【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩＩ）
2016169241.tif 000001
［式中、
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＸLはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物を、式（IV）
2016169241.tif 000002
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
ＬＧは脱離基を表す。］
で表される化合物と反応させて、式（Ｖ）
2016169241.tif 000003
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＸLは前記と同義である。］
で表される化合物を得る工程、
式（Ｖ）で表される化合物を、有機亜鉛化合物と反応させて、式（ＩＸ）
2016169241.tif 000004
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義であり、ＰＧ2は保護基である。］
で表される化合物を得る工程、
式（ＩＸ）で表される化合物を、フッ素化剤と反応させて、式（ＩＩ−２）
2016169241.tif 000005
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＰＧ2は前記と同義である。］
で表される化合物を得る工程、及び、
式（ＩＩ−２）で表される化合物の保護基ＰＧ2を除去する工程
を含むことを特徴とする、式（Ｉ−６）
2016169241.tif 000006
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項２】
式（Ｖ）
2016169241.tif 000007
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＸLはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物を、有機亜鉛化合物と反応させて、式（ＩＸ）
2016169241.tif 000008
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義であり、ＰＧ2は保護基である。］
で表される化合物を得る工程、
式（ＩＸ）で表される化合物を、フッ素化剤と反応させて、式（ＩＩ−２）
2016169241.tif 000009
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＰＧ2は前記と同義である。］
で表される化合物を得る工程、及び、
式（ＩＩ−２）で表される化合物の保護基ＰＧ2を除去する工程
を含むことを特徴とする、式（Ｉ−６）
2016169241.tif 000010
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義である。］で表される化合物の製造法。
【請求項３】
式（ＩＸ）
2016169241.tif 000011
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＰＧ2は保護基であり；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物を、フッ素化剤と反応させて、式（ＩＩ−２）
2016169241.tif 000012
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＰＧ2は前記と同義である。］
で表される化合物を得る工程、及び、
式（ＩＩ−２）で表される化合物の保護基ＰＧ2を除去する工程
を含むことを特徴とする、式（Ｉ−６）
2016169241.tif 000013
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項４】
式（ＩＩ−２）
2016169241.tif 000014
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＰＧ2は保護基であり；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物の保護基ＰＧ2を除去する工程
を含むことを特徴とする、式（Ｉ−６）
2016169241.tif 000015
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項５】
式（ＩＩＩ）
2016169241.tif 000016
［式中、
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＸLはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物と、式（IV）
2016169241.tif 000017
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
ＬＧは脱離基を表す。］
で表される化合物を反応させる工程
を含むことを特徴とする、式（Ｖ）
2016169241.tif 000018
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＸLは前記と同義である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項６】
式（Ｖ）
2016169241.tif 000019
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＸLはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物を、有機亜鉛化合物と反応させる工程
を含むことを特徴とする、式（ＩＸ）
2016169241.tif 000020
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は前記と同義であり、ＰＧ2は保護基である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項７】
式（ＩＸ）
2016169241.tif 000021
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
ＰＧ2は保護基であり；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物を、フッ素化剤と反応させる工程
を含むことを特徴とする、式（ＩＩ−２）
2016169241.tif 000022
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＰＧ2は前記と同義である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項８】
式（ＸＩ）
2016169241.tif 000023
［式中、
ＰＧ1及びＰＧ2は保護基であり；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物の保護基ＰＧ1を除去する工程
を含むことを特徴とする、式（ＸＩＩ）
2016169241.tif 000024
［式中、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＰＧ2は前記と同義である。］
で表される化合物の製造法。
【請求項９】
式（ＸＩＩ）
2016169241.tif 000025
［式中、
ＰＧ2は保護基であり；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物を、式（IV）
2016169241.tif 000026
［式中、
Ｒ1は、シクロアルキル基で置換されてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基を表し；
Ｑ1は、単結合又は低級アルキレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、カルボニル基、スルフィニル基若しくはスルホニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素が低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ1は、前記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
ＬＧは脱離基を表す。］
で表される化合物を反応させる工程
を含むことを特徴とする、式（ＩＩ−２）
2016169241.tif 000027
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4及びＰＧ2は前記と同義である。］で表される化合物の製造法。
【請求項１０】
ＰＧ2が低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルケニル基及びアラルキル基からなる群より選択される、請求項１乃至４及び請求項６乃至９のいずれかに記載の製造法。
【請求項１１】
Ｒ1が一般式：−Ｑ1−Ａ1で表される基である、請求項１乃至７及び請求項９のいずれかに記載の製造法。
【請求項１２】
式（Ｖ）で表される化合物を有機亜鉛化合物と反応させて式（ＩＸ）で表される化合物を得る工程を、パラジウム触媒の存在下で行う、請求項１乃至２及び請求項６のいずれかに記載の製造法。
【請求項１３】
式（Ｖ）で表される化合物を有機亜鉛化合物と反応させて式（ＩＸ）で表される化合物を得る工程を、更にホスフィン配位子の存在下で行う、請求項１２に記載の製造法。
【請求項１４】
式（Ｖ）で表される化合物を有機亜鉛化合物と反応させて式（ＩＸ）で表される化合物を得る工程において、有機亜鉛化合物がレフォルマトスキー試薬である、請求項１乃至２、請求項６、請求項１２及び請求項１３のいずれかに記載の製造法。
【請求項１５】
Ｗ3がメチンである、請求項１乃至１４のいずれかに記載の製造法。
【請求項１６】
式（ＸＩＩ）
2016169241.tif 000028
［式中、
ＰＧ2は保護基であり；
Ｒ2は、水素原子、後記の＜置換基群Ｍ＞から選択される置換基又は一般式：−Ｑ2−Ａ2で表される基を表し；
Ｑ2は、単結合、低級アルキレン基又は低級アルケニレン基を表し（ここで、該低級アルキレン基を構成する１若しくは２以上のメチレン基は、それぞれ独立して、酸素原子、窒素原子若しくはカルボニル基でメチレン基全体が置き換えられていてもよく、及び／又は、メチレン基を構成する水素がハロゲン原子、シアノ基、水酸基若しくは低級アルキル基で置換されていてもよい。）；
Ａ2は、後記の＜置換基群Ｌ＞から選択される１乃至３個の置換基で置換されていてもよい、シクロアルキル基、脂肪族複素環基、アリール基又はヘテロアリール基を表し（ここで、当該アリール基又はヘテロアリール基上のお互いに隣接する任意の二つの置換基が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）；
Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4は、それぞれ独立して、窒素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、低級アルキル基、シクロアルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロ低級アルコキシ基からなる群から選択される置換基を有してもよいメチン基を表し；但し、Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3及びＷ4のうち０個乃至４個が窒素原子であり；
＜置換基群Ｌ＞及び＜置換基群Ｍ＞は、下記のように定義される。
＜置換基群Ｌ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、低級アルケニル基及びシアノ低級アルキル基
＜置換基群Ｍ＞：
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、アミノ基、カルボキシル基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ基、ハロ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイル基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、モノ低級アルキルカルバモイル基、ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルキルスルホニルアミノ基及び低級アルコキシカルボニルアミノ基］
で表される化合物。
【請求項１７】
ＰＧ2が低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルケニル基及びアラルキル基からなる群より選択される、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】
Ｗ3がメチンである、請求項１６乃至１７のいずれかに記載の化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３４０】
実施例７
ジフルオロ[1−（２，６−ジメチルベンジル）−３−メチル−１Ｈ−インダゾール−６−イル]酢酸[７]（以下、化合物［７］という）の合成
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３５７】
（６）ジフルオロ[1−（２，６−ジメチルベンジル）−３−メチル−１Ｈ−インダゾール−６−イル]酢酸メチル［７−６］（以下、化合物［７−６］という）の合成
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３６０】
（７）ジフルオロ[1−（２，６−ジメチルベンジル）−３−メチル−１Ｈ−インダゾール−６−イル]酢酸[７]の合成
化合物［７−６］（２９．１ｍｇ）をテトラヒドロフラン／メタノール（容量比１／１）の混合溶媒（０．８ｍＬ）に溶解し、１Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液（０．４ｍＬ）を加えた後、室温で１時間攪拌した。反応混合物に１Ｎ−塩酸を加えて酸性にした後、クロロホルムで抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濾過し、濾液を減圧濃縮することにより表題化合物（２８．４ｍｇ）を白色固体として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ3ＯＤ）δ：７．７８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），７．５１（１Ｈ，ｓ），７．３０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．１５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．０７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），５．５８（２Ｈ，ｓ），２．５２（３Ｈ，ｓ）２．２８（６Ｈ，ｓ）．
ＥＳＩ−ＭＳｆｏｕｎｄ：３４５［Ｍ＋Ｈ］+