Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過型の頭部装着型表示装置であって、
外景を撮像する撮像部と、
使用者の眼から所定の距離の使用者の視線を遮る遮蔽物を検出する検出部と、
前記遮蔽物の検出結果に基づいて前記撮像部の操作を行なう撮像操作部と、
使用者の頭部に装着された状態において、撮像領域を示す画像光である領域画像光を生成して前記領域画像光を使用者に視認させる共に、外景を透過させる画像表示部と、を備える、頭部装着型表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の頭部装着型表示装置であって、
前記検出部は、前記遮蔽物としての使用者のまぶたの状態を検出し、
前記撮像操作部は、検出された前記まぶたの状態に基づいて前記操作を行なう、頭部装着型表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の頭部装着型表示装置であって、
前記検出部は、使用者の右まぶたの開閉状態と左まぶたの開閉状態とを検出し、
前記撮像操作部は、検出された前記右まぶたの開閉状態と前記左まぶたの開閉状態との組み合わせに基づいて前記操作を行なう、頭部装着型表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の頭部装着型表示装置であって、さらに、
使用者の視線方向を推定する視線方向推定部を備え、
前記画像表示部は、撮像される外景に対する前記視線方向に対応した位置を表わす画像光である視線位置画像光を生成して前記視線位置画像光を使用者に視認させ、
前記撮像操作部は、推定された前記視線方向と前記組み合わせとに基づいて、撮像される外景の一部の領域を設定し、
前記領域画像光は、設定された前記一部の領域を示す画像光である、頭部装着型表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の頭部装着型表示装置であって、
前記操作は、前記撮像部のレンズの焦点距離の調整を含み、
前記画像表示部は、前記焦点距離が所定の距離に含まれる場合には、前記領域画像光を前記一部の領域における周辺部分に生成し、前記焦点距離が前記所定の距離に含まれない場合には、前記領域画像光を前記一部の領域の外景画像を表わす外景画像光を生成する、頭部装着型表示装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の頭部装着型表示装置であって、
前記検出部は、使用者の右眼と左眼とのそれぞれから前記所定の距離までの範囲における色または照度の少なくとも一方を示す右眼前指標値と左眼前指標値とを検出し、
前記撮像操作部は、検出された前記右眼前指標値と前記左眼前指標値とに基づいて前記操作を行なう、頭部装着型表示装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の頭部装着型表示装置であって、さらに、
前記操作に基づいて、撮像される外景に含まれる特定の対象を認識する画像認識部を備え、
前記撮像操作部は、撮像される外景に前記特定の対象が認識される場合には、前記特定の対象に基づいて、撮像される外景の一部の領域を設定し、
前記領域画像光は、設定された前記一部の領域を表わす画像光である、頭部装着型表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の頭部装着型表示装置であって、
前記撮像操作部は、撮像される外景に前記特定の対象が認識されない場合には、撮像される外景に前記特定の対象が認識されているときの前記特定の対象の位置の変化に基づいて、前記撮像部から前記特定の対象までの方向を推定し、
前記撮像部は、推定された方向を撮像する、頭部装着型表示装置。
【請求項９】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の頭部装着型表示装置であって、さらに、
重力方向に対する使用者の頭部の向きを検出する向き検出部を備え、
前記画像表示部は、検出された前記頭部の向きと前記重力方向とがなす角度が所定値以上である場合に、前記角度に基づいて、前記領域画像光を、前記重力方向に直交する水平面に平行な軸を光軸として撮像される外景の全部または一部の領域を示す画像光として生成する、頭部装着型表示装置。
【請求項１０】
外景を撮像する撮像部と、使用者の眼から所定の距離までの範囲に存在し、想定される使用者の視線を遮る遮蔽物を検出する検出部と、使用者の頭部に装着された状態において、撮像される外景の全部または一部の領域を示す画像光である領域画像光を生成して前記領域画像光を使用者に視認させる共に、外景を透過させる画像表示部と、を備える、透過型の頭部装着型表示装置の制御方法であって、
前記遮蔽物の検出結果に基づいて前記撮像部の操作を行なう工程を備える、制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（５）上記形態の頭部装着型表示装置において、前記操作は、前記撮像部のレンズの焦点距離の調整を含み；前記画像表示部は、前記焦点距離が所定の距離に含まれる場合には、前記領域画像光を前記一部の領域における周辺部分に生成し、前記焦点距離が前記所定の距離に含まれない場合には、前記領域画像光を前記一部の領域の外景画像を表わす外景画像光を生成してもよい。この形態の頭部装着型表示装置によれば、使用者が手を使わないで撮像部の焦点距離を設定できるため、使用者の利便性が向上する。また、設定された焦点距離が視認される外景と同じような外景となる焦点距離である場合には、領域画像光は、一部の領域を示す画像光である。また、設定された焦点距離が視認される外景と異なるような外景となる焦点距離である場合には、領域画像光は、一部の領域の外景画像を表わす外景画像光である。よって、使用者が視認する外景と領域画像光との比較に応じて、画像表示部が画像光を生成するため、使用者の視認性および操作性が向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（７）上記形態の頭部装着型表示装置において、さらに；前記操作に基づいて、撮像される外景に含まれる特定の対象を認識する画像認識部を備え；前記撮像操作部は、撮像される外景に前記特定の対象が認識される場合には、前記特定の対象に基づいて、撮像される外景の一部の領域を設定し；前記領域画像光は、設定された前記一部の領域を表わす画像光であってもよい。この形態の頭部装着型表示装置によれば、特定の対象が撮像される外景に含まれない場合であっても、自動で特定の対象の位置が推定されて、特定の対象が撮像されるため、使用者の利便性が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（９）上記形態の頭部装着型表示装置において、さらに；重力方向に対する使用者の頭部の向きを検出する向き検出部を備え；前記画像表示部は、検出された前記頭部の向きと前記重力方向とがなす角度が所定値以上である場合に、前記角度に基づいて、前記領域画像光を、前記重力方向に直交する水平面に平行な軸を光軸として撮像される外景の全部または一部の領域を示す画像光として生成してもよい。この形態の頭部装着型表示装置によれば、使用者の頭部の向きが一時的に変更された場合であっても、撮像部が水平面に平行な軸を光軸とする外景を撮像するので、使用者の使い勝手が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のディスクを有する階層化ディスクを含むストレージ装置と、前記ストレージ装置にアクセスする情報処理装置とが接続されたストレージシステムであって、
前記ストレージ装置は、
前記階層化ディスクに保存された各ファイルに含まれるデータブロックの記憶位置を含むブロック情報を、前記情報処理装置に通知するディスク制御部を有し、
前記情報処理装置は、
前記階層化ディスクへのアクセスを行なうアプリケーションが用いるファイル毎のアクセス態様情報、および、前記ディスク制御部から通知された前記各ファイルの前記ブロック情報に基づき、前記データブロックのアクセス態様を判断する管理部を有し、
前記ストレージ装置の前記ディスク制御部は、前記管理部によって判断された前記データブロックのアクセス態様に基づき、前記階層化ディスクに対する前記データブロックの再配置を行なう、ストレージシステム。
【請求項２】
前記情報処理装置の前記管理部は、前記データブロックに対するアクセス頻度を前記ストレージ装置から取得し、取得した前記アクセス頻度と、前記情報処理装置において判断された前記データブロックのアクセス態様とに基づき、前記階層化ディスクに対する前記データブロックの再配置の内容を決定し、当該内容に従った前記データブロックの再配置を前記ストレージ装置に指示し、
前記ストレージ装置の前記ディスク制御部は、前記管理部から指示された前記データブロックの再配置を前記階層化ディスクに対し行なう、請求項１記載のストレージシステム。
【請求項３】
前記情報処理装置は、
前記アプリケーションから入出力要求を受けると前記入出力要求の対象ファイルと前記対象ファイルのアクセス態様とを前記ファイル毎のアクセス態様情報として特定するように構築された仮想デバイスを有する、請求項１または請求項２に記載のストレージシステム。
【請求項４】
前記情報処理装置は、
前記仮想デバイスによって特定された前記対象ファイルに関する情報と前記対象ファイルのアクセス態様とを前記ファイル毎のアクセス態様情報として登録するテーブルを有し、
前記テーブルに登録された前記ファイル毎のアクセス態様情報と前記ディスク制御部から通知された前記各ファイルの前記ブロック情報とに基づき、前記データブロックのアクセス態様を判断する、請求項３記載のストレージシステム。
【請求項５】
前記仮想デバイスは、前記アプリケーションが用いる前記ファイルのうち、前記テーブルに登録されていない前記対象ファイルについて前記アクセス態様を特定する、請求項４記載のストレージシステム。
【請求項６】
前記仮想デバイスは、前記入出力要求が前記対象ファイルの入出力位置をインデックスでシークするか否かを測定し、シークしない場合に前記対象ファイルのアクセス態様をシーケンシャルアクセスと判断する一方、シークする場合に前記対象ファイルのアクセス態様をランダムアクセスと判断する、請求項３〜請求項５のいずれか一項に記載のストレージシステム。
【請求項７】
複数のディスクを有する階層化ディスクを含むストレージ装置と、前記ストレージ装置にアクセスする情報処理装置とが接続されたストレージシステムにおいて、
前記ストレージ装置は、前記階層化ディスクに保存された各ファイルに含まれるデータブロックの記憶位置を含むブロック情報を、前記情報処理装置に通知し、
前記情報処理装置は、前記階層化ディスクへのアクセスを行なうアプリケーションが用いるファイル毎のアクセス態様情報、および、前記ディスク制御部から通知された前記各ファイルの前記ブロック情報に基づき、前記データブロックのアクセス態様を判断し、
前記ストレージ装置は、前記情報処理装置において判断された前記データブロックのアクセス態様に基づく前記階層化ディスクに対する前記データブロックの再配置を行なう、ストレージ制御方法。
【請求項８】
複数のディスクを有する階層化ディスクを含むストレージ装置と、前記ストレージ装置にアクセスする情報処理装置とが接続されたストレージシステムにおける前記ストレージ装置に含まれるコンピュータに、
前記階層化ディスクに保存された各ファイルに含まれるデータブロックの記憶位置を含むブロック情報を、前記ストレージ装置から前記情報処理装置に通知し、
前記情報処理装置において、前記階層化ディスクへのアクセスを行なうアプリケーションが用いるファイル毎のアクセス態様情報、および、前記ストレージ装置から通知された前記各ファイルの前記ブロック情報に基づき、前記データブロックのアクセス態様を判断し、
前記ストレージ装置において、前記情報処理装置において判断された前記データブロックのアクセス態様に基づく前記階層化ディスクに対する前記データブロックの再配置を行なう、
処理を実行させる、ストレージ制御プログラム。
【請求項９】
複数のディスクを有する階層化ディスクを含むストレージ装置と、前記ストレージ装置にアクセスする情報処理装置とが接続されたストレージシステムにおける前記情報処理装置に含まれるコンピュータに、
前記階層化ディスクに保存された各ファイルに含まれるデータブロックの記憶位置を含むブロック情報を、前記ストレージ装置から前記情報処理装置に通知し、
前記情報処理装置において、前記階層化ディスクへのアクセスを行なうアプリケーションが用いるファイル毎のアクセス態様情報、および、前記ストレージ装置から通知された前記各ファイルの前記ブロック情報に基づき、前記データブロックのアクセス態様を判断し、
前記ストレージ装置において、前記情報処理装置において判断された前記データブロックのアクセス態様に基づく前記階層化ディスクに対する前記データブロックの再配置を行なう、
処理を実行させる、ストレージ制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本件のストレージシステムは、複数のディスクを有する階層化ディスクを含むストレージ装置と、前記ストレージ装置にアクセスする情報処理装置とが接続されたストレージシステムであって、前記ストレージ装置は、前記階層化ディスクに保存された各ファイルに含まれるデータブロックの記憶位置を含むブロック情報を、前記情報処理装置に通知するディスク制御部を有し、前記情報処理装置は、前記階層化ディスクへのアクセスを行なうアプリケーションが用いるファイル毎のアクセス態様情報、および、前記ディスク制御部から通知された前記各ファイルの前記ブロック情報に基づき、前記データブロックのアクセス態様を判断する管理部を有し、前記ストレージ装置の前記ディスク制御部は、前記管理部によって判断された前記データブロックのアクセス態様に基づき、前記階層化ディスクに対する前記データブロックの再配置を行なう。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配信サーバからネットワークを介して複数の表示端末にコンテンツ情報、スケジュール情報、前記表示端末のグループ情報を配信する情報表示システムにおいて、
前記表示端末と前記表示端末内の画面をグループ登録するグループ登録手段と、
前記グループ登録された前記表示端末の前記表示画面に表示位置ＩＤを設定する表示位置ＩＤ設定手段と、
前記コンテンツ情報に表示優先順位を設定する表示優先順位設定手段と、
前記表示優先順位に基づいて前記コンテンツ情報の前記表示位置ＩＤを決定することにより、前記グループ毎に前記コンテンツ情報の表示時間帯と表示位置ＩＤが設定される表示スケジューリング手段と、
を有することを特徴とする情報表示システム。
【請求項２】
請求項１に記載の情報表示システムにおいて、同じ時間帯において表示位置ＩＤが同一の前記コンテンツ情報が複数ある場合には、複数の前記コンテンツ情報の前記表示優先順位を比較する表示優先順位比較手段を有し、
前記表示優先順位比較手段に基づいて前記表示優先順位の高いコンテンツ情報が表示されることを特徴とする情報表示システム。
【請求項３】
請求項２に記載の情報表示システムにおいて、第一の表示位置ＩＤで障害が発生した場合には、前記第一の表示位置ＩＤで表示する第一のコンテンツ情報を前記表示スケジューリング手段に基づいて予め設定されているスケジュールから次に表示されるべき第二の表示位置ＩＤを確認し、前記第一のコンテンツ情報と前記第二の表示位置ＩＤで既に表示予定の第二のコンテンツ情報とを前記表示優先順位比較手段で比較し、表示優先順位の高いコンテンツ情報が表示されることを特徴とする情報表示システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３に記載の情報表示システムにおいて、前記グループ内の前記表示端末や前記表示画面の間で障害情報を共有することを特徴とする情報表示システム。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４に記載の情報表示システムにおいて、前記表示優先順位比較手段に基づいて比較した結果、表示優先順位が同じ場合には共に表示することを特徴とする情報表示システム。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載の情報表示システムにおいて、前記表示端末が正常に作動しているかを監視する異常検出部を有し、自己診断による表示/再生プログラムを監視することを特徴とする情報表示システム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６に記載の情報表示システムにおいて、前記配信サーバは、前記ネットワークを介して前記表示端末が動作しているか定期的に確認し、応答がなかった場合は異常と判断することを特徴とする情報表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部面及び両側壁を有する活性パターンが提供された基板と、
前記活性パターンの上部面及び両側壁に近接しながら、前記活性パターンを横切るゲート電極と、
前記ゲート電極の側壁を覆うゲートスペーサと、
前記ゲート電極の底面を覆うゲート誘電パターンと、
前記ゲート電極の一側で、前記活性パターン上に形成されたソース電極と、
前記ゲート電極の他側で、前記活性パターン上に形成されたドレーン電極と、
前記ソース及びドレーン電極の表面に各々形成されたシリサイドパターンと、を含み、
前記ゲート誘電パターンは少なくとも１つの高誘電性薄膜を含み、前記ゲートスペーサは前記ゲート誘電パターンより低い誘電常数を有する、ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記活性パターンは、前記ソース及びドレーン電極の間に介在し、前記ゲート電極の下方に位置する、チャネル領域を含み、
前記ゲート電極は前記チャネル領域の両側壁に近接する第１部分及び前記チャネル領域の上方に配置されて前記第１部分を連結する第２部分を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記第１部分は前記第２部分より厚い厚さを有するように形成される、ことを特徴とする請求項２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート誘電パターンは、前記ゲート電極の下方に配置されて、前記第１部分の底面及び側面、並びに前記第２部分の底面を覆う、ことを特徴とする請求項２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記基板はＮＭＯＳ領域及びＰＭＯＳ領域を含み、
前記ソース及びドレーン電極は、前記ＮＭＯＳ領域では前記チャネル領域の一部に引張性ストレイン（ｔｅｎｓｉｌｅ  ｓｔｒａｉｎ）を印加するように構成され、前記ＰＭＯＳ領域では前記チャネル領域の一部に圧縮性ストレイン（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ  ｓｔｒａｉｎ）を印加するように構成される、ことを特徴とする請求項２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース及びドレーン電極は前記基板と異なる物質で形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記ソース及びドレーン電極の上部面は前記ソース及びドレーン電極に近接する前記ゲート電極の底面より高い位置に形成されて、前記ソース及びドレーン電極と前記ゲート電極との対向する面は実質的に均一な間隔を有して互いに離隔される、ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記対向する前記ソース及びドレーン電極の面と前記ゲート電極の面との間の部分は前記ゲートスペーサで満たされる、ことを特徴とする請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート誘電パターンは前記ゲート電極の底に局所的に形成されて、前記ゲート電極と実質的に同一の幅を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
前記ゲート電極は第１ゲート電極及び第２ゲート電極を含み、
前記第１ゲート電極は前記ゲート誘電パターンの上部面及び前記ゲートスペーサの内側壁をコンフォーマルに覆い、前記第２ゲート電極は前記第１ゲート電極の内側壁によって定義される空間を満たす、ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記ゲート電極と前記ソース及びドレーン電極との間に介在する物質の誘電常数はシリコン窒化膜の誘電常数より低いか、或いは同一である、ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
上部面及び両側壁を含む活性パターンが提供された基板と、
前記活性パターンの前記上部面及び前記側壁上に提供されたゲート電極と、
前記ゲート電極の一側で、前記活性パターン上に提供されたソース電極と、
前記ゲート電極の他側で、前記活性パターン上に提供されたドレーン電極と、
前記ゲート電極の内側壁と前記ソース及びドレーン電極の中の少なくとも１つとの間に提供された絶縁性物質と、
前記ゲート電極の底面上に提供された高誘電（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁パターンと、を含み、
前記絶縁性物質は前記ゲート絶縁パターンより小さい誘電常数を有する、ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
前記活性パターンは、前記ソース及びドレーン電極の間に介在し、前記ゲート電極の下方に位置する、チャネル領域を含み、
前記ゲート電極は前記チャネル領域の両側壁に近接する第１部分及び前記チャネル領域の上方に配置されて前記第１部分を連結する第２部分を含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
前記基板はＮＭＯＳ領域及びＰＭＯＳ領域を含み、
前記ソース及びドレーン電極は前記ＮＭＯＳ領域で前記チャネル領域の一部に引張性ストレイン（ｔｅｎｓｉｌｅ  ｓｔｒａｉｎ）を印加するように構成され、前記ＰＭＯＳ領域で前記チャネル領域の一部に圧縮性ストレイン（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ  ｓｔｒａｉｎ）を印加するように構成される、ことを特徴とする請求項１３に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
前記ソース及びドレーン電極の上部面は前記ソース及びドレーン電極に隣接する前記ゲート電極の底面より高い位置に形成されて、前記ソース及びドレーン電極と前記ゲート電極との対向する面は実質的に均一な間隔を有し、互に離隔される、ことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１６】
前記ゲート絶縁パターンは前記ゲート電極の幅と実質的に同一の幅を有する、ことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１７】
前記ゲート電極は第１ゲート電極及び第２ゲート電極を含み、
前記第１ゲート電極は前記ゲート絶縁パターンの上部面及び前記ゲートスペーサの内側壁をコンフォーマルに覆い、前記第２ゲート電極は前記第１ゲート電極の内側壁によって定義される空間を満たす、ことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１８】
前記絶縁性物質はシリコン窒化膜の誘電常数より低いか、或いは同一である誘電常数を有する、ことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電界効果トランジスタ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置に係り、より具体的には電界効果トランジスタに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基体を提供し；
ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマー成分および任意の溶媒を含むコポリマー組成物を提供し、前記ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマー成分の数平均分子量が２５〜１，０００ｋｇ／ｍｏｌであり；
前記基体の前記表面に前記コポリマー組成物のフィルムを適用し；
前記フィルムをベークして溶媒を除去し；
前記フィルムを３００〜３５０℃で、７．５ｐｐｍ以下の酸素濃度を有する気体雰囲気下で、１秒〜４時間の期間にわたって加熱してアニールされたフィルムを形成し；並びに、
前記アニールされたフィルムからポリ（スチレン）を除去し、かつ前記アニールされたフィルム中のポリ（ジメチルシロキサン）を酸化ケイ素に変換するように前記アニールされたフィルムを処理する；
ことを含む、基体を処理する方法。
【請求項２】
提供される前記ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマー成分が、２５〜１，０００ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量ＭＮ、１〜３の多分散度ＰＤ、および０．１９〜０．３３のポリ（ジメチルシロキサン）重量分率ＷｆＰＤＭＳを有する単一種のポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ジブロックコポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
提供される前記コポリマー組成物がさらに溶媒を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）およびトルエンからなる群から選択され、
前記適用段階の後、前記加熱段階の前に、前記フィルムをベークして溶媒を除去することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
提供される前記コポリマー組成物がさらに添加剤を含み、前記添加剤がホモポリマー、ランダムコポリマー、界面活性剤、酸化防止剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、クエンチャー、硬化剤、接着促進剤、溶解速度調節剤、光硬化剤、光増感剤、酸増幅剤、可塑剤、配向制御剤、および架橋剤からなる群から選択される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマー成分が少なくとも２種の異なるポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマーのブレンドであり、
前記少なくとも２種の異なるポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマーが１〜１，０００ｋｇ／ｍｏｌの数平均分子量ＭＮ、および１〜３の多分散度ＰＤを有するポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ジメチルシロキサン）ブロックコポリマーの群から選択され、並びに
前記ブレンドが２５〜１，０００ｋｇ／ｍｏｌのブレンド数平均分子量ＭＮ−ブレンドを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ブレンドが０．１９〜０．３３のブレンドポリ（ジメチルシロキサン）重量分率ＷｆＰＤＭＳ−ブレンドを示す請求項５に記載の方法。
【請求項７】
提供される前記コポリマー組成物がさらに溶媒を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）およびトルエンからなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
提供される前記コポリマー組成物がさらに溶媒を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）およびトルエンからなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項９】
提供される前記コポリマー組成物がさらに添加剤を含み、前記添加剤がホモポリマー、ランダムコポリマー、界面活性剤、酸化防止剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、クエンチャー、硬化剤、接着促進剤、溶解速度調節剤、光硬化剤、光増感剤、酸増幅剤、可塑剤、配向制御剤、および架橋剤からなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１の方法に従って処理された基体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを有する揮発性回路部と、
第２のトランジスタと容量素子とを有する不揮発性記憶部と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体層にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記容量素子は、前記第１のトランジスタの上方に、絶縁層を介して位置し、
前記第２のトランジスタは、複数の前記第１のトランジスタと重畳し、
前記第２のトランジスタのチャネル長は、前記第１のトランジスタのチャネル長の３倍以上２００倍以下である半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタを有する揮発性回路部と、
第２のトランジスタと容量素子とを有する不揮発性記憶部と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体層にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記容量素子は、前記第１のトランジスタの上方に、絶縁層を介して位置し、
前記第２のトランジスタは、複数の前記第１のトランジスタと重畳し、
前記容量素子は、複数の前記第１のトランジスタと重畳し、
前記第２のトランジスタのチャネル長は、前記第１のトランジスタのチャネル長の３倍以上２００倍以下である半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２のトランジスタは、ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体と重なるゲート電極を有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極と同層の第１の配線層と、前記ゲート絶縁層と同層の絶縁層と、前記第２のトランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極と同層の第２の配線層とを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極層と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であって、結晶部および非晶質部を有し、
前記酸化物半導体膜において、前記ソース電極層との界面および前記ドレイン電極層との界面近傍の第１の領域では、前記非晶質部に対して前記結晶部の占める割合が、前記第１の領域以外の第２の領域よりも低い半導体装置。
【請求項２】
基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極層と、
前記酸化物ハンド遺体膜上のドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であって、結晶部および非晶質部を有し、
前記酸化物半導体膜において、前記ソース電極層との界面および前記ドレイン電極層との界面近傍の第１の領域は、該第１の領域以外の第２の領域と比較して、結晶部よりも非晶質部の占める割合が高い領域または全体が非晶質部で占められた領域である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の領域は、二次イオン質量分析法による水素濃度の測定値が、５×１０１８／ｃｍ３以上である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の領域は、二次イオン質量分析法による水素濃度の測定値が、５×１０１８／ｃｍ３未満である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜において、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と重畳する領域の膜厚は、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と重畳しない領域の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記結晶部は、ｃ軸が前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃う半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、少なくともインジウムを含む半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体装置は、
前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極層上、および前記ドレイン電極層上に、酸素過剰領域を有する酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上に酸化アルミニウム膜と、を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート電極と重畳し、前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層の一部に接し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、化学量論的組成よりも酸素を多く含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁層は１０ｎｍより厚く、１００ｎｍより薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムにより形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート電極と重畳する領域の前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体層の一部と接して化学量論的組成よりも酸素を多く含む第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の絶縁層の厚さは１０ｎｍより厚く、１００ｎｍより薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層上に金属層を形成し、前記金属層を酸素ドープ処理によって金属酸化物層とすることにより形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層上のエッチングストップ層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記エッチングストップ層との界面と重畳する第１の領域における結晶領域の割合が、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層との界面と重畳する第２の領域における結晶領域の割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の領域における水素濃度が、前記第２の領域における水素濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層の少なくとも一方が、前記酸化物半導体層の側面に接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
かつ、前記ゲート絶縁層と接する第１の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記エッチングストップ層と接する第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高く、
前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
かつ、前記ゲート絶縁層と接する第１の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記エッチングストップ層と接する第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
かつ、前記ゲート絶縁層と接する第１の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記エッチングストップ層と接する第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高く、
前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記エッチングストップ層が、酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月28日(2015.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化絶縁膜上に素子分離された酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を覆う金属膜を形成した後、前記金属膜に酸素を導入して、ゲート絶縁膜として機能する金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に形成されるゲート電極と、前記酸化物半導体膜及び前記ゲート電極の間に形成されるゲート絶縁膜と、を形成した後、前記ゲート電極を少なくとも覆う金属膜を形成し、前記金属膜に酸素を導入して、金属酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の酸化絶縁膜上に素子分離された酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に第２の酸化絶縁膜を形成し、
前記第２の酸化絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の側面に接するサイドウォール絶縁膜を形成した後、前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁膜と重ならない前記第２の酸化絶縁膜の一部をエッチングし、前記エッチングにより露出した部分の前記酸化物半導体膜と前記サイドウォール絶縁膜に接する一対の電極を形成し、
前記一対の電極及び前記ゲート電極を覆う金属膜を形成した後、前記金属膜に酸素を導入して、金属酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の一部が露出された酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極の側面に接するサイドウォール絶縁膜とを形成し、
前記露出された酸化物半導体膜、前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁膜上に金属元素を含む膜を形成した後、窒素雰囲気下で加熱処理をして、前記金属元素を含む膜の前記酸化物半導体膜に接する領域を酸化し、
前記酸化した領域を有する金属元素を含む膜を除去して、前記酸化物半導体膜の一部を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
表面の一部が露出された酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極の側面に接するサイドウォール絶縁膜とを形成し、
前記露出された酸化物半導体膜、前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁膜上に金属元素を含む膜を形成した後、窒素雰囲気下で加熱処理をして、前記金属元素を含む膜の前記酸化物半導体膜に接する領域を酸化し、
前記酸化した領域を有する金属元素を含む膜及び前記酸化物半導体膜のエッチングガス又はエッチャントに対するエッチング速度の違いを利用し、前記酸化した領域を有する金属元素を含む膜を除去して、前記酸化物半導体膜の前記表面の一部を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記加熱処理は、前記酸化物半導体膜の前記金属元素を含む膜と接する領域に、前記金属元素を含む膜の元素が拡散し、前記領域が低抵抗化する温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に酸素を含む絶縁膜を形成し、
前記酸素を含む絶縁膜上に絶縁性を有する第１の金属酸化膜を形成し、
前記第１の金属酸化膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜にドーパントを注入し、
前記第１の金属酸化膜及び前記ゲート電極に接するサイドウォール絶縁膜を形成し、
前記酸素を含む絶縁膜の一部及び前記第１の金属酸化膜の一部を除去して、ドーパントが注入された酸化物半導体膜の一部を露出させると共にゲート絶縁膜を形成し、
少なくとも前記露出した酸化物半導体膜を覆う金属元素を含む膜を形成して、窒素雰囲気下で加熱処理をした後に前記金属元素を含む膜を除去し、
少なくとも前記金属元素を含む膜が除去された酸化物半導体膜を覆う、絶縁性を有する第２の金属酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記金属元素を含む膜を形成して行う加熱処理は、前記ドーパントが注入された酸化物半導体膜の前記金属元素を含む膜と接する領域に、前記金属元素を含む膜の金属元素が拡散し、前記ドーパントが注入された酸化物半導体膜の前記サイドウォール絶縁膜と重畳する領域よりも低抵抗化する温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月23日(2015.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、
絶縁表面上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の端部を覆い、前記酸化物半導体膜の端部と接する領域を有する第１の電極膜と、
前記第１の電極膜上に接する領域を有する第２の電極膜と、
を有し、
前記第２の電極膜は、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
絶縁表面上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の端部を覆い、前記酸化物半導体膜の端部と接する領域を有する第１の電極膜と、
前記第１の電極膜上に接する領域を有する第２の電極膜と、
を有し、
前記第２の電極膜は、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有し、
前記容量素子は、
下部電極膜と、
前記下部電極膜上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の上部電極膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記トランジスタの下方に第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタの活性層は、シリコン、ゲルマニウムまたは化合物半導体材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記トランジスタの下方に第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタの活性層は、単結晶半導体膜または化合物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、可撓性を有する基板上に位置することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のリフレクタと、
前記第１のリフレクタの両側に配置された第２のリフレクタと、
前記第１のリフレクタと第２のリフレクタとの間に配置された少なくとも一つの光源モジュールと、
前記第２のリフレクタをカバーするカバー部材と、
前記カバー部材と前記第２のリフレクタとの間に配置され、前記第１のリフレクタと向かい合っている光学部材と、
前記光学部材と前記カバー部材との間に配置された第１の突出部材と、
前記光学部材と前記第２のリフレクタとの間に配置された第２の突出部材と、
を備え、
前記カバー部材から前記第１の突出部材の一側面までの距離は、前記カバー部材から前記第２の突出部材の一側面までの距離よりも大きい、照明ユニット。
【請求項２】
前記第１の突出部材及び第２の突出部材は互いにずれて配置される、請求項１に記載の照明ユニット。
【請求項３】
前記第１の突出部材と第２の突出部材とが一部重なる、請求項１または２に記載の照明ユニット。
【請求項４】
前記第１の突出部材と第２の突出部材とが重なることなく一定の間隔を置いて配置される、請求項１又は２に記載の照明ユニット。
【請求項５】
前記第１の突出部材の一側面と前記第２の突出部材の一側面との間の間隔は、前記光学部材の厚さと異なる、請求項１乃至４のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項６】
前記第２の突出部材の厚さは前記第１の突出部材の厚さよりも大きい、請求項１乃至５のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項７】
前記第１及び第２の突出部材の少なくとも一方は、前記光学部材の厚さよりも大きい厚さを有する、請求項１乃至６のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項８】
前記第１の突出部材及び前記第２の突出部材の少なくとも一つは前記光学部材と同じ物質からなり、前記第１の突出部材及び前記第２の突出部材の少なくとも一つと前記光学部材とが一体である、請求項１乃至７のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項９】
前記第１の突出部材は前記カバー部材と同じ物質からなり、前記第１の突出部材と前記カバー部材とが一体である、請求項１乃至８のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１０】
前記第１の突出部材及び前記第２の突出部材の少なくとも一つは、前記光学部材と異なる物質からなり、前記光学部材または前記カバー部材から分離される、請求項１乃至９のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１１】
前記第１の突出部材は、前記カバー部材と異なる物質からなる、請求項１乃至９のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１２】
前記第１の突出部材は、前記カバー部材に面する第１の面及び前記光学部材に面する第２の面を有し、前記第２の突出部材は、前記光学部材に面する第３の面及び前記第２のリフレクタに面する第４の面を有し、前記第１、第２、第３及び第４の面の少なくとも一つには、接着部材、緩衝部材、締結部材のいずれか一つが配置される、請求項１乃至１１のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１３】
前記光学部材は、前記第１の突出部材または前記第２の突出部材に面する領域に少なくとも一つの溝が配置される、請求項１乃至１２のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１４】
前記溝内には接着部材、緩衝部材、締結部材のいずれか一つが配置される、請求項１３に記載の照明ユニット。
【請求項１５】
前記溝の面積は、前記第１の突出部材または前記第２の突出部材の面積よりも小さい、請求項１３または１４に記載の照明ユニット。
【請求項１６】
前記第１のリフレクタは前記光学部材と平行でなく、前記第２のリフレクタは前記光学部材と平行である、請求項１乃至１５のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１７】
前記第１のリフレクタと前記第２のリフレクタとの間にエアーガイドが形成される、請求項１乃至１６のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１８】
前記光源モジュールのうち、一つの光源モジュールが他の光源モジュールと向かい合っている、請求項１乃至１７のいずれかに記載の照明ユニット。
【請求項１９】
前記カバー部材の側面から前記第２のリフレクタの端までの距離は、前記カバー部材の側面から前記第１の突出部材の端までの距離よりも小さい、請求項１乃至１８のいずれかに記載の照明ユニット。