【事件の表示】
　特願２０１１−１７８２０１「モジュール部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月２８日出願公開、特開２０１３−　４１９９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年８月１７日に出願したものであって、手続の概要は以下のとおりである。
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２７年　５月２１日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２７年　７月２１日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２７年　７月２１日
　拒絶査定　　　　　　　　　：平成２７年１２月　７日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　　　：平成２８年　３月１４日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２８年　３月１４日
　拒絶理由通知（当審）　　　：平成２９年　１月１８日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２９年　３月１５日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２９年　３月１５日
２．本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２９年３月１５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程と、
　前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程と、
　加熱された前記モジュール部品集合体をハーフダイシングして、前記回路基板にハーフダイシング溝部を形成するハーフダイシング工程と、
　ハーフダイシングされた前記モジュール部品集合体を冷却する冷却工程と、
　導電性樹脂を、前記ハーフダイシング溝部に充填するとともに前記樹脂層の表面に積層して、導電性樹脂層を形成する導電性樹脂層形成工程と、
　前記モジュール部品集合体を、前記導電性樹脂層が露出するように、前記ハーフダイシング溝部に沿ってダイシングするダイシング工程とを備え、
　前記ハーフダイシング工程では、温水を用いて湿式で行うことを特徴とするモジュール部品の製造方法。」
３．引用例
　当審の拒絶理由通知に引用した特開２００８−２８８６１０号公報（平成２０年１１月２７日公開、以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【０００１】
  本発明は、
電子部品の回路モジュールの製造方法
（２）「【０００７】
  請求項１では、
複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板を形成する集合基板製造工程と、当該集合基板上面に要素部品を実装する要素部品実装工程と、要素部品を実装した集合基板の上面側に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、当該集合基板の上面方向から当該封止樹脂層を分離ラインに沿って当該封止樹脂層から当該集合基板に至る溝をハーフカットすることにより形成するハーフカット工程と、当該溝を埋設するように導電性樹脂を流し込んで当該封止樹脂層の上にシールド層を形成するシールド層形成工程と、当該ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って切断して切断基板と当該シールド層の端面を同一の切断平面状に位置させる分離工程と、からなる回路モジュールの製造方法
（３）「【００５２】
  図９および１０は、本発明の第７実施形態の回路モジュールに対応する製造方法を示している。本第７実施形態と第６実施形態との相違は、封止樹脂層１４の形成工程の後、つまり、封止樹脂層１４を基板１１の上面と部品表面とを完全に被覆して硬化させた後でのシールド層１９の形成工程の前に、
ダイサー等で個片化する分離ラインに沿って封止樹脂層から基板１１至る溝２０を形成するハーフカット工程
最後の分離切断工程において前記ハーフカット幅よりも狭い幅のダイサー等で切断する
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
（ａ）引用例１には、「電子部品の回路モジュールの製造方法」が記載されている（摘示事項（１））。
（ｂ）「回路モジュールの製造方法」は、「複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板を形成する集合基板製造工程と、当該集合基板上面に要素部品を実装する要素部品実装工程と、要素部品を実装した集合基板の上面側に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、当該集合基板の上面方向から当該封止樹脂層を分離ラインに沿って当該封止樹脂層から当該集合基板に至る溝をハーフカットすることにより形成するハーフカット工程と、当該溝を埋設するように導電性樹脂を流し込んで当該封止樹脂層の上にシールド層を形成するシールド層形成工程と、当該ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って切断して切断基板と当該シールド層の端面を同一の切断平面状に位置させる分離工程と、からなる」（摘示事項（２））。
（ｃ）「ハーフカット工程」及び「分離切断工程」には、「ダイサー等」が用いられる（摘示事項（３））。
　以上を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板を形成する集合基板製造工程と、
　当該集合基板上面に要素部品を実装する要素部品実装工程と、
　要素部品を実装した集合基板の上面側に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、
　ダイサー等で当該集合基板の上面方向から当該封止樹脂層を分離ラインに沿って当該封止樹脂層から当該集合基板に至る溝をハーフカットすることにより形成するハーフカット工程と、
　当該溝を埋設するように導電性樹脂を流し込んで当該封止樹脂層の上にシールド層を形成するシールド層形成工程と、
　ダイサー等で当該ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って切断して切断基板と当該シールド層の端面を同一の切断平面状に位置させる分離工程と、
　からなる電子部品の回路モジュールの製造方法。」
　同じく、当審の拒絶理由通知に引用した特開２００６−３５１９０８号公報（平成１８年１２月２８日公開、以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（４）「【００１５】
  本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
  
個別の半導体装置となるベース基板が複数個一体に形成されており、夫々の半導体装置についてベース基板を覆う封止体を一体に一括形成した半導体装置集合体を個別の半導体装置に個片化する半導体装置の製造方法において、前記半導体装置集合体を加熱した状態で、前記個片化を行なう。
（５）「【００１６】
  本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明によれば、
個片化を行なう半導体装置集合体を加熱することにより、軟化させ
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、
個片化時の平坦性を向上させ
（３）本発明によれば、上記効果（２）により、
切断の精度を向上させることができる
（４）本発明によれば、上記効果（３）により、不良品の発生を防止することができるという効果がある。
（５）本発明によれば、上記効果（２）（３）により、処理に要する時間を増加させることがないことができるという効果がある。」
（６）「【００４４】
  また、ヒータ１４を用いる以外にも、加熱の方法としては、赤外線の照射によって加熱を行なう、温風を用いて加熱することも可能であり、更に、ダイシングの際にダイシングブレード１２によって生じる切削屑を排除するためにノズル１３から切削水を吐出させているが、この
切削水を所定の温度に加熱して、半導体装置集合体４を加熱することも可能である。
【００４５】
  状況に応じて、前述した加熱の手段を適宜に採用する、或いは
複数の加熱手段を組み合わせて採用し、半導体装置集合体４の加熱を効果的に行なう
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
（ｄ）引用例２には、「個別の半導体装置となるベース基板が複数個一体に形成されており、夫々の半導体装置についてベース基板を覆う封止体を一体に一括形成した半導体装置集合体を個別の半導体装置に個片化する半導体装置の製造方法において、前記半導体装置集合体を加熱した状態で、前記個片化を行なう」ことが記載されている（摘示事項（４））。
（ｅ）個片化を行なう半導体装置集合体を加熱することにより、軟化させ、個片化時の平坦性を向上させ、切断の精度を向上させることができる（摘示事項（５））。
（ｆ）切削水を所定の温度に加熱して、半導体装置集合体４の加熱を効果的に行なう（摘示事項（６））。
　以上を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項（以下「技術事項１」及び「技術事項２」という。）が記載されているものと認める。
「個別の半導体装置となるベース基板が複数個一体に形成されており、夫々の半導体装置についてベース基板を覆う封止体を一体に一括形成した半導体装置集合体を個別の半導体装置に個片化する半導体装置の製造方法において、前記半導体装置集合体を加熱した状態で、前記個片化を行なうことにより、個片化を行なう半導体装置集合体を加熱して、軟化させ、個片化時の平坦性を向上させ、切断の精度を向上させることができる。」（技術事項１）
「切削水を所定の温度に加熱して、半導体装置集合体４の加熱を効果的に行なう。」（技術事項２）
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）モジュール部品の製造方法
　引用発明は、「電子部品の回路モジュールの製造方法」であるから、「モジュール部品の製造方法」ともいえる。
（２）加工工程
　引用発明は、「複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板を形成する集合基板製造工程と、当該集合基板上面に要素部品を実装する要素部品実装工程と、要素部品を実装した集合基板の上面側に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、」を備えるから、「回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程」を備えるといえる。
（３）加熱工程
　本願発明は、「前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程」を備えるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点で相違する。
（４）ハーフダイシング工程
　引用発明は、「ダイサー等で当該集合基板の上面方向から当該封止樹脂層を分離ラインに沿って当該封止樹脂層から当該集合基板に至る溝をハーフカットすることにより形成するハーフカット工程」を備えるから、「前記モジュール部品集合体をハーフダイシングして、前記回路基板にハーフダイシング溝部を形成するハーフダイシング工程」を備えるといえる。
　もっとも、本願発明は、「加熱された」前記モジュール部品集合体をハーフダイシングするのに対し、引用発明は、そのような特定がない点で相違する。
（５）冷却工程
　本願発明は、「ハーフダイシングされた前記モジュール部品集合体を冷却する冷却工程」を備えるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点で相違する。
（６）導電性樹脂層形成工程
　引用発明は、「当該溝を埋設するように導電性樹脂を流し込んで当該封止樹脂層の上にシールド層を形成するシールド層形成工程」を備えるから、「導電性樹脂を、前記ハーフダイシング溝部に充填するとともに前記樹脂層の表面に積層して、導電性樹脂層を形成する導電性樹脂層形成工程」を備えるといえる。
（７）ダイシング工程
　引用発明は、「ダイサー等で当該ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って切断して切断基板と当該シールド層の端面を同一の切断平面状に位置させる分離工程」を備えるから、「前記モジュール部品集合体を、前記導電性樹脂層が露出するように、前記ハーフダイシング溝部に沿ってダイシングするダイシング工程」を備えるといえる。
（８）ハーフダイシング工程の詳細
　「ハーフダイシング工程」について、本願発明は、「温水を用いて湿式で行う」のに対し、引用発明は、そのような特定がない点で相違する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程と、
　前記モジュール部品集合体をハーフダイシングして、前記回路基板にハーフダイシング溝部を形成するハーフダイシング工程と、
　導電性樹脂を、前記ハーフダイシング溝部に充填するとともに前記樹脂層の表面に積層して、導電性樹脂層を形成する導電性樹脂層形成工程と、
　前記モジュール部品集合体を、前記導電性樹脂層が露出するように、前記ハーフダイシング溝部に沿ってダイシングするダイシング工程とを備えるモジュール部品の製造方法。」の点。
　そして、次の点で相違する。
＜相違点＞
（１）本願発明は、「前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程」を備え、「加熱された」前記モジュール部品集合体をハーフダイシングし、「ハーフダイシングされた前記モジュール部品集合体を冷却する冷却工程」を備えるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
（２）「ハーフダイシング工程」について、本願発明は、「温水を用いて湿式で行う」のに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
５．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点（１）について
　封止体の樹脂と基板との熱膨張率の差によって半導体装置が湾曲することは、引用発明においても起こり得る問題であるから、引用発明のハーフカット工程において、引用例２に記載された技術事項１を適用することによって、加熱工程を備え、加熱された状態でハーフカットするようにすることは、当業者が容易に想到し得る。そして、加熱された状態でのハーフカット終了後に冷却工程を設けることも当業者であれば適宜なし得る。
相違点（２）について
　引用発明のハーフカット工程において、引用例２に記載された技術事項１を適用するに際して、その効果を高めるために、同じく引用例２に記載された技術事項２を適用することによって、切削水として温水を用いるようにすることも、当業者が容易に想到し得る。
　また、明細書に記載された本願発明が奏する効果についてみても、本願発明のものとして当業者であれば予測し得る程度のものに過ぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。