Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上に第３の酸化物半導体層と、
を有し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層は少なくともインジウムとガリウムとを含み、
前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第１の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第３の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の酸化物半導体層の膜厚より大きく、
前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第３の酸化物半導体層の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に第１の導電層と、
前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層と、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上に第３の酸化物半導体層と、
を有し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層は少なくともインジウムとガリウムとを含み、
前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第１の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第３の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の酸化物半導体層の膜厚より大きく、
前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第３の酸化物半導体層の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第３の絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる第１の領域と、前記第１の酸化物半導体層と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層の側面は、前記第１の酸化物半導体層の側面とそろうように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月19日(2016.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物半導体基板上の発光ダイオード層を有し、
前記金属酸化物半導体基板は複数の結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸が前記金属酸化物半導体基板の表面に概略垂直である発光デバイス。
【請求項２】
請求項１において、前記金属酸化物半導体基板と前記発光ダイオード層との間にバッファ層を有する発光デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記金属酸化物半導体基板は、基底基板上に設けられている発光デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記発光ダイオード層は、第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上の発光層と、前記発光層上の第２のクラッド層を有し、
前記第１のクラッド層、前記発光層、及び前記第２のクラッド層は、それぞれ１３族−１５族化合物半導体である発光デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記発光ダイオード層は、第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上の発光層と、前記発光層上の第２のクラッド層を有し、
前記第１のクラッド層は、ｎ型１３族−１５族化合物半導体であり、
前記発光層は、１３族−１５族化合物半導体であり、
前記第２のクラッド層は、ｐ型１３族−１５族化合物半導体である発光デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記金属酸化物半導体基板はガリウムを含む発光デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記金属酸化物半導体基板はインジウム及びガリウムを含む発光デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記金属酸化物半導体基板はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シフトレジスタと、前記シフトレジスタの出力信号に従ってビデオ信号をサンプリングする回路と、を有し、
前記回路は、複数のトランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体積層に設けられ、
前記酸化物半導体積層は、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比より大きく、
前記第２の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
シフトレジスタと、前記シフトレジスタの出力信号に従ってビデオ信号をサンプリングする回路と、を有し、
前記回路は、複数のトランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体積層に設けられ、
前記酸化物半導体積層は、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜下の、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比より大きく、
前記第２の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
シフトレジスタと、前記シフトレジスタの出力信号に従ってビデオ信号をサンプリングする回路と、を有し、
前記回路は、複数のトランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体積層に設けられ、
前記酸化物半導体積層は、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜下の、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第２の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、インジウム及びインジウム以外の第１３族元素を含む第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比より大きく、
前記第２の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比以下であり、
前記第３の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第１３族元素の原子数比の２倍より大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域を有する酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体積層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と接する領域を有する第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と前記絶縁層との間に位置する第２の酸化物半導体層と、を含み、
前記第１の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、且つ、前記インジウムの組成は、前記ガリウムの組成以下であり、
前記第２の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、且つ、前記インジウムの組成は、前記ガリウムの組成よりも大きく、
前記第１の酸化物半導体層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の構成元素を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域を有する酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体積層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と接する領域を有する第１の酸化物半導体層と、前記絶縁層と接する領域を有する第３の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と前記第３の酸化物半導体層の間に位置する第２の酸化物半導体層を含み、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、且つ、前記インジウムの組成は、前記ガリウムの組成以下であり、
前記第２の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、且つ、前記インジウムの組成は、前記ガリウムの組成よりも大きく、
前記第１の酸化物半導体層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の構成元素を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域を有する酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体積層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と接する領域を有する第１の酸化物半導体層と、前記絶縁層と接する領域を有する第３の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と前記第３の酸化物半導体層の間に位置する第２の酸化物半導体層を含み、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、且つ、前記インジウムの組成は、前記ガリウムの組成以下であり、
前記第２の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、且つ、前記インジウムの組成は、前記ガリウムの組成よりも大きく、
前記第１の酸化物半導体層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の構成元素を含む領域を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、前記絶縁層の構成元素を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記絶縁層は、窒化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に、バッファ層を形成し、
前記バッファ層上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に対して９００℃以上１５００℃以下の加熱処理を行い、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体基板上に、酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に、バッファ層を形成し、
前記バッファ層上に、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する酸化物半導体膜にリン、ボロン、または窒素を選択的に添加し、
前記リン、ボロン、または窒素を添加した後、前記酸化物半導体膜に対して９００℃以上１５００℃以下の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体基板上に、酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に、バッファ層を形成し、
前記バッファ層上に、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する酸化物半導体膜にリン、ボロン、または窒素を選択的に添加し、
前記リン、ボロン、または窒素を添加した後、前記酸化物半導体膜に対して９００℃以上１５００℃以下の加熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、およびドレイン電極を用いて、前記リン、ボロン、または窒素を添加した領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体基板は、単結晶シリコン基板であり、
前記酸化物絶縁膜は、熱酸化膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記バッファ層は、ガリウムを有するであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域乃至第３の領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の領域乃至前記第３の領域に対し、低抵抗化させる処理を行い、
前記第１の領域と重なるように、ソース電極を形成し、かつ前記第３の領域と重なるように、ドレイン電極を形成し、
前記第２の領域に対し、高抵抗化させる処理を行い、
前記第２の領域と重なるゲート電極を、ゲート絶縁膜を介して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の領域乃至第３の領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の領域乃至前記第３の領域に対し、低抵抗化させる処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の領域と重なる、犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面を除去することで、前記犠牲層を露出させ、
前記露出した前記犠牲層を除去することで、前記ゲート絶縁膜を露出させ、
前記露出した前記ゲート絶縁膜を介して、前記第２の領域に対し、高抵抗化させる処理を行い、
前記第２の領域と重なるゲート電極を、前記ゲート絶縁膜を介して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜を低抵抗化させる処理として、レーザ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜を低抵抗化させる処理として、４５０℃以上７４０℃以下での加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜を高抵抗化させる処理として、プラズマ酸化または酸素イオン注入を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血小板減少症を治療するための経口剤形であって、
１０〜７５ｍｇの式（Ｉ）の化合物または製薬的に許容されるその塩を含んでおり、
前記剤形は、ヒト被験体への一回量の投与後に、剤形中に含まれる各１ｍｇの化合物に対して３ｎｇ／ｍｌ〜８ｎｇ／ｍｌの平均最大血漿中濃度（Ｃｍａｘ）をもたらす、
経口剤形。
【化１】
2015221806.tif 000001
【請求項２】
請求項１に記載の経口剤形であって、
１０〜２０ｍｇの式（Ｉ）の化合物または製薬的に許容されるその塩を含む、
経口剤形。
【請求項３】
請求項１に記載の経口剤形であって、
１０または２０ｍｇの式（Ｉ）の化合物または製薬的に許容されるその塩を含む、
経口剤形。
【請求項４】
請求項２または３に記載の経口剤形であって、
前記化合物またはその塩は２０ｍｇ以下の一日量で投与される、
経口剤形。
【請求項５】
請求項１に記載の経口剤形であって、
前記剤形は、錠剤または懸濁剤の形態である、
経口剤形。
【請求項６】
請求項１に記載の経口剤形であって、
前記製薬的に許容される塩は、鉱酸、有機酸、無機塩基との塩、有機塩基との塩、またはアンモニウム塩である、
経口剤形。
【請求項７】
請求項６に記載の経口剤形であって、
前記製薬的に許容される塩は、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、メチルアミン、エチルアミン、エタノールアミン、リシン、またはオルニチンである、
経口剤形。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
（本発明例１〜５）
本発明例１〜５のＭＯＳＦＥＴデバイスに用いられた半導体基板１０は、上述した実施の形態１に記載された製造方法に従って製造された。具体的には、種結晶１３としてポリタイプが４Ｈの炭化珪素を使用した。次に、成長温度が２３００℃で、かつ成長圧力が約４ｋＰａ（３０Ｔｏｒｒ）の条件で、種結晶１３の表面に炭化珪素結晶を昇華法（高周波加熱法）により成長させた。炭化珪素結晶の昇華に用いられる装置のルツボ１１はグラファイト製とした。ルツボ１１の外径をφ１４０ｍｍとし、ルツボ１１の内径をφ１２０ｍｍとし、ルツボ１１の高さを１００ｍｍとした。種結晶１３のサイズを口径４インチとした。種結晶１３の（０００１）面に対するオフ角を４度とした。また、種結晶１３の表面をＣＭＰ処理することにより、種結晶１３の表面の２乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）を１ｎｍ未満とした。原料１２として、炭化珪素パウダーを使用した。炭化珪素結晶１４の成長速度を毎時０．０１ｍｍ未満とした。上記の方法で製造した半導体基板１０の転位密度を実施の形態１で説明した方法により測定することで、本発明例１〜５に用いられる基板を得た。本発明例１〜５のデバイスに用いられる半導体基板１０は、１辺１ｍｍのいずれの正方形領域４においても、バーガースベクトルが＜０００１＞方向に平行な成分と＜１１−２０＞方向に平行な成分とを含む転位の密度が１×１０5ｃｍ-2以下である基板である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月31日(2016.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素錠中に素錠重量に対して２〜１０重量％のモンテルカストナトリウムとＤ−マンニトールを含み、水溶性高分子及び酸化チタンを含むコーティング剤を、素錠重量に対して６重量％以上フィルムコーティングした、フィルムコーティング錠。
【請求項２】
モンテルカストナトリウムとＤ−マンニトールと結合剤を含む顆粒を含む、請求項１に記載のフィルムコーティング錠。
【請求項３】
７０〜９０重量％のＤ−マンニトールを含む、請求項１又は２に記載のフィルムコーティング錠。
【請求項４】
結合剤がヒドロキシプロピルセルロース、ヒプロメロース、メチルセルロース、ポビドンから選ばれる１つ以上である、請求項２又は３に記載のフィルムコーティング錠。
【請求項５】
結合剤がヒドロキシプロピルセルロースであり、さらに崩壊剤としてクロスカルメロースナトリウムと微結晶セルロースの混合物を含み、さらに滑沢剤としてステアリン酸マグネシウムを含む、請求項２〜４のいずれかに記載の錠剤。
【請求項６】
素錠重量に対して１〜３重量％の酸化チタンをコーティング剤中に含む、請求項１〜５のいずれかに記載のフィルムコーティング錠。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月6日(2016.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために、起泡性組成物について検討を繰り返した結果、水性溶媒(水および多価アルコール等)を70重量％以上含み、低級アルコールを含まない液状組成物に、起泡剤として二種類の界面活性剤を添加して調製した原液(発泡可能な液体組成物)によって、前記課題を解決できることを見い出し、本発明を完成した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に係る起泡性組成物は、低級アルコール(エタノール等の炭素数1〜3の脂肪族一価アルコール)を含まないため、皮膚への刺激性が低い。したがって、本発明に係る起泡性組成物は、過敏な状態の皮膚(例えば乾燥やアトピー等によりバリア機能が低下した皮膚)を治療するための局所用医薬組成物として適している。本発明に係る組成物は特に、乾燥性皮膚疾患、アトピー性皮膚炎、乾癬等の皮膚疾患を治療するのに適している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートにトナー像を転写する転写部と、転写されたトナー像を加熱してシートに定着する定着部を備える画像形成装置に接続され、当該画像形成装置によって定着された画像が載せられたシートを搬送するシート搬送装置であって、
シートを加湿液により加湿する加湿部と、
シートの搬送方向において前記加湿部よりも下流に設けられ、シートの表面の加湿液をその内部へ吸収可能な吸収部材と、
を有することを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】
前記吸収部材は、表面に多孔質材料を備えることを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項３】
前記多孔質材料は、連泡構造を備えることを特徴とする請求項２に記載のシート搬送装置。
【請求項４】
前記吸収部材は、表面に発泡スポンジ材を有した、シートを挟持して搬送するローラ対を有することを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項５】
前記吸収部材は、表面に繊維材料を備えることを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項６】
前記吸収部材は、張架ローラにより張架された不織布からなるエンドレスベルトを有した、シートを挟持して搬送するベルト対を有することを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項７】
シートの搬送方向において前記吸収部材より下流に設けられ、シートに張力を付与する張力付与部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項８】
前記張力付与部は、
第１のニップ部によりシートを挟持して搬送する第１の回転体対と、
シートの搬送方向において前記第１の回転体対よりも下流に設けられ、第２のニップ部によりシートを挟持して搬送する第２の回転体対と、
前記第１の回転体対に負荷トルクを与える負荷部と、を有することを特徴とする請求項７に記載のシート搬送装置。
【請求項９】
前記張力付与部は、シートの搬送方向と直交する幅方向における中央部の領域に搬送方向の張力をシートに付与することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のシート搬送装置。
【請求項１０】
前記加湿部は、シートに加湿液を噴霧するための複数の噴出口を備え、隣り合う噴出口からシートへの噴霧領域が重なりあうことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１１】
前記加湿部は、
互いに接触してニップ部を形成し、前記ニップ部を通過するシートを加湿する加湿ローラ対と、
前記加湿ローラに接触して、前記加湿ローラに加湿液を供給する給水ローラと、
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１２】
前記吸収部材により吸収された水分を回収する回収部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１３】
前記回収部は、前記吸収部材に所定の加圧力で当接し、前記吸収部材に吸収された加湿液を搾り出すことを特徴とする請求項１２に記載のシート搬送装置。
【請求項１４】
加湿部によりシートを加湿するための加湿液を収容する収容部材を備え、
前記回収部により回収された加湿液を前記収容部材へ送る送り部材を備えることを特徴とする請求項１２に記載のシート搬送装置。
【請求項１５】
シートにトナー像を転写する転写部と、
転写されたトナー像を加熱してシートに定着する定着部と、
トナー像を定着したシートを搬送する請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載のシート搬送装置と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の代表的な構成は、シートにトナー像を転写する転写部と、転写されたトナー像を加熱してシートに定着する定着部を備える画像形成装置に接続され、当該画像形成装置によって定着された画像が載せられたシートを搬送するシート搬送装置であって、シートを加湿液により加湿する加湿部と、シートの搬送方向において前記加湿部よりも下流に設けられ、シートの表面の加湿液をその内部へ吸収可能な吸収部材と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月25日(2016.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物処理を経た後の生物処理水の電気伝導率又は塩化物イオン濃度を測定して、予め求めておいた検量線を用いて溶解性ＣＯＤ濃度を推定し、推定した溶解性ＣＯＤ濃度と粉末活性炭のＣＯＤ平衡吸着量とに基づいて粉末活性炭の必要量を算出し、当該粉末活性炭の必要量を当該生物処理水に添加して処理水を得ることを特徴とする、有機性排水の処理方法。
【請求項２】
生物処理を経た後の生物処理水の電気伝導率又は塩化物イオン濃度を測定する測定手段と、当該電気伝導率又は塩化物イオン濃度に相当する溶解性ＣＯＤ濃度を推定して、当該推定溶解性ＣＯＤ濃度と粉末活性炭のＣＯＤ平衡吸着量とに基づいて粉末活性炭の必要量を決定する演算手段と、当該必要量の粉末活性炭を当該生物処理水に添加する粉末活性炭添加手段と、を具備することを特徴とする有機性排水の処理装置。
【請求項３】
生物処理水に凝集剤を添加する混和槽をさらに具備し、
前記測定手段は、当該混和槽に導入される前の生物処理水の電気伝導率又は塩化物イオン濃度を測定し、
前記粉末活性炭添加手段は、当該混和槽中の生物処理水に粉末活性炭を添加する
ことを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
生物処理水を受け容れる膜分離槽をさらに具備し、
前記測定手段は、当該膜分離槽に導入される前の生物処理水の電気伝導率又は塩化物イオン濃度を測定し、
前記粉末活性炭添加手段は、当該膜分離槽中の生物処理水に粉末活性炭を添加する
ことを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
溶融した溶融金属を吐出して、吐出した当該溶融金属により部品の接合を行う溶融金属吐出装置を用いた溶融金属吐出方法であって、
溶融金属吐出装置は、
内部に前記溶融金属を収納する筒状のシリンジと、
前記シリンジ内部を摺動して前記溶融金属を押圧するシャフトと、
前記シリンジの周囲に設けられ、前記溶融金属を加熱して溶融状態を保つヒーターと、
を備え、
前記シリンジは、前記シャフトが摺動するシャフト摺動部と、当該シャフト摺動部よりも内径が小さく、先端の開口部から前記溶融金属を吐出するノズルと、を備え、
前記シリンジを、前記ノズルの延在方向を回転中心として回転させる回転機構をさらに備え、
前記ノズルの内側表面には、前記溶融金属をはじくコーティングが施されており、
溶融金属吐出方法は、
（ａ）前記ノズル内部に前記溶融金属が保持された状態において、前記回転機構により前記シリンジを回転させる工程と、
（ｂ）前記シャフトを前記ノズル方向へ向けて摺動させて前記ノズルの開口部から前記溶融金属を押し出す工程と、
を備え、
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）を同時に行うことを特徴とする、
溶融金属吐出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記溶融金属吐出装置は、
ガスを前記ノズル内側に吹き付けるためのガス配管をさらに備え、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記ガス配管を通じて、不活性ガスを前記ノズル内側に吹き付ける工程をさらに備える、
請求項６に記載の溶融金属吐出方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係る溶融金属吐出方法は、溶融した溶融金属を吐出して、吐出した溶融金属により部品の接合を行う溶融金属吐出装置を用いた溶融金属吐出方法であって、溶融金属吐出装置は、内部に溶融金属を収納する筒状のシリンジと、シリンジ内部を摺動して溶融金属を押圧するシャフトと、シリンジの周囲に設けられ、溶融金属を加熱して溶融状態を保つヒーターと、を備え、シリンジは、シャフトが摺動するシャフト摺動部と、シャフト摺動部よりも内径が小さく、先端の開口部から溶融金属を吐出するノズルと、を備え、シリンジを、ノズルの延在方向を回転中心として回転させる回転機構をさらに備え、ノズルの内側表面には、溶融金属をはじくコーティングが施されており、溶融金属吐出方法は、（ａ）ノズル内部に溶融金属が保持された状態において、回転機構によりシリンジを回転させる工程と、（ｂ）シャフトをノズル方向へ向けて摺動させてノズルの開口部から溶融金属を押し出す工程と、を備え、工程（ａ）と工程（ｂ）を同時に行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、図１に示した移動機構４０により、シリンジ５を含む吐出機構部５０を移動させて、シリンジ５のノズル５ｂを貯留槽１に貯留されている溶融金属２に浸す。そして、シャフト制御部１０は、アクチュエーター３０を制御してシャフト４を矢印Ａ２方向に上昇させる。すると、シリンジ５の内部が減圧されるため、貯留槽１に貯留されている溶融金属２が、ノズル５ｂを通ってシリンジ５内部に吸入される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、本実施の形態１における溶融金属吐出方法は、溶融した溶融金属２を吐出して、吐出した溶融金属２により部品の接合を行う溶融金属吐出装置１００を用いた溶融金属吐出方法であって、溶融金属吐出装置１００は、内部に溶融金属２を収納する筒状のシリンジ５と、シリンジ５内部を摺動して溶融金属２を押圧するシャフト４と、シリンジ５の周囲に設けられ、溶融金属を加熱して溶融状態を保つヒーター（シリンジ保温ヒーター６）と、を備え、シリンジ５は、シャフト４が摺動するシャフト摺動部５ａと、シャフト摺動部５ａよりも内径が小さく、先端の開口部から溶融金属を吐出するノズル５ｂと、を備え、シリンジ５を、ノズル５ｂの延在方向を回転中心として回転させる回転機構２０をさらに備え、ノズル５ｂの内側表面には、溶融金属２をはじくコーティング５ｃが施されており、溶融金属吐出方法は、（ａ）ノズル５ｂ内部に溶融金属２が保持された状態において、回転機構２０によりシリンジ５を回転させる工程と、（ｂ）シャフト４をノズル５ｂ方向へ向けて摺動させてノズル５ｂの開口部から溶融金属２を押し出す工程と、を備え、工程（ａ）と工程（ｂ）を同時に行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不織の単体的な長寸スリングであって、
複数のストラット部材を含む支持部分と、
第1および第2の延長部分と、
患者の組織に対して固定され得るひとつ以上の尖叉を有するという少なくともひとつの組織用アンカーと、
複数の長寸弧状部材を含む遷移強度区域であって、前記少なくともひとつの組織用アンカーと、前記第1および第2の延長部分の一方との間における応力および張力の分布を促進すべく、前記複数の長寸弧状部材の各々が、前記少なくともひとつの組織用アンカーと、前記第1および第2の延長部分の一方との間で、前記少なくともひとつの組織用アンカーに向けて内側に湾曲している遷移強度区域とを有し、
前記少なくともひとつの組織用アンカーは、前記遷移強度区域と前記第1および第2の延長部分の一方とに対して一体的に形成される、
長寸スリングを備える、
患者の失禁を治療する単体的なパターン形成長寸インプラント。
【請求項２】
前記少なくともひとつの組織用アンカーは、前記支持部分の平面から概略的に直交する方向に延出する、請求項１に記載のインプラント。
【請求項３】
前記少なくともひとつの組織用アンカーは、概略的に前記支持部分と同一平面内に延出する、請求項１に記載のインプラント。
【請求項４】
前記少なくともひとつのアンカーは、前記第1および第2の延長部分の少なくとも一方と実質的に等しい厚みである、請求項３に記載のインプラント。
【請求項５】
前記少なくともひとつのアンカーは、対置された２個の端部アンカーを含む、請求項１に記載のインプラント。
【請求項６】
前記複数のストラット部材は正弦波状に形状化される、請求項１に記載のインプラント。
【請求項７】
前記少なくともひとつのアンカーは、ひとつ以上の変形可能な尖叉を含む、請求項１に記載のインプラント。
【請求項８】
前記少なくともひとつのアンカーは、ニードル工具の末端部を受容し得る本体内孔を含む、請求項１に記載のインプラント。
【請求項９】
前記複数のストラット部材は、延在して組織係合を提供するひとつ以上の縁部保持特定構造を含む、請求項１に記載のインプラント。
【請求項１０】
前記支持部分は、前記第1および第2の延長部分よりも概略的に広幅である、請求項１に記載のインプラント。
【請求項１１】
不織の単体的な長寸スリングであって、
複数の波紋状のストラット部材を有する支持部分と、
第1および第2の延長部分と、
夫々の前記第1および第2の延長部分から延在する第1および第2の端部アンカーと、
複数の長寸部材を含む遷移強度区域であって、前記複数の長寸弧状部材の各々が、前記第1の端部アンカーに向けて内側に湾曲している遷移強度区域とを有し、
少なくとも前記第1の端部アンカーは、前記遷移強度区域及び前記第1の延長部分に対して一体的に形成される、長寸スリングと、
取手部分とニードルとを有する導入用ニードル工具であって、前記ニードルは、前記第1または第2の端部アンカーに対して選択的に係合して展開および組織固定を促進し得る末梢先端を含むという導入用ニードル工具と、
を備える、患者の失禁を治療する単体的なパターン形成長寸インプラント・システム。
【請求項１２】
前記第1および第2の端部アンカーは、前記第1および第2の延長部分と実質的に等しい厚みである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記複数の波紋状のストラット部材は正弦波状に形状化される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第1または第2の端部アンカーは、複数の延在する尖叉を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第1および第2の端部アンカーの少なくとも一方は、導入用ニードル工具の末端部を受容し得る本体内孔を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記複数の波紋状のストラット部材は、延在して組織係合を提供するひとつ以上の縁部保持特定構造を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記支持部分は、前記第1および第2の延長部分よりも概略的に広幅である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記支持部分は、前記第1および第2の延長部分よりも概略的に狭幅である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記導入用ニードル工具は、前記末梢先端と作用接続された起動機構であって、前記第1または第2の端部アンカーの選択的な係合解除を促進するという起動機構を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記導入用ニードル工具のニードルは概略的に湾曲される、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月9日(2016.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定小役、及び特別遊技に移行するための特別役を含む役の抽選を行う役抽選手段を備え、
遊技態様として、第１遊技態様と、第１遊技態様よりもメダル獲得枚数期待値の大きい第２遊技態様とを有し、
第２遊技態様の遊技において、前記役抽選手段による役の抽選で特定小役の当選となったときに、特定小役を入賞させるための報知を行う報知手段を備え、
前記報知手段は、第２遊技態様の遊技では、前記役抽選手段で特別役に当選した後であっても、前記役抽選手段による役の抽選で特定小役の当選となったときに特定小役を入賞させるための報知を行う
ことを特徴とするスロットマシン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
請求項１の発明は、
特定小役（特定小役Ａ〜Ｃ）、及び特別遊技（ＢＢゲーム）に移行するための特別役（ＢＢ）を含む役の抽選を行う役抽選手段（６１）を備え、
遊技態様として、第１遊技態様（通常遊技）と、第１遊技態様よりもメダル獲得枚数期待値の大きい第２遊技態様（特定遊技）とを有し、
第２遊技態様の遊技において、前記役抽選手段による役の抽選で特定小役の当選となったときに、特定小役を入賞させるための報知を行う報知手段（小役当選報知制御手段６８ｂ）を備え、
前記報知手段は、第２遊技態様の遊技では、前記役抽選手段で特別役に当選した後であっても、前記役抽選手段による役の抽選で特定小役の当選となったときに特定小役を入賞させるための報知を行う
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１の発明によれば、第２遊技態様の遊技中に特別役に当選しても、特定小役の当選時の報知を継続するようにした。これにより、特別役に当選した状態を維持しつつ、第２遊技態様の遊技で遊技者が得られる利益を確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大腿骨に固定するように構成された大腿骨部材と、
脛骨に固定するように構成され、開口部を有する脛骨マウントと、
前記脛骨マウントの開口部内に挿入するように構成され、前記大腿骨部材及び前記脛骨マウントを含む膝関節において前記大腿骨部材及び前記脛骨マウントの互いに対する相対的位置決めを調節するように構成された伸張用組立体と、を含む組立体。
【請求項２】
前記大腿骨部材は、大腿骨の髄管内に挿入するように構成された大腿骨髄内ロッドを含む請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
脛骨部材をさらに含み、前記脛骨部材は、脛骨の髄管内に挿入するように構成された脛骨髄内ロッドを含む請求項２に記載の組立体。
【請求項４】
前記伸張用組立体は、大腿骨マウントを支持する大腿骨マウントロッドを受け入れるように構成された開口部を構成するサドル形状又は三日月形状を有する二次的大腿骨マウントを含む請求項２に記載の組立体
【請求項５】
前記伸張用組立体は、前記脛骨マウントの開口部にねじ結合するように構成されたねじ切られたシャフトを含む請求項１に記載の組立体。
【請求項６】
前記伸張用組立体は、前記二次的大腿骨マウントの陥凹部内に延びるように構成された凸形状を有する外反アダプタ部材をさらに含む請求項４に記載の組立体。
【請求項７】
前記大腿骨部材は、大腿骨の髄管内に挿入するように大腿骨髄内ロッドを含み、前記大腿骨髄内ロッドは、大腿骨マウント及び主シャフトを含み、前記大腿骨マウントは、前記主シャフトの長軸線に対して垂直に延びる軸線をもつ円筒形状を有し、中央開口部が、該大腿骨マウントの軸線に沿って定められる請求項５に記載の組立体。
【請求項８】
前記大腿骨部材は、大腿骨の髄管内に挿入するように大腿骨髄内ロッドを含み、前記大腿骨髄内ロッドは、大腿骨マウント及び主シャフトを含み、組立体は、脛骨髄内ロッドに取り付けられた脛骨角形成ガイドをさらに含み、前記脛骨角形成ガイドは、円筒形状の大腿骨マウントの外面を受け入れるような形状及びサイズに形成された弧状面を有する請求項３に記載の組立体。
【請求項９】
大腿骨に固定するように構成された大腿骨マウントと、
脛骨に固定するように構成された脛骨マウントと、
前記大腿骨マウント及び前記脛骨マウントを含む膝関節において前記大腿骨マウント及び前記脛骨マウントの互いに対する相対的位置決めを調節するように構成された伸張用組立体と、を含み、前記伸張用組立体は、前記大腿骨マウント及び前記脛骨マウントのうちの一方に構成されたねじ切られた開口部と接合するように構成されたねじ切られた部分を含む組立体。
【請求項１０】
大腿骨に対する脛骨の角形成の量を示すように構成された脛骨角形成ガイドをさらに含む請求項９に記載の組立体。
【請求項１１】
前記大腿骨部材は、大腿骨マウントを含み、前記大腿骨マウントは、前記大腿骨部材の主シャフトの長軸線に対して垂直に延びる軸線を有し、前記大腿骨マウントの軸線に沿って、中央開口部が形成されている請求項９に記載の組立体。
【請求項１２】
前記ねじ切られた部分は、前記ねじ切られた開口部内に前進されるように構成されたねじ切られたシャフトを含み、前記ねじ切られた開口部は、前記脛骨マウント内に延びる請求項９に記載の組立体。
【請求項１３】
前記ねじ切られた部分は、前記大腿骨マウントに形成された前記ねじ切られた開口部と接合するように構成されている請求項９に記載の組立体。
【請求項１４】
前記脛骨マウントに結合する取り付けブロックを含む固定された膝切削ガイド組立体をさらに含む請求項９に記載の組立体。
【請求項１５】
膝関節の大腿骨及び脛骨の少なくとも一方の切削を案内するための組立体であって、前記組立体は、
前記大腿骨に固定するように構成された大腿骨部材と、
前記脛骨に固定するように構成された脛骨部材と、
前記膝関節において所望の伸張量になるように、前記大腿骨部材及び前記脛骨部材の互いに対する相対的な位置決めを調節するように構成された伸張用組立体と、
を含むことを特徴とする組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技を行うことが可能な遊技機であって、
所定の情報を表示領域に表示可能な表示装置と、
第１位置と第２位置とに変位可能な可動部材と、
前記可動部材を前記第２位置に変位させかつ前記表示領域に演出情報を表示させることにより、所定演出を実行可能な所定演出実行手段と、
遊技の進行を停止する異常が発生したときに、前記表示領域に異常情報を表示させる異常発生時制御手段とを備え、
前記可動部材は、
前記第１位置に変位しているときに、前記異常情報が表示される領域と重ならず、
前記第２位置に変位しているときに、前記異常情報が表示される領域と重なり、
前記異常発生時制御手段は、前記所定演出の実行中に前記異常が発生したときに、前記異常情報を表示させかつ前記可動部材を前記第２位置から前記第１位置に変位させることを特徴とする、遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる実情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、特定の情報が表示される領域に重なる演出を実行可能な役物が設けられた表示装置において、特定の情報を適切に報知することができる遊技機を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  遊技を行うことが可能な遊技機であって、
所定の情報を表示領域に表示可能な表示装置と、
第１位置と第２位置とに変位可能な可動部材と、
前記可動部材を前記第２位置に変位させかつ前記表示領域に演出情報を表示させることにより、所定演出を実行可能な所定演出実行手段と、
遊技の進行を停止する異常が発生したときに、前記表示領域に異常情報を表示させる異常発生時制御手段とを備え、
前記可動部材は、
前記第１位置に変位しているときに、前記異常情報が表示される領域と重ならず、
前記第２位置に変位しているときに、前記異常情報が表示される領域と重なり、
前記異常発生時制御手段は、前記所定演出の実行中に前記異常が発生したときに、前記異常情報を表示させかつ前記可動部材を前記第２位置から前記第１位置に変位させる。
なお、以下のような構成であってもよい。
所定の遊技（リール２Ｌ、２Ｃ、２Ｒの回転を開始させた後に表示結果を表示する）を実行可能な遊技機（スロットマシン１）であって、
表示状態を変化可能な表示領域（表示画面）を有する表示装置（液晶表示器５１）と、
前記表示領域の遊技者側に重なる第１位置（重複する位置、たとえば停止基準位置以外の位置）と前記表示領域の遊技者側に重ならない第２位置（重複しない位置、たとえば停止基準位置）とに変位可能な可動部材（演出用扉６０ａ、６０ｂ）を有する可動装置（演出装置５０）と、
前記表示装置と前記可動装置とを制御して遊技演出（液晶表示器５１における表示演出、演出用扉６０ａ、６０ｂを駆動させる駆動演出）を実行する演出制御手段（サブ制御部９１、表示制御部１９１）とを備え、
前記演出制御手段は、所定の報知条件が成立したこと（エラー状態の発生、所定時間停止操作されていないこと等）を条件として実行中の前記遊技演出を中断して、当該報知条件に応じた報知情報（エラー報知、促進報知）を前記表示領域に表示させるとともに（図２３（ｅ）、（ｆ）、図２４、図２８のＳｎ６、図３０のＳｍ２９、Ｓｍ３３、Ｓｍ３７）、前記可動部材を前記第２位置に変位させる（図２３（ｅ）、（ｆ）、図２８のＳｎ５、Ｓｎ３７）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月2日(2015.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のスイッチ信号に起因して抽選処理を実行し、抽選結果に対応した遊技制御動作を実行する遊技機であって、
前記抽選処理を含んだ遊技制御動作を実行する主制御手段は、抽選処理用の乱数値を生成する乱数生成手段と、システムクロックを受けて動作するＣＰＵと、が内蔵されたワンチップマイコンを有して構成され、
前記乱数生成手段は、システムクロック又はその他の外部クロックに基づいて更新動作を繰り返して数値を更新する数値更新手段と、前記スイッチ信号がＯＮ状態の場合に、数値更新手段の数値を取得可能な第１の乱数取得手段と、前記第１の乱数取得手段とは異なる経路で、数値更新手段の数値を取得可能な第２の乱数取得手段と、を有して構成され、
所定時間毎に判定される前記スイッチ信号が、ＯＦＦ状態からＯＮ状態に推移したことに対応して、第１の乱数取得手段か、又は第２の乱数取得手段から、前記数値更新手段の数値を乱数値として取得し、前記乱数値に基づいて、前記抽選処理を実行するよう構成されている遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明は、所定のスイッチ信号に起因して抽選処理を実行し、抽選結果に対応した遊技制御動作を実行する遊技機であって、前記抽選処理を含んだ遊技制御動作を実行する主制御手段は、抽選処理用の乱数値を生成する乱数生成手段と、システムクロックを受けて動作するＣＰＵと、が内蔵されたワンチップマイコンを有して構成され、前記乱数生成手段は、システムクロック又はその他の外部クロックに基づいて更新動作を繰り返して数値を更新する数値更新手段と、前記スイッチ信号がＯＮ状態の場合に、数値更新手段の数値を取得可能な第１の乱数取得手段と、前記第１の乱数取得手段とは異なる経路で、数値更新手段の数値を取得可能な第２の乱数取得手段と、を有して構成され、所定時間毎に判定される前記スイッチ信号が、ＯＦＦ状態からＯＮ状態に推移したことに対応して、第１の乱数取得手段か、又は第２の乱数取得手段から、前記数値更新手段の数値を乱数値として取得し、前記乱数値に基づいて、前記抽選処理を実行するよう構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルム基材と、
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側に形成された透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、
前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、真空成膜法にて形成された無機アンダーコート層を備え、
前記高分子フィルム基材の材料は、ノルボルネンの単一成分の高分子もしくは共重合高分子、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、ポリアミド、又は、ポリスチレンのいずれかであり、
前記透明導電層の厚みは、１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、
前記透明導電層中の炭素原子の存在原子量が３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記透明導電層の比抵抗が１．１×１０−４Ω・ｃｍ以上２．８×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電性フィルム。
【請求項２】
高分子フィルム基材と、
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側に形成された透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、
前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、真空成膜法にて形成された無機アンダーコート層を備え、
前記高分子フィルム基材の材料は、ノルボルネンの単一成分の高分子もしくは共重合高分子、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、ポリアミド、又は、ポリスチレンのいずれかであり、
前記透明導電層の厚みは、１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、
前記透明導電層中の水素原子の存在原子量が３．７×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記透明導電層の比抵抗が１．１×１０−４Ω・ｃｍ以上２．８×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記透明導電層は、インジウム−スズ複合酸化物層である請求項１又は２に記載の透明導電フィルム。
【請求項４】
前記透明導電層が結晶質である請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
【請求項５】
前記インジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し０．５重量％〜１５重量％である請求項３に記載の透明導電フィルム。
【請求項６】
前記透明導電層は、複数のインジウム−スズ複合酸化物層が積層された構造を有し、
前記複数のインジウム−スズ複合酸化物層のうち少なくとも２層では互いにスズの存在量が異なる請求項１又は２に記載の透明導電フィルム。
【請求項７】
前記インジウム−スズ複合酸化物層の全てが結晶質である請求項６に記載の透明導電フィルム。
【請求項８】
前記透明導電層は、前記高分子フィルム基材側から、第１のインジウム−スズ複合酸化物層及び第２のインジウム−スズ複合酸化物層をこの順で有し、
前記第１のインジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し６重量％〜１５重量％であり、
前記第２のインジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し０．５重量％〜５．５重量％である請求項６又は７に記載の透明導電フィルム。
【請求項９】
前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、湿式塗工法にて形成された有機アンダーコート層を備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
【請求項１０】
前記高分子フィルムの少なくとも一方の面側に
湿式塗工法にて形成された有機アンダーコート層と、
真空成膜法にて形成された無機アンダーコート層と、
前記透明導電層とをこの順で備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法であって、
高分子フィルム基材を到達真空度が３．５×１０−４Ｐａ以下の真空下に置く工程Ａ、及び
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側にスパッタリング法により透明導電層を形成する工程Ｂ
を含み、
前記工程Ａの後であって前記工程Ｂの前に、前記高分子フィルム基材の前記透明導電層が形成される面側に真空成膜法により無機アンダーコート層を形成する工程を含む透明導電フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記透明導電層を加熱して結晶転化する工程を含む請求項１１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。