【手続補正書】
【提出日】平成28年3月30日(2016.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタのチャネルとして機能するように構成されガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを含む、基板上に配置されたバッファ層と、
前記チャネルに可動電荷キャリアを供給するように構成され窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ）（ｘはそれぞれの成分の相対量を表わし、０．２以下）を含む、前記バッファ層上に配置されたバリア層と、
前記チャネル内で電荷を誘導するように構成され窒化アルミニウムインジウム（ＩｎｙＡｌ１−ｙＮ）（ｙはそれぞれの成分の相対量を表し、０．２以下）を含む、前記バリア層上に配置された電荷誘導層と、
アルミニウム（Ａｌ）とガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）を含み、前記電荷誘導層上に配置されたキャップ層と、
前記電荷誘導層に配置され、前記バリア層に接続されて前記チャネルを制御するゲート端子と、を備えたことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記電荷誘導層は第１のバンドギャップエネルギーを有し、
前記バリア層は第２のバンドギャップエネルギーを有し、
前記第１のバンドギャップエネルギーは第２のバンドギャップエネルギーより大きいことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電荷誘導層は第１の分極を有し、
前記バリア層は第２の分極を有し、
前記第１の分極は前記第２の分極より大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記バリア層の厚みは、前記ゲート端子と前記バッファ層間に配置されたゲート領域における二次元電子ガス（２ＤＥＧ）の形成を阻止するものであり、
前記ゲート端子は、電力増幅のエンハンスメントモード（ｅモード）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）スイッチデバイスのスイッチングを制御するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記バッファ層は窒化ガリウム（ＧａＮ）を含み、
前記キャップ層は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ）（ｘはそれぞれの成分の相対量を表わし、０．２以下）を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記バリア層の厚みは３０Å以上であり、
前記電荷誘導層の厚みは３０Å以下であり、
前記キャップ層の厚みは１０，０００Å以下であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ゲート端子は、前記バリア層の材料に接続されてショットキー接合を形成するゲート電極を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記ゲート端子は、ゲート電極と、前記バリア層の材料に接続されて金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）接合を形成するゲート絶縁体と、を備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記電荷誘導層に接続されたソースと、
前記電荷誘導層に接続されたドレインと、をさらに備え、前記ソースと前記ドレインは、前記電荷誘導層と前記バリア層を経由して前記バッファ層内に延在することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記電荷誘導層上に配置されて前記ゲート端子の一部分を封入する誘電体材料をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ゲート端子はＴ形フィールドプレートゲートであり、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、モリブデン（Ｍｏ）または金（Ａｕ）を含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記誘電体材料上に配置され、それを経由して、前記ソースに電気的に接続され、また、前記ゲート端子に容量接続されたフィールドプレートをさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
シリコン（Ｓｉ），炭化ケイ素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド（Ｃ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む基板をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記バッファ層は前記基板にエピタキシャル接続され、
前記バリア層は前記バッファ層にエピタキシャル接続され、
前記電荷誘導層は前記バリア層にエピタキシャル接続されることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記バッファ層、前記バリア層あるいは前記電荷誘導層は、複数の層で構成されることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
トランジスタのチャネルとして機能するように構成されガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを含むバッファ層を基板上に形成するステップと、
前記チャネルに可動電荷キャリアを供給するように構成されアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）および窒素（Ｎ）を含むバリア層を前記バッファ層上に形成するステップと、
前記チャネル内で電荷を誘導するように構成されアルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）を含む電荷誘導層を前記バリア層上に形成するステップと、
前記電荷誘導層に配置され、前記バリア層に接続されて前記チャネルを制御するゲート端子を形成するステップと、を備えることを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記バッファ層を形成するステップは、バッファ層材料を前記基板上にエピタキシャル堆積するステップを備え、
前記バリア層を形成するステップは、バリア層材料を前記バッファ層上にエピタキシャル堆積するステップを備え、
前記電荷誘導層を形成するステップは、電荷誘導層材料を前記バリア層上にエピタキシャル堆積するステップを備え、前記電荷誘導層は第１の分極を有し、前記バリア層は第２の分極を有し、前記第１の分極は前記第２の分極より大きいことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記電荷誘導層を形成するステップは、電荷誘導層材料を前記バリア層上にエピタキシャル堆積するステップを備え、前記電荷誘導層は第１のバンドギャップエネルギーを有し、前記バリア層は第２のバンドギャップエネルギーを有し、前記第１のバンドギャップエネルギーは第２のバンドギャップエネルギーより大きいことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
キャップ層材料を前記電荷誘導層上にエピタキシャル堆積することによって、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）および窒素（Ｎ）を含むキャップ層を前記電荷誘導層上に形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記バッファ層材料は窒化ガリウム（ＧａＮ）を含み、
前記バリア層材料および前記キャップ層材料は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ）（ｘは、それぞれの成分の相対量を表わし、０．２以下）を含み、
前記電荷誘導層材料は、窒化アルミニウムインジウム（ＩｎｙＡｌ１−ｙＮ）（ｙはそれぞれの成分の相対量を表し、０．２以下）を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記バリア層を形成するステップによって、６０Å以下のバリア層厚みが得られ、
前記電荷誘導層を形成するステップによって、３０Å以下の電荷誘導層厚みが得られ、
前記キャップ層を形成するステップによって、１０，０００Å以下のキャップ層厚みが得られることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記バリア層厚みによって、前記ゲート端子と前記バッファ層間に配置されたゲート領域における二次元電子ガス（２ＤＥＧ）の形成が阻止され、
前記ゲート端子は、エンハンスメントモード（ｅモード）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスのスイッチングを制御するように構成されていることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ゲート端子を形成するステップは、前記キャップ層の一部分を除去して電荷誘導層を露出させるステップを備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記キャップ層の材料を除去するステップは、ホウ素塩化物（ＢＣｌ３）または塩素（Ｃｌ２）を用いて、前記キャップ層材料を選択的にエッチングするステップを備え、
前記電荷誘導層の一部分を除去するステップは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）または水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いて、前記電荷誘導層材料を選択的にエッチングするステップを備えることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記電荷誘導層の一部分を除去するステップによって前記バリア層を露出させ、
前記バリア層は、電荷誘導層材料の選択的エッチングのためのエッチング停止層として機能することを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ゲート端子を形成するステップは、キャップ層材料と前記電荷誘導層が除去された領域に、前記バリア層の材料に接続されてショットキー接合を形成するゲート電極材料を堆積するステップをさらに備えることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記ゲート端子を形成するステップは、前記電荷誘導層の一部分を除去してゲート絶縁体を形成することにより露出される前記電荷誘導層材料を選択的に酸化させるステップと、
ゲート電極材料を前記ゲート絶縁体上に堆積するステップであって、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁体は前記バリア層材料に接続されて金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）接合を形成するステップと、をさらに備えることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記電荷誘導層に接続されたソースおよびドレインを形成するステップであって、前記ソースと前記ドレインは、前記電荷誘導層と前記バリア層を経由して前記バッファ層内に延在するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１６乃至２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記ゲート端子の一部分を封入する誘電体材料を前記電荷誘導層上に堆積するステップをさらに備えることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法であって、前記ゲート端子はＴ形フィールドプレートゲートであり、
前記方法は、前記誘電体材料を経由して、前記ソースに電気的に接続され、また、前記ゲート端子に容量接続されたフィールドプレートを、前記誘電体材料上に形成するステップをさらに備える方法。