【手続補正書】
【提出日】平成28年3月30日(2016.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体に照射するＲＦパルスを発生するＲＦパルス発生部と、
２項パルスを構成する複数のサブＲＦパルスの内の少なくとも一つのサブＲＦパルスのフリップ角を２項係数比で定まるフリップ角から変更する２項パルス設定部と、
前記フリップ角が変更されたサブＲＦパルスを含む２項パルスと、前記被検体の画像を得るための核磁気共鳴信号を計測する画像化シ−ケンスと、を組み合わせて成る撮像シ−ケンスに基づいて前記ＲＦパルス発生部を制御する計測制御部と、
を有して成ることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルス設定部は、抑制対象組織からの信号を抑制するための信号抑制度に応じて、前記少なくとも一つのサブＲＦパルスのフリップ角を、２項係数比で定まるフリップ角から変更することを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項３】
請求項２記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルス設定部は、
前記信号抑制度に基づいて調整係数を求め、
前記複数のサブＲＦパルスの内のいずれか一つ以上のサブＲＦパルスのフリップ角を、選択励起対象組織のフリップ角と前記２項係数比とで定まる理想フリップ角から、前記調整係数を該理想フリップ角に乗算して定まるフリップ角に変更し、
残りのサブＲＦパルスの各フリップ角を、前記選択励起対象組織のフリップ角から該変更したフリップ角を引いた残差を配分して定めることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項４】
請求項３記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルスは、第一サブＲＦパルス及び第二サブＲＦパルスで構成される１−１パルスであり、
前記２項パルス設定部は、前記第一サブＲＦパルス及び前記第二サブＲＦパルスの内のいずれか一方のサブＲＦパルスのフリップ角を、前記理想フリップ角から前記調整係数を該理想フリップ角に乗算して定まるフリップ角に変更し、他方のサブＲＦパルスのフリップ角を前記選択励起対象組織のフリップ角から該変更したフリップ角を引いた残差のフリップ角とすることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項５】
請求項３記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルスは、第一サブＲＦパルス、第二サブＲＦパルス、及び第三サブＲＦパルスで構成される１−２−１パルスであり、
前記２項パルス設定部は、前記第一サブＲＦパルス、前記第二サブＲＦパルス、及び前記第三サブＲＦパルスの内のいずれか一つのサブＲＦパルスのフリップ角を、前記理想フリップ角から前記調整係数を該理想フリップ角に乗算して定まるフリップ角に変更し、他の各サブＲＦパルスのフリップ角を前記選択励起対象組織のフリップ角から該変更したフリップ角を引いた残差を配分したフリップ角とすることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項６】
請求項３記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルスは、第一サブＲＦパルス、第二サブＲＦパルス、第三サブＲＦパルス、及び第四サブＲＦパルスで構成される１−３−３−１パルスであり、
前記２項パルス設定部は、前記第一サブＲＦパルス、前記第二サブＲＦパルス、前記第三サブＲＦパルス、及び前記第四サブＲＦパルスの内のいずれか一つのサブＲＦパルスのフリップ角を、前記理想フリップ角から前記調整係数を該理想フリップ角に乗算して定まるフリップ角に変更し、他の各サブＲＦパルスのフリップ角を前記選択励起対象組織のフリップ角から該変更したフリップ角を引いた残差を配分したフリップ角とすることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルスについての条件の設定を受け付けるための設定画面を表示する表示部を備えることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項８】
請求項７記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記設定画面は、水と脂肪を含む選択肢の中から前記抑制対象組織の選択を受け付ける抑制対象組織選択メニュ−部を有することを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項９】
請求項７記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記設定画面は、２項パルスの種類の選択を受け付ける２項パルス種選択メニュ−部を有することを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項１０】
請求項７記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記信号抑制度の設定を受け付ける信号抑制度入力部を有することを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項１１】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記複数のサブＲＦパルスの各フリップ角の比の、前記２項係数比からのずれを補正するための補正係数を算出し、前記複数のサブＲＦパルスの内の特定のサブＲＦパルスのフィリップ角への前記補正係数の乗算を行う２項パルス補正部を有し、
前記２項パルス設定部は、前記補正係数がフリップ角に乗算された特定のサブＲＦパルスを含む複数のサブＲＦパルスの内の、少なくとも一つのサブＲＦパルスのフリップ角の変更を行うことを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の磁気共鳴イメ−ジング装置において、
前記２項パルス補正部は、前記２項パルスが１−２−１パルスの場合にフリップ角比が２の第二サブＲＦパルスに前記補正係数を乗算し、前記２項パルスが１−３−３−１パルスの場合にフリップ角比が３の第二サブＲＦパルス及び第三サブＲＦパルスに前記補正係数を乗算することを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項１３】
被検体に照射するＲＦパルスを発生するＲＦパルス発生部と、
２項パルスを構成する複数のサブＲＦパルスの各フリップ角の比の、２項係数比からのずれを補正するための補正係数を算出し、特定のサブＲＦパルスのフィリップ角への前記補正係数の乗算を行う２項パルス補正部と、
前記フリップ角が変更されたサブＲＦパルスを含む２項パルスと、前記被検体の画像を得るための核磁気共鳴信号を計測する画像化シ−ケンスと、を組み合わせて成る撮像シ−ケンスに基づいて前記ＲＦパルス発生部を制御する計測制御部と、
を有して成ることを特徴とする磁気共鳴イメ−ジング装置。
【請求項１４】
被検体に照射するＲＦパルスを発生するＲＦパルス発生部と、
複数のサブＲＦパルスで構成された２項パルスと、前記被検体の画像を得るための核磁気共鳴信号を計測する画像化シ−ケンスと、を組み合わせて成る撮像シ−ケンスに基づいて前記ＲＦパルス発生部を制御する計測制御部と、
を有して成る磁気共鳴イメ−ジング装置における２項パルス制御方法であって、
前記複数のサブＲＦパルスの内の少なくとも一つのサブＲＦパルスのフリップ角を２項係数比で定まるフリップ角から変更するフリップ角変更ステップを有することを特徴とする２項パルス制御方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の２項パルス制御方法であって、前記フリップ角変更ステップは、
抑制対象組織からの信号を抑制するための信号抑制度に基づいて調整係数を求めるステップと、
前記複数のサブＲＦパルスの内のいずれか一つ以上のサブＲＦパルスのフリップ角を、選択励起対象組織のフリップ角と前記２項係数比とで定まる理想フリップ角から、前記調整係数を該理想フリップ角に乗算して定まるフリップ角に変更するステップと、
残りのサブＲＦパルスの各フリップ角を、選択励起対象組織のフリップ角から前記変更したフリップ角を引いた残差を配分して定めるステップと、
を特徴とする２項パルス制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次いで、画像化シーケンス252は、スライス方向のエンコード傾斜磁場207と位相方向のエンコード傾斜磁場208を印加し、同じタイミングで周波数エンコード傾斜磁場にオフセットを与える傾斜磁場パルス209を印加する。その後、周波数エンコード傾斜磁場パルス210を印加し、周波数エンコード傾斜磁場210の印加中に発生するエコー信号212をA/Dの時間範囲(211)の間にサンプリングする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
ラインプロファイル比較部1502は、ラインプロファイル取得部1501で取得された補正係数coeff0毎の2項パルスの周波数特性と、予め内部記憶部115に記憶された(式49)で表される理想状態の2項パルスの周波数特性とを比較する。この比較処理では、理想状態の2項パルスの周波数特性と補正係数coeff0毎の2項パルスの周波数特性との間の類似度がそれぞれ算出される。類似度の算出には公知の方法を用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
補正係数決定部1503は、ラインプロファイル比較部1502で算出された類似度の中で、最大の類似度を有する2項パルスの周波数特性に対応する補正係数coeff0を選択する。つまり、理想状態の2項パルスの周波数特性に最も近い周波数特性に対応する補正係数coeff0が選択される。このようにして選択された補正係数coeff0を1-2-1パルスにおけるFA比が”2”のサブRFパルス、或いは、1-3-3-1パルスにおけるFA比が”3”のサブRFパルスのFAに乗算することで、このハードウェア誤差によるFA比の誤差が補正されることになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
ステップ1552で、ラインプロファイル取得部1501は、ループカウンタKが所定回数(N)に到達したか否かを確認する。所定回数以下の場合には、ステップ1553に移行し、所定回数(N)より大きい場合にはステップ1556に移行する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
ステップ1556で、ラインプロファイル比較部1502は、上記ステップ1552〜ステップ1555で取得された補正係数coeff0 [K]毎の2項パルスの周波数特性と、予め内部記憶部115に記憶された(式49)で表される理想状態の2項パルスの周波数特性とを比較する。具体的には、ラインプロファイル比較部1502は、上記ステップ1552〜ステップ1555で取得されて内部記憶部115に記憶された補正係数coeff0 [K]毎の2項パルスの周波数特性を順次読み出し、予め内部記憶部115に記憶された理想状態の2項パルスの周波数特性との間で類似度をそれぞれ計算する。そして、補正係数決定部1503は、ラインプロファイル比較部1502で算出された類似度の中で、最大の類似度を有する2項パルスの周波数特性に対応する補正係数coeff0[K]を選択する。
以上までが、本実施例2の処理フローの概要である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2014200571.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2014200571.tif 000002