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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルート部分（１０６）、本体部分（１０５）、およびチップ部分（１１８）であって、前記本体部分（１０５）は、前記ルート部分（１０６）から半径方向外側に延在するように構成されており、前記チップ部分（１１８）は、前記ルート部分（１０６）および前記本体部分（１０５）から半径方向外側に延在するように構成されている、ルート部分（１０６）、本体部分（１０５）、およびチップ部分（１１８）と、
前縁（１１４）において、および、前記前縁（１１４）から翼弦方向および下流方向に離隔した後縁（１１６）において、一緒に連結された吸い込み側面（１１１、１３４）および圧力側面（１１３、１３２）と、
翼弦方向およびスパン方向に前記チップ部分（１１８）の少なくとも一部分に沿って延在するコンプライアントチップ（１２０）とを含む、エーロフォイル（１０２）であって、
前記コンプライアントチップ（１２０）は、前記チップ部分（１１８）に沿って波動伝播を提供するように構成されており、異物衝突のときに、前記チップ部分（１１８）および前記後縁（１１６）の近辺の臨界歪みが低減されるようになっており、
前記本体部分（１０５）は、複合材料（１４０）から構成されている
エーロフォイル（１０２）。
【請求項２】
前記コンプライアントチップ（１２０）は、コンプライアント材料（１２２）から構成されている、請求項１記載のエーロフォイル。
【請求項３】
前記コンプライアント材料（１２２）は、ポリウレタン、ポリ尿素、フルオロエラストマー（ＦＰＭ）、ニトリルゴム、エチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）ゴム、およびエポキシのうちの少なくとも１つである、請求項２記載のエーロフォイル。
【請求項４】
前記後縁（１１６）は、ハイブリッド材料（１１７）から構成されている、請求項１記載のエーロフォイル。
【請求項５】
前記コンプライアントチップ（１２０）は、コンプライアント材料（１２２）から構成されており、異物衝突に応答して前記コンプライアントチップ（１２０）を通って移動する波動速度が、前記エーロフォイル（１０２）の前記本体部分（１０５）を通って移動する波動速度の少なくとも２倍に変化させられるようになっている、請求項１記載のエーロフォイル。
【請求項６】
前記エーロフォイル（１０２）は、ファンブレード、ロータブレード、ダクト内にあるファンブレード、ダクトのないファンブレード、または風力タービンブレードのうちの１つである、請求項１記載のエーロフォイル。
【請求項７】
ディスク（４２、５２）と、
前記ディスク（４２、５２）に連結された複数のファンブレード（４０、５０）とを含むファン組立体であって、
前記複数のファンブレードのそれぞれのブレードが、
ルート部分（１０６）、本体部分（１０５）、およびチップ部分（１１８）であって、前記本体部分（１０５）は、前記ルート部分（１０６）から半径方向外側に延在するように構成されており、前記チップ部分（１１８）は、前記ルート部分（１０６）および前記本体部分（１０５）から半径方向外側に延在するように構成されている、ルート部分（１０６）、本体部分（１０５）、およびチップ部分（１１８）と、
前縁（１１４）において、および、前記前縁（１１４）から翼弦方向および下流方向に離隔した後縁（１１６）において、一緒に連結された吸い込み側面（１１１）および圧力側面（１１３）と、
翼弦方向およびスパン方向に前記チップ部分（１１８）の少なくとも一部分に沿って延在するコンプライアントチップ（１２０）とを含み、
前記コンプライアントチップ（１２０）は、前記チップ部分（１１８）に沿って波動伝播を提供するように構成されており、異物衝突のときに、前記チップ部分（１１８）および前記後縁（１１６）の近辺の臨界歪みが低減されるようになっており、
前記エーロフォイル（１０２）は、ファンブレード、ダクト内にあるファンブレード、ダクトのないファンブレード、または風力タービンブレードのうちの１つである
ファン組立体。
【請求項８】
前記それぞれのファンブレード（４０、５０）が、異物衝突に関連して後縁（１１６）における歪みの低減を促進するように構成されている、請求項７記載のファン組立体。
【請求項９】
主流路を通過する燃焼ガスを発生させるのに効果的なコアエンジン（７０）と、
前記コアエンジン（７０）の後方にある動力タービン（８４）であって、駆動シャフト（５６、８２）を回転させるのに効果的な第１および第２の反対方向に回転可能な互いにかみ合うタービンブレード列を含む、動力タービン（８４）と、
前記駆動シャフト（８２）に接続されたファンブレード列（８０、８６）を含む、前記コアエンジン（７０）の前方のファンセクション（７８）であって、前記ファンブレード列（８０、８６）は、複数のエーロフォイル（１０２）を含む、ファンセクション（７８）とを含むファンエンジン（６０）であって、
それぞれのエーロフォイル（１０２）が、
ルート部分（１０６）、本体部分（１０５）、およびチップ部分（１１８）であって、前記本体部分（１０５）は、前記ルート部分（１０６）から半径方向外側に延在するように構成されており、前記チップ部分（１１８）は、前記ルート部分（１０６）および前記本体部分（１０５）から半径方向外側に延在するように構成されている、ルート部分（１０６）、本体部分（１０５）、およびチップ部分（１１８）と、
前縁（１１４）において、および、前記前縁（１１４）から翼弦方向および下流方向に離隔した後縁（１１６）において、一緒に連結された吸い込み側面（１１１）および圧力側面（１１３）と、
翼弦方向およびスパン方向に前記チップ部分（１１８）の少なくとも一部分に沿って延在するコンプライアントチップ（１２０）とを含み、
前記コンプライアントチップ（１２０）は、前記チップ部分（１１８）に沿って波動伝播を提供するように構成されており、異物衝突のときに、前記チップ部分（１１８）および前記後縁（１１６）の近辺の臨界歪みが低減されるようになっており、
前記エーロフォイル（１０２）は、ファンブレード、ダクト内にあるファンブレード、ダクトのないファンブレード、または風力タービンブレードのうちの１つである
ファンエンジン（６０）。
【請求項１０】
前記エーロフォイル（１０２）が、異物衝突に関連して後縁（１１６）における歪みの低減を促進するように構成されている、請求項９記載のファンエンジン。
【請求項１１】
前記コンプライアントチップ（１２０）は、コンプライアント材料（１２２）から構成されており、前記コンプライアントチップ（１２０）を通って移動する波動速度が、前記エーロフォイル（１０２）の前記本体部分（１０５）を通って移動する波動速度の少なくとも２倍に変化させられるようになっている、請求項９記載のファンエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月16日(2016.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示手段と、
前記表示手段の表示領域に対する描画装置の接触位置情報または接近位置情報を取得する取得手段と、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて描画画像を生成し、前記画像表示制御装置に画像を提供する情報処理装置の表示画像と前記描画画像と合成する描画手段と、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて、前記表示手段に表示させた画像から前記描画画像を削除する削除手段と、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて前記情報処理装置を操作する操作手段と、
前記描画画像の生成、前記描画画像の削除および前記情報処理装置の操作を指定可能な切替手段とを有し、
前記切替手段の指定に基づいて、前記描画画像の生成、前記描画画像の削除および前記情報処理装置の操作を行う、画像表示制御装置。
【請求項２】
前記操作手段は、前記接触位置情報または接近位置情報を含むイベントを前記情報処理装置に送信する、請求項１に記載の画像表示制御装置。
【請求項３】
表示装置に画像を表示させる画像表示制御装置が実行する方法であって、前記方法は、前記画像表示制御装置が、
画像を表示するステップと、
前記表示手段の表示領域に対する描画装置の接触位置情報または接近位置情報を取得するステップと、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて描画画像を生成し、前記画像表示制御装置に画像を提供する情報処理装置の表示画像と前記描画画像と合成するステップと、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて、前記表示手段に表示させた画像から前記描画画像を削除するステップと、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて前記情報処理装置を操作するステップと、
前記描画画像の生成、前記描画画像の削除および前記情報処理装置の操作を指定可能なステップとを有し、
前記切替手段の指定に基づいて、前記描画画像の生成、前記描画画像の削除および前記情報処理装置の操作を行うステップと
を実行する方法。
【請求項４】
前記情報処理装置を操作するステップは、前記接触位置情報または接近位置情報を含むイベントを前記情報処理装置に送信するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
画像表示制御装置に対して、請求項３または４に記載のステップを実行させるためのコンピュータ実行可読なプログラム。
【請求項６】
表示装置と、前記表示装置に画像を表示させる画像表示制御装置と、前記画像表示制御装置に画像を提供する情報処理装置と、描画画像を生成する描画装置と、前記描画装置の接触位置情報または接近位置情報を検出する座標検出装置とを含む画像表示システムであって、
前記画像表示制御装置は、
画像を表示する表示手段と、
前記表示手段の表示領域に対する描画装置の接触位置情報または接近位置情報を取得する取得手段と、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて描画画像を生成し、前記画像表示制御装置に画像を提供する情報処理装置の表示画像と前記描画画像と合成する描画手段と、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて、前記表示手段に表示させた画像から前記描画画像を削除する削除手段と、
前記接触位置情報または接近位置情報に基づいて前記情報処理装置を操作する操作手段と、
前記描画画像の生成、前記描画画像の削除および前記情報処理装置の操作を指定可能な切替手段とを有し、
前記切替手段の指定に基づいて、前記描画画像の生成、前記描画画像の削除および前記情報処理装置の操作を行う、画像表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子ビーム・システムのためにプラズマ源内に電極を取り付けるためのシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム・システムのためにプラズマ源に電極を取外し可能に取り付けるためのシステムであって、
反応室を有するプラズマ源と、
前記反応室に付着させた界面層と、
前記界面層に付着された装着リングと、
前記装着リングに取り付けられた源電極と
を備え、前記界面層、前記装着リングおよび前記源電極の組合せが、前記反応室の取付け部分と前記源電極の間の熱伝導性シールを形成するシステム。
【請求項２】
前記界面層が金属の薄い層を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記金属が、モリブデン、マンガン、ニッケル、インジウム、アルミニウム、銀または金を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記装着リングおよび前記源電極が、プラズマ環境に耐える金属であり、製造および動作中に受ける温度の範囲にわたって前記反応室の熱膨張率と両立できる熱膨張率を有する金属を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記装着リングまたは前記源電極がモリブデン、ニッケルまたはコバルトを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記装着リングが、鑞付けによって前記界面層に付着された、請求項１から５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記源電極が装着リングにプレスばめされた、請求項１から６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
前記源電極が、１つまたは複数の固定具を使用して前記装着リングに取り付けられた、請求項１から６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記１つまたは複数の固定具が、前記源電極の周囲に沿って配置された１つまたは複数のねじを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の固定具が１つまたは複数のカムを含む、請求項８または請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記カムが、前記反応室のボディに装着された、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記固定具がバイオネット・カップリングを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
荷電粒子ビーム・システムのためにプラズマ源に電極を取外し可能に取り付けるためのシステムであって、
源電極取付け部分を有する反応室を有するプラズマ源と、
前記室に取外し可能に取り付けられた源電極と、
前記反応室と前記源電極の間または前記反応室と前記源電極が装着された構成要素との間に、真空シールが形成された熱伝導性の接合部を提供する、前記反応室の表面の界面層と
を備えるシステム。
【請求項１４】
前記界面層が軟らかい金属の層を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記界面層が多層金属層を含む、請求項１３または請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記多層金属層の第１の層が、前記反応室に結合する材料を含み、前記多層金属層の第２の層が、前記源電極が取り付けられた装着リングに結合する材料を含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記界面層が、モリブデン、マンガン、ニッケル、インジウム、アルミニウム、銀または金を含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１８】
荷電粒子ビーム・システムのためにプラズマ源に電極を取外し可能に取り付けるための方法であって、
前記源電極または前記源電極が取り付けられた構成要素が装着される一部分の表面に界面層を有する反応室を有するプラズマ源を用意するステップと、
前記プラズマ源に前記源電極を取外し可能に取り付けるステップと、を含み、前記界面層が、前記反応室と前記源電極の間または前記反応室と前記源電極が取り付けられた構成要素との間に、真空シールが形成された熱伝導性の接合部を提供する方法。
【請求項１９】
界面層を有する反応室を有するプラズマ源を用意する前記ステップが、前記界面層に装着リングを取り付けるステップを含み、前記プラズマ源に前記源電極を取外し可能に取り付ける前記ステップが、前記装着リングに前記源電極を取外し可能に取り付けるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記装着リングから前記源電極を取り外すステップと、前記装着リングに第２の源電極を取り付けるステップとをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記装着リングに前記源電極を取外し可能に取り付ける前記ステップが、固定具を使用して、前記装着リングに前記源電極を取外し可能に取り付けるステップを含む、請求項１９または請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記装着リングに前記源電極を取外し可能に取り付ける前記ステップが、前記装着リングに前記源電極をプレスばめするステップを含む、請求項１９または請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記装着リングが、鑞付けによって前記界面層に取り付けられる、請求項１９から２２のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【図１】本発明の燃料電池システムのブロック図である。
【図２】本発明の燃料電池システムのブロック図である。
【図３】本発明の第１実施形態における排ガス浄化装置の断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態における排ガス浄化装置の底板および複数の突出部の斜視図である。
【図５】本発明の第１実施形態における排ガス浄化装置と排ガス流路の取付構造を示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態における排ガス浄化装置の断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態における排ガス浄化装置の底板および複数の突出部を含む斜視図である。
【図８】本発明の第２実施形態における排ガス浄化装置と排ガス流路の取付構造を示した図である。
【図９】本発明の第３実施形態における排ガス浄化装置の断面図である。
【図１０】底板以外に突出部が接合されている排ガス浄化装置の構造を示す断面である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここで、図１０を用い、底板２４以外に突出部が接合されている場合に起こりうる問題について具体的に説明する。図１０に示す排ガス浄化装置は、排ガス浄化装置３の外装部材の一つである底板２４に、排ガス浄化装置３の機能部品の一つであるヒータ２２が接合され、また、排ガス浄化装置３の外装部材の一つである浄化触媒ケース２１の側壁に、排ガス浄化装置３の機能部品の一つである触媒温度検知部２３が接合されている。この場合、ヒータ２２を接合した底板２４について気密検査を実施し、また、触媒温度検知部２３を接合した浄化触媒ケース２１についても気密検査を実施することになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
ここで、例えば図１０のように、浄化触媒ケース２１の側壁に触媒温度検知部２３を接合した場合、ヒータ２２が浄化触媒ケース２１から突出しているため、触媒ケース２１が排気管１５内に嵌り込むような構造をとることができない。しかし、第２実施形態に係る排ガス浄化装置３は、排ガス浄化装置３の内部から外部に突出する複数の部材を底板２４に集約することができることから、排ガス浄化装置３は、電池モジュール２の底面８ａから延びる排気管１５の下流端から挿入された常態で取り付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イベント信号によってトリガされるとともにイベント信号を発信するプリミティブによってつながれた複数のアクティビティを含む統一モデリング言語アクティビティ図のソフトウェア実装を実行するのに適したコンピュータであって、
ａ）互いに並列に処理を行うことが可能であり、それぞれが前記アクティビティの少なくとも１つを実施する能力を有する複数の処理要素と、
ｂ）前記プリミティブを実装するように構成されるシーケンサであって、
ｂ１）プリミティブをトリガするために必要な１つ又は複数の前記イベント信号をプリミティブが受信したことを検出するための検出手段と、
ｂ２）プリミティブの前記トリガの検出に対して、
ｂ２ａ）前記アクティビティ図内において前記トリガされたプリミティブからのイベント信号の受け手である処理要素に、アクティビティを実施するように指示すること、または
ｂ２ｂ）前記検出手段に別のプリミティブに対するイベント信号を送信すること、
の少なくともいずれかの応答を与えることによって応答するように構成される信号発信手段と、
を含むシーケンサと、
を備え、
ｃ）前記検出手段は、複数の検出要素を含み、
ｄ）各検出要素は、各プリミティブをトリガするために必要な１つ又は複数の前記イベント信号を各プリミティブが受信したことを検出すること、及び各プリミティブがトリガされたことを前記信号発信手段に通知することが可能であり、
ｅ）前記コンピュータは、第１のタスクの実行のために第１のグループの検出要素を予約し、前記第１のタスクと時間的に重なる第２のタスクの実行のために、第１のグループと重複しない第２のグループの検出要素を予約するように構成される、
コンピュータ。
【請求項２】
請求項１に記載のコンピュータであって、
前記第１のグループの検出要素がトリガされたときに前記信号発信手段によって実施されるべき命令を第１の領域内に保持し、前記第２のグループの検出要素がトリガされたときに前記信号発信手段によって実施されるべき命令を第１の領域と重複しない第２の領域に保持するように構成されるメモリ手段をさらに備える、
コンピュータ。
【請求項３】
請求項２に記載のコンピュータであって、
前記信号発信手段は、前記第１のグループ及び前記第２のグループのいずれかのプリミティブがトリガされたことを示す指示に対して、前記プリミティブにリンクされた第１の領域及び第２の領域の対応するいずれかにある一連の命令であり、前記応答をコアに行わせる一連の命令を実施することによって応答する処理コアを含む、
コンピュータ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のコンピュータであって、
各検出要素は、その対応するプリミティブのトリガのために必要な１つ又は複数の前記イベント信号をカウントするためのカウンタを含む、
コンピュータ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のコンピュータであって、
少なくとも１つの検出要素は、そのトリガ後に別のプリミティブを実装するように前記シーケンサによって再構成可能である、
コンピュータ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のコンピュータであって、
前記処理要素は、ベクトル信号プロセッサ、中央演算処理装置、ビタビ加速器、ターボ復号器、外部の無線送受信器へのデジタルインターフェース、及びダイレクトメモリアクセスコントローラのうちの２つ以上を含む、
コンピュータ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のコンピュータであって、
前記第１のタスク及び前記第２のタスクは、非同期である、
コンピュータ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のコンピュータであって、
前記第１のタスクは第１のアクティビティ図に関連付けられ、前記第２のタスクは第２のアクティビティ図に関連付けられる、
コンピュータ。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載のコンピュータを備える無線通信装置であって、
前記第１のタスク及び前記第２のタスクによって処理されるべき無線信号を受信するための少なくとも１つの無線周波数処理チェーンを備える、
無線通信装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の無線通信装置であって、
前記第１のタスク及び前記第２のタスクのそれぞれ用に、対応する無線周波数処理チェーンがある、
無線通信装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記無線通信装置は、携帯電話、スマートフォン、又はタブレット型コンピュータのうちの１つである、無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の記憶装置と、
第２の記憶装置と、
複数のスイッチと、
パワーコントローラと、を有し、
前記第１の記憶装置は、メモリセルをそれぞれ有する複数のブロックを有し、
前記第２の記憶装置は、ＣＰＵコアで扱うデータを、前記複数のブロックのうち前記ＣＰＵコアにより選択された第１のブロックから複製して記憶する機能を有し、
前記パワーコントローラは、前記複数のスイッチを用いて、前記ＣＰＵコアにより選択された前記第１のブロックへの電源電圧の供給を行うと共に、前記複数のブロックのうち前記第１のブロック以外の第２のブロックへの電源電圧の供給を停止する機能を有する半導体装置。
【請求項２】
第１の記憶装置と、
第２の記憶装置と、
複数の第１のスイッチと、
複数の第２のスイッチと、
パワーコントローラと、を有し、
前記第１の記憶装置は、メモリセルをそれぞれ有する複数のブロックと、前記複数のブロックにそれぞれ対応する複数のデコーダと、を有し、
前記複数のデコーダは、前記複数のブロックのうち、対応するブロックが有する前記メモリセルを行ごとに選択する機能をそれぞれ有し、
前記第２の記憶装置は、ＣＰＵコアで扱うデータを、前記複数のブロックのうち前記ＣＰＵコアにより選択された第１のブロックから複製して記憶する機能を有し、
前記パワーコントローラは、前記複数の第１のスイッチを用いて、前記ＣＰＵコアにより選択された前記第１のブロックへの電源電圧の供給を行うと共に、前記複数のブロックのうち前記第１のブロック以外の第２のブロックへの電源電圧の供給を停止する機能と、前記複数の第２のスイッチを用いて、前記複数のデコーダのうち前記第１のブロックに対応する第１のデコーダへの電源電圧の供給を行うと共に、前記複数のデコーダのうち前記第１のデコーダ以外の第２のデコーダへの電源電圧の供給を停止する機能と、を有する半導体装置。
【請求項３】
ＣＰＵコアと、
第１の記憶装置と、
第２の記憶装置と、
複数のスイッチと、
メモリ管理ユニットと、
パワーコントローラと、を有し、
前記第１の記憶装置は、メモリセルをそれぞれ有する複数のブロックを有し、
前記第２の記憶装置は、前記ＣＰＵコアで扱うデータを、前記複数のブロックのうち前記ＣＰＵコアにより選択された第１のブロックから複製して記憶する機能を有し、
前記メモリ管理ユニットは、前記ＣＰＵコアにより選択された前記第１のブロックのアドレスを前記パワーコントローラに通知する機能を有し、
前記パワーコントローラは、前記アドレスと、前記複数のスイッチとを用いて、前記ＣＰＵコアにより選択された前記第１のブロックへの電源電圧の供給を行うと共に、前記複数のブロックのうち前記第１のブロック以外の第２のブロックへの電源電圧の供給を停止する機能を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記メモリセルは、第１の論理素子と、第２の論理素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１の論理素子は、前記第１の論理素子の入力端子の電位の極性を反転させて前記第１の論理素子の出力端子から出力する機能を有し、
前記第２の論理素子は、前記第２の論理素子の入力端子の電位の極性を反転させて前記第２の論理素子の出力端子から出力する機能を有し、
前記第１のスイッチは、第１の配線と、前記第１の論理素子の入力端子及び前記第２の論理素子の出力端子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第２のスイッチは、第２の配線と、前記第１の論理素子の出力端子及び前記第２の論理素子の入力端子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記第１の論理素子の入力端子及び前記第２の論理素子の出力端子と、前記第１の容量素子との導通状態を制御する機能を有し、
前記第４のスイッチは、前記第１の論理素子の出力端子及び前記第２の論理素子の入力端子と、前記第２の容量素子との導通状態を制御する機能を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３のスイッチが有するトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
前記第４のスイッチが有するトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算処理を行うプロセッサコアと、
メモリセルアレイを備えるキャッシュメモリと、
割り込みベクタが格納された割り込みコントローラと、
前記キャッシュメモリの電源供給状態を制御する電源コントローラと、を有し、
第１のモード及び第２のモードを有するマイクロプロセッサであって、
前記第１のモードでは、
前記プロセッサコアが、前記割り込みベクタに基づいて前記メモリセルアレイにデータをプリフェッチする機能と、
前記電源コントローラが、前記プリフェッチの終了後に前記キャッシュメモリへの電源供給停止処理を実行する機能と、を有し、
前記第２のモードでは、
前記電源コントローラが、前記キャッシュメモリへの電源供給再開処理を実行する機能と、
前記プロセッサコアが、前記電源供給再開後に前記メモリセルアレイのデータをフェッチする機能と、を有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２】
請求項１において、
前記メモリセルアレイは、半導体層として酸化物半導体材料を用いたトランジスタ、磁気トンネル接合素子、又はフローティングゲートに電荷を保持する機構を備える素子のいずれか或いはこれらの組み合わせたものを有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のモードでは、
前記メモリセルアレイが、前記割り込みベクタにより示されたデータが格納する機能を有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項４】
演算処理を行うプロセッサコアと、
メモリセルアレイを備えるキャッシュメモリと、
割り込みベクタが格納された割り込みコントローラと、
前記キャッシュメモリの電源供給状態を制御する電源コントローラと、を有し、
第１のモード及び第２のモードを有するマイクロプロセッサの駆動方法であって、
前記第１のモードでは、
前記プロセッサコアが、前記割り込みベクタに基づいて前記メモリセルアレイにデータをプリフェッチする動作と、前記キャッシュメモリの電源供給停止を指示する第１の信号を出力する動作と、を行い、
前記電源コントローラが、前記第１の信号に基づいて前記キャッシュメモリの電源供給停止処理を実行する動作を行い、
前記第２のモードでは、
前記割り込みコントローラが、前記キャッシュメモリの電源供給再開を指示する第２の信号を出力する動作を行い、
前記電源コントローラが、前記第２の信号に基づいて前記キャッシュメモリの電源供給を再開する動作を行い、
前記プロセッサコアが、前記メモリセルアレイから前記データをフェッチする動作を行うことを特徴とするマイクロプロセッサの駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路と、画素部と、を有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、を有し、
前記画素部は、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、発光素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、第５の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
駆動回路と、画素部と、を有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、を有し、
前記画素部は、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、発光素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、第５の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４及び第５のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第４及び第５のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体層は、ｃ軸が被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃っている結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形状の開口を有するゲート電極と、
前記ゲート電極の開口の側面と重なるように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記ゲート電極の開口の側面と重なるように設けられた半導体層と、を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの下部に設けられた第２のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
円形状の開口を有するゲート電極と、
前記ゲート電極の開口の側面と重なるように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記ゲート電極の開口の側面と重なるように設けられた半導体層と、
前記ゲート電極、前記絶縁層、及び前記半導体層の下部に設けられた単結晶半導体基板と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
円形状の開口を有するゲート電極と、
前記ゲート電極の開口の側面と重なるように設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極の開口の側面と重なるように設けられた半導体層と、
前記ゲート電極、前記第１の絶縁層、及び前記半導体層の下部に設けられた単結晶半導体基板と、
前記ゲート電極、前記第２の絶縁層、及び前記半導体層の上部に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層のコンタクトホールに設けられ、前記単結晶半導体基板と電気的に接続された電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、前記円形状の開口を複数個有していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重畳する、ゲート電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極層を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上から、元素を導入して、前記酸化物半導体層に第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記第１の絶縁層上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をエッチングして、前記ゲート電極層の側面に接する側壁絶縁層を形成し、
前記第１の領域と電気的に接続されたソース電極層、及び前記第２の領域と電気的に接続されたドレイン電極層を形成する、半導体装置の作製方法であって、
前記元素は、希ガス、リン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、タングステン、モリブデン、窒素、フッ素、塩素、チタン、炭素、又は亜鉛であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重畳する、ゲート電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極層を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上から、元素を導入して、前記酸化物半導体層に第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記第１の絶縁層上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をエッチングして、前記ゲート電極層の側面に接する側壁絶縁層を形成し、
前記側壁絶縁層を用いて、前記ゲート絶縁層をエッチングして、前記第１の領域及び前記第２の領域を露出させ、
前記第１の領域及び前記第２の領域と接する、導電膜を形成し、
前記導電膜を覆って、第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層及び前記導電層を研磨して、前記ゲート電極層の表面を露出させて、前記導電膜からソース電極層及びドレイン電極層を形成する、半導体装置の作製方法であって、
前記元素は、希ガス、リン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、タングステン、モリブデン、窒素、フッ素、塩素、チタン、炭素、又は亜鉛であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第１の絶縁層の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ゲート電極層と、
前記ゲート電極層の側面に接する側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極層と、を有し、
前記側壁絶縁層は、第１の絶縁層及び第２の絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層は、
第１の領域と、
チャネル形成領域と、
第２の領域と、
前記第１の領域と、前記チャネル形成領域との間に第３の領域と、
前記第２の領域と、前記チャネル形成領域との間に第４の領域とを有し、
前記第１の絶縁層、前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域、及び前記第４の領域は、元素を有し、
前記元素は、希ガス、リン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、タングステン、モリブデン、窒素、フッ素、塩素、チタン、炭素、又は亜鉛であり、
前記第１の領域の前記元素の濃度は、前記第３の領域の前記元素の濃度よりも高く、
前記第２の領域の前記元素の濃度は、前記第４の領域の前記元素の濃度よりも高い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物半導体層の下に、下地絶縁層を有し、
前記下地絶縁膜は、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上方の第２の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域と、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体膜と前記第１の導電膜との間の領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜と前記第１の導電膜との間の領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜と前記第２の導電膜との間の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上方に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上方に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上方に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上方に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜上方に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上方に第２の導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域と、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体膜と前記第１の導電膜との間の領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜と前記第１の導電膜との間の領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜と前記第２の導電膜との間の領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上方に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上方に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上方に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上方に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜上方に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上方に第２の導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜又は前記第２の酸化物半導体膜は、水素、水、水酸基又は水素化物を除去する第１の工程と、酸素を供給する第２の工程と、を経て形成されたものであり、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域と、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体膜と前記第１の導電膜との間の領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜と前記第１の導電膜との間の領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜と前記第２の導電膜との間の領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、
前記ソース領域と接する領域を有するソース電極と、
前記ドレイン領域と接する領域を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域よりも酸素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられた、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、
前記ソース領域と接する領域を有するソース電極と、
前記ドレイン領域と接する領域を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域よりも酸素濃度が高い領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルと平行な方向にｃ軸が配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に設けられた、酸化アルミニウムを含む絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケミカルメカニカル研磨パッド用の研磨層を形成する方法であって、
金型基部および金型基部に取り付けられた囲壁部を有する金型を準備する工程と、
上面、底面および２〜１０cmの平均厚さを持つライナーを準備する工程と、
接着剤を準備する工程と、
液状プレポリマー及び複数の微小成分を含む硬化性材料を準備する工程と、
ノズル開口部を有するノズルを準備する工程と、
刃先を持つ薄片化ブレードを準備する工程と、
革砥を準備する工程と、
ストロッピング研磨剤を準備する工程と、
ライナーの上面と囲壁部とが金型キャビティを画定するように、接着剤を使用してライナーの底面と金型基部とを接着する工程と、
装填時間ＣＰの間、ノズル開口部を通して金型キャビティに硬化性材料を装填する工程と、
ここで、ライナーの上面が金型キャビティの水平内部境界を画定し、金型の内部水平境界がｘ−ｙ平面に沿って向いており、金型キャビティがｘ−ｙ平面と垂直の中心軸Ｃａｘｉｓを有し、金型キャビティがドーナツ穴領域およびドーナツ領域を有し、
装填時間ＣＰが初期段階、転移段階および残段階として区別される三つの個別の段階に分割され、ノズル開口部がある位置を有しており、硬化性材料を金型キャビティ内に溜める際にそのノズル開口部の位置が金型キャビティ内の硬化性材料の上面の上方に維持されるように、装填時間ＣＰの間、金型基部に対して金型キャビティの中心軸Ｃａｘｉｓに沿って移動し、
初期段階の全体にわたってノズル開口部の位置がドーナツ穴領域内にあり、
転移段階の間、ノズル開口部の位置がドーナツ穴領域内にある状態からドーナツ領域内にある状態へと転移し、
金型キャビティ内の硬化性材料をケーキへと硬化させる工程と、
ここで、ケーキを切り出す間、ノズル開口部の位置がドーナツ領域内にあり、
金型基部およびケーキから囲壁部を分離させる工程と、
ストロッピング研磨剤を刃先に適用する工程と、
薄片化ブレードを革砥で研ぐ工程と、
ケーキを複数のケミカルメカニカル研磨層に薄く切り出す工程と、
を含む方法。
【請求項２】
熱源を準備する工程と、
ケーキを複数のケミカルメカニカル研磨層に薄く切り出す前に、ケーキを熱源にさらす工程と、をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
残段階の間、ノズル開口部の位置の移動が金型キャビティの中心軸Ｃａｘｉｓに対するその動きを一時的に停止する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
装填時間ＣＰの間、硬化性材料が本質的に一定の流量で金型キャビティに装填され、その平均装填流量ＣＲａｖｇが０．０１５〜２kg/secである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
金型キャビティが金型キャビティの中心軸Ｃａｘｉｓを中心に対称である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
金型キャビティが実質的に円形の断面Ｃｘ−ｓｅｃｔを有する略直円柱形状領域の形状であり、金型キャビティが金型キャビティの中心軸Ｃａｘｉｓと一致する対称軸Ｃｘ−ｓｙｍを有し、直円柱形状領域が以下に定義される断面積Ｃｘ−ａｒｅａを有し、
Ｃｘ−ａｒｅａ＝πｒＣ２
ここで、ｒＣはｘ−ｙ平面上に投影される金型キャビティの断面積Ｃｘ−ａｒｅａの平均半径であり、ドーナツ穴領域はｘ−ｙ平面上に円形断面ＤＨｘ−ｓｅｃｔを投影し、対称軸ＤＨａｘｉｓを有する、金型キャビティ内の直円柱形状領域であり、ドーナツ穴は以下に定義される断面積ＤＨｘ−ａｒｅａを有し、
ＤＨｘ−ａｒｅａ＝πｒＤＨ２
ここで、ｒＤＨはドーナツ穴領域の円形断面ＤＨｘ−ｓｅｃｔの半径であり、ドーナツ領域はｘ−ｙ平面上に環状断面Ｄｘ−ｓｅｃｔを投影し、ドーナツ領域対称軸Ｄａｘｉｓを有する、金型キャビティ内のトロイド形状領域であり、環状断面Ｄｘ−ｓｅｃｔは以下に定義される断面積Ｄｘ−ａｒｅａを有し、
Ｄｘ−ａｒｅａ＝πＲＤ２−πｒＤ２
ここで、ＲＤはドーナツ領域の環状断面Ｄｘ−ｓｅｃｔの長半径であり、ｒＤはドーナツ領域の環状断面Ｄｘ−ｓｅｃｔの短半径であり、ｒＤ≧ｒＤＨであり、ＲＤ＞ｒＤであり、ＲＤ＜ｒＣであり、Ｃｘ−ｓｙｍ、ＤＨａｘｉｓおよびＤａｘｉｓの各々がｘ−ｙ平面と垂直である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
ＲＤ≦（Ｋ＊ｒＣ）であり、Ｋが０．０１〜０．２である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ｒＤ＝ｒＤＨであり、ｒＤが５〜２５mmであり、ＲＤが２０〜１００mmであり、ｒＣが２０〜１００cmである、請求項６記載の方法。
【請求項９】
本発明の方法を使用して生成されたケーキが、装填時間ＣＰの全体にわたってノズル開口部の位置が金型キャビティの中心軸Ｃａｘｉｓに沿って一次元でのみ移動する以外は同じプロセスを使用して生成されたもう一つのケーキと比較して、より少ない密度欠陥を含有する、請求項８記載の方法。