(57)【要約】  電力増幅モジュール（２００）は、電源電圧によって制御される出力電力レベルを有する電力増幅回路（２０１）を備える。電源トランジスタ（２０７）は、駆動回路（２０９）から受信される駆動信号により電力増幅回路（２０１）への電力供給を制御する。駆動回路（２０９）は、具体的には、ＧＳＭセルラー式通信システム用の電力傾斜に対応し得る電力レベル入力信号に応答して駆動信号を生成する。電力増幅モジュール（２００）は、更に、電源トランジスタ（２０７）の動作特性を決定する検出回路（２１１）を備える。その動作特性は、好適には、飽和特性である。制御回路（２１３）は、動作特性に応答して、駆動信号を制御する。制御回路（２１３）は、好適には、電源トランジスタ（２０７）が電界効果トランジスタの線形領域及びバイポーラ・トランジスタの飽和領域に移行しないように、駆動信号を制御する。
2007515116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力増幅モジュールであって、
電源調整出力電力レベルを有するＲＦ電力増幅回路（２０１）と、
前記電力増幅回路（２０１）に接続され、駆動信号に応答して前記電力増幅回路（２０１）への電力供給を制御するように動作可能な電源トランジスタ（２０７）と、
前記電源トランジスタ（２０７）に接続され、電力レベル入力信号に応答して、前記駆動信号を生成するように動作可能な駆動回路（２０９）と、
を備え、前記電力増幅モジュールは、更に、
前記電源トランジスタ（２０７）の飽和に関連した前記電源トランジスタ（２０７）の両端の電圧に応答する動作特性応答手段（２１１）と、
前記駆動回路（２０９）に接続され、前記電源トランジスタ（２０７）の両端の前記電圧に応答して、前記駆動信号を制御するように動作可能な制御回路（２１３）と、
を備えることを特徴とする電力増幅モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記電源トランジスタ（２０７）の両端の前記電圧は、前記電源トランジスタ（２０７）の動作利得特性に関連する、電力増幅モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記制御回路（２１３）は、前記動作特性応答手段（２１１）から前記駆動回路（２０９）への負のフィードバック・ループを含む、電力増幅モジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記電源トランジスタ（２０７）は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、電力増幅モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記制御回路（２１３）は、前記駆動信号を制御して前記電源トランジスタ（２０７）がＦＥＴ線形領域動作状態に移行するのを実質的に防止するように動作可能である、電力増幅モジュール。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記動作特性応答手段（２１１）は、前記電源トランジスタ（２０７）のドレイン・ゲート間電圧を検出するように動作可能なセンス・トランジスタ（３２９）を含む、電力増幅モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記センストランジスタ（３２９）は、前記電源トランジスタ（２０７）がＦＥＴ線形動作領域に移行する場合、電流を流すように動作可能であり、前記制御回路（２１３）は、前記電流に応答して、前記駆動信号を制御するように動作可能である、電力増幅モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記電源トランジスタ（２０７）のドレイン・ソース間電圧が、前記電源トランジスタ（２０７）のゲート・ソース間電圧マイナス閾電圧より小さい場合、前記センス・トランジスタ（３２９）は、電流を流す、電力増幅モジュール。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記制御回路（２１３）は、前記センス・トランジスタ（３２９）が前記電流を流すことに応答して、前記駆動信号の絶対振幅を低減するように動作可能である、電力増幅モジュール。
【請求項１０】
請求項７〜９のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記センス・トランジスタ（３２９）のゲートは、前記電源トランジスタ（２０７）のゲートに接続され、前記センス・トランジスタ（３２９）のソースは、前記電源トランジスタ（２０７）のドレインに接続されている、電力増幅モジュール。
【請求項１１】
請求項６〜１０のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記センス・トランジスタ（３２９）は、前記電源トランジスタ（２０７）の前記閾電圧に類似した閾電圧を有する、電力増幅モジュール。
【請求項１２】
請求項６〜１１のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記制御回路（２１３）は、前記センス・トランジスタ（３２９）と、前記駆動回路（２０９）の信号接続点とに接続されている出力トランジスタ（３３１）を含み、前記センス・トランジスタ（３２９）が電流を流す場合、前記出力トランジスタ（３３１）は、アクティブになり、前記信号点における信号レベルが小さくなる、電力増幅モジュール。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記センス・トランジスタ（３２９）は、電流像回路（３３３，３３５）の第１入力に接続され、前記出力トランジスタ（３３１）は、前記電流像回路（３３３，３３５）の第２入力に接続されている、電力増幅モジュール。
【請求項１４】
請求項１〜１３のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記電源トランジスタ（２０７）用の供給電圧は可変電圧である、電力増幅モジュール。
【請求項１５】
請求項１〜１４のうちのいずれか１項に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記電源トランジスタ（２０７）はバイポーラ・トランジスタである、電力増幅モジュール。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記制御回路（２１３）は、前記駆動信号を制御して、前記電源トランジスタ（２０７）がバイポーラ・トランジスタ飽和領域に移行するのを実質的に防止するように動作可能である、電力増幅モジュール。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の電力増幅モジュールにおいて、前記判断するための手段（２１１）は、前記電源トランジスタ（２０７）のコレクタ・ベース間電圧を検出するように動作可能なバイポーラ・センス・トランジスタを含む、電力増幅モジュール。
【請求項１８】
時分割多元接続無線機であって、
電力傾斜信号を生成するための手段と、
電源調整出力電力レベルを有する電力増幅回路（２０１）と、
前記電力増幅回路（２０１）に接続され、駆動信号に応答して、前記電力増幅回路（２０１）への電源を制御するように動作可能な電源トランジスタ（２０７）と、
前記電源トランジスタ（２０７）に接続され、前記電力傾斜信号に応答して、前記駆動信号を生成するように動作可能な駆動回路（２０９）と、
を備え、前記時分割多元接続無線機は、更に、
前記電源トランジスタ（２０７）の飽和に関連した前記電源トランジスタ（２０７）の両端の電圧に応答する動作特性応答手段（２１１）と、
前記駆動回路（２０９）に接続され、前記電源トランジスタ（２０７）の両端の前記電圧に応答して前記駆動信号を制御するように動作可能な制御回路（２１３）と、
を備えることを特徴とする時分割多元接続無線機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅モジュールに関し、特に限定される訳ではないが、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）無線通信システム用の電力増幅モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
前世紀において、変調信号の無線伝送は、遠距離通信用の最も広く普及した手段のうちの１つになった。近年、無線通信は、例えば、無線ローカル・ネットワーク及び移動電話の到来と共に更に広く用いられるようになった。
【０００３】
無線通信システムにおけるキー・パラメータは、アンテナによる送信に適する電力レベルに無線信号を増幅する電力増幅器の設計である。電力増幅器の設計及び性能は、特に、隣接チャネルの干渉、低歪み、高電力レベル、低バッテリ・レベル等に関連したシステム要件を満たすために極めて重要である。
【０００４】
更に、電力増幅器の機能に対する要件は、長年の間に更に複雑になる傾向がある。例えば、セルラー式通信システムは、送信中、高い性能の動作が必要なばかりでなく、電力出力レベルを、大きなダイナミック・レンジ上で変更し得ること、また、高い精度で制御し得ることが必要である。
【０００５】
例えば、セルラー式通信システムは、電力制御ループを用いて、（基地局及び移動局双方の）無線ユニットの送信電力を調整して、現無線伝搬条件を反映する。従って、有効範囲の端部における及び／又は伝搬が減衰する中での移動局との間の送信は、大きい電力レベルで行われ、他方、基地局に近接する移動局との間の送信は、大幅に小さい電力レベルで行われる。従って、無線ユニットには、電力増幅器の出力電力レベルを動的に制御するための機能が含まれる。
【０００６】
更に、特に、移動通信用地球規模システム（ＧＳＭ：Global System for Mobile communication）等のＴＤＭＡセルラー式通信システムは、送信信号の密な時間及び周波数領域の包絡線マスクを定める。具体的には、送信が短いバーストで生じるため、セルラー式通信システムは、信号のスペクトル分散を低減し、また、これによって隣接チャネルの干渉を低減するために、電源投入及び電源切断時、特定の電力傾斜を定める。
【０００７】
従って、電力増幅器の最適化の分野では、多くの研究がなされてきた。電力増幅器の電力出力レベルを制御するために提案された１つの方法には、電力増幅器への電力供給を制御することによって出力電力レベルを調整する段階が含まれる。
【０００８】
図１は、従来技術に基づく、電力増幅器の出力電力レベルの電力供給調整原理を示す。
図１において、電力増幅回路１０１は、無線信号を増幅し、アンテナ（図示せず）を介して送信するように動作可能である。電力増幅回路１０１には、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor ）１０３によって制御される電圧Ｖｃｃを有する電源が設けられている。ＦＥＴ１０３は、バッテリ電圧ＶＢａｔを供給するバッテリに接続されたソースと、電力増幅回路１０１の電源入力に接続されたドレインとを有する。
【０００９】
電力増幅回路１０１は、電力増幅器の出力電力が供給電圧Ｖｃｃに依存するように接続されている。従って、一定の包絡線無線信号が電力増幅器に供給される場合、電力増幅回路１０１の出力電力は、供給電圧Ｖｃｃの値によって制御される。
【００１０】
ＦＥＴ１０３のゲートは、供給電圧Ｖｃｃを制御する駆動信号を提供する演算増幅器（オペアンプ）１０５に接続されている。電力増幅回路１０１への供給電圧接続は、２つの抵抗器１０７，１０９を通して、オペアンプ１０５の非反転入力に供給される。ＦＥＴ１０３は、反転構成で結合されたＰＭＯＳ＿ＦＥＴである。従って、オペアンプ１０５、ＦＥＴ１０３、及び２つの抵抗器１０７，１０９間の結合は、ＶｃｃがＶｉｎに比例するように、オペアンプ１０５の入力信号Ｖｉｎの高入力インピーダンス緩衝を提供する従来のフィードバック制御式のバッファ又は増幅器回路を形成する。本例において、分割器の抵抗器１０７，１０９は、双方共、Ｒの値を有し、これによって、制御回路の利得が２、即ち、Ｖｃｃ＝２Ｖｉｎになる。
【００１１】
図１は、更に、ＴＤＭＡセルラー式通信システムにおけるバーストの送信に関連して、電力増幅回路１０１の電力傾斜を制御する入力信号１１１の例を示す。具体的には、例示した電力傾斜の特定の特性は、移動通信用地球規模システム（ＧＳＭ）に適合している。
【００１２】
ＧＳＭ技術仕様に基づき、ＴＤＭＡバーストは、約２０μｓｅｃ長の電源投入傾斜によって始まり、約２０μｓｅｃ長の電源切断傾斜で終了する。電源投入及び切断傾斜は、信号から高次のスペクトル成分を効果的に除去し、これによって、隣接チャネルの干渉を大幅に低減する。従って、入力信号１１１には、約２０μｓｅｃ長の電源投入傾斜成分が含まれ、バーストの持続時間の間、静的な成分がこれに続き、更に、約２０ｐｓｅｃ長の電源切断傾斜成分がそれに続く。そして、移動局の場合、信号は、基地局への次の送信バーストまでゼロである。
【００１３】
従って、オペアンプ１０５への入力信号は、電力出力レベルの時間的電力傾斜を制御する。
図１の回路は、例えば、ＧＳＭシステムの要件を満たし得るが、数多くの関連する不利な点を有する。
【００１４】
１つの不利な点は、図１の回路には、最適な性能を保証するために、電力増幅回路１０１への供給電圧Ｖｃｃより実質的に高い供給電圧ＶＢａｔが必要なことである。ＶＢａｔが充分に大きくない場合、ＦＥＴ１０３は、ＦＥＴの動作特性の線形領域に移行する。線形領域において、ＦＥＴは、ほとんど利得を有さず、利得要素としてよりも可変抵抗器として効果的に動作する。これによって、制御ループの動的な性能が大幅に変わり、過渡応答が低下し、また、隣接チャネルのスプリアスが実質的に増加する。
【００１５】
この影響を防止するために、図１の回路には、従来、ＦＥＴがかなりの利得でそれでもなお動作することを保証する最大値に電力増幅回路供給電圧Ｖｃｃをクランプするための機能が設けられる。クランプ電圧は、全バッテリ・ライフ・サイクル中、ＦＥＴが充分な利得で動作することを保証するために、最小バッテリ電圧に適合するように決定される。通常、クランプ動作は、最小バッテリ電圧において全性能を保証する値に入力電圧Ｖｉｎを制限することによって行われる。この供給電圧Ｖｃｃのクランプ動作は、入力信号が、クランプされた供給電圧で達成し得るより高い出力電力レベルを駆動しようとする場合、電力増幅器が電力傾斜形状を歪ませることを回避するために必要である。この歪みによって、隣接チャネルのスプリアスは、大きくなる。
【００１６】
更に、最小バッテリ電圧に適合しているクランプ電圧は、仕様が全ての条件において満たされ得ることを保証するが、高いバッテリ電圧に対する出力電力レベルを制限する。従って、最小クランプ電圧における供給電圧制限は、供給電圧Ｖｃｃのダイナミック・レンジに帰着し、これによって、電力増幅回路１０１の出力電力は、実質的に減少する。
【００１７】
また、クランプ電圧によって、より高いバッテリ電圧では、ＦＥＴ１０３上においてかなりの電圧降下が生じ、この場合、出力電力は、バッテリ電圧よりもむしろクランプ電圧によって制限され得る。電力増幅器用の供給電流は、ＦＥＴ１０３を流れることから、ＦＥＴ１０３の消費電力は、かなりのものになり、これによって、電力増幅器の効率が低下し、バッテリ消費が増加し、ＦＥＴ１０３において放熱が増大する。
【００１８】
例えば、通常のバッテリ電圧は、２．８Ｖと５．５Ｖとの間で変動し得る。供給電圧Ｖｃｃが、例えば、２．５Ｖにクランプされた場合、Ｖｃｃのダイナミック・レンジは、バッテリ電圧が５．５Ｖであっても、０と２．５Ｖとの間に制限される。更に、５．５Ｖのバッテリ電圧において、ＦＥＴ１０３上の電圧降下は、２．５ＶのＶｃｃに対して、３Ｖである。従って、電力増幅器よりもＦＥＴ１０３の方が消費電力が大きい。ダイナミック・レンジが小さくなると、これに伴って、電力増幅回路の出力電力レベルが低下するばかりでなく、送信されない電力は、ＦＥＴ１０３において放散されるため、放熱も増大し得る。
【００１９】
このことから、電力増幅モジュールを改善できれば有利であり、また、特に、汎用性の向上、出力電力のダイナミック・レンジの向上、放熱の低減、過渡性能の改善、隣接チャネルのスプリアスの低減、及び／又はバッテリ寿命の改善を実用的に実現し及び／又はそれらを可能にする電力増幅モジュールは、有利である。特に、ＴＤＭＡ通信システムに適し、また、改善された出力電力制御及び／又は増大した有効範囲を提供する電力増幅モジュールは、有利である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、添付の請求項に記載する電力増幅モジュール及び時分割多元接続無線機を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の実施形態について、一例としてのみ、図面を参照して説明する。
添付図面は、電力増幅モジュールを示す。この電力増幅モジュールは、電源調整出力電力レベルを有するＲＦ電力増幅回路（２０１）と、電力増幅回路（２０１）に接続され、駆動信号に応答して電力増幅回路（２０１）への電力供給を制御するように動作可能な電源トランジスタ（２０７）と、電源トランジスタ（２０７）に接続され、電力レベル入力信号に応答して駆動信号を生成するように動作可能な駆動回路（２０９）と、電源トランジスタ（２０７）の飽和に関連した電源トランジスタ（２０７）の両端の電圧に応答する動作特性応答手段（２１１）と、駆動回路（２０９）に接続され、電源トランジスタ（２０７）の両端の電圧に応答して駆動信号を制御するように動作可能な制御回路（２１３）と、を備える。
【００２２】
電力増幅器は、完全な電力増幅器であってもよい。あるいは、更なる機能を電力増幅モジュールと共に用いて、完全な電力増幅器を提供してもよい。電力増幅モジュールは、更に、単一の又は複数の物理的な要素に実装されてもよい。また、更に、他の回路又は機能を備えてもよい。
【００２３】
駆動信号は、電源トランジスタが、所望の動作特性を有する所望の動作範囲に留まることを保証するために制御される。電力増幅器電源を特定のレベルにクランプするよりもむしろ、電源トランジスタの動作条件の可変制御を達成することができる。具体的には、電力増幅モジュールが、バッテリ等の可変電圧電源によって供給される場合、可変電圧電源の全ダイナミック・レンジを利用することができる。
【００２４】
このことによって、例えば、電力増幅回路への電力供給のダイナミック・レンジを増大させ、電源トランジスタの動作を改善し、出力電力のダイナミック・レンジを増大させ、熱消費を低減させ、効率を改善し、電力増幅モジュールを備える無線ユニットの有効範囲を増大させ、歪み性能を改善し、電力制御過渡応答を改善し、及び／又は隣接チャネルのスプリアスを低減させることができる。
【００２５】
電力増幅回路は、出力電力レベルが、電源電力に依存するように、また、通常、電力増幅回路への電源電圧に依存するように構成されている。従って、電力増幅回路の利得は、電源に依存し、出力電力レベルは、電力増幅回路への電力供給を制御することによって制御され得る。具体的には、駆動信号が、電力増幅回路の出力電力レベルを制御し得る。
【００２６】
図面に示す本発明の実施形態において、飽和特性に関連する検出電圧は、電源トランジスタの動作点に関連し、特に、この動作点における電源トランジスタの機能に関連する。具体的には、飽和特性は、電源トランジスタの動作点と電源トランジスタの特性における飽和領域との間の関係に関連する。好適には、この飽和特性は、利得特性に対応し、電源トランジスタは、電源トランジスタの利得が所定の閾値より小さい領域において電源トランジスタが動作する場合、飽和状態であると見なされる。
【００２７】
例えば、バイポーラ・トランジスタは、飽和領域と従来称される領域で動作する時、飽和状態であると見なされるのに対して、ＦＥＴトランジスタは、線形領域と従来称される領域で動作する時、飽和状態であると見なされる。
【００２８】
同様に、バイポーラ・トランジスタは、通常領域又は活性領域と従来称される領域で動作する時、飽和状態でないと見なされるのに対して、ＦＥＴトランジスタは、飽和領域と従来称される領域で動作する時、飽和状態でないと見なされる。従って、具体的には、ＦＥＴは、可変抵抗要素として主に動作する時よりもむしろ利得要素として主に動作する時、飽和状態でないと見なされる。従って、ＦＥＴは、飽和領域と従来称される領域で動作している時、活性及び非飽和状態であると見なされる（用語「飽和領域」とは、ＦＥＴのチャネルの飽和を意味する。チャネルは、ＦＥＴが活性状態である時、即ち、ＦＥＴが高い利得で動作している時、飽和状態であり、従って、チャネルは、ＦＥＴそれ自体が飽和状態ではないと見なされる時、飽和状態である）。
【００２９】
従って、駆動信号の直接制御がイネーブル状態になり、トランジスタが飽和状態にならないことを保証する。このことから、電力増幅モジュールは、最悪事態の仮定に基づくよりもむしろ実際の現状況における電源トランジスタの実際の動作点に応答して、動作を直接制御し得る。従って、性能は、電源トランジスタ及び電力増幅モジュールのほとんどの動作条件に対して、大幅に改善される。
【００３０】
制御回路は、判断するための手段から駆動回路への負のフィードバック・ループを含む。負のフィードバックは、好適には、電源トランジスタが、望ましくない動作領域に移行しようとしている（例えば、それが飽和状態であると見なされる）場合、駆動信号を小さく又は大きくして、望ましくない領域から離れて電源トランジスタを駆動するように機能するものである。これによって、単純であるが効率的な具体化が可能になる。
【００３１】
好適には、電源トランジスタは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、制御回路は、駆動信号を制御して、電源トランジスタがＦＥＴ線形領域動作状態に移行するのを実質的に防止するように動作可能である。
【００３２】
ＦＥＴは、好適には、飽和領域として知られている活性利得領域で動作し、また、性能が低下する線形領域に移行することが防止される。ＦＥＴの動作特性に応答して駆動信号を直接制御することによって、効率的な制御が可能又は容易になり、現条件に対する性能が改善される。具体的には、所定の出力電力出力レベル・スプリアス及び過渡性能が保証され、この間、電力増幅回路への電力供給の出力範囲を増大させ、電源トランジスタの動作を改善し、出力電力範囲を増大させ、熱消費を低減させ、効率を改善し、電力増幅モジュールを備える無線ユニットの有効範囲を増大させ、及び／又は隣接チャネルの干渉を低減させるなどのスプリアス・レベルを低減させることが可能である。
【００３３】
好適には、動作特性応答手段は、電源トランジスタのドレイン・ゲート間電圧を検出するように動作可能なセンス・トランジスタを含む。これによって、特に有利な具体化が提供される。具体的には、線形領域に移行する電源トランジスタについて、単純で正確な検出を実現することができる。更に、この実現には、受動部品を必要としない。これによって、特に、集積製造に適し小型化された実施態様が提供される。
【００３４】
センス・トランジスタは、電源トランジスタがＦＥＴ線形動作領域に移行すると、電流を流すように動作可能であり、制御回路は、電流に応答して駆動信号を制御するように動作可能である。これによって、特に有利な具体化が提供され、この場合、センス・トランジスタによって流される電流は、制御回路の回路群によって検出され得る。センス・トランジスタは、線形領域の任意の適切な定義又は特性付けに基づき電流を流すように構成され、具体的には、電源トランジスタに関連しセンス・トランジスタのゲートに接続された絶対センス電圧が閾値を超える場合、電流が流れるように、必要な大きさにされる。
【００３５】
センス・トランジスタは、電源トランジスタのドレイン・ソース間電圧が、電源トランジスタのゲート・ソース間電圧マイナス閾電圧より小さい場合、電流を流す。具体的には、Ｖｄｓを電源トランジスタのドレイン・ソース間電圧とし、Ｖｇｓを電源トランジスタのゲート・ソース間電圧とし、Ｖｔを電源トランジスタの閾電圧とする時、Ｖｄｓ≦Ｖｇｓ−Ｖｔである場合、センス・トランジスタは、電流を流し得る。これによって、ＦＥＴ線形領域とＦＥＴチャネル飽和領域との間の交差の適切な表示が提供され、従って、ＦＥＴが線形領域に移行する適切な目安が提供される。
【００３６】
制御回路は、センス・トランジスタが電流を流すのに応答して、駆動信号の絶対振幅を低減するように動作可能である。これによって、複雑でなく実用的な実施態様が可能になり、適切な性能がもたらされる。
【００３７】
センス・トランジスタのゲートは、電源トランジスタのゲートに接続され、センス・トランジスタのソースは、電源トランジスタのドレインに接続されている。これによって、特に効率的で単純な検出回路が可能になる。センス・トランジスタのゲートは、電源トランジスタのゲート・ドレイン電圧を直接検出し得る。
【００３８】
センス・トランジスタは、電源トランジスタの閾電圧に類似した閾電圧を有する。これによって、特に効率的で単純な検出回路が可能になる。例えば、センス・トランジスタのゲートが電源トランジスタのゲートに接続され、また、センス・トランジスタのソースが電源トランジスタのドレインに接続されている場合、センス・トランジスタは、この電源トランジスタの場合、厳密に、Ｖｄｓ≦Ｖｇｓ−Ｖｔの時、電流を流し始める。
【００３９】
使用時、電源トランジスタ用の供給電圧は、可変電圧であってもよい。供給電圧は、例えば、バッテリが放電するのに伴い変動する電圧を供給するバッテリからであってもよい。変動する電圧が供給される電力増幅モジュールの性能は、改善され、特に、最悪の事態の供給電圧に限定されるよりもむしろ現供給電圧に適する性能を提供し得る。
【００４０】
電源トランジスタは、好適には、バイポーラ・トランジスタである。制御回路は、駆動信号を制御して、電源トランジスタがバイポーラ・トランジスタ飽和領域に移行するのを実質的に防止するように動作可能である。バイポーラ・トランジスタは、飽和領域において望ましくない利得性能を有し、電力増幅モジュールの改善された過渡的及び／又はスプリアス性能は、電源トランジスタが飽和領域に移行するのを防止することによって達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下の説明は、ＧＳＭ（移動通信用地球規模システム）等のＴＤＭＡセルラー式通信システムにおける無線機用の電力増幅モジュールに適用可能な本発明の実施形態に焦点を当てる。しかしながら、本発明は、本用途に限定されないことを認識されるであろう。
【００４２】
本説明は、電力増幅モジュールについて言及し、これを一体型ユニットとして説明するが、本用語は、機能的なモジュールを単に意味し、何らかの物理的な、機能的な又は論理的な制約を意味しないことは、明らかであろう。電力増幅モジュールは、任意の適切な形態で実現でき、具体的には、分割したり、配置したり、分散したり、また、任意の適切な形態で、物理的に、論理的に又は機能的に他の任意の回路と組み合わせ得る。
【００４３】
図２は、本発明の一実施形態に基づく電力増幅モジュール２００を示す。電力増幅モジュール２００には、入力信号を受信し、それを適切な出力電力レベルに増幅するように動作可能な電力増幅回路２０１が含まれる。電力増幅回路２０１は、増幅された信号を無線電磁波に変換するアンテナ２０３に接続されている。電力増幅回路２０１は、電源調整出力電力レベルを有する。従って、電力増幅回路２０１は、電力増幅回路２０１の出力電力レベル及び利得が電源に依存するように、具体的には、当分野において公知なように、供給電圧に依存するように構成されている。
【００４４】
電力増幅回路２０１の電源入力２０５は、ＰＭＯＳ＿ＦＥＴ２０７のドレインに接続されている。ＦＥＴ２０７のソースは、可変電圧を供給する電源に接続されている。電源は、本具体例では、バッテリの充電状態に依存して変動する電圧を供給するバッテリ（図示せず）である。本例において、バッテリ電圧ＶＢａｔは、２．８Ｖと５．５Ｖとの間で変動する。
【００４５】
ＦＥＴ２０７のゲートは、駆動信号を生成する駆動回路２０９に接続されている。駆動回路２０９は、駆動信号を調整して所望の供給電圧Ｖｃｃを供給することによって、電源入力２０５における供給電圧Ｖｃｃを制御する。所望の供給電圧Ｖｃｃは、駆動回路２０９に入力される電力レベル入力信号Ｖｉｎによって、決定される。駆動回路２０９は、これに伴って、入力信号Ｖｉｎに応答して、供給電圧Ｖｃｃを制御して、要求される出力電圧を供給する。
【００４６】
駆動回路２０９は、何らかの適切な方法で、ＦＥＴ２０７を駆動して供給電圧Ｖｃｃを供給し得ることを認識されるであろう。本実施形態において、駆動回路には、図１の従来技術による例のように、ＦＥＴ２０７に接続された演算増幅器（オペアンプ）が含まれる。このことから、ＦＥＴ２０７のソース、従って、電力増幅回路２０１の電源入力２０５は、図１の回路のように、抵抗分割器を通して駆動回路２０９に接続され得る。従って、ＦＥＴ２０７が、飽和領域としても知られている活性利得領域で動作する場合、駆動回路２０９は、供給電圧Ｖｃｃを入力電圧Ｖｉｎに比例するように制御する。
【００４７】
しかしながら、図１の回路と異なり、図２の電力増幅モジュール２００の駆動信号は、入力電圧及び抵抗性の利得フィードバック結合によって制御されるだけではない。むしろ、図２の電力増幅モジュール２００には、更に、ＦＥＴの動作特性に応答する負のフィードバック・ループが含まれる。従って、図２の電力増幅モジュール２００には、更に、供給電圧ＶｃｃばかりでなくＦＥＴ２０７の動作条件もまた制御するための機能が含まれる。
【００４８】
電力増幅モジュール２００には、電源トランジスタの動作特性を決定するように動作可能な検出回路２１１が含まれる。フィードバック・ループは、いずれか適切な動作特性に応答してよく、従って、検出回路２１１は、何らかの適切な方法で、ＦＥＴ２０７に接続され得る。好適には、検出回路２１１は、ＦＥＴ２０７電気的に接続され、また、電流動作特性を決定するために、ＦＥＴ２０７のドレイン、ソース及びゲートに関連した電圧及び／又は電流を測定する。しかしながら、他の実施形態において、他のパラメータ及び／又は結合を追加的に又は他の選択肢として用い得る。例えば、温度検出用抵抗器を、ＦＥＴ２０７の動作温度を測定するために物理的に配置したり、ＦＥＴ２０７の熱的動作条件を制御したりするために用いてよい。
【００４９】
本実施形態において、検出回路２１１によって決定される動作特性は、ＦＥＴ２０７の飽和特性に関する。この文脈で、用語「飽和」は、電流動作点におけるＦＥＴ２０７の利得に関連すると見なされる。具体的には、ＦＥＴ２０７は、低利得の領域で動作する場合、飽和状態であると見なされ、また、より高い利得を有する領域で動作する場合、非飽和状態であると見なされる。
【００５０】
以下において、ＦＥＴ２０７は、ＦＥＴ線形領域において動作する場合、飽和状態であると見なされる。この領域では、ＦＥＴを通るドレイン・ソース間電流は、ドレイン・ソース間電圧に強く依存する。ドレイン・ソース間電圧とドレイン・ソース間電流との間の関係は、相対的に線形であり、比例係数は、ゲート・ソース間電圧によって与えられる。その結果、線形領域において、ＦＥＴは、ゲート・ソース間電圧によって決定される値を有する可変抵抗器として主に動作する。
【００５１】
ＦＥＴは、ＦＥＴ飽和領域と一般的に称される領域で動作する場合（ここでの用語「飽和」は、ＦＥＴ全体よりもむしろＦＥＴのチャネルに関係する）、活性及び非飽和状態であると見なされる。この領域では、ドレイン・ソース間電流は、ドレイン・ソース間電圧にほとんど依存性せず、ほぼゲート・ソース間電圧によって決定される。従って、ＦＥＴ飽和領域では、ＦＥＴは、実質的には、横断導電性（transconductive ）の利得要素のように動作する。理解しやすいように、用語「活性領域」は、以下において、利得要素動作条件で動作するＦＥＴに対して用いられる。
【００５２】
駆動回路による供給電圧Ｖｃｃの調整は、好適には、ＦＥＴ２０７を通る供給電流から独立していることは、明らかである。従って、ＦＥＴ２０７は、好適には、活性領域に維持される。更に、ＦＥＴが線形領域に移行する場合、駆動回路２０９の動的制御は、実質的に変化し、過渡事象が低減され、スプリアス性能が増大する。従って、図２の電力増幅モジュール２００には、ＦＥＴ２０７が実質的に線形領域に移行せずに主に活性領域に留まるように、ＦＥＴ２０７の動作条件を制御するための機能が含まれる。
【００５３】
本実施形態において、検出回路２１１は、ＦＥＴ２０７のゲート及びソースに接続され、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ及びドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓを測定する。更に、ＦＥＴ２０７の閾電圧Ｖｔは、検出回路２１１によって求められる。本実施形態において、検出回路２１１は、測定された電圧に基づき、単に、ＦＥＴ２０７が線形領域又は活性領域のいずれの領域にあるのかを判断する。具体的には、ＦＥＴは、Ｖｄｓ≦Ｖｇｓ−Ｖｔである場合、線形領域にあると見なされ、そうでない場合、活性領域にあると見なされる。
【００５４】
他の実施形態では、線形領域に移行するための他の判断基準を用い得る。例えば、Ｖｍが、充分なマージンを提供しＦＥＴが活性領域内において充分に動作することを保証するために導入された適切な値であるとすると、Ｖｄｓ≦Ｖｇｓ−Ｖｔ＋Ｖｍである場合、ＦＥＴは、線形領域に移行すると見なされる。
【００５５】
検出回路２１１は、更に、動作特性に応答して駆動信号を制御するように動作可能な制御回路２１３に接続されている。従って、制御回路２１３は、駆動回路に接続されており、また、検出回路２１１の判断に応答して駆動回路２０９を制御して駆動信号を変調するための機能が含まれる。従って、駆動回路２０９及びＦＥＴ２０７と共に検出回路２１１及び制御回路２１３は、ＦＥＴ２０７の動作条件を直接制御し得るフィードバック・ループを形成する。フィードバック・ループは、最悪の事態の仮定に基づくよりもむしろ実際の電流動作条件のみによって、供給電圧Ｖｃｃが制約されることを可能にし得る。
【００５６】
具体的な例として、バッテリ電圧が低く（例えば、２．８Ｖ）、また、高い出力電力が電力増幅回路２０１から要求される場合、Ｖｉｎは、供給電圧Ｖｃｃを駆動してバッテリ電圧（例えば、４Ｖ）に近い又はそれより高い電圧にしようとするものであってよい。しかしながら、供給電圧Ｖｃｃがこの値に向かって駆動されると、駆動信号は、ＦＥＴ２０７のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓが小さくなり、他方、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが大きくなるように増大する。ＦＥＴ２０７は、その結果、線形モード側に駆動される。しかしながら、このことは、検出回路２１１によって検出され、具体的には、ＶｄｓがＶｇｓ−Ｖｔに等しい値に低下した場合、検出回路２１１は、ＦＥＴ２０７が活性領域から線形領域にちょうど移行しつつあることを示す。これに応答して、制御回路２１３は、駆動回路２０９に入力を供給し、このようにして駆動信号が低減され、これによって、ＦＥＴ２０７が線形領域に移行するのを防止して、それが活性領域に留まることが保証される。
【００５７】
従って、駆動信号は、現動作パラメータに対してＦＥＴ２０７を線形領域に移行させるレベルにこれが達するまで、入力電圧Ｖｉｎによって決定される。この段階では、検出回路２１１及び制御回路２１３が含まれる制御ループは、駆動信号を引き継ぎ、ＦＥＴ２０７が活性領域に維持されるようにそれを制限する。
【００５８】
従って、供給電圧Ｖｃｃは、最小バッテリ電圧等の最悪の事態条件によって決定される特定の低電圧に制限又はクランプされない。むしろ、供給電圧Ｖｃｃは、このことが、電力増幅モジュール２００の現動作パラメータ用の活性領域にＦＥＴ２０７を維持するのに必要な程度にのみ制限される。この制限は、ＦＥＴ２０７の実際の現動作条件に直接依存し、従って、最悪事態の仮定に基づくよりもむしろ現条件に対して最適化される。例えば、供給電圧Ｖｃｃの制約は、固定されず、バッテリ電圧に依存する。より高いバッテリ電圧の場合、より高い供給電圧Ｖｃｃにおいて、Ｖｄｓ≦Ｖｇｓ−Ｖｔが起こり、これによって、より小さい電圧におけるものより増大したダイナミック・レンジが提供される。
【００５９】
従って、供給電圧Ｖｃｃ及び電力増幅モジュール２００の出力電力レベルは、最低バッテリ電圧よりもむしろ実際の現バッテリ電圧によって制限される。その結果、供給電圧及び出力電力レベルの大幅に大きなダイナミック・レンジが、より高いバッテリ電圧において供給され得る。無線機の送信電力及び有効範囲は、最悪の事態の仮定よりもむしろ実際のバッテリ電圧によって制限される。更に、ダイナミック・レンジが増大すると、ＦＥＴで消散される熱が低減され、これによって、効率が高くなり、寿命が伸びる可能性がある。
【００６０】
また、供給電圧Ｖｃｃのダイナミック・レンジが増大すると、供給電圧Ｖｃｃの制約によって導入された歪みが減少し、これによって、隣接チャネルのスプリアスが減少する。他の選択肢として又は追加的に、フィードバック・ループは、入力電圧Ｖｉｎが、全ての状況において歪みを防止するのに充分に低い電圧に、具体的には、最低バッテリ電圧において歪みが発生しないことを保証するのに充分低い電圧に制限又はクランプされることを防止し得る。このことから、フィードバック・ループは、電力増幅モジュールの性能が最小バッテリ電圧に対して最適化されることを防止し、むしろ実際のバッテリ電圧に対して最適化される。
【００６１】
本実施形態において、入力信号は、定常状態の出力電力レベルを決定するばかりでなく、ＧＳＭシステムの技術仕様と整合性のある包絡線形成及び電力傾斜形成も行う。ダイナミック・レンジが増大すると、より高い出力電力レベル及びより高いバッテリ電圧に対して、電力傾斜及び過渡応答が改善される。
【００６２】
図３は、駆動回路２０９、制御回路２１３、及び検出回路２１１の詳細図を示す。この回路の動作について詳細に説明する。
図３の回路において、駆動回路２０９は、実質的に差動増幅器として実現される。駆動回路２０９には、トランジスタ３０１及び３０３並びに電流シンク３０５によって形成された入力差動増幅器段が含まれる。電流シンク３０５における電流はこれら各々におけるゲート電圧に依存して、トランジスタ３０１と３０３との間で分割される。入力電圧Ｖｉｎは、第１トランジスタ３０１のゲートに供給され、フィードバック信号は、第２トランジスタ３０３のゲートに供給される。フィードバック信号は、図１の例のように、抵抗分割器（図示せず）を通してフィードバック入力に供給される供給電圧Ｖｃｃに対応する。
【００６３】
第１トランジスタ３０１のドレインは、トランジスタ３０７及び３０９によって形成された電流ミラーに供給される。従って、トランジスタ３０１を流れる電流は、トランジスタ３０９にミラーリングされる。同様に、第２トランジスタ３０３のドレインは、トランジスタ３１１及び３１３によって形成される電流ミラーに供給される。従って、トランジスタ３０３を流れる電流は、トランジスタ３１３にミラーリングされる。
【００６４】
トランジスタ３０９のドレインは、カスコード・トランジスタ３１５を通して、トランジスタ３１７及び３１９によって形成された電流ミラーの第１入力に接続されている。トランジスタ３１３のドレインは、第２カスコード・トランジスタ３２１を通して、トランジスタ３１７及び３１９によって形成された電流ミラーの第２入力に接続されている。
【００６５】
カスコード・トランジスタ３１５及び３２１は、電流ミラーのドレイン電圧変動を低減し、これによって電流結像性能が改善される。
このことから、入力回路は、Ｖｉｎ及びフィードバック信号を基準にして、対称である。入力信号Ｖｉｎが、フィードバック信号に等しい場合、回路は、バランスがとれた状態であり、対称の枝路の電流は、実質的に全く同じである。しかしながら、入力電圧Ｖｉｎが大きくなると、第１トランジスタ３０１を流れる電流は大きくなり、第２トランジスタ３０３を流れる電流は小さくなる。これによって、トランジスタ３０９を流れる電流は大きくなり、トランジスタ３１３、従って、トランジスタ３１９を流れる電流は小さくなる。トランジスタ３１９及び３１７は、電流ミラーとして接続されているため、トランジスタ３１７を流れる電流もまた小さくなり、従って、トランジスタ３０９は、トランジスタ３１７に流し込めるよりも大きい電流を供給しようとし、これによって、電流差が生じ、これが、トランジスタ３１７のドレインにおいて、大きな電圧増加になる。従って、高い利得差動利得段が達成される。
【００６６】
トランジスタ３１７のドレインは、トランジスタ３２３，３２５，及びレベル・シフタ３２７が含まれるＡＢ級反転利得段に接続されている。ＡＢ級反転利得段は、パワーＦＥＴの大きなゲート容量を迅速に充放電できることによってシステムの過渡的な性能を改善する高い電流駆動能力を提供する。
【００６７】
ＡＢ級反転利得段の出力は、パワーＦＥＴ２０７のゲートに接続されている。Ｖｉｎが充分に低く、ＦＥＴ２０７が活性状態の高い利得領域にある場合、供給電圧Ｖｃｃを調整するための制御機能の性能は、上述した回路によって与えられる。従って、駆動回路２０９は、入力電圧Ｖｉｎがフィードバック電圧に等しいように、出力駆動信号、従って、供給電圧Ｖｃｃを駆動する差動高利得増幅器として動作する。抵抗分割器が含まれるフィードバック結合の場合、Ｖｉｎから供給電圧Ｖｃｃへの結果的に生じる増幅は、当分野において公知なように、抵抗分割器の分割比によって与えられる。
【００６８】
しかしながら、Ｖｉｎが、供給電圧Ｖｃｃをバッテリ電圧ＶＢａｔに対して過剰に高く駆動しようとする場合、ＦＥＴ２０７は、前述したように、線形領域に移行し始める。
これを防止するために、図３の回路には、単一のセンス・トランジスタ３２９が含まれる検出回路２１１が含まれる。センス・トランジスタ３２９は、センス・トランジスタ３２９のゲートが電源トランジスタ２０７のゲートに接続され、センス・トランジスタ３２９のソースが電源トランジスタ２０７のドレインに接続されているように、ＦＥＴ２０７に接続されている。
【００６９】
センス・トランジスタは、本実施形態において、ＦＥＴ２０７と同じ閾電圧Ｖｔを有するのに必要な大きさである。ＦＥＴ２０７の端子において、センス・トランジスタ３２９のゲート・ソース間電圧Ｖｓｅｎｓｅは、Ｖｓｅｎｓｅ＝Ｖｇｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｄｓによって与えられる。
【００７０】
センス・トランジスタは、センス電圧ＶｓｅｎｓｅがＶｔより小さい時、不活性であり、Ｖｓｅｎｓｅ＝ＶｇＳ−Ｖｄｓ＝Ｖｔの時、電流を流し始める。
従って、センス・トランジスタは、Ｖｄｓ≦Ｖｇｓ−Ｖｔの時、電流を流す。
【００７１】
言い換えると、センス・トランジスタは、本実施形態において、ちょうど、ＦＥＴ２０７が線形領域に移行する時、電流を流し始める。従って、単一のトランジスタだけが含まれる極めて単純で効果的な検出回路２１１が提供される。
【００７２】
幾つかの実施形態において、閾電圧は、ＦＥＴ２０７及びセンス・トランジスタ３２９に対して異なってよい。具体的には、線形領域に移行するＦＥＴ２０７を基準にしてマージンを提供するために、センス・トランジスタの閾電圧は、ＦＥＴ２０７の閾電圧より小さくなるように構成され得る。
【００７３】
より複雑な検出回路２１１を他の実施形態において用い得ることを認識されるであろう。例えば、ＦＥＴの動作特性を決定するためにより複雑な判断基準を用い得る。また、このことは、例えば、ＦＥＴ２０７のドレイン、ソース、及びゲートの電圧及び／又は電流の他の及び／又はもっと正確な測定又は検出に依存し得る。
【００７４】
センス・トランジスタ３２９は、再度、駆動回路２０９に接続されている。具体的には、制御回路２１３を通してトランジスタ３０９のドレインに接続されている。制御回路２１３には、具体的には、電流ミラーを通してセンス・トランジスタ３２９に接続されている出力トランジスタ３３１が含まれる。出力トランジスタ３３１は、トランジスタ３０９のドレインの形態で駆動回路における信号接続点に接続されている。出力トランジスタは、センス・トランジスタが、オンに切り替わり、電流を流し始めると、アクティブになる。出力トランジスタ３３１は、アクティブになると、トランジスタ３０９のドレインから電流を引き出し、これによって、ＡＢ級反転利得段の入力における電圧を低減し、従って、ＦＥＴ２０７のゲート電圧を大きくし、ゲート・ソース間電圧が低減される。
【００７５】
より詳細に言うと、センス・トランジスタ３２９は、トランジスタ３３３及び３３５によって形成される電流像の第１入力に接続され、出力トランジスタ３３１のゲートは、この電流像回路の第２入力に接続されている。出力トランジスタ３３１のゲートは、更に、ソース及びゲートが共に結合されたトランジスタによって形成され得る電流源３３７であって、相対的に高いインピーダンスを有する相対的に一定の電流源を提供する電流源３３７に接続されている。
【００７６】
センス・トランジスタ３２９がオフに切り替わると、電流は、電流像のどの入力を通っても（即ち、トランジスタ３３３又はトランジスタ３３５を通っても）実質的に流れず、電流源３３７によって、出力トランジスタ３３１のゲートは、高いままであり、これによってオフに切り替わる。
【００７７】
ＦＥＴ２０７が線形領域に近づき、センス・トランジスタが電流を流し始めると、電流は、トランジスタ３３５のドレインにミラーリングされる。電流が電流源３３７の電流より大きい場合、出力トランジスタのゲートは、低くなり、出力トランジスタ３３１は、オンに切り替わる。出力トランジスタ３３１は、その結果、トランジスタ３０９のドレインから電流を引き出し始め、これによって、トランジスタ３１７のドレインにおける電圧が低下する。これは、反転ＡＢ級段を通してＦＥＴ２０７のゲートに結合され、これによってＦＥＴ２０７のゲート電圧が大きくなり、ゲート・ソース間電圧が小さくなる。このようにして供給電圧Ｖｃｃが制限され、これによってＦＥＴ２０７が線形領域に移行するのを防止する。
【００７８】
従って、図３の回路は、従来技術に対して改善された性能を有する電力増幅モジュール２００を提供する。
図４は、従来技術による電力増幅モジュールと、本発明の一実施形態に基づく電力増幅モジュールとの間の比較を示す。曲線４０１は、ＧＳＭ電源切断傾斜入力信号に対する、図１に示す電力増幅器の過渡応答を示す。曲線４０３は、ＧＳＭ電源切断傾斜入力信号に対する、図３に示す電力増幅モジュールの過渡応答を示す。図４の回路は、より滑らかで、かつ、角が低減された電力傾斜を提供し、これによって、より高い周波数でのスプリアスを大幅に低減することが明らかである。具体的には、図４は、Ｖｉｎがバッテリ電圧より大きい場合であって、これが、２．８Ｖの最低電圧である場合、フィードバック制御ループを含むことの効果を示す。図４は、フィードバック制御ループを導入するための要件とその恩典を明確に示す。
【００７９】
このことは、図５に更に明確に示すが、ここでは、対応するスペクトルを示す。曲線５０１は、ＧＳＭ電源切断傾斜入力信号に対する、図１に示す電力増幅器用の周波数スペクトルを示す。曲線５０３は、ＧＳＭ電源切断傾斜入力信号に対する、図３に示す電力増幅モジュール用の周波数スペクトルを示す。
【００８０】
図３の電力増幅モジュールは、図１のそれより小さいスプリアス・レベル約２０ｄＢを有することを示している。従って、図１の回路は、ＧＳＭ仕様を満たさないのに対して、図３の回路は、かなりのマージンでこれらを満たす。
【００８１】
上記説明は、電界効果トランジスタである電源トランジスタに適用可能な説明に焦点を当てたが、本発明は、バイポーラ・トランジスタにも同様に適用可能であることを認識されるであろう。
【００８２】
具体的には、バイポーラ・トランジスタの場合、検出回路は、好適には、バイポーラ・トランジスタが、飽和領域として知られている領域に移行しようとしているか否かを検出する。飽和領域において、コレクタ電流は、コレクタ・エミッタ間電圧に強く依存し、利得は小さい。その結果、バイポーラ・トランジスタは、好適には、活性領域で動作し、ここでは、利得が高く、コレクタ・エミッタ間電圧へのコレクタ電流の依存性は低い。
【００８３】
バイポーラ・トランジスタ用の検出回路は、ＦＥＴトランジスタに対して説明したものに類似したものであってよく、具体的には、コレクタ・ベース間電圧が所定の値より小さくなった時、電流を流すようにトランジスタを接続し得る。
【００８４】
本発明は、任意の適切な形態で実現され得る。本発明の一実施形態の要素及び構成要素は、何らかの適切な方法で、物理的に、機能的に、及び論理的に実装され得る。実際、本機能は、単一のユニットにおいて、複数のユニットにおいて、又は他の機能的なユニットの一部として実現され得る。このように、本発明は、単一のユニットにおいて実現されたり、異なるユニット及びモジュール間において、物理的に及び機能的に分散されたりする。具体的には、電力増幅モジュールの要素の幾つか又は全ては、単一チップ上に単一の物理的なモジュールとして実現され得る。
【００８５】
好適な実施形態に関連して本発明について説明したが、本明細書に記載された特定の形態に限定しようとする意図はない。むしろ、本発明の範囲は、添付の請求項によってのみ制限される。請求項において、用語「備える」は、他の要素又はステップの存在を排除しない。更に、個別にリスト化されてはいるものの、複数の手段、要素又は方法ステップは、例えば、単一のユニット又はプロセッサによって実現され得る。更に、個々の特徴が、異なる請求項に含まれるが、これらは、組み合わせることで有利になる可能性があり、また、異なる請求項に含まれることは、特徴の組合せが、実現可能及び／又は有利ではないことを意味しない。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】従来技術に基づく電力増幅器の出力電力レベルの電力供給調整を示す図。
【図２】本発明の一実施形態に基づく電力増幅モジュールを示す図。
【図３】本発明の一実施形態に基づく駆動回路２０９、制御回路２１３、及び検出回路２１１を示す詳細図。
【図４】従来技術に基づく電力増幅モジュールと本発明の一実施形態に基づく電力増幅モジュールとの間の過渡応答の比較を示す図。
【図５】従来技術に基づく電力増幅モジュール及び本発明の一実施形態に基づく電力増幅モジュールからのスプリアス・スペクトルの比較を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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