Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサと、
当該センサモジュールの動作を制御する制御部と、
当該センサモジュールに電力を供給する第一及び第二の二次電池と、
前記第一及び第二の二次電池による電力の供給を制御する電源制御部と、
前記センサにより検出されたデータを無線通信により送信する出力部と、を有し、
前記電源制御部は、
前記制御部により、前記センサにより検出されたデータが異常値と判断された場合、少なくとも前記第二の二次電池に電力を供給させ、
前記出力部は、
前記第二の二次電池により前記センサモジュールに電力が供給された後に、前記データを送信する、センサモジュール。
【請求項２】
前記制御部は、
前記データを異常値と判断したとき、前記出力部による前記データの出力レベルを、前記データが正常値と判断された場合の出力レベルよりも高くする出力レベル調整部を有する請求項１記載のセンサモジュール。
【請求項３】
前記制御部は、前記データの送信を制御する送信制御部を有し、
前記送信制御部は、
前記データが異常値と判断された場合に、前記出力部がデータの送信中か否かを判断し、前記出力部がデータの送信中であった場合に前記データの送信を中断させ、前記出力レベル調整部により前記出力部の出力レベルが高くされた後に、前記異常値と判断されたデータを送信する請求項２記載のセンサモジュール。
【請求項４】
前記電源制御部は、
前記データが異常値と判断された場合、前記第一及び第二の二次電池に電力を供給させ、
前記データが正常値と判断された場合、前記第一の二次電池にのみ電力を供給させる請求項１ないし３の何れか一項に記載のセンサモジュール。
【請求項５】
前記第一及び第二の二次電池を充電する環境発電装置を有する請求項１ないし４の何れか一項に記載のセンサモジュール。
【請求項６】
前記環境発電装置は、
前記第二の二次電池が満充電の状態を維持するように前記第二の二次電池を充電する請求項５記載のセンサモジュール。
【請求項７】
センサと、前記センサが検出したデータを無線通信により送信する出力部と、を有するセンサモジュールと、ホストとを含むセンサシステムであって、
前記センサモジュールは、
前記センサと、
前記センサモジュールの動作を制御する制御部と、
前記センサモジュールに電力を供給する第一及び第二の二次電池と、
前記第一及び第二の二次電池による電力の供給を制御する電源制御部と、を有し、
前記電源制御部は、
前記制御部により、前記センサにより検出されたデータが異常値と判断された場合、少なくとも前記第二の二次電池に電力を供給させ、
前記出力部は、
前記第二の二次電池により前記センサモジュールに電力が供給された後に、前記データを前記ホストへ送信するセンサシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、センサと、当該センサモジュールの動作を制御する制御部と、当該センサモジュールに電力を供給する第一及び第二の二次電池と、前記第一及び第二の二次電池による電力の供給を制御する電源制御部と、前記センサにより検出されたデータを無線通信により送信する出力部と、を有し、前記電源制御部は、前記制御部により、前記センサにより検出されたデータが異常値と判断された場合、少なくとも前記第二の二次電池に電力を供給させ、前記出力部は、前記第二の二次電池により前記センサモジュールに電力が供給された後に、前記データを送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月10日(2016.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムガリウムリンで構成された上部サブセルと、
前記上部サブセルに直接隣接して配置され、これに格子整合され、インジウムガリウムリンで構成されたエミッタ層と、前記エミッタ層に格子整合されたインジウムガリウムヒ素で構成されたベース層と、前記エミッタ層と前記ベース層の間に配置される低バンドギャップ層を形成する、異なる格子定数を有する一連の第１及び第２の異なる半導体層とを含み、かつ、第１の光生成電流を生成する、第２のサブセルと、
前記第２のサブセルの前記ベース層の下に、これと隣接して配置され、それぞれの屈折率が不連続である格子整合材料の複数の交互層で構成された分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）層と、
を含み、前記交互層間の屈折率の差異は、所定の反射率を達成するのに必要な周期数を最小にするように最大にされ、
前記第２のサブセルに格子整合され、ゲルマニウムで構成され、前記分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）層に隣接して配置され、かつ、前記第１の光生成電流の量と実質的に等しい第２の光生成電流を生成する、下部サブセルと、
が設けられたことを特徴とする多接合型光起電力セル。
【請求項２】
前記ＤＢＲ層は、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ層で構成された第１のＤＢＲ層と、ｐ型ＩｎＡｌＰ層で構成され、前記第１のＤＢＲ層の上に配置された第２のＤＢＲ層とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項３】
前記ＤＢＲ層は、ｐ型ＡｌxＧａ1-XＡｓ層で構成された第１のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層の上に配置され、ｙはｘより大きいものとして、ｐ型ＡｌyＧａ1-yＡｓ層で構成された第２のＤＢＲ層とを含むことを特徴とする、請求項２に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項４】
前記ＤＢＲ層の交互層の厚さは、前記ＤＢＲの反射率ピークの中心が、デバイスの中間サブセルの真性層内に形成された前記低バンドギャップ層の吸収波長と共鳴するように設計されることを特徴とする、請求項１に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項５】
前記第１及び第２の半導体層の各々は、約１００乃至３００オングストロームの厚さであることを特徴とする、請求項１に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項６】
前記低バンドギャップ層の前記第１の半導体層はＩｎＧａＡｓを含み、中間バンドギャップ層の前記第２の半導体層はＧａＡｓＰを含むことを特徴とする、請求項１に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項７】
前記低バンドギャップ層の各ＩｎＧａＡｓ層内のインジウムの百分率は、１０乃至３０％の範囲内であることを特徴とする、請求項６に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項８】
前記上部サブセルは、前記第１の電流より約４％乃至５％少ない電流を生成するような厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の多接合型光起電力セル。
【請求項９】
ＭＯＣＶＤ反応炉を用いて多接合型太陽電池を製造する方法であって、
下部サブセルを含む半導体基板を準備するステップと、
前記下部サブセル上に、それぞれの屈折率が不連続である格子整合材料の複数の交互層で構成された分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）層を形成するステップと、
前記分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）層上に、インジウムガリウムリンで構成されたエミッタ層と、前記エミッタ層に格子整合されたインジウムガリウムヒ素で構成されたベース層と、前記ベース層と前記エミッタ層の間にあり、異なる格子定数を有する一連の第１及び第２の異なる半導体層で構成され、前記エミッタ層と前記ベース層の間に配置された中間バンドギャップ層を形成する真性層とを含み、かつ、第１の光生成電流を生成する、第２のサブセルを形成するステップと、
前記第２のサブセルの上に、上部サブセルを形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ＤＢＲ層は、ｐ型ＡｌxＧａ1-XＡｓ層で構成された第１のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層の上に配置され、ｙはｘより大きいものとして、ｐ型ＡｌyＧａ1-yＡｓ層で構成された第２のＤＢＲ層とを含むことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＤＢＲ層の交互層の厚さは、前記ＤＢＲの反射率ピークの中心が、デバイスの前記第２のサブセルの前記真性層に形成された前記中間バンドギャップ層の吸収波長と共鳴するように設計されることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
インジウムガリウムリンで構成された上部サブセルと、
前記上部サブセルに直接隣接して配置され、これに格子整合され、インジウムガリウムリンで構成されたエミッタ層と、前記エミッタ層に格子整合されたインジウムガリウムヒ素で構成されたベース層と、前記エミッタ層と前記ベース層の間に配置された低バンドギャップ層を形成する、異なる格子定数を有する一連の第１及び第２の異なる半導体層とを含み、かつ、第１の光生成電流を生成する、第２のサブセルと、
前記第２のサブセルの下に、これに隣接して配置されたトンネルダイオードと、
前記トンネルダイオードの下に、これに隣接して配置され、それぞれの屈折率が不連続である格子整合材料の複数の交互層で構成された分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）層と、を含み、前記交互層間の屈折率の差異は、所定の反射率を達成するのに必要な周期数を最小にするように最大にされ、
前記第２のサブセルに格子整合され、ゲルマニウムで構成され、前記分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）層に隣接して配置され、かつ、前記第１の光生成電流の量と実質的に等しい第２の光生成電流を生成する、下部サブセルと、
が設けられたことを特徴とする多接合型光起電力セル。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
表面特性が疎水性のlow-k膜（ｋ＝２．４）を表面に形成したサンプル基板の該表面（low-k膜）を研磨ユニットで研磨し、研磨後のサンプル基板表面を、前述と同様にして、図２に示す第２洗浄ユニット（基板洗浄装置）１８を使用して洗浄し、更に洗浄後のサンプル基板をＩＰＡ乾燥させた時に、サンプル基板表面に残った１００ｎｍ以上のパーティクル（ディフェクト）の数を計測した時の結果を図１５に実施例３として示す。サンプル基板表面（low-k膜表面）を研磨し、従来の一般的な洗浄ユニットを使用して研磨後のサンプル基板表面を洗浄した。洗浄後のサンプル基板をＩＰＡ乾燥させ、実施例３と同様に１００ｎｍ以上のパーティクル（ディフェクト）の数を計測した。計測した時の結果を比較例３として図１５に示している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月25日(2016.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置された、下記一般式（Ｖ−１）で表される多環芳香族化合物を含有する有機層とを有する、有機電界発光素子（ただし、下記式（１）または（４）で表される多環芳香族化合物を含有する有機層を有する有機電界発光素子を除く）。
【化１】
2015188099.tif 000001
（上記式（Ｖ−１）中、
Ｘは、Ｂ、Ｐ、Ｐ＝Ｏ、またはＰ＝Ｓであり、
Ｒは、水素、フッ素置換または無置換のＣ１−２０アルキル、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ２−２０アルケニル、モノもしくはジアリール置換Ｃ２−１２アルケニル、モノもしくはジヘテロアリール置換Ｃ２−１２アルケニル、フッ素置換または無置換のＣ１−２０アルコキシ、Ｃ１−２０アルキルカルボニル、シアノ、ニトロ、ジアリールアミノ、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、Ｂ（Ｒａ）２、またはＳｉ（Ｒａ）３（ここでＲａは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリールまたは置換されていてもよいヘテロアリールである。）であり、
同じ環で隣接する２つのＲが結合して、シクロヘキサン環、ベンゼン環またはピリジン環を形成してもよく、
上記各式中の隣接する２つのベンゼン環は、単結合、ＣＨ２、ＣＨＲａ、Ｃ（Ｒａ）２、ＮＲａ、Ｓｉ（Ｒａ）２、ＢＲａ（ここでＲａは前記に定義されるとおりである）、Ｓｅ、Ｓ、またはＯを介した結合により結合されて、それらの間に環を形成していてもよく、
ｎは０〜４の整数であり、そして、
上記式（Ｖ−１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。）
【請求項２】
前記多環芳香族化合物が、下記一般式（Ｖ−１’）または一般式（Ｖ−２’）で表される多環芳香族化合物である、請求項１に記載する有機電界発光素子。
【化２】
2015188099.tif 000002
（上記各式中、
Ｒは、フッ素置換または無置換のＣ１−２０アルキル、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ２−２０アルケニル、モノもしくはジアリール置換Ｃ２−１２アルケニル、モノもしくはジヘテロアリール置換Ｃ２−１２アルケニル、フッ素置換または無置換のＣ１−２０アルコキシ、Ｃ１−２０アルキルカルボニル、シアノ、ニトロ、ジアリールアミノ、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、Ｂ（Ｒａ）２、またはＳｉ（Ｒａ）３（ここでＲａは、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリールまたは置換されていてもよいヘテロアリールである。）であり、
同じ環で隣接する２つのＲが結合して、シクロヘキサン環、ベンゼン環またはピリジン環を形成してもよく、
ｎは０〜４の整数であり、そして、
上記各式で表される化合物における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。）
【請求項３】
前記有機層は発光層である、請求項１または２に記載する有機電界発光素子。
【請求項４】
前記有機層は正孔輸送層および／または正孔注入層である、請求項１または２に記載する有機電界発光素子。
【請求項５】
前記有機層は正孔阻止層、電子輸送層および／または電子注入層である、請求項１または２に記載する有機電界発光素子。
【請求項６】
前記多環芳香族化合物が、下記式（５１）、式（６６）、式（８４）、式（８６）、式（１９７）、式（２１０）、式（２１２）、式（２１４）、式（２１５）、式（５０１）、式（５５１）または式（６８７）で表される多環芳香族化合物である、請求項３に記載する有機電界発光素子。
【化３】
2015188099.tif 000003
【請求項７】
前記多環芳香族化合物が、下記式（１９８）または式（２０９）で表される多環芳香族化合物である、請求項４に記載する有機電界発光素子。
【化４】
2015188099.tif 000004
【請求項８】
前記多環芳香族化合物が、下記式（３０１）、式（３６６）、式（３９１）、式（３９２）または式（４２４）で表される多環芳香族化合物である、請求項５に記載する有機電界発光素子。
【化５】
2015188099.tif 000005
【請求項９】
前記有機電界発光素子が有する正孔阻止層、電子輸送層および／または電子注入層が、キノリノール系金属錯体、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項５に記載する有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記正孔阻止層、電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法であって、
二酸化ケイ素を含む基板を用意し；
水、平均粒子サイズ１００nm以下である砥粒０．１〜３０重量％；式（Ｉ）：
【化１４】
2015188093.tif 000001
（式中、各Ｘは独立に、ＮおよびＰから選択され；
Ｒ1は、飽和もしくは不飽和の、置換されていてもよい、炭素原子数１〜１５の炭素鎖長を有するアリール、アルキル、アラルキル、またはアルカリール基であり；そして、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の、置換されていてもよい、炭素原子数１〜１５の炭素鎖長を有するアリール、アルキル、アラルキルまたはアルカリール基から選択される）で表されるジ第四級カチオン０．００５〜０．５重量％；および
第四級アルキルアンモニウム化合物０〜０．１重量％を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を用意し；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを用意し；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の界面にダウンフォース０．１〜５psiで動的接触を作り出し；次いで
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッド上で、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の界面または界面近くに計量分配することを含み；
ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、ｐＨ２〜６であり；ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、少なくとも１，５００Å/minの二酸化ケイ素の除去速度を示し；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物がコロージョンインヒビターフリーである、方法。
【請求項２】
砥粒がコロイドシリカであり；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物は、ケミカルメカニカルポリッシングパッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機で、プラテン速度１分当り９３回転、キャリヤ速度１分当り８７回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００ml/min、および公称ダウンフォース３psiで、少なくとも１，５００Å/minの二酸化ケイ素の除去速度を示す、請求項１の方法。
【請求項３】
基板がさらに、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣＯおよびポリシリコンの少なくとも１種を含む、請求項１の方法。
【請求項４】
基板がさらにＳｉ3Ｎ4を含み；砥粒がコロイドシリカであり；ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、ケミカルメカニカルポリッシングパッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機で、プラテン速度１分当り９３回転、キャリヤ速度１分当り８７回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００ml/min、および公称ダウンフォース３psiで、少なくとも１，５００Å/minの二酸化ケイ素の除去速度を示す、請求項１の方法。
【請求項５】
用意する基板が、窒化ケイ素上に被着された二酸化ケイ素を含み；用意するケミカルメカニカルポリッシング組成物が水；平均粒子サイズ２０〜３０nmであるコロイドシリカ砥粒１〜５重量％；式（Ｉ）で表されるジ第四級カチオン０．０２〜０．０６重量％、並びにテトラエチルアンモニウムヒドロキシドおよびテトラブチルアンモニウムヒドロキシドから選択される第四級アルキルアンモニウム化合物０．００５〜０．０５５重量％を含み；加えるダウンフォースが０．１〜３psiであり；用意するケミカルメカニカルポリッシング組成物がｐＨ３〜４であり；二酸化ケイ素および窒化ケイ素を、ケミカルメカニカルポリッシング組成物にさらし；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、二酸化ケイ素対窒化ケイ素の選択性少なくとも５対１を示す、請求項１の方法。
【請求項６】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、ケミカルメカニカルポリッシングパッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機で、プラテン速度１分当り９３回転、キャリヤ速度１分当り８７回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００ml/min、および公称ダウンフォース３psiで、少なくとも１，５００Å/minの二酸化ケイ素の除去速度を示す、請求項５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導素子用の磁気コア（１００）にインサートとして挿入される板状円筒形漏れ構造体（１）であって、
各々が第１材料から形成された第１漏れ構造部（３）および第２漏れ構造部（５）と、
前記第１材料に比べて低い透磁率を有する第２材料から形成された第１スペーサ（７）とを含み、
前記第１スペーサ（７）は、第１漏れ構造部（３）を第２漏れ構造部（５）から隔離し、前記板状円筒形漏れ構造体（１）の厚さ方向に沿って前記板状円筒形漏れ構造体（１）を挿通し、
前記第１スペーサ（７）は、中空円筒形状を有する、板状漏れ構造体（１）。
【請求項２】
誘導素子用の磁気コア（２００）にインサートとして挿入される板状漏れ構造体（２）であって、
各々が第１材料から形成された第１漏れ構造部（１１）、第２漏れ構造部（１３）および第３漏れ構造部（１５）と、
前記第１材料に比べて低い透磁率を有する第２材料から形成された第１スペーサ（１７）とを含み、前記第１スペーサ（１７）は、第１漏れ構造部（１１）を第２漏れ構造部（１３）から隔離し、前記板状漏れ構造体（２）の厚さ方向に沿って前記板状漏れ構造体（２）を挿通し、
前記第２材料から形成された第２スペーサ（１９）とを含み、前記第２スペーサ（１９）は、前記第３漏れ構造部（１５）を前記第２漏れ構造部（１３）から隔離し、前記板状漏れ構造体（２）の厚さ方向に沿って前記板状漏れ構造体を挿通し、
前記漏れ構造部（１１，１３，１５）の間隔は、前記板状漏れ構造体（２）の厚さ方向に沿って測定した前記板状漏れ構造体の厚さよりも小さい。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の板状漏れ構造体（１；２）において、
前記第１材料は、フェライト材料を含み、
前記第２材料は、セラミック材料またはプラスチック材料を含む。
【請求項４】
請求項３に記載の板状漏れ構造体（１；２）において、前記スペーサ（７；１７，１９）は、焼結によって前記板状漏れ構造体（１；２）内に形成される。
【請求項５】
誘導素子用の磁気コア（１００；２００）であって、
第１コア脚（１１４；２１４）を有する第１コア部（１１０；２１０）と、
第２コア脚（１２４；２２４）を有する第２コア部（１２０；２２０）と、
請求項１から４のいずれか１項に記載の板状漏れ構造体（１３０；２３０）とを含み、
前記板状漏れ構造体（１３０；２３０）は、各コア部が前記板状漏れ構造体（１３０；２３０）の軸受面上に位置するように、第１および第２コア部（１１０，１２０；２１０，２２０）の間に配置され、
前記第１コア脚（１１４；２１４）は、一方の軸受面において、第１材料を露出することによって形成された第１表面部分を被覆し、前記第２コア脚部（１２４；２２４）は、反対側の軸受面において、前記第１材料を露出することによって形成された第２表面部分を被覆する、磁気コア。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気コア（１００；２００）において、
前記第１コア部（１１０；２１０）は、第３コア脚（１１２；２１２）をさらに含み、  前記第３コア脚（１１２；２１２）は、前記第１コア脚（１１４；２１４）のほかに、前記第１材料を露出することによって形成された第３表面部分を被覆し、
前記第３表面部分は、第２材料を露出することによって形成された表面部によって前記第１表面部分から隔離される。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気コア（１００；２００）において、
前記第２コア部（１２０；２２０）は、第４コア脚（１２２；２２２）をさらに含み、
前記第４コア脚（１２２；２２２）は、前記第２コア脚（１２４；２２４）のほかに、前記第１材料を露出することによって形成された第４表面部分を被覆し、
前記第４表面部分は、第２材料を露出することによって形成された表面部によって前記第２表面部分から隔離される。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載の磁気コア（１００；２００）において、
前記磁気コア（１００；２００）は、ポットコアまたはカップコアとして形成され、
前記板状漏れ構造体（１３０；２３０）は、円筒状である。
【請求項９】
請求項５から７のいずれか１項に記載の磁気コア（１００；２００）において、
前記磁気コア（１００；２００）は、二重Ｅ−コア構造、二重Ｃ−コア構造またはＥＣ−コア構造を有し、
前記板状漏れ構造体（１３０；２３０）は、２つのスペーサ（１３７，１３９；２３７，２３９）を有するように形成されている。
【請求項１０】
請求項５から９のいずれか１項に記載の磁気コア（１００；２００）において、
前記磁気コア（１００；２００）の前記板状漏れ構造体（１３０；２３０）は、前記第１および第２コア脚（１１４，１２４；２１４，２２４）によって形成された空隙に配置されている。
【請求項１１】
誘導素子であって、
請求項５から１０のいずれか１項に記載の磁気コア（１００；２００）と、
第１コア脚（１１４；２１４）に設けられた第１巻線（Ｗ１；Ｗ３）と、
第２コア脚（１２４；２２４）に設けられた第２巻線（Ｗ２；Ｗ４）とを含み、
前記磁気コア（１００；２００）の板状漏れ構造体（１３０；２３０）が、前記第１および第２巻線（Ｗ１，Ｗ２；Ｗ３，Ｗ４）の間に配置される、誘導素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の誘導素子において、前記誘導素子は、平滑チョークとして構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信システムにおける端末の信号伝送方法であって、
新規データ指示子（ＮＤＩ）を含むアップリンク伝送資源割り当てメッセージを基地局から受信する段階と、
ＨＡＲＱバッファーが空いていれば、ＮＤＩと無関係にＲＶ（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  Ｖｅｒｓｉｏｎ）を０に設定して、新規伝送を実行する段階と、
前記ＨＡＲＱバッファーが空いておらず、前記ＮＤＩがトグルされていない場合、再伝送を実行する段階と、を含むことを特徴とする信号伝送方法。
【請求項２】
ＨＡＲＱプロセスにあるメディアアクセス制御プロトコルデータ（Ｍｅｄｉａ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ  Ｄａｔａ  Ｕｎｉｔ，ＭＡＣ  ＰＤＵ）の伝送指示子を含むメッセージを受信する段階と、
最後の再伝送可能な時間を確認する段階と、をさらに含む、請求項１記載の信号伝送方法。
【請求項３】
前記最後の再伝送可能な時間が経過した場合、前記ＨＡＲＱバッファーを廃棄する段階をさらに含む、請求項２記載の信号伝送方法。
【請求項４】
前記新規伝送を実行する段階は、新規ＭＡＣ  ＰＤＵを前記基地局に伝送する段階をさらに含む、請求項１記載の信号伝送方法。
【請求項５】
移動通信システムで信号を伝送する端末であって、
基地局と無線チャネルとを通じて信号を送受信する送受信部と、
前記送受信部を通じて受信された信号からアップリンク伝送資源割り当てメッセージを抽出するＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ＣＨａｎｎｅｌ）処理部と、
新規データ指示子（ＮＤＩ）を含むアップリンク伝送資源割り当てメッセージの受信時、ＨＡＲＱバッファーが空いていれば、ＮＤＩと無関係にＲＶ（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  Ｖｅｒｓｉｏｎ）を０に設定して、新規伝送を実行し、前記ＨＡＲＱバッファーが空いておらず、前記ＮＤＩがトグルされていない場合は、再伝送を実行するように制御する伝送資源制御部と、を含むことを特徴とする端末。
【請求項６】
前記伝送資源制御部は、ＨＡＲＱプロセスにあるメディアアクセス制御プロトコルデータ（Ｍｅｄｉａ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ  Ｄａｔａ  Ｕｎｉｔ，ＭＡＣ  ＰＤＵ）の伝送指示子を含むメッセージを受信し、最後の再伝送可能な時間を確認するように制御する、請求項５記載の端末。
【請求項７】
前記伝送資源制御部は、前記最後の再伝送可能な時間が経過した場合、前記ＨＡＲＱバッファーを廃棄するように制御する、請求項６記載の端末。
【請求項８】
前記伝送資源制御部は、新規伝送を実行する時、新規ＭＡＣ  ＰＤＵを前記基地局に伝送するように制御する、請求項６記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオデコーダにおける、多視点映像コンテンツをデコードする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月2日(2016.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の通信装置が接続されて構成されるネットワークと前記ネットワークを管理するネットワーク管理装置とを備えた通信システムであって、
前記ネットワーク管理装置は、
前記複数の通信装置の中の２つの第１の通信装置間に現用系パスを設定し、
前記複数の通信装置の中の前記第１の通信装置を除く通信装置を複数のエリアに分割し、前記現用系パスの通過するエリアに含まれる第２の通信装置と前記現用系パスの通過しないエリアに含まれる第３の通信装置に分け、
前記現用系パスの各エリア内の部分をそれぞれ迂回するエリア毎のエリア内プロテクションパスを通知し、
前記第３の通信装置により構成する前記２つの第１の通信装置間の端点間プロテクションパスを通知し、
前記エリアの障害の状態に応じて復旧面パスと復旧ＩＤとを対応付けて通知し、
前記第１の通信装置から端点間プロテクションパスによる通信の障害の検出を通知された場合、前記エリアの障害の状態に応じて前記復旧ＩＤを通知し、
前記第２の通信装置は、
前記通知されたエリア内プロテクションパスを使用可能とし、
前記第２の通信装置のそれぞれを含むエリアの通信に障害を検出した場合、第１の時間内に前記現用系パスのエリア内の部分を前記エリア内プロテクションパスへ変更し、
前記ネットワーク管理装置から前記復旧ＩＤを受信すると、前記復旧ＩＤに応じた復旧面パスへ変更し、
前記第１の通信装置は、
前記通知された端点間プロテクションパスを使用可能し、
前記現用系パスの通信に障害を検出し、第２の時間を経過しても前記障害が回復しない場合、前記端点間プロテクションパスへ変更し、端点間プロテクションパスの通信に障害を検出した場合、前記ネットワーク管理装置へ通知し、
前記ネットワーク管理装置から前記復旧ＩＤを受信すると、前記復旧ＩＤに応じた復旧面パスへ変更し、
前記第３の通信装置は、
前記通知された端点間プロテクションパスを使用可能し、
前記ネットワーク管理装置から前記復旧ＩＤを受信すると、前記復旧ＩＤに応じた復旧面パスへ変更すること、
を特徴とする通信システム。
【請求項２】
前記第１の時間より前記第２の時間は長い時間の設定であり、
前記エリア内プロテクションパスでは障害を回復しない場合、前記端点間プロテクションパスへ変更し、
前記端点間プロテクションパスへの変更では障害を回復しない場合、前記復旧面パスへ変更すること、
を特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記ネットワーク管理装置は、
前記第２の時間より長い時間である第３の時間の周期で前記エリアを監視し、
前記エリアの監視において障害を検出した場合、前記エリアの障害の状態に応じて前記復旧ＩＤを通知すること、
を特徴とする請求項２に記載の通信システム。
【請求項４】
前記第２の通信装置は、
接続された通信装置のそれぞれへ生存確認するためのデータを送受信し、
前記生存確認するためのデータに基づいて通信の障害の検出し、
通信の障害を検出すると、前記エリア内プロテクションパスが使用可能な障害であるかを判定し、
前記エリア内プロテクションパスが使用可能な障害であると判定した場合、第１の時間内に前記現用系パスのエリア内の部分を前記エリア内プロテクションパスへ変更し、
前記エリア内プロテクションパスが使用可能な障害でないと判定した場合、前記エリア内プロテクションパスへ変更しないこと、
を特徴とする請求項３に記載の通信システム。
【請求項５】
前記第１の通信装置は、
前記２つの第１の通信装置の中の他方の第１の通信装置と生存確認するためのデータを送受信し、
前記生存確認するためのデータに基づいて通信の障害を検出し、
通信の障害を検出するとタイマーを起動し、
前記タイマーが前記第２の時間を経過した場合、前記端点間プロテクションパスへ変更し、端点間プロテクションパスの通信に障害を検出した場合、前記ネットワーク管理装置へ通知し、
前記タイマーが前記第２の時間を経過しない場合、前記通信の障害が回復したと判定すると、前記タイマーを停止すること、
を特徴とする請求項４に記載の通信システム。
【請求項６】
前記ネットワーク管理装置は、
前記エリアの監視において障害を検出した場合、検出した障害を登録し、前記エリアに属する通信装置すべてに障害が発生した場合あるいは前記エリアと他のエリアとの接続すべてにおいて障害が発生した場合、前記エリアの障害の状態に応じて前記復旧ＩＤを通知すること、
を特徴とする請求項５に記載の通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記伝送部は、前記ディスプレイに伝送するフォーマットにおける、１の伝送路で複数のストリームを複数のストリームソースから複数のストリームシンクに伝送する方式を利用して、前記可視画像データに加えて、前記撮像装置における前記位相検出画像データを伝送する
請求項１乃至７のいずれかに記載の伝送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月14日(2016.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の第１インターフェースで受信したデータを伝送する第１伝送装置と、前記第１伝送装置から伝送されるデータを受信して複数の第２インターフェースから送信する第２伝送装置と、を有する伝送システムであって、
前記第１伝送装置は、
前記複数の第１インターフェースの各々について、前記第１インターフェースの種類、前記第１インターフェースの伝送レート、および前記第１インターフェースから前記送信装置内部への物理レーンの数を含むポート情報を取得し、取得したポート情報に基づいて、前記各第１インターフェースからの物理レーンから変換される仮想レーンの数を決定するポート情報管理部と、
前記各第１インターフェースからの物理レーンに接続され、前記第１インターフェースごとに、前記ポート情報管理部によって決定された仮想レーン数分の仮想レーンを設定する仮想レーン化部と、
前記ポート情報に基づいて、前記第１インターフェースと、前記第１インターフェースからの物理レーンの数と、当該物理レーンに応じて前記仮想レーン化部によって設定された仮想レーンの識別情報と、を対応付けたレーン情報を作成するレーン情報作成部と、
前記仮想レーンを伝送するデータを多重化し、多重化する際に発生する無効データ領域に前記レーン情報作成部によって作成されたレーン情報を挿入する多重化部と、を有し、
前記第２伝送装置は、
前記多重化部による多重化データを受信して前記第１インターフェースごとに分離するとともに前記レーン情報を取得する分離化部と、
前記分離化部からの仮想レーンに接続され、前記分離化部によって取得されたレーン情報に基づいて、前記複数の第２インターフェースの各々に接続される物理レーンを設定する物理レーン化部と、を有することを特徴とする伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
複数の第１インターフェースで受信したデータを伝送する伝送装置であって、
前記複数の第１インターフェースの各々について、前記第１インターフェースの種類、前記第１インターフェースの伝送レート、および前記第１インターフェースから前記送信装置内部への物理レーンの数を含むポート情報を取得し、取得したポート情報に基づいて、前記各第１インターフェースからの物理レーンから変換される仮想レーンの数を決定するポート情報管理部と、
前記各第１インターフェースからの物理レーンに接続され、前記第１インターフェースごとに、前記ポート情報管理部によって決定された仮想レーン数分の仮想レーンを設定する仮想レーン化部と、
前記ポート情報に基づいて、前記第１インターフェースと、前記第１インターフェースからの物理レーンの数と、当該物理レーンに応じて前記仮想レーン化部によって設定された仮想レーンの識別情報と、を対応付けたレーン情報を作成するレーン情報作成部と、
前記仮想レーンを伝送するデータを多重化し、多重化する際に発生する無効データ領域に前記レーン情報作成部によって作成されたレーン情報を挿入する多重化部と、を有することを特徴とする伝送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一経口摂取量単位の形態からなり、該単位中に、アミノ酸及び／又はペプチド３ｇ以上を含有し、水１００ｍＬに溶解したときの甘味がショ糖２〜４％相当となる量の高甘味度甘味料、酸味料０．０００５〜０．０５ｇを含む顆粒が、ＨＬＢ１５以上の乳化剤でコーティングされている顆粒形態の経口組成物。
【請求項２】
アミノ酸が、Ｌ-セリンである請求項１記載の経口組成物。
【請求項３】
乳化剤のＨＬＢが１６である請求項１又は２に記載の経口組成物。
【請求項４】
高甘味度甘味料がスクラロース、ネオテーム、アセスルファムカリウム、ソーマチン、ステビア抽出物、カンゾウ抽出物、ラカンカ抽出物、アスパルテームから選択される１以上の甘味料である請求項１〜３のいずれかに記載の経口組成物。
【請求項５】
さらにカゼイン加水分解ペプチドを０．５ｇ以上含有する請求項１〜４のいずれかに記載の経口組成物。
【請求項６】
経口組成物の形態が、一経口摂取量単位で小分け包装された形態である、請求項１〜５のいずれかに記載の経口組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
Ｌ-セリンは単独では不味な経口組成物材料であり大量に摂取することは困難である。本発明者らは一定量以上のＬ-セリンを美味に摂取できる経口形態を見出し、本発明を完成した。
本発明は以下の構成である。
（１）一経口摂取量単位の形態からなり、該単位中に、アミノ酸及び又はペプチド３ｇ以上を含有し、水１００ｍＬに溶解したときの甘味がショ糖２〜４％相当となる量の高甘味度甘味料、酸味料０．０１〜０．１２ｇを含む顆粒が、ＨＬＢ１５以上の乳化剤でコーティングされている顆粒形態の経口組成物。
（２）アミノ酸が、Ｌ-セリンである（１）記載の経口組成物。
（３）乳化剤のＨＬＢが１６である（１）又は（２）に記載の経口組成物。
（４）高甘味度甘味料がスクラロース、ネオテーム、アセスルファムカリウム、ソーマチン、ステビア抽出物、カンゾウ抽出物、ラカンカ抽出物、アスパルテームから選択される１以上の甘味料である（１）〜（３）のいずれかに記載の経口組成物。
（５）さらにカゼイン加水分解ペプチドを０．５ｇ以上含有する（１）〜（４）のいずれかに記載の経口組成物。
（６）経口組成物の形態が、一経口摂取量単位で小分け包装された形態である、（１）〜（５）のいずれかに記載の経口組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持炉に保持された溶湯を、鋳造する鋳物の断面形状を規定する形状規定部材を通過させながら引き上げる引上式連続鋳造方法であって、
前記形状規定部材によって規定される前記断面形状が角Ｒ部を含み、
前記形状規定部材が規定する前記角Ｒ部の曲率半径の値を、前記鋳物における前記角Ｒ部の曲率半径の設計値よりも小さくするステップを有し、
前記形状規定部材が規定する前記曲率半径の値を決定する際、
前記形状規定部材が規定する前記曲率半径よりも前記鋳物の前記曲率半径が大きくなる鋳造速度において、コンピュータによる鋳造シミュレーションを実行し、
当該鋳造シミュレーションにより得られた前記鋳物の前記曲率半径に基づいて、前記形状規定部材が規定する前記曲率半径の値を決定する、
引上式連続鋳造方法。
【請求項２】
前記鋳造シミュレーションにより得られた前記鋳物の前記曲率半径が、前記設計値に近づくように、前記形状規定部材が規定する前記曲率半径を変更し、
前記鋳造速度における前記鋳造シミュレーションを繰り返し実行する、
請求項１に記載の引上式連続鋳造方法。
【請求項３】
前記形状規定部材が規定する前記曲率半径の値を決定する前に、前記鋳造速度を決定するための予備鋳造シミュレーションを実行し、
当該予備鋳造シミュレーションにより得られた凝固界面位置に基づいて、前記鋳造速度を決定する、
請求項１又は２に記載の引上式連続鋳造方法。
【請求項４】
前記予備鋳造シミュレーションにより得られた前記凝固界面位置が、基準範囲内に収まるように、前記鋳造速度を変更し、
前記予備鋳造シミュレーションを繰り返し実行する、
請求項３に記載の引上式連続鋳造方法。
【請求項５】
溶湯を保持する保持炉と、
前記保持炉に保持された前記溶湯の湯面上に設置され、かつ、前記溶湯が通過することにより鋳造する鋳物の断面形状を規定する形状規定部材と、を備えた引上式連続鋳造装置であって、
前記形状規定部材によって規定される前記断面形状が角Ｒ部を含み、
前記引上式連続鋳造装置は、
前記形状規定部材が規定する前記角Ｒ部の曲率半径よりも前記鋳物の前記角Ｒ部の曲率半径が大きくなる鋳造速度において、コンピュータによる鋳造シミュレーションを実行するシミュレーション部をさらに備え、
前記形状規定部材が規定する前記角Ｒ部の曲率半径の値は、前記シミュレーション部の実行結果に基づいて、前記鋳物における前記角Ｒ部の曲率半径の設計値よりも小さく設定されている、
引上式連続鋳造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月30日(2016.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技盤と、該遊技盤に組み付けられた可動体と、を備え、前記可動体に所定の動作をさせて行う可動体演出を実行可能な遊技機において、
前記可動体のうち特定可動体による可動体演出は、該特定可動体を原位置から演出位置に移動させる動作を含み、前記特定可動体の原位置は、該特定可動体が所定の収容空間に収容されている位置に設定されており、
前記特定可動体が前記原位置にある状態において、前記特定可動体と、前記特定可動体とは別の部材であって前記遊技盤を構成する構成部材との間のクリアランスは、遊技媒体より小さく設定されていることにより、遊技媒体が前記特定可動体及び前記構成部材に跨って滞留可能となっており、
前記特定可動体が前記演出位置に向かって移動した状態において、前記特定可動体と前記構成部材との間のクリアランスは、遊技媒体より大きく設定されていることにより、遊技媒体が前記収容空間に流入可能に構成されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
遊技媒体を貯留可能な貯留空間を備え、
前記収容空間と前記貯留空間とは、前記収容空間に流入した遊技媒体を前記貯留空間へ案内可能に連通されており、
前記貯留空間は、前記遊技盤において前記収容空間の下方に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のうち何れか１項に記載の遊技機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
遊技媒体を貯留可能な貯留空間を備え、
前記収容空間と前記貯留空間とは、前記収容空間に流入した遊技媒体を前記貯留空間へ案内可能に連通されており、
前記貯留空間の底部は、遊技媒体を機外へ排出するための排出部に向かって傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のうち何れか１項に記載の遊技機。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決する遊技機は、遊技盤と、該遊技盤に組み付けられた可動体と、を備え、前記可動体に所定の動作をさせて行う可動体演出を実行可能な遊技機において、前記可動体のうち特定可動体による可動体演出は、該特定可動体を原位置から演出位置に移動させる動作を含み、前記特定可動体の原位置は、該特定可動体が所定の収容空間に収容されている位置に設定されており、前記特定可動体が前記原位置にある状態において、前記特定可動体と、前記特定可動体とは別の部材であって前記遊技盤を構成する構成部材との間のクリアランスは、遊技媒体より小さく設定されていることにより、遊技媒体が前記特定可動体及び前記構成部材に跨って滞留可能となっており、前記特定可動体が前記演出位置に向かって移動した状態において、前記特定可動体と前記構成部材との間のクリアランスは、遊技媒体より大きく設定されていることにより、遊技媒体が前記収容空間に流入可能に構成されていることを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記遊技機について、遊技媒体を貯留可能な貯留空間を備え、前記収容空間と前記貯留空間とは、前記収容空間に流入した遊技媒体を前記貯留空間へ案内可能に連通されており、前記貯留空間は、前記遊技盤において前記収容空間の下方に設けられていることが好ましい。
上記遊技機について、遊技媒体を貯留可能な貯留空間を備え、前記収容空間と前記貯留空間とは、前記収容空間に流入した遊技媒体を前記貯留空間へ案内可能に連通されており、前記貯留空間の底部は、遊技媒体を機外へ排出するための排出部に向かって傾斜していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月9日(2016.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来から知られている生体に対して光を照射することで生体から出射される光を検出して生体の健康状態等を評価する装置において、近年、有機半導体を用いた光検出器（ＯＰＤ：Organic  photo  detector）を用いることが検討されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記憶装置と情報処理装置からなる入力処理システムであって、
前記情報記憶装置は、
入力処理用の情報と、当該入力処理用の情報の識別情報とを対応付けて記憶する入力情報記憶手段と、
前記情報処理装置から前記識別情報を受信する識別情報受信手段と、
前記識別情報受信手段により受信した識別情報に対応付けて記憶されている入力処理用の情報を前記情報処理装置に送信する情報送信手段と、
を備え、
前記情報処理装置は、
前記入力処理用の情報の識別情報を記憶する識別情報記憶手段と、
前記情報記憶装置に前記識別情報を送信する識別情報送信手段と、
前記情報送信手段によって送信された前記入力処理用の情報を受信する情報受信手段と、
を備えることを特徴とする入力処理システム。
【請求項２】
前記識別情報記憶手段は、前記入力処理用の情報の識別情報及び当該入力処理用の情報の記憶先情報を対応付けて記憶し、
前記識別情報送信手段は、前記記憶先情報に基づいて、前記情報記憶装置に前記識別情報を送信する、
ことを特徴とする請求項１に記載の入力処理システム。
【請求項３】
前記情報記憶装置は、
前記入力処理用の情報を送信する情報処理装置がペアリングされているか否かを判断する判断手段を更に備え、
前記情報送信手段は、前記判断手段によってペアリングされていると判断された場合に、前記入力処理用の情報を送信する、
ことを特徴とする請求項２に記載の入力処理システム。
【請求項４】
前記情報処理装置は、
前記情報受信手段によって受信した前記入力処理用の情報に基づいて、入力処理を実行する入力手段を更に備える、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の入力処理システム。
【請求項５】
前記入力処理システムは、前記情報記憶装置を複数備え、
前記入力処理用の情報の記憶先情報は、前記複数の情報記憶装置のいずれかの記憶領域を記憶先として含み、
前記識別情報送信手段は、前記記憶先情報に対応する情報記憶装置に前記識別情報を送信する、
ことを特徴とする請求項２から４の何れか１項に記載の入力処理システム。
【請求項６】
前記情報処理装置において、
ユーザによる入力操作を検出する検出手段を更に備え、
前記識別情報送信手段は、前記入力操作が検出された場合、前記記憶先情報に基づいた情報記憶装置に、前記識別情報を送信する、
ことを特徴とする請求項２から５の何れか１項に記載の入力処理システム。
【請求項７】
前記情報処理装置において、
識別情報記憶手段は、前記入力処理用の情報の識別情報、前記識別情報に対応する入力先情報、及び当該入力処理用の情報の記憶先情報を対応付けて記憶し、
前記検出手段は、前記入力先情報に応じた入力先への入力操作を検出し、
前記識別情報送信手段は、前記入力操作が検出された場合、前記記憶先情報に基づいた情報記憶装置に、前記識別情報を送信する、
ことを特徴とする請求項６に記載の入力処理システム。
【請求項８】
前記識別情報記憶手段は、前記検出手段により入力操作が検出された場合、該入力操作に応じた識別情報と、記憶先情報とを関連付けて記憶する、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の入力処理システム。
【請求項９】
前記入力情報記憶手段は、前記検出手段により入力操作が検出された場合、該入力操作に応じた識別情報と、入力用情報とを関連付けて記憶する、
ことを特徴とする請求項６から８の何れか１項に記載の入力処理システム。
【請求項１０】
前記情報記憶装置は、ユーザの身体に装着可能なウェアラブル端末を含む、
ことを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の入力処理システム。
【請求項１１】
入力処理用の情報と、当該入力処理用の情報の識別情報とを対応付けて記憶する入力情報記憶手段と、
外部装置から前記識別情報を受信する識別情報受信手段と、
前記識別情報受信手段により受信した識別情報に対応付けて記憶されている入力処理用の情報を前記外部装置に送信する情報送信手段と、
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項１２】
外部装置に記憶されている入力処理用の情報を識別するための識別情報を記憶する識別符号記憶手段と、
前記外部装置に、前記識別情報を送信する識別情報送信手段と、
前記外部装置から送信された前記入力処理用の情報を受信する情報受信手段と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１３】
入力処理用の情報と、当該入力処理用の情報の識別情報とを対応付けて記憶する入力情報記憶手段と、を備えた情報記憶装置と、前記入力処理用の情報の識別情報と、当該入力処理用の情報の記憶先情報とを記憶する識別情報記憶手段を備えた情報処理装置と、によって実行される入力方法であって、
前記情報処理装置が、前記記憶先情報に基づいて前記情報記憶装置に前記識別情報を送信するステップと、
前記情報記憶装置が、送信された識別情報に対応する前記入力処理用の情報を前記情報処理装置に出力するステップと、
を含むことを特徴とする入力方法。