Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、発光素子と、前記発光素子の駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタを覆う絶縁膜と、を有し、
前記駆動用トランジスタは、前記絶縁表面上のゲート電極、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜、及び前記酸化物半導体膜と電気的に接続された一対の電極を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記発光素子が発する光が照射される位置に設けられ、
前記絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜であり、
前記発光素子は、前記一対の電極の一方と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極上の発光性の有機化合物を含む層、及び前記有機化合物を含む層上の第２の電極を有し、
前記駆動用トランジスタは、前記ゲート電極に印加される電位がソースの電位よりも高い場合、閾値電圧がプラス側に変動する特性を有する発光装置。
【請求項２】
絶縁表面上に、発光素子と、前記発光素子の駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタを覆う絶縁膜と、を有し、
前記駆動用トランジスタは、前記絶縁表面上のゲート電極、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜、及び前記酸化物半導体膜と電気的に接続された一対の電極を有し、
前記絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜であり、
前記発光素子は、前記一対の電極の一方と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極上の発光性の有機化合物を含む層、及び前記有機化合物を含む層上の第２の電極を有し、
前記第１の電極は、前記酸化物半導体膜と重なり、且つ、可視光を透過する領域を有し、
前記駆動用トランジスタは、前記ゲート電極に印加される電位がソースの電位よりも高い場合、閾値電圧がプラス側に変動する特性を有する発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜と前記絶縁膜との間に、酸素が拡散する酸化絶縁膜を有する発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴測定によるｇ値＝１．９３のスピン密度が検出下限以下である発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記発光素子と前記酸化物半導体膜の間に、前記発光素子が発し、前記酸化物半導体膜に照射される光の少なくとも一部を遮る機構が設けられていない発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
複数のセンサ回路と、を有し、
前記画素は、液晶素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記液晶素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記センサ回路は、アンプ回路と、複数の受光素子と、を有し、
前記アンプ回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記複数の受光素子は、それぞれ、第４のトランジスタを介して、前記アンプ回路と電気的に接続され、
前記センサ回路の数は、前記画素の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の画素と、
複数のセンサ回路と、を有し、
前記画素は、液晶素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記液晶素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記センサ回路は、アンプ回路と、複数の受光素子と、を有し、
前記アンプ回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記複数の受光素子は、それぞれ、第４のトランジスタを介して、前記アンプ回路と電気的に接続され、
前記アンプ回路の数は、前記画素の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の画素と、
複数のセンサ回路と、を有し、
前記画素は、液晶素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記液晶素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記センサ回路は、アンプ回路と、複数の受光素子と、を有し、
前記アンプ回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記複数の受光素子は、それぞれ、第４のトランジスタを介して、前記アンプ回路と電気的に接続され、
前記アンプ回路は、前記複数の受光素子で共有され、
前記アンプ回路は、前記複数の画素で共有され、
前記共有されている複数の受光素子の数は、前記共有されている複数の画素の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記受光素子は、非単結晶半導体層を有し、
前記非単結晶半導体層は、アモルファスシリコン層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第４のトランジスタの半導体層として、酸化物半導体材料を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第３のトランジスタの半導体層として、それぞれ、酸化物半導体材料を用いることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、負荷と、第１の容量素子と、第２の容量素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第５のスイッチと、を有し、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記負荷の一方の電極に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は第１の配線に接続され、
前記負荷の他方の電極は第２の配線に接続され、
前記第１のスイッチの一方の電極は第３の配線に接続され、
前記第１のスイッチの他方の電極は前記トランジスタのゲートに接続され、
前記第１の容量素子の一方の電極は前記第１のスイッチの他方の電極に接続され、
前記第１の容量素子の他方の電極は前記第２のスイッチの一方の電極に接続され、
前記第２のスイッチの他方の電極は第４の配線と接続され、
前記第３のスイッチの一方の電極は前記第２のスイッチの一方の電極に接続され、
前記第３のスイッチの他方の電極は前記第２の容量素子の一方の電極に接続され、
前記第２の容量素子の他方の電極は前記負荷の一方の電極に接続され、
前記第４のスイッチの一方の電極は前記トランジスタのゲートに接続され、
前記第４のスイッチの他方の電極は前記第２の容量素子の一方の電極に接続され、
前記第５のスイッチの一方の電極は前記負荷の一方の電極に接続され、
前記第５のスイッチの他方の電極は第５の配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタは、デプリーション型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
第１のスイッチは第１のトランジスタであり、第２のスイッチは第２のトランジスタであり、第３のスイッチは第３のトランジスタであり、第４のスイッチは第４のトランジスタであり、第５のスイッチは第５のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第５のトランジスタは、前記トランジスタと同じ導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記負荷は整流性を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通話の話題を予測する方法であって、
各々ウェブアクセス、タイムスタンプ、及びウェブサイトにアクセスしたユーザの識別子が含まれる、ウェブサイトの複数のウェブログの記録を有するウェブログを受信するステップと、
各々１つ以上の電話番号での通話に関する情報、通話の話題、タイムスタンプ、及びユーザの識別子を含む複数の通話ログの記録を有する通話ログを受信するステップと、
前記ウェブログのウェブサイトアクセスに関するユーザと、ウェブ−電話セッションの通話ログの前記通話に関するユーザとが同じであるように、パターン特定エンジンが、前記ウェブサイトアクセスと共に前記通話ログの前記通話を前記ウェブ−電話セッションのグループにまとめるステップと、
前記パターン特定エンジンが、前記ウェブ−電話セッションの前記ウェブログの記録の前記ウェブサイトアクセスでの話題、又は前記ウェブ−電話セッションの前記通話ログの記録の通話の話題に基づいて、前記ウェブ−電話セッションの一般的な話題を識別することにより、前記ウェブ−電話セッションの中の１つ以上のパターンを識別するステップと、
発信者から新しい通話を受信するステップと、
前記パターン特定エンジンが、１つ以上の以前のウェブサイトアクセスが、前記新しい通話に関連する前記発信者からの前記ウェブログの記録に存在することを特定するステップと、
前記以前のウェブサイトアクセスの１つ以上のための以前のウェブ−電話セッションからパターンを識別するために、前記以前のウェブサイトアクセスを判定するステップと、
前記パターン特定エンジンが、前記以前のウェブ−電話セッションから識別されたパターンに基づいて、前記新しい通話に関する通話の話題を予測するステップと、
処理装置が、前記予測された通話の話題を出力するステップと、
含む方法。
【請求項２】
前記発信者に前記予測された通話の話題を提供するステップと、
前記予測された通話の話題が正しいという肯定的な応答を、前記発信者から受信するステップと、
前記肯定的な応答の受信に応じて、前記予測された通話の話題に基づいて前記新しい通話を受信することができる業者又はシステムに、前記新しい通話を転送するステップと、
を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウェブサイトアクセスには、タイムスタンプが含まれ、
前記通話ログの記録には、時間が含まれ、
前記グループにまとめるステップは、同じ時間に生じたウェブサイトアクセスと通話ログの記録とを一致させるステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ウェブ−電話セッションの前記一般的な話題を識別するステップは、前記ウェブ−電話セッションの間にアクセスされた１つ以上のウェブサイトのページに基づく、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各ウェブログの記録には、一定の順序での複数のクリックを更に含む、
前記識別されたパターンには、１つ以上のウェブサイトアクセスのためのクリックの順番と、前記順番の各クリックの間の時間とが更に含まれる、
請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通話の話題を予測する方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月19日(2016.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャッシュメモリと、電源制御部と、演算装置と、を有し、
前記キャッシュメモリは、複数のキャッシュラインを有し、
前記キャッシュラインは、データフィールドと、タグフィールドと、を有し、
前記データフィールドは、主記憶装置のデータの一部を保存する機能を有し、
前記タグフィールドは、バリッドビットを有し、
前記タグフィールドは、前記データフィールドに保存されたデータの管理情報を保存する機能を有し、
前記バリッドビットは、前記データフィールドに保存されたデータおよび前記タグフィールドに保存された管理情報が有効か否かの情報を保存する機能を有し、
前記電源制御部は、前記データフィールド、前記タグフィールドおよび前記バリッドビットへの電源供給状態を決定する機能を有し、
前記演算装置は、前記バリッドビットに保存されたデータが有効か否かの第１の判断および、必要とするデータのアドレスが前記タグフィールドに保存されたデータと一致するか否かの第２の判断を行い、
前記演算装置は、前記第１の判断の結果および前記第２の判断の結果を前記電源制御部に出力する機能を有し、
前記データフィールド、前記タグフィールドおよび前記バリッドビットは、電源電圧の供給が行われない状況でも書き込まれた情報を保存するメモリセルを用いて構成され、
前記電源制御部は、
前記演算装置から前記キャッシュメモリへのデータ送受が行われない第１の場合において、
前記データフィールド、前記タグフィールドおよび前記バリッドビットへの電源電圧供給を停止状態とする処理を行い、
前記演算装置から前記キャッシュメモリへのデータ送受が行われる第２の場合において、
前記バリッドビットへの電源電圧供給と、
前記第１の判断によって前記バリッドビットに保存されたデータが有効と判断された前記キャッシュラインの前記タグフィールドへの電源電圧供給と、
前記第２の判断によって必要とするデータのアドレスが前記タグフィールドに保存されたデータと一致すると判断された前記キャッシュラインの前記データフィールドへの電源電圧供給とを行う、
ことを特徴とする中央処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記電源制御部が、
前記演算装置により前記第１の判断が行われた後、または前記第１の判断時に、前記バリッドビットへの電源電圧供給の停止を行うことを特徴とする中央処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記電源制御部が、
前記演算装置により前記第２の判断が行われた後、または前記第２の判断時に、前記タグフィールドへの電源電圧供給の停止を行うことを特徴とする中央処理装置。
【請求項４】
キャッシュメモリと、電源制御部と、演算装置と、を有し、
前記キャッシュメモリは、複数のキャッシュラインを有し、
前記キャッシュラインは、データフィールドと、タグフィールドと、を有し、
前記データフィールドは、主記憶装置のデータの一部を保存する機能を有し、
前記タグフィールドは、バリッドビットを有し、
前記タグフィールドは、前記データフィールドに保存されたデータの管理情報を保存する機能を有し、
前記バリッドビットは、前記データフィールドに保存されたデータおよび前記タグフィールドに保存された管理情報が有効か否かの情報を保存する機能を有し、
前記電源制御部は、前記データフィールド、前記タグフィールドおよび前記バリッドビットへの電源供給状態を決定する機能を有し、
前記演算装置は、前記バリッドビットに保存されたデータが有効か否かの第１の判断および、必要とするデータのアドレスが前記タグフィールドに保存されたデータと一致するか否かの第２の判断を行い、
前記演算装置は、前記第１の判断の結果および前記第２の判断の結果を前記電源制御部に出力する機能を有し、
前記データフィールド、前記タグフィールドおよび前記バリッドビットは、電源電圧の供給が行われない状況でも書き込まれた情報を保存するメモリセルを用いて構成され、
前記演算装置から前記キャッシュメモリへのデータ送受が行われない第１の場合においては、
前記電源制御部は、前記データフィールド、前記タグフィールドおよび前記バリッドビットへの電源電圧供給を停止し、
前記演算装置から前記キャッシュメモリへのデータ送受が行われる第２の場合においては、
第１の処理として、前記電源制御部が、前記バリッドビットに対して電源電圧供給を行い、
第２の処理として、前記演算装置が、前記第１の判断を行った結果を前記電源制御部に出力し、
第３の処理として、前記電源制御部が、前記第２の処理にて有効と判断された前記キャッシュラインの前記タグフィールドに対して電源電圧供給を行い、
第４の処理として、前記演算装置が、前記第２の判断を行った結果を前記電源制御部に出力し、
第５の処理として、前記電源制御部が、前記第４の処理にて一致と判断された前記キャッシュラインの前記データフィールドに対して電源電圧供給を行い、
第６の処理として、前記演算装置が、前記第４の処理にて電源電圧供給が行われた前記データフィールドのデータを読み出す、
ことを特徴とする中央処理装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記演算装置により前記第１の判断が行われた後、または前記第１の判断時に、前記バリッドビットへの電源電圧供給を停止することを特徴とする中央処理装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記演算装置により前記第２の判断が行われた後、または前記第２の判断時に、前記タグフィールドへの電源電圧供給を停止することを特徴とする中央処理装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月9日(2016.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、自発光素子と、を有し、
前記第２の画素は、受光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記自発光素子と電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記自発光素子と電気的に接続されている半導体装置。
【請求項２】
第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、自発光素子と、を有し、
前記第２の画素は、受光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記自発光素子と電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記自発光素子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタは、ビデオ信号に従って前記自発光素子に電流を供給する機能を有する半導体装置。
【請求項３】
第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、自発光素子と、を有し、
前記第２の画素は、受光素子を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記自発光素子と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記自発光素子と電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタは、ビデオ信号に従って前記自発光素子に電流を供給する機能を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のずれか一において、
前記半導体装置は、第１の期間及び第２の期間を有し、
前記第１の期間において、前記第１のトランジスタがオフ状態であり、かつ前記第２のトランジスタがオン状態であり、
前記第２の期間において、前記第１のトランジスタがオフ状態であり、かつ前記第２のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の期間において、前記自発光素子が発光状態になり、
前記第２の期間において、前記自発光素子が非発光状態になり、
前記自発光素子が発光状態になることで、前記第２の画素において第１の撮像データが取得され、
前記自発光素子が非発光状態になることで、前記第２の画素において第２の撮像データが取得される半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月4日(2016.5.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ退避時間制御回路と、
パワーゲーティング制御回路と、
汎用レジスタ、誤り訂正符号用レジスタ、及び誤り訂正符号回路を有するデータ処理回路と、を有し、
前記汎用レジスタ及び前記誤り訂正符号用レジスタは、それぞれ揮発性記憶部及び不揮発性記憶部を有し、
前記データ退避時間制御回路は、前記誤り訂正符号用レジスタに記憶された誤り訂正符号を前記誤り訂正符号回路で検出して得られるエラーの有無に従って、前記パワーゲーティング制御回路より出力され、前記汎用レジスタの揮発性記憶部から不揮発性記憶部に記憶するデータを記憶するためのデータ退避時間を変更する回路である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記誤り訂正符号回路は、
前記誤り訂正符号を生成するための誤り訂正符号計算回路と、
前記汎用レジスタの不揮発性記憶部に記憶された前記データを用いて前記誤り訂正符号計算回路によって計算された比較用誤り訂正符号と、前記誤り訂正符号用レジスタの不揮発性記憶部に記憶された前記誤り訂正符号とを比較して得られる比較結果を出力するための誤り訂正符号比較回路と、
前記誤り訂正符号に従って前記汎用レジスタに記憶された前記データを訂正する訂正回路と、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記データ退避時間制御回路は、
前記比較結果を保持するためのエラー信号記憶回路と、
前記比較結果に基づいて決定される前記データ退避時間の決定フラグを保持するためのデータ退避時間決定フラグ記憶回路と、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記パワーゲーティング回路は、前記データ退避時間制御回路によって制御されるデータ退避時間カウンターを有し、
前記データ退避時間カウンターは、前記データ退避時間カウンターのカウント値に従って、前記データ処理回路への電源供給を制御する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記不揮発性記憶部は、不揮発性記憶素子を有し、
前記不揮発性記憶素子は、酸化物半導体層を有するトランジスタを用いた電荷の保持により前記データまたは前記誤り訂正符号の保持を行う半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月2日(2016.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
高分子材料の多くは、一度酸化が始まると、次々と連鎖的に酸化劣化が起き、高分子素材の機能低下をもたらすことから、本発明の感光性組成物には酸化を防ぐために、（１）発生したラジカルを無効化するようなラジカル捕捉剤又は／及び（２）発生した過酸化物を無害な物質に分解し、新たなラジカルが発生しないようにする過酸化物分解剤などの酸化防止剤を添加することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ラジカル捕捉剤として働く酸化防止剤としては、例えば、ヒドロキノン、４−ｔ−ブチルカテコール、２−ｔ−ブチルヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２，２−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５−トリス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−Ｓ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン等のフェノール系、メトキノン、ベンゾキノン等のキノン系化合物、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−セバケート、フェノチアジン等のアミン系化合物等が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
前記表１及び表２中の酸価、エポキシ当量、二重結合当量は以下の方法で測定した。
＜有機成分総量に対する酸価の測定法＞
感光性組成物を７０℃、２４時間乾燥させて、有機溶剤を除去し、固形分を得た。固形分にアセトンを加えて溶解・分散させ、遠心分離機より、固形分からフィラーを分離した。フィラーを分離した有機成分を用いて、ＪＩＳ  Ｋ２５０１に従い、酸価を測定した。このようにして得られた酸価が、有機成分総量に対する酸価である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
試験管：
試験管としては、図１に示すように、内径３０ｍｍ、高さ１２０ｍｍの平底円筒型透明ガラス製のもので、管底から５５ｍｍ及び８５ｍｍの高さのところにそれぞれ標線２，３が付され、試験管の口をゴム栓４ａで密閉した液状判定用試験管１ａと、同じサイズで同様に標線が付され、中央に温度計を挿入・支持するための孔があけられたゴム栓４ｂで試験管の口を密閉し、ゴム栓４ｂに温度計５を挿入した温度測定用試験管１ｂを用いる。以下、管底から５５ｍｍの高さの標線を「Ａ線」、管底から８５ｍｍの高さの標線を「Ｂ線」という。
温度計５としては、ＪＩＳ  Ｂ７４１０（１９８２）「石油類試験用ガラス製温度計」に規定する凝固点測定用のもの（ＳＯＰ−５８目盛範囲２０〜５０℃）を用いるが、０〜５０℃の温度範囲が測定できるものであればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月16日(2016.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークにより接続された情報処理装置であって、
前記通信ネットワークに接続されたとき、前記通信ネットワーク内の１以上の機器から機器情報を取得し、利用可能な機器一覧に基づいて、該通信ネットワークに接続された機器のうち利用可能な機器があるかを判断する機器監視手段と、
前記機器監視手段により利用可能な機器があると判断されたとき、該利用可能な機器を使用するためのソフトウェアを特定し、特定した該ソフトウェアが当該情報処理装置に含まれていない場合、該ソフトウェアを取得する登録手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記登録手段で取得されたソフトウェアと、前記機器監視手段で取得した機器情報に基づいて、前記通信ネットワークに接続された前記利用可能な機器における利用可能な機能情報を、前記利用可能な機器と対応付けて管理する管理手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の情報処理装置であって、
前記通信ネットワーク内に接続された前記利用可能な機器のうち入力機能を利用可能な機器と、出力機能を利用可能な機器とを表示装置に表示する表示手段と、
前記表示手段で表示された前記入力機能を利用可能な機器のうち一の機器と、前記出力機能を利用可能な機器のうち他の機器と、の選択を受け付けると、選択された機器に対してジョブの実行要求を送信する送信手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の情報処理装置であって、
前記通信ネットワーク内に接続された前記利用可能な機器により実行可能な入力機能と出力機能の組み合わせを表示装置に表示し、表示された組み合わせのうち一の組み合わせが選択されると、該組み合わせの入力機能を利用可能な機器と出力機能を利用可能な機器とを前記表示装置に表示する表示手段
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の情報処理装置であって、
前記表示装置は、当該情報処理装置と接続される端末装置の表示装置であって、前記表示手段は、前記端末装置の表示装置に表示する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
端末装置と、情報処理装置とを含むシステムであって、
前記情報処理装置は、
通信ネットワークに接続されたとき、前記通信ネットワーク内の１以上の機器から機器情報を取得し、利用可能な機器一覧に基づいて、該通信ネットワークに接続された機器のうち利用可能な機器があるかを判断する機器監視手段と、
前記機器監視手段により利用可能な機器があると判断されたとき、該利用可能な機器を使用するためのソフトウェアを特定し、特定した該ソフトウェアが当該情報処理装置に含まれていない場合、該ソフトウェアを取得する登録手段と、
を有し、
前記端末装置は、
前記通信ネットワーク内に接続された前記利用可能な機器のうち入力機能を利用可能な機器と、出力機能を利用可能な機器とを表示装置に表示する表示手段と、
前記表示手段で表示された前記入力機能を利用可能な機器のうち一の機器と、前記出力機能を利用可能な機器のうち他の機器と、の選択を受け付けると、選択された機器におけるジョブの実行を前記情報処理装置に対して要求する送信手段と、
を有することを特徴とするシステム。
【請求項７】
コンピュータを、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の情報処理装置が有する各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、通信ネットワークにより接続された情報処理装置において、前記通信ネットワークに接続されたとき、前記通信ネットワーク内の１以上の機器から機器情報を取得し、利用可能な機器一覧に基づいて、該通信ネットワークに接続された機器のうち利用可能な機器があるかを判断する機器監視手段と、前記機器監視手段により利用可能な機器があると判断されたとき、該利用可能な機器を使用するためのソフトウェアを特定し、特定した該ソフトウェアが当該情報処理装置に含まれていない場合、該ソフトウェアを取得する登録手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブサーバにおけるクラウドコンピューティングによる会計処理を行うための会計処理装置であって、前記ウェブサーバは、
ウェブ明細データを取引ごとに識別し、
各取引を、前記各取引の取引内容の記載に含まれるキーワードに基づいて、各キーワードに対応づけられた１又は複数の勘定科目の出現頻度を参照して、特定の勘定科目に自動的に仕訳することを特徴とする会計処理装置。
【請求項２】
各キーワードに対応づけられた１又は複数の勘定科目の出現頻度は、キーワードごとに正規化されていることを特徴とする請求項１に記載された会計処理装置。
【請求項３】
前記仕訳は、勘定科目ごとに、各キーワードが有する出現頻度をスコアとして合計して、最も高いスコアの勘定科目に自動的に仕訳をすることを特徴とする請求項１又は２に記載の会計処理装置。
【請求項４】
一文字の記号又は数字のみのキーワードは、前記スコアの合計において考慮しないことを特徴とする請求項３に記載の会計処理装置。
【請求項５】
ユーザーが、自動的に仕訳された勘定科目を修正した場合に、取引内容の記載と修正された勘定科目との対応づけを、ユーザーごとのユーザールールとして、前記会計処理装置の記憶部に格納することを特徴とする請求項４に記載の会計処理装置。
【請求項６】
前記出現頻度は、複数のユーザーのユーザールールに基づいて定められることを特徴とする請求項５に記載の会計処理装置。
【請求項７】
前記出現頻度は、複数のユーザーをセグメント化した一部のユーザーのユーザールールに基づいて定められることを特徴とする請求項６に記載の会計処理装置。
【請求項８】
前記出現頻度は、各ユーザールールに含まれる取引内容の記載をキーワードに分節し、各キーワードにつき、修正された勘定科目の出現回数のカウントをインクリメントして定められることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の会計処理装置。
【請求項９】
前記キーワードは、形態素であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の会計処理装置。
【請求項１０】
ドメイン処理を要することなく前記形態素への分節が行われることを特徴とする請求項９に記載の会計処理装置。
【請求項１１】
ウェブサーバが提供するクラウドコンピューティングによる会計処理を行うための会計処理方法であって、
前記ウェブサーバが、ウェブ明細データを取引ごとに識別するステップと、
前記ウェブサーバが、各取引を、前記各取引の取引内容の記載に含まれるキーワードに基づいて、各キーワードに対応づけられた１又は複数の勘定科目の出現頻度を参照して、特定の勘定科目に自動的に仕訳するステップと
を含むことを特徴とする会計処理方法。
【請求項１２】
ウェブサーバが提供するクラウドコンピューティングによる会計処理を行うための会計処理プログラムであって、前記ウェブサーバに、
ウェブ明細データを取引ごとに識別するステップと、
各取引を、前記各取引の取引内容の記載に含まれるキーワード基づいて、各キーワードに対応づけられた１又は複数の勘定科目の出現頻度を参照して、特定の勘定科目に自動的に仕訳するステップと
を含むことを特徴とする方法を実行させるための会計処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の一態様によれば、ウェブ明細データから識別された各取引を、当該各取引の取引内容の記載に含まれるキーワードに基づいて、各キーワードに対応づけられた１又は複数の勘定科目の出現頻度を参照して、特定の勘定科目に自動的に仕訳することにより、発生主義の原則に従うべき時期的制約が緩やかである事業者に対し、簡便かつ安価な会計処理装置、会計処理方法及び会計処理プログラムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースであって、
複数のバッファと、
前記複数のバッファのうちの少なくとも１つのバッファに選択的に結合された第１のパッドと、
前記複数のバッファのうちの少なくとも１つのバッファに選択的に結合された第２のパッドと、
前記選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースが、第１の構成および第２の構成において構成されることを可能にするプログラム可能な論理と
を含み、
前記第１の構成における場合、前記選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースは、前記第１のパッドにおいてシングルエンド信号を受信することと、前記複数のバッファの中から前記第１のパッドに結合されたバッファにおいて前記信号をバッファリングすることとを行うように構成されており、
前記第２の構成における場合、前記選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースは、前記第１のパッドおよび前記第２のパッドにおいて差動信号を受信することと、前記複数のバッファの中から前記第１のパッドおよび前記第２のパッドに結合されたバッファにおいて前記差動信号をバッファリングすることとを行うように構成されている、選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項２】
前記差動信号は、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）信号を含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項３】
前記差動信号は、差動ＬＶＰＥＣＬ（Ｌｏｗ−Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｅｍｉｔｔｅｒ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｌｏｇｉｃ）信号を含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項４】
前記差動信号は、差動ＳＳＴＬ（Ｓｔｕｂ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ  Ｌｏｇｉｃ）信号を含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項５】
前記差動信号は、ＨｙｐｅｒＴｒａｎｓｐｏｒｔプロトコル差動信号を含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項６】
前記シングルエンド信号は、ＬＶＣＭＯＳ信号を含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項７】
前記シングルエンド信号は、ＳＳＴＬ（Ｓｔｕｂ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ  Ｌｏｇｉｃ）信号を含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項８】
プログラム可能な集積回路は、論理アレイブロックを含む、請求項１に記載の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェース。
【請求項９】
集積回路であって、前記集積回路は、
コア回路と、
前記コア回路に結合された複数の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースと
を含み、
前記複数の選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースの各々は、
複数のバッファと、
前記複数のバッファのうちの少なくとも１つのバッファに選択的に結合された第１のパッドと、
前記複数のバッファのうちの少なくとも１つのバッファに選択的に結合された第２のパッドと、
前記選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースが、第１の構成および第２の構成において構成されることを可能にするプログラム可能な論理と
を含み、
前記第１の構成における場合、前記選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースは、前記第１のパッドにおいてシングルエンド信号を受信することと、前記複数のバッファの中から前記第１のパッドに結合されたバッファにおいて前記信号をバッファリングすることとを行うように構成されており、
前記第２の構成における場合、前記選択的に構成可能なＩ／Ｏインターフェースは、前記第１のパッドおよび前記第２のパッドにおいて差動信号を受信することと、前記複数のバッファの中から前記第１のパッドおよび前記第２のパッドに結合されたバッファにおいて前記差動信号をバッファリングすることとを行うように構成されている、集積回路。
【請求項１０】
前記差動信号は、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）信号を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記差動信号は、差動ＬＶＰＥＣＬ（Ｌｏｗ−Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｅｍｉｔｔｅｒ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｌｏｇｉｃ）信号を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記差動信号は、差動ＳＳＴＬ（Ｓｔｕｂ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ  Ｌｏｇｉｃ）信号を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記差動信号は、ＨｙｐｅｒＴｒａｎｓｐｏｒｔプロトコル差動信号を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記シングルエンド信号は、ＬＶＣＭＯＳ信号を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１５】
前記シングルエンド信号は、ＳＳＴＬ（Ｓｔｕｂ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ  Ｌｏｇｉｃ）信号を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１６】
前記集積回路は、処理ユニットを含む、請求項９に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、ガラスフリットの溶融体または焼結体を含むガラス層を形成し、
前記ガラス層の上面に、該上面の一部が露出するように光吸収材を付着させ、
前記ガラス層の前記上面の露出した一部と第２の基板とを密着させ、
前記ガラス層及び前記光吸収材にレーザ光を照射して、前記ガラス層と前記第２の基板とを溶着させることを特徴とする基板の接合方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ガラス層上に、前記光吸収材が分散した樹脂を形成し、
前記樹脂の一部を除去して前記ガラス層上に前記光吸収材を付着させることを特徴とする基板の接合方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ガラス層は上面に凹凸形状を有することを特徴とする基板の接合方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の基板の接合方法において、
前記ガラス層を閉曲線状に形成し、
前記レーザ光を前記ガラス層に沿って走査しながら照射し、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記ガラス層に囲まれた閉空間を形成することを特徴とする封止体の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に、ガラスフリットの溶融体または焼結体を含むガラス層を閉曲線状に形成し、
前記ガラス層の上面に、該上面の一部が露出するように光吸収材を付着させ、
第２の基板上に、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子を形成し、
前記ガラス層の前記上面の露出した一部と前記第２の基板とを密着させ、
前記発光素子が前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記ガラス層に囲まれた閉空間内に設けられるように、前記ガラス層及び前記光吸収材にレーザ光を照射して前記ガラス層と前記第２の基板とを溶着させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月16日(2015.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、
前記投影光学系の光軸の方向に並んだ２枚の第１光学部材を含み、前記２枚の第１光学部材により第１方向の前記投影光学系の投影倍率、および、前記第１方向に直交する第２方向の前記投影光学系の投影倍率をそれぞれ調整可能な第１光学系と、
前記光軸の方向に並んだ２枚の第２光学部材を含み、前記２枚の第２光学部材により前記第１方向の投影倍率および前記第２方向の投影倍率のうち少なくとも一方を調整可能な第２光学系と、
を含み、
前記２枚の第１光学部材において互いに対面する面には、前記光軸に直交する方向における前記２枚の第１光学部材の位置を相対的にずらすことにより、前記第１方向の投影倍率および前記第２方向の投影倍率が変化する第１形状がそれぞれ形成され、
前記第１光学系は、前記物体面および前記像面のうち一方と前記投影光学系の瞳との間の光路に配置され、
前記第２光学系は、前記物体面および前記像面のうち他方と前記瞳との間の光路に配置されている、ことを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
前記第１形状は、前記光軸に直交する面上において互いに直交する方向をｘ方向およびｙ方向とした場合、ｘの３次の項およびｙの３次の項を含む形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【請求項３】
前記２枚の第２光学部材において互いに対面する面には、前記光軸に直交する方向における前記２枚の第２光学部材の位置を相対的にずらすことにより、前記第１方向の投影倍率および前記第２方向の投影倍率のうち少なくとも一方が変化する第２形状がそれぞれ形成されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の投影光学系。
【請求項４】
前記第２形状は、前記光軸に直交する面上において互いに直交する方向をｘ方向およびｙ方向とした場合、ｘの３次の項およびｙの３次の項のうち少なくとも一方を含む形状である、ことを特徴とする請求項３に記載の投影光学系。
【請求項５】
前記２枚の第１光学部材のうち少なくとも一方を、前記光軸に直交する方向に駆動する第１駆動部と、
前記２枚の第２光学部材のうち少なくとも一方を、前記光軸に直交する方向に駆動する第２駆動部と、
前記投影光学系の光学性能が目標性能となるように前記第１駆動部および前記第２駆動部を制御する制御部と、
を更に含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の投影光学系。
【請求項６】
前記２枚の第２光学部材において互いに対面する面には、前記光軸の方向における前記２枚の第２光学部材の位置を相対的にずらすことにより、前記第１方向の投影倍率および前記第２方向の投影倍率のうち少なくとも一方が変化するアナモルフィック形状がそれぞれ形成されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の投影光学系。
【請求項７】
前記２枚の第１光学部材のうち少なくとも一方を、前記光軸に直交する方向に駆動する第１駆動部と、
前記２枚の第２光学部材のうち少なくとも一方を、前記光軸の方向に駆動する第２駆動部と、
前記投影光学系の光学性能が目標性能となるように前記第１駆動部および前記第２駆動部を制御する制御部と、
を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の投影光学系。
【請求項８】
前記第１光学系は、前記物体面と前記瞳との間の光路に配置され、
前記第２光学系は、前記瞳と前記像面との間の光路に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の投影光学系を有し、
前記投影光学系を用いて前記物体面に配置されたマスクのパターンを前記像面に配置された基板に投影し、前記基板を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての投影光学系は、物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、前記投影光学系の光軸の方向に並んだ２枚の第１光学部材を含み、前記２枚の第１光学部材により第１方向の前記投影光学系の投影倍率、および、前記第１方向に直交する第２方向の前記投影光学系の投影倍率をそれぞれ調整可能な第１光学系と、前記光軸の方向に並んだ２枚の第２光学部材を含み、前記２枚の第２光学部材により前記第１方向の投影倍率および前記第２方向の投影倍率のうち少なくとも一方を調整可能な第２光学系と、を含み、前記２枚の第１光学部材において互いに対面する面には、前記光軸に直交する方向における前記２枚の第１光学部材の位置を相対的にずらすことにより、前記第１方向の投影倍率および前記第２方向の投影倍率が変化する第１形状がそれぞれ形成され、前記第１光学系は、前記物体面および前記像面のうち一方と前記投影光学系の瞳との間の光路に配置され、前記第２光学系は、前記物体面および前記像面のうち他方と前記瞳との間の光路に配置されている、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に表示領域を定め、薄膜トランジスタを含むディスプレイ部と、
前記ディスプレイ部を密封し、少なくとも第１無機膜、第１有機膜及び第２無機膜が順次に積層された封止層と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、活性層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び前記ゲート電極と前記ソース電極との間、並びに前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に配置される層間絶縁膜を含み、
前記第２無機膜は、前記表示領域の外部で、前記層間絶縁膜と接する、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２無機膜と前記層間絶縁膜は、同一の材質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記材質は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記ディスプレイ部は、有機発光素子をさらに含み、
前記有機発光素子は、
前記ソース電極または前記ドレイン電極のうちいずれか一つと連結された画素電極と、
前記画素電極上に配置され、有機発光層を含む中間層と、
前記中間層上に配置された対向電極と、を具備し、
前記第１無機膜は、前記対向電極上に位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記対向電極と前記第１無機膜との間に配置された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記保護層は、前記対向電極を覆うキャッピング層と、前記キャッピング層上の遮断層と、を含み、
前記遮断層は、ピンホール構造を有するフッ化リチウム（ＬｉＦ）から形成されたことを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１無機膜は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）から形成されたことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記封止層は、前記第２無機膜上に形成された第２有機膜と、前記第２有機膜上に形成された第３無機膜と、をさらに含み、
前記第３無機膜は、前記表示領域の外部で、前記第２無機膜の上面と接することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第２無機膜と前記第３無機膜は、同一の材質から形成されたことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積が、前記第１無機膜の面積より広いことを特徴とする請求項８または９に記載の有機発光表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機発光表示装置
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月17日(2016.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
キャリアと、
前記キャリアの第一部分に位置する第一発光素子であって、
第一主波長を有する第一光を発するための第一多重量子井戸構造；及び、
前記第一多重量子井戸構造の上に位置し、第二主波長を有する第二光を発するための第二多重量子井戸構造を含む、第一発光素子と、
前記キャリアの第二部分に位置する第二発光素子であって、
第三主波長を有する第三光を発するための第三多重量子井戸構造を含む、第二発光素子と、
を含み、
前記第一主波長と前記第二主波長との差は、5nm乃至30nmである、発光装置。
【請求項２】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第一多重量子井戸構造は、前記第二多重量子井戸構造と前記キャリアとの間に位置し、前記第一主波長は前記第二主波長よりも大きい、発光装置。
【請求項３】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第一多重量子井戸構造は、第一数量の多重量子井戸対を含み、前記第二多重量子井戸構造は、第二数量の多重量子井戸対を含み、前記第一数量は、前記第二数量とは異なる、発光装置。
【請求項４】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第一多重量子井戸構造及び前記第二多重量子井戸構造はともにInxGa1-xP又はInxGa1-xAsを含み、0＜x＜1である、発光装置。
【請求項５】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第一主波長と前記第二主波長は異なり、前記第三光は青色光である、発光装置。
【請求項６】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第一光、前記第二光及び前記第三光は、混合して混合光を生成し、前記混合光の演色指数は、90以上である、発光装置。
【請求項７】
請求項6に記載の発光装置であって、
前記混合光の赤色指数R9は、50以上である、発光装置。
【請求項８】
請求項6に記載の発光装置であって、
前記混合光の色温度は、約2700K〜3700Kの間にある、発光装置。
【請求項９】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第二主波長は、前記第三主波長よりも大きい、発光装置。
【請求項１０】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記第二発光素子の上に位置する波長変換層を更に含む、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる多層膜と、
前記多層膜に接する一対の電極と、
前記ゲート絶縁膜、前記多層膜、及び前記一対の電極を覆う第１の酸化物絶縁膜と、
前記第１の酸化物絶縁膜上の第２の酸化物絶縁膜とを有し、
前記多層膜は、酸化物半導体膜及び酸化物膜を有し、
前記第１の酸化物絶縁膜は、酸素を透過する酸化物絶縁膜であり、
前記第２の酸化物絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜であり、
前記第１の酸化物絶縁膜の膜厚は、前記第２の酸化物絶膜の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物膜は、Ｉｎ又はＧａを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、非晶質構造又は微結晶構造、又は結晶粒と非晶質領域を有する混合構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギー準位が、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギー準位よりも真空準位に近く、そのエネルギー準位の差が０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜及び前記酸化物膜が、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）であり、前記酸化物半導体膜と比較して、前記酸化物膜に含まれる前記Ｍの原子数比が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜と前記酸化物膜との間におけるシリコン濃度が、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、酸化物半導体膜及び酸化物膜を有する多層膜を形成し、
前記多層膜に接する一対の電極を形成し、
前記多層膜、及び前記一対の電極上に、第１の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第１の酸化物絶縁膜上に第２の酸化物絶縁膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上４００℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を２０Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に高周波電力を供給することにより、前記第１の酸化物絶縁膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することにより、前記第１の酸化物絶縁体より膜厚が大きい前記第２の酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、酸化物半導体膜及び酸化物膜を有する多層膜を形成し、
前記多層膜に接する一対の電極を形成し、
前記多層膜、及び前記一対の電極上に、第１の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第１の酸化物絶縁膜上に第２の酸化物絶縁膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を２００℃以上３７０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記第１の酸化物絶縁膜を形成し、
真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下に保持し、前記処理室に原料ガスを導入して前記処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給することにより、前記第１の酸化物絶縁体より膜厚が大きい前記第２の酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記第１の酸化物絶縁膜及び前記第２の酸化物絶縁膜として、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を原料ガスに用いて、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記第１の酸化物絶縁膜及び前記第２の酸化物絶縁膜として、シラン及び一酸化二窒素を原料ガスに用いて、酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。