【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板と、
前記第１の半導体基板の一部に配置される、ダングリングボンド終端効果のある原子の拡散を防止する第１の原子拡散防止部と
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の原子拡散防止部は、前記第１の半導体基板上に形成された能動素子を覆う
ように構成された
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の原子拡散防止部は、前記能動素子のゲート電極上に配置される
ように構成された
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の原子拡散防止部は、前記第１の半導体基板上に形成された能動素子を含む回路を覆う
ように構成された
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の原子拡散防止部は、ビア、配線、およびコンタクトにより構成され、
前記ビア、前記配線、および前記コンタクトの少なくとも１つは、前記原子を吸蔵する原子吸蔵合金の金属膜を有する
ように構成された
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の原子拡散防止部は、前記第１の半導体基板と接続される
ように構成された
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の原子拡散防止部は、前記第１の半導体基板内に配置される
ように構成された
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の半導体基板内に配置される、前記原子を供給する第１の原子供給膜
をさらに備える
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の半導体基板上の全面に配置される、前記原子を供給する第１の原子供給膜
をさらに備える
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の半導体基板とは異なる機能を提供する第２の半導体基板
をさらに備え、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板は、前記第１の原子供給膜を介して積層される
ように構成された
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の半導体基板上の全面に配置される前記原子を供給する第２の原子供給膜
をさらに備え、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板は、前記第１の原子供給膜と前記第２の原子供給膜を介して積層される
ように構成された
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の半導体基板または前記第２の半導体基板上の全面に配置される前記原子の拡散を防止する第２の原子拡散防止部
をさらに備え、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板は、前記第１の原子供給膜と前記第２の原子拡散防止部を介して積層される
ように構成された
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の半導体基板には、撮像を行う画素領域が形成され、
前記第２の半導体基板には、前記撮像により生成された信号に対して信号処理を行うロジック回路が形成される
ように構成された
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板とは異なる機能を提供する第３の半導体基板と、
前記第３の半導体基板上の全面に配置される前記原子を供給する第２の原子供給膜と
をさらに備え、
前記第２の半導体基板と前記第３の半導体基板は、前記第２の原子供給膜を介して積層される
ように構成された
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１の半導体基板には、撮像を行う画素領域が形成され、
前記第２の半導体基板には、前記撮像により生成された信号に対して信号処理を行う信号処理部が形成され、
前記第３の半導体基板には、前記信号を記憶するメモリ部が形成される
ように構成された
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１の半導体基板上に形成される第１の配線層と、
前記第２の半導体基板上に形成される第２の配線層と
をさらに備え、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板は、前記第１の配線層と前記第２の配線層が対向するように積層される
ように構成された
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１の半導体基板上に形成される第１の配線層と、
前記第２の半導体基板上に形成される第２の配線層と
をさらに備え、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板は、前記第１の半導体基板に対する前記第１の配線層の方向と前記第２の半導体基板に対する前記第２の配線層の方向とが同一になるように積層される
ように構成された
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記原子は、水素である
ように構成された
請求項１乃至１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
半導体基板と、
前記半導体基板の一部に配置される、ダングリングボンド終端効果のある原子の拡散を防止する原子拡散防止部と
を備える半導体装置を形成する
半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
半導体基板と、
前記半導体基板の一部に配置される、ダングリングボンド終端効果のある原子の拡散を防止する原子拡散防止部と
を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
掃き出し走査系は、光電変換素子から不要な電荷を掃き出す(リセットする)ために、読み出し走査系の走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して、各行の画素駆動線１４と接続する出力端から制御パルスを出力する。この掃き出し走査系による走査により、いわゆる電子シャッタ動作が行ごとに順に行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換素子の電荷を捨てて、新たに露光を開始する（電荷の蓄積を開始する）動作のことをいう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（CMOSイメージセンサの製造方法の第２の例）
図５は、図３のCMOSイメージセンサ１０のトランジスタ７０−１および７０−２付近の製造方法の第２の例を示す図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
図１７の例では、水素供給領域４２１が、画素アレイ部３１０と、周辺回路の信号処理回路３８０以外の各部とからなり、水素抑制領域４２２が信号処理回路３８０からなる。即ち、図１７の例では、水素の供給によって、信号処理回路３８０で使用されるMOSFETの寿命のみが許容できなくなるため、信号処理回路３８０を水素抑制領域４２２に含めている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
図１９の例では、以上のように構成される比較器３５１において、図２０に示すように、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１１およびＮＴ５１２が水素供給領域４２１に含まれる。また、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ５１１およびＮＴ５１２以外の回路が水素抑制領域４２２に含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
なお、図２１に示すように、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１１およびＰＴ５１２以外の回路が水素供給領域４２１に含まれ、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ５１１およびＰＴ５１２が水素抑制領域４２２に含まれるようにしてもよい。また、水素供給領域と水素抑制領域の設定方法は、図１６乃至図２１の例に限定されない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
具体的には、図２９に示すように、水素抑制領域４２２内のPMOSFET６７１は、ゲート電極６８１、ｐチャネル領域６８２および６８３、コンタクト６８４、ドレイン電極６８５、コンタクト６８６、並びにソース電極６８７により構成される。ｐチャネル領域６８２には、コンタクト６８４を介してドレイン電極６８５が接続され、ｐチャネル領域６８３には、コンタクト６８６を介してソース電極６８７が接続される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１１】
アナログ部８５４は、LPF（Low Pass Filter）８７１、AGC（Automatic Gain Control）８７２、ADC８７３、DAC８７４、およびLPF８７５により構成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
アナログ部８５４のLPF８７１は、直交復調器８６２から供給されるＩＦ信号に対してローパスフィルタ処理を行い、AGC８７２に供給する。AGC８７２は、LPF８７１から供給されるＩＦ信号のレベルを制御し、ADC８７３に供給する。ADC８７３は、AGC８７２から供給されるＩＦ信号をデジタルデータに変換し、デジタル部８５５に供給する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２７】
図４０に示すように、水素供給物９０６は、例えば、水素供給領域を構成する画素アレイ部９０１と制御回路９１１のそれぞれを囲むように配置される。この場合、金属材料９０７は、図４０に示すように、水素供給物９０６の信号処理回路９０２側にライン状に配置されてもよいし、図４１に示すように、水素供給物９０６の外側（信号処理回路９０２側）を囲むように配置されてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
図４３に示すように、水素供給物９３２は、例えば、水素供給領域を構成する画素アレイ部９０１と制御回路９１１のそれぞれを囲むように形成され、TCV９３１は、その水素供給物９３２の外側を囲うように形成される。