【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数のゲートと複数の絶縁膜を交互に積層してゲートスタックを形成する工程と、
前記ゲートスタックを通して前記基板を露出させるチャンネルホールを形成する工程と、
前記チャンネルホールによって露出された前記基板をリセスして前記チャンネルホールの下にリセス領域を形成する工程と、
前記リセス領域内に物質をエピ成長させる工程と、
を含み、
前記エピ膜の上面は、前記基板の上面と同じ高さ、または、前記基板の上面より高い位置であって、前記ゲートスタックの複数のゲートの中で最下層ゲートの下面より低い位置に形成されることを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項２】
前記チャンネルホール内に垂直チャンネルとメモリ膜とを構成する工程をさらに含み、
前記垂直チャンネルは、前記基板と電気的に接続されて前記エピ膜と接触し、
前記メモリ膜は、前記垂直チャンネルと前記複数のゲートとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項３】
前記基板をリセスする工程は、前記チャンネルホールを形成した後に行なわれることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板をリセスする工程は、前記チャンネルホールの形成と共に行なわれることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項５】
前記リセス領域内に物質をエピ成長させる工程は、
前記基板の物質と同じ物質を含むソースガスを前記基板上に供給する工程と、
前記基板と同じ導電型を有する不純物を含むドーピングガスを前記基板上に供給する工程と、
を含み、
前記ドーピングガスは、前記ソースガスを供給する間または前記ソースガスを供給した後に供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項６】
前記ソースガスはシリコンを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項７】
前記ソースガスはＳｉＣｌ4、ＳｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨＣｌ3の中で少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項８】
前記エピ膜は、前記基板の上面と同一平面上に形成される上面を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項９】
前記エピ膜の上面は、平坦に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記エピ膜の上面は、凸状に形成され、その厚さは前記エピ膜の縁から中心部に向かうにしたがって大きくなるよう形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記エピ膜の上面は、凹状に形成され、その厚さは前記エピ膜の縁から中心部に向かうにしたがって小さくなるよう形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法によって製造される回路のレイアウトを有する半導体素子を有し、モバイル装置、デスクトップコンピュータ、応用チッブセット、カメライメージセンサ、カメライメージシグナルプロセッサ、及び、入出力装置の中で何れか一つであることを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１３】
プログラムを貯蔵するメモリ装置と、
前記メモリ装置と信号をやり取りするプロセッサと、
を備え、
前記メモリ装置は請求項１に記載の半導体メモリ素子の製造方法によって製造される回路のレイアウトを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１４】
モバイル装置、デスクトップコンピュータ、応用チッブセット、カメライメージセンサ、カメライメージシグナルプロセッサ、入出力装置、メモリカードの少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
ホストとインターフェースするインターフェース部と、
バスによって前記インターフェース部およびメモリ装置と信号をやり取りするコントローラと、
を備え、
前記メモリ装置は、請求項１の方法によって製造される回路のレイアウトを有することを特徴とする半導体メモリカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体メモリ素子の製造方法、コンピュータシステム、システム、および、半導体メモリカード
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の半導体メモリ素子の製造方法では、ソースガスは、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨＣｌ3の中で少なくとも何れか一つを含む。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】