【手続補正書】
【提出日】平成28年8月18日(2016.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の少なくとも一面に備えられた導電層と、
前記導電層と前記基材との間に備えられた吸光層と
を含み、
前記吸光層の厚さが１０ｎｍから４００ｎｍであり、
前記基材側において測定した全反射率が１０％以下であり、
前記導電層は、金属及び金属の合金からなる群から選択される少なくとも１つを含み、
前記吸光層は、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物からなる群から選択される１つ又は複数を含む
構造体。
【請求項２】
前記基材側において測定した全反射率が５％以下である
請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記基材側において測定した全反射率が３％以下である
請求項１又は２に記載の構造体。
【請求項４】
前記構造体の２０度グロス値が３５０以下である
請求項１から３の何れか１項に記載の構造体。
【請求項５】
前記構造体の６０度グロス値が３００以下である
請求項１から４の何れか１項に記載の構造体。
【請求項６】
前記金属又は前記金属の合金は、アルミニウム、銀、銅、ネオジム及びニッケルからなる群から選択される１つ又は複数を含む
請求項１から５の何れか１項に記載の構造体。
【請求項７】
前記金属の酸化物、前記金属の窒化物又は前記金属の酸窒化物は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕからなる群から選択される１つ又は複数を含む
請求項１から６の何れか１項に記載の構造体。
【請求項８】
基材と、
前記基材の少なくとも一面に備えられた導電性パターンと、
前記導電性パターンと前記基材との間に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターンと
を含む構造体を含み、
前記吸光性パターンの厚さが１０ｎｍから４００ｎｍであり、
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと接する第１面と前記第１面に対向する第２面とを含み、前記吸光性パターンの前記第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率（Ｒｔ）は、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率（Ｒ０）に比べて、５０〜７０％減少し、
前記導電性パターンは、金属及び金属の合金からなる群から選択される少なくとも１つを含み、
前記吸光性パターンは、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物からなる群から選択される１つ又は複数を含む
タッチパネル。
【請求項９】
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと接する第１面と前記第１面に対向する第２面とを含み、前記吸光性パターンの前記第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率（Ｒｔ）と前記基材の全反射率（Ｒ０）との間の差が４０％以下である
請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記タッチパネルは、前記構造体の一側に備えられた追加の基材をさらに含み、前記構造体に備えられた前記追加の基材の全反射率を前記追加の基材側において測定した時、前記構造体の全反射率と前記追加の基材の全反射率との間の差が９０％以下である
請求項８又は９に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記金属又は前記金属の合金は、アルミニウム、銀、銅、ネオジム及びニッケルからなる群から選択される１つ又は複数を含む
請求項８から１０の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記金属の酸化物、前記金属の窒化物、又は前記金属の酸窒化物は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕからなる群から選択される１つ又は複数を含む
請求項８から１１の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
基材と、前記基材の少なくとも一面上に備えられた導電性パターンと、前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域に備えられた吸光性パターンとを含む積層体をさらに含む
請求項８から１２の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１４】
２個の前記積層体の間に絶縁層が備えられる
請求項１３に記載のタッチパネル。
【請求項１５】
２個の前記積層体が、反対方向又は同じ方向に配置される
請求項１３又は１４に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
前記導電性パターンは、不規則なパターン形態を有する
請求項８から１５の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１７】
前記導電性パターンは、ボロノイ図をなす図形の境界線形態である
請求項１６に記載のタッチパネル。
【請求項１８】
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの線幅と等しいか大きい線幅を有するパターン形態を有する
請求項８から１７の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１９】
前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下、厚さは２μｍ以下、ピッチは６００μｍ以下である
請求項８から１８の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項２０】
請求項８から１９の何れか１項に記載のタッチパネルと、
ディスプレイモジュールと
を含むディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】構造体、タッチパネル及びディスプレイ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また、本発明は、前記タッチパネルおよびディスプレイモジュールを含むディスプレイを提供する。
［項目１］
基材と、
前記基材の少なくとも一面に備えられた導電層；および
前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層
を含む構造体。
［項目２］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする、項目１に記載の構造体。
［項目３］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が１０％以下であることを特徴とする、項目１または２に記載の構造体。
［項目４］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が５％以下であることを特徴とする、項目１から３の何れか１項に記載の構造体。
［項目５］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が３％以下であることを特徴とする、項目１から４の何れか１項に記載の構造体。
［項目６］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする、項目１から５の何れか１項に記載の構造体。
［項目７］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が１０％以下であることを特徴とする、項目１から６の何れか１項に記載の構造体。
［項目８］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が５％以下であることを特徴とする、項目１から７の何れか１項に記載の構造体。
［項目９］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が３％以下であることを特徴とする、項目１から８の何れか１項に記載の構造体。
［項目１０］
前記導電層が基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする、項目１から９の何れか１項に記載の構造体。
［項目１１］
前記導電層が前記基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が１０％以下であることを特徴とする、項目１から１０の何れか１項に記載の構造体。
［項目１２］
前記導電層が前記基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が５％以下であることを特徴とする、項目１から１１の何れか１項に記載の構造体。
［項目１３］
前記導電層が前記基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が３％以下であることを特徴とする、項目１から１２の何れか１項に記載の構造体。
［項目１４］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３５０以下であることを特徴とする、項目１から１３の何れか１項に記載の構造体。
［項目１５］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目１から１４の何れか１項に記載の構造体。
［項目１６］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目１から１５の何れか１項に記載の構造体。
［項目１７］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が２５０以下であることを特徴とする、項目１から１６の何れか１項に記載の構造体。
［項目１８］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が３０〜４０であることを特徴とする、項目１から１７の何れか１項に記載の構造体。
［項目１９］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が２５〜３０であることを特徴とする、項目１から１８の何れか１項に記載の構造体。
［項目２０］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１６〜２５であることを特徴とする、項目１から１９の何れか１項に記載の構造体。
［項目２１］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が５〜１６であることを特徴とする、項目１から２０の何れか１項に記載の構造体。
［項目２２］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１〜５であることを特徴とする、項目１から２１の何れか１項に記載の構造体。
［項目２３］
前記吸光層は、誘電性物質、金属、金属の合金、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目１から２２の何れか１項に記載の構造体。
［項目２４］
前記金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目２３に記載の構造体。
［項目２５］
基材；
前記基材の少なくとも一面に備えられた導電性パターン；および
前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターン
を含む構造体を含むタッチパネル。
［項目２６］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの両面のうちディスプレイモジュールが取り付けられる面に対向する面に備えられることを特徴とする、項目２５に記載のタッチパネル。
［項目２７］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの両面に備えられることを特徴とする、項目２５または２６に記載のタッチパネル。
［項目２８］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて１０〜２０％減少することを特徴とする、項目２５から２７の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目２９］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて２０〜３０％減少することを特徴とする、項目２５から２８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３０］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて３０〜４０％減少することを特徴とする、項目２５から２９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３１］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて４０〜５０％減少することを特徴とする、項目２５から３０の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３２］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて５０〜７０％減少することを特徴とする、項目２５から３１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３３］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が４０％以下であることを特徴とする、項目２５から３２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３４］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が３０％以下であることを特徴とする、項目２５から３３の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３５］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が２０％以下であることを特徴とする、項目２５から３４の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３６］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が１０％以下であることを特徴とする、項目２５から３５の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３７］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が９０％以下であることを特徴とする、項目２５から３６の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３８］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が７０％以下であることを特徴とする、項目２５から３７の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３９］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が３０％以下であることを特徴とする、項目２５から３８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４０］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が１０％以下であることを特徴とする、項目２５から３９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４１］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３５０以下であることを特徴とする、項目２５から４０の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４２］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目２５から４１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４３］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目２５から４２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４４］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が２５０以下であることを特徴とする、項目２５から４３の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４５］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が３０〜４０であることを特徴とする、項目２５から４４の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４６］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が２５〜３０であることを特徴とする、項目２５から４５の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４７］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１６〜２５であることを特徴とする、項目２５から４６の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４８］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が５〜１６であることを特徴とする、項目２５から４７の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４９］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１〜５であることを特徴とする、項目２５から４８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５０］
前記構造体のヘイズ値は５％以下であることを特徴とする、項目２５から４９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５１］
前記構造体のヘイズ値は３％以下であることを特徴とする、項目２５から５０の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５２］
前記構造体のヘイズ値は１．５％以下であることを特徴とする、項目２５から５１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５３］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと前記基材との間に備えられることを特徴とする、項目２５から５２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５４］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの前記基材側の反対面に備えられることを特徴とする、項目２５から５２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５５］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと前記基材との間、および前記導電性パターンの前記基材側の反対面に全て備えられることを特徴とする、項目２５から５２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５６］
基材と、前記基材の少なくとも一面上に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域に備えられた吸光性パターンを含む積層体をさらに含むことを特徴とする、項目２５から５５の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５７］
２個の前記積層体の間に絶縁層が備えられることを特徴とする、項目５６に記載のタッチパネル。
［項目５８］
２個の前記積層体は、互いに反対方向または同じ方向に配置されることを特徴とする、項目５６または５７に記載のタッチパネル。
［項目５９］
前記基材の両面に、各々、前記導電性パターンおよび吸光性パターンが備えられることを特徴とする、項目２５から５８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６０］
前記導電性パターンは、不規則なパターン形態を有することを特徴とする、項目２５から５９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６１］
前記導電性パターンは、ボロノイ図をなす図形の境界線形態であることを特徴とする、項目６０に記載のタッチパネル。
［項目６２］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの線幅と等しいか大きい線幅を有するパターン形態を有することを特徴とする、項目２５から６１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６３］
前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下、厚さは２μｍ以下、およびピッチは６００μｍ以下であることを特徴とする、項目２５から６２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６４］
前記吸光性パターンは、蒸着法によって形成されることを特徴とする、項目２５から６３の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６５］
前記吸光性パターンおよび前記導電性パターンは、蒸着法によって形成されることを特徴とする、項目２５から６４の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６６］
前記積層体の導電性パターンのうち電気的に接続された導電性パターンの面抵抗が０．５〜２００オーム／スクエアであることを特徴とする、項目５６に記載のタッチパネル。
［項目６７］
前記吸光性パターンは、誘電性物質、金属、金属の合金、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目２５から６６の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６８］
前記金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目６７に記載のタッチパネル。
［項目６９］
項目２５から６８の何れか１項に記載のタッチパネルおよびディスプレイモジュールを含むディスプレイ。
［項目７０］
透明基材；
前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、金属、金属合金、金属酸化物、金属窒化物および金属酸窒化物のうち少なくとも１つを含む導電層；および
前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層を含み、
前記吸光層が前記導電層と透明基材との間に備えられ、
前記透明基材側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする構造体。
［項目７１］
透明基材；
前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、アルミニウム、銀、銅、ネオジムおよびニッケルからなる金属群から選択される１種以上の金属、前記金属群から選択される２種以上の金属の合金、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸化物、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む窒化物、および前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸窒化物からなる群から選択される少なくとも１つを含む導電性パターン；および
前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターン
を含む構造体を含むタッチパネル。