【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ及び図１Ｄは、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｃは、図１Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図であり、図２Ｂは、図２Ａとは異なる仮想垂直面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、図２Ｂ及び図２Ｃに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、図３Ａ及び図３Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、図４Ａ及び図４Ｂに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、図５Ａに引き続き、実施例１の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、実施例２の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。
【図８】図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃは、実施例３の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、実施例３の積層構造体の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０Ａ、図１０Ｂ及び図１０Ｃは、実施例３の積層構造体の変形例の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、実施例４の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部断面図である。
【図１２】図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃは、図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃに引き続き、実施例４の積層構造体の製造途中における基板等の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、実施例５の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに引き続き、実施例５の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、実施例６の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６Ａ及び図１６Ｂは、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図であり、図１６Ｃは、図１６Ｂとは異なる仮想垂直面で基板等を切断したときの基板等の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１６Ｂに引き続き、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図１８】図１８Ａ及び図１８Ｂは、図１７Ｂに引き続き、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９は、図１８Ｂに引き続き、実施例７の積層構造体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
電子デバイスの製造にあっては、溝部（分離溝）の形成によって相互に分離された各積層構造体における基板を中継基板によって保持し、上述したとおり、基板から支持基板を除去（剥離）する。そして、実装用基板上の未硬化接着材料層の上に積層構造体を配し、次いで、中継基板を除去した後、未硬化接着材料層を硬化させ、その後、配線と配線部を電気的に接続すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
［工程−１６０］
接着層（粘着層）が全面に形成された中継基板（図示せず）を準備する。そして、接着層と基板１１の頂面１１Ａとを接触させ、接着層に基板１１の頂面１１Ａを付着させる。その後、支持基板側からエキシマレーザを接着剤層４３に照射することでレーザ・アブレージョンを生じさせ、接着剤層４３と支持基板４０の界面において積層構造体１０から支持基板４０を取り外し、中継基板によって保持する。その後、中継基板に保持された積層構造体１０を実装用基板（例えば、プリント配線板）５０に配置し、中継基板を周知の方法で除去した後、実装用基板５０に設けられた配線部５１と配線３２の端部とを電気的に接続する。具体的には、配線３２の射影像と配線部５１の射影像とが一部分で重なった状態となるように、実装用基板５０上の未硬化接着材料層の上に積層構造体１０を配し、次いで、中継基板を除去した後、未硬化接着材料層を硬化させ、その後、配線３２の端部と配線部５１とを電気的に接続する。こうして、図６Ｂに示すように、実装用基板５０に積層構造体（半導体装置）１０が取り付けられた構造を得ることができる。尚、図６Ｂにおいて、参照番号５２は、実装用基板５０に積層構造体１０を固定するための光硬化型接着材料層を示し、参照番号５３は、接続端子部として機能する配線３２の端部と配線部５１とを電気的に接続するメッキ層を表す。第２の素子（具体的には、発光素子であり、例えば、発光ダイオード、ＬＥＤ）６０は、光硬化型接着材料層５４によって実装用基板５０に固定されており、配線部５１と、第２の素子６０に設けられたボンディング・パッド部６１とは、メッキ層５５によって電気的に接続されている。周知の転写法に基づき、第２の素子６０を実装用基板５０に固定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
［工程−５１０］
次に、基板１１の上及び溝部４５内に、周知のＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ2から成る第２絶縁層７０を形成する。尚、第２絶縁層７０を構成する材料として、その他、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5を挙げることができる。また、形成方法として、ＰＶＤ法を採用してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
［工程−５２０］
その後、少なくとも溝部４５の側壁上の第２絶縁層７０の上に遮光膜７１を形成する。尚、実施例５にあっては、溝部４５の側壁及び基板１１の上の第２絶縁層７０の上に遮光膜７１を形成する。具体的には、第２絶縁層７０の上に、周知のスパッタリング法に基づき、Ｔｉから成る遮光膜７１を形成する（図１３Ｂ参照）。その後、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上に位置する遮光膜７１の部分及び第２絶縁層７０の部分を、エッチング技術に基づき除去する（図１４Ａ参照）。このときにも、配線３２は保護層２２によって被覆されているので、配線３２に損傷が発生することを防止することができるだけでなく、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面上に位置する遮光膜７１の部分及び第２絶縁層７０の部分を確実に除去することができる。また、溝部４５内における遮光膜７１の下端部と配線３２との間の距離Ｌ（図１４Ａ参照）は、溝部４５の底部における第２絶縁層７０の膜厚及び保護層２２の膜厚によって規定されるので、この距離Ｌのバラツキを少なくすることができ、プロセスの安定化を図ることができる結果、遮光性能の向上、積層構造体（半導体装置）１０の特性の安定化を図ることができる。尚、一般に、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上方に位置する遮光膜７１の部分の厚さは、基板１１の上方に位置する遮光膜７１の部分の厚さよりも薄いので、溝部４５の底面及び支持基板４０の露出面の上に位置する遮光膜７１の部分及び第２絶縁層７０の部分を、選択的にエッチングすることができる。