【事件の表示】
　特願２０１３−　９２０２６「半導体イメージセンサー装置と方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月　７日出願公開、特開２０１３−２２９６０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年４月２５日（パリ条約による優先権主張２０１２年４月２５日、米国、２０１３年１月１７日、米国）の出願であって、同日付で審査請求がなされ、平成２６年２月２４日付で拒絶理由が通知され、同年７月４日付で意見書が提出され、平成２７年２月９日付で拒絶理由が通知され、同年６月２９日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年８月２８日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年１２月２８日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、当審において平成２８年７月２９日付で拒絶理由が通知され、同年１０月２８日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２８年１０月２８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし７に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「ｐ型ドーパントを含むｐ型領域を有する半導体基板であって、前記半導体基板の背面は、入射光を受信するように構成されることと、
　前記半導体基板の表面と近接する前記ｐ型領域中の複数の放射線感知領域と、
　前記複数の放射線感知領域と近接する前記ｐ型領域に隣接する負に帯電した層と、を含む半導体イメージセンサー装置において、
　前記負に帯電した層は、1E10/cm2より大きい総負電荷量を有し、
　前記負に帯電した層は、前記半導体基板の前記ｐ型領域上のトランジスタゲートの側壁スペーサ、前記半導体基板の前記ｐ型領域とサリサイドブロック層の間のバッファ層、サリサイドブロック層、または、トランジスタゲートスペーサ上のオフセットスペーサであることを特徴とする半導体イメージセンサー装置。」
第３　当審の判断
１．引用例について
（１）引用例１について
　当審の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０１０−６７７３６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
ａ．引用例１の記載について
（ア）「【０００２】
　ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置においては、フォトダイオードからなるセンサ中の結晶欠陥や、
センサ表面とその上層膜との界面における界面準位が、暗電流の発生源となることが知られている。
（イ）「【００１５】
＜第１実施の形態＞
［固体撮像装置の構成］
　
図１（１）は、本発明の固体撮像装置をＣＭＯＳセンサに適用した場合の１画素分の要部断面図であり、
【００１６】
　Ｎ型の単結晶シリコンからなる半導体基板１０１の表面側には、例えば溝型の素子分離１０１ａ（shallow trench isolation：ＳＴＩ）が設けられて各画素領域が分離されている。素子分離領域１０１ａで分離された画素領域における
半導体基板１０１の表面側にはＰウェル拡散層１０２が設けられている。また半導体基板１０１上には、Ｐウェル拡散層１０２を横切る状態で、ゲート絶縁膜３を介して転送ゲート５がパターン形成されている。
【００１７】
　
以上のような転送ゲート５で仕切られた画素領域の一方側は、受光領域となる。この受光領域におけるＰウェル拡散層１０２の表面側にはＮ型拡散層１０３が配置され、このＰウェル拡散層１０２とＮ型拡散層１０３とでダイオード(センサ）Ｄが構成されている。
【００１８】
　一方、転送ゲート５の他方の脇には、Ｐウェル拡散層１０２の表面側にＮ型の拡散層からなるフローティングディフュージョン１０５が設けられている。
【００１９】
　尚、以上のような構成の画素領域が配列されている撮像領域の周囲には、ここでの図示は省略した駆動回路が設けられた周辺領域が配置されている。この周辺領域には、駆動回路を構成するトランジスタ等が配置されていることとする。
【００２０】
　以上のような素子分離１０１ａ、転送ゲート５、
ダイオードＤ
が設けられた半導体基板１０１上は、酸化絶縁膜９Ａで覆われている。この酸化絶縁膜９Ａは、炭素を含有していることが特徴的で有り、これによって負の固定電荷を有する負電荷蓄積層として設けられている。
（ウ）「【００４３】
　以上のようにして得られた
図１の構成の固体撮像装置１Ａでは、ダイオードＤ上に炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａを設けた構成である。炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａは、負の固定電荷を有する負電荷蓄積層として機能する。このため、この酸化絶縁膜９Ａをセンサ上に配置したことで、酸化絶縁膜９Ａにおける負のバンドベンディング効果によって半導体基板１０１の表面側に効果的に正電荷が引き寄せられ、この部分に正孔蓄積層１０７を形成して界面準位を補償することが可能になる。
【００４４】
　したがって、ダイオードＤ表面に高温での熱処理が必要な不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく、ＨＡＤ構造を構成して
暗電流の発生を防止することが可能になる。
ｂ．引用例１発明について
　上記ａ．の記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体基板１０１の表面側にＰウェル拡散層１０２を設け、
　半導体基板１０１上に、Ｐウェル拡散層１０２を横切る状態で、転送ゲート５がパターン形成され、
　転送ゲート５で仕切られた画素領域の一方側のＰウェル拡散層１０２の表面側にはＮ型拡散層１０３を配置しダイオード(センサ）Ｄを構成し、受光領域とし、
　受光領域を複数有し、
　ダイオードＤが設けられた半導体基板１０１上を、負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａで覆い、
　負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａによって半導体基板１０１の表面側に効果的に正電荷が引き寄せられ、この部分に正孔蓄積層１０７を形成して界面準位を補償することにより、センサ表面とその上層膜との界面における界面準位が、暗電流の発生源となることを防止する固体撮像装置。」
（２）引用例２について
　当審の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００９−２６６８４３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ａ．引用例２の記載について
（ア）「【０００４】
　図１３及び図１４に、従来のＣＭＯＳ固体撮像装置における画素部及び周辺回路部の要部の概略構成を示す。この固体撮像装置１０１は、図１３に示すように、半導体基板１０２に複数の画素が配列された画素部１０３と、画素部１０３の周辺に形成されたロジック回路からなる周辺回路１０４を有して構成される。画素部１０３では、第１導電型の半導体層１２２とその上の例えばシリコン酸化層などの絶縁層１２３とによる素子分離部１２１が形成される。この素子分離部１２１で区画されるように、光電変換素子となるフォトダイオード（ＰＤ）１０７と複数の画素トランジスタ１０８からなる画素１１０が複数、２次元的に配列される。図１３では画素トランジスタ１０８を代表して示しており、ソース・ドレイン領域１０９と図示しないゲート絶縁膜及びゲート電極とを有して画素トランジスタ１０８が構成される。
【０００５】
　
画素１１０の上方には、後述する周辺回路部１０４のＣＭＯＳトランジスタのシリサイド化の際に影響を受けないように、例えばシリコン窒化膜などによるシリサイドブロック膜１１１が画素部１０３全域に被着形成される（図１３及び図１４参照）。
ｂ．引用例２記載事項について
　上記ａ．の記載から、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「周辺回路部１０４のＣＭＯＳトランジスタのシリサイド化の際に影響を受けないように、例えばシリコン窒化膜などによるシリサイドブロック膜１１１が画素部１０３全域に被着形成されること。」
（２）引用例３について
　当審の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０１１−１５１１２６号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ａ．引用例３の記載について
（ア）「【０００２】
　近年、
開口率を大幅に増大させる技術
裏面照射型構造は、半導体基板の第１面側に配線層、読み出しのためのトランジスタ等が形成され、第１面と反対の第２面側に、信号となる光を光電変換するフォトダイオードを備えたフォトダイオードアレイが形成され、第２面を光照射面としている。
（イ）「【００２０】
　
固定電荷膜２８ａの電荷量については、固定電荷面密度が１×１０
１２
ｃｍ
−２
以上になると、光照射面側で正孔が蓄積され、界面の空乏化を防止し暗電流の抑制効果があることが計算より分かっている。
ｂ．引用例３記載事項について
　上記ａ．（ア）の記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項−１」という。）が記載されているものと認められる。
「開口率を大幅に増大させるために、半導体基板の第１面側に配線層、読み出しのためのトランジスタ等が形成され、第１面と反対の第２面側に、信号となる光を光電変換するフォトダイオードを備えたフォトダイオードアレイが形成され、第２面を光照射面とすること。」
　また、上記ａ．（イ）の記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項−２」という。）が記載されているものと認められる。
「固定電荷膜の固定電荷密度を１×１０１２ｃｍ−２以上とすると、正孔が蓄積され、界面の空乏化を防止し暗電流の抑制効果があること。」
２．対比・判断
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明は「半導体基板１０１の表面側にＰウェル拡散層１０２を設け」ているから、引用例１発明の「半導体基盤１０１」は、本願発明の「ｐ型ドーパントを含むｐ型領域を有する半導体基板」と同様の構成を有していると認められる。
（イ）引用例１発明は「半導体基板１０１上に、Ｐウェル拡散層１０２を横切る状態で、転送ゲート５がパターン形成され、転送ゲート５で仕切られた画素領域の一方側のＰウェル拡散層１０２の表面側にはＮ型拡散層１０３を配置しダイオード(センサ）Ｄを構成し、受光領域とし、受光領域を複数有し」ていることは、本願発明の「前記半導体基板の表面と近接する前記ｐ型領域中の複数の放射線感知領域」を有することに相当する。
（ウ）引用例１発明は「ダイオードＤが設けられた半導体基板１０１上を、負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａで覆」うから、上記「負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａ」は、「ダイオードＤ」周辺の「Ｐウェル拡散層１０２」も覆っていることは、当業者にとって自明である。そうすると、上記「負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａ」は、本願発明の「前記複数の放射線感知領域と近接する前記ｐ型領域に隣接する負に帯電した層」に相当する。
（エ）引用例１発明の「固体撮像装置」は、本願発明の「半導体イメージセンサー装置」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「ｐ型ドーパントを含むｐ型領域を有する半導体基板であって、
　前記半導体基板の表面と近接する前記ｐ型領域中の複数の放射線感知領域と、
　前記複数の放射線感知領域と近接する前記ｐ型領域に隣接する負に帯電した層と、を含む半導体イメージセンサー装置。」
［相違点１］
　本願発明は「前記半導体基板の背面は、入射光を受信するように構成され」ているのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明の「前記負に帯電した層は、1E10/cm2より大きい総負電荷量を有し」ているのに対して、引用例１発明は、負に帯電した層の総負電荷量について記載されていない点。
［相違点３］
　本願発明は「前記負に帯電した層は、前記半導体基板の前記ｐ型領域上のトランジスタゲートの側壁スペーサ、前記半導体基板の前記ｐ型領域とサリサイドブロック層の間のバッファ層、サリサイドブロック層、または、トランジスタゲートスペーサ上のオフセットスペーサである」のに対して、引用例１発明はそうでない点。
（２）以下、上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例３記載事項−１にあるように、「開口率を大幅に増大させるために、半導体基板の第１面側に配線層、読み出しのためのトランジスタ等が形成され、第１面と反対の第２面側に、信号となる光を光電変換するフォトダイオードを備えたフォトダイオードアレイが形成され、第２面を光照射面とすること」は、公知の技術である。
　そして、引用例１発明において、開口率を増大させることは当業者が考慮すべき自明の課題であるから、この課題を解決するために、上記公知技術を採用し、「前記半導体基板の背面は、入射光を受信するように構成」することは、当業者が適宜為し得る事項である。
［相違点２］について
　引用例３記載事項−２にあるように、「固定電荷膜の固定電荷密度を１×１０１２ｃｍ−２以上とすると、正孔が蓄積され、界面の空乏化を防止し暗電流の抑制効果があること」は、公知の技術であるから、引用例１発明において、「負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａによって半導体基板１０１の表面側に効果的に正電荷が引き寄せられ、この部分に正孔蓄積層１０７を形成して界面準位を補償することにより、センサ表面とその上層膜との界面における界面準位が、暗電流の発生源となることを防止する」際に、「正電荷」（「正孔」）を引き寄せる（「蓄積」）ために、「負の固定電荷を有する酸化絶縁膜９Ａ」（「固定電荷膜」）の固定電荷密度を１×１０１２ｃｍ−２とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　そうすると、引用例１発明において、本願発明と同様に、「前記負に帯電した層は、1E10/cm2より大きい総負電荷量を有」することは、当業者が適宜為し得た事項である。
［相違点３について］
　引用例２に記載されているように、「周辺回路部１０４のＣＭＯＳトランジスタのシリサイド化の際に影響を受けないように、例えばシリコン窒化膜などによるシリサイドブロック膜１１１が画素部１０３全域に被着形成されること」は公知の技術である。
　そして、引用例１発明の固体撮像素子において画像信号を読み出すための周辺回路部を備えるべきことは自明のことであり、周辺回路部のＣＭＯＳトランジスタのシリサイド化の際に影響を受けないように、上記公知技術を採用し、シリサイドブロック膜（本願発明の「サリサイドブロック層」に相当する。）を画素部全域に被着形成することは、当業者が適宜為し得たものであると認められる。
　その際に、引用例１発明の「負に帯電した層」も、シリサイド化の際に影響を受けないようにするために、シリサイドブロック膜は「負に帯電した層」上に形成されると認められる。そうすると、「負に帯電した層」はシリサイドブロック膜と半導体基板のｐ型領域との間に位置されると認められるから、引用例１発明において上記公知技術を採用した際に、「負に帯電した層」を「前記半導体基板の前記ｐ型領域とサリサイドブロック層の間のバッファ層」とすることは、当業者が適宜為し得たものである。
３．請求人の主張について
　請求人は、平成２８年１０月２８日付の意見書において
「（ｉｉ）理由Ｂ（進歩性）について
　補正された請求項１は、ｐ型ドーパントを含むｐ型領域を有する半導体基板であって、前記半導体基板の背面は、入射光を受信するように構成されることと、前記半導体基板の表面と近接する前記ｐ型領域中の複数の放射線感知領域と、前記複数の放射線感知領域と近接する前記ｐ型領域に隣接する負に帯電した層と、を含み、前記負に帯電した層は、1E10/cm2より大きい総負電荷量を有し、前記負に帯電した層は、前記半導体基板の前記ｐ型領域上のトランジスタゲートの側壁スペーサ、前記半導体基板の前記ｐ型領域とサリサイドブロック層の間のバッファ層、サリサイドブロック層、または、トランジスタゲートスペーサ上のオフセットスペーサであることを特徴とする半導体イメージセンサー装置を説明するものです。
・・・　中　略　・・・
　審判官殿は、引用例１は、半導体基板１０１の表面上の負電荷蓄積層（例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）層の酸化絶縁膜９Ａ）を開示すると主張されております。参考図１を参照すると、酸化絶縁膜９Ａは、明らかに、入射光（上部から下部へ、レンズ１９の位置参照）を受信するように構成された表面上にあるように見えます。したがって、
酸化絶縁膜９Ａは、半導体基板と入射層の間に設けられると考えます。
・・・　中　略　・・・
　それゆえに、引用例１−４はいずれも、半導体基板の表面上の負電荷蓄積層（たとえば、半導体基板のｐ型領域上のトランジスタゲートの側壁スペーサ、半導体基板のｐ型領域とサリサイドブロック層の間のバッファ層、サリサイドブロック層、または、トランジスタゲートスペーサ上のオフセットスペーサなど）は開示しておらず、このような表面は、入射光を受信するように構成されてないと思料いたします。
　したがって、補正された独立請求項１及び４は、引用例１−４に対して進歩性を有し、特許法第２９条第２項の規定に該当しないものと思料されます。」
旨主張している。
　しかしながら、引用例１に記載された発明は、
「【００４３】
　以上のようにして得られた
図１の構成の固体撮像装置１Ａでは、ダイオードＤ上に炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａを設けた構成である。炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａは、負の固定電荷を有する負電荷蓄積層として機能する。このため、この酸化絶縁膜９Ａをセンサ上に配置したことで、酸化絶縁膜９Ａにおける負のバンドベンディング効果によって半導体基板１０１の表面側に効果的に正電荷が引き寄せられ、この部分に正孔蓄積層１０７を形成して界面準位を補償することが可能になる。
と記載されているように、半導体基板の表面側の界面準位を補償することを目的としている。そうすると、引用例１発明において、引用例３に記載された「引用例３記載事項−１」を採用した際に、酸化絶縁膜９Ａは半導体基板の表面側に形成されると認められるから、請求人の上記主張は採用できない。
４．小括
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用例１発明及び引用例２ないし３に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　よって、本願発明は、引用例１発明および引用例２ないし３記載の公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明および引用例２ないし３記載の公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。