(57)【要約】  本発明は、光生成アクティブ領域（３）から放射されたビームとミラー層（４）によって反射された光とが干渉し、この干渉によりアクティブ領域（３）の内部量子効率が制御され、これによってアクティブ領域（３）の少なくとも１つの優先方向を有する放射特性が達成されるように、ミラー層（４）とアクティブ領域（３）の間隔が調節されている、薄膜発光ダイオードチップに関する。
2007533143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜発光ダイオードチップにおいて、
光生成アクティブ領域（３）から前記薄膜発光ダイオードチップのビーム出力結合面の方向に放射されたビームとミラー層（４）によって反射されたビームとが干渉し、該干渉により前記アクティブ領域（３）の内部量子効率が制御されて該アクティブ領域（３）の少なくとも１つの優先方向を有する放射特性が達成されるように、前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）との間の間隔が調節されており、
出力結合層は半導体性であることを特徴とする、薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記アクティブ領域（３）および前記出力結合層を包含する半導体ボディ（１，２，３）を有する、請求項１記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項３】
共振器を包含しない、請求項２記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記アクティブ領域（３）は、第１の導電型の第１の半導体層（１）と第２の導電型の第２の半導体層（２）との間に配置されており、
前記第２の半導体層（２）は出力結合層を形成し、
前記第１の半導体層（１）は前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）との間に配置されている、請求項２または３記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記第２の半導体層（２）は前記アクティブ領域（３）と反射防止層（７）との間に配置されている、請求項３または４記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記ミラー層（４）は広帯域で反射する、請求項１から５までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記ミラー層（４）は金属層である、請求項６記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）の間隔は前記第１の半導体層（１）の厚さに等しい、請求項４から７までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）の間隔は２λ以下であり、ここでλは前記半導体ボディにおける光の波長である、請求項１から８までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）の間隔は０．１６λ〜０．２８λであり、ここでλは前記半導体ボディにおける光の波長である、請求項１から９までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）の間隔は０．６３λ〜０．７８λであり、ここでλは前記半導体ボディにおける光の波長である、請求項１から９までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１２】
前記ミラー層（４）と前記アクティブ領域（３）の間隔は１．１５λ〜１．３８λであり、ここでλは前記半導体ボディにおける光の波長である、請求項１から９までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１３】
前記半導体ボディはＧａＮまたはＧａＮ化合物を含有する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１４】
前記半導体ボディ（１，２，３）に関する成長基板ではない、前記ミラー層（４）に対向する支持体（６）を有する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１５】
前記ミラー層（４）と前記支持体（６）との間には少なくとも１つの接着仲介層（５）が設けられている、請求項１４記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１６】
前記半導体ボディ（１，２，３）は平坦な出力結合面を有する、請求項２から１５までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１７】
前記半導体ボディ（１，２，３）は粗面仕上げされた出力結合面を有する、請求項２から１５までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【請求項１８】
前記支持体（６）は導電性であり、且つ前記第１の半導体層（１）は該支持体（６）を介して接触している、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の薄膜発光ダイオードチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードチップ、殊に薄膜発光ダイオードチップに関する。
【０００２】
刊行物Y. C. Shen等著「Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum-well-heterostructure flip-chip light-emmiting diodes」Appl. Phys. Lett. 第８２巻、第１４号、第２２２１ページから、ＧａＮベースのＦＣＬＥＤチップ（フリップチップ装置内の発光ダイオードチップ）が公知である。ここでは出力結合層としてサファイア基板が使用されている。
【０００３】
刊行物US 2003/0143772 A1から、成長基板の無いＡｌＧａＩｎＮエピタキシ構造を有する薄膜ＬＥＤチップが公知である。
【０００４】
本発明の課題は、高効率で吸収損失の少ない薄膜発光ダイオードチップを提供することである。
【０００５】
アクティブ領域から放射されたビームとミラー層によって反射された光とが干渉するように、ミラー層と光形成アクティブ領域との間の間隔が調節されている薄膜発光ダイオードチップが提供される。この干渉によってアクティブ領域の内部量子効率が制御され、アクティブ領域の方向依存性の放射特性が達成される。方向依存性の放射特性は少なくとも１つの優先方向を有する。薄膜発光ダイオードチップは少なくとも半導体性である出力結合層を有する。出力結合層は反射防止層ではない。
【０００６】
薄膜発光ダイオードチップは殊に以下の特徴を有する：
−ビームを形成するエピタキシ層列の支持体側の主面には反射層が被着または形成されており、この反射層はエピタキシ層列内で形成された電磁ビームの少なくとも一部をこのエピタキシ層列に戻るよう反射させる。
−エピタキシ層列は２０μｍまたはそれ以下の範囲、殊に４μｍ〜１０μｍの範囲の厚さを有する。
−エピタキシ層列は混合構造を有する少なくとも１つの面を備えた少なくとも１つの半導体層を包含し、理想的な場合にはこの面によりエピタキシ層列内にほぼエルゴード的な光分布が生じる。すなわち、この光分布は可能な限りエルゴード的な確率分散特性を有する。
【０００７】
薄膜発光ダイオードチップは良好な近時ではランベルト表面放射器である。薄膜発光ダイオードチップの基本原理は、例えば刊行物I. Schnitzer等著Appi. Phys. Lett. 63 (16)、１９９３年１０月１８日、第２１７４〜２１７６頁に記載されている。
【０００８】
本明細書において薄膜ＬＥＤチップとは殊に、有利には成長後に成長基板が除去されている、エピタキシャルに成長された層を有する層構造を備えた発光ダイオードチップであると解される。エピタキシャルに成長された層の少なくとも一部は半導体層である。チップは成長基板とは異なる支持体を有し、この支持体上に層構造が被着されている。
【０００９】
提供される薄膜ＬＥＤチップは共振器を有さない。提供される薄膜ＬＥＤチップはＲＣＬＥＤ（Resonant Cavity Light Emmiting Diode）とは異なり、ただ１つのミラーしか有していない。薄膜ＬＥＤチップ、また殊にエピタキシャル層構造はＲＣＬＥＤとは異なり、有利にはブラッグミラーを包含しない。
【００１０】
有利な変形形態においては、薄膜発光ダイオードチップはＧａＮベースである。サファイア基板上のＧａＮベースのフリップチップＬＥＤとは異なり、半導体ボディにおいて生成される光は直接的に、すなわちビームを放射するエピタキシャル層列の後段に配置されている基板に起因する吸収損失および反射損失が生じることなく、半導体ボディから出力結合される。
【００１１】
光近接場効果は薄膜ＬＥＤにおける出力結合効率に大いに影響を及ぼす。光近接場効果を用いる利点は、光形成半導体から出力結合されるビームの割合を高められることである。本発明により提供される薄膜チップは７０％を上回ることができる高出力結合効率を特徴とする。
【００１２】
アクティブ領域は通常の場合、例えば単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の形の複数の部分層を有する。
【００１３】
半導体ボディは、第１の導電型の少なくとも１つの第１の半導体層と、第２の導電型の少なくとも１つの第２の半導体層と、これらの半導体層の間に配置されているアクティブ領域とを有する。第１の半導体層は有利にはｐ型にドープされており、第２の半導体層は有利にはｎ型にドープされている。半導体層は有利には透明である。すなわちアクティブ領域において形成されるビームに対して透過性である。
【００１４】
半導体ボディは例えばバリア層を包含することができ、このバリア層は第１の半導体層とミラー層との間に配置されており、また例えばキャリア拡散遮断部として機能する。すなわち第１の半導体層からミラー層の方向へのキャリアの流出を阻止する。キャリアバリア層は有利には少なくとも部分的に半導体性であり、また変形形態においてはＡｌを含有する。キャリアバリア層は有利にはアクティブ領域において形成されるビームに対して透過性である。
【００１５】
半導体ボディは有利にはチップのエピタキシャルに成長された層構造と同一である。半導体ボディの層はウェハとして存在する成長基板上に成長される。先ず、有利にはｎ型にドープされた第２の半導体層がエピタキシャルに析出される。さらにはアクティブ領域またはアクティブ領域の部分層、ｐ型にドープされた第１の半導体層、また必要に応じてキャリアバリア層が順次エピタキシャルに成長される。その後ミラー層が有利にはスパッタリングまたは蒸着により被着される。
【００１６】
ミラー層は有利には金属層である。ミラー層は有利には広帯域で高反射性のものであり、例えば入射する光の少なくとも７０％、有利には少なくとも８０％を反射する。ミラー層は例えばＡｇ、Ａｕ、ＰｔまたはＡｌおよび／またはこれらの金属の内の少なくとも２つの合金から形成されている。ミラー層が種々の前述の金属または合金からなる複数の層を有する多層の層列を形成することもできる。
【００１７】
エピタキシャル層列、成長基板およびミラー層を包含する層結合体は有利には共融的なボンディングによって支持体に固定的に結合されており、この支持体を電気的および／または熱的な特性に関して最適化することができ、またその光学特性に対しては要求は課されない。支持体は有利には導電性または少なくとも半導体性である。支持体材料として例えばゲルマニウム、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＡｌＮまたはＳｉが適している。支持体のミラー層に対向する表面は有利には平坦である。成長基板は層結合体が支持体と結合された後に半導体ボディから剥離される。
【００１８】
ミラー層と支持体との間には少なくとも１つの接着仲介層が設けられている。有利には導電性の接着仲介層が支持体をエピタキシャル層列に結合させ、この際ミラー層は支持体に対向している。接着仲介層は殊に、例えばＰｂＳｎ（はんだ）、ＡｕＧｅ、ＡｕＢｅ、ＡｕＳｉ、Ｓｎ、ＩｎまたはＰｄＩｎからなる金属層でよい。ミラー層を接着仲介層側と対向する拡散遮断層によって保護することができ、この拡散遮断層は例えばＴｉおよび／またはＷを包含する。拡散遮断層は材料が接着仲介層からミラー層に侵入することを阻止する。
【００１９】
ここで挙げた発光ダイオードチップの全ての層、殊に半導体ボディのアクティブ領域および半導体層をそれぞれ複数の部分層から構成することができる。
【００２０】
半導体ボディは出力結合面を有する出力結合層を包含する。出力結合層におけるビーム分布は優先方向を有する。出力結合層は有利には、例えばｎ型にドープされている第２の半導体層と同一である。例えばｐ型にドープされている第１の半導体層は有利にはミラー層とアクティブ領域との間に配置されている。
【００２１】
ミラー層は、干渉の際に光近接場効果が明確に現れるように光源、すなわちアクティブ領域の近傍に配置されている。生成される光波と反射された光波の干渉によって、アクティブ領域における自然放出、殊に放射性再結合の寿命、したがって光生成層における内部量子効率は制御される。好適な（角度依存性の）放射特性を生じさせるアクティブ層までのミラー層からの間隔が所定であれば（例えばλ／４、３λ／４、５λ／４）、内部量子効率も高まる。
【００２２】
ミラーと光源の間隔は例えば最大で２λであり、ここでλ＝λ0／ｎは光学的な媒体（ここでは半導体ボディ）における光の波長であり、またλ0は真空中の光の波長である。光生成層とミラー層の間隔は変形形態においては１．７５λ以下である。別の有利な変形形態においては、この間隔は１．５λ以下である。僅かな間隔は、アクティブ領域において生成されたビームとミラーによって反射されたビームとの相互作用によって、アクティブ領域の自然放出が制御されるという利点を有する。
【００２３】
光源によって生成されたビームとミラーによって反射されたビームを、光源とミラーの間隔が所定であれば建設的に干渉させることができる。例えば、光源とミラーの間隔が（２ｍ＋ｌ）λ／４ｎである場合、但しｎは光学媒体の屈折率を表し、ｍ＝０，１，２．．．は出力結合の次数を表す、光学媒体の境界面に垂直にビームが入射するならばビーム分布の最大値が生じる。０次の出力結合の場合には、回転対称軸が実質的に出力結合境界面に垂直に生じる円錐に全ての光子が放射される。１次の出力結合の場合には、出力結合面の法線に対して比較的大きい角度を有する１つの付加的な放射ローブが存在する。ｍ次の出力結合の場合にはｍ個の付加的なそのような放射ローブが存在する。
【００２４】
実質的に（２ｍ＋ｌ）λ／４である、光形成層とミラー層との間の間隔を調節することによって、アクティブ領域の指向性の放射が達成され、その放射特性はランベルト放射特性とは異なり、また強い強度と弱い強度が交互に並ぶ領域を有する。ビームが光を出力結合する境界面に最初に入射した際に既に全反射の臨界角内にある割合が高くなるように、ミラーから光形成層までの間隔を選定することができ、また半導体内部の放射特性もそのように調節することができる。
【００２５】
ミラー層とアクティブ領域との間の間隔は種々の変形形態において例えば以下の値を取る。
１）０．１６λ〜０．２８λ、すなわち約λ／４；ビーム分布は出力結合面に対して垂直な優先方向を有する。
２）０．６３λおよび０．７８λ、すなわち約３λ／４；ビーム分布は２つの優先方向、殊に出力結合面に対して垂直な優先方向とこの優先方向に対して斜めの優先方向とを有する。
３）１．１５λおよび１．３８λ、すなわち約５λ／４；ビーム分布は３つの優先方向、すなわち出力結合面に対して垂直な優先方向とこの優先方向に対して斜めの２つの優先方向とを有する。
【００２６】
出力結合されたビームの波長は赤外線領域、可視領域または紫外線領域にある。半導体ボディを波長に応じて種々の半導体材料系を基礎として製造することができる。長波ビームに関しては、例えばＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＡｓを基礎とする半導体ボディが適しており、赤色ないし黄色の可視ビームに関しては、例えばＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＰを基礎とする半導体ボディが適しており、短波可視（緑色ないし青色）ビームまたはＵＶビームに関しては、例えばＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮを基礎とする半導体ボディが適している、但し０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１。放射されたビームのスペクトル幅は例えば１５〜４０ｎｍである。しかしながら形成されるビームのスペクトル半値幅は上記の範囲に制限されていない。
【００２７】
光生成層とミラー層との間の間隔は有利にはｐ層の層厚に等しい。
【００２８】
変形形態においては第２の半導体層が平坦な出力結合面を有することができる。この場合チップから放射される光の放射特性はランベルト放射特性とは異なり、高いビーム密度を少なくとも１つの優先方向において有し、また低いビーム密度を他の角度領域において有する。
【００２９】
別の変形形態においては第２の半導体層の出力結合面を、この出力結合面にビームが入射した際に出力結合されないビームが種々の方向で半導体に後方散乱されるように粗面仕上げすることができる。ビーム方向のこの新たな分布によっていわゆる導波路効果が回避され、したがって出力結合効率が高まる。この場合チップから放射されるビームの放射特性は実質的にランベルト放射特性である。
【００３０】
第２の半導体層をアクティブ領域と反射防止層との間に配置することができ、その厚さは４分の１波長にほぼ等しい。反射防止層は有利には、成長基板の除去後に半導体ボディの出力結合面に被着される誘電性の層である。
【００３１】
発光ダイオードチップは有利には光学モジュールとしてケーシングの凹部内に配置されており、この凹部は反射性の表面を有していてもよい。発光ダイオードチップをこの凹部において注型樹脂を用いて封止することができる。薄膜チップを封止するために、ｎ＞１．５５の屈折率を有する高屈折性の樹脂、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を使用することによって光学モジュールの出力結合効率を高めることができる。
【００３２】
以下では本発明を実施例および付属の図面に基づき詳細に説明する。図面は本発明の種々の実施例を示しているが、これらは概略的で縮尺通りのものではない。同一の部分または同様に作用する部分には同一の参照番号を付してある。ここで概略的に、
図１は平坦な出力結合面を有する例示的な薄膜ＬＥＤチップを示し、
図２は、バリア層を包含する半導体ボディと反射防止層とを有する薄膜ＬＥＤチップを示し、
図３は粗面仕上げされた出力結合面を有する薄膜ＬＥＤチップを示し、
図４はＬＥＤチップを有する光学モジュールを示す。
【００３３】
図１は、支持体６および多層構造体１０を有する例示的な薄膜ＬＥＤチップ１００の概略的な断面図を示す。支持体６と多層構造体１０との間には接着仲介層５が配置されている。多層構造体１０は、ｐ導電型の第１の半導体層１とｎ導電型の第２の半導体層２との間に配置されている光放出アクティブ領域３を有する。第１の半導体層１はアクティブ領域３と金属性のミラー層４との間に配置されている。導電性のミラー層４はミラーとしても、第１の半導体層との電気的なコンタクト層としても機能する。ミラー層４は拡散バリア層４５によって保護されており、この拡散バリア層４５はミラー層４と接着仲介層５との間に配置されている。第１の半導体層１、第２の半導体層２およびアクティブ領域３は合わせて１つの半導体ボディ１２３を形成する。この半導体ボディ１２３は拡散バリア層４５およびミラー層４と共に多層構造体１０を形成する。
【００３４】
その種の薄膜ＬＥＤチップの製造方法においては、ここには図示していない成長基板上に順次第２の半導体層２、アクティブ領域３および第１の半導体層１がエピタキシャルに形成される。このエピタキシャル層構造の上には例えばスパッタリング、蒸着によってミラー層４が被着される。多層構造体１０は接着仲介層５を用いて、例えばＧｅから構成されているか、実質的な部分にＧｅを有する支持体６と結合される。続いて成長基板が除去される。成長基板と対向している第２の半導体層２はこの基板の除去後に出力結合層を形成し、またアクティブ領域３側とは反対側におけるこの出力結合層の表面は出力結合面２０を形成し、この出力結合面２０はこの実施例においては平坦である。
【００３５】
アクティブ領域３において形成されたビームおよびミラー層４によって反射されたビームの伝播方向が図１において矢印７ないし８によって示唆されている。２つのビーム成分７と８の干渉によって生じる光は支持体６側とは反対の方向において多層構造体１０から放射される。
【００３６】
この変形形態においては第１の半導体層１の厚さに等しい、ミラー層４とアクティブ領域３の間隔は、アクティブ領域３から放射されたビームがミラー層４によって反射されたビームと干渉し、アクティブ領域３における放射性再結合に関する寿命がこの干渉によって制御されるように調節されている。
【００３７】
図示されている薄膜ＬＥＤチップにおいて使用される近接場効果はキャビティ効果、すなわち光学的な共振器（空洞共振器）において生じる波効果と同等である。この効果によって光生成半導体内部においてその放射特性を、光子の大部分が全反射の角度以下の角度で出力結合境界面に侵入するよう調節することができる。これによってビームの可能な限り多くの部分が、出力結合境界面（＝出力結合面２０）に最初に衝突した際にチップから出力結合される。僅かな部分のみが半導体１，２，３に向かって反射される。光のこの部分は再び出力結合面に入射する前に、ミラー層４における反射およびアクティブ領域３における再吸収に際し損失を被り、それらの量子効率は約５０％にすぎない。すなわち薄膜ＬＥＤチップにおけるキャビティ効果を使用することによってもリサイクル率は著しく低減される。
【００３８】
薄膜フィルムＬＥＤにおけるキャビティ効果を用いるさらなる利点は、半導体の外部の放射特性を制御できる点にある。ミラー層と光生成層の間隔に依存する半導体内の光子の角分布がどのようなものであるかに応じて、出力結合面が粗面仕上げされていなければ、半導体の外部の放射特性を変更することができ、殊に優先方向を有するビーム分布を達成することができる。
【００３９】
光生成層とミラー層の間隔ｄの有利な値は、波長λ0＝４５５ｎｍ（屈折率がｎ＝２．５である半導体内の波長λ＝１８２に相当する）のビームに関しては、０次の出力結合に対して約ｄ＝４０ｎｍであり、１次の出力結合に対してｄ＝１３０ｎｍであり、２次の出力結合に対してｄ＝２３０ｎｍでる。
【００４０】
これらの値は０次においてｄ＝０．２２λ、１次においてｄ＝０．７１λ、また２次においてｄ＝１．２６λに相当する。他の波長に対してもｄを相当に等級付けする必要がある。
【００４１】
出力結合の字数が低くなればなるほど、薄膜ＬＥＤチップの効率はますます高くなる。例えば、２次の出力結合から１次の出力結合に変更すると効率は約２５％上昇する。したがって有利な変形形態においては、０次の出力結合が調節される。
【００４２】
ＧａＮを基礎とする薄膜ＬＥＤチップの好適で具体的な構造は以下の層列を有する：
−表側のコンタクト金属化部
−高ドープされたＧａＮ：Ｓｉ（層厚：７００〜１５００ｎｍ）
−若干低ドープされたＧａＮ：Ｓｉ（層厚：４０００ｎｍ）
−ドープされていないＧａＮ（層厚：３０ｎｍ）
−ＩｎＧａＮ量子箱（層厚：約１ｎｍ；Ｉｎ含有量  約１０％）
−バリア層（約５ｎｍのドープされていないＧａＮ＋６〜７ｎｍのＳｉドープされたＧａＮ＋約５ｎｍのドープされていないＧａＮ）
−上記と同じＩｎＧａＮ量子箱
−上記と同じバリア層
−ＩｎＧａＮ量子箱（層厚約２〜３ｎｍ、Ｉｎ含有量  約２０％）
−ドープされていないＧａＮ層（層厚約５〜１０ｎｍ）
−ｐ型にドープされたＡｌＧａＮ層（層厚２０〜４０ｎｍ；電子バリア層；Ａｌ含有量１０〜２５％）
−ｐ型にドープされたＧａＮ：Ｍｇ（終端層）
−ミラー（閉じた形でないＰｔ層＋Ａｇ層＋拡散バリア＋必要に応じて別の層＋結合層）
−Ｇｅ支持体。
【００４３】
図２による第２の実施例においては、図１による第１の実施例とは異なり、アクティブ領域３とミラー層４に対向する半導体層（すなわち第１の半導体層１）との間に、少なくとも１つの、有利には薄いキャリアバリア層１１が配置されている。キャリアバリア層１１は有利には半導体ボディの構成要素であり、したがってエピタキシャルに成長されており、かつ半導体性である。
【００４４】
さらに図２による実施例においては、第２の半導体層２上にパッシベーション層８が設けられており、このパッシベーション層８は所定の厚さに調節されることによって好適な構成においては反射防止層として構成されている。その種の反射防止層を成長基板の除去後に例えば析出によって被着させることができる。反射防止層８はエピタキシャルには形成されておらず、また例えば酸化ケイ素または窒化ケイ素から構成されている。
【００４５】
図３による薄膜ＬＥＤチップの実施例は図２による実施例とは異なり、粗面仕上げされた出力結合面２０を有する。これによって、キャビティ効果を用いて得られる利得は取るに足らない程度しか低減されない。アクティブ層からミラーまでの距離の変動によっては僅かな程度しか影響が及ぼされない放射特性は有利であると証明されている。
【００４６】
図４には例えば前述の図１から図３の実施例によるパッケージングされた発光ダイオードチップ１００を包含する光学モジュールが示されている。発光ダイオードチップ１００はリードフレーム９２上に実装されており、またケーシング９１の凹部内に組み込まれている。ケーシング９１の凹部は有利には光反射性の表面を有する。発光ダイオードチップは注型樹脂９０でもって封止されている。
【００４７】
本発明を実施例に基づき例示的に説明したが、本発明はそれらの実施例に限定されるものではない。むしろ本発明は個々の新たな特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせも含むものであって、該当する特徴または該当する組み合わせ自体は特許請求の範囲あるいは実施例に明示的に記載されていないとしても、種々の請求項あるいは種々の実施例の個々の特徴相互のあらゆる組み合わせは本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】平坦な出力結合面を有する例示的な薄膜ＬＥＤチップ。
【図２】バリア層を包含する半導体ボディと反射防止層とを有する薄膜ＬＥＤチップ。
【図３】粗面仕上げされた出力結合面を有する薄膜ＬＥＤチップ。
【図４】ＬＥＤチップを有する光学モジュール。
【図１】
2007533143.tif 000003
【図２】
2007533143.tif 000004
【図３】
2007533143.tif 000005
【図４】
2007533143.tif 000006
【国際調査報告】
2007533143.tif 000007
2007533143.tif 000008
2007533143.tif 000009
2007533143.tif 000010
2007533143.tif 000011
2007533143.tif 000012