Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロセッサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令解析部と、
演算部と、
退避復帰制御部と、
電源制御部と、
フラグ格納部と、を有し、
前記演算部は、揮発記憶ブロック及び不揮発記憶ブロックを有する複数の論理回路ブロックを有し、
前記命令解析部は、プロセッサ外部からの命令を受けて、前記演算部、前記退避復帰制御部及び前記電源制御部に命令を与え、
前記退避復帰制御部は、前記複数の論理回路ブロックにデータを退避させる命令又はデータを復帰させる命令を与え、
前記フラグ格納部は、前記退避復帰制御部によってデータの退避済みフラグ又はデータの復帰済みフラグが書き込まれ、
前記電源制御部は、前記命令解析部または前記退避復帰制御部の命令を受けて前記演算部の電源を停止又は起動し、
前記データの退避において、
前記複数の論理回路ブロックは、第１の集まりと第２の集まりを有し、
前記複数の論理回路ブロックの前記第１の集まりは、前記退避復帰制御部の命令により、前記揮発記憶ブロックから前記不揮発記憶ブロックにデータを退避させ、平行して前記複数の論理回路ブロックの前記第２の集まりは、前記命令解析部の命令を受けて、前記揮発記憶ブロックに格納されたデータを用いて演算を行い、
前記データの復帰において、
前記複数の論理回路ブロックは、第３の集まりと第４の集まりを有し、
前記複数の論理回路ブロックの前記第３の集まりは、前記退避復帰制御部の命令により、前記不揮発記憶ブロックから前記揮発記憶ブロックにデータを復帰させ、平行して前記複数の論理回路ブロックの前記第４の集まりは、前記命令解析部の命令を受けて、前記揮発記憶ブロックに格納されたデータを用いて演算を行うことを特徴とするプロセッサ。
【請求項２】
請求項１において、
前記退避復帰制御部は、第１の参照命令羅列及び第２の参照命令羅列が格納された記憶部を有し、
前記演算部を停止させる際に行う前記データの退避を、
前記演算部の停止命令の前に、前記プロセッサ外部からの命令の羅列と前記第１の参照命令羅列の少なくとも一部とが一致すると、前記退避復帰制御部は、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第１の集まりの揮発記憶ブロックから不揮発記憶ブロックにデータを退避させ、並行して前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第２の集まりで演算処理を行う一次退避と、
前記演算部の停止命令の後に、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第２の集まりの揮発記憶ブロックから不揮発記憶ブロックにデータを退避させる二次退避と、に分割して行い、
前記演算部を起動させる際に行う前記データの復帰を、
前記退避復帰制御部は、前記命令解析部の命令を受けて、前記第２の参照命令羅列に従って、前記演算部の複数の論理回路ブロックの前記第４の集まりに、前記不揮発記憶ブロックから前記揮発記憶ブロックにデータを復帰させる命令を与え、
前記復帰させる命令に従って、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第４の集まりの不揮発記憶ブロックから揮発記憶ブロックにデータを復帰させる一次復帰と、
前記一次復帰の完了後に、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりの不揮発記憶ブロックから揮発記憶ブロックにデータを復帰させ、並行して前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第４の集まりで演算処理を行う二次復帰と、に分割して行うことを特徴とするプロセッサ。
【請求項３】
請求項２において、
前記一次退避において、
前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第１の集まりにおける前記データの退避に応じて、前記退避復帰制御部は、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第１の集まりの退避済みフラグを前記フラグ格納部に書き込み、
前記二次退避において、
前記命令解析部は、前記プロセッサの外部から前記演算部停止の命令を受けて、前記退避復帰制御部に前記演算部のデータ退避の命令を与え、
前記退避復帰制御部は、前記退避済みフラグに従って、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第２の集まりに、揮発記憶ブロックから不揮発記憶ブロックにデータを退避させる命令を与えることを特徴とするプロセッサ。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記一次退避において、
前記データの退避を行った前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第１の集まりに新たなデータを書き込む場合、前記フラグ格納部に書き込まれた前記論理回路ブロックの前記第１の集まりの前記退避済みフラグを消去することを特徴とするプロセッサ。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記一次復帰において、
前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第４の集まりにおける前記データの復帰に応じて、前記退避復帰制御部は、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第４の集まりの復帰済みフラグを前記フラグ格納部に書き込み、
前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第４の集まりにおいて前記データの復帰が完了した後に前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第４の集まりのデータ復帰完了の信号を前記命令解析部に送り、
前記二次復帰において、
前記命令解析部は、前記データ復帰完了の信号を受けて、前記退避復帰制御部に前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりに、データを復帰させる命令を与え、
前記退避復帰制御部は、前記復帰済みフラグに従って、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりに、不揮発記憶ブロックから揮発記憶ブロックにデータを復帰させる命令を与え、
前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりにおける前記データの復帰に応じて、前記退避復帰制御部は、前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりの復帰済みフラグを前記フラグ格納部に書き込むことを特徴とするプロセッサ。
【請求項６】
請求項２又は請求項５において、
前記二次復帰において、
前記データの復帰がまだ行われていない前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりで演算処理を行う命令が与えられた場合、前記演算処理を行う命令を待機させることを特徴とするプロセッサ。
【請求項７】
請求項６において、
前記演算処理を行う命令を待機させた前記演算部の前記論理回路ブロックの前記第３の集まりの不揮発記憶ブロックから揮発記憶ブロックにデータを優先的に復帰させることを特徴とするプロセッサ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記揮発記憶ブロックは、レジスタを含んで構成されることを特徴とするプロセッサ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記不揮発記憶ブロックは、酸化物半導体を有するトランジスタを含んで構成されることを特徴とするプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性記憶部、及び不揮発性記憶部を有するデータ処理装置と、
前記データ処理装置の制御に応じて外部装置への電源の供給を行う第１のスイッチと、
前記データ処理装置の制御に応じてデータ処理装置への電源の供給を行う第２のスイッチと、を有し、
前記データ処理装置は、
前記外部装置の使用状況に応じた前記第１のスイッチの制御を行うとともに、
前記揮発性記憶部にデータを記憶する期間において、前記第２のスイッチをオンにし、
前記不揮発性記憶部にデータを記憶する期間において、前記第２のスイッチをオフにする装置であることを特徴とする電源制御装置。
【請求項２】
揮発性記憶部、不揮発性記憶部、及びタイマー回路と、を有するデータ処理装置と、
前記データ処理装置の制御に応じて外部装置への電源の供給を行う第１のスイッチと、
前記データ処理装置の制御に応じてデータ処理装置への電源の供給を行う第２のスイッチと、を有し、
前記データ処理装置は、
前記外部装置の使用状況に応じた前記第１のスイッチの制御を行うとともに、
前記揮発性記憶部にデータを記憶する期間において、前記第２のスイッチをオンにし、
前記不揮発性記憶部にデータを記憶する期間において前記第２のスイッチをオフにし、
前記タイマー回路からの信号に応じて前記第２のスイッチをオンにする装置であることを特徴とする電源制御装置。
【請求項３】
揮発性記憶部、不揮発性記憶部、及びタイマー回路と、を有するデータ処理装置と、
外部装置からの信号を検出する信号検出回路と、
人感センサ回路と、
前記外部装置の情報を記憶するための不揮発性メモリと、
前記データ処理装置の制御に応じて外部装置への電源の供給を行う第１のスイッチと、
前記データ処理装置の制御に応じてデータ処理装置への電源の供給を行う第２のスイッチと、を有し、
前記不揮発性メモリは、前記信号検出回路で検出する前記外部装置からの信号を記憶する回路であり、
前記データ処理装置は、
前記外部装置の使用状況に応じた前記第１のスイッチの制御を行うとともに、
前記揮発性記憶部にデータを記憶する期間において、前記第２のスイッチをオンにし、
前記不揮発性記憶部にデータを記憶する期間において前記第２のスイッチをオフにし、
前記信号検出回路または人感センサ回路からの信号、若しくは前記タイマー回路からの信号に応じて前記第２のスイッチをオンにすることを特徴とする電源制御装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のスイッチと前記データ処理装置との間には、整流回路、ＡＣ／ＤＣコンバータ、及びＤＣ／ＤＣコンバータが設けられていることを特徴とする電源制御装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記データ処理装置は、前記不揮発性記憶部にデータを記憶する期間において前記第２のスイッチをオフにするとともに、前記ＡＣ／ＤＣコンバータ及び前記ＤＣ／ＤＣコンバータの動作を停止する制御を行う装置であることを特徴とする電源制御装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記ＤＣ／ＤＣコンバータと前記データ処理装置との間の配線には、容量素子が電気的に接続されており、前記データ処理装置は、前記容量素子が接続された配線の電位を検出する電圧モニター回路を有し、前記電圧モニター回路は検出する電位に応じて前記第２のスイッチをオンにする装置であることを特徴とする電源制御装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記不揮発性記憶部は、酸化物半導体層を有するトランジスタを用いた電荷の保持により前記データの保持を行う回路を有することを特徴とする電源制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月6日(2016.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、樹脂層１３は、磁性粉体を含んでいる。樹脂層１３に含まれる磁性粉体は、樹脂層１３に対する固形分で、２０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下が好ましく、３０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下が特に好ましい。磁性粉体は、樹脂層１３に対する固形分で、９５ｗｔ％を超えると、磁性体粉が多すぎて樹脂層１３に形成できない可能性がある。磁性粉体は、樹脂層１３に対する固形分で、２０ｗｔ％未満であると、樹脂層１３に含有している磁性粉体が少なすぎて必要な透磁率を得られず、データキャリア１０が通信できない可能性がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
磁性粉体の形状は、特に限定されるものではないが、球体形状、立方体形状、扁平形状、円柱形状、円錐形状、針状などが挙げられる。中でも、実数部透磁率が高く少量で必要な実数部透磁率μ’を得られるという観点から、磁性粉体の形状は、扁平形状、円柱形状、円錐形状、針状が好ましく、中でも高アスペクト比（長さ／厚み）のものがさらに好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令レジスタ部と、
命令デコード部と、
データ解析部と、
制御部と、
複数の機能回路を有する論理部と、を有し、
前記データ解析部はレジスタを有し、
前記レジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタおよび容量素子を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項２】
命令レジスタ部と、
命令デコード部と、
データ解析部と、
制御部と、
複数の機能回路を有する論理部と、を有し、
前記複数の機能回路を有する論理部はレジスタを有し、
前記レジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタおよび容量素子を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項３】
命令レジスタ部と、
命令デコード部と、
データ解析部と、
制御部と、
複数の機能回路を有する論理部と、を有し、
前記データ解析部は第１のレジスタを有し、
前記第１のレジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタおよび容量素子を有し、
前記複数の機能回路を有する論理部は第２のレジスタを有し、
前記第２のレジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタおよび容量素子を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
さらに、記憶部を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項５】
請求項４において、
前記記憶部は、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタおよび容量素子を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５において、
前記チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタのオフ電流は室温でチャネル幅１μｍあたり１×１０−１９Ａ以下であることを特徴とするプロセッサ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のプロセッサを有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月14日(2016.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場トランスデューサであって、
基板平行面を規定する基板と、
前記基板平行面上に堆積される複合層とを備え、前記複合層はプラズモン材の第１の層と、前記基板に隣接する、挿入材の第２の層とを有し、前記挿入材は高い温度での前記近接場トランスデューサの塑性変形を減少させる、近接場トランスデューサ。
【請求項２】
前記第２の層は、前記プラズモン材が拡散されている、請求項１に記載の近接場トランスデューサ。
【請求項３】
前記複合層は、前記第２の層上に、前記プラズモン材の第３の層をさらに有する、請求項１または２に記載の近接場トランスデューサ。
【請求項４】
前記複合層上に配置される１つ以上の付加的複合層をさらに備え、前記付加的複合層の各々は、付加的プラズモン材の層および付加的挿入材の層を含む、請求項１または２に記載の近接場トランスデューサ。
【請求項５】
挿入材の第１の層を基板上に形成して、近接場トランスデューサの平坦構造を形成することと、
プラズモン材の第２の層を前記第１の層上に形成することとを備え、前記第１の層および前記第２の層は前記近接場トランスデューサの第１の複合層を形成し、前記挿入材は高い温度での前記近接場トランスデューサの塑性変形を減少させる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ａ】
2013229093.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｂ】
2013229093.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ｂ】
2013229093.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月24日(2015.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る画像処理装置は、各投影手段の投影領域の少なくとも一部を重畳させるようにして結合投影領域を形成するように配置した複数の投影手段の輝度特性を取得する取得手段と、前記取得した複数の投影手段の輝度特性に基づいて、前記結合投影領域の水平または垂直１ラインにおける２点間の輝度分布が凹関数により規定される輝度分布となるように、投影する画像データを補正する補正手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各投影手段の投影領域の少なくとも一部を重畳させるようにして結合投影領域を形成するように配置した複数の投影手段の輝度特性を取得する取得手段と、
前記取得した複数の投影手段の輝度特性に基づいて、前記結合投影領域の水平または垂直１ラインにおける２点間の輝度分布が凹関数により規定される輝度分布となるように、投影する画像データを補正する補正手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記結合投影領域の輝度分布は、各投影手段の出力可能な最高輝度値に基づくことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記輝度分布が該分布に対応する投影領域の前記最高輝度値よりも低くなるように該輝度分布を決定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記複数の投影手段から投影したキャリブレーション画像データを撮像する撮像手段をさらに備え、
前記補正手段は、前記撮像手段による撮像によって前記投影手段の輝度特性を取得することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記輝度分布を、水平または垂直１ラインにおける２点間の輝度が凹関数により規定される分布となる範囲内で設定する設定手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記補正手段は、前記結合投影領域の両端と中央に位置する画素との輝度値に基づいて前記輝度分布を決定することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記補正手段は、前記両端に位置する画素の輝度値を、前記複数の投影手段のうち輝度特性の低い投影手段の輝度値を適用して前記輝度分布を決定することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記結合投影領域の輝度分布は、各プロジェクタの出力可能な最低輝度値に基づくことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記補正手段は、前記輝度分布が該分布に対応する投影領域の前記最低輝度値よりも高くなるように該輝度分布を決定することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
各プロジェクタの投影領域の少なくとも一部を重畳させるようにして結合投影領域を形成するように配置した複数のプロジェクタで構成されるマルチプロジェクションシステムであって、
前記複数のプロジェクタの輝度特性に基づいて、前記結合投影領域の水平または垂直１ラインにおける２点間の輝度分布が凹関数により規定される輝度分布となるように、投影する画像データを補正する補正手段を備えることを特徴とするマルチプロジェクションシステム。
【請求項１１】
各投影手段の投影領域の少なくとも一部を重畳させるようにして結合投影領域を形成するように配置した複数の投影手段の輝度特性を取得する取得ステップと、
前記取得した複数の投影手段の輝度特性に基づいて、前記結合投影領域の輝度分布が、水平または垂直１ラインにおける２点間の輝度分布が凹関数により規定される輝度分布となるように、投影する画像データを補正する補正ステップと
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に配置される活性層と、
前記活性層の上に配置される第２導電型半導体層と、
前記活性層と前記第２導電型半導体層との間に配置される第３半導体層と、
前記第２導電型半導体層の上に配置される光抽出構造と、を含み、
前記第３半導体層の上面はＧａ−ｆａｃｅ面を有し、
前記第３半導体層のドーパントは、前記第２導電型半導体層のドーパントと同一極性を有し、
前記第２導電型半導体層の上面はＮ−ｆａｃｅ面を有することを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記第３半導体層は、前記活性層に接することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記活性層と前記第３半導体層との間に配置される第４導電型半導体層をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第４導電型半導体層のドーパントは、前記第１導電型半導体層のドーパントと反対の極性を有し、前記第２導電型半導体層のドーパントと同一の極性を有することを特徴とする、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第３半導体層のドーパントの濃度は、前記第４導電型半導体層のドーパントの濃度より小さいことを特徴とする、請求項３または４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第４導電型半導体層は、５００ｎｍ乃至２μｍの厚さであることを特徴とする、請求項３乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１導電型半導体層の下に配置される第１電極層と、
前記第１電極層の下に配置される絶縁層と、
前記絶縁層の下に配置され、前記第４導電型半導体層に電気的に連結される第２電極層と、
を含むことを特徴とする、請求項３乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２電極層は、前記第１導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第４導電型半導体層に接することを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２電極層は、前記第３半導体層に接することを特徴とする、請求項７または８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２電極層は、
前記絶縁層の下に配置される水平電極と、
前記水平電極から垂直方向に突出した少なくとも１つ以上の垂直電極と、を含み、
前記垂直電極は前記第４導電型半導体層に接することを特徴とする、請求項７乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２電極層の下に配置された支持基板をさらに含むことを特徴とする、請求項７乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第３半導体層は２０ｎｍ乃至１μｍの厚さであることを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記光抽出構造の上に配置される電極と、
前記第１導電型半導体層の下に配置される電極層と、
前記第１導電型半導体層と前記電極層との間の周り領域に配置される保護層と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第３半導体層の上面は、前記第２導電型半導体層の下面に直接接することを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２導電型半導体層の下面はＧａ−ｆａｃｅ面を有することを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
支持基板と、
前記支持基板の上に配置される電極層と、
前記電極層の上に配置される第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に配置される活性層と、
前記活性層の上に配置される第３半導体層と、
前記第３半導体層に接する前記第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層の上に配置される光抽出構造と、
前記電極層と前記第１導電型半導体層との間の周り領域に配置される保護層と、を含み、
前記第３半導体層のドーパントは前記第２導電型半導体層のドーパントと同一極性を有し、
前記第３半導体層の上面はＧａ−ｆａｃｅ面を有し、
前記第２導電型半導体層の上面はＮ−ｆａｃｅ面を有することを特徴とする、発光素子。
【請求項１７】
前記活性層と前記第３導電型半導体層との間に配置される第４導電型半導体層をさらに含み、
前記第４導電型半導体層のドーパントは、前記第１導電型半導体層のドーパントと反対の極性を有し、前記第２導電型半導体層のドーパントと同一の極性を有することを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第３半導体層は前記活性層に接することを特徴とする、請求項１６または１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第３半導体層のドーパントの濃度は、前記第４導電型半導体層のドーパントの濃度より小さいことを特徴とする、請求項１６乃至１８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
胴体と、
前記胴体の上に配置され、請求項１乃至１９のうち、いずれか１項に記載の発光素子と、
前記発光素子を囲むモールディング部材と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
前記ゲート電極の側端部は、前記ゲート絶縁膜の側端部と一致し、
前記ゲート絶縁膜は、前記側端部を含む第１の領域と、前記側端部を含まない第２の領域とを有し、
前記第１の領域の窒素濃度は、前記第２の領域の窒素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
前記ゲート電極の側端部は、前記ゲート絶縁膜の側端部と一致し、
前記ゲート絶縁膜は、前記側端部を含む第１の領域と、前記側端部を含まない第２の領域とを有し、
前記第１の領域の窒素濃度は、前記第２の領域の窒素濃度より高く、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と重なる第３の領域と、ソース電極と重なる第４の領域と、ドレイン電極と重なる第５の領域と、前記ゲート絶縁膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と重ならない第６の領域と、を有し、
前記第６の領域の窒素濃度は、前記第３の領域乃至第５の領域の窒素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第６の領域において、前記窒素濃度は、前記ゲート電極側に向かって高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記ソース電極は、前記第４の領域の側端部を覆い、
前記ドレイン電極は、前記第５の領域の側端部を覆うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体材料により形成された第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの上方に設けられ、第２の半導体材料により形成された第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの間に設けられた酸化物絶縁膜と、を有し、
前記酸化物絶縁膜は、少なくとも前記第２のチャネル形成領域と接して設けられ、
前記第２のチャネル形成領域の外周を取り囲むように、前記酸化物絶縁膜を貫通する酸素バリア膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の半導体材料により形成された第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜と接し、前記第１のチャネル形成領域と重畳する位置に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域を挟むように設けられたソース領域及びドレイン領域と、を含む第１のトランジスタと、
第２の半導体材料により形成された第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜と接し、前記第２のチャネル形成領域と重畳する位置に設けられた第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
を含む第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの間に設けられた酸化物絶縁膜と、を有し、
前記酸化物絶縁膜は、少なくとも前記第２のチャネル形成領域と接して設けられ、
前記第２のチャネル形成領域の外周を取り囲むように、前記酸化物絶縁膜を貫通する酸素バリア膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のトランジスタと同一平面上に設けられた容量素子を、有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物絶縁膜を貫通して、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタを電気的に接続する接続電極を、有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記接続電極は、前記酸素バリア膜と接して設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸素バリア膜は、アルミニウム、ルテニウム、イリジウム、ハフニウム、及びタンタルの中から選ばれた金属膜、金属酸化膜、または金属窒化膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の半導体材料は、シリコンを含む材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の半導体材料は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記酸化物半導体膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月8日(2016.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直外部共振器型面発光レーザ構造体であって
外付け外部接合反射器と、
分配ブラッグ反射器と、
ＧａＮ基板の上でエピタキシャル成長したＩＩＩ―Ｎヘテロ構造と、
を備え、
前記ＩＩＩ‐Ｎヘテロ構造は、
前記分配ブラッグ反射器と前記外付け外部接合反射器との間に配置され、ポンプ光源から発光され且つポンプ波長λｐｕｍｐを有する照射光の放出に応じて、レーザ波長λｌａｓｅで照射光を発光するよう設定された活性領域と、
前記活性領域と前記外付け外部接合反射器との間に配置され、前記レーザ波長λｌａｓｅの照射光に関して３０％〜７０％の反射率を有し、前記ポンプ波長λｐｕｍｐでの照射光に関して３０％〜７０％の反射率を有する部分的反射素子と、
を含み、
前記部分的反射素子は、交互のエピタキシャルの層の組を備え、
前記層の組は、
ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、又はＩｎＡｌＧａＮの第１の層と、
ＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮの第２の層と、
を含む、
垂直外部共振器型面発光レーザ構造体。
【請求項２】
前記部分的反射素子は、前記レーザ波長λｌａｓｅの照射光に関して４０％〜６０％の反射率を有し、前記ポンプ波長λｐｕｍｐでの照射光に関して４０％〜６０％の反射率を有する、請求項１に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ構造体。
【請求項３】
前記垂直外部共振器型面発光レーザ構造体の動作中、前記部分的反射素子が、前記ＧａＮ基板内の平均Ｅ２電界の２倍より高い前記活性領域内のピークＥ２電界を提供するよう設定される、請求項１に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ構造体。
【請求項４】
前記垂直外部共振器型面発光レーザ構造体の動作中、前記部分的反射素子が、前記ＧａＮ基板内の平均Ｅ２電界の３倍より高い前記活性領域内のピークＥ２電界を提供するよう設定される、請求項１に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ構造体。
【請求項５】
前記ポンプ光源により発光される前記照射光が、ｓｉｎ（θ）＝ｎｓｕｂｓｉｎ［ｃｏｓ−１（λｐｕｍｐ／λｌａｓｅ）］で表される角度θで前記ＧａＮ基板の表面に入射し、前記ＧａＮ基板の屈折率はｎｓｕｂである、請求項１に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルホスホン酸またはその塩と水および水溶性溶剤を含有する処理液により、その目的を達成し得ることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明の要旨は下記のとおりである。
１．炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルホスホン酸またはその塩、水、および下記一般式（１）または（２）：
ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎＲ１  （１）
ＨＯ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｍＲ１  （２）
［式中、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｎは２〜４の数を示し、ｍは１〜３の数を示す］
で表されるグリコール系溶剤を含有する金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液。
２．チタン、タンタルまたはアルミニウムの内の少なくとも１種の金属を含む微細構造体に対する第１項に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
３．アルキルホスホン酸の含有量が０．１ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍである第１項に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
４．アルキルホスホン酸の含有量が０．５ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍである第１項に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
５．アルキルホスホン酸の含有量が５ｐｐｍ〜８００ｐｐｍである第１項に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
６．グリコール系溶剤の含有量が６０〜９９質量％である請求項１記載のパターン倒壊抑制用処理液。
７．ウェットエッチングまたはドライエッチングの後の洗浄工程において、炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルホスホン酸またはその塩、水、および下記一般式（１）または（２）：
ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎＲ１  （１）
ＨＯ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｍＲ１  （２）
［式中、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｎは２〜４の数を示し、ｍは１〜３の数を示す］
で表されるグリコール系溶剤を含有する金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液を用いることを特徴とする、チタン、タンタルおよびアルミニウムの内から選択される少なくとも１種の金属を含む微細構造体の製造方法。
８．チタン、タンタルまたはアルミニウムの内から選択される少なくとも１種の金属を含む微細構造体が、半導体装置又はマイクロマシンである第７項に記載の微細構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルホスホン酸としては、例えば、ｎ−ヘキシルホスホン酸、ｎ−ヘプチルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ｎ−ノニルホスホン酸、ｎ−デシルホスホン酸、ｎ−ウンデシルホスホン酸、ｎ−ドデシルホスホン酸、ｎ−トリデシルホスホン酸、ｎ−テトラデシルホスホン酸、ｎ−ペンタデシルホスホン酸、ｎ−ヘキサデシルホスホン酸、ｎ−ヘプタデシルホスホン酸、ｎ−オクタデシルホスホン酸などが挙げられ、ｎ−ヘキシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ｎ−デシルホスホン酸、ｎ−ドデシルホスホン酸、ｎ−テトラデシルホスホン酸、ｎ−ヘキサデシルホスホン酸、ｎ−オクタデシルホスホン酸が好ましく、さらに、ｎ−オクチルホスホン酸、ｎ−デシルホスホン酸、ｎ−ドデシルホスホン酸、ｎ−テトラデシルホスホン酸、ｎ−ヘキサデシルホスホン酸が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルホスホン酸またはその塩、水、および下記一般式（１）または（２）：
ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎＲ１  （１）
ＨＯ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｍＲ１  （２）
［式中、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｎは２〜４の数を示し、ｍは１〜３の数を示す］
で表されるグリコール系溶剤を含有する金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液。
【請求項２】
チタン、タンタルまたはアルミニウムの内の少なくとも１種の金属を含む微細構造体に対する請求項１に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
【請求項３】
アルキルホスホン酸の含有量が０．１ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍである請求項１に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
【請求項４】
アルキルホスホン酸の含有量が０．５ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍである請求項１に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
【請求項５】
アルキルホスホン酸の含有量が５ｐｐｍ〜８００ｐｐｍである請求項１に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
【請求項６】
グリコール系溶剤の含有量が６０〜９９質量％である請求項１に記載のパターン倒壊抑制用処理液。
【請求項７】
ウェットエッチングまたはドライエッチングの後の洗浄工程において、炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルホスホン酸またはその塩、水および下記一般式（１）または（２）：
ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎＲ１  （１）
ＨＯ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｍＲ１  （２）
［式中、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｎは２〜４の数を示し、ｍは１〜３の数を示す］
で表されるグリコール系溶剤を含有する金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液を用いることを特徴とする、チタン、タンタルおよびアルミニウムの内から選択される少なくとも１種の金属を含む微細構造体の製造方法。
【請求項８】
チタン、タンタルまたはアルミニウムの内から選択される少なくとも１種の金属を含む微細構造体が、半導体装置又はマイクロマシンである請求項７に記載の微細構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に二酸化珪素フィルムを付着させる方法であって、基材を含むチャンバーに前駆体を供給すること、及びプラズマ化学気相堆積法を用いて基材上に二酸化珪素フィルムを付着させることを含み、前記前駆体がＴＥＯＳ、酸素、又はこれらの源、及び水素を含む方法。
【請求項２】
前記二酸化珪素フィルムが100〜500℃の温度において付着される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記二酸化珪素フィルムが100〜250℃の温度において付着される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記二酸化珪素フィルムが125〜175℃の温度において付着される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
付着された二酸化珪素フィルムが水素プラズマ後付着処理工程に付される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記水素プラズマ後付着処理が真空破壊後に行われる、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記水素プラズマ後付着処理が二酸化珪素フィルムの付着と同じ温度で行われる、請求項５又は６記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマが高周波ＲＦ部品及び低周波ＲＦ部品により発生される、請求項５〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
シャワーヘッドによりチャンバーに前駆体が供給される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記シャワーヘッドがプラズマにＲＦパワーを供給する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記前駆体が、高周波部品及び低周波部品を有するＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて付着される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記高周波部品が13.56MHzであり、そのパワーが600〜1200Ｗより選ばれ、前記低周波部品が350kHz〜２MHzであり、そのパワーが300〜500Ｗより選ばれる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法により製造される二酸化珪素フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一平面上に複数の蓄電素子が配置され、
前記複数の蓄電素子の一は、
正極集電体層および負極集電体層と、
前記正極集電体層上の正極活物質層と、
前記負極集電体層上の負極活物質層と、
前記正極活物質層上および前記負極活物質層上の固体電解質層と、を有し、
前記複数の蓄電素子のそれぞれは、直列に電気的に接続される第１の期間と、並列に電気的に接続される第２の期間と、を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記正極集電体層および前記負極集電体層は、同一材料からなることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記正極集電体層および前記負極集電体層は、異なる材料からなることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記固体電解質層上のリチウム層を有し、
前記リチウム層は、前記正極活物質層または前記負極活物質層の少なくとも一方と重畳することを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記固体電解質層は、リチウムおよび硫黄を有する化合物、リチウムおよび酸素を有する化合物、または酸化リチウムを有することを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電素子および蓄電素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一平面上の正極集電体層および負極集電体層と、
前記正極集電体層の上面および側面を覆う正極活物質層と、
前記負極集電体層の上面および側面を覆う負極活物質層と、
前記正極活物質層上および前記負極活物質層上の固体電解質層と、を有し、
前記正極集電体層は、第１の金属元素を有し、
前記負極集電体層は、第２の金属元素を有し、
前記正極活物質層は、前記第１の金属元素の第１の金属酸化物を有し、
前記負極活物質層は、前記第２の金属元素の第２の金属酸化物を有することを特徴とする蓄電素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記固体電解質層上のリチウム層を有し、
前記リチウム層は、前記正極活物質層または前記負極活物質層の少なくとも一方と重畳することを特徴とする蓄電素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記正極活物質層は、酸化バナジウムまたは酸化マンガンを有することを特徴とする蓄電素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記負極活物質層は、酸化ニオブ、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化タングステン、酸化モリブデンまたは酸化タンタルを有することを特徴とする蓄電素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記固体電解質層は、リチウムおよび硫黄を有する化合物、リチウムおよび酸素を有する化合物、または酸化リチウムを有することを特徴とする蓄電素子。
【請求項６】
同一平面上に正極集電体層および負極集電体層を形成し、
前記正極集電体層の表面および前記負極集電体層の表面を酸化することで、正極活物質層および負極活物質層を形成し、
前記正極活物質層上および前記負極活物質層上に固体電解質層を形成し、
前記固体電解質層上にリチウム層を形成し、
前記リチウム層は、前記正極活物質層または前記負極活物質層の少なくとも一方と重畳することを特徴とする蓄電素子の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記正極集電体層の表面および前記負極集電体層の表面の酸化は、酸素プラズマ処理により行うことを特徴とする蓄電素子の作製方法。
【請求項８】
請求項６において、
前記正極集電体層の表面および前記負極集電体層の表面の酸化は、陽極酸化処理により行うことを特徴とする蓄電素子の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記正極活物質層は、酸化バナジウムまたは酸化マンガンを有することを特徴とする蓄電素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記負極活物質層は、酸化ニオブ、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化タングステン、酸化モリブデンまたは酸化タンタルを有することを特徴とする蓄電素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記固体電解質層は、リチウムおよび硫黄を有する化合物、リチウムおよび酸素を有する化合物、または酸化リチウムを有することを特徴とする蓄電素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第１の発光層は、第１のホスト材料と、第１の発光中心物質と、を有し、
前記第２の発光層は、第２のホスト材料と、第２の発光中心物質と、を有し、
前記第１の発光層及び前記第２の発光層は共に電子輸送性を有し、
前記第１のホスト材料のＬＵＭＯ準位は、前記第２のホスト材料のＬＵＭＯ準位より高い発光素子。
【請求項２】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第１の発光層は、第１のホスト材料と、第１の発光中心物質と、を有し、
前記第２の発光層は、第２のホスト材料と、第２の発光中心物質と、を有し、
前記第１の発光層及び前記第２の発光層は共に電子輸送性を有し、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料は共に分子量３００以上２０００以下の物質であり、且つ、電子輸送骨格に６員環の芳香環を有し、
前記第１のホスト材料における前記６員環の芳香環に含まれる窒素原子の数が、前記第２のホスト材料における前記６員環の芳香環に含まれる窒素原子の数よりも少ないことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第１の発光層は、第１のホスト材料と、第１の発光中心物質と、を有し、
前記第２の発光層は、第２のホスト材料と、第２の発光中心物質と、を有し、
前記第１の発光層及び前記第２の発光層は共に電子輸送性を有し、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料は共に分子量３００以上２０００以下の物質であり、且つ、ＬＵＭＯが分布する骨格に６員環の芳香環を有し、
前記第１のホスト材料における前記６員環の芳香環に含まれる窒素原子の数が、前記第２のホスト材料における前記６員環の芳香環に含まれる窒素原子の数よりも少ないことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１のホスト材料の前記６員環の芳香環がベンゼン骨格又はピリジン骨格であり、
前記第２のホスト材料の前記６員環の芳香環がジアジン骨格である発光素子。
【請求項５】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第１の発光層は、第１のホスト材料と、第１の発光中心物質と、を有し、
前記第２の発光層は、第２のホスト材料と、第２の発光中心物質と、を有し、
前記第１の発光層及び前記第２の発光層は共に電子輸送性を有し、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料は共に分子量３００以上２０００以下の物質であり、且つ、電子輸送骨格に６員環の芳香環を有し、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料の前記６員環の芳香環に含まれる窒素原子の数は同じであり、
前記第１のホスト材料の前記６員環の芳香環は単環であり、
前記第２のホスト材料の前記６員環の芳香環にはさらに芳香環が縮合している発光素子。
【請求項６】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記陽極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第１の発光層は、第１のホスト材料と、第１の発光中心物質と、を有し、
前記第２の発光層は、第２のホスト材料と、第２の発光中心物質と、を有し、
前記第１の発光層及び前記第２の発光層は共に電子輸送性を有し、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料は共に分子量３００以上２０００以下の物質であり、且つ、ＬＵＭＯが分布する骨格に６員環の芳香環を有し、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料の前記６員環の芳香環に含まれる窒素原子の数は同じであり、
前記第１のホスト材料の前記６員環の芳香環は単環であり、
前記第２のホスト材料の前記６員環の芳香環にはさらに芳香環が縮合している発光素子。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記第１のホスト材料の前記６員環の芳香環と、前記第２のホスト材料の前記６員環の芳香環は同じであることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料が電子輸送性を有する発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の発光中心物質と、前記第２の発光中心物質が同じ物質である発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の発光中心物質と前記第２の発光中心物質が、三重項励起状態を発光に変換できる物質である発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の発光中心物質と、前記第２の発光中心物質が共にイリジウム錯体である発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１のホスト材料及び前記第２のホスト材料は共にその骨格中に、芳香族アミン骨格を有さない物質である発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１のホスト材料のＬＵＭＯ準位と前記第２のホスト材料のＬＵＭＯ準位の差が０．１ｅＶ以上０．６ｅＶ以下である発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。