【事件の表示】
　特許第４９６３７４４号に関する訂正審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４９６３７４４号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−３〕について訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　特許第４９６３７４４号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし３に係る特許についての手続の経緯は，以下のとおりである。 
　　平成２３年１０月１４日　特許出願
（特許法第４１条に基づく優先権主張（優先日：平成１６年３月１２日及び同年１０月２８日，優先権主張の基礎となる出願：特願２００４−７１１８６号及び特願２００４−３１３３５０号）を伴い，平成１７年３月１０日を国際出願日とする出願（特願２００６−５１１０６２号）の一部を，平成１９年８月１０日に，特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２００７−２１０１９７号，以下「子出願」という。）とし，子出願の一部を，平成２０年９月１７日に，特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２００８−２３８１５４号，以下「孫出願」という。）とし，孫出願の一部を，特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１１−２２６９０６号）とした。）
　　平成２３年１１月１１日　審査請求
　　平成２４年　３月　９日　特許査定
　　平成２４年　４月　６日　特許の設定登録 
　　平成２８年１１月１８日　本件訂正審判請求
　
　
第２　請求の趣旨 
　
　本件訂正審判の請求の趣旨は，本件特許の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１ないし３について訂正することを認める，との審決を求めるものである。 
  
　
第３　訂正事項
　
　平成２８年１１月１８日に提出された審判請求書（以下「本件審判請求書」という。）の記載より，本件審判請求書で請求人が求めている訂正（以下「本件訂正」という。）における，請求項１ないし３からなる一群の請求項についての訂正事項を整理すると，次のとおりであると認められる。（当審注．訂正箇所に下線を付した。）
　・訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって（００１）結晶面が優先配向した単結晶または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第１の強磁性体層と，ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって（００１）結晶面が優先配向した単結晶または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第２の強磁性体層と，」とあるのを，
　「ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって
単結晶（００１）
単結晶（００１）
　・訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「前記トンネル障壁層が，（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯを含む磁気抵抗素子であって，前記磁気抵抗素子に１００ｍＶ以下のバイアス電圧Ｖを印加した場合の，前記（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯを流れるトンネル電流の電流密度Ｊから，
　式）  Ｊ＝［（２ｍφ）１／２／Δｓ］（ｅ／ｈ）２×ｅｘｐ［−（４πΔｓ／ｈ）×（２ｍφ）１／２］×Ｖ
でフィッティングすることにより求められる前記（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯのトンネル障壁の高さφが０．２〜０．５ｅＶであることを特徴とする磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子。」とあるのを，
　「前記トンネル障壁層が，
単結晶ＭｇＯ（００１）
単結晶ＭｇＯ（００１）
　式）  Ｊ＝［（２ｍφ）１／２／Δｓ］（ｅ／ｈ）２×ｅｘｐ［−（４πΔｓ／ｈ）×（２ｍφ）１／２］×Ｖ
でフィッティングすることにより求められる前記
単結晶ＭｇＯ（００１）
　
　
第４　当審の判断
　
１　訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び拡張・変更の存否について
（１）訂正事項１について
 　ア　訂正の目的について 
　当該技術分野における技術常識を参酌すれば，「単結晶」とは，任意の結晶軸に注目したとき，試料のどの部分においてもその向きが同一であるような結晶質個体をいう（「岩波　理化学辞典　第５版」（１９９８年２月２０日発行，株式会社岩波書店）８１３頁）から，本件訂正前の請求項１における「（００１）結晶面が優先配向した単結晶」との文言は，その意味内容を一義的に理解することができず，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるものである。 
　そして，訂正事項１は，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがある本件訂正前の請求項１の「（００１）結晶面が優先配向した単結晶」との文言を，「単結晶（００１）」に訂正するものであって，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　そうすると，訂正事項１による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「本件特許明細書等」という。）には，本件特許に係る発明である「磁気抵抗素子」と，その製造方法について，以下の記載がある。
　「【００２２】
　発明者は，
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単結晶（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯをトンネル障壁として用いたＴＭＲ素子を成長するアプローチを試みている
図１（Ｂ）に示すように，本実施の形態によるＴＭＲ素子構造は，第１のＦｅ（００１）層１と，第２のＦｅ（００１）層５と，これらの間に挟まれた単結晶ＭｇＯｘ（００１）層あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層３と，を有して構成されている
エピタキシャル（単結晶あるいは（００１）配向多結晶）のＴＭＲ素子
【００２３】
　以下，本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗素子及びその製造方法について図面を参照しつつ説明を行う。図２（Ａ）から図２（Ｄ）までは，本発明の実施の形態によるＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）構造を有する磁気抵抗素子（以下，「Ｆｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子」と称する。）の製造工程を模式的に示す図である。
Ｆｅ（００１）は，ＢＣＣ構造を有する強磁性体である
単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し，ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）により，単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１の表面のモフォロジーを改善するため，ＭｇＯ（００１）シード層１５を成長する。連続して，図１（Ｂ）に示すように，５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し
【００２４】
　図３（Ａ）は，この際のＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７のＲＨＥＥＤイメージを示す図である。
図３（Ａ）に示すように，Ｆｅ（００１）下部電極（第１電極）１７は良好な結晶性
を有している
ＭｇＯ（００１）バリア層２１も良好な結晶性
を有している
【００２５】
　図２（Ｄ）に示すように，
ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に，室温で厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した
Ｆｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する
　そして，上記の記載より，本件特許明細書等には，本件特許に係る発明の「磁気抵抗素子」は，エピタキシャル（単結晶あるいは（００１）配向多結晶）のＴＭＲ素子であること，当該ＴＭＲ素子の製造において，下部電極（第１電極）及び上部電極（第２電極）を構成するＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金は，単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１上に成長したＭｇＯ（００１）シード層上へのエピタキシャル成長や，良好な結晶性を有する単結晶ＭｇＯ（００１）層あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯ層上への室温での形成によって設けられること，及びＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金は，良好な結晶性を有することが記載されていると認められ，また，当該技術分野における技術常識を参酌すれば，ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金は，単結晶（００１）又は（００１）結晶面が優先配向した多結晶であるＭｇＯと同様，単結晶（００１）又は（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなり，その結果，良好な結晶性を有することは，本件特許明細書等の記載より当業者には自明といえる。
　そうすると，訂正事項１により訂正された，本件特許の請求項１における「ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって単結晶（００１）または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第１の強磁性体層と，ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって単結晶（００１）または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第２の強磁性体層と」を有することは，本件特許明細書等に記載された事項と認められる。
　以上から，訂正事項１による訂正は，本件特許明細書等に記載された事項の範囲内のものであり，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
　本件訂正前の本件特許明細書の記載から，本件訂正前の請求項１に係る発明は，ＴＭＲ素子における出力電圧を大きくすること，及び大きな磁気抵抗により，安定に動作する記憶装置を提供することを課題とし（【０００８】），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単結晶（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯをトンネル障壁として用いたＴＭＲ素子を成長し，エピタキシャル（単結晶あるいは（００１）配向多結晶）のＴＭＲ素子とすることによって，上記の課題を解決する（【００２２】）ものと認められる。
　そして，訂正事項１による訂正後の請求項１の記載から，訂正事項１による訂正の前後で，請求項１に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　さらに，訂正事項１による訂正は，カテゴリーや対象を変更するものでもない。
　そうすると，訂正事項１による訂正後の請求項１に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
　以上から，訂正事項１による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（２）訂正事項２について
 　ア　訂正の目的について 
　訂正事項２は，上記（１）アと同様の理由により，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがある本件訂正前の請求項１の「（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯ」との文言を，「単結晶ＭｇＯ（００１）」に訂正するものであって，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　そうすると，訂正事項２による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　上記（１）イによれば，本件特許明細書等には，「酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単結晶（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯをトンネル障壁として用いたＴＭＲ素子を成長するアプローチを試みている。」（【００２２】）との記載，及び「図１（Ｂ）に示すように，本実施の形態によるＴＭＲ素子構造は，第１のＦｅ（００１）層１と，第２のＦｅ（００１）層５と，これらの間に挟まれた単結晶ＭｇＯｘ（００１）層あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層３と，を有して構成されている。」（【００２２】）との記載がある。
　そうすると，訂正事項２により訂正された，本件特許の請求項１における「前記トンネル障壁層が，単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯを含む磁気抵抗素子であって，前記磁気抵抗素子に１００ｍＶ以下のバイアス電圧Ｖを印加した場合の，前記単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯを流れるトンネル電流の電流密度Ｊから，
　式）  Ｊ＝［（２ｍφ）１／２／Δｓ］（ｅ／ｈ）２×ｅｘｐ［−（４πΔｓ／ｈ）×（２ｍφ）１／２］×Ｖ
でフィッティングすることにより求められる前記単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯのトンネル障壁の高さφが０．２〜０．５ｅＶであることを特徴とする磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子」は，本件特許明細書等に記載された事項と認められる。
　以上から，訂正事項２による訂正は，本件特許明細書等に記載された事項の範囲内のものであり，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
　本件訂正前の本件特許明細書の記載から，本件訂正前の請求項１に係る発明の課題及び課題解決手段は，上記（１）ウのとおりであり，訂正事項２による訂正後の請求項１の記載から，訂正事項２による訂正の前後で，請求項１に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　そして，訂正事項２による訂正は，カテゴリーや対象を変更するものでもない。
　そうすると，訂正事項２による訂正後の請求項１に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
　以上から，訂正事項２による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
２　独立特許要件及び一群の請求項について
（１）独立特許要件について
　上記１（１）ア及び（２）アのとおり，本件訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするもので，同法第１２６条第１項ただし書第１号又は第２号に掲げる事項を目的とするものではないから，本件訂正は，同法第１２６条第７項に規定する場合に該当せず，独立特許要件について検討する必要はない。
　
（２）一群の請求項について
　本件訂正は，特許法１２６条第３項に規定する一群の請求項ごとに請求されたものと認められる。
　
　
第５　結言
　
　以上のとおりであるから，本件訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第３項，第５項，及び第６項の規定に適合する。
　
　よって，結論のとおり審決する。