(57)【要約】【課題】現在の超伝導誘導素子の製造方法よりも簡単で且つコストのかからない製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを含んだ少なくとも一つのラインセグメントの形態の超伝導誘導素子を製造する方法に関する。また、本発明は、上記方法を実施するために用いられるシステムであって、超伝導フィルムを蒸着する手段と、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着するための手段と、蒸着されたフィルムの全てをエッチングするための手段とを有し、誘導素子が植え付けられる位置にスタックだけが残るように前記手段が配置されているシステムに関するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つのプロットを有する超伝導誘導素子を製造する方法であって、その素子が、その素子の少なくとも一つのプロットを組み込んだ少なくとも一つのラインセグメントを有し、そのラインセグメントが、交互に積層された超伝導フィルム（Ｃ１）と絶縁フィルム（Ｃ２）とから成るスタック（Ｅ）中で伝導又は超伝導層を構成していることを特徴とする、超伝導誘導素子の製造方法。
【請求項２】
前記スタックを構成している各フィルムが、結晶化されていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板（Ｓ）上に絶縁フィルム（Ｃ２）を蒸着する前工程を含んでいることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
基板（Ｓ）上に超伝導フィルム（Ｃ１）を蒸着する前工程を含んでいることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記スタック（Ｅ）の蒸着前に、超伝導フィルム（Ｌ１）を基板（Ｓ）上に蒸着する前工程を含んでいることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
交互に積層された超伝導フィルム（Ｃ１）と絶縁フィルム（Ｃ２）とにより成る前記スタック（Ｅ）を蒸着する工程と、
誘導素子が植え付けられる位置に前記絶縁フィルムだけが残るように前記スタック（Ｅ）をエッチングする工程とを更に含んでいることを特徴とする、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項７】
誘導素子が植え付けられる位置に前記絶縁フィルムだけが残るように前記スタック（Ｅ）をエッチングする工程と、
前記超伝導フィルム（Ｌ１）をエッチングする工程とを更に含んでいることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記スタック（Ｅ）と前記超伝導フィルム（Ｌ１）とを同時にエッチングする工程と、
誘導素子が植え付けられる位置に前記超伝導フィルムだけが残るように前記スタック（Ｅ）をエッチングする工程とを更に含んでいることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記超伝導フィルム（Ｃ１）の少なくとも一つが、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ合成物から作られていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記絶縁フィルム（Ｃ２）の少なくとも一つが、ＬａＡｌ０３合成物から作られていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって、少なくとも二つのプロットを有する超伝導誘導素子を製造するシステムであって、その素子が、その素子の少なくとも一つのプロットを組み込んだ少なくとも一つのラインセグメントを有し、そのラインセグメントが、交互に積層された超伝導フィルム（Ｃ１）と絶縁フィルム（Ｃ２）とから成るスタック（Ｅ）中の伝導又は超伝導層を構成していることを特徴とする、超伝導誘導素子の製造システム。
【請求項１２】
交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタック（Ｅ）を蒸着するための手段と、
前記蒸着されたフィルムの全てをエッチングする手段とを有し、
これら手段が、誘導素子が植え付けられる場所に前記蒸着されたフィルムだけが残るように配置されていることを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
超伝導フィルム（Ｌ１）を基板（Ｓ）上に蒸着するための手段と、
前記超伝導フィルム（Ｌ１）上に、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタック（Ｅ）を蒸着するための手段と、
前記蒸着されたフィルムの全てをエッチングする手段とを有し、
これら手段が、超伝導ラインが植え付けられる場所だけに前記超伝導フィルム（Ｌ１）が残り且つ誘導素子が植え付けられる場所だけに前記スタックが残るように配置されていることを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか一項の方法によって製造された超伝導誘導素子を含んだ電子回路を有するアンテナ装置。
【請求項１５】
前記アンテナが薄い超伝導フィルムから作られていることを特徴とする、請求項１４に記載のアンテナ装置。
【請求項１６】
直列に配置された誘導素子と前記誘導素子のダウンストリームに並列に配置された容量性素子とを有する遅延線装置であって、前記誘導素子が、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって作られた超伝導誘導素子であることを特徴とする遅延線装置。
【請求項１７】
複数のアンテナを有する移相レーダー装置であって、各アンテナが、請求項１６に記載の遅延線を含む電子回路を有し、各アンテナが隣接したアンテナの送信する信号の相とずれた相の信号を送信するように前記遅延線が配置されている移相レーダー装置。
【請求項１８】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載された方法によって作られた超伝導誘導素子を含む電子回路を有する電子周波数フィルタ装置。
【請求項１９】
並列に配置された誘導素子と前記誘導素子のダウンストリームに直列に配置された容量性素子とを有する広域フィルタ装置であって、前記誘導素子が、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって作られた超伝導誘導素子であることを特徴とする広域フィルタ装置。
【請求項２０】
並列に配置された容量性素子と前記容量性素子のダウンストリームに直列に配置された誘導素子とを有する低域フィルタ装置であって、前記誘導素子が、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって作られた超伝導誘導素子であることを特徴とする低域フィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄い層の超伝導誘導素子の製造方法に関するものである。また、本発明は、この方法を実施するための製造システム並びにそのような素子を有する装置に関するものである。
【０００２】
本発明は、電気通信及び電気エネルギーセクタ用の超伝導電気及び電子素子の分野に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
薄い層の超伝導誘導素子の製造は、一般に陰極スパッタリング又はパルスレーザーアブレーションの如き真空法によって超伝導フィルムを蒸着し、次いで、少なくとも一回のフォトリソグラフィックエッチングを施してその領域を区画することによって一般に実施されている。この技術においては、その素子の寸法は、インダクタンスの値によって大きくなる。
【０００４】
製品の実例としては、０．３ｍｍの間隔で隔てられた幅が０．４ｍｍの複数のトラックを備えて外径が１５ｍｍの５本の巻線を有し、２．１２μＨのインダクタンスを呈するコイルがある。そのようなコイルは、１９９９年１２月１６日にパリＸＩ大学においてＪｅａｎ−Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈｅ  Ｇｉｎｅｆｒｉによって提出された「Ａｎｔｅｎｎｅ  ｄｅ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｓｕｐｒａｃｏｎｄｕｃｔｒｉｃｅ  ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  ｐｏｕｒ  Ｉ’ｉｍａｇｅｒｉｅ  ＲＭＮ  ａ  １，５  Ｔｅｓｌａ」（１．５テスラでのＮＭＲ撮像用の小型超伝導表面アンテナ）と題する論文（非特許文献１）中に記載されている。
【０００５】
その論文中に記載された技術には、主に二つの欠点がある。
各誘導素子が占めている面積が大きい。例えば、上記文献に述べられている素子は、７００ｍｍ２以上の面積を占めている。
その素子を回路中に統合させる場合に、内側巻線の端末を超伝導ラインに接続することが頻繁に必要となる。これは、次のような複雑な工程を必要とする。即ち、蒸着して複数回エッチングした後に、
ａ）絶縁フィルムを蒸着及びエッチングし、
ｂ）第一のフィルムの特性と同じ特性を有する第二の超伝導フィルムをこの絶縁体に蒸着してエッチングを施す。この後者の工程は、コントロールすることが難しい技術である、エピタキクシーを続行する必要性があるので、特に細心の注意を要する。薄い層のコイルを蒸着することの可能な他の方法があるが、それを実行する上での困難性は、上述した方法と同じである。
【非特許文献１】１９９９年１２月１６日にパリＸＩ大学においてＪｅａｎ−Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈｅ  Ｇｉｎｅｆｒｉによって提出された「１．５テスラでのＮＭＲ撮像用の小型超伝導表面アンテナ」と題する論文
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、現在の製造方法よりも簡単で且つコストのかからない製造方法を提供することにより、上述した如き欠点を解消することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを含む平方ミクロンの数百の階数（ｏｒｄｅｒ）の面積を有する少なくとも一つのラインセグメントの形態の超伝導誘導素子を製造する方法によって達成される。
【０００８】
ラインセグメントの少なくとも一つは、素子のプロットの一つを構成している少なくとも一つの部分と合体している。
【０００９】
より詳しく説明すると、この方法は、少なくとも二つのプロットを持った超伝導誘導素子の製造を可能にするものであり、この素子は、素子の少なくとも一つのプロットと合体した少なくとも一つのラインセグメントを含み、このラインセグメントは、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成る少なくとも一つのスタック中の伝導又は超伝導層を構成している。
【００１０】
それ故、公知で且つ広く普及している、薄い層を蒸着する技術及びエッチング技術を用いた、自動化可能な複数の集合製造方法を用いることが可能である。それにより、製造コストを実質的に低減させることに寄与する。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態においては、スタックを構成している各フィルムが、好ましくは結晶化されている。素子は、運転状態において、マイスナー状態、即ち、直流において測定可能な散逸を示さない状態となるように設計されている。
【００１２】
ここで提案した素子は、臨界温度と呼ばれる温度以下で、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを製造することの可能な何対かの材料から製造することができる。本発明を応用した超伝導回路を製造するための多くの方法が考えられる。
【００１３】
第一の製造方法は次の工程を含んでいる。
１）超伝導フィルムを蒸着する工程と、
２）交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
３）蒸着されたフィルムの全てを、例えば、そのスタックと超伝導フィルムを同時にエッチングするという形態でエッチングする工程と、
４）誘導素子が植え付けられる場所に超伝導フィルムだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程。
【００１４】
次のような工程を含む第二の製造方法も用いることができる。
１）超伝導フィルムを蒸着する工程と、
２）交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
３）誘導素子が植え付けられる場所に絶縁フィルムだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程と、
４）回路の残りの部分をエッチングする工程。
【００１５】
実施可能な第三の製造方法は、次の工程を含んでいる。
１）超伝導フィルムを蒸着する工程と、
２）その超伝導フィルムをエッチングする工程と、
３）交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
４）誘導素子が植え付けられる場所に絶縁フィルムだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程。
【００１６】
実施可能な第四の製造方法は、次の工程を含んでいる。
１）交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着する工程と、
２）誘導素子が植え付けられる場所に絶縁フィルムだけが残るようにスタックを選択的にエッチングする工程と、
３）そのように製造された誘導素子を超伝導コネクション又は非超伝導コネクションによって回路の残りの部分と接続する工程。
【００１７】
本発明の別の側面によれば、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを含んだ少なくとも一つのラインセグメント形態の超伝導誘導素子を製造するためのシステムであって且つ本発明による上記製造方法を実施するためのシステムが提供される。
【００１８】
本発明の特定の実施形態においては、この製造システムは、
超伝導フィルムを基板上に蒸着するための手段と、
超伝導フィルム上に、交互に積層された超伝導フィルムと絶縁フィルムとにより成るスタックを蒸着するための手段と、
蒸着されたフィルムの全てをエッチングするための手段とを有し、これらの手段だけが、誘導素子が植え付けられる場所に残るように配置されている。
【００１９】
本発明の更に別の側面によれば、本発明による製造方法によって作られた超伝導誘導素子を含む電子回路を備えたアンテナ装置が提供される。
【００２０】
本発明の更に別の側面によれば、直列に配置された誘導素子と、その誘導素子のダウンストリームで並列に配置された容量性素子とを含み、その誘導素子が本発明による製造方法によって作られた超伝導誘導素子であることを特徴とする遅延線デバイスが提供される。
【００２１】
本発明による遅延線は、複数のアンテナを含んだ移相レーダー装置において用いることができ、各アンテナは本発明による遅延線を含んだ電子回路を備えている。この遅延線は、各アンテナが隣接しているアンテナの信号の位相とずれた位相の信号を送信するように配列されている。
【００２２】
本発明の更に別の側面によれば、本発明による製造方法によって作られた超伝導誘導素子を含む電子回路を備えた電子周波数フィルタ装置が提供される。
【００２３】
そのフィルタ装置は、例えば、並列に配置された誘導素子と、誘導素子のダウンストリームに直列に配置された容量性素子とを有する広域フィルタであってもよい。その誘導素子は、本発明による製造方法によって製造された超伝導誘導素子である。
【００２４】
また、そのフィルタ装置は、並列に配置された容量性素子と、その容量性素子のダウンストリームに直列に配置された誘導素子とを有する低域フィルタであってもよく、その誘導素子は、本発明による製造方法によって製造された超伝導誘導素子である。
【００２５】
本発明の他の目的及び特徴については、後述する限定的なものではない実施形態に関する詳細な説明及び添付図面を参照することにより明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明による製造方法において用いられる原理的なものは、図１に示したように基板Ｓ上に又は超伝導ラインＬＳ上に交互に蒸着された薄い超伝導フィルムＣ１と薄い絶縁フィルムＣ２とから成るスタックＥである。フィルムＣ２は厳密に絶縁性があり且つ成長した欠陥が隣り合った二つの超伝導フィルムを接触させないことが、決定的な要素である。
【００２７】
本発明による好ましい実施形態においては、スタックＥを形成するために蒸着される第一のフィルムは、図１に示したように絶縁性のものである。
【００２８】
超伝導回路における誘導素子の集積は、当業者にとってよく知られた薄いフィルムを蒸着させる技術、例えば、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ），高周波カソードスパッタリング，真空蒸着，気相化学蒸着及び薄い層を確保することの可能な何らかの蒸着技術を用いて、図２ａ及び図２ｂに示した方法によって実施することができる。
【００２９】
図２ａ及び図２ｂに示した方法に相当する本発明による特定の方法においては、基板Ｓに蒸着され、エッチングされた超伝導フィルムＬ１は、誘導スタックＥが上に置かれる超伝導ラインＬＳを構成していることを銘記すべきである。
【００３０】
本発明による限定的でない特定の実施形態においては、材料の選択に関しては、超伝導フィルムについては合成物ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ、絶縁フィルムについては合成物ＬａＡｌＯ３が選択されている。超伝導フィルムの厚みは１０ｎｍ（１０−８ｍ）で、絶縁フィルムの厚みは４ｎｍ（４．１０−９ｍ）である。１４対のフィルムを蒸着させた。
【００３１】
蒸着後に、図３ａに示したようなパターンが得られるようにフィルムをエッチングした。図３ａに示したパターンにおいては、電流をサンプル内に通すことが可能で且つパターンのブリッジと呼ばれる中央部材の端末のところで電圧Ｖ１，Ｖ２を測定することの可能な金属化されたコンタクトＩ１，Ｉ２を認識することができる。限定されるものではないけれども、ブリッジの寸法は１０μｍ×２０μｍである。
【００３２】
本発明による超伝導誘導素子のサンプルを特徴付けるために用いられる図４に示した測定装置は、電流を発生させる低周波発生器ＧＢＦを含んでいて、発生させられた電流は、コンタクトＩ１，Ｉ２を介してレジスタＲとサンプルＥｃｈを通じる時間Ｉ（ｔ）に亘って変化する。レジスタＲのプロットを横切る電位差は、差動増幅器ＡＩによって増幅され、オシロスコープＯｓｃの入力ＹＩに付加される。サンプルを通る電流の強さＩ（ｔ）を知ることは可能である。サンプルのプロットを横切る電位差は、Ｖ１，Ｖ２において捕らえられ、増幅器Ａｖによって増幅されてオシロスコープの入力Ｙｖに付加される。
【００３３】
図５は、サンプルが３７ｋの温度にある時に、ＹＩ，Ｙｖに収集される信号を示している。この実施形態においては、サンプルを液状ヘリウム低温保持装置中に置いたが、調査するサンプルの臨界温度以下の温度を確保することの可能な何らかの方法であればよい。
【００３４】
低周波発生器は、１０００Ｈｚの周波数で鋸波電流を供給する。その電流の値Ｉ（ｔ）を曲線で示した。Ｖ１とＶ２との間のＶ（ｔ）の電位差が正方形の波形を呈し、その波形はＶ（ｔ）が時間に関してＩ（ｔ）の導関数に比例していることを示していることが観察される。この特性は、サンプルが誘導素子として機能していることを示している。図６においては、７００Ｈｚと２ｋＨｚとで測定した信号Ｖ（ｔ）を、双方とも１０μＡに等しいピーク電流値について示した。同図において、実線は周波数Ｆ＝７００Ｈｚでの電流に関して測定された電圧に対応し、破線は周波数Ｆ＝２０００Ｈｚでの電流に関して測定された電圧に対応する。
【００３５】
得られた信号の振幅率が付加された周波数率内にあることが観察され、それは誘導素子の特徴的なことである。
【００３６】
図６に示された結果から、本発明により製造された素子のインダクタンスが５３５μＨ±１０μＨに等しいことが推論される。テストされた素子の全てがそのような高いインダクタンスを有しているわけではないが、本明細書中で記述した素子と同一の形態の素子において、共通して数十μＨの階数の値（ｖａｌｕｅｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｏｒｄｅｒ  ｏｆ  ａ  ｆｅｗ  ｔｅｎｓ  ｏｆ  μＨ）が得られた。
【００３７】
本発明による方法によって得られた超伝導誘導素子は、電子又は電気技術分野，アンテナ及び特に医療画像用又はレーダー及び防衛電子用の高周波受動素子の分野において応用することができる。
【００３８】
その応用の第一の例においては、超伝導誘導素子がアンテナシステムにおいて用いられる。こうして、多くの場合には、例えば、医療用表面磁気共鳴画像法（ＭＲＩ）においては、同調アンテナが用いられる。アンテナの能力に関連する重要なパラメータは、それのインダクタンスに比例した品質因子である。超伝導アンテナは、オーム抵抗が非常に低いので、この因子を高めることができる。アンテナ回路中に茲で述べたようなタイプのデバイスを含めることによって、品質因子を新たに高めさせることが考えられる。
【００３９】
特に好ましい場合は、アンテナ自体を薄い超伝導フィルムから製造することである。
【００４０】
本発明による別の応用例においては、超伝導誘導素子が遅延線において用いられている。遅延線は、エレクトロニクスの全ての分野において一般に用いられている。遅延線の最も簡単な形態は図７に示されている。
【００４１】
回路中にインダクタンスＬとコンデンサ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｌが存在することによって、電圧Ｖと電流Ｉとの間に位相差が齎される。使用の例は、固定アンテナシステムで周囲のスペースを探査することの可能な移相レーダーの一例である。そのようなシステムの原理を示した図を図８に示した。このデバイスにおいては、電流Ｉを伝える主ラインが様々なアンテナと接続されている。各アンテナは、その回路中に遅延線を含んでいる。その結果、各アンテナは、隣接するアンテナの送信する信号の相に対してずれた相の信号を送信する。送信される放射の方向は、この位相ずれを変更させることによって変えられる。防衛エレクトロニクスにおいては、電子回路中に超伝導素子を導入することについて、特にレーダー、より一般的には計数手段に関して、長い間研究が進められている。小型の高インダクタンス素子の存在及び回路の残りの部分に用いられる工程に類似した工程を用いるその高インダクタンス素子の製造方法については、この分野においては重要な技術革新である。
【００４２】
高機能で簡単に集積させられるそのような誘導素子は、エレクトロニクスの最も一般的な応用、特に、例えば、広域，低域又は帯域の如き全てのタイプのフィルタ機能を発揮させるために一般的な態様で用いることも可能である。高集積及び（又は）小型フィルタを製造することが可能である。
【００４３】
本発明による素子を用いた場合には、小さい寸法の回路中に高い値のインダクタンスを一体化させることを事実上可能にする。
【００４４】
広域フィルタ及び低域フィルタに関して図９及び図１０に示されているように、出力電圧Ｖｏｕｔを得るために、インダクタンスＬを用いることによって入力電圧Ｖｉｎをフィルタすることができる。この例に示されているように、本発明による誘導素子を用いることにより、集積回路において、コンデンサとインダクタンスだけを有するフィルタを製造することが可能となり、そのフィルタはコンデンサとレジスタにて構成されたフィルタと比較して低散逸のものである。
【００４５】
本発明は、上述した実施形態に勿論限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない程度に、これら実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。それ故、絶縁フィルムと超伝導フィルムの各数は、上述した実施形態のものの数に限定されるものではない。また、超伝導誘導素子の寸法及びその面積は、その素子の応用分野に応じて変更することができる。更に、超伝導フィルム及び絶縁フィルムは、夫々、それらを構成している材料がそれらフィルムの応用において要求される物理的条件を満足させるものであることを条件に、上述した実施形態において提案された合成物以外の合成物から作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】基板上に蒸着された層Ｃ１，Ｃ２から成るスタックＥを示した図である。
【図２ａ】交互に配置された超伝導フィルムＣ１と絶縁フィルムＣ２とにより構成された誘導素子を含んだ超伝導ラインＬＳの平面図である。
【図２ｂ】交互に配置された超伝導フィルムＣ１と絶縁フィルムＣ２とにより構成された誘導素子Ｅを含んだ超伝導ラインの断面図である。
【図３ａ】テスト用に用いられたパターンを示し且つ電流入力Ｉ１，Ｉ２の位置，ブリッジの端末を横切る電位差を測定するためのコンタクトＶ１，Ｖ２の位置及びブリッジの位置を示した図である。
【図３ｂ】図３ａのテストパターンを製造するのに用いられるフォトリソグラフィック・エッチングマスクを示した図である。
【図４】本発明による超伝導誘導素子を特徴付けるために用いた測定装置のブロック図である。
【図５】サンプルに１０００Ｈｚの周波数で鋸波電流（点線で示した）が流れた時にコンタクトＶ１，Ｖ２の間で測定される電位差（実線で示した）を示した図である。
【図６】Ｉｍａｘ＝１０マイクロアンペアの同じ振幅であるが、異なった周波数の二つの鋸波電流がサンプルに流れた時にコンタクトＶ１，Ｖ２の間で測定される電位差を比較するための図である。
【図７】本発明による超伝導誘導素子を用いた遅延ラインを示した図である。
【図８】移相アンテナの原理を示した図である。
【図９】広域フィルタの原理を示した図である。
【図１０】低域フィルタの原理を示した図である。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007503107.tif 000010
【図７】
2007503107.tif 000011
【図８】
2007503107.tif 000012
【図９】
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【図１０】
2007503107.tif 000014
【国際調査報告】
2007503107.tif 000015
2007503107.tif 000016
2007503107.tif 000017
2007503107.tif 000018
2007503107.tif 000019
2007503107.tif 000020