【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上の実装領域に配列された複数の第１の半導体素子および前記第１の半導体素子と発光色が異なる第２の半導体素子と、前記基板上に形成され、前記半導体素子に給電する外部電極と、前記実装領域の周縁部に形成された反射性部材からなる枠体と、を備える半導体装置であって、
前記外部電極は、前記第１の半導体素子と接続する正負１対の第１の外部電極と、前記第２の半導体素子と接続する正負１対の第２の外部電極とからなり、
前記実装領域の周縁部に沿って第１の外部電極が、１対の第２の外部電極の少なくとも一方または第２の外部電極に電気的に接続する配線より外側に位置するように形成されており、
第１の半導体素子の電極と第１の外部電極とを電気的に接続するボンディングワイヤは,１対の第２の外部電極の少なくとも一方または第２の外部電極に電気的に接続する配線を跨いで接続されており、そのボンディングワイヤと、１対の第２の外部電極の少なくとも一方または第２の外部電極に電気的に接続する配線との間に前記枠体の一部が介在されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第２の外部電極に電気的に接続する配線は、前記第２の半導体素子に接続する少なくとも１つの中継配線を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記実装領域が矩形形状を有し、前記第２の半導体素子が、前記実装領域の四隅に実装され、前記第１の半導体素子が、前記実装領域の残余のスペースに配置されている請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の半導体素子が、実装面の反対側に正負一対の電極を有する半導体素子であり、前記第２の半導体素子が、実装面側に正負いずれかの電極を有する半導体素子である請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記枠体の内側に充填され、前記第１の半導体素子および第２の半導体素子を覆う封止部材を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
保護素子を備え、前記保護素子が前記枠体に覆われている、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
基板と、前記基板上の実装領域に配列された複数の第１の半導体素子および前記第１の半導体素子と発光色が異なる第２の半導体素子と、前記基板上に形成され、前記半導体素子に給電する外部電極と、前記実装領域の周縁部に形成された反射性部材からなる枠体と、を備える半導体装置であって、
前記外部電極は、前記第１の半導体素子と接続する正負１対の第１の外部電極と、前記第２の半導体素子と接続する正負１対の第２の外部電極とからなり、
前記第１の外部電極および第２の外部電極は、それぞれ、外部電極と接続する端子部と、それらの端子部から前記実装領域の周縁部に沿って延伸する延伸部とからなり、
さらに、前記第１の外部電極の延伸部に沿って延伸する複数の配線が前記基板上に形成されており、
前記第１の外部電極および第２の外部電極の延伸部および前記複数の配線は、前記枠体に覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第１の外部電極の延伸部は、前記複数の配線の外側に形成されており、前記第１の半導体素子の電極と前記第１の外部電極の延伸部とを接続するボンディングワイヤが、前記複数の配線を跨いで接続されている請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ワイヤと、前記複数の配線との間に前記枠体の一部が介在されている請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
第２の外部電極に電気的に接続する配線は、前記第２の半導体素子に接続する少なくとも１つの中継配線を有する請求項７から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記実装領域が矩形形状を有し、前記第２の半導体素子が、前記実装領域の四隅に実装され、前記第１の半導体素子が、前記実装領域の残余のスペースに配置されている請求項７から１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の半導体素子が、実装面の反対側に正負一対の電極を有する半導体素子であり、前記第２の半導体素子が、実装面側に正負いずれかの電極を有する半導体素子である請求項７から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記枠体の内側に充填され、前記第１の半導体素子および第２の半導体素子を覆う封止部材を有する請求項７から１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の外部電極の延伸部が、前記複数の配線の内側に形成されており、前記第２の半導体素子の電極と前記複数の配線とを接続するボンディングワイヤが、前記第１の外部電極の延伸部を跨いで接続されている請求項７、および１０から１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体素子から離間して配置された蛍光体を備える請求項７から１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
温度センサが前記基板上に搭載されている請求項７から１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記封止部材に蛍光体を含む請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１８】
保護素子を備え、前記保護素子が前記枠体に覆われている、請求項７から１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
表面に実装領域と、正負１対の第１の外部電極および正負１対の第２の外部電極を形成した基板を用意する工程であって、前記実装領域の周縁部に沿って第１の外部電極が１対の第２の外部電極の少なくとも一方または第２の外部電極に接続する配線より外側に位置するように形成されている該工程と、
前記実装領域に、複数の第１の半導体素子および前記第１の半導体素子と発光色が異なる少なくとも１つの第２の半導体素子を実装する工程と、
前記１対の第２の外部電極の少なくとも一方または第２の外部電極に接続する配線を跨いで、前記第１の半導体素子の素子電極と前記第１の外部電極とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
前記実装領域の周囲に、前記ボンディングワイヤと、１対の第２の外部電極の少なくとも一方または第２の外部電極に接続する配線との間に枠体の一部が介在するように該枠体を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
保護素子を備え、前記保護素子が前記枠体に覆われている、請求項１９項に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図５は、図２のＸ−Ｘ線に沿った模式断面図である。枠体１０は、第１の発光素子２と第１の外部電極４とを接続するボンディングワイヤ９と、中継配線８ｃとの間に、枠体の一部が介在するように形成されている。枠体１０が介在しているので、ボンディングワイヤ９と中継配線８ｃとが直接接触することはない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（蛍光体）
封止部材１１中に、波長変換部材として発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。蛍光部材としては、発光素子からの光をより長波長に変換させるものが好ましい。また、蛍光部材は１種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、２種以上の蛍光物質等が混合されたものを単層として形成してもよい。あるいは、１種の蛍光物質等を含有する単層を２層以上積層させてもよいし、２種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を２層以上積層させてもよい。蛍光部材の具体的な材料としては、例えば、イットリウムおよびアルミニウムを含むガーネット構造のＹＡＧ系蛍光体、Ｅｕ，Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
＜枠体形成工程＞
本工程は、ワイヤボンディング工程の後、発光素子２の電極と第１の外部電極の延伸部とを電気的に接続するボンディングワイヤと第２の外部電極の中継配線との間に枠体１０の一部が介在するように、実装領域１ａの周縁に枠体１０を形成する。枠体１０の形成は、例えば、固定された基板１の上側において、基板１に対して上下方向あるいは水平方向などに移動（可動）させることができる樹脂吐出装置を用いて行うことができる。すなわち、樹脂が充填された樹脂吐出装置をその先端のノズルから液体樹脂を吐出しながら移動させることで、発光素子の近傍に光反射樹脂を形成していく。樹脂吐出装置の移動速度は、用いる樹脂の粘度や温度等に応じて適宜調整することができる。形成された複数の光反射樹脂がそれぞれ略同じ幅となるようにするには、少なくとも樹脂を吐出中は一定の速度で移動させるのが好ましい。移動中に樹脂の吐出を一時中断する場合などは、その間の移動速度は変更することもできる。樹脂の吐出量についても、一定とするのが好ましい。さらに、樹脂吐出装置の移動速度と樹脂の吐出量ともに、一定とするのが好ましい。吐出量の調整は、吐出時にかかる圧力等を一定にするなどにより調整することができる。