【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層表面には粗化処理層を有し、
以下の（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか一つ以上を満たし、
（Ａ）前記極薄銅層の粗化処理層表面を非接触式粗さ計で測定したＲｚが１．６μｍ以下である、
（Ｂ）前記極薄銅層の粗化処理層表面を非接触式粗さ計で測定したＲａが０．３μｍ以下である、
（Ｃ）前記極薄銅層の粗化処理層表面を非接触式粗さ計で測定したＲｔが２．３μｍ以下である、
前記中間層はＮｉを含み、
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のクロムの原子濃度（％）をe(x)とし、亜鉛の原子濃度（％）をf(x)とし、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の合計原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｊ(x)とし、その他の原子濃度（％）をk（x）とすると、
前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［０、１.０］において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が２０.０％以下を満たすキャリア付銅箔。
【請求項２】
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［１．０、４．０］において、
∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が１０．０％以下を満たす請求項１に記載のキャリア付銅箔。
【請求項３】
以下の（Ｄ）〜（Ｇ）を一つ以上満たす請求項１または２のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
（Ｄ）前記極薄銅層表面は、Ｓｓｋが−０．３〜０．３である、
（Ｅ）前記極薄銅層表面は、Ｓｋｕが２．７〜３．３である、
（Ｆ）極薄銅層表面の表面積比が１．０５〜１．５である、
（Ｇ）極薄銅層表面の面積６６５２４μｍ2当たりの体積が３０００００〜５０００００μｍ3である。
【請求項４】
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［０、１.０］において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が１．０％以上２０.０％以下、且つ、区間［１．０、４．０］において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が１．０％以上１０．０％以下を満たす請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項５】
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側のＸＰＳによる表面からの深さ方向分析の区間［０、１.０］において、∫e(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が３．０％以下を満たす請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項６】
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［０、１.０］において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が１１.０％以下を満たす請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項７】
前記極薄銅層に絶縁基板を大気中、圧力：２０ｋｇｆ／ｃｍ2、２２０℃×２時間の条件下で熱圧着させ、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［１．０、４．０］において、
∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が７．０％以下を満たす請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項８】
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のクロムの原子濃度（％）をe(x)とし、亜鉛の原子濃度（％）をf(x)とし、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の合計原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｊ(x)とし、その他の原子濃度（％）をk（x）とすると、
前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［０、１.０］において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が５.０％以下を満たす請求項１〜７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項９】
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のクロムの原子濃度（％）をe(x)とし、亜鉛の原子濃度（％）をf(x)とし、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の合計原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｊ(x)とし、その他の原子濃度（％）をk（x）とすると、
前記極薄銅層の前記中間層側の表面からの深さ方向分析の区間［１．０、４．０］において、∫g(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が１．０％以下又は０．１％以上又は０．１％以上１．０％以下のいずれかを満たす請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項１０】
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、前記極薄銅層の前記中間層側のＸＰＳによる表面からの深さ方向分析の区間［０、１.０］において、∫e(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx )が２．０％以下を満たす請求項１〜９のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項１１】
以下の（Ｈ）〜（Ｑ）のいずれか一つを満たす請求項１〜１０のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
（Ｈ）前記中間層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がこの順で積層されて構成されている、
（Ｉ）前記（Ｈ）を満たし、且つ、前記クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がクロメート処理層を含む、
（Ｊ）前記中間層は、亜鉛を含む、
（Ｋ）前記中間層は、前記キャリア上にニッケル、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金のいずれか１種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか１種の層がこの順で積層されて構成されている、
（Ｌ）前記中間層は、前記キャリア上に、
ニッケル層またはニッケル−亜鉛合金層、及び、亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されている、又は、
ニッケル−亜鉛合金層、及び、純クロメート処理層または亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2、クロムの付着量が５〜１００μｇ／ｄｍ2、亜鉛の付着量が１〜７０μｇ／ｄｍ2である、
（Ｍ）前記中間層は、前記キャリア上にニッケル層、及び、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2である、
（Ｎ）前記中間層は、前記キャリア上に窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層の順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2である、
（Ｏ）前記中間層が有機物を厚みで２５ｎｍ以上８０ｎｍ以下含有する、
（Ｐ）前記（Ｍ）または前記（Ｎ）を満たし、且つ、前記中間層が有機物を厚みで２５ｎｍ以上８０ｎｍ以下含有する、
（Ｑ）前記中間層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層および、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金のいずれか１種以上を含む層の順で積層されて構成されており、
前記中間層におけるニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2であり、モリブデンが含まれる場合にはモリブデンの付着量が１０〜１０００μｇ／ｄｍ2、コバルトが含まれる場合にはコバルトの付着量が１０〜１０００μｇ／ｄｍ2である。
【請求項１２】
以下の（Ｒ）〜（Ｔ）のいずれか一つを満たす請求項１〜１１のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
（Ｒ）前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する、
（Ｓ）前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有し、且つ、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える、
（Ｔ）前記粗化処理層上に樹脂層を備える。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する方法。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法