Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の上にフリップチップ接続された第１半導体チップと、
前記配線基板と前記第１半導体チップの間に充填され、かつ前記第１半導体チップの周囲に配置された台座部を備えた第１アンダーフィル樹脂と、
前記第１半導体チップの上にフリップチップ接続され、前記第１半導体チップより面積が大きな第２半導体チップと、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップの間に充填され、かつ前記第１アンダーフィル樹脂の台座部の上面及び前記第２半導体チップの側面を被覆する第２アンダーフィル樹脂と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２半導体チップの側面は、前記第１半導体チップの側面と前記第１アンダーフィル樹脂の台座部の側面との間の領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体チップの上面と前記第１のアンダーフィル樹脂の台座部の上面とは、同一面となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
配線基板の上に第１封止樹脂材を形成する工程と、
前記第１封止樹脂材に第１半導体チップの電極を押し込んで前記配線基板にフリップチップ接続し、前記配線基板と前記第１半導体チップとの間に第１アンダーフィル樹脂を充填すると共に、前記第１半導体チップの周囲に前記第１アンダーフィル樹脂により台座部を形成する工程と、
前記第１半導体チップの上に第２封止樹脂材を形成する工程と、
前記第２封止樹脂材に第２半導体チップの電極を押し込んで前記第１半導体チップにフリップチップ接続し、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間に第２アンダーフィル樹脂を充填すると共に、前記第１アンダーフィル樹脂の台座部の上面及び第２半導体チップの側面を前記第２アンダーフィル樹脂で被覆する工程と
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
配線基板の上に封止樹脂材を形成する工程と、
前記封止樹脂材に第１半導体チップの電極を押し込んで前記配線基板にフリップチップ接続し、前記配線基板と前記第１半導体チップとの間に第１アンダーフィル樹脂を充填すると共に、前記第１半導体チップの周囲に前記第１アンダーフィル樹脂により台座部を形成する工程と、
前記第１半導体チップの上に第２半導体チップをフリップチップ接続する工程と、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間に第２アンダーフィル樹脂を充填すると共に、前記第１アンダーフィル樹脂の台座部の上面及び第２半導体チップの側面を前記第２アンダーフィル樹脂で被覆する工程と
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１アンダーフィル樹脂を充填する工程において、
前記第１半導体チップは、前記第１半導体チップよりも面積が大きなボンディングツールに固定された状態で前記第１封止樹脂材に押し込まれ、
前記ボンディングツールの周縁部の下面で前記第１封止樹脂材の周縁部が押圧されて前記台座部が形成され、前記台座部の上面と前記第１半導体チップの上面とが同一面となることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２アンダーフィル樹脂は、前記第１アンダーフィル樹脂よりも溶融粘度が低い樹脂材から形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１半導体チップの上に前記第２半導体チップをフリップチップ接続する工程において、前記第２半導体チップの側面は、前記第１半導体チップの側面と前記第１アンダーフィル樹脂の台座部の側面との間の領域に配置されることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
実施形態の半導体装置の製造方法では、まず、図６に示すような配線基板５を用意する。配線基板５は、厚み方向の中央部にコア基板１０を備えている。コア基板１０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
このように、狭ピッチの柱状電極ＰＥｘを備えた第２半導体チップ７を先封止技術で第１半導体チップ６に低い荷重でフリップチップ接続する際には、溶融粘度の低い樹脂材を使用することが有効であることが確認された。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
さらには、第１半導体チップ６及び第２半導体チップ７の代わりに、各種の配線基板を採用し、３つの配線基板を積層して同様な構成としてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2015153811.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) 気密な反応室内に対向して配置された２つの板状電極のうちの一方の電極の対向面側に被処理基板を固定し、
b) 前記反応室内に、シリルアミンを含む原料ガスを供給し、
c) 前記被処理基板を固定した電極にコンデンサを介して高周波電圧を印加し、他方の電極を接地した状態で前記原料ガスをプラズマ化する、
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項２】
前記原料ガスが、さらに、アンモニア及び窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項３】
前記原料ガスが、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項４】
前記原料ガスが、一酸化二窒素、及び酸素の２種類のうちの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項５】
前記原料ガスが、さらに、フッ素、ゲルマニウム、リン、ホウ素の４種類の元素のうちのいずれかの元素を含む化合物を含むことを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、アンモニア及び窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン窒化膜を成膜することができる。
また、上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、アンモニア及び一酸化二窒素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン酸窒化膜を成膜することができる。
さらに、上記プラズマＣＶＤ成膜方法において、前記原料ガスに、さらに、一酸化二窒素及び酸素の２種類のうちの少なくとも１種類を含めることにより、シリコン酸化膜を成膜することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月8日(2016.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明では、前記フロント端子に弾性腕と接触部との間にリア端子の接触部の先端側が入り込む収容部を設ける。こうすることで、リア端子における接触部の先端位置を前記収容部としての隙間の範囲に限定することができる。よってリア端子の接触部の先端はフロント端子よりも接続対象物の側に突出しないため、接続対象物が嵌合時に突き当たり、リア端子が折れ曲がったり座屈したりするといった不具合が生じない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
〔フロント端子〕
フロント端子８は、図６、図７で示すように弾性腕８ａと、接触部８ｂとを有する。弾性腕８ａは基端部７から延出し、接触部８ｂを変位可能に支持する。そして接触部８ｂは弾性腕８ａの先端側に設けられている。
接触部８ｂは、接触縁８ｂ１と、フロント接点部８ｂ２と、後縁８ｂ３とを有する。接触縁８ｂ１は、ハウジング４の内壁４ｅのスリット４ｅ１から突出し、嵌合室４ｄの内側でプラグ端子５と押圧接触する。その際、接触縁８ｂ１はプラグ端子５の端子面２ａに付着する異物の除去機能を発揮する。フロント接点部８ｂ２は、接触縁８ｂ１と同様にハウジング４の内壁４ｅのスリット４ｅ１から突出し、嵌合室４ｄの内側でプラグ端子５の端子面２ａと接触する。また、後縁８ｂ３は接触縁８ｂ１と鋭角をなすように形成されており、弾性腕８ａとの間に「収容部」としての隙間１１を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月2日(2016.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の表面に、無電解めっきの核となる触媒成分を含有する接着層と、前記接着層の上に前記無電解めっきにより形成された無電解めっき金属層とを少なくとも有する金属層の積層構造を有する透明導電基板の製造方法であって、
無電解めっきの核となる触媒成分を含有する前記接着層を前記絶縁基材の表面に形成する接着層形成工程と、
無電解めっき法により前記無電解めっき金属層を前記接着層の上に形成する金属層形成工程と、
フォトリソ法を利用して、前記金属層に所定のパターニングを行うことにより、金属配線を形成するエッチング工程と、
形成された前記金属配線の開口部に存在する前記接着層の材料を取り除く接着層除去工程とを備え、
前記接着層除去工程が、アルカリ溶液により前記接着層を膨潤させる処理と極性溶媒により前記接着層を洗浄する処理とを順に実施して、前記接着層を除去する透明導電基板の製造方法。
【請求項２】
前記接着層形成工程では、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料と前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料との混合材料により前記接着層を形成する請求項１に記載の透明導電基板の製造方法。
【請求項３】
前記接着層形成工程では、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料内に、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料が点在させて前記接着層を形成する請求項２に記載の透明導電基板の製造方法。
【請求項４】
前記接着層形成工程では、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料内に、前記膨潤しにくい材料がランダムな間隔で点在させて前記接着層を形成する請求項３に記載の透明導電基板の製造方法。
【請求項５】
前記接着層形成工程では、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料の最大厚みが、前記接着層の平均厚み以上となるように前記接着層を形成する請求項２〜４のいずれか１つに記載の透明導電基板の製造方法。
【請求項６】
前記接着層形成工程では、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料の架橋度が、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料の架橋度より大きい材料を用いて前記接着層を形成する請求項２〜５のいずれか１つに記載の透明導電基板の製造方法。
【請求項７】
前記接着層形成工程では、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料として非架橋樹脂を用いるとともに、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料として架橋樹脂を用いて前記接着層を形成する請求項２〜６のいずれか１つに記載の透明導電基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁基材の表面に、無電解めっきの核となる触媒成分を含有する接着層と、前記接着層の上に前記無電解めっきにより形成された無電解めっき金属層とを少なくとも有する金属層の積層構造を有する透明導電基板であって、
前記接着層は、アルカリ溶液に膨潤しやすい材料と前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料との少なくとも２種類以上の材料で形成されている透明導電基板。
【請求項９】
前記接着層においては、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料が、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料内に点在しており、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料に、無電解めっきの核となる触媒金属が担持されている請求項８に記載の透明導電基板。
【請求項１０】
前記接着層においては、前記アルカリ溶液に膨潤しにくい材料が、非架橋性樹脂であり、前記アルカリ溶液に膨潤しやすい材料が、架橋性樹脂である請求項８又は９に記載の透明導電基板。
【請求項１１】
前記架橋性樹脂が、エステル結合と、アクリル結合と、アミド結合と、イミド結合と、ウレタン結合との少なくとも一つを有する樹脂である請求項１０に記載の透明導電基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
[接着層の構成]
さらに、接着層２を、細かい単位で溶解させるための工夫について述べる。例えば、図４Ａ及び図４Ｂに示す様に、接着層２は、アルカリ溶液に膨潤しやすい樹脂とアルカリ溶液に膨潤しにくい樹脂との混合材料で構成された混合層にすることが望ましい。例えば、図４Ａのように、アルカリ溶液で膨潤しやすい材料（成分）２２の中に、アルカリ溶液で膨潤しにくい材料２３を混在させた（一例として、ランダムな間隔で点在させた）組成にして接着層２４を、接着層２の一つの具体的な例として構成することが望ましい。すなわち、接着層２は、アルカリ溶液に膨潤しやすい材料と、アルカリ溶液に膨潤しにくい材料との少なくとも２種類以上の材料で形成されていることが望ましい。一例として、接着層２において、アルカリ溶液に膨潤しにくい材料は、非架橋性樹脂であり、アルカリ溶液に膨潤しやすい材料は、架橋性樹脂である。このように構成することにより、金属配線１２の開口部１２ａに位置する部分の接着層２４を除去すると、図４Ｂのように、アルカリ溶液による膨潤、及び、極性溶媒の浸透による樹脂の溶解が、金属配線１２の下層へ進行するのを、膨潤しにくい材料２３が防ぐ効果がある。言い換えれば、膨潤しにくい材料２３により、金属配線１２の下層への侵食を防ぐ効果がある。よって、金属配線１２の下層において、アンダーカットを低減することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＧＢＴが形成されているメインＩＧＢＴ領域と、ダイオードが形成されているメインダイオード領域と、ＩＧＢＴが形成されているセンスＩＧＢＴ領域と、ダイオードが形成されているセンスダイオード領域を有する半導体基板を有する半導体装置であって、
前記センスＩＧＢＴ領域の面積は、前記メインＩＧＢＴ領域よりも小さく、
前記センスダイオード領域の面積は、前記メインダイオード領域よりも小さく、
前記センスＩＧＢＴ領域内に、
前記半導体基板の表面に露出するｎ型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域に接するｐ型のボディ領域と、
前記ボディ領域によって前記エミッタ領域から分離されているｎ型のＩＧＢＴドリフト領域と、
前記半導体基板の裏面に露出しており、前記ＩＧＢＴドリフト領域によって前記ボディ領域から分離されているｐ型のコレクタ領域と、
前記ボディ領域に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ボディ領域に対向するゲート電極、
が形成されており、
前記センスダイオード領域内に、
前記半導体基板の前記表面に露出するｐ型のアノード領域と、
前記アノード領域に接するｎ型のダイオードドリフト領域と、
前記ダイオードドリフト領域によって前記アノード領域から分離されており、前記半導体基板の前記裏面に露出しており、前記ダイオードドリフト領域よりもｎ型不純物濃度が高いｎ型のカソード領域、
が形成されており、
前記ＩＧＢＴドリフト領域及び前記ダイオードドリフト領域によって前記ボディ領域が前記アノード領域から分離されており、
前記ＩＧＢＴドリフト領域と前記ダイオードドリフト領域の間に、前記ＩＧＢＴドリフト領域及び前記ダイオードドリフト領域よりもｎ型不純物濃度が高い高濃度ｎ型領域が形成されており、
前記高濃度ｎ型領域が、半導体基板の上面から、前記ＩＧＢＴドリフト領域及び前記ダイオードドリフト領域の厚み方向の中央部よりも深い位置まで伸びている、
半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月9日(2016.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を有する半導体装置であって、
前記半導体基板内であってその表面に露出しているｎ型の第１領域と、
前記第１領域の下側に配置されているｐ型の第２領域と、
前記第２領域の下側に配置されており、前記第２領域によって第１領域から分離されているｎ型の第３領域と、
前記表面に形成されており、前記第１領域及び前記第２領域を貫通して前記第３領域に達する複数のゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチ内に配置されている第１絶縁層と、
前記ゲートトレンチ内に配置されており、前記第１絶縁層を介して前記第２領域に対向しているゲート電極と、
前記ゲートトレンチの下端に接するｐ型の第４領域と、
前記表面に形成されており、前記表面を平面視したときに前記複数のゲートトレンチが形成されている領域の周囲を一巡する終端トレンチと、
前記終端トレンチ内に配置されている第２絶縁層と、
前記終端トレンチの下端に接するｐ型の下端ｐ型領域と、
前記終端トレンチよりも外周側に形成されており、前記終端トレンチに接しており、前記表面に露出しているｐ型の外周ｐ型領域と、
前記外周ｐ型領域よりも外周側に形成されており、前記表面に露出しているｐ型の複数のガードリング領域と、
前記終端トレンチよりも外周側に形成されており、前記第３領域と繋がっており、前記外周ｐ型領域を前記複数のガードリング領域から分離しており、前記複数のガードリング領域を互いから分離しているｎ型の外周ｎ型領域、
を有し、
前記表面に段差部が形成されていることによって、前記表面が、第１表面と、第１表面から突出する第２表面を有しており、
前記終端トレンチが、前記第２表面に形成されており、
前記外周ｐ型領域が、前記第２表面から前記第１表面に跨る範囲に露出しており、
前記複数のガードリング領域が、前記第１表面に露出している、
半導体装置。
【請求項２】
前記終端トレンチと前記段差部の間の間隔が、１０μｍ以上である請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記外周ｐ型領域のうちの外周側の端部であって前記表面に露出する領域が、Ａｌの濃度がＢの濃度よりも高いＡｌ高濃度領域であり、前記外周ｐ型領域のうちの前記Ａｌ高濃度領域に隣接する領域が、Ｂの濃度がＡｌの濃度よりも高いＢ高濃度領域である請求項１または２の半導体装置。
【請求項４】
前記Ａｌ高濃度領域の幅が、前記各ガードリング領域の幅よりも広い請求項３の半導体装置。
【請求項５】
前記下端ｐ型領域の一部が、前記終端トレンチよりも内周側に広がっており、
前記終端トレンチよりも内周側に広がっている前記下端ｐ型領域の前記一部が、前記終端トレンチの下端よりも上側に広がっていない、
請求項１〜４のいずれか一項の半導体装置。
【請求項６】
前記ガードリング領域が、Ａｌを含有する請求項１〜５のいずれか一項の半導体装置。
【請求項７】
請求項１の半導体装置を製造する方法であって、
ｎ型層上にｐ型層を成長させる工程と、
前記ｐ型層の一部を除去することで、前記ｎ型層が露出している表面と、前記ｐ型層が露出しており、前記ｎ型層が露出している表面よりも突出する表面を形成する工程と、
前記ｎ型層が露出している前記表面から前記ｐ型層が露出している前記表面に跨る範囲にｐ型不純物を注入することによって、前記外周ｐ型領域を形成する工程と、
前記ｎ型層が露出している前記表面にｐ型不純物を注入することによって、前記ガードリング領域を形成する工程と、
前記ｐ型層が露出している前記表面に終端トレンチを形成する工程、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体が合剤層から露出されてなる露出部が幅方向一端に設けられた極板を準備する工程と、
前記露出部の先端面に対向する集電板の対向部と前記対向部よりも前記露出部側に突出する前記集電板の凸部との境界にエネルギービームを照射する工程とを備える蓄電装置の製造方法。
【請求項２】
前記対向部と前記対向部から延びる前記凸部とを有する集電板を準備する工程をさらに備え、
前記対向部と前記凸部との境界に位置する角部の少なくとも一部に前記エネルギービームを照射する請求項１に記載の蓄電装置の製造方法。
【請求項３】
前記角部において前記対向部と前記凸部とのなす角度が９０°以上１２０°以下である請求項２に記載の蓄電装置の製造方法。
【請求項４】
前記露出部の長手方向と前記凸部の長手方向とが平面視において交差するように前記集電板と前記露出部とを配置する工程をさらに備える請求項１〜３のいずれかに記載の蓄電装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本管部及び細管部を有する発光管と、
前記細管部に挿入して設けられた電極と、
前記発光管の内部に封入された発光物質とを備え、
前記発光物質の封入量が、前記細管部の内部に形成される隙間体積に基づいて設定されている高圧放電ランプ。
【請求項２】
本管部及び細管部を有する発光管と、
前記細管部に挿入して設けられた電極と、
前記発光管の内部に封入された発光物質とを備え、
ランプ動作中において、液状となった前記発光物質量が、前記細管部の内部に形成される隙間体積以下に設定されている高圧放電ランプ。
【請求項３】
前記発光物質の封入量Ｙ（μｍｏｌ）は、前記細管部の隙間体積をＸ（ｍｍ3 ）とした場合、１４×ｌｎ（Ｘ）≦Ｙ≦４０×ｌｎ（Ｘ）を満たすように設定されている請求項１記載の高圧放電ランプ。
【請求項４】
前記発光物質の封入量Ｙ（μｍｏｌ）は、前記細管部の隙間体積をＸ（ｍｍ3 ）とした場合、１４×ｌｎ（Ｘ）≦Ｙ≦１４×ｌｎ（Ｘ）＋１８を満たすように設定されている請求項２記載の高圧放電ランプ。
【請求項５】
前記細管部に挿入して設けられた電極は、一対の電極であり、
ランプ電力をＷ（ワット）、前記本管部の内径をＤ（ｍｍ）、前記一対の電極の先端の間の距離をＥ（ｍｍ）とした場合、
Ｇ＝Ｗ／（３．１４×Ｄ×Ｅ×０．０１）で表される管壁負荷Ｇ（ワット／ｃｍ2 ）が、２０≦Ｇ≦４０を満たしている請求項１乃至４の何れか一項に記載の高圧放電ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２で形成されるマトリックスと、
前記マトリックス中に分散する磁性粒子と、を有し、
前記磁性粒子は、Ｆｅを含むコア部と、
前記コア部の表面を被覆する被覆層と、を備え、
前記被覆層は、ε−Ｆｅ２Ｏ３を含むとともに、当該ε−Ｆｅ２Ｏ３の濃度は、前記コア部から離れるにしたがって徐々に減少していくように含まれていることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項２】
請求項１に記載の複合磁性材料において、
前記被覆層は、ＳｉＯ２相中で前記ε−Ｆｅ２Ｏ３が濃度勾配を有して形成されていることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項３】
請求項１に記載の複合磁性材料において、
前記マトリックスを形成するＳｉＯ２は、ゾルゲル法で形成されたことを特徴とする複合磁性材料。
【請求項４】
請求項１に記載の複合磁性材料において、
前記コア部の平均粒径は、０．２μｍ以上、１μｍ以下であることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項５】
請求項１に記載の複合磁性材料において、
前記コア部は、Ｃｏをさらに含むことを特徴とする複合磁性材料。
【請求項６】
請求項５に記載の複合磁性材料において、
前記コア部に含まれるＦｅの割合は、５０〜８０質量％であることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項７】
請求項２に記載の複合磁性材料において、
前記マトリックス及び前記被覆層に含まれる合計のＳｉＯ２の質量分率は、２５〜３５質量％であることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項８】
請求項１に記載の複合磁性材料において、
前記コア部の体積は、前記被覆部の体積の８８〜９４体積％であることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項９】
テトラアルコキシシラン、その加水分解物及び部分縮合物からなるテトラアルコキシシラン類より選ばれる少なくとも１種と、硝酸とを含むＳｉＯ２形成用組成物の調製工程と、
前記ＳｉＯ２形成用組成物のゲル化反応よる固化前に、当該ＳｉＯ２形成用組成物にＦｅ含有粉末を混合するＦｅ含有粉末混合工程と、
前記Ｆｅ含有粉末と、前記硝酸とを反応させて、当該Ｆｅ含有粉末の粒子の周囲で前記ＳｉＯ２形成用組成物中に硝酸鉄（III）を生起させる硝酸鉄（III）生起工程と、
前記ＳｉＯ２形成用組成物をゲル化反応により固化させてＳｉＯ２で形成されるマトリックス中に前記Ｆｅ含有粉末の粒子からなるコア部が分散する磁性材料形成用組成物を得る工程と、
前記磁性材料形成用組成物を焼成して前記コア部の表面に前記硝酸鉄（III）を基に得られるε−Ｆｅ２Ｏ３を含む被覆層を形成する焼成工程と、
を有することを特徴とする複合磁性材料の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の複合磁性材料の製造方法において、
前記硝酸は、ナイタールとして前記ＳｉＯ２形成用組成物に含まれることを特徴とする複合磁性材料の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の複合磁性材料の製造方法において、
前記ナイタールの硝酸濃度は、３〜５％であることを特徴とする複合磁性材料の製造方法。
【請求項１２】
テトラアルコキシシラン、その加水分解物及び部分縮合物からなるテトラアルコキシシラン類より選ばれる少なくとも１種と、硝酸鉄（III）とを含むＳｉＯ２形成用組成物の調製工程と、
前記ＳｉＯ２形成用組成物のゲル化反応による固化前に、当該ＳｉＯ２形成用組成物にＦｅ含有粉末を混合するＦｅ含有粉末混合工程と、
ＳｉＯ２形成用組成物をゲル化反応により固化させてＳｉＯ２で形成されるマトリックス中に前記Ｆｅ含有粉末の粒子からなるコア部が分散する磁性材料形成用組成物を得る工程と、
前記磁性材料形成用組成物を焼成して前記コア部の表面に前記硝酸鉄（III）を基に得られるε−Ｆｅ２Ｏ３を含む被覆層を形成する焼成工程と、
を有することを特徴とする複合磁性材料の製造方法。
【請求項１３】
請求項９又は請求項１２に記載の複合磁性材料の製造方法において、
前記テトラアルコキシシラン類は、テトラアルコキシシランのオリゴマであることを特徴とする複合磁性材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記課題を解決する本発明の複合磁性材料の製造方法は、テトラアルコキシシラン、その加水分解物及び部分縮合物からなるテトラアルコキシシラン類より選ばれる少なくとも１種と、硝酸とを含むＳｉＯ２形成用組成物の調製工程と、前記ＳｉＯ２形成用組成物のゲル化反応よる固化前に、当該ＳｉＯ２形成用組成物にＦｅ含有粉末を混合するＦｅ含有粉末混合工程と、前記Ｆｅ含有粉末と、前記硝酸とを反応させて、当該Ｆｅ含有粉末の粒子の周囲で前記ＳｉＯ２形成用組成物中に硝酸鉄（III）を生起させる硝酸鉄（III）生起工程と、前記ＳｉＯ２形成用組成物をゲル化反応により固化させてＳｉＯ２で形成されるマトリックス中に前記Ｆｅ含有粉末の粒子からなるコア部が分散する磁性材料形成用組成物を得る工程と、前記磁性材料形成用組成物を焼成して前記コア部の表面に前記硝酸鉄（III）を基に得られるε−Ｆｅ２Ｏ３を含む被覆層を形成する焼成工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月25日(2016.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型層と、発光層と、第２導電型層とが積層され、
前記第１導電型層上に配置されて接続された第１パッド電極及び前記第２導電型層上に配置されて接続された第２パッド電極を有する半導体発光素子であって、
前記半導体発光素子の平面形状が長方形であり、
前記半導体発光素子の同一面側であり、かつ、該長方形の長手方向に３等分割された前記半導体発光素子の領域のうち、中央の領域に前記第１パッド電極が配置され、両側の領域にそれぞれ前記第２パッド電極が配置され、
前記第１パッド電極は、前記第２導電型層及び発光層に取り囲まれており、
前記第２パッド電極は、互いに分離して２つ配置されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２パッド電極は、前記半導体発光素子の短手方向に延長する中線に対して対称に配置されている請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１パッド電極は、前記半導体発光素子の短手方向に延長する中線上に配置されている請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１パッド電極は、前記長手方向に３等分割された両側の領域にまで延伸する第１延伸電極を有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第２パッド電極は、前記第１延伸電極の先端部を挟むように延長する第２延伸電極を有する請求項４記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２パッド電極は、第２延伸電極を有し、
前記第１延伸電極は、前記長手方向に３等分割された両側の領域において、前記第２延伸電極と対向する先端部を有する請求項４記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２延伸電極は、前記第１延伸電極よりも、前記長手方向における外側に配置されている請求項５又は６記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２パッド電極は、前記第１延伸電極よりも、前記長手方向における外側に配置されている請求項４〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１パッド電極は、前記半導体発光素子の長手方向に延長する中線に対して前記第２パッド電極と異なる側に配置されている請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第２パッド電極は、両側の領域において、互いに分離して配置されている請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１延伸電極は、先端を４つ有しており、前記第２延伸電極が、該先端のそれぞれを囲んでいる請求項５に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月3日(2016.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の他の通信装置と第２の他の通信装置との各々から認証情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記認証情報に基づいて認証処理を行う認証手段と、
前記認証処理の結果に基づいて、前記第１の他の通信装置と関連付けられた第３の他の通信装置の情報を、前記第２の他の通信装置と関連付けられた第４の他の通信装置に提供する提供手段と、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記認証処理の結果に基づいて、前記第１の他の通信装置と関連付けられた第３の他の通信装置の情報を、前記第２の他の通信装置と関連付けられた第４の他の通信装置に提供するか否かを判定する判定手段をさらに備え、
前記提供手段は、前記判定手段による判定結果に基づいて、前記第３の他の通信装置の情報を前記第４の他の通信装置に提供することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記認証手段は、前記第１の他の通信装置の第１の認証情報と前記第２の他の通信装置の第２の認証情報とを照合することにより、前記認証処理を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第３の他の通信装置の情報は通信パラメータを含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１の他の通信装置と前記第３の他の通信装置とを含む第１の通信装置群と、前記第２の他の通信装置と前記第４の他の通信装置とを含む第２の通信装置群との関係性情報を保持する保持手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記関係性情報に基づいて、前記提供手段による情報の提供を許可する通信装置の範囲を制御するアクセス制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の通信装置。
【請求項７】
前記提供手段による情報の提供が完了した場合、前記第１の他の通信装置、前記第２の他の通信装置、前記第３の他の通信装置および前記第４の他の通信装置のうち少なくとも１つに対して、前記情報の提供の完了を通知する通知手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記通知手段は、前記提供手段による情報の提供が失敗した場合、前記第１の他の通信装置、前記第２の他の通信装置、前記第３の他の通信装置および前記第４の他の通信装置のうち少なくとも１つに対して、前記情報の提供の失敗を通知することを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項９】
通信装置と、第１の他の通信装置と、第２の他の通信装置とを含む通信システムであって、
前記通信装置は、
前記第１の他の通信装置と前記第２の他の通信装置との各々から認証情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記認証情報に基づいて認証処理を行う認証手段と、
前記認証処理の結果に基づいて、前記第１の他の通信装置と関連付けられた第３の他の通信装置の情報を、前記第２の他の通信装置と関連付けられた第４の他の通信装置に提供する提供手段と、
を備えることを特徴とする通信システム。
【請求項１０】
通信装置の制御方法であって、
取得手段が、第１の他の通信装置と第２の他の通信装置との各々から認証情報を取得する取得工程と、
認証手段が、前記取得工程により取得された前記認証情報に基づいて認証処理を行う認証工程と、
提供手段が、前記認証処理の結果に基づいて、前記第１の他の通信装置と関連付けられた第３の他の通信装置の情報を、前記第２の他の通信装置と関連付けられた第４の他の通信装置に提供する提供工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の通信装置の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元地図を表示する３次元地図表示システムであって、
地表面の３次元形状を表す地表面データと、前記地表面データに対して所定のライティングを施して陰影計算を行って得られる投影図を切り出して生成された地表面テクスチャと、を記憶する地図データベースと、
前記地表面データに対して、前記地表面テクスチャを貼り付けて投影することによって、前記３次元地図を表示する表示制御部とを備える３次元地図表示システム。
【請求項２】
請求項１記載の３次元地図表示システムであって、
前記地表面テクスチャは、前記地表面に、その標高値に応じて所定の着色を付した状態の投影図に基づいて生成される３次元地図表示システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の３次元地図表示システムであって、
前記表示制御部は、前記地表面を含む遠方の景色を描いた背景画像を貼付したポリゴンを該地表面に立てることなく、前記地表面データの投影によって遠方の景色を表示する３次元地図表示システム。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか記載の３次元地図表示システムであって、
前記表示制御部は、前記地表面テクスチャの解像度を、前記投影の視点から遠い領域では近い領域よりも低減させる３次元地図表示システム。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の３次元地図表示システムであって、
前記地図データベースは、さらに、地物の３次元形状を表した３次元モデルと、該地物に対して、予め所定のライティングを施した状態の外観を表すテクスチャと、を記憶しており、
前記表示制御部は、さらに、前記３次元モデルに対して、前記テクスチャを適用して前記投影を行う３次元地図表示システム。
【請求項６】
コンピュータによって３次元地図を表示する３次元地図表示方法であって、
前記コンピュータが実行する工程として、
地表面の３次元形状を表す地表面データと、前記地表面データに対して所定のライティングを施して陰影計算を行って得られる投影図を切り出して生成された地表面テクスチャと、を記憶する地図データベースから、前記地表面データおよび地表面テクスチャを読み出す工程と、
前記地表面データに対して、前記地表面テクスチャを貼り付けて投影することによって、前記３次元地図を表示する工程とを備える３次元地図表示方法。
【請求項７】
コンピュータによって３次元地図を表示するためのコンピュータプログラムであって、
地表面の３次元形状を表す地表面データと、前記地表面データに対して所定のライティングを施して陰影計算を行って得られる投影図を切り出して生成された地表面テクスチャと、を記憶する地図データベースから、前記地表面データおよび地表面テクスチャを読み出す機能と、
前記地表面データに対して、前記地表面テクスチャを貼り付けて投影することによって、前記３次元地図を表示する機能とをコンピュータに実現させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラで撮影した被写体のうち所定の対象物の３次元空間における位置を検出する情報処理装置であって、
前記カメラからの奥行き方向における被写体の距離を画素値として画像平面上に表した奥行き画像を取得する奥行き画像取得部と、
前記奥行き画像の画素を前記３次元空間に表した座標点のうち、所定数以上の座標点が前記３次元空間に設定した検出領域に含まれたとき、前記対象物が前記検出領域に存在するときに向くべき方向に基づく基準で、当該検出領域に含まれる座標点をそれぞれ評価し比較することにより、当該方向における前記対象物の先端の位置を特定してその位置情報を生成し出力する座標点解析部と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記座標点解析部は、前記向くべき方向を表す基準ベクトルを、３次元空間における所定の基準点に対する前記検出領域の相対位置および前記対象物の前記基準点に対する動きの特性に基づき決定し、当該基準点から前記検出領域に含まれる各座標点への座標点ベクトルとの内積を計算して比較することにより、前記基準ベクトルの方向における前記対象物の先端の位置を特定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
検出対象の対象物の可動範囲の基準となる別の部位の３次元空間における位置を検出する基準部位検出部をさらに備え、
前記座標点解析部は、前記別の部位の位置に基づき前記基準点の位置を特定し、それに基づき前記基準ベクトルを決定して前記座標点ベクトルとの内積を計算することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記座標点解析部は、前記対象物の先端の位置を特定した後、当該位置を基準点としてさらに別の対象物の先端を特定することを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
検出対象の対象物の可動範囲の基準となる別の部位の３次元空間における位置を検出する基準部位検出部をさらに備え、
前記座標点解析部は、前記別の部位の位置に基づき特定した前記可動範囲に基づき、前記検出領域の設定範囲を決定することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記奥行き画像取得部は、カメラが撮影している動画像の画像フレームに対し前記奥行き画像を取得し、
前記座標点解析部は、前の時間ステップにおいて検出した前記対象物の位置に基づき、前記検出領域の設定範囲を決定することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記座標点解析部は、前記所定数以上の座標点が含まれる前記検出領域に隣接する領域に存在する座標点を比較対象に含めることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記座標点解析部は、前記検出領域に含まれる座標点のうち処理対象から除外する座標点の範囲を定める不感領域を、前記３次元空間にさらに設定することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記座標点解析部は、前記対象物の形状および動きの特性の少なくともいずれかに基づき、前記検出領域の形状を切り替えることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１０】
情報処理装置が、カメラで撮影した被写体のうち所定の対象物の３次元空間における位置を検出する情報処理方法であって、
前記カメラからの奥行き方向における被写体の距離を画素値として画像平面上に表した奥行き画像を取得しメモリに格納するステップと、
前記メモリから読み出した前記奥行き画像の画素を前記３次元空間に表した座標点のうち、所定数以上の座標点が前記３次元空間に設定した検出領域に含まれたとき、前記対象物が前記検出領域に存在するときに向くべき方向に基づく基準で、当該検出領域に含まれる座標点をそれぞれ評価し比較することにより、当該方向における前記対象物の先端の位置を特定してその位置情報を生成し出力するステップと、
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１１】
カメラで撮影した被写体のうち所定の対象物の３次元空間における位置を検出する機能をコンピュータに実現させるコンピュータプログラムであって、
前記カメラからの奥行き方向における被写体の距離を画素値として画像平面上に表した奥行き画像を取得する機能と、
前記奥行き画像の画素を前記３次元空間に表した座標点のうち、所定数以上の座標点が前記３次元空間に設定した検出領域に含まれたとき、前記対象物が前記検出領域に存在するときに向くべき方向に基づく基準で、当該検出領域に含まれる座標点をそれぞれ評価し比較することにより、当該方向における前記対象物の先端の位置を特定してその位置情報を生成し出力する機能と、
をコンピュータに実現させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
カメラで撮影した被写体のうち所定の対象物の３次元空間における位置を検出する機能をコンピュータに実現させるコンピュータプログラムであって、
前記カメラからの奥行き方向における被写体の距離を画素値として画像平面上に表した奥行き画像を取得する機能と、
前記奥行き画像の画素を前記３次元空間に表した座標点のうち、所定数以上の座標点が前記３次元空間に設定した検出領域に含まれたとき、前記対象物が前記検出領域に存在するときに向くべき方向に基づく基準で、当該検出領域に含まれる座標点をそれぞれ評価し比較することにより、当該方向における前記対象物の先端の位置を特定してその位置情報を生成し出力する機能と、
をコンピュータに実現させるコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータにて読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2015153179.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［構成例］
図１は、一実施の形態に係る半導体装置が適用された受信装置の一構成例を表すものである。受信装置１は、無線通信システムにおいて、無線信号を受信する装置である。なお、本開示の実施の形態に係る半導体装置の制御方法は、本実施の形態により具現化されるので、併せて説明する。受信装置１は、電源回路１０と、回路ブロック１１〜１３と、受信部２０と、間欠動作制御部３０とを備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
値Ｎを“９”にした場合には、カウンタ３３は、“９”からダウンカウントし（図８（Ｃ））、値Ｎを“８”にした場合には、カウンタ３３は、“８”からダウンカウントし（図９（Ｃ））、値Ｎを“７”にした場合には、カウンタ３３は、“７”からダウンカウントする（図１０（Ｃ））。これにより、起動信号ＥＮのデューティ比は、値Ｎが大きいほど小さくなり、値Ｎが小さいほど大きくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
このように、受信装置１では、デューティ比制御ワードＤＣＴＬに基づいて、起動信号ＥＮのデューティ比を制御する。そして、制御信号生成部４０は、図５等に示したように、その起動信号ＥＮに基づいて、制御信号ＥＮ１〜ＥＮ３を生成する。すなわち、この制御信号ＥＮ１〜ＥＮ３のデューティ比もまた、デューティ比制御ワードＤＣＴＬに基づいて制御される。これにより、以下に説明するように、回路の性能を維持しつつ消費電力を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
［変形例３］
上記実施の形態では、クロック信号生成部３１は、３つのクロック信号ＣＬＫ１〜ＣＬＫ３を生成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば図１５に示す受信装置１Ｂのように、クロック信号生成部３１Ｂが２つのクロック信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ３を生成してもよい。受信装置１Ｂは、間欠動作制御部３０Ｂを備えている。間欠動作制御部３０Ｂは、クロック信号生成部３１Ｂと、起動信号生成部３２Ｂとを有している。起動信号生成部３２Ｂは、カウンタ３３Ｂを有している。カウンタ３３Ｂは、上記実施の形態に係るカウンタ３３と同様に、デューティ比制御ワードＤＣＴＬ、ロード信号ＬＤ、およびカウンタ起動信号ＣＮＴＥＮに基づいて、クロック信号ＣＬＫ３のパルスをダウンカウントして、そのカウント値ＣＮＴを出力するものである。このカウンタ３３Ｂは、クロック信号ＣＬＫ２より周波数の高いクロック信号ＣＬＫ３のパルスをカウントするため、カウンタ３３と比べて、クロック信号ＣＬＫ３のパルスをより多くカウントするように構成されている。このように構成することにより、クロック信号の数を減らすことができ、回路構成をシンプルにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月13日(2016.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査荷電粒子顕微鏡で試料を撮像して得た画像を高画質化する方法であって、
走査荷電粒子顕微鏡の撮像視野内における試料の一部の領域に対して集束した荷電粒子
ビームをスキャンしながら照射して前記試料を撮像することにより前記試料の画像データ
を順次取得するスキャンステップと、
該スキャンステップにおいて順次画像データを取得する前記走査荷電粒子顕微鏡の撮像
視野内の領域のうち前記画像データを未取得の領域からの距離に基づいて、前記画像デー
タを取得した領域を２個以上の領域に分割する領域分割ステップと、
前記分割した領域の各々の画像データに対して前記領域分割ステップにおいて分割した
領域に応じて高画質化処理方法および高画質化の処理パラメータを決定する処理方法・処
理パラメータ決定ステップと、
前記領域分割ステップにおいて分割した各領域の画像データに対して、前記処理方法・
処理パラメータ決定ステップにおいて決定した前記分割した領域に応じた処理方法および
処理パラメータを用いて高画質化処理を行う高画質化ステップと、
該高画質化ステップにおいて高画質化処理が行われた画像を表示する高画質化結果表示
ステップとを有し、
前記スキャンステップから前記高画質化結果表示ステップまでを、前記走査荷電粒子顕
微鏡の視野内における前記試料上の領域のスキャンが終了するまで反復することを特徴と
する走査荷電粒子顕微鏡における高画質化方法。
【請求項２】
前記高画質化結果表示ステップにおいて、データ取得領域のうちスキャン位置の近傍に
ある一部の領域は表示しないことを特徴とする請求項１記載の走査荷電粒子顕微鏡におけ
る高画質化方法。
【請求項３】
前記領域分割ステップは、前回の反復における前記高画質化処理の結果と同じ処理結果が得られる領域を処理不要領域として抽出し、前記高画質化ステップは、前記処理不要領域については高画質化処理を行わないことを特徴とする請求項１記載の走査荷電粒子顕微鏡における高画質化方法。
【請求項４】
現在の反復における処理パラメータを読み込む処理パラメータ読み込みステップを更に
有し、
前記領域分割ステップは、現在の反復における処理パラメータ、および前回以前の反復
において前記処理方法・処理パラメータ決定ステップにより領域毎に決定した前記高画質化処理方法または前記高画質化の処理パラメータを用いて分割方法を決定することを特徴とする請求項１記載の走査荷電粒子顕微鏡における高画質化方法。
【請求項５】
前記領域分割ステップは、予め定められた前記撮像視野内の着目点からの距離が近い画
素ほど優先して現在の反復における処理パラメータでの処理を施すようにすることを特徴
とする請求項４記載の走査荷電粒子顕微鏡における高画質化方法。
【請求項６】
さらに前記高画質化処理の結果および前記高画質化ステップにおける処理途中結果を保存しておく高画質化結果保存ステップを有し、
前記高画質化ステップは、前記領域分割ステップにより分割した領域のうち１個以上の
領域に対して、前記高画質化結果保存ステップで保存した前記処理途中結果を用いて高画質化処理を行うことを特徴とする請求項４記載の走査荷電粒子顕微鏡における高画質化方法。
【請求項７】
前記処理方法・処理パラメータ決定ステップにより決定した前記処理パラメータが前記
スキャンステップから前記高画質化結果表示ステップまでを反復中に変更された場合には
、予め定められた前記撮像視野内の着目点からの距離が近い領域から順に前記変更後の処
理パラメータでの高画質化処理を施すことを特徴とする請求項４記載の走査荷電粒子顕微
鏡における高画質化方法。
【請求項８】
試料に収束させた荷電粒子を照射してスキャンする荷電粒子照射光学系手段と、
前記荷電粒子照射光学系手段により荷電粒子が照射された前記試料から発生した同種ま
たは別種の粒子を検出する検出光学系手段と、
前記検出光学系手段で前記試料から発生した粒子を検出して得た画像データに対して高
画質化処理を行う高画質化手段と、
前記高画質化処理の結果を表示する画像表示手段と
を備えた走査荷電粒子顕微鏡装置であって、
前記高画質化手段は、前記荷電粒子照射光学系手段により前記試料に収束させた荷電粒子を照射してスキャンすることにより取得される撮像視野内の画像データについて前記撮像視野内の前記画像データを未取得の領域からの距離に基づいて、前記画像データを取得した領域を２個以上の領域に分割し、該分割した各々の領域の画像データに対して前記分割した領域に応じて高画質化処理方法および高画質化の処理パラメータを決定し、前記分割した各領域の画像データに対して前記決定した前記分割した領域に応じた処理方法および処理パラメータを用いて前記高画質化処理を行うことを、前記撮像視野内の領域のスキャンが終了するまで反復することを特徴とする走査荷電粒子顕微鏡装置。
【請求項９】
前記画像表示手段は、前記高画質化処理の結果を表示する際、データ取得領域のうちスキャン位置の近傍にある一部の領域は表示しないことを特徴とする請求項８記載の走査荷電粒子顕微鏡装置。
【請求項１０】
前記高画質化手段は、前記２個以上の領域に分割した領域のうち、前回の反復における前記高画質化処理の結果と同じ処理結果が得られる領域を処理不要領域として抽出し、該抽出した処理不要領域については前記高画質化処理を行わないことを特徴とする請求項８記載の走査荷電粒子顕微鏡装置。
【請求項１１】
前記高画質化手段は、前記２個以上の領域に分割することを、現在の反復における処理
パラメータ、および前回以前の反復において分割した領域毎に決定した処理方法または処
理パラメータを用いて分割方法を決定することを特徴とする請求項８記載の走査荷電粒子
顕微鏡装置。
【請求項１２】
前記高画質化手段は、前記分割した２個以上の領域について、予め定められた前記撮像
視野内の着目点からの距離が近い画素ほど優先して現在の反復における処理パラメータで
の処理を施すことを特徴とする請求項１１記載の走査荷電粒子顕微鏡装置。
【請求項１３】
前記高画質化手段は、さらに前記高画質化処理の結果および前記高画質化における処理途中結果を保存しておき、前記分割した領域のうち１個以上の領域に対して、前記保存した途中結果を用いて前記高画質化処理を行うことを特徴とする請求項１１記載の走査荷電粒子顕微鏡装置。
【請求項１４】
前記高画質化手段は、前記処理パラメータが前記反復中に変更された場合には、予め定
められた前記撮像視野内の着目点からの距離が近い領域から順に前記変更後の処理パラメ
ータでの前記高画質化処理を施すことを特徴とする請求項８記載の走査荷電粒子顕微鏡装置。