Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を発生するＸ線管と、
前記Ｘ線管からのＸ線を検出するＸ線検出器と、
前記Ｘ線検出器からの検出信号に基づく投影データに対して、正規化に基づく逐次近似再構成を施して画像データを再構成する画像再構成部と、を具備するＸ線コンピュータ断層撮影装置であって、
前記画像再構成部は、
前記画像データのデータ忠実性更新を取得し、
前記画像データの正規化更新を取得し、
単一のステップで一緒に、先の逐次近似での前記画像データを前記データ忠実性更新と前記正規化更新の両方と共に線形的に組合わせることに従って、前記画像データを現在の逐次近似で更新する、
Ｘ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項２】
前記再構成部は、データ忠実性更新および前記正規化更新を、同時に取得する、請求項１に記載のＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項３】
前記再構成部は、前記データ忠実性更新および前記正規化更新を、連続的に取得する、請求項１に記載のＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項４】
前記再構成部は、前記データ忠実性更新が、前記正規化更新の前に取得される、請求項３に記載のＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項５】
前記再構成部は、前記正規化更新が、前記データ忠実性更新の前に取得される、請求項３に記載のＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項６】
前記再構成部は、係数を独立して決定して、前記データ忠実性更新と前記正規化更新とを取得する、請求項１に記載のＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項７】
前記再構成部は、前記データ忠実性更新が、同時代数的再構成法（ＳＡＲＴ）および代数的再構成法（ＡＲＴ）のうちの１つによって取得される、請求項１に記載のＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項８】
前記正規化更新が、全変動（ＴＶ）によって得られる、請求項１に記載の正規化に基づいて逐次近似再構成するＸ線コンピュータ断層撮影装置。
【請求項９】
投影データに対して、正規化に基づく逐次近似再構成を施して画像データを再構成する画像再構成部を具備する画像処理装置であって、
前記再構成部は、
前記画像データのデータ忠実性更新を取得し、
前記画像データの正規化更新を取得し、
単一のステップで一緒に、先の逐次近似での前記画像データを前記データ忠実性更新と前記正規化更新の両方と共に線形的に組合わせることに従って、前記画像データを現在の逐次近似で更新する、
画像処理装置。
【請求項１０】
投影データに対して、正規化に基づく逐次近似再構成を施して画像データを再構成する画像処理装置の画像処理方法であって、
前記画像データのデータ忠実性更新を取得し、
前記画像データの正規化更新を取得し、
単一のステップで一緒に、先の逐次近似での前記画像データを前記データ忠実性更新と前記正規化更新の両方と共に線形的に組合わせることに従って、前記画像データを現在の逐次近似で更新する、
ことを具備する画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｘ線コンピュータ断層撮影装置、画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本実施形態に係るＸ線コンピュータ断層撮影装置は、Ｘ線を発生するＸ線管と、前記Ｘ線管からのＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線検出器からの検出信号に基づく投影データに対して、正規化に基づく逐次近似再構成を施して画像データを再構成する画像再構成部と、を具備するＸ線コンピュータ断層撮影装置であって、
前記画像再構成部は、前記画像データのデータ忠実性更新を取得し、前記画像データの正規化更新を取得し、単一のステップで一緒に、先の逐次近似での前記画像データを前記データ忠実性更新と前記正規化更新の両方と共に線形的に組合わせることに従って、前記画像データを現在の逐次近似で更新する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行するワイヤと被加工物との間の放電により前記被加工物を加工するワイヤ放電加工装置であって、
前記被加工物と前記ワイヤとの間で放電加工されるために用いられる加工液が貯留される加工液槽と、
前記加工液槽の重力方向に関して上部に設けられ、前記加工液槽内に貯留される加工液の当該加工液槽からの流出を抑制するように、前記ワイヤと前記被加工物との間の放電加工部の四方を囲う流出抑制板と、
を備え、
前記流出抑制板は、前記流出抑制板と前記加工液槽との間に、前記ワイヤが走行するための隙間を形成するように設けられていることを特徴とするワイヤ放電加工装置。
【請求項２】
前記流出抑制板は、前記被加工物の真上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のワイヤ放電加工装置。
【請求項３】
前記ワイヤを走行させるガイドローラと、
前記ガイドローラと前記加工液槽との間で走行するワイヤ、又は前記ガイドローラに加工液を噴射する給水機構と、
前記ガイドローラと前記加工液槽との間のワイヤの下部に設けられた、前記給水機構により噴射された加工液を前記隙間に送り出す整流板と、
を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のワイヤ放電加工装置。
【請求項４】
前記給水機構は、ワイヤの走行方向の上流側に設けられたガイドローラと前記加工液槽との間のワイヤ、又は当該ガイドローラに前記加工液を噴射することを特徴とする請求項３に記載のワイヤ放電加工装置。
【請求項５】
前記給水機構は、ワイヤの走行方向の上流側に設けられたガイドローラと前記加工液槽との間のワイヤ、又は当該ガイドローラよりも上部に設けられていることを特徴とする請求項３又は４に記載のワイヤ放電加工装置。
【請求項６】
走行するワイヤと被加工物との間の放電により前記被加工物を加工するワイヤ放電加工装置におけるワイヤ放電加工方法であって、
加工液槽が、前記被加工物と前記ワイヤとの間で放電加工されるために用いられる加工液が貯留し、
前記加工液槽の重力方向に関して上部に設けられ、前記ワイヤと前記被加工物との間の放電加工部の四方を囲う流出抑制板が、前記加工液槽内に貯留される加工液の当該加工液槽からの流出を抑制し、
前記流出抑制板は、前記流出抑制板と前記加工液槽との間に、前記ワイヤが走行するための隙間を形成するように設けられていることを特徴とするワイヤ放電加工方法。
【請求項７】
請求項６に記載のワイヤ放電加工方法により、被加工物を放電加工されることにより加工された加工物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、走行するワイヤと被加工物との間の放電により前記被加工物を加工するワイヤ放電加工装置であって、前記被加工物と前記ワイヤとの間で放電加工されるために用いられる加工液が貯留される加工液槽と、前記加工液槽の重力方向に関して上部に設けられ、前記加工液槽内に貯留される加工液の当該加工液槽からの流出を抑制するように、前記ワイヤと前記被加工物との間の放電加工部の四方を囲う流出抑制板と、を備え、前記流出抑制板は、前記流出抑制板と前記加工液槽との間に、前記ワイヤが走行するための隙間を形成するように設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、走行するワイヤと被加工物との間の放電により前記被加工物を加工するワイヤ放電加工装置におけるワイヤ放電加工方法であって、加工液槽が、前記被加工物と前記ワイヤとの間で放電加工されるために用いられる加工液が貯留し、前記加工液槽の重力方向に関して上部に設けられ、前記ワイヤと前記被加工物との間の放電加工部の四方を囲う流出抑制板が、前記加工液槽内に貯留される加工液の当該加工液槽からの流出を抑制し、前記流出抑制板は、前記流出抑制板と前記加工液槽との間に、前記ワイヤが走行するための隙間を形成するように設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを中間転写体に付与することによって形成された中間画像を記録媒体に転写することで、画像を得る画像記録方法に用いる中間転写体の製造方法であって、
表面にシリコーンゴムを有する部材の前記表面に、シランカップリング剤を付与する付与工程と、
前記シランカップリング剤を付与した部材を加熱することによって、前記シリコーンゴムと、前記シランカップリング剤とを反応させる反応工程と
を有し、
前記シランカップリング剤が、下記の一般式Ｉで表される化合物であり、
（一般式Ｉ）
（Ｒ1Ｏ）3ＳｉＲ2Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）a（Ｃ3Ｈ6Ｏ）bＲ3
（式中、Ｒ1は炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１以上１０以下のアルキル基、またはフェニル基を表し、Ｒ3は水素原子、または炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、
ａは２以上２００以下の整数を表し、ｂは０以上２００以下の整数を表し、ただし、ａとｂとの合計は３以上２００以下の整数となる。）
前記反応工程における、加熱温度Ａが３７３Ｋ以上５２３Ｋ未満であり、加熱時間Ｂが２０分以上３５０分未満であり、
前記加熱温度Ａ及び前記加熱時間Ｂが、以下の式１を満たすことを特徴とする中間転写体の製造方法。
（式１）３，５００≦（Ａ−３６０）×Ｂ≦１２，０００
【請求項２】
前記加熱温度Ａが、３９０Ｋ以上４６０Ｋ以下である請求項１に記載の中間転写体の製造方法。
【請求項３】
前記加熱時間Ｂが、３０分以上３５０分未満である請求項１または２に記載の中間転写体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法より得られる中間転写体に、インクを付与すること
により中間画像を形成する工程と、
前記中間画像が形成された中間転写体に記録媒体を接触させて前記中間画像を前記記録媒体へ転写する工程とを含む、画像記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、インクを中間転写体に付与することによって形成された中間画像を記録媒体に転写することで、画像を得る画像記録方法に用いる中間転写体の製造方法であって、
表面にシリコーンゴムを有する部材の前記表面に、シランカップリング剤を付与する付与工程と、
前記シランカップリング剤を付与した部材を加熱することによって、前記シリコーンゴムと、前記シランカップリング剤とを反応させる反応工程と
を有し、
前記シランカップリング剤が、下記の一般式Ｉで表される化合物であり、
（一般式Ｉ）
（Ｒ1Ｏ）3ＳｉＲ2Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）a（Ｃ3Ｈ6Ｏ）bＲ3
（式中、Ｒ1は炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１以上１０以下のアルキル基、またはフェニル基を表し、Ｒ3は水素原子、または炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、
ａは２以上２００以下の整数を表し、ｂは０以上２００以下の整数を表し、ただし、ａとｂとの合計は３以上２００以下の整数となる。）
前記反応工程における、加熱温度Ａが３７３Ｋ以上５２３Ｋ未満であり、加熱時間Ｂが２０分以上３５０分未満であり、
前記加熱温度Ａ及び前記加熱時間Ｂが、以下の式１を満たすことを特徴とする中間転写体の製造方法である。
（式１）３，５００≦（Ａ−３６０）×Ｂ≦１２，０００。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に複数の流路及び該流路に連通した吐出口を形成する流路形成部材と、を有し、該吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドであって、
前記複数の流路間には隙間が形成されており、前記隙間には埋め込み材が埋め込まれており、
前記吐出口から液体が吐出される方向を上側としたときに、前記埋め込み材の上面は、前記流路形成部材のフェイス面と比較して、より上側の高さに位置することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
前記流路形成部材は無機材料で形成されている請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記埋め込み材は樹脂で形成されている請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
前記埋め込み材の上面は、シール部材でシールされている請求項１〜３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項５】
前記シール部材は、埋め込み材の上面上から前記流路形成部材のフェイス面上に渡って形成されており、流路形成部材とともに前記吐出口を形成している請求項４に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項６】
基板と、該基板上に複数の流路及び該流路に連通した吐出口を形成する流路形成部材と、を有し、該吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
基板上に、複数の流路の型となる型材を形成する工程と、
前記型材を覆うように流路形成部材を形成する工程と、
前記流路形成部材の吐出口を形成する領域を少なくとも覆うように、研削ストップ層を形成する工程と、
前記型材間に形成された隙間を充填するように、埋め込み材を塗布する工程と、
前記埋め込み材を研削して前記研削ストップ層を露出させる工程と、
前記研削ストップ層を除去する工程と、
前記流路形成部材に吐出口を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記研削ストップ層の露出の検知を、前記埋め込み材と前記研削ストップ層、または前記埋め込み材と前記流路形成部材との研削速度の違いを検出することで行う請求項６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記研削ストップ層の露出の検知を、前記埋め込み材と前記研削ストップ層、または前記埋め込み材と前記流路形成部材との反射率の違いを検出することで行う請求項６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記研削ストップ層は金属で形成されている請求項６〜８のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記研削ストップ層を除去した後、前記埋め込み材の上面上から前記流路形成部材のフェイス面上に渡ってシール部材を成膜する請求項６〜９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記研削ストップ層には吐出口パターンが形成されており、吐出口パターンが形成された研削ストップ層をマスクとして用いて前記流路形成部材に前記吐出口を形成する請求項６〜１０のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題は、以下の本発明によって解決される。即ち本発明は、基板と、該基板上に複数の流路及び該流路に連通した吐出口を形成する流路形成部材と、を有し、該吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドであって、前記複数の流路間には隙間が形成されており、前記隙間には埋め込み材が埋め込まれており、前記吐出口から液体が吐出される方向を上側としたときに、前記埋め込み材の上面は、前記流路形成部材のフェイス面と比較して、より上側の高さに位置することを特徴とする液体吐出ヘッドである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月11日(2016.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
利用者自身が簡単に装着できる外部装着製品からなる陰茎補綴物（１）であって、内部面又は内部層（２）及び外部面又は外部層（３）の、フレキシブルラテックス製の２つの層で形成された長方形状の本体で構成され、ラテックス製の２つの層の間には、ラテックスに固定された様々なフィン（４）が配置され、かつ上部と下部の側部端を画定する２つの接着エリア（５）も有していることを特徴とする陰茎補綴物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻取り芯材に積層シートを巻き付けてなる巻取りロールであって、
前記積層シートは、粘着シートと、前記粘着シートと接するように積層された緩和層を備え、
前記粘着シートは、基材フィルムと粘着剤層とを備え、
前記粘着シートと前記緩和層との剥離力が０．０２〜２Ｎ／２５ｍｍであり、
前記緩和層は、圧縮率が１．５〜１５％である層を有する巻取りロール。
【請求項２】
前記積層シートの先端部が、前記巻取り芯材と接着性部材により固定されていることを特徴とする請求項１記載の巻取りロール。
【請求項３】
前記緩和層が、剥離層と、クッション層とを備え、
前記クッション層は、圧縮率が１．５〜１５％であることを特徴とする請求項１又は２記載の巻取りロール。
【請求項４】
前記粘着シートの厚さ（Ａ）と前記緩和層の厚さ（Ｂ）は、（Ａ）／（Ｂ）＝０．５〜１０であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の巻取りロール。
【請求項５】
前記積層シートは、前記緩和層を前記巻取り芯材側にして巻き取られていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の巻取りロール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するための、研磨層を含むケミカルメカニカル研磨パッドであって、前記研磨層が、
多官能イソシアネートと、
少なくとも５重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を含み、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有する）；
２５〜９５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、高分子量ポリオール硬化剤は、２，５００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、高分子量ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均５〜７個のヒドロキシル基を有する）；及び
０〜７０重量％の二官能硬化剤
を含む硬化剤パッケージと
を含む原料成分の反応生成物を含み、
ここで、前記研磨層が、０．６g/cm3よりも高い密度；５〜４０のショアＤ硬さ；１００〜４５０％の破断点伸び；及び２５〜１５０μm/hrの切削速度を示し、前記研磨層が、前記基材を研磨するように適合された研磨面を有するケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項２】
前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が０．８５〜１．１５である、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項３】
前記多官能イソシアネートが、脂肪族多官能イソシアネート、芳香族多官能イソシアネート及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項４】
前記二官能硬化剤が、ジオール硬化剤及びジアミン硬化剤からなる群より選択される、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項５】
前記多官能イソシアネートが、２〜１２重量％の未反応ＮＣＯ基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーである、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項６】
前記硬化剤パッケージが、
５〜２０重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり２個の窒素原子を含み、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均４個のヒドロキシル基を有し、アミン開始ポリオール硬化剤は、２００〜４００の数平均分子量ＭNを有する）；
５０〜７５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、高分子量ポリオール硬化剤は、１０，０００〜１２，０００の数平均分子量ＭNを有し、高分子量ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均６個のヒドロキシル基を有する）；及び
１０〜３０重量％の二官能硬化剤（ここで、二官能硬化剤は、４，４′−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（ＭＢＯＣＡ）、４，４′−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である）
を含み、
前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が０．９５〜１．０５であり、
ここで、前記研磨層が、０．７５〜１．０g/cm3の密度；５〜２０のショアＤ硬さ；１５０〜３００％の破断点伸び；及び３０〜６０μm/hrの切削速度を示す、請求項５記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項７】
前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、５〜７重量％の未反応ＮＣＯ基を有し、前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、４００〜２，５００の数平均分子量ＭNを示す、請求項６記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項８】
前記研磨面が、その中に形成されたらせん溝パターンを有する、請求項７記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項９】
請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
多官能イソシアネートを提供すること、
（ｉ）少なくとも５重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を含み、アミン開始ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有する）；
（ii）２５〜９５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、高分子量ポリオール硬化剤は、２，５００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、高分子量ポリオール硬化剤は、１分子あたり平均５〜７個のヒドロキシル基を有する）；及び
（iii）０〜７０重量％の二官能硬化剤
を含む硬化剤パッケージを提供すること、
前記多官能イソシアネートと前記硬化剤パッケージとを混合して組み合わせを形成すること、及び
前記組み合わせを反応させて研磨層を形成すること
を含む方法。
【請求項１０】
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供すること、
請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、
研磨層の研磨面と前記基材との間に動的接触を生じさせて前記基材の表面を研磨すること、及び
砥粒コンディショナによって前記研磨面をコンディショニングすること
を含む、基材を研磨する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査窓に光学素子を切り換え配置する左右一対のレンズ室ユニットを備える検眼ユニットと、前記検眼ユニットを吊り下げ保持するための保持アームと、を備える検眼装置であって、
一端が基台によって固定される前記保持アームの他端側に前記検眼ユニットを連結するための連結アームを備え、前記連結アームは、被検者が視線を水平方向に向けて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置から、前記被検者が上体を傾けて視線を水平方向から下方に傾斜させて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置に移動させるため、前記検眼ユニットを前記保持アームに対して前記被検者の前方方向に移動させ、傾斜させる移動機構を備えること特徴とする検眼装置。
【請求項２】
前記連結アームは、前記連結アームの長手方向に延びるガイド部材と、前記検眼ユニットを支持し前記ガイド部材に沿って摺動自在に係合されたスライダと、を備え、
前記検眼ユニットを前記保持アームに対して前記被検者の前方方向に移動させ、傾斜させる請求項１の検眼装置。
【請求項３】
検査窓に光学素子を切り換え配置する左右一対のレンズ室ユニットを備える検眼ユニットと前記検眼ユニットを吊り下げ保持するための保持アームとを連結するための連結アームと、を備える検眼ユニット移動機構であって、
前記連結アームは、一端が基台によって固定された前記保持アームの他端側に前記検眼ユニットを連結し、被検者が視線を水平方向に向けて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置から、前記被検者が上体を傾けて視線を水平方向から下方に傾斜させて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置に移動させるため、前記連結アームは前記検眼ユニットを前記保持アームに対して前記被検者の前方方向に移動させ、傾斜させる移動機構を備えること特徴とする検眼ユニット移動機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  検査窓に光学素子を切り換え配置する左右一対のレンズ室ユニットを備える検眼ユニットと、前記検眼ユニットを吊り下げ保持するための保持アームと、を備える検眼装置であって、一端が基台によって固定される前記保持アームの他端側に前記検眼ユニットを連結するための連結アームを備え、前記連結アームは、被検者が視線を水平方向に向けて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置から、前記被検者が上体を傾けて視線を水平方向から下方に傾斜させて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置に移動させるため、前記検眼ユニットを前記保持アームに対して前記被検者の前方方向に移動させ、傾斜させる移動機構を備えること特徴とする。
（２）  検査窓に光学素子を切り換え配置する左右一対のレンズ室ユニットを備える検眼ユニットと前記検眼ユニットを吊り下げ保持するための保持アームとを連結するための連結アームと、を備える検眼ユニット移動機構であって、
前記連結アームは、一端が基台によって固定された前記保持アームの他端側に前記検眼ユニットを連結し、被検者が視線を水平方向に向けて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置から、前記被検者が上体を傾けて視線を水平方向から下方に傾斜させて自覚検査を行うときの前記検眼ユニットの位置に移動させるため、前記連結アームは前記検眼ユニットを前記保持アームに対して前記被検者の前方方向に移動させ、傾斜させる移動機構を備えること特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Iの化合物またはその薬学的に許容される塩：
2014097964.tif 000001
式中、
X1、X2、X3、X4、X5、X6、およびX7はそれぞれ独立に水素または重水素であり；
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、およびY6はそれぞれ独立にCH3またはCD3であり；
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、およびY6がいずれもCH3の場合、X1、X2、X3、X4、X5、X6、およびX7のうち少なくとも一つは重水素である。
【請求項２】
X1、X2、X3、およびX4が同一である、請求項1記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項３】
X6およびX7が同一である、請求項2記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項４】
Y1、Y2、およびY3が同一である、請求項2または3記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項５】
Y4、Y5、およびY6が同一である、請求項2〜4のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項６】
X6およびX7が同一である、請求項2〜5のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項７】
X5が重水素である、請求項1〜6のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項８】
C(Y1)(Y2)(Y3)およびC(Y4)(Y5)(Y6)の少なくとも一方がC(CD3)3である、請求項1〜7のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項９】
Y1、Y2、およびY3がCD3である、請求項1〜8のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１０】
Y4、Y5、およびY6がCD3である、請求項1〜9のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１１】
上記の任意の態様において重水素と指定されていない原子がいずれも、その天然同位体存在度で存在する、請求項1〜10のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１２】
式Iの化合物が、下記の表
2014097964.tif 000002
に記載の化合物のいずれか一つであり、重水素と指定されていない原子がいずれも、その天然同位体存在度で存在する、請求項1記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１３】
式Iの化合物が、下記の表
2014097964.tif 000003
に記載の化合物のいずれか一つであり、重水素と指定されていない原子がいずれも、その天然同位体存在度で存在する、請求項1記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１４】
式Iの化合物が、下記の表
2014097964.tif 000004
に記載の化合物のいずれか一つであり、重水素と指定されていない原子がいずれも、その天然同位体存在度で存在する、請求項1記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１５】
式Iの化合物が、
2014097964.tif 000005
である、請求項1記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１６】
式Iの化合物が、
2014097964.tif 000006
である、請求項1記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１７】
式Iの化合物において各々指定された重水素原子についての同位体濃縮が、少なくとも90％である、請求項1〜16のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１８】
式Iの化合物において各々指定された重水素原子についての同位体濃縮が、少なくとも95％である、請求項1〜16のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１９】
式Iの化合物において各々指定された重水素原子についての同位体濃縮が、少なくとも97％である、請求項1〜16のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項２０】
請求項1〜19のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、および薬学的に許容される担体を含む、薬学的組成物。
【請求項２１】
請求項1〜19のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩を含む、対象における嚢胞性線維症を治療するための薬学的組成物。
【請求項２２】
請求項1〜19のいずれか一項記載の化合物またはその薬学的に許容される塩を含む、対象における慢性閉塞性肺疾患（COPD）を治療するための薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月30日(2016.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セメント硬化物製の有底筒部材と、該有底筒部材の上端部の開口に着脱可能に設けられるセメント硬化物製の蓋部材とを備え、
前記有底筒部材及び前記蓋部材は、セメント、水、補強繊維、及び起泡剤をプレフォームしてなる泡が混練されており、該混練された混練物を養生固化してなる多孔質成形体からなり、該多孔質成形体中に前記補強繊維及び前記泡を分散状態で含有してなることを特徴とする放射性汚染物格納容器。
【請求項２】
前記有底筒部材及び前記蓋部材の比重は、０．８〜１．５の範囲内である請求項１に記載の放射性汚染物格納容器。
【請求項３】
前記蓋部材には、該蓋部材を運搬するための運搬補助具が取り付け可能に設けられている請求項１または２に記載の放射性汚染物格納容器。
【請求項４】
前記蓋部材には孔部が、前記有底筒部材には被締結部が、それぞれ設けられており、前記被締結部を介して、前記有底筒部材を個別に搬送、又は前記孔部及び前記被締結部を介して、前記蓋部材と前記有底筒部材とを一体的に搬送するための搬送補助部材を着脱可能に備えることができる請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射性汚染物格納容器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月18日(2016.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に挟まれたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は少なくとも第１の発光層と、第２の発光層とが積層された発光層を有し、
前記第１の発光層は、少なくとも第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第２の発光層は、少なくとも第３の有機化合物と、りん光発光物質とを有し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは第１の励起錯体を形成する組み合わせである発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に挟まれたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は少なくとも第１の発光層と、第２の発光層とが積層された発光層を有し、
前記第１の発光層は、少なくとも第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第２の発光層は、少なくとも第３の有機化合物と、第４の有機化合物と、りん光発光物質とを有し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは第１の励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記第３の有機化合物と前記第４の有機化合物とは第２の励起錯体を形成する組み合わせである発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光素子と、
前記発光素子を制御する手段を備えた発光モジュール。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を表示部に有し、
前記発光素子を制御する手段を備えた表示モジュール
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の発光素子と、
前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を表示部に有し、
前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項８】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月30日(2016.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光モジュール、表示モジュール、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に挟まれたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、第１の発光層と第２の発光層とが積層された発光層を少なくとも有し、
前記第１の発光層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含み、
前記第２の発光層は、第３の有機化合物と、第４の有機化合物と、を含み、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物は、第１の励起錯体を形成する機能を有し、
前記第３の有機化合物と、前記第４の有機化合物は、第２の励起錯体を形成する機能を有する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、第１の励起錯体と、第２の励起錯体とから発光を得る発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、外部量子効率が５％以上の発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の励起錯体が遅延蛍光を示す発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記発光層における電子と正孔の再結合領域が、前記第１の発光層と、前記第２の発光層との界面である発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物は、一方が電子輸送性を有する材料であり、他方が正孔輸送性を有する材料であり、
前記第３の有機化合物と前記第４の有機化合物は、一方が電子輸送性を有する材料であり、他方が正孔輸送性を有する材料である発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の発光素子において、
前記第１の電極と前記第２の電極が、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能し、
前記第１の発光層と前記第２の発光層のうち、
前記陽極として機能する電極側に位置する方の発光層は前記正孔輸送性を有する材料を多く含み、
前記陰極として機能する電極側に位置する方の発光層は前記電子輸送性を有する材料を多く含む発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の励起錯体と、前記第２の励起錯体とは、各々異なる波長にピークを有する光を発する発光素子。
【請求項９】
発光スペクトルに、二つの極大値を有する請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物の一方と、
前記第３の有機化合物と前記第４の有機化合物の一方とが同じ物質である発光素子。
【請求項１１】
白色発光を呈する請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光モジュール。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示モジュール。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、
第１の基板を有し、
前記第１の基板は、
ＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、
前記第１の隔壁上の第２の隔壁と、
前記第１の電極に重なり、発光性の有機化合物を含む発光層と、
前記発光層上の第２の電極と、
を有し、
前記第１の隔壁の断面形状は、上方に凸の曲率を有し、
前記第２の隔壁は、異なる色の画素間に配置され、
前記第２の隔壁の長手方向の長さは、画素の前記長手方向の大きさ以下であり、
前記第２の隔壁の断面形状は、逆テーパー形状であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
トップエミッション型有機ＥＬ表示装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する面上にカラーフィルター層及びブラックマトリクスを有する第２の基板と、を有し、
前記第１の基板は、
前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面上のＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、
前記第１の隔壁上の第２の隔壁と、
前記第１の電極に重なり、発光性の有機化合物を含む発光層と、
前記発光層上の第２の電極と、
を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の隔壁と前記ブラックマトリクスとが重なるように配置され、
前記第１の隔壁の断面形状は、上方に凸の曲率を有し、
前記第２の隔壁は、異なる色の画素間に配置され、
前記第２の隔壁の長手方向の長さは、画素の前記長手方向の大きさ以下であり、
前記第２の隔壁の断面形状は、逆テーパー形状であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の隔壁上の第３の隔壁を有し、
前記第３の隔壁は、同じ色の画素間に配置され、
前記第３の隔壁の長手方向の長さは、前記第１の電極の短手方向の大きさ以下であり、
前記第３の隔壁の断面形状は、逆テーパー形状であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測色材の表面に光を照射する発光素子と、
前記発光素子により光を照射され被測色材で反射された光を波長毎に分光する回折格子と、
複数の画素を備え、前記回折格子により分光された光を前記複数の画素で波長毎に受光する受光素子と、
を有する測色装置において、
前記発光素子と前記受光素子とは、同一基板上の同一側面に配置されていることを特徴とする測色装置。
【請求項２】
前記回折格子により分光され前記受光素子に受光される光の光路が、被測色材の表面に平行な仮想面に沿うように、前記回折格子と前記受光素子とが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の測色装置。
【請求項３】
前記基板のうち前記発光素子と前記受光素子とが配設されている表面と、前記仮想面とが互いに垂直であることを特徴とする請求項２に記載の測色装置。
【請求項４】
前記基板のうち前記発光素子と前記受光素子との間に穴が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項５】
前記基板には、前記発光素子と前記受光素子との間に、前記基板の他の部分よりも光を伝達しにくい材質の部分が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項６】
前記基板上には装置を制御する制御部が配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項７】
前記基板を位置決めするハウジングと、
前記発光素子から照射された光を前記被測色材に導光する第１導光手段と、
前記被測色材で反射された光を前記回折格子に導光する第２導光手段と、を備え、
前記ハウジングには、前記第１導光手段と、前記第２導光手段と、前記回折格子が配置
されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項８】
前記第２導光手段は、前記被測色材で第１の方向に反射された光を第２の方向に変えることで、反射された光を前記回折格子に導光することを特徴とする請求項７に記載の測色装置。
【請求項９】
前記基板は前記ハウジングに当接した状態で接着剤により接着されていることを特徴とする請求項７又は８のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項１０】
前記発光素子及び前記受光素子は、前記ハウジングの内部に配置されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項１１】
前記基板には、前記回折格子は配置されていないことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の測色装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の測色装置と、
記録材上に画像を形成する画像形成手段と、
制御手段と、
を有し、被測色材としての記録材に前記発光素子から光を照射し、前記記録材で反射された光を前記回折格子によって波長毎に分光して前記受光素子で受光し、前記制御手段が前記受光素子の出力に基づいて前記画像形成手段の画像形成条件を調整することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明にあっては、
被測色材の表面に光を照射する発光素子と、前記発光素子により光を照射され被測色材で反射された光を波長毎に分光する回折格子と、複数の画素を備え、前記回折格子により分光された光を前記複数の画素で波長毎に受光する受光素子と、を有する測色装置において、前記発光素子と前記受光素子とは、同一基板上の同一側面に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月5日(2016.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルの上部に配置されて少なくとも１つのタッチを認識するタッチスクリーンパネルと、を含み、
前記タッチスクリーンパネルは、
前記タッチが発生されるタッチ基板と、
前記タッチ基板上の第１端部に配置され、前記第１端部から見た前記タッチへの方向と、前記タッチ基板に平行の一基準方向との間の角度としての第１タッチ角をセンシングする第１角度センサーと、
前記タッチ基板上の前記第１端部と異なる第２端部に配置され、前記第２端部から見た前記タッチへの方向と、前記一基準方向との間の角度としての第２タッチ角をセンシングする第２角度センサーと、
前記タッチ基板と前記表示パネルとの間に、前記タッチ基板における前記第１端部又は前記第２端部に対応するように配置され、前記タッチの位置までの距離であるタッチ距離を算出するためのフォースセンサーと、
前記第１タッチ角、前記第２タッチ角、及び前記タッチ距離に基づいてタッチ座標を算出する演算部と、を含むタッチ表示装置。
【請求項２】
前記フォースセンサーは、前記タッチによって加えられた力であるセンサー力をさらに算出し、
前記演算部は、前記タッチ距離及び前記センサー力に基づいてタッチ力をさらに算出することを特徴とする請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項３】
前記第１角度センサー及び前記第２角度センサーの各々は赤外線カメラを含み、
前記赤外線カメラは、
赤外線光を出光する出光部と、
前記出光部から出光された前記赤外線光を受光する受光部と、
を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載のタッチ表示装置。
【請求項４】
前記フォースセンサーは、
前記タッチによって加えられた力に応じて抵抗値が変わるセンサー抵抗と、
前記センサー抵抗に直列に接続され、一定の抵抗値を有するフィルター抵抗と、
前記センサー抵抗と前記フィルター抵抗との間のノードに接続されたフォースセンシング部と、
を含み、
基準電圧を前記センサー抵抗及び前記フィルター抵抗によって分配させ、
前記フォースセンシング部は前記ノードにかかる分配電圧に基づいて、前記タッチ距離及び前記センサー力を算出することを特徴とする請求項２に記載のタッチ表示装置。
【請求項５】
前記タッチ基板は、平面視において四角形状であり、
前記第１端部は、前記タッチ基板の第１の隅角部であり、
前記第２端部は、前記第１の隅角部に隣接する第２の隅角部であることを特徴とする請求項２に記載のタッチ表示装置。
【請求項６】
前記タッチスクリーンパネルは、内側に開口を具備して前記タッチ基板の周縁を囲むタッチフレームをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のタッチ表示装置。
【請求項７】
前記タッチ基板と前記表示パネルとの間に、前記タッチ基板における、前記フォースセンサーと離隔された端部に対応するように配置された少なくとも１つ以上のサポーターをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のタッチ表示装置。
【請求項８】
前記演算部は、
前記タッチがシングルタッチであるか、或いはマルチタッチであるかを判断し、前記第１タッチ角、前記第２タッチ角、及び前記タッチ距離のうちの２つを利用して前記タッチの候補座標を算出する候補座標算出部と、
前記第１タッチ角、前記第２タッチ角、及び前記タッチ距離のうちの残り１つを利用して前記候補座標の中から前記タッチ座標を抽出する座標算出部と、
前記タッチ距離及び前記センサー力に基づいて前記タッチ力を算出するタッチ力算出部と、
を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載のタッチ表示装置。
【請求項９】
複数の画素領域が定義された下部基板と、
前記下部基板に対向し、少なくとも１つ以上のタッチが発生される上部基板と、
前記下部基板と前記上部基板との間に配置されて映像を表示する映像表示層と、
前記上部基板に平行な方向から、前記上部基板に隣接するように配置され、前記タッチの第１タッチ角をセンシングする第１角度センサーと、
前記上部基板に平行な方向から、前記上部基板に隣接するように配置され、前記第１角度センサーと離隔され、前記タッチの第２タッチ角をセンシングする第２角度センサーと、
前記上部基板と前記下部基板との間に、前記上部基板の端部に対応するように配置され、前記タッチの位置までの距離であるタッチ距離を算出するためのフォースセンサーと、
前記第１タッチ角、前記第２タッチ角、及び前記タッチ距離に基づいて、タッチ座標を算出する演算部と、を含むタッチ表示装置。
【請求項１０】
ユーザによって発生した少なくとも１つのタッチの第１タッチ角、第２タッチ角、タッチ距離、及びセンサー力をセンシングする段階と、
前記タッチがシングルタッチであるか、或いはマルチタッチであるかを判断する段階と、
前記タッチがシングルタッチである場合、タッチ座標とタッチ力を算出する段階と、
前記タッチがマルチタッチである場合、タッチ座標とタッチ力を算出する段階と、を含むタッチ表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月16日(2016.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリシステムであって、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルのアレイ内の複数のメモリセルに関して検知される電圧レベルに関連付けられるデータ出力信号を提供するように構成されるセンス増幅器回路であって、該センス増幅器回路は、前記検知される電圧レベルに対する読み取り検出窓を有する、センス増幅器回路と、
前記データ出力信号を受信し、少なくとも１つのエラー訂正制御（ＥＣＣ）ルーチンを適用することによって前記データ出力信号内のビットエラーを識別し訂正するように構成されるメモリ制御回路であって、前記メモリ制御回路は、識別されたビットエラーが前記少なくとも１つのＥＣＣルーチンによって訂正可能でないときに、少なくとも１つの動作パラメータを調整することによって、前記読み取り検出窓を変化させ、前記調整された少なくとも１つの動作パラメータを使用して、前記センス増幅器回路に、前記複数のメモリセルに関する電圧レベルを再検知させるようにさらに構成される、メモリ制御回路と、
データ記憶回路と、
を有し、前記メモリ制御回路は、検出されるが訂正可能でないビットエラーが訂正されるまで前記読み取り検出窓を変化させて訂正データを出力し、訂正可能でないエラーに対するアドレス及び訂正データを前記データ記憶回路に保存し、後続の読み出し動作が前記アドレスからデータを指定する場合、保存されている訂正データにアクセスするように構成されている、メモリシステム。
【請求項２】
前記少なくとも１つのＥＣＣルーチンは、シングルビットエラーおよびダブルビットエラーを識別するように構成され、シングルビットエラーのみを訂正するように構成される、請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記メモリセルのアレイは、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）セルのアレイを含み、前記少なくとも１つの動作パラメータは、前記センス増幅器回路に対する電流基準信号を含む、請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項４】
基準電流制御信号に基づいて前記センス増幅器回路に前記電流基準信号を提供するように構成される基準電流生成回路をさらに備え、前記メモリ制御回路は、識別されたビットエラーが訂正可能でないときに前記基準電流制御信号を調整するようにさらに構成される、請求項３に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記メモリ制御回路は、前記読み取り検出窓が調整窓にわたって変更されるように、前記基準電流制御信号を調整するように構成される、請求項４に記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記メモリセルのアレイは、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）セルのアレイを含み、前記少なくとも１つの動作パラメータは、前記複数のメモリセルに印加される読み出し電圧レベルを含む、請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記メモリ制御回路は、前記少なくとも１つの動作パラメータに関して調整限界に達している場合に読み出し失敗を報告するようにさらに構成される、請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項８】
前記メモリ制御回路は、訂正可能でないビットエラーが検出されると外部回路にホールドコマンドをアサートし、訂正データが確認されると前記ホールドコマンドをアサート解除するようにさらに構成される、請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項９】
メモリシステムからデータを読み出すための方法であって、
センス増幅器回路を使用してメモリセルのアレイ内の複数のメモリセルに関する電圧レベルを検知するステップであって、前記センス増幅器回路は前記検知される電圧レベルに対する読み取り検出窓を有する、検知するステップと、
前記複数のメモリセルに関する検知される電圧レベルに関連付けられるデータ出力信号内のビットエラーを識別し訂正するために、エラー訂正符号（ＥＣＣ）ルーチンを適用するステップと、
識別されたビットエラーが前記ＥＣＣルーチンを使用して訂正可能でないときに、少なくとも１つの動作パラメータを調整し、訂正可能でないエラーに対するアドレスを判定することによって、前記読み取り検出窓を変化させるステップと、
訂正可能でないエラーが前記ＥＣＣルーチンを使用して訂正可能になるまで、前記検知するステップ、前記適用するステップ、および前記変化させるステップを反復するステップと、
訂正データを出力するステップと、
前記訂正データ及び前記アドレスをデータ記憶回路に保存するステップと、
後続の読み出し動作が前記アドレスからデータを指定する場合、保存されている訂正データにアクセスするステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの動作パラメータについて調整限界に達している場合に、読み出し失敗を報告して前記反復するステップを終了するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＥＣＣルーチンは、シングルビットエラーおよびダブルビットエラーを識別し、シングルビットエラーのみを訂正するように構成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記メモリセルのアレイは、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）セルのアレイを含み、前記変化させるステップは、前記センス増幅器回路に対する電流基準信号を調整することによって前記読み取り検出窓を変化させるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記メモリセルのアレイは、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）セルのアレイを含み、前記変化させるステップは、前記複数のメモリセルに印加される読み出し電圧レベルを調整することによって前記読み取り検出窓を変化させるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
訂正可能でないビットエラーが検出される場合に外部回路にホールドコマンドをアサートするステップと、すべての識別されたビットエラーが前記ＥＣＣルーチンを使用して訂正可能になると前記ホールドコマンドをアサート停止するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリシステム及びデータ読出方法