【手続補正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成されたラインパターンから検出マークを形成する形成方法であって、
前記基板の上の前記検出マークを形成するための第１領域と、前記第１領域を囲み、前記検出マークの形成を禁止する第２領域とを決定する第１ステップと、
前記第１領域における前記ラインパターンが延在する方向における複数の位置において前記ラインパターンを切断して複数のマーク要素を形成するための第１カットパターンと、前記第２領域における前記ラインパターンを除去するための除去パターンとを含むパターンを投影光学系によって前記基板の上に投影し、前記複数のマーク要素で前記検出マークを形成する第２ステップと、
を有することを特徴とする形成方法。
【請求項２】
前記ラインパターンが延在する方向における前記複数のマーク要素のピッチは、前記検出マークで回折される回折光のうち、前記投影光学系の瞳に１次以上の回折光が入射するための最小ピッチよりも大きく、且つ、前記検出マークを光学的に検出する検出系の瞳に１次以上の回折光が入射するための最小ピッチよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の形成方法。
【請求項３】
前記基板の上には、前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向に、複数のラインが繰り返し形成されており、
前記第１カットパターンは、前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向に延在し、且つ、前記第１領域における前記ラインパターンの全てに交わる長方形パターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の形成方法。
【請求項４】
前記基板の上には、前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向に、複数のラインが繰り返し形成されており、
前記第１カットパターンは、前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向に延在し、前記第１領域における前記ラインパターンの一部に交わる長方形パターン群であることを特徴とする請求項１又は２に記載の形成方法。
【請求項５】
前記第２ステップは、前記基板の上の前記第１領域及び前記第２領域を除くパターン領域において、前記ラインパターンを部分的に切断する第２カットパターンを前記投影光学系によって前記基板の上に投影してパターンを形成するステップと並行して行われることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の形成方法。
【請求項６】
ラインパターンが形成される基板の上に検出マークを形成する形成方法であって、
前記基板の上の前記検出マークを形成するための第１領域と、前記第１領域を囲み、前記検出マークの形成を禁止する第２領域とを決定する第１ステップと、
前記第１領域及び前記第２領域に対して、前記ラインパターンが延在する方向に配列された複数のマーク要素を含むパターンを投影光学系によって投影し、前記第１領域に前記複数のマーク要素のそれぞれに対応する複数のレジストパターンを形成する第２ステップと、
前記第２ステップで形成された複数のレジストパターンのそれぞれの側面にサイドウォールを形成し、前記複数のレジストパターンを除去して当該サイドウォールによって前記検出マークを形成する第３ステップと、
を有することを特徴とする形成方法。
【請求項７】
前記第２ステップは、前記基板の上の前記第１領域及び前記第２領域を除くパターン領域に対して、ラインアンドスペースパターンを前記投影光学系によって投影して前記ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを形成するステップと並行して行われることを特徴とする請求項６に記載の形成方法。
【請求項８】
前記複数のマーク要素は、前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向にも配列され、
前記複数のマーク要素は、前記ラインパターンが延在する方向及び前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向において、マトリクス状に配列されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の形成方法。
【請求項９】
前記複数のマーク要素は、前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向にも配列され、
前記複数のマーク要素は、前記ラインパターンが延在する方向及び前記ラインパターンが延在する方向に直交する方向において、千鳥格子状に配列されていることを特徴とする請求項６乃至８のうちいずれか１項に記載の形成方法。
【請求項１０】
前記検出マークは、アライメントマーク又は重ね合わせマークを含むことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の形成方法。
【請求項１１】
検出マークを有する基板であって、
前記検出マークは、第１方向に沿って配列された複数のマーク要素を含み、
前記第１方向における前記複数のマーク要素のピッチは、前記検出マークで回折される回折光のうち、前記基板にパターンを投影する投影光学系の瞳に１次以上の回折光が入射するための最小ピッチよりも大きく、且つ、前記検出マークを検出する検出系の瞳に１次以上の回折光が入射するための最小ピッチよりも小さいことを特徴とする基板。
【請求項１２】
基板の上に形成されたラインパターンから検出マークを形成する形成方法によって形成される検出マークを有する基板を製造する製造方法であって、
前記形成方法は、
前記基板の上の前記検出マークを形成するための第１領域と、前記第１領域を囲み、前記検出マークの形成を禁止する第２領域とを決定する第１ステップと、
前記第１領域における前記ラインパターンが延在する方向における複数の位置において前記ラインパターンを切断して複数のマーク要素を形成するための第１カットパターンと、前記第２領域における前記ラインパターンを除去するための除去パターンとを含むパターンを投影光学系によって前記基板の上に投影し、前記複数のマーク要素で前記検出マークを形成する第２ステップと、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
ラインパターンが形成される基板の上に検出マークを形成する形成方法によって形成される検出マークを有する基板を製造する製造方法であって、
前記形成方法は、
前記基板の上の前記検出マークを形成するための第１領域と、前記第１領域を囲み、前記検出マークの形成を禁止する第２領域とを決定する第１ステップと、
前記第１領域及び前記第２領域に対して、前記ラインパターンが延在する方向に配列された複数のマーク要素を含むパターンを投影光学系によって投影し、前記第１領域に前記複数のマーク要素のそれぞれに対応する複数のレジストパターンを形成する第２ステップと、
前記第２ステップで形成された複数のレジストパターンのそれぞれの側面にサイドウォールを形成し、前記複数のレジストパターンを除去して当該サイドウォールによって前記検出マークを形成する第３ステップと、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
前記基板は、前記投影光学系を有する露光装置によってデバイスのパターンが転写される基板を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の形成方法。
【請求項１５】
前記投影光学系は、マスクのパターンを前記基板に投影することを特徴とする請求項１乃至１０及び１４のうちいずれか１項に記載の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】形成方法、基板及び製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板の上に検出マークを形成する形成方法、基板及び製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての形成方法は、基板の上に形成されたラインパターンから検出マークを形成する形成方法であって、前記基板の上の前記検出マークを形成するための第１領域と、前記第１領域を囲み、前記検出マークの形成を禁止する第２領域とを決定する第１ステップと、前記第１領域における前記ラインパターンが延在する方向における複数の位置において前記ラインパターンを切断して複数のマーク要素を形成するための第１カットパターンと、前記第２領域における前記ラインパターンを除去するための除去パターンとを含むパターンを投影光学系によって前記基板の上に投影し、前記複数のマーク要素で前記検出マークを形成する第２ステップと、を有することを特徴とする。