【事件の表示】
　特願２００９−２９２６１０「高アスペクト比の接続孔へのタングステン堆積方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月１７日出願公開、特開２０１１−　３５３６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　２００９年（平成２１年）１２月２４日（パリ条約による優先権主張外国受理２００９年８月４日、米国）の出願であって、平成２４年１２月２５日付けで審査請求がなされ、平成２６年２月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２７年２月５日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年６月９日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年６月９日付けの手続補正についての却下の決定
［補正却下の結論］
　平成２７年６月９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２７年６月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「【請求項１】
　部分的に製造された半導体基板に設けられた高アスペクト比の接続孔を充填する方法であって、
　タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、
　前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で高アスペクト比の前記接続孔を部分的に充填する堆積工程と、
　開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記接続孔内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように、インサイチュープラズマを用いないで、リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャントを前記プロセスチャンバーに導入することにより前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程と
　を備え、
　前記堆積層の前記平均厚とは、前記半導体基板の表面に垂直な方向に堆積された前記堆積層の膜厚の平均であ
り、
　
前記エッチャントは、前記高アスペクト比の接続孔の前記開口付近よりも、前記高アスペクト比の接続孔の内部の方が、低い前記エッチャントの濃度で前記プロセスチャンバーに導入され、
　
前記選択的除去工程における前記エッチャントの流量が５００ｓｃｃｍ以下であ
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　部分的に製造された半導体基板に設けられた高アスペクト比の接続孔を充填する方法であって、
　タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、
　前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で高アスペクト比の前記接続孔を部分的に充填する堆積工程と、
　開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記接続孔内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように、インサイチュープラズマを用いないで、リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャントを前記プロセスチャンバーに導入することにより前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程と
　を備え、
　前記堆積層の前記平均厚とは、前記半導体基板の表面に垂直な方向に堆積された前記堆積層の膜厚の平均である方法。」
２　補正の適否について
（１）補正の目的について
　補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明に対応し、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明に次の補正がなされたものである。
（ａ）補正前の請求項１に「前記エッチャントは、前記高アスペクト比の接続孔の前記開口付近よりも、前記高アスペクト比の接続孔の内部の方が、低い前記エッチャントの濃度で前記プロセスチャンバーに導入され」ることを加える補正。
　補正事項（ａ）について検討すると、補正事項（ａ）により加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項（ａ）は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項（ａ）は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項（ａ）は、補正前の「リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャントを前記プロセスチャンバーに導入する」ことについて、「前記エッチャントは、前記高アスペクト比の接続孔の前記開口付近よりも、前記高アスペクト比の接続孔の内部の方が、低い前記エッチャントの濃度で前記プロセスチャンバーに導入され」るとする限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第５項に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項（ａ）は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（ｂ）補正前の請求項１に「前記選択的除去工程における前記エッチャントの流量が５００ｓｃｃｍ以下である」ことを加える補正。
　補正事項（ｂ）について検討すると、補正事項（ｂ）により加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項（ｂ）は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項（ｂ）は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項（ｂ）は、補正前の「リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャント」について、「前記選択的除去工程における前記エッチャントの流量が５００ｓｃｃｍ以下である」との限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第５項に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項（ｂ）は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（ｃ）小括
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、特許法第１７条の２第４項の規定に適合するとともに、特許法第１７条の２第５項第２号に規定された「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
（２）進歩性について
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、手続補正書によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記［理由］１の「（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（ａ）各引用例について
（ａ−１）引用例１の記載について
　原査定の拒絶の理由に引用された、優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００２−９０１７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「【００１６】実施の形態２．図４および図５はこの発明の実施の形態２の
半導体装置の製造方法
半導体基板１上に絶縁膜２を積層し、所望箇所に開口部としてのコンタクトホール３を形成する。
（イ）「【００１７】次に、例えば
熱ＣＶＤ法を用い、温度を４００〜５００℃、圧力を数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒとし、成膜ガスを六フッ化タングステンガス５と水素ガス６とを用いてこれらの水素還元反応により、導電膜としてのタングステン膜１７を成膜していくと、図４に示すように、ＣＶＤ法での一般的なステップカバレッジ特性から、タングステン膜１７はコンタクトホール３の下部に比べて、上部の方が厚く成膜される。
（ウ）「【００１８】次に、
ある程度タングステン膜１７が成膜されるとこの成膜工程を一旦終了する。次に、タングステン膜１７をエッチングすることができるエッチングガスとしての三フッ化塩素ガス９にて、タングステン膜１７を所望量までエッチングする。すると、タングステン膜１７の上部は三フッ化塩素ガス９によりエッチングされるため、従来のように、コンタクトホール３の上部がタングステン膜により閉じることはなく、結果として、図５に示すよう、タングステン膜１７はコンタクトホール３の下部と、上部とがほぼ同様の厚さにて成膜される。
【００１９】
この際のエッチングガスの濃度は、上記に示したように、エッチングガスがタングステン膜１７の上部との反応により消費され、コンタクトホール３の下部に到達しない量が適当である
（エ）「【００２０】
そして、上記に示した成膜工程とエッチング工程とを交互に行い、
【００２１】上記実施の形態２の半導体装置の製造方法によれば、上記実施の形態１と同様に
コンタクトホール３内がタングステン膜１７にて完全に埋め込まれる
　上記（ア）〜（エ）の記載を参照すると、次のことがいえる。
（あ）上記（ア）の記載から、引用例１に記載された発明は、半導体装置の製造方法であることが分かる。また、引用例１に記載された発明は、半導体基板１上に絶縁膜２を積層し、所望箇所に開口部としてのコンタクトホール３を形成することがわかる。
（い）上記（イ）の記載から、引用例１に記載された発明は、熱ＣＶＤ法を用い、温度を４００〜５００℃、圧力を数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒとし、成膜ガスを六フッ化タングステンガス５と水素ガス６とを用いてこれらの水素還元反応により、導電膜としてのタングステン膜１７をコンタクトホール３の下部に比べて、上部の方が厚く成膜することがわかる。
（う）上記（ウ）の記載から、引用例１に記載された発明は、ある程度タングステン膜１７が成膜されるとこの成膜工程を一旦終了し、三フッ化塩素ガス９がタングステン膜１７の上部との反応により消費され、コンタクトホール３の下部に到達しない量でタングステン膜１７を所望量までエッチングすることにより、結果として、タングステン膜１７はコンタクトホール３の下部と、上部とがほぼ同様の厚さにて成膜されることがわかる。
（え）上記（エ）の記載から、引用例１に記載された発明は、成膜工程とエッチング工程とを交互に行い、タングステン膜１７はコンタクトホール３内に完全に埋め込まれて形成されることがわかる。
　上記（あ）〜（え）の事項を踏まえると、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体装置の製造方法であって、
　半導体基板１上に絶縁膜２を積層し、所望箇所に開口部としてのコンタクトホール３を形成し、
　熱ＣＶＤ法を用い、温度を４００〜５００℃、圧力を数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒとし、成膜ガスを六フッ化タングステンガス５と水素ガス６とを用いてこれらの水素還元反応により、導電膜としてのタングステン膜１７をコンタクトホール３の下部に比べて、上部の方が厚く成膜する、成膜工程と、
　三フッ化塩素ガス９がタングステン膜１７の上部との反応により消費され、コンタクトホール３の下部に到達しない量でタングステン膜１７を所望量までエッチングすることにより、タングステン膜１７がコンタクトホール３の下部と、上部とがほぼ同様の厚さとなる、エッチング工程と、
　を有し、
　成膜工程とエッチング工程とを交互に行い、タングステン膜１７がコンタクトホール３内に完全に埋め込まれて形成される、半導体装置の製造方法。」
（ａ−２）引用例２の記載について
　原査定の拒絶の理由に引用された、優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平９−３２６４３６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００４】上述したコンタクトホールへ導電体膜を埋め込む方法の従来例の一例として、
ＣＶＤによるブランケットＷ膜形成とその後のエッチバック等とを組み合わせた埋め込みプラグ形成法を用いた
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、ＷＦ6／ＳｉＨ4／Ｈ2／Ａｒガスを用いたＣＶＤ法により、第１のブランケットＷ膜１８を膜厚約５０ｎｍ程堆積し、続いてＷＦ6／Ｈ2／Ａｒを用いたＣＶＤ法により、第２のブランケットＷ膜１９を膜厚約６００ｎｍ程堆積する。この２ステップでブランケットＷ膜を形成する理由は、第１のブランケットＷ膜１８形成のＣＶＤ条件を用いると、コンタクトホールの開口１４底部の周辺部におけるバリア層のＴｉＮ膜１６が一般的には薄く形成されているためにＷＦ6 ガスによる半導体基板のＳｉが浸食されてできるワームホール（Ｗｏｒｍ　Ｈｏｌｅ）が発生し難いためである。ただ、この第１のブランケットＷ膜１８形成のＣＶＤ条件によるブランケットＷ膜は、ステップカバレージが悪く、成長速度も遅いので、上述した如く２ステップによって、ブランケットＷ膜を形成している。
【０００６】次に、図３（ｃ）に示すように、第１および第２のブランケットＷ膜１８、１９をエッチバックして、コンタクトホール部１にタングステンプラグ２０を形成する。次に、Ｔｉ膜２１とＴｉＮ膜２２をスパッタリング法により堆積し、続いて配線膜とする１％のＳｉを含有するＡｌ合金膜２３をスパッタリング法により堆積する。その後は、図面を省略するが、上記のＡｌ合金膜２３をパターニングして配線形成をする。
【０００７】しかしながら、上述した
半導体装置の配線形成方法においては、コンタクトホールの開口径が小さくなって、コンタクトホールのアスペクト比が大きくなってくる
（イ）「【００２２】実施例２
本実施例は半導体装置の配線形成方法に本発明を適用した例であり、これを図１および図２を参照して説明する。まず、図１（ａ）に示すように、実施例１と同様にして
半導体基板１１上に層間絶縁膜１２堆積、コンタクトホールの開口１４部形成、Ｔｉ膜１５、ＴｉＮ膜１６、第１のブランケットＷ膜１８堆積を行う。
【００２３】
次に、コンタクトホール部１のコンタクトホールの開口１４上部にオーバーハング状に形成された第１のブランケットＷ膜１８を除去するため、第１のブランケットＷ膜１８をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法により約４０ｎｍ程エッチバックする。この第１のブランケットＷ膜１８のＲＩＥ条件は、例えば下記のようなものである。
〔第１のブランケットＷ膜１８のＲＩＥ条件〕
ＳＦ
6
ガス流量　　　：　　１４０　ｓｃｃｍ
Ａｒガス流量　　　　：　　　２５　ｓｃｃｍ
圧力　　　　　　　：　　　５０　Ｐａ
ＲＦパワー　　　　　：　　２５０　Ｗ」
　上記（ア）（イ）の記載によれば、引用例２には、次の事項が記載されているといえる。
＜引用例２の記載事項−１＞
　ＣＶＤによるブランケットタングステン膜形成とその後のエッチバック等とを組み合わせた埋め込みプラグ形成法を用いた半導体装置の配線形成方法において、コンタクトホールの開口径を小さくして、コンタクトホールのアスペクト比を大きくすること。
＜引用例２の記載事項−２＞
　半導体基板上の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールの開口上部にオーバーハング状に形成されたブランケットタングステン膜をエッチングする際に、ＳＦ6ガスの流量を１４０ｓｃｃｍとすること。
（ａ−３）引用例３の記載について
　原査定で周知技術として引用された、優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１０−１７８０１４号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明による半導体装置の製造方法の実施例を図１乃至図４を参照して説明する。図１は、
本発明による半導体装置の製造方法の第１の実施例を実施するために適した放電分離型のマイクロ波励起ドライエッチング装置を示したものである。
真空容器１の上壁にはガス導入管４が連通し、このガス導入管４には放電管５が接続されている。この放電管５にはそのガス導入口６から反応性ガスが導入される。放電管５にはマイクロ波導波管７が接続され、このマイクロ波導波管７は放電管５にマイクロ波を印加して、放電管５内にプラズマを発生させる。
【００１５】次に、載置台３に載置された被処理物Ｗの構造について説明する。
被処理物Ｗは、図２に示したようにシリコン基板９と、この上に積層されたシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０と、この層間絶縁膜１０に穿孔された電極接続孔１１と、この電極接続孔１１内及び層間絶縁膜１０の表面に形成されたバリヤメタル膜として機能するチタン膜１２及び窒化チタン膜１３と、電極接続孔１１を埋めるようにシリコン基板９の全面に積層されたタングステン膜１４とから構成される。
【００１６】なお、電極接続孔１１は、層間絶縁膜１０にレジストを塗布しそれをパターニングした後に、ドライエッチングを行うことによって穿孔される。また、チタン膜１２及び窒化チタン膜１３はスパッタリングによって成膜され、タングステン膜１４はＣＶＤ（化学気相成長）法によって成膜される。
【００１７】図２に示した構成の被処理物Ｗが図１の載置台３に載置されると、第１のエッチング処理が行われる。この第１のエッチング処理では、被処理物Ｗは載置台３に内蔵された温度調節機構によって約２５℃に加熱され、エッチング室２の圧力は３０Ｐａに選定され、マイクロ波パワーは７００Ｗに選定されている。この状態で、ＣＦ４ガスとＣｌ２ガスとＯ２ガスとを混合した第１の反応性ガスがガス導入口６から放電管５に導入されると共に、７００Ｗパワーのマイクロ波がマイクロ波導波管７から放電管５に印加されてプラズマを発生させる。
放電管５に導入された第１の反応性ガスは、プラズマによって活性化されてエッチング室２に流入し、載置台３に載置された被処理物Ｗのタングステン膜１４をエッチングして、排気管８から排出される。
　上記（ア）の記載によれば、引用例３には、次の周知技術が記載されているといえる。
＜引用例３の記載の周知技術＞
　真空容器に反応性ガスを導入する際に、真空容器の上壁に放電管が接続されたガス導入管を連通し、放電管にマクロ波導波管が接続され、放電管にマイクロ波を印加して、放電管内にプラズマを発生させ、反応性ガスをプラズマとする放電分離型のマイクロ波励起ドライエッチング装置によって、シリコン基板上の層間絶縁膜に穿孔された電極接続孔を埋めるようにシリコン基板の全面に積層されたタングステン膜をエッチングすること。
（ｂ）対比
（ｂ−１）本件補正発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「コンタクトホール３」は、本件補正発明の「接続孔」に相当する。
　そして、引用例１発明は、「半導体基板１上に絶縁膜２を積層し、所望箇所に開口部としてのコンタクトホール３を形成し、」「成膜工程とエッチング工程とを交互に行い、タングステン膜１７がコンタクトホール３内に完全に埋め込まれて形成される、半導体装置の製造方法」であるから、本件補正発明の「部分的に製造された半導体基板に設けられた高アスペクト比の接続孔を充填する方法」と、「部分的に製造された半導体基板に設けられた」「接続孔を充填する方法」である点で、共通する。
（イ）引用例１発明の「六フッ化タングステンガス５」、「水素ガス６」、及び「熱ＣＶＤ」は、それぞれ本件補正発明の「タングステン含有前駆体」、「還元剤」、及び「化学気相成長反応」に相当する。
　そして、引用例１発明の「成膜工程」は、プロセスチャンバにて行われることは技術常識であり、また、そのためには、「成膜工程」を行うために、「六フッ化タングステンガス５」および「水素ガス６」をプロセスチャンバに導入する必要があることは自明であることを考慮すると、引用例１発明の「熱ＣＶＤ法を用い、温度を４００〜５００℃、圧力を数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒとし、成膜ガスを六フッ化タングステンガス５と水素ガス６とを用いてこれらの水素還元反応により、導電膜としてのタングステン膜１７をコンタクトホール３の下部に比べて、上部の方が厚く成膜する、成膜工程」と、本件補正発明の「タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で高アスペクト比の前記接続孔を部分的に充填する堆積工程」とは、「タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で」「前記接続孔を部分的に充填する堆積工程」をである点で、共通する。
（ウ）引用例１発明の「三フッ化塩素ガス９」は、本件補正発明の「エッチャント」に相当する。
　そして、引用例１発明の「三フッ化塩素ガス９がタングステン膜１７の上部との反応により消費され、コンタクトホール３の下部に到達しない量でタングステン膜１７を所望量までエッチングすること」は、コンタクトホール３の開口付近よりも、コンタクトホール内部の方が、低いエッチャントの濃度でプロセスチャンバーに導入されることを示している。
　加えて、このことにより、半導体基板の表面に垂直な方向に堆積された堆積層の膜厚の平均の減少が、コンタクトホール３の開口付近とコンタクトホール３の内部の減少を比べた際に、コンタクトホール３の開口付近の減少が、コンタクトホール３の内部の減少よりも大きくなることを示している。
　さらに、「タングステン膜１７がコンタクトホール３の下部と、上部とがほぼ同様の厚さとなる」ことは、堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成することである。
　してみれば、引用例１発明の「三フッ化塩素ガス９がタングステン膜１７の上部との反応により消費され、コンタクトホール３の下部に到達しない量でタングステン膜１７を所望量までエッチングすることにより、タングステン膜１７がコンタクトホール３の下部と、上部とがほぼ同様の厚さとなる、エッチング工程」と、本件補正発明の「開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記接続孔内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように、インサイチュープラズマを用いないで、リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャントを前記プロセスチャンバーに導入することにより前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程」および、「前記エッチャントは、前記高アスペクト比の接続孔の前記開口付近よりも、前記高アスペクト比の接続孔の内部の方が、低い前記エッチャントの濃度で前記プロセスチャンバーに導入され」ることは、「開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記接続孔内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように、」「エッチャントを前記プロセスチャンバーに導入することにより前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程」である点、および、「前記エッチャントは、」「接続孔の前記開口付近よりも、」「接続孔の内部の方が、低い前記エッチャントの濃度で前記プロセスチャンバーに導入され」る点で、共通する。
　またその際、前記「堆積層の平均厚」は、引用例１に記載された発明も、本件補正発明も、「前記半導体基板の表面に垂直な方向に堆積された前記堆積層の膜厚の平均であ」る点で、共通する。
　
（ｂ−２）以上（ア）〜（ウ）のことから、本件補正発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「部分的に製造された半導体基板に設けられた接続孔を充填する方法であって、
　タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、
　前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で前記接続孔を部分的に充填する堆積工程と、
　開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記接続孔内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように、エッチャントを前記プロセスチャンバーに導入することにより前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程と
　を備え、
　前記堆積層の前記平均厚とは、前記半導体基板の表面に垂直な方向に堆積された前記堆積層の膜厚の平均であり、
　前記エッチャントは、前記接続孔の前記開口付近よりも、前記接続孔の内部の方が、低い前記エッチャントの濃度で前記プロセスチャンバーに導入される方法。」
［相違点１］
　本件補正発明が、「高アスペクト比の接続孔」を対象としているのに対して、引用例１発明の「接続孔」が「高アスペクト比」であるとの限定がされていない点。
［相違点２］
　本件補正発明の「エッチャント」は、「インサイチュープラズマを用いないで、リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャント」であるのに対して、引用例１発明の「エッチャント」はそのようなエッチャントではない点。
［相違点３］
　本件補正発明は、「前記選択的除去工程における前記エッチャントの流量が５００ｓｃｃｍ以下である」のに対して、引用例１発明はエッチャントの流量について記載されていない点。
（ｃ）当審の判断
　上記各相違点について検討する。
　
（ｃ−１）［相違点１］について
　上記（ａ）の（ａ−２）における＜引用例２の記載事項−１＞にみられるように、ＣＶＤによるブランケットタングステン膜形成とその後のエッチバック等とを組み合わせた埋め込みプラグ形成法を用いた半導体装置の配線形成方法において、コンタクトホールの開口径を小さくして、コンタクトホールのアスペクト比を大きくすることは、当業者が普通に行い得るものと認められるから、引用例１発明の「コンタクトホール」を、「高アスペクト比の接続孔」とすることは、当業者が半導体装置の設計において、適宜行う事項である。
（ｃ−２）［相違点２］について
　上記（ａ）の（ａ−３）より、真空容器に反応性ガスを導入する際に、真空容器の上壁に放電管が接続されたガス導入管を連通し、放電管にマクロ波導波管が接続され、放電管にマイクロ波を印加して、放電管内にプラズマを発生させ、反応性ガスをプラズマとする放電分離型のマイクロ波励起ドライエッチング装置によって、シリコン基板上の層間絶縁膜に穿孔された電極接続孔を埋めるようにシリコン基板の全面に積層されたタングステン膜をエッチングすることは、引用例３にみられるように、周知の技術である。
　そして、引用例１発明において、「インサイチュープラズマを用いないで、リモートプラズマ発生器内で」エッチャントを生成するようにし、このエッチャントをもちいてエッチングを行うことは、上記周知技術に接した当業者が適宜為し得る事項である。
（ｃ−３）［相違点３］について
　引用例１発明において、エッチャントの流量をどのようにするかは、チャンバーの大きさ、エッチング速度、エッチングの均一性、およびその他のパラメータより、設計時に適宜決定することであり、また、上記（ａ）の（ａ−２）における＜引用例２の記載事項−２＞に、半導体基板上の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールの開口上部にオーバーハング状に形成されたブランケットタングステン膜をエッチングする際に、ＳＦ6ガスの流量を１４０ｓｃｃｍとすることが記載されているように、エッチャントの流量を５００ｓｃｃｍ以下とすることは、当業者が普通に行い得るものと認められる。
　そうすると、引用例１発明において、「前記選択的除去工程における前記エッチャントの流量が５００ｓｃｃｍ以下」とすることは、当業者が適宜為し得る事項である。
（ｃ−４）小括
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用例１発明及び引用例２，３に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　よって、本件補正発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｄ）進歩性についての結論
　したがって、本件補正発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　「２　補正の適否について」で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２７年６月９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年７月２５日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「部分的に製造された半導体基板に設けられた高アスペクト比の接続孔を充填する方法であって、
　タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、
　前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で高アスペクト比の前記接続孔を部分的に充填する堆積工程と、
　開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記接続孔内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように、インサイチュープラズマを用いないで、リモートプラズマ発生器内で生成されたエッチャントを前記プロセスチャンバーに導入することにより前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程と
　を備え、
　前記堆積層の前記平均厚とは、前記半導体基板の表面に垂直な方向に堆積された前記堆積層の膜厚の平均である方法。」
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１乃至３には、上記「第２　［理由］２（２）（ａ）」に記載したとおりの事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記「第２　［理由］」で検討した本件補正発明から、上記「第２　［理由］２（１）」に記載した補正事項（ａ）および（ｂ）に係る限定を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　［理由］２（２）」に記載したとおり、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。