【事件の表示】
　特願２０１３−５０１５１８「水平及び垂直な部分を備えるダマシン型磁気トンネル接合構造及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月２９日国際公開、ＷＯ２０１１／１１９９７５、平成２５年　６月１３日国内公表、特表２０１３−５２２９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成２３年３月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年３月２６日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年９月２１日付けで審査請求がなされ、平成２６年１月１５日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年５月１６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年１０月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２７年２月１６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ、同年４月９日付けで上申書の提出がなされ、同年７月６日付けで上申書の提出がなされた。当審において、平成２８年４月８日付けで拒絶理由が通知され、同年７月１１日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされたものである。
２　本願発明 
　本願の請求項１０に係る発明は、平成２８年７月１１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１０に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　　　　  
「【請求項１０】
　トレンチ領域の中に配置される垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造を含む、半導体デバイスであって、
　前記垂直ＭＴＪ構造が、フリー層と固定層との間にバリア層を含む垂直ＭＴＪ積層を含み、
　前記垂直ＭＴＪ構造が、前記トレンチ領域の側面上に側壁を、及び前記トレンチ領域の底面上に底壁を有し、
　前記側壁、及び前記底壁が、独立した磁区をそれぞれ有し、
　前記側壁における前記磁区が、前記トレンチ領域の側面に実質的に垂直な磁気モーメントを有し、
　前記底壁における前記磁区が、前記トレンチ領域の底面に実質的に垂直な磁気モーメントを有し、
　前記垂直ＭＴＪ構造が、鉄および白金を含む垂直ＭＴＪセルを含む、コバルトおよび白金を含む垂直ＭＴＪセルを含む、または、コバルトおよびニッケルを含む垂直ＭＴＪセルを含む、半導体デバイス。」
　
　
３　引用文献 
（１）引用文献１について
　平成２８年４月８日付けの拒絶理由通知において引用された、本願の優先権主張の日（以下「本願優先日」という。）前に外国において頒布された刊行物である、国際公開第２００９／１１１１９７号（以下「引用文献１」という。）には、下記の事項が記載されている。（当審注：訳は、対応する日本出願の公表公報である、特表２０１１−５１４６７６号公報に基づいて当審において作成した。）
Ａ　「[0034] FIG. 1 is a cross-sectional view of a particular embodiment of a portion of a magnetic tunnel junction (MTJ) cell 100, which may be formed according to the methods and embodiments described with respect to FIGS. 3-24. The MTJ cell 100 includes an MTJ stack 102 having a free layer 104, a tunnel barrier layer 106, a fixed (pinned) layer 108, and an anti-ferromagnetic (AF) layer 126. The MTJ stack 102 is coupled to a bit line 110. Further, the MTJ stack 102 is coupled to a source line 114 via a bottom electrode 116 and a switch 118. A word line 112 is coupled to a control terminal of the switch 118 to selectively activate the switch 118 to allow a write current 124 to flow from the bit line 110 to the source line 114. In the embodiment shown, the fixed layer 108 includes a magnetic domain 122 that has a fixed orientation. The free layer 104 includes a magnetic domain 120, which is programmable via the write current 124. As shown, the write current 124 is adapted to program the orientation of the magnetic domain 120 at the free layer 104 to a zero state (i.e., the magnetic domains 120 and 122 are oriented in the same direction). To write a one value to the MTJ cell 100, the write current 124 is reversed, causing the orientation of the magnetic domain 120 at the free layer 104 to flip directions, such that the magnetic domain 120 extends in a direction opposite to that of the magnetic domain 122. 」
（当審訳：［００３４］　図１は、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル１００の一部の特定の実施形態の断面図である。それは、図３−２４に関して記述された方法および実施形態によって形成されてもよい。ＭＴＪセル１００は、自由層１０４、トンネル障壁層１０６、固定（ピンド）層１０８および反強磁性体（ＡＦ）層１２６を有するＭＴＪスタック１０２を含んでいる。ＭＴＪスタック１０２は、ビット線１１０につながれる。さらに、ＭＴＪスタック１０２は、ボトム電極１１６およびスイッチ１１８によってソース線１１４につながれる。書き込み電流１２４がビット線１１０からソース線１１４まで流れることを可能にするスイッチ１１８を選択的に活性化するために、ワード線１１２は、スイッチ１１８の制御端末につながれる。示された実施形態では、固定層１０８は、固定方向を有している磁区１２２を含んでいる。自由層１０４は、磁区１２０を含んでいる。それは、書き込み電流１２４によってプログラム可能である。示されるように、書き込み電流１２４は、ゼロ状態（つまり、磁区１２０および１２２は、同じ向きに向けられる）へ自由層１０４における磁区１２０の方向をプログラムするのに適している。ＭＴＪセル１００に１つの値を書き込むために、書き込み電流１２４は逆にされ、その結果、磁区１２２のその反対の方向に磁区１２０が伸びるように、自由層１０４における磁区１２０の方向が逆にされる。」）
Ｂ　「[0047] FIG. 8 is a top view of a particular illustrative embodiment of a memory device 800 including a substrate 802 with having a magnetic tunnel junction (MTJ) cell 804 that is adapted to store multiple data bits. The magnetic tunnel junction (MTJ) cell 804 includes a bottom electrode 806, an MTJ stack 808, and a center electrode 810. The MTJ cell 804 has a length (a) and a width (b), where the length (a) is greater than the width (b). The substrate 802 includes a top via 836 that is coupled to the center electrode 810 and includes a bottom via 832 that is coupled to the bottom electrode 806. The substrate 802 also includes a first wire trace 834 that is coupled to the top via 836 and a second wire trace 830 that is coupled to the bottom via 832. The substrate 802 includes a process opening 838. 
[0048] The MTJ stack 808 includes a fixed (pinned) magnetic layer that carries a fixed magnetic domain having a fixed orientation, a tunnel barrier layer, and a free magnetic layer having a magnetic domain that can be changed or programmed via a write current. The MTJ stack 808 may also include an anti-ferromagnetic layer to pin the fixed magnetic layer. In a particular embodiment, the fixed magnetic layer of the MTJ stack 808 may include one or more layers. Additionally, the MTJ stack 808 may include other layers. The MTJ cell 804 includes a first sidewall 812 to carry a first magnetic domain 822, a second sidewall 814 to carry a second magnetic domain 824, and a third sidewall 816 to carry a third magnetic domain 826. The MTJ cell 804 also includes bottom wall 970 to carry fourth magnetic domain 972 (see FIG. 9). The first, second, third, and fourth magnetic domains 822, 824, 826, and 972 are independent. In a particular embodiment, the first, second, third, and fourth magnetic domains 822, 824, 826, and 972 are configured to represent respective data values. In general, the orientations of the magnetic domains 822, 824, 826, and 972 are determined by the stored data value. For example, a 0 value is represented by a first orientation while a 1 value is represented by a second orientation. 」
（当審訳：「［００４７］　図８は、多数のデータビットを格納するのに適した磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル８０４を持っている基板８０２を含むメモリ素子８００の特定の実例となる実施形態の平面図である。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル８０４は、ボトム電極８０６、ＭＴＪスタック８０８およびセンター電極８１０を含んでいる。ＭＴＪセル８０４には、長さ（ａ）および幅（ｂ）がある。ここで、長さ（ａ）は、幅（ｂ）より大きい。基板８０２は、センター電極８１０につながれるトップビア８３６を含み、ボトム電極８０６につながれるボトムビア８３２を含んでいる。基板８０２は、さらにトップビア８３６につながれる第１のワイヤトレース８３４、およびボトムビア８３２につながれる第２のワイヤトレース８３０を含んでいる。基板８０２は、プロセス開口８３８を含んでいる。
［００４８］　ＭＴＪスタック８０８は、固定方向を有する固定磁区を持つ固定（ピンド）磁性層、トンネル障壁層、および書き込み電流によって変更またはプログラムすることができる磁区を有する自由磁性層を含んでいる。ＭＴＪスタック８０８は、さらに固着磁性層をピンするために反強磁性層を含んでいてもよい。特定の実施形態では、ＭＴＪスタック８０８の固着磁性層は、１つ以上の層を含んでいてもよい。さらに、ＭＴＪスタック８０８、他の層を含んでいてもよい。ＭＴＪセル８０４は、第１の磁区８２２を持つ第１のサイドウォール８１２、第２の磁区８２４を持つ第２のサイドウォール８１４および第３の磁区８２６を持つ第３のサイドウォール８１６を含んでいる。ＭＴＪセル８０４は、さらに第４の磁区９７２を持つためにボトムウォール９７０を含んでいる（図９を参照）。第１、第２、第３および第４の磁区８２２、８２４、８２６および９７２は独立している。特定の実施形態では、第１、第２、第３および第４の磁区８２２、８２４、８２６および９７２は、それぞれのデータ値を表すように構成される。一般に、磁区８２２、８２４、８２６および９７２の方向は、記憶されたデータ値によって決定される。例えば、「０」値は、第１の方向によって表され、一方、「１」値は、第２の方向によって表される。」）
　
Ｃ　「[0049] FIG. 9 is a cross-sectional diagram 900 of the circuit device 800 of FIG. 8 taken along line 9-9 in FIG. 8. The diagram 900 includes the substrate 802 having a first inter-layer dielectric layer 950, a second inter-layer dielectric layer 952, a first cap layer 954, a third inter-layer dielectric layer 956, a second cap layer 958, a third cap layer 960, a fourth inter-layer dielectric layer 962, and a fifth inter-layer dielectric layer 964.  The substrate 802 has a first surface 980 and a second surface 990. The substrate 802 also includes the MTJ structure 804 including the MTJ stack 808. The bottom electrode 806, the MTJ stack 808, and the top electrode 810 are disposed within a trench in the substrate 802. The trench has a depth (d).
[0050] The substrate 802 includes the second wire trace 830 disposed at the second surface 990. The second wire trace 830 is coupled to the bottom via 832, which extends from the second wire trace 830 to a portion of the bottom electrode 806. The substrate 802 also includes the first wire trace 834 disposed at the first surface 980. The first wire trace 834 is coupled to the top via 836, which extends from the first wire trace 834 to the center electrode 810. The center electrode 810 is coupled to the MTJ stack 808. The substrate 802 also includes the process opening 838, which may be formed by selectively removing a portion of the MTJ structure 804 and depositing an inter-layer dielectric material within the processing opening 838, followed by an oxide CMP.
[0051] In a particular embodiment, the MTJ stack 808 includes the second sidewall 814, which carries the second magnetic domain 824. The second magnetic domain 824 is adapted to represent a second data value. The MTJ stack 808 also includes a bottom wall 970 having a bottom magnetic domain 972, which is adapted to represent a fourth data value. In a particular example, a data value can be read from the MTJ stack 808 by applying a voltage to the first wire trace 834 and by comparing a current at the second wire trace 830 to a reference current. Alternatively, a data value may be written to the MTJ stack 808 by applying a write current to one of the first and second wire traces 834 and 830. In a particular embodiment, the length (a) and the width (b) of the MTJ stack 808 illustrated in FlG. 8 are greater than the trench depth (d), and the magnetic domain 824 carried by the second sidewall 814 extends in a direction that is substantially parallel to the first surface 980 of the substrate 802 and in a direction of the width (b) illustrated in FIG. 8. In this particular view, the magnetic domain 824 extends in a direction that is normal to the page view of FIG. 9 (outward from the page as indicated by an arrow head (・) or into the page as indicated by a tail of an arrow (*)). 」
（当審訳：「［００４９］　図９は、図８中の線９−９に沿って得られた、図８の回路デバイス８００の断面図９００である。図９００は、第１の層間絶縁層９５０、第２の層間絶縁層９５２、第１のキャップ層９５４、第３の層間絶縁層９５６、第２のキャップ層９５８、第３のキャップ層９６０、第４の層間絶縁層９６２および第５の層間絶縁層９６４を有する基板８０２を含んでいる。基板８０２には、第１の面９８０および第２の面９９０がある。基板８０２は、さらにＭＴＪスタック８０８を含むＭＴＪストラクチャ８０４を含んでいる。ボトム電極８０６、ＭＴＪスタック８０８およびトップ電極８１０は、基板８０２中のトレンチ内に配置される。トレンチは、深さ（ｄ）を持っている。
［００５０］　基板８０２は、第２の面９９０に配置された第２のワイヤトレース８３０を含んでいる。第２のワイヤトレース８３０は、第２のワイヤトレース８３０からボトム電極８０６の一部まで伸びるボトムビア８３２につながれる。基板８０２は、さらに第１の面９８０に配置された第１のワイヤトレース８３４を含んでいる。第１のワイヤトレース８３４は、第１のワイヤトレース８３４からセンター電極８１０まで伸びるトップビア８３６につながれる。センター電極８１０は、ＭＴＪスタック８０８につながれる。基板８０２は、さらにプロセス開口８３８を含んでいる。それは、ＭＴＪストラクチャ８０４の一部を選択的に除去し、プロセス開口８３８内に層間絶縁材料を堆積し、その後、酸化ＣＭＰを行うことにより形成されてもよい。
［００５１］　特定の実施形態では、ＭＴＪスタック８０８は、第２の磁区８２４を持つ第２のサイドウォール８１４を含んでいる。第２の磁区８２４は、第２のデータ値を表すのに適している。ＭＴＪスタック８０８は、さらに第４のデータ値を表すのに適しているボトム磁区９７２があるボトムウォール９７０を含んでいる。特定の例では、データ値は、第１のワイヤトレース８３４に電圧を加えることにより、および第２のワイヤトレース８３０で電流を参照電流と比較することにより、ＭＴＪスタック８０８から読み出すことができる。あるいは、データ値は、第１および第２のワイヤトレース８３４および８３０のうちの１つに書き込み電流を適用することにより、ＭＴＪスタック８０８に書き込まれてもよい。特定の実施形態では、図８で例証されたＭＴＪスタック８０８の長さ（ａ）および幅（ｂ）は、トレンチ深さ（ｄ）より大きい。また、第２のサイドウォール８１４によって持たれた磁区８２４は、基板８０２の第１の面９８０と実質的に平行な方向および図８で例証された幅（ｂ）の方向に伸びる。特にこの図では、磁区８２４は、図９のページビューに垂直な方向（矢印の頭（“・”）によって示されるようなページから外部へ、または矢印の後部（“＊”）によって示されるようなページ内へ）に伸びる。」）
　
Ｄ　「[0072] Turning to FIG. 21, at 2024, the method advances to 2126 and a photo resist is stripped, an inter-layer dielectric layer is deposited, an oxide Chemical-Mechanical Planarization (CMP) process is performed, and a cap film layer is deposited. Moving to 2128, a magnetic anneal process is performed on the MTJ stack to anneal the fixed magnetic layer in a horizontal X and Y direction (for a shallow trench) or in a horizontal X-direction and a vertical Z-direction (for a deep trench)．」
（当審訳：「［００７２］ 図２１に変わり、２０２４で、方法は、２１２６に進み、フォトレジストが剥離され、層間絶縁層が堆積される。酸化物化学的機械研磨（ＣＭＰ）プロセスが行われ、キャップ膜層が堆積される。２１２８へ移り、磁気アニールプロセスは、（浅いトレンチ用の）水平のＸおよびＹ方向または（ディープトレンチ用の）水平のＸ方向および垂直のＺ方向に、固定磁性層をアニールするために、ＭＴＪスタック上で行われる。」）
Ｅ　図９には、ボトム電極８０６、ＭＴＪスタック８０８およびセンター電極８１０が、下からこの順にトレンチ内で配置され、トレンチ内の側面上に第２のサイドウォール８１４があり、トレンチ内の底面上にボトムウォール９７０があり、ボトム磁区９７２の磁化方向はボトム電極８０６に平行でかつＭＴＪセルの長さ方向であり、第２の磁区８２４の磁化方向はボトム電極８０６に平行でかつＭＴＪセルの幅方向であることが記載されている。
Ｆ　ここで、上記引用文献１の記載事項について検討する。
　ア　メモリ素子に含まれる構成について
　上記Ｂには、「図８は、多数のデータビットを格納するのに適した磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル８０４を持っている基板８０２を含むメモリ素子８００の特定の実例となる実施形態の平面図」であること、「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル８０４は、ボトム電極８０６、ＭＴＪスタック８０８およびセンター電極８１０を含んでいる」こと、及び「ＭＴＪスタック８０８は、固定方向を有する固定磁区を持つ固定（ピンド）磁性層、トンネル障壁層、および書き込み電流によって変更またはプログラムすることができる磁区を有する自由磁性層を含んでいる」ことが記載されている。
　また、上記Ｅから、図９には「ボトム電極８０６、ＭＴＪスタック８０８およびセンター電極８１０がトレンチ内に配置」されていることが記載されているので、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル８０４はトレンチ内に配置されているといえる。
　よって、引用文献１には、「トレンチ内に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを含むメモリ素子であって、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルは、ボトム電極、ＭＴＪスタックおよびセンター電極を含み、ＭＴＪスタックは、固定（ピンド）磁性層、トンネル障壁層、自由磁性層を含」むことが記載されている。
　イ　ＭＴＪスタックの構成について
　上記Ｂには、「第１、第２、第３および第４の磁区８２２、８２４、８２６および９７２は独立している。」こと、上記Ｃには、「ＭＴＪスタック８０８は、第２の磁区８２４を持つ第２のサイドウォール８１４を含んでいる。第２の磁区８２４は、第２のデータ値を表すのに適している。ＭＴＪスタック８０８は、さらに第４のデータ値を表すのに適しているボトム磁区９７２があるボトムウォール９７０を含んでいる。」ことが記載されている。
　よって、引用文献１には、「ＭＴＪスタックは、独立した第２の磁区を持つ第２のサイドウォールと独立した第４の磁区を持つボトムウォールを含」むことが記載されている。
　ウ　磁区の方向について
　上記Ｅから、引用文献１の図９には、ボトム磁区の磁化方向がボトム電極に平行でかつＭＴＪセルの長さ方向を有し、第２の磁区の磁化方向がボトム電極に平行でかつＭＴＪセルの幅方向を有することが記載されているものと認められる。
Ｇ　よって、Ａ乃至Ｆ及び関連図面の記載から、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「トレンチ内に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを含むメモリ素子であって、
　前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルは、ボトム電極、ＭＴＪスタックおよびセンター電極を含み、
　前記ＭＴＪスタックは、固定（ピンド）磁性層、トンネル障壁層、自由磁性層を含み、
　前記ＭＴＪスタックは、独立した第２の磁区を持つ第２のサイドウォールと独立した第４の磁区を持つボトムウォールを含み、
　前記ボトム磁区の磁化方向が前記ボトム電極に平行でかつ前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルの長さ方向を有し、前記第２の磁区の磁化方向が前記ボトム電極に平行でかつ前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルの幅方向を有する、メモリ素子。」
（２）引用文献２について
　平成２８年４月８日付けの拒絶理由通知において引用された本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００８−１５９６１２号公報（以下「引用文献２」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
Ｈ「【００８０】
　（平面形状）
　ＭＴＪ素子ＭＴＪの平面形状は、例えば、長方形、楕円、円、六角形、菱型、平行四辺形、十字型、ビーンズ型（凹型）等種々変更可能である。
【００８１】
　ＭＴＪ素子ＭＴＪにおける固定層、非磁性層及び記録層は、例えば一括加工されて同じ平面形状となっているが、これに限定されない。例えば、固定層及び非磁性層は四角形にし、記録層のみ十字形状にしてもよい。
【００８２】
　（材料）
　固定層及び記録層の材料には、次のような強磁性材料が用いられる。例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ、それらの積層膜、又はそれらの合金、スピン分極率の大きいマグネタイト、ＣｒＯ２，ＲＸＭｎＯ３−Ｙ（Ｒ；希土類、Ｘ；Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ）等の酸化物の他、ＮｉＭｎＳｂ，ＰｔＭｎＳｂ等のホイスラー合金等を用いることが好ましい。また、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素が多少含まれていてもよい。」
Ｉ　「【００８５】
　（磁化配置）
　図１３（ａ）及び（ｂ）、図１４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るＭＴＪ素子の平行又は反平行の磁化配置の図を示す。
【００８６】
　図１３（ａ）及び図１４（ａ）に示すように、ＭＴＪ素子ＭＴＪの固定層及び記録層の磁化方向が平行（同じ向き）となった場合、非磁性層のトンネル抵抗は最も低くなる。この状態を、例えば“０”状態とする。
【００８７】
　一方、図１３（ｂ）及び図１４（ｂ）に示すように、ＭＴＪ素子ＭＴＪの固定層及び記録層の磁化方向が反平行（逆向き）となった場合、非磁性層のトンネル抵抗は最も高くなる。この状態を、例えば“１”状態とする。
【００８８】
　尚、固定層及び記録層の磁化の安定方向は、図１３（ａ）及び（ｂ）のように、膜面に対して平行な方向である平行磁化型でもよいし、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、膜面に対して垂直な方向である垂直磁化型でもよい。」
Ｊ　よって、上記Ｈ及びＩの記載から、引用文献２には、下記の事項が記載されていると認められる。
　
「ＭＴＪにおける固定層及び記録層の材料には、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ、それらの積層膜、又はそれらの合金等を用い、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素が多少含まれていてもよく、固定層及び記録層の磁化の安定方向は、垂直磁化型でもよいこと。」
　　　
　　　　　　　　　　  
４　対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
Ａ　半導体デバイスについて
　引用発明の「メモリ素子」は、「半導体デバイス」の下位概念の一つであるから、本願発明の「半導体デバイス」に相当する。
Ｂ　磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造について
　引用発明は、「トレンチ内に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを含むメモリ素子」であって、「前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルは、ボトム電極、ＭＴＪスタックおよびセンター電極を含」むものである。
　そして、本願明細書の「基板７０２は、下部電極７０６、垂直ＭＴＪ積層７０８、および中心電極７１０を有する、垂直ＭＴＪ構造７０４を含む。」の記載から、下部電極、ＭＴＪ積層、および中心電極を有するものは「ＭＴＪ構造」と称されていることを踏まえると、引用発明も「ボトム電極、ＭＴＪスタックおよびセンター電極」を有する「ＭＴＪ構造」が形成されているといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明は、「トレンチ領域の中に配置される磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造を含む、半導体デバイス」である点で共通し、「ＭＴＪ構造が、ＭＴＪセルを含む、半導体デバイス」である点で共通している。
Ｃ　磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の積層について
　磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の分野では、「トンネル障壁層」及び「自由磁性層」は、「バリア層」及び「フリー層」とも称されていることから、引用発明の「固定（ピンド）磁性層」、「トンネル障壁層」、「自由磁性層」は、後述する相違点２の点を除いて本願発明の「固定層」、「バリア層」、「フリー層」に相当している。
　そして、引用発明の「ＭＴＪスタック」は、これらの「固定（ピンド）磁性層」、「トンネル障壁層」、「自由磁性層」を積層したものと認められること、上記Ｂから「ＭＴＪ構造」は「ボトム電極、ＭＴＪスタックおよびセンター電極」を有することを踏まえると、本願発明と引用発明は、「ＭＴＪ構造が、フリー層と固定層との間にバリア層を含むＭＴＪ積層を含」む点で共通している。
Ｄ　トレンチ領域の壁と磁区について
　引用発明の「ＭＴＪスタック」は、「独立した第２の磁区を持つ第２のサイドウォールと独立した第４の磁区を持つボトムウォールを含」むものであり、引用文献１の図９には、トレンチ内の側面上に第２のサイドウォール８１４があり、トレンチ内の底面上にボトムウォール９７０がある構成が記載されている。
　よって、本願発明と引用発明は、「ＭＴＪ構造が、トレンチ領域の側面上に側壁を、及び前記トレンチ領域の底面上に底壁を有し、前記側壁、及び前記底壁が、独立した磁区をそれぞれ有し」たものである点で共通している。
（２）本願発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明は、
　
「トレンチ領域の中に配置される磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造を含む、半導体デバイスであって、
　前記ＭＴＪ構造が、フリー層と固定層との間にバリア層を含むＭＴＪ積層を含み、
　前記ＭＴＪ構造が、前記トレンチ領域の側面上に側壁を、及び前記トレンチ領域の底面上に底壁を有し、
　前記側壁、及び前記底壁が、独立した磁区をそれぞれ有し、
　前記ＭＴＪ構造が、ＭＴＪセルを含む、半導体デバイス。」
　　
の点で一致している。
　　　　　
（３）本願発明と引用発明の相違点について
　本願発明と引用発明とは、下記の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明の「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造」は、「垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造」であるのに対し、引用発明の「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造」は、「垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造」ではない点。
（相違点２）
　本願発明の「ＭＴＪ積層」は、「垂直ＭＴＪ積層」であるのに対し、引用発明の「ＭＴＪ積層」は、「垂直ＭＴＪ積層」ではない点。
（相違点３）
　本願発明では、「前記側壁における前記磁区が、前記トレンチ領域の側面に実質的に垂直な磁気モーメントを有し、前記底壁における前記磁区が、前記トレンチ領域の底面に実質的に垂直な磁気モーメントを有し」ているのに対し、引用発明のサイドウォールにおける磁区は、「トレンチ領域の側面に実質的に垂直な磁気モーメント」を有しておらず、ボトムウォールの磁区は、「トレンチ領域の底面に実質的に垂直な磁気モーメント」を有していない点。
（相違点４）
　本願発明の「ＭＴＪセル」は、「鉄および白金を含む垂直ＭＴＪセルを含む、コバルトおよび白金を含む垂直ＭＴＪセルを含む、または、コバルトおよびニッケルを含む垂直ＭＴＪセル」であるのに対し、引用発明の「ＭＴＪセル」は、「鉄および白金を含む垂直ＭＴＪセルを含む、コバルトおよび白金を含む垂直ＭＴＪセルを含む、または、コバルトおよびニッケルを含む垂直ＭＴＪセル」ではない点。
５　当審の判断 
（１）相違点１〜３について
　磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の分野では、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向が該層に対して平行となる平行磁化型以外に、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向が該層に対して垂直となることで微細化等に適した垂直磁化型も、引用文献２に記載されているように周知技術であるところ、磁区の磁化方向は磁区内の磁気モーメントの方向で決定されることを踏まえると、垂直磁化型すなわち垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造であれば、自由磁性層及び固定磁性層の磁区は、自由磁性層及び固定磁性層に対して磁気モーメントの方向が垂直となるので、ＭＴＪ積層は「垂直ＭＴＪ積層」になっているといえる。
　そして、引用文献１の段落［００７２］には、トレンチ内で水平のＸ方向およびＹ方向または水平のＸ方向および垂直のＺ方向に固定磁性層の磁化方向を設定する磁気アニールプロセスを実施すること記載されていることから、引用文献１には、独立した磁区の磁化の方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ別々に設定する磁気アニールプロセスが記載されていると認められる。
　そうすると、引用文献１の上記の記載に接した当業者であれば、引用発明において、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルの微細化を図るため、ボトム磁区には磁化方向がボトムウォールに対して垂直となる磁気アニールを行い、第２の磁区には磁化方向が第２のサイドウォールに対して垂直となる磁気アニールを行って垂直ＭＴＪ積層とすることで、垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造とすること、すなわち、相違点１ないし３に係る構成とすることは、容易に想到し得たものと認められる。
（２）相違点４について
　上記（１）に記載したように、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の分野では、平行磁化型以外に垂直磁化型も周知技術であり、引用文献２には、「Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ、それらの積層膜、又はそれらの合金等を用い、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素が多少含まれまれていてもよく、固定層及び記録層の磁化の安定方向は、垂直磁化型でもよい」ことが記載されている。
　そして、該記載では、垂直磁化型のＭＴＪセルを構成する固定層及び記録層として、「Ｆｅ」およびまたは「Ｃｏ」を用いた場合に強磁性を失わないかぎりにおいて「Ｐｔ」を含む態様や、ＭＴＪセルを構成する固定層及び記録層に「Ｃｏ」と「Ｎｉ」の合金を用いた態様が、それぞれ含まれ得ると認められる。
　また、ＭＴＪセルの垂直磁化を実現する材料として、鉄および白金を含むもの、コバルトおよび白金を含むものは、例えば、特開２００７−１４２３６４号公報（段落【００２６】にはＣｏＰｔ合金、段落【００２７】にはＦｅ５０Ｐｔ５０が記載されている。）、特開２００８−４７２５７号公報（段落【００５７】にはＣｏＰｔ合金、段落【００５８】にはＦｅ５０Ｐｔ５０が記載されている。）に記載されているように周知技術である。
　そうすると、引用発明において、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルの微細化を図るために垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造とするに際し、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルに鉄および白金を含むもの、または、コバルトおよび白金を含むものとすることは、当業者が普通に行い得るものである。
（３）本願発明の作用効果について　　　
　本願発明の作用効果も、引用発明、引用文献１に記載された事項、引用文献２に記載された事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　　　　
　　
　　　
６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献１に記載された事項、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。