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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月1日(2016.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドの側面に接触する接触面を有する接触部材を含み、前記接触部材を介して前記モールドの側面に力を加え、前記モールドの形状を変更させる変更部と、
前記接触部材の角度および位置の少なくとも一方を変える調整部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記接触部材は、前記モールドを保持する保持部に固定された基部によって複数の部材を介して支持され、
前記複数の部材は、前記接触部材が前記モールドを押圧する方向である第１方向に沿って前記接触部材が移動することを許容するリンク機構を構成することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記調整部は、前記基部に設けられ、前記複数の部材のうち少なくとも１つを前記第１方向と異なる方向である第２方向に駆動することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記調整部は、前記複数の部材のうち少なくとも１つを前記第２方向に駆動するアクチュエータを含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記調整部は、傾斜部分を含む変換部と、前記変換部に第１方向の力を加えるアクチュエータとを含み、
前記基部は、前記傾斜部分に接する傾斜面を含み、
前記変換部は、前記傾斜部分と前記傾斜面とによって前記第１方向の力を前記第２方向の力に変換し、前記複数の部材のうち少なくとも１つを前記第２方向に駆動することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記調整部は、前記複数の部材のうち少なくとも１つに設置されたアクチュエータを含み、
前記アクチュエータは、前記複数の部材のうち少なくとも１つに前記基部と前記接触部材との距離を変更可能に配置されていることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記調整部は、前記モールドの形状情報に基づいて前記接触部材を調整し、
前記形状情報は、前記モールドの側面の傾き、および前記モールドの厚さのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記モールドに設けられたアライメントマークと、前記基板上に設けられたアライメントマークとの位置ずれを測定する測定部を更に含み、
前記調整部は、前記測定部で測定された前記位置ずれが小さくなるように前記接触部材を調整することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記変更部によって前記モールドの側面に力を加えたときに、前記モールドの外周領域が前記モールドを押圧する方向と異なる方向に変形する変形量を計測する計測部を更に含み、
前記外周領域は、前記モールドにおいて保持部によって保持される部分より外側の領域であり、
前記調整部は、前記計測部で測定した変形量が小さくなるように前記接触部材を調整することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記接触部材の前記接触面は、前記モールドの側面に向かって凸形状に形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記調整部は、前記接触面および前記モールドの側面が互いに平行になるように前記接触部材の角度を変える、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記調整部は、前記接触部材の角度を維持しながら、前記接触部材が前記モールドを押圧する方向に前記接触部材を移動させる、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか1項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記接触部材は、前記モールドを保持する保持部に固定された基部によって複数の部材を介して支持され、
前記調整部は、前記モールドが前記インプリント材を押圧する方向に前記複数の部材を個別に駆動することによって前記接触部材の角度を変える、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するステップと、
前記ステップでパターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドの側面に接触する接触面を有する接触部材を含み、前記接触部材を介して前記モールドの側面に力を加え、前記モールドの形状を変更させる変更部と、前記接触部材の角度および位置の少なくとも一方を変える調整部と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極の間に設けられたシリコン基板と、
前記第１の電極及び前記シリコン基板の間に設けられた第１のシリコン層と、
前記第１の電極及び前記第１のシリコン層の間に設けられたパッシベーション層と、
前記第１の電極及び前記パッシベーション層の間に設けられた、透光性を有する薄膜と、
前記第２の電極及び前記シリコン基板の間に設けられた酸化物半導体層と、を有し、
前記パッシベーション層は、前記第１のシリコン層の表面欠陥を低減する機能を有し、
前記第１のシリコン層は、前記シリコン基板と逆の導電型を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層及び前記シリコン基板の間に設けられた第２のシリコン層を有し、
前記第２のシリコン層は、前記シリコン基板と同じ導電型を有し、
前記第２のシリコン層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のシリコン層は、第１の領域と、前記第１の領域よりもキャリア濃度が高い第２の領域と、を有し、
前記第１の電極は、前記第２の領域と接する領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、バンドギャップが２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、元素周期表において第４族乃至第８族に属する金属を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、または酸化レニウムを含むことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月25日(2016.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上にバッファ層と、
前記バッファ層の上に発光構造物と、を含み、
前記バッファ層の屈折率は前記発光構造物から前記基板に行くほど減少し、
前記発光構造物から前記バッファ層の厚さの中間までの前記バッファ層の屈折率は前記バッファ層の厚さの中間から前記基板までの前記バッファ層の屈折率より大きく可変されることを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記バッファ層は多数のサブ層を含み、
前記各サブ層は互いに相異する屈折率を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光構造物から前記基板に行くほど前記各サブ層の屈折率は減少することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記発光構造物から前記基板に行くほど前記各サブ層のＡｌ含有量は増加することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記サブ層は前記発光構造物よりは低く、前記基板よりは大きい屈折率を有する化合物半導体材質を含むことを特徴とする、請求項２乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記サブ層は、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（但し、０≦ｘ≦１）であることを特徴とする、請求項２乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記サブ層は、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（但し、０＜ｘ≦１）であることを特徴とする、請求項２乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記各サブ層は互いに相異するＡｌ含有量を有することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
【請求項９】
前記各サブ層の屈折率の差は可変されることを特徴とする、請求項２または８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記各サブ層の厚さは可変されることを特徴とする、請求項２、８及び９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記基板の上に配置された多数の突起部をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記バッファ層は、前記突起部の間の前記基板の上に配置されることを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記突起部は、前記基板の上面から上方に延長されることを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
基板と、
前記基板の上にバッファ層と、
前記バッファ層の上に導電型半導体層と、を含み、
前記バッファ層は多数のサブ層を含み、
前記発光構造物から前記基板に行くほど前記各サブ層の屈折率は減少し、
前記発光構造物から前記バッファ層の厚さの中間までの前記バッファ層の屈折率は前記バッファ層の厚さの中間から前記基板までの前記バッファ層の屈折率より小さく可変されることを特徴とする、発光素子。
【請求項１５】
前記サブ層はＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（但し、０≦ｘ≦１）であることを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記基板に隣接するサブ層は最大のＡｌ含有量を含むことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記基板の上に配置された多数の突起部をさらに含み、
前記突起部は前記基板の上面から上方に延長されることを特徴とする、請求項１４乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記突起部の厚さは前記バッファ層の厚さより大きいことを特徴とする、請求項１７に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基準膜と、
自由膜と、
前記第１基準膜及び前記自由膜の間に配置された第１非磁性スペーサー膜と、を含み、
前記第１非磁性スペーサー膜は二元、三元、又は多元合金酸化物を含み、
前記二元、三元、又は多元合金酸化物は、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＲｈからなるグループから選択された１つ以上の追加元素を有するＭｇＯを含む半導体装置のための磁気素子。
【請求項２】
前記第１非磁性スペーサー膜は絶縁トンネリングバリアー膜である請求項１に記載の磁気素子。
【請求項３】
前記第１非磁性スペーサー膜はスピンバルブ（ｓｐｉｎ  ｖａｌｖｅ）として機能する導電物質を含む請求項１又は２に記載の磁気素子。
【請求項４】
前記第１基準膜の上に配置されたキャッピング膜をさらに含み、
前記キャッピング膜は二元、三元、又は多元合金酸化物を含み、
前記キャッピング膜の前記二元、三元、又は多元合金酸化物はＲｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＲｈからなるグループから選択された１つ以上の追加元素を有するＭｇＯを含む請求項１から３の何れか一項に記載の磁気素子。
【請求項５】
前記第１基準膜の下に配置されたシード膜をさらに含み、
前記シード膜は二元、三元、又は多元合金酸化物を含み、
前記シード膜の前記二元、三元、又は多元合金酸化物はＲｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＲｈからなるグループから選択された１つ以上の追加元素を有するＭｇＯを含む請求項１から４の何れか一項に記載の磁気素子。
【請求項６】
前記第１非磁性スペーサー膜は（００１）結晶構造を含む請求項１から５の何れか一項に記載の磁気素子。
【請求項７】
前記自由膜の対向する面上に配置された第２基準膜と、
前記第２基準膜及び前記自由膜の間に配置される第２非磁性スペーサー膜と、をさらに含む請求項１から６の何れか一項に記載の磁気素子。
【請求項８】
前記第２非磁性スペーサー膜はＭｇＯを含む請求項７に記載の磁気素子。
【請求項９】
前記自由膜及び前記第２基準膜は面内磁化方向を有し、
前記第１基準膜は垂直磁化方向を有する請求項７又は８に記載の磁気素子。
【請求項１０】
前記自由膜及び前記第２基準膜は垂直磁化方向を有し、
前記第１基準膜は面内磁化方向を有する請求項７から９の何れか一項に記載の磁気素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月25日(2016.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス構造体であって、
第１の導電型および上面を有する半導体基板と、
格子状模様に配列される複数の第１のドープ領域であって、該複数の第１のドープ領域は、前記上面よりも下の第１の深さにあり、該複数の第１のドープ領域は、第２の導電型であり、且つ前記半導体基板の第１の深さにある複数の第１の領域を画定し、前記半導体基板内の複数の第１の領域は、格子状パターンを有し、前記複数の第１の領域の各第１の領域は、前記格子状パターンにおいて、前記複数の第１のドープ領域のうちの隣接する第１のドープ領域の間に位置する、前記複数の第１のドープ領域と、
格子状模様に配列される複数の第２のドープ領域であって、前記複数の第２のドープ領域は、第２の導電型であり、且つ前記半導体基板内の複数の第１の領域の直上にある、前記複数の第２のドープ領域と、
前記上面の上の誘電体層と、
前記誘電体層の上の誘導性素子とを備え、
該誘導性素子は、前記複数の第１のドープ領域にわたって配置される、半導体デバイス構造体。
【請求項２】
前記複数の第２のドープ領域は、前記第２の導電型であり、且つ前記半導体基板内の複数の第１の領域および第１のドープ領域よりも上にある第２の領域を画定し、
前記半導体基板内の複数の第２の領域は、格子状パターンを有し、
前記半導体基板内の複数の第２の領域の各第２の領域は、前記複数の第２のドープ領域のうちの隣接する第２のドープ領域の間に位置する、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項３】
半導体デバイス構造体であって、
第１の導電型および上面を有する半導体基板と、
格子状模様に配列される複数の第１のドープ領域であって、該複数の第１のドープ領域は、前記上面よりも下の第１の深さにあり、該複数の第１のドープ領域は、第２の導電型であり、該複数の第１のドープ領域は、前記半導体基板の第１の深さにある複数の第１の領域を画定し、前記半導体基板内の複数の第１の領域は、格子状パターンを有し、前記複数の第１の領域の各第１の領域は、前記格子状パターンにおいて、前記複数の第１のドープ領域のうちの隣接する第１のドープ領域の間に位置する、前記複数の第１のドープ領域と、
格子状模様に配列される複数の第２のドープ領域であって、前記複数の第２のドープ領域は、第２の導電型であり、前記半導体基板内の複数の第１の領域の直上にある、前記複数の第２のドープ領域と、
前記半導体基板内に前記上面から第２の深さまで形成される複数の誘電体領域であって、該複数の誘電体領域は、前記半導体基板内の前記第２のドープ領域にわたって格子状パターンとなっており、該複数の誘電体領域は、前記複数の第２のドープ領域に位置合わせされている、前記複数の誘電体領域と、
前記上面の上の誘電体層と、
前記誘電体層の上の誘導性素子とを備え、
該誘導性素子は、前記複数の第１のドープ領域にわたって配置される、半導体デバイス構造体。
【請求項４】
半導体デバイス構造体であって、
第１の導電型および上面を有する半導体基板であって、該半導体基板は、ＰＮ接合を持続させることが依然として可能でありながら抵抗が最大化されるレベルまでドープされた第１の部分を有する、前記半導体基板と、
格子状模様に配列され、前記上面よりも下の第１の深さにある前記第１の部分内の複数の第１のドープ領域であって、該複数の第１のドープ領域は第２の導電型であり、且つ前記半導体基板の第１の深さにある複数の第１の領域を画定し、前記半導体基板内の複数の第１の領域は、格子状パターンを有し、前記複数の第１の領域の各第１の領域は、前記格子状パターンにおいて、前記複数の第１のドープ領域のうちの隣接する第１のドープ領域の間に位置する、前記複数の第１のドープ領域と、
格子状模様に配列される複数の第２のドープ領域であって、前記複数の第２のドープ領域は、第２の導電型であり、前記半導体基板内の複数の第１の領域の直上にあり、前記半導体基板において前記複数の第２のドープ領域の格子パターンを補完する格子パターンを有する複数の第２の領域を画定する、前記複数の第２のドープ領域と、
前記半導体基板内に前記上面から第２の深さまで形成される複数の誘電体領域であって、該複数の誘電体領域は、前記半導体基板内の前記第２のドープ領域および前記第２の領域にわたって格子状パターンとなっている、前記複数の誘電体領域と、
前記上面の上の誘電体層と、
前記誘電体層の上の誘導性素子とを備え、
該誘導性素子は、前記複数の第１のドープ領域にわたって配置される、半導体デバイス構造
体。
【請求項５】
第１の導電型および上面を有する半導体基板を使用して半導体デバイス構造体を形成する方法であって、
パターン化インプラントを実施して、前記上面よりも下の第１の深さにおいて、格子状模様に配列される複数の第１のドープ領域を形成することであって、該複数の第１のドープ領域は、前記第１の導電型とは反対の第２の導電型であり、且つ前記半導体基板の第１の深さにある複数の第１の領域を画定し、前記半導体基板内の複数の第１の領域は、格子状パターンを有し、前記複数の第１の領域の各第１の領域は、前記格子状パターンにおいて、前記複数の第１のドープ領域のうちの隣接する第１のドープ領域の間に位置する、前記複数の第１のドープ領域を形成すること、
前記複数の第１のドープ領域よりも上でパターン化インプラントを実施して複数の第２のドープ領域を形成することであって、前記複数の第２のドープ領域は、第２の導電型であり、前記半導体基板内の複数の第１の領域の直上にある、前記複数の第２のドープ領域を形成すること、
前記上面の上に誘電体層を形成すること、
前記誘電体層の上に誘導性素子を形成することを備え、
該誘導性素子は、前記複数の第１のドープ領域にわたって配置される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プログラマブルロジックデバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の論理ブロックと、第２の論理ブロックと、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックの間の電気的接続を制御するプログラマブルスイッチと、を有し、
前記プログラマブルスイッチは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の論理ブロックと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の論理ブロックと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層に設けられるプログラマブルロジックデバイスであって、
前記第１の論理ブロックと、前記第２の論理ブロックと、前記第１のトランジスタとが形成された第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと積層され、前記第２のトランジスタが形成された第２の半導体チップと、を有することを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。
【請求項２】
第１の論理ブロックと、第２の論理ブロックと、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックの間の電気的接続を制御するプログラマブルスイッチと、を有し、
前記プログラマブルスイッチは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の論理ブロックと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の論理ブロックと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層に設けられるプログラマブルロジックデバイスであって、
前記第１の論理ブロックと、前記第２の論理ブロックとが形成された第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと積層され、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとが形成された第２の半導体チップと、を有することを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月27日(2016.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出する第１領域及び前記第１領域と隣接して外光を透過する第２領域が一方向に交互に配列された透明表示素子と、
前記透明表示素子が放出する光路上に配されて前記外光を線形偏光させる第１偏光器と、
前記第１偏光器と前記透明表示素子との間に配されて前記外光の位相を遅延させる第１リターダと、
前記透明表示素子が放出する光路の反対側に配されて前記外光を線形偏光させる第２偏光器と、
前記第２偏光器と前記透明表示素子との間に配され、前記透明表示素子の前記第１領域と前記第２領域との配列方向と同方向に前記外光の波長を第１位相だけ遅延させる第２リターダと、第２位相だけ遅延させる第３リターダとが交互に配列されたパターンリターダと、を備える、光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項２】
前記第１リターダが、前記外光の波長を前記第１位相だけ遅延させることを特徴とする、請求項１に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項３】
前記第１偏光器及び前記第２偏光器が、互いに同じ方向の偏光軸を持つことを特徴とする、請求項２に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項４】
前記第１位相及び前記第２位相の絶対値が同一であり、回転方向が異なり、
前記第３リターダが前記第２領域に対応するように前記パターンリターダの位置が調節されれば、前記表示装置が、前記外光を透過させることを特徴とする、請求項３に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項５】
前記第１位相及び前記第２位相の絶対値が同一であり、回転方向が異なり、
前記第２リターダが前記第２領域に対応するように前記パターンリターダの位置が調節されれば、前記表示装置が、前記外光を遮断することを特徴とする、請求項３に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項６】
前記第１偏光器及び前記第２偏光器が、互いに直交する方向の偏光軸を持つことを特徴とする、請求項２に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項７】
前記第１位相及び前記第２位相の絶対値が同一であり、回転方向が異なり、
前記第３リターダが前記第２領域に対応するように前記パターンリターダの位置が調節されれば、前記表示装置が、前記外光を遮断することを特徴とする請求項６に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項８】
前記第１位相及び前記第２位相の絶対値が同一であり、回転方向が異なり、
前記第２リターダが前記第２領域に対応するように前記パターンリターダの位置が調節されれば、前記表示装置が、前記外光を透過することを特徴とする、請求項６に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項９】
前記透明表示素子の前記第１領域及び前記第２領域が垂直方向に交互に配列され、
前記パターンリターダの前記第２リターダと前記第３リターダとが、前記透明表示素子に対応して垂直方向に交互に配列されることを特徴とする、請求項１に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１０】
前記パターンリターダを、上または下方向に前記画素ピッチの半分だけ移動させる位置変更部をさらに備えることを特徴とする、請求項９に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１１】
前記透明表示素子の前記第１領域及び前記第２領域が水平方向に交互に配列され、
前記パターンリターダの前記第２リターダと前記第３リターダとが、前記透明表示素子に対応して水平方向に交互に配列されることを特徴とする、請求項１に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１２】
前記パターンリターダを、左または右方向に前記画素ピッチの半分だけ移動させる位置変更部をさらに備える、請求項１１に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１３】
前記第２リターダと前記第３リターダとの延伸軸が互いに垂直であることを特徴とする、請求項１に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１４】
前記第２リターダの数と前記第３リターダの数との和が、前記第２領域の数の２倍より１だけ多いことを特徴とする、請求項１に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１５】
前記第２リターダの数が前記第３リターダの数より１だけ多いか、または、前記第３リターダの数が前記第２リターダの数より１だけ多いことを特徴とする、請求項１４に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１６】
光を放出する第１領域、及び前記第１領域と隣接して外光を透過する第２領域が一方向に交互に配列された透明表示素子と、
前記透明表示素子が放出する光路上に配され、前記外光の波長を第１位相だけ遅延させて円形偏光させる第１円偏光器と、
前記透明表示素子が放出する光路の反対側に配され、前記外光を前記第１位相だけ遅延させる第１遅延領域と、第２位相だけ遅延させる第２遅延領域とが、前記透明表示素子の前記第１領域及び前記第２領域との配列方向と同方向に繰り返し形成され、前記外光を前記第１位相または前記第２位相だけ遅延させつつ円偏光させる第２円偏光器と、を備える、光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１７】
前記第１円偏光器が、
前記透明表示素子が放出する光路上に配されて前記外光を線形偏光させる第１偏光器と、第１偏光器と前記透明表示素子との間に配されて前記外光の波長を前記第１位相だけ遅延させる第１リターダと、を備え、
前記第２円偏光器が、
前記透明表示素子が放出する光路の反対側に配されて前記外光を線形偏光させる第２偏光器と、前記第２偏光器と前記透明表示素子との間に配され、前記外光の波長を前記第１位相だけ遅延させる第２リターダと、前記第２位相だけ遅延させる第３リターダとが交互に配列されたパターンリターダと、を備える、請求項１６に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１８】
前記第１位相及び前記第２位相の絶対値が同一であり、回転方向が異なり、
前記第１円偏光器及び前記第２円偏光器が、互いに同じ方向の偏光軸を持ち、
前記第２円偏光器の前記第１遅延領域または前記第２遅延領域が前記第２領域に対応するように、前記第２円偏光器と前記透明表示素子との相対的位置を調節して前記外光を遮断または透過させる位置変更部をさらに備える、請求項１６に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項１９】
前記第１位相及び前記第２位相の絶対値が同一であり、回転方向が異なり、
前記第１円偏光器と前記第２円偏光器とが、互いに直交する方向の偏光軸を持ち、
前記第２円偏光器の前記第１遅延領域または前記第２遅延領域が前記第２領域に対応するように、前記第２円偏光器と前記透明表示素子との相対的位置を調節して前記外光を遮断または透過させる位置変更部をさらに備える、請求項１６に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【請求項２０】
前記透明表示素子の前記第１領域及び前記第２領域が垂直または水平方向に互いに繰り返されるパターンを持ち、
前記第２円偏光器の前記第１遅延領域と前記第２遅延領域とが、前記透明表示素子のパターン方向と同方向に互いに繰り返されるパターンを持つ、請求項１６に記載の光透過率制御の可能な表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月27日(2016.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域が設けられた第１の可撓性基板と、
前記第１の可撓性基板に対向して設けられた第２の可撓性基板と、
前記発光領域を内側に含むように前記第１の可撓性基板及び前記第２の可撓性基板を封着するフリットガラスと、を有し、
前記第２の可撓性基板は、前記発光領域と重畳する領域の外周に設けられた開口を有しており、
前記フリットガラスは、前記開口を充填して設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の可撓性基板の開口は、ドット状の開口又はスリット状の開口であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
発光領域が設けられた第１の可撓性基板と、
前記第１の可撓性基板に対向して設けられた第２の可撓性基板と、
前記発光領域を内側に含むように前記第１の可撓性基板及び前記第２の可撓性基板を封着するフリットガラスと、を有し、
前記第２の可撓性基板は、前記発光領域と重畳する領域に第１の開口、及び前記第１の開口の外周に設けられた第２の開口を有しており、
前記フリットガラスは、前記第２の開口を充填して設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の可撓性基板の前記第２の開口は、ドット状の開口又はスリット状の開口であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記第１の開口に設けられた透光性を有する接着層と、
前記接着層の前記発光領域に対向する面の反対側の面に設けられた透光性を有する補強層と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、
前記第１の開口に設けられた透光性を有する接着層と、
前記接着層の前記発光領域に対向する面の反対側の面に透光性を有する有機樹脂と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記接着層は、前記発光領域と重畳する領域に設けられた着色層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記第２の可撓性基板に接し、前記接着層及び前記着色層を覆って設けられた無機絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記フリットガラスは、前記第１の可撓性基板に設けられている絶縁層に接して設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記フリットガラスは、前記第２の可撓性基板の両面に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記フリットガラスの外側又は内側に、前記第１の可撓性基板に設けられている絶縁層、及び前記第２の可撓性基板に接して設けられたシール材を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記フリットガラスは、低融点ガラスを含んでいることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記発光領域は、トランジスタ、及び白色に発光する発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
少なくとも前記第２の可撓性基板は、金属基材であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記エッチング液によってエッチングされる上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段と、
この厚さ検出手段によって検出される上記基板の厚さが異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断させる制御手段と、
上記エッチング液によるエッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記制御手段は、上記加工手段を駆動して上記基板の板面を粗面に加工した後、上記エッチング液によるエッチングを再開させることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記基板の板面を洗浄する洗浄手段を有し、
上記制御手段は、上記厚さ検出手段の検出に基いて上記エッチング液供給手段による上記基板の板面のエッチングを中断して上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工する前と、上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工し終えたときに、上記洗浄手段によって上記基板の板面を洗浄させることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項４】
上面に上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルを有し、
上記エッチング液供給手段は、回転駆動源によって回転駆動される揺動アームと、この揺動アームの先端に設けられ上記揺動アームが回転駆動されることで上記基板の上方で水平方向に揺動して上記エッチング液を上記基板に噴射するノズル体とを備えていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項５】
上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工するとき、上記厚さ検出手段によって上記基板の厚さが測定されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項６】
上記制御手段には上記エッチング液による上記基板のエッチング時間と膜厚の変化との関係が設定される記憶部が設けられ、
上記制御手段は、上記厚さ検出手段が検出する基板の厚さの変化を上記記憶部に設定された設定値に基いて上記基板の厚さの変化が正常であるか否かを判定することを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。  
【請求項７】
基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給する工程と、
上記エッチングによる上記基板の厚さの変化が異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断する工程と、
上記エッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工してからエッチングを再開する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項８】
基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と、
粗面に加工された上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項９】
上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段を有し、
上記加工手段は、上記厚さ検出手段により検出された上記基板の厚さに基づいて、上記基板の板面の一部を粗面に加工することを特徴とする請求項８に記載の基板の処理装置。
【請求項１０】
上面に上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルを有し、
上記エッチング液供給手段は、回転駆動源によって回転駆動される揺動アームと、この揺動アームの先端に設けられ上記揺動アームが回転駆動されることで上記基板の上方で水平方向に揺動して上記エッチング液を上記基板に噴射するノズル体とを備えていることを特徴とする請求項８記載の基板の処理装置。
【請求項１１】
基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面を粗面に加工する工程と
粗面に加工された上記基板の板面にエッチング液を供給する工程とを備えていることを特徴とする基板の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月22日(2016.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和ポリエステル樹脂、重合開始剤、無機充填剤、白色顔料、離型剤および補強材を少なくとも含み、前記不飽和ポリエステル樹脂が不飽和アルキッド樹脂と架橋剤が混合されたものであり、前記不飽和ポリエステル樹脂の配合量が、組成物全体量に対して１４質量％〜４０質量％の範囲内であり、前記無機充填剤と前記白色顔料の配合量の合計が、組成物全体量に対して４４質量％〜７４質量％の範囲内である、乾式の不飽和ポリエステル樹脂組成物において、
前記無機充填剤が、ハンター白色度９０以上で平均粒子径が１．０〜５０μｍの高白色無機充填剤を含有し、かつ、前記高白色無機充填剤の配合量が組成物全体量に対して１５質量％以上であることを特徴とするＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物。
【請求項２】
前記高白色無機充填剤が、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、および硫酸バリウムから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物。
【請求項３】
前記白色顔料が、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、および炭酸バリウムから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物。
【請求項４】
前記無機充填剤と前記白色顔料の配合量の合計に占める前記白色顔料の割合が３０質量％以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物。
【請求項５】
前記高白色無機充填剤の配合量が組成物全体量に対して１５質量％〜４０質量％であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物。
【請求項６】
前記不飽和アルキッド樹脂が、５０℃以上で軟化を開始するものである請求項１から５のいずれか一項に記載のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物から形成されていることを特徴とするＬＥＤリフレクター用粒状物。
【請求項７】
前記不飽和アルキッド樹脂が、５０℃以上で軟化を開始するものである請求項１から５のいずれか一項に記載の前記ＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物から形成されていることを特徴とするＬＥＤリフレクター用タブレット。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一項に記載のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とするＬＥＤリフレクター。
【請求項９】
請求項８に記載のＬＥＤリフレクターを備えることを特徴とする表面実装型ＬＥＤ発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の表面実装型ＬＥＤ発光装置を備えることを特徴とするＬＥＤ照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明のＬＥＤリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物は、不飽和ポリエステル樹脂、重合開始剤、無機充填剤、白色顔料、離型剤および補強材を少なくとも含み、前記不飽和ポリエステル樹脂が不飽和アルキッド樹脂と架橋剤が混合されたものであり、前記不飽和ポリエステル樹脂の配合量が、組成物全体量に対して１４質量％〜４０質量％の範囲内であり、前記無機充填剤と前記白色顔料の配合量の合計が、組成物全体量に対して４４質量％〜７４質量％の範囲内である、乾式の不飽和ポリエステル樹脂組成物において、
前記無機充填剤が、ハンター白色度９０以上で平均粒子径が１．０〜５０μｍの高白色無機充填剤を含有し、かつ、前記高白色無機充填剤の配合量が組成物全体量に対して１５質量％以上であることを特徴とする。
前記無機充填剤と前記白色顔料の配合量の合計に占める前記白色顔料の割合が３０質量％以上であることが好ましい。
前記高白色無機充填剤の配合量が組成物全体量に対して１５質量％〜４０質量％であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上の導電層と、
前記導電層の上の第１の誘電体層であって、第１の開口を有する第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上の第１の複数の導電性ナノチューブと、
前記第１の誘電体層の前記第１の開口の上の第２の複数の導電性ナノチューブと、
前記第１の複数の導電性ナノチューブおよび前記第２の複数の導電性ナノチューブの上の第２の誘電体層であって、前記第２の複数の導電性ナノチューブの上にある第２の開口を有する第２の誘電体層と、
前記第２の開口内の導電性材料であって、前記第２の複数の導電性ナノチューブを通じて前記導電層と前記導電性材料との間に電気接点を形成する導電性材料と、を備え、
前記第１の複数の導電性ナノチューブは、前記第１の誘電体層から前記第２の誘電体層まで延在しており、前記第２の複数の導電性ナノチューブは、前記導電層から前記導電性材料まで延在している、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２の複数の導電性ナノチューブは導電性ビアとして機能し、前記第１の複数の導電性ナノチューブは前記導電性ビアを取り囲む層間誘電体として機能する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
基板の上に半導体デバイスを形成する方法であって、
基板の上に第１の導電層を形成するステップと、
前記第１の導電層の上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層に第１の開口を形成するステップと、
前記第１の誘電体層の上と前記第１の開口内とにシード層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層の上および前記第１の開口の上に前記シード層から導電性ナノチューブの層を形成するステップと、
前記導電性ナノチューブの層の上に第２の誘電体層を形成するステップと、
前記第２の誘電体層において前記第１の開口の上に第２の開口を形成するステップと、
前記第２の開口内に導電性材料を堆積するステップと、を含み、
前記導電性ナノチューブの第１の部分は、前記第１の誘電体層から前記第２の誘電体層まで延在し、前記導電性ナノチューブの第２の部分は、前記第１の導電層から前記導電性材料まで延在する、方法。
【請求項４】
前記第１の部分は導電性ビアとして機能し、前記第２の部分は前記導電性ビアを取り囲む層間誘電体として機能する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ビアを形成する方法であって、
基板の上に導電線を形成するステップと、
前記導電線の上に絶縁層を形成するステップと、
前記導電線の一部分を露出させるべく前記絶縁層に開口を形成するステップと、
離間している分離した複数の種を形成するステップであって、第１の複数の種は前記導電線の露出された部分の上にあり、第２の複数の種は前記絶縁層の上にある、複数の種を形成するステップと、
前記第１の複数の種の上および前記第２の複数の種の上に同時に導電性ナノチューブを成長させるステップと、
前記第１の複数の種から成長した導電性ナノチューブに対する金属接点を形成するステップであって、前記第１の複数の種から成長し前記金属接点と接触した導電性ナノチューブは前記金属接点を前記導電線に電気的に接続するビアとして機能する、金属接点を形成するステップと、
前記導電性ナノチューブの上に絶縁層を形成するステップであって、該絶縁層は開口を有し、前記金属接点は該開口内にあり、前記第２の複数の種から成長した導電性ナノチューブは、前記ビアを取り囲む層間誘電体として機能する、ステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収容される処理室と、
所定元素を含有する第１の処理ガスを前記基板に対して供給する第１のガス供給部と、
前記所定元素及びハロゲン元素を含有する第２の処理ガスを前記基板に対して供給する第２のガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記排気部内に前記処理室を介さずにクリーニングガスを供給するクリーニングガスバイパス供給部と、
前記排気部に設けられ、前記排気部の温度を測定する温度監視部、または、前記排気部に発生するガスを分析するガス分析部、または、前記排気部に発生するパーティクル量を測定するパーティクルカウンタのいずれかで構成されたクリーニング監視部と、
前記クリーニング監視部が検出した前記排気部の状態に応じて、前記クリーニングガスバイパス供給部による前記クリーニングガスの供給を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記排気部は、
前記処理室に接続された排気管と、
前記排気管に設けられたメインバルブと、
を有し、
前記制御部は、前記メインバルブを閉じて、前記クリーニングガスバイパス供給部により前記排気管の前記メインバルブよりも下流側に前記クリーニングガスを供給するよう制御する第１クリーニング処理を行う請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスを供給した後に、前記反応容器と前記排気管にクリーニングガスを供給するように各部を制御する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記クリーニング監視部で所定の値が検出されると前記クリーニングガスの供給を停止させる請求項１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記主御部は、前記クリーニング監視部からの信号によって所定の箇所をロックする請求項１から４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
所定元素を含有する第１の処理ガスを基板に供給する工程と、
所定元素とハロゲン元素を含有する第２の処理ガスを前記基板に供給する工程と、
を有する成膜工程と、
前記基板を処理する処理室を介さずにクリーニングガスバイパスラインを介して排気部にクリーニングガスを供給する工程と、
前記排気部を監視する工程と、
前記排気部に設けられ、前記排気部の温度を測定する温度監視部、または、前記排気部に発生するガスを分析するガス分析部、または、前記排気部に発生するパーティクル量を測定するパーティクルカウンタのいずれかで構成されたクリーニング監視部からの信号によってクリーニングガスのガス流量制御部を制御する工程と、
を有するクリーニング工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
所定元素を含有する第１の処理ガスを基板に供給する手順と、
所定元素とハロゲン元素を含有する第２の処理ガスを前記基板に供給する手順と、
を有する成膜手順と、
前記基板を処理する処理室を介さずにクリーニングガスバイパスラインを介して排気部にクリーニングガスを供給する手順と、
前記排気部を監視する手順と、
前記排気部に設けられ、前記排気部の温度を測定する温度監視部、または、前記排気部に発生するガスを分析するガス分析部、または、前記排気部に発生するパーティクル量を測定するパーティクルカウンタのいずれかで構成されたクリーニング監視部からの信号によってクリーニングガスのガス流量制御部を制御する手順と、
を有するクリーニング手順と、
を有するプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜形成後に４５０℃以上の温度で第１の加熱処理を行い、前記第１の加熱処理後に前記第２のゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜形成後に第２の加熱処理を行う半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月19日(2015.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、
前記絶縁層上に接して設けられた金属酸化物膜と、を有し、
前記金属酸化物膜の抵抗率が、１×１０１０Ωｍ以上１×１０１９Ωｍ以下である半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、
前記絶縁層上に接して設けられた金属酸化物膜と、を有し、
前記金属酸化物膜の抵抗率は、１×１０１０Ωｍ以上１×１０１９Ωｍ以下であり、
前記絶縁層は、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記金属酸化物膜として、酸化アルミニウム膜を有する半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記ゲート電極層と重畳する前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた酸化アルミニウム膜との島状の積層と、
前記酸化物半導体層、前記絶縁層、及び前記酸化アルミニウム膜上に、前記酸化物半導体層に電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記酸化アルミニウム膜の抵抗率は１×１０１０Ωｍ以上１×１０１９Ωｍ以下である半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記ゲート電極層と重畳する前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた酸化アルミニウム膜との積層と、
前記酸化物半導体層に電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記絶縁層及び前記酸化アルミニウム膜が有する前記酸化物半導体層に達する開口に設けられ、
前記酸化物半導体層の周縁部は前記絶縁層及び前記酸化アルミニウム膜によって覆われる半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記酸化アルミニウム膜の抵抗率は１×１０１０Ωｍ以上１×１０１９Ωｍ以下である半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層と接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層と接する金属膜を形成し、
前記金属膜及び前記絶縁層に対して、酸素ドープ処理を行うことによって、前記絶縁層に酸素を添加し、且つ、前記金属膜を、１×１０１０Ωｍ以上１×１０１９Ωｍ以下の抵抗率を有する金属酸化物膜とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記金属膜を形成する前に、前記絶縁層に熱処理を行い、前記絶縁層から水又は水素を低減する半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は８において、
前記金属膜としてアルミニウム膜を形成し、前記酸素ドープ処理によって前記アルミニウム膜を酸化アルミニウム膜とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体層を形成し、
前記ゲート電極層と重畳する前記酸化物半導体層上に接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層と接するアルミニウム膜を形成し、
前記アルミニウム膜及び前記絶縁層に対して、酸素ドープ処理を行うことによって、前記絶縁層に酸素を添加し、且つ、前記アルミニウム膜を酸化アルミニウム膜とし、
前記酸素ドープ処理を行った絶縁層及び前記酸化アルミニウム膜に前記酸化物半導体層に達する開口を形成し、
前記開口に前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体層を形成し、
前記ゲート電極層と重畳する前記酸化物半導体層上に接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層に熱処理を行って、前記絶縁層中の水又は水素を除去し、
前記水又は水素が除去された絶縁層と接するアルミニウム膜を形成し、
前記アルミニウム膜及び前記絶縁層に対して、酸素ドープ処理を行うことによって、前記絶縁層に酸素を添加し、且つ、前記アルミニウム膜を酸化アルミニウム膜とし、
前記酸素ドープ処理を行った絶縁層及び前記酸化アルミニウム膜に前記酸化物半導体層に達する開口を形成し、
前記開口に前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記酸素ドープ処理後、熱処理を行い前記酸化物半導体層へ前記絶縁層から酸素を供給する半導体装置の作製方法。