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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視聴覚コンテンツを表すデータの受信機についての遠隔制御装置であって、前記データの受信機は対象の支払に関する情報と該対象を表すデータとを受信し、当該遠隔制御装置は視聴覚コンテンツを表す処理データのために前記データの受信機を設定する手段を有し、当該遠隔制御装置は、
前記視聴覚コンテンツで提示される前記対象の支払取引を開始するユーザインターフェースと、
前記対象の支払に関する情報を前記データの受信機から受信する第１の無線通信インターフェースと、
前記支払の情報を遠隔支払装置に送信する第２の無線通信インターフェースと
を有する遠隔制御装置。
【請求項２】
前記第２の無線通信インターフェースは無線周波数識別法を使用する、請求項１に記載の遠隔制御装置。
【請求項３】
前記第２の無線通信インターフェースは２つの装置の間で近距離通信を行うように形成されている、請求項１又は２に記載の遠隔制御装置。
【請求項４】
前記第２の無線通信インターフェースは近距離通信のNFC標準規格に準拠している、請求項１−３の何れか１項に記載の遠隔制御装置。
【請求項５】
電子支払端末モジュールを有する請求項１−４の何れか１項に記載の遠隔制御装置。
【請求項６】
前記第１の無線通信インターフェース及び前記第２の無線通信インターフェースにより送信されたデータを保護する手段を有する請求項１−５の何れか１項に記載の遠隔制御装置。
【請求項７】
対象の支払情報を送信する方法であって、データ受信装置により受信される前記対象のデータは視聴覚コンテンツを表し、前記対象を示す情報は前記支払情報を含み、前記データ受信装置は遠隔制御装置により制御され、前記遠隔制御装置において当該方法は、
支払を開始するステップと、
前記データ受信装置から前記支払情報を受信するステップと、
前記支払情報を遠隔支払装置に送信するステップと
を有する方法。
【請求項８】
前記支払情報を遠隔支払装置に送信する前記ステップが、前記遠隔制御装置と前記遠隔支払装置とを照合するステップを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記遠隔支払装置が通信装置内に含まれている、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記通信装置がスマートフォンモジュールを有する、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
本発明は、上述した実施の形態に限定されず、支払装置及び制御装置の間で支払取引に関する仲介要素として動作するのに適した装置の任意の遠隔制御装置に適用可能であり、制御装置は対象の販売をユーザに提案することが可能である。
上記の実施形態に対する付記を以下に例示的に示す。
（付記１）
視聴覚コンテンツを表すデータの受信機に対する遠隔制御装置であって、前記データの受信機は対象の支払に関する情報と該対象を表すデータとを受信し、当該遠隔制御装置は視聴覚コンテンツを表す処理データのために前記データの受信機を設定する手段を有し、当該遠隔制御装置は、
前記視聴覚コンテンツで提示される前記対象の支払取引を開始するユーザインターフェースと、
前記対象の支払に関する情報を前記データの受信機から受信する第１の無線通信インターフェースと、
前記支払に関する情報を遠隔支払装置に送信する第２の無線通信インターフェースと
を有する遠隔制御装置。
（付記２）
前記第２の無線通信インターフェースは無線周波数識別法を使用する、付記１に記載の遠隔制御装置。
（付記３）
前記第２の無線通信インターフェースは２つの装置の間で近距離通信を行うように形成されている、付記１又は２に記載の遠隔制御装置。
（付記４）
前記第２の無線通信インターフェースは近距離通信のNFC標準規格に準拠している、付記１−３の何れか１項に記載の遠隔制御装置。
（付記５）
電子支払端末モジュールを有する付記１−４の何れか１項に記載の遠隔制御装置。
（付記６）
前記第１の無線通信インターフェース及び前記第２の無線通信インターフェースにより送信されたデータの安全性を確保する手段を有する付記１−５の何れか１項に記載の遠隔制御装置。
（付記７）
対象の支払情報を送信する通信方法であって、データ受信装置により受信される前記対象のデータは視聴覚コンテンツを表し、前記対象を示す情報は前記支払情報を含み、前記データ受信装置は遠隔制御装置により制御され、前記遠隔制御装置が実行する当該通信方法は、
支払を開始するステップと、
前記データ受信装置から前記支払情報を受信するステップと、
前記支払情報を遠隔支払装置に送信するステップと
を有する通信方法。
（付記８）
前記支払情報を遠隔支払装置に送信する前記ステップにおいて、前記遠隔制御装置と前記遠隔支払装置とを照合する、付記７に記載の通信方法。
（付記９）
前記遠隔支払装置が通信装置内に含まれている、付記７又は８に記載の通信方法。
（付記１０）
前記通信装置がスマートフォンモジュールをなす、付記７−９の何れか１項に記載の通信方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月19日(2016.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の液滴の相違を最小限にすることによって、対象物上の１つ又は２つ以上の位置に正確に同量の特定の物質を付着させる方法であって、
前記対象物とインクジェット印刷装置との間に相対運動が達成可能になるように、ノズルを備える１つ又は２つ以上のチャネルを有する前記インクジェット印刷装置に近接して前記対象物を位置決めする工程と、
前記１つ又は２つ以上のチャネル内に、事前に選択された周波数の第１の音波を確立し、前記ノズルから放出可能な特定の物質の液滴を作製するのに必要とされる閾値より低い第１の振幅を有する工程によって、前記１つ又は２つ以上のチャネル内に安定した音波環境を作製する工程と、
前記１つ又は２つ以上のチャネル内に、前記事前に選択された周波数の第２の音波を、前記第１の音波に対して追加の関係で確立し、前記対象物上へ付着される、前記ノズルから放出可能な特定の物質の液滴を作製するのに必要とされる前記閾値を越える第２の振幅を有する音波を結果として生成する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記第１の音波を確立する工程が、前記チャネルにおいて液滴を作製するのに必要とされるのよりも小さい電圧振幅を有する駆動波形を生成する工程を含む、請求項１に記載の、対象物上の１つ又は２つ以上の位置に正確に同量の特定の物質を付着させる方法。
【請求項３】
前記第２の音波を確立する工程が、前記チャネルにおいて液滴を作製するのに必要とされるのと同じか若しくはそれを超える電圧振幅を有する駆動波形を生成する工程を含む、請求項１に記載の、対象物上の１つ又は２つ以上の位置に正確に同量の特定の物質を付着させる方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３５】
電気パルスを、インクジェットの圧電素子に導入することは、チャネル内の流体を摂動させ、結果として、チャネルの各端部での反射によって前後に反響する、流体内の音波を生じる。これらの波は最終的には弱まるが、既存の反射波が十分に弱まる前に、第２の電気パルスが導入された場合、反射した波及び新しく導入された波の効果は付加的である。チャネル内の音波の付加的な影響のために、これらの状況下では、第２の電気パルスの影響は、第１の電気パルスの影響と同じではない。また、それぞれの後の電気パルスが、前のパルスと同じ最大音波振幅を生じるまで、更なる電気パルスの影響は、前の電気パルスとは同じではない。インクジェットから出射された液滴の粒径及び速度は、インクジェットの出射オリフィスに到達する音波の振幅に一致するので、バースト中の後続の液滴の粒径及び速度は、音波の振幅が安定するまで、変更すると予想され得る。適切な設計の準備パルスの使用により、液滴出射に必要とされる閾値直下の、安定した音波振幅を作製することができる。より大きな振幅の電気インパルスへの、後の変化は、液滴出射のために十分な振幅を有する音波を結果として生じる一方で、チャネル内の既存の音波環境の摂動を最小限にする。これにより、一連の出射された液滴が生じるので、第１の液滴の速度又は質量は後の液滴の速度又は質量と最小限に異なる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月27日(2016.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記平坦部及び前記面取部の間のなす角度θが、３〜１５°である請求項１〜４のいずれか一項に記載の生トチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
［５］前記平坦部及び前記面取部の間のなす角度θが、３〜１５°である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の生トチ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、面積比率Ｒが規定範囲の上限値（＝８５％）であり、かつ角度θも規定範囲の上限値（＝５０°）または上限値の近傍（＝４５°）である場合（比較例３，４）及び面積比率Ｒが規定範囲の下限値（＝１０％）の場合（比較例５）には、ハニカム構造体底面の真円度及び焼成前後のハニカム構造体底面の真円度の差において“Ｃ”の評価が示された。特に、比較例５においては、支持面積が小さいため、凹みの評価が僅かに低下した。更に、面積比率Ｒが規定範囲の下限値を下回る場合（比較例６）、特に凹みが大きくなることが示された。一方、従来のプレストチの場合（比較例８）、特にセル隔壁の変形が顕著に確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
宛先を設定する設定キーと、
前記設定キーによって設定された前記宛先に画像データを送信する送信手段と、
予め登録されたパス情報に基づいて前記宛先を決定する第１の方法と、予め登録されたパス情報にユーザ名を追加したものに基づいて前記宛先を決定する第２の方法を少なくとも含む複数の方法の中から、前記設定キーによって設定される前記宛先を決定するための方法を指定する指定手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の方法は、前記予め登録されたパス情報にユーザ名を追加することなく前記予め登録されたパス情報に基づいて前記宛先を決定する方法であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
認証情報を受け付ける受付手段と、
前記受付手段によって受け付けた前記認証情報に基づいてユーザを認証するための処理を実行する処理手段とを更に有し、
前記ユーザ名は、前記ユーザのユーザ名であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ユーザ名は、前記認証情報に含まれることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記設定キーを表示する表示手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記指定手段によって指定された方法に従って宛先を設定できる場合に前記設定キーを表示し、前記指定手段によって指定された方法に従って宛先を指定できない場合に前記設定キーを表示しないよう前記表示手段を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記設定キーによって設定される宛先は、さらにホスト名を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
原稿の画像を読み取って画像データを生成する読取手段を更に備え、
前記送信手段は、前記読取手段によって生成された画像データを送信することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の画像処理システム。
【請求項９】
宛先を設定する設定キーと、
前記設定キーによって設定された前記宛先に画像データを送信する送信工程と、
予め登録されたパス情報に基づいて前記宛先を決定する第１の方法と、予め登録されたパス情報にユーザ名を追加したものに基づいて前記宛先を決定する第２の方法を少なくとも含む複数の方法の中から、前記設定キーによって設定される前記宛先を決定するための方法を指定する指定工程と、
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理装置の制御方法、及び制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像データを送信する画像処理装置、画像処理装置の制御方法、及び制御プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであり、予め登録されたパス情報に基づいて宛先を決定する第１の方法と、予め登録されたパス情報にユーザ名を追加したものに基づいて宛先を決定する第２の方法を少なくとも含む複数の方法の中から、設定キーによって設定される宛先を決定するための方法を指定できるようにすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明の画像処理装置は、宛先を設定する設定キーと、前記設定キーによって設定された前記宛先に画像データを送信する送信手段と、予め登録されたパス情報に基づいて前記宛先を決定する第１の方法と、予め登録されたパス情報にユーザ名を追加したものに基づいて前記宛先を決定する第２の方法を少なくとも含む複数の方法の中から、前記設定キーによって設定される前記宛先を決定するための方法を指定する指定手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、予め登録されたパス情報に基づいて宛先を決定する第１の方法と、予め登録されたパス情報にユーザ名を追加したものに基づいて宛先を決定する第２の方法を少なくとも含む複数の方法の中から、設定キーによって設定される宛先を決定するための方法を指定できるようにすることが可能となる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信網においてあらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信するステップと、
前記あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信のためのダイナミックリソース割り当てと別の送信のための半永久リソース割り当てとが衝突する危険の有無を判別するステップと、
衝突の危険が判別された場合に前記再送要求を無視するステップと、
を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記通信網での負荷は再送信がスケジューリング不能となる程度に高い、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
通信網においてあらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信する受信ユニットと、
前記あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信のためのダイナミックリソース割り当てと別の送信のための半永久リソース割り当てとが衝突する危険の有無を判別する判別ユニットと、
衝突の危険が判別された場合に前記再送要求を無視する無視ユニットと、
を有する、
ことを特徴とする装置。
【請求項４】
前記通信網での負荷は再送信がスケジューリング不能となる程度に高い、
請求項３記載の装置。
【請求項５】
当該の装置は３ＧＰＰのエンハンストノードＢである、
請求項３記載の装置。
【請求項６】
コンピュータで読み出し可能な記録媒体に記憶されており、
通信網においてあらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信するステップと、
前記あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信のためのダイナミックリソース割り当てと別の送信のための半永久リソース割り当てとが衝突する危険の有無を判別するステップと、
衝突の危険が判別された場合に前記再送要求を無視するステップと、
をプロセッサに実行させる、
ことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項７】
前記通信網での負荷は再送信がスケジューリング不能となる程度に高い、
請求項６記載のコンピュータプログラム。
【請求項８】
通信網においてあらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信する受信手段と、
前記あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信のためのダイナミックリソース割り当てと別の送信のための半永久リソース割り当てとが衝突する危険の有無を判別する判別手段と、
衝突の危険があった場合に前記再送要求を無視する無視手段と、
を有する、
ことを特徴とする装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の第１の方法は、通信網においてあらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信するステップ、前記あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信と別の送信とが衝突する危険の有無を判別するステップ、および、衝突の危険が判別された場合に前記再送要求を無視するステップを有する。有利な実施形態では、前記通信網での負荷は再送信がスケジューリング不能となる程度に高い。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の第１の装置は、通信網においてあらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信する受信ユニットと、前記あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信と別の送信とが衝突する危険の有無を判別する判別ユニットと、衝突の危険が判別された場合に前記再送要求を無視する無視ユニットとを有する。有利な実施形態では、前記通信網での負荷は再送信がスケジューリング不能となる程度に高い。別の有利な実施形態では、本発明の装置は３ＧＰＰのエンハンストノードＢである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
受信ユニット１１０は通信網の所定の送信時間においてユーザ装置からの再送要求を受信するように構成されている。判別ユニット１２０は所定の時間内で再送信と別の送信とが衝突する危険の有無を判別するように構成されている。無視ユニット１３０は判別ユニット１２０が衝突の危険の存在を判別した場合に再送要求を無視するように構成されている。通信網での負荷はノード１００が再送信をスケジューリングできなくなる程度に高い。ノード１００は３ＧＰＰのｅＮＢ（エンハンストノードＢ）である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図２には通信網においてダイナミック割り当てと半永久的割り当てとのダウンリンク衝突を回避する本発明の方法の第１の実施例のフローチャートが示されている。図１のノード１００で実行される本発明の方法の第１の実施例が図２に示されている。第１の実施例では、本発明の方法は、通信網であらかじめ定められた送信時間にわたってユーザ装置からの再送要求を受信するステップ２００、あらかじめ定められた送信時間のあいだに再送信と別の送信とが衝突する危険の有無を判別するステップ２１０、および、衝突の危険があった場合に再送要求を無視するステップ２２０を有する。ここで、通信網での負荷は再送信がスケジューリング不能となる程度に高い。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
図３には通信網においてダイナミック割り当てと半永久的割り当てとのアップリンク衝突を回避する本発明のノード３００のブロック図が示されている。ノード３００は識別ユニット３１０，判別ユニット３２０，送信ユニット３３０，プロセッサ３４０およびメモリ３５０を含む。識別ユニット３１０はユーザ装置からの送信が不成功に終わったことを識別するように構成されている。判別ユニット３２０は所定の送信時間内で再送信があらかじめ定められたリソースに衝突する危険の有無を判別するように構成されている。送信ユニット３３０は、判別ユニット３２０が再送信とあらかじめ定められたリソースとの衝突を判別した場合にユーザ装置に対して再送要求でなく肯定応答を送信できるように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
第１の無線通信方式により通信を行う第１の通信手段と、
前記第１の無線通信方式より通信可能な範囲が広い第２の無線通信方式により通信を行う第２の通信手段と、
前記第２の通信手段による他の通信装置との通信に基づいて、前記他の通信装置が第１の無線通信方式において対応している通信モードを判定する判定手段と、
前記判定手段による判定に応じて、前記前記第１の通信手段の通信モードを選択する選択手段と、を有し、
前記選択手段により選択したモードにおいて、前記第１の通信手段により前記他の通信装置と通信することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記判定手段は、自装置の電力を使用して通信するアクティブモード及び自装置の電力を使用しないで通信するパッシブモードのうち前記他の通信装置のモードを判定し、
前記選択手段は、前記他の通信装置が前記パッシブモードであると判定された場合に、前記第１の通信手段のモードを前記アクティブモードに選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記判定手段は、メモリの読み書きを行うリーダー／ライターモード、リーダー／ライターモードの装置からメモリの読み書きを受付けるカードエミュレーションモード及び双方通信を行う端末間通信モードのうち、前記他の通信装置が対応している通信モードを判定し、
前記選択手段は、前記他の通信装置が対応する通信モードに応じた前記第１の通信手段の通信モードを選択することを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１の通信手段は、前記第１の通信手段を利用するアプリケーションの起動に応じて、前記パッシブモードにおいて動作することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第２の通信手段による前記他の通信装置との通信に基づいて、前記他の通信装置が前記第１の無線通信方式による通信を行えるかを判定する第２の判定手段と、
前記第２の判定手段により前記他の通信装置が前記第１の無線通信方式のよる通信を行えないと判定した場合に前記第１の通信手段による動作を停止する停止手段とを有することを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記第２の通信手段による通信に基づいて、複数の他の装置が検出された場合、
前記選択手段は、前記第２の通信方式において複数の他の装置から送信された各々の受信信号の電界強度に応じて特定した他の装置との通信に基づいて、前記第１の通信手段のモードを選択することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記第２の通信手段による通信に基づいて、複数の他の装置が検出された場合、
前記選択手段は、複数の他の装置各々の識別子に応じて特定した他の装置との通信に基づいて、前記第１の通信手段のモードを選択することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記第２の通信手段による通信に基づいて、複数の他の装置が検出された場合、
前記選択手段は、複数の他の装置の少なくとも１台が前記パッシブモードである場合に
前記アクティブモードを選択することを特徴とする請求項２に記載の通信装置
【請求項９】
前記第１の無線通信方式がＮＦＣ（Ｎｅａｒ  Ｆｉｌｅｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）であり、前記第２の無線通信方式がＩＥＥＥ８０２．１１に準拠した無線ＬＡＮ通信方式であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記選択手段は、前記第２の通信手段により受信した前記他の通信装置から送信されたメッセージに含まれるネットワークの識別子に基づいて、前記第１の通信手段のモードを選択することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記判定手段は、ＩＳＯ  １８０９２、ＩＳＯ  １４４４３  ＴｙｐｅＡ／ＴｙｐｅＢ及びＦｅｌｉｃａ規格のうち前記他の通信装置が対応している通信規格を判定し、
前記選択手段は、前記他の通信装置が対応する通信規格に応じた前記第１の通信手段の通信規格を選択することを特徴とする請求項１乃至１０何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記判定手段は、ＴＡＳＰＯ、Ｓｕｉｃａ、ＰＡＳＭＯ、Ｅｄｙ、ＷＡＯＮ及びその他のＩＣカードサービスのうち前記他の通信装置が対応している通信サービスを判定し、
前記選択手段は、前記他の通信装置が対応する通信サービスに応じた前記第１の通信手段の通信サービスを選択することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１３】
第１の無線通信方式により通信を行う第１の通信手段と前記第１の無線通信方式より通信可能な範囲が広い第２の無線通信方式により通信を行う第２の通信手段を有する通信装置の制御方法であって、
前記第２の通信手段による他の通信装置との通信に基づいて、前記他の通信装置が第１の無線通信方式において対応している通信モードを判定する判定工程と、
前記判定工程による判定に応じて、前記前記第１の通信手段の通信モードを選択する選択工程と、
前記選択工程により選択したモードにおいて、前記第１の通信手段が前記他の通信装置と通信する通信工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の制御方法を情報処理装置に実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本願発明の通信装置は、第１の無線通信方式により通信を行う第１の通信手段と、前記第１の無線通信方式より通信可能な範囲が広い第２の無線通信方式により通信を行う第２の通信手段と、前記第２の通信手段による他の通信装置との通信に基づいて、前記他の通信装置が第１の無線通信方式において対応している通信モードを判定する判定手段と、前記判定手段による判定に応じて、前記前記第１の通信手段の通信モードを選択する選択手段と、を有し、前記選択手段により選択したモードにおいて、前記第１の通信手段により前記他の通信装置と通信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月11日(2016.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラマブルロジックエレメントと、
記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、スイッチを有し、
前記記憶素子は、前記スイッチを介して書き込まれるコンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記プログラマブルロジックエレメントと前記記憶素子とに電気的に接続されたノードに、前記コンフィギュレーションデータに応じた電荷が与えられ、
前記ノードは、複数の配線との間にそれぞれ容量が形成される半導体装置。
【請求項２】
複数のプログラマブルロジックエレメントと、
配線エレメントと、
記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、スイッチを有し、
前記記憶素子は、前記スイッチを介して書き込まれるコンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記プログラマブルロジックエレメントと前記記憶素子とに電気的に接続されたノードに、前記コンフィギュレーションデータに応じた電荷が与えられ、
前記ノードは、複数の配線との間にそれぞれ容量が形成され、
前記複数のプログラマブルロジックエレメントは、前記コンフィギュレーションデータに従って定義された論理演算を行う機能を有し、
前記配線エレメントは、前記コンフィギュレーションデータに従って前記複数のプログラマブルロジックエレメント間の電気的な接続状態を制御する機能を有する半導体装置。
【請求項３】
プログラマブルロジックエレメントと、
記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、スイッチを有し、
前記記憶素子は、前記スイッチを介して書き込まれるコンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記プログラマブルロジックエレメントと前記記憶素子とに電気的に接続されたノードに、前記コンフィギュレーションデータに応じた電荷が与えられ、
前記ノードは、複数の配線のそれぞれと重なる領域を有する半導体装置。
【請求項４】
複数のプログラマブルロジックエレメントと、
配線エレメントと、
記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、スイッチを有し、
前記記憶素子は、前記スイッチを介して書き込まれるコンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記プログラマブルロジックエレメントと前記記憶素子とに電気的に接続されたノードに、前記コンフィギュレーションデータに応じた電荷が与えられ、
前記ノードは、複数の配線のそれぞれと重なる領域を有し、
前記複数のプログラマブルロジックエレメントは、前記コンフィギュレーションデータに従って定義された論理演算を行う機能を有し、
前記配線エレメントは、前記コンフィギュレーションデータに従って前記複数のプログラマブルロジックエレメント間の電気的な接続状態を制御する機能を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記プログラマブルロジックエレメントが有するトランジスタの上層に、前記スイッチが有するトランジスタが位置する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に配列された複数の画素を有する撮像装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、
光電変換部と、
前記光電変換部で生じた電荷に対応する信号を読み出す複数のトランジスタと、
前記光電変換部の上に配されたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上に配された複数のマイクロレンズと、を備え、
前記基板の上面に対する平面視において、前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、前記光電変換部よりも面積が小さい、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記平面視において、前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、前記光電変換部よりも幅が小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記平面視において、前記画素の境界部を規定する複数の辺のうち少なくとも１辺に沿って前記複数のマイクロレンズが配されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記平面視において、前記複数のマイクロレンズは、前記光電変換部の外縁に沿って配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記平面視において、前記複数のマイクロレンズのうち少なくとも１つは他のマイクロレンズと幅が異なる、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記複数のマイクロレンズは、円筒面又は球面の形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素は、互いに隣接する第１画素および第２画素を含み、
前記複数のマイクロレンズの少なくとも１つは、前記平面視において、前記第１画素の一部と前記第２画素の一部とを覆うように設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１画素の前記カラーフィルタは、前記第１画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第１部分と、前記第２画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第２部分とを含み、
前記第２画素の前記カラーフィルタは、前記第２画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第３部分と、前記第１画素の前記光電変換部によって光電変換されるべき色の光を透過させる第４部分とを含み、
前記第２部分および前記第４部分のそれぞれは、前記少なくとも１つのマイクロレンズの下に配されている、
ことを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は撮像装置にかかり、前記撮像装置は、基板の上に配列された複数の画素を有する撮像装置であって、前記複数の画素のそれぞれは、光電変換部と、前記光電変換部で生じた電荷に対応する信号を読み出す複数のトランジスタと、前記光電変換部の上に配されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上に配された複数のマイクロレンズと、を備え、前記基板の上面に対する平面視において、前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、前記光電変換部よりも面積が小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層に接して設けられたソース及びドレインと、ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に設けられたゲートと、を有し、前記半導体層が前記ゲートと重畳する領域にチャネル領域が形成されるトランジスタであって、
前記チャネル領域は、ソース側領域、実効チャネル領域、及びドレイン側領域を含み、
前記ドレイン側領域の長さをＬＤ、
前記ドレイン側領域の電圧降下をＶＳＤＤ、
前記ドレイン側領域のエネルギー障壁と、前記ドレイン側領域の電圧降下と素電荷との積、との差をｅｖＤ、
前記ソースと前記ソース側領域との境界でのフェルミポテンシャルをφＦ０、
真性電子密度をｎｉ、
前記実効チャネル領域と前記ドレイン側領域との境界での表面電位をφｓＤ、
前記実効チャネル領域と前記ソース側領域との境界での表面電位をφｓＳ、
前記半導体層のバンドギャップをＥｇ、
前記半導体層の誘電率をε、
前記素電荷をｅ、
ボルツマン定数をｋ、
絶対温度をＴとしたとき、
前記ソース側領域の多数キャリアの密度ｎｓＳが、数式（１）の関係を満たし、
前記ドレイン側領域の多数キャリアの密度ｎｓＤが、数式（２）の関係を満たし、
かつ、前記ドレイン側領域の長さＬＤが、数式（３）で表されることを特徴とするトランジスタ。
【数１】
2013179278.tif 000001
【数２】
2013179278.tif 000002
【数３】
2013179278.tif 000003
【請求項２】
請求項１において、
前記チャネル領域の長さが、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
電子移動度をμ、
ドレイン電圧をＶＳＤ、
前記実効チャネル領域の長さをＬ’としたとき、
表面定常電流密度Ｊｓが、数式（４）で表されることを特徴とするトランジスタ。
【数４】
2013179278.tif 000004
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記半導体層は酸化物半導体であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体膜と該第１の酸化物半導体膜上に積層して設けられたｃ軸配向した結晶部を含む第２の酸化物半導体膜とを有する島状の半導体膜と、
前記島状の半導体膜の側面に接して設けられた、ｃ軸配向した結晶部を含む酸化物膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜及び前記酸化物膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む酸化物で構成され、
前記第２の酸化物半導体膜が有するインジウムの含有量は、前記第１の酸化物半導体膜が有するインジウムの含有量より大きく、
前記第１の酸化物半導体膜が有するインジウムの含有量は、前記酸化物膜が有するインジウムの含有量より大きく、
前記酸化物膜が有するガリウムの含有量は、前記第１の酸化物半導体膜が有するガリウムの含有量より大きく、
前記第１の酸化物半導体膜が有するガリウムの含有量は、前記第２の酸化物半導体膜が有するガリウムの含有量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体膜と該第１の酸化物半導体膜上に積層して設けられたｃ軸配向した結晶部を含む第２の酸化物半導体膜とを有する島状の半導体膜と、
前記島状の半導体膜の側面に接して設けられた、ｃ軸配向した結晶部を含む酸化物膜と、
前記酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜及び前記酸化物膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む酸化物で構成され、
前記第２の酸化物半導体膜が有するインジウムの含有量は、前記第１の酸化物半導体膜が有するインジウムの含有量より大きく、
前記第１の酸化物半導体膜が有するインジウムの含有量は、前記酸化物膜が有するインジウムの含有量より大きく、
前記酸化物膜が有するガリウムの含有量は、前記第１の酸化物半導体膜が有するガリウムの含有量より大きく、
前記第１の酸化物半導体膜が有するガリウムの含有量は、前記第２の酸化物半導体膜が有するガリウムの含有量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記酸化物膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む酸化物で構成された膜上に、無機絶縁膜が積層した構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の原子数比の酸化物を含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２の原子数比の酸化物を含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物膜は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の原子数比の酸化物を含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月23日(2015.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられ、第１の不純物添加領域、前記第１の不純物添加領域を囲むチャネル形成領域、前記チャネル形成領域を囲む第２の不純物添加領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられ、前記第１の不純物領域と電気的に接続された島状のソース電極またはドレイン電極の一方と、
前記チャネル形成領域と重なり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方を囲むゲート電極と、
前記チャネル形成領域と前記ゲート電極間に介在するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う保護絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の側端部を覆い、前記ゲート電極を囲む前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続された第１の接続電極と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と電気的に接続された第２の接続電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１おいて、
容量素子を有し、
前記容量素子は、
下部電極と、
前記下部電極上の電極間絶縁膜と、
前記電極間絶縁膜上の上部電極を備え、
前記下部電極は、前記ソース電極と同一の組成であり、
前記電極間絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と同一の組成であり、
前記上部電極は、前記ゲート電極と同一の組成であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
上面の少なくとも一部が表面に露出したソース電極またはドレイン電極の一方を膜中に有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続された第１の不純物添加領域、前記第１の不純物添加領域を囲むチャネル形成領域および前記チャネル形成領域を囲む第２の不純物添加領域を有する酸化物半導体膜と、
前記チャネル形成領域と重なり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方を囲むゲート電極と、
前記チャネル形成領域と前記ゲート電極間に介在するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う保護絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の側端部を覆い、前記ゲート電極を囲む前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と電気的に接続された接続電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
容量素子を有し、
前記容量素子は、
下部電極と、
前記下部電極上の電極間絶縁膜と、
前記電極間絶縁膜上の上部電極を備え、
前記下部電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と同一の組成であり、
前記電極間絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と同一の組成であり、
前記上部電極は、前記ゲート電極と同一の組成であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、島状のソース電極またはドレイン電極の一方および前記酸化物半導体膜の側端部を覆い、前記酸化物半導体膜を囲む前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を形成し、
前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方より外方かつ前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方より内方の前記絶縁膜上に、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方を囲むゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う保護絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極および前記保護絶縁膜をマスクとして前記酸化物半導体膜に対して不純物添加を行うことにより、前記酸化物半導体膜に、前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域、前記チャネル形成領域より内方の第１の不純物添加領域および前記チャネル形成領域より外方の第２の不純物添加領域を形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続された第１の接続電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と電気的に接続された第２の接続電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記ソース電極またはドレイン電極の一方と同一材料および同一工程にて下部電極を形成し、
前記絶縁膜と同一材料および同一工程にて前記下部電極上に電極間絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極と同一材料および同一工程にて前記電極間絶縁膜上に上部電極を形成することにより容量素子を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
上面の少なくとも一部が表面に露出したソース電極またはドレイン電極の一方を膜中に有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と重なる酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、前記酸化物半導体膜の側端部を覆い、前記酸化物半導体膜を囲む前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ソース電極またはドレイン電極の一方より外方かつ前記ソース電極またはドレイン電極の他方より内方の前記ゲート絶縁膜上に、前記ソース電極またはドレイン電極の一方を囲むゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う保護絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極および前記保護絶縁膜をマスクとして前記酸化物半導体膜に対して不純物添加を行うことにより、前記酸化物半導体膜に、前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域、前記チャネル形成領域より内方の第１の不純物添加領域および前記チャネル形成領域より外方の第２の不純物添加領域を形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と電気的に接続された接続電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記ソース電極またはドレイン電極の他方と同一材料および同一工程にて下部電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜と同一材料および同一工程にて前記下部電極上に電極間絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極と同一材料および同一工程にて前記電極間絶縁膜上に上部電極を形成することにより容量素子を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月23日(2015.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有し、
前記島状の酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上にゲート電極を有し、
平面視において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方が、前記ゲート電極で囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
島状の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有し、
前記島状の酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上にゲート電極を有し、
前記島状の酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重畳する領域にチャネル形成領域を有し、
平面視において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方が、前記チャネル形成領域で囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の配線上に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上に島状の酸化物半導体層を有し、
前記島状の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、前記島状の酸化物半導体層と前記第１の絶縁層に形成された開口を介して前記第１の配線と電気的に接続され、
前記島状の酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上にゲート電極を有し、
平面視において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方が、前記ゲート電極で囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の配線上に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上に島状の酸化物半導体層を有し、
前記島状の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、前記島状の酸化物半導体層と前記第１の絶縁層に形成された開口を介して前記第１の配線と電気的に接続され、
前記島状の酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上にゲート電極を有し、
前記島状の酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重畳する領域にチャネル形成領域を有し、
平面視において、前記ソース電極または前記レイン電極の一方が、前記チャネル形成領域で囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記ゲート電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の少なくとも一方と重畳することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の少なくとも一方が、前記島状の酸化物半導体層の端部を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ゲート電極、前記ソース電極または前記ドレイン電極は、銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層の側面、並びに、前記ゲート電極層の側面及び上面を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極層の側面を覆う第２の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、有し、
前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層の側面、並びに、前記ゲート電極層の側面及び上面を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極層の側面を覆う第２の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であって、結晶成分を含み、
前記酸化物半導体層において、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と接する領域では、前記結晶成分の占める割合が、前記ゲート電極層と重畳する領域よりも低い半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の絶縁層は、アルミニウムの酸化物膜を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜の上面の一部、及び前記ゲート電極層の側面を覆う第１の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜の上面の一部、前記ゲート絶縁膜の側面、及び前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う第２の側壁絶縁層と、
前記第２の側壁絶縁層の側面を覆う第３の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記第１の側壁絶縁層及び前記第３の側壁絶縁層は酸化物絶縁膜であり、
前記第２の側壁絶縁層は、前記第１の側壁絶縁層より酸素透過性の低い金属元素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物絶縁膜上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上面の一部、前記ゲート電極層の側面、及び前記絶縁膜の側面を覆う第１の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜の上面の一部、前記ゲート絶縁膜の側面、及び前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う第２の側壁絶縁層と、
前記第２の側壁絶縁層の側面を覆う第３の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記第１の側壁絶縁層及び前記第３の側壁絶縁層は酸化物絶縁膜であり、
前記第２の側壁絶縁層及び前記絶縁膜は、前記第１の側壁絶縁層より酸素透過性の低い金属元素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に前記ゲート電極層と重畳するドレイン電極層と、
前記酸化物半導体膜の外周端部の一部を覆うソース電極層と、を有し、
前記ドレイン電極層の外周端部は、前記ゲート電極層の外周端部の内側に位置する半導体装置。
【請求項２】
開口部を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に、前記ゲート電極層の内周端部と重畳するドレイン電極層と、
前記酸化物半導体膜の外周端部の一部を覆うソース電極層と、を有し、
前記ドレイン電極層の外周端部は、前記ゲート電極層の外周端部の内側に位置する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ゲート電極層は、第１の導電層、第２の導電層、及び第３の導電層と、を有し、
前記第１の導電層及び前記第３の導電層は、前記第２の導電層の金属の移動を阻害することができる機能を有するバリア層である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、第４の導電層、第５の導電層、及び第６の導電層と、を有し、
前記第４の導電層及び前記第６の導電層は、前記第５の導電層の金属の移動を阻害することができる機能を有するバリア層である、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ゲート電極層の平面形状は、矩形である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ドレイン電極層の平面形状は、矩形である半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、非晶質部および結晶部を有し、
前記結晶部は、ｃ軸が前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルまたは前記酸化物半導体膜の表面の法線ベクトルに平行な方向に揃う半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、少なくともインジウムを含む半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置は、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層上に、酸素過剰の酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上のバリア膜と、
前記バリア膜上の平坦化絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜、前記バリア膜、および前記平坦化絶縁膜が有する開口を介して、前記ドレイン電極層と接する画素電極層と、を有する半導体装置。