【手続補正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層対向表面を有するヘッド・キャリアと、
前記記録層対向表面に先端を有する前記ヘッド・キャリア上の書き込み磁極層と、
前記書き込み磁極層にほぼ平行な方向に向けられている前記ヘッド・キャリア上の近接場変換器（ＮＦＴ）層であって、前記ＮＦＴ層は前記記録層対向表面に出力端を有する、ＮＦＴ層と、
前記ＮＦＴ層にほぼ平行な方向に向けられている前記ヘッド・キャリア上に配置され、レーザー光を前記ＮＦＴ層に導く光導波路層であって、前記ＮＦＴ層は前記光導波路層と前記書き込み磁極層との間に配置される、光導波路層と、
前記光導波路層にほぼ平行な方向に向けられている反射層であって、前記光導波路層は前記反射層と前記ＮＦＴ層との間に配置される、反射層と、
前記光導波路層と前記反射層との間および前記光導波路層と前記ＮＦＴ層との間の電気的絶縁材料と、
を有し、
前記記録層対向表面に垂直な方向の前記ＮＦＴ層の高さがＨｎｆｔであり、かつ、前記反射層の高さＨｒｌが０．２Ｈｎｆｔ〜１．２Ｈｎｆｔである、磁気記録層書き込み用熱アシスト記録（ＴＡＲ）ヘッド。
【請求項２】
前記反射層と前記ＮＦＴ層との間の前記光導波路層に垂直な方向の距離Ｄが０．８Ｎ＊λ／（２ｎ）〜１．２Ｎ＊λ／（２ｎ）であり、Ｎは整数、λは前記レーザー光の波長、ｎは前記導波路および前記絶縁材料の屈折率の平均である、請求項１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項３】
前記光導波路層が、前記記録層対向表面に平行な平面において厚さＴｗｇおよびＴｗｇに垂直な幅Ｗｗｇを有し、Ｗｗｇに平行な前記反射層の幅Ｗｒｌが０．２Ｗｗｇより大きい、請求項１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項４】
Ｗｒｌが１．４Ｗｗｇより大きい、請求項３に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項５】
前記反射層にほぼ平行な方向に向けられている帰還磁極層をさらに含み、前記反射層が前記帰還磁極層上に支持される、請求項１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項６】
前記反射層がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの１つ以上を含む金属または金属合金から形成される、請求項１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項７】
前記ＮＦＴ層の出力端がほぼ三角形状であり、前記出力端が前記書き込み磁極層に対向する頂点を有する、請求項１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項８】
前記ヘッド・キャリア上に磁気抵抗読み取りヘッドをさらに含む、請求項１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項９】
磁気記録ディスク上の磁気記録層書き込み用熱アシスト記録（ＴＡＲ）ヘッドであって、
前記ディスク上の前記磁気記録層に対向する空気浮上表面（ＡＢＳ）を有する空気浮上スライダであって、前記ＡＢＳは、トラックに沿った軸および前記トラックに沿った軸に垂直なトラック横断軸を有する、空気浮上スライダと、
前記スライダ上に配置され、前記トラックに沿った軸上の前記ＡＢＳに先端を有する書き込み磁極と、
前記スライダ上に配置され、前記トラックに沿った軸方向の厚さおよび前記トラックに沿った軸にほぼ垂直な方向に向けられている表面を有する光導波路であって、前記ＡＢＳ近傍の端部にトラック横断軸方向の厚さＷｗｇを有する光導波路と、
前記書き込み磁極と前記光導波路との間の前記スライダ上の近接場変換器（ＮＦＴ）であって、前記ＮＦＴは、前記光導波路の前記表面に平行であり、かつ、前記光導波路の前記表面から離隔されている表面と、前記トラックに沿った軸方向の厚さと、前記ＡＢＳでの出力端を有し、前記出力端は、前記書き込み磁極先端と前記光導波路端との間の前記トラックに沿った軸上に配置される、近接場変換器（ＮＦＴ）と、
前記光導波路の前記表面にほぼ平行な方向に向けられる反射層であって、前記光導波路は、前記反射層と前記ＮＦＴとの間に配置される、反射層と、
前記光導波路と前記反射層との間および前記光導波路の前記表面と前記ＮＦＴとの間の電気的絶縁材料と、を有し、
前記反射層と前記ＮＦＴの厚さの中心との間のトラックに沿った軸方向の距離Ｄは、０．８Ｎ＊λ／（２ｎ）〜１．２Ｎ＊λ／（２ｎ）であり、ここでＮは整数、λはレーザー光の波長、ｎは前記光導波路および前記絶縁材料の屈折率の平均である、
熱アシスト記録（ＴＡＲ）ヘッド。
【請求項１０】
前記ＡＢＳに垂直な方向の前記ＮＦＴ層の高さがＨｎｆｔであり、かつ、前記ＡＢＳに垂直な方向の前記反射層の高さＨｒｌが０．２Ｈｎｆｔ〜１．２Ｈｎｆｔである、請求項９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１１】
Ｗｗｇに平行な前記反射層の幅Ｗｒｌが０．２Ｗｗｇより大きい、請求項９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１２】
Ｗｒｌが１．４Ｗｗｇより大きい、請求項１１に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１３】
前記反射層にほぼ平行な方向に向けられている帰還磁極層をさらに含み、前記反射層は前記帰還磁極層上に支持される、請求項９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１４】
前記反射層がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの１つ以上を含む金属または金属合金から形成されることを含む請求項９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１５】
前記ＮＦＴ層出力端がほぼ三角形状であり、前記書き込み磁極先端に対向する頂点を有する、請求項９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１６】
Ｎ＝２である、請求項９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項１７】
請求項９に記載のＴＡＲヘッドと、
光を前記光導波路層に差し向けるレーザーと、
磁気記録層を有する磁気記録ディスクと、
を有する熱アシスト記録（ＴＡＲ）ディスク・ドライブ。
【請求項１８】
前記磁気記録層が磁性材料の離散的アイランドを含むほぼ同心円状トラックにパターン化される、請求項１７に記載のＴＡＲディスク・ドライブ。
【請求項１９】
記録層対向表面を有するヘッド・キャリアと、
前記記録層対向表面に先端を有する前記ヘッド・キャリア上の書き込み磁極層と、
前記書き込み磁極層にほぼ平行な方向に向けられている前記ヘッド・キャリア上の近接場変換器（ＮＦＴ）層であって、前記ＮＦＴ層は前記記録層対向表面に出力端を有する、ＮＦＴ層と、
前記ＮＦＴ層にほぼ平行な方向に向けられている前記ヘッド・キャリア上に配置され、レーザー光を前記ＮＦＴ層に導く光導波路層であって、前記ＮＦＴ層は前記光導波路層と前記書き込み磁極層との間に配置される、光導波路層と、
前記光導波路層にほぼ平行な方向に向けられている反射層であって、前記光導波路層は前記反射層と前記ＮＦＴ層との間に配置される、反射層と、
前記光導波路層と前記反射層との間および前記光導波路層と前記ＮＦＴ層との間の電気的絶縁材料と、
を有し、
前記光導波路層が、前記記録層対向表面に平行な平面において厚さＴｗｇおよびＴｗｇに垂直な幅Ｗｗｇを有し、Ｗｗｇに平行な前記反射層の幅Ｗｒｌが０．２Ｗｗｇより大きい、磁気記録層書き込み用熱アシスト記録（ＴＡＲ）ヘッド。
【請求項２０】
Ｗｒｌが１．４Ｗｗｇより大きい、請求項１９に記載のＴＡＲヘッド。
【請求項２１】
記録層対向表面を有するヘッド・キャリアと、
前記記録層対向表面に先端を有する前記ヘッド・キャリア上の書き込み磁極層と、
前記書き込み磁極層にほぼ平行な方向に向けられている前記ヘッド・キャリア上の近接場変換器（ＮＦＴ）層であって、前記ＮＦＴ層は前記記録層対向表面に出力端を有する、ＮＦＴ層と、
前記ＮＦＴ層にほぼ平行な方向に向けられている前記ヘッド・キャリア上に配置され、レーザー光を前記ＮＦＴ層に導く光導波路層であって、前記ＮＦＴ層は前記光導波路層と前記書き込み磁極層との間に配置される、光導波路層と、
前記光導波路層にほぼ平行な方向に向けられている反射層であって、前記光導波路層は前記反射層と前記ＮＦＴ層との間に配置される、反射層と、
前記反射層にほぼ平行な方向に向けられている帰還磁極層であって、前記反射層が当該帰還磁極層上に支持される、帰還磁極層と、
前記光導波路層と前記反射層との間および前記光導波路層と前記ＮＦＴ層との間の電気的絶縁材料と、
を有する、磁気記録層書き込み用熱アシスト記録（ＴＡＲ）ヘッド。