Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部の照射方向を変更させるために当該発光部を備えた可動部を自動で駆動させることが可能な照明装置と、撮像装置とを含むカメラシステムであって、
前記照明装置は、
前記可動部の位置を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された位置を示す位置情報を前記撮像装置に送信する送信手段と、を有し、
前記撮像装置は、
前記発光部の発光量を演算する演算手段と、
前記演算手段により演算された発光量の補正を行う補正手段と、
前記照明装置から前記位置情報を受信する受信手段と、を有し、
前記補正手段は、前記受信手段により受信した前記位置情報に応じて、前記演算手段により演算された前記発光量の補正を行うか否かを切り換えることを特徴とするカメラシステム。
【請求項２】
前記補正手段は、前記受信手段により受信した前記位置情報が基準位置を示す場合、前記演算手段により演算された前記発光量の補正を行い、前記受信手段により受信した前記位置情報が基準位置を示さない場合、前記演算手段により演算された前記発光量の補正を行わないことを特徴とする請求項１の記載のカメラシステム。
【請求項３】
前記補正手段は、前記演算手段により演算された前記発光量に対して、撮影画面内に存在する被写体の反射率に応じた補正を、前記受信手段により受信した前記位置情報が基準位置を示す場合は行い、前記受信手段により受信した前記位置情報が基準位置を示さない場合は行わないことを特徴とする請求項２に記載のカメラシステム。
【請求項４】
前記補正手段は、前記演算手段により演算された前記発光量に対して、撮影画面内に存在する被写体の位置に応じた補正を、前記受信手段により受信した前記位置情報が基準位置を示す場合は行い、前記受信手段により受信した前記位置情報が基準位置を示さない場合は行わないことを特徴とする請求項２に記載のカメラシステム。
【請求項５】
前記可動部を駆動させる駆動手段と、
前記発光部の照射方向を決定する決定手段を有し、
前記可動手段は、前記発光部の照射方向が前記決定手段により決定された照射方向となる位置に前記可動部を移動できない場合、前記決定手段により決定された照射方向となる位置よりも前記基準位置から離れた位置となるように前記可動部を駆動させることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のカメラシステム。
【請求項６】
発光部の照射方向を変更させるために当該発光部を備えた可動部の位置を変更可能な照明装置を用いた発光撮影を行う撮像装置であって、
前記発光部の発光量を決定する決定手段と、
前記照明装置から前記可動部の位置情報を受信する受信手段と、を有し、
前記決定手段は、前記受信手段により受信した前記位置情報に応じて、前記発光部の発光量の決定に用いる情報を変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
発光部の照射方向を変更させるために当該発光部を備えた可動部を自動で駆動させることが可能な照明装置と、撮像装置とを含むカメラシステムの制御方法であって、
前記照明装置が、前記可動部の位置を検出する検出ステップと、
前記照明装置が、前記検出ステップで検出された位置を示す位置情報を前記撮像装置に送信する送信ステップと、
前記撮像装置が、前記発光部の発光量を演算する演算ステップと、
前記撮像装置が、前記演算ステップで演算された発光量の補正を行う補正ステップと、
前記撮像装置が、前記照明装置から前記位置情報を受信する受信ステップと、
前記撮像装置が、前記受信ステップで受信した前記位置情報に応じて、前記演算ステップで演算された前記発光量の補正を行うか否かを切り換えるステップと、を有することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
発光部の照射方向を変更させるために当該発光部を備えた可動部の位置を変更可能な照明装置を用いた発光撮影を行う撮像装置の制御方法であって、
前記発光部の発光量を決定する決定ステップと、
前記照明装置から前記可動部の位置情報を受信する受信ステップと、を有し、
前記決定ステップは、前記受信ステップで受信した前記位置情報に応じて、前記発光部の発光量の決定に用いる情報を変更することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カメラシステム、撮像装置及び制御方法
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月28日(2015.12.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅまたはこれらの組合せをベースとし、かつベース材料であるガンマプライム（γ’）強化超合金から形成された、フィラー材料なしに溶接された高力構成部材の溶接後熱処理の方法であって、該方法は、以下のステップ、すなわち、
ａ）電子ビーム溶接又はレーザ溶接により溶接された構成部材を提供するステップと、
ｂ）次いで、室温から少なくとも１０００℃の温度Ｔ1までの全ての温度範囲の間、２０〜４０℃／分の範囲の急速加熱速度を適用することによって、前記溶接された構成部材を加熱するステップと、
ｃ）次いで、前記溶接された構成部材をＴ1に保ち、次いで、５℃／分の低速加熱速度を適用することによって前記構成部材を、使用された超合金の固溶化熱処理温度よりも低い最終温度Ｔfに加熱するステップと、
ｄ）溶接された構成部材を時間ｔfにわたって最終温度Ｔfに保つステップであって、等温滞留時間ｔfは、溶接部および該溶接部を包囲するベース材料においてもガンマプライム相を部分的に溶解させるために十分な時間である、ステップと、
ｅ）次いで、２０℃／分以上の冷却速度で前記構成部材を冷却するステップと、
ｆ）最後に公知の従来技術に従って析出硬化処理を選択的に適用するステップと、
から成ることを特徴とする、フィラー材料なしに溶接された高力構成部材の溶接後熱処理の方法。
【請求項２】
ステップｂ）における前記急速加熱速度は、前記溶接部におけるガンマプライム析出を少なくとも最小限に減じるか又は防止するために十分に高い、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記急速加熱速度は、２５〜４０℃／分である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記急速加熱速度は、２５〜３５℃／分である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記急速加熱速度は、２０〜３０℃／分である、請求項２記載の方法。
【請求項６】
ステップｅ）における前記冷却速度が、ステップｂ）における前記急速加熱速度と同じ範囲である、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、前記構成部材を修理するために使用される、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記方法は、接合される新たな構成部材のために使用される、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
米国特許第７８５４０６４号明細書は、タービンエンジン構成部材を修理する方法を開示している。この方法は、例えばWaspaloy、IN-738、IN-792、IN-939を含む鋳造されたまたは鍛錬用のニッケルベース超合金から形成された構成部材を提供するステップと、構成部材からあらゆる欠陥を除去するステップと、を含み、除去するステップは、構成部材が１１００〜１６００°Ｆ（５９３〜８７１℃）の範囲の温度を通過するとき、２９〜４０°Ｆ／分（１６〜２３℃／分）の急速加熱速度での固溶化熱処理ステップを含み、構成部材および交換部材はもはや１７分以後は前記温度範囲にない。構成部材が所望の固溶化熱処理温度に達した後、構成部材は、約３〜５時間にわたりその温度に保持され、次いで冷却され、次いで電子ビーム溶接、プラズマアーク溶接またはガスタングステンアーク溶接（ＧＴＡＷ）によって溶接され、これにより、修理を行う。０．５〜１０°Ｆ／分（０．３〜５．６℃／分）、好適には０．５〜１．０°Ｆ／分（０．３〜０．６℃／分）の冷却速度での低速固溶化熱処理後冷却速度は、溶接割れを実質的に防止しかつ濡れ性を高めるために、固溶化熱処理温度から１２５０°Ｆ（６７７℃）未満まで使用される。低速冷却速度は、γ’析出が冷却中に生じかつ著しく成長するための十分な時間を許容する。これは、γ’析出の硬化能力を減じ、高温延性を高める。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
加えて、溶接されたタービン構成部材が溶接後熱処理を受けることができることが米国特許第７８５４０６４号明細書に開示されている。溶接後熱処理のための同じ加熱および冷却速度が、上述の溶接前固溶化熱処理のためにも使用され、これは、前記溶接されたタービンエンジン構成部材が１１００〜１６００°Ｆ（５９３〜８７１℃）の温度の範囲にあるときに２９°Ｆ／分〜４０°Ｆ／分（１６〜２３℃／分）の範囲の急速加熱速度が使用されることを意味し、最大固溶化熱処理温度から１２５０°Ｆ（６７７℃）未満の温度への前記溶接されたタービンエンジン構成部材の冷却は、０．５〜１０°Ｆ／分、好適には０．５〜１°Ｆ／分（０．３〜５．６、好適には０．３〜０．６℃／分）の冷却速度で極めて低速に行われる。この変更された溶接後熱処理は、溶接前固溶化熱処理の低速の冷却速度によって生ぜしめられた微細構造特徴を排除し、規格上の機械的特性を回復するために適用される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
したがって、溶接後中間応力緩和（ＩＳＲ）処理の後、固溶化熱処理を行い、その後析出硬化熱処理を行う熱処理が提案される。８７０℃までのランプ時間は、ＩＳＲの場合は約１０２分であり、これは、約８〜９℃／分の加熱速度を意味し、これは比較的遅い。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
発明の様々な実施の形態の詳細な説明
固溶化熱処理された条件における２つのIN738LC試験プレートが、いかなる溶接フィラーも使用することなく、電子ビーム溶接によって接合された。２つのプレートは、互いに接合されるべき、新たなタービン構成部材、例えばタービンブレードの２つのモジュール部品として概略的に説明することができる。特別の溶接条件は適用されなかった。いかなる溶接後熱処理もなしには、溶接領域において割れが生じる（いわゆるひずみ時効割れ）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
溶接された構成部材は、ＲＴ（room temperature、室温）から１１００℃までの範囲において約２０〜３０℃／分の急速加熱速度で本発明による溶接後熱処理を受け（図４）、加熱速度の正確な測定は、約４００〜１１００℃の温度範囲において行われた。次いで、１１００℃における０．５の保持時間の後、構成部材は、〜５℃／分のより遅い加熱速度で、使用された超合金の固溶化熱処理温度よりも僅かに低い１１４０℃に加熱され、２時間にわたり１１４０℃で等温滞留に曝され、その後、約２０℃／分（１１４０℃と８５０℃との間の平均冷却速度）で冷却された。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
さらに高い加熱速度（＞３０℃／分）は、CM247LCまたはCMSX-4などの、IN738LCよりも大きい量のガンマプライムを備えた合金の場合に有利である。加えて、合金の固溶化熱処理温度に応じて、等温滞留温度を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検波面を、レンズアレイと画素ピッチに対して前記レンズアレイに入射する光によって発生する回折光とスポット像とが干渉することで生じる干渉縞の周期が、１／４倍以上で２倍以下である画素ピッチであるの撮像素子を備えたシャックハルトマンセンサーによって撮像し、前記撮像素子の受光面にてスポット像を結像させてスポット像１のデータを得る工程と、
前記スポット像１からスポット位置１を検出する工程と、
前記撮像素子の受光面とスポット像との相対位置を、前記画素ピッチに対してΔｘ画素（但し、Δｘ＝ｍ＋α：０＜α＜１、ｍは０より大きい整数）ずらして撮像し、スポット像２のデータを得る工程と、
前記スポット像２からスポット位置２を検出する工程と、前記スポット位置１とスポット位置２の平均値からスポット位置３を算出し、前記スポット位置３から被検波面のデータを算出する波面計測方法。
【請求項２】
前記αは、０．４６８３≦α≦０．５３１６の関係であることを特徴とする請求項１記載の波面計測方法。
【請求項３】
前記α＝０．５、ｍ＝０であることを特徴とする請求項１または２記載の波面計測方法。
【請求項４】
前記Δｘ画素ずらして撮像する際には、
前記レンズアレイと前記撮像素子の相対位置を、前記撮像素子の受光面に沿った方向に変えて撮像することを特徴とする、請求項１または２に記載の波面計測方法。
【請求項５】
前記Δｘ画素ずらして撮像する際には、被検波面を光軸に対して傾斜させて撮像することを特徴とする、請求項１または２に記載の波面計測方法。
【請求項６】
前記Δｘ画素ずらして撮像する際には、楔形の透明体を介して被検波面をレンズアレイに入射させて撮像することを特徴とする、請求項１または２に記載の波面計測方法。
【請求項７】
前記Δｘ画素ずらして撮像する際には、レンズアレイと撮像素子の組を傾けて撮像することを特徴とする、請求項１または２に記載の波面計測方法。
【請求項８】
前記被検波面は被測定物に光を投光することで生じた反射光または透過光であり、請求項１〜７のいずれか一項記載の波面計測方法によって算出された前記反射光または透過光の波面に基づいて被測定物の形状を算出する工程と、
を備えた形状計測方法。
【請求項９】
光学素子の加工する工程と
請求項８記載の形状計測方法を用いて光学素子の形状を計測する工程と、
を含む光学素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合性単量体、着色剤、極性樹脂、結晶性樹脂を含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に加え、該水系媒体中で該重合性単量体組成物を造粒して該重合性単量体組成物の粒子を形成する工程、および
該重合性単量体組成物の該粒子に含まれる該重合性単量体組成物を重合してトナー粒子を得る工程を含むトナーの製造方法であって、
該重合性単量体はビニル系モノマーであり、
該極性樹脂はカルボキシル基含有ビニル系極性樹脂であり、
該結晶性樹脂は、結晶性ポリエステル部位と非晶性ビニル部位を有するハイブリッド樹脂であり、
該結晶性樹脂の該結晶性ポリエステル部位と該非晶性ビニル部位の質量比（結晶部位／非晶部位）が７０／３０以上、９８／２以下であり、
該結晶性樹脂の融点をＴｍ（Ｃ）（℃）、該極性樹脂のガラス転移温度をＴｇ（Ｈ）（℃）としたとき、下記式（１）、（２）の関係を満たし、
５５．０≦Ｔｍ（Ｃ）≦９０．０・・・（１）
５．０≦Ｔｇ（Ｈ）−Ｔｍ（Ｃ）≦３０．０・・・（２）
該結晶性樹脂の酸価をＡｖ（Ｃ）（ｍｇＫＯＨ／ｇ）、該極性樹脂の酸価をＡｖ（Ｈ）（ｍｇＫＯＨ／ｇ）としたとき、下記式（３）〜（５）の関係を満たすことを特徴とするトナーの製造方法。
０．１≦Ａｖ（Ｃ）≦５．０・・・（３）
５．０≦Ａｖ（Ｈ）≦３０．０・・・（４）
０．０２≦Ａｖ（Ｃ）／Ａｖ（Ｈ）≦０．５０・・・（５）
【請求項２】
該極性樹脂は、水酸基価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、２０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、トナー粒子に用いる重合性単量体１００質量部に対する該極性樹脂の含有量が３．０質量部以上、２０．０質量部以下であることを特徴とする請求項１に記載のトナーの製造方法。
【請求項３】
該結晶性樹脂は重量平均分子量が１００００以上、８００００以下であり、該結晶性樹脂の該非晶性ビニル部位の重量平均分子量が２０００以上、１２０００以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のトナーの製造方法。
【請求項４】
該トナー粒子は、該重合工程において、下記式（６）で表される温度Ｔ１（℃）にて加熱保持されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のトナーの製造方法。Ｔ１≧Ｔｍ（Ｃ）＋５・・・（６）
【請求項５】
該トナー粒子は、該重合工程を経た後、下記式（７）で表される温度Ｔ２（℃）にて６０分間以上加熱保持されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のトナーの製造方法。
Ｔｍ（Ｃ）−３０≦Ｔ２≦Ｔｍ（Ｃ）−５・・・（７）
【請求項６】
極性樹脂が、スチレンアクリル系樹脂であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のトナーの製造方法。
【請求項７】
ハイブリッド樹脂の非晶性ビニル部位がビニル系重合性単量体とアクリル酸との共重合体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のトナーの製造方法。
【請求項８】
結着樹脂を構成する重合性単量体１００質量部に対して、結晶性樹脂を３．０質量部以上、３０．０質量部以下含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のトナーの製造方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナーの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは前記従来技術の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、以下の構成により問題点を解決することができることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、重合性単量体、着色剤、極性樹脂、結晶性樹脂を含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に加え、該水系媒体中で該重合性単量体組成物を造粒して該重合性単量体組成物の粒子を形成する工程、および
該重合性単量体組成物の該粒子に含まれる該重合性単量体組成物を重合してトナー粒子を得る工程を含むトナーの製造方法であって、
該重合性単量体はビニル系モノマーであり、
該極性樹脂はカルボキシル基含有ビニル系極性樹脂であり、
該結晶性樹脂は、結晶性ポリエステル部位と非晶性ビニル部位を有するハイブリッド樹脂であり、
該結晶性樹脂の該結晶性ポリエステル部位と該非晶性ビニル部位の質量比（結晶部位／非晶部位）が７０／３０以上、９８／２以下であり、
該結晶性樹脂の融点をＴｍ（Ｃ）（℃）、該極性樹脂のガラス転移温度をＴｇ（Ｈ）（℃）としたとき、下記式（１）、（２）の関係を満たし、
５５．０≦Ｔｍ（Ｃ）≦９０．０・・・（１）
５．０≦Ｔｇ（Ｈ）−Ｔｍ（Ｃ）≦３０．０・・・（２）
該結晶性樹脂の酸価をＡｖ（Ｃ）（ｍｇＫＯＨ／ｇ）、該極性樹脂の酸価をＡｖ（Ｈ）（ｍｇＫＯＨ／ｇ）としたとき、下記式（３）〜（５）の関係を満たすことを特徴とするトナーの製造方法である。
０．１≦Ａｖ（Ｃ）≦５．０・・・（３）
５．０≦Ａｖ（Ｈ）≦３０．０・・・（４）
０．０２≦Ａｖ（Ｃ）／Ａｖ（Ｈ）≦０．５０・・・（５）
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に係る発明は、
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電された前記像保持体の表面に静電潜像を形成する潜像形成工程と、
体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、且つＢＥＴ比表面積が２．８ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下であるトナーと、体積平均粒径が１０μｍ以上３２μｍであるキャリアとを有する現像剤を収容した現像手段により、前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像工程と、
前記像保持体に形成された前記トナー像を記録媒体に転写する転写工程と、
前記像保持体の表面に残留した前記トナーをクリーニングブレードによりクリーニングするクリーニング工程と、
前記現像手段に、体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、且つＢＥＴ比表面積が２．８ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下である補給トナーを補給するトナー補給工程と、
を備え、
前記クリーニング工程のクリーニングにより回収した回収トナーのＢＥＴ比表面積が１．５ｍ２／ｇ以上２．８ｍ２／ｇ以下、シリカ粒子の遊離率が０．１３質量％以上２．００質量％以下となり、且つ安息角が前記補給トナーの安息角よりも小さくなる画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電された前記像保持体の表面に静電潜像を形成する潜像形成手段と、
体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、且つＢＥＴ比表面積が２．９ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下であるトナーと、体積平均粒径が１０μｍ以上３２μｍであるキャリアとを有する現像剤を収容し、前記現像剤により、前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記像保持体に形成された前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記像保持体の表面に残留した前記トナーをクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング手段と、
前記現像手段に、体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、且つＢＥＴ比表面積が２．９ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、前記シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下である補給トナーを補給するトナー補給手段と、
を備え、
前記クリーニング手段のクリーニングにより回収した回収トナーのＢＥＴ比表面積が１．５ｍ２／ｇ以上２．８ｍ２／ｇ以下、シリカ粒子の遊離率が０．１３質量％以上２．００質量％以下となり、且つ安息角が前記補給トナーの安息角よりも小さくなる画像形成装置。
【請求項２】
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電された前記像保持体の表面に静電潜像を形成する潜像形成工程と、
体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、且つＢＥＴ比表面積が２．８ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下であるトナーと、体積平均粒径が１０μｍ以上３２μｍであるキャリアとを有する現像剤を収容した現像手段により、前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像工程と、
前記像保持体に形成された前記トナー像を記録媒体に転写する転写工程と、
前記像保持体の表面に残留した前記トナーをクリーニングブレードによりクリーニングするクリーニング工程と、
前記現像手段に、体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、且つＢＥＴ比表面積が２．８ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下である補給トナーを補給するトナー補給工程と、
を備え、
前記クリーニング工程のクリーニングにより回収した回収トナーのＢＥＴ比表面積が１．５ｍ２／ｇ以上２．８ｍ２／ｇ以下、シリカ粒子の遊離率が０．１３質量％以上２．００質量％以下となり、且つ安息角が前記補給トナーの安息角よりも小さくなる画像形成方法。
【請求項３】
体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、
ＢＥＴ比表面積が２．８ｍ２／ｇ以上４．２ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．６４質量％以上２．６０質量％以下であり、且つ安息角が４０°以下である静電潜像現像用のトナー。
【請求項４】
体積平均粒径２．０μｍ以上５．０μｍ以下のトナー粒子及び外添剤であるシリカ粒子を含み、
ＢＥＴ比表面積が１．５ｍ２／ｇ以上２．８ｍ２／ｇ以下であり、シリカ粒子の遊離率が０．１３質量％以上２．００質量％以下であり、且つ安息角が３５°以下であり、
像保持体に形成されたトナーによるトナー像を記録媒体に転写した後、前記像保持体の表面に残留した前記トナーのクリーニングにより回収した静電潜像現像用の回収トナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月6日(2016.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴと配向膜とが形成されたＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板に対向した対向基板と、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、を有する液晶表示装置であって、
前記配向膜は液晶層と接する第１のポリイミドと、前記第１のポリイミドと前記ＴＦＴ基板との間の第２のポリイミドとを有し、
前記第１のポリイミドの抵抗率は、前記第２のポリイミドの抵抗率よりも大きく、
前記第１のポリイミドには前記液晶に対する配向処理が施されており、
前記第１のポリイミドと第２のポリイミドとの間には、第３のポリイミドが存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１のポリイミドを構成する高分子の繰り返し単位構造をM１、前記第２のポリイミドを構成する高分子の繰り返し単位構造をM２とし、
前記第１のポリイミドを構成する高分子を［M１］ｎ１、前記第２のポリイミドを構成する高分子を［M２］ｎ２とすると、
前記第３のポリイミドを構成する高分子が［M１］ｎ１’−Ｃ−［M２］ｎ２’で表わされることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。但し、Ｃはブロックポリマーの結合構造を示し、またｎ１、ｎ２、ｎ１’、ｎ２’はそれぞれの高分子の繰り返し単位の数であり、１以上の整数を示す。
【請求項３】
前記第１のポリイミドの前駆体の混合比をｒ１×(1−ｒ3)、第２のポリイミドの前駆体の混合比をｒ2×(1−ｒ3)、第３のポリイミドの前駆体の混合比をｒ３とすると、0.3≦ｒ３≦0.8であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。但し、 (ｒ１＋ｒ2) ×(1−ｒ3) +ｒ3＝1である。
【請求項４】
前記液晶表示装置において、1/2×ｎ１＜ｎ１’＜2×ｎ１、または1/2×ｎ２＜ｎ２’＜2×ｎ２であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１のポリイミドは、ラビングによって配向処理されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１のポリイミドは、光照射によって配向処理されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶表示装置がＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の表示装置であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れかに記載の液晶表示装置を製造する方法であって、
前記第１のポリイミドの前駆体と、前記第２のポリイミドの前駆体と、前記第３のポリイミドの前駆体と、溶媒と、を含む溶液を前記ＴＦＴ基板に塗布することで前記配向膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項２ないし４の何れかに記載の液晶表示装置が有する前記配向膜の材料であって、
前記第１のポリイミドの前駆体と、前記第２のポリイミドの前駆体と、前記第３のポリイミドの前駆体と、溶媒と、を有することを特徴とする配向膜の材料。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月13日(2016.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係るストロボ装置は、手動によるバウンス位置の変更が可能な発光部と、前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンス手段と、前記オートバウンス手段により前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンスモードにおいて前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させた後に手動による前記発光部のバウンス位置の変更が検出された場合に前記オートバウンスモードを解除する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手動によるバウンス位置の変更が可能な発光部と、
前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンス手段と、
前記オートバウンス手段により前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンスモードにおいて前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させた後に手動による前記発光部のバウンス位置の変更が検出された場合に前記オートバウンスモードを解除する制御手段と、を備えることを特徴とするストロボ装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記オートバウンス手段により前記発光部をバウンス位置へ移動させ後に手動で移動された前記発光部のバウンス位置がバウンス撮影に不適な位置か否かを判定し、不適な位置であると判定した場合に前記発光部を初期位置へ移動させることを特徴とする請求項１記載のストロボ装置。
【請求項３】
前記初期位置は、前記発光部を被写体に対して正面を向く位置であり、
前記制御手段は、前記初期位置に移動させた前記発光部を発光させることを特徴とする請求項２記載のストロボ装置。
【請求項４】
本体部に対して回転可能な発光部と、
前記発光部を前記本体部に対して回転させる駆動手段と、
前記駆動手段を用いることなく前記発光部が前記本体部に対して回転したか否かを判定する判定手段と、
前記駆動手段を用いて前記発光部を前記本体部に対して回転させることが可能なモードにおいて前記判定手段により前記駆動手段を用いることなく前記発光部が前記本体部に対して回転したと判定された場合に前記モードを解除する制御手段と、を有することを特徴とするストロボ装置。
【請求項５】
発光部を手動でバウンス位置へ移動可能なストロボ装置と、前記ストロボ装置が取り付けられる撮像装置とからなる撮像システムであって、
前記ストロボ装置は、
前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンス手段と、
前記オートバウンス手段により前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンスモードにより前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させた後に手動によるバウンス位置の変更が検出された場合に前記オートバウンスモードを解除する制御手段とを備え、
前記撮像装置は、
前記ストロボ装置が前記オートバウンスモードにあるか否かを判定し、前記ストロボ装置が前記オートバウンスモードにある場合に前記制御手段に前記オートバウンス手段を動作させる指令信号を送るカメラ制御部と、を備えることを特徴とする撮像システム。
【請求項６】
発光部を本体部に対して回転させる駆動手段を有するストロボ装置と、前記ストロボ装置が取り付けられる撮像装置からなる撮像システムであって、
前記駆動手段を用いることなく前記発光部が前記本体部に対して回転したか否かを判定する判定手段と、
前記駆動手段を用いて前記発光部を前記本体部に対して回転させることが可能なモードにおいて前記判定手段により前記駆動手段を用いることなく前記発光部が前記本体部に対して回転したと判定された場合に前記モードを解除する制御手段と、を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項７】
発光部の手動によるバウンス位置への移動が可能であると共に、前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンスモードでの動作が可能なストロボ装置の制御方法であって、
前記オートバウンスモードで前記発光部を自動でバウンス位置へ移動させるオートバウンスステップと、
前記オートバウンスモードで前記発光部をバウンス位置へ移動させた後に手動による前記発光部のバウンス位置の変更があった否かを判定する判定ステップと、
前記手動による前記発光部のバウンス位置の変更があった場合にオートバウンスモードを解除する解除ステップと、有することを特徴とするストロボ装置の制御方法。
【請求項８】
発光部を本体部に対して回転させる駆動手段を有するストロボ装置の制御方法であって、
前記駆動手段を用いることなく前記発光部が前記本体部に対して回転したか否かを判定する判定ステップと、
前記駆動手段を用いて前記発光部を前記本体部に対して回転させることが可能なモードにおいて前記判定ステップで前記駆動手段を用いることなく前記発光部が前記本体部に対して回転したと判定された場合に前記モードを解除する制御ステップと、を有することを特徴とするストロボ装置の制御方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載のストロボ装置の制御方法を、ストロボ装置が備えるコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図１６及び２１〜２２に示すクラッディング施工は、Ｕ形経路状に施されたものである。レーザビームがアークに先行又は追随するその他の経路形状を用いて、クラッディング金属３を基材金属２に施工できることが、わかるであろう。１つ以上の実施形態において、経路形状は、平行な区間とこれらの区間間の９０度の移行部とを含む。１つ以上の実施形態において、ハイブリッドヘッド１０が経路の直線状の平行区間においてクラッディング３を施す間はレーザビームとアークとの間の縦方向距離Ｓを零とし、区間間の移行部ではレーザビームをアークに先行又は追随させることができる。ハイブリッドヘッド１０が、直線状区間及び／又は曲線部においてはクラッディング施工方向に対するレーザビームとアークとの一定の幾何学的配置を維持するように、ハイブリッドヘッド１０を構成可能なことがわかるであろう。また、ハイブリッドヘッド１０を用いてクラッディング３を管体に施せることも、わかるであろう。クラッディング３を管体に施すためには、一定の線形移動を維持するようにハイブリッドヘッド１０を構成すると同時に、管体を一定の速度で回転させてクラッディング金属を管体の外径上に堆積させることができるようにするとよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
以上、溶融池２０に入射する十分な出力のレーザビームを用いることにより溶融池２０の温度勾配を安定させて基材金属２上にクラッディング金属３を施す速度を高めることができ、従来のクラッディング施工プロセスと比べてクラッディング施工幅を大きくできることを示してきた。複数のレーザビームを用いて溶融池２０の様々な領域を照射して、温度勾配を更に制限できることは、わかるであろう。複数のビームを得るには、１つのレーザから発せられるレーザビームを分割するか、又は複数のレーザを用いる。レーザ１２を振動させて、レーザビームが溶融池２０の様々な領域を照射するように構成できることがわかるであろう。図２９に、レーザ１２に光結合されると共に、レーザ１２から発せられるレーザビームを溶融池２０に入射する２つ以上のレーザビームに分割するように構成される、ビームスプリッタ１３０の典型的な一実施形態を示す。加えて、図２９では、レーザ１２に結合される制御装置１３２の典型的な一実施形態を示す。この制御装置は、レーザ１２及び放射されるレーザビームを溶融池２０の様々な領域に振動させるように構成された、電子機器、センサ、及びサーボ等の部品を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月1日(2015.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小麦全粒粉を品温１４５〜１８０℃で５〜２０分間、乾熱処理した粒度１００μｍ以下の体積頻度が７０％以上で体積頻度５０％の粒度が３０μｍ以上８０μｍ以下である焙焼小麦全粒粉の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】焙焼小麦全粒粉の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは前記の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、特定の粒度に調製した小麦全粒粉を特定の品温及び時間で焙焼することにより得られた焙焼小麦全粒粉がベーカリー食品の風味や食感を改良できることを見出し、本発明を完成するに至った。
従って、本発明は、小麦全粒粉を品温１４５〜１８０℃で５〜２０分間、乾熱処理した粒度１００μｍ以下の体積頻度が７０％以上で体積頻度５０％の粒度が３０μｍ以上８０μｍ以下である焙焼小麦全粒粉の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月19日(2016.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板の上に設けられたｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を含むメサ構造と、
前記メサ構造の側面から前記基板の前記メサ構造以外の平面部にかけて、前記平面部における厚さが５ｎｍ〜４５ｎｍのｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層上に設けられ、前記メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層と、を具備し、
前記メサ構造の前記活性層の側面の前記基板の主面に対する角度は８０°以上１１５°以下であり、前記メサ構造の前記活性層より下の部分における側面の少なくとも一部の前記基板の主面に対する角度は３８°以上７８°以下であり、
前記メサ構造の前記主面に対する角度が変わる部分は、前記活性層の下端から０．１μｍ以上０．５μｍ以下離れ、
前記平面部および前記活性層より下の部分における側面の少なくとも一部において、前記ｐ型半導体層の厚みと前記ｐ型半導体層のｐ型ドーパントの濃度との積は、２．５×１０１９ｎｍ／ｃｍ３以下である光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、素子容量を抑制しつつ活性層から埋め込み層へ流出するリーク電流を抑制することができる光半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、素子容量を抑制しつつ活性層から埋め込み層へ流出するリーク電流を抑制することができる光半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、
メモリから、前記波長可変レーザを第１波長でレーザ発振させるための駆動条件を取得する第１ステップと、
前記第１波長の駆動条件と、前記第１波長と前記第１波長とは異なる第２波長との波長差分とを参照して、前記波長可変レーザを前記第２波長でレーザ発振させるための駆動条件を算出する第２ステップと、
前記第２波長の駆動条件に基づいて前記波長可変レーザを駆動し、前記波長検知部の出力と前記目標値との差に基づいて、前記波長可変レーザの駆動条件を変更するフィードバック制御を実施して、前記第２波長で前記波長可変レーザを発振させる第３ステップと、
前記第３ステップにおいて、前記第２波長で発振したときの前記フィードバック制御により得られた前記波長可変レーザの駆動条件をメモリに格納する第４ステップと、
前記第４ステップが実行された後、前記メモリから取得した、前記第４ステップにおいて格納された前記波長可変レーザの駆動条件を参照して前記波長可変レーザを駆動する第５ステップと、を含むことを特徴とする波長可変レーザの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エタロンを有する波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、
発振波長を指定する情報を入力する第１ステップと、
メモリから、前記波長可変レーザを第１波長でレーザ発振させるための前記エタロンの波長特性を指定する値を含む駆動条件を取得する第２ステップと、
前記第１波長と前記第１ステップで入力された発振波長である第２波長との波長差分および前記第２ステップで取得された前記エタロンの波長特性の制御値に基づいて、前記波長可変レーザを前記第２波長でレーザ発振させるための前記エタロンの波長特性の制御値を算出する第３ステップと、
前記第３ステップにおいて得られた前記エタロンの波長特性の制御値を前記波長可変レーザに与え、前記波長検知部によって得られた波長検知結果が、あらかじめ定められた前記エタロンの第１目標値となるように前記波長可変レーザの波長を制御する第４ステップと、
前記第１ステップにおいて指定された発振波長からの波長シフト量を示す情報を入力する第５ステップと、
前記波長可変レーザの波長が、前記第５ステップにおいて入力された波長シフト量に相当する分だけ波長がシフトした際に、前記波長シフト量に基づいて前記エタロンの第２目標値を算出する第６ステップと、
前記波長検知部によって得られた波長検知結果が、前記第２目標値となるように前記波長可変レーザの波長を制御する第７ステップと、を含むことを特徴とする波長可変レーザの制御方法。
【請求項２】
前記エタロンの波長特性の制御値は、エタロンの温度であることを特徴とする請求項１記載の波長可変レーザの制御方法。
【請求項３】
前記第６ステップの算出における前記第２目標値と前記第１目標値の変化量ΔＴは、補正係数Ａ，Ｂ、前記シフト量ｆ、および式（Ｉ）より求められる、請求項１または２記載の波長可変レーザの制御方法。
ΔＴ＝（１−Ｂ）２／｛１＋Ｂ２−２ｃｏｓ（Ａｆ）｝      （Ｉ）
ΔＴ：目標値の変化量
Ａ，Ｂ：係数
ｆ：波長シフト量
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板上に接合したパワー半導体素子をベースに接合し、又は、パワー半導体素子をリードフレームに接合して構成される半導体装置であって、
前記パワー半導体素子を接合した前記セラミックス基板を、前記ベース又は前記リードフレームに、Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−３〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田で接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子は、その上面及び下面電極が、前記Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−３〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田で、前記リードフレームに接合されており、各接合部の周囲をハードレジンで封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子が接合された前記セラミックス基板を、Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−５〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ−０．００１〜０．１Ｓｉ（ｍａｓｓ％）半田で、前記ベースに接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子が接合された前記セラミックス基板を、Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−５〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ−０．００１〜０．１Ｔｉ（ｍａｓｓ％）半田で、前記ベースに接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記請求項１又は２に記載した半導体装置において、接合に用いる半田がＳｎ−０〜３．５Ａｇ−５〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記セラミックス基板、もしくは、前記リードフレームは、Ｎｉ系めっきを施した配線を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記請求項６に記載した半導体装置において、前記Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−３〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田による接合部の厚さが５０〜５００μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子として、ＳｉＣもしくはＧａＮを用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子を、Ｚｎ−Ａｌにより、前記セラミックス基板もしくは前記リードフレームに接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子を、焼結Ａｇにより、前記セラミックス基板もしくは前記リードフレームに接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記請求項１に記載した半導体装置において、前記パワー半導体素子を、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物により、前記セラミックス基板もしくは前記リードフレームに接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
セラミックス基板上に接合したパワー半導体素子をベースに接合し、又は、パワー半導体素子をリードフレームに接合して製造される半導体装置の製造方法であって、
前記パワー半導体素子を接合した前記セラミックス基板を前記ベースに、又は、前記パワー半導体素子を前記リードフレームに、Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−３〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田で接合していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記請求項１２に記載した半導体装置の製造方法において、水素あるいは蟻酸による還元雰囲気において、前記パワー半導体素子を接合した前記セラミックス基板を前記ベースに、又は、前記パワー半導体素子を前記リードフレームに、前記Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−３〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田で接合していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記請求項１２に記載した半導体装置の製造方法において、２５０〜３５０℃の最高温度で、前記パワー半導体素子を接合した前記セラミックス基板を前記ベースに、又は、前記パワー半導体素子を前記リードフレームに、前記Ｓｎ−０〜３．５Ａｇ−３〜１０Ｃｕ−１〜４Ｂｉ（ｍａｓｓ％）半田で接合していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
セラミックス基板上に接合したパワー半導体素子をベースに接合し、又は、パワー半導体素子をリードフレームに接合して製造される電力用半導体装置を製造するための半田であって、Ｓｎに対して、０〜３．５（ｍａｓｓ％）のＡｇ、３〜１０（ｍａｓｓ％）のＣｕ、１〜４（ｍａｓｓ％）のＢｉを含んでいることを特徴とする電力用半導体装置を製造するための半田。
【請求項１６】
前記請求項１５に記載した電力用半導体装置を製造するための半田であって、前記Ｃｕを５〜１０（ｍａｓｓ％）含んでいることを特徴とする電力用半導体装置を製造するための半田。
【請求項１７】
前記請求項１６に記載した電力用半導体装置を製造するための半田であって、更に、Ｓｉを０．００１〜０．１（ｍａｓｓ％）含んでいることを特徴とする電力用半導体装置を製造するための半田。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上で薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に配置された第一の基板と、
前記第一の基板と対向して配置された第二の基板と、
前記第一の基板上であって、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置され、前記薄膜トランジスタを含む回路により発光が制御される有機ＥＬ素子層と、
前記有機ＥＬ素子層の前記第二の基板側に配置され、前記有機ＥＬ素子層を覆う、少なくとも無機材料からなる第一の無機層を有する第一の封止膜と、
前記第一の封止膜の前記第二の基板側で、一方向に延び複数並置された第一の検出電極と、
前記第一の検出電極の前記第二の基板側に配置され、少なくとも無機材料からなる第二の無機層を有する第二の封止膜と、
前記第二の封止膜の前記第二の基板側で、前記一方向とは異なる方向に延び、複数並置された第二の検出電極と、
前記第一の検出電極及び前記第二の検出電極のいずれか一方の電位を制御し、いずれか他方で生じた電気的変化を検出することにより、表示面への接触を検知するタッチセンサ制御部と、
を備えることを特徴とするタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第一の検出電極と前記第二の検出電極とは、それぞれ、長方形（ストライプ）型ないし菱（ダイヤモンド）型を連続した形状を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第一の検出電極と前記第二の検出電極とは、それぞれ、マスクスパッタ法、印刷法のいずれか一方の方法によって形成された、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第一の封止膜は、前記第一の無機層の第二の基板側に、有機材料により形成された平坦化層を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載のタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記平坦化層は、１〜１００μｍの厚さを有する、
ことを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記タッチセンサ制御部と接続するための接続端子と、有機ＥＬ素子層の発光を制御するための有機ＥＬ素子制御部と接続するための接続端子とが、前記第一の基板の同一平面上に形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか一項に記載のタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記第一の基板上に配置された有機ＥＬ素子層の駆動用の第一の接続端子は、前記第一の基板上でフレキシブルプリント基板に接続され、
前記第一の基板上であって、前記第一の封止膜上に配置された、前記第一の検出電極と同一の配線層で形成された第二の接続端子は、前記第一の封止膜上で前記フレキシブルプリント基板に接続される、ことを特徴とする、請求項１乃至６いずれか一項に記載のタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置。