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【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、スロット８には、光源モジュール７の取り付けを確実にするための押さえ機構３８が設けられる。押さえ機構３８は、蓋固定部材４１と、ばね部４２と、蓋部４３と、回転機構４４と、を有する。蓋固定部材４１は、スロット８の上部にスライド移動可能に設置され、スロット８上部に、すなわち、蓋部４３の上部に移動したときに、固定部材４１は、上側に開かないように蓋部４３を固定する。ばね部４２は、蓋部４３の底面に設けられる。ここで、蓋部４３の底面は蓋部４３が閉められたときに、光源モジュール７が設置される方向にある面である。ばね部４２は、光源モジュール７を押さえ付けるように下方に力を印加する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このような光源装置１において、光源１０から光が出力されたとき、光源１０には熱が生じる。光源１０で発生した熱は、第１の熱処理部としての熱処理部１１に伝達される。すなわち、光源１０で発生した熱は、伝熱部材２１に伝達される。伝熱部材２１に伝達した熱は、温度調整部材２２で熱接続部３ｂに伝達される。また、温度調整部材２２がペルチェ素子である場合には、温度調整部材２２が制御されることによって光源１０の温度が一定に保たれる。この結果、光源１０が安定した特性で動作する。熱接続部３ｂに伝達された熱は、熱接続部３ａへ伝達する。熱接続部３ａへ伝達した熱は、ヒートパイプ３５を介して温度の高い方から低い方へ伝達する。すなわち、熱接続部３ａへ伝達した熱は、通常、ヒートパイプ３５を介して熱接続部３ａから熱交換部材５の方向へ伝達する。熱交換部材５では、伝達された熱は、ヒートシンク３６で放熱され、送気ファン３７からの送気された空気によって筐体２の外部に放出される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
変形例４の光源用熱処理装置１００及び光源装置１では、ヒートパイプ３５が設けられず、熱接続部３ａの底面にヒートシンク３６が接着されている。ヒートシンク３６は、フィンが光源用熱処理装置１００及び光源装置１の長手方向に延びるように設置されている。送気ファン３７は、ヒートシンク３６に形成されたフィンが延びる方向に送風できるように設置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
変形例４において、光源１０から発生した熱は、伝熱部材２１、温度調整部材２２、熱接続部３ｂを介して熱接続部３ａに伝達され、該熱接続部３ａに伝達された熱は、送気ファン３７から送風された空気によってヒートシンク３６から外部へ放熱される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
なお、光源モジュール７がスロット８に取り付けられたときに、図１０に示すように、第２の熱接続部である熱接続部３ａと第１の熱接続部である熱接続部３ｂとは、スロット８の平行な底面で互いに接続されるが、光接続部４ａと光接続部４ｂとは、スロット８の熱接続部３ａ、３ｂと異なる面、例えば、スロット８の底面に垂直な側面で互いに光学的に接続されるようになっている。すなわち、光接続部４ａは、スロット８の側面に固定される。一方、光源モジュール７の光源１０に光ファイバ３１により接続された第１の光接続部である光接続部４ｂは、所望の位置に自在に動かすことができるように光源モジュール７の側面には固定されていない。したがって、光源モジュール７をスロット８に取り付ける際には、使用者は、まず光接続部４ｂをスロット８の側面に固定された第２の光接続部である光接続部４ａの位置にもっていき、光接続部４ｂを光接続部４ａに接続する。その後、光源モジュール７をスロット８に収納する。なお、光接続部４ａ、４ｂは、ＦＣコネクタやＭＣコネクタなど一般的な光ファイバコネクタの構造を用いると良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
光源１０で発生した熱は、伝熱部材２１ｂに伝達される。伝熱部材２１ｂに伝達した熱は、熱接続部３ｂに伝達される。熱接続部３ｂに伝達された熱は、熱接続部３ａより温度調整部２２に伝達される。温度調整部材２２がペルチェ素子である場合、熱接続部３ａ、３ｂを介して伝熱部材２１ｂの温度を調整する。これにより、温度調整部材２２は、伝熱部材２１ｂを介して光源１０の温度を調整できる。また、温度調整部材２２に伝達された熱は、伝熱部材２１ａに伝達される。伝熱部材２１ａに伝達された熱は、ヒートパイプ３５を介して熱交換部材５であるヒートシンク３６へ伝達される。ヒートパイプ３５へ伝達した熱は、温度の高い方から低い方へ伝達する。すなわち、熱は伝熱部材２１ａからヒートシンク３６の方向へ伝達する。ヒートシンク３６へ伝達された熱は、送気ファン３７から送気された空気によって筐体２の外部方向に放熱される。  
本実施形態によれば、温度調整部材２２が筐体２内に設置され、光源モジュール７には配置しないので、第１の実施形態と比較して光源モジュール７が小型にできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
１…光源装置、  ２…筐体、  ３ａ、３ｂ…熱接続部、  ４ａ、４ｂ…光接続部、  ５…熱交換部材、  ６…光処理部材、  ７…光源モジュール、  ８…スロット、  ９ａ、９ｂ…電気接続部、  １０…光源、  １１…熱処理部、  ２１、２１ａ、２１ｂ…伝熱部材、  ２２…温度調整部材、  ３０、３１…光ファイバ、  ３５…ヒートパイプ、  ３６…ヒートシンク、  ３７…送気ファン、  ３８…押さえ機構、  ４１…蓋固定部材、  ４１ａ…押し当て部、  ４２…ばね部、  ４３…蓋部、  ４４…回転機構、  ５０…熱接続検出器、５１ａ、５１ｂ…温度センサ、  ５２ａ、５２ｂ…検出電極、  ５３…導通検出器、  ５４ａ…光源（ＬＥＤ）、  ５４ｂ…検出器（ＰＤ）、  １００…光源用熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の電力を消費する第一モードから、前記所定の電力よりも低い電力を消費する第二モードに移行可能な画像形成装置であって、
交流電圧の供給をオン又はオフする第一スイッチ手段と、
前記第一スイッチ手段がオンのときに前記交流電圧が供給されることにより、前記交流電圧から第一直流電圧を生成する第一直流電源と、
前記交流電圧から第二直流電圧を生成する第二直流電源と、
前記第一スイッチ手段と前記第二直流電源との間に接続され、前記第二直流電源への前記交流電圧の供給をオン又はオフする第二スイッチ手段と、
前記第一モードでは、前記第一直流電源により生成された前記第一直流電圧が電源として供給される制御手段と、
を備え、
前記第二直流電源は、前記交流電圧を整流した電圧を平滑する第二平滑コンデンサを有し、
前記制御手段は、前記第一モードから前記第二モードに移行する際に、前記第一スイッチ手段及び前記第二スイッチ手段をオフし、前記第一直流電源及び前記第二直流電源の動作を停止させて、前記第二平滑コンデンサに蓄えられている電荷に基づく電圧が電源として供給されるように制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第一直流電源は、前記第二平滑コンデンサよりも容量が小さく、前記交流電圧を整流した電圧を平滑する第一平滑コンデンサを有し、
前記制御手段は、前記第一モードから前記第二モードに移行した後、前記第二平滑コンデンサの電圧が前記第一直流電源の動作下限電圧に応じた第一所定電圧以下となった場合に、前記第一平滑コンデンサに蓄えられている電荷に基づく電圧が電源として供給されるように制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第二直流電圧は、前記第一直流電圧よりも高く、
前記第二直流電圧を前記第二直流電圧よりも低い第三直流電圧に変換する変換手段を備え、
前記制御手段は、前記第二モードでは、前記変換手段により変換された前記第三直流電圧が電源として供給されるように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第二モードでは、前記第一平滑コンデンサの電圧が前記第二直流電源の動作下限電圧に応じた第二所定電圧以下となった場合に、前記第一直流電源に前記交流電圧を供給することにより前記第一直流電源を動作させて前記第一平滑コンデンサの充電を行い、前記第一平滑コンデンサが所定の電圧まで充電された後に、前記交流電圧の供給を遮断するように制御することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第一スイッチ手段は、前記交流電圧のホット側に接続された第一接点と、前記交流電圧のニュートラル側に接続された第二接点と、を有し、
前記制御手段は、前記第一接点及び前記第二接点のいずれか一方の接点をオン又はオフさせることにより、前記第一スイッチ手段をオン又はオフさせることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御手段によりオン又はオフされる前記第一接点及び前記第二接点のいずれか一方の接点に並列に接続され、前記交流電圧の供給をオン又はオフする第三スイッチ手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記第一平滑コンデンサが前記所定の電圧まで充電されるまでの時間、前記第三スイッチ手段をオンさせることを特徴とする請求項２を引用する請求項３を引用する請求項５を引用する請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記第一接点及び前記第二接点のいずれか一方の接点をオフさせたときに、前記第二スイッチ手段もオフさせることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記第二モードから前記第一モードに移行する際に、前記第三スイッチ手段をオンさせることを特徴とする請求項６又は７、又は請求項６又は７を引用する請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記第一モードから前記第二モードに移行するまでに、前記第三スイッチ手段をオフさせることを特徴とする請求項６又は７、又は請求項６又は７を引用する請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記制御手段によりオン又はオフされる前記第一接点及び前記第二接点のいずれか一方の接点及び前記第二スイッチ手段は、電磁リレーであることを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記第三スイッチ手段は、フォトトライアックであることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項、又は請求項６乃至１０のいずれか１項を引用する請求項１１に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
転写材に画像形成を行うプリンタ機構部を備え、
前記プリンタ機構部は、前記第二直流電源により生成された前記第二直流電圧を供給されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記第二直流電源と前記プリンタ機構部との間に接続され、前記プリンタ機構部へ前記第二直流電圧を供給又は遮断する遮断手段を備え、
前記制御手段は、前記第一モードから前記第二モードに移行する際に、前記遮断手段により前記プリンタ機構部への前記第二直流電圧の供給を遮断させることを特徴とする請求項１３に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された、少なくとも１以上の電気泳動粒子が分散された分散媒を有する電気泳動層と、
前記第１基板と前記第２基板とを接合する、前記電気泳動層を囲むように配置された第１シール材と、を備え、
前記第１シール材の幅は、２００μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板とを接合すると共に、前記第１シール材を囲むように配置された第２シール材をさらに備え、
前記第２シール材と前記第２基板との間に残留する前記分散媒の量は、前記第１シール材と前記第２基板との間に残留する前記分散媒の量よりも少ないことを特徴とする電気泳動装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気泳動装置であって、
前記電気泳動層は、前記第１基板と前記第２基板との間の表示領域に配置された隔壁によって複数のセルに区切られていることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記電気泳動層と前記第１シール材との間に額縁隔壁が配置されていることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気泳動装置であって、
前記額縁隔壁は、前記第１シール材と接して配置されていることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の電気泳動装置であって、
前記額縁隔壁の高さは、１０μｍ〜５０μｍであり、
前記表示領域から前記第１基板及び前記第２基板の端面までの距離が１ｍｍ以下であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記隔壁と前記額縁隔壁とは同じ材料であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記分散媒は、シリコーンオイルであることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記分散媒の粘度は、１０ｃＰ以下であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記電気泳動層は、白色粒子と黒色粒子、及び分散媒とを有し、白粒子、黒粒子、及び分散媒の合計重量に対する重量割合が、
前記白色粒子は、３０％以内であり、
前記黒色粒子は、１０％以内であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項１１】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記電気泳動層と前記第２基板との間、及び前記隔壁と前記第２基板との間に、封止膜が設けられていることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項１２】
第１基板上の表示領域の周囲に第１シール材を塗布する工程と、
前記表示領域に電気泳動粒子を含む分散媒を供給する工程と、
大気圧より低い圧力下で、前記第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板とを、前記第１シール材の貼り合わせ後の幅が２００μｍ以上５００μｍ以下となるように、前記第１シール材を介して貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
少なくとも前記第１シール材の周囲に形成するべく第２シール材と接触する領域に、前記領域に付着した前記分散媒を洗浄する工程と、
前記第１シール材の周囲に前記第２シール材を形成する工程と、を有することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記第１シール材を塗布する工程の前に、
前記第１基板上の前記表示領域に、複数のセルに区切るための隔壁を形成する工程を有することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記第１シール材を塗布する工程の前に、
前記第１基板上に、額縁隔壁を形成する工程を有することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記第１シール材の粘度は、３０万Ｐａ・ｓ〜１００万Ｐａ・ｓであり、
前記第２シール材の粘度は、１００Ｐａ・ｓ〜５００Ｐａ・ｓであることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記分散媒は、シリコーンオイルであることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気泳動装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月16日(2016.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向して配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気泳動粒子が分散された分散媒を有する電気泳動層と、
前記電気泳動層を複数のセルに区切る隔壁と、
前記第１基板と前記第２基板とを接合する、前記電気泳動層を囲むように配置されたシール材と、
少なくとも前記隔壁と前記第２基板との間に配置された封止膜と、を有し、
前記隔壁の頂部が前記封止膜に食い込んでいることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気泳動装置であって、
前記封止膜は、接着材料を含まないことを特徴とする電気泳動装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気泳動装置であって、
前記封止膜に凹部が設けられており、前記凹部と前記頂部とが嵌合していることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記分散媒は、シリコーンオイルであることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記電気泳動層を囲むように、前記電気泳動層と前記シール材との間に額縁隔壁が配置されていることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記電気泳動層の表示領域の大きさは、一辺が５５ｍｍ以下であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気泳動装置であって、
前記表示領域の周囲に表示に寄与しないダミー画素領域を有し、
前記封止膜の端部は、前記ダミー画素領域と平面視で重なることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項８】
第１基板上の表示領域を、複数のセルに区切る隔壁を形成する工程と、
前記第表示領域の周囲にシール材を塗布する工程と、
前記第１基板と対向配置される第２基板に、封止膜を形成する工程と、
前記セルに電気泳動粒子を含む分散媒を供給する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせ、前記隔壁の頂部を前記封止膜に食い込ませる工程と、
を有することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記封止膜は、接着材料を含まない材料で形成されていることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程は、前記封止膜を加熱しながら、大気圧より低い圧力下で貼り合わせを行うことを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
前記分散媒は、シリコーンオイルであることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気泳動装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月16日(2016.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板及び第２基板との間に設けられ、隔壁で複数のセルに区切られた分散媒を有する電気泳動層と、
前記電気泳動層と前記第２基板との間、及び前記隔壁と前記第２基板との間に設けられた接合層と、
前記電気泳動層の周囲に設けられた額縁隔壁と、
前記額縁隔壁と前記第２基板との間に設けられたシール材と、
前記電気泳動層と前記額縁隔壁との間に設けられた液溜り部と、
を備えることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気泳動装置であって、
前記接合層の端部と前記液溜り部とが重なることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気泳動装置であって、
前記隔壁と前記額縁隔壁とは同じ材料であることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
前記分散媒は、シリコーンオイルであることを特徴とする電気泳動装置。
【請求項５】
第１基板上の表示領域を複数のセルに区切る隔壁、及び前記表示領域を囲むように前記隔壁から所定の間隔をあけて額縁隔壁を形成する工程と、
前記額縁隔壁の上にシール材を塗布する工程と、
前記表示領域に電気泳動粒子を含む分散媒を前記シール材の上面より低い高さになるように供給する工程と、
大気圧より低い圧力下で、前記第１基板と対向配置される第２基板を前記第１基板に近づけ、前記第２基板と前記シール材とを接触させる工程と、
前記圧力下で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気泳動装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
イソシアネート成分としては、芳香族ジイソシアネート及びその異性体や多量体、脂肪族ジイソシアネート類、脂環式ジイソシアネート類及びその異性体などのジイソシアネートやその他汎用のジイソシアネート類を用いることができるが、これらのイソシアネートに限定されるものではない。また、これらのイソシアネート成分は、単独でまたは組み合わせて使用してもよい。
ジイソシアネートとして、例えば４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ビフェニルジイソシアネート、ジフェニルスルホンジイソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート及びその異性体、多量体、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートなどの脂肪族ジイソシアネート類、あるいは前記芳香族ジイソシアネートを水添した脂環式ジイソシアネート類及び異性体、もしくはその他汎用のジイソシアネート類が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月8日(2016.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射型原版であって、
極端紫外光を反射する多層膜からなる反射層と、
前記反射層を支持する基材と、
前記反射層と前記基材との間に設けられ、前記反射層の熱を拡散する熱拡散層と、
を有し、
前記反射層と前記熱拡散層とで構成する構造体の単位面積当たりの熱容量は、１．１(Ｊ／（Ｋ・ｍ２）)以上である、
ことを特徴とする反射型原版。
【請求項２】
前記熱拡散層の熱容量は、前記反射層の熱容量以上である、ことを特徴とする請求項１に記載の反射型原版。
【請求項３】
前記熱拡散層の熱拡散率は、前記反射層の熱拡散率以上である、ことを特徴とする請求項１または２に記載の反射型原版。
【請求項４】
前記反射層は、複数のＭｏ層と複数のＳｉ層とが交互に積層された多層膜からなる、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の反射型原版。
【請求項５】
前記熱拡散層は、単層膜からなる、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の反射型原版。
【請求項６】
前記単層膜は、Ｓｉ、ＴａまたはＣｒからなる、ことを特徴とする請求項５に記載の反射型原版。
【請求項７】
前記熱拡散層は、多層膜からなる、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の反射型原版。
【請求項８】
前記熱拡散層は、複数のＭｏ層と複数のＳｉ層とが交互に積層された多層膜からなる、ことを特徴とする請求項７に記載の反射型原版。
【請求項９】
前記熱拡散層は、複数のＭｏ層と複数のＳｉ層とが交互に積層された多層膜からなり、
前記熱拡散層を構成する１つのＭｏ層の厚さおよび１つのＳｉ層の厚さは、前記反射層を構成する１つのＭｏ層の厚さおよび１つのＳｉ層の厚さと異なる、
ことを特徴とする請求項４に記載の反射型原版。
【請求項１０】
反射型原版であって、
極端紫外光を反射する多層膜からなる反射層と、
前記反射層を支持する基材と、
前記反射層と前記基材との間に設けられ、前記反射層の熱を拡散する熱拡散層と、
を有し、
前記熱拡散層の熱容量は、前記反射層の熱容量以上である、
ことを特徴とする反射型原版。
【請求項１１】
前記熱拡散層の熱拡散率は、前記基材の熱拡散率以上である、ことを特徴とする請求項１０に記載の反射型原版。
【請求項１２】
前記反射層の前記熱拡散層とは反対側に前記反射層を保護する保護層をさらに有する、ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の反射型原版。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の反射型原版に極端紫外光を照射し、前記反射型原版で反射された極端紫外光を用いて基板を露光する、ことを特徴とする露光方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月9日(2016.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体層が積層されたプリント配線板と、
前記プリント配線板に実装され、信号端子及びグラウンド端子を有し、前記信号端子から信号を送信する送信回路と、を備えたプリント回路板であって、
前記プリント配線板は、
前記送信回路の前記信号端子に電気的に導通し、前記信号の伝送線路となる信号導体と、
前記信号導体から分岐する分岐導体と、
前記送信回路に導通する第１グラウンド導体パターンと、を有し、
前記分岐導体は、前記第１グラウンド導体パターンに対向して配置された第１導体部分と、電気経路上、前記第１導体部分よりも前記信号導体から遠い第２導体部分と、を有し、
前記第１導体部分は、前記電気経路の方向に対して幅方向の大きさが前記第２導体部分よりも小さく形成されていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記信号導体は、前記複数の導体層のうち前記第１グラウンド導体パターンが配置された導体層並びに前記第１及び第２導体部分が配置された導体層とは異なる導体層に配置された信号導体パターンを有し、
前記分岐導体は、前記信号導体パターンと前記第１導体部分とを電気的に接続するヴィア導体を有することを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記第１グラウンド導体パターンは、前記第１導体部分に対向する第３導体部分と、前記第２導体部分に対向する第４導体部分と、を有し、
前記第３導体部分は、前記幅方向の大きさが前記第４導体部分よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
【請求項４】
前記グラウンド導体は、
前記複数の導体層のうち前記第１グラウンド導体パターンが配置された導体層並びに前記第１及び第２導体部分が配置された導体層とは異なる導体層に配置され、前記第１グラウンド導体パターンよりも面積が大きい第２グラウンド導体パターンと、
前記第２グラウンド導体パターンと前記第４導体部分とを電気的に接続するグラウンドヴィア導体と、を有することを特徴とする請求項３に記載のプリント回路板。
【請求項５】
複数の導体層が積層されたプリント配線板と、
前記プリント配線板に実装され、信号端子、電源端子及びグラウンド端子を有し、前記信号端子から信号を送信する送信回路と、を備えたプリント回路板であって、
前記プリント配線板は、
前記送信回路の前記電源端子に電気的に導通し、前記送信回路に電力供給する電源線路となる電源導体と、
前記電源導体から分岐する分岐導体と、
前記送信回路に導通する第１グラウンド導体パターンと、を有し、
前記分岐導体は、前記第１グラウンド導体パターンに対向して配置された第１導体部分と、電気経路上、前記第１導体部分よりも前記電源導体から遠い第２導体部分と、を有し、
前記第１導体部分は、前記電気経路の方向に対して幅方向の大きさが前記第２導体部分よりも小さく形成されていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項６】
前記電源導体は、前記複数の導体層のうち前記第１グラウンド導体パターンが配置された導体層並びに前記第１及び第２導体部分が配置された導体層とは異なる導体層に配置された電源導体パターンを有し、
前記分岐導体は、前記電源導体パターンと前記第１導体部分とを電気的に接続するヴィア導体を有することを特徴とする請求項５に記載のプリント回路板。
【請求項７】
前記第１グラウンド導体パターンは、前記第１導体部分に対向する第３導体部分と、前記第２導体部分に対向する第４導体部分と、を有し、
前記第３導体部分は、前記幅方向の大きさが前記第４導体部分よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載のプリント回路板。
【請求項８】
前記グラウンド導体は、
前記複数の導体層のうち前記第１グラウンド導体パターンが配置された導体層並びに前記第１及び第２導体部分が配置された導体層とは異なる導体層に配置され、前記第１グラウンド導体パターンよりも面積が大きい第２グラウンド導体パターンと、
前記第２グラウンド導体パターンと前記第４導体部分とを電気的に接続するグラウンドヴィア導体と、を有することを特徴とする請求項７に記載のプリント回路板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプリント回路板を備えた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント回路板及び電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、送信回路が実装されたプリント配線板を備えたプリント回路板及び電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のプリント回路板は、複数の導体層が積層されたプリント配線板と、前記プリント配線板に実装され、信号端子及びグラウンド端子を有し、前記信号端子から信号を送信する送信回路と、を備えたプリント回路板であって、前記プリント配線板は、前記送信回路の前記信号端子に電気的に導通し、前記信号の伝送線路となる信号導体と、前記信号導体から分岐する分岐導体と、前記送信回路に導通する第１グラウンド導体パターンと、を有し、前記分岐導体は、前記第１グラウンド導体パターンに対向して配置された第１導体部分と、電気経路上、前記第１導体部分よりも前記信号導体から遠い第２導体部分と、を有し、前記第１導体部分は、前記電気経路の方向に対して幅方向の大きさが前記第２導体部分よりも小さく形成されていることを特徴とする。
また、本発明のプリント回路板は、複数の導体層が積層されたプリント配線板と、前記プリント配線板に実装され、信号端子、電源端子及びグラウンド端子を有し、前記信号端子から信号を送信する送信回路と、を備えたプリント回路板であって、前記プリント配線板は、前記送信回路の前記電源端子に電気的に導通し、前記送信回路に電力供給する電源線路となる電源導体と、前記電源導体から分岐する分岐導体と、前記送信回路に導通する第１グラウンド導体パターンと、を有し、前記分岐導体は、前記第１グラウンド導体パターンに対向して配置された第１導体部分と、電気経路上、前記第１導体部分よりも前記電源導体から遠い第２導体部分と、を有し、前記第１導体部分は、前記電気経路の方向に対して幅方向の大きさが前記第２導体部分よりも小さく形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイに配置される画素のそれぞれが有するクロストーク抑制機構について、前記画素アレイの有効領域の中で、一部の画素のクロストーク抑制機構が、他の画素のクロストーク抑制機構と異なっている
固体撮像装置。
【請求項２】
前記クロストーク抑制機構がＤＴＩである
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素の周囲のＤＴＩが除去されている
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素の周囲にのみＤＴＩが設けられている
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記クロストーク抑制機構が前記画素アレイに配置される画素に係るイオン注入量を調整することにより実現される
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素の電子障壁に係るイオン注入量が、他の画素の電子障壁に係るイオン注入量より少ない
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素のセンサ領域に係るイオン注入量が、他の画素の電子障壁に係るイオン注入量より少ない
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記クロストーク抑止機構がＯＢＢであり、
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素のＯＢＢが除去されている
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記クロストーク抑止機構が導波路であり、
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素の導波路が除去されている
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記クロストーク抑止機構がオンチップレンズであり、
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素のオンチップレンズの集光性が弱くなるように構成されている
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記クロストーク抑止機構がカラーフィルタの配置により実現され、
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれによって囲まれる位置に配置された画素のカラーフィルタのみが白色とされる
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
前記位相差画素のそれぞれに同色のカラーフィルタが配置される
請求項１乃至１１のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
２次元行列状に配置された前記画素アレイの画素において、所定の画素の垂直方向に隣接する画素、および、前記所定の画素の水平方向に隣接する画素のそれぞれが位相差画素とされる
請求項１乃至１２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記画素アレイの有効領域の中の一部の画素は、象面位相差ＡＦにおいて用いられる位相差信号を得るための複数の位相差画素であり、
２次元行列状に配置された前記画素アレイの画素において、垂直方向に隣接する２つの画素、および、水平方向に隣接する２つの画素のそれぞれが位相差画素とされ、
前記垂直方向に隣接する２つの画素と、前記水平方向に隣接する２つの画素とがＬ字型に配置されている
請求項１乃至１３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
画素アレイに配置される画素のそれぞれが有するクロストーク抑制機構について、前記画素アレイの有効領域の中で、一部の画素のクロストーク抑制機構が、他の画素のクロストーク抑制機構と異なっている固体撮像装置を備える
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄心とコイルとを収納したタンクと、
該タンクの周囲に配置した波形フィンと、
前記タンクの上部のタンク天板と下部のタンク底板と、を具備した変圧器において、
前記タンクの天板、両側壁、底板を一周するように帯状の金属材の補強部材で巻いたことを特徴とする変圧器。
【請求項２】
請求項１記載の変圧器において、
前記タンクの全周を前記帯状の補強部材で巻く箇所は、前記変圧器の長手方向に対し垂直方向とし、少なくとも２ヶ所以上とすることを特徴とする変圧器。
【請求項３】
請求項１記載の変圧器において、
前記タンクの全周を巻いた帯状の補強部材は、断面が矩形の板材、四角形状の筒体、三角形状の筒体、または半円形状の筒体としたことを特徴とする変圧器。
【請求項４】
請求項２〜３記載の変圧器において、
前記タンクの底板に配置、固定した前記補強部材の横側、または該補強部材と一体化したアンカーボルト用ベースを配置したことを特徴とする変圧器。
【請求項５】
請求項４記載の変圧器において、
前記タンクの底板に配置、固定したベースはＵ字形状であることを特徴とする変圧器。
【請求項６】
鉄心とコイルとを収納したタンクと、
該タンクの周囲に配置した波形フィンと、
前記タンクの上部のタンク天板と下部の底板とを具備した変圧器において、
前記タンクの底板に配置したベースは、断面がＵ字形状とし、
該ベースの両端部は、タンクの底板より突出して、一方の辺は四角形状とし、他方の辺にはタンク補強ステーを接続し、
前記タンクの底部は下側に凸部形状とし、
前記ベースの四角形状の辺が該タンクの底部の凸部と当接し、
前記ベースに配置したタンク補強ステーは、前記タンクの側壁面に沿ってタンク上部まで配置して固定することを特徴とする変圧器。
【請求項７】
請求項６記載の変圧器において、
前記タンクの底板に配置するベースで、前記タンクに当接する箇所は溶接して固定することを特徴とする変圧器。
【請求項８】
請求項６記載の変圧器において、
前記ベースの両端に形成した四角形状の辺は、外側の上コーナ部をカットし、傾斜部を有することを特徴とする変圧器。
【請求項９】
請求項６記載の変圧器において、
前記ベースは、前記タンク底板に少なくとも２ヶ所以上配置することを特徴とする変圧器。
【請求項１０】
請求項６記載の変圧器において、
前記ベースに配置するタンク補強ステーは、細長い断面が四角形の金属板、断面が四角形の筒状体、または断面が三角形の筒状体であることを特徴とする変圧器。
【請求項１１】
鉄心とコイルとを収納したタンクと、
該タンクの周囲に配置した波形フィンと、
前記タンクの上部のタンク天板と下部のタンク底板とを具備した変圧器において、
前記タンクの底板に配置するベースは、断面が四角形で筒状体とし、その端部は四角形の筒状体を二重にし、スライド可能としたことを特徴とする変圧器。
【請求項１２】
請求項１１記載の変圧器において、
前記ベースのスライド可能な四角形の筒体には、アンカーボルト用の孔を複数配置したことを特徴とする変圧器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の磁性膜と、前記第一の磁性膜の上方に配置された第二の磁性膜と、前記第一の磁性膜と前記第二の磁性膜の間に配置された金属酸化膜と、前記第二の磁性膜の上方に配置された第二の金属膜と、前記第一の磁性膜の下方に配置された第一の金属膜とを有する試料をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
一酸化炭素ガスを用いて前記第一の磁性膜と前記金属酸化膜と前記第二の磁性膜をエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた試料を水素ガスと不活性ガスの混合ガスを用いてエッチングする第二の工程とを有し、
前記第一の金属膜は、タンタルを含有する膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の工程は、第一のエッチング工程と前記第一のエッチング工程後に行われる第二のエッチング工程を有し、
前記第二のエッチング工程における前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力は、前記第一のエッチング工程における前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力より小さいことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の工程前に四フッ化メタンガスとアルゴンガスの混合ガスを用いて前記第二の金属膜をエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の工程は、さらにアンモニアガスを用い、
前記第二の金属膜は、タンタルを含有する膜であり、
前記不活性ガスは、アルゴンガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の工程と前記第二の工程は、同一の処理室で行われ、
前記第二の工程は、前記試料を載置する試料台に高周波電力を供給しながら行われることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の工程から前記第二の工程への移行は、プラズマを継続した状態で行われることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項７】
第一の磁性膜と、前記第一の磁性膜の上方に配置された第二の磁性膜と、前記第一の磁性膜と前記第二の磁性膜の間に配置された金属酸化膜と、前記第二の磁性膜の上方に配置された第二の金属膜と、前記第一の磁性膜の下方に配置された第一の金属膜とを有する試料をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
一酸化炭素ガスを用いて前記第一の磁性膜と前記金属酸化膜と前記第二の磁性膜をエッチングするエッチング工程を有し、
前記第一の金属膜は、タンタルを含有する膜であり、
前記エッチング工程は、第一の工程と前記第一の工程後に行われる第二の工程を有し、
前記第二の工程における前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力は、前記第一の工程における前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力より小さいことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、第一の磁性膜と、前記第一の磁性膜の上方に配置された第二の磁性膜と、前記第一の磁性膜と前記第二の磁性膜の間に配置された金属酸化膜と、前記第二の磁性膜の上方に配置された第二の金属膜と、前記第一の磁性膜の下方に配置された第一の金属膜とを有する試料をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを用いて前記第一の磁性膜と前記金属酸化膜と前記第二の磁性膜をエッチングする第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた試料を水素ガスと不活性ガスの混合ガスを用いてエッチングする第二の工程とを有し、前記第一の金属膜は、タンタルを含有する膜であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、第一の磁性膜と、前記第一の磁性膜の上方に配置された第二の磁性膜と、前記第一の磁性膜と前記第二の磁性膜の間に配置された金属酸化膜と、前記第二の磁性膜の上方に配置された第二の金属膜と、前記第一の磁性膜の下方に配置された第一の金属膜とを有する試料をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを用いて前記第一の磁性膜と前記金属酸化膜と前記第二の磁性膜をエッチングするエッチング工程を有し、前記第一の金属膜は、タンタルを含有する膜であり、前記エッチング工程は、第一の工程と前記第一の工程後に行われる第二の工程を有し、前記第二の工程における前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力は、前記第一の工程における前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力より小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月22日(2016.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光性を有するワイドギャップ半導体材料で形成され、動作時に発光する半導体素子と、
前記半導体素子の動作時に流れる電流を動作電流として検出する電流検出部と、
前記半導体素子の動作時における出射光を入射する光ファイバーと、
前記光ファイバーを伝搬して得られる前記出射光を受光するフォトダイオードとを備える、
半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記半導体素子及び前記電流検出部は一体的に１チップ化された半導体素子形成部として形成され、前記半導体素子形成部の側面部から前記半導体素子の前記出射光が出射され、
前記光ファイバーの入射面を前記半導体素子形成部の前記側面部に対向するように配置したことを特徴とする、
半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、
前記半導体素子形成部は各々が前記半導体素子及び前記電流検出部を有する複数の半導体素子形成部を含み、
前記光ファイバーは、各々が入射面を有する複数の分岐部分と出射面を有し前記複数の分岐部分に共通に接続される統合部分とから構成され、前記複数の分岐部分それぞれの入射面は前記複数の半導体素子形成部のうち対応する半導体素子形成部の発光時における出射光が入射されるように設けられ、前記統合部分の前記出射面は前記出射光が前記フォトダイオードにて受光されるように設けられる、
半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記複数の分岐部分と前記統合部分との間に設けられ、前記複数の分岐部分のうち一の分岐部分である選択光路と前記統合部分とにより形成される光路を有効にする光路スイッチをさらに備える、
半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
発光性を有する前記ワイドギャップ半導体材料はＳｉＣ及びＧａＮのうち少なくとも一つを含み、
前記半導体素子は、ショットキバリアダイオード、ＰＮダイオード、ＩＧＢＴ、及びバイポーラトランジスタのうち少なくとも一つの素子を含む、
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
したがって、フォトダイオードの上記出力電流は動作時における半導体素子の温度と動作電流とにより決定されるため、動作時における半導体素子の温度を上記出力電流と上記動作電流とから求めることができる。すなわち、フォトダイオードを温度検出部として用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１である半導体装置の概略構成を模式的に示す説明図である。
【図２】図１で示したワイドギャップ半導体素子形成部の内部構成例を示す回路図である。
【図３】ワイドギャップ半導体素子に流れる動作電流Ｉｗとフォトダイオード出力電流Ｉｐとの関係を示すグラフである。
【図４】半導体材料における温度（Ｋ）とバンドギャップエネルギーとの関係を示すグラフである。
【図５】受光する光の波長とフォトダイオードの受光感度との関係を示すグラフである。
【図６】この発明の実施の形態２である半導体装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図７】この発明の実施の形態３である半導体装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図８】従来の温度検出機能を有する半導体装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（前提技術）
図８は従来の温度検出機能を有する半導体装置の平面構成を模式的に示す説明図である。同図に示すように、基板５０上の大部分の領域にＩＧＢＴの主電極（コレクタ電極となる）表面電極５１が形成され、一部にＩＧＢＴの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極５３が構成される。そして、他の一部に電流センス部５２（電流センス主要部５２Ｍ及びパッド部５２Ｐ）が形成され、さらに他の一部に温度センス部５４（温度センス主要部５４Ｍ及びパッド部５４Ｐ）が形成される。なお、電流センス主要部５２Ｍには例えばセンス用ＩＧＢＴ（の主電極（コレクタ電極））が形成され、温度センス主要部５４Ｍには例えばフォトダイオードが形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、光ファイバー２０の入射面３０をワイドギャップ半導体素子形成部１の側面部に対向するように配置することにより、ワイドギャップ半導体素子形成部１の電極部１１に主として形成される、ワイドギャップ半導体素子の表面電極による遮光の影響、ワイヤ配線、ダイレクトリード配線等の影響を受けることなく光ファイバー２０の入射面３０からワイドギャップ半導体素子の発光時における出射光を入射することができる。このため、フォトダイオード３側で精度良く高感度にフォトダイオード出力電流Ｉｐの計測が可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
同図に示すように、半導体材料のバンドギャップは温度依存性を有しており、０（Ｋ）でのバンドギャップをＥｇ（０)とするとＴ（Ｋ）でのバンドギャップエネルギーは以下の式(1)で表され、バンドギャップエネルギーＥｇ（Ｔ)は温度上昇（Ｔの上昇）により小さくなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
そして、実施の形態２の光ファイバー２１は、３つに分岐した分岐部分２１ａ〜２１ｃと分岐部分２１ａ〜２１ｃに共通に接続された統合部分２１ｘとから構成され、分岐部分２１ａ〜２１ｃの入射面３１ａ〜３１ｃから入射した光（ワイドギャップ半導体素子形成部１ａ〜１ｃからの出射光）を統合部分２１ｘの出射面４１から共通にフォトダイオード３に出力するように構成される。すなわち、分岐部分２１ａ〜２１ｃとワイドギャップ半導体素子形成部１ａ〜１ｃとが対応し、分岐部分２１ａ〜２１ｃの入射面３１ａ〜３１ｃはそれぞれワイドギャップ半導体素子形成部１ａ〜１ｃのうち対応するワイドギャップ半導体素子形成部の発光時（本体ＩＧＢＴ１０１の動作時）における出射光が入射されるように設けられる。一方、統合部分２１ｘの出射面４１は光ファイバー２１（分岐部分２１ａ〜２１ｃ＋統合部分２１ｘ）を介した出射光がフォトダイオード３にて受光されるように設けられる。