【事件の表示】
　特願２０１５−５６０８８６「半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月　７日国際公開、ＷＯ２０１６／０５１９３５、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年７月２２日（国内優先権主張　優先日：平成２６年１０月３日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年１２月１６日　審査請求 
平成２８年　２月２２日　拒絶理由通知 
平成２８年　４月　５日　意見書・手続補正 
平成２８年　７月　５日　拒絶理由通知 
平成２８年　９月　７日　意見書
平成２８年１１月　４日　拒絶査定（以下、「原査定」という。） 
平成２９年　１月２４日　審判請求
　
第２　原査定の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１，２，６，７
・引用文献等　１−３
　出願人は意見書において、引用文献１ないし４のいずれにも、１３００ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１以上という大きな電子移動度の半導体素子（ＨＥＭＴ素子）用エピタキシャル基板の実現、および、６００ｍＡ／ｍｍ以上という大きな最大ドレイン電流の半導体素子（ＨＥＭＴ素子）の実現という顕著な作用効果について開示も示唆もされていないから、当業者には引用文献１ないし４に記載された発明を組み合わせる動機付けがなく、本発明は引用文献１ないし４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものではない旨主張している。
　上記主張について検討する。引用文献２（０００４段落及び００２４段落参照）には、ＡｌＧａＮからなるバリア層を有する高電子移動度トランジスタではＡｌＧａＮとＧａＮとの格子不整合によりＡｌＧａＮ層厚範囲が狭くなり２次元電子ガスのシートキャリア濃度を高くできないという課題があり、当該課題を解決するため、Ｉｎ組成０．１７のＩｎＡｌＮからなる層をバリア層として用いることが記載されており、引用文献１に記載された発明においても２次元電子ガスのシートキャリア濃度を高くすることは当然求められる課題であるから、引用文献１に記載された発明において、引用文献２の記載に基づき、バリア層をＩｎ組成０．１７のＩｎＡｌＮ層とすることは、当業者が容易になし得たことである。また、引用文献３（００２８段落参照）には、窒化物半導体層を成長させる異種基板としてＳｉＣが記載され、さらに基板に０．１°〜０．２°のオフアングルを持たせることにより窒化物半導体を結晶性よく成長させることができる旨記載されており、引用文献１に記載された発明においても窒化物半導体層を結晶性よく成長させることは当然求められる課題であるから、引用文献１に記載された発明において、引用文献３の記載に基づき、ＳｉＣ基板に０．１°〜０．２°のオフアングルを持たせることは、当業者が容易になし得たことである。してみると、引用文献１に記載された発明に引用文献２及び３に記載された発明を適用する動機付けがないとする上記出願人の主張を採用することはできない。
　そして、その他の点については、上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記拒絶理由通知書において引用した引用文献１ないし３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
・請求項　３，８
・引用文献等　１，３，４
・備考
　出願人は意見書において、引用文献１ないし４のいずれにも、１３００ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１以上という大きな電子移動度の半導体素子（ＨＥＭＴ素子）用エピタキシャル基板の実現、および、６００ｍＡ／ｍｍ以上という大きな最大ドレイン電流の半導体素子（ＨＥＭＴ素子）の実現という顕著な作用効果について開示も示唆もされていないから、当業者には引用文献１ないし４に記載された発明を組み合わせる動機付けがなく、本発明は引用文献１ないし４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものではない旨主張している。
　上記主張について検討する。引用文献４（００２５段落ないし００２８段落参照）には、ＡｌＧａＮ電子供給層のＡｌ組成比を２０％にすることが記載されており、また、引用文献１には電子供給層としてＡｌＧａＮ層が記載されている。引用文献１には電子供給層として形成されるＡｌＧａＮ層の組成について記載がないが、当業者であれば、電子供給層について共通の構造及び機能を開示した引用文献４の記載に基づきＡｌ組成比を２０％にすることは容易になし得たことである。また、引用文献３（００２８段落参照）には、窒化物半導体層を成長させる異種基板としてＳｉＣが記載され、さらに基板に０．１°〜０．２°のオフアングルを持たせることにより窒化物半導体を結晶性よく成長させることができる旨記載されており、引用文献１に記載された発明においても窒化物半導体層を結晶性よく成長させることは当然求められる課題であるから、引用文献１に記載された発明において、引用文献３の記載に基づき、ＳｉＣ基板に０．１°〜０．２°のオフアングルを持たせることは、当業者が容易になし得たことである。してみると、引用文献１に記載された発明に引用文献３及び４に記載された発明を適用する動機付けがないとする上記出願人の主張を採用することはできない。
　そして、その他の点については、上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから、本願の請求項３及び８に係る発明は、上記拒絶理由通知書において引用した引用文献１、３及び４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
・請求項　４，５，９，１０
・引用文献　１−５
・備考
　上記において請求項１ないし３、６ないし８について検討したとおり、意見書における出願人の上記主張を採用することはできない。そして、その他の点については、上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから、本願の請求項４、５、９及び１０に係る発明は、上記拒絶理由通知書において引用した引用文献１ないし５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００６−１４７６６３号公報
２．特開２００７−１６５４３１号公報
３．特開２００２−３２９６６５号公報
４．特開２０１２−３３５７５号公報
５．特開２０１３−３３８７７号公報（新たに引用された文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１０」という。）は、平成２８年　４月　５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりである。
「【請求項１】
　半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向してなる下地基板と、
　前記下地基板の一方主面上に形成された、ＡｌＮからなる核形成層と、
　前記核形成層の上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層と、
　前記電子走行層の上に形成された、ＩｎｚＡｌ１−ｚＮ（０．１３≦ｚ≦０．２３）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層と、
を備え、
　前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有してなり、
　前記核形成層と前記電子走行層との間に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みの中間層をさらに備える、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。
【請求項２】
　請求項１に記載の半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　前記中間層の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。
【請求項３】
　半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向してなる下地基板と、
　前記下地基板の一方主面上に形成された、ＡｌＮからなる核形成層と、
　前記核形成層の上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層と、
　前記電子走行層の上に形成された、ＡｌｗＧａ１−ｗＮ（０．１５≦ｗ≦０．３５）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層と、
を備え、
　前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有してなり、
　前記核形成層と前記電子走行層との間に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みの中間層をさらに備える、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。
【請求項４】
　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　前記電子走行層と前記障壁層との間に、ＡｌＮからなるスペーサ層をさらに備える、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。
【請求項５】
　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　前記電子走行層がＧａＮからなる、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。
【請求項６】
　半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向してなる下地基板の一方主面上に、ＡｌＮからなる核形成層をエピタキシャル形成する核形成層形成工程と、
　前記核形成層の上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる中間層を１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みにエピタキシャル形成する中間層形成工程と、
　前記中間層の上に、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層をエピタキシャル形成する電子走行層形成工程と、
　前記電子走行層の上に、ＩｎｚＡｌ１−ｚＮ（０．１３≦ｚ≦０．２３）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、
を備え、
　前記下地基板として、（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有するものを用いる、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項７】
　請求項６に記載の半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　前記中間層を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みに形成する、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項８】
　半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向してなる下地基板の一方主面上に、ＡｌＮからなる核形成層をエピタキシャル形成する核形成層形成工程と、
　前記核形成層の上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる中間層を１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みにエピタキシャル形成する中間層形成工程と、
　前記中間層の上に、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層をエピタキシャル形成する電子走行層形成工程と、
　前記電子走行層の上に、ＡｌｗＧａ１−ｗＮ（０．１５≦ｗ≦０．３５）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、
を備え、
　前記下地基板として、（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有するものを用いる、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項９】
　請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　前記電子走行層の上にＡｌＮからなるスペーサ層をエピタキシャル形成するスペーサ層形成工程、
さらに備え、
　前記障壁層形成工程においては前記スペーサ層の上に前記障壁層を形成する、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項１０】
　請求項６ないし請求項９のいずれかに記載の半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　前記電子走行層形成工程においては前記電子走行層をＧａＮにて形成する、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。」
　
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１４７６６３号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
  しかしながら、ＧａＮ−ＨＥＭＴを高耐圧の電子デバイスとして用いる場合、その特性の変動が大きいという問題がある。例えば、従来のＧａＮ−ＨＥＭＴを継続して用いたときの時間と出力値との関係を図１２に示す。
  このように、ＧａＮ−ＨＥＭＴの使用を重ねるにつれて、例えば１５年程度の継続的使用により出力値は当初の７０％程度まで減少する。このように、１５年間で３０％程度減少する状態では、十分実用に耐えるとは言い難く、従来のＧａＮ−ＨＥＭＴではこの点で大きな問題を抱えていると考えられる。
【０００６】
  本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、
特性変動が極めて小さく経時劣化の少ない信頼性の高い化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする
　イ　「【００２９】
  −本発明を適用した具体的な実施形態−
  （ＧａＮ−ＨＥＭＴの構成）
  上述した本発明の基本骨子を踏まえ、本実施形態によるＧａＮ−ＨＥＭＴの構成について説明する。
 
 図６は、本実施形態によるＧａＮ−ＨＥＭＴの構成を示す概略断面図である。
【００３０】
  このＧａＮ−ＨＥＭＴは、先ず、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ或いはＳｉ等、ここでは
ＳｉＣ基板１上に、電子走行層を含むバッファ層１１と、電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３と、ｎ型ＧａＮ層１０とが積層されている。
【００３１】
  
バッファ層１１は、ＡｌＮ層２と、ＡｌＧａＮ層３と、ＧａＮ層４とが連続的に積層成長されて構成されている。
  ＡｌＮ層２は、膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内の値、ここでは２０ｎｍ程度
【００３２】
 
 ＡｌＧａＮ層３は、ＧａＮ層４の成長時におけるＳｉの混入を抑制するために設けられており、膜厚が１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内の値、ここでは３０ｎｍ程度
ＡｌＧａＮ層３は低Ａｌ組成とされており、Ａｌ
x
Ｇａ
(1-x)
Ｎにおいて、０＜ｘ＜０．３、例えばｘ＝０．０５である。上述したように、ＡｌＮ層２とＧａＮ層４との間に言わばＧａＮ層４の初期層としてＡｌＧａＮ層３を形成することにより、ＡｌＧａＮ中のＡｌがＡｌＧａＮの横方向成長時にＳｉの混入が抑制される。
【００３３】
  なお、Ｓｉ混入を抑制する層として、ＡｌＧａＮ層３の代わりに、ＡｌＧａＩｎＮ層を形成しても良い。Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ層を形成することにより、（Ｓｉの混入抑制  ）という利点がある。この場合、Ａｌx［ＧａyＩｎ(1-y)］(1-x)Ｎにおいて、例えば０＜ｘ＜０．３，０＜ｙ＜０．１である。
【００３４】
  
ＧａＮ層４は、電子走行層として機能するもの
【００３５】
  
ＧａＮ層４の膜厚は、５００ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲内の値、ここでは１０００ｎｍ程度とされている。
【００３６】
 
 ＡｌＧａＮ層１３は、電子供給層として機能するものであり、膜厚３ｎｍ程度のノンドープＡｌＧａＮ層１２と、膜厚２０ｎｍ程度のｎ型ＡｌＧａＮ層５とが積層されて構成されている。
　ウ　「【００４０】
  （ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法）
  上述した本発明の基本骨子を踏まえ、本実施形態によるＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法について説明する。
  図７は、本実施形態によるＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【００４１】
  先ず、
図７（ａ）に示すように、ＳｉＣ基板１を用意し、このＳｉＣ基板１上に、ＭＯＶＰＥ法により、バッファ層１１を構成するＡｌＮ層２、ＡｌＧａＮ層３及びＧａＮ層４と、ＡｌＧａＮ層１３を構成するノンドープＡｌＧａＮ層１２及びｎ型ＡｌＧａＮ層５と、ｎ型ＧａＮ層１０とを順次連続的に成長形成する。
【００４２】
  具体的には、
ＡｌＮ層２を膜厚２０ｎｍ程度に、ＡｌＮ層２上にＡｌ組成５％程度のＡｌＧａＮ層３を膜厚３０ｎｍ程度に、ＡｌＧａＮ層３上にＧａＮ層４を膜厚１０００ｎｍ程度に、ＧａＮ層４上にノンドープＡｌＧａＮ層１２を膜厚３ｎｍ程度に、ノンドープＡｌＧａＮ層１２上にＳｉを４×１０
18
／ｃｍ
3
程度の濃度にドープしてなるｎ型ＡｌＧａＮ層５を膜厚２０ｎｍ程度に、ｎ型ＡｌＧａＮ層５上にＳｉを４×１０
18
／ｃｍ
3
程度の濃度にドープしてなるｎ型ＧａＮ層１０を膜厚５ｎｍ程度に、順次成長形成する
　エ　そして、図７（ａ）には、ＳｉＣ基板１、ＡｌＮ層２、ＡｌＧａＮ層３、ＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層１３の順に積層したＧａＮ−ＨＥＭＴ素子用のエピタキシャル基板、が記載されていると認められる。
（２）引用発明１
　したがって、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ＳｉＣ基板１上に、ＡｌＮ層２と、ＡｌＧａＮ層３と、電子走行層として機能するＧａＮ層４とが連続的に積層成長され、さらに電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３が積層され、ＡｌＧａＮ層３は膜厚が３０ｎｍでＡｌの組成比が０．０５である、ＧａＮ−ＨＥＭＴ素子用のエピタキシャル基板。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−１６５４３１号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　ア「【０００４】
  しかし、ＡｌＧａＮからなるバリア層を有する高電子移動度トランジスタでは、ＡｌＧａＮとＧａＮとの格子不整合により、特にＡｌ組成が高くなるにつれて形成できるＡｌＧａＮ層厚範囲が狭くなり、２次元電子ガスのシートキャリア濃度について十分広範囲な設
計余裕を確保できない、という難点もあった。こうした難点を解決するために、
バリア層の材料としてＩｎＡｌＮを用いた高電子移動度トランジスタが提案されている。
【０００５】
  
ＩｎＡｌＮはＩｎ組成０．１７においてＧａＮと格子整合するため、ＩｎＡｌＮをバリア層に用いると、バリア層厚に対する制限がＡｌＧａＮをバリア層に用いた場合よりも格段に緩和される。
　イ「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
  上述したように、
バリア層３をＩｎＡｌＮで構成することは、ゲートリーク電流の低減、ゲート耐圧の向上という観点では有利であるが、ソースおよびドレインのコンタクト抵抗の低減という観点からは不利となる
【００１１】
  本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、
良好なゲート耐圧特性を有し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗が小さい電界効果型トランジスタ、その製造方法を提供することを目的とする
（２）引用発明２
　したがって、引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「ＧａＮ層に対して、Ｉｎ組成０．１７であるＩｎＡｌＮをバリア層を形成する技術。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−３２９６６５号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　ア　「【０００９】そこで、
本発明の目的は
異種基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から異種基板を除去することにより窒化物半導体の単体基板を得る製造方法を提供すること
窒化物半導体の単体基板は、ホール移動度を大きくすることによる電気的特性の向上を目的とした低転位であり、厚膜の窒化物半導体
　イ　「【００２８】本発明における異種基板１としてはＣ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイアや
ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）
好ましい異種基板１としては、
ＳｉＣ、
基板をオフアングルしていてもよく、この場合ステップ状にオフアングルした基板を用いると窒化物半導体からなる下地層２の成長が結晶性よく成長する傾向にあり好ましい。この時のオフ角としては、０°〜０．５°、好ましくは０．１°〜０．２°とする。
【００２９】次に
下地層２を異種基板１上に気相成長法により成長させる
Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ（０≦Ｘ≦１）
（２）引用発明３
　したがって、引用文献３には次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されているものと認められる。
「オフ角として０°〜０．５°を有する気相成長用のＳｉＣ基板を用いた気相成長技術。」
４　引用文献４について
（１）引用文献４
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１２−３３５７５号公報（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
  「【００２８】
 
 ＧａＮ電子走行層１４上に、ＡｌＧａＮ電子供給層１６を成長させる
  原料ガス  ：ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ３
  
Ａｌ組成比：２０％
  膜厚      ：２５ｎｍ。」
 （２）引用発明４
　したがって、引用文献４には次の発明（以下、「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「ＧａＮ電子走行層上にＡｌ組成比２０％としたＡｌＧａＮ電子供給層を形成する技術。」
５　引用文献５について
（１）引用文献５　
原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１３−３３８７７号公報（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　ア　「【００４２】
  
チャネル層３は、Ｉｎ
x1
Ａｌ
y1
Ｇａ
z1
Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成のIII族窒化物（第１のIII族窒化物）にて、数μｍ程度の厚みに形成される層
【００４３】
  一方、
障壁層５は、Ｉｎ
x2
Ａｌ
y2
Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、ｘ２＞、ｙ２＞０）なる組成を有するIII族窒化物（第２のIII族窒化物）にて、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の厚みに形成される層
【００４４】
  なお、チャネル層３と障壁層５とは、前者を構成する第１のIII族窒化物のバンドギャップよりも後者を構成する第２のIII族窒化物のバンドギャップの方が大きいという組成範囲をみたして形成される。」
　イ　「【００４６】
  さらに、
チャネル層３と障壁層５の間にはスペーサ層４が設けられる。スペーサ層４は、Ｉｎ
x3
Ａｌ
y3
Ｇａ
z3
Ｎ（ｘ３＋ｙ３＋ｚ３＝１）なる組成を有し、少なくともＡｌを含む（ｙ３＞０をみたす）III族窒化物（第３のIII族窒化物）
（２）引用発明５
  したがって、引用文献５には次の発明（以下、「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
　「Ｉｎx1Ａｌy1Ｇａz1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成のチャネル層３とＩｎx2Ａｌy2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、ｘ２＞、ｙ２＞０）なる組成を有する障壁層５の間に少なくともＡｌを含むＩｎx3Ａｌy3Ｇａz3Ｎ（ｘ３＋ｙ３＋ｚ３＝１）なる組成（ｙ３＞０をみたす）III族窒化物（第３のIII族窒化物）のスペーサ層４を設ける技術。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「ＧａＮ−ＨＥＭＴ素子用のエピタキシャル基板」は、下記相違点１及び２を除いて、本願発明１の「半導体素子用のエピタキシャル基板」に相当する。
　イ　引用発明１の「ＳｉＣ基板１」は、下記相違点２を除いて、本願発明１の「ＳｉＣからなる下地基板」に相当する。
　ウ　引用発明１の「ＡｌＮ層２」は、「ＳｉＣ基板１上に」成長されるから、前記イを考慮して、本願発明１の「前記下地基板の一方主面上に形成された、ＡｌＮからなる核形成層」に相当する。
　エ　引用発明１の「電子走行層として機能するＧａＮ層４」は、「ＡｌＮ層２と、ＡｌＧａＮ層３と」連続的に積層成長されるものであり、前記ウを考慮した上で、そのＡｌの組成比は０であるから、本願発明１の「前記核形成層の上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層」を満たすと認められる。
　オ　引用発明１の「電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３」は、障壁により「電子走行層として機能するＧａＮ層４」に電子を供給するものであるから、下記相違点１を除き、本願発明１の「前記電子走行層の上に形成された、１３族窒化物からなる障壁層」に相当する。
　カ　引用発明１の「ＡｌＧａＮ層３」は、「ＡｌＮ層２」と、「電子走行層として機能するＧａＮ層４」との間に積層成長され、「膜厚が３０ｎｍでＡｌの組成比が０．０５である」から、本願発明１の「前記核形成層と前記電子走行層との間に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みの中間層をさらに備える」を満たすと認められる。
　キ　すると、本願発明１と引用発明１とは、下記クの点で一致し、下記ケの点で相違すると認められる。
　ク　一致点
「半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　ＳｉＣからなる下地基板と、
　前記下地基板の一方主面上に形成された、ＡｌＮからなる核形成層と、
　前記核形成層の上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層と、
　前記電子走行層の上に形成された、１３族窒化物からなる障壁層と、
を備え、
　前記核形成層と前記電子走行層との間に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みの中間層をさらに備える、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１では、前記電子走行層の上に形成された、ＩｎｚＡｌ１−ｚＮ（０．１３≦ｚ≦０．２３）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層を有するのに対して、引用発明１では、電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３を有する点。
　（イ）相違点２
　本願発明１では、ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向して、前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有している基板であるのに対して、引用発明１では、ＳｉＣ基板１について基板面方位やオフ角について記載されていない点。
（２）相違点についての判断
　以下、前記相違点について検討するにあたり、引用発明１ないし３を全体として組み合わせる事の可否を検討するために、まとめて検討する。
　前記相違点に関する構成は、相違点１について引用発明２、相違点２について引用発明３に各々記載されている。しかし、引用発明１ないし３における技術的課題の共通性の欠如及び効果の予測性の欠如を理由に、引用発明１に対して、引用発明２、引用発明３を組み合わせることはできない。
　まず、技術的課題について検討すると、引用発明１は、特性変動の小さい経時劣化の少ない半導体装置に関する技術であり、当該装置の電気的特性の安定化に資する技術の提供を技術的課題としている（第４の１（１）アを参照）。これに対して、引用発明２は、バリア層３をＩｎＡｌＮで構成した際に、良好なゲート耐圧特性を有し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗が小さい電界効果型トランジスタ、及びその製造方法を提供することを目的としており、電界効果型トランジスタという半導体装置の電気的特性の向上に資する技術の提供を技術的課題としている（第４の２（１）イを参照）。また、引用発明３は、異種基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から異種基板を除去することにより、ホール移動度を大きくすることによる電気的特性の向上を図った低転位であり、厚膜の窒化物半導体の製造方法を提供する事を目的としており、窒化物半導体層の電気的特性の向上に資する技術の提供を技術的課題としている（第４の３（１）アを参照）。
　とすると、引用発明１が半導体装置の電気的特性の「安定化」を指向するのに対して、引用発明２及び引用発明３は積極的に電気的特性の「向上」を指向しており、両者の技術的課題が単に相違するだけに留まらず、同時に取り組むべき課題として想定しにくいことから、引用発明１において、引用発明２、引用発明３を適用することは困難と認められる。
　また、効果の予測性について検討すると、本願発明１における効果は、ＡｌＮ核形成層とＧａＮ電子走行層との間にＡｌＧａＮからなる中間層を設けるとともに、半絶縁性ＳｉＣ基板のオフ角の設定を調整することで、電子移動度の優れた、ＨＥＭＴ素子用の１３族窒化物エピタキシャル基板を得ることにあるが（本願明細書【０００６】参照）、引用発明１において本願発明１に相当するＡｌＧａＮ層３は、ＧａＮ層４の成長時におけるＳｉの混入を抑制するために設けられており、経時劣化の少ない半導体装置を得る効果しか想定していない（第４の１（１）イを参照）。同様に、引用発明２は、良好なゲート耐圧特性を有し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗が小さい電界効果型トランジスタを得る事、引用発明３は、ホール移動度を大きくすることによる電気的特性の向上を目的とした低転位であり、厚膜の窒化物半導体の製造方法を提供する事、を各々効果として期待している発明であり、引用発明１ないし引用発明３には、いずれも電子移動度の改善に着目した効果を認識しておらず、本願発明１の効果を予測することは困難なものと認められる。
　したがって、本願発明１は、引用発明１ないし引用発明３までを組み合わせて容易に想到することはできなかったものと認められる。
　そして、本願発明１は、前記相違点に係る構成を備えることにより、エピタキシャル基板は、約１３００ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１以上という高い電子移動度を有するものとなっている。これは、オフ角のある下地基板を用いているものの中間層を備えていないエピタキシャル基板において実現される電子移動度の２倍以上の値、（０００１）面サファイア基板を下地基板に用いてＨＥＭＴ素子用の１３族窒化物エピタキシャル基板を種々作製した場合に実現される電子移動度の上限に相当する極めて優れた電子移動度を有する半導体基板であり、当該特性の優れた半導体基板の提供が可能という効果を奏している。 また、係る優れた電子移動度を有するエピタキシャル基板を用いることで、優れた特性のＨＥＭＴ素子を、例えば、最大ドレイン電流の高いＨＥＭＴ素子を、作製することができる、という有利な効果（本願明細書段落【００３７】〜【００４０】）を奏するものである。
　なお、引用文献４、引用文献５は、他の本願発明の一要素を開示するにすぎず、当該判断に影響は与えない。
（３）まとめ
　したがって、本願発明１は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから、前記１のとおり、本願発明１が引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上、本願発明２についても、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　本願発明３について
 （１）本願発明３と引用発明１との対比
  本願発明３と引用発明１を対比すると、前記第５の１（１）アないしエ及びカは同様であり、オについては、
　オ　引用発明１の「電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３」において、電子供給層におけるＡｌの組成比として０．２前後の値を取る事は、引用文献４に記載されているように（前記第４の４）一般的な組成比であるから本願発明３の「前記電子走行層の上に形成された、ＡｌｗＧａ１−ｗＮ（０．１５≦ｗ≦０．３５）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層」に相当する。
　と置き換えると、下記キの点で一致し、クの点で相違する。
　キ　一致点
「半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
　ＳｉＣからなる下地基板と、
　前記下地基板の一方主面上に形成された、ＡｌＮからなる核形成層と、
　前記核形成層の上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層と、
　前記電子走行層の上に形成された、ＡｌｗＧａ１−ｗＮ（０．１５≦ｗ≦０．３５）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層と、
を備え、
　前記核形成層と前記電子走行層との間に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みの中間層をさらに備える、
ことを特徴とする半導体素子用のエピタキシャル基板。」
　ク　相違点
　本願発明３では、ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向して、前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有しているエピタキシャル基板であるのに対して、引用発明１では、ＳｉＣの基板面方位やオフ角について記載されていない点。
（２）相違点についての判断         
　前記第５の１（２）で検討したとおりである。
（３）まとめ
　したがって、本願発明３は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　本願発明４，５について
   本願発明４，５は、本願発明１又は３の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから、前記第５の１又は３のとおり、本願発明１又は３が引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上、本願発明４，５についても、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
５　本願発明６について
（１）引用製造方法発明１について
　前記第４の１（１）から、引用文献１には次の発明（以下、「引用製造方法発明１」という。）が記載されていると認められる。
  「ＳｉＣ基板１上に、ＡｌＮ層２と、ＡｌＧａＮ層３と、電子走行層として機能するＧａＮ層４とを連続的に積層成長する工程と、さらに電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３が積層される工程とを備え、ＡｌＧａＮ層３は膜厚が３０ｎｍでＡｌの組成比が０．０５である、ＧａＮ−ＨＥＭＴ素子用のエピタキシャル基板の製造方法。」
（２） 本願発明６と引用製造方法発明１との対比
　前記第５の１（１）アないしカにおいて「引用発明１」を「引用製造方法発明１」と読み替えて参照すると、本願発明６と引用製造方法発明１とは、下記キの点で一致し、下記クの点で相違すると認められる。
  キ　一致点
　「半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　ＳｉＣからなる下地基板の一方主面上に、ＡｌＮからなる核形成層をエピタキシャル形成する核形成層形成工程と、
　前記核形成層の上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる中間層を１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みにエピタキシャル形成する中間層形成工程と、
　前記中間層の上に、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層をエピタキシャル形成する電子走行層形成工程と、
　前記電子走行層の上に、１３族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、
を備えた半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。」
　ク　相違点
（ア）相違点１
　本願発明６では、前記電子走行層の上にＩｎｚＡｌ１−ｚＮ（０．１３≦ｚ≦０．２３）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層を形成するのに対して、引用製造方法発明１では、電子供給層となるＡｌＧａＮ層１３が積層される点。
（イ）相違点２
　本願発明６では、ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向して、前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有している下地基板であるのに対して、引用製造方法発明１では、ＳｉＣ基板１の基板面方位やオフ角について記載されていない点。
（３）相違点の判断
  前記第５の１（２）で検討したとおりである。 
（４）まとめ
　したがって、本願発明６は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
６　本願発明７について
　 本願発明７は、本願発明６の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから、前記５のとおり、本願発明６が引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上、本願発明７についても、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
７　本願発明８について
（１）本願発明８と引用製造方法１との対比
  本願発明６と同様に、前記第５の１（１）アないしカについて「引用発明１」を「引用製造発明１」と読み替えて参照すると、本願発明８と引用製造方法発明１とは、下記アの点で一致し、下記イの点で相違すると認められる。
   ア　一致点
　「半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、
　ＳｉＣからなる下地基板の一方主面上に、ＡｌＮからなる核形成層をエピタキシャル形成する核形成層形成工程と、
　前記核形成層の上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる中間層を１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みにエピタキシャル形成する中間層形成工程と、
　前記中間層の上に、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層をエピタキシャル形成する電子走行層形成工程と、
　前記電子走行層の上に、ＡｌｗＧａ１−ｗＮ（０．１５≦ｗ≦０．３５）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、
を備えた半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法。」
　イ　相違点
  本願発明８では、ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向して、前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有している下地基板であるのに対して、引用製造方法発明１では、ＳｉＣ基板１の基板面方位やオフ角について記載されていない点。
（２）相違点についての判断         
　前記第５の１（２）で検討したとおりである。
（３）まとめ
　したがって、本願発明８は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
８　本願発明９，１０
  本願発明９，１０は、本願発明６又は８の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから、前記第５の５又は７のとおり、本願発明６又は８が引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上、本願発明９，１０についても、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第６　むすび
　前記第５の１ないし８のとおり、本願発明１ないし１０は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。