【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
実施形態では、ＰＢＡＷは、基板と；前記基板表面に接続され、周期を有する複数の電極を備え、複数の電極におけるある電極がその電極の周期に少なくとも部分的に基づいた幅を有する共振器と；前記基板および前記共振器に接続されてこれらの上部に配置され、せん断波速度を有する誘電体オーバーコートと；前記誘電体オーバーコートの表面に接続され、前誘電体オーバーコートのせん断波速度より大きなせん断波速度を有する付加的な材料と、を備えていてもよい。実施形態では、前記幅と前記周期との比は、０．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）≦ａ／ｐ−０．５≦１．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しくてもよい。式中、ｐは前記周期、ａは前記幅、ｐｒｅｆは前記ＰＢＡＷデバイスの基準周期である。実施形態では、前記幅と前記周期との前記比は、０．５＋（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しくてもよい。実施形態では、前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を含んでいてもよい。実施形態では、前記誘電体オーバーコートは、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含んでいてもよい。実施形態では、前記共振器の電気機械結合係数は約１６％であってもよい。実施形態では、前記基板のＹ−回転は１８〜２４°であってもよい。実施形態では、前記複数の電極中の電極は、前記電極の材料の測定密度とその材料のせん断弾性率とに少なくとも部分的に基づいた高さを有していてもよい。実施形態では、前記電極の高さを
【数３】
2013225853.tif 000001
に等しくてもよい。式中、ｈｍは前記電極の高さであり、ｃｍは前記電極のせん断弾性率であり、ｃｏｘは前記誘電体オーバーコートのせん断弾性率であり、Δｍは前記電極の密度であり、Δｏｘは前記誘電体オーバーコートの密度である。実施形態では、前記電極は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン（Ｗ）を含んでいてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
実施形態では、プロセスは、圧電境界波（ＰＢＡＷ）デバイスの基板上に、複数の電極の内のそれぞれが、それぞれの周期に少なくとも部分的に基づいた幅を有する複数の電極を備えた共振器を堆積するステップと；前記複数の電極と前記基板上に、せん断波速度を有する誘電体オーバーコートを堆積するステップと；前記誘電体オーバーコート上に、前記誘電体オーバーコートのせん断波速度より大きなせん断波速度を有する付加的な材料を堆積するステップと、を備えていてもよい。実施形態では、前記複数の電極の内のある電極の幅と前記周期との比は、０．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）≦ａ／ｐ−０．５≦１．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しくてもよい。式中、ｐは前記周期、ａは前記幅、ｐｒｅｆは前記ＰＢＡＷデバイスの基準周期である。実施形態では、前記電極の幅と周期との前記比は、０．５＋（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しくてもよい。実施形態では、前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を含んでいてもよい。実施形態では、前記誘電体オーバーコートは、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含んでいてもよい。実施形態では、前記共振器の電気機械結合係数は約１６％であってもよい。実施形態では、前記基板のＹ−回転は１８〜２４°であってもよい。実施形態では、前記複数の電極の内のある電極は、前記電極の材料の測定密度とその材料のせん断弾性率とに少なくとも部分的に基づいた高さを有していてもよい。実施形態では、前記電極の高さを
【数４】
2013225853.tif 000002
に等しくてもよい。式中、ｈｍは前記電極の高さであり、ｃｍは前記電極のせん断弾性率であり、ｃｏｘは前記誘電体オーバーコートのせん断弾性率であり、Δｍは前記電極の密度であり、Δｏｘは前記誘電体オーバーコートの密度である。実施形態では、前記複数の電極の内のある電極は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン（Ｗ）を含んでいてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
実施形態では、システムは、電源と、前記電源に接続された圧電境界波（ＰＢＡＷ）デバイスとを含んでいてもよい。前記ＰＢＡＷデバイスは、基板と；前記基板の表面に接続され、周期と、少なくとも部分的に前記周期に基づいた幅とを有する第１の電極を備えた第１の共振器と；前記基板の表面に接続され、前記第１の電極の周期とは異なる周期と、少なくとも部分的に前記周期に基づくが前記第１の電極の前記幅とは異なる幅と、を有する第２の電極を備えた第２の共振器と；前記基板、前記第１の電極、および前記第２の電極上に配置され、せん断波速度を有する誘電体オーバーコートと；前記誘電体オーバーコート上に配置され、前記誘電体オーバーコートのせん断波速度より大きなせん断波速度を有する付加的な材料と、を備えていてもよい。実施形態では、前記第１の電極の前記幅と周期との比は、最初の電極の時間に対する最初の電極の幅の比率は、０．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）≦ａ／ｐ−０．５≦１．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しくてもよい。式中、ｐは前記周期、ａは前記幅、ｐｒｅｆは基準周期である。実施形態では、前記第１の共振器の電気機械結合係数は約１６％であってもよい。実施形態では、前記基板のＹ−回転は１８〜２４°であってもよい。実施形態では、前記第１の電極の高さは、
【数５】
2013225853.tif 000003
に等しくてもよい。式中、ｈｍは前記第１の電極の高さであり、ｃｍは前記第１の電極のせん断弾性率であり、ｃｏｘは前記誘電体オーバーコートのせん断弾性率であり、Δｍは前記第１の電極の密度であり、Δｏｘは前記誘電体オーバーコートの密度である。実施形態では、前記第１の電極は金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン（Ｗ）を含んでいてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板表面に接続され、周期を有する複数の電極を備え、複数の電極の内のある電極が、その電極の周期に少なくとも部分的に基づいた幅を有する共振器と、
前記基板および前記共振器に接続されてこれらの上部に配置され、せん断波速度を有する誘電体オーバーコートと、
前記誘電体オーバーコートの表面に接続され、前誘電体オーバーコートのせん断波速度より大きなせん断波速度を有する付加的な材料と、
を備え、
前記複数の電極中の電極は、前記電極の材料の測定密度とその材料のせん断弾性率とに少なくとも部分的に基づいた高さを有し、前記電極の前記高さは、
【数１】
2013225853.tif 000004
（式中、ｈｍは前記電極の高さ、ｃｍは前記電極のせん断弾性率、ｃｏｘは前記誘電体オーバーコートのせん断弾性率、Δｍは前記電極の密度、Δｏｘは前記誘電体オーバーコートの密度）に等しいことを特徴とする圧電境界波（ＰＢＡＷ）デバイス。
【請求項２】
前記幅と前記周期との比は、０．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）≦ａ／ｐ−０．５≦１．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）（式中、ｐは前記周期、ａは前記幅、ｐｒｅｆは前記ＰＢＡＷデバイスの基準周期）に等しい請求項１に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項３】
前記幅と前記周期との前記比は、０．５＋（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しい請求項２に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項４】
前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を含む請求項１に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項５】
前記誘電体オーバーコートは酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含む請求項１に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項６】
前記共振器の電気機械結合係数は約１６％である請求項１に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項７】
前記基板のＹ−回転は１８〜２４°である請求項１に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項８】
前記電極は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン（Ｗ）を含む請求項１に記載のＰＢＡＷデバイス。
【請求項９】
圧電境界波（ＰＢＡＷ）デバイスの基板上に、複数の電極の内のそれぞれが、それぞれの周期に少なくとも部分的に基づいた幅を有する複数の電極を備えた共振器を堆積するステップと、
前記複数の電極と前記基板上に、せん断波速度を有する誘電体オーバーコートを堆積するステップと、
前記誘電体オーバーコート上に、前記誘電体オーバーコートのせん断波速度より大きなせん断波速度を有する付加的な材料を堆積するステップと、
を備え、
前記複数の電極中の電極は、前記電極の材料の測定密度とその材料のせん断弾性率とに少なくとも部分的に基づいた高さを有し、前記電極の前記高さは、
【数２】
2013225853.tif 000005
（式中、ｈｍは前記電極の高さ、ｃｍは前記電極のせん断弾性率、ｃｏｘは前記誘電体オーバーコートのせん断弾性率、Δｍは前記電極の密度、Δｏｘは前記誘電体オーバーコートの密度）に等しいことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記複数の電極の内のある電極の幅と前記周期との比は、０．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）≦ａ／ｐ−０．５≦１．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）（式中、ｐは前記周期、ａは前記幅、ｐｒｅｆは前記ＰＢＡＷデバイスの基準周期）に等しい請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記電極の前記幅と前記周期との前記比は、０．５＋（ｐ／ｐｒｅｆ−１）に等しい請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体オーバーコートは酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記共振器の電気機械結合係数は約１６％である請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板のＹ−回転は１８〜２４°である請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の電極中の電極は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン（Ｗ）を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
電源と、
前記電源に接続された圧電境界波（ＰＢＡＷ）デバイスと、
を備えたシステムであって、前記ＰＢＡＷデバイスは、
基板と、
前記基板の表面に接続され、周期と、少なくとも部分的に前記周期に基づいた幅とを有する第１の電極を備えた第１の共振器と、
前記基板の表面に接続され、前記第１の電極の周期とは異なる周期と、少なくとも部分的に前記周期に基づくが前記第１の電極の前記幅とは異なる幅と、を有する第２の電極を備えた第２の共振器と、
前記基板、前記第１の電極、および前記第２の電極上に配置され、せん断波速度を有する誘電体オーバーコートと、
前記誘電体オーバーコート上に配置され、前記誘電体オーバーコートのせん断波速度より大きなせん断波速度を有する付加的な材料と、
を備え、
前記第１の電極の高さは、
【数３】
2013225853.tif 000006
（式中、ｈｍは前記第１の電極の高さ、ｃｍは前記第１の電極のせん断弾性率、ｃｏｘは前記誘電体オーバーコートのせん断弾性率、Δｍは前記第１の電極の密度、Δｏｘは前記誘電体オーバーコートの密度）に等しいことを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記第１の電極の前記幅と前記周期との比は、０．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）≦ａ／ｐ−０．５≦１．５＊（ｐ／ｐｒｅｆ−１）（式中、ｐは前記周期、ａは前記幅、ｐｒｅｆは基準周期）に等しい請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第１の共振器の電気機械結合係数は約１６％である請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記基板のＹ−回転は１８〜２４°である請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】
前記第１の電極は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン（Ｗ）を含む請求項１７に記載のシステム。