【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される位置規則性が頭−尾型に制御されたポリ（３−置換チオフェン）化合物：
【化１】
2015030789.tif 000001
（式（Ｉ）中、Ｒ０は炭素数２〜６の直鎖状または分岐状の置換または非置換のアルキレン基を、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なって、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基または炭素数３〜１２のシクロアルキル基を、Ｒ３，Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なって、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基または水素から構成される基を、ｍはＲ１及びＲ２が同一又は異なった基であるケイ素―酸素結合の２〜６の繰り返し単位を、ｎは１０〜２００の繰り返し単位をそれぞれ示す。）。
【請求項２】
下記一般式（II）で表される位置規則性が頭−尾型に制御されたポリ（３−置換チオフェン）化合物：
【化２】
2015030789.tif 000002
（式（II）中、Ｒ０は炭素数２〜６の直鎖状または分岐状の置換または非置換のアルキレン基を、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なって、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基または炭素数３〜１２のシクロアルキル基を、Ｒ３，Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なって、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基または水素から構成される基を、ｎは１０〜２００の繰り返し単位をそれぞれ示す。）。
【請求項３】
下記一般式（III）で表される請求項２に記載のポリ（３−置換チオフェン）化合物：
【化３】
2015030789.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ５及びｎは前記に同じ。）。
【請求項４】
下記一般式（IV）で表される３位の置換基にシロキサン結合を有することを特徴とするポリ（３−置換チオフェン）化合物の合成中間体：
【化４】
2015030789.tif 000004
（式（IV）中、Ｒ１〜Ｒ５は、同一又は異なって、水素または直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基から構成されるいずれかの基を、Xは臭素，塩素またはヨウ素から構成されるいずれかの基を示す。）。
【請求項５】
ニッケル触媒、パラジウム触媒、有機金属アミドから構成される少なくともひとつの触媒と極性非プロトン性有機溶媒の存在下、請求項４に記載のモノハロゲン化３−置換チオフェンを重合することにより、位置規則性が頭−尾型に制御されたことを特徴とするシロキサン基をもつポリ（３−置換チオフェン）の製造方法。
【請求項６】
前記ニッケルまたはパラジウム触媒が、２座の中性ホスフィン配位子、単座の中性ホスフィン配位子、中性π配位子、一価のアニオン性配位子、二価のアニオン性配位子、単座 の中性アミン配位子、２座の中性アミン配位子、中性ニトリル配位子および中性スルフィニル配位子からなる群より選ばれる少なくとも１種の配位子を有し、
ニッケルまたはパラジウムの価数が、０価もしくは２価となるように配位構成されているニッケルまたはパラジウム錯体であることを特徴とする請求項５に記載のポリ（３−置換チオフェン）の製造方法。
【請求項７】
前記有機金属アミドが、マグネシウム塩であることを特徴とする請求項５又は６に記載のポリ（３−置換チオフェン）の製造方法。
【請求項８】
前記２座の中性ホスフィン配位子が、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンまたは１，１｀−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンであり、
前記単座の中性ホスフィン配位子が、トリｎ―ブチルホスフィン、トリｔ−ブチルホスフィンまたはトリフェニルホスフィンであり、
前記中性π配位子が、ベンゼン、シクロブタジエンまたはシクロオクタジエンであり、
前記一価のアニオン性配位子が、メチル、フェニル、ヘキサメチルシクロペンタジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、アリル、シクロペンタジエニル、 アルコキシ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、カルボキシラート、アセチルアセトナート、トリフルオロメタンスルフォネート、１，３−ビス （２，６−ジ−イソプロピルフェニル）―４，５−ジヒドロイミダゾ−ル−２−リデン、１，３−ビス（２，６−ジ−イソプロピルフェニル）イミダゾ−ル −２−リデンまたは１，３−ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）イミダゾール−２−リデンであり、
前記二価のアニオン性配位子が、フタロシアニン、ナフタロシアニンまたはポルフィリンであり、
前記単座の中性アミン配位子が、アンモニア、ピリジンまたは３−クロロピリジンであり、
前記２座の中性アミン配位子が、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、１，１０−フェナンソロリンまたは２，２｀−ビピリジルであり、
前記中性ニトリル配位子が、アセトニトリルまたはベンゾニトリルであり、
前記中性スルフィニル配位子が、１，２−ビス（フェニルスルフィニル）エタンである、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のポリ（３−置換チオフェン）の製造方法。
【請求項９】
チオフェン環の３位の置換基にシロキサン結合を有するモノハロゲン化３−置換チオフェンに対して、ニッケル触媒またはパラジウム触媒の量が０．０１〜５０モル％であることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のポリ（３−置換チオフェン）の製造方法。
【請求項１０】
前記モノハロゲン化３−置換チオフェン１当量に対して、前記有機金属アミドの量が０．１〜１０当量であることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のポリ（３−置換チオフェン）の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【化２】
2015030789.tif 000005
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は直鎖状または分岐状の置換または非置換の炭素数２〜６のアルキレン基を、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なって、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基または炭素数３〜１２のシクロアルキル基を、Ｒ３，Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なって、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基または水素から構成される基を、ｍはＲ１及びＲ２が同一又は異なった基であるケイ素―酸素結合の２〜６の繰り返し単位を、ｎは１０〜２００の繰り返し単位をそれぞれ示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記一般式（III）中、Ｒ１〜Ｒ５は、同一又は異なって、水素または直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基から構成されるいずれかの基を、Xは臭素，塩素またはヨウ素から構成されるいずれかの基を示す。