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【手続補正書】
【提出日】平成28年5月17日(2016.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の錐体部を有する構造体であって、
前記錐体部がメソ構造を有し、
前記メソ構造がメソ孔を有する構造であることを特徴とする構造体。
【請求項２】
前記錐体部の底辺の長さをＤ、前記錐体部の高さをＨとした時、Ｈ／Ｄが１／２以上であることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記錐体部の高さが５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の構造体。
【請求項４】
隣接する前記錐体部の先端の平均間隔ｐが４００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項５】
隣接する前記錐体部の先端間の平均間隔をｐ、前記先端間の間隔の分布の標準偏差をσとした時に、以下の式１を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の構造体。
０．１＜σ／ｐ＜０．５  式１
【請求項６】
前記メソ孔の内部が空隙であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項７】
前記メソ孔の内部に有機材料もしくは無機材料が存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項８】
前記メソ孔の内部に無機材料が存在し、該無機材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタンのいずれかを含むことを特徴とする請求項７に記載の構造体。
【請求項９】
前記メソ孔がシリンダー形状を有していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１０】
前記メソ孔が周期的に配向し、前記構造体が、Ｘ線回折分析において１．０ｎｍ以上の構造周期に対応する回折ピークを示すことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１１】
前記メソ孔を形成する壁部が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタンのいずれかからなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１２】
表面に複数の凸部を有する構造体であって、
前記凸部が、前記凸部の底部から先端に向かう方向に垂直な面で前記凸部を切断した時の断面の面積が、前記方向に沿って小さくなる形状を有し、
前記凸部がメソ孔を有するメソ構造を有し、
前記凸部の先端に金属元素が存在しており、
前記凸部の底辺の長さをＤ、前記凸部の高さをＨとした時、
Ｈ／Ｄが２．０以上であることを特徴とする構造体。
【請求項１３】
表面に複数の凸部を有する構造体からなる反射防止膜であって、
前記凸部がメソ構造を有し、
前記メソ構造がメソ孔を有する構造であり、
前記凸部の底部から先端に向う方向に垂直な面で前記凸部を切断した時の断面の面積が前記方向に沿って小さくなる形状を有していることを特徴とする反射防止膜。
【請求項１４】
前記構造体が、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の構造体であることを特徴とする請求項１３に記載の反射防止膜。
【請求項１５】
基体と、該基体の表面に存在する反射防止膜とを有する光学部材であって、
前記反射防止膜が請求項１４に記載の反射防止膜であり、
隣接する前記凸部の錐面同士が結合しており、
前記錐面同士が結合する部分が前記基体の表面よりも前記反射防止膜側にあり、前記錐面同士が結合する部分と前記基体との距離が一定でないことを特徴とする光学部材。
【請求項１６】
基体と、該基体の表面に存在する反射防止膜と、を有する光学部材であって、
前記反射防止膜が請求項１４に記載の反射防止膜であり、
前記反射防止膜を構成する層のうち前記基体と接触する層が前記メソ構造を有しており、
前記基体の屈折率をｎａ、前記反射防止膜を構成する層のうち前記基体と接触する層の屈折率をｎｂとした時に、
０≦｜ｎａ−ｎｂ｜≦０．０５
であることを特徴とする光学部材。
【請求項１７】
反応性ガスを用いて、マスクを用いずに無機酸化物をプラズマエッチングして、前記無機酸化物に、先端間の平均間隔が４００ｎｍ以下でありかつ底部から先端に向う方向に垂直な面で切断した時の断面の面積が前記方向に沿って小さくなる形状を有する複数の凸部を形成する工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項１８】
メソ孔を有するメソ構造体を形成する工程と、
前記メソ構造体に反応性ガスを用いてプラズマエッチングを行い、前記メソ構造体に凸部であって底部から先端に向かう方向に垂直な面で前記凸部を切断した時の断面の面積が、前記方向に沿って小さくなる形状を有する凸部を複数形成する工程と、
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項１９】
メソ孔を有するメソ構造体を形成する工程と、プラズマエッチング装置のエッチングチャンバーの一部を構成する材料を有する物質を堆積させながら前記メソ構造体をプラズマエッチングして凸部であって底部から先端に向かう方向に垂直な面で前記凸部を切断した時の断面の面積が、前記方向に沿って小さくなる形状を有する凸部を複数有する構造体を形成する工程と、
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２０】
前記メソ孔を有するメソ構造体を形成する工程が、内部が空隙であるメソ孔を有するメソ構造体を形成する工程であり、
かつ
前記凸部が有するメソ孔に有機材料もしくは無機材料を充填する工程を有することを特徴とする請求項１９に記載の構造体の製造方法。
【請求項２１】
複数の凸部を有する構造体の製造方法であって、
メソ孔を有するメソ構造体からなる第１の層を形成する工程と、
前記第１の層の表面に、第１の層よりもエッチングレートの小さい材料からなる第２の層を形成する工程と、
前記第２の層に、マスクを使用せずに第１のプラズマエッチングを施し、前記第２の層に複数の凸部を形成する工程と、
前記第１の層に、前記第２の層の凸部を介して、第２のプラズマエッチングを施して前記第１の層に凸部であって底部から先端に向かう方向に垂直な面で前記凸部を切断した時の断面の面積が、前記方向に沿って小さくなる形状を有する凸部を複数形成する工程と、
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と第２の発光素子を含む複数の発光素子、及び、第１のスイッチと第２のスイッチを含む複数のスイッチを有する電子機器であって、
前記複数の発光素子及び前記複数のスイッチに接続され、前記複数の発光素子を点灯させる駆動信号を出力する出力状態及び前記複数のスイッチのキー入力検知を行う入力状態をとることができる複数の入出力ポートと、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の点灯制御と前記第１のスイッチと前記第２のスイッチのキー入力検知を時分割で行うために、予め定められた数の時間帯を周期的に繰り返し、１つの時間帯を単位として前記複数の入出力ポートそれぞれの前記入力状態と前記出力状態の組み合わせを変える制御ユニットとを有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記予め定められた数の時間帯は、前記第１の発光素子の点灯制御と前記第１のスイッチのキー入力検知をともに行うように前記複数の入出力ポートそれぞれの前記入力状態と前記出力状態を設定する第１の時間帯と、前記第２の発光素子の点灯制御と前記第２のスイッチのキー入力検知をともに行うように前記複数の入出力ポートそれぞれの前記入力状態と前記出力状態を設定する第２の時間帯とを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記複数の発光素子はさらに第３の発光素子を含み、
前記予め定められた数の時間帯は、前記第１の発光素子と前記第３の発光素子の点灯制御をともに行う第３の時間帯を含むことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記複数の発光素子はさらに第４の発光素子を含み、
前記予め定められた数の時間帯は、前記第２の発光素子と前記第４の発光素子の点灯制御をともに行う第４の時間帯を含むことを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記予め定められた数の時間帯は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の点灯制御をともに行うように前記複数の入出力ポートそれぞれの前記入力状態と前記出力状態を設定する第１の時間帯と、前記第１の発光素子の点灯制御と前記第１のスイッチのキー入力検知制御をともに行うように前記複数の入出力ポートそれぞれの前記入力状態と前記出力状態を設定する第２の時間帯を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
前記複数の発光素子は、さらに、第３の発光素子を含み、
前記予め定められた数の時間帯は、前記第３の発光素子の点灯制御と前記第２のスイッチのキー入力検知をともに行う第３の時間帯を含むことを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記複数の入出力ポートそれぞれは、前記出力状態ではハイレベルとローレベルのいずれかの信号出力を行うことができ、前記入力状態ではハイインピーダンスの状態とされることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記複数の発光素子それぞれは、ＬＥＤとレーザダイオードと有機ＥＬ素子との内のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器を操作部として有し、記録媒体に画像を記録する記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、第１の発光素子と第２の発光素子を含む複数の発光素子、及び、第１のスイッチと第２のスイッチを含む複数のスイッチを有する電子機器であって、前記複数の発光素子及び前記複数のスイッチに接続され、前記複数の発光素子を点灯させる駆動信号を出力する出力状態及び前記複数のスイッチのキー入力検知を行う入力状態をとることができる複数の入出力ポートと、前記第１の発光素子と前記第２発光素子の点灯制御と前記第１のスイッチと前記第２スイッチのキー入力検知を時分割で行うために、予め定められた数の時間帯を周期的に繰り返し、１つの時間帯を単位として前記複数の入出力ポートそれぞれの前記入力状態と前記出力状態の組み合わせを変える制御ユニットとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月16日(2016.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂及び着色剤を含有するトナー粒子と、シリカ微粒子とを有するトナーであって、
該トナーは、平均円形度が０．９５０以上であり、
該トナーは、ポリカーボネート樹脂基板に対する静止摩擦係数が０．１００以上０．２００以下であり、
Ｘ線光電子分光装置（ＥＳＣＡ）により求めた、該トナー表面の該シリカ微粒子による被覆率Ｘ１が５０．０面積％以上７５．０面積％以下であることを特徴とするトナー。
【請求項２】
前記トナーのシリカ微粒子による理論被覆率をＸ２としたとき、下記式１で示される拡散指数が下記式２を満足することを特徴とする請求項１に記載のトナー。
（式１）拡散指数＝Ｘ１／Ｘ２
（式２）拡散指数≧−０．００４２×Ｘ１＋０．６２
【請求項３】
前記トナーの、回転式プロペラ型ブレードを備えた粉体流動性測定装置により測定される、［Ｔｏｔａｌ  Ｅｎｅｒｇｙ量（ｍＪ）／トナーの密度（ｇ／ｍｌ）］が、２００ｍＪ／（ｇ／ｍｌ）以上３００ｍＪ／（ｇ／ｍｌ）以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記トナーは、平均円形度が０．９６０以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項５】
該トナーは、ポリカーボネート樹脂基板に対する静止摩擦係数が０．１５０以上０．２００以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項６】
該シリカ微粒子の添加量は、該トナー粒子１００質量部に対して０．１質量部以上５．０質量部以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体と隣接し、かつ、体積抵抗率が１．０×１０８Ω・ｃｍ以上５．０×１０１２Ω・ｃｍ以下である導電層と、感光層とをこの順に有する電子写真感光体の製造方法であって、
溶剤、結着材料および含水率が１．０質量％以上２．０質量％以下の金属酸化物粒子を含有する導電層用塗布液を該支持体に塗布することで該導電層を形成する工程を有し、
該導電層用塗布液における、該金属酸化物粒子（Ｐ）と該結着材料（Ｂ）の質量比（Ｐ／Ｂ）が、１．５／１．０以上３．５／１．０以下であり、
該金属酸化物粒子が、リン、タングステンまたはフッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタンの粒子であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物粒子の含水率が、１．２質量％以上１．９質量％以下である請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記金属酸化物粒子が、リンがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタンの粒子である請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記導電層用塗布液が、前記金属酸化物粒子を前記結着材料とともに前記溶剤に分散させることによって調製される請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記金属酸化物粒子の粉体抵抗率が、１．０×１０１Ω・ｃｍ以上１．０×１０６Ω・ｃｍ以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記金属酸化物粒子において、前記酸化スズと前記酸化チタンの合計質量に対する前記酸化スズの質量の割合（被覆率）が、１０質量％以上６０質量％以下である請求項１乃至５の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記導電層を形成する工程において、前記導電層用塗布液を、得られる前記導電層の膜厚が１０μｍ以上４０μｍ以下となるように塗布する請求項１乃至６の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記導電層用塗布液における、前記金属酸化物粒子の平均粒径が、０．１０μｍ以上０．４５μｍ以下である請求項１乃至７の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
前記導電層を形成する工程に先立って、含水率が１．０質量％以上２．０質量％以下の金属酸化物粒子を用意する工程を有する請求項１、３乃至８の何れか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、支持体と、該支持体と隣接し、かつ、体積抵抗率が１．０×１０８Ω・ｃｍ以上５．０×１０１２Ω・ｃｍ以下である導電層と、感光層とをこの順に有する電子写真感光体の製造方法であって、
溶剤、結着材料および含水率が１．０質量％以上２．０質量％以下の金属酸化物粒子を含有する導電層用塗布液を該支持体に塗布することで該導電層を形成する工程を有し、
該導電層用塗布液における、該金属酸化物粒子（Ｐ）と該結着材料（Ｂ）の質量比（Ｐ／Ｂ）が、１．５／１．０以上３．５／１．０以下であり、
該金属酸化物粒子が、リン、タングステンまたはフッ素がドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタンの粒子であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
（導電層用塗布液２〜６０およびＣ１〜Ｃ７５の調製例）
導電層用塗布液の調製の際に用いた金属酸化物粒子の種類、含水率、粉体抵抗率および量（部数）、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）の量（部数）、ならびに、分散処理時間を、それぞれ表１〜８に示すようにした以外は、導電層用塗布液１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液２〜６０およびＣ１〜Ｃ７５を調製した。
表１〜８中、酸化スズは「ＳｎＯ２」であり、酸化チタンは「ＴｉＯ２」である。なお、特開２０１２−１８３７１号公報の実施例で使用されているリン／タングステンドープ酸化スズ被覆酸化チタン粒子の含水率は、すべて０．９質量％以下であった。また、特開２０１２−１８３７０号公報の実施例で使用されている金属酸化物粒子の含水率は、すべて０．９質量％以下であった。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月20日(2016.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうちの一と電気的に接続する発光素子を形成し、
支持基板上に吸着層を形成し、
前記吸着層を用いて、前記支持基板に、厚さが１０μｍ以上５００μｍ以下の第２基板を貼り付け、
前記第２基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層を用いて、前記第２基板に、前記発光素子、前記複数のトランジスタ、前記剥離層及び前記第１基板を貼り付け、
前記剥離層の層内又は前記剥離層の界面近傍で、前記発光素子及び前記複数のトランジスタから前記第１基板を分離し、
第２接着層を用いて、前記第１基板を分離することによって露出した表面に、第３基板を貼り付け、
前記第２基板と前記吸着層との間で、前記第２基板から前記支持基板を分離することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうちの一と電気的に接続する発光素子を形成し、
支持基板上に吸着層を形成し、
前記吸着層を用いて、前記支持基板に、厚さが１０μｍ以上５００μｍ以下の第２基板を貼り付け、
前記第２基板上にタッチセンサを形成し、
前記タッチセンサ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に着色層を形成し、
前記着色層上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層を用いて、前記第２基板に、前記発光素子、前記複数のトランジスタ、前記剥離層及び前記第１基板を貼り付け、
前記剥離層の層内又は前記剥離層の界面近傍で、前記発光素子及び前記複数のトランジスタから前記第１基板を分離し、
第２接着層を用いて、前記第１基板を分離することによって露出した表面に、第３基板を貼り付け、
前記第２基板と前記吸着層との間で、前記第２基板から前記支持基板を分離することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
第３基板と、
前記第３基板上の第２接着層と、
前記第２接着層上の複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのうちの一と電気的に接続する発光素子と、
前記発光素子上の第１接着層と、
前記第１接着層上の、厚さが１０μｍ以上５００μｍ以下の第２基板と、
を有し、
前記第２基板は、ガラスであり、
前記第３基板は、樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第３基板と、
前記第３基板上の第２接着層と、
前記第２接着層上の複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのうちの一と電気的に接続する発光素子と、
前記発光素子上の第１接着層と、
前記第１接着層上の着色層と、
前記着色層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のタッチセンサと、
前記タッチセンサ上の、厚さが１０μｍ以上５００μｍ以下の第２基板と、
を有し、
前記第２基板は、ガラスであり、
前記第３基板は、樹脂であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂、ワックス及び着色剤を含有するトナー粒子を有するイエロートナーであって、
該着色剤は、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とするイエロートナー。
【化１】
2014029520.tif 000001
（一般式（１）中、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基を表し、
Ｒ３は、アルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、
Ｒ４は、水素原子、シアノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基またはカルボン酸アミド基を表し、
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基またはアシル基、または、互いに結合して含窒素複素環を形成するのに必要な原子団を表し、
Ａはカルボニル基またはスルホニル基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ１及びＲ２が、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基、または、２−エチルヘキシル基であることを特徴とする請求項１に記載のイエロートナー。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ１及びＲ２の両方が、２−エチルヘキシル基であることを特徴とする請求項１に記載のイエロートナー。
【請求項４】
前記一般式（１）中のＲ３が、アルキル基であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のイエロートナー。
【請求項５】
前記一般式（１）中のＲ４が、シアノ基であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のイエロートナー。
【請求項６】
前記一般式（１）中のＲ５及びＲ６が、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、２−エチルヘキサノイル基、ベンゾイル基またはｔｅｒｔ−ブチノイル基、または、互いに結合してピペリジン環を形成するのに必要な原子団であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のイエロートナー。
【請求項７】
前記着色剤として、さらにＣ．Ｉ．ピグメントイエロー１８５、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１８０またはＣ．Ｉ．ピグメントイエロー１５５を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のイエロートナー。
【請求項８】
前記イエロートナーは、重量平均粒径（Ｄ４）と個数平均粒径（Ｄ１）の比（Ｄ４／Ｄ１）が１．３５以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のイエロートナー。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月24日(2016.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカ原体１００質量部に対して１５．０質量部以上４０．０質量部以下のシリコーンオイルによって処理され、該シリコーンオイルの炭素量基準の固定化率（％）が７０％以上であるシリカ微粒子を用意する工程；および
結着樹脂及び着色剤を含有するトナー粒子と該シリカ微粒子とを混合する工程；
を含むトナーの製造方法であって、
Ｘ線光電子分光装置（ＥＳＣＡ）により求めた、該トナー表面の該シリカ微粒子による被覆率をＸ１とし、該トナー表面の該シリカ微粒子による理論被覆率をＸ２としたとき、Ｘ１が５０．０面積％以上７５．０面積％以下であり、下記式１で示される拡散指数が下記式２を満足することを特徴とするトナーの製造方法。
（式１）拡散指数＝Ｘ１／Ｘ２
（式２）拡散指数≧−０．００４２×Ｘ１＋０．６２
【請求項２】
前記シリカ原体は、窒素吸着によるＢＥＴ法で測定した比表面積（ＢＥＴ比表面積）が１３０ｍ２／ｇ以上３３０ｍ２／ｇ以下であることを特徴とする請求項１に記載のトナーの製造方法。
【請求項３】
前記シリカ微粒子の処理に用いるシリコーンオイルの２５℃における動粘度が、３０ｃＳｔ以上５００ｃＳｔ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のトナーの製造方法。
【請求項４】
前記トナー粒子の平均円形度が０．９６０以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項５】
前記シリカ微粒子は、シリカ原体がシリコーンオイルによって処理された後、アルコキシシラン及びシラザンの少なくとも一方で処理されたものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項６】
前記シリカ微粒子の見掛け密度が、１５ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項７】
前記トナー粒子が、水系媒体中で製造されたものであることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項８】
前記トナー粒子が、懸濁重合法で製造されたものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナーの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎフレーム目（ｎは自然数）の画像データを記憶する第１の記憶装置と、
（ｎ＋１）フレーム目の画像データのｍ行目（ｍは自然数）を記憶する第２の記憶装置と、
画素部を制御する書き込み制御回路と、
第１のデータと第２のデータとが一致または不一致を示す判定データを生成する比較回路と、を備え、
前記第１のデータは、前記第１の記憶装置の中のｎフレーム目の画像データのｍ行目であり、
前記第２のデータは、前記第２の記憶装置の中の前記（ｎ＋１）フレーム目の画像データのｍ行目であり、
前記判定データは、前記書き込み制御回路に入力される、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記判定データが、前記第１のデータと前記第２のデータとが一致を示すものであるとき、前記書き込み制御回路は、前記画素部に前記第２のデータを書き込まないように画素部を制御し、
前記判定データが、前記第１のデータと前記第２のデータとが不一致を示すものであるとき、前記書き込み制御回路は、前記画素部に前記第２のデータを書き込むように画素部を制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記判定データが、前記第１のデータと前記第２のデータとが一致を示すものであるとき、前記書き込み制御回路は、前記画素部のｍ行目のゲート線を選択せず、
前記判定データが、前記第１のデータと前記第２のデータとが不一致を示すものであるとき、前記書き込み制御回路は、前記画素部のｍ行目のゲート線を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記画素部のｍ行目のゲート線が、２フレーム期間以上連続して選択されるとき、同じ極性を有するビデオ電圧が前記画素部に入力されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月18日(2016.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測する磁界に対して細長い磁路を提供するコアと該コアに巻かれた検出コイルとからなる複数のセンサヘッドと、
前記複数のセンサヘッドの何れかにそれぞれ接続された複数の駆動回路と、
前記複数の駆動回路に接続され、前記複数の駆動回路に同一周波数を供給する１つの信号発生器と、からなる磁界検出ユニットを備え、
前記センサヘッドが、磁壁の移動に起因する磁気雑音が生じないように直流電流を流した状態で、磁気モーメントが周期的に円周方向に傾くように、前記直流電流より小さな振幅を有する交流電流を通電する基本波型の磁気センサとして構成されたことを特徴とする磁界分布検出装置。
【請求項２】
前記基本波型の磁気センサに基本波型直交フラックスゲートセンサを用いることを特徴とする請求項１に記載の磁界分布検出装置。
【請求項３】
前記コアが、Ｕ字形であることを特徴とする請求項２に記載の界磁分布検出器。
【請求項４】
前記磁界検出ユニットを複数個備え、
個々の磁界検出ユニットに割り当てられる信号発生器の周波数は、各磁界検出ユニット間の各信号発生器の周波数の偏差が、検出対象とする磁界の周波数域から外れる値となる条件を満たすように設定されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁界分布検出装置。
【請求項５】
前記個々の磁界検出ユニットに割り当てられる信号発生器の周波数が、いずれか２個の磁界検出ユニットに割り当てられる各信号発生器の周波数をそれぞれｆｉ、ｆｊ（≠ｆｉ）とした場合に、いずれの周波数ｆｉ、ｆｊに対しても｜ｆｉ−ｆｊ｜＜０．１Ｈｚ、または｜ｆｉ−ｆｊ｜＞１００Ｈｚのいずれか一方の条件を満たすように設定されていることを特徴とする請求項４に記載の磁界分布検出装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の磁界分布検出装置と、
該磁界分布検出装置の複数のセンサヘッドを格子状に配置された状態で支持する平板状の支持部材と、を備え、
前記複数のセンサヘッドにより心磁界を計測することを特徴とする心磁計。
【請求項７】
被検査物を搬送路内で搬送する搬送手段と、
前記搬送手段により搬送される被検査物中の金属を磁化する着磁手段と、
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の磁界分布検出装置を有し、該磁界分布検出装置の複数のセンサヘッドを、前記被検査物の搬送方向と直交する直交方向に鋭指向性を有するように配置し、前記着磁手段により着磁された被検査物中の金属の残留磁気成分を前記センサヘッドにより検出する検出ヘッドと、
前記搬送路の一部を包囲するように前記検出ヘッドの前記直交方向の両端に配置され、前記検出ヘッドの内部に侵入するノイズを遮蔽する磁気シールドと、
前記検出ヘッドの複数のセンサヘッドからの検出信号に基づいて前記被検査物中の金属の有無を判定する判定手段と、を備えたことを特徴とする金属検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月19日(2016.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を再生する再生手段と、
前記再生手段で再生する画像が反転して記録されたか否かの情報を取得する取得手段と、
前記再生手段で再生した画像を反転して表示する反転処理手段と、
前記反転処理手段において反転処理をするか否かを切り替える切替手段と、
画像を反転して表示しているかを示す表示アイテムを、前記取得手段で取得した前記情報と、前記切替手段で反転処理をするように切り替えられているか否かとの組み合わせに応じて異なる表示形態で、前記再生手段で再生した画像とともに表示部に表示するように制御する制御手段と
を有することを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
前記反転は左右反転であることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記反転は上下反転であることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記表示アイテムはタッチアイコンであり、前記タッチアイコンに対するタッチ操作に応じて前記切替手段の切り替えを行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記表示アイテムは、左右非対称でかつ正像と反転像の区別がつくモチーフを用いたアイテムであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記モチーフは、左右非対称の文字であることを特徴とする請求項５に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記表示アイテムは更に矢印を含み、再生中の画像が反転して記録された反転記録画像であるか反転せずに記録された通常記録画像であるかを表すモチーフを前記矢印の元に、前記反転処理手段によって反転して表示した場合に正像となるか反転像となるかを表すモチーフを前記矢印の先に表示した表示アイテムであることを特徴とする請求項５又は６に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記反転処理手段によって反転して表示する反転再生がオンであるかオフあるかを、前記矢印の元のモチーフと前記矢印の先のモチーフとの大きさの違いによって表すように制御することを特徴とする請求項７に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記反転処理手段によって反転して表示する反転再生がオンであるかオフあるかを、前記矢印の元のモチーフと前記矢印の先のモチーフとの色の違いによって表すように制御することを特徴とする請求項７又は８に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記反転処理手段によって反転して表示する反転再生がオンであるかオフあるかを、前記表示アイテムの少なくとも一部の色の違いによって表すことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、再生中の画像が反転して記録された反転記録画像であるか反転せずに記録された通常記録画像であるか、及び、前記反転処理手段によって反転して表示する反転再生がオンであるかオフであるかに基づいて、前記表示アイテムを、
再生中の画像が通常記録画像で反転再生がオフである場合には、第１の表示形態で表示し、
再生中の画像が反転記録画像で反転再生がオフである場合には、第２の表示形態で表示し、
再生中の画像が通常記録画像で反転再生がオンである場合には、第３の表示形態で表示し、
再生中の画像が反転記録画像で反転再生がオンである場合には、第４の表示形態で表示するように制御することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
前記反転はミラー反転であることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１３】
画像を再生する再生工程と、
前記再生工程で再生する画像が反転して記録されたか否かの情報を取得する取得工程と、
前記再生工程で再生した画像を反転して表示する反転処理工程と、
前記反転処理工程において反転処理をするか否かを切り替える切替工程と、
画像を反転して表示しているかを示す表示アイテムを、前記取得工程で取得した前記情報と、前記切替工程で反転処理をするように切り替えられているか否かとの組み合わせに応じて異なる表示形態で、前記再生工程で再生した画像とともに表示部に表示するように制御する制御工程と
を有することを特徴とする表示制御装置の制御方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の表示制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１５】
コンピュータを、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の表示制御装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
右眼映像及び左眼映像から抽出したオブジェクトの位置情報を判定する判定手段と、
前記右眼映像から抽出された第１オブジェクトの前記右眼映像内における位置と、前記左眼映像から抽出された第２オブジェクトであって前記第１オブジェクトに対応する第２オブジェクトの前記左眼映像内における位置と、の垂直方向における差が、前記第１オブジェクトの前記右眼映像内における位置と前記第２オブジェクトの前記左眼映像内における位置との水平方向における差に基づいて定められる閾値よりも大きい場合、前記垂直方向における差が小さくなるように、前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトのうち少なくとも何れかの位置を変更する映像処理手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記右眼映像及び前記左眼映像から動きベクトルを算出する算出手段をさらに有し、
前記映像処理手段は、前記算出手段によって算出された動きベクトルに基づいて、前記オブジェクトの移動方向及び移動量を判定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記映像処理手段は、前記算出手段により算出された動きベクトルが示す動き方向と、前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトの位置の垂直方向における差を０にするための前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトの少なくとも一方の位置の変更方向とが一致しない場合、当該差を０にするための前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトの少なくとも一方の位置の変更方向及び変更量のうち、何れか一方を変更することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記抽出したオブジェクトに外接する矩形における対角線の交点の座標を前記位置情報として判定することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記映像処理手段は、前記右眼映像から抽出された前記第１オブジェクトが前記右眼映像の上辺及び下辺のうち少なくとも何れかに達している否か、及び前記左眼映像から抽出された前記第２オブジェクトが前記左眼映像の上辺及び下辺のうち少なくとも何れかに達しているか否かの判定結果に応じて、前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトのうち少なくとも一方の移動方向及び移動量を算出することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記映像処理手段は、前記右眼映像から抽出された前記第１オブジェクトが前記右眼映像の上辺又は下辺に達し、前記左眼映像から抽出された前記第２オブジェクトが前記左眼映像の上辺及び下辺に達していないと判定した場合、前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトのうち前記第２オブジェクトの位置を変更することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
右眼映像及び左眼映像から抽出したオブジェクトの位置情報を判定する判定工程と、
前記右眼映像から抽出された第１オブジェクトの前記右眼映像内における位置と、前記左眼映像から抽出された第２オブジェクトであって前記第１オブジェクトに対応する第２オブジェクトの前記左眼映像内における位置と、の垂直方向における差が、前記第１オブジェクトの前記右眼映像内における位置と前記第２オブジェクトの前記左眼映像内における位置との水平方向における差に基づいて定められる閾値よりも大きい場合、前記垂直方向における差が小さくなるように、前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトのうち少なくとも何れかの位置を変更する映像処理工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１〜６の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る画像処理装置は、右眼映像及び左眼映像から抽出したオブジェクトの位置情報を判定する判定手段と、前記右眼映像から抽出された第１オブジェクトの前記右眼映像内における位置と、前記左眼映像から抽出された第２オブジェクトであって前記第１オブジェクトに対応する第２オブジェクトの前記左眼映像内における位置と、の垂直方向における差が、前記第１オブジェクトの前記右眼映像内における位置と前記第２オブジェクトの前記左眼映像内における位置との水平方向における差に基づいて定められる閾値よりも大きい場合、前記垂直方向における差が小さくなるように、前記第１オブジェクト及び前記第２オブジェクトのうち少なくとも何れかの位置を変更する映像処理手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月21日(2016.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に動画データを記録する記録手段と、
所定のインターバル期間ごとに、所定の記録時間分の動画データを繰り返し記録するインターバル記録モードを含む、複数の記録モードの何れかを設定するモード設定手段と、
前記記録手段が第１の書き込み単位でデータを書き込む第１の書き込みモードと、前記記録手段が前記第１の書き込み単位よりもサイズが大きい第２の書き込みでデータを書き込む第２の書き込みモードの何れかを、前記モード設定手段により設定された記録モードに応じて選択し、選択した書き込みモードに従って前記記録媒体に前記動画データを記録するように前記記録手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記モード設定手段により前記インターバル記録モードが設定された場合、前記第１の書き込みモードを選択し、前記インターバル記録モードにおいて前記第１の書き込みモードに従って前記記録媒体に前記動画データを記録するように前記記録手段を制御することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記記録媒体は複数のクラスタを有し、
前記記録手段は、前記第１の書き込みモードにおいて、一つのクラスタに対応した前記第１の書き込み単位で前記記録媒体にデータを書き込み、前記第２の書き込みモードにおいて、所定数の連続したクラスタに対応した前記第２の書き込み単位で前記記録媒体にデータを書き込むことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記記録媒体に記録されたデータは前記クラスタを単位として管理されることを特徴とする請求項２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記複数の記録モードは、記録開始の指示に応じて動画データの記録を開始し、記録停止の指示に応じて動画データの記録を停止する通常記録モードを含み、
前記制御手段は、前記モード設定手段により前記通常記録モードが設定された場合、前記第２の書き込みモードを選択し、前記通常記録モードにおいて前記第２の書き込みモードに従って前記記録媒体に動画データを記録するように前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
撮像手段を備え、
前記記録手段は、前記撮像手段により得られた動画データを前記記録媒体に記録することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項６】
記録媒体に動画データを記録する記録手段を有する記録装置の制御方法であって、
所定のインターバル期間ごとに、所定の記録時間分の動画データを繰り返し記録するインターバル記録モードを含む、複数の記録モードの何れかを設定手段が設定する設定工程と、
前記記録手段が第１の書き込み単位でデータを書き込む第１の書き込みモードと、前記記録手段が前記第１の書き込み単位よりもサイズが大きい第２の書き込みでデータを書き込む第２の書き込みモードの何れかを、前記設定工程で設定された記録モードに応じて制御手段が選択し、前記選択した書き込みモードに従って前記記録媒体に前記動画データを記録するように前記制御手段が前記記録手段を制御する制御工程とを有し、
前記制御手段は、前記設定工程で前記インターバル記録モードが設定された場合には前記第１の書き込みモードを選択し、前記インターバル記録モードにおいて前記第１の書き込みモードに従って前記記録媒体に前記動画データを記録するように前記記録手段を制御する、
ことを特徴とする記録装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の目的は、記録媒体に動画データを記録する記録手段と、所定のインターバル期間ごとに、所定の記録時間分の動画データを繰り返し記録するインターバル記録モードを含む、複数の記録モードの何れかを設定するモード設定手段と、記録手段が第１の書き込み単位でデータを書き込む第１の書き込みモードと、記録手段が第１の書き込み単位よりもサイズが大きい第２の書き込みでデータを書き込む第２の書き込みモードの何れかを、モード設定手段により設定された記録モードに応じて選択し、選択した書き込みモードに従って記録媒体に動画データを記録するように記録手段を制御する制御手段とを備え、制御手段は、モード設定手段によりインターバル記録モードが設定された場合、第１の書き込みモードを選択し、インターバル記録モードにおいて第１の書き込みモードに従って記録媒体に動画データを記録するように記録手段を制御することを特徴とする記録装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図１において、撮像部１０１は光学系および撮像素子などを有し、被写体を撮影した動画データを出力する。なお、本実施形態において、撮像部１０１は、横１９２０画素×縦１０８０画素、３０フレーム／秒の動画データを出力するものとするが、他の画素数およびフレームレートであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
制御部１０２は、操作部１０３からの入力に応じてデジタルカメラ１００の動作全体を制御する。制御部１０２はマイクロコンピュータ（ＣＰＵ）やメモリ等を含み、不図示の不揮発性メモリに記憶されたコンピュータプログラム（ソフトウェア）に従ってデジタルカメラ１００を制御する。また、制御部１０２は、記録再生部１０６との間でデータやコマンドを通信するための記録媒体インターフェイスを内蔵している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
操作部１０３は、ユーザにより操作可能な各種のスイッチ、ボタンなどを含む。操作部１０３は、ユーザによる各種の指示などを受理して制御部１０２へ通知する。また、操作部１０３は、電源スイッチ、動画データの記録開始、停止などを指示するためのスイッチ、デジタルカメラ１００の動作モードを切り替えるためのスイッチ、メニュー画面を操作するためのスイッチ等を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、本実施形態のデジタルカメラ１００における、記録媒体１０８に対するデータの書き込みモードについて説明する。本実施形態のデジタルカメラ１００は、ＳＤスピードクラスとは関係無く、記録媒体１０８に対してクラスタ単位でデータを書き込む通常書き込みモード（第１の書き込みモード）を持つ。また、デジタルカメラ１００は、ＳＤスピードクラスに従い、ＡＵ単位でデータを書き込む高速書き込みモード（第２の書き込みモード）を有する。なお、これらの書き込みモードはＳＤメモリカードの通常(DS)モードと高速(HS)モードとは異なるので留意されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月21日(2016.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像から変形画像を生成するための変形処理を実行する変形手段と、
前記変形手段による前記入力画像の変形可能範囲を示すための範囲画像を生成する生成手段と、
前記生成手段により生成された範囲画像を投影手段に投影させる投影制御手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記入力画像を格納するためのメモリのサイズに基づいて、前記入力画像の変形可能範囲を決定する決定手段を有し、
前記生成手段は、前記決定手段により決定された変形可能範囲を示す範囲画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記入力画像の解像度に基づいて、前記入力画像の変形可能範囲を決定する決定手段を有し、
前記生成手段は、前記決定手段により決定された変形可能範囲を示す範囲画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記入力画像上の座標を指定するための指定手段を有し、
前記範囲画像は、前記指定手段により指定された座標の移動可能範囲を示す画像であることを特徴とする請求項１乃至３のうち、何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記指定手段は、前記入力画像上の座標のうち、予め定められた複数の座標からユーザにより選択された座標を指定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記投影制御手段は、前記範囲画像と、前記変形画像とが合成された合成画像を投影手段に投影させることを特徴とする請求項１乃至５のうち、何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記生成手段は、前記入力画像上の複数の座標のうち、指定済みの座標と、他の座標との位置関係に基づいて、前記指定済み座標の移動可能範囲を示す前記範囲画像を生成することを特徴とする請求項１乃至６のうち、何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記投影制御手段は、前記入力画像上の前記指定された座標の移動に基づく変形処理が不可能であると判定された場合、当該変形処理の不可能を示す所定の画像を前記範囲画像に代えて投影させることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記入力画像の変形による変倍率に基づいて前記変形処理後の画像品位を特定する特定手段を有し、
前記生成手段は、前記特定手段により特定された画像品位を示す情報を含む前記範囲画像を生成することを特徴とする請求項１乃至８のうち、何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記変形手段は、ユーザ入力に応じた変形量に従って変形処理を実行することを特徴とする請求項１乃至９のうち、何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
入力画像から変形画像を生成するための変形処理を実行する変形手段を有する画像処理装置による画像処理方法であって、
前記変形手段による前記入力画像の変形可能範囲を示すための範囲画像を生成する生成工程と、
前記生成工程により生成された範囲画像を投影手段に投影させる投影制御工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
前記入力画像を格納するためのメモリのサイズに基づいて、前記入力画像の変形可能範囲を決定する決定工程を有し、
前記生成工程は、前記決定工程により決定された変形可能範囲を示す範囲画像を生成することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１３】
前記入力画像の解像度に基づいて、前記入力画像の変形可能範囲を決定する決定工程を有し、
前記生成工程は、前記決定工程により決定された変形可能範囲を示す範囲画像を生成することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１４】
コンピュータを請求項１乃至１０のうち何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法、プログラム
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰまたはＧａＡｓからなり面指数が（１００）である半導体基板上に、第１クラッド層、回折格子層、活性層および第２クラッド層を順に形成する工程と、
光の伝搬方向に沿って前記第２クラッド層の上面に（１００）よりも大きな面指数を有する複数の成長開始面を形成する工程と、
前記第２クラッド層の前記成長開始面に亜鉛を含有する第３クラッド層をエピタキシャル成長する工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記回折格子層は、上面に凹凸部が形成され、材料が異なる埋め込み層で埋め込まれてなる請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が１．０μｍ以下の無機粒子を含有する熱電変換層形成用組成物であって、
前記無機粒子のバンドギャップが１．５ｅＶ以下であり、移動度が０．００１ｃｍ2／Ｖｓ以上、および、キャリア密度が１Ｅ１０〜１Ｅ２１ｃｍ-3の少なくとも一方を満たすキャリア輸送用材料を含有し、
前記キャリア輸送用材料が、導電性ナノ材料および導電性高分子材料をいずれも含む、熱電変換層形成用組成物。
【請求項２】
前記導電性ナノ材料が、ナノ炭素材料またはナノ金属材料である、請求項１に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項３】
前記導電性ナノ材料が、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイト、グラフェン、カーボンナノ粒子および金属ナノワイヤーからなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１または２に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項４】
前記導電性ナノ材料が、カーボンナノチューブである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項５】
前記キャリア輸送用材料が、有機材料である請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項６】
平均粒径が１．０μｍ以下の無機粒子を含有する熱電変換層形成用組成物であって、
前記無機粒子のバンドギャップが１．５ｅＶ超であり、バンドギャップが１．５ｅＶ以下を満たす有機材料である熱励起源用材料を含有し、
前記熱励起源用材料が、ナノ炭素材料、赤外吸収色素、導電性高分子からなる群から選択される少なくとも１つを含む、熱電変換層形成用組成物。
【請求項７】
前記導電性高分子が、ポリチオフェンまたはポリアセチレンである請求項６に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項８】
前記無機粒子の、粒径１．０μｍ以下の粒子数と粒径１．０μｍ超の粒子数との比（粒径１．０μｍ以下の粒子数／粒径１．０μｍ超の粒子数）が５以上となる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項９】
さらに、ドーパントを含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項１０】
さらに、非共役高分子を含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項１１】
基材と、一対の電極と、熱電変換層とを有する熱電変換素子であって、
前記熱電変換層が、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の熱電変換層形成用組成物により形成された熱電変換素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の熱電変換素子を用いた熱電発電物品。