【事件の表示】
　特願２０１２−　４５６６６「ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　８日出願公開、特開２０１２−２１６７８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年３月１日（国内優先権主張　優先日：平成２３年３月３１日）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　２月１７日　審査請求
平成２７年　６月１２日　拒絶理由通知
平成２７年　８月１７日　意見書
平成２８年　２月２５日　拒絶査定
平成２８年　６月　１日　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年６月１日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し，０≦ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり，
　前記Ａが，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａから選択される少なくともいずれかを含むことを特徴とするｐ型酸化物。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項１】
　組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し，０≦ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり，
　前記Ａが，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａから選択される少なくともいずれかを含
み，
　
前記Ａが，Ｓｒである場合は，下記組成式（１）（ただし，下記組成式（１）中，０≦ｘ＜５０，又は５０＜ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表される
　
ｘＳｒＯ・ｙＣｕ
２
Ｏ　・・・組成式（１）
（３）本件補正事項
　本件補正は，補正前請求項１の「ｐ型酸化物」について「
前記Ａが，Ｓｒである場合は，下記組成式（１）（ただし，下記組成式（１）中，０≦ｘ＜５０，又は５０＜ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表される
　
ｘＳｒＯ・ｙＣｕ
２
Ｏ　・・・組成式（１）
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１の記載からみて，本件補正事項は，請求項１に記載されたｐ型酸化物のうち，モル比率が５０のＳｒＯを含むｐ型酸化物を除くにすぎず，新たな技術的事項を導入するものではないから，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正事項は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し，０≦ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり，
　前記Ａが，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａから選択される少なくともいずれかを含み，
　前記Ａが，Ｓｒである場合は，下記組成式（１）（ただし，下記組成式（１）中，０≦ｘ＜５０，又は５０＜ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されることを特徴とするｐ型酸化物。
　ｘＳｒＯ・ｙＣｕ２Ｏ　・・・組成式（１）」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に国内で頒布された刊行物である特開２０００−２２８５１６号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
半導体積層薄膜構造，およびこれを用いたダイオード素子および半導体積層薄膜構造を含んだ電子デバイス
（イ）「【００１１】
無機物層は酸化物であり，例えばＳｒＣｕ
2
Ｏ
2
 では
，
Ｃｕ
+
 の陽イオンが酸化物中に導入されている。この陽イオンのｄ
10
電子の準位は，酸素イオンの２ｐ
6
 電子の準位に近接しているため，これらの準位が混成する。陽イオンと酸素イオンにより混成された電子準位は，価電子帯上端のホールの強い局在化を和らげ，酸素イオン上に局在化したホールを比局在化し，室温においても，イオン化できる準位になり，Ｐ型導電性を示す。
（ウ）「【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の積層薄膜は，基板上に，少なくとも，１価のＣｕを含む複合酸化物を含有する無機物層と，少なくともｎ型導電性を示す層が積層されている構造体を有する。また，好ましくは無機物層のバンドギャップが２．５eV以上であり，さらに好ましくは無機物層がｐ型半導体である。
【００１７】1価のＣｕを含む複合酸化物のうち，デラフオサイト化合物，例えば，ＣｕＡｌＯ2 化合物では，1価のＣｕと，３価のＡｌによるＣｕ+，ＡｌＯ2 - がそれぞれｃ軸に垂直な２次元平面を形成し，交互に積層している。
ＳｒＣｕ
2
Ｏ
2
 は，Ｏ−Ｃｕ−Ｏのダンベル構造のユニットがジグザグにつながり，１次元のチェーンを結晶構造中で形成している。
ＳｒＣｕ
2
Ｏ
2
は，エピタキシャル膜でもよいが，非晶質，多結晶の薄膜においてもｐ型導電性を示す薄膜
【００１８】本発明で用いる１価のＣｕを含む複合酸化物としては，ＣｕＡｌＯ2 に代表されるＩ−III−VI2 族のデラフオサイト化合物である。または，ＳｒＣｕ2Ｏ2 において，Ｓｒに代わり他のアルカリ土類金属，またはＳｃ，Ｙおよび他の希土類金属を用いた，例えば，ＢａＣｕ2Ｏ2 等のＡＣｕ2Ｏ2 （Ａ：アルカリ土類金属，または希土類金属）で表されるものが好ましい。さらに，これらの化合物を用いた複数成分の組み合わせの混晶化合物が好ましい。
【００１９】これらの化合物の組成比は厳密に上記した値をとるのではなく，それぞれの元素に関してある程度の固溶限を有している。従って，ＣｕＡｌＯ2，ＳｒＣｕ2Ｏ2 などの酸化物は，その範囲の組成比であればよい。
【００２０】以上のような化合物の中でも，ＣｕＡｌＯ2，ＣｕＧａＯ2，ＡＣｕ2Ｏ2 （Ａ：アルカリ土類金属，または希土類金属で，特にＳｒが好ましい）およびこれらの混晶化合物は，組成制御が容易でｐ型のワイドギャップの半導体となるため特に好ましい。
【００２１】また，本発明の無機物層は，バンドギャップが２．５eV以上，より好ましくは２．７eV以上，さらには３．０eV以上，特に３．２eVであることが好ましい。その上限は，特に規制されるものではないが，通常，４eV程度である。バンドギャップが２．５eV以上の無機物層に用いる材料は，上述した１価のＣｕを含む複合酸化物中より適宜選択して用いればよい。
【００２２】さらに
本発明の無機物層は，ｐ型半導体であるとさらに好ましい。
組成をずらすことによりｐ型化を行うことが特に好ましい。
　イ　引用発明
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＳｒＣｕ2Ｏ2の非晶質のｐ型導電性を示す薄膜。」
　なお，「非晶質」とは「アモルファス」と同義であり，「短距離秩序はあるが，長距離秩序はない固体」のこと（清水編「アドバンスト　エレクトロニクスＩ−２　アモルファス半導体」，１９９４年，培風館，ｐ．１，以下，「非晶質の定義」という。）である。本願明細書（段落０１１６−０１３２及び図１４−３０）においても，Ｘ線回折のプロファイル形状により「アモルファス状態」を確認したことが記載されており，非晶質の定義と整合するものである。
　そして，引用文献１には，ＳｒＣｕ2Ｏ2 では，Ｃｕ+ の陽イオンのｄ10電子の準位は，酸素イオンの２ｐ6 電子の準位に近接しているため，これらの準位が混成し，価電子帯上端のホールの強い局在化を和らげることにより，Ｐ型導電性を示し（前記（２）ア（イ）），Ｏ−Ｃｕ−Ｏのダンベル構造のユニットがジグザグにつながり，１次元のチェーンを結晶構造中で形成している（前記（２）ア（ウ））こと（以下，「Ｐ型導電性原理」という。）が記載されているが，非晶質の定義によれば，非晶質においても短距離秩序があることから，Ｐ型導電性原理を排斥するものではなく，当業者にとって，引用文献１には「非晶質」の「ｐ型導電性を示す」薄膜が記載されていると認められる。
（３）本願補正発明と引用発明との対比
　引用発明の「ＳｒＣｕ2Ｏ2」は「非晶質」であるから，本願補正発明の「組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し，０≦ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり，前記Ａが，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａから選択される少なくともいずれかを含」むを満たすものである。
　引用発明の「ｐ型導電性を示す薄膜」と本願補正発明の「ｐ型酸化物」とは，「ｐ型導電性の物」という点で共通する。
　すると，本願補正発明と引用発明とは，下記アの点で一致するが，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し，０≦ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり，
　前記Ａが，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａから選択される少なくともいずれかを含むことを特徴とするｐ型導電性の物。」　
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明においては「ｐ型導電性の物」が「ｐ型酸化物」であるのに対し，引用発明においては「ｐ型導電性の物」が「ｐ型導電性を示す薄膜」である点。
（イ）相違点２
　本願補正発明においては「前記Ａが，Ｓｒである場合は，下記組成式（１）（ただし，下記組成式（１）中，０≦ｘ＜５０，又は５０＜ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表される，ｘＳｒＯ・ｙＣｕ２Ｏ　・・・組成式（１）」のに対し，引用発明においてはＳｒＯとＣｕ２Ｏの組成比は５０：５０である点。
（４）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用文献１には薄膜構造をダイオード素子や電子デバイスに用いることが示唆されており（前記（２）ア（ア）），引用発明１の「薄膜」を電子デバイスの用途等の広い用途に用いることができる材料としての「ｐ型酸化物」として認識することは当業者が容易になしうることである。
　イ　相違点２について
　引用文献１には組成をずらすことによりｐ型化を行うことが示唆されており（前記（１）ア（ウ）【００２２】），この示唆に従い，引用発明１「ＳｒＣｕ2Ｏ2」の組成をずらしてｐ型導電性の調整をすることは当業者が適宜なし得ることである。
（５）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明の構成から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
（６）まとめ
　本願補正発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２８年６月１日にされた手続補正は前記第２のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，願書に添付された特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
「組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し，０≦ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり，
　前記Ａが，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａから選択される少なくともいずれかを含むことを特徴とするｐ型酸化物。」
２　引用発明
　引用発明は，前記第２の２（２）のとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は，本願補正発明から「前記Ａが，Ｓｒである場合は，下記組成式（１）（ただし，下記組成式（１）中，０≦ｘ＜５０，又は５０＜ｘ＜１００，かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表される，ｘＳｒＯ・ｙＣｕ２Ｏ　・・・組成式（１）」という限定事項を削除したものである。
　そうすると，前記第２の２（３）より，本願発明と引用発明とは相違点１で相違し，その余の点で一致すると認められる。
　そして，前記第２の２（４）アのとおり，相違点１に係る構成を想到することは当業者が容易になし得ることであり，かつ，本願発明の効果は，引用発明の構成から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
　よって，本願発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。