Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月12日(2016.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコン層の上にシリコン層が積層されている基体であって、前記シリコン層を貫通し底部に前記酸化シリコン層が露出しているマイクロ空室を有する基体を用意し、
前記マイクロ空室の開口を通じて、オゾンまたは酸を用いて前記シリコン層を酸化することによって前記マイクロ空室の内側壁面に酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜に対して濡れ性のある処理液を、前記酸化シリコン膜が形成されたマイクロ空室の空間に導入することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記マイクロ空室のｌ／ｒ（ｌ：マイクロ空室の深さ、ｒ：マイクロ空室の開口の直径）が５以上であることを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記マイクロ空室のｌ／ｒ（ｌ：マイクロ空室の深さ、ｒ：マイクロ空室の開口の直径）が５未満で、Ｖ／Ｓ（Ｖ：マイクロ空室の容積、Ｓ：マイクロ空室の開口の面積）が３以上であることを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記酸化シリコン膜の形成を、オゾン水を用いて行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記酸化シリコン膜の形成を、塩酸、硝酸および硫酸の少なくとも何れかを用いて行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
減圧された雰囲気で前記マイクロ空室に前記処理液を導入することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記処理液は、前記酸化シリコン層のエッチングを行うエッチング液であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記処理液は、バッファードフッ酸であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記処理液は、前記マイクロ空室の洗浄を行う洗浄液であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記基体は半導体基板を有し、
前記酸化シリコン層は前記半導体基板と前記シリコン層との間に配されていることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記マイクロ空室をＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）の形成に用いることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載のデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一つの側面は、酸化シリコン層の上にシリコン層が積層されている基体であって、シリコン層を貫通し底部に酸化シリコン層が露出しているマイクロ空室を有する基体を用意し、マイクロ空室の開口を通じて、オゾンまたは酸を用いてシリコン層を酸化することによってマイクロ空室の内側壁面に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜に対して濡れ性のある処理液を、酸化シリコン膜が形成されたマイクロ空室の空間に導入することを特徴とするデバイスの製造方法にある。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面積の大きい一対のパターン部、前記一対のパターン部の間に所定の間隔をあけて設けられ、前記パターン部よりも面積が小さい一対のランド、および前記一対のランドと前記一対のパターン部とをそれぞれ接続する一対の配線部を備えた配線パターンがベース金属上に形成された回路配線基板と、
所定の長さと所定の幅を有し、長手方向の一端部と他端部にそれぞれ設けられた電極がそれぞれ前記各ランドに接続された電子部品とを備え、
前記配線部は、前記ランドと接続される接続部の幅方向の中心が、前記電子部品の前記所定の幅の領域を前記電子部品の長手方向に延出した領域、および前記電子部品の前記所定の長さの領域を前記電子部品の短手方向に延出した領域のいずれからも外れた位置に配置されるように設けられている、電子制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子制御装置において、
前記回路配線基板は、金属製のベースと、前記ベースと前記各配線パターン間に介在する絶縁層とを備えている、電子制御装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子制御装置において、
前記配線部の少なくとも一方は、前記電子部品の長手方向に直交する方向に延出され、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺と、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記配線部の側辺とは、前記電子部品の長手方向に延在する中心線からの距離が等しい位置で接続されている、電子制御装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電子制御装置において、
前記配線部のそれぞれは、前記電子部品の長手方向に直交する方向に延出され、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺と、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記配線部の側辺とは、前記電子部品の短手方向に延在する中心線からの距離が等しい位置で接続されている、電子制御装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子制御装置において、
一対の前記配線部は、前記電子部品の短手方向に延在する中心線に対して線対称に形成されている、電子制御装置。
【請求項６】
請求項４に記載の電子制御装置において、
一対の前記配線部は、前記電子部品の中心に対し、点対称に形成されている、電子制御装置。
【請求項７】
請求項１に記載の電子制御装置において、
一対の前記配線部のそれぞれは、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺に接続され、
前記配線部の少なくとも一方は、前記電子部品の短手方向に直交する方向に延出され、前記電子部品の長手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺と、前記電子部品の長手方向に延在する中心線から遠い側の前記配線部の側辺とは、前記電子部品の長手方向に延在する中心線からの距離が等しい位置で接続されている、電子制御装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電子制御装置において、
一対の前記配線部のそれぞれは、前記電子部品の短手方向に直交する方向に延出され、前記電子部品の長手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺と、前記電子部品の長手方向に延在する中心線から遠い側の前記配線部の側辺とは、前記電子部品の長手方向に延在する中心線からの距離が等しい位置で接続されている、電子制御装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電子制御装置において、
一対の前記配線部は、前記電子部品の長手方向に延在する中心線に対し、線対称に形成されている、電子制御装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子制御装置において、
一対の前記配線部は、前記電子部品の中心に対し、点対称に形成されている、電子制御装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の電子制御装置において、
前記配線部の一方は、前記電子部品の長手方向に直交する方向に延出され、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺と、前記電子部品の短手方向に延在する中心線から遠い側の前記配線部の側辺とは、前記電子部品の短手方向に延在する中心線からの距離が等しい位置で接続されており、
前記配線部の他方は、前記電子部品の短手方向に直交する方向に延出され、前記電子部品の長手方向に延在する中心線から遠い側の前記ランドの側辺と、前記電子部品の長手方向に延在する中心線から遠い側の前記配線部の側辺とは、前記電子部品の長手方向に延在する中心線からの距離が等しい位置で接続されている、電子制御装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子制御装置において、
前記各ランドは、平面視で、前記電子部品の長手方向に平行な長さが、前記電子部品の短手方向に平行な長さよりも小さい矩形形状を有し、前記電子部品の前記各電極と前記各ランドとは鉛を含まないはんだにより接続されている、電子制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月25日(2016.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の外装部材と、
回路基板と、
前記第１の外装部材と前記回路基板との間に配置され、前記回路基板で発生した熱を前記第１の外装部材に伝達する伝熱部材と、
前記第１の外装部材の外装の少なくとも一部を覆うように前記第１の外装部材に組み付けられる第２の外装部材と、を備え、
前記伝熱部材は、前記第１の外装部材の前記第２の外装部材で覆われる部分で前記第１の外装部材に接続され、前記回路基板で発生した熱を前記第１の外装部材に熱を伝達することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第２の外装部材は、前記第１の外装部材より熱伝導率が低い材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第２の外装部材は、前記第２の外装部材及び前記第１の外装部材より熱伝導率が低い材料からなる両面テープを介して前記第１の外装部材に組み付けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記伝熱部材は、前記第１の外装部材の前記第２の外装部材で覆われる部分で前記第１の外装部材に溶接されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記溶接は、スポット溶接又はレーザ溶接であることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記第１の外装部材と前記第２の外装部材との間に設けられて、前記第１の外装部材と前記第２の外装部材とを電気的に導通する導電部材を備え、
前記導電部材は、前記第１の外装部材と前記伝熱部材とが接続される位置とは異なる位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第１の外装部材には、表面側に凸部が形成されるとともに、裏面側に前記凸部に対応する凹部が形成される刻印部が設けられ、
前記伝熱部材と前記刻印部の前記凹部とが溶接により電気的に接続されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記伝熱部材と前記凹部とが溶接された状態では、前記凸部の表面の溶接痕が除去されていることを特徴とする請求項７に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール基板上にＬＥＤを実装した発光モジュールと前記発光モジュールを固定するためのホルダとを有する発光装置において、
前記ホルダは、中央に開口を有し、下面に前記発光モジュ−ルを固定するための固定用ボスを備え、
前記ホルダの下面に前記発光モジュールを取り付け、
前記固定用ボスの先端部を加熱して前記発光モジュールをかしめることにより前記ホルダに固定する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記モジュール基板は対向する二つの角部に切り欠きを備え、前記ホルダは前記切り欠きに当接する位置決めピンを備え、前記固定用ボスは前記発光モジュールの辺と接触する位置にガイドと一体的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
２個の前記固定用ボスが前記発光モジュールの前記角部をはさむ位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のＬＥＤ発光装置は、モジュール基板上にＬＥＤを実装した発光モジュールと前記発光モジュールを固定するためのホルダとを有する発光装置において、前記ホルダは、中央に開口を有し、下面に前記発光モジュ−ルを固定するための固定用ボスを備え、前記ホルダの下面に前記発光モジュールを取り付け、前記固定用ボスの先端部を加熱して前記発光モジュールをかしめることにより前記ホルダに固定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記モジュール基板は対向する二つの角部に切り欠きを備え、前記ホルダは前記切り欠きに当接する位置決めピンを備え、前記固定用ボスは前記発光モジュールの辺と接触する位置にガイドと一体的に形成されていても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
２個の前記固定用ボスが前記発光モジュールの前記角部をはさむ位置にそれぞれ形成されていても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月6日(2016.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアと、
前記コアの表面上に配置された無機シェルとを備え、
前記無機シェルが、金属アルコキシドのゾルゲル反応物の焼成体である、コアシェル粒子。
【請求項２】
前記コアが有機コアである、請求項１に記載のコアシェル粒子。
【請求項３】
前記無機シェルが、前記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、前記シェル状物を前記コアの分解温度未満で焼成させることにより形成されている、請求項１又は２に記載のコアシェル粒子。
【請求項４】
表面上に導電層が形成され、前記導電層を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又は液晶表示素子用スペーサとして用いられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコアシェル粒子。
【請求項５】
表面上に導電層が形成され、前記導電層を有する導電性粒子を得るために用いられる、請求項４に記載のコアシェル粒子。
【請求項６】
前記金属アルコキシドがシランアルコキシドである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のコアシェル粒子。
【請求項７】
前記無機シェルの厚みが５０ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコアシェル粒子。
【請求項８】
前記コアの粒径が０．５μｍ以上、１００μｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のコアシェル粒子。
【請求項９】
前記無機シェルが、前記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、前記シェル状物を１５０℃以上で焼成させることにより形成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のコアシェル粒子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のコアシェル粒子の製造方法であって、
コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、前記シェル状物を焼成させることにより無機シェルを形成して、
前記コアと、前記コアの表面上に配置された前記無機シェルとを備えるコアシェル粒子を得る、コアシェル粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記無機シェルを、前記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、前記シェル状物を前記コアの分解温度未満で焼成させることにより形成する、請求項１０に記載のコアシェル粒子の製造方法。
【請求項１２】
前記無機シェルを、前記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、前記シェル状物を１５０℃以上で焼成させることにより形成する、請求項１０又は１１に記載のコアシェル粒子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のコアシェル粒子と、
前記コアシェル粒子の表面上に配置された導電層とを備える、導電性粒子。
【請求項１４】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のコアシェル粒子の製造方法によりコアシェル粒子を得る工程と、
前記コアシェル粒子の表面上に導電層を配置して、導電性粒子を得る工程とを備える、導電性粒子の製造方法。
【請求項１５】
導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、
前記導電性粒子が、請求項１〜９のいずれか１項に記載のコアシェル粒子と、前記コアシェル粒子の表面上に配置された導電層とを備える、導電材料。
【請求項１６】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のコアシェル粒子の製造方法によりコアシェル粒子を得る工程と、
前記コアシェル粒子の表面上に導電層を配置して、導電性粒子を得る工程と、
前記導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む導電材料を得る工程とを備える、導電材料の製造方法。
【請求項１７】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記導電性粒子が、請求項１〜９のいずれか１項に記載のコアシェル粒子と、前記コアシェル粒子の表面上に配置された導電層とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項１８】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のコアシェル粒子の製造方法によりコアシェル粒子を得る工程と、
前記コアシェル粒子の表面上に導電層を配置して、導電性粒子を得る工程と、
前記導電性粒子を用いるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続構造体を得る工程とを備え、
前記接続構造体として、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、前記導電性粒子により形成されているか、又は前記導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法、導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料、導電材料の製造方法、接続構造体及び接続構造体の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）：
（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（式中、ａは１．００≦ａ≦１．０１、ｘは０．１２５≦ｘ≦０．３００、ｙは０．０４１≦ｙ≦０．０７４を示す。）
で表わされるペロブスカイト型金属酸化物と、ＭｎおよびＭｇが含有されており、前記Ｍｎの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．１２重量部以上０．４０重量部以下であり、前記Ｍｇの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．１０重量部以下であることを特徴とする圧電材料。
【請求項２】
前記Ｍｇの含有量は０．０５重量部以下であることを特徴とする請求項１に記載の圧電材料。
【請求項３】
前記圧電材料が−２５℃から１００℃において構造相転移点を有さないことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電材料。
【請求項４】
前記圧電材料を構成する結晶粒の平均円相当径が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の圧電材料。
【請求項５】
前記圧電材料の相対密度が９３％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の圧電材料。
【請求項６】
第一の電極、請求項１乃至５のいずれかに記載の圧電材料および第二の電極を有する。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の圧電材料を含む圧電材料層と、電極層とが交互に積層された積層圧電素子。
【請求項８】
請求項６に記載の圧電素子または請求項７に記載の積層圧電素子を配した振動部を備えた液室と、前記液室と連通する吐出口を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項９】
被転写体の載置部と請求項８に記載の液体吐出ヘッドとを有することを特徴とする液体吐出装置。
【請求項１０】
請求項６に記載の圧電素子または請求項７に記載の積層圧電素子を配した振動体と、前記振動体と接触する移動体とを有することを特徴とする超音波モータ。
【請求項１１】
駆動部に請求項１０に記載の超音波モータを有することを特徴とする光学機器。
【請求項１２】
請求項６に記載の圧電素子または請求項７に記載の積層圧電素子を配した振動体を有することを特徴とする振動装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の振動装置を振動板に配した振動部に有することを特徴とする塵埃除去装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の塵埃除去装置と撮像素子ユニットとを有する撮像装置であって、前記塵埃除去装置を前記撮像素子ユニットの受光面側に設けたことを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】
請求項６に記載の圧電素子または請求項７に記載の積層圧電素子を備えた圧電音響部品。
【請求項１６】
請求項６に記載の圧電素子または請求項７に記載の積層圧電素子を備えた電子機器。
【請求項１７】
Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、およびＺｒを含むペロブスカイト型金属酸化物と、
ＭｎおよびＭｇを含有し、
Ｂａ、Ｃａのモル数の和に対するＣａのモル数の比であるｘが０．１２５≦ｘ≦０．３００であり、
Ｔｉ、Ｚｒのモル数の和に対するＺｒのモル数の比であるｙが０．０４１≦ｙ≦０．０７４であり、
Ｔｉ、Ｚｒのモル数の和に対するＢａ、Ｃａのモル数の和の比であるａは１．００≦ａ≦１．０１であり、
前記Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、およびＺｒを含むペロブスカイト型金属酸化物１００重量部に対して、前記Ｍｎの含有量は、金属換算で０．１２重量部以上０．４０重量部以下であり、
前記Ｍｇの含有量は、金属換算で０．１０重量部以下であることを特徴とする圧電材料。
【請求項１８】
第一の電極、請求項１７に記載の圧電材料および第二の電極を有する圧電素子。
【請求項１９】
請求項１７に記載の圧電材料を含む圧電材料層と、電極層が交互に積層された積層圧電素子。
【請求項２０】
請求項１９記載の圧電素子あるいは請求項２０記載の積層圧電素子を備えた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明にかかる圧電材料は、下記一般式（１）：
（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（式中、ａは１．００≦ａ≦１．０１、ｘは０．１２５≦ｘ≦０．３００、ｙは０．０４１≦ｙ≦０．０７４を示す。）
で表わされるペロブスカイト型金属酸化物と、ＭｎおよびＭｇが含有されており、前記Ｍｎの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．１２重量部以上０．４０重量部以下であり、前記Ｍｇの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．１０重量部以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る圧電素子は、第一の電極、前記圧電材料および第二の電極を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る積層圧電素子は、上記の圧電材料を含む圧電材料層と、電極層とが交互に積層されたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る液体吐出ヘッドは、上記の圧電素子または上記の積層圧電素子を配した振動部を備えた液室と、前記液室と連通する吐出口を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る液体吐出装置は、被転写体の載置部と上記の液体吐出ヘッドとを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る超音波モータは、上記の圧電素子または上記の積層圧電素子を配した振動体と、前記振動体と接触する移動体を有することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る撮像装置は、上記の塵埃除去装置と撮像素子ユニットを有する撮像装置であって、前記塵埃除去装置を前記撮像素子ユニットの受光面側に設けたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る圧電音響部品は、上記の圧電素子または上記の積層圧電素子を備えたことを特徴とする。
本発明に係る電子機器は、上記の圧電素子または上記の積層圧電素子を備えたことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明によれば、前記圧電材料を用いた圧電素子、積層圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、圧電音響部品および電子機器を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月17日(2016.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも起伏動が自在なブームの先端部に設けられ、前記ブームの先端部に回転自在に設けられたシーブを介して垂下するワイヤ等を用いて吊り下げられる電柱の上部を支持する電柱支持装置であって、
前記シーブの回転軸と略同一軸を中心として揺動自在に前記ブームの先端部に取り付けられ、前記電柱の上部を収容可能な収容空間を備えた本体部材を有し、
前記本体部材は、前記ブームの起伏動に応じて揺動するように構成されたことを特徴とする電柱支持装置。
【請求項２】
前記本体部材が、略水平になるように重心位置が設定されたことを特徴とする請求項１に記載の電柱支持装置。
【請求項３】
前記本体部材は、前記ブームの先端部の側方、前方および後方のいずれか一つの方向に開口部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電柱支持装置。
【請求項４】
前記本体部材は、前記開口部を開放する開放位置と、前記開口部を閉鎖する閉鎖位置との間で移動自在な開閉部材を備えたことを特徴とする請求項３に記載の電柱支持装置。
【請求項５】
前記本体部材および前記開閉部材の少なくともいずれかは、前記収容空間に対向して設けられ、前記収容空間内に収容支持される前記電柱の軸方向に略直交する回転軸を中心に回転自在なローラ部材を備えたことを特徴とする請求項４に記載の電柱支持装置。
【請求項６】
前記本体部材は、前記ブームの先端部の一方側側方に位置して当該先端部に取り付けられる一方側取付位置および前記ブームの先端部の他方側側方に位置して当該先端部に取り付けられる他方側取付位置に、選択的且つ着脱自在に取り付けられることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電柱支持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような目的達成のため、本発明に係る電柱支持装置は、少なくとも起伏動が自在なブームの先端部（例えば、実施形態におけるブームヘッド２０）に設けられ、前記ブームの先端部に回転自在に設けられたシーブを介して垂下するワイヤ等を用いて吊り下げられる電柱の上部を支持する電柱支持装置であって、前記シーブの回転軸（例えば、実施形態におけるシーブピン２４）と略同一軸を中心として揺動自在に前記ブームの先端部に取り付けられ、前記電柱の上部を収容可能な収容空間を備えた本体部材（例えば、実施形態における本体枠４１）を有し、前記本体部材は、前記ブームの起伏動に応じて揺動するように構成されたことを特徴とする。
なお、前記本体部材が、略水平になるように重心位置が設定されている構成が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る電柱支持装置によれば、吊り上げ用のロープを電柱の下方側にくくりつけて、電柱を吊り上げたときのブーム先端部の高さ位置を低く抑えつつ、吊り上げた電柱の上部を収容空間内に収容して、ブームの起伏動に拘らず電柱を直立状態に保持して傾きを抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングに形成したロータ室にスクリュロータを収容したスクリュ式蒸気膨張装置と、
前記ロータ室に膨張減圧すべき蒸気を供給する蒸気供給流路と、
前記ロータ室内で膨張減圧された蒸気を吐出する蒸気吐出流路と、
前記ロータ室内における蒸気の膨張減圧によって回転する前記スクリュロータの回転により発電する発電機と、
供給された蒸気により前記蒸気吐出流路を吸引して、前記スクリュ式蒸気膨張機の蒸気吐出流路側の蒸気圧力を減圧する蒸気エゼクタとを備えた発電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発電装置
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エゼクタと、前記エゼクタの入口側に配置した液体圧送ポンプ手段と、前記エゼクタの出口側に配置したタンクとを備えたエゼクタ式真空ポンプであって、
前記タンクは、中央部に前記タンクの表面が大気と接する大気接触空間を形成した二重円筒状をなしているエゼクタ式真空ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）化学式（１）に表されるルリコナゾールと、２）カルボン酸及びその誘導体、ケトン、リン酸及びその誘導体、局所麻酔剤、抗ヒスタミン剤並びにＰＯＥ系非イオン界面活性剤から選択される１種又は２種以上の成分とを含有する医薬組成物であって、
６０℃３週間又は４０℃６ヶ月の保存後において、化学式（２）に表されるアミド体の含有量が、ルリコナゾールの仕込み量に対して０．２質量％以下であることを特徴とする、医薬組成物。
【化１】
2014111672.tif 000001
【化２】
2014111672.tif 000002
【請求項２】
前記カルボン酸及びその誘導体、ケトン、リン酸及びその誘導体、局所麻酔剤、抗ヒスタミン剤並びにＰＯＥ系非イオン界面活性剤から選択される成分は、次の（イ）群から選択されるものであることを特徴とする、請求項１に記載の医薬組成物。
（イ）
カルボン酸及びその誘導体：ミリスチン酸イソプロピル、ソルビタン脂肪酸エステル、中鎖脂肪酸トリグリセリド、トリアセチン、クエン酸トリエチル、二塩基酸エステル、サリチル酸エチレングリコール；
ケトン：アセトン、メチルエチルケトン；
リン酸及びその誘導体：ヒドロキシエチリデンジホスホン酸；
局所麻酔剤：リドカイン及びその塩；
抗ヒスタミン剤：ジフェンヒドラミン及びその塩；
ＰＯＥ系非イオン界面活性剤：ＰＯＥ脂肪酸エステル、ＰＯＥアルキル（アルケニル）エーテル、ＰＯＥソルビタン脂肪酸エステル、ＰＯＥ硬化ヒマシ油
【請求項３】
更に、多価アルコール、中鎖、長鎖又は環状の単価アルコール並びにピロリドン及びその誘導体から選ばれる１種又は２種以上を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記多価アルコール、中鎖、長鎖又は環状の単価アルコール並びにピロリドン及びその誘導体は次の（ロ）群から選択されるものであることを特徴とする、請求項３に記載の医薬組成物。
（ロ）
多価アルコール：１，３−ブタンジオール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン；
中鎖、長鎖又は環状の単価アルコール：ベンジルアルコール、オレイルアルコール、イソステアリルアルコール；
ピロリドン及びその誘導体：ピロリドン及びその誘導体
【請求項５】
１）化学式（１）に表されるルリコナゾールと、２）多価アルコール、中鎖、長鎖又は環状の単価アルコール並びにピロリドン及びその誘導体から選ばれる１種又は２種以上とを１質量％未満含有する医薬組成物であって、
６０℃３週間又は４０℃６ヶ月の保存後において、化学式（２）に表されるアミド体の含有量が、ルリコナゾールの仕込み量に対して０．２質量％以下であることを特徴とする、医薬組成物。
【化３】
2014111672.tif 000003
【化４】
2014111672.tif 000004
【請求項６】
前記多価アルコール、中鎖、長鎖又は環状の単価アルコール並びにピロリドン及びその誘導体から選ばれる１種又は２種以上は次の（ロ）群から選択されるものであることを特徴とする、請求項５に記載の医薬組成物。
（ロ）
多価アルコール：１，３−ブタンジオール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン；
中鎖、長鎖又は環状の単価アルコール：ベンジルアルコール、オレイルアルコール、イソステアリルアルコール；
ピロリドン及びその誘導体：ピロリドン及びその誘導体
【請求項７】
前記医薬組成物は、液剤またはクリーム剤であることを特徴とする、請求項１〜６の何れか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
かかるアミド体は、ＨＰＬＣによっても検知、定量できる。なお、ルリコナゾールの類縁体の確認においては、ＳＥ体あるいはＺ体のような異性体との識別のためにキラル順相カラムを用いることが多いが、キラル順相カラムの溶出条件では化学式（２）の化合物は検知されにくいため、アルキルスルホン酸塩等の陽イオン捕捉性カウンターイオンを用いた逆相カラムを用いた条件で検討することが好ましい。この様な分析条件としては、次にあげるものが好ましく例示できる。この条件では、ＳＥ体あるいはＺ体などの主要類縁体
もルリコナゾールとともに検知できる。この様な条件で特に好ましいものは次に示す条件である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月2日(2015.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程と、
混合後に不活性ガス雰囲気で重合させて前駆体製剤を作製する工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記前駆体製剤を加熱することにより環化させる工程と
により作製する剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法。
【請求項２】
シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程において、室温以下の温度として混合する請求項１に記載の剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法。
【請求項３】
シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程において、５℃以下の温度として混合する請求項１に記載の剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法。
【請求項４】
不活性ガス雰囲気下において前記前駆体製剤を加熱することにより環化させる工程の前に、前記前駆体製剤を真空加熱プレスによって所定形状に成型加工する工程を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法。
【請求項５】
二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドの組成比を、モル比で1:1から9:1の範囲とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法。
【請求項６】
シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程における溶媒はN-メチル-2-ピロリドンであって、このN-メチル-2-ピロリドンの溶媒濃度を0.1〜0.5Mとする請求項１〜５のいずれか１項に記載の剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の作製方法によって作製された剛直高分子三次元架橋体フィルムであって、数十ナノメートルサイズの空隙が存在する剛直高分子三次元架橋体フィルム。
【請求項８】
短期耐熱温度が５９４℃以上である請求項７に記載の剛直高分子三次元架橋体フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、Poly(p-phenylenebenzobisoxazole)(PBO)を用いた新規重合法により作製される剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法及び剛直高分子三次元架橋体フィルムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の剛直高分子三次元架橋体フィルムの作製方法では、シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程と、混合後に不活性ガス雰囲気で重合させて前駆体製剤を作製する工程と、不活性ガス雰囲気下において前記前駆体製剤を加熱することにより環化させる工程とにより作製するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、以下の点にも特徴を有するものである。
（１）シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程において、室温以下の温度として混合すること。
（２）シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程において、５℃以下の温度として混合すること。
（３）不活性ガス雰囲気下において前記前駆体製剤を加熱することにより環化させる工程の前に、前記前駆体製剤を真空加熱プレスによって所定形状に成型加工する工程を有すること。
（４）二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドの組成比を、モル比で1:1から9:1の範囲とすること。
（５）シリル化4,6-ジアミノレゾルシノールを溶媒に加えた溶液と、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドを溶媒に加えた溶液とを混合する工程における溶媒はN-メチル-2-ピロリドンであって、このN-メチル-2-ピロリドンの溶媒濃度を0.1〜0.5Mとすること。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
後述するように、二官能基性の塩化テレフタロイルと三官能基性の1,3,5-ベンゼントリカルボニルトリクロリドの組成比は、モル比で1:1から9:1の範囲であればよく、好ましくは1:1から8:2の範囲であり、より好ましくは、7:3である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記のフィルム状のPre-PBO架橋体の合成に関する重合反応は、室温以下で混合した時にも進行するが、15℃以下、より好ましくは5℃以下で行う事でより好適なフィルムの作製を行うことができた。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月3日(2016.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行う可変表示装置に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
識別情報の表示態様がリーチ態様になった後にリーチ演出を実行するリーチ演出実行手段と、
遊技者に所定の遊技価値を付与する遊技価値付与手段とを備え、
前記リーチ演出は、最終停止識別情報として導出表示される識別情報の候補の画像と所定演出を示唆する所定演出示唆画像とが前記可変表示装置に表示される特別リーチ演出を含み、
前記特別リーチ演出が実行された後、最終停止識別情報が導出表示される前に前記所定演出を実行する所定演出実行手段をさらに備え、
前記遊技価値付与手段は、前記所定演出実行手段により前記所定演出が実行されてから前記特定遊技状態に制御されたときと、前記特別リーチ演出が実行された後前記所定演出が実行されずに前記特定遊技状態に制御されたときとで、異なる割合で遊技価値を付与する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）本発明による遊技機は、各々を識別可能な複数種類の識別情報（例えば、特別図柄）の可変表示を行う可変表示装置（例えば、特別図柄表示器８ａ，８ｂ）に特定表示結果（例えば、大当り図柄）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、識別情報の表示態様がリーチ態様になった後にリーチ演出を実行するリーチ演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）と、遊技者に所定の遊技価値を付与する遊技価値付与手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０において、ステップＳ７３，Ｓ１７１Ａの処理を実行する部分）とを備え、リーチ演出は、最終停止識別情報として導出表示される識別情報の候補の画像（例えば、左右の停止図柄と同じ図柄と、左右の停止図柄よりも数字が１つ多い図柄：図４０（Ｃ）参照）と所定演出を示唆する所定演出示唆画像（例えば、キャラクタ図柄９ｂ，９ｃ：図４０（Ｃ）参照）とが可変表示装置に表示される特別リーチ演出を含み（例えば、図４０（Ｃ）に示す演出）、特別リーチ演出が実行された後、最終停止識別情報が導出表示される前に所定演出を実行する所定演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ８２５の処理の結果にもとづいてステップＳ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）をさらに備え、遊技価値付与手段は、所定演出実行手段により所定演出が実行されてから特定遊技状態に制御されたときと、特別リーチ演出が実行された後所定演出が実行されずに特定遊技状態に制御されたときとで、異なる割合で遊技価値を付与する（例えば、図４４，図４５に示すように、通常大当りの場合と確変大当りの場合とで所定演出の実行割合を変えることによって実現される）ことを特徴とする。
そのような構成によれば、所定演出に対して、より遊技者を注目させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機からの空気流のための吐出チャネルと、
第１の冷却チャネルと、
前記吐出チャネルと前記第１の冷却チャネルとの間の境界を形成する圧縮機吐出ケースと、
前記吐出チャネルと前記第１の冷却チャネルとの間の空気のフローを連通させる、前記圧縮機吐出ケースを通る複数のアパーチャと、
ガスタービンエンジンの前記吐出チャネルを通って流れる吐出空気の温度に応答して、前記複数のアパーチャのうちの少なくとも一部のアパーチャを通る前記吐出チャネルと前記第１の冷却チャネルとの間の前記空気のフローを、変形により調節する、前記複数のアパーチャのうちの少なくとも一部のアパーチャ内に位置する複数のボアプラグと、
を備え、
前記ボアプラグが形状記憶合金を含み、
前記ボアプラグがそれぞれ異なる形状記憶合金を含み、
前記形状記憶合金がそれぞれ、前記吐出空気の空気流の温度が第１の予め選択された温度を下回るとき、前記アパーチャを通って空気がほとんどまたは全く流れないように、各ボアプラグが制限される第１の形状をとり、
前記形状記憶合金が、前記吐出空気の空気流の温度が少なくとも第２の予め選択された温度であるとき、前記アパーチャを通って空気が自由に流れることができるように各ボアプラグが開放される第２の形状をとり、
前記異なる形状記憶合金それぞれの前記第１の予め選択された温度および前記第２の予め選択された温度が異なり、
前記異なる形状記憶合金それぞれに対して、前記第２の予め選択された温度が前記第１の予め選択された温度よりも高く、前記吐出チャネルから前記第１の冷却チャネル内への空気流がある温度範囲にわたって調整され、
各ボアプラグが、前記吐出空気の空気流の温度が前記第１の予め選択された温度と前記第２の予め選択された温度との間であるとき、前記第１の形状と前記第２の形状との間の中間形状をとる、
ガスタービンエンジンの冷却装置。
【請求項２】
前記形状記憶合金が、前記ガスタービンエンジンが直面する温度に反応する、請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記形状記憶合金が二方向形状記憶合金を含み、
前記二方向形状記憶合金が、化学式（Ａ1-xＰＧＭx）0.5+yＢ0.5-yを有し、前記化学式中、ＰＧＭが、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されたプラチナ族金属である、
請求項１に記載の冷却装置。
【請求項４】
前記化学式中、Ａが、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項３に記載の二方向形状記憶合金。
【請求項５】
前記化学式中、Ｂが、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｖ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項４に記載の二方向形状記憶合金。
【請求項６】
空気を圧縮する圧縮機と、
圧縮空気を用いて燃料を燃焼させる燃焼器と、
電力を発生させるタービンと、
を備え、
前記圧縮機が、
前記燃焼器および冷却のため、圧縮空気を前記圧縮機から下流側に方向付ける吐出チャネルと、
タービン動翼への冷却フローを冷却する冷却チャネルと、
前記冷却チャネルと前記吐出チャネルとの間の境界を形成する圧縮機吐出ケースと、
前記吐出チャネルおよび前記冷却チャネルを通る空気のフローの間に連通をもたらす、前記圧縮機吐出ケースの複数のアパーチャと、
ガスタービンエンジンの前記吐出チャネルを通って流れる吐出空気の温度に応答して、前記複数のアパーチャのうちの少なくとも一部のアパーチャを通る前記吐出チャネルと前記第１の冷却チャネルとの間の前記空気のフローを、変形により調節する、前記複数のアパーチャのうちの少なくとも一部のアパーチャ内に位置する複数のリストリクタデバイスと、
を含み、
前記リストリクタデバイスが形状記憶合金を含み、
前記リストリクタデバイスがそれぞれ異なる形状記憶合金を含み、
前記形状記憶合金がそれぞれ、前記吐出空気の空気流の温度が第１の予め選択された温度を下回るとき、前記アパーチャを通って空気がほとんどまたは全く流れないように、制限する第１の形状をとり、
前記形状記憶合金が、前記吐出空気の空気流の温度が少なくとも第２の予め選択された温度であるとき、前記アパーチャを通って空気が自由に流れることができるように各リストリクタデバイスが開放される第２の形状をとり、
前記異なる形状記憶合金それぞれの前記第１の予め選択された温度および前記第２の予め選択された温度が異なり、
前記異なる形状記憶合金それぞれに対して、前記第２の予め選択された温度が前記第１の予め選択された温度よりも高く、前記吐出チャネルから前記第１の冷却チャネル内への空気流がある温度範囲にわたって調整され、
各リストリクタデバイスが、前記吐出空気の空気流の温度が前記第１の予め選択された温度と前記第２の予め選択された温度との間であるとき、前記第１の形状と前記第２の形状との間の中間形状をとる、
ガスタービンエンジン。
【請求項７】
前記リストリクタデバイスが、前記複数のアパーチャのうちの少なくとも一部に位置付けられる複数のボアプラグを含む、請求項６に記載のガスタービンエンジン。
【請求項８】
前記形状記憶合金が二方向形状記憶合金を含む、請求項６に記載のガスタービンエンジン。
【請求項９】
前記二方向形状記憶合金が、化学式（Ａ1-xＰＧＭx）0.5+yＢ0.5-yを有し、前記化学式中、ＰＧＭが、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されたプラチナ族金属である、
請求項６に記載のガスタービンエンジン。
【請求項１０】
前記形状記憶合金が、前記ガスタービンエンジンの圧縮機入口が直面する周囲温度に応答し、前記吐出チャネル内における前記圧縮機からの空気流の温度が、前記圧縮機入口における前記周囲温度に直接関係し、前記形状記憶合金が、前記第１の予め選択された温度を下回る温度で前記形状記憶合金がそのマルテンサイト状態のとき、前記冷却チャネルに空気流が入るのを実質的に防ぐように第１の形状をとり、前記形状記憶合金が、前記第２の予め選択された温度またはそれを上回る温度で前記形状記憶合金がそのオーステナイト状態のとき、前記冷却チャネルに空気流が入るのを実質的に許容する第２の形状をとる、請求項７に記載のガスタービンエンジン。
【請求項１１】
前記第１の予め選択された温度を下回る温度で前記形状記憶合金がそのマルテンサイト状態のとき、動翼シャンク全体にわたるシャンク間の漏れが低減され、それによって前記冷却チャネルに空気流が入るのを防ぐ、請求項１０に記載のガスタービンエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月16日(2016.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品（７６）の標的表面（４８）を圧力コーティングをして１以上のマイクロ・チャネル（４０）を形成する方法であって、
加圧マスキング流体（６４）を含む圧力マスカ（７４）を、物品（７６）の第１のサイド（３６）上の１以上の冷媒供給孔（６２）であって、物品の対向する第２のサイド（３４）上に形成された１以上の溝（５２）と流体連絡する１以上の冷媒供給孔（６２）に、流体的に結合するステップと、
第１の圧力の前記加圧マスキング流体（６４）を、前記１以上の冷媒供給孔（６２）と前記１以上の溝（５２）とを通して、前記第１のサイド（３６）から前記標的表面（４８）を構成する前記第２のサイド（３４）へ送るステップと、
コーティング材料（５０）を前記標的表面（４８）に向けて発射することによって前記標的表面（４８）をコーティングするステップであって、前記加圧マスキング流体（６４）を第１の圧力で前記１以上の溝（５２）に通して前記コーティング材料（５０）が前記１以上の冷媒供給孔（６２）の断面積を実質的に変えないようにする、ステップと、
前記標的表面（４８）のコーティングを続けながら、前記加圧マスキング流体（６４）を前記第１の圧力に等しいか又はそれ以上の第２の圧力で前記１以上の冷媒供給孔（６２）及び前記１以上の溝（５２）を通して出口領域（５３）に向けて送り、前記コーティング材料（５０）が前記１以上の溝（５２）の長さに沿って前記１以上の溝（５２）に橋を架けて前記１以上のマイクロ・チャネル（４０）を形成できるようにするステップであって、前記１以上の溝（５２）が前記コーティング材料（５０）によって橋を架けられるときに前記加圧マスキング流体（６４）を強制的に前記１以上の溝（５２）の前記長さに沿って流すステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記加圧マスキング流体（６４）を前記第２の圧力に等しいか又はそれ以上の第３の圧力で前記１以上のマイクロ・チャネル（４０）を通して送って、拡大された冷媒出口孔（６０）を維持することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加圧マスキング流体（６４）がガスを含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガスが窒素を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記加圧マスキング流体（６４）が液体を含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記コーティング材料（５０）がＭＣｒＡｌＹ（式中、ＭはＮｉ又はＣｏである。）を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記コーティング材料（５０）がイットリア安定化ジルコニアを含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記標的表面（４８）をコーティングするためのコーティング材料（５０）を溶射ガンで発射する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記加圧マスキング流体（６４）を、前記標的表面（４８）のコーティングが終了した後に前記１以上の溝（５２）の前記長さに流し続けて、存在し得る任意の緩く結合した障害物（６６）を取り除く、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記加圧マスキング流体（６４）を前記１以上の溝（５２）に通す際の前記第１の圧力が、前記コーティング材料（５０）のコーティング圧力に等しいか又はそれ以上である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気使用装置の入口側に気液分離器を配置し、当該気液分離器に、当該気液分離器で分離された液体量を検出する分離液体量検出手段を取り付け、
前記蒸気使用装置に、前記蒸気使用装置における蒸気使用効率を検出する蒸気使用装置効率検出手段を取り付け、
前記蒸気使用装置効率検出手段における検出値の減少と、前記分離液体量検出手段における検出値の減少とに基づいて、前記気液分離器の分離効率の低下を判定する方法。