【事件の表示】
ｆ「」　特願２０１２−　　３７５７「液冷一体型基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月２３日出願公開、特開２０１２−１６０７２２、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成２４年１月１２日（優先権主張　平成２３年１月１４日）の出願であって、平成２７年７月２４日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年１０月１日付けで手続補正がなされたが、平成２８年３月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２０日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
　
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年３月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
（進歩性）この出願の請求項１，３，４，６〜１１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　記
　１．国際公開第２００９／１１６４３９号
　２．特開２００８−１９２７０５号公報
　３．特開２００６−２４０９５５号公報
　４．特開２００１−３００７６２号公報
　５．特開２００９−２１５５９５号公報
　６．特開２０１０−２６８００８号公報
　
第３　平成２８年６月２０日付けの手続補正の適否
　
１．補正の内容
　平成２８年６月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について、
「【請求項１】
　セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には一体的に押出し成形された一つの押出し材で構成される液冷式の
Ａ６０６３合金製
前記放熱器は多孔管からなり、前記多孔管の冷媒の流路
は断面視矩形を呈し、該流路の
３．３Ｗ＜Ｄ＜１０Ｗ
を満たし、
前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は溶湯接合法によって行われ、
前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、
前記ろう接合法において、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金組成のろう材のみからなる単層ブレージングシートを、前記金属ベース板と前記放熱器との間に挟みこみ面接触させた状態で、前記金属ベース板と前記放熱器とを、（１）式以上、かつ前記多孔管の仕切り板に負荷される仕切り板面圧が、−０．５×Ｄ（溝深さ）＋１０（ＭＰａ）以下となる面圧で加圧した後に加熱して、不活性ガス雰囲気下で、ろう付け温度５７０℃以上に保持しつつ、無フラックスでろう付け接合することを特徴とする、液冷一体型基板の製造方法。
面圧（ＭＰａ）＝−１．２５×１０−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０　　
　・・・（１）
　【請求項２】
　前記金属ベース板の放熱器接合側の面の表面粗さがＲａ１．０〜２．０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項３】
　前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Ｗ（ｍｍ）と仕切り板の幅Ｔ（ｍｍ）との関係が、
−Ｗ＋１．４＜Ｔ／Ｗ＜−１．５Ｗ＋３．３　（０．４≦Ｗ≦１．０の場合）
−０．２Ｗ＋０．７＜Ｔ／Ｗ＜−１．５Ｗ＋３．３　（１．０＜Ｗ＜２．０の場合）
を満たすことを特徴とする、請求項２に記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項４】
　前記溝幅Ｗが０．４ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項２または３に記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項５】
　前記金属回路板の表面粗さがＲａ０．３〜２．０μｍであることを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項６】
　前記放熱器は熱伝導率が１７０Ｗ／ｍＫ以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項１〜５のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項７】
　前記金属ベース板は、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍＫ以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項１〜６のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項８】
　前記金属回路板は、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍＫ以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項１〜７のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項９】
　前記金属回路板の厚さｔ１と前記金属ベース板の厚さｔ２の関係はｔ２／ｔ１≧２を満たす厚さに形成される、請求項１〜８のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項１０】
　前記金属回路板の厚さｔ１は０．４〜３ｍｍであり、前記金属ベース板の厚さｔ２は０．８〜６ｍｍである、請求項１〜９のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。
　【請求項１１】
　前記単層ブレージングシートの厚さが１０〜２００μｍであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。」
と補正する補正事項を含むものである。
　
２．補正の適否
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である、多孔管からなる「放熱器」について、「Ａ６０６３合金製」であるとの限定を付加するとともに、その流路が「断面視矩形」を呈するとの限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載事項
（１−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００９／１１６４３９号（以下、「引用例１」という。）には、「ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　ア．「［３］　ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、 　
　第１面及び第２面を有する絶縁基板と、ヒートシンクとを準備し、
　
前記絶縁基板の前記第１面に回路層を接合し、前記絶縁基板の前記第２面に金属層を接合することによって、パワーモジュール用基板を形成し
　
前記パワーモジュール用基板と前記ヒートシンクとを積層させ、積層方向に０．１５〜３ＭＰａで加圧することにより、前記パワーモジュール用基板の前記金属層と前記ヒートシンクとを接合することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
　
　イ．「［0023］　
ヒートシンク１７は、前述のパワーモジュール用基板１１を冷却するための部材であり、パワーモジュール用基板１１に接合される天板部１８と、冷却媒体（例えば冷却水）を流通するための流路１９とを備えている
　
ヒートシンク１７のうち少なくとも天板部１８は
Ａ６０６３のアルミニウム材で構成されている
　また、天板部１８の厚さＤは、１ｍｍ≦Ｄ≦１０ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、Ｄ＝１．７ｍｍに設定されている。
［0024］ そして、
パワーモジュール用基板１１の金属層１４とヒートシンク１７の天板部１８とが、ろう付けによって直接接合されている
　
本実施形態においてはＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔２８を用いてろう付けしており
　前述のように、
金属層１４は
ヒートシンク１７の天板部１８とろう材箔２８を用いてろう付けされている
　
　ウ．「［0025］　このような
ヒートシンク付パワーモジュール用基板１０は、以下のようにして製造される
　図３（ａ）に示すように、まず、
ＡｌＮからなる絶縁基板１２を準備する。次に、絶縁基板１２の第１面１２ａに、回路層１３となる金属板２３（４Ｎアルミニウム）をろう材箔２６を介在させて積層する
また、絶縁基板１２の第２面１２ｂに、金属層１４となる金属板２４（４Ｎアルミニウム）をろう材箔２７を介在させて積層する
　
次に、このようにして形成された積層体をその積層方向に加圧した状態で真空炉内に装入し、ろう付けを行う。これによって絶縁基板１２，回路層１３，及び金属層１４によって構成されたパワーモジュール用基板１１が形成される
［0026］　
次に、図３（ｂ）に示すように、パワーモジュール用基板１１の金属層１４の表面に、ろう材箔２８を介してヒートシンク１７の天板部１８が積層される
　
このように積層した状態で積層方向に加圧するとともに真空炉内に装入してろう付けを行うことで、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１０が製造される
　ここで、
２次接合工程Ｓ２においては、０．１５〜３ＭＰａの圧力でパワーモジュール用基板１１とヒートシンク１７とが積層方向に加圧される
　エ．「［0030］　また、
金属層１４が、接合する前の状態において純度９９．９９％以上のアルミニウム、いわゆる４Ｎアルミニウムで構成されている。これにより、金属層１４の変形抵抗が小さく、金属層１４とヒートシンク１７の天板部１８とを接合する２次接合工程Ｓ２において、積層方向に加圧した際に金属層１４を十分に変形させることが可能となり、反りの発生を確実に抑制することができる
［0031］　
さらに、金属層１４とヒートシンク１７の天板部１８とを接合する２次接合工程Ｓ２においては、０．１５〜３ＭＰａの圧力でパワーモジュール用基板１１とヒートシンク１７とが積層方向に加圧されるので、金属層１４を確実に変形させて、反りを抑制することができ
　
　オ．「また、
回路層及び金属層が純度９９．９９％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）によって構成された例を説明した
　ただし、金属層の変形抵抗が小さくなって反りを抑制する効果を確実に得ることができるので、純度９９．９９％以上のアルミニウムを用いることが好ましい。
　さらに、
ヒートシンクがＡ６０６３のアルミニウム材によって構成された例を説明した
　さらに、
冷却媒体の流路を有するヒートシンクを説明した
　・上記引用例１に記載の「ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法」は、上記「ア．」、「ウ．」の記載事項、及び図３によれば、絶縁基板１２の一方の面（第１面１２ａ）に回路層１３を接合し、絶縁基板１２の他方の面（第２面１２ｂ）に金属層１４の一方の面を接合するとともに、金属層１４の他方の面にヒートシンク１７を接合してなるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。
　・上記「ウ．」〜「オ．」の記載事項によれば、絶縁基板１２はＡｌＮかからなり、回路層１３及び金属層１４はいわゆる４Ｎアルミニウム（純度９９．９９％以上のアルミニウム）で構成されてなるものである。
　・上記「イ．」、「オ．」の記載事項、及び図３によれば、ヒートシンク１７は、Ａ６０６３のアルミニウム材で構成され、金属層１４の他方の面に接合される天板部１８と、冷却媒体（例えば冷却水）を流通するための複数の流路１９とを備えるものである。なお、図３等では各流路の下面部分が示されていないが、何らかの部材の面で塞がれるのは自明なことであり、その断面形状は矩形と見てとることができるといえる。
　・上記「ウ．」の記載事項によれば、絶縁基板１２と回路層１３との接合、及び絶縁基板１２と金属層１３との接合は、ろう付けによって行われる。
　・上記「ア．」〜「エ．」の記載事項、及び図３によれば、金属層１４とヒートシンク１７の天板部１８との接合は、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔２８を金属層１４とヒートシンク１７の天板部１８との間に介在させて積層した状態で、積層方向に０．１５〜３ＭＰａの圧力で加圧するとともに真空炉内に装入してろう付けを行うようにしてなるものである。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「ＡｌＮからなる絶縁基板の一方の面に４Ｎアルミニウムで構成された回路層を接合し、前記絶縁基板の他方の面に４Ｎアルミニウムで構成された金属層の一方の面を接合するとともに、前記金属層の他方の面にＡ６０６３のアルミニウム材で構成され、天板部と冷却媒体（例えば冷却水）を流通するための断面視矩形といえる複数の流路とを備えるヒートシンクを接合してなるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
　前記絶縁基板と前記回路層との接合、及び前記絶縁基板と前記金属層との接合は、ろう付けによって行われ、
　前記金属層と前記ヒートシンクの天板部との接合は、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔を前記金属層と前記ヒートシンクの天板部との間に介在させて積層した状態で、積層方向に０．１５〜３ＭＰａの圧力で加圧するとともに真空炉内に装入してろう付けを行うようにした、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。」
　
（１−２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−１９２７０５号公報（以下、「引用例２」という。）には、「パワーモジュール用基板、その製造方法」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　ア．「【００１３】
  以下、本発明に係るパワーモジュール用基板及びパワーモジュールの一実施形態を図面を参照しながら説明する。
  この実施形態におけるパワーモジュール１は、セラミックス基板２を有するパワーモジュール用基板３と、該パワーモジュール用基板３の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品４と、
パワーモジュール用基板３の裏面に接合されたヒートシンク５
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００１６】
  なお、
前記ヒートシンク５は、Ａｌ合金の押し出し成形によって形成された扁平な筒体９内に、長さ方向に沿う多数のフィン１０が幅方向に並べて形成されていることにより、各フィンの間に多数の小流路１１が形成された構成とされている
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。
「パワーモジュール用基板３の裏面に接合される、扁平な筒体内に、長さ方向に沿う多数のフィンが幅方向に並べて形成され、各フィンの間に多数の小流路が形成されてなる構成のヒートシンクを、Ａｌ合金の押し出し成形によって形成すること。」
（１−３）引用例３
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−２４０９５５号公報（以下、「引用例３」という。）には、「セラミック回路基板」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　ア．「【００４０】
  
セラミック板とアルミニウム板又はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金板の接合は、一般に、接合材を用いない溶湯法
活性金属ろう付け法のいずれをも採用することができる
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例３には、次の技術事項が記載されている。
「セラミック板とアルミニウム板又はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金板との接合には、接合材を用いない溶湯法、活性金属ろう付け法のいずれをも採用することができること。」
（１−４）引用例４ないし６
　・同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−３００７６２号公報（以下、「引用例４」という。）には、「アルミニウム合金ブレ−ジングシート」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　ア．「【請求項１】  薄皮材と芯材との中間材に
Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金ろう材を用い
非酸化性雰囲気中で無フラックスで使用するアルミニウム合金ブレ−ジングシ−ト
　
　イ．「【０００７】
【発明の実施の形態】ここで、薄皮材と芯材との中間材に
Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金ろう材を用いる
Ｍｇは非酸化性雰囲気でのろうの濡れ広がり性を促進し、その添加量は０．１％から５％が好ましい
　ウ．「【００１２】非酸化性雰囲気中の酸素の濃度は特に限定はないが通常工業的に容易に使用可能な３０〜１０００ｐｐｍが良い。また、
主たる非酸化性雰囲気ガスとしては通常窒素が好ましいが、Ａｒ等の不活性ガスでも良い
ろう付け加熱温度はろう材が溶融し、皮材が溶融しない温度であれば良く、通常５６０〜６２０℃が良い
　
　・同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−２１５５９５号公報（以下、「引用例５」という。）には、「ブレ−ジングシート」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　エ．「【００３９】
  この発明のろう付け用母材と組合されて使用される
ブレージングシートの構成は
Ｓｉ５〜１５％、Ｍｇ０．０５〜２．０％、Ｂｉ０．０２〜０．２％を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるろう材合金をクラッドしたものを用いる
【００４０】
  ここで、上記の
ブレージングシートのろう材合金に関して
Ｍｇは、不活性ガス雰囲気中での溶融ろうの濡れ拡がり性を促進するとともに強度向上に寄与する元素であって
　
　オ．「【００４５】
  以上のようなろう付け用母材およびブ
レージングシートを用いてのろう付け接合は、不活性ガス雰囲気中で加熱することを特徴とする無フラックスろう付法で行われる
ろう付温度は特に規定するものではないが５８５℃から６１５℃が好適である
　・同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−２６８００８号公報（以下、「引用例６」という。）には、「放熱装置」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　カ．「【００４９】
  応力緩和部材(4)と、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)とのろう付は、たとえば次のようにして行われる。すなわち、応力緩和部材(4)を上記純アルミニウムからなる芯材と、
芯材の両面を被覆するアルミニウムろう材製皮材とからなるアルミニウムブレージングシート
アルミニウムろう材としては、たとえば
Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金などが用いられる
【００５０】
  ついで、パワーモジュール用基板(8)、応力緩和部材(4)およびヒートシンク(5)を積層状に配置するとともに適当な治具により拘束し、接合面に適当な荷重を加えながら、真空雰囲気中または
不活性ガス雰囲気中において、５７０〜６００℃に加熱する
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例４ないし６には、次の技術事項が記載されているといえる。
「ブレ−ジングシートに用いられるろう材としてＭｇを添加したＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金を用い、不活性ガス雰囲気下で、ろう付け温度５８５〜６００℃程度で行うこと。」
　
（２）対比
　本願補正発明１と引用発明とを対比すると、
　ア．引用発明における「ＡｌＮからなる絶縁基板の一方の面に４Ｎアルミニウムで構成された回路層を接合し、前記絶縁基板の他方の面に４Ｎアルミニウムで構成された金属層の一方の面を接合するとともに、前記金属層の他方の面にＡ６０６３のアルミニウム材で構成され、天板部と冷却媒体（例えば冷却水）を流通するための断面視矩形といえる複数の流路とを備えるヒートシンクを接合してなるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって」によれば、
 (a)引用発明における、ＡｌＮからなる「絶縁基板」、４Ｎアルミニウムで構成された「回路層」、４Ｎアルミニウムで構成された「金属層」は、それぞれ本願補正発明１における「セラミックス基板」、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる「金属回路板」、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の「金属ベース板」に相当し、
 (b)引用発明における「ヒートシンク」にあっても、Ａ６０６３のアルミニウム材で構成されたもの、すなわちＡ６０６３合金製であり、また、冷却媒体（例えば冷却水）を流通するための断面視矩形といえる複数の流路を備えるものであるから、液冷式であって、多孔管からなるものであるといえ、本願補正発明１でいう多孔管からなり、液冷式のＡ６０６３合金製「放熱器」に相当し、
 (c)そして、引用発明における「ヒートシンク付パワーモジュール用基板」にあっても、絶縁基板の一方の面に回路層が接合されるとともに、絶縁基板の他方の面に金属層の一方の面が接合され、金属層の他方の面にはヒートシンクが接合されてなるものであることから、本願補正発明１でいう「液冷一体型基板」に相当するといえる。
　したがって、本願補正発明１と引用発明とは、「セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には液冷式のＡ６０６３合金製放熱器が接合された液冷一体型基板の製造方法」である点で共通するということができる。
　ただし、
　・放熱器について、本願補正発明１では、「一体的に押出し成形された一つの押出し材で構成される」旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点、
　・本願補正発明１では、放熱器（多孔管）の流路の溝幅Ｗ（ｍｍ）と溝深さＤ（ｍｍ）との関係が「３．３Ｗ＜Ｄ＜１０Ｗ」を満たす旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点、
　で相違している。
　
　イ．引用発明における「前記絶縁基板と前記回路層との接合、及び前記絶縁基板と前記金属層との接合は、ろう付けによって行われ」によれば、
　本願補正発明１と引用発明とは、「前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は所定の接合法によって行われ」るものである点で共通する。
　ただし、所定の接合法が、本願補正発明１では、「溶湯接合法」であるのに対し、引用発明では、ろう付けである点で相違している。
　
　ウ．引用発明における「前記金属層と前記ヒートシンクの天板部との接合は、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔を前記金属層と前記ヒートシンクの天板部との間に介在させて積層した状態で、積層方向に０．１５〜３ＭＰａの圧力で加圧するとともに真空炉内に装入してろう付けを行うようにした・・」によれば、
 (a)引用発明における「ろう材箔」は、本願補正発明１でいう、ろう材のみからなる「単層ブレ−ジングシート」に相当するといえ、
 (b)引用発明にあっても、「ろう材箔」を金属層とヒートシンクの間に挟みこみ面接触させた状態で、所定の面圧で加圧し、所定の雰囲気下で、当然、ろう付け温度以上に加熱してろう付け接合するものであるといえるから、
　本願補正発明１と引用発明とは、「前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、前記ろう接合法において、所定の合金組成のろう材のみからなる単層ブレージングシートを、前記金属ベース板と前記放熱器との間に挟みこみ面接触させた状態で、前記金属ベース板と前記放熱器とを、所定の面圧で加圧した後に加熱して、所定の雰囲気下で、ろう付け温度以上に保持しつつ、ろう付け接合する」ものである点で共通するということができる。
　ただし、
　・本願補正発明１では、ろう材の組成が「Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金」であり、「不活性ガス雰囲気」下、ろう付け温度が「５７０℃」以上で、「無フラックス」で行う旨特定するのに対し、引用発明では、ろう材の組成が「Ａｌ−Ｓｉ系」であり、「真空」炉内で行うものであり、具体的なろう付け温度や、無フラックスか否かの特定はない点、
　・所定の面圧が、本願補正発明１では、「（１）式以上、かつ前記多孔管の仕切り板に負荷される仕切り板面圧が、−０．５×Ｄ（溝深さ）＋１０（ＭＰａ）以下」、ここで（１）式は「面圧（ＭＰａ）＝−１．２５×１０−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０」である旨特定するのに対し、引用発明では、０．１５〜３ＭＰａである点、
　で相違している。
　
　よって、本願補正発明１と引用発明とは、
「セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には液冷式のＡ６０６３合金製放熱器が接合された液冷一体型基板の製造方法であって、
前記放熱器は多孔管からなり、前記多孔管の冷媒の流路は断面視矩形を呈し、
前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は所定の接合法によって行われ、
前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、
前記ろう接合法において、所定の合金組成のろう材のみからなる単層ブレージングシートを、前記金属ベース板と前記放熱器との間に挟みこみ面接触させた状態で、前記金属ベース板と前記放熱器とを、所定の面圧で加圧した後に加熱して、所定の雰囲気下で、ろう付け温度以上に保持しつつ、ろう付け接合することを特徴とする、液冷一体型基板の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　放熱器について、本願補正発明１では、「一体的に押出し成形された一つの押出し材で構成される」旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
　
［相違点２］
　本願補正発明１では、放熱器（多孔管）の流路の溝幅Ｗ（ｍｍ）と溝深さＤ（ｍｍ）との関係が「３．３Ｗ＜Ｄ＜１０Ｗ」を満たす旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
　
［相違点３］
　金属回路板および金属ベース板とセラミックス基板との所定の接合法について、本願補正発明１では、「溶湯接合法」であるのに対し、引用発明では、ろう付けである点。
　
［相違点４］
　金属ベース板と放熱器とのろう付け接合について、本願補正発明１では、ろう材の組成が「Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金」であり、「不活性ガス雰囲気」下、ろう付け温度が「５７０℃」以上で、「無フラックス」で行う旨特定するのに対し、引用発明では、ろう材の組成が「Ａｌ−Ｓｉ系」であり、「真空」炉内で行うものであり、具体的なろう付け温度や、無フラックスか否かの特定はない点。
［相違点５］
　金属ベース板と放熱器とのろう付け接合の際に加圧される所定の面圧について、本願補正発明１では、「（１）式以上、かつ前記多孔管の仕切り板に負荷される仕切り板面圧が、−０．５×Ｄ（溝深さ）＋１０（ＭＰａ）以下」、ここで（１）式は「面圧（ＭＰａ）＝−１．２５×１０−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０」である旨特定するのに対し、引用発明では、０．１５〜３ＭＰａである点。
　
（３）判断
　まず、上記［相違点５］について検討する。
　本願補正発明１において、ろう付け接合の際に加圧される面圧のうち、特に下限値（ＭＰａ）を「（１）式」、つまり「−１．２５×１０−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０　」とするのは、その式からも明らかなように、放熱器の断面２次モーメントに着目して定められてなるものであるのに対し、引用発明における、ろう付け接合の際に加圧される面圧である「０．１５〜３ＭＰａ」は、引用例の段落［0030］〜［0031］の記載（上記「（１−１）エ．」を参照）によれば、金属層の材質を踏まえ、当該金属層を十分に変形させることが可能な圧力としていることからも明らかなように、金属層に着目して定められてなるものである。ましてや、引用例には、放熱器の断面２次モーメントの値についての記載も示唆もないことを考慮すると、引用発明の「０．１５〜３ＭＰａ」が、本願補正発明１で特定する「（１）式以上、かつ前記多孔管の仕切り板に負荷される仕切り板面圧が、−０．５×Ｄ（溝深さ）＋１０（ＭＰａ）以下」という範囲を満たしているとは直ちに言えないし、特に面圧の下限値を、放熱器の断面２次モーメントを考慮して「−１．２５×１０−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０　」と定めるようにした発明特定事項については導き出すこともできない。　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された他の引用例である引用例２〜６（上記「（１−２）〜（１−４）」を参照）のいずれからも、上記発明特定事項を導き出すことはできない。
　よって、特に本願補正発明１における、ろう付け接合の際に加圧される面圧の下限値（ＭＰａ）を「−１．２５×１０−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０」とする発明特定事項については、引用発明及び引用例２ないし６に記載の技術事項に基づいて当業者であれば容易に想到し得たものとすることはできない。
　
　したがって、他の相違点（相違点１〜４）について検討するまでもなく、本願補正発明１は、引用発明及び引用例２ないし６に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（４）本件補正後の請求項２ないし１１に係る発明について
　請求項２ないし１１は、請求項１に従属する請求項であり、請求項２ないし１１に係る発明は、本願補正発明１の発明特定事項をすべて含みさらに発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（３）と同じ理由により、引用発明及び引用例２ないし６に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正（特許請求の範囲についての補正）は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
　また、本件補正のその余の補正事項（明細書の段落【００１２】についての補正）についても、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に違反するところはない。
　
３．本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
第４　本願発明
　
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし１１に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、上記「第３　１．（３）（４）」で検討したとおり、本願の請求項１ないし１１に係る発明は、引用発明及び引用例２ないし６に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないから、原査定の理由を維持することはできない。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。