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【手続補正書】
【提出日】平成28年10月6日(2016.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極限粘度［η］が５ｄＬ／ｇ以上４０ｄＬ／ｇ以下の超高分子量ポリエチレン樹脂と、該超高分子量ポリエチレン樹脂以外のポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物を得る第１の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体を得る第２の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物を得る第３以降の溶融混練工程と、を有する、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
【請求項２】
前記第１の溶融混練工程、前記第２の溶融混練工程、及び前記第３以降の溶融混練工程のうち少なくとも１つの工程で用いる前記ポリオレフィン樹脂のＭＦＲが、０．１〜８００ｄｇ／ｍｉｎである、請求項１に記載の超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
前記ポリオレフィン樹脂が、高密度ポリエチレンを含む、請求項１又は２に記載の超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
極限粘度［η］が５ｄＬ／ｇ以上４０ｄＬ／ｇ以下の超高分子量ポリエチレン樹脂と、該超高分子量ポリエチレン樹脂以外のポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して得られる、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物であって、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物を得る第１の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体を得る第２の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物を得る第３以降の溶融混練工程と、を含む方法によって製造され、
該超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の成形体断面の位相差顕微鏡観察において、位相差顕微鏡観察範囲０．８９９ｍｍ×０．６６８ｍｍ内で、屈折率の差によって観察される１０μｍ2以上の塊状物の個数が、２００個以下であり、屈折率の差によって観察される４００μｍ2以上の塊状物の個数が、２０個以下であり、屈折率の差によって観察される２００μｍ2以上、４００μｍ2未満の塊状物の個数が、５０個以下であり、且つ、前記位相差顕微鏡観察範囲中に占める１０μｍ2以上の前記塊状物の総面積が、前記位相差顕微鏡観察範囲面積に対して、７％以下である、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
〔１〕
極限粘度［η］が５ｄＬ／ｇ以上４０ｄＬ／ｇ以下の超高分子量ポリエチレン樹脂と、該超高分子量ポリエチレン樹脂以外のポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物を得る第１の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体を得る第２の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物を得る第３以降の溶融混練工程と、を有する、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
〔２〕
前記第１の溶融混練工程、前記第２の溶融混練工程、及び前記第３以降の溶融混練工程のうち少なくとも１つの工程で用いる前記ポリオレフィン樹脂のＭＦＲが、０．１〜８００ｄｇ／ｍｉｎである、前項〔１〕に記載の超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
〔３〕
前記ポリオレフィン樹脂が、高密度ポリエチレンを含む、前項〔１〕又は〔２〕のいずれか１項に記載の超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
〔４〕
極限粘度［η］が５ｄＬ／ｇ以上４０ｄＬ／ｇ以下の超高分子量ポリエチレン樹脂と、該超高分子量ポリエチレン樹脂以外のポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して得られる、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物であって、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物を得る第１の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂高濃度希釈物と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体を得る第２の溶融混練工程と、
前記超高分子量ポリエチレン樹脂組成物中間体と、前記ポリオレフィン樹脂と、を溶融混練して、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物を得る第３以降の溶融混練工程と、を含む方法によって製造され、
該超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の成形体断面の位相差顕微鏡観察において、位相差顕微鏡観察範囲０．８９９ｍｍ×０．６６８ｍｍ内で、屈折率の差によって観察される１０μｍ2以上の塊状物の個数が、２００個以下であり、屈折率の差によって観察される４００μｍ2以上の塊状物の個数が、２０個以下であり、屈折率の差によって観察される２００μｍ2以上、４００μｍ2未満の塊状物の個数が、５０個以下であり、且つ、前記位相差顕微鏡観察範囲中に占める１０μｍ2以上の前記塊状物の総面積が、前記位相差顕微鏡観察範囲面積に対して、７％以下である、超高分子量ポリエチレン樹脂組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月17日(2015.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式を有する化合物であって、ｍ、ｎが２以上である、化合物。
【化１】
2013122051.tif 000001
【請求項２】
前記化合物の分子における−ＮＨ2基の平均数は２である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記化合物は、１モルあたり９００ｇの分子量を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
前記化合物は、可視波長範囲の色を有する、請求項１に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のリフレクタと、
前記第１のリフレクタと第２のリフレクタとの間に配置された少なくとも一つの光源モジュールと、
を備え、
前記第２のリフレクタは、
底板と、
前記底板の第１の方向に向かい合って配置された第１の側板と、
前記第１の方向に垂直な第２の方向に向かい合って配置された第２の側板と、
前記第２の側板及び底板の少なくとも一方に形成された溝と、
前記溝内に形成された少なくとも一つの孔と、を有する、照明ユニット。
【請求項２】
前記光源モジュールは、前記第２のリフレクタの第１の側板の上部に配置され、光源と外部との電気的接続のための少なくとも一つのコネクタを有し、第２の側板の溝に隣接して配置される、請求項１に記載の照明ユニット。
【請求項３】
前記溝は、前記光源よりも前記コネクタに近接して配置される、請求項２に記載の照明ユニット。
【請求項４】
前記第２のリフレクタの底板の下部に配置されて前記光源モジュールを駆動する少なくとも一つの駆動部と、
前記溝及び前記孔に沿って配置され、前記光源モジュールと前記駆動部とを電気的に接続させる少なくとも一つの配線と、
をさらに備える、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項５】
前記溝は、幅と深さとが異なっている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項６】
前記溝の幅が前記溝の深さよりも小さい、請求項５に記載の照明ユニット。
【請求項７】
前記溝の幅と前記孔の幅とが互いに異なっている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項８】
前記溝の幅が前記孔の幅よりも大きい、請求項１乃至７のいずれかい一項に記載の照明ユニット。
【請求項９】
前記溝の幅と前記孔の幅とが同一である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項１０】
前記溝は、互いに向かい合っている第１及び第２の側面と、前記第１及び第２の側面の間に位置している底面と、を有し、
前記第１の側面と底面間の第１の角度、及び前記第２の側面と底面間の第２の角度の少なくとも一方が直角である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項１１】
前記溝は、互いに向かい合っている第１及び第２の側面と、前記第１及び第２の側面の間に位置している底面と、を有し、
前記第１の側面と底面間の第１の角度、及び前記第２の側面と底面間の第２の角度の少なくとも一方が鋭角である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項１２】
前記溝は、互いに向かい合っている第１及び第２の側面と、前記第１及び第２の側面の間に位置している底面と、を有し、
前記第１の側面と底面間の第１の角度は直角であり、且つ前記第２の側面と底面間の第２の角度は鋭角である、または、前記第１の側面と底面間の第１の角度は鋭角であり、且つ前記第２の側面と底面間の第２の角度は直角である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項１３】
前記溝は、互いに向かい合っている第１及び第２の側面と、前記第１及び第２の側面の間に位置している底面と、を有し、
前記第１の側面と第２の側面の少なくとも一方は、曲率を有する曲面である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項１４】
前記溝は、互いに向かい合っている第１及び第２の側面と、前記第１及び第２の側面の間に位置している底面と、を有し、
前記第１の側面は、第１の曲率を有する曲面であり、前記第２の側面は、第２の曲率を有する曲面である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明ユニット。
【請求項１５】
前記第２のリフレクタの底板が少なくとも一つの傾斜面を有する、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１６】
前記傾斜面は少なくとも一つの変曲点を有し、該変曲点を中心に隣接する傾斜面の曲率は互いに異なっている、請求項１５に記載の照明ユニット。
【請求項１７】
前記光源モジュールは、前記第１のリフレクタから第１の距離だけ離れており、前記第２のリフレクタから第２の距離だけ離れている、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１８】
前記第１の距離と第２の距離とが異なっている、請求項１７に記載の照明ユニット。
【請求項１９】
前記光源モジュールは、前記第１及び第２のリフレクタの少なくとも一方に接している、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【請求項２０】
前記第１のリフレクタは、前記光源モジュールに隣接した領域の厚さと、前記光源モジュールから遠い領域の厚さとが異なっている、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【請求項２１】
前記第１乃至１８のいずれか一項のリフレクタは、前記光源モジュールに面する表面上に反射パターンを有している、請求項１に記載の照明ユニット。
【請求項２２】
前記第１のリフレクタは、前記第２のリフレクタと異なる材質で形成される、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【請求項２３】
前記第２のリフレクタは、
少なくとも一つの傾斜面と、
前記少なくとも一つの光源モジュールに隣接して配置され、前記第１のリフレクタに平行である少なくとも一つの第１の平面と、
を含む、請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【請求項２４】
請求項１乃至２３のいずれか一項に記載の照明ユニットを用いるディスプレイ装置。
【請求項２５】
第１リフレクタ及び第２のリフレクタと、
前記第１のリフレクタと第２のリフレクタとの間に配置された少なくとも一つの光源モジュールと、
を含み、
前記第２のリフレクタは、
少なくとも一つの傾斜面と、
少なくとも一つの光源モジュールに隣接して配置され、前記第１のリフレクタに平行である少なくとも一つの第１の平面と、
を含む、照明ユニット。
【請求項２６】
前記少なくとも一つの傾斜面は、少なくとも一つの変曲点で互いに隣接して配置され、異なる曲率を有する複数の傾斜面を含む、請求項２５に記載の照明ユニット。
【請求項２７】
前記第２のリフレクタは、
前記少なくとも一つの光源に整列され、少なくとも一つの第１の平面である第１の領域と、
前記第１の領域から下方に傾斜している第１の傾斜面である第２の領域と、
前記第２の領域から上方に傾斜している第２の傾斜面である第３の領域と、を含み、
前記傾斜面は、前記第１の傾斜面及び前記第２の傾斜面を含む、請求項２５又は２６に記載の照明ユニット。
【請求項２８】
前記第１の傾斜面及び前記第２の傾斜面は、少なくとも一つの変曲点で互いに隣接して配置される、請求項２７に記載の照明ユニット。
【請求項２９】
前記第２の領域は、前記第１の領域及び前記第３の領域の間に配置され、
前記第３の領域は、前記第２の領域に隣接して配置される、請求項２７又は２８に記載の照明ユニット。
【請求項３０】
前記第１の傾斜面は、第１の曲率を有する曲面であり、
前記第２の傾斜面は、第２の曲率を有する曲面である、請求項２７乃至２９のいずれか一項に記載の照明ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月6日(2015.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池に用いられる電解質膜において、
少なくとも固体高分子膜を基材とする膜本体を備え、
前記膜本体は、
プロトンを電導するイオン交換基を含む親水部と、疎水性材料で形成された疎水部と
を有することを特徴とする電解質膜。
【請求項２】
前記疎水部は前記親水部を囲むように形成されていることを特徴とする請求項１記載の電解質膜。
【請求項３】
前記親水部は、前記膜本体の一側表面から他側表面に連通して形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電解質膜。
【請求項４】
前記親水部は、前記一側表面から前記他側表面に向かって先細形状に形成されていることを特徴とする請求項３記載の電解質膜。
【請求項５】
前記疎水部は、格子状に形成されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項６】
前記膜本体の一側表面及び他側表面の少なくともいずれか一方の少なくとも疎水部の表面にイオン交換基を含む表面層が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項７】
燃料が供給されるアノード電極と、
酸化剤が供給されるカソード電極と、
前記アノード電極と前記カソード電極間に設けられた請求項１〜６のいずれか１項に記載の電解質膜と
を備えることを特徴とする膜電極接合体。
【請求項８】
請求項７記載の膜電極接合体を備えたことを特徴とする燃料電池。
【請求項９】
燃料電池に用いられる電解質膜の製造方法において、
疎水性材料で形成された膜本体の一部に量子ビームを照射する工程と、
前記膜本体にスチレンモノマーをグラフト重合する工程と、
プロトンを電導するイオン交換基を導入する工程と
を備え、
前記イオン交換基を含む親水部を前記膜本体に形成することを特徴とする電解質膜の製造方法。
【請求項１０】
前記膜本体の一側表面の少なくともいずれか一方の少なくとも疎水部の表面にイオン交換基を含む表面層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項９記載の電解質膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のリフレクタと、
前記第１のリフレクタと第２のリフレクタとの間に配置された少なくとも一つの光源モジュールと、
前記光源モジュールを支持するブラケットと、
を備え、
前記ブラケットは、
前記第１及び第２のリフレクタの一側を連結するボディー部と、
前記ボディー部の内側面から突出している第１の締結部材と、
前記ボディー部の外側面から突出している第２の締結部材と、を備える、照明ユニット。
【請求項２】
前記ブラケットのボディー部は、前記第１のリフレクタに対して垂直な方向に配置される、請求項１に記載の照明ユニット。
【請求項３】
前記ブラケットのボディー部は、前記光源モジュールに接する第１のセグメントと、前記第２のリフレクタの一側に接する第２のセグメントと、を有する、請求項１または２に記載の照明ユニット。
【請求項４】
前記ボディー部の第１のセグメント及び第２のセグメントが互いにずれている、請求項３に記載の照明ユニット。
【請求項５】
前記ボディー部の第１のセグメントは第１の長さに形成され、前記ボディー部の第２のセグメントは第２の長さに形成され、前記第２の長さは前記第１の長さよりも大きい、請求項３または４に記載の照明ユニット。
【請求項６】
前記ボディー部の第１セグメントと第２のセグメントとを連結する連結部に前記第２の締結部材が配置される、請求項３乃至５のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項７】
前記ボディー部の第２のセグメントに少なくとも一つの締結孔が配置される、請求項３乃至６のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項８】
前記第１の締結部材は、前記ボディー部の内側面から垂直に前記第２のリフレクタの方向に突出している、請求項１乃至７のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項９】
前記第１の締結部材は、所定の間隔を有する複数の突起を有し、前記複数の突起のうち、前記光源モジュールに隣接している突起の高さは、前記光源モジュールから遠い突起の高さよりも小さい、請求項１乃至８のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１０】
前記複数の突起のいずれか一つは、前記第２の締結部材と対応して配置される、請求項９に記載の照明ユニット。
【請求項１１】
前記互いに隣接している突起の間には少なくとも一つの締結孔が配置されている、請求項９または１０に記載の照明ユニット。
【請求項１２】
前記第２の締結部材は、前記ボディー部の外側面から垂直に前記第２のリフレクタの反対方向に突出している、請求項１乃至１１のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１３】
前記第２の締結部材には少なくとも一つの締結孔が形成されている、請求項１乃至１２のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１４】
前記第２の締結部材の一側面はカバー部材と接触し、前記カバー部材は前記第１のリフレクタから離れて前記第１のリフレクタをカバーする、請求項１乃至１３のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１５】
前記カバー部材と前記第１のリフレクタとの間には光学部材が配置される、請求項１４に記載の照明ユニット。
【請求項１６】
前記カバー部材の長さは、前記第１のリフレクタと前記第２の締結部材とを合わせた長さよりも大きい、請求項１４または１５に記載の照明ユニット。
【請求項１７】
前記第２の締結部材の長さは、前記第１のリフレクタの長さよりも大きい、請求項１乃至１６のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１８】
前記ブラケットは、前記第１のリフレクタと同じ材質で形成される、請求項１乃至１７のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１９】
前記第２のリフレクタは、互いに隣接している第１及び第２の傾斜面を有し、
前記第１の傾斜面は前記光源モジュールに隣接して上方に傾斜しており、前記第２の傾斜面は前記第１の傾斜面に隣接して下方に傾斜している、請求項１乃至１８のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項２０】
前記第１の傾斜面は、第１の曲率を有する曲面であり、前記第２の傾斜面は、第２の曲率を有する曲面であり、前記第１の曲率と第２の曲率とが互いに異なっている、請求項１９に記載の照明ユニット。
【請求項２１】
前記第１の傾斜面は、第１の勾配を有する平面であり、前記第２の傾斜面は、第２の勾配を有する平面であり、前記第１の勾配と第２の勾配とが互いに異なっている、請求項１９または２０に記載の照明ユニット。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の照明ユニットを用いるディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月11日(2015.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再構成可能ＣＧＡプロセッサであって、
少なくとも１つのミニコアを含み、
前記少なくとも１つのミニコアのそれぞれは、互いに異なる計算機能力を有する少なくとも２つの機能ユニットを含み、
前記機能ユニットのそれぞれは、演算を実行するよう構成される少なくとも１つの演算素子を有し、
前記機能ユニットの前記演算素子は、前記機能ユニットのうちの少なくとも２つに含まれる少なくとも１つの演算素子を有し、
前記少なくとも１つのミニコアのそれぞれは、前記再構成可能ＣＧＡプロセッサを設計し又は拡張する基本単位と定められ、
前記機能ユニットのそれぞれの前記計算機能力は、前記機能ユニットのそれぞれに含まれる前記少なくとも１つの演算素子のそれぞれの種類に基づいて定められる、
再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項２】
前記機能ユニットの前記演算素子は、前記機能ユニット間に共通しない少なくとも１つの演算素子をさらに含む、請求項１に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのミニコアのそれぞれは、前記機能ユニットが接続される内部ネットワークをさらに含む、請求項１に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項４】
前記少なくとも１つのミニコアのそれぞれは、前記機能ユニットの個々の部分的計算機能力の組合せにより定められる全体計算機能力を有する、請求項１に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのミニコアのそれぞれが接続される外部ネットワークをさらに含む請求項１に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項６】
再構成可能ＣＧＡプロセッサであって、
複数のミニコアと、
前記ミニコアが接続される外部ネットワークと、
を有し、
前記ミニコアのそれぞれは、
第１演算素子グループを含む第１機能ユニットと、
前記第１演算素子グループと異なる第２演算素子グループを含む第２機能ユニットと、
前記第１及び第２機能ユニットが接続される内部ネットワークと、
を含み、
前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループは、前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループの両方に含まれる少なくとも１つの演算素子を有し、
前記少なくとも１つのミニコアのそれぞれは、前記再構成可能ＣＧＡプロセッサを設計する又は拡張する基本単位と定められ、
前記第１機能ユニットの計算機能力は、前記第１機能ユニットに含まれる前記少なくとも１つの演算素子のそれぞれの種類に基づいて定められ、
前記第２機能ユニットの計算機能力は、前記第２機能ユニットに含まれる前記少なくとも１つの演算素子のそれぞれの種類に基づいて定められる、
再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項７】
前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループは、前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループに共通しない少なくとも１つの演算素子を更に有する、請求項６に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項８】
前記ミニコアのそれぞれは、ＣＧＡプロセッサまたはＶＬＩＷプロセッサを設計する又は拡張する基本単位と定められる、請求項６に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項９】
コースグレインアレイ（ＣＧＡ）モードに切り換えるよう前記ミニコアを制御するモード制御信号を生成するよう構成されるモード制御部をさらに含む、請求項６に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項１０】
前記ミニコアが、前記ＣＧＡモードであるときには、第１ミニコアグループがＧＣＡプロセッサで動作する、請求項９に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項１１】
前記ミニコアのうちの如何なるものも、前記第１ミニコアグループと前記第２ミニコアグループのいずれにも属しない、請求項１０に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項１２】
前記ミニコアのうちの少なくとも１つは、前記第１ミニコアグループと前記第２ミニコアグループとにいずれも属する、請求項１０に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項１３】
前記外部ネットワークに接続され、前記ＣＧＡモードで前記第１ミニコアグループの間の連結についての設定情報を保存する構成メモリと、
前記外部ネットワークに連結され、前記ＣＧＡモードで、前記第１ミニコアグループのコンテキスト情報を保存するグローバルレジスタファイルと、
をさらに含む請求項１０に記載の再構成可能ＣＧＡプロセッサ。
【請求項１４】
再構成可能プロセッサであって、
第１演算素子グループを有する第１機能ユニットと、
前記第１演算素子グループと異なる第２演算素子グループを有する第２機能ユニットと、
前記第１機能ユニット及び前記第２機能ユニットが接続される内部ネットワークと、
を有し、
前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループは、前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループの両方に含まれる少なくとも１つの演算素子を有し、
前記第１機能ユニットの計算機能力は、前記第１機能ユニットに含まれる前記少なくとも１つの演算素子のそれぞれの種類に基づいて定められ、
前記第２機能ユニットの計算機能力は、前記第２機能ユニットに含まれる前記少なくとも１つの演算素子のそれぞれの種類に基づいて定められる、
再構成可能プロセッサ。
【請求項１５】
前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループは、前記第１演算素子グループ及び前記第２演算素子グループの両方に共通しない少なくとも１つの演算素子をさらに含む、請求項１４に記載の再構成可能プロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルからデータを読み取ったり、前記メモリセルにデータを書き込んだりする動作のためのメモリ装置において、
データ伝送とメモリカラム選択のための第１スイッチと、
前記データ伝送と前記メモリカラム選択のために前記メモリセルと直接接続される第２スイッチと、
前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間に位置し、前記データの増幅又は保存のためのセンシング及びラッチ回路とを有することを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
前記第１スイッチは、書き込み又は読み取りのための第１カラム選択信号に従って制御されることを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記第２スイッチは、書き込みのための第２カラム選択信号、又は読み取りのための第３カラム選択信号によって制御されることを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記メモリセルは、抵抗性メモリセルで構成されることを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項５】
メモリセルにデータを書き込むためのメモリ装置において、
入力回路と接続され、第１カラム選択信号によって調節される第１スイッチと、
前記メモリセルと接続され、書き込みカラム選択信号によって調節される書き込みスイッチと、
前記第１スイッチと前記書き込みスイッチとの間に位置し、前記データを臨時に保存するためのセンシング及びラッチ回路とを有することを特徴とするメモリ装置。
【請求項６】
前記書き込みカラム選択信号は、前記第１カラム選択信号によって活性化され、前記第１カラム選択信号が遅延装置に伝達され生成された遅延信号によって非活性化されることを特徴とする請求項５に記載のメモリ装置。
【請求項７】
前記第１スイッチと前記書き込みスイッチが、前記第１カラム選択信号と前記書き込みカラム選択信号によって同時にオンになることを特徴とする請求項５に記載のメモリ装置。
【請求項８】
前記書き込みカラム選択信号の活性化時間が、前記第１カラム選択信号の活性化時間より長いことを特徴とする請求項５に記載のメモリ装置。
【請求項９】
前記センシング及びラッチ回路は、データの臨時保存のためにラッチ（Ｌａｔｃｈ）回路を含むことを特徴とする請求項５に記載のメモリ装置。
【請求項１０】
前記メモリセルは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭ（Ｓｐｉｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｔｏｒｑｕｅ−Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）セルで構成されることを特徴とする請求項５に記載のメモリ装置。  
【請求項１１】
メモリセルからデータを読み取りするためのメモリ装置において、
出力回路に接続され、第１カラム選択信号によって調節される第１スイッチと、
メモリセルに接続され、読み取りカラム選択信号によって調節される読み取りスイッチと、
前記第１スイッチと前記読み取りスイッチとの間に位置し、前記データの増幅のためのセンシング及びラッチ回路とを有することを特徴とするメモリ装置。
【請求項１２】
前記センシング及びラッチ回路は、ビットライン信号と相補ビットライン信号を受信し、前記相補ビットライン信号は、レファレンス生成器から生成されることを特徴とする請求項１１に記載のメモリ装置。
【請求項１３】
前記センシング及びラッチ回路と前記読み取りスイッチとの間にミラー回路（Ｍｉｒｒｏｒ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が接続されることを特徴とする請求項１１に記載のメモリ装置。
【請求項１４】
前記ミラー回路は、第１トランジスタと第２トランジスタで構成され、前記第１トランジスタは、前記第２トランジスタよりサイズが大きいことを特徴とする請求項１３に記載のメモリ装置。
【請求項１５】
前記読み取りカラム選択信号は、ワードライン信号に応答して読み取りカラム選択信号生成器によって生成されることを特徴とする請求項１１に記載のメモリ装置。
【請求項１６】
前記センシング及びラッチ回路は、交差結合型のセンスアンプ（Ｃｒｏｓｓ−ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｓｅｎｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）で構成されることを特徴とする請求項１１に記載のメモリ装置。
【請求項１７】
前記レファレンス生成器は、少なくとも２つ以上のメモリセルを含み、前記センシング及びラッチ回路の相補ビットラインに接続されることを特徴とする請求項１２に記載のメモリ装置。
【請求項１８】
前記メモリセルの保存されたデータは、互いに相補関係にあることを特徴とする請求項１７に記載のメモリ装置。
【請求項１９】
前記レファレンス生成器は、少なくとも２つ以上のミラー回路と最小限２つのスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のメモリ装置。
【請求項２０】
データの書き込み動作と読み取り動作をするメモリ装置のセンシング及びラッチ回路において、
データを書き込むためにメモリセルに接続される第１ビットラインと、
データの読み取りのために前記メモリセルに接続される第２ビットラインと、
データの読み取りのための前記第２ビットラインの相補ビットラインと、
前記第１ビットライン、前記第２ビットライン、及び前記相補ビットラインが接続される交差結合ラッチ回路を含むセンシング及び保存ユニットとを有し、
前記第１ビットラインと前記第２ビットラインは、それぞれ分離して前記センシング及び保存ユニットに接続されることを特徴とするセンシング及びラッチ回路。
【請求項２１】
プリチャージ回路と、
等化回路とをさらに有することを特徴とする請求項２０に記載のセンシング及びラッチ回路。
【請求項２２】
前記センシング及び保存ユニットと前記プリチャージ回路と前記等化回路は、活性化信号（ＥＶＡＬ）により活性化することを特徴とする請求項２１に記載のセンシング及びラッチ回路。
【請求項２３】
前記プリチャージ回路は、２つのＰＭＯＳトランジスタで構成され、前記等化回路は１つのＰＭＯＳトランジスタで構成されることを特徴とする請求項２１に記載のセンシング及びラッチ回路。
【請求項２４】
前記相補ビットラインは、少なくとも２つ以上のレファレンスセルを含むレファレンス生成器と接続されることを特徴とする請求項２０に記載のセンシング及びラッチ回路。
【請求項２５】
前記メモリセルは、抵抗性メモリで構成されることを特徴とする請求項２０に記載のセンシング及びラッチ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリ装置とセンシング及びラッチ回路  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体メモリ装置に関し、特に、磁気（Ｍａｇｎｅｔｉｃ）メモリセル（Ｃ
ｅｌｌ）を含むメモリ装置の書き込みと読み取りに対する装置とセンシング及びラッチ回路に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月1日(2015.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振器を点火器に結合するための点火リードであって、
前記励振器から前記点火器に高電圧を伝導する中心導体と、
前記中心導体を囲み且つ該中心導体を周囲環境から保護する導管と、
前記導管に取り付けられた導電性材料の連続層を含む電気的リターンパスと、
を備え、
前記導管が第１の連続金属層を含み、前記連続層が第２の連続金属層を含む
点火リード。
【請求項２】
前記導管が、前記中心導体に対してエアギャップを形成する、請求項１に記載の点火リード。
【請求項３】
前記連続層が、前記導管の内面及び外面の一方に取り付けられる、請求項１又は２に記載の点火リード。
【請求項４】
前記第２の連続金属層が、前記第１の連続金属層よりも導電性が高い、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の点火リード。
【請求項５】
前記第１の連続金属層が、前記第２の連続金属層よりも酸化性が低い、請求項４に記載の点火リード。
【請求項６】
前記第１の連続金属層が、少なくともニッケル及び鉄の組成物を含み、前記第２の連続金属層が、少なくとも銅を有する組成物を含む、請求項５に記載の点火リード。
【請求項７】
前記第１及び第２の連続層が、バイメタルストリップから形成される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の点火リード。
【請求項８】
前記バイメタルストリップが巻線形である、請求項７に記載の点火リード。
【請求項９】
前記バイメタルストリップが、渦巻き状に形成される、請求項７に記載の点火リード。
【請求項１０】
前記バイメタルストリップが可撓性である、請求項７に記載の点火リード。
【請求項１１】
前記中心導体を囲み且つ該中心導体を前記導管及び前記電気的リターンパスから電気的に絶縁する電気絶縁ジャケットを更に備える、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の点火リード。
【請求項１２】
前記導管を囲む摩擦ガードを更に備える、請求項１１に記載の点火リード。
【請求項１３】
励振器を点火器に結合するための点火リードであって、
前記励振器から前記点火器に高電圧を伝導する中心導体と、
少なくとも第１の連続金属層及び第２の連続金属層を有する巻線形の多層ストリップから形成され、前記第１の連続金属層及び第２の連続金属層が異なる無線周波数シールド特性を有する導管と、
を備え、前記第１の連続金属層及び第２の連続金属層が、前記中心導体を囲み且つ該中心導体を周囲環境から保護し、前記第１の連続金属層及び第２の連続金属層のうちの一方が電気的リターンパスを提供する、点火リード。
【請求項１４】
前記導管が、前記中心導体に対するエアギャップを形成する、請求項１３に記載の点火リード。
【請求項１５】
前記電気的リターンパスを提供する前記第１の連続金属層及び第２の連続金属層のうちの一方が、前記第１の連続金属層及び第２の連続金属層のうちの他方と前記中心導体との間に位置付けられる、請求項１３又は１４に記載の点火リード。
【請求項１６】
前記中心導体を囲み且つ該中心導体を前記導管及び前記電気的リターンパスから電気的に絶縁する電気絶縁ジャケットを更に備える、請求項１５に記載の点火リード。
【請求項１７】
前記導管を囲む摩擦ガードを更に備える、請求項１６に記載の点火リード。
【請求項１８】
前記第１の連続金属層が、最大４０ＧＨｚまでの周波数をシールドし、前記第２の連続金属層が、１０ｋＨｚ〜１０ＧＨｚの範囲の周波数をシールドする、請求項１３に記載の点火リード。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機械のスロットにリップルばねを挿入するシステムであって、
少なくとも１本の溝を有する圧迫板であって、当該圧迫板の一方の端部に傾斜部を含んでいる圧迫板と、
前記少なくとも１本の溝の内部に嵌合するように構成されている少なくとも１本の案内レールを有する押込み板と、
該押込み板に係合して該押込み板に押込み力を加えるように構成されている衝撃工具と、
を備え、
前記圧迫板は、前記リップルばねを少なくとも部分的に保持するように構成されており、前記傾斜部は、前記衝撃工具及び押込み板が当該傾斜部を越えて前記電気機械のスロットに前記リップルばねを押圧するのに伴って、前記リップルばねに圧縮力を加えるように構成されている、システム。
【請求項２】
前記リップルばねは側面リップルばねである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１本の溝は少なくとも１本のばち形溝で構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記圧迫板は２本のばち形溝を含んでいる、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記圧迫板は、
前記電気機械の前記スロットに当該圧迫板を支持するように構成されていると共に前記リップルばねの整列を容易にするように構成されている２本の側面レールをさらに含んでいる、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１本の案内レールは少なくとも１本のばち形レールで構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記押込み板は２本のばち形レールを含んでいる、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記衝撃工具は、
当該衝撃工具の押込み端に被さって嵌合するように構成されていると共に前記押込み板の一方の端部の一部に被さって嵌合するように構成されているスロット付きキャップをさらに含んでいる、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記スロット付きキャップはアセタール樹脂で構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記圧迫板及び前記押込み板はアセタール樹脂で構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
電気機械のスロットにリップルばねを挿入するシステムであって、
２本のばち形溝を有する圧迫板であって、当該圧迫板の一方の端部に傾斜部を含んでいる圧迫板と、
前記ばち形溝の内部に嵌合するように構成されている２本のばち形レールを有する押込み板と、
該押込み板に係合して該押込み板に押込み力を加えるように構成されている衝撃工具と、
を備えており、
前記圧迫板は、前記リップルばねを少なくとも部分的に保持するように構成されており、前記傾斜部は、前記衝撃工具及び押込み板が当該傾斜部を越えて前記電気機械の前記スロットに前記リップルばねを押圧するのに伴って、前記リップルばねに圧縮力を加えるように構成されている、システム。
【請求項１２】
前記圧迫板は、
前記電気機械の前記スロットに当該圧迫板を支持するように構成されていると共に前記リップルばねの整列を容易にするように構成されている２本の側面レールをさらに含んでいる、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記衝撃工具は、
当該衝撃工具の押込み端に被さって嵌合するように構成されていると共に前記押込み板の一方の端部の一部に被さって嵌合するように構成されているスロット付きキャップをさらに含んでいる、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
リップルばねを挿入する方法であって、
少なくとも１本の溝を有する圧迫板を設けるステップであって、該圧迫板は、当該圧迫板の一方の端部に傾斜部を含んでおり、該傾斜部は、前記リップルばねが当該傾斜部を乗り越えるのに伴って前記リップルばねに圧縮力を加えるように構成されている、圧迫板を設けるステップと、
前記少なくとも１本の溝の内部に嵌合するように構成されている少なくとも１本の案内レールを有する押込み板を設けるステップと、
前記押込み板に係合して前記押込み板に押込み力を加えるように構成されている衝撃工具を設けるステップと、
前記圧迫板に前記リップルばねを配置するステップと、
前記リップルばね及び圧迫板を電気機械のスロットの少なくとも部分的に内部に配置するステップと、
前記押込み板に前記衝撃工具を配置するステップと、
前記押込み板及び前記リップルばねに衝撃力を加えるように前記衝撃工具を作動させるステップと
を備えており、
前記リップルばねは、前記衝撃工具、押込み板及び前記圧迫板の前記の傾斜部により前記スロットに押し込まれる、方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１本の溝を少なくとも１本のばち形溝として設けるステップをさらに含んでいる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記圧迫板に２本のばち形溝を設けるステップをさらに含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
電気機械のスロットに前記圧迫板を支持するように構成されていると共に前記リップルばねの整列を容易にするように構成されている２本の側面レールを前記圧迫板に設けるステップをさらに含んでいる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１本の案内レールを少なくとも１本のばち形レールとして設けるステップをさらに含んでいる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記押込み板に２本のばち形レールを設けるステップをさらに含んでいる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記衝撃工具の押込み端に被さって嵌合するように構成されていると共に前記押込み板の一方の端部の一部に被さって嵌合するように構成されているスロット付きキャップを前記衝撃工具に設けるステップをさらに含んでいる、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラクトバチルスGG株(ATCC53103)よりIgAの産生促進作用が高く、且つリステリアEGD株よりマイトジェン活性及びIL-2産生促進作用が低く、
グルコース、フルクトース、スクロース、トレハロース及びグルコン酸塩に対する資化性を示すことを特徴とする、ラクトバチルス・クンキー(Lactobacillus kunkeei)に属する乳酸菌。
【請求項２】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する食品組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する医薬組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する化粧品組成物。
【請求項５】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する、気道又は食道の粘膜から侵入してくる病原体又はウイルスに対する感染予防用の免疫賦活剤。
【請求項６】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する、食中毒の予防又は緩和用の腸管免疫賦活剤。
【請求項７】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する、整腸、美容、又はアンチエイジング用の組成物。
【請求項８】
請求項１に記載の乳酸菌又はその菌体処理物を含有する、炎症性腸疾患の予防及び／又は治療用組成物。
【請求項９】
前記炎症性腸疾患がクローン病又は潰瘍性大腸炎である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
食品又は医薬品である、請求項７〜９のいずれかに記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する吐出口が形成された吐出口形成部材と、該吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面側に有する基板と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
（１）支持体と、第一の層と、第二の層と、をこの順に有するフィルムを用意する工程と、
（２）前記フィルムを、前記第二の層が前記第一の面と対向するように配置し、該フィルムから前記支持体を剥離する工程と、
（３）前記第二の層に前記吐出口を形成する工程と、
（４）前記第一の層の少なくとも一部を前記第二の層上から除去する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第二の層が感光性樹脂を含有した第一の感光性樹脂層である請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記第二の層を露光処理することにより前記吐出口の潜像パターンを形成し、現像液を用いて前記潜像パターンを現像処理することにより前記吐出口を形成するとともに、前記現像液により前記第一の層の少なくとも一部を前記第二の層上から除去する請求項２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
前記工程（２）の前に、前記基板の前記第一の面の上に第二の感光性樹脂層を配置してパターニングすることにより、前記吐出口に連通する液体流路の側壁を構成する流路壁形成部材を形成する工程を有し、
前記工程（２）において、前記第一の感光性樹脂層が前記流路壁形成部材に接するように前記フィルムを配置する請求項２又は３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記工程（２）の前に、前記基板の前記第一の面の上に第二の感光性樹脂層を配置し、該第二の感光性樹脂層を露光処理して前記吐出口に連通する液体流路の潜像パターンを形成する工程を有し、
前記工程（２）において、前記第一の感光性樹脂層が前記露光処理後の前記第二の感光性樹脂層に接するように前記フィルムを配置し、
前記工程（４）において、現像液によって前記吐出口の潜像パターンと前記液体流路の潜像パターンを現像して前記吐出口と前記液体流路を形成する請求項２又は３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第一の層は、５〜１５０ＣＰの粘度の溶液が前記支持体上にスピンコート法によって塗布されて形成される請求項１乃至５のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第一の層は、０．５〜１０μｍの厚さで前記支持体上に形成される請求項１乃至６のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第一の層は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、又はウレタン樹脂を含む請求項１乃至７のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第一の層は、フッ素系含有化合物を含む請求項１乃至８のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記フッ素系含有化合物が有機フッ素系界面活性剤である請求項９に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記有機フッ素系界面活性剤が、パーフルオロアルキルエステル、パーフルオロアルキルエーテル、パーフルオロオクタンスルホン酸、又はパーフルオロオクタン酸である請求項１０に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第一の層は、樹脂を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、テトラハイドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、又はキシレンに溶解した溶液を用いて形成される請求項１乃至１１のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記支持体は、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド、又はポリアミドである請求項１乃至１２のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第二の層は、前記第一の層の上にカーテンコート法によって形成される請求項１乃至１３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第一の感光性樹脂層の光感度は前記第二の感光性樹脂層の光感度よりも高い請求項５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第二の感光性樹脂層の光感度を１とした場合、前記第一の感光性樹脂層の光感度が３以上である請求項１５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第一の層は前記吐出口の潜像パターンを形成する前記露光処理によって不溶化されない請求項３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記工程（４）では、前記第一の層のうち、少なくとも前記第二の層の前記吐出口を形成する領域とは異なる領域の上にある第一の層を除去する、請求項１乃至１７のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記工程（４）では、前記第二の層の上にある全ての前記第一の層を除去する、請求項１乃至１８のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４は、本実施形態に係る入力映像Ｇ１８および出力映像Ｇ１９における頂点Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ０’、Ｐ１’、Ｐ２’、Ｐ３’、Ｐ４’、Ｐ５’の位置座標の一例を示す説明図である。
入力映像Ｇ１８における頂点Ｐ０の位置座標を（ｘ０，ｙ０）、頂点Ｐ１の位置座標を（ｘ１，ｙ１）、頂点Ｐ２の位置座標を（ｘ２，ｙ２）、頂点Ｐ３の位置座標を（ｘ３，ｙ３）、頂点Ｐ４の位置座標を（ｘ４，ｙ４）、頂点Ｐ５の位置座標を（ｘ５，ｙ５）、と各々定義する。また出力映像Ｇ１９における頂点Ｐ０’の位置座標を（ｘ０’，ｙ０’）、頂点Ｐ１’の位置座標を（ｘ１’，ｙ１’）、頂点Ｐ２’の位置座標を（ｘ２’，ｙ２’）、頂点Ｐ３’の位置座標を（ｘ３’，ｙ３’）、頂点Ｐ４’の位置座標を（ｘ４’，ｙ４’）、頂点Ｐ５’の位置座標を（ｘ５’，ｙ５’）、と各々定義する。
ここで、入力映像Ｇ１８における第１平面と第２平面とが交わる交線は、映像の縦方向（垂直方向、Ｙ軸方向）に平行（ｘ１＝ｘ４）とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
変換部１２２は、算出部１２１が算出した第１変換係数および第２変換係数から出力映像の出力座標（ｘ’，ｙ’）が参照する入力映像の入力座標（ｘ，ｙ）を計算する。
第１変換部１２２１は、式（１）および式（２）を用いて、座標（ｘｐｅｒ，ｙｐｅｒ）を計算する。
第２変換部１２２２は、式（３）および式（４）を変形した式（５）および式（６）を用いて、座標（ｘｂｉｌ，ｙｂｉｌ）を計算する。具体的には、第２変換部１２２２は、式（５）または式（６）を用いて得られた４つの解のうち、得られた解と映像の中心との距離が最も小さい組み合わせを座標（ｘｂｉｌ，ｙｂｉｌ）として計算する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図５は、本実施形態に係る生成部１２の動作の一例を示すフローチャートである。
ステップＳＴ１０１において、第１変換係数算出部１２１１は、出力座標から入力座標への第１変換の変換係数を算出する。
ステップＳＴ１０２において、第２変換係数算出部１２１２は、入力座標から出力座標への第２変換の変換係数を算出する。
ステップＳＴ１０３において、変換部１２２は、算出部１２１が算出した第１変換係数および第２変換係数から出力映像の出力座標（ｘ’，ｙ’）が参照する入力映像の入力座標（ｘ，ｙ）、すなわち座標（ｘｐｅｒ，ｙｐｅｒ）および座標（ｘｂｉｌ，ｙｂｉｌ）を計算する。
ステップＳＴ１０４において、合成部１２３は、変換部１２２が計算した座標（ｘｐｅｒ，ｙｐｅｒ）および座標（ｘｂｉｌ，ｙｂｉｌ）を合成する。
ステップＳＴ１０５において、座標テーブルに必要なすべての画素について処理（座標の計算・合成）が終了したか否かを判定する。すべての画素の処理が終了していない場合、ステップＳＴ１０３に戻る。一方、すべての画素の処理が終了した場合、生成部１２は、生成した座標テーブルを記憶部１４１に記憶させる。