Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄水源から供給される洗浄水により便器を洗浄して汚物を排出する水洗大便器であって、
汚物を受ける汚物受け面と、洗浄水源から供給される洗浄水を上記汚物受け面に吐水して旋回流を形成するリム吐水口が形成されたリム部と、を有するボウル部と、
上記リム吐水口から吐水される洗浄水の流量を可変する流量可変手段と、
上記洗浄水源から供給される洗浄水の給水圧力または給水流量に基づく給水状態を測定する給水状態測定手段と、
を備え、
上記流量可変手段は、洗浄開始後、最初に上記リム吐水口から吐水された洗浄水が、上記リム吐水口の位置に関連した洗浄を強化すべき上記ボウル部内の所定領域を通過するまでの間、洗浄水の大半が上記汚物受け面を流下する程度の小さい第１の流量で洗浄水の流量を制御する第１工程を有し、上記給水状態測定手段の測定結果に基づいて、上記第１の流量が一定となるように洗浄水の流量を調整することを特徴とする水洗大便器。
【請求項２】
ジェット吐水を行うジェット吐水口と、
上記ジェット吐水口から吐水させる洗浄水を加圧する加圧ポンプと、
この加圧ポンプによって加圧すべき洗浄水を貯水する貯水タンクと、を備え、
上記流量可変手段は、上記洗浄水源から供給される洗浄水を上記リム吐水口または上記貯水タンクへと分配することで上記リム吐水口から吐水される洗浄水の流量を可変し、最初に上記リム吐水口から吐水された洗浄水が、上記ボウル部内の所定領域を通過後、上記ボウル部の本洗浄が可能となるように上記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄水の流量を制御する第２工程を有し、
さらに、上記給水状態測定手段の測定結果に基づいて、上記第２工程の時間を調整する吐水時間調整手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の水洗大便器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明のうち第１の態様に係る水洗大便器においては、洗浄水源から供給される洗浄水により便器を洗浄して汚物を排出する水洗大便器であって、汚物を受ける汚物受け面と、洗浄水源から供給される洗浄水を上記汚物受け面に吐水して旋回流を形成するリム吐水口が形成されたリム部と、を有するボウル部と、上記リム吐水口から吐水される洗浄水の流量を可変する流量可変手段と、上記洗浄水源から供給される洗浄水の給水圧力または給水流量に基づく給水状態を測定する給水状態測定手段と、を備え、上記流量可変手段は、洗浄開始後、最初に上記リム吐水口から吐水された洗浄水が、上記リム吐水口の位置に関連した洗浄を強化すべき上記ボウル部内の所定領域を通過するまでの間、洗浄水の大半が上記汚物受け面を流下する程度の小さい第１の流量で洗浄水の流量を制御する第１工程を有し、上記給水状態測定手段測定結果に基づいて、上記第１の流量が一定となるように洗浄水の流量を調整することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第１工程で問題となる洗浄水源から供給される洗浄水の給水圧力または給水流量に基づく給水状態の変動にも対応することが可能となる。つまり、流量可変手段が、給水状態測定手段の測定結果に基づいて第１の流量が一定となるようにリム吐水口から吐水される洗浄水の流量を調整するため、洗浄水源から供給される洗浄水の給水圧力または給水流量に基づく給水状態に関わらず、第１の工程において、洗浄開始後、最初にリム吐水口から吐水された洗浄水が、リム吐水口の位置に関連した洗浄を強化すべきボウル部内の所定領域を通過するまでの間、洗浄水の大半が汚物受け面を流下する程度の小さい第１の流量で洗浄水の流量を制御することができる。そのため、従来の方法と比較して、吐水時間を短くすることができる。従って、洗浄水源から供給される洗浄水の給水圧力または給水流量に基づく給水状態に関わらず、洗浄力を維持しつつ更なる節水化を達成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のうち第２の態様に係る水洗大便器は、ジェット吐水を行うジェット吐水口と、上記ジェット吐水口から吐水させる洗浄水を加圧する加圧ポンプと、この加圧ポンプによって加圧すべき洗浄水を貯水する貯水タンクと、を備え、上記流量可変手段は、上記洗浄水源から供給される洗浄水を上記リム吐水口または上記貯水タンクへと分配することで上記リム吐水口から吐水される洗浄水の流量を可変し、最初に上記リム吐水口から吐水された洗浄水が、上記ボウル部内の所定領域を通過後、上記ボウル部の本洗浄が可能となるように上記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄水の流量を制御する第２工程を有し、さらに、上記給水状態測定手段の測定結果に基づいて、上記第２工程の時間を調整する吐水時間調整手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月20日(2016.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボウル部を有する便器本体上面に固定された後ベースプレートと、
前記後ベースプレートの後方位置において第１の回動軸回りに回動自在に連結され、前
方が便器本体上面より上昇可能な前ベースプレートと、
前記後ベースプレート上に設置され便器本体へ供給する水を貯水するタンクと、
前記前ベースプレート上に設置され人体局部を洗浄する局部洗浄機構と、
給水源からの水を前記タンク又は前記局部洗浄機構の一方へ給水する、途中に分岐接続
部を備えた第１の給水管と、
前記第１の給水管の前記分岐接続部に接続され、前記タンク又は前記局部洗浄機構の
他方へ給水する第２の給水管と、
前記タンクと、前記局部洗浄機構と、前記第１の給水管と、前記第２の給水管とを覆う
ケーシングと、
を備え、
前記第１の給水管と前記第２の給水管とは、前記分岐接続部の軸心である第２の回動軸
周りに回動自在に接続されており、
前記第１の回動軸と前記第２の回動軸とは同一軸線上に配置されていることを特徴とす
るトイレ装置。
【請求項２】
前記前ベースプレートに形成された一対の給水軸受け部と、前記第１の給水管と前記第２の給水管に夫々形成された給水管回動軸とを備え、この給水管回動軸を前記給水軸受け部に嵌め込むことで、前記第１の給水管と前記第２の給水管とは、前記第２の回動軸周りに回動自在に構成されており、
前記第１の給水管と前記第２の給水管の内、前記タンクに給水する給水管は、前記前ベ
ースプレートの上方に、この前ベースプレートの上昇時に干渉しない空間を隔てて配置さ
れていることを特徴とする請求項１記載のトイレ装置。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るトイレ装置においては、ボウル部を有する便器本体上面に固定された後ベ
ースプレートと、前記後ベースプレートの後方位置において第１の回動軸回りに回動自在
に連結され、前方が便器本体上面より上昇可能な前ベースプレートと、前記後ベースプレ
ート上に設置され便器本体へ供給する水を貯水するタンクと、前記前ベースプレート上に
設置され人体局部を洗浄する局部洗浄機構と、給水源からの水を前記タンク又は前記局部
洗浄機構の一方へ給水する、途中に分岐接続部を備えた第１の給水管と、前記第１の給水
管の前記分岐接続部に接続され、前記タンク又は前記局部洗浄機構の他方へ給水する第２
の給水管と、前記タンクと、前記局部洗浄機構と、前記第１の給水管と、前記第２の給水
管とを覆うケーシングと、を備え、前記第１の給水管と前記第２の給水管とは、前記分岐
接続部の軸心である第２の回動軸周りに回動自在に接続されており、前記第１の回動軸と
前記第２の回動軸とは同一軸線上に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係るトイレ装置においては、好ましくは、前記前ベースプレートに形成
された一対の給水軸受け部と、前記第１の給水管と前記第２の給水管に夫々形成された給
水管回動軸とを備え、この給水管回動軸を前記給水軸受け部に嵌め込むことで、前記第
１の給水管と前記第２の給水管とは、前記第２の回動軸周りに回動自在に構成されており
、前記第１の給水管と前記第２の給水管の内、前記タンクに給水する給水管は、前記前ベ
ースプレートの上方に、この前ベースプレートの上昇時に干渉しない空間を隔てて配置さ
れていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認証データが記憶される鍵媒体としての利用者端末と、該利用者端末から近距離無線通信により取得する認証データを正常認証したときに制御されるゲート装置とを備えたロックシステムにおいて、
前記利用者端末は、前記ゲート装置が制御される際の操作補助データを設定するための操作部と、該操作部の操作により設定された操作補助データを記憶する記憶部とを備えたことを特徴とするロックシステム。
【請求項２】
前記利用者端末は、前記操作部の操作により前記ゲート装置毎の操作補助データの設定が可能であることを特徴とする請求項１記載のロックシステム。
【請求項３】
前記ゲート装置は、前記利用者端末から取得する前記認証データを正常認証したときに、該認証データに関連する操作補助データを前記利用者端末から取得して処理を実行することを特徴とする請求項１又は２記載のロックシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記した目的を達成するために、請求項１に記載されたロックシステムは、認証データが記憶される鍵媒体としての利用者端末と、該利用者端末から近距離無線通信により取得する認証データを正常認証したときに制御されるゲート装置とを備えたロックシステムにおいて、
前記利用者端末は、前記ゲート装置が制御される際の操作補助データを設定するための操作部と、該操作部の操作により設定された操作補助データを記憶する記憶部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載されたロックシステムは、請求項１のロックシステムにおいて、
前記利用者端末は、前記操作部の操作により前記ゲート装置毎の操作補助データの設定が可能であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、利用者が手元操作により操作補助データの設定や変更が任意に行え、データの書き換え作業の手間を大幅に削減することができる。そして、利用者は、自身が所有する利用者端末により操作補助データの設定や変更を容易に行えるので、個人情報を管理者に通知する必要がなく、プライバシーを保護することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
吐水部を有し前記吐水部から水を噴射して使用者の身体を洗浄する洗浄ノズルと、
給水源から供給される水を前記洗浄ノズルへ導く流路と、
前記流路に設けられ前記給水源から供給される水を加熱する瞬間式熱交換器と、
前記給水源から供給される水の前記流路への給水と止水とを切り替える給水切替手段と、
前記瞬間式熱交換器により加熱された水の温度を検知する水温検知手段と、
前記流路に設けられ前記流路の内部を流れる水の流量を第１の流量と前記第１の流量よりも少ない第２の流量とのいずれかの流量に調整可能な流量調整手段と、
前記洗浄ノズルの前記身体を洗浄する動作を指示する指示手段と、
前記指示手段が前記動作を指示すると、前記給水切替手段および前記流量調整手段を制御して前記第１の流量および前記第２の流量のいずれかの流量で前記流路への給水を開始し、前記瞬間式熱交換器を制御して前記水温検知手段にて検知される前記流路の内部の水の温度を第１の規定温度まで昇温させる第１の温水準備工程を実行する制御部と、
を備えたことを特徴とする衛生洗浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記瞬間式熱交換器に供給される水の温度を検知する入水温検知センサをさらに備え、
前記制御部は、前記入水温検知センサが検知した温度が第３の規定温度以上である場合には、前記許容電力設定手段が前記許容電力を前記第２の設定電力に設定しているときでも前記第１の流量で前記第１の温水準備工程および前記第２の温水準備工程の少なくともいずれかの工程を実行する請求項３記載の衛生洗浄装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、吐水部を有し前記吐水部から水を噴射して使用者の身体を洗浄する洗浄ノズルと、給水源から供給される水を前記洗浄ノズルへ導く流路と、前記流路に設けられ前記給水源から供給される水を加熱する瞬間式熱交換器と、前記給水源から供給される水の前記流路への給水と止水とを切り替える給水切替手段と、前記瞬間式熱交換器により加熱された水の温度を検知する水温検知手段と、前記流路に設けられ前記流路の内部を流れる水の流量を第１の流量と前記第１の流量よりも少ない第２の流量とのいずれかの流量に調整可能な流量調整手段と、前記洗浄ノズルの前記身体を洗浄する動作を指示する指示手段と、前記指示手段が前記動作を指示すると、前記給水切替手段および前記流量調整手段を制御して前記第１の流量および前記第２の流量のいずれかの流量で前記流路への給水を開始し、前記瞬間式熱交換器を制御して前記水温検知手段にて検知される前記流路の内部の水の温度を第１の規定温度まで昇温させる第１の温水準備工程を実行する制御部と、を備えたことを特徴とする衛生洗浄装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第４の発明は、第３の発明において、前記瞬間式熱交換器に供給される水の温度を検知する入水温検知センサをさらに備え、前記制御部は、前記入水温検知センサが検知した温度が第３の規定温度以上である場合には、前記許容電力設定手段が前記許容電力を前記第２の設定電力に設定しているときでも前記第１の流量で前記第１の温水準備工程および前記第２の温水準備工程の少なくともいずれかの工程を実行する衛生洗浄装置である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
レバー解放機構５６はまた、湾曲フレーム２８０の上先端３１２の上に位置付けられるボタン３１０を含む。例示的実施形態では、ボタン３１０は、単一部品を形成するように、上先端３１２の上に成形される。他の実施形態では、ボタン３１０が、湾曲フレーム２８０とは別に形成され、後で湾曲フレーム２８０に取り付けられてもよいことを理解されたい。ボタン３１０は、ユーザの指先を受容するように構成された成形上面３１４と、上面３１４の反対側に位置付けられた下面３１６とを含む。バネ３１８として例示的に具体化される付勢要素は、下面３１６とケーシング２５６の内側表面３２２との間に位置付けられ、湾曲フレーム２８０を接合部３００を中心に旋回させて、キャッチ２９６が歯群２８２との嵌合の中に付勢されるようにする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
使用時に、キャッチ２９６は歯群２８２との嵌合の中に付勢される。歯群２８２に対するキャッチ２９６の付勢嵌合は、レバー２２が長手方向の軸線５８に沿ってハウジング２０に対して移動するのを防ぐ。しかしながら、既定量の力がトリガアーム５０に印加されるとバネ３１８の付勢が克服され、上レバーアーム４８が長手方向の軸線５８に沿って移動し、キャッチ２９６が歯群２８２に沿って段階的に前進する。ユーザがトリガアーム５０への力の印加を停止すると、バネ３１８は、キャッチ２９６を歯群２８２と嵌合させ、それによってレバー２２の追加の移動を防ぐ。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
更に、キャッチ２９６は、レバー解放機構５６のボタン３１０の上面３１４を押し下げることによって、歯から解放されてもよく、それによってバネ３１８の付勢を克服し、湾曲フレーム２８０を接合部３００を中心に旋回させる。キャッチ２９６が歯２８２と嵌合しないとき、レバー２２はハウジング２０に対して移動することが許可される。力がレバー２２に印加されない場合、レバー本体２６２と外側ケーシング２５６との間に位置付けられたバネ２７０は、レバー２２を接合部２６４を中心に旋回させ、それによってトリガアーム５０をグリップ３０の外側表面２４４から離すと同時に、上レバーアーム４８を長手方向の軸線５８に沿って、チャネル４２の閉じた末端部４４から離す。ユーザがボタン３１０を解放すると、バネ３１８は、湾曲フレーム２８０を接合部３００を中心に旋回させて、キャッチ２９６が移動して歯２８２との嵌合に戻るようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月6日(2016.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１有機発光素子を含む第１発光領域と、
前記第１発光領域と重畳せずに前記第１発光領域に隣接して位置し、第２有機発光素子を含む第２発光領域と、
前記第１有機発光素子及び前記第２有機発光素子と電気的に連結されたピクセル回路部と、
前記第１発光領域及び前記第２発光領域と重畳せずに前記第１発光領域及び前記第２発光領域に隣接して位置し、外光が透過するように構成された透過領域と、を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記ピクセル回路部は、前記第１発光領域と重畳して配置され、前記第２発光領域と重畳しないように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１有機発光素子は、光を反射するように構成された第１ピクセル電極を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２有機発光素子は、光を透過するように構成された第２ピクセル電極を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記ピクセル回路部は、前記第１有機発光素子と前記第２有機発光素子とを独立して駆動することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記ピクセル回路部は、前記第１有機発光素子に電気的に連結された第１発光ＴＦＴと、前記第２有機発光素子に電気的に連結された第２発光ＴＦＴと、を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記ピクセル回路部にデータ信号、スキャン信号、及び電源をそれぞれ供給するデータライン、スキャンライン、及び電源ラインをさらに備え、
前記ピクセル回路部は、第１ＴＦＴ、第２ＴＦＴ、及びキャパシタを備え、
前記第１ＴＦＴのゲート電極は前記スキャンラインに電気的に連結され、前記第１ＴＦＴの第１電極は前記データラインに電気的に連結され、前記第１ＴＦＴの第２電極は前記第２ＴＦＴのゲート電極及び前記キャパシタに電気的に連結され、
前記第２ＴＦＴの第１電極は前記電源ライン及び前記キャパシタに電気的に連結され、前記第２ＴＦＴの第２電極は前記第１及び第２発光ＴＦＴに電気的に連結されることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１発光ＴＦＴの第１電極は前記第２ＴＦＴに電気的に連結され、前記第１発光ＴＦＴの第２電極は前記第１有機発光素子に電気的に連結され、
前記第２発光ＴＦＴの第１電極は前記第２ＴＦＴに電気的に連結され、前記第２発光ＴＦＴの第２電極は前記第２有機発光素子に電気的に連結されたことを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１有機発光素子と前記第２有機発光素子とは、同じ色相の光を発光することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記透過領域に位置する透視窓をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の窒素を含む酸化物絶縁膜と、を有し、
前記酸化物絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜のスピン密度は１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記酸化物半導体膜の導電率が１×１０３Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体膜に接して窒素を含む酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜のスピン密度を１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記酸化物半導体膜の導電率を１×１０３Ｓ／ｃｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、前記窒素を含む酸化物絶縁膜を化学気相成長法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンよりもバンドギャップが広い半導体を用いた半導体素子を解析対象とし、前記半導体素子について、ポアソン方程式、電子電流連続方程式、及び正孔電流連続方程式を含む複数の支配方程式において、差分法を用いて、時間に対して準安定な状態を解として求めることで、電気的特性の解析値を得るシミュレーション方法。
【請求項２】
シリコンよりもバンドギャップが広い半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを解析対象とし、前記トランジスタについて、ポアソン方程式、電子電流連続方程式、及び正孔電流連続方程式において、差分法を用いて、時間に対して準安定な状態を解として求めることで、ゲート電圧に対するドレイン電流の解析値を得るシミュレーション方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体は、酸化物半導体であるシミュレーション方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
εを誘電率、Ψを静電ポテンシャル、ｑを素電荷、ＮＤをドナー密度、ＮＡをアクセプタ密度、ｐを正孔密度、ｎを電子密度、Ｊｎを電子電流密度、Ｊｐを正孔電流密度、Ｇを光照射または熱励起によるキャリア生成割合、Ｒをキャリア再結合割合、μｎを電子移動度、Ｄｎを電子の拡散定数、Ｄｐを正孔の拡散定数、ｎｉを真性キャリア密度、χｃを伝導帯下端のエネルギー、χｖを価電子帯上端のエネルギー、φｎを電子の擬フェルミエネルギー、φｐを正孔の擬フェルミエネルギー、ｋＢをボルツマン定数、Ｔを温度としたとき、前記複数の支配方程式が、
【数１】
2013149954.tif 000001
であるシミュレーション方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるためのプログラムが記憶されており、前記コンピュータにより前記プログラムが読み取り可能な記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
シリコンよりもバンドギャップが広い半導体を用いた半導体素子を解析対象とし、前記半導体素子について、ポアソン方程式、電子電流連続方程式、及び正孔電流連続方程式を含む複数の支配方程式において、差分法を用いて、時間に対して準安定な状態を解として求めることで、電気的特性の解析値を得るプログラムが記憶されている記憶装置と、
前記プログラムの実行の命令が入力される入力装置と、
前記プログラムに従って演算処理を行うことで前記解析値を得る機能と、前記命令に従って、前記演算装置、前記記憶装置、前記入力装置、または出力装置の動作を制御することで、前記プログラムを実行する機能と、を有する中央演算処理装置と、
前記解析値を出力する機能を有する前記出力装置と、を有するシミュレーション装置。
【請求項８】
シリコンよりもバンドギャップが広い半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを解析対象とし、前記トランジスタについて、ポアソン方程式、電子電流連続方程式、及び正孔電流連続方程式を含む複数の支配方程式において、差分法を用いて、時間に対して準安定な状態を解として求めることで、ゲート電圧に対するドレイン電流の解析値を得るプログラムが記憶されている記憶装置と、
前記プログラムの実行の命令が入力される入力装置と、
前記プログラムに従って演算処理を行うことで前記解析値を得る機能と、前記命令に従って、前記演算装置、前記記憶装置、前記入力装置、または出力装置の動作を制御することで、前記プログラムを実行する機能と、を有する中央演算処理装置と、
前記解析値を出力する機能を有する前記出力装置と、を有するシミュレーション装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記半導体は、酸化物半導体であるシミュレーション装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか１項において、
εを誘電率、Ψを静電ポテンシャル、ｑを素電荷、ＮＤをドナー密度、ＮＡをアクセプタ密度、ｐを正孔密度、ｎを電子密度、Ｊｎを電子電流密度、Ｊｐを正孔電流密度、Ｇを光照射または熱励起によるキャリア生成割合、Ｒをキャリア再結合割合、μｎを電子移動度、Ｄｎを電子の拡散定数、Ｄｐを正孔の拡散定数、ｎｉを真性キャリア密度、χｃを伝導帯下端のエネルギー、χｖを価電子帯上端のエネルギー、φｎを電子の擬フェルミエネルギー、φｐを正孔の擬フェルミエネルギー、ｋＢをボルツマン定数、Ｔを温度としたとき、前記複数の支配方程式が、
【数２】
2013149954.tif 000002
であるシミュレーション装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた、チャネル形成領域および前記チャネル形成領域を挟む一対の低抵抗領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上面および側面を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記チャネル形成領域の上面および側面を覆うゲート電極と、
前記低抵抗領域と電気的に接続された電極と、を有し、
前記電極は、前記低抵抗領域の少なくとも側面と電気的に接続されていることを特徴とする、半導体素子。
【請求項２】
前記電極は、前記低抵抗領域に設けられた溝部において前記低抵抗領域と電気的に接続されている、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記電極が前記低抵抗領域をチャネル幅方向に横切る、請求項１または請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記チャネル形成領域のチャネル幅方向の長さが１ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記チャネル形成領域の膜厚が、前記チャネル形成領域のチャネル幅方向の長さの２倍以上である、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜に複数回の酸素添加を行った後、前記下地絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に保護絶縁膜を形成し、
前記保護絶縁膜に複数回の酸素添加を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜に複数回の酸素添加を行った後、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に複数回の酸素添加を行った後、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に保護絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記複数回の酸素添加は、それぞれ異なる条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜に第１の条件、第２の条件の順で酸素添加を行った後、前記下地絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に保護絶縁膜を形成し、
前記保護絶縁膜に第１の条件、第２の条件の順で酸素添加を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜に第１の条件、第２の条件の順で酸素添加を行った後、前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
下地絶縁膜を成膜し、
前記下地絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に第１の条件、第２の条件の順で酸素添加を行った後、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に保護絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の条件と、前記第２の条件で行う酸素添加は、添加される酸素が最大値となる深さが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の条件で行う酸素添加は、加速電圧が１０ｋＶ以上１００ｋＶ以下であるイオン注入法で行い、
前記第２の条件で行う酸素添加は、加速電圧が１ｋＶ以上１０ｋＶ未満であるイオン注入法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の条件で行う酸素添加は、加速電圧が１０ｋＶ以上１００ｋＶ以下であるイオン注入法で行い、
前記第２の条件で行う酸素添加は、酸素を含むプラズマ中で前記基板側に１０Ｖ以上１ｋＶ未満のバイアス電圧を印加することにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワード線と、容量線と、第１のビット線と、第２のビット線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは少なくとも一部が重畳し、
前記第１のトランジスタのゲートおよび前記第２のトランジスタのゲートは、前記ワード線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第１のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのドレインは、前記第２のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記容量線は、前記第１のキャパシタの他方の電極及び前記第２のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１のビット線は、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第２のビット線は、前記第２のトランジスタのソースと電気的に接続されことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強度変調された変調光が入力される半導体光増幅器の制御方法であって、
前記半導体光増幅器の出力特性は、駆動電流の増加に対し、光出力強度が大きくなる領域と、駆動電流の増加に対し、前記光出力強度が大きくなる領域を超えて光出力強度が飽和する領域と、駆動電流の増加に対し、前記光出力強度が飽和する領域を超えて光出力強度が小さくなる領域を備え、
前記半導体光増幅器を、駆動電流の増加に対し前記光出力強度が小さくなる領域において駆動することを特徴とする半導体光増幅器の制御方法。
【請求項２】
前記半導体光増幅器を前記光出力強度が小さくなる領域において駆動させた前記半導体光増幅器の光出力強度は、前記半導体光増幅器の光出力強度の最大値より０．４ｄＢ以上降下してなることを特徴とする請求項１記載の半導体光増幅器の制御方法。
【請求項３】
強度変調された変調光が入力され、出力特性が、駆動電流の増加に対し、光出力強度が大きくなる領域と、駆動電流の増加に対し、前記光出力強度が大きくなる領域を超えて光出力強度が飽和する領域と、駆動電流の増加に対し、前記光出力強度が飽和する領域を超えて光出力強度が小さくなる領域とを有する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の駆動電流を制御するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記半導体光増幅器の駆動電流の増加に対し前記光出力強度が小さくなる領域において、前記半導体光増幅器に駆動電流を注入する制御を行うことを特徴とする半導体光増幅装置。
【請求項４】
前記半導体光増幅器を前記光出力強度が小さくなる領域において駆動させた前記半導体光増幅器の光出力強度は、前記半導体光増幅器の光出力強度の最大値より０．４ｄＢ以上降下することを特徴とすることを特徴とする請求項３記載の半導体光増幅装置。
【請求項５】
強度変調された変調光が入力される半導体光増幅器の測定方法であって、
前記半導体光増幅器の出力特性は、駆動電流の増加に対し、光出力強度が大きくなる領域と、駆動電流の増加に対し、前記光出力強度が大きくなる領域を超えて光出力強度が飽和する領域と、駆動電流の増加に対し、前記光出力強度が飽和する領域を超えて光出力強度が小さくなる領域を備え、
前記光出力強度が小さくなる領域での光出力強度を取得する第１ステップと、
前記第１ステップでの光出力強度が所望の範囲に含まれない場合、前記半導体光増幅器の温度を変化させる第２ステップと、を含み、
前記光出力強度が小さくなる領域での光出力強度が前記所望の範囲に含まれるまで、前記第１ステップと前記第２ステップとを繰り返し行うことを特徴とする半導体光増幅器の測定方法。
【請求項６】
前記第２ステップにおいて、前記第１ステップでの光出力強度が前記所望の範囲より大きい場合、前記半導体光増幅器の温度を高くし、前記第１ステップでの光出力強度が前記所望の範囲より小さい場合、前記半導体光増幅器の温度を低くすることを特徴とする請求項５記載の半導体光増幅器の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の壁（３８）、第２の壁（４４）、及び前記第１の壁に連結された１対の側壁（４０、４２）を有する筐体（２８）であって、前記壁がアーク領域（３４）を形成するように構成され、前記筐体が前記側壁間で前記第１の壁に連結された隔壁（５０）をさらに有し、前記隔壁が第１のサブアーク領域（７２）、第２のサブアーク領域（７４）、及びアーク板領域（７６）を形成するように構成され、前記第１のサブアーク領域及び前記第２のサブアーク領域が前記アーク板領域と流れ連通するように構成された、筐体（２８）と、
前記第１の壁及び前記側壁に連結された支持部（３２）と、
前記支持部に連結されたアーク板（３０）であって、前記アーク板が前記側壁間で且つ前記隔壁の上方に広がる本体部（８２）を有する、アーク板（３０）と
を備え、
前記アーク板（３０）が、前記隔壁（５０）の少なくとも一部を受け入れるように構成された凹部を含む、アークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項２】
前記アーク板（３０）が、前記第１のサブアーク領域（７２）及び前記第２のサブアーク領域（７４）の上方に配置される、請求項１記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項３】
前記アーク板（３０）が、前記第１のサブアーク領域（７２）の上方に配置された第１の凹部（８４）を含む、請求項１または２に記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項４】
前記アーク板（３０）が、前記第２のサブアーク領域（７４）の上方に配置された第２の凹部（８６）を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項５】
前記隔壁（５０）が、前記側壁（４０、４２）のうちの少なくとも一方の高さよりも低い高さを有する、請求項１乃至４のいずれかに記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項６】
前記アーク板領域（７６）が、前記側壁（４０、４２、４６、４８）間に広がる幅を有する、請求項１乃至５のいずれかに記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項７】
前記第１のサブアーク領域（７２）及び前記第２のサブアーク領域（７４）が、前記アーク板領域（７６）の前記幅よりも狭い幅を各々有する、請求項６記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項８】
前記第１のサブアーク領域（７２）及び前記第２のサブアーク領域（７４）が実質的に同じサイズである、請求項１乃至８のいずれかに記載のアークシュートアセンブリ（２０）。
【請求項９】
第１の壁（３８）、第２の壁（４４）、及び前記第１の壁に連結された１対の側壁（４０、４２）を有する筐体（２８）であって、前記第１の壁及び前記側壁がアーク領域（３４）を形成するように構成され、前記筐体が前記側壁間で前記第１の壁に連結された隔壁（５０）をさらに有し、前記隔壁が第１のサブアーク領域（７２）、第２のサブアーク領域（７４）、及びアーク板領域（７６）を形成するように構成され、前記第１のサブアーク領域及び前記第２のサブアーク領域が前記アーク板領域と流れ連通するように構成された、筐体（２８）と、
前記第１の壁及び前記側壁に連結された支持部（３２）と、
前記支持部に連結されたアーク板（３０）であって、前記アーク板が前記側壁間で且つ前記隔壁の上方に広がる本体部（８２）を有する、アーク板（３０）と、
前記筐体に連結され且つ前記第１のサブアーク領域内に連結された第１のサブポール（２２）及び前記第２のサブアーク領域内に連結された第２のサブポール（２４）を有する回路遮断器（１４）と
を備え、
前記アーク板（３０）が、前記隔壁（５０）の少なくとも一部を受け入れるように構成された凹部を含む、電力分配システム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体、電解質、蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン液体と、環状エステルと、を有し、
前記イオン液体は、一以上の置換基を有する脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有する液体。
【請求項２】
請求項１において、
前記脂環式４級アンモニウムカチオンの脂環式骨格の炭素数は５以下である液体。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記置換基は、前記脂環式４級アンモニウムカチオンの前記脂環式骨格の炭素に結合している液体。
【請求項４】
式（Ｇ１）で表されるイオン液体と、環状エステルと、を有する液体。
【化１】
2013149605.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表し、Ａ１−は、１価のイミドアニオン、１価のメチドアニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記環状エステルは、エチレンカーボネートである液体。
【請求項６】
イオン液体と、環状エステルと、アルカリ金属塩と、を有し、
前記イオン液体は、一以上の置換基を有する脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有する電解質。
【請求項７】
請求項６において、
前記脂環式４級アンモニウムカチオンの脂環式骨格の炭素数は５以下である電解質。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記置換基は、前記脂環式４級アンモニウムカチオンの前記脂環式骨格の炭素に結合している電解質。
【請求項９】
式（Ｇ１）で表されるイオン液体と、環状エステルと、アルカリ金属塩と、を含有する電解質。
【化２】
2013149605.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表し、Ａ１−は、１価のイミドアニオン、１価のメチドアニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記環状エステルは、エチレンカーボネートである電解質。
【請求項１１】
正極、負極、及び電解質を有する蓄電装置であって、
前記電解質は、請求項６乃至請求項１０のいずれか一に記載の電解質である蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウム二次電池の充電方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム二次電池の電池温度をＴとし、任意の温度をＴ１、Ｔ２（ただし、Ｔ１＜Ｔ２）とするとき、
Ｔ＜Ｔ１の場合は、所定の電圧に到達するまで定電流により充電を行った後、定電圧により充電を行い、
Ｔ１≦Ｔ＜Ｔ２の場合は、定電流のみにより充電を行い、
Ｔ２≦Ｔの場合は、充電を行わないことを特徴とするリチウム二次電池の充電方法。
【請求項２】
リチウム二次電池が置かれた環境温度をＴとし、任意の温度をＴ１、Ｔ２（ただし、Ｔ１＜Ｔ２）とするとき、
Ｔ＜Ｔ１の場合は、所定の電圧に到達するまで定電流により充電を行った後、定電圧により充電を行い、
Ｔ１≦Ｔ＜Ｔ２の場合は、定電流のみにより充電を行い、
Ｔ２≦Ｔの場合は、充電を行わないことを特徴とするリチウム二次電池の充電方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記リチウム二次電池は、
リン酸鉄リチウムを含む正極活物質層を有する正極と、
黒鉛を含む負極活物質層を有する負極と、
前記正極及び前記負極の間の電解液と、を有し、
前記電解液は、リチウム塩と、エチレンカーボネート及びジエチルカーボネートを含む溶媒とを有することを特徴とするリチウム二次電池の充電方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記Ｔ１は、４０℃より高く６０℃以下の温度であることを特徴とするリチウム二次電池の充電方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記Ｔ２は、６０℃より高い温度であることを特徴とするリチウム二次電池の充電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体、電解質、蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の脂環式４級アンモニウムカチオンと、第２の脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有する液体であって、
前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンは、一以上の置換基を有し、
前記第２の脂環式４級アンモニウムカチオンは、前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンと同じ脂環式骨格を有し、前記同じ脂環式骨格の窒素に結合している置換基の一方がハロゲン元素を有する置換基であり、
前記第２の脂環式４級アンモニウムカチオンを有する塩の含有量は、前記液体の単位重量あたり１重量パーセント以下であることを特徴とする液体。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンの窒素に結合している置換基は、それぞれ炭素数の異なる置換基であることを特徴とする液体。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンの脂環式骨格の炭素数は、５以下であることを特徴とする液体。
【請求項４】
一般式（Ｇ１）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンと、一般式（Ｇ２）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有する液体であって、
前記アニオンは、１価のイミド系アニオン、１価のメチド系アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかより選択されたものであり、
前記一般式（Ｇ２）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンを有する塩の含有量は、前記液体の単位重量あたり１重量パーセント以下であることを特徴とする液体。
【化１】
2013149608.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。）
【化２】
2013149608.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。）
【請求項５】
イオン液体と、アルカリ金属塩と、を有する電解質であって、
前記イオン液体は、第１の脂環式４級アンモニウムカチオンと、第２の脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有し、
前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンは、一以上の置換基を有し、
前記第２の脂環式４級アンモニウムカチオンは、前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンと同じ脂環式骨格を有し、前記同じ脂環式骨格の窒素に結合している置換基の一方がハロゲン元素を有する置換基であり、
前記第２の脂環式４級アンモニウムカチオンを有する塩の含有量は、前記イオン液体の単位重量あたり１重量パーセント以下であること特徴とする電解質。
【請求項６】
イオン液体と、アルカリ金属塩と、を有する電解質であって、
前記イオン液体は、第１の脂環式４級アンモニウムカチオンと、第２の脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有し、
前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンは、一以上の置換基を有し、
前記第２の脂環式４級アンモニウムカチオンは、前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンと同じ脂環式骨格を有し、前記同じ脂環式骨格の窒素に結合している置換基の一方がハロゲン元素を有する置換基であり、
前記第２の脂環式４級アンモニウムカチオンを有する塩の含有量は、前記電解質の単位重量あたり０．８重量パーセント以下であることを特徴とする電解質。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記第１の脂環式４級アンモニウムカチオンの脂環式骨格の炭素数は、５以下であることを特徴とする電解質。
【請求項８】
イオン液体と、アルカリ金属塩と、を有する電解質であって、
前記イオン液体は、一般式（Ｇ１）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンと、一般式（Ｇ２）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有し、
前記アニオンは、１価のイミド系アニオン、１価のメチド系アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかより選択されたものであり、
前記一般式（Ｇ２）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンを有する塩の含有量は、前記イオン液体の単位重量あたり１重量パーセント以下であることを特徴とする電解質。
【化３】
2013149608.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。）
【化４】
2013149608.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。）
【請求項９】
イオン液体と、アルカリ金属塩と、を有する電解質であって、
前記イオン液体は、一般式（Ｇ１）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンと、一般式（Ｇ２）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンと、アニオンと、を有し、
前記アニオンは、１価のイミド系アニオン、１価のメチド系アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかより選択されたものであり、
前記一般式（Ｇ２）で表される脂環式４級アンモニウムカチオンを有する塩の含有量は、前記電解質の単位重量あたり０．８重量パーセント以下であることを特徴とする電解質。
【化５】
2013149608.tif 000005
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。）
【化６】
2013149608.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。）
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記アルカリ金属塩は、リチウム塩であることを特徴とする電解質。
【請求項１１】
正極、負極、及び電解質を有する蓄電装置であって、
前記電解質は、請求項５乃至請求項１０のいずれか一に記載の電解質である蓄電装置。