【事件の表示】
　特願２０１１−２８２７２５「電子部品及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月　８日出願公開，特開２０１３−１３５０１４，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成２３年１２月２６日を出願日とする特許出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 
　平成２７年　５月２５日　拒絶理由通知
　平成２７年　７月２９日　意見書・手続補正書　　
　平成２８年　２月２２日　拒絶査定
　平成２８年　６月　１日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　２月　１日　拒絶理由通知（最初）
　平成２９年　３月１３日　意見書・手続補正書
　平成２９年　３月２４日　拒絶理由通知（最後）
　平成２９年　５月　１日　意見書・手続補正書
　
　
第２　補正の適否について
　
　審判請求人が，平成２９年５月１日付けでした手続補正（以下「本件補正」という。）が適法なものか否かについて，以下検討する。
　
１　補正事項の整理
　本件補正は，特許法第１７条の２第１項第３号に掲げる場合にした補正と認める。
　そして，本件補正による特許請求の範囲及び本願明細書についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
　・補正事項１
　補正前の請求項１における「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％乃至９５ｗｔ％のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」との記載を，「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が
１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下
　・補正事項２
　補正前の請求項３における「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％乃至９５ｗｔ％のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」との記載を，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が
１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下
　・補正事項３
　本願明細書の段落【０００６】における「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％乃至９５ｗｔ％のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」との記載を，「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が
１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下
　・補正事項４
　本願明細書の段落【０００７】における「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％乃至９５ｗｔ％のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」との記載を，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が
１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下
　・補正事項５
　本願明細書の段落【００３９】における「この図７からわかるように，Ａｇ含有量が５ｗｔ％未満の場合，及びＡｇ含有量が９５ｗｔ％を超える場合は，いずれも破断寿命が５００時間以下になる。この実験結果から，保護層中のＡｇの含有量は，１０ｗｔ％〜９５ｗｔ％とすることが好ましいことがわかる。」との記載を，「この図７からわかるように，Ａｇ含有量が
１０
　
２　補正の適否について
（１）補正事項１について
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３９】の記載，及び図７より，補正事項１は本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項１は，特許請求の範囲についてする補正であるところ，本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３９】の記載，及び図７より，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当し，また，同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　上記（１）と同様の理由により，補正事項２は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項２は，特許請求の範囲についてする補正であるところ，上記（１）と同様の理由により，補正事項２は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当し，また，同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
　
（３）補正事項３ないし５について
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３９】の記載，及び図７より，補正事項３ないし５は，いずれも，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項３ないし５は，いずれも，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
３　小括
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２の規定に適合するので，適法なものといえる。
　
　
第３　本願発明について
　
　前記第２のとおり，本件補正は適法なものと認められるので，本願の特許請求の範囲の請求項１ないし４（以下「本願請求項１」ないし「本願請求項４」という。）の各請求項に係る発明（以下，本願の特許請求の範囲の各請求項記載の発明を，請求項１ないし４の区分に応じて「本願発明１」ないし「本願発明４」といい，これらを併せて「本願発明」という。）は，それぞれ，本件補正により補正された，特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載の以下のとおりのものと認める。
　
　「【請求項１】
　Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において，
　前記接続端子はＣｕにより形成され，前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていることを特徴とする電子部品。
　【請求項２】
　前記保護層が，Ａｇ３Ｓｎであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
　【請求項３】
　電子部品と，
　前記電子部品が搭載される回路基板と，
　前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合する，Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだとを有し，
　前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子はどちらもＣｕにより形成され，前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていることを特徴とする電子機器。
　【請求項４】
　前記保護層が，Ａｇ３Ｓｎであることを特徴とする請求項３に記載の電子機器。」
　
　
第４　拒絶査定について
　
１　拒絶査定の概要
　平成２８年２月２２日付けでした拒絶査定の概要は，以下のとおりである。
［拒絶査定の概要］
　『この出願については，平成２７年５月２５日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって，拒絶をすべきものです。
　なお，意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが，拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
　
備考
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１−５
・引用文献等　１−３
　引用文献１（全文全図，特に図１４−図１８）には，配線基板と半導体チップとを接続する際に，「アルミニウム電極パッド２」上にＮｉや銅からなるバリアメタルを形成し（段落［００３３］），さらにその上に「Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７」とＳｎ／Ａｇはんだからなる「低融点金属９」とを設けることが記載されている。
　引用文献１は，「Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７」をバリア性を発揮させたり（段落［００３４］），密着性を向上させるために用いている（段落［００２９］）。
　引用文献１は上述のようにパッドとしてアルミニウムを用いるものであるが，「Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７」とパッドとの間にはＮｉや銅からなるバリアメタルが存在するため，引用文献１における効果は当然Ｎｉや銅に対しても発揮されるものである。
　ここで，引用文献２（段落［００１１］−段落［００１７］），引用文献３（段落［００１５］−段落［００２１］）に記載されているように，バリアメタルとしてではなく，電極や端子，パッドそのものとして銅を用いることは周知技術であるため，引用文献１において電極や端子，パッドとして銅を用いて，その上に「Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７」と「低融点金属９」とを設ける構成とすることは，当業者が容易になし得たことであり，上述のように引用文献１の効果は銅に対しても発揮されるため，阻害要因があるとも認められない。
　よって，請求項１−５に係る発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２，３に記載された周知技術に基づいて，当業者であれば容易になし得たものであるから，依然として，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
引用文献等一覧
１　特開２０００−２６０８０１号公報
２　特表２００９−５２６３８２号公報
３　特開２００９−５４７９０号公報』
　
２　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献１の記載と引用発明１Ａ及び１Ｂ
　ア　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である，特開２０００−２６０８０１号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　「【００６０】［実施例６］
シリコン１などで形成された半導体ウェハ（直径６インチ，厚さ６２５μｍ）上に，図１４に示すように，１００μｍ角のアルミニウム電極パッド２を形成し
【００６１】
次に，ウェハ全面にチタン膜４，ニッケル膜５およびパラジウム膜６をスパッタリングや電子ビーム蒸着などによりバリアメタルとして形成する
【００６２】
このバリアメタル上にＡｇ
３
Ｓｎ金属間化合物膜７を，同じくスパッタリングや電子ビーム蒸着により形成する。このＡｇ
３
Ｓｎ金属間化合物膜７の厚さは１０μｍ以下，好ましくは０．５〜５μｍとすると効果的にバリア性が発揮される
【００６３】なお，バリアメタルとＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜とは同時に形成してもよい。続いて，
バリアメタルの上にレジスト８を５０μｍ程度の厚さで塗布し，アルミニウム電極パッド２部分に重なる形状となるようガラスマスクを用いてレジストパターンを形成する。
【００６４】さらに，
図１５に示すように，王水系溶液を用いて，Ａｇ
３
Ｓｎ金属間化合物膜７，パラジウム膜６およびニッケル膜５をエッチングする。次に，チタン膜４をエチレンジアミン四酢酸系溶液を用いてエッチングする。さらに，アセトンや一般的なレジスト剥離液等の溶媒を用いてレジスト８を除去する
【００６５】次に，図１６に示すように，厚さ６０μｍの１６０μｍ角の印刷マスク１２をウェハ上で位置合わせして配置し，開口部に低融点金属ペースト９を流し込み，スキージ１３により余分な低融点金属ペースト９を削ぎ落としてスクリーン印刷する。
【００６６】その後，図１７に示すように，印刷マスク１２を引き上げる，またはウェハを引き下げると，
低融点金属９がバリアメタル上に形成される
【００６７】
この低融点金属９としては，共晶Ｓｎ／Ａｇはんだが挙げられる
【００６８】さらに，図１８に示すように，半導体ウェハを，窒素雰囲気中，２５０℃で３０秒間加熱し，はんだ金属である低融点金属９をリフローする。
【００６９】この後，特に図示しないが，
通常の電気的なテストを行った後，ウェハをダイシングして半導体チップとし，フリップチップ実装する。このフリップチップ実装された半導体チップと配線基板とを仮止めし，２５０℃に設定した窒素リフロー炉に通して，低融点金属からなるバンプを溶融する。これによって半導体チップと配線基板とが電気的に接続・実装され，半導体装置が得られる
【００７０】
配線基板上の接続パッドとして，Ｃｕ
【００７１】尚，配線基板上に実装された半導体チップの周囲，および配線基板と半導体チップの間にシリコーン樹脂，エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を充填して硬化させてもよい。
【００７２】
【発明の効果】本発明によれば，
バリアメタルと突起電極の間にＡｇ
３
Ｓｎ金属間化合物を形成することで，バリアメタルと突起電極の双方に優れた密着性を有する信頼性の高い半導体素子およびその製造方法が提供される
　
　イ　上記アより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１Ａ」という。）が記載されていると認められる。
　「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだである低融点金属９からなるバンプを溶融することにより配線基板に電気的に接続される電極パッド２を有する半導体チップにおいて，
　上記電極パッド２はアルミニウムにより形成され，上記電極パッド２の表面に，チタン膜４，ニッケル膜５及びパラジウム膜６がバリアメタルとして形成され，当該バリアメタル上にＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７が形成され，当該Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７上に上記低融点金属９が形成されている半導体チップ。」
　
　ウ　また，上記アより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１Ｂ」という。）が記載されているとも認められる。
　「半導体チップと，
　上記半導体チップが電気的に接続・実装される配線基板と
　上記半導体チップの電極パッド２と上記配線基板の接続パッドとの間を電気的に接続する共晶Ｓｎ／Ａｇはんだである低融点金属９からなるバンプとを有し，
　上記半導体チップの電極パッド２はアルミニウムにより形成され，上記配線基板の接続パッドはＣｕにより形成され，上記電極パッド２の表面に，チタン膜４，ニッケル膜５及びパラジウム膜６がバリアメタルとして形成され，当該バリアメタル上にＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７が形成されている半導体装置。」
　
（２）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である，特表２００９−５２６３８２号公報（以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００１１】
　図１は，
絶縁基板，回路基板，又は半導体材料でつくられる第１の基板を示す，金属相互接続構造体要素１０１を概略的に示す
オーバーコート１０２には，金属性コンタクト・パッド１０３を露出させる窓がある。コンタクト・パッド１０３に好ましい金属は，約１０μｍから３０μｍまでの厚み範囲の，銅又は銅合金である
【００１２】
　
要素１１１は，第２の絶縁性基板，第２の回路基板，又は第２の半導体材料を示す。その表面は，第２の金属性コンタクト・パッド１１３を露出させる窓を有する
コンタクト・パッド１１３に好ましい金属は，約１０μｍから３０μｍまでの厚み範囲の，銅又は銅合金である
【００１３】
　図１の変形例において，第１のコンタクト・パッド１０３は，銅面上に障壁金属層１０４及び１０５を有していてもよい。層１０４は，約０．０１μｍから３μｍまでの厚み範囲のニッケルでつくられ，層１０５は，約０．３μｍから１μｍまでの厚み範囲の金でつくられることが好ましい。別の変形例において，第２の銅コンタクト・パッド１１３は，その上に，好ましくは０．０１μｍから３μｍまでの厚みのニッケルでつくられる障壁層，その後続く，好ましくは０．３μｍから１μｍまでの金でつくられる層を有していてもよい。
【００１４】
　図１において，
第２のコンタクト・パッドは，第１のコンタクト・パッドに対向して配置される。はんだの本体１２０が第１及び第２のパッドに接しており，このため，これらの２つのパッドを接続する。本体１２０のはんだは，以下の金属，即ち，約９５．５から約９９．４９重量パーセントの量の錫，約０．５から約４．０重量パーセントの量の銀，及び約０．０１から約０．５重量パーセントの量の，元素の周期表の遷移族IIIa，IVa，Va，VIa，VIIa，及びVIIIaから少なくとも１つの金属，を含む合金である
【００１５】
　初期の断片部分として，元のはんだ本体は，合金の成分が実質的に均一な分布している。しかし，はんだリフロー後，コンタクト・パッド近辺のはんだ領域内の遷移金属重量パーセントは，はんだ本体の中央領域内の遷移金属重量パーセントより小さく，或る構造体では半分以下である。
【００１６】
　遷移族IIIaの金属は，スカンジウム，イットリウム，及びランタンを含み，遷移族IVaの金属は，チタン，ジルコニウム，及びハフニウムを含み，遷移族Vaの金属は，バナジウム，ニオブ，及びタンタルを含み，遷移族VIaの金属は，クロム，モリブデン，及びタングステンを含み，遷移族VIIaの金属は，マンガン，及びレニウムを含み，及び遷移族VIIIaの金属は，鉄，コバルト，ニッケル，ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，及びプラチナを含む。
【００１７】
　
はんだ本体１２０が液化し，その後，コンタクト・パッド１０３に取り付けられるべく固化すると，パッド１０３とはんだ１２０との間に金属間化合物の層が形成される
この金属間化合物は
(ＣｕＸ)
６
Ｓｎ
５
，Ｓｎ
３
Ａｇ，及びＡｇ
３
Ｓｎなど，銅／錫の，及び銅／銀／錫の化合物の粒子を含み，ここでＸははんだ本体からの遷移金属である
【００１８】
　
はんだ本体１２０が再び液化され，その後，第２のコンタクト・パッド１１３に取り付けるため固化されると，第２のパッドとはんだとの間に金属間化合物の別の層が形成される。この金属間化合物も，錫／銀の，銅／錫の，及び銅／銀／錫の化合物を含み
　
　イ　上記アより，引用文献２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁基板，回路基板，又は半導体材料でつくられる第１の基板を示す，金属相互接続構造体要素１０１であって，当該金属相互接続構造体要素１０１は，銅又は銅合金である第１のコンタクト・パッド１０３を有し，
　第２の絶縁性基板，第２の回路基板，又は第２の半導体材料である要素１１１であって，当該要素１１１は，銅又は銅合金である第２のコンタクト・パッド１１３を有し，
　第２のコンタクト・パッド１１３は，第１のコンタクト・パッド１０３に対向して配置され，約９５．５から約９９．４９重量パーセントの量の錫，約０．５から約４．０重量パーセントの量の銀，及び約０．０１から約０．５重量パーセントの量の，元素の周期表の遷移族IIIa，IVa，Va，VIa，VIIa，及びVIIIaから少なくとも１つの金属，を含む合金である，はんだ本体１２０が，上記第１のコンタクト・パッド１０３及び上記第２のコンタクト・パッド１１３に接しており，このため，上記第１のコンタクト・パッド１０３と上記第２のコンタクト・パッド１１３とを接続し，
　上記はんだ本体１２０が液化し，その後，上記第１のコンタクト・パッド１０３及び上記第２のコンタクト・パッド１１３に取り付けられるべく固化すると，上記第１のコンタクト・パッド１０３及び上記第２のコンタクト・パッド１１３と，上記はんだ本体１２０との間に，(ＣｕＸ)６Ｓｎ５（Ｘははんだ本体からの遷移金属），Ｓｎ３Ａｇ，及びＡｇ３Ｓｎなど，銅／錫の，及び銅／銀／錫の化合物の粒子を含む，金属間化合物の層が形成される，半導体デバイス。」
　
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　ア　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である，特開２００９−５４７９０号公報（以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００２８】
＜半導体装置の製造方法，半導体装置の実装＞
　本発明の半導体基板の製造方法の一例を図５に従って以下に記載する。
本発明の半導体装置１００は，基板１０２上に公知ウエハプロセスが実施され，
基板１０２の表面にはマトリックス状に配列された半導体チップ（不図示）を形成する。ここでいう半導体チップとは，一つの半導体装置に対応して形成される基板上の電気回路のことである
　
前記電気回路と電気的に接続された電極パッド（不図示）を形成した
　この表面に，例えば，イオンスパッタ法により，チタンタングステン（ＴｉＷ）等からなるバリアメタル（不図示）を形成する。その後，バリアメタル上に銅（Ｃｕ）のメッキを形成し，
電極パッド（不図示）から絶縁性封止層１０４の上面に至るように配線し，Ｃｕ電極１０６を形成する
【００２９】
　次に，
半田ボール１１４とＣｕ電極１０６とを電気的に接続するため，フラックス１１２を塗布する。この後，半田ボール１１４をフラックス１１２上に載せ，リフロー処理することにより，外部接続端子１１０を形成する
　ここで，本発明の半導体デバイスにおいて，好適に用いることができるフラックスとしては，例えば，樹脂系，有機酸系のフラックスが挙げられる。これらの中でも，本発明で好適に用いることができるフラックス１１２としては，いずれにおいてもハロゲンフリーのフラックスが挙げられ，更にリフロー処理温度の兼ね合いから以下を満たすフラックスが好ましい。
　フラックス溶剤の沸点は，１４０℃以上３００℃以下に設定し，活性を示し始める温度
が８０℃以上１６０℃以下であることが好ましい。より好ましい態様としては，溶剤の沸点を１８０℃以上２８５℃以下に設定し，活性を示し始める温度が１００℃以上１４０℃以下であることが挙げられる。
　リフロー処理は，基板温度を例えば１５０℃で均一にするための予備加熱を行った後，引き続いて，ピーク温度に上昇して半田を接合する。このピーク温度にするための条件（以下，適宜，「ピーク条件」と称する）は，昇降温速度を２℃／分〜３℃／分，ピーク温度を１８０℃〜２６０℃，（ピーク温度−２０℃）以上の保持時間を３０秒〜６０秒とし，大気中で行うことが好ましい。中でも，ピーク温度を２４０℃〜２６０℃の範囲でリフロー処理を行うと，ストッパー部が十分に形成される点で好ましい。
　また，フラックス１１２に代えて，上述した外部接続端子１１０の合金組成と同じ組成の半田ペースト１１２を用いてもよい。また，半田ペーストの組成としては，従来から用いられているＳｎ３Ａｇ０．５Ｃｕを用いてもよい。
【００３０】
　
このようにして製造した本発明の半導体装置１００を，実装基板１２０に実装する
　
実装基板１２０上に，公知の方法で電気回路を形成し，この電気回路と電気的に接続されている端子１２２上に，半田ペースト１２８を塗布する。半田ペースト１２８の組成としては，例えば，Ｓｎ
（１００−ｘ−ｙ）
Ａｇ
ｘ
Ｃｕ
ｙ
（組成比を示すｘ，ｙは，それぞれ，０．０５質量％以上５質量％以下，０．０５質量％以上２質量％以下）が挙げられる。その後，半田ペースト１２８上に，前記のように製造した本発明の半導体装置１００を，外部接続端子１１０が半田ペースト１２８上に載るように配置し，リフロー処理を行い，外部接続端子１１０と端子１２２とが電気的に接続され，半導体装置１００の実装基板１２０への実装が完了する
　
　イ　上記アより，引用文献３には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　「電気回路が形成された半導体装置１００と，
　上記半導体装置１００が実装される，電気回路が形成された実装基板１２０と，
　上記半導体装置１００のＣｕ電極１０６と上記実装基板１２０の端子１２２との間を電気的に接続する半田ボール１１４，及びＳｎ（１００−ｘ−ｙ）ＡｇｘＣｕｙ（組成比を示すｘ，ｙは，それぞれ，０．０５質量％以上５質量％以下，０．０５質量％以上２質量％以下）である半田ペースト１２８とを有する，半導体装置１００を実装基板１２０に実装した物。」
　
３　本願発明の進歩性についての判断
（１）本願発明１について
　ア　対比
　本願発明１と引用発明１Ａとを対比する。
　引用発明１Ａにおける「配線基板」，「電気的に接続される」，「電極パッド２」及び「半導体チップ」は，それぞれ，本願発明１の「他の電子部品」，「接続される」，「接続端子」及び「電子部品」に相当するといえる。
　そして，本願発明１の「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合」と，引用発明１Ａにおける「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだである低融点金属９からなるバンプを溶融すること」とは，「ＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合」である点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明１と引用発明１Ａとの一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
（ア）一致点
　「ＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品。」
（イ）相違点
　・相違点１
　一致点に係る構成の「ＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合」について，本願発明１は，「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合」であるのに対し，引用発明１Ａは，「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだである低融点金属９からなるバンプを溶融する」もので，「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだ」におけるＡｇ含有量は特定されていない点。
　・相違点２
　一致点に係る構成の「接続端子」について，本願発明１は，「前記接続端子はＣｕにより形成され，前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」のに対し，引用発明１Ａでは，「上記電極パッド２はアルミニウムにより形成され，上記電極パッド２の表面に，チタン膜４，ニッケル膜５及びパラジウム膜６がバリアメタルとして形成され，当該バリアメタル上にＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７が形成され，当該Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７上に上記低融点金属９が形成されている」点。
　
　イ　相違点についての検討
　相違点２について検討する。
　上記２（２）イより，引用文献２には，いずれも銅又は銅合金である，第１のコンタクト・パッド１０３及び第２のコンタクト・パッド１１３と，約９５．５から約９９．４９重量パーセントの量の錫，約０．５から約４．０重量パーセントの量の銀，及び約０．０１から約０．５重量パーセントの量の，元素の周期表の遷移族IIIa，IVa，Va，VIa，VIIa，及びVIIIaから少なくとも１つの金属，を含む合金である，はんだ本体１２０との間に，(ＣｕＸ)６Ｓｎ５（Ｘははんだ本体からの遷移金属），Ｓｎ３Ａｇ，及びＡｇ３Ｓｎなど，銅／錫の，及び銅／銀／錫の化合物の粒子を含む，金属間化合物の層が形成されることが記載されているにとどまり，「前記接続端子はＣｕにより形成され，前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成について，記載も示唆もされていない。
　また，上記２（３）イ及びウより，引用文献３には，半導体装置１００のＣｕ電極１０６と実装基板１２０の端子１２２との間を，半田ボール１１４，及びＳｎ（１００−ｘ−ｙ）ＡｇｘＣｕｙ（組成比を示すｘ，ｙは，それぞれ，０．０５質量％以上５質量％以下，０．０５質量％以上２質量％以下）である半田ペースト１２８によって電気的に接続することで，上記半導体装置１００を上記実装基板１２０に実装することが記載されているだけで，「前記接続端子はＣｕにより形成され，前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成について，記載も示唆もされていない。
　さらに，上記１（１）アより，引用文献１の記載によれば，引用発明１Ａは，「バリアメタルと突起電極の間にＡｇ３Ｓｎ金属間化合物を形成することで，バリアメタルと突起電極の双方に優れた密着性を有する信頼性の高い半導体素子およびその製造方法が提供される。」（【００７２】）との作用効果を奏するものであるから，引用発明１Ａにおいて，電極パッド２の表面にバリアメタルとして形成された，チタン膜４，ニッケル膜５及びパラジウム膜６を取り除き，上記電極パッド２の表面をＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７で直接被覆することには，阻害要因があるといわざるを得ない。
　そうすると，相違点２に係る構成は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　そして，本願明細書の記載（【００３７】ないし【００３９】及び図７）より，本願発明１は，相違点２に係る構成によって，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えるという，格別の作用効果を奏すると認められる。
　
　ウ　小括
　以上から，本願発明１は，引用文献１記載の発明において，引用文献２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
（２）本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１の構成を備えたものであるから，上記（１）と同様の理由により，引用文献１記載の発明において，引用文献２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
（３）本願発明３について
　ア　対比
　本願発明３と引用発明１Ｂとを対比する。
　引用発明１Ｂにおける「半導体チップ」，「電気的に接続・実装される」，「配線基板」，「上記半導体チップの電極パッド２」，「上記配線基板の接続パッド」，及び「電気的に接続する」は，それぞれ，本願発明３の「電子部品」，「搭載される」，「回路基板」，「前記電子部品の接続端子」，「前記回路基板の接続端子」及び「接合する」に相当するといえる。
　そして，本願発明３の「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだ」と，引用発明１Ｂにおける「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだである低融点金属９からなるバンプ」とは，「ＳｎＡｇ合金はんだ」である点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明３と引用発明１Ｂとの一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
（ア）一致点
　「電子部品と，
　前記電子部品が搭載される回路基板と，
　前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合する，ＳｎＡｇ合金はんだとを有し，
　前記回路基板の接続端子はＣｕにより形成されている電子機器。」
（イ）相違点
　・相違点１
　一致点に係る構成の「ＳｎＡｇ合金はんだ」について，本願発明３は，「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだ」であるのに対し，引用発明１Ｂは，「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだである低融点金属９からなるバンプ」であり，「共晶Ｓｎ／Ａｇはんだ」におけるＡｇ含有量は特定されていない点。
　・相違点２
　本願発明３は，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子はどちらもＣｕにより形成され，前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」のに対し，引用発明１Ｂは，「上記半導体チップの電極パッド２はアルミニウムにより形成され，上記配線基板の接続パッドはＣｕにより形成され，上記電極パッド２の表面に，チタン膜４，ニッケル膜５及びパラジウム膜６がバリアメタルとして形成され，当該バリアメタル上にＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７が形成されている」点。
　
　イ　相違点についての検討
　相違点２について検討する。
　引用文献２及び３には，上記（１）イのとおりの事項が記載されており，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子はどちらもＣｕにより形成され，前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成は，記載も示唆もされていない。
　また，上記（１）イのとおり，引用発明１Ｂにおいて，電極パッド２の表面にバリアメタルとして形成された，チタン膜４，ニッケル膜５及びパラジウム膜６を取り除き，上記電極パッド２の表面をＡｇ３Ｓｎ金属間化合物膜７で直接被覆することには，阻害要因があるといわざるを得ない。
　そうすると，引用発明１Ｂにおいて，「半導体チップの電極パッド２」をＣｕにより形成し，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆された構成とすることや，Ｃｕにより形成された「配線基板の接続パッド」が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆された構成とすることは，いずれも，引用文献２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　そして，本願明細書の記載（【００３７】ないし【００３９】及び図７）より，本願発明３は，相違点２に係る構成によって，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えるという，格別の作用効果を奏すると認められる。
　
　ウ　小括
　以上から，本願発明３は，引用文献１記載の発明において，引用文献２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
（４）本願発明４について
　本願発明４は，本願発明３の構成を備えたものであるから，上記（３）と同様の理由により，引用文献１記載の発明において，引用文献２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
４　まとめ
　したがって，本願の請求項１ないし４に係る発明（本願発明１ないし４）は，いずれも，拒絶査定の理由により，拒絶すべきものとすることはできない。
　
　
第５　当審で通知した拒絶理由について
　
１　平成２９年２月１日付けで通知した拒絶理由について
（１）拒絶理由の概要
　当審が平成２９年２月１日付けでした，最初の拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知（最初）」という。）の概要は，以下のとおりである。
［当審拒絶理由通知（最初）の概要］
『理由
１　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２　この出願は，下記の点で，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
３　この出願は，下記の点で，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
　
１　理由１について
（１）請求項１について
　ア　引用発明
　引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「はんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において，前記接続端子はＣｕにより形成されている電子部品。」
　イ　対比
　本願請求項１に係る発明と引用発明１とを対比すると，両者は，以下の点で相違し，その余の点で一致すると認める。
　・相違点
　本願請求項１に係る発明は，「接続端子の表面が，Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成を備えているのに対し，引用発明１は，上記の構成を備えていない点。
　ウ　相違点についての判断
　引用文献２には，はんだ接合により他の電子部品に接続される電子部品の複合リード線であって，銅からなる導体の表面に，Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物により形成された保護層を直接被覆することで，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善することが記載されている。
　そして，引用発明１において，Ｃｕにより形成された接続端子に，半田付け性及び電気接続性を付与することや，耐熱性及び耐食性を改善することは，当業者が当然に考慮するものと認められ，また，はんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において，上記接続端子を被覆する層をＡｇ３Ｓｎにより形成することは，引用文献３にみられるように，本願出願日前，当該技術分野では普通に行われていたと認められる。
　そうすると，引用発明１において，Ｃｕにより形成された接続端子に，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善するために，上記接続端子の表面が，Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層により直接被覆された構成（相違点に係る構成）とすることは，本願出願時の当該技術分野における技術水準に鑑みれば，引用文献２記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（２）請求項２について
　本願出願時の当該技術分野における技術水準に鑑みれば，本願請求項２に係る構成は，引用発明１において，引用文献２記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。
　
（３）請求項３について
　ア　引用発明
　引用文献１には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「電子部品と，
　前記電子部品が搭載される回路基板と，
　前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合するはんだとを有し，
　前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子はどちらもＣｕにより形成されている，
　電子機器。」
　イ　対比
　本願請求項１に係る発明と引用発明１とを対比すると，両者は，以下の点で相違し，その余の点で一致すると認める。
　・相違点
　本願請求項１に係る発明は，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成を備えているのに対し，引用発明２は，上記の構成を備えていない点。
　ウ　相違点についての判断
　引用文献２には，はんだ接合により他の電子部品に接続される電子部品の複合リード線であって，銅からなる導体の表面に，Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物により形成された保護層を直接被覆することで，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善することが記載されている。
　そして，引用発明２において，電子部品及び回路基板それぞれのＣｕにより形成された接続端子に，半田付け性及び電気接続性を付与することや，耐熱性及び耐食性を改善することは，当業者が当然に考慮するものと認められ，また，はんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において，上記接続端子を被覆する層をＡｇ３Ｓｎにより形成することは，引用文献３にみられるように，本願出願日前，当該技術分野では普通に行われていたと認められる。
　そうすると，引用発明２において，電子部品及び回路基板それぞれのＣｕにより形成された接続端子に，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善するために，上記接続端子の表面が，Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層により直接被覆された構成（相違点に係る構成）とすることは，本願出願時の当該技術分野における技術水準に鑑みれば，引用文献２記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（４）請求項４について
　本願出願時の当該技術分野における技術水準に鑑みれば，本願請求項４に係る構成は，引用発明２において，引用文献２記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。
　
引用文献等一覧
１　特開２００８−２８８２９７号公報
２　特開昭５６−５６７４５号公報
３　特開２０００−２６０８０１号公報
　
２　理由２について
（１）本願請求項１及び２について
　本願請求項１の記載より，当該請求項に係る発明には，任意の材料からなる「はんだ」で，電子部品間を「はんだ接合」するものが含まれ得ると認められる。
　しかし，本願明細書の発明の詳細な説明の記載によれば，本願に係る発明は，「接続端子とはんだとの接合部に流れる電流密度が高くてもエレクトロマイグレーションが発生しにくい電子部品及び電子機器を提供することを目的とする」（【０００５】）ものであるところ，本願明細書の発明の詳細な説明には，「はんだ（Ｓｎ−３．５ｗｔ％Ａｇ）」を用いた場合に，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成により，上記の目的が達成されることが記載されているだけで，他の材料からなる「はんだ」を用いた場合について上記の構成により上記の目的が達成されることは記載されていない。
　そして，当該技術分野における技術常識を参酌しても，電子部品間を「はんだ接合」する「はんだ」の材料に関係なく，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との構成によって，上記の目的が達成されることが自明であるとは認められない。
　以上から，本願請求項１に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。
　同様の理由により，請求項１を引用する，本願請求項２に係る発明も，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。
　
（２）本願請求項３について
　本願請求項３の記載より，当該請求項に係る発明には，任意の材料からなる「はんだ」で，電子部品と回路基板とを「はんだ接合」するものが含まれ得ると認められるが，上記（１）と同様の理由により，本願請求項３に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。
　
３　理由３について
　本願請求項２には「前記保護層中のＡｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下である」と記載され，また，当該請求項で引用する本願請求項１には「Ａｇ３Ｓｎにより形成された保護層」と記載されているが，「Ａｇ３Ｓｎ」であることと，「Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下である」ことが両立するとは認められず，本願請求項２の上記の記載では「保護層」の構成は不明である。
　以上から，本願請求項２には，当該請求項に係る発明の構成が明確に記載されているとは認められない。』
　
（２）引用文献の記載と引用発明
　ア　引用文献４の記載と引用発明４Ａ及び４Ｂ
（ア）当審拒絶理由通知（最初）で引用文献１として引用された，本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である，特開２００８−２８８２９７号公報（以下「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００２６】
　実施例１は，
実装部として半導体チップを用いた，いわゆるチップオンチップ型の半導体装置である
【００２７】
　
図１（ａ）は，実装する側の半導体チップの下面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ１線に沿った断面図である。シリコンからなる第１半導体チップ１０の主面には，外部に配線を引き出すための銅からなる第１電極３０が形成されている。第１電極３０の表面には，外部と物理的かつ電気的な接続を行うため，錫と銀からなる半田ボール４８が形成されている
【００２８】
　
図２（ａ）は，実装される側の半導体チップの上面図であり，図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ１線に沿った断面図である。図３は電極の形状を比較するための参考図である。シリコンからなる第２半導体チップ２０（実装部）の主面には，後述するＸ線検査用の銅からなる第２電極３２，及び第２半導体チップ２０から外部に配線を引き出すための銅からなる第３電極３４が形成されている
ッケージング時の樹脂封止工程において電極に熱応力がかかるため，熱応力の影響が大きい外側には熱応力に強い円形の第３電極３４を，熱応力の影響が小さい内側には熱応力に弱い十字状の第２電極３２を設けたものである。
【００２９】
　
図４を参照に，第１半導体チップ１０を第２半導体チップ２０にフリップチップボンディングにより実装する。まず，半田ボール４８を加熱により溶融させる。次に第１電極３０，並びに第２電極３２及び第３電極３４の位置合わせを行った上で，半田ボール４８を第２電極３２及び第３電極３４に融着させる
その後，半田ボール４８が固化すると，第１電極３０と第２電極３２との間には第１半田バンプ４０が，第１電極３０と第３電極３４との間には第２半田バンプ４２がそれぞれ形成される。以上の半田バンプ接合工程により，実施例１に係る半導体装置１００が完成する
（イ）上記（ア）より，引用文献４には，次の発明（以下「引用発明４Ａ」という。）が記載されていると認められる。
　「錫と銀からなる半田ボール４８により第２半導体チップ２０に接続される第１電極３０が形成された第１半導体チップ１０において，上記第１電極３０は銅からなる第１半導体チップ１０。」
（ウ）上記（ア）より，引用文献４には，次の発明（以下「引用発明４Ｂ」という。）が記載されているとも認められる。
　「第１半導体チップ１０と，
　上記第１半導体チップ１０が実装される第２半導体チップ２０と，
　上記第１半導体チップ１０の第１電極３０と上記第２半導体チップ２０の第２電極３２及び第３電極３４との間を接合する錫と銀からなる半田ボール４８とを有し，
　上記第１半導体チップ１０の第１電極３０と上記第２半導体チップ２０の第２電極３２及び第３電極３４はいずれも銅からなる半導体装置。」
　
　イ　引用文献５の記載と引用文献５に記載の事項
（ア）当審拒絶理由通知（最初）で引用文献２として引用された，本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である，特開昭５６−５６７４５号公報（以下「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　・「
本発明は，レジスター，コンデンサー，ダイオード，トランジスターなどの電子機器部品に用いられる複合リード線の改良に関する
半田付け性，電気接続性を劣化せしめることなく，耐食性と耐熱性を向上せしめた
　・「本発明はこれに鑑み種々研究の結果，
半田接続性及び電気接続性を劣化せしめることなく耐食性及び耐熱性を向上せしめた複合リード線を開発した
導体表面に
中間層を
介在させることなくＡｇ−３〜３０ｗｔ％Ｓｎ合金で最外層の保護層を形成した
　また本発明は上記複合リード線を容易に製造し得る方法を開発したもので，
導体表面に
　即ち
本発明リード線は，第１図に示すように導体１の最外層にＡｇ−３〜３０ｗｔ％Ｓｎ合金からなる保護層２を形成した
　
導体１は従来同様銅
からなり
　
Ａｇ−３〜３０ｗｔ％Ｓｎ合金からなる保護層２は導体１を保護し，これに複合リード線として必要な半田付け性，電気接続性を付与すると共に表面硬度を高めて外傷を防止し，耐熱性，耐食性を改善したものである
Ｓｎ含有量は，Ｓｎの固溶状態（α相）から金属間化合物Ａｇ
３
Ｓｎ（γ相）まで有効であり
Ｓｎ含有量が３ｗｔ％未満では改善効果が小さく，３０ｗｔ％を越えると脆くなり，実用的でない
　・「
このような本発明複合リード線は，Ａｇ−３〜３０ｗｔ％Ｓｎ合金からなる保護層を導体上に直接電気メッキや真空蒸着などの方法で形成することも不可能でない
（イ）上記（ア）より，引用文献５には，以下の事項が記載されていると認められる。
　「はんだ接合により他の電子部品に接続される電子部品の複合リード線であって，銅からなる導体の表面に，Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物により形成された保護層を直接被覆することで，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善すること。」
　
　ウ　当審拒絶理由通知（最初）で引用された引用文献３について
　当審拒絶理由通知（最初）で引用文献３として引用された文献は，拒絶査定で引用された引用文献１と同じものであり，前記第４の２（１）イ及びウのとおりの引用発明１Ａ及び１Ｂが記載されていると認められる。
　
（３）本願発明の進歩性（当審拒絶理由通知（最初）の理由１）についての判断
　ア　本願発明１について
（ア）対比
　本願発明１と引用発明４Ａとを対比する。
　引用発明４Ａにおける「第２半導体チップ２０」，「第１電極３０」及び「第１半導体チップ１０」は，それぞれ，本願発明１の「他の電子部品」，「接続端子」及び「電子部品」に相当するといえる。
　そして，本願発明１の「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合により」と，引用発明４Ａにおける「錫と銀からなる半田ボール４８により」とは，「ＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合によ」るものである点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明１と引用発明４Ａとの一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
　ａ　一致点
　「ＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において，
　前記接続端子はＣｕにより形成された，電子部品。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　一致点に係る構成の「ＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合」について，本願発明１は，「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合」であるのに対し，引用発明４Ａは，「錫と銀からなる半田ボール４８によ」る点。
　・相違点２
　一致点に係る構成の「接続端子」について，本願発明１は，「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」のに対し，引用発明４Ａは，上記の構成を備えていない点。
（イ）相違点についての検討
　相違点２について検討する。
　本願明細書の記載（【００３７】ないし【００３９】及び図７）より，本願発明１は，相違点２に係る構成によって，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えるとの作用効果を奏すると認められる。
　他方，引用文献５には，はんだ接合により他の電子部品に接続される電子部品の複合リード線において，銅からなる導体の表面に，Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物により形成された保護層を直接被覆することで，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善することが記載されているにとどまり，電子部品の接続端子をＣｕにより形成し，上記接続端子の表面を，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆することで，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えるとの作用効果を奏することについて，記載も示唆もされていない。
　また，前記第４の２（１）イ及びウより，引用文献１には，上記相違点２に係る構成，及びそれによる作用効果について，記載も示唆もされていない。
　そうすると，相違点２に係る構成は，引用発明４Ａにおいて，引用文献５及び１にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（ウ）小括
　以上から，本願発明１は，引用文献４記載の発明において，引用文献５及び１にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
　イ　本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１の構成を備えたものであるから，上記アと同様の理由により，引用文献４記載の発明において，引用文献５及び１にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
　ウ　本願発明３について
（ア）対比
　本願発明３と引用発明４Ｂとを対比する。
　引用発明４Ｂにおける「第１半導体チップ１０」，「実装される」，「第２半導体チップ２０」，「上記第１半導体チップ１０の第１電極３０」，「上記第２半導体チップ２０の第２電極３２及び第３電極３４」及び「半導体装置」は，それぞれ，本願発明３の「電子部品」，「搭載される」，「回路基板」，「前記電子部品の接続端子」，「前記回路基板の接続端子」及び「電子機器」に相当するといえる。
　そして，本願発明３の「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだ」と，引用発明４Ｂにおける「錫と銀からなる半田ボール４８」とは，「ＳｎＡｇ合金はんだ」である点で共通するといえる。
　そうすると，本願発明３と引用発明４Ｂとの一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
　ａ　一致点
　「電子部品と，
　前記電子部品が搭載される回路基板と，
　前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合する，ＳｎＡｇ合金はんだとを有し，
　前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子はどちらもＣｕにより形成された，電子機器。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　一致点に係る構成の「ＳｎＡｇ合金はんだ」について，本願発明３は，「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだ」であるのに対し，引用発明４Ａは，「錫と銀からなる半田ボール４８」である点。
　・相違点２
　一致点に係る構成の「接続端子」について，本願発明３は，「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」のに対し，引用発明４Ｂは，上記の構成を備えていない点。
（イ）相違点についての検討
　相違点２について検討する。
　本願明細書の記載（【００３７】ないし【００３９】及び図７）より，本願発明３は，相違点２に係る構成によって，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えるとの作用効果を奏すると認められる。
　他方，引用文献５には，はんだ接合により他の電子部品に接続される電子部品の複合リード線において，銅からなる導体の表面に，Ａｇ３Ｓｎ金属間化合物により形成された保護層を直接被覆することで，半田付け性及び電気接続性を付与するとともに，耐熱性及び耐食性を改善することが記載されているにとどまり，電子部品の接続端子及び回路基板の接続端子をＣｕにより形成し，上記２つの接続端子のの少なくとも一方の表面を，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆することで，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えるとの作用効果を奏することについて，記載も示唆もされていない。
　また，前記第４の２（１）イ及びウより，引用文献１には，上記相違点２に係る構成，及びそれによる作用効果について，記載も示唆もされていない。
　そうすると，相違点２に係る構成は，引用発明４Ｂにおいて，引用文献５及び１にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（ウ）小括
　以上から，本願発明３は，引用文献４記載の発明において，引用文献５及び１にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
　エ　本願発明４について
　本願発明４は，本願発明３の構成を備えたものであるから，上記アと同様の理由により，引用文献４記載の発明において，引用文献５及び１にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
（４）本願の特許請求の範囲のサポート要件（当審拒絶理由通知（最初）の理由２）についての判断
　ア　本願請求項１について
　前記第３のとおり，本願請求項１には，「Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだによるはんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において，」と記載されている。
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明には，「但し，接続端子１２，２２間を接続するはんだ２５は，２．０ｗｔ％〜４．０ｗｔ％のＡｇを含有したＳｎＡｇ合金により形成することが好ましい。はんだとして上記のＳｎＡｇ合金を使用すると，保護層１３，２３中のＡｇＳｎ合金がはんだ中に拡散することを抑制する効果が大きく，エレクトロマイグレーションによる接続端子１２，２２間の断線をより確実に抑制できる。」（【００２８】）との記載があるから，本願請求項１における上記の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されている。
　そうすると，本願請求項１に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項１に対し当審拒絶理由通知（最初）で通知した理由２は解消されたと認められる。
　そして，本願請求項１を引用する本願請求項２に係る発明も，同様の理由により，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項２に対し当審拒絶理由通知（最初）で通知した理由２は解消されたと認められる。
　
　イ　本願請求項３及び４について
　前記第３のとおり，本願請求項３には，「前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合する，Ａｇ含有量が２．０ｗｔ％乃至４．０ｗｔ％のＳｎＡｇ合金はんだとを有し，」と記載されている。
　そして，上記アより，本願請求項３における上記の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明（【００２８】）に記載されている。
　そうすると，本願請求項３に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項３に対し当審拒絶理由通知（最初）で通知した理由２は解消されたと認められる。
　そして，本願請求項３を引用する本願請求項４に係る発明も，同様の理由により，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項４に対し当審拒絶理由通知（最初）で通知した理由２は解消されたと認められる。
　
　ウ　小括
　以上より，本願請求項１ないし４の各請求項に係る発明は，いずれも，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願の特許請求の範囲は，特許法第３６条第６項第１号に規定に適合すると認める。
　
（５）本願の特許請求の範囲の明確性要件（当審拒絶理由通知（最初）の理由３）についての判断
　前記第３のとおり，本願請求項１には，「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」が記載され，また，本願請求項２には，「前記保護層が，Ａｇ３Ｓｎであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。」と記載されている。
　そうすると，本願請求項１及び２における「保護層」に関する上記の記載より，本願請求項２には，本願発明における「保護層」の構成が明確に記載されているといえるから，本願請求項２に対し当審拒絶理由通知（最初）で通知した理由３は解消されたと認められる。
　以上より，本願請求項２には，当該請求項に係る発明の構成が明確に記載されているといえるから，本願の特許請求の範囲は，特許法第３６条第６項第２号に規定に適合すると認める。
　
（６）まとめ
　したがって，本願の請求項１ないし４に係る発明（本願発明１ないし４）は，いずれも，当審拒絶理由通知（最初）の理由により，拒絶すべきものとすることはできない。
　
２　平成２９年３月２４日付けで通知した拒絶理由について
（１）拒絶理由の概要
　当審が平成２９年３月２４日付けでした，最後の拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知（最後）」という。）の概要は，以下のとおりである。
［当審拒絶理由通知（最後）の概要］
『理由 
　この出願は，下記の点で，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記  
　
 １　本願請求項１及び２について 
　本願請求項１における「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％乃至９５ｗｔ％のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との記載より，当該請求項に係る発明には，接続端子の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆された構成を備えたものが含まれ得ると認められる。 
　しかし，本願明細書の発明の詳細な説明の記載によれば，本願に係る発明は，「接続端子とはんだとの接合部に流れる電流密度が高くてもエレクトロマイグレーションが発生しにくい電子部品及び電子機器を提供することを目的とする」（【０００５】）ものであるところ，本願明細書の発明の詳細な説明には，「図７は，横軸にＡｇＳｎ合金中のＡｇ含有量をとり，縦軸に断線が発生するまでの時間（破断寿命）をとって，両者の関係を調べた結果を示す図である。この図７からわかるように，Ａｇ含有量が５ｗｔ％未満の場合，及びＡｇ含有量が９５ｗｔ％を超える場合は，いずれも破断寿命が５００時間以下になる。この実験結果から，保護層中のＡｇの含有量は，１０ｗｔ％〜９５ｗｔ％とすることが好ましいことがわかる。」（【００３９】）と記載され，接続端子の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆された場合の破断寿命は記載されていない。
　また，保護層であるＡｇＳｎ合金中のＡｇ含有量（横軸）と破断寿命（縦軸）との関係を調べた結果を示す図である，本願の図７には，保護層であるＡｇＳｎ合金中のＡｇ含有量が５ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満の場合，破断寿命は，Ａｇ含有量が５ｗｔ％未満の場合，及びＡｇ含有量が９５ｗｔ％を超える場合と同様に，破断寿命が５００時間以下になることが記載されていると認められる。 
　そうすると，本願請求項１に係る発明に含まれ得る，接続端子の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆された構成を備えたものが，本願に係る発明の目的を達成することは，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されていない。 
　そして，本願請求項１に係る発明に含まれ得る上記の構成を備えたものが，本願に係る発明の目的を達成することは，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願明細書の発明の詳細な説明の記載から自明であるとは認められない。 
　以上から，本願請求項１に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。 
　同様の理由により，請求項１を引用する，本願請求項２に係る発明も，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。
 　 
 ２　本願請求項３及び４について 
　本願請求項３における「前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％乃至９５ｗｔ％のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されている」との記載より，当該請求項に係る発明には，電子部品の接続端子及び回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が，Ａｇ含有量が５ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆された構成を備えたものが含まれ得ると認められる。 
　しかし，上記１と同様の理由により，本願請求項３に係る発明に含まれ得る上記の構成を備えたものが，本願に係る発明の目的を達成することは，本願明細書の発明の詳細な説明には記載されておらず，また，本願請求項３に係る発明に含まれ得る上記の構成を備えたものが，本願に係る発明の目的を達成することは，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願明細書の発明の詳細な説明の記載から自明であるとは認められない。 
　以上から，本願請求項３に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。 
　同様の理由により，請求項３を引用する，本願請求項４に係る発明も，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるとは認められない。』
　
（２）本願の特許請求の範囲のサポート要件（当審拒絶理由通知（最後）の理由）についての判断
　ア　本願請求項１及び２について
　前記第３のとおり，本願請求項１には，「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」が記載されている。
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明の記載によれば，本願に係る発明は，「接続端子とはんだとの接合部に流れる電流密度が高くてもエレクトロマイグレーションが発生しにくい電子部品及び電子機器を提供することを目的とする」（【０００５】）ものであるところ，本願明細書の発明の詳細な説明には，「この図７からわかるように，Ａｇ含有量が５ｗｔ％未満の場合，及びＡｇ含有量が９５ｗｔ％を超える場合は，いずれも破断寿命が５００時間以下になる。この実験結果から，保護層中のＡｇの含有量は，１０ｗｔ％〜９５ｗｔ％とすることが好ましいことがわかる。」（【００３９】）と記載され，また，保護層であるＡｇＳｎ合金中のＡｇ含有量（横軸）と破断寿命（縦軸）との関係を調べた結果を示す図である，本願の図７には，保護層であるＡｇＳｎ合金中のＡｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のとき，２．５×１０４Ａ／ｃｍ２の電流密度で直流電流を流した場合に，エレクトロマイグレーションによる断線寿命が５００時間を超えることが記載されていると認められる。 
　そうすると，本願請求項１における上記の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されており，本願請求項１に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項１に対し当審拒絶理由通知（最後）で通知した理由は解消されたと認められる。
　そして，本願請求項１を引用する本願請求項２に係る発明も，同様の理由により，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項２に対し当審拒絶理由通知（最後）で通知した理由は解消されたと認められる。
　
　イ　本願請求項３及び４について
　前記第３のとおり，本願請求項３には，「前記接続端子の表面が，Ａｇ含有量が１０ｗｔ％以上，９５ｗｔ％以下のＡｇＳｎにより形成された保護層により直接被覆されていること」が記載されている。
　そうすると，上記アと同様の理由により，本願請求項３における上記の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されており，本願請求項３に係る発明は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項３に対し当審拒絶理由通知（最後）で通知した理由は解消されたと認められる。
　そして，本願請求項３を引用する本願請求項４に係る発明も，同様の理由により，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願請求項４に対し当審拒絶理由通知（最後）で通知した理由は解消されたと認められる。
　
　ウ　小括
　以上より，本願請求項１ないし４の各請求項に係る発明は，いずれも，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明といえるから，本願の特許請求の範囲は，特許法第３６条第６項第１号に規定に適合すると認める。
　
（４）まとめ
　したがって，本願請求項１ないし４に係る発明（本願発明１ないし４）は，いずれも，当審拒絶理由通知（最後）の理由により，拒絶すべきものとすることはできない。
　
　
第６　結言 
　
　以上のとおり，本願については，原査定の拒絶理由，及び当審で通知した拒絶理由を検討しても，これらの理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　
　よって，結論のとおり審決する。