【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面に、プラズマを利用したエッチング処理を行う際の加工条件を取得し、
前記加工条件に基づいて、前記ウェハの表面に入射する反応生成物のフラックス量を算出し、
前記マスク厚および開口率を含むマスク情報と前記フラックス量とに基づいて、前記ウェハのエッチレートを算出し、
前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて、前記反応生成物の解離率を算出し、
前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角を算出し、
前記エッチレートと、前記解離率と、前記立体角と、前記開口率とに基づいて、前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を算出する
シミュレーション方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシミュレーション方法であって、
前記反応生成物のフラックス量を算出する工程は、前記加工条件と、算出された前記反応生成物の解離率とに基づいて前記反応生成物のフラックス量を算出する
シミュレーション方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のシミュレーション方法であって、
前記反応生成物のフラックス量を算出する工程は、エッチング保護膜として機能する反応生成物のフラックス量を算出する
シミュレーション方法。
【請求項４】
請求項３に記載のシミュレーション方法であって、さらに、
前記制御指標に基づいて、入射イオンによる前記ウェハのダメージを評価する
シミュレーション方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のシミュレーション方法であって、
前記開口率として、
前記マスクの面積に対する前記マスクの開口面積の比であるウェハ開口率と、
前記評価点を含み前記ウェハよりも狭いセミローカル領域の面積に対する当該セミローカル領域における前記マスクの開口面積の比であるセミローカル開口率と、を用いる
シミュレーション方法。
【請求項６】
請求項５に記載のシミュレーション方法であって、
前記エッチレートをＥＲ、前記解離率をＤ、前記立体角をΩL、前記ウェハ開口率をＲG、前記セミローカル開口率をＲSとしたとき、前記制御指標は、
（１−Ｄ）×ＥＲ×（ＲG＋ＲS）ΩL
で表される
シミュレーション方法。
【請求項７】
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面に、プラズマを利用したエッチング処理を行う際の加工条件に基づいて、前記ウェハの表面に入射する反応生成物のフラックス量を算出するステップと、
前記マスク厚および開口率を含むマスク情報と前記フラックス量とに基づいて、前記ウェハのエッチレートを算出するステップと、
前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて、前記反応生成物の解離率を算出するステップと、
前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角を算出するステップと、
前記エッチレートと、前記解離率と、前記立体角と、前記開口率とに基づいて、前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を算出するステップと
を含む計算を情報処理装置に実行させるシミュレーションプログラム。
【請求項８】
複数のエッチング装置と、
前記複数のエッチング装置各々に設けられたコントローラと
を具備し、
前記コントローラは、
サーバと通信可能な通信部と、
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面にプラズマを利用したエッチング処理を行う際の加工条件と、前記マスク厚および開口率を含むマスク情報とを送信し、
前記加工条件に基づいて算出された前記ウェハ表面に入射する反応生成物のフラックス量と、前記マスク情報と前記フラックス量とに基づいて算出された前記ウェハのエッチレートと、前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて算出された前記反応生成物の解離率と、前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて算出された、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角と、前記開口率と、を用いて生成された前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を前記サーバから受信する
ように前記通信部を制御可能な制御部と
を有する
加工制御システム。
【請求項９】
ウェハの表面にプラズマを利用したエッチング処理を行う第１の加工装置と、
前記エッチング処理による前記ウェハの形状進展を予測する情報処理装置と
を具備し、
前記情報処理装置は、
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面に、前記エッチング処理を行う際の加工条件を取得するように構成された入力部と、
前記加工条件に基づいて、前記ウェハの表面に入射する反応生成物のフラックス量を算出し、
前記マスク厚および開口率を含むマスク情報と前記フラックス量とに基づいて、前記ウェハのエッチレートを算出し、
前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて、前記反応生成物の解離率を算出し、
前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角を算出し、
前記エッチレートと、前記解離率と、前記立体角と、前記開口率とに基づいて、前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を算出する
ように構成された演算部と
を有する
加工制御システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の加工制御システムであって、
前記第１の加工装置と相互に通信可能に構成され、前記情報処理装置による演算結果を受信可能な第２の加工装置をさらに具備する
加工制御システム。
【請求項１１】
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面に、プラズマを利用したエッチング処理を行う際の加工条件を取得するように構成された入力部と、
前記加工条件に基づいて、前記ウェハの表面に入射する反応生成物のフラックス量を算出し、
前記マスク厚および開口率を含むマスク情報と前記フラックス量とに基づいて、前記ウェハのエッチレートを算出し、
前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて、前記反応生成物の解離率を算出し、
前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角を算出し、
前記エッチレートと、前記解離率と、前記立体角と、前記開口率とに基づいて、前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を算出する
ように構成された演算部と
を具備するシミュレータ。
【請求項１２】
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面に、プラズマを利用したエッチング処理を行う際の加工条件を取得し、
前記加工条件に基づいて、前記ウェハの表面に入射する反応生成物のフラックス量を算出し、
前記マスク厚および開口率を含むマスク情報と前記フラックス量とに基づいて、前記ウェハのエッチレートを算出し、
前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて、前記反応生成物の解離率を算出し、
前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角を算出し、
前記エッチレートと、前記解離率と、前記立体角と、前記開口率とに基づいて、前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を算出し、
前記制御指標が所定範囲におさまるように、前記加工条件を変更する
プロセス設計方法。
【請求項１３】
所定のマスク厚および開口率を有するマスクで被覆されたウェハの表面に、プラズマを利用したエッチング処理を行う際の加工条件を取得し、
前記加工条件に基づいて、前記ウェハの表面に入射する反応生成物のフラックス量を算出し、
前記マスク厚および開口率を含むマスク情報と前記フラックス量とに基づいて、前記ウェハのエッチレートを算出し、
前記加工条件と前記エッチレートとに基づいて、前記反応生成物の解離率を算出し、
前記マスク情報と前記エッチレートとに基づいて、前記ウェハの表面に設定された所定の評価点における、当該評価点からプラズマ空間を見通すことができる視野領域に相当する立体角を算出し、
前記エッチレートと、前記解離率と、前記立体角と、前記開口率とに基づいて、前記ウェハの表面形状を評価するための制御指標を算出し、
前記制御指標が所定範囲におさまるように、前記マスクの設計を変更する
マスク設計方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のマスク設計方法であって、
前記マスクの設計を変更する工程は、マスク開口部のテーパ角を変更する
マスク設計方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のマスク設計方法であって、
前記マスクの設計を変更する工程は、前記開口率を変更する
マスク設計方法。