【手続補正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
反応室と、
有機金属を供給する有機金属供給源と第１の接続部で接続され、キャリアガスを供給するキャリアガス供給源に接続され、前記反応室に前記有機金属と前記キャリアガスを含むプロセスガスを供給するガス供給路と、
前記有機金属供給源と第２の接続部で接続され、装置外に前記有機金属と前記キャリアガスを含むプロセスガスを排出するガス排出路と、
前記ガス供給路の前記第１の接続部より前記キャリアガス供給源側に設けられる第１のマスフローコントローラと、
前記ガス供給路の前記第１の接続部より前記反応室側に設けられる第１の調整部と、
前記ガス排出路の前記第２の接続部より前記装置外側に設けられる第２の調整部と、
前記第１のマスフローコントローラと前記第１の調整部との間の前記ガス供給路と、前記第２の調整部の前記装置外側と反対側の前記ガス排出路とを連通させる連通路と、を備え、
前記第１の調整部と前記第２の調整部のいずれか一方がバックプレッシャーレギュレータであり、他方がマスフローコントローラであることを特徴とする気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記反応室に基板を搬入し、
前記キャリアガスを前記ガス供給路および前記ガス排出路に流入させ、
前記有機金属の前記ガス供給路への流入を遮断した状態で、前記有機金属を前記ガス排出路に流入させ、
前記連通路で連通させることにより前記ガス供給路内と前記ガス排出路内の圧力を略同一にするとともに、前記バックプレッシャーレギュレータにより前記圧力を所望の圧力に制御し、
前記有機金属の前記ガス排出路への流入を遮断し、前記有機金属を前記ガス供給路に流入させ、前記圧力を前記所望の圧力に維持した状態で、前記反応室に、前記有機金属と、前記キャリアガスを供給して、前記基板表面に半導体膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様の気相成長方法は、反応室と、有機金属を供給する有機金属供給源と第１の接続部で接続され、キャリアガスを供給するキャリアガス供給源に接続され、前記反応室に前記有機金属と前記キャリアガスを含むプロセスガスを供給するガス供給路と、前記有機金属供給源と第２の接続部で接続され、装置外に前記有機金属と前記キャリアガスを含むプロセスガスを排出するガス排出路と、前記ガス供給路の前記第１の接続部より前記キャリアガス供給源側に設けられる第１のマスフローコントローラと、前記ガス供給路の前記第１の接続部より前記反応室側に設けられる第１の調整部と、前記ガス排出路の前記第２の接続部より前記装置外側に設けられる第２の調整部と、前記第１のマスフローコントローラと前記第１の調整部との間の前記ガス供給路と、前記第２の調整部の前記装置外側と反対側の前記ガス排出路とを連通させる連通路と、を備え、前記第１の調整部と前記第２の調整部のいずれか一方がバックプレッシャーレギュレータであり、他方がマスフローコントローラであることを特徴とする気相成長装置を用いた気相成長方法であって、前記反応室に基板を搬入し、前記キャリアガスを前記ガス供給路および前記ガス排出路に流入させ、前記有機金属の前記ガス供給路への流入を遮断した状態で、前記有機金属を前記ガス排出路に流入させ、前記連通路で連通させることにより前記ガス供給路内と前記ガス排出路内の圧力を略同一にするとともに、前記バックプレッシャーレギュレータにより前記圧力を所望の圧力に制御し、前記有機金属の前記ガス排出路への流入を遮断し、前記有機金属を前記ガス供給路に流入させ、前記圧力を前記所望の圧力に維持した状態で、前記反応室に、前記有機金属と、前記キャリアガスを供給して、前記基板表面に半導体膜を成膜することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
そして、加熱部１６は、回転軸１８の内部に貫通する支持軸２２に固定される支持台２４上に固定して設けられる。加熱部１６には、図示しない電流導入端子と電極により、電力が供給される。この支持台２４には半導体ウェハＷを支持部１２から脱着させるための、例えば突き上げピン（図示せず）が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
成膜前の段階では、バブリングされた有機金属の第１のガス供給路３１への流入を遮断した状態で、ＴＭＧを第１のガス排出路５４に流入させる。この際、第１のガス供給路３１の第１の調整部９１の上流側と第１のガス排出路５４の第２の調整部９２の上流側は、連通路５８により連通した状態となっている。したがって、第１のガス供給路３１の第１の調整部９１の上流側と第１のガス排出路５４の第２の調整部９２の上流側の圧力は略同一になる。また、第１のガス供給路３１の第１の調整部９１の上流側と第１のガス排出路５４の第２の調整部９２の上流側の圧力は、バックプレッシャーである第１の調整部９１により、所望の圧力に制御されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ここで、第２の接続部８５ｂを閉にし、第１の接続部８５aを開にすることにより、第１のガス供給路３１から、水素ガスをキャリアガスとするＴＭＧ（第１のプロセスガス）を、シャワーヘッド１００を介して反応室１０に供給する。また、接続部８９ｂを開にし、接続部８９aを閉にすることにより第２のガス供給路３２から、アンモニア（第２のプロセスガス）を、シャワーヘッド１００を介して反応室１０に供給する。また、第３のガス供給路３３から、水素ガス（第３のプロセスガス）を、シャワーヘッド１００を介して反応室１０に供給する。これにより、半導体ウェハＷ上にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
ここで、第２の接続部８５ｂを閉にし、第１の接続部８５aを開にすることにより、第１のガス供給路３１から、水素ガスをキャリアガスとするＴＭＧ（第１のプロセスガス）を、シャワーヘッド１００を介して反応室１０に供給する。また、接続部８９ｂを開にし、接続部８９aを閉にすることにより第２のガス供給路３２から、アンモニア（第２のプロセスガス）を、シャワーヘッド１００を介して反応室１０に供給する。また、第３のガス供給路３３から、水素ガス（第３のプロセスガス）を、シャワーヘッド１００を介して反応室１０に供給する。これにより、半導体ウェハＷ上にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
本実施形態では、第１のガス供給路３１から反応室１０に供給されるＩＩＩ族のソースガス（第１のプロセスガス）の流量は、マスフローコントロ―ラＭ１、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９で制御されるキャリアガスの流量と、マスフローコントローラである第１の調整部９１で制御されるガスの流量との差分により制御され、略一定に保たれる。マスフローコントローラである第１の調整部９１で制御されるガス流量は、マスフローコントロ―ラＭ１、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９で制御されるキャリアガスの流量の和より小さい値に制御される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
（第４の実施形態）
本実施形態の気相成長装置は、連通路５８が、第１の接続部８６ａと第１の接続部８７ａとの間の第１のガス供給路３１と、第２の接続部８６ｂと第２の接続部８７ｂとの間の第２のガス排出路５４とを連通させること以外は、第２の実施形態と同様である。したがって、第２の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
なお、連通路５８は、第１の接続部８５ａと第１の接続部８６ａとの間の第１のガス供給路３１と、第２の接続部８５ｂと第２の接続部８６ｂとの間の第２のガス排出路５４とを連通させる構成とすることも可能である。また、連通路５８は、第１の接続部８７ａと第１の調整部９１との間の第１のガス供給路３１と、第２の接続部８７ｂと第２の調整部９２との間の第２のガス排出路５４とを連通させる構成とすることも可能である。