(57)【要約】プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、又は他のＣ4〜8α−オレフィンと、共重合性コモノマー、特にエチレンとの重合を、（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２の金属錯体オレフィン重合触媒と、（Ｃ）鎖シャトリング剤とを組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物の存在下で行うことによって、化学的性質又は物理的性質が異なる２つ以上のセグメント又はブロックを含有するコポリマー、特にマルチブロックコポリマーが調製される。
2007529615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンと、共重合性コモノマーとの重合を、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物の存在下で行うことによって形成されるコポリマー。
【請求項２】
プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンと、共重合性コモノマーとの重合を、
（Ａ）高コモノマー混入指数を有する第１のオレフィン重合触媒、
（Ｂ）触媒（Ａ）のコモノマー混入指数の９５％未満のコモノマー混入指数を有する第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物の存在下で行うことによって形成されるコポリマー。
【請求項３】
プロピレンを含有するマルチブロックコポリマーを調製する方法であって、プロピレンと、プロピレン以外の１又はそれ以上の付加重合性コモノマーとを、付加重合条件で、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物と接触させるステップを含む方法。
【請求項４】
前記コモノマーがエチレンである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
４−メチル−１−ペンテンを含有するマルチブロックコポリマーを調製する方法であって、４−メチル−１−ペンテンと、４−メチル−１−ペンテン以外の１又はそれ以上の付加重合性コモノマーとを、付加重合条件下で、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物と接触させるステップを含む方法。
【請求項６】
前記コモノマーがエチレンである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
Ｃ2〜20α−オレフィンからなる群より選択される重合した形態の２種類のモノマーを含むマルチブロックコポリマーであって、コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる２つ以上のセグメント又はブロックを含有し、前記ポリマーブロックの少なくとも１つが、重合したプロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンから実質的になる、マルチブロックコポリマー。
【請求項８】
重合した形態の、プロピレン及びエチレン、あるいは４−メチル−１−ペンテン及びエチレンを含むマルチブロックコポリマーであって、コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる２つ以上のセグメント又はブロックを含有するマルチブロックコポリマー。
【請求項９】
重合した形態の、プロピレン及びエチレン、あるいは４−メチル−１−ペンテン及びエチレンから実質的になるマルチブロックコポリマーであって、コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる２つ以上のセグメント又はブロックを含有するマルチブロックコポリマー。
【請求項１０】
コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる４つ以上のセグメント又はブロックを含有する、請求項５から９のいずれか一項に記載のマルチブロックコポリマー。
【請求項１１】
請求項１、２、５から９のいずれか一項に記載のマルチブロックコポリマーの、あるいは請求項３又は４に記載の方法によって製造されたマルチブロックコポリマーの官能化誘導体。
【請求項１２】
請求項１０に記載のマルチブロックコポリマーの官能化誘導体。
【請求項１３】
（１）有機又は無機のポリマー、ならびに（２）本発明の請求項１、２、５から９のいずれか１つに記載のマルチブロックコポリマー、あるいは請求項３又は４に記載の方法によって製造されたマルチブロックコポリマーを含む、均一ポリマー混合物。
【請求項１４】
請求項１、２、５から９のいずれか１つに記載のポリマーの、あるいは請求項３又は４に記載の方法によって製造されたポリマーの架橋誘導体。
【請求項１５】
請求項１０に記載のポリマーの架橋誘導体。
【請求項１６】
請求項１１に記載のポリマーの架橋誘導体。
【請求項１７】
請求項１２に記載のポリマーの架橋誘導体。
【請求項１８】
フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、請求項１、２、５から９のいずれか１つに記載のポリマー、あるいは請求項３又は４に記載の方法によって製造されたポリマー、あるいはそれを含む組成物。
【請求項１９】
フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、請求項１４に記載のポリマー、又はそれを含む組成物。
【請求項２０】
フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、請求項１５に記載のポリマー、又はそれを含む組成物。
【請求項２１】
フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、請求項１６に記載のポリマー、又はそれを含む組成物。
【請求項２２】
フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、請求項１７に記載のポリマー、又はそれを含む組成物。
【請求項２３】
前記シャトリング剤が、各ヒドロカルビル基中に１から１２個の炭素を含有するトリヒドロカルビルアルミニウム化合物又はジヒドロカルビル亜鉛化合物である、請求項１又は２に記載のコポリマー。
【請求項２４】
前記シャトリング剤がトリエチルアルミニウム又はジエチル亜鉛である、請求項２３に記載のコポリマー。
【請求項２５】
触媒（Ａ）が、元素周期表の４〜８族から選択される遷移金属と、１又はそれ以上の非局在化π結合したリガンド又は多価ルイス塩基リガンドとを含む錯体を含む、請求項１又は２に記載のコポリマー。
【請求項２６】
触媒（Ａ）が次式：
【化１】
2007529615.tif 000063
（式中：
Ｔ3は、水素以外に２から２０個の原子の二価の架橋基であり；
Ａｒ2は、各出現時に独立して、水素以外に６から２０個の原子のアリーレン基、あるいはアルキル置換又はアリール置換アリーレン基であり；
Ｍ3は、４族金属であり；
Ｇは、各出現時に独立して、アニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり；
ｇは、このようなＸ基の数を示す１〜５の数であり；
電子供与性相互作用が矢印によって示されている）
に対応する、請求項２５に記載のコポリマー。
【請求項２７】
触媒（Ａ）が次式に対応する、請求項２３に記載のコポリマー：
【化２】
2007529615.tif 000064
（式中、Ｍ3は、Ｈｆ又はＺｒであり；
Ａｒ4は、Ｃ6〜20アリール、又は不活性に置換されたその誘導体であり、特に３，５−ジ（イソプロピル）フェニル、３，５−ジ（イソブチル）フェニル、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル、又はアントラセン−５−イルであり、
Ｔ4は、各出現時に独立して、Ｃ3〜6アルキレン基、Ｃ3〜6シクロアルキレン基、又は不活性に置換されたその誘導体を含み；
Ｒ21は、各出現時に独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、又はトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであって、水素以外に最大５０個の原子であり；
Ｇは、各出現時に独立して、ハロ、あるいは水素以外に最大２０個の原子のヒドロカルビル基又はトリヒドロカルビルシリル基である、あるいは２つのＧ基を合わせたものが、前記ヒドロカルビル基又はトリヒドロカルビルシリル基の二価の誘導体となる）。
【請求項２８】
触媒（Ａ）が次式：
【化３】
2007529615.tif 000065
（式中、Ａｒ4は、３，５−ジ（イソプロピル）フェニル、３，５−ジ（イソブチル）フェニル、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル、又はアントラセン−５−イルであり、
Ｒ21は、水素、ハロ、又はＣ1〜4アルキルであり、特にメチルであり、
Ｔ4は、プロパン−１，３−ジイル、又はブタン−１，４−ジイルであり、
Ｇは、クロロ、メチル、又はベンジルである）
に対応する、請求項２３に記載のコポリマー。
【請求項２９】
触媒（Ｂ）が次式：
【化４】
2007529615.tif 000066
（式中、
Ｍ2は、元素周期表の４〜１０族の金属であり；
Ｔ2は、窒素、酸素、又はリンを含有する基であり；
Ｘ2は、ハロ、ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルオキシであり；
ｔは１又は２であり；
ｘ”は、電荷のバランスのために選択される数であり；
Ｔ2及びＮは架橋性リガンドによって結合している）
に対応する、請求項１又は２に記載のコポリマー。
【請求項３０】
連続方法である、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項３１】
溶液方法である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
プロピレン及びエチレン、あるいは４−メチル−１−ペンテン及びエチレンが重合される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
触媒（Ａ）が次式：
【化５】
2007529615.tif 000067
（式中：
Ｔ3は、水素以外に２から２０個の原子の二価の架橋基であり；
Ａｒ2は、各出現時に独立して、水素以外に６から２０個の原子のアリーレン基、あるいはアルキル置換又はアリール置換アリーレン基であり；
Ｍ3は、４族金属であり；
Ｇは、各出現時に独立して、アニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり；
ｇは、このようなＸ基の数を示す１〜５の数であり；
電子供与性相互作用が矢印によって示されている）
に対応する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
触媒（Ｂ）が次式：
【化６】
2007529615.tif 000068
（式中、
Ｍ2は、元素周期表の４〜１０族の金属であり；
Ｔ2は、窒素、酸素、又はリンを含有する基であり；
Ｘ2は、ハロ、ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルオキシであり；
ｔは１又は２であり；
ｘ”は、電荷のバランスのために選択される数であり；
Ｔ2及びＮは架橋性リガンドによって結合している）
に対応する、請求項３０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（相互参照の言明）
本出願は、２００４年３月１７日に出願された米国特許仮出願第６０／５５３，９０６号明細書の利益を主張する。米国特許実務の目的で、この仮出願の内容は本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜8α−オレフィンと、１又はそれ以上のコモノマーとを重合させて、独特の物理的性質を有するインターポリマー生成物を形成するための組成物、そのようなインターポリマーの調製方法、及び結果として得られるポリマー生成物に関する。別の態様においては、本発明は、複数の物理的性質の独特の組み合わせを必要とする用途におけるこれらのポリマーの使用方法に関する。さらに別の態様においては、本発明は、これらのポリマーから製造された物品に関する。本発明のポリマーは、２つ以上の異なる領域又はセグメント（ブロック）を含み、そのためこれらのポリマーを独特の物理的性質を有する。これらのマルチブロックコポリマー及びそれらを含むポリマーブレンドは、成形品、フィルム、シート、ならびに成形、押出成形、又は他の方法によって形成される物体などの固体物品の製造に使用すると有用であり、接着剤、積層体、ポリマーブレンド、及びその他の最終用途における成分又は材料として有用である。結果として得られる製品は、自動車部品、例えば形材、バンパー、及び装備品；包装材料；電気ケーブル絶縁材、及びその他の用途の製造に使用される。
【背景技術】
【０００３】
ブロックタイプ構造を含むポリマーは、ランダムコポリマー及びブレンドよりも優れた性質を有することが多いことが以前より知られている。例えば、スチレン及びブタジエンのトリブロックコポリマー（ＳＢＳ）ならびにその水素化されたもの（ＳＥＢＳ）は、耐熱性及び弾性の優れた組み合わせを有する。他のブロックコポリマーも当技術分野において周知である。一般に、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）として知られるブロックコポリマーは、「ソフト」ブロックセグメント、すなわちエラストマー性ブロックセグメントが、同じポリマー中の結晶性又はガラス状ブロックのいずれかである「ハード」ブロックセグメントと結合して存在するために望ましい性質を有する。最高で、ハードセグメントの溶融温度又はガラス転移温度までの温度において、そのポリマーはエラストマー性を示す。より高温では、そのポリマーは流動性となり、熱可塑性挙動を示す。ブロックコポリマーを調製するための公知の方法としては、アニオン重合、及び制御されたフリーラジカル重合が挙げられる。残念ながら、これらのブロックコポリマー調製方法は、順次モノマーを転化することが必要であり、バッチ方法が必要であり、このような方法で使用すると有用となりうるモノマーのタイプが比較的限定される。例えば、ＳＢＳタイプのブロックコポリマーを形成するためのスチレン及びブタジエンのアニオン重合においては、各ポリマー鎖に化学量論量の開始剤が必要であり、結果として得られるポリマーは非常に狭い分子量分布Ｍｗ／Ｍｎを有し、好ましくは１．０から１．３を有する。さらにアニオン法及びフリーラジカル法は、比較的遅く、そのためあまり経済的な方法ではない。
【０００４】
ブロックコポリマーが触媒的に生成されること、すなわち、各触媒又は開始剤分子につき２種類以上のポリマー分子が生成される方法においてブロックコポリマーが生成されることが望まれている。さらに、アニオン重合又はフリーラジカル重合における使用には一般に適していない、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜8α−オレフィンと、エチレン及び／又は１又はそれ以上の異なるオレフィンモノマーとのモノマー混合物からブロックコポリマーが生成されることが非常に望まれている。特定のこれらのポリマーにおいては、ポリマーブロックの一部又はすべてが、非晶質ポリマー、例えばプロピレン又は４−メチル−１−ペンテンとコモノマーとのコポリマー、特に、プロピレンとエチレン又は４−メチル−１−ペンテンとエチレンの非晶質ランダムコポリマーを含み、残りのポリマーブロックが、主として、重合した形態のプロピレン又は４−メチル−１−ペンテン、好ましくは高結晶質又は立体特異的な、特にイソタクチックのポリプロピレンホモポリマー又は高結晶質４−メチル−１−ペンテンホモポリマーを含むことが非常に望ましい。最後に、これらの種類のブロックコポリマーの生成に連続方法を使用できることが非常に望ましい。
【０００５】
従来の研究者は、ある種の均一配位重合触媒反応を使用して、重合中の連鎖移動を抑制することによって、例えば、連鎖移動剤の非存在下、ならびにβ−水素化物脱離による連鎖移動又は他の連鎖移動プロセスが実質的に排除されるような十分低温で、重合方法を実施することによって、実質的に「ブロック状」構造を有するポリマーを調製することができると記載している。これらの条件下で、異なるモノマーを逐次添加すると、異なるモノマー含有率の配列又はセグメントを有するポリマーが形成されると言われていた。このような触媒組成物及び方法のいくつかの例が、コーツ(Coates)、ハスタッド(Hustad)、及びライナルツ(Reinartz)によるAngew. Chem. Int. Ed., 41,2236-2257(2002)、及び米国特許出願公開第２００３／０１１４６２３号明細書において評価されている。
【０００６】
残念ながら、このような方法は、逐次モノマーを添加する必要があり、活性触媒中心１つ当たり１つのポリマー鎖しか生成されず、このため触媒の生産性が限定されている。さらに、比較的低いプロセス温度が必要なため、プロセス運転費が増加するので、このような方法は工業的な実施には適していない。さらに、この触媒は、それぞれのポリマータイプの形成に最適化することができず、そのため全体のプロセスでは、最大の効率及び／又は品質を下回るポリマーブロック又はセグメントが生成される。例えば、早期に反応が停止したポリマーがある量で形成されことが一般に不可避であり、劣ったポリマー特性を有するブレンドが形成される。従って、通常の運転条件下で、１．５以上のＭｗ／Ｍｎを有するブロックコポリマーを連続して調製する場合、結果として得られるブロック長の分布が比較的不均一となり、最確分布とはならない。最後に、連続的に調製されるブロックコポリマーは、バッチ方法で調製する必要があり、連続方法で実施される重合反応と比較すると速度が限定され費用が増加する。
【０００７】
これらの理由から、高い触媒効率で作用可能な配位重合触媒を使用する方法において十分に画定されたブロック又はセグメントにおいてオレフィンコポリマーを生成する方法が提供されることが非常に望ましい。さらに、ポリマー内への末端ブロックの挿入又はブロックの配列に対して、プロセス条件を適切に選択することによって影響を与えることが可能な方法、及び結果として得られるブロックコポリマー又はセグメント化コポリマーが提供されることが望ましい。最後に、マルチブロックコポリマーを生成するための連続方法が提供されることが望ましい。
【０００８】
オレフィン重合における連鎖成長を中断するための連鎖移動剤としての特定の金属アルキル化合物、及びその他の化合物、例えば水素の使用は、当技術分野において周知である。さらに、このような化合物、特にアルミニウムアルキル化合物の、オレフィン重合における捕捉剤又は共触媒としての使用が知られている。Macromolecules, 33, 9192-9199(2000)においては、連鎖移動剤としての特定のアルミニウムトリアルキル化合物と、特定の対となるジルコノセン触媒組成物との併用によって、アイソタクチック及びアタクチックの両方の鎖セグメントを有する少量のポリマーフラクションを含有するポリプロピレン混合物を得ている。リュー(Liu)及びリッター(Rytter), Macromolecular Rapid Comm., 22, 952-956(2001)、ならびにＢｒｕａｓｅｔｈ及びリッター(Rytter), Macromolecules, 36, 3026-3034(2003)においては、エチレンと１−ヘキセンとの混合物を、トリメチルアルミニウム連鎖移動剤を含有する類似の触媒組成物によって重合している。後者の参考文献においては、その著者らが従来技術の研究を以下のようにまとめている（一部引用を省略している）：
「既知の重合挙動を示す２種類のメタロセンを混合したものを使用して、ポリマーの微細構造を制御することができる。数件の研究においては、２種類のメタロセンを混合することによってエテンの重合を行っている。単独では異なるＭｗのポリエテンが得られる複数の触媒を組み合わせることによって、より幅広の、場合によりバイモーダルのＭＷＤを有するポリエテンを得ることができることが共通に観察されている。[S]oares及びキム(Kim)(J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem., 38, 1408-1432(2000))は、二重シングルサイト触媒によって生成されるポリマーの、例えばシリカ上に担持されたＥｔ（Ｉｎｄ）2ＺｒＣｌ2／Ｃｐ2ＨｆＣｌ2及びＥｔ（Ｉｎｄ）2ＺｒＣｌ2ＣＧＣ（幾何拘束型触媒(constrained geometry catalyst)）混合物のエテン／１−ヘキセン共重合のＭＷＤバイモーダル性を試験するための基準を発展させた。ハイランド(Heiland)及びカミンスキー(Kaminsky)(Makromol. Chem., 193,601-610(1992))は、Ｅｔ−（Ｉｎｄ）2ＺｒＣｌ2及びハフニウム類似体の混合物を、エテン及び１−ブテンの共重合において研究している。
【０００９】
これらの研究には、停止した鎖が別の部位で再吸着することなどによる、２つの異なる部位の間の相互作用を示す記述は含まれていない。このような報告は刊行されているが、プロペンの重合に関するものである。チェン(Chien)ら(J. Polym. Sci. , Part A: Polym. Chem., 37,2439-2445(1999)、Makromol., 30,3447-3458(1997))は、均一二元ジルコノセン触媒によるプロペン重合を研究している。アイソタクチックポリプロピレン（ｉ−ＰＰ）、アタクチックポリプロピレン（ａ−ＰＰ）、及びステレオブロックフラクション（ｉ−ＰＰ−ｂ−ａ−ＰＰ）のブレンドが、アイソ特異性及び非特異性の前駆体と、共触媒としてのボレート及びＴＩＢＡとを含む二元系を使用して得ている。アイソ特異性及びシンジオ特異性のジルコノセンの二元混合物を使用して、アイソタクチックポリプロピレン（ｉ−ＰＰ）、シンジオタクチックポリプロピレン（ｓ−ＰＰ）、及びステレオブロックフラクション（ｉ−ＰＰ−ｂ−ｓ−ＰＰ）のブレンドを得ている。ステレオブロックフラクションの形成の機構は、２種類の異なる触媒部位の間で成長する鎖の交換を伴うものと報告している。Ｐｒｚｙｂｙｌａ及びフィンク(Fink)(Acta Polym., 50, 77-83(1999))は、同じシリカ上に担持された２つの異なるタイプのメタロセン（アイソ特異性及びシンジオ特異性）をプロペン重合に使用している。この著者らは、特定のタイプのシリカ担体を使用すると、触媒系内で活性種間の連鎖移動が起こり、ステレオブロックＰＰが得られると報告している。リーバー(Lieber)及びＢｒｉｎｔｚｉｎｇｅｒ(Macromol., 3、9192-9199(2000))は、成長するポリマー鎖の一方のタイプのメタロセンから他方への移動が起こる理由のより詳細な説明を提案している。この著者らは、２種類の異なるａｎｓａ−ジルコノセンの触媒混合物によるプロペン重合を研究している。これらの異なる触媒は、アルキルアルミニウム活性化剤を使用した場合のアルキル−ポリメリル（ｐｏｌｙｍｅｒｙｌ）交換に対する傾向に関して個別に研究され、続いて、併用した場合にステレオブロック構造を有するポリマーの生成能力について研究されている。この著者らは、異なる立体選択性を有するジルコノセン触媒の混合物によるステレオブロックポリマーの形成、共触媒のＺｒ触媒中心及びＡｌ中心の間で効率的なポリメリル交換が起こることが条件であると報告している」。
【００１０】
続いて、Ｂｒｕｓａｔｈ及びリッター(Rytter)は、対になったジルコノセン触媒を使用したエチレン／１−ヘキセン混合物の重合の観察について開示しており、メチルアルモキサン共触媒を使用して、二重部位触媒の、重合活性、コモノマーの混入、及びポリマー微細構造に対する影響を報告している。
【００１１】
以上の結果を分析すると、リッター(Rytter)及び共同研究者は、ポリマー鎖の連鎖移動剤から両方の活性触媒部位への再吸着、すなわち、２方向再吸着が可能であった触媒、共触媒、及び第３の成分の組み合わせの使用に失敗していると思われる。トリメチルアルミニウムが存在するために、最小限のコモノマーの混入で、触媒から形成されたポリマーに関して連鎖停止が起こり、その後、より開放された触媒部位とのポリメリル交換の後、引き続き重合が起こっていると思われるが、ポリマーリガンドの逆流の形跡がこの参考文献には見られない。実際、後の報告のリッター(Rytter)ら,Polymer, 45, 7853-7861(2004)において、初期の実験では複数の触媒部位の間で実際に連鎖移動は起こらなかったと報告している。類似の重合が国際公開第９８／３４９７０号パンフレットにおいて報告されている。
【００１２】
米国特許第６，３８０，３４１号明細書及び第６，１６９，１５１号明細書においては、「フラクショナルな」メタロセン触媒、すなわち、異なる重合特性、例えば異なる反応性比を有する２種類の立体異性体の間を比較的容易に転化可能なメタロセンを使用すると、「塊状」構造を有するオレフィンコポリマーが生成されると報告している。不都合なことには、このようなメタロセンのそれぞれの立体異性体は、一般に、ポリマー形成特性には顕著な差がなく、例えば、一定の反応条件下、所与のモノマー混合物から、非常に結晶性の高いブロックコポリマーセグメントと非晶質ブロックコポリマーセグメントとの両方を形成することはできない。さらに、これらの触媒の２種類の「フラクショナルな」形態の相対比を変化させることができないため、「フラクショナルな」触媒を使用して、ポリマーブロックの組成又はそれぞれのブロックの比を変動させることはできない。最後に、オレフィンブロック共重合のための従来技術の方法は、種々のポリマーブロックの順序を容易に制御することができず、特に、マルチブロックコポリマーの末端ブロック又はセグメントの性質の制御が容易でなかった。特定の用途においては、結晶性が高い末端ブロック、官能化されている又は容易に官能化されやすい末端ブロック、あるいはその他の区別可能な性質を有する末端ブロックを有するポリマーが生成されることが望ましい。例えば、末端セグメント又はブロックが結晶性又はガラス質であるポリマーは、改善された耐摩耗性を有すると考えられている。さらに、非晶質特性を有するブロックが、結晶性又はガラス質のブロックの間、内部で連結、又は主として連結しているポリマーは、改善されたエラストマー特性、例えば、改善された収縮力及び回復を、特に高温において有する。
【００１３】
JACS, 2004, 126, 10701-10712において、ギブソン(Gibson)らは、「触媒リビング重合」の分子量分布に対する影響を議論している。この著者らは触媒リビング重合をこのように定義している：
「（中略）アルミニウムへの連鎖移動が単独の移動機構を構成しており、成長するポリマー鎖の、遷移金属とアルミニウム中心との間での交換が非常に高速で可逆的である場合、ポリマー鎖がアルミニウム中心上で成長するように見える。このことは、合理的に、アルミニウム上の触媒連鎖成長反応として説明することができる。（中略）この種の連鎖成長反応の興味深い兆候は、生成物の分子量のポアソン(Poisson)分布であり、β−Ｈ移動が成長を伴う場合に生じるシュルツ−フローリー(Schulz-Flory)分布とは対照的である」。
【００１４】
この著者らは、鉄含有触媒をＺｎＥｔ2、ＺｎＭｅ2、又はＺｎ（ｉ−Ｐｒ）2と併用したエチレンの触媒リビング単独重合の結果を報告している。アルミニウム、ホウ素、スズ、リチウム、マグネシウム、及び鉛のホモレプチックアルキルは、触媒連鎖成長反応を誘導しなかった。共触媒としてＧａＭｅ3を使用すると、狭い分子量分布を有するポリマーが生成した。しかし、時間依存性の生成物分布を解析した後、著者らは、この反応が「単純な触媒連鎖成長反応ではなかった」と結論づけた。この参考文献は、２種類以上の触媒と鎖シャトリング剤(chain shuttling agent)とを併用してマルチブロックコポリマーを生成することは開示していない。１種類の触媒を使用する類似の方法は、米国特許第５，２１０，３３８号明細書、第５，２７６，２２０号明細書、及び第６，４４４，８６７号明細書に記載されている。
【００１５】
初期の研究者は、連続して配列された複数の反応器中で１種類のチーグラー・ナッタ(Ziegler-Natta)型触媒を使用してブロックコポリマーを生成していると主張しており、例えば米国特許第３，９７０，７１９号明細書及び第４，０３９，６３２号明細書を参照されたい。さらに別のチーグラー・ナッタに基づく方法及びポリマーが、米国特許第４，９７１，９３６号明細書、第５，０８９，５７３号明細書、第５，１１８，７６７号明細書、第５，１１８，７６８号明細書、第５，１３４，２０９号明細書、第５，２２９，４７７号明細書、第５，２７０，２７６号明細書、第５，２７０，４１０号明細書、第５，２９４，５８１号明細書、第５，５４３，４５８号明細書、第５，５５０，１９４号明細書、及び第５，６９３，７１３号明細書、ならびに欧州特許第４７０，１７１号明細書、及び欧州特許第５００，５３０号明細書に開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上記研究者らによる進歩にもかかわらず、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜8α−オレフィンを主として含むブロック状コポリマー、特にマルチブロックコポリマー、さらに特に線状マルチブロックコポリマーを、高い収率及び選択性で調製可能な重合方法が当技術分野においてなお必要とされている。さらに、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンと、１又はそれ以上のコモノマー、例えばエチレン及び／又は他の異なるＣ4以上のα−オレフィンとのこのようなマルチブロックコポリマー、特に線状マルチブロックコポリマーを、シャトリング剤を使用することによって調製するための改善された方法が提供されることが提供されることが望ましい。さらに、比較的狭い分子量分布を有するそのようなマルチブロックコポリマー、特に線状マルチブロックコポリマーを調製可能な、そのような改善された方法が提供されることが望ましい。３つ以上のセグメント又はブロックを有するそのようなコポリマーを調製するための改善された方法が提供されることがさらに望ましい。さらに、そのようなマルチブロックコポリマーを調製可能な触媒及び鎖シャトリング剤の組み合わせを特定する方法が提供されることが望ましい。さらに、種々のポリマーブロックの順序を独立して制御する方法、特に、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンを主として含み、高い結晶性及び／又は官能性を有する末端ブロックを含有するマルチブロックコポリマーを調製する方法が提供されることが望ましい。最後に、以上の望ましいポリマー生成物のいずれかを連続方法、特に連続溶液重合方法で調製するための改善された方法が提供されることが望ましい。非常に望ましくは、このような方法によって、使用されるシャトリング剤及び／又は触媒の量及び／又は性質を独立して制御することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によると、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンと、エチレン及び／又は１又はそれ以上の異なる付加重合性のコモノマー、特に、エチレン及び／又は１又はそれ以上のＣ4〜20α−オレフィン、シクロオレフィン、又はジオレフィンとで構成される付加重合性のモノマー混合物を重合させて、高分子量、セグメント化コポリマー（マルチブロックコポリマー）を形成するために使用される組成物であって、上記コポリマーが、本明細書においてさらに開示される１又はそれ以上の化学的性質又は物理的性質が異なる２つ以上、好ましくは３つ以上のセグメント又はブロックを含有し、上記組成物が、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物が提供され、
好ましくは、
（Ａ）高いコモノマー混入指数(comonomer incorporation index)を有する第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）触媒（Ａ）のコモノマー混入指数の９５％未満、好ましくは９０％未満、より好ましくは２５％未満、最も好ましくは１０％未満のコモノマー混入指数を有する第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物が提供される。
【００１８】
本発明の別の実施形態においては、本発明によるマルチブロックコポリマーを生成することができる、特に、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンと、エチレン及び／又は１又はそれ以上の異なるオレフィン又はジオレフィンモノマーとを含むそのようなコポリマーを生成することができる、触媒（Ａ）及び（Ｂ）と、鎖シャトリング剤（Ｃ）との混合物を選択する方法が提供される。非常に望ましくは、結果として得られるポリマーが、エチレンと、プロピレン、Ｃ4〜20α−オレフィン、Ｃ4〜20シクロオレフィン、及びＣ4〜20ジオレフィンからなる群より選択される１又はそれ以上のモノマーとのエラストマー性インターポリマーを含有する高イソタクチックポリプロピレン又は高結晶質ポリ−４−メチル−１−ペンテンを含む。
【００１９】
本発明のさらなる実施形態においては、プロピレンと、プロピレン以外の１又はそれ以上の付加重合性のモノマーとを主として含む高分子量セグメント化コポリマーを調製する方法であって、プロピレンと、場合によりプロピレン以外の１又はそれ以上の付加重合性モノマーとを、付加重合条件下で、
（Ａ）高コモノマー混入指数を有する第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）触媒（Ａ）のコモノマー混入指数９０％未満、好ましくは５０％未満、最も好ましくは５％未満のコモノマー混入指数を有する第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物と接触させるステップを含む方法が提供される。
【００２０】
好ましくは、上記方法は、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンと、１又はそれ以上のコモノマー、特にエチレン及び異なるＣ4〜20オレフィン、ジオレフィン、及びシクロオレフィンから選択され、さらに特にエチレンであるコモノマーとのブロックコポリマー、特にマルチブロックコポリマー、好ましくは線状マルチブロックコポリマーを、相互転化が不可能である複数の触媒を使用することで生成するための、連続溶液方法の形態をとる。すなわち、これらの触媒は化学的に異なるものである。連続溶液重合条件下で、この方法は、高モノマー転化率におけるモノマー混合物の重合に理想的である。これらの重合条件下では、鎖シャトリング剤から触媒へのシャトリングが連鎖成長よりも好都合となり、本発明によるマルチブロックコポリマー、特に線状マルチブロックコポリマーが高い効率で生成される。
【００２１】
本発明の別の実施形態においては、高分子量セグメント化コポリマー（マルチブロックコポリマー）、特に、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンを重合した形態で含むそのようなコポリマーであって、コモノマー含有率又は密度又は他の化学的性質又は物理的性質が異なる２つ以上、好ましくは３つ以上のセグメントを含有するコポリマーが提供される。非常に好ましくは、このコポリマーは分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが３．０未満であり、好ましくは２．８未満である。
【００２２】
本発明のさらに別の実施形態においては、上記セグメント化又はマルチブロックコポリマーの官能化誘導体が提供される。
【００２３】
本発明のさらに別の実施形態においては、（１）有機又は無機のポリマー、好ましくはプロピレンのホモポリマー及び／又はプロピレンと共重合性コモノマーとのコポリマー、４−メチル−１−ペンテンのホモポリマー、あるいは高結晶質ポリエチレンと、（２）本発明による、又は本発明の方法により調製された高分子量マルチブロックコポリマーとを含むポリマー混合物が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本明細書における元素周期表に関するすべての言及は、ＣＲＣプレス・インコーポレイテッド(CRC Press, Inc., 2003)より出版され著作権で保護された元素周期表(Periodic Table of the Elements)を参照するものとする。また、１つの族又は複数の族に関して言及する場合、ＩＵＰＡＣによる族番号方式を使用したこの元素周期表に反映される１つの族又は複数の族となるべきである。別に記載がある場合、文脈によって暗に示されている場合、及び当技術分野における慣習を除けば、すべての部及びパーセントは重量を基準としている。米国特許実務の目的で、特に、合成技術、定義（本明細書において提供される定義に矛盾のない範囲において）、及び当技術分野における周知事項の開示に関して、本明細書に引用されているあらゆる特許、特許文献、又は刊行物の内容は、それらの全体が本明細書に組み込まれる（又はそれらの対応米国特許も組み込まれる）。
【００２５】
用語「含む」及びその派生語は、本明細書において開示されていようといまいと、あらゆる追加の成分、ステップ、及び手順の存在を排除することを意図するものではない。疑念を完全に排除するため、用語「含む」を使用して本明細書において言及されるすべての組成物は、別に記載がある場合を除けば、あらゆる追加の添加剤、補助剤、あるいはポリマーなどの化合物を含むことができる。対照的に、用語「から実質的になる」は、実現に重要ではないものを除いて、引き続いて記載されるあらゆる他の成分、ステップ、及び手順の範囲を排除している。用語「からなる」は、明確な記載及び列挙がなされていないあらゆる成分、ステップ、及び手順を排除している。用語「又は」は、特に明記しない限り、列記される構成要素を個別に意味し、それらのあらゆる組み合わせも意味する。
【００２６】
用語「ポリマー」、従来のホモポリマー、すなわち１種類のモノマーから調製される均一なポリマーと、少なくとも２種類のモノマーの反応によって調製されるポリマー、又は１種類のモノマーから形成された場合でも化学的に異なる複数のセグメント又はブロックを含有する他のものを意味するコポリマー（本明細書においてはインターポリマーと交換可能に使用される）との両方を含んでいる。より詳細には、用語「ポリエチレン」は、エチレンのホモポリマー、及び、エチレンと１又はそれ以上のＣ3〜8α−オレフィンとのコポリマーであってエチレンが少なくとも５０モル％を構成するコポリマーを含む。用語「プロピレンコポリマー」又は「プロピレンインターポリマー」は、プロピレンと１又はそれ以上の共重合性コモノマーとを含むコポリマーであって、プロピレンが、ポリマー中の少なくとも１つのブロック又はセグメントの重合モノマー単位の過半数を構成し（結晶質ブロック）、好ましくは少なくとも９０モル％、より好ましくは少なくとも９５モル％、最も好ましくは少なくとも９８モル％を構成するコポリマーを意味する。異なるα−オレフィン、例えば４−メチル−１−ペンテンから主として形成されるポリマーも同様に命名される。用語「結晶質」が使用される場合、これは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）又は同等技術によって測定される一次転移温度又は結晶融点（Ｔｍ）を有するポリマー又はポリマーブロックを意味する。この用語は、用語「半結晶質」と交換可能に使用される場合もある。用語「非晶質」は、結晶融点が存在しないポリマーを意味する。用語「イソタクチック」は、13Ｃ−ＮＭＲ分析によって測定した場合に少なくとも７０％のイソタクチックペンタッドを有するポリマー繰り返し単位として定義される。「高イソタクチック」は、少なくとも９０％のイソタクチックペンタッドを有するポリマーとして定義される。
【００２７】
用語「マルチブロックコポリマー」又は「セグメント化コポリマー」は、好ましくは線状に結合した２つ以上の化学的に異なる領域又はセグメント（「ブロック」と呼ぶ）を含むポリマー、すなわち、ペンダント又はグラフト化ではなく、重合したエチレン系官能性に関して端から端まで結合した化学的に異なる単位を含むポリマーを意味する。好ましい実施形態においては、これらのブロックは、組み込まれたコモノマーの量又は種類、密度、結晶化度、そのような組成物のポリマーに起因する微結晶の大きさ、タクティシティ（アイソタクチック又はシンジオタクチック）の種類又は程度、位置規則性又は位置不規則性、長鎖分岐又は超分岐を含む分岐量、均一性、あるいは他のあらゆる化学的性質又は物理的性質が異なる。逐次モノマー添加、フラクショナル触媒、又はアニオン重合技術によって生成されるコポリマーなどの従来技術のブロックコポリマーと比較すると、本発明のコポリマーは、両方のポリマー多分散性（ＰＤＩ又はＭｗ／Ｍｎ）、ブロック長分布、及び／又はブロック数分布の独特の分布を特徴とし、このことは、好ましい実施形態においては、シャトリング剤を複数の触媒と併用することによって実現される。より具体的には、連続方法で生成される場合、本発明のポリマーは、望ましくはＰＤＩが１．７から２．９であり、好ましくは１．８から２．５であり、より好ましくは１．８から２．２であり、最も好ましくは１．８から２．１である。バッチ又は半バッチ方法で生成される場合、本発明のポリマーは、望ましくはＰＤＩが１．０から２．９であり、好ましくは１．３から２．５であり、より好ましくは１．４から２．０であり、最も好ましくは１．４から１．８である。
【００２８】
２種類以上のモノマーから形成されたそれぞれの区別可能なセグメント又はブロックは結合して１つのポリマー鎖となるので、標準的な選択的抽出技術を使用してそのポリマーを完全に分別することはできない。例えば、比較的結晶質の領域（高密度セグメント）と比較的非晶質の領域（より低密度のセグメント）とを含有するポリマーは、種々の溶媒を使用して選択的に抽出又は分別することはできない。好ましい実施形態においては、ジアルキルエーテル溶媒又はアルカン溶媒のいずれかを使用して抽出可能なポリマー量は、全ポリマー重量の１０％未満であり、好ましくは７％未満、より好ましくは５％未満、最も好ましくは２％未満である。
【００２９】
さらに、本発明のマルチブロックコポリマーは、望ましくは、ポアソン分布ではなくシュッツ−フローリー(Schutz-Flory)分布に従うＰＤＩを有する。本発明の重合方法を使用することで、多分散ブロック分布と、ブロックサイズの多分散分布との両方を有する生成物が得られる。これによって最終的に、改善され区別可能な物理的性質を有するポリマー生成物が形成される。多分散ブロック分布の理論的利点は、ポチョムキン(Potemkin)，Physical Review E(1998)57(6), p.6902-6912、及びドブルイニン(Dobrynin)，J. Chem. Phys.(1997)107(21), p 9234-9238において以前よりモデル化され議論されている。
【００３０】
さらなる実施形態においては、本発明のポリマー、特に連続溶液重合反応器中で生成可能な本発明のポリマーは、ブロック長の最確分布を有する。本発明による最も好ましいポリマーは、末端ブロックを含めて４つ以上のブロック又はセグメントを含有するマルチブロックコポリマーである。
【００３１】
結果として得られるポリマーの以下の数学的処理は、本発明のポリマーに適用されると考えられる理論的に導出されたパラメータに基づき、さらに、特に定常状態の連続で十分混合された反応器において、２種類以上の触媒を使用して調製されて得られたポリマーのブロック長のそれぞれが、以下の方法で導出される最確分布に従うことを示しており、下式中、ｐiは、触媒ｉからのブロック配列に関する成長確率である。この理論的処理は、当技術分野において周知の標準的な過程及び方法に基づいており、分子構造に対する重合反応速度の影響の予測に使用され、鎖又はブロックの長さによって影響されない質量作用反応速度表現の使用を含んでいる。このような方法は、Ｗ．Ｈ．レイ(Ray)，J. Macromol. Sci., Rev. Macromol. Chem., C8, 1(1972)、ならびにＡ．Ｅ．Ｈａｍｉｅｌｅｃ及びＪ．Ｆ．マクレガー(MacGregor)，「ポリマー反応工学」(Polymer Reaction Engineering)、Ｋ．Ｈ．ライヘルト(Reichert)及びＷ．ガイスラー(Geisler)編著、ハンサー(Hanser)、ミュンヘン(Munich), 1983に既に開示されている。さらに、同じ触媒によって形成された隣接する配列が１つのブロックを形成すると過程する。触媒ｉの場合、長さｎの配列の分率はＸi［ｎ］で与えられ、式中、ｎは、ブロック中のモノマー単位数を表す１から無限大までの整数である。
【数１】
2007529615.tif 000003
【００３２】
各触媒は、成長確率（ｐi）を有し、独特の平均ブロック長及び分布を有するポリマーセグメントを形成する。最も好ましい実施形態においては、成長確率は次のように定義され：
【数２】
2007529615.tif 000004
【００３３】
休止ポリマー鎖とは、ＣＳＡに結合するポリマー鎖を意味する。
【００３４】
全体のモノマー消費又はポリマー成長速度Ｒｐ［ｉ］は、見掛けの速度、Ｋpi（上線付き記号）、に全モノマー濃度［Ｍ］を乗じたものを使用して以下のように定義される：
【数３】
2007529615.tif 000005
【００３５】
全連鎖移動速度は、水素（Ｈ2）への連鎖移動、βヒドリド脱離、及び鎖シャトリング剤（ＣＳＡ）への連鎖移動に関する値を含めて以下のように与えられる。反応器滞留時間をθとし、下付文字の付いた各ｋ値は速度定数である。
【数４】
2007529615.tif 000006
【００３６】
二元触媒系の場合、触媒１及び２の間でのポリマーの鎖シャトリング速度は以下のようになる：
【数５】
2007529615.tif 000007
【００３７】
３種類以上の触媒が使用される場合、Ｒｓ［ｉ］に項が増え理論的関係が複雑化するが、結果として得られるブロック長分布が最確となる最終結論には影響しない。
【００３８】
特に明記しない限り、化合物に関して本明細書において使用される場合、単数形は、すべての異性体を含んでおり、逆もまた同様である（例えば、「ヘキサン」は、ヘキサンのすべての異性体を個別に又は集合的に含んでいる）。用語「化合物」及び「錯体」は、有機化合物、無機化合物、及び有機金属化合物を意味するために本明細書において交換可能に使用される。用語「原子」は、イオン状態とは無関係に元素の最小構成要素を意味し、すなわち、同じ電荷又は部分的電荷を有するかどうか、別の原子に結合しているかどうかは無関係である。用語「ヘテロ原子」は、炭素及び水素以外の原子を意味する。好ましいヘテロ原子としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｂ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｅ、及びＧｅが挙げられる。用語「非晶質」は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）又は同等の技術によって測定される結晶融点が存在しないポリマーを意味する。
【００３９】
用語「ヒドロカルビル」は、水素及び炭素原子のみを含有する一価の置換基を意味し、例えば、分岐又は非分岐で、飽和又は不飽和で、環状、多環式、又は非環式の化学種が挙げられる。例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルカジエニル基、シクロアルケニル基、シクロアルカジエニル基、アリール基、及びアルキニル基が挙げられる。「置換ヒドロカルビル」は、１又はそれ以上の非ヒドロカルビル置換基で置換されたヒドロカルビル基を意味する。用語「ヘテロ原子含有ヒドロカルビル」又は「ヘテロヒドロカルビル」は、水素及び炭素以外の少なくとも１つの原子が１又はそれ以上の炭素原子及び１又はそれ以上の水素原子とともに存在する一価の基を意味する。用語「ヘテロカルビル」は、１又はそれ以上の炭素原子及び１又はそれ以上のヘテロ原子を含有し水素原子を含有しない基を意味する。炭素原子とヘテロ原子との間の結合、及び任意の２つのヘテロ原子の間の結合は、単共有結合又は多重共有結合、あるいは配位結合又は他の供与性結合であってよい。従って、アルキル基であって、ヘテロシクロアルキル基、アリール置換ヘテロシクロアルキル基、ヘテロアリール基、アルキル置換ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジヒドロカルビルボリル基、ジヒドロカルビルホスフィノ基、ジヒドロカルビルアミノ基、トリヒドロカルビルシリル基、ヒドロカルビルチオ基、又はヒドロカルビルセレノ基で置換されたアルキル基は用語ヘテロアルキルの範囲内にある。好適なヘテロアルキル基の例としては、シアノメチル基、ベンゾイルメチル基、（２−ピリジル）メチル基、及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
【００４０】
本明細書において使用される場合、用語「芳香族」は、（４δ＋２）個のπ電子（式中δは１以上の整数である）を含有する多原子で環状の共役環構造を意味する。２つ以上の多原子環を含有する環構造に関して本明細書において使用される場合、用語「縮合」は、その少なくとも２つの環に関して、少なくとも１対の隣接原子が両方の環に含まれることを意味する。用語「アリール」は、１つの芳香環であってもよいし、互いに融合したり、共有結合したり、共通の基、例えばメチレン部分又はエチレン部分で結合したりした複数の芳香環であってもよい一価の芳香族置換基を意味する。芳香環の例としては、特にフェニル、ナフチル、アントラセニル、ビフェニルが挙げられる。
【００４１】
「置換アリール」は、いずれかの炭素に結合した１又はそれ以上の水素原子が、１又はそれ以上の官能基、例えばアルキル、置換アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、置換ヘテロシクロアルキル、ハロゲン、アルキルハロ（例えば、ＣＦ3）、ヒドロキシ、アミノ、ホスフィド、アルコキシ、アミノ、チオ、ニトロ、ならびに、芳香環に縮合している、共有結合している、あるいは共通の基、例えばメチレン部分又はエチレン部分と結合した飽和及び不飽和の両方の環状炭化水素によって置き換えられているアリール基を意味する。共通の結合基は、ベンゾフェノン中などのカルボニル、又はジフェニルエーテル中などの酸素、又はジフェニルアミン中の窒素であってもよい。
【００４２】
用語「コモノマー混入指数」は、その触媒による代表的な重合条件下、他の重合触媒が存在しないと考慮して、理想的には定常状態の連続溶液重合条件下で、炭化水素希釈剤中、高転化率において調製されるコポリマー中に混入される％コモノマーを意味する。コモノマー混入指数の差が最大となる金属錯体又は触媒組成を選択すると、ブロック又はセグメントの性質、例えば密度の差が最大となる２種類以上のモノマーからのコポリマーが得られる。
【００４３】
場合により、コモノマー混入指数は、直接求めることができ、例えばＮＭＲ分光技術を使用することによって求めることができる。しかし多くの場合、コモノマー混入の差は、間接的に求める必要がある。複数種のモノマーから形成されるポリマーの場合、これは、モノマー反応性に基づいた種々の技術によって実現することができる。
【００４４】
特定の触媒によって生成されたコポリマーの場合、コポリマー中、従ってコポリマー組成物中のコモノマー及びモノマーの相対量は、コモノマー及びモノマーの相対反応速度によって求められる。数学的に、コモノマーのモノマーに対するモル比は、次式で与えられる。
【数６】
2007529615.tif 000008
ここで、Ｒp2及びＲp1は、コモノマー及びモノマーのそれぞれの重合速度であり、Ｆ2及びＦ1は、コポリマー中のそれぞれのモル分率である。Ｆ2＋Ｆ1＝１であるので、この式は次のように書き換えることができる：
【数７】
2007529615.tif 000009
【００４５】
コモノマー及びモノマーの個々の重合速度は、典型的には温度、触媒、及びモノマー／コモノマー濃度の複雑な関数となる。反応媒体中のコモノマー濃度が０に低下する極限においては、Ｒp2が０まで減少し、Ｆ2が０になり、このポリマーは純粋なモノマーからなる。反応器中にモノマーが存在しない極限においては、Ｒp1が０になり、Ｆ2が１になる（コモノマーが単独で重合可能である場合）。
【００４６】
大部分の均一系触媒では、反応器中のコモノマーのモノマーに対する比は、末端共重合モデル又は前末端共重合モデルのいずれかに従って、ポリマー組成に大きく影響を与える。
【００４７】
直前に挿入されたモノマーの種類によって、次に挿入されるモノマーの速度が決定されるランダムコポリマーの場合には、末端共重合モデルが使用される。このモデルにおける、挿入反応の種類は下記のようなものであり、
【数８】
2007529615.tif 000010
式中、Ｃ*は触媒を表し、Ｍiはモノマーｉを表し、ｋijは下記の反応速度式を有する速度定数である。
【数９】
2007529615.tif 000011
【００４８】
反応媒体中のコモノマーモル分率（ｉ＝２）は次式で定義される：
【数１０】
2007529615.tif 000012
【００４９】
ジョージ・オーディアン(George Odian)，重合の原理(Principles of Polymerization)，第２版(Second Edition)，ジョン・ワイリー・アンド・サンズ(John Wiley and Sons)，１９７０に開示されているように、コモノマー組成の単純化された式を以下のように導出することができる：
【数１１】
2007529615.tif 000013
【００５０】
この式から、ポリマー中のコモノマーのモル分率は、反応媒体中のコモノマーのモル分率のみに依存しており、挿入速度定数の項中の２つの温度依存性反応性比は以下のように定義される：
【数１２】
2007529615.tif 000014
【００５１】
あるいは、前末端共重合モデルにおいては、直前の２つのモノマーの種類によって、次に挿入されるモノマーの速度が決定される。この重合反応は、次式の形態であり、
【数１３】
2007529615.tif 000015
それぞれの反応速度式は以下の通りである：
【数１４】
2007529615.tif 000016
【００５２】
コモノマー含有率は次のように計算することができ（これも、ジョージ・オーディアンの上記文献に開示されている）：
【数１５】
2007529615.tif 000017
式中Ｘは次のように定義され：
【数１６】
2007529615.tif 000018
反応性比は次のように定義される：
【数１７】
2007529615.tif 000019
【００５３】
このモデルでも、ポリマー組成物は、温度依存性反応性比、及び反応器中のコモノマーモル分率のみの関数となる。逆のコモノマー又はモノマーの挿入が起こる場合、及び３種類以上のモノマーの共重合の場合でも同じことが言える。
【００５４】
上記モデルに使用される反応性比は、周知の理論手法を使用して予測することができるし、実際の重合データから実験的に導出することもできる。好適な理論手法は、例えば、Ｂ．Ｇ．カイル(Kyle)、化学及びプロセス熱力学(Chemical and Process Thermodynamics)，第３版(Third Addition)、プレンティス−ホール(Prentice-Hall)，１９９９、及びレートリヒ−クォン−ソアーベ(Redlich-Kwong-Soave)(RKS)状態方程式(Equation of State)， Chemical Engineering Science, 1972, pp 1197-1203に開示されている。実験的に得られたデータから反応性比を導出するのに役立つ市販のソフトウェアプログラムを使用することもできる。このようなソフトウェアの一例は、アスペン・テクノロジー・インコーポレイテッド(Aspen Technology, Inc.)，テンカナルパーク(Ten Canal Park)，ケンブリッジ(Cambridge), MA 02141-2201 USAのアスペン・プラス(Aspen Plus)である。
【００５５】
モノマー
本発明のポリマーの調製に使用すると好適なモノマーとしては、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、又は他のＣ4〜20α−オレフィン、及びこれら以外の１又はそれ以上の付加重合性モノマー、ならびにあらゆる他の共重合性コモノマーが挙げられる。好適なコモノマーの例としては、エチレン、及び４から３０個、好ましくは４から２０個の炭素原子の直鎖又は分岐のα−オレフィン、例えば１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、及び１−エイコセン；３から３０個、好ましくは３から２０個の炭素原子のシクロオレフィン、例えば、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、テトラシクロドデセン、及び２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン；ジオレフィン及びポリオレフィン、例えば、ブタジエン、イソプレン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ペンタジエン、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、１，４−オクタジエン、１，５−オクタジエン、１，６−オクタジエン、１，７−オクタジエン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン、４−エチリデン−８−メチル−１，７−ノナジエン、及び５，９−ジメチル−１，４，８−デカトリエン；芳香族ビニル化合物、例えば、モノ又はポリアルキルスチレン例えば、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、及びｐ−エチルスチレン）、ならびに官能基含有誘導体、例えばメトキシスチレン、エトキシスチレン、ビニル安息香酸、メチルビニルベンゾエート、ビニルベンジルアセテート、ヒドロキシスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、３−フェニルプロペン、４−フェニルプロペン、α−メチルスチレン、ビニルクロライド、１，２−ジフルオロエチレン、１，２−ジクロロエチレン、テトラフルオロエチレン、及び３，３，３−トリフルオロ−１−プロペンが挙げられる。
【００５６】
鎖シャトリング剤
用語「シャトリング剤」は、重合条件下で、組成物中に含まれる触媒の少なくとも２つの活性触媒部位でポリメリル交換を引き起こすことが可能な、本発明の組成物中に使用される化合物又は化合物の混合物を意味する。すなわち、ポリマーフラグメントが、１又はそれ以上の活性触媒部位で行き来する。シャトリング剤とは対照的に、「連鎖移動剤」は、ポリマー連鎖成長を停止させ、成長するポリマーを触媒から移動剤に１回移動させる。好ましくは、シャトリング剤は、活性比ＲA-B／ＲB-Aが０．０１及び１００であり、より好ましくは０．１から１０であり、最も好ましくは０．５から２．０であり、最も非常に好ましくは０．８から１．２であり、ここで、ＲA-Bは、シャトリング剤を介してポリメリルが触媒Ａ活性部位から触媒Ｂ活性部位に移動する速度であり、ＲB-Aは、逆のポリメリル移動の速度、すなわち、シャトリング剤を介した触媒Ｂ活性部位から触媒Ａ活性部位までの交換速度である。望ましくは、シャトリング剤とポリメリル鎖との間に形成される中間体は十分に安定であり、連鎖停止が比較的まれとなる。望ましくは、９０％未満、好ましくは７５％未満、より好ましくは５０％未満、最も望ましくは１０％未満のシャトル−ポリメリル生成物が、３つ区別可能なポリマーセグメント又はブロックを形成する前に反応停止する。理想的には、鎖シャトリング速度（ポリマー鎖が触媒部位から鎖シャトリング剤に移動し、続いて触媒部位に戻るのに要する時間によって定義される）が、ポリマー停止反応速度以上であり、さらにはポリマー停止反応速度の最高１０倍、又はさらには１００倍である。これによって、ポリマー成長と同じ時間スケールでポリマーブロックが形成される。
【００５７】
異なるコモノマー混入速度、及び異なる反応性を有する触媒の異なる組み合わせを選択することによって、種々のシャトリング剤又はシャトリング剤混合物をこれらの触媒の組み合わせと組み合わせることによって、異なる密度又はコモノマー濃度のセグメント、異なるブロック長、及び異なる数のこのようなセグメント又はブロックを各コポリマー中に有するポリマー生成物を調製することができる。例えば、シャトリング剤の活性が、１又はそれ以上の触媒の触媒ポリマー鎖成長速度に対して低い場合、より長いブロック長のマルチブロックコポリマー及びポリマーブレンドを得ることができる。逆に、シャトリングがポリマー鎖成長に対して非常に速い場合、よりランダムな鎖構造及びより短いブロック長を有するコポリマーが得られる。非常に速いシャトリング剤では、実質的にランダムコポリマーの性質を有するマルチブロックコポリマーを生成することができる。触媒混合物及びシャトリング剤の両方を適切に選択することによって、比較的純粋なブロックコポリマー、比較的大きなポリマーセグメント又はブロックを含有するコポリマー、及び／又はこのようなものと種々のエチレンホモポリマー及び／又はコポリマーとのブレンドを得ることができる。
【００５８】
コモノマー混入に基づいたブロックの差別化に特に適合させた以下の多段階手順によって、本発明のために、触媒Ａ、触媒Ｂ、及び鎖シャトリング剤を含む好適な組成物を選択することができる：
Ｉ．１又はそれ以上の付加重合性モノマー、好ましくはオレフィンモノマーを、可能性のある触媒と可能性のある鎖シャトリング剤とを含む混合物を使用して重合させる。この重合試験は、望ましくは、バッチ又は半バッチ反応器（すなわち触媒及びシャトリング剤の再供給を行わない）を使用し、好ましくは比較的一定のモノマー濃度で、溶液重合条件下で操作し、典型的には触媒の鎖シャトリング剤に対するモル比１：５から１：５００を使用して行う。好適な量のポリマーが形成された後、触媒毒を加えることによって反応を停止させて、ポリマーの性質（Ｍｗ、Ｍｎ、及びＭｗ／Ｍｎ又はＰＤＩ）を測定する。
【００５９】
ＩＩ．上記の重合及びポリマーの試験を、数種類の異なる反応時間で繰り返して、ある範囲の収率及びＰＤＩ値を有する一連のポリマーを得る。
【００６０】
ＩＩＩ．シャトリング剤を行き来する顕著なポリマー移動を示す触媒／シャトリング剤の対は、最小ＰＤＩが２．０未満、より好ましくは１．５未満、最も好ましくは１．３未満となる一連のポリマーを特徴とする。さらに、鎖シャトリングが起こると、転化率が増加するにつれて、ポリマーのＭｎが、好ましくはほぼ直線的に増加する。最も好ましい触媒／シャトリング剤の対は、０．９５を超える、好ましくは０．９９を超える統計精度（Ｒ2）を有するラインにフィットする転化率（又はポリマー収率）の関数としてポリマーのＭｎが得られる対である。
【００６１】
次に、ステップＩからＩＩＩを、可能性のある触媒及び／又は推定されるシャトリング剤の１又はそれ以上の別の対で実施する。
【００６２】
次に、２種類の触媒のそれぞれについて、１又はそれ以上の鎖シャトリング剤とともに鎖シャトリングを進行させると、選択した反応条件下で触媒Ｂよりも触媒Ａの方が高いコモノマー混入指数（すなわち選択的に異なるポリマーを形成する能力）を有するように、本発明による触媒Ａ、触媒Ｂ、及び１又はそれ以上の鎖シャトリング剤を含む好適な組成物を選択する。最も好ましくは、少なくとも１種類の鎖シャトリング剤が、触媒Ａ及び触媒Ｂの両方で、正及び逆方向の両方（前述の試験で特定される）でポリマー移動を進行させる。さらに、好ましくは、鎖シャトリング剤は、いずれかの触媒（シャトリング剤を使用しない場合の活性と比較して）の触媒活性（単位時間当たりに単位重量の触媒によって生成されるポリマー重量として測定される）を６０％を超えて低下させることがなく、より好ましくはこのような触媒活性が２０％を超えて低下することがなく、最も好ましくは少なくとも一方の触媒の触媒活性が、シャトリング剤を使用しない場合の触媒活性よりも増加する。
【００６３】
あるいは、標準的なバッチ反応条件下で一連の重合を実施し、結果として得られる数平均分子量、ＰＤＩ、及びポリマー収率又は生成速度を測定することによって、望ましい触媒／シャトリング剤の対を見いだすことも可能である。好適なシャトリング剤は、有意にＰＤＩが広がったり活性が低下（収率又は速度の低下）を引き起こすことなく、結果として得られるＭｎを減少させることが特徴である。
【００６４】
上記の試験は、自動反応器及び分析プローブを使用する迅速処理スクリーニング技術、及び異なる区別可能な性質を有するポリマーブロックの形成に容易に適合させることができる。例えば、多数の可能性のあるシャトリング剤の候補は、種々の有機金属化合物と、オレフィン重合触媒組成物を使用する重合反応に加えられる種々のプロトン源と、化合物又は反応生成物とを組み合わせることによって、予備的な同定又はその場での合成を行うことができる。シャトリング剤の触媒に対するモル比を変動させることによって数種類の重合を実施する。最低限必要なものとして、好適なシャトリング剤は、前述の収率を変動させる実験において２．０未満の最小ＰＤＩが得られ、同時に、触媒活性に対して有意な悪影響を与えず、好ましくは前述のように触媒活性を改善するシャトリング剤である。
【００６５】
推測的なシャトリング剤の同定方法とは無関係に、この用語は、本発明で特定されるマルチブロックコポリマーを調製することができる、又は本明細書に開示される重合条件下で有効に使用することができる化合物を意味する。非常に望ましくは、平均鎖当たりのブロック又はセグメントの平均数（異なる組成物の平均ブロック数を、ポリマーのＭｎで割った値として定義される）が３．０を超え、より好ましくは３．５を超え、さらにより好ましくは４．０を超え、２５未満であり、好ましくは１５未満であり、より好ましくは１０．０未満であり、最も好ましくは８．０未満であるマルチブロックコポリマーが本発明により形成される。
【００６６】
本発明における使用に好適なシャトリング剤としては、少なくとも１つのＣ1〜20ヒドロカルビル基を含有する１族、２族、１２族、又は１３族の金属化合物又は錯体、好ましくは、各ヒドロカルビル基中に１から１２個の炭素を含有するヒドロカルビル置換されたアルミニウム化合物、ガリウム化合物、又は亜鉛化合物、ならびにそれらのプロトン源との反応生成物が挙げられる。好ましいヒドロカルビル基は、アルキル基であり、好ましくは線状又は分岐のＣ2〜8アルキル基である。本発明における使用に最も好ましいシャトリング剤は、トリアルキルアルミニウム化合物及びジアルキル亜鉛化合物であり、特にトリエチルアルミニウム、トリ（ｉ−プロピル）アルミニウム、トリ（ｉ−ブチル）アルミニウム、トリ（ｎ−ヘキシル）アルミニウム、トリ（ｎ−オクチル）アルミニウム、トリエチルガリウム、又はジエチル亜鉛である。さらに別の好適なシャトリング剤としては、上記有機金属化合物、好ましくはトリ（Ｃ1〜8）アルキルアルミニウム化合物又はジ（Ｃ1〜8）アルキル亜鉛化合物、特にトリエチルアルミニウム、トリ（ｉ−プロピル）アルミニウム、トリ（ｉ−ブチル）アルミニウム、トリ（ｎ−ヘキシル）アルミニウム、トリ（ｎ−オクチル）アルミニウム、又はジエチル亜鉛を、化学量論量（ヒドロカルビル基の数に対して）未満の第２級アミン又はヒドロキシル化合物、特にビス（トリメチルシリル）アミン、ｔ−ブチル（ジメチル）シロキサン、２−ヒドロキシメチルピリジン、ジ（ｎ−ペンチル）アミン、２，６−ジ（ｔ−ブチル）フェノール、エチル（１−ナフチル）アミン、ビス（２，３，６，７−ジベンゾ−１−アザシクロヘプタンアミン）、又は２，６−ジフェニルフェノールと組み合わせることによって形成される反応生成物又は混合物が挙げられる。望ましくは、金属原子１つ当たりに１つのヒドロカルビル基が残るのに十分なアミン又はヒドロキシル試薬が使用される。シャトリング剤として本発明において使用すると最も望ましい上記組み合わせの一次反応生成物は、ｎ−オクチルアルミニウムジ（ビス（トリメチルシリル）アミド）、ｉ−プロピルアルミニウムビス（ジメチル（ｔ−ブチル）シロキシド）、及びｎ−オクチルアルミニウムジ（ピリジニル−２−メトキシド）、ｉ−ブチルアルミニウムビス（ジメチル（ｔ−ブチル）シロキサン）、ｉ−ブチルアルミニウムビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）、ｎ−オクチルアルミニウムジ（ピリジン−２−メトキシド）、ｉ−ブチルアルミニウムビス（ジ（ｎ−ペンチル）アミド）、ｎ−オクチルアルミニウムビス（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノキシド）、ｎ−オクチルアルミニウムジ（エチル（１−ナフチル）アミド）、エチルアルミニウムビス（ｔ−ブチルジメチルシロキシド）、エチルアルミニウムジ（ビス（トリメチルシリル）アミド）、エチルアルミニウムビス（２，３，６，７−ジベンゾ−１−アザシクロヘプタンアミド）、ｎ−オクチルアルミニウムビス（２，３，６，７−ジベンゾ−１−アザシクロヘプタンアミド）、ｎ−オクチルアルミニウムビス（ジメチル（ｔ−ブチル）シロキシド、エチル亜鉛（２，６−ジフェニルフェノキシド）、及びエチル亜鉛（ｔ−ブトキシド）である。
【００６７】
当業者には理解できるように、１種類の触媒又は触媒の組み合わせに好適なシャトリング剤は、異なる触媒又は触媒の組み合わせと使用した場合に必ずしも良好となる、又は満足できるものとなる訳ではない。ある可能性のあるシャトリング剤が、１又はそれ以上の触媒の性能に悪影響を与える場合もあるし、その理由で使用に望ましくない場合もある。従って、鎖シャトリング剤の活性は、望ましくは、所望のポリマー特性を実現するために、触媒の触媒活性とバランスが取られる。本発明のある実施形態においては、可能な最大速度未満の鎖シャトリング活性（連鎖移動速度によって測定される）を有するシャトリング剤を使用することで最良の結果が得られる場合がある。
【００６８】
しかし、一般に好ましいシャトリング剤は、最高のポリマー移動速度、及び最高の移動効率（連鎖停止の発生を低下させる）を有する。このようなシャトリング剤は、低い濃度で使用することができ、さらに所望の程度のシャトリングを実現することができる。さらに、このようなシャトリング剤は、可能な最短のポリマーブロック長が得られる。非常に望ましくは、１つの交換部位を有する鎖シャトリング剤が使用されるが、その理由は、反応器中のポリマーの有効分子量が低下し、そのため反応混合物の粘度が低下し、その結果運転費が削減されるからである。
【００６９】
触媒
本発明において使用すると好適な触媒としては、所望の組成又は種類のポリマーの調製に適合したあらゆる化合物又は化合物の組み合わせが挙げられる。不均一系及び均一系の両方の触媒を使用することができる。不均一系触媒の例としては、周知のチーグラー・ナッタ組成物、２族金属ハライド上に担持された特に４族金属ハライド、又は混合ハライド及びアルコキシド、及び周知のクロム系又はバナジウム系触媒が挙げられる。しかし、好ましくは使用を容易にするため、及び溶液中で狭い分子量のポリマーセグメントを生成するために、本発明において使用される触媒は、比較的純粋な有機金属化合物又は金属錯体、特に、元素周期表の３〜１０族、又はランタニド系列から選択される金属を主成分とする化合物又は錯体を含む均一系触媒である。本発明において使用されるあらゆる触媒が、本発明の重合条件下で他の触媒の性能に有意な悪影響を与えないことが好ましい。望ましくは、本発明の重合条件下で、触媒の活性が２５％を超えて低下することがなく、より好ましくは１０％を超えて低下することがない。
【００７０】
本発明において使用される高いコモノマー混入指数を有する金属錯体（触媒Ａ）としては、１又はそれ以上の非局在化π結合したリガンド又は多価ルイス塩基リガンドを含有する元素周期表の３から１５族から選択される遷移金属の錯体が挙げられる。例としては、メタロセン、ハーフメタロセン、幾何拘束型の多価ピリジルアミン、又は他の多価キレート塩基錯体が挙げられる。これらの錯体は、式：ＭＫkＸxＺz、又はその二量体によって包括的に表され、式中、
Ｍは、元素周期表の３から１５族、好ましくは３から１０族、より好ましくは４から８族、最も好ましくは４族から選択される金属であり；
Ｋは、各出現時に独立して、非局在化π電子又は１又はそれ以上の電子対を含有する基であり、これによってＫがＭに結合し、このＫ基は水素原子以外に最大５０個の原子を含有し、場合により２つ以上のＫ基が互いに結合して架橋構造を形成することができ、さらに場合により１又はそれ以上のＫ基がＺ、Ｘ、又はＺとＸの両方に結合することができ；
Ｘは、各出現時に独立して、最大４０個の非水素原子を有する一価のアニオン部分であり、場合により１又はそれ以上のＸ基が、互いに結合することによって、二価又は多価のアニオン基を形成することができ、さらに場合により、１又はそれ以上のＸ基と１又はそれ以上のＺ基とが互いに結合することによって、Ｍと共有結合し配位もする部分を形成することができ；
Ｚは、各出現時に独立して、最大５０個の非水素原子の中性ルイス塩基ドナーリガンドであって、少なくとも１つの非共有電子対を含有し、それを介してＺがＭに配位し；
ｋは０から３の整数であり；
ｘは１から４の整数であり；
ｚは０から３の数であり；
ｋ＋ｘの合計は、Ｍの形式酸化状態に等しい。
【００７１】
好適な金属錯体としては、環式又は非環式で非局在化π結合したアニオンのリガンド基であってよい、１から３個のπ結合したアニオン又は中性のリガンド基を含有する金属錯体が挙げられる。このようなπ結合した基は、共役又は非共役で、環式又は非環式のジエン及びジエニル基、アリル基、ボラタベンゼン基、ホスホール、及びアレーン基である。用語「π結合した」は、部分的に非局在化したπ結合から電子を共有することによってリガンド基が遷移金属に結合することを意味する。
【００７２】
非局在化π結合した基の中の各原子は、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、ハロヒドロカルビル、ヒドロカルビル置換ヘテロ原子からなる群より選択される基で独立して置換されていてもよく、このヘテロ原子は元素周期表の１４〜１６族から選択され、このようなヒドロカルビル置換ヘテロ原子基は、１５族又は１６族ヘテロ原子含有部分でさらに置換されている。さらに、２つ以上のこのような基を合わせたものが、部分又は完全に水素化した縮合環構造などの縮合環構造を形成することができるし、金属とともにメタロサイクルを形成することもできる。用語「ヒドロカルビル」に含まれるものは、Ｃ1〜20直鎖、分岐、及び環状のアルキル基、Ｃ6〜20芳香族基、Ｃ7〜20アルキル置換芳香族基、及びＣ7〜20アリール置換アルキル基である。好適なヒドロカルビル置換ヘテロ原子基としては、各ヒドロカルビル基が１から２０個の炭素原子を含有するホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、窒素、リン、又は酸素の一、二、及び三置換された基が挙げられる。例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、ピロリジニル基、トリメチルシリル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ（ｔ−ブチル）シリル基、トリフェニルゲルミル基、及びトリメチルゲルミル基が挙げられる。１５族又は１６族ヘテロ原子含有部分の例としては、アミノ部分、ホスフィノ部分、アルコキシ部分、又はアルキルチオ部分、又はそれらの二価誘導体、例えば、アミド基、ホスフィド基、アルキレンオキシ基、又はアルキレンチオ基が挙げられ、これらは遷移金属又はランタニド金属に結合しており、ヒドロカルビル基、π結合した基、又はヒドロカルビル置換ヘテロ原子に結合している。
【００７３】
好適なアニオンの非局在化π結合した基の例としては、シクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基、テトラヒドロインデニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基、ペンタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、ジヒドロアントラセニル基、ヘキサヒドロアントラセニル基、デカヒドロアントラセニル基、ホスホール、及びボラタベンジル基、ならびに不活性に置換されたそれらの誘導体、特に、Ｃ1〜10ヒドロカルビル置換又はトリス（Ｃ1〜10ヒドロカルビル）シリル置換されたそれらの誘導体が挙げられる。好ましいアニオンの非局在化π結合した基は、シクロペンタジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシリルシクロペンタジエニル、インデニル、２，３−ジメチルインデニル、フルオレニル、２−メチルインデニル、２−メチル−４−フェニルインデニル、テトラヒドロフルオレニル、オクタヒドロフルオレニル、１−インダセニル、３−ピロリジノインデン−１−イル、３，４−（シクロペンタ（ｌ）フェナントレン−１−イル、及びテトラヒドロインデニルである。
【００７４】
ボラタベンジルリガンドは、ホウ素を含有するベンゼンの類似体であるアニオンリガンドである。これらは、Ｇ．ＨｅｒｂｅｒｉｃｈらによるOrganometallics, 14, 1, 471-480(1995)に記載されており当技術分野において周知である。好ましいボラタベンゼニルリガンドは次式に対応し：
【化７】
2007529615.tif 000020
式中、Ｒ1は、好ましくは水素、ヒドロカルビル、シリル、ハロ、又はゲルミルからなる群より選択される不活性置換基であり、上記Ｒ1は、水素以外に最大２０個の原子を有し、場合により２つの隣接するＲ1基が互いに結合することができる。このような非局在化π結合した基の二価誘導体を含む錯体において、その１つの原子は、共有結合又は共有結合した二価の基によって、錯体の別の原子に結合し、それによって架橋構造が形成される。
【００７５】
ホスホールは、リンを含有するシクロペンタジエニル基の類似体であるアニオンのリガンドである。これらは、国際公開第９８／５０３９２号パンフレットなどに開示されており、当技術分野において周知である。好ましいホスホールリガンドは次式に対応し：
【化８】
2007529615.tif 000021
式中のＲ1は前出の定義の通りである。
【００７６】
本発明において使用すると好ましい遷移金属錯体は式：ＭＫkＸxＺz、又はその二量体に対応し、式中：
Ｍは、４族の金属であり；
Ｋは、非局在化π電子を含有する基であり、これによってＫがＭに結合し、このＫ基は水素原子以外に最大５０個の原子を含有し、場合により２つのＫ基が互いに結合して架橋構造を形成することができ、さらに場合により１つのＫ基がＺ又はＸに結合することができ；
Ｘは、各出現時において、最大４０個の非水素原子を有する一価のアニオン部分であり、場合により、１又はそれ以上のＸ基と１又はそれ以上のＫ基とが互いに結合することによってメタロサイクルを形成し、さらに場合により、１又はそれ以上のＸ基と１又はそれ以上のＺ基とが互いに結合することによって、Ｍと共有結合し配位もする部分を形成することができ；
Ｚは、各出現時に独立して、最大５０個の非水素原子の中性ルイス塩基ドナーリガンドであって、少なくとも１つの非共有電子対を含有し、それを介してＺがＭに配位し；
ｋは０から３の整数であり；
ｘは１から４の整数であり；
ｚは０から３の数であり；
ｋ＋ｘの合計は、Ｍの形式酸化状態に等しい。
【００７７】
好ましい錯体としては、１又は２個のいずれかのＫ基を含有する錯体が挙げられる。後者の錯体としては、２つのＫ基を連結する架橋基を含有する錯体が挙げられる。好ましい架橋基は、式（ＥＲ’2）eに対応し、式中、Ｅは、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、又は炭素であり、Ｒ’は、各出現時に独立して、水素、又は、シリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、及びそれらの組み合わせから選択される基であり、上記Ｒ’は最大３０個の炭素原子又はケイ素原子を有し、ｅは１から８である。好ましくは、Ｒ’は、各出現時に独立して、メチル、エチル、プロピル、ベンジル、ｔｅｒｔ−ブチル、フェニル、メトキシ、エトキシ、又はフェノキシである。
【００７８】
２つのＫ基を含有する錯体の例は、次式に対応する化合物であり：
【化９】
2007529615.tif 000022
式中、
Ｍは、＋２又は＋４の形式酸化状態にあるチタン、ジルコニウム、又はハフニウム、好ましくはジルコニウム又はハフニウムであり；
Ｒ3は、各出現時に独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロ、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、上記Ｒ3は最大２０個の非水素原子を有する、又は隣接するＲ3基を合わせたものが二価の誘導体（すなわち、ヒドロカルバジイル基、シラジイル基、又はゲルマジイル基）を形成することによって縮合環構造を形成し、
Ｘ”は、各出現時に独立して、最大４０個の非水素原子のアニオンのリガンド基である、又は２つのＸ”基を合わせたものが最大４０個の非水素原子の二価のアニオンのリガンド基を形成する、又はこれらを合わせたものが、非局在化π電子によってＭに結合した４から３０非水素原子を有する共役ジエンとなり（ここでＭは＋２の形式酸化状態となる）、
Ｒ’、Ｅ、及びｅは前出の定義の通りである。
【００７９】
２つのπ結合した基を含有する代表的な架橋リガンドは、ジメチルビス（シクロペンタジエニル）シラン、ジメチルビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）シラン、ジメチルビス（２−エチルシクロペンタジエン−１−イル）シラン、ジメチルビス（２−ｔ−ブチルシクロペンタジエン−１−イル）シラン、２，２−ビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）プロパン、ジメチルビス（インデン−１−イル）シラン、ジメチルビス（テトラヒドロインデン−１−イル）シラン、ジメチルビス（フルオレン−１−イル）シラン、ジメチルビス（テトラヒドロフルオレン−１−イル）シラン、ジメチルビス（２−メチル−４−フェニルインデン−１−イル）−シラン、ジメチルビス（２−メチルインデン−１−イル）シラン、ジメチル（シクロペンタジエニル）（フルオレン−１−イル）シラン、ジメチル（シクロペンタジエニル）（オクタヒドロフルオレン−１−イル）シラン、ジメチル（シクロペンタジエニル）（テトラヒドロフルオレン−１−イル）シラン、（１，１，２，２−テトラメチル）−１，２−ビス（シクロペンタジエニル）ジシラン、（１，２−ビス（シクロペンタジエニル）エタン、及びジメチル（シクロペンタジエニル）−１−（フルオレン−１−イル）メタンである。
【００８０】
好ましいＸ”基は、水素化物基、ヒドロカルビル基、シリル基、ゲルミル基、ハロヒドロカルビル基、ハロシリル基、シリルヒドロカルビル基、及びアミノヒドロカルビル基から選択される、又は、２つのＸ”基を合わせたものが、共役ジエンの二価の誘導体を形成するか、他のものと合わせて、中性のπ結合した共役ジエンを形成する。最も好ましいＸ”基はＣ1〜20ヒドロカルビル基である。
【００８１】
本発明において使用すると好適な前出の式の金属錯体の例としては：
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジベンジル、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルベンジル、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルフェニル、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジフェニル、
ビス（シクロペンタジエニル）チタン−アリル、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルクロライド、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタンジメチル、
ビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、
インデニルフルオレニルジルコニウムジメチル、
ビス（インデニル）ジルコニウムメチル（２−（ジメチルアミノ）ベンジル）、
ビス（インデニル）ジルコニウムトリメチルシリル、
ビス（テトラヒドロインデニル）ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルベンジル、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジベンジル、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムメチルクロライド、
ビス（メチルエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジベンジル、
ビス（ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ビス（エチルテトラメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ビス（メチルプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジベンジル、
ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジベンジル、
ジメチルシリルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＩＩ）アリル
ジメチルシリルビス（ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビスビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライド、
（ジメチルシリルビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＩＩ）２−（ジメチルアミノ）ベンジル、
（ジメチルシリルビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＩＩ）２−（ジメチルアミノ）ベンジル、
ジメチルシリルビス（インデニル）ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス（２−メチルインデニル）ジルコニウム−１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
ジメチルシリルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウム（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
ジメチルシリルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデン−１−イル）ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデン−１−イル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジルコニウム（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
ジメチルシリルビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル
ジメチルシリルビス（フルオレニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス（テトラヒドロフルオレニル）ジルコニウムビス（トリメチルシリル）、
エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジクロライド、
エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、
エチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロライド、
エチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジメチル、
（イソプロピリデン）（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジベンジル、及び
ジメチルシリル（テトラメチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジメチル
が挙げられる。
【００８２】
以上の錯体の中で、２，１−又は３，１−モノマー挿入又はチェーンウォーキングが可能な、４族金属、特にＺｒのラセミ体のエチレンビスインデニル錯体、及びそれらの不活性に置換された誘導体、例えばMacromolecules 33, 9200-9204(2000)に開示されているような１−、又は２−ｔ−ブチルジメチルシロキシ置換エチレンビス（インデニル）ジルコニウム錯体、エチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジルコニウム錯体、又は他のラセミ体のエチレンビス（インデニル）ジルコニウム錯体が本発明において有用に使用される。
【００８３】
本発明に使用されるさらに別の種類の金属錯体は、前出の式：ＭＫＸxＺz又はその二量体に対応し、式中、Ｍ、Ｋ、Ｘ、ｘ、及びｚは前出の定義の通りであり、Ｚは、Ｋを合わせたものがＭとメタロサイクルを形成する最大５０個の非水素原子の置換基である。
【００８４】
好ましいＺ置換基としては、直接Ｋに結合した酸素、硫黄、ホウ素、又は元素周期表１４族の原子である少なくとも１つの原子と、Ｍと共有結合した窒素、リン、酸素、又は硫黄からなる群より選択される別の原子とを含む最大３０個の非水素原子を含有する基が挙げられる。
【００８５】
より具体的には、本発明により使用されるこの種の４族金属錯体としては、次式に対応する「幾何拘束型触媒」が挙げられ：
【化１０】
2007529615.tif 000023
式中、
Ｍは、チタン又はジルコニウム、好ましくは＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態のチタンであり；
Ｋ1は、１から５個のＲ2基で場合により置換されている非局在化π結合したリガンド基であり、
Ｒ2は、各出現時に独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロ、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、上記Ｒ2は、最大２０個の非水素原子を有する、又は隣接するＲ2基を合わせたものが二価の誘導体（すなわち、ヒドロカルバジイル基、シラジイル基、又はゲルマジイル基）を形成することによって縮合環構造を形成し、
各Ｘは、ハロ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、又はシリル基であり、上記の基は、最大２０個の非水素原子を有する、又は２つのＸ基を合わせたものが中性のＣ5〜30共役ジエン又はその二価誘導体を形成し；
ｘは１又は２であり；
Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ’−、−ＰＲ’−であり；
Ｘ’は、ＳｉＲ’2、ＣＲ’2、ＳｉＲ’2ＳｉＲ’2、ＣＲ’2ＣＲ’2、ＣＲ’＝ＣＲ’、ＣＲ’2ＳｉＲ’2、又はＧｅＲ’2であり、
Ｒ’は、各出現時に独立して、水素、又はシリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、及びそれらの組み合わせから選択される基であり、前記Ｒ’は最大３０個の炭素原子又はケイ素原子を有する。
【００８６】
上記の幾何拘束型金属錯体の具体例としては、次式に対応する化合物が挙げられ：
【化１１】
2007529615.tif 000024
式中、
Ａｒは、水素を除いて６から３０個の原子のアリール基であり；
Ｒ4は、各出現時に独立して、水素、Ａｒ、あるいは、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、ヒドロカルバジイルアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ、ヒドロカルバジイルホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルから選択されるＡｒ以外の基であり、上記Ｒ基は、水素原子以外に最大４０個の原子を有し、場合により２つの隣接するＲ4が互いに結合して、多環式縮合環基を形成することができ；
Ｍはチタンであり；
Ｘ’は、ＳｉＲ62、ＣＲ62、ＳｉＲ62ＳｉＲ62、ＣＲ62ＣＲ62、ＣＲ6＝Ｒ6、ＣＲ62ＳｉＲ62、ＢＲ6、ＢＲ6Ｌ”、又はＧｅＲ62であり；
Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ5−、−ＰＲ5−、−ＮＲ52、又は−ＰＲ52；
Ｒ5は、各出現時に独立して、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、又はトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、上記Ｒ5は、水素以外に最大２０個の原子を有し、場合により２つのＲ5基、又はＲ5をＹ又はＺと合わせたものが環構造を形成し；
Ｒ6は、各出現時に独立して、水素であるか、又は、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、−ＮＲ52、及びそれらの組み合わせから選択され、上記Ｒ6は最大２０個の非水素原子を有し、場合により、２つのＲ6基、又はＲ6をＺと合わせたものが環構造を形成し；
Ｚは、Ｒ5、Ｒ6、又はＸに場合により結合した、中性のジエン、あるいは単座又は多座ルイス塩基であり；
Ｘは、水素、水素以外に最大６０個の原子を有する一価のアニオンのリガンド基である、又は２つのＸ基が互いに結合したものが二価リガンド基を形成し；
ｘは１又は２であり；
ｚは０、１又は２である。
【００８７】
上記金属錯体の好ましい例は、シクロペンタジエニル基又はインデニル基の３位及び４位の両方がＡｒ基で置換されている。
【００８８】
上記金属錯体の例としては：
（３−フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，３−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３−（ピロール−１−イル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−（ピロール−１−イル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−（ピロール−１−イル）シクロペンタジエン−１−イル））ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３−（１−メチルピロール−３−イル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−（１−メチルピロール−３−イル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−（１−メチルピロール−３−イル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３，４−ジフェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３，４−ジフェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３，４−ジフェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン；
（３−（３−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−（３−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−（３−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３−（４−メトキシフェニル）−４−メチルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−（４−メトキシフェニル）−４−フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−４−メトキシフェニル）−４−フェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３−フェニル−４−メトキシシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−フェニル−４−メトキシシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−フェニル−４−メトキシシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３−フェニル−４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−フェニル−４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−フェニル−４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
２−メチル−（３，４−ジ（４−メチルフェニル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
２−メチル−（３，４−ジ（４−メチルフェニル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
２−メチル−（３，４−ジ（４−メチルフェニル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（（２，３−ジフェニル）−４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（（２，３−ジフェニル）−４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（（２，３−ジフェニル）−４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（２，３，４−トリフェニル−５−メチルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（２，３，４−トリフェニル−５−メチルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（２，３，４−トリフェニル−５−メチルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（３−フェニル−４−メトキシシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（３−フェニル−４−メトキシシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（３−フェニル−４−メトキシシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（２，３−ジフェニル−４−（ｎ−ブチル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（２，３−ジフェニル−４−（ｎ−ブチル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、
（２，３−ジフェニル−４−（ｎ−ブチル）シクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；
（２，３，４，５−テトラフェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジクロライド、
（２，３，４，５−テトラフェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタンジメチル、及び
（２，３，４，５−テトラフェニルシクロペンタジエン−１−イル）ジメチル（ｔ−ブチルアミド）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン
が挙げられる。
【００８９】
本発明における触媒（Ａ）として使用すると好適な金属錯体のさらに別の例は、次式に対応する多環式錯体であり：
【化１２】
2007529615.tif 000025
式中、Ｍは、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあるチタンであり；
Ｒ7は、各出現時に独立して、水素化物、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ、ヒドロカルビレン−ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン−ホスフィノ置換ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、上記Ｒ7は、水素以外に最大４０個の原子を有し、場合により２つ以上の上記基を合わせたものが二価誘導体を形成し；
Ｒ8は、金属錯体の残りの部分と縮合構造を形成する二価のヒドロカルビレン基又は置換ヒドロカルビレン基であり、上記Ｒ8は水素以外に１から３０個の原子を含有し；
Ｘaは、二価の部分、又はＭと配位共有結合を形成可能な１つのσ結合及び中性の２つの電子対を含む部分であり、上記Ｘaは、ホウ素、又は元素周期表の１４族の元素を含み、さらに窒素、リン、硫黄、又は酸素も含み；
Ｘは、環状で非局在化π結合したリガンド基となる種類のリガンドを除いた最大６０個の原子を有する一価のアニオンのリガンド基であり、場合により２つのＸ基を合わせたものが二価のリガンド基を形成し；
Ｚは、各出現時に独立して、最大２０個の原子を有する中性の配位化合物であり；
ｘは０、１又は２であり；
ｚは０又は１である。
【００９０】
このような錯体の好ましい例は、次式に対応する３−フェニル置換ｓ−インデセニル錯体：
【化１３】
2007529615.tif 000026
次式に対応する２，３−ジメチル置換ｓ−インデセニル錯体：
【化１４】
2007529615.tif 000027
あるいは次式に対応する２−メチル置換ｓ−インデセニル錯体である：
【化１５】
2007529615.tif 000028
【００９１】
本発明による触媒（Ａ）として有効に使用される金属錯体のさらに別の例は次式の金属錯体である：
【化１６】
2007529615.tif 000029
具体的な金属錯体としては：
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、
（８−メチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、
（８−ジフルオロメチレン−１，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、
及びそれらの混合物、特に位置異性体の混合物が挙げられる。
【００９２】
本発明により使用される金属錯体のさらなる例は次式に対応し：
【化１７】
2007529615.tif 000030
式中、Ｍは、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあるチタンであり；
Ｔは−ＮＲ9−又は−Ｏ−であり；
Ｒ9は、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ジヒドロカルビルボリル、又はハロヒドロカルビル、又は水素以外に最大１０個の原子であり；
Ｒ10は、各出現時に独立して、水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ、ヒドロカルビレン−ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、上記Ｒ10基は、水素原子以外に最大４０個の原子を有し、場合により２つ以上の上記隣接するＲ10基を合わせたものが二価誘導体を形成し、それによって飽和又は不飽和の縮合環を形成することができ；
Ｘaは、非局在化π電子のない二価の部分、又はＭと配位共有結合を形成可能な１つのσ結合及び中性の２つの電子対を含む部分であり、上記Ｘ'は、ホウ素、又は元素周期表の１４族の元素を含み、さらに窒素、リン、硫黄、又は酸素も含み；
Ｘは、非局在化π電子を介してＭと結合する環状リガンド基となる種類のリガンドを除いた最大６０個の原子を有する一価のアニオンのリガンド基であり、場合により２つのＸ基を合わせたものが二価のアニオンのリガンド基を形成し；
Ｚは、各出現時に独立して、最大２０個の原子を有する中性の配位化合物であり；
ｘは０、１、２、又は３であり；
ｚは０又は１である。
【００９３】
非常に好ましくは、Ｔは＝Ｎ（ＣＨ3）であり、Ｘはハロ又はヒドロカルビルであり、ｘは２であり、Ｘ’はジメチルシランであり、ｚは０であり、Ｒ10は、各出現時に独立して、水素、水素以外で最大２０個の原子の、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、ジヒドロカルビルアミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジヒドロカルビルアミノ置換ヒドロカルビル基、又はヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル基であり、場合により２つのＲ10基は互いに結合することができる。
【００９４】
本発明の実施に使用することができる上記式の実例となる金属錯体としては、さらに以下の化合物が挙げられる：
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジメチル、
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（ｔ−ブチルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ビス（トリメチルシリル）、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジメチル、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（シクロヘキシルアミド）ジメチル−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ビス（トリメチルシリル）、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジメチル、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（ｔ−ブチルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ビス（トリメチルシリル）、
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジクロライド、
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジメチル、
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ジベンジル、及び
（シクロヘキシルアミド）ジ（ｐ−メチルフェニル）−［６，７］ベンゾ−［４，５：２’，３’］（１−メチルイソインドール）−（３Ｈ）−インデン−２−イル）シランチタン（ＩＶ）ビス（トリメチルシリル）。
【００９５】
本発明の実施に使用することができる実例となる４族金属錯体としては：
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（１，１−ジメチル−２，３，４，９，１０−η−１，４，５，６，７，８−ヘキサヒドロナフタレニル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（１，１，２，３−テトラメチル−２，３，４，９，１０−η−１，４，５，６，７，８−ヘキサヒドロナフタレニル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタンジベンジル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）−１，２−エタンジイルチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−インデニル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＩＩ）２−（ジメチルアミノ）ベンジル；
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＩＩ）アリル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＩＩ）２，４−ジメチルペンタジエニル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）２，４−ヘキサジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）イソプレン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）イソプレン
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）ジメチル
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）ジベンジル
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，３−ジメチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）ジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）ジベンジル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）２，４−ヘキサジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチル−シランチタン（ＩＶ）１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＶ）イソプレン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチル−シランチタン（ＩＩ）１，４−ジベンジル−１，３−ブタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチルシランチタン（ＩＩ）２，４−ヘキサジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）ジメチル−シランチタン（ＩＩ）３−メチル−１，３−ペンタジエン、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（２，４−ジエチルペンタジエン−３−イル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（６，６−ジメチルシクロヘキサジエニル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（１，１−ジメチル−２，３，４，９，１０−η−１，４，５，６，７，８−ヘキサヒドロナフタレン−４−イル）ジメチルシランチタンジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（１，１，２，３−テトラメチル−２，３，４，９，１０−η−１，４，５，６，７，８−ヘキサヒドロナフタレン−４−イル）ジメチルシランチタンジメチル
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン（ＩＶ）ジメチル、
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、
１−（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）−２−（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）エタンジイルチタン（ＩＶ）ジメチル、及び
１−（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）−２−（テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル）エタンジイル−チタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン
がさらに挙げられる。
【００９６】
他の非局在化π結合した錯体、特に他の４族金属を含有する錯体は、当然ながら当業者には明らかであり、特に国際公開第０３／７８４８０号パンフレット、国際公開第０３／７８４８３号パンフレット、国際公開第０２／９２６１０号パンフレット、国際公開第０２／０２５７７号パンフレット、米国特許出願公開第２００３／０００４２８６号明細書、及び米国特許第６，５１５，１５５号明細書、第６，５５５，６３４号明細書、第６，１５０，２９７号明細書、第６，０３４，０２２号明細書、第６，２６８，４４４号明細書、第６，０１５，８６８号明細書、第５，８６６，７０４号明細書、及び５，４７０，９９３号明細書に開示されている。
【００９７】
触媒（Ａ）として使用すると有用な金属錯体のさらなる例は、多価ルイス塩基の錯体であり、例えば次式に対応する化合物であり：
【化１８】
2007529615.tif 000031
式中、Ｔbは架橋基であり、好ましくは水素以外に２つ以上の原子を含有し、
Ｘb及びＹbは、それぞれ独立して、窒素、硫黄、酸素、及びリンからなる群より選択され；より好ましくはＸb及びＹbの両方が窒素であり、
Ｒb及びＲb’は、各出現時に独立して、水素、あるいは場合により１又はそれ以上のヘテロ原子を含有するＣ1〜50ヒドロカルビル基、あるいは不活性に置換されたそれらの誘導体である。好適なＲb基及びＲb’基の非限定的例としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、（ポリ）アルキルアリール基、及びシクロアルキル基、ならびに窒素、リン、酸素及びハロゲンで置換されたそれらの誘導体が挙げられる。好適なＲｂ基及びＲｂ’基の具体例としては、メチル、エチル、イソプロピル、オクチル、フェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，６−ジ（イソプロピル）フェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、３，５−トリフルオロメチルフェニル、及びベンジルが挙げられ；
ｇは０又は１であり；
Ｍbは、元素周期表の３から１５族、又はランタニド系列から選択される金属元素である。好ましくは、Ｍbは、３〜１３族金属であり、より好ましくはＭbは４〜１０族金属であり；
Ｌbは、水素以外に１から５０個の原子を含有する一価、二価、又は三価のアニオンのリガンドである。好適なＬb基の例としては、ハライド；ヒドリド；ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ；ジ（ヒドロカルビル）アミド、ヒドロカルビレンアミド、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィド；ヒドロカルビルスルフィド；ヒドロカルビルオキシ、トリ（ヒドロカルビルシリル）アルキル；及びカルボキシレートが挙げられる。より好ましいＬb基は、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ7〜20アラルキル、及びクロライドであり；
ｈは、１から６、好ましくは１から４、より好ましくは１から３の整数であり、ｊは１又は２であり、ｈ×ｊの値は、電荷バランスが得られるように選択され；
Ｚbは、Ｍbに配位し水素以外に最大５０個の原子を含有する中性のリガンド基である。好ましいＺb基としては、脂肪族及び芳香族のアミン、ホスフィン、及びエーテル、アルケン、アルカジエン、ならびに不活性に置換されたそれらの誘導体が挙げられる。好適な不活性置換基としては、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ジ（ヒドロカルビル）アミン基、トリ（ヒドロカルビル）シリル基、及びニトリル基が挙げられる。好ましいＺb基としては、トリフェニルホスフィン、テトラヒドロフラン、ピリジン、及び１，４−ジフェニルブタジエンが挙げられ；
ｆは１から３の整数であり；
Ｔb、Ｒb、及びＲb'の中の２つ又は３つは、互いに結合して１つ又は複数の環構造を形成することができ；
ｈは、１から６、好ましくは１から４、より好ましくは１から３の整数であり；
「〜〜〜〜〜」は、任意の形態の電子的相互作用を表しており、特に、複数の結合を含めた配位又は共有結合を表しており、矢印は配位結合を表しており、点線は場合による二重結合を表している。
【００９８】
一実施形態においては、Ｒbが、Ｘbに対して比較的小さい立体障害を有することが好ましい。この実施形態においては、最も好ましいＲb基は、直鎖アルキル基、直鎖アルケニル基、最も近い分岐点がＸbから少なくとも３個の原子だけ離れている分岐鎖アルキル基、ならびにそれらのハロ、ジヒドロカルビルアミノ、アルコキシ、又はトリヒドロカルビルシリルで置換された誘導体である。この実施形態における非常に好ましいＲb基はＣ1〜8直鎖アルキル基である。
【００９９】
同時に、この実施形態においては、好ましくはＲb’が、Ｙbに対して比較的大きい立体障害を有する。この実施形態に好適なＲb’基の非限定的例としては、１又はそれ以上の第二級又は第三級炭素中心を含有するアルキル基又はアルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルカリール基、脂肪族又は芳香族の複素環式基、有機又は無機のオリゴマー、ポリマー、又は環状の基、ならびにそれらのハロ、ジヒドロカルビルアミノ、アルコキシ、又はトリヒドロカルビルシリルで置換された誘導体が挙げられる。この実施形態における好ましいＲb’基は、水素以外に３から４０個、より好ましくは３から３０、最も好ましくは４から２０個の原子を含有し、分岐又は環状である。
【０１００】
好ましいＴb基の例は、以下の式に対応する構造であり：
【化１９】
2007529615.tif 000032
式中、
各Ｒdは、Ｃ1〜10ヒドロカルビル基であり、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル、フェニル、２，６−ジメチルフェニル、ベンジル、又はトリルである。各Ｒeは、Ｃ1〜10ヒドロカルビルであり、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル、フェニル、２，６−ジメチルフェニル、ベンジル、又はトリルである。さらに、２つ以上のＲd基又はＲe基、又はＲd基とＲe基とを合わせたものが、ヒドロカルビル基の多価誘導体、例えば、１，４−ブチレン、１，５−ペンチレン、又は多環式、縮合環、多価ヒドロカルビル基又はヘテロヒドロカルビル基、例えばナフタレン−１，８−ジイルを形成することができる。
【０１０１】
上記多価ルイス塩基錯体の好ましい例としては以下のものが挙げられ：
【化２０】
2007529615.tif 000033
【化２１】
2007529615.tif 000034
式中、Ｒd'は、各出現時に独立して、水素、及び１又はそれ以上のヘテロ原子を場合により含有するＣ1〜50ヒドロカルビル基、又はそれらの不活性に置換された誘導体からなる群より選択されるか、場合により、２つの隣接するＲd'基を合わせたものが二価の架橋基を形成することができ；
ｄ’は４であり；
Ｍb'は、４族金属、好ましくはチタン又はハフニウム、あるいは１０族金属、好ましくはＮｉ又はＰｄであり；
Ｌb'は、水素以外に最大５０個の原子の一価のリガンドであり、好ましくはハライド又はヒドロカルビルである、あるいは２つのＬb'基を合わせたものが、二価又は中性のリガンド基、好ましくはＣ2〜50ヒドロカルビレン基、ヒドロカルバジイル基、又はジエン基を形成する。
【０１０２】
本発明において使用される多価ルイス塩基錯体としては、特に、次式に対応するヒドロカルビルアミンで置換されたヘテロアリール化合物の４族金属誘導体、特にハフニウム誘導体が挙げられ：
【化２２】
2007529615.tif 000035
式中：
Ｒ11は、水素以外に１から３０個の原子を含有するアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール、及び不活性に置換されたそれらの誘導体、あるいはそれらの二価の誘導体から選択され；
Ｔ1は、水素以外に１から４１個の原子の二価の架橋基であり、好ましくは水素以外に１から２０個の原子であり、最も好ましくはモノ−又はジ−Ｃ1〜20ヒドロカルビルで置換されたメチレン基又はシラン基であり；
Ｒ12は、ルイス塩基官能性を有するＣ5〜20ヘテロアリール基、特にピリジン−２−イル基又は置換ピリジン−２−イル基、あるいはそれらの二価の誘導体であり；
Ｍ1は４族金属、好ましくはハフニウムであり；
Ｘ1はアニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり；
ｘ’は、このようなＸ1基の数を示す０から５の数であり；
結合、場合による結合、及び電子供与性相互作用が、それぞれ線、点線、及び矢印で表されている。
【０１０３】
好ましい錯体は、アミン基からの水素脱離、及び場合により１又はそれ以上の追加の基がなくなることによって、特にＲ12からなくなることによってリガンドが形成される錯体である。さらに、ルイス塩基官能性からの電子供給、好ましくは電子対によって、金属中心がさらに安定となる。好ましい金属錯体は次式に対応し：
【化２３】
2007529615.tif 000036
式中、
Ｍ1、Ｘ1、ｘ’、Ｒ11、及びＴ1は前出の定義の通りであり、
Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は、水素、ハロ、あるいは水素以外に最大２０個の原子のアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、又はシリル基である、あるいは隣接するＲ13基、Ｒ14基、Ｒ15基、又はＲ16基が互いに結合することによって、縮合環誘導体を形成することができ、
結合、場合による結合、及び電子対供与性相互作用のそれぞれが線、点線、及び矢印によって示されている。
【０１０４】
上記金属錯体のより好ましい例は次式に対応し：
【化２４】
2007529615.tif 000037
式中、
Ｍ1、Ｘ1、及びｘ’は前出の定義の通りであり、
Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は前出の定義の通りであり、好ましくはＲ13、Ｒ14、及びＲ15が水素、又はＣ1〜4アルキルであり、Ｒ16がＣ6〜20アリール、最も好ましくはナフタレニルであり；
Ｒaは、各出現時に独立して、Ｃ1〜4アルキルであり、ａは１〜５であり、最も好ましくは窒素に対して２つのオルト位のＲaがイソプロピル又はｔ−ブチルであり；
Ｒ17及びＲ18は、各出現時に独立して、水素、ハロゲン、あるいはＣ1〜20アルキル又はアリール基であり、最も好ましくはＲ17及びＲ18の一方が水素であり、他方がＣ6〜20アリール基であり、特に２−イソプロピル、フェニル、又は縮合多環式アリール基、最も好ましくはアントラセニル基であり、
結合、場合による結合、及び電子対供与性相互作用のそれぞれが線、点線、及び矢印によって示されている。
【０１０５】
触媒（Ａ）として本発明において使用すると非常に好ましい金属錯体は式に対応し：
【化２５】
2007529615.tif 000038
式中、Ｘ1は、各出現時に、ハライド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド、又はＣ1〜4アルキルであり、好ましくは各出現時にＸ1がメチルであり；
Ｒfは、各出現時に独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1〜20アルキル、又はＣ6〜20アリールである、あるいは２つの隣接するＲfが互いに結合して環を形成し、ｆは１〜５であり；
Ｒcは、各出現時に独立して、水素、ハロゲン、Ｃ1〜20アルキル、又はＣ6〜20アリールである、あるいは２つの隣接するＲcが互いに結合して環を形成し、ｃは１〜５である。
【０１０６】
本発明による触媒（Ａ）として使用すると最も好ましい金属錯体の例は次式の錯体であり：
【化２６】
2007529615.tif 000039
式中、Ｒxは、Ｃ1〜4アルキル又はシクロアルキルであり、好ましくはメチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、又はシクロヘキシルであり；
【０１０７】
Ｘ1は、各出現時に、ハライド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド、又はＣ1〜4アルキル、好ましくはメチルである。
【０１０８】
発明による触媒（Ａ）として使用すると有用な金属錯体の例としては：
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（ｏ−トリル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジメチル；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（ｏ−トリル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド）；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（ｏ−トリル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジクロライド；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（２−イソプロピルフェニル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジメチル；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（２−イソプロピルフェニル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド）；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（２−イソプロピルフェニル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジクロライド；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（フェナントレン−５−イル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジメチル；
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（フェナントレン−５−イル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド）；及び
［Ｎ−（２，６−ジ（１−メチルエチル）フェニル）アミド）（フェナントレン−５−イル）（α−ナフタレン−２−ジイル（６−ピリジン−２−ジイル）メタン）］ハフニウムジクロライド
が挙げられる。
【０１０９】
本発明において使用される金属錯体の調製に使用される反応条件下で、ピリジン−２−イル基の６位で置換されたα−ナフタレン基の２位の水素の脱離が起こり、それによって、結果として得られるアミド基と、α−ナフタレニル基の２位との両方に金属が共有結合し、窒素原子の電子対を介してピリジニル窒素原子に配位することによって安定化した独自の金属錯体が形成される。
【０１１０】
本発明において使用されるさらなる好適な多価ルイス塩基の金属錯体としては次式に対応する化合物が挙げられ：
【化２７】
2007529615.tif 000040
式中：
Ｒ20は、水素以外に５から２０個の原子を含有する芳香族基、又は不活性に置換された芳香族基、あるいはそれらの多価誘導体であり；
Ｔ3は、水素以外に１から２０個の原子を有するヒドロカルビレン基又はシラン基、あるいはそれらの不活性に置換された誘導体であり；
Ｍ3は、４族金属、好ましくはジルコニウム又はハフニウムであり；
Ｇは、アニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり、好ましくはハライド、水素以外に最大２０個の原子を有するヒドロカルビル基又はジヒドロカルビルアミド基であり；
ｇは、このようなＧ基の数を示す１から５の数であり；
結合及び電子供与性相互作用が、それぞれ線及び矢印で表されている。
好ましくは、このような錯体は次式に対応し：
【化２８】
2007529615.tif 000041
式中：
Ｔ3は、水素以外に２から２０個の原子を有する二価の架橋基、好ましくは置換又は非置換のＣ3〜6アルキレン基であり；
Ａｒ2は、各出現時に独立して、水素以外に６から２０個の原子のアリーレン基あるいはアルキル置換又はアリール置換アリーレン基であり；
Ｍ3は、４族金属、好ましくはハフニウム又はジルコニウムであり；
Ｇは、各出現時に独立して、アニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり；
ｇは、このようなＸ基の数を示す１から５の数であり；
電子供与性相互作用が矢印で表されている。
【０１１１】
上記式の金属錯体の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられ：
【化２９】
2007529615.tif 000042
式中、Ｍ3は、Ｈｆ又はＺｒであり；
Ａｒ4は、Ｃ6〜20アリール、又はそれらの不活性に置換された誘導体であり、特に３，５−ジ（イソプロピル）フェニル、３，５−ジ（イソブチル）フェニル、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル、又はアントラセン−５−イルであり、
Ｔ4は、各出現時に独立して、Ｃ3〜6アルキレン基、Ｃ3〜6シクロアルキレン基、又はそれらの不活性に置換された誘導体を含み；
Ｒ21は、各出現時に独立して、水素、ハロ、水素以外に最大５０個の原子のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、又はトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり；
Ｇは、各出現時に独立して、ハロ、あるいは水素以外に最大２０個の原子のヒドロカルビル基又はトリヒドロカルビルシリル基である、あるいは２つのＧ基を合わせたものが上記ヒドロカルビル基又はトリヒドロカルビルシリル基の二価の誘導体となる。
【０１１２】
次式の化合物が特に好ましく：
【化３０】
2007529615.tif 000043
式中、Ａｒ4は、３，５−ジ（イソプロピル）フェニル、３，５−ジ（イソブチル）フェニル、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル、又はアントラセン−５−イルであり、
Ｒ21は、水素、ハロ、又はＣ1〜4アルキル、特にメチルであり、
Ｔ4は、プロパン−１，３−ジイル又はブタン−１，４−ジイルであり、
Ｇは、クロロ、メチル、又はベンジルである。
【０１１３】
上記式の最も好ましい金属錯体は以下のものである：
【化３１】
2007529615.tif 000044
【０１１４】
上記の多価ルイス塩基錯体は、４族金属源及び中性多価リガンド源を伴う標準的なメタレーション及びリガンド交換手順によって好都合に調製される。さらに、これらの錯体は、対応する４族金属テトラアミド及びヒドロカルビル化剤、例えばトリメチルアルミニウムから出発する、アミド脱離及びヒドロカルビル化方法によって調製することもできる。他の技術も同様に使用することができる。これらの錯体は、特に、米国特許第６，３２０，００５号明細書、第６，１０３，６５７号明細書、国際公開第０２／３８６２８号パンフレット、国際公開第０３／４０１９５号パンフレット、及び米国特許出願公開第０４／０２２００５０号明細書における開示により公知である。
【０１１５】
本発明の一実施形態においては、結果として得られるポリマー中に「チェーンウォーキング」又は１，３−挿入が起こることが知られている特殊な触媒を使用することによって本発明のマルチブロックコポリマーの特定のセグメント中に分岐、例えば超分岐を導入することができる。例えば、カミンスキー(Kaminski)ら，J. Mol. Catal. A: Chemical, 102(1995)59-65；ザンベルリ(Zambelli)ら，Macromolecules, 1988, 21, 617-622；又はディアス(Dias)ら，J. Mol. Catal. A: Chemical, 185(2002)57-64に開示されている、ある種の均一な架橋ビスインデニル−ジルコニウム触媒又は部分水素化ビスインデニル−ジルコニウム触媒を使用して、エチレンなどの１種類のモノマーから分岐コポリマーを調製することができる。ブルックハート(Brookhart)ら，J. Am. Chem. Soc., 1995, 117, 64145-6415に開示されているように、より高次の遷移金属触媒、特にニッケル触媒及びパラジウム触媒によって、超分岐ポリマー（ポリマーの分岐がさらに分岐している）が得られることも知られている。
【０１１６】
本発明の一実施形態においては、本発明のポリマー中のこのような分岐、１，３−付加、又は超分岐の存在は、触媒Ａの活性によって得られるブロック又はセグメントにのみ限定されうる。従って、本発明の一実施形態において、このような分岐の存在が異なるブロック又はセグメントと、このような分岐が実質的に存在しない他のセグメント又はブロック（特に高密度又は高結晶質ポリマーブロック）とを含有するマルチブロックコポリマーが、場合により、別々に加えられたコモノマーによるコポリマー形成以外に形成される。非常に好ましくは、本発明の特定の実施形態において、交互にプロピレン又は４−メチル−１−ペンテンホモポリマーのセグメントと、非晶質コポリマーセグメント、特にエチレン含有コポリマーセグメントとを含むマルチブロックコポリマーを調製することができる。本発明のマルチブロックコポリマー中の長期分岐の存在は、結果として得られるコポリマーの特定の物理的性質、例えば溶融押出中の表面欠陥の減少（メルトフラクチャーの減少）、結晶質又は比較的硬質のポリマーセグメントと比較して非晶質又は比較的非晶質のセグメントの場合の融点、Ｔｇの低下、及び／又はＮＭＲ技術によって検出される１，３−付加又は超分岐の存在によって検出することができる。本発明のポリマー中に存在する上記種類の非標準的な分岐の量は（それを含有するブロック又はセグメントの一部として）、通常、１，０００個の炭素当たり０．０１から１０個の分岐の範囲となる。
【０１１７】
次式に対応する４から１０族誘導体：
【化３２】
2007529615.tif 000045
式中、
Ｍ2は、元素周期表の４〜１０族の金属、好ましくは４族金属、Ｎｉ（ＩＩ）、又はＰｄ（ＩＩ）、最も好ましくはジルコニウムであり；
Ｔ2は、窒素、酸素、又はリンを含有する基であり；
Ｘ2は、ハロ、ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルオキシであり；
ｔは１又は２であり；
ｘ”は、電荷バランスが得られるように選択される数であり；
Ｔ2及びＮは架橋性リガンドによって結合している。
【０１１８】
このような触媒は、特にJ. Am. Chem. Soc., 118, 267-268(1996)、J. Am. Chem. Soc., 117, 6414 -6415(1995)、及びOrganometallics, 16, 1514-1516, (1997)に既に開示されている。
【０１１９】
上記金属錯体の好ましい例は、次式に対応する４族金属、特にジルコニウムの芳香族ジイミン錯体又は芳香族ジオキシイミン錯体であり：
【化３３】
2007529615.tif 000046
式中；
Ｍ2、Ｘ2、及びＴ2は前出の定義の通りであり；
Ｒdは、各出現時に独立して、水素、ハロゲン、又はＲeであり；
Ｒeは、各出現時に独立して、Ｃ1〜20ヒドロカルビル、又はそれらのヘテロ原子置換誘導体、特にＦ、Ｎ、Ｓ、又はＰ置換誘導体、より好ましくはＣ1〜10ヒドロカルビル又はそれらのＦ又はＮで置換された誘導体、最も好ましくはアルキル、ジアルキルアミノアルキル、ピロリル、ピペリデニル、パーフルオロフェニル、シクロアルキル、（ポリ）アルキルアリール、又はアラルキルである。
【０１２０】
好適な金属錯体のさらに別の例は、次式に対応するジルコニウムの芳香族ジオキシイミン錯体であり：
【化３４】
2007529615.tif 000047
【化３５】
2007529615.tif 000048
式中；
Ｘ2は前出の定義の通りであり、好ましくはＣ1〜10ヒドロカルビル、最も好ましくはメチル又はベンジルであり；
Ｒe’は、メチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、２−メチルシクロヘキシル、２，４−ジメチルシクロヘキシル、２−ピロリル、Ｎ−メチル−２−ピロリル、２−ピペリデニル、Ｎ−メチル−２−ピペリデニル、ベンジル、ｏ−トリル、２，６−ジメチルフェニル、パーフルオロフェニル、２，６−ジ（イソプロピル）フェニル、又は２，４，６−トリメチルフェニルである。
【０１２１】
触媒（Ｂ）として使用される上記錯体としては、欧州特許出願公開第８９０５８１号明細書に開示されるある種のホスフィンイミン錯体も挙げられる。これらの錯体は式：［（Ｒf）3−Ｐ＝Ｎ］fＭ（Ｋ2）（Ｒf）3-fに対応し、式中：
Ｒfは、一価のリガンドである、又は２つのＲf基を合わせたものが二価のリガンドを形成し、好ましくはＲfは、水素又はＣ1〜4アルキルであり；
Ｍは、４族金属であり、
Ｋ2は、Ｋ2をＭに結合させる非局在化π電子を含有する基であり、このＫ2基は水素原子以外に最大５０個の原子を含有し、
ｆは１又は２である。
【０１２２】
さらなる好適な金属錯体としては、次式に対応する金属錯体が挙げられ：
【化３６】
2007529615.tif 000049
式中、Ｍ’は、４〜１３族の金属、好ましくは８〜１０族の金属、最も好ましくはＮｉ又はＰｄであり；
ＲA、ＲB、及びＲCは、一価又は中性の置換基であり、互いに結合したものが１又はそれ以上の二価の置換基を形成することもでき、
ｃは、金属錯体の電荷バランスのため選択される数である。
【０１２３】
上記金属錯体の好ましい例は、次式に対応する化合物であり：
【化３７】
2007529615.tif 000050
式中、Ｍ’はＰｄ又はＮｉである。
【０１２４】
触媒（Ｂ）としての使用に好適な金属化合物としては、触媒（Ａ）に関して前述した金属化合物及び他の金属化合物が挙げられるが、但し、本発明の一実施形態においては、それらは触媒（Ａ）と比較すると比較的コモノマーの混入が少ないか、より高タクティシティのポリマーが生成されるかである。触媒（Ａ）として使用するための前述の金属錯体以外に、触媒（Ｂ）としての使用に特に好適なさらなる金属化合物又は不活性に配位したそれらの誘導体として、４族金属、特にジルコニウムのラセミ体のエチレンビスインデニル錯体又は置換ビス（インデニル）錯体、例えばエチレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジルコニウム錯体又はラセミ体のエチレンビス（インデニル）ジルコニウム錯体が挙げられる。
【０１２５】
当業者であれば理解できるように、本発明の他の実施形態においては、触媒（Ａ）及び（Ｂ）の組み合わせを選択するための基準は、結果として得られるポリマーブロックの区別可能な他の性質であってよく、例えば、タクティシティー（イソタクチック／シンジオタクチック、イソタクチック／アタクチック又はシンジオタクチック／アタクチック）、位置エラー(regio-error)含有率、又はそれらの組み合わせ、例えば、位置エラー含有ブロックを有するアタクチックブロック、又は長鎖分岐ブロックを有するアタクチックブロックなどに基づく組み合わせであってよい。
【０１２６】
共触媒
金属錯体触媒（Ａ）及び（Ｂ）（本明細書においては交換可能にプロ触媒とも呼ぶ）のそれぞれは、共触媒、好ましくはカチオン形成性共触媒、強ルイス酸、又はそれらの組み合わせと併用することによって活性化して、活性触媒組成物を形成することができる。好ましい実施形態においては、シャトリング剤は、鎖シャトリングの目的と、触媒組成物の共触媒成分としてとの両方で使用される。
【０１２７】
金属錯体は、望ましくは４族金属オレフィン重合錯体との併用が当技術分野において従来知られていたものなどのカチオン形成性共触媒を併用することによって、触媒的に活性となる。本発明において使用すると好適なカチオン形成性共触媒としては、中性ルイス酸、例えばＣ1〜30ヒドロカルビルで置換された１３族化合物、特に、各ヒドロカルビル基又はハロゲン化ヒドロカルビル基中に１から１０炭素を有するトリ（ヒドロカルビル）アルミニウム化合物又はトリ（ヒドロカルビル）ホウ素化合物、及びそれらのハロゲン化（例えば過ハロゲン化）された誘導体、さらに特に過フッ素化トリ（アリール）ホウ素化合物、さらに特にトリス（ペンタフルオロ−フェニル）ボラン；非ポリマー、相溶性、非配位性、イオン形成性化合物（酸化性条件下でのこのような化合物の使用を含む）、特に相溶性非配位性アニオンのアンモニウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩、カルボニウム塩、シリリウム塩、又はスルホニウム塩、あるいは相溶性非配位性アニオンのフェロセニウム塩、鉛塩、又は銀塩の使用；ならびに上記カチオン形成性共触媒及び技術の組み合わせが挙げられる。上記の活性化共触媒及び活性化技術は、オレフィン重合の異なる金属触媒に関して以下の参考文献において既に教示されている：欧州特許出願公開第２７７，００３号明細書、米国特許第５，１５３，１５７号明細書、米国特許第５，０６４，８０２号明細書、米国特許第５，３２１，１０６号明細書、米国特許第５，７２１，１８５号明細書、米国特許第５，３５０，７２３号明細書、米国特許第５，４２５，８７２号明細書、米国特許第５，６２５，０８７号明細書、米国特許第５，８８３，２０４号明細書、米国特許第５，９１９，９８３号明細書、米国特許第５，７８３，５１２号明細書、国際公開第９９／１５５３４号パンフレット、及び国際公開第９９／４２４６７号パンフレット。
【０１２８】
中性ルイス酸の組み合わせ、特に各アルキル基中に１から４個の炭素を有するトリアルキルアルミニウム化合物と、各ヒドロカルビル基中に１から２０個の炭素を有するハロゲン化トリ（ヒドロカルビル）ホウ素化合物、特にトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとの組み合わせ、さらには、このような中性ルイス酸混合物と、ポリマー又はオリゴマーのアルモキサンとの組み合わせ、及び１種類の中性ルイス酸、特にトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランと、ポリマー又はオリゴマーのアルモキサンとの組み合わせを、活性化共触媒として使用することができる。金属錯体：トリス（ペンタフルオロフェニル−ボラン：アルモキサンの好ましいモル比は、１：１：１から１：５：２０であり、より好ましくは１：１：１．５から１：５：１０である。
【０１２９】
本発明の一実施形態における共触媒として有用な好適なイオン形成性化合物は、プロトンを供与することができるブレンステッド酸であるカチオンと、相溶性で非配位性のアニオンＡ-とを含む。本明細書において使用される場合、用語「非配位性」は、４族金属含有前駆錯体及びそれらから誘導される触媒誘導体と配位しないか、あるいは、このような錯体と弱く配位するのみであり中性ルイス塩基によって十分置き換わりやすいままであるかのいずれかであるアニオン又は物質を意味する。非配位性アニオンは、カチオン性金属錯体中の電荷のバランスをとるアニオンとして機能する場合に、アニオン置換基又はその断片をカチオンに移動させて中性錯体を形成することがないアニオンを特に意味する。「相溶性アニオン」は、最初に形成された錯体が分解したときに分解して中性になることがなく、後の所望の重合又はその錯体の他の用途を妨害することがないアニオンである。
【０１３０】
好ましいアニオンは、電荷を有する金属又はメタロイドのコアを含む１つの配位錯体を含有するアニオンであり、このアニオンは、２種類の成分を混合した場合に形成することができる活性触媒種（金属カチオン）の電荷のバランスをとることができる。また、このアニオンは、オレフィン系、ジオレフィン系、及びアセチレン系の不飽和の化合物又は他の中性ルイス塩基、例えばエーテル又は二トリルによって十分置き換えられやすくあるべきである。好適な金属としては、限定するものではないが、アルミニウム、金、及び白金が挙げられる。好適なメタロイドとしては、限定するものではないが、ホウ素、リン、及びケイ素が挙げられる。１つの金属又はメタロイド原子を含有する配錯体を含むアニオンを含有する化合物は当然ながら周知であり、特に、アニオン部分に１つのホウ素原子を含有する多くのこのような化合物が市販されている。
【０１３１】
好ましくはこのような共触媒は、次の一般式で表すことができ：
（Ｌ*−Ｈ）g+（Ａ）g-
式中、
Ｌ*は中性ルイス塩基であり；
（Ｌ*−Ｈ）+は、Ｌ*の共役ブレンステッド酸であり；
Ａg-は、電荷ｇ−を有する非配位性で相溶性のアニオンであり、
ｇは１から３の整数である。
より好ましくは、Ａg-は式：［Ｍ’Ｑ4］-
に対応し、式中：
Ｍ’は、＋３の形式酸化状態ホウ素又はアルミニウムであり；
Ｑは、各出現時に独立して、ヒドリド基、ジアルキルアミド基、ハライド基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシド基、ハロ置換ヒドロカルビル基、ハロ置換ヒドロカルビルオキシ基、及びハロ置換シリルヒドロカルビル基（過ハロゲン化ヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビルオキシ基、及び過ハロゲン化シリルヒドロカルビル基を含む）から選択され、上記Ｑは、最大２０個の炭素を有し、但し、１つ以上のＱがハライドである。好適なヒドロカルビルオキシドＱ基の例は米国特許第５，２９６，４３３号明細書に開示されている。
【０１３２】
より好ましい実施形態においては、ｄが１である、すなわち、対イオンが１つの負電荷を有しＡ-である。本発明の触媒の調製に特に有用なホウ素を含む活性化共触媒は、次の一般式で表すことができ：
（Ｌ*−Ｈ）+（ＢＱ4）-；
式中：
Ｌ*は前出の定義の通りであり；
Ｂは、形式酸化状態が３であるホウ素であり；
Ｑは、最大２０個の非水素原子のヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、フッ素化ヒドロカルビル基、フッ素化ヒドロカルビルオキシ基、又はフッ素化シリルヒドロカルビル基であり、但し、１つ以下の場合がＱヒドロカルビルである。
【０１３３】
好ましいルイス塩基塩は、アンモニウム塩であり、より好ましくは１又はそれ以上のＣ12〜40アルキル基を含有するトリアルキルアンモニウム塩である。最も好ましくは、Ｑは、各出現時に、フッ素化アリール基であり、特にペンタフルオロフェニル基である。
【０１３４】
本発明の改善された触媒の調製において活性化共触媒として使用することができるホウ素化合物の例示的で非限定的な例は、三置換されたアンモニウム塩、例えば：
トリメチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリ（ｎ−ブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリ（ｓｅｃ−ブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムｎ−ブチルトリス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムベンジルトリス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（４−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（４−（トリイソプロピルシリル）−２，３、５，６−テトラフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムペンタフルオロフェノキシトリス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチル−２，４，６−トリメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
ジメチルオクタデシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
メチルジオクタデシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
ジアルキルアンモニウム塩、例えば：
ジ−（ｉ−プロピル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
メチルオクタデシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
メチルオクタドデシルアンモニウムテトラテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、及び
ジオクタデシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
三置換されたホスホニウム塩、例えば：
トリフェニルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
メチルジオクタデシルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、及び
トリ（２，６−ジメチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
二置換されたオキソニウム塩、例えば：
ジフェニルオキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
ジ（ｏ−トリル）オキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、及び
ジ（オクタデシル）オキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート；
二置換されたスルホニウム塩、例えば：
ジ（ｏ−トリル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、及び
メチルコタデシルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート
である。
【０１３５】
好ましい（Ｌ*−Ｈ）+カチオンは、メチルジオクタデシルアンモニウムカチオン、ジメチルオクタデシルアンモニウムカチオン、及び、１又は２個のＣ14〜18アルキル基を含有するトリアルキルアミンの混合物から誘導されるアンモニウムカチオンである。
【０１３６】
別の好適なイオン形成性活性化共触媒は、次式で表されるカチオン性酸化剤と非配位性で相溶性のアニオンとの塩を含み：
（Ｏｘh+）g（Ａg-）h
式中：
Ｏｘ h+は、電荷ｈ＋を有するカチオン性酸化剤であり；
ｈは１から３の整数であり；
Ａg-及びｇは前出の定義の通りである。
【０１３７】
カチオン性酸化剤の例としては、フェロセニウム、ヒドロカルビル置換フェロセニウム、Ａｇ+、又はＰｂ+2が挙げられる。Ａg+の好ましい実施形態は、前述のブレンステッド酸含有活性化共触媒に関して定義したアニオンであり、特にテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【０１３８】
別の好適なイオン形成性活性化共触媒は、次式で表されるカルベニウムイオンと、非配位性で相溶性のアニオンとの塩である化合物を含み：
［Ｃ］+Ａ-
式中：
［Ｃ］+は、Ｃ1〜20カルベニウムイオンであり；
Ａ-は、電荷−１を有する非配位性で相溶性のアニオンである。好ましいカルベニウムイオンはトリチルカチオン、すなわちトリフェニルメチリウムである。
【０１３９】
さらに別の好適なイオン形成性活性化共触媒は、次式で表されるシリリウムイオンと、非配位性で相溶性のアニオンとの塩である化合物を含み：
（Ｑ13Ｓｉ）+Ａ-
式中：
Ｑ1は、Ｃ1〜10ヒドロカルビルであり、Ａ-は前出の定義の通りである。
【０１４０】
好ましいシリリウム塩の活性化共触媒は、トリメチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリエチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、及びそれらのエーテル置換された付加体である。シリリウム塩は、J. Chem Soc. Chem. Comm., 1993, 383-384、及びランバート(Lambert), Ｊ．Ｂ．ら, Organometallics, 1994, 13, 2430-2443において既に包括的に開示されている。付加重合触媒の活性化共触媒としての上記シリリウムの塩の使用は米国特許第５，６２５，０８７号明細書に開示されている。
【０１４１】
アルコール、メルカプタン、シラノール、及びオキシムと、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとの特定の錯体も、有効な触媒活性化剤であり、本発明により使用することができる。このような共触媒は米国特許第５，２９６，４３３号明細書に開示されている。
【０１４２】
本発明において使用される好適な活性化共触媒としては、ポリマー又はオリゴマーのアルモキサン、特にメチルアルモキサン(MAO)、トリイソブチルアルミニウム改質メチルアルモキサン(MMAO)、又はイソブチルアルモキサン；ルイス酸改質アルモキサン、特に、各ヒドロカルビル基又はハロゲン化ヒドロカルビル基中に１から１０個の炭素を有する、過ハロゲン化トリ（ヒドロカルビル）アルミニウム改質アルモキサン、又は過ハロゲン化トリ（ヒドロカルビル）ホウ素改質アルモキサン、特に、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン改質アルモキサンも挙げられる。このような共触媒は、米国特許第６，２１４，７６０号明細書、第６，１６０，１４６号明細書、第６，１４０，５２１号明細書、及び第６，６９６，３７９号明細書に既に開示されている。
【０１４３】
エキスパンデッドアニオン(expanded anion)と一般に呼ばれ、さらに米国特許第６，３９５，６７１号明細書に開示されている非配位性アニオンを含む種類の共触媒も、オレフィン重合のための本発明の金属錯体の活性に適宜使用することができる。一般に、これらの共触媒（例えば、イミダゾリドアニオン、置換イミダゾリドアニオン、イミダゾリニドアニオン、置換されたイミダゾリニドアニオン、ベンズイミダゾリドアニオン、又は置換ベンズイミダゾリドアニオンを有するもの）は以下のように表すことができ：
【化３８】
2007529615.tif 000051
式中：
Ａ*+は、カチオン、特にプロトン含有カチオンであり、好ましくは、１又は２個のＣ10〜40アルキル基を含有するトリヒドロカルビルアンモニウムカチオンであり、特にメチルジ（Ｃ14〜20アルキル）アンモニウムカチオンであり、
Ｑ3は、各出現時に独立して、水素又はハロ、水素以外に最大３０個の原子の、ヒドロカルビル基、ハロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、シリルヒドロカルビル基、又はシリル（モノ−、ジ−及びトリ（ヒドロカルビル）シリルを含む）基であり、好ましくはＣ1〜20アルキルであり、
Ｑ2は、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン又はトリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）である。
【０１４４】
これらの触媒活性化剤の例としては、以下のもののトリヒドロカルビルアンモニウム塩、特に、メチルジ（Ｃ14〜20アルキル）アンモニウム塩が挙げられる：
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）イミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−２−ウンデシルイミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−２−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−４，５−ビス（ウンデシル）イミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−４，５−ビス（ヘプタデシル）イミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）イミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−２−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−２−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−４，５−ビス（ウンデシル）イミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−４，５−ビス（ヘプタデシル）イミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニルフェニル）ボラン）−５，６−ジメチルベンズイミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）−５，６−ビス（ウンデシル）ベンズイミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）イミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−２−ウンデシルイミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−２−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−４，５−ビス（ウンデシル）イミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−４，５−ビス（ヘプタデシル）イミダゾリド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）イミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−２−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−２−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−４，５−ビス（ウンデシル）イミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−４，５−ビス（ヘプタデシル）イミダゾリニド、
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−５，６−ジメチルベンズイミダゾリド、及び
ビス（トリス（ペンタフルオロフェニル）アルマン）−５，６−ビス（ウンデシル）ベンズイミダゾリド。
【０１４５】
他の活性化剤としては、ＰＣＴ国際公開第９８／０７５１５号パンフレットに記載されている活性化剤、例えばトリス（２，２’，２”−ノナフルオロビフェニル）フルオロアルミネートが挙げられる。複数の活性化剤の組み合わせ、例えばアルモキサンとイオン化活性化剤との併用も本発明により考慮され、例えば、欧州特許出願公開第０  ５７３１２０号明細書、ＰＣＴ国際公開第９４／０７９２８号パンフレット、及び国際公開第９５／１４０４４号パンフレット、ならびに米国特許第５，１５３，１５７号明細書、及び第５，４５３，４１０号明細書を参照されたい。国際公開第９８／０９９９６号パンフレットには、パークロレート、パーアイオデート、及びアイオデート、ならびにそれらの水和物により活性化される触媒組成物が記載されている。国際公開第９９／１８１３５号パンフレットには、オルガノボロアルミニウム活性化剤の使用が記載されている。国際公開第０３／１０１７１号パンフレットには、ブレンステッド酸のルイス酸付加体である触媒活性化剤が開示されている。触媒化合物を活性化するための他の活性化剤又は方法は、例えば、米国特許第５，８４９，８５２号明細書、第５，８５９，６５３号明細書、第５，８６９，７２３号明細書、欧州特許出願公開第６１５９８１号明細書、及びＰＣＴ国際公開第９８／３２７７５号パンフレットに記載されている。上記すべての触媒活性化剤、及び遷移金属錯体触媒用の他の周知の活性化剤を、本発明により単独又は組み合わせて使用することができるが、しかし、最良の結果のためにはアルモキサン含有共触媒は回避される。
【０１４６】
使用される触媒／共触媒のモル比は、好ましくは１：１０，０００から１００：１の範囲であり、より好ましくは１：５０００から１０：１の範囲であり、最も好ましくは１：１０００から１：１の範囲である。活性化共触媒としてそれ自体が使用される場合、アルモキサンは、多量で使用され、一般に、モル基準で金属錯体の量の少なくとも１００倍で使用される。活性化共触媒として使用される場合のトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランは、金属錯体に対するモル比が、０．５：１から１０：１、より好ましくは１：１から６：１、最も好ましくは１：１から５：１で使用される。その他の活性化共触媒は、一般に、金属錯体に対してほぼ等モル量で使用される。
【０１４７】
触媒Ａ、触媒Ｂ、１又はそれ以上の共触媒、ならびに鎖シャトリング剤Ｃを使用する本発明の方法は、図１を参照することによってさらに説明することができ、この図では、重合条件下で、活性触媒部位１２に結合したポリマー鎖１３を形成する、活性化した触媒部位Ａ１０が示されている。同様に、活性触媒部位Ｂ２０は、活性触媒部位２２に結合した別のポリマー鎖２３を生成する。活性触媒Ｂによって生成されたポリマー鎖に結合した鎖シャトリング剤Ｃ１である１４は、そのポリマー鎖２３を、触媒部位Ａに結合したポリマー鎖１３と交換する。重合条件下でさらに連鎖成長することによって、活性触媒部位Ａに結合したマルチブロックコポリマー１８が形成される。同様に、活性触媒部位Ａによって生成されたポリマー鎖に結合した鎖シャトリング剤Ｃ２である２４は、そのポリマー鎖１３を、触媒部位Ｂに結合したポリマー鎖２３と交換する。重合条件下でさらに連鎖成長することによって、活性触媒部位Ｂに結合したマルチブロックコポリマー２８が形成される。成長するマルチブロックコポリマーが、シャトリング剤Ｃによって、活性触媒Ａ及び活性触媒Ｂの間で繰り返し交換されることによって、他方の活性触媒部位が起こるたびに異なる性質のブロック又はセグメントが形成される。成長するポリマー鎖は、希望するなら、鎖シャトリング剤に結合したときに回収することができるし、官能化することもできる。あるいは、得られたポリマーは、プロトン源又は他の停止剤を使用して活性触媒部位又はシャトリング剤分離することで回収することもできる。
【０１４８】
それぞれのセグメント又はブロックの組成、特にポリマー鎖の末端セグメントの組成は、プロセス条件又はその他のプロセス変量の選択によって影響を与えることができると考えられるが、そのような考えに束縛されることを望むものではない。本発明のポリマーにおいて、末端セグメントの性質は、各触媒の連鎖移動又は連鎖停止の相対速度、及び鎖シャトリングの相対速度によって決定される。可能性のある連鎖停止機構としては、限定するものではないが、β水素脱離、β水素のモノマーへの移動、β−メチル脱離、ならびに水素又は他の連鎖停止試薬、例えばオルガノシラン、又は鎖官能化剤への連鎖移動が挙げられる。従って、低濃度の鎖シャトリング剤が使用される場合、ポリマー鎖末端の大部分は、上記連鎖停止機構の１つによって重合反応器中で形成され、触媒（Ａ）及び（Ｂ）における連鎖停止の相対速度によって、主要な鎖末端部分が決定される。すなわち、最も速い連鎖停止速度を有する触媒は、最終ポリマー中の鎖末端セグメントを比較的多く生成する。
【０１４９】
対照的に、高濃度の鎖シャトリング剤が使用される場合、反応器中及び重合ゾーンから出た大部分のポリマー鎖は、鎖シャトリング剤に取り付けられる、又は結合する。これらの反応条件下では、主として、重合触媒の連鎖移動の相対速度、及び２種類の触媒の鎖シャトリングの相対速度によって、鎖末端部分の種類が決定される。触媒（Ａ）による連鎖移動及び／又は鎖シャトリングの速度が触媒（Ｂ）よりも速い場合、鎖末端セグメントの大部分は触媒（Ａ）によって生成されるセグメントとなる。
【０１５０】
中間濃度の鎖シャトリング剤では、上記要因の３つすべてが、最終ポリマーブロックの種類の決定に有効となる。上記方法は、３つ以上の種類のブロックを有するマルチブロックポリマーの分析、ならびにこれらのポリマーの平均ブロック長及びブロック配列の制御に拡張することができる。例えば、触媒１、２、及び３と鎖シャトリング剤との混合物を使用すると、各種類の触媒で異なる種類のポリマーブロックが形成される場合には、３つの異なるブロックタイプを有する線状ブロックコポリマーが生成される。さらに、３つ触媒についてシャトリング速度の成長速度に対する比の大きさが１＞２＞３の順となる場合、３つのブロックタイプにおける平均ブロック長が３＞２＞１の順となり、２−タイプブロックが３−タイプブロックと隣接する場合は、１−タイプブロックが２−タイプブロックと隣接する場合よりも少なくなる。
【０１５１】
従って、種々のブロックタイプのブロック長分布の制御する方法が存在する。例えば、触媒１、２、及び３（ここで、２及び３は実質的に同じ種類のポリマーブロックタイプを生成する）、ならびに鎖シャトリング剤を選択し、シャトリング速度が１＞２＞３の順となる場合、結果として得られるポリマーは、２及び３の触媒から形成されるブロック長のバイモーダル分布を有する。
【０１５２】
重合中、１又はそれ以上のモノマーを含む反応混合物を、任意の好適な重合条件により活性化させた触媒組成物と接触させる。この方法は、高温及び高圧の使用を特徴とする。希望するなら、周知の技術に従って分子量を制御するための連鎖移動剤として水素を使用することができる。別の同様の重合では、使用されるモノマー及び溶媒は、触媒の失活を引き起こさないために十分高純度であることが非常に望ましい。モノマー精製に好適なあらゆる技術、例えば減圧における脱揮、モレキュラーシーブ又は高表面積アルミナとの接触、あるいはこれらの方法の組み合わせを使用することができる。当業者であれば明らかであるように、本発明の方法における鎖シャトリング剤の、１又はそれ以上の触媒及び／又はモノマーに対する比を変化させることで、１又はそれ以上の化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを生成することができる。
【０１５３】
本発明において、特にスラリー又は気相重合において、担体を使用することができる。好適な担体としては、固体で、粒子状で、高表面積の金属酸化物、メタロイド酸化物、又はそれらの混合物（本明細書においては交換可能に無機酸化物と記載する）が挙げられる。例としては、タルク、シリカ、アルミナ、マグネシア、チタニア、ジルコニア、Ｓｎ2Ｏ3、アルミノシリケート、ボロシリケート、クレー、及びそれらの混合物が挙げられる。好適な担体は、好ましくは、Ｂ．Ｅ．Ｔ．法を使用した窒素細孔分布測定によって測定される表面積が１０から１０００ｍ2／ｇであり、好ましくは１００から６００ｍ2／ｇである。平均粒度は、典型的には０．１から５００μｍであり、好ましくは１から２００μｍであり、より好ましくは１０から１００μｍである。
【０１５４】
本発明の一実施形態においては、本発明の触媒組成物及び場合による担体は、噴霧乾燥又は他の方法によって固体粒子形態で回収して、輸送及び取り扱いが容易な組成物を得ることができる。液体含有スラリーを噴霧乾燥する好適な方法は、当技術分野において周知であり、本発明において有効に使用される。本発明で使用される触媒組成物を噴霧乾燥するのに好ましい技術は、米国特許第５，６４８，３１０号明細書及び第５，６７２，６６９号明細書に記載されている。
【０１５５】
本発明の重合は、望ましくは連続重合として実施され、好ましくは連続溶液重合として使用され、触媒成分、シャトリング剤、モノマー、ならびに場合により溶媒、補助剤、捕捉剤、及び重合助剤が反応ゾーンに連続的に供給され、ポリマー生成物はそこから連続的に取り出される。この場合に使用される用語「連続の」及び「連続的に」の範囲内では、反応物質の断続的な添加、ならびに短い規則的な又は不規則な間隔での生成物の取り出しが存在する方法でも、長時間にわたれば、全体的なプロセスは実質的に連続となる。
【０１５６】
本発明の触媒組成物は、高圧、溶液、スラリー、又は気相の重合方法において好都合に使用することができる。溶液重合方法の場合、使用される重合条件下でポリマーが可溶性となる液体希釈剤中での触媒成分の均一分散体を使用することが望ましい。金属錯体又は共触媒のいずれかは可溶性が非常に低いこのような均一触媒分散体を調製するために非常に微細なシリカ又は類似の分散剤を使用するこのような方法の１つが米国特許第５，７８３，５１２号明細書に開示されている。本発明の新規ポリマーを調製するための溶液方法、特に連続溶液方法は、好ましくは８０℃から２５０℃の間の温度、より好ましくは１００℃から２１０℃の間の温度、最も好ましくは１１０℃から２１０℃の間の温度で実施される。高圧方法は、通常、１００℃から４００℃の温度及び５００ｂａｒ（５０ＭＰａ）を超える圧力で実施される。スラリー方法では、典型的には不活性炭化水素希釈剤が使用され、０℃から、不活性重合媒体に対して実質的に可溶性となる温度よりわずかに低い温度までの温度が使用される。スラリー重合における好ましい温度は、３０℃から、好ましくは６０℃から１１５℃まで、好ましくは１００℃までである。圧力は、典型的には大気圧（１００ｋＰａ）から５００ｐｓｉ（３．４ＭＰａ）の範囲である。
【０１５７】
上記すべての方法において、連続又は実質的に連続の重合条件が好ましくは使用される。２種類以上の活性重合触媒種を使用する、このような重合条件の使用、特に連続溶液重合方法によって、高い反応器温度を使用することができ、その結果、マルチブロック又はセグメント化コポリマーを高い収率及び効率で経済的に生成される。均一型及びプラグ流れ型の両方の反応条件を使用することができる。ブロック組成のテーパーが望ましい場合には後者の条件が好ましい。
【０１５８】
触媒組成物（Ａ）及び（Ｂ）の両方は、必要な金属錯体を、重合が実施される溶媒、又は最終的な反応混合物と相溶性となる希釈剤に加えることによって、均一な組成物として調製することができる。所望の共触媒又は活性化剤及びシャトリング剤は、重合させるモノマー、及びあらゆる追加の反応希釈剤との混合前、混合と同時、又は混合後のいずれかにおいて触媒組成物と混合することができる。
【０１５９】
常に、個々の成分及びあらゆる活性触媒組成物は、酸素及び湿気から保護する必要がある。従って、触媒成分、シャトリング剤、及び活性化させた触媒は、酸素及び湿気を含有しない雰囲気、好ましくは乾燥不活性ガス、例えば、窒素の中で調製し保管する必要がある。
【０１６０】
本発明の範囲を限定するものでは決してないが、このような重合方法を実施するための手段の１つは以下の通りである。撹拌槽型反応器中で、重合させるモノマーを、任意の溶媒又は希釈剤とともに連続的に投入する。この反応器は、モノマーと、任意の溶媒又は希釈剤と、溶解したポリマーとで実質的に構成される液相を含有する。好ましい溶媒としては、Ｃ4〜10炭化水素又はそれらの混合物、特にアルカン、例えばヘキサン、又はアルカンの混合物、ならびに重合に使用される１又はそれ以上のモノマーが挙げられる。
【０１６１】
２種類以上の触媒と共触媒及び鎖シャトリング剤との混合物は、連続的又は断続的に反応器液相中又は再循環されたその一部に導入される。反応器の温度及び圧力は、溶媒／モノマー比、触媒添加速度を調節することによって、ならびに冷却又は加熱用コイル、ジャケット、又は両方によって制御することができる。重合速度は、触媒添加速度によって制御される。ポリマー生成物のコモノマー含有率は、反応器中の主要モノマーのコモノマーに対する比によって決定され、これは、反応器へのこれらの成分のそれぞれの供給速度を操作することによって制御される。ポリマー生成物の分子量は、場合により、他の重合変量、例えば温度、モノマー濃度の制御によって、前述の連鎖移動剤によって制御され、これは当技術分野においてよく知られていることである。反応器を出てから、その流出物を、触媒失活剤、例えば水、蒸気、又はアルコールと接触させる。このポリマー溶液は場合により加熱され、ポリマー生成物は、気体モノマー及び残留溶媒又は希釈剤を減圧下でフラッシングすることによって回収され、必要であれば、脱揮押出機などの装置中でさらに脱揮される。連続方法において、反応器中の触媒及びポリマーの平均滞留時間は、一般に５分から８時間であり、好ましくは１０分から６時間である。
【０１６２】
あるいは、上記の重合は、異なる領域で形成され、場合により触媒及び／又は連鎖移動剤を別々に添加することで実現される、モノマー、触媒、又はシャトリング剤の勾配を使用又は非使用で、連続ループ反応器中で実施することができ、断熱又は非断熱溶液重合条件、又は上記反応器条件の組み合わせで操作することができる。好適なループ反応器、及びそれに使用される種々の好適な操作条件の例は、米国特許第５，９７７，２５１号明細書、第６，３１９，９８９号明細書、及び第６，６８３，１４９号明細書に見られる。
【０１６３】
望ましいわけではないが、従来開示されているように必要な成分を不活性な無機の又は有機の粒子状固体の上に吸着させることによって、本発明の触媒組成物を不均一触媒として調製し使用することもできる。好ましい一実施形態においては、金属錯体、ならびに不活性無機化合物及び活性水素含有活性化剤との反応生成物、特に、トリ（Ｃ1〜4アルキル）アルミニウム化合物及びヒドロキシアリールトリス（ペンタフルオロフェニル）ボレートのアンモニウム塩、例えば（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）トリス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの反応生成物を共沈させることによって、不均一触媒が調製される。不均一又は担持形態で調製される場合、本発明の触媒組成物をスラリー重合又は気相重合で使用することができる。実際的な制限として、スラリー重合は、ポリマー生成物が実質的に不溶性である液体希釈剤中で行われる。好ましくは、スラリー重合の希釈剤は、炭素原子が５個未満の１又はそれ以上の炭化水素である。希望するなら、飽和炭化水素、例えばエタン、プロパン、又はブタンを、全体又は一部の希釈剤として使用することができる。溶液重合と同様に、モノマー、又は異なるモノマーの混合物は、全体又は一部を希釈剤としてとして使用することができる。最も好ましくは希釈剤の少なくとも過半量が、重合されるべきモノマーで構成される。
【０１６４】
好ましくは、気相重合方法に使用される場合、担体材料及び得られる触媒のメジアン粒径は２０から２００μｍであり、より好ましくは３０μｍから１５０μｍであり、最も好ましくは５０μｍから１００μｍである。好ましくは、スラリー重合方法の場合、担体のメジアン粒径は１μｍから２００μｍであり、より好ましくは５μｍから１００μｍであり、最も好ましくは１０μｍから８０μｍである。
【０１６５】
本発明において使用される好適な気相重合方法は、ポリプロピレン、ポリ−４−メチル−１−ペンテン、及び他のオレフィンポリマーの大規模製造において工業的に使用される周知の方法と実質的に類似している。使用される気相方法は、例えば、機械的に撹拌される床、又はガス流動床を重合反応ゾーンとして使用する種類の方法であってよい。流動化ガス流によって孔開き板又は流動グリットの上で支持又は浮遊されるポリマー粒子の流動床を含有する垂直円筒重合反応器中で重合反応が実施される方法が好ましい。
【０１６６】
床の流動化に使用されるガスは、重合される１種類以上のモノマーを含み、床から反応熱を除去する熱交換媒体としても機能する。高温のガスは通常、流動床よりも大きい直径を有する減速ゾーンとも呼ばれる安定化ゾーンを介して反応器上部から排出され、このゾーンでは、ガス流中に取り込まれた微粒子が重力によって床に戻る可能性が生じる。高温ガス流から超微粒子を除去するためにサイクロンを使用すると好都合であることもある。次に、通常は、ブロアー又はコンプレッサーと、ガスの重合熱を除去するための１又はそれ以上の熱交換器とによって、ガスは床に再循環される。
【０１６７】
冷却した再循環ガスによって得られる冷却以外で、床を冷却する好ましい方法の１つは、揮発性液体を床に供給して蒸発冷却効果を得ることであり、多くの場合、凝縮モードにおける操作と呼ばれる。この場合に使用される揮発性液体は、例えば、揮発性不活性液体、例えば、３から８個、好ましくは４から６個の炭素原子を有する飽和炭化水素であってよい。モノマー又はコモノマー自体が揮発性液体である場合、又は凝縮させることでそのような液体を得ることができる場合は、蒸発冷却効果を得るためにこれを床に適宜供給することができる。揮発性液体は高温の流動床中で蒸発して、ガスを発生し、流動化ガスと混合される。揮発性液体がモノマー又はコモノマーである場合、床中である程度重合が進行する。次に蒸発した液体は反応器から高温再循環ガスの一部として排出され、再循環ループの圧縮／熱交換パートに入る。再循環ガスは、熱交換器中で冷却され、ガスが冷却される温度がその露点よりも低い場合は、そのガスから液体が凝結する。この液体は、望ましくは流動床に連続的に再循環される。凝結した液体を再循環ガス流で運搬される液体として床に再循環することが可能である。この種の方法は例えば欧州特許出願公開第８９６９１号明細書、米国特許第４，５４３，３９９号明細書、国際公開第９４／２５４９５号パンフレット、及び米国特許第５，３５２，７４９号明細書に記載されている。液体を床に再循環する特に好ましい方法は、液体を再循環ガス流から分離し、好ましくは床内に微小液体を発生させる方法を使用して、この液体を直接床に再注入することである。この種の方法は国際公開第９４／２８０３２号パンフレットに記載されている。
【０１６８】
ガス流動床中で進行する重合反応は、本発明による触媒組成物の連続又は半連続的添加によって触媒される。本発明の触媒組成物は、予備重合ステップを行うことができ、例えば、液体不活性希釈剤中の少量のオレフィンモノマーを重合させることによって、オレフィンポリマー粒子にも埋め込まれた担持触媒粒子を含む触媒複合体を形成することができる。
【０１６９】
床内の触媒組成物、担持された触媒組成物、又は予備重合させた触媒組成物の流動化粒子上でモノマー又はモノマー混合物を重合させることによって、ポリマーが流動床中に直接生成される。重合反応の開始は、予備成形されたポリマー粒子の床を使用して実施され、この床は、好ましくは所望のポリマーと類似しており、不活性ガス又は窒素で乾燥させることによって床のコンディショニングが行われ、その後で、触媒組成物、モノマー、及び再循環ガス流中に含まれることが望ましい他のあらゆるガス、例えば、希釈ガス、水素連鎖移動剤、又は気相凝縮モードで操作される場合の不活性凝縮性ガスが供給される。生成したポリマーは、要求通りに流動床から連続的又は半連続的に排出される。
【０１７０】
本発明の実施に最も好適な気相方法は、反応物質が反応器の反応ゾーンに連続供給され、反応器の反応ゾーンから生成物を取り出され、それによって反応器の反応ゾーン内で巨視的な定常状態環境が得られる連続方法である。公知の技術に従って減圧及び場合により高温（脱揮）に曝露することで生成物は容易に回収される。典型的には、気相方法の流動床は、５０℃を超える温度、好ましくは６０℃から１１０℃、より好ましくは７０℃から１１０℃の温度で操作される。
【０１７１】
本発明の方法における使用に適応可能な気相方法の例は、米国特許第４，５８８，７９０号明細書、第４，５４３，３９９号明細書、第５，３５２，７４９号明細書、第５，４３６，３０４号明細書、第５，４０５，９２２号明細書、第５，４６２，９９９号明細書、第５，４６１，１２３号明細書、第５，４５３，４７１号明細書、第５，０３２，５６２号明細書、第５，０２８，６７０号明細書、第５，４７３，０２８号明細書、第５，１０６，８０４号明細書、第５，５５６，２３８号明細書、第５，５４１，２７０号明細書、第５，６０８，０１９号明細書、及び第５，６１６，６６１号明細書に開示されている。
【０１７２】
前述したように、マルチブロックコポリマーの官能化誘導体も本発明に含まれる。例としては、金属化ポリマー（この金属は、使用した触媒又は鎖シャトリング剤の残留物である）、ならびにそれらのさらなる誘導体が挙げられ、例えば、金属化ポリマーと酸素源との反応生成物が、次に水と反応してヒドロキシル末端ポリマーが形成される。別の実施形態においては、十分な空気又は他のクエンチ剤を加えることで、シャトリング剤−ポリマー結合の一部又はすべてが開裂し、それによってポリマーの少なくとも一部がヒドロキシル末端ポリマーに転化する。さらなる例としては、結果として得られるポリマー中のβ−ヒドリド脱離及びエチレン系不飽和によって形成されるオレフィン末端ポリマーが挙げられる。
【０１７３】
本発明の実施形態においては、マルチブロックコポリマーは、マレイン化（無水マレイン酸又はその同等物との反応）、メタレーション（例えば、場合によりルイス塩基、特にアミン、例えばテトラメチルエチレンジアミンの存在下での、アルキルリチウム試薬の使用）、あるいはジエン又はマスクされたオレフィンの共重合プロセスへの供給によって官能化することができる。マスクされたオレフィンを含む重合の後、マスキング基、例えばトリヒドロカルビルシランを除去することで、より容易に官能化した残留物を露出させることができる。ポリマーを官能化する技術はよく知られており、例えば米国特許第５，５４３，４５８号明細書などに開示されている。
【０１７４】
反応器から出てくるポリマー生成物の実質的な部分が、鎖シャトリング剤を末端に有するため、さらなる官能化が比較的容易である。金属化されたポリマー種は、周知の化学反応、例えば他のアルキル−アルミニウム、アルキル−ガリウム、アルキル−亜鉛、又はアルキル−１族化合物に好適な化学反応を使用して、アミン、ヒドロキシ、エポキシ、ケトン、エステル、ニトリル、及びその他で官能化された末端を有するポリマー生成物を形成することができる。本発明における使用に適応可能な好適な反応技術の例は、ネギシ(Negishi)、「有機合成における有機金属」(Orgaonmetallics in Organic Synthesis)， Vol.1 and 2， (1980)、ならびに有機金属合成及び有機合成における他の標準的な文献に記載されている。
【０１７５】
ポリマー生成物
本発明の方法を使用すると、新規なポリマー、特にオレフィンインターポリマー、例えばプロピレン又は４−メチル−１−ペンテンと１又はそれ以上のコモノマーとのマルチブロックコポリマーが容易に調製される。非常に望ましくは、これらのポリマーは、重合した形態の、プロピレン及びエチレン及び／又は１又はそれ以上のＣ4〜20α−オレフィンコモノマー、及び／又は１又はそれ以上のさらなる共重合性コモノマーを含むインターポリマーである、あるいはそれらは、４−メチル−１−ペンテン、ならびにエチレン及び／又は１又はそれ以上のＣ4〜20α−オレフィンコモノマー、及び／又は１又はそれ以上のさらなる共重合性コモノマーを含む。好ましいα−オレフィンはＣ4〜8α−オレフィンである。好適なコモノマーは、ジオレフィン、環状オレフィン、及び環状ジオレフィン、ハロゲン化ビニル化合物、及びビニリデン芳香族化合物から選択される。
【０１７６】
結果として得られるインターポリマー中のコモノマー含有率は、あらゆる好適な技術を使用して測定することができ、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光法に基づく技術が好ましい。非常に望ましくは、一部又はすべてのポリマーブロックが、非晶質又は比較的非晶質のポリマーを含み、例えば、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンとコモノマーとのコポリマー、特に、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンとエチレンとのランダムコポリマーを含み、残りのポリマーブロック（ハードセグメント）が存在する場合、それは主としてプロピレン又は４−メチル−１−ペンテンを重合した形態で含む。好ましくはこのようなセグメントは、高結晶質又は立体特異的なポリプロピレン又はポリ−４−メチル−１−ペンテンであり、特に、少なくとも９９モル％のプロピレン又は４−メチル−１−ペンテンを含有するイソタクチックホモポリマーである。
【０１７７】
さらに好ましくは、本発明のインターポリマーは、１０から９０％の結晶質又は比較的硬質のセグメントと、９０から１０％の非晶質又は比較的非晶質のセグメント（ソフトセグメント）とを含む。ソフトセグメント内における、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、又は他のα−オレフィンのモル％は、１から８５モル％、好ましくは５から５０モル％の範囲をとることができる。あるいは、ソフトセグメントは、１種類のモノマー（又は２種類以上のモノマー）、特にエチレン単独を、チェーンウォーキング又は他の分岐形成過程の結果として分岐、１，３−モノマー付加配列、又は長鎖分岐の形成に至る条件下で、重合させることによって得ることができる。
【０１７８】
本発明のポリマーは、従来のランダムコポリマー、物理的なポリマーブレンド、ならびに逐次モノマー添加、フラクショナル触媒、アニオン又はカチオンリビング重合技術によって調製されるブロックコポリマーと区別することができる。特に、同等の結晶性又は弾性率における同じモノマー及びモノマー含有率のランダムコポリマーと比較すると、本発明のポリマーは、融点によって測定される優れた（高い）耐熱性、高いＴＭＡ貫入温度、高い高温引張強度、及び／又は動的機械分析によって測定される高い高温ねじれ弾性率を有する。同じモノマー及びモノマー含有率を有するランダムコポリマーと比較すると、本発明のポリマーは、特に高温における低い圧縮永久ひずみ、低い応力緩和、高い耐クリープ性、高い引裂強度、高いブロッキング抵抗性、高い結晶化（固化）温度による速い効果、高い回復性（特に高温）、優れた耐摩耗性、高い収縮力、及び優れた油及びフィラー許容性を有する。
【０１７９】
さらに、本発明のポリマーは、ブロックの程度又は量に影響を与える技術を使用して調製することができる。すなわち、コモノマーの量、及び各ポリマーブロック又はセグメントの長さは、触媒及びシャトリング剤の比率及び種類、ならびに重合温度、及び他の重合変量を制御することによって変化させることができる。この現象の驚くべき利点は、ブロックの程度が増加すると、結果として得られるポリマーの光学的性質、引裂強度、及び高温回復特性が一般に改善されるという発見である。特に、ポリマー中の平均ブロック数が増加すると、ヘイズが低下し、透明性、引裂強度、及び高温回復特性が増加する。所望の連鎖移動能力（高いシャトリング速度及び低い連鎖停止速度）を併せ持つシャトリング剤及び触媒を選択することによって、他の形態のポリマー停止が効果的に抑制される。従って、本発明によるコモノマー混合物の重合においてβ−ヒドリド脱離がほどんど見られない場合、結果として得られる結晶質ブロックは、高度な、又は実質的に完全な線状であり、長鎖分岐はほとんど又は全く存在しない。
【０１８０】
本発明の別の驚くべき利点は、鎖末端が高結晶性であるポリマーを選択的に調製できることである。ある用途においては、このことが望ましいが、その理由は非晶質ブロックが末端にあるポリマーの相対量が減少すると、結晶質領域に対する分子間希釈効果が軽減されるからである。この結果は、水素又は他の連鎖停止剤に適切に反応する鎖シャトリング剤及び触媒を選択することによって得ることができる。具体的には、高結晶性ポリマーを生成する触媒が、低結晶性ポリマーセグメント（高いコモノマー混入、位置エラー、又はアタクチックポリマーの形成などによる）を生成しやすい触媒よりも、連鎖停止（水素の使用などによって）が起こりやすい場合、ポリマーの末端部分に高結晶性ポリマーセグメントが優先的に形成される。末端基が結晶性となるだけでなく、連鎖停止によって、高結晶性ポリマーを形成する触媒部位が、ポリマー形成の再混入に再び利用できるようになる。従って、最初に形成されたポリマーが別の高結晶性ポリマーセグメントとなる。従って、結果として得られるマルチブロックコポリマーの両端は優先的に高結晶性となる。
【０１８１】
本発明による他の非常に望ましい組成物は、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンと、エチレン、及び場合により１又はそれ以上のα−オレフィン又はジエンモノマーとのエラストマー性インターポリマーである。本発明のこの実施形態において使用すると好ましいα−オレフィンは、式ＣＨ2＝ＣＨＲ*で表すことができ、この式中、Ｒ*は、１から１２個の炭素原子の線状又は分岐のアルキル基である。好適なα−オレフィンの例としては、限定するものではないが、イソブチレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン（プロピレンと共重合させる場合）、及び１−オクテンが挙げられる。このようなポリマー、特にマルチブロックＥＰＤＭ型ポリマーの調製に有用である好適なジエンとしては、４から２０個の炭素を含有する共役又は非共役で、直鎖、分岐鎖、環状、又は多環式のジエンが挙げられる。好ましいジエンとしては、１，４−ペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、及び５−ブチリデン−２−ノルボルネンが挙げられる。特に好ましいジエンは５−エチリデン−２−ノルボルネンである。結果として得られる生成物は、重合中にその場で形成される、イソタクチックホモポリマーセグメントと、エラストマー性コポリマーセグメントとを交互に含むことができる。あるいは、生成物は、プロピレン又は４−メチル−１−ペンテンと、１又はそれ以上のコモノマー、特にエチレンとのエラストマー性インターポリマーのみを含むこともできる。
【０１８２】
ジエン含有ポリマーは、ジエン（０の場合も含む）及びα−オレフィン（０の場合も含む）をある程度含有する交互セグメント又はブロックを含有するので、ジエン及びα−オレフィンの総量は、後のポリマーの性質を損なわずに減少させることができる。すなわち、ジエン及びα−オレフィンモノマーは、ポリマー全体で均一又は不規則となるのではなく、ポリマーの１種類のブロックの中に優先的に混入されるのでこれらはより効率的に利用され、後のポリマーの架橋密度をよりよく制御することができる。このような架橋性エラストマー及び硬化した生成物は、好都合な性質、例えば高引張強度及び優れた弾性回復を有する。
【０１８３】
さらに好ましくは、本発明のこの実施形態のマルチブロックエラストマー性コポリマーは、ポリマーの全重量を基準にして、エチレン含有率が６０から９０％であり、ジエン含有率が０．１から１０％であり、プロピレン及び／又はα−オレフィンの含有率が１０から４０％である。好ましいポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００から約２，５００，０００であり、多分散性が３．５未満、より好ましくは３．０未満である高分子量ポリマーである。
【０１８４】
より好ましくは、このようなポリマーは、エチレン含有率が６５から７５％であり、ジエン含有率が０から６％であり、プロピレン及び／又はα−オレフィンの含有率が２０から３５％であり、Ｍｗが２０，０００から２５０，０００であり、多分散性が１．５から３．０である。
【０１８５】
本発明のポリマーは、全組成物重量を基準にして、５から約７５％、好ましくは１０から６０％、より好ましくは２０から５０％のプロセスオイルで油展することができる。好適な油としては、油展ＥＰＤＭゴム配合物の製造に従来使用されているあらゆる油が挙げられる。例としては、ナフテン系オイル及びパラフィン系オイルの両方が挙げられ、パラフィン系オイルが好ましい。
【０１８６】
非常に望ましくは、１又はそれ以上の硬化剤を従来の促進剤又は他の補助剤とともに混入することによって、硬化性α−オレフィンインターポリマーゴム配合物が調製される。好適な硬化剤は硫黄系のものである。好適な硫黄系硬化剤の例としては、限定するものではないが、硫黄、テトラメチルチウラムジスルフィド（ＴＭＴＤ）、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド（ＤＰＴＴ）、２−メルカプトベンゾチアゾール（ＭＢＴ）、２−メルカプトベンゾチアゾレートジスルフィド（ＭＢＴＳ）、亜鉛−２−メルカプトベノゾチアゾレート（ＺＭＢＴ）、亜鉛ジエチルジエチルジチオカルバメート亜鉛（ＺＤＥＣ）、亜鉛ジブチルジチオカルバメート（ＺＤＢＣ）、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド（ＤＰＴＴ）、Ｎ−ｔ−ブチルベンゾチアゾール−２−スルファミド（ＴＢＢＳ）、及びそれらの混合物が挙げられる。好ましい硬化系としては、硫黄、ＭＢＴ、及びＴＭＴＤの組み合わせが挙げられる。望ましくは、上記成分は、全組成物重量を基準にして０．１から５％の量で使用される。
【０１８７】
本発明のこの実施形態による好ましいエラストマー組成物はカーボンブラックを含むこともできる。好ましくは、全組成物重量を基準にして、カーボンブラックが１０から８０％の量で存在し、より好ましくは２０から６０％の量で存在する。
【０１８８】
本発明により有用に使用される本発明の配合物の追加成分としては、結果として得られる組成物の性質を低下させることがない量の種々の他の成分が挙げられる。これらの成分としては、限定するものではないが、活性化剤、例えば酸化カルシウム又は酸化マグネシウム；脂肪酸、例えばステアリン酸及びその塩；フィラー及び補強剤、例えば炭酸カルシウム又は炭酸マグネシウム、シリカ、及びケイ酸アルミニウム；可塑剤、例えばジカルボン酸のジアルキルエステル；劣化防止剤；軟化剤；ワックス；及び顔料が挙げられる。
【０１８９】
用途及び最終用途
本発明のポリマーは、従来の種々の熱可塑性樹脂製造方法において有用に使用し、それによって有用な物品を製造することができ、例えば、少なくとも１つのフィルム層を含む物体、例えば、流延、吹き込み、カレンダー加工、又は押出コーティング法によって製造される単層フィルム、又は多層フィルムの少なくとも１層；成形物品、例えば吹き込み成形物品、射出成形物品、又は回転成形物品；押出成形品；繊維；及び織布又は不織布を製造することができる。本発明のポリマーを含む熱可塑性組成物としては、他の天然又は合成のポリマー、添加剤、補強剤、耐引火性添加剤、酸化防止剤、安定剤、着色剤、エキステンダー、架橋剤、発泡剤、及び可塑剤とのブレンドが挙げられる。本発明の１又はそれ以上のポリマーを少なくとも一部に含む外面層を有する多成分繊維、例えばコア／シース繊維が特に有用である。
【０１９０】
本発明のポリマー又はブレンドから製造可能な繊維としては、短繊維、トウ、多成分繊維、シース／コア繊維、撚られた繊維、及びモノフィラメントが挙げられる。好適な紡糸方法としては、米国特許第４，４３０，５６３号明細書、米国特許第４，６６３，２２０号明細書、米国特許第４，６６８，５６６号明細書、及び米国特許第４，３２２，０２７号明細書に開示されるようなスピンボンド、メルトブローン技術、米国特許第４，４１３，１１０号明細書に開示されるようなゲル紡糸繊維、米国特許第３，４８５，７０６号明細書に開示されるような織布及び不織布、あるいはこのような繊維から製造される構造、例えば、他の繊維、例えばポリエステル、ナイロン、又は綿との混合、熱成形物品、押出形状、例えば異形押出及び同時押出、カレンダー加工物品、ならびに延伸した、撚った、又は捲縮させたヤーン又は繊維が挙げられる。本明細書に記載される新規ポリマーは、ワイヤ及びケーブル被覆作業、ならびに真空成形操作のためのシート押出成形、成形物品、例えば射出成形、吹き込み成形法、又は回転成形法の使用にも有用である。本発明のオレフィンポリマーを含む組成物は、ポリオレフィン加工の当業者には周知である従来のポリオレフィン加工技術を使用して、前述のような二次加工品に成形することもできる。
【０１９１】
本発明のポリマー又はそれを含む配合物を使用して、分散体（水性及び非水性の両方）を形成することもできる。２００４年８月２５日に出願されたＰＣＴ出願第２００４／０２７５９３号に開示されるように、本発明のポリマーを含む発泡フォームを形成することもできる。本発明のポリマーは、あらゆる公知の手段、例えば過酸化物、電子ビーム、シラン、アジド、又はその他の架橋技術を使用することによって架橋させることもできる。本発明のポリマーは、化学的に改質することもでき、例えば、グラフト化（例えば、無水マレイン酸（ＭＡＨ）、シラン、又は他のグラフト化剤の使用）、ハロゲン化、アミノ化、スルホン化、又は他の化学的改質によって改質することができる。
【０１９２】
本発明のポリマーを含む任意の配合物中に添加剤及び補助剤を含めることができる。好適な添加剤としては、フィラー、例えば有機の又は無機の粒子、例えばクレー、タルク、二酸化チタン、ゼオライト、金属粉末、有機の又は無機の繊維、例えば炭素繊維、窒化ケイ素繊維、鋼線又は鋼の網、及びナイロン又はポリエステルのコード、ナノサイズの粒子、クレーなど；粘着付与剤、油展剤、例えばパラフィン系オイル又はナプテレニックオイル(napthelenic oil)；及び他の天然及び合成のポリマー、例えば本発明による他のポリマーが挙げられる。
【０１９３】
本発明のポリマーとブレンドすると好適なポリマーとしては、熱可塑性及び非熱可塑性のポリマー、例えば天然及び合成のポリマーが挙げられる。ブレンド用のポリマーの例としては、ポリプロピレン（衝撃改質ポリプロピレン、アイソタクチックポリプロピレン、アタクチックポリプロピレン、及びランダムエチレン／プロピレンコポリマーの両方）、従来のポリ−４−メチル−１−ペンテン、種々のポリエチレン、例えば高圧フリーラジカルＬＤＰＥ、チーグラー・ナッタ(Ziegler Natta)ＬＬＤＰＥ、メタロセンＰＥ、例えば多段反応器ＰＥ（チーグラー・ナッタＰＥ及びメタロセンＰＥの「反応器中」ブレンド、例えば、米国特許第６，５４５，０８８号明細書、第６，５３８，０７０号明細書、第６，５６６，４４６号明細書、第５，８４４，０４５号明細書、第５，８６９，５７５号明細書、及び第６，４４８，３４１号明細書に開示される生成物）、エチレン−酢酸ビニル（ＥＶＡ）、エチレン／ビニルアルコールコポリマー、ポリスチレン、衝撃改質ポリスチレン、ＡＢＳ、スチレン／ブタジエンブロックコポリマー及びそれらの水素化誘導体（ＳＢＳ及びＳＥＢＳ）、ならびに熱可塑性ポリウレタンが挙げられる。均一なポリマー、例えばオレフィンプラストマー及びエラストマー、エチレン及びプロピレン系コポリマー（例えばダウ・ケミカル／カンパニー(Dow Chemical Company)より入手可能な商品名バーシファイ(VERSIFY)（商標）、及びエクソンモービル(ExxonMobil)より入手可能なビスタマックス（ＶＩＳＴＡＭＡＸＸ）（商標）で入手可能なポリマー）も、本発明のポリマーを含むブレンド中の成分として有用となりうる。
【０１９４】
上記生成物の好適な最終用途としては、弾性のフィルム及び繊維；柔らかな感触の製品、例えば歯ブラシの取っ手及び器具の取っ手；ガスケット及び形材；接着剤（例えば、ホットメルト接着剤及び感圧接着剤）；履き物（例えば、靴底及び靴のライナー）；自動車内装部品及び形材；フォーム製品（オープンセル及びクローズドセルの両方）；他の熱可塑性ポリマー、例えば高密度ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、又は他のオレフィンポリマーの衝撃改質剤；コーティング布；ホース；管材料；目詰め材料；キャップのライナー；床材；ならびに潤滑剤用の流動点調整材とも呼ばれる粘度指数調整剤が挙げられる。
【０１９５】
本発明の非常に望ましい実施形態においては、熱可塑性マトリックスポリマー、特にアイソタクチックポリプロピレンと、本発明によるエラストマー性マルチブロックコポリマーとを含む熱可塑性組成物は独特に、コアの形態の硬質結晶質又は半結晶ブロックを、硬質ポリマーの閉鎖領域の周囲に「シェル」を形成する軟質又はエラストマー性ブロックで囲んでいるコア−シェル型粒子を形成することができる。これらの粒子は、溶融配合又はブレンド中に受ける力によってマトリックスポリマー内に形成され分散される。この非常に望ましい形態は、相溶性ポリマー領域、例えばマトリックスと、マルチブロックコポリマーより高いコモノマー含有率のエラストマー性領域が、熱力学的な力によって溶融状態で自己組織化することができる、マルチブロックコポリマーの独特の物理的性質によるものと考えられる。配合中の剪断力により、エラストマーで囲まれたマトリックスポリマーの分離した領域が形成されると考えられる。固化すると、これらの領域はポリマーマトリックス中に包まれて閉鎖したエラストマー粒子となる。
【０１９６】
特に望ましいブレンドは、熱可塑性ポリオレフィンブレンド（ＴＰＯ）、熱可塑性エラストマーブレンド（ＴＰＥ）、熱可塑性バルカニサイト(vulcanisite)（ＴＰＶ）、及びスチレン系ポリマーブレンドである。ＴＰＥブレンド及びＴＰＶブレンドは、本発明のマルチブロックポリマー、例えばその官能化誘導体又は不飽和誘導体を、場合によりゴム、例えば、従来のブロックコポリマー、特にＳＢＳブロックコポリマー、ならびに場合により架橋剤又は加硫剤と混合することによって調製することができる。ＴＰＯブレンドは、一般に、本発明のマルチブロックコポリマーを、ポリオレフィン、及び場合により架橋剤又は加硫剤とブレンドすることによって調製される。上記ブレンドは、成形品の形成に使用することができ、結果として得られる成形物品を場合により架橋させることができる。異なる成分を使用した類似の手順が、米国特許第６，７９７，７７９号明細書において既に開示されている。
【０１９７】
この用途に好適な従来のブロックコポリマーは、望ましくはムーニー粘度（ＭＬ１＋４  １００℃において）が１０から１３５の範囲、より好ましくは２５から１００の範囲、最も好ましくは３０から８０の範囲である。好適なポリオレフィンとしては、特に、線状又は低密度ポリエチレン、ポリプロピレン（例えば、アタクチック、アイソタクチック、シンジオタクチック、及びそれらの衝撃改質されたもの）、及びポリ（４−メチル−１−ペンテン）が挙げられる。好適なスチレン系ポリマーとしては、ポリスチレン、ゴム改質ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、スチレン／アクリロニトリルコポリマー（ＳＡＮ）、ゴム改質ＳＡＮ（ＡＢＳ又はＡＥＳ）、及びスチレン無水マレイン酸コポリマーが挙げられる。
【０１９８】
本発明のブレンドは、一方又は両方の成分の融点温度付近又はそれ以上の温度でそれぞれの成分を混合又は混練することによって調製することができる。ほとんどのマルチブロックコポリマーでは、この温度は１３０℃を超え、最も一般には１４５℃を超え、最も好ましくは１５０℃を超えることができる。所望の温度に到達し、混合物の溶融可塑化が可能な典型的なポリマー混合又は混練装置を使用することができる。このようなものとしては、ミル、ニーダー、押出機（一軸スクリュー及び二軸スクリューの両方）、バンバリー(Banbury)ミキサー、カレンダーなどが挙げられる。混合順序及び方法は、最終組成物に依存しうる。バンバリーバッチミキサー及び連続ミキサーの組み合わせを使用することもでき、例えばバンバリーミキサーの次に、ミルミキサーを使用し、続いて押出機を使用するもとができる。典型的には、ＴＰＥ又はＴＰＶ組成物は、架橋性ポリマー（典型的には不飽和を有する従来のブロックコポリマー）の使用量がＴＰＯ組成物よりも多い。一般に、ＴＰＥ及びＴＰＶ組成物の場合、ブロックコポリマーのマルチブロックコポリマーに対する重量比を、約９０：１０から１０：９０、より好ましくは８０：２０から２０：８０、最も好ましくは７５：２５から２５：７５とすることができる。ＴＰＯ用途の場合、マルチブロックコポリマーのポリオレフィンに対する重量比を、約４９：５１から約５：９５、より好ましくは３５：６５から約１０：９０とすることができる。改質スチレン系ポリマー用途の場合、マルチブロックコポリマーのポリオレフィンに対する重量比を、約４９：５１から約５：９５、より好ましくは３５：６５から約１０：９０とすることができる。これらの比は、種々の成分の粘度比を変化させることによって変化させることができる。ブレンドの成分の粘度比を変化させることによって相の連続性を変化させるための技術が多数の文献に示されており、必要であれば当業者は参考にすることができる。
【０１９９】
本発明のブレンド組成物は、プロセスオイル、可塑剤、及び加工助剤を含有することができる。ゴムプロセスオイルは、特定のＡＳＴＭで指定されており、パラフィン系、ナフテン系、又は芳香族のプロセスオイルのすべてが使用に適している。一般に全ポリマー１００部に対して、０から１５０部、より好ましくは０から１００部、最も好ましくは０から５０部のオイルが使用される。より多量のオイルを使用すると、結果として得られる生成物の加工性が向上するが、一部の物理的性質が犠牲となりうる。さらなる加工助剤としては、従来のワックス、脂肪酸塩、例えばカルシウムステアレート又は亜鉛ステアレート、（ポリ）アルコール、例えばグリコール、（ポリ）アルコールエーテル、例えばグリコールエーテル、（ポリ）エステル、例えば（ポリ）グリコールエステル、ならびにそれらの金属塩誘導体、特に１族又は２金属又は亜鉛の塩誘導体が挙げられる。
【０２００】
非水素化ゴム、例えばブロックコポリマーなどの重合した形態のブタジエン又はイソプレンを含む非水素化ゴム（以降ジエンゴム）は、大部分又は高度に飽和したゴムと比較すると、ＵＶ、オゾン、及び酸化に対する抵抗性が低いことが知られている。ジエン系ゴムをより高濃度で含有する組成物から製造されるタイヤなどの用途においては、ゴム安定性を改善するためのカーボンブラックを、オゾン分解防止剤及び酸化防止剤とともに混入することが知られている。不飽和が非常に少ない本発明によるマルチブロックコポリマーは、従来のジエンエラストマーで改質されたポリマー組成物から形成される物品に接着される保護表面層（コーティング、同時押出、又は積層による）又は耐候性フィルムとしての特殊な用途が見いだされる。
【０２０１】
従来のＴＰＯ、ＴＰＶ、及びＴＰＥの用途においては、カーボンブラックは、ＵＶ吸収及び安定化特性のために選択される添加剤である。カーボンブラックの代表例としては、ＡＳＴＭ  Ｎ１１０、Ｎ１２１、Ｎ２２０、Ｎ２３１、Ｎ２３４、Ｎ２４２、Ｎ２９３、Ｎ２９９、Ｓ３１５、Ｎ３２６、Ｎ３３０、Ｍ３３２、Ｎ３３９、Ｎ３４３、Ｎ３４７、Ｎ３５１、Ｎ３５８、Ｎ３７５、Ｎ５３９、Ｎ５５０、Ｎ５８２、Ｎ６３０、Ｎ６４２、Ｎ６５０、Ｎ６８３、Ｎ７５４、Ｎ７６２、Ｎ７６５、Ｎ７７４、Ｎ７８７、Ｎ９０７、Ｎ９０８、Ｎ９９０、及びＮ９９１が挙げられる。これらのカーボンブラックは、ヨウ素吸収が９から１４５ｇ／ｋｇの範囲であり、及び平均細孔容積が１０から１５０ｃｍ3／１００ｇの範囲である。一般に、非常の問題が許す限り、より小さな粒度のカーボンブラックが使用される。多くのこのような用途において、本発明のマルチブロックコポリマー及びそれらのブレンドは、カーボンブラックがほとんど又は全く必要ないため、かなりの設計の自由度を得ることができ、別の顔料を含んだり又は顔料を全く使用しなかったりすることができる。多色タイヤ、又は乗り物の色に合わせたタイヤが１つの可能性となる。
【０２０２】
本発明による熱可塑性ブレンドを含む組成物は、ゴム化学の当業者には周知のオゾン分解防止剤又は酸化防止剤を含有することもできる。オゾン分解防止剤は、表面に到達してその部分を酸素又はオゾンから保護する物理的保護剤、例えば蝋状材料であってもよいし、酸素又はオゾンと反応する化学的保護剤であってもよい。好適な化学的保護剤としては、スチレン化フェノール、ブチル化オクチル化フェノール、ブチル化ジ（ジメチルベンジル）フェノール、ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−クレゾール及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）のブチル化反応生成物、ポリフェノール系酸化防止剤、ヒドロキノン誘導体、キノリン、ジフェニレン酸化防止剤、チオエステル酸化防止剤、及びそれらのブレンドが挙げられる。このような製品の一部の代表的な商品名は、ウイングステイ(Wingstay)（商標）Ｓ酸化防止剤、ポリステイ(Polystay)（商標）１００酸化防止剤、ポリステイ（商標）１００  ＡＺ酸化防止剤、ポリステイ（商標）２００酸化防止剤、ウイングステイ（商標）Ｌ酸化防止剤、ウイングステイ（商標）ＬＨＬＳ酸化防止剤、ウイングステイ（商標）Ｋ酸化防止剤、ウイングステイ（商標）２９酸化防止剤、ウイングステイ（商標）ＳＮ−１酸化防止剤、及びイルガノックス(Irganox)（商標）酸化防止剤である。一部の用途においては、使用される酸化防止剤及びオゾン分解防止剤は、好ましくは非着色性及び非移行性である。
【０２０３】
ＵＶ放射線に対するさらなる安定性を得るために、ヒンダードアミン光安定剤（ＨＡＬＳ）及びＵＶ吸収剤も使用することができる。好適な例としては、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(Ciba Specialty Chemicals)より入手可能なチヌビン(Tinuvin)（商標）１２３、チヌビン（商標）１４４、チヌビン（商標）６２２、チヌビン（商標）７６５、チヌビン（商標）７７０、及びチヌビン（商標）７８０、ならびに米国テキサス州ヒューストンのサイテック・プラスチックス(Cytex Plastics, Houston TX)より入手可能なケミソルブ(Chemisorb)（商標）Ｔ９４４が挙げられる。米国特許第６，０５１，６８１号明細書に開示されているように、優れた表面品質を実現するためにＨＡＬＳ化合物とともにルイス酸をさらに含めることもできる。
【０２０４】
一部の組成物では、さらなる混合プロセスを使用して、酸化防止剤、オゾン分解防止剤、カーボンブラック、ＵＶ吸収剤、及び／又は光安定剤を予備分散させてマスターバッチを形成した後、それらからポリマーブレンドを形成することができる。
【０２０５】
本発明において使用すると好適な架橋剤（硬化剤又は加硫剤とも呼ばれる）としては、硫黄系、過酸化物系、又はフェノール系の化合物が挙げられる。上記材料の例は当技術分野において見ることができ、例えば米国特許第３，７５８，６４３号明細書、第３，８０６，５５８号明細書、第５，０５１，４７８号明細書、第４，１０４，２１０号明細書、第４，１３０，５３５号明細書、第４，２０２，８０１号明細書、第４，２７１，０４９号明細書、第４，３４０，６８４号明細書、第４，２５０，２７３号明細書、第４，９２７，８８２号明細書、第４，３１１，６２８号明細書、及び第５，２４８，７２９号明細書に見ることができる。
【０２０６】
硫黄系硬化剤が使用される場合は、促進剤及び硬化活性化剤も使用することができる。動的加硫に必要な時間及び／又は温度を制御するため、ならびに結果として得られる架橋物品の性質を改善するために促進剤が使用される。一実施形態においては、１種類の促進剤又は一次促進剤が使用される。一次促進剤は、全組成物重量を基準にして約０．５から約４ｐｈｒの範囲、好ましくは約０．８から約１．５ｐｈｒの範囲の総量で使用することができる。別の実施形態においては、活性化のため、及び硬化物品の性質の改善のために、一次促進剤及び二次促進剤の組み合わせを使用することができ、この二次促進剤は、より少量、例えば約０．０５から約３ｐｈｒで使用される。複数の促進剤を併用すると、一般に、１種類の促進剤を使用して製造される物品もある程度優れた性質を有する物品が製造される。さらに、通常の加工温度では作用しないが、通常の加硫温度では十分な硬化が得られる遅延作用促進剤を使用することもできる。硫化遅延剤を使用することもできる。本発明において使用することができる好適な種類の促進剤は、アミン、ジスルフィド、グアニジン、チオ尿素、チアゾール、チウラム、スルフェンアミド、ジチオカルバメート、及びザンテートである。好ましくは、一次促進剤がスルフェンアミドである。第二の促進剤が使用される場合、その二次促進剤は、好ましくはグアニジン、ジチオカルバメート、又はチウラム化合物である。ある種の加工助剤及び硬化活性化剤、例えばステアリン酸及びＺｎＯを使用することもできる。過酸化物系硬化剤が使用される場合、共活性化剤又は助剤をそれと併用することができる。好適な助剤としては、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）、トリメチロールプロパントリメタクリレート（ＴＭＰＴＭＡ）、シアヌル酸トリアリル（ＴＡＣ）、トリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）が特に挙げられる。部分的又は完全な動的加硫のために使用される過酸化物架橋剤及び場合による助剤の使用は当技術分野において周知であり、例えば刊行物の「エラストマーの過酸化物加硫」(Peroxide Vulcanization of Elastomer」, Vol. 74, No 3, July-August 2001に開示されている。
【０２０７】
マルチブロックコポリマー含有組成物が少なくとも部分的に架橋している場合、その架橋度は、指定の時間のあいだ、溶媒中に組成物を溶解させて％ゲル又は非抽出性成分を計算することによって測定することができる。通常、架橋量が増加するにつれて、％ゲルも増加する。本発明による硬化物品の場合、％ゲル含有率は、望ましくは５から１００％の範囲である。
【０２０８】
本発明のマルチブロックコポリマー及びそれらのブレンドは、従来技術の組成物と比較して改善された加工性を有するが、その理由は溶融温度がより低いためであると考えられる。従って、本発明の組成物又はブレンドは、特に成形物品又は押出成形物品に成形する場合に改善された外観を示す。同時に、本発明の組成物及びそれらのブレンドは、独特の改善された溶融強度特性を有するため、本発明のマルチブロックコポリマー及びそれらのブレンド、特にＴＰＯブレンドは、溶融強度が現在不十分であるフォーム及び熱成形用途において有効に使用することができる。
【０２０９】
本発明による熱可塑性組成物は、有機の又は無機のフィラー、又は他の添加剤を含有することができ、例えばデンプン、タルク、炭酸カルシウム、ガラス繊維、ポリマー繊維（例えばナイロン、レーヨン、綿、ポリエステル、及びポリアラミド）、金属の繊維、フレーク、又は粒子、発泡性層状のシリケート、ホスフェート、又はカーボネート、例えばクレー、マイカ、シリカ、アルミナ、アルミノシリケート、又はアルミノホスフェート、炭素ウィスカー、炭素繊維、ナノ粒子、例えばナノチューブ、ウォラストナイト、グラファイト、ゼオライト、及びセラミックス、例えば炭化ケイ素、窒化ケイ素、又はチタニアを含有することができる。シラン系又は他の種類のカップリング剤も、フィラーの結合を改善するために使用することができる。
【０２１０】
本発明の熱可塑性組成物、例えば上記ブレンドは、従来の成形技術、例えば射出成形、押出成形、熱成形、スラッシュ成形、オーバーモールディング、インサート成形、吹き込み成形、及びその他の技術によって加工することができる。フィルム、例えば多層フィルムは、流延又は幅出し法、例えばインフレーションフィルム法(blown film processes)によって製造することができる。
【０２１１】
試験方法
以上の特徴的な開示及び以下の実施例において、以下の分析技術が使用される：
ＤＳＣ
ＲＣＳ冷却アクセサリ及びオートサンプラーを取り付けたＴＡＩモデルＱ１０００  ＤＳＣを使用して示差走査熱量測定結果を求めることができる。５０ｍｌ／分の窒素パージガス流を使用する。サンプルをプレスして薄いフィルムにして、約１７５℃のプレス中で溶融させ、次に空気中で室温（２５℃）まで冷却した。次に３〜１０ｍｇの材料を直径６ｍｍのディスクに切り取り、正確に秤量し、軽量アルミニウムパン（約５０ｍｇ）中に入れ、次に圧着して閉じた。以下の温度プロファイルでサンプルの熱挙動を調べる。以前の熱履歴を取り除くために、サンプルを１８０℃まで急速に加熱して、その温度で３分間維持する。次にサンプルを１０℃／分の冷却速度で−４０℃まで冷却し、−４０℃で３分間維持する。次にサンプルを１０℃／分の加熱速度で１５０℃まで加熱する。この冷却及び第２の加熱の曲線を記録する。
【０２１２】
−３０℃と溶融終了との間で引いた直線のベースラインに関する熱流量（Ｗ／ｇ）の最大値として、ＤＳＣ溶融ピークが測定される。直線ベースラインを使用して−３０℃と溶融終了との間の溶融曲線下の面積として融解熱が測定される。
【０２１３】
耐摩耗性
ＩＳＯ  ４６４９に準拠して圧縮成形したプラークに対して耐摩耗性を測定する。３回の測定の平均値を報告する。試験用プラークは、厚さが６．４ｍｍであり、ホットプレス（カーバー・モデル(Carver Model)＃４０９５−４ＰＲ１００１Ｒ）を使用して圧縮成形する。ポリテトラフルオロエチレンシートの間にペレットを配置し、１９０℃及び５５ｐｓｉ（３８０ｋＰａ）で３分間加熱した後、１．３ＭＰａで３分間維持し、次に２．６ＭＰａで３分間維持する。次に、１．３ＭＰａで１分間冷水を流しながらプレス内でプラークを冷却して、試験のために取り出す。
【０２１４】
ＧＰＣ法
ゲル浸透クロマトグラフィーシステムは、ポリマー・ラボラトリーズ・モデルＰＬ−２１０(Polymer Laboratories Model PL-210)又はポリマー・ラボラトリーズ・モデルＰＬ−２２０(Polymer Laboratories Model PL-220)のいずれかの測定器からなる。カラム及び回転コンパートメントは１４０℃で操作する。３つのポリマー・ラボラトリーズ・１０ミクロン・ミックスドＢカラム(Polymer Laboratories 10-micron Mixed-B columns)を使用する。溶媒は１，２，４トリクロロベンゼンである。サンプルは、２００ｐｐｍのブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）を含有する溶媒５０ｍｌ中に０．１ｇのポリマーの濃度で調製する。１６０℃において２時間軽く撹拌することによってサンプルを調製する。使用する注入量は１００μｌであり、流速は１．０ｍｌ／分である。
【０２１５】
分子量が５８０から８，４００，０００の範囲である２１種類の狭い分子量分布ポリスチレン標準物質を、個々の分子量の間で少なくとも１０個に分離する６つの「カクテル」混合物にしたものを使用して、ＧＰＣカラムセットの較正を行う。これらの標準物質は、ポリマー・ラボラトリーズ(Polymer Laboratories)（英国シュロップシャー(Shropshire)）より購入される。これらのポリスチレン標準物質は、１，０００，０００以上の分子量の場合は溶媒５０ｍｌ中０．０２５ｇ、１，０００，０００未満の分子量の場合には溶媒５０ｍｌ中０．０５ｇで調製する。ポリスチレン標準物質は８０℃で３０分間穏やかに撹拌しながら溶解させる。狭い標準物質混合物を最初に使用し、分解を最小限にするために最高分子量成分が減っていく順序にする。ポリスチレン標準物質のピーク分子量は、次式を使用してポリエチレン分子量に変換される（ウィリアムズ(Williams)及びワード(Ward), J. Polym. Sci., Polym. Let., 6, 621 (1968)に記載されている）：Ｍホ゜リエチレン＝０．４３１（Ｍホ゜リスチレン）。
【０２１６】
ポリエチレン換算分子量の計算はビスコテック・トライセック(Viscotek TriSEC)ソフトウェア・バージョン３．０を使用して行う。
【０２１７】
圧縮永久ひずみ(Compression Set)
圧縮永久ひずみはＡＳＴＭ  Ｄ  ３９５に準拠して測定する。３．２ｍｍ、２．０ｍｍ、及び０．２５ｍｍの厚さの直径２５．４ｍｍの円形ディスクを、全体の厚さが１２．７ｍｍになるまで積み重ねることでサンプルを作製する。これらのディスクは、以下の条件下でホットプレスを使用して成形した１２．７ｃｍ×１２．７ｃｍの圧縮成形プラークから切り取られる：１９０℃において０圧力で３分間の後、１９０℃において８６ＭＰａで２分間、続いて、８６ＭＰａにおいて冷水を流すことでプレス内を冷却する。
【０２１８】
密度
密度測定用サンプルは、ＡＳＴＭ  Ｄ  １９２８に準拠して作製する。ＡＳＴＭ  Ｄ７９２、方法Ｂを使用して、サンプルのプレス加工から１時間以内に測定を行う。
【０２１９】
曲げ／割線弾性率／貯蔵弾性率
ＡＳＴＭ  Ｄ  １９２８を使用してサンプルを圧縮成形する。曲げ弾性率及び２％割線弾性率をＡＳＴＭ  Ｄ−７９０に準拠して測定する。貯蔵弾性率はＡＳＴＭ  Ｄ  ５０２６−０１又は同等の技術に準拠して測定する。
【０２２０】
光学的性質
ホットプレス（カーバー・モデル＃４０９５−４ＰＲ１００１Ｒ）を使用して、厚さ０．４ｍｍのフィルムを圧縮成形する。ポリテトラフルオロエチレンシートの間にペレットを配置し、１９０℃および５５ｐｓｉ（３８０ｋＰａ）で３分間加熱した後、１．３ＭＰａで３分間維持し、次に２．６ＭＰａで３分間維持する。次に、１．３ＭＰａで１分間冷水を流しながらプレス内でフィルムを冷却する。こうして圧縮成形されたフィルムを光学的測定、引張挙動、回復、及び応力緩和に使用する。
【０２２１】
ＡＳＴＭ  Ｄ  １７４６に規定されるようにビック・ガードナー・ヘイズ−ガード(BYK Gardner Haze-gard)を使用して透明度を測定する。
【０２２２】
ＡＳＴＭＤ−２４５７に規定されるようにビック・ガードナー・グロスメーター・マイクログロス４５°(BYK Gardner Glossmeter Microgloss 45°)を使用して４５°グロスを測定する。
【０２２３】
ＡＳＴＭ  Ｄ  １００３手順Ａに基づいてビック・ガードナー・ヘイズ−ガードを使用して内部ヘイズを測定する。表面のスクラッチを取り除くためにフィルム表面に鉱油を適用する。
【０２２４】
機械的性質−引張、ヒステリシス、及び引裂
ＡＳＴＭ  Ｄ  １７０８微小引張試験片を使用して、一軸引張における応力ひずみ挙動を測定する。２１℃において５００％ｍｉｎ-1でインストロン(Instron)を使用してサンプルを延伸する。５つの試験片の平均から引張強度及び破断時伸びを報告する。
【０２２５】
ＡＳＴＭ  Ｄ  １７０８微小引張試験片を使用し、インストロン（商標）測定機で１００％及び３００％ひずみの繰り返し荷重により、１００％及び３００％のヒステリシスを測定する。２１℃において３サイクルで、２６７％ｍｉｎ-1でサンプルへの荷重及び荷重除去を行う。３００％及び８０℃における繰り返し実験は、環境室を使用して行う。８０℃の実験では、試験前に試験温度においてサンプルを４５分間平衡化させる。２１℃における３００％ひずみ繰り返し実験では、最初の荷重除去サイクルからの１５０％ひずみにおける収縮応力を記録する。荷重がベースラインに戻るときのひずみを使用して、最初の荷重除去サイクルからすべての実験における％回復を計算する。％回復は次式で定義される：
【数１８】
2007529615.tif 000052
式中、εfは、繰り返し荷重により生じたひずみであり、εsは、１回目の荷重除去サイクル中に荷重がベースラインまで戻ったときのひずみである。
【０２２６】
応力緩和は、環境室が装備されたインストロン（商標）測定機を使用して５０％ひずみ及び３７℃において１２時間測定する。ゲージの形状は７６ｍｍ×２５ｍｍ×０．４ｍｍであった。環境室内で３７℃において４５分間平衡化させた後、サンプルを３３３％ｍｉｎ-1において５０％ひずみまで延伸した。１２時間の間、応力を時間の関数として記録した。１２時間後の％応力緩和を、次式を使用して計算した：
【数１９】
2007529615.tif 000053
式中、Ｌ0は時間０における５０％ひずみ時の荷重であり、Ｌ12は１２時間後の５０％ひずみにおける荷重である。
【０２２７】
インストロン（商標）測定機を使用して密度０．８８ｇ／ｃｃ以下のサンプルについて切り欠き引張実験を行う。形状は、ゲージ断面７６ｍｍ×１３ｍｍ×０．４ｍｍ、及び試験片の半分の長さにおいてサンプルに２ｍｍの切り欠きを有することからなる。このサンプルを、破断するまで２１℃において５０８ｍｍ ｍｉｎ-1で延伸する。最大負荷におけるひずみまでの応力−伸び曲線下面積として引裂エネルギーを計算する。少なくとも３つの試験片の平均を報告する。
【０２２８】
ＴＭＡ
１８０℃及び１０ＭＰａの成形圧力で５分間の後、空気中で冷却して形成した直径３０ｍｍ×厚さ３．３ｍｍの圧縮成形ディスクについて熱機械的分析（貫入温度）を実施する。使用される試験機は、パーキンエルマー(Perkin-Elmer)より入手可能なＴＭＡ  ７ブランドである。この試験において、半径１．５ｍｍのチップを有するプローブ（Ｐ／Ｎ  Ｎ５１９−０４１６）をサンプルディスク表面に１Ｎの力で押し付ける。温度を２５℃から５℃／分で上昇させる。プローブ貫入距離を温度の関数として測定する。サンプル中にプローブが１ｍｍ貫入した時点で実験を終了させる。
【０２２９】
ＤＭＡ
１８０℃及び１０ＭＰａの圧力のホットプレス中で５分間の後、プレス中９０℃／分で水冷して形成した圧縮成形ディスクに対して、動的機械分析(DMA)を測定する。ねじれ試験のための二重カンチレバー固定具が取り付けられたＡＲＥＳ制御ひずみレオメーター（ＴＡインストルメンツ(TA instruments)）を使用して試験を行う。
【０２３０】
１．５ｍｍのプラークをプレスし、３２×１２ｍｍの大きさの棒を切り取る。１０ｍｍ（グリップ間距離ΔＬ）だけ離した固定具の間でこのサンプルの両端を挟み、−１００℃から２００℃の連続する温度ステップ（１ステップが５℃）にかける。各温度において、１０ｒａｄ／ｓの角振動数において、十分なトルクが得られ、測定が線形領域に維持されるように、ひずみ振幅を０．１％から４％の間に維持して、ねじれ弾性率Ｇ’を測定する。
【０２３１】
熱膨張が起こった場合にサンプルがゆるむのを防止するために、１０ｇの初期静的力を維持する（自動張力モード）。結果として、グリップ間距離ΔＬが温度ととも増加し、特にポリマーサンプルの融点又は軟化点より高温において増加する。最高温度に到達したとき、又は固定具の間の間隔が６５ｍｍとなったときに、試験を停止する。
【０２３２】
メルトインデックス
メルトインデックス又はＩ2は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １２３８に準拠し、条件１９０℃／２．１６ｋｇにおいて測定する。メルトインデックス又はＩ10もＡＳＴＭ  Ｄ  １２３８に準拠し、条件１９０℃／１０ｋｇにおいて測定する。
【０２３３】
ＡＴＲＥＦ
米国特許第４，７９８，０８１号明細書に記載される方法に従って分析的温度上昇溶出分別(ATREF)分析を行う。分析する組成物をトリクロロベンゼン中に溶解させ、不活性担体（ステンレス鋼ショット）が入ったカラム中で、０．１℃／分の冷却速度で２０℃まで温度をゆっくりと下げることによって結晶化させる。このカラムには赤外検出器を取り付ける。次に、１．５℃／分の速度で２０から１２０℃まで溶出溶媒（トリクロロベンゼン）の温度をゆっくり上昇させてカラムから結晶化したポリマーサンプルを溶出させることによって、ＡＴＲＥＦクロマトグラム曲線を作製する。
【０２３４】
13Ｃ  ＮＭＲ分析
テトラクロロエタン−ｄ2／ｏ−ジクロロベンゼンの５０／５０混合物約３ｇを、１０ｍｍのＮＭＲ管中の０．４ｇのサンプルに加えることによってサンプルを調製する。管及びその内容物を１５０℃に加熱することによって、サンプルを溶解させ均質化させる。１００．５ＭＨｚの13Ｃ共振周波数に対応するジェオル・エクリプス(JEOL Eclipse)（商標）４００ＭＨｚ分光計又はバリアン・ユニティ・プラス(Varian Unity Plus)（商標）４００ＭＨｚ分光計を使用してデータを収集する。６秒パルス繰り返し遅延(pulse repetition delay)を使用し、データファイル１つ当たり４０００個のトランジェント(transient)を使用してこれらのデータが取得される。定量分析のため信号対雑音を最小にするために、複数のデータファイルを互いに加算する。スペクトル幅は２５，０００Ｈｚであり、最小ファイルサイズは３２Ｋのデータ点である。１０ｍｍ広帯域プローブ中１３０℃でサンプルを分析する。ランダル(Randall)のトリアッド(triad)法（ランダル(Randall), J. C.; JMS-Rev. Macromol. Chem. Phys, C29、201-317(1989)）を使用してコモノマーの混入を測定する。
【０２３５】
原子間力顕微鏡(AFM)
−８０℃において操作されるＦＣ低温チャンバーを有するライカ(Leica)ＵＣＴ（商標）ミクロトームを使用してサンプル材料から切片を集める。すべてのサンプル材料を１２０ｎｍの厚さに切断するためにダイヤモンドナイフを使用する。新しく劈開させたマイカ表面上に切片を配置し、両面カーボンテープを使用して標準的なＡＦＭ試験片金属支持ディスク上に取り付ける。ＤＩナノスコープＩＶ(DI NanoScope IV)（商標）マルチモードＡＦＭ(Multi-Mode AFM)を使用し、位相検波を使用するタッピングモードで切片を調べる。すべての実験においてナノセンサーチップを使用する。
【０２３６】
具体的な実施形態
本発明の以下の具体的な実施形態及びそれらの組み合わせが特に望ましく、添付の請求項を詳細に開示するため、本明細書に詳細に示す。
【０２３７】
１．プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンと、共重合性コモノマーとを、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物の存在下で重合させることによって形成されたコポリマー。
【０２３８】
２．プロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンと、共重合性コモノマーとを、
（Ａ）高コモノマー混入指数を有する第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）触媒（Ａ）のコモノマー混入指数の９５％未満、好ましくは９０％未満、より好ましくは２５％未満、最も好ましくは１０％未満のコモノマー混入指数を有する第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物の存在下で重合させることによって形成されたコポリマー。
【０２３９】
３．プロピレン含有マルチブロックコポリマーの調製方法であって、プロピレンと、プロピレン以外の１又はそれ以上の付加重合性コモノマーとを、付加重合条件下で、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物と接触させるステップを含む、方法。
【０２４０】
４．コモノマーがエチレンである、実施形態３に記載の方法。
【０２４１】
５．４−メチル−１−ペンテン含有マルチブロックコポリマーの調製方法であって、４−メチル−１−ペンテンと、４−メチル−１−ペンテン以外の１又はそれ以上の付加重合性のコモノマーとを、付加重合条件下で、
（Ａ）第１のオレフィン重合触媒と、
（Ｂ）同等の重合条件下で触媒（Ａ）によって調製されるポリマーとは化学的性質又は物理的性質が異なるポリマーを調製可能な第２のオレフィン重合触媒と、
（Ｃ）鎖シャトリング剤と、
を組み合わせて得られる混合物又は反応生成物を含む組成物と接触させるステップを含む、方法。
【０２４２】
６．コモノマーがエチレンである、実施形態５に記載の方法。
【０２４３】
７．Ｃ2〜20α−オレフィンからなる群より選択される重合した形態の２種類のモノマーを含むマルチブロックコポリマーであって、コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる２つ以上、好ましくは３つ以上のセグメント又はブロックを含有し、ポリマーブロックの少なくとも１つが、重合したプロピレン、４−メチル−１−ペンテン、スチレン、又は他のＣ4〜20α−オレフィンから実質的になり、好ましくは分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが３．０未満、より好ましくは２．８未満であるマルチブロックコポリマー。
【０２４４】
８．重合した形態の、プロピレン及びエチレン、あるいは４−メチル−１−ペンテン及びエチレンを含むマルチブロックコポリマーであって、コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる２つ以上、好ましくは３つ以上のセグメント又はブロックを含有し、好ましくは分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが３．０未満、より好ましくは２．８未満であるマルチブロックコポリマー。
【０２４５】
９．重合した形態のプロピレン及びエチレン、あるいは４−メチル−１−ペンテン及びエチレンから実質的になるマルチブロックコポリマーであって、コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる２つ以上、好ましくは３つ以上のセグメント又はブロックを含有し、好ましくは分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが３．０未満、より好ましくは２．８未満であるマルチブロックコポリマー。
【０２４６】
１０．コモノマー含有率、結晶性、タクティシティー、均一性、又は密度が異なる４つ以上のセグメント又はブロックを含有する、実施形態５〜９のいずれか１つに記載のマルチブロックコポリマー。
【０２４７】
１１．実施形態１、２、５〜９のいずれか１つに記載のマルチブロックコポリマーの、あるいは実施形態３又は４に記載の方法によって製造されたマルチブロックコポリマーの官能化誘導体。
【０２４８】
１２．実施形態１０に記載のマルチブロックコポリマーの官能化誘導体。
【０２４９】
１３．（１）有機又は無機のポリマー、好ましくはプロピレン又はエチレンのホモポリマー、及び／又はエチレンと共重合性コモノマーとのコポリマー、ならびに（２）本発明の、実施形態１、２、５〜９のいずれか１つに記載のマルチブロックコポリマー、あるいは実施形態３又は４に記載の方法によって製造されたマルチブロックコポリマーを含む、均一ポリマー混合物。
【０２５０】
１４．実施形態１、２、５〜９のいずれか１つに記載のポリマーの、あるいは実施形態３又は４に記載の方法によって製造されたポリマーの架橋誘導体。
【０２５１】
１５．実施形態１０に記載のポリマーの架橋誘導体。
【０２５２】
１６．実施形態１１に記載のポリマーの架橋誘導体。
【０２５３】
１７．実施形態１２に記載のポリマーの架橋誘導体。
【０２５４】
１８．フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、実施形態１、２、５〜９のいずれか１つに記載のポリマー、あるいは実施形態３又は４に記載の方法によって製造されたポリマー、あるいはそれを含む組成物。
【０２５５】
１９．フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、実施形態１４に記載のポリマー又はそれを含む組成物。
【０２５６】
２０．フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、実施形態１５に記載のポリマー又はそれを含む組成物。
【０２５７】
２１．フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、実施形態１６に記載のポリマー又はそれを含む組成物。
【０２５８】
２２．フィルム、多層フィルムの少なくとも１層、積層物品の少なくとも１層、発泡物品、繊維、不織布、射出成形物品、吹き込み成形物品、回転成形物品、又は接着剤の形態の、実施形態１７に記載のポリマー又はそれを含む組成物。
【０２５９】
２３．シャトリング剤が、各ヒドロカルビル基中に１から１２個の炭素を含有するトリヒドロカルビルアルミニウム化合物又はジヒドロカルビル亜鉛化合物である、実施形態１又は２に記載のコポリマー。
【０２６０】
２４．シャトリング剤が、トリエチルアルミニウム又はジエチル亜鉛である、実施形態２３に記載のコポリマー。
【０２６１】
２５．触媒（Ａ）が、元素周期表の４〜８族から選択される遷移金属と、１又はそれ以上の非局在化π結合したリガンド又は多価ルイス塩基リガンドとを含む錯体を含む、実施形態１又は２に記載のコポリマー。
【０２６２】
２６．触媒（Ａ）が次式に対応する実施形態２５に記載のコポリマー：
【化３９】
2007529615.tif 000054
（式中：
Ｔ3は、水素以外に２から２０個の原子の二価の架橋基であり、好ましくは置換又は非置換のＣ3〜6アルキレン基であり；
Ａｒ2は、各出現時に独立して、水素以外に６から２０個の原子のアリーレン基、あるいはアルキル置換又はアリール置換アリーレン基であり；
Ｍ3は、４族金属であり、好ましくはハフニウム又はジルコニウムであり；
Ｇは、各出現時に独立して、アニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり；
ｇは、このようなＸ基の数を示す１から５の数であり；
電子供与性相互作用が矢印によって示されている）。
【０２６３】
２７．触媒（Ａ）が次式に対応する実施形態２３に記載のコポリマー：
【化４０】
2007529615.tif 000055
（式中、Ｍ3は、Ｈｆ又はＺｒであり；
Ａｒ4は、Ｃ6〜20アリール、又は不活性に置換されたその誘導体であり、特に３，５−ジ（イソプロピル）フェニル、３，５−ジ（イソブチル）フェニル、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル、又はアントラセン−５−イルであり、
Ｔ4は、各出現時に独立して、Ｃ3〜6アルキレン基、Ｃ3〜6シクロアルキレン基、又は不活性に置換されたその誘導体を含み；
Ｒ21は、各出現時に独立して、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、又はトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであって、水素以外に最大５０個の原子であり；
Ｇは、各出現時に独立して、ハロ、あるいは水素以外に最大２０個の原子のヒドロカルビル基又はトリヒドロカルビルシリル基である、あるいは２つのＧ基を合わせたものが、上記ヒドロカルビル基又はトリヒドロカルビルシリル基の二価の誘導体となる）。
【０２６４】
２８．触媒（Ａ）が次式に対応する実施形態２３に記載のコポリマー：
【化４１】
2007529615.tif 000056
（式中、Ａｒ4は、３，５−ジ（イソプロピル）フェニル、３，５−ジ（イソブチル）フェニル、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル、又はアントラセン−５−イルであり、
Ｒ21は、水素、ハロ、又はＣ1〜4アルキルであり、特にメチルであり、
Ｔ4は、プロパン−１，３−ジイル、又はブタン−１，４−ジイルであり、
Ｇは、クロロ、メチル、又はベンジルである）。
【０２６５】
２９．触媒（Ｂ）が次式に対応する実施形態１又は２に記載のコポリマー：
【化４２】
2007529615.tif 000057
（式中、
Ｍ2は、元素周期表の４〜１０族の金属であり；
Ｔ2は、窒素、酸素、又はリンを含有する基であり；
Ｘ2は、ハロ、ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルオキシであり；
ｔは１又は２であり；
ｘ”は、電荷バランスが得られるように選択される数であり；
Ｔ2及びＮは架橋性リガンドによって結合している）。
【０２６６】
３０．連続方法である実施形態３又は４に記載の方法。
【０２６７】
３１．溶液方法である、実施形態３０に記載の方法。
【０２６８】
３２．プロピレン及びエチレン、あるいは４−メチル−１−ペンテン及びエチレンが重合している、実施形態３０に記載の方法。
【０２６９】
３３．触媒（Ａ）が次式に対応する実施形態３０に記載の方法：
【化４３】
2007529615.tif 000058
（式中：
Ｔ3は、水素以外に２から２０個の原子の二価の架橋基であり、好ましくは置換又は非置換のＣ3〜6アルキレン基であり；
Ａｒ2は、各出現時に独立して、水素以外に６から２０個の原子のアリーレン基、あるいはアルキル置換又はアリール置換アリーレン基であり；
Ｍ3は、４族金属であり、好ましくはハフニウム又はジルコニウムであり；
Ｇは、各出現時に独立して、アニオン、中性、又はジアニオンのリガンド基であり；
ｇは、このようなＸ基の数を示す１から５の数であり；
電子供与性相互作用が矢印によって示されている）。
【０２７０】
３４．触媒（Ｂ）が次式に対応する実施形態３０に記載の方法：
【化４４】
2007529615.tif 000059
（式中、
Ｍ2は、元素周期表の４〜１０族の金属であり；
Ｔ2は、窒素、酸素、又はリンを含有する基であり；
Ｘ2は、ハロ、ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルオキシであり；
ｔは１又は２であり；
ｘ”は、電荷バランスが得られるように選択される数であり；
Ｔ2及びＮは架橋性リガンドによって結合している）。
【０２７１】
当業者には明らかなように、本明細書において開示される本発明は具体的に開示されていないあらゆる成分、ステップ、及び構成要素がなくても実施することができる。
【実施例】
【０２７２】
以下の実施例は、本発明をさらに説明するために提供しており、限定のために構成されたものではない。用語「一晩」が使用される場合、これは約１６〜１８時間を意味し、用語「室温」は２０〜２５℃の温度を意味し、用語「混合アルカン」は、商業的に入手した、商品名エクソン・モービル・ケミカルズ・インコーポレイテッド(Exxon Mobil Chemicals Inc.)より商品名アイソパーＥ(Isopar E)（登録商標）で入手可能なＣ6〜9脂肪族炭化水素の混合物を意味する。本明細書において化合物の名称がその構造の説明と一致していない場合は、構造の説明が制限されるべきである。すべての金属錯体の合成、及びすべてのスクリーニング実験の準備は、ドライボックス技術を使用して乾燥窒素雰囲気中で実施した。使用したすべての溶媒はＨＰＬＣグレードのものであり、使用前に乾燥させた。
【０２７３】
ＭＭＡＯは、改質メチルアルモキサンを意味し、トリイソブチルアルミニウム改質メチルアルモキサンがアクゾ−ノーベル・コーポレーション(Akzo-Nobel, Corporation)より入手可能である。
【０２７４】
触媒（Ａ１）は、ビス（（２−オキソイル−３−（ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル）−５−（メチル）フェニル）−２−フェノキシメチル）プロパン−１，３−ジイルジルコニウム（ＩＶ）ジメチルであり、米国特許出願公開第２００４／００１０１０３号明細書の教示に実質的に従って調製される。
【０２７５】
【化４５】
2007529615.tif 000060
【０２７６】
触媒（Ｂ１）は、１，２−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニレン）（１−（Ｎ−（２−メチルシクロヘキシル）イミノ）メチル）（２−オキソイル）ジルコニウムジベンジルである。
【０２７７】
【化４６】
2007529615.tif 000061
【０２７８】
触媒（Ｂ１）の調製は以下のように行う。
ａ）（２−メチルシクロヘキシル）（２−オキソイル−３，５−ジ（ｔ−ブチル）フェニル）メチルイミンの調製
２−メチルシクロヘキシルアミン（８．４４ｍＬ、６４．０ｍｍｏｌ）をメタノール（９０ｍＬ）中に溶解させ、ジ−ｔ−ブチルサリクアルデヒド（１０．００ｇ、４２．６７ｍｍｏｌ）を加える。その反応混合物を３時間撹拌した後、−２５℃で１２時間冷却する。得られた黄色固体沈殿物を濾過によって回収し、冷メタノール（２×１５ｍＬ）で洗浄し、続いて減圧乾燥する。１１．１７ｇの黄色固体が得られる。1Ｈ  ＮＭＲは、異性体の混合物としての所望の生成物と一致する。
【０２７９】
ｂ）１，２−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニレン）（１−（Ｎ−（２−メチルシクロヘキシル）イミン）メチル）（２−オキソイル）ジルコニウムジベンジルの調製
（１−（２−メチルシクロヘキシル）エチル）（２−オキソイル−３，５−ジ（ｔ−ブチル）フェニル）インミン（７．６３ｇ、２３．２ｍｍｏｌ）の２００ｍＬ トルエン中の溶液を、Ｚｒ（ＣＨ2Ｐｈ）4（５．２８ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）の６００ｍＬ トルエン中の溶液にゆっくりと加える。これにより得られる暗黄色溶液を２５℃で１時間撹拌する。この溶液を６８０ｍＬ トルエンでさらに希釈して、０．００７８３Ｍの濃度を有する溶液を得る。
【０２８０】
触媒（Ｂ２）は、Ｂ１と類似の方法で調製される１，２−ビス−（３−ｔ−ブチルフェニレン）（１−（Ｎ−（２−メチルシクロヘキシル）イミノ）メチル）（２−オキソイル）ジルコニウムジベンジルである。
【０２８１】
【化４７】
2007529615.tif 000062
【０２８２】
共触媒１  長鎖トリアルキルアミン（アーミン(Armeen)（商標）Ｍ２ＨＴ、アクゾ−ノーベル・インコーポレイテッド(Akzo-Nobel, Inc.)より入手可能）、ＨＣｌ、及びＬｉ［Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4］の反応によって調製され、米国特許第５，９１９，９８８３号明細書の実施例２に実質的に開示されている、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートのメチルジ（Ｃ14〜18アルキル）アンモニウム塩の混合物（以下、アンモニウムボレート）。
【０２８３】
シャトリング剤  使用したシャトリング剤としては、ジエチル亜鉛(DEZ)及びトリオクチルアルミニウム(TOA)が挙げられる。
【０２８４】
実施例１〜３、比較例Ａ、Ｂ
一般的な高処理量パラレル重合条件
シミックス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド(Symyx technologies, Inc.)より入手可能であり、米国特許第６，２４８，５４０号明細書、第６，０３０，９１７号明細書、第６，３６２，３０９号明細書、第６，３０６，６５８号明細書、及び第６，３１６，６６３号明細書に実質的に従って操作される高処理量パラレル重合反応器（ＰＰＲ）を使用して重合を行う。使用される全触媒を基準にして１．２当量の共触媒１（ＭＭＡＯが存在する場合は１．１当量）を使用して１２０℃において重合を行う。一連の重合は、あらかじめ秤量されたガラス管が取り付けられた６×８の配列の４８個の個別の反応器セルで構成されるパラレル加圧反応器（ＰＰＲ）中で実施する。各反応器セルの実用容積は６０００μＬである。各セルは、個々の撹拌パドルによる撹拌によって温度及び圧力が制御される。モノマーガス及びクエンチガスは、ＰＰＲユニット中まで直接配管され、自動弁によって制御される。液体試薬は、シリンジによって各反応器セルに自動的に加えられ、リザーバーの溶媒は混合アルカンである。添加順序は、混合アルカン溶媒（４ｍｌ）、モノマー、共触媒、ＭＭＡＯ（不純物を捕捉するために添加される）、シャトリング剤、及び触媒の順序である。ＣＯでクエンチした後、反応器を冷却し、ガラス管を取り外す。これらの管を遠心分離／真空乾燥ユニットに移し、６０℃で１２時間乾燥させる。乾燥したポリマーが入ったこれらの管を秤量し、この重量と風袋重量の差から、ポリマーの正味の収量が求められる。
【０２８５】
実施例１
ガラスバイアルインサートが入れられた６ｍＬ反応容器に混合アルカン（３．２９５ｍＬ）を投入し、続いてプロピレンで９０ｐｓｉ（０．６３ＭＰａ）まで加圧し、続いて５０／５０  ｖ：ｖ  エチレン／プロピレン混合ガスで１００ｐｓｉ（０．７ＭＰａ）までさらに加圧する。共触媒１（トルエン中１．２３ｍＭ、０．２０５ｍＬ、２．５２μｍｏｌ）及びＤＥＺ（トルエン中２．５ｍＭ、０．２００ｍＬ、０．５μｍｏｌ）をシリンジによって順次加える。触媒Ａ１（トルエン中１．０ｍＭ、０．１０ｍＬ、１００ｎｍｏｌ）及びＢ１（トルエン中１０ｍＭ、０．２０ｍＬ、２．０μｍｏｌ）の混合物をシリンジによって加える。１２０１秒後、ＣＯを加えることによって反応をクエンチする。ガラスインサートを取り出し、揮発性成分を減圧下で除去する。ポリマー収量＝０．０６６ｇ。Ｍｗ＝５２，８００；Ｍｎ＝３２，９００；ＰＤＩ＝１．６１。得られたポリマーのＤＳＣ曲線を図２に示す。
【０２８６】
実施例２
ガラスバイアルインサートが入れられた６ｍＬ反応容器に混合アルカン（３．４３４ｍＬ）を投入し、続いてプロピレンで９０ｐｓｉ（０．６３ＭＰａ）まで加圧し、続いて５０／５０  ｖ：ｖ  エチレン／プロピレン混合ガスで１００ｐｓｉ（０．７ＭＰａ）までさらに加圧する。共触媒１（トルエン中１．２３ｍＭ、０．１００ｍＬ、１．２３μｍｏｌ）及びＴＯＡ（トルエン中２．５ｍＭ、０．２００ｍＬ、０．５μｍｏｌ）をシリンジによって順次加える。触媒Ａ１（トルエン中０．１５ｍＭ、０．１６６ｍＬ、２５ｎｍｏｌ）及びＢ２（トルエン中１０ｍＭ、０．１００ｍＬ、１．０μｍｏｌ）の混合物をシリンジによって加える。１２０１秒後、ＣＯを加えることによって反応をクエンチする。ガラスインサートを取り出し、揮発性成分を減圧下で除去する。ポリマー収量＝０．０６９３ｇ。Ｍｗ＝１０８，８００；Ｍｎ＝５３，７００；ＰＤＩ＝２．０３。得られたポリマーのＤＳＣ曲線を図３に示す。
【０２８７】
実施例３
ガラスバイアルインサートが入れられた６ｍＬ反応容器に混合アルカン（３．４３４ｍＬ）を投入し、続いてプロピレンで９０ｐｓｉ（０．６３ＭＰａ）まで加圧し、続いて５０／５０  ｖ：ｖ  エチレン／プロピレン混合ガスで１００ｐｓｉ（０．７ＭＰａ）までさらに加圧する。共触媒１（トルエン中１．２３ｍＭ、０．１００ｍＬ、１．２３μｍｏｌ）及びＴＯＡ（トルエン中２．５ｍＭ、０．２００ｍＬ、０．５μｍｏｌ）をシリンジによって順次加える。触媒Ａ１（トルエン中０．１５ｍＭ、０．１６６ｍＬ、２５ｎｍｏｌ）及びＢ１（トルエン中１０ｍＭ、０．１０ｍＬ、１．０μｍｏｌ）の混合物をシリンジによって加える。１２００秒後、ＣＯを加えることによって反応をクエンチする。ガラスインサートを取り出し、揮発性成分を減圧下で除去する。ポリマー収量＝０．０７８ｇ。Ｍｗ＝８２，１００；Ｍｎ＝３６，０００；ＰＤＩ＝２．２８。得られたポリマーのＤＳＣ曲線を図４に示す。
【０２８８】
比較例Ａ
ガラスバイアルインサートが入れられた６ｍＬ反応容器に混合アルカン（３．４５４ｍＬ）を投入し、続いてプロピレンで９０ｐｓｉ（０．６３ＭＰａ）まで加圧し、続いて５０／５０  ｖ：ｖ  エチレン／プロピレン混合ガスで１００ｐｓｉ（０．７ＭＰａ）までさらに加圧する。共触媒１（トルエン中１．２３ｍＭ、０．１４８ｍＬ、１．８２μｍｏｌ）及びＭＭＡＯ（トルエン中５１ｍＭ、０．１４８ｍＬ、７．６μｍｏｌ）をシリンジによって順次加える。触媒Ａ１（トルエン中０．１５ｍＭ、０．１０ｍＬ、１５ｎｍｏｌ）及びＢ１（トルエン中１０ｍＭ、０．１５ｍＬ、１．５μｍｏｌ）の混合物をシリンジによって加える。シャトリング剤は使用しない。４７２秒後、ＣＯを加えることによって反応をクエンチする。ガラスインサートを取り出し、揮発性成分を減圧下で除去する。ポリマー収量＝０．２６１ｇ。Ｍｗ＝４４３，５００；Ｍｎ＝１４２，５００；ＰＤＩ＝３．１１。得られたポリマーのＤＳＣ曲線を図５に示す。
【０２８９】
比較例Ｂ
ガラスバイアルインサートが入れられた６ｍＬ反応容器に混合アルカン（３．４５４ｍＬ）を投入し、続いてプロピレンで９０ｐｓｉ（０．６３ＭＰａ）まで加圧し、続いて５０／５０  ｖ：ｖ  エチレン／プロピレン混合ガスで１００ｐｓｉ（０．７ＭＰａ）までさらに加圧する。共触媒１（トルエン中１．２ｍＭ、０．１４８ｍＬ、１．８μｍｏｌ）及びＭＭＡＯ（トルエン中５１ｍＭ、０．１４８ｍＬ、７．６μｍｏｌ）をシリンジによって順次加える。触媒Ａ１（トルエン中０．１５ｍＭ、０．１０ｍＬ、１５ｎｍｏｌ）及びＢ２（トルエン中１０ｍＭ、０．１５ｍＬ、１．５μｍｏｌ）の混合物をシリンジによって加える。シャトリング剤は使用しない。１０３５秒後、ＣＯを加えることによって反応をクエンチする。ガラスインサートを取り出し、揮発性成分を減圧下で除去する。ポリマー収量＝０．２６０１ｇ。Ｍｗ＝３９９，８００；Ｍｎ＝１６１，１００；ＰＤＩ＝２．４８。得られたポリマーのＤＳＣ曲線を図６に示す。
【０２９０】
実施例１〜３は、本発明による線状ブロックコポリマーの合成では、非常に狭いＭＷＤで実質的にモノモーダルのコポリマーが、ＤＥＺ又はＴＯＡが存在する場合に形成され、バイモーダルで幅広の分子量分布の生成物（別々に生成されたポリマーの混合物）が、鎖シャトリング剤のない場合に形成されることを示している。この理由は、触媒（Ａ１）が、触媒Ｂ１又はＢ２とは異なるコモノマー混入特性を有し、結果として得られるコポリマーの異なるブロック又はセグメントが、分岐又は密度によって区別可能となるためである。
【０２９１】
実施例４  プロピレン／エチレンマルチブロックコポリマーの形成
内部撹拌機が取り付けられコンピューター制御されたオートクレーブ反応器中で連続溶液重合を実施する。精製した混合アルカン溶媒（エクソン・モービル・インコーポレイテッド(ExxonMobil, Inc.)より入手可能なアイソパー(Isopar)（商標）Ｅ）、エチレン、プロピレン、及び水素（使用する場合）を、温度制御用ジャケット及び内部熱電対を取り付けた３．８Ｌ反応器に供給する。反応器への溶媒の供給は、マスフロー制御装置によって測定する。可変速ダイアフラムポンプによって、反応器への溶媒の流速及び圧力が制御される。ポンプの吐出時に、触媒（Ａ１及びＢ１の組み合わせ）及び共触媒１の注入ライン、ならびに反応器撹拌機にフラッシュフローを供給するために副流がとられる。これらの流れは、マイクロ−モーション(Micro-Motion)マスフローメーターによって測定され、制御弁によって、又はニードル弁を手で調節することによって制御される。残りの溶媒は、プロピレン、エチレン、及び水素（使用される場合）と組み合わせて、反応器に供給される。マスフロー制御装置は、必要に応じて水素を反応器に送達するために使用される。溶媒／モノマー溶液の温度は、反応器に入る前に熱交換器を使用することによって制御される。反応器の温度は、所望の温度、典型的には８０〜１１５℃の間に維持される。上記の流れは、反応器の底部に入る。触媒成分溶液は、ポンプ及びマスフローメーターを使用して計量され、触媒フラッシュ溶媒と混合され、反応器の底部に導入される。この反応器は、満液で５００ｐｓｉｇ（３．４５ＭＰａ）において激しく撹拌しながら運転される。生成物は反応器上部の出口ラインから取り出される。反応器からのすべての出口ラインは蒸気トレースが行われ及び断熱される。出口ラインから少量の水とともに安定剤又は他の添加剤を加えることによって重合を停止させ、混合物をスタティックミキサーに通す。次に、生成物流を、熱交換器に通すことによって加熱して揮発分を除去する。脱揮押出機及び水冷ペレタイザーを使用して押し出すことによってポリマー生成物を回収する。
【０２９２】
反応器供給物流中のプロピレン及びエチレンの比率を使用して、各触媒によって生成されるポリマーセグメント又はブロックの組成又は密度が制御される。供給物流中のプロピレンのエチレンに対する比率を使用することで、分岐又は密度に基づいて区別可能となる２種類の触媒からのポリマーセグメント又はブロックの生成が可能となる。適切なモノマー及び触媒の比率を実現することで、９５〜１００％の間のプロピレンを含む好適なブロック、及び２０〜８０％の間のプロピレンを含む好適なブロックを生成することができる。触媒供給を調整することによって、モノマー転化率が所望のレベルに調節される。コポリマーの全体の組成は、触媒供給比、又はモノマー供給比のいずれかを変更することによって制御される。コポリマーの分子量を制御するために水素及び／又はＤＥＺが使用される。分子量の制御のために水素が単独で使用される場合、その生成物はバイモーダルな分子量及び組成の分布を示すことがある。このコポリマーブレンドは、当業者が一般に使用する技術によって分離することができる。逆に、分子量の制御のためにＤＥＺが使用される場合、そのコポリマーは、マルチブロックポリマーと一致する狭い分子量及び組成の分布を示す。
【０２９３】
上記の連続溶液重合手順で得られる本発明のポリマーサンプルは、類似の組成の比較例又はエチレン−プロピレンランダムコポリマーに対して、いくつかの性質の向上が見られる。例えば、ＴＭＡ温度試験によって示される高温抵抗性、ペレットブロッキング強度(pellet blocking strength)、高温回復、高温圧縮永久ひずみ、及び貯蔵弾性率比Ｇ’（２５℃）／Ｇ’（１００℃）のすべてを実現することができる。特定の組成において、本発明のコポリマーは、プロピレン及びエチレンのランダムコポリマーに対して予想される値よりも高い溶融温度Ｔｍ及び低いガラス転移温度Ｔｇ示し、溶融温度は最高１６０℃であり、Ｔｇ＜−４０℃である。
【０２９４】
実施例５  ４−メチル−１−ペンテン／エチレンマルチブロックコポリマーの形成
実施例４の手順に実質的に従って、４−メチル−１−ペンテン及びエチレンの混合物を使用してブロックコポリマーを生成するために、連続溶液重合を実施する。反応器供給物流中の４−メチル−１−ペンテン／エチレンの比率を使用して、各触媒によって生成されるポリマーセグメント又はブロックの組成又は密度が制御される。供給物流中の４−メチル−１−ペンテンのエチレンに対する比率を使用することで、分岐又は密度に基づいて区別可能となる２種類の触媒からのポリマーセグメント又はブロックの生成が可能となる。モノマー及び触媒の比率を変化させることによって、９０〜１００％の間の４−メチル−１−ペンテンを含む好適なブロック、及び２０〜８０％の間の４−メチル−１−ペンテンを含む好適なブロックが生成される。触媒供給を調整することによって、モノマー転化率が所望のレベルに調節される。コポリマーの全体の組成は、触媒供給比、又はモノマー供給比のいずれかを変更することによって制御される。コポリマーの分子量を制御するために水素及び／又はＤＥＺが使用される。分子量の制御のために水素が単独で使用される場合、その生成物はバイモーダルな分子量及び組成の分布を示すことがある。このコポリマーブレンドは、当業者が一般に使用する技術によって分離することができる。逆に、分子量の制御のためにＤＥＺが使用される場合、そのコポリマーは、マルチブロックポリマーと一致する狭い分子量及び組成の分布を示す。
【０２９５】
上記の連続溶液重合手順で得られる本発明のポリマーサンプルは、類似の組成の比較例又は４−メチル−１−ペンテン／エチレンランダムコポリマーに対して、いくつかの性質の向上が見られる。例えば、ＴＭＡ温度試験によって示される高温抵抗性、ペレットブロッキング強度、高温回復、高温圧縮永久ひずみ、及び貯蔵弾性率比Ｇ’（２５℃）／Ｇ’（１００℃）のすべてを実現することができる。特定の組成において、本発明のコポリマーは、４−メチル−１−ペンテン及びエチレンのランダムコポリマーに対して予想される値よりも高い溶融温度Ｔｍ及び低いガラス転移温度Ｔｇも示し、溶融温度は最高２４０℃であり、Ｔｇ＜−４０℃である。
【図面の簡単な説明】
【０２９６】
【図１】２つの触媒部位が関与するポリマー鎖のシャトリングの過程の概略図である。
【図２】実施例１のポリマーの示差走査熱量測定のグラフである。
【図３】実施例２のポリマーの示差走査熱量測定のグラフである。
【図４】実施例３のポリマーの示差走査熱量測定のグラフである。
【図５】比較例Ａのポリマーの示差走査熱量測定のグラフである。
【図６】比較例Ｂのポリマーの示差走査熱量測定のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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