【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面は、平坦領域、及び、平坦領域よりも粗い粗面領域を有しており、
第１光反射層は、少なくとも平坦領域に形成されており、
第１電極は、少なくとも粗面領域に形成されている発光素子。
【請求項２】
粗面領域は平坦領域を囲んでいる請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超える請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
平坦領域における接触抵抗値をＲ1、粗面領域における接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面には、段差部が形成されており、
少なくとも段差部の内側には、第１光反射層が形成されており、
少なくとも段差部の外側には、第１電極が形成されている発光素子。
【請求項６】
段差部は単純閉曲線から構成されている請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている請求項５又は請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている請求項５又は請求項６に記載の発光素子。
【請求項９】
段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
段差部の高さは、１×１０-8ｍ以上、１×１０-5ｍ以下である請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超える請求項５乃至請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ1、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する請求項５乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
第１光反射層と第１電極とは接している請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
第２光反射層は支持基板に固定されている請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
【請求項２０】
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第１電極や第２電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。第１電極をＡｇ層あるいはＡｇ／Ｐｄ層から構成する場合、第１電極の表面に、例えば、Ｎｉ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ／Ｎｉから成るカバーメタル層を形成し、カバーメタル層の上に、例えば、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成あるいはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成から成るパッド電極を形成することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
第１化合物半導体層２１はｎ−ＧａＮ層から成り、活性層２３はＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層（障壁層）とＩｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層（井戸層）とが積層された５重の多重量子井戸構から成り、第２化合物半導体層２２はｐ−ＧａＮ層から成る。また、第１電極３１はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成り、第２電極３２は、透明導電性材料、具体的には、ＩＴＯから成り、パッド電極３３はＴｉ／Ｐｄ／Ａｕから成り、第１光反射層４１及び第２光反射層４２は、ＳｉＮ層とＳｉＯ2層の積層構造（誘電体膜の積層総数：２０層）から成る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１光反射層４１の形成、第１電極３１の形成の順序は、第１光反射層４１の形成、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１電極３１の形成といった、以上に説明した順序に限定されず、
第１光反射層４１の形成、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１電極３１の形成の順
としてもよいし、
第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１電極３１の形成、第１光反射層４１の形成の順
としてもよい。また、第１光反射層層４１を、［工程−１４０］におけるエッチング用レジスト層の代わりとすることもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子・・・第１の態様》
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面は、平坦領域、及び、平坦領域よりも粗い粗面領域を有しており、
第１光反射層は、少なくとも平坦領域に形成されており、
第１電極は、少なくとも粗面領域に形成されている発光素子。
［Ａ０２］粗面領域は平坦領域を囲んでいる［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０３］平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超える［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子。
［Ａ０４］平坦領域における接触抵抗値をＲ1、粗面領域における接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０５］第１光反射層と第１電極とは接している［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０６］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０７］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０８］第２光反射層は支持基板に固定されている［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０９］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１０］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ａ０９］に記載の発光素子。
［Ａ１１］第１電極は、金属又は合金から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１２］第２電極は、透明導電材料から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１３］面発光レーザ素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０１］《発光素子・・・第２の態様》
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面には、段差部が形成されており、
少なくとも段差部の内側には、第１光反射層が形成されており、
少なくとも段差部の外側には、第１電極が形成されている発光素子。
［Ｂ０２］段差部は単純閉曲線から構成されている［Ｂ０１］に記載の発光素子。
［Ｂ０３］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｂ０４］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｂ０５］段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０６］段差部の高さは、１×１０-8ｍ以上、１×１０-5ｍ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０７］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超える［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０８］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ1、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０９］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１０］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１１］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１２］第２光反射層は支持基板に固定されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１３］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｂ０１］乃至［Ｂ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１４］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ｂ１３］に記載の発光素子。
［Ｂ１５］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１６］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１７］面発光レーザ素子から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０１］《発光素子の製造方法・・・第１の態様》
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
［Ｃ０２］前記工程（ｄ）における第１化合物半導体層の第１面の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行い、
前記工程（ｅ）における粗面領域の形成を、反応性イオンエッチング法に基づき形成する［Ｃ０１］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０３］平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超える［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０４］平坦領域における接触抵抗値をＲ1、粗面領域における接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０５］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０６］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０７］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０８］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｃ０１］乃至［Ｃ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０９］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ｃ０８］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ１０］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ０９］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ１１］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１０］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ１２］面発光レーザ素子から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０１］《発光素子の製造方法・・・第２の態様》
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
［Ｄ０２］前記工程（ｄ）における第１化合物半導体層の第１面の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行い、
前記工程（ｅ）における段差部の形成を、反応性イオンエッチング法に基づき形成する［Ｄ０１］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０３］段差部は単純閉曲線から構成されている［Ｄ０１］又は［Ｄ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０４］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｄ０５］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｄ０６］段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０７］段差部の高さは、１×１０-8ｍ以上、１×１０-5ｍ以下である［Ｄ０１］乃至又［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０８］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超える［Ｄ０１］乃至［Ｄ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０９］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ1、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ｄ０１］乃至［Ｄ０８］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１０］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｄ０１］乃至［Ｄ０９］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１１］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｄ０１］乃至［Ｄ０９］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１２］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｄ０１］乃至［Ｄ１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１３］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｄ０１］乃至［Ｄ１２］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１４］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ｄ１３］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１５］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｄ０１］乃至［Ｄ１４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１６］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｄ０１］乃至［Ｄ１５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１７］面発光レーザ素子から成る［Ｄ０１］乃至［Ｄ１６］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。