(57)【要約】  第１の基板（１１ａ）は、真空チャンバにおいて支持面（７）上に位置付けられ、上方に面する第１の結合面（２ａ）は接着剤でスピンコーティングされ、一方で第２の基板（１１ｂ）は、吸引によって、下方に面する第２の結合面（１２ｂ）とともにカバー（３）に保持される。真空チャンバが０．１ｍバールから２ｍバールの間の圧力まで排気される間に、支持ピン（９）は、基板（１１ａ，１１ｂ）の中央開口部（１４ａ，１４ｂ）を通って広がり、次に収縮され、第２の基板（１１ｂ）は、カバー（３）から解放され、半径方向に広がった玉（１０）によって保持される。支持ピン（９）は、第１の結合面（１２ａ）に逆らって作用する玉（１０）が第１の基板（１１ａ）を変形させる位置へと下げられる。したがって、第１の結合面（１２ａ）は僅かに凹状になり、第１および第２の結合面（１２ａ，１２ｂ）は、その円周に近接して接触するだけである。玉（１０）の収縮によって、接触領域が半径方向に内側に広がり、非結合領域のエントラップメントがない状態で、第１および第２の結合面（１２ａ，１２ｂ）を覆う。次に、基板（１１ａ，１１ｂ）は、再び広がった玉（１０）とともに支持ピン（９）によって持ち上げられ、カバー（３）を圧縮し、真空チャンバが空気にさらされる。
2007507050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状基板の結合のための方法であって、本質的に平面のディスク状の第１の基板（１１ａ）は、中央開口部（１４ａ）を備え、第１の結合面（１２ａ）と第１の結合面（１２ａ）と反対側の裏面（１３ａ）とを備え、本質的に平面のディスク状の第２の基板（１１ｂ）は、中央開口部（１４ｂ）を備え、接着剤の層によって第１の結合面（１２ａ）に結合される第２の結合面（１２ｂ）を備え、方法は、
第１の基板（１１ａ）および第２の基板（１１ｂ）を設けるステップと、
第１の結合面（１２ａ）もしくは第２の結合面（１２ｂ）または双方に液状接着剤を塗布するステップと、
真空チャンバにおいて、第２の結合面（１２ｂ）が少し離れて第１の結合面（１２ａ）に面する状態で、第１の基板（１１ａ）および第２の基板（１１ｂ）を位置付けるステップと、
第１の結合面（１２ａ）が曲がった形状を帯びるように第１の基板（１１ａ）を弾性的に変形させて、第１の基板（１１ａ）に作用する機械的手段によって変形を支持するステップと、
真空チャンバを排気するステップと、
第１の基板（１１ａ）および第２の基板（１１ｂ）を互いに向かって動かして、第１の結合面（１２ａ）および第２の結合面（１２ｂ）の縁部が接触する小さな接触領域を確立するステップと、
接触領域が本質的に第１の結合面および第２の結合面（１２ａ,１２ｂ）全体に広がるように第１の基板（１１ａ）がその応力を受けない本質的に平面の構成を帯びるのを可能にするために、第１の基板（１１ａ）を解放するステップと、
真空チャンバにおける圧力を大気圧に上昇させるステップを含む、方法。
【請求項２】
第１の接触面（１２ａ）が、第１の基板（１１ａ）の中央開口部（１４ａ）の近くで第１の基板（１１ａ）に作用する中央の機械的手段と、前記第１の基板（１１ａ）の外縁に向かってオフセットされた位置で第１の基板（１１ａ）に作用する円周の機械的手段とによって保持される凹状または凸状を帯びるように、第１の基板（１１ａ）が変形されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
中央の機械的手段は、第２の基板（１１ｂ）から離れて向けられる力を第１の基板（１１ａ）に及ぼし、一方で円周の機械的手段は、第２の基板（１１ｂ）に対して向けられる力を第１の基板（１１ａ）に及ぼし、第１の接触面（１２ａ）の形状が凹状である第１の基板（１１ａ）の変形を保持することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
中央の機械的手段は、第１の結合面（１２ａ）に逆らって作用する機械的停止手段を含み、円周の機械的手段は、第１の基板（１１ａ）の裏面（１３ａ）に作用する機械的停止手段を含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第１の基板（１１ａ）の弾性的な変形のために、中央開口部（１４ａ）に隣接した第１の結合面（１２ａ）の領域は、第１の結合面（１２ａ）の円周と交わる面から１ｍｍから３ｍｍの間だけオフセットされることを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
接触領域は、第１の結合面（１２ａ）および第２の結合面（１２ｂ）の外縁に隣接した狭い環またはその一部であることを特徴とする、請求項３から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
接触が確立されるときに、第１の基板（１１ａ）は、第２の基板（１１ｂ）に対して僅かに、好ましくは３°を超えずに傾いた位置で保持されることにより、接触領域が、最初
に、環の予め規定された区分に限定されることを保証することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
真空チャンバは、０．０１ｍバールから１００ｍバールの間、好ましくは、０．０５ｍバールから１０ｍバールの間、特に、０．１ｍバールから２ｍバールの間で排気されることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
液状接着剤は、第１の基板（１１ａ）、第２の基板（１１ｂ）、またはその双方をそれぞれスピンすることによって、第１の結合面（１２ａ）、第２の結合面（１２ｂ）、またはその双方にわたって広がることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
装置は、以下のものを収容する真空チャンバを含み、以下のものは、
第１の基板（１１ａ）を支持するための支持手段を含み、支持手段は、その中央開口部（１４ａ）から前記基板の外縁に向かってオフセットされた位置で第１の基板（１１ａ）に作用するための円周の機械的手段として好適であり、さらに、
第２の結合面（１２ｂ）が第１の結合面（１２ａ）に面する状態で、第２の基板（１１ｂ）を、第１の基板（１１ａ）と反対側の位置で保持するための保持装置と、
第１の基板（１１ａ）および第２の基板（１１ｂ）の中央開口部（１４ａ，１４ｂ）を通って拡張可能な支持ピン（９）とを含み、支持ピンは、第１の基板（１１ａ）の中央開口部（１４ａ）の縁部、または中央開口部（１４ａ）の近くの第１の結合面（１２ａ）に作用するための、半径方向に拡張可能および収縮可能な中央の機械的手段を有する、請求項１から９のいずれかに記載の方法を実行するための装置。
【請求項１１】
真空チャンバは、支持手段および支持ピン（９）を保持するベースプレート（１）と、保持装置を保持するカバー（３）とを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
中央の機械的手段は、第１の結合面（１２ａ）に逆らって作用するための機械的停止手段を含み、円周の機械的手段は、第１の基板（１１ａ）の裏面（１３ａ）に作用するための機械的停止手段を含むことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
支持手段は、第１の結合面（１２ａ）が本質的に水平な第１の面にある位置に第１の基板（１１ａ）を保持するのに好適であり、保持装置は、第２の結合面（１２ｂ）が第１の面よりも上の本質的に水平な第２の面にある位置に第２の基板（１１ｂ）を保持するのに好適であることを特徴とする、請求項１０から１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
第１の面および第２の面は平行であることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
第１の面は第２の面に対して僅かに傾けられることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
第１の面および第２の面の間の角度は、１°から３°の間であることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
保持装置は吸引保持装置であることを特徴とする、請求項１０から１６のいずれかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、ディスク状基板の結合のための方法およびこの方法を実行するための装置に関する。方法および装置は、特に、ＤＶＤディスク等のデータ記憶用の光学ディスクの製造のために用いられる。
【背景技術】
【０００２】
先行技術
ＤＶＤおよび同様のディスクは、通常下方のディスク状基板と、上方のディスク状基板とを含み、双方は、通常ポリカーボネートのようなプラスチック材料からなる中央の円形開口部を有する。少なくとも下方基板は、光学的に活性化された薄い層、すなわち反射層または半反射層を保持し、これは通常、データを伝送する、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕのような金属または合金からなる。上方基板は、接着剤、たとえば、ＵＶ硬化樹脂またはホットメルトによって下方基板に結合される。基板が接合され、接合するステップの後で硬化される前に、通常、液状接着剤が下方基板に塗布される。代わりに、軟質シートの形態をした接着剤の使用が提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
基板を結合するための多くの他のプロセスが説明されてきた。たとえば、ＵＳ  ６  ２６５  ５７８  Ａおよび６  ２９１  ０４６  Ｂで開示されるように、大半の場合、接着剤が下方基板の上側に塗布されて、平行な上方基板が接着層へと下げられるか、または降ろされて、次にそれに押し付けられる。この一般的な方法の主な問題は、接着層の厚さにばらつきがあるということであり、この接着層は、僅かに歪曲されることの多い基板によって及ぼされる機械的圧力によって単に広げられるに過ぎない。さらに気体のエントラップメントの問題があり、この気体は次に、接着剤と上方基板とが適切に結合されていない領域が結合領域によって囲まれるときに常に含有物または泡を形成する。双方の効果は、ディスクの光学特性に影響を及ぼし、記憶されたデータの読み違いをもたらし得る。
【０００４】
上記問題の後者の方を回避するために、結合するステップは、真空または不完全真空において行なわれることが多い。これによりエントラップメントによる泡の生成の問題は減じられるが、これは、この方法では高真空を与えることによって実質的に完全に解決することができるに過ぎない。しかしながら、高真空では長いサイクル時間および高価で高性能の真空ポンプが必要となるため、経済的理由につき許容できない。さらに、真空に長くさらされると、気体を抜き始めるにつれて、大気圧下で接着剤内で溶解される気体から泡が形成され得、通常、完全に気体を抜くのを待つことはできない。なぜなら、これはサイクル時間を経済的に許容できる範囲を超えてさらに増加させるからである。
【０００５】
上述のプロセスの一例は、ＵＳ  ４  ９９０  ２０８  Ａにおいて記載され、ＵＶ硬化接着剤は、それがたとえば、環状ゾーンを覆うように、ディスペンサのノズルを介して下方基板の上部側に塗布される。下方基板および上方基板を真空チャンバへ移して、圧力を３０トル（４０ｍバール）よりも下に減じた後で、上方基板は接着層へと下げられる。全体的なプロセスを真空チャンバにおいて実行してもよい。しかしながら、これには上述の問題を悪化させる比較的大きなチャンバが必要となる。この種類のプロセスは、ＪＰ  ２０００  ３１５  ３３８  Ａにおいても記載されている。
【０００６】
ＵＳ  ５  ５８２  ６７７  ＡおよびＵＳ  ５  ７６６  ４０７  Ａに従うと、基板を狭く密閉する小さな円筒形の真空チャンバが設けられることによって、大きな真空チャンバは回避される。上方基板および下方基板を接合した後で、基板を互いに押し付けるために大気圧が用いられる。
【０００７】
複数の先行技術の公開において、スピンコーティングを用いることが提案されており、一定の厚さの層を達成するために、下方基板を回転させることによって下方基板の上面にわたって接着剤が広げられる。ＵＳ  ６  １３６  １３３  Ａに従うと、結合するステップはさらに、約５０ｐａ（０．５ｍバール）の圧力で、真空チャンバにおいて行なわれる。ＤＥ  １９７  １５  ７７９  Ａ１において、同様のプロセスが説明されている。スピンコーティングは、本質的に一定の厚さの接着層を提供するが、これは気体の含有物の問題を解決しない。
【０００８】
幾分か異なる方法に従うと、ＵＳ  ５  ８４３  ２５７  Ａに記載されるように、基板が接合された後でディスクはスピンされる。ここで、遠心力が、中央開口部の縁部からの吸引によって厳密に平衡を保たれなければ、遠心力は接着層の半径方向に増加する厚さをもたらす。しかしながら、このように平衡を保つには、角速度および圧力の正確な制御が必要となるため、達成するのが難しい。ＵＳ  ６  １８３  ５７７  Ｂ１に従うと、この問題は、余分の接着剤を吸収するはずである中央の窪みを形成するために、下方基板が弾性的に変形されることによって、軽減される。しかしながら、制御要件は依然として達成することが難しい。
【０００９】
ＥＰ  ０  ６２４  ８７０  Ｂ１は、２つのパッケージのエポキシ樹脂接着剤が、中央開口部を囲む円に沿って下方基板の上面に塗布された後で、上方基板および下方基板が、これらが鋭角を囲み、かつ上方基板が下げられるときに外縁の接触点で最初に接触する位置で、保持される結合方法を示している。第１の接触点とは反対側の上方基板の縁部が、たとえば、１ｍｍ／ｓだけさらに下げられると、基板が、その間に広がる接着剤と平行になりかつそれと接合されるまで、接触点の周りで旋回する。しかしながら、この方法も接着層の厚さのばらつきをもたらし得る。さらに、気体の泡のエントラップメントを排除することはできない。
【００１０】
同様の方法が、ＤＥ１９６  ５１  ４２３  Ａ１から明らかであり、ここで上方基板は保持アームによって支持され、この保持アームは、上方基板が同時に下方基板へと下げられ、下方基板に平行な方位へと回転されるように、下方基板の上面の高さで軸の周りで旋回する。このプロセスが真空において行なわれる場合でさえも、高真空が用いられなければ、気体のエントラップメントを完全に排除することはできない。しかしながら、これには、やはり高価で高性能の真空ポンプおよび長いサイクル時間が必要となる。基板を接合した後で、ディスクは、接着剤がより均等に分布される一方で、遠心力の平衡を保つために中央開口部の境界で吸引が与えられるようにスピンされ得る。このステップは、上記で説明したような問題をはらむものである。
【００１１】
ＪＰ  ２００３  ００６  ９４０  Ａに従うと、下方基板および上方基板は、真空チャンバ内に収容され、上方基板の外縁は、下方基板よりも少し上でばねで付勢されたボルトによって支持される。次に、その中心部分は、圧縮パッドによって下方に押されて、下方基板の中心部分に接合され、一方で上方基板は僅かに弾性的に変形される。チャンバの排気の後で、パッドの圧力が増加されることにより、接触領域は半径方向に外側に広がる。この方法を用いると、気体のエントラップメントの危険性は実際には非常に低くなるが、上方基板に与えられる圧力は、中心部から外側に減じられ、これによって接着層の厚さは半径方向に変化し得る。
【００１２】
ＵＳ  ６  ３１２  ５４９  Ｂ１において、別の結合方法が記載され、ここで上方基板は、変形された状態で、その下面が僅かに凸状の状態で、吸引保持装置によって保持される。これが接着層へと下げられるときに、接触が最初に中央開口部の縁部において確立され、その上に上方基板が解放され、その応力を受けない面の構成を帯び、下方基板の接着剤で覆われた上面の全体と接触する。
【００１３】
代替の方法がさらに提案され、ここで上方基板は再び僅かに変形され、その中心部は吸引保持装置によって外縁よりも約１．５ｍｍ上で保持され、その下面は僅かに凹状である。基板の外縁の間で接触が確立された後で、その間の空間は、上方基板の中心部分が真空の吸引によって保持装置から切離され、かつ解放された上方基板の下面が下方基板の上面の全体と接触するまで、下方基板の中央開口部を通って排気される。最初に下方基板の上面上の環状ゾーンを覆う接着剤は、これにより表面の間で広げられる。
【００１４】
上方基板の解放は、大気圧、吸引保持装置における接触面および圧力、上方基板の変形によって生成される弾性力、ならびに、基板間で減じられる圧力のような、正確に制御および再現することができない複数のパラメータの関数であることから、このステップは、特にそのタイミングに関して正確に制御することができない。これでは、規定されかつ短いサイクル時間を有する結合ステップを確実に実行することが難しい。さらに、基板間の空間を確実に密封した状態に保つのは難しく、その中央開口部のうちの１つを通して排気するには複雑な装置が必要となる。
【００１５】
ＤＥ  １００  ０８  １１１  Ａ１は、幾分か同様の結合方法を示しており、ここで上方基板および下方基板は、小さな真空チャンバに配置され、それぞれ吸引保持装置によって、その上部および底部に取り付けられる。下方基板の上面はホットメルトで覆われる。チャンバが十分に排気されるとすぐに、圧縮空気を双方の吸引装置に供給することによって、基板は互いに向かって押し込まれる。これらの間の接触は、最初に中心部分で確立され、そこから外縁へと広がる。なぜなら、双方の基板は最初に圧縮空気の影響によって変形されるからである。この方法を用いると、基板およびその結果としてその相対的な位置の動きを正確に制御することができず、これは完成品の欠陥をもたらし得る。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
発明の概要
本発明の目的は、基板の接合が制御された態様で行なわれ、接着層の厚さのばらつきが小さく、基板間の気体の含有物が実質的に存在しない方法を提供することである。
【００１７】
これらの目的は、請求項１の特徴によって達成される。本発明に従った方法によって、短いサイクル時間および一定の高い品質の出力を備えた、正確に制御された結合ステップが可能になる。
【００１８】
本発明のさらなる目的は、本発明に従った方法を実行するのに好適な装置を提供することである。この目的は、請求項１０の特徴によって達成される。本発明に従った装置は、単純であり、安価であり、信頼性が高い。
【００１９】
以下で、本発明は、本発明の一実施例を参照する図面を参照してより詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
好ましい実施例の説明
この装置は、ベースプレート１、円周側壁２、および取外し可能カバー３を備えた円筒形の真空チャンバを含む。吸引線５を介して吸引ポンプ（図示せず）に接続された穴部４
は、後者の内面にわたって分布されて、カバー３が吸引保持装置として機能することができるようにする。ベースプレート１は、支持具６を保持し、環状面の上方に面する支持面７が（図１ａの右側に）僅かに傾斜される側壁２と同心のウェブを含み、カバー３の内部とともに、１°から３°、好ましくは約２°の角度で囲む面を規定する。排気線８は、真空チャンバの底部から、すなわちベースプレート１を通って、真空ポンプ（図示せず）につながる。中央支持ピン９は、ベースプレート１を通って拡張可能である。その位置は、その先端が支持面７よりも下にある下方限定位置と、その先端がカバー３に接触するかまたはほぼ接触する上方限定位置との間で変化する可能性がある。先端よりもちょうど下の位置で、支持ピン９は、その円周にわたって分布された穿孔に収容される複数の（たとえば４個の）玉１０を保持する。玉１０は、半径方向に広がり、支持ピン９の表面の後ろで収縮することができる。アクチュエータを備えたこの種類の支持ピンは、ポータブルＣＤプレーヤにおいて用いられるため、周知である。
【００２１】
本発明に従ったプロセスは、図２ａ−ｆにおいて示されるように、以下のように実行され得る。
【００２２】
本発明に従った方法の第１のステップにおいて、たとえば、透明なポリカーボネートから製造され、かつデータ伝送金属層を含む第１のディスク状基板１１ａが設けられ、その上方に面する結合面１２ａは、たとえば、ＵＶ硬化接着剤によって以前にスピンコーティングされている。次に、第１の基板１１ａを、下方基板として、開いた真空チャンバにおける支持具６上に配置し、その外縁に隣接したその裏面１３ａの環状部分は、支持面７にもたれる。第１の基板１１ａと同じ一般的な構造を有し得る第２の基板１１ｂを、上方基板として、カバー３上に配置し、そこでこれは吸引によって保持され、すなわち、裏面１３ｂは、第１の基板１１ａよりも上の、それと本質的に平行な、小さな傾斜角から離れた位置で、カバー３の内部にもたれる。その下方に面する表面は、第２の結合面１２ｂをなす。次に、真空チャンバを閉じる（図２ａ）。
【００２３】
第２のステップにおいて、支持ピン９は、基板１１ａ，１１ｂの中央開口部１４ａ，１４ｂを通って拡張し、その先端がカバー３に近接した上方限定位置を取る。さらに、玉１０は、半径方向に外側に延在し、カバー３に統合された吸引保持装置が非活性化される。第２の基板１１ｂはさらに玉１０によって支持され、第２の結合面１２ｂの一部は、これにもたれる中央開口部１４ｂに直接隣接している。同時に、排気線８を通した真空チャンバの排気が開始される（図２ｂ）。
【００２４】
約２７００ｍｓかかる排気プロセスの間に、支持ピン９は収縮されている。約２６５０ｍｓ後に、玉１０は、第１の基板１１ａに接触し、中央開口部１４ａに直接隣接した第１の結合面１２ａの部分に逆らう機械的停止手段として作用する。支持ピン９は、さらに約２ｍｍだけ収縮されることにより、第２の基板１１ｂから離れて向けられた力が、その中心で第１の基板１１ａに及ぼされる。これにより支持ピンは、僅かに弾性的に変形され、後者が支持面７によって本質的にその以前の位置に保持されると、その中心がその円周よりも約２ｍｍ未満になる凹面の形状を帯び、この支持面７は、その円周に近接した裏面１３ａに逆らう機械的停止手段として作用し（図２ｃ）、第１の基板１１ａに第２の基板１１ｂに向けられた力を及ぼす。第２の結合面１２ｂは、第１の結合面１２ａおよび第２の結合面１２ｂの円周において、図２ｃの左側の小さな接触領域で第１の結合面１２ａと接触する。同時に、真空チャンバにおける圧力は、たとえば、１ｍバールの設定値に達する。
【００２５】
ここで、真空プロセスの開始から２７００ｍｓ後に、玉１０が収縮される。解放された第１の基板１１ａは、その応力を受けない面の構成に戻る。結果として、接触面は、第１の結合面１２ａおよび第２の結合面１２ｂの外縁に隣接した狭い環へと急速に広がり、さ
らに中央開口部１４ａ，ｂの縁部へと半径方向に内側に広がる。このようにして、基板が結合される接触領域は、結合面のまだ結合されていない部分を取囲むことなく、小さな接触領域から完全な第１の結合面１２ａおよび第２の結合面１２ｂへと広がる（図２ｄ）。接触領域の境界は、結合面の境界へと連続的に移動する接合正面を形成する。したがって、後者間での気体のエントラップメントは確実に回避される。
【００２６】
支持ピン９を少しだけ収縮した後で、玉１０は再び半径方向に広げられる（図２ｅ）。次に、支持ピン９は拡張されて、玉１０は、接合された基板１１ａ，１１ｂを、支持具６からカバー３まで持ち上げ、これは約１８０ｍｓかかり、次に玉を接合された基板に押し付ける（図２ｆ）ことにより、第１の基板１１ａおよび第２の基板１１ｂの間での結合が完了し、ディスク１５を形成する。さらに１２０ｍｓ後に、真空は破られ、圧力は大気圧へと急速に上昇し、ディスクの圧縮を支持する。吸引装置は活性化され、ディスク１５をカバー３へと保持する。次に、真空チャンバが開かれ、ディスク１５が取外される。
【００２７】
基板を狭く密閉する真空チャンバの体積が小さいために、チャンバの排気が、接合につながる基板の機械的操作と平行して行なわれる上述のような一連のステップでは、結合プロセスは全体で数秒しかかからず、これは経済的観点から有益であるだけでなく、真空状態の下で接着剤の気体が抜けるのを実質的に排除する。
【００２８】
上述の方法および装置は、本発明の精神から逸脱することなく、多くの方法で変形することができることが当業者には明らかである。たとえば、基板は如何なる好適な材料からなってもよく、第１の基板は２つのデータ伝送層を含んでもよい。接着剤は、ホットメルトまたは２つのパッケージタイプとすることができる。それは、第１の結合面の代わりに、第２の結合面上に広げることができ、またはその双方に塗布することができる。中央機械的停止手段は、異なる形状、たとえば、楔形とすることができ、円周の機械的停止手段は、ギャップによって遮ることができる。さらに、中央および円周の機械的停止手段の代わりに、中央開口部の縁部または円周縁部それぞれに作用する機械摩擦手段を用いることができる。
【００２９】
支持面は傾斜される必要はない。基板のうちの一方または双方に僅かな歪みがない（この場合、接触領域は上記環の一部に限定され得る）場合、接触領域は、結合面の円周に隣接した狭い環となる。
【００３０】
上述の実施例からのより広範囲に及ぶ逸脱も可能である。たとえば、第１の基板は、たとえば、第１の結合面が凸状を呈するように（この場合、接触領域はその中央開口部に隣接した環またはその一部に隣接した環である）、適切に変形された機械的手段によって、異なる方法で曲げてもよい。さらに、プロセスのスケジュールおよびその他のパラメータは異なってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１ａ】本発明に従った方法を実行するための装置の横断面図である。
【図１ｂ】装置の図１ａにおけるＢ−Ｂに沿った水平断面図である。
【図２ａ】本発明に従った方法のさまざまな段階の間の、装置および基板を通した横断断面を概略的に示す図である。
【図２ｂ】本発明に従った方法のさまざまな段階の間の、装置および基板を通した横断断面を概略的に示す図である。
【図２ｃ】本発明に従った方法のさまざまな段階の間の、装置および基板を通した横断断面を概略的に示す図である。
【図２ｄ】本発明に従った方法のさまざまな段階の間の、装置および基板を通した横断断面を概略的に示す図である。
【図２ｅ】本発明に従った方法のさまざまな段階の間の、装置および基板を通した横断断面を概略的に示す図である。
【図２ｆ】本発明に従った方法のさまざまな段階の間の、装置および基板を通した横断断面を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  ベースプレート
２  側壁
３  カバー
４  穴部
５  吸引線
６  支持具
７  支持面
８  排気線
９  支持ピン
１０  玉
１１ａ，ｂ  第１および第２の基板
１２ａ，ｂ  第１および第２の結合面
１３ａ，ｂ  裏面
１４ａ，ｂ  中央開口部
１５  ディスク
2007507050.tif 000003
2007507050.tif 000004
2007507050.tif 000005
【国際調査報告】
2007507050.tif 000006
2007507050.tif 000007
2007507050.tif 000008