【事件の表示】
　特願２０１１−５４８２８６「半導体デバイス上に共形酸化物層を形成するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月　５日国際公開、ＷＯ２０１０／０８８３４８、平成２４年　７月１９日国内公表、特表２０１２−５１６５７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２２年（２０１０年）１月２８日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年１月２８日及び２０１０年１月２２日，米国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　１月２５日　審査請求
平成２６年　２月２７日　拒絶理由通知
平成２６年　６月１８日　意見書・手続補正
平成２７年　１月２８日　拒絶査定
平成２７年　５月２９日　審判請求・手続補正
平成２７年１０月１４日　上申書
平成２８年　６月２９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２８年１２月　１日　意見書・手続補正
　
２　本願発明について
（１）本願発明１について
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は，平成２８年１２月１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
「半導体基板上の酸化物層を加工処理する方法であって，
　イオン発生領域を有するプラズマ反応チャンバ内の基板支持部上に酸化すべき基板を置くこと，
　前記プラズマ反応チャンバ中にプロセスガスを導入すること，及び
　−５０℃〜１００℃の範囲内の温度で前記基板を積極的に冷却しながら，水平表面厚さ及び側壁厚さを有する酸化物層を前記基板上に形成するために，前記プラズマ反応チャンバの前記イオン発生領域内にプラズマを発生させること
を含み，
　前記プラズマが２〜２０ｋＨｚでパルス化されて５％〜２０％のオンデューティサイクルであって，前記イオン発生領域は，基板の上方，２ｃｍより大きく２０ｃｍ以下の範囲内にある，方法。」
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　当審拒絶理由で引用された特表２００８−５３０７８３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　半導体基板上にトランジスタデバイスのゲートを製造する方法において，
　プラズマリアクタの真空チャンバに前記基板を配置するステップと，
　前記チャンバ内へ酸素を含むプロセスガスを導入するステップと，
　連続した「オン」タイム中に前記真空チャンバ内のプラズマ生成領域にプラズマを生成し，制御可能なデューティーサイクルを画成する「オン」インターバル及び「オフ」インターバルのうちの，連続した「オン」インターバルを分離する連続した「オフ」インターバル中に，前記プラズマのイオンエネルギーが減衰するのを許容することにより，前記基板の表面に酸化物絶縁層を形成するステップと，
　上記酸化物絶縁層を形成するステップ中に，前記絶縁層における欠陥の形成を制限するように前記デューティーサイクルを限定するステップと，
を備えた方法。
・・・
【請求項１３】
　
前記基板を選択された温度より低く維持する
（イ）「【０００４】
　[04]従って，均一な厚さを有し非常に高い品質（欠陥のない）の薄いゲート酸化物層を形成するための低温プロセスが必要とされている。」
（ウ）「【発明の詳細な説明】
【０００６】
　[22]図１は，本発明のゲート酸化物形成プロセスを実施するためのプラズマリアクタを例示している。こ
のリアクタは，パルス化高周波電力発生器によって駆動される誘導結合プラズマ源電力アプリケーターを有している。このリアクタは，円筒状側壁部１２及びドーム形状（図示されているような）であっても平坦状であってもよい天井部１４を有するチャンバ１０を含む。
天井部１４上のコイルアンテナ１６からなる。
半導体ウエハ２７を保持するための静電チャックであってよいウエハ支持ペデスタル２６
（エ）「【００１８】
　[34]
図１のコイルアンテナ１６に印加される高周波電力をパルス化する効果について，図９に例示されている。この図９は，プラズマエネルギー（電子温度Ｔｅ及びボルツマン定数ｋによって示されるような）の時間変化を示している。パルス化高周波電力の「オン」タイム中には，プラズマエネルギーは増大し，「オフ」タイム中には，プラズマエネルギーは減少する。各「オフ」タイム中には，最も速い電子がチャンバ壁部へ拡散し，プラズマが低温となる。短い「オン」タイム中には，コイルアンテナ１６によって包囲される体積に概ね対応するイオン発生領域３９にプラズマが生成される。図１に示されるように，このイオン発生領域３９は，ウエハ２７の上方，相当の距離Ｌ
Ｄ
の高さとされている。「オン」タイム中に天井部１４の近くのイオン発生領域に生成されたプラズマは，「オフ」タイム中にウエハ２７の方へ平均速度Ｖ
Ｄ
（図１）で浮動する。「オフ」タイム中には，最もエネルギーを持った電子がプラズマイオン浮動速度Ｖ
Ｄ
よりもはるかに速い速度でチャンバ壁部へ拡散していく。従って，「オフ」タイム中には，プラズマイオンエネルギーは，それらイオンがウエハ２７に達する前に相当に減少する。
この「オフ」タイムＴＦは，約２ｋＨｚと２０ｋＨｚとのあいだのパルス周波数及び約５％と２０％との間の「オン」デューティーサイクルにより定義されている。
イオン発生領域とウエハとの距離Ｌ
Ｄ
は，約２ｃｍ又は３ｃｍの程度である。
（オ）「【００２６】
　[42]図１５は，
半導体基板上にゲート電極を形成するための本発明の方法による酸化プロセスにおける一連のステップのブロック図である。第１のステップは，プラズマリアクタの真空チャンバに基板を配置することである（図１５のブロック１１０）。次のステップは，チャンバの真空圧力を維持しながら酸素を含むプロセスガスをチャンバ内へ導入することである（図１５のブロック１１２）。絶縁ゲート酸化物層４０を形成するため，チャンバのイオン発生領域にプラズマが生成される（ブロック１１４）。
【００２７】
　（ａ）
イオン発生領域と基板との間に距離Ｌの分離を維持する
　（ｂ）連続した「オン」タイム中にのみプラズマ源電力を印加してプラズマを生成し，
次いで，制御可能なデューティーサイクルを画成する「オン」インターバル及び「オフ」インターバルのうちの，連続した「オン」インターバルを分離する連続した「オフ」インターバル中に，上記プラズマのイオンエネルギーが減衰するのを許容するサブステップ（ブロック１１４−２），
　（ｃ）絶縁層におけるイオン衝撃による欠陥の形成を制限するように上記デューティーサイクルを限定するサブステップ（ブロック１１４−３），及び
　（ｄ）絶縁層における汚染による欠陥の形成を制限するようにチャンバの真空圧力を限定するサブステップ（図１５のブロック１１４−４）。」
（カ）「【００２２】
　[38]
パルス化高周波プラズマ酸化プロセスの驚くべき効果は，ゲート絶縁厚さの均一性が大きく改善されるということである。
本発明によってパルス化高周波源電力を使用するとき，二酸化シリコン厚さの分散は，
低いウエハ温度（３０℃）で０．４６％まで減少され，どちらも劇的な改善である。
　イ　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板上にゲート電極を形成するための酸化プロセスにおいて，
　プラズマリアクタのチャンバ内のウエハ支持ペデスタルに基板を配置すること，
　チャンバの真空圧力を維持しながら酸素を含むプロセスガスをチャンバ内へ導入すること，
　絶縁ゲート酸化物層を形成するため，チャンバのイオン発生領域にプラズマが生成されること，を備え
　コイルアンテナに印加される高周波電力はパルス化されており，約２ｋＨｚと２０ｋＨｚとのあいだのパルス周波数及び約５％と２０％との間のオンデューティーサイクルであって，イオン発生領域と基板との間に距離Ｌの分離を維持する方法。」
（３）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２
　当審拒絶理由で引用された特開平５−１６０１１２号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，更に詳しくはＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）により発生させた水素ガスプラズマ及び残存水分子を用いて３０℃以下の低温でプラズマ処理する装置，及びこの装置を使用して試料例えば半導体基板などの表面をプラズマ処理する方法に関するものである。」
（イ）「【０００６】本発明は前記従来技術の問題点を解決するためのものであり，その目的とするところを例示すると以下の如くである。
１）通常熱酸化処理が行われている温度１０００℃程度よりも更に低温で，具体的には３０℃以下で半導体基板表面の処理を行うこと。
２）熱酸化法で均一な酸化膜が得られる酸化膜厚以下の厚さの酸化膜，具体的には１０ｎｍ程度以下の均一な酸化膜を得ること。
３）酸化時間の短縮，具体的には数分の酸化処理で極薄酸化膜を得ること。
４）
極薄酸化膜の作製
５）酸化膜を形成する際の半導体基板の損傷を防ぐこと。」
（ウ）「【００２１】
【実施例】以下の実施例及び比較例により，本発明を更に詳細に説明する。なお，説明の便宜上下記実施例は全て
シリコンウエハ基板の酸化処理
【００２２】実施例
図１に，本発明の
プラズマ処理装置
この装置は
電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマを発生させるプラズマ発生部１，プラズマ発生部１からプラズマ流が導入されるプラズマ反応部２，
試料処理部４の温度を調整する液体窒素を導入するための液体窒素導入管６，
からなり
【００２３】図２は図１に示す本発明装置のプラズマ反応部２内に水分子供給部１１から水分子を導入し，その後圧力を０．１３Ｐａまで排気したときの質量分析結果を示す図である。プラズマ反応部２内には主に質量１８のピークに見られる如く残存水分子が観察され，その量は１０10個／ｃｍ3 程度に達する。次に，このプラズマ反応部２内に水素ガス導入管９から水素ガスを圧力が１．３Ｐａになるまで導入した。更に，プラズマ発生部１に８７５ガウスの磁場と２．４５ＧＨｚのマイクロ波を付与していわゆる電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させた。試料処理部４には，図１に示す如くプラズマ流が当たる面と反対側の面に予めシリコンウエハ基板５を取り付けた。又，試料処理部４はプラズマ反応部２とは絶縁されており，電源部７によって直流電位が印加できる構造になっている。
【００２４】図３に，図１及び図２で示すプラズマ処理条件下でシリコンウエハ基板５を３分間処理する時，シリコンウエハ基板５に電位を印加した場合のシリコンウエハ基板５の損傷についての結果を示す。なお，シリコンウエハ基板５の損傷は電子チャンネリングパターンの強度変化から求めている。この時のプラズマ反応部２のプラズマポテンシャルは２０Ｖ程度であり，これ以上の電位をシリコンウエハ基板５に印加することにより損傷を抑えることができる。しかし６０Ｖ以上の電位をシリコンウエハ基板５に印加すると電子衝突などによる影響でシリコンウエハ基板５の温度上昇があり，低温プラズマ酸化という本発明の目的を達成できない。したがって，シリコンウエハ基板５を損傷させることなくプラズマ酸化を行うためにはシリコンウエハ基板５に印加する電位を２０Ｖから５０Ｖの範囲としてプラズマ酸化を行うことが望ましい。
【００２５】図４は図３で説明したプラズマ処理条件のうち，シリコンウエハ基板５の電位を５０Ｖにしてプラズマによるシリコンウエハ基板の損傷がない条件で処理が行えるようにして，更に
試料処理部４に液体窒素導入管６から液体窒素を導入することによりシリコンウエハ基板５の基板温度を低温具体的には−１００℃にした場合のプラズマ酸化膜の作製
　イ　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「シリコンウエハ基板上にプラズマ酸化膜を作製する方法であって，液体窒素を導入することによりシリコンウエハ基板の基板温度を−１００℃にして極薄酸化膜を作製する方法。」
（４）引用文献３の記載及び引用発明３
　ア　引用文献３
　当審拒絶理由で引用された国際公開第２００７／０９０８５６号（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注。訳は，対応する日本出願の公表公報（特表２００９−５２６３９０号公報）による。）
（ア）「Figures 5A-5M illustrate the exemplary processing steps for forming a CMOS circuit that contains a p-FET and an n-FET with hybrid channel orientations, according to one embodiment of the present invention.
...
A gate dielectric layer 106 is formed over the substrate 102. The gate dielectric layer 106 can be formed by a thermal growing process such as, for example, oxidation, 
The gate dielectric layer 106 is comprised of an insulating material including, 
an oxide
 for example, SiO
 2
 
（訳：図５Ａ〜図５Ｍは，本発明の一実施形態に従った，ハイブリッド・チャネル配向を伴うｐ−ＦＥＴおよびｎ−ＦＥＴを含むＣＯＭＳ回路を形成するために使用される，例示的処理ステップを示す。
・・・
　
基板１０２を覆ってゲート誘電体層１０６が形成される。ゲート誘電体層１０６は，たとえば酸化
熱成長プロセスによって形成することができる
　
ゲート誘電体層１０６は，酸化物
からなる
ゲート誘電体層１０６は，たとえばＳｉＯ
２
（イ）「
Additional gate dielectric layers 116 and 118 are then formed over the recesses 110 and 114, as shown in Figure 5J, using a process similar to that described hereinabove for forming the gate dielectric layer 106.
（訳：
その後，図５Ｊに示されるように，ゲート誘電体層１０６を形成するために上記に記載したものと同様のプロセスを使用して，凹部１１０および１１４を覆って追加のゲート誘電体層１１６および１１８が形成される。
（ウ）図５Ｊには，
基板１０２の凹部の底面及び側面にゲート誘電体層１１６が形成される
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「基板の凹部の底面及び側面に酸化物ゲート誘電体層を酸化により形成する方法。」
（５）本願発明１と引用発明１との対比
　引用発明１における「半導体基板上にゲート電極を形成するための酸化プロセス」は具体的には「絶縁ゲート酸化物層を形成する」ものであるから，本願発明１の「半導体基板上の酸化物層を加工処理する方法」に相当すると認められる。
　引用発明１において「チャンバのイオン発生領域にプラズマが生成される」から，引用発明１の「プラズマリアクタのチャンバ内のウエハ支持ペデスタルに基板を配置すること」は，本願発明１の「イオン発生領域を有するプラズマ反応チャンバ内の基板支持部上に酸化すべき基板を置くこと」に相当すると認められる。
　引用発明１の「チャンバの真空圧力を維持しながら酸素を含むプロセスガスをチャンバ内へ導入すること」は，本願発明１の「前記チャンバ中にプロセスガスを導入すること」に相当すると認められる。
　引用発明１の「絶縁ゲート酸化物層を形成するため，チャンバのイオン発生領域にプラズマが生成されること」は，本願発明１の「酸化物層を前記基板上に形成するために，前記プラズマ反応チャンバの前記イオン発生領域内にプラズマを発生させること」に相当すると認められる。
　引用発明１における「コイルアンテナに印加される高周波電力はパルス化されており，約２ｋＨｚと２０ｋＨｚとのあいだのパルス周波数及び約５％と２０％との間のオンデューティーサイクルであって」は，コイルアンテナの電力でプラズマが生成される（前記（２）ア（エ））から，本願発明１の「前記プラズマが２〜２０ｋＨｚでパルス化されて５％〜２０％のオンデューティサイクルであって」に相当すると認められる。
　引用発明１において「イオン発生領域と基板との間に距離Ｌの分離」の距離Ｌは具体的には「約２ｃｍ又は３ｃｍの程度である」ことが開示されている（前記（２）ア（エ）参照。）から，引用発明１における「距離Ｌ」は，本願発明１における「前記イオン発生領域は，基板の上方，２ｃｍより大きく２０ｃｍ以下の範囲内にある」を満たすものである。
　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「半導体基板上の酸化物層を加工処理する方法であって，
　イオン発生領域を有するプラズマ反応チャンバ内の基板支持部上に酸化すべき基板を置くこと，
　前記チャンバ中にプロセスガスを導入すること，及び
　酸化物層を前記基板上に形成するために，前記プラズマ反応チャンバの前記イオン発生領域内にプラズマを発生させること
を含み，
　前記プラズマが２〜２０ｋＨｚでパルス化されて５％〜２０％のオンデューティサイクルであって，前記イオン発生領域は，基板の上方，２ｃｍより大きく２０ｃｍ以下の範囲内にある，方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１においては「−５０℃〜１００℃の範囲内の温度で前記基板を積極的に冷却しながら」プラズマを発生させるのに対し，引用発明１においては半導体基板を積極的に冷却することは開示されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１においては「水平表面厚さ及び側壁厚さを有する酸化物層」を形成するのに対し，引用発明１における酸化物絶縁層は水平表面厚さ及び側壁厚さを有することは開示されていない点。
（６）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用発明１は「均一な厚さを有し非常に高い品質の薄いゲート酸化物層を形成するために低温プロセス」を実現するもので（前記（２）ア（イ）），引用文献１には「基板を選択された温度より低く維持する」こと（前記（２）ア（ア）），具体的に「３０℃の低いウエハ温度」とすること（前記（２）ア（カ））が開示されているから，引用文献１には半導体基板を３０℃に維持することが示唆されているといえる。
　そして，引用文献２には「シリコンウエハ基板上にプラズマ酸化膜を作製する方法であって，液体窒素を導入することによりシリコンウエハ基板の基板温度を−１００℃にして極薄酸化膜を作製する方法。」が記載されているから，当業者が上記示唆に基づいて引用発明２を参照して，薄い酸化膜を作製するために半導体基板を冷媒により積極的に冷却するようにすることは，当業者が容易に想到することであり，この際に，例えば３０℃の温度を実現するために冷媒の種類や冷却効率を適宜設計することは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
　引用発明１は均一な厚さを有し非常に高い品質の薄いゲート酸化物層を形成するもの（前記（２）ア（イ））であるから，一般にゲート酸化物層を形成する酸化方法に求められる課題を解決するものであるところ，ゲート酸化物層の形成では，基板に凹部がある場合，凹部の底面や側面を酸化する必要性があることは，引用発明３に示唆されている。してみると引用発明１を引用発明３のような基板に凹部がある場合の酸化物ゲート誘電体層を酸化により形成する方法に適用して，一般的な課題を解決しようとすることは当業者が容易に想到することである。また，トランジスタの形成では，半導体基板上に凹部を設けてゲートを形成することは広く行われているところ，ゲート酸化物層の形成では，基板に凹部がある場合，凹部の底面や側面を酸化する必要性があることは，引用発明３に示唆されている。
　すると，引用発明１において，凹部がある基板に対してもゲート酸化物層を形成すること，その際に凹部の底面や側面にも均一の厚さを有し，非常に高い品質の薄い酸化物層を形成することで，相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
（７）本願発明１の効果について
　本願発明１の効果は，引用発明１ないし３の構成から当業者が予測できるものであり，格別のものではない。
（８）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用発明１ないし３に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。