(57)【要約】電気メッキツールは、電気メッキツールのマルチアノード構造の個々の電流を自動的に決定するコントローラと協働して動作する。アノード電流の算出は、処理変動に対する素早い応答を、複数のプロセスチェンバを含むメッキツールに対しても実現することができるように、感度データ及び測定データの他に所望のターゲットプロファイルに基づいている。
2007507615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気メッキツールのマルチアノード構造用の電流セットを、電気メッキによって基板に形成された金属層の厚さに定量的に関連させる感度データを決定するステップと、
前記電気メッキツールで処理される第２基板の前記感度データに基づいて、前記マルチアノード構造のアップデートされた電流セットを決定するステップと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記電気メッキツールで処理された少なくとも１つの基板から厚さプロファイルを取得するステップと、前記厚さプロファイルデータに基づいて、前記アップデートされた電流セットを決定するステップと、を更に含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記感度データに基づいて、第２マルチアノード構造用の第２のアップデートされた電流セットを、前記アップデートされた電流の総量が前記第２のアップデートされた電流の総量に等しくなるように決定するステップを更に含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
所望の厚さプロファイルを選択するステップと、
この所望の厚さプロファイルに基づいて、前記アップデートされた電流セットを決定するステップと、更に含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの基板から基準となる電流データセットを取得するステップと、
この基準電流データセットに基づいて、前記アップデートされた電流セットを決定するステップと、を更に含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項７】
マルチアノード構造を含む少なくとも１つのプロセスチェンバを有する電気メッキツールにより金属を蒸着する方法であって、
所望の厚さプロファイル、前記電気メッキツールにより処理された少なくとも１つの基板から取得した厚さプロファイル、及び前記マルチアノード構造に供給された電流と厚さプロファイルとの間の関係を定量的に説明するモデル、に基づいて前記マルチアノード構造用の電流セットを決定するステップと、
前記決定された電流セットを使用する間に１又は複数の基板に金属を蒸着するステップと、を含む、
方法。
【請求項８】
前記モデルは、前記電気メッキツールで前記金属の蒸着の間に、電流変動を厚さプロファイルに関連付ける感度データに基づいている、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記電気メッキツールは、マルチアノード構造を有する少なくとも更なる１つのプロセスチェンバを含んでおり、
更なる電流セットは、所望の厚さプロファイル、前記電気メッキツールにより処理された少なくとも１つの基板から取得した厚さプロファイル、及び前記マルチアノード構造に供給された電流と厚さプロファイルとの間の関係を定量的に示すモデル、に基づいて少なくとも更なる１つの前記プロセスチェンバにおいて、少なくとも１つの基板を処理する前に決定される、
請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
マルチアノード構造を有する複数のプロセスチェンバを含む電気メッキツールを制御する方法であって、
各マルチアノード構造用の電流セットを計算するステップと、
前記決定された電流セットにより前記複数のプロセスチェンバの各々の基板を同時に処理するステップと、を含む、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気メッキ用のリアクタ（reactor）を使用して基板表面に金属をデポジット（蒸着）する処理に関し、特に、メッキツールのマルチアノード構造に供給された電流を調整して、基板表面全体わたって金属の所望の厚さプロファイルを得る処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの技術分野において、基板表面に金属層を蒸着することは、頻繁に使用される技術である。基板表面に比較的厚さのある金属層を効率よく蒸着するための電気メッキ若しくは無電解メッキ形式のメッキは、実行可能な費用効果のある方法として実績がある。従って半導体産業では、メッキは魅力的な蒸着方法になっている。
【０００３】
現在、高度な集積回路に金属被覆層（金属層：metallization layers）を形成するために、銅が好ましい金属であると考えられている。その理由は、例えば一般的に使用されるアルミニウムと比較して、銅及び銅合金は、導電性及びエレクトロマイグレーションに対する抵抗の点で優れた特性を持つためである。銅は、１μｍ若しくはそれ以上のオーダの層厚で物理蒸着法、例えばスパッタ蒸着によって非常に非効率的に蒸着されるため、銅及び銅合金の電気メッキは、現在のところ金属層を形成するのに好ましい蒸着法である。銅の電気メッキは既に周知の技術であるが、トレンチ及びビアを含むパターンが形成された表面を有する直径の大きな基板上に銅を確実に蒸着させることは、プロセスエンジニアたちにとって困難な仕事である。例えば、超大規模な集積デバイスの金属層を形成するには、数ミクロンのオーダの幅で幅広のトレンチを確実に充填することが求められ、また、０．２μｍ若しくはそれ未満の直径を有するビア及びトレンチも確実に充填することが求められる。基板の直径は大きくなる傾向にあるので、状況はさらに複雑になる。現在のところ、半導体のプロセスラインでは、８インチ若しくは１０インチのウェハが一般的に使用されている。従って、基板表面にわたって所望のプロファイルの銅層を提供すべく、銅メッキの技術分野では大きな努力が払われている。一見したところ、基板表面にわたっての金属の厚さプロファイルは、できる限り不均一に形成される点で有利なようである。しかし、メッキ後の処理（post-plating process）においては、完成した集積回路の適切なデバイス機能性を保証することができるように、様々に形作られたプロファイルが必要とされる。例えば、銅ベースの金属層の形成中に余分な銅は除去される。銅の除去は、現在のところ、金属表面の化学機械研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing）によって実現されることが多い。ＣＭＰ処理は、固有の処理の不均一性、つまり基板表面にわたっての不均一な除去速度をしばしば示す、それ自体が非常に複雑な処理であるので、金属の厚さプロファイルをメッキ後の処理に適用して、そのメッキ後の処理の完了後に、全体的に改善された処理の均一性を達成するのが望ましい。従って電気メッキツールは、多くの場合、金属プロファイルの変形を許容するように構成されるが、現在のところ、最終的に得られるプロファイルの制御は、煩わしく、時間のかかるものである。
【０００４】
図１を参照すると、一般的な従来技術の電気メッキシステムが説明されており、銅を金属メッキする場合に伴う問題点が更に詳細に例示される。
【０００５】
図１ａは、一般的な従来の電気メッキシステム１００を示す。このシステムは、第１電極１０２を備えた反応器（reactor vessel）１０１を有する。第１電極１０２は、この場合、アノード（陽極）であり、個々にドライブ可能（drivable）な複数のアノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎを備えており、マルチアノード構造（multi anode arrangement）が定義される。本例では、いわゆる噴水型のリアクタ（fountain type reactor）が考慮される。この噴水型リアクタでは、電解質溶液が反応器１０１の底部から上側に方向付けられ、排水口１０４を貯蔵タンク１０７に接続しているパイプ１０３によって再循環される。貯蔵タンクは、通路として与えられている注入口１０５を介してアノード１０２に接続される。システム１００は、対象となる表面を電解質溶液に曝すことができるように、半導体ウェハなどの基板１０９をサポートするように構成される基板ホルダ１０８を含む。更に基板ホルダ１０８は、第２電極、この場合はカソード（陰極）として機能し、また、電源１１０に電気的接続を与えるように構成されてもよい。電源１１０は、所定の大きさの各電流を、アノード部１０２Ａ、...１０２Ｎの各々に供給することができるように構成される。
【０００６】
図１ｂは、４つの各アノード部のマルチアノード構造１０２Ａ、...１０２Ｎを含む、電極１０２の俯瞰図を概略的に示す。
【０００７】
基板ホルダ１０８に基板１０９を取り付ける前に、シード層（seed layer）を含むことができる薄い電流分布層が、金属層を受け取る基板１０９の表面にスパッタ蒸着によって形成される。その後、基板１０９は基板ホルダ１０８に取り付けられ、小さな接触領域（簡素化のために図示せず）が、基板ホルダ１０８を介して電源１１０に電気的な接触を与える。ポンプ（図示せず）を起動させ、アノード１０２、つまりマルチアノード構造１０２Ａ、...１０２Ｎと各々の電流を生成する基板ホルダ１０８との間に適切な電圧を印加することで、反応器１０１内に電解質溶液の流れ（electrolyte flow）が生成される。注入口１０５から反応器１０１に入る電解質溶液は、基板１０９に向けて方向付けられ、電解質溶液の流れとマルチアノード構造１０２Ａ、...１０２Ｎの配置によって、基板１０９上の金属の蒸着が決定される。基板１０９の表面の特定領域上の局所的な金属の蒸着速度が、この領域に到達するイオン数によって決定するからである。従って、マルチアノード構造１０２Ａ、...１０２Ｎに供給される電流セットを選択することによって、最終的に得られる厚さプロファイルが決定され、イオン及び／又は電解質溶液の流れに影響を与えるための、任意の追加手段が、例えば拡散メッキなどの形態で挿入されてよい。
【０００８】
電源１１０により適切な電流セットが調整されると、その結果生じる厚さプロファイルが、反応器１０１、電解質溶液、電流セット、及びメッキ時間、の各特性によって決定される。従って、これらの特性のうちの１つが変動すると、最終的に得られる厚さプロファイルのドリフトを発生させ得る。複数のマルチアノード構造１０２Ａ、...１０２Ｎに対応する複数の反応器１０１を含む電気メッキツール１００において、状況はさらに複雑になる。これは、これらの反応器におけるすべての微妙な処理の変動が、関連する処理特性の非常に複雑な相互作用を発生させ、若しくは非常に複雑な相互作用の結果を招き、その結果、処理の安定性が損なわれるためである。従って、複数のテスト基板実行（run）は、一般的に定期的に実行されるので、時間及び労働力が求められ、その結果、メッキ処理の歩留まり及び質が低下する。
【０００９】
更に、ダマシン技術と呼ばれる技術によって金属層を形成する場合、ビア及びトレンチは金属で充填される。このビア及びトレンチを確実に充填することができるように、ある程度の余剰金属を与える必要がある。続いて、隣接するトレンチ及びビアの間の電気的絶縁を保証し、更なる金属層の形成のために平坦な面を与えるように、余剰金属を除去する必要がある。余剰金属を除去し且つ基板表面を平坦化するための好ましい技術には、化学機械研磨（ＣＭＰ）が挙げられる。ＣＭＰ技術において除去される基板材料は、化学反応に曝され、同時に機械的に除去される。既に説明したように、ＣＭＰ処理は非常に複雑であり、また、不均一性を示し得る。この不均一性は、電気メッキ処理の厚さプロファイルをＣＭＰの不均一性に適合させることによって、少なくとも部分的に補償することができる。しかし、厚さプロファイルの生成に伴う、特に、複数の反応器を有するメッキツールの複数の処理パラメータは、所望の厚さプロファイルから非常に外れ得るために、ＣＭＰの不均一性が効率的に補償されない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の問題点を考慮して、これらの問題点のいくつか或いはすべてをなくすか、若しくは少なくとも減らすことができる、厚さプロファイルを迅速に且つ効率的に調節する技術が、メッキツールにおいて求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一般的に本発明は、電気メッキツールにおけるマルチアノード構造の各アノードに供給される、個々の電流を制御するための技術に関する。電流セットとも称されるマルチアノード構造に対する個々の電流は、所望の厚さプロファイルを考慮して自動的に算出される。その結果、検討中のメッキツールが複数のマルチアノード構造を備えた複数のプロセスチェンバを含む場合であっても、メッキ処理自体の処理変動及び／又はメッキ後の処理及び／又はメッキ前の処理（pre-plating process）に、実質的に遅延しない方法で応答することが可能になる。
【００１２】
本発明の例示的な実施形態によれば、方法は、電気メッキツールのマルチアノード構造の電流セットを電気メッキによって基板に形成された金属層の厚さに定量的に関連付けるための感度データ（sensitivity data）を決定するステップを含む。この方法は更に、電気メッキツールにおいて処理される第２基板の感度データに基づいて、マルチアノード構造のアップデートされた電流セットを決定するステップを含む。
【００１３】
更なる実施形態では、方法は、アップデートされた電流セットの各電流の許容範囲を決定するステップを更に含む。
【００１４】
更なる実施形態では、アップデートされた電流セットは、アップデートされたセットの各電流がそれぞれの許容範囲内である、という第２の条件のもとで決定される。
【００１５】
更なる実施形態では、方法は、蒸着される所望量の金属を選択するステップと、この所望量の金属を基板に実際に蒸着するために必要とされる合計の電流値及び処理時間を決定するステップとを更に含む。
【００１６】
更なる実施形態では、アップデートされた電流セットは、アップデートされたセットの各電流の総量が合計の電流値に等しい、という第２の条件のもとで決定される。
【００１７】
更なる実施形態では、アップデートされた電流セットは、厚さプロファイルデータ及び所望のプロファイルの差の最小値を算出することによって決定される。
【００１８】
更なる実施形態では、方法は、最小値を算出する場合に、金属の厚さの位置非依存部（position independent portion）を決定するステップと、第２基板のアップデートされた処理時間を決定するためにその位置非依存部を使用するステップとを更に含む。
【００１９】
更なる実施形態では、方法は、アップデートされた電流セットに基づいて、複数の第２基板の厚さプロファイルを制御するステップを更に含む。
【００２０】
更なる実施形態では、方法は、アップデートされた電流セットで第２基板を処理した後の第２基板から、厚さプロファイルを取得するステップと、第２基板の厚さプロファイルデータに基づいて、新たにアップデートされた電流セットを決定するステップと、を更に含む。
【００２１】
更なる実施形態では、電気メッキツールは、少なくとも１つの更なるマルチアノード構造を含んでおり、アップデートされた電流セットが、少なくとも１つの更なるマルチアノード構造に対して決定される。
【００２２】
更なる実施形態では、所望の厚さプロファイルは、電気メッキ処理の完了後に第２基板が曝される処理の、少なくとも１つの処理の具体的な特徴に基づいて選択される。
【００２３】
更なる実施形態では、少なくとも１つの処理の具体的な特徴は、化学機械研磨処理による基板全体にわたる除去速度分布（removal rate distribution）である。
【００２４】
更なる実施形態では、方法は、第２基板の研磨後に、第２基板から除去速度分布データを取得するステップと、その除去速度分布データに基づいて、所望の厚さプロファイルを選択するステップと、を更に含む。
【００２５】
更なる実施形態では、所望の厚さプロファイルは、電気メッキ処理前に第２基板が曝される処理の、少なくとも１つの処理の具体的な特徴に基づいて選択される。
【００２６】
更なる実施形態では、少なくとも１つの処理の具体的な特徴は、バリア（barrier）層及びシード層のうちの少なくとも１つのスパッタ蒸着に関連する。
【００２７】
本発明の更なる例示的実施形態によれば、マルチアノード構造を含む少なくとも１つのプロセスチェンバを有する電気メッキツールにより金属を蒸着する方法が提供される。この方法は、所望の厚さプロファイル、電気メッキツールにおいて処理された少なくとも１つの基板から取得した厚さプロファイルデータ、及びマルチアノード構造に供給された電流と厚さプロファイルとの間の関係を定量的に説明したモデルに基づいて、マルチアノード構造の電流セットを決定するステップを含む。最後に金属は、決定された電流セットを使用する間に、１又は複数の金属に蒸着される。
【００２８】
更なる実施形態では、方法は、少なくとも１つの基板から厚さプロファイルを取得し、取得した少なくとも１つの基板の厚さプロファイルを、電気メッキツールにおいて処理される基板の電流セットを決定するための厚さプロファイルデータとして使用するステップを更に含む。
【００２９】
更なる実施形態では、方法は、１又は複数の基板に金属を蒸着するために、アップデートされたメッキ処理時間を決定するステップを更に含む。
【００３０】
更なる実施形態では、アップデートされた処理時間は、以前に使用された処理時間、及びメッキされた金属の厚さの変化を生成するのに必要なメッキ時間にわたってメッキされた金属の厚さの変化を表す感度因子、に基づいて決定される。
【００３１】
本発明の更に別の例示的実施形態によると、マルチアノード構造を有する複数のプロセスチェンバを含む電気メッキツールを制御する方法が提供される。この方法は、各マルチアノード構造の電流セットを算出するステップと、決定した電流セットを用いて複数のプロセスチェンバの各々において、少なくとも１つの基板を処理するステップと、を含む。
【００３２】
更なる実施形態では、各セットの総電流量は、所定のターゲット値に実質的に等しい。
【００３３】
更なる実施形態では、方法は、マルチアノード構造の基準電流セットを、少なくとも１つのプロセスチェンバにおいて処理された基板に形成される金属層の厚さに、定量的に関連付ける感度データを決定するステップと、プロセスチェンバにおいて処理される複数の第２基板の感度データに基づいて、マルチアノード構造の電流セットを決定するステップと、を更に含む。
【００３４】
更なる実施形態では、方法は、電気メッキツールにおいて処理された少なくとも１つの基板から厚さプロファイルデータを取得するステップと、その厚さプロファイルデータに基づいて、電流セットを決定するステップとを更に含む。
【００３５】
更なる実施形態では、方法は、所望の厚さプロファイルを選択するステップと、その所望の厚さプロファイルに基づいて電流セットを決定するステップとを更に含む。
【００３６】
更なる実施形態では、方法は、複数のプロセスチェンバにおいて既に処理された複数の基板から基準電流データセットを取得するステップと、その基準電流データに基づいて電流セットを決定するステップとを更に含む。
【００３７】
更なる実施形態では、方法は、各電流セットのそれぞれの電流の許容範囲を決定するステップを更に含む。
【００３８】
更なる実施形態では、電流セットは、そのセットの各電流が、それぞれ許容範囲内であるという第２の条件のもとで決定される。
【００３９】
更なる実施形態では、方法は、蒸着される所望量の金属を選択するステップと、基板に所望量の金属を蒸着するために実際に必要な総電流量と処理時間とを決定するステップとを更に含む。
【００４０】
本発明の更に別の例示的実施形態によると、電気メッキツールのコントローラは、電気メッキツールにより処理される基板に対して、少なくとも１つのマルチアノード構造の電流セットを決定するように構成された演算ユニットを含む。この演算ユニットによる演算は、所望の厚さプロファイルに基づく。
【００４１】
更なる実施形態では、この演算ユニットは、複数のマルチアノード構造の各々において基板を処理する前に、複数のマルチアノード構造の複数の電流セットを決定するように構成される。
【００４２】
本発明の更なる利点、目的、及び本発明の実施形態は添付の請求項において定義されており、添付の図面と併せて参照すると、以下の詳細な説明とともに、より明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
本発明は、図面と併せて以下の詳細な説明において表される実施形態を参照しながら記載される一方で、以下の詳細な説明が図面と同様に開示された特定的な実施形態に制限されることを意図したものではなく、むしろ記載された例示的な実施形態は本発明の種々の態様を単に例示したものであり、本発明の趣旨は添付の請求項において限定されるものであることが理解されよう。
【００４４】
本発明は、ＣＭＰなどの高感度なメッキ後の各処理を備えた処理シーケンスにおいて特に有用であることから、詳細な説明では、半導体製造において一般的に使用されるような基板に銅などの金属を電気メッキすることについて言及する。しかし本発明は、基板表面又はその一部に特定の蒸着プロファイルを要求するあらゆるタイプの基板の、外部に印加された電流を使うどのようなメッキ処理（電気メッキ）にも応用できることは容易に分かる。更に本明細書では、例えば図１ａに概略的に例示されているような噴水型のメッキリアクタについて言及しているが、電解質バスやその他同様のものなどの、その他のタイプのリアクタに同様に使用されてよい。従って本発明は、電気メッキリアクタについての制限が請求項において説明されていない限りは、特定のタイプの電気メッキリアクタに制限されないものとして理解される。
【００４５】
本発明が提供する１つの際立った特徴は、電気メッキツール内又はメッキ処理前後のあらゆる処理における処理条件の変化に、短時間で応答可能なことである。そのような処理条件の変化として、例えばメッキ溶液に含まれる高感度添加物の特性の微妙な変動による、メッキ溶液の特性の変動、若しくは、メッキツール又はメッキ後のＣＭＰツールにおけるあらゆる消耗品の劣化、などが挙げられる。処理条件の変化は、予め周知の、例えばＣＭＰツールの消耗の変化であってよく、或いはいずれかの適切なセンサー素子によって検出されてよい。その他の処理条件の変化は、それ自体が“目に見え”ないものであり、従来のメッキツールを用いて、実効的な方法で補償することができない。これは、プロセスドリフト（process drift）の認識後に、後続の試験期間を含む一般的に時間のかかる再調整（a time-consuming readjustment with a subsequent test period）が、必要とされるからである。図１ａ及び図１ｂに関してこれまでに説明した問題点を考慮して、本発明は所定の制御方式を提供する。この制御方式において、１又は複数のマルチアノード構造のオペレーションを行うために、１又は複数の電流セットが所定のタイムスケールで再計算され得る。このタイムスケールは、電気メッキツールにおいて基板を処理し、加工するのに必要な時間に比べると無視できるほどであるので、実質的に遅延なく処理変動に応答することができる。ある実施形態では、様々なマルチアノード構造の対応する電流セットが、容易に検出可能ないずれかの処理変動の発生に基づいて再計算され得る。例えば以下の条件、つまり、複数のマルチアノード構造の各々に供給される電流の総量（総電流量）が実質的に同量である、という条件で計算が行われ、その結果、蒸着された金属の総量は、処理時間が同じ場合に、実質的に同量であることを確実にする。その一方で、アノード電流を自動的に再計算することで、所望のターゲットプロファイルからの偏差でしか識別され得ないあらゆる目に見えない変化に、実効的且つ所望に応じて実質的に連続応答も可能になる。
【００４６】
従って他の実施形態では、電気メッキ処理の制御方式は、所定の許容範囲内に所望の厚さプロファイルからの偏差を維持するという概念に基づく。基板表面に蒸着される金属層の所望の厚さプロファイルは、関数Ｔ（ｒ）で表され、Ｔは基板表面の位置ｒにおける厚さの値を表すものとされる。変数ｒは、平坦又は平坦でない基板表面上の所定の位置を表し得るが、以下の説明で、このｒは、実質的にディスク形の基板、例えば半導体産業においてはウェハなどの中心部からの距離を表す。従って、所望の厚さプロファイルＴ（ｒ）は軸対称を有すると想定されるが、本発明の原理では、任意関数Ｔ（ｒ）も適用されることを理解されたい。同様に、金属層の実際の厚さプロファイルは、Ｍ（ｒ）と示され、Ｍは、位置ｒにおける金属の厚さを表す。従って、本発明のいくつかの実施形態により、電気メッキ処理若しくはいずれかのメッキ前の処理及びメッキ後の処理の変動に関係なく、所望の厚さプロファイルＴ（ｒ）からの実際の厚さプロファイルＭ（ｒ）の偏差を、所定の許容範囲に維持することが適切であると考えられる。
【００４７】
図１ａ及び図１ｂに関連して既に説明したように、実際の厚さプロファイルＭ（ｒ）は、特定のアノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎに供給される電流により影響を受ける。その影響は、電気メッキツールのわずかな処理変動による無視できるものに過ぎないとの前提で、その影響の程度、つまりアノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎの各々の感度が予め決定される。各アノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎに供給された電流の影響は、以下に、「感度」と称され、対応のデータは、「感度データ（sensitivity data）」と称され得る。特定の電気メッキツール、例えば図１ａ及び図１ｂに関連して説明したツール１００などの感度データを決定することによって、対応のアノード電流セットは、所望の厚さプロファイルＴ（ｒ）及び既に処理した基板から個々の測定データ形式で取得され得る実際の厚さプロファイルＭ（ｒ）に基づいて計算され得る。一般的に、少なくとも基板の所定の代表部分のメッキ後の厚さ測定が実施される。これは、本発明によれば、構造１０２などの１又は複数のマルチアノード構造のアップデートされた電流セットを決定するために使用され得る。補間、データ適合処理、及び従来技術で周知のあらゆるデータ操作技術によって、実際の厚さプロファイルの個々の測定データを、実質的な連続関数Ｍ（ｒ）に、容易に変換することができる。感度データにも同様のことが当てはまる。感度データは、複数の位置及び個々のアノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎによる複数の異なる電流値に対する、個々の測定値として提供される。例えば、対応の感度データは、特定のアノード部の電流を変動させることによって及び特定の蒸着時間後に取得した実際の金属の厚さを測定することによって、得ることができる。その後、蒸着処理は、別のアノード部１０２Ａ、...１０２Ｎを使用して再開又は再始動される。複数の測定値の各々から、Ｓi（ｒ）と呼ばれる個々のアノード部の感度に対する連続関数が、上述したデータ操作法の１つによって与えられる。インデックスｉはアノード部１０２Ａ、...１０２Ｎの１つを表す。従って、実際の厚さプロファイルＭ（ｒ）を生成するために使用される電流セットに基づいてアップデートされた電流セットは、メッキツール１００によって処理される基板の期待した厚さプロファイルが、明確な許容範囲内にある所望の厚さプロファイルＴ（ｒ）からの偏差を有するように、算出され得る。
【００４８】
このために、取得される実際の厚さプロファイルＭ（ｒ）及び所望の厚さプロファイルＴ（ｒ）間の差を、以下の等式によって、所望の理想的な金属層に対し、実際の金属層の一定のオフセットを表す、位置依存項（position-dependent term）及び位置非依存項（position-independent term）によって示すのが便利である。
M（ｒ）−Ｔ（ｒ）＝Ｅ（ｒ）＋ＭOffset      （１）
Ｅ（ｒ）は位置依存偏差（position dependent deviation）又は過剰材料を表し、ＭOffsetは位置非依存偏差を表す。従って、基板表面Ａ全体にわたっての位置依存部Ｅ（ｒ）の総和はゼロである。
【数１】
2007507615.tif 000003
【００４９】
実質的に一定のメッキ時間を仮定したものと、アノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎに供給される各電流の総量を表す実質的に一定の総電流量ＩSUMとともに、
【数２】
2007507615.tif 000004
基板に蒸着された金属量はアノード部に供給された総電流量及びメッキ時間に実質的に依存するので、位置非依存項ＭOffsetはゼロに近づいてよい。その結果、個々のアノード部１０２A、...、１０２Nへの電流を変化させることによって、位置依存項Ｅ（ｒ）に本質的な影響を及ぼす。一方で、メッキ時間のわずかな変動は、上記の仮定によれば、位置非依存項ＣOffsetに主に影響を及ぼし、その結果、この値をゼロに近づくようにわずかに変動させる。その結果、一実施形態では、個々のアノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎに供給されるアップデートされた電流セットは、等式（１）における、Ｅ（ｒ）の合計を減らす或いは最小にする、という概念に基づいてよい。
【００５０】
このために、アップデートされた電流セットは、Ｉupdated＝（Ｉ102Aupdated、...Ｉ102Nupdated）と表され、既に処理された基板の実際の厚さプロファイルを生成するために使用される電流セットは、ＩO＝（Ｉ102AO、...Ｉ102NO）と表される。同様に、既に処理された基板の厚さプロファイルを表す対応の関数は、ＭO（ｒ）と表される。既に説明したように、関数ＭO（ｒ）は、標準的な厚さ測定手順（standard thickness measurement procedures）に従い複数の異なる位置ｒの取り得る対応の測定値セットによって取得され得る。連続関数又は準連続関数ＭO（ｒ）は、補間、データ適合、及びあらゆる周知のデータ操作処理によって取得されてもよい。厚さプロファイルＭO（ｒ）の取得において、実質的に一定のメッキ処理のメッキ時間を仮定すると、ゼロに近づくことが期待されている位置依存項ＭOffset（等式（１）を参照）は、等式（１）を用いて、ＭO（ｒ）及びＴ（ｒ）の差からの基板領域全体にわたっての総和、つまり積分値として計算されてよい。その理由は、等式（１）に関して既に説明しているように、位置依存部分Ｅ（ｒ）の総和はゼロであるからである（等式（１’）参照）。従って、比較的小さな位置非依存部ＭOffsetは、以下の方法で、等式（３）によって取得され得る。
【数３】
2007507615.tif 000005
ＡWは金属メッキされる基板の領域全体を表す。
【００５１】
位置依存偏差Ｅ（ｒ）を表す許容関数類（a class of allowable function）に対して等式３によってＭOffsetが求められるので、Ｍ（ｒ）として示される後続の基板に対する対応する厚さプロファイルは、等式（１）に基づいて算出されてよい。
【００５２】
メッキ処理の制御変数は、感度関数Ｓ102A(r)、...、Ｓ102N(r)によって厚さプロファイルＭ（ｒ）に関連付けられる電流セットＩ102A、...、Ｉ102Nであることから、個々のアノード電流Ｉ102A、...、Ｉ102Nの関数としてアップデートされた厚さプロファイルＭ（ｒ）が取得できるように、既に処理された基板ＭO（ｒ）及び感度関数Ｓ102A(r)、...、Ｓ102N(r)の間の相関関係を確立することによって、このメッキ処理がモデル化されてよい。一実施形態では、例えば以下の等式（４）によって与えられているような形式で、メッキモデルに対して直線関係が使用され得る。
【数４】
2007507615.tif 000006
インデックスｉは、各アノード部１０２Ａ、...１０２Ｎを表す。その他の各関係は、これらの各関係が各アノード電流の変化による影響を所定の厚さプロファイルに表して、その結果新たな厚さプロファイルを生成する限りは用いることができる。等式（４）の厚さプロファイルＭO（ｒ）は、好ましくは、既に処理された基板から取得された測定データに基づく。算出された厚さプロファイルＭ（ｒ）に基づいて現在処理される基板の遅延は、どのような処理の変動に対しても短い応答時間で応答できるように、適度に小さい。
【００５３】
しかし他の実施形態では、平均化した測定データ及び／又は所定の試験に基づかないデータなどに基づいて、関数ＭO（ｒ）を選択するのが適切であると考えられる。例えば、測定データが利用できないメッキ処理の第一段階において、適切な基準データが関数ＭO（ｒ）又は所望のターゲットプロファイルＴ（ｒ）に対して使用されてもよい。
【００５４】
１つの特定の実施形態では、各アノード電流Ｉ102A、...、Ｉ102Nの許容範囲が適切に選択されることで、制御処理の安定性が高められる。つまり、結果として生じる厚さプロファイルＭ（ｒ）がそれぞれのアノード電流がその許容範囲内にある電流セットによって取得されるように、アノード電流Ｉ102A、...、Ｉ102Nの各々に対して上限と下限が選択され得る。例えば、以前のメッキ処理から集めた経験に基づいて、各アノード電流のターゲット値が決定され、各アノード電流の許容範囲が設定されてもよい。その他の場合では、メッキツールの動作段階において、各アノード電流の影響が都合よく調査され得るので、それぞれのターゲット値及び関連付けられた許容範囲は、感度関数を決定する間に取得した測定データに基づいて決定されてよい。ターゲット値及び各アノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎの対応する許容範囲は、また、ツールの規格及びツール及び／又は処理要件に基づいて決定されてもよい。一般的に、各アノード電流の目標値に対する約１０〜２０％の変動は、結果として十分な制御安定性をもたらす。
【００５５】
以下の記載において、各アノード電流Ｉi、Ｉ＝１０２Ａ、...、１０２Ｎの上限及び下限は、ＩiL及びＩiHで表される。従って、所定の許容位置依存偏差E（ｒ）に対応するアップデートされた電流セットは、等式（１）、（３）、（４）に基づいて計算され得る。
【００５６】
１つの特定の実施形態では、アップデートされた電流セットは、最小の偏差Ｅ（ｒ）を備えた所要の厚さプロファイルＭ（ｒ）を決定することによって取得することができる。つまり、Ｉupdated＝Ｉ102Aupdated、...、Ｉ102Nupdatedと表されるアップデートされた電流セットは、以下の等式（５）を解くことによって得られる。
【数５】
2007507615.tif 000007
【００５７】
一実施形態では、各アノード電流に対して第２の条件が用いられ、それらの電流が、例えば上記に定められたような許容可能な動作範囲内になるように、及び／又は、各アノード電流の総量が所定の値に実質的に等しくなるように、設定される。従って、これらの第２の条件は、以下の等式（６）及び（７）によって表される。
【数６】
2007507615.tif 000008
【数７】
2007507615.tif 000009
【００５８】
等式（５）において、基板の中心部からＤと示される基板の端部までの１次元積分として、或いは基板の表面全体にわたっての２次元積分として、積分が行われてよい。等式（５）に示している１つの実施形態では、基板中心部の寄与が１次元の表示（one-dimensional representation）において強調されて、基板中心部付近においてクリティカルな厚さプロファイルに有利であるので、１次元積分が用いられる。例えば、メッキ後のＣＭＰ処理は、対応して高感度に適応されたメッキプロファイルが有利となるように、基板中心部付近において著しい除去速度の変動を示し得る。
【００５９】
等式（５）に等式（４）を挿入して様々な積分法を用いることで、アップデートされたアノード電流が算出され得る。例えば適切な命令セットが、例えばＭａｔｌａｂ（登録商標）プラグイン形式でインストールされているパーソナルコンピュータは、アップデートされたアノード電流の数値を取得するために使用されてよい。対応の制御ユニットのハードウェア要件及び実行された計算の所望の正確度に応じて、あらゆる適切な実装品、例えば対応するプログラムされたマイクロコンピュータが使用されてもよく、またアナログ及び／又はデジタル設計を含むあらゆる適切に配置された回路が使用されてもよい。図２に関して説明されるように、算出されてアップデートされた電流セットを、所望の制御動作を行うことができるほど十分なタイムスパン内にメッキツールに送ることが出来るように、対応のメッキツールに動作可能に接続される遠隔装置が使用されてもよい。
【００６０】
既に説明したように、電気メッキツール１００によって処理される基板へのメッキ時間は、実質的に一定であると仮定するのが便利であり得る。他の実施形態では、メッキ時間の一定の変動が、既に決定された位置非依存偏差ＭOffsetを用いてアップデートされたメッキ時間Ｔupdatedを、その変動に合わせて再計算することによって考慮され得る。例えば、アップデートされたメッキ時間Ｔupdatedは、予め確立された関係を用いて既に処理された基板のメッキ時間ＴOから算出され得る。１つの例では、アップデートされたメッキ時間Ｔupdatedが、以下の等式（８）に示すように、位置非依存偏差ＭOffset及び以前のメッキ時間ＴOに線形に関連してよい。
【数８】
2007507615.tif 000010
γはメッキ時間の変化に応じたメッキされた金属の厚さの感度因子を表す。γのそれぞれの数値は、１又は複数の明確なメッキ時間間隔内で厚さの増加を測定することによって簡単に取得することができる。従って、厚さプロファイルがターゲットプロファイルＴ（ｒ）に対して実質的に全体にシフトされた厚さプロファイルのあらゆる偏差は、アップデートされたメッキ時間Ｔupdatedをそれに応じて再計算することによって実効的に補償することができる。既に説明したように、メッキ時間のわずかな変化は、位置依存偏差Ｅ（ｒ）に実質的な影響を与えず、位置依存項ＭOffsetによるメッキ時間の変動もまた小さく、対応するアップデートバージョンのメッキ時間が、この制御方式の安定性若しくは上述の方法で決定される場合に、アップデートされたアノード電流の安定性に、過度に影響を及ぼさないように、依然として非常に小さいままにされる。
【００６１】
図１ａ及び図２を参照すると、１又は複数の上記の識別された制御方式を、あるメッキツールに実装したものが、以下に更に詳細に説明される。
【００６２】
図２は、メッキツール２００を概略的に示す。メッキツール２００は、図１ａ及び図１ｂに関して既に説明したような、マルチアノード構造を含む１又は複数の反応器を含み得る。従って、対応の反応器は１０１として示されており、その説明は、図１においてなされている。反応器１０１ａ、１０１ｂ、...は、各々の制御可能な電源２０１ａ、２０１ｂ、...に接続されており、それらの電源は、電流セットを、反応器１０１、１０１ｂ、...内の対応するマルチアノード構造に供給するように構成されている。便宜上、対応する反応器１０１ａ、１０１ｂ、...に供給される各電流セットは、Ｉ102A、...、Ｉ102N、と表され、反応器の各アノード部の数はメッキツール２００の設計によって決められる。図１ａ及び図１ｂに関して説明したように、４つのアノード部１０２Ａ、...、１０２Ｎは軸対称を有して与えられ、その他のメッキツールではアノード部の数が２以下或いは４以上であってよい。メッキツール２００は、各々が異なる設計の反応器を有する複数の異なるメッキツールのシステムとして考慮されてもよく、アノード部の数も、複数のメッキツールのうちのいくつかで異なってよい。同様に反応器１０１ａ、１０１ｂは、その反応器設計、アノード部の数などにおいて、互いに異なっていてもよい。各反応器１０１ａ、１０１ｂ、...、のマルチアノード構造は、必ずしも軸対称を示す必要はないが、適切であると考えられる任意の幾何学的配置を有することができる。例えば、ある場合では、軸対称ではない厚さプロファイルが望ましいので、対応するマルチアノード構造が提供されてよい。例えば、図１ａ及び図１ｂに示されているように、マルチアノード構造１０２Ａ、...、１０２Ｎの設備（provision）は、円の断面形状（sections）で提供されてよく、各断面は相互に分離しており、また、マルチアノード構造の一部分を表す。このような場合に、既に説明した制御方式を同様に使用することができ、対応する位置依存関数及び項は、１次元ラジカルコンポーネント（one-dimensional radical component）ではなく、２次元座標で表される必要がある。
【００６３】
メッキツール２００は、コントローラ２５０に動作可能に接続される。この動作可能接続は２５１により示され、これは、少なくともコントローラ２５０からメッキツール２００へのデータ転送を可能にするすべての接続を表すことを意味する。特定の実施形態において接続２５１は、有線又は無線形式のデータ通信線を表し、適切な制御信号を各電源２１０ａ、２１０ｂ、...、に送る。これにより電源２１０ａ、２１０ｂ、...、は、コントローラ２５０において実行された計算結果に応じた反応器１０１ａ、１０１ｂへの各電流セットＩ102A、...、Ｉ102Nを出力する。コントローラ２５０は、ワークステーション、ＰＣ、又はファシリティマネージメントシステム内に実装され得る。それらには、アップデートされた電流セットを確立するために、１又は複数の上述した実施形態を実施することができるように、対応する演算ユニットが提供されている。コントローラ２５０は、アップデートされた電流セットに関する情報を、動作可能接続２５１を介して電源２１０ａ、２１０ｂ、...、に与えるために必要なインターフェース部及び通信部も含み得る。他の実施形態では、コントローラ２５０は、例えば適切にプログラムされたマイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路:application specific integrated circuit）などの形態で、一般的にオペレーションを制御するために、従来の電気メッキツールに含まれる制御ユニット（図示せず）に実装若しくは付加されて提供されてもよい。コントローラ２５０の演算能力によって、例えば等式（５）を解く場合の数値計算の正確さ及び速度が決定されるが、コントローラ２５０は、一般的に、メッキツール２００の基板の処理に関連するすべての時間間隔と比較すると、無視できるほどの時間間隔内で結果を供給する。コントローラ２５０は更に、アップデートされたアノード電流の計算に基づく環境から、データを受信するように構成されている。１つの特定の実施形態では、コントローラ２５０は、オペレータ、コンピュータ、測定デバイスなどの外部ソースから、感度データを受信するように構成される。この結果、感度データは、個々の測定値、個々の理論値、数学関数の形式で提供されてもよい。或いは、感度データは、いくつかのアノード部１０２Ａ、...１０２Ｎにそれぞれのアノード電流Ｉ102A、...、Ｉ102Nを備えたオペレーション上の厚さプロファイルに対する影響を関連付ける他の適切な情報形式で提供されてよい。コントローラ２５０は、感度データの形式に応じて、いずれの適切な形式で感度データを記録及び変換するように構成されてもよく、コントローラ２５０の演算ユニットにおいてその感度データが使用可能になり、アップデートされたアノード電流が確立される。
【００６４】
他の実施形態では、コントローラ２５０は、個々の測定値、実質的な連続関数などの形式で、厚さプロファイルデータを受信するように構成されてよく、厚さプロファイルデータの形式は、上記に説明した計算を実行する場合に必要な、すべての適切な表示に変換され得る。同様にコントローラ２５０は、所望の厚さプロファイルを表す外部から供給されたプロファイルデータを受信するように構成されてよく、及び／又はコントローラ２５０が便利な表示の１又は複数の所望の厚さプロファイルを含んでもよく、制御動作の要求に応じて使用される。１つの特定の実施形態では、コントローラ２５０は、既に処理された基板から測定データを直接受け取り、その結果、閉ループ制御機能（closed loop control function）を与えることができるように厚さプロファイル測定システム（図示せず）に動作可能に接続される。閉ループの応答時間は、厚さ測定データをコントローラ２５０に与えるための時間遅延によって、実質的に決定される。先に指摘したように、アップデートされたアノード電流が自動的に計算されるために、アノード電流を確立するための時間は、メッキツール２００、若しくは、制御動作に必要なあらゆる測定システムで基板を処理するあらゆる時間と比較すると、無視してよいほどの時間である。先に指摘したように、アップデートされたアノード電流が自動的に計算されるために、アノード電流を確立するための時間は、メッキツール２００又は制御動作に必要なあらゆる測定システムで、基板を処理するあらゆる時間と比較すると無視してよいほどの時間である。
【００６５】
他の実施形態では、コントローラ２５０は、更なる情報を受信するように構成され得る。更なる情報には、一般的に銅ベースの金属層の製造に使用されるＣＭＰ処理などの、後続処理の処理特徴を表すメッキ後の処理データ、或いは、電流分布層、シード層などの蒸着のような、メッキ処理前の処理についての情報に関するメッキ前の処理データ、が挙げられる。更に、メッキツール２００のステータス情報は、コントローラ２５０に供給されて新たなアノード電流を確立する場合に使用されてもよい。一実施形態では、感度データは、ツールステータスに対する感度データのドリフトを減らすために、メッキツール２００のステータス情報に関連付けられてもよい。例えば、感度データは、例えば、時間とともにメッキ溶液の特性が変化するなど特定の特性が変化するために、全体の処理時間に依存し得ることは周知である。従って、その変化に応じて感度データを適応させることにより、上記の制御方式に対応する周知の依存度を容易に組み込むことができ、その結果、制御動作の安定性を更に高めることができる。
【００６６】
コントローラ２５０と協働してツール２００が動作する間、アップデートされた電流セットは、コントローラ２５０により、１又は複数の上記の制御方式に従って決定され得る。ツール２００の構造に応じて、複数の各アップデートした電流セットは、各マルチアノード構造に供給される。その結果、一般的に複数の実質的に同一の反応器に同じ電流セットが使用される従来のツールと比較すると、製品の歩留まりを非常に高めることができる。本発明によれば、アップデートされた電流セットは、所定の時間間隔で、各反応器１０１ａ、１０１ｂ、...、に対して、個々に決定される。この所定の時間間隔は、個々に決定されたアップデートされたアノード電流に基づいて、各反応器１０１ａ、１０１ｂ、...、を同時に動作させることができる時間間隔である。特定の実施形態では、制御動作は、感度関数Ｓ102A(r)、...、Ｓ102N(r)及び個々の厚さプロファイルデータに基づく。この厚さプロファイルデータは、以前にＭO（ｒ）と示され、各反応器１０１ａ、１０１ｂ、...、に対して確立され、取得され得る。
【００６７】
他の実施形態では、所望の厚さプロファイルは、例えば、メッキ前の処理又はメッキ後の処理に基づいて選択されてよい。またコントローラ２５０は、各反応器１０１ａ、１０１ｂ...の全体の処理時間に対して時間遅延なく、つまり、例えば、基板を反応器１０１ａ、１０１ｂ、...の各々にローディングする場合に必要な時間間隔と比較すると無視できるほどの時間内で、対応するアップデートされた電流セットを与える。例えば、基板周辺領域よりも基板中心部の除去速度のほうが変化が速いことをメッキ後のＣＭＰ処理が示す場合、対応する新たな所望の厚さプロファイルが選択されてもよく、コントローラ２５０は、複数の反応器１０１ａ、１０１ｂ、...に、対応するアップデートされたアノード電流を即座に与えることができる。
【００６８】
図３は、ツール２００において処理された複数の基板の、測定された厚さプロファイルデータＭO（ｒ）を表す。この実施形態では、等式（５）、（６）、及び（７）に関して説明した制御方式に基づいて銅を蒸着しており、２００ｍｍの基板が処理済である。所望のターゲット厚さプロファイルは、基板中心部において増加した除去速度を示すメッキ後のＣＭＰ処理要件を満たすことができるように、ドーム型のプロファイルによって表される。使用された制御方式では、メッキ時間が一定に保たれた。図３のカーブＣは、反応器１０１ａで処理された基板を表し、カーブＢ及びカーブＡは、約２時間のタイムスパンで反応器１０１ｂで処理された基板を表す。図３の残りの符号のないカーブは、ツール２００の更なる反応器（図示せず）で処理された基板を表す。図３に示すようにコントローラ２５０は、所望の厚さプロファイルを実質的に維持し、本例の偏差は、最大の厚さで蒸着される基板中心部において約２００Å以内である。各プロファイルＡ、Ｂ、及びＣの系統誤差（systematic shift）は、例えば、等式（８）で説明した制御動作によってメッキ時間もアップデートされる場合に、低減される。
【００６９】
その結果、本発明は、電気メッキツールの一般的な処理時間に対して実質的に遅延することなく、個々のアノード電流及び／又はアップデートされたメッキ時間が特定の基準に基づいて計算される。その結果、どのような処理変動にも素早い応答を可能にして、電気メッキツールのマルチアノード構造の実効的制御を可能にする技術を提供する。上記に説明した制御方式によって、コントローラ２５０は、先行する基板の測定結果に基づいて制御動作を実行して、処理される１又は複数の基板のアップデートされたアノード電流を計算する。実質的に遅延しない方法でアノード電流を決定することができるので、複数のマルチアノード構造は制御され、その結果メッキされた基板の質が高まるので、歩留まりを非常に高めることができる。更に、１又は複数のメッキツールの各反応器は、消耗品、例えば、ウエットリングコンタクト（wet ring contact）、アノードなどの寿命が延び、それによって処理ツールの休止時間を減らすことができるように、同時に制御されてよく、また、各々の反応器内の処理条件は自動的に最適化されてよい。更に、本発明の概念は、従来のメッキツールに容易に実装することができるので、必要以上に更なる支出を発生させずに、これらのツールの効率及びスループットを高めることができる。他の実施形態では、アノード電流及びメッキ時間は、測定データを参照して又は参照せずに、定期的にアップデートされてもよい。このアップデートされたアノード電流は、各マルチアノード構造に供給される一定の総電流量などの、様々な基準に基づいて確立されてよい。
【００７０】
本発明の更なる変更及び変形は、この説明を考慮すると、当業者にとっては明らかであろう。従ってこの説明は、例示的なものであると解釈され、また、本発明を実施する一般的な方法を当業者に教えることを目的とする。本文中に示され、説明された発明の形式は、現在のところ好ましい実施形態と理解される。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、マイクロ電子デバイスを製造するために使用される処理に関する。従って、産業上の利用可能性は明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１ａ】マルチアノード構造を有する従来の電気メッキツールの概略図。
【図１ｂ】図１ａのツールのマルチアノード構造の概略上面図。
【図２】本発明の例示的実施形態による、様々な基準に基づいて電流セットを自動的に決定するためのコントローラを含む電気メッキシステムの概略図。
【図３】本発明の例示的実施形態の制御方式による、異なるプロセスチェンバにおいて処理された複数の基板の厚さプロファイルの測定結果のグラフの例示図。
【図１ａ】
2007507615.tif 000011
【図１ｂ】
2007507615.tif 000012
【図２】
2007507615.tif 000013
【図３】
2007507615.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気メッキツールのマルチアノード構造用の電流セットを、電気メッキによって基板に形成された金属層の厚さに定量的に関連させる感度データを決定するステップと、
前記電気メッキツールで処理される第２基板が前記メッキ処理の完了後に曝される処理の少なくとも１つの固有な特徴に基づいて、所望の厚さプロファイルを選択するステップと、
前記第２基板の前記所望の厚さプロファイル及び前記感度データに基づいて、前記マルチアノード構造のアップデートされた電流セットを決定するステップと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記電気メッキツールで処理された少なくとも１つの基板から厚さプロファイルを取得するステップと、前記厚さプロファイルデータに基づいて、前記アップデートされた電流セットを決定するステップと、を更に含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記感度データに基づいて、第２マルチアノード構造用の第２のアップデートされた電流セットを、前記アップデートされた電流の総量が前記第２のアップデートされた電流の総量に等しくなるように決定するステップを更に含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの基板から基準となる電流データセットを取得するステップと、
この基準電流データセットに基づいて、前記アップデートされた電流セットを決定するステップと、を更に含む、
請求項１に記載の方法。
【国際調査報告】
2007507615.tif 000015
2007507615.tif 000016