【手続補正書】
【提出日】平成28年9月13日(2016.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１命令と、第１データを示す前記第１命令に従う第２命令と、を含む複数の命令を生成するプロセッサーと、
要請に応じて前記複数の命令を外部メモリに伝送するホストコントローラと、
を含み、
前記第１データが前記ホストコントローラにより伝送されている間、または前記外部メモリがビジー状態にある間、前記第２命令は前記外部メモリに伝送され、前記ホストコントローラは前記外部メモリのビジー状態を知らされることを特徴とするホスト。
【請求項２】
前記第１命令、前記第２命令は、命令バスを通じて伝送されることを特徴とする請求項１に記載のホスト。
【請求項３】
前記第１データは、１つ以上のデータバスを通じて、伝送されることを特徴とする請求項１に記載のホスト。
【請求項４】
更にメモリを含むことを特徴とする請求項１に記載のホスト。
【請求項５】
前記ホストコントローラは、前記複数の命令の情報を保存するための複数のホスト命令レジスタを含むことを特徴とする請求項４に記載のホスト。
【請求項６】
前記複数のホスト命令レジスタは、前記メモリと別途に具現されることを特徴とする請求項５に記載のホスト。
【請求項７】
前記複数のホスト命令レジスタは、前記メモリ内に具現されることを特徴とする請求項５に記載のホスト。
【請求項８】
前記メモリは、ＤＲＡＭ、又はＳＲＡＭであることを特徴とする請求項４に記載のホスト。
【請求項９】
前記ホストコントローラは、
第１データを伝送するデータ入出力ユニットと、
タスクの生成、終了などを管理するタスク管理ユニットと、
タスクの要請に応じて前記複数の命令を生成し、前記複数の命令を前記外部メモリに伝送する命令生成ユニットと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のホスト。
【請求項１０】
前記第１命令と前記第２命令が同じタスク内にあることを特徴とする請求項９に記載のホスト。
【請求項１１】
第１命令と、第１データを含む外部装置からの前記第１命令に従う第２命令を含む複数の命令を受信し、外部装置から第１データを受信するデバイスコントローラと、
前記第１データを保存するフラッシュメモリと、を有し、
デバイスコントローラにより前記第１データが受信される間、または不揮発性メモリ装置がビジー状態にある間、前記第２命令はデバイスコントローラにより受信され、
不揮発性メモリ装置のビジー状態は外部メモリに知らされるように構成されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項１２】
前記第１命令、前記第２命令は、命令バスを通じて受信され、前記第１データは１つ以上のデータバスを通じて受信されることを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項１３】
前記第１命令と前記第２命令が同じタスクであることを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項１４】
前記フラッシュメモリは、装置特性と選択されたモードを保存するレジスタを含むことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項１５】
前記デバイスコントローラは、
クロック信号、前記第１命令、前記第２命令を受信し、応答を生成するホストインターフェースと、
前記ホストインターフェースの動作を制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項１６】
不揮発性メモリ装置と、ホストを含む不揮発性メモリカードシステムであって、
前記不揮発性メモリ装置は、
第１データを示す第１命令、前記第１データ、第２命令を受信するデバイスコントローラと、
前記第１データを保存するフラッシュメモリと、を含み、
前記ホストは、
前記第１命令、及び前記第１命令に従う前記第２命令を含む複数の命令を生成するプロセッサと、
前記第１命令を前記不揮発メモリ装置に伝送し、前記第１データを前記不揮発性メモリ装置に伝送し、前記第２命令を前記不揮発性メモリ装置に伝送するホストコントローラと、を含み、
前記第１データが前記ホストから前記不揮発性メモリ装置に伝送される間、または不揮発性メモリ装置がビジー状態にある間、前記第２命令は前記ホストから前記不揮発性メモリ装置に伝送されることを特徴とする不揮発性メモリカードシステム。
【請求項１７】
前記第１データが前記デバイスコントローラにより受信される間、または前記不揮発性メモリ装置がビジー状態にある間、前記第１データが前記デバイスコントローラにより受信される前に、前記第２命令は前記デバイスコントローラにより受信されることを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性メモリカードシステム。
【請求項１８】
前記ホストコントローラは、
前記第１データを伝送するデータ入出力ユニットを含むことを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性メモリカードシステム。
【請求項１９】
前記第１命令と前記第２命令が同じタスクであることを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性メモリカードシステム。
【請求項２０】
前記不揮発性メモリ装置は、不揮発性メモリカードであるか、又はｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａ  Ｃａｒｄ）であることを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性メモリカードシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ホスト、不揮発性メモリ装置、及び不揮発性メモリカードシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、不揮発性メモリカードを制御するホストに係り、より詳しくは、リード（ｒｅａｄ）／ライト（ｗｒｉｔｅ）性能を改善しうるホスト、不揮発性メモリ装置、及び不揮発性メモリカードシステムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明が解決しようとする技術的な課題は、リード／ライト性能を改善しうる不揮発性メモリカードを制御するホスト、不揮発性メモリ装置、及び不揮発性メモリカードシステムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の実施形態による不揮発性メモリカード（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｍｅｍｏｒｙ  ｃａｒｄ）と、クロックバス、命令バス、及び１つ以上のデータバスを通じて連結されるホストは、第１命令と、第１データを示す前記第１命令に従う第２命令と、を含む複数の命令を生成するプロセッサーと、要請に応じて前記複数の命令を外部メモリに伝送するホストコントローラと、を含み、前記第１データが前記ホストコントローラにより伝送されている間、または前記外部メモリがビジー状態にある間、前記第２命令は前記外部メモリに伝送され、前記ホストコントローラは前記外部メモリのビジー状態を知らされることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記第１命令、前記第２命令は、命令バスを通じて伝送されることを特徴とする。ホストは、更にメモリを含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記第１データは、１つ以上のデータバスを通じて、伝送されることを特徴とする。前記ホストコントローラは、前記複数の命令の情報を保存するための複数のホスト命令レジスタを含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記複数のホスト命令レジスタは、前記メモリと別途に具現されるか、又は、前記メモリ内に具現されることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記メモリは、ＤＲＡＭ、又はＳＲＡＭであることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記ホストコントローラは、第１データを伝送するデータ入出力ユニットと、タスクの生成、終了などを管理するタスク管理ユニットと、タスクの要請に応じて前記複数の命令を生成し、前記複数の命令を前記外部メモリに伝送する命令生成ユニットと、を含むことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
不揮発性メモリ装置は、第１命令と、第１データを含む外部装置からの前記第１命令に従う第２命令を含む複数の命令を受信し、外部装置から第１データを受信するデバイスコントローラと、前記第１データを保存するフラッシュメモリと、を有し、デバイスコントローラにより前記第１データが受信される間、または不揮発性メモリ装置がビジー状態にある間、前記第２命令はデバイスコントローラにより受信され、不揮発性メモリ装置のビジー状態は外部メモリに知らされるように構成されることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記第１命令、前記第２命令は、命令バスを通じて受信され、前記第１データは１つ以上のデータバスを通じて受信されることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記第１命令と前記第２命令が同じタスクであることを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記フラッシュメモリは、装置特性と選択されたモードを保存するレジスタを含むことを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記デバイスコントローラは、クロック信号、前記第１命令、前記第２命令を受信し、応答を生成するホストインターフェースと、前記ホストインターフェースの動作を制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、を含むことを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記デバイスコントローラは、クロック信号、前記第１命令、前記第２命令を受信し、応答を生成するホストインターフェースと、前記ホストインターフェースの動作を制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、を含むことを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
不揮発性メモリカードシステムであって、不揮発性メモリ装置は、第１データを示す第１命令、前記第１データ、第２命令を受信するデバイスコントローラと、前記第１データを保存するフラッシュメモリと、を含み、ホストは、前記第１命令、及び前記第１命令に従う前記第２命令を含む複数の命令を生成するプロセッサと、前記第１命令を前記不揮発メモリ装置に伝送し、前記第１データを前記不揮発性メモリ装置に伝送し、前記第２命令を前記不揮発性メモリ装置に伝送するホストコントローラと、を含み、前記第１データが前記ホストから前記不揮発性メモリ装置に伝送される間、または不揮発性メモリ装置がビジー状態にある間、前記第２命令は前記ホストから前記不揮発性メモリ装置に伝送されることを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
不揮発性メモリカードシステムは、前記第１データが前記デバイスコントローラにより受信される間、または前記不揮発性メモリ装置がビジー状態にある間、前記第１データが前記デバイスコントローラにより受信される前に、前記第２命令は前記デバイスコントローラにより受信されることを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記ホストコントローラは、前記第１データを伝送するデータ入出力ユニットを含むことを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記第１命令と前記第２命令が同じタスクであることを特徴とする。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記不揮発性メモリ装置は、不揮発性メモリカードであるか、又はｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａ  Ｃａｒｄ）であることを特徴とする。