【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イネーブル信号を受けるよう構成されたイネーブル端子と、
メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子と、
前記イネーブル端子および前記サプライ端子と結合された第１無線（ＲＦ）パワー増幅（ＰＡ）段と、を備え、
前記第１ＲＦＰＡ段は、
前記イネーブル信号を受けると共に前記イネーブル信号に応じてターンオンすることにより前記第１ＲＦＰＡ段をアクティブ化するよう構成された第１アクティブデバイスと、
前記第１アクティブデバイスと直列に結合された第２アクティブデバイスであって前記メインサプライ電圧を受けると共に前記メインサプライ電圧よりも低くかつその電圧とは独立した第１サプライ電圧を前記第１アクティブデバイスに提供するよう構成された第２アクティブデバイスと、
前記第１アクティブデバイスと前記第２アクティブデバイスとの間のノードと結合され、該ノードにおいてＲＦ信号をそらすバイパスキャパシタと、を含み、
前記第１アクティブデバイスまたは前記第２アクティブデバイスのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受け、増幅されたＲＦ出力信号を第２ＲＦＰＡ段へと通過させるよう構成される回路。
【請求項２】
前記第１アクティブデバイスは、前記ＲＦ入力信号を受け、前記増幅されたＲＦ出力信号を前記第２ＲＦＰＡ段へと通過させるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記第２アクティブデバイスは、前記第１アクティブデバイスと前記メインサプライ端子との間にアクティブ負荷を提供するよう構成される、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記第２アクティブデバイスは、前記ＲＦ入力信号を受け、前記増幅されたＲＦ出力信号を前記第２ＲＦＰＡ段へと通過させるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記イネーブル端子と前記第１アクティブデバイスとの間に結合され、前記第１アクティブデバイスをバイアスするバイアス制御モジュールをさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
前記第２ＲＦＰＡ段は、前記第１ＲＦＰＡ段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第３アクティブデバイスを含み、
前記第３アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧と等しい第２サプライ電圧を受けるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記ＲＦパワー増幅器はさらに第３ＲＦＰＡ段を含み、
前記第３ＲＦＰＡ段は、前記第２ＲＦＰＡ段のＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第４アクティブデバイスを含み、
前記第４アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧と等しい第３サプライ電圧を受けるよう構成される、請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記第２ＲＦＰＡ段は、前記第１ＲＦＰＡ段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第３アクティブデバイスを含み、
前記第３アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧よりも低い第２サプライ電圧を受けるよう構成され、
本回路はさらに、前記第２段のＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第４アクティブデバイスを含む第３ＲＦＰＡ段を備え、
前記第４アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧と等しい第３サプライ電圧を受けるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項９】
本回路の動的エラーベクトル振幅（ＥＶＭ）は３パーセント以下である、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
前記第１アクティブデバイスは第１ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、
前記第２アクティブデバイスは第２ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む、請求項１に記載の回路。
【請求項１１】
メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子と、
本ＲＦパワー増幅器をターンオンするためのイネーブル電圧を受けるよう構成されたイネーブル端子と、
第１段と、
第２段と、を備え
前記第１段は、
前記イネーブル端子と結合されたベース端子と、グランド端子と結合されたエミッタ端子と、コレクタ端子と、を有する第１トランジスタと、
前記メインサプライ端子と結合されたコレクタ端子と、前記第１トランジスタの前記コレクタ端子と結合されたエミッタ端子と、を有する第２トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタまたは前記第２トランジスタのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受けると共に増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成され、
前記第２段は、前記第１段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第３トランジスタを有し、
前記第３トランジスタは、前記イネーブル端子と結合されたベース端子と、前記メインサプライ端子と結合されたコレクタ端子と、前記グランド端子と結合されたエミッタ端子と、を有する無線（ＲＦ）パワー増幅器。
【請求項１２】
前記イネーブル端子と前記第１トランジスタの前記ベース端子との間に結合されたバイアス制御モジュールをさらに含む、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１３】
前記第１トランジスタは、前記ＲＦ入力信号を受けると共に前記増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成される、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１４】
前記第２トランジスタは、前記ＲＦ入力信号を受けると共に前記増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成される、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１５】
メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子と、
本ＲＦパワー増幅器をターンオンするためのイネーブル電圧を受けるよう構成されたイネーブル端子と、
前記イネーブル端子と結合されたベース端子と、グランド端子と結合されたエミッタ端子と、コレクタ端子と、を有する第１トランジスタと、
前記メインサプライ端子と結合されたコレクタ端子と、前記第１トランジスタの前記コレクタ端子と結合されたエミッタ端子と、を有する第２トランジスタと、
前記第２トランジスタの前記エミッタ端子と前記グランド端子との間に結合されたバイパスキャパシタと、を備え、
前記第１トランジスタまたは前記第２トランジスタのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受けると共に増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成される無線（ＲＦ）パワー増幅器。
【請求項１６】
無線通信ネットワークを介して伝送されるべき無線（ＲＦ）入力信号を生成するよう構成されたトランスミッタと、
前記トランスミッタと結合され、前記ＲＦ入力信号を増幅するよう構成されたＲＦパワー増幅器と、を備え、
前記ＲＦパワー増幅器はメインサプライ電圧を受けるよう構成され、
前記ＲＦパワー増幅器は、第１段と第２段とを含み、
前記第１段は、
前記ＲＦ入力信号を受けると共に増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成された第１トランジスタと、
前記第１トランジスタにかかる第１サプライ電圧が前記メインサプライ電圧よりも低くなるように前記第１トランジスタと直列に結合された第２トランジスタと、
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとの間の第１ノードと結合されたバイパスキャパシタと、を有し、
前記第２段は前記第１段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成され、
前記第２段は、第２サプライ電圧を受けるよう構成された第３トランジスタを有し、
前記第２サプライ電圧は前記第１サプライ電圧よりも高いシステム。
【請求項１７】
前記第１トランジスタはイネーブル端子と結合され、イネーブル信号を受けて前記第１トランジスタをターンオンするよう構成される、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第２トランジスタはイネーブル端子と結合され、イネーブル信号を受けて前記第２トランジスタをターンオンするよう構成される、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１９】
前記無線通信ネットワークは周波数分割複信（ＦＤＤ）を使用し、イネーブル信号は矩形波である、請求項１６に記載のシステム。