【事件の表示】
　特願２０１１−１４７９３２「撮像素子および撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月２４日出願公開、特開２０１３−　１６６０８、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年７月４日の出願であって、平成２６年６月１８日付で審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２７年４月１５日付で拒絶理由が通知され、同年６月１２日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２８年１月１８日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年４月１８日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　補正の適否について
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２８年４月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「【請求項１】
　浮遊拡散層に接続される配線と
グランド配線との間隔が
と
グランド配線
と
　撮像素子。
　　【請求項２】
　
前記画素は、
　　
前記配線と前記グランド配線との間隔が前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　
前
よりも狭くなるように
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項３】
　前記画素は、
前記配線と他の配線とが重畳する部分の配線幅が他の画素と異なるように
　
請求項１
　　【請求項４】
　
前記画素は、
　　
前記配線と前記他の配線とが重畳する部分の配線幅が前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　
前記配線と前記他の配線とが
よりも太くなるように
　
請求項３
　　【請求項５】
　前記画素は
、読み出しゲートのサイズが他の画素と異なるように
　
請求項１
　　【請求項６】
　
前記画素は、
　　
前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素
よりも大きくなるように
　請求項５に記載の撮像素子。
　　【請求項７】
　
前記他の画素は、前記画素に隣接する画素である
　
請求項１
　　【請求項８】
　
所定の画素列の各画素の前記配線と前記グランド配線との間隔が、他の画素列の画素と異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項９】
　所定の画素
行
前記配線と前記グランド配線との間隔
行
と
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１０】
　所定の
部分領域
前記配線と前記グランド配線との間隔
部分領域
と
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１１】
　
画素群形成のために分割露光が行われる場合のマスクの繋ぎ箇所近傍の画素の前記配線と前記グランド配線との間隔が、前記マスクの繋ぎ箇所近傍でない箇所の画素
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１２】
　
浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を有する撮像素子
　
撮像装置。
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なるように形成されることにより、前記配線と前記他の構成との間の容量が前記他の画素における前記容量と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を備える
　撮像素子。
　　【請求項２】
　前記他の構成はグランド配線であり、
　前記画素の前記配線と前記グランド配線とが、前記配線と前記グランド配線との間隔が前記他の画素における前記間隔と異なるようなレイアウトで形成される
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項３】
　前記画素は、
　　前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記配線と前記グランド配線とが、前記間隔が前記他の画素における前記間隔よりも狭くなるレイアウトで形成される
　請求項２に記載の撮像素子。
　　【請求項４】
　前記他の構成は前記配線と重畳する他の配線であり、
　前記画素の前記他の配線が、前記他の配線の前記配線と重畳する部分の配線幅が前記他の画素における前記配線幅と異なるようなレイアウトで形成される
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項５】
　前記画素は、
　　前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記他の配線が、前記配線幅が前記他の画素における前記配線幅よりも太くなるレイアウトで形成される
　請求項４に記載の撮像素子。
　　【請求項６】
　前記他の構成は読み出しゲートであり、
　前記画素の前記読み出しゲートが、前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素における前記サイズと異なるようなレイアウトで形成される
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項７】
　前記画素は、
　　前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記読み出しゲートが、前記サイズが前記他の画素における前記サイズよりも大きくなるレイアウトで形成される
　請求項６に記載の撮像素子。
　　【請求項８】
　前記他の画素は、前記画素に隣接する画素である
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項９】
　所定の画素列の各画素の前記レイアウトが、他の画素列の画素における前記レイアウトと異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１０】
　所定の画素行の各画素の前記レイアウトが、他の画素行の画素における前記レイアウトと異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１１】
　所定の部分領域の各画素の前記レイアウトが、他の部分領域の画素における前記レイアウトと異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１２】
　画素群形成のために分割露光が行われる場合のマスクの繋ぎ箇所近傍の画素の前記レイアウトが、前記マスクの繋ぎ箇所近傍でない箇所の画素における前記レイアウトと異なるように形成された前記画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項１３】
　浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なるように形成されることにより、前記配線と前記他の構成との間の容量が前記他の画素における前記容量と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を有する撮像素子を備える
　撮像装置。」
２　補正の適否について
（１）補正の内容
　補正後の請求項に係る発明は、補正前の請求項に係る発明に次の補正がなされたものである。
ア　補正前の請求項２を削除し、補正前の請求項３ないし１３を補正後の請求項２ないし１２とする補正。
イ　補正前の請求項１の「浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なるように形成されることにより、前記配線と前記他の構成との間の容量が前記他の画素における前記容量と異なり、」を「浮遊拡散層に接続される配線と
グランド配線との間隔が
と
グランド配線
と
ウ　補正前の請求項３の「前記画素は、
　　前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記配線と前記グランド配線とが、前記間隔が前記他の画素における前記間隔よりも狭くなるレイアウトで形成される
　請求項２に記載の撮像素子。」を補正後の請求項２の「
前記画素は、
　　
前記配線と前記グランド配線との間隔が前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　
前
よりも狭くなるように
　請求項１に記載の撮像素子。」とする補正。
エ　補正前の請求項４の「前記他の構成は前記配線と重畳する他の配線であり、
　前記画素の前記他の配線が、前記他の配線の前記配線と重畳する部分の配線幅が前記他の画素における前記配線幅と異なるようなレイアウトで形成される
　請求項１に記載の撮像素子。」を補正後の請求項３の「前記画素は、
前記配線と他の配線とが重畳する部分の配線幅が他の画素と異なるように
　
請求項１
オ　補正前の請求項５の「前記画素は、
　　前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記他の配線が、前記配線幅が前記他の画素における前記配線幅よりも太くなるレイアウトで形成される
　請求項４に記載の撮像素子。」を補正後の請求項４の「
前記画素は、
　　
前記配線と前記他の配線とが重畳する部分の配線幅が前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　
前記配線と前記他の配線とが
よりも太くなるように
　
請求項３
カ　補正前の請求項６の「前記他の構成は読み出しゲートであり、
　前記画素の前記読み出しゲートが、前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素における前記サイズと異なるようなレイアウトで形成される
　請求項１に記載の撮像素子。」を補正後の請求項５の「前記画素は
、読み出しゲートのサイズが他の画素と異なるように
　
請求項１
キ　補正前の請求項７の「前記画素は、
　　前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記読み出しゲートが、前記サイズが前記他の画素における前記サイズよりも大きくなるレイアウトで形成される
　請求項６に記載の撮像素子。」を補正後の請求項６の「
前記画素は、
　　
前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素と同一の場合に前記画素出力が前記他の画素に比べて高く、
　　前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素
よりも大きくなるように
　請求項５に記載の撮像素子。」とする補正。
ク　補正前の請求項９の「所定の画素列の各画素の前記レイアウトが、他の画素列の画素における前記レイアウトと異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。」を補正後の請求項８の「
所定の画素列の各画素の前記配線と前記グランド配線との間隔が、他の画素列の画素と異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。」とする補正。
ケ　補正前の請求項１０の「所定の画素行の各画素の前記レイアウトが、他の画素行の画素における前記レイアウトと異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。」を補正後の請求項９の「所定の画素
行
前記配線と前記グランド配線との間隔
行
と
　請求項１に記載の撮像素子。」とする補正。
コ　補正前の請求項１１の「所定の部分領域の各画素の前記レイアウトが、他の部分領域の画素における前記レイアウトと異なるように形成された画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。」を補正後の請求項１０の「所定の
部分領域
前記配線と前記グランド配線との間隔
部分領域
と
　請求項１に記載の撮像素子。」とする補正。
サ　補正前の請求項１２の「画素群形成のために分割露光が行われる場合のマスクの繋ぎ箇所近傍の画素の前記レイアウトが、前記マスクの繋ぎ箇所近傍でない箇所の画素における前記レイアウトと異なるように形成された前記画素群を備える
　請求項１に記載の撮像素子。」を補正後の請求項１１の「
画素群形成のために分割露光が行われる場合のマスクの繋ぎ箇所近傍の画素の前記配線と前記グランド配線との間隔が、前記マスクの繋ぎ箇所近傍でない箇所の画素
　請求項１に記載の撮像素子。」とする補正。
シ　補正前の請求項１３の「浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なるように形成されることにより、前記配線と前記他の構成との間の容量が前記他の画素における前記容量と異なり、」を補正後の請求項１２の「
浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異なり、
（２）補正の適否
あ　補正事項アについて検討すると、補正事項アは、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてされたものであることは明らかであり、請求項の削除を目的とするものであるから、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たし、特許法第１７条の２第４項の規定に適合し、また、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
い　補正事項イについて検討すると、補正事項イにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項イは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項イは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項イは、補正前の「浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なる」ことについて、「浮遊拡散層に接続される配線と
グランド配線との間隔が
と
グランド配線
　そして、補正後の請求項１に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
う　補正事項ウについて検討すると、補正事項ウにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項ウは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項ウは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項ウは、補正前の請求項３の「前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合」について、補正後の請求項２において「
前記配線と前記グランド配線との間隔が前記他の画素と同一の場合
　そして、補正後の請求項２に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
え　補正事項エについて検討すると、補正事項エにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項エは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項エは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項エは、補正前の請求項４の「前記他の構成は前記配線と重畳する他の配線であり、
　前記画素の前記他の配線が、前記他の配線の前記配線と重畳する部分の配線幅が前記他の画素における前記配線幅と異なるようなレイアウトで形成される」ことについて、補正後の請求項３において「前記画素は、
前記配線と他の配線とが重畳する部分の配線幅が他の画素と異なるように
　そして、補正後の請求項３に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
お　補正事項オについて検討すると、補正事項オにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項オは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項オは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項オは、補正前の請求項５の「前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合」について、補正後の請求項４において「
前記配線と前記他の配線とが重畳する部分の配線幅が前記他の画素と同一の場合
前記配線と前記他の配線とが
よりも太くなるように
　そして、補正後の請求項４に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
か　補正事項カについて検討すると、補正事項カにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項カは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項カは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項カは、補正前の請求項６の「前記画素の前記読み出しゲートが、前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素における前記サイズと異なるようなレイアウトで形成される」ことについて、補正後の請求項５において「
読み出しゲートのサイズが他の画素と異なるように
　そして、補正後の請求項５に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
き　補正事項キについて検討すると、補正事項キにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項キは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項キは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項キは、補正前の請求項７の「前記レイアウトが前記他の画素と同一の場合」について、補正後の請求項６において「
前記読み出しゲートのサイズが前記他の画素と同一の場合
よりも大きくなるように
　そして、補正後の請求項６に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
く　補正事項クについて検討すると、補正事項クにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項クは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項クは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項クは、補正前の請求項９の「所定の画素列の各画素の前記レイアウト」について、補正後の請求項８において「
所定の画素列の各画素の前記配線と前記グランド配線との間隔
他の画素列の画素と異なる
　そして、補正後の請求項８に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
け　補正事項ケについて検討すると、補正事項ケにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項ケは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項ケは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項ケは、補正前の請求項１０の「所定の画素行の各画素の前記レイアウト」について、補正後の請求項９において「所定の画素
行
前記配線と前記グランド配線との間隔
行
と
　そして、補正後の請求項９に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
こ　補正事項コについて検討すると、補正事項コにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項コは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項コは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項コは、補正前の請求項１１の「所定の部分領域の各画素の前記レイアウト」について、補正後の請求項１０において「所定の
部分領域
前記配線と前記グランド配線との間隔
部分領域
と
　そして、補正後の請求項１０に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
さ　補正事項サについて検討すると、補正事項サにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項サは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項サは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項サは、補正前の請求項１２の「マスクの繋ぎ箇所近傍の画素の前記レイアウト」について、補正後の請求項１１において「
マスクの繋ぎ箇所近傍の画素の前記配線と前記グランド配線との間隔
画素
　そして、補正後の請求項１１に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
し　補正事項シについて検討すると、補正事項シにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項スは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項シは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項シは、補正前の請求項１３の「浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なる」ことについて、補正後の請求項１２において「
浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なる
前記配線と前記グランド配線との間の容量
　そして、補正後の請求項１２に係る発明は、下記第６のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
（３）小括
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除および同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、同法第１７条の２第３項、第４項及び第６項のそれぞれの規定に適合するから、適法にされたものである。
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２８年４月１８日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし１２に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１および１２に係る発明（以下、「本願発明１」および「本願発明２」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を備える
　撮像素子。」
「【請求項１２】
　浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を有する撮像素子を備える
　撮像装置。」
第４　査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２７年　４月１５日付け拒絶理由通知書に記載した理由４によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書および手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由４（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１，１３
・引用文献等　２
　先の拒絶理由において示した引用文献２には、浮遊拡散層（フローティングディフュージョン）に接続される配線（図８，１０における３８ＦＤ、図９における３８ａｄ）のレイアウトを他の画素における前記レイアウトと異なるように形成することにより、前記配線と他の構成との間の容量が前記他の画素における容量と異なるものとする発明が記載されている（主に、図８−１０およびそれらの説明を参照）。
　そして、引用文献２に記載された発明は、上記の構成を採用することにより、画素の単位構成要素の信号変換能力を場所ごとに調整することで光学的シェーディングを抑制していることから（段落００２５）、同一の入射光に対する画素出力の他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を備えるものと認められる。
　また、引用文献２に記載された発明では、フローティングディフュージョンの容量成分を調整する際、配線容量に限らずその他のパラメータを制御する旨が記載されていることから（段落０１０４）、浮遊拡散層に接続される他の構成のレイアウトを他の画素における前記レイアウトと異なるように形成することに、格別な困難性は認められない。
　したがって、本願請求項１，１３に係る発明は、依然として、引用文献２に記載された発明から、当業者が容易に想到し得たものである。
・請求項　２−８
・引用文献等　２
　引用文献２に記載された発明では、フローティングディフュージョンの容量成分に寄与する何れかのパラメータを調整することが記載されている（主に、段落０１０４を参照）。そして、配線の幅や、配線間の距離を考慮して最適な容量値とすることは、一般的に行われることである。
　また、引用文献２には、読み出しゲートのゲート幅を調整し、画素間のばらつきを抑制することも示唆されている（第３実施形態を参照）。
　したがって、本願請求項２−８に係る発明は、依然として、引用文献２に記載された発明から、当業者が容易に想到し得たものである。
・請求項　９−１１
・引用文献等　２
　引用文献２には、画素の単位構成要素の信号変換能力を場所ごとに調整することで光学的シェーディングを抑制することが記載されていることから（主に、段落００２５を参照）、画素列、画素行、所定部分領域の画素を他の部分に対して異なるものとすることは、当業者にとって容易である。
　したがって、本願請求項９−１１に係る発明は、依然として、引用文献２に記載された発明から、当業者が容易に想到し得たものである。
・請求項　１２
・引用文献等　１，２
　先の拒絶理由において示した引用文献１に記載された発明に、引用文献２に記載された技術を採用し、画素群形成のために分割露光が行われる場合のマスクの繋ぎ箇所近傍におけるばらつきを抑制することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　したがって、本願請求項１２に係る発明は、引用文献１，２から当業者が容易に想到し得たものである。
・意見書における主張に関して
　出願人は、平成２７年６月１２日付け意見書において、「浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトが他の画素における前記レイアウトと異なるように形成されることは記載も示唆もされていない」という旨の主張をしている。
　しかし、引用文献２に記載された発明は、画素の単位構成要素の信号変換能力を場所ごとに調整することにより光学的シェーディングを抑制しており（段落００２５）、フローティングディフュージョンの容量成分を調整する際、配線容量に限らずその他のパラメータを制御する旨も記載されている（段落０１０４）。
　すると、引用文献２に記載された発明において、浮遊拡散層に接続される配線と他の構成の少なくともいずれか一方のレイアウトを他の画素における前記レイアウトと異なるように形成することは、当業者にとって容易である。
　したがって、出願人の主張は採用できない。
　　　　　　　　　　　　　 ＜引用文献等一覧＞
　１．特開平５−２０５９９０号公報
　２．特開２００６−１０８４６７号公報」
　また、平成２７年４月１５日付け拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「４．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由３，４について
・請求項１−１９
・引用文献１−３
・備考
ａ）引用文献１の図１及びその説明箇所参照。
ｂ）引用文献２の図１，８，１０及びその説明箇所参照
ｃ）引用文献３の図１，２及びその説明箇所参照。
　
　当該請求項に係る発明と引用文献１，２又は３に記載の発明とに相違点があったとしても、上述の理由１，２の拒絶理由があることから、その点は設計的事項の範疇にすぎないといわざるをえない。
　
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平０５−２０５９９０号公報
２.特開２００６−１０８４６７号公報
３.特開２００９−２５２９８２号公報」
第５　原査定の理由についての当審の判断
１　引用例について
（１）引用例１について
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平５−２０５９９０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は、当審において付与したものである。以下同じ。）
ア　引用例１の記載について
（ア）「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるパターン形成方法は、
第１の膜１１上に第１のフォトレジストを塗布する工程と、形成すべきパターン１３、１４のうちの第１の方向における第１のパターン部を前記第１のフォトレジストに形成する工程と、前記第１のフォトレジストをマスクにして前記第１の膜１１に前記第１のパターン部１５を形成する工程と、前記第１の膜１１の上層に第２の膜１６を形成する工程と、前記第１のフォトレジストとは逆感光性の第２のフォトレジストを前記第２の膜１６上に塗布する工程と、前記パターン１３、１４のうちの前記第１の方向と交わる第２の方向における第２のパターン部を前記第２のフォトレジストに形成する工程と、前記第２のフォトレジストをマスクにして前記第２の膜１６に前記第２のパターン部１７、１８を形成して、前記第１及び第２のパターン部１５、１７、１８の重畳部で前記第１及び第２の膜１１、１６に前記パターン１３、１４を形成する工程とを有している。
【０００７】
【作用】本発明によるパターン形成方法では、第１及び第２のフォトレジストが互いに逆感光性であるので、露光装置のランプの照度むら等のために、互いに交わる方向における第１及び第２のパターン部１５、１７、１８のうちの第１のパターン部１５の幅が所望の幅よりも例えば太くなれば、第２のパターン部１７、１８の幅は所望の幅よりも細くなる。」
（イ）「【００１７】このため、式と式との比較からも明らかな様に、本実施例で形成した開口１４の面積の方が、既述の一従来例で形成した開口１４の面積よりも、開口１３の面積に近い。従って、本実施例では、
分割露光で形成した開口１３、１４の面積のばらつきが小さく、チップ内での感度差が小さいリニアイメージセンサを製造することができる。
イ　引用例１記載事項について
　上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の事項（以下、「引用例１記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「第１の膜１１上に第１のフォトレジストを塗布する工程と、形成すべきパターン１３、１４のうちの第１の方向における第１のパターン部を前記第１のフォトレジストに形成する工程と、前記第１のフォトレジストをマスクにして前記第１の膜１１に前記第１のパターン部１５を形成する工程と、前記第１の膜１１の上層に第２の膜１６を形成する工程と、前記第１のフォトレジストとは逆感光性の第２のフォトレジストを前記第２の膜１６上に塗布する工程と、前記パターン１３、１４のうちの前記第１の方向と交わる第２の方向における第２のパターン部を前記第２のフォトレジストに形成する工程と、前記第２のフォトレジストをマスクにして前記第２の膜１６に前記第２のパターン部１７、１８を形成して、前記第１及び第２のパターン部１５、１７、１８の重畳部で前記第１及び第２の膜１１、１６に前記パターン１３、１４を形成する工程とを有することにより、
　分割露光で形成した開口１３、１４の面積のばらつきが小さく、チップ内での感度差が小さいリニアイメージセンサを製造すること。」
（２）引用例２について
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００６−１０８４６７号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ア　引用例２の記載について
（ア）「【００４４】
　＜固体撮像装置の構成＞
　図１は、本発明の一実施形態に係る
ＣＭＯＳ固体撮像装置
【００４５】
　固体撮像装置１は、入射光量に応じた信号を出力する図示しない検知部としての受光素
子を含む単位画素が行および列の正方格子状に配列された（すなわち２次元マトリクス状の）撮像部を有し、各単位画素からの信号出力が電圧信号であって、ＣＤＳ(Correlated Double Sampling ；相関２重サンプリング）処理機能部やその他の機能部が垂直列ごとに設けられたカラム型のものである。
【００４６】
　すなわち、図１に示すように、固体撮像装置１は、
複数の単位画素３（単位構成要素の一例）が行および列に（２次元行列状に）多数配列された撮像部（画素部）１０
（イ）「【００７０】
　＜第１実施形態＞
　＜単位画素の回路構成例＞
　図２は、本発明の第１実施形態を説明する図であって、
単位画素３の一構成例の回路図である。
・・・　中　略　・・・
【０１０４】
　フローティングディフュージョン３８の容量成分は、たとえば、拡散容量や、ゲートとのオーバーラップ容量、あるいは配線容量などから決定されるので、これらの何れかに対して操作を加えることで、容量成分を調整できる。
【０１０５】
　第１実施形態の構成においては、金属配線膜５６４も増幅用トランジスタ４２のゲートにぶら下がった状態のフローティング配線として接続されているので、フローティングディフュージョン３８の容量成分に寄与する。
【０１０６】
　フローティングディフュージョン３８の変換効率はＦＤ容量に反比例するが、本実施形態の構成では、金属配線膜５６４を付加したことで、
フローティングディフュージョン３８の面積が金属配線膜５６４を利用することで調整できる。
ＦＤ容量を大きくすることで、変換効率を小さくすることができる。
（ウ）「【０１１１】
　＜第２実施形態＞
　＜単位画素の回路構成例＞
　図５は、本発明の第２実施形態を説明する図であって、単位画素３の一構成例の回路図である。また、図６は、図５に示した単位画素３におけるフローティングディフュージョン近傍の断面構造例を示す図である。
・・・　中　略　・・・
【０１１６】
　よって、第１実施形態の構成と同様に、金属配線膜５６４を付加したことで、
ＦＤ容量を大きくすることで変換効率を小さくすることができ、
【０１１７】
　なお、第１および第２実施形態においては、フローティングディフュージョン３８の面積を調整するに際して、フローティングディフュージョン３８に寄与する配線の電極面積を調整する一例を示したが、その他の手法によって、電極面積を調整することもできる。たとえば、
層間膜５４２内に設けた配線金属膜５６０ｂの長さを調整することでも実現できる。
【０１１８】
　配線長の調整は、配線ルートの調整（たとえば直線状やジグザグ状と、その形状の違い）で実現できる。あるいは、
層間膜５４２内に設けた配線金属膜５６０ｂの幅を調整することでも実現できる。もちろん、配線長と配線幅の双方を調整することで、フローティングディフュージョン３８の面積を調整することもできる。
・・・　中　略　・・・
【０１２０】
　また、フローティングディフュージョン３８に寄与する配線の電極面積を調整する手法に代えて、
フローティングディフュージョン３８の形成に寄与する主要部である拡散層５３２ｂの面積を調整することでも、ＦＤ容量を調整し変換効率を調整することで、信号変換特性を線形領域に設定することができる。
（エ）「【０１４３】
　この第４実施形態は、
ＦＤ容量を調整することでＦＤ変換効率を変化させる構成を利用する点で第１あるいは第２実施形態と同様である
フローティングディフュージョン３８の不純物濃度を変えることで、実現する点に特徴を有する。
（オ）「【０１４９】
　＜第５実施形態＞
　図１３および図１４は、本発明の第５実施形態を説明する、センサ入射光量に対する出力の様子を示す図である。ここで図１３は、撮像部１０における中央部と周辺部（隅画素）の光量に対する出力の様子を説明する図である。また、図１４は、第５実施形態を適用した後における撮像部１０における中央部と周辺部（隅画素）の光量に対する出力の様子を説明する図である。
【０１５０】
　
この第５実施形態は、第１〜第４実施形態で説明した構成を利用することで、単位構成要素である単位画素３の信号変換能力を、撮像エリア内の画素位置（すなわち場所）ごとに調整・設定し、これによって、入射される物理量の場所依存性に応じて信号変換能力を調整するようにした点に特徴を有する。
【０１５１】
　具体的事例として、ここでは、第１あるいは第２実施形態で説明した、ＦＤ容量を調整する構成を利用して、物理量の場所依存性の一例である光学的シェーディングを抑えるようにする。すなわち、従来技術の項で述べた、画素部中央から周辺部に遠ざかっていくに従って感度が下がっていく光学シェーディングに対し、第１あるいは第２実施形態で説明したフローティングディフュージョン３８の拡散層に接続する第２の金属配線としての金属配線膜５６４の面積を光学シェーディングに応じて調整してＦＤ変換効率を画素位置ごとに変えることにより、
撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え、これにより、光学シェーディングを抑えるようにする。
イ　引用例２発明について
　上記アの記載から、引用例２には、実質的に次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されているものと認められる。
「フローティングディフュージョン３８の面積を金属配線膜５６４を利用することで調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の面積を層間膜５４２内に設けた配線金属膜５６０ｂの長さや幅を調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の形成に寄与する主要部である拡散層５３２ｂの面積を調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の不純物濃度を変えること、
　により、フローティングディフュージョン３８の容量を調整し、
　単位構成要素である単位画素３の信号変換能力を、撮像エリア内の画素位置（すなわち場所）ごとに調整・設定し、これによって、入射される物理量の場所依存性に応じて信号変換能力を調整し、撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え、これにより、光学シェーディングを抑えるようにするＣＭＯＳ固体撮像装置。」
（３）引用例３について
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００９−２５２９８２号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ア　引用例３の記載について
（ア）「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　我々は、ＣＭＯＳセンサの画素の縮小化を検討している際に、ＣＣＤセンサの画素縮小化とは異なる問題があることを見出した。それは、配線による光の回折である。ＣＭＯＳセンサの配線は、数百ｎｍから数μｍ程度の透明なパッシベーション絶縁層を介して半導体の上方に配置されている。このため、光は、配線近傍で回折して半導体層に届くまでに、パッシベーション絶縁層内で広がってしまい、その一部が隣の画素まで届いてしまう恐れがある。回折には波長依存性があり、長波長の光ほど回折起因の光学的混色が増大することを見出した。
【０００６】
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
長波長光の回折起因の光学的混色を低減し、色再現性が高く、鮮明な映像を写す光電変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明に係る光電変換装置は、
第１の波長の光を通すカラーフィルタと光電変換部とがそれぞれ配された複数の第１の画素と、前記第１の波長より大きい第２の波長を通すカラーフィルタと光電変換部とがそれぞれ配された複数の第２の画素と、が配列された画素領域と、前記画素領域の上に配された複数の第１の配線と、前記複数の第１の配線の上に絶縁層を介して配された複数の第２の配線とを備え、前記複数の第２の配線は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分と、前記第２の画素の開口の一部を構成する部分とを有し、前記第２の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第２の配線の距離は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分に比べて大きいことを特徴とする。
イ　引用例３記載事項について
　上記アの記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「第１の波長の光を通すカラーフィルタと光電変換部とがそれぞれ配された複数の第１の画素と、前記第１の波長より大きい第２の波長を通すカラーフィルタと光電変換部とがそれぞれ配された複数の第２の画素と、が配列された画素領域と、前記画素領域の上に配された複数の第１の配線と、前記複数の第１の配線の上に絶縁層を介して配された複数の第２の配線とを備え、前記複数の第２の配線は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分と、前記第２の画素の開口の一部を構成する部分とを有し、前記第２の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第２の配線の距離は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分に比べて大きいことにより、
長波長光の回折起因の光学的混色を低減し、色再現性が高く、鮮明な映像を写す光電変換装置を提供すること。」
２　対比・判断
（１）本願発明１と引用例２発明とを対比する。
ア　引用例２発明の「フローティングディフュージョン３８」「ＣＭＯＳ固体撮像装置」は、本願発明１の「浮遊拡散層」「撮像素子」に相当する。
イ　引用例２発明の「フローティングディフュージョン３８の面積を金属配線膜５６４を利用することで調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の面積を層間膜５４２内に設けた配線金属膜５６０ｂの長さや幅を調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の形成に寄与する主要部である拡散層５３２ｂの面積を調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の不純物濃度を変えること、
　により、フローティングディフュージョン３８の容量を調整」することと、本願発明１の「浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異な」ることは、「浮遊拡散層」に関する「容量が前記他の画素と異な」る点で共通する。
ウ　引用例２発明は「単位構成要素である単位画素３の信号変換能力を、撮像エリア内の画素位置（すなわち場所）ごとに調整・設定し、これによって、入射される物理量の場所依存性に応じて信号変換能力を調整し、撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え、これにより、光学シェーディングを抑えるように」しており、「撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え、これにより、光学シェーディングを抑えるようにする」ことは、本願発明１の「同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制され」ることに対応し、また、引用例２発明は、「撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え」ることを、「単位構成要素である単位画素３の信号変換能力を、撮像エリア内の画素位置（すなわち場所）ごとに調整・設定し」ているから、これらの「調整・設定」された「単位画素３」を少なくとも１つ備えていると言える。
　そうすると、引用例２発明は、本願発明１の「同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を備える」ことと同様の構成を有していると認められる。
　そうすると、本願発明１と引用例２発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「浮遊拡散層に関する容量が他の画素と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を備える
　撮像素子。」
［相違点１］
　本願発明１は「浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異な」っているのに対して、引用例２発明は、対応する構成を有していない点。
（２）当審の判断
［相違点１］について検討する。
　引用例２には、「浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異な」ることについて記載されておらず、また、引用例２の記載から、当業者が容易に想起することができたとは認められない。
　また、引用例１および３には、「浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異な」ることについて記載されていない。
　そうすると、引用例１および３の記載から、引用例２発明において、上記［相違点１］について、本願発明１の構成を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明１は、特に［相違点１］を有することによって、「本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、撮像特性の局所的な不均一性を抑制することができるようにすることを目的とする。」（【０００９】）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］に係る構成は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本願発明１を引用する本願の請求項２ないし１１に係る発明も同様に、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）本願発明２と引用例２発明とを対比する。
ア　引用例２発明の「フローティングディフュージョン３８」「ＣＭＯＳ固体撮像装置」は、本願発明２の「浮遊拡散層」「撮像素子」に相当する。
イ　引用例２発明の「フローティングディフュージョン３８の面積を金属配線膜５６４を利用することで調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の面積を層間膜５４２内に設けた配線金属膜５６０ｂの長さや幅を調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の形成に寄与する主要部である拡散層５３２ｂの面積を調整すること、もしくは、
　フローティングディフュージョン３８の不純物濃度を変えること、
　により、フローティングディフュージョン３８の容量を調整」することと、本願発明２の「浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異な」ることは、「浮遊拡散層」に関する「容量が前記他の画素と異な」る点で共通する。
ウ　引用例２発明は「単位構成要素である単位画素３の信号変換能力を、撮像エリア内の画素位置（すなわち場所）ごとに調整・設定し、これによって、入射される物理量の場所依存性に応じて信号変換能力を調整し、撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え、これにより、光学シェーディングを抑えるように」しており、「撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え、これにより、光学シェーディングを抑えるようにする」ことは、本願発明２の「同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制され」ることに対応し、また、引用例２発明は、「撮像エリア（撮像部１０）全体の感度を揃え」ることを、「単位構成要素である単位画素３の信号変換能力を、撮像エリア内の画素位置（すなわち場所）ごとに調整・設定し」ているから、これらの「調整・設定」された「単位画素３」を少なくとも１つ備えていると言える。
　そうすると、引用例２発明は、本願発明２の「同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を備える」ことと同様の構成を有していると認められる。
　そうすると、本願発明２と引用例２発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「浮遊拡散層に関する容量が他の画素と異なり、かつ、同一の入射光に対する画素出力の前記他の画素との差が抑制された少なくとも１つの画素を有する撮像素子。」
［相違点１］
　本願発明２は「浮遊拡散層に接続される配線とグランド配線との間隔が他の画素と異なるように形成されることにより、前記配線と前記グランド配線との間の容量が前記他の画素と異な」っているのに対して、引用例２発明は、対応する構成を有していない点。
［相違点２］
　本願発明２は「撮像装置」であるのに対して、引用例２発明はそうでない点。
（４）当審の判断
［相違点１］について検討する。
　上記「（２）当審の判断」で検討したように、引用例２には、［相違点１］に係る構成について記載されておらず、また、引用例２の記載から、当業者が容易に想起することができたとは認められない。さらに、引用例１および３の記載から、引用例２発明において、上記［相違点１］について、本願発明２の構成を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明２は、特に［相違点１］を有することによって、「本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、撮像特性の局所的な不均一性を抑制することができるようにすることを目的とする。」（【０００９】）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］に係る構成は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明２は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本願発明２は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　原査定の理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第６　結語
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。