【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
リッジストライプ隣接部における第２化合物半導体層の厚さをｄ1、光伝搬領域における第２化合物半導体層の厚さをｄ2、リッジストライプ構造部における第２化合物半導体層の厚さをｄ3としたとき、
ｄ3＞ｄ2＞ｄ1
を満足する発光素子。
【請求項２】
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する発光素子。
【請求項４】
光伝搬領域の長さは４０μｍ以上である請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
発光領域と光伝搬領域との境界面における活性層の幅をＷ1、光伝搬領域の長さをＬ2としたとき、
２０≦Ｌ2／Ｗ1≦６０
を満足する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
リッジストライプ構造部には電流が注入され、
光伝搬領域には電流が注入されない請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
第１化合物半導体層は第１電極に電気的に接続されており、
少なくともリッジストライプ構造部を構成する積層構造体の頂面には第２電極が形成されている請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
リッジストライプ構造部を構成する積層構造体内には、第１エッチングストップ層及び第２エッチングストップ層が形成されており、
光伝搬領域を構成する積層構造体内には、第１エッチングストップ層が形成されており、光伝搬領域を構成する積層構造体の頂面は、第２エッチングストップ層から構成されており、
リッジストライプ隣接部を構成する積層構造体の頂面は、第１エッチングストップ層から構成されている請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
少なくともリッジストライプ構造部の側面、及び、リッジストライプ隣接部の頂面には、第１誘電体膜が形成されており、
光伝搬領域の頂面には、第１誘電体膜を構成する材料とは異なる材料から成る第２誘電体膜が形成されている請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
リッジストライプ構造部は直線状に延びている請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
リッジストライプ構造部の延びる方向をＸ方向、活性層の幅方向をＹ方向、活性層の厚さ向をＺ方向としたとき、活性層を含む仮想ＸＹ平面で光伝搬領域を切断したときの光出射端面の切断面は、Ｙ方向に延びる直線である請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
光出射端面から出射される光の発光スペクトルの半値幅は１ｎｍ以上である請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
スーパールミネッセントダイオードから成る請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
リッジストライプ隣接部における第２化合物半導体層の厚さをｄ1、光伝搬領域における第２化合物半導体層の厚さをｄ2、リッジストライプ構造部における第２化合物半導体層の厚さをｄ3としたとき、
ｄ3＞ｄ2＞ｄ1
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２層、及び、第２化合物半導体層の第３層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層を除去し、且つ、リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
【請求項１５】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２層、及び、第２化合物半導体層の第３層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層を除去し、且つ、リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ａ）において、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２Ａ層、第１エッチングストップ層、第２化合物半導体層の第２Ｂ層、第２エッチングストップ層、第２化合物半導体層の第２Ｃ層、及び、第２化合物半導体層の第３層を、順次、形成し、
前記工程（ｂ）において、光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２Ｃ層を除去し、且つ、リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層、第２化合物半導体層の第２Ｃ層、第２エッチングストップ層及び第２化合物半導体層の第２Ｂ層を除去する請求項１４又は請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１７】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
リッジストライプ隣接部における第２化合物半導体層の厚さをｄ1、光伝搬領域における第２化合物半導体層の厚さをｄ2、リッジストライプ構造部における第２化合物半導体層の厚さをｄ3としたとき、
ｄ3＞ｄ2＞ｄ1
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、及び、第２化合物半導体層の第２層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上にマスク層を形成し、次いで、
（ｃ）発光領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上に第２化合物半導体層の第３層を形成した後、
（ｄ）リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
【請求項１８】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、及び、第２化合物半導体層の第２層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上にマスク層を形成し、次いで、
（ｃ）発光領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上に第２化合物半導体層の第３層を形成した後、
（ｄ）リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（ａ）において、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２Ａ層、エッチングストップ層、及び、第２化合物半導体層の第２Ｂ層を形成する請求項１７又は請求項１８に記載の発光素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の発光素子を備えている表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記の各種の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、発光領域と光伝搬領域との境界面（界面）における活性層の幅をＷ1、光伝搬領域の長さをＬ2としたとき、
２０≦Ｌ2／Ｗ1≦６０
を満足する形態とすることが、結合係数のより一層の低下といった観点から好ましい。活性層の幅Ｗ1として、限定するものではないが、１μｍ以上、２μｍ以下を例示することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子・・・第１の態様》
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
リッジストライプ隣接部における第２化合物半導体層の厚さをｄ1、光伝搬領域における第２化合物半導体層の厚さをｄ2、リッジストライプ構造部における第２化合物半導体層の厚さをｄ3としたとき、
ｄ3＞ｄ2＞ｄ1
を満足する発光素子。
［Ａ０２］発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０３］《発光素子・・・第２の態様》
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する発光素子。
［Ａ０４］光伝搬領域の長さは４０μｍ以上である［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０５］発光領域と光伝搬領域との境界面における活性層の幅をＷ1、光伝搬領域の長さをＬ2としたとき、
２０≦Ｌ2／Ｗ1≦６０
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０６］発光領域は光反射端面を備えており、光反射端面における光反射率は９９％以上であり、光出射端面における光反射率は１％以下である［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０７］リッジストライプ構造部には電流が注入され、
光伝搬領域には電流が注入されない［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０８］第１化合物半導体層は第１電極に電気的に接続されており、
少なくともリッジストライプ構造部を構成する積層構造体の頂面には第２電極が形成されている［Ａ０７］に記載の発光素子。
［Ａ０９］化合物半導体は、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１０］リッジストライプ構造部を構成する積層構造体内には、第１エッチングストップ層及び第２エッチングストップ層が形成されており、
光伝搬領域を構成する積層構造体内には、第１エッチングストップ層が形成されており、光伝搬領域を構成する積層構造体の頂面は、第２エッチングストップ層から構成されており、
リッジストライプ隣接部を構成する積層構造体の頂面は、第１エッチングストップ層から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１１］化合物半導体は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１２］少なくともリッジストライプ構造部の側面、及び、リッジストライプ隣接部の頂面には、第１誘電体膜が形成されており、
光伝搬領域の頂面には、第１誘電体膜を構成する材料とは異なる材料から成る第２誘電体膜が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１３］リッジストライプ構造部は直線状に延びている［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１４］リッジストライプ構造部の延びる方向をＸ方向、活性層の幅方向をＹ方向、活性層の厚さ向をＺ方向としたとき、活性層を含む仮想ＸＹ平面で光伝搬領域を切断したときの光出射端面の切断面は、Ｙ方向に延びる直線である［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１５］光出射端面から出射される光の発光スペクトルの半値幅は１ｎｍ以上である［Ａ０１］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１６］スーパールミネッセントダイオードから成る［Ａ０１］乃至［Ａ１５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０１］《発光素子の製造方法・・・第１の態様》
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
リッジストライプ隣接部における第２化合物半導体層の厚さをｄ1、光伝搬領域における第２化合物半導体層の厚さをｄ2、リッジストライプ構造部における第２化合物半導体層の厚さをｄ3としたとき、
ｄ3＞ｄ2＞ｄ1
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２層、及び、第２化合物半導体層の第３層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層を除去し、且つ、リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
［Ｂ０２］《発光素子の製造方法・・・第２の態様》
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２層、及び、第２化合物半導体層の第３層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層を除去し、且つ、リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
［Ｂ０３］前記工程（ａ）において、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２Ａ層、第１エッチングストップ層、第２化合物半導体層の第２Ｂ層、第２エッチングストップ層、第２化合物半導体層の第２Ｃ層、及び、第２化合物半導体層の第３層を、順次、形成し、
前記工程（ｂ）において、光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２Ｃ層を除去し、且つ、リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層、第２化合物半導体層の第２Ｃ層、第２エッチングストップ層及び第２化合物半導体層の第２Ｂ層を除去する［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｂ０４］《発光素子の製造方法・・・第３の態様》
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
リッジストライプ隣接部における第２化合物半導体層の厚さをｄ1、光伝搬領域における第２化合物半導体層の厚さをｄ2、リッジストライプ構造部における第２化合物半導体層の厚さをｄ3としたとき、
ｄ3＞ｄ2＞ｄ1
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、及び、第２化合物半導体層の第２層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上にマスク層を形成し、次いで、
（ｃ）発光領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上に第２化合物半導体層の第３層を形成した後、
（ｄ）リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
［Ｂ０５］《発光素子の製造方法・・・第４の態様》
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から構成された積層構造体から成る発光領域、並びに、
該積層構造体から成り、発光領域から延在し、光出射端面を有する光伝搬領域、
を備えており、
発光領域は、リッジストライプ構造部、及び、リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部から構成されており、
発光領域における実効屈折率をｎeff-1、光伝搬領域における実効屈折率をｎeff-2としたとき、
｜ｎeff-1−ｎeff-2｜≦８×１０-4
を満足する発光素子の製造方法であって、
（ａ）第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、及び、第２化合物半導体層の第２層を、順次、形成した後、
（ｂ）光伝搬領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上にマスク層を形成し、次いで、
（ｃ）発光領域を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第２層の上に第２化合物半導体層の第３層を形成した後、
（ｄ）リッジストライプ隣接部を形成すべき領域における第２化合物半導体層の第３層及び第２化合物半導体層の第２層を除去する、
各工程を備えた発光素子の製造方法。
［Ｂ０６］前記工程（ａ）において、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層の第１層、第２化合物半導体層の第２Ａ層、エッチングストップ層、及び、第２化合物半導体層の第２Ｂ層を形成する［Ｂ０４］又は［Ｂ０５］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０１］《表示装置》
［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の発光素子を備えている表示装置。