【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）発光素子製造用基板上に、多層膜から成り、凸形状を有する第１光反射層を形成し、次いで、
（ｂ）第１光反射層を含む発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｄ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｅ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面及び第１光反射層を露出させ、次いで、
（ｆ）第１化合物半導体層の第１面をエッチングした後、
（ｇ）少なくともエッチングされた第１化合物半導体層の第１面上に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｅ）における第１化合物半導体層の第１面及び第１光反射層の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行う請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分を、反応性イオンエッチング法に基づきエッチングする請求項１又は請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、第２光反射層の面積重心点は存在しない請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、活性層の面積重心点は存在しない請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
（ａ）発光素子製造用基板上に、第１化合物半導体層を構成する材料とは異なる材料から成る凸部を形成し、次いで、
（ｂ）凸部を含む発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｄ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｅ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面及び凸部を露出させ、次いで、
（ｆ）凸部を除去し、少なくとも凸部が除去された第１化合物半導体層の第１面の部分の上に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分の上に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｅ）における第１化合物半導体層の第１面及び凸部の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行う請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｆ）において第１化合物半導体層の第１面上に第１電極を形成する前に、第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分をエッチングする請求項６又は請求項７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分を、反応性イオンエッチング法に基づきエッチングする請求項８に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）において形成される凸部は、頂面が底面よりも小さい請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１１】
第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、第２光反射層の面積重心点は存在しない請求項６乃至請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１２】
第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、活性層の面積重心点は存在しない請求項６乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１３】
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１電極、及び、第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面には側面が順テーパーの凹部が形成されており、
第１光反射層は、少なくとも凹部に形成されており、
第１電極は、少なくとも、第１化合物半導体層の第１面上に形成されている発光素子。
【請求項１４】
第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、第２光反射層の面積重心点は存在しない請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、活性層の面積重心点は存在しない請求項１３又は請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される請求項１３乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
第２光反射層は支持基板に固定されている請求項１３乃至請求項１７のいずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
第１電極や第２電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。第１電極をＡｇ層あるいはＡｇ／Ｐｄ層から構成する場合、第１電極の表面に、例えば、Ｎｉ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ／Ｎｉから成るカバーメタル層を形成し、カバーメタル層の上に、例えば、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成あるいはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成から成るパッド電極を形成することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
第１化合物半導体層２１はｎ−ＧａＮ層から成り、活性層２３はＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層（障壁層）とＩｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層（井戸層）とが積層された５重の多重量子井戸構から成り、第２化合物半導体層２２はｐ−ＧａＮ層から成る。また、第１電極３１はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成り、第２電極３２は、透明導電性材料、具体的には、ＩＴＯから成り、パッド電極３３はＴｉ／Ｐｄ／Ａｕから成り、第１光反射層４１及び第２光反射層４２は、ＳｉＮ層とＳｉＯ2層の積層構造（誘電体膜の積層総数：２０層）から成る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
［工程−２１０］
次に、凸部５１を含む発光素子製造用基板１１上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面２１ａ、及び、第１面２１ａと対向する第２面２１ｂを有する第１化合物半導体層２１、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層２１の第２面２１ｂと接する活性層２３、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面２２ａ、及び、第１面２２ａと対向する第２面２２ｂを有し、第１面２２ａが活性層２３と接する第２化合物半導体層２２、
が積層されて成る積層構造体２０を形成する。具体的には、ＥＬＯ法等の横方向にエピタキシャル成長させる方法を用いて、横方向成長により、ｎ−ＧａＮから成る第１化合物半導体層２１を形成し、更に、その上に、エピタキシャル成長法に基づき、活性層２３、第２化合物半導体層２２を形成することで、積層構造体２０を得ることができる。次いで、第２化合物半導体層２２の第２面２２ｂ上に、周知の方法に基づき、開口２４Ａを有する電流狭窄層２４を形成する（図１３Ｂ参照）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子の製造方法・・・第１の態様》
（ａ）発光素子製造用基板上に、多層膜から成り、凸形状を有する第１光反射層を形成し、次いで、
（ｂ）第１光反射層を含む発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｄ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｅ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面及び第１光反射層を露出させ、次いで、
（ｆ）第１化合物半導体層の第１面をエッチングした後、
（ｇ）少なくともエッチングされた第１化合物半導体層の第１面上に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
［Ａ０２］前記工程（ｅ）における第１化合物半導体層の第１面及び第１光反射層の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行う［Ａ０１］に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０３］第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分を、反応性イオンエッチング法に基づきエッチングする［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０４］第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、第２光反射層の面積重心点は存在しない［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０５］第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、活性層の面積重心点は存在しない［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０６］第１光反射層と第１電極とは接している［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０７］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０８］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ０９］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ１０］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ａ０９］に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ１１］第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値は、３×１０-9ｍ以下であり、
第１電極が形成される第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値は、第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値を超える［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ１２］第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の接触抵抗値をＲ1、第１電極が形成される第１化合物半導体層の第１面の部分の接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ１３］第１電極は、金属又は合金から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ１４］第２電極は、透明導電材料から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ａ１５］面発光レーザ素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０１］《発光素子の製造方法・・・第２の態様》
（ａ）発光素子製造用基板上に、第１化合物半導体層を構成する材料とは異なる材料から成る凸部を形成し、次いで、
（ｂ）凸部を含む発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｄ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｅ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面及び凸部を露出させ、次いで、
（ｆ）凸部を除去し、少なくとも凸部が除去された第１化合物半導体層の第１面の部分の上に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分の上に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
［Ｂ０２］前記工程（ｅ）における第１化合物半導体層の第１面及び凸部の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行う［Ｂ０１］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０３］前記工程（ｆ）において第１化合物半導体層の第１面上に第１電極を形成する前に、第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分をエッチングする［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０４］第１電極を形成すべき第１化合物半導体層の第１面の部分を、反応性イオンエッチング法に基づきエッチングする［Ｂ０３］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０５］前記工程（ａ）において形成される凸部は、頂面が底面よりも小さい［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０６］第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、第２光反射層の面積重心点は存在しない［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０７］第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、活性層の面積重心点は存在しない［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０８］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０９］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１０］第１光反射層と第１電極との間には、第１化合物半導体層の突起部分が存在する［Ｂ０９］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１１］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１２］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｂ０１］乃至［Ｂ１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１３］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ｂ１２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１４］第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値は、３×１０-9ｍ以下であり、
第１電極が形成される第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値は、第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値を超える［Ｂ０１］乃至［Ｂ１４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１５］第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の接触抵抗値をＲ1、第１電極が形成される第１化合物半導体層の第１面の部分の接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ１４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１６］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１７］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１６］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ１８］面発光レーザ素子から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０１］《発光素子》
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１電極、及び、第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面には側面が順テーパーの凹部が形成されており、
第１光反射層は、少なくとも凹部に形成されており、
第１電極は、少なくとも、第１化合物半導体層の第１面上に形成されている発光素子。
［Ｃ０２］第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、第２光反射層の面積重心点は存在しない［Ｃ０１］に記載の発光素子。
［Ｃ０３］第１光反射層の面積重心点を通る第１光反射層に対する法線上に、活性層の面積重心点は存在しない［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の発光素子。
［Ｃ０４］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０５］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ1、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ2としたとき、
Ｓ1＞Ｓ2
を満足する［Ｃ０４］に記載の発光素子。
［Ｃ０６］第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値は、３×１０-9ｍ以下であり、
第１電極が形成される第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値は、第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の表面粗さＲａの値を超える［Ｃ０１］乃至［Ｃ０５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０７］第１光反射層と接する第１化合物半導体層の第１面の部分の接触抵抗値をＲ1、第１電極が形成される第１化合物半導体層の第１面の部分の接触抵抗値をＲ2としたとき、
Ｒ2／Ｒ1≦１
を満足する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０８］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｃ０１］乃至［Ｃ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０９］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１０］第１光反射層と第１電極との間には、第１化合物半導体層の突起部分が存在する［Ｃ０９］に記載の発光素子。
［Ｃ１１］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｃ０１］乃至［Ｃ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１２］第２光反射層は支持基板に固定されている［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１３］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１４］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１５］面発光レーザ素子から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１４］のいずれか１項に記載の発光素子。