱イオン水に完全に入った状態で処理室１３０、１４０の間に移送される。移送槽移動部３００はフレーム３２０ガイドレール３４０、スライド（図示しない）及び駆動部３６０を含む。フレーム３２０はインターフェイス部４０の内壁に上下方向に第１処理室１３０から第２処理室１４０に至る長さに設置される。フレーム３２０上にはガイドレール３４０が設置されて、移送槽２００が固定されたスライドはガイドレール３４０に沿って上下に直線移動されるようにフレーム３２０に結合する。フレーム３２０の下にはスライドを駆動させる駆動部が設置される。駆動部３６０はモータ、プーリー、及びベルトを含む装置や油空圧シリンダを利用した装置を使用することができる。
【００３７】
図７は移送槽２００の一例を示す斜視図である。図７を参照したら、移送槽２００は内槽２２０と外槽２４０とを含む。内槽２２０は上部が開放された空間を有する大体に直六面体の筒の形状を有して、内部にはウェーハが支持されるウェーハガイド（図示しない）が配置される。ウェーハガイドはウェーハが挿入されるスロットが形成された複数のバーからなることができる。たとえ図示しないが、ウェーハガイドにはこれを上下に駆動するリフトが連結されることもできる。外槽２４０は内槽２２０からあふれて流れる洗浄液を収容するように内槽２２０と一定距離離隔されて、内槽２２０の側壁の周りを囲むように内槽２２０に結合する。外槽２４０と内槽２２０の底面には各々の排出口（図９の２２２、２４２）が形成される。
【００３８】
移送槽２００はインターフェイス部４０内の第１位置から第２位置に移動される。第１位置は第１処理室１３０と対応する高さで、移送槽２００が第１位置に置かれる際、
第１処理室１３０で工程が実行されたウェーハが移送槽２００内に収容される。第２位置は第２処理室１４０と対応する高さで、移送槽２００が第２位置に置かれる際、移送槽２００内のウェーハが移送槽２００から取り出されて第２処理室１４０に移送される。一例によると、移送槽２００に洗浄液を供給するノズル４００はインターフェイス部４０内側壁に固定設置される。移送槽２００が第１位置に移動された状態で洗浄液の供給が行われるようにノズル４００は第１位置に置かれた移送槽２００より高い位置に設置される。ノズル４００は洗浄液の供給部と連結され、中央に通路が設置されたロッド６４０の形状で形成された分配管４２０と、分配管４２０の長さの方向に沿って複数個形成されて分配管４２０の内部を流れる洗浄液を移送槽２００に噴射する噴射口４４０を有する。ノズル４００は互いに向き合うインターフェイス部４０の内の両側に各々設置されて、移送槽２００が上下に移送される際、移送槽２００の移動を干渉しないように配置される。噴射口４４０は洗浄液が内槽２２０の中心部に向くように形状付けられる。内槽２２０の内に洗浄液を供給するために上述のノズル４００の外に洗浄液供給管４６０がさらに提供されることができる。洗浄液供給管４６０は内槽２２０の側壁または内槽２２０の底面と連結されることもできる。
【００３９】
噴射口４４０から洗浄液の噴射が始まる瞬間及び噴射が終了される瞬間に洗浄液は外槽２４０の外側壁に落ち、これらは外槽２４０の外側壁に沿って下に流れる。外槽２４０の外側壁に脱イオン水が付着された場合、移送槽２００が移動される間外槽２４０の外側壁に沿って流れて、脱イオン水の一部はインターフェイス部４０の底に落ち、他の一部は外槽２４０の外側壁と連結された構造物に沿って流れる。本実施形態は案内板５００が提供されて外槽２４０の外側壁に脱イオン水が落ちることを防止する。案内板５００は外槽２４０の外側壁と隣接する位置に落ちる脱イオン水を内槽２００内に、または、外槽２４０の外側壁と一定距離離隔された外槽２４０の外側に流れるように案内する。案内板５００はノズル４００と第１位置で位置した移送槽２００の間に配置される。案内板５００はインターフェイス部４０の側壁またはノズル４００に設置することもでき、選択的にインターフェイス部４０内に固定設置された構造物上に設置することができる。案内板５００の一端は内槽２２０の内壁の内まで延長され、多端は前記外槽２４０の外壁の外側まで延長される幅を有して、案内板５００の長さは案内板５００と同一方向に位置した外槽２４０の側壁より長く形成される。案内板５００は各々のノズルの下に設置される。
【００４０】
案内板５００は案内板異動部５２０によって案内状態と非干渉状態に位置が転換される。案内状態はノズル４００から洗浄液が供給される間洗浄液の流れを案内するために水平に配置される状態であり、非干渉状態は移送槽２００が上下移動の際、移送槽２００が案内板と衝突することを防止するために移送槽２００の垂直上部から外れた状態である。案内板異動部５２０は案内板５００の他端と結合し、一側に受動ギヤ５２２が結合した回転ロッド５２８と受動ギヤ５２２とかみ合い、作動器（ｒｏｔａｒｙ  ａｃｔｕｔｏｒ）５２６によって回転される駆動ギヤ５２４からなることができる。案内板５００が９０°回転されることによって、案内板５００は案内状態から非干渉状態に位置が転換される。上述の案内板移動部５２０の構成は一実施例に過ぎず、これと異なる様々な構成を有することもできる。図７で案内板５００中の一つは案内状態に位置し、他の一つは非干渉状に位置して図示されている。案内板５００は案内状態で上述のように水平を維持、または一側方向に傾くこともできる。図８は上述のように案内板５００が案内状態に位置された場合、案内板５００に落ちる脱イオン水の流れを示す。
【００４１】
本実施形態では案内板５００とノズル４００とが各々のインターフェイス部４０の所定位置に設置されることを説明した。しかしこれと異なり、案内板５００とノズル４００は各々の移送槽と結合するように設置されることができる。この場合、案内板５００は上述の例のように回転可能な構造を有することができ、選択的に案内状態で固定した構造を有することができる。
【００４２】
ウェーハは移送槽２００に洗浄液が満たされた状態で移送槽２００内に収容されることができる。選択的にウェーハが移送槽２００に収容される間洗浄液が移送槽２００に供給されることができる。洗浄液が供給される移送槽２００の位置は第１位置と第２位置とを除外したインターフェイス部４０内の他の位置でありうる。
【００４３】
一つのグループのウェーハを第１処理室１３０から第２処理室１４０に移送した後、他のグループのウェーハを移送する前に移送槽２００の内に満たされた洗浄液を排出すべきである。移送槽の内槽２２０及び外槽２４０の底面には各々の排出口２２２、２４２が形成され、各々の排出口２２２、２４２には排出バルブ２８０が連結される。排出バルブでは、その内部に直接空気が流入または、流出されて、その内部の通路を開閉するバルブが使われることができる。しかし、この場合、ウェーハが内槽２２０内に収容された状態で設備上の問題などの理由でバルブ内に空気の供給が遮断されたら、排出バルブが開放され、内槽２２０内の洗浄液が排出されてウェーハがインターフェイス部４０の内で移動中の大気に露出される。したがって、バルブは外部から力が与えられない際、通路が遮断された状態で維持されることが望ましい。
【００４４】
図９は内槽２２０及び外槽２４０の底面に形成された排出口２８２、２８４及びこれと連結された排出バルブ２８０を示す断面図である。内槽２２０に結合する排出バルブ２８０と外槽２４０に結合する排出バルブ２８０とは同一であり、下には内槽２２０に結合する排出バルブ２８０だけについて説明する。選択的に内槽２２０に結合する排出バルブ２８０と外槽２４０に結合する排出バルブ２８０とは相違することができる。排出バルブ２８０は内槽２２０の底面に結合し、流体が流れる通路が形成されたボディー２８１を有する。ボディー２８１の上部面には排出口２２２を通じて流れる洗浄液が排出バルブ２８０の内部に流入される入口が形成され、ボディーの下部面には洗浄液が排出バルブから流出される通路である出口２８６が形成される。通路２８７内には出口２８６を開閉する遮断板２８２と遮断板２８２に一定の圧力を与える弾性部材２８４が配置される。遮断板２８２は通路の出口２８６と対向するように配置され、出口２８６より広い断面積を有する。弾性部材２８４の一端は体２８１の上部面に設置されたキーパー２８３ａと結合し、他端は体２８１の下部面に設置されたキーパー２８３ｂに結合する。弾性部材２８４はスプリングか使える。遮断板２８２は圧縮された状態のスプリング２８４に抑えられてボディー２８１の下部面と接触されて出口２８６を遮断するように設置され、外部からスプリング２８４の圧縮力より大きい力が与えられなければ、排出バルブ２８０は継続的に閉められる状態を維持する。排出バルブ２８０の出口２８６は開閉器６００のよって開放される。
【００４５】
図１０は開閉器６００の一例を示す断面図である。開閉器６００はインターフェイス部４０の底面に設置されることができる。開閉器６００は内部に空間が形成されたボディー６２０を有する。ボディー６２０内には分離板６６０が位置する。ボディー６２０の内側壁の上部には流体が流入／流出される第１開口６２２が形成され、ボディー６２０の内側壁の下部には流体が流入／流出される第２開口６２４が形成される。第１開口６２２と第２開口６２４には各々の空気や質素のような流体を供給する供給間６０２が連結される。分離板６６０の上部面にはロッド６４０が結合する。ロッド６４０はボディー６２０の上部面に形成されたホールを通じてボディー６２０の外部に突出される。分離板６６０とロッド６４０とは各々製造されて結合することができ、選択的に一体に製造することができる。図面で説明されない引出番号６８０はシーリングのためのオーリングである。
【００４６】
図１１と図１２は各々の排出バルブ２８０の出口２８６が閉められる状態と開閉器６００によって排出バルブ２８０の出口２８６が開放された状態とを示す図面である。第２位置でウェーハが第２処理室１４０に移送された後、移送槽２００は第１位置に移動される。この際、図１１に示された通りに排出バルブ２８０はスプリング２８４によって抑えられる遮断板２８２により出口２８６が閉めた状態に維持される。第２開口６２４を通じて流入した空気圧によって分離板６６０は昇降され、ロッド６４０はボディー６２０から漸進的に突出されて排出バルブ２８０の内に位置した遮断板２８２を押して上がる。図１２に示したように、排出バルブ２８０の出口２８６は開放され、移送槽２００内の洗浄液は移送槽２００から排出されてインターフェイス部４０の底面に流れた後インターフェイス部４０の底面４２の排出口（図８の４６）と連結された排出管４４を通じて外部に排出される。洗浄液の排出が完了したら、第１開口６２２を通じて空気が流入されて分離板６６０は下降され、排出バルブ２８０の遮断板２８２はスプリング２８４によって抑えられて出口２８６を閉める。
【００４７】
洗浄液が排出された後、排出バルブ２８０の外面には脱イオン水が付着されることができる。これらは外槽２４０の外側に脱イオン水と付着される際のように望ましくない。本実施形態で開閉器６００には脱イオン水の外面を乾燥させるガス噴射部６７０が提供される。一例によると、分離板６６０とロッド６４０には貫通された噴射ライン６７２が形成される。噴射ライン６７２は分離板６６０の一側からロッド６４０の最後端まで延長される。排出バルブ２８０が閉める状態の分離板６６０の位置で体６２０の側壁のうち分離板６６０の一側と対向する位置に窒素のような乾燥ガスが供給される流入口６７４が形成される。これと異なり、分離板６６０及びロッド６４０に形成された噴射ライン６７２の位置とボディー６２０に形成された流入口６７４の位置は多様に変化することができる。図１３は開閉器６００から排出バルブ２８０に乾燥ガスが供給されることを示す。
【００４８】
上述の例では、ウェーハが脱イオン水が満たされた移送槽に収納された状態で処理室間に移送されて、ウェーハが大気に露出されることを防止した。しかし、これは一例に過ぎず、ウェーハが大気に露出されることを防止するため多様な方法が使用されることができる。一例によると、移送槽は窒素ガスと不活性ガスなどで満たされて密閉された状態で移送されるか、移送槽に収納されたウェーハに続いて窒素ガスまたは脱イオン水が噴射されながら移送が行われることができる。
【００４９】
次に、図１４と図１５を参照して、洗浄工程が実行される過程を説明する。図１４はウェーハが移送される経路が図示された図２の設備であり、図１５は洗浄工程が実行される過程の望ましい一例を順に示すフローチャートである。まず、ウェーハが収納されたカセットＣがローディング／アンローディング部１０に置かれる。カセットからウェーハが引き出される（１０）。ウェーハは第１整列室１２０ａに移送され、第１整列室１２０ａ
で水平状態から垂直状態に位置が変換される（Ｓ２０）。以後、ウェーハは第１処理室１３０に移送される。ウェーハは第１処理室１３０で各々の処理槽１３４ｂ、１３４ｃ、１３４ｄ、１３４ｅを経て所定の工程が実行される（Ｓ３０）。以後、ウェーハはインターフェイス部４０に移送されて第１位置に置かれている移送槽２００に収納される。移送槽２００は洗浄液が満たされて、ウェーハは大気に露出されない状態で第２位置に移送される（Ｓ４０）。ウェーハは移送槽２００から取り出されて第２処理室１４０に移送される。ウェーハは第２処理室１４０で各々の処理槽１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｄ、１４４ｅを経て所定の工程が実行される（Ｓ５０）。以後、ウェーハは第２整列部２０に移送されて垂直状態から水平状態に転換される（Ｓ６０）。以後、ウェーハはカセットＣに収納される（Ｓ７０）。
【００５０】
すなわち、ウェーハの移送はローディング／アンローディング部１０、第１整列室１２０ａ、第２処理室１４０、第２整列室１２０ｂ、及びローディング／アンローディング１０に戻るループ形状からなる。選択的にウェーハの移送が上と逆順に行われるように整列部２０と洗浄部３０の内部の構造が変更されることができ、変更された構造は当業者であれば、容易に予測できるので、変更された構造について詳細な説明は省略する。
【００５１】
選択的に、インターフェイス部の移送槽２００の内でリンス工程が実行されることができる。ウェーハが移送槽２００内に収納されて第１処理室１３０から第２処理室１４０に移送される際、洗浄液供給管４６０を通じて内槽２２０に続いて脱イオン水が供給され、内槽２２０からあふれて流れる脱イオン水は外槽２４０に収容される。この場合、第１処理室１３０で最後部に配置されるリンス槽１３４ｅを除くことができる。
【００５２】
他の例によると、第１処理室１３０及び第２処理室１４０でウェーハについて各々の工程が実行されるように洗浄部３０内の構造が変更されることができる。すなわち、図１６に示したように、第１グループのウェーハは第１整列室１２０ａを経て第１処理室１３０に移送されて工程が実行された後、再び第１整列室１２０ａに移送され、第２グループのウェーハは第２整列室１２０ｂを経て第２処理室１４０に移送されて工程が実行された後、再び第２整列室１２０ｂに移送されることができる。第２処理室１３０と第２処理室１４０でウェーハは互いに異なるレシピで工程が実行されることができ、選択的に第１処理室１３０と第２処理室１４０で提供される処理槽は同一であり、同一のグループのウェーハが交互に第１処理室１３０と第２処理室１４０で工程を実行することができる。選択的に、第１処理室１３０と第２処理室１４０で提供される処理槽のうち少なくとも一部は互いに異なる工程が実行されるか、互いに異なるレシピで工程を実行して、図１７に支援したように、第１処理室１３０で一部工程が実行されたウェーハはインターフェイス部４０を経て第２処理室１４０に移送されて、第２処理室１４０の一部処理槽で工程が実行された後、再びインターフェイス部４０を経て第１処理室１３０に移送することができる。
【００５３】
本実施形態では洗浄部３０が二つの層に区画されることを例として挙げた。しかし、これと異なり、洗浄部３０は上述の通りに三つ以上の層に区画されて三つ以上の処理室を具備できる。すなわち、図１８に示したように、洗浄部３０には第１処理室１３０、第２処理室１４０、第３処理室１５０に下から順に提供され、洗浄部３０の一側には整列部２０が配置され、他側にはインターフェイス部４０が配置されることができる。この場合、図１９に示したように、第２処理室１４０と第３処理室１５０には同一の処理槽が配置されて第１処理室１３０で工程が実行されたウェーハはインターフェイス部４０で第２処理室１４０と第３処理室１５０のうちいずれか一つの処理室に移送されることができる。これは第１処理室１３０で比較的に工程が早く実行された場合、第２処理室でウェーハが積滞されることを防止できる。選択的に、図２０に示したように、第１グループのウェーハは第１処理室１３０、インターフェイス部４０、及び第２処理室１４０に移送されながら工程が実行され、第２グループのウェーハは第１処理室１３０、インターフェイス部４０、及び第３処理室１５０に移送されながら工程を実行することができる。これはグループ別にウェーハについて互いに異なるレシピ（ｒｅｃｉｐｅ）で工程を実行する際に有用する。
【００５４】
上述の一実施形態には整列部２０、洗浄部３０、及びインターフェイス部４０が順に一列に配置されることとして説明した。しかし、これと異なり、設備が整列部２０またはインターフェイス部４０が中央に配置され、両側に洗浄部３０が各々配置される構造を有することができる。
【００５５】
他の例によると、図２１に示したように、洗浄部３０の一側には第１ローディング／アンローディング１０と第１整列部２０が配置され、洗浄部３０の他側には第２整列部２０´と第２ローディング／アンローディング１０´が配置され、洗浄部３０は層で区画された複数の処理室１３０、１４０を有することができる。第１グループのウェーハは第１整列部２０で水平状態から垂直状態に位置変換されて処理室のうち１つである第１処理室１３０で工程が実行された後、第２整列部２０´で再び垂直状態から水平状態に位置転換される。第２グループのウェーハは第１整列部２０で、水平状態から垂直状態に位置変換されて処理室のうちの一つである第２処理室１４０で工程が実行された後、第２整列部２０´で再び垂直状態から水平状態に位置転換される。第１グループのウェーハと第２グループのウェーハは同一のレシピで工程を実行することができ、選択的に互いに異なるレシピで工程を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の戦場設備の構造を概略的に示す外観図である。
【図２】図１の設備の内部の構造を概略的に示す図面である。
【図３】洗浄部の第１処理室と第２処理室の平面図である。
【図４】洗浄部の第１処理室と第２処理室の平面図である。
【図５】設備でファンフィルタユニットと排気部が図示された図である。
【図６】インターフェイス部の内部の構造を概略的に示す正面図である。
【図７】移送槽の一例を示す斜視図である。
【図８】案内板が案内の状態に位置された場合案内板に落ちる脱イオン水の流れを示す図である。
【図９】内槽及び外槽の底面に形成された排出口及びこれと連結された排出バルブを示す断面図である。
【図１０】開閉器の一例を示す断面図である。
【図１１】排出バルブの出口が閉める状態を示す図である。
【図１２】排出バルブの出口が開放された状態を示す図である。
【図１３】開閉器から排出バルブに乾燥ガスが供給される状態を示す図である。
【図１４】図２の設備でウェーハ間の移送経路の望ましい一例が図示された図である。
【図１５】本発明の望ましい一実施形態による洗浄方法を順次に示すフローチャートである。
【図１６】図２の設備でウェーハの移送経路の他の例が図示された図である。
【図１７】図２の設備でウェーハの移送経路の他の例が図示された図である。
【図１８】本発明の洗浄設備の他の例を示す図である。
【図１９】図１８の洗浄設備でウェーハの移送経路の例が図示された図である。
【図２０】図１８の洗浄設備でウェーハの移送経路の例が図示された図である。
【図２１】本発明の洗浄設備の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  ローディング／アンローディング
２０  整列部
３０  洗浄部
４０  インターフェイス部
１１２  イン／アウトポート
１１６  ストッカ
１３０  第１処理室
１４０  第２処理室
１５０  第３処理室
２００  移送槽
２２０  内槽
２４０  外槽
２８０  排出バルブ
３００  移送槽移送部
４００  ノズル
５００  遮断板
６００  開閉器
【図１】
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【図２】
2007507103.tif 000004
【図３】
2007507103.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007507103.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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