【手続補正書】
【提出日】平成28年2月8日(2016.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板から材料を除去するための装置であって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内で前記基板を支えるための基板サポートと、
前記基板サポートに向かってイオンを供給するように構成されたイオン源またはプラズマ源と、
前記基板が前記基板サポート上に位置決めされているときに前記基板の表面に反応物を提供するための注入ヘッドであって、（ｉ）反応物供給導管の反応物出口領域と、（ｉｉ）真空導管につながれた吸引領域と、を含む基板対向領域を含む注入ヘッドと、
前記注入ヘッドまたは前記基板サポートを互いに対して移動させるための移動機構と、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記基板対向領域は、前記反応物供給導管の終端と、前記真空導管の終端とを含み、前記終端は、実質的に同一面上にある、装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、
前記基板サポート、前記注入ヘッド、および／または前記移動機構は、前記基板が前記基板サポート上に位置決めされているときに前記注入ヘッドと前記基板の前記表面との間に分離距離を維持するように構成され、前記分離距離は、約１ｃｍ以下である、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記分離距離は、約２ｍｍ以下である、装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の装置であって、
前記分離距離は、距離センサからのフィードバックを通じて能動的に制御される、装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置であって、
前記吸引領域は、前記反応物出口領域を実質的に取り巻いている、装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
１本以上の真空導管につながれて前記吸引領域を実質的に取り巻く１つ以上の追加の吸引領域を備える装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の装置であって、
前記反応物出口領域の長さは、少なくとも、前記装置内で処理される基板の直径に少なくともほぼ等しいまたはそれよりも大きい、装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記反応物出口領域は、前記基板サポートに平行な方向に約０．５ｍｍ〜１０ｃｍの間の幅を有する、装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の装置であって、
前記反応物出口領域は、約０．５ｍｍ〜２ｃｍの幅を有する仕切りによって前記吸引領域から隔てられ、前記仕切りの幅は、前記反応物出口領域を前記吸引領域から分離する、装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の装置であって、
前記吸引領域は、約１ｍｍ〜５ｃｍの幅を有する、装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、さらに、前記反応物供給導管および前記真空導管を覆うケースを含む、装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、少なくとも上面を耐スパッタリング材料で被覆される、装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、供給前に互いに実質的に混ざり合わない２種以上の別々の反応物を局部的に供給するように構成される、装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
さらなる反応物ガスを提供するためのさらなる注入ヘッドを備える装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれか一項に記載の装置であって、
センサ、センサヘッド、検出器、または検出器ヘッドの少なくとも１つが、前記注入ヘッド上に搭載される、前記注入ヘッドに隣接して設置される、前記注入ヘッドに組み込まれる、装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置であって、
前記センサおよび／または検出器の１つ以上は、（ｉ）前記反応物、（ｉｉ）１種以上の反応物副生成物、および／または（ｉｉｉ）前記基板のうちの少なくとも１つを監視するように構成される、装置。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記注入ヘッドの下で前記基板を回転させるように構成される回転機構を備える装置。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、複数のセグメントに分けられ、前記セグメントは、（ｉ）異なる反応物、（ｉｉ）異なる反応物流量、および／または（ｉｉｉ）異なる真空コンダクタンスを与えられる、すなわち受けるように構成される、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、さらに、
各セグメントに供給されるまたは印可される反応物流量または真空コンダクタンスを独立に制御するための、１つ以上の固定オリフィス、可変オリフィス、または質量流量コントローラを備える装置。
【請求項２１】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記注入ヘッドを加熱および／または冷却するための加熱素子および／または冷却素子を備える装置。
【請求項２２】
請求項１ないし２１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、枢軸を中心にして回転するように構成され、前記注入ヘッドの幅は、前記基板の表面の上に均一なガス供給を提供するように変化される、装置。
【請求項２３】
請求項１ないし２２のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記反応物を前記吸引領域から除去するのと同時に前記反応物出口領域内で第１の圧力で前記反応物を前記基板表面に供給するための命令を有するコントローラを備える装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の装置であって、
前記コントローラは、さらに、前記注入ヘッドを前記基板に対してまたは前記基板を前記注入ヘッドに対して移動させるための命令を有する、装置。
【請求項２５】
半導体基板から材料を除去するための装置であって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内で前記基板を支えるための基板サポートと、
前記基板サポートに向かってイオンを供給するように構成されたイオン源またはプラズマ源と、
前記基板が前記基板サポート上に位置決めされているときに前記基板の表面に反応物を提供するための注入ヘッドであって、基板対向領域を含み、前記基板対向領域は、（ｉ）反応物供給導管の反応物出口領域と、（ｉｉ）前記基板の周囲にある余分な反応物を除去するように構成された真空導管につながれた吸引領域と、を含む注入ヘッドと、
前記注入ヘッドまたは前記基板サポートを互いに対して移動させるための移動機構と、
備える装置。
【請求項２６】
半導体基板から材料を除去する方法であって、
反応チャンバに前記基板を提供することと、
イオン源から発するイオンに前記基板の表面を暴露することと、
前記基板を反応物ガスに暴露し、そうして前記反応物ガスを前記基板の表面の第１の部分上の反応物出口区域内で前記基板表面に接触可能にすることであって、前記反応物ガスは、前記反応物出口区域を実質的に取り巻く前記基板表面上の吸引区域内で前記反応物ガスを除去するのと同時に第１の圧力で前記反応物出口区域に提供され、前記反応チャンバは、前記反応物出口区域および前記吸引区域の外側で第２の圧力に維持され、前記第２の圧力は、前記第１の圧力の約２５分の１以下である、ことと、
前記イオンへの暴露および前記反応物ガスへの暴露の結果として、前記基板から前記材料を除去することと、
を備える方法。