【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムの一方の面に剥離層、銅層がこの順に設けられた離型フィルム付銅箔であって、該フィルムは高分子フィルムからなり、該剥離層は炭素層であり、該銅層は厚み０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、５μｍ以上のピンホール数が銅層に１平方ｍあたり１個以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔。
【請求項２】
該銅層は該剥離層と接していない面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項３】
該フィルムは厚みが２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、１２０℃での熱収縮率が２．０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項４】
該フィルムは少なくとも剥離層と接する面の表面粗Ｒａが０．１０μｍ以下であり、融点が２００℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
【請求項５】
該炭素層は炭素原子から構成される層のみであり、ラマン分光スペクトルの１５００ｃｍ−１以上１６００ｃｍ−１以下の間のピークバンドに対する１２００ｃｍ−１以上１４００ｃｍ−１以下の間のピークバンドの強度比が０．６以上１．２以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施例１
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名‘ルミラー’タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は１．０％であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．４個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度６．０ｍ／ｍｉｎで１．０ｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜を表面粗化剤ＣＺ−８１０１（メック（株）製）で０．５μｍ研磨して銅層の膜厚を０．５μｍとした。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは１．０２μｍであった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
実施例３
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、カプトン２００ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は５．０ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９５であった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２．０ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１２．０ｍ／ｍｉｎで０．５ｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。ただし、銅膜厚をあげるためにライン速度を上げたところ、３．０ｍ／ｍｉｎ以下で銅箔が一部剥がれてしまった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
実施例５
厚さ２０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、カプトン８０ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は０．６ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９５であった。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２．０ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．０ｍ／ｍｉｎで２．０ｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレしてしまい１本シワが入ったが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．４個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０４μｍであった。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
実施例７
厚さ３８μｍの二軸延伸ポリテトラフルオロエチレン（三井デュポンフロロケミカル（株）製）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０４μｍ、融点は３２７℃、１２０℃での収縮率は４．１％であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２．０ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２．０ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１２．０ｍ／ｍｉｎで０．５ｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．１５μｍであった。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
実施例９
厚さ４０μｍの２軸配向（王子エフテックス（株）製、）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０５μｍ、融点は１８５℃、１２０℃での収縮率は１．８％であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
実施例１０
厚さ１２５μｍの変性ポリフェニレンエーテルフィルム（ＳＡＢＩＣ（株）製、ノリルフィルム）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０８μｍ、融点は２０７℃、１２０℃での収縮率は１．７％であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
実施例１１
厚さ３８μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、テオネックス）に、大気圧プラズマＣＶＤ法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０５μｍ、融点は２６９℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２．０ｍ／ｍｉｎを採用した。Ｃ２Ｈ２ガスをＮ２ガスで希釈して用い、放電電圧は１５ｋＶ、周波数３０ｋＨｚ、処理速度１．０ｍ／ｍｉｎの条件を採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．５であった。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
比較例３
厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、カプトン１５０ＥＮＣ）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
比較例６
厚さ３６μｍの銅箔（日本電解（株）製）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型できるキャリア箔を作製した。スパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗ、処理速度は２ｍ／ｍｉｎを採用した。この炭素層のGバンドに対するDバンドの比は０．９であった。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
【表１】
2015104891.tif 000001